【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】制御装置および制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、
前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、
前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有し、
前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行する際に、前記電力制御手段は、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するように制御し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されていない不揮発性メモリには電力供給を行わないように制御することを特徴とする制御装置。
【請求項２】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、
前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、
前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有し、
前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行する際に、前記電力制御手段は、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するように制御し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されていない不揮発性メモリであっても、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには電力供給するように制御することを特徴とする制御装置。
【請求項３】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、
前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、
前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段と、
前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度かどうかを判断する処理速度判断手段とを有し、
前記処理速度判断手段によって前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度と判断される場合には、前記電力制御手段は制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給することを特徴とする制御装置。
【請求項４】
前記処理速度判断手段によって前記制御プログラムの要求処理速度が所定値未満の処理速度と判断される場合には、前記電力制御手段は、制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間であって、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、前記複数の不揮発性メモリのうち前記必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給することを特徴とする請求項３に記載の制御装置。
【請求項５】
前記制御プログラムの要求処理速度の所定値は、前記電力制御手段が前記不揮発性メモリに電源を供給させてから前記不揮発性メモリが適正に動作可能となるまでの時間に起因して設定されることを特徴とする請求項３または４に記載の制御装置。
【請求項６】
書き換え不能な不揮発性メモリおよび書き換え可能な不揮発性メモリを含み、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、
前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、
前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有し、
前記電力制御手段は、制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている書き換え不能な不揮発性メモリに電力供給するとともに、前記書き換え不能な不揮発性メモリから前記制御ブロックを読み出している時に、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている書き換え可能な不揮発性メモリに電力供給を開始することを特徴とする制御装置。
【請求項７】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの実行開始を指示する行程と、
前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するように制御し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されていない不揮発性メモリには電力供給を行わないように前記電力制御手段を制御する行程とを有することを特徴とする制御方法。
【請求項８】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの実行開始を指示する行程と、
前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するとともに、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されていない不揮発性メモリであっても、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには電力供給するように前記電力制御手段を制御する行程と有することを特徴とする制御方法。
【請求項９】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度かどうかを判断する処理速度判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度かどうかを判断する行程と、
前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するように前記電力制御手段を制御する行程とを有することを特徴とする制御方法。
【請求項１０】
制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度かどうかを判断する処理速度判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、
前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度かどうかを判断する行程と、
前記制御プログラムの要求処理速度が所定値未満の処理速度と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間であって、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、前記複数の不揮発性メモリのうち前記必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するように前記電力制御手段を制御する行程とを有することを特徴とする制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の不揮発性メモリを有する制御装置および制御方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（発明の目的）本発明の目的は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリにアクセスしながら動作する制御プログラムを実行する際に、不揮発性メモリへのアクセスのために生じる制御プログラムの動作速度低下を防止するとともに、制御プログラムの実行時における不揮発性メモリ全体の消費電流を極力削減することのできる制御装置または制御方法を提供しようとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有し、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行する際に、前記電力制御手段は、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するように制御し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されていない不揮発性メモリには電力供給を行わないように制御する制御装置とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
同じく上記目的を達成するために、請求項２に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有し、前記制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行する際に、前記電力制御手段は、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するように制御し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されていない不揮発性メモリであっても、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには電力供給するように制御する制御装置とするものである。
また、請求項３に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段と、前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度かどうかを判断する処理速度判断手段とを有し、前記処理速度判断手段によって前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度と判断される場合には、前記電力制御手段は制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給する制御装置とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
同じく上記目的を達成するために、請求項６に記載の発明は、書き換え不能な不揮発性メモリおよび書き換え可能な不揮発性メモリを含み、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御ブロックを前記複数の不揮発性メモリから読み出して前記制御プログラムを実行する制御プログラム実行手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有し、前記電力制御手段は、制御プログラム実行手段が前記制御プログラムを実行している間、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている書き換え不能な不揮発性メモリに電力供給するとともに、前記書き換え不能な不揮発性メモリから前記制御ブロックを読み出している時に、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている書き換え可能な不揮発性メモリに電力供給を開始する制御装置とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
同じく上記目的を達成するために、請求項７に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの実行開始を指示する行程と、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するように制御し、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されていない不揮発性メモリには電力供給を行わないように前記電力制御手段を制御する行程とを有する制御方法とするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
同じく上記目的を達成するために、請求項８に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶され、動作時の消費電力がそれぞれ異なる複数の不揮発性メモリと、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの実行開始を指示する行程と、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するとともに、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されていない不揮発性メモリであっても、動作時の消費電力が所定値以下の不揮発性メモリには電力供給するように前記電力制御手段を制御する行程と有する制御方法とするものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
同じく上記目的を達成するために、請求項９に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度かどうかを判断する処理速度判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度かどうかを判断する行程と、前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間、前記複数の不揮発性メモリのうち前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するように前記電力制御手段を制御する行程とを有する制御方法とするものである。
また、同じく上記目的を達成するために、請求項１０に記載の発明は、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリと、前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度かどうかを判断する処理速度判断手段と、前記複数の不揮発性メモリへの電力供給を制御する電力制御手段とを有する機器の制御方法であって、前記制御プログラムの要求処理速度が所定値以上の処理速度かどうかを判断する行程と、前記制御プログラムの要求処理速度が所定値未満の処理速度と判断される場合には、前記制御プログラムを実行している間であって、前記制御プログラムを実行するために必要な制御ブロックを読み出すときにだけ、前記複数の不揮発性メモリのうち前記必要な制御ブロックが記録されている不揮発性メモリに電力供給するように前記電力制御手段を制御する行程とを有することを特徴とする制御方法とするものである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
同様に、次のステップの「像データ処理」はマスクＲＯＭ上で実行されるので、はじめはフラッシュメモリの電源はオフしておき、該フラッシュメモリ上で実行される「相関演算」及び「距離情報算出」へ移行するΔｔ以前のステップ、すなわち「像データ処理」内の制御プログラム上で、該フラッシュメモリへの通電を開始する。これにより、「蓄積動作」への移行時には、フラッシュメモリはアクセス可能状態となっており、メモリの立ち上がりに対する待ち時間を削除することが可能となる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、制御プログラムを実行するための制御ブロックがそれぞれ記憶される複数の不揮発性メモリにアクセスしながら動作する制御プログラムを実行する際に、不揮発性メモリへのアクセスのために生じる制御プログラムの動作速度低下を防止するとともに、制御プログラムの実行時における不揮発性メモリ全体の消費電流を極力削減することが可能となる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】削除
【補正の内容】