(57)【要約】  ＳｉＯ２膜の形成によりＩＤＴ電極の保護を図ることができ、さらに広い温度範囲に渡りスプリアスの影響が少ない、低損失の弾性表面波共振子を提供する。  カット角θが−５３°〜−５２°の範囲にある回転Ｙカットの水晶基板２上に、ＡｌまたはＡｌを主体とする合金からなるＩＤＴ電極３が形成されており、弾性表面波の伝搬方向がＸ軸に対し、９０°±５°の範囲内とされており、上記水晶基板２及びＩＤＴ電極３を覆うようにＳｉＯ２膜６が形成されており、弾性表面波の波長λとしたときに、ＩＤＴ電極３の膜厚がλの６．０％〜６．５％の範囲とされており、デューティ比が０．６２〜０．６６の範囲とされている弾性表面波共振子１。
2008065834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カット角θが−５３°〜−５２°の回転Ｙカットの水晶基板と、
前記水晶基板の主面上に形成されており、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極と、
前記水晶基板の主面及び前記ＩＤＴ電極を覆うように形成されたＳｉＯ２膜とを備え、
弾性表面波の伝搬方向がＸ軸に対し９０°±５°の範囲内とされており、
前記水晶基板を伝搬する弾性表面波の波長をλとすると、前記ＩＤＴ電極の膜厚がλの６．０％〜６．５％の範囲内とされており、前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．６２〜０．６６の範囲内とされていることを特徴とする、弾性表面波共振子。
【請求項２】
前記ＳｉＯ２膜の膜厚が２０〜７０ｎｍの範囲内とされている、請求項１に記載の弾性表面波共振子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の弾性表面波共振子と、前記弾性表面波共振子を気密封止するように該弾性表面波共振子を収納してなるパッケージ材とを備える、弾性表面波装置。
【請求項４】
前記パッケージ材が、開口を有し、開口内に前記弾性表面波共振子が収納されているパッケージ本体と、前記パッケージ本体の前記開口を閉成するように取り付けられており、かつ表面が導電性材料で被覆された蓋材とを備える、請求項２に記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶基板を用いた弾性表面波共振子に関し、より詳細には、ＩＤＴ電極を覆うようにＳｉＯ２膜が形成されている弾性表面波共振子及び該弾性表面波共振子を用いた弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波装置は、携帯電話機や車両搭載用電子機器の部品として広く用いられている。弾性表面波装置は、圧電基板上にＩＤＴ電極を形成した構造を有する。圧電基板を構成する材料としては、様々な圧電単結晶や圧電セラミックスが用いられている。【０００３】
下記の特許文献１には、水晶基板上に、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極が形成されている弾性表面波装置が開示されている。図１１は、特許文献１に記載の弾性表面波装置を模式的に示す断面図である。【０００４】
弾性表面波装置１０１は、上方に開いた開口を有するパッケージ材１０２を有する。開口内に弾性表面波共振子１０３が配置されている。すなわち、開口内においてパッケージ材１０２の底面上に、弾性表面波共振子１０３が搭載されている。【０００５】
弾性表面波共振子１０３は、カット角θが−６４．０°＜θ＜−４９．３°である回転Ｙカットの水晶基板１０４を有する。水晶基板１０４上には、ＩＤＴ電極１０５と、ＩＤＴ電極１０５の表面波伝搬方向両側に配置された反射器１０６，１０７とが配置されている。ＩＤＴ電極１０５は、表面波伝搬方向がＸ軸に対して９０°となるように形成されている。ＩＤＴ電極１０５及び反射器１０６，１０７は、Ａｌからなり、その厚みは、弾性表面波の波長をλとしたときに、０．０４λ〜０．１２λの範囲とされている。また、ＩＤＴ電極１０５のデューティ比は０．５〜０．６５とされている。【０００６】
弾性表面波装置１０１では、上記弾性表面波共振子１０３が収納されている開口が、図示しない蓋材により閉成され、それによって弾性表面波共振子１０３が気密封止される。【０００７】
弾性表面波装置１０１では、水晶基板１０４のカット角θを上記特定の範囲とし、ＩＤＴ電極の膜厚及びデューティ比を上記特定の範囲とすることにより、容量比を小さくして、周波数制御性を高めることができるとされている。【０００８】
また、特許文献１では、ＩＤＴ電極を覆うようにＳｉＯ２膜などからなる保護膜や、Ａｌを陽極酸化した保護膜を形成してもよい旨が記載されている。【０００９】
他方、下記の特許文献２の従来技術の項には、弾性表面波装置のＩＤＴ電極を形成する材料として、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金が広く用いられている旨が記載されている。そして、特許文献２では、この種の弾性表面波装置では、ＩＤＴが導波路となって横モードが生じ、横モードに起因するリップルが通過帯域内に生じる問題が記載されている。特許文献２に記載の発明では、このような横モードリップルを低減することができる構造が開示されている。すなわち、水晶基板上に、Ａｌに比べて負荷効果の大きな電極からなるＩＤＴ電極が形成されており、ＩＤＴ電極のメタライゼーションレシオをｄ、電極膜厚をｈとしたときに、横モードによるリップルが０．５ｄＢ以下となるように、メタライゼーションレシオｄ及びＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λが制御されている。言い換えれば、水晶基板上に、Ｔａのように、Ａｌよりも質量が大きい電極材料によりＩＤＴ電極を形成し、ＩＤＴ電極のメタライゼーションレシオｄ及び電極膜厚ｈを特定の範囲とすることにより、横モードリップルが抑制されることが示されている。
【特許文献１】特開２００６−１６５７４６号公報
【特許文献２】特開２００２−１３５０７７号公報
【発明の開示】
【００１０】
特許文献１に記載の弾性表面波装置１０１では、ＩＤＴ電極の保護を図るために、ＳｉＯ２からなる保護膜や、Ａｌを陽極酸化した保護膜を形成してもよい旨が示されている。しかしながら、特許文献１に記載の弾性表面波装置において、ＳｉＯ２からなる保護膜をＩＤＴ電極を覆うように水晶基板上に実際に形成した場合、１２５℃程度の高温下において、共振周波数−反共振周波数間に無視できない大きなスプリアスが生じることがわかった。
【００１１】
他方、特許文献２に記載の弾性表面波装置では、上記のように、Ａｌに比べて質量負荷効果の大きな電極材料によりＩＤＴ電極を形成し、ＩＤＴ電極のメタライゼーションレシオｄ及びＩＤＴ電極の規格化膜厚を特定の範囲とすることにより、横モードによるスプリアスの抑制が図られている。しかしながら、特許文献２では、ＳｉＯ２からなる保護膜の形成については何ら言及されていない。すなわち、特許文献２に記載の構成は、ＳｉＯ２膜が形成されていない水晶基板に、ＡｌからなるＩＤＴ電極が形成された弾性表面波装置における横モードによるスプリアスの抑制を解決するためになされたものにすぎない。すなわち、特許文献１に記載のＡｌからなるＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置において、さらにＳｉＯ２膜からなる保護膜を形成した場合に初めて生じる原因不明のスプリアスを抑圧する方法は従来知られていなかった。
【００１２】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、圧電基板として水晶基板を用い、水晶基板上にＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極を形成し、さらにＳｉＯ２膜からなる保護膜を形成した弾性表面波共振子において、上記ＳｉＯ２からなる保護膜を形成した場合に初めて生じたスプリアスを効果的に抑圧でき、従って良好な周波数特性を得ることを可能とする弾性表面波共振子及び該弾性表面波共振子を用いた弾性表面波装置を提供することにある。
【００１３】
本発明に係る弾性表面波共振子は、カット角θが−５３°〜−５２°の回転Ｙカットの水晶基板と、前記水晶基板の主面上に形成されており、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極と、前記水晶基板の主面及び前記ＩＤＴ電極を覆うように形成されたＳｉＯ２膜とを備え、弾性表面波の伝搬方向がＸ軸に対し９０°±５°の範囲内とされており、前記水晶基板を伝搬する弾性表面波の波長をλとすると、前記ＩＤＴ電極の膜厚がλの６．０％〜６．５％の範囲内とされており、前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．６２〜０．６６の範囲内とされていることを特徴とする。
【００１４】
好ましくは、前記ＳｉＯ２膜の膜厚が２０〜７０ｎｍの範囲内とされ、それによって、本発明に係る弾性表面波装置は、本発明に従って構成された上記弾性表面波共振子と、該弾性表面波共振子を気密封止するパッケージ材とを備える。本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、上記パッケージ材は、開口を有し、該開口内に上記弾性表面波共振子が収納されているパッケージ本体と、パッケージ本体の該開口を閉成するように設けられており、かつ表面が導電性材料で被覆されている蓋材とを備える。この場合、パッケージの組み立てに際し、蓋材の導電性被覆の一部が散乱し、導電性被覆を構成している導電性材料が弾性表面波共振子側に散乱したとしても、ＳｉＯ２膜によりＩＤＴ電極が覆われているので、導電性材料の付着による特性のばらつきや、短絡が生じ難い。従って、ＳｉＯ２膜を形成した場合の上記スプリアスの発生を抑制し、かつ挿入損失の悪化を抑制し得るだけでなく、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供することができる。
（発明の効果）
【００１５】
本発明に係る弾性表面波共振子では、カット角θが−５３°〜−５２°の回転Ｙカットの水晶基板が用いられており、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極を覆うようにＳｉＯ２膜が形成されている構造において、表面波伝搬方向がＸ軸に対して９０°±５°とされており、ＩＤＴ電極の膜厚が、弾性表面波の波長の６．０〜６．５％の範囲内とされており、デューティ比が０．６２〜０．６６の範囲内とされているため、８５〜１２５℃程度の高温下においてＳｉＯ２膜を形成したことにより生じた原因不明のスプリアスを効果的に抑圧でき、かつ挿入損失の悪化を抑制することができる。よって、−４０℃〜１２５℃のような広い温度範囲でスプリアスが生じ難く、かつ低損失である信頼性に優れた表面波共振子を提供することができる。従って、広い温度範囲で用いられる、例えば車両用キーレス・エントリーシステムの発振子や、タイヤの空気圧警報システム（タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム）に用いられる共振子として本発明の弾性表面波共振子を好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波共振子の正面断面図であり、（ｂ）は、電極構造を示す模式的平面図である。
【図２】図２は、図１に示した実施形態の弾性表面波共振子が収納されている弾性表面波装置の部分切欠斜視図である。
【図３】図３は、弾性表面波共振子において、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚が表面波の波長の７．８％と厚い場合の常温下におけるスプリアスを説明するための伝送特性及び位相特性を示す図である。
【図４】図４は、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚と挿入損失との関係を示す図である。
【図５】図５は、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚が表面波の波長の６．８％であり、ＳｉＯ２膜が形成されていない弾性表面波共振子における−４０℃、＋２５℃及び＋１２５℃における伝送特性を示す図である。
【図６】図６は、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚が表面波の波長の６．８％であり、ＳｉＯ２膜の膜厚が４０ｎｍである場合の−４０℃、＋２５℃及び＋１２５℃における弾性表面波共振子の伝送特性を示す図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態の弾性表面波共振子であって、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚が表面波の波長の６．３％、デューティ比が０．６４、ＳｉＯ２膜の膜厚が４０ｎｍの場合の−４０℃、＋２５℃及び＋１２５℃の各温度における弾性表面波共振子の伝送特性を示す図である。
【図８】図８は、ＳｉＯ２膜の膜厚が４０ｎｍであり、ＩＤＴ電極のデューティ比が０．５９の場合に、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚を変化させた場合の挿入損失の変化を示す図である。
【図９】図９は、ＩＤＴ電極の膜厚を表面波の波長の６．３％、ＳｉＯ２膜の膜厚を４０ｎｍとした場合に、ＩＤＴ電極のデューティ比を変化させた場合の最小挿入損失の変化を示す図である。
【図１０】図１０は、ＩＤＴ電極の膜厚を表面波の波長の５．８％、６．３％または６．８％とした場合に、ＳｉＯ２膜の膜厚と、最小挿入損失の関係を示す図である。
【図１１】図１１は、従来の弾性表面波装置の一例を示す正面図である。
【符号の説明】
【００１７】
１…弾性表面波共振子
２…水晶基板
３…ＩＤＴ電極
４，５…反射器
６…ＳｉＯ２膜
１０…弾性表面波装置
１１…パッケージ本体
１１ａ…開口
１１ｂ，１１ｃ…段差部
１２…蓋材
１３ａ〜１３ｃ…電極ランド
１４ａ〜１４ｃ…電極ランド
１５…ボンディングワイヤ
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。【００１９】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波共振子の正面断面図及び電極構造を示す模式的平面図である。【００２０】
弾性表面波共振子１は、水晶基板２を有する。水晶基板２は、カット角θが−５３°〜−５２°の回転Ｙカットの水晶基板である。【００２１】
水晶基板２上には、ＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ電極３の表面波伝搬方向両側に配置された反射器４，５とが形成されている。ＩＤＴ電極３及び反射器４，５からなる電極構造は、Ａｌからなる。また、Ａｌに代えて、Ａｌを主体とする合金が用いられてもよい。Ａｌを主体とする合金とは、５０重量％以上がＡｌからなるＡｌ基合金をいうものとする。【００２２】
ＩＤＴ電極３の膜厚は、励振される弾性表面波の波長をλとしたときに、波長λの６．０〜６．５％の範囲内とされており、デューティ比は０．６２〜０．６６の範囲内とされている。【００２３】
他方、ＩＤＴ電極３を覆うように、水晶基板２の上面には、ＳｉＯ２膜６が形成されている。ＳｉＯ２膜６は、保護膜として形成されており、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５を絶縁被覆している。弾性表面波共振子１は、例えば後述の弾性表面波装置１０のように、パッケージ材に収納され、気密封止される。弾性表面波装置の組み立て中に、他の部材を構成している材料から導電性粉末等が散乱し、該導電性粉末がＩＤＴ電極に付着した場合、特性の変動や短絡が生じるおそれがある。このような特性の変動や短絡を防止するために、保護膜としてＳｉＯ２膜６が形成されている。【００２４】
上記のような保護を図るために、例えば１００〜８００ＭＨｚ帯で用いられる弾性表面波共振子１の場合には、ＳｉＯ２膜の膜厚は、好ましくは、２０〜７０ｎｍ程度とされる。ＳｉＯ２膜の膜厚が２０ｎｍよりも薄くなると、上記短絡を防止する保護効果が確実に得られないことがあり、７０ｎｍを超えるとＳｉＯ２膜の質量負荷により、挿入損失が大きくなりがちとなる。【００２５】
本願発明者は、上記ＳｉＯ２膜が形成されている場合、常温では、特性上においてスプリアスは生じていないが、１２５℃程度の温度下におかれた場合、共振点−反共振点間に大きなスプリアスが生じることを見出した。これを、具体的な実験例に基づき説明する。【００２６】
水晶基板２として、カット角θが−５２°３０′の水晶基板を用い、該水晶基板２上に、電極指の対数が１１０対、開口長が４０λ、波長λが７．６３５μｍとなるようにＩＤＴ電極３をＡｌにより形成した。また、反射器４，５における電極指の本数はそれぞれ４５本とした。ＩＤＴ電極３及び反射器４，５の膜厚は波長λの７．８％とした。また、ＩＤＴ電極のデューティ比は０．６５とし、ＳｉＯ２膜の膜厚は、４０ｎｍとした。このようにして作製した比較例の弾性表面波共振子の常温すなわち２５℃における伝送（振幅）特性及び位相特性を図３に示す。図３から明らかなように、常温においても、共振−反共振間に、矢印Ａで示す大きなスプリアスが生じている。このような弾性表面波共振子を発振回路に用いた場合、周波数飛びや異常発振が生じ、発振回路の信頼性が損なわれる。【００２７】
他方、図４は、ＳｉＯ２膜が形成されていない弾性表面波共振子において、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚を変化させた場合の挿入損失の変化を示す図である。【００２８】
図４から明らかなように、ＩＤＴ電極の膜厚が波長λの６．０％より小さくなると、表面波のエネルギー閉じ込めが不十分となり、挿入損失が大きくなることがわかる。従って、ＩＤＴ電極の膜厚を波長λの６％未満として、低損失の弾性表面波共振子を得るには、大きな反射器を必要とする。従って、弾性表面波共振子が大きくなるという問題が生じる。そのため、上記弾性表面波共振子の小型化を図る上では、ＩＤＴ電極の膜厚は、波長λの６．０％以上とする必要のあることがわかる。【００２９】
なお、図４から明らかなように、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚が波長λの６．０％以上の場合には、８．８％程度まで膜厚を増加させても、挿入損失は悪化しないことがわかる。【００３０】
次に、上記弾性表面波共振子において、ＩＤＴ電極の膜厚を波長λの６．８％とし、ＳｉＯ２膜を形成せずに、弾性表面波共振子の伝送特性を−４０℃、２５℃及び１２５℃で測定した。結果を図５に示す。また、次に、ＳｉＯ２膜６を４０ｎｍの厚みとなるように形成して、同様にして−４０℃、２５℃及び１２５℃において、インピーダンス特性を測定した。結果を図６に示す。【００３１】
図５及び図６において、２５℃におけるインピーダンスを示す破線が−４０℃におけるインピーダンスを示す実線と重なる箇所は実線としている。【００３２】
図５と図６とを比較すれは明らかなように、ＳｉＯ２膜を形成していない図５では、常温（２５℃）において、スプリアスが生じておらず、高温下すなわち１２５℃においても、大きなスプリアスは認められなかった。【００３３】
これに対して、ＳｉＯ２膜を形成した場合には、図６から明らかなように、常温下でスプリアスが生じておらずとも、１２５℃の高温下では、共振点と反共振点との間に矢印Ｂで示す大きなスプリアスが発生することが新たに確かめられた。【００３４】
そこで、ＳｉＯ２膜を４０ｎｍの厚みに形成した共振子において、ＡｌからＩＤＴ電極の膜厚を波長λの６．８％から６．３％に移し、同様に弾性表面波共振子の−４０℃、２５℃及び１２５℃における伝送特性を測定した。結果を図７に示す。図７から明らかなように、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚を薄くすることにより、高温下、すなわち１２５℃におけるスプリアスを抑圧することが可能となった。【００３５】
そこで、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚を薄くすることが望ましいと考え、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚を、５．８％、６．０％、６．３％、６．６％及び６．８％と種々変化させ、ＳｉＯ２膜の膜厚は４０ｎｍに固定し、挿入損失の変化を調べた。結果を図８に示す。また、ＩＤＴ電極の膜厚を波長λの６．３％とし、ＳｉＯ２膜の膜厚を４０ｎｍに固定し、ＩＤＴ電極のデューティ比を、０．５９、０．６１、０．６２、０．６３及び０．６５と種々変化させ、同様に最小挿入損失を測定した。結果を図９に示す。【００３６】
図８から明らかなように、ＩＤＴ電極の膜厚を薄くしていった場合、最小挿入損失が増加し、発振回路を構成した場合の消費電力が大きくなることがわかる。【００３７】
他方、図９から、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚を、例えば６．８％から６．３％に薄くした場合の最小挿入損失の悪化分は、デューティ比を、例えば０．５９から０．６４に変化させることにより補い得ることがわかる。これは、デューティ比を大きくすることにより、電極指１本当りの表面波の反射量が大きくなるためである。【００３８】
挿入損失の悪化を抑制することができたとしても、スプリアスが復活することは避けねばならない。しかしながら、デューティ比を大きくして挿入損失の悪化を抑制した場合には、高温下におけるスプリアスの発生を抑制し得ることがわかる。すなわち、図７に示したように、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚が波長λの６．３％とした場合に、デューティ比を０．６４と大きくすることにより、ＳｉＯ２膜を形成した場合の高温下におけるスプリアスを効果的に抑制し、かつ挿入損失の悪化を抑制し得ることがわかる。【００３９】
次に、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚を、波長λの５．８％、６．３％または６．８％とし、ＳｉＯ２膜の膜厚を種々変化させ、複数種の弾性表面波共振子を作製した。この複数種の弾性表面波共振子の最小挿入損失を求めた。結果を図１０に示す。【００４０】
図１０から明らかなように、ＳｉＯ２膜の膜厚が０の場合、すなわちＳｉＯ２膜が形成されていない場合には、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚が波長λの６．３％の場合には、６．８％の場合よりも最小挿入損失が若干大きい。しかしながら、ＳｉＯ２膜を形成し、特にＳｉＯ２膜の膜厚が７０ｎｍと厚くなると、ＩＤＴ電極の膜厚が波長λの６．３％の場合の方が６．８％の場合よりも、逆に最小挿入損失が小さくなることがわかる。【００４１】
ＳｉＯ２膜を形成した構造においては、ＳｉＯ２膜６の形成により、ＩＤＴ電極の保護を図るには、前述したように２０ｎｍ以上の厚みとすることが望ましい。加えて、図１０から明らかなように、ある程度の厚みのＳｉＯ２膜６を形成することにより、ＩＤＴ電極の膜厚を薄くして高温下におけるスプリアスを抑制した場合に、さらに最小挿入損失の悪化も効果的に抑制することができる。よって、好ましくは、ＳｉＯ２膜の膜厚はある程度厚いことが望ましい。本願発明者の実験によれば、図１０から明らかなように、７０ｎｍ以下の範囲では、ＳｉＯ２膜の厚みを４０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内とすることにより、上記最小挿入損失の悪化を効果的に抑制することができる。なお、７０ｎｍを超えると、ＳｉＯ２膜の質量により挿入損失が悪化するおそれがある。【００４２】
なお、ＳｉＯ２膜の厚みを、例えば７０ｎｍとした場合、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚を波長λの６．８％とした場合よりも波長λの６．３％とした場合の方が、挿入損失の悪化が抑制される。その理由は、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚が薄い場合に、表面波の水晶基板表面における集中度が低くなり、表面波が基板表面における外乱、例えばＳｉＯ２膜の影響を受けにくいためと考えられる。【００４３】
また、上記実験例から明らかなように、ＡｌからなるＩＤＴ電極の膜厚は、挿入損失の悪化を抑制し、かつ高温下におけるスプリアスを抑制し得るため、図７及び図８より波長λの６．０％〜６．５％の範囲内とすることが望ましいことがわかる。図８より６．０％未満では、最小挿入損失が悪化する。また、６．５％を超えた場合には、図６に示した６．８％の場合と同様に、高温下において大きなスプリアスが現れた。【００４４】
ＩＤＴ電極のデューティ比については、図９より、０．６２以上とすることにより、最小挿入損失の悪化を抑制することが可能であることがわかる。なお、デューティ比が０．６６を超えると、フォトリソグラフィーの問題から電極形成が困難となる。【００４５】
なお、上記実施形態では、水晶基板２のカット角θは−５２°３０′とされていたが、−５３°〜−５２°の範囲内であれば、上記実施形態と同様に、高温下におけるスプリアスを抑制しつつ、挿入損失の悪化を抑制する効果の得られることが確かめられている。【００４６】
上記実施形態の弾性表面波共振子１は、例えば図２に示す弾性表面波装置１０に用いられる。弾性表面波装置１０は、パッケージ本体１１と蓋材１２とを有する。パッケージ本体１１は、例えば絶縁性セラミックスや合成樹脂などの絶縁性材料からなる。パッケージ本体１１は、上方に開いた開口１１ａを有する。開口１１ａ内に、弾性表面波共振子１が収納され、パッケージ本体１１の底面上に固定されている。また、開口１１ａ内においては、弾性表面波共振子１の側方に段差部１１ｂ，１１ｃが設けられている。段差部１１ｂ，１１ｃは、パッケージ本体１１の上面よりも低くされている。段差部１１ｂ，１１ｃの上面に、電極ランド１３ａ〜１３ｃ，１４ａ〜１４ｃが形成されている。これらの電極ランド１３ａ〜１３ｃ，１４ａ〜１４ｃが、例えばボンディングワイヤ１５により弾性表面波共振子１のＩＤＴ電極３などに接続されている。【００４７】
弾性表面波共振子１を気密封止するために、開口１１ａは、蓋材１２により閉成されている。【００４８】
蓋材１２は、例えば金属板の表面をメッキ膜などの導電性被膜で被覆してなる構造を有する。蓋材１２をパッケージ本体１１の開口１１ａを閉成するように組み立てる際に、上記蓋材１２の表面の導電性材料が衝撃等により散乱し、ＩＤＴ電極５に付着すると短絡が生じる。上記実施形態の弾性表面波共振子では、ＩＤＴ電極５を被覆するようにＳｉＯ２膜６が形成されているため、このような短絡を防止することができる。【００４９】
しかも、ＳｉＯ２膜６が形成されている構造における問題点、すなわち前述した高温下において生じる原因不明のスプリアスを、本発明に従って容易にかつ確実に抑制することができる。従って、信頼性に優れ、上記パッケージ構造を有する弾性表面波装置１０に適した弾性表面波共振子を本発明に従って提供することが可能となる。【００５０】
よって、本発明の弾性表面波共振子１及び弾性表面波装置１０は、低温から１２５℃程度の高温下に曝されるおそれがある用途に好適に用いられ得る。このような用途としては、例えば、−４０℃〜＋８５℃程度の環境下における信頼性が求められる自動車用キーレス・エントリーシステムの発振子、−４０℃〜＋１２５℃の温度範囲で信頼性が求められる。直接式タイヤ空気圧警報システム（タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム）に用いられる発振子などに好適に用いられ得る。
【図１】
2008065834.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008065834.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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