【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴと、保持容量とを有する発光装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成された接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
ＴＦＴと、保持容量とを有する発光装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成された接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域に接続されており、
前記接続配線は、前記ＴＦＴの活性層と重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成された接続配線と、前記ＯＬＥＤが有する画素電極と共に同一の層間絶縁膜上に形成された容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成された接続配線と、前記ＯＬＥＤが有する画素電極と共に同一の層間絶縁膜上に形成された容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域に接続されており、
前記接続配線は、前記ＴＦＴの活性層と重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成された接続配線と、前記ＯＬＥＤが有する画素電極と共に同一の層間絶縁膜上に形成された容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域に接続されており、
アナログのビデオ信号によって前記ＯＬＥＤの輝度が制御されることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成された接続配線と、前記ＯＬＥＤが有する画素電極と共に同一の層間絶縁膜上に形成された容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域に接続されており、
前記接続配線は、前記ＴＦＴの活性層と重なっており、
アナログのビデオ信号によって前記ＯＬＥＤの輝度が制御されることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記保持容量は、前記接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有していることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記保持容量は、容量電極と、前記電源線と、前記容量電極と前記電源線の間に形成された絶縁膜とを有していることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記保持容量は、前記接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴの活性層と重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記保持容量は、容量電極と、前記電源線と、前記容量電極と前記電源線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴの活性層と重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記保持容量は、前記接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記ソース線に入力されたアナログのビデオ信号によって前記駆動用ＴＦＴのドレイン電流が制御され、前記ドレイン電流が前記ＯＬＥＤに流れることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記保持容量は、容量電極と、前記電源線と、前記容量電極と前記電源線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記ソース線に入力されたアナログのビデオ信号によって前記駆動用ＴＦＴのドレイン電流が制御され、前記ドレイン電流が前記ＯＬＥＤに流れることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記保持容量は、前記接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴの活性層と重なっており、
前記ソース線に入力されたアナログのビデオ信号によって前記駆動用ＴＦＴのドレイン電流が制御され、前記ドレイン電流が前記ＯＬＥＤに流れることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記保持容量は、容量電極と、前記電源線と、前記容量電極と前記電源線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴの活性層と重なっており、
前記ソース線に入力されたアナログのビデオ信号によって前記駆動用ＴＦＴのドレイン電流が制御され、前記ドレイン電流が前記ＯＬＥＤに流れることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記第１の保持容量は、前記接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された第１の絶縁膜とを有しており、
前記第２の保持容量は、前記駆動用ＴＦＴのゲート電極と同一の導電膜からなる容量電極と、前記スイッチング用ＴＦＴ及び駆動用ＴＦＴの有する活性層と同時に形成される半導体層と、前記容量電極と前記半導体層の間に形成される第２の絶縁膜とを有していることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記第１の保持容量は、前記接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記第２の保持容量は、前記駆動用ＴＦＴのゲート電極と同一の導電膜からなる容量電極と、前記電源線と、前記容量電極と前記電源線の間に形成される前記層間絶縁膜とを有していることを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記第１の保持容量は、前記駆動用ＴＦＴのゲート電極と同一の導電膜からなる容量電極と、前記スイッチング用ＴＦＴ及び駆動用ＴＦＴの有する活性層と同時に形成される半導体層と、前記容量電極と前記半導体層の間に形成される絶縁膜とを有しており、
前記第２の保持容量は、前記容量電極と、前記電源線と、前記容量電極と前記電源線の間に設けられた前記層間絶縁膜とを有していることを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記第１の保持容量は、前記接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された第１の絶縁膜とを有しており、
前記第２の保持容量は、前記駆動用ＴＦＴのゲート電極と同一の導電膜からなる容量電極と、前記スイッチング用ＴＦＴ及び駆動用ＴＦＴの有する活性層と同時に形成される半導体層と、前記容量電極と前記半導体層の間に形成される第２の絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴの活性層と重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項１９】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記第１の保持容量は、前記接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記第２の保持容量は、前記駆動用ＴＦＴのゲート電極と同一の導電膜からなる容量電極と、前記電源線と、前記容量電極と前記電源線の間に形成される前記層間絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴの活性層と重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項２０】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記第１の保持容量は、前記駆動用ＴＦＴのゲート電極と同一の導電膜からなる容量電極と、前記スイッチング用ＴＦＴ及び駆動用ＴＦＴの有する活性層と同時に形成される半導体層と、前記容量電極と前記半導体層の間に形成される絶縁膜とを有しており、
前記第２の保持容量は、前記容量電極と、前記電源線と、前記容量電極と前記電源線の間に設けられた前記層間絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴの活性層と重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項２１】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、第３の保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記第１の保持容量は、前記接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された第１の絶縁膜とを有しており、
前記第２の保持容量は、前記駆動用ＴＦＴのゲート電極と同一の導電膜からなる容量電極と、前記スイッチング用ＴＦＴ及び駆動用ＴＦＴの有する活性層と同時に形成される半導体層と、前記容量電極と前記半導体層の間に形成される第２の絶縁膜とを有しており、
前記第３の保持容量は、前記容量電極と、前記電源線と、前記容量電極と前記電源線の間に設けられた前記層間絶縁膜とを有していることを特徴とする発光装置。
【請求項２２】
ソース線と、電源線と、スイッチング用ＴＦＴと、駆動用ＴＦＴと、第１の保持容量と、第２の保持容量と、第３の保持容量と、ＯＬＥＤとを有する発光装置であって、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記ソース線に接続され、他方は接続配線を介して前記駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の一方は前記電源線に接続され、他方は前記ＯＬＥＤが有する画素電極に接続され、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成されており、
前記第１の保持容量は、前記接続配線と、容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された第１の絶縁膜とを有しており、
前記第２の保持容量は、前記駆動用ＴＦＴのゲート電極と同一の導電膜からなる容量電極と、前記スイッチング用ＴＦＴ及び駆動用ＴＦＴの有する活性層と同時に形成される半導体層と、前記容量電極と前記半導体層の間に形成される第２の絶縁膜とを有しており、
前記第３の保持容量は、前記容量電極と、前記電源線と、前記容量電極と前記電源線の間に設けられた前記層間絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記スイッチング用ＴＦＴの活性層と重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項２３】
請求項３、４、５、６、７、９、１１、１３、１５、１６、１８、１９、２１、２２のいずれか１項において、
前記容量配線と前記画素電極とは同じ導電膜から形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２４】
請求項３乃至請求項２３のいずれか１項において、
前記画素電極と接し、なおかつ前記ＴＦＴ及び前記保持容量の上方を覆う層間絶縁膜を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２５】
ＴＦＴと、保持容量とをそれぞれ有する複数の画素が設けられた発光装置であって、
前記複数の画素はマトリクス状に配置され、
前記複数の画素のうち一行に配置された画素が有する保持容量は、１つの容量配線を共有しており、
前記複数の各画素が有する前記保持容量は、前記ＴＦＴのゲート電極を覆っている層間絶縁膜上に形成された接続配線と、前記容量配線と、前記接続配線と前記容量配線の間に形成された絶縁膜とを有しており、
前記接続配線は、前記ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域に接続されており、
前記１つの容量配線及び前記接続配線は、前記複数の各画素が有する前記ＴＦＴの活性層と重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項２６】
請求項１乃至請求項２５のいずれか１項に記載の発光装置を用いた電子機器。