【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気メモリセル（10）であって、
変更可能な磁化の向き（Ｍ２）としてデータのビットを格納するための強磁性データ層（11）と、
前記強磁性データ層（11）と電気的に通じる第１の導体（29）と、
前記強磁性データ層（11）と接触する中間層（13）と、及び
ピン留めされない磁化の向き（Ｍ１）を有し、読出し−書込み導体（19）、及びその読出し−書込み導体（19）を完全に包囲する強磁性クラッディング（21）を含む軟らかい強磁性リファレンス層（17）であって、前記強磁性クラッディング（21）が、前記中間層（13）に接触している前記強磁性クラッディング（21）の部分に沿った薄い部分（Ｄ１）、及び前記中間層（13）と接触していない前記強磁性クラッディング（21）の部分に沿った厚い部分を含む調整された厚みを有する、軟らかい強磁性リファレンス層（17）とからなり、
読出し動作中、前記軟らかい強磁性リファレンス層（17）が、前記読出し−書込み導体（19）を流れる読出し電流（ＩＲ）によって生成される読出し磁界（ＨＲ）によって所望の向きにオンザフライでピン留めされ、前記読出し磁界（ＨＲ）が前記強磁性クラッディング（21）を飽和させず、前記強磁性クラッディング（21）内に概ね閉じ込められ、
書込み動作中、前記第１の導体（29）が、前記第１の導体（29）を流れる第１の書込み電流（ＩＷ１）に応答して第１の書込み磁界（ＨＷ１）を生成するように機能し、前記第１の書込み磁界（ＨＷ１）が前記強磁性クラッディング（21）の前記薄い部分（Ｄ１）を飽和させ、前記強磁性データ層（11）まで外側に延びる、磁気メモリセル（10）。
【請求項２】
前記強磁性データ層（11）および前記強磁性クラッディング（21）のうちの任意の選択された１つあるいは複数の層が、高透磁率の軟らかい磁性材料からなる、請求項１に記載の磁気メモリセル（10）。
【請求項３】
前記高透磁率の軟らかい磁性材料が、ニッケル鉄、ニッケル鉄の合金、ニッケル鉄コバルト、ニッケル鉄コバルトの合金、コバルト鉄、コバルト鉄の合金、およびパーマロイ（Ｒ）からなるグループから選択された材料である、請求項２に記載の磁気メモリセル（10）。
【請求項４】
前記強磁性データ層（11）および前記強磁性クラッディング（21）が、同じ高透磁率の軟らかい磁性材料から形成される、請求項１に記載の磁気メモリセル（10）。
【請求項５】
前記強磁性データ層（11）および前記強磁性クラッディング（21）のうちの任意の選択された１つあるいは複数の層が、約１０００より大きい比透磁率を有する、請求項１に記載の磁気メモリセル（10）。
【請求項６】
前記強磁性データ層（11）および前記強磁性クラッディング（21）のうちの任意の選択された１つあるいは複数の層が、約１０００Ａ／ｍまたはそれより小さい飽和保磁力を有する、請求項１に記載の磁気メモリセル（10）。
【請求項７】
前記読出し−書込み導体（19）が、銅、銅の合金、アルミニウム、アルミニウムの合金、アルミニウム銅、アルミニウム銅の合金、タンタル、タンタルの合金、金、金の合金、銀、および銀の合金からなるグループから選択された導電性材料である、請求項１に記載の磁気メモリセル（10）。
【請求項８】
前記強磁性クラッディング（21）の前記調整された厚みが、前記中間層と接触していない前記強磁性クラッディング（21）の部分に沿って、約３．０ｎｍ〜約１００．０ｎｍである、請求項１に記載の磁気メモリセル（10）。
【請求項９】
前記強磁性クラッディング（21）と前記中間層（13）との間に配置され、前記強磁性クラッディング（21）と磁気的に結合される強磁性キャップ層（15）をさらに備え、前記強磁性クラッディング（21）が、前記強磁性キャップ層（15）と接触している前記強磁性クラッディング（21）の部分に沿った薄い部分（Ｄ１）、及び前記強磁性キャップ層（15）と接触していない前記強磁性クラッディング（21）の部分に沿った厚い部分を含む調整された厚みを有し、
前記読出し動作中に、前記生成された読出し磁界（ＨＲ）は、前記強磁性クラッディング（21）および前記強磁性キャップ層（15）を飽和させず、前記強磁性クラッディング（21）および前記強磁性キャップ層（15）内に概ね閉じ込められ、及び
書込み動作中、前記第１の書込み磁界（ＨＷ１）は、前記強磁性クラッディング（21）の前記薄い部分（Ｄ１）および前記強磁性キャップ層（15）を飽和させ、前記強磁性データ層（11）まで外側に延びる、請求項１に記載の磁気メモリセル（10）。
【請求項１０】
変更可能な磁化の向きとしてデータのビットを格納するための強磁性データ層と、前記強磁性データ層と電気的に通じている第１の導体と、既知の方向にピン留めされる磁化の向きを有する強磁性リファレンス層と、前記強磁性リファレンス層と電気的に通じている第２の導体と、前記強磁性データ層と前記強磁性リファレンス層との間の中間層とを含み、前記ビットが、前記第１の導体と前記第２の導体との間の抵抗を測定することにより読み出され、前記第１および前記第２の導体に第１および第２の電流を流し、前記強磁性データ層と協働する第１および第２の書込み磁界を生成し、前記変更可能な磁化の向きを回転させることにより、前記ビットが書き込まれる磁気メモリセルにおいて、
ピン留めされない磁化の向き（Ｍ１）を有し、読出し−書込み導体（19）、及びその読出し−書込み導体（19）を完全に包囲する強磁性クラッディング（21）を含む軟らかい強磁性リファレンス層（17）を含み、前記強磁性クラッディング（21）が、前記中間層（13）に接触している前記強磁性クラッディング（21）の部分に沿った薄い部分（Ｄ１）、及び前記中間層（13）と接触していない前記強磁性クラッディング（21）の部分に沿った厚い部分を含む調整された厚みを有し、
読出し動作中、前記軟らかい強磁性リファレンス層（17）が、前記読出し−書込み導体（19）を流れる読出し電流（ＩＲ）によって生成される読出し磁界（ＨＲ）によって所望の向きにオンザフライでピン留めされ、前記読出し磁界（ＨＲ）が前記強磁性クラッディング（21）を飽和させず、前記強磁性クラッディング（21）内に概ね閉じ込められ、
書込み動作中、前記第１の導体（29）が、前記第１の導体（29）を流れる第１の書込み電流（ＩＷ１）に応答して第１の書込み磁界（ＨＷ１）を生成するように機能し、前記第１の書込み磁界（ＨＷ１）が前記強磁性クラッディング（21）の前記薄い部分（Ｄ１）を飽和させ、前記強磁性データ層（11）まで外側に延びるように改善されている、磁気メモリセル。
【請求項１１】
前記強磁性クラッディング（21）と前記中間層（13）との間に配置され、前記強磁性クラッディング（21）と磁気的に結合される強磁性キャップ層（15）をさらに備え、前記強磁性クラッディング（21）が、前記強磁性キャップ層（15）と接触している前記強磁性クラッディング（21）の部分に沿った薄い部分（Ｄ１）、及び前記強磁性キャップ層（15）と接触していない前記強磁性クラッディング（21）の部分に沿った厚い部分を含む調整された厚みを有し、
前記読出し動作中、前記生成された読出し磁界（ＨＲ）が、前記強磁性クラッディング（21）および前記強磁性キャップ層（15）を飽和させず、前記強磁性クラッディング（21）および前記強磁性キャップ層（15）内に概ね閉じ込められ、及び
前記書込み動作中、前記第１の書込み磁界（ＨＷ１）が、前記強磁性クラッディング（21）の前記薄い部分（Ｄ１）および前記強磁性キャップ層（15）を飽和させ、前記強磁性データ層（11）まで外側に延びる、請求項１０に記載の磁気メモリセル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
したがって、従来のトンネル接合メモリの１つの短所は、リファレンス層を形成するために、その構造内に複数の層を必要とすることである。それらの層を形成するために必要とされる余分な材料のため、従来のトンネル接合メモリセル２００および３００を製造するために、余分なマイクロエレクトロニクス処理ステップが必要とされる。それらの余分なステップの結果として、メモリの製造時に欠陥を生じる、またはそのメモリを組み込んだ製品において後に故障するかもしれない欠陥の可能性がトンネル接合メモリに導入されることになる。欠陥を低減し、歩留まりを向上させるために、複雑な構造、それゆえメモリを製造するために必要とされる処理ステップの数を最小にすることが望ましい。さらに、リファレンス層を形成するために必要な材料自体が、製造の難しい材料である。磁気メモリを量産する場合、製造プロセスが簡略化され、製造コストが削減されるように、容易に形成できる材料を用いることが望ましい。