【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させる基板回転手段と、
この基板回転手段で回転される基板の一方面の周縁部に向けてエッチング液を吐出するエッチング液供給ノズルと、
上記一方面において、上記エッチング液供給ノズルによってエッチング液が供給される位置よりも内側の位置に気体を供給する気体供給ノズルと
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記気体供給ノズルは、気体が基板の周縁部に向かって吐出されるような角度で配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記エッチング液供給ノズルおよび気体供給ノズルは、基板の両面に対してエッチング液および気体をそれぞれ供給するものであることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記一方面の周縁部付近の雰囲気を排気するための排気手段をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記エッチング液供給ノズルおよび気体供給ノズルは、ともに、基板の端面の形状に対応して複数個配置されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記エッチング液は、基板の周縁部に残っているスラリーを除去するための液であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
上記エッチング液は、基板の周縁部に残っている不要な薄膜を除去するための液であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
上記薄膜は、酸化膜、アルミニウム膜、銅膜、およびタングステン膜のうちのいずれか１つであることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
上記薄膜は、酸化膜であり、上記エッチング液は、弗酸を含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
上記薄膜は、アルミニウム膜であり、上記エッチング液は、燐酸と酢酸と硝酸との混合液を含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１１】
上記薄膜は、銅膜であり、上記エッチング液は、硝酸と塩酸との混合液、または硝酸と弗酸との混合液を含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１２】
上記薄膜は、タングステン膜であり、上記エッチング液は、酢酸と硝酸と弗酸との混合液、または硝酸と弗酸との混合液を含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１３】
基板を回転しつつ、基板を一方面の周縁部に向けてエッチング液を吐出して、上記基板の周縁部をエッチングする周縁部エッチング工程と、
基板を回転しつつ、基板の一方面において、上記周縁部エッチング工程でエッチング液が供給される位置よりも内側の位置に気体を供給する気体供給工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
基板を回転させる基板回転手段と、
この基板回転手段で回転される基板の一方面の周縁部に向けてエッチング液を吐出するエッチング液供給ノズルと、
上記一方面において、上記エッチング液供給ノズルによってエッチング液が供給される位置よりも内側の位置に、上記一方面の中央部を保護するための流体を供給する流体供給ノズルと
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
上記流体供給ノズルは、流体の吐出圧によって、上記エッチング液供給ノズルから上記一方面の周縁部に供給されるエッチング液が基板の外側に向けて吐き出されるような方向に、流体を供給するものであることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
基板を回転しつつ、基板を一方面の周縁部に向けてエッチング液を吐出して、上記基板の周縁部をエッチングする周縁部エッチング工程と、
基板を回転しつつ、基板の一方面において、上記周縁部エッチング工程でエッチング液が供給される位置よりも内側の位置に、上記一方面の中央部を保護するための流体を供給する流体供給工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
上記流体供給工程は、流体の吐出圧によって、上記エッチング液供給ノズルから上記一方面の周縁部に供給されるエッチング液が基板の外側に向けて吐き出されるような方向に、流体を供給する工程であることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項１３記載の発明は、基板を回転しつつ、基板を一方面の周縁部に向けてエッチング液を吐出して、上記基板の周縁部をエッチングする周縁部エッチング工程と、基板を回転しつつ、基板の一方面において、上記周縁部エッチング工程でエッチング液が供給される位置よりも内側の位置に気体を供給する気体供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
この方法によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を得ることができる。
請求項１４記載の発明は、基板（Ｗ）を回転させる基板回転手段（６）と、この基板回転手段で回転される基板の一方面の周縁部に向けてエッチング液を吐出するエッチング液供給ノズル（３３１，３５１）と、上記一方面において、上記エッチング液供給ノズルによってエッチング液が供給される位置よりも内側の位置に、上記一方面の中央部を保護するための流体を供給する流体供給ノズル（３３６，３５６）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
この発明によれば、流体供給ノズルから基板の一方面に供給される流体によって、基板の一方面の中央部を保護することができる。そのため、半導体装置を作成するのに必要な薄膜が形成された基板の中央部（有効エリア）の当該薄膜が、エッチング液供給ノズルから基板の周縁部に供給されたエッチング液によってエッチングされるという不具合の発生を防止することができる。
請求項１５記載の発明は、上記流体供給ノズルは、流体の吐出圧によって、上記エッチング液供給ノズルから上記一方面の周縁部に供給されるエッチング液が基板の外側に向けて吐き出されるような方向に、流体を供給するものであることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、エッチング液供給ノズルから基板の周縁部に供給されたエッチング液を、流体供給ノズルからの流体の吐出圧によって基板の外側に吐き出すことができ、基板の周縁部に供給されたエッチング液が基板の中央部に飛び散ることをより良好に防止できる。
請求項１６記載の発明は、基板（Ｗ）を回転しつつ、基板を一方面の周縁部に向けてエッチング液を吐出して、上記基板の周縁部をエッチングする周縁部エッチング工程と、基板を回転しつつ、基板の一方面において、上記周縁部エッチング工程でエッチング液が供給される位置よりも内側の位置に、上記一方面の中央部を保護するための流体を供給する流体供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
この方法によれば、請求項１４に関連して述べた効果と同様な効果を得ることができる。
請求項１７に記載の発明は、上記流体供給工程は、流体の吐出圧によって、上記エッチング液供給ノズルから上記一方面の周縁部に供給されるエッチング液が基板の外側に向けて吐き出されるような方向に、流体を供給する工程であることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、請求項１５に関連して述べた効果と同様な効果を得ることができる。