Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信システム及び無線通信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルデータの送受信時に制御信号によって前記デジタルデータの送受信のタイミングを制御する無線通信システムにおいて、前記デジタルデータの受信側から送信された制御信号の信号電力レベルを計測する計測手段と、前記計測された信号電力レベルを基に、送信するデジタルデータの信号電力レベルを段階的に調節する調節手段とを備える無線通信システム。
【請求項２】
前記デジタルデータの送信側は、前記計測された信号電力レベルを基に、前記デジタルデータの受信側が前記デジタルデータを正しく受信できる送信信号電力レベルの最低値を算出する算出手段と、前記送信信号電力レベルで前記デジタルデータを送信する送信手段とを備える請求項１記載の無線通信システム。
【請求項３】
前記デジタルデータの送信時の伝送速度を決定し記憶する伝送速度決定手段と、前記送信信号電力レベルを段階的に変更する変更手段とを備える請求項１又は２記載の無線通信システム。
【請求項４】
デジタルデータの送受信時に制御信号によって前記デジタルデータの送受信のタイミングを制御する無線通信方法において、前記デジタルデータの受信側から送信された制御信号の信号電力レベルを計測する計測ステップと、前記計測された信号電力レベルを基に送信するデジタルデータの信号電力レベルを段階的に調節する調節ステップとを備える無線通信方法。
【請求項５】
前記デジタルデータの送信側は、前記計測された信号電力レベルを基に、前記デジタルデータの受信側が前記デジタルデータを正しく受信できる送信信号電力レベルの最低値を算出する算出ステップと、前記送信信号電力レベルで前記デジタルデータを送信する送信ステップとを備える請求項４記載の無線通信方法。
【請求項６】
前記デジタルデータの送信時の伝送速度を決定し記憶する伝送速度決定ステップと、前記送信信号電力レベルを段階的に変更する変更ステップとを備える請求項４又は５記載の無線通信方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デジタルデータ通信を行うことが可能な、無線通信システム及び無線通信方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
特に、１つ以上の伝送速度で通信を行う機能を有する無線通信装置で構成される無線通信システム及び無線通信方法におけるセキュリティに関するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
無線LANにおいてセキュリティを強化することは大きな課題である。
本発明の目的は、デジタルデータ通信を行うことが可能な無線通信システム及び無線通信方法において、通信時に盗聴される可能性を下げることにより、セキュリティを強化することができる無線通信システム及び無線通信方法を提供することにある。
マスタステーションはデジタルデータ送信時に送信電力レベルを動的に調節することでスレーブステーションがデジタルデータを受信できる範囲を限定する。
データパケットを受信できる範囲を限定することで、盗聴される可能性を下げ、セキュリティを高める。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の無線通信システムは、デジタルデータの送受信時に制御信号によって前記デジタルデータの送受信のタイミングを制御する無線通信システムにおいて、前記デジタルデータの受信側から送信された制御信号の信号電力レベルを計測する計測手段と、前記計測された信号電力レベルを基に、送信するデジタルデータの信号電力レベルを段階的に調節する調節手段とを備える。
上記目的を達成するために、請求項４記載の無線通信方法は、デジタルデータの送受信時に制御信号によって前記デジタルデータの送受信のタイミングを制御する無線通信方法において、前記デジタルデータの受信側から送信された制御信号の信号電力レベルを計測する計測ステップと、前記計測された信号電力レベルを基に送信するデジタルデータの信号電力レベルを段階的に調節する調節ステップとを備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
B303はデータパケット送信電力レベル算出部であり、マスタステーション2.aは、上記B302の計測値を基に、スレーブステーション2.bがマスタステーション2.aから送出されたデジタルデータを受信可能な信号電力レベルのうち最低の信号電力レベルでデジタルデータを受信するように、データパケット送信信号電力レベルを算出する。そして、マスタステーション2.aは、算出したデータパケット送信信号電力レベルでデータパケットを送信する(請求項２)。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
【発明の効果】
本発明は、デジタルデータ通信を行うことが可能な、無線通信システム及び無線通信方法において送信するデータパケットの電力レベルを動的に調整することにより、スレーブステーションがデジタルデータを受信できる範囲を限定し、盗聴される可能性を下げ、無線通信システム及び無線通信方法のセキュリティを高めることが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
受信電界強度測定装置で測定された結果は、従来と同様、携帯電話の内部または外部で使用される。例えば、制御チャネルについてのＲＳＣＰの測定結果は受信電界強度を示すバー表示に利用したり、セルの境界付近での基地局の切替をソフト的に行うソフトハンドオーバーなどに利用できる。あるいは、データチャネルについてのＲＳＣＰの測定結果により当該データチャネルのＳ／Ｎ比を求めることができる。また、ＲＳＣＰの測定結果を基地局側に通知し、送信電力制御に利用することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月21日(2005.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
例えば、書き込み選択制御回路３１において、書き込みイネーブル制御信号Ｅｗxが選択され、ラインメモリ３Ｍxがイネーブル状態である場合を考える。その状態で、書き込み選択制御回路３１に新たな書き込み領域選択信号Ｒｗが入力した場合、書き込み選択制御回路３１は、次の書き込みイネーブル制御信号Ｅｗx+1を選択して、ラインメモリ３Ｍx+1に出力することによって、イネーブル状態であったラインメモリ３ｍxをディセーブル（ｄｉｓａｂｌｅ）状態にし、出力先のラインメモリ３Ｍx+1を新たにイネーブル状態にする。なお、書き込み選択制御回路３１は、書き込みイネーブル制御信号Ｅｗmが選択された後、書き込みイネーブル制御信号Ｅｗ1を選択することによって、連続した書き込み動作を継続して行う。また、書き込み領域選択信号Ｒｗとして上記リセット信号が入力した場合、書き込み選択制御回路３１は、いずれの書き込みイネーブル制御信号Ｅｗ1〜Ｅｗmを選択していても、必ず書き込みイネーブル制御信号Ｅｗ1を選択する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石を備えた回転子と、コイルをラジアルギャップ内に備えた固定子とから成り、かつ前記コイルを前記固定子の１つのティースに巻きつけた薄型ダイレクトドライブモータにおいて、前記固定子を構成するコアはオープニング形状の一体製造コアであり、かつ該オープニング距離はスロットピッチ幅からティース幅を差し引いた距離を有することにより真円度を限りなく０に近づけることが可能となることを特徴とする薄型ダイレクトドライブモータ。
【請求項２】
前記固定子ティース内に空隙を設けたことを特徴とする請求項１記載の薄型ダイレクトドライブモータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決するため、本願の請求項１記載の薄型ダイレクトドライブモータの発明は、磁石を備えた回転子と、コイルをラジアルギャップ内に備えた固定子とから成り、かつ前記コイルを前記固定子の１つのティースに巻きつけた薄型ダイレクトドライブモータにおいて、前記固定子を構成するコアがオープニング形状の一体製造コアであり、かつ該オープニング距離はスロットピッチ幅からティース幅を差し引いた距離を有することにより真円度を限りなく０に近づけることが可能となることを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の薄型ダイレクトドライブモータにおいて、前記固定子ティース内に空隙を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気供給コンプレッサと水素供給手段により反応ガスを供給されて発電を行う燃料電池と、
燃料電池の発電電流で駆動される走行モータと、
燃料電池の発電電流で充電される蓄電手段とを備える燃料電池車両に適用され、
該車両の状態が所定のアイドル状態と判断された時に、コンプレッサを停止して燃料電池の発電を停止するアイドル停止手段を備えた燃料電池車両のアイドル制御装置において、
アイドル停止中に蓄電手段の残容量が所定値以下に低下した時には、蓄電手段の電力によりコンプレッサを駆動して燃料電池を再起動するアイドル復帰手段と、
アイドル復帰手段により再起動した燃料電池を通常時の運転領域よりも発電効率の良い運転領域で発電させて、蓄電手段を充電させるアイドル充電手段と、
を備えたことを特徴とする燃料電池車両のアイドル制御装置。
【請求項２】
前記発電効率の良い運転領域とは、低負荷領域であることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池車両のアイドル制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明によれば、前記アイドル停止手段によりアイドル状態と判断された時に前記燃料電池の発電を停止する（例えば、実施の形態におけるアイドル停止モードＭ０２）ことで燃費を向上させることができる。このアイドル状態においては、車両の電気負荷（例えば、実施の形態における駆動用モータ５、補機１０）への電力供給は蓄電手段により行う。そして、前記蓄電手段の残容量が所定値以下に低下した時には、前記アイドル復帰手段を用いて、前記蓄電手段の電力により燃料電池駆動用補機（例えば、実施の形態におけるエアコンプレッサ８）を駆動する（例えば、実施の形態におけるアイドルチャージモードＭ０３）ことにより、スムースに燃料電池を再起動させることができる。また、前記アイドル充電手段により、前記電気負荷の状態に関わらず前記燃料電池を通常時の運転領域よりも発電効率の良い運転領域で発電させるため、燃費をさらに向上させることが可能となる。
請求項２に記載した発明は、前記発電効率の良い運転領域とは、低負荷領域であることを特徴とする燃料電池車両のアイドル制御装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、駆動回路及び保護回路の電源ラインは、２経路ある。電源バイパスコンデンサ１４Ａ，１４Ｂを介してグランドラインＧと接続されている電源ラインＡ（第１の高電位配線）と，電源バイパスコンデンサ１５Ａ，１５Ｂを介してグランドラインＧと接続されている電源ラインＢ（第２の高電位配線）とがある。電源ラインＢには、エミッタフォロワ回路７Ａ，７Ｂ，８Ａ，８Ｂが、電源ラインＡには、入力バッファ６Ａ，６Ｂ，９Ａ，９Ｂが接続されている。更に、本実施の形態では、電源１３と駆動回路との間の電源ラインＡに抵抗１６Ａ，１６Ｂが設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ここで、スイッチング素子は、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタであると記載したが、本発明はこれに限られずこれと同様の機能を果たす、サイリスタやＭＯＳ  ＦＥＴなどであっても良い。また、本発明の駆動回路及び保護回路は上記の記載に限られず、これと同様の機能を果たす回路であっても良い。例えば、エミッタフォロワ回路の代わりにＭＯＳ  ＦＥＴのソースフォロワ回路、バイポーラ回路のエミッタ接地などを利用する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本実施の形態では、電源１３と駆動回路との間の駆動回路及び保護回路のグランドラインＧ（第１の低電位配線）に抵抗１８Ａ，１８Ｂが設けられている。なお、実施の形態１と同様、電源１３と駆動回路との間の電源ラインＡ（第１の高電位配線）にも抵抗１６Ａ，１６Ｂが設けられている。図２では、ローサイドスイッチング素子１Ａ，１Ｂのエミッタ端子同士が接続され、更に電源１３の一方が接続されている経路Ｃ（第２の低電位配線）が新たに設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ここで、駆動回路及び保護回路のグランドラインＧにも自己インダクタンスが存在する（図示せず）。そのため、このグランドラインＧにサージ電流が流れると、この自己インダクタンスにより電圧降下が生じる。この電圧降下によるグランドラインＧの電位の変動によって、抵抗１２Ａ，１２Ｂの電圧降下が０．５Ｖを超えると、保護回路は誤動作し、ローサイドスイッチング素子１Ａ，１Ｂを停止してしまう。本実施の形態で示したように抵抗１８Ａ，１８ＢをグランドラインＧに設けることにより、上記のような保護回路の誤動作も防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
オン側ゲート抵抗１１Ａ，１１Ｂにサージ電圧の発生によるサージ電流が流れる。そのため、オン側ゲート抵抗１１Ａ，１１Ｂには電圧降下が生じる。この、オン側ゲート抵抗１１Ａ，１１Ｂの電圧降下が、電源バイパスコンデンサ１５Ａ，１５Ｂ，１４Ａ，１４Ｂの充電電圧と逆向きのとき、エミッタフォロワ回路７Ａ，７Ｂ，８Ａ，８Ｂのコレクタ電圧が入力バッファ６Ａ，６Ｂの出力電圧よりも低くなる場合がある。このとき、エミッタフォロワ回路７Ａ，７Ｂ，８Ａ，８Ｂのベース端子には過大な電流が流れ、エミッタフォロワ回路７Ａ，７Ｂ，８Ａ，８Ｂを破壊する可能性がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の画素をマトリクス状に形成した画素領域と、前記画素領域の外側で前記画素に駆動信号を供給するアクティブ回路を形成した駆動回路領域とを有するアクティブ・マトリクス基板を備えた画像表示装置の製造方法であって、
前記アクティブ・マトリクス基板の前記画素領域および前記駆動回路領域にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
前記アモルファスシリコン膜にエキシマレーザ光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、
前記駆動回路領域の多結晶シリコン膜にパルス幅および／またはパルス間隔が変調されたレーザ光を走査して選択的な照射を行い、当該走査方向に連続した粒界を持つ如く改質された略帯状結晶シリコン膜の不連続改質領域を形成する工程と、
前記不連続改質領域の前記粒界方向にキャリア移動方向を有する如くアクティブ回路を形成する工程とを含み、
前記パルス幅および／またはパルス間隔が変調されたレーザ光を、前記アクティブ・マトリクス基板の周辺の一辺に沿って、周辺回路２列以上を断続的に往復走査させて照射し、前記不連続改質領域を構成する個々の改質領域を前記駆動回路領域の延在方向に所定の間隔で略矩形状に形成し、配列させることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記パルス幅および／またはパルス間隔が変調されたレーザ光を前記アクティブ・マトリクス基板の周辺の対向する二辺のそれぞれに沿って走査し、前記二辺に形成する前記不連続改質領域のそれぞれを構成する個々の改質領域を前記駆動回路領域のそれぞれの延在方向に所定の間隔で配列させることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記パルス幅および／またはパルス間隔が変調されたレーザ光を前記アクティブ・マトリクス基板の周辺の一辺に沿って前記一辺の隣接辺を含んで走査し、前記不連続改質領域を構成する個々の改質領域を前記一辺の前記駆動回路領域の延在方向および前記隣接辺の前記駆動回路領域とに所定の間隔で配列させることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記パルス幅および／またはパルス間隔が変調されたレーザ光を前記アクティブ・マトリクス基板の周辺の対向する二辺に沿って当該二辺の隣接辺を含んで走査し、前記不連続改質領域を構成する個々の改質領域を前記二辺および前記隣接辺における前記駆動回路領域のそれぞれの延在方向に所定の間隔で配列させることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
複数の前記不連続改質領域をブロック化し、前記駆動回路領域の延在方向に前記ブロックを平行な２列以上に配列させることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記ブロック化した前記不連続改質領域を構成する個々の改質領域を、前記駆動回路領域の延在方向と平行な２列以上に配列させることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記不連続改質領域は前記駆動回路領域の延在方向に前記ブロックを平行な２列以上で、かつ互いに千鳥状に配列させることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記ブロック化した前記不連続改質領域を構成する個々の改質領域を、前記駆動回路領域の延在方向と平行な２列以上で、かつ互いに千鳥状に配列させることを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記アクティブ・マトリクス基板のアモルファスシリコン膜あるいは多結晶シリコン膜にホトリソグラフィー手法により位置決めマークを形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記アクティブ・マトリクス基板の位置決めマークは、あらかじめ前記アクティブ・マトリクス基板、あるいは当該アクティブ・マトリクス基板上のアモルファスシリコン膜または多結晶シリコン膜の下地に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記アクティブ・マトリクス基板上のアモルファスシリコン膜あるいは多結晶シリコン膜に前記パルス幅および／またはパルス間隔が変調されたレーザの照射で位置決めマークを形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記アクティブ回路に薄膜トランジスタを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記アクティブ・マトリクス基板に所定の間隔で対向配置されたカラーフィルタ基板を貼り合わせる工程と、
前記アクティブ・マトリクス基板と前記カラーフィルタ基板の間に液晶を封入する工程とを少なくとも含むことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記アクティブ・マトリクス基板の前記画素領域を構成する画素毎に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記アクティブ・マトリクス基板の前記有機ＥＬ層側を覆って保護基板を貼り合わせる工程とを少なくとも含むことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記レーザ光の波長が２００ｎｍ乃至１２００ｎｍの固体レーザであることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記レーザ光の照射幅が２０μｍ乃至１０００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記レーザ光または基板の走査速度が５０ｍｍ／ｓ乃至３０００ｍｍ／ｓであることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の第１の態様による配線形成システム１は、配線基板に係る設計データに基づいて生成された露光データを用いて露光前基板を直接露光するマスクレス露光手段１１と、露光データと、マスクレス露光手段１１によって露光され、現像された現像後基板の画像データとを用いて現像後基板を検査する現像後検査手段１２と、現像後基板をエッチングするエッチング手段１３と、設計データに基づいて生成されたエッチング検査データと、エッチング手段１３によってエッチングされたエッチング後基板の画像データとを用いてエッチング後基板に形成されたエッチングパターンを検査するエッチング後検査手段１４と、を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
本変形例では、マスクレス露光手段は、実際に露光前基板が置かれた露光用ステージを、上述のミスアライメントデータに基づいて機械的にずらす機械的補正手段（図示せず）をさらに備えるのが好ましい。機械的補正手段は、露光用ステージを回転させたり水平方向に移動させたりすることで、露光前基板の設置位置が基準位置にできるだけ近くなるように補正する。なお、この機械的補正手段は、例えばステッピングモータとその駆動回路などの公知技術を用いて構成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
図２２のラスターイメージプロセッサ５４１は、インクジェットパターニング手段のインクジェットヘッドごとに割り当てられ、それぞれが並列的にパターニング動作するデータ処理システムである。なお、本明細書では、図面を簡明にするために、図２２においては、１つのラスターイメージプロセッサ（ＲＩＰ＃１）のみを示しているが、実際は、少なくともインクジェットヘッドの数だけ備えられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０３】
図２２のビットマップデータ５４７は、図２３のインクジェットパターニング手段５５０内の個々のインクジェットヘッド駆動システムであるドライバ５５１に送られ、直接描画５５３が実行される。本発明の第２の実施例で使用されるインクジェットパターニング手段５５０は、描画中の基板の伸縮や歪みなどの状態を計測する機能を有する。この機能は、基板を撮像して得られたデータが基準データからどれだけ異なるかを算出し、基板の伸縮や歪みなどの情報として検出するものである。本実施例では、このようにして得られた伸縮や歪みなどの状態に関する情報から、描画すべき図形データの位置および形状を微妙に補正することを目的とするオートスケーリングデータ５５２を生成する。オートスケーリングデータ５５２は、図２２のラスターイメージプロセッサ５４１へ送られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１１】
上述のように、ＣＡＭブロック５３５では、Ｇｅｒｂｅｒフォーマット５３２およびＧＤＳ２ストリームフォーマット５３４をその入力として、パターン形成による配線寸法の変化を補正するリサイジングを実行している。このリサイジングが適切であるほど、パターン形成後基板の画像データは、リサイズが適用されていないデータであるパターン形成後検査データに類似ずるはずだからである。しかしながら、基板の伸縮や歪みについては、リサイジングとは無関係であり、パターン形成後検査時に、この基板の伸縮や歪みを考慮する必要がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１４】
上述のように、中間フォーマットファイル５４５のデータはベクトルデータフォーマット構造を有しており、また、中間フォーマットファイル５６４もベクトライザ５６３でベクトルデータフォーマット構造を有するデータに既に変換されている。さらに、中間フォーマットファイル５４５は、検出された差異と設計パターンとの位置関係を高速に検索するためのデータ構造を含んでいる。したがって、図２５の図形データ比較手段５８４は高速に比較処理が可能であり、計算処理装置への負担も軽減される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１８】
ルールデータベースジェネレータ５６５では、単位配線基板に搭載されるべき各部品のパターン形成後基板上の位置と設計データとに基づいて、配線をどのように変化させたら所望の結線状態が作れるかを示す動的ルーティングルールデータ５６６を生成する。詳しくは、中間フォーマットファイル５６４に蓄積されているパターン形成後基板の画像データと、入力データベース５３６に保存されているリサイズが適用されていないデータとを用いて動的ルーティングルールデータ５６６が生成される。また、ルールデータベース５６５は、多層配線基板の配線形成時において、下層の配線と位置合せして接線するため、上層の配線をどのように変化させるかを示す動的ルーティングルールデータ５６６の生成にも用いられる。生成された動的ルーティングルールデータ５６６は、図２２のラスターイメージプロセッサ５４１へ送られる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３１】
一方、図２２のラスターイメージプロセッサ５４１を使用して、既に説明したように、中間フォーマットファイル５４３および中間フォーマットファイル５４５を作成する。上述のように、中間フォーマットファイル５４３内のデータは描画データに、中間フォーマットファイル５４５内のデータはパターン形成後検査データに相当するものであり、共にベクトルデータフォーマット構造を有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４９】
本変形例では、インクジェットパターニング手段は、実際に描画前基板が置かれた描画用ステージを、上述のミスアライメントデータに基づいて機械的にずらす機械的補正手段（図示せず）をさらに備えるのが好ましい。機械的補正手段は、描画用ステージを回転させたり水平方向に移動させたりすることで、描画前基板の設置位置が基準位置にできるだけ近くなるように補正する。なお、この機械的補正手段は、例えばステッピングモータとその駆動回路などの公知の技術で構成すればよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６０】
図２９〜３１は、本発明の第２の実施例の第２の変形例による配線形成システムのシステムブロック図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記第２サブステップは、前記基体を加熱した状態下で、前記第１の分圧と同じかそれよりも低い分圧から炭素を含むファイバーが実質的に成長しない分圧まで、前記炭素を含むガスの分圧を下げる工程であることを特徴とする請求項３乃至８のいずれかに記載の炭素を含むファイバーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端から入力される高周波信号の他端への導通・非導通を切り替える直列接続された少なくとも３つのＦＥＴにおいて、
前記ＦＥＴの中間段におけるソース電極、またはドレイン電極、
または前記中間段に接続される初段または最終段のＦＥＴのうち前記中間段のソース電極またはドレイン電極と接続される電極
の少なくもと１つは、前記初段または最終段のＦＥＴのうち前記一端または他端と接続される電極の幅よりも細いことを特徴とするスイッチ。
【請求項２】
前記ＦＥＴは、４つ以上であることを特徴する請求項１記載のスイッチ。
【請求項３】
前記ＦＥＴの初段及び最終段以外のＦＥＴのソース電極又はドレイン電極の幅は、前記初段及び最終段のＦＥＴの前記一端および他端と接続される電極よりも細いことを特徴とする請求項２記載のスイッチ。
【請求項４】
前記初段及び最終段以外のＦＥＴのゲート電極幅の総計は、前記初段及び最終段のＦＥＴのゲート電極幅の総計よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のスイッチ。
【請求項５】
前記初段及び最終段以外のＦＥＴのゲート電極に沿った電極配線部分の長さは、前記初段及び最終段のＦＥＴのゲート電極に沿った電極配線部分の長さよりも短いことを特徴とする請求項１記載のスイッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記問題点を解決するために、非特許文献１には、図４に示すように、対地寄生容量を補正するために容量Ｃ１、Ｃ２を付加することが提案されている。容量Ｃ１及びＣ２をＦＥＴに並列に接続することで、各段のインピーダンスを均等して高周波電圧ＶをＶ１、Ｖ２、Ｖ３に均等に分圧する（Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖ３）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、一端から入力される高周波信号の他端への導通・非導通を切り替える直列接続された少なくとも３つのＦＥＴにおいて、
前記ＦＥＴの中間段におけるソース電極、またはドレイン電極、
または前記中間段に接続される初段または最終段のＦＥＴのうち前記中間段のソース電極またはドレイン電極と接続される電極
の少なくもと１つは、前記初段または最終段のＦＥＴのうち前記一端または他端と接続される電極の幅よりも細い構成を有する。この構成により、中間段にある対地寄生容量を減らすことができ、オフ状態の直列接続されたＦＥＴにかかる電圧の均一化によるハンドリングパワーの改善を簡素かつ低コストで実現することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図７（Ａ）に示すＳ／Ｄ電極配線３０1、３０2の幅は全てＷｃで等しいとして説明したが、例えば中継電極配線２４1、２４2を他の部分に比べて若干太くしてもよい。つまり、Ｓ／Ｄ電極配線３０1、３０2の幅は均一である必要はなく、従来構成に比べその面積が減少していれば、対地寄生容量Ｃｐを減少させることができる。従って、電極配線２２1、２０2、２２2、２０3のうちの少なくとも１つの電極の幅が、Ｗｂよりも細くなればよいのである。また、電極配線２０1、または２２3の幅をＷｂとしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図７（Ａ）を参照して３段直列接続構成を例にして説明したが、他の段数でも同様に実施することができる。例えば、５段直列接続構成では、２段目〜４段目のＳ／Ｄ電極配線の幅をＷｃとし、１段目及び５段目のＲＦライン及びＧＮＤラインに接続するＳ／Ｄ電極配線の幅をＷｂとする（Ｗｃ＜Ｗｂ）。この場合においても、１段目及び５段目のＲＦライン及びＧＮＤラインと接続する電極以外のソース電極又はドレイン電極のうちの少なくとも１つが、１段目及び５段目のＲＦライン及びＧＮＤラインと接続する電極よりも細ければよいのである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１０は、本発明の実施例３に係るＲＦスイッチを示す図である。図中、図７（Ａ）と同一要素には同一の参照番号を付してある。実施例３は、中間段（本実施例の場合、２段目）のＦＥＴ形成領域１６2にあるＦＥＴのサイズを初段及び最終段のサイズよりも小さくすることで、Ｓ／Ｄ電極配線３０1、３０2の長さを短くして、対地寄生容量Ｃｐをより減少させる構成である。このようにして対地寄生容量Ｃｐを減らすことで、容量素子の追加によるコストアップやサージ耐圧の低下をもたらすことなく、高いハンドリングパワーのＲＦスイッチが実現できる。なお、実施例３を実施例２と組み合わせてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005203643.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
後で詳述するが、エッチングストッパ層３６までをドライエッチングすることで、Ｄモード領域にある第１のリセス４４1を形成する。また、Ｅモード領域にある第１のリセス４３1は、上記ドライエッチングに加え、埋込層３５をウェットエッチングすることで形成される。表１は、埋込層３５のウェットエッチングに関するデータであって、エッチング時間、エッチング量、埋込層３５の厚み（Ｄ３）及びＤモードのしきい値電圧Vth(D)に対するシフト量ΔVthとの関係を示す。また、図５（Ａ）は、ウェットエッチングのエッチング量としきい値電圧シフト量ΔVthとの関係を示すグラフである。なお、エッチングレートは70nm/minである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
まず、図６（Ａ）に示すように、化合物半導体層３０にパターニングされたフォトレジスト層５１を形成し、これをマスクとしてイオン（例えば、B+やO+イオン）を注入して、ＦＥＴに分離する素子間分離領域５２を形成する。化合物半導体層３０は、化合物半導体基板上にエピタキシャル成長を用いてチャネル層を形成する工程と、チャネル層上に埋込層を形成する工程等を含むプロセスにより形成されるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、図７（Ａ）に示すように、ゲート電極形成用のフォトレジスト層５８を化合物半導体層３０の全面に塗布し、ゲート電極３８、３９（図４）に対応する位置に窓を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、図７（Ｂ）に示すように、フォトレジスト層５８をマスクとして、埋込層３５をドライエッチングする。これにより、第２のリセス４３2、４４2が形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、図７（Ｃ）に示すように、フォトレジスト層５８を除去した後、ゲート電極３８、３９を形成する。ゲート電極３８、３９は熱拡散を防止するために、高耐熱金属で形成することが好ましい。高耐熱金属はWSi（タングステン・シリサイド）の他、TiW、WN、TiWN、WSiNなどでもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
最後に、図７（Ｄ）に示すように、絶縁膜５７をエッチングして窓を開け、この窓を介してオーミック電極６１〜６４をキャップ層３７上に形成する。オーミック電極６１と６２はＥモードＦＥＴのソース電極及びドレイン電極であり、オーミック電極６３と６４はＤモードＦＥＴのソース電極とドレイン電極である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2005203642.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005203642.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度測定装置であって、
第１の端部を有する熱伝導素子であって、前記第１の端部は物体から離れて、接触しない距離に配置され、前記物体は前記熱伝導素子の方向に熱エネルギーを放射し、前記距離は前記第１の端部の大きさより小さい熱伝導素子と、
前記第１の端部への熱フラックスがゼロであるように、前記熱伝導素子を前記物体と熱平衡にするために、前記熱伝導素子の温度を調節するための温度調節手段と、
第１の温度センサであって、前記第１の端部への熱フラックスがゼロであるとき、第１の温度が前記物体の温度を表すように、前記熱伝導素子の前記第１の温度を測定するための前記熱伝導素子に取り付けられた第１の温度センサと、
を有することを特徴とする温度測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月5日(2005.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電圧変換によって作動し、取り付けられた装置がその機能を果たすためには少なくともその一定の主要部品を作動させるのに不十分な電圧を生成する電源（９）と、蓄電池（７）と、電源（９）と蓄電池（７）の間に接続されて前記蓄電池を充電する、第１パルス発生器から送られる所定周波数のパルス信号によって制御される昇圧器（１０、１１、ＴＲ１、ＴＲ３）とを含む給電装置（８）を備えた自律型小電力消費電気装置において、
前記第１パルス信号発生器は、前記光電源（９）によって供給される電圧（Ｖcp）以下の電圧で作動するように構成された発振器（１５）を備えていることを特徴とする自律型小電力消費電気装置。
【請求項２】
前記昇圧器は、前記光電源（９）とダイオード（１１）及び前記蓄電池（７）の直列接続部分との間に接続されたインダクタ（１０）を含んでおり、またリング形発振器である発振器（１５）の出力部（１８）は、前記ダイオード（１１）と前記インダクタ（１０）の間のノード（１２）を交互にこの蓄電池７の電圧（Ｖaccu）及びダイオード（１１）の電圧の合計に等しい電圧レベルとアースレベルにすることができる第１切り換え手段（ＴＲ３、ＴＲ４）に接続されていることを特徴とする先行の請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１切り換え手段は、ソース−ドレーン路がアースと前記ノード（１２）の間に接続され、ゲートが発振器（１５）によって送られた信号の変換トランジスタ（ＴＲ４）を介して前記発振器（１５）の出力部に接続されている切り換えトランジスタ（ＴＲ３）を含み、前記切り換えトランジスタ（ＴＲ３）と前記変換トランジスタ（ＴＲ４）の間にインバータ（１４）が接続されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記装置の前記主要部品の１つは第２パルス信号発生器手段（２、３ａ）で形成されており、さらに、
前記直列接続部材（７、１１）と前記インダクタ（１０）の間のノード（１２）を交互に前記電圧レベルとアース電圧レベルにすることができる第２切り換え手段（ＴＲ１、ＴＲ２）と、
装置による前記機能の実行を表す活動信号発生手段と、
前記発生手段が前記活動信号を発生する時、前記発振器（１５）の代わりに前記第２パルス信号発生手段（２、３ａ）を前記昇圧器（１０）に接続する置換制御手段（ＴＲ５、ＴＲ６）とを備え
前記第２パルス信号発生手段（２、３ａ）が前記活動信号発生手段を形成することを特徴とする請求項２または３のいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記置換制御手段は、前記発振器（１５）の出力部を短絡させることができる第１制御トランジスタ（ＴＲ５）と、前記活動信号が現れている時に前記第２切り換え手段を活動させることができる第２トランジスタ（ＴＲ６）とを含み、前記第２切り換え手段は、ソース−ドレーン路がアースと前記ノード（１２）の間に接続され、ゲートが活動信号を、この信号を変換する第２トランジスタ（ＴＲ２）を介して受け取るように接続されているトランジスタ（ＴＲ１）を含み、前記第２切り換え手段の前記切り換えトランジスタ（ＴＲ１）と前記第２変換トランジスタ（ＴＲ２）の間にインバータ（１３）が接続されており、前記第１及び第２制御トランジスタ（ＴＲ５、ＴＲ６）は、第２昇圧器（１７）を介して前記活動信号発生手段に接続されていることを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
刻時回路（１）を備えており、前記第２パルス信号発生手段は、水晶発振器（２）によって、おそらくはさらに前記刻時回路の分周器（３）の一部（３ａ）によっても形成されていることを特徴とする請求項４記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月5日(2005.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
【化１】
1998206998.tif 000001
（前記式中、
Ｒ1 ，Ｒ2 およびＲ3 は、独立してＨ、脂肪族基、芳香族基、複素環式基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルホニル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、アルキルスルホキシド基もしくはトリフルオロアルキル基であるか、またはＲ1 ，Ｒ2 およびＲ3 のいずれか２つが一緒になって５−もしくは６−員環系または多重環系を形成するのに必要な原子を表し；
Ｒ4 は、カルボン酸塩またはＯ- であり；ｗは０または１であり；そしてＸ- はアニオン性対イオンであり；Ｒ3 がカルボキシル基またはスルホ基である場合は、ｗは０であり、かつＲ4 はＯ- である）により表されるアリールヨードニューム化合物の存在下で沈殿および／または化学増感したハロゲン化銀乳剤を含んでなるハロゲン化銀写真要素。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（前記式中、
Ｒ1 ，Ｒ2 およびＲ3 は、独立してＨ、脂肪族基、芳香族基、複素環式基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルホニル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、アルキルスルホキシド基もしくはトリフルオロアルキル基であるか、またはＲ1 ，Ｒ2 およびＲ3 のいずれか２つが一緒になって５−もしくは６−員環系または多重環系を形成するのに必要な原子を表し；
Ｒ4 は、カルボン酸塩またはＯ- （以下０- はＯ- を意味する）であり；ｗは０または１であり；そしてＸ- はアニオン性対イオンであり；Ｒ3 がカルボキシル基またはスルホ基である場合は、ｗは０であり、かつＲ4 は０- である）により表されるアリールヨードニューム化合物の存在下で沈殿および／または化学増感したハロゲン化銀乳剤を含んでなるハロゲン化銀写真要素を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
（前記式中、
Ｒ1 ，Ｒ2 およびＲ3 は、独立してＨ、脂肪族基、芳香族基、複素環式基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルホニル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、アルキルスルホキシド基もしくはトリフルオロアルキル基であるか、またはＲ1 ，Ｒ2 およびＲ3 のいずれか２つが一緒になって５−もしくは６−員環系または多重環系を形成するのに必要な原子を表し；
Ｒ4 は、カルボン酸塩または０- であり；ｗは０または１であり；そしてＸ- はアニオン性対イオンであり；Ｒ3 がカルボキシル基またはスルホ基である場合は、ｗは０であり、かつＲ4 は０- である）により表されるアリールヨードニューム化合物を添加することを含む方法。
〈態様１２〉Ｒ1 ，Ｒ2 およびＲ3 が独立してＨ、ハロゲン原子、または脂肪族、芳香族もしくは複素環式の基である態様１１記載の方法。
〈態様１３〉Ｒ1 ，Ｒ2 およびＲ3 が独立してＨ、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基である態様１２の方法。
〈態様１４〉Ｒ1 およびＲ2 が独立してＨ、ハロゲン原子または脂肪族、芳香族もしくは複素環式の基であり、そしてＲ3 がスルホまたはカルホキシル基である態様１１記載の方法。
〈態様１５〉Ｒ1 およびＲ2 が独立してＨ、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基である態様１４記載の方法。
〈態様１６〉Ｒ4 がアセテート、ホルメート、ベンジエートまたはトリフルオロアセテートである態様１１記載の方法。
〈態様１７〉前記アリールヨードニューム化合物の濃度が１×１０-9〜１０×１０-3 mol／mol Agである態様１１記載の方法。
〈態様１８〉沈澱後に、アリールヨードニューム化合物を添加し、かつアリールヨードニューム化合物の濃度が１０×１０-7〜１×１０-3 mol／mol Agである態様１７記載の方法。
〈態様１９〉ハロゲン化銀乳剤の沈殿の開始時または沈殿中に、アリールヨードニューム化合物を添加する態様１１記載の方法。
〈態様２０〉アリールヨードニューム化合物の濃度が１×１０-9〜１×１０-4 mol／mol Agである態様１９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記補強・安定化糸が合成繊維又はフィラメントで構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のカラー。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月1日(2004.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
ドーピング剤がチタン化合物およびニオブ化合物の中から選ばれる少なくとも１つである請求項２に記載の溶液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
タンタル化合物としてはタンタルペンタメトキシド、タンタルペンタエトキシド、タンタルペンタプロポキシド、タンタルペンタブトキシドなどのタンタルアルコキシドおよび２−エチルヘキサン酸タンタル、ｎ−ヘキサン酸タンタルなどがあげられる。好ましくは、タンタルペンタエトキシド、２−エチルヘキサン酸タンタルである。また、本発明においては、ドーピング剤が任意に用いられるところ、その例であるニオブ化合物としては、ニオブペンタメトキシド、ニオブペンタエトキシド、ニオブペンタプロポキシド、ニオブペンタブトキシドなどのニオブアルコキシドおよびオクチル酸ニオブ、ｎ−ヘキサン酸ニオブなどがあげられる。好ましくは、ニオブペンタエトキシド、ニオブペンタブトキシドである。また、他の例であるチタン化合物としては、チタンテトラメトキシド、チタンテトラエトキシド、チタンテトラプロポキシド、チタンテトラブトキシドなどのチタンアルコキシドがあげられる。好ましくは、チタンテトラプロポキシドである。その他に、ドーピング元素としてＢａ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｓｂ、  Ｈｆ、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙｂ、Ｅｕ、Ｐｒ、Ｔｂなどがあげられ、本発明を損なわない範囲でこれらの元素を含有する化合物をドーピング剤として添加しても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複層ガラス
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚以上のガラス板が、その間に中空層を形成するように樹脂製スペーサを介して隔置されて対向配置された複層ガラスにおいて、前記スペーサは、架橋型の飽和炭化水素系樹脂組成物が架橋した樹脂材料であって、架橋後のゲル化分率が５０〜１００％である樹脂材料からなることを特徴とする複層ガラス。
【請求項２】
前記飽和炭化水素系樹脂組成物は、（Ａ）分子中に少なくとも１個のアルケニル基を有する分子量５００〜３０００００の炭化水素系重合体、（Ｂ）分子中に少なくとも２個のヒドロシリル基を有する硬化剤、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、および（Ｄ）接着性付与剤を必須成分とすることを特徴とする請求項１記載の複層ガラス。
【請求項３】
成分（Ａ）の重合体中に、イソブチレン単量体の繰り返し単位を５０重量％以上含むことを特徴とする請求項２記載の複層ガラス。
【請求項４】
成分（Ｂ）の硬化剤が、分子中に少なくとも１個のヒドロシリル基を含有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンに由来する１価の基を少なくとも２個有する有機系硬化剤であることを特徴とする請求項２または３記載の複層ガラス。
【請求項５】
成分（Ｂ）の硬化剤が、分子中にポリオルガノハイドロジェンシロキサンに由来する１価の基以外の少なくとも２個のヒドロシリル基を含有する有機系硬化剤であることを特徴とする請求項２または３記載の複層ガラス。
【請求項６】
成分（Ｄ）の接着性付与剤が、下記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で示される接着性化合物のうちの少なくとも１種を含有する請求項２〜５のいずれかに記載の複層ガラス。
【化１】
1999079796.tif 000001
［式中、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ8 、Ｒ11は、炭素数１〜２０の２価の有機基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ2 はアルコキシシリル基または下記構造式（ここで、Ｒ12は炭素数１〜６のアルキル基である）で示される基から選ばれる１種を表し、Ｒ4 は水素原子または炭素数１〜１０の１価の有機基を表す。Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 は、水素原子または炭素数１〜２０の１価の有機基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ9 は水素または炭素数１〜１０の１価の有機基を表し、Ｒ10はアルコキシ基を表す。また、ａは１または２の整数を意味する。］
【化２】
1999079796.tif 000002
【請求項７】
前記スペーサの水蒸気透過係数が、５０００×１０-13 ｃｍ3 ・ｃｍ／ｃｍ2 ・ｓｅｃ・Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の複層ガラス。
【請求項８】
前記飽和炭化水素系樹脂組成物には乾燥剤が練り込まれていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の複層ガラス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂製スペーサを用いた複層ガラスに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、上記の二次シール材を実質的に必要としない、縮合型硬化性を有するスペーサ用樹脂組成物を用いた複層ガラスを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の課題を解決すべくなされたものであり、２枚以上のガラス板が、その間に中空層を形成するように樹脂製スペーサを介して隔置されて対向配置された複層ガラスにおいて、前記スペーサは、架橋型の飽和炭化水素系樹脂組成物が架橋した樹脂材料であって、架橋後のゲル化分率が５０〜１００％である樹脂材料からなることを特徴とする複層ガラスを提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【化８】
1999079796.tif 000003