Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ｂ点での語長は、ａ点の信号に減衰器２６によって係数Ｋ１（１＞ｋ＞０）が乗算された信号が累積するため、桁下げ方向に語長が拡大する。同様にｃ点では減衰器３１によって係数Ｋ２が乗算されるため、さらに桁下げ方向に語長が拡大する。この演算語長の拡大したデータは、１ビット量子化器３６によって１ビットに変換されるが、ここでの量子化誤差成分はフィードバックされることにより、ノイズシェーピングされるために、データ語長の切り捨ては発生しない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2000078022.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2000078022.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を発信する機能を備えた映像サーバと、前記映像サーバが撮影した映像を配送する配送サーバ、及び前記配送された映像を受信する情報処理端末とによって構成される映像情報配信システムであって、
前記映像サーバから配送サーバまでの間の第１ネットワーク上で画像データを送付する際に用いられる第１画像フォーマットと、
前記配送サーバから情報処理端末までの間の第２ネットワーク上で画像データを送付する際に用いられる第２画像フォーマットとで、
異なった方式を用いた画像データを配信することを特徴とする映像情報配信システム。
【請求項２】
前記映像サーバが発信する映像はカメラにより撮影された動画像に基づくことを特徴とする請求項１記載の映像情報配信システム。
【請求項３】
前記第１ネットワークの伝送帯域幅は前記第２ネットワークの伝送帯域幅に比べて狭いことを特徴とする請求項１または２に記載の映像情報配信システム。
【請求項４】
前記第１画像フォーマットは前記第２画像フォーマットに比べて画像の圧縮率が高いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の映像情報配信システム。
【請求項５】
前記第１ネットワーク上で用いられる通信プロトコルの信頼性は前記第２ネットワーク上で用いられる通信プロトコルの信頼性に比べて高いことを特徴とする請求項１または３に記載の映像情報配信システム。
【請求項６】
前記第１画像フォーマットは、フレームの画像データの情報を利用するフレーム間符号化と、フレーム内符号化の組み合せを利用したフォーマットを用い、
前記第２画像フォーマットはフレーム内符号化のみを利用するフォーマットを用いることを特徴とする請求項１または４に記載の映像情報配信システム。
【請求項７】
映像を発信する機能を備えた映像サーバと前記映像サーバが撮影した映像を配送する配送サーバ、及び前記配送サーバと前記配送された映像を受信する情報処理端末との間で画像情報を送受する映像情報配信方法であって、
前記映像サーバと配送サーバとを接続する第１ネットワーク上で画像データを送付する第１画像フォーマット工程と、
前記配送サーバと情報処理端末とを接続する第２ネットワーク上で画像データを送付する第２画像フォーマット工程とで、
異なった方式を用いた画像データを配信することを特徴とする映像情報配信方法。
【請求項８】
前記映像サーバが発信する映像はカメラにより撮影された動画像に基づくことを特徴とする請求項７記載の映像情報配信方法。
【請求項９】
前記第１ネットワークの伝送帯域幅は第２ネットワークの伝送帯域幅に比べて狭いことを特徴とする請求項７または８に記載の映像情報配信方法。
【請求項１０】
前記第１画像フォーマット工程は前記第２画像フォーマット工程に比べて画像の圧縮率が高いことを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の映像情報配信方法。
【請求項１１】
前記第１ネットワーク上で用いられる通信プロトコルの信頼性は前記第２ネットワーク上で用いられる通信プロトコルの信頼性に比べて高いことを特徴とする請求項７または９に記載の映像情報配信方法。
【請求項１２】
前記第１画像フォーマット工程は、フレームの画像データの情報を利用するフレーム間符号化と、フレーム内符号化を組み合せて利用した圧縮方法を用い、
前記第２画像フォーマット工程はフレーム内符号化のみを利用する圧縮方法を用いることを特徴とする請求項７または１０に記載の映像情報配信方法。
【請求項１３】
前記配送サーバは、前記映像サーバから送られてきた画像データを伸長し、前記ビューワを有する情報処理端末に対して送出可能な画像転送レートを算出する手段を有し、前記画像転送レートを超えている場合は前記伸長された画像データを間引いた圧縮処理をして前記情報処理端末にデータを送出することを特徴とする請求項１記載の映像情報配信システム。
【請求項１４】
前記配送サーバは、前記映像サーバから送られてきた画像データを伸長し、前記ビューワを有する情報処理端末に対して送出可能な画像転送レートを算出する工程を有し、前記画像転送レートを超えている場合は前記伸長された画像データを間引いた圧縮処理をして前記情報処理端末にデータを送出することを特徴とする請求項７記載の映像情報配信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、上述した課題を解決するため本発明にかかる映像配信システム及び方法等は以下のような構成を主として備える。
即ち、映像を発信する機能を備えた映像サーバと、前記映像サーバが撮影した映像を配送する配送サーバ、及び前記配送された映像を受信する情報処理端末とによって構成される映像情報配信システムは、
前記映像サーバから配送サーバまでの間の第１ネットワーク上で画像データを送付する際に用いられる第１画像フォーマットと、
前記配送サーバから情報処理端末までの間の第２ネットワーク上で画像データを送付する際に用いられる第２画像フォーマットとで、
異なった方式を用いた画像データを配信することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、映像を発信する機能を備えた映像サーバと前記映像サーバが撮影した映像を配送する配送サーバ、及び前記配送サーバと前記配送された映像を受信する情報処理端末との間で画像情報を送受する映像情報配信方法は、
前記映像サーバと配送サーバとを接続する第１ネットワーク上で画像データを送付する第１画像フォーマット工程と、
前記配送サーバと情報処理端末とを接続する第２ネットワーク上で画像データを送付する第２画像フォーマット工程とで、
異なった方式を用いた画像データを配信することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記機能は具体的には配送サーバの中に第１画像フォーマットで送られてきた映像を一旦伸長し、さらに、その映像を第２画像フォーマットで圧縮することを行う装置もしくは手順を備えることで実現される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
以上の構成により、本発明では、映像サーバから配送サーバまでの第１ネットワークの特性に応じた第１画像フォーマットと、配送サーバからビューワを持つ情報処理端末までの第２ネットワークの特性に応じた第２画像フォーマットを用いることにより、より効率の高い映像情報配信システムを提供することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
さらに、このファイルシステムでは、ビデオＣＤインターネット（ＶｉｄｅｏＣＤ Ｉｎｔｅｒｎｅｔ）の規約に対してトランスポータブルＰＢＣによる意訳と拡張機能を加えている。ＤＩＳＣ２ＵＲＬは現行のビデオＣＤインターネット規約どおりとする。ただし、ビデオＣＤ−ＲＯＭ以外の場合はトラック番号を示すＴｎｎはＡＶＳＥＱｎｎを意味する。ＵＲＬ２ＤＩＳＣについても同様である。ＵＲＬからフックしたシーンの再生方法をＵＲＬ２ＤＳＣ．ＤＡＴに記述される行データの拡張として定義した。ＵＲＬ２ＤＳＣ．ＤＡＴに記述されるデータの行数と同じ位置にＵＲＬ２ＤＳＣ．ＥＸＴに行単位で記述される。ディレクトリーは￥ＴＰＢＣＰＡＣ￥ＤＡＴＡ￥ＴＰＢＣ￥ＩＮＴＥＲＮＥＴ、ファイル名がＵＲＬ２ＤＳＣ．ＥＸＴである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、このファイルシステムでは、再生中の任意のシーン、トラックまたはエントリーに対して任意のファイルを開くことができる。ディレクトリーは￥ＴＰＢＣＰＡＣ￥ＤＡＴＡ￥ＴＰＢＣ￥ＦＩＬＥＬＩＮＫ、ファイル名がＤＩＳＣ２ＦＩＬＥ．ＤＡＴである。記述形式は図３に示したとおりである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
いま、ストロボ発光信号１０がＣＣＤ駆動回路１１に供給されると、ＣＣＤ駆動回路１１からの駆動信号（図２（Ｂ）のＣＣＤ読み出し信号）がＣＣＤ２に出力され、ＣＣＤ２の各画素に蓄積された電荷が垂直転送レジスタによってフレーム単位で転送される。すなわち、各画素に対しては２フィールドに１度、そこに蓄積された像情報が読み出される。また、この状態でストロボ発光信号１０が図示しないストロボ装置に供給されることにより、そのΗレベルの期間だけストロボ照明が行われ、被写体からの像情報がＣＣＤ２に入力される（図２（Ｃ）参照）。なお、撮影時のストロボ照明の発光時期は、ＣＣＤ駆動回路１１より出力される駆動信号と重ならないタイミングに設定されることにより、ＣＣＤ２の有効信号蓄積時間に同期するようにしている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ＣＣＤ駆動回路１１からは、ストロボ発光信号１０が供給された直後のフィールドで、例えば偶数ライン用のＣＣＤ読み出し信号が出力され、これによってＣＣＤ２の偶数ラインに蓄積されていた画素信号が垂直転送レジスタ及び水平転送レジスタを介して、偶数フィールドの画像信号として第１の信号処理回路３に出力され、メモリ制御演算回路８を介し、順次画像メモリ７に記憶される。つぎに、垂直同期信号によって規定される次のフィールドになると、ＣＣＤ駆動回路１１から奇数ライン用のＣＣＤ読み出し信号が入力され、奇数ラインに蓄積された画素信号が垂直転送レジスタ及び水平転送レジスタを介して、奇数フィールドの画像信号として第１の信号処理回路３に出力され、偶数ラインと同様にメモリ制御演算回路８を介し、順次画像メモリ７に記憶される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
なお、補色型カラーフィルタを用いた２ライン混合読み出し方式のＣＣＤ２を使用したビデオカメラでは、通常ではテレビ信号を出力するものである。したがって、上記ＣＣＤ駆動回路１１は、ストロボ照明に同期してＣＣＤ２の各画素に蓄積された像情報を２フィールドの画像信号として読み出す第１の駆動モードと、隣接する画素間で混合された像情報を１フィールドの画像信号として読み出す第２の駆動モードを備え、ストロボ発光信号１０の有無に応じて自動的にモード選択を行うものとすれば、一台のビデオカメラで、高速で移動する物体を動画像のビデオ信号として撮影するとともに、通常の電子スチルカメラと同様、静止状態の画像を容易に写し撮ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
CCD イメージセンサ11c は、色フィルタアレイ11b の要素に対応したCCD イメージセンサ11c のセルが画素としてアレイ状に配置されている。このセルに被写界からの入射光が結像した際にこのセルでは入射光を光電変換している。信号読出しは、信号処理部12の信号処理が効率よく行えるように２ライン同時読出しあるいはライン間隔を開けながら偶数番目のラインと奇数番目のラインを一ラインずつ読み出す方法で行うことが好ましい。この読出し方法は、システム制御部13の制御に応じて動作するように駆動信号生成部14からCCD イメージセンサ11c に駆動信号が供給され、この駆動信号に応じてCCD イメージセンサ11c が撮像信号を出力させることで行うようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月24日(2004.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内輪と外輪との間に転動体を配置し、潤滑剤で潤滑されて使用される転がり軸受において、外輪及び転動体間の摩擦係数に対する内輪及び転動体間の摩擦係数の比が０．８より大きく且つ１．０未満であり、且つ転動体との摩擦係数が小さくなると共に圧縮残留応力が発生する表面処理を内輪に施したことを特徴とする転がり軸受。
【請求項２】
内輪の残留オーステナイト量が外輪の残留オーステナイトより少ないことを特徴とする請求項１に記載の転がり軸受。
【請求項３】
下記で表す内輪及び転動体間の油膜パラメータが０．８より大きく、外輪及び転動体間の油膜パラメータが４．０未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の転がり軸受。
油膜パラメータ：Λ＝ｈmin ／（Ｒ1rms2 ＋Ｒ2rms2 ）1/2 
ｈmin ：Dowson-Higginson，Hamrock-Dowsonの式で計算した最小油膜厚さ
Ｒ1rms：軌道輪の軌道面自乗平均粗さ
Ｒ2rms：転動体の転動面自乗平均粗さ
【請求項４】
自動調心ころ軸受であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の転がり軸受。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、ダンパシリンダ７の外側には油室Ｃと上部に気体室Ｄが設けられ、上部シリンダ７ａの下部側壁に、小径の二乗孔２５が穿設され、ダンパシリンダ７外側の油室Ｃとダンパシリンダ７内のベースピストン１６上部の油室Ａ3を連通する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月4日(2005.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
棚本体側に取り付けられた装置本体の後方に傾斜する振動エリアに球を振動可能に収納し、該球の前進経路と後退経路が同一の場合と異なる場合のいずれの場合においても球の経路として振動エリアの前部の経路を後部の経路より長くして球が前部に存在する時間を後部に存在する時間より長くした扉等の地震時ロック装置の地震検出方法
【請求項２】
棚本体側に取り付けられた装置本体の後方に傾斜する振動エリアに球を振動可能に収納し、該球の前進経路と後退経路が同一の場合と異なる場合のいずれの場合においても振動エリアの前部の経路を側方に拡大した扉等の地震時ロック装置の地震検出方法
【請求項３】
棚本体側に取り付けられた装置本体の振動エリアに球を振動可能に収納し、該振動エリアは球の安定位置である後端室を有し、該振動エリアの前部を後端室より側方に段付き拡大した扉等の地震時ロック装置の地震検出方法
【請求項４】
請求項１、２又は３の地震検出方法を用いた扉等の地震時ロック装置
【請求項５】
請求項１、２又は３の地震検出方法を用いた地震対策付き棚
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Siを12〜60重量％含有し、粒状Siを分散させたアルミニウム合金と、該アルミニウム合金からなるマトリックス内に分散されたグラファイト型もしくは無定形炭素あるいは結晶化した程度が両者の中間にある炭素及びMoS2からなる群の少なくとも1種の分散相とを含んでなる溶射層を斜板に被着したことを特徴とする斜板式コンプレッサーの斜板。
【請求項２】
前記アルミニウム合金がさらにSnを0.1〜30重量％含有することを特徴とする請求項１記載の斜板式コンプレッサーの斜板。
【請求項３】
前記アルミニウム合金が8.0重量％以下のCu，3.0重量％以下のMg，3.0重量％以下のMn，1.5重量％以下のFe及び8.0重量％以下のNiからなる群の少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項1又は2記載の斜板式コンプレッサーの斜板。
【請求項４】
前記粒状Siの平均粒径が50μｍ以下である請求項1から3までの何れか1項記載の斜板式コンプレッサーの斜板。
【請求項５】
前記アルミニウム合金が60〜99重量％であり、残部がグラファイト型もしくは無定形炭素あるいは結晶化した程度が両者の中間の炭素及びMoS2からなる群の少なくとも1種の分散相である請求項1から4までの何れか1項記載の斜板式コンプレッサーの斜板。
【請求項６】
前記分散相がグラファイト型炭素である請求項5記載の斜板式コンプレッサーの斜板。
【請求項７】
高速火炎溶射法により成膜された溶射層を被着した請求項1から6までの何れか1項記載の斜板式コンプレッサーの斜板。
【請求項８】
前記溶射層表面に軟質皮膜層を被着した請求項１から７までの何れか１項記載の斜板式コンプレッサーの斜板。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貯湯槽と、
上記貯湯槽の下部側面にその一端が接続される入水管と、
上記入水管の他端が接続され、上記貯湯槽から給水される第１の加熱部と、
上記第１の加熱部に接続され、上記第１の加熱部により加熱された水を上記貯湯槽に送る出湯管と、
上記貯湯槽の下部に設けられる第２の加熱部と、
を有し、
上記貯湯槽と入水管との接続位置が、上記第２の加熱部の設置位置と同等の高さ、若しくはそれよりも上方にある
ことを特徴とする貯湯式給湯器。
【請求項２】
出湯管もしくは貯湯槽上部に水温検知部を設け、
上記水温検知部にて検知された水温に基づき、貯湯槽に送る湯量を制御する制御部を設けた
ことを特徴とする請求項１に記載の貯湯式給湯器。
【請求項３】
制御部は、入水管もしくは出湯管に設けられた流量調整弁もしくは循環ポンプを用いて、貯湯槽に送る湯量を制御する
ことを特徴とする請求項２に記載の貯湯式給湯器。
【請求項４】
第１の加熱部と入水管との接続位置が、貯湯槽と上記入水管との接続位置に比べ、上方にある
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の貯湯式給湯器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる貯湯式給湯器は、貯湯槽と、貯湯槽の下部側面にその一端が接続される入水管と、入水管の他端が接続され、貯湯槽から給水される第１の加熱部と、第１の加熱部に接続され、第１の加熱部により加熱された水を貯湯槽に送る出湯管と、貯湯槽の下部に設けられる第２の加熱部と、を有し、貯湯槽と入水管との接続位置が、第２の加熱部の設置位置と同等の高さ、若しくはそれよりも上方にあるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明にかかる貯湯式給湯器は、出湯管もしくは貯湯槽上部に水温検知部を設け、水温検知部にて検知された水温に基づき、貯湯槽に送る湯量を制御する制御部を設けたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明にかかる貯湯式給湯器は、制御部が、入水管もしくは出湯管に設けられた流量調整弁もしくは循環ポンプを用いて、貯湯槽に送る湯量を制御するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【発明の効果】
この発明にかかる貯湯式給湯器は、貯湯槽と、貯湯槽の下部側面にその一端が接続される入水管と、入水管の他端が接続され、貯湯槽から給水される第１の加熱部と、第１の加熱部に接続され、第１の加熱部により加熱された水を貯湯槽に送る出湯管と、貯湯槽の下部に設けられる第２の加熱部と、を有し、貯湯槽と入水管との接続位置が、第２の加熱部の設置位置と同等の高さ、若しくはそれよりも上方にあるものであるため、硬度の高い水質条件にて長期にわたる使用においてもスケール詰まりのない、信頼性の高い貯湯式温水器を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月12日(2005.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】リクエストパケットを生成する処理装置と、
シリアルバスに接続され、上記リクエストパケットを上記シリアルバスに送信して確認信号待ち状態となる送信装置と、
上記シリアルバスに接続され、上記リクエストパケットに対する応答である第１の確認信号又は第２の確認信号とレスポンスパケットを上記シリアルバスから受信し、上記第１又は第２の確認信号を上記送信装置に出力し、上記レスポンスパケットを上記処理装置に出力する受信装置と、
上記リクエストパケットに含まれるリクエストパケットを特定するための送信情報を記憶する送信情報記憶手段と、
上記送信情報と送信結果又は上記レスポンスパケットに含まれるレスポンスパケットを特定するための受信情報とレスポンスパケットの応答状態を示す状態通知情報とを記憶する受信結果記憶手段と、
を有し、
上記送信装置は、上記リクエストパケットを送信する際に上記送信情報を上記送信情報記憶手段に出力し、上記確認信号が上記第１の確認信号である場合には上記送信情報及び当該第１の確認信号が示す送信結果を上記受信結果記憶手段に出力して新たなリクエストパケットを送信可能な状態になり、
上記処理装置は、上記送信情報記憶手段に記憶されている上記送信情報と上記受信結果記憶手段に記憶されている上記送信情報及び上記送信結果に基づいて上記リクエストパケットの送信による一連の処理が正常に行なわれたか否かを判断するデータ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載のデータ処理装置は、リクエストパケットを生成する処理装置と、シリアルバスに接続され、上記リクエストパケットを上記シリアルバスに送信して確認信号待ち状態となる送信装置と、上記シリアルバスに接続され、上記リクエストパケットに対する応答である第１の確認信号又は第２の確認信号とレスポンスパケットを上記シリアルバスから受信し、上記第１又は第２の確認信号を上記送信装置に出力し、上記レスポンスパケットを上記処理装置に出力する受信装置と、上記リクエストパケットに含まれるリクエストパケットを特定するための送信情報を記憶する送信情報記憶手段と、上記送信情報と送信結果又は上記レスポンスパケットに含まれるレスポンスパケットを特定するための受信情報とレスポンスパケットの応答状態を示す状態通知情報とを記憶する受信結果記憶手段とを有し、上記送信装置は、上記リクエストパケットを送信する際に上記送信情報を上記送信情報記憶手段に出力し、上記確認信号が上記第１の確認信号である場合には上記送信情報及び当該第１の確認信号が示す送信結果を上記受信結果記憶手段に出力して新たなリクエストパケットを送信可能な状態になり、上記処理装置は、上記送信情報記憶手段に記憶されている上記送信情報と上記受信結果記憶手段に記憶されている上記送信情報及び上記送信結果に基づいて上記リクエストパケットの送信による一連の処理が正常に行なわれたか否かを判断する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
次に、例えば、図１３（Ｃ）に示した信号が供給されているものとして、ユニークワード検出器１７２およびユニークワード検出器１７４の動作について説明する。ユニークワード検出器１７２には、２０ビットのユニークワードＷ２が予め設定されている。そして、ユニークワード検出器１７４は、供給される信号との相関を１ビットづつ演算し、一致したとき１、一致しなかったとき−１を、相関値合成器１７５に出力する。例えば、演算した相関値が１８の場合、相関値１８が相関値合成器１７５に出力される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理層に設けられ、データ通信の媒体となるケーブルを流れるアナログ信号をデジタルデータに変換する第１の制御回路手段と、
上記物理層に隣接するデータリンク層に設けられ、上記第１の制御回路手段にて変換されたデジタルデータを認識し、所定の形式に変換してソフトウェア制御可能なインターフェース機能を作成する第２の制御回路手段と、
上記データリンク層に隣接するトランザクション層に設けられ、上記第２の制御回路手段を制御するソフトウェアを動作させることによりデータの送受信を行うホストとを具備するシリアルバスコントローラ装置にあって、
上記第２の制御回路手段は、
送信データを設定する送信用ＦＩＦＯと、
エラー送信制御用の領域を有するレジスタと、
バス調停要求により得たバスを獲得した後にパケット送信する送信制御部とを設けたことを特徴とするシリアルバスコントローラ装置。
【請求項２】
シリアルバスのパケット送信を行うシリアルバスコントローラ装置に於いて、
上記パケットのヘッダ部のＣＲＣエラーを発生させる手段を設け、
この手段の設定により、ヘッダＣＲＣエラーパケット又はデータＣＲＣエラーパケットを発生可能としたことを特徴とするシリアルバスコントローラ装置。
【請求項３】
シリアルバスのパケット送信を行うシリアルバスコントローラ装置に於いて、
パケットのデータ長エラーを発生させる手段を設け、
この手段の設定により、データ長エラーパケットを発生可能としたことを特徴とするシリアルバスコントローラ装置。
【請求項４】
シリアルバスのパケット送信を行うシリアルバスコントローラ装置に於いて、
任意のデータ形式を設定できるレジスタ領域を設け、
この領域の設定により、任意形式のパケットを発生可能としたことを特徴とするシリアルバスコントローラ装置。
【請求項５】
シリアルバスのパケット送信を行うシリアルバスコントローラ装置に於いて、
認識パケットのパリティエラーを発生させる手段を設け、
この手段の設定により、受信パケットに対する認識を返信する際に認識のパリティエラーを発生可能としたことを特徴とするシリアルバスコントローラ装置。
【請求項６】
シリアルのパケット送信を行うシリアルバスコントローラ装置に於いて、
任意の認識パケットを設定できるレジスタ領域を設け、
この領域の設定により、受信パケットに対する認識を返信する際に任意の認識コードを発生可能としたことを特徴とするシリアルバスコントローラ装置。
【請求項７】
物理層に設けられ、データ通信の媒体となるケーブルを流れるアナログ信号をデジタルデータに変換する第１の制御回路手段と、
上記物理層に隣接するデータリンク層に設けられ、上記第１の制御回路手段にて変換されたデジタルデータを認識し、所定の形式に変換してソフトウェア制御可能なインターフェース機能を作成する第２の制御回路手段と、
上記データリンク層に隣接するトランザクション層に設けられ、上記第２の制御回路手段を制御するソフトウェアを動作させることによりデータの送受信を行うホストとを有するシリアルバスコントローラ装置に於いて、
上記第２の制御回路手段は、
内設する送信用ＦＩＦＯに送信データを設定し、
内設レジスタのエラー送信制御用の領域を所定の状態に設定すると共に、送信開始フラグを設定し、
バス調停要求に基づきバスを獲得してパケット送信するようにしたことを特徴とするシリアルバスコントローラ装置に於ける送信制御方法。
【請求項８】
上記第２の制御回路手段は、内設レジスタのエラー送信制御用の領域を所定の状態に設定し、
自ノード宛にてＡｃｋが必要なパケットを受信し、
この受信パケットに対してＡｃｋ送信する際にＡｃｋのパリティが誤Ａｃｋを返信するようにしたことを特徴とする請求項７記載のシリアルバスコントローラ装置に於ける送信制御方法。
【請求項９】
上記第２の制御回路手段は、内設レジスタのエラー送信制御用の領域を所定の状態に設定すると共に、任意のＡｃｋコードを設定し、
自ノード宛にてＡｃｋが必要なパケットを受信し、
この受信パケットに対してＡｃｋ送信する際にＡｎｙＡｃｋにて設定したＡｃｋコードを返信するようにし、
ＡｃｋＰａｒＥｒと組合せることにより、任意のＡｃｋコードとパリティエラーのＡｃｋ返信可能としたことを特徴とする請求項７記載のシリアルバスコントローラ装置に於ける送信制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、ステッピングモータ５１にはモータ軸の基準角度を検出するフォトインタラプタが付加されており、モータ駆動パルスとの相関により反射体の方位角すなわちレーダビームの走査方位角が検出される。この検出データはモータドライバ５２を介してデータプロセッサ２０に出力される。なお、図中に示す各種の点線はレーダビームが走査される状態を模式的に示したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月2日(2005.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体チップのバーンイン試験方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電圧と前記第１の電圧より高いバーンイン電圧とを有するパルス電源電圧を半導体チップのインバータ回路へ供給するパルス電源供給工程と、
前記パルス電源電圧が前記バーンイン電圧の場合、前記半導体チップの内部回路の負荷容量を充電し、
前記パルス電源電圧が前記第１の電圧の場合、前記半導体チップの内部回路の負荷容量を放電する充放電工程とを備えることを特徴とする半導体チップのバーンイン試験方法。
【請求項２】
前記第１の電圧は前記半導体チップのしきい値電圧以上の電圧であることを特徴とする請求項１記載の半導体チップのバーンイン試験方法。
【請求項３】
前記パルス電源電圧の前記バーンイン電圧期間が、前記第１の電圧期間より長いことを特徴とする請求項１ないし２いずれかに記載の半導体チップのバーンイン試験方法。
【請求項４】
前記半導体チップの内部状態を変化させるテストパターン供給工程をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし３いずれかに記載の半導体チップのバーンイン試験方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明の半導体チップのバーンイン試験方法は、
第１の電圧と前記第１の電圧より高いバーンイン電圧とを有するパルス電源電圧を半導体チップのインバータ回路へ供給するパルス電源供給工程と、
前記パルス電源電圧が前記バーンイン電圧の場合、前記半導体チップの内部回路の負荷容量を充電し、
前記パルス電源電圧が前記第１の電圧の場合、前記半導体チップの内部回路の負荷容量を放電する充放電工程とを備えるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、この発明の半導体チップのバーンイン試験方法は、好ましくは、前記第１の電圧は前記半導体チップのしきい値電圧以上の電圧であるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、この発明の半導体チップのバーンイン試験方法は、好ましくは、前記パルス電源電圧の前記バーンイン電圧期間が、前記第１の電圧期間より長いものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、この発明の半導体チップのバーンイン試験方法は、好ましくは、前記半導体チップの内部状態を変化させるテストパターン供給工程をさらに備えるものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図３は、本発明の実施の形態１におけるバーンイン試験装置に使用する半導体チップ回路の模式図を示す。図３において、電源、信号はそれぞれ電源Ｖｃｃパッド３０および電源ＧＮＤパッド３２、入力信号パッド３１から、インバータ回路３３、内部回路３４に供給される。電源をパルス状に供給することにより、そのパルスの立ち上がり立ち下がり時に、ゲート容量、配線容量、接合容量により構成される負荷容量３５に対して、Ｖｃｃ電源＝Ｖｂｉの時に充電がなされ、Ｖｃｃ電源＝０の時に放電がなされ、内部回路３４を構成する配線に電流が流れる。内部回路３４には、すべて電源、ＧＮＤが供給されているため、電源をパルス状に供給することにより内部回路３４全体に電流ストレスを与えることが可能である。この結果、効率良いバーンイン試験が可能となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
実施の形態６.
上述の実施の形態５におけるバーンイン装置６０および図７の電源、信号波形のタイムチャートを用いて、本発明の実施の形態６におけるバーンイン方法を説明する。半導体チップ１０の回路としては、実施の形態１における回路（図３参照）を例示的に用いて説明する。
バーンイン装置６０の信号入力装置６２から半導体チップ１０へ、入力信号としてテストパターンを供給する。テストパターンとしては、メモリデバイスであればＤＲＡＭメモリセル回路のアドレス信号とデータ信号の組合せパターンが考えられ、ロジックＩＣであれば各種の機能を設定するパターンが考えられる。しかしこれらに限定されるものではない。テストパターンを供給された半導体チップ１０の内部状態は、テストパターンに応じて変化する。
この内部状態の変化した半導体チップ１０に対して、バーンイン装置６０のパルス電源供給装置６４から、電源Ｖｃｃをしきい電圧Ｖｔｈからバーンイン電圧Ｖｂｉまでパルス状に変化させて供給する。半導体チップ１０のＧＮＤ電源は０Ｖに固定する。半導体チップ回路３６は、供給されたパルス状の電源Ｖｃｃをインバータ回路３３を介して内部回路３４へ供給する。インバータ回路３３により、Ｖｃｃ電源＝Ｖｂｉの時は内部回路３５内の負荷容量３５が充電され、Ｖｃｃ電源＝０Ｖの時は内部回路３５内の負荷容量３５は放電する。この結果、内部回路３４を構成する配線に電流が流れる。内部回路３４には、すべて電源、ＧＮＤが供給されているため、電源をパルス状に供給することにより内部回路３４全体に電流ストレスを与えることが可能である。この結果、効率良いバーンイン試験が可能となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
以上より、実施の形態１１によれば、Ｖｃｃ入力のパルス波形を高い電圧の期間ＴHが低い電圧の期間ＴLより長くなるように設定とすることにより、電圧ストレス印加時間をのばすことができるので、電流ストレスのバーンイン試験効率を低下させずに、電圧ストレスのバーンイン試験効率を向上させることができ、バーンイン試験時間を短縮させることができる。
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電源をパルス的に変化させることにより、全回路ノードに対して電流ストレスを与え、効率良くバーンインを行うことができるバーンイン試験方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明では、反応ガスを流して、高周波の交流電磁場によりプラズマ室でイオンやラジカルを発生させ、主にラジカルの活性種ガスにより気相化学反応によって半導体ウエーハの結晶をエッチングする方法を基本としている。本発明ではフッ素化合物ガスあるいはフッ素化合物ガスを含む混合ガスに、水素あるいはアンモニアガスの少なくも１種類のガスを混合して、反応ガスとして用いることが特徴である。上記フッ素化合物ガスとしては、六フッ化硫黄（SF6）、四フッ化炭素（CF4）、および三フッ化窒素（NF3）があり、本発明ではこれらの少なくとも１種類を用いることが特徴である。このフッ素化合物ガスはN２、Ar、He等の不活性ガスで希釈されていてもよい。水素あるいはアンモニアガスの少なくも１種類のガスを混合することによって、添加・混合なしの場合に比べてエッチング後の表面荒さが改善されることを実験によって見い出した。この結果を表１に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の方法を用いたプラズマエッチング装置はガス供給部とプラズマ発生機構部と活性種ガス供給機構部と試料移動機構部を基本としており、以上述べたエッチング部の他に、効率よく処理を行うために、ウエーハ搬送機構や試料交換室を備えて装置が構成されている。また、排気ガスを処理する除害装置も具備されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】実施例１
図１と図４は本発明によるプラズマエッチングの方法とその装置の一実施例である。図４は装置全体の構成の概略図である。ガス供給装置１４から反応ガス供給管３によりSF6とアンモニアガスおよび窒素からなる混合ガスをプラズマ発生室に注入する。マイクロ波発振器１で発生したマイクロ波が導波管２を通りプラズマ発生室で吸収され、前記、混合ガスが活性化され、プラズマ活性領域６が形成される。活性種ガスは活性種ガス供給管13を通ってエッチングノズル４で絞り込まれて密度の高い局部ビームとなって半導体ウエーハ５の表面に供給されるためにこの構成ではエッチングレートは大幅に速くなる特徴がある。半導体ウエーハ５は、はじめ試料交換室１１に挿入され、ここから搬送機構１５によりエッチング室９の移動台８に固定セットされる。移動台８は試料移動機構７によってX-Y方向あるいはXーθ方向に可動することができる。エッチングノズル４からでた活性種ガスによる局部ビームと移動台８の移動機構によって半導体ウエーハ５を全面にわたって均一な厚みにエッチングすることが可能になる。また、試料がエッチングされる周辺には吸引作用のある排気ヘッド１６を配備し、浮遊するガスを排気１９を経て効果的に排気する構成になっている。排気部はエッチング室９、排気ヘッド１６、試料交換室１１および搬送室１０にそれぞれゲートバルブ１８を介して配管され、各々が排気される。エッチング室９と排気ヘッド１６から出た排気ガスはガス処理装置１７を経て、除害して排気される。図１はエッチングノズルと試料周辺の詳細図である。エッチングノズル４は活性種ガス供給管１３と結合部２２によって高気密に固定され、また、エッチングノズル４の交換が容易に行える構成である。また、ガスを放出するエッチングノズル先端の開口部の断面形状は円形であってもよいが、高速にエッチングする目的には楕円や方形あるいは、帯状の形状の方が処理時間の短縮にとって効果があり、この構造は用途によって選定される。エッチングに用いる反応ガス１０１は水素またはアンモニア用のAライン、フッ素化合物用のBラインおよび不活性ガス用のCラインからなり、活性種ガス供給管13の入口で混合される。なお、AラインおよびBラインのガスは不活性ガスで希釈されていてもよい。Siのエッチングは例えばSF6ガスに１０％のアンモニアを添加した条件で、５００Wのマイクロ波電力のとき、約６０μm／minの高速エッチングレートが得られ、仕上がり表面の粗さは０．３０５nmと添加ガスなしの場合よりも良好な鏡面が得られた。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光域の光を発する半導体レーザを用いた半導体発光装置において、
発光波長が互いに異なり、レーザ光の出射方向が互いにほぼ平行になるように設けられた複数の半導体レーザと、
上記複数の半導体レーザから取り出される複数のレーザ光の光軸を互いにほぼ一致させる光軸一致手段とを有する
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
上記複数の半導体レーザの発光強度を相対的に制御することにより、上記光軸一致手段によって上記光軸が互いに一致した上記複数のレーザ光からなる光の色を変化させるようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
上記複数の半導体レーザが２つの半導体レーザであり、上記２つの半導体レーザの発光強度を相対的に制御することにより、上記２つの半導体レーザから取り出され、上記光軸一致手段によって互いに光軸が一致した２本のレーザ光からなる光の色を制御するようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項４】
上記複数の半導体レーザが３つの半導体レーザであり、上記３つの半導体レーザの発光強度を相対的に制御することにより、上記３つの半導体レーザから取り出され、上記光軸一致手段によって互いに光軸が一致した３本のレーザ光からなる光の色を制御するようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項５】
上記複数の半導体レーザの発光波長が、互いに３ｎｍ以上異なることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項６】
上記複数の半導体レーザの発光波長が、互いに３０ｎｍ以上異なることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項７】
上記複数の半導体レーザのうち、少なくとも１つの半導体レーザが、青緑色、緑色、または黄緑色の光を発する半導体レーザであることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項８】
可視光域の光を発する半導体レーザを有し、上記半導体レーザから取り出されるレーザ光によって対象物を指示するようにした指示装置において、
発光波長が互いに異なり、レーザ光の出射方向が互いにほぼ平行になるように設けられた複数の半導体レーザと、
上記複数の半導体レーザから取り出される複数のレーザ光の光軸を互いにほぼ一致させる光軸一致手段とを有する
ことを特徴とする指示装置。
【請求項９】
可視光域の光を発する半導体レーザを有する半導体発光装置と、
上記半導体発光装置に結合された光ファイバとを有する光伝送装置において、
上記半導体発光装置が、発光波長が互いに異なり、レーザ光の出射方向が互いにほぼ平行になるように設けられた複数の半導体レーザと、上記複数の半導体レーザから取り出される複数のレーザ光の光軸を互いにほぼ一致させる光軸一致手段とを有する
ことを特徴とする光伝送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像素子及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサから基板側に電荷の掃き捨てがなされる縦型オーバーフロードレイン構造を有する固体撮像素子であって、
第１導電型半導体基板内に形成された第２導電型のオーバーフローバリア領域と、撮像領域の外側に形成された第２導電型ウエル領域との間に、第２導電型不純物導入領域が形成されて、上記２つの領域のコンタクトがされて成ることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
上記第２導電型ウエル領域より更に外側の平面位置に第１導電型ウエル領域が形成され、該第１導電型ウエル領域と上記第１導電型半導体基板との間に第１導電型不純物導入領域が形成されて、上記２つの領域のコンタクトがされて成ることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
上記センサにおける空乏層の厚さが２μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
センサから基板側に電荷の掃き捨てがなされる縦型オーバーフロードレイン構造を有する固体撮像素子の製造方法であって、
第１導電型半導体基板内に第２導電型のオーバーフローバリア領域を形成する工程と、
上記オーバーフローバリア領域と、撮像領域の外側に形成された第２導電型ウエル領域との間に、第２導電型不純物導入領域を形成して、上記２つの領域のコンタクトをなす工程とを有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、センサから基板側に電荷の掃き捨てがなされる縦型オーバーフロードレイン構造を有する固体撮像素子、例えばＨＡＤセンサ構造を有するＣＣＤ固体撮像素子、及びその製造方法に係わる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子は、縦型オーバーフロードレイン構造を有し、第１導電型半導体基板内に形成された第２導電型のオーバーフローバリア領域と、撮像領域の外側に形成された第２導電型ウエル領域との間に、第２導電型不純物導入領域が形成されて、２つの領域のコンタクトがされて成るものである。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、縦型オーバーフロードレイン構造を有する固体撮像素子を製造する方法であって、第１導電型半導体基板内に第２導電型のオーバーフローバリア領域を形成する工程と、オーバーフローバリア領域と、撮像領域の外側に形成された第２導電型ウエル領域との間に、第２導電型不純物導入領域を形成して、２つの領域のコンタクトをなす工程とを有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
この半導体基板に形成された溝に半導体基板の面より突出した状態に埋め込まれた素子分離絶縁膜と、
前記半導体基板に形成された、浮遊ゲート電極を有するトランジスタと
を備えた半導体装置において、
前記溝に埋め込まれた素子分離絶縁膜は、その上端部コーナーが後退処理されかつ、その後退処理部の下端が前記浮遊ゲート電極の側面に終端している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
この半導体基板に形成された溝に半導体基板の面より突出した状態に埋め込まれた素子分離絶縁膜と、
前記半導体基板に形成された、ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲート電極を有するトランジスタと
を備えた半導体装置において、
前記溝に埋め込まれた素子分離絶縁膜は、その上端部コーナーが後退処理されかつ、その後退処理部の下端が前記浮遊ゲート電極の側面に終端している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記トランジスタは、前記浮遊ゲート電極上に層間ゲート絶縁膜を介して制御ゲート電極が積層された不揮発性メモリトランジスタである
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記後退処理部の下端が前記ゲート絶縁膜より上部に位置する
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記浮遊ゲート電極は、第１及び第２のゲート電極材料膜の積層膜により構成されている
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板にゲート絶縁膜を介してゲート電極材料膜及びマスク材料膜を順次堆積する工程と、
前記マスク材料膜、ゲート電極材料膜、ゲート絶縁膜及び半導体基板を異方性エッチングにより順次エッチングして素子分離領域に溝を形成する工程と、
前記マスク材料膜を残したまま前記溝にマスク材料膜の面位置と略同じ面位置をもって素子分離絶縁膜を埋め込む工程と、
前記マスク材料膜をその膜厚方向に少なくとも一部除去した後、前記素子分離絶縁膜の上端部コーナーを等方性エッチングにより後退させる工程と、
前記マスク材料膜を除去した後、前記ゲート電極材料膜をパターニングしてゲート電極を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月30日(2004.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
比表面積が１グラム当たり０．１平方メートル以上であり、水不溶性担体に親水性アミン残基を結合してなる免疫抑制性蛋白質吸着材。
【請求項２】
親水性アミン残基が窒素原子１個当たり炭素数３以上１８以下である第４級アンモニウム基である請求項１記載の免疫抑制性蛋白質吸着材。
【請求項３】
免疫抑制性蛋白質が分子量が２５０００程度の蛋白質に他の分子が結合した形状であるトランスフォーミング・グロウス・ファクター・ベータである請求項１記載の免疫抑制性蛋白質吸着材。
【請求項４】
免疫抑制性蛋白質が免疫抑制酸性蛋白である請求項１記載の免疫抑制性蛋白質吸着材。
【請求項５】
水不溶性担体がポリスルホン系重合体である請求項１記載の免疫抑制性蛋白質吸着材。
【請求項６】
水不溶性重合体がポリ（芳香族ビニル化合物）である請求項１記載の免疫抑制性蛋白質吸着材。
【請求項７】
親水性アミン残基を結合した水不溶性重合体を膜、繊維、粒状物またはこれらの組み立て品に成型した請求項１記載の免疫抑制性蛋白質吸着材。
【請求項８】
親水性アミノ基を結合した水不溶性重合体を、膜、繊維、粒状物のいずれかの表面に被覆せしめた請求項１記載の吸着材。
【請求項９】
請求項１記載の吸着材を充填した体外循環カラム。
【請求項１０】
請求項１記載の吸着材を充填した癌治療用体外循環カラム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
じゅうたん用生地の裏面に黒鉛及び／又はカーボンよりなる遠赤外線放射物質を配合した合成樹脂系あるいは合成ゴム系接着剤層を介してじゅうたん用裏打材を接合したことを特徴とする不透水性じゅうたん。
【請求項２】
上記接着剤層の厚さは０．０５ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の不透水性じゅうたん。
【請求項３】
合成樹脂系あるいは合成ゴム系接着剤中に配合する遠赤外線放射物質の量が、上記接着剤樹脂固形分１００重量部に対して３重量部以上７０重量部以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の不透水性じゅうたん。
【請求項４】
上記遠赤外線放射物質が粒径５〜３００μmの微粒子であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかの項に記載の不透水性じゅうたん。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、上記において、接着剤中には遠赤外線放射物質が配合されているので、このじゅうたんの表面側あるいは裏打材側から加温した場合に、遠赤外線放射物質の遠赤外線効果により、該接着剤層の温度が高まり、この温度上昇がじゅうたんの生地側に伝播するので、例えばじゅうたん上にこぼした水分であってもその乾燥を促進することができるのである。また、接着剤層の損傷などによって水分がじゅうたんの裏面に浸透した場合は、通常はこの水分はじゅうたんの表面側へ戻ることが出来ずに停滞して、床面に染みを作るが、接着剤層が発する遠赤外線効果によって蒸発し、その水蒸気はじゅうたんの表面側へ揮散できるので裏面の水分は程なく消失し、床面に染みを作らない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記した合成樹脂系接着剤あるいは合成ゴム系接着剤に配合する遠赤外線放射物質としては、黒鉛及び／又はカーボンで、粒径５〜３００μmの微粒子が適当である。これらの炭素物質は黒体輻射に近い輻射特性を有し、遠赤外線の放射効率が高い。