Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月31日(2004.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車体上に起伏動・旋回動・伸縮動自在に設けられたブームの先端部に上下方向に揺動可能に枢結され、作業台を水平旋回可能に支持する作業台支持部材であって、前記ブームの先端部に取り付けられたレベリングシリンダにより、前記ブームの起伏に応じて、前記作業台が水平に位置するように揺動制御される作業台支持部材が、
前記ブームの先端部に枢結されて略垂直方向上方に延びる垂直支持部と前記垂直支持部の上部から後方に延びる作業台接続部とを有して側面視においてほぼ逆Ｌ字状に形成され、前記作業台接続部の先端上面において前記作業台下面の略中央部を旋回機構により水平旋回自在に支持するように構成され、
前記作業台接続部は、左右に間隔をおいて前後に延びる左右一対の垂直板からなる上側板と前記左右一対の上側板の上端面上に水平に延びて接合された水平天板とから構成され、
前記垂直支持部は、前記左右一対の上側板に一体に繋がって下方に延びる左右一対の下側板と、前記左右一対の下側板の前端面同士を繋いで延びる前板とから構成され、
前記左右一対の上および下側板と前記前板とに囲まれて形成された空間部内に、前記レベリングシリンダが略垂直に延びて配設され、前記レベリングシリンダの下端が前記ブームの先端部に枢結され、前記レベリングシリンダの上端が前記垂直支持部の上部に枢結されていることを特徴とする作業台支持部材。
【請求項２】
前記レベリングシリンダは前記ブームの先端部に対する前記垂直支持部の枢結部より後側に位置して配設されており、前記作業台からの荷重により前記レベリングシリンダに圧縮荷重力が作用するように構成されており、
前記レベリングシリンダはボトム側を下側にして垂直に延びて前記空間部内に配設され、前記ボトム側が前記ブームの先端部に枢結され、ロッド側の先端が前記垂直支持部の上部に枢結されていることを特徴とする請求項１に記載の作業台支持部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記課題を解決するために本発明においては、車体上に起伏動・旋回動・伸縮動自在に設けられたブームの先端部に上下方向に揺動可能に枢結され、作業台を水平旋回可能に支持する作業台支持部材であって、ブームの先端部に取り付けられたレベリングシリンダによりブームの起伏に応じて作業台が水平に位置するように揺動制御される作業台支持部材が、ブームの先端部に枢結されて略垂直方向上方に延びる垂直支持部とこの垂直支持部の上部から後方に延びる作業台接続部とを有して側面視においてほぼ逆Ｌ字状に形成され、作業台接続部の先端上面において作業台下面の略中央部を旋回機構により水平旋回自在に支持するように構成される。そして、作業台接続部は、左右に間隔をおいて前後に延びる左右一対の垂直板からなる上側板と左右一対の上側板の上端面上に水平に延びて接合された水平天板とから構成され、垂直支持部は、左右一対の上側板に一体に繋がって下方に延びる左右一対の下側板と、これら左右一対の下側板の前端面同士を繋いで延びる前板とから構成され、左右一対の上および下側板と前板とに囲まれて形成された空間部内に、レベリングシリンダが略垂直に延びて配設され、レベリングシリンダの下端がブームの先端部に枢結され、レベリングシリンダの上端が垂直支持部の上部に枢結されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
なお、レベリングシリンダはブームの先端部に対する垂直支持部の枢結部より後側に位置して配設されており、作業台からの荷重によりレベリングシリンダに圧縮荷重力が作用するように構成されており、レベリングシリンダはボトム側を下側にして垂直に延びて空間部内に配設され、ボトム側がブームの先端部に枢結され、ロッド側の先端が垂直支持部の上部に枢結されているように構成するのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記構成の作業台支持部材によれば、ブームの起伏動に応じてレベリングシリンダ（上部レベリングシリンダ）の作動が制御されてレベリングシリンダが伸縮動し、作業台支持部材が揺動して作業台を常に水平状態に支持する。このレベリングシリンダは左右一対の上および下側板と前板とに囲まれて形成された空間部内に略垂直に延びて配設されている。このため、レベリングシリンダは作業台支持部材に囲まれて位置して保護される状態であり、高所作業中に障害物等がレベリングシリンダに接触するおそれがない。また、レベリングシリンダの下端がブームの先端部に枢結され、レベリングシリンダの上端が垂直支持部の上部に枢結されている構成であり、従来のように作業台支持部材からブームの略長手軸方向に延びて（ブームの基端側に延びて）取り付けられてはいない。この構成から分かるように、レベリングシリンダが伸縮動する方向は、作業台に対して略垂直方向に延びて枢結されている作業台支持部材の垂直支持部に沿った方向である。このため、ブームの起伏動の間においてもレベリングシリンダは作業台支持部材に囲まれて保護され、ブームが起仰動して上部レベリングシリンダが伸長動した状態のときにおいても、障害物等が上部レベリングシリンダに接触するおそれはない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、上記構成の作業台支持部材によれば、作業台下面の略中央部を旋回自在な旋回機構を介して支持するため、作業台の一端部に重量物を積載して作業台を旋回させたときでも、その積載位置によって作業台から作業台支持部材に作用する荷重が大きな偏荷重となるようなことはなく、作業台支持部材によって大型の作業台をバランスよく支持することができる。また、レベリングシリンダをブームの先端部に対する垂直支持部の枢結部より後側に位置して配設して、作業台からの荷重によりレベリングシリンダに圧縮荷重力が作用するように構成し、レベリングシリンダをボトム側を下側にして垂直に延びて空間部内に配設し、ボトム側をブームの先端部に枢結し、ロッド側の先端を垂直支持部の上部に枢結するのが好ましい。このように構成すると、上部レベリングシリンダに作用する圧縮荷重は、シリンダの断面積がロッド側油室に比べてより大きいボトム側油室で支持する状態になるため、上部レベリングシリンダ内の作動油温の上昇・低下による（作動油の熱膨張又は熱収縮による）ピストンロッドの移動量は、ロッド側油室で支持する場合よりも小さく、作動油の温度変化によって上部レベリングシリンダが僅かに伸長・縮小作動することで生じるレベリング制御の狂いを小さくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月19日(2004.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒素がドーピングされ、磁性を有するカーボンナノチューブ。
【請求項２】
前記窒素は前記カーボンナノチューブの一方の端部に偏析している請求項１記載のカーボンナノチューブ。
【請求項３】
一方の端部に炭素窒素混合領域を有する請求項１記載のカーボンナノチューブ。
【請求項４】
前記カーボンナノチューブの少なくとも一方の端部が開放されている請求項１記載のカーボンナノチューブ。
【請求項５】
前記ドーピングした窒素の量は前記カーボンナノチューブ全体に対して原子比で０.１ 〜３０％であることを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブ。
【請求項６】
金属キャップを有する請求項６記載のカーボンナノチューブ。
【請求項７】
キュリー温度が７７０℃以上である請求項１記載のカーボンナノチューブ。
【請求項８】
前記磁性は強磁性である請求項１乃至９記載のカーボンナノチューブ。
【請求項９】
レーザー発信装置と、光検出器６１と、カンチレバーと、を有する磁気力検査装置であって、
前記カンチレバーには請求項１記載のカーボンナノチューブが磁気探針として接続されている磁気力検査装置。
【請求項１０】
励磁体と、主磁極と、補助磁極と、を有する垂直磁気記録用ヘッドであって、
前記主磁極は請求項１記載のカーボンナノチューブである垂直磁気記録用ヘッド。
【請求項１１】
両端の電子密度に差を設けることにより、強磁性を示すカーボンナノチューブ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
分解発泡性化合物
本発明の発泡性組成物に用いられる分解発泡性化合物（以下、分解性化合物と略す）は、酸または塩基と反応して一種類以上の低沸点揮発性物質（低沸点揮発性化合物）が分解脱離する。すなわち、この分解性化合物には、低沸点揮発性物質を発生し得る分解性官能基があらかじめ導入されていなければならない。低沸点とは発泡時にガス化する温度が上限になる。すなわち、発泡時の温度よりも低い沸点を有することを意味する。通常１００℃以下、常温以下が好ましい。例えばイソブテンは沸点が−７℃である。分解性官能基としては、酸と反応するものとしてｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基などが挙げられ、塩基と反応するものとしてウレタン基、カーボネート基などが挙げられる。例えば、ｔｅｒｔ−ブチル基は、酸により分解してイソブテンガスを発生し、ウレタン基は塩基により分解して二酸化炭素ガスを発生し、それぞれのガスが分解性化合物から離脱する。酸（または塩基）分解性化合物の例としては、モノマー、オリゴマー、高分子化合物（ポリマー）等を使用することができ、例えば、以下のような化合物群に分類することができる。
（１）  非硬化性低分子系の分解性化合物群
（２）  硬化性モノマー系の分解性化合物群
（３）  重合体系の分解性化合物群
硬化性モノマー系の分解性化合物に代表される例として、活性エネルギー線を照射したときに重合反応を生じるようなビニル基を含んだ活性エネルギー線硬化性化合物の場合には、均一な微細気泡の形成が容易であり、強度的に優れた発泡体を得ることが可能である。分解性化合物の具体例を下記に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明の発泡性組成物（２）に用いられる分解性化合物は、少なくとも一種類以上の疎水性官能基を含む化合物に分解発泡性官能基を導入した化合物である。本発明に用いられる疎水性官能基は、主に脂肪族基、脂肪環族基、芳香族基、ハロゲン基、ニトリル基からなる群の中から選ばれることが好ましい。分解発泡性官能基は、主にカルボン酸基または水酸基、アミン基からなる群の中から選ばれる親水性官能基に導入されやすい。したがって、本発明の分解性化合物としては、前記親水性官能基に分解発泡性官能基を導入した分解性ユニットと、疎水性官能基を含む疎水性ユニットからなる複合化合物が好ましい。より好ましい前記複合化合物は、分解性ユニットおよび疎水性ユニットがビニル系重合体である。疎水性ユニットは、メチル（メタ）アクリレートやエチル（メタ）アクリレートなどの脂肪族（メタ）アクリレート群、スチレン、メチルスチレン、ビニルナフタレンなどの芳香族ビニル化合物群、（メタ）アクリロニトリル化合物群、酢酸ビニル化合物群、塩化ビニル化合物群などが挙げられる。分解性化合物の代表的な例としては、分解性ユニットが、親水性官能基のカルボン酸基を有するアクリル酸に分解性官能基であるｔｅｒｔ−ブチル基を導入したｔｅｒｔ−ブチルアクリレートであり、そして疎水性ユニットが疎水性官能基のメチル基を有するメチルアクリレートである組合わせからなるビニル系共重合体が挙げられる。分解性ユニット／疎水性ユニットの組合わせからなる分解性化合物の具体例を以下に示す。
ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート／メチルメタクリレート共重合体
ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート／メチルアクリレート共重合体
ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート／メチルメタクリレート共重合体
ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート／エチルアクリレート共重合体
ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート／エチルメタクリレート共重合体
ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート／エチルアクリレート共重合体
ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート／エチルメタクリレート共重合体
ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート／スチレン共重合体
ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート／塩化ビニル共重合体
ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート／アクリロニトリル共重合体
ｐ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン／スチレン共重合体
また、分解性化合物中の分解性ユニットおよび疎水性ユニットは、一種単独でまたは２種以上併用することができる。共重合の形式は、ランダム共重合、ブロック共重合、グラフト共重合などの任意に行なうことができる。また、疎水性ユニットの共重合比は、分解性化合物全量に対して５〜９５重量％であることが好ましく、分解性化合物の分解発泡性および発泡構造の環境保存性を勘案すると、２０〜８０％がより好ましい。
上記分解性化合物は、単独で用いてもよいし、異なる２種以上を混合併用してもよい。
上記分解性化合物は、分解発泡性官能基が分解脱離して気泡形成ガスを発生した後に、少なくとも一種類以上の疎水性官能基を含む化合物となる。この分解性化合物は、本発明の発泡性組成物（２）及び発泡体製造方法（Ａ）に用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月11日(2003.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上流側に１カ所及び下流側に少なくとも１カ所の供給口を備えた二軸押出機を用い、上流側供給口よりポリアミド６６を供給し、下流側供給口より導電用炭素系フィラーを供給し溶融混練してなる事を特徴とするポリアミド／ポリフェニレンエーテル樹脂組成物用ポリアミドマスターペレット。
【請求項２】
上流側に１カ所及び下流側に少なくとも１カ所の供給口を備えた二軸押出機を用い、上流側供給口よりポリフェニレンエーテル及び相溶化剤を供給し、溶融混練した後、下流側供給口よりポリアミド及び請求項１に記載のポリアミドマスターペレットを供給し、更に溶融混練してなる事を特徴とする導電性樹脂組成物。
【請求項３】
上流側供給口よりポリフェニレンエーテル、相溶化剤に加えて衝撃改良材を供給してなる請求項２に記載の導電性樹脂組成物。
【請求項４】
衝撃改良材が、芳香族ビニル化合物と共役ジエン化合物のブロック共重合体の水素添加物である請求項３に記載の導電性樹脂組成物
【請求項５】
導電用炭素系フィラーの含有量が１．５〜３．５重量％である請求項２に記載の導電性樹脂組成物。
【請求項６】
導電用炭素系フィラーがＤＢＰ吸油量３５０ｍｌ／１００ｇ以上のカーボンブラックである請求項１に記載のポリアミドマスターペレット。
【請求項７】
使用するポリアミドの末端基が、アミノ基濃度／カルボキシル基濃度比で６／４〜１／９である請求項１に記載のポリアミドマスターペレット。
【請求項８】
導電用炭素系フィラーの含有量が１０重量％である請求項１記載のポリアミドマスターペレット。
【請求項９】
導電用炭素系フィラーを添加した後に、真空吸引する工程を更に含んで製造された請求項１記載のポリアミドマスターペレット。
【請求項１０】
ポリアミドと導電用炭素系フィラーが定量的に押出機に供給されてなる請求項１記載のポリアミドマスターペレット。
【請求項１１】
上流側に１カ所及び下流側に少なくとも１カ所の供給口を備えた二軸押出機を用い、上流側供給口よりポリフェニレンエーテル、相溶化剤、衝撃改良材を供給し、溶融混練した後、下流側供給口よりポリアミド及び請求項１記載のポリアミドマスターペレットに加え、エチレン−α−オレフィン共重合体及び／又は変性されたエチレン−α−オレフィン共重合体を供給し、更に溶融混練してなる事を特徴とする導電性樹脂組成物。
【請求項１２】
上流側に１カ所及び下流側に少なくとも１カ所の供給口を備えた二軸押出機を用い、上流側供給口よりポリアミドを供給し、下流側供給口より導電用炭素系フィラーを供給し溶融混練する事を特徴とするポリアミドマスターペレットの製造方法。
【請求項１３】
上流側に１カ所及び下流側に少なくとも１カ所の供給口を備えた二軸押出機を用い、上流側供給口よりポリフェニレンエーテル、相溶化剤、衝撃改良材を供給し、溶融混練した後、下流側供給口よりポリアミド及び請求項１記載のポリアミドマスターペレットを供給し更に溶融混練する事を特徴とする導電性樹脂組成物の製造方法。
【請求項１４】
上流側に１カ所及び下流側に少なくとも１カ所の供給口を備えた二軸押出機を用い、上流側供給口よりポリフェニレンエーテル、相溶化剤、衝撃改良材を供給し、溶融混練した後、下流側供給口よりポリアミド及び請求項１記載のポリアミドマスターペレットに加え、エチレン−α−オレフィン共重合体及び／又は変性されたエチレン−α−オレフィン共重合体を供給し、更に溶融混練する事を特徴とする導電性樹脂組成物の製造方法。
【請求項１５】
請求項２記載の樹脂組成物よりなるペレット。
【請求項１６】
請求項２記載の樹脂組成物より成形されてなる自動車外板・外装部品。
【請求項１７】
請求項２記載の樹脂組成物より成形されてなる自動車用フェンダー。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
しかし、ＣＮＴの表面を改質すると、本来のＣＮＴの特性、たとえば高導電性が損なわれるという問題がある。ＣＮＴを分散させる方法としては、ＣＮＴをドデシルスルホン酸ナトリウムなどの界面活性剤を含有する水溶液に入れる方法（例えば特許文献１参照）があるが、ＣＮＴ表面に非導電性の有機物が付着するので導電性が損なわれるという問題がある。また、ＣＮＴ表面にコイル状構造を持つポリマーを付着させる方法として、ポリ−ｍ−フェニレンビニレン−ｃｏ−ジオクトキシ−ｐ−フェニレンビニレンを含む溶媒中にＣＮＴを加え、沈殿するＣＮＴ複合材を分離・精製するという方法（例えば特許文献２参照）が提案されているが、該ポリマーは共役系が不完全なため、ＣＮＴの導電性を損ねると言う問題があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ここで、共役系重合体の付着したＣＮＴの作製方法として、（１）共役系重合体の中にＣＮＴを添加し分散させた共役系重合体／ＣＮＴの混合物をそのまま用いる方法と、（２）共役系重合体／ＣＮＴの混合物を０．１μｍ径程度のフィルターでＣＮＴをろ別し余剰の共役系重合体を除去してから用いる方法とがある。なお、後者（２）のろ別する方法を用いた場合においても、共役系重合体はＣＮＴとの相互作用が強いためＣＮＴの表面に付着していることが種々の元素分析、表面分析装置で確認することができる。さらに、共役系重合体／ＣＮＴの混合物の作製方法として、（３）溶融した共役系重合体の中にＣＮＴを添加して混合させる方法と、（４）共役系重合体を溶媒中に溶解させこの中にＣＮＴを添加して混合させる方法と、（５）ＣＮＴを溶媒中で予め超音波などで予備分散しておいた所に共役系重合体を添加し混合させる方法、（６）溶媒中に共役系重合体とＣＮＴを入れ、この混合系に超音波を照射して混合させる方法とがある。本発明では何れの方法を単独で用いるか、あるいは何れの方法を組み合わせても良い。中でも（６）の溶媒中に共役系重合体とＣＮＴを入れ、この混合系に超音波を照射して混合させる方法に加えて（２）の０．１μｍ径のフィルターでＣＮＴをろ別する方法を組み合わせることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このようにして得られたＣＮＴ含有ペーストは、溶剤を留去したり、硬化させることによってＣＮＴ分散コンポジットを形成することができ、フィルム、塗膜、板、構造材、光学樹脂、複合材などへ応用することができる。その分散状態を確認する方法として該コンポジットを厚み１ｍｍ以下、好ましくは１００μｍ以下のフィルムまたは塗膜状に加工して光学顕微鏡で観察したり、表面をある一定厚みでエッチング処理した後に電子顕微鏡や原子間力顕微鏡で観察することができる。すなわちＣＮＴの分散状態が良好な場合にはＣＮＴが非常に小さな点あるいは線で観察されるが、分散不良の場合にはＣＮＴが直径１０μｍ以上の凝集体として観察され、数ｍｍ四方の観察視野の中でも凝集体の存在箇所の分布に偏りが見られる場合がある。図１に本発明のＣＮＴ分散コンポジットの塗膜の光学顕微鏡写真を示したが、ＣＮＴが良好に分散されている様子を観察することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
なお本発明において、ＣＮＴ分散コンポジットの分散性を間接的に評価する指標として導電性がある。導電性は抵抗率として以下のようにして求められる。また、ＣＮＴ含有ペーストは溶剤を留去したり硬化させた後にＣＮＴ含有コンポジットとして評価することができる。すなわち、先ずガラス基板上に、一方の電極として金属層または導電層（白金、金、銀、アルミ、クロム、ＩＴＯなど）をスパッタリングで形成した後、この金属表面上にＣＮＴ分散コンポジットをブレードコーターやスピナーなどを用いて塗布する。次に、この塗布膜表面に金属薄膜をスパッタリングすることによってもう一方の電極を形成する。ＣＮＴ分散コンポジットを挟む上記二つの電極間に電圧（Ｖ）を印加してその時の電流（Ｉ）を求め、Ｖ−Ｉ特性から抵抗率を測定する（２端子法）。また、櫛形状の電極２組が対向して形成されたガラス基板上にＣＮＴ分散コンポジットを塗布して、２組の電極間に電圧を印加して、そのときの電流から抵抗率を求める方法も使用される。なお、ＣＮＴ分散コンポジット膜の抵抗率が高い場合にはガードリング付きの３端子法で、また抵抗率が低い場合には４つの電極を用いた４端子法から抵抗率を求めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
実施例７
実施例１に記載の表面に共役系重合体が付着したＣＮＴ０．１ｇと、ペレット状のＰＭＭＡ１００ｇを５００ｍＬのフラスコに入れ、１５０℃で撹拌しながら溶融分散した。次いでこの溶融ＰＭＭＡ約２ｍＬをステンレス板上に拡げて冷却し、厚み３０μｍの塗膜を作製し、基板から剥がしてＣＮＴ０．１％含有ＰＭＭＡ膜を得た。得られた膜の特性を調べたところ、ＣＮＴは良好に分散されており、透過率が９５．０％、膜表面の電位が３Ｖ、体積抵抗率は、１．０×１０２Ωｃｍであった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月29日(2004.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】オリゴフルオレニレン化合物及び有機発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］で示されることを特徴とするオリゴフルオレニレン化合物。
【化１】
2004002298.tif 000001
（Ｘ1〜Ｘ4は、置換あるいは未置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基及び複素環基、置換あるいは未置換のアリーレン基あるいは二価の複素環基からなる連結基を有する置換あるいは未置換のアルケニル基、アルキニル基、アミノ基、アルコキシ基及びスルフィド基、置換あるいは未置換のアリーレン基あるいは二価の複素環基からなる連結基を有する置換のシリル基及びカルボニル基からなる群より選ばれた基であり、同じであっても異なっていてもよい。また、Ｘ1とＸ2、Ｘ3とＸ4は互いに結合し環を形成していてもよい。
Ｒ1〜Ｒ2は、水素原子、置換あるいは未置換のアルキル基、アラルキル基及びアリール基からなる群より選ばれた基であり、Ｒ1とＲ2は同じであっても異なっていてもよく、また異なるフルオレニレン環上のＲ1同士、Ｒ2同士も同じであっても異なっていてもよい。
ｎは１〜２０の整数である。）
【請求項２】
前記一般式［１］におけるｎが１〜４の整数であることを特徴とする請求項１に記載のオリゴフルオレニレン化合物。
【請求項３】
各窒素上の置換基のいずれか一方が、下記一般式［２］で示される少なくともパラあるいはオルト位に置換基を有するフェニル基であることを特徴とする請求項１または２に記載のオリゴフルオレニレン化合物。
【化２】
2004002298.tif 000002
（Ｒ5〜Ｒ9は、水素、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、置換あるいは未置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、アルコキシ基及びスルフィド基、置換のシリル基及びカルボニル基からなる群より選ばれた基であり、同じであっても異なっていてもよい。）
【請求項４】
各窒素上の置換基のいずれか一方が、芳香族多環縮環基あるいは複素環基であることを特徴とする請求項１または２に記載のオリゴフルオレニレン化合物。
【請求項５】
各窒素上の置換基のいずれか一方が、下記一般式［２］で示される少なくともパラあるいはオルト位に置換基を有するフェニル基であり、他の一方が芳香族多環縮環基あるいは複素環基であることを特徴とする請求項１または２に記載のオリゴフルオレニレン化合物。
【化３】
2004002298.tif 000003
（Ｒ5〜Ｒ9は、水素、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、置換あるいは未置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、アルコキシ基及びスルフィド基、置換のシリル基及びカルボニル基からなる群より選ばれた基であり、同じであっても異なっていてもよい。）
【請求項６】
陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に狭持された一または複数の有機化合物を含む層を少なくとも有する有機発光素子において、前記有機化合物を含む層の少なくとも一層が請求項１〜５のいずれかに記載のオリゴフルオレニレン化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項７】
前記オリゴフルオレニレン化合物の少なくとも一種を含有する層が発光層であることを特徴とする請求項６に記載の有機発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ガラクトース残基及びＮ−アセチルグルコサミン残基の第１級ヒドロキシル基が全て硫酸化された硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミン単位を少なくとも１つ含む硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミンオリゴ糖を、無機酸およびアルコールを用いて処理し、Ｎ−アセチルグルコサミン残基に結合した硫酸基を脱離させることなく、ガラクトース残基に結合した硫酸基を選択的に脱離させることを特徴とする部分的脱硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミンオリゴ糖の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
こうして得られた部分的脱硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミン二糖及び部分的脱硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミン四糖を含む溶液を、それぞれ0.2M NaClにより平衡化したBioRad AG1x4カラム(φ3.0 x 25cm；バイオラド社製)にアプライした。溶出は0.5M NaClを1L流して洗浄した後、それぞれ前者については0.5M NaCl(0.9L)と1.25M NaCl(0.9L)を用いた直線的濃度勾配により、後者については0.5M NaCl(1.5L)と2.5M NaCl(1.5L)を用いた直線的濃度勾配により、それぞれ16mlごとに分画した。両者に対するクロマトグラフィーで得られた各画分をフォトメトリー法(210nm)及びアンスロン法により測定することにより、各オリゴ糖の溶出位置を確認した(図４、５)。すなわち、部分的脱硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミン二糖混合物の溶出パターン(図４)においては、３本のピーク(I〜III)が認められたのに対し、部分的脱硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミン四糖混合物の溶出パターン(図５)においては、５本のピークと一つの谷(I〜VI)が認められた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
メチル化完全脱硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミン四糖のポジティヴモードFAB-MSのマススペクトルを図１５に示す。m/z=1000.7に高強度の擬分子イオン[(M+Na)+]のシグナルが観察されたが、計算値の1000.5とよく一致していたので、メチル化する前の完全脱硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミン四糖の分子量は 748であることが確認された。また同時にメチル化反応が完全に進行していたことも判明した。完全脱硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミン四糖由来のPMAAをGC-MSに付して分析した結果を図１６に示す。図中、１はT-Gal（2,3,4,6-テトラ-O-メチル-ガラクチトール）を、２は3-Gal（2,4,6-トリ-O-メチル-ガラクチトール）を、*はアーティファクトをそれぞれ示す。ピーク１及びピーク２は、それぞれT-Gal及び3-Galであることが相当するマススペクトルから明らかとなったので(データは示していない)、上記エキソグリコシダーゼ実験の結果と併せて、完全脱硫酸化Ｎ−アセチルラクトサミン四糖は、Galβ1→4GlcNAcβ1→3Galβ1→4GlcNAcという構造を持つことが判明した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学加工液中にガラス基板を浸漬し、このガラス基板の外表面を構成する片側の一部若しくは全部または両側の一部若しくは全部を研磨して薄くする加工を行う化学加工方法であって、
前記ガラス基板を化学加工液中に略垂直配置し、
前記化学加工液中に連続して発生させた気泡により上昇液流を生じさせ、
前記化学加工液中の反応生成物を連続的に除去しつつ、
１０μｍ／分以下の加工速度で加工する
ことを特徴とする化学加工方法。
【請求項２】
前記化学加工液が、フッ酸、並びに塩酸、硫酸、リン酸および硝酸から選ばれる１種以上の無機酸を含有する請求項１に記載の化学加工方法。
【請求項３】
前記化学加工液は、前記ガラス基板表面に前記反応生成物が再付着することを防止する再付着防止剤を含有し、
前記再付着防止剤が陰イオン系界面活性剤またはアミン系界面活性剤である請求項１または２に記載の化学加工方法。
【請求項４】
前記上昇液流により化学加工液を化学加工液貯留槽から溢出させる請求項１〜３のいずれかに記載の化学加工方法。
【請求項５】
前記気泡を超音波振動子または揺動攪拌翼により化学加工液中で拡散させている請求項１〜４のいずれかに記載の化学加工方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の方法により加工したガラス基板。
【請求項７】
請求項６に記載のガラス基板を使用して製造されたフラットパネルディスプレイ。
【請求項８】
ガラス基板の外表面を構成する片側の一部若しくは全部または両側の一部若しくは全部を研磨して薄くする加工を行う化学加工装置であって、
化学加工液を貯溜する化学加工液貯溜槽と、
前記化学加工液貯留槽の底部に配置させた気泡発生装置と、
前記化学加工液貯溜槽から溢出させた化学加工液を受ける溢出液受け槽と、
前記化学加工液を化学加工液貯溜槽に送るポンプと
を備えたことを特徴とする化学加工装置。
【請求項９】
超音波振動子または揺動攪拌翼を備える請求項８に記載の化学加工装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、各種ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用ガラス基板、例えばＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）用ガラス基板等の１枚或いは一対の貼り合せ基板を研磨して薄くする加工を行なうための化学加工方法、および化学加工装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、板厚を薄くしつつ平坦性の高い各種ＦＰＤ用ガラス基板を得ることができるガラス基板の化学加工方法および化学加工装置を提供することを主たる目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のガラス基板の化学加工方法は、化学加工液中にガラス基板を浸漬して、このガラス基板の外表面を構成する片側の一部若しくは全部または両側の一部若しくは全部を研磨して薄くする加工を行う化学加工方法であって、前記ガラス基板を化学加工液中に略垂直配置し、前記化学加工液中に連続して発生させた気泡により上昇液流を生じさせ、前記化学加工液中の反応生成物を連続的に除去しつつ、１０μｍ／分以下の加工速度で加工することを特徴とする。
前記化学加工液は、フッ酸、並びに塩酸、硫酸、リン酸および硝酸から選ばれる１種以上の無機酸を含有することが好ましい。また、前記化学加工液には、ガラス基板表面に反応生成物が再付着することを防止する再付着防止剤を含有することが好ましく、陰イオン系界面活性剤またはアミン系界面活性剤が再付着防止剤として使用され、陰イオン系界面活性剤が選択されることが好適である。
また、前記上昇液流により化学加工液を化学加工液貯留槽から溢出させると良く、前記気泡を化学加工液中に拡散させる場合には、超音波振動子または揺動攪拌翼により拡散させると良い。
本発明は、前記方法により加工したガラス基板およびこのガラス基板を使用して製造されたフラットパネルディスプレイである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の化学加工装置は、ガラス基板の外表面を構成する片側の一部若しくは全部または両側の一部若しくは全部を研磨して薄くする加工を行う化学加工装置であって、化学加工液を貯溜する化学加工液貯溜槽と、前記化学加工液貯留槽の底部に配置させた気泡発生装置と、前記化学加工液貯溜槽から溢出させた化学加工液を受ける溢出液受け槽と、前記化学加工液を化学加工液貯溜槽に送るポンプとを備えたことを特徴とする。この装置は、超音波振動子または揺動攪拌翼を備えるものであっても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記に詳述したように、本発明にかかる化学加工方法によれば、ガラス基板を化学加工することにより、板厚を薄くしつつ平坦性の高い各種ＦＰＤ用ガラス基板を製造することができる。また本発明にかかる化学加工装置は、本発明の化学加工方法を使用する場合に適したものとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月23日(2004.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不飽和度としてヨウ素価が１０以下、及び／又はＮＭＲ法による不飽和度が０．５［10-2mol/g ］以下である低反応性電池用接着剤又は粘着剤。
【請求項２】
請求項１記載の粘着剤が、基材の少なくとも片面に設けられてなる低反応性電池用粘着テープ・シート。
【請求項３】
延伸ポリプロピレンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリイミドフィルム、又はポリエステルフィルムから選ばれる基材の少なくとも片面に、ポリイソブチレンを主成分とする粘着剤層が設けられてなる、電解質にリチウム塩を使用した電池用粘着テープ・シート。
【請求項４】
粘着剤層がポリイソブチレンと粘着付与樹脂を主成分とする請求項３記載の電池用粘着テープ・シート。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記デジタル画像の前記画像データには、前記デジタル画像の撮影場所および撮影時刻の少なくとも１つの撮影情報が付加情報として付加される請求項１〜１８のいずれかに記載の画像撮影出力システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月3日(2004.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ローカル時刻符号化方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
VOPのローカル時刻を符号化する方法であって、
前記ローカル時刻の開始時刻を表す時刻符号を符号化し、
最初のVOPのローカル時刻に対しては、前記時刻符号からの特定時間間隔を単位とする時刻増分をモジュロ時刻基準増分として符号化すると共に、前記最初のVOPのローカル時刻の前記特定時間間隔より短い時刻増分をVOP時刻増分として符号化し、
前記最初のVOPの後に続く符号化対象VOPのローカル時刻に対しては、符号化順序において前記符号化対象VOPの直前に位置するVOPのローカル時刻の内、前記特定時間間隔の単位で示された時刻部分からの前記特定時間間隔を単位とする時刻増分をモジュロ時刻基準増分として符号化すると共に、前記符号化対象VOPのローカル時刻の前記特定時間間隔より短い時刻増分をVOP時刻増分として符号化し、
符号化された前記時刻符号を前記VOPの符号化データと共に多重化し、
符号化された前記VOPのモジュロ時刻基準増分とVOP時刻増分を、前記VOPの符号化データと共に多重化し、
前記VOPのローカル時刻を、前記時刻符号、前記モジュロ時刻基準増分と前記VOP時刻増分との組合せで表現することを特徴とするVOPのローカル時刻符号化方法。
【請求項２】
前記特定時間間隔を１秒とし、前記時刻符号を１秒単位の時刻とし、前記モジュロ時刻基準増分を１秒単位の増分とし、前記VOP時刻増分を1000ミリ秒単位の増分とすることを特徴とする請求項１記載のVOPのローカル時刻符号化方法。
【請求項３】
前記モジュロ時刻基準増分のビットストリームデータとして、経過したモジュロ時刻基準増分の数に等しい必要な数の”1”に続いて、前記モジュロ時刻基準増分の符号の終わりを示す”0”を出力するようにしたことを特徴とする請求項１記載のVOPのローカル時刻符号化方法。
【請求項４】
VOPのローカル時刻を符号化する方法であって、
１秒単位の時刻を格納するローカル時刻基準レジスタを前記ローカル時刻の開始時刻を表す時刻符号で初期化すると共に、前記時刻符号を符号化し、
最初のVOPのローカル時刻に対しては、前記開始時刻を基準にして１秒単位の時刻経過を検出するたびにモジュロ時刻基準レジスタを１秒だけインクリメントすると共に、前記モジュロ時刻基準レジスタが１秒だけインクリメントされる毎にシンボル”１”をビットストリームに挿入し、
前記VOPの時刻のうち１秒より短い増分をVOP時刻増分として符号化し、
前記最初のVOPの後に続くVOPのローカル時刻に対しては、符号化対象のVOPの直前に位置するVOPに対する前記ローカル時刻基準レジスタの時刻を基準にして１秒単位の時刻経過を検出するたびにモジュロ時刻基準レジスタを１秒だけインクリメントすると共に、前記モジュロ時刻基準レジスタが１秒だけインクリメントされる毎にシンボル”１”をビットストリームに挿入し、
前記符号化対象のVOPの時刻のうち１秒より短い増分をVOP時刻増分として符号化し、
前記ローカル時刻基準レジスタをVOPグループの開始点で初期化することを特徴とするVOPの時刻符号化方法。
【請求項５】
複数のVOPを圧縮して得られた複数の圧縮ビットストリームに共通の共通時刻を設定し、
前記共通時刻の開始時刻から前記VOPのローカル時刻に対する時刻符号までの時間間隔を前記VOPの時刻オフセットとして符号化し、
符号化された前記時刻オフセットを、前記VOPの圧縮ビットストリームが多重化された多重化ビットストリームに挿入したことを特徴とする請求項４記載のVOPのローカル時刻符号化方法。
【請求項６】
圧縮データに含まれるVOPのローカル時刻を復号化する方法であって、
前記圧縮データは、符号化された時刻符号と、１秒単位の増分を表すモジュロ時刻基準増分と、1秒より短い増分を表すVOP時刻基準増分とを含んでおり、
１秒単位の時刻を格納するローカル時刻基準レジスタを、復号化された時刻符号で初期化し、
最初のVOPのローカル時刻に対しては、前記最初のVOPのモジュロ時刻基準増分およびVOP時刻基準増分を復号化し、復号化されたモジュロ時刻基準増分に対してシンボル”１”を検出するたびに前記ローカル時刻基準レジスタの時刻を１秒だけインクリメントし、
前記最初のVOPの後に続くVOPのローカル時刻に対しては、復号化対象のVOPのモジュロ時刻基準増分およびVOP時刻基準増分を復号化し、復号化されたモジュロ時刻基準増分に対してシンボル”１”を検出するたびに前記ローカル時刻基準レジスタの時刻を１秒だけインクリメントし、
前記ローカル時刻基準レジスタをVOPグループの開始点で初期化することを特徴とするVOPの時刻復号化方法。
【請求項７】
圧縮データにおけるビジュアルシーケンスのローカル時刻基準を符号化する方法であって、 
時間的なサンプリングによってビジュアルシーケンスの時点を得る段階と、 圧縮データの中に符号化されるべき前記時点のローカル時刻基準を決定する段階と、
ローカル時刻基準において均等な時間間隔毎に付与された一連の参照時刻の発生を表すモジュロ時刻基準と、前記均等な時間間隔内に付与された時刻基準増分とからなる２つの部分により前記ローカル時刻基準を符号化する段階と、 
前記時間間隔が経過する毎にモジュロ時刻基準を圧縮データに挿入する段階と、 
時刻基準増分をビジュアルシーケンスの前記時点の圧縮データに挿入する段階を有することを特徴とする符号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更に、搬送手段３は、回転可能に配設される搬送部材３ａを有し、前記画像処理手段２に前記捌き手段１から送り出されたシートＳを通過させるように搬送するものであれば適宜選定して差し支えない。
ここで、図１においては、搬送手段３が搬送部材３ａとこの搬送部材３ａに接触配置される回転部材３ｂとからなる態様を例示しているが、これに限られるものではなく、例えば同図に破線で示すように、前記画像処理手段２に搬送手段３を接触配置するようなものであってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本実施の形態において、画像読取ユニット２００は、原稿Ｍがセットされる原稿供給トレイ２０１と、前記原稿供給トレイ２０１にセットされた原稿Ｍを一枚ずつ捌いて送出する捌き手段としての捌き機構２０２と、前記捌き機構２０２から送出された原稿Ｍを搬送する搬送手段としての搬送ロール対２０３と、搬送された原稿Ｍの画像を読み取る画像処理手段としてのイメージセンサ部２０４と、このイメージセンサ部２０４のプラテン部に接触配置され搬送される原稿をおさえるプラテンロール２０５と、前記イメージセンサ部２０４を通過した原稿Ｍを搬送する排出ロール対２０６と、前記排出ロール対２０６を通過した原稿Ｍが排出される原稿排出トレイ２０７とを備えている。
尚、同図において、符号２０１ａは前記原稿供給トレイ２０１に設けられた補助給紙トレイ、符号２０８は前記原稿供給トレイ２０１に載置される原稿Ｍの幅方向に摺動自在に設けられ、原稿Ｍの幅方向の長さに応じてこれを保持する一対の原稿ガイドである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
原稿先端検知センサ２４５からの信号が入力されると、制御装置４００は、計測タイマーをＯＮして時間計測を開始すると同時に、ＲＡＭ４０４に格納した原稿長さ情報の読み出しを行い、この原稿長さ情報と予めＲＯＭ４０３に格納してある原稿Ｍの搬送速度情報とにより、原稿Ｍの後端が捌き機構２０２から排出されるタイミングを演算する。
そして、前記計測タイマーによる計測時間と前記タイミングとが同一になった時点で、原稿Ｍが捌き機構２０２から排出されたものとみなし、その直後に、計測タイマーをＯＦＦすると共に給紙クラッチ２４２をＯＦＦし、原稿供給ロール２１１の駆動を解除する。
尚、ＲＯＭ４０３に、原稿Ｍの長さと原稿Ｍの先端が前記原稿先端検知センサ２４５に到達してから当該原稿Ｍの後端が捌き機構２０２を通過するまでの時間との関係をテーブルとして格納しておき、当該テーブルより前記原稿長さ情報に対応する通過時間の読み出しを行うようにしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
更に、本実施の形態では、画像読取ユニット２００のイメージセンサ部２０４における読取画像の伸縮を問題としていたが、画像形成ユニット３００の感光体ドラム３２１と転写ロール３２５との対向部すなわち転写部における転写画像の伸縮が問題となることもあり得る。
そこで、このような不具合を解決するという観点からすれば、捌き機構３０２の駆動制御を本実施の形態における画像読取ユニット２００の捌き機構２０２の駆動制御と同様とすることにより、用紙Ｐの速度変動及びこれに伴う転写画像の伸縮を抑制することが可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１…捌き手段，１ａ…給送部材，１ｂ…分離部材，２…画像処理手段，３…搬送手段，３ａ…搬送部材，３ｂ…回転部材，４…駆動手段，５…切換手段，６…シート長検知手段，７…演算手段，８…後端検知手段，Ｓ…シート，２００…画像読取ユニット，２０１…原稿供給トレイ，２０２…捌き機構，２０３…搬送ロール対，２０４…イメージセンサ部，２０５…プラテンロール，２０６…排出ロール対，２０７…原稿排出トレイ，２１１…原稿供給ロール，２１２…原稿パッド，２２１…搬送駆動ロール，２２２…搬送従動ロール，２３１…排出駆動ロール，２３２…排出従動ロール，２４１…給紙モーター，２４２…給紙クラッチ，２４３…原稿セット検知センサ，２４４…原稿長さ検知センサ，２４５…原稿先端検知センサ，２４６…原稿排紙検知センサ，２４７…原稿後端検知センサ、４００…制御装置
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月21日(2005.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣがフェイスダウン実装されたフレキシブル基板を有する電子回路装置において、
前記フレキシブル基板には、前記ＩＣに形成されたバンプと共晶接続するために設けられた複数の電極である第一のパターンと、前記ＩＣと対向する位置で前記第一のパターンが形成されていない領域に設けられた第二のパターンと、前記複数の電極のうち少なくともひとつの電極と前記第二のパターンを電気的に接続する第三のパターンが形成され、
前記第二のパターンには、前記第三のパターンと近接する部分にパターンの窓抜きが設けられたことを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
ＩＣがフェイスダウン実装されたフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板が接続された液晶パネルを有する液晶表示装置において、
前記フレキシブル基板には、前記ＩＣに形成されたバンプと共晶接続するために設けられた複数の電極である第一のパターンと、前記ＩＣと対向する位置で前記第一のパターンが形成されていない領域に設けられた第二のパターンと、前記複数の電極のうち少なくともひとつの電極と前記第二のパターンを電気的に接続する第三のパターンが形成され、
前記第二のパターンには、前記第三のパターンと近接する部分にパターンの窓抜きが設けられたことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】画像処理を行う対象物の形状データを記憶する３次元物体形状メモリと、
前記３次元物体形状メモリからデータを読み出し、各ポリゴンの各端点についての２次元スクリーン座標を演算する座標変換部と、
前記算出された各ポリゴンの各端点の２次元スクリーン座標を一時的に記憶する変換座標メモリと、
前記変換座標メモリに記憶された座標データとの比較対象である比較値を記憶する比較値メモリと、
前記比較値メモリに記憶された比較値と前記変換座標メモリに記憶された座標データとを比較する比較条件と、条件を満足した場合の制御方法とを設定する条件設定部と、
前記条件設定部により設定された条件判定を行い、その条件判定の結果に基づいて、各ポリゴンをどの様に描画すべきかを描画部に指示する描画制御部と、
前記変換座標メモリからデータを読み出し、前記描画制御部の指示に基づき描画を行う描画部と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】３次元物体の形状データを２次元スクリーン座標に座標変換した後、描画する方法であって、
描画命令列から、座標変換後の座標値との比較対象である比較値と、比較条件および条件を満足した場合の描画制御方法と、を抽出する第１の処理を行い、
前記第１の処理により抽出された比較値と座標変換後の座標値とを、第１の処理により抽出された比較条件により比較する第２の処理を行い、
前記第２の処理において条件が満たされた場合に、前記第１の処理により抽出された描画制御方法に基づいてポリゴンを描画する第３の処理を行うことを特徴とする画像処理方法。
【請求項３】画像処理を行う対象物の形状データを記憶する３次元物体形状メモリと、
前記３次元物体形状メモリからデータを読み出し、各ポリゴンの各端点についての２次元スクリーン座標を演算する座標変換部と、
前記算出された各ポリゴンの各端点の２次元スクリーン座標を一時的に記憶する変換座標メモリと、
前記変換座標メモリに記憶された座標データとの比較対象である比較値を記憶する比較値メモリと、
前記比較値メモリに記憶された比較値と変換座標メモリに記憶された座標データとを比較し、その結果に基づいて、各ポリゴンをどの様に描画すべきかを描画部に指示する描画制御部と、
前記変換座標メモリからデータを読み出し、前記描画制御部の指示に基づき描画を行う描画部と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】画像処理を行う対象物の形状データを記憶する３次元物体形状メモリと、
前記３次元物体形状メモリからデータを読み出し、各ポリゴンの各端点についての２次元スクリーン座標を演算する座標変換部と、
前記算出された各ポリゴンの各端点の２次元スクリーン座標との比較対象である比較値を記憶する比較値メモリと、
前記比較値メモリに記憶された比較値と前記算出された各ポリゴンの各端点の２次元スクリーン座標とを比較し、その結果に基づいて、各ポリゴンをどの様に描画すべきかを描画部に指示する描画制御部と、
前記算出された各ポリゴンの各端点の２次元スクリーン座標と前記描画制御部の指示に基づき描画を行う描画部と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】前記条件設定部で設定する座標データの比較条件がＺ座標値の比較であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】前記第２の処理において比較される座標変換後の座標値がＺ座標値であることを特徴とする請求項２に記載の画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ロータリ機枠（１０）に、耕耘部（２０）の外周側とロータリ機枠（１０）の後方で耕耘部（２０）の左右側方を覆うカバー装置（２１）を設けており、前記ロータリ機枠（１０）の耕耘部（２０）に面する内面には耕耘部（２０）の側方を覆う非金属製の内面カバー（２６）を備えていることを特徴とするロータリ耕耘機のカバー装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
基本的な送信動作、受信動作は実施の形態２と同様であり、以下の点が実施の形態２とは異なる。すなわち、論理和回路８０４，８０５，８０６とバイアス電圧の与え方が実施の形態２とは異なる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
例えば送信端子５１０から送信する場合、状態３におけるＦＥＴ１０１〜１０４のゲート−ソース間電圧が＋０．５Ｖ程度になるよう、抵抗素子２０１〜２０４の抵抗値と抵抗素子２５０〜２５２、および抵抗素子２８３の抵抗値の比を決定する。これにより、ＦＥＴ１０１〜１０４を最適な順バイアス条件に設定することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【表１】
2005006143.tif 000001
表１において、状態１は第１の受信端子５２０から信号を出力する第１の受信時に相当し、状態２は第２の受信端子５２１から信号を出力する第２の受信時に相当し、状態３は第１の送信端子５１０から送信信号を入力する第１の送信時に相当し、状態４は第２の送信端子５１１から送信信号を入力する第２の送信時に相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風車による発電機の過回転を発電機の短絡電流による電磁ブレーキを利用して減速可能にした電気回路と、発電時の発電電圧と電流を変化させることなく短絡時の電気回路のインピーダンスの配分を変化させて、誘導リアクタンスを減じ実効成分である抵抗Rを増加させる手段とを有し、風車の出力よりも短絡時の発電機消費エネルギーを大きくする風力発電機。
【請求項２】
誘導リアクタンスを減じ抵抗Rを増加させる手段として、発電機が少極数で分布巻コイルを有する構成である請求項1に記載の風力発電機。
【請求項３】
風車による発電機の過回転を発電時の短絡電流による電磁ブレーキを利用して減速するに際し、発電機の発電電圧と電流を変化させることなく短絡時の電気回路のインピーダンスの配分を変化させて、誘導リアクタンスを減じ実効成分である抵抗Rを増加させる手段を用い、風車の出力よりも短絡時の発電機消費エネルギーを大きくする風力発電機の設計方法。
【請求項４】
誘導リアクタンスを減じ抵抗Rを増加させる手段として、発電機に少極数で分布巻コイルを有する構成を採用する請求項3に記載の風力発電機の設計方法。