【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央が遮光（反射又は吸収等による）される瞳を有する投影光学系を介して、被処理体に転写される所望のパターンが形成されたマスクを経た光束を前記被処理体に投影する時に、
前記パターンの限界解像よりも大きい全ての線幅に対して前記マスクを経た０次回折光の６割以上が±１次回折光の一方と干渉するように、前記マスクを変形照明する露光方法。
【請求項２】
被処理体に転写される所望のパターンが形成されたマスクを、照明光学系を介して変形照明し、
中央が遮光（反射又は吸収等による）される瞳を有する投影光学系を介して前記マスクを経た光束を前記被処理体に投影する前に、
前記パターンの限界解像よりも大きい全ての線幅に対して前記マスクを照明した０次回折光の６割以上が±１次回折光の一方と干渉するように、前記照明光学系及び／又は前記投影光学系を調節するステップを有する露光方法。
【請求項３】
前記線幅は、前記マスクを照明する照明光の波長λ、前記投影光学系の開口数ＮＡ、前記パターンの線幅Ｒによって以下のように定まる前記線幅に相当するｋ１が０．３５以上である請求項１及び２記載の露光方法
ｋ１＝Ｒ／（λ／ＮＡ）。
【請求項４】
前記調節ステップは、前記パターンの最小線幅が０．７≦ｋ１≦０．９である場合、前記マスクからの３次回折光が前記０次回折光及び１次回折光と干渉しないように前記瞳の半径に対する前記マスクへの照明の有効光源の外径の割合σを調節する請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記調節ステップは、前記パターンを構成する主要な線幅に応じて前記瞳の半径に対する前記マスクに対する照明の有効光源の外径の割合σを調節するステップを含む請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記調節ステップは、前記瞳の半径に対する前記瞳の遮光領域の半径の割合αに応じて前記瞳の半径に対する前記マスクへの照明の有効光源の内径の割合σｉｎを調節するステップを含む請求項２記載の方法。
【請求項７】
前記調節ステップは、前記マスクが以下の式を満たすように輪帯照明されるように調節する請求項２記載の方法
α≦σｉｎ、
０．５≦σ≦０．９、
ここで、αは前記瞳の半径に対する前記瞳の遮光又は吸収される領域の半径の割合、σは前記瞳の半径に対する前記輪帯照明の有効光源の外径の割合、σｉｎは前記瞳の半径に対する前記輪帯照明の有効光源の内径の割合である。
【請求項８】
前記調節ステップは、前記マスクが以下の式を満たすように輪帯照明されるように調節する請求項２記載の方法
α≦σｉｎ、
０．５≦σ≦σＭＡＸ、
σＭＡＸ＝１．４−２α（０．５≦σＭＡＸ≦０．９、α＜０．５）、
ここで、αは前記瞳の半径に対する前記瞳の遮光される領域の半径の割合、σは前記瞳の半径に対する前記輪帯照明の有効光源の外径の割合、σｉｎは前記瞳の半径に対する前記輪帯照明の有効光源の内径の割合である。
【請求項９】
前記調節ステップは、前記マスクを照明するアフォーカル光学系の角倍率を変更する請求項２乃至８のうちいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
前記調節ステップは、前記マスクを照明する開口絞りの開口形状を変更する請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の方法。
【請求項１１】
前記調節ステップは、前記マスクを照明する照明光の波長λ、前記投影光学系の開口数ＮＡ、前記パターンの前記被処理体上に投影された主たるパターンピッチＰによって以下のように定まる前記線幅に相当するｋ１が０．５以下のときσ＝σＭＡＸとなるように調節する請求項８記載の方法ｋ１＝（Ｐ／２）／（λ／ＮＡ）。
【請求項１２】
前記調節ステップは、前記ｋ１が、前記パターンの最小線幅が０．７≦ｋ１≦０．９である場合、σ＝０．５となるように調節する請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記照明ステップは、前記瞳の半径に対する前記マスクへの照明の有効光源の外径の割合をσ、前記瞳の半径に対する前記マスクへの照明の有効光源の内径の割合σｉｎとした場合にσｉｎとσとの間に前記有効光源（の主要部）を有する請求項２記載の方法。
【請求項１４】
中央が遮光（反射又は吸収等のよる）される瞳であって当該瞳の径に対する前記瞳の遮光領域の径の割合αを０．４以上に設定した投影光学系を介して、被処理体に転写される所望のパターンが一方向に限定されたマスクを経た光束を前記被処理体に投影する時に、
前記パターンの限界解像よりも大きい全ての線幅に対して、前記一方向に直交する方向の瞳軸上から前記割合α以内の領域の有効光源を遮光した分布を形成するように前記マスクを照明をするステップとを有する露光方法。
【請求項１５】
被処理体に転写される所望のパターンが形成されたマスクを輪帯照明できる照明光学系と、
中央が遮光（反射又は吸収等による）される瞳を設定でき、前記マスクを経た光束を前記被処理体に投影できる投影光学系とを有し、
前記パターンの限界解像よりも大きい全ての線幅に対して前記マスクを照明した０次回折光の６割以上が１次回折光と干渉するように、前記照明光学系及び/又は前記投影光学系は調節できる露光装置。
【請求項１６】
前記マスクに形成された前記パターンに基づいて、前記照明光学系の照明条件を切り替える制御部を更に有する請求項１５記載の露光装置。
【請求項１７】
前記瞳の半径に対する前記マスクへの照明の有効光源の外径の割合σ、前記瞳の半径に対する前記マスクへの照明の有効光源の内径の割合σｉｎを変更するために、前記照明光学系を調節する制御部を更に有する請求項１５記載の露光装置。
【請求項１８】
前記制御部は、前記照明光学系に含まれる、前記マスクを照明するアフォーカル光学系の角倍率を変更する請求項１６又は１７記載の露光装置。
【請求項１９】
前記制御部は、前記照明光学系に含まれる、前記マスクを照明する開口絞りの開口形状を変更する請求項１６又は１７記載の露光装置。
【請求項２０】
前記制御部は以下の式を満たすように前記照明光学系及び／又は前記投影光学系を調節する請求項１６又は１７記載の露光装置
α≦σｉｎ、
０．５＜σ＜０．９。
【請求項２１】
前記制御部は、前記パターンと前記照明条件とを比較して前記パターンの解像可能性を判断し、解像不能と判定した場合には露光を中止することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記制御部は、前記パターンと前記照明条件とを比較して前記パターンの解像可能性を判断し、解像不能と判定した場合には適切な照明条件に切り替えすることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記制御部は、前記パターンと前記照明条件とを比較して前記パターンの解像可能性を判断し、解像不能と判定した場合には警告を発することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の露光装置。
【請求項２４】
瞳の中央が遮光できる、レチクルのパターンをウェハ上に投影する投影光学系と、前記レチクルへの照明条件を設定する手段とを有し、
前記設定手段で設定した照明条件が前記投影光学系の瞳上での有効光源の遮光部分が前記瞳の前記遮光した部分より小さいかどうか判別し、小さい場合には設定照明条件での露光を禁止する投影露光装置。
【請求項２５】
前記小さい場合には警告することを特徴とする請求項２４記載の投影露光装置。
【請求項２６】
前記小さい場合には、前記照明条件を前記マスクが以下の式を満たす形で輪帯照明されるようにする請求項２４記載の投影露光装置。
α≦σｉｎ、
０．５≦σ≦σＭＡＸ、
σＭＡＸ＝１．４−２α（０．５≦σＭＡＸ≦０．９、α＜０．５）、
ここで、αは前記瞳の半径に対する前記瞳の遮光される領域の半径の割合、σは前記瞳の半径に対する前記輪帯照明の有効光源の外径の割合、σｉｎは前記瞳の半径に対する前記輪帯照明の有効光源の内径の割合である。
【請求項２７】
瞳の中央が遮光できる、レチクルのパターンをウェハ上に投影する投影光学系と、前記レチクルへの照明条件を設定する手段とを有し、
前記設定手段で設定した輪帯照明では、σ＞σＭＡＸとなる場合には警告をだす投影露光装置
ここで、α≦σｉｎ、
０．５≦σ≦σＭＡＸ、
σＭＡＸ＝１．４−２α（０．５≦σＭＡＸ≦０．９、α＜０．５）、
ここで、αは前記瞳の半径に対する前記瞳の遮光される領域の半径の割合、σは前記瞳の半径に対する前記輪帯照明の有効光源の外径の割合、σｉｎは前記瞳の半径に対する前記輪帯照明の有効光源の内径の割合である。
【請求項２８】
請求項１５乃至２７記載の露光装置を用いて前記被処理体を投影露光する工程と、
前記投影露光された被処理体に所定のプロセスを行う工程とを有するデバイス製造方法。