【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性の高い基板上に形成されたＴＦＴを有する半導体装置であって、
前記ＴＦＴのソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域はポリシリコン膜からなり、
前記ソース領域又はドレイン領域には前記チャネル形成領域よりも高い濃度でゲルマニウムが存在し、且つ、前記チャネル形成領域中のスピン密度が 5×1017spins/cm3以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記ソース領域又はドレイン領域に存在するゲルマニウムの濃度は 1×1014〜1×1020atoms/cm3であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記耐熱性の高い基板は、石英、シリコン、セラミックス、結晶化ガラスのいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項２のいずれか一において、前記ＴＦＴはボトムゲイト型ＴＦＴであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするビデオカメラ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするスチルカメラ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするプロジェクター。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするプロジェクションＴＶ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするヘッドマウントディスプレイ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とする携帯情報端末。
【請求項１１】
耐熱性の高い基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜からなる第１の活性層を形成し、
前記第１の活性層の一部と接触する様にゲルマニウム膜を形成し、
前記第１の活性層に対して６００℃を超えない第１の加熱処理を施してポリシリコン膜からなる第２の活性層に変化させ、
前記第２の活性層に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
耐熱性の高い基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜からなる第１の活性層を形成し、
前記第１の活性層上にマスク絶縁膜を形成し、
前記マスク絶縁膜に開孔部を設け、前記第１の活性層の一部を露出させ、
ゲルマニウム膜を形成して前記第１の活性層の一部と接触させ、
６００℃を超えない第１の加熱処理により前記第１の活性層を前記ゲルマニウム膜に接触させた部分から結晶成長させてポリシリコン膜からなる第２の活性層に変化させ、
前記第２の活性層に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
耐熱性の高い基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜からなる第１の活性層を形成し、
前記第１の活性層上にマスク絶縁膜を形成し、
前記マスク絶縁膜に開孔部を設け、前記第１の活性層の一部を露出させ、
ゲルマニウム膜を形成して前記第１の活性層の一部と接触させ、
６００℃を超えない第１の加熱処理により前記第１の活性層を前記ゲルマニウム膜に接触させた部分から結晶成長させてポリシリコン膜からなる第２の活性層に変化させ、
前記ゲルマニウム膜及び前記マスク絶縁膜を除去し、
前記第２の活性層に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施し、
前記第２の活性層上に、パターニングされた絶縁層を形成し、
前記第２の活性層及び前記パターニングされた絶縁層を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、コンタクトホールを介して前記第２の活性層と接続するソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
耐熱性の高い基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に第１のアモルファスシリコン膜からなる第１の活性層を形成し、
前記第１の活性層上にマスク絶縁膜を形成し、
前記マスク絶縁膜に開孔部を設け、前記第１の活性層の一部を露出させ、
ゲルマニウム膜を形成して前記第１の活性層の一部と接触させ、
６００℃を超えない第１の加熱処理により前記第１の活性層を前記ゲルマニウム膜に接触させた部分から結晶成長させてポリシリコン膜からなる第２の活性層に変化させ、
前記ゲルマニウム膜及び前記マスク絶縁膜を除去し、
前記第２の活性層に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施し、
前記第２の活性層上に、パターニングされた絶縁層を形成し、
前記第２の活性層及び前記パターニングされた絶縁層上に、第２のアモルファスシリコン膜を形成し、
前記第２のアモルファスシリコン膜上に、微結晶シリコン膜を形成し、
前記微結晶シリコン膜上に導電膜を形成し、当該導電膜をパターニングしてソース配線及びドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線をマスクとして、前記第２のアモルファスシリコン膜及び前記微結晶シリコン膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１３又は請求項１４において、前記パターニングされた絶縁層は、酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一において、前記ゲルマニウム膜はスパッタ法、プラズマＣＶＤ法又は減圧熱ＣＶＤ法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
耐熱性の高い基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜からなる第１の活性層を形成し、
前記第１の活性層上にマスク絶縁膜を形成し、
前記マスク絶縁膜に開孔部を設け、前記第１の活性層の一部を露出させ、
前記マスク絶縁膜上に、スピンコート法によりゲルマニウムを含む溶液を塗布し、前記第１の活性層の一部と接触させ、
６００℃を超えない第１の加熱処理により前記第１の活性層を前記ゲルマニウムを含む溶液に接触させた部分から結晶成長させてポリシリコン膜からなる第２の活性層に変化させ、
前記第２の活性層に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
耐熱性の高い基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜からなる第１の活性層を形成し、
前記第１の活性層上にマスク絶縁膜を形成し、
前記マスク絶縁膜に開孔部を設け、前記第１の活性層の一部を露出させ、
前記マスク絶縁膜上に、スピンコート法によりゲルマニウムを含む溶液を塗布し、前記第１の活性層の一部と接触させ、
６００℃を超えない加熱処理により前記第１の活性層を前記ゲルマニウムを含む溶液に接触させた部分から結晶成長させてポリシリコン膜からなる第２の活性層に変化させ、
前記ゲルマニウムを含む溶液及び前記マスク絶縁膜を除去し、
前記第２の活性層に対して７００℃を超える第２の加熱処理を施し、
前記第２の活性層上に、パターニングされた絶縁層を形成し、
前記第２の活性層及び前記パターニングされた絶縁層を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、コンタクトホールを介して前記第２の活性層と接続するソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１８において、前記パターニングされた絶縁層は、酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１７乃至請求項１９のいずれか一において、前記ゲルマニウムを含む溶液として、酸化ゲルマニウム、塩化ゲルマニウム、臭化ゲルマニウム、硫化ゲルマニウム、酢酸ゲルマニウムのいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１１乃至請求項２０のいずれか一において、前記第１の加熱処理として、ファーネスアニール、ランプアニール、レーザーアニールのいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１１乃至請求項２１のいずれか一において、前記第１の加熱処理を不活性雰囲気又は水素雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１１乃至請求項２２のいずれか一において、前記第１の加熱処理は４５０〜６００ ℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１１乃至請求項２３のいずれか一において、前記第２の加熱処理を酸化性雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１１乃至請求項２４のいずれか一において、前記第２の加熱処理は８００〜１０５０ ℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１１乃至請求項２５のいずれか一において、前記耐熱性の高い基板は、石英、シリコン、セラミックス、結晶化ガラスのいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。