【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、
前記基板上に引張応力を有する第１の材料層が設けられており、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成した後、当該第２の材料層上に被剥離層を形成し、
前記基板にレーザー光を部分的に照射することで前記第１の材料層と前記第２の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、前記被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項２】
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、
前記基板上に引張応力を有する第１の材料層が設けられており、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成した後、当該第２の材料層上に被剥離層を形成し、
前記基板にレーザー光を部分的に照射することで前記第１の材料層と前記第２の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、前記被剥離層に支持体を接着し、
前記支持体に接着された被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記レーザー光の照射は、前記基板の周縁に沿って行われることを特徴とする剥離方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記第１の材料層はタングステン、窒化タングステン、窒化チタンまたはＴｉＷを有することを特徴とする剥離方法。
【請求項５】
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、
前記基板上に引張応力を有する第１の材料層が設けられており、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成した後、当該第２の材料層上に被剥離層を形成し、
前記基板に外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えることで前記第１の材料層と前記第２の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、前記被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項６】
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、
前記基板上にタングステンまたは窒化タングステンを有する第１の材料層が設けられており、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成した後、当該第２の材料層上に被剥離層を形成し、
前記基板に外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えることで前記第１の材料層と前記第２の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、前記被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項７】
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、
前記基板上に窒化チタンを有し、５０ｎｍより大きな厚さを有する第１の材料層が設けられており、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成した後、当該第２の材料層上に被剥離層を形成し、
前記基板に外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えることで前記第１の材料層と前記第２の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、前記被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項８】
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、
前記基板上に引張応力を有する第１の材料層が設けられており、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成した後、当該第２の材料層上に被剥離層を形成し、
前記基板に外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えることで前記第１の材料層と前記第２の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、前記被剥離層に支持体を接着し、
前記支持体に接着された被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項９】
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、
前記基板上にタングステンまたは窒化タングステンを有する第１の材料層が設けられており、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成した後、当該第２の材料層上に被剥離層を形成し、
前記基板に外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えることで前記第１の材料層と前記第２の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、前記被剥離層に支持体を接着し、
前記支持体に接着された被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項１０】
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、
前記基板上に窒化チタンを有し、５０ｎｍより大きな厚さを有する第１の材料層が設けられており、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成した後、当該第２の材料層上に被剥離層を形成し、
前記基板に外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えることで前記第１の材料層と前記第２の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、前記被剥離層に支持体を接着し、
前記支持体に接着された被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項１１】
請求項５乃至請求項１０のいずれか一において、前記外部から局所的に圧力を加えることは前記基板の周縁に沿って行われることを特徴とする剥離方法。
【請求項１２】
請求項５乃至請求項１１のいずれか一において、前記外部から局所的に圧力を加える手段としてカッターでスクライブすることを特徴とする剥離方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記第２の材料層は酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化金属材料を有することを特徴とする剥離方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記物理的手段により剥離する際、前記密着性を低下させる処理が行われた領域から剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、前記物理的手段として超音波を用いることを特徴とする剥離方法。
【請求項１６】
基板上に引張応力を有する第１の材料層を形成する工程と、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成する工程と、
素子を含む被剥離層を形成する工程と、
前記素子を含む被剥離層に支持体を接着した後、当該支持体を前記第１の材料層が設けられた前記基板から物理的手段により剥離する工程と、
前記素子を含む被剥離層に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を挟む工程とを有し、
前記剥離する工程の前に前記基板にレーザー光を部分的に照射することで前記基板と前記被剥離層との密着性を部分的に低下させる処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記レーザー光の照射は、前記基板の周縁に沿って行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、前記第１の材料層はタングステン、窒化タングステン、窒化チタンまたはＴｉＷを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至請求項１８のいずれか一において、前記レーザー光の発振形態は、連続発振またはパルス発振であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１６乃至請求項１８のいずれか一において、前記レーザー光は、ＹＡＧ、ＹＶＯ4、ＹＬＦ、またはＹＡｌＯ3で示される結晶にＮｄ、Ｔｍ、Ｈｏをドープした結晶を使った固体レーザー、或いはエキシマレーザー、ＣＯ2レーザー、またはアルゴンレーザー、或いは半導体レーザーであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
基板上に引張応力を有する第１の材料層を形成する工程と、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成する工程と、
素子を含む被剥離層を形成する工程と、
前記素子を含む被剥離層に支持体を接着した後、当該支持体を前記第１の材料層が設けられた前記基板から物理的手段により剥離する工程と、
前記素子を含む被剥離層に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を挟む工程とを有し、
前記剥離する工程の前に前記基板に外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えることで前記基板と前記被剥離層との密着性を部分的に低下させる処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
基板上にタングステンまたは窒化タングステンを有する第１の材料層を形成する工程と、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成する工程と、
素子を含む被剥離層を形成する工程と、
前記素子を含む被剥離層に支持体を接着した後、当該支持体を前記第１の材料層が設けられた前記基板から物理的手段により剥離する工程と、
前記素子を含む被剥離層に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を挟む工程とを有し、
前記剥離する工程の前に前記基板に外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えることで前記基板と前記被剥離層との密着性を部分的に低下させる処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
基板上に窒化チタンを有し、５０ｎｍより大きな厚さを有する第１の材料層を形成する工程と、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成する工程と、
素子を含む被剥離層を形成する工程と、
前記素子を含む被剥離層に支持体を接着した後、当該支持体を前記第１の材料層が設けられた前記基板から物理的手段により剥離する工程と、
前記素子を含む被剥離層に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を挟む工程とを有し、
前記剥離する工程の前に前記基板に外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えることで前記基板と前記被剥離層との密着性を部分的に低下させる処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２１乃至請求項２３のいずれか一において、前記外部から局所的に圧力を加えることは前記基板の周縁に沿って行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２１乃至請求項２４のいずれか一において、前記外部から局所的に圧力を加える手段としてカッターでスクライブすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１６乃至請求項２５のいずれか一において、前記第２の材料層は酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化金属材料を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項１６乃至請求項２６のいずれか一において、前記物理的手段により剥離する際、前記密着性を低下させる処理が行われた領域から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項１６乃至請求項２７のいずれか一において、前記物理的手段により剥離する際、基板の端面にガスを吹付けて剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項１６乃至請求項２７のいずれか一において、前記物理的手段により剥離する際、レーザー光を照射すると同時に基板の端面にガスを吹付けて剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項１６乃至請求項２７のいずれか一において、前記物理的手段により剥離する際、前記密着性を低下させる処理が行われた領域からレーザー光を走査すると同時に基板の端面にガスを吹付けて剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項２８乃至請求項３０のいずれか一において、前記ガスは、加熱された窒素ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項１６乃至請求項２７のいずれか一において、前記物理的手段により剥離する際、超音波を用いて剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。