【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性の高い基板上に形成されたＴＦＴを有する半導体装置であって、
前記ＴＦＴのチャネル形成領域は主たる配向面が[１１１]面であるポリシリコン膜からなり、
前記ポリシリコン膜中には１×１０14〜１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度でゲルマニウムが存在し、当該ポリシリコン膜中のスピン密度が５×１０17ｓｐｉｎｓ／ｃｍ3以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記耐熱性の高い基板は、石英、シリコン、セラミックス、結晶化ガラスのいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記ＴＦＴはボトムゲイト型ＴＦＴであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするビデオカメラ。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするスチルカメラ。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするプロジェクター。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするプロジェクションＴＶ。
【請求項８】
請求項１乃３のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするカーナビゲーション。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とする携帯情報端末。
【請求項１０】
耐熱性の高い基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜上にゲルマニウム膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜に対して６００℃を超えない第１の加熱処理を施してポリシリコン膜に変化させ、
前記ポリシリコン膜に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法又は減圧熱ＣＶＤ法により前記ゲルマニウム膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
耐熱性の高い基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜上に、スピンコート法によりゲルマニウムを含む溶液を塗布し、
前記アモルファスシリコン膜に対して６００℃を超えない第１の加熱処理を施してポリシリコン膜に変化させ、
前記ポリシリコン膜に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記ゲルマニウムを含む溶液として、酸化ゲルマニウム、塩化ゲルマニウム、臭化ゲルマニウム、硫化ゲルマニウム、酢酸ゲルマニウムのいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
耐熱性の高い基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜に対して、イオンプランテーション法、プラズマドーピング法、またはレーザードーピング法によりゲルマニウムを添加し、
前記アモルファスシリコン膜に対して６００℃を超えない第１の加熱処理を施してポリシリコン膜に変化させ、
前記ポリシリコン膜に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
耐熱性の高い基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に、ゲルマンを混合したガスを用いてアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜に対して６００℃を超えない第１の加熱処理を施してポリシリコン膜に変化させ、
前記ポリシリコン膜に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
耐熱性の高い基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜上にゲルマニウム膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜に対して６００℃を超えない第１の加熱処理を施してポリシリコン膜に変化させ、
前記ゲルマニウム膜を除去し、
前記ポリシリコン膜に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施し、
前記ポリシリコン膜上にパターニングされた絶縁層を形成し、
前記ポリシリコン膜をパターニングして活性層を形成し、
前記活性層及び前記パターニングされた絶縁層を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、コンタクトホールを介して前記活性層と接続するソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
耐熱性の高い基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に第１のアモルファスシリコン膜を形成し、
前記第１のアモルファスシリコン膜上にゲルマニウム膜を形成し、
前記第１のアモルファスシリコン膜に対して６００℃を超えない第１の加熱処理を施してポリシリコン膜に変化させ、
前記ゲルマニウム膜を除去し、
前記ポリシリコン膜に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施し、
前記ポリシリコン膜をパターニングして活性層を形成し、
前記活性層上にパターニングされた絶縁層を形成し、
前記活性層及び前記パターニングされた絶縁層上に第２のアモルファスシリコン膜を形成し、
前記第２のアモルファスシリコン膜上に微結晶シリコン膜を形成し、
前記微結晶シリコン膜上に導電膜を形成し、当該導電膜をパターニングしてソース配線及びドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線をマスクとして、前記第２のアモルファスシリコン膜及び前記微結晶シリコン膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、アルミニウムを主成分とする材料を用いて前記導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至１８のいずれか一において、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法により前記ゲルマニウム膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１０乃至１９のいずれか一において、前記第１の加熱処理は４５０〜６５０℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１０乃至２０のいずれか一において、前記第１の加熱処理を不活性雰囲気または水素雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１０乃至２０のいずれか一において、前記第１の加熱処理として、ファーネスアニール、ランプアニール、レーザーアニールのいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１０乃至２２のいずれか一において、前記第２の加熱処理は８００〜１０５０℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１０乃至２３のいずれか一において、前記第２の加熱処理を酸化性雰囲気またはハロゲンを含む雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１０乃至２４のいずれか一において、前記耐熱性の高い基板は、石英、シリコン、セラミックス、結晶化ガラスのいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。