(57)【要約】  有機ELデバイスは、基板上に形成された複数の有機ELセルを有し、前記有機ELセルのうち互いに隣接するもの同士が単一の機械的切断条痕を挟んでいるため、有機機能層の劣化を伴うことなく簡易にパターニングされうる。
2008126263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数の有機ELセルを有する有機ELデバイスであって、
前記有機ELセルのうち互いに隣接するもの同士が単一の機械的切断条痕を挟んでいることを特徴とする有機ELデバイス。
【請求項２】
前記隣接するもの同士の各々に含まれる電極の互いの対向面が単一刃による切断面であることを特徴とする請求項１記載の有機ELデバイス。
【請求項３】
基板上に第１電極を形成するステップと、
有機機能層を形成するステップと、
複数の帯状電極からなる第２電極を形成するステップと、からなる有機ELディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第２電極の形成ステップは、前記有機機能層の上に成膜された導電性薄膜を機械的に切断することによって、前記複数の帯状電極における隣接する帯状電極同士を単一の機械的切断条痕を挟んで離間せしめるステップを含むことを特徴とする製造方法。
【請求項４】
前記有機機能層の形成ステップは、前記機械的切断条痕が形成される部分において少なくとも一層の前記有機機能層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
前記離間ステップにおける切断は、押し切り切断であることを特徴とする請求項３又は４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記離間ステップにおける切断は、前記基板上の円形刃の転動切断であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記離間ステップにおける切断は、トムソン刃による型抜き切断であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記有機ELディスプレイパネルの製造方法は、更に、少なくとも前記機械的切断条痕が形成される部分の上層部に剥離防止層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項３記載の製造方法。
【請求項９】
前記剥離防止層は、前記第２電極となる導電性薄膜が成膜される領域と略同一の領域に成膜されることを特徴とする請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
前記剥離防止層は、前記第２電極となる導電性薄膜を覆うように成膜されることを特徴とする請求項８記載の製造方法。
【請求項１１】
前記剥離防止層は、金属からなることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記剥離防止層は、Bi、Pb、Sn、Cd及びInのうちの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記有機ELディスプレイパネルの製造方法は、更に、前記第２電極と接続する引き出し電極を形成するステップを含むことを特徴とする請求項３記載の製造方法。
【請求項１４】
前記有機機能層は、前記引き出し電極の領域を除いて前記第２電極となる導電性薄膜が成膜される領域よりも広い領域に成膜されることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記有機機能層は、前記引き出し電極の非エッジ部の領域を除いて前記第２電極となる導電性薄膜が成膜される領域よりも広い領域に成膜されることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１６】
第２電極を形成するステップは、前記第２電極となる導電性薄膜における引き出し電極側の端部を櫛刃状に形成するステップを含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項１７】
第２電極を形成するステップは、前記第２電極と前記引き出し電極とを接続するつなぎ電極を形成するステップを含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記有機ELディスプレイパネルの製造方法は、前記第２電極の形成ステップの完了後に第２電極の絶縁状態を検査するステップを更に含むことを特徴とする請求項３乃至１７のいずれか１に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記有機ELディスプレイパネルの製造方法は、同一の刃物を用いて前記第２電極の形成が行なわれた複数の有機ELディスプレイパネルについて、前記検査ステップの結果を累積して記憶するステップと、
前記累積して記憶した検査結果における絶縁不良の頻度が設定値を超えているか否かを判断するステップと、
前記判断の結果、絶縁不良の頻度が設定値を超えた場合はそれを告知するステップと、を更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法に関し、特に有機機能層の劣化を伴うことなく簡易にパターニングされた有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型面発光、高効率等を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ELと称する）デバイスが注目されている。かかる有機ELデバイスを作成するには、支持基板上に、第１電極、発光層を含む１以上の有機機能層、及び第２電極を順次積層していく必要がある。このとき、有機機能層は一般に熱、有機溶剤及び湿度の影響を受け易いため、第２電極のパターニングにフォトリソグラフィ法を用いた場合は、既に成膜されている有機機能層が劣化してしまうおそれがある。【０００３】
そこで有機機能層の上に第２電極を形成する場合は、シャドウマスク蒸着によって必要な箇所のみ成膜する方法が一般的に採用されている。しかしながら、第２電極のパターンが高精細になるに従って高精細なシャドウマスクを作製することが困難になってきており、またシャドウマスクの位置合せに極めて高い精度が要求されるという問題があった。【０００４】
かかる状況において、特開平１１−１１１４５５号公報に示すように、第1電極上に絶縁体からなる隔壁を形成し、有機機能層及び第2電極となる導電性薄膜を全面に形成した後、隔壁上の有機機能層と当該導電性薄膜とを刃物を用いて切削することによりパターニングする方法が提案されている。【０００５】
また、特開平８−９６９６１号公報に示すように、無機ELデバイスにおいて、反射絶縁層と接する背面電極に切込みを入れて背面電極のうち不要な箇所を剥ぎ取ることによってフォトリソグラフィ法を用いないで電極パターンを形成する方法が開示されている。【０００６】
しかしながら、特開平１１−１１１４５５号公報においては、一般に樹脂からなる隔壁を形成する必要があるため、そこから発生するガスがデバイスに悪影響を及ぼすおそれがある。また、隣接する画素間は隔壁の幅よりも狭くすることができないので、高精細なパターンを実現することは困難である。更に、パターン作成の際に切削クズが発生するため、これによるショートが懸念される。【０００７】
また、特開平８−９６９６１号公報においては、隣接する画素間は背面電極を部分的に剥ぎ取ることによって離間せしめられるものであるため、当該隣接画素間には少なくとも２回の切込みを入れる必要がある。従って高精細なパターンの形成には不適切である。
【発明の開示】
【０００８】
本発明は、上記した問題が１例として挙げられる諸問題を解決する手段を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明の有機ELデバイスは、基板上に形成された複数の有機ELセルを有し、前記有機ELセルのうち互いに隣接するもの同士が単一の機械的切断条痕を挟んでいることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の有機ELディスプレイパネルの製造方法は、基板上に第１電極を形成するステップと、有機機能層を形成するステップと、複数の帯状電極からなる第２電極を形成するステップと、からなる有機ELディスプレイパネルの製造方法であって、前記第２電極の形成ステップは、前記有機機能層の上に成膜された導電性薄膜を機械的に切断することによって、前記複数の帯状電極における隣接する帯状電極同士を単一の機械的切断条痕によって離間せしめるステップを含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
図１は本発明の実施例の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの平面図である。【００１２】
図２は図１の一点鎖線II−IIに沿って切断した断面図である。【００１３】
図３A〜Fは本発明の実施例の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの製造方法を示す断面図である。【００１４】
図４は有機ELディスプレイパネルの部分拡大断面図である。【００１５】
図５は本発明の実施例の有機ELディスプレイパネルの部分拡大断面図である。【００１６】
図６は有機ELディスプレイパネルの断面図である。【００１７】
図７は本発明の製造方法に用いる刃物の配置状態を示す平面図である。【００１８】
図８は本発明の実施例の制御系のブロック図である。【００１９】
図９は本発明の実施例の製造方法における切断ステップのフローチャートである。【００２０】
図１０は本発明の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの代替例の断面図である。【００２１】
図１１は本発明の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの代替例の断面図である。【００２２】
図１２は本発明の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの代替例の断面図である。【００２３】
図１３は本発明の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの代替例の平面図である。【００２４】
図１４は本発明の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの代替例の平面図である。【００２５】
図１５は本発明の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの代替例の平面図である。【００２６】
図１６は本発明の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの代替例の平面図である。【００２７】
図１７は本発明の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの代替例の製造方法を示す断面図である。【００２８】
図１８は本発明の実施例の製造方法における絶縁／短絡検査ステップのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明による実施形態に係る有機ＥＬデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルを添付図面に基づいて説明する。
【００３０】
図１は本発明の実施の形態の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの平面図、図２は図１のパネルを一点鎖線II−IIに沿って切断したときの矢視方向の断面図である。なお、これらの図面には、説明を簡単にするため３行×５列のマトリックス状の発光セル（有機ELセル）が示されているが、本発明はかかる大きさのマトリックスに限定されるものではない。以下の説明においては、これら複数の発光セルが配置されている領域を発光領域と称する。
【００３１】
本発明の実施形態の有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルは、支持基板１０上に、導電性材料からなるストライプ状の第１電極２０が列方向に配置されている。ボトムエミッション型パネルの場合は基板１０及び第１電極２０を介して外部に光が取り出されることになるため、基板１０及び第１電極２０は共に透光性材料によって形成される。例えば、基板１０には無アルカリガラス、ポリカーボネート等が用いられ、第１電極２０にはインジウムスズ酸化物（ITO）、インジウム亜鉛酸化物（IZO）等が用いられる。後述するように、当該基板１０及び第１電極２０の上方には第２電極となる導電性薄膜が成膜され、その後刃物を用いて機械的に切断されるため、基板１０及び第１電極２０は共に、当該刃物の刃先よりも高い硬度を有していることが望ましい。これにより当該刃物による切断の際、基板１０や第１電極２０が破損したり変形したりすることが回避される。
【００３２】
なお、積層膜の硬さは、ビッカース硬度で測定・比較することができる。特に薄膜の硬さについては、ビッカース硬度の測定と同様に薄膜にダイヤモンド圧子を押しこみ、その時の押しこみ深さと荷重とを測定して薄膜の硬度を求めることができる。薄膜自体の硬度を測定することが困難な場合は、薄膜と同一組成を有するバルク材料の硬度測定をもって、薄膜の硬度としても良い。
【００３３】
第１電極２０の上には、少なくとも１層の有機機能層が形成されている。かかる有機機能層は低分子、デンドリマ、ポリマ等の有機化合物からなり、一部に無機材料が含まれていても良い。有機機能層は、発光層の単一層構造、正孔輸送層及び発光層からなる２層構造、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる３層構造、或いは正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層からなる５層構造等の種々の構造をとり得る。
【００３４】
本実施形態においては、これら有機機能層を、発光領域に一括して形成される第１有機機能層３０と、発光セル毎に塗り分けて島状に成膜される第２有機機能層４０とに区別している。第１有機機能層３０は、例えば、第１電極２０が陽極である場合は、銅フタロシアニン等からなる正孔注入層及びトリフェニルアミン誘導体等からなる正孔輸送層である。また、発光層を塗り分ける必要がない場合は、当該発光層も第１有機機能層３０に含まれ得る。第２有機機能層４０は、例えばアルミキレート錯体等からなる発光層である。第１電極２０が陽極である場合は、必要に応じ、Li2O等からなる電子注入層及びAlq3等からなる電子輸送層が第２有機機能層４０に含まれ得る。
【００３５】
第１及び第２有機機能層３０、４０の上には、導電性材料からなるストライプ状の第２電極５５が第１電極２０に対して直交する方向、すなわち、行方向に配置されている。ここで第２電極５５の隣接する帯状電極同士は単一の機械的切断条痕Lを挟んで配置されている。トップエミッション型パネルの場合は第２電極５５を介して外部に光が取り出されるため、第２電極５５には透光性のあるITO、IZO等の材料が用いられる。また、後述するように、第２電極５５は導電性薄膜を刃物等によって切断することによって形成されるので、当該刃物の刃先よりも軟らかい材料が用いられることが望ましい。
【００３６】
有機ELディスプレイパネル上には、第１電極２０及び／または第２電極５５に接続する引き出し電極が更に設けられている。引き出し電極の材料には低抵抗性及び耐環境性が求められ、一般にＣｒ、Ｔｉ、Ａl、Ａl−Nd合金、Ag合金、ITO等の単層膜及びこれらの積層膜が用いられる。引き出し電極はその一端に第１電極２０または第２電極５５と電気的に接続する接続部を有している。なお、特に必要がなければ、当該引き出し電極は省略しても良い。本実施の形態においては、第２電極５５に接続する引き出し電極７０が一例として示されている。
【００３７】
上記の如く本実施の形態の有機ELデバイスは、ストライプ状の第１電極２０と、これに直交するストライプ状の第２電極５５と、の交叉位置に形成されるマトリックス状の発光セルによって構成され、互いに隣接する発光セル同士が単一の切断条痕を挟んで配置されている。このように、本発明の有機ELデバイスは発光セル同士が切断条痕のみを挟んで隣り合っているため、高輝度且つ高精細な発光セルを実現することが可能となる。また、第２電極の形成にはフォトリソグラフィ等の有機機能層を劣化せしめる化学プロセスを使用していないので、製品の寿命を延ばすことが可能となる。
【００３８】
なお、本実施の形態においては、第１電極及び第２電極が各々陽極及び陰極であることを前提に説明を行なったが、かかる場合に限定されるものではなく、第１電極及び第２電極が各々陰極及び陽極であっても良い。
次に、上記した有機ＥＬデバイスを備えた有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を説明する。先ず図３Aに示すように、実施例の有機ＥＬディスプレイパネルの支持基板となる基板１０上に、導電性材料からなる第１電極２０を形成する。具体的には、基板１０上に蒸着法やスパッタ法等により導電性材料を成膜し、その後フォトリソグラフ法によってパターニングすることによって第１電極２０を形成する。
【００３９】
ここで、第１電極２０のエッジ部の断面形状は、図４（A）に示すように順テーパー形状となるように形成されるのが望ましく、そのテーパー角度αは45度以下であることがより望ましい。なぜならば、第１電極２０のエッジ部の断面が図４（B）に示すように切り立っていたり逆テーパー形状であったりすると、当該エッジ部の上方において有機機能層と第２電極となる導電性薄膜との間の界面が急傾斜となり、当該導電性薄膜が確実に切断できない場合が生じ得るからである。
【００４０】
更に、第１電極２０のエッジ部近傍のテーパー部分は凹凸部のないなだらかな斜面からなることが望ましい。なぜならば、かかるテーパー部分に凹凸が存在していた場合は、その上方において有機機能層と第２電極となる導電性薄膜との間の界面に起伏が生じ、上記同様に導電性薄膜の切断の際、導電性薄膜が確実に切断できない場合が生じ得るからである。従って、エッチングの際、第１電極２０は結晶状ではなくアモルファス状態であるのが好ましい。これによって、エッジのテーパー部分は、結晶性の場合のように結晶単位ごとに溶解されることなく、ほぼ均一にエッチングされてなだらかな表面となる。
【００４１】
パッシブマトリックス駆動型有機ＥＬディスプレイパネルの場合は、図１に示すように第１電極２０はストライプ状にパターニングされるが、アクティブマトリックス駆動型の場合は、画素に対応した島状にパターニングされる。アクティブマトリックス駆動型有機ＥＬディスプレイパネルの場合は、更に図示しない能動回路を形成する必要がある。具体的には、有機ELデバイスを駆動するための少なくとも２個の薄膜トランジスタ、すなわちスイッチングトランジスタ及びドライビングトランジスタを形成する必要がある。
なお、第１電極２０は基板１０に対して密着性が高いことがより好ましい。具体的には、第１電極２０はJIS−K5400−8.5.2の碁盤目試験によって剥離がないレベルの密着性を有していることが望ましい。これにより、第１電極２０が基板１０から剥離する問題が回避される。また、フルカラーの有機ＥＬディスプレイパネルを製造すべく、基板１０にカラーフィルタや色変換層等が備わっていても良い。
【００４２】
次に、第１電極２０や後述する第２電極を外部に引き出すための引き出し電極を形成する。図３Bには、第２電極を外部に引き出すための引き出し電極７０が示されている。引き出し電極７０は例えば蒸着法やスパッタ法で成膜した後、フォトリソグラフィ法によってパターニングすることによって形成される。引き出し電極７０のパターンに高精細が要求されない場合は、マスク蒸着を用いて成膜しても良い。なお、引き出し電極７０は、上記した第１電極２０の形成ステップにおいて、第１電極２０と同時に形成しても良い。
【００４３】
次に、図３Cに示すように、第１電極２０の上面を全て覆うように、第１有機機能層３０を形成する。第１有機機能層３０は、例えば蒸着法やスパッタ法などのドライプロセス、若しくはスピンコート、インクジェット法及びスプレー法などのウェットプロセスによって形成される。
【００４４】
ここで、第１有機層３０は、第１電極２０のエッジ部を十分に覆うように成膜されることが好ましい。なぜなら、かかる第１有機層３０が第１電極２０のエッジ部を十分に覆っていないと、後述する第２電極となる導電性薄膜の切断が不十分となり、切断部分においてショートする部分が生じるおそれがあるからである。そのためには、具体的には、基板を自公転させた蒸着法や塗布法を用いるのが望ましく、この中で塗布法が第１電極２０のエッジ部の被覆性の観点から特に好ましい。
【００４５】
また、図５に示すように、第１有機機能層３０の膜厚H1は、第１電極２０の膜厚H２より大きくなるように成膜されるのが望ましい。これによって、第２電極となる導電性薄膜５０の最下面が第１電極２０の最上面よりも常に高い位置に形成される。従って、導電性薄膜５０と有機機能層との間の界面が切断方向に波打つように上下していても、確実に導電性薄膜５０を切断することが可能になる。
【００４６】
次に、図３Dに示すように、第１有機機能層３０の上に第２有機機能層４０を島状に形成される。第２有機機能層４０は第１有機機能層３０と異なり画素毎に塗り分けて形成するので、例えばシャドウマスク蒸着等により形成される。
【００４７】
なお、第１有機機能層３０及び第２有機機能層４０は、第２電極となる導電性薄膜５０の少なくとも切断部分において、有機機能層の少なくとも一層が形成されているのであれば、その積層順序を入れ替えたり、どちらかを成膜しなかったりしても良い。また、複数のステップに分けて成膜を行なっても良い。
【００４８】
次に、図３Eに示すように、少なくとも発光領域を覆う領域及び引き出し電極が設けられている場合はその接続部に、導電性薄膜５０を蒸着法やスパッタ法等によって形成する。
【００４９】
最後に、図３Fに示すように、導電性薄膜５０を機械的に切断することによってパターニングを行い、よって図２に示すような第２電極５５が形成される。導電性薄膜５０の切断の際は、押し切り切断、すなわち、刃物Bの刃先と導電性薄膜５０との接点の基板面に平行な方向の相対速度をゼロにして刃先を押し付けるようにしながら切断するのが好ましく、よって刃物Bの刃先を引きずるようにして切断するのは好ましくない。なぜなら、刃物Bの刃先を引きずるようにして切断した場合は、第１電極２０や基板１０と刃物Bの刃先と間で過度の摩擦が生じ、第１電極２０や基板１０の表面を破損するおそれがあるからである。また、導電性薄膜５０の有機機能層に対する密着力は一般的に弱いため、図６に示す様なバリ５０aが生じやすくなるからである。
【００５０】
導電性薄膜５０を押し付けるようにしながら切断する具体的な方法には、例えば、円形刃を基板に押し付けながら転動させて切断する方法がある。または、トムソン刃を基板に押し当てて導電性薄膜５０を型抜きする様に切断する方法がある。トムソン刃を用いる場合は、第２電極のパターンに応じて予めトムソン刃型を形成することで、効率良く導電性薄膜５０を切断することが可能となる。
【００５１】
なお、切断ステップは真空中もしくは乾燥気体中で行うことが望ましい。これにより有機機能層の劣化等を抑えることが可能となる。
【００５２】
円形刃を用いて切断する場合は、第２電極５５を構成する複数の帯状電極の本数から１引いた数（すなわち、機械的切断条痕の本数に等しい数）の円形刃を一列に並べて一度に導電性薄膜５０を切断加工する方法が考えられる。しかしながら、ストライプ状の第２電極５５のパターンが狭ピッチである場合は、互いに隣接する円形刃の回転軸等が物理的に干渉するため、複数の刃物Bを例えば図７（A）に示すように数個おきに切断方向に対して前後にずらして配置して一度に切断しても良い。
【００５３】
または、図７（B）に示すように、互いに隣接する円形刃の間隔が、第２電極５５の互いに隣接する帯状電極のピッチpのn倍（図７（B）においてはn＝３）となるように複数の円形刃を配置し、導電性薄膜５０の端から端まで切断した後、当該複数の円形刃をまとめて切断方向に対して垂直な方向（図７（B）中、矢印Mで示す）にピッチpだけずらして再度端から端まで切断するようにして、n回に分けて導電性薄膜５０を切断しても良い。図７（A）に示す例では、９本の機械的切断条痕L（すなわち、１０本の帯状電極からなる第２電極５５）を形成するためには、９個の回転刃が必要となるが、一回の走査で切断が完了するため、切断ステップの時間を短縮することが可能となる。一方、図７（B）に示す例では、９本の機械的切断条痕Lを形成するためには、３回に分けて走査する必要があるが、図７（A）に示す場合に比べて３分の１の数量の回転刃で良いため、設備コストを抑えることが可能となる。
【００５４】
導電性薄膜５０を完全に切断するためには、刃物の刃先が第１有機機能層３０に達するようにしながら切断する必要がある。下層にある基板１０や第１電極２０を傷つけることなく、より確実に切断するには、刃先が常に第１有機機能層３０の層中に存在しているようにするのが理想的である。しかしながら、第１有機機能層３０は通常100nm程度の薄膜であり、且つ、切断方向においては、前述したように、導電性薄膜５０と第１有機機能層３０との間の界面は波打つように上下しているので、刃先の位置を常時第１有機機能層３０の層中に維持するのは困難である。よって、刃先を第１電極２０または基板１０に接触するようにして切断する方法が奨励される。これにより容易且つ確実に導電性薄膜５０を切断することが可能となる。このとき、第１電極２０または基板１０に使用されている材質のほうが刃先よりも高い硬度を有しているのであれば、第１電極２０及び基板１０に破損や変形が生じることはない。
【００５５】
刃先を常時第１電極２０又は基板１０に接触させながら切断する方法は、例えば、図８に示す制御系において、図９に示すフローチャートに従って行なうことが可能である。先ず、導電性薄膜５０が成膜された基板を切断装置の所定位置に設置した後、刃物を走査駆動モータ１７１によって初期位置に移動する（ステップS１）。かかる初期位置において、圧力センサ１６２によって刃物の基板に対する押圧をモニタしながら上下駆動モータ１７２によって刃物を徐々に基板に押し付ける（ステップS２）。刃物の基板に対する押圧が所定圧力に到達したと判断した場合は上下駆動モータ１７２の駆動を停止し（ステップS３）、その所定圧力を保持したまま走査駆動モータ１７１を駆動して導電性薄膜５０を切断する（ステップS４）。
【００５６】
この後、従来の方法により封止や外部回路の接続を行ない、更に必要に応じてパネルの切り分けが行なわれる。
【００５７】
以上のステップによって、マトリックス状に配置された複数の発光セルからなる有機ELデバイスを備えた有機ELディスプレイパネルの作製が完了する。本実施の形態における有機ELディスプレイパネルの製造方法においては、第２電極となる導電性薄膜のパターニングをリソグラフィ等の化学的プロセスではなく、刃物を用いた機械的切断によって行うので、有機機能層の劣化を伴うことなく簡易にパターニングすることが可能となる。また、かかる機械的切断部分の下側には必ず有機機能層が設けられているので、切断の際にかかる有機機能層がクッションの役割を担い、よって下層に設けられている基板や第１電極を傷つけることなく確実に第２電極となる導電性薄膜を切断することが可能となる。更に、一般に基板、第１電極及び第２電極は無機物によって形成されるため、これら同士の界面においては密着性が高くなり、よって第２電極のみをパターニングするのは困難であるが、上述した通り機械的切断部分の下側には必ず有機機能層が設けられているので、容易に第２電極のみをパターニングすることが可能となる。更に、機械的切断部分に設けられている有機機能層によって第１電極と第２電極との間の短絡を防ぐことが可能となる。
【００５８】
（実施例１）
パッシブマトリックス駆動型の有機ELディスプレイパネルを以下の手順によって作製した。
１）  スパッタ法によりガラス基板上にITOを成膜し、フォトエッチングにより0.3mmピッチで256本のストライプ状の第１電極を形成する。
２）  スパッタ法とフォトエッチングによりTi（50nm）／Al（200nm）／Ti（50nm）の金属膜からなる引き出し電極を形成する。
３）  発光領域に対応する部分に、マスク蒸着によってベタ状にCuPC（25nm）／TPD（50nm）／Aｌｑ3（600nm）／Li2O（1nm）の第１有機機能層を形成する。
４）  マスク蒸着によって、引き出し電極の接続部を含む発光領域にベタ状にAｌ（100nm）からなる導電性薄膜を形成する。
５）  直径28mmの円形刃を有するOLFA製のロータリカッターS型を用い、Al膜（導電性薄膜）にストライプ状の第１電極に直交する方向に0.3mmピッチの63本の切り込みを入れる。かかる切り込み操作により、Al膜は64本の帯状電極からなるストライプ形状にパターニングされる。
６）  更に封止などを行い、本発明の実施例１による有機ELディスプレイパネルが完成する。
【００５９】
（実施例２）
パッシブマトリックス駆動型の有機ELディスプレイパネルを以下の手順によって作製した。
１）  スパッタ法によりガラス基板上にITOを成膜し、フォトエッチングにより0.3mmピッチで256本のストライプ状の第１電極を形成する。
２）  スパッタ法とフォトエッチングによりTi（50nm）／Al（200nm）／Ti（50nm）の金属膜からなる引き出し電極を形成する。
３）  発光領域に対応する部分に、インクジェット法やスプレー法などの塗布法によってPEDOTからなる100nm膜厚の第１有機機能層を形成する。
４）  各画素毎に、マスク蒸着によって島状にTPD（50nm）／Aｌｑ3（600nm）／Li2O（1nm）の第２有機機能層を形成する。
５）  マスク蒸着によって、引き出し電極の接続部まで含んだ発光領域にベタ状にAｌ（100nm）からなる導電性薄膜を形成する。
６）  直径28mmの円形刃を有するOLFA製のロータリカッターS型を用い、Al膜（導電性薄膜）にストライプ状の第１電極に直交する方向に0.3mmピッチの63本の切り込みを入れる。かかる切り込み操作により、Al膜は64本の帯状電極からなるストライプ形状にパターニングされる。
７）  更に封止などを行い、本発明の実施例２による有機ELパネルが完成する。
【００６０】
上記の実施の形態にて説明を行なった有機ELディスプレイパネルは、導電性薄膜５０を成膜した後、刃物を用いて導電性薄膜５０を切断することによって第２電極のパターンを形成するものであったが、導電性薄膜５０の成膜後であってその切断前に、当該切断部分に図１０に示すように剥離防止層６０を設けても良い。
【００６１】
剥離防止層６０は導電性薄膜５０に対して密着性が高いのが好ましい。具体的には、剥離防止層６０と導電性薄膜５０との間の密着性が、導電性薄膜５０と導電性薄膜５０の下地層（すなわち、図１０においては第１有機機能層３０若しくは第２有機機能層４０）との間の密着性よりも高い必要がある。剥離防止層６０が上記した密着性を満たしているか否かを簡易に判断する必要があるときは、例えば、剥離防止層６０、導電性薄膜５０及び第１有機機能層３０に使用する材料をベタ膜による三層構造となるように積層し、JIS−K5400−8.5.2の碁盤目試験を行えば良い。すなわち、かかる試験の結果、導電性薄膜と第１有機機能層との間の界面が剥離したのであれば、上記した密着性を満たしていると判断できる。
【００６２】
更に、剥離防止層６０は導電性薄膜５０よりも軟らかい材質によって形成されるのが好ましい。これにより、導電性薄膜５０の切断の際に剥離防止層６０にクラックが生じるのが回避され、更に剥離防止層６０を設けたことによって切断しにくくなることが回避される。また、剥離防止層６０に用いる材料は、無機物等の低アウトガスであることが好ましい。
【００６３】
上記説明においては、剥離防止層６０は、切断部分のみに形成されることを前提として説明したが、かかる場合に限定されるわけではなく、例えば図１１に示すように、導電性薄膜５０が形成されている領域とほぼ同じ領域に形成しても良い。または、図１２に示すように、導電性薄膜５０を覆うように広く形成しても良い。
【００６４】
更に、図１１及び１２に示すように剥離防止層６０を形成する場合は、剥離防止層６０を金属等の導電性材料によって形成すると、第２電極を低抵抗化することが可能となるのでより好ましい。かかる金属材料としては、例えばBi、Pb、Sn、Cd,、又はIn等の低融点金属が挙げられる。これら低融点金属は比較的軟らかい特徴をも有しているので、バリを回避する効果にも優れている。これらのうち、毒性の観点からBi、Sn、又はInが特に望ましい。
【００６５】
（実施例３）
１）上記した実施例１及び２と同様の方法によって第２電極となる導電性薄膜を成膜する。
２）Al膜上に該Al膜と同一のパターンとなるようにマスク蒸着によりInからなる200nmの膜厚の剥離防止層を形成した。これにより剥離防止層の形成以外は、実施例１及び２と全く同様にして本発明による製造方法を実現することができる。
上記した本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネルにおいては、有機機能層は発光領域にのみ形成されるものであった。これにより、第２電極５５と引き出し電極７０とを電気的に接続する場合に、これらの間に有機機能層が介在することがないので、両電極の間に良好な接触状態を確保することが可能となる。しかしながら本発明による製造方法において、図１のように第１及び第２有機機能層を形成した場合は、互いに隣接する引き出し電極の間には有機機能層が成膜されていないため、この領域においては、基板の上に直接第２電極となる導電性薄膜が成膜されることになる。従って、導電性薄膜の切断の際、かかる隣接する引き出し電極の間に成膜された導電性薄膜が完全に切断されないおそれがある。
【００６６】
そこで、本発明による有機ELパネルの代替例においては、図１３に示す有機ELディスプレイパネル１２０のように、第１有機機能層３１の成膜領域を、引き出し電極７０を除いて導電性薄膜５０が成膜される領域よりも広い領域に成膜するようにしている。これにより、第２電極となる導電性薄膜５０が切断される部分の下層には必ず有機機能層が存在していることになるので、第２電極と引き出し電極との間の接続不良を生じることなく確実に第２電極を切断することが可能となる。
【００６７】
更に、図１４に示す有機ELディスプレイパネル１２１のように、第１有機機能層３２の成膜領域を上記した図１３よりも更に広げて、引き出し電極のエッジの一部を覆うように成膜しても良い。これにより、引き出し電極７０のエッジ部近傍において第１有機機能層３２の上面が緩やかな傾斜面を形成することが可能となるので、引き出し電極７０のエッジ部の段差部分に生じやすい第２電極の断線問題が解消し、第２電極と引き出し電極とを確実に接続することが可能になる。
【００６８】
また、図１５に示す有機ELディスプレイパネル１２２のように、第２電極となる導電性薄膜５１の引き出し電極側の端部を櫛刃状に形成しても良い。この場合は、隣接する櫛刃同士の間隔は発光領域における第２電極５５の隣接する帯状電極同士の間隔よりも大きくとることが可能となるため、マスク蒸着等の従来の成膜方法を用いて容易に櫛刃形状を形成することが可能となる。
【００６９】
更に、図１６に示す有機ELディスプレイパネル１２３のように、発光領域のみに第２電極となる導電性薄膜５２を形成しておき、後から第２電極と引き出し電極とを接続する、いわゆる「つなぎ電極５８」を形成しても良い。かかるつなぎ電極５８は、第２電極となる導電性薄膜５２の成膜前に形成しても良いし、該導電性薄膜５２の切断後に形成しても良い。
【００７０】
更に、図１７に示す有機ELディスプレイパネル１３０のように、導電性薄膜の切断部分に第１有機機能層３０の成膜前に絶縁膜８０を形成しても良い。当該絶縁膜８０は第１有機機能層３０よりも厚く形成することが好ましい。これによって、当該切断部分において第１電極２０と第２電極となる導電性薄膜５０との間の距離を図３Fに比べて大きくとることが可能となるため、第１電極と第２電極との間のショートをより完全に防止することが可能となる。なお、第２電極２０となる導電性薄膜５０はかかる絶縁膜上で、前述したように切削ではなく押し切ることによって分離されるものであるため、バリが生じることはない。
【００７１】
切断に用いる刃物が磨耗してくると、部分的に導電性薄膜の切断が不完全になることがある。また、異物の存在等の他の要因によっても切断が不完全になることがある。
【００７２】
そこで、第２電極２０となる導電性薄膜５０を切断した後、第２電極の互いに隣接する帯状電極同士が完全に絶縁されているか否かを検査する絶縁／短絡検査ステップを追加しても良い。例えば、互いに隣接する帯状電極間に所定の電圧を印加し、図８に示されるような制御系の短絡センサ１６３を用いて電流値を測定することによって絶縁若しくは短絡を判断することができる。
【００７３】
また、複数枚のパネルを同じ刃物を用いて繰り返し切断する場合、例えば図１８に示すようなフローチャートに従って刃物の交換時期を告知することができる。すなわち、上記した短絡センサ１６３を用いて短絡を判断し（ステップS１１）、同じ刃物を用いて切断された複数の有機ELディスプレイパネルの各々の当該検査結果を制御装置１５０の記憶媒体に累積して記憶しておき（ステップS１２）、短絡であると判断された検査結果が所定の頻度を超えた場合は（ステップS１３）、その情報を切断装置等に出力することによって刃物の交換時期を告知する（ステップ１４）。なお、複数枚のパネルを複数個の刃物の組を用いて繰り返し切断する場合は、ステップS１２において刃物の組を構成するそれぞれの刃物毎の検査結果を累積して記憶することによって、個別の刃物の交換時期を判断することが可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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