Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源と、該レーザ光源からのレーザ光を集光し光記録媒体に照射する光学系と、前記光記録媒体からの反射光に対するビームスプリットを実行するホログラムパターンを備えた光学素子と、前記レーザ光源の発するレーザ光の光量をモニタするモニタ用受光素子とを備え、前記光記録媒体に対してレーザ光を照射することで情報を検出する光ピックアップ装置において、
前記モニタ用受光素子は、前記レーザ光源から出射され光記録媒体に向かうレーザ光のうち、ホログラムパターンでレーザ出射方向へ回折される回折光をモニタすることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
レーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザ光を０次光と複数の回折光に分岐するグレーティングパターンを備えた光学素子と、前記レーザ光源からのレーザ光を集光し光記録媒体に照射する光学系と、前記レーザ光源の発するレーザ光の光量をモニタするモニタ用受光素子とを備え、前記光記録媒体に対してレーザ光を照射することで情報を検出する光ピックアップ装置において、
前記モニタ用受光素子は、前記レーザ光源から出射され光記録媒体に向かうレーザ光のうち、前記グレーティングパターンで光源方向へ反射回折される反射回折光をモニタすることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３】
レーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザ光を０次光と複数の回折光に分岐するグレーティングパターンを備えた光学素子と、前記レーザ光源からのレーザ光を集光し光記録媒体に照射する光学系と、前記光記録媒体からの反射光に対するビームスプリットを実行するホログラムパターンを備えた光学素子と、前記レーザ光源の発するレーザ光の光量をモニタするモニタ用受光素子とを備え、前記光記録媒体に対してレーザ光を照射することで情報を検出する光ピックアップ装置において、
前記モニタ用受光素子は、前記レーザ光源から出射され光記録媒体に向かうレーザ光のうち、前記グレーティングパターンで光記録媒体方向へ回折され、かつ前記ホログラムパターンで光記録媒体方向へ回折される回折光の一部をモニタすることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４】
請求項３記載の光ピックアップ装置において、
前記グレーティングパターンの回折方向と、前記ホログラムパターンの回折方向が略直交することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項５】
請求項１〜４のうちの何れか一つに記載の光ピックアップ装置において、
前記モニタ用受光素子は、ホログラムパターンあるいはグレーティングパターンで回折された回折光のうち、正負何れか一方の回折光を利用することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項６】
請求項１〜５のうちの何れか一つに記載の光ピックアップ装置において、
前記モニタ用受光素子は、複数の回折光が重なる位置に配置することを特徴とする光ピックアップ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に係る発明は、レーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザ光を０次光と複数の回折光に分岐するグレーティングパターンを備えた光学素子と、前記レーザ光源からのレーザ光を集光し光記録媒体に照射する光学系と、前記光記録媒体からの反射光に対するビームスプリットを実行するホログラムパターンを備えた光学素子と、前記レーザ光源の発するレーザ光の光量をモニタするモニタ用受光素子とを備え、前記光記録媒体に対してレーザ光を照射することで情報を検出する光ピックアップ装置において、前記モニタ用受光素子は、前記レーザ光源から出射され光記録媒体に向かうレーザ光のうち、前記グレーティングパターンで光記録媒体方向へ回折され、かつ前記ホログラムパターンで光記録媒体方向へ回折される回折光の一部をモニタすることを特徴とする。すなわち請求項３に係る発明では、レーザ光源から出射され光記録媒体に向かうレーザ光のうち、グレーティングパターンで光記録媒体方向へ回折され、かつホログラムパターンで光記録媒体方向に回折される回折光の一部を用いてＡＰＣ制御を行なえるようにし、対物レンズ等の光学系でのレーザ光の利用効率を保持し、波長変動の影響を受けにくい信頼性の高いＡＰＣを行うことができる光ピックアップ装置を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項３記載の発明によれば、レーザ光源から出射され光記録媒体に向かうレーザ光のうち、グレーティングパターンで光源方向へ反射回折される反射回折光、あるいはホログラムパターンで光記録媒体方向へ回折され、かつホログラムパターンで光記録媒体方向に回折される回折光の一部を用いてＡＰＣ制御を行なうようにしたので、対物レンズ等の光学系でのレーザ光の利用効率が保持でき、波長変動の影響を受けにくく、信頼性の高いＡＰＣ制御を行うことができる光ピックアップ装置を提供できる。
また、請求項４記載の発明によれば、請求項３の効果に加えて、グレーティングパターンの回折方向とホログラムパターンの回折方向を略直交させているため、グレーティングパターンでの反射回折光は、信号検出用の受光素子に入射することがないので、結果的に不要なオフセットが発生しないようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも記録層が設けられてなり、かつ情報の記録、消去および再生を行う相変化型光情報記録媒体において、記録波長が３７０ｎｍ〜４５０ｎｍであり、前記記録層の結晶の光エネルギーの吸収率Ａｃがアモルファスの光エネルギーの吸収率Ａａよりも小さく、かつ記録ピッチが０．３μｍ〜０．５２μｍで記録されることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。
【請求項２】
記録ピッチ／記録ビーム径（１／ｅ2 ）が、０．５〜０．９であることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項３】
記録線密度が０．０５〜０．１６μｍ／ｂｉｔであることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項４】
基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、放熱層、紫外線硬化樹脂を順に積層し、かつ前記下部保護層および前記上部保護層の屈折率が１．８〜２．１９であることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項５】
記録層の材料が主成分としてＡｇ、ＩｎおよびＳｂを含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項６】
記録層の材料が主成分としてＡｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項７】
基板の溝深さが２５〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項８】
記録層の膜厚が７〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体。
【請求項９】
記録および再生線速が１．２〜１４．０ｍ／ｓであることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項５の発明は、記録層の材料が主成分としてＡｇ、ＩｎおよびＳｂを含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体である。
請求項６の発明は、記録層の材料が主成分としてＡｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体である。この構成によれば、感度良く記録再生およびオーバーライトが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項７の発明は、基板の溝深さが２５〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体である。基板の溝深さは、より好ましくは２５〜３５ｎｍである。これは、５０ｎｍよりも溝が深くなると、反射率が低下し、ＲＯＭとの反射率差が大きくなり、回路的に検出がし難くなるからである。また２５ｎｍよりも浅いとトラッキングが困難となる。この構成によれば、短波長でもトラッキングが安定となり、記録再生が可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項８の発明は、記録層の膜厚が７〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体である。記録層の膜厚はより好ましくは７〜１５ｎｍであるものとする。これは、記録層の膜厚が２０ｎｍよりも大きくなると、より小さい記録マークを記録していくと、深さ方向にマークが傾斜しやすくなり、再生ジッタが悪化し、エラーを増加させる原因となるからである。また、膜厚が７ｎｍ未満であると信号の記録が困難となる。この構成によれば、短波長でもトラッキングが安定となり、記録再生が可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項９の発明は、記録および再生線速が１．２〜１４．０ｍ／ｓであることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体である。この構成によれば、短波長でも、高線速記録（オーバーライト）再生が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクに対して、レーザービームを用いて情報記録再生を行う光学式ピックアップと、
前記光ディスクを回転し、該回転速度を制御する回転速度制御手段と、
前記ピックアップを前記光ディスクの半径方向に移動し、該移動速度を制御するフィード制御手段と、
前記レーザービームのフォーカスが前記ディスク記録面上となるよう前記光ピックアップを制御するフォーカス制御手段と、
前記レーザービームが前記ディスク上のトラックに追随するよう前記光ピックアップを制御するトラッキング制御手段と、
装置を総合的に制御する主制御手段と、
前記主制御手段が、前記トラッキング制御手段によるトラッキング制御を行わずに、フォーカス制御手段、フィード制御手段、回転速度制御手段による制御を実行させている際に、前記光ディスクを反射した前記レーザービームを受光する受光素子から得られるトラッキングエラー信号のピーク値を、基準閾値と比較することにより、前記レーザービームが前記光ディスク上のディフェクト部を照射しているか判断するディフェクト判断手段と、
を具備することを特徴とする光ディスク記録再生装置。
【請求項２】
前記ディフェクト検知手段は、前記レーザービームが光ディスクの情報記録部を照射しているか未記録部を照射しているか判断する手段を更に具備し、前記レーザービームが前記情報記録部を照射している場合に、前記基準閾値として第１の基準閾値を適用し、前記未記録部を照射している場合に、前記基準閾値として前記第１より大きい第２の基準閾値を適用することを特徴とする請求項１記載の光ディスク記録再生装置。
【請求項３】
光ディスクに対して情報記録再生をレーザービームを用いて行い、該光ディスクにＬＥＤ光を照射するＬＥＤと、前記光ディスクを反射したＬＥＤ光を受光する受光素子とを有する光学式ピックアップと、
前記光ディスクを回転し、該回転速度を制御する回転速度制御手段と、
前記ピックアップを前記光ディスクの半径方向に移動し、該移動速度を制御するフィード制御手段と、
前記レーザービームのフォーカスが前記ディスク記録面上となるよう前記光ピックアップを制御するフォーカス制御手段と、
前記レーザービームが前記ディスク上のトラックに追随するよう前記光ピックアップを制御するトラッキング制御手段と、
装置を総合的に制御する主制御手段と、
前記主制御部が、前記トラッキング制御手段及びフォーカス制御手段  による制御を行わずに、フィード制御手段及び回転速度制御手段による制御を実行させている際に、前記ピックアップのＬＥＤ受光素子から得られる前記光ディスクのＬＥＤ反射光量を、基準閾値と比較することにより、前記ＬＥＤ光が前記光ディスク上のディフェクト部を照射しているか判断するディフェクト判断手段と、
を具備することを特徴とする光ディスク記録再生装置。
【請求項４】
光ディスクに対して、レーザービームを用いて情報記録再生を行う光学式ピックアップと、
前記光ディスクを回転し、該回転速度を制御する回転速度制御手段と、
前記ピックアップを前記光ディスクの半径方向に移動し、該移動速度を制御するフィード制御手段と、
前記レーザービームのフォーカスが前記ディスク記録面上又は表面となるよう前記光ピックアップを制御するフォーカス制御手段と、
前記レーザービームが前記ディスク上のトラックに追随するよう前記光ピックアップを制御するトラッキング制御手段と、
装置を総合的に制御する主制御手段と、
前記主制御手段が、前記トラッキング制御手段によるトラッキング制御を行わず、前記フォーカス制御手段によるフォーカス制御を前記ディスク表面上を目標点として実行し、同時にフィード制御手段、回転速度制御手段による制御を実行させている際に、前記光ディスクを反射した前記レーザービームを受光する受光素子から得られる得られるフォーカスエラー信号の振幅値を、基準閾値と比較することにより、前記レーザービームが前記光ディスク上のディフェクト部を照射しているか判断するディフェクト判断手段と、
を具備することを特徴とする光ディスク記録再生装置。
【請求項５】
前記回転駆動手段により回転される前記光ディスクの回転周期を検出する周期検出手段と、
前記移動手段により移動された前記ピックアップの移動量を検出する移動量検出手段と、
前記周期検出手段により検出された前記光ディスクの回転周期と、前記移動量検出手段により検出された前記ピックアップの移動量と、前記ディフェクト判断手段によるディフェクト判断結果を元に、前記光ディスク上のディフェクトの量を検出するディフェクト量検知手段と、
を更に具備することを特徴とする請求項１〜４項の１項に記載の光ディスク記録再生装置。
【請求項６】
前記光ディスクを反射した前記レーザービームを受光する受光素子から得られるトラッキングエラー信号を用いて、前記レーザービームが前記光ディスク上のトラックを通過した数をカウントするカウント手段と、
前記ディフェクト判断手段による判断結果及び前記カウント手段のカウント値から、前記ディフェクト部の概略アドレスを判断するアドレス判断手段と、
前記概略アドレスを記憶する記憶手段と、
を更に具備することを特徴とする請求項１〜５項の１項に記載の光ディスク記録再生装置。
【請求項７】
前記ディフェクト判断手段によるディフェクト判断動作の経過時間を計測するタイマー手段と、
前記ディフェクト判断手段によるディフェクト部検出時の前記タイマー手段の計測結果と、前記ピックアップ移動手段の移動目標速度との関係からディフェクト部の概略アドレスを判断する手段と、
前記概略アドレスを記憶する記憶手段と、
を更に具備することを特徴とする請求項１〜５項の１項に記載の光ディスク記録再生装置。
【請求項８】
前記移動手段により前記ピックアップが移動した距離を計測する移動距離計測手段と、
前記ディフェクト判断手段によりディフェクト部が検出されたときの前記移動距離計測手段の計測結果から、前記ディフェクト部の概略アドレスを判断する判断手段と、
前記概略アドレスを記憶する記憶手段と、
を更に具備することを特徴とする請求項１〜５項の１項に記載の光ディスク記録再生装置。
【請求項９】
前記ピックアップは複数波長のレーザー光源を有し、前記主制御手段は、前記光ディスクに対する情報の記録又は再生と、前記ディフェクト判断手段によるディフェクト判断処理を、互いに異なる波長のレーザー光源を用いて行うことを特徴とする請求項１、２、４項の１項に記載の光ディスク記録再生装置。
【請求項１０】
前記フォーカス制御手段は、フォーカスサーボ外れ検出手段を有し、
前記主制御手段は、ディフェクト検出と同時に前記フォーカスサーボ外れ検出手段でフォーカスサーボ外れが検出された時に、フォーカス外れが発生した位置から所定距離の位置に前記ピックアップを移動し、あらためてフォーカスサーボを行い、ディフェクト検出動作を再開するリトライ手段を更に具備することを特徴とする請求項１、２、４項の１項に記載の光ディスク記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが複数の記憶位置を持つ複数のメモリ・ユニットと、
それぞれが前記複数のメモリ・ユニットのそれぞれ１つの内部の記憶位置にアクセスするよう構成されている複数のメモリ・コントローラであって、これらメモリ・コントローラの１つが前記記憶位置の１つにチェックサムを構築するよう構成されている、複数のメモリ・コントローラと、
前記複数のメモリ・コントローラのうち、前記１つの記憶位置の更新が可能であるものを示すよう構成されている標識と、
を含み、
前記１つのメモリ・コントローラが、前記チェックサム値の構築の際に、
他の各メモリ・コントローラは前記１つの記憶位置の更新を禁止されていることを示すよう前記標識を設定するステップと、
前記設定ステップに続いて、前記他の各メモリ・コントローラに再構築用読出し要求を送信するステップと、
前記再構築用読出し要求に応答して、前記複数のメモリ・ユニットから取り出された再構築値を受信するステップと、
前記１つの記憶位置を前記再構築値でそれぞれ更新するステップと、
前記各再構築値に対し前記各再構築値の受信に応答して、前記各再構築値を送信したメモリ・コントローラは前記１つの記憶位置の更新が可能であることを示すよう前記標識を変更するステップと、
の各ステップを実行するよう構成されている、チェックサムを構築するためのシステム。
【請求項２】
それぞれが複数の記憶位置を持つ複数のメモリ・ユニットと、
それぞれが前記複数のメモリ・ユニットのそれぞれ１つの内部の記憶位置にアクセスする複数のメモリ・コントローラと、
前記複数のメモリ・コントローラのうち、前記複数の記憶位置の１つの更新が可能であるものを示す手段と、
各メモリ・コントローラは前記１つの記憶位置の更新を禁止されていることを示すよう前記示す手段を設定する手段と、
前記複数のメモリ・コントローラのそれぞれに再構築用読出し要求を送信する手段と、
前記再構築用読出し要求に応答して、前記複数のメモリ・コントローラによって前記複数のメモリ・ユニットから取り出された再構築値を受信する手段と、
前記１つの記憶位置を前記再構築値でそれぞれ更新する手段と、
前記各再構築値に対し前記各再構築値を受信する前記受信手段に応答して、前記各再構築値を送信したメモリ・コントローラは前記１つの記憶位置の更新が可能であることを示すよう前記示す手段を変更する手段と、
を含む、チェックサムを構築するためのシステム。
【請求項３】
それぞれが複数の記憶位置を持つ複数のメモリ・ユニットを提供するステップと、
複数のメモリ・コントローラを提供するステップと、
前記複数のメモリ・コントローラのうち、前記複数のメモリ・ユニットの１つの中の前記記憶位置の１つの更新が可能であるものを示す標識を維持するステップと、
前記複数のメモリ・コントローラのそれぞれが前記１つの記憶位置の更新を禁止されていることを示すよう前記標識を設定するステップと、
前記設定ステップに続いて、前記複数のメモリ・コントローラのそれぞれに再構築用読出し要求を送信するステップと、
前記再構築用読出し要求に応答して、前記複数のメモリ・コントローラによって前記複数のメモリ・ユニットから取り出された再構築値を受信するステップと、
前記１つの記憶位置を前記各再構築値で更新するステップと、
前記各再構築値に対し前記各再構築値の受信に応答して、前記各再構築値を送信したメモリ・コントローラは前記１つの記憶位置の更新が可能であることを示すよう前記標識を変更するステップと、
を含む、チェックサムを構築する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月13日(2004.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの記憶及び回復を行うシステムであって、
複数のメモリユニットのそれぞれがデータ値を記憶するための複数のメモリ位置を有し、前記メモリユニットのうちの１つにおける前記メモリ位置の１つが、他の前記メモリユニットに記憶されたデータ値に関連するチェックサムを有するように構成された、複数のメモリユニットと、
前記メモリユニット内のメモリ位置にアクセスするように構成された複数のメモリコントローラであって、前記メモリコントローラのうちの１つが、いずれの前記メモリコントローラが前記チェックサムを更新可能であるかを示すインジケータを保持するように構成され、他のメモリコントローラから前記チェックサムを更新するためのチェックサム更新要求を取得し、該チェックサム更新要求に応じて前記インジケータを分析し、前記他のメモリコントローラが前記チェックサムを更新可能であることを前記インジケータが指示する場合にのみ前記チェックサム更新要求に基づいて前記チェックサムを更新するように更に構成され、前記他のメモリコントローラから前記メモリユニットに記憶された前記データ値のうちの１つを再構築するための再構築データ値を受信するように更に構成され、該再構築データ値に応じて前記再構築データ値を前記チェックサムと結合し、前記インジケータが前記他のメモリコントローラが前記チェックサムの更新をディセーブルされていることを示すように前記インジケータを更新するように更に構成された、複数のメモリコントローラと、
からなるシステム。
【請求項２】
前記インジケータがビット列を含み、前記ビット列のそれぞれのビットが前記メモリコントローラのうちのいずれか１つに対応し、前記インジケータは、前記ビット列中の前記他のメモリコントローラに対応するビットが特定の論理状態を示すときにのみ、前記他のメモリコントローラが前記チェックサムを更新可能であることを示す、請求項１のシステム。
【請求項３】
前記１つのメモリ位置がメモリユニットオフセットによって識別され、前記チェックサムに関する前記データ値のそれぞれが、前記メモリユニットオフセットによって識別されるメモリ位置に記憶される、請求項１のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
ステップＳ７０４では、サーバ装置内のセットアップモジュールは、サーバ装置のプロパティ情報を更新するか否かを判断する。更新指示がなかった場合は、処理を終了する。更新指示があった場合、ステップＳ７０５に移行する。ここでの操作方法としては、例えば、あるドライバを選択して、プロパティ情報の更新・セットアップ指示をすることが考えられる。更新・セットアップ指示は、Remote Precedure Call（遠隔手続き呼出し、以下「ＲＰＣ」と呼ぶ。）やこれをオブジェクト指向を用いてＸＭＬにより実装した一例であるＳＯＡＰ(シンプル・オブジェクト・アクセス・プロトコル)を用いて実現すると好適である。例えば、サーバ装置からの更新指示の一例としては、クライアント装置の更新処理モジュールを遠隔的に呼び出すＲＰＣが挙げられる。なお、ＳＯＡＰに限らず、例えばＨＴＴＰを用いて、ドライバや装置情報をやり取りできる仕組みを提供する別の仕組みも提供し得る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ステップＳ７０６では、サーバ装置内のセットアップモジュールは、更新指示がされたＰＣに対してプロパティ情報の更新通知を送信するようＯＳを制御する。そして、ステップＳ７０７で、サーバ装置内のセットアップモジュールは、各クライアント装置からプロパティ情報の送信要求があるか否かを判断する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
送信要求がなかった場合は、ステップＳ７０９に移行する。送信要求があった場合、ステップＳ７０８に移行し、サーバ装置内のセットアップモジュールは、指定されたプロパティ情報を要求のあったＰＣに対して送信するようＯＳを制御する命令を生成する。ここで、プロパティ情報とは、所定のデータ形式で記述されたファイルである。ドライバが搭載されたクライアントＰＣにおいて、ユーザがドライバに指示することにより該プロパティ情報を入力したり出力したりすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
ステップＳ７０９では、サーバ装置内のセットアップモジュールは、更新通知を行った全ＰＣから応答があったか否かを判断する。ここで、全てのＰＣから応答があった場合は、処理を終了する。全てのＰＣから応答がなかった場合、ステップＳ７０８に戻り、処理を続行する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月13日(2004.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書をポスティングする方法であって、
(a)特定のユーザに関する使用頻度が高い配送指示を収集し、
(b)前記使用頻度の高い配送指示を前記特定のユーザと関連付け、
(c)配送インタフェースを起動し、
(d)特定のユーザを識別し、
(e)選択のために、前記特定のユーザと関連付けられた前記使用頻度の高い配送指示を提示し、
(f)選択された使用頻度の高い配送指示に従って前記文書をポスティングすることを含む方法。
【請求項２】
前記特定のユーザの使用頻度の高い配送指示の収集は前記特定のユーザに関する使用頻度の高い配送指示を繰り返し収集することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記使用頻度の高い配送指示の提示は好みの配送指示を表示することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記使用頻度の高い配送指示の提示は使用頻度の高い配送指示のリストを表示することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記配送指示は送付先を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
文書をポスティングするためのシステムであって、
(a)特定のユーザに関する使用頻度の高い配送指示を収集するように構成されたレコーダと、
(b)前記使用頻度の高い配送指示を前記特定のユーザと関連付けるように構成されたインデックスと、
(c)選択のために、前記特定のユーザと関連付けられた前記使用頻度の高い配送指示を提示するように構成されたインタフェースと、
(d)前記対話型配送インタフェースを起動するように構成されたイニシエータと、
(e)前記特定のユーザを識別するように構成されたディテクタと、
(f)選択された使用頻度の高い配送指示に従って文書をポスティングするように構成されたトランスミッタと、
を含むシステム。
【請求項７】
前記レコーダは特定のユーザに関する使用頻度の高い配送指示を繰り返し収集するようにさらに構成された請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記インタフェースは好みの配送指示を表示するようにさらに構成された請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記インタフェースは使用頻度の高い配送指示のリストを表示するようにさらに構成された請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
前記配送指示は送付先を含む請求項６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
伝達トルク容量
自動変速機油組成物の伝達トルク容量は、JASO 348-95 の自動変速機油摩擦特性試験方法に準拠して、SAE No.2試験機を用い、下記の試験条件で供試油の１０００サイクルにおける摩擦係数（μt)を測定し、湿式クラッチ部における伝達可能なトルク容量として評価した。この摩擦係数（μt)の高いものほどトルク容量が大きいと判断され、スリップ制御用の市販高性能自動変速機油として選択したキャッスル ATF-T-III(Castle ATF-T-III)の摩擦係数（μt)０．１３以上の供試油を「可」とした。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【表１】
2003082375.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【表２】
2003082375.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
布帛が一方向性織物または一方向性シートであり、基材の通気性が１０〜２００ｃｍ３／ｃｍ２・ｓｅｃの範囲内であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の炭素繊維強化基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
かかる基材は、樹脂の含浸性の面から、その通気性は１０〜２００ｃｍ３／ｃｍ２・ｓｅｃの範囲内、より好ましくは１２〜１２０ｃｍ３／ｃｍ２・ｓｅｃ、更に好ましくは１５〜１００ｃｍ３／ｃｍ２・ｓｅｃの範囲内であるのが好ましい。かかる通気性が１０ｃｍ３／ｃｍ２・ｓｅｃ未満であると樹脂の含浸性に劣ることを意味するため好ましくない。また、通気性が２００ｃｍ３／ｃｍ２・ｓｅｃを越えると含浸性には優れるが、逆に布帛の隙間が大きくなりすぎ、複合材料にした場合に樹脂リッチ部分を多く形成することによる力学特性の低下、サーマルクラックの発生等が起こるため好ましくない。なお、かかる通気性とは、ＪＩＳ  Ｌ  １０９６  Ａ法（フラジュール形法）に従い測定した空気の通過量を指し、本発明では大栄科学精器製作所製ＡＰ−３６０を用いて測定した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、本発明では第１の樹脂を布帛に塗布するため、その脱落を最小限に抑え、かつ炭素繊維自体の特性を最大限に発現させるため、布帛のカバーファクターは９０％以上であるのが好ましい。より好ましくは９７％以上、更に好ましくは９９％以上である。かかるカバーファクターとは、平面状にした布帛をその垂線方向から見て、１００ｍｍ×１００ｍｍの単位面積における布帛中の炭素繊維（場合によっては補助糸やステッチ糸や結節糸等）が存在している（カバーしている）閉口部分の百分率を指し、カバーファクター（％）＝閉口部分の合計面積（ｍｍ２）／１００００により算出される。本発明では、かかる測定を任意の箇所で少なくとも５回行い、その平均値を用いた。かかる閉口部分に関しては、ＣＣＤカメラやスキャナー等により光学的に取り込まれた画像を元に画像処理を行い、合計面積を算出する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
本発明においては、添加剤として水不溶性微粒子を用いると、吸水性樹脂粉末の通液性や吸湿時の耐ブロッキング性などを改善することができる。水不溶性微粒子としては、好ましくは１０μｍ以下、さらには１μｍ以下、特に０．１μｍ以下の無機または有機の水不溶性微粒子が用いられ、具体的には酸化珪素（商品名、Ａｅｒｏｓｉｌ、日本アエロジル社製）、酸化チタン、酸化アルミ、などが用いられる。混合は粉末混合（Ｄｒｙ−Ｂｌｅｎｄ）やスラリー混合で行われるが、その際の使用量は吸水性樹脂粉末１００質量部に対して好ましくは１０質量部以下、より好ましくは０．００１〜５質量部、さらに好ましくは０．０１〜２質量部である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
本発明においては、表面架橋とは別に、必要に応じてさらに、消臭剤、抗菌剤、香料、発泡剤、顔料、染料、親水性短繊維、可塑剤、粘着剤、界面活性剤、肥料、酸化剤、還元剤、水、塩類、キレート剤、殺菌剤、ポリエチレングリコールやポリエチレンイミンなどの親水性高分子、パラフィンなどの疎水性高分子、ポリエチレンやポリプロピレンなどの熱可塑性樹脂、ポリエステル樹脂やユリア樹脂などの熱硬化性樹脂等を添加する等、吸水性樹脂に種々の機能を付与するための添加工程を含んでいてもよい。これらの添加剤の使用量は吸水性樹脂粉末１００質量部に対して０〜１０質量部の範囲、好ましくは０〜１質量部の範囲である。なお、これら表面架橋後、ないし、添加剤添加後も、本発明では吸水性樹脂と総称することがある。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
タンク５０の上面には、排出管６４が接続されている。空気輸送配管７４からタンク５０に導入された大量の空気は、排出管６４へ排出される。排出管６４はバルブを介してバグフィルタ６０に連結されている。バグフィルタ６０では、排気中に含まれる粉末を除去し、粉末が除去された排気を、外部排気管６３を経て外部に放出する。外部排気管６３には、吸引ブロワ６２が設けられ、排気の流れを促進する。バグフィルター６０の下端からタンク５０へは戻し管６５が設けられ、戻し管６５にはロータリバルブ６６が取り付けられている。バグフィルタ６０で排気から分離された粉末は、戻し管６５を経てタンク５０に戻される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶剤膨潤組成物と樹脂物質を接触させた際に溶剤膨潤組成物が樹脂物質を状態調節し、状態調節された樹脂物質をエッチングにより多孔質テクスチャーの状態調節された樹脂物質が得られるのに十分な量において複素環式窒素化合物をグリコールとの組合せにおいて含み、該グリコールが、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリコールフェニルエーテル、（Ｃ１−Ｃ４）グリコールエーテルアセテート、およびその混合物からなる溶剤膨潤組成物。
【請求項２】
該複素環式窒素化合物がピロリドン、ピロリジン、またはその混合物を含む請求項１記載の溶剤膨潤組成物。
【請求項３】
グリコールフェニルエーテルが、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールジフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールジフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールジフェニルエーテル、ジプロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジプロピレングリコールジフェニルエーテル、またはその混合物を含む請求項１記載の溶剤膨潤組成物。
【請求項４】
引火点が少なくとも約１００℃である高引火点溶剤をさらに含む請求項１記載の溶剤膨潤組成物。
【請求項５】
樹脂物質が約１５０℃またはそれ以上のＴｇを有する請求項１記載の溶剤膨潤組成物。
【請求項６】
樹脂物質をエッチング剤で多孔質テクスチャーにするのに状態調節するために十分な量において複素環式窒素化合物をグリコールとの組合せにおいて含む溶剤膨潤組成物と樹脂物質を接触させ；状態調節された樹脂物質をエッチング剤と接触させて、状態調節された樹脂物質を多孔質テクスチャーにすることを含み、該グリコールが、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリコールフェニルエーテル、（Ｃ１−Ｃ４）グリコールエーテルアセテート、およびその混合物からなる樹脂物質の処理方法。
【請求項７】
該複素環式窒素化合物がピロリドン、ピロリジン、またはその混合物を含む請求項６記載の溶剤膨潤組成物。
【請求項８】
樹脂物質がプリント配線板、またはその内層上に配置される請求項６記載の方法。
【請求項９】
多孔質テクスチャーの樹脂物質をアクチベーターと接触させて、該アクチベーターが孔内および樹脂物質の表面上に分散されるようにする段階をさらに含む請求項６記載の方法。
【請求項１０】
溶剤膨潤組成物の樹脂物質上の滞留時間が約３０秒から約３０分である請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性種子系多糖類原料を実質的に溶解させることなくアルカリ性アルコール水溶液中にて加熱処理し、酸によって中和処理した後固液分離し、次いでアルコール水溶液により洗浄して水溶性種子系多糖類を回収する際、アルカリとして、水酸化物の金属塩を用い、その水酸化物イオンの添加量を、水溶性種子系多糖類原料の質量に対して０．５〜５０質量％とすることを特徴とする水溶性種子系多糖類の精製方法。
【請求項２】
加熱処理を、３０〜８０℃で行うことを特徴とする請求項1記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
難燃剤とポリアルキレンアリレート系樹脂とで構成された組成物であって、難燃剤が、ホスファゼン化合物とポリフェニレンオキシド系樹脂とで構成され、ホスファゼン化合物が、少なくとも下記の架橋フェノキシホスファゼン化合物を含む難燃性樹脂組成物。
架橋フェノキシホスファゼン化合物
式（１）
【化１】
2003082211.tif 000001
（式中、ｍは３〜２５の整数を示す。Ｐｈはフェニル基を示す）
で表される環状フェノキシホスファゼン化合物及び式（２）
【化２】
2003082211.tif 000002
［式中、Ｘ1は基−Ｎ＝Ｐ(ＯＰｈ)3又は基−Ｎ＝Ｐ(Ｏ)ＯＰｈを示し、Ｙ1は基−Ｐ(ＯＰｈ)4又は基−Ｐ(Ｏ)(ＯＰｈ)2を示す。ｎは３〜１０，０００の整数を示す。Ｐｈは前記式（１）と同様である］
で表される鎖状フェノキシホスファゼン化合物から選ばれた少なくとも１種のフェノキシホスファゼン化合物が、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基及び式（３）
【化３】
2003082211.tif 000003
［式中、Ａは−Ｃ(ＣＨ3)2−、−ＳＯ2−、−Ｓ−又は−Ｏ−を示す。ａは０又は１を示す］
で表されるビスフェニレン基から選ばれた少なくとも１種の架橋基で架橋された化合物であって、この架橋基は前記ホスファゼン化合物のフェニル基が脱離した２個の酸素原子間に介在しており、架橋化合物中のフェニル基の含有割合が前記ホスファゼン化合物（１）及び（２）から選択された少なくとも一種のホスファゼン化合物中の全フェニル基の総数を基準に５０〜９９．９モル％であり、かつ分子内にフリーの水酸基を有さない化合物
【請求項２】
ホスファゼン化合物が、さらに環状フェノキシホスファゼン化合物（１）及び鎖状フェノキシホスファゼン化合物（２）から選択された少なくとも一種を含む請求項１記載の組成物。
【請求項３】
ポリアルキレンアリレート系樹脂が、ポリエチレンテレフタレート系樹脂及びポリブチレンテレフタレート系樹脂から選択された少なくとも一種で構成されている請求項１記載の組成物。
【請求項４】
難燃剤の割合が、ポリアルキレンアリレート系樹脂１００重量部に対して、５〜３００重量部である請求項１記載の組成物。
【請求項５】
難燃剤が、さらに、スチレン系樹脂及び窒素含有化合物から選択された少なくとも一種の成分で構成されている請求項１記載の組成物。
【請求項６】
難燃剤が、ホスファゼン化合物１００重量部に対して、ポリフェニレンオキシド系樹脂１０〜５００重量部と、スチレン系樹脂０〜１００重量部と、窒素含有化合物０〜３００重量部とで構成されている請求項１記載の組成物。
【請求項７】
難燃剤が、さらに、リン系化合物、炭化性樹脂、及び無機系金属化合物から選ばれた少なくとも１種の成分で構成されている請求項１記載の組成物。
【請求項８】
さらに、酸化防止剤、ドリッピング防止剤、離型剤及び充填剤から選ばれた少なくとも一種を含む請求項１記載の組成物。
【請求項９】
難燃剤とポリアルキレンテレフタレート系樹脂とで構成された組成物であって、ポリアルキレンテレフタレート系樹脂１００重量部に対して、難燃剤１０〜２００重量部であり、難燃剤が、請求項１記載のホスファゼン化合物とポリフェニレンオキシド系樹脂とスチレン系樹脂と窒素含有化合物とで構成され、かつ前記ホスファゼン化合物１００重量部に対して、ポリフェニレンオキシド系樹脂３０〜３００重量部、スチレン系樹脂０．１〜１００重量部、窒素含有化合物５〜３００重量部である難燃性樹脂組成物。
【請求項１０】
請求項１記載の難燃剤とポリアルキレンアリレート系樹脂とを混合して難燃性樹脂組成物を製造する方法。
【請求項１１】
請求項１記載の組成物で形成された成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
好ましいポリアリレート系樹脂には、芳香族ポリオールがビスフェノール類であるポリアリレート樹脂、例えば、ビスフェノール類（ビフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＦなど）とベンゼンジカルボン酸（イソフタル酸、テレフタル酸など）とのポリエステル、ビスフェノール類とビス（アリールカルボン酸）類［例えば、ビス（カルボキシフェニル）メタン、ビス（カルボキシフェニル）エタン、ビス（カルボキシフェニル）プロパンなどのビス（カルボキシアリール）Ｃ1-4アルカン］とのポリエステル等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂成分と難燃剤とで構成された組成物であって、樹脂成分が、ポリアルキレンアリレート系樹脂とスチレン系樹脂とで構成され、難燃剤が、ホスファゼン化合物とフェノール系樹脂とで構成され、前記ホスファゼン化合物が、下記の（１）環状フェノキシホスファゼン化合物、（２）鎖状フェノキシホスファゼン化合物、及び（３）架橋フェノキシホスファゼン化合物から選ばれた少なくとも一種である難燃性樹脂組成物。
（１）環状フェノキシホスファゼン化合物
【化１】
2003082210.tif 000001
（式中、ｍは３〜２５の整数を示す。Ｐｈはフェニル基を示す）
（２）鎖状フェノキシホスファゼン化合物
【化２】
2003082210.tif 000002
［式中、Ｘ1は基−Ｎ＝Ｐ(ＯＰｈ)3又は基−Ｎ＝Ｐ(Ｏ)ＯＰｈを示し、Ｙ1は基−Ｐ(ＯＰｈ)4又は基−Ｐ(Ｏ)(ＯＰｈ)2を示す。ｎは３〜１０，０００の整数を示す。Ｐｈは前記式（１）と同様である］
（３）架橋フェノキシホスファゼン化合物
前記環状フェノキシホスファゼン化合物（１）及び鎖状フェノキシホスファゼン化合物（２）から選ばれた少なくとも１種のフェノキシホスファゼン化合物が、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基及び式（３）
【化３】
2003082210.tif 000003
［式中、Ａは−Ｃ(ＣＨ3)2−、−ＳＯ2−、−Ｓ−又は−Ｏ−を示す。ａは０又は１を示す］
で表されるビスフェニレン基から選ばれた少なくとも１種の架橋基で架橋された化合物であって、この架橋基は前記ホスファゼン化合物のフェニル基が脱離した２個の酸素原子間に介在しており、架橋化合物中のフェニル基の含有割合が前記ホスファゼン化合物（１）及び（２）から選択された少なくとも一種のホスファゼン化合物中の全フェニル基の総数を基準に５０〜９９．９モル％であり、かつ分子内にフリーの水酸基を有さない化合物
【請求項２】
ホスファゼン化合物が、少なくとも（３）架橋フェノキシホスファゼン化合物を含むホスファゼン化合物である請求項１記載の組成物。
【請求項３】
ポリアルキレンアリレート系樹脂が、ポリエチレンテレフタレート系樹脂及びポリブチレンテレフタレート系樹脂から選択された少なくとも一種で構成されている請求項１記載の組成物。
【請求項４】
難燃剤の割合が、樹脂成分１００重量部に対して、１〜１００重量部である請求項１記載の組成物。
【請求項５】
ホスファゼン化合物とフェノール系樹脂との割合（重量比）が、ホスファゼン化合物／フェノール系樹脂＝５／９５〜９５／５である請求項１記載の組成物。
【請求項６】
スチレン系樹脂の割合が、ポリアルキレンアリレート系樹脂１００重量部に対して、０．１〜１００重量部である請求項１記載の組成物。
【請求項７】
ホスファゼン化合物の割合が、スチレン系樹脂１００重量部に対して３０〜１０００重量部であり、かつフェノール系樹脂の割合が、スチレン系樹脂１００重量部に対して２０〜１０００重量部である請求項１記載の難燃性樹脂組成物。
【請求項８】
難燃剤が、さらに、炭化性樹脂及び窒素含有化合物から選択された少なくとも一種の成分で構成されている請求項１記載の組成物。
【請求項９】
さらに、酸化防止剤、熱安定剤、ドリッピング防止剤、離型剤及び充填剤から選ばれた少なくとも１種を含む請求項１記載の組成物。
【請求項１０】
樹脂成分と難燃剤とで構成された組成物であって、樹脂成分が、ポリアルキレンテレフタレート系樹脂とスチレン系樹脂とで構成され、難燃剤が、請求項１記載のホスファゼン化合物とフェノール系樹脂とで構成されるとともに、難燃剤の割合が、樹脂成分１００重量部に対して５〜８０重量部であり、スチレン系樹脂の割合が、ポリアルキレンテレフタレート系樹脂１００重量部に対して１〜５０重量部であり、かつ前記ホスファゼン化合物とフェノール系樹脂との割合（重量比）が、前者／後者＝２０／８０〜８０／２０である難燃性樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項１記載の難燃剤と、ポリアルキレンアリレート系樹脂と、スチレン系樹脂とを混合して難燃性樹脂組成物を製造する方法。
【請求項１２】
請求項１記載の組成物で形成された成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
樹脂成分において、スチレン系樹脂の割合は、ポリアルキレンアリレート系樹脂１００重量部に対して、０．１〜１００重量部程度である。ホスファゼン化合物の割合は、スチレン系樹脂１００重量部に対して３０〜１０００重量部程度であり、かつフェノール系樹脂の割合は、スチレン系樹脂１００重量部に対して２０〜１０００重量部程度である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
ホスファゼン化合物の割合は、樹脂成分１００重量部に対して、例えば、０．５〜６０重量部、好ましくは１〜５０重量部、さらに好ましくは３〜４５重量部程度である。また、ホスファゼン化合物の割合は、ポリアルキレンアリレート系樹脂１００重量部に対して、例えば、１〜７０重量部、好ましくは１〜６０重量部、さらに好ましくは５〜４０重量部（特に１０〜３５重量部）程度である。さらに、ホスファゼン化合物の割合は、スチレン系樹脂１００重量部に対して、例えば、３０〜１０００重量部、好ましくは５０〜７５０重量部、さらに好ましくは１００〜７５０重量部（特に１５０〜５００重量部）程度である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートであるポリエステルのチップ（Ａ）と該ポリエステルのチップ（Ａ）と同一組成のポリエステルのファイン（Ｂ）０．１〜３００ｐｐｍとからなるポリエステル組成物であって、赤外吸収スペクトルにおけるエチレングリコール単位の炭素−炭素結合を軸とする内部回転により生ずるトランス構造に由来する吸収バンド（Ｔ）とゴーシュ構造に由来する吸収バンド（Ｇ）とのチップ表面における面積強度比Ａｓ（Ｔ／Ｇ）が、５．５０〜９．００であり、該面積強度比Ａｓ（Ｔ／Ｇ）とチップ中心部における面積強度比Ａｃ（Ｔ／Ｇ）の比Ａｓ（Ｔ／Ｇ）／Ａｃ（Ｔ／Ｇ）が、０．７０〜１．００を満足することを特徴とするポリエステル組成物。
【請求項２】
該ポリエステルが、Ｓｂ化合物、ゲルマニウム化合物、Ｔｉ化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物と、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含む化合物を含有することを特徴とする請求項１記載のポリエステル組成物。
【請求項３】
該ポリエステルが、フェノール系化合物から選択される少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項２記載のポリエステル組成物。
【請求項４】
該ポリエステルが、リン化合物から選択される少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポリエステル組成物。
【請求項５】
該ポリエステルのファイン（Ｂ）の融解ピーク温度の最も高温側の融解ピーク温度が、２６５℃以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポリエステル組成物。
【請求項６】
２９０℃の温度で６０分間溶融した時の環状３量体増加量が０．５０重量％以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポリエステル組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のポリエステル組成物からなることを特徴とする中空成形体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載のポリエステル組成物を押出成形してなることを特徴とするシート状物。
【請求項９】
請求項８記載のシート状物を少なくとも１方向に延伸してなることを特徴とする延伸フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
Ｂ：０．０３質量％以下
必要に応じて添加される合金成分であり、熱間加工性を向上させ、熱延時の割れ防止に有効である。しかし、過剰量のＢ添加は却って熱間加工性を低下させることになるので、Ｂを添加する場合には上限を０．０３質量％に設定する。
ＲＥＭ：０．０３質量％以下
必要に応じて添加される合金成分であり、Ｂと同様に熱間加工性を改善する作用を呈する。しかし、ＲＥＭ添加による効果は０．０３質量％で飽和し、０．０３質量％以上に添加しても材質が硬質化し成形加工性が却って低下する。
Ｃａ：０．０３質量％以下
必要に応じて添加される合金成分であり、熱間加工性を改善する作用を呈するが、Ｃａの添加効果は０．０３質量％で飽和する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング法で基板上に成膜を行う基板装置の製造装置であって、
真空チャンバと、
該真空チャンバ内に設けられ前記基板が設置される基板設置台と、
該基板に対向するように前記真空チャンバ内に設けられるターゲットと、
該ターゲットの前記基板に対向する表面を含む平面上における磁界の印加領域が前記表面を全部含むように、前記ターゲット及びその近傍に前記磁界を印加するマグネットと、
前記真空チャンバ内に導入されるガスに電界を印加する電界印加手段と
を備えたことを特徴とする基板装置の製造装置。
【請求項２】
前記電界印加手段は、前記基板設置台と前記ターゲットとの間に所定の電位を生じさせることを特徴とする請求項１に記載の基板装置の製造装置。
【請求項３】
前記マグネットは前記ターゲットに対して揺動可能に構成され、当該マグネットの揺動領域の面積が前記ターゲットの面積以上とされていることを特徴とする請求項１又は２記載の基板装置の製造装置。
【請求項４】
前記マグネットは棒状に形成されているとともに前記ターゲットに対して往復動作可能に構成され、当該マグネットの往復動作領域の面積は前記ターゲットの面積以上とされていることを特徴とする請求項１又は２記載の基板装置の製造装置。
【請求項５】
前記ターゲットの周囲に、所定の電位とされたシールド板を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板装置の製造装置。
【請求項６】
スパッタリング法で基板上に成膜を行う基板装置の製造方法であって、
真空チャンバ内に設けられた基板設置台に前記基板を設置する基板設置工程と、
該基板に対向するよう設けられたターゲットの前記基板に対向する表面を含む平面上における磁界の印加領域が前記表面を全部含むように、前記ターゲット及びその近傍に前記磁界を印加する磁界印加工程と、
前記真空チャンバ内に導入されるガスに電界を印加する電界印加工程と、
を含むことを特徴とする基板装置の製造方法。
【請求項７】
前記電界印加工程は、前記基板設置台と前記ターゲットとの間に所定の電位を生じさせることを特徴とする請求項６に記載の基板装置の製造方法。
【請求項８】
前記磁界印加工程は、前記ターゲットに対して揺動するマグネットにより行われ、
該マグネットの揺動領域の面積が、前記ターゲットの面積以上とされることを特徴とする請求項６又は７記載の基板装置の製造方法。
【請求項９】
前記磁界印加工程は、前記ターゲットに対して往復動作する棒状に形成されたマグネットにより行われ、
該マグネットの往復動作領域の面積が、前記ターゲットの面積以上とされることを特徴とする請求項６又は７記載の基板装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ターゲットの周囲に設けられ所定の電位とされるシールド板に前記ターゲットから飛散した粒子を吸引させる工程を更に含むことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
【請求項１１】
基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ターゲットは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）成膜用のターゲットからなり、電気光学物質に所定の電圧を印加するためのＩＴＯからなる電極を前記基板上に形成する工程を含むことを特徴とする請求項１１記載の電気光学装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板装置の製造方法は、上記課題を解決するために、スパッタリング法で基板上に成膜を行う基板装置の製造装置であって、真空チャンバと、該真空チャンバ内に設けられ前記基板が設置される基板設置台と、該基板に対向するように前記真空チャンバ内に設けられるターゲットと、該ターゲットの前記基板に対向する表面を含む平面上における磁界の印加領域が前記表面を全部含むように、前記ターゲット及びその近傍に前記磁界を印加するマグネットと、前記真空チャンバ内に導入されるガスに電界を印加する電界印加手段とを備える。