【手続補正書】
【提出日】平成16年7月21日(2004.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電磁スペクトルの赤から紫外線の部分で発光することができる発光デバイス用の半導体構造（１０）において、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜ｌ、及び（ｘ＋ｙ）≦１であるＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第１のクラッディング層（１１）と、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜ｌ、及び（ｘ＋ｙ）≦１であるＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなる第２のクラッディング層（１２）と、
０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦ｌ、及び０≦（ｘ＋ｙ）≦１であるＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなるアクティブ層（１３）であって、第１のクラッディング層（１１）と第２のクラッディング層（１２）との間に配置されているアクティブ層（１３）と
を含み、
アクティブ層（１３）は、第１のクラッディング層（１１）と接する第１の表面（１４）、及び、第２のクラッディング層（１２）と接する第２の表面（１５）を備え、
第１及び第２のクラッディング層（１１、１２）がそれぞれ、アクティブ層（１３）のバンドギャップより大きいバンドギャップを有し、
第１のクラッディング層（１１）、第２のクラッディング層、及びアクティブ層（１３）の少なくとも１つが、ガリウムを含んでおらず、
第１及び第２のクラッディング層（１１及び１２）の少なくとも一方が連続的に勾配化されている
ことを特徴とする半導体構造。
【請求項２】  請求項１記載の半導体構造（１０）において、第１のクラッディング層（ｌｌ）は、基本的に、０＜ｘ≦１であるＡｌｘＩｎ１−ｘＮからなり、かつガリウムを含まないことを特徴とする半導体構造。
【請求項３】  請求項１記載の半導体構造（１０）において、第２のクラッディング層（ｌ２）は、基本的に、０＜ｘ≦１であるＡｌｘＩｎ１−ｘＮからなり、かつガリウムを含まないことを特徴とする半導体構造。
【請求項４】  請求項１記載の半導体構造（１０）において、
第１のクラッディング層（ｌｌ）及び第２のクラッディング層（ｌ２）は、反対の導電型を有し、
アクティブ層（１３）が、基本的に、０≦ｘ＜１であるＡｌｘＩｎ１−ｘＮからなり、かつガリウムを含まないことを特徴とする半導体構造。
【請求項５】  請求項１記載の半導体構造（１０）において、第１及び第２のクラッディング層（１１及び１２）の両方が連続的に勾配化されていることを特徴とする半導体構造。
【請求項６】  請求項１〜５いずれかに記載の半導体構造（１０）において、第１のクラッディング層（１１）がガリウムを含まないことを特徴とする半導体構造。
【請求項７】  請求項１〜５いずれかに記載の半導体構造（１０）において、第２のクラッディング層（１２）がガリウムを含まないことを特徴とする半導体構造。
【請求項８】  請求項１〜５いずれかに記載の半導体構造（１０）において、アクティブ層（１３）がガリウムを含まないことを特徴とする半導体構造。
【請求項９】  請求項１〜５いずれかに記載の半導体構造（１０）において、アクティブ層（１３）がドープされていることを特徴とする半導体構造。
【請求項１０】  請求項１〜５いずれかに記載の半導体構造（１０）において、アクティブ層（１３）がドープされていないことを特徴とする半導体構造。
【請求項１１】  請求項１〜５いずれかに記載の半導体構造（１０）において、第１のクラッディング層（１１）及び第２のクラッディング層（１２）が、反対の導電型を有することを特徴とする半導体構造。
【請求項１２】  請求項１〜５いずれかに記載の半導体構造（１０）において、
該構造はさらに、炭化ケイ素基板（１７）を含み、
第１のクラッディング層（１１）が、炭化ケイ素基板（１７）とアクティブ層（１３）との間に配置され、
炭化ケイ素基板（１７）及び第１のクラッディング層（ｌｌ）が同じ導電型を有する
ことを特徴とする半導体構造。
【請求項１３】  請求項１２記載の半導体構造（１０）において、炭化ケイ素基板（１７）は、アクティブ層（１３）の反対側で第１のクラッディング層（１１）に接していることを特徴とする半導体構造。
【請求項１４】  請求項１３記載の半導体構造（１０）において、
第１のクラッディング層（１１）は第１の表面（２１）及び第２の表面（２２）を持ち、第１のクラッディング層（１１）の第１の表面（２１）が炭化ケイ素基板（１７）に接し、第１のクラッディング層（１１）の第２の表面（２２）がアクティブ層（１３）に接し、
第１のクラッディング層（１１）の組成は、第１のクラッディング層（１１）の第１の表面（２１）の結晶ラチスが、炭化ケイ素（１７）の結晶ラチスにより良く一致し、かつ第１のクラッディング層（１１）の第２の表面（２２）の結晶ラチスが、アクティブ層（１３）の結晶ラチスとより良く一致するように、徐々に変化させられている
ことを特徴とする半導体構造。
【請求項１５】  請求項１２記載の半導体構造（１０）において、炭化ケイ素（１７）が単結晶であることを特徴とする半導体構造。
【請求項１６】  請求項１２記載の半導体構造（１０）において、炭化ケイ素（１７）が、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、及び１５Ｒから成るグループから選択されるポリタイプであることを特徴とする半導体構造。
【請求項１７】  請求項１２記載の半導体構造（１０）において、炭化ケイ素（１７）が、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、及び１５Ｒから成るグループから選択されるポリタイプの単結晶炭化ケイ素基板（１７）であることを特徴とする半導体構造。
【請求項１８】  請求項１２記載の半導体構造（１０）において、該構造はさらに、窒化ガリウム及びインジウム窒化ガリウムから成るグループから選択される離散結晶部（２８）を含み、離散結晶部（２８）が、第１のクラッディング層（１１）と炭化ケイ素基板（１７）との間に配置され、離散結晶部（２８）が、第１のクラッディング層（１１）と炭化ケイ素基板（１７）との間の障壁を減少させるのに十分な量であるが、炭化ケイ素基板（１７）上に形成される発光デバイスの機能に不利益な影響を及ぼす量より少ない量で存在することを特徴とする半導体構造。
【請求項１９】  請求項１２記載の半導体構造（１０）において、該構造はさらに、
第１のオーミック接点（２５）であって、該第１のオーミック接点（２５）と第１のクラッディング層（１１）との間に炭化ケイ素基板（１７）が配置される、第１のオーミック接点（２５）と、
第２のオーミック接点（２６）であって、該第２のオーミック接点（２６）とアクティブ層（１３）との間に第２のクラッディング層（１２）が配置される、第２のオーミック接点（２６）と
を含むことを特徴とする半導体構造。
【請求項２０】  請求項１９記載の半導体構造（１０）において、第１及び第２のオーミック接点（２５、２６）は、アルミニウム、ニッケル、チタン、金、白金、及びバナジウムから成るグループから選択される少なくとも１つの金属、並びに、層、合金、及びそれの混合を含むことを特徴とする半導体構造。
【請求項２１】  請求項１９記載の半導体構造（１０）において、該構造はさらに、
ＩＩＩ族窒化物コンタクト層（２７）であって、該コンタクト層（２７）が第２のオーミック接点（２６）と第２のクラッディング層（１２）との間に配置され、コンタクト層（２７）及び第２のクラッディング層（１２）が同じ導電型を有する、ＩＩＩ族窒化物コンタクト層（２７）と、
を含むことを特徴とする半導体構造。
【請求項２２】  請求項２１記載の半導体構造（１０）において、コンタクト層（２７）は、窒化ガリウム、窒化インジウム、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＩｎ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＧａ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＩｎｘＧａ１−ｘＮ、並びに、０＜ｘ＜１及び０＜ｙ＜ｌ及び（ｘ＋ｙ）＜１であるＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮから成るグループから選択されるＩＩＩ族窒化物で形成されるｐ型のコンタクト層（２７）であることを特徴とする半導体構造。
【請求項２３】  請求項２１記載の半導体構造（１０）において、コンタクト層（２７）は、窒化ガリウム、窒化インジウム、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＩｎ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＧａ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＩｎｘＧａ１−ｘＮ、並びに、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜ｌ、及び（ｘ＋ｙ）＜１であるＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮから成るグループから選択される複数のＩＩＩ族窒化物層から形成されるｐ型の超ラチスであることを特徴とする半導体構造。
【請求項２４】  請求項２３記載の半導体構造（１０）において、超ラチスが、窒化ガリウム、窒化インジウム、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＩｎ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＧａ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＩｎｘＧａ１−ｘＮ、並びに、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜ｌ、及び（ｘ＋ｙ）＜１であるＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮから成るグループから選択される２つのＩＩＩ族窒化物層を交互に積層した層から形成されることを特徴とする半導体構造。
【請求項２５】  請求項２４記載の半導体構造（１０）において、超ラチスが、窒化ガリウムと０＜ｘ＜１であるＩｎｘＧａ１−ｘＮとの２つの層を複数交互に積層した層、あるいは、窒化ガリウムと０＜ｘ＜１であるＡｌｘＧａ１−ｘＮとの層を複数交互に積層した層のいずれかで形成されることを特徴とする半導体構造。
【請求項２６】  請求項１〜５いずれかに記載の半導体構造（１０）において、該構造はさらに、ＩＩＩ族窒化物コンタクト層（２７）を有し、該コンタクト層（２７）がアクティブ層（１３）の反対側で第２のクラッディング層（１２）と接し、かつ該コンタクト層（２７）及び第２のクラッディング層（１２）が同じ導電型を有することを特徴とする半導体構造。
【請求項２７】  請求項１〜５いずれかに記載の半導体構造（１０）において、該構造はさらに、
炭化ケイ素基板（１７）であって、該炭化ケイ素基板（１７）及び第１のクラッディング層（１１）が同じ導電型を有する、炭化ケイ素基板（１７）と、
導電性の緩衝層（２３）と
を含み、
第１のクラッディング層（ｌｌ）が、炭化ケイ素基板（１７）とアクティブ層（１３）との間に配置され、
導電性の緩衝層（２３）が、炭化ケイ素基板（１７）と第１のクラッディング層（ｌｌ）との間に配置される
ことを特徴とする半導体構造。
【請求項２８】  請求項２７記載の半導体構造（１０）において、導電性の緩衝層（２３）は、基本的に、０≦ｘ≦１である化学式ＡｌｘＧａ１−ｘＮで表されるアルミニウム窒化ガリウム、及び、０≦ｘ≦１である化学式ＡｌｘＩｎ１−ｘＮで表されるアルミニウム窒化インジウムから成るグループから選択されるＩＩＩ族窒化物であることを特徴とする半導体構造。
【請求項２９】  請求項２７記載の半導体構造（１０）において、該構造はさらに、導電性の緩衝層（２３）と第１のクラッディング層（１１）との間に配置され、第１のクラッディング層（１１）と同じ導電型を有するＩＩＩ族窒化物遷移層（２４）を含むことを特徴とする半導体構造。
【請求項３０】  請求項２７記載の半導体構造（１０）において、該構造はさらに、
第１のオーミック接点（２５）であって、該第１のオーミック接点（２５）と導電性の緩衝層（２３）との間に炭化ケイ素基板（１７）が配置される、第１のオーミック接点（２５）と、
第２のオーミック接点（２６）であって、該第２のオーミック接点（２６）とアクティブ層（１３）との間に第２のクラッディング層（１２）が配置される、第２のオーミック接点（２６）と
を含むことを特徴とする半導体構造。
【請求項３１】  請求項２７記載の半導体構造（１０）において、該構造はさらに、
第２のクラッディング層（１２）と同じ導電型を有するＩＩＩ族窒化物コンタクト層（２７）と、
第１のオーミック接点（２５）であって、該第１のオーミック接点（２５）と導電性の緩衝層（２３）との間に炭化ケイ素基板（１７）が配置される、第１のオーミック接点（２５）と、
第２のオーミック接点（２６）であって、該第２のオーミック接点（２６）と第２のクラッディング層（１２）との間にコンタクト層（２７）が配置される、第２のオーミック接点（２６）と
を含むことを特徴とする半導体構造。
【請求項３２】  請求項３１記載の半導体構造（１０）において、コンタクト層（２７）は、窒化ガリウム、窒化インジウム、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＩｎ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＧａ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＩｎｘＧａ１−ｘＮ、並びに、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜ｌ、及び（ｘ＋ｙ）＜１であるＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮから成るグループから選択される複数のＩＩＩ族窒化物層から形成されるｐ型の超ラチスであることを特徴とする半導体構造。
【請求項３３】  請求項３２記載の半導体構造（１０）において、超ラチスは、窒化ガリウム、窒化インジウム、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＩｎ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＧａ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＩｎｘＧａ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＩｎｘＧａ１−ｘＮ、並びに、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜ｌ、及び（ｘ＋ｙ）＜１であるＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮから成るグループから選択される２つのＩＩＩ族窒化物層の交互の積層で構成されていることを特徴とする半導体構造。
【請求項３４】  請求項１〜５いずれかに記載の半導体構造（１０）において、該構造はさらに、
アクティブ層の反対側で第１のクラッディング層（１１）に接し、かつ第１のクラッディング層（１１）と同じ導電型を持つ、ＩＩＩ族窒化物遷移層（２４）と、
第１のクラッディング層（１１）と反対側で遷移層（２４）に接する導電性の緩衝層（２３）であって、０≦ｘ≦１である化学式ＡｌｘＧａ１−ｘＮで表されるアルミニウム窒化ガリウム、及び０≦ｘ≦１である化学式ＡｌｘＩｎ１−ｘＮで表されるアルミニウム窒化インジウムから成るグループから選択されるＩＩＩ族窒化物である導電性の緩衝層（２３）と、
遷移層（２４）の反対側で導電性の緩衝層（２３）に接する単結晶の炭化ケイ素基板（１７）であって、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、及び１５Ｒから成るグループから選択されるポリタイプを有し、かつ第１のクラッディング層（１１）と同じ導電型を有する炭化ケイ素基板（１７）と、
導線性の緩衝層（２３）の反対側で炭化ケイ素基板（１７）に接し、アルミニウム、ニッケル、チタン、金、白金、及びバナジウムから成るグループから選択される少なくとも１つの金属、並びに、層、合金、及びそれの混合をからなる第１のオーミック接点（２５）と、
アクティブ層（１３）の反対側で第２のクラッディング層（１２）上に延在するＩＩＩ族窒化物コンタクト層（２７）であって、窒化ガリウム、窒化インジウム、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＩｎ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＡｌｘＧａ１−ｘＮ、０＜ｘ＜１であるＩｎｘＧａ１−ｘＮ、並びに、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜ｌ、及び（ｘ＋ｙ）＜１であるＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、から成るグループから選択される複数のＩＩＩ族窒化物層から形成されるｐ型の超ラチスであるＩＩＩ族窒化物コンタクト層（２７）と、
第２のクラッディング層（１２）の反対側でＩＩＩ族窒化物コンタクト層（２７）に接する第２のオーミック接点（２６）であって、アルミニウム、ニッケル、チタン、金、白金、及びバナジウムから成るグループから選択される少なくとも１つの金属、並びに、層、合金、及びそれの混合からなる第２のオーミック接点（２６）と
を含み、
第１のクラッディング層（１１）及び第２のクラッディング層（１２）が、反対の導電型を有する
ことを特徴とする半導体構造。