Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージに載置された試料上にパターンを荷電粒子光学系により露光する荷電粒子線露光装置において、
前記試料の温度を計測する温度計測手段と、
前記試料のステージ位置座標を測定するステージ座標測定手段と、
前記試料の露光時ステージ位置座標を常温時ステージ位置座標に変換する座標変換手段と、
常温時ステージ位置座標に露光すべきパターンが前記露光時ステージ位置座標に露光されるように前記荷電粒子線光学系を制御する露光制御手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子線露光装置において、
前記試料温度および前記試料のステージ位置座標とから前記試料の収縮中心座標を算出する演算手段を備え、
前記座標変換手段が、試料温度と前記試料の膨張倍率との相関を備えて露光時の試料温度に対応する膨張倍率を出力する温度倍率変換装置と、前記ステージ座標測定手段により得られたステージ位置座標および前記温度倍率変換装置より出力される膨張倍率に基づいて露光時ステージ位置座標を常温時ステージ位置座標へ変換する座標変換演算器とからなることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の試料温度と膨張倍率との相関および収縮中心座標の算出方法であって、
パターン露光用試料と同一材料から成り少なくとも３つのマークを有する規準試料の温度を変化させ、種々の試料温度に対して前記各マークの位置を検出することにより前記試料温度と膨張倍率との相関および収縮中心座標をそれぞれ求めるようにしたことを特徴とする相関および収縮中心座標の算出方法。
【請求項４】
試料を真空チャンバ内に搬送する工程と、
前記試料が搬送された前記真空チャンバ内を真空排気する工程と、
前記試料の温度を計測する工程と、
予め試料の膨張係数を求める工程と、
前記膨張係数と前記計測された温度とに基づき、真空排気による温度変化に起因する前記試料の変形を補正して前記試料上にパターンの露光を行う工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項５】
請求項４に記載の露光方法において、
前記膨張係数を求める工程では、前記試料と同一の規準試料を真空排気された真空チャンバ内に配置し、その基準試料の温度を変えたときに計測される変形に基づき前記膨張係数を算出することを特徴とする露光方法。
【請求項６】
試料の温度を計測する工程と、
予め試料の膨張係数を求める工程と、
前記膨張係数と前記計測された温度とに基づき、温度変化に起因する前記試料の変形を補正して前記試料上にパターンの露光を行う工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれかに記載の露光方法において、
前記露光を行う工程では、所定温度時にパターンが露光されるべき位置を、前記膨張係数を求める工程の変形に基づき算出された前記基準試料の変形中心座標と前記計測された温度と前記膨張係数とに基づいて補正し、その補正された位置に前記パターンを露光することを特徴とする露光方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
発明の実施の形態を示す図１および図２に対応付けて説明する。
（１）図１に対応付けて説明すると、請求項１の発明は、ステージ４に載置された試料３上にパターンを荷電粒子光学系により露光する荷電粒子線露光装置に適用され、試料３の温度を計測する温度計測手段６と、試料３のステージ位置座標を測定するステージ座標測定手段５，９と、試料３の露光時ステージ位置座標を常温時ステージ位置座標に変換する座標変換手段８と、常温時ステージ位置座標に露光すべきパターンが露光時ステージ位置座標に露光されるように荷電粒子線光学系を制御する露光制御手段１１とを備えて上述の目的を達成する。
（２）請求項２の発明は、請求項１に記載の荷電粒子線露光装置において、試料温度および試料３のステージ位置座標とから試料３の収縮中心座標を算出する演算手段７を備え、座標変換手段８が、試料温度と試料の膨張倍率との相関を備えて露光時の試料温度に対応する膨張倍率を出力する温度倍率変換装置８２と、ステージ座標測定手段５，９により得られたステージ位置座標および温度倍率変換装置８２より出力される膨張倍率に基づいて露光時ステージ位置座標を常温時ステージ位置座標へ変換する座標変換演算器８１とからなる。
（３）図２に対応付けて説明すると、請求項３の発明は、請求項２に記載の試料温度と膨張倍率との相関および収縮中心座標の算出方法に適用され、パターン露光用試料と同一材料から成りマークＸ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２を有する規準試料２０の温度を変化させ、種々の試料温度に対して各マークＸ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２位置を検出することにより試料温度と膨張倍率との相関および収縮中心座標をそれぞれ求めるようにした。
（４）図１に対応付けて説明すると、請求項４の発明による露光方法は、試料３を真空チャンバ２内に搬送する工程と、試料３が搬送された真空チャンバ２内を真空排気する行程と、試料３の温度を計測する工程と、予め試料３の膨張係数を求める工程と、膨張係数と計測された温度とに基づき、真空排気による温度変化に起因する試料３の変形を補正して試料３上にパターンの露光を行う工程とを有することを特徴とする。
（５）請求項５の発明は、請求項４に記載の露光方法において、膨張係数を求める工程では、試料３と同一の規準試料を真空排気された真空チャンバ内に配置し、その基準試料の温度を変えたときに計測される変形に基づき膨張係数を算出するものである。
（６）請求項６の発明による露光方法は、試料３の温度を計測する工程と、予め試料３の膨張係数を求める工程と、膨張係数と計測された温度とに基づき、温度変化に起因する試料３の変形を補正して試料３上にパターンの露光を行う工程とを有することを特徴とする。
（７）請求項７の発明は、請求項４〜６のいずれかに記載の露光方法において、露光を行う工程では、所定温度時にパターンが露光されるべき位置を、膨張係数を求める工程の変形に基づき算出された基準試料の変形中心座標と計測された温度と膨張係数とに基づいて補正し、その補正された位置に前記パターンを露光するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置および露光方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光する露光装置であって、
前記マスク又は感応基板の位置を直接的に計測する計測手段と；
露光装置本体内でかつ前記マスク又は前記感応基板以外の部分の振動を計測する振動センサと；
前記振動センサの計測値と前記計測手段の計測値とに基づいて、前記マスク又は感応基板の位置を制御する位置制御系とを有する露光装置。
【請求項２】
マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して感応基板上に投影露光する露光装置であって、
前記マスクを保持するマスクステージと；
前記感応基板を保持する基板ステージと；
前記マスクステージ又は基板ステージの位置を直接的に計測する計測手段と；
露光装置本体内でかつ前記マスクステージ又は基板ステージ以外の部分の振動を計測する振動センサと；
前記振動センサからフィードフォワード入力される計測値と前記計測手段の計測値とに基づいて前記マスクステージ又は基板ステージを制御するステージ制御系とを有する露光装置。
【請求項３】
前記マスクステージと前記基板ステージとは、前記ステージ制御系により前記投影光学系に対して所定の速度比で相対走査されることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記マスクステージ及び前記基板ステージの内の少なくとも一方は、粗動ステージとこの粗動ステージ上を相対移動する微動ステージとから成り、
前記ステージ制御系は、振動センサからフィードフォワード入力される計測値と前記計測手段の計測値とに基づいて前記微動ステージの位置を制御することを特徴とする請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記振動センサは、前記投影光学系の振動を計測することを特徴とする請求項２ないし４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記振動センサは、加速度計であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記計測手段はレーザ干渉計を有していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
マスクステージに載置されたマスクのパターンを投影光学系を介して基板ステージに載置された基板に露光する露光方法であって、
前記マスクステージまたは基板ステージの位置をレーザ干渉計により計測するステップと、
前記投影光学系の振動を振動センサにより計測するステップと、
前記振動センサの計測値と前記レーザ干渉計の計測値とに基づいて前記マスクステージ又は前記基板ステージの位置を制御するステップと、を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項９】
前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも一方は、粗動ステージと、該粗動ステージに対して相対移動する微動ステージとから成り、
前記ステージの位置を制御するステップは、前記微動ステージの位置を制御することを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記ステージの位置を制御するステップは、前記振動センサからフィードフォワードされる計測値と前記レーザ干渉計の計測値とに基づいて行われることを特徴とする請求項８又は９に記載の露光方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記各発明に用いられる振動センサとしては種々のものが考えられるが、例えば請求項６に記載の発明の如く、前記振動センサは、加速度計（５０）であっても良い。加速度計によれば振動を直接的に計測できるので、振動をより正確に計測できる。この他、レーザ干渉計あるいはその他の変位センサと、この変位センサの計測値を２回微分する回路との組み合わせにより振動センサを構成しても良い。
また、請求項７に記載されているように、計測手段としてレーザ干渉計（４０、４２）を用いても良い。
請求項８に記載の露光方法は、マスクステージ（１４）に載置されたマスク（Ｒ）のパターンを投影光学系（ＰＬ）を介して基板ステージ（１６）に載置された基板（Ｗ）に露光する露光方法であって、マスクステージ（１４）または基板ステージ（１６）の位置をレーザ干渉計（４０、４２）により計測するステップと、前記投影光学系の振動を振動センサ（５０）により計測するステップと、振動センサ（５０）の計測値とレーザ干渉計（４０、４２）の計測値とに基づいてマスクステージ（１４）又は基板ステージの位置を制御するステップと、を含んでいる。
請求項９に記載の露光方法は、マスクステージ（１４）と基板ステージとの少なくとも一方が、粗動ステージ（３４）と、粗動ステージ（３４）に対して相対移動する微動ステージ（３６）とから成り、ステージの位置を制御するステップは微動ステージ（３６）の位置を制御している。
請求項１０に記載の露光方法は、ステージの位置を制御するステップが振動センサ（５０）からフィードフォワードされる計測値とレーザ干渉計（４０、４２）の計測値とに基づいて行われている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
請求項６に記載の発明によれば、上記各請求項の発明に加え、露光装置本体の振動を直接的に計測できるという利点がある。
請求項７に記載の発明によれば、レーザ干渉計により高精度の位置計測をすることができるという利点がある。
請求項８に記載の発明によれば、投影光学系の振動に起因する露光不良の発生を抑制することができるという利点がある。
請求項９に記載の発明によれば、応答性の良好なステージ制御ができるという利点がある。
請求項１０に記載の発明によれば、投影光学系の振動に起因する露光不良の発生を速やかに抑制することができるという利点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ入力信号と生デジタル出力信号とを有するアナログ・デジタル変換器における歪みを防止するための方法であって、
前記生デジタル出力信号を第１のＸＯＲゲートに伝送するステップと、
第１の擬似ランダム数を発生するステップと、
前記第１のＸＯＲゲートにおいて、前記生デジタル出力信号と前記第１の擬似ランダム数との間でＸＯＲ演算を実施し、符号化出力信号を発生するステップと、
前記第１のＸＯＲゲートにおいてＸＯＲ演算の出力をラッチするステップと、
前記ラッチされたＸＯＲ出力を少なくとも１つの出力ドライバに伝送するステップと、
前記アナログ・デジタル変換及び前記ラッチされたＸＯＲ出力を前記少なくとも１つの出力ドライバに同期させるステップと、
を備えて成る方法。
【請求項２】
前記第１の擬似ランダム数を発生するステップが、
線形フィードバック・シフト・レジスタを用意するステップと、
前記線形フィードバック・シフト・レジスタを用いて、前記第１の擬似ランダム数を発生するステップと、
を備えて成ることを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項３】
第２のＸＯＲゲートにおいて、前記符号化出力信号に対するＸＯＲ演算を実施して、前記生デジタル出力信号を再生するステップをさらに備えて成ることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
アナログ入力信号と生デジタル出力信号とを有するアナログ・デジタル変換器における歪みを防止するためのシステムであって、
第１の擬似ランダム数を発生する第１の擬似ランダム数発生器と、
前記生デジタル出力信号を受信し、該生デジタル出力信号と前記第１の擬似ランダム数との間でＸＯＲ演算を施して符号化出力信号を発生する第１のＸＯＲゲートと、
前記第１のＸＯＲゲートにおけるＸＯＲ演算の出力をラッチするための少なくとも１つのラッチと、
前記ラッチされたＸＯＲ出力を受信するための少なくとも１つの出力ドライバと、
前記アナログ・デジタル変換器及び前記ラッチされたＸＯＲ出力とを前記少なくとも１つの出力ドライバに同期させるための同期装置と、
を備えて成るシステム。 
【請求項５】
前記生デジタル出力信号を再生するための再生回路をさらに備えて成ることを特徴とする、請求項４に記載のシステム。 
【請求項６】
前記生デジタル出力信号を再生するための再生回路が、
第２のＸＯＲゲートを備えていることを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月13日(2004.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面上に薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜と、
前記薄膜トランジスタの活性層の下に形成される下地膜と、
を有し、
前記ゲイト絶縁膜と前記下地膜は同一成分を有し、かつ、５原子％以内のハロゲン元素が含まれており、
前記ゲイト絶縁膜と前記下地膜は、前記ガラス基板の裏面側にも成膜されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板の一方の面上に薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜と、
前記薄膜トランジスタの活性層の下に形成される下地膜と、
を有し、
前記ゲイト絶縁膜と前記下地膜は同一成分を有し、かつ、５原子％以内のハロゲン元素が含まれており、
前記下地膜は、ガラス基板を包んで成膜されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に下地膜と、
前記下地膜上に薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜と、
前記薄膜トランジスタ上にポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリル、またはエポキシを含む絶縁膜と、
を有し、
前記ゲイト絶縁膜と前記下地膜は同一成分を有し、かつ、５原子％以内のハロゲン元素が含まれており、
前記ゲイト絶縁膜と前記下地膜は、前記ガラス基板の裏面側にも成膜されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に下地膜と、
前記下地膜上に薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜と、
前記薄膜トランジスタ上にポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリル、またはエポキシを含む絶縁膜と、
を有し、
前記ゲイト絶縁膜と前記下地膜は同一成分を有し、かつ、５原子％以内のハロゲン元素が含まれており、
前記下地膜は、ガラス基板を包んで成膜されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記ハロゲンは塩素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記基板は、ガラス基板または石英基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記薄膜トランジスタは、結晶性半導体膜と、前記結晶性半導体膜の前記ゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜に接するゲイト電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記結晶性半導体膜は、結晶性珪素膜、または結晶性ＳｉxＣ1-x 膜（０≦ｘ≦１）であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記結晶性半導体膜は、結晶化を助長する金属元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた元素であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この技術は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を実現する過程で発展してきたものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
現状において主流なのは、非晶質珪素膜を用いたａ−ＳｉＴＦＴが主流である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５７】
また、ガスの供給系１２１２、１２１３が配置されている。また、排気系１２１４、１２１５が配置されている。
１２０７は、基板は納められたカセットであり、基板の搬送や成膜はこのカセットに基板が収納された状態で行われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
〔実施例７〕
本実施例は、他の実施例において利用された減圧熱ＣＶＤ法により酸化珪素膜の代わりに酸化窒化珪素膜を利用するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月12日(2004.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチャーのチャンバ内で発生するプラズマ光を入射して分光角度に応じた波長選択を行う回動可能な分光手段と、
この分光手段の回動角度の変更を行う角度変更手段と、
前記分光手段により波長選択されたプラズマ光を検出しプラズマエッチャーにおけるエッチング終了時点を検出する光検出素子と、を有するプラズマエッチャーの終点検出装置において、
前記分光手段の回動位置を検出する位置検出手段と、
この位置検出手段による前記分光手段の回動位置の検出結果を報知する報知手段と、を有することを特徴とするプラズマエッチャーの終点検出装置。
【請求項２】
プラズマエッチャーのチャンバ内で発生するプラズマ光を入射して分光角度に応じた波長選択を行う回動可能な分光手段と、
この分光手段の回動角度の変更を行う角度変更手段と、
前記分光手段により波長選択されたプラズマ光を検出しプラズマエッチャーにおけるエッチング終了時点を検出する光検出素子と、を有するプラズマエッチャーの終点検出装置において、
前記分光手段の回動位置を検出する第１の位置検出手段と、
前記角度変更手段の位置を検出する第２の位置検出手段と、
前記第１、第２の各位置検出手段の検出結果を報知する第１、第２の報知手段と、を有することを特徴とするプラズマエッチャーの終点検出装置。
【請求項３】
プラズマエッチャーのチャンバ内で発生するプラズマ光を入射して分光角度に応じた波長選択を行う回動可能なグレーティングミラーと、
このグレーティングミラーの回動角度の変更を行う精密ネジ機構と、
前記グレーティングミラーにより波長選択されたプラズマ光を検出しプラズマエッチャーにおけるエッチング終了時点を検出する光検出素子と、を有するプラズマエッチャーの終点検出装置において、
前記グレーティングミラーの回動位置を検出する光遮蔽型のフォトインタラプタを用いた第１の位置検出手段と、
前記精密ネジ機構の位置を検出する光反射型のフォトインタラプタを用いた第２の位置検出手段と、
前記第１、第２の各位置検出手段の検出結果を報知する第１、第２の発光ダイオードと、を有することを特徴とするプラズマエッチャーの終点検出装置。
【請求項４】
プラズマエッチャーのチャンバ内で発生するプラズマ光を入射して分光角度に応じた波長選択を行う回動可能な分光手段と、
この分光手段の回動角度の変更を行う精密ネジ機構と、
前記分光手段により波長選択されたプラズマ光を検出しプラズマエッチャーにおけるエッチング終了時点を検出する光検出素子と、を有するプラズマエッチャーの終点検出装置において、
前記精密ネジ機構の位置を検出する位置検出手段と、
前記位置検出手段の検出結果を報知する報知手段と、を有することを特徴とするプラズマエッチャーの終点検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明によれば、光遮蔽型のフォトインタラプタを用いた第１の位置検出手段が前記グレーティングミラーの回動位置を検出し、第１の発光ダイオードが第１の位置検出手段による前記グレーティングミラーの回動位置の検出結果を報知する。また、光反射型のフォトインタラプタを用いた第２の位置検出手段が、前記精密ネジ機構の位置を検出し第２の発光ダイオードが第２の位置検出手段の検出結果を報知するものであるから、従来例のような確認用の光源等を使用せずに前記グレーティングミラーや精密ネジ機構の位置ずれ等によるプラズマ光の波長設定のズレを容易に検知でき、前記グレーティングミラーや精密ネジ機構に対する調整時の作業性、保守性の向上を図ることができる。また、グレーティングミラーを回動させて波長選択を任意に行う際の分光手段の位置検出を容易に行うことができる。
請求項４記載の発明は、プラズマエッチャーのチャンバ内で発生するプラズマ光を入射して分光角度に応じた波長選択を行う回動可能な分光手段と、この分光手段の回動角度の変更を行う精密ネジ機構と、前記分光手段により波長選択されたプラズマ光を検出しプラズマエッチャーにおけるエッチング終了時点を検出する光検出素子とを有するプラズマエッチャーの終点検出装置において、前記精密ネジ機構の位置を検出する位置検出手段と、前記位置検出手段の検出結果を報知する報知手段とを有することを特徴とするものである。
この発明によれば、位置検出手段が、前記精密ネジ機構の位置を検出し報知手段が位置検出手段の検出結果を報知するものであるから、従来例のような確認用の光源等を使用せずに前記精密ネジ機構の位置ずれ等によるプラズマ光の波長設定のズレを容易に検知でき、前記精密ネジ機構に対する調整時の作業性、保守性の向上を図ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
請求項３記載の発明によれば、グレーティングミラーや精密ネジ機構の位置ずれ等によるプラズマ光の波長設定のズレを容易に検知でき、前記グレーティングミラーや精密ネジ機構に対する調整時の作業性、保守性の向上を図ることができ、また、グレーティングミラーを回動させて波長選択を任意に行う際の分光手段の位置検出を容易に行うことができるプラズマエッチャーの終点検出装置を提供できる。
請求項４記載の発明によれば、精密ネジ機構の位置ずれによるプラズマ光の波長設定のズレを容易に検知でき、前記精密ネジ機構に対する調整時の作業性、保守性の向上を図ることができるプラズマエッチャーの終点検出装置を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数しきい値電圧デバイスのための電極構造であって、
表面を有する半導体基板（４５）、
前記基板（４５）の表面上に横たわる関係に配置されかつ前記基板の表面に実質的に垂直な第１の側壁を画定する第１の電極材料（４７）、
前記第１の側壁上に形成されかつ前記第１の側壁と実質的に平行でかつ前記第１の側壁から間隔をあけられた第２の側壁を画定する第１の非導電性の側壁スペーサ（４８）、
前記基板の表面に対し横たわる関係で形成されかつ前記第２の側壁と実質的に平行でありかつ前記第２の側壁から間隔をあけられた第３の側壁を画定するように前記第２の側壁上に形成された第２の電極材料（５１，５２）であって、前記第１および第２の電極材料は共通の半導体デバイスの第１および第２の電極として電気的に接続されているもの、および
前記基板の表面上に、前記基板と前記第１の非導電性の側壁スペーサとの間および前記基板と前記第１および第２の電極材料の内の少なくとも１つの間に配置された電極誘電体材料（４６，５０）であって、前記第１および第２の電極材料は異なる厚さの電極誘電体材料の上に配置され、前記第１の電極材料（４７）は前記第２の電極材料（５１，５２）よりも電極誘電体材料のより薄い部分の上に配置され、前記第２の電極材料（５１，５２）に対して前記第１の電極材料（４７）よりもより大きな活性化電圧を必要とするもの、
を具備することを特徴とする複数しきい値電圧デバイスのための電極構造。
【請求項２】
複数しきい値電圧デバイスのための電極構造であって、
表面を有する半導体基板（４５）、
前記表面上の第１の層の誘電体（４６）であって、該第１の層の誘電体は第１の厚さを有するもの、
前記第１の層の誘電体の少なくとも一部分の上の第２の層の誘電体（５０）、
前記基板の表面上に横たわる関係に配置されかつ前記基板の表面に実質的に垂直な第１の側壁を画定する前記第１の層の誘電体の上に配置された第１の電極材料（４７）、
前記第１または第２の誘電体層の内の少なくとも１つの上に、前記第１の側壁の上に形成され、かつ前記第１の側壁と実質的に平行でありかつ前記第１の側壁から間隔をあけられた第２の側壁を画定する第１の非導電性側壁スペーサ（４８）、および
前記基板の表面に対して上に横たわる関係に前記第２の層の誘電体の上に配置されかつ前記第２の側壁と実質的に平行でありかつ前記第２の側壁から間隔をあけた第３の側壁を画定するように前記第２の側壁の上に形成された第２の電極材料（５１，５２）であって、前記第１および第２の電極材料は共通の半導体デバイスにおける第１および第２の電極として電気的に接続されているもの、
を具備し、動作の間に、前記第２の電極材料（５１，５２）に対して前記第１の電極材料（４７）に対するものとは異なる活性化電圧が必要とされることを特徴とする複数しきい値電圧デバイスのための電極構造。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月11日(2004.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ランプハウジング２から点灯回路ユニット５を取り外すことで、ケーブルカプラ６のコードコネクタ６ａとケーブルカプラ６のプラグ６ｂとは離別する。従って、点灯回路ユニット５の取り外し作業完了時には必ずコードコネクタ６ａからプラグ６ｂが分離し、点灯回路ユニット５の給電が遮断される。
また、コードコネクタ６ａを直接ランプハウジング２に取付け、プラグ６ｂを直接点灯回路ユニット５に取付けたので、ランプハウジング２からの点灯回路ユニット５の取り外し動作に連動して即座に点灯回路ユニット５の給電を遮断することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
点灯回路ユニット２５は、回路ケース３１と、このケース３１内で放電ランプ２４を点灯するために設けた回路本体３２とからなり、放電ランプ２４に高圧電圧を供給するための高圧コード３３，３３を備える。
ケーブルカプラ２６は、回路本体３２に電源を供給するためにケース３１を貫通して回路本体３２に取付けたコードコネクタ２６ａと、このコードコネクタ２６ａに嵌合するとともにハーネス２８を接続したプラグ２６ｂとからなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図５は図４の５矢視図であり、本発明に係る車両用前照灯の第２実施例の平面図を示す。
回路ケース３１は、ケース本体部３１ａと、このケース本体部３１ａをハウジング２２に取付けるための取付け部３１ｂ…と、これらの取付け部３１ｂ…とともにランプハウジング２２にケース本体部３１ａを取付けた押え板３６とからなる。また、回路ケース３１は、ランプハウジング２２にシール部材３７を介して取付けねじ２９ａで押え板３６を固定するとともに取付けねじ２９ｂ…で取付け部３１ｂ…を固定したものである。
ランプハウジング２２から点灯回路ユニット２５を取り外すためには、点灯回路ユニット２５をランプハウジング２２へ取付けた締結部材を解除する必要がある。しかし、取付けねじ２９ａを覆う位置に点灯回路ユニット２５へ給電するハーネス２８に取り付けたケーブルカプラ２６のプラグ２６ｂがあり、このプラグ２６ｂを取り外さなければ取付けねじ２９ａを解除することはできない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
点灯回路ユニット４５は、回路ケース５１と、この回路ケース５１内で放電ランプ４４を点灯するために設けた回路本体５２とからなり、放電ランプ４４に高圧電圧を供給するための高圧コード５３，５３を備える。
ケーブルカプラ４６は、回路本体５２に電源を供給するために回路ケース５１を貫通して回路本体５２に取付けたコードコネクタ４６ａと、このコードコネクタ４６ａに嵌合するとともにハーネス４８を接続したプラグ４６ｂとからなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
点灯回路ユニット６５は、回路ケース７１と、この回路ケース７１内で放電ランプ６４を点灯するために設けた回路本体７２とからなり、放電ランプ６４に高圧電圧を供給するための高圧コード７３，７３を備える。
ケーブルカプラ６６は、回路本体７２に電源を供給するために回路ケース７１を貫通して回路本体７２に取付けたコードコネクタ６６ａと、このコードコネクタ６６ａに嵌合するとともにハーネス６８を接続したプラグ６６ｂとからなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に有機化合物からなる発光層が存在する有機電界発光素子であって、該素子に含まれる陰極が複数の単位電極からなり、複数の単位電極が電気的に接続され、単位電極が有機電界発光素子面内に存在する複数の発光領域にまたがることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
複数の単位電極がガイド電極によって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
複数の単位電極同士が部分的に重なり合うことによって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
複数の単位電極が電気的に接続されていることで形成される列がストライプ状に並んでいることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
複数の単位電極が電気的に接続されていることで形成される列が、有機層を挟んで対向するもう一方の電極と交差していることを特徴とする請求項４記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
列の間隔が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項４または５記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
陽極と陰極との間に有機化合物からなる発光層が存在する有機電界発光素子の製造方法であって、該素子に含まれる陰極がシャドーマスクを利用したドライプロセスによってパターン加工された複数の単位電極を電気的に接続したものであり、単位電極が有機電界発光素子面内に存在する複数の発光領域にまたがることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項８】
シャドーマスクが格子状の形状であることを特徴とする請求項７記載の有機電界発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記課題を達成するために、本発明の有機電界発光素子は次のことを特徴とする。すなわち、「陽極と陰極との間に有機化合物からなる発光層が存在する有機電界発光素子であって、該素子に含まれる陰極が複数の単位電極からなり、複数の単位電極が電気的に接続され、単位電極が有機電界発光素子面内に存在する複数の発光領域にまたがる」ことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも有機発光層を有する有機化合物層を陽極と陰極からなる一対の電極で挟持してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記有機発光層が２層以上の層からなるとともに、有機発光層を構成する物質として同一種または同一色の蛍光性物質を全ての有機発光層にドーピングしてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
少なくとも有機発光層を有する有機化合物層を陽極と陰極からなる一対の電極で挟持してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記有機発光層が２層以上の層からなるとともに、有機発光層を構成する物質として同一種または同一色のドーパントを全ての有機発光層にドーピングしてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記ドーパントが、電子と正孔の再結合により生成された有機ホスト物質の励起状態よりエネルギー移動が起こり発光するものであることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
各有機発光層を構成する有機ホスト物質の電子親和力が全て２．６ｅＶ以上である請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
各有機発光層を構成するホスト物質のイオン化ポテンシャルの関係が以下に示す式１の関係にある請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｉｐ（１）＜Ｉｐ（２）＜・・・・Ｉｐ（ｎ）              （式１）
（上記において、Ｉｐ（１）は、陽極側から数えて１番目の有機発光層を構成する有機ホスト物質のイオン化ポテンシャルであり、Ｉｐ（２）は、陽極側から数えて２番目の有機発光層を構成する有機ホスト物質のイオン化ポテンシャルであり、Ｉｐ（ｎ）は、陽極側から数えてｎ番目の有機発光層を構成する有機ホスト物質のイオン化ポテンシャルである。）
【請求項６】
各有機発光層を構成するホスト物質の電子親和力の関係が以下に示す式２の関係にある請求項１〜５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｅａ（１）＜Ｅａ（２）＜・・・・Ｅａ（ｎ）              （式２）
（上記において、Ｅａ（１）は、陽極側から数えて１番目の有機発光層を構成する有機ホスト物質の電子親和力であり、Ｅａ（２）は、陽極側から数えて２番目の有機発光層を構成する有機ホスト物質の電子親和力であり、Ｅａ（ｎ）は、陽極側から数えてｎ番目の有機発光層を構成する有機ホスト物質の電子親和力である。）
【請求項７】
隣接する有機発光層において、各有機発光層を構成する有機ホスト物質間のイオン化ポテンシャルの差が０．２ｅＶ以上である請求項１〜６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
隣接する有機発光層において、各有機発光層を構成する有機ホスト物質間の電子親和力の差が０．２ｅＶ以下である請求項１〜７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月9日(2004.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒層を一体に形成した高分子固体電解質を用いた燃料電池用のガス拡散層材料であって、カーボン繊維織布の表面にフッ素樹脂とカーボンブラックとからなる層が形成されていることを特徴とする高分子固体電解質燃料電池用ガス拡散層材料。
【請求項２】
フッ素樹脂とカーボンブラックからなる層が、カーボン繊維織布の厚さの二分の一以上侵入していない請求項１記載の高分子固体電解質燃料電池用ガス拡散層材料。
【請求項３】
カーボン繊維織布がフッ素樹脂により撥水処理されている請求項１記載の高分子固体電解質燃料電池用ガス拡散層材料。
【請求項４】
カーボン繊維織布がフッ素樹脂とカーボンブラックの混合物により撥水処理されている請求項１記載の高分子固体電解質燃料電池用ガス拡散層材料。
【請求項５】
前記カーボン繊維織布の表面に形成した前記層の前記フッ素樹脂がポリテトラフルオロエチレンである請求項１〜４のいずれか１項に記載の高分子固体電解質燃料電池用ガス拡散層材料。
【請求項６】
前記カーボン繊維織布を撥水処理する前記フッ素樹脂がポリテトラフルオロエチレンである請求項３〜５のいずれか１項に記載の高分子固体電解質燃料電池用ガス拡散層材料。
【請求項７】
高分子固体電解質と、高分子固体電解質に一体に形成した触媒層と、該触媒層に接して形成した請求項１〜６のいずれか１項に記載のガス拡散層材料を含むことを特徴とする高分子固体電解質燃料電池用接合体。
【請求項８】
請求項７記載の接合体を用いた高分子固体電解質燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
実施例１
カーボン繊維織布として、直径７．５ミクロンのフィラメントを４５本束ねた糸を用いて平織りに製織した、厚さ約４００ミクロンのもの（ＡｖＣａｒｂ：商標）を用いた。これを撥水処理する液として、ノニオン型活性剤を加えた水１リットルに対しカーボンブラックを５０グラム、ＰＴＦＥディスパージョンを樹脂分で２５グラム加えよく混合した分散液を用意し、この液に前記カーボン繊維織布を浸漬した。過剰分を絞り落とし、風乾した後、３７０℃、３０分間加熱してＰＴＦＥを溶融させることにより、カーボンブラック及びカーボン繊維同士を固着させると同時に、活性剤を分解除去して、撥水性のカーボン繊維織布を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月12日(2004.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正負極板の少なくとも一方の極板の端縁部を他方の極板の端縁部より突出させ、セパレータを介して巻回あるいは積層してなる発電素子を有し、少なくとも該発電素子の突出した極板の端縁部と集電体とを接合して集電する非水電解質二次電池において、集電体にスリットを形成し該スリットに前記突出した極板の端縁部を差込、該集電体のスリット部と極板の端縁部とが接合されていることを特徴とする非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、正負極板の少なくとも一方の極板の端縁部を他方の極板の端縁部より突出させ、セパレータを介して巻回あるいは積層してなる発電素子を有し、少なくとも該発電素子の突出した極板の端縁部と集電体とを接合して集電する非水電解質二次電池において、集電体にスリットを形成し該スリットに前記突出した極板の端縁部を差込、該集電体のスリット部と極板の端縁部とが接合されていることを特徴とするものである。本発明においては、前記集電体のスリット部の端面に対して、差し込まれた極板の端縁部の先端が±２ｍｍの範囲内に位置することが好ましく、集電体のスリット部と差込まれた極板の端縁部との間の隙間が０．２ｍｍ以下であることが好ましく、集電体が、板材により成形されたものであり、その板厚みが０．１ｍｍ〜２ｍｍであることが好ましく、集電体が切削加工により成形されたものであることが好ましく、極板の端縁部と集電体とはレーザー溶接されていることが好ましく、レーザー溶接の光軸を、溶接面に対して垂直から５度〜４５度傾けて溶接することが好ましく、レーザー溶接のパルス出力波形を段階的に減衰させることによって溶接することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【実施例】
実施例１
正極活物質として炭酸リチウム０．５モルと炭酸コバルト１モルとを混合して、９００℃で空気中にて焼成してＬｉＣｏＯ２を得た。このＬｉＣｏＯ２を９１重量％と導電剤としてグラファイトを６重量％と結着剤としてポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）３重量％を混合し正極合剤とした。この正極合剤にＮメチル２ピロリドンを溶剤として添加し、混合分散してスラリー状にした。極板の基体として厚さ２０μｍの帯状アルミニウム箔を用い、この基体に正極合剤スラリーを均一に塗布し、乾燥させた後にロールプレス機を用いて厚さを２００μｍに調整して長さ９５６０ｍｍ、１７１ｍｍ帯状の正極板を作製した。この極板の長辺の一方の端縁部には、１０ｍｍの幅の未塗布部を設けた。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
負極には、リチウムのドープ・脱ドープが可能な炭素材料（グラファイト）粉末を用いた。グラファイト粉末を９０重量％、結着剤としてのＰＶＤＦを１０重量％を混合して負極合剤とした。この負極合剤にＮメチル２ピロリドンを溶剤として添加し、混練してスラリー状にした。極板の基体として厚さ２０μｍの帯状銅箔を用い、この基体１に負極合剤スラリーを均一に塗布し、乾燥させた後にロールプレス機を用いて厚さを２３０μｍに調整して長さ９９００ｍｍ、幅１７２ｍｍの帯状の負極を作製した。この極板の一方の端縁部にも正極と同様に、１０ｍｍの幅の未塗布部を設けた。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報提供システム、無線通信端末およびサーバ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバ装置と、このサーバ装置に接続される端末装置とを備え、
上記端末装置は、
上記サーバ装置に提供する情報を作成する情報作成手段と、
上記情報作成手段で作成された情報を上記サーバ装置に送信する情報送信手段とを有する
ことを特徴とする情報提供システム。
【請求項２】
上記サーバ装置では、情報がツリー状に整理されている
ことを特徴とする請求項１に記載の情報提供システム。
【請求項３】
上記端末装置は、携帯型端末装置である
ことを特徴とする請求項１に記載の情報提供システム。
【請求項４】
上記サーバ装置では、情報がツリー状に整理されている
ことを特徴とする請求項３に記載の情報提供システム。
【請求項５】
上記端末装置は、上記情報作成手段で作成された情報の有効期間を設定する有効期間設定手段をさらに有し、
上記情報送信手段は、上記有効期間設定手段で設定された有効期間の情報を、上記情報作成手段で作成された情報と共に上記サーバ装置に送信する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報提供システム。
【請求項６】
上記端末装置は、上記情報作成手段で作成された情報の取得可能者を設定する取得可能者設定手段をさらに有し、
上記情報送信手段は、上記取得可能者設定手段で設定された取得可能者の情報を、上記情報作成手段で作成された情報と共に上記サーバ装置に送信する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報提供システム。
【請求項７】
電話通信を行う無線基地局と接続して通信を行う無線通信部と、
上記無線基地局を介してサーバ装置に接続要求を送信する接続要求手段と、
上記接続要求に応じて上記サーバ装置が提供する情報に基づいて選択項目を表示させる処理を行う処理手段と
を備えることを特徴とする無線通信端末。
【請求項８】
電話通信を行う無線基地局を介して情報通信端末から提供可能情報項目の提供を要求する提供要求を受信する提供要求受信手段と、
上記提供要求に応じて、提供可能情報項目の情報を無線基地局を介して上記情報通信端末に送信する送信手段と
を備えることを特徴とするサーバ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、情報提供システム、無線通信端末およびサーバ装置に関する。詳しくは、端末装置に、情報を作成し、その情報をサーバ装置に送信する機能を持たせることによって、端末装置からサーバ装置への情報の提供を可能にした情報提供システム等に係るものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、この発明では、端末装置からサーバ装置への情報の提供を可能にした情報提供システム等を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る情報提供システムは、サーバ装置と、このサーバ装置に接続される端末装置とを備え、端末装置は、サーバ装置に提供する情報を作成する情報作成手段と、この情報作成手段で作成された情報をサーバ装置に送信する情報送信手段とを有するものである。
また、この発明に係る無線通信端末は、電話通信を行う無線基地局と接続して通信を行う無線通信部と、無線基地局を介してサーバ装置に接続要求を送信する接続要求手段と、接続要求に応じてサーバ装置が提供する情報に基づいて選択項目を表示させる処理を行う処理手段とを備えるものである。
また、この発明に係るサーバ装置は、電話通信を行う無線基地局を介して情報通信端末から提供可能情報項目の提供を要求する提供要求を受信する提供要求受信手段と、提供要求に応じて、提供可能情報項目の情報を無線基地局を介して情報通信端末に送信する送信手段とを備えるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から挿入されたＩＣカードをデータ処理するためのコネクタ手段と、このコネクタ手段に前記挿入されたＩＣカードを接続するための手段と、前記コネクタ手段によってデータ処理されたＩＣカードを外部に払い出すための手段と、を備えていることを特徴としたＩＣカードの発行装置。
【請求項２】
重ねられたＩＣカードの最も下あるいは外側に位置するＩＣカードのみを払い出すための手段と、該払い出されたＩＣカードをデータ処理するためのコネクタ手段と、このコネクタ手段に前記払い出されたＩＣカードを接続するための手段と、前記コネクタ手段によってデータ処理されたＩＣカードを外部に払い出すための手段と、を備えていることを特徴としたＩＣカードの発行装置。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２の記載において、前記コネクタ手段によってデータ処理された或いは処理されなかったＩＣカードを装置内部に回収するための手段を備えていることを特徴としたＩＣカードの発行装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また本発明の他の目的は装置の外部から挿入されたＩＣカードをデータ処理し再び該ＩＣカードを当該装置の外に発行できる装置の提供にある。
【課題を解決するための手段】本発明は、外部から挿入されたＩＣカードをデータ処理するためのコネクタ手段と、このコネクタ手段に前記挿入されたＩＣカードを接続するための手段と、前記コネクタ手段によってデータ処理されたＩＣカードを外部に払い出すための手段と、を備えていることを特徴としたＩＣカードの発行装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明は、重ねられたＩＣカードの最も下あるいは外側に位置するＩＣカードのみを払い出すための手段と、該払い出されたＩＣカードをデータ処理するためのコネクタ手段と、このコネクタ手段に前記払い出されたＩＣカードを接続するための手段と、前記コネクタ手段によってデータ処理されたＩＣカードを外部に払い出すための手段と、を備えていることを特徴としたＩＣカードの発行装置である。さらに本発明は、前記コネクタ手段によってデータ処理された或いは処理されなかったＩＣカードを装置内部に回収するための手段を備えていることを特徴としたＩＣカードの発行装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明を其の実施について添付の図面を参照しつつ説明する。まず図１は本発明による一実施例を示す概略的な斜視図である。つぎに図２は図１の一部を取り除いて示す概略的な斜視図である。さらに図３は図２の要部を取り出して示す概略的な斜視図である。ここで此等の図面に基づいて本実施例の全体を概略説明する。図１の大きなＬ形の一対の板は当該装置を構成するサイド板４１，４２である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１８は本実施例に使用されるブロック回路図である。図１８を此処で概略説明する。図１８左の符号ＨＣはホスト機（図示略）のコントローラである。そして図１８中央の符号ＭＣは当該装置のコントローラである。なおモータ３８，３９はそれぞれ駆動回路ＭＤを介在して正回転ならびに逆回転が制御される。
上述の実施例は主のコントローラＨＣからＩＣカード３２の払い出し信号Ｓ１があるとコントローラＭＣと駆動回路ＭＤを介在してモータ３８が正回転される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明による一実施例を示す概略的な斜視図である。
【図２】図２は図１の一部を取り除いて示す概略的な斜視図である。
【図３】図３は図２の要部を取り出して示す概略的な斜視図である。
【図４】図４は図２の要部の一部を切り欠き拡大して示す斜視図である。
【図５】図５は図４の使用状態を示す一部切り欠きの平面図ならびに側面断面図である。
【図６】図６は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図７】図７は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図８】図８は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図９】図９は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図１０】図１０は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図１１】図１１は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図１２】図１２は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図１３】図１３は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図１４】図１４は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図１５】図１５は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図１６】図１６は本実施例の動作を説明するための説明図である。
【図１７】図１７は従来例を概略的に示す斜視図である。
【図１８】図１８は本実施例の動作を説明するためのブロック回路図である。
【図１９】図１８は本実施例の動作を説明するためのフロー図である。
【図２０】図２０は本実施例の他の動作を説明するためのフロー図である。