【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体作製時に使用するフォトマスクであって、
（ａ）実質的に透明な基板と、
（ｂ）パターン化されたマスク材料が基板に固着された領域と、
（ｃ）前記パターン化されたマスク材料の領域の実質的に全てを囲む、前記基板に固着したフレームと、
（ｄ）前記フレームに固着したシリカ被覆とを備える半導体作製時に使用するフォトマスク。
【請求項２】
前記被覆は、溶融シリカ被覆である請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記被覆は、フッ素ドープ溶融シリカで作られる請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記被覆は、Ｓｉ3Ｎ4で作られる請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記シリカ被覆は、接着剤を用いて前記フレームに固着される請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記シリカ被覆は、再使用可能な接着剤を用いて、前記フレームに固着される請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項７】
半導体ウェハ上にイメージを印刷する時に使用するフォトマスクであって、
（ａ）実質的に透明な基板と、
（ｂ）パターン化されたマスク材料が基板に固着された領域と、
（ｃ）前記パターン化されたマスク材料の領域の実質的に全てを囲む、上面および下面を有するフレームであって、該下面は前記基板に固着され、前記フレームの前記上面は、前記パターン化されたマスク材料の領域の上に延びているフレームと、
（ｄ）前記フレームの前記上面に固定したシリカ被覆とを備える半導体ウェハ上にイメージを印刷する時に使用するフォトマスク。
【請求項８】
前記被覆は、溶融シリカ被覆である請求項７に記載のフォトマスク。
【請求項９】
前記被覆は、フッ素ドープ溶融シリカで作られる請求項７に記載のフォトマスク。
【請求項１０】
前記被覆は、Ｓｉ3Ｎ4で作られる請求項７に記載のフォトマスク。
【請求項１１】
前記シリカ被覆は、接着剤を用いて前記フレームに固定される請求項７に記載のフォトマスク。
【請求項１２】
前記シリカ被覆は、再使用可能な接着剤を用いて前記フレームに固定される請求項７に記載のフォトマスク。
【請求項１３】
前記シリカ被覆は、静電気を用いて前記フレームに固定される請求項７に記載のフォトマスク。
【請求項１４】
前記シリカ被覆は、可撓性リテーナ・リングを用いて、前記フレームに固定される請求項７に記載のフォトマスク。
【請求項１５】
前記可撓性リテーナ・リングは、前記可撓性リテーナ・リングを前記フレームの第１受容領域に結合する第１突起および前記被覆の外縁部の上に延びる第２突起を含む請求項７に記載のフォトマスク。
【請求項１６】
前記可撓性リテーナ・リングは、少なくとも１つの可撓性タブを含む請求項１５に記載のフォトマスク。
【請求項１７】
半導体ウェハ上にイメージを作成する時に使用するフォトマスクであって、
（ａ）実質的に透明な基板と、
（ｂ）パターン化されたマスク材料が基板に固着された領域と、
（ｃ）前記パターン化されたマスク材料の領域の実質的に全てを囲む、前記基板に固着したフレームと、
（ｄ）溶融シリカ被覆と、
（ｅ）該溶融シリカ被覆を前記フレームに固定する手段とを備える半導体ウェハ上にイメージを作成する時に使用するフォトマスク。
【請求項１８】
前記被覆は、溶融シリカ被覆である請求項１７に記載のフォトマスク。
【請求項１９】
前記被覆は、フッ素ドープ溶融シリカで作られる請求項１７に記載のフォトマスク。
【請求項２０】
前記被覆は、Ｓｉ3Ｎ4で作られる請求項１７に記載のフォトマスク。
【請求項２１】
前記シリカ被覆は、接着剤を用いて前記フレームに固定される請求項１７に記載のフォトマスク。
【請求項２２】
前記シリカ被覆は、再使用可能な接着剤を用いて前記フレームに固定される請求項１７に記載のフォトマスク。
【請求項２３】
前記シリカ被覆は、静電気を用いて前記フレームに固定される請求項１７に記載のフォトマスク。
【請求項２４】
前記融解シリカ被覆は、可撓性リテーナ・リングを用いて前記フレームに固定される請求項１７に記載のフォトマスク。
【請求項２５】
前記可撓性リテーナ・リングは、前記可撓性リテーナ・リングを前記フレームの第１受容領域に結合する第１突起および前記被覆の外縁部の上に延びる第２突起を含む請求項２４に記載のフォトマスク。
【請求項２６】
前記可撓性リテーナ・リングは、少なくとも１つの可撓性タブを含む請求項２５に記載のフォトマスク。
【請求項２７】
半導体作製時に使用するフォトマスクであって、
（ａ）上面および下面を有する実質的に平坦な基板と、
（ｂ）パターン化されたマスク材料が前記基板の上面に固着された領域であって、前記マスク材料は前記基板上で最大高さｈ1を有する、パターン化された領域と、
（ｃ）前記基板の前記上面に固着し、前記パターン化されたマスク材料の領域の実質的に全てを囲むフレームと、
（ｄ）前記フレームに固定され、前記パターン化されたマスク材料の領域の実質的に全てを覆う、上面および下面を有するシリカ被覆であって、前記フレームは、前記被覆の外縁部の下面を受け入れるための、前記基板の前記上面に実質的に平行な高さｈ2の受容領域を含み、前記受容領域の高さｈ2は、前記マスク材料の高さｈ1より高いシリカ被覆と、
（ｅ）該被覆を前記フレームに固定する手段とを備える半導体作製時に使用するフォトマスク。
【請求項２８】
前記シリカ被覆は、接着剤を用いて前記フレームの前記受容領域に固定される請求項２７に記載のフォトマスク。
【請求項２９】
前記シリカ被覆は、再使用可能な接着剤を用いて前記フレームの前記受容領域に固定される請求項２７に記載のフォトマスク。
【請求項３０】
前記シリカ被覆は、静電気を用いて前記フレームの前記受容領域に固定される請求項２７に記載のフォトマスク。
【請求項３１】
前記シリカ被覆は、可撓性リテーナ・リングを用いて前記フレームに固定される請求項２７に記載のフォトマスク。
【請求項３２】
前記可撓性リテーナ・リングは、前記フレームのデテントと結合するための第１突起および前記被覆の外縁部の上面に延びる第２突起を含む請求項３１に記載のフォトマスク。
【請求項３３】
前記可撓性リテーナ・リングは、少なくとも１つの可撓性タブを含む請求項３２に記載のフォトマスク。
【請求項３４】
前記被覆は、溶融シリカ被覆である請求項２７に記載のフォトマスク。
【請求項３５】
前記被覆は、フッ素ドープ溶融シリカで作られる請求項２７に記載のフォトマスク。
【請求項３６】
前記被覆は、Ｓｉ3Ｎ4で作られる請求項２７に記載のフォトマスク。
【請求項３７】
（ａ）実質的に透明な基板、
（ｂ）パターン化されたマスク材料が基板に固着された領域、
（ｃ）前記パターン化されたマスク材料の領域の実質的に全てを囲む、前記基板に固着したフレーム、及び
（ｄ）前記フレームに固着したシリカ被覆
を備える完成フォトマスクを半導体ウェハとエネルギ源との間に挿入し、
前記エネルギ源でエネルギを生成し、
生成された該エネルギを、前記完成フォトマスクに形成された所望のパターンを介して前記半導体ウェハへと通過させ、
前記完成フォトマスクに形成された前記所望のパターンに対応する前記半導体ウェハ上のイメージをエッチングする
工程を備える半導体製造方法。
【請求項３８】
（ａ）実質的に透明な基板、
（ｂ）パターン化されたマスク材料が基板に固着された領域、
（ｃ）前記パターン化されたマスク材料の領域の実質的に全てを囲む、前記基板に固着したフレーム、及び
（ｄ）可撓性リテーナ・リングを用いて前記フレームに固定されたシリカ被覆
を備える完成フォトマスクを半導体ウェハとエネルギ源との間に挿入し、
前記エネルギ源でエネルギを生成し、
生成された該エネルギを、前記完成フォトマスクに形成された所望のパターンを介して前記半導体ウェハへと通過させ、
前記完成フォトマスクに形成された前記所望のパターンに対応する前記半導体ウェハ上のイメージをエッチングする
工程を備える半導体製造方法。
【請求項３９】
前記可撓性リテーナ・リングは、該可撓性リテーナ・リングを前記フレームの第１受容領域に結合する第１突起および前記被覆の外縁部の上に延びる第２突起を含む請求項３８に記載の半導体製造方法。
【請求項４０】
前記可撓性リテーナ・リングは、少なくとも１つの可撓性タブを含む請求項３９に記載の半導体製造方法。