【手続補正書】
【提出日】平成16年9月6日(2004.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、
前記一の方向に延びる前記下部電極層が形成された半導体基板上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極補助層形成用膜をこの順で成膜する工程と、
前記上部電極補助層形成用膜上に、上部電極補助層形成用マスクを形成する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクを利用して、前記上部電極補助層形成用膜を加工し、少なくとも強誘電体キャパシタ形成領域となる前記下部電極層上方に、前記上部電極補助層を形成する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクを残した状態で、前記上部電極補助層が形成された前記半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に平坦化処理を施し、前記上部電極補助層形成用マスクの上面を露出させる工程と、
前記絶縁層は残るように、前記露出させた前記上部電極補助層形成用マスクを除去する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクが除去された後の前記絶縁層上に、上部電極層形成用膜を成膜する工程と、
前記上部電極層形成用膜を加工し、前記強誘電体キャパシタ形成領域を含む前記絶縁層上に、前記他の方向に延びる前記上部電極層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に、下部電極層形成用膜を成膜する工程と、
前記下部電極層形成用膜上に、下部電極層形成用マスクを形成する工程と、
前記下部電極層形成用マスクを利用して、前記下部電極層形成用膜を加工し、前記一の方向に延びる前記下部電極層を形成する工程と、
前記下部電極層形成用マスクを残した状態で、前記下部電極層が形成された前記半導体基板上に、第一の絶縁層を形成する工程と、
前記第一の絶縁層に平坦化処理を施し、前記下部電極層形成用マスクの上面を露出させる工程と、
前記第一の絶縁層は残るように、前記露出させた前記下部電極層形成用マスクを除去する工程と、
前記下部電極層形成用マスクが除去された後の前記第一の絶縁層上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極補助層形成用膜をこの順で成膜する工程と、
前記上部電極補助層形成用膜上に、上部電極補助層形成用マスクを形成する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクを利用して、前記上部電極補助層形成用膜を加工し、少なくとも強誘電体キャパシタ形成領域となる前記下部電極層上方に、前記上部電極補助層を形成する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクを残した状態で、前記上部電極補助層が形成された前記半導体基板上に、第二の絶縁層を形成する工程と、
前記第二の絶縁層に平坦化処理を施し、前記上部電極補助層形成用マスクの上面を露出させる工程と、
前記第二の絶縁層は残るように、前記露出させた前記上部電極補助層形成用マスクを除去する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクが除去された後の前記第二の絶縁層上に、上部電極層形成用膜を成膜する工程と、
前記上部電極層形成用膜を加工し、前記強誘電体キャパシタ形成領域を含む前記第二の絶縁層上に、前記他の方向に延びる前記上部電極層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係る第二の半導体装置の製造方法は、一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、前記一の方向に延びる前記下部電極層が形成された半導体基板上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極補助層形成用膜をこの順で成膜する工程と、前記上部電極補助層形成用膜上に、上部電極補助層形成用マスクを形成する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクを利用して、前記上部電極補助層形成用膜を加工し、少なくとも強誘電体キャパシタ形成領域となる前記下部電極層上方に、前記上部電極補助層を形成する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクを残した状態で、前記上部電極補助層が形成された前記半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に平坦化処理を施し、前記上部電極補助層形成用マスクの上面を露出させる工程と、前記絶縁層は残るように、前記露出させた前記上部電極補助層形成用マスクを除去する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクが除去された後の前記絶縁層上に、上部電極層形成用膜を成膜する工程と、前記上部電極層形成用膜を加工し、前記強誘電体キャパシタ形成領域を含む前記絶縁層上に、前記他の方向に延びる前記上部電極層を形成する工程と、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、本発明に係る第三の半導体装置の製造方法は、一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、半導体基板上に、下部電極層形成用膜を成膜する工程と、前記下部電極層形成用膜上に、下部電極層形成用マスクを形成する工程と、前記下部電極層形成用マスクを利用して、前記下部電極層形成用膜を加工し、前記一の方向に延びる前記下部電極層を形成する工程と、前記下部電極層形成用マスクを残した状態で、前記下部電極層が形成された前記半導体基板上に、第一の絶縁層を形成する工程と、前記第一の絶縁層に平坦化処理を施し、前記下部電極層形成用マスクの上面を露出させる工程と、前記第一の絶縁層は残るように、前記露出させた前記下部電極層形成用マスクを除去する工程と、前記下部電極層形成用マスクが除去された後の前記第一の絶縁層上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極補助層形成用膜をこの順で成膜する工程と、前記上部電極補助層形成用膜上に、上部電極補助層形成用マスクを形成する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクを利用して、前記上部電極補助層形成用膜を加工し、少なくとも強誘電体キャパシタ形成領域となる前記下部電極層上方に、前記上部電極補助層を形成する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクを残した状態で、前記上部電極補助層が形成された前記半導体基板上に、第二の絶縁層を形成する工程と、前記第二の絶縁層に平坦化処理を施し、前記上部電極補助層形成用マスクの上面を露出させる工程と、前記第二の絶縁層は残るように、前記露出させた前記上部電極補助層形成用マスクを除去する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクが除去された後の前記第二の絶縁層上に、上部電極層形成用膜を成膜する工程と、前記上部電極層形成用膜を加工し、前記強誘電体キャパシタ形成領域を含む前記第二の絶縁層上に、前記他の方向に延びる前記上部電極層を形成する工程と、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次いで、図３（ｃ）に示すように、第一の絶縁層３Ａの上面全体に、公知のＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｃｉｎｇ）法で平坦化処理を行った後、さらにＣＭＰ法又はエッチバックを行い、第一の絶縁層３Ａの上面に第一のマスクＭ１の上面を露出させる。
次いで、図３（ｄ）に示すように、公知の技術を用いて、第一の絶縁層３Ａは残るように、下部電極層２Ａの上面に形成された第一のマスクＭ１を除去する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次いで、図４（ａ）に示すように、層間絶縁層１上の下部電極層形成領域に順次積層された、下部電極層２Ａ、強誘電体層形成用膜２００Ｂ、および上部電極補助層形成用膜２００Ｃのさらに上面に、公知のスパッタ法を用いて、ＴｉＮ膜やＷ膜などのハードマスク材からなる第二のマスク形成用膜Ｍ２０を厚さ３００ｎｍとなるように成膜する。続いて、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、この第二のマスク形成用膜Ｍ２０から、強誘電体層２Ｂ及び上部電極補助層２Ｃを上部電極層形成領域に形成するための第二のマスク（上部電極補助層形成用マスク）Ｍ２を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次いで、図４（ｄ）に示すように、公知の技術を用いて、第二の絶縁層３Ｂは残るように、上部電極補助層２Ｃの上面に形成された第二のマスクＭ２を除去する。  
次いで、図４（ｅ）に示すように、第二のマスクＭ２が除去された後の第二の絶縁層３Ｂの上面全体に、公知のエッチバック又はウェットエッチングを行い、第二のマスクＭ２が除去されることで第二の絶縁層３Ｂに形成された開口部Ｈ２の角を丸める。