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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク噴射エネルギーを発生させるインク噴射エネルギー発生素子を備えた第１の板状部材と、前記第１の板状部材に接合され、前記インク噴射エネルギー発生素子に対向する位置にインクが通る溝を備えた第２の板状部材とにより構成されるインクジェットヘッドにおいて、前記第２の板状部材が下記化学式１で表わされる骨格を有するエポキシ樹脂と充填剤とを混合した混合物により形成されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
【化１】
1999268268.tif 000001
但し、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基又はハロゲン原子を示す。
【請求項２】
前記第２の板状部材は圧縮成形法により形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッド。
【請求項３】
前記充填剤として、非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、珪酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベスト又はガラス繊維のいずれか１種又は２種以上を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のインクジェットヘッド。
【請求項４】
前記非晶性シリカは、溶融シリカであることを特徴とする請求項３に記載のインクジェットヘッド。
【請求項５】
前記インク噴射エネルギー発生素子は、圧電効果によりインク噴射エネルギーを発生させる素子であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッド。
【請求項６】
前記インク噴射エネルギー発生素子は、電気により発熱してインクに気泡を発生させる素子であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッド。
【請求項７】
前記第２の板状部材の２５℃における線膨張係数が０．５×１０-5／℃以上、１．２×１０-5／℃以下であり、
前記第２の板状部材の密度が２．００ｇ／ｃｍ3 以上、２．０４ｇ／ｃｍ3 以下であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッド。
【請求項８】
前記混合物中の前記充填剤のうち粒形状の充填剤の粒径が７５μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載のインクジェットヘッド。
【請求項９】
インク噴射エネルギーを発生するインク噴射エネルギー発生素子を備えた第１の板状部材を用意する工程と、下記化学式２で表わされる骨格を有するエポキシ樹脂と充填剤とを混合して混合物とし、この混合物を成形加工して、インクが通る溝を備えた第２の板状部材を形成する工程と、前記インク噴射エネルギー発生素子と前記溝とを位置合わせして前記第１の板状部材と前記第２の板状部材とを接合する工程とを有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【化２】
1999268268.tif 000002
但し、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基又はハロゲン原子を示す。
【請求項１０】
前記充填剤として、非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、珪酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベスト又はガラス繊維のいずれか１種又は２種以上を使用することを特徴とする請求項９に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第２の板状部材を形成する工程において、前記混合物からペレットを形成し、圧縮成形装置により該ペレットを圧縮成形して前記第２の板状部材を形成することを特徴とする請求項９に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記圧縮成形装置の金型として、キャビティから押し出された樹脂が入る空間が設けられた金型を使用することを特徴とする請求項１１に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記混合物に硬化剤を添加することを特徴とする請求項９に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記硬化剤は、フェノール系化合物であることを特徴とする請求項１３に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記混合物中の前記充填剤の含有量が８８ｗｔ％以上、９７ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項９に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１６】
前記混合物に離型剤を添加することを特徴とする請求項９に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記混合物に着色剤を添加することを特徴とする請求項９に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記混合物にカップリング剤を添加することを特徴とする請求項９に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生部に磁気抵抗効果、巨大磁気抵抗効果、トンネル磁気抵抗効果等の効果を有する磁気抵抗効果膜を用いた再生ヘッドの製造方法であって、
一対の電極および所定のトラック幅を有し、上記トラック幅は０．２４μｍ以下であり、
上記トラック幅の形成方法に、位相シフト法を用い、
前記位相シフト法は、上記電極に対応した一対のレチクルパターンを用い、上記レチクルパターンが、露光時に一方のレチクルパターンを透過する光の位相が他方のレチクルパターンを透過する光の位相と反転する構成になっており、上記トラック幅に対応する上記一対のレチクルパターンの間隔がゼロであることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
上記磁気抵抗効果膜に、上記電極が一部乗り上げた構造になっており、トラック幅が実質的に上記電極の間隔で定義されることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
上記超解像技術による露光に用いる光が、水銀ランプのｉ線またはエキシマレーザ光であり、特にＫｒＦまたはＡｒＦエキシマレーザであることを特徴とする請求項１又は２のいずれか記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感知すべき外部磁界に対して実質的にその磁化方向が固定された強磁性層と感知すべき外部磁界に応じてその磁化が回転できる軟磁性層とが非磁性中間層を介して積層されたスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドにおいて、
前記軟磁性自由層上に非磁性分離層を介して単磁区化強磁性層が形成され、
前記非磁性分離層を介して前記軟磁性自由層と前記単磁区化強磁性層とがトラック幅端部で静磁気的に結合して閉磁路を形成することで前記単磁区化強磁性層は感知すべき磁界に対して略直行した方向に実質的に固定された磁化を有するように前記軟磁性自由層を単磁区化することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
強磁性固定層と非磁性中間層と軟磁性自由層と非磁性分離層と単磁区化強磁性とがこの順に積層されたスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を有し、
前記非磁性分離層を介して前記軟磁性自由層と前記単磁区化強磁性層とが面内で実質的に強磁性的または反強磁性的な結合を有さず、トラック幅端部で前記単磁区化強磁性層の磁化と軟磁性自由層の磁化とが静磁気的に結合して閉磁路を形成しており、
前記軟磁性自由層は感知すべき磁界に対して略直行した方向に実質的に固定された磁化を有して単磁区化され、前記強磁性固定層が感知すべき磁界に対して実質的にその磁化方向が固定され、外部の磁界に応じて前記軟磁性自由層の磁化が回転し、前記軟磁性自由層の磁化と前記強磁性固定層の磁化との相対角度が変わって磁気抵抗効果素子に磁気抵抗変化が生じ、一対の電極により磁気抵抗変化を検出することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
前記強磁性固定層と、反強磁性膜あるいは硬磁性層膜とが積層されて交換結合することにより、前記強磁性固定層へバイアス磁界が印加され感知すべき磁界に対して略直行した方向に着磁されていることを特徴とする請求項１乃至２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記単磁区化強磁性層は硬磁性膜からなり、前記硬磁性膜が感知すべき磁界に対して略直行した方向に着磁されてなることを特徴とする請求項１乃至３記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記単磁区化強磁性層は硬磁性膜と軟磁性緩衝層との間に結合膜を介して強磁性的もしくは反強磁性的な結合を有する積層膜からなり、前記硬磁性膜の磁化および前記軟磁性緩衝層の磁化が感知すべき磁界に対して略直行した方向に着磁されてなることを特徴とする請求項１乃至３記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記単磁区化強磁性層は、Ｆｅ，Ｃｏ，ＮｉまたはＭｎを含む酸化物からなる硬磁性膜を有することを特徴とする請求項1乃至５記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記単磁区化強磁性層は、酸化物と強磁性金属との混合体からなる硬磁性膜を有することを特徴とする請求項１乃至５記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記非磁性分離層が、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗおよびこれらの酸化物からなることを特徴とする請求項1乃至７記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
上記非磁性分離層が、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗの少なくとも一つを含む層あるいはこれらを含む層の積層体と酸化物からなる層との積層体、またはＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗの少なくとも一つと酸化物とを有する混合体からなることを特徴とする請求項１乃至７記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
感知すべき外部磁界に対して実質的にその磁化方向が固定された強磁性層と感知すべき外部磁界に応じてその磁化が回転できる軟磁性層とが非磁性中間層を介して積層されたスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドにおいて、
前記軟磁性自由層上に非磁性分離層を介して単磁区化強磁性層が形成され、
前記非磁性分離層を介して前記軟磁性自由層と前記単磁区化強磁性層とがトラック幅端部で静磁気的に結合して閉磁路を形成することで前記単磁区化強磁性層は感知すべき磁界に対して略直行した方向に実質的に固定された磁化を有するように前記軟磁性自由層を単磁区化し、
前記単磁区化強磁性層は、半導体と強磁性金属との混合体からなる硬磁性膜を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１１】
強磁性固定層と非磁性中間層と軟磁性自由層と非磁性分離層と単磁区化強磁性とがこの順に積層されたスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を有し、
前記非磁性分離層を介して前記軟磁性自由層と前記単磁区化強磁性層とが面内で実質的に強磁性的または反強磁性的な結合を有さず、トラック幅端部で前記単磁区化強磁性層の磁化と軟磁性自由層の磁化とが静磁気的に結合して閉磁路を形成しており、
前記軟磁性自由層は感知すべき磁界に対して略直行した方向に実質的に固定された磁化を有して単磁区化され、前記強磁性固定層が感知すべき磁界に対して実質的にその磁化方向が固定され、外部の磁界に応じて前記軟磁性自由層の磁化が回転し、前記軟磁性自由層の磁化と前記強磁性固定層の磁化との相対角度が変わって磁気抵抗効果素子に磁気抵抗変化が生じ、一対の電極により磁気抵抗変化を検出し、
前記単磁区化強磁性層は、半導体と強磁性金属との混合体からなる硬磁性膜を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記強磁性固定層と、反強磁性膜あるいは硬磁性層膜とが積層されて交換結合することにより、前記強磁性固定層へバイアス磁界が印加され感知すべき磁界に対して略直行した方向に着磁されていることを特徴とする請求項１０又は１１記載の磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記単磁区化強磁性層は硬磁性膜と軟磁性緩衝層との間に結合膜を介して強磁性的もしくは反強磁性的な結合を有する積層膜からなり、前記硬磁性膜の磁化および前記軟磁性緩衝層の磁化が感知すべき磁界に対して略直行した方向に着磁されてなることを特徴とする請求項１０乃至１２記載の磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記非磁性分離層が、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗおよびこれらの酸化物からなることを特徴とする請求項1０乃至１３記載の磁気ヘッド。
【請求項１５】
上記非磁性分離層が、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗの少なくとも一つを含む層あるいはこれらを含む層の積層体と酸化物からなる層との積層体、またはＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｏｓ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗの少なくとも一つと酸化物とを有する混合体からなることを特徴とする請求項１乃至１３記載の磁気ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に保持される電解質と、を有する単位電池が複数積層され、前記複数の単位電池の積層方向の両端側にそれぞれに設置された一対のエンドプレートにより、前記複数の単位電池が挟持された構造を有する燃料電池を収容する燃料電池収容ケースであって、
一方の前記エンドプレートの下面の一方の端部を保持する第１の保持部と、
一方の前記エンドプレートの下面の他方の端部を保持する第２の保持部と、
他方の前記エンドプレートの下面の中心部を保持する第３の保持部と、
を備え、
前記３つの保持部により、前記燃料電池を保持することを特徴とする燃料電池収容ケース。
【請求項２】
前記第３の保持部の位置を含み、前記積層方向と垂直な方向の底面部分を補強する補強材をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池収容ケース。
【請求項３】
アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に保持される電解質と、を有する単位電池が複数積層され、前記複数の単位電池の積層方向の両端側にそれぞれに設置された一対のエンドプレートにより、前記複数の単位電池が挟持された構造を有する燃料電池を収容する燃料電池収容ケースであって、
一方の前記エンドプレートの下面を保持する第１および第２の保持部と、
他方のエンドプレートの下面を保持する第３の保持部と、
を備え、前記３つの保持部により、前記燃料電池を保持することを特徴とする燃料電池収容ケース。
【請求項４】
アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に保持される電解質と、を有する単位電池が複数積層され、前記複数の単位電池の積層方向の両端側にそれぞれに設置された一対のエンドプレートを介して保持される燃料電池であって、
一方のエンドプレートが第１の保持部により保持され、
他方のエンドプレートのうち互いに離間した２点のそれぞれが第２および第３の保持部にて保持され、前記３つの保持部により保持されることを特徴とする燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の燃料電池収容ケースは、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に保持される電解質と、を有する単位電池が複数積層され、前記複数の単位電池の積層方向の両端側にそれぞれに設置された一対のエンドプレートにより、前記複数の単位電池が挟持された構造を有する燃料電池を収容する燃料電池収容ケースであって、一方の前記エンドプレートの下面の一方の端部を保持する第１の保持部と、一方の前記エンドプレートの下面の他方の端部を保持する第２の保持部と、他方の前記エンドプレートの下面の中心部を保持する第３の保持部と、を備え、前記３つの保持部により、前記燃料電池を保持する。
また、本発明の燃料電池収容ケースは、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に保持される電解質と、を有する単位電池が複数積層され、前記複数の単位電池の積層方向の両端側にそれぞれに設置された一対のエンドプレートにより、前記複数の単位電池が挟持された構造を有する燃料電池を収容する燃料電池収容ケースであって、一方の前記エンドプレートの下面を保持する第１および第２の保持部と、他方のエンドプレートの下面を保持する第３の保持部と、を備え、前記３つの保持部により、前記燃料電池を保持することを特徴とする。
また、本発明の燃料電池は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に保持される電解質と、を有する単位電池が複数積層され、前記複数の単位電池の積層方向の両端側にそれぞれに設置された一対のエンドプレートを介して保持される燃料電池であって、一方のエンドプレートが第１の保持部により保持され、他方のエンドプレートのうち互いに離間した２点のそれぞれが第２および第３の保持部にて保持され、前記３つの保持部により保持されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルと
前記複数のメモリセルを選択する複数のワード線と、
前記複数のワード線と直交するように配置され、前記複数のメモリセルから信号が読み出される複数のデータ線とを有し、
前記複数のメモリセルの各々は、
磁気抵抗素子と、
バイポーラトランジスタとを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記磁気抵抗素子は、
磁化の向きが固定された強磁性体からなる固定層と、
トンネル絶縁膜と、
磁化の向きが書き込み動作により反転可能な強磁性体からなる自由層とが積層されてなり、
前記自由層の磁化の向きにより、メモリセルの情報を記憶することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記バイポーラトランジスタのコレクタが、データ線に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記磁気抵抗素子の一端が、ワード線に接続され、他端が前記バイポーラトランジスタのベースに接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、さらに、
前記複数のデータ線と並行に、複数の書き込みデータ線を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の方向に延在するワード線と、
前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する第１データ線と、
前記第２の方向に延在する第２データ線と、
前記ワード線と前記第１及び第２データ線との交点に設けられたメモリセルとを具備し、
前記第１データ線は、前記メモリセルに情報を書き込むためのデータ線であり、
前記第２データ線は、前記メモリセルから情報を読み出すためのデータ線であり、
前記メモリセルは、ＭＴＪ素子を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
駆動系４０は、揺動アーム３１，３２の各基端部３１Ｃ，３２Ｃの外周に形成されたアームギア４１，４２、これらのアームギア４１，４２を互いに連結して反対方向に回転させる２つの同期ギア４３，４４、正逆両方向に回転自在として回転駆動力を発生する駆動モータＭ、ならびに駆動モータＭからの回転駆動力を減速しつつ一方の同期ギア４３へと伝える減速ギア列としてのベルト４５、プーリギア４６、２つの減速ギア４７，４８などにより構成される。特に図３を参照して説明すると、駆動系４０においては、駆動モータＭが時計回りに回転すると、ベルト４５を介してプーリギア４６が同じく時計回りに回転し、このプーリギア４６と噛み合う減速ギア４７が反時計回りに回転し、この減速ギア４７と噛み合う他方の減速ギア４８が時計回りに回転し、この減速ギア４８と噛み合う左側の同期ギア４３が反時計回りに回転し、この同期ギア４３とアームギア４１が噛み合うことで左側の揺動アーム３１が時計回りに回転する。これと同時に、右側の同期ギア４４は、左側の同期ギア４３と噛み合うことで時計回りに回転し、この同期ギア４４とアームギア４２が噛み合うことで右側の揺動アーム３２が反時計回りに回転するように設計されている。もちろん、駆動モータＭが反時計回りに回転する場合には、上記とは逆方向として左右両側の揺動アーム３１，３２が同時に回転することとなる。なお、駆動モータＭの回転方向は、スライドドア１０の移動停止位置を検出するスイッチ（図示省略）などからの信号に応じて切り替えられる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
駆動系６０は、先の実施形態と一部一致するが、揺動アーム３１，３２の各基端部３１Ｃ，３２Ｃの外周に形成されたアームギア６１，６２、これらのアームギア６１，６２を互いに連結して反対方向に回転させる２つの同期ギア６３，６４、正逆両方向に回転自在として回転駆動力を発生する駆動モータＭ、ならびに駆動モータＭからの回転駆動力を減速しつつ一方のアームギア６１へと伝える減速ギア列としてのベルト４５、プーリギア４６、２つの減速ギア４７，４８などにより構成される。さらに具体的に説明すると、駆動系６０においては、駆動モータＭが反時計回りに回転すると、ベルト４５を介してプーリギア４６が同じく反時計回りに回転し、このプーリギア４６と噛み合う減速ギア４７が時計回りに回転し、この減速ギア４７と噛み合う他方の減速ギア４８が反時計回りに回転し、この減速ギア４８と左側のアームギア６１とが噛み合うことにより、左側の揺動アーム３２が時計回りに回転する。これと同時に、アームギア６１に噛み合う左側の同期ギア６３が反時計回りに回転し、この同期ギア６３と噛み合う右側の同期ギア６４が時計回りに回転し、さらにこの同期ギア６４と右側のアームギア６２とが噛み合うことにより、右側の揺動アーム３２が反時計回りに回転するように設計されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
したがって、他の実施形態によるスライドドア移動機構によれば、図８ないし図１０に明らかに示すように、２つの揺動アーム３１，３２が互いに干渉することなく回転可能とされ、先の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状の記録媒体を挿脱自在に内包し、
該記録媒体に対して記録再生を行なうための第１の開口部を有する第１のケース本体と、
前記記録媒体に対して記録再生を行なうための第２の開口部を有する第２のケース本体とを備え、
前記第１及び第２の開口部の幅を該記録媒体の中心側より外周側で広くなるようにし、
前記第１及び第２の開口部の位置を略合致させるように配置し、
前記第１及び該第２の開口部にて該記録媒体を常に外部に露出させると共に、記録媒体と略平行な面に投影される該第１のケース本体および第２のケース本体の外形は、対向して設けた略平行な１対の直線部の夫々の端部に前記記録媒体の半径より大きな半径の円弧部を繋げる構成とすることを特徴とするディスクケース。
【請求項２】
請求項１記載のディスクケースにおいて、
前記１対の直線部の間隔を、外形で対向する他の部分の間隔よりも小さくすることを特徴とするディスクケース。
【請求項３】
請求項２記載のディスクケースにおいて、
前記第１のケース本体および第２のケース本体の外形の内、前記第１及び該第２の開口部の周囲を成す部分を、前記第１のケース本体および第２のケース本体の他の外形を成す部分よりも厚さ方向で内側に凹ませることを特徴とするディスクケース。
【請求項４】
ディスク状の記録媒体を挿脱自在に内包し、
該記録媒体に対して記録再生を行なうための第１の開口部を有する第１のケース本体と、
前記記録媒体に対して記録再生を行なうための第２の開口部を有する第２のケース本体とを備え、
前記第１及び第２の開口部の位置を略合致させるように配置し、
前記第１及び第２の開口部にて前記記録媒体を常に外部に露出させると共に、記録媒体と略平行な面に投影される前記第１のケース本体および第２のケース本体の外形は、対向して設けた略平行な１対の直線部の夫々の端部に前記記録媒体の半径より大きな半径の円弧部を繋げる構成とすることを特徴とするディスクケース。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流引き込みの有無又は大小によりデータを記憶するメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
このメモリセルアレイの読み出しデータが転送される複数のセンス線と、
データ検出のための参照電位が与えられて、前記複数のセンス線でのデータ検出に共通に用いられる参照センス線と、
前記複数のセンス線と前記参照センス線との間の電位差を検出して読み出しデータを検出する複数のセンスアンプと、
を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
電流引き込みの有無又は大小によりデータを記憶するメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
このメモリセルアレイの読み出しデータが転送される複数のセンス線と、
データ検出のための参照電位が与えられて、前記複数のセンス線でのデータ検出に共通に用いられる参照センス線と、
前記複数のセンス線と前記参照センス線との間の電位差を検出して読み出しデータを判定する複数のセンスアンプと、
前記複数のセンス線と前記参照センス線との間を選択的に短絡するための複数のイコライズ回路と、
を備えことを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項３】
前記各イコライズ回路は、一端がそれぞれ前記センス線と参照センス線に接続され、他端が共通接続された第１及び第２のＭＩＳＦＥＴを有し、前記センス線側の第１のＭＩＳＦＥＴのゲート面積が前記参照センス線側の第２のＭＩＳＦＥＴのそれより大きく設定されている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体メモリ装置。
【請求項４】
電流引き込みの有無又は大小によりデータを記憶するメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
このメモリセルアレイの読み出しデータが転送されるセンス線と、
データ検出のための参照電位が与えられる参照センス線と、
前記センス線と前記参照センス線との間の電位差を検出して読み出しデータを判定するセンスアンプと、
前記センス線と参照センス線との間に設けられた、前記センス線と参照センス線との間を選択的に短絡するためのイコライズ用ＭＩＳＦＥＴと、
このイコライズ用ＭＩＳＦＥＴと前記センス線及び参照センス線との間に介在させた抵抗と、
を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項５】
電流引き込みの有無又は大小によりデータを記憶するメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
このメモリセルアレイの読み出しデータが転送されるセンス線と、
データ検出のための参照電位が与えられる参照センス線と、
前記センス線と前記参照センス線との間の電位差を検出して読み出しデータを判定するセンスアンプと、
前記センス線と参照センス線との間に設けられた、前記センス線と参照センス線との間を選択的に短絡するためのＣＭＯＳトランスファゲートからなるイコライズ回路と、
基準タイミング信号に基づいて、前記ＣＭＯＳトランスファゲートのｎチャネル側ゲート及びｐチャネル側ゲートを駆動するための相補関係にある第１及び第２のイコライズ信号を同じ論理ゲート段数で発生させるタイミングコントロール回路と、
を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項６】
前記メモリセルは、電荷蓄積層と制御ゲートが積層されたＭＩＳＦＥＴ構造を持つ、電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルである
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上記排気通路13ｂ並びに露光台12の複数の排気通路12ｂは、配管18を介して例えば真空ポンプ等の空気吸引手段19に連通されている。この空気吸引手段19は上記配管18およびフォトマスク保持部材13とともに、露光台12に保持された基板10上のフォトレジスト11にフォトマスク14を押し当てて密着させる手段を構成している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内面に蛍光体被膜を形成し、内径がφ１〜φ４ｍｍのガラスバルブ内に放電媒体を封入すると共に、前記ガラスバルブの内周面との間に隙間を形成して両端内側に１対の円筒状冷陰極を対向配置し封着してなる冷陰極蛍光ランプにおいて、
前記円筒状冷陰極の外周面にＣｓ化合物からなるエキソ電子放射性物質を形成し、かつ円筒状冷陰極の外周面と円筒状冷陰極の外周面の隙間をｈとするとき該隙間ｈを０＜ｈ≦０．１５ｍｍに形成してなることを特徴とする冷陰極蛍光ランプ。
【請求項２】  上記エキソ電子放射性物質よりなる金属膜の形成量は、０．１〜１．２ｍｇであることを特徴とする請求項１記載の冷陰極蛍光ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、内面に蛍光体被膜を形成し、内径がφ１〜φ４ｍｍのガラスバルブ内に放電媒体を封入すると共に、前記ガラスバルブの内周面との間に隙間を形成して両端内側に１対の円筒状冷陰極を対向配置し封着してなる冷陰極蛍光ランプにおいて、前記円筒状冷陰極の外周面にＣｓ化合物からなるエキソ電子放射性物質を形成し、かつ円筒状冷陰極の外周面と円筒状冷陰極の外周面の隙間をｈとするとき該隙間ｈを０＜ｈ≦０．１５ｍｍに形成してなることを特徴とする。
本発明のうち請求項２記載の発明は、エキソ電子放射性物質よりなる金属膜の形成量は、０．１〜１．２ｍｇであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月30日(2004.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと移動テーブルを備え，該移動テーブルが、該移動テーブルに備えた３つのパッドにより該ベース上の水平面と滑り接触する試料ステージにおいて、
該パッドのうちの２つ、すなわちパッドAとパッドBが、該移動テーブルの移動方向に対し平行に位置するように配列され、該パッドの残りのひとつ、すなわちパッドCに近接した位置に該ベースに固定された垂直滑り案内面を設け、該移動テーブルが、該移動テーブルに備えた別の２つのパッド、すなわちパッドDおよびパッドEにより該垂直滑り案内面に滑り接触することを特徴とする試料ステージ。
【請求項２】
ベースと移動テーブルを備え，該ベース上に２本の水平滑り案内面、すなわち水平滑り案内面Aおよび水平滑り案内面Bを備え、該水平滑り案内面Aに近接した位置に垂直滑り案内面を備えた試料ステージにおいて、該移動テーブルが、
（１）該移動テーブルに固定された２つのパッドAおよびBにより該水平滑り案内面Bと滑り接触し、
（２）該移動テーブルに固定された１つのパッドCにより該水平滑り案内面Aと滑り接触し、
（３）該移動テーブルに固定された２つのパッドDおよびEにより該垂直滑り案内面と滑り接触する、ことを特徴とする試料ステージ。
【請求項３】
上記請求項１または請求項２に記載の試料ステージにおいて、（１）該パッドD、（２）パッドC、および（３）パッドEが、該移動テーブルの移動方向に関し、この記載順に配列されていることを特徴とする試料ステージ。
【請求項４】
上記請求項１、請求項２または請求項３に記載の試料ステージにおいて、送りナットが横ずれ吸収機構を介して移動テーブルに締結されていることを特徴とする試料ステージ。
【請求項５】
２つの１軸の試料ステージを積み重ね、下の試料ステージの移動テーブルを上のベースと一体化したＸＹステージにおいて、下の試料ステージが上記請求項１、請求項２、請求項３または請求項４の特徴を備えることを特徴とするＸＹステージ。
【請求項６】
互いに平行に配置された２つの水平案内面と、該水平案内面AまたはBのいずれか一方に近接して設けられた垂直滑り案内面とを備えたベースと、該ベース上に配置された移動テーブルとを備え、
前記移動テーブルは、前記垂直案内面に対して滑り接触するための２つのパッドと、該垂直案内面に近接した方の水平案内面に対して滑り接触するための１つのパッドと、前記垂直案内面に近接しない方の水平案内面に対して滑り接触するための２つのパッドとを備えたことを特徴とする試料ステージ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、オゾンガス雰囲気中で、シリコンとIII族元素又はIV族元素とを含む絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記基板表面に供給される上記オゾンの分子数は、上記基板表面に供給される上記シリコンの原子数と同じかそれより多いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記絶縁膜は、非晶質金属シリケートであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記オゾンの分子数は、上記シリコンの原子数の５倍以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記蒸着は、上記基板の温度を３００℃以下として行なうことを特徴とする請求項１から３の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に、それぞれ組成の異なる非晶質金属シリケート層の少なくとも３層からなる絶縁膜を有し、該絶縁膜中のシリコンと金属元素との平均の組成比を１−ｘ：ｘとするとき、基板側から１番目の層の金属元素組成は上記ｘより小さく、基板側から２番目の層の金属元素組成は上記ｘとほぼ同じであり、基板側から３番目の層の金属元素組成は上記ｘより大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体膜の一部を活性領域として用いる薄膜半導体装置の製造方法において、
前記半導体膜の一部を局所的に加熱する局所加熱機構を前記基板上に形成する加熱機構形成工程を有し、
前記加熱機構形成工程が基板上に下側導電膜を形成する下側導電膜形成工程と、
該下側導電膜を所定の形状に加工する下側導電膜加工工程と、該下側導電膜上に下側絶縁膜を形成する下側絶縁膜形成工程とから成り、
前記加熱機構形成工程後に行われ、前記半導体膜としての活性半導体膜を形成する活性半導体膜形成工程と、
前記局所加熱機構により前記活性半導体膜が局所的に加熱された状態にて前記活性半導体膜を溶融結晶化させる結晶化工程と、
前記活性半導体膜を島状に加工して半導体装置活性領域を形成する素子分離工程と、
該活性半導体膜上に上側絶縁膜を形成する上側絶縁膜形成工程と、
該上側絶縁膜上に上側導電膜を形成する上側導電膜形成工程と、
該上側導電膜を所定の形状に加工する上側導電膜加工工程、
とを含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に形成された半導体膜の一部を活性領域として用いる薄膜半導体装置の製造方法において、
前記半導体膜の一部を局所的に加熱する局所加熱機構を前記基板上に形成する加熱機構形成工程を有し、
前記加熱機構形成工程が基板上に下側導電膜を形成する下側導電膜形成工程と、該下側導電膜を所定の形状に加工する下側導電膜加工工程と、該下側導電膜上に下側絶縁膜を形成する下側絶縁膜形成工程から成り、
前記加熱機構形成工程後に行われ、前記半導体膜としての活性半導体膜を形成する活性半導体膜形成工程と、
前記局所加熱機構により前記活性半導体膜が局所的に加熱された状態にて前記活性半導体膜を溶融結晶化させる結晶化工程と、
前記活性半導体膜を島状に加工して半導体装置活性領域を形成する素子分離工程と、
該活性半導体膜上に上側絶縁膜を形成する上側絶縁膜形成工程と、
該上側絶縁膜上に上側導電膜を形成する上側導電膜形成工程と、
該上側導電膜を所定の形状に加工する上側導電膜加工工程と、
該下側導電膜と上側導電膜を電気的に接続する導電膜接続工程、
とを含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記下側導電膜の長さよりも前記上側導電膜の長さを短く加工する事を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記下側導電膜加工工程にて、該下側導電膜の長さを７μｍ程度以下に形成する事を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記素子分離工程にて、前記下側導電膜の幅よりも前記半導体装置活性領域の幅を短く加工する事を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記上側導電膜加工工程にて、該上側導電膜の長さ方向の片側の辺が前記半導体装置活性領域の長さ方向の片側の辺よりも０μm以上１μm程度以下外側に位置するように該上側導電膜を加工する事を特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記下側導電膜の膜厚が２５ｎｍ程度以上１００ｎｍ程度以下である事を特徴とする請求項１又は請求項２記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記下側絶縁膜が酸化珪素膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記活性半導体膜形成工程が、非晶質半導体膜を堆積する非晶質半導体膜堆積工程を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の薄膜半導体装置の製造。
【請求項１０】
前記活性半導体膜形成工程が、非晶質半導体膜を堆積する非晶質半導体膜堆積工程と、該非晶質半導体膜の結晶性を高める半導体膜改質工程とを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記活性半導体膜の膜厚が３０ｎｍ程度以上７０ｎｍ程度以下である事を特徴とする請求項１又は請求項２記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記活性半導体膜が珪素を主体とした半導体膜である事を特徴とする請求項１又は請求項２記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記結晶化工程が前記活性半導体膜側から、多結晶珪素膜での吸収係数が２×１０−４ｎｍ−１程度以上１×１０−１ｎｍ−１程度以下である光を照射して活性半導体膜の溶融結晶化を進めることを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内周側に連結ピンが挿嵌されるピン穴用の下穴を有する筒状のボス基材を成形するボス基材成形工程と、
前記ボス基材の端面のうち前記下穴の加工代となる部位にマスキングを施すため前記ボス基材の下穴に内側マスク部材を装着するマスキング工程と、
マスキングが施された前記ボス基材の端面に硬質材料を溶射して溶射皮膜を形成する溶射皮膜形成工程とからなり、
前記ボス基材の下穴に装着される前記内側マスク部材の外径は、前記下穴を加工して前記ピン穴を成形した後の当該ピン穴の穴径よりも大きな値に設定してなる軸受用ボスの溶射皮膜製造方法。
【請求項２】  前記溶射皮膜形成工程では、前記内側マスク部材よりも外側に形成される環状の端面に溶射皮膜を形成してなる請求項１に記載の軸受用ボスの溶射皮膜製造方法。
【請求項３】  前記マスキング工程では、前記内側マスク部材の他に前記ボス基材の外周側に外側マスク部材を装着し、前記溶射皮膜形成工程では前記内側マスク部材と外側マスク部材との間に形成される環状の端面に溶射皮膜を形成してなる請求項１に記載の軸受用ボスの溶射皮膜製造方法。
【請求項４】  前記ボス基材は、建設機械のアーム先端側に設けられるアームボスの基材であり、前記ボス基材の端面に形成した溶射皮膜は、前記アームボスに連結ピンを介して連結されるバケット側のブラケットとの間でスラスト荷重を受承するものである請求項１，２または３に記載の軸受用ボスの溶射皮膜製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１の発明による軸受用ボスの溶射皮膜製造方法は、内周側に連結ピンが挿嵌されるピン穴用の下穴を有する筒状のボス基材を成形するボス基材成形工程と、前記ボス基材の端面のうち前記下穴の加工代となる部位にマスキングを施すため前記ボス基材の下穴に内側マスク部材を装着するマスキング工程と、マスキングが施された前記ボス基材の端面に硬質材料を溶射して溶射皮膜を形成する溶射皮膜形成工程とからなり、前記ボス基材の下穴に装着される前記内側マスク部材の外径は、前記下穴を加工して前記ピン穴を成形した後の当該ピン穴の穴径よりも大きな値に設定している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このように構成したことにより、軸受用ボスの端面に硬質材料を溶射するときには、ボス基材の端面のうち下穴の加工代となる部位に予め内側マスク部材によるマスキングを施すことができるから、この加工代となる部位を溶射皮膜の非形成面として残すことができる。従って、ボス基材の下穴加工時には、このボス基材の端面に形成した硬質な溶射皮膜を下穴と一緒に切削する必要がなくなり、この下穴を容易に加工することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項２の発明は、前記溶射皮膜形成工程では、前記内側マスク部材よりも外側に形成される環状の端面に溶射皮膜を形成している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、請求項３の発明は、前記内側マスク部材の他に前記ボス基材の外周側に外側マスク部材を装着し、前記溶射皮膜形成工程では内側マスク部材と外側マスク部材との間に形成される環状の端面に溶射皮膜を形成している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この場合には、内側マスク部材をボス基材の下穴に装着すると共に、外側マスク部材をボス基材の外周側に装着し、この状態でボス基材の端面に硬質材料を溶射する。これにより、ボス端面のうち内側マスク部材と外側マスク部材との間で形成される環状の端面のみに溶射皮膜を形成することができる。
さらに、請求項４の発明によると、前記ボス基材は、建設機械のアーム先端側に設けられるアームボスの基材であり、前記ボス基材の端面に形成した溶射皮膜は、前記アームボスに連結ピンを介して連結されるバケット側のブラケットとの間でスラスト荷重を受承するものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【発明の効果】
以上詳述した通り、請求項１の発明によれば、内周側に連結ピンが挿嵌されるピン穴用の下穴を有する筒状のボス基材を成形し、軸受用ボスの端面に溶射皮膜を形成するときには、前記ボス基材の端面のうち前記下穴の加工代となる部位に予め内側マスク部材によるマスキングを施しておき、この状態でマスキングが施されたボス基材の端面に硬質材料を溶射する上に、前記ボス基材の下穴に装着される前記内側マスク部材の外径は、前記下穴を加工して前記ピン穴を成形した後の当該ピン穴の穴径よりも大きな値に設定しているので、前記ボス基材の端面のうち下穴の加工代となる部位を溶射皮膜の非形成面として残すことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、請求項３の発明は、溶射皮膜の形成時には、予めボス基材の下穴に内側マスク部材を装着して、ボス基材の外周側に外側マスク部材を装着し、この状態でボス基材の端面のうち内側マスク部材と外側マスク部材との間に形成される環状の端面に溶射皮膜を形成したので、この場合でも、２個の内側，外側マスク部材をボス基材に装着するだけで、ボス基材の端面に容易にマスキングを施すことができ、これらの内側，外側マスク部材を用いることによりマスキングを容易に行なうことができる。
さらに、請求項４の発明は、前記ボス基材を、建設機械のアーム先端側に設けられるアームボスの基材とし、前記ボス基材の端面に形成した溶射皮膜は、前記アームボスに連結ピンを介して連結されるバケット側のブラケットとの間でスラスト荷重を受承することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記したポリシロキサン（II）を構成する全珪素原子のうち、 一般式（１）に由来する珪素原子の占める割合が５０モル％以上である、請求項１〜６のいずれかに記載の水性硬化性樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体燃料を貯え保有する油受皿と、該油受皿内の液体燃料をくみ上げ送油パイプを通して燃焼装置に供給する電磁ポンプとを備え、該電磁ポンプは、液体燃料の流路を形成する管体、その上部に配された突出弁、その下部に吸入弁を配して上下動するプランジャー、及び前記管体下部に配置され前記油受皿内の液体燃料を吸い上げる流路となる吸入パイプから構成される液体燃料燃焼装置において、
前記吸入パイプの外壁と吸入流路の内壁を該吸入パイプの先端に向かって徐々に縮径したテーパ状として該吸入パイプの先端部を細径に形成したことを特徴とする液体燃料燃焼装置。
【請求項２】
液体燃料を貯え保有する油受皿と、該油受皿内の液体燃料をくみ上げ送油パイプを通して燃焼装置に供給する電磁ポンプとを備え、該電磁ポンプは、液体燃料の流路を形成する管体、その上部に配された突出弁、その下部に吸入弁を配して上下動するプランジャー、及び前記管体下部に配置され前記油受皿内の液体燃料を吸い上げる流路となる吸入パイプから構成される液体燃料燃焼装置において、
前記吸入パイプの吸入流路に薄肉細径のパイプを設け、該パイプの一部を前記吸入パイプの先端部から突出させたことを特徴とする液体燃料燃焼装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、液体燃料を貯え保有する油受皿と、油受皿内の液体燃料をくみ上げ送油パイプを通して燃焼装置に供給する電磁ポンプとを備え、電磁ポンプは、液体燃料の流路を形成する管体、その上部に配された突出弁、その下部に吸入弁を配して上下動するプランジャー、及び管体下部に配置され油受皿内の液体燃料を吸い上げる流路となる吸入パイプから構成される液体燃料燃焼装置であって、吸入パイプの吸入流路に薄肉細径のパイプを設け、パイプの一部を吸入パイプの先端部から突出させた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、液体燃料を貯え保有する油受皿と、油受皿内の液体燃料をくみ上げ送油パイプを通して燃焼装置に供給する電磁ポンプとを備え、電磁ポンプは、液体燃料の流路を形成する管体、その上部に配された突出弁、その下部に吸入弁を配して上下動するプランジャー、及び管体下部に配置され油受皿内の液体燃料を吸い上げる流路となる吸入パイプから構成される液体燃料燃焼装置であって、吸入パイプの吸入流路に薄肉細径のパイプを設け、パイプの一部を吸入パイプの先端部から突出させたので、液体燃料の油面が吸入パイプの細径パイプの先端部より下方になったときに、張力により吸い上げる液体燃料が少なくなり、細径吸入口から吸引する空気量を少なくすることができる。また、細径パイプを設けてその内径を小さくしたので、電磁ポンプ内のプランジャーの負荷が大きくなり、空気が流入した際の、急激な突出力の増大を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成した凹部を埋める犠牲層を形成し、前記基板表面に多数のリードを、その先端が前記犠牲層上に至るまで並列に形成し、次いで、前記基板の裏面から前記犠牲層に至る切り目を入れた後、前記犠牲層を除去することを特徴とする、リードの先端が基板の端部から突出してなるプローブユニットの製造方法。
【請求項２】
前記リードの形成前に、前記凹部以外の部分の前記基板上に形成された前記犠牲層を研磨により除去することを特徴とする請求項１に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項３】
前記凹部の隅部は湾曲面であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項４】
基板に貫通孔を設け、前記貫通孔内全体に犠牲層を形成し、前記基板表面に多数のリードをその先端が前記貫通孔に充填された前記犠牲層上に至るまで並列に形成し、次いで、前記犠牲層を除去することを特徴とする、リードの先端が基板の端部から突出してなるプローブユニットの製造方法。
【請求項５】
前記リードの形成前に、前記貫通孔以外の部分の前記基板上に形成された前記犠牲層を研磨により除去する請求項４に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項６】
前記犠牲層が前記基板及び前記リードに対して選択的に除去可能な金属、樹脂または無機物からなるものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項７】
めっき下地層を介し又は介さずに金属めっきにより前記犠牲層を形成することを特徴とする請求項６に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項８】
紫外線が一部に照射されてなる化学切削性感光性ガラスからなる基板の表面に、紫外線未照射部分から、先端が紫外線照射部分上に至るまで多数のリードを並列に配置し、次いで、紫外線照射部分のガラスをエッチングして除去することを特徴とする、リードの先端が基板の端部から突出してなるプローブユニットの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
次に、本発明の第２の発明について説明する。図５は基板１の表面上に規則的に並列配置された複数の金属リード２を有するプローブユニットの一例を示す模式図（ａ）と、そのＡ−Ａ’断面模式図（ｂ）である。図５に示すように、金属リード２の一端が基板１の端部から突出し、金属リード２の長手方向の縦断面における金属リード２の突出部分（弾性接片）３の先端部の断面形状が、円弧形状に湾曲した形状であってもよい。また、図６（ａ）に示すように基板１の端部から突出した金属リード２の一端（弾性接片）３の中央部が、基板１の延長面に対し湾曲した形状であってもよい。例えば基板１の延長面と反対側に湾曲した形状としてもよい。上記のプローブユニットにおいて、弾性接片３とは反対側のリード２の端部の上に例えば金や、金と白金の積層体からなるパッドメッキ７を設けてもよい。パッドメッキ７の厚みは４〜５μｍ程度であることが好ましい。このパッドメッキ近傍の、リード２が基板１に密着している部分を保護膜で覆って、リード２の基板１への密着力強化（リードの剥がれ防止）、リード間の絶縁をはかってもよい。これらの弾性接片は先に述べた第１の発明のプローブユニットの弾性接片の有する特徴を有しており、さらに、これらのように、弾性接片が基板の端部から突出していると、弾性接片を検査対象である集積回路等の電極に押しつけやすくなる。図６（ｂ）はこのようなプローブユニットの使用状態を示す図であり、プローブユニットの各金属リードにつながるコネクターが取り付けられ、弾性接片を測定対象に押し付けて測定する。この発明により得られるプローブユニットを、図６（ｂ）に示すように、そのプローブの長手方向が測定対象の集積回路の基板に垂直になるようにして、プローブユニットを集積回路の電極に押し付ける検査方法に適用した場合、プローブに弾性を付与することができる。また、上述のようなパッドメッキを設けると、プローブと外部配線とを接続するときの、電気抵抗の低減、はんだメッキあるいは異方導電性フィルム接着にあたっての信頼性を向上することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2002286758.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月10日(2005.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
電子部品の特性を測定する装置として、電子部品の端子にプローブの針端子を接触させて測定を行うプローブ装置が知られている。図５はこのようなプローブ装置の一例を示す縦断面図である。プローブ装置１０は、検査対象となる電子部品が搬送される搬送路Ｈに取り付けられたハウジング１１を備えている。ハウジング１１内には、後述するプローブ２０を保持するプローブホルダ１２、絶縁プレート１３、プローブホルダ１２を図４中矢印Ｚ方向（ハウジングの軸方向）に上下動させるプローブホルダアーム１４、プローブ回り止めガイド１５と、搬送路Ｈに露出しその上面で電子部品（不図示）の底面を支持するガイドチップ１６とが配設されている。また、図５中１７はプローブホルダ１２の外周側から差し込まれ、プローブ２０を固定するセットねじを示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施の形態に係るプローブ装置３０を示す縦断面図、図２は同プローブ装置３０の側面図、図３は同プローブ装置３０に組み込まれたプローブホルダ４０を示す底面図、図４は同プローブ装置３０により電子部品Ｗの電極Ｗａにプローブの針端子を当接した説明図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このように構成されたプローブ装置３０では、プローブホルダ４０にプローブ５０を外周部からのねじ止めする必要がないため、１列乃至２列あるいはコの字形乃至ロの字形に配置する必要がない。すなわち、プローブホルダ４０の任意の位置に貫通孔４２を取り付けることができる。したがって、プローブホルダ４０を大型にすることなく、多数のプローブ５０を保持することが可能である。このため、ガイドチップ３６に対するプローブ針５５の傾斜角度を小さくできることとなり、プローブ５０の動作不良、プローブ針５５の破損等を防止することが可能である。また、図４は本発明のプローブ装置３０により電子部品Ｗの電極Ｗａにプローブ５０の針端子５５ａを当接させたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2002286749.tif 000001