【手続補正書】
【提出日】平成16年7月30日(2004.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電力スイッチングデバイスと複数の駆動デバイスが取り付けられたリードフレームを備え、
前記駆動デバイスが、第１の複数のワイヤボンドを介して複数の出力リードに電力を供給するために、前記電力スイッチングデバイスを制御し、
前記第１のワイヤボンドが、前記電力スイッチングデバイスと前記出力リードとの間で互いに実質的に平行であることを特徴とする電力モジュール。
【請求項２】
前記電力スイッチングデバイスが、電力半導体デバイスと、該電力半導体デバイスと関連付けられたダイオードとを備え、
該ダイオードと前記電力スイッチングデバイスが、互いに実質的に平行な第２の複数のワイヤボンドによって相互に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電力モジュール。
【請求項３】
前記ダイオードが、前記第１のワイヤボンドによって前記出力リードに接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電力モジュール。
【請求項４】
前記電力スイッチングデバイスが、電力半導体デバイスと、前記電力半導体デバイスと関連付けられたダイオードとを備え、
該ダイオードが、前記第１のワイヤボンドによって前記出力リードに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電力モジュール。
【請求項５】
前記電力スイッチングデバイスが、前記リードフレーム上に取り付けられたベア半導体ダイを備え、
前記リードフレームと前記電力スイッチングデバイスが、成形パッケージ内に封入されていることを特徴とする請求項１に記載の電力モジュール。
【請求項６】
前記各電力スイッチングデバイスが、電力半導体デバイスと、該電力半導体デバイスと関連付けられたダイオードとを備え、前記電力半導体デバイスと前記ダイオードが、前記リードフレーム上に取り付けられたベア半導体ダイを備えていることを特徴とする請求項５に記載の電力モジュール。
【請求項７】
複数の電力スイッチングデバイスと複数の駆動デバイスが取り付けられたリードフレームを備え、
前記電力スイッチングデバイスが、前記リードフレーム上に取り付けられたベア半導体ダイを備え、
前記リードフレームと前記電力スイッチングデバイスが、成形パッケージ内に封入されていることを特徴とする電力モジュール。
【請求項８】
前記電力スイッチングデバイスが、電力半導体デバイスと、該電力半導体デバイスと関連付けられたダイオードとを備え、前記電力半導体デバイスと前記ダイオードが、前記リードフレーム上に取り付けられたベア半導体ダイを備えていることを特徴とする請求項７に記載の電力モジュール。
【請求項９】
複数の電力スイッチングデバイスと複数の駆動デバイスをリードフレーム上に取り付けるステップと、
前記駆動デバイスを前記電力スイッチングデバイスに接続するステップと、
第１の複数のワイヤボンドを介して、前記電力スイッチングデバイスを複数の出力リードに接続するステップとを有し、
前記第１の複数のワイヤボンドが、前記電力スイッチングデバイスと前記出力リードとの間で互いに実質的に平行であることを特徴とする電力モジュールの組立て方法。
【請求項１０】
前記電力スイッチングデバイスが、電力半導体デバイスと、該電力半導体デバイスと関連付けられたダイオードとを備え、
該ダイオードおよび前記電力スイッチングデバイスが、互いに実質的に平行な第２の複数のワイヤボンドによって相互に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項１１】
前記ダイオードが、前記第１のワイヤボンドによって前記出力リードに接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項１２】
前記電力スイッチングデバイスが、電力半導体デバイスと、該電力半導体デバイスと関連付けられたダイオードとを備え、
該ダイオードが、前記第１のワイヤボンドによって前記出力リードに接続されていることを特徴とする請求項９に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項１３】
前記電力スイッチングデバイスが、前記リードフレーム上に取り付けられたベア半導体ダイを備え、
前記リードフレームと前記電力スイッチングデバイスを封入する成形パッケージを形成する成形ステップを有していることを特徴とする請求項９に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項１４】
前記成形ステップが、前記成形パッケージをトランスファ成形または射出成形するステップを有していることを特徴とする請求項１３に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項１５】
前記電力スイッチングデバイスが、電力半導体デバイスと、該電力半導体デバイスと関連付けられたダイオードとを備え、前記電力半導体デバイスと前記ダイオードが、前記リードフレーム上に取り付けられたベア半導体ダイを備えていることを特徴とする請求項１３に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項１６】
複数の電力スイッチングデバイスと複数の駆動デバイスをリードフレーム上に取り付けるステップと、
前記電力スイッチングデバイスがベア半導体ダイを備えており、
前記リードフレームと前記電力スイッチングデバイスを封入する成形パッケージを形成する成形ステップとを有していることを特徴とする電力モジュールの組立て方法。
【請求項１７】
前記電力スイッチングデバイスが、電力半導体デバイスと、該電力半導体デバイスと関連付けられたダイオードとを備え、前記電力半導体デバイスと前記ダイオードが、前記リードフレーム上に取り付けられたベア半導体ダイを備えていることを特徴とする請求項１６に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項１８】
前記成形ステップが、前記成形パッケージをトランスファ成形または射出成形するステップを有していることを特徴とする請求項１７に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項１９】
前記形成ステップが、前記パッケージをトランスファ成形または射出成形するステップを有していることを特徴とする請求項１６に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項２０】
第１のリードフレーム部分上に取り付けられた複数の電力スイッチングデバイスと基板上に取り付けられた複数の駆動デバイスとを備え、
前記第１のリードフレーム部分と前記駆動デバイスと前記基板と前記電力スイッチングデバイスは、成形パッケージ内に封入され、
前記第１のリードフレーム部分は、前記基板よりも前記成形パッケージの外部表面に近い位置に配置されていることを特徴とする電力モジュール。
【請求項２１】
前記第１のリードフレーム部分が、前記外部表面から約０．５ｍｍの位置に配置されていることを特徴とする請求項２０に記載の電力モジュール。
【請求項２２】
前記基板が第２のリードフレーム部分からなることを特徴とする請求項２０に記載の電力モジュール。
【請求項２３】
前記基板が回路基板からなることを特徴とする請求項２０に記載の電力モジュール。
【請求項２４】
第１のリードフレーム部分上に複数の電力スイッチングデバイスを取り付け、基板上に複数の駆動デバイスを取り付けるステップと、
前記第１のリードフレーム部分と前記駆動デバイスと前記基板と前記電力スイッチングデバイスを、前記第１のリードフレーム部分が、前記基板よりも前記成形パッケージの外部表面に近い位置に配置されるように封止する成形パッケージを形成するステップと
を有することを特徴とする電力モジュールの組立て方法。
【請求項２５】
前記第１のリードフレーム部分が、前記外部表面から約０．５ｍｍの位置に配置されることを特徴とする請求項２４に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項２６】
前記基板が第２のリードフレーム部分からなることを特徴とする請求項２４に記載の電力モジュールの組立て方法。
【請求項２７】
前記基板が回路基板からなることを特徴とする請求項２４に記載の電力モジュールの組立て方法。