Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプに点灯パルスを印加するイグナイターと、
前記ランプに交流電流を供給するランプ駆動部と、
前記ランプが点灯した直後の点灯開始時には、前記交流電流であるランプ電流を定常電流より大きい電流に設定するとともに、前記交流電流の周波数であるランプ駆動周波数を定常周波数より低い周波数に設定し、その後、前記ランプ電流を前記定常電流にするとともに、前記ランプ駆動周波数を前記定常周波数にするランプ駆動制御部と、
を備えることを特徴とするランプ駆動装置。
【請求項２】
請求項１記載のランプ駆動装置において、
前記ランプ駆動制御部として、前記ランプの電極間の電圧を検出する電圧検出回路と、前記ランプ駆動周波数を設定する発振回路と、前記電圧検出回路により検出された前記電極間の電圧を閾値と比較することによって、前記発振回路の発振周波数を前記ランプ駆動周波数として、前記定常周波数より低い周波数から前記定常周波数に変更する制御回路とを有することを特徴とするランプ駆動装置。
【請求項３】
請求項１記載のランプ駆動装置において、前記定常周波数はフリッカーを生じない周波数であることを特徴とするランプ駆動装置。
【請求項４】
請求項１記載のランプ駆動装置において、前記定常周波数より低い周波数はフリッカーを生じる周波数であることを特徴とするランプ駆動装置。
【請求項５】
請求項１記載のランプ駆動装置において、前記点灯開始時のランプ電流は前記定常電流の１．５倍以上であることを特徴とするランプ駆動装置。
【請求項６】
液晶ライトバルブを照明する光源としてのランプを駆動する装置として、請求項１〜５のいずれかに記載のランプ駆動装置を備える投射型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明のランプ駆動装置は、
ランプに点灯パルスを印加するイグナイターと、
前記ランプに交流電流を供給するランプ駆動部と、
前記ランプが点灯した直後の点灯開始時には、前記交流電流であるランプ電流を定常電流より大きい電流に設定するとともに、前記交流電流の周波数であるランプ駆動周波数を定常周波数より低い周波数に設定し、その後、前記ランプ電流を前記定常電流にするとともに、前記ランプ駆動周波数を前記定常周波数にするランプ駆動制御部と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
電極材料層間に発光材料層を挟持してなる発光素子が設けられた複数の画素を、基板上に配列形成してなる表示装置の製造方法であって、
蒸着マスクの一面側に蒸着源を配置し、前記蒸着マスクの他面側に前記基板を配置し、蒸着マスクの各開口部から、前記基板における第１方向に配列された複数の画素を一括して露出させた状態で、当該第１方向と直交する第２方向に、前記蒸着マスクと前記基板とを前記蒸着源に対して相対的に移動させることで、前記基板上の各画素に前記発光材料層の蒸着パターンを形成することを特徴とする、
表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
蒸着マスクの一面側に蒸着源を配置し、前記蒸着マスクの他面側に基板を配置し、当該蒸着マスクと基板とを前記蒸着源に対して相対的に移動させることで、前記基板上の各画素に発光素子を構成する材料層の蒸着パターンを形成する際に用いる蒸着マスクであって、
前記基板における一方向に配列された複数の画素を一括して露出させる開口部を備えたことを特徴とする蒸着マスク。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の表示装置の製造方法は、電極材料層間に発光材料層を挟持してなる発光素子が設けられた複数の画素を、基板上に配列形成してなる表示装置の製造方法である。本発明においては、蒸着マスクの一面側に蒸着源を配置し、前記蒸着マスクの他面側に前記基板を配置し、蒸着マスクの各開口部から、前記基板における第１方向に配列された複数の画素を一括して露出させた状態で、当該第１方向と直交する第２方向に、前記蒸着マスクと前記基板とを前記蒸着源に対して相対的に移動させることで、前記基板上の各画素に前記発光材料層の蒸着パターンを形成することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本体２の前面にあるモジュラジャック１２は、図１には示していないが、本体２の背面側等に設けられた別のモジュラジャック１６（図示していない端子台）に接続されている。このモジュラジャック１２、１６は、図２では、図を簡略化するために２ピンとして示したが、実際には、アナログ電話回線用の場合６ピンのものが、またはデジタル電話回線の場合８ピンのものが、使用されている。モジュラジャック１６は、この共同受信用ユニットが使用されている家屋に敷設されているアナログまたはデジタル電話回線に接続される。モジュラジャック１２は、この共同受信用ユニットの近傍に存在する電話機、ファクス、ＢＳ／ＣＳデジタルチューナ、またはパーソナルコンピュータのモデム等に、接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
このように探索履歴収集機能部2102を設けることにより、限られた時間内で最適解の探索を効率的に実施できるとともに、得られた解の妥当性についても確認できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
前記R.O.I(投資資本利益率)は、会計年度ｔ期の営業収入をC IN(t)、営業支出をC   OUT(t)、投資費用をI(t)とすると、以下の数式８で得られる。
【数式８】
2003203151.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
制約検査機能部1503（図１５）は、投資費用制約、例えば投資費用下限値や投資費用上限値、と現在の投資費用の総額ｇ１、ｇ２を以下の数式１２、数式１３により計算する。
また、リスク費用制約、例えばリスク費用下限値やリスク費用上限値、と現在のリスク費用の総額ｇ３、ｇ４を以下の数式１４、数式１５により計算する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光偏向素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入光面とその反対側の出光面とを有しており、前記入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有し、一方のプリズム面の少なくとも一部領域が凸曲面形状をなし、前記凸曲面形状の曲率半径ｒが前記プリズム列の配列ピッチＰに対して７〜３０であることを特徴とする光偏向素子。
【請求項２】
前記凸曲面形状を有するプリズム面と前記プリズム列の稜線と谷線を含む平面との最大距離ｄと、前記プリズム列の配列ピッチＰとの比（ｄ／Ｐ）が０．０５〜５％であることを特徴とする請求項１に記載の光偏向素子。
【請求項３】
前記凸曲面形状を有するプリズム面が、凸曲面と平面とから構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の光偏向素子。
【請求項４】
前記プリズム面が、前記プリズム列の頂部に近い領域は平面形状をなし、前記プリズム列の谷部に近い領域は凸曲面形状をなすことを特徴とする請求項３に記載の光偏向素子。
【請求項５】
入光面とその反対側の出光面とを有しており、前記入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有し、一方のプリズム面の少なくとも一部領域が凸曲面形状をなし、前記凸曲面形状を有するプリズム面と前記プリズム列の稜線と谷線を含む平面との最大距離ｄと、前記プリズム列の配列ピッチＰとの比（ｄ／Ｐ）が、０．０５〜５％であることを特徴とする光偏向素子。
【請求項６】
前記凸曲面形状を有するプリズム面が、凸曲面と平面とから構成されることを特徴とする請求項４または５に記載の光偏向素子。
【請求項７】
前記プリズム面が、前記プリズム列の頂部に近い領域は平面形状をなし、前記プリズム列の谷部に近い領域は凸曲面形状をなすことを特徴とする請求項６に記載の光偏向素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の光偏向素子は、入光面とその反対側の出光面とを有しており、前記入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有し、一方のプリズム面の少なくとも一部領域が凸曲面形状をなし、前記凸曲面形状の曲率半径ｒが前記プリズム列の配列ピッチＰに対して７〜３０であることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の光偏向素子は、入光面とその反対側の出光面とを有しており、前記入光面には互いに並列に配列された複数のプリズム列が形成されており、該プリズム列は２つのプリズム面を有し、一方のプリズム面の少なくとも一部領域が凸曲面形状をなし、前記凸曲面形状を有するプリズム面と前記プリズム列の稜線と谷線を含む平面との最大距離ｄと、前記プリズム列の配列ピッチＰとの比（ｄ／Ｐ）が、０．０５〜５％であることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
通常は、位置Ｋ２よりも出光面４２に近い全面（即ち、プリズム列の谷部に近い領域全面）を凸曲面形状とすることが好ましい。一方、仮想プリズム列Ｉにおけるプリズム面Ｉ−２の内面全反射位置Ｋ２よりも入光面４１に近い位置（即ち、出光面４２から遠い位置またはプリズム列の頂部に近い領域）では、平面形状としてもよく凸曲面形状としてもよい。いずれの場合も、位置Ｋ２の出光面４２側近傍のプリズム面形状を延長するような形状とすることが好ましく、プリズム列の頂部は仮想プリズム列の頂部と一致しなくてもよい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、光偏向素子４の各プリズム列のプリズム面の凸曲面形状としては、仮想プリズム列のプリズム面（即ち、プリズム列の稜線と谷線を含む平面）と凸曲面形状のプリズム面の最大距離ｄと前記プリズム列の配列ピッチＰとの比（ｄ／Ｐ）が０．０５〜５％の範囲となるような比較的緩やかな曲面形状とすることが好ましく、より好ましくは０．１〜３％の範囲であり、さらに好ましくは０．２〜２％の範囲である。これは、ｄ／Ｐが５％を超えると光偏向素子４による集光効果が損なわれ光の発散が起こる傾向にあり、光偏向素子４の出光面４２から出射する出射光分布の半値幅を十分に狭くできなくなる傾向にあるためである。逆に、ｄ／Ｐが０．０５％未満であると光偏向素子４による集光効果が不十分となる傾向にあり、光偏向素子４の出光面４２から出射する出射光分布の半値幅を十分に狭くできなくなる傾向にあるためである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細加工電磁スイッチであって、
絶縁性基板（110）と、
前記基板（110）に接続されている撓み梁（120）と、
前記梁（120）に接続されている第１の信号経路板（150）と、
前記基板（110）に接続されている第２の信号経路板（170）と、
前記梁（120）に接続されている駆動板（160）と、
前記梁（120）に接続されている被駆動板（140）を備え、
前記基板（110）に接続されている外装（190）が、前記微細加工電磁スイッチ（100）を取り囲むチャンバ（195）を形成し、該チャンバ（195）が絶縁性パーフルオロカーボンで充填されていることを特徴とするスイッチ。
【請求項２】
前記パーフルオロカーボンが実質上不活性流体である請求項１記載のスイッチ。
【請求項３】
前記流体が低粘度である請求項２記載のスイッチ。
【請求項４】
前記撓み梁（120）が片持ち梁である請求項３記載のスイッチ。
【請求項５】
前記撓み梁（120）が両端を固定されている梁である請求項３記載のスイッチ。
【請求項６】
前記撓み梁（120）と前記被駆動板（140）と前記第１の信号経路板（150）内に貫通孔（198）が存在する請求項３記載のスイッチ。
【請求項７】
電気信号を切り替える微細加工電磁スイッチであって、撓み梁（120）と前記電気信号を切り替える駆動手段を有するものにおいて、
前記微細加工電磁スイッチ（100）が絶縁性物質（190）により取り囲まれ、この物質（190）が絶縁流体で満たされている気密チャンバ（195）をもたらすことを特徴とするスイッチ。
【請求項８】
前記流体がパーフルオロカーボンである請求項７記載のスイッチ。
【請求項９】
前記パーフルオロカーボンが実質上不活性であり、低粘度を有し、低分子量を有する請求項８記載のスイッチ。
【請求項１０】
前記撓み梁（120）が片持ち梁である請求項７記載のスイッチ。
【請求項１１】
前記撓み梁（120）が、第１及び第２の端部を有し、該第１及び第２の端部で固定されている梁である請求項７記載のスイッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
高出力用途での利用に際して、梁の抵抗加熱に起因する他の問題が発生する。高出力用途での出力は、梁を焼鈍することによって、すなわち梁内の歪状態を変化させることによってスイッチの劣化を生じさせるのに十分なほど大きな熱を発生することがある。さらに、梁から熱を奪うことは、梁の厚みに対して梁の長さが長いために、付加的な問題となる。例えば、梁はおおよそ300 μmの長さで１〜６μmの肉厚である。さらに、梁は通常、熱を適切に伝導し得ないガスにより取り囲まれている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、高出力環境に起因して梁やスイッチ接点が過熱するのを防止するアセンブリ及び方法が提供される。MEMSスイッチをパッケージ、実装し、これにより梁とスイッチは不活性低粘度絶縁流体により取り囲まれる。このような構成を利用することによって、MEMSの梁が抵抗加熱されることにより生成された熱は、伝導と対流により放散する。さらに、不活性低粘度絶縁流体によって梁を取り囲むことにより、開閉動作中のスイッチ接点の局部的な冷却が可能となり、したがって接点の過熱と微細溶接が防止される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の回路を含む第２の回路を有し、
前記複数の第１の回路の各々は、同じ基板上に設けられた複数のトランジスタを有し、
前記複数の第１の回路の各々は、前記複数のトランジスタの特性に対応した第１の数値を示す第１の信号を生成し、
前記第２の回路は、前記複数の第１の回路の各々から出力される前記第１の信号を用いて、前記基板に固有の第２の数値を示す第２の信号を生成することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の第１の回路を含む第２の回路を有し、
前記複数の第１の回路の各々は、同じ基板上に設けられた複数のトランジスタを有し、
前記複数の第１の回路の各々は、前記複数のトランジスタのしきい値電圧に対応した第１の数値を示す第１の信号を生成し、
前記第２の回路は、前記複数の第１の回路の各々から出力される前記第１の信号を用いて、前記基板に固有の第２の数値を示す第２の信号を生成することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の第１の回路を含む第２の回路を有し、
前記複数の第１の回路の各々は、同じ基板上に設けられた複数のトランジスタを有し、
前記複数の第１の回路の各々は、前記複数のトランジスタの各々の活性層のグレインパタンに対応した第１の数値を示す第１の信号を生成し、
前記第２の回路は、前記複数の第１の回路の各々から出力される前記第１の信号を用いて、前記基板に固有の第２の数値を示す第２の信号を生成することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
複数の第１の回路を含む第２の回路と、第３の回路を有し、
前記複数の第１の回路の各々は、同じ基板上に設けられた複数のトランジスタを有し、
前記複数の第１の回路の各々は、前記複数のトランジスタの特性に対応した第１の数値を示す第１の信号を生成し、
前記第２の回路は、前記複数の第１の回路の各々から出力される前記第１の信号を用いて、前記基板に固有の第２の数値を示す第２の信号を生成し、
前記第３の回路は、前記第２の回路から出力される前記第２の信号と、外部から入力される第３の数値を示す第３の信号とを比較することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
複数の第１の回路を含む第２の回路と、第３の回路を有し、
前記複数の第１の回路の各々は、同じ基板上に設けられた複数のトランジスタを有し、
前記複数の第１の回路の各々は、前記複数のトランジスタのしきい値電圧に対応した第１の数値を示す第１の信号を生成し、
前記第２の回路は、前記複数の第１の回路の各々から出力される前記第１の信号を用いて、前記基板に固有の第２の数値を示す第２の信号を生成し、
前記第３の回路は、前記第２の回路から出力される前記第２の信号と、外部から入力される第３の数値を示す第３の信号とを比較することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
複数の第１の回路を含む第２の回路と、第３の回路を有し、
前記複数の第１の回路の各々は、同じ基板上に設けられた複数のトランジスタを有し、
前記複数の第１の回路の各々は、前記複数のトランジスタの各々の活性層のグレインパタンに対応した第１の数値を示す第１の信号を生成し、
前記第２の回路は、前記複数の第１の回路の各々から出力される前記第１の信号を用いて、前記基板に固有の第２の数値を示す第２の信号を生成し、
前記第３の回路は、前記第２の回路から出力される前記第２の信号と、外部から入力される第３の数値を示す第３の信号とを比較することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記複数の第１の回路の各々は、差動増幅回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記複数の第１の回路の各々は、１つ又は複数のインバータ回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記第１の数値は、１ビットの乱数であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記基板上に設けられたロジック回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記基板上に設けられた画素を有し、
前記画素は液晶素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記基板上に設けられた画素及び駆動回路を有し、
前記画素は液晶素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記基板上に設けられた画素、駆動回路及びロジック回路を有し、
前記画素は液晶素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記基板上に設けられた画素を有し、
前記画素は発光素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記基板上に設けられた画素及び駆動回路を有し、
前記画素は発光素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記基板上に設けられた画素、駆動回路及びロジック回路を有し、
前記画素は発光素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の前記半導体装置が用いられた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
一方、フォトレジストに形成されたパターン１，２間の距離ｘの、製造ロット間での変化に影響を与える主な要因がフォーカスオフセットの変動のみだとすると、あらかじめ求めておいた図５（ａ）に示すデータを用いて、距離ｘ１及び距離ｘ２からフォーカスオフセットの変動量を求めることができるため、ステップｓ２では、距離ｘ１及び距離ｘ２からフォーカスオフセットの変動量を求めて、当該変動量を評価する。ここで、説明の便宜上、距離ｘ１を１５５ｎｍ、距離ｘ２を１８５ｎｍとして、図５（ａ）に示すデータを用いて距離ｘ１及び距離ｘ２からフォーカスオフセットの変動量を求める方法を説明する。距離ｘ１は１５５ｎｍであるため、この値に該当するフォーカスオフセットを図５（ａ）から求めると、フォーカスオフセット−０．１５μｍである。そして、距離ｘ２は１８５ｎｍであるため、この値に該当するフォーカスオフセットを図５（ａ）から求めると、フォーカスオフセット−０．３０μｍ，０．００μｍである。ここで、１８５ｎｍに該当するフォーカスオフセットの値が２つ求められるが、変動量の絶対値は求めることができる。すなわち、変動量の絶対値は、０．１５μｍである。そして、この変動量を評価する。具体的には、例えば、半導体装置の製造において許容されているフォーカスオフセットの変動量の絶対値（以後、「変動量１０」と呼ぶ）と、求めた製造ロット間での変動量の絶対値である０．１５μｍとを比較する。そして、評価した結果、つまり比較した結果、０．１５μｍが変動量１０よりも小さければ製造ロット２の製造を行い、０．１５μｍが変動量１０よりも大きければ、製造ロット２の製造を開始する前に露光条件を補正してフォーカスオフセットを補正する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
実施の形態２．
図１２〜１５は本実施の形態２に係る評価方法に用いるテストパターン６０ａ，６０ｂを示す図である。また、図１６は本実施の形態２に係る評価方法を示すフローチャートであって、本実施の形態２に係る評価方法は、上述の実施の形態１に係る評価方法のステップｓ１において、フォトレジストに形成されたパターン１，２間の距離ｘの測定に代えて、あるいはフォトレジストに形成されたパターン３，４間の距離ｙの測定に代えて、パターン１，２間で規定される対向部４２の解像度、あるいはパターン３，４間で規定される対向部５３の解像度を測定するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
図２０〜２３は本実施の形態２に係る評価方法に用いるテストパターン７０ａ，７０ｂを示す図であって、テストパターン７０ａは各ラインパターン対１００のパターン１，２間の導通・非導通を同時に確認する場合に用いられて、テストパターン７０ｂは各スペースパターン対１０１のパターン３，４間の導通・非導通を同時に確認する場合に用いられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
また、本実施の形態２では、テストパターン６０，７０を用いる場合について説明したが、図１１（ａ）に示すような孤立したラインパターン８５、あるいは図１１（ｂ）に示すような、周りにピッチｄでダミーパターン９０が配列されたラインパターン８６を、テストパターン６０，７０と一緒にフォトレジストに形成し、フォトレジストに形成されたラインパターン８５，８６の線幅ｚ１，ｚ２を測定して、その測定結果をも用いて、各評価項目を評価しても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】  本発明の実施の形態１に係る測定対象物２０を示す断面図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】  本発明の実施の形態１に係る評価方法で使用するテストパターンを示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ピラニア処理は大量の硫酸を排出するし、有機溶剤を使用する場合もその使用量が多いので、いずれにしても環境面での問題が大きい。そこで、最近オゾン水を用いたレジスト除去が試みられている。オゾンの水への溶解度は低温になるほど高く、高濃度オゾン含有ガス（以下、オゾンガスという）を用いると、０℃近い冷水でのオゾンの溶解量は70〜100 ppmに達する。しかし、このようなオゾン水処理では、ＬＳＩ製造で広く使われているＩ線用ノボラック樹脂系ポジ型レジスト膜の場合、剥離速度が0.1μｍ/分以下と遅く、実用的に十分とはいえない。最近、高濃度オゾンガスを水蒸気と併用して処理する方法や、加圧したオゾンを用いた高濃度オゾン水で処理する方法が開発されているが、その剥離速度は１μｍ/分程度であり、強力な剥離能力を必要とする場合には使用に適さない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
［実施例１］
図１に、カセットに入れた複数枚のレジスト膜付ウェハーを、オゾンガスを通気した炭酸エチレン融解液に浸漬して、該レジスト膜を除去する装置の概念図を示す。
実験用に作られたドラフトは前室１、清浄化された空気が導入されている処理室２および後室３に仕切られており、全面には開閉可能なガラス戸があるが、操作時にはドラフト内と外部とは隔離されるようになっている。下記のバルブ類は全て電磁弁であり、これらと送液ポンプおよび（カセット移送のための）ロボットは、全て外部における操作によって作動する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
６″ウェハー４が７枚入る石英ガラス製カセット５を前室１から背部に排気口（図示せず）を有する処理室２に入れ、また処理後後室を経てドラフトから取り出せるように、前室１と後室３には、処理室内のオゾンガスを含む雰囲気をドラフト外に漏らさないための空気置換機構（図示せず）と開閉できる戸口６が設けられてある。
処理室２には、石英ガラス槽７、８および９があり、槽７はカセットの処理を行う約３Ｌの炭酸エチレン液の槽であり、槽８は未使用の炭酸エチレン液でスプレーリンスを行う槽である。また、槽９は超純水によるオーバーフローリンス槽である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記の装置を稼動させて、液温40℃の炭酸エチレン液のレジスト剥離効果を調べた。使用した試料は、酸化した６″シリコンウェハーの表面に、ＨＭＤＳ処理を行い、ノボラック樹脂系Ｉ線用ポジ型レジスト（商品名：ＩＸ５５５、ＪＳＲ（株）製）を1.5μｍ塗布し、140℃で60秒間ベークしたものである。まず、この１枚をカセットにセットし、槽７中の炭酸エチレン融解液に250ｍｇ/Ｌの高濃度オゾンガスを２Ｌ/分で５分間バブリングさせ、42℃の液がオゾンを溶解した結果、僅かに青色になったのを確かめた後に、前記カセットを液に浸して、レジストの剥離状況を肉眼で観察した結果、４秒間で剥離が完了したことを確認した（剥離速度：22.5μｍ/分）。その後、直ちにカセットを引上げ、槽８で炭酸エチレン液スプレーリンスを２秒間施し、次に槽９で超純水のオーバーフローリンスを３分行い、スピン乾燥して顕微鏡で表面の観察を行ったところ、剥離されていない部分は認められなかった。なお、カセットを引上げた直後の槽７中の液温は40℃であった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
［実施例５］
図２に、枚葉スピン処理で炭酸エチレン液よる剥離を行う場合の装置を示す。  枚葉スピン処理のできる機構は、６″ウェハー４'の支持具４３とその回転軸４４と駆動部４５とからなり、支持具４３上のウェハー４'が低速から高速までスピン回転するように作られていて、底４６のあるチャンバー４７に収納されている。炭酸エチレン液は液温を所定温度、例えば100℃に加熱できる加熱器４８を具備した容器４９の中に加熱して液状で準備される。三方バルブ５０の操作で、送液ポンプＰにより微粒子除去フィルターＦ、配管５１を経てその先端にあるノズル５２より１〜２ｍＬ/秒の流量でウェハー４'上に供給される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
［実施例６］
枚葉スピン剥離で、室温の炭酸プロピレン液とオゾンガスを同時にレジスト面に吹付けて効率よく処理を行なう例を示す。
図２に記載した装置を用いるが、当初槽４９に炭酸プロピレンを供給し、各槽の加熱器を使用しないことと、冷風供給管７４をオゾンガス供給管に変更し、流速５〜10Ｌ/分で250ｍｇ/Ｌの濃度のオゾンガスを炭酸プロピレン液と同時に供給できるように改造した。さらに、乾燥段階で高圧チッ素ガス吹付けがウェーハ中心に向けてできるように別のノズルと配管系を設けた。以上の変更点以外は、実施例５と同様に操作を行う。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
さらに、オゾンガスをウェハー面に放出する間、ウェハー全面を覆い、液供給管およびオゾンガス供給管の受け入れ箇所以外はウェーハ面との間が約５ｍｍとなるように、屋根状の石英ガラス製フード体８３が配置されている。なおウェハー脱着の際はこのフード体は蓋部と共に上方に移動して待機する。炭酸プロピレン供給管７８は上記図２の微粒子除去用フィルターＦに接続している。一方、ガス供給管８１はオゾン濃度250ｍｇ/Ｌでガス流量４Ｌ/分のオゾンガスを発生する高濃度オゾンガス発生装置（図示せず）に接続している。その配管にはバルブ８４に近く、三方バルブ８５により発生装置からのオゾンガスを一旦貯蔵し自動ピストン８６で約２Ｌのオゾンガスを約10秒間でガス放出口８０から放出できるシリンダー８７が結合されている。このシリンダーは内部のオゾンガスが加熱できるよう加熱体８８で覆われている。なお、上記実施例６でチャンバー４７に設けた、乾燥段階で高圧チッ素ガス吹付けがウェハー中心に向けてできるようにしたノズルと配管系はこの改造でも具備されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、図２２は、図１９の構成をトレンチファースト法を用いて形成する場合の工程図である。まず図２２（ａ）のように、下地配線層１３０上に層間絶縁膜１３１を形成し、配線１３３を形成するための溝（配線パターン）１３３ｃを形成する。さらにその状態から、図２２（ｂ）のようにホール１３２を形成する個所にホールパターン１３２ｃを形成する。その後、層間絶縁膜１３１上に配線材料を堆積させ、ＣＭＰによりホールパターン１３２ｃおよび配線パターン１３２ｃの中以外の配線材料を除去することにより、ホール１３２および配線１３３が形成される図２２（ｃ）。即ち、トレンチファスト法においては、配線パターンがホールパターンよりも先に形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図１２からも分かるように本実施の形態において、下地層５は、その平行ライン状のパターンのパターン周期がアライメントマーク８の平行溝状のパターンのパターン周期と等しくなるように形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
＜実施の形態３＞
実施の形態２においては、図１２に示したように下地層５のラインの方向とアライメントマーク８の溝の方向が平行、且つ、下地層５の平行ライン状のパターンのパターン周期がアライメントマーク８の平行溝状のパターンのパターン周期と等しい構造を示した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
実施の形態３においては、下地層５のパターン周期は、アライメントマーク８のパターン周期と異なる構造とする。図１４は、本実施の形態に係るアライメントマーク構造を示す図である。この図においても（ａ）は上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｊ線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＫ−Ｌ線に沿った断面図を示している。また、図１と同様の要素については同一符号を付してあるので、ここでの詳細な説明は省略する。このような構成によっても、実施の形態１に示したアライメントマーク構造と同様の効果が得られることは明らかである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
さらに、本実施の形態では下地層５のパターン周期がアライメントマーク８のパターン周期と異なるので、アライメントマークの検出信号波形において、アライメントマーク８によるピーク２０が現れる周期と、下地層５のエッジ部によるピーク２１が現れる周期とが異なることとなる。一般的にアライメントマークのパターン周期は予め決められているので、ピークが現れる周期によっても、アライメントマーク８によるピークを判別することができる。そのため、ピークの大きさによる判別と組み合わせることによって、実施の形態２のケースよりもより正確にアライメントマーク８による波形の抽出が可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形基板記録エリアの実質的に全ての場所で、前記成形基板の断面の厚みを乗じた局所的屈折率が、１０ミクロン未満の偏差内で一定であることを特徴とする成形基板。
【請求項２】
前記偏差が２ミクロン未満であることを特徴とする、請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記基板は、サンドイッチ構造のホログラフィデータ記憶媒体で使用されるための基板であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
前記成形基板の屈折率は、前記成形基板の半径方向にわたって変化することを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の加工平面を有する加工部材の前記加工平面に磁気媒体が形成された上下主面を備えた磁気ディスク用ガラス基板であって、前記主面の中心に回転駆動軸に連結可能なフランジが接合固定されたことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項２】
両面に磁気媒体が形成された主面を備えた第１のガラス基板の前記主面の片側面に回転駆動軸に連結可能なフランジと、他方の主面に第２のガラス基板の片側主面と所定間隙を設けるスペーサーとを配設するように、前記第１のガラス基板に順次スペーサーとガラス基板が複数個積層してなることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項３】
両面に磁気媒体が形成された主面と該主面と連接する外周面が押圧成形によって形成された鏡面状態の成形自由面からなる成形ガラス基板を用いた請求項１乃至請求項２記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項４】
フランジおよび／またはスペーサーの位置規制のための凸部を中心部に一体に形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項５】
片側もしくは両方にガラス材料の位置規制用の凹部が設けられ、かつ所定の加工平面が併設された一対の押型と、該押型を摺動案内する胴型とで構成される成形型の内部空間に、表面が鏡面状態のガラス素材を前記凹部に載置し、成形型全体を加熱した状態で前記ガラス素材を押圧成形して、前記押型の加工平面と前記凹部の反転形状である凸部とが精密転写され、かつ前記加工平面の転写部と連接する外周部が鏡面状態からなる成形自由面であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
中心に凸部と磁気媒体を形成する主面および該主面に連接する外周が成形自由面で構成されたガラス基板を精密成形する工程と、前記主面上に磁気媒体を形成する工程と、前記凸部に回転駆動軸と連結させるフランジおよび／またはスペーサーが位置決めされて一体的に接合固定する工程とが具備されたことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向して配置され、該記録媒体に情報を記録及び／又は再生するためのヘッドと、該ヘッドを該記録媒体に対して近づけたり、遠ざけたりする第１の移動手段と、前記記録媒体の面に沿って前記ヘッドを移動させる第２の移動手段とを有する情報記憶装置であって、
電源により蓄電されるキャパシタと、
前記電源の電圧に応じて前記キャパシタに蓄電された電力により、前記第１の移動手段を駆動し、前記ヘッドを前記記録媒体から遠ざかる方向に退避させるとともに、前記第２の移動手段を駆動し、前記ヘッドを退避位置に退避させる退避手段とを有することを特徴とする情報記憶装置。
【請求項２】
前記退避手段は、前記キャパシタに蓄電された電力により、前記第１の移動手段を駆動し、前記ヘッドを前記記録媒体から遠ざかる方向に退避させ、所定時間遅延した後に前記第２の移動手段を駆動し、前記ヘッドを前記退避位置に退避させることを特徴とする請求項１記載の情報記憶装置。
【請求項３】
前記キャパシタは、電気二重層キャパシタから構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の情報記憶装置。
【請求項４】
記録媒体に対向して配置され、該記録媒体に情報を記録及び／又は再生するためのヘッドと、該ヘッドを該記録媒体に対して近づけたり、遠ざけたりする第１の移動手段と、前記記録媒体の面に沿って前記ヘッドを移動させる第２の移動手段を有する情報記憶装置のヘッド退避方法であって、
電源によりキャパシタを蓄電し、異常動作時に前記キャパシタに蓄電された電力により前記第１の移動手段を駆動し、前記ヘッドを前記記録媒体から遠ざかる方向に退避させるとともに、前記第２の駆動手段を駆動し、前記ヘッドを退避位置に移動させることを特徴とする情報記憶装置のヘッド退避方法。
【請求項５】
前記キャパシタに蓄電された電力により、前記第１の移動手段を駆動し、前記ヘッドを前記記録媒体から遠ざかる方向に退避させ、所定時間遅延した後に前記第２の移動手段を駆動し、前記ヘッドを前記退避位置に退避させることを特徴とする請求項４記載のヘッド退避方法。
【請求項６】
前記キャパシタは、電気二重層キャパシタから構成されていることを特徴とする請求項４又は５記載のヘッド退避方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、記録媒体に対向して配置され、記録媒体に情報を記録及び／又は再生するためのヘッドと、ヘッドを該記録媒体に対して近づけたり、遠ざけたりする第１の移動手段と、記録媒体の面に沿ってヘッドを移動させる第２の移動手段とを有する情報記憶装置であって、電源により蓄電されるキャパシタと、電源の電圧に応じてキャパシタに蓄電された電力により、第１の移動手段を駆動し、ヘッドを前記記録媒体から遠ざかる方向に退避させるとともに、第２の移動手段を駆動し、ヘッドを退避位置に退避させる退避手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によれば、キャパシタに蓄積した電力により第１及び第２の移動手段を駆動して、ヘッドを退避させることにより、二次電池などの化学電池に比べて充電制御が容易であり、また、繰り返しの充放電に対して耐久性を有する。また、装置の状態によらずに確実にヘッドを退避させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、キャパシタに蓄積した電力により第１及び第２の移動手段を駆動して、ヘッドを退避させることにより、二次電池などの化学電池に比べて充電制御が容易であり、また、繰り返しの充放電に対して耐久性を有する。また、装置の状態によらずに確実にヘッドを退避させることができる等の特長を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【従来の技術】
分散コンピューティングシステム内で伝送されるデータを保護するために、セキュリティフレームワークが開発されている。既存のセキュリティフレームワークは、1組のプライバシー、セキュリティ、適応性、スケーラビリティの程度を有する。たとえば、Kerberosシステムは、第三者と鍵を共用するユーザによる安全な通信を提供する。安全な通信を行うために、各当事者がその第三者に接続し、その第三者によって発行された鍵を使用する。様々な欠点の中でも、Kerberosシステムは、第三者が互いに通信している諸ユーザのアイデンティティを追跡することを可能にする。さらに、第三者が鍵を発行するため、第三者はメッセージを解読することができる。Kerberosシステムは固定されている。すなわち、管理者は、展開のオプションの中で柔軟性に制限を受ける。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月5日(2005.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの信号名により定義される事前定義論理式を具現化するFETを、出力ノード、FET、及びFET接続を含むネットリストから識別する方法であって、
前記ネットリストから出力ノードを選択するステップと、
前記ネットリスト中のFETを検索すべく前記事前定義論理式を用意するステップと、
前記用意された事前定義論理式を具現化するFETを前記ネットリストから識別するステップと、を有し、
前記用意するステップが、
前記用意された事前定義論理式とマッチする前記ネットリストから、前記選択された出力ノード上のＮツリーを検索するステップと、
前記事前定義式が反転されたかどうかを判定するステップと、
前記事前定義式が反転されていないとき、前記出力ノード上のインバータを検出するステップと、
前記インバータが検出されたかどうかを判定するステップと、
前記インバータが検出されたとき、前記事前定義式を簡略化するステップと、をさらに有する方法。
【請求項２】
少なくとも１つの信号名により定義される事前定義論理式を具現化するFETを、出力ノード、FET、及びFET接続を含むネットリストから識別する方法であって、
前記ネットリストから出力ノードを選択するステップと、
前記ネットリスト中のFETを検索すべく前記事前定義論理式を用意するステップと、
前記用意された事前定義論理式を具現化するFETを前記ネットリストから識別するステップと、を有し、
前記用意するステップが、
前記用意された事前定義論理式とマッチする前記ネットリストから、前記選択された出力ノード上のＰツリーを検索するステップと、
前記事前定義式が反転されたかどうかを判定するステップと、
前記反転された事前定義式を簡略化するステップと、
前記反転された事前定義式の信号名の各々を反転するステップと、
をさらに有する方法。
【請求項３】
出力ノードを選択するステップと、
ネットリスト中のFETを検索すべく事前定義論理式を用意するステップと、
前記用意された事前定義論理式を具現化するFETを前記ネットリストから識別するステップと、をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記用意するステップが、
前記用意された事前定義論理式とマッチする前記ネットリストから、前記選択された出力ノード上のＮツリーを検索するステップと、
前記事前定義式が反転されたかどうかを判定するステップと、
前記事前定義式が反転されていないとき、前記出力ノード上のインバータを検出するステップと、
前記インバータが検出されたかどうかを判定するステップと、
前記インバータが検出されたとき、前記事前定義式を簡略化するステップと、
前記インバータが検出されないとき、処理を中止するステップと、
をさらに有する、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】取り外し可能な記憶媒体を構成するための方法であって、
認識型の装置（６０）および非認識型の装置（８０）の両方について、論理セクターが整合性をもって識別されるように、取り外し可能な記憶媒体（５０）の構成を選択するステップと、
前記選択された構成が前記認識型の装置用ならば、前記取り外し可能な記憶媒体上のファイル・システム・インジケータ（３５０）の標準位置（１５２）をマスクするステップと、
前記選択された構成が前記非認識型の装置用ならば、前記取り外し可能な記憶媒体上の前記ファイル・システム・インジケータを、非標準位置（１５５）から前記標準位置にコピーするステップと、
を含む方法。
【請求項２】前記取り外し可能な記憶媒体を初期化するステップをさらに含み、該初期化するステップは、さらに、
前記取り外し可能な記憶媒体（５０）上の前記ファイル・システム・インジケータ（３５０）の前記標準位置（１５２）をマスクし、
前記取り外し可能な記憶媒体上の前記ファイル・システム・インジケータを前記非標準位置（１５５）に書き込む、
ことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記取り外し可能な記憶媒体を初期化するステップは、さらに、
前記取り外し可能な記憶媒体上のいくつかの論理セクター（３２０）を、欠陥管理用に予約することを含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】前記取り外し可能な記憶媒体を初期化するステップは、さらに、
前記取り外し可能な記憶媒体上の少なくとも１つのセクター（３１０）を、前記ファイル・システム・インジケータ（３５０）の前記非標準位置（１５５）として予約することを含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項５】前記取り外し可能な記憶媒体（５０）を前記認識型の装置（６０）用に構成するステップは、さらに、
前記取り外し可能な記憶媒体上のバックアップ・ファイル・システム・インジケータ（１５４）をマスクすることを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】前記取り外し可能な記憶媒体（５０）を前記非認識型の装置（８０）用に構成するステップは、さらに、
前記取り外し可能な記憶媒体上のバックアップ・ファイル・システム・インジケータ（３５５）を、他の標準位置（１５４）にコピーすることを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】コンピュータ可読の記憶媒体と、該コンピュータ可読の記憶媒体上に格納されたコンピュータ可読のプログラムコードとを備え、整合性をもって識別される論理セクターを備えた取り外し可能な記憶媒体（５０）を構成するためのシステム（１０）であって、
前記コンピュータ可読のプログラムコードは、さらに、
前記取り外し可能な記憶媒体上のファイル・システム・インジケータ（３５０）のための少なくとも１つの標準位置（１５２）をマスクして、該取り外し可能な記憶媒体（５０）を、認識型の装置（６０）からアクセスできるように構成するプログラムコードと、
前記取り外し可能な記憶媒体上の少なくとも１つの非標準位置（１５５）から前記少なくとも１つの標準位置（１５２）に、前記ファイル・システム・インジケータをコピーして、該取り外し可能な記憶媒体を、非認識型の装置（８０）からアクセスできるように構成するプログラムコードと、
を含むシステム。
【請求項８】さらに、
前記認識型の装置（６０）で前記取り外し可能な記憶媒体（５０）を欠陥管理し、少なくとも１つの不良セクター（１５３）から少なくとも１つの代替セクター（１５６）にデジタル情報をコピーするプログラムコードと、
前記取り外し可能な記憶媒体が前記非認識型の装置（８０）からアクセスできるよう構成されている場合に、前記少なくとも１つの代替セクターから前記少なくとも１つの不良セクターに前記デジタル情報をコピーするプログラムコードと、
をさらに含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】さらに、
前記取り外し可能な記憶媒体（５０）が認識型の装置（６０）からアクセスできるように構成されている場合に、前記ファイル・システム・インジケータ（３５０）を、前記少なくとも１つの標準位置（１５２）から前記少なくとも１つの非標準位置（１５５）にコピーするプログラムコードを含む、
請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】さらに、
前記取り外し可能な記憶媒体（５０）が非認識型の装置（８０）からアクセスできるように構成されている場合に、前記少なくとも１つの非標準位置（１５５）をマスクするプログラムコードを含む、
請求項７に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テストアレイであって、
複数の第１の導体であって、前記第１の導体の少なくとも１つのグループと、端子に結合された少なくとも１つの第１の導体とからなり、前記グループ内の第１の導体が、前記グループの共通端子に電気的に結合された、複数の第１の導体と、
複数の第２の導体と、及び
前記第１および第２の導体の交点に配置された複数のメモリセルとからなる、テストアレイ。
【請求項２】
前記第１の導体の少なくとも１つのグループが、第１の導体の複数のグループからなり、前記少なくとも１つの第１の導体が、複数の第１の導体からなる、請求項１のテストアレイ。
【請求項３】
前記複数の第１の導体が、第１の導体のグループと個々の端子に結合された第１の導体との交互の繰り返しパターンからなる、請求項２のテストアレイ。
【請求項４】
前記共通端子が、前記テストアレイの基板上に配置される、請求項３のテストアレイ。
【請求項５】
前記複数の第２の導体が、
前記第２の導体の少なくとも１つのグループであって、前記グループ内の前記第２の導体が、前記グループの共通端子に電気的に結合された、前記第２の導体の少なくとも１つのグループと、及び
個々の端子に結合された少なくとも１つの第２の導体とからなる、請求項３のテストアレイ。
【請求項６】
前記第２の導体の少なくとも１つのグループが、第２の導体の複数のグループからなり、前記少なくとも１つの第２の導体が、複数の第２の導体からなる、請求項５のテストアレイ。
【請求項７】
前記複数の第２の導体が、第２の導体のグループと個々の端子に結合された第２の導体との交互の繰り返しパターンからなる、請求項６のテストアレイ。
【請求項８】
前記共通端子が、前記テストアレイの基板の上に配置される、請求項５のテストアレイ。
【請求項９】
複数の第１の導体と、複数の第２の導体と、前記第１と第２の導体との交点に配置された複数のメモリセルとを含むアレイをテストする方法であって、
前記第２の導体のうちの選択された１つに入力を印加するステップであって、前記選択された第２の導体が、選択されたメモリセルと交差する、ステップと、
選択された第１の導体からの出力を測定するステップであって、前記選択された第２の導体が、前記選択されたメモリセルと交差する、ステップと、及び
前記テストアレイの少なくとも１つの共通端子に共通入力を加えるステップであって、前記複数の第１の導体のグループが、少なくとも１つの共通端子に結合されている、ステップとを含む、方法。
【請求項１０】
前記共通入力を加えるステップが、
複数の共通端子に共通入力を加えることを含み、各共通端子が、第１の導体の対応するグループに結合される、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記出力を測定するステップが、
電流値を測定することを含む、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記入力を加えるステップが、
電位を印加することを含む、請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記共通入力を加えるステップが、
前記共通端子に等しい電位を印加することを含む、請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記共通端子が、前記アレイの基板の上に配置される、請求項１０の方法。
【請求項１５】
前記共通入力を加えるステップが、
前記共通端子をテスト装置のプローブと接触させることを含む、請求項１４の方法。