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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（２０）の本発明により達成される。
（１）本発明における光電変換素子は、第１の電極と、該第１の電極と対向して設置された第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置し、その少なくとも一部が多孔質な電子輸送層と、該電子輸送層と接触する色素層と、前記電子輸送層と前記第２の電極との間に位置する正孔輸送層とを有する光電変換素子であって、
前記第１の電極と前記正孔輸送層との間での短絡を防止または抑制するバリヤ層を有し、前記正孔輸送層を、主として芳香族アミン誘導体で構成してなり、前記正孔輸送層上には、界面をなして触媒層が直接形成されてなることを特徴とする。
（２）（１）に記載の光電変換素子であって、前記芳香族アミン誘導体は、モノマーであることを特徴とする。
（３）（１）に記載の光電変換素子であって、前記芳香族アミン誘導体は、オリゴマーまたはプレポリマーであることを特徴とする。
（４）（３）に記載の光電変換素子であって、前記オリゴマーは、ダイマーであることを特徴とする。
（５）（４）に記載の光電変換素子であって、前記ダイマーは、スピロ型構造を有することを特徴とする。
（６）（１）に記載の光電変換素子であって、前記芳香族アミン誘導体は、ポリマーであることを特徴とする。
（７）（６）に記載の光電変換素子であって、前記ポリマーは、重量平均分子量が５０００以上であることを特徴とする。
（８）（１）ないし（７）のいずれかに記載の光電変換素子であって、前記芳香族アミン誘導体は、トリフェニルジアミン誘導体であることを特徴とする。
（９）（１）に記載の光電変換素子であって、前記触媒層は、白金族または金であることを特徴とする。
（１０）（１）に記載の光電変換素子であって、前記触媒層は、炭素材料であることを特徴とする。
（１１）（１）に記載の光電変換素子であって、前記触媒層は、炭素材料と炭素繊維と樹脂が添加されている複合剤であることを特徴とする。
（１２）（１０）又は（１１）記載の光電変換素子であって、前記炭素材料は、黒鉛、グラファイト、カーボンチューブ、フラーレン（Ｃ６０）のいずれか１つ以上からなることを特徴とする。
（１３）（１１）記載の光電変換素子であって、前記炭素繊維は、有機繊維を不活性ガス中で熱処理して炭化させて形成した炭素繊維であることを特徴とする。
（１４）（１３）記載の光電変換素子であって、前記有機繊維はレーヨンもしくはポリアクロニトリルもしくはポリテトラフロロエチレンの単体材料もしくは複合材料からなることを特徴とする。
（１５）（１３）に記載の光電変換素子であって、前記有機繊維は精製した石油ピッチを紡糸して形成した繊維であることを特徴とする。
（１６）（１）に記載の光電変換素子であって、前記正孔輸送層の触媒層と界面をなす側の表面の表面荒さは、Ｒmax（最大表面荒さ）が１〜１０μｍであることを特徴とする。
（１７）（１）に記載の光電変換素子であって、前記正孔輸送層の触媒層と界面をなす側の表面の表面荒さは、Ｒａ（平均表面荒さ）が１〜５μｍであることを特徴とする。
（１８）（１）に記載の光電変換素子であって、前記触媒層の表面荒さは、Ｒmax（最大表面荒さ）が１〜１０μｍであることを特徴とする。
（１９）（１）に記載の光電変換素子であって、前記触媒層の表面荒さは、Ｒａ（平均表面荒さ）は１〜５μｍであることを特徴とする。
（２０）（１）ないし（１９）のいずれかに記載の光電変換素子であって、太陽電池であることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１６】
−６−  次いで、第１の電極と第２の電極６で狭持された光電変換素子を、キセノン光源で光アニールした。このときの温度は１１０℃、時間は１８０分間である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の回路ブロックと電力制御回路とを有する半導体集積回路装置であって、
上記複数の回路ブロックのそれぞれは少なくとも第１の状態と第２の状態とを含む複数の動作状態をもち、上記第１の状態においては上記回路ブロックはその機能に従って動作し、上記第２の状態においては上記回路ブロックの動作が停止され、
上記電力制御回路は、上記複数の回路ブロックのそれぞれの動作状態を上記半導体集積回路装置の消費電力の許容値を超えないように決定することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、上記電力制御回路は、上記回路ブロックが上記第１の状態において消費する消費電力及び上記第１の状態に遷移する場合に要する消費電力に基づいて、上記回路ブロックの動作状態を決定することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１において、
上記電力制御回路による電力制御が行われないメイン回路ブロックを有し、
上記電力制御回路は、上記メイン回路ブロックから上記複数の回路ブロックに含まれる回路ブロックの使用要求の申請を受け、該回路ブロックの使用を許可できる場合には上記メイン回路ブロックに許可信号を出力するとともに、上記回路ブロックは上記第１の状態へ遷移することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項１において、
上記複数の回路ブロックは、第１回路ブロックと上記第１回路ブロックの使用権を有する第２回路ブロックとを含み、
上記電力制御回路は、上記第２回路ブロックから上記第１回路ブロックの使用要求の申請を受け、上記第１回路ブロックの使用を許可できる場合には上記第２回路ブロックに許可信号を出力するとともに、上記第２回路ブロックは上記第１の状態へ遷移することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１において、上記電力制御回路と上記複数の回路ブロックとは同一パッケージ内に格納されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１において、上記電力制御回路と上記複数の回路ブロックは、同一半導体基板上に集積されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項１において、
上記回路ブロックは、リーク電流による消費電力を制御するリーク電流制御回路と、負荷の充放電による消費電力を制御する充放電電力制御回路とを備え、
上記リーク電流制御回路及び上記充放電電力制御回路により、上記回路ブロックの動作状態に対応して上記回路ブロックの消費電力が制御されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項７において、
クロック分配系を備え、
上記回路ブロックの上記充放電電力制御回路は、上記回路ブロックに分配されるクロックの周波数を制御することにより、負荷の充放電による消費電力を制御することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項１において、
不揮発性メモリを備え、
上記消費電力の許容値は、上記不揮発性メモリに格納されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
請求項１において、上記複数の回路ブロックは、0.2V以下のしきい値電圧のMOSトランジスタを用いて構成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１において、上記複数の回路ブロックは、4nm以下のゲート酸化膜厚のMOSトランジスタを用いて構成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１において、上記回路ブロックの動作状態の遷移の頻度を所定の値以下になるように制約する状態遷移制約回路を有していることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１３】
消費電力の相異なる複数の動作状態を有する第１回路ブロックと、
上記第１回路ブロックの使用権を有する第２回路ブロックと
電力制御回路とを有し、
上記第２回路ブロックは上記電力制御回路に上記第１回路ブロックの使用申請を要求し、上記電力制御回路は所定の消費電力の許容値に基づき上記第１回路ブロックの使用の可否を判定し、
上記電力制御回路が上記第１回路ブロックの使用を許可した場合に、上記第２回路ブロックは上記第１回路ブロックを使用できる状態となることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
上記第１回路ブロックはリーク電流による消費電力を制御するリーク電流制御回路と負荷の充放電による消費電力を制御する充放電電力制御回路とを備え、
上記第１回路ブロックの複数の動作状態には、上記第１回路ブロックの上記リーク電流による消費電力及び上記負荷の充放電による消費電力の少なくともいずれかが制限される状態を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１５】
請求項１３において、
上記電力制御回路が上記第１回路ブロックの使用を許可する場合、上記電力制御回路は上記第２回路ブロックに上記第１回路ブロックの使用を許可する信号を出力することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１６】
請求項１３において、
上記電力制御回路は、上記第１回路ブロックがその機能に応じて動作する場合の消費電力及び上記第１回路ブロックが上記第２回路ブロックによって使用可能な状態に遷移するのに必要な消費電力に基づいて上記第１回路ブロックの使用の可否を判定することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１７】
複数の回路ブロックを含み、消費電力の許容値を超えないように複数の回路ブロックの動作状態が制御される半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面における封止体形成領域と、前記封止体形成領域において夫々が電気的に分離した複数の電極部材を有する樹脂フィルムからなる基板を準備する工程と、
主面に形成された複数の電極を有する半導体チップを準備する工程と、
前記半導体チップを前記封止体形成領域に配置し、前記封止体形成領域上の前記複数の電極部材と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する工程と、
前記封止体形成領域、前記複数の電極部材及び前記半導体チップを樹脂封止して封止体を形成する工程と、
前記封止体から前記複数の電極部材を除く基板の一部を分離し、それによって前記封止体の裏面から前記複数の電極部材を露出させる工程とを有し、
前記複数の電極部材は、前記封止体の側面から内側に所定の間隔が設けられて配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
更に、前記封止体から分離した後に露出した前記複数の電極部材をめっきする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板は主面上に粘着層を有し、
前記半導体チップと前記複数の電極部材は、前記粘着層により前記基板に固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記粘着層は、紫外線の照射によってその粘着力が低下する材質からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
更に、前記複数の電極部材と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤで電気的に接続する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
更に、前記封止体形成領域上の前記複数の電極部材と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数の導電性バンプで電気的に接続する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面における複数の封止体形成領域と、前記複数の封止体形成領域の各々において夫々が電気的に分離した複数の電極部材を有する樹脂フィルムからなる基板を準備する工程と、
主面に形成された複数の電極を有する複数の半導体チップを準備する工程と、
前記複数の半導体チップの夫々を前記複数の封止体形成領域の各々に配置し、前記複数の封止体形成領域上の前記複数の電極部材と前記複数の半導体チップの前記複数の電極とを夫々電気的に接続する工程と、
前記複数の封止体形成領域、前記複数の電極部材及び前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止する封止体を形成する工程と、
前記封止体から前記複数の電極部材を除く基板の一部を分離し、それによって前記封止体の裏面から前記複数の電極部材を露出させる工程と、
隣り合う前記複数の封止体形成領域の間における前記封止体と前記基板とをダイシングにより個片化する工程とを有し、
前記複数の電極部材は、前記封止体の側面から内側に所定の間隔が設けられて配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記個片化工程は、前記封止体の一主面と対向する面にダイシングテープを貼り付ける工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
更に、前記個片化工程の前に露出した前記複数の電極部材をめっきする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月18日(2005.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の主面に配置された複数の素子分離領域と、
前記半導体基板の主面に配置され、前記素子分離領域に囲まれた複数の素子領域と、
前記素子領域の上部に配置されたゲート電極とを有するメモリセルアレイ構造を少なくとも具備し、
複数の素子分離領域を備える前記メモリセルアレイの端部での素子分離領域幅が前記メモリセルアレイの内部での素子分離領域幅よりも大きく、かつ、前記メモリセルアレイの端部での浮遊ゲート電極間隔が前記メモリセルアレイの内部での浮遊ゲート電極間隔よりも大きいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記不揮発性半導体記憶装置は、さらに、複数の素子領域を備える前記メモリセルアレイの端部での素子領域幅が前記メモリセルアレイの内部での素子領域幅よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記メモリセルアレイの端部から内部方向に向かってｎ番目（ｎ：自然数）の素子領域幅Ｌｎは、
Ｌｎ−１＞Ｌｎ＞Ｌｎ＋１
の関係を有することを特徴とする請求項２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記メモリセルアレイの端部から内部方向に向かってｎ番目（ｎ：自然数）の素子分離領域幅Ｔｎは、
Ｔｎ−１＞Ｔｎ＞Ｔｎ＋１
の関係を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記メモリセルアレイの端部から内部方向に向かってｎ番目（ｎ：自然数）のゲート電極間隔Ｓｎは、
Ｓｎ−１＞Ｓｎ＞Ｓｎ＋１
の関係を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
メモリセルアレイの端部での素子分離領域幅が前記メモリセルアレイの内部での素子分離領域幅よりも大きくなるように、半導体基板の主面に素子分離領域を形成する工程と、
前記素子分離領域に囲まれた素子領域の上部に、前記メモリセルアレイの端部での浮遊ゲート電極間隔が前記メモリセルアレイの内部での浮遊ゲート電極間隔よりも大きくなるように、浮遊ゲート電極を形成する工程
とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項７】
前記素子分離領域を形成する工程は、前記メモリセルアレイの端部での素子領域幅が前記メモリセルアレイの内部での素子領域幅よりも大きくなるように、前記素子領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項８】
前記メモリセルアレイの端部から内部方向に向かってｎ番目（ｎ：自然数）の素子領域幅Ｌｎは、
Ｌｎ−１＞Ｌｎ＞Ｌｎ＋１
の関係を有することを特徴とする請求項７記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項９】
前記メモリセルアレイの端部から内部方向に向かってｎ番目（ｎ：自然数）の素子分離領域幅Ｔｎは、
Ｔｎ−１＞Ｔｎ＞Ｔｎ＋１
の関係を有することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記メモリセルアレイの端部から内部方向に向かってｎ番目（ｎ：自然数）の浮遊ゲート電極間隔Ｓｎは、
Ｓｎ−１＞Ｓｎ＞Ｓｎ＋１
の関係を有することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月17日(2004.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された光起電力モジュールと、このモジュールの出力端子に連通するように前記基板に設けられた穴と、この穴を介して前記出力端子と電気接続するように前記基板の裏面側に配置された導電材料と、前記基板の裏面側を被う保護層とを備え、前記保護層において、前記導電材料と対向する位置に、前記導電材料の裏面側形状より大きい開口を有することを特徴とする光起電力装置。
【請求項２】
絶縁基板上に形成された光起電力モジュールと、前記モジュールの出力端子と電気接続され、前記基板の表面側に配置された導電材料と、前記モジュールの表面側を被う保護層とを備え、前記保護層において、前記導電材料と対向する位置に、前記導電材料の表面側形状より大きい開口を有することを特徴とする光起電力装置。
【請求項３】
絶縁基板上に形成された光起電力モジュールと、前記モジュールの出力端子と電気接続され、前記基板の一方の面側に配置された導電材料と、前記モジュールの前記面側を被う保護層とを備え、前記保護層において、前記導電材料と対向する位置に、前記導電材料の前記面側形状より大きい開口を有することを特徴とする光起電力装置。
【請求項４】
前記基板は樹脂材料よりなり、前記保護層は樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１、２又は３の光起電力装置。
【請求項５】
絶縁基板上に形成された光起電力モジュールの出力端子に連通する穴を前記基板に形成する工程と、この穴を介して前記出力端子と電気接続するように前記基板の裏面側に導電材料を配置する工程と、前記基板の裏面側において、前記導電材料と対向する位置に、前記導電材料の裏面側形状より大きい開口を有する保護層を形成する工程と、を備えることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項６】
絶縁基板上に形成された光起電力モジュールの出力端子と電気接続する導電材料を、前記基板の表面側に配置する工程と、前記基板の表面側において、前記導電材料と対向する位置に、前記導電材料の表面側形状より大きい開口を有する保護層を形成する工程と、を備えることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板は樹脂材料よりなり、前記保護層は樹脂フィルムであることを特徴とする請求項５又は６の光起電力装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも増幅素子としてバイポーラトランジスタを含み、入力信号を増幅して出力する信号増幅部と、
該信号増幅部にアイドリング電流を与えるバイアス回路と、
上記バイポーラトランジスタのベース電流が所定値を超えた場合、その超えた分の電流が前記バイアス回路から流れ込むように構成された保護回路とを具備してなり、
前記保護回路に前記ベース電流の前記所定値を超えた分が流れ込むことにより、前記信号増幅部の出力が所定値以下に制限され、
電源電圧の変化に伴い前記ベース電流の前記所定値が可変であり、
出力制御電圧を入力して電流に変換して電流源の出力電流を制御する電圧電流変換回路と、電源電圧を検出して電流に変換して出力する電源電圧検出回路と、該電源電圧検出回路の出力電流を入力して電圧に変換し、該電圧が所定の電圧より大きい場合、それ以上の出力制御電圧の入力に対して前記電圧電流変換回路の出力電流がほぼ一定となるように前記電圧電流変換回路を制御する電流制御回路とを具備してなることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項２】
請求項１において、
前記信号増幅部は整合回路を含んでなり、前記バイポーラトランジスタは電流ミラー回路の一部を構成していることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項３】
請求項１において、
前記バイアス回路は電流源およびトランジスタを含んでなり、該トランジスタは前記電流源と直列に接続された他のトランジスタと共に電流ミラー回路を構成していることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項４】
請求項１において、
前記保護回路は、第１のトランジスタと、該第１のトランジスタのベースに接続された第１の抵抗と、一方の端が前記第１のトランジスタのエミッタに接続され他方の端が前記第１の抵抗に接続された第２の抵抗と、前記第１のトランジスタのコレクタに接続された第２のトランジスタと、該第２のトランジスタと共に電流ミラー回路を構成し且つ前記バイアス回路に接続された第３のトランジスタとを含んでなることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記増幅素子と並列に多段接続された電圧クリッピング用ダイオードを具備してなることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記増幅素子はGaAs-HBTまたはSiGe-HBTで構成され、前記保護回路はSi-バイポーラトランジスタまたはSiGe-HBTを含んでなることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記増幅素子および前記保護回路はSiGe-HBTまたはSi-バイポーラトランジスタで構成され、１チップに集積化されていることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
互いに直列接続された複数段の増幅素子を有し、少なくとも最終段増幅素子は上記保護回路によって保護されていることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項９】
請求項８において、
前記最終段増幅素子はGaAs-HBTで構成され、初段または中段増幅素子の少なくとも一つはSi-MOSFETで構成されていることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項１０】
請求項８において、
前記最終段増幅素子はGaAs-HBTで構成され、初段増幅素子または保護回路の少なくとも一部はSi-MOSFETで構成されていることを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項１１】
少なくとも増幅素子としてバイポーラトランジスタを含み、入力信号を増幅して出力する信号増幅部と、
該信号増幅部にアイドリング電流を与えるバイアス回路と、
上記バイポーラトランジスタのベース電流が所定値を超えた場合、その超えた分の電流が前記バイアス回路から流れ込むように構成された保護回路とを有し、
前記保護回路に前記ベース電流の前記所定値を超えた分が流れ込むことにより、前記信号増幅部の出力が所定値以下に制限され、
電源電圧の変化に伴い前記ベース電流の前記所定値が可変であり、
出力制御電圧を入力して電流に変換して電流源の出力電流を制御する電圧電流変換回路と、電源電圧を検出して電流に変換して出力する電源電圧検出回路と、該電源電圧検出回路の出力電流を入力して電圧に変換し、該電圧が所定の電圧より大きい場合、それ以上の出力制御電圧の入力に対して前記電圧電流変換回路の出力電流がほぼ一定となるように前記電圧電流変換回路を制御する電流制御回路とを有する電力増幅器モジュールを具備してなり、
音声信号を変調し、変調された音声信号を上記電力増幅器モジュールによって増幅し、増幅された信号をアンテナを介して出力することを特徴とする無線通信装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
アンテナと、受信フロントエンド部と、周波数シンセサイザと、音声処理部と、変復調器とを更に具備してなることを特徴とする無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】              明細書    
【発明の名称】          半田付け方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路基板の両面に、金属薄板に穴をあけ、その穴を通してクリーム状の半田を印刷するメタルマスクを装着する。クリーム半田をメタルマスクの半田充填穴を通し電気回路基板に印刷させる。
電気回路基板の印刷した部分にリード付き電子部品を取り付ける。
クリーム半田印刷面を半田融解温度にして半田を融解させ、その後半田を冷却硬化させる。
以上の如く電気回路基板にリード付き電子部品の半田付け方法    
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、クリーム半田をメタルマスクを通し電気回路基板に印刷し、半田融解温度状態にさせた後、リード付き電子部品の半田付け方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
リード付き電子部品の半田付け方法は、信頼性、簡便性等より半田噴流装置を用い、融解した半田を直接電気回路基板の取り付け部品に浸す方法が採られている。電気回路基板の高密度化により、電子部品間の間隔は狭まり、より均一精密な半田付けが要求されるようになってきている。従来の半田噴流方法では、電子部品のリード端子と電気回路回路の結合部に半田を浸すただけでは均一、迅速に浸透させることは難しく半田の未接続や、誤って他のリード端子と誤接続してしまうなど製造上で問題点があった。また、半田噴流装置も噴流状態、溶解した半田の含有分の維持、酸化防止等一定の製造条件を保つため常に労力を費やさねばならなかった。
【０００３】                                                  
【発明が解決しようとする課題】  
本発明は、リード付き電子部品を半田噴流装置により行わず、クリーム半田で半田付けを行うことを特徴とした半田付け方法
【０００４】
【課題を解決するための手段】
電気回路基板の両面にメタルマスクを装着させる。印刷するクリーム半田はメタルマスクの半田充填穴を通り、電気回路基板に印刷される。クリーム半田は、印刷の際の擦りつける圧力でメタルマスクの充填穴から電気回路基板の電子部品取り付けの銅箔穴を通り、裏面につけたメタルマスクの充填穴まで印刷される。印刷後、電気回路基板の両面に装着されたメタルマスクを取り外す。印刷した半田量は、メタルマスクの厚さと穴径により決定されるので、仕上がりは、電気回路基板の電子部品取り付け穴に盛り上がる状態となる。その状態の電気回路基板にリード付き電子部品を取り付け穴に差し込み取り付ける。リード端子は、部品取り付け穴に印刷された軟質な半田を突き抜け取り付けられる。リード付き電子部品を電気回路基板に取り付け後、印刷したクリーム半田を半田融解温度にする。融解した半田は、部品取り付け穴に吸い寄せられ垂れない。温度を冷却し半田を硬化させる。メタルマスクの穴径に印刷された部分のみが半田付けされる。
【０００５】                                        
【実施例】
図１に電気回路基板の両面にメタルマスクを装着し印刷した状態を示す。図２に印刷後、リード付き電子部品を取り付けた状態を示す。この状態でクリーム半田を半田融解温度にし硬化させる半田付け方法
【０００６】
【発明の効果】
本発明によれば、簡易な方法によりリード付き電子部品を均一、迅速且つ経済的に電気回路基板に半田付けすることが可能となる。具体的には
（イ）適正量の半田が印刷され半田付けするため、部品の取り付けに必要な半田量のみが印刷できるため、半田量の過少、過多がない。
（ロ）印刷した部分のみが半田付けされるため、狭い間隔で配置された電子部品のリード端子に付いた半田を誤って他のリード端子と半田で誤接続することがない。
（ハ）印刷した部分のみが半田付けされるため、未接続がない。
（ニ）印刷したクリーム半田のみを融解し半田付けするため、生産コストが減少する。
【図面の簡単な説明】
【図１】
クリーム半田を印刷した断面図である。
【図２】  
リード付き電子部品を取り付けた断面図である。
【符号の説明】
１  電気回路基板
２  リード付き電子部品取り付け穴
３  メタルマスク
４  印刷されたクリーム半田
５  リード付き電子部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002076601.tif 000001
【図２】
2002076601.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（実施例１〜３）
使用したフルオロカーボンシラン加水分解物は、Ｒf−(ＣＨ2)2−Ｓｉ｛−(Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2)2−ＯＣＨ3｝3で表されるものであった。ＲfはＦ(ＣＦ2)k（ｋ＝６，１〜２重量％；ｋ＝８，６２〜６４重量％；ｋ＝１０，２３〜３０重量％；ｋ＝１２〜１８，２〜６重量％）で表わされるパーフルオロアルキルの混合物である。
界面活性剤は、Ｒf−ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)11−Ｈで表されるノニオン系界面活性剤を用いた。水性エマルジョン中の含有量は、フルオロカーボンシラン１００重量部に対して３０重量部とした。
シリケートとしては、テトラキス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕シリケート（Ｓｉ(ＤＥＧＭ)4）を用いた。
ｐＨは、ｐＨメータを用いてアンモニア水を加えることにより１０.８に調整
した。
調製された水性エマルジョンを放置し、１週間後に目視によりゲル化あるいは沈澱していないかを観察した。水のようにさらさらの場合を安定とした。
次に、基材として、アルミニウム板（２.５ｃｍ×５.０ｃｍ、厚さ１ｍｍのＪＩＳ１１００）を用いて試験片を作成した。
水性エマルジョンの塗布は、ディップコーティングにより行った。ディップコーティングは、３００ｍｍ／分の速度で下げ、その状態で１０分待ち、５０ｍｍ／分の速度で引き上げた。塗布後の乾燥は、２００℃で６０分間行った。
得られた試験片を用いて、塗布表面の透明性を目視観察し、コーティング前と変わらない場合を「透明」とした。
また、コーティングを行った基材の表面に純水を滴下し、接触角計（協和界面科学製）により接触角を測定した。
水性エマルジョンの安定性、塗布表面の透明性、撥水性をそれぞれ表１に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（実施例４〜７）
１０重量％のＲf−(ＣＨ2)2−Ｓｉ｛−(Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2)2−ＯＣＨ3｝3で表される（ＲfはＦ(ＣＦ2)k（ｋ＝６，１〜２重量％；ｋ＝８，６２〜６４重量％；ｋ＝１０，２３〜３０重量％；ｋ＝１２〜１８，２〜６重量％）で表わされるパーフルオロアルキルの混合物）フルオロカーボンシラン、フルオロカーボンシラン１００重量部に対して３０重量部のＲf−ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)11−Ｈで表されるノニオン系界面活性剤、およびフルオロカーボンシランに対するシリケートのモル分率が１となるようにテトラキス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕シリケート（Ｓｉ（ＤＥＧＭ)4）を添加して水性エマルジョンを調製し、ｐＨを９.８、１０.０、１１.０、１１.６に調整し、それぞれ実施例４、５、６、７とした。水性エマルジョンの安定性、コーティング層の透明性、および撥水性を表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ポリフェニレンエーテル系樹脂  ９５〜５重量％
（ｂ）ポリアミド系樹脂                                ５〜９５重量％
（ｃ）相溶化剤                                  ０．０１〜３０重量部
（ｄ）ゴム状重合体                                    ０〜３０重量部
（ｅ）有機燐酸エステル化合物及び／またはメラミン被覆ポリ燐酸アンモニウム
８〜４０重量部
（ｆ）下記の一般式（Ｉ）で表される化学構造を有する１，３，５−トリアジン誘導体
４〜２０重量部
を含むことを特徴とする難燃性樹脂組成物。
【化１】
1999181271.tif 000001
（式中、Ｘはモルホリノ基またはピペリジノ基であり、Ｙはピペラジンから誘導される２価の基であり、ｎは１以上の数である。）
【請求項２】
ポリアミド系樹脂がナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６Ｔ、ナイロン６Ｉ、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン４６、これらの共重合体または混合物であることを特徴とする請求項１記載の難燃性樹脂組成物。
【請求項３】
相溶化剤がフマル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、アリルグリシジルエーテル、エポキシ化天然油脂類、アリルアルコール、４−ペンテン−１−オール、１，４−ペンタジエン−３−オール及びスチレン−無水マレイン酸共重合体から選ばれる１種または２種以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の難燃性樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明は、
［１］  （ａ）ポリフェニレンエーテル系樹脂        ９５〜５重量％
（ｂ）ポリアミド系樹脂                                ５〜９５重量％
（ｃ）相溶化剤                                  ０．０１〜３０重量部
（ｄ）ゴム状重合体                                    ０〜３０重量部
（ｅ）有機燐酸エステル化合物及び／またはメラミン被覆ポリ燐酸アンモニウム
８〜４０重量部
（ｆ）下記の一般式（Ｉ）で表される化学構造を有する１，３，５−トリアジン誘導体
４〜２０重量部
を含むことを特徴とする難燃性樹脂組成物、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（式中、Ｘはモルホリノ基またはピペリジノ基であり、Ｙはピペラジンから誘導される２価の基であり、ｎは１以上の数である。）
［２］  ポリアミド系樹脂がナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６Ｔ、ナイロン６Ｉ、ナイロン６１０、ナイロン６１２、ナイロン４６、これらの共重合体または混合物であることを特徴とする［１］記載の難燃性樹脂組成物、
［３］  相溶化剤がフマル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、アリルグリシジルエーテル、エポキシ化天然油脂類、アリルアルコール、４−ペンテン−１−オール、１，４−ペンタジエン−３−オール及びスチレン−無水マレイン酸共重合体から選ばれる１種または２種以上であることを特徴とする［１］または［２］に記載の難燃性樹脂組成物、
である。
本発明で（ａ）成分のポリフェニレンエーテル（以下、単にＰＰＥと略記）は、本発明
の難燃性樹脂組成物に耐熱性および難燃性を付与するうえで必須な成分であり、該ＰＰＥは、結合単位：
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明において、（ａ）ポリフェニレンエーテル系樹脂の配合量は、９５〜５重量％、好ましくは９０〜１０重量％である。配合量が９５重量％を超える場合、得られる樹脂組成物の耐熱性は極度に優れるものの、成形加工性、耐溶剤性が劣り好ましくない。また、５重量％未満では成形加工性、耐溶剤性に優れるものの、耐熱性が劣り耐熱材料として利用できない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光によりラジカルを発生する化合物とポリシラザンとを含む液晶表示体のアンダーコート膜又は配向膜用の硬化性組成物。
【請求項２】
請求項１記載の硬化性組成物に紫外線を照射することを特徴とするポリシラザンの硬化方法。
【請求項３】
光によりラジカルを発生する化合物、ポリシラザンおよび溶剤を含む液晶表示体のアンダーコート膜又は配向膜用のコーティング組成物。
【請求項４】
請求項３記載のコーティング組成物を基材に塗布し乾燥して得られる硬化性組成物塗膜に紫外線を照射することを特徴とするポリシラザン含有硬化性組成物塗膜の硬化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記の如き従来技術における問題を解決し、より低温での焼成によって、耐熱性、耐摩耗性、耐食性に優れ、クラックのない緻密な塗膜を与える硬化性組成物とその硬化法を提供すること目的とする。特に、紫外線照射による硬化により従来困難であった耐熱性の低い基材、例えば電子部品、プラスチック等へのコーティングを可能とすることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意検討した結果、ポリシラザンを硬化成分とする硬化性組成物に光によりラジカルを発生する化合物を共存させ紫外線を照射することにより、ポリシラザンがラジカル反応を経由して硬化し、従来の高温焼成を必要とすることなく良好なセラミックスが形成されることを見出した。これにより、耐熱性、耐摩耗性、耐食性に優れたセラミックスを高い生産性で形成できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
光によりラジカルを発生する化合物とポリシラザンとを含む液晶表示体のアンダーコート膜又は配向膜用の硬化性組成物。上記硬化性組成物に紫外線を照射することを特徴とするポリシラザンの硬化方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の硬化性組成物は特にコーティング用の組成物であることが好ましく、このコーティング用組成物はそれより得られる硬化性組成物の塗膜を硬化してセラミックス系被膜を形成する方法に用いられる。光によりラジカルを発生する化合物、ポリシラザンおよび溶剤を含む液晶表示体のアンダーコート膜又は配向膜用のコーティング組成物。上記コーティング組成物を基材に塗布し乾燥して得られる硬化性組成物塗膜に紫外線を照射することを特徴とするポリシラザン含有硬化性組成物塗膜の硬化方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
［実施例］
東燃（株）製ペルヒドロポリシラザン（Ｖ−１１０；数平均分子量（Ｍｎ）約７００）の２０ｗｔ％キシレン溶液１００ｇに０．６０ｇの２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オンを添加し、室温で窒素雰囲気下６０分撹拌した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
一方、光ラジカル発生剤である２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オンを添加しない以外は上記と同じペルヒドロポリシラザンのコーティング液を上記と同じ方法で塗工し、同様に紫外線を照射して膜厚１μｍの硬化被膜を形成した。以下この硬化被膜サンプルを硬化被膜Ｘという。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
実施例１
乾燥窒素気流下、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）１０．９ｇ（０．０５モル）と３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸２無水物(ＢＴＤＡ）１６．１ｇ（０．０５モル）をガンマブチロラクトン(ＧＢＬ）２００ｇに溶解させた。ここに９．２ｇのエタノール（０．２モル）、ピリジン１４ｇを加えて５０℃で３時間反応を行った。この溶液に氷浴で冷却し、内部の温度を５℃にした。ここに４１．２ｇのジシクロヘキシルカルボジイミド（０．２モル）をＧＢＬ５０ｇに溶解させた溶液を１時間かけて滴下した。さらに２，２−ビス（メタアミノ−パラヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（ＢＡＨＦ）３６．６ｇ（０．１モル）をＧＢＬ１５０ｇに溶解させた溶液を３０分かけて滴下した。この溶液を氷冷下３時間反応させ、次いで５０℃で１時間反応させた。反応終了後、溶液温度を４０℃にして５−ナフトキノンジアジドスルホニルクロリド２６．８ｇ（０．１モル）を加え攪拌した。）次いで、この溶液にトリエチルアミン１０．１ｇ（０．１モル）をＧＢＬ２０ｇに溶解した溶液を反応液の温度が４５℃を越えないように滴下した。滴下終了後、４０℃で２時間反応を行った。この溶液から析出した尿素化合物、塩を濾過で除き、濾液を５ｌの１％酢酸水に投入してナフトキノンジアジドスルホニル基の結合したポリヒドロキシアミドアミド酸エステルの沈殿を生成した。この沈殿を集めて、水とメタノールで洗浄の後に真空乾燥機で５０℃で２４時間乾燥した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイソタクチックペンタッド分率が９６％以上の高結晶性ポリプロピレン系樹脂及び核剤からなるポリプロピレン系樹脂組成物であって、該ポリプロピレン系樹脂組成物が下記の物性（Ａ）〜（Ｃ）を備えていることを特徴とする、便器部品用ポリプロピレン系樹脂組成物。
物性（Ａ）：メルトフローインデックス（ＭＦＲ）が０．５〜１００ｇ／１０分であること
物性（Ｂ）：メモリーエフェクト（ＭＥ）が０．９０〜１．３０であること
物性（Ｃ）：結晶化開始温度が１２５〜１３６℃であること
【請求項２】
有機過酸化物の存在下に溶融混練して得られたものである、請求項１に記載の高結晶性ポリプロピレン系樹脂と核剤からなる便器部品用ポリプロピレン系樹脂組成物。
【請求項３】
高結晶性ポリプロピレン系樹脂１００重量部に対して、核剤が０．０１〜１重量部配合されたものである、請求項１または２に記載の便器部品用ポリプロピレン系樹脂組成物。
【請求項４】
核剤が、有機系核剤である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の便器部品用ポリプロピレン系樹脂組成物。
【請求項５】
高結晶性ポリプロピレン系樹脂１００重量部に対して、酸化チタン顔料を０．１〜２．０重量部含有する、請求項１〜４のいずれかに記載の便器部品用ポリプロピレン系樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】スパンボンド材料の製造方法であって、
（ａ）（ｉ）プロピレンホモポリマー及び（ｉｉ）１０重量％未満のエチレン含有量を有する、プロピレンとエチレンとのランダムコポリマーから成る群から選ばれるプロピレンポリマー材料であって、約３〜約３０ｇ／１０分のメルトフローレートを有するプロピレンポリマー材料を、２６０℃（５００°Ｆ）より高い温度で紡糸口金を通して連続的に押出して個々のフィラメントを形成する工程、
（ｂ）ポリマーフィラメントを分子配向させる為に、該フィラメントを延伸する工程、及び、
（ｃ）該フィラメントを、実質的にランダムな方法で、キャリヤーベルト上に沈積してウエブを形成する工程、
を含み、該プロピレンポリマー材料が、該プロピレンポリマー材料の百万部当たり、（ｉ）約２５０部〜約２５００部のペンタエリスリトールジホスフィット、（ii）約２５０部〜約２５００部のヒンダードフェノール化合物、及び(iii)約１００部〜約１５００部のステアリン酸カルシウムから成る添加剤を含む事を特徴とする方法。
【請求項２】前記添加剤が、更に(iv) 約５部〜約５００部のヒドロタルサイト化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】プロピレンポリマー材料が、約３〜約２０ｇ／１０分のメルトフローレートを有し、２７３℃（５２５°Ｆ）より高い温度で押出される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】（ｉ）が約７４５部〜約１１４５部の量で存在し、（ｉｉ）が約８００部〜約１２００部の量で存在し、（ｉｉｉ）が約２４０部〜約３６０部の量で存在し、及び（ｉｖ）が約５５〜約８５部の量で存在する、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月15日(2005.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維の束を引き出す少なくとも１つのロールとその後に配置された延伸ロールとを備えた、２つの繊維の束を同時に延伸するための紡糸延伸ワインダの導入部材の構造であって、平行に延びる繊維の束が、ロールを使用した偏向手段によって引き出され、そして必要ならばさらなるロールによって偏向され、その後で延伸ロールへ運ばれ、それぞれの繊維の束の該ロール又は複数の該ロールでの合計の巻きつき角度の差が、小さい方の合計の巻きつき角度の５０％を越えないことを特徴とする紡糸延伸ワインダの導入部の構造。
【請求項２】
各束の繊維の該ロール（１、２、３、１３）での偏向角度の合計が概ね１２０度に等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の紡糸延伸ワインダの導入部の構造。
【請求項３】
各繊維の束の該ロール（１、２、３、１３、１４）での偏向角度の合計が他方の繊維の束の偏向角度の合計に概ね等しいことを特徴とする請求項１に記載の紡糸延伸ワインダの導入部の構造。
【請求項４】
繊維の束を取り出すロール（１、２、３、４）が水平方向に並んで略平行に配置されることを特徴とする請求項１に記載の紡糸延伸ワインダの導入部の構造。
【請求項５】
さらなるロール（３、１４）が水平方向に並んで略平行に配置されることを特徴とする請求項４に記載の紡糸延伸ワインダの導入部の構造。
【請求項６】
ロールがダブルロールとして形成されることを特徴とする請求項１に記載の紡糸延伸ワインダの導入部の構造。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、本発明においては、（ｂ）成分として、ＡＢ5型ニッケル含有水素吸蔵合金のフッ化処理物を用いるが、このＡＢ5型ニッケル含有水素吸蔵合金としては、Ｌａ1-xＭｍxＮｉ5（ただしＭｍはミッシュメタル、ｘは０≦ｘ≦１の数）、Ｃａ1-xＭｍxＮｉ5（ただしＭｍはミッシュメタル、ｘは０＜ｘ＜１）、ＭｍＭx（ただしＭｍはミッシュメタル、ＭはＮｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ、４．５５≦ｘ≦４．７６）、Ｃａ1-xＭｇxＮｉy（ただし、０＜ｘ≦０．２７、３．８≦ｙ≦５．２）、Ｃａ1-xＬａxＮｉ5-(y+z)ＡｌyＣｏz（ただし、０．５≦ｘ≦０．９、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．４、０＜ｙ＋ｚ≦４）及びこれらの構成金属の一部を他の金属例えばＡｌ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｖ、Ｚｎ、Ｚｒなどから選ばれた少なくとも１種の構成金属以外の金属で置き換えたものがある。これらの水素吸蔵合金についても各金属成分Ａ，Ｂの原子比は必ずしも１：５の整数比になっているとは限らず、±０．３の範囲内で変動している場合があるが、このようなものも本発明において用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置ケースに形成したテープ排出口に臨み、印刷後のテープ状部材を切断するスライドカッタと、
前記スライドカッタを切断動作させるカッタ駆動機構とを備え、
前記カッタ駆動機構は、前記スライドカッタを先方から手前にスライドさせて前記テープ状部材を引切りで切断させることを特徴とするテーププリンタのテープ切断装置。
【請求項２】
前記スライドカッタは、カッタ刃と当該カッタ刃を保持するカッタホルダとを有し、
前記カッタホルダは、前記テープ状部材を跨いで先端部に前記カッタ刃を保持すると共に、基端側で前記カッタ駆動機構に連結されていることを特徴とする請求項１に記載のテーププリンタのテープ切断装置。
【請求項３】
前記カッタホルダには、切込み動作する前記カッタ刃に先行して、前記テープ状部材を前記装置ケースに形成した受け部材に押圧するテープ押え部材が取り付けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のテーププリンタのテープ切断装置。
【請求項４】
前記テープ押え部材は、前記カッタホルダに対しスライド方向に進退自在に取り付けられ、
且つ前記カッタホルダとの間に介在したばねにより、前記受け部材に向かって付勢されていることを特徴とする請求項３に記載のテーププリンタのテープ切断装置。
【請求項５】
前記カッタ駆動機構は、動力源となるカッタ駆動モータと、前記カッタ駆動モータにより回転すると共に前記スライドカッタの基端部との間で回転をスライドに変換するカット動作カムと、前記スライドカッタを切断待機位置に戻す戻しばねとを有し、
前記カット動作カムのカム曲線は、略渦巻状の戻し動作部と、前記戻し動作部の端部同士を結ぶ直線状のカット動作部とから成ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のテーププリンタのテープ切断装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載のテーププリンタのテープ切断装置と、
前記テープ状部材をテープカートリッジに収容して装着するカートリッジ装着部と、
前記テープカートリッジから繰り出した前記テープ状部材を送りながらこれに印刷を行う印刷機構と、を備えたことを特徴とするテーププリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のテーププリンタのテープ切断機構は、装置ケースに形成したテープ排出口に臨み、印刷後のテープ状部材を切断するスライドカッタと、スライドカッタを切断動作させるカッタ駆動機構とを備え、カッタ駆動機構は、スライドカッタを先方から手前にスライドさせてテープ状部材を引切りで切断させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラジエータ（１０）に冷却風を送風する送風機（３０）と、
前記送風機（３０）にて誘起された風が前記ラジエータ（１０）を迂回して流れることを防止するシュラウド（４１）、及び前記ラジエータ（１０）の外周部を覆うとともに、内部が前記シュラウド（４１）と連続的に繋がったダクト部（４２）が一体形成されたダクトシュラウド（４０）とを備え、
前記ラジエータ（１０）は前記ダクトシュラウド（４０）に固定され、
さらに、前記ダクトシュラウド（４０）は、弾性部材（５０）を介して車両ボディ側に固定されていることを特徴とする車両のフロントエンド構造。
【請求項２】
前記ラジエータ（１０）は、前記車両ボディに対して前記ダクトシュラウド（４０）に同位相にて振動変位するように、前記ダクトシュラウド（４０）に一体化されていることを特徴とする請求項１に記載の車両のフロントエンド構造。
【請求項３】
前記弾性部材（５０）は、前記ダクトシュラウド（４０）のうち前記ダクト部（４２）の上下両端側に設けられたピン状の取り付け部（４３）に装着されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の車両のフロントエンド構造。
【請求項４】
前記ラジエータは前記ダクトシュラウドに締結固定されていることを特徴とする請求項１記載の車両のフロントエンド構造。
【請求項５】
前記ダクト部が前記ラジエータを越えて車両後方側から車両前方側へと延びており、前記ラジエータは前記ダクト部に車両後方側から締結固定されていることを特徴とする請求項４記載のフロントエンド構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項３に記載の発明のごとく、弾性部材（５０）は、ダクトシュラウド（４０）のうちダクト部（４２）の上下両端側に設けられたピン状の取り付け部（４３）に装着されることが望ましい。また、請求項４に記載の発明のごとく、ラジエータはダクトシュラウドに締結固定されていることが望ましい。さらに、請求項５に記載の発明のごとく、ダクト部がラジエータを越えて車両後方側から車両前方側へと延びており、ラジエータはダクト部に車両後方側から締結固定されていることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続した形態の記録媒体にインクを吐出して画像を形成するインクジェットプリンタであって、
画像形成された記録媒体を切断する切断手段と、
前記切断手段に切断された記録媒体にインクを定着させる定着手段とを備え、
前記定着手段が前記切断手段よりも高い位置に設けられていることを特徴とするインクジェットプリンタ。
【請求項２】
前記記録媒体は、熱可塑性樹脂粒子を含むインク受容層を有してなることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、
連続した形態の記録媒体にインクを吐出して画像を形成するインクジェットプリンタであって、
画像形成された記録媒体を切断する切断手段と、
前記切断手段に切断された記録媒体にインクを定着させる定着手段とを備え、
前記定着手段が前記切断手段よりも高い位置に設けられていることを特徴としている。
ここで、前記記録媒体は、熱可塑性樹脂粒子を含むインク受容層を有していることが好ましい。