【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基体の表面温度を放射温度計で測定し、この測定結果により被処理基体の被加熱領域に対してそれぞれ独立に制御可能な分割された加熱領域を持つ加熱手段の出力制御を行いながら該基体を加熱する熱処理方法であって、
被測定対象面の放射率及び温度の測定が可能な第１の放射温度計で前記被処理基体の表面の放射率及び温度を面内で測定する第１の工程と、第１の工程で得られた放射率を基に、複数個の第２の放射温度計で前記被処理基体の表面の複数箇所の温度を測定する第２の工程と、第１の工程で得られた温度と第２の工程で得られた温度から第２の放射温度計のオフセット値を求め、第２の放射温度計の測温値を補正する第３の工程と、第１の工程で得られた放射率及び第３の工程で得られたオフセット値を基に、第２の放射温度計を用いて前記被処理基体の面内温度分布を測定しながら前記加熱手段の出力を制御する第４の工程とを含むことを特徴とする熱処理方法。
【請求項２】
加熱前における前記被処理基体の面内温度の差が所定値以上の場合、前記加熱手段により前記被処理基体を本来の加熱温度より低い温度まで加熱し、前記被処理基体の面内温度を揃えることを特徴とする請求項１記載の熱処理方法。
【請求項３】
第１の放射温度計により放射率及び温度の測定を行う個所と第２の放射温度計により温度の測定を行う個所とは等しいことを特徴とする請求項１記載の熱処理方法。
【請求項４】
第１の放射温度計により前記被処理基体の表面の放射率を複数点で求め、第２の放射温度計で測定を行う個所の放射率を、前記求めた複数点の放射率からの補間によって求めることを特徴とする請求項１記載の熱処理方法。
【請求項５】
被処理基体の表面温度を放射温度計で測定し、この測定結果により被処理基体の被加熱領域に対してそれぞれ独立に制御可能な分割された加熱領域を持つ加熱手段の出力制御を行いながら該基体を加熱する熱処理方法であって、
被測定対象面の放射率及び温度の測定が可能な第１の放射温度計で前記被処理基体とは異なる校正用基体の表面の放射率及び温度を少なくとも２つの異なる温度に対して測定する第１の工程と、第１の工程で得られた放射率を基に、複数個の第２の放射温度計で前記校正用基体の表面の温度を少なくとも２つの異なる温度に対して測定する第２の工程と、第１の工程で得られた温度と第２の工程で得られた温度から第２の放射温度計のオフセット値及びゲイン値を求める第３の工程と、第１の放射温度計で前記被処理基体の表面の放射率を面内で測定する第４の工程と、第４の工程で得られた放射率及び第３の工程で得られたオフセット値及びゲイン値を基に、第２の放射温度計を用いて前記被処理基体の面内温度分布を測定しながら前記加熱手段の出力を制御する第５の工程とを含むことを特徴とする熱処理方法。
【請求項６】
基板上に薄膜が形成された被処理基体を加熱する加熱手段と、前記薄膜の温度及び放射率を測定する第１の放射温度計と、第１の放射温度計を移動させる手段と、第１の放射温度計により測定された放射率を基に前記薄膜の面内温度分布を測定するための第１の放射温度計とは異なる構成の複数の第２の放射温度計と、第１及び第２の放射温度計で得られた温度から第２の放射温度計のオフセット値及びゲイン値を求めて補正する手段と、前記オフセット値及びゲイン値が補正された第２の放射温度計による測定結果に基づいて、前記加熱手段の出力を制御する制御手段とを具備してなることを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】
基板上に薄膜が形成された被処理基体を加熱する加熱手段と、前記薄膜の温度及び放射率を測定する第１の放射温度計と、第１の放射温度計を移動させる手段と、第１の放射温度計により測定された放射率を基に前記薄膜の面内温度分布を測定するための第１の放射温度計とは異なる構成の複数の第２の放射温度計と、第２の放射温度計を移動させる手段と、第１及び第２の放射温度計で得られた温度から第２の放射温度計のオフセット値及びゲイン値を求めて補正する手段と、前記オフセット値及びゲイン値が補正された第２の放射温度計による測定結果に基づいて、前記加熱手段の出力を制御する制御手段とを具備してなることを特徴とする熱処理装置。
【請求項８】
第１の放射温度計は、赤外センサ，視野エリア中心，温度調整された黒体を同一光軸になるように配置され、且つそれぞれ２対の赤外センサ及び異なった温度に温調された黒体を併設したものであり、各々のセンサ部における同一視野エリアの測定結果から、該位置の放射率及び温度を算出するものであることを特徴とする請求項６又は７記載の熱処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち本発明は、被処理基体の表面温度を放射温度計で測定し、この測定結果により被処理基体の被加熱領域に対してそれぞれ独立に制御可能な分割された加熱領域を持つ加熱手段の出力制御を行いながら該基体を加熱する熱処理方法において、被測定対象面の放射率及び温度の測定が可能な第１の放射温度計で前記被処理基体の表面の放射率及び温度を面内で測定する第１の工程と、第１の工程で得られた放射率を基に、複数個の第２の放射温度計で前記被処理基体の表面の複数箇所の温度を測定する第２の工程と、第１の工程で得られた温度と第２の工程で得られた温度から第２の放射温度計のオフセット値を求め、第２の放射温度計の測温値を補正する第３の工程と、第１の工程で得られた放射率及び第３の工程で得られたオフセット値を基に、第２の放射温度計を用いて前記被処理基体の面内温度分布を測定しながら前記加熱手段の出力を制御する第４の工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また本発明は、被処理基体の表面温度を放射温度計で測定し、この測定結果により被処理基体の被加熱領域に対してそれぞれ独立に制御可能な分割された加熱領域を持つ加熱手段の出力制御を行いながら該基体を加熱する熱処理方法において、被測定対象面の放射率及び温度の測定が可能な第１の放射温度計で前記被処理基体とは異なる校正用基体の表面の放射率及び温度を少なくとも２つの異なる温度に対して測定する第１の工程と、第１の工程で得られた放射率を基に、複数個の第２の放射温度計で前記校正用基体の表面の温度を少なくとも２つの異なる温度に対して測定する第２の工程と、第１の工程で得られた温度と第２の工程で得られた温度から第２の放射温度計のオフセット値及びゲイン値を求める第３の工程と、第１の放射温度計で前記被処理基体の表面の放射率を面内で測定する第４の工程と、第４の工程で得られた放射率及び第３の工程で得られたオフセット値及びゲイン値を基に、第２の放射温度計を用いて前記被処理基体の面内温度分布を測定しながら前記加熱手段の出力を制御する第５の工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
(4) 第１の放射温度計は、赤外センサ，視野エリア中心，温度調整された黒体を同一光軸になるように配置され、且つそれぞれ２対の赤外センサ及び異なった温度に温調された黒体を併設したものであり、各々のセンサ部における同一視野エリアの測定結果から、該位置の放射率及び温度を算出するものであること。