【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に半導体素子を載置するための載置部を有する基体と、前記上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合され、内面に回路基板が設置された棚部を有する枠体とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記回路基板は、その上面に、一端が前記半導体素子に電気的に接続され他端が縁部に達しておりかつ途中に高周波信号成分を終端させるための抵抗部を設けた接地用の線路導体が形成されているとともに、前記線路導体を取り囲むように形成されかつ前記線路導体の他端側に接続された同一面接地導体層が設けられ、下面に接地導体層が形成されており、さらに前記線路導体の他端から前記回路基板の端面および前記接地導体層にかけて導体層が形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記回路基板の線路導体の一端に電気的に接続された前記半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の線路導体２６ｂは、図４に要部拡大平面図を示すように、回路基板２６−Ｂの第２の線路導体２６ｂの延長部の端面に設けられた導体層２６ｄを介して、接地導体層２６ｃ−Ｂに電気的に接続される。第２の線路導体２６ｂには抵抗部２８が設けられている。この抵抗部２８は、第２の線路導体２６ｂを流れて接地導体層２６ｃ−Ｂに接地される、高周波信号成分を含む終端用信号を、電気エネルギーから熱エネルギーに変換し、接地導体層２６ｃ−Ｂからの終端用信号の反射によるノイズを抑制して、電気的に接地するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、第２の線路導体２６ｂを伝わる終端用信号の高周波化が進むと、第２の線路導体２６ｂに設けられた抵抗部２８において、終端用信号の電気エネルギーを熱エネルギーに変換することを十分にできなくなるとともに、接地導体層２６ｃ−Ｂは終端用信号を接地させるには不十分な面積となっていた。即ち、抵抗部２８では終端用信号を確実に電気エネルギーから熱エネルギーに変換することができず、また接地導体２６ｃ−Ｂの面積が不十分であるため、第２の線路導体２６ｂを伝送する終端用信号を確実に接地できなくなる。そのため、第２の線路導体２６ｂを伝わる終端用信号によって接地導体層２６ｃ−Ｂからの反射によるノイズが発生し、そのノイズが半導体素子２５に入り込んで誤作動を発生させるという問題点を有していた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体パッケージは、上側主面に半導体素子を載置するための載置部を有する基体と、前記上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合され、内面に回路基板が設置された棚部を有する枠体とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記回路基板は、その上面に、一端が前記半導体素子に電気的に接続され他端が縁部に達しておりかつ途中に高周波信号成分を終端させるための抵抗部を設けた接地用の線路導体が形成されているとともに、前記線路導体を取り囲むように形成されかつ前記線路導体の他端側に接続された同一面接地導体層が設けられ、下面に接地導体層が形成されており、さらに前記線路導体の他端から前記回路基板の端面および前記接地導体層にかけて導体層が形成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに、同一面接地導体層において、好ましくは金属から成る枠体に向けて終端用信号を放射し易くなり、線路導体に設けられた抵抗部において接地しきれない終端用信号を放射することによって終端用信号をより確実に接地することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記回路基板の線路導体の一端に電気的に接続された前記半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
なお、枠体２はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等の金属の他に、セラミックス等の誘電体材料から成りかつその表面にメタライズ層等の導体層が形成されているのが好ましい。この場合、後述するように、同一面接地導体層１６から枠体２に向けて放射された高周波信号成分を接地し易くなり、第２の線路導体６ｂに設けられた抵抗部８において接地しきれない終端用信号を放射することによって終端用信号をより確実に接地することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、回路基板６−Ｂの上面に形成された第２の線路導体６ｂは、図２に示すように、一端が半導体素子５に電気的に接続され、他端が回路基板６−Ｂの上面の縁部に達しており、かつ途中に抵抗部８が設けられ、他端は回路基板６−Ｂの上面の略全周に線路導体６ｂに略平行かつ取り囲むように設けられた同一面接地導体層１６に接続されている。この場合、同一面接地導体層１６は、回路基板６−Ｂの上面に線路導体６ｂを取り囲むように設けられるが、好ましくは、回路基板６−Ｂの上面の略全周に設けられるのがよく、同一面接地導体層１６から高周波信号成分が枠体２に向けて放射され易くなる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
第２の線路導体６ｂの途中に設けられた抵抗部８は、Ｔａ2Ｎ，Ｎｉ−Ｃｒ合金等の材料から成り、回路基板６−Ｂに印刷塗布された後に焼成されるか、薄膜形成法により形成され、所望の抵抗値を有する厚み、幅、形状となるように形成される。抵抗値を微小調整するために、抵抗部８の一部をレーザ加工によって除去することもできる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
さらに、同一面接地導体層１６において枠体２に向けて高周波信号を放射し易くなり、第２の線路導体６ｂに設けられた抵抗部８において接地しきれない終端用信号を放射することによって終端用信号をより確実に接地することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（実施例）本発明の実施例と従来例について、線路導体の伝送特性を以下のように解析した。伝送特性の解析は、図５（ａ），（ｂ）に示した２種類の解析モデルについて行なった。この解析モデルは、図１または図３に示した構成をモデル化したものである。即ち、図５（ａ）は本発明の実施例による回路基板６−Ｂの解析モデル（モデルＡ）の上面図、図５（ｂ）は従来の回路基板２６−Ｂの解析モデル（モデルＢ）の上面図である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
各解析モデルＡ，Ｂにおいて、回路基板６−Ｂ（２６−Ｂ）（厚さ１ｍｍ）はアルミナセラミックス（比誘電率εｒ＝９．４）からなり、回路基板６−Ｂ（２６−Ｂ）の上面には抵抗部８（２８）を５０Ωとした第２の線路導体６ｂ（２６ｂ）を形成した。また、ボンディングワイヤ７ｂ（２７ｂ）が接続される側と反対側である、回路基板６−Ｂ（２６−Ｂ）の端面の第２の線路導体６ｂ（２６ｂ）を延長した部位に、導体層６ｄ（２６ｄ）を形成した。この導体層６ｄ（２６ｄ）を介して、第２の線路導体６ｂ（２６ｂ）を回路基板６−Ｂ（２６−Ｂ）の下面の接地導体層６ｃ−Ｂ（２６ｃ−Ｂ）に電気的に接続した。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図６の結果から、各モデルＡ，Ｂを構成する各部位は、それぞれ同様の材質から成っており、第２の線路導体６ｂ（２６ｂ）部、接地導体層６ｃ−Ｂ（２６ｃ−Ｂ）部、導体層６ｄ（２６ｄ）部および抵抗部８（２８）に起因する伝送損失は同じとみなせることから、各モデルＡ，Ｂの伝送損失の違いは、同一面接地導体層１６の有無に基づくものとみなせる。１２〜１５．５ＧＨｚにおいて、モデルＢに比べ、モデルＡの反射損失が大きくなっているが、これは第２の線路導体６ｂ（２６ｂ）の長さによる共振の影響により、モデルＢの反射損失が部分的に低減したものと考えられる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
これは、同一面接地導体層１６によって、第２の線路導体６ｂの他端において第２の線路導体６ｂを伝送する終端用信号を接地させるための接地導体層６ｃ−Ｂの面積を拡大できたため、第２の線路導体６ｂから接地導体層６ｃ−Ｂに向けての終端用信号の伝送をスムーズに行なうことができ、第２の線路導体６ｂの他端における終端用信号の反射が減少したためである。また、第２の線路導体６ｂに略平行かつ取り囲むように同一面接地導体層１６を設けたことで、第２の線路導体６ｂから同一面接地導体層１６に終端用信号を空間を介して短絡させることができ、第２の線路導体６ｂにおいて終端用信号を減衰させて確実に接地させたためである。さらに、同一面接地導体層１６において枠体２に向けて終端用信号を放射し易くなり、第２の線路導体６ｂの抵抗部８において接地しきれない終端用信号を放射して、終端用信号をより確実に接地したためである。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【発明の効果】
本発明は、半導体パッケージ内に載置された回路基板は、その上面に、一端が半導体素子に電気的に接続され他端が縁部に達しておりかつ途中に抵抗部を設けた接地用の線路導体が形成されているとともに、線路導体を取り囲むように形成されかつ線路導体の他端側に接続された同一面接地導体層が設けられ、下面に接地導体層が形成されており、さらに線路導体の他端から回路基板の端面および接地導体層にかけて導体層が形成されていることにより、線路導体の他端において線路導体を伝送する終端用信号を電気的に接地させるための接地導体層の面積を拡大できるため、線路導体から接地導体に向けての終端用信号の伝送をスムーズに行なうことができ、線路導体の他端における終端用信号の反射を有効に減少させることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、線路導体から同一面接地導体層に終端用信号の高周波信号成分を空間および間隙を介して短絡させることができ、線路導体において終端用信号を減衰させて確実に接地させることができる。さらに、同一面接地導体層において枠体に向けて高周波信号を放射し易くなり、線路導体に設けられた抵抗部において接地しきれない終端用信号を放射することによってより確実に接地することができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の例を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体パッケージにおける回路基板の要部拡大平面図である。
【図３】従来の半導体パッケージの断面図である。
【図４】従来の半導体パッケージにおける回路基板の要部拡大平面図である。
【図５】（ａ）は本発明の半導体パッケージの回路基板について実施の形態の例を示す解析モデルＡの平面図であり、（ｂ）は従来例の回路基板を示す解析モデルＢの平面図である。
【図６】図５の解析モデルＡ，Ｂの反射損失の解析結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
２ｂ：棚部
４：蓋体
５：半導体素子
６：回路基板
６ｂ：第２の線路導体
６ｃ：接地導体層
６ｄ：導体層
８：抵抗部
１６：同一面接地導体層