(57)【要約】下記一般式（１）で表される構造を有する（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを必須成分とするエポキシ樹脂組成物。[式中  Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を示し、ｒは１以上の整数である。Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ１は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]【化１】2008126411.tif 000022
2008126411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される構造を有する（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材および（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを必須成分とするエポキシ樹脂組成物。
【化１】
2008126411.tif 000017
[式中  Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を示し、ｒは１以上の整数である。Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ１は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]
【請求項２】
前記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂の縮合環芳香族炭化水素基[Ａｒ]は下記式（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造よりなる群から選ばれる１種である請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【化２】
2008126411.tif 000018
[式中  Ｒ２は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。]
【請求項３】
前記（Ｃ）無機充填材は、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、タルク、焼成タルク、及びアルミナよりなる群から選ばれる少なくとも１種類以上である請求項１または２に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ａ）エポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物全体の１重量％〜２０重量％である請求項１ないし３のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
最低溶融粘度が２×１０２（Ｐａ・ｓ）以下であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
前記（Ｃ）無機充填材の含有量は、樹脂組成物全体の２０重量％〜８５重量％である請求項１ないし５のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記（Ｄ）シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
前記（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーの含有量は、樹脂組成物全体の３重量％〜４６重量％である請求項１乃至７のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を基材に含浸させてなるプリプレグ。
【請求項１０】
請求項９に記載のプリプレグを１枚以上積層してなる積層板。
【請求項１１】
請求項９に記載のプリプレグないし、請求項１０に記載の積層板を含んでなる多層プリント配線板。
【請求項１２】
請求項１１に記載の多層プリント配線板を含んでなる半導体装置。
【請求項１３】
（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、および（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを必須成分とするエポキシ樹脂組成物からなる絶縁樹脂層をキャリアフィルム上、又は金属箔上に形成してなることを特徴とする絶縁樹脂シート。
【化３】
2008126411.tif 000019
[式中  Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を示し、ｒは１以上の整数である。Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ１は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]
【請求項１４】
前記（Ａ）一般式（１）で表される構造を含むエポキシ樹脂の縮合環芳香族炭化水素基[Ａｒ]は、下記式（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造よりなる群から選ばれる１種である請求項１３に記載の絶縁樹脂シート。
【化４】
2008126411.tif 000020
[式中  Ｒ２は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。]
【請求項１５】
前記樹脂組成物は、さらにフェノキシ樹脂を含むものである請求項１３または１４に記載の絶縁樹脂シート。
【請求項１６】
前記（Ａ）一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂は、樹脂組成物全体の１重量％〜２０重量％である請求項１３ないし１５のいずれかに記載の絶縁樹脂シート。
【請求項１７】
前記（Ｃ）無機充填材は、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、タルク、焼成タルク、及びアルミナよりなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項１３ないし１６のいずれかに記載の絶縁樹脂シート。
【請求項１８】
前記（Ｃ）無機充填材の含有量は、樹脂組成物の２０〜８５重量％である請求項１３ないし１７のいずれかに記載の絶縁樹脂シート。
【請求項１９】
前記請求項１３ないし１８のいずれかに記載の絶縁樹脂シートを、内層回路基板の内層回路パターンが形成された面に重ね合わせて積層する工程と、
前記絶縁樹脂シートの前記絶縁樹脂層に外層回路を形成する工程とを含む多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２０】
前記絶縁樹脂シートを、内層回路基板の内層回路パターンが形成された面に重ね合わせて積層する前記工程は、真空下で加熱加圧により積層する工程である請求項１９に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２１】
請求項１３ないし１８のいずれかに記載の絶縁樹脂シートと、
前記絶縁樹脂シートが回路パターンが形成された面に重ねあわされた内層回路基板とを有する多層プリント配線板。
【請求項２２】
請求項２１に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
【請求項２３】
下記一般式（１）で表される構造を有する（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、および（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを必須成分とするシート用エポキシ樹脂組成物。
【化５】
2008126411.tif 000021
[式中  Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を示し、ｒは１以上の整数である。Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ１は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板、半導体装置、絶縁樹脂シート、多層プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子部品、電子機器等の多種多様化、小型・薄型化に伴って、それらに用いられる多層プリント配線板も小型化、薄型化が図られており、様々な構成のものが開発されている。一般に多層プリント配線板は、両面金属箔張積層板にエッチングなどの方法で回路形成を行い、絶縁樹脂層を積層し、その絶縁樹脂層表面に回路を形成し、さらに絶縁樹脂層を積層するといった方法で製造され、交互に回路と絶縁樹脂層とを積層することで製造される。
両面金属箔張積層板は、一般にガラス布等の基材にエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂等を浸漬含浸させたプリプレグと呼ばれる絶縁層の両面に、もしくは、プリプレグを複数枚重ねた両面に、銅箔等の金属箔を張り合わせて加熱、加圧することにより、構成される。
多層プリント配線板の薄型化の傾向に伴い、両面金属箔張積層板のプリプレグを薄くしたり、プリプレグを用いなかったりすることが検討されている。
しかしながら、薄型の多層プリント配線板を用い半導体装置を製造した場合、半導体素子と多層プリント配線板との接続部に、線熱膨張差による応力が生じ、半導体装置の信頼性に影響を及ぼすことがある。そのためプリプレグ、多層プリント配線板の絶縁樹脂層に用いられる樹脂組成物は、低熱膨張化が要求される。樹脂組成物には、一般にエポキシ樹脂が使用されるが、樹脂組成物の低膨張率化は、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物に無機充填材およびシアネート樹脂を添加するという手法がとられている。【０００３】
【特許文献１】特開２００３−６４１９８号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５３７４号公報
【特許文献３】特開２００２−２９９８３４号公報
【特許文献４】特開２００３−１２８９２８号公報
【特許文献５】特開２００６−２７４２３６号公報
【発明の開示】
【０００４】
ここで、無機充填材およびシアネート樹脂を使用することで、樹脂組成物の低熱線膨張率化を図ることはできる。しかしながら、プリプレグ等の絶縁樹脂層の表面に樹脂が流動した跡と思われるスジが現れる外観不良が生じる。これは、無機充填材と樹脂成分との流動特性の違いや、エポキシ樹脂とシアネート樹脂との相溶性の低さが原因と考えられ、樹脂成分と無機充填材とが分離してしまうため生じるものと推測される。
なお、スジの発生を防止するために、樹脂組成物の粘度を高くすることが考えられるが、この場合には、樹脂組成物の成形加工性が低下してしまうという新たな問題が発生する。
【０００５】
本発明は、線膨張係数を低くすることができ、外観不良が発生しにくく、成形加工性に優れたエポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板、半導体装置、絶縁樹脂シート、多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【０００６】
このような目的は、下記［１］〜［２３］に記載の本発明により達成される。
［１］下記一般式（１）で表される構造を有する（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材および（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを必須成分とするエポキシ樹脂組成物。
【化１】
2008126411.tif 000003
[式中  Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を示し、ｒは１以上の整数である。Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ１は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]
［２］前記一般式（１）の構造を含むエポキシ樹脂の縮合環芳香族炭化水素基[Ａｒ]は下記式（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造よりなる群から選ばれる１種である［１］に記載のエポキシ樹脂組成物。
【化２】
2008126411.tif 000004
[式中  Ｒ２は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。]
［３］前記（Ｃ）無機充填材は、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、タルク、焼成タルク、及びアルミナよりなる群から選ばれる少なくとも１種類以上である［１］または［２］に記載のエポキシ樹脂組成物。
［４］前記（Ａ）エポキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物全体の１重量％〜２０重量％である［１］ないし［３］のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
［５］［１］乃至［４］のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、最低溶融粘度が２×１０２（Ｐａ・ｓ）以下であるエポキシ樹脂組成物。
［６］前記（Ｃ）無機充填材の含有量は、樹脂組成物全体の２０重量％〜８５重量％である［１］ないし［５］のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
［７］［１］乃至［６］のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記（Ｄ）シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂であるエポキシ樹脂組成物。
［８］前記（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーの含有量は、樹脂組成物全体の３重量％〜４６重量％である［１］乃至［７］のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
［９］［１］乃至［８］のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を基材に含浸させてなるプリプレグ。
［１０］［９］に記載のプリプレグを１枚以上積層してなる積層板。
［１１］［９］に記載のプリプレグないし、［１０］に記載の積層板を含んでなる多層プリント配線板。
［１２］［１１］に記載の多層プリント配線板を含んでなる半導体装置。
【０００７】
［１３］（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、および（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを必須成分とする樹脂組成物からなる絶縁樹脂層をキャリアフィルム上、又は金属箔上に形成してなることを特徴とする絶縁樹脂シート。
【化３】
2008126411.tif 000005
[式中  Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を示し、ｒは１以上の整数である。Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ１は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]
［１４］前記（Ａ）下記一般式（１）の構造を含むエポキシ樹脂の縮合環芳香族炭化水素基[Ａｒ]は、下記式（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造よりなる群から選ばれる１種である［１３］に記載の絶縁樹脂シート。
【化４】
2008126411.tif 000006
[式中  Ｒ2は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。]
［１５］前記樹脂組成物は、さらにフェノキシ樹脂を含むものである［１３］または［１４］に記載の絶縁樹脂シート。
［１６］前記（Ａ）のエポキシ樹脂は、樹脂組成物全体の１〜２０重量％である［１３］ないし［１５］のいずれかに記載の絶縁樹脂シート。
［１７］前記（Ｃ）無機充填材は、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、タルク、焼成タルク、及びアルミナよりなる群から選ばれる少なくとも1種である［１３］ないし［１６］のいずれかに記載の絶縁樹脂シート。
［１８］前記（Ｃ）無機充填材の含有量は、樹脂組成物の２０〜８５重量％である［１３］ないし［１７］のいずれかに記載の絶縁樹脂シート。
［１９］［１３］ないし［１８］のいずれかに記載の絶縁樹脂シートを、内層回路基板の内層回路パターンが形成された面に重ね合わせて積層する工程と、
前記絶縁樹脂シートの前記絶縁樹脂層に外層回路を形成する工程とを含む多層プリント配線板の製造方法。
［２０］前記絶縁樹脂シートを、内層回路基板の内層回路パターンが形成された面に重ね合わせて積層する前記工程は、真空下で加熱加圧により積層する工程である［１９］に記載の多層プリント配線板の製造方法。
［２１］［１３］ないし［１８］のいずれかに記載の絶縁樹脂シートと、前記絶縁樹脂シートが回路パターンが形成された面に重ねあわされた内層回路基板とを有する多層プリント配線板。
［２２］［２１］に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
【０００８】
［２３］下記一般式（１）で表される構造を含む（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、および（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを必須成分とするシート用エポキシ樹脂組成物。
【化５】
2008126411.tif 000007
[式中  Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を示し、ｒは１以上の整数である。Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ１は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]
【０００９】
本発明によれば、膨張係数を低くすることができ、外観不良が発生しにくく、成形加工性に優れた樹脂組成物等が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【００１１】
【図１】本発明の第一実施形態に係る積層板を示す図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係る多層プリント配線板を示す図である。
【図３】半導体装置を示す図である。
【図４】本発明の第二実施形態にかかる絶縁樹脂シートを示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を説明する。
（第一実施形態）
本実施形態では、プリプレグに使用する樹脂組成物の構成、プリプレグ等について説明する。
前記樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材および（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを必須成分とする。
前記樹脂組成物に用いる（Ａ）エポキシ樹脂は、下記一般式（１）で示される構造を有する。【００１３】
【化６】
2008126411.tif 000008
[式中  Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を示し、ｒは１以上の整数である。Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ１は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]【００１４】
（Ａ）のエポキシ樹脂を使用することで、（Ａ）のエポキシ樹脂と、（Ｄ）のシアネート樹脂との相溶性が良好になるとともに、樹脂成分に対する（Ｃ）無機充填材の分散性が良好となり、樹脂成分と、（Ｃ）無機充填材とが分離しないようになる。これにより、（Ｄ）のシアネート樹脂、（Ｃ）の無機充填材を使用することで、線膨張係数を低くすることができるとともに、プリプレグ等のシート状物を作製した際にスジむらが発生することを防止でき、表面を平滑化することができる。
これに加え、（Ａ）エポキシ樹脂を用いることにより、（Ｃ）無機充填材を含有しても、低溶融粘度化できる。そのため、積層板等を製造する際の、加工性に優れたものとなる。
なお、（Ａ）のエポキシ樹脂を使用せず、他の構造のエポキシ樹脂を使用した場合において、低溶融粘度化した場合には、プリプレグ等のように、シート状に成形した際に、スジむらがより発生しやすいものとなってしまう。
また、（Ａ）のエポキシ樹脂は、式（１）で示されるものであってもよく、この場合には、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を示し、ｒは１以上の整数である。Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ１は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数である。さらに、ｐ、ｑはそれぞれ０以上の整数であるが、ｐ＝ｑ＝０となることはなく、（Ａ）のエポキシ樹脂は、ｐが１以上、ｑが１以上の繰り返し単位を少なくとも１つ有する。【００１５】
前記縮合環芳香族炭化水素基[Ａｒ]は、下記式（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造よりなる群から選ばれる１種あることが好ましい。【００１６】
【化７】
2008126411.tif 000009
[式中  Ｒ２は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。]
さらに好ましくは上記式（Ａｒ１）であることが好ましく、特に好ましくは、上記式（Ａｒ１）の中でもＲ２が、メチル基の場合である。このようにすることで、プレス成形した際に外観や埋め込み性が良化し、成形性が良好になるという効果がある。【００１７】
前記（Ａ）エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１〜２０重量％が好ましく、なかでも、５重量％以下であることが特に好ましい。
１重量％未満の場合には、無機充填材成分と樹脂成分とが各々分離してしまう場合があり、２０重量％を超える場合には、難燃性が低下するという問題が発生する可能性がある。【００１８】
前記樹脂組成物の（Ｂ）硬化剤は、特に限定されないが、フェノール樹脂、硬化促進剤を用いることが好ましい。フェノール樹脂と、硬化促進剤とを併用してもよい。【００１９】
前記フェノール樹脂は、特に限定されないが、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上の前述した樹脂と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも特に、アリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。【００２０】
前記硬化促進剤は、特に限定されないが、例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、１−ベンジルー２−メチルイミダゾール、１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチルー２−エチルー４−メチルイミダゾール、１−シアノエチルー２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール、２，３−ジヒドロー１Ｈ−ピロロ（１，２−ａ）ベンズイミダゾール等のイミダゾール類（イミダゾール化合物）、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用したりすることもできる。
これらの硬化促進剤のなかでも、特にイミダゾール化合物が好ましい。これにより、樹脂組成物をプリプレグとし、半導体装置に使用した場合の絶縁性、半田耐熱性を高めることができる。
前記イミダゾール化合物としては、例えば、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２−フェニルー４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルー５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどを挙げることができる。【００２１】
これらの中でも、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、及び、２−エチル−４−メチルイミダゾールが好ましい。これらのイミダゾール化合物は、樹脂成分に対し特に優れた相溶性を有することで、均一性の高い硬化物が得られる。【００２２】
前記樹脂組成物の（Ｃ）無機充填材は、特に限定されないが、例えばタルク、焼成タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。これにより、積層板を薄く（厚さ０．４ｍｍ以下）しても十分な強度を得ることができる。さらに、積層板の低熱膨張化を向上することもできる。
これらの中でも特に、シリカが好ましく、特に球状溶融シリカが低熱膨張性に優れる点で好ましい。また、破砕状、球状のシリカが存在するが、プリプレグの絶縁樹脂層を形成する樹脂組成物の溶融粘度を下げる点において、球状シリカが好ましい。【００２３】
前記（Ｃ）無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、プリプレグを作製するにあたっては、０．００５〜１０μｍが好ましく、さらに好ましくは０．０１〜５μｍであり、特に好ましくは平均粒子径０．０１〜２μｍの球状溶融シリカである。これにより、無機充填材の充填性が向上する。無機充填材の粒径が０．００５μｍ未満であるとワニスの粘度が高くなるため、プリプレグ作製時の作業性に影響を与える場合がある。特に０．０１〜２μｍの球状溶融シリカを用いた場合は、（Ａ）エポキシ樹脂との分散性が良く、プリプレグに用いた場合、加工性に優れる。
この平均粒子径は、例えば粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定することができる。【００２４】
また前記（Ｃ）無機充填材の粒度分布は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることができる。さらに平均粒子径が単分散及び／または、多分散の無機充填材を１種類使用したり、または２種類以上を併用したりすることもできる。【００２５】
前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の２０〜８５重量％であることがこのましく、さらには、プリプレグを作製するにあたっては３０〜８０重量％が好ましく、特に３５〜７０重量％が好ましい。含有量が２０〜８５重量％内であると、特に低熱膨張化、低吸水化することができる。【００２６】
（Ｄ）のシアネート樹脂および／またはシアネート樹脂のプレポリマーは、前述したように、樹脂組成物の線膨張係数を小さくすることができる。さらに、プリプレグ等を、電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度等に優れたものとすることができる。
ここで、シアネート樹脂および／またはシアネート樹脂のプレポリマーは、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度増加による耐熱性向上と、樹脂組成物等の難燃性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、プリプレグを厚さ０．５ｍｍ以下にした場合であっても、プリプレグを硬化させて作製した積層板に優れた剛性を付与することができる。特に加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性に優れる。【００２７】
前記ノボラック型シアネート樹脂は、例えば、以下の式（３）で示されるものを使用することができる。【００２８】
【化８】
2008126411.tif 000010
【００２９】
前記式（３）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下する場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、プリプレグの成形性が低下する場合がある。【００３０】
前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５．０×１０２〜４．５×１０３が好ましく、特に６．０×１０２〜３．０×１０３が好ましい。重量平均分子量が５．０×１０２未満であるとプリプレグを作製した場合にタック性が生じ、プリプレグ同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が４．５×１０３を超えると反応が速くなりすぎ、特に積層板に用いた場合、成形不良が生じることがある。
前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。【００３１】
また、前記シアネート樹脂は、特に限定されないが、１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上のシアネート樹脂と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。【００３２】
前記シアネート樹脂および／またはシアネート樹脂のプレポリマーの含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の３〜５０重量％が好ましく、なかでも、３〜４６重量％が好ましく、プリプレグを作製する場合等においては、さらに１０〜４０重量％が好ましい。含有量が３重量％未満であるとプリプレグ等の成型品を形成するのが困難となる場合があり、５０重量％を超えるとプリプレグ等の成型品の強度が低下する場合がある。
なお（Ａ）のエポキシ樹脂を使用せず、他のエポキシ樹脂とシアネート樹脂とを併用した場合、樹脂組成物全体に対し、３重量％以上、シアネート樹脂および／またはシアネート樹脂のプレポリマーを含有させた場合において、スジむらの発生が顕著となることがわかっている。【００３３】
前記樹脂組成物は、さらに前記（Ａ）、（Ｄ）以外に熱硬化性樹脂（実質的にハロゲンを含まない）を併用することが好ましい。前記熱硬化性樹脂は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂等が挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。【００３４】
前記樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい。前記カップリング剤は、前記熱硬化性樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させる。そして繊維基材に対して熱硬化性樹脂等および無機充填材を均一に定着させ、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。
前記カップリング剤は、特に限定されないが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。【００３５】
前記カップリング剤の添加量は、特に限定されないが、無機充填材１００重量部に対して０．０５〜３重量部が好ましく、特に０．１〜２重量部が好ましい。含有量が０．０５重量部未満であると無機充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、３重量部を超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低下する場合がある。【００３６】
前記樹脂組成物は、さらに樹脂組成物と導体層との密着性が向上するような成分を添加しても良い。例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、導体層を構成する金属との密着性を向上させるカップリング剤等が挙げられる。これらの中でも特に金属との密着性に優れ、硬化反応速度に与える影響が少ないと言う点でフェノキシ樹脂を添加することが好ましい。前記フェノキシ樹脂は、例えばビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種類有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
また、前記樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加しても良い。【００３７】
次に、プリプレグについて説明する。【００３８】
前述したエポキシ樹脂組成物を用いたプリプレグは、前記樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。これにより、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れたプリント配線板を製造するのに好適なプリプレグを得ることができる。【００３９】
前記基材は、特に限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの強度が向上し、吸水率を下げることができ、また熱膨張係数を小さくすることができる。【００４０】
前記ガラス繊維基材を構成するガラスは、特に限定されないが、例えばＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス等が挙げられる。これらの中でもＥガラス、Ｔガラス、または、Ｓガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の高弾性化を達成することができ、熱膨張係数も小さくすることができる。【００４１】
前記プリプレグを製造する方法は、特に限定されないが、例えば、前述したエポキシ樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製し、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が挙げられる。【００４２】
さらには、プリプレグを製造する方法としては、各種コーターにより塗布する方法、スプレーにより吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができる。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。【００４３】
前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒は、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。
前記樹脂ワニスの固形分は、特に限定されないが、前記樹脂組成物の固形分５０〜８０重量％が好ましく、特に６０〜７８重量％ が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基材への含浸性を更に向上できる。前記基材に前記樹脂組成物を含浸させる所定温度は、特に限定されないが、例えば９０〜２２０℃等で乾燥させることによりプリプレグを得ることが出来る。【００４４】
次に、積層板について説明する。図１を参照して説明する。
本実施形態の積層板２は、前記プリプレグ（図１では符号１に該当）を少なくとも１枚もしくは複数枚積層したものの、上下両面に、金属箔２１を重ね、加熱、加圧することで得ることができる。前記加熱する温度は、特に限定されないが、１２０〜２３０℃が好ましく、特に１５０〜２１０℃が好ましい。また、前記加圧する圧力は、特に限定されないが、１〜５ＭＰａが好ましく、特に２〜４ＭＰａが好ましい。これにより、誘電特性、高温多湿化での機械的、電気的接続信頼性に優れた積層板２を得ることができる。【００４５】
前記金属箔２１は、特に限定されないが、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等の金属箔が挙げられる。【００４６】
次に、図２を参照して多層プリント配線板３について説明する。
前記上下面に銅箔（金属箔２１）を有する両面銅張積層板２を用意し、その両面に、エッチング等により所定の導体回路（内層回路）２１Ａを形成し、導体回路２１Ａを黒化処理等の粗化処理することにより内層回路基板２Ａを作製する。
次に内層回路基板２Ａの上下面に、フィルム付き若しくは金属箔付き絶縁樹脂シート、または前述したプリプレグを形成し、加熱加圧成形する。
具体的には、前記フィルム付き若しくは金属箔付き絶縁樹脂シート、または本実施形態のプリプレグと内層回路基板２Ａとを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させる。その後、熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより内層回路基板２Ａ上に絶縁層３１を形成することができる。
ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度６０〜１６０℃、圧力０．２〜３ＭＰａで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度１４０〜２４０℃、時間３０〜１２０分間で実施することができる。
あるいは、前記フィルム付き若しくは金属箔付き絶縁樹脂シート、または本実施形態のプリプレグを内層回路基板２Ａに重ね合わせ、これを平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形することにより内層回路基板２Ａ上に絶縁層３１を形成することもできる。
ここで加熱加圧成形する条件としては、特に限定されないが、一例を挙げると、温度１４０〜２４０℃、圧力１〜４ＭＰａで実施することができる。【００４７】
上述した方法にて得られた基板は、絶縁層表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより粗化処理した後、金属メッキにより新たな導電配線回路を形成することができる。【００４８】
その後、前記絶縁層３１を加熱することにより硬化させる。硬化させる温度は、特に限定されないが、例えば、１００℃〜２５０℃の範囲で硬化させることができる。好ましくは１５０℃〜２００℃で硬化させることである。
次に、絶縁層３１に、炭酸レーザー装置を用いて開口部を設け、電解銅めっきにより絶縁層表面に外層回路３２形成を行い、外層回路３２と内層回路２１Ａとの導通を図る。なお、外層回路３２には、半導体素子を実装するための接続用電極部３３を設ける。
その後、最外層にソルダーレジストＳを形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部３３を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、所定の大きさに切断し、多層プリント配線板３を得ることができる。【００４９】
次に、図３を参照して半導体装置４について説明する。
半導体装置４は、上述した方法にて製造された多層プリント配線板３に半導体素子４１を実装し、製造することができる。半導体素子４１の実装方法、封止方法は特に限定されない。例えば、半導体素子４１と多層プリント配線板３とを用い、フリップチップボンダーなどを用いて多層プリント配線板３上の接続用電極部３３と半導体素子４１の半田バンプＢの位置合わせを行う。その後、ＩＲリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプＢを融点以上に加熱し、多層プリント配線板３と半田バンプＢとを溶融接合することにより接続する。そして、多層プリント配線板３と半導体素子４１との間に液状封止樹脂（図示略）を充填し、硬化させることで半導体装置４を得ることができる。【００５０】
（第二実施形態）
以下、本発明の絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法、及び半導体装置について説明する。【００５１】
まず、絶縁樹脂シートについて説明する。
絶縁樹脂シート５は、図４に示すように、（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（以下、（Ａ）エポキシ樹脂という。）、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを必須成分とする絶縁樹脂層５１をキャリアフィルム５２Ａ、又は金属箔５２Ｂ上に形成することにより得られる。
（Ａ）のエポキシ樹脂を使用することで、（Ａ）のエポキシ樹脂と、（Ｄ）のシアネート樹脂との相溶性が良好になるとともに、樹脂成分に対する（Ｃ）無機充填材の分散性が良好となり、樹脂成分と、（Ｃ）無機充填材とが分離しないようになる。これにより、（Ｄ）のシアネート樹脂、（Ｃ）の無機充填材を使用することで、線膨張係数を低くすることができるとともに絶縁樹脂シートを作製した際にスジむらが発生することを防止でき、シート表面を平滑化することができる。
これにより、該絶縁樹脂シートにおいて、微細配線加工を要求される場合においても絶縁樹脂シートを積層してなる絶縁樹脂層表面を均一に粗化することができる。これに加え絶縁樹脂層と導体回路との密着性等が優れるといった成形性も良好となる。
さらに（Ａ）エポキシ樹脂を用いることにより、（Ｃ）無機充填材を含有しても、低溶融粘度化できる。そのため、積層板を製造する際の、加工性に優れたものとなる。
なお、（Ａ）のエポキシ樹脂を使用せず、他の構造のエポキシ樹脂を使用した場合において、低溶融粘度化した場合には、絶縁樹脂シートに、スジむらがより発生しやすいものとなってしまう。【００５２】
【化９】
2008126411.tif 000011
[式中  Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基を示し、ｒは１以上の整数である。Ｘは水素、またはエポキシ基（グリシジルエーテル基）を、Ｒ１は、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。ｎは１以上の整数であり、ｐ、ｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]【００５３】
絶縁樹脂シート５に用いる前記（Ａ）エポキシ樹脂の縮合環芳香族炭化水素基[Ａｒ]は、下記式（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造のいずれかであることが好ましい。さらに好ましくは式（Ａｒ１）であることが好ましく、特に好ましくは、式（Ａｒ１）の中でもＲ２が、メチル基の場合である。このようにすることで、プレス成形した際に外観や埋め込み性が良化し、成形性が良好になるという効果がある。【００５４】
【化１０】
2008126411.tif 000012
[式中  Ｒ２は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される１種を表す。]【００５５】
絶縁樹脂シート５に用いる前記（Ａ）共重合体エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記絶縁樹脂層の１〜２０重量％が好ましく、特に絶縁樹脂シート５を作製するにあたっては、５重量％以下が好ましい。含有量が前記１重量％未満であると充填材成分と樹脂成分の分離を防止する効果が十分でなくなり、前記２０重量％を超えると難燃性が低下するという問題が発生する可能性がある。【００５６】
また、絶縁樹脂シート５の絶縁樹脂層５１は、（Ａ）のエポキシ樹脂以外に、さらに他のエポキシ樹脂を含有してもよい。含有するエポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂などを挙げることができる。この中でも特にフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性および難燃性を向上させることができる。【００５７】
絶縁樹脂シート５に用いる（Ｂ）硬化剤は、特に限定されないが、例えばイミダゾール化合物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用したりすることもできる。【００５８】
これら硬化促進剤の中でも特にイミダゾール化合物が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。そして、上記イミダゾール化合物は、特に限定されないが、上記（Ａ）エポキシ樹脂、及び前記以外のエポキシ樹脂との相溶性を有することが望ましい。
ここで、相溶性を有するとは、イミダゾール化合物を（Ａ）エポキシ樹脂、及び前記以外のエポキシ樹脂と有機溶剤とともに混合した場合に、実質的に分子レベルまで溶解、または、それに近い状態まで分散することができるような性状を指すものである。【００５９】
絶縁樹脂シート５の絶縁樹脂層５１に用いる樹脂組成物は、このようなイミダゾール化合物を用いることにより、上記（Ａ）エポキシ樹脂やその他のエポキシ樹脂の反応を効果的に促進させることができ、また、イミダゾール化合物の配合量を少なくしても同等の特性を付与することができる。
さらに、このようなイミダゾール化合物を用いた樹脂組成物は、樹脂成分との間で微小なマトリックス単位から高い均一性で硬化させることができる。これにより、多層プリント配線板に形成された絶縁樹脂層５１の絶縁性、半田耐熱性を高めることができる。【００６０】
前記イミダゾール化合物としては、例えば、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２−フェニルー４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルー５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどを挙げることができる。【００６１】
これらの中でも、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、及び、２−エチル−４−メチルイミダゾールが好ましい。これらのイミダゾール化合物は、特に優れた相溶性を有することで、均一性の高い硬化物が得られるとともに、絶縁樹脂層表面に微細かつ均一な粗化面を形成することができるので、微細な導体回路を容易に形成することができるとともに、多層プリント配線板に高い耐熱性を発現させることができる。【００６２】
（Ｃ）無機充填材は、特に限定されないが、例えばタルク、焼成タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用することもできる。これらの中でも特に、シリカが好ましく、溶融シリカが低熱膨張性に優れる点で好ましい。また、破砕状、球状のシリカが存在するが、絶縁樹脂層を形成する樹脂組成物の溶融粘度を下げる点において、球状シリカが好ましい。【００６３】
前記（Ｃ）無機充填材の粒径は、絶縁樹脂シート５を作製するにあたっては、平均粒子径が１．２μｍ以下であることが好ましく、さらに平均粒径が０．０１〜１．０μｍであることが好ましく、特に好ましくは０．２〜１．０μｍである。平均粒径が０．０１μｍ未満であると、樹脂組成物をワニスにした際のワニスの粘度が高くなり、また、１．２μｍを超えると、樹脂組成物をワニスにした際のワニス中に無機充填材の沈降等が起こりやすく、いずれの場合も作業性が低下する場合がある。【００６４】
前記（Ｃ）無機充填材の含有量は、絶縁樹脂層の２０〜８５重量％であることが好ましく、さらに、絶縁樹脂シート５を作製するにあたっては、好ましくは３０〜６５重量％である。前記無機充填材の含有量が前記下限値未満であると、高弾性化、低熱膨脹化する効果が充分でない場合がある。また、前記上限値を超えると、流動性の低下により、この絶縁樹脂シートを用いて多層プリント配線板を製造する際の成形性が低下する場合がある。【００６５】
絶縁樹脂シート５に用いる樹脂組成物は、フェノキシ樹脂を含むことが好ましい。前記フェノキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＭ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＰ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＺ骨格を有するフェノキシ樹脂等ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノキシ樹脂、ノルボルネン骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。
またフェノキシ樹脂として、これら中の骨格を複数種類有した構造を用いることもできるし、それぞれの骨格の比率が異なるフェノキシ樹脂を用いることができる。さらに異なる骨格のフェノキシ樹脂を複数種類用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有するフェノキシ樹脂を複数種類用いたり、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。【００６６】
これらの中でも、ビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するフェノキシ樹脂を用いることが好ましい。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができるとともに、ビスフェノールＳ骨格により、多層プリント配線板を製造する際のメッキ金属の付着性を向上させることができる。
また、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するフェノキシ樹脂を用いることも好ましい。これにより、多層プリント配線板の製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。さらに、上記ビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するフェノキシ樹脂と、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するフェノキシ樹脂とを併用してもよい。【００６７】
絶縁樹脂シート５に用いるフェノキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、絶縁樹脂層５１の３〜２５重量％であることが好ましく、さらに好ましくは、５〜２０重量％である。フェノキシ樹脂の含有量が、３重量％未満であると、フェノキシ樹脂を含有することで得られる絶縁樹脂シートの製膜性の効果を十分に得られない場合があり、フェノキシ樹脂の含有量が、２５重量％を超えるとワニス粘度の増大により他の樹脂との溶解性が低下する場合がある。【００６８】
絶縁樹脂シート５の絶縁樹脂層５１は、（Ｄ）シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有する。【００６９】
前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマー樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。【００７０】
前記のシアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを用いることにより、絶縁樹脂シートの絶縁樹脂層の弾性率を向上させることができる。また、シアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）は、剛直な化学構造を有するため、耐熱性に優れており、ガラス転移温度以上でも弾性率の低下が小さく、高温においても高弾性率を維持することができる。さらに、硬化反応によって水酸基などの分極率の大きな官能基が生じないため、誘電特性においても優れたものとすることができる。【００７１】
前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーの中でも、下記一般式（３）で表されるノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、前記効果に加えて、絶縁樹脂シートの絶縁樹脂層のガラス転移温度をさらに高くすることができるとともに、硬化後の絶縁樹脂層の難燃性をより向上させることができる。【００７２】
【化１１】
2008126411.tif 000013
前記式（３）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下する場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、プリプレグの成形性が低下する場合がある。【００７３】
前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５．０×１０２〜４．５×１０３が好ましく、特に６．０×１０２〜３．０×１０３が好ましい。重量平均分子量が５．０×１０２未満であるとプリプレグを作製した場合にタック性が生じ、プリプレグ同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が４．５×１０３を超えると反応が速くなりすぎ、特に積層板に用いた場合、成形不良が生じることがある。
前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。【００７４】
前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーの含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物の３〜５０重量％、さらには４〜４６重量％であることが好ましく、絶縁樹脂シート５を作製するにあたっては、５重量％以上、さらに好ましくは１０〜４０重量％である。
これにより、内層回路基板の回路パターンが形成された面と絶縁樹脂シート５の絶縁樹脂層５１とを強固に接合することができる。【００７５】
また、絶縁樹脂シート５の樹脂組成物は、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤、例えば、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、顔料、染料、消泡剤、難燃剤、紫外線吸収剤、イオン捕捉剤、非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘剤等を適宜添加しても良い。【００７６】
絶縁樹脂シート５は、絶縁樹脂層５１を形成する前記樹脂組成物を、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンシクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニスを作製する。【００７７】
前記樹脂ワニス中の樹脂組成物の含有量は、特に限定されないが、４５〜８５重量％が好ましく、特に５５〜７５重量％が好ましい。【００７８】
次に前記樹脂ワニスを、各種塗工装置を用いて、フィルム５２Ａ上または金属箔５２Ｂ上に塗工した後、これを乾燥する。または、樹脂ワニスをスプレー装置によりフィルム若しくは金属箔に噴霧塗工した後、これを乾燥する。これらの方法によりフィルム付きまたは金属箔付き絶縁樹脂シート５を作製することができる。
前記塗工装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁樹脂層５１の厚みを有する絶縁樹脂シート５を効率よく製造することができる。【００７９】
絶縁樹脂シート５は、前記樹脂組成物からなる絶縁樹脂層５１をキャリアフィルム５２Ａ上または金属箔５２Ｂ上に形成して作製される。前記キャリアフィルム５２Ａは、キャリアフィルム５２Ａ上に絶縁樹脂層５１を形成するため、取扱いが容易であるものを選択することが好ましい。また、絶縁樹脂シート５の絶縁樹脂層５１を内層回路基板面に積層後、キャリアフィルム５２Ａを剥離することから、内層回路基板に積層後、剥離が容易であるものであることが好ましい。したがって、前記キャリアフィルム５２Ａは、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムなどを用いることが好ましい。これらキャリアフィルム５２Ａの中でも、ポリエステルで構成されるフィルムが最も好ましい。これにより、絶縁樹脂層から適度な強度で剥離することが容易となる。【００８０】
前記キャリアフィルム５２Ａの厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍが好ましく、特に３〜５０μｍが好ましい。キャリアフィルム５２Ａの厚さが前記範囲内であると、取扱いが容易で、また絶縁樹脂層表面の平坦性に優れる。【００８１】
前記金属箔５２Ｂは、前記キャリアフィルム５２Ａ同様、内層回路基板に絶縁樹脂シート５を積層後、剥離して用いても良いし、また、金属箔５２Ｂをエッチングし導体回路として用いても良い。前記金属箔５２Ｂは、特に限定されないが、例えば、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などを用いることができる。【００８２】
前記金属箔５２Ｂの厚さは、特に限定はされないが、０．１μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましい。さらには１μｍ以上３５μ以下が好ましく、さらに好ましくは１．５μｍ以上１８μｍ以下が好ましい。前記金属箔５２Ｂの厚さが上記下限値未満であると、金属箔５２Ｂの傷つき、ピンホールが発生し、金属箔５２Ｂをエッチングし導体回路として用いて場合、回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する怖れがあり、前記上限値を超えると、金属箔５２Ｂの厚みバラツキが大きくなったり、金属箔５２Ｂの粗化面の表面粗さのバラツキが大きくなる場合がある。
また、前記金属箔５２Ｂは、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで前記絶縁樹脂層の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ１０μｍ以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。前記極薄金属箔の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。さらに、０．５μｍ以上５μｍ以下が好ましく、さらに１μｍ以上３μｍ以下が好ましい。前記極薄金属箔の厚さが前記下限値未満であると、キャリア箔を剥離後の極薄金属箔の傷つき、極薄金属箔のピンホールの発生、ピンホールの発生による回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路配線の断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する怖れがあり、前記上限値を超えると、極薄金属箔の厚みバラツキが大きくなったり、極薄金属箔の粗化面の表面粗さのバラツキが大きくなる場合がある。
通常、キャリア箔付き極薄金属箔は、プレス成形後の積層板に回路パターン形成する前にキャリア箔を剥離する。【００８３】
次に、多層プリント配線板の製造方法について説明する。ここでは、図２を参照して説明する。本実施形態では、符号３１の絶縁層が、絶縁樹脂シート５の絶縁樹脂層５１に該当することとなる。
なお、内層回路基板２Ａは第一実施形態と同様のものであってもよく、また、第一実施形態とは異なる材質で構成されたものであってもよい。【００８４】
前述した絶縁樹脂シート５を用いた多層プリント配線板を製造する方法は、まず、コア基板（例えばＦＲ−４の両面銅箔）に回路パターン形成を行った内層回路基板２Ａを用意し、ドリル機等で開口して開口部を設けた後、無電解めっきにより、開口部にメッキ処理を行い、内層回路基板の両面の導通を図る。そして、前記銅箔をエッチングすることにより内層回路２１Ａを形成する。
なお、内層回路基板２Ａの回路２１Ａは、例えば、黒化処理等の粗化処理したものを好適に用いることができる。また開口部は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。【００８５】
内層回路２１Ａの材質は、この製造方法に適するものであれば、どのようなものでも良いが、内層回路の形成においてエッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましく、前記エッチングにおいては、これに使用される薬液などに対し、耐薬品性を有するものが好ましい。そのような内層回路の材質は、例えば、銅箔、銅板、銅合金板、４２合金およびニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板および銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、内層回路として使用するのに最も好ましい。【００８６】
次に、上述したキャリアフィルム５２Ａ上に絶縁樹脂層５１が形成された絶縁樹脂シート５を用い、多層プリント配線板を製造する方法について説明する。
まず、内層回路２１Ａを絶縁樹脂シート５の絶縁樹脂層５１で覆うよう（内層回路２１Ａ側に絶縁樹脂層５１が位置し、内層回路２１Ａと絶縁樹脂層５１とが当接するように）に積層する。絶縁樹脂シート５の積層（ラミネート）方法は、特に限定されないが、真空プレス、常圧ラミネーター、および真空下で加熱加圧するラミネーターを用いて積層する方法が好ましく、更に好ましくは、真空下で加熱加圧するラミネーターを用いる方法である。これにより微細配線回路であってもボイドがなく回路間を絶縁樹脂層で埋め込むことができる。【００８７】
次に、形成した絶縁樹脂層５１を加熱することにより硬化させる。硬化させる温度は、特に限定されないが、１００℃〜２５０℃の範囲が好ましい。特に、１５０℃〜２００℃が好ましい。また、次のレーザー照射および樹脂残渣の除去を容易にするため半硬化状態にしておく場合もある。また、一層目の絶縁樹脂層５１を通常の加熱温度より低い温度で加熱により一部硬化（半硬化）させ、絶縁樹脂層５１上に、一層ないし複数の絶縁樹脂層をさらに形成し半硬化の絶縁樹脂層を実用上問題ない程度に再度加熱硬化させることにより絶縁樹脂層間および絶縁樹脂層と回路との密着力を向上させることができる。この場合の半硬化の温度は、８０℃〜２００℃が好ましく、１００℃〜１８０℃がより好ましい。尚、特に限定はされないが、次工程においてレーザーを照射し絶縁樹脂層にビアを形成する場合には、フィルム５２Ａの剥離はビアを形成する前でも後でも良い。またフィルム５２Ａの剥離は、絶縁樹脂層５１を形成後、加熱硬化の前、または加熱硬化後のいずれに行っても特に問題はない。【００８８】
次に、絶縁樹脂層５１に、レーザーを照射して、ビアを形成する。前記レーザーは、エキシマレーザー、ＵＶレーザー、および炭酸ガスレーザー等が使用できる。前記レーザーによる開口部の形成は、絶縁樹脂層５１の材質が、感光性・非感光性に関係なく、微細なビアを容易に形成することができる。したがって、絶縁樹脂層に微細な開口部を形成することが必要とされる場合に、特に好ましい。
なお、レーザー照射後の樹脂残渣等は過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去することが好ましい。また、平滑な絶縁樹脂層５１表面を同時に粗化することができ、続く金属メッキにより形成する導電配線回路の密着性を上げることができる。絶縁樹脂層５１は、前記粗化工程において微細な凹凸形状を均一に施すことができる。また、絶縁樹脂層５１表面の平滑性が高いため微細な配線回路を精度よく形成することができる。【００８９】
次に、外層回路３２を形成する。外層回路３２の形成方法は、例えば、公知の方法であるセミアディティブ法などで形成することができるが、本発明は何らこれらに限定されない。次に、導体ポストを形成する。導体ポストの形成方法としては、公知の方法である電解メッキ等で形成することができる。例えば、外層回路３２を電解メッキ用リードとして、銅電解メッキを行い、銅で充填し銅ポストを形成することができる。前記工程を繰り返すことにより、さらに多層にすることができる。尚、前記で絶縁樹脂層を半硬化状態にした場合は、後硬化（ポストキュア）を行う場合もある。【００９０】
次に、ソルダーレジストＳを形成する。ソルダーレジストＳの形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストＳをラミネートし、露光、および現像により形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。なお、接続用電極部は、金めっき、ニッケルメッキおよび半田めっき等の金属皮膜で適宜被覆することができる。このような方法により多層配線プリント板を製造することができる。【００９１】
次に、絶縁樹脂層５１を金属箔５２Ｂ上に形成してなる絶縁樹脂シート５を用いて、多層プリント配線板３を製造する方法について説明する。金属箔５２Ｂを用いた絶縁樹脂シート５を内層回路基板２Ａの内層回路２１Ａ面を絶縁樹脂層５１で覆うように積層する。金属箔付き絶縁樹脂シート５の積層（ラミネート）方法は、前記キャリアフィルムの絶縁樹脂シートを積層した際と同様、特に限定されないが、真空プレス、常圧ラミネーター、および真空下で加熱加圧するラミネーターを用いて積層する方法が好ましく、更に好ましくは、真空下で加熱加圧するラミネーターを用い積層する方法である。これにより微細配線回路形成された内層回路基板２Ａに対してもボイドなく絶縁樹脂層５１を埋め込むことができる。【００９２】
ここで絶縁樹脂層５１にビアを形成する場合、特に限定はされないが、例えばコンフォーマルマスク工法のように、金属箔にビア形成位置となるところをエッチングし、エッチングされた部分にレーザー照射してビアを形成する。レーザー照射後の樹脂残渣等は過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去する。そして金属メッキにより絶縁樹脂層間の接続を図り、エッチングにより外層回路（外層回路パターン）３２形成を行う。またこの他に、予め内層回路基板２Ａに金属ポストを形成し、そこに金属箔付き絶縁樹脂シート５を積層することで絶縁樹脂層５１にビアを形成する方法を用いることもできる。外層回路パターン３２を形成後、さらに多層にする場合は、絶縁樹脂シートを積層し、前記工程を繰り返し、形成した外層回路が最外層となる場合は、前記同様ソルダーレジストＳを形成することにより多層プリント配線板３を得ることができる。【００９３】
次に、図３を参照して半導体装置４について説明する。
上述した方法で得られた多層プリント配線板３に、半田バンプＢを有する半導体素子４１を実装することにより半導体装置４を得ることができる。前記半田バンプＢは、錫、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金で構成されることが好ましい。半導体素子４１と多層プリント配線板３との接続方法は、フリップチップボンダーなどを用いて基板上の接続用電極部３３と半導体素子４１の半田バンプＢの位置合わせを行う。その後、ＩＲリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプＢを融点以上に加熱し、多層プリント配線板３と半田バンプＢとを溶融接合することにより接続する。尚、接続信頼性を良くするため、あらかじめ多層プリント配線板３上の接続用電極部３３に半田ペースト等、比較的融点の低い金属の層を形成しておいても良い。この接合工程に先んじて、半田バンプＢおよび、または多層プリント配線板３上の接続用電極部３３の表層にフラックスを塗布することで、半導体素子４１と多層プリント配線板３との接続性が向上する。【００９４】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【実施例】
【００９５】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
（１）樹脂ワニスの調製
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）１３．９重量部、（Ｂ）硬化剤としてビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬株式会社製、ＧＰＨ−１０３）１１．０重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２４．８重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）５０．０重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．３重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【００９６】
（２）プリプレグの作製
上述の樹脂ワニスをガラス織布（厚さ９４μｍ、日東紡績製、ＷＥＡ−２１１６）に含浸し、１５０℃の加熱炉で２分間乾燥して、プリプレグ中のワニス固形分が約５０重量％のプリプレグを得た。【００９７】
（３）積層板の作製
上述のプリプレグを２枚重ね、両面に１８μｍの銅箔を重ねて、圧力４ＭＰａ、温度２００℃で２時間加熱加圧成形することによって、厚さ０．２ｍｍの積層板を得た。【００９８】
（４）多層プリント配線板Ａの作製
前記で得られた両面銅張積層板の両面をエッチングにより回路形成し、内層回路基板として用いた。前記内層回路基板の表裏に、前記で得られたプリプレグを重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させた。これを、熱風乾燥装置にて１７０℃で６０分間加熱し硬化させて、下記成形性評価用の多層プリント配線板Ａを得た。【００９９】
（５）多層プリント配線板Ｂの作製
前記で多層プリント配線板の絶縁層に炭酸レーザー装置を用いて開口部を設け、電解銅めっきにより絶縁層表面に外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図った。なお、外層回路には、半導体素子を実装するための接続用電極部を設けた。
その後、最外層にソルダーレジスト（太陽インキ社製ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８）を形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切断し、多層プリント配線板Ｂを得た。【０１００】
（実施例２）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）１４．０重量部、（Ｂ）硬化剤としてイミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」）０．１重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）１７．４重量部、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６．０×１０４）３．５重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）６４．７重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．３重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１０１】
（実施例３）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）４．０重量部、（Ｂ）硬化剤としてイミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」）０．１重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２７．４重量部、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６．０×１０４）３．５重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ、平均粒径０．５μｍ）６４．７重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．３重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１０２】
（実施例４）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）４２．０重量部、（Ｂ）硬化剤としてイミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」）０．１重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）１２．９重量部、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６．０×１０４）５．０重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３９．８重量とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１０３】
（実施例５）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）３０．０重量部、（Ｂ）硬化剤として硬化触媒（イミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」））０．１重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２４．８重量部、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６．０×１０４）１５．０重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３０．０重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．１重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１０４】
（実施例６）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）１０．５重量部、（Ｂ）硬化剤として硬化触媒（イミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」））０．１重量％、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）１４．０重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）７５．０重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１０５】
（実施例７）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）２１．５重量部、（Ｂ）硬化剤としてイミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」）０．１重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）３．０重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）７５．０重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１０６】
（実施例８）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）２３．８重量部、（Ｂ）硬化剤として硬化触媒（イミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」））０．１重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）４６．０重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３０．０重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．１重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１０７】
（実施例９）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）１３．９重量部、（Ｂ）硬化剤としてビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬株式会社製、ＧＰＨ−１０３）１１．０重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２４．８重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として水酸化アルミニウム（昭和電工社製、ＨＰ−３５０）５０．０重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．３重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１０８】
（実施例１０）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）１３．９重量部、（Ｂ）硬化剤としてビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬株式会社製、ＧＰＨ−１０３）１１．０重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２４．８重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として水酸化マグネシウム（協和化学社製、キスマ５Ａ）５０．０重量とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．３重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１０９】
（実施例１１）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）１３．９重量部、（Ｂ）硬化剤としてビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬株式会社製、ＧＰＨ−１０３）１１．０重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２４．８重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として焼成タルク（富士タルク社製、ＳＴ−１００）５０．０重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．３重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１１０】
（実施例１２）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）１３．９重量部、（Ｂ）硬化剤としてビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬株式会社製、ＧＰＨ−１０３）１１．０重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２４．８重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材としてアルミナ（住友化学社製、Ｃ−３０１）５０重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．３重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１１１】
（実施例１３）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）２３．８重量部、（Ｂ）硬化触媒としてイミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」）０．１重量％、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）４６．０重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３０．０重量％とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．１重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１１２】
（実施例１４）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）３．０重量部、（Ｂ）硬化剤として硬化触媒（イミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」））０．１重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）１７．４重量部、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００）１１．０重量％、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６．０×１０４）３．５重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）６４．７重量部とカップリング剤０．３重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１１３】
（実施例１５）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）５０．０重量部、（Ｂ）硬化剤として硬化触媒（イミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」））０．１重量部、（Ｄ）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）４．８重量部、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６．０×１０４）１５．０重量部、をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３０．０重量部とカップリング剤０．１重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１１４】
（比較例１）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）１７．４重量部、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００）１４．０重量部、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６．０×１０４）３．５重量部、（Ｂ）硬化剤として硬化触媒（イミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」））０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）６４．７重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．３重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１１５】
（比較例２）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）１２．３重量部、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ）９．９重量部、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６．０×１０４）２．４重量部、（Ｂ）硬化剤として硬化触媒（イミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」））０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）７４．９重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１１６】
（比較例３）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）２８．８重量部、（Ｂ）硬化剤として硬化触媒（イミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」））０．８重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）７０．０重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．４重量部（を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１１７】
（比較例４）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１と同様にプリプレグ、積層板、及び多層プリント配線板を作製した。
（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＸＡ−７３２０）２８．８重量部、（Ｂ）硬化剤として硬化触媒（イミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４−メチルイミダゾール」））０．８重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として水酸化アルミニウム（昭和電工社製、ＨＰ−３５０）７０．０重量部とカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ１８７）０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１１８】
各実施例および比較例で得られた樹脂組成物を用いて、以下の評価を行った。評価内容を項目と共に示す。得られた結果を表１に示す。【０１１９】
【表１】
2008126411.tif 000014
【０１２０】
１．熱膨張係数
厚さ０．２ｍｍの積層板の銅箔を全面エッチングし、得られた積層板から４ｍｍ×２０ｍｍのテストピースを切り出し、ＴＭＡを用いて５℃／分の条件で、５０℃〜１００℃での面方向の線膨張係数（平均線膨張係数）を測定し、予想通りの線膨張係数が得らたことを確認した。【０１２１】
２．樹脂組成物の最低溶融粘度
得られたプリプレグを、粘弾性測定装置（アントンパール社製、Ｐｈｙｓｉｃａ  ＭＣＲシリーズ）を用いて、昇温速度５℃／分で、周波数１０Ｈｚで測定した際の、５０℃〜２００℃における最低溶融粘度を測定した。【０１２２】
３．積層板の成形性
得られた両面銅張り積層板を銅箔エッチングし、外観を観察し、無機成分と樹脂成分の分離が見られるか否かを確認した。周辺部に見られる無機成分と樹脂成分の分離由来のスジの長さ平均が４ｍｍ未満のものを◎、４ｍｍ以上８ｍｍ未満のものを○、８ｍｍ以上のものを×とした。【０１２３】
４．多層プリント配線板の成形性
得られた多層プリント配線板Ａの中央部を切り出し、断面の観察を行った。埋め込み不十分であることによるボイドが１つ以上見られた場合は×、１つも確認できなかった場合は○とした。【０１２４】
５．半田耐熱性
得られた多層プリント配線板Ｂから５０ｍｍ角にサンプルを切り出し、３／４エッチングし、ＰＣＴ−２／１２１処理後、２６０℃の半田中に３０秒浸漬させ、膨れの有無を観察した。
６．難燃性
ＵＬ−９４規格に従い、積層板（厚さ１ｍｍ、プリプレグの両面に銅箔をプレス成形し、銅箔を両面エッチングしたもの）のテストピースを垂直法により測定した。
表１中Ｖ−０は、結果が良好であったものを示している。【０１２５】
実施例１〜１５は、本発明の絶縁樹脂組成物を用いたものであり評価全般にわたり良好であり、積層板の銅箔エッチング後の成形不良もなく、良好な成形状態であった。一方、比較例１は、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂を用いなかった例であるが、積層板の銅箔エッチング後の、周辺部が無機充填材と樹脂成分との分離が見られた。比較例２は、溶融粘度の高い樹脂を用い、さらに処方も溶融粘度の高い例であるが、積層板の銅箔エッチング後の外観において、無機成分と樹脂成分との分離は見られなかったものの、多層プリント配線板の製造工程において内層回路を埋め込むことができず、成形不良があり、半田耐熱性試験において膨れが発生した。
さらに、比較例３では、同程度の線膨張係数である実施例１１，１２に比べ、最低溶融粘度が非常に高いものとなっている。そのため、実施例１１，１２に比べ、無機充填材を多く使用する必要があり、プレス成形を行う際の条件マージンが狭くなるという問題が発生した。
同様に、比較例４においても、比較例３と同様の問題が発生した。【０１２６】
（実施例１６）
１．絶縁樹脂シートの製造
前記（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、ＥＸＡ−７３２０）３５．０重量部、（Ｂ）硬化剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．２重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）５．０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２０．０重量部、とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３９．６重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を高速撹拌装置を用いて１０分間撹拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１２７】
次に前記で得られた樹脂ワニスを、厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム（三菱ポリエステルフィルム社製、ダイアホイルＭＲＸ−５０）の片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の絶縁樹脂層が４０μｍとなるように塗工し、これを１５０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、絶縁樹脂シートを製造した。【０１２８】
２．多層プリント配線板Ｃの製造
所定の内層回路パターンが表裏に形成された内層回路基板に、前記で得られた絶縁樹脂シートの絶縁樹脂層面を内側にして重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａで真空加熱加圧成形し、その後、熱風乾燥装置にて１７０℃で６０分間加熱硬化を行い、多層プリント配線板Ｃを製造した。
なお、内層回路基板としては、下記の銅張積層板を使用した。
・絶縁樹脂層：ハロゲンフリー  ＦＲ−４材、厚さ０．４ｍｍ
・導体層：銅箔厚み１８μｍ、Ｌ／Ｓ＝１２０／１８０μｍ、クリアランスホール１ｍｍφ、３ｍｍφ、スリット２ｍｍ【０１２９】
３．多層プリント配線板Ｄの製造
前記で得られた多層プリント配線板Ｃから基材を剥離し、炭酸レーザー装置を用いてφ６０μｍの開口部（ブラインド・ビアホール）を形成し、７０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製、スウェリングディップ  セキュリガント  Ｐ）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレート  コンパクト  ＣＰ）に２０分浸漬後、中和して粗化処理を行った。次に脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を約０．５μｍの給電層を形成した。次にこの給電層表面に、厚さ２５μｍの紫外線感光性ドライフィルム（旭化成社製ＡＱ−２５５８）をホットロールラミネーターにより貼り合わせ、最小線幅／線間が２０／２０μｍのパターンが描画されたクロム蒸着マスク（トウワプロセス社製）を使用して、位置を合わせ、露光装置（ウシオ電機社製ＵＸ−１１００ＳＭ−ＡＪＮ０１）にて露光、炭酸ソーダ水溶液にて現像し、めっきレジストを形成した。【０１３０】
次に、給電層を電極として電解銅めっき（奥野製薬社製８１−ＨＬ）を３Ａ／ｄｍ2、３０分間行って、厚さ約２５μｍの銅配線を形成した。ここで２段階剥離機を用いて、前記めっきレジストを剥離した。各薬液は、１段階目のアルカリ水溶液層にはモノエタノールアミン溶液（三菱ガス化学社製Ｒ−１００）、２段階目の酸化性樹脂エッチング剤には過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液（日本マクダーミッド社製マキュダイザー９２７５、９２７６）、中和には酸性アミン水溶液（日本マクダーミッド社製マキュダイザー９２７９）をそれぞれ用いた。【０１３１】
次に、給電層を過硫酸アンモニウム水溶液（メルテックス（株）製ＡＤ−４８５）に浸漬処理することで、エッチング除去し、配線間の絶縁を確保した。次に絶縁樹脂層を温度２００℃時間６０分で最終硬化させ、最後に回路表面にソルダーレジスト（太陽インキ社製ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８）を形成し、半導体素子搭載するための接続用電極部等が露出するように、所定のマスクで露光し、現像、キュアを行い、回路上のソルダーレジスト層厚さが１２μｍとなるように形成した。
次に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層３μｍと、さらにその上へ、無電解金めっき層０．１μｍとからなるめっき層を形成し、多層プリント配線板Ｄを得た。【０１３２】
４．半導体装置の製造
得られた多層プリント積層板Ｄを５０ｍｍ×５０ｍｍサイズに切断し、厚さ０．７５ｍｍ、１５ｍｍ×１５ｍｍサイズの半導体素子をフリップチップボンダー、リフロー炉にて接合し、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を製造した。尚、液状封止樹脂の硬化条件は、温度１５０℃、１２０分の条件であった。【０１３３】
（実施例１７）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１６と同様に絶縁樹脂シート、多層プリント配線板Ｃ、多層プリント配線板Ｄ及び半導体装置を製造した。
前記（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、ＥＸＡ−７３２０）３．０重量部、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００）２２．０重量部、（Ｂ）硬化剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．２重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）１０．０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２５重量部とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３９．６重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を高速撹拌装置を用いて１０分間撹拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１３４】
（実施例１８）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１６と同様に絶縁樹脂シート、多層プリント配線板Ｃ、多層プリント配線板Ｄ及び半導体装置を製造した。
前記（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、ＥＸＡ−７３２０）４２．０重量部、（Ｂ）硬化剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．２重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）８．０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）１０．０重量部とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３９．６重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を高速撹拌装置を用いて１０分間撹拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１３５】
（実施例１９）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１６と同様に絶縁樹脂シート、多層プリント配線板Ｃ、多層プリント配線板Ｄ及び半導体装置を製造した。
前記（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂として下記式で表されるエポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、ＥＸＡ−７３２０）２．０重量部、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００）２３．０重量部、（Ｂ）硬化剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．２重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）１０．０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２５．０重量部とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３９．６重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を高速撹拌装置を用いて１０分間撹拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１３６】
（実施例２０）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１６と同様に絶縁樹脂シート、多層プリント配線板Ｃ、多層プリント配線板Ｄ及び半導体装置を製造した。
前記（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、ＥＸＡ−７３２０）４５．０重量部、（Ｂ）硬化剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．２重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）７．０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）８．０重量部とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３９．６重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を高速撹拌装置を用いて１０分間撹拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１３７】
（実施例２１）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１６と同様に絶縁樹脂シート、多層プリント配線板Ｃ、多層プリント配線板Ｄ及び半導体装置を製造した。
前記（Ａ）エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、ＥＸＡ−７３２０）３０．０重量部、（Ｂ）硬化剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．２重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）１５．０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）１５．０重量部とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、（Ｃ）無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３９．６重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を高速撹拌装置を用いて１０分間撹拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１３８】
（比較例５）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１６と同様に絶縁樹脂シート、多層プリント配線板Ｃ、Ｄ及び半導体装置を製造した。
ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００）２０.０重量部、（Ｂ）硬化促進剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．２重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）１５．０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２５．０重量部とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３９．６重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を高速撹拌装置を用いて１０分間撹拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１３９】
（比較例６）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１６と同様に絶縁樹脂シート、多層プリント配線板Ｃ，Ｄ及び半導体装置を製造した。
ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００）２０.０重量部、（Ｂ）硬化促進剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．２重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）４０.０重量部とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３９．６重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を高速撹拌装置を用いて１０分間撹拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１４０】
（比較例７）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１６と同様に絶縁樹脂シート、多層プリント配線板Ｃ，Ｄ及び半導体装置を製造した。
ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００）３０．０重量部、（Ｂ）硬化促進剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．２重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）２．０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２８．０重量部とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）３９．６重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を高速撹拌装置を用いて１０分間撹拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１４１】
（比較例８）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１６と同様に絶縁樹脂シート、多層プリント配線板Ｃ，Ｄ及び半導体装置を製造した。
ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００）１０．０重量部、硬化促進剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．２重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）５．０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）１５．０重量部とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｒ」、平均粒径０．５μｍ）６９．４重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．４重量部を高速撹拌装置を用いて１０分間撹拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１４２】
（比較例９）
樹脂ワニスを以下のようにした以外は、実施例１６と同様に絶縁樹脂シート、多層プリント配線板Ｃ，Ｄ及び半導体装置を製造した。
ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００、）５９．６重量部、硬化促進剤として１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール（四国化成工業社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．４重量部、フェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ｊＥＲ４２７５）２０．０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０）２０．０重量部とを、メチルイソブチルケトンに溶解、分散させ、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【０１４３】
実施例の絶縁樹脂シートの製造に用いた樹脂組成物の配合組成、及び評価結果を表２に、また比較例の樹脂組成物の配合組成、及び評価結果を表３に示す。表中において、各配合量は「重量部」を示す。【０１４４】
【表２】
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【０１４５】
【表３】
2008126411.tif 000016
【０１４６】
評価方法は、以下の通りである。【０１４７】
（１）線膨張係数
絶縁樹脂シート２枚の絶縁樹脂層側どうしを内側にして重ね合わせ、これを、真空プレス装置を用いて圧力２ＭＰａ、温度２００℃で２時間加熱加圧成形を行った後、基材（ＰＥＴフィルム）を剥離除去して、樹脂硬化物を得た。得られた樹脂硬化物から４ｍｍ×２０ｍｍの試験片を作製し、ＴＭＡ（熱機械的分析）装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して測定した。
各符号は以下の通りである。
○ ：  ３５ｐｐｍ/℃未満（２５℃‐１００℃の範囲の線膨張係数（平均線膨張係数））
× ：  ３５ｐｐｍ/℃以上（２５℃‐１００℃の範囲の線膨張係数（平均線膨張係数））
（２）吸湿半田耐熱
多層プリント配線板Ｃから５０ｍｍ×５０ｍｍに切り出し、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に従い半面エッチングを行ってテストピースを作成した。１２１℃のプレッシャークッカーで２時間処理した後、２６０℃のはんだ槽に銅箔面を下にして浮かべ、１２０秒後の外観異常の有無を調べた。
○：異常なし
×：フクレあり【０１４８】
（３）成形ボイドの有無の観察
多層プリント配線板Ｃの絶縁樹脂層を、目視にて成形ボイドの有無を観察した。
各符号は以下の通りである。
○：成形ボイドのないもの
×：成形ボイドが発生したもの
（４）成形性
多層プリント配線板Ｃの絶縁樹脂層表面を、目視にて無機成分と樹脂成分の分離由来のスジが見られるか否かを確認した。
各符号は以下の通りである。
◎：スジの長さ平均が４ｍｍ未満のもの
○：４ｍｍ以上８ｍｍ未満のもの
×：８ｍｍ以上のもの
（５）表面粗さ（Ｒａ）
多層プリント配線板Ｄの製造工程における前記粗化処理後基板において、非接触型三次元光干渉式表面粗さ計により表面粗さ（Ｒａ）を測定した。（日本ビーコ社製、ＷＹＫＯ  ＮＴ１１００）
各符号は以下の通りである。
○ ： ０．７μm以下であるもの
× ： ０．７μm以上であるもの
（６）クラック
多層プリント配線板の粗化処理後基板表面のクラック（樹脂割れ）有無をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察し、またクラックがある場合はその深さをレーザー顕微鏡にて測定した。
○ ： クラック ２μm未満であるもの
× ： クラック ２μm以上であるもの
（７）めっきピール
多層プリント配線板Ｄの製造工程において、多層プリント配線板の一部を抜き出し、絶縁樹脂層に回路を形成後、回路と絶縁樹脂層との間の引き剥がし強度をＪＩＳ  Ｃ-６４８１にもとづいて測定した。
○：０．６ｋＮ／ｍ以上であるもの
×：０．６ｋＮ／ｍ未満であるもの【０１４９】
（８）熱衝撃試験
前記で製造した半導体装置をフロリナート中で−５５℃３０分、１２５℃３０分を１サイクルとして、１０００サイクル処理し、半導体装置にクラックが発生していないか確認した。
○：異常なし
×：クラック発生【０１５０】
実施例１６〜２１は、本発明の樹脂組成物を用いたものであり評価全般にわたり良好であり、粗化処理によって形成された表面凹凸の面内均一性も良好であった。従って、半導体装置の熱衝撃試験等も良好な結果であったと推察する。一方、比較例５〜９は、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂を用いない例であるが、比較例５〜８については周辺部に無機充填材と樹脂成分との分離が見られ、粗化処理によって形成された表面凹凸の面内均一性も悪化した。よって半導体装置の熱衝撃試験の結果も好ましくなかったものと推察する。比較例９は無機充填材を用いない例であるが、粗化処理による粗化が不十分になり、めっきピール測定において強度が低下し、また半導体装置の熱衝撃試験の結果も好ましくなかった。
なお、上記各実施例では、（Ｄ）のシアネート樹脂として、ノボラック型シアネート樹脂を使用したが、他のシアネート樹脂を採用しても、同様の結果を得ることが可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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