【手続補正書】
【提出日】平成17年11月3日(2005.11.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザー照射装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光を出力するレーザー発振装置と、
基板の移動を行う移動機構と、
を有し、
前記移動機構は、前記基板の一辺の長さ以上の距離を往復移動し、かつ前記往復移動する方向と垂直な方向に、前記レーザー光の照射面における長さ以下で移動する機能を備え、かつ、
前記移動機構は、前記レーザー光が前記基板に照射される前は加速しながら移動し、前記レーザー光が前記基板に照射されている間は一定の速度で移動し、前記レーザー光が照射される位置が前記基板の外側に出たら減速しながら移動し、
前記基板には、前記レーザー光が斜め方向から照射されることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項２】
レーザー光を出力するレーザー発振装置と、
前記レーザー光を変調する非線形光学素子と、
前記変調されたレーザー光を集光する導波路と、
基板の移動を行う移動機構と、
を有し、
前記移動機構は、前記基板の一辺の長さ以上の距離を往復移動し、かつ前記往復移動する方向と垂直な方向に、前記集光されたレーザー光の照射面における長さ以下で移動する機能を備え、かつ、
前記移動機構は、前記集光されたレーザー光が前記基板に照射される前は加速しながら移動し、前記集光されたレーザー光が前記基板に照射されている間は一定の速度で移動し、前記集光されたレーザー光が照射される位置が前記基板の外側に出たら減速しながら移動し、
前記基板には、前記集光されたレーザー光が斜め方向から照射されることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項３】
レーザー光を出力するレーザー発振装置と、
基板の移動を行う移動機構と、
を有し、
前記移動機構は、前記基板を空気及び磁場により浮上させる機能を備え、
前記移動機構は、前記基板の一辺の長さ以上の距離を往復移動し、かつ前記往復移動する方向と垂直な方向に、前記レーザー光の照射面における長さ以下で移動する機能を備え、かつ、
前記移動機構は、前記レーザー光が前記基板に照射される前は加速しながら移動し、前記レーザー光が前記基板に照射されている間は一定の速度で移動し、前記レーザー光が照射される位置が前記基板の外側に出たら減速しながら移動し、
前記基板には、前記レーザー光が斜め方向から照射されることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項４】
レーザー光を出力するレーザー発振装置と、
基板の移動を行う移動機構を備えた処理室と、
を有し、
前記処理室は、一側面に前記レーザー光を透過する領域と、前記処理室の雰囲気を制御する手段とを有し、
前記移動機構は、前記基板の一辺の長さ以上の距離を往復移動し、かつ前記往復移動する方向と垂直な方向に、前記レーザー光の照射面における長さ以下で移動する機能を備え、かつ、
前記移動機構は、前記レーザー光が前記基板に照射される前は加速しながら移動し、前記レーザー光が前記基板に照射されている間は一定の速度で移動し、前記レーザー光が照射される位置が前記基板の外側に出たら減速しながら移動し、
前記基板には、前記レーザー光が斜め方向から照射されることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項５】
レーザ光を出力する複数のレーザ発振装置と、
前記複数のレーザ発振装置から出力されたレーザ光を変調する複数の非線形光学素子と、
前記複数の非線形光学素子により変調された複数のレーザ光を近接させるファイバーアレイと、
前記近接させられた複数のレーザ光を集光する導波路と、
基板の移動を行う移動機構と、
を有し、
前記移動機構は、前記基板の一辺の長さ以上の距離を往復移動し、かつ前記往復移動する方向と垂直な方向に、前記集光されたレーザー光の照射面における長さ以下で移動する機能を備え、かつ、
前記移動機構は、前記集光されたレーザー光が前記基板に照射される前は加速しながら移動し、前記集光されたレーザー光が前記基板に照射されている間は一定の速度で移動し、前記集光されたレーザー光が照射される位置が前記基板の外側に出たら減速しながら移動し、
前記基板には、前記集光されたレーザー光が斜め方向から照射されることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記移動機構は、前記基板を加熱する手段を有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記一定速度とは、２０〜２００ｃｍ／ｓの範囲内に含まれることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記基板に対して前記レーザー光を斜め方向から照射する角度は、前記基板の表面の法線方向又は裏面の法線方向に対し５〜１０°であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項９】
請求項５において、
前記基板に対して前記集光されたレーザー光を斜め方向から照射する角度は、前記基板の表面の法線方向又は裏面の法線方向に対し５〜１０°であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記基板に照射されるレーザー光は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、もしくはＮｄ：ＹＡｌＯ３レーザから選ばれた一種のレーザーの第２高調波であるレーザー照射装置。
【請求項１１】
基板上に半導体膜を形成し、
前記基板を第１の方向に移動させながら、レーザー光を前記半導体膜に対して斜め方向から照射し、
前記基板を、前記第１の方向と垂直な方向である第２の方向に、前記レーザー光の照射面における長さ以下の距離を移動させ、
前記基板は、前記レーザー光が前記半導体膜に照射される前は加速しながら移動され、前記レーザー光が前記半導体膜に照射されている間は一定の速度で移動され、前記レーザー光が照射される位置が前記基板の外側に出たら減速しながら移動され、
前記半導体膜に前記レーザー光を照射させることと、前記基板を前記第２の方向に移動させることを連続的に繰り返すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に半導体膜を形成し、
レーザー光を非線形光学素子で変調し、
前記変調されたレーザー光を導波路を通して集光し、
前記基板を第１の方向に移動させながら、前記集光されたレーザー光を前記半導体膜に対して斜め方向から照射し、
前記基板を、前記第１の方向と垂直な方向である第２の方向に、前記レーザー光の照射面における長さ以下の距離を移動させ、
前記基板は、前記レーザー光が前記半導体膜に照射される前は加速しながら移動され、前記レーザー光が前記半導体膜に照射されている間は一定の速度で移動され、前記レーザー光が照射される位置が前記基板の外側に出たら減速しながら移動され、
前記半導体膜に前記レーザー光を照射させることと、前記基板を前記第２の方向に移動させることを連続的に繰り返すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
基板上に半導体膜を形成し、
前記基板を第１の方向に移動させながら、レーザー光を前記半導体膜に対して斜め方向から照射し、
前記基板を、前記第１の方向と垂直な方向である第２の方向に、前記レーザー光の照射面における長さ以下の距離を移動させ、
前記基板は、前記レーザー光が前記半導体膜に照射される前は加速しながら移動され、前記レーザー光が前記半導体膜に照射されている間は一定の速度で移動され、前記レーザー光が照射される位置が前記基板の外側に出たら減速しながら移動され、
前記基板は、空気及び磁場により浮上した状態で移動され、
前記半導体膜に前記レーザー光を照射させることと、前記基板を前記第２の方向に移動させることを連続的に繰り返すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
基板上に半導体膜を形成し、
複数のレーザ発振装置から複数のレーザ光を出力し、
前記複数のレーザ発振装置から出力されたレーザ光を、複数の非線形光学素子により変調し、
前記複数の非線形光学素子により変調された複数のレーザ光をファイバーアレイにより近接させ、
前記近接させられた複数のレーザ光を導波路により集光し、
前記基板を第１の方向に移動させながら、前記集光されたレーザー光を前記半導体膜に対して斜め方向から照射し、
前記基板を、前記第１の方向と垂直な方向である第２の方向に、前記集光されたレーザー光の照射面における長さ以下の距離を移動させ、
前記基板は、前記集光されたレーザー光が前記半導体膜に照射される前は加速しながら移動され、前記集光されたレーザー光が前記半導体膜に照射されている間は一定の速度で移動され、前記集光されたレーザー光が照射される位置が前記基板の外側に出たら減速しながら移動され、
前記半導体膜に前記集光されたレーザー光を照射させることと、前記基板を前記第２の方向に移動させることを連続的に繰り返すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記一定の速度とは、２０〜２００ｃｍ／ｓの範囲内に含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記レーザー光は、照射面における形状が楕円形状に加工されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記半導体膜に対して斜め方向から前記レーザー光を照射する角度は、前記基板の表面の法線方向又は裏面の法線方向に対し５〜１０°であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４において、
前記半導体膜に対して斜め方向から前記集光されたレーザー光を照射する角度は、前記基板の表面の法線方向又は裏面の法線方向に対し５〜１０°であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記レーザー光は、前記基板の裏面から前記半導体膜に照射されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１４において、
前記集光されたレーザー光は、前記基板の裏面から前記半導体膜に照射されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１１乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記半導体膜に照射されるレーザー光は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、もしくはＮｄ：ＹＡｌＯ３レーザから選ばれた一種のレーザーの第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１１乃至請求項２１のいずれか１項において、
前記レーザー光の出力は１０Ｗ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。