【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）少なくとも８０モル％の１，４−シクロヘキサンジカルボン酸を含む二酸又は少なくとも８０モル％の１，４−ジメチルシクロヘキサンジカルボキシレートを含む前記二酸のエステル誘導体と、少なくとも８０モル％の１，４−シクロヘキサンジメタノールを含むグリコールとを、前記二酸に対してはエステル化を又は前記エステル誘導体に対してはエステル交換を行うのに充分な温度で反応させ（二酸又はエステル誘導体は１００モル％基準、グリコールは１００モル％基準）；
ｂ）工程（ａ）の生成物を、重縮合を行う温度及び圧力において適当な触媒下で重縮合させ；
ｃ）１〜８００ｐｐｍの燐を添加し（全ての重量部はポリエステルの重量基準であり、燐は燐含有化合物の形態で添加する）；そして
ｄ）工程（ｃ）の後に、インヘレント粘度が０．４〜２．０ｄＬ／ｇのポリ（１，４−シクロヘキシレンジメチレン１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート）の反応器グレードのポリエステルを取り出す
工程を含んでなるポリ（１，４−シクロヘキシレンジメチレン１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート）の反応器グレードポリエステルの製造方法であって、
前記燐含有化合物が、
（１）式：
【化１】
2004511594.tif 000001
［式中、Ｒ1は水素原子又はＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含むＣ1〜Ｃ20基であり、Ｒ2及びＲ3は同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20基の組み合わせであって、前記Ｃ1〜Ｃ20基は場合によってはＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を含む］
を有する燐酸エステル；
（２）式：
【化２】
2004511594.tif 000002
［式中、Ｒはジオールに由来し；Ｒ1及びＲ4は水素原子又はＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含むＣ1〜Ｃ20基であることができ、Ｒ2及びＲ3は同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20基の組み合わせであって、前記Ｃ1〜Ｃ20基は場合によってはＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を含む］
を有する燐酸エステル；
（３）式：
【化３】
2004511594.tif 000003
［式中、Ｒ1及びＲ4は水素原子又はＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含むＣ1〜Ｃ20基であり、Ｒ2及びＲ3は同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20基の組み合わせであって、前記Ｃ1〜Ｃ20基は場合によってはＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を含む］
を有する二燐酸エステル；及び
（４）式：
【化４】
2004511594.tif 000004
［式中、Ｒ1は水素原子又はＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含むＣ1〜Ｃ20基であり、Ｒ2及びＲ3は同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20基の組み合わせであって、前記Ｃ1〜Ｃ20基は場合によってはＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を含む］
のホスホン酸エステル
からなる群から選ばれる方法。
【請求項２】  工程（ａ）の前に、燐含有化合物を添加する工程（ｃ）を行う請求項１に記載の方法。
【請求項３】  工程（ｂ）の前に、燐含有化合物を添加する工程（ｃ）を行う請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記燐含有化合物において、各燐原子に結合している−ＯＨ基が１個以下である請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記燐含有化合物がトリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、トリス（２−エチルヘキシル）ホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリトリルホスフェート、エチレングリコールホスフェート、トリエチルホスホノアセテート、ジメチルメチルホスホネート及びテトライソプロピルメチレンジホスホネートからなる群から選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記燐含有化合物が、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3がＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含む同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20の組み合わせである前記群（１）の燐酸エステル並びにＲがジオールに由来し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4がＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含む同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20の組み合わせである前記群（２）の燐酸エステルからなる群から選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記燐含有化合物がトリメチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリトリルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、エチレングリコールホスフェート及びトリス（２−エチルヘキシル）ホスフェートからなる群から選ばれる請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記燐含有化合物が３００ｇ／モルより大きい分子量を有する請求項６に記載の方法。
【請求項９】  前記二酸が少なくとも９０モル％の１，４−シクロヘキサンジカルボン酸を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  前記二酸が１００モル％の１，４−シクロヘキサンジカルボン酸を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記エステル誘導体が少なくとも９０モル％の１，４−ジメチルシクロヘキサンジカルボキシレートを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  前記エステル誘導体が１００モル％の１，４−ジメチルシクロヘキサンジカルボキシレートを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記グリコールが少なくとも９０モル％の１，４−シクロヘキサンジメタノールを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】  前記グリコールが１００モル％の１，４−シクロヘキサンジメタノールを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  チタン、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、クロム、ジルコニウム及びアルミニウムからなる群から選ばれるエステル化触媒又はエステル交換触媒をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】  適当な重縮合触媒がチタン、ゲルマニウム、ジルコニウム及びアルミニウムからなる群から選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項１７】  前記エステル化触媒又はエステル交換触媒及び適当な重縮合触媒がチタンであり、チタンが燐対チタンのモル比０．２〜２．４で存在する請求項１に記載の方法。
【請求項１８】  燐対チタンのモル比が０．４〜１．４である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  燐含有化合物からの燐が１〜３１０ｐｐｍの量で添加される請求項１に記載の方法。
【請求項２０】  燐含有化合物からの燐が５〜９１ｐｐｍの量で添加される請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  請求項１に記載の方法によって製造された反応器グレードポリエステル。
【請求項２２】  ａ）１００モル％の二酸成分に基づき少なくとも８０モル％の１，４−シクロヘキサンジカルボン酸の残基を含む二酸成分；
ｂ）１００モル％のグリコール成分に基づき少なくとも８０モル％の１，４−シクロヘキサンジメタノールの残基を含むグリコール成分；
ｃ）０〜５００ｐｐｍのエステル化触媒又は１〜５００ｐｐｍのエステル交換触媒；
ｄ）１〜５００ｐｐｍの重縮合触媒；及び
ｅ）燐含有化合物の形態で存在する、１〜８００ｐｐｍの燐
を含んでなる、インヘレント粘度が０．４〜２．０ｄＬ／ｇのポリ（１，４−シクロヘキシレンジメチレン１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート）の反応生成物ポリエステル組成物であって、
前記燐含有化合物が、
（１）式：
【化５】
2004511594.tif 000005
［式中、Ｒ1は水素原子又はＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含むＣ1〜Ｃ20基であり、Ｒ2及びＲ3は同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20基の組み合わせであって、前記Ｃ1〜Ｃ20基は場合によってはＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を含む］
を有する燐酸エステル；
（２）式：
【化６】
2004511594.tif 000006
［式中、Ｒはジオールに由来し；Ｒ1及びＲ4は水素原子又はＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含むＣ1〜Ｃ20基であることができ、Ｒ2及びＲ3は同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20基の組み合わせであって、前記Ｃ1〜Ｃ20基は場合によってはＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を含む］
を有する燐酸エステル；
（３）式：
【化７】
2004511594.tif 000007
［式中、Ｒ1及びＲ4は水素原子又はＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含むＣ1〜Ｃ20基であり、Ｒ2及びＲ3は同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20基の組み合わせであって、前記Ｃ1〜Ｃ20基は場合によってはＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を含む］
を有する二燐酸エステル；及び
（４）式：
【化８】
2004511594.tif 000008
［式中、Ｒ1は水素原子又はＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含むＣ1〜Ｃ20基であり、Ｒ2及びＲ3は同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20基の組み合わせであって、前記Ｃ1〜Ｃ20基は場合によってはＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を含む］
のホスホン酸エステル
からなる群から選ばれるポリエステル組成物。
【請求項２３】  前記燐含有化合物において、各燐原子に結合している−ＯＨ基が１個である請求項２２に記載のポリエステル組成物。
【請求項２４】  前記燐含有化合物がトリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、トリス（２−エチルヘキシル）ホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリトリルホスフェート、エチレングリコールホスフェート、トリエチルホスホノアセテート、ジメチルメチルホスホネート及びテトライソプロピルメチレンジホスホネートからなる群から選ばれる請求項２２に記載のポリエステル組成物。
【請求項２５】  前記燐含有化合物が、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3がＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含む同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20の組み合わせである前記群（１）の燐酸エステル並びにＲがジオールに由来し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4がＯ、ＣｌもしくはＢｒ原子を場合によっては含む同一のＣ1〜Ｃ20基又は異なるＣ1〜Ｃ20の組み合わせである前記群（２）の燐酸エステルからなる群から選ばれる請求項２２に記載のポリエステル組成物。
【請求項２６】  前記燐含有化合物がトリメチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリトリルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、エチレングリコールホスフェート及びトリス（２−エチルヘキシル）ホスフェートからなる群から選ばれる請求項２５に記載のポリエステル組成物。
【請求項２７】  前記燐含有化合物が３００ｇ／モルより大きい分子量を有する請求項２５に記載のポリエステル組成物。
【請求項２８】  前記エステル化触媒又はエステル交換触媒がチタン、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、クロム、ジルコニウム及びアルミニウムからなる群から選ばれる請求項２２に記載のポリエステル組成物。
【請求項２９】  前記重縮合触媒がチタン、ゲルマニウム、ジルコニウム及びアルミニウムからなる群から選ばれる請求項２２に記載のポリエステル組成物。
【請求項３０】  前記エステル化触媒又はエステル交換触媒及び重縮合触媒がチタンであり、前記チタンが燐対チタンのモル比０．２〜２．４で存在する請求項２９に記載のポリエステル組成物。
【請求項３１】  燐対チタンのモル比が０．４〜１．４である請求項３０に記載のポリエステル組成物。
【請求項３２】  燐含有化合物の形態の燐が１〜３１０ｐｐｍの量で添加される請求項２２に記載のポリエステル組成物。
【請求項３３】  燐含有化合物の形態の燐が５〜９１ｐｐｍの量で添加される請求項３２に記載のポリエステル組成物。
【請求項３４】  前記二酸成分が少なくとも９０モル％の１，４−シクロヘキサンジカルボン酸の残基を含む請求項２２に記載のポリエステル組成物。
【請求項３５】  前記二酸成分が１００モル％の１，４−シクロヘキサンジカルボン酸の残基を含む請求項３４に記載のポリエステル組成物。
【請求項３６】  前記二酸成分の残基が１，４−ジメチルシクロヘキサンジカルボキシレートに由来する請求項２２に記載のポリエステル組成物。
【請求項３７】  前記グリコール成分が少なくとも９０モル％の１，４−シクロヘキサンジメタノールの残基を含む請求項２２に記載のポリエステル組成物。
【請求項３８】  前記グリコール成分が１００モル％の１，４−シクロヘキサンジメタノールの残基を含む請求項３７に記載のポリエステル組成物。