Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】    中空内部（４４）を有し、プリプレグ材料の複数のプライからなり、ソール（２８）と、クラウン（２４）と、ソール（２８）とクラウン（２４）により並置されたリボン（３０）と、ヒールエンド（３４）とトオエンド（３２）を有するボディ（２２）と；
プリプレグ材料のプライより大きな密度を持つ材料からなり、各々がリボン（３０）及び／又はソール（２８）に配置されている複数のウエイトストリップ（４０）とを有し、
前記ボディ（２２）は３００ｃｍ３〜６００ｃｍ３の範囲の体積を持ち、ゴルフクラブヘッド（２０）の重心を通る垂直軸Ｚの回りの慣性モーメントIzzが３５００ｇ−ｃｍ２〜５０００ｇ−ｃｍ２の範囲であり、ゴルフクラブヘッド（２０）の重心を通る水平軸Ｙの回りの慣性モーメントIyy が１９００ｇ−ｃｍ２〜２５００ｇ−ｃｍ２あり、ゴルフクラブヘッドが１５０ｇ〜２５０ｇの範囲の質量を持つゴルフクラブヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月10日(2005.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ドナーまたは患者の血液および血液成分を分離およびプロセスするための自動システムであって、以下：
（ａ）滅菌された、予め組み立てられた、使い捨て流体回路モジュールであって、以下：
（ｉ）患者またはドナーから血液を引き抜くための手段、
（ｉｉ）分離チャンバであって、該血液は、２種以上の成分へと分離される、分離チャンバ、
（ｉｉｉ）該分離した血液成分のうちの少なくとも１種を処理するための手段、および
（ｉｖ）予め形成された流路セグメントを内部に有する流動制御カセットであって、該流路セグメントは、該流路セグメントと、該流路セグメントを通して流体をポンピングするためのポンプステーションとの間の連絡を制御するための弁ステーションによって分離されている、流動制御カセット、
を備える、使い捨て流体回路モジュール；ならびに
（ｂ）該流体回路モジュールを協働可能に受容するよう適合された、再使用可能なモジュールであって、該再使用可能モジュールは、以下：
該チャンバに協働可能に付随する、該血液の残りの部分からの該血液成分の分離を実施するための手段、
該弁ステーションと協働するための手段であって、該カセットの該予め形成された流路を通る流体の流れを可能にする、手段、および
プログラム可能な制御装置であって、該弁ステーションを通る流体流れを選択的に制御するため、および該流れセグメント間の流れ連絡を選択的に確立するための、制御装置、
を備える、再使用可能モジュール、
を備える、システム。
【請求項２】  前記処理するための手段が、前記分離された血液成分と接触するための溶液を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】  前記処理するための手段が、前記分離された血液成分と接触するための粒子手段を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】  前記分離された成分が通過する吸着カラムをさらに備える、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】  前記溶液が、前記分離された成分から選択された化合物を抽出するための溶媒を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項６】  前記溶液が、前記分離された血液成分を酵素的に処理するための化合物を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項７】  前記分離チャンバが、遠心機に取り付け可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】  前記分離チャンバが、回転可能な部材および膜を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】  分離を実施するための第１の手段、および分離を実施するための第２の手段を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】  前記第１の手段が、第１の分離原理に基づいており、そして前記第２の手段が、第２の分離原理に基づいている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】  前記第１の手段および第２の手段が、同じ分離原理に基づいている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】  前記第１の手段が、遠心分離の原理に基づいており、そして前記第２の手段が、親和性結合の原理に基づいている、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】  前記第２の手段が、選択された化合物を親和性結合によって分離するよう適合された吸着カラムを備える、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】  前記第２の手段が、前記流体回路内の流れに適合された粒子手段を含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】  前記チャンバが、第１の副チャンバおよび第２の副チャンバを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】  前記チャンバが、遠心機に取り付け可能である、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】  前記処理手段を前記第１の副チャンバに導入することなく、該処理手段を前記第２の副チャンバに導入するための手段をさらに備える、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】  前記処理手段が溶液を含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１９】  前記溶液が、選択された化合物を前記分離された血液成分から抽出するための溶媒を含む、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】  前記流体回路が、分離された血液成分を前記患者に戻すための手段をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項２１】  前記流体回路が、ドナーまたは患者から血液を引き抜くため、および前記血液成分を該ドナーまたは患者に戻すための単一の手段を備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】  前記単一の手段が、前記ドナーまたは患者の静脈への挿入のために適合された針を備え、該針が、前記血液および血液成分のための流路を規定する管状材料に取り付けられている、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】  前記処理された血液成分を収集するための手段をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項２４】  前記再使用可能モジュールおよび前記流体回路が、持ち運び可能な携帯型のケースに収容されている、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ハウジングおよび少なくとも処理モジュールを有する電子機器と共に使用するためのアンテナシステムにおいて、
第１端部および第２端部を有する支柱要素であって、その第１端部は電子機器のハウジングに機械的に連結し、かつ電子機器内の処理モジュールに電気的に接続する、支柱要素と、
支柱要素と摺動可能に係合し得る放射要素であって、第１端部および第２端部を有する放射要素と、
放射要素の第２端部に取り付けられ、かつ第１端部および第２端部を有する装荷コイルであって、該装荷コイルの第１端部は放射要素の第２端部に電気的に接続される、装荷コイルとを備え、
前記放射要素は、装荷コイルの第２端部が支柱要素の第２端部に電気的に接続されるように、該放射要素が支柱要素の少なくとも一部上の後退位置に位置することによって規定される収容位置を有し、
前記放射要素は、放射要素の第１端部が支柱要素の第２端部に連結されることによって、装荷コイルの第２端部が支柱要素から電気的に分離されるように、該放射要素が支柱要素に対する伸長位置に位置することによって規定される展開位置を有することを特徴とするアンテナシステム。
【請求項２】  請求項１に記載のアンテナシステムであって、支柱要素は入れ子式の構成を有するアンテナシステム。
【請求項３】  請求項１に記載のアンテナシステムであって、放射要素はほぼ円筒状の構成を有するアンテナシステム。
【請求項４】  請求項１に記載のアンテナシステムであって、放射要素は、支柱要素をほぼ包囲し、かつ支柱要素の上に入れ子式に嵌合可能であるアンテナシステム。
【請求項５】  請求項１に記載のアンテナシステムであって、装荷コイルが、アンテナシステムの動作周波数が放射要素および支柱要素の収容位置および展開位置に対してほぼ一定となるように構成されるアンテナシステム。
【請求項６】  請求項１に記載のアンテナシステムであって、装荷コイルがほぼ螺旋形の構成を有するアンテナシステム。
【請求項７】  請求項１に記載のアンテナシステムであって、装荷コイルがほぼ平坦な構成を有するアンテナシステム。
【請求項８】  請求項１に記載のアンテナシステムであって、収容位置において、該
アンテナシステムは、処理モジュールから支柱要素をその第１端部から第２端部へと通り、装荷コイルをその第２端部から第１端部へと通り、放射要素をその第２端部から第１端部へと通る電流路を有し、展開位置において、該アンテナシステムは、支柱要素をその第１端部から第２端部へと通り、放射要素をその第１端部から第２端部へと通る電流路を有する、アンテナシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
−各フィンガが異なる位相遅延に対応し、前記フィンガの位相遅延に対応する第１の中間出力値及び第２の中間出力値を供給するように各々が構成される、複数のフィンガと、
−マルチパス処理器と
を更に有する請求項１のシステムにおいて、
−前記複数のフィンガの第１のフィンガは、前記第１の出力値及び前記第２の出力値が前記第１のフィンガの前記第１の中間出力値及び前記第２の中間出力値に対応するように、前記第１の相関器、前記第２の相関器及び前記相関分離器を含み、
−前記他のフィンガの各々も他の第１の相関器、他の第２の相関器及び他の相関分離器を含み、及び
−前記マルチパス処理器は前記複数のフィンガの前記第１の中間出力値及び前記第２の中間出力値に基づいて第１の出力記号及び第２の出力記号を決める
システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月24日(2005.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一次局と当該一次局に結合される複数の二次局とを持つ伝送システムにおける競合解消のための方法において、ｉ＝０，１，２，．．．で番号付けられ期間長Ｐｉを持つ競合期間の始まりをマークするサインオン要求メッセージが前記一次局により送信され、Ｎｉが競合期間ｉの始まりで参加している二次局の数を示し、競合期間ｉ中にＭｉ個の二次局各々がサインオン応答メッセージを前記一次局に送信し、送信後、前記一次局からの応答をフィードバック期間の長さＴｆｂ待ち、可能性のある定数ファクタを除いて、Ｍｉに対する近似は、それぞれの期間長Ｐｉが前記Ｍｉに対する近似に基づいて決定されるように、式（１）：Ni. Pi-1/(Pi-1+Tfb) for i=1,2,...により与えられることを特徴とする方法。
【請求項２】  各ｉ＝０，１，２,...に対し、Ｐｉが少なくとも最小長Ｐｍｉｎをもつことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記最小長Ｐｍｉｎが前記フィードバック期間Ｔｆｂの除数ではないか、又はそれに近くはない、ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】  可能性のある定数ファクタを除いて、競合期間長Ｐｉが、max [Pmin, Ni*Pi-1/(R*(Pi-1+Tfb))]として規定され、ここでＲは時間ユニット当たりの競合スロットの数であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】  参加している二次局の数Ｎｉが知られていないならば、１つ又はそれ以上の競合期間内の予想される空スロットの帰納的な見積もりが式（１）のＮｉを見積もるために用いられることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】  Ｔｉ−１ｅが長さＰｉ＋Ｔｆｂの時間ユニットを持つ検査期間における空スロットの数を示す場合、起こり得る定数ファクタを除いて、競合期間ｉ−１の始まりで参加している二次局の数Ｎｉ−１の帰納的な見積もりが、S ln(S/Ti-le)であり、ここで S=(Tfb+Pi-1)*Rで与えられ、Ｒは時間ユニット当たりの競合スロットの数であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】  Ｔｉ−１ｅ＝０の場合、競合期間ｉ−１の始まりで参加している二次局の数Ｎｉ−１の帰納的な見積もりは、以前の検査期間に基づく帰納的な見積もりのようなより早い見積もりのＡ倍（Ａ＞１）であることが選ばれることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】  Ａが２であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】  請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法を適用することにより、一次局と当該一次局に結合される複数の二次局とを持つネットワークにおける競合を解消可能な伝送システムにおいて、一次局は、ｉ＝０，１，２，．．．、で番号付けられ期間長Ｐｉを持つ競合期間の始まりをマークするサインオン要求メッセージを送信し、Ｎｉが競合期間ｉの始まりで参加している二次局の数を示し、競合期間ｉ中にＭｉ個の二次局各々がサインオン応答メッセージを前記一次局に送信し、送信後、前記一次局からの応答をフィードバック期間の長さＴｆｂ待ち、可能性のある定数ファクタを除いて、Ｍｉに対する近似は、それぞれの期間長Ｐｉが前記Ｍｉに対する近似に基づいて決定されるように、式（１）：Ni. Pi-1/(Pi-1+Tfb) for i=1,2,...により与えられることを特徴とする伝送システム。
【請求項１０】  請求項９に記載の伝送システムに含まれ、請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法を実行する、一次局。
【請求項１１】  請求項９に記載の伝送システムに含まれ、請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法を実行する、二次局。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月21日(2003.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタ情報と供にコンテンツ素材放送を受信する受信機を有する消費者電子装置であって：
前記受信機が、前記メタ情報を選択的に抽出するよう構築することが可能であり；及び
前記メタ情報が、受信したコンテンツ素材又は将来受信されるコンテンツ情報の処理を制御することを可能にするコードより成る；
ことを特徴とする消費者電子装置。
【請求項２】
前記メタ情報が、マークアップ言語でフォーマットされたデータより成ることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記受信機が、サービスプロバイダによって与えられる１つ又はそれ以上の選択肢に従って構築され得ることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記コードが、サービスプロバイダに対するデータ通信を可能にすることを特徴とする請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記受信機が、ユーザプロファイルに従って構築されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項６】
コンテンツ素材の処理が、少なくとも部分的に、ユーザプロファイルに従って制御されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記ユーザプロファイルが、前記受信機から構築可能な他の受信機に転送され得ることを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
制御された処理を行う装置に接続されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項９】
消費者にコンテンツ素材放送のサービスを提供する方法であって：
コンテンツ素材と供にメタ情報が放送されることを可能にするステップであって、前記メタ情報が、消費者の受信機により受信されたコンテンツ素材、又は消費者の受信機により将来受信されるコンテンツ情報の処理を制御することを可能にするコードより成るところのステップ；及び
受信時に消費者にて前記メタ情報を選択的に抽出することを可能にするステップ；
より成ることを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記メタ情報が、マークアップ言語でフォーマットされたデータより成ることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記受信機が、１つ又はそれ以上の選択肢に従って構築され得ることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記コードが、サービスプロバイダに対するデータ通信を可能にすることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記受信機が、ユーザプロファイルに従って構築されることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１４】
消費者におけるコンテンツ素材の処理が、少なくとも部分的に、ユーザプロファイルに従って制御されることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１５】
コンテンツ素材を表現する第１データ及びメタ情報を表現する第２データより成る信号であって、前記メタ情報が、消費者の受信機により受信されたコンテンツ素材、又は消費者の受信機により将来受信されるコンテンツ情報の処理を制御することを可能にするコードより成るところの信号。
【請求項１６】
前記メタ情報が、マークアップ言語でフォーマットされることを特徴とする請求項１５記載の信号。
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月26日(2003.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主にガリウムおよび酸素分子で構成した保護及びパッシベーティング層で化合物半導体ウェハ構造の表面をコーティングする方法であって、
ａ．表面のある化合物半導体エピタキシャル構造を化合物半導体基板に作るステップと；
ｂ．金属イリジウムるつぼ内に配置された本質的にＧａ２Ｏ３のみから成る結晶性高純度Ｇａ２Ｏ３蒸発源を位置決めするステップと；
ｃ．表面上に結晶性高純度Ｇａ２Ｏ３蒸発源から酸化ガリウム（ガリウム酸化物（膜））分子を熱蒸着することにより、ウェハ構造の表面にガリウム酸素膜層を形成するステップと
を含む前記方法。
【請求項２】
半導体ウェハの表面を保護する方法であって、
ａ．ローディングモジュール、運搬モジュール、保管モジュール、およびアンローディングモジュールを含む単一ウェハエピタキシャル製造装置に、前記運搬モジュールに取付けられたＩＩＩ-Ｖ族成長室とインスレータ蒸着室を備えるステップと；
ｂ．化合物半導体基板に表面を作るステップと；
ｃ．化合物半導体基板をローディングモジュールに配置するステップと；
ｄ．ローディングモジュール内の圧力を１０−６トールより低く減じるステップと；
ｅ．前記ウェハを運搬モジュールを介してＩＩＩ-Ｖ族蒸着室に移送するステップと；
ｆ．前記ＩＩＩ-Ｖ族蒸着室の圧力を１０−９トールより低く減じるステップと；
ｇ．化合物半導体ウェハの表面上に化合物半導体材料の層をエピタキシャル成長させるステップと；
ｈ．化合物半導体ウェハを運搬モジュールおよびロードモジュールに、次にインスレータ室に移送するステップと；
ｉ．金属イリジウムるつぼ内の比率Ｇａ２Ｏ３内のガリウムと酸素を含む結晶性蒸発源を位置決めするステップと；
ｊ．化合物半導体ウェハ構造の表面上に前記蒸発源から熱蒸着することにより、ウェハ構造の表面にガリウム酸素膜層を形成するステップと、
ｋ．インスレータ室から運搬室を介してアンローディングモジュールに前記化合物半導体構造を移送するステップと
を含む前記方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
化合物半導体ウェハを作るステップが、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）の化合物半導体ウェハを作ることを含む方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、
化合物半導体ウェハを作るステップが、リン化インジウム（ＩｎＰ）の化合物半導体ウェハを作ることを含む方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
化合物半導体ウェハ構造を作るステップが、化合物半導体ウェハ上に半導体素子を形成することを含む方法
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
化合物半導体ウェハ構造を作るステップが、化合物半導体ウェハ上に半導体集積回路を形成することを含む方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
結晶性高純度Ｇａ２Ｏ３蒸発源を位置決めするステップが、一つの閉端部と一つの開端部を有する一般的に円錐形状である純金属イリジウムるつぼを使うことを含む方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
結晶性高純度Ｇａ２Ｏ３蒸発源を位置決めするステップが、金属イリジウムるつぼを流出(effusion)セル内に置くことを含む方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
化合物半導体ウェハを作るステップが、ガリウム砒素の化合物半導体ウェハを作ることを含む方法。
【請求項１０】
請求項２に記載の方法であって、
結晶性ガドリニウムガリウムガーネット，Ｇａ３Ｇｄ５Ｏ１２が酸化ガリウム（ガリウム酸化物（膜））分子の蒸発源であることを特徴とする方法。
【請求項１１】
ａ．表面を有する化合物半導体エピタキシャル構造を作ること；
ｂ．金属イリジウムるつぼ内の蒸発源を位置決めすること；および
ｃ．基本的に酸化ガリウム（ガリウム酸化物（膜））分子のみを蒸発源から前記表面上に熱蒸着すること
を含む方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記るつぼが一般に円錐形状を持つ方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
前記蒸着するステップが、ＧａＡｓのＧａおよびＯとの界面（Interface、境界面、接合面）を形成することを含む方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法であって、
前記蒸着するステップが、２Å，ｒｍｓ未満の表面粗さを持つ界面を形成することを含む方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法であって、
前記蒸発源の温度が前記熱蒸着中に１，６５０℃より低い方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の方法であって、
前記熱蒸着が約０．０２Å／秒未満の蒸着速度（deposition rate）で前記表面上に蒸着することを含む方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法であって、
前記熱蒸着が約０．０１Å／秒と０．０２Å／秒の間の速度(rate、割合）で前記表面上に蒸着することを含む方法。
【請求項１８】
請求項１１に記載の方法であって、
前記蒸発源が希土類元素、Ｇａ、およびＯを含む方法。
【請求項１９】
ａ．表面を有する化合物半導体エピタキシャル構造を作ること；
ｂ．前記蒸発源が１，６５０℃未満の温度で、約０．０２Å／秒未満の蒸着速度で前記表面上に蒸発源から酸化ガリウム（ガリウム酸化物（膜））分子を熱蒸着すること
を含む方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記蒸着することがＧａＡｓのＧａおよびＯとの界面を形成することを含む方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の方法であって、
前記蒸着することが２Å，ｒｍｓ未満の表面粗さを持つ界面を形成することを含む方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の方法であって、
前記蒸発源が本質的に結晶性Ｇａ２Ｏ３およびＧａ３Ｇｄ５Ｏ１２の一つから成る方法。
【請求項２３】
請求項１９に記載の方法であって、
前記蒸発源が希土類元素、ＧａおよびＯを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  超小型電子機械（ＭＥＭＳ）コンデンサであって、
回路内に並列にアレイ状配置される複数のＭＥＭＳコンデンサと、
第１のＭＥＭＳコンデンサに直列に整列され、第１電圧の閉じしきい値を有する第１のスイッチと、
第２のＭＥＭＳコンデンサに直列に整列され、前記第１電圧の閉じしきい値より高い第２電圧の閉じしきい値を有する第２のスイッチと
を含むＭＥＭＳコンデンサ。
【請求項２】  超小型電子機械（ＭＥＭＳ）コンデンサであって、
第１の回路内に並列にアレイ配置される複数のＭＥＭＳコンデンサ、および、
第１の回路内の前記複数のＭＥＭＳコンデンサの少なくとも１つと直列に整列される少なくとも１つのスイッチを含み、前記少なくとも１つのスイッチの各々が第２の回路から作動されるＭＥＭＳコンデンサ。
【請求項３】  超小型電子機械（ＭＥＭＳ）コンデンサであって、
第１の回路内に並列にアレイ配置される複数のＭＥＭＳコンデンサ、および、
第１の回路内の前記複数のＭＥＭＳコンデンサの少なくとも１つと直列に整列される少なくとも１つのスイッチを含み、前記少なくとも１つのスイッチの各々が前記第１の回路の容量値を確立するために個々の独立した回路から作動されるＭＥＭＳコンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３ａ】
2004519845.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３ｂ】
2004519845.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004519845.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004519845.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2004519845.tif 000005
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2004519845.tif 000006
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2004519845.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成15年4月28日(2003.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
強誘電体薄膜３０は、一般式Ａ3+ＭｎＯx（式中、Ａ＝Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、またはＬｕ）を有する希土類亜マンガン酸塩であり、ｘは両端を含んで１と３との間である。
図２ｄは、図２ｃに示される分極状態を生じるために、制御線ＰＬ、ＢＬ、およびＷＬを用いる１つの方法のタイミング図である。特に、０状態にプログラムするために、信号ＰＬはハイにされ、信号ＢＬはローにされ、ＷＬはローにされる。この構成で、ＷＬおよびＢＬのローにより、チャネルは０Ｖとなる。ＰＬ信号がハイにされるため、ゲートからチャネルに高電圧が生じ、それによって強誘電体トランジスタを図２ｃの分極状態Ｄにさせる。ＰＬ電圧がローにされると分極状態はＢに移行して、０状態に対応する。
図２ｄの「１にプログラミング」の波形は、強誘電体トランジスタを「１状態」にプログラムする１つの方法を示す。ＢＬ信号がハイにされてＰＬ信号がローであるため、強誘電体トランジスタを図２ｃのＤの分極状態にさせる。ＢＬ信号がローにされると、強誘電体トランジスタは図２ｃのＡの分極状態に緩和し、「１状態」に対応する。
図２ｄの下の図は、強誘電体トランジスタを読出す１つの方法を示す。ＷＬがハイにされ、ＰＬ信号およびＢＬ信号はローに保たれる。強誘電体の分極の状態が図２ｃの状態Ｂである場合は、分極電界が、印加されたＰＬ電圧に加わり、強誘電体トランジスタに導電させる。強誘電体トランジスタが図２ｃの状態Ａである場合は、分極によって生じた電界が印加されたＰＬ電圧と対立し、強誘電体トランジスタに導電させない。ＰＬ電圧の印加が強誘電体トランジスタの状態を変化させないために、この種の読出し方法を「非破壊読出し（ＮＤＲＯ）」と呼ぶ。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】（先行技術）強誘電体材料の結晶格子を示す図である。
【図１ｂ】（先行技術）ヒステリシスのループを示す図である。
【図１ｃ】（先行技術）先行技術の１Ｔ１Ｃメモリセルの概略図である。
【図２ａ】この発明の一実施例の断面を示す図である。
【図２ｂ】この発明の一実施例の概略図である。
【図２ｃ】この発明の一実施例に対するヒステリシスのループを示す図である。
【図２ｄ】この発明のタイミング図である。
【図３ａ】シリコン基板上に堆積された希土類亜マンガン酸塩の強誘電体薄膜に対するＲＢＳスペクトルの図である。
【図３ｂ】電圧が強誘電体薄膜および界面層上で降下することを概略的に示す図である。
【図４】標準ＣＭＯＳ製造プロセスに組込まれる、この発明の強誘電体トランジスタを示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月21日(2004.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化炭素と、残留物を除去する添加剤と、高圧下で液体状になっている前記二酸化炭素に前記添加剤を溶解させるための相溶化剤とを含む除去剤を調製する工程と、微細構造体を前記除去剤と接触させて該構造体から残留物を除去する工程とを含むことを特徴とする微細構造体から残留物を除去する方法。
【請求項２】
前記添加剤が塩基性物質を含むものである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記塩基性物質が、第四級アンモニウム水酸化物、第四級アンモニウムフッ化物、アルキルアミン、アルカノールアミン、ヒドロキシルアミンおよびフッ化アンモニウムよりなる群から選択される１種以上の化合物である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記相溶化剤がアルコールである請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記相溶化剤がアルコールであり、前記塩基性物質が第四級アンモニウムフッ化物および／または第四級アンモニウム水酸化物である請求項２に記載の方法。
【請求項６】
超臨界二酸化炭素と、ヒドロキシル基を含む化合物と、Ｒが水素またはアルキル基を示す化学式ＮＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｆのフッ化物とを含む除去剤に微細構造体を接触させることを特徴とする微細構造体から残留物を除去する方法。
【請求項７】
前記Ｒがアルキル基である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記フッ化物がフッ化テトラメチルアンモニウムであり、前記化合物がアルコールである請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記除去剤が実質的には水分を含んでいない請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
実質的には水分を含んでいない相溶化剤を使用して前記構造体をリンスする工程をさらに含むものである請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
微細構造体を容器に入れる工程、
前記容器内へ、二酸化炭素、ヒドロキシル基を含む化合物およびＲが水素またはアルキル基を示す化学式ＮＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｆのフッ化物を導入する工程、
前記フッ化物と前記化合物を含む二酸化炭素を超臨界状態にしたまま前記構造体と接触させる際に、前記二酸化炭素内の前記フッ化物か化合物の少なくとも一方の濃度を、前記構造体をエッチングするときのエッチング速度が制御できるように調整する工程、
を含むことを特徴とする微細構造体から残留物を除去する方法。
【請求項１２】
半導体基板の表面のレジストを灰化する工程、
この半導体基板を、ヒドロキシル基を含む化合物と、Ｒが水素またはアルキル基を示す化学式ＮＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｆのフッ化物とを含む超臨界二酸化炭素に接触させて、半導体基板から灰化レジストを除去する工程、
を含むことを特徴とする半導体基板から残留物を除去する方法。
【請求項１３】
さらに、
二酸化炭素を容器内部へ導入するための導入管を少なくとも１つ有すると共に、残留物を除去するための添加剤と、該添加剤を二酸化炭素へ溶解させるための相溶化剤とを有する容器内に前記構造体を置く工程、
二酸化炭素を加圧して前記容器内へ導入する工程、および
容器内の高圧二酸化炭素を加熱して所定の温度に保つ工程
を含むものである請求項１〜１２のいずれかに記載の微細構造体から残留物を除去する方法。
【請求項１４】
さらに、前記容器へ導入する前に、添加剤と相溶化剤を混ぜ合わせる工程を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
さらに、前記容器内へ供給される添加剤と相溶化剤の少なくともひとつの供給比率を調整するコントローラを設ける工程を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
さらに、前記容器内の前記高圧二酸化炭素を所定の温度に保つために、前記容器用のサーモスタットを設ける工程を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
二酸化炭素を容器内部へ導入するための少なくとも１つの導入管と、残留物を除去するための添加剤と、該添加剤を二酸化炭素へ溶解させるための相溶化剤とを備え、前記構造体を中に置くための容器、
前記容器へ加圧した二酸化炭素を導入するためのポンプ、
前記容器内の高圧二酸化炭素を加熱して所定の温度に保つヒーター、
とを備えることを特徴とする微細構造体から残留物を除去する装置。
【請求項１８】
前記容器へ導入する前に、添加剤と相溶化剤を混ぜ合わせるミキサーを備えた請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記容器へ供給される添加剤と相溶化剤のうち少なくともひとつの供給比率を調整するコントローラを備えた請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記容器内の高圧二酸化炭素を所定の温度に保つサーモスタットを備えている請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
微細構造体から残留物を除去するための除去剤であって、二酸化炭素と、ヒドロキシル基を含む化合物と、Ｒが水素またはアルキル基を示す化学式ＮＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｆのフッ化物とを含むことを特徴とする除去剤。
【請求項２２】
前記Ｒがアルキル基である請求項２１に記載の除去剤。
【請求項２３】
前記フッ化物がフッ化テトラメチルアンモニウムであり、前記化合物がアルコールである請求項２１に記載の除去剤。
【請求項２４】
実質的には水分を含んでいない請求項２１に記載の除去剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
さらに、微細構造体を、超臨界状態の二酸化炭素、ヒドロキシル基を含む化合物、化学式ＮＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｆのフッ化物（Ｒは水素またはアルキル基を表す）を含む除去剤と接触させる工程を含む微細構造体から残留物を除去する方法が提供されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明では、構造体を、二酸化炭素と、化学式ＮＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｆのフッ化物（Ｒは水素またはアルキル基を表す）と、ヒドロキシル基を含む化合物とからなる除去剤と接触させることも好ましい。ここで、二酸化炭素は高圧状態か、より好ましくは超臨界状態を保っている。この除去剤は、半導体基板から灰化残留物を除去するのにより効果がある。化学式ＮＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｆのフッ化物（Ｒは水素またはアルキル基を表す）の具体例としては、フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム等が好ましい。フッ化テトラメチルアンモニウムとフッ化テトラエチルアンモニウムのようなＲがアルキル基であるフッ化物を使用するのが好ましい。そのようなフッ化物は二酸化炭素に親和性を有するからである。本発明では、除去剤はフッ化物を０．００１質量％から５質量％の範囲で、より好ましくは０.００２質量％から０．０２％の範囲で含むのが好ましい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
実験例４
この実験は、半導体基板表面から残留物を除去するためのものであり、化学式ＮＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｆ（Ｒは水素またはアルキル基を示す）のフッ化物を含む添加剤Ｈ，Ｉ，Ｇ，Ｊ，Ｌ，Ｋを含んだ除去剤を用いて行われた。添加剤の組成を表４に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月11日(2003.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバチューナブルフィルタ用のコントローラであって：
光ファイバに接続され、波長ピークを有する光信号の現在の光レベルを検出する光検出器；及び
前記光検出器に接続され、各々の光レベルを分析しながら、一連の波長にわたるチューナブル光フィルタのステップを進行させ、光信号の波長ピークを見出すために、以前の光レベルより小さい現在の光レベルに基づいて、チューナブル光フィルタのステップ方向を反転させる制御回路；
より成ることを特徴とするコントローラ。
【請求項２】
前記制御回路が、現在の光レベルを以前の光レベルと比較するサンプル比較回路より成ることを特徴とする請求項１記載のコントローラ。
【請求項３】
前記サンプル比較回路が、現在の光レベルを閾値と比較する第１比較器より成り、前記現在の光レベルが前記閾値より小さい場合には、前記制御回路が、前記チューナブル光フィルタのステップ方向を反転させないことを特徴とする請求項２記載のコントローラ。
【請求項４】
前記サンプル比較回路が、更に、現在の光レベルを以前の光レベルと比較する第２比較器より成ることを特徴とする請求項３記載のコントローラ。
【請求項５】
前記光検出器が、現在の光レベルを表現するアナログ光レベル信号を生成することを特徴とする請求項４記載のコントローラ。
【請求項６】
前記サンプル比較回路が、更に、前記アナログ光レベル信号を、前記第１及び第２比較器で使用するためのディジタル光レベル信号に変換するアナログディジタル（Ａ／Ｄ）変換器より成ることを特徴とする請求項５記載のコントローラ。
【請求項７】
前記制御回路が、更に：
前記サンプル比較回路からの出力に基づいて、ロケーション情報信号を生成するバスコントローラ；及び
前記ロケーション情報信号を、チューナブル光フィルタ用の制御電圧に変換するディジタルアナログ（Ｄ／Ａ）変換回路；
より成ることを特徴とする請求項６記載のコントローラ。
【請求項８】
前記Ｄ／Ａ変換回路が、前記一連の波長に関する範囲及び偏移を選択するレンジ及びオフセット選択回路より成ることを特徴とする請求項７記載のコントローラ。
【請求項９】
前記サンプル比較回路が、光信号の波長ピークが見出された場合にサンプルレートを低減させ、前記コントローラの電力消費を抑制することを特徴とする請求項２記載のコントローラ。
【請求項１０】
光ファイバチューナブルフィルタを制御する方法であって：
光ファイバ内で、波長ピークを有する光信号の現在の光レベルを検出し；
各自の光レベルを分析しながら一連の波長にわたってチューナブル光フィルタのステップを進行させ；及び
光信号の波長ピークを見出すために、現在の光レベルが以前の光レベルより小さい場合には、チューナブル光フィルタのステップ方向を反転させる；
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
更に、一連の波長に関する範囲及びオフセットを選択することを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
更に、光信号の波長ピークが見出された場合にサンプルレートを低減させ、電力消費を抑制することを特徴とする請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)  主基材と、湿潤強度増強剤と、結合剤とを含むスラリーを用意する工程と、
(b)  前記スラリーを真空成形して成形基材をつくる工程と、
(c)  前記成形基材から全水分が除去されるまで、前記成形基材を前記結合剤の結合温度より低い温度で乾燥する工程と、
(d)  前記成形基材を前記結合剤の前記結合温度よりも高い温度まで加熱することにより前記成形基材を結合させる工程と、
(e)  前記成形基材を周囲温度で冷却する工程と、
を備える、繊維フェルト多孔構造体の製造方法。
【請求項２】
前記成形基材を前記結合剤の前記結合温度よりも低い温度で乾燥する工程が、全ての水分が前記成形基材から取り除かれるまで、第１気体を前記成形基材を貫通して引くことを含み、前記第１気体が前記結合剤の前記結合温度より低い温度であり、
ここで、前記成形基材を前記結合剤の前記結合温度より高い温度に加熱することにより前記成形基材を結合する工程が、第２気体を前記成形基材を貫通して引くことを含み、前記第２気体が前記結合剤の前記結合温度より高い温度であり、
ここで、前記成形基材を周囲温度で冷却する工程が、前記成形基材が冷却されるまで、前記成形基材を貫通して第３気体を引くことを含み、前記第３気体が周囲温度である、請求項１記載の繊維フェルト多孔構造体の製造方法。
【請求項３】
前記成形基材に圧力を加えることにより前記成形基材を濃密化する工程を備える、請求項１記載の繊維フェルト多孔構造体の製造方法。
【請求項４】
スラリーを用意する工程が、
(f)  セルロース、ウール、ポリオレフィン、ポリエステル、アクリル酸エステル、アラミド、又はセルロースアセテートの少なくとも１つの繊維を前記スラリーに加える工程と、
(g)  活性炭、木炭、珪藻土、パーライト、活性アルミナ、ゼオライト、イオン交換樹脂、砂、粘土、シリカ、金属粒子又は金属繊維の少なくとも１つを前記スラリーに加える工程と、
を備える、請求項１記載の繊維フェルト多孔構造体の製造方法。
【請求項５】
セルロース、ウール、ポリオレフィン、ポリエステル、アクリル酸エステル、アラミド、又はセルロースアセテートの少なくとも１つのフィルブリ化繊維からなる湿潤強度増強剤を前記スラリーに加える工程を備える、請求項４記載の繊維フェルト多孔構造体の製造方法。
【請求項６】
熱可塑性繊維、熱可塑性粉末、又は熱硬化性樹脂を有する結合剤を前記スラリーに加える工程を備える、請求項５記載の繊維フェルト多孔構造体の製造方法。
【請求項７】
真空成形の工程が、
(f)  穴明き心材を内張り材料の少なくとも１層で被う工程と、
(g)  前記被われた穴明き心材を真空マンドレルに隣接して位置させる工程と、
(h)  前記スラリーを前記被われた穴明き心材上で真空成形して成形基材をつくる工程と、
を備える、請求項１記載の製造方法。
【請求項８】
ポリエステル、ポリオレフィン、アクリル酸エステル又はセルロースの少なくとも１つからなる不織布内張り材料、又は織布内張り材料を加える工程を備える、請求項７記載の繊維フェルト多孔構造体の製造方法。
【請求項９】
(a)  カーボン粉末６０重量％と、ポリエチレン繊維２０重量％と、ポリプロピレン繊維２０重量％とを準備する工程と、
(b)  前記カーボン粉末と、前記ポリエチレン繊維と、前記ポリプロピレン繊維とを摂氏４０度の水に分散して１重量％のスラリーをつくる工程と、
(c)  穴明き心材上に内張り材料層を被う工程と、
(d)  前記被われた穴明き心材を真空マンドレルに隣接して位置させる工程と
(e)  前記スラリーを前記被われた穴明き心材上に６７，３００Ｐａの真空において付与して成形基材をつくる工程と、
(f)  全ての水分が前記成形基材から取り除かれるまで、前記成形基材を貫通して７，４７０〜８，４７０Ｐａの真空において摂氏１００−１２０度の温度で空気を引くことにより前記成形基材を乾燥する工程と、
(g)  １，４９０〜２，４９０Ｐａの真空において前記成形基材を貫通して摂氏１３８度の温度で２０分間空気を引くことにより前記成形基材を結合する工程と、
(h)  前記成形基材が冷却されるまで、前記成形基材を貫通して真空により周囲温度で空気を引くことにより前記成形基材を冷却する工程と、
を備える、繊維フェルト多孔構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記成形基材に圧力を加えることにより前記成形基材を濃密化する工程を備える、請求項９記載の繊維フェルト多孔構造体の製造方法。
【請求項１１】
(i)  ポリエステルを含む不織内張り材料を加える工程と、
(j)  ポリプロピレンを含む穴明き心材を加える工程と、を備える、請求項９記載の繊維フェルト多孔構造体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、又は１１のいずれか1項記載の繊維フェルト多孔構造体の製造方法によりつくられる繊維フェルト多孔構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）硬化時に感圧接着剤を形成する硬化性流体組成物を提供する工程と、
（ｂ）組成物を基材の少なくとも一部の上にインクジェット印刷する工程と、
（ｃ）感圧接着剤を形成するのに有効な条件下で組成物を硬化する工程と、
を含む、感圧接着剤組成物を基材上に形成する方法。
【請求項２】  （ａ）（ｉ）硬化時に感圧接着剤を形成する硬化性流体、および
（ｉｉ）少なくとも増粘量のレオロジー改質剤
を含む、硬化時に感圧接着剤を形成するレオロジー改質された硬化性流体組成物を提供する工程と、
（ｂ）組成物を基材の少なくとも一部の上にインクジェット印刷する工程と、
（ｃ）組成物を感圧接着剤を形成するのに有効な条件下で硬化する工程と、
を含む、基材上に感圧接着剤組成物を形成する方法。
【請求項３】  （ａ）硬化性流体感圧接着剤前駆体と、
（ｂ）流体前駆体とわずかに適合性であり、組成物が増粘する第１の状態と、組成物が流体でインクジェット印刷できる粘度を有する第２の状態とを組成物が有するような量で存在する複数のナノメートルサイズの粒子と、
を含む、硬化時に感圧接着剤を形成する硬化性組成物。
【請求項４】  （ａ）硬化性流体感圧接着剤前駆体と、
（ｂ）前駆体の少なくとも１つのレオロジー特性を変更するのに有効な量で前駆体中に組み込まれた複数のナノメートルサイズの表面処理された粒子と、
を含む、硬化時に感圧接着剤を形成する硬化性組成物。
【請求項５】  複数のナノメートルサイズの表面処理された粒子を硬化性感圧接着剤前駆体に組み込む工程を含む、硬化時に感圧接着剤を形成する硬化性組成物を製造する方法。
【請求項６】  （ａ）第１および第２の構成物の少なくとも１つが放射線硬化性である、第１の相対的に極性の構成物、および第２の相対的に非極性の構成物を含む硬化性流体感圧接着剤前駆体と、
（ｂ）相対的に極性および非極性の表面部分をレオロジー改質剤を流体感圧接着剤前駆体とわずかに適合性にするのに有効な相対量で含む、表面処理されたナノメートルサイズの無機酸化物粒子を含む、レオロジー改質剤と、
を含む、硬化時に感圧接着剤を形成する硬化性組成物。
【請求項７】  （ａ）第１および第２の構成物の少なくとも１つが放射線硬化性である、第１の相対的に極性の構成物、および第２の相対的に非極性の構成物を含む硬化性流体感圧接着剤前駆体を提供する工程と、
（ｂ）相対的に極性および非極性の表面部分をレオロジー改質剤を硬化性流体感圧接着剤前駆体とわずかに適合性にするのに有効な相対量で含む、表面処理されたナノメートルサイズの無機酸化物粒子を含む、レオロジー改質剤を提供する工程と、
（ｃ）レオロジー改質量の薬剤を前駆体中に組み込む工程と、
を含む、硬化時に感圧接着剤を形成する組成物を製造する方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年9月22日(2004.9.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】      
溶融状態でのポリマー生成反応の前にモノマー構成単位としての４−カルボキシフタルイミドヘキサン酸および／または１，６−ビス−［４−カルボキシフタルイミド］−ヘキサンを二官能化環状ジカルボン酸無水物と２：１のモル比で反応させて予備縮合体とする、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
以下に記載した機械的性質を測定するために、生成物をフィラメントに加工した。この場合、以下の値が測定された：
繊度：                  ８．９２ｔｅｘ
破断時伸び率：          ２４．６％
強力：                  ２４．２１ｃＮ／ｔｅｘ
引張弾性率：            １０９８６ＭＰａ
ＬＣＰを添加してないバージンのポリエチレンテレフタレートを用いた比較物では以下の値が得られた：
繊度：                  ９．１２ｔｅｘ
破断時伸び率：          ２７％    
強力：                  １７．２４ｃＮ／ｔｅｘ
引張弾性率：            ７７９１ＭＰａ
実施例６：
０．７７１０ｄＬ／ｇの極限粘度を有する、強力乾燥した９００ｇのポリエチレンテレフタレート（水含有量＜０．０５％）を１００ｇの顆粒化したポリエステルイミド酸無水物（４０．６４０g/  モルの分子量において、１分子当り４個の無水物基を有する）とドラム中でよく混合し、次いで二軸スクリュウー式押出機で２７０℃および２５０／分のスクリュウー回転数で湿気の排除下に反応させる。滞留時間は１８０秒である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
この顆粒も同様に湿気の排除下に実施例６で使用したポリエステル酸無水物の１０％と一緒に同じ条件の下で反応させる。カルボキシル基含有量は０μ当量／ｇのままである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  主成分量の有機溶媒と、前記有機溶媒に分散または溶解させた０．０５重量％〜５重量％のフルオロケミカルオリゴマーとを含むフルオロケミカル組成物であって、ここで前記フルオロケミカルオリゴマーが、下記の一般式で表され、
Ｘ−ＭfnＭhmＭar−Ｇ
ここで、Ｘが、開始剤の残基または水素を表し、
Ｍfが、フッ素化モノマーから誘導された単位を表し、
Ｍhが、非フッ素化モノマーから誘導された単位を表し、
Ｍaが、次式で表されるシリル基を有する単位を表し、
【化１】
2004519534.tif 000001
ここで、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6がそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基または加水分解性基を表し、
Ｇが、連鎖移動剤の残基を含む１価の有機基であり、
ｎが１〜１００の数値を表し、
ｍが０〜１００の数値を表し、
ｒが０〜１００の数値を表し、
そして、ｎ＋ｍ＋ｒが少なくとも２であるが、
ただし、以下の条件のうち少なくとも１つが満足されており、
（ａ）Ｇが次式のシリル基を含む１価の有機基であり、
【化２】
2004519534.tif 000002
ここで、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3がそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基または加水分解性基を表すが、ただしＹ1、Ｙ2およびＹ3のうち少なくとも１つが加水分解性基を表しているか、または
（ｂ）ｒが少なくとも１で、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6のうち少なくとも１つが加水分解性基を表している、フルオロケミカル組成物。
【請求項２】  Ｍfが次式のフッ素化モノマーから誘導された単位を含み、
Ｃ4Ｆ9−Ｑ2−Ｅ1
ここで、Ｅ1が、フリーラジカル重合性基を表し、そしてＱ2が有機の２価の結合基を表す、請求項１に記載のフルオロケミカル組成物。
【請求項３】  Ｇが次式に相当するものであって、
【化３】
2004519534.tif 000003
ここで、Ｑ1およびＱ5がそれぞれ独立して有機の２価の結合基を表し、Ｔ2がＯまたはＮＲ（ここでＲは水素、アリールまたはＣ1〜Ｃ4アルキル基）を表し、そして、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3が請求項１において定義された意味を有する、請求項１に記載のフルオロケミカル組成物。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物を基材に塗布することを含む、前記基材を処理する方法。
【請求項５】  次式に相当するフルオロケミカルオリゴマーであって、
Ｘ−ＭfnＭhmＭar−Ｇ
ここでＸが、開始剤の残基または水素を表し、
Ｍfが、次式を有するフッ素化モノマーから誘導された単位を表し、
Ｃ4Ｆ9−Ｑ2−Ｅ1
ここで、Ｅ1が、フリーラジカル重合性基を表し、そしてＱ2が有機の２価の結合基を表し、
Ｍhが、非フッ素化モノマーから誘導された単位を表し、
Ｍaが、次式で表されるシリル基を有する単位を表し、
【化４】
2004519534.tif 000004
ここで、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6がそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基または加水分解性基を表すが、ただし、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6のうち少なくとも１つが加水分解性基を表し、
Ｇが、連鎖移動剤の残基を含む１価の有機基を表し、
ｎが、１〜１００の整数を表し、
ｍが、０〜１００の整数を表し、
ｒが、０〜１００の整数を表し、
そして、ｎ＋ｍ＋ｒが少なくとも２であるが、
ただし、以下の条件のうち少なくとも１つが満足されており、
（ａ）Ｇが次式のシリル基を含む１価の有機基であり、
【化５】
2004519534.tif 000005
ここで、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3がそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基または加水分解性基を表すが、ただしＹ1、Ｙ2およびＹ3のうち少なくとも１つが加水分解性基を表しているか、または
（ｂ）ｒが少なくとも１で、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6のうち少なくとも１つが加水分解性基を表している、フルオロケミカルオリゴマー。
【請求項６】  次式を有するフルオロケミカルオリゴマーであって、
Ｘ−ＭfnＭhmＭar−Ｇ
ここで、Ｘが、開始剤の残基または水素を表し、
Ｍfが、フッ素化モノマーから誘導された単位を表し、
Ｍhが、非フッ素化モノマーから誘導された単位を表し、
Ｍaが次式を有する単位を表し、
【化６】
2004519534.tif 000006
ここで、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3がそれぞれ独立して、水素、アルキル基、アリール基またはハロゲンを表し、Ｑ3が有機の２価の結合基を表し、ＴがＯまたはＮＲ（ここでＲが水素、アリールまたはＣ1〜Ｃ4アルキル基）を表し、ここで、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6がそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基または加水分解性基を表すが、ただし、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6のうち少なくとも１つが加水分解性基を表し、
Ｇが、連鎖移動剤の残基を含む１価の有機基を表し、
ｎが、１〜１００の整数を表し、
ｍが、０〜１００の整数を表し、
ｒが、１〜１００の整数を表し、
そして、ｎ＋ｍ＋ｒが少なくとも２である、フルオロケミカルオリゴマー。
【請求項７】  次式を有するフルオロケミカルオリゴマーであって、
Ｘ−ＭfnＭhmＭar−Ｇ
ここで、Ｘが、開始剤の残基または水素を表し、
Ｍfが、フッ素化モノマーから誘導された単位を表し、
Ｍhが、非フッ素化モノマーから誘導された単位を表し、
Ｍaが、次式で表されるシリル基を有する単位を表し、
【化７】
2004519534.tif 000007
ここで、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6がそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基または加水分解性基を表すが、ただし、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6のうち少なくとも１つが加水分解性基を表し、
Ｇが次式に相当するものであって、
【化８】
2004519534.tif 000008
ここで、Ｑ1およびＱ5がそれぞれ独立して、有機の２価の結合基を表し、Ｔ2がＯまたはＮＲ（ここでＲが水素、アリールまたはＣ1〜Ｃ4アルキル基）を表し、そして、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3がそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基または加水分解性基を表すが、ただし、Ｙ1、Ｙ2およびＹ3のうち少なくとも１つが加水分解性基を表し、
ｎが、１〜１００の整数を表し、
ｍが、０〜１００の整数を表し、
ｒが、０〜１００の整数を表し、
そして、ｎ＋ｍ＋ｒが少なくとも２である、フルオロケミカルオリゴマー。