Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報の再生に寄与し、磁壁が移動する再生層と、情報に応じた記録磁区を保持する記録層と、前記再生層と記録層の間に配置され、前記両層よりキュリー温度が低い遮断層を備え、前記再生層は前記記録層より小さな磁壁抗磁力を有する光磁気記録媒体において、
少なくとも前記再生層は、ＫｒあるいはＸｅを主成分としたプロセスガスを用いたスパッタリングにより形成される、非晶質希土類−遷移金属合金の磁性膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
記録トラックを有し、該記録トラックの両側部では、前記再生層と、前記遮断層と、前記記録層における膜面方向の交換相互作用による結合が切断もしくは低減されている、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
情報の再生に寄与し、磁壁が移動する再生層と、情報に応じた記録磁区を保持する記録層と、前記再生層と記録層の間に配置され、前記両層よりキュリー温度が低い遮断層を備え、前記再生層は前記記録層より小さな磁壁抗磁力を有する光磁気記録媒体の製造方法において、
少なくとも前記再生層を、ＫｒあるいはＸｅを主成分とするプロセスガスを用いたスパッタリングにより、非晶質希土類−遷移金属合金の磁性膜で形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
例えば、特開平３-９３０５８号公報、特開平６-１２４５００号公報においては、磁気的に結合される再生層と記録保持層を有する多層膜の記録保持層に信号記録を行うとともに、再生層の磁化の向きを揃えた後（特開平６-１２４５００号の磁化方向は面内）、レーザ光を照射して加熱し、再生層の昇温領域に記録保持層に記録された信号を転写しながら読み取る信号再生方法が提案されている。この方法では、再生用のレーザのスポット径に対して、このレーザによって加熱されて転写温度に達し、信号が検出される領域（アパーチャ）はより小さな領域に限定できる。これによって、再生時の符号間干渉は減少し、光学的な検出限界λ／２ＮＡ以下のピット周期の信号が再生可能となる。この再生方法はＭＳＲ（Magnetically-induced Super resolution Readout method)再生方式と呼ばれている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、特開平６−２９０４９６号公報では、温度勾配によって、記録マークの境界部に存在する磁壁を高温側に移動させ、この磁壁移動を検出することにより、再生信号振幅を低下させることなく、光学系の分解能を超えた記録密度の信号を再生することが可能な光磁気記録媒体およびその再生方法が提案されている。この再生方法は、ＤＷＤＤ（Domain Wall Displacement Detection）再生方式と呼ばれている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ個（Ｎは自然数）の連続した書き込みアドレスにより指定された記憶領域にデータ長がＮのデータを記憶すると共に、供給された読み出しアドレスに応じて前記データを出力する記憶手段を含む半導体記憶装置であって、
前記Ｎ個の連続した書き込みアドレスのうち先頭アドレスを記憶するアドレス記憶手段と、
０から（Ｎ−１）までの連続したＮ個のアドレスを生成する連続アドレス生成手段と、
前記アドレス記憶手段に記憶された前記先頭アドレスと前記連続アドレス生成手段により生成されたアドレスの和を演算し、得られた前記和を前記読み出しアドレスとして順次前記記憶手段へ供給する読み出しアドレス生成手段と
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記Ｎ個の連続した書き込みアドレスを生成する書き込みアドレス生成手段をさらに備え、
前記アドレス記憶手段は、供給された書き込み同期信号に応じて、前記書き込みアドレス生成手段により生成された前記Ｎ個の連続した書き込みアドレスのうち先頭アドレスを記憶し、
前記連続アドレス生成手段は、供給された読み出し同期信号に応じて、前記０から（Ｎ−１）までの連続したＮ個のアドレスを生成し、
前記読み出しアドレス生成手段は、前記読み出し同期信号に応じて、前記アドレス記憶手段に記憶された前記先頭アドレスを読み出す
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
データを記憶する記憶手段に対し、Ｎ個（Ｎは自然数）の連続した書き込みアドレスにより指定される記憶領域にデータ長がＮのデータを記憶させると共に、読み出しアドレスに応じて前記データを出力させるデータ入出力装置であって、
前記Ｎ個の連続した書き込みアドレスのうち先頭アドレスを記憶するアドレス記憶手段と、
０から（Ｎ−１）までの連続したＮ個のアドレスを生成する連続アドレス生成手段と、
前記アドレス記憶手段に記憶された前記先頭アドレスと前記連続アドレス生成手段により生成されたアドレスの和を演算し、得られた前記和を前記読み出しアドレスとして順次前記記憶手段へ供給する読み出しアドレス生成手段と
を備えたことを特徴とするデータ入出力装置。
【請求項４】
前記Ｎ個の連続した書き込みアドレスを生成する書き込みアドレス生成手段をさらに備え、
前記アドレス記憶手段は、供給された書き込み同期信号に応じて、前記書き込みアドレス生成手段により生成された前記Ｎ個の連続した書き込みアドレスのうち先頭アドレスを記憶し、
前記連続アドレス生成手段は、供給された読み出し同期信号に応じて、前記０から（Ｎ−１）までの連続したＮ個のアドレスを生成し、
前記読み出しアドレス生成手段は、前記読み出し同期信号に応じて、前記アドレス記憶手段に記憶された前記先頭アドレスを読み出す
ことを特徴とする請求項３に記載のデータ入出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記波長λ２は７８０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（１）第１の保護基板厚ｔ１を有する第１光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第２の保護基板厚ｔ２（ｔ１≦ｔ２）を有する第２光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第３の保護基板厚ｔ３（ｔ２＜ｔ３）を有する第３光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行う光ピックアップ装置であり、波長λ１の第１光源からの光束を用いて、前記第１光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行うとともに、波長λ２（λ１＜λ２）の第２光源からの光束を用いて、前記第２光情報記録媒体及び前記第３光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行うことを特徴とする光ピックアップ装置。
（２）第１の保護基板厚ｔ１を有する第１光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第２の保護基板厚ｔ２（ｔ１≦ｔ２）を有する第２光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第３の保護基板厚ｔ３（ｔ２＜ｔ３）を有する第３光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行う光ピックアップ装置であり、波長λ１の第１光源からの光束を用いて、前記第１光情報記録媒体及び前記第３光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行うとともに、波長λ２（λ１＜λ２）の第２光源からの光束を用いて、前記第２光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行うことを特徴とする光ピックアップ装置。
（３）第１の保護基板厚ｔ１を有する第１光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第２の保護基板厚ｔ２（ｔ１≦ｔ２）を有する第２光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第３の保護基板厚ｔ３（ｔ２＜ｔ３）を有する第３光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行う光ピックアップ装置であり、波長λ１の第１光源からの光束を用いて、前記第１光情報記録媒体及び前記第２光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行うとともに、波長λ２（λ１＜λ２）の第２光源からの光束を用いて、前記第３光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行うことを特徴とする光ピックアップ装置。
（４）第１の保護基板厚ｔ１を有する第１光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第２の保護基板厚ｔ２（ｔ１≦ｔ２）を有する第２光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第３の保護基板厚ｔ３（ｔ２＜ｔ３）を有する第３光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行う光ピックアップ装置であり、波長λ１の第１光源からの光束を用いて、前記第１光情報記録媒体及び前記第２光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行い、波長λ２（λ１＜λ２）の第２光源からの光束を用いて、前記第２光情報記録媒体及び前記第３光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行うことを特徴とする光ピックアップ装置。
（５）第１の保護基板厚ｔ１を有する第１光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第２の保護基板厚ｔ２（ｔ１≦ｔ２）を有する第２光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第３の保護基板厚ｔ３（ｔ２＜ｔ３）を有する第３光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行う光ピックアップ装置であり、波長λ１の第１光源からの光束を用いて、前記第１光情報記録媒体及び前記第３光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行い、波長λ２（λ１＜λ２）の第２光源からの光束を用いて、前記第２光情報記録媒体及び前記第３光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行うことを特徴とする光ピックアップ装置。
（６）第１の保護基板厚ｔ１を有する第１光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第２の保護基板厚ｔ２（ｔ１≦ｔ２）を有する第２光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行い、第３の保護基板厚ｔ３（ｔ２＜ｔ３）を有する第３光情報記録媒体に情報の再生及び／または記録を行う光ピックアップ装置であり、波長λ１の単一の光源からの光束を用いて、前記第１光情報記録媒体乃至前記第３光情報記録媒体に対して情報の再生及び／または記録を行うことを特徴とする光ピックアップ装置。
（７）前記光ピックアップ装置の光路中に開口形状を切り替え可能な開口制限機能を有する光学素子が配置されることを特徴とする（１）乃至（６）のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
（８）前記開口制限機能を有する光学素子が対物レンズであることを特徴とする（７）記載の光ピックアップ装置。
（９）前記開口制限機能を有する光学素子が他の光学素子とは独立して配置されることを特徴とする（７）記載の光ピックアップ装置。
（１０）前記開口制限機能を有する光学素子は、液晶で構成されていることを特徴とする（９）記載の光ピックアップ装置。
（１１）前記開口制限機能を有する光学素子は、情報の記録及び／又は再生をする対象の光情報記録媒体ごとに、開口形状を変化させ、開口数を切り替えることを特徴とする（９）又は（１０）記載の光ピックアップ装置。
（１２）前記波長λ１は４０５ｎｍであることを特徴とする（１）乃至（１１）のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
（１３）前記波長λ２は６５０ｎｍであることを特徴とする（１）乃至（１２）のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
（１４）前記波長λ２は７８０ｎｍであることを特徴とする（１）乃至（１２）のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
（１５）前記保護基板厚ｔ１は０．１ｍｍであることを特徴とする（１）乃至（１４）のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
（１６）前記保護基板厚ｔ２は０．６ｍｍであることを特徴とする（１）乃至（１５）のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
（１７）前記保護基板厚ｔ３は１．２ｍｍであることを特徴とする（１）乃至（１６）のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
（１８）（１）乃至（１７）のいずれかに記載の光ピックアップ装置の対物レンズ。
（１９）（１）乃至（１８）のいずれかに記載の光ピックアップ装置を搭載し、光情報記録媒体に記録された情報を再生した信号を、接続されたＣＰＵに送信するインターフェイスを有することを特徴とする光ピックアップ装置を搭載した情報再生及び／又は記録処理装置。
（２０）（１）乃至（１９）のいずれかに記載の光ピックアップ装置を搭載し、光情報記録媒体に記録された音声付動画を再生する処理機能を有することを特徴とする光ピックアップ装置を搭載した情報再生及び／又は記録処理装置。
（２１）（１）乃至（２０）のいずれかに記載の光ピックアップ装置を搭載し、光情報記録媒体に記録されたソフトウェアを実行する処理機能を有することを特徴とする光ピックアップ装置を搭載した情報再生及び／又は記録処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書クライアント装置からの、管理文書にアクセスする利用者の認識情報に基づき管理文書へのアクセスを許可する文書管理サーバの制御方法において、
前記文書管理クライアント装置からの認証情報を所定の認証方式にて受け付けて認証を行う第一の認証情報受付手順と、
前記所定の認証方式とは異なる認証方式にて認証情報を受け付けて認証を行う第二の認証情報受付手順と、
前記第一の認証情報受付手順による認証結果と前記第二の認証情報受付手順による認証結果を、前記文書管理サーバ装置とのセッション情報として保持する手順とを備えたことを特徴とする文書管理サーバ装置の制御方法。
【請求項２】
前記管理文書へのアクセスにあたり、前記第一の認証情報受付手順のみによる認証か、前記第一の認証情報受付手順および前記第二の認証情報受付手順による認証かを前記利用者に選択させる選択手順を設定し、
前記制御手順は、前記選択手順により前記第一の認証情報受付手順のみの選択がされたときには前記第一の認証情報受付手順による認証結果のみを前記セッション情報として保持し、前記第二の認証情報受付手順による認証も選択されたときには前記第一の認証情報受付手順による認証結果および前記第二の認証情報受付手順による認証結果を前記セッション情報として保持することを特徴とする請求項１記載の文書管理サーバ装置の制御方法。
【請求項３】
前記認証情報受付手順による認証は利用者のアカウント情報に基づき行われることを特徴とする請求項１または２記載の文書管理サーバ装置の制御方法。
【請求項４】
前記第二の認証情報受付手順による認証は利用者の生体情報に基づき行われることを特徴とする請求項１乃至３のうちの一つに記載の文書管理サーバ装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、文書クライアント装置からの、管理文書にアクセスする利用者の認識情報に基づき管理文書へのアクセスを許可する文書管理サーバの制御方法において、前記文書管理クライアント装置からの認証情報を所定の認証方式にて受け付けて認証を行う第一の認証情報受付手順と、前記所定の認証方式とは異なる認証方式にて認証情報を受け付けて認証を行う第二の認証情報受付手順と、前記第一の認証情報受付手順による認証結果と前記第二の認証情報受付手順による認証結果を、前記文書管理サーバ装置とのセッション情報として保持する手順とを備えたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２記載の発明は、前記管理文書へのアクセスにあたり、前記第一の認証情報受付手順のみによる認証か、前記第一の認証情報受付手順および前記第二の認証情報受付手順による認証かを前記利用者に選択させる選択手順を設定し、前記制御手順は、前記選択手順により前記第一の認証情報受付手順のみの選択がされたときには前記第一の認証情報受付手順による認証結果のみを前記セッション情報として保持し、前記第二の認証情報受付手順による認証も選択されたときには前記第一の認証情報受付手順による認証結果および前記第二の認証情報受付手順による認証結果を前記セッション情報として保持することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３記載の発明は、前記認証情報受付手順による認証は利用者のアカウント情報に基づき行われることを特徴としている。さらに請求項４記載の発明は、前記第二の認証情報受付手順による認証は利用者の生体情報に基づき行われることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
制御部２は、パスワードやＩＤカードといった他人がなりすまし行為をする可能性が高いと考えら得る認証情報のみを利用した場合の認証と、指紋・声紋および網膜パターンなどの生体情報を利用した場合あるいは生体情報を合わせて利用した場合とがユーザにおいて選択された場合のいずれにも対処して、ユーザからの要求内容に対するアクセス権を決定するという区別処理ができる手段として構成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１に示した電子文書クライアント部Ｂにおける入力部７では、図３に示すようなダイアログ表示（便宜上、図３中、符号７Ａ、７Ｂにより選択キーを示す）が行われ、ユーザによる生体情報を利用した認証方式かどうかを決定するようになっている。認証処理は次の手順により実行される。  
（１）ユーザからユーザＩＤおよびパスワードを入力されると、ユーザ情報テーブル１２Ａを利用して照合する。（第一の認証情報受付手順） 
（２）（１）において照合が成立し、いわゆる、照合に成功し、かつ、ユーザが生体情報認証を行うことを指定した場合には、ユーザからの生体情報テーブル１３Ａを利用して照合処理を行う。（第二の認証情報受付手順） 
（３）（１）において照合に成功した時点でユーザが生体情報認証を行わないことを指定（選択）した場合には、ユーザ情報テーブル１２Ａから取得される所属情報をセッション情報として保持し、認証処理を終える。  
（４）（２）において照合に成功した場合には、ユーザ情報テーブル１２Ａから取得される所属情報と、生体情報認証処理において照合が成功しているという情報を合わせてセッション情報として保持し、認証処理を終える。
（３）、（４）の手順は認証結果をセッション情報として保持する制御手順とされる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2003303175.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
σ＝Ｃ／Ｒ  （Ｃ＝Ｉ／Ｓ）
ここでＩは試料の厚さ、Ｓはその面積、Ｒは抵抗を示す。ＩとＳの値は常にそれぞれ０．０４ｃｍ、０．７８５ｃｍ2になるようにフィルムを作成している、Ｃの値は常に０．０５０９６である。抵抗値Ｒは複素交流インピーダンス測定を行い決定した。この方法を用いれば、周波数変化に対応するインピーダンス変化並びに位相の変化を解析することにより、バルク、粒界あるいは電極の挙動を明らかにすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
【表１】
2003303621.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
【表２】
2003303621.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
【表３】
2003303621.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池に供給される燃料の残量を表示する表示手段を有することを特徴とする情報機器。
【請求項２】
燃料電池で発電された電気により充電される二次電池の残量を表示する表示手段を有することを特徴とする情報機器。
【請求項３】
燃料電池に供給される燃料の残量と、前記燃料電池で発電された電気により充電される二次電池の残量とを同じ画面に表示する表示手段を有することを特徴とする情報機器。
【請求項４】
燃料電池に供給される燃料の残量と、前記燃料電池で発電された電気により充電される二次電池の残量の何れかを表示手段に選択的に表示できるようにしたことを特徴とする情報機器。
【請求項５】
燃料電池に供給される燃料の残量と、前記燃料電池で発電された電気により充電される二次電池の残量と、それらの何れかを表示手段に選択的に表示できるようにしたことを特徴とする情報機器。
【請求項６】
前記燃料電池に供給される燃料の残量をアイコンで表示できるようにしたことを特徴とする請求項１、３、４又は５に記載の情報機器。
【請求項７】
燃料電池で発電された電気により充電される二次電池の残量をアイコンで表示できるようにしたことを特徴とする請求項２から５の何れかに記載の情報機器。
【請求項８】
前記燃料電池が稼動しているか否かを前記表示手段に表示できるようにしたことを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の情報機器。
【請求項９】
前記燃料電池に供給される燃料を格納する格納手段の交換を警告するための文字列を表示できるようにしたことを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の情報機器。
【請求項１０】
前記燃料電池に供給される燃料の補給を警告するための文字列を表示できるようにしたことを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の情報機器。
【請求項１１】
前記表示手段は、撮影された画像を表示する表示手段でもあることを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の情報機器。
【請求項１２】
前記表示手段は、記録メディアから再生された画像を表示する表示手段でもあることを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載の情報機器。
【請求項１３】
前記情報機器は、ビデオカメラであることを特徴とする請求項１から１２の何れかに記載の情報機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ビデオカメラなどの情報機器であって燃料電池を用いることができるものに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は、燃料の補給時期、燃料カートリッジの交換時期などをユーザに知らせることができるようにした情報機器を提供するすることを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る情報機器の一つは、上記目的を達成できるようにするため、例えば、燃料電池に供給される燃料の残量を表示する表示手段を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る情報機器の一つは、上記目的を達成できるようにするため、例えば、燃料電池で発電された電気により充電される二次電池の残量を表示する表示手段を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る情報機器の一つは、上記目的を達成できるようにするため、例えば、燃料電池に供給される燃料の残量と、前記燃料電池で発電された電気により充電される二次電池の残量とを同じ画面に表示する表示手段を有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る情報機器の一つは、上記目的を達成できるようにするため、例えば、燃料電池に供給される燃料の残量と、前記燃料電池で発電された電気により充電される二次電池の残量の何れかを表示手段に選択的に表示できるようにしたことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る情報機器の一つは、上記目的を達成できるようにするため、例えば、燃料電池に供給される燃料の残量と、前記燃料電池で発電された電気により充電される二次電池の残量と、それらの何れかを表示手段に選択的に表示できるようにしたことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
【発明の効果】
本発明によれば、燃料の補給時期、燃料カートリッジの交換時期などをユーザに知らせることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ＥＣＲプラズマ源は、プラズマ生成室と、磁気コイルと、マイクロ波導入部とから構成されているが、従来のＥＣＲスパッタリング装置やエッチング装置では、主として静置させたウェハー状の円形試料を処理対象としていたため、これらの装置に備えられるＥＣＲプラズマ源は、プラズマ流に垂直な面内の断面形状が円形のプラズマ生成室と、プラズマ流に垂直な面内の断面形状が円形の巻き線せられた磁気コイルと、マイクロ波をマイクロ波導波管から直接あるいは分岐結合方式により導入する構造のマイクロ波導入部とから構成されていた（例えば、特許第１５５３９５９号明細書、あるいは、天沢ら唐dＣＲプラズマを用いた高品質薄膜形成煤C精密工学会誌Ｖｏｌ．６６，Ｎｏ．４，５１１（２０００）参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、本発明によれば、ＥＣＲプラズマ装置に、プラズマ源として上述のＥＣＲプラズマ源を備え、さらに、大型試料を移動させるための試料移動機構を備えることとしたので、ＦＰＤのような略矩形形状の大型試料に対しても容易にスパッタリングやエッチング等の処理が可能なＥＣＲプラズマ装置を提供することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と対向電極との間に、有機物を含む第１の化合物層を有し、前記対向電極と第２の電極との間に有機物を含む第２の化合物層を有し、
前記対向電極に一定の電圧を印加し、
前記第１の電極に、前記対向電極に印加された電圧を基準として正または負の極性を有する電圧を印加すると共に、前記第２の電極に、前記第１の電極に印加された電圧と逆の極性を有する電圧を印加することにより、
前記第１の化合物層または前記第２の化合物層のいずれか一方が発光することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の電極と対向電極との間に有機物を含む第１の化合物層を有し、前記対向電極と第２の電極との間に有機物を含む第２の化合物層を有し、
前記対向電極に一定の電圧を印加し、
前記第１の電極に、前記対向電極に印加された電圧を基準として正または負の極性を有する電圧を一定期間毎に交互に印加すると共に、前記第２の電極に、前記第１の電極に印加された電圧と逆の極性を有する電圧を一定期間毎に交互に印加することにより、
前記第１の化合物層または前記第２の化合物層のいずれか一方が一定期間毎に交互に発光することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の電極と対向電極との間に有機物を含む第１の化合物層を有し、前記対向電極と第２の電極との間に有機物を含む第２の化合物層を有し、
前記対向電極に一定の電圧を印加し、
前記第１の電極に前記対向電極に印加された電圧を基準として正または負の極性を有する電圧を一定期間毎に交互に印加すると共に、前記第２の電極に前記第１の電極に印加された電圧と逆の極性を有する電圧を一定期間毎に交互に印加することにより、
前記第１の化合物層と前記第２の化合物層の一方に順バイアスが印加されると共に他方に逆バイアスが印加され、前記第１の化合物層と前記第２の化合物層に印加されるバイアスの極性は一定期間毎に交互に入れ替わることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の電極と対向電極との間に有機物を含む第１の化合物層を有し、前記対向電極と第２の電極との間に有機物を含む第２の化合物層を有し、
前記第１の電極および前記第２の電極は陽極材料で形成され、前記対向電極は陰極材料で形成され、
前記対向電極に一定の電圧を印加し、
前記第１の電極に前記対向電極に印加された電圧を基準として正の極性を有する電圧を印加すると共に、前記第２の電極に前記対向電極に印加された電圧を基準として負の極性を有する電圧を印加することにより、
前記第１の化合物層が発光すると共に、前記第２の化合物層に蓄積された電荷が緩和されることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の電極と対向電極との間に有機物を含む第１の化合物層を有し、前記対向電極と第２の電極との間に有機物を含む第２の化合物層を有し、
前記第１の電極および前記第２の電極は陽極材料で形成され、前記対向電極は陰極材料で形成され、
前記対向電極に一定の電圧を印加し、
前記第１の電極に前記対向電極に印加された電圧を基準として正または負の極性を有する電圧を一定期間毎に交互に印加すると共に、前記第２の電極に前記第１の電極に印加された電圧と逆の極性を有する電圧を一定期間毎に交互に印加し、
前記第１の電極に正の極性の電圧が印加されることにより前記第１の化合物層が発光し、
前記第２の電極に正の極性の電圧が印加されることにより前記第２の化合物層が発光することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
第１の電極と対向電極との間に有機物を含む第１の化合物層を有し、前記対向電極と第２の電極との間に有機物を含む第２の化合物層を有し、
前記第１の電極および前記第２の電極は陽極材料で形成され、かつ前記対向電極は陰極材料で形成され、
前記対向電極に一定の電圧を印加し、
前記第１の電極に前記対向電極に印加された電圧を基準として正または負の極性を有する電圧を一定期間毎に交互に印加すると共に、前記第２の電極に前記第１の電極に印加された電圧と逆の極性を有する電圧を一定期間毎に交互に印加し、
前記第１の電極に正の極性の電圧が印加されることにより前記第１の化合物層が発光すると共に前記第２の化合物層に蓄積された電荷が緩和されることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の電極または前記第２の電極のいずれか一方が透光性の導電性材料で形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記対向電極は、複数の材料からなる膜が積層された構造を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記対向電極は、仕事関数が３．８ｅＶ以下の材料からなる膜の間に透明導電膜が挟まれた積層構造を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を表示部に用いていることを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
次にＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）等の異方性ドライエッチングにより、ゲートホール５内のカソード導体２１上の第２絶縁層を除去する（図２（ｂ））。この際剥離層６は、エッチングのマスクの役目をするため、ゲート２２や第２絶縁層３２がダメージを受けることはない。即ち本実施の形態は、剥離層６を形成してからゲートホール５内の第２絶縁層を除去するから、剥離層２２は、本来の剥離層としての機能を有するとともに、エッチングのマスクとしての機能も有している。したがって本実施の形態は、ゲートホール５内の第２絶縁層を除去する工程において、エッチングのマスクを形成する工程を省略できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス導入手段と、不純物元素を含むイオンの生成手段及び引き出し加速手段を備えたイオン源と、前記イオン源の内壁の温度を一定の温度に保持する温度制御手段と、前記イオン源に連接し、当該イオンのイオン流に晒される基板を保持する保持手段を有するドーピング室を備えたことを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項２】
ガス導入手段と、不純物元素を含むイオンの生成手段及び引き出し加速手段を備えたイオン源と、前記イオン源の内壁の温度を１００℃以上の一定の温度に保持する温度制御手段と、前記イオン源に連接し、当該イオンのイオン流に晒される基板を保持する保持手段を有するドーピング室を備えたことを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項３】
ガス導入手段と、不純物元素を含むイオンの生成手段及び引き出し加速手段を備えたイオン源と、前記イオン源の内壁の温度を０℃以下の一定の温度に保持する温度制御手段と、前記イオン源に連接し、当該イオンのイオン流に晒される基板を保持する保持手段を有するドーピング室を備えたことを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項４】
ガス導入手段と、不純物元素を含むイオンの生成手段及び引き出し加速手段を備え、二重構造で空隙部を有する壁で囲まれたイオン源と、前記イオン源に連接し、当該イオンのイオン流に晒される基板を保持する保持手段を有するドーピング室を備え、前記空隙部に、加熱又は冷却用の媒質が充填されていることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記イオン源の内壁の表面温度を感知する温度センサと、該温度センサの検出結果に基づいて、目標温度に制御する帰還回路が前記温度制御手段に備えられていることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３、請求項５のいずれか一項において、前記イオン源の内壁を加熱するための前記温度制御手段は電熱線または誘導炉であることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３、請求項５、請求項６のいずれか一項において、前記イオン源の内壁を冷却するための前記温度制御手段は冷却管または電子冷却器であることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記イオン源の内壁の表面は、表面平均荒さが１０μｍ以下であることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項９】
不純物元素を含むイオンの生成手段及び引き出し加速手段を備えたイオン源の内壁の温度を一定の温度に保持した状態で、電界で加速されたイオンを被処理体にドーピングし、前記ドーピング中は前記イオン源の内壁の温度を一定の温度に保持するイオンドーピング方法。
【請求項１０】
不純物元素を含むイオンの生成手段及び引き出し加速手段を備えたイオン源の内壁の温度を１００℃以上の一定の温度に保持した状態で、電界で加速されたイオンを被処理体にドーピングし、前記ドーピング中は前記イオン源の内壁の温度を１００℃以上の一定の温度に保持するイオンドーピング方法。
【請求項１１】
不純物元素を含むイオンの生成手段及び引き出し加速手段を備えたイオン源の内壁の温度を０℃以下の一定の温度に保持した状態で、電界で加速されたイオンを被処理体にドーピングし、前記ドーピング中は前記イオン源の内壁の温度を０℃以下の一定の温度に保持するイオンドーピング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図３は水素で５％に希釈したジボランガスを用いた時に生成されるイオン種をＥ×Ｂ分離器により計測されたスペクトルで示すものである。質量数２０付近にＢ2Ｈy+イオンのピークが観測される他、質量数１のＨ+イオンと質量数３のＨ3+イオンのピークが観測されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記本発明の構成において、イオン源の内壁の温度を一定に保持することにより、イオン種の存在比率が一定となり、即ち、注入するイオン種及びその存在比率を安定化させることができる。それにより高精度なドーズ量の制御が可能なイオンドーピング装置を提供することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記本発明の構成において、イオン源の内壁の温度を一定に保持することにより、イオン種の存在比率が一定となり、イオンドーピング処理においてドーズ量の変動を防ぎ、即ち、注入するイオン種及びその存在比率を安定化させることができる。それにより高精度なドーズ量の制御が可能なイオンドーピングを行うことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
高精度にイオン源の温度を制御するためには、イオン源の内壁の表面温度を感知する温度センサと、該温度センサの検出結果に基づいて、目標温度に制御する帰還回路を温度制御手段に備える。代表的な温度センサとしては熱電対を用いる。熱電対Ｋ（クロメル-アルメル）は酸化雰囲気中で１２００℃まで使用できる。白金−ロジウム系（熱電対Ｂ、Ｒ、Ｓ等）は１６００℃〜１７００℃まで使用可能であり、酸化雰囲気中で安定し耐熱性もあり、高精度に測定することが可能となる。また、タングステン、モリブテン、レニウム、タンタル系の熱電対を用いることによって更に高温測定が可能である。その他抵抗温度計として金属抵抗温度計やサーミスタ抵抗温度計を用いても良い。金属抵抗温度計は測温範囲−２００〜６００℃程度であるが、熱電対より１桁高い測定精度が得られる。その他、イオン源側壁に、石英窓を設け、イオン源外側に放射温度計を設置することによってプラズマの温度を測定しても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003303784.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上に第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜に結晶化を促進する元素を添加し第１の加熱処理をして結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の非晶質半導体膜を形成し、
第２の加熱処理をして前記結晶質半導体膜に含まれる結晶化を促進する元素をゲッタリングし、
前記バリア層はサブオキサイドを含む酸化シリコン膜であって、前記バリア層に含まれるサブオキサイドの割合は１８％以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁体上に第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上にマスク絶縁膜を形成し、選択的に結晶化を促進する元素を添加し、第１の加熱処理をして結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の非晶質半導体膜を形成し、
第２の加熱処理をして前記結晶質半導体膜に含まれる結晶化を促進する元素をゲッタリングし、
前記バリア層はサブオキサイドを含む酸化シリコン膜であって、前記バリア層に含まれるサブオキサイドの割合は１８％以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁体上に第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜に結晶化を促進する元素を添加し第１の加熱処理して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の非晶質半導体膜を形成し、
第２の加熱処理をして前記結晶質半導体膜に含まれる結晶化を促進する元素をゲッタリングし、
前記バリア層はサブオキサイドを含む酸化シリコン膜であって、前記バリア層に含まれるサブオキサイドの割合は１８％以上であり、
前記第２の非晶質半導体膜にはゲッタリング作用を有する元素が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁体上に第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上にマスク絶縁膜を形成し、選択的に結晶化を促進する元素を添加し、第１の加熱処理をして結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の非晶質半導体膜を形成し、
第２の加熱処理をして前記結晶質半導体膜に含まれる結晶化を促進する元素をゲッタリングし、
前記バリア層はサブオキサイドを含む酸化シリコン膜であって、前記バリア層に含まれるサブオキサイドの割合は１８％以上であり、
前記第２の非晶質半導体膜にはゲッタリング作用を有する元素が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記バリア層に含まれるサブオキサイドの割合は、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）分析により測定されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記バリア層は結晶質半導体膜の表面をオゾンを含む水溶液に曝して酸化することにより形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記バリア層はＳｉＨ4ガスおよびＮ2Ｏガスを材料ガスとしてプラズマＣＶＤ法で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項３または請求項４において、前記ゲッタリング作用を有する元素は、アルゴン、キセノン、クリプトンまたはネオンのいずれかの希ガス元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項３または請求項４において、前記ゲッタリング作用を有する元素は、周期表の１５族に属する元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項３または請求項４において、前記ゲッタリング作用を有する元素は、周期表の１５族に属する元素および周期表の１３族に属する元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第１の加熱処理の後、前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第２の加熱処理後、前記第２の半導体膜をエッチングにより除去した後に前記バリア層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記結晶化を促進する元素はＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕのいずれか一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載された作製方法により作製されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
絶縁表面上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極を含む半導体装置であって、
前記半導体層中において、前記半導体層の膜厚方向で結晶化を促進する元素の濃度勾配を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
絶縁表面上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極を含む半導体装置であって、
前記半導体層中において、前記半導体層の膜厚方向で結晶化を促進する元素の濃度勾配を有し、前記半導体層の表面側が前記半導体層の基板側より前記結晶化を促進する元素の濃度が高くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６において、前記結晶化を促進する元素はＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕのいずれか一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１５または請求項１６において、前記半導体層の表面における平均面粗さＲａが４．７〜８．３ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月5日(2005.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このようなレーザー等の光照射による熱処理は、非晶質シリコン膜を比較的低温の熱処理で多結晶化することができる一方、レーザー光に対する非晶質シリコン膜の光吸収率が低いため、光照射効率が低く、非晶質シリコン膜を十分に結晶成長させることができないという問題点がある。結晶成長を促すために光照射を余剰に行うと、光源の消耗が進むばかりでなく、熱処理に長時間を要し、生産性を向上させるには好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信網上のウエブサーバに格納したコンテンツ、及び、前記通信網に接続されたサーバ又はパソコンの記憶手段に格納されたコンテンツを組み合わせて、表示用のコンテンツを構成する手段を有することを特徴とする通信網を使用したコンテンツの配信システム。
【請求項２】
前記請求項１において、
前記ウエブサーバに格納されたコンテンツに対して、前記通信網に接続されたサーバ又はパソコンがアクセスした際に、前記サーバ又はパソコンの記憶媒体上にある認証アドレスと前記ウエブサーバの認証アドレスとが照合できたとき、前記ウエブサーバ上の前記コンテンツを、前記通信網を介して前記サーバ又はパソコンにダウンロードすることを特徴とする通信網を使用したコンテンツの配信システム。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記コンテンツは文章、絵画、写真、動画像、音楽のいずれかの素材を含んで構成されることを特徴とする通信網を使用したコンテンツの配信システム。
【請求項４】
請求項１、２又は３において、
前記ウエブサーバに格納されたコンテンツと前記サーバ又はパソコンの記憶手段に格納されたコンテンツを、使用環境と状況に応じて即組み合わせるか否かを判断する手段を備えると共に、前記コンテンツを構成する手段が、目的に応じた表示用のコンテンツを複数製作することを可能とすることを特徴とする通信網を使用したコンテンツの配信システム。
【請求項５】
前記請求項２において、
前記ウエブサーバから前記サーバ又はパソコンに前記コンテンツをダウンロードする毎に課金する手段と、該ダウンロードの数量に応じて課金の変数を変える手段とを備えることを特徴とする通信網を使用したコンテンツの配信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信網を使用したコンテンツの配信システム
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理サーバ、ユーザ端末及びオークションサイトの運営サーバの間を回線で接続し、ユーザ端末からの指示に応じて処理サーバからオークションサイトに１又は複数の商品を自動的に出品できるようにしたオークション出品システムであって、
出品すべき商品を指定してオークションへの出品を指示するユーザ端末と、
該ユーザ端末からの商品の指定と出品の指示とを受け、出品すべき商品及びオークション開始価格に関する第１の価格情報を少なくとも含む商品情報と通信プロトコルのヘッダで定義されるオークションサイトへの出品申込み形式とから上記オークションサイトに適合する出品情報を生成し、上記オークションサイトに接続し、上記生成された出品情報を上記オークションサイトに出力することによって上記オークションサイトに自動的に出品する処理サーバと、
を備えたことを特徴とするオークション出品システム。
【請求項２】
上記ユーザ端末が、出品すべき商品を指定してオークションへの出品を指示する出品指示手段の機能を実現し、
上記処理サーバが、通信プロトコルのヘッダで定義されるオークションサイトへの出品申込み形式を記憶するサイト情報記憶手段、出品すべき商品及びオークション開始価格に関する第１の価格情報を少なくとも含む商品情報を記憶する商品情報記憶手段、上記サイト情報記憶手段から上記オークションサイトへの出品申込み形式を読み出すとともに、上記商品情報記憶手段から上記指定された商品に関する商品情報を読み出し、上記読み出した商品情報と出品申込み形式とから上記オークションサイトに適合する出品情報を生成する出品情報生成手段、及び上記オークションサイトに接続し、上記生成された出品情報を上記オークションサイトに出力することによって上記オークションサイトに自動的に出品する出品手段、の機能を実現する請求項１記載のオークション出品システム。
【請求項３】
上記サイト情報記憶手段が通信プロトコルのヘッダで定義される上記オークションサイトのログイン形式を更に記憶し、
上記オークションサイトに対するユーザの本人性を示す個人識別情報を記憶する識別情報記憶手段と、上記識別情報記憶手段からユーザの個人識別情報を読み出す個人識別情報読出手段と、上記サイト情報記憶手段から上記オークションサイトのログイン形式を読み出し、上記読み出した個人識別情報とログイン形式とから上記オークションサイトへのログインに適合する個人識別情報を生成する識別情報生成手段とを上記処理サーバが更に備え、
上記出品手段が上記生成された個人識別情報と出品情報とを上記オークションサイトに出力するようになした請求項２記載のオークション出品システム。
【請求項４】
上記商品情報記憶手段に記憶されている商品情報を読み出して少なくとも商品を表示する表示手段を上記ユーザ端末が更に備え、
上記出品指示手段が上記表示された商品から、出品すべき商品を指定するようになした請求項２又は３記載のオークション出品システム。
【請求項５】
上記商品情報記憶手段に記憶される商品情報には落札希望価格に関する第２の価格情報、最低落札価格に関する第３の価格情報、商品説明、オークション条件及び商品の画像が含まれている請求項２ないし４のいずれかに記載のオークション出品システム。
【請求項６】
ユーザ端末からの指示に応じてサーバからオークションサイトに１又は複数の商品の出品を申込むことができるようにサーバ及びユーザ端末を制御するオークション出品プログラムであって、
上記サーバ及びユーザ端末を、
通信プロトコルのヘッダで定義されるオークションサイトへの出品申込み形式を記憶するサイト情報記憶手段、
出品すべき商品及びオークション開始価格に関する第１の価格情報を少なくとも含む商品情報を記憶する商品情報記憶手段、
出品すべき商品を指定してオークションへの出品を指示する出品指示手段、
上記サイト情報記憶手段からオークションサイトへの出品申込み形式を読み出すとともに、上記商品情報記憶手段から上記指定された商品に関する商品情報を読み出し、上記読み出した商品情報と出品申込み形式とからオークションサイトに適合する出品情報を生成する出品情報生成手段、及び
上記オークションサイトに接続し、上記生成された出品情報を上記オークションサイトに出力することによってオークションサイトに自動的に出品する出品手段、
として機能させるようになしたことを特徴とするオークション出品プログラム。
【請求項７】
上記サイト情報記憶手段が通信プロトコルのヘッダで定義される上記オークションサイトのログイン形式を更に記憶し、上記オークションサイトに対するユーザの本人性を示す個人識別情報を記憶する識別情報記憶手段と、上記識別情報記憶手段からユーザの個人識別情報を読み出す個人識別情報読出手段と、上記サイト情報記憶手段から上記オークションサイトのログイン形式を読み出し、上記読み出した個人識別情報とログイン形式とから上記オークションサイトへのログインに適合する個人識別情報を生成する識別情報生成手段とを更に備え、上記出品手段が上記生成された個人識別情報と出品情報とを上記オークションサイトに出力するように、上記サーバ及びユーザ端末を機能させるプログラムを更に含む請求項６記載のオークション出品プログラム。
【請求項８】
ユーザ端末からの指示に応じてサーバからオークションサイトに１又は複数の商品の出品を申込むことができるようにサーバを制御するオークション出品プログラムであって、
上記サーバを、
通信プロトコルにおけるオークションサイトのヘッダ形式を記憶するサイト情報記憶手段、
出品すべき商品及びオークション開始価格に関する第１の価格情報を少なくとも含む商品情報を記憶する商品情報記憶手段、
ユーザ端末から出品すべき商品の指定があった時に、上記サイト情報記憶手段から上記出品すべきオークションサイトのヘッダ形式を読み出すとともに、上記商品情報記憶手段から上記指定された商品の商品情報を読み出し、上記読み出した商品情報とヘッダ形式とからオークションサイトへの出品に適合する商品情報を生成する商品情報生成手段、及び  上記オークションサイトに接続し、上記生成された出品商品情報とを上記オークションサイトに出力することによってオークションサイトに自動的に出品する出品手段、
として機能させるようになしたことを特徴とするオークション出品プログラム。
【請求項９】
上記サイト情報記憶手段が通信プロトコルのヘッダで定義される上記オークションサイトのログイン形式を更に記憶し、上記サイト情報記憶手段から上記オークションサイトのログイン形式を読み出し、上記オークションサイトに対するユーザの本人性を示す個人識別情報と上記読み出したログイン形式とから上記オークションサイトへのログインに適合する個人識別情報を生成する識別情報生成手段とを更に備え、上記出品手段が上記生成された個人識別情報と出品情報とを上記オークションサイトに出力するように、上記サーバを機能させるプログラムを更に含む請求項８記載のオークション出品プログラム。