【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）有機−無機ハイブリッド物質と、
（ｉｉ）１種以上の有機金属化合物及び／または１種以上の有機高分子と、
（ｉｉｉ）前記（ｉ）及び前記（ｉｉ）の成分を溶解させる溶媒と、を含む有機絶縁体形成用組成物。
【請求項２】
前記有機−無機ハイブリッド物質が、有機シラン系化合物または有機シラン系化合物を有機溶媒内で酸または塩基触媒と水とを用いて加水分解反応及び縮合反応させて得られた重合体であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記有機シラン系化合物が、下記化学式１〜３で表わされる化合物からなる群より選択された１種以上のシラン系化合物であることを特徴とする請求項２記載の組成物。
【化１】
2005120371.tif 000001
【化２】
2005120371.tif 000002
【化３】
2005120371.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２は独立して水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜１５のアリール基、または炭素数２〜３０のアクリル基であり、前記アルキル基、前記シクロアルキル基、及び前記アリール基はエポキシ基で置換されていてもよく、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は独立してハロゲン原子、または炭素数１〜５のアルコキシ基である。）
【請求項４】
前記有機シラン系化合物が、下記化学式２で表わされる化合物を含むことを特徴とする請求項２記載の組成物。
【化４】
2005120371.tif 000004
（式中Ｒ１はメタクリロイルオキシプロピル基であり、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３はメトキシ基である。）
【請求項５】
前記組成物が前記有機金属化合物を含む場合、前記有機金属化合物は、チタニウム化合物、ジルコニウム化合物、ハフニウム化合物およびアルミニウム化合物からなる群より選択された少なくとも一種であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
前記有機金属化合物が、チタニウム（ｉＶ）ｎ−ブトキシド、チタニウム（ｉＶ）ｔ−ブトキシド、チタニウム（ｉＶ）エトキシド、チタニウム（ｉＶ）２−エチルヘキソキシド、チタニウム（ｉＶ）イソ−プロポキシド、チタニウム（ｉＶ）（ジ−イソ−プロポキシド）ビス（アセチルアセトナト）、チタニウム（ｉＶ）オキシドビス（アセチルアセトナト）、トリクロロトリス（テトラヒドロフラン）チタニウム（ｉｉｉ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）チタニウム（ｉｉｉ）、（トリメチル）ペンタメチル−シクロペンタジエニルチタニウム（ｉＶ）、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロライド（ｉＶ）、ペンタメチルシクロ−ペンタジエニルチタニウムトリメトキシド（ｉＶ）、テトラクロロビス（シクロヘキシルメルカプト）チタニウム（ｉＶ）、テトラクロロビス（テトラヒドロフラン）チタニウム（ｉＶ）、テトラクロロジアミンチタニウム（ｉＶ）、テトラキス（ジエチルアミノ）チタニウム（ｉＶ）、テトラキス（ジメチルアミノ）チタニウム（ｉＶ）、ビス（ｔ−ブチルクロロペンタジエニル）チタニウムジクロライド、ビス（シクロペンタジエニル）ジカルボニルチタニウム（ｉｉ）、ビス（シクロペンタジエニル）チタニウムジクロライド、ビス（エチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロライド、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロライド、ビス（イソ−プロピルシクロペンタジエニル）チタニウムジクロライド、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）オキソチタニウム（ｉＶ）、クロロチタニウムトリイソプロポキシド、シクロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、ジクロロビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）チタニウム（ｉＶ）、ジメチルビス（ｔ−ブチルシクロペンタジエニル）チタニウム（ｉＶ）、ジ（イソ−プロポキシド）ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）チタニウム（ｉＶ）、ジルコニウム（ｉＶ）ｎ−ブトキシド、ジルコニウム（ｉＶ）ｔ−ブトキシド、ジルコニウム（ｉＶ）エトキシド、ジルコニウム（ｉＶ）イソ−プロポキシド、ジルコニウム（ｉＶ）ｎ−プロポキシド、ジルコニウム（ｉＶ）アセチルアセトナト、ジルコニウム（ｉＶ）ヘキサフルオロアセチルアセトナト、ジルコニウム（ｉＶ）トリフルオロアセチルアセトナト、テトラキス（ジエチルアミノ）ジルコニウム、テトラキス（ジメチルアミノ）ジルコニウム、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ジルコニウム（ｉＶ）、ジルコニウム（ｉＶ）サルフェートテトラハイドレート、ハフニウム（ｉＶ）ｎ−ブトキシド、ハフニウム（ｉＶ）ｔ−ブトキシド、ハフニウム（ｉＶ）エトキシド、ハフニウム（ｉＶ）イソ−プロポキシド、ハフニウム（ｉＶ）イソ−プロポキシドモノイソプロピレート、ハフニウム（ｉＶ）アセチルアセトナト、テトラキス（ジメチルアミノ）ハフニウム、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミニウムｔ−ブトキシド、アルミニウムｓ−ブトキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウムイソ−プロポキシド、アルミニウムアセチルアセトナト、アルミニウムヘキサフルオロアセチルアセトナト、アルミニウムトリフルオロアセチルアセトナト及びトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウムからなる群より選択された１種以上の物質であることを特徴とする請求項５記載の組成物。
【請求項７】
前記組成物が前記有機金属化合物を含む場合、前記有機金属化合物の含量が前記有機−無機ハイブリッド物質１００重量部に対し１〜３００重量部であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
前記組成物が前記有機高分子を含む場合、前記有機高分子が、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニールアルコール、ポリビニールブチラール、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフタルアミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリベンズイミダゾール、ポリカルボジイミド、ポリシロキサン、ポリメチルメタクリレート、ポリメタクリルアミド、ニトリルゴム、アクリルゴム、ポリエチレンテトラフルオリド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ポリブテン、ポリペンテン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン−ジエン共重合体、ポリブタジエン、ポリイソプレン、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体、ブチルゴム、ポリメチルペンテン、ポリスチレン、スチレン−ブタイジエン共重合体、水添スチレン−ブタジエン共重合体、水添ポリイソプレン及び水添ポリブタジエンからなる群より選択された１種以上の物質であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。
【請求項９】
前記組成物が前記有機高分子を含む場合、前記有機高分子の含量が前記有機−無機ハイブリッド物質１００重量部に対し０．０１〜５０重量部であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の組成物。
【請求項１０】
前記溶媒が、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、アセテート系溶媒、アルコール系溶媒、アミド系溶媒、シリコン系溶媒またはこれらの混合物であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか記載の組成物。
【請求項１１】
前記組成物中の前記溶媒の含量が２０〜９９．９重量％であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の組成物を基板上にコーティングした後硬化させる段階を含む有機絶縁体の製造方法。
【請求項１３】
前記コーティングがスピンコーティング、ディップコーティング、プリンティング、スプレーコーティングまたはロールコーティングであることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記硬化が７０〜１５０℃の温度で３０分〜２時間行われることを特徴とする請求項１２または１３記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１１記載の組成物を基板上にコーティングしたものを硬化されてなる有機絶縁体。
【請求項１６】
基板、ゲート電極、絶縁層、有機半導体層及びドレイン−ソース電極対を含んでなる有機薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁層が請求項１５記載の有機絶縁体からなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
化学式１〜３中、Ｒ１、Ｒ２は独立して水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜１５のアリール基、または炭素数２〜３０のアクリル基であり、前記アルキル基、前記シクロアルキル基、及び前記アリール基はエポキシ基で置換されていてもよく、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は独立してハロゲン原子、または炭素数１〜５のアルコキシ基である。また、上記化学式２においてＲ１はメタクリロイルオキシプロピル基であり、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３はメトキシ基であることも好ましい。