Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月6日(2004.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの外周近傍に形成された入出力回路と、
前記半導体チップの前記入出力回路より中央側に形成された機能モジュールと、
前記半導体チップの前記機能モジュール内に形成され、静電気放電による破壊から後段の回路を保護する静電気放電保護回路と、
前記機能モジュール近傍の前記半導体チップの一方の主面上に配置され、前記静電気放電保護回路を介して前記機能モジュールに接続されたバンプと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップの外周近傍に形成された入出力回路と、
前記半導体チップの前記入出力回路より中央側に形成された機能モジュールと、
前記半導体チップの前記機能モジュールの近傍に形成され、静電気放電による破壊から後段の回路を保護する静電気放電保護回路と、
前記機能モジュール近傍の前記半導体チップの一方の主面上に配置され、前記静電気放電保護回路を介して前記機能モジュールに接続されたバンプと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体チップの外周近傍に形成された入出力回路と、
前記半導体チップの前記入出力回路より中央側に形成された機能モジュールと、
前記半導体チップの一方の主面上に配置されたバンプと、
前記バンプにより前記半導体チップと接続されたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板の前記半導体チップが接続された面側に形成され、静電気放電による破壊から後段の回路を保護する静電気放電保護回路と、
前記パッケージ基板の前記半導体チップが接続された面に対向する面上に配置され、前記静電気放電保護回路を介して前記半導体チップの前記機能モジュールに接続された外部接続用端子と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体チップの外周近傍に形成された入出力回路と、
前記半導体チップの前記入出力回路より中央側に形成された機能モジュールと、
前記半導体チップの一方の主面上に配置されたバンプと、
前記バンプにより前記半導体チップと接続されたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板の前記半導体チップが接続された面に対向する面側に成され、静電気放電による破壊から後段の回路を保護する静電気放電保護回路と、
前記パッケージ基板の前記半導体チップが接続された面に対向する面上に配置され、前記静電気放電保護回路を介して前記半導体チップの前記機能モジュールに接続された外部接続用端子と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体チップの外周近傍に形成された入出力回路と、
前記半導体チップの前記入出力回路より中央側に形成された機能モジュールと、
前記半導体チップの一方の主面上に配置されたバンプと、
前記バンプにより前記半導体チップと接続されたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板の内部に形成され、静電気放電による破壊から後段の回路を保護する静電気放電保護回路と、
前記パッケージ基板の前記半導体チップが接続された面に対向する面上に配置され、前記静電気放電保護回路を介して前記半導体チップの前記機能モジュールに接続された外部接続用端子と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板を積層状態に収容する基板用カセットに用いられ、前記基板を所定の間隔で下方側から支持するため、前記基板用カセットのフレームから内部に張出すように設けられるカセット用基板支持部材であって、
長尺の棒状部材からなるリブと、
前記リブの一方端に設けられ、前記フレームに前記リブを固定するための受け部材と、
前記リブの軸方向に沿って所定の間隔を隔てて前記リブに取付けられる補助支持部材とを備え、
前記リブは、その軸方向に延びる炭素繊維を含む炭素繊維強化プラスチック材料を有する、カセット用基板支持部材。
【請求項２】  前記リブは、中心部に金属補強部材を有し、前記金属補強部材の外周面には、その外周面を取囲み、軸方向に延びる炭素繊維を含む炭素繊維強化プラスチック材料が設けられる、請求項１に記載のカセット用基板支持部材。
【請求項３】  前記リブと補助支持部材との間には、相互に係合する係合領域が設けられる、請求項１または２に記載のカセット用基板支持部材。
【請求項４】  基板を積層状態に収容する基板用カセットであって、前記基板を所定の間隔で下方側から支持するために、請求項１から３のいずれかに記載のカセット用基板支持部材を適用したことを特徴とする、基板用カセット。
【請求項５】  当該基板用カセットは、フレームを備え、
前記フレーム自体には、当該フレームの軸方向に延びる炭素繊維を含む炭素繊維強化プラスチック材料が用いられる、請求項４に記載の基板用カセット。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（２６）上記（１）〜（７）のいずれかの磁性材料の粒界又は表面にＺｎを反応させた磁性材料。
（２７）希土類−鉄−窒素−水素−酸素系磁性材料の原料粉体を、水中衝撃波を用いて、衝撃圧縮固化することを特徴とする上記（１）〜（２６）のいずれかの磁石用固形材料の製造方法。
（２８）衝撃波圧力が３〜４０ＧＰａの水中衝撃波を用いて衝撃圧縮固化してなることを特徴とする上記（１）〜（２６）のいずれかの磁石用固形材料の製造方法。
（２９）希土類−鉄−窒素−水素−酸素系磁性材料の原料粉体を衝撃波圧力が３〜３０ＧＰａの水中衝撃波を用いて衝撃圧縮固化することを特徴とする上記（９）の磁石用固形材料の製造方法。
（３０）希土類−鉄−窒素−水素−酸素系磁性材料の原料粉体を衝撃波圧力が８〜４０ＧＰａの水中衝撃波を用いて衝撃圧縮固化することを特徴とする密度７．４５ｇ／ｃｍ３以上の上記（１）〜（９）の磁石用固形材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ここでいう、ある成分の体積分率とは、一般に磁石用固形材料の全体の体積に対して、その成分が占有する体積の割合のことである。ただ単に体積分率という場合、Ｒ−Ｆｅ−Ｎ−Ｈ−Ｏ系磁性材料の体積分率のことを指すものとする。
以上のＲ−Ｆｅ−Ｎ−Ｈ−Ｏ系磁性材料は、好ましくは０．１〜１００μｍの平均粒径を有する粉体状として得られ、磁石用固形材料の原料として供給される。平均粒径が０．１μｍ未満であると、磁場配向性が不十分となりやすく、残留磁束密度が低くなる傾向がある。逆に平均粒径が１００μｍを超えると材料組成によっては保磁力が低くなる場合があり、また密度を高くする製造条件が厳しくなる場合があるため、実用性に乏しくなる傾向にある。優れた磁場配向性を付与させるために、更に好ましい平均粒径の範囲は１〜１００μｍである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
衝撃圧縮後、パイプ１から固化した空隙を除いた全固形成分に対するＲ−Ｆｅ−Ｎ−Ｈ−Ｏ系磁性材料の体積分率が１００％であるＳｍ８．５Ｆｅ７２．３Ｎ１２．７Ｈ２．８Ｏ３．７組成を有する磁石用固形材料を取り出し、４．０ＭＡ／ｍのパルス磁場で着磁し磁気特性を測定した結果、残留磁束密度Ｂｒ＝１．１８Ｔ、保磁力ＨｃＪ＝０．７８ＭＡ／ｍ、（ＢＨ）ｍａｘ＝２６４ｋＪ／ｍ３の結果を得た。又、アルキメデス法により密度を測定した結果、密度７．６０ｇ／ｃｍ３、充填率は９９％、即ち空隙を含めた全体の体積に対するＲ−Ｆｅ−Ｎ−Ｈ−Ｏ系磁性材料の体積分率は９９％であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
［実施例６］
Ｒ−Ｆｅ−Ｎ−Ｈ−Ｏ系磁性材料以外の成分をＡｌ２Ｏ３とし、実施例１で作製したＲ−Ｆｅ−Ｎ−Ｈ−Ｏ系磁性材料の体積分率が９６％となるように配合し、前記混合粉体を減量とする磁石用固形材料を実施例１と同様にして作製した。但し、衝撃波圧力は１５ＧＰａとした。その後、４．０ＭＡ／ｍのパルス磁場で着磁し、Ｂｒ、ＨｃＪ、角形比Ｂｒ／Ｊｓ、（ＢＨ）ｍａｘを測定した。
その結果を表１に示した。保磁力ＨｃＪが０．８３ＭＡ／ｍと大きい値であるにも関わらず、角形比９６％を得ることができた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
［実施例１０、１１及び比較例３］
平均粒径を２．５μｍとしたＳｍ８．７Ｆｅ７４．１Ｎ１３．１Ｈ１．１Ｏ３．０なる磁性粉体を用いることと衝撃波圧力を３ＧＰａ（実施例１０）並びに２３ＧＰａ（実施例１１）としたこと以外は実施例１と同様にして空隙を除いた全固形成分に対するＲ−Ｆｅ−Ｎ−Ｈ−Ｏ系磁性材料の体積分率が１００％である磁石用固形材料を作製した。これらの磁石用固形材料の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。その結果を表２に示した。
また、これらの磁石用固形材料を正確に同形状の円盤に加工し、４．８ＭＡ／ｍのパルス磁場で着磁して、Ｐｃ０が２の磁石とした。これらの磁石を、１２５℃の恒温槽中で極力逆磁場が掛からないように注意して３．６Ｍｓ放置した。試料引き抜き式磁束測定装置を用いて、恒温槽放置前後の磁束の値を測定し、磁束の変化率、即ち不可逆減磁率（％）を求めた。結果を表２に示した。不可逆減磁率は絶対値が小さいほど熱安定性が良いと判断できる。また、公知の方法によりＲ−Ｆｅ−Ｎ−Ｈ−Ｏ系磁性材料の体積分率を６０％とし、Ｐｃ０が２の１２−ナイロンをバインダとした磁石用固形材料ではない射出成形ボンド磁石（比較例３）について、上記と同様にして不可逆減磁率を求めた。結果を表２に示した。
以上の評価によって得られた結果は、ＰｃがＰｃ０と等しく、Ｔｍａｘ＝１２５℃であるような用途を考えたとき、動作又は使用前後の減磁の度合いを調べるのに適切である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
［実施例１６］
平均粒径６０μｍのＳｍ２Ｆｅ１７母合金をＮＨ３分圧０．３５ａｔｍ、Ｈ２分圧０．６５ａｔｍで酸素分圧１０−３ａｔｍ以下のアンモニア−水素混合ガス気流中、４６５℃で７．２ｋｓ窒化水素化を行った後、酸素分圧１０−３ａｔｍとしたアルゴン気流中で７．２ｋｓアニールを行い、溶存酸素量４５ｐｐｍ、含水量２０ｐｐｍの炭化水素系溶媒を粉砕溶媒として用い１０−１ａｔｍの窒素気流中で仕込んだボールミルにより平均粒径が約２μｍとなるように粉砕した。この粉体を用い、実施例１と同様に、但し衝撃波圧力は２５ＧＰａとして、空隙を除いた全固形成分に対するＲ−Ｆｅ−Ｎ−Ｈ−Ｏ系磁性材料の体積分率が１００％である、Ｓｍ８．０Ｆｅ６７．８Ｎ１１．９Ｈ２．６Ｏ９．７組成を有する磁石用固形材料を得た。このとき、成形体を保持する銅製パイプ１の中は湿度を有した大気で満たした。この磁石用固形材料を４．０ＭＡ／ｍのパルス磁場で着磁し、磁気特性を測定した結果、残留磁束密度Ｂｒ＝１．０６Ｔ、保磁力ＨｃＪ＝０．７３ＭＡ／ｍ、（ＢＨ）ｍａｘ＝１５８ｋＪ／ｍ３の結果を得た。又、アルキメデス法により密度を測定した結果、密度７．５５ｇ／ｃｍ３、充填率は９９％、即ち空隙を含めた全体の体積に対するＲ−Ｆｅ−Ｎ−Ｈ−Ｏ系磁性材料の体積分率は９９％であった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
【表２】
2004146542.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明における全体の磁石用固形材料に対するＲ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料の体積分率は５０〜１００体積％とすることが必要である。但し、Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料のみで磁石用固形材料が構成されている場合、或いは、ガス又は有機物との複合材料である場合は、全体の磁石用固形材料に対するＲ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料の体積分率は８０〜１００体積％であることが好ましい。８０体積％未満であると磁性粉同士の連続的な結合が不十分であり、磁石用固形材料を成すことができない。但し、Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料以外に、希土類−鉄−ほう素系磁性材料などの硬磁性材料、Ｃｏなどの軟磁性材料、金属や無機物である非磁性相などが含まれるときは、それらの体積分率とＲ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料の体積分率を併せた値である固形材料体積分率が８０〜１００体積％の範囲にあれば良い。ここでいう、ある成分の体積分率とは、一般に磁石用固形材料の全体の体積に対して、その成分が占有する体積の割合のことである。ただ単に体積分率という場合、Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料の体積分率のことを指すものとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
［実施例５］
衝撃波圧力を３ＧＰａとする以外は、実施例１と同様にして空隙を除いた全固形成分に対するＲ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料の体積分率が１００％である磁石用固形材料を作製し、４．０ＭＡ／ｍのパルス磁場で着磁してから、磁気特性を測定した結果、残留磁束密度Ｂｒ＝０．８３Ｔ、保磁力ＨｃＪ＝０．３８ＭＡ／ｍ、（ＢＨ）ｍａｘ＝９０ｋＪ／ｍ３であった。この磁石用固形材料の密度は６．５４であり、即ち充填率は８５％となった。これは、空隙を含めた全体の体積に対するＲ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料の体積分率が８５％であることを示す。さらに、Ｘ線回折法で解析した結果、固化した磁石用固形材料は、Ｔｈ２Ｚｎ１７型菱面体晶の結晶構造を有していることが確認された。４４°付近におけるα−Ｆｅ分解相の回折線とＴｈ２Ｚｎ１７型菱面体晶の結晶構造を示す（３０３）最強線との強度比ｂ／ａは０．２２であった。
この磁石用固形材料はＰｃ＝２のとき、Ｔｍａｘ＝１１０℃（１００ｈｒ保持）で４％の減磁を示したが、実施例１の磁石用固形材料の減磁は同条件で約１８％もあり、同体積で測定した両者の磁束の値はほぼ同じになった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置及びそれを用いた電気器具
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成され、前記ＴＦＴを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線と同時に形成され、ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極の端部を覆う無機絶縁膜と、
前記画素電極上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成された保護体と、
前記保護体上に形成された陽極とを有し、
前記保護体は、仕事関数４．５〜５．５ｅＶの金属材料を用いて０．５〜５ｎｍの膜厚で形成され、
前記陽極は透明導電膜で形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
絶縁表面上に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成され、前記ＴＦＴを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線と同時に形成され、ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極の端部を覆う無機絶縁膜と、
前記画素電極上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成された保護体と、
前記保護体上に形成された陽極とを有し、
前記無機絶縁膜は、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素のいずれか一からなり、
前記保護体は、仕事関数４．５〜５．５ｅＶの金属材料を用いて０．５〜５ｎｍの膜厚で形成され、
前記陽極は透明導電膜で形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
絶縁表面上に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成され、前記ＴＦＴを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜に接して形成されたバリア膜と、
前記バリア膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線と同時に形成され、ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極の端部を覆う無機絶縁膜と、
前記画素電極上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成された保護体と、
前記保護体上に形成された陽極とを有し、
前記陰極は、元素周期律の１族または２族に属する金属を含むフッ化物である材料からなり、
前記保護体は、仕事関数４．５〜５．５ｅＶの金属材料を用いて０．５〜５ｎｍの膜厚で形成され、
前記陽極は透明導電膜で形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
絶縁表面上に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成され、前記ＴＦＴを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜に接して形成されたバリア膜と、
前記バリア膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線と同時に形成され、ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極の端部を覆う無機絶縁膜と、
前記画素電極上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成された保護体と、
前記保護体上に形成された陽極とを有し、
前記無機絶縁膜は、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素のいずれか一からなり、
前記陰極は、元素周期律の１族または２族に属する金属を含むフッ化物である材料からなり、
前記保護体は、仕事関数４．５〜５．５ｅＶの金属材料を用いて０．５〜５ｎｍの膜厚で形成され、
前記陽極は透明導電膜で形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
絶縁表面上に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成され、前記ＴＦＴを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に、前記層間絶縁膜に接して形成されたバリア膜と、
前記バリア膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線と同時に形成され、ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極の端部を覆う無機絶縁膜と、
前記画素電極上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成された保護体と、
前記保護体上に形成された陽極とを有し、
前記バリア膜は、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化酸化珪素のいずれか一からなり、
前記無機絶縁膜は、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素のいずれか一からなり、
前記陰極は、元素周期律の１族または２族に属する金属を含むフッ化物である材料からなり、
前記保護体は、仕事関数４．５〜５．５ｅＶの金属材料を用いて０．５〜５ｎｍの膜厚で形成され、
前記陽極は透明導電膜で形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
前記ＴＦＴは、半導体層とゲート電極との間にゲート絶縁膜を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接する第１の導電層と、前記第１の導電層よりも幅が短く前記第１の導電層の上に設けられている第２の導電層とからなる
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に用いており、表示装置、デジタルスチルカメラ、パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置、ゴーグル型ディスプレイ、ビデオカメラ、携帯電話の中から選ばれた一種であることを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
固定側に固定される操作装置本体と、前記操作装置本体から突出するととも傾倒動作及びその軸方向に沿った往復移動動作の少なくとも一つの動作と軸回転動作が可能な操作軸とを有する操作装置と、前記操作軸に取り付けられ少なくとも軸回転操作及び押圧操作により前記操作軸の各動作を可能とするノブと、を有する多機能操作装置であって、
前記ノブに設けられて前記操作軸に沿った方向に透視可能な透視部と、前記透視部と前記操作装置本体との間に配置されるとともに前記操作装置本体又は前記固定側のいずれかに固定される表示部を有していることを特徴とする多機能操作装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載した発明は、固定側に固定される操作装置本体と、前記操作装置本体から突出するととも傾倒動作及びその軸方向に沿った往復移動動作の少なくとも一つの動作と軸回転動作が可能な操作軸を有する操作装置と、前記操作軸に取り付けられ少なくとも軸回転操作及び押圧操作により前記操作軸の各動作を可能とするノブと、を有する多機能操作装置であって、前記ノブに設けられて前記操作軸に沿った方向に透視可能な透視部と、前記透視部と前記操作装置本体との間に配置されるとともに前記操作装置本体又は前記固定側のいずれかに固定される表示部を有していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にポリシリコンを半導体膜とする薄膜トランジスタを有する表示装置であって、
チャージポンプ制御回路を有し、
前記チャージポンプ制御回路は前記薄膜トランジスタによって構成されることを特徴とした表示装置。
【請求項２】
基板上にポリシリコンを半導体膜とする薄膜トランジスタを有する表示装置であって、
チャージポンプ制御回路と
スイッチング素子と
容量と、を有し、
前記チャージポンプ制御回路は前記薄膜トランジスタによって構成され、
前記チャージポンプ制御回路の出力信号によって、スイッチング素子を駆動し、昇圧もしくは降圧をおこなうことを特徴とした表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
チャージポンプ制御回路は、前記スイッチング素子に入力するクロック周波数を可変する手段を有することを特徴とした表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記周波数可変手段はＣＰＵによって制御されることを特徴とした表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記ＣＰＵは薄膜トランジスタによって構成されていることを特徴とした表示装置。
【請求項６】
基板上にポリシリコンを半導体膜とする薄膜トランジスタを有する表示装置であって、
前記表示装置は可変分周回路と、
ＣＰＵと、を有し、
前記可変分周回路と前記ＣＰＵは前記薄膜トランジスタによって構成され、
前記可変分周回路は前記ＣＰＵによって制御され、
表示のモードによって分周比を可変することを特徴とした表示装置。
【請求項７】
基板上にポリシリコンを半導体膜とする薄膜トランジスタを有する表示装置であって、
前記表示装置はスイッチング素子を有し、
前記スイッチング素子はＰＩＮダイオードであることを特徴とした表示装置。
【請求項８】
請求項７において、前記ＰＩＮダイオードは前記薄膜トランジスタと同時形成されたものであることを特徴とした表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とした表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記表示装置は、ＥＬを用いた表示装置であることを特徴とした表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項における表示装置を備える電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
さらに、再生制御プロセス６０２は、再生管理情報６３０の再生手順情報（２）６３２の対応データ格納領域の継続情報（Continue）を検証し、継続情報（Continue）＝０であることから、さらに継続する再生手順情報が存在しないことを確認する。また、終了情報（End）＝１であることから最終手順情報であることを確認し、再生管理情報６３０の再生手順情報（２）６３２の対応データ格納領域のコンテンツ終了点［ＯＵＴ］に再生点が到達した時点で再生処理の終了処理に移行し、再生を終了する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧接型異方導電性エラスチックコネクタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未加硫薄膜ゴムシートの上に電気的絶縁被覆されているベリリウム銅線を平行かつ密接して配列し、
この状態で前記未加硫薄膜ゴムシートを硬化させ、硬化ゴムシートとし、
前記硬化ゴムシート上に配列された線状導電体の上に、さらに未加硫薄膜ゴムシートを貼り合せ、
前記貼り合わせたシートを複数枚積層してブロック状化し、
この状態で加熱加硫し、硬化シートとし、
前記硬化シートをスライス切断することにより、
シリコーンゴムの厚み方向に、前記ベリリウム銅線が多数本直線状に規則正しく配列されており、
前記ベリリウム銅線の側面には、耐電圧１Ｖ／μｍ以上の電気的絶縁皮膜が、厚み１μｍ以上に形成されており、
配列方向の前記ベリリウム銅線は隣接しており、
前記ベリリウム銅線のスライスされた端面表面には、腐食防止メッキが形成されている
ことを特徴とする圧接型異方導電性エラスチックコネクタ。
【請求項２】
前記線状導電体が、絶縁性エラスチック樹脂材料を貫通し、その厚みにほぼ等しい長さである請求項１に記載の圧接型異方導電性エラスチックコネクタ。
【請求項３】
前記腐食防止メッキが無電解メッキである請求項１または２に記載の圧接型異方導電性エラスチックコネクタ。
【請求項４】
前記腐食防止メッキが、前記無電解ニッケルメッキの上に金メッキをしたメッキである請求項３に記載の圧接型異方導電性エラスチックコネクタ。
【請求項５】
前記線状導電体の配列密度が、導通電流容量に応じて異なっている請求項１に記載の圧接型異方導電性エラスチックコネクタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の圧接型異方導電性エラスチックコネクタは、未加硫薄膜ゴムシートの上に電気的絶縁被覆されているベリリウム銅線を平行かつ密接して配列し、この状態で前記未加硫薄膜ゴムシートを硬化させ、硬化ゴムシートとし、前記硬化ゴムシート上に配列された線状導電体の上に、さらに未加硫薄膜ゴムシートを貼り合せ、前記貼り合わせたシートを複数枚積層してブロック状化し、この状態で加熱加硫し、硬化シートとし、前記硬化シートをスライス切断することにより、シリコーンゴムの厚み方向に、前記ベリリウム銅線が多数本直線状に規則正しく配列されており、前記ベリリウム銅線の側面には、耐電圧１Ｖ／μｍ以上の電気的絶縁皮膜が、厚み１μｍ以上に形成されており、配列方向の前記ベリリウム銅線は隣接しており、前記ベリリウム銅線のスライスされた端面表面には、腐食防止メッキが形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】 
【請求項１】伝送線路と、伝送線路を充電する直流電源と、伝送線路を構成する２つの導体同士を片側において短絡させる短絡スイッチを有し、短絡スイッチによって導体同士を片側において短絡させてもう片側における導体間の電界の方向を一定周期で反転させることによってパルス放電を繰り返し発生させる放電発生装置。
【請求項２】請求項１に記載の伝送線路に同軸ケーブルが用いられていることを特徴とする放電発生装置。
【請求項３】伝送線路に放電用電極が取り付けられており、該放電用電極より粉塵、有害ガスあるいは微生物に放電するものである請求項１または請求項２に記載の放電発生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
燃料電池システムであって、
アノードとカソードの間に電解質膜を挟持してなる燃料電池と、
前記アノードへ燃料を供給する燃料供給ユニットと、
前記カソードへ酸化剤を含むガスを導入するガス供給ユニットと、
前記アノード、前記カソード、または前記アノードおよび前記カソードからの排気路と、
前記排気路を開閉しうる第一の開閉バルブと、
前記燃料電池の電力供給をスイッチする電源スイッチと、を備え、
前記第一の開閉バルブは、前記電源スイッチに伴って開閉される構成であることを特徴とする燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
燃料電池システムであって、
アノードとカソードの間に電解質膜を挟持してなる燃料電池と、
前記アノードへ燃料を供給する燃料供給ユニットと、
前記カソードへ酸化剤を含むガスを導入するガス供給ユニットと、
前記アノード、前記カソード、または前記アノードおよび前記カソードからの排気路と、
前記排気路を開閉しうる第一の開閉バルブと、
前記燃料供給ユニットを開閉しうる第二の開閉バルブと、
前記燃料電池の電力供給をスイッチする電源スイッチと、を備え、
前記第一の開閉バルブと前記第二の開閉バルブの少なくとも一方は、前記電源スイッチに伴って開閉される構成であることを特徴とする燃料電池システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第三の局面によれば、燃料電池システムは、アノードとカソードの間に電解質膜を挟持してなる燃料電池と、前記アノードへ燃料を供給する燃料供給ユニットと、前記カソードへ酸化剤を含むガスを導入するガス供給ユニットと、前記アノード、前記カソード、または前記アノードおよび前記カソードからの排気路と、前記排気路を開閉しうる第一の開閉バルブと、前記燃料電池の電力供給をスイッチする電源スイッチと、を備え、前記第一の開閉バルブは、前記電源スイッチに伴って開閉される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第五の局面によれば、アノードとカソードの間に電解質膜を挟持してなる燃料電池と、前記アノードへ燃料を供給する燃料供給ユニットと、前記カソードへ酸化剤を含むガスを導入するガス供給ユニットと、前記アノード、前記カソード、または前記アノードおよび前記カソードからの排気路と、前記排気路を開閉しうる第一の開閉バルブと、前記燃料供給ユニットを開閉しうる第二の開閉バルブと、前記燃料電池の電力供給をスイッチする電源スイッチと、を備え、前記第一の開閉バルブと前記第二の開閉バルブの少なくとも一方は、前記電源スイッチに伴って開閉される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
高性能の希土類磁石としては、例えばＳｍ−Ｃｏ系磁石、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石が知られている。前者は高い熱安定性と耐食性等により、また、後者は極めて高い磁気特性、低コスト、原料供給の安定性等によりそれぞれ広く用いられている。今日、更に高い熱安定性と高い磁気特性とを併せ持ち、原料コストの安価な希土類磁石が、電装用や各種ＦＡ用のアクチュエータ、あるいは回転機用の磁石として要望されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
窒素を金属間化合物の格子間に含有し、前記菱面体晶又は六方晶の結晶構造を有する希土類−鉄−窒素系磁性材料（以下Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料という）は、一般に粉体状態にて得られるが、常圧下約６００℃以上の温度ではα−Ｆｅ分解相と希土類窒化物相とに分解し易いため、自己焼結により固化して磁石用固形材料とすることは、通常の工業的方法では非常に困難である。
そこで、Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料を用いた磁石としては、樹脂をバインダとしたボンド磁石が生産され使用されている。しかし、当該材料を用いて作られた磁石は、多くは４００℃以上のキュリー温度を有し、本来２００℃以上の温度でも磁化を失わない磁性粉体を使用しているにもかかわらず、１２−ナイロン樹脂などのバインダの耐熱温度が低いことが主な原因となって不可逆減磁率が大きくなり、概ね１００℃未満の温度でしか使用されていない。すなわち、最近の高負荷の要求に対して、１５０℃以上の高温の環境下で使用される動力源としてのブラシレスモータ等を作る場合、このボンド磁石は使用することができないという問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、樹脂をバインダとした圧縮成形ボンド磁石を製造する場合、充填率を向上させて高性能化するには、工業的に難しい１ＧＰａ以上の成形圧力が必要であり、金型寿命等を考慮すると、磁性材料の混合比率は体積分率で８０％未満にせざるを得ない場合が多く、圧縮成形ボンド磁石によってはＲ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料の優れた基本磁気特性が十分に発揮できないという問題があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高密度で高磁気特性を有し、熱安定性、耐酸化性に優れたＲ−Ｆｅ−Ｎ系磁石用固形材料、及びその製造方法を提供することである。特に、７．４５ｇ／ｃｍ３より高い密度を有するＲ−Ｆｅ−Ｎ系磁石用固形材料及び、その製造方法を提供する。本発明は、着磁などによって磁化した状態である磁石も含んだ磁石用固形材料を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題について、鋭意検討した結果、希土類−鉄−窒素系磁性材料粉体を、磁場中若しくは無磁場で圧粉成形体にした後、水中衝撃波を用いて衝撃圧縮固化し、衝撃圧縮の持つ超高圧剪断性、活性化作用、短時間現象などの特徴を活かして、Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料を主として含有する磁石用固形材料を得ることができることを見出し、本発明を完成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ここでいう希土類元素とは、周期表第ＩＩＩａ族のＹおよび原子番号５７から７１までのＬａ系列の１５元素、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕを指す。
ここで言う分解とは、希土類−鉄−窒素系磁性材料粉体の結晶構造が変化するのに伴ってα−Ｆｅ分解相が生じることであり、このα−Ｆｅ分解相の存在は磁気特性に悪影響を及ぼすので、上記のような分解は防止すべき現象である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について、特にその好ましい態様を中心に、詳細に説明する。
本発明の磁石用固形材料に用いられるＲ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料は、公知の方法により調製される。
例えば、希土類−鉄合金を高周波法、超急冷法、Ｒ／Ｄ法、ＨＤＤＲ法、メカニカルアロイング法、メカニカルグラインディング法などで調製し、数十〜数百μｍ程度に粗粉砕した後、窒素ガスの高圧雰囲気下で窒化処理を行って微粉砕を行い、Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料を調製する。磁性材料の組成、合金の処理法や窒化法によっては粗粉砕や微粉砕を必要としない場合もある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料の結晶構造としては、Ｔｈ２Ｚｎ１７型結晶構造等又はそれと同様な結晶構造を有する菱面体晶、又はＴｈ２Ｎｉ１７、ＴｂＣｕ７、ＣａＺｎ５型結晶構造等又はそれと同様な結晶構造を有する六方晶が好ましく、さらにＲ２Ｆｅ１４ＢＮｘ型、Ｒ２Ｆｅ１４ＣＮｘ型やＲ（Ｆｅ１−ｙＭｙ）１２Ｎｘ型等又はそれと同様な結晶構造を有する正方晶などが５０体積％未満含有されていても良い。
以上のＲ−Ｆｅ−Ｎ系磁性材料は、好ましくは０．１〜１００μｍの平均粒径を有する粉体状として得られ、磁石用固形材料の原料として供給される。平均粒径が０．１μｍ未満であると、磁場配向性が不十分となりやすく、残留磁束密度が低くなる傾向がある。逆に平均粒径が１００μｍを超えると保磁力が低くなる傾向がある。優れた磁場配向性を付与させるために、更に好ましい平均粒径の範囲は１〜１００μｍである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓋装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機器本体の開口部を開閉するように一端が回動自在に支持された扉本体に、前記扉本体から突出する方向に付勢され先端の突出部分が機器本体に係合して前記扉本体を閉塞位置にロックするロックレバーを組み込んだ蓋装置であって、
扉本体の前記ロックレバーに弾性変形する係合フックを設け、
前記機器本体の側には前記付勢に抗してロックレバーを移動させた状態で前記係合フックが係合して前記ロックレバーの突出方向への移動を規制する被係合部を設けた
蓋装置。
【請求項２】
機器本体の開口部を開閉するように一端が回動自在に支持された扉本体に、前記扉本体から突出する方向に付勢され先端の突出部分が機器本体に係合して前記扉本体を閉塞位置にロックするロックレバーを組み込んだ蓋装置であって、
扉本体の前記ロックレバーに弾性変形する係合フックを設け、
前記機器本体の側には前記付勢に抗してロックレバーを移動させた状態で前記係合フックが係合して前記ロックレバーの突出方向への移動を規制する被係合部を設け、
扉本体の前記一端と前記機器本体の間に扉本体を開放方向へ付勢する付勢手段を設けた
蓋装置。
【請求項３】
機器本体の開口部を開閉するように一端が回動自在に支持された扉本体に、前記扉本体から突出する方向に付勢され先端の突出部分が機器本体に係合して前記扉本体を閉塞位置にロックするロックレバーを組み込んだ蓋装置であって、
扉本体の前記ロックレバーに係合フックを設け、
前記機器本体の側には前記付勢に抗してロックレバーを移動させた状態で弾性変形して前記係合フックが係合して前記ロックレバーの突出方向への移動を規制する被係合部を設けた
蓋装置。
【請求項４】
前記ロックレバーは、
扉本体から突出した状態に付勢され先端に前記機器本体に係合するフックが形成されたフック本体と、
前記フック本体に係合して前記フック本体と同じ方向に付勢されるとともに前記扉本体の基端部の側には前記機器本体の側に設けられた被係合部に係合可能な係合フックが形成されたロックレバー本体と
で構成され、フック本体はロックレバー本体とは独立して前記付勢に抗して移動できるようにした
請求項１記載の蓋装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の請求項１記載の蓋装置は、機器本体の開口部を開閉するように一端が回動自在に支持された扉本体に、前記扉本体から突出する方向に付勢され先端の突出部分が機器本体に係合して前記扉本体を閉塞位置にロックするロックレバーを組み込んだ蓋装置であって、扉本体の前記ロックレバーに弾性変形する係合フックを設け、前記機器本体の側には前記付勢に抗してロックレバーを移動させた状態で前記係合フックが係合して前記ロックレバーの突出方向への移動を規制する被係合部を設けたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の請求項２記載の蓋装置は、請求項１の構成に加えて、扉本体の前記一端と前記機器本体の間に扉本体を開放方向へ付勢する付勢手段を設けたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この構成によると、ロックレバーを前記付勢に抗して係合が外れる方向に移動させる力を解除するだけで、付勢手段によって扉本体を開放できる。
本発明の請求項３記載の蓋装置は、扉本体の前記ロックレバーに係合フックを設け、前記機器本体の側には前記付勢に抗してロックレバーを移動させた状態で弾性変形して前記係合フックが係合して前記ロックレバーの突出方向への移動を規制する被係合部を設けたことを特徴とし、請求項１の構成ではロックレバーの係合フックが弾性変形したのに対して、この請求項３の構成では機器本体の側の被係合部が弾性変形して同様の効果を達成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項４記載の蓋装置は、請求項１において、前記ロックレバーは、扉本体から突出した状態に付勢され先端に前記機器本体に係合するフックが形成されたフック本体と、前記フック本体に係合して前記フック本体と同じ方向に付勢されるとともに前記扉本体の基端部の側には前記機器本体の側に設けられた被係合部に係合可能な係合フックが形成されたロックレバー本体とで構成され、フック本体はロックレバー本体とは独立して前記付勢に抗して移動できるようにしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマエッチング方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内においてＢＣｌ3を含むガスをエッチングガスとして用い、プラズマエッチングを行なった後、
ＢＯxが残留物として付着している前記チャンバー内に含まれるガスをＣｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2で置換し、前記Ｃｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2をプラズマ化して前記ＢＯxを除去し、
ＢＯXにプラズマ化が抑えられるガスをエッチングガスとして用い、プラズマエッチングを行なうことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
チャンバー内においてＢＣｌ3を含むガスをエッチングガスとして用い、プラズマエッチングを行なった後、
ＢＯxが残留物として付着している前記チャンバー内に含まれるガスをＣｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2で置換し、前記Ｃｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2をプラズマ化して前記ＢＯxを除去し、
ＳＦ6を含むガスをエッチングガスとして用い、プラズマエッチングを行なうことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】
チャンバーの一部に石英が用いられており、なおかつ前記石英が前記チャンバー内に露出しているプラズマエッチング方法であって、
前記チャンバー内においてＢＣｌ3を含むガスをエッチングガスとして用い、プラズマエッチングを行なった後、
ＢＯxが残留物として付着している前記チャンバー内に含まれるガスをＣｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2で置換し、前記Ｃｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2をプラズマ化して前記ＢＯxを除去し、
ＢＯXにプラズマ化が抑えられるガスをエッチングガスとして用い、プラズマエッチングを行なうことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項４】
チャンバーの一部に石英が用いられており、なおかつ前記石英が前記チャンバー内に露出しているプラズマエッチング方法であって、
前記チャンバー内においてＢＣｌ3を含むガスをエッチングガスとして用い、プラズマエッチングを行なった後、
ＢＯxが残留物として付着している前記チャンバー内に含まれるガスをＣｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2で置換し、前記Ｃｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2をプラズマ化して前記ＢＯxを除去し、
ＳＦ6を含むガスをエッチングガスとして用い、プラズマエッチングを行なうことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記プラズマエッチングは、ＲＩＥエッチング法、ＩＣＰエッチング法、ＥＣＲエッチング法、ヘリコン波エッチング法、ヘリカル共鳴エッチング法またはパルス変調エッチング法を用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記フッ素系ガスはＣＦ4、ＳＦ6またはＮＦ3であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記チャンバー内に含まれるガスの置換は、前記Ｃｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2に更にＯ2を加えたガスで行ない、前記Ｃｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2に更にＯ2を加えたガスをプラズマ化することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項８】
島状の半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を順に積層し、
前記第１及び第２の導電膜をエッチングして、積層された第１の形状の第１の導電膜及び第１の形状の第２の導電膜を形成し、
ＢＯXが残留物として付着しているプラズマエッチング装置のチャンバー内に含まれるガスをＣｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2で置換し、
前記Ｃｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2をプラズマ化して前記ＢＯXを除去し、
前記プラズマエッチング装置において前記第１の形状の第１の導電膜及び前記第１の形状の第２の導電膜を異方性エッチングすることで、積層された第２の形状の第１の導電膜及び第２の形状の第２の導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記第２の形状の第１の導電膜は、前記第２の形状の第２の導電膜よりも、チャネル長方向における幅が長いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記プラズマエッチング装置は、ＲＩＥエッチング法、ＩＣＰエッチング法、ＥＣＲエッチング法、ヘリコン波エッチング法、ヘリカル共鳴エッチング法またはパルス変調エッチング法を用いていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか１項において、前記フッ素系ガスはＣＦ4、ＳＦ6またはＮＦ3であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記チャンバー内に含まれるガスの置換は、前記Ｃｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2に更にＯ2を加えたガスで行ない、前記ＢＯXの除去は、前記Ｃｌ2とフッ素系ガスを混合したガスまたはＣｌ2に更にＯ2を加えたガスをプラズマ化して行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属粒子からなる金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を溶媒中に分散した成膜材料を吐出管から基材に吐出し、
前記基材と吐出管の相対移動と成膜材料の吐出速度とを制御して所定のパターンとなるように前記成膜材料を基材に載置し、
前記基材に載置した成膜材料を加熱・焼成することによって、有機物の分解・蒸散を行い、同時に金属粒子同士、及び金属粒子と基材の間に焼結を起こし、前記成膜材料を金属化すると共に基材に強固に付着し、基材に前記所定のパターンの金属膜を形成することを特徴とする印刷方法。
【請求項２】  前記金属核は、平均直径が100nm以下の金属粒子からなることを特徴とする請求項１記載の印刷方法。
【請求項３】  前記有機物は、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、及び／又は酸素（Ｏ）を主成分とするものであることを特徴とする請求項１記載の印刷方法。
【請求項４】  前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩と有機物質とを非水系溶媒中で加熱合成した後、これを加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１記載の印刷方法。
【請求項５】  前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩と金属酸化物と金属水酸化物と有機物とを混合して加熱合成した後、これを加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１記載の印刷方法。
【請求項６】  前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩とアルコール系有機物とを混合して加熱合成した後、これに還元剤を加えて加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１記載の印刷方法。
【請求項７】  前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩と有機物とを親水性溶媒中で加熱合成した後、これに還元剤を加えて加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１記載の印刷方法。
【請求項８】  金属粒子からなる金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を溶媒中に分散した成膜材料の供給機構と、
吐出管から成膜材料を吐出して基材に到達させることが出来ると共に吐出速度を適正に制御して変化出来る成膜材料の吐出機構と、
基材と吐出機構の相対的な移動を適正に制御して変化できる移動機構と、
基材の加熱・焼成機構とを具備したことを特徴とする印刷装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、金属粒子からなる金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を溶媒中に分散した成膜材料を吐出管から基材に吐出し、前記基材と吐出管の相対移動と成膜材料の吐出速度とを制御して所定のパターンとなるように前記成膜材料を基材に載置し、前記基材に載置した成膜材料を加熱・焼成することによって、有機物の分解・蒸散を行い、同時に金属粒子同士、及び金属粒子と基材の間に焼結を起こし、前記成膜材料を金属化すると共に基材に強固に付着し、基材に前記所定のパターンの金属膜を形成する印刷方法である。金属核は、平均直径が100nm以下の金属粒子からなることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項１記載の有機物は、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、及び／又は酸素（Ｏ）を主成分とするものである。
一般に成膜材料を構成する、複合型金属ナノ粒子が硫黄（Ｓ）や窒素（Ｎ）等を含む有機物を有している場合、この成膜材料で例えば導電用の回路を描画したときに形成された導電路の材料中にＳやＮが高頻度で残留してしまい、これによって導電路の電気抵抗率が高くなってしまう、という懸念がある。この不具合を回避することを特徴とした前記公知の方法（特願2002−272364）を根拠として成分限定した本発明を提案している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４記載の発明は、請求項１記載の複合型金属ナノ粒子は、金属塩と有機物質とを非水系溶媒中で加熱合成した後、これを加熱還元することによって生成したものである。本発明で触れた複合型金属ナノ粒子の製造方法自体は公知の方法（特開2001−131603）に記述されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項５記載の発明は、請求項１記載の複合型金属ナノ粒子は、金属塩と金属酸化物と金属水酸化物と有機物とを混合して加熱合成した後、これを加熱還元することによって生成したものである。
前記、複合型金属ナノ粒子の製造方法自体は公知の方法（特願2000−080445）によるものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項６記載の発明は、請求項１記載の複合型金属ナノ粒子は、金属塩とアルコール系有機物とを混合して加熱合成した後、これに還元剤を加えて加熱還元することによって生成したものである。
前記、複合型金属ナノ粒子の製造方法自体は公知の方法（特願2000−174331）によるものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項７記載の発明は、請求項１記載の複合型金属ナノ粒子は、金属塩と有機物とを親水性溶媒中で加熱合成した後、これに還元剤を加えて加熱還元することによって生成したものである。
前記、複合型金属ナノ粒子の製造方法自体は公知の方法（特願2000−305209）に記述されている。
以上述べた種々の公知の方法によって製造した複合型金属ナノ粒子を成膜材料の主体として用いることによって、夫々特徴ある成膜材料が製造出来る。
前述のように、請求項１乃至７で述べた成膜材料には、必要に応じて、金属、プラスチック、及び／又は非金属セラミック等の粉末からなる骨材を含むものを用いて印刷を行うことが出来る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項８記載の発明は、金属粒子からなる金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を溶媒中に分散した成膜材料の供給機構と、吐出管から成膜材料を吐出して基材に到達させることが出来ると共に吐出速度を自由に制御して変化出来る成膜材料の吐出機構と、基材と吐出機構の相対的な位置を適正に制御して変化出来る移動機構と、及び基材の加熱・焼成機構とを具備した印刷装置である。