【手続補正書】
【提出日】平成15年10月22日(2003.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】格子テストパターン及びオーバレイ計測法
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ラインオンライン構造であって、
複数のダークライン及び複数のクリアラインを有し、各ダークラインがクリアラインに隣接する第１マスク、及び
複数のダークライン及び複数のクリアラインを有し、各ダークラインが前記第１マスクのダークラインの中心に位置する前記第２マスクを有するラインオンライン構造。
【請求項２】  ポジティブレジストを使用するとき、前記第１マスクの前記ダークラインが前記第１マスクの前記クリアラインより広幅である請求項１に記載のラインオンライン構造。
【請求項３】  ネガティブレジストを使用するとき、前記第１マスクの前記ダークラインが前記第１マスクの前記クリアラインより細幅である請求項１に記載のラインオンライン構造。
【請求項４】  前記第１マスクの前記複数のクリアラインが互いに全く同一又はほぼ同一であり、また、前記第１マスクの前記複数のダークラインが互いに全く同一又はほぼ同一であり、これにより、前記第１マスクのクリアラインとダークラインの組み合わせが前記第１マスクにおいて反復パターンを提供する請求項１に記載のラインオンライン構造。
【請求項５】  前記第１マスクの前記複数のダークラインが前記第２マスクの前記複数のダークラインより広幅である請求項１に記載のラインオンライン構造。
【請求項６】  前記第１マスクの前記複数のクリアラインが前記第２マスクの前記複数のクリアラインより細幅である請求項１に記載のラインオンライン構造。
【請求項７】  前記第２マスクの前記複数のダークラインの内の第１ダークラインが左エッジと右エッジを有し、また、前記第１マスクの前記複数のダークラインの内の第１ダークラインが左エッジと右エッジを有する請求項１に記載のラインオンライン構造。
【請求項８】  更に、前記第２マスクの前記第１ダークラインの左エッジから前記第１マスクの前記第１ダークラインの左エッジまでのギャップを測定した距離ｄ1、及び
前記第２マスクの前記第１ダークラインの右エッジから前記第１マスクの前記第１ダークラインの右エッジまでのギャップを測定した距離ｄ2を有する請求項７に記載のラインオンライン構造。
【請求項９】  ｄ1＝ｄ2のとき、前記第２マスクの前記第１ダークラインが前記第１マスクの前記第１ダークラインの中心にある請求項８に記載のラインオンライン構造。
【請求項１０】  ｄ1−ｄ2が正数になるとき、前記第２マスクの前記第１ダークラインが前記第１マスクの前記第１ダークラインの右にシフトする請求項８に記載のラインオンライン構造。
【請求項１１】  ｄ1−ｄ2が負数になるとき、前記第２マスクの前記第１ダークラインが前記第１マスクの前記第１ダークラインの左にシフトする請求項８に記載のラインオンライン構造。
【請求項１２】  ラインインライン構造であって、
複数のダークライン及び複数のクリアラインを有し、各ダークラインがクリアラインに隣接する第１マスク、及び
複数のダークライン及び複数のクリアラインを有し、各ダークラインが第１マスクのダークラインの中心に位置する第２マスクを有するラインインライン構造。
【請求項１３】  ポジティブレジストを使用するとき、前記第１マスクの前記複数のクリアラインが前記第１マスクの前記複数のダークラインより広幅である請求項１２に記載のラインインライン構造。
【請求項１４】  ネガティブレジストを使用するとき、前記第１マスクの前記複数のクリアラインが前記第１マスクの前記複数のクリアラインより細幅である請求項１２に記載のラインインライン構造。
【請求項１５】  前記第１マスクの前記複数のクリアラインが互いに全く同一又はほぼ同一であり、また、前記第１マスクの前記ダークラインが互いに全く同一又はほぼ同一であり、これにより、前記第１マスクのクリアラインとダークラインの組み合わせが前記第１マスクにおいて反復パターンを提供する請求項１２に記載のラインインライン構造。
【請求項１６】  前記第１マスクの前記複数のダークラインが前記第２マスクの前記複数のダークラインより細幅である請求項１２に記載のラインインライン構造。
【請求項１７】  前記第１マスクの前記複数のクリアラインが前記第２マスクの前記複数のクリアラインより広幅である請求項１２に記載のラインインライン構造。
【請求項１８】  前記第２マスクの前記複数のクリアラインの内の前記第１クリアラインが左エッジと右エッジを有し、また、前記第１マスクの前記複数のクリアラインの内の前記第１クリアラインが左エッジと右エッジを有する請求項１２に記載のラインインライン構造。
【請求項１９】  更に、前記第２マスクの前記第１クリアラインの左エッジから前記第１マスクの第２クリアラインの左エッジまでのギャップを測定した距離Ｘ1、及び
前記第２マスクの前記第１クリアラインの右エッジから前記第１マスクの前記第２クリアラインの右エッジまでのギャップを測定した距離Ｘ2を有する請求項１８に記載のラインインライン構造。
【請求項２０】  Ｘ1＝Ｘ2のとき、前記第２マスクの前記第１クリアラインが前記第１マスクの前記第１クリアラインの中心にある請求項１８に記載のラインインライン構造。
【請求項２１】  Ｘ1−Ｘ2が正数になるとき、前記第２マスクの前記第１クリアラインが前記第１マスクの前記第１クリアラインの左にシフトする請求項１８のラインインライン構造。
【請求項２２】  Ｘ1−Ｘ2が負数になるとき、前記第２マスクの前記第１クリアラインが前記第１マスクの前記第１クリアラインの右にシフトする請求項１８に記載のラインインライン構造。
【請求項２３】  直交線対のマルチオリエンテーション方法であって、
半導体ウェーハ上に格子を製造し、
前記格子に光線を照射し、前記光線が前記格子の方位に対して垂直でない方法。
【請求項２４】  前記格子の方位が正の傾きをなす請求項２３に記載の直交線対のマルチオリエンテーション方法。
【請求項２５】  前記格子の方位が負の傾きをなす請求項２３に記載の直交線対のマルチオリエンテーション方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の属する技術分野）
本発明は、半導体ウェーハ上の２つのプロセス層の精密光学測定、特に、厳密な回折格子解析と組み合わせて使用される１組の回折格子テストパターンに関するものである。
（発明の背景）
半導体工業を推進し、その可能性を広げる上でリソグラフィが基本技術であり続けている。クリティカルディメンション（ＣＤ）とオーバレイ（overlay）制御のための計測装置及び方法が、リソグラフィ基本技術の基本要素である。オーバレイとＣＤの制御が大きいフィールドサイズにわたって可能であることが、１００ｎｍ以下のリソグラフィにとって一大関心事であり続けるであろう。オーバレイに関する要求が、リソグラフィにおいて克服すべき最も困難な技術的問題の１つである。
【０００２】
オーバレイ誤差に関与する主たる要因は、ステージ、アライメントシステム及び歪み徴候である。誤差は、位置決めや回転の不精確さ等のステージ動作誤差又はウェーハアライメント誤差、及びレチクル誤差やカメラ倍率誤差等のフィールド誤差とに分けることができる。これらの誤差は修正可能である。糸巻き型歪曲又は樽型歪曲、三次フィールド誤差は修正できない。オーバレイ誤差は、与えられた露光ツールについて型通りに特徴づけられなければならない。オーバレイの基本成分は、アライメントターゲット検出能、ステージ位置決めの正確さ及び精度、及びオーバレイ操作プロセス層の露光に使用される２つのツールの間のレンズ歪曲の差である。
【０００３】
オーバレイ測定に使用される技術には、電気的試験、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）及び光学顕微鏡が含まれる。顕微鏡に干渉計を追加したコヒーレンスプローブ顕微鏡法（ＣＰＭ）により、屈折率及びトポグラフィの微細な差をピックアップできる位相ベースの測定が可能となる。これまでは、光学顕微鏡技術が最も優勢な測定技術であった。
【０００４】
オーバレイターゲットは、多くの場合、ボックス内ボックス（box-in-a-box）の変化である。各ボックスの中心を個別に計算し、相互の差を求める。計測ツールの中には、オーバレイ誤差を線幅測定値の組み合わせとして測定するものがある。コントラストを増大させるためには、ボックスの代わりにバーとフレームの組み合わせを使用することができ、これで、エッジを１つの代わりに２つ設けることによってターゲット周辺の構造を追加できることになる。この場合の欠点は、オーバレイに関する実際的標準が存在しないことである。それゆえ、特定のオーバレイターゲットに関する真の値が知られていない。製造施設 (fabs)の中には、横断面を周期的に調べ、又は電気的パラメータとの比較を行う場合があるが、しかしながら、これは時間消費型というだけでなく、生産現場で達成されるというよりはむしろ、特徴的な環境に分類される。
【０００５】
ターゲット位置を検出及び測定するために、きわめて平板化した金属層を使用することがかなりの挑戦となる場面において、アライメントターゲット検出は、ＣＭＰレベルの急増を伴う多くの露光ツールにとって大歓迎の技術となった。
【０００６】
従来の解決策の１つが、ボックス内ボックスのテストパターンを使用することである。この従来の解決策の詳細は、例えば、クリティカルディメンション計測・プロセス制御ハンドブックの中の“半導体パターンオーバレイ”と題する章（ＳＰＩＥ、ｖｏｌ．ＣＲ５２、１９９４年、１６０〜１８８ページ）に記述されている。
【０００７】
従来の解決策の欠点には、パターン化されたラインプロフィルの非対称、照明／撮像光学系の収差、及び個別のテストパターンイメージのサンプリングが含まれる。さらなる欠点には、研磨層についての、先行技術において乏しく且つ膜厚におけるコントラスト変化によって影響を受けやすい信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）、が含まれる。
【０００８】
従って、高速且つ融通性に富む、格子オーバレイパターン計測の方法及びシステムが要望されている。
（発明の要旨）
本発明は、テストパターンとして１組の回折格子を使用し、薄膜計測装置として分光楕円偏光計及び分光反射率計等を使用する。２つの連続する層におけるテストパターンのプロフィルを解析するのである。オーバレイ情報は、プロフィルデータ処理の後に得られる。本発明の第１の態様では、第１層マスクのクリアラインの中心に第２層マスクを置いたラインオンライン（line-on-line）のオーバレイ格子テストパターン構造を開示する。本発明の第２の態様では、第１マスクのダークラインの中心に第２層マスクを置いたラインインライン(line-in-line)のオーバレイ格子テストパターン構造を開示する。
【０００９】
本発明は、分光楕円偏光計又は分光反射率計を使用し、高精度の焦点光学システムを必要としないという点で有利である。その上、本発明は、少なくとも３０の反復構造を含むテストパターンについてのオーバレイ情報を提供する。例えば、１つの測定をベースにして、少なくとも３０サンプルにわたっての平均オーバレイ情報を提供する。しかも、本発明はさほど精密なウェーハステージを必要としないので、使用する計測装置は先行技術で使用されるものよりかなり安価である。
【００１０】
その他の構造及び方法は、以下の説明の中で開示する。この要旨は、本発明の範囲を限定することを目的とするものではない。本発明の範囲は、請求項によって限定される。
その他の構造及び方法は、以下の説明の中で開示する。この要旨は、本発明の範囲を限定することを目的とするものではない。本発明の範囲は、請求項によって限定される。
（発明の実施の形態）
図１は、格子Ａ１１、格子Ｂ１２、格子Ｃ１３及び格子Ｄ１４を備えたオーバレイパターン化格子１０の４つの方位を示す図である。本発明におけるパターン化格子の線の方位は、０度、９０度、−４５度及び４５度にある。格子Ａ１１は格子Ｂ１２と直交し、格子Ｃ１３は格子Ｄ１４と直交する。
【００１１】
格子Ａ１１では、オーバレイテストパターン線は水平に延び、矢印方向１５において検出される望ましいオフセットを伴う。格子Ｂ１２では、オーバレイテストパターン線は垂直に延び、矢印方向１６において検出される望ましいオフセットを伴う。格子Ｃ１３では、オーバレイテストパターン線は斜めに正の傾斜を持って延び、矢印方向１７において検出される望ましいオフセットを伴う。格子Ｄ１４では、オーバレイテストパターン線は斜めに負の傾斜を持って延び、矢印方向１８において検出される望ましいオフセットを伴う。１対の直交線は、どの方位についてもオーバレイ情報を提供することができる。その上、１対の直交線により、相異なるオーバレイ方位の要求に応じてウェーハのロード／アンロードを行う手間が回避できる。
【００１２】
マスクは、１回の露光でウェーハ全体に移転できるパターンを含むパターンツールである。フィールド（又はバックグラウンド）が不透明であれば、マスクはダークフィールド（又はネガティブ）ツールと呼ばれ、フィールドが透明であれば、マスクはクリアフィールド（又はポジティブ）ツールと呼ばれる。
【００１３】
図２Ａ−２Ｅは、ラインオンラインのオーバレイテスト構造を描くプロセス図である。ここでは、図解のためにポジティブマスクを使用する。図２Ａは、クリアライン２０ａ、２０ｃ、２０ｅ、２０ｇ及びダークライン２０ｂ、２０ｄ、２０ｆを有する第１層マスク２０を示す。ダークライン２０ｂ、２０ｄ、２０ｆは、クリアライン２０ａ、２０ｃ、２０ｅ、２０ｇより広幅である。図２Ｂは、リソグラフィ現像２１の後にフォトレジストがどのようにパターン化されたかを示す。フォトレジスト２１ａ、２１ｂ、２１ｃは、第１層マスク２０全体にわたってパターン化される。図２Ｃは、フォトレジストの下の材料がエッチングプロセス２２の後にどのようにパターン化されたかを示す（フォトレジストが除去されていることに注意）。図２Ｄは、クリアライン２３ａ、２３ｃ、２３ｅ、２３ｇ及びダークライン２３ｂ、２３ｄ、２３ｆを有する第２層マスク２３を示す。クリアライン２３ａ、２３ｃ、２３ｅ、２３ｇは、ダークライン２３ｂ、２３ｄ、２３ｆより広幅である。図２Ｅは、フォトレジストが先のパターン化層２４の上にパターン化されたところを示す。距離ｄ1２５は、第２マスクの第１ダークラインの左エッジから第１マスクの第１ダークラインの左エッジまでのギャップの大きさであり、距離ｄ2２６は、第２マスクの第１ダークラインの右エッジから第１マスクの第１ダークラインの右エッジまでのギャップの大きさである。
【００１４】
第２のリソグラフィプロセスと第１のエッチングプロセスの間に何らかの材料層があってよい。例えば図３Ａ−３Ｄは、ラインオンラインのオーバレイパターン化格子において１つ以上の層を追加する様々な例を示すプロセス図である。図３Ａは、第１のエッチングプロセス３０ａと第２のリソグラフィプロセス３０ｂを伴った一般構造図３０を示している。図３Ｂの第１タイプの構造図３１では、材料層３１ａが第１のエッチングプロセス３０ａと第２のリソグラフィプロセス３０ｂの間に挿入される。図３Ｃの第２タイプの構造図３２では、材料層３２ａが第１のエッチングプロセス３０ａと第２のリソグラフィプロセス３０ｂの間に置かれる。図３Ｄの第３タイプの構造図３３では、２つの材料層３３ａ及び３３ｂが第１のエッチングプロセス３０ａと第２のリソグラフィプロセス３０ｂの間に置かれる。
【００１５】
図４Ａ−４Ｅは、ラインインラインのオーバレイテスト構造を描くプロセス図である。ここでは、図解のためにポジティブマスクを使用する。図４Ａは、クリアライン４０ａ、４０ｃ、４０ｅ、４０ｇ及びダークライン４０ｂ、４０ｄ、４０ｆを有する第１層マスク４０を示す。ダークライン４０ｂ、４０ｄ、４０ｆは、クリアライン４０ａ、４０ｃ、４０ｅ、４０ｇより細幅である。図４Ｂは、リソグラフィ現像４１の後にフォトレジストがどのようにパターン化されたかを示す。フォトレジスト４１ａは、第１層マスク４０全体にわたってパターン化される。図４Ｃは、フォトレジストの下の材料がエッチングプロセス４２の後にどのようにパターン化されたかを示す（フォトレジストが除去されていることに注意）。図４Ｄは、ダークライン４３ａ、４３ｃ、４３ｅ及びクリアライン４３ｂ、４３ｄを有する第２層マスク４３を示す。ダークライン４３ａ、４３ｃ、４３ｅは、クリアライン４３ｂ、４３ｄより広幅である。図４Ｅは、フォトレジストが先のパターン化層４４の上にどのようにパターン化されたかを示す。距離Ｘ1４５は、第２マスクの第１クリアライン４３ｂの左エッジから第１マスクの第２クリアライン４０ｃの左エッジまでのギャップの大きさであり、距離Ｘ2４６は、第２マスクの第１クリアライン４３ｂの右エッジから第１マスクの第２クリアライン４０ｃの右エッジまでのギャップの大きさである。
【００１６】
第２のリソグラフィプロセスと第１のエッチングプロセスの間に何らかの材料層があってよい。例えば図５Ａ−５Ｄは、ラインインラインのオーバレイパターン化格子において１つ以上の層を追加する様々な例を示すプロセス図である。図５Ａは、第１のエッチングプロセス５０ａと第２のリソグラフィプロセス５０ｂを伴った一般構造図５０を示している。図５Ｂの第１タイプの構造図５１では、材料層５１ａが第１のエッチングプロセス５０ａと第２のリソグラフィプロセス５０ｂの間に挿入される。図５Ｃの第２タイプの構造図５２では、材料層５２ａが第１のエッチングプロセス５０ａと第２のリソグラフィプロセス５０ｂの間に置かれる。図５Ｄの第５タイプの構造図５５では、２つの材料層５３ａ及び５３ｂが第１のエッチングプロセス５０ａと第２のリソグラフィプロセス５０ｂの間に置かれる。
【００１７】
パターン化格子ライン１０の方位によってもたらされる利点は次の通りである。第１に、分光反射率計法においては、ウェーハを取り替える必要がない。相異なる方位角で得られたオーバレイ結果を使ってランダム誤差を減少させることができる。第２に、分光楕円偏光計法においては、−４５度及び４５度からの情報が、オーバレイ計測目的のために最小限必要な完全データを提供し、ウェーハをロードし直す必要がない。さらに、０度又は９０度からの情報が最も正確なオーバレイデータを提供する。
【００１８】
方位毎に、本発明では、“ラインインライン”テストパターン及び“ラインオンライン”テストパターンと呼ぶ２つのテストパターンを使用する。以下、これについて理論的に考察する。
【００１９】
二次元又は三次元の完全な周期的プロフィルは、分光楕円偏光計法、分光反射率計法等の光学技術から得られる位相情報及び／又は強度情報を使って測定することができる。この点は、出願番号６０／４７４，０５１を有し、出典を明示することによって本願の一部とされる、“３以上の材料による周期的な層を伴った、２次元及び３次元のサブミクロンの周期的特長のための光学プロファイル法”の名称を有する同時係属中の特許出願において述べられている。
【００２０】
上に述べたコンセプトを支持すべくシミュレーションを行う。全ての例において、本発明による方法を使って１０ｎｍのオーバレイ誤差を検出できることを示す。図６は、ラインインライン構造６０の第１の例を描くプロセス図である。レジスト６１が、ポリシリコン（polySi）６２とポリシリコン６３の間に位置する。ポリシリコン６２の左エッジからポリシリコン６３の左エッジまでのピッチは、６００ｎｍである。ｘ1＝１５０及びｘ2＝１５０のとき、レジスト６１は、ポリシリコン６２とポリシリコン６３の間の中心に位置決めされることになる。レジスト６１が左へ５ｎｍ移動すると、ｘ1＝１４５及びｘ2＝１５５となる。もしくは、レジスト６１が右へ５ｎｍ移動すると、ｘ1＝１５５及びｘ2＝１４５となる。図７Ａ−７Ｂは、楕円偏光計を使って測定された図６のラインインライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【００２１】
図８は、ラインインライン構造８０の第２の例を描くプロセス図である。この例では、レジスト６１を配置する前に、誘電層８１及び８２をポリシリコン６２とポリシリコン６３の間に挿入し、続けてＣＭＰ（化学的機械的研磨）平坦化を行う。これで、ポリシリコン６２及びポリシリコン６３のエッジは誘電層８１及び８２の挿入の結果もはや検出できなくなるが、本発明によれば、オーバレイは、エッジの検出に左右されることなく、依然検出可能である。図９Ａ−９Ｂは、楕円偏光計を使って測定された図８のラインインライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【００２２】
図１０は、距離ｄ1１０１及び距離ｄ2１０２を有するラインオンライン構造１００の第１の例を描くプロセス図である。図１１Ａ−１１Ｂは、本発明にしたがって楕円偏光計を使って測定された図１０のラインオンライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【００２３】
図１２は、誘電層１２１及び１２２を有するラインオンライン構造１２０の第２の例を描くプロセス図である。図１３Ａ−１３Ｂは、本発明にしたがって楕円偏光計を使って測定された図１２のラインオンライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【００２４】
ラインインラインのオーバレイ及びラインオンラインのオーバレイの測定結果は、単独波長可変入射角光学測定装置（single wavelength variable incident angle optical metrology equipment）に適用することができる。加えて、ラインインラインのオーバレイ及びラインオンラインのオーバレイの測定結果は、単独波長可変入射角光学測定装置と多重波長固定入射角光学測定装置（multiple wavelength fixed incident angle optical metrology equipment）を組み合わせたどんな装置にも適用することができる。その上、ラインインラインのオーバレイ及びラインオンライン・オーバレイの測定結果は、多重波長多重入射角光学測定装置（multiple wavelength multiple incident angle optical metrology equipment）に適用することができる。
【００２５】
上記実施例は、単に本発明の原理を例示したものであり、本発明を記述した特定の実施例だけに限ることを目的としたものではない。従って、記述した実施例の様々な変更、改変及び組み合わせを、請求項に記載の通りの本発明の範囲から逸脱することなく実践することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明によるオーバレイパターン化格子線の４つの方位を描く図である。
【図２Ａ】
本発明によるラインオンラインのオーバレイパターン化格子を描くプロセス図である。
【図２Ｂ】
本発明によるラインオンラインのオーバレイパターン化格子を描くプロセス図である。
【図２Ｃ】
本発明によるラインオンラインのオーバレイパターン化格子を描くプロセス図である。
【図２Ｄ】
本発明によるラインオンラインのオーバレイパターン化格子を描くプロセス図である。
【図２Ｅ】
本発明によるラインオンラインのオーバレイパターン化格子を描くプロセス図である。
【図３Ａ】
本発明によるラインオンラインのオーバレイパターン化格子において１つ以上の層を追加する様々な例を示すプロセス図である。
【図３Ｂ】
本発明によるラインオンラインのオーバレイパターン化格子において１つ以上の層を追加する様々な例を示すプロセス図である。
【図３Ｃ】
本発明によるラインオンラインのオーバレイパターン化格子において１つ以上の層を追加する様々な例を示すプロセス図である。
【図３Ｄ】
本発明によるラインオンラインのオーバレイパターン化格子において１つ以上の層を追加する様々な例を示すプロセス図である。
【図４Ａ】
本発明によるラインインラインのオーバレイパターン化格子を描くプロセス図である。
【図４Ｂ】
本発明によるラインインラインのオーバレイパターン化格子を描くプロセス図である。
【図４Ｃ】
本発明によるラインインラインのオーバレイパターン化格子を描くプロセス図である。
【図４Ｄ】
本発明によるラインインラインのオーバレイパターン化格子を描くプロセス図である。
【図４Ｅ】
本発明によるラインインラインのオーバレイパターン化格子を描くプロセス図である。
【図５Ａ】
本発明によるラインインラインのオーバレイパターン化格子において１つ以上の層を追加する様々な例を示すプロセス図である。
【図５Ｂ】
本発明によるラインインラインのオーバレイパターン化格子において１つ以上の層を追加する様々な例を示すプロセス図である。
【図５Ｃ】
本発明によるラインインラインのオーバレイパターン化格子において１つ以上の層を追加する様々な例を示すプロセス図である。
【図５Ｄ】
本発明によるラインインラインのオーバレイパターン化格子において１つ以上の層を追加する様々な例を示すプロセス図である。
【図６】
本発明によるラインインライン構造の第１の例を描くプロセス図である。
【図７Ａ】
本発明による楕円偏光計を使って測定された図６のラインインライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【図７Ｂ】
本発明による楕円偏光計を使って測定された図６のラインインライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【図８】
本発明によるラインインライン構造の第２の例を描くプロセス図である。
【図９Ａ】
本発明による楕円偏光計を使って測定された図８のラインインライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【図９Ｂ】
本発明による楕円偏光計を使って測定された図８のラインインライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【図１０】
本発明によるラインオンライン構造の第１の例を描くプロセス図である。
【図１１Ａ】
本発明による楕円偏光計を使って測定された図１０のラインオンライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【図１１Ｂ】
本発明による楕円偏光計を使って測定された図１０のラインオンライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【図１２】
本発明によるラインオンライン構造の第２の例を描くプロセス図である。
【図１３Ａ】
本発明による楕円偏光計を使って測定された図１２のラインオンライン構造のオーバレイを表すグラフである。
【図１３Ｂ】
本発明による楕円偏光計を使って測定された図１２のラインオンライン構造のオーバレイを表すグラフである。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2004519716.tif 000001