Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線パターンを含む第１の領域と、前記第１の領域を囲むように形成されたリング状配線パターンとを備える基板を準備する工程と、
前記基板の第１の領域上に、半導体素子を搭載し、前記半導体素子と前記第１の配線パターンとを電気的に接続する工程と、
第１の金型と、キャビティを有する第２の金型を準備する工程と、
前記半導体素子が、前記キャビティ内に配置されるように、前記第１の金型と、前記第２の金型で、前記リング状配線パターンが形成された部分の前記基板をクランプする工程と、
前記クランプした状態で、前記キャビティ内に樹脂を注入して硬化させ、樹脂モールド部を形成し、前記半導体素子、および前記第１の領域上を前記樹脂モールド部で樹脂封止する工程と、
前記基板を、前記第１の領域と前記リング状配線パターンとの間で切断して、前記樹脂モールド部、前記第１の領域、前記半導体素子を、前記基板のリング状配線パターンが形成された部分から分離する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記クランプする工程において、前記第２の金型を、前記リング状配線パターンに直接接触させてクランプすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の金型は、ゲート部を有しており、前記樹脂封止する工程において、前記ゲート部を流路として、前記キャビティ内に樹脂を供給することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板は、ゲートパターンを有しており、前記クランプする工程において、前記ゲート部を前記ゲートパターン上に配置することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の金型は、エアベント部を有しており、前記リング状配線パターンは、前記クランプした状態で、前記エアベント部に対応する部分に切れ目が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記切れ目は、幅が拡大された部分と、幅が狭められた部分が複数繰り返されて形成されている部分を有することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
第１の配線パターンを含む第１の領域と、前記第１の領域を囲むように形成されたリング状配線パターンとを備える基板を準備する工程と、
前記基板の第１の領域上に、半導体素子を搭載し、前記半導体素子と前記第１の配線パターンとを電気的に接続する工程と、
第１の金型と、キャビティを有する第２の金型を準備する工程と、
前記半導体素子が、前記キャビティ内に配置されるように、かつ、前記第２の金型を、前記リング状配線パターンに直接接触させて、前記第１の金型と、前記第２の金型で、前記リング状配線パターンが形成された部分の前記基板をクランプする工程と、
前記クランプした状態で、前記キャビティ内に樹脂を注入して硬化させ、樹脂モールド部を形成し、前記半導体素子、および前記第１の領域上を前記樹脂モールド部で樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置用フレーム、特にＢＧＡ（Ball Grid Array ）やＣＳＰ（Chip Scale Package）等の片面樹脂封止型半導体パッケージの基板として用いられる半導体装置用フレームを用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる半導体装置用フレームは、第１の配線パターンを含む第１の領域と、前記第１の領域を囲むように形成されたリング状配線パターンとを備える基板を準備する工程と、前記基板の第１の領域上に、半導体素子を搭載し、前記半導体素子と前記第１の配線パターンとを電気的に接続する工程と、第１の金型と、キャビティを有する第２の金型を準備する工程と、前記半導体素子が、前記キャビティ内に配置されるように、前記第１の金型と、前記第２の金型で、前記リング状配線パターンが形成された部分の前記基板をクランプする工程と、前記クランプした状態で、前記キャビティ内に樹脂を注入して硬化させ、樹脂モールド部を形成し、前記半導体素子、および前記第１の領域上を前記樹脂モールド部で樹脂封止する工程と、前記基板を、前記第１の領域と前記リング状配線パターンとの間で切断して、前記樹脂モールド部、前記第１の領域、前記半導体素子を、前記基板のリング状配線パターンが形成された部分から分離する工程とを有するものである。
また、前記クランプする工程において、前記第２の金型を、前記リング状配線パターンに直接接触させてクランプするものである。
さらに、前記第２の金型は、ゲート部を有しており、前記樹脂封止する工程において、前記ゲート部を流路として、前記キャビティ内に樹脂を供給するものである。
さらにまた、前記基板は、ゲートパターンを有しており、前記クランプする工程において、前記ゲート部を前記ゲートパターン上に配置するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、前記第２の金型は、エアベント部を有しており、前記リング状配線パターンは、前記クランプした状態で、前記エアベント部に対応する部分に切れ目が形成されているものである。
さらに、前記切れ目は、幅が拡大された部分と、幅が狭められた部分が複数繰り返されて形成されている部分を有するものである。
さらにまた、第１の配線パターンを含む第１の領域と、前記第１の領域を囲むように形成されたリング状配線パターンとを備える基板を準備する工程と、前記基板の第１の領域上に、半導体素子を搭載し、前記半導体素子と前記第１の配線パターンとを電気的に接続する工程と、第１の金型と、キャビティを有する第２の金型を準備する工程と、前記半導体素子が、前記キャビティ内に配置されるように、かつ、前記第２の金型を、前記リング状配線パターンに直接接触させて、前記第１の金型と、前記第２の金型で、前記リング状配線パターンが形成された部分の前記基板をクランプする工程と、前記クランプした状態で、前記キャビティ内に樹脂を注入して硬化させ、樹脂モールド部を形成し、前記半導体素子、および前記第１の領域上を前記樹脂モールド部で樹脂封止する工程とを有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月8日(2005.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
このため、この発明の強誘電体メモリ用電極の構造によれば、第１電極が白金族元素の柱状結晶粒子で構成されていて、この柱状結晶粒子の結晶成長方向をこの粒子の長さ方向とするとき、柱状結晶粒子は、その長さ方向が、電極が設けられている下地の表面と平行になるように配向されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明の第１電極の構造では、上述したように、柱状結晶粒子の長さ方向が、電極を設ける下地の表面と平行となるようにしてあるため、粒界は第１電極の強誘電体膜と接している側から下地と接している側まで実質的に連続的に形成されていない。また、この発明の電極構造によれば、第１電極の上側に強誘電体膜等を形成する工程中に、強誘電体膜から、この膜の構成成分が第１電極中へ拡散しても、その拡散速度は従来よりも格段に遅いので、第１電極中に達する強誘電体膜の構成成分の拡散を抑制することができる。これにより、第１電極の下に位置する下地を構成する、例えば半導体の領域にまで、強誘電体膜の構成成分が達するのを抑制するので、強誘電体メモリの特性の劣化を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ここで、第１電極を白金族元素の柱状結晶粒子で以て構成してあり、しかも、この柱状結晶粒子の長さ方向を下地表面と平行にしてあるのがよい。これにより、第１電極上への強誘電体膜の形成時に拡散経路となる柱状結晶粒子の粒界は、実質的に、強誘電体膜側から下地側へ連続した粒界とはならないために、強誘電体膜を構成する成分の拡散の速度を遅くすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
この後、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9 膜上に第２電極２１として白金電極を形成して強誘電体メモリの主要の構造体を得る（図２）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月8日(2005.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
ここでは、６インチの鉛ターゲットを用いて酸素含有雰囲気中でスパッタリングを行う。鉛ターゲットと、下地１０上に下部電極１７および強誘電体膜１９が形成された構造体とをスパッタ装置に設置して、酸素１０容量％を含むアルゴンスパッタガスを用いてスパッタリングを行う。このときのスパッタガスのガス圧を７ｍＴｏｒｒ、スパッタパワーを５００ｋＷ、基板温度を３００℃とする。プレスパッタを２分間行った後、シャッターをあけて２０秒間スパッタリングすることによって、強誘電体膜１９上に２０ｎｍの鉛および酸素を含んだ中間層２３が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月8日(2005.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
＜第１の実施の形態＞
この発明の第１の実施の形態として、この発明の強誘電体メモリのサンプルにつき、図１を参照して説明する。図１はこの発明の強誘電体メモリのサンプルの構造を概略的に示した断面の切り口を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月14日(2004.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線を階層構造にしたメモリアレイと、このメモリアレイのワード線を選択するＸデコーダ、メインビット線を選択するＹデコーダ、およびサブビット線を選択するセレクトゲートデコーダとを有する半導体記憶装置であって、
前記Ｘデコーダおよび前記セレクトゲートデコーダは、前記メモリアレイに対して同一側に配置され、前記メモリアレイに近い所に前記Ｘデコーダが配置され、その外側に前記セレクトゲートデコーダが配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体記憶装置であって、
前記セレクトゲートデコーダの出力線は、セレクトゲートにより前記Ｘデコーダの配置の規則性がなくなった所で、このＸデコーダの間を通って前記メモリアレイに供給されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体記憶装置であって、
前記セレクトゲートデコーダの外側に、アドレスバッファ、プリデコーダが配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体記憶装置であって、
前記Ｘデコーダと前記セレクトゲートデコーダとの間に、信号線を共用するための信号線領域が設けられていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
ビット線を階層構造にしたメモリアレイと、このメモリアレイのワード線を選択するＸデコーダ、メインビット線を選択するＹデコーダ、およびサブビット線を選択するセレクトゲートデコーダとを有する半導体記憶装置であって、
前記Ｘデコーダおよび前記セレクトゲートデコーダは、前記メモリアレイに対して同一側に配置され、前記メモリアレイのソース線およびウェル給電線の駆動回路は、前記セレクトゲートデコーダと同じ所に配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体記憶装置であって、
前記ソース線および前記ウェル給電線は、前記メモリアレイのメモリセルブロックの分離で、前記Ｘデコーダの規則性がなくなった所で、このＸデコーダの間を通って前記メモリアレイに供給されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項１、２、３、４、５または６記載の半導体記憶装置であって、
前記半導体記憶装置は、フラッシュＥＥＰＲＯＭであることを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置とその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッド上に設ける突起電極と回路基板に設けた回路電極とを導電粒子を含む異方性導電接着剤で接着する半導体装置において、
前記電極パッド上の周縁部に絶縁膜を備え、
前記電極パッド上に複数の開口部を有する突起状感光性樹脂を設け、
前記突起状感光性樹脂を覆い前記電極パッドに接続する突起電極層とを有し、
前記開口部は、前記導電粒子の大きさより小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
電極パッド上の周縁部に絶縁膜を形成する工程と、
前記電極パッドの上部に第１の感光性樹脂を形成を形成する工程と、
前記第１の感光性樹脂を前記電極パッドが露出するように複数の開口部を形成するようにパターンニングして突起状感光性樹脂を形成する工程と、
前記第１の感光性樹脂の上面と側面と前記電極パッド上面とに突起電極層を形成する工程と、
前記突起電極層の上部に第２の感光性樹脂を形成する工程と、
前記第２の感光性樹脂をパターンニングする工程と、
前記第２の感光性樹脂をエッチングマスクにして前記突起電極層をエッチングする工程と、
前記第２の感光性樹脂を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、該表示パネルを駆動する駆動回路を有するプラズマディスプレイにおいて、上記表示パネルの各色の放電空間を規定するストレート隔壁の間隔、発光面積のうち、赤色、緑色、青色の少なくとも１つの色の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積が他の色の上記隔壁の間隔、発光面積と異なっていることを特徴とするプラズマディスプレイ。
【請求項２】
上記赤色、緑色、青色のうちの２つの色の間の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積の差は、間隔、発光面積の狭い方に対して５%以上あることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ。
【請求項３】
上記赤色、緑色、青色のうちの２つの色の間の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積の差は、間隔、発光面積の狭い方に対して２０%以上あることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ。
【請求項４】
上記赤色、緑色、青色のうちの２つの色の間の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積の差は、間隔、発光面積の狭い方に対して５０%以上あることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ。
【請求項５】
上記赤色の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積は上記他の色の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積と異なっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項６】
上記緑色の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積は上記他の色の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積と異なっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項７】
上記青色の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積は上記他の色の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積と異なっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項８】
上記赤色、上記緑色および上記青色の各々の上記ストレート隔壁の間隔、発光面積は互いに異なっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月12日(2004.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明で用いるアルコール系溶剤（ｄ）を含有する水性溶媒としては、アルコール系溶剤（ｄ）を含有する水性化が可能な溶媒であればよく、例えば、アルコール系溶剤（ｄ）と水（Ｅ）の混合物等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月2日(2005.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
エポキシ樹脂ＡおよびＡ’はエピクロルヒドリンと分子当り２つ以上の水酸基を持つ芳香族−または（環状）脂肪族化合物との反応（Taffy 法) によって公知の様に得ることができるジエポキシまたはポリエポキシ化合物から互いに無関係に選択されるかまたはジエポキシドまたはポリエポキシドと、エピクロルヒドリンと上記の分子当り２つ以上の水酸基を持つ芳香族−または（環状）脂肪族化合物との反応( 前進反応) によって得ることができる。芳香族ジヒドロキシ化合物、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ジヒドロキシジフェニルスルホン、ヒドロキノン、レゾルシノール、１，４−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン；または脂肪族ジヒドロキシ化合物、例えば１，６−ヘキサンジオール、１，４−ブタンジオール、シクロヘキサンジメタノール、またはオリゴ−およびポリプロピレングリコールをベースとするエポキシ樹脂が有利である。エポキシ樹脂の比エポキシ基含有量は好ましくは０．４〜７ｍｏｌ／ｋｇ、特に好ましくは０．６〜６ｍｏｌ／ｋｇである。一つの有利な実施態様においてはジエポキシ化合物がＡおよびＡ’の各場合に使用され、比エポキシ基含有量がＡの場合に０．５〜４ｍｏｌ／ｋｇでそしてＡ’の場合に２〜５．９ｍｏｌ／ｋｇである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内添サイズ剤及び填料が含有されてなり、さらに紙の表面に塗工液が塗布されてなる情報記録用紙であって、内添サイズ剤としてポリアミドエピクロルヒドリン又はポリジアリルジメチルアンモニウムクロライドのいずれかで安定化したアルケニルケテンダイマーを使用したことを特徴とする情報記録用紙。
【請求項２】
上記填料として湿式粉砕ＣａＣＯ３又は沈降性ＣａＣＯ３を使用したことを特徴とする請求項１に記載の情報記録用紙。
【請求項３】
上記塗工液として次の（ａ）〜（ｃ）の成分を含有するものを使用したことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記録用紙。  （ａ）酸化でんぷん、カチオン性酸化でんぷん又は酵素変性でんぷんの少なくとも１種  （ｂ）スチレンアクリルエマルジョン（ＳＡＥ）  （ｃ）食塩
【請求項４】
上記ポリマー安定化アルケニルケテンダイマーの含有割合が、紙１トン当りアルケニルケテンダイマー換算で１〜２ｋｇであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報記録用紙。
【請求項５】
上記スチレンアクリルエマルジョン（ＳＡＥ）の使用量が紙１トン当り乾燥ＳＡＥとして１〜２ｋｇであり、上記ＮａＣｌの使用量が紙１トン当り２〜７ｋｇであることを特徴とする請求項３又は４に記載の情報記録用紙。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
アルケニルケテンダイマーを安定化させるためのポリマーとして、ポリアミドエピクロルヒドリン及びポリジアリルジメチルアンモニウムクロライド（ｐｏｌｙ−ＤＡＤＭＡＣ）のいずれをも使用し得るが、ゼログラフィー複写特性及びインクジェット印刷特性に関しては後者の方が優れている。  なお、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロライドはアニオン性コロイダル中和剤として、また、ポリアミドエピクロルヒドリンは紙力増強剤として、製紙工業分野ではすでに良く知られているが、これらの化合物で安定化したアルケニルケテンダイマーは内添サイズ剤としては用いられてはいなかった。  アルケニルケテンダイマーとしては、サイズ剤として用いられている周知のものが使用でき、本発明では市販のハーキュレス社製アクアペル（登録商標）４２１を用い、これにポリアミドエピクロルヒドリンないしはポリジアリルジメチルアンモニウムクロライドを適量添加して安定化したもの、或いは、ハーキュレス社からＰＲＥＣＩＳ（登録商標）３０００シリーズとして市販されているものを使用し得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（トナーの定着性）  トナーの用紙への定着状態を評価するためにゼログラフィー複写機を使用した。光学濃度試験器として、例えばマクベス・モデル・ＲＤ９１８及びシールテープとしてスコッチ社製のマジックテープ（登録商標）８１０を１／２インチ（１．２７ｃｍ）幅で用いる。第一段階として、光学濃度０．６〜０．７の範囲のブロックパターンを用紙にコピーする。次に実際の光学濃度を測定する。シールテープを用紙のコピー表面に張り付け、０．１〜０．１５ｋｇ／ｃｍの圧力でローラーをシールテープの表面上に１０回かける。その後用紙表面からシールテープを取り去った後、その表面の光学濃度を再測定する。最後の光学濃度値を最初の光学濃度値で割った％値をもってトナー定着性の評価を行う。  この実施例で得られた紙のトナー定着性は、「９５．３４％」であった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月6日(2004.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明で用いられる剥離分割型複合繊維は、繊維形成性ポリエステル系重合体と繊維形成性ポリアミド系重合体とから構成され、機械的処理などで各成分に剥離分割できるものであれば特に限定されない。好ましく用いられるポリアミド系重合体としては、例えばナイロン−６、ナイロン−６６、ナイロン−６１０、ナイロン−１１、ナイロン−１２等があげられ、一方ポリエステル系重合体としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリトリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート及びこれらを主成分とする共重合ポリエステル等があげられる。中でもナイロン−６／ポリエチレンテレフタレートの組合わせが工程性、コスト等の面から好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
剥離分割処理後の単糸繊度は、０．０１〜０．６０ｄｔｅｘの範囲が適当であり、０．０１ｄｔｅｘ未満のものは製造が困難であり、一方０．６０ｄｔｅｘを越えると、得られる不織布のカバーファクターが下がって斑が大きくなりやすく、また風合も低下する傾向にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
以上に述べた本発明の製造方法により得られた極細繊維不織布は、人工皮革の基布用途や衣料用途、内装材、インテリア材等の産業資材用途、工業用ワイパーやワイピングクロス等のワイパー用途、バグフィルターや濾過布等のフィルター用途、医療衛生材料等の用途に好ましく用いることができる。また、薄目付のものが必要な場合には、得られた高目付けのものをスライスすることにより効率的に生産することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、剥離分割型複合繊維の少なくとも一方成分には特定の相溶性パラメーターを有する化合物が添加され、且つ予め水が付与された状態で剥離分割型複合長繊維の分割極細繊維化処理が施されているので、不織布の目付が大きくても、きわめて効率よく分割極細繊維化を行なうことができ、容易に且つ均一性に優れた極細長繊維不織布を提供することができる。また、このようにして得られる該極細繊維不織布は、人工皮革基布、ワイパー、フィルター、医療衛生材料等の用途に好適に使用することができ、その工業的価値はきわめて大きい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
本発明の剥離分割型複合繊維の断面拡大図の一例を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅膜の表面に対して酸性の薬液によって第１の表面処理を行う工程と、
前記第１の表面処理がなされた銅膜の表面に対してアルカリ性の薬液によって第２の表面処理を行う工程と、
前記第１の表面処理と前記第２の表面処理との間にリンスを行う工程と、
を備えたことを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
前記第１の表面処理は、銅化合物及びシリコン化合物の少なくとも一方を前記銅膜に対して選択的に除去する処理である
ことを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
【請求項３】
前記第２の表面処理は、前記第１の表面処理によって前記銅膜の表面に残留した陰イオン成分を除去する処理である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理方法。
【請求項４】
前記酸性の薬液は、ハロゲン化水素からなる酸を含む
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表面処理方法。
【請求項５】
前記アルカリ性の薬液は、金属元素以外の元素で構成されたアルカリを含む
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表面処理方法。
【請求項６】
前記第１の表面処理は、第１の酸性の薬液によって銅膜及びシリコン化合物に対して選択的に銅化合物を除去する工程と、その後に第２の酸性の薬液によって銅膜に対して選択的にシリコン化合物を除去する工程と、を有する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表面処理方法。
【請求項７】
前記酸性の薬液は、ＨＦを含む
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表面処理方法。
【請求項８】
前記アルカリ性の薬液は、ＮＨ4 ＯＨ又はＣｈｏｌｉｎｅを含む
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表面処理方法。
【請求項９】
前記第１の表面処理は、ＨＣｌを含む第１の酸性の薬液による処理と、ＨＦを含む第２の酸性の薬液による処理とを有する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表面処理方法。
【請求項１０】
前記第１の表面処理は、ＨＣｌを含む第１の酸性の薬液による処理と、ＨＣｌ及びＨＦを含む第２の酸性の薬液による処理とを有する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表面処理方法。
【請求項１１】
半導体基板の主面側に銅膜を形成する工程と、
前記銅膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の一部を除去して凹部を形成することで前記銅膜の表面を露出させる工程と、
前記露出した銅膜の表面に対して酸性の薬液によって第１の表面処理を行う工程と、
前記第１の表面処理がなされた銅膜の表面に対してアルカリ性の薬液によって第２の表面処理を行う工程と、
前記第１の表面処理と前記第２の表面処理との間にリンスを行う工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板の主面側に凹部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記凹部内及び前記絶縁膜上に銅膜を形成する工程と、
前記銅膜を研磨することで前記凹部内に選択的に銅膜を残置させる工程と、
前記凹部内に残置した銅膜の表面に対して酸性の薬液によって第１の表面処理を行う工程と、
前記第１の表面処理がなされた銅膜の表面に対してアルカリ性の薬液によって第２の表面処理を行う工程と、
前記第１の表面処理と前記第２の表面処理との間にリンスを行う工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路基体上に堆積した不連続金属シード層を、半分に満たない量のイオン化可能パラジウム化合物及び過半量の銅コロイド粒子を含む銅コロイド組成物と接触させ、実質的に連続した金属シード層を形成し；その基体に１以上の金属イオン及び電解質を含む電気めっき液で金属層を電気的に堆積する工程を含む不連続金属シード層表面に金属層を電気的に堆積する方法、であって前記集積回路基体が１μｍ以下のサイズを有する１以上のアパーチャを有する、方法。
【請求項２】
集積回路デバイス基体上に堆積した金属シード層を、半分に満たない量のイオン化可能パラジウム化合物及び過半量の銅コロイド粒子を含む銅コロイド組成物と接触させ、銅コロイド表面を形成し；その集積回路デバイス基体に１以上の金属イオン及び電解質を含む電気めっき液で金属層を電気的に堆積する工程を含む、集積回路デバイスを製造する方法、であって前記集積回路基体が１μｍ以下のサイズを有する１以上のアパーチャを有する、方法。
【請求項３】
金属シード層が銅シード層である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
パラジウム化合物が約５から約８０ｐｐｍのパラジウム金属を提供するのに十分な量で存在する請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
銅コロイド組成物がコロイド溶液中、１から８ｇ／Ｌの量の銅金属を含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
銅コロイドが約７から約８のｐＨを有する請求項１または２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本発明が、電気銅めっき浴に関して記載されてたが、本発明の実質的に連続なシード層は、錫、錫合金、ニッケル及びニッケル‐合金等のような多様なめっき浴を使用して電気めっきされ得ることは当業者に理解されるであろう。
本発明には以下の態様が包含される。
（１）  基体上に堆積した金属シード層を、半分に満たない量のイオン化可能パラジウム化合物及び過半量の銅コロイド粒子を含む銅コロイド組成物と接触させ、実質的に連続したシード層を形成する工程を含む、基体上に堆積した不連続金属シード層をエンハーンスする方法。
（２）  金属シード層が銅シード層である前記（１）に記載の方法。
（３）  パラジウム化合物が約５から約８０ｐｐｍのパラジウム金属を提供するのに十分な量で存在する前記（１）に記載の方法。
（４）  銅コロイド組成物がコロイド溶液中、１から８ｇ／Ｌの量の銅金属を含む前記（１）に記載の方法。
（５）  金属シード層が浸漬、噴霧及びスピンコーティングにより銅コロイド組成物と接触される前記（１）に記載の方法。
（６）  銅コロイドが約７から約８のｐＨを有する前記（１）に記載の方法。
（７）  基体上に堆積した金属シード層を、半分に満たない量のイオン化可能パラジウム化合物及び過半量の銅コロイド粒子を含む銅コロイド組成物と接触させ、実質的に連続したシード層を形成し；その基体に１以上の金属イオン及び電解質を含む電気めっき液を接触させる工程を含むシード層表面に金属層を電気的に堆積する方法。
（８）  金属シード層が銅シード層である前記（７）に記載の方法。
（９）  パラジウム化合物が約５から約８０ｐｐｍのパラジウム金属を提供するのに十分な量で存在する前記（７）に記載の方法。
（１０）  銅コロイド組成物がコロイド溶液中、１から８ｇ／Ｌの量の銅金属を含む前記（７）に記載の方法。
（１１）  銅コロイドが約７から約８のｐＨを有する前記（７）に記載の方法。
（１２）  １以上の金属イオンが硫酸銅、酢酸銅、フルオロホウ酸銅、グルコン酸銅、蟻酸銅、アルカンスルホン酸銅、アリールスルホン酸銅、スルホン酸銅又は硝酸銅から選択されたものである前記（７）に記載の方法。
（１３）  電解質が酸性である前記（７）に記載の方法。
（１４）  電気めっき液がハロゲン化物、光沢剤、抑制剤、レベラー、グレインリファイナー、湿潤剤及び界面活性剤等から選択される１以上の添加剤を更に含む前記（７）に記載の方法。
（１５）  光沢剤が１．５ｍｇ／Ｌ以上の量で存在する前記（１４）に記載の方法。
（１６）  電子デバイス基体上に堆積した金属シード層を、半分に満たない量のイオン化可能パラジウム化合物及び過半量の銅コロイド粒子を含む銅コロイド組成物と接触させ、銅コロイド表面を形成し；その基体に１以上の金属イオン及び電解質を含む電気めっき液を接触させる工程を含む、電子デバイスを製造する方法。
（１７）  金属シード層が銅シード層である前記（１６）に記載の方法。
（１８）  パラジウム化合物が約５から約８０ｐｐｍのパラジウム金属を提供するのに十分な量で存在する前記（１６）に記載の方法。
（１９）  銅コロイド組成物がコロイド溶液中、１から８ｇ／Ｌの量の銅金属を含む前記（１６）に記載の方法。
（２０）  銅コロイドが約７から約８のｐＨを有する前記（１６）に記載の方法。
（２１）  １以上の金属イオンが硫酸銅、酢酸銅、フルオロホウ酸銅、グルコン酸銅、蟻酸銅、アルカンスルホン酸銅、アリールスルホン酸銅、スルホン酸銅又は硝酸銅から選択されたものである前記（１６）に記載の方法。
（２２）  電解質が酸性である前記（１６）に記載の方法。
（２３）  電気めっき液がハロゲン化物、光沢剤、抑制剤、レベラー、グレインリファイナー、湿潤剤及び界面活性剤等から選択される１以上の添加剤を更に含む前記（１６）に記載の方法。
（２４）  光沢剤が１．５ｍｇ／Ｌ以上の量で存在する前記（２３）に記載の方法。
（２５）  電子デバイスが集積回路である前記（１６）に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不連続な銅シード層、導電層および１μｍ以下の開口部を有する集積回路基体を提供する段階；集積回路基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上への銅のメッキが開始される時間、集積回路基体を低電流密度に付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続して実質的に連続した銅シード層を提供する段階を含む、集積回路の製造法であって、無電解銅メッキ浴が可溶性形態の銅イオン、１以上の還元剤、水、１以上の塩基、任意に１以上の錯生成剤、および任意に１以上の有機溶媒からなる方法。
【請求項２】
導電層、不連続な銅シード層および１μｍ以下の開口部を有する基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上への銅メッキが開始される時間、基体を低電流密度に付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続して実質的に連続した銅シード層を提供する段階を含む、集積回路基体上に堆積された不連続なシード層をエンハーンスする方法であって、無電解銅メッキ浴が可溶性形態の銅イオン、１以上の還元剤、水、１以上の塩基、任意に１以上の錯生成剤、および任意に１以上の有機溶媒からなる方法。
【請求項３】
導電層がバリア層である請求項１記載の方法。
【請求項４】
バリア層が、コバルト、コバルト−タングステン−リン、タングステン、窒化タングステンまたは窒化チタンである請求項３記載の方法。
【請求項５】
電流密度が約１０ｍＡ／ｃｍ２までである請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
該時間が約３０秒までである請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
基体がウェファーである請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
したがって、本発明は、半導体ウェファーを回転するポリッシングパッドと接触させこれにより過剰の物質を除去する化学機械的プラナリゼーションプロセスにより、１μｍ以下の開口部を有する半導体ウェファーから過剰の物質を除去する方法であって、該開口部は、導電層と１μｍ以下の開口部を有する基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上に銅メッキを開始する時間低電流密度を基体に付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続して、銅シード層を提供する段階から得られるシード層堆積物を有する方法を提供する。
本発明は以下の態様を包含する。
（１）  導電層および１μｍ以下の開口部を有する有する基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上に銅のメッキが開始される時間、基体に低電流密度を付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続させて銅シード層を提供する段階を含むシード層を堆積させる方法。
（２）  導電層がバリア層である前記（１）に記載の方法。
（３）  バリア層が、コバルト、コバルト−タングステン−リン、タングステン、窒化タングステンまたは窒化チタンである前記（２）に記載の方法。
（４）  電流密度が約１０ｍＡ／ｃｍ２までである前記（１）に記載の方法。
（５）  電流密度が約５ｍＡ／ｃｍ２までである前記（４）に記載の方法。
（６）  該時間が約３０秒までである前記（１）に記載の方法。
（７）  該時間が約１０秒から約３０秒までである前記（６）に記載の方法。
（８）  開口部が５μｍ以下である前記（１）に記載の方法。
（９）  導電層および１μｍ以下の開口部を有する電子デバイス基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上への銅のメッキが開始される時間、電子デバイス基体を低電流密度に付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続して銅シード層を提供する段階を含む、銅シード層を提供する段階を含む電子デバイスの製造法。
（１０）  導電層がバリア層である前記（９）に記載の方法。
（１１）  バリア層が、コバルト、コバルト−タングステン−リン、タングステン、窒化タングステンまたは窒化チタンである前記（１０）に記載の方法。
（１２）  電流密度が約１０ｍＡ／ｃｍ２までである前記（９）に記載の方法。
（１３）  電流密度が約５ｍＡ／ｃｍ２までである前記（１２）に記載の方法。
（１４）  該時間が約３０秒までである前記（９）に記載の方法。
（１５）  該時間が約１０秒から約３０秒までである前記（１４）に記載の方法。
（１６）  開口部が５μｍ以下である前記（９）に記載の方法。
（１７）  電子デバイスが集積回路である前記（９）に記載の方法。
（１８）  基体がウェファーである前記（９）に記載の方法。
（１９）  不連続なシード層を有する基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階；導電層上への銅メッキが開始される時間、基体を低電流密度に付す段階；電流を停止する段階；および無電解メッキを継続して実質的に連続したシード層を提供する段階を含む、基体上に堆積された不連続なシード層をエンハーンスする方法。
（２０）  不連続シード層が銅または銅合金である前記（１９）に記載の方法。
（２１）  電流密度が約１０ｍＡ／ｃｍ２までである前記（１９）に記載の方法。
（２２）  電流密度が約５ｍＡ／ｃｍ２までである前記（２１）に記載の方法。
（２３）  該時間が約３０秒までである前記（１９）に記載の方法。
（２４）  該時間が約１０秒から約３０秒である前記（２３）に記載の方法。
（２５）  開口部が５μｍ以下である前記（１９）に記載の方法。
（２６）  基体がウェファーである前記（１９）に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月15日(2004.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターロイキン１２を含む溶液を、フェニルセファロース担体に接触させ、担体への吸着物を溶出剤で溶出させることを特徴とするインターロイキン１２の高純度製造法。
【請求項２】
インターロイキン１２がイヌインターロイキン１２であることを特徴とする請求項１記載のインターロイキン１２の高純度製造法。
【請求項３】
溶出剤が塩化アンモニウム溶液であることを特徴とする請求項１または２に記載のインターロイキン１２の高純度製造法。
【請求項４】
インターロイキン１２およびＰ４０ホモダイマーを含む溶液を、フェニルセファロース担体に接触させ、担体への吸着物を溶出剤で溶出させ、インターロイキン１２およびＰ４０ホモダイマーを単離することを特徴とするインターロイキン１２およびＰ４０ホモダイマーの高純度製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声制御式機器を活動化する方法であって、
（ａ）マイクロフォンの配列を使用して、ユーザが、音声を出しているときに前記機器の方を向いていることを検出するステップであって、前記配列のマイクロフォンと前記機器のマイクロフォンとの相対的な位置が既知である、ステップと、
（ｂ）前記ステップ（ａ）が前記ユーザが前記機器の方を向いていることを示す場合だけ、前記音声制御式機器を少なくとも最初にイネーブルするステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記ユーザが、前記音声制御式機器の方を向いているかどうかの決定が、
（ｉ）前記マイクロフォンの配列を使用して前記ユーザの位置を決定するステップと、
（ｉｉ）前記配列の各マイクロフォンで受け取った音声信号の強さを測定するステップと、
（ｉｉｉ）前記ステップ（ｉｉ）で測定したものに実質的に対応する前記マイクロフォンにおける相対強度のパターンを得るように、前記決定されたユーザ位置にいる人間によって生成される音声の相対信号強度マップの向きを有効に決める処理を実行するステップであって、前記マップの向きは、前記ユーザが向いている方向を提供する、ステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マイクロフォンの配列が、前記機器から離れた固定された配列であり、前記機器および前記機器のマイクロフォンの相対位置が既知である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
音声命令の認識が、前記機器で実行される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記マイクロフォン配列が、前記音声制御式機器を含む音声制御式装置のグループのそれぞれの装置と関連付けられたマイクロフォンで構成されている、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記装置の相対位置が、各装置に、電磁信号の送出に対して所定のタイミングで音声を放射させる自動セットアップ・プロセスの結果として既知であり、前記電磁信号が、他の装置が前記放射装置からの距離を決定することができるタイミング点としてはたらき、前記装置が、他の装置からの各自の距離を交換し、それにより、各装置が、すべての装置の前記相対位置を計算できるようにする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記機器が、最初に音声制御をイネーブルされた後で、前記ユーザが前記機器の方に向いているのを止めた後に、前記ユーザが発声し続けている間、および、その後の制限されたタイムアウト期間の間だけイネーブルされ続け、この期間中の発声の再開により、前記タイムアウト期間の計時がリセットされた状態で音声制御が継続される、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ユーザが前記機器の方を向いている間、前記機器のみが音声制御がイネーブルされたままになる、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記機器のスピーチ認識手段が、前記ユーザが前記機器の方を向いている間に該ユーザが所定のキーワードを発声しない限り、該ユーザからの音声入力を無視する、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ユーザが前記機器の方を向いている間に該ユーザが音声を生成する直前に少なくとも所定の静音期間がある場合、前記機器のみが、前記ステップ（ｂ）においてイネーブルされる、請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
音声制御式機器を活動化するためのシステムであって、
マイクロフォンの配列であって、前記配列のマイクロフォンと前記機器のマイクロフォンとの相対位置が既知である、マイクロフォンの配列と、
前記マイクロフォンの配列を使用して、ユーザが音声を出しているときに前記機器の方を向いていることを決定するように動作する方向決定機構と、
前記方向決定機構が、前記ユーザが前記機器の方を向いていることを示す場合だけ、前記機器の音声制御を少なくとも最初にイネーブルするための制御機構と、
を含むシステム。
【請求項１２】
前記方向決定機構が、
前記マイクロフォンの配列を使用して前記ユーザの位置を決定するユーザ位置決定手段と、
前記配列の各マイクロフォンで受け取った音声信号の強度を測定する測定手段と、
前記測定手段で測定したものに実質的に対応する前記マイクロフォンにおける相対強度のパターンを獲得するように、前記決定されたユーザ位置にいる人間によって生成される音声の相対信号強度マップの向きを有効に決める処理を実行する処理手段であって、前記マップの向きは、前記ユーザが向いている方向を示す、処理手段と、
を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記マイクロフォンの配列が、前記機器から離れた固定された配列であり、前記機器および前記機器のマイクロフォンの相対位置が既知である、請求項１１または１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記機器が、音声命令を認識する音声制御機構を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記マイクロフォンの配列が、前記音声制御式機器を含む音声制御式装置のグループの各装置と関連付けられたマイクロフォンから構成されている、請求項１１から１４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１６】
前記装置の相対位置を決定する相対位置決定手段をさらに含み、前記相対位置決定手段が、各装置において、
電磁通信送受信機と、
音声放射源および受信機と、
前記装置に、音声放射源から音声を、電磁通信送受信機からのタイミング基準信号の送出に対して所定の時間関係で放射させる制御手段と、
前記装置からの前記タイミング基準信号の受信時間に対する前記装置によって放射された前記音声の受信時間に基づいて、前記装置から送られた音声の伝送時間を決定することによって、別の装置からの前記装置の距離を決定する距離決定手段と、
装置間距離を他の装置と交換する手段と、
前記装置間距離を使用して、前記装置の相対位置を決定する手段と、
を含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記制御機構は、前記機器が音声制御を最初にイネーブルされた後で動作して、前記ユーザが前記機器の方を向いているのを止めた後に、前記ユーザが発声し続けている間、および、その後の制限されたタイムアウト期間だけ、前記機器の音声制御をイネーブルし続ける非活動化遅延手段を含み、前記非活動化遅延手段が、この期間中の発声の再開に応答して、前記機器の音声制御を、前記タイムアウト期間の計時がリセットされた状態でイネーブルし続ける、請求項１１から１６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１８】
前記制御機構が、前記ユーザが前記機器の方を向いている間だけ前記機器の音声制御をイネーブルするように動作する請求項１１から１６のいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月9日(2004.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ジェットポンプ溶接部の超音波及び／又は渦電流検査を原子炉内のジェットポンプ入口ミキサ及びディフューザの内側から行なうことができる検査具を提供するのは望ましいであろう。遠隔操作ができて原子炉内の固定品目に関する位置情報を提供することができる検査具を提供することも望ましいであろう。
【特許文献１】米国特許５，８７８，０９９号公報
【特許文献２】米国特許６，１６９，７７６号公報
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
沸騰水型原子炉圧力容器（１０）にあって、第１の端部（６４）及び第２の端部（６６）と、前記第１の端部から前記第２の端部へ延出する孔（６８）とを含む炉心スプレーノズルセーフエンド（４２）に装着されるべきＴボックスアセンブリ（３２）において、
Ｔボックスハウジング（３４）と、
前記Ｔボックスハウジングに結合された第１の端部（６２）と、第２の端部（７２）とを有するサーマルスリーブ（５０）と、
前記炉心スプレーノズルセーフエンドの面（１２０）と係合するように構成された十字楔（５４）と、
前記サーマルスリーブと前記第２の端部で螺合する第１の端部（１１８）と、第２の端部（１２２）とを有するスパイダ（５２）と、
前記十字楔と前記スパイダを結合する引き締めボルト（５６）とを具備するＴボックスアセンブリ（３２）。
【請求項２】
前記Ｔボックスハウジング（３４）は第１の端部（３６）と、第２の端部（３８）と、第３の端部（４０）と、カバー開口部（８０）とを具備し、前記第１の端部と前記第２の端部はほぼ整列し且つ第１及び第２の炉心スプレーヘッダパイプ（１８、２０）にそれぞれ結合するように構成されており、前記第３の端部は前記サーマルスリーブ（５０）の前記第１の端部（６２）に結合し、前記カバー開口部は前記Ｔボックスハウジングの前記第３の端部とほぼ整列し、且つ前記Ｔボックスハウジングは前記カバー開口部内へ延出する複数のブリーチロックラグ（８４）を更に具備する請求項１記載のＴボックスアセンブリ（３２）。
【請求項３】
前記Ｔボックスハウジング（３４）に結合するように構成された
Ｔボックスカバープレート（８２）を更に具備し、前記カバープレートはヘッド部分（８８）と、挿入部分（９０）とを具備し、前記挿入部分は前記挿入部分の周囲から延出する複数のブリーチロックラグ（８６）を具備し、前記挿入部分のブリーチロックラグは、前記カバープレートを所定の場所に捕捉するために前記Ｔボックスハウジングのブリーチロックラグ（８４）と歯合するように大きさ及び場所を定められている請求項２記載のＴボックスアセンブリ（３２）。
【請求項４】
前記カバープレート（８２）の前記ヘッド部分（８８）は、前記ヘッド部分の周囲に沿って延出する複数のラチェット歯（９２）を具備する請求項３記載のＴボックスアセンブリ（３２）。
【請求項５】
前記十字楔（５４）は、
貫通する孔（１３６）を有する中央部材（１３４）と、
前記中央部材から延出し、Ｘ字形構造を形成する第１のウェブ部材（１３８）、第２のウェブ部材（１４０）、第３のウェブ部材（１４２）及び第４のウェブ部材（１４４）と、
前記第１及び第２のウェブ部材の第１の端部（１５０、１５２）の間に延出する第１の支持部材（１４６）と、
前記第３及び第４のウェブ部材の第１の端部（１５４、１５６）の間に延出し、前記第１の支持部材と共に前記セーフエンド（４２）の孔（６８）と係合するように構成されている第２の支持部材（１４８）とを具備する請求項１記載のＴボックスアセンブリ（３２）。
【請求項６】
原子炉の原子炉圧力容器（１０）の炉心スプレーラインアセンブリにおいて、
第１の端部（６４）、第２の端部（６６）、前記第１の端部と前記第２の端部との間に延出する孔（６８）を具備する炉心スプレーノズルセーフエンド（４２）とＴボックスアセンブリ（３２）とを具備し、前記Ｔボックスアセンブリは、
Ｔボックスハウジング（３４）と、
前記Ｔボックスハウジングに結合する第１の端部（６２）と、第２の端部（７２）とを有するサーマルスリーブ（５０）と、
前記炉心スプレーノズルセーフエンドの前記孔の内面（１２０）と係合するように構成された十字楔（５４）と、
前記サーマルスリーブと前記第２の端部で螺合する第１の端部（１１８）と、第２の端部（１２２）とを有するスパイダ（５２）と、
前記十字楔と前記スパイダを結合する引き締めボルト（５６）とを具備する炉心スプレーラインアセンブリ。
【請求項７】
前記Ｔボックスハウジング（３４）は第１の端部（３６）と、第２の端部（３８）と、第３の端部（４０）と、カバー開口部（８０）とを具備し、前記第１の端部及び前記第２の端部はほぼ整列し且つ第１及び第２の炉心スプレーヘッダパイプ（１８、２０）にそれぞれ結合するように構成されており、前記第３の端部は前記サーマルスリーブ（５０）の前記第１の端部（６２）に結合し、前記カバー開口部は前記Ｔボックスハウジングの前記第３の端部とほぼ整列し、前記Ｔボックスハウジングは前記カバー開口部内へ延出する複数のブリーチロックラグ（８４）を更に具備する請求項６記載の炉心スプレーラインアセンブリ。
【請求項８】
前記Ｔボックスハウジング（３４）に結合するように構成されたＴボックスカバープレート（８２）を更に具備し、前記カバープレートはヘッド部分（８８）と、挿入部分（９０）とを具備し、前記挿入部分は前記挿入部分の周囲から延出する複数のブリーチロックラグ（８６）を具備し、前記挿入部分のブリーチロックラグは、前記カバープレートを所定の場所に捕捉するために前記Ｔボックスハウジングのブリーチロックラグ（８４）と歯合するように大きさ及び場所を定められている請求項７記載の炉心スプレーラインアセンブリ。
【請求項９】
前記スパイダ（５２）は第１の端部（１１８）及び第２の端部（１２２）を有する円筒形シェル（１１６）を具備し、前記第１の端部は前記ノズルセーフエンド（４２）の内面（１２０）と係合するように構成され、前記第２の端部は前記サーマルスリーブ（５０）と螺合するような大きさに定められた複数のねじ山（１２４）を具備する請求項１２記載の炉心スプレーラインアセンブリ。
【請求項１０】
少なくとも１つのスプリングワッシャ（７４）を更に具備し、前記少なくとも１つのスプリングワッシャは、前記サーマルスリーブ（５０）の前記第２の端部（７２）と前記炉心スプレーノズルセーフエンド（４２）の第１の端部（６４）との間に配置されるように構成されている請求項１２記載の炉心スプレーラインアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】  
【従来の技術】
原子炉圧力容器セーフエンドを取り外すことなく炉心スプレーラインの交換を容易にするアセンブリを提供することが望ましいであろう。また、溶接の必要なく容易に取り外し、設置できるそのようなアセンブリを提供することが望ましいであろう。
【特許文献１】  特開２０００−２２７４９３号公報