【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）反応装置であって、該装置は、
処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記処理室に反応物を導入するように構成されたシャワーヘッド電極である第１電極と、
前記処理室内に設けられ、処理のために少なくとも一つの半導体ワークピースを支持するように構成された第２電極であって、前記第１及び第２電極が平行平板型ＰＥＣＶＤ反応装置のそれぞれの平板を画定し、前記第１及び第２電極のみがパワーが印加される反応器電極を構成するようになっている第２電極と、
前記処理室と連結され、第１周波数の高周波パワーを供給するように前記第１電極に作動的に接続され、第１高周波パワーループを提供する第１高周波パワーソースと、
前記処理室と連結され、前記第１周波数とは異なる第２周波数の高周波パワーを供給するように前記第２電極に作動的に接続され、一部が前記処理室内に設けられたパワー線を介して前記第２電極に接続される第２高周波パワーソースと、
前記処理室内の第１高周波パワーループのための接地路であり、該接地路が前記処理室の内側に配設されたパワー線の少なくとも一部を含み、前記接地路が更に前記第１高周波パワーソースによって発生した周波数のみを通過させるバンドパスフィルタを有し、前記第１高周波パワーループによる前記反応装置の構成要素及び前記パワー線への干渉を除去又は減少させる接地路と、
を具備することを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ強化化学気相堆積反応装置において、供給された高周波パワーの前記第１周波数は供給された高周波パワーの前記第２周波数よりも高いことを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ強化化学気相堆積反応装置において、
前記処理室は開口を有する処理室側壁を含み、
前記第２高周波パワーソースは前記第１高周波パワーソースよりも低い周波数の高周波パワーを供給し、前記第２高周波パワーソースは処理室側壁の開口を通って延びる前記パワー線を経由して前記第２電極に接続される、
ことを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ強化化学気相堆積反応装置において、
前記処理室は少なくとも一部が接地された室内部を含み、
前記第１高周波パワーソースは、前記第２高周波パワーソースによって供給されるパワーの周波数よりも高い周波数の高周波パワーを供給する、
ことを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項５】
請求項１記載のプラズマ強化化学気相堆積反応装置において、該装置は更に、
前記第２電極と作動的に接続され、前記第２電極に関する温度情報を提供するように構成された温度センサーと、
前記温度センサーと結合され、前記反応器の外側の所定点まで延びる温度センサー線と、
を有することを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項６】
請求項１記載のプラズマ強化化学気相堆積反応装置であって、該装置は更に、前記接地路と接続される接地点を前記処理室内に具備すること特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項７】
請求項１記載のプラズマ強化化学気相堆積反応装置であって、該装置は更に、前記接地路と接続される接地点を前記処理室外に具備すること特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項８】
請求項１記載のプラズマ強化化学気相堆積反応装置であって、該装置は更に、前記接地路と接続される接地点を前記処理室外面上に具備すること特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項９】
二重周波数プラズマ強化化学気相堆積反応装置であって、該装置は、
少なくとも内部表面の一部が接地された処理室を画定する反応器内部面と、
少なくとも一部が前記処理室の内部を通過する第１周波数パワーループを発生させるように構成された第１周波数高周波パワーソースと、
前記第１周波数高周波パワーソースと作動的に連結され、それによりパワーが供給されるように構成された前記処理室内の第１電極であって、該第１電極は前記処理室に反応物を導入するように構成された第１電極と、
前記第１周波数高周波パワーソースによって発生した周波数よりも低い周波数の高周波パワーを発生するように構成された第２周波数高周波パワーソースと、
パワー線を介して前記第２周波数パワーソースによりパワーが供給されるように構成された前記処理室の内側にある第２電極と、
前記パワー線の少なくとも一部を含み、前記反応器内部面の接地された部分に導かれ且つ該部分と作動的に接続される、第１周波数パワーループのための接地路であって、前記第１周波数パワーループによる前記パワー線及び前記反応装置の構成要素への干渉を除去又は減少させる接地路と、
を具備することを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項１０】
請求項９記載の二重周波数プラズマ強化化学気相堆積反応装置において、前記接地路は、前記第１高周波パワーソースによって発生する周波数のみを通過させるように構成されたバンドパスフィルタを前記処理室内に有することを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項１１】
請求項９記載の二重周波数プラズマ強化化学気相堆積反応装置であって、該装置は更に、前記第２電極に関する温度情報を提供するように構成された温度センサー装置と、前記温度センサー装置に接続された温度センサー線とを有し、前記第１周波数パワーループによる前記温度センサー装置及び前記温度センサー線への干渉を除去又は減少させるようになっていることを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の二重周波数プラズマ強化化学気相堆積反応装置において、前記温度センサー線は反応器の外側の点まで、開口を通して延び出ていることを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項１３】
請求項９記載の二重周波数プラズマ強化化学気相堆積反応装置であって、該装置は更に、前記接地路と接続される接地点を前記処理室内に具備すること特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項１４】
請求項９記載の二重周波数プラズマ強化化学気相堆積反応装置であって、該装置は更に、前記接地路と接続される接地点を前記処理室外に具備すること特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項１５】
請求項９記載の二重周波数プラズマ強化化学気相堆積反応装置であって、該装置は更に、前記接地路と接続される接地点を前記処理室外面上に具備すること特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項１６】
二重周波数平行平板型プラズマ強化化学気相堆積反応装置であって、該装置は、
反応器室と、
第１周波数の高周波パワーを提供するように構成された第１高周波パワーソースと、
前記反応器室の内側に設けられ、前記処理室内に反応物を導入するように構成されたシャワーヘッド電極である第１電極と、
前記第１高周波パワーソースと前記第１電極とを接続する第１導電線と、
少なくとも一部が前記反応器室を通過する、前記第１高周波パワーソースによって発生される第１高周波パワーループと、
前記第１周波数とは異なる第２周波数の高周波パワーを提供するように構成された第２高周波パワーソースと、
前記反応器室の内側の第２電極と、
前記第２高周波パワーソースと前記第２電極とを接続する第２導電線と、
前記第２導電線から離れて位置し、前記第１高周波パワーループのための接地を提供する接地点であって、前記接地点と前記第１高周波パワーソースとの間の接地路は、前記第１周波数タイプの周波数のみを通過させることにより前記第１高周波パワーループによる前記第２導電線又は前記反応装置の構成要素への干渉を除去又は減少させるように構成された一つだけのバンドパスフィルタを有する接地点と、
を具備することを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の二重周波数平行平板型プラズマ強化化学気相堆積反応装置において、該装置は更に、
前記第２電極と作動的に接続され、前記第２電極に関する温度情報を提供するように構成された温度センサーと、
前記温度センサーと結合され、前記反応器の外側の所定点まで延びる温度センサー線と、
を有することを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項１８】
請求項１６記載の二重周波数平行平板型プラズマ強化化学気相堆積反応装置において、前記第１周波数が前記第２周波数よりも高いことを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項１９】
請求項１６記載の二重周波数平行平板型プラズマ強化化学気相堆積反応装置において、前記接地点は前記反応器室内に設けられることを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項２０】
請求項１６記載の二重周波数平行平板型プラズマ強化化学気相堆積反応装置において、前記接地点は前記反応器室外に設けられることを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項２１】
請求項１６記載の二重周波数平行平板型プラズマ強化化学気相堆積反応装置において、前記接地点は前記反応器外面上に設けられることを特徴とする化学気相堆積反応装置。
【請求項２２】
平行平板型反応器においてプラズマ強化化学気相堆積を行う半導体処理方法であって、該方法は、
第１高周波パワーソースによって発生される第１周波数の高周波パワーを、反応器の内側のシャワーヘッド電極に印加する過程と、
第２高周波パワーソースによって発生される第２周波数の高周波パワーを、反応器の内側の、少なくとも一つの半導体ワークピースを支持するように構成されたサセプタ電極に印加する過程と、
前記第１高周波パワーソースのみの高周波パワーループを、前記反応器内の単一バンドパスフィルタを用いて接地点に接地し、前記第１高周波パワーループによる前記反応器の構成要素への干渉を除去又は減少させる過程と、
からなることを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体処理方法において、前記第１周波数が前記第２周波数よりも高いことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２４】
請求項２２記載の半導体処理方法において、前記第２高周波パワーソースが導電線によってサセプタ電極に接続され、前記接地過程が、前記導電線から離れた位置の接地点において前記反応器の内側で前記パワーループを接地することを含むことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２５】
請求項２２記載の半導体処理方法において、
前記反応器は接地された内部側壁部分を含み、前記接地過程は、前記接地された内部側壁部分と接続する、前記高周波パワーループのための接地路を提供することを含み、
前記接地路が前記第１周波数タイプの周波数のみを通過させるように構成されたバンドパスフィルタを含む、
ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２６】
請求項２２記載の半導体処理方法において、該方法は更に、
反応器側壁の開口を通って延びる熱電対線を経由して熱電対を前記サセプタ電極と作動的に接続する過程と、
前記反応器の側壁の開口を通って延びる導電線によって、前記第２高周波パワーソースを前記サセプタ電極に接続する過程と、
前記接地過程が、前記開口から離れた位置の接地点において反応器の内側のパワーループを接地する過程と、
からなることを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２７】
請求項２２記載の半導体処理方法において、前記接地点は前記反応器内に設けられることを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２８】
請求項２２記載の半導体処理方法において、前記接地点は前記反応器外に設けられることを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２９】
請求項２２記載の半導体処理方法において、前記接地点は前記反応器外面上に設けられることを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３０】
プラズマ強化化学気相堆積を行う半導体処理方法であって、該方法は、
少なくとも一つの半導体ワークピースを平行平板型プラズマ強化化学気相堆積反応器の内部でサセプタ電極によって支持する過程と、
シャワー電極を通して反応器に反応物を導入する過程と、
前記反応物を、少なくとも二つの異なる高周波パワー周波数に、半導体ワークピースの上に反応生成物を堆積するのに充分な程度に晒す過程とからなり、該反応物を晒す過程が、
前記高周波パワー周波数のうち一方のみの高周波パワーループを接地点に接地する過程であって、該過程は、接地されるパワーループの周波数のみを通過させることにより前記高周波パワーループによる前記反応器の構成要素への干渉を除去又は減少させるように構成された単一のバンドパスフィルタを含む接地路を提供する過程と、
を含むことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３１】
請求項３０記載の半導体処理方法において、前記接地過程が、前記二つの周波数の内の高い周波数の高周波パワーループを接地することであることを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３２】
請求項３０記載の半導体処理方法において、
前記二つの異なる高周波パワー周波数は二つの異なる高周波パワーソースによって発生され、第１の高周波パワーソースは第２の高周波パワーソースによって発生される高周波パワーよりも高い周波数の高周波パワーを発生し、前記第１高周波パワーソースは前記シャワーヘッドに結合され、また前記第１の高周波パワーソースは前記サセプタ電極に接続され、
接地される高周波パワーループは、二つの周波数の内の高い方の周波数であり、
前記接地過程は、二つの周波数のうちの高い方の周波数の高周波パワーループを接地する、
ことであることを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３３】
請求項３０記載の半導体処理方法において、前記方法は更に、熱電対を前記サセプタ電極に作動的に結合する過程を有することを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３４】
請求項３０記載の半導体処理方法において、前記接地点は前記反応器内に設けられることを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３５】
請求項３０記載の半導体処理方法において、前記接地点は前記反応器外に設けられることを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３６】
請求項３０記載の半導体処理方法において、前記接地点は前記反応器外面上に設けられることを特徴とする半導体処理方法。