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【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】密閉型鉛蓄電池の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顆粒シリカを希硫酸に分散させた溶液を使用する顆粒式密閉形鉛蓄電池の製造方法において、顆粒シリカを希硫酸に分散させるための分散槽内に、投入された希硫酸を分散槽内側面に沿って落下させるための中蓋を設置したことを特徴とする密閉形鉛蓄電池の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】  本発明が解決しようとする課題は、上述のような問題を除去するため、顆粒シリカと希硫酸を分散させた溶液を注液し、排出口から余剰電解液のみを排出する場合において、安定した混合比率の分散溶液が得られる密閉形鉛蓄電池の製造方法を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、請求項１記載の発明の密閉形鉛蓄電池の製造方法では、顆粒シリカを希硫酸に分散させた溶液を使用する顆粒式密閉形鉛蓄電池の製造方法において、顆粒シリカを希硫酸に分散させるための分散槽内に、投入された希硫酸を分散槽内側面に沿って落下させるための中蓋を設置したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】 【発明の実施の形態】以下に、本発明の好ましい実施の形態を説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではない。本発明による密閉形鉛蓄電池の製造方法は、顆粒シリカを希硫酸に分散させる工程において、分散槽に、先ず希硫酸の一部と顆粒シリカの全量とを投入して撹拌する。この時顆粒シリカは軽い微小粉末のため撹拌中に舞い上がり、一部が分散槽内側面に付着するために、混合比率が不適正になる。そして、最後に希硫酸の残量を投入して撹拌する時に、中蓋の端部から分散槽内側面に沿って希硫酸が流れ落ちることにより、分散槽内側面に付着した顆粒シリカを洗い流すため、顆粒シリカが分散槽内側面に付着することなく適正かつ均一に混合した分散溶液を得ることができる。好ましくは、中蓋には顆粒シリカを投入するための開孔部を設けることが望ましい。または、中蓋は開閉可能であり、顆粒シリカを投入する時は開いており、希硫酸を投入する時には閉じているような機構を備えていてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】図１に本発明による密閉形鉛蓄電池の製造方法を模式的に示したように、顆粒シリカと希硫酸とを混合し、顆粒シリカを分散させる工程において、分散槽５に、先ず希硫酸投入口２からバルブ４を通って希硫酸の所要量の８０〜９０％を投入し、次に顆粒シリカの所要量の全量を粉体投入口１からバルブ３を通って中蓋８の開孔部９を通過して投入し、回転羽根６を回転させて混合・分散する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】 【発明の効果】以上述べたように、本発明の密閉形鉛蓄電池の製造方法は従来の製造方法に比べ、安定した混合比率の分散溶液を得ることができ、また生産性に優れており、その工業的価値はきわめて大きい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図表の簡単な説明】 【図１】 本発明による密閉鉛蓄電池製造方法を示す模式図【図２】 従来の密閉形鉛蓄電池の製造方法【符号の説明】 １ 粉体投入口２ 希硫酸投入口３ バルブ４ バルブ５ 分散槽６ 回転羽根７ バルブ８ 中蓋９ 開孔部
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月10日(2004.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムを吸臓・放出可能な正極と、リチウムを吸臓・放出可能な負極と、非水溶媒にリチウム塩を溶解してなる電解質とを備えた非水系二次電池において、前記非水溶媒が一般式（１）で表されるビニルエチレンカーボネート化合物を含有し、さらに、ビニレンカーボネート、環状スルホン酸または環状硫酸エステル、環状酸無水物からなる群から選択される少なくとも１つを含有することを特徴とする非水系二次電池。
【化１】
2003151623.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す）
【請求項２】
非水溶媒がガンマブチロラクトンを含むことを特徴とする請求項１記載の非水系二次電池。
【請求項３】
環状スルホン酸が１、３−プロパンスルトン、１，４−ブタンスルトン、１，３−ブタンスルトン、１，３−プロペンスルトンからなる群から選択される少なくとも１つであり、環状硫酸エステルがグリコールサルフェートであることを特徴とする請求項１または２記載の非水系二次電池。
【請求項４】
環状酸無水物が無水琥珀酸、無水グルヌン酸、無水マレイン酸、無水シトラコン酸、無水ジグリコール酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、４−シクロヘキセンー１，２−ジカルボン酸無水物、３，４，５，６−テトラヒドロフタル酸無水物、５−ノルブルネンー２，３−ジカルボン酸無水物、フェニル琥珀酸無水物、２−フェニルグルヌル酸無水物からなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項１、２または３記載の非水系二次電池。
【請求項５】
一般式（１）で表されるビニルエチレンカーボネート化合物、ビニレンカーボネート、環状スルホン酸または環状硫酸エステル、ビニレンカーボネートおよび環状酸無水物の合計重量が、電解液の総重量に対し０．０５重量％以上５重量％以下であることを特徴とする請求項１、２、３または４記載の非水系二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記非水系二次電池において、電解質塩がＬｉＢＦ４とＬｉＰＦ６とを含むこと特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ＬｉＢＦ４を主体とした電解質塩にＬｉＰＦ６を適量加えることにより、安定な負極皮膜が形成され、充放電性能と充放電サイクル寿命性能が向上した非水系二次電池を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項５の発明は、一般式（１）で表されるビニルエチレンカーボネート化合物、ビニレンカーボネート、環状スルホン酸または環状硫酸エステル、ビニレンカーボネートおよび環状酸無水物の合計重量が、電解液の総重量に対し０．０５重量％以上５重量％以下であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項５の発明によれば、充放電サイクル寿命性能と高温放置性能に優れた非水系二次電池を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による電池では、軽金属の吸蔵・離脱反応において、溶媒の還元分解が抑制される共に、軽金属の析出・溶解反応において、析出した軽金属と溶媒との反応が防止される。よって、電解質の化学的安定性が高く、高い放電容量が得られると共に、サイクル特性などが改善される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
なお、電解液に代えて、高分子化合物に電解液を保持させたゲル状の電解質を用いてもよい。ゲル状の電解質は、イオン伝導度が室温で１ｍＳ／ｃｍ以上であるものであればよく、組成および高分子化合物の構造に特に限定はない。電解液（すなわち液状の溶媒，電解質塩および添加剤）については上述のとおりである。高分子化合物としては、例えば、ポリアクリロニトリル、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデンとポリヘキサフルオロプロピレンとの共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリフォスファゼン、ポリシロキサン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸メチル、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、スチレン−ブタジエンゴム、ニトリル−ブタジエンゴム、ポリスチレンあるいはポリカーボネートが挙げられる。特に、電気化学的安定性の点からは、ポリアクリロニトリル、ポリフッ化ビニリデン、ポリヘキサフルオロプロピレンあるいはポリエチレンオキサイドの構造を持つ高分子化合物を用いることが望ましい。電解液に対する高分子化合物の添加量は、両者の相溶性によっても異なるが、通常、電解液の５質量％〜５０質量％に相当する高分子化合物を添加することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
（実施例５〜７）
ビニルエチレンカーボネートに代えて、化９に示したビニルエチレントリチオカーボネート，化１０に示した１，３−ブタジエンエチレンカーボネートまたは化１１に示したジビニルエチレンカーボネートを電解液に添加したことを除き、他は実施例２と同様にして二次電池を作製した。実施例５〜７についても実施例２と同様にして充放電試験を行い、初回容量、１００サイクル目の放電容量および完全充電状態と完全放電状態とにおけるリチウム金属の析出の有無を調べた。表２にそれらの結果を実施例２および比較例１の結果と合わせて示す。表２において、初回放電容量は比較例１の初回放電容量を１００とした時の相対値であり、１００サイクル目の放電容量は比較例１の１００サイクル目の放電容量を１００とした時の相対値である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項１２のいずれか１に記載の電池によれば、電解質が化１または化２に示した化合物のうちの少なくとも１種を含有するようにしたので、負極に軽金属が吸蔵される際に、ラジカル活性点で不飽和アルキル基Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が反応して、負極の表面に被膜を形成することができ、負極のラジカル活性点での溶媒の還元分解を抑制することができる。また、軽金属の析出・溶解反応においては、軽金属の析出をその被膜の下で行わせることができ、析出した軽金属と溶媒との反応を防止することができる。よって、電解質の化学的安定性を向上させることができ、放電容量および充放電サイクル特性などの電池特性を改善することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003151627.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＧａＮ系半導体基材およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶基板と、該基板上に成長したＧａＮ系半導体結晶層とを有するＧａＮ系半導体基材であって、
前記結晶基板の上面には凹凸が加工され、
前記ＧａＮ系半導体結晶層は、該凹凸の凸部から該凹凸を覆って成長した層であり、
該層の、隣り合った凸部から成長した結晶同士が結合するまでに成長された部分には、ＡｌＧａＮ結晶層が横方向に積層された積層構造が含まれ、
該積層構造は、隣接する層同士の間で互いにＡｌ組成比が異なるようにＡｌＧａＮ結晶層が積層されたものであることを特徴とするＧａＮ系半導体基材。
【請求項２】
上記凹凸が、ストライプパターンとして形成され、該ストライプの長手方向が、その上に成長するＧａＮ系半導体結晶の〈１１−２０〉方向、または〈１−１００〉方向である請求項１記載のＧａＮ系半導体基材。
【請求項３】
上記凹凸が、断面矩形波状のストライプパターンとして形成され、凹溝部分の溝深さをｄ、溝幅をＷ１として、ｄ／Ｗ１で定められるアスペクト比が０．０１以上である請求項１記載のＧａＮ系半導体基材。
【請求項４】
上記積層構造が、大きい方のＡｌ組成比のＡｌＧａＮ結晶層と、小さい方のＡｌ組成比のＡｌＧａＮ結晶層とが、交互に積層されたものである請求項１記載のＧａＮ系半導体基材。
【請求項５】
大きい方のＡｌ組成比が０．０１〜０．７であって、小さい方のＡｌ組成比が０〜０．１である請求項４記載のＧａＮ系半導体基材。
【請求項６】
上記積層構造が、超格子構造である請求項１〜５のいずれかに記載のＧａＮ系半導体基材。
【請求項７】
結晶基板と、該基板上に成長したＧａＮ系半導体結晶層とを有するＧａＮ系半導体基材の製造方法であって、
結晶基板の上面に凹凸を加工する工程と、
前記凹凸の凸部から、少なくとも隣接する層同士の間で互いにＡｌ組成比が異なるようにＡｌＧａＮ結晶層が横方向に積層された積層構造を含むＡｌＧａＮ結晶層を、横方向に成長させる工程とを、
有することを特徴とする、ＧａＮ系半導体基材の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のＧａＮ系結晶基材は次の特徴を有するものである。
（１）結晶基板と、該基板上に成長したＧａＮ系半導体結晶層とを有するＧａＮ系半導体基材であって、
前記結晶基板の上面には凹凸が加工され、
前記ＧａＮ系半導体結晶層は、該凹凸の凸部から該凹凸を覆って成長した層であり、
該層の、隣り合った凸部から成長した結晶同士が結合するまでに成長された部分には、ＡｌＧａＮ結晶層が横方向に積層された積層構造が含まれ、
該積層構造は、隣接する層同士の間で互いにＡｌ組成比が異なるようにＡｌＧａＮ結晶層が積層されたものであることを特徴とするＧａＮ系半導体基材。
（２）上記凹凸が、ストライプパターンとして形成され、該ストライプの長手方向が、その上に成長するＧａＮ系半導体結晶の〈１１−２０〉方向、または〈１−１００〉方向である上記（１）記載のＧａＮ系半導体基材。
（３）上記凹凸が、断面矩形波状のストライプパターンとして形成され、凹溝部分の溝深さをｄ、溝幅をＷ１として、ｄ／Ｗ１で定められるアスペクト比が０．０１以上である上記（１）記載のＧａＮ系半導体基材。
（４）上記積層構造が、大きい方のＡｌ組成比のＡｌＧａＮ結晶層と、小さい方のＡｌ組成比のＡｌＧａＮ結晶層とが、交互に積層されたものである上記（１）記載のＧａＮ系半導体基材。
（５）大きい方のＡｌ組成比が０．０１〜０．７であって、小さい方のＡｌ組成比が０〜０．１である上記（４）記載のＧａＮ系半導体基材。
（６）上記積層構造が、超格子構造である上記（１）〜（５）のいずれかに記載のＧａＮ系半導体基材。
（７）結晶基板と、該基板上に成長したＧａＮ系半導体結晶層とを有するＧａＮ系半導体基材の製造方法であって、
結晶基板の上面に凹凸を加工する工程と、
前記凹凸の凸部から、少なくとも隣接する層同士の間で互いにＡｌ組成比が異なるようにＡｌＧａＮ結晶層が横方向に積層された積層構造を含むＡｌＧａＮ結晶層を、横方向に成長させる工程とを、
有することを特徴とする、ＧａＮ系半導体基材の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月2日(2004.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そこで、上述した形態の切削機においては、一方の撮像手段によって矩形領域の少なくとも一部の画像を撮像し、そして画像処理手段が撮像された画像中の特定部位のＸ軸及びＹ軸における位置を例えばパターンマッチングによって検出し、次いでチャック手段をＸ軸方向に所定距離だけ移動せしめ、しかる後に再び他の矩形領域の少なくとも一部の画像を撮像し、撮像された画像中の特定部位のＸ軸及びＹ軸における位置を検出し、チャック手段をＸ軸方向に移動せしめる前と後の特定部位のＸ軸及びＹ軸における位置に基づいて、Ｘ軸及びＹ軸に対するストリートの傾斜角度を算出している。そして、検出した傾斜角度だけチャック手段を回転せしめて、Ｘ軸及びＹ軸に対するストリートの傾斜を矯正している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2003151920.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板材料を備える第１の半導体ウェーハと、第１の半導体ウェーハを介する電気的連絡ができるように構成されたバイア構造であって、基板との境界を形成する絶縁層を備える第1および第2の導体と、第1および第2の導体を基板材料から電気的に分離するように、第1および第2の導体双方の周囲に形成された第１の外部絶縁層とを含むバイア構造とを含むシステム。
【請求項２】
第１の半導体ウェーハに積み重ねられた第２の半導体ウェーハをさらに含み、バイア構造は、第１の半導体ウェーハと第２の半導体ウェーハが電気的に通じるようにする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
第１の半導体ウェーハと重なる第２の半導体ウェーハであって、第２の半導体ウェーハを介する電気的連絡ができるように構成されたバイア構造であって、基板との境界を形成する絶縁層を備える第1および第2の導体と、第1および第2の導体を基板材料から電気的に分離するように、第1および第2の導体双方の周囲に形成された第1の外部絶縁層とを含むバイア構造を含む第２の半導体ウェーハをさらに含む請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
第１の半導体ウェーハのバイア構造が、第２の半導体ウェーハのバイア構造へ信号を伝搬する請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
信号は、パワー信号およびデータ信号からなるグループから選択される請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
第１および第２の導体が互いに電気的に分離されており、第１の外部絶縁層の外側の基板材料からも分離されている請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
バイア構造が、第１の半導体ウェーハ内のさまざまな位置へ電気的に通じるように構成された請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
電気的連絡がデータ信号を含む請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
電気的連絡がパワー信号を含む請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
第１の外部絶縁層の周囲であり、かつ、第1および第2の導体双方の周囲に形成された第２の外部絶縁層をさらに含む請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
ウェーハ・スタックを形成する複数の半導体ウェーハを含むシステムであって、各々の半導体ウェーハが、基板材料と、基板材料中のバイア構造であって、１つの半導体ウェーハから他の半導体ウェーハへ電気的に通じるようにし、絶縁層を備える第1の導体と、絶縁層を備え、第１の導体から電気的に分離された第2の導体と、第1および第2の導体を基板材料から電気的に絶縁するように、第1および第2の導体双方の周囲に形成された外部絶縁層とを含むバイア構造とを含むシステム。
【請求項１２】
１つの半導体ウェーハのバイア構造から他の半導体ウェーハのバイア構造へ電気信号が伝搬する請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
バイア構造のうちの１つを介して、１つの半導体ウェーハの外側表面から、２つの半導体ウェーハの間に定められる位置へ電気信号が伝搬する請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
当該ウェーハ・スタックを介し、当該バイア構造を介して、電気信号が伝搬する請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＩｎｘＧａ１−ｘＮ系化合物半導体層（０≦ｘ≦１）からなるチャネル層およびＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｙ−ｚＮ系化合物半導体層（０≦ｙ、０≦ｚ、ｙ＋ｚ≦１）からなるワイドバンドギャップ層により構成されるヘテロ構造を含み、該ＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｙ−ｚＮ系ワイドバンドギャップ層において、該ヘテロ界面でのバンドギャップが該チャネル層のバンドギャップよりも広く、該ヘテロ界面から離れるに従って、Ａｌ混晶比ｚが連続的にまたは段階的に減少することを特徴とする２次元電子ガスを用いた電子デバイス。
【請求項２】  前記ワイドバンドギャップ層が、チャネル層側でアンドープ、それより表面側でｎ型不純物ドープであり、該アンドープとｎ型不純物ドープの膜厚が、前記Ａｌ混晶比変化と独立して設定されていることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
【請求項３】  該チャネル層とのヘテロ界面でのＡｌ混晶比ｚが０．３５以下であることを特徴とする請求項１または２記載の電子デバイス。
【請求項４】  該チャネル層がＧａＮ層であって、該ワイドバンドギャップ層がＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）であることを特徴とする請求項１ないし３いずれか１記載の電子デバイス。
【請求項５】  該ワイドバンドギャップ層は、ドナー不純物をドープした１または複数のドープ層と１または複数のアンドープ層とからなる多層構造であって、該ＧａＮチャネル層にはアンドープ層が接していることを特徴とする請求項１ないし４いずれか１記載の電子デバイス。
【請求項６】  該ドナー不純物がＳｉであることを特徴とする請求項５記載の電子デバイス。
【請求項７】  該ワイドバンドギャップ層上にｎ型ハイドープＧａＮコンタクト層を有することを特徴とする請求項１ないし６いずれか１記載の電子デバイス。
【請求項８】  基板上にＩｎｘＧａ１−ｘＮ系化合物半導体層（０≦ｘ≦１）からなるチャネル層を成膜する工程と、
該チャネル層上にＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｙ−ｚＮ系化合物半導体層（０≦ｙ、０≦ｚ、ｙ＋ｚ≦１）からなるワイドバンドギャップ層を成膜して、ヘテロ構造を形成する工程と、を含む２次元電子ガスを用いた電子デバイスの製造方法。
【請求項９】  基板上にＩｎｘＧａ１−ｘＮ系化合物半導体層（０≦ｘ≦１）からなるチャネル層を第１の温度で成膜する工程と、
該チャネル層上に、ＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｙ−ｚＮ系化合物半導体層（０≦ｙ、０≦ｚ、ｙ＋ｚ≦１）を、第２の温度で成長させた後、第２の温度と異なる第３の温度で成長させることで、Ａｌ混晶比を膜厚方向で変化させたワイドバンドギャップ層を成長させて、ヘテロ構造を形成する工程と、を含む２次元電子ガスを用いた電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】  前記第３の温度が第２の温度より低温であり、前記Ａｌ混晶比変化が、膜厚方向にＡｌ混晶比が小さくなることを特徴とする請求項９記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】  前記第２の温度が、第１の温度と同じか、それより低温であることを特徴とする請求項１０記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】  基板上にＩｎｘＧａ１−ｘＮ系化合物半導体層（０≦ｘ≦１）からなるチャネル層を第１の温度で成膜する工程と、
該チャネル層上に、前記第１の温度から温度変化させる条件下で、ＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｙ−ｚＮ系化合物半導体層（０≦ｙ、０≦ｚ、ｙ＋ｚ≦１）を成長させることで、Ａｌ混晶比を膜厚方向で変化させたワイドバンドギャップ層を成長させて、ヘテロ構造を形成する工程と、を含む２次元電子ガスを用いた電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】  該ワイドバンドギャップ層のＡｌ混晶比をヘテロ界面から離れるに従って減少させることを特徴とする請求項８ないし１２いずれか１記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】  該ワイドバンドギャップ層を成膜する際、一定の成長温度にて、Ａｌ原料ガス供給量を減少させることを特徴とする請求項８または１３記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１５】  該ワイドバンドギャップ層を成膜する際、一定のＡｌ原料ガス供給量にて、成長温度を降温することを特徴とする請求項８ないし１３いずれか１記載の電子デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造式（１）から（３）のいずれかで表され、かつ点対称骨格を有する縮合八環芳香族化合物を含有することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【化１】
構造式（１）
2003151775.tif 000001
ただし、Ｒ１〜Ｒ１８は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、水素原子又は置換基を表す。
【化２】
構造式（２）
2003151775.tif 000002
ただし、Ｒ１〜Ｒ１６は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、水素原子又は置換基を表す。
【化３】
構造式（３）
2003151775.tif 000003
ただし、Ｒ１〜Ｒ１４は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、水素原子又は置換基を表す。
【請求項２】
構造式（１）におけるＲ１〜Ｒ１８の少なくとも１つ、構造式（２）におけるＲ１〜Ｒ１６の少なくとも１つ、又は、構造式（３）におけるＲ１〜Ｒ１４の少なくとも１つがアリール基である請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
構造式（１）におけるＲ１〜Ｒ１８の少なくとも１つ、構造式（２）におけるＲ１〜Ｒ１６の少なくとも１つ、又は、構造式（３）におけるＲ１〜Ｒ１４の少なくとも１つがアリールアミノ基である請求項１から２のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
構造式（１）におけるＲ１〜Ｒ１８の少なくとも１つ、構造式（２）におけるＲ１〜Ｒ１６の少なくとも１つ、又は、構造式（３）におけるＲ１〜Ｒ１４の少なくとも１つがジアリールアミノ基である請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
発光層が、光吸収波長が縮合八環芳香族化合物よりも短波長側にありかつ発光波長が該縮合八環芳香族化合物の光吸収波長付近にあるホスト化合物を含有する請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
発光層が、ホスト化合物をｎ種（ｎは１以上の整数を表す）含有し、該ホスト化合物のうち、光吸収波長の短いものから順に、第１ホスト化合物、第２ホスト化合物、・・・、第ｎ−１ホスト化合物、第ｎホスト化合物とすると、
該第１ホスト化合物の発光波長が該第２ホスト化合物の光吸収波長付近にあり、該第２ホスト化合物の発光波長が該第３ホスト化合物の光吸収波長付近にあり、・・・、該第ｎ−１ホスト化合物の発光波長が該第ｎホスト化合物の光吸収波長付近にあり、該第ｎホスト化合物の発光波長が該縮合八環芳香族化合物の光吸収波長付近にある請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
下記構造式（１）から（３）のいずれかで表され、かつ点対称骨格を有することを特徴とする縮合八環芳香族化合物（ただし、該置換基を導入可能な部位が総て水素原子である場合を除く）。
【化４】
構造式（１）
2003151775.tif 000004
ただし、Ｒ１〜Ｒ１８は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、水素原子又は置換基を表す（ただし、総てが水素原子である場合を除く）。
【化５】
構造式（２）
2003151775.tif 000005
ただし、Ｒ１〜Ｒ１６は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、水素原子又は置換基を表す（ただし、総てが水素原子である場合を除く）。
【化６】
構造式（３）
2003151775.tif 000006
ただし、Ｒ１〜Ｒ１４は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、水素原子又は置換基を表す（ただし、総てが水素原子である場合を除く）。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載の有機ＥＬ素子を用いたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極及び負極の間に、発光層を含む有機薄膜層を有してなり、該有機薄膜層が下記構造式で表されるジナフトピレン化合物を含有することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【化１】
2003151772.tif 000001
ただし、Ｒ１〜Ｒ１８は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、水素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基及びジアリールアミノ基から選択される置換基を表す。
【請求項２】
Ｒ１〜Ｒ１８の少なくとも１つがアリール基である請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
Ｒ１〜Ｒ１８の少なくとも１つがアリールアミノ基である請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
Ｒ１〜Ｒ１８の少なくとも１つがジアリールアミノ基である請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
有機薄膜層が、電子輸送層を有し、該電子輸送層がジナフトピレン化合物を含有する請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
有機薄膜層が、正孔輸送層を有し、該正孔輸送層がジナフトピレン化合物を含有する請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
発光層が、光吸収波長がジナフトピレン化合物よりも短波長側にありかつ発光波長が該ジナフトピレン化合物の光吸収波長付近にあるホスト化合物を含有する請求項１から６のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項８】
ホスト化合物が、下記構造式で表される４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−ビフェニル（ＣＢＰ）である請求項７に記載の有機ＥＬ素子。
【化２】
2003151772.tif 000002
【請求項９】
下記構造式で表されることを特徴とするジナフトピレン化合物。
【化３】
2003151772.tif 000003
ただし、Ｒ１〜Ｒ１８は、互いに同一であってもよいし異なっていてもよく、水素原子、又は、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基及びジアリールアミノ基から選択される置換基を表す（ただし、総てが水素原子である場合を除く）。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれかに記載の有機ＥＬ素子を用いたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月22日(2004.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本実施の形態においては、図示しないカバーの動作に伴ってスライダ１４が水平方向に移動するように構成され、これによりスライダ１４に設けた係合部１５との係合によってコンタクトピン１６のアーム状接点部１６ａ、１６ｂが開き、ＩＣチップ５Ｂのはんだボール５１Ｂがコンタクトピン１６のアーム状接点部１６ａ、１６ｂの間に挿入可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図９の従来例に示した位相制御式調光器２と電子トランス３の組み合わせにおいて、調光器２の可変抵抗ＶＲにより調整されたある位相角でトライアックＱａがＯＮした瞬間に図１０のような突入電流が交流電源１の毎サイクルで流れてしまうことがある。図中、Ｖ１は電子トランス３の入力電圧、Ｉ１は電子トランス３の入力電流である。トライアックＱａはＯＮトリガが入ってからは保持電流が流れている間はＯＮを継続するが、保持電流が流れなくなるとＯＦＦしてしまう特性を有している。そのため前記電流Ｉ１が流れた時に図１０のように振動し、Ｉｒで示される様に負方向に振ってしまうとトライアックＱａがＯＦＦしてしまい、それが交流電源１の半周期毎に発生してしまうので、ちらつきという不具合となって現れてしまう。この原因は調光器２の内部に設けられたフィルターチョークＬａなどのインダクタンス成分と、電子トランス３の側にある容量成分Ｃ１＋Ｃｂとの共振動作によりトライアックＱａがＯＮした瞬間の電流が振動電流となったものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
次に、スイッチング回路５の構成について説明する。図４は図３のスイッチング回路を具体的に構成したものである。このスイッチング回路５はハーフブリッジインバータの構成であり、全波整流器ＤＢの直流出力端子間に、２個のコンデンサＣ４，Ｃ５の直列回路と２個のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の直列回路を並列接続し、コンデンサＣ４，Ｃ５の接続点とスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の接続点の間に負荷を接続した構成を有している。なお、コンデンサＣ４，Ｃ５は例えば０．３μＦ程度のものである。コンデンサＣ４，Ｃ５の接続点には出力トランスＴｒの一端が接続されており、出力トランスＴｒの他端は自励発振駆動用の電流トランスＣＴ１の１次巻線の一端に接続されている。スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２は、ここではバイポーラトランジスタよりなり、エミッタに負帰還用の抵抗Ｒ１２，Ｒ１４が直列接続されている。また、ベース・エミッタ間には、逆バイアス電流をバイパスするためのダイオードＤ４，Ｄ７が並列接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記出力トランスＴｒの２次巻線（端子３３と３４の間）には例えば低電圧ハロゲン電球などが接続され、低電圧の高周波電圧により点灯させる。なお、Ｃ６，Ｃ７およびＣ１０は雑音低減用であり、ｐＦオーダーのコンデンサである。
【表１】
2003151792.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の効果】
本発明によれば、交流電源に直列接続された位相制御手段を介して交流電圧を入力される電源入力部に容量成分を含む雑音防止回路が接続され、前記雑音防止回路の負荷側に接続された整流器を介して出力される位相制御された直流脈流電圧を高周波電圧に変換して負荷に出力するインバータ部を備え、位相制御された直流脈流電圧が立ち上がった瞬間に位相制御手段から供給される突入電流が負方向に反転しないようにする補正手段を設けたので、位相制御用の半導体スイッチが不必要にＯＦＦすることが無くなり、負荷に供給される高周波電圧が安定化される。したがって、白熱灯負荷などを高周波点灯させた場合に、光源がちらつかないようにすることが出来る効果を有している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2003151792.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2003151792.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁基板、
前記透明絶縁基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子、及び
前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う蓋体を備え、
前記蓋体は、前記接着剤を介して前記透明絶縁基板上に接着される側壁部と、前記側壁部に連続する平面状の平坦部とを有し、
前記蓋体の前記平坦部の前記透明絶縁基板側の面には乾燥剤が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記蓋体は、合成樹脂又はガラスで構成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記乾燥剤は、活性炭繊維であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
透明絶縁基板、
前記透明絶縁基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子、
周囲に側壁部を有し且つ前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う蓋体、及び
前記蓋体の前記側壁部と前記透明絶縁基板とを接着する接着剤を備え、
前記接着剤は、無機系の接着剤であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
透明絶縁基板、
前記透明絶縁基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子、
周囲に側壁部を有し且つ前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う蓋体、
前記蓋体の前記側壁部と前記透明絶縁基板とを接着する第１の接着剤、及び
前記蓋体の前記側壁部の前記エレクトロルミネッセンス素子側とは反対側の面と前記第１の接着剤とを覆う第２の接着剤を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
透明絶縁基板、
前記透明絶縁基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子、
周囲に側壁部を有し且つ前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う蓋体、
前記蓋体の前記側壁部と前記透明絶縁基板とを接着する第１の接着剤、及び
前記蓋体の前記エレクトロルミネッセンス素子側とは反対側の面と前記第１の接着剤とを覆う第２の接着剤を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
透明絶縁基板、
前記透明絶縁基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子、
周囲に側壁部を有し且つ前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う蓋体、
前記蓋体の前記側壁部と前記透明絶縁基板とを接着する接着剤、及び
前記蓋体の前記側壁部の前記エレクトロルミネッセンス素子側とは反対側の面と、前記接着剤とを覆うフィルムを備えることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記蓋体は合成樹脂又はガラスで構成され、前記側壁部に連続する平面状の平坦部を有し、該平坦部の前記透明絶縁基板側の面には乾燥剤が設けられていることを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
透明絶縁基板、
前記透明絶縁基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子、
周囲に側壁部を有し且つ前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う蓋体、
前記蓋体の前記側壁部と前記透明絶縁基板とを接着する接着剤、及び
前記蓋体の前記エレクトロルミネッセンス素子側とは反対側の面と、前記接着剤とを覆うフィルムを備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記蓋体は合成樹脂又はガラスで構成され、前記側壁部に連続する平面状の平坦部を有し、該平坦部の前記透明絶縁基板側の面には乾燥剤が設けられていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記フィルムは、前記透明基板の前記エレクトロルミネッセンス素子側とは反対側の面をも覆うことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記透明基板の前記エレクトロルミネッセンス素子側とは反対側の面を覆う前記フィルム上に反射防止膜が設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
絶縁基板、
前記絶縁基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子、及び
接着剤を介して前記絶縁基板上に接着され且つ前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う透明な蓋体を備え、
前記透明な蓋体は、前記接着剤を介して前記絶縁基板上に接着される側壁部と、前記側壁部に連続する平面状の平坦部とを有し、
前記蓋体の前記表示面部の前記絶縁基板側の面には乾燥剤が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
絶縁基板、
前記絶縁基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子、及び
接着剤を介して前記絶縁基板上に接着され且つ前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う透明な蓋体を備え、
前記蓋体は、前記接着剤を介して前記絶縁基板上に接着される側壁部と前記側壁部に連続する表示面部とを有し、
前記表示面部は、表示領域となる平面状の平坦部と表示領域外に設けられ且つ乾燥剤を収納する凸部とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
前記蓋体の前記絶縁基板側の面とは反対側の面に反射防止膜が設けられていることを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記乾燥剤は、前記蓋体の前記平坦部の前記絶縁基板側の面にコーティングされていることを特徴とする請求項１，請求項８，請求項１０，および請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明では、蓋体の側壁部の外側と、透明絶縁基板と蓋体とを接着する接着剤とを、透湿性の高いフィルムで覆い、蓋体の接着シール構造を２重構造としたので、前述の場合と同様、従来よりも透湿性を向上させることが可能となる。
また、この第２の接着剤、あるいは、透湿性の高いフィルムを、蓋体の外側全面に接着するようにしたので、蓋体の強度を向上させることが可能となる。
これにより、蓋体を、合成樹脂、あるいはガラスで構成しても、金属の蓋体と同等、あるいはそれ以上の強度を持たせることが可能となる。
また、本発明では、蓋体に、注入・封止部を形成し、透明絶縁基板と蓋体とを接着する接着剤（紫外線硬化樹脂）を硬化させて接着した後、蓋体で封止される封止空間内の排気を行うようにしたので、透明絶縁基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子に損傷を与えるのを少なくすることができる。
さらに、本発明では、透明絶縁基板と蓋体とを接着する接着剤として無機系の接着剤（例えば、ガラスフリット）を使用するようにしたので、透明絶縁基板と蓋体との接着部を介して外部から侵入する水分を減らすことができるので、従来よりも透湿性を向上させることが可能となる。
一方、本発明は、絶縁基板と、絶縁基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子と、接着剤を介して絶縁基板上に接着される側壁部を有するエレクトロルミネッセンス素子を覆う透明な蓋体とを備え、この蓋体の側壁部に連続する平面状の平坦部を表示面とする表示装置においても適用され、当該平坦部の表示領域外に凸部を設けて、これに乾燥剤を収納することで、表示面の平坦性を保ちつつ表示装置の薄型化を図り、且つ蓋体の強度を確保する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、一般にチョークコイルはインダクタンス値が大きく、直流重畳特性の良いものが求められている。しかし、従来のチョークコイルは、電流値が高くなるに伴い磁気的飽和によりインダクタンス値が低下し直流重畳特性が悪くなる。そこで、インダクタンス値および直流重畳特性を良くするためにチョークコイルのコア部に透磁率の高いＭｎ系フェライトの使用が必要となっていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】  しかしながら、前記のように構成された従来のチョークコイルにおいて、導電性を有するＭｎ系フェライトで形成されたコア部を樹脂でコーティングし絶縁被膜を施すと、コーティングによりギャップが形成されインダクタンス値が低下する。そこで低下したインダクタンス値を補うためにコイルの巻数を多くしなければならなくなる。そうすることにより直流抵抗は大きくなり、また製品も大型化する。また、コーティングをすることにより製造工程が増加しコストアップを招来する。つぎに、Ｍｎ系フェライトに含まれるＭｎの濃度を低くすると、透磁率が低下し、インダクタンス値および直流重畳特性も低下する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので、導電性をもつ磁性材料の用途をひろげることができ、また、インダクタンス値が高く直流重畳特性が良好であり、さらに製造コストの安価なチョークコイルを提供することを課題とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１乃至図４において、導電性を有するＭｎ系のフェライトにより形成されたＴ型コア１１は略円形をした頂壁１および頂壁１と一体に形成された円柱状の磁芯部２を備える。Ｔ型コア１１の磁芯部２は電気絶縁性を有する樹脂からなるボビン１２に形成された貫通孔を有する筒部４に嵌入される。磁芯部２と筒部４は同じ長さに形成されているため、磁芯部２の下端と筒部４の下端は平面を形成している。また、ボビン１２の一方に筒部４と一体に形成され頂壁１とほぼ同径を有する鍔部３の上面はＴ型コア１１の頂壁１の下面に接している。このようにして筒部４および鍔部３によりＴ型コア１１は固定されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の効果】  以上の通り、本発明のチョークコイルによれば、透磁率が高く導電性を有する磁性材料を磁芯として使用することができるので、導電性をもつ磁性材料の用途をひろげることができる。また、透磁率の高い磁性材料を使用できることによりインダクタンス値が高く直流重畳特性が良好なチョークコイルを得ることができる。さらに、Ｔ型コアを電気絶縁性を有するボビンに嵌入するという簡単な構成なので製造が容易でコストが安価であるというすぐれた効果を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに形成された絶縁膜を部分的に除去してパターニングを行なう半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜を構成する絶縁材料の吸収端に波長を合せたＤＵＶレーザの照射によって前記絶縁膜の結合解離エネルギーを上回る光子エネルギーを照射することにより前記絶縁膜の材料を原子規模に分解することにより除去を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記パターニングが半導体ウェハに付されるＩＤ番号のマーキングであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜が窒化珪素膜であり照射するレーザの波長が２６０ｎｍ程度であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜が酸化珪素膜であり照射するレーザの波長が１５０ｎｍ程度であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記パターニングがＩＤ番号のキャラクタごとにマスクを用いて行なわれることを特徴とする請求項２乃至請求項４の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極性基を含まないジビニル化合物をポリマー化してなる誘電体を有するコンデンサ。
【請求項２】
前記ジビニル化合物が、１，６−ジビニルナフタレン、４，４’−ジビニルビフェニル、１，４−ジビニルベンゼン、４，４’−ジビニルジフェニルチオエーテル、および４，４’−ジビニルビフェニルエーテルからなる群から選択される、請求項１に記載のコンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
具体的には１，６−ジビニルナフタレン、４，４’−ジビニルビフェニル、１，４−ジビニルベンゼン、４，４’−ジビニルジフェニルチオエーテル、４，４’−ジビニルビフェニルエーテルから単独であるいは併用される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマーと、
該導電性ポリマーに接合された電極とを備えるポリマーＰＣＴサーミスタにおいて、
前記電極は前記導電性ポリマーの或る側面に沿って該側面の縁から離間した位置に配設され、樹脂膜が、前記電極を包むようにして前記或る側面を被覆していることを特徴とするポリマーＰＴＣサーミスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、以下の手段を採用した。
すなわち本発明は、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマーと、該導電性ポリマーに接合された電極とを備えるポリマーＰＣＴサーミスタにおいて、
前記電極は前記導電性ポリマーの或る側面に沿って該側面の縁から離間した位置に配設され、樹脂膜が、前記電極を包むようにして前記或る側面を被覆していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月24日(2004.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図３に、角型の密閉型電池の一例を説明する図を示す。
密閉型電池１は、ステンレス鋼、ニッケルめっきを表面に施した軟鋼等からなる角筒状の金属容器２（以下、電池缶とも称す）に、正極電極および負極電極をセパレータを介して積層したものを巻回した電池要素が収納されており、電池缶２の上端には、金属板３に、外部絶縁板４Ａ、正極側の電極引出板５を、正極側の電極導出ピン６によって一体化して構成したヘッダ７を電池缶２の開口部に取り付けて封口したものであり、ヘッダ７の一部には、電池の内部圧力の異常な上昇時に圧力を開放するために他の部分よりも肉厚が薄い薄肉部８、電解液の注液孔９が設けられており、注液孔９から電解液を注入した後にステンレス鋼等の金属からなる部材を埋め込み、溶接して封口している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図２は、ヘッダの一例を説明する図であり、図２（Ａ）は、ヘッダの分解斜視図であり、図２（Ｂ）は、断面図である。
ステンレス鋼、ニッケルめっきを施した軟鋼板等からなる金属板３に設けた貫通孔１０に下部よりポリプロピレン、フッ素樹脂等からなる内部絶縁板４Ｂを取り付け、上部には外部絶縁板４Ａを載置して、アルミニウムまたはアルミニウム合金等の導電性の良好な金属からなるつば部６Ａを有する電極導出ピン６を内部絶縁板４Ｂに設けた孔を貫通させ、電極引出板５を装着して、電極導出ピンのつば部６Ａと柱状部６Ｂの先端を上下からかしめることによってヘッダ７が形成される。
作製されたヘッダ７の電極導出ピン６のつば部６Ａに、電池要素に接合し絶縁性部材１１で被覆された導電タブ１２を接合した後に電池缶の開口部に嵌合させて周囲をレーザー溶接を行って封口される。
ヘッダの組立時に電極導出ピン６はかしめによって押し潰されて、電極引出板５の平面と接触し、電極導出ピンと正極引出板５との間に導電接続が形成される。一方、電極引出板５の下面は、外部絶縁板４Ａの表面と接して気密性を保持する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
上記金属Ｒが、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖの中から選ばれた少なくとも１種以上の金属の混合物または合金化合物であることを特徴とする請求項１記載の負極活物質。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
上記金属Ｒとして、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖの中から選ばれた少なくとも１種以上の金属の混合物または合金化合物を用いることを特徴とする請求項７記載の負極活物質の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
上記金属Ｒが、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖの中から選ばれた少なくとも１種以上の金属の混合物または合金化合物であることを特徴とする請求項１３記載の非水電解質二次電池。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
金属Ｍの表面に固着させる金属Ｒとしては、リチウムと電気化学的に反応しない金属であればどのようなものでも使用可能であるが、具体的にはＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ等の金属が挙げられる。また、金属Ｒは必ずしも元素単体である必要はなく、合金、金属間化合物であっても構わない。また、それらを２種以上混合することも可能である。つまり、金属Ｒはリチウムと電気化学的に反応せず、電子伝導性を有するものであればどのようなものでも好適に使用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月26日(2004.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプの光を反射させる内面を鏡面状とした反射板と、この反射板の天板部に装着されるメタルハライドランプ用ソケットとを有し、このメタルハライドランプ用ソケットは既設のダウンライトのランプ用ソケットと取り替え可能であり、前記反射板及び前記メタルハライドランプ用ソケットは既設のダウンライトの固定反射板の内側に収まるように装着されるダウンライト。
【請求項２】
前記反射板は、その横断面形状が正１６角形の笠状である請求項１記載のダウンライト。
【請求項３】
前記反射板の内面が、それぞれ傾斜角度の異なる上下２段の傾斜部から形成されている請求項１又は２に記載のダウンライト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のダウンライトにおいて、反射板は、その横断面形状が正１６角形の笠状とすることが好ましい。また、反射板の内面は、それぞれ傾斜角度の異なる上下２段の傾斜部から形成することが好ましい。