【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の基板の第１の面に複数の半導体チップを実装する工程、
（ｂ）前記複数の半導体チップが実装された第１の基板を、前記第１の面に対向する第２の面が金型の下型に向くようにした状態で、かつ、前記第１の面の複数の半導体チップが金型の１つのキャビティ内に収容される状態で、前記金型内にセットする工程、
（ｃ）前記金型における上型と、前記第１の基板における前記第１の面との間にフィルムを介在させた状態で、前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止することにより封止部材を成型する工程、
（ｄ）前記フィルムを用いて前記金型から前記封止部材を離形する工程、
（ｅ）前記第１の基板および封止部材を切断して個々の半導体装置を切り出す工程を有し、
前記第１の基板の前記第１、第２の面には、複数の半導体装置形成領域の一群が配置された第１の領域と、その外側の第２の領域とが配置されており、前記第２の領域には、補強パターンが設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記補強パターンを分割して配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記補強パターンを前記半導体装置形成領域毎に分割して配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記補強パターンのうち、所定の補強パターンは、前記第１、第２の面に沿って伸縮可能なパターン構造とされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記所定の補強パターンは、互いに分離された複数の第１のパターンで構成されており、前記補強パターンの幅方向に隣接する第１のパターンは、前記補強パターンの長手方向に沿って互いにずれて配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記所定の補強パターンはタイル状のパターンからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の基板の第１、第２の面には、配線用の導体パターンと、それが配置された領域以外の領域に配置されたダミー用の導体パターンとが設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記ダミー用の導体パターンを分割して配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の面、第２の面またはその両方の面における半導体装置形成領域の中央にダミー用の導体パターンを配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記第１、第２の面における導体パターンの配置状態が互いに近づくように各々の面に導体パターンを配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の基板の第１、第２の面を被覆する絶縁膜を、配線用の導体パターンの無い領域にも設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１、第２の面に被覆された絶縁膜の被覆状態が互いに近づくように各々の面に保護膜を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の基板の複数の半導体装置形成領域の各々に前記第１、第２の面間を貫通するホールを設け、前記第１の面における前記ホールの周囲に絶縁膜の一部を除去することで形成したダム領域を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）第１の基板の第１の面に複数の半導体チップを実装する工程、
（ｂ）前記複数の半導体チップが実装された第１の基板を、前記第１の面に対向する第２の面が金型の下型に向くようにした状態で、前記金型内にセットする工程、
（ｃ）前記第１の基板の前記第２の面を、前記金型における下型に真空吸着させた状態で、前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止することにより封止部材を成型する工程、
（ｄ）前記第１の基板および前記封止部材を切断して個々の半導体装置を切り出す工程を有し、
前記第１の基板の前記第１、第２の面には、複数の半導体装置形成領域の一群が配置された第１領域と、その外側の第２領域とが配置されており、前記第２領域には、補強パターンが設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、前記補強パターンを分割して配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記補強パターンを前記半導体装置形成領域毎に分割して配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１４、１５または１６記載の半導体装置の製造方法において、前記補強パターンのうち、所定の補強パターンは、前記第１、第２の面に沿って伸縮可能なパターン構造とされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記所定の補強パターンは、互いに分離された複数の第１のパターンで構成されており、前記補強パターンの幅方向に隣接する第１のパターンは、前記補強パターンの長手方向に沿って互いにずれて配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記所定の補強パターンはタイル状のパターンからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
（ａ）第１の基板の第１の面に複数の半導体チップを実装する工程、
（ｂ）前記複数の半導体チップが実装された第１の基板を、前記第１の面に対向する第２の面が金型の下型に向くようにした状態で、前記金型内にセットする工程、
（ｃ）前記第１の基板の前記第２の面を、前記金型における下型に真空吸着させた状態で、前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止することにより封止部材を成型する工程、
（ｄ）前記第１の基板および前記封止部材を切断して個々の半導体装置を切り出す工程を有し、
前記第１の基板の前記第１、第２の面には、配線用の導体パターンと、それが配置された領域以外の領域に配置されたダミー用の導体パターンとが設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、前記ダミー用の導体パターンを分割して配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の面、第２の面またはその両方の面における複数の半導体装置形成領域の各々の中央にダミー用の導体パターンを配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、前記第１、第２の面における導体パターンの配置状態が互いに近づくように各々の面に導体パターンを配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の基板の複数の半導体装置形成領域の各々に前記第１、第２の面間を貫通するホールを設け、前記第１の面における前記ホールの周囲に絶縁膜の一部を除去することで形成したダム領域を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
（ａ）第１の基板の第１の面に複数の半導体チップを実装する工程、
（ｂ）前記複数のチップが実装された第１の基板を、前記第１の面に対向する第２の面が金型の下型に向くようにした状態で、前記金型内にセットする工程、
（ｃ）前記金型のキャビティ内に封止樹脂を注入することにより、前記複数の半導体チップを一括して封止する封止部材を成型する工程、
（ｄ）前記金型から前記封止部材を離形する工程、
（ｅ）前記第１の基板および前記封止部材を切断して個々の半導体装置を切り出す工程を有し、
前記第１の基板の前記第１、第２の面には、複数の半導体装置形成領域の一群が配置された第１領域と、その外側の第２領域とが配置されており、前記第２領域には、複数個に分割された補強パターンが配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項２５記載の半導体装置の製造方法において、前記補強パターンを前記半導体装置形成領域毎に分割して配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項２５または２６記載の半導体装置の製造方法において、前記補強パターンのうち、所定の補強パターンは、前記第１、第２の面に沿って伸縮可能なパターン構造とされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２７記載の半導体装置の製造方法において、前記所定の補強パターンは、互いに分離された複数の第１のパターンで構成されており、前記補強パターンの幅方向に隣接する第１のパターンは、前記補強パターンの長手方向に沿って互いにずれて配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
請求項２７記載の半導体装置の製造方法において、前記所定の補強パターンはタイル状のパターンからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
（ａ）第１の基板の第１の面に複数の半導体チップを実装する工程、
（ｂ）前記複数の半導体チップが実装された第１の基板を、前記第１の面に対向する第２の面が金型の下型に向くようにした状態で、前記金型内にセットする工程、
（ｃ）前記金型における上型と、前記第１の基板における前記第１の面との間にフィルムを介在させ、前記フィルムを前記上型に真空吸着させ、かつ、前記第１の基板の第２の面を、前記金型における下型に真空吸着させた状態で、前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止することにより封止部材を成形する工程、
（ｄ）前記フィルムを用いて前記金型から前記封止部材を離形する工程、
（ｅ）前記第１の基板および封止部材を切断して個々の半導体装置を切り出す工程を有し、
前記第１の基板の前記第１、第２の面には、配線用の導体パターンと、それが配置された領域以外の領域に配置されたダミー用の導体パターンとが設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
請求項３０記載の半導体装置の製造方法において、前記ダミー用の導体パターンを分割して配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
請求項３０記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の面、第２の面またはその両方の面における複数の半導体装置形成領域の各々の中央にダミー用の導体パターンを配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
請求項３０記載の半導体装置の製造方法において、前記第１、第２の面における導体パターンの配置状態が互いに近づくように各々の面に導体パターンを配置したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
請求項２５記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の基板の前記第１、第２の面を被覆する絶縁膜を、配線用の導体パターンの無い領域にも設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３５】
請求項２５記載の半導体装置の製造方法において、前記第１、第２の面に被覆された各々の絶縁膜の被覆状態が互いに近づくように各々の面に絶縁膜を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３６】
請求項２５記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の基板の複数の半導体装置形成領域の各々に前記第１、第２の面間を貫通するホールを設け、前記第１の面における前記ホールの周囲に絶縁膜の一部を除去することで形成したダム領域を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３７】
請求項２５記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後、前記（ｅ）工程の前に、前記第１の基板の前記第２の面における複数の半導体装置形成領域の複数の配線用の導体パターンの各々に複数のバンプを一括して接合する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３８】
（ａ）主面と、裏面と、前記主面上に形成された複数の配線と、前記主面および裏面の複数の半導体装置形成領域とを有する基板を準備する工程と、
（ｂ）主面と、裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれ有する複数の半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）前記複数の半導体チップを、前記基板主面の複数の半導体装置形成領域上に搭載する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後に、前記複数の半導体チップの複数の電極と、前記基板の複数の配線とを、ワイヤを介して電気的に接続する工程と、
（ｅ）上型と、下型と、上型に形成されたキャビティとを有する金型を準備する工程と、
（ｆ）前記（ｄ）工程の後に、前記基板裏面が前記下型に面し、前記複数の半導体チップが前記キャビティ内に配置されるように、前記複数の半導体チップが搭載された基板を前記金型内に配置する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後に、前記基板裏面を前記下型に真空吸着した状態で、前記キャビティに樹脂を注入して、前記複数の半導体チップを一括で封止する封止体を形成する工程と、
（ｈ）前記基板と前記封止体を、それぞれの半導体装置に切断する工程とを有し、
前記基板はダミー用導体パターンを有し、
前記複数の半導体チップは、前記ダミー用導体パターン上に平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３９】
請求項３８記載の半導体装置の製造方法であって、前記封止体を形成する工程において、前記基板主面と前記上型との間に、フィルムを介在させ、かつ前記フィルムを前記上型に真空吸着させた状態で、前記封止体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４０】
請求項３９記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダミー用導体パターンは、前記基板主面上に形成された第１のダミー用導体パターンと、前記基板裏面上に形成された第２のダミー用導体パターンとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４１】
請求項４０に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１のダミー用導体パターンは、前記第２のダミー用導体パターンと平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４２】
請求項４１に記載の半導体装置の製造方法であって、前記複数の半導体チップは、それぞれ対応する第１のダミー用導体パターンと、第２のダミー用導体パターンに平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４３】
（ａ）主面と、裏面と、前記主面上に形成された複数の配線と、前記主面および裏面の複数の半導体装置形成領域とを有する基板を準備する工程と、
（ｂ）主面と、裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれ有する複数の半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）前記複数の半導体チップを、前記基板主面の複数の半導体装置形成領域上に搭載する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後に、前記複数の半導体チップの複数の電極と、前記基板の複数の配線とを、ワイヤを介して電気的に接続する工程と、
（ｅ）上型と、下型と、上型に形成されたキャビティとを有する金型を準備する工程と、
（ｆ）前記（ｄ）工程の後に、前記基板裏面が前記下型に面し、前記複数の半導体チップが前記キャビティ内に配置されるように、前記複数の半導体チップが搭載された基板を前記金型内に配置する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後に、前記基板裏面を前記下型に真空吸着した状態で、前記キャビティに樹脂を注入して、前記複数の半導体チップを一括で封止する封止体を形成する工程と、
（ｈ）前記基板と前記封止体を、それぞれの半導体装置に切断する工程とを有し、
前記基板は、前記複数の半導体チップとは電気的に絶縁された複数の導体パターンを有し、
前記複数の半導体チップは、前記導体パターン上に平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４４】
請求項４３記載の半導体装置の製造方法であって、前記封止体を形成する工程において、前記基板主面と前記上型との間に、フィルムを介在させ、かつ前記フィルムを前記上型に真空吸着させた状態で、前記封止体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４５】
請求項４４記載の半導体装置の製造方法であって、前記導体パターンは、前記基板主面上に形成された第１の導体パターンと、前記基板裏面上に形成された第２の導体パターンとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４６】
請求項４５に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の導体パターンは、前記第２の導体パターンと平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４７】
請求項４６に記載の半導体装置の製造方法であって、前記複数の半導体チップは、それぞれ対応する第１の導体パターンと、第２の導体パターンに平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４８】
（ａ）主面と、裏面と、前記主面上に形成された複数の配線と、前記主面および裏面の複数の半導体装置形成領域とを有する基板を準備する工程と、
（ｂ）主面と、裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれ有する複数の半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）前記複数の半導体チップを、前記基板主面の複数の半導体装置形成領域上に搭載する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後に、前記複数の半導体チップの複数の電極と、前記基板の複数の配線とを、ワイヤを介して電気的に接続する工程と、
（ｅ）上型と、下型と、上型に形成されたキャビティとを有する金型を準備する工程と、
（ｆ）前記（ｄ）工程の後に、前記基板裏面が前記下型に面し、前記複数の半導体チップが前記キャビティ内に配置されるように、前記複数の半導体チップが搭載された基板を前記金型内に配置する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後に、前記基板裏面を前記下型に真空吸着した状態で、前記キャビティに樹脂を注入して、前記複数の半導体チップを一括で封止する封止体を形成する工程と、
（ｈ）前記基板と前記封止体を、それぞれの半導体装置に切断する工程とを有し、
前記基板は、前記複数の半導体装置形成領域の外に、複数の補強パターンを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４９】
請求項４８記載の半導体装置の製造方法であって、前記封止体を形成する工程において、前記基板主面と前記上型との間に、フィルムを介在させ、かつ前記フィルムを前記上型に真空吸着させた状態で、前記封止体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５０】
請求項４９記載の半導体装置の製造方法であって、前記補強パターンは、前記基板主面上に形成された第１の補強パターンと、前記基板裏面上に形成された第２の補強パターンとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５１】
請求項５０に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の補強パターンは、前記第２の補強パターンと平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５２】
請求項５１に記載の半導体装置の製造方法であって、前記基板は、複数のダミー用導体パターンを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５３】
請求項５２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記複数の半導体チップは、前記ダミー用導体パターンに平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５４】
（ａ）主面と、裏面と、前記主面上に形成された複数の配線と、前記主面および裏面の複数の半導体装置形成領域とを有する基板を準備する工程と、
（ｂ）主面と、裏面と、前記主面上に形成された複数の電極とをそれぞれ有する複数の半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）前記複数の半導体チップを、前記基板主面の複数の半導体装置形成領域上に搭載する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後に、前記複数の半導体チップの複数の電極と、前記基板の複数の配線とを、ワイヤを介して電気的に接続する工程と、
（ｅ）上型と、下型と、上型に形成されたキャビティとを有する金型を準備する工程と、
（ｆ）前記（ｄ）工程の後に、前記基板裏面が前記下型に面し、前記複数の半導体チップが前記キャビティ内に配置されるように、前記複数の半導体チップが搭載された基板を前記金型内に配置する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後に、前記基板裏面を前記下型に真空吸着した状態で、前記キャビティに樹脂を注入して、前記複数の半導体チップを一括で封止する封止体を形成する工程と、
（ｈ）前記基板と前記封止体を、それぞれの半導体装置に切断する工程とを有し、
前記基板は、前記複数の半導体装置形成領域の外に、前記複数の半導体チップとは電気的に絶縁された複数の導体パターンを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５５】
請求項５４記載の半導体装置の製造方法であって、前記封止体を形成する工程において、前記基板主面と前記上型との間に、フィルムを介在させ、かつ前記フィルムを前記上型に真空吸着させた状態で、前記封止体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５６】
請求項５５記載の半導体装置の製造方法であって、前記導体パターンは、前記基板主面上に形成された第１の導体パターンと、前記基板裏面上に形成された第２の導体パターンとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５７】
請求項５６に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の導体パターンは、前記第２の導体パターンと平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５８】
請求項５７に記載の半導体装置の製造方法であって、前記基板は、前記半導体装置形成領域上に形成され、前記複数の半導体チップとは電気的に絶縁された第３の導体パターンを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５９】
請求項５８に記載の半導体装置の製造方法であって、前記複数の半導体チップは、前記第３の導体パターンに平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６０】
（ａ）第１の基板の第１の面に複数の半導体チップを実装する工程、
（ｂ）前記複数の半導体チップが実装された第１の基板を、前記第１の面に対向する第２の面が金型の下型に向くようにした状態で、かつ、前記第１の面の複数の半導体チップが金型の１つのキャビティ内に収容される状態で、前記金型内にセットする工程、
（ｃ）前記金型における上型と、前記第１の基板における前記第１の面との間にフィルムを介在させた状態で、前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止することにより封止部材を成型する工程、
（ｄ）前記フィルムを用いて前記金型から前記封止部材を離形する工程、
（ｅ）前記第１の基板および封止部材を切断して個々の半導体装置を切り出す工程を有し、
前記第１の基板は、前記複数の半導体チップに電気的に接続された複数の配線用導体パターンと、前記複数の配線用導体パターンとは分離された複数のダミー用導体パターンとを有し、
前記封止部材を成型する工程において、前記フィルムを前記上型に真空吸着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６１】
請求項６０に記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップを実装する工程において、前記複数の半導体チップのそれぞれを、対応するダミー用導体パターン上に配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６２】
請求項６０に記載の半導体装置の製造方法であって、前記封止部材を成型する工程において、前記第１の基板の第２の面を、前記下型に真空吸着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６３】
請求項６０に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の基板は、前記第１の面上に露出する第１の配線層を有し、前記第１の配線層は、前記配線用導体パターンと前記ダミー用導体パターンを有し、前記配線用導体パターンは、ワイヤを介して前記半導体チップと電気的に接続していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６４】
請求項６３に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の基板は、前記第１の面上に、前記配線用導体パターンの一部を覆う絶縁膜を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６５】
請求項６０に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の基板は、前記第２の面上に露出する第２の配線層を有し、前記第２の配線層は、前記配線用導体パターンと前記ダミー用導体パターンを有し、前記配線用導体パターン上に、半田バンプ電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６６】
請求項６５に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の基板は、前記第２の面上に、前記配線用導体パターンの一部を覆う絶縁膜を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６７】
請求項６０に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の基板は、それぞれ前記配線用導体パターンとは分離された、第１のダミー用導体パターンと、前記第１のダミー用導体パターンと対向する第２のダミー用導体パターンとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６８】
（ａ）第１の基板の第１の面に複数の半導体チップを実装する工程、
（ｂ）前記複数の半導体チップが実装された第１の基板を、前記第１の面に対向する第２の面が金型の下型に向くようにした状態で、かつ、前記第１の面の複数の半導体チップが金型の１つのキャビティ内に収容される状態で、前記金型内にセットする工程、
（ｃ）前記金型における上型と、前記第１の基板における前記第１の面との間にフィルムを介在させた状態で、前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止することにより封止部材を成型する工程、
（ｄ）前記フィルムを用いて前記金型から前記封止部材を離形する工程、
（ｅ）前記第１の基板および封止部材を切断して個々の半導体装置を切り出す工程を有し、
前記第１の基板は、前記複数の半導体チップがそれぞれ配置される、複数の第１領域と、前記複数の第１領域の外側に位置する第２領域とを有し、
前記第１領域内に配置された複数の配線用導体パターンと、前記第２領域内に配置されており、前記配線用導体パターンとは分離された補強用導体パターンとを有し、
前記封止部材を成型する工程において、前記フィルムを前記上型に真空吸着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６９】
請求項６８に記載の半導体装置の製造方法であって、前記封止部材を成型する工程において、前記第１の基板の第２の面を、前記下型に真空吸着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７０】
請求項６８に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の基板は、前記第１の面上に露出する第１の配線層を有し、前記第１の配線層は、前記配線用導体パターンと前記補強用導体パターンを有し、前記配線用導体パターンは、ボンディングワイヤを介して前記半導体チップと電気的に接続していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７１】
請求項７０に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の基板は、前記第１の面上に、前記配線用導体パターンの一部を覆う絶縁膜を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７２】
請求項６８に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の基板は、前記第２の面上に露出する第２の配線層を有し、前記第２の配線層は、前記配線用導体パターンと前記補強用導体パターンを有し、前記配線用導体パターン上に、半田バンプ電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７３】
請求項７２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の基板は、前記第２の面上に、前記配線用導体パターンの一部を覆う絶縁膜を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７４】
請求項６８に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１の基板は、それぞれ前記配線用導体パターンとは分離された、第１の補強用導体パターンと、前記第１の補強用導体パターンと対向する第２の補強用導体パターンとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。