(57)【要約】  本発明の有機白金錯体は、一般式（１）で示される新規白金錯体であり、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による白金含有薄膜の製造に適している。    【化１】2009011425.tif 000011（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、アルコキシ基で置換されていても良い炭素数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｚは、水素原子、あるいは炭素数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、Ｌは、アルコキシアルケニル基（アルコキシ基で置換された直鎖又は分枝状のアルケニル基）を示す。）
2009011425.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2009011425.tif 000010
（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、アルコキシ基で置換されていても良い炭素数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、
Ｚは、水素原子、あるいは炭素数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、
Ｌは、アルコキシアルケニル基（アルコキシ基で置換された直鎖又は分枝状のアルケニル基）を示す。）
で示される有機白金錯体。
【請求項２】
Ｌ中のアルコキシ基の炭素数が１〜４である請求項１記載の有機白金錯体。
【請求項３】
Ｌ中のアルケニル基の炭素数が４〜１０である請求項１記載の有機白金錯体。
【請求項４】
請求項１記載の有機白金錯体を用いた、化学気相蒸着法による白金含有薄膜の製造法。
【請求項５】
有機白金錯体又は有機白金錯体の溶媒溶液を白金供給源として用いる請求項４記載の白金含有薄膜の製造法。
【請求項６】
さらに水素源を用いる請求項５記載の白金含有薄膜の製造法。
【請求項７】
水素源が水素ガスである請求項６記載の白金含有薄膜の製造法。
【請求項８】
さらに酸素源を用いる請求項５記載の白金含有薄膜の製造法。
【請求項９】
酸素源が酸素ガスである請求項８記載の白金含有薄膜の製造法。
【請求項１０】
使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒である請求項５記載の白金含有薄膜の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な有機白金錯体、及び当該白金錯体を用いた化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；以下、ＣＶＤ法と称する）による白金含有薄膜の製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ等のメモリデバイスの薄膜電極材料として、電気特性が優れている白金含有薄膜、好ましくは金属白金薄膜の使用が検討されている。これらの白金含有薄膜の製造法としては、例えば、均一な薄膜を製造し易いＣＶＤ法による成膜が最も盛んに採用されており、それに適した原料化合物が求められている。【０００３】
ところで、ＣＶＤ法による薄膜形成において使用される白金錯体としては、例えば、β−ジケトナト白金錯体やアルキル白金錯体が開示されている（例えば、非特許文献１、特許文献１参照）。しかしながら、例えば、β−ジケトナト配位子のみからなる白金錯体は一般的に高融点であり、またアルキル白金錯体は化学的、熱的に不安定であって、これまで提案されてきた白金錯体は必ずしも物性的に満足出来るものではなかった。【０００４】
又、非特許文献２には、メトキシ基で置換されたシクロオクテニル基を配位子とするβ−ジケトナト白金錯体が開示されているが、ＣＶＤ法による白金含有薄膜の製造に関する記述は全くない。又、記載されている白金錯体は、室温で固体のため、ＣＶＤ法での使用には問題が懸念される。
【特許文献１】特開２００４−２０３７４４号公報
【非特許文献１】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１１（２４），８７７９（１９８９）
【非特許文献２】Ｓｙｎｔｈ．Ｒｅａｃｔ．Ｉｎｏｒｇ．Ｍｅｔ．−Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１６（２），２１３（１９８６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による白金含有薄膜、特には金属白金薄膜の製造に適した新規白金錯体を提供することにある。本発明の課題は、又、当該白金錯体を用いた、ＣＶＤ法による白金含有薄膜の製造法、特には金属白金薄膜の製造法を提供することにもある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は以下の事項に関する。【０００７】
１．  一般式（１）【０００８】
【化１】
2009011425.tif 000003
（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、アルコキシ基で置換されていても良い炭素数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、
Ｚは、水素原子、あるいは炭素数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示し、
Ｌは、アルコキシアルケニル基（アルコキシ基で置換された直鎖又は分枝状のアルケニル基）を示す。）
で示される有機白金錯体。【０００９】
２．  Ｌ中のアルコキシ基の炭素数が１〜４である上記１記載の有機白金錯体。【００１０】
３．  Ｌ中のアルケニル基の炭素数が４〜１０である上記１記載の有機白金錯体。【００１１】
４．  上記１記載の有機白金錯体を用いた、化学気相蒸着法による白金含有薄膜の製造法。【００１２】
５．  有機白金錯体又は有機白金錯体の溶媒溶液を白金供給源として用いる上記４記載の白金含有薄膜の製造法。【００１３】
６．  さらに水素源を用いる上記５記載の白金含有薄膜の製造法。【００１４】
７．  水素源が水素ガスである上記６記載の白金含有薄膜の製造法。【００１５】
８．  さらに酸素源を用いる上記５記載の白金含有薄膜の製造法。【００１６】
９．  酸素源が酸素ガスである上記８記載の白金含有薄膜の製造法。【００１７】
１０．  使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒である上記５記載の白金含有薄膜の製造法。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の前記一般式（１）で示される有機白金錯体は、融点が低く、水分、空気及び熱に対しての安定性にも優れており、ＣＶＤ法による白金含有薄膜の製造に適している。更に、この有機白金錯体を白金供給源として用いることにより、実質的に酸素原子を含まない金属白金膜をＣＶＤ法で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】蒸着装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００２０】
１Ａ    マスフローコントローラー
１Ｂ    マスフローコントローラー
２      ストップバルブ
３      気化器
４      反応器
５      圧力計
６      バルブ
７      トラップ
１０Ａ  予熱器
１０Ｂ  気化器ヒーター
１０Ｃ  反応器ヒーター
２０    原料有機白金錯体融液
２１    基板
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
前記の一般式（１）において、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、アルコキシ基で置換されていても良い炭素数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。Ｘ及びＹとしては、アルコキシ基で置換されていても良い炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、アルコキシ基で置換されていても良い炭素数１〜３のアルキル基が特に好ましい。置換基であるアルコキシ基としては、炭素数１〜３のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。【００２２】
Ｘ及びＹとしては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基等が挙げられるが、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、１−メトキシエチル基であり、特に好ましくはメチル基である。また、Ｘがイソプロピル基であり、Ｙが１−メトキシエチル基であることも特に好ましい。【００２３】
Ｚは、水素原子、あるいは炭素数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。【００２４】
Ｚとしては、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられるが、好ましくは水素原子、メチル基、エチル基であり、特に好ましくは水素原子である。【００２５】
β−ジケトナト配位子としては、Ｘ及びＹがメチル基であり、Ｚが水素原子であるもの、またはＸがイソプロピル基であり、Ｙが１−メトキシエチル基であり、Ｚが水素原子であるものが特に好ましく、Ｘ及びＹがメチル基であり、Ｚが水素原子であるものが更に好ましい。【００２６】
又、Ｌは、アルコキシアルケニル基、即ち、アルコキシ基で置換された直鎖又は分枝状のアルケニル基を示す。後述する式で示されるように、アルケニル基の炭素−炭素二重結合は、通常はＰｔに配位結合していると考えられる。【００２７】
Ｌ中のアルコキシ基としては、炭素数１〜４のものが好ましく、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。【００２８】
Ｌ中のアルケニル基としては、炭素数４〜１０のものが好ましく、炭素数４〜６のものがより好ましく、炭素数６のもの（ヘキセニル基）が特に好ましい。【００２９】
アルコキシ基の置換位置は、特に限定されないが、Ｐｔに結合する炭素原子を１位としたときに、２位であることが好ましい。なお、アルケニル基が分枝状である場合も、アルコキシ基の置換位置は特に限定されず、いずれの炭素原子にアルコキシ基が結合していてもよい。【００３０】
Ｌとしては、下記一般式（１−１）〜（１−３）で示されるものが好ましく、中でも、下記一般式（１−１）で示されるものが特に好ましい。【００３１】
【化２】
2009011425.tif 000004
（式中、ＯＲは、炭素数１〜４のアルコキシ基を示し、
Ｒａは、炭素数２〜４の直鎖アルケニル基を示し、
Ｒｂは、メチル基又はエチル基を示す。）【００３２】
Ｌとしては、例えば、２−メトキシ−５−ヘキセニル基、２−メトキシ−４−ペンテニル基、２−メトキシ−３−ブテニル基、２−エトキシ−５−ヘキセニル基、２−エトキシ−４−ペンテニル基、２−エトキシ−３−ブテニル基、２−ブトキシ−５−ヘキセニル基、２−ブトキシ−４−ペンテニル基、２−ブトキシ−３−ブテニル基、１−メチル−２−メトキシ−３−ペンテニル基、１−メチル−２−エトキシ−３−ペンテニル基、２−イソプロポキシ−５−ヘキセニル基、２−イソプロポキシ−４−ペンテニル基、２−イソプロポキシ−３−ブテニル基、１−メトキシメチル−４−ペンテニル基、１−エトキシメチル−４−ペンテニル基等が挙げられるが、好ましくは２−メトキシ−５−ヘキセニル基、２−メトキシ−４−ペンテニル基、２−エトキシ−５−ヘキセニル基、２−エトキシ−４−ペンテニル基、２−イソプロポキシ−５−ヘキセニル基、２−イソプロポキシ−４−ペンテニル基、１−エトキシメチル−４−ペンテニル基であり、特に好ましくは２−メトキシ−５−ヘキセニル基、２−エトキシ−５−ヘキセニル基、２−イソプロポキシ−５−ヘキセニル基、１−エトキシメチル−４−ペンテニル基であり、更に好ましくは２−メトキシ−５−ヘキセニル基、２−エトキシ−５−ヘキセニル基、１−エトキシメチル−４−ペンテニル基である。【００３３】
本発明の一般式（１）の有機白金錯体の具体的な化合物の例としては、下記式（２）〜（３３）に示される。【００３４】
【化３】
2009011425.tif 000005
【００３５】
【化４】
2009011425.tif 000006
【００３６】
【化５】
2009011425.tif 000007
【００３７】
【化６】
2009011425.tif 000008
【００３８】
中でも、ＣＶＤ用原料化合物としては、上記式（２）〜（５）、（２２）〜（２５）、（２６）〜（２７）で示される有機白金錯体が好ましく、上記式（２）〜（４）、（２６）〜（２７）で示される有機白金錯体がより好ましく、上記式（２）〜（３）、（２６）〜（２７）で示される有機白金錯体が特に好ましい。【００３９】
本発明の前記一般式（１）で示される有機白金錯体は、例えば、水または有機溶媒中で、ハロゲン化白金酸、例えばヘキサクロロ白金酸などの白金化合物と、配位子（配位子Ｌ中のアルケニル基）となるジエン化合物とを反応させて、ジエン配位子を１個有する白金錯体（ジエン錯体）を合成した後、これを単離し、次いで、有機溶媒中で、得られたジエン錯体と、配位子Ｌ中のアルコキシ基となるアルコキシ基を含む金属アルコキシドと、配位子となるβ−ジケトン化合物とを反応させて、本発明の有機白金錯体を合成した後、これを単離することにより得ることができる。また、本発明の有機白金錯体は、水または水−有機溶媒混合溶媒中で、ハロゲン化白金酸塩、例えばテトラクロロ白金（ＩＩ）酸カリウムなどの白金化合物と、配位子（配位子Ｌ中のアルケニル基）となるジエン化合物とを反応させた後、溶媒を除去し、次いで、これに有機溶媒を加え、配位子Ｌ中のアルコキシ基となるアルコキシ基を含む金属アルコキシドを加えて反応させ、その後、配位子となるβ−ジケトン化合物を加えて反応させて、本発明の有機白金錯体を合成した後、これを単離することによっても得ることができる。【００４０】
本発明のＣＶＤ法においては、薄膜形成のために有機白金錯体を気化させる必要があるが、本発明の有機白金錯体を気化させる方法としては、例えば、有機白金錯体自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、有機白金錯体を適当な溶媒（例えば、ヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；トルエン等の芳香族炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。）に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法（溶液法）も使用出来る。【００４１】
基板上への金属の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、当該有機白金錯体を水素源（例えば、水素ガス等の還元性ガスやアルコール類）や酸素源（例えば酸素ガス）、又は不活性ガスとともに加熱した基板上に送り込んで白金含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。又、プラズマＣＶＤ法で白金含有薄膜を蒸着させる方法も使用出来る。なお、水素等の水素源となるガスや、酸素等の酸素源となるガスは、不活性ガスで希釈されていても良い。【００４２】
当該有機白金錯体と、水素源、酸素源又は不活性ガスを用いて白金含有薄膜を蒸着させる際、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａであり、成膜対象物の温度（基板温度）は、好ましくは５０〜５００℃、更に好ましくは１００〜４００℃である。又、水素ガス又は酸素ガスにより金属薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する水素ガス又は酸素ガスの含有割合は、好ましくは０．０１〜９５容量％、更に好ましくは０．１〜９０容量％である。
【実施例】
【００４３】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。【００４４】
参考例１〔ジクロロ（１，５−ヘキサジエン）白金（ＩＩ）の合成〕
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、ヘキサクロロ白金酸六水和物３．９７ｇ（７．６６ｍｍｏｌ）を入れ、減圧下、６５℃で１時間乾燥した。その後、室温まで冷却した後に酢酸１８ｍｌを加えた。次いで、６５℃まで加熱して１，５−ヘキサジエン４．１５ｇ（５０．５ｍｍｏｌ）を滴下し、攪拌しながら同温度で１０時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、塩化メチレン３５ｍｌ及び水５０ｍｌを加え、有機層を分液した後に濃縮した。得られた濃縮液にヘキサン１００ｍｌを加えて白色固体を沈殿させた。濾過後、濾物をヘキサンで洗浄し、室温にて減圧下で乾燥させ、白色固体として、ジクロロ（１，５−ヘキサジエン）白金（ＩＩ）２．１２ｇを得た（単離収率；８０％）。【００４５】
なお、ジクロロ（１，５−ヘキサジエン）白金（ＩＩ）は、物性値は以下の通りであった。【００４６】
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；３０７０、３０１６、２９６４、２９４１、１５１１、１４５７、１４２５、１４０２、１３０６、１１１５、１００９、９４１、８６２、７７６、５９５、５０８
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；２．２９〜２．４１（２Ｈ，ｍ）、２．６８−２．８０（２Ｈ，ｍ）、４．０４〜４．２８（２Ｈ，ｍ）、４．５０−５．２４（２Ｈ，ｍ）、５．６７〜５．７８（２Ｈ，ｍ）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；３４８、３１２、２７４、２３３、６７、４１【００４７】
実施例１〔（アセチルアセトナト）（２−メトキシ−５−ヘキセニル）白金（ＩＩ）（式（２）の化合物；以下、［Ｐｔ（ａｃａｃ）（ｍｏｈ）］と称する）の合成、出発原料；ジクロロ（１，５−ヘキサジエン）白金（ＩＩ）〕
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドメタノール溶液３．５３ｇ（１８．３ｍｍｏｌ）を加え、水冷下、ジクロロ（１，５−ヘキサジエン）白金（ＩＩ）１．５６ｇ（４．４９ｍｍｏｌ）を塩化メチレン１５ｍｌに溶解させた溶液を滴下した。次いで、アセチルアセトン２．１０ｇ（２１．０ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら同温度で１時間反応させた。反応終了後、反応液から有機層を分液し、水で洗浄した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留（１４０℃、４７Ｐａ）し、淡黄色粘性液体として、（アセチルアセトナト）（２−メトキシ−５−ヘキセニル）白金（ＩＩ）１．７０ｇを得た（単離収率；９３％）。この淡黄色粘性液体は、時間経過とともに白色固体（融点；８８〜９１℃）となった。【００４８】
なお、（アセチルアセトナト）（２−メトキシ−５−ヘキセニル）白金（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。【００４９】
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９２８、２８７４、２８２０、１５８４、１５１５、１３８６、１２６３、１１３４、１０８０、９４９、９０３、７７５、６１８、４５１
（β−ジケトン特有のピーク（１６２２ｃｍ−１）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５８４ｃｍ−１）が観察された）
元素分析（Ｃ１２Ｈ２０Ｏ３Ｐｔ）；炭素：３５．５％、水素：４．９８％、白金：４７．９％
（理論値；炭素：３５．３８％、水素：４．９５％、白金：４７．８９％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；４０７、３７５、３０７、２７５、２３５、４３【００５０】
実施例２−１〔（アセチルアセトナト）（２−エトキシ−５−ヘキセニル）白金（ＩＩ）（式（３）の化合物；以下、［Ｐｔ（ａｃａｃ）（ｅｏｈ）］と称する）の合成、出発原料；ジクロロ（１，５−ヘキサジエン）白金（ＩＩ）〕
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、ナトリウムエトキシド３．５３ｇ（１８．３ｍｍｏｌ）及びエタノール８ｍｌを加え、水冷下、ジクロロ（１，５−ヘキサジエン）白金（ＩＩ）１．６２ｇ（４．６６ｍｍｏｌ）を塩化メチレン１２ｍｌに溶解させた溶液を滴下した。次いで、アセチルアセトン３．００ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら同温度で１時間反応させた。反応終了後、反応液から有機層を分液し、水で洗浄した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留（１４０℃、３３Ｐａ）し、淡黄色粘性液体として、（アセチルアセトナト）（２−エトキシ−５−ヘキセニル）白金（ＩＩ）１．７１ｇを得た（単離収率；８７％）。【００５１】
なお、（アセチルアセトナト）（２−エトキシ−５−ヘキセニル）白金（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。【００５２】
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ−１））；２９７１、２９２６、１５８３、１５１６、１３８９、１２６５、１０８３、７８０、６１４、４４７
（β−ジケトン特有のピーク（１６２２ｃｍ−１）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５８３ｃｍ−１）が観察された）
元素分析（Ｃ１３Ｈ２２Ｏ３Ｐｔ）；炭素：３７．１％、水素：５．３０％、白金：４６．３％
（理論値；炭素：３７．０５％、水素：５．２６％、白金：４６．２９％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；４２１、３７６、３２１、２７６、２３５、４３【００５３】
実施例２−２〔（アセチルアセトナト）（２−エトキシ−５−ヘキセニル）白金（ＩＩ）（式（３）の化合物；以下、［Ｐｔ（ａｃａｃ）（ｅｏｈ）］と称する）の合成、出発原料；テトラクロロ白金（ＩＩ）酸カリウム〕
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、テトラクロロ白金（ＩＩ）酸カリウム５．５５ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）を入れ、それに水２０ｍｌ及び酢酸１０ｍｌを加え、更に１，５−ヘキサジエン１１．７ｇ（１４３ｍｍｏｌ）を加えて、６０℃で６時間攪拌した。得られた懸濁液を室温下で一晩放置した後、懸濁液を濃縮して淡黄色固体を得た。得られた固体にエタノール２５ｍｌを加えて、攪拌しながら１０℃で２０％ナトリウムエトキシドエタノール溶液１３．６５ｇ（５９．３ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、１０℃で２時間攪拌して淡黄色の懸濁液を得た。得られた懸濁液にアセチルアセトン５．３５ｇ（５３．４ｍｍｏｌ）を滴下し、攪拌しながら同温度で１時間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮して黄色のスラリーを得た。そのスラリーにメチルシクロヘキサン及び水を添加した後、有機層を分液し、水で洗浄した後に無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮し、濃縮物を減圧下で蒸留（１４０℃、１１Ｐａ）し、淡黄色粘性液体として、（アセチルアセトナト）（２−エトキシ−５−ヘキセニル）白金（ＩＩ）４．６５ｇを得た（単離収率；８２％）。【００５４】
実施例３〜６（蒸着実験；金属白金薄膜の製造）
実施例１及び２−１で得られた有機白金錯体（［Ｐｔ（ａｃａｃ）（ｍｏｈ）］及び［Ｐｔ（ａｃａｃ）（ｅｏｈ）］）を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。【００５５】
評価試験には、図１に示す装置を使用した。気化器３（ガラス製アンプル）にある有機白金錯体２０は、ヒーター１０Ｂで加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て予熱器１０Ａで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器３を出る。気化器３を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂ、ストップバルブ２を経て導入された水素ガスあるいは酸素ガスとともに反応器４に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ６の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計５によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター１０Ｃで加熱可能な構造となっている。反応器に導入された白金錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０Ｃで所定の温度に加熱された被蒸着基板２１の表面上で反応し、基板２１上に金属白金薄膜が析出する。反応器４を出たガスは、トラップ７、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。【００５６】
蒸着条件及び蒸着結果（膜特性）を表１に示す。なお、被蒸着基板としては、７ｍｍ×２０ｍｍサイズの矩形のものを使用した。【００５７】
【表１】
2009011425.tif 000009
【００５８】
該結果より、当該有機白金錯体（［Ｐｔ（ａｃａｃ）（ｍｏｈ）］及び［Ｐｔ（ａｃａｃ）（ｅｏｈ）］）が、低温で優れた成膜特性を有することが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明によれば、低融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による白金含有薄膜の製造に適した新規有機白金錯体、及び当該有機白金錯体を用いたＣＶＤ法による金属白金含有薄膜の製造法を提供することができる。
【図１】
2009011425.tif 000012
【国際調査報告】
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