【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と、
前記下部電極上に形成され、結晶配向方向が異なる少なくとも２つの誘電体膜を含み、前記誘電体膜が浮遊電極によって互いに隔てられたキャパシタ誘電体膜と、
前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極と
を有することを特徴とする容量素子。
【請求項２】
下部電極と、
前記下部電極上に形成された第１の誘電体膜と、
前記第１の誘電体膜上に形成された第１の浮遊電極と、
前記第１の浮遊電極上に形成され、前記第１の誘電体膜とは結晶配向方向が異なる第２の誘電体膜と、
前記第２の誘電体膜上に形成された上部電極と
を有することを特徴とする容量素子。
【請求項３】
請求項２記載の容量素子において、
前記第１の誘電体膜と前記下部電極との界面における界面準位密度は、前記下部電極上に前記第２の誘電体膜を形成した場合における前記第２の誘電体膜と前記下部電極との界面における界面準位密度よりも低い
ことを特徴とする容量素子。
【請求項４】
請求項２又は３記載の容量素子において、
前記第１の誘電体膜を構成する誘電体材料と前記第２の誘電体膜を構成する誘電体材料とが異なっている
ことを特徴とする容量素子。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか１項に記載の容量素子において、
前記第２の誘電体膜上に形成された第２の浮遊電極と、前記第２の浮遊電極上に形成され、前記第２の誘電体膜とは結晶配向方向の異なる第３の誘電体膜とを更に有する
ことを特徴とする容量素子。
【請求項６】
請求項５記載の容量素子において、
前記第３の誘電体膜と前記上部電極との界面における界面準位密度は、前記第２の誘電体膜上に前記上部電極を形成した場合における前記第２の誘電体膜と前記上部電極との界面における界面準位密度よりも低い
ことを特徴とする容量素子。
【請求項７】
請求項５又は６記載の容量素子において、
前記第１の誘電体膜の結晶配向方向と前記第３の誘電体膜の結晶配向方向とがほぼ等しい
ことを特徴とする容量素子。
【請求項８】
請求項６又は７記載の容量素子において、
前記第２の誘電体膜を構成する誘電体材料と前記第３の誘電体膜を構成する誘電体材料とが異なっている
ことを特徴とする容量素子。
【請求項９】
請求項２乃至８のいずれか１項に記載の容量素子において、
前記第１乃至第３の誘電体膜は、ペロブスカイト型又はパイロクロア型の結晶構造を有する酸化物誘電体膜である
ことを特徴とする容量素子。
【請求項１０】
下部電極上に、第１の誘電体膜を形成する工程と、
前記第１の誘電体膜上に、浮遊電極を形成する工程と、
前記浮遊電極上に、前記第１の誘電体膜とは結晶配向方向の異なる第２の誘電体膜を形成する工程と、
前記第２の誘電体膜上に、上部電極を形成する工程と
を有することを特徴とする容量素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下部電極と、前記下部電極上に形成され、結晶配向方向が異なる少なくとも２つの誘電体膜を含み、前記誘電体膜が浮遊電極によって互いに隔てられたキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを有することを特徴とする容量素子によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記目的は、下部電極と、前記下部電極上に形成された第１の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜上に形成された第１の浮遊電極と、前記第１の浮遊電極上に形成され、前記第１の誘電体膜とは結晶配向方向が異なる第２の誘電体膜と、前記第２の誘電体膜上に形成された上部電極とを有することを特徴とする容量素子によっても達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記の容量素子において、前記第２の誘電体膜上に形成された第２の浮遊電極と、前記第２の浮遊電極上に形成され、前記第２の誘電体膜とは結晶配向方向の異なる第３の誘電体膜とを更に有するようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上記の容量素子において、前記第１の誘電体膜の結晶配向方向と前記第３の誘電体膜の結晶配向方向とがほぼ等しくなるようにしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、上記目的は、下部電極上に、第１の誘電体膜を形成する工程と、前記第１の誘電体膜上に、浮遊電極を形成する工程と、前記浮遊電極上に、前記第１の誘電体膜とは結晶配向方向の異なる第２の誘電体膜を形成する工程と、前記第２の誘電体膜上に、上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする容量素子の製造方法によっても達成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
このように、本実施形態による容量素子は、（１１０）（１００）ＢＳＴ膜３０と（１００）ＢＳＴ膜５０と（１１０）（１００）ＢＳＴ膜７０とを有し、（１１０）（１００）ＢＳＴ膜３０と（１００）ＢＳＴ膜５０との間に浮遊電極４０が、（１００）ＢＳＴ膜５０と（１１０）（１００）ＢＳＴ膜７０との間に浮遊電極６０が形成されていることに特徴がある。ここで、浮遊電極４０，６０は、下部電極２２及び上部電極８０、その他の電極には電気的に接続されていない。したがって、下部電極２２−（１１０）（１００）ＢＳＴ膜３０−浮遊電極４０とにより構成される容量素子と、浮遊電極４０−（１００）ＢＳＴ膜５０−浮遊電極６０とにより構成される容量素子と、浮遊電極６０−（１１０）（１００）ＢＳＴ膜７０−上部電極８０とにより構成される容量素子とが直列接続されたものである。つまり、このような構造の容量素子は、下部電極２２と上部電極８０との間に（１１０）（１００）ＢＳＴ膜３０と（１００）ＢＳＴ膜５０と（１１０）（１００）ＢＳＴ膜７０とを積層したキャパシタ誘電体膜を有する容量素子と等価である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
このように、本実施形態によれば、キャパシタ誘電体膜を、（１１０）（１００）配向膜及び（１００）ＢＳＴ配向膜とにより構成するので、（１１０）（１００）配向膜により得られる利点と（１００）配向膜により得られる利点の双方を実現しうる容量素子を構成することができる。また、（１１０）（１００）配向膜を下部電極側及び上部電極側のそれぞれに設けているので、両電極からの電子の注入による影響を防止することができる。したがって、交流駆動のアプリケーションに適用する場合に極めて有効である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
なお、本実施形態による容量素子の製造方法は、（１１０）（１００）ＢＳＴ膜３０、７０の代わりにランダム配向ＢＳＴ膜３２，７２を形成する点、（１００）ＢＳＴ膜５０を形成する代わりに（１１１）ＢＳＴ膜５２を形成する点を除き、第３実施形態による容量素子の製造方法と同様である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
また、上記実施形態では、キャパシタ誘電体膜の成膜にＲＦマグネトロンスパッタ法を用いた場合を示したが、化学溶液堆積法（chemical solution deposition）、他の物理的気相堆積法（physical vapor deposition）、化学気相堆積法（chemical vapor deposition）等を用いて形成するようにしてもよい。これらいずれの成膜方法においても、堆積条件を適宜調整することにより堆積膜の配向方向を制御することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、高誘電率膜や強誘電体膜をキャパシタ誘電体膜に用いる容量素子において、結晶配向方向が異なる少なくとも２つの誘電体膜を有するキャパシタ誘電体膜を構成するので、誘電体膜の配向方向による依存性のある種々の特性を同時に向上することができる。