【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエステル樹脂を含む反射防止組成物層、および
該反射防止組成物層の上のフォトレジスト層を含む、被覆された基体。
【請求項２】
該ポリエステル樹脂が芳香族基を含む、請求項１記載の基体。
【請求項３】
該ポリエステル樹脂が芳香族基をペンダント基として含む、請求項１記載の基体。
【請求項４】
該ポリエステル樹脂が芳香族基を樹脂の骨格単位として含む、請求項１または３記載の基体。
【請求項５】
芳香族基が炭素環式アリール基である、請求項２から４のいずれか１項記載の基体。
【請求項６】
炭素環式アリール基が任意に置換されたフェニル、任意に置換されたナフチル、または任意に置換されたアントラセンである、請求項５記載の基体。
【請求項７】
反射防止組成物が任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項１から６のいずれか１項記載の基体。
【請求項８】
反射防止組成物が任意に置換された炭素環式アリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項１から６のいずれか１項記載の基体。
【請求項９】
反射防止組成物が任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基または任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項１から６のいずれか１項記載の基体。
【請求項１０】
ポリエステル樹脂がグリセロール基を含む、請求項１から９のいずれか１項記載の基体。
【請求項１１】
ポリエステル樹脂がトリヒドロキシシアヌレート基を含む、請求項１から９のいずれか１項記載の基体。
【請求項１２】
反射防止組成物層がさらに架橋成分を含む請求項１から１１のいずれか１項記載の基体。
【請求項１３】
反射防止組成物が架橋されている請求項１から１２のいずれか１項記載の基体。
【請求項１４】
反射防止組成物がさらに酸または酸生成化合物を含む、請求項１から１３のいずれか１項記載の基体。
【請求項１５】
樹脂骨格がエステル繰り返し単位を含む、請求項１から１５のいずれか１項記載の基体。
【請求項１６】
樹脂のエステル繰り返し単位が芳香族部位を含む、請求項１から１５のいずれか１項記載の基体。
【請求項１７】
芳香族部位が任意に置換されたフェニル、任意に置換されたナフチル、または任意に置換されたアントラセニルから選択される１以上の基である、請求項１６記載の基体。
【請求項１８】
ポリエステル樹脂がコポリマーである、請求項１から１７のいずれか１項記載の基体。
【請求項１９】
ポリエステル樹脂がターポリマーである、請求項１から１７のいずれか１項記載の基体。
【請求項２０】
ポリエステル樹脂がテトラポリマーである、請求項１から１７のいずれか１項記載の基体。
【請求項２１】
ポリエステル樹脂がアクリレート単位を含む、請求項１から２０のいずれか１項記載の基体。
【請求項２２】
ポリエステル樹脂がエステル単位以外の繰り返し単位に発色団基を含む、請求項１から２１のいずれか１項記載の基体。
【請求項２３】
反射防止組成物が発色団基を含み、該発色団基はポリエステル樹脂とは異なる物質中に存在する、請求項１から２２のいずれか１項記載の基体。
【請求項２４】
反射防止層が任意に置換されたアントラセニル基、任意に置換されたナフチレン基、または任意に置換されたフェニル基を含む、請求項１から２３のいずれか１項記載の基体。
【請求項２５】
反射防止組成物がさらにポリエステル樹脂とは異なる樹脂を含む、請求項１から２４のいずれか１項記載の基体。
【請求項２６】
ポリエステル樹脂またはさらなる異なる樹脂が約３００００よりも大きな重量平均分子量を有する、請求項１から２５のいずれか１項記載の基体。
【請求項２７】
反射防止組成物が可塑剤を含む請求項１から２５のいずれか１項記載の基体。
【請求項２８】
反射防止組成物が１以上のオキシイソ酪酸エステルを含む溶剤成分と配合される、請求項１から２７のいずれか１項記載の基体。
【請求項２９】
反射防止組成物がメチル−２−ヒドロキシイソブチレートを含む溶剤成分と配合される、請求項１から２７のいずれか１項記載の基体。
【請求項３０】
フォトレジスト組成物が化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物である、請求項１から２９のいずれか１項記載の基体。
【請求項３１】
フォトレジスト組成物がネガ型レジストである、請求項１から２９のいずれか１項記載の基体。
【請求項３２】
基体がマイクロエレクトロニックウエハー基体である請求項１から３１のいずれか１項記載の基体。
【請求項３３】
２以上のヒドロキシ基を含む物質から得られる樹脂を含む反射防止組成物層、および該反射防止組成物層の上のフォトレジスト層を含む、被覆された基体。
【請求項３４】
樹脂中に組み込まれた物質が複数のヒドロキシ基を有する繰り返し単位を提供する、請求項３３記載の基体。
【請求項３５】
物質がジオールである請求項３３または３４記載の基体。
【請求項３６】
物質がトリオールである請求項３３または３４記載の基体。
【請求項３７】
物質がテトラオールである請求項３３または３４記載の基体。
【請求項３８】
樹脂がポリエステルである請求項３３から３７のいずれか１項記載の基体。
【請求項３９】
樹脂が芳香族基をペンダント基として含む、請求項３３から３８のいずれか１項記載の基体。
【請求項４０】
樹脂が芳香族基を樹脂の骨格単位として含む、請求項３３から３８のいずれか１項記載の基体。
【請求項４１】
芳香族基が炭素環式アリール基である、請求項３９または４０記載の基体。
【請求項４２】
炭素環式アリール基が任意に置換されたフェニル、任意に置換されたナフチル、または任意に置換されたアントラセンである、請求項４１記載の基体。
【請求項４３】
反射防止組成物が任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項３３から４２のいずれか１項記載の基体。
【請求項４４】
反射防止組成物が任意に置換された炭素環式アリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項３３から４２のいずれか１項記載の基体。
【請求項４５】
反射防止組成物が任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基または任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項３３から４４のいずれか１項記載の基体。
【請求項４６】
樹脂がグリセロール基またはトリヒドロキシシアヌレート基を含む、請求項３３から４５のいずれか１項記載の基体。
【請求項４７】
反射防止組成物層がさらに架橋成分を含む請求項３３から４６のいずれか１項記載の基体。
【請求項４８】
反射防止組成物が架橋されている請求項３３から４７のいずれか１項記載の基体。
【請求項４９】
反射防止組成物がさらに酸または酸生成化合物を含む、請求項３３から４８のいずれか１項記載の基体。
【請求項５０】
反射防止層が任意に置換されたアントラセニル基、任意に置換されたナフチレン基、または任意に置換されたフェニル基を含む、請求項３３から４９のいずれか１項記載の基体。
【請求項５１】
反射防止組成物がさらに多ヒドロキシ物質から形成された樹脂とは異なる樹脂を含む、請求項３３から５０のいずれか１項記載の基体。
【請求項５２】
反射防止組成物が可塑剤を含む請求項３３から５１のいずれか１項記載の基体。
【請求項５３】
反射防止組成物が１以上のオキシイソ酪酸エステルを含む溶剤成分と配合される、請求項３３から５２のいずれか１項記載の基体。
【請求項５４】
反射防止組成物がメチル−２−ヒドロキシイソブチレートを含む溶剤成分と配合される、請求項３３から５２のいずれか１項記載の基体。
【請求項５５】
フォトレジスト組成物が化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物である、請求項３３から５４のいずれか１項記載の基体。
【請求項５６】
フォトレジスト組成物がネガ型レジストである、請求項３３から５５のいずれか１項記載の基体。
【請求項５７】
基体がマイクロエレクトロニックウエハー基体である請求項３３から５６のいずれか１項記載の基体。
【請求項５８】
ポリエステル樹脂を含む反射防止組成物の層を基体の上に適用する工程、
該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用する工程、および
フォトレジスト層を露光し、現像してレジストレリーフイメージを提供する工程
を含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方法。
【請求項５９】
該ポリエステル樹脂が芳香族基を含む、請求項５８記載の方法。
【請求項６０】
該ポリエステル樹脂が芳香族基をペンダント基として含む、請求項５８記載の方法。
【請求項６１】
該ポリエステル樹脂が芳香族基を樹脂の骨格単位として含む、請求項５８から６０のいずれか１項記載の方法。
【請求項６２】
芳香族基が炭素環式アリール基である、請求項５８から６１のいずれか１項記載の方法。
【請求項６３】
炭素環式アリール基が任意に置換されたフェニル、任意に置換されたナフチル、または任意に置換されたアントラセンである、請求項６２記載の方法。
【請求項６４】
反射防止組成物が任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項５８から６３のいずれか１項記載の方法。
【請求項６５】
反射防止組成物が任意に置換された炭素環式アリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項５８から６３のいずれか１項記載の方法。
【請求項６６】
反射防止組成物が任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基または任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項５８から６５のいずれか１項記載の方法。
【請求項６７】
ポリエステル樹脂が重合されたグリセロール基を含む、請求項５８から６６のいずれか１項記載の方法。
【請求項６８】
ポリエステル樹脂が重合されたトリヒドロキシシアヌレート基を含む、請求項５８から６７のいずれか１項記載の方法。
【請求項６９】
反射防止組成物がさらに架橋成分を含む請求項５８から６８のいずれか１項記載の方法。
【請求項７０】
フォトレジストの適用の前に反射防止組成物が架橋されている請求項５８から６９のいずれか１項記載の方法。
【請求項７１】
フォトレジスト層が、約３００ｎｍ未満の波長の放射線で露光される請求項５８から７０のいずれか１項記載の方法。
【請求項７２】
フォトレジスト層が、約２００ｎｍ未満の波長の放射線で露光される請求項５８から７０のいずれか１項記載の方法。
【請求項７３】
フォトレジスト層が、約２４８ｎｍの波長の放射線で露光される請求項５８から７０のいずれか１項記載の方法。
【請求項７４】
フォトレジスト層が、約１９３ｎｍの波長の放射線で露光される請求項５８から７０のいずれか１項記載の方法。
【請求項７５】
反射防止組成物がさらに酸または酸生成化合物を含む、請求項５８から７４のいずれか１項記載の方法。
【請求項７６】
樹脂骨格がエステル繰り返し単位を含む、請求項５８から７５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７７】
樹脂のエステル繰り返し単位が芳香族部位を含む、請求項５８から７６のいずれか１項記載の方法。
【請求項７８】
芳香族部位が任意に置換されたフェニル、任意に置換されたナフチル、または任意に置換されたアントラセニルから選択される１以上の基である、請求項７７記載の方法。
【請求項７９】
ポリエステル樹脂がコポリマーである、請求項５８から７８のいずれか１項記載の方法。
【請求項８０】
ポリエステル樹脂がターポリマーである、請求項５８から７８のいずれか１項記載の方法。
【請求項８１】
ポリエステル樹脂がテトラポリマーである、請求項５８から７８のいずれか１項記載の方法。
【請求項８２】
ポリエステル樹脂がアクリレート単位を含む、請求項５８から８１のいずれか１項記載の方法。
【請求項８３】
ポリエステル樹脂がエステル単位以外に、発色団基を含む繰り返し単位を含む、請求項５８から８２のいずれか１項記載の方法。
【請求項８４】
反射防止組成物が発色団基を含み、該発色団基はポリエステル樹脂とは異なる物質中に存在する、請求項５８から８３のいずれか１項記載の方法。
【請求項８５】
反射防止層が任意に置換されたアントラセニル基、任意に置換されたナフチレン基、または任意に置換されたフェニル基を含む、請求項５８から８４のいずれか１項記載の方法。
【請求項８６】
反射防止組成物がさらにポリエステル樹脂とは異なる樹脂を含む、請求項５８から８５のいずれか１項記載の方法。
【請求項８７】
ポリエステル樹脂またはさらなる異なる樹脂が約３００００よりも大きな重量平均分子量を有する、請求項５８から８６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８８】
反射防止組成物が可塑剤を含む請求項５８から８７のいずれか１項記載の方法。
【請求項８９】
反射防止組成物が１以上のオキシイソ酪酸エステルを含む溶剤成分と配合される、請求項５８から８８のいずれか１項記載の方法。
【請求項９０】
反射防止組成物がメチル−２−ヒドロキシイソブチレートを含む溶剤成分と配合される、請求項５８から８９のいずれか１項記載の方法。
【請求項９１】
フォトレジスト組成物が化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物である、請求項５８から９０のいずれか１項記載の方法。
【請求項９２】
フォトレジスト組成物がネガ型レジストである、請求項５８から９０のいずれか１項記載の方法。
【請求項９３】
基体がマイクロエレクトロニックウエハー基体である請求項５８から９２のいずれか１項記載の方法。
【請求項９４】
２以上のヒドロキシ基を含む物質から得られる樹脂を含む反射防止組成物の層を基体の上に適用する工程、
該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用する工程、および
フォトレジスト層を露光し、現像してレジストレリーフイメージを提供する工程
を含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方法。
【請求項９５】
樹脂中に組み込まれた物質が複数のヒドロキシ基を有する繰り返し単位を提供する、請求項９４記載の方法。
【請求項９６】
物質がジオールである請求項９４または９５記載の方法。
【請求項９７】
物質がトリオールである請求項９４または９５記載の方法。
【請求項９８】
物質がテトラオールである請求項９４または９５記載の方法。
【請求項９９】
樹脂がポリエステルである請求項９４から９８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１００】
樹脂が芳香族基をペンダント基として含む、請求項９４から９９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０１】
樹脂が芳香族基を樹脂の骨格単位として含む、請求項９４から１００のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０２】
芳香族基が炭素環式アリール基である、請求項１００または１０１記載の方法。
【請求項１０３】
炭素環式アリール基が任意に置換されたフェニル、任意に置換されたナフチル、または任意に置換されたアントラセンである、請求項１０２記載の方法。
【請求項１０４】
反射防止組成物が任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項９４から１０３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０５】
反射防止組成物が任意に置換された炭素環式アリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項９４から１０４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０６】
反射防止組成物が任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基または任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項９４から１０５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０７】
樹脂がグリセロール基またはトリヒドロキシシアヌレート基を含む、請求項９４から１０６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０８】
反射防止組成物層がさらに架橋成分を含む請求項９４から１０７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０９】
反射防止組成物が架橋されている請求項９４から１０８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１０】
反射防止組成物がさらに酸または酸生成化合物を含む、請求項９４から１０９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１１】
反射防止層が任意に置換されたアントラセニル基、任意に置換されたナフチレン基、または任意に置換されたフェニル基を含む、請求項９４から１１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１２】
反射防止組成物がさらに多ヒドロキシ物質から形成された樹脂とは異なる樹脂を含む、請求項９４から１１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１３】
反射防止組成物が可塑剤を含む請求項９４から１１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１４】
反射防止組成物が１以上のオキシイソ酪酸エステルを含む溶剤成分と配合される、請求項９４から１１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１５】
反射防止組成物がメチル−２−ヒドロキシイソブチレートを含む溶剤成分と配合される、請求項９４から１１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１６】
フォトレジスト組成物が化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物である、請求項９４から１１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１７】
フォトレジスト組成物がネガ型レジストである、請求項９４から１１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１８】
フォトレジスト層が、約３００ｎｍ未満の波長の放射線で露光される請求項９４から１１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１９】
フォトレジスト層が、約２００ｎｍ未満の波長の放射線で露光される請求項９４から１１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２０】
フォトレジスト層が、約２４８ｎｍの波長の放射線で露光される請求項９４から１１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２１】
フォトレジスト層が、約１９３ｎｍの波長の放射線で露光される請求項９４から１１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２２】
ポリエステル樹脂、酸または酸生成化合物、および架橋化合物を含む、反射防止コーティング組成物。
【請求項１２３】
該ポリエステル樹脂が芳香族基を含む、請求項１２２記載の組成物。
【請求項１２４】
該ポリエステル樹脂が芳香族基をペンダント基として含む、請求項１２２記載の組成物。
【請求項１２５】
該ポリエステル樹脂が芳香族基を樹脂の骨格単位として含む、請求項１２２から１２４のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１２６】
芳香族基が炭素環式アリール基である、請求項１２３から１２５のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１２７】
炭素環式アリール基が任意に置換されたフェニル、任意に置換されたナフチル、または任意に置換されたアントラセンである、請求項１２６記載の組成物。
【請求項１２８】
反射防止組成物が任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項１２２から１２７のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１２９】
反射防止組成物が任意に置換された炭素環式アリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項１２２から１２７のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１３０】
反射防止組成物が任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基または任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項１２２から１２７のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１３１】
反射防止組成物が１以上のオキシイソ酪酸エステルを含む溶剤成分を含む、請求項１２２から１３０のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１３２】
反射防止組成物がメチル−２−ヒドロキシイソブチレートを含む溶剤成分を含む、請求項１２２から１３０のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１３３】
ポリエステル樹脂またはさらなる異なる樹脂が約３００００よりも大きな重量平均分子量を有する、請求項１２２から１３２のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１３４】
反射防止組成物が可塑剤を含む請求項１２２から１３３のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１３５】
２以上のヒドロキシ基を含む物質から得られる樹脂を含む、上塗りされるフォトレジストとともに使用される、有機反射防止コーティング組成物。
【請求項１３６】
樹脂中に組み込まれた物質が複数のヒドロキシ基を有する繰り返し単位を提供する、請求項１３５記載の組成物。
【請求項１３７】
物質がジオールである請求項１３５または１３６記載の組成物。
【請求項１３８】
物質がトリオールである請求項１３５または１３６記載の組成物。
【請求項１３９】
物質がテトラオールである請求項１３５または１３６記載の組成物。
【請求項１４０】
樹脂がポリエステルである請求項１３５から１３９のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１４１】
樹脂が芳香族基をペンダント基として含む、請求項１３５から１４０のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１４２】
樹脂が芳香族基を樹脂の骨格単位として含む、請求項１３５から１４０のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１４３】
芳香族基が炭素環式アリール基である、請求項１４１または１４２記載の組成物。
【請求項１４４】
少なくとも２種の異なる樹脂を混合して反射防止組成物を形成することを含む、上塗りされたフォトレジスト層とともに使用される反射防止組成物の所望の屈折率の実数部および虚数部を得る方法。
【請求項１４５】
調製された反射防止組成物のコーティング層を基体上に適用すること、およびフォトレジストコーティング層を該反射防止組成物コーティング層の上に適用することをさらに含む、請求項１４４記載の方法。
【請求項１４６】
ポリエステル樹脂がポリアクリレート樹脂と混合されて反射防止組成物が形成される、請求項１４４または１４５記載の方法。
【請求項１４７】
反射防止組成物が約１．５から約２．０の屈折率の実数部、および約０．２から約０．７の屈折率の虚数部を有するように形成される、請求項１４４から１４６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４８】
少なくとも１つの樹脂がアントラセン部位を有する、請求項１４４から１４７のいずれか１項記載の方法。