【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜をパターニングして、先の尖った凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、複数の前記第１の島状半導体膜を結晶化し、
結晶化された複数の前記第１の島状半導体膜をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体膜を形成し、
複数の前記第２の島状半導体膜を用いて複数のトランジスタを形成し、
複数の前記トランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
前記所定の数の前記トランジスタに用いられる複数の前記第２の島状半導体膜は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体膜から形成され、
前記第１の島状半導体膜を複数個形成する際に、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜をパターニングして、先の尖った凸端部を複数有する形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、複数の前記第１の島状半導体膜を結晶化し、
結晶化された複数の前記第１の島状半導体膜をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体膜を形成し、
複数の前記第２の島状半導体膜を用いて複数のトランジスタを形成し、
複数の前記トランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
前記所定の数の前記トランジスタに用いられる複数の前記第２の島状半導体膜は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体膜から形成され、
前記第１の島状半導体膜を複数個形成する際に、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に表面が凹凸形状の絶縁膜を形成し、
前記凹凸形状の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜をパターニングして、先の尖った凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、複数の前記第１の島状半導体膜を結晶化し、
結晶化された複数の前記第１の島状半導体膜をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体膜を形成し、
複数の前記第２の島状半導体膜を用いて複数のトランジスタを形成し、
複数の前記トランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
前記所定の数の前記トランジスタに用いられる複数の前記第２の島状半導体膜は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体膜から形成され、
前記第１の島状半導体膜を複数個形成する際に、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に表面が凹凸形状の絶縁膜を形成し、
前記凹凸形状の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜をパターニングして、先の尖った凸端部を複数有する形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、複数の前記第１の島状半導体膜を結晶化し、
結晶化された複数の前記第１の島状半導体膜をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体膜を形成し、
複数の前記第２の島状半導体膜を用いて複数のトランジスタを形成し、
複数の前記トランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
前記所定の数の前記トランジスタに用いられる複数の前記第２の島状半導体膜は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体膜から形成され、
前記第１の島状半導体膜を複数個形成する際に、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体を形成し、
前記非晶質半導体上に金属含有層を形成し、熱処理により第１の結晶質半導体を形成し、
前記第１の結晶質半導体をパターニングして、先の尖った凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、
前記レーザ光を照射した複数の前記第１の島状半導体をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体を形成し、
複数の前記第２の島状半導体を用いて複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
前記所定の数の前記トランジスタに用いられる前記第２の島状半導体は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体から形成され、
前記凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を形成する際に、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体を形成し、
前記非晶質半導体上に金属含有層を形成し、熱処理により第１の結晶質半導体を形成し、
前記第１の結晶質半導体をパターニングして、先の尖った凸端部を複数有する形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、
前記レーザ光を照射した複数の前記第１の島状半導体をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体を形成し、
複数の前記第２の島状半導体を用いて複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
前記所定の数の前記トランジスタに用いられる前記第２の島状半導体は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体から形成される、
前記凸端部を複数有する前記第１の島状半導体膜を形成する際、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に表面が凹凸形状の絶縁膜を形成し、
前記凹凸形状の絶縁膜上に非晶質半導体を形成し、
前記非晶質半導体上に金属含有層を形成し、熱処理により第１の結晶質半導体を形成し、
前記第１の結晶質半導体をパターニングして、先の尖った凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、
前記レーザ光を照射した複数の前記第１の島状半導体をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体を形成し、
複数の前記第２の島状半導体を用いて複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
前記所定の数の前記トランジスタに用いられる前記第２の島状半導体は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体から形成され、
前記凸端部を有する五角形状の第１の島状半導体膜を形成する際、隣り合う前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に表面が凹凸形状の絶縁膜を形成し、
前記凹凸形状の絶縁膜上に非晶質半導体を形成し、
前記非晶質半導体上に金属含有層を形成し、熱処理により第１の結晶質半導体を形成し、
前記第１の結晶質半導体をパターニングして、先の尖った凸端部を複数有する形状の第１の島状半導体膜を複数個形成し、
複数の前記第１の島状半導体膜の前記凸端部からそれに対向する他端部に向かってレーザ光を照射し、
前記レーザ光を照射した複数の前記第１の島状半導体をパターニングして、前記第１の島状半導体膜それぞれから複数の第２の島状半導体を形成し、
複数の前記第２の島状半導体を用いて複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタのうち所定の数の前記トランジスタを電気的に接続し、
前記所定の数の前記トランジスタに用いられる前記第２の島状半導体は、それぞれ異なる前記第１の島状半導体から形成され、
前記凸端部を複数有する前記第１の島状半導体膜を形成する際、前記第１の島状半導体膜が、縦方向には並列に形成され、横方向には隣り合う前記凸端部をずらして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記複数のトランジスタは、そのチャネル形成領域における電荷の移動方向が全て平行もしくはそれに準ずる方向に揃うように配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記複数のトランジスタは、そのチャネル形成領域における電荷の移動方向が、前記レーザ光の走査方向と平行であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記複数のトランジスタは電気的に並列に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記レーザ光は、固体レーザ、気体レーザ、あるいは金属レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記レーザ光は、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、又はＴｉ：サファイアレーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記レーザ光は、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、又はＣＯ2レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記レーザ光は、ヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、又は金蒸気レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
そして第１の島状半導体層１からは、３つの第２の島状半導体層６Ａ〜６Ｃが形成されるが、本明細書では前記３つの第１の島状半導体層をａ点に近い順に第２の島状半導体層６Ａ、第２の島状半導体層６Ｂ、第２の島状半導体層６Ｃと称する。そして本発明では、図６に示すように、３つの第１の島状半導体層１において、第２の島状半導体層６Ａと、第２の島状半導体層６Ｂと、第２の島状半導体層６Ｃとを用いて回路を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図１４(Ａ)のレーザ照射装置は、中央演算処理装置及びメモリ等の記憶手段を兼ね備えたコンピュータ９０８を有している。コンピュータ９０８は、レーザ発振器９０１の発振を制御し、なおかつレーザ光スポットがマスクのパターン情報に従って定められる領域を覆うように、基板９０６へのレーザ光スポットの照射位置を制御すべく、基板を所定の位置に移動させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７８】
まず、実施例７に従い、図２０（Ｅ）の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、当該アクティブマトリクス基板上、少なくとも配線(画素電極)５０４７上に配向膜５０５５を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜５０５５を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ５０５４を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。