Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの第１主面に複数の半導体装置を一括して形成し、個々の前記半導体装置にバンプ電極を形成する工程と、
前記半導体ウェハの前記第１主面と表裏をなす第２主面を第１導体基板に貼り付ける工程と、
前記第１導体基板上の前記半導体ウェハを選択的に個々の前記半導体装置毎にダイシングする工程と、
前記半導体ウェハの前記第１主面側の前記バンプ電極に第２導体基板を貼り付ける工程と、
前記第１導体基板と前記第２導体基板の間に封止材を注入する工程と、
前記第１導体基板、前記封止材および前記第２導体基板を前記半導体装置単位にダイシングする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１導体基板および前記第２導体基板の一方は磁性材であり他方は非磁性材からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウェハを前記半導体装置単位にダイシングする第１ダイシング代の幅寸法は、前記第１導体基板、前記封止材および前記第２導体基板を前記半導体装置単位にダイシングする際の第２ダイシング代の幅寸法よりも広いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１，２または３記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は外部接続端子としてアノードおよびカソードを有するダイオードであり、前記第１導体基板または前記第２導体基板を前記アノードまたは前記カソードとして用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記第１導体基板および前記第２導体基板の一方が磁性材で他方が非磁性材であることを利用して、磁力による極性選別を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
すなわち、チップ厚さを薄くするには、ウェハの割れ等で限界がある。Ａｕ線のループ高さを下げるには、Ａｕの硬度で限界がある（Ａｕ線が切れる）。さらには、チップ側、Ａｕ線側にフレームが必要のため、チップサイズまでの小型化は困難である。Ａｕ線によるワイヤーボンディングが必要のためスループットが悪い。
また、特開２００３-２５８１７７号公報にはウェハに形成されたダイオードをペレットに分割した後にフレーム上に搭載してアノード端子、カソード端子を形成し、その後分割する製造方法の開示がある。また、特開２０００−７７４５０号公報にはウェハ状態でアノード、カソード電極を形成した後にウェハをダイシングして個々のダイオードに分割する製造方法の開示がある。また、特開２００２−７９１９６号公報にはウェハをダイシングした後に樹脂封止をしてアノード電極を形成し、その後樹脂ごとに個々に分割してダイオードを製造する製造方法の開示がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置の照明系及び照明系並びに露光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一組のフライアイレンズと、その後方に配置するコンデンサレンズで構成される露光装置の照明系であって、前記フライアイレンズは、その要素レンズの開口形状が照明領域の形状と相似形である露光装置の照明系。
【請求項２】
少なくとも２組のフライアイレンズと、その後方に配置するコンデンサレンズで構成される露光装置の照明系であって、前記２組のフライアイレンズは、いずれもその要素レンズの開口形状が照明領域の形状と相似形である露光装置の照明系。
【請求項３】
少なくとも一組のフライアイレンズと、その後方に配置するコンデンサレンズと、照明用マスクと、照明用結像光学系で構成される露光装置の照明系であって、前記フライアイレンズの要素レンズの開口形状と、照明用マスクの有効領域と照明領域の形状が互いに略相似形である露光装置の照明系。
【請求項４】
前記照明領域の形状を六角形とする請求項１〜３記載の露光装置の照明系。
【請求項５】
前記２組のフライアイレンズは一体化されたものであり、その要素レンズは、ロッド状の透明部材の両端面に凸レンズを形成したものである請求項２記載の露光装置の照明系。
【請求項６】
前記２組のフライアイレンズは互いに等しい焦点距離を持ち、その焦点距離に等しい間隔を設けて配置されたものである請求項２記載の露光装置の照明系。
【請求項７】
少なくとも一組のフライアイレンズと、
このフライアイレンズの後方に配置されたコンデンサレンズで構成される照明系であって、前記フライアイレンズは、その要素レンズの開口形状が照明領域の形状と相似形であることを特徴とする照明系。
【請求項８】
少なくとも一組のフライアイレンズと、
このフライアイレンズの後方に配置されたコンデンサレンズで構成される照明系を有する露光装置であって、前記フライアイレンズは、その要素レンズの開口形状が照明領域の形状と相似形であることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
少なくとも一組のフライアイレンズと、
このフライアイアイレンズの後方に配置されたコンデンサレンズと、
照明用マスクと、
照明用結像光学系で構成される露光装置の照明系であって、
前記フライアイレンズの要素レンズの開口形状と、照明用マスクの開口形状と照明領域の形状が互いに略相似形であることを特徴とする照明系。
【請求項１０】
少なくとも一組のフライアイレンズと、
このフライアイアイレンズの後方に配置されたコンデンサレンズと、
照明用マスクと、
照明用結像光学系で構成される照明系を有する露光装置であって、
前記フライアイレンズの要素レンズの開口形状と、照明用マスクの開口形状と照明領域の形状が互いに略相似形であることを特徴とする露光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以上説明したように、発光面と後側のフライアイレンズおよび前側のフライアイレンズと原版が共役の関係になるように配置して照明光学系を組み立てることにより、前側のフライアイレンズの開口の像は原版上に結像することから、要素レンズの開口形状を六角形にすると、原版上に六角形の照明領域ができる。
従って、照明領域と露光領域が同じ形になるので照明光の無駄をなくすことができると共に、照明光はフライアイレンズの全ての要素レンズを透過した光を一定の照明領域内に重ね合わせたものなので、従来の透明ロッドに光を通して反射を繰り返すのと同様の拡散効果が得られ、照明光の光強度分布を高レベルに均一化できる。
このため、途中での光の反射や吸収がない、極めて光利用効率の高い照明系を実現できる。
その結果、同じパワーの光源を用いても露光強度が向上し、その分露光時間を短縮できる。
もしくは露光時間を従来と同程度とする場合は、光源のパワーを小さくできるので、消費電力を削減できると共に、光源の寿命も延ばすことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の効果】
本発明は、水銀ランプやエキシマレーザなどの光源の違いに拘らず、高い光利用効率で照明光の光強度分布を均一化できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一導電型の半導体基板上に形成され、シリコン酸化膜よりも誘電率が高い材料からなるゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
該ゲート電極の側壁に形成された第１の窒素導入層と、
該ゲート電極の両側で、該半導体基板に形成され、該一導電型とは異なる反対導電型の一対の不純物層と、
前記第１の窒素導入層を介して、前記ゲート電極の側面及び前記半導体基板上に形成されたサイドウォールと、
前記サイドウォールと前記半導体基板との間に形成された、第２の窒素導入層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
一導電型の半導体基板上に形成され、シリコン酸化膜よりも誘電率が高い材料からなるゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
該ゲート電極の側壁に形成された第１の窒素導入層と、
該ゲート電極の両側で、該半導体基板に形成され、該一導電型とは異なる反対導電型の一対の不純物層と、
該ゲート電極に自己整合して該半導体基板に形成された、一対の一導電型不純物層と、
前記第１の窒素導入層を介して、前記ゲート電極の側面及び前記半導体基板上に形成されたサイドウォールと、
前記サイドウォールと前記半導体基板との間に形成された、第２の窒素導入層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
一導電型の半導体基板上に形成され、シリコン酸化膜よりも誘電率が高い材料からなるゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
該ゲート電極の側壁に形成された第１の窒素導入層と、
該ゲート電極の両側で、該半導体基板から第１の深さに形成され、該一導電型とは異なる第１の反対導電型不純物層と、
該ゲート電極に自己整合して該半導体基板に形成された、一対の一導電型不純物層と、
該第１の窒素導入層を介して、該ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールと、
該サイドウォール及び該ゲート電極に自己整合して該半導体基板に形成され、該半導体基板から該第１の深さよりも深い第２の深さに形成された、第２の反対導電型不純物層と、
前記サイドウォールと前記半導体基板との間に形成された、第２の窒素導入層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜は、シリコン酸窒化膜を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
一導電型の半導体基板上に、シリコン酸化膜よりも誘電率が高い材料からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
該半導体基板及び該ゲート電極の表面に、窒素を導入する工程と、
次いで、該ゲート電極の両側の該半導体基板に、該一導電型とは異なる反対導電型の一対の不純物層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
一導電型の半導体基板上に、一導電型領域及び該一導電型とは異なる反対導電型の反対導電型領域を形成する工程と、
該一導電型領域上に、シリコン酸化膜よりも誘電率が高い材料からなる第１のゲート絶縁膜を形成する工程と、
該反対導電型領域上に、第２のゲート絶縁膜を形成する工程と、
該第１のゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成する工程と、
該第２のゲート絶縁膜上に第２のゲート電極を形成する工程と、
該第１及び第２のゲート電極の表面に、窒素を導入する工程と、
次いで、該反対導電型領域を選択的に覆う第１のマスク層を形成する工程と、
該第１のゲート電極及び該第１のマスク層をマスクにして、該第１のゲート電極の両側の該半導体基板に、該反対導電型の不純物層を形成する工程と、
次いで、該第１のマスク層を除去する工程と、
次いで、該一導電型領域を選択的に覆う第２のマスク層を形成する工程と、
該第２のゲート電極及び該第２のマスク層をマスクにして、該第２のゲート電極の両側の該半導体基板に、該一導電型の不純物層を形成する工程と、
次いで、第２のマスク層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
一導電型の半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
該半導体基板及び該ゲート電極の表面に、窒素を含むガスのプラズマ又はラジカルに晒して、窒素を導入する工程と、
次いで、該ゲート電極の両側の該半導体基板に、該一導電型とは異なる反対導電型の一対の不純物層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
該窒素を導入する工程の後に、該ゲート電極の両側の該半導体基板に、該一導電型の不純物層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
該窒素を導入する工程により形成される窒素を含む層の厚さを３ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置、処理装置および処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波の伝播方向に沿って複数個のスリットを配置してなる導波管アンテナと、
誘電体からなる電磁波放射窓とを具備し、
前記導波管アンテナから前記電磁波放射窓を通して放射された電磁波によってプラズマを生成するプラズマ処理装置において、
前記スリットの前記伝播方向に対する角度が段階的に変化していることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
電磁界強度が最も小さくなる位置の前記スリットの前記角度を９０°としたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
マイクロ波を出力する発信器と、
この発信器からのマイクロ波を伝播する導波管と、
この導波管のマイクロ波の伝播方向に設けられた複数のスリットと、
これらの各スリットから電磁波放射窓を介してマイクロ波が放射されるように設けられた真空容器と
を具備し、
前記複数のスリットは前記マイクロ波の伝播方向に設けられ、この伝播方向に対する角度が段階的に変化して設けられていることを特徴とする処理装置。
【請求項４】
マイクロ波を出力する発信器と、
この発信器からのマイクロ波を伝播する導波管と、
この導波管のマイクロ波の伝播方向に設けられた複数のスリットと、
これらの各スリットから電磁波放射窓を介してマイクロ波が放射されるように設けられた真空容器と
を具備し、
前記複数のスリットは前記導波管のマイクロ波が最も弱くなる先端のスリットからのマイクロ波の放射効率が最も良くなるようにマイクロ波の伝播方向に対する角度が設けられていることを特徴とする処理装置。
【請求項５】
マイクロ波を出力する発信器と、
この発信器からのマイクロ波を伝播する導波管と、
この導波管のマイクロ波の伝播方向に設けられた複数のスリットと、
これらの各スリットから電磁波放射窓を介してマイクロ波が放射されるように設けられた真空容器と
を具備し、
前記各スリットから放射される電力および電力密度がほぼ一定であり、前記各スリット近傍における電磁界分布もほぼ等しくなるように前記複数のスリットが設けられていることを特徴とする処理装置。
【請求項６】
前記各スリットの開口面積は、ほぼ一定であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の処理装置。
【請求項７】
前記複数のスリットは、前記マイクロ波の伝播方向に対して４５度から９０度まで除々に段階的に増加するように設けてなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の処理装置。
【請求項８】
電磁波源からの電磁波を導波管内で伝播する電磁波伝播工程と、
前記導波管に前記電磁波の伝播方向に対する角度が段階的に変化して設けられた複数のスリットから電磁界強度が均一な電磁波を放射する工程と、
前記均一な電磁波を真空容器内に放射して真空容器内にプラズマを生成する工程と
を具備してなることを特徴とする処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置、処理装置および処理方法に係り、特に、大型の角型基板に対して、膜堆積、表面改質、あるいはエッチング等の処理を施すための装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の目的は、前記課題を解決し、大面積基板を処理する場合においても、均一性の高いプラズマを生成することができるプラズマ処理装置、処理装置および処理方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、請求項３記載の処理装置は、マイクロ波を出力する発信器と、この発信器からのマイクロ波を伝播する導波管と、この導波管のマイクロ波の伝播方向に設けられた複数のスリットと、これらの各スリットから電磁波放射窓を介してマイクロ波が放射されるように設けられた真空容器とを具備し、前記複数のスリットは前記マイクロ波の伝播方向に設けられ、この伝播方向に対する角度が段階的に変化して設けられていることを特徴とする。
また、請求項４記載の処理装置は、マイクロ波を出力する発信器と、この発信器からのマイクロ波を伝播する導波管と、この導波管のマイクロ波の伝播方向に設けられた複数のスリットと、これらの各スリットから電磁波放射窓を介してマイクロ波が放射されるように設けられた真空容器とを具備し、前記複数のスリットは前記導波管のマイクロ波が最も弱くなる先端のスリットからのマイクロ波の放射効率が最も良くなるようにマイクロ波の伝播方向に対する角度が設けられていることを特徴とする。
また、請求項５記載の処理装置は、マイクロ波を出力する発信器と、この発信器からのマイクロ波を伝播する導波管と、この導波管のマイクロ波の伝播方向に設けられた複数のスリットと、これらの各スリットから電磁波放射窓を介してマイクロ波が放射されるように設けられた真空容器とを具備し、前記各スリットから放射される電力および電力密度がほぼ一定であり、前記各スリット近傍における電磁界分布もほぼ等しくなるように前記複数のスリットが設けられていることを特徴とする。
また、請求項６記載の処理装置は、請求項１乃至３の何れかに記載の処理装置において、前記各スリットの開口面積は、ほぼ一定であることを特徴とする。
また、請求項７記載の処理装置は、請求項１乃至４の何れかに記載の処理装置において、前記複数のスリットは、前記マイクロ波の伝播方向に対して４５度から９０度まで除々に段階的に増加するように設けてなることを特徴とする。
また、請求項８記載の処理方法は、電磁波源からの電磁波を導波管内で伝播する電磁波伝播工程と、前記導波管に前記電磁波の伝播方向に対する角度が段階的に変化して設けられた複数のスリットから電磁界強度が均一な電磁波を放射する工程と、前記均一な電磁波を真空容器内に放射して真空容器内にプラズマを生成する工程とを具備してなることを特徴とする。
請求項１、２記載のプラズマ処理装置では、それぞれ上記のような構成により、均一性の高いプラズマを生成することが可能となり、請求項３〜７記載の処理装置、請求項８記載の処理方法では、それぞれ上記のような構成により、均一性の高い処理を行なうことが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、大面積基板に対しても、均一性の高いプラズマを生成することができるプラズマ処理装置と、均一性の高い処理を行なうことができる処理装置および処理方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
燃料電池に対して冷却水を循環させる循環経路と、前記燃料電池を迂回するバイパス経路を設け、このバイパス経路に、冷却水の電気伝導度を低く維持するためのイオン交換器と、前記イオン交換器への通水量を制御する弁とを設け、冷却水を前記燃料電池へ循環供給して冷却する燃料電池用の冷却水循環供給システムにおいて、
前記イオン交換器への通水量を制御する弁を、電磁弁とそれに並列なオリフィスとで構成したことを特徴とする燃料電池用の冷却水循環供給システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記電磁弁を、前記冷却水の温度の上昇時に閉弁することを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちの何れか１項に記載の燃料電池用の冷却水循環供給システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
一般に、燃料電池を直接冷却水を用いて冷却する冷却水循環供給システムにおいては、冷却水を介した液絡現象（燃料電池内部の冷却水に接する高圧帯電部から冷却水を通じて燃料電池を支えている構造体と「地絡」を起こす場合がある。この「地絡」を「液絡」という。）を防止するため、冷却水に高度な電気絶縁性が要求される。
そのためイオン交換器を冷却水の循環経路のバイパス経路に設けて、全循環流量のうちの一定割合の冷却水を前記イオン交換器のイオン交換樹脂層に通水・循環させ、冷却水中の電離イオンを冷却水から除去することによって冷却水の電気絶縁性を維持しており、その通水量をシステムの状況に応じて増減することも知られている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するためになされた請求項１に記載された燃料電池用の冷却水循環供給システムは、燃料電池に対して冷却水を循環させる循環経路と、前記燃料電池を迂回するバイパス経路を設け、このバイパス経路に、冷却水の電気伝導度を低く維持するためのイオン交換器と、前記イオン交換器への通水量を制御する弁とを設け、冷却水を前記燃料電池へ循環供給して冷却する燃料電池用の冷却水循環供給システムにおいて、前記イオン交換器への通水量を制御する弁を、電磁弁とそれに並列なオリフィスとで構成したことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４に記載された発明によると、燃料電池の停止中は、停止状態（放置時間等）によって配管材料や燃料電池内部から冷却水中へ金属イオン等のイオン溶解成分が多く溶出して来る場合があるので、冷却水の電気伝導度は一般に高くなっている可能性がある。従って、燃料電池の起動時に電磁弁を開弁すれば速やかに電気伝導度を低くすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに電気伝導度センサ３ｅ及び／又は温度センサ３ｄの電気出力信号に基づいて前記電磁弁５ｂの開閉を制御する制御装置６が設けられている。ここで使用される制御装置６は、電気的制御回路、又は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＣＰＵ（又はＭＰＵ）及びＩ／Ｏ等を中心として構成されたマイクロコンピュータからなる電子制御装置である。
このように、循環経路３に冷却水の電気伝導度を検知する電気伝導度センサ３ｅ及び冷却水の温度を検知する温度センサ３ｄ設け、これらの電気出力信号に基づき電磁弁５ｂの開閉を制御するようにすれば、冷却水の電気伝導度を好適に維持し、イオン交換器の性能劣化を低減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【発明の効果】
以上の構成と作用からなる本発明によれば、以下の効果を奏する。
１．請求項１に記載された発明によれば、
（１）イオン交換器への必要な通水量を、従来のように通水量を制御する弁だけを介してイオン交換器へ供給するのではなく、並列に設けた電磁弁とオリフィスとで通水量を分担して供給するようにしたので、イオン交換器の従来の浄化機能を損なうことなくイオン交換器への通水量を制御する弁を小型・軽量で廉価な電磁弁で代用することができる。
（２）また、オリフィスを電磁弁と並列に設けたことにより、前記電磁弁が全閉状態のときでも定常運転時に必要なイオン交換器への通水量を確保することができるので、冷却水の電気伝導度が低く安定している。
そのため、システムが長期間運転を停止した後の起動時や異常時等の冷却水中の電気伝導度が高いときのみ電磁弁を開くだけで電気伝導度を低く維持することができる。
その結果、電磁弁の開閉回数が少なくなるので、弁の駆動電力消費量が低減され、弁の耐久性が向上する。
２．請求項２に記載された発明によれば、
（１）イオン交換器への必要な通水量を、従来のように通水量を制御する弁だけを介してイオン交換器へ供給するのではなく、全閉状態のときでもオリフィス機能を持つ電磁弁で供給するようにしたので、イオン交換器の従来の浄化機能を損なうことなく電磁弁周りの省スペース化が図れると共に、電磁弁の目詰まりを防止することができ、弁の信頼性を向上することができる。
（２）また、全閉状態のときでもオリフィス機能を持つ電磁弁を設けたことにより、前記電磁弁が全閉状態のときでも定常運転時に必要なイオン交換器への通水量を確保することができるので、冷却水の電気伝導度が低く安定している。
そのため、システムが長期間運転を停止した後の起動時や異常時等の冷却水中の電気伝導度が高いときのみ電磁弁を開くだけで電気伝導度を低く維持することができる。その結果、電磁弁の開閉回数が少なくなるので、弁の駆動電力消費量が低減され、弁の耐久性が向上する。
３．請求項３に記載された発明によれば、冷却水の電気伝導度を好適に維持し、イオン交換器の性能劣化を低減することができる。
４．請求項４に記載された発明によれば、前記電磁弁を、前記燃料電池の起動時に開弁することで電気伝導度を簡単に低く維持することができる。
５．請求項５に記載された発明によれば、前記電磁弁を、前記電気伝導度の増加時に開弁することで、電気伝導度を低く維持することができる。
６．請求項６に記載された発明によれば、前記電磁弁を、前記冷却水の温度の上昇時に閉弁することで、イオン交換器に充填されているイオン交換樹脂の熱分解による性能劣化を低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非水電解質二次電池およびそれに用いる電解液
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極および非水電解質からなり、
前記非水電解質が、非水溶媒、前記非水溶媒に溶解した溶質および添加剤からなり、
前記非水溶媒が、式（１）：
【化１】
2004014352.tif 000001
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立で、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアセチル基）で表されるγ―ブチロラクトン誘導体を含み、
前記添加剤が、式（２）：
【化２】
2004014352.tif 000002
（式（２）中、Ｒ7〜Ｒ8はそれぞれ独立で、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基または水酸基であり、結合手Ｘは、共有結合、炭素数１〜３のアルキレン基またはイミノ基）で表される２個のピリジン環を有する化合物からなる非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記２個のピリジン環を有する化合物が、２，２’−ビピリジン、４，４’−ビピリジン、４，４’−ジメチル−２，２’−ビピリジン、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミンおよび３，３’−ジピコリルアミンよりなる群から選ばれた少なくとも１種である請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
前記非水電解質に含まれる２個のピリジン環を有する化合物の量が、前記非水溶媒１００体積部あたり０．０１〜０．５体積部である請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項４】
前記γ―ブチロラクトン誘導体が、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトンおよびα−メチル−γ−ブチロラクトンよりなる群から選ばれた少なくとも１種である請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項５】
前記γ―ブチロラクトン誘導体の量が、前記非水溶媒全体の３０体積％以上である請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項６】
前記正極が、リチウム含有遷移金属酸化物からなり、前記負極が、黒鉛からなる請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項７】
非水溶媒、前記非水溶媒に溶解した溶質および添加剤からなり、
前記非水溶媒が、式（１）：
【化３】
2004014352.tif 000003
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立で、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアセチル基）で表されるγ―ブチロラクトン誘導体を含み、
前記添加剤が、式（２）：
【化４】
2004014352.tif 000004
（式（２）中、Ｒ7〜Ｒ8はそれぞれ独立で、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基または水酸基であり、結合手Ｘは、共有結合、炭素数１〜３のアルキレン基またはイミノ基）で表される２個のピリジン環を有する化合物からなる非水電解質二次電池用電解液。
【請求項８】
前記２個のピリジン環を有する化合物が、２，２’−ビピリジン、４，４’−ビピリジン、４，４’−ジメチル−２，２’−ビピリジン、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミンおよび３，３’−ジピコリルアミンよりなる群から選ばれた少なくとも１種である請求項７記載の非水電解質二次電池用電解液。
【請求項９】
前記非水電解質に含まれる２個のピリジン環を有する化合物の量が、前記非水溶媒１００体積部あたり０．０１〜０．５体積部である請求項７記載の非水電解質二次電池用電解液。
【請求項１０】
前記γ―ブチロラクトン誘導体が、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトンおよびα−メチル−γ−ブチロラクトンよりなる群から選ばれた少なくとも１種である請求項７記載の非水電解質二次電池用電解液。
【請求項１１】
前記γ―ブチロラクトン誘導体の量が、前記非水溶媒全体の３０体積％以上である請求項７記載の非水電解質二次電池用電解液。
【請求項１２】
リチウム含有遷移金属酸化物を含む正極、黒鉛を含む負極および非水電解質からなる非水電解質二次電池用電解液であって、
非水溶媒、前記非水溶媒に溶解した溶質および添加剤からなり、
前記非水溶媒が、式（１）：
【化５】
2004014352.tif 000005
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立で、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアセチル基）で表されるγ―ブチロラクトン誘導体を含み、
前記添加剤が、式（２）：
【化６】
2004014352.tif 000006
（式（２）中、Ｒ7〜Ｒ8はそれぞれ独立で、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基または水酸基であり、結合手Ｘは、共有結合、炭素数１〜３のアルキレン基またはイミノ基）で表される２個のピリジン環を有する化合物からなる電解液。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非水電解質二次電池およびそれに用いる電解液
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極および非水電解質からなり、
前記非水電解質が、非水溶媒、前記非水溶媒に溶解した溶質および添加剤からなり、
前記非水溶媒が、式（１）：
【化１】
2004014351.tif 000001
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアセチル基）で表されるγ―ブチロラクトン誘導体を含み、
前記添加剤が、式（２）：
【化２】
2004014351.tif 000002
（式（２）中、Ｒ7〜Ｒ9はそれぞれ独立に炭化水素基）で表される亜リン酸エステルからなり、
前記亜リン酸エステルの量が、前記非水溶媒１００体積部あたり０．１〜５体積部である非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記γ―ブチロラクトン誘導体が、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトンおよびα−メチル−γ−ブチロラクトンよりなる群から選ばれた少なくとも１種である請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
前記γ―ブチロラクトン誘導体の量が、前記非水溶媒全体の３０体積％以上である請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項４】
前記亜リン酸エステルが、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、亜リン酸トリフェニル、亜リン酸トリ−ｎ−プロピル、亜リン酸トリイソプロピル、亜リン酸トリ−ｎ−ブチル、亜リン酸トリ−ｎ−ヘキシル、亜リン酸トリス（２−メチルヘキシル）、亜リン酸トリイソデシル、亜リン酸トリオクタデシル、亜リン酸トリオレイル、亜リン酸トリス（トリメチルシリル）および亜リン酸トリス（４−メチルフェニル）よりなる群から選ばれた少なくとも１種である請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項５】
前記正極が、リチウム含有遷移金属酸化物からなり、前記負極が、黒鉛からなる請求項１〜４のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【請求項６】
非水溶媒、前記非水溶媒に溶解した溶質および添加剤からなり、
前記非水溶媒が、式（１）：
【化３】
2004014351.tif 000003
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアセチル基）で表されるγ―ブチロラクトン誘導体を含み、
前記添加剤が、式（２）：
【化４】
2004014351.tif 000004
（式（２）中、Ｒ7〜Ｒ9はそれぞれ独立に炭化水素基）で表される亜リン酸エステルからなり、
前記亜リン酸エステルの量が、前記非水溶媒１００体積部あたり０．１〜５体積部である非水電解質二次電池用電解液。
【請求項７】
前記γ―ブチロラクトン誘導体が、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトンおよびα−メチル−γ−ブチロラクトンよりなる群から選ばれた少なくとも１種である請求項６記載の非水電解質二次電池用電解液。
【請求項８】
前記γ―ブチロラクトン誘導体の量が、前記非水溶媒全体の３０体積％以上である請求項６記載の非水電解質二次電池用電解液。
【請求項９】
前記亜リン酸エステルが、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、亜リン酸トリフェニル、亜リン酸トリ−ｎ−プロピル、亜リン酸トリイソプロピル、亜リン酸トリ−ｎ−ブチル、亜リン酸トリ−ｎ−ヘキシル、亜リン酸トリス（２−メチルヘキシル）、亜リン酸トリイソデシル、亜リン酸トリオクタデシル、亜リン酸トリオレイル、亜リン酸トリス（トリメチルシリル）および亜リン酸トリス（４−メチルフェニル）よりなる群から選ばれた少なくとも１種である請求項６記載の非水電解質二次電池用電解液。
【請求項１０】
リチウム含有遷移金属酸化物を含む正極、黒鉛を含む負極および非水電解質からなる非水電解質二次電池用電解液であって、
非水溶媒、前記非水溶媒に溶解した溶質および添加剤からなり、
前記非水溶媒が、式（１）：
【化５】
2004014351.tif 000005
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアセチル基）で表されるγ―ブチロラクトン誘導体を含み、
前記添加剤が、式（２）：
【化６】
2004014351.tif 000006
（式（２）中、Ｒ7〜Ｒ9はそれぞれ独立に炭化水素基）で表される亜リン酸エステルからなり、
前記亜リン酸エステルの量が、前記非水溶媒１００体積部あたり０．１〜５体積部である電解液。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄対象が配置され、液体が流入する流入口と、液体が流出する流出口とを有する洗浄室と、
前記洗浄室内に気体を供給する気体供給用弁と、
前記気体供給用弁と接続された気体供給口と、
前記気体供給口から供給される気体を一時的に保持する気体保持室と、
前記気体保持室に接続され、該気体保持室から液体を排出する液体排出用弁と、
を具備することを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
前記洗浄室と前記気体保持室との間に介在して、気体を流通させ、かつ液体の流通を制限する液体流通制限部を具備したことを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記気体保持室が、前記気体供給口に向かって次第に高くなっている天井部を有することを特徴とする請求項１又は２記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記液体流通制限部が、前記洗浄室と前記気体保持室とを繋ぐ複数の流通孔を有することを特徴とする請求項２記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記気体供給用弁が前記気体保持室の上方に配置されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記液体流通制限部が、前記洗浄室内の下方に配置されていることを特徴とする請求項２記載の洗浄装置。
【請求項７】
請求項１に記載の洗浄装置を用いて洗浄を行う洗浄方法であって、
前記気体保持室内に気体を保持した状態で、前記流入口から洗浄液を流入させ、かつ前記流出口から前記洗浄液を流出させて、洗浄対象を洗浄処理する洗浄処理ステップ、
を具備することを特徴とする洗浄方法。
【請求項８】
前記洗浄処理ステップが、前記気体供給用弁を通じて、前記気体保持室内に気体を供給するステップを有する
ことを特徴とする請求項７に記載の洗浄方法。
【請求項９】
前記気体保持室内に気体を保持した状態で、前記流入口からリンス液を流入させ、かつ前記流出口から前記リンス液を流出させて、前記洗浄処理ステップで洗浄された洗浄対象をリンス処理するリンス処理ステップと、
前記液体排出用弁を通じて、前記気体保持室内から前記リンス液を排出するリンス液排出ステップ
をさらに具備することを特徴とする請求項７に記載の洗浄方法。
【請求項１０】
前記気体供給用弁を通じて、前記洗浄室内に乾燥用気体を供給し、前記リンス処理ステップでリンス処理された前記洗浄対象を乾燥する乾燥ステップ
をさらに具備することを特徴とする請求項９に記載の洗浄方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために本発明に係る洗浄装置は、洗浄対象が配置され、液体が流入する流入口と、液体が流出する流出口とを有する洗浄室と、前記洗浄室内に気体を供給する気体供給用弁と、前記気体供給用弁と接続された気体供給口と、前記気体供給口から供給される気体を一時的に保持する気体保持室と、前記気体保持室に接続され、該気体保持室から液体を排出する液体排出用弁と、を具備することを特徴とする
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
気体供給口が気体保持室に設けられている。気体保持室は、供給される気体を一時的に保持すると共に、液体を排出する液体排出用弁が接続されている。気体供給口は、気体を保持する気体保持室に設けられているので、洗浄室から洗浄液が侵入し付着する畏れが少ない。また、洗浄液が気体保持室内（気体供給口を含む）に付着した場合、気体保持室にリンス液を供給し液体排出用弁を通じて排出することで、その内部をクリーニングできる。さらに、気体保持室の天井部が気体供給口に向かって次第に高くなっていることは、気体供給口に洗浄液を付着しにくくし、かつ気体保持室内のクリーニングを容易にする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図３に示すように、前後方向に隣接する２つの放熱フィン(3)において、前側の放熱フィン(3)の各後方突出屈曲部(4b)と後側の放熱フィン(3)の各前方突出屈曲部(4a)とは上下方向に関して同一位置にあり、相互に当接させられている。したがって、各放熱フィン(3)において、上下方向に関して同一位置にある前方突出屈曲部(4a)と後方突出屈曲部(4b)とにより通風間隙(5)が形成され、同じく隣接する２つの放熱フィン(3)において、前側放熱フィン(3)の上下に隣接する２つの後方突出屈曲部(4b)および両後方突出屈曲部(4b)間の垂直部(4c)と、これらと上下方向に関して同一位置にある後側放熱フィン(3)の上下に隣接する２つの前方突出屈曲部(4a)および両前方突出屈曲部(4a)間の垂直部(4c)とにより通風間隙(6)が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
請求項３および請求項４の発明のヒートシンクによれば、放熱ベースおよび放熱フィンの伝熱性が優れたものとなり、その結果放熱ベースの受熱面に接触させられる発熱部品からの熱がスムーズに放熱フィンに伝わって、放熱フィンから放熱される。したがって、ヒートシンクの放熱性能が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の導電型を示す不純物が相対的低濃度に導入されたエピタキシャル層が形成され、前記エピタキシャル層の上面側に、前記第１の導電型と異なる第２の導電型を示す不純物が相対的高濃度に導入された少なくとも２つ以上の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の周辺に所定の距離をおいて、前記第１の導電型を示す不純物が相対的高濃度に導入された第２の半導体領域とが形成されており、
前記第１の半導体領域、前記エピタキシャル層および前記第２の半導体領域からなるダイオードが２つ以上構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に第１の導電型を示す不純物が相対的低濃度に導入されたエピタキシャル層が形成され、前記エピタキシャル層の上面側に、前記第１の導電型と異なる第２の導電型を示す不純物が相対的高濃度に導入された少なくとも２つ以上の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の周辺に所定の距離をおいて、前記第１の導電型を示す不純物が相対的高濃度に導入された第２の半導体領域とが形成されており、
前記第１の半導体領域、前記エピタキシャル層および前記第２の半導体領域からなるダイオードが２つ以上構成され、前記第２の半導体領域は前記基板に達していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板の上面側に、第１の導電型を示す不純物が導入された少なくとも２つ以上の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の周辺に前記第１の導電型と異なる第２の導電型を示す不純物が導入された第２の半導体領域とが形成されており、
前記第１の半導体領域および前記第２の半導体領域からなるダイオードが２つ以上構成され、前記２つ以上のダイオードはそれぞれ異なる外部信号で動作されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
（ａ）基板上に第１の導電型を示す不純物が相対的低濃度に導入されたエピタキシャル層を形成する工程と、
（ｂ）前記エピタキシャル層上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１の絶縁膜の一部を除去した後、前記第１の絶縁膜を除去した領域を通して前記第１の導電型と異なる第２の導電型の不純物を前記エピタキシャル層へ導入して、相対的高濃度の少なくとも２つ以上の第１の半導体領域を形成する工程と、
（ｄ）前記第１の絶縁膜の上層に第２の絶縁膜を形成する工程と、
（ｅ）前記第１の半導体領域から所定の距離をおいて、所定の幅で前記第１の半導体領域周辺の前記第１および第２の絶縁膜を除去した後、前記第１および第２の絶縁膜を除去した領域を通して前記第１の導電型の不純物を前記エピタキシャル層へ導入して、相対的高濃度の第２の半導体領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）基板上に第１の導電型を示す不純物が相対的低濃度に導入されたエピタキシャル層を形成する工程と、
（ｂ）前記エピタキシャル層上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１の絶縁膜の一部を除去した後、前記第１の絶縁膜を除去した領域を通して前記第１の導電型と異なる第２の導電型の不純物を前記エピタキシャル層へ導入して、相対的高濃度の少なくとも２つ以上の第１の半導体領域を形成する工程と、
（ｄ）前記第１の絶縁膜の上層に第２の絶縁膜を形成する工程と、
（ｅ）前記第１の半導体領域から所定の距離をおいて、所定の幅で前記第１の半導体領域周辺の前記第１および第２の絶縁膜を除去した後、前記第１および第２の絶縁膜を除去した領域を通して前記第１の導電型の不純物を前記エピタキシャル層へ導入して、相対的高濃度の第２の半導体領域を形成する工程とを有し、
前記第２の半導体領域は、前記基板に達することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このｎ＋ｐ接合ダイオードは、まず相対的に高濃度（たとえば１０１９ｃｍ−３）にドープされたｐ型の導電性を示す基板上に、相対的に低濃度（たとえば１０１６ｃｍ−３）にドープされるｐ型エピタキシャル膜を成長させる。次に、熱酸化処理によりエピタキシャル膜の表面にシリコン酸化膜を形成した後、シリコン酸化膜の一部を取り除いて窓を形成し、続いてその窓を通じてｎ型の導電性を示す不純物をエピタキシャル膜へ拡散することにより、ｎ＋ｐ接合ダイオードが形成される。このような接合は、基板上に同時に複数個形成される。
また、特開２００１−１８５７３９号公報には、図１および［００１９］段落にラテラル型のＰＩＮダイオード構造の開示がある。特開平５−４１５３５号公報には、図１および［００２１］段落にラテラル型のＰＩＮフォトダイオード構造の開示がある。特開平５−６７７２９号公報には、図２および［０００７］段落にラテラル型のＰＩＮダイオード構造の開示がある。特開２００２−３１４１１７号公報には、図１および［００１０］段落にラテラル型のフォトダイオード構造の開示がある。特開平８−８８３９４号公報には、図１，２，３および［００２０］〜［００２３］段落にラテラル型のＰＩＮ型フォトダイオード構造の開示がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【第１の実施形態】
次に、図２及び図３を参照して本発明の第１の実施形態を説明する。
本発明の第１の実施形態に従う半導体装置としてのショットキバリアを有するダイオードは図２に示すように、シリコン又は３−５族化合物半導体等の半導体基板１０と第１及び第２の電極１１、１２と、絶縁膜１３とから成る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線を発生する電子源と、
前記電子線を走査する偏向器と、
対物レンズと、
試料を載置する試料台と、
前記電子線を前記試料に照射して発生した二次電子を検出する検出器と、
前記電子線を分割する絞りとを備え、
前記絞りによって分割された第一の電子線と第二の電子線を前記試料に照射して、該第二の電子線によって前記試料の所望の領域を帯電させ、
該帯電させた領域に前記第一の電子線を照射することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
電子線を発生する電子源と、
電子線を非検査半導体回路パターン上に集束する対物レンズと、
前記電子線の電流量を調整するための絞りと、
前記電子線を被検査半導体回路パターンの所望の位置に位置付けるための偏向器と、
絶縁物を含む前記被検査回路パターンの第一の領域と第二の領域の画像を前記電子線により取得した画像を比較することで前記被検査半導体回路パターンの欠陥を検査する検査装置において、
前記絞りは前記電子線の光軸上に配置された中心孔と、前記中心孔の周囲に中心孔よりも小さい孔を一個または複数個有することを特徴とする検査装置。
【請求項３】
請求項１に記載の検査装置において、
前記絞りは前記電子線の光軸上に配置された中心孔と、前記中心孔の周囲に中心孔よりも小さい孔を一個または複数個有することを特徴とする検査装置。
【請求項４】
請求項１に記載の検査装置において、
前記第一の電子線の電流量と比較して、前記第二の電子線の電流量は十分小さいことを特徴とする検査装置。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載の半導体回路パターンの検査装置において、
前記絞りの中心孔の中心と周囲の小さい孔の中心の距離は、周囲の小さい孔を通過した前記電子線が前記対物レンズ中心軸の十分外側を通過し、中心孔を通過した前記電子線が前記半導体回路パターン上に焦点を結ぶ場所よりも離れた位置に照射されることを特徴とする検査装置。
【請求項６】
電子線を発生する電子源と、
前記電子線を走査する偏向器と、
対物レンズと、
試料を載置する試料台と、
前記電子線を前記試料に照射して発生した二次電子を検出する検出器と、
前記電子線を分割する絞りとを備えることを特徴とする検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周辺部に基体を載置するサセプタと、このサセプタの中心部に設けられた整流部と、前記整流部に対して原料ガスを導出するガス導出手段とからなり、導出された前記原料ガスが前記整流部に沿って前記周辺部へ導かれるように構成された気相成長装置において、前記ガス導出手段のガス導出口に対向した前記整流部の対向面が実質的に、全面において前記周辺部側へ連続して曲面状又は直線状に傾斜した整流面からなり、この整流面が前記傾斜の状態で前記周辺部にまで延びていることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
前記整流部の整流面が凸状曲面を成しており、この曲面が前記整流部の中心線に関して対称形状となっている、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記整流部の整流面が直線状の面を成しており、この面が前記整流部の中心線に関して対称形状となっている、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記整流部の整流面が凹状曲面を成しており、この曲面が前記整流部の中心線に関して対称形状となっている、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項５】
前記サセプタに対向して、前記ガス導出手段を有するフード状ガス案内手段が配置され、このガス案内手段が前記周辺部にまで延びていてこの周辺部にて前記サセプタとの間にガス流出口が形成されている、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項６】
前記サセプタと前記ガス案内手段との間の間隔が前記周辺部側へ漸次小さくなるように前記ガス案内手段が拡径されている、請求項５に記載の気相成長装置。
【請求項７】
前記導出ガスとして有機金属化合物ガスを用いる化学的気相成長に適用される、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項８】
前記サセプタが前記ガス案内手段に対して相対的に回転する、請求項５に記載の気相成長装置。
【請求項９】
前記サセプタの外側にヒーターが配置されている、請求項５に記載の気相成長装置。
【請求項１０】
サセプタの周辺部に基体を載置し、前記サセプタの中心部に設けられた整流部に対して原料ガスを導出して前記整流部に沿って前記周辺部へ導きながら、前記基体に気相成長を行うに際し、前記ガス導出手段のガス導出口に対向した対向面が実質的に、全面において前記周辺部側へ連続して曲面状又は直線状に傾斜した整流面からなり、この整流面が前記傾斜の状態で前記周辺部にまで延びている前記整流部に沿って、前記ガス導出口からの前記原料ガスを前記基体上に導く気相成長方法。
【請求項１１】
前記整流部の整流面を凸状曲面にし、この曲面を前記整流部の中心線に関して対称形状とする、請求項１０に記載の気相成長方法。
【請求項１２】
前記整流部の整流面を直線状の面にし、この面を前記整流部の中心線に関して対称形状とする、請求項１０に記載の気相成長方法。
【請求項１３】
前記整流部の整流面を凹状曲面にし、この曲面を前記整流部の中心線に関して対称形状とする、請求項１０に記載の気相成長方法。
【請求項１４】
前記サセプタに対向して、前記ガス導出手段を有するフード状ガス案内手段を配置し、このガス案内手段を前記周辺部にまで延ばしてこの周辺部にて前記サセプタとの間にガス流出口を形成する、請求項１０に記載の気相成長方法。
【請求項１５】
前記サセプタと前記ガス案内手段との間の間隔が前記周辺部側へ漸次小さくなるように前記ガス案内手段を拡径する、請求項１４に記載の気相成長方法。
【請求項１６】
前記導出ガスとして有機金属化合物ガスを用いる化学的気相成長に適用する、請求項１０に記載の気相成長方法。
【請求項１７】
前記サセプタを前記ガス案内手段に対して相対的に回転させる、請求項１４に記載の気相成長方法。
【請求項１８】
前記サセプタの外側にヒーターを配置する、請求項１４に記載の気相成長方法。
【請求項１９】
周辺部に基体を載置しかつ中心部に整流部が設けられ、前記整流部に対して原料ガスを導出するガス導出手段から導出された前記原料ガスが、前記整流部に沿って前記周辺部へ導かれるように構成された基体保持用サセプタにおいて、前記ガス導出手段のガス導出口に対向した前記整流部の対向面が実質的に、全面において前記周辺部側へ連続して曲面状又は直線状に傾斜した整流面からなり、この整流面が前記傾斜の状態で前記周辺部にまで延びていることを特徴とする基体保持用サセプタ。