【手続補正書】
【提出日】平成16年3月5日(2004.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリアレイとシーケンサとを有し、
上記メモリアレイは、複数のメモリセルを有し、それぞれのメモリセルは少なくとも第１状態と第２状態のそれぞれに応じたしきい値電圧によりデータを格納し、夫々のメモリセルのゲートは対応するワード線に接続され、
上記シーケンサはコマンドに応じて上記メモリセルのしきい値電圧を変化させる動作を制御し、
上記複数のメモリセルは第１状態に応じたしきい値電圧を有する第１グループのメモリセルと、第２状態に応じたしきい値電圧を有する第２グループのメモリセルとを有し、
上記シーケンサが制御するコマンドの動作は、上記メモリセルのしきい値電圧を第１状態にする消去コマンド動作と、少なくとも１の第１状態にあるメモリセルのしきい値電圧を第２状態のしきい値電圧にする書込コマンド動作とを有し、
上記書込コマンド動作では第２グループのメモリセルのしきい値電圧を第１状態のしきい値電圧の方に変化させる第１段階と、上記第２グループのメモリセルと少なくとも１の第１状態にあるメモリセルのしきい値電圧とを第２状態に応じたしきい値電圧に変化させる第２段階とを有する不揮発性記憶装置。
【請求項２】
上記第１段階において、第２グループのメモリセルのしきい値電圧を第１状態から第２状態の方向へ変化させる間、第１グループのメモリセルのしきい値電圧を第１状態から第２状態の方向へ変化させる請求項１項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３】
上記第１段階において、第２グループのメモリセルのしきい値電圧は、一時的に第１状態と第２状態の間とされる請求項２項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４】
上記第１段階において、第２グループのメモリセルのしきい値電圧は一時的に第１状態へ変化させる請求項２項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５】
メモリアレイとシーケンサとを有し、
上記メモリアレイは、複数のメモリセルと複数のワード線と複数のデータ線と複数のセンスラッチとデータ入出力端子とを有し、
それぞれのメモリセルは第１状態と第２状態に応じたしきい値電圧によりデータを格納し、
それぞれのワード線は対応する複数のメモリセルのゲートに接続され、
それぞれのデータ線は対応する複数のメモリセルに接続され、
それぞれのセンスラッチはそれぞれのデータ線に接続され、
データ入出力端子はデータ線に接続され、
上記シーケンサはコマンドに応じて上記複数のメモリセルのしきい値電圧を変化させる動作を制御し、
上記複数のメモリセルは第１状態に応じたしきい値電圧を有する第１グループのメモリセルと、第２状態に応じたしきい値電圧を有する第２グループのメモリセルとを有し、
上記シーケンサが制御するコマンドは、上記メモリセルのしきい値電圧を第１状態にする消去コマンドと、少なくとも１の第１状態にあるメモリセルのしきい値電圧を第２状態のしきい値電圧にする書込コマンドとを有し、
上記書込コマンドの動作は、上記複数のセンスラッチに上記入出力端子から第１データが格納される第１ステップと、上記データ線を介して夫々のメモリセルから第２データを読み出し上記第１データと上記第２データとから第３データを合成する第２ステップと、上記メモリセルのしきい値電圧を第２状態から第１状態の方向へ変化させる第３ステップと、少なくとも１のメモリセルのしきい値電圧を第３データによって第２状態へ変化させる第４ステップとを含む不揮発性記憶装置。
【請求項６】
上記第２グループのメモリセルのしきい値電圧は、上記第３ステップの間一時的に第１状態と第２状態の間に変化される請求項５項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７】
上記第２グループのメモリセルのしきい値電圧は、上記第３ステップの間一時的に第１状態に変化される請求項５項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項８】
メモリアレイとシーケンサとを有し、
上記メモリアレイは複数のメモリセルを有し、夫々のメモリセルは第１状態と第２状態とに応じたしきい値電圧としてデータを格納し、対応するワード線とゲートとが接続され、
上記シーケンサはコマンドに応じて上記複数のメモリセルのしきい値電圧を変化させる動作を制御し、
上記複数のメモリセルは第１状態に応じたしきい値電圧を有する第１グループのメモリセルと、第２状態に応じたしきい値電圧を有する第２グループのメモリセルとを有し、
上記シーケンサは、ワード線に第１電圧を印加することによりメモリセルのしきい値電圧を第１状態にする消去コマンド動作と、ワード線に第２電圧を印加することにより少なくとも１の第１グループのメモリセルのしきい値電圧を第２状態にする第１書込コマンド動作と、ワード線に第１電圧と第２電圧とを順次印加することにより少なくとも１の第１グループのメモリセルのしきい値電圧を第２状態にする第２書込コマンド動作とを制御する不揮発性記憶装置。
【請求項９】
上記第２書き込み動作においてワード線に第１電圧が印加されている時間は、消去コマンド動作においてワード線に第１電圧が印加されている時間よりも短い請求項８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１０】
第２グループのメモリセルのしきい値電圧は、上記第２書き込み動作において第１電圧を印加されることにより一時的に第１状態と第２状態との間にされる請求項８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１１】
上記第２書き込み動作においてワード線に第１電圧が印加されている時間は、上許コマンド動作においてワード線に第１電圧が印加されている時間と等しい請求項８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１２】
第２グループのメモリセルのしきい値電圧は、上記第２書き込み動作において第１電圧を印加されることにより一時的に第１状態にされる請求項８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１３】
上記メモリアレイは複数のデータ線と複数のセンスラッチとデータ入出力端子とを有し、
それぞれのデータ線は上記複数のメモリセルのそれぞれに接続され、
上記センスラッチは上記複数のデータ線のそれぞれに接続され、
上記データ入出力端子は上記データ線に接続され、
上記第２書き込み動作において、上記データ入出力端子から第１データを入力され上記複数のセンスラッチのそれぞれに格納する第１ステップと、上記複数のメモリセルから上記データ線を介して第２データを読み出し上記第１データと第２データとから第３データを生成し上記センスラッチのそれぞれに格納する第２ステップと、ワード線に第１電圧を印加しメモリセルのしきい値電圧を第２状態から第１状態の方向へ変化させる第３ステップと、ワード線に第２電圧を印加し上記第３データに基づいて少なくとも１のメモリセルのしきい値電圧を第２状態にする請求項８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１４】
上記第２書き込み動作においてワード線に第１電圧が印加されている時間は、消去コマンド動作においてワード線に第１電圧が印加されている時間よりも短い請求項１３項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１５】
第２グループのメモリセルのしきい値電圧は、上記第２書き込み動作の上記第３ステップにおいて第１電圧を印加されることにより一時的に第１状態と第２状態との間にされる請求項１３項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１６】
上記第２書き込み動作においてワード線に第１電圧が印加されている時間は、上許コマンド動作においてワード線に第１電圧が印加されている時間と等しい請求項１３項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１７】
第２グループのメモリセルのしきい値電圧は、上記第２書き込み動作の上記第３ステップにおいて第１電圧を印加されることにより一時的に第１状態にされる請求項１３項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１８】
上記不揮発性記憶装置は１の半導体基盤上に形成される請求項１，５又は８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１９】
上記メモリアレイと上記シーケンサとはそれぞれ異なる半導体基盤上に形成され、１の不揮発性メモリカードを構成する請求項１，５又は８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２０】
上記シーケンサは上記コマンドと動作状態を格納するためのメモリ部を有する請求項１，５又は８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２１】
１の半導体基盤上に複数のメモリセルとシーケンサとが構成され、
それぞれのメモリセルはしきい値電圧として情報を格納するトランジスタを有し、
上記シーケンサはコマンドを供給される端子を有し、コマンドに応じて上記メモリセルを消去状態又は書き込み状態のいずれにするかの動作制御を行い、
１のコマンドに応じてメモリセルのしきい値電圧を所定の状態にする動作制御を行い、
他のコマンドに応じて、該コマンドが供給される前において書き込み状態にある一群のメモリセルと、該コマンドが供給された後において少なくとも１のメモリセルのしきい値電圧を書き込み状態とする動作制御を行う不揮発性記憶装置。
【請求項２２】
上記メモリセルのそれぞれに接続されるワード線を有する請求項２１項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２３】
上記メモリセルに接続されるデータレジスタを有し、
上記１のコマンドの供給後において上記データレジスタは上記メモリセルへ書き込むための第１データを格納し、第１データは上記メモリセルから読み出した第２データと上記少なくとも１のメモリセルへ書き込まれるべき第３データとからなる請求項２２項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２４】
上記消去状態はメモリセルのしきい値電圧が第１状態にあり、上記書き込み状態はメモリセルのしきい値電圧が第２状態にあり、
上記一群のメモリセルのしきい値電圧は、上記１のコマンドの処理において一時的に第１状態と第２状態との間にされる請求項２２又は２３項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２５】
１の半導体基盤上に構成され、複数のメモリセルと複数のワード線と端子とコントローラとを有し、
それぞれのメモリセルはしきい値電圧として情報を格納するトランジスタを有し、
それぞれのワード線は上記複数のメモリセルのうち対応するメモリセルに接続され、
上記コントローラは、上記端子に供給されるコマンドに応じて、選択された１のワード線に接続されるメモリセルのしきい値電圧を消去状態又は書き込み状態のどちらかにする処理を制御し、
上記コマンドに応じて、上記コントローラは上記選択されたワード線に接続されるメモリセルのしきい値電圧を一括して所定の方向へ移動させ、上記コマンドが供給される前において書き込み状態にあったメモリセルと他の少なくとも１のメモリセルのしきい値電圧を書き込み状態にする書き込み処理とを行う不揮発性記憶装置。
【請求項２６】
上記不揮発性記憶装置は更にデータレジスタを有し、
上記選択されたワード線に接続されるメモリセルから読み出したデータと、上記端子から供給され上記他の少なくとも１のメモリセルに供給するデータとからなる書き込み期待値データを上記データレジスタに格納する請求項２５項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２７】
上記書き込み期待値データは、上記メモリセルから読み出したデータを上記データレジスタに格納した後、上記端子から供給されたデータを格納する請求項２６項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２８】
上記不揮発性記憶装置は更に複数のデータ線を有し、
それぞれのデータ線は対応するメモリセルに接続され、上記データレジスタは上記データ線のそれぞれに接続され上記選択されたワード線に接続されるメモリセルに供給するデータを格納する請求項２７項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２９】
上記不揮発性記憶装置は更にデータ反転回路を有し、
データ反転回路は上記複数のデータ線に接続され、上記書き込み期待値データを形成する請求項２８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３０】
上記メモリセルのしきい値電圧は、消去状態を示す第１分布と書き込み状態を示す第２分布を含むしきい値電圧分布に含まれる請求項２９項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３１】
上記所定の方向は、上記第２分布から上記第１分布への方向である請求項３０項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３２】
上記消去状態は上記メモリセルのしきい値電圧が上記第１分布内とされている状態であり、上記書き込み状態とは上記メモリセルのしきい値電圧が上記第２分布内とされている状態であり、
上記コマンドの処理において、書き込み状態にあるメモリセルのしきい値電圧は上記第１分布と第２分布の間に移動される請求項３０項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３３】
上記消去状態は上記メモリセルのしきい値電圧が上記第１分布内とされている状態であり、上記書き込み状態とは上記メモリセルのしきい値電圧が上記第２分布内とされている状態であり、
上記コマンドの処理において、書き込み状態にあるメモリセルのしきい値電圧は上記第１分布に移動される請求項３０項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３４】
複数のメモリセルと端子とデータレジスタとコントローラとを有し、
それぞれのメモリセルはしきい値電圧が書き込み状態と消去状態のいずれかに対応することでデータを格納するトランジスタを有し、
上記コントローラは上記端子から供給されるコマンドに応じて上記メモリセルのしきい値電圧を制御し、
追加書き込み動作を指示するコマンドが上記端子から供給された場合、上記コントローラは選択されたメモリセルから読み出したデータと上記端子から供給されたデータとから書き込みデータを生成し上記データレジスタに格納し、
上記選択されたメモリセルのしきい値電圧を消去状態の方向へ変化させた後、上記データレジスタに格納されている生成されたデータに応じて上記選択されたメモリセルのしきい値電圧を書き込み状態とする制御を行う不揮発性記憶装置。
【請求項３５】
所定のメモリセルとデータレジスタとに接続される複数のデータ線を更に有する請求項３４項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３６】
上記データ線に接続され上記書き込みデータを生成する書換回路を更に有する請求項３５項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３７】
対応するメモリセルに接続される複数のワード線を更に有する請求項３６項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３８】
供給されるアドレス信号をデコードし、デコード結果に応じて上記複数のワード線から１のワード線を選択するデコーダ回路を更に有する請求項３７項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３９】
上記アドレス信号は上記端子から供給される請求項３８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４０】
複数のメモリセルと端子とセンスラッチ回路とコントローラと電源発生回路とを有し、
夫々のメモリセルはしきい値電圧として書き込み状態と消去状態のいずれかに対応することでデータを格納するトランジスタを有し、
上記コントローラは上記端子から供給されるコマンドに応じて上記メモリセルのしきい値電圧を制御し、
上記電圧発生回路は上記コントローラの制御の下で消去電圧を生成し、
追加書き込み動作を指示するコマンドが上記端子から供給された場合、選択されたメモリセルから読み出したデータと上記端子から供給されたデータとから書き込みデータを生成し上記センスラッチ回路に格納し、
上記選択されたメモリセルは上記コントローラの制御の下で所定の時間上記消去電圧を印加された後、上記センスラッチ回路に格納されている書き込みデータに基づいて書き込みが行われる不揮発性記憶装置。
【請求項４１】
所定のメモリセルとデータレジスタとに接続される複数のデータ線を更に有する請求項４０項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４２】
上記データ線に接続され上記書き込みデータを生成する書換回路を更に有する請求項４１項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４３】
対応するメモリセルに接続される複数のワード線を更に有する請求項４２項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４４】
供給されるアドレス信号をデコードし、デコード結果に応じて上記複数のワード線から１のワード線を選択するデコーダ回路を更に有する請求項３７項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４５】
上記アドレス信号は上記端子から供給される請求項３８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４６】
上記追加書き込み動作を指示するコマンドの処理において上記選択されたメモリセルに上記消去電圧が印加される時間は、消去動作を指示するコマンドの処理において選択されたメモリセルに上記消去電圧が印加される時間より短い請求項４５項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４７】
消去状態と書き込み状態のいずれかにしきい値電圧が設定される複数のメモリセルを有し、コマンドに応じてメモリセルのしきい値電圧を設定する書き込み処理及び消去処理を行い、上記コマンドは消去コマンドと書込コマンドと追加書込コマンドとが含まれ、
上記消去コマンドは、メモリセルのしきい値電圧を消去状態に設定する消去動作を指示し、消去対象のメモリセルを選択するための消去アドレス信号が入力され、消去アドレス信号で選択されたメモリセルへ消去電圧を印加することでしきい値電圧を消去状態に設定し、
上記書込コマンドは、メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態に設定する第１書き込み動作を指示し、書き込み対象のメモリセルを選択するための第１書き込みアドレス信号と書き込みデータとが入力され、第１書き込みアドレス信号で選択されたワード線へ書き込み電圧を印加することで選択ワード線に接続されたメモリセルのしきい値電圧を書き込みデータに応じて書き込み状態に設定し、
上記追加書込コマンドは、メモリセルのしきい値電圧を書き込み状態に設定する第２書き込み動作を指示し、書き込み対象のメモリセルを選択するための第２書き込みアドレス信号と追加書き込みデータとが入力され、消去状態にあるメモリセルが少なくとも１つ接続されたワード線が第２書き込みアドレス信号で選択され、選択されたワード線へ書き込み電圧を印加することで選択ワード線に接続され消去状態にあるメモリセルのしきい値電圧を追加書き込みデータに応じて書き込み状態に設定する不揮発性記憶装置。
【請求項４８】
上記消去アドレス信号で選択された夫々のメモリセルは夫々のメモリセルのしきい値電圧が消去状態に設定されるまで上記消去電圧を印加される請求項４７項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４９】
上記第１書き込みアドレス信号で選択されたワード線に接続され書き込み状態に設定されるべき少なくとも１のメモリセルは、該メモリセルのしきい値電圧が書き込み状態に設定されるまで上記第１書き込み電圧を印加される請求項４７項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５０】
上記追加書込コマンドの第２書き込み動作において、上記第２書き込みアドレス信号により選択されるワード線に接続され書き込み状態にある少なくとも１のメモリセルは、所定時間の間、上記消去電圧を印加される請求項４７項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５１】
上記消去電圧を印加された後、上記消去電圧を印加された夫々のメモリセルと、上記第２アドレス信号で選択されるワード線に接続され上記追加書き込みデータにより書き込み状態に設定されるべき少なくとも１のメモリセルとは、しきい値電圧が書き込み状態に設定されるまで書き込み電圧を印加される請求項５０項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５２】
複数のメモリセルと複数のワード線とコントローラとを有し、
夫々のメモリセルはしきい値電圧として書き込み状態と消去状態のいずれかに対応することでデータを格納し、
それぞれのワード線は対応するメモリセルに接続され、
上記コントローラは供給されるコマンドに応じて所定の処理を制御し、
消去コマンドが供給された場合、ワード線に接続されたメモリセルの格納データを消去する消去処理を制御し、
書込コマンドが供給された場合、ワード線に接続されるメモリセルにデータを格納する書き込み処理を制御し、
追加書込コマンドが供給された場合、消去状態のメモリセルと書き込み状態のメモリセルとが接続されたワード線に接続され消去状態にあるメモリセルにデータを格納する追加書き込み処理を制御し、
上記消去処理においては、ワード線に接続されるメモリセルのしきい値電圧はFNトンネル現象により消去状態にされ、
上記書き込み処理及び追加書き込み処理においては、メモリセルのしきい値電圧はＦＮトンネル現象により書き込み状態にされる不揮発性記憶装置。
【請求項５３】
上記追加書き込み処理において、選択されたワード線に接続されたメモリセルから読み出されたデータと外部から供給された追加書き込みデータとから、書き込み期待値データを生成する回路を更に有する請求項５２項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５４】
選択されたワード線に接続されたメモリセルへ書き込まれるべきデータを格納するデータレジスタを更に有し、
上記追加書き込み処理において上記書き込み期待値データは上記データレジスタに格納される請求項５３項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５５】
対応するメモリセルと上記データレジスタに接続される複数のデータ線を更に有する請求項５４項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５６】
夫々のメモリセルはフローティングゲートを有する請求項５５項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５７】
複数の不揮発性メモリとコントローラと端子とを有し、
それぞれの不揮発性メモリは複数のメモリセルと複数のワード線とを有し、夫々のメモリセルは第１状態と第２状態のいずれかを示すデータに応じたしきい値電圧を有し、第１状態に応じたしきい値電圧と第２状態に応じたしきい値電圧は異なっており、それぞれのワード線は対応するメモリセルに接続され、
上記コントローラは１のコマンドに応じて書き込み処理を制御し、
上記書き込み処理において、選択されたワード線に接続されるメモリセルのしきい値電圧は一括して所定の方向へ変化された後、選択されたワード線に接続され第１状態に応じたしきい値電圧を有していたメモリセルのしきい値電圧は第１状態に戻され、選択されたワード線に接続され第２状態に応じたしきい値電圧を有していたメモリセルのうち少なくとも１のメモリセルのしきい値電圧は第１状態とされる不揮発性記憶装置。
【請求項５８】
上記メモリセルのしきい値電圧は、第１状態を示す第１分布と第２状態を示す第２分布を含むしきい値電圧分布内に設定される請求項５７項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５９】
上記所定の方向とは第１分布から第２分布の方向である請求項５８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６０】
上記書き込み処理において、上記選択されたワード線に接続され第１状態のメモリセルのしきい値電圧は、上記所定の方向への変化において第１分布と第２分布の間に変化される請求項５９項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６１】
上記書き込み処理において、上記選択されたワード線に接続され第１状態のメモリセルのしきい値電圧は、上記所定の方向への変化において第２分布に変化される請求項５９項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６２】
上記第１状態は書き込み状態に対応し、上記第２状態は消去状態に対応する請求項５７項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６３】
複数の不揮発性メモリと端子とコントローラとを有し、
それぞれの不揮発性メモリは格納するデータに応じたしきい値電圧を有する複数のメモリセルを有し、
上記コントローラはコマンドに応じてメモリセルのしきい値電圧を制御し、
追加書き込み動作を指示するコマンドに応じて上記コントローラは、選択されたメモリセルから読み出されたデータと上記端子から供給されたデータとからメモリセルへの書き込み用データの生成と、上記選択されたメモリセルへ上記書き込み用データの書き込みとを制御する不揮発性記憶装置。
【請求項６４】
上記書き込み用データを生成するための書換回路を更に有する請求項６３項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６５】
上記不揮発性メモリは複数のワード線を有し、それぞれのワード線は対応するメモリセルに接続される請求項６４項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６６】
複数の不揮発性メモリと端子とコントローラとを有し、
それぞれの不揮発性メモリは、格納するデータに応じたしきい値電圧を持つ複数のメモリセルと、上記コントローラの制御下で消去電圧を生成する電圧生成回路と、上記端子から供給されたデータを格納し又は選択されたメモリセルから読み出したデータを格納するセンスラッチ回路とを有し、
上記コントローラはコマンドに応じて上記メモリセルのしきい値電圧を制御し、
追加書き込み動作を指示するコマンドに応じて、選択されたメモリセルから読み出したデータと上記端子から供給されたデータとからメモリセルへの書き込み用データを生成し上記センスラッチ回路へ格納し、上記コントローラの制御下で上記選択されたメモリセルへ所定時間上記消去電圧が印加された後に、上記選択されたメモリセルへ上記センスラッチ回路に格納された書き込み用データに応じた書き込みが行われる不揮発性記憶装置。
【請求項６７】
上記不揮発性メモリは対応するメモリセルと上記センスラッチ回路とに接続される複数のデータ線を有する請求項６６項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６８】
上記複数のデータ線に接続され、上記書き込み用データを生成するための書換回路を更に有する請求項６７項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６９】
上記不揮発性メモリは対応するメモリセルに接続される複数のワード線を有する請求項６８項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７０】
アドレス信号をデコードし上記複数のワード線から１のワード線を選択するデコード回路を更に有する請求項６９項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７１】
上記追加書き込み動作において選択されたメモリセルに上記消去電圧を印加する時間は、消去動作を指示するコマンドにより選択されたメモリセルに上記消去電圧を印加する時間よりも短い請求項７０項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７２】
複数の不揮発性メモリとコントローラとを有し、
それぞれの不揮発性メモリは、第１と第２のどちらかの状態を持つデータに応じたしきい値電圧を持つ複数のメモリセルと、対応するメモリセルに接続される複数のワード線とを有し、第１状態のデータに対応したしきい値電圧は第２状態のデータに対応したしきい値電圧とは異なり、
上記コントローラは供給されるコマンドに応じて所定の処理を行い、消去コマンドが供給された場合選択されたメモリセルに格納されたデータを消去する消去動作を制御し、書込コマンドが供給された場合、１のワード線に接続されたメモリセルへデータを書き込む書き込み動作を制御し、追加書込コマンドが供給された場合、１のワード線に接続されたメモリセルのうち第２状態に対応するしきい値電圧を持つメモリセルへデータを書き込む書き込み動作を制御し、
上記消去動作においては、選択されたメモリセルのしきい値電圧はＦＮトンネル現象を利用して第２状態とされ、
上記追加書き込み動作においては、上記第２状態に対応するしきい値電圧を持つメモリセルへＦＮトンネル現象を利用してデータを書き込む不揮発性記憶装置。
【請求項７３】
それぞれの不揮発性メモリは、選択されたワード線に接続されるメモリセルから読み出したデータと外部から供給される追加書き込みデータとから書き込み期待値データを生成する回路を有する請求項７２項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７４】
それぞれの不揮発性メモリは、選択されたワード線に接続されるメモリセルへ書き込むべきデータを格納するデータレジスタを有し、
上記追加書き込み動作においては、上記データレジスタは上記書き込み期待値データを格納する請求項７３項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７５】
それぞれの不揮発性メモリは、対応するメモリセルと上記データレジスタに接続される複数のデータ線を有する請求項７４項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７６】
上記第１状態は書き込み状態であり、上記第２状態は消去状態である請求項７２項記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７７】
１回の書き込み動作又は読み出し動作でアクセス対象とされる所定の領域を有し、
上記所定の領域にはデータが格納されている第１領域とデータが格納されていない第２領域とが存在し、
上記所定の領域のデータを読み出し、上記第２領域に対して書き込むべきデータを設定し、上記所定の領域にデータを書き込む不揮発性記憶装置のデータの格納方法。
【請求項７８】
上記不揮発性記憶装置は複数のメモリセルを有し、
上記所定の領域は一群のメモリセルを有し、上記第１領域のメモリセルは第１状態であり、上記第２領域のメモリセルは第２状態であり、
上記第２領域に対して書き込むべきデータとは、第２状態のメモリセルを第１状態にするためのデータである請求項７７項記載の不揮発性記憶装置のデータの格納方法。
【請求項７９】
上記第１領域のメモリセルを第１状態から第１状態と第２状態の間にする仮消去動作を有し、
上記所定の領域にデータを書き込む前に上記仮消去動作を行う請求項７８項記載の不揮発性記憶装置のデータの格納方法。
【請求項８０】
上記第１領域のメモリセルを第１状態から第２状態にする消去動作を有し、
上記所定の領域にデータを書き込む前に上記消去動作を行う請求項７８項記載の不揮発性記憶装置のデータの格納方法。
【請求項８１】
上記不揮発性記憶装置は複数のワード線を有し、
上記所定の領域とは、１のワード線に接続される一群のメモリセルからなる領域である請求項７９項又は８０項記載の不揮発性記憶装置のデータの格納方法。