【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多層３次元構造を製造するための方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層３次元構造を製造するための方法において、この方法は、
（ｉ）前記構造の３次元の作図を行い、前記３次元構造の断面に関して複数の２次元の作図を得ること、
（ｉｉ）第１層を形成すること、これは、下記の（ａ）から（ｃ）を含む：
（ａ）基板に接触して、第１のパターンを備えた開口を有し、前記複数の２次元の作図の１つを用いて形成された第１のマスクを用意する、
（ｂ）前記第１のマスクを用いて第１材料の第１パターンを前記第１材料の源から前記基板上に堆積し、第１層の一部を形成する、
（ｃ）前記第１マスクを前記基板から除去する、
および
（ｉｉｉ）少なくとも１つの他の２次元作図を用いて、先に形成された層に隣接し、且つ、接着するように追加の層を形成することを含む。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記第１材料は犠牲材料または構成材料からなり、前記第１層の形成は、さらに、第２材料を前記基板上に堆積することを含み、前記第２材料は、構成材料または犠牲材料からなる。
【請求項３】
請求項１に記載の方法はさらに、各マスクに対するパターニングと前記基板上の構造を一直線にそろえることを含む。
【請求項４】
請求項２に記載の方法において、前記第１材料は第１金属である。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、前記第２材料は第２金属である。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、前記第１材料は犠牲材料であり、前記第２材料は構成材料である。
【請求項７】
請求項５に記載の方法において、前記第１材料は構成材料であり、前記第２材料は犠牲材料である。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記第１層の形成は、前記堆積した材料の中の少なくとも１つの一部を除去することを含む。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、前記除去は、前記第１層の表面の平均化のプロセスの実行中に行われる。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法において、前記第１材料は犠牲材料からなり、前記第２材料は構成材料からなり、前記方法はさらに、
（ｉｉｉ）前記多層構造の形成後に、前記犠牲材料から前記構成材料を離すことを含む。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法において、前記第１材料は構成材料からなり、前記第２材料は犠牲材料からなり、前記方法はさらに、
（ｉｉｉ）前記多層構造の形成後に、前記犠牲材料から前記構成材料を離すことを含む。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法において、各断面の作図は隣接する断面の作図と望ましい層の厚さだけ間隔を置いて配置される。
【請求項１３】
多層３次元構造を製造するための方法において、この方法は、
（ｉ）３次元構造を作図するデータを処理し、前記構造の多くのコピーを望ましい間隔で作ること、
（ｉｉ）第１層を形成すること、これは、下記の（ａ）から（ｃ）を含む：
（ａ）基板に接触して、複数の３次元構造の断面の形成に関連した堆積パターンを表す複数の開口を有する第１マスクを用意する、
（ｂ）前記第１のマスクを用いて第１材料を前記第１材料の源から前記基板上に堆積して、第１層の一部を形成する、
（ｃ）前記第１マスクを前記基板から除去する、
および
（ｉｉｉ）先に形成された層に隣接し、且つ、接着するように追加の層を形成し、複数の３次元構造を形成することを含む。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法において、前記第１材料は犠牲材料または構成材料からなり、前記第１層の形成は、さらに、第２材料を前記基板上に堆積することを含み、前記第２材料は、構成材料または犠牲材料からなる。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、前記第１材料は第１金属である。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法において、前記第２材料は第２金属である。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法において、前記第１金属は犠牲材料であり、前記第２金属は構成材料である。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法において、前記第１材料は構成材料であり、前記第２材料は犠牲材料である。
【請求項１９】
請求項１３に記載の方法において、前記第１層の形成は、前記堆積した材料の中の少なくとも１つの一部を除去することを含む。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法において、前記除去は、前記第１層の表面の平均化のプロセスの実行中に行われる。
【請求項２１】
多層３次元構造を製造するための方法において、この方法は、
（ｉ）３次元構造を作図するデータを処理して、前記構造のサイズを計ること、
（ｉｉ）第１層を形成すること、これは、下記の（ａ）から（ｃ）を含む：
（ａ）基板に接触して、前記計られた３次元構造の断面の形成に関連した堆積パターンを表す少なくとも１つの開口を有する第１マスクを用意する、
（ｂ）前記第１のマスクを用いて第１材料を前記第１材料の源から前記基板上に堆積して、第１層の一部を形成する、
（ｃ）前記第１マスクを前記基板から除去する、
および
（ｉｉｉ）先に形成された層に隣接し、且つ、接着するように追加の層を形成し、３次元構造を形成することを含む。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法において、前記第１材料は犠牲材料または構成材料からなり、前記第１層の形成は、さらに、第２材料を前記基板上に堆積することを含み、前記第２材料は、構成材料または犠牲材料からなる。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法において、前記第１材料は第１金属である。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法において、前記第２材料は第２金属である。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法において、前記第１材料は犠牲材料であり、前記第２材料は構成材料である。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法において、前記第１材料は構成材料であり、前記第２材料は犠牲材料である。
【請求項２７】
請求項２１に記載の方法において、前記第１層の形成は、前記堆積した材料の中の少なくとも１つの一部を除去することを含む。
【請求項２８】
請求項２７に記載の方法において、前記除去は、前記第１層の表面の平均化のプロセスの実行中に行われる。
【請求項２９】
多層３次元構造を製造するための方法において、この方法は、
（ｉ）３次元構造を作図するためのデータを処理して、各断面がユニークであるかどうかを判断すること、
（ｉｉ）ユニークな形状を有する各マスクを製造するための少なくとも１つの道具を作ること、
（ｉｉｉ）第１層を形成すること、これは、下記の（ａ）から（ｃ）を含む：
（ａ）基板に接触して、計られた３次元構造の断面の形成に関連した堆積パターンを表示する少なくとも１つの開口を有する第１マスクを用意する、
（ｂ）前記第１のマスクを用いて第１材料を前記第１材料の源から前記基板上に堆積して、第１層の一部を形成する、
（ｃ）前記第１マスクを前記基板から除去する、
および
（ｉｖ）先に形成された層に隣接し、且つ、接着するように追加の層を形成し、３次元構造を形成することを含み、
前記第１マスクは、前記少なくとも１つの道具を用いて形成される。
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法において、前記少なくとも１つの道具はフォトマスクからなる。
【請求項３１】
請求項２９に記載の方法において、前記第１材料は第１金属である。
【請求項３２】
請求項３１に記載の方法において、前記第２材料は第２金属である。
【請求項３３】
請求項３２に記載の方法において、前記第１材料は犠牲材料であり、前記第２材料は構成材料である。
【請求項３４】
請求項３２に記載の方法において、前記第１材料は構成材料であり、前記第２材料は犠牲材料である。
【請求項３５】
請求項２９に記載の方法において、前記第１層の形成は、前記堆積した材料の中の少なくとも１つの一部を除去することを含む。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法において、前記除去は、前記第１層の表面の平均化のプロセスの実行中に行われる。