(57)【要約】  半導体装置の製造方法は、半導体素子(21A)が搭載される支持基板(51)上に接着剤(52)を配設する工程と、一方の主面に外部接続用端子(24)が配設された半導体素子(21A)の他方の主面に、前記接着剤(52)の流動を阻止する部材(33)を配設する工程と、前記半導体素子(21A)を、前記部材(33)を介して加圧し前記接着剤(52)が配設された前記支持基板(51)上に搭載する工程と、を含むことを特徴とする。
2008038345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が搭載される支持基板上に接着剤を配設する工程と、  一方の主面に外部接続用端子が配設された前記半導体素子の他方の主面に、前記接着剤の流動を阻止する部材を配設する工程と、  前記半導体素子を、前記部材を介して加圧し前記接着剤が配設された前記支持基板上に搭載する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、  前記部材を半導体基板に貼り付けた状態で切断し、  切断された前記部材は、前記半導体基板から個片化された前記半導体素子の他方の主面よりも大きな面を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、  前記部材を第１接着層を介してダイシングテープに貼り付け、且つ、前記部材を第２接着層を介して前記半導体基板に貼り付けた状態で、前記部材及び前記半導体基板の切断を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、  前記半導体基板及び前記第１接着層の切断幅は、前記部材及び前記第２接着層の切断幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４記載の半導体装置の製造方法であって、  第１ダイシングソーにより、前記半導体基板及び前記第１接着層は切断され、  第２ダイシングソーにより、前記部材及び前記第２接着層は切断され、  前記第１ダイシングソーの幅は、前記第２ダイシングソーの幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、  前記第１接着層及び前記第２接着層は、紫外線硬化型接着層であり、  前記第２接着層の硬化状態が開始されるに必要な紫外線照射光量は、前記第１接着層の硬化状態が開始されるに必要な紫外線照射光量よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、  前記部材の切断後、ダイシングテープ側から紫外線を照射して前記第１接着層を硬化させて、前記半導体素子に貼り付けられた前記部材を前記ダイシングテープから剥離可能な状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法であって、  前記ボンディング工程後、部材側から紫外線を照射して前記第２接着層を硬化させて、前記部材を前記半導体素子の前記背面から剥離可能な状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項３乃至５記載の半導体装置の製造方法であって、  前記第１接着層及び前記第２接着層は、熱発泡型接着層であり、  前記第２接着層の発泡状態が開始されるに必要な温度は、前記第１接着層の発泡状態が開始されるに必要な温度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法であって、  前記部材の切断後、ダイシングテープ側から加熱して前記第１接着層を発泡させて、前記半導体素子に貼り付けられた前記部材を前記ダイシングテープから剥離可能な状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０記載の半導体装置の製造方法であって、  前記ボンディング工程の際に部材側への加熱により前記第２接着層を発泡させて、前記部材を前記半導体素子の前記背面から剥離可能な状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項３乃至５記載のいずれか一項に半導体装置の製造方法であって、  前記第１接着層は、紫外線硬化型接着層であり、  前記第２接着層は、熱発泡型接着層であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法であって、  前記部材の切断後、ダイシングテープ側から紫外線を照射して前記第１接着層を硬化させて、前記半導体素子に貼り付けられた前記部材を前記ダイシングテープから剥離可能な状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３記載の半導体装置の製造方法であって、  前記ボンディング工程の際に前記部材側への加熱により前記第２接着層を発泡させて、前記部材を前記半導体素子の前記背面から剥離可能な状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に突起電極を備えた半導体素子を、配線基板等の支持基板上にフリップチップ（フェイスダウン）実装する工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体素子を回路基板等の支持基板上に実装する手段の一つとして、当該半導体素子の主面（電子回路が形成された面）を支持基板に対向せしめる所謂フリップチップ（フェイスダウン）実装が適用されている。この時、当該半導体素子の前記主面には、導電性材料からなる突起電極（バンプとも称する）が配設され、当該突起電極が支持基板上の電極端子に接続される。【０００３】  当該フリップチップ（フェイスダウン）実装工程を含む、半導体装置の製造方法として、従来は以下の方法用いられている。かかる従来の半導体装置の製造方法を図１乃至図４示す。【０００４】  即ち、所謂ウエハープロセスが適用されて、一方の主面に複数個の半導体素子（ＬＳＩ素子）が形成されてなる半導体基板（ウエハ）１を準備する。当該半導体基板１の裏面（電子回路非形成面）に、紫外線（ＵＶ）硬化型ダイシングテープ２を貼り付け、当該ダイシングテープ２を介してウエハリング（フレーム）３に固定する（図１（ａ）参照）。当該半導体基板１の一方の主面（半導体素子形成面）には、当該半導体素子それぞれの領域に於いて、外部接続用端子となる突起電極（バンプ）が配設されている。【０００５】  次いで、ダイシングソー４を用いたブレードダイシング法により、半導体基板１を縦横に切断し、半導体素子に分離し、個片化する（図１（ｂ）参照）。【０００６】  次に、前記ダイシングテープ２の裏面側から紫外線（ＵＶ光）を照射し、ダイシングテープ２の接着層を硬化させる（図１（ｃ）参照）。これにより、ダイシングテープ２の粘着力は低下し、個片化されている半導体素子はダイシングテープ２から剥離可能な状態となる。【０００７】  しかる後、ダイシングテープ２の下方から突上げピン（図示せず）により突き上げ、個片化された半導体素子をダイシングテープ２から剥離し、同時に上方で待機している吸着ツール５を用いて半導体素子６を吸着し、当該半導体素子６をトレー７に移送する（図２（ｄ）参照）。この結果、半導体素子６はトレー７に収納される。【０００８】  次いで、トレー７内に収納されている半導体素子６を、ピックアップツール８を用いて取り出す。そして、当該ピックアップツール８を上下反転させて、上方で待機しているボンディングツール９に、半導体素子６を受け渡す（図２（ｅ）参照）  一方、後の工程で半導体素子６が搭載・固着される配線基板１０の上面であって、当該半導体素子６が搭載・固着される箇所に、ペースト状のエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂等からなる接着剤１１を塗布する（図２（ｆ）参照）。【０００９】  次いで、画像処理装置（図示せず）を用いて、半導体素子６及び配線基板１０との位置合わせを行い、ボンディングツール９を用いて加熱及び加圧しつつ、半導体素子６を配線基板１０上にフリップチップ（フェイスダウン）実装する（図２（ｇ）参照）。【００１０】  この結果、半導体素子６の下面に設けられた突起電極（バンプ）１２は、配線基板１０の電極１３に接続される（図３（ｈ）参照）。【００１１】  このとき、加熱により前記接着剤１１（図２（ｆ）参照）が硬化し、半導体素子６と配線基板１０との接着が強化されると共に、半導体素子６と配線基板１０との接続部位が湿気等の外的雰囲気��ら保護される。【００１２】  次いで、配線基板１０の一方の主面に搭載された複数個の半導体素子６を、一括して樹脂封止する。当該配線基板１０を金型１４に装着し、当該配線基板１０の一方の主面が配置されたキャビィティ内に封止用樹脂１５を注入して樹脂封止を行う（図３（ｈ）参照）。【００１３】  次いで、前記配線基板１０の他方の主面に、外部接続端子１６を構成する半田ボールを複数個配設する（図３（ｉ）参照）。【００１４】  しかる後、配線基板１０及び当該配線基板１０の一方の主面にあって封止用樹脂１５により樹脂封止された半導体素子６及び接着剤１１等を１つの単位として、ダイシングソー１７を用いたブレードダイシング法により、点線Ｘ−Ｘ"に沿って分離し、個片化する（図４（ｊ）参照）。【００１５】  この結果、配線基板１０上に半導体素子６がフリップチップ（フェイスダウン）実装され、更に封止用樹脂１５により封止された半導体装置１８が形成される（図４（ｋ）参照）。【００１６】  なお、接触コレットに吸着保持された半導体素子の裏面をマルチ配線基板のチップ実装領域に押し付けて前記半導体素子のダイボンディングを行う際、予め前記半導体素子の主面上に保護テープを貼り付けておく態様（例えば、特許文献１参照）、或いは上面に銅配線が形成されたポリイミド基板と、前記基板に設けられ前記銅配線に接続された接続孔と、前記基板の下面に形成され前記接続孔を介して前記銅配線に接続された半田ボールと、前記基板の上面上にボンディングされた半導体素子と、前記半導体素子に取り付けられ前記銅配線に接続された金バンプと、前記半導体素子と前記ポリイミド基板との間に配置された異方性導電膜と、前記半導体素子の裏面全体に設けられた保護膜とを具備する半導体装置（例えば、特許文献２参照）が提案されている。【００１７】  更に、粘着層を介して裏面に接着された半導体素子裏面保護層を有する半導体素子を、表面上に形成されたはんだバンプを介して回路基板上にマウントし、加熱処理により、前記はんだバンプを溶融させて半導体素子と回路基板とを接合すると共に、粘着層を軟化させて当該粘着層により半導体素子の側面を覆う態様（例えば、特許文献３参照）も提案されている。【特許文献１】特開２００３−２３４３５９号公報
【特許文献２】特開２００１−６８６０３号公報
【特許文献３】特開２００５−２６３１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】  しかしながら、この様な従来の半導体装置の製造方法にあっては、次の様な問題が存在する。【００１９】  即ち、前記図２（ｇ）に示す工程において、半導体素子６は、ボンディングツール９により、配線基板１０上にフリップチップ（フェイスダウン）実装され、半導体素子６の主面に配設された突起電極（バンプ）１２は、配線基板１０上の電極１３に接続される。【００２０】  この時、当該配線基板１０と半導体素子６との間に配設された接着剤１１が当該半導体素子６の側面に沿って這い上がる。また、当該接着剤１１は、半導体素子６の側面から周囲の配線基板１０表面へも拡がり、所謂フィレットが形成される（図５参照）。【００２１】  半導体素子６は、ボンディングツール９により吸引・保持されつつ、加熱及び加圧されて配線基板１０に固着される。このとき、ボンディングツール９による加熱によって、配線基板１０上の接着剤１１の粘度が低下する。そして、その表面張力により、当該接着剤１１は半導体素子６の側面に沿って上昇すると共に、配線基板１０の表面にも拡がりフィレットが形成される。【００２２】  かかるフィレットは、接着剤１１の固化時に於いて、より大きな圧着力で固化するため接合の信頼性を上げる観点からは好ましい。【００２３】  しかしながら、接着剤１１の塗布量が多過ぎると、当該接着剤１１は半導体素子６の厚さを超えて這い上がり、図６に示すように、ボンディングツール９の下面にその一部が接触してしまう。尚、図６（ｂ）は、図６（ａ）に於いて点線で囲んだ部分を拡大して示す。【００２４】  ボンディングツール９は加熱され高温になっているため、当該ボンディングツール９の下面に接触した接着剤１１は硬化し、図７に示す様に、ボンディングツール９の下面に付着し、残存してしまう。【００２５】  この結果、ボンディングツール９の表面（半導体素子吸着面）の平坦性が損なわれ、次の被ボンディング半導体素子６を吸着しボンディング処理しようとする際に、吸着ミスの発生、半導体素子６の不均一加熱、或いは半導体素子６と配線基板１０との接続部の温度上昇の不足など、半導体素子６の配線基板１０への接続不良を生じてしまう。【００２６】  また、付着し固化した接着剤１１Ａは、突起状を有することから、ボンディング処理の際、当該突起を起点にボンディング荷重が集中し、半導体素子６にクラックを生じてしまう恐れもある。【００２７】  更に、当該接着剤１１Ａを検出し、除去することは困難である。また、仮に、接着剤１１Ａを取り除き得る状態であっても、ボンディング装置には、通常これを検出する手段が設けられていない為、一旦この様な状態が発生すると、これに気付かずに不良半導体装置を製造してしまう恐れがある。【００２８】  この様な接着剤の這い上がりによる、当該接着剤１１のボンディングツール９への付着は、半導体素子６の厚さが薄くなる程生じ易く、半導体装置の薄型化要求に伴い、今後一層増加する恐れがある。【００２９】  このような問題を解決するために、接着剤１１がボンディングツール９に付着することを防止することが必要である。【００３０】  配線基板１０上への接着剤１１の塗布量を減少させることにより、かかる状態の発生を難くすることができる���、これにより半導体素子６と配線基板１０との間の接着の信頼性が低下し、半導体装置の信頼性の低下を招いてしまう。【００３１】  また、接着剤１１がボンディングツール９に付着したことを検出する機能を、ボンディング装置に付加することも考えられるが、当該機能を付加するための費用が発生し、更に当該検出という工程の発生により製造処理能力の低下を招き、製造費用の上昇を招いてしまう。【００３２】  本発明は、配線基板に対する接着剤の塗布量を減少させずに、当該接着剤がボンディングツールに付着し固化してしまう状態を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３３】  本発明の一の観点によれば、半導体素子が搭載される支持基板上に接着剤を配設する工程と、一方の主面に外部接続用端子が配設された半導体素子の他方の主面に、前記接着剤の流動を阻止する部材を配設する工程と、前記半導体素子を、前記部材を介して加圧し前記接着剤が配設された支持基板上に搭載する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。【００３４】  前記部材を半導体基板に貼り付けた状態で切断し、切断された前記部材は、前記半導体基板から個片化された前記半導体素子の他方の主面よりも大きな面を有していてもよい。前記部材を第１接着層を介してダイシングテープに貼り付け、且つ、前記部材を第２接着層を介して前記半導体基板に貼り付けた状態で、前記部材及び前記半導体基板の切断を行ってもよい。【００３５】  前記第１接着層及び前記第２接着層は、紫外線硬化型接着層であり、前記第２接着層の硬化状態が開始されるに必要な紫外線照射光量は、前記第１接着層の硬化状態が開始されるに必要な紫外線照射光量よりも大きくてもよい。【００３６】  前記第１接着層及び前記第２接着層は、熱発泡型接着層であり、前記第２接着層の発泡状態が開始されるに必要な温度は、前記第１接着層の発泡状態が開始されるに必要な温度よりも高くてもよい。
【発明の効果】
【００３７】  本発明によれば、配線基板への接着剤の塗布量を減少させずに、且つ、簡易に、接着剤がボンディングツールに付着し固化してしまう状態を未然に防止することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来の半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図２】従来の半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】従来の半導体装置の製造方法における問題点を示す側面図である。
【図６】従来の半導体装置の製造方法における問題点を示す側断面図である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法における問題点を示す断面図である。
【図８】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図及び要部断面図である。
【図９】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図及び要部断面図である。
【図１０】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図及び要部断面図である。
【図１１】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図及び要部断面図である。
【図１２】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図及び要部断面図である。
【図１３】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図１４】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図及び要部側面図である。
【図１５】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図及び要部断面図である。
【図１６】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図１７】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図及び要部断面図である。
【図１８】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図及び要部断面図である。
【図１９】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図及び要部断面図である。
【図２０】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図２１】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図２２】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図２３】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図３３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図３４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す外観斜視図である。
【図３５】半導体基板に貼り付けるテープの変形例の構造を示す断面図である。
【図３６】本発明の製造方法を適用することができる半導体装置の第１の変形例を示す断面図である。
【図３７】本発明の製造方法を適用することができる半導体装置の第２の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】２０        突起電極２１        半導体基板２４        第１ダイシングソー２５        第２ダイシングソー３０        ダイシングテープ３１、７３  第1接着層３２        保護テープ３３、７４  第２接着層４０        半導体素子４４        ボンディングツール４６        接着剤５０        配線基板５１        電極
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】  以下、本発明による半導体装置の製造方法について、二つの実施の形態をもって詳細に説明する。【００４１】  ［第１の実施の形態］  本発明の第1の実施の形態について、図８乃至図２３を用いて説明する。尚、図８乃至図１２、図１４、図１５、図１７乃至図１９に於いて、（ｂ）は（ａ）の要部拡大断面を示す。【００４２】  所謂ウエハープロセスが適用されて、一方の主面に複数個の半導体素子（ＬＳＩ素子）が形成されてなる半導体基板（ウエハ）２１を準備する。尚、当該半導体基板２１は、必要に応じて、その他方の主面（裏面）に対して研削処理が施され、その厚さが減じられている。【００４３】  当該半導体基板２１の裏面（電子回路非形成面）を、紫外線（ＵＶ）硬化型ダイシングテープ２２に貼り付け、当該ダイシングテープ２２を介してウエハリング（フレーム）２３に固定する（図８（ａ）参照）。【００４４】  当該ダイシングテープ２２上に半導体基板２１が貼り付けられた状態を、図８（ｂ）に示す。当該半導体基板２１の一方の主面（半導体素子形成面）には、当該半導体素子それぞれの領域に於いて、外部接続用端子となる突起電極（バンプ）２４が配設されている。同図８（ｂ）に於いて、一点鎖線Ｘ−Ｘ"は、半導体素子の境界部を示す。【００４５】  一方、ダイシングテープ２２は、４層構造を有する。即ち、ダイシングテープ基材３１上に、紫外線（ＵＶ）硬化型の第１接着層３２、保護テープ基材３３、及び紫外線（ＵＶ）硬化型の第２接着層３４が順次積層されて構成されている。【００４６】  ダイシングテープ基材３１の材料としては、例えば、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ：Ｐｏｌｙｅｔｈｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリオレフィン（ＰＯ：Ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎ）等を用いることができる。但し、これらの材料に限定されない。また、当該ダイシングテープ基材３１の厚さに制限は無く、例えば、約５０乃至１００μｍに設定することができる。【００４７】  また、保護テープ基材３３は、後述するボンディング工程に於いて加熱されるため耐熱性が要求され、また接着剤が接触しても付着・固化し難いテフロン系の材料が適している。当該保護テープ基材３３の厚さも制限は無く、例えば、約１０乃至３０μｍに設定することができる。【００４８】  一方、第１接着層３２及び第２接着層３４は、所謂紫外線（ＵＶ）硬化型の接着層であって、例えばアクリル系の紫外線（ＵＶ）硬化型のものを適用することができる。但し、かかる材料には限定されない。これらの接着層３２、３４の厚さには制限は無いが、例えば２０乃至５０μｍ程に設定される。【００４９】  尚、接着層の硬化状態が開始されるに必要な紫外線（ＵＶ）照射光量は、第２接着層３４の方が第１接着層３２よりも大きいものとされる。例えば、第１接着層３２の硬化状態が開始されるに必要な紫外線（ＵＶ）照射光量を約１００ｍＪ／ｃｍ２とした場合、第２接着層３４の硬化状態が開始されるに必要な紫外線（ＵＶ）照射光量を５００ｍＪ／ｃｍ２と設定する。【００５０】  接着層を構成する材料の配合を変えることにより、接着層の硬化が開始されるに必要な紫外線（ＵＶ）照射光量を変えることができる。【００５１】  尚、第２接着層３４は、前記ダイシングテープ基材３１と同様、ボンディング工程（後述）に於いて加熱されるため、耐熱性が必要とされる。【００５２】  次に、前記図８（ｂ）に於ける一点鎖線Ｘ−Ｘ"に対応して、ダイシングソー２５を用いたブレードダイシングにより前記半導体基板２１を縦横に切断し、個々の半導体素子２１Ａに分離、個片化する（図９参照）。かかるダイシングにより、半導体素子２１Ａは、矩形状の平面形状を有して個片化される。【００５３】  この時、ダイシングソー２５の幅（刃厚）は、例えば５０μｍ以上に設定される。【００５４】  当該ダイシングソー２５は、半導体基板２１、更には第２接着層３４を切り込み、保護テープ基材３３の上面に達して、当該保護テープ基材３３を表出する溝（ダイシング溝）２６を形成する。【００５５】  次いで、第２のダイシングソー２７を用いたブレードダイシングにより、前記ダイシング処理により生じたダイシング溝２６内に表出されている保護テープ基材３３及びその下層に在る第１接着層３２を切り込み、溝２８を形成する（図１０（ａ），（ｂ）参照）。【００５６】  当該第２のダイシングソー２７の幅（刃厚）は、前記ダイシングソー２５の幅（刃厚）よりも小であり、例えば約２０μｍ以下に設定される。このダイシング処理に於いて、第２ダイシングソー２７は、ダイシングテープ基材３１の上面に達する。【００５７】  この結果、個々の半導体素子２１Ａの周囲とダイシングテープ２２との間には、溝２６と溝２８による段差が形成される（図１０（ｃ）参照）。【００５８】  即ち、ダイシングソー２５により半導体基板２１及び第２接着層３４が切断・分離され、第２ダイシングソー２７により保護テープ基材３３及び第１接着層３２が切断・分離されて、保護テープ基材３３及び第１接着層３２に形成される溝２８の幅Ｂは、半導体基板２１及び第２接着層３４に形成される溝２６の幅Ａよりも小さい（Ｂ<Ａ）。【００５９】  従って、ダイシングソー２５の幅を約５０μｍ、第２のダイシングソー２７の幅を約２０μｍに設定して切断処理を行った場合、保護テープ基材３３は、個々の半導体素子２１Ａ部に於いて、当該半導体素子２１Ａよりも外側に約１５μｍ延在して残される。即ち、半導体素子２１Ａよりも大きなサイズの保護テープ基材３３が、第２接着層３４を介して半導体素子２１Ａに貼り付けられた状態が形成される。【００６０】  当該保護テープ基材３３は、半導体素子２１Ａの四辺の全てに於いて、当該半導体素子２１Ａの側面よりも外側に延在し、矩形状の平面形状を有している。【００６１】  尚、ダイシングソー２５の幅（刃厚）に対する第２のダイシングソー２７の幅（刃厚）をより小とすることにより、半導体基板２１及び第２接着層３４の切断溝２６の幅Ａと、保護テープ基材３３及び第１接着層３２の切断溝２８の幅Ｂとの差を更に大きなものとすることができる。【００６２】  これにより、半導体素子２１Ａよりも更に大きなサイズの保護テープ基材３３を、当該半導体素子２１Ａの裏面に配設した状態とすることができる。【００６３】  次いで、前記ダイシングテープ基材３１の下面側、即ち個片化された半導体基板の在る面とは反対側の面から紫外線（ＵＶ光）を照射する（図１１参照）。【００６４】  このとき、紫外線（ＵＶ光）の照射光量は、第１接着層３２の硬化状態が開始され、第２接着層３４の硬化状態は開始されない量に設定される。【００６５】  即ち、第１接着層３２の硬化状態が開始されるに必要なＵＶ照射光量が約１００ｍＪ／ｃｍ２とされ、第２接着層３４の硬化状態が開始されるに必要なＵＶ照射光量が約５００ｍＪ／ｃｍ２と設定されている場合には、光量が２００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線（ＵＶ）を照射する。【００６６】  その結果、第１接着層３２のみが硬化反応し、第２接着層３４は硬化しない。【００６７】  即ち、ダイシングテープ基材３１上に設けられた第１接着層３２のみ硬化して粘着力が低下し、第１接着層３２上に設けられた保護テープ基材３３がダイシングテープ基材３１から剥離可能な状態とされる。【００６８】  しかる後、第２接着層３４を介して保護テープ基材３３が取り付けられ、且つ個片化された半導体素子２１Ａを、当該ダイシングテープ基材３１から剥離し、トレー４１に収納する（図１２参照）。【００６９】  即ち、ダイシングテープ基材３１及び保護テープ基材３３上に支持された複数個の半導体素子２１Ａは、テーブル（図示せず）上に載置される。【００７０】  当該テーブルには、真空吸引装置接続された真空吸引孔が設けられており、当該真空吸引孔を介して、前記ダイシングテープ基材３１は当該テーブル上に吸着固定される。【００７１】  かかる状態に於いて、ダイシングテープ基材３１の下方から突上げピン４２が上昇し、当該突上げピン４２が当該ダイシングテープ基材３１並びに第１接着層３２を貫通して上昇することにより、一つの半導体素子２１Ａがダイシングテープ基材３１から剥離される。【００７２】  このとき、第１接着層３２の粘着力は低下しているため、当該第１接着層３２上に位置する保護テープ基材３３と半導体素子２１Ａは一体化された状態でダイシングテープ基材３１から分離される。【００７３】  一方、かかる突上げピン４２の上昇に対応して、半導体素子２１Ａの上方には吸着ツール４３が配置され、押し上げられた半導体素子２１Ａを真空吸着して保持する。そして、当該吸着ツール４３は、当該半導体素子２１Ａを、トレー４１に移送して収納する。【００７４】  この結果、トレーに収容された半導体素子２１Ａの背面には、当該半導体素子２１Ａよりも大きな面積を有する保護テープ基材３３が第２接着層３４を介して配設されている。【００７５】  次いで、トレー４１内に収納されている半導体素子２１Ａを、ピックアップツール４４を用いて取り出す。そして、当該ピックアップツール４４を上下反転させ、上方で待機しているボンディングツール４５に、当該半導体素子２１Ａを受け渡す（図１３参照）。【００７６】  この結果、当該ボンディングツール４５は、被処理半導体素子２１Ａの背面に第２接着層３４を介して配設された保護テープ基材３３を吸着することにより、当該半導体素子２１Ａを保持する。【００７７】  一方、後の工程に於いて半導体素子２１Ａが搭載・固着される配線基板５１の上面であって、当該半導体素子２１Ａが搭載・固着される箇所には、ペースト状のエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂等の接着剤５２を、ノズル４６を介して塗布する（図１４参照）。【０��７８】  同図に示される様に、当該配線基板５１が大判（大型）であって、複数個の半導体素子が搭載される場合には、個々の半導体素子の搭載箇所に対応して、接着剤５２を選択的に塗布する。【００７９】  次いで、画像処理装置（図示せず）を用いて、半導体素子２１Ａ及び配線基板５１との位置合わせを行い、前記ボンディングツール４５を用いて加熱及び加圧しつつ、半導体素子２１Ａを配線基板５１にフリップチップ（フェイスダウン）実装する（図１５参照）。【００８０】  このとき、加熱により前記接着剤５２は硬化し、半導体素子２１Ａと配線基板５１との接着強度が強化されると共に、半導体素子２１Ａと配線基板５１との接続部位が湿気等の外的環境から保護される。【００８１】  かかるフリップチップ（フェイスダウン）実装の際、接着剤５２が塗布された状態で、半導体素子２１Ａの下面に設けられた突起電極（バンプ）２４は配線基板５１の電極５３に接続される。このとき、当該接着剤５２の塗布量が多過ぎると、当該接着剤５２は半導体素子２１Ａの側面を、当該半導体素子２１Ａの厚さ以上に這い上がる（図１６参照）。【００８２】  また、本実施の態様にあっては、当該半導体素子２１Ａの背面とボンディングツール４５の間には、第２接着層３４を介して当該半導体素子２１Ａよりも面積の広い保護テープ基材３３が位置している。 即ち、半導体素子２１Ａの四辺の全てに於いて、当該半導体素子２１Ａの側面よりも外側に当該保護テープ基材３３が延在している。【００８３】  このため、半導体素子２１Ａの側面を這い上がった接着剤５２は、当該保護テープ基材３３によりその進行が妨げられ、ボンディングツール４５には到達しない。【００８４】  従って、当該ボンディングツール４５に接着剤５２の付着を生ずることなく、大判の配線基板５１上に、半導体素子２１Ａを連続して搭載することができる。【００８５】  尚、前記図１２に示す工程に於いては、半導体素子２１Ａをダイシングテープ基材３０から剥離した後に、一端トレー４１に収納している。しかしながら、半導体素子２１Ａをダイシングテープ基材３１から剥離した後に、トレー４１に収納することなく、吸着ツール４３を上下反転させて、上方で待機しているボンディングツール４５に当該半導体素子２１Ａを受け渡し、配線基板５１に固着することも、勿論可能である。【００８６】  次いで、複数個の半導体素子２１Ａが搭載された配線基板５１に対し、当該半導体素子２１Ａの上方から紫外線（ＵＶ光）を照射する（図１７参照）。【００８７】  このとき、紫外線の照射光量は、第２接着層３４の硬化状態が開始される量に設定される。例えば、第２接着層３４の硬化状態が開始されるに必要なＵＶ照射光量を約５００ｍＪ／ｃｍ２と設定されている場合には、約６００ｍＪ／ｃｍ２のＵＶを照射する。【００８８】  この結果、半導体素子２１Ａの背面と保護テープ基材３３との間に設けられた第２接着層３４は硬化反応して粘着力が低下し、保護テープ基材３３が半導体素子２１Ａの背面から剥離可能な状態とされる。【００８９】  次いで、複数個の半導体素子２１Ａそれぞれに配設されている保護テープ基材３３上に跨がって、長尺状に連続する剥離用テープ４７を貼り付け、当該剥離用テ���プ４７を引張して、半導体素子２１Ａの裏面より保護テープ基材３３を剥離・除去する（図１８参照）。【００９０】  即ち、剥離用テープ４７を、図１８に於いて矢印で示す方向に引っ張り、半導体素子２１Ａに貼り付けられている保護テープ基材３３を剥離、除去する。【００９１】  なお、剥離用テープ４７の材質、厚さ等に制限はないが、保護テープ基材３３を剥離することができる粘着性が必要とされる。【００９２】  かかる工程により、配線基板５１上に搭載された複数個の半導体素子２１Ａの背面から、保護テープ基材３３が剥離・除去される（図１９参照）。【００９３】  次いで、配線基板５１の一方の主面に搭載・固着された半導体素子２１Ａを、一括して樹脂封止する。当該配線基板５１を金型６１に装着し、当該配線基板５１の一方の主面が配置されたキャビティ内に封止用樹脂６２を注入して樹脂封止処理を行う。（図２０参照）。【００９４】  次いで、前記配線基板５１の他方の主面に、当該配線基板５１に設けられた電極５３に対応して、外部接続端子５４を構成する半田ボールを複数個配設する（図２１参照）。【００９５】  しかる後、配線基板５１及び当該配線基板５１の一方の主面にあって、封止用樹脂６２により樹脂封止された半導体素子２１Ａ及び接着剤５２等を１つの単位として、ダイシングソー２９を用いたブレードダイシング法により点線Ｘ−Ｘ"に沿って分離し、個片化する（図２２参照）。【００９６】  この結果、配線基板５１上に半導体素子２１Ａがフリップチップ（フェイスダウン）実装され、更に封止用樹脂６２により封止された半導体装置７１が形成される（図２３参照）。当該半導体装置７１は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置とも称される。【００９７】  この様に、本第１の実施の態様によれば、配線基板５１上にボンディングツール４５を用いて半導体素子２１Ａを固着する際、当該配線基板５１上に予め塗布された接着剤５２が半導体素子２１Ａの側面を這い上がっても、前記半導体素子２１Ａの背面に配置され、当該半導体素子２１Ａよりも大きな面積を有する保護テープ基材３３の存在によって、前記接着剤５２がボンディングツール４５に到達することが阻止される。【００９８】  従って、配線基板５１への接着剤５２の塗布量を減少させることを必要とせず、十分な量の接着剤５２を適用することが可能であり、もって半導体素子２１Ａの配線基板５１への固着を、高い信頼性をもって実現することができる。【００９９】  更に、接着剤５２のボンディングツール４５への付着を検出する機能を、ボンディグツール４５を操作する装置等に付加する必要も生じない。【０１００】  ［第２の実施の形態］  次いで、本発明の第２の実施の形態について、図２４乃至図３４を用いて説明する。尚、図２５、図３５至図３７は、要部拡大断面図である。前記第１の実施の態様と対応する部位には、同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。【０１０１】  所謂ウエハープロセスが適用されて、一方の主面に複数個の半導体素子（ＬＳＩ素子）が形成されてなる半導体基板（ウエハ）２１を準備する。尚、当該半導体基板２１は、必要に応じて、その他方の主面（裏面）に対して研削処理が施され、その厚さが減じられている。【０１０２】  当該半導体基板２１の裏面（電子回路非形成面）を、テープ８１を貼り付け、全体をウエハリング（フレーム）２３に固定する（図２４参照）。【０１０３】  当該テープ８１は、図２５に示すように４層構造を備える。即ち、ダイシングテープ基材３１上に、熱発泡型の第１接着層８２、保護テープ基材３３、及び熱発泡型の第２接着層８４が順次積層されて構成されている。【０１０４】  ダイシングテープ基材３１の材料としては、例えば、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ：Ｐｏｌｙｅｔｈｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリオレフィン（ＰＯ：Ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎ）等を用いることができる。但し、これらの材料に限定されない。また、ダイシングテープ基材３１の厚さも制限は無く、例えば、約５０乃至１００μｍに設定することができる。【０１０５】  また、保護テープ基材３３は、後述するボンディング工程に於いて加熱されるため耐熱性が要求され、接着剤が接触しても付着・固化しにくいテフロン系の材料が適している。当該保護テープ基材３３の厚さも制限は無く、例えば、約１０乃至３０μｍに設定することができる。【０１０６】  一方、第１接着層８２及び第２接着層８４は、前述の如く熱発泡型の接着層であって、熱が加えられると発泡し、粘着力が低下する。第１接着層８２及び第２接着層８４の材料としては特に限定は無く、例えば日東電工製の熱剥離シート「リバアルファ」を適用することができる。また、接着層８２及び８４の厚さに特に制限は無く、例えば約２０乃至５０μｍに設定することができる。【０１０７】  当該接着層に於いて、第２接着層８４の発泡が開始される温度が、第１接着層８２の発泡が開始される温度よりも高くなるように設定される。例えば、第１接着層８２の発泡状態が開始される温度を約９０℃とし、第２接着層８４の発泡状態が開始される温度を約１５０℃と設定する。【０１０８】  なお、接着層を構成する材料の配合を変えることにより、接着層の発泡状態が開始される温度を変更することができる。【０１０９】  次いで、前記第１の実施の形態に於いて図９に示す工程と同様に、ダイシングソー２５を用いたブレードダイシングにより、半導体基板２１を縦横に切断し、個々の半導体素子２１Ａに分離し、個片化する（図２６参照）。【０１１０】  この時、ダイシングソー２５の幅は、例えば約５０μｍ以上に設定される。当該ダイシングソー２５は、半導体基板２１、更には第２接着層８４を切り込み、保護テープ基材３３の上面に達して、当該保護テープ基材３３を表出する溝２６（ダイシング溝）を形成する。【０１１１】  次に、前記第１の実施の形態における図１０に示す工程と同様に、第２ダイシングソー２７を用いたブレードダイシングにより、前記ダイシング処理により生じたダイシング溝２６内に表出されている保護テープ基材３３及びその下層に在る第１接着層８２を切り込む（図２７参照）。【０１１２】  当該第２のダイシングソー２７の幅（刃厚）は、前記ダイシングソー２５の幅（刃厚）よりも小であり、例えば約２０μｍ以下に設定される。【０１１３】  このダイシング処理により、当該第２ダイシングソー２７は、ダイシングテープ基材３１の上面に達する。この結果、半導体基板２１及びテープ８１には、溝状の段差が形成される（図示せず）。【０１１４】  即ち、ダイシングソー２５により半導体基板２１及び第２接着層８４が切断・分離され、第２ダイシングソー２７により保護テープ基材３３及び第１接着層８２が切断・分離されて、保護テープ基材３３及び第１接着層８２の切断幅Ｂは、半導体基板２１及び第２接着層８４の切断幅Ａよりも小さく形成される（Ｂ<Ａ）。【０１１５】  尚、ダイシングソー２５の幅（刃厚）に対する第２のダイシングソー２７の幅（刃厚）をより小とすることにより、半導体基板２１及び第２接着層８４の切断幅Ａと、保護テープ基材３３及び第１接着層８２の切断幅Ｂとの差をより大きなものとすることができる。【０１１６】  これにより、半導体素子２１Ａよりも更に大きなサイズの保護テープ基材３３を、第２接着層８４を介して半導体素子２１Ａの裏面に取り付けた状態を形成することができる。【０１１７】  次に、ウエハリング２３をヒータブロック９１上に配置し、ダイシングテープ基材３１をその下面側から加熱する（図２８参照）  このとき、加熱温度は、第１接着層８２の発泡が開始され、第２接着層８４には発泡が開始されない温度に設定される。【０１１８】  即ち、第１接着層８２の発泡状態が開始される温度が約９０℃とされ、第２接着層８４の発泡状態が開始される温度を約１５０℃と設定されている場合には、ヒータブロック９１の温度を約１００℃に設定し、約５乃至１０秒、ダイシングテープ基材３１の下面に押し当てる。【０１１９】  この結果、第１接着層８２のみ発泡反応し、第２接着層８４には発泡を生じない。【０１２０】  即ち、ダイシングテープ基材３１上に設けられた第１接着層８２のみ発泡して粘着力が低下し、当該第１接着層８２上に設けられた保護テープ基材３３がダイシングテープ基材３０から剥離可能な状態とされる。【０１２１】  なお、かかる加熱処理は、本例のように半導体基板２１と略同じ大きさの接触面積を有するヒータブロック９１により一括して行うか、或いは、個片化された半導体素子２１Ａと略同じ大きさの接触面積を有するヒータブロックを用いて、半導体素子単位で行うか、必要に応じて選択することができる。【０１２２】  しかる後、第２接着層８４を介して保護テープ基材３３が取り付けられており、個片化された半導体素子２１Ａを、当該ダイシングテープ基材３１から剥離して、トレー４１に収納する（図２９参照）。【０１２３】  即ち、ダイシングテープ基材３１及び保護テープ基材３３上に支持された複数個の半導体素子２１Ａは、テーブル（図示せず）上に載置される。【０１２４】  当該テーブルには、真空吸引装置接続された真空吸引孔が設けられており、当該真空吸引孔を介して、前記ダイシングテープ基材３１はテーブルに吸着固定される。【０１２５】  かかる状態に於いて、ダイシングテープ基材３１の下方から突上げピンが上昇し、当該突上げピンが当該ダイシングテープ基材３１並びに第１接着層８２を貫通して上昇することにより、一つの半導体素子２１Ａがダイシングテープ基材３１から剥離される。【０１２６】  このとき、第１接着層８２の粘着力は低下しているため、当該第１接着層８２上に配設された保護テープ基材３３と半���体素子２１Ａは、一体化された状態でダイシングテープ基材３１から剥離される。【０１２７】  一方、かかる突上げピンの上昇に対応して、半導体素子２１Ａの上方には吸着ツール４３が配置され、押し上げられた半導体素子２１Ａを真空吸着して保持する。    そして、当該吸着ツール４３は、当該半導体素子２１Ａを、トレー４１に移送して収納する。【０１２８】  この様にして、トレー４１に収容された半導体素子２１Ａの背面には、当該半導体素子２１Ａよりも大きな面積を有する保護テープ基材３３が第２接着層３４を介して配設されている。【０１２９】  次いで、トレー４１内に収納されている半導体素子２１Ａを、ピックアップツール４４を用いて取り出す。しかる後、当該ピックアップツール４４を上下反転させて、上方で待機しているボンディングツール４５に、当該半導体素子２１Ａを受け渡す（図３０参照）。【０１３０】  この結果、当該ボンディングツール４５は、被処理半導体素子２１Ａの背面に第２接着層８４を介して配設された保護テープ基材３３を吸着することにより、当該半導体素子２１Ａを保持する。【０１３１】  一方、後の工程に於いて半導体素子２１Ａが搭載・固着される配線基板５１の上面であって、当該半導体素子２１Ａが搭載・固着される箇所に、ペースト状のエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂等の接着剤５２を、ノズル４６を介して塗布する（図３１参照）。【０１３２】  同図に示される様に、当該配線基板５１が大判（大型）であって、半導体素子２１Ａが複数個搭載される場合には、個々の半導体素子２１Ａの搭載箇所に対応して、接着剤５２を選択的に塗布する。【０１３３】  次いで、画像処理装置（図示せず）を用いて、半導体素子２１Ａ及び配線基板５１との位置合わせを行い、前記ボンディングツール４５を用いて加熱及び加圧しつつ、半導体素子２１Ａを配線基板５１上にフリップチップ（フェイスダウン）実装する（図３２参照）。【０１３４】  このとき、加熱により前記接着剤５２は硬化し、半導体素子２１Ａと配線基板５１との接着強度が強化されると共に、半導体素子２１Ａと配線基板５１との接続部位が湿気等の外的雰囲気から保護される。【０１３５】  かかるフリップチップ（フェイスダウン）実装の際、接着剤５２が塗布された状態で、半導体素子２１Ａの下面に設けられた突起電極（バンプ）２４は配線基板５１の電極５３に接続される。このとき、当該接着剤５２の塗布量が多過ぎると、当該接着剤５２は半導体素子２１Ａの側面を、当該半導体素子２１Ａの厚さ以上に這い上がる。【０１３６】  このとき、本実施の態様にあっては、当該半導体素子２１Ａの背面とボンディングツール４５の間には、第２接着層８４を介して当該半導体素子２１Ａよりも面積の広い保護テープ基材３３が位置している。 即ち、半導体素子２１Ａの四辺の全てに於いて、当該半導体素子２１Ａの側面よりも外側に当該保護テープ基材３３が延在している。【０１３７】  このため、半導体素子２１Ａの側面を這い上がってきた接着剤５２は、当該保護テープ基材３３によりその進行が妨げられ、ボンディングツール４５には到達しない。【０１３８】  従って、ボンディングツール４５に接着剤５２の付着を生ずることなく、大判の配線基板５１上��、半導体素子２１Ａを連続して搭載することができる。【０１３９】  ところで、半導体素子２１Ａの背面には、第２接着層８４を介して保護テープ基材３３が貼り付けられている。【０１４０】  一方、ボンディング処理の為、前記ボンディングツール４５の加熱温度は、第２接着層８４の硬化状態が開始される温度に設定される。例えば、第２接着層８４の硬化状態が開始される温度を約１５０℃と設定している場合には、ボンディングツール４５による加熱温度を約３００℃に設定する。【０１４１】  その結果、半導体素子２１Ａの背面と保護テープ基材３３との間に設けられた第２接着層８４は発泡反応して粘着力は低下し、保護テープ基材３３及び第２接着層８４が半導体素子２１Ａの背面から剥離可能な状態が形成される。【０１４２】  この様に、ボンディングツール４５による加熱により、半導体素子２１Ａの背面と保護テープ基材３３との間に設けられた第２接着層８４は発泡反応し、その粘着力が低下する。【０１４３】  即ち、半導体素子２１Ａを吸着保持するボンディングツール４５により、半導体素子２１Ａを配線基板５１にボンディングすると同時に、保護テープ基材３３が半導体素子２１Ａの背面から剥離可能な状態を形成することができる。【０１４４】  従って、本実施の形態にあっては、前記第１の実施の形態の場合に比して、少ない工程数をもって、保護テープ基材３３を半導体素子２１Ａの背面から剥離可能な状態とすることができる。【０１４５】  次いで、半導体素子２１Ａのそれぞれに配設された保護テープ基材３３上に跨がって、長尺状に連続する剥離用テープ４７を貼り付け、当該剥離用テープ４７を引張して、半導体素子２１Ａの裏面より保護テープ基材３３を剥離・除去する（図３３参照）。【０１４６】  即ち、剥離用テープ４７を、図３３に於いて矢印で示す方向に引っ張り、半導体素子２１Ａに貼り付けられている保護テープ基材３３を剥離、除去する。【０１４７】  なお、剥離用テープ４７の材質、厚さ等に特に制限はないが、保護テープ基材３３を剥離することができる粘着性が必要とされる。【０１４８】  かかる工程により、配線基板５１上に搭載された複数個の半導体素子２１Ａの背面から、保護テープ基材３３が剥離・除去される（図３４参照）。【０１４９】  次いで、配線基板５１の一方の主面に搭載・固着された半導体素子２１Ａを、一括して樹脂封止する。当該配線基板５１を金型６１に装着し、当該配線基板５１の一方の主面が配置されたキャビティ内に封止用樹脂６２を注入して樹脂封止を行う。【０１５０】  次いで、前記配線基板５１の他方の主面に、当該配線基板５１に設けられた電極５３に対応して、外部接続端子５４を構成する半田ボールを複数個配設する。【０１５１】  しかる後、配線基板５１及び当該配線基板５１の一方の主面にあって、封止用樹脂６２により樹脂封止された半導体素子２１Ａ及び接着剤５２等を１つの単位として、ダイシングソー２９を用いたブレードダイシング法により分離し、個片化する。【０１５２】  この結果、配線基板５１上に半導体素子２１Ａがフリップチップ（フェイスダウン）実装され、更に封止用樹脂６２により封止された半導体装置が形成される。（図示せず）当該半導体装置は、ＢＧ���（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置とも称される。【０１５３】  この様に、本発明の第２の実施の態様にあっても、配線基板５１上にボンディングツール４５を用いて半導体素子２１Ａを固着する際、当該配線基板５１上に予め塗布された接着剤５２が半導体素子２１Ａの側面を這い上がっても、前記半導体素子２１Ａの背面に配置された、当該半導体素子２１Ａよりも大きな面積を有する保護テープ基材３３の存在によって、前記接着剤５２がボンディングツール４５に到達することが阻止される。【０１５４】  従って、配線基板５１への接着剤５２の塗布量を減少させることを必要とせず、十分な量の接着剤５２を適用することが可能であり、もって半導体素子２１Ａの配線基板５１への固着を、高い信頼性をもって実現することができる。【０１５５】  更に、接着剤５２のボンディングツール４５への付着を検出する機能を、ボンディグツール４５を操作する装置等に付加する必要も生じない。【０１５６】  更に、本発明の第２の実施の態様にあっては、図３２に示すボンディング工程に於いて、ボンディングツール４５を用いて半導体素子２１Ａを吸着保持し配線基板５１にボンディングすると同時に、第２接着層８４を発泡させ保護テープ基材３３が半導体素子２１Ａの背面から剥離可能な状態を形成することができる。【０１５７】  従って、前記第１の実施の形態の場合に比し、少ない工程数で、保護テープ基材３３及び第２接着層８４を半導体素子２１Ａの背面から容易に剥離可能な状態とすることができる。【０１５８】  以上、本発明について二つの実施の形態をもって説明したが、本発明はこれらの実施の形態に示される構成に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。【０１５９】  例えば、半導体基板２１に貼り付けるダイシングテープを、図３５に示す構成としてもよい。【０１６０】  即ち、ダイシングテープ基材３１上に、紫外線（ＵＶ）硬化型の第１接着層３２、保護テープ基材３３、及び熱発泡型の第２接着層８４を順次積層してなる、４層構造としても良い。【０１６１】  かかるテープ構造にあっては、第１接着層３２上に設けられた保護テープ基材３３がダイシングテープ基材３１から容易に剥離可能な状態を形成するために、ダイシングテープ基材３１の下面側から紫外線（ＵＶ光）を照射して、当該ダイシングテープ基材３１上に設けられた第１接着層３２のみ硬化させて粘着力を低下させる。【０１６２】  また、保護テープ基材３３及び第２接着層８４が半導体素子２１Ａの背面から容易に剥離可能な状態を形成するために、半導体素子２１Ａを吸着保持するボンディングツール４５を用いて半導体素子２１Ａを配線基板５１にボンディングする際に、ボンディングツール４５により加熱して、半導体素子２１Ａの背面と保護テープ基材３３との間に設けられた第２接着層８４を発泡反応させて粘着力を低下せしめる。【０１６３】  一方、上記構成に代えて、ダイシングテープ基材３１上に、熱発泡型の第１接着層８２、保護テープ基材３３、及び紫外線（ＵＶ）硬化型の第２接着層３４を順次積層してなる４層構造を採用してもよい。【０１６４】  また、上述の実施の形態にあっては、裏面に外部接続端子５５を構成する半田ボールが複数個配設された配線基板５１の表面に、半導体素子２１Ａが実装・接続され、封止用樹脂６２により樹脂封止されたＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型の半導体装置を製造する例を示したが、本発明は、かかる半導体装置に限定されるものではない。【０１６５】  即ち、本発明は、図３６又は図３７に示す構造を有する半導体装置の製造にも適用することができる。【０１６６】  図３６に示す半導体装置１７１にあっては、配線基板５１上に接着剤５２を介して固着された半導体素子２１Ａの上に、第２の半導体素子１０１がその電子回路形成面を上とした状態で、ダイボンディング材１０２を介して積載されている。所謂２段スタックマルチチップパッケージ型半導体装置である。【０１６７】  かかる半導体装置１７１は、前記図１９又は図３４に示す工程の後、半導体素子２１Ａの上に，第２の半導体素子１０１をその回路形成面を上とした状態で、ダイボンディングフィルム等のダイボンディング材１０２を介して積載し、更に、当該第２の半導体素子１０１と配線基板５１の電極５３とをボンディングワイヤ１０３により接続する。【０１６８】  しかる後、前記図２０乃至図２２に示す、樹脂封止工程、外部接続用端子配設工程及び個片化処理工程を施すことにより半導体装置１７１が形成される。【０１６９】  また、図３７に示す半導体装置１７２は、配線基板５１に、半導体素子１１１を、その回路形成面を上とした状態で、ダイボンディング材１１２を介して搭載し、更に当該半導体素子１１１の上に接着剤５２を介して半導体素子２１Ａを搭載してなる２段スタックマルチチップパッケージ型の半導体装置である。【０１７０】  配線基板５１の電極５３と半導体素子１１１との間は、ボンディングワイヤ１１３により接続されている。【０１７１】  かかる半導体装置の製造は、配線基板５１の上に半導体素子１１１を、その回路形成面を上とした状態で、ダイボンディングフィルム等のダイボンディング材１１２を介して積載し、当該半導体素子１１１と配線基板５１の電極５３とをボンディングワイヤ１１３により接続した後に、前記図８乃至図１９又は図２４乃至図３４に示す工程により、半導体素子１１１の上に接着剤５２を介して半導体素子２１Ａを搭載する。この場合、半導体素子２１Ａの載置対象体は、半導体素子１１１である。【０１７２】  しかる後、前記図２０乃至図２２に示す、樹脂封止工程、外部接続用端子配設工程及び個片化処理工程を施すことにより半導体装置１７２が形成される。【０１７３】  尚、前記本発明の二つの実施の態様にあっては、半導体素子２１Ａの背面には、第２接着層を介して当該会半導体素子２１Ａよりも面積の広い保護テープ基材３３が配置された状態でボンディングツール４５が当接される。【０１７４】  即ち、半導体素子２１Ａの四辺の全てに於いて、当該半導体素子２１Ａの側面よりも外側に当該保護テープ基材３３が延在している状態に於いて、ボンディングツール４５が押圧される。【０１７５】  この様に、保護テープ基材３３の面積を半導体素子２１Ａの面積よりも大とすることにより、当該保護テープ基材３３部分に於いて接着剤の流動（這い上がり）を阻止し、当該接着剤のボンディングツール４５への���達を防止している。【０１７６】  当該接着剤のボンディングツール部への流動を阻止する為に、接着剤の流動する延面距離を増加させようとして、保護テープ基材３３の厚さをより厚くすることも考えられる。【０１７７】  しかしながら、当該保護テープ基材３３の厚さを増加させることは、ボンディングツール４５による加熱効果を減じ、また当該保護テープ基材３３の取り扱いが煩雑になるなど実用上好ましくない。
【産業上の利用可能性】
【０１７８】  本発明は、半導体装置の製造方法に関し、突起電極を備えた半導体素子を、配線基板等の支持基板上にフリップチップ（フェイスダウン）実装する際に、その作業効率、ならびに製造歩留りを高めることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年3月5日(2009.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が搭載される支持基板上に接着剤を配設する工程と、
一方の主面に外部接続用端子が配設された前記半導体素子の他方の主面に、前記接着剤の流動を阻止する部材を配設する工程と、
前記半導体素子を、前記部材を介して加圧し前記接着剤が配設された前記支持基板上に搭載する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記部材を半導体基板に貼り付けた状態で切断し、
切断された前記部材は、前記半導体基板から個片化された前記半導体素子の他方の主面よりも大きな面を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記部材を第１接着層を介してダイシングテープに貼り付け、且つ、前記部材を第２接着層を介して前記半導体基板に貼り付けた状態で、前記部材及び前記半導体基板の切断を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板及び前記第１接着層の切断幅は、前記部材及び前記第２接着層の切断幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１接着層及び前記第２接着層は、紫外線硬化型接着層であり、
前記第２接着層の硬化状態が開始されるに必要な紫外線照射光量は、前記第１接着層の硬化状態が開始されるに必要な紫外線照射光量よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記部材の切断後、ダイシングテープ側から紫外線を照射して前記第１接着層を硬化させて、前記半導体素子に貼り付けられた前記部材を前記ダイシングテープから剥離可能な状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ボンディング工程後、部材側から紫外線を照射して前記第２接着層を硬化させて、前記部材を前記半導体素子の前記背面から剥離可能な状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項３又は４記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１接着層及び前記第２接着層は、熱発泡型接着層であり、
前記第２接着層の発泡状態が開始されるに必要な温度は、前記第１接着層の発泡状態が開始されるに必要な温度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記部材の切断後、ダイシングテープ側から加熱して前記第１接着層を発泡させて、前記半導体素子に貼り付けられた前記部材を前記ダイシングテープから剥離可能な状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ボンディング工程の際に部材側への加熱により前記第２接着層を発泡させて、前記部材を前記半導体素子の前記背面から剥離可能な状態を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【国際調査報告】
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