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【手続補正書】
【提出日】平成16年8月16日(2004.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各入賞口の入賞を検出する入賞検出手段と、
前記入賞検出手段によって検出された入賞球を下方に案内して、該入賞球の有無を確認することなく下方に開口する入賞球排出路に排出する入賞球案内樋と、
賞球を払い出す賞球払出手段と、
前記賞球払出手段により払い出された賞球の有無を検出する賞球検出手段と、
前記入賞検出手段からの入賞検出情報と前記賞球検出手段からの賞球払出情報とに基づいて前記賞球払出手段を駆動制御する制御手段とを備え、
前記入賞検出手段は、各入賞口毎に設けられることを特徴とするパチンコ機。
【請求項２】
各入賞口の入賞を各入賞口毎に記憶する入賞個数記憶手段を備え、
前記制御手段は、各入賞口毎に記憶された入賞に対する賞球を、各入賞口に付された所定の順番で、各入賞口毎に払い出すように前記賞球払出手段を駆動制御することを特徴とする請求項１に記載のパチンコ機。
【請求項３】
前記所定の順番に優先順位が設定されていることを特徴とする請求項２に記載のパチンコ機。
【請求項４】
各入賞口に入賞した入賞順番を記憶する入賞順番記憶手段を備え、
前記制御手段は、各入賞口の入賞に対する賞球の払い出しを前記入賞順番に対して所定の順番で払い出すように前記賞球払出手段を駆動制御することを特徴とする請求項１に記載のパチンコ機。
【請求項５】
前記所定の順番は、前記入賞順番であることを特徴とする請求項４に記載のパチンコ機。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以上のような構成からなるレーザ加工機において、レーザ加工が開始する前に接触式加工用トーチ２３を降下させてワークＷとフリーベアリング２２とを接触させる。フリーベアリング２２がワークＷに接触した位置を予め適正なレーザ光の集光位置に設定しておき、フリーベアリング２２がワークＷに接触していることを接触式センサ２１１が検出してＮＣ制御装置に信号を入力する。ＮＣ制御装置は、予め入力したＮＣデータに基づいてレーザ光をレーザ発振器１１から出力させてレーザ加工を開始する。その後、レーザ加工が終了するとＮＣ制御装置は、昇降機構１４１に信号を入力し接触式加工用トーチ２３を所定の位置に上昇させる。
以上のように、接触式加工用トーチ２３は、ワークＷに接触することによって適正なレーザ光の集光位置が設定される。また、フリーベアリング２２がワークＷと接触しながらレーザ加工が行われるために、ワークＷの歪み等によってワーク表面が変形した場合でも適切なレーザ光の集光位置が得られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
従来のレーザ加工機は、以上のように構成されており、図３及び図４に示すように、ワークＷと集光されたレーザ光とが相互に直交する水平方向に各々移動しながらレーザ加工が行われる。従って、切断加工において、ワークＷの切断面はワークＷの表面に対して、常に垂直な面となる。しかし、切断加工においてワークＷの表面に対して斜め方向の切断面が形成されるような加工も要求されている。（以下、斜面加工という）上記図３及び図４に示されるような、レーザ加工機では、ワークＷに対して常に垂直方向にのみレーザ光が照射されるために斜面加工ができなかった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2000107874.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2000107874.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。図１は本発明による超音波診断装置の実施の形態を示すブロック図である。この超音波診断装置は、被検体内に超音波を送受信し診断部位からの反射波によるエコー信号を用いて、ドプラ計測モードとして、パルス波計測モード（ＰＷモード）又は連続波計測モード（ＳＴＣＷモード）で計測し該診断部位の超音波画像を得るもので、図１に示すように、探触子１と、送信部２と、受信部３と、ドプラ演算部４と、表示部５とを有して成る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月17日(2005.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記水玉落下装置は、少なくともノズルの吐出口を除き、ユニットの天井内又は壁面内に配置されていることを特徴とする請求項６記載のシャワールームユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータと該モータにより回転される回転軸と、該回転軸の一端の設けられたロータハブと、該ロータハブに載置され気体中で回転するロータと、前記ロータハブ内に軸半径方向に微動可能に取付けられたウエイトと、該ウエイトと対向する前記ロータの位置に設けられた取付け穴とを有するロータの着脱機構を備えた遠心分離機において、
回転中の前記ロータの上方への動きを前記ウエイトと前記取り付け穴で拘束することを特徴とする遠心分離機。
【請求項２】
前記ウエイトと前記取り付け穴による拘束力はロータの重量とロータに生じる浮力との差より大きい力であることを特徴とする遠心分離機。
【請求項３】
モータと該モータにより回転される回転軸と、該回転軸の一端の設けられたロータハブと、該ロータハブに載置され気体中で回転するロータと、前記ロータハブ内に軸半径方向に微動可能に取付けられたウエイトと、該ウエイトと対向する前記ロータの位置に設けられた取付け穴とを有するロータの着脱機構を備えた遠心分離機において、
前記ウエイトの下部と接触する前記取り付け穴にロータの軸線に対して２０〜４０°の角度を有するテーパー部を設けたロータの着脱機構を備えたことを特徴とする遠心分離機。
【請求項４】
モータと該モータにより回転される回転軸と、該回転軸の一端の設けられたロータハブと、該ロータハブに載置され気体中で回転するロータと、前記ロータハブ内に軸半径方向に微動可能に取付けられたウエイトと、該ウエイトと対向する前記ロータの位置に設けられた取付け穴とを有するロータの着脱機構を備えた遠心分離機において、
前記取り付け穴に接触するウエイトの下部にロータの軸線に対して２０〜４０°の角度を有するテーパー部を設けたロータの着脱機構を備えたことを特徴とする遠心分離機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、ロータを真空でない状態（即ち気体中）で回転させても、ロータハブから外れてしまうことのない着脱機構を有する遠心分離機を提供することを目的とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
モータと該モータにより回転される回転軸と、該回転軸の一端の設けられたロータハブと、該ロータハブに載置され気体中で回転するロータと、前記ロータハブ内に軸半径方向に微動可能に取付けられたウエイトと、該ウエイトと対向する前記ロータの位置に設けられた取付け穴とを有するロータの着脱機構を備えた遠心分離機において、回転中の前記ロータの上方への動きを前記ウエイトと前記取り付け穴で拘束することで達成される。
さらに、前記ウエイトと前記取り付け穴による拘束力はロータの重量とロータに生じる浮力との差より大きい力であることで達成される。
また、モータと該モータにより回転される回転軸と、該回転軸の一端の設けられたロータハブと、該ロータハブに載置され気体中で回転するロータと、前記ロータハブ内に軸半径方向に微動可能に取付けられたウエイトと、該ウエイトと対向する前記ロータの位置に設けられた取付け穴とを有するロータの着脱機構を備えた遠心分離機において、前記ウエイトの下部と接触する前記取り付け穴にロータの軸線に対して２０〜４０°の角度を有するテーパー部を設けたロータの着脱機構を備えることで達成される。
またモータと該モータにより回転される回転軸と、該回転軸の一端の設けられたロータハブと、該ロータハブに載置され気体中で回転するロータと、前記ロータハブ内に軸半径方向に微動可能に取付けられたウエイトと、該ウエイトと対向する前記ロータの位置に設けられた取付け穴とを有するロータの着脱機構を備えた遠心分離機において、
前記取り付け穴に接触するウエイトの下部にロータの軸線に対して２０〜４０°の角度を有するテーパー部を設けたロータの着脱機構を備えることにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  注射器とバレルを分離して示す本発明によるカートリッジ式歯科用注射器ユニットの斜視図である。
【図２】  注射器とバレルを結合させて示す、一部欠如した本発明によるカートリッジ式歯科用注射器の斜視図である。
【図３】  本発明によるバレルの１つの実施形態の断面図である。
【図４】  カートリッジを予め装填した本発明によるバレルの他の実施形態の断面図である。
【図５】  本発明によるバレルを収容した密封容器の概略斜視図である。
【図６】  Ａはバレルを収容した容器の縦断面図であって、注射器との関係を示す図であり、ＢはそのＢ−Ｂ線における横断面図、ＣはそのＣ−Ｃ線における横断面図である。
【図７】  Ａはバレルを収容した他の実施形態の容器の縦断面図であり、ＢはそのＢ−Ｂ線における横断面図である。
【図８】  Ａはバレルを収容した更に他の実施形態の容器の縦断面図であり、ＢはそのＢ−Ｂ線における横断面図である。
【符合の説明】
１  バレル
２  注射器
３  カートリッジ式歯科用注射器
４  両頭注射針
５  カートリッジ
６  突出部
７  ゴム栓
８  キャップ
９  突出部
１０  円筒状本体
１１  プランジャーゴム
１２  プランジャー
１３  連結手段
１４  突出部
１６  係止溝
１７  密封容器
１８  セル
１９  環状隆起部
２０  支持手段
２１  隆起部
２２  隆起部
２３  シール
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被装着者に保持させるための２個の保持具３，６と、該保持具の間に配された１個又は１対の超音波モーター、被装着者の動作を検知する検知手段１２、該検知手段からの動作情報を前記超音波モーターに適宜提供する情報制御手段１３、提供された該情報に基づいて動作した超音波モーターの動きを検出する検出手段を有すると共に、該検出手段によって得られた情報を前記制御手段を介して超音波モーターにフィードバックすることを特徴とする、超音波モーターを用いた関節補助器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月1日(2005.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
まず、アンダーフィル樹脂滴下工程について説明する。
絶縁基板１上には、半導体チップ３の周辺部に形成された金バンプ４と対応した位置にスズ電極層２が形成されている。その絶縁基板１のスズ電極層２が形成されていない部分にアンダーフィル樹脂５を塗布する。望ましくは半導体チップ３の中心部に対応した位置にアンダーフィル樹脂５を滴下するのが望ましい。（ 図１（ａ））
スズ電極層２のスズの厚みは、０．１０から０．４０μｍの範囲が望ましい。０．１０μｍ以下では十分な量の金との共晶合金が生成されず、接合強度が不足してしまう。
０．４０μｍ以上では金との共晶合金が過剰に生成されてしまい、隣接する電極との接触による電気的短絡不良が発生するおそれがある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記複数のユーザー端末に送信する異常情報及び警備センタが受信する対処要請情報には、同一のユーザーＩＤが付与され、前記警備センタでは前記ユーザーＩＤに基づいて警備対象を特定することを特徴とする請求項１記載のセキュリティシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、警備センタ３の動作について説明する。
警備センタ３ではインターネット４を経由してユーザーの携帯電話機２等から転送された同一のユーザーＩＤコードが付与された一つまたは複数の通報メールを受信すると、一つの通報メールの場合には当該メールにまたは複数の通報メールの場合には通報メールに付与されている対処要請の優先順位の最も高いメールを選択して表示する（Ｓ００６）。
次に通報メールに記載されているユーザーのＩＤコードによりデータベースから予めユーザーごとに登録されているユーザーのプロファイルを検索し、図示しない表示装置に、通報メールの内容及びユーザープロファイルを表示する（Ｓ００８）。ここで、ユーザープロファイルとは、ユーザーの氏名、年齢、住所、電話番号等である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
具体的には、図９が従来の縦２重モード型ＳＡＷフィルタのもつ伝送特性の一例であって、横軸は周波数軸であり、フィルタの中心周波数で規格化した周波数変化率ｄｆ／ｆ（ｐｐｍ）で表しており、縦軸は動作伝送量Ｓｂ（ｄＢ）である。９０２は問題の通過帯の特性であって単峰形状を呈しているため、３ｄＢ帯域幅は２００ｐｐｍ程度であってＶＣＳＯ用途としては不十分である。挿入損失は伝送特性９０１のＳＢ（ｆ）の最小値Ｓｂｍｉｎにて表されるが、実験によれば前記の３ｄＢ帯域幅が小さくなるほど挿入損失Ｓｂｍｉｎは大きくなる傾向をもつ。また前記図２は水晶において、圧電体平板の方位角がオイラー角で（φ,θ,ψ）＝（０，１２７±５，９０）であるＳＴＷ基板において、電極の線幅ＬとスペースＳの和であるＰ＝Ｓ＋Ｌの比である線幅比η＝Ｌ／Ｐを横軸にして、縦軸に電極1本当たりの弾性表面波の反射係数γをとって、利用する弾性表面波の波長λと電極膜厚みＨの比Ｈ／λが０.０３と０.０５の場合についての関係を計算して結果を図示したものである。括弧内は素子周波数２.５ＧＨｚの場合においてであり、Ｈ／λが０.０３の場合が６１．５ｎｍ、０.０５の場合には１０２．６ｎｍ(１０-9ｍ)である。図２から通常使用する線幅比η＝０.５において、電極指１本当りの反射係数γが０.０６から０.１６と大きくなることがわかる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（実施例）
図１は本発明の縦２重モード型ＳＡＷフィルタの一実施例である。図１中の各部位の名称は、１００は圧電体平板、破線にて囲まれた全体１０１と１０２は反射器１と反射器２、１０３、１０５と１０４はすだれ状電極（ＩＤＴ１，ＩＤＴ３，ＩＤＴ２）、１０６と１０７等は反射器１および反射器２のストリップ導体、１０８と１０９等は各々、前記ＩＤＴ１（１０３）の正極側電極指と負極（接地側）電極指、直線１１５は前記ストリップ導体及び電極指に直交する弾性表面波伝搬方向であるＸ軸であり、前記軸１１５に直交して、すだれ状電極ＩＤＴ１，ＩＤＴ２の極性を階段状関数１１２で表示した。さらに、１２０と１２１は各ＩＤＴ間の電極指間を弾性表面波の伝搬路を交差して接続する交差導体１と交差導体２と呼ぶものである。ただし、１２０の片端部は切れた状態になっている。
１２２は１０２の送信側ＩＤＴ１の正極の電極指群を接続する給電導体１１０に接続する信号源、１２３は受信側のＩＤＴ２の正極側電極指群をたばねる給電導体１１１に接続する負荷抵抗、１２４と１２５の記号は本発明の縦２重モードＳＡＷ型フィルタを外部接地端子（外付けの容器アース等）に接続した状態を表わす。反射器１（１０１）、反射器２（１０２）の周期的に配列されたストリップ導体の周期長をＰＲ（１１６と１１６１）で表し、ＩＤＴ１（１０３）、ＩＤＴ２（１０４）、ＩＤＴ３（１０５）の電極指の周期長を各々ＰＴ１（１１７）、ＰＴ２（１１８），ＰＴＧ（１１９）で表している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によるフィルタおよび共振器の配置方法では、導体によって囲まれた電磁波の伝搬領域を有する導波路によって３以上の共振器が形成される。各共振器は、１の共振器の入力端から入力された電磁波が、他の共振器の出力端から出力されるように配置されると共に、入力端と出力端との間で複数の伝搬経路が形成されるように、配置される。複数の伝搬経路が形成されることにより、減衰極が形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図２（Ｂ）に示したように、このフィルタでは、第１の共振器１１が、第２の共振器１２および第３の共振器１３に、それぞれ結合係数ｋ12，ｋ13で電磁結合されている。また、第２の共振器１２が、第１の共振器１１および第３の共振器１３に、それぞれ結合係数ｋ12，ｋ23で電磁結合されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮ系半導体からなる発光層を含む結晶層が積層された素子構造を有するＧａＮ系半導体発光ダイオードであって、
結晶成長の基礎となる結晶層の表面に、ＧａＮ系結晶の成長領域が寸法的に制限されるように、段差にて区画された凹面および凸面を有する凹凸の加工、マスクの形成、または
ＧａＮ系結晶の成長を抑制し得る表面処理が施与され、
前記凹凸の加工、マスクの形成、または表面処理によって寸法的に制限された個々の成長領域には、バッファ層を介してまたは直接的に、第一のＧａＮ系半導体結晶が凸状に成長しており、それによって、結晶成長の基礎となる結晶層の表面には、第一のＧａＮ系半導体結晶が凹凸をなしており、
第一のＧａＮ系半導体結晶とは異なる屈折率を有する第二のＧａＮ系半導体結晶が、該凹凸を覆って平坦化するまで成長していることを特徴とするＧａＮ系半導体発光ダイオード。
【請求項２】
ＧａＮ系半導体からなる発光層を含む結晶層が積層された素子構造を有するＧａＮ系半導体発光ダイオードであって、
結晶成長の基礎となる結晶層の表面に、ＧａＮ系結晶の成長領域が寸法的に制限されるように、段差にて区画された凹面および凸面を有する凹凸の加工、マスクの形成、または
ＧａＮ系結晶の成長を抑制し得る表面処理が施与され、
前記凹凸の加工、マスクの形成、または表面処理によって寸法的に制限された個々の成長領域には、バッファ層を介してまたは直接的に、第一のＧａＮ系半導体結晶が凸状に成長しており、それによって、結晶成長の基礎となる結晶層の表面には、第一のＧａＮ系半導体結晶が凹凸をなしており、
その上に、第一のＧａＮ系半導体結晶とは異なる屈折率を有する第二のＧａＮ系半導体結晶が少なくとも該凹凸の凸部を膜状に覆って成長しており、その上に、第二のＧａＮ系半導体結晶とは異なる屈折率を有する第三のＧａＮ系半導体結晶が覆い平坦化するまで成長していることを特徴とするＧａＮ系半導体発光ダイオード。
【請求項３】
第一のＧａＮ系半導体結晶がファセット面を形成しながら凸状に成長し、該凸状の形状が、前記ファセット面が頂部で交差する山形となっている請求項１または２に記載のＧａＮ系半導体発光ダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＧａＮ系半導体発光ダイオード
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は以下の特徴を有するものであり、とりわけ、下記（II）の態様を特徴とするものである。
（Ｉ）第一の結晶層表面に凹凸が加工され、その上に、前記結晶層とは異なる屈折率を有する半導体材料からなる第二の結晶層が、バッファ層を介してまたは直接的に、該凹凸を埋め込んで成長しており、その上に、発光層を含む半導体結晶層が積層された素子構造を有することを特徴とする半導体発光素子。
以下、この態様を、「（Ｉ）の態様」と呼んで説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
下記（１）〜（３）の態様が、「（II）の態様」である。
（１）ＧａＮ系半導体からなる発光層を含む結晶層が積層された素子構造を有するＧａＮ系半導体発光ダイオードであって、
結晶成長の基礎となる結晶層の表面に、ＧａＮ系結晶の成長領域が寸法的に制限されるように、段差にて区画された凹面および凸面を有する凹凸の加工、マスクの形成、または
ＧａＮ系結晶の成長を抑制し得る表面処理が施与され、
前記凹凸の加工、マスクの形成、または表面処理によって寸法的に制限された個々の成長領域には、バッファ層を介してまたは直接的に、第一のＧａＮ系半導体結晶が凸状に成長しており、それによって、結晶成長の基礎となる結晶層の表面には、第一のＧａＮ系半導体結晶が凹凸をなしており、
第一のＧａＮ系半導体結晶とは異なる屈折率を有する第二のＧａＮ系半導体結晶が、該凹凸を覆って平坦化するまで成長していることを特徴とするＧａＮ系半導体発光ダイオード。
（２）ＧａＮ系半導体からなる発光層を含む結晶層が積層された素子構造を有するＧａＮ系半導体発光ダイオードであって、
結晶成長の基礎となる結晶層の表面に、ＧａＮ系結晶の成長領域が寸法的に制限されるように、段差にて区画された凹面および凸面を有する凹凸の加工、マスクの形成、または
ＧａＮ系結晶の成長を抑制し得る表面処理が施与され、
前記凹凸の加工、マスクの形成、または表面処理によって寸法的に制限された個々の成長領域には、バッファ層を介してまたは直接的に、第一のＧａＮ系半導体結晶が凸状に成長しており、それによって、結晶成長の基礎となる結晶層の表面には、第一のＧａＮ系半導体結晶が凹凸をなしており、
その上に、第一のＧａＮ系半導体結晶とは異なる屈折率を有する第二のＧａＮ系半導体結晶が少なくとも該凹凸の凸部を膜状に覆って成長しており、その上に、第二のＧａＮ系半導体結晶とは異なる屈折率を有する第三のＧａＮ系半導体結晶が覆い平坦化するまで成長していることを特徴とするＧａＮ系半導体発光ダイオード。
（３）第一のＧａＮ系半導体結晶がファセット面を形成しながら凸状に成長し、該凸状の形状が、前記ファセット面が頂部で交差する山形となっている上記（１）または（２）記載のＧａＮ系半導体発光ダイオード。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月8日(2004.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を構成する絶縁基板の一方の面に回路素子と、当該回路素子を構成する端子接続用ランドと、当該ランドと接続される導電性ボールを有する電子部品において、
上記端子接続用ランドと導電性ボールからなる端子とが、導電性樹脂により固着されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
上記端子接続用ランドがメタルグレーズ系材料からなることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
絶縁基板に複数の回路素子が配されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
電子部品を構成する絶縁基板の一方の面に回路素子と、当該回路素子を構成する端子接続用ランドと、当該ランドと接続される導電性ボールを有する電子部品において、
上記ランドと導電性ボールとの間に導電性樹脂層が配されていることを特徴とする電子部品。
【請求項５】
導電性樹脂層と導電性ボールとが、ハンダ又は導電性接着剤にて固着されることを特徴とする請求項４記載の電子部品。
【請求項６】
導電性樹脂を構成する樹脂が、エポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
電子部品を構成する絶縁基板の第１の面に回路素子と、当該回路素子を構成する端子接続用ランドと、当該ランドと接続される導電性ボールを有する電子部品の製造法において、
前記第１の面に回路素子及び当該回路素子の端子接続用ランドを形成する第１の工程と、
前記端子接続用ランド上に導電性樹脂ペーストを配する第２の工程と、
前記導電性樹脂ペーストを配した箇所に導電性ボールを搭載する第３の工程と、
前記導電樹脂ペーストを硬化させる第４の工程を有し、
第１乃至第４の工程をこの順に実施することを特徴とする電子部品の製造法。
【請求項８】
電子部品を構成する絶縁基板の第１の面に回路素子と、当該回路素子を構成する端子接続用ランドと、当該ランドと接続される導電性ボールを有する電子部品の製造法において、
前記第１の面に回路素子及び当該回路素子の端子接続用ランドを形成する第１１の工程と、
前記端子接続用ランド上に第１の導電性樹脂ペーストを配する第１２の工程と、
前記導電性樹脂ペーストを硬化して導電性樹脂層を形成する第１３の工程と、
前記導電性樹脂層上に第２の導電性樹脂ペースト又はハンダペーストを配する第１４の工程と、
前記第２の導電性樹脂ペースト又はハンダペーストを配した箇所に導電性ボールを搭載する第１５の工程と、
前記第２の導電性樹脂ペースト又はハンダペーストと導電性ボールとを固着させる第１６の工程を有し、
第１１乃至第１６の工程をこの順に実施することを特徴とする電子部品の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの前記上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間にギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、
前記上部シールドの膜厚は、前記下部磁極の膜厚より薄く、
前記下部シールドの膜厚は、前記下部磁極の膜厚より薄く、
前記誘導型薄膜磁気ヘッド及び前記磁気抵抗効果型ヘッドが温度変化を受けた場合に、前記上部シールドと前記下部シールドと前記下部磁極の浮上面側の領域における突出量は、前記上部磁極の浮上面側の領域における突出量よりも少ないことを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項２】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの前記上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間にギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、
前記下部磁極は主層と該主層の上の浮上面側に形成される先端層を有し、
前記上部シールドの膜厚は、前記下部磁極の浮上面側の膜厚より薄く、
前記下部シールドの膜厚は、前記下部磁極の浮上面側の膜厚より薄く、
前記誘導型薄膜磁気ヘッド及び前記磁気抵抗効果型ヘッドが温度変化を受けた場合に、前記上部シールドと前記下部シールドと前記下部磁極の浮上面側の領域における突出量は、前記上部磁極の浮上面側の領域における突出量よりも少ないことを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項３】
基板の上部に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドに隣接して設けられた下部磁極及び上部磁極の間にギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、
前記上部シールドの膜厚は、前記下部磁極の膜厚より薄く、
前記下部シールドの膜厚は、前記下部磁極の膜厚より薄く、
前記誘導型薄膜磁気ヘッド及び前記磁気抵抗効果型ヘッドが熱変形した場合に、前記上部シールドと前記下部シールドと前記下部磁極の浮上面側の領域における突出量は、前記上部磁極の浮上面側の領域における突出量よりも少ないことを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電流の大きさに応じて所定の変位量を得るリニアソレノイドと、
前記リニアソレノイドに流れる電流を制御する駆動用トランジスタと、
前記駆動用トランジスタを含む駆動回路と、
前記リニアソレノイドに流れる電流を検出する電流検出回路と、
前記電流検出回路で検出された電流値とあらかじめ設定された異常を判断する判定電流値を比較する診断回路と、
入出力ポートを持つマイクロコントローラとを有するリニアソレノイド駆動装置であって、
前記診断回路は、前記駆動用トランジスタがオンしている時、前記マイクロコントローラからの前記駆動用トランジスタをオンする制御信号のローからハイまたはハイからローの遷移から一定時間の間、前記リニアソレノイド駆動装置のバッテリショートを検出しないマスク時間を設け、前記リニアソレノイド駆動装置のバッテリショート、または断線を検出することを特徴とするリニアソレノイド駆動装置。
【請求項２】
請求項１記載のリニアソレノイド駆動装置において、
前記診断回路は、前記リニアソレノイド駆動装置のバッテリショート，グランドショート，断線の少なくとも何れかの異常を検出したとき、
前記マイクロコントローラに対してハイ、またはローの信号で、異常が発生したことを知らせる手段を有することを特徴とするリニアソレノイド駆動装置。
【請求項３】
請求項１記載のリニアソレノイド駆動装置において、
前記診断回路は、前記リニアソレノイド駆動装置のバッテリショート，グランドショート，断線の少なくとも何れかの異常が発生したと検出したとき、前記駆動回路に対してハイ、またはローの信号で、異常が発生したことを知らせる手段を有し、前記駆動回路は必要に応じて前記駆動用トランジスタを、前記マイクロコントローラからの制御信号の状態にかかわらずオフさせる手段を有することを特徴とするリニアソレノイド駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に用いる熱可塑性重合体組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲で必要に応じて無機充填剤を含有していてもよい。無機充填剤を含有させるとその増量効果により製品コストの低下をはかることができ、また場合によっては重合体組成物の品質の向上に機能する場合もある。無機充填剤としては、例えば、炭酸カルシウム、カーボンブラック（チャンネルブラック、ファーネスブラックなど）、タルク、水酸化マグネシウム、マイカ、硫酸バリウム、天然ケイ酸、ホワイトカーボン、酸化チタンなどを挙げることができ、これらの無機充填剤は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
燃料電池の構成
図１に燃料電池の基本単位である単セルの断面図を模式的に示す。単セルは、プロトン伝導性を示すパーフルオロスルホン酸系高分子電解質膜（４）（製品名ナフィオン、デュポン社製）と反応電極（アノード（２）およびカソード（３））と、ガスケット状シール材（５）と、バイポーラ板（１）とからなっている。反応電極であるアノードとカソードは高分子電解質膜を挟持し、電極／膜接合体（以後ＭＥＡと言う）を構成する。バイポーラ板はガスケット状シール材を介して、ＭＥＡを両側から挟み込む構造となっている。
該燃料電池単セルの両側に図示していないガスマニホールド用の孔を設けたヒーター板、集電板、絶縁板、エンドプレートを取り付け、最外側の両エンドプレート間を、ボルトとバネとナットで締め付け、固体高分子型燃料電池の単電池を構成した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月19日(2005.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上に選択的に設けられた半導体発光層と、
前記第１の半導体層の上において前記半導体発光層の周囲に設けられた高抵抗の電流ブロック層と、
前記半導体発光層及び電流ブロック層の上に設けられた第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の上に設けられた第１の電極と、
前記第１の半導体層の裏面に設けられた第２の電極と、
を備え、
前記半導体発光層から放出された光の一部は、前記第１の半導体層を介して外部に放出され、
前記半導体発光層から放出された光の一部は、前記第２の半導体層を介して外部に放出されることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上に互いに離間して選択的に設けられた複数の半導体発光層と、
前記第１の半導体層の上において前記複数の半導体発光層の間に半導体発光層に設けられた高抵抗の電流ブロック層と、
前記半導体発光層及び電流ブロック層の上に設けられた第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の上に設けられた第１の電極と、
前記第１の半導体層の裏面に設けられた第２の電極と、
を備え、
前記半導体発光層から放出された光の一部は、前記第１の半導体層を介して外部に放出され、
前記半導体発光層から放出された光の一部は、前記第２の半導体層を介して外部に放出されることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
前記複数の半導体発光層の間隔は、前記半導体発光素子の中心付近においては広く、周辺付近においては狭いことを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記複数の半導体発光層の間隔は、前記半導体発光素子の中心付近においては狭く、周辺付近においては広いことを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記電流ブロック層は、前記半導体発光層と同一の主成分の材料に異なる不純物を導入してなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸方向に互いに離されて同一直線上に配置され、中空の差動装置ケーシングの互いに向合う壁に軸を揃えて設けられた軸用開口を貫通して延び、互いに向合う側の各端部にスプラインが形成された一対の出力軸を駆動し、前記ケーシングはケーシングチャンバへのアクセスを可能とするアクセス開口を備えたロッキング差動装置であって、
前記ケーシングの前記アクセス開口から、前記ケーシングチャンバ内の、前記ケーシングの前記軸用開口の軸線と軸方向に揃えられた位置まで挿入されるようにされ、互いに向合う各面に、直径方向に配置された少なくとも一対の駆動溝を備え、軸方向に互いに離されて同一直線上に配置されている、概ね環状の一対のクラッチ部材と、
前記クラッチ部材と同軸に、かつ該クラッチ部材の互いに離れた側に配置された、概ね環状の一対のサイドギアであって、前記各サイドギアは内面に前記出力軸と連結するスプラインが形成され、前記クラッチ部材の互いに離れた側の面には前記サイドギアの外径よりも大きい直径を有する掘り込み穴が各々設けられ、前記サイドギアの互いに向合う各端部は各々該掘り込み穴の中を内向きに延びており、前記掘り込み穴の側壁および前記サイドギアの外面にはスプラインが形成されている一対のサイドギアと、
内側のスプラインによって前記サイドギアと、外側のスプラインによって前記クラッチ部材の前記掘り込み穴の前記側壁と交互に連結されている、複数の重ねられた摩擦円板を有し、各々が前記掘り込み穴内に、前記サイドギアの周りに該サイドギアと同心に設けられている一対の環状の多板摩擦クラッチと、
前記各サイドギアの前記多板摩擦クラッチに対する軸方向外向きの変位を各々制限する変位制限手段と、
前記クラッチ部材同士の間に配置され、前記駆動溝内を直径方向に延び、両側の端部は半径方向外向きに前記クラッチ部材を越えて延びて前記差動装置ケーシングと固定接続され、直径は前記駆動溝の幅よりも小さいか等しい駆動ロッドと、
前記サイドギアの前記駆動ロッドに対する軸方向内向きの変位を制限するスペーサ手段と、
前記クラッチ部材の相対回転角の大きさを制限するロッキング手段と、
前記クラッチ部材を、前記チャンバの互いに向合う対応する前記壁へ向けて、互いに外向きに離れるように動かし、前記クラッチ部材が対応する前記サイドギアに各々連結されるように、前記多板摩擦クラッチを圧縮するスプリング手段とを有し、
前記ロッキング手段は、前記クラッチ部材の一方の面に形成された対応するピン用穴内にスライド可能に配置され、他方の前記クラッチ部材の対向面に形成され前記ピン用穴につながる径の大きい穴まで飛び出した作動位置と、引込められた非作動位置との間を軸方向にスライド可能に動くことができるロッキングピンを有し、
前記スプリング手段は、前記径の大きい穴内に該穴と同軸に配置され、前記ロッキングピンと協働して、該ロッキングピンを前記の引込められた位置へ向けて動かすコイルばねを含み、
前記ロッキング手段は、前記ロッキングピンを前記飛び出した作動位置に保持する、取り外し可能な保持手段を有し、
前記駆動溝は、前記出力軸の他方に対して所定量を越えてオーバランしている前記出力軸の一方に接続された前記クラッチ手段の係合を解除して、オーバランしている前記出力軸およびその前記サイドギアと、接続されている前記クラッチ部材との係合を解除するような断面形状を有している、ロッキング差動装置。
【請求項２】
前記ロッキングピンは円周溝を有し、
前記ロッキングピンを前記作動位置に保持する取り外し可能な前記保持手段は、一方の前記クラッチ部材の対向面と係合するように前記円周溝内に取り外し可能に取り付けられる、概ね環状の、弾性を有するスプリット保持クリップをさらに含んでいる、
請求項１に記載のロッキング差動装置。
【請求項３】
前記一方のクラッチ部材は、前記ピン用穴の底部と連通し、それによって、前記ロッキングピンを前記引込められた非作動位置から前記飛び出した作動位置へ向けて軸方向へ手動で動かすことができる、半径方向のピンアクセス用開口を有している、請求項２に記載のロッキング差動装置。
【請求項４】
前記ロッキングピンの、対応する穴の底部に隣接する端部は面取りされており、それによって、前記ロッキングピンを前記飛び出した作動位置へ向けて、ドライバの先端で軸方向へ動かすことができる、請求項３に記載のロッキング差動装置。
【請求項５】
前記スプリングと前記ロッキングピンの該スプリングと隣接する端部との間に配置され、該ロッキングピンの軸に対して垂直に延び、該ロッキングピンと係合する平らな表面を有し、それによって、該ロッキングピンを前記スプリングに対して横方向にスライド運動させることができる中間隔離部材をさらに有している、請求項２に記載のロッキング差動装置。
【請求項６】
前記中間隔離部材は平坦な円板を備えている、請求項５に記載のロッキング差動装置。
【請求項７】
前記円板は、中央に、該円板と一体化されたプラグ部であって、該プラグ部が前記スプリングの該プラグ部と隣接する側の内部を密着嵌合して軸方向に延びることによって、前中間隔離部材が前記スプリングと接続されるプラグ部を有している、請求項６に記載のロッキング差動装置。
【請求項８】
前記サイドギアは全長にわたって概ね円筒状であり、
前記サイドギアの前記変位制限手段は、該サイドギアの内側端部の外周面に形成された円周溝内に配置され、対応する前記多板摩擦クラッチの端部が係合する環状の保持部材を前記各サイドギアに対して有している、請求項１に記載のロッキング差動装置。
【請求項９】
前記保持部材はＣ字型リングである、請求項８に記載のロッキング差動装置。
【請求項１０】
前記Ｃ字型リングはワイヤを有している、請求項９に記載のロッキング差動装置。
【請求項１１】
前記各サイドギアは、前記変位制限手段を画定する、外側に延びる一体化されたフランジ部を有している、請求項８に記載のロッキング差動装置。
【請求項１２】
前記各多板摩擦クラッチと前記各掘り込み穴の底壁との間に設けられたシムをさらに有している、請求項１に記載のロッキング差動装置。
【請求項１３】
前記ケーシングの互いに向合う内壁面と係合するように、前記各多板摩擦クラッチの終端に設けられたスラストワッシャをさらに有している、請求項１２に記載のロッキング差動装置。
【請求項１４】
前記スラストワッシャは各々、前記掘り込み穴の前記側壁にスプラインによって連結されている、請求項１３に記載のロッキング差動装置。
【請求項１５】
前記各駆動溝は概ねＵ字型の断面形状を有している、請求項１に記載のロッキング差動装置。
【請求項１６】
前記各サイドギアと前記駆動ロッドとの間に配置されたスペーサ手段をさらに有している、請求項１に記載のロッキング差動装置。
【請求項１７】
前記スペーサ手段は各々、前記各クラッチ部材内に同心で重ねられて配置された環状のスペースワッシャである、請求項１６に記載のロッキング差動装置。
【請求項１８】
前記の径の大きいスプリング用穴は、対応する前記コイルばねの外径にほぼ対応する径の掘り込み穴部を有している、請求項１に記載のロッキング差動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、マルチチャンネル光システムにおけるＳＳＢ型光周波数シフターの適用に関連し、特にこれら光周波数シフターの適用による必要レーザ数の削減を強調するものである。光周波数制御の問題を回避するためのこのような手段は、全てのマルチチャンネルコヒーレントシステムに関連する。この方法は、あらゆるマルチチャンネルコヒーレントシステムに関連する光周波数制御の問題を解決することになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
コヒーレント送信器と受信器が共通配置される分散コヒーレントスイッチは、ＳＳＢ変換器が十分に効果を発揮することができない１つの場合がある。しかし、それでもＳＳＢ変換器は、コヒーレント送信器が必要とする光基準コームを生成するのに適用することができる。なぜなら、この種のコヒーレントスイッチにおいて、各コヒーレントトランシーバがＰＯＮと星型に接続しているからである。各トランシーバに光信号を供給するためにマスターレーザを挿入することは簡単であるが、マスターレーザをコヒーレントトランシーバの送信器部分において適用するのは非実用的である。送信器は、マスターレーザを周波数シフトすることによって形成されるが、光信号の循環効果により、循環する送信器コームがＰＯＮ損失のために低減振幅となっても、マスターレーザ及びコームを無制限に周波数シフトする。光信号の循環効果とは、コヒーレント受信器が自己の送信器を検出し、また更に重要なことは、コヒーレント受信器が残る送信器コームを検出することである。従って、上記レーザ排除技術を完全分散型コヒーレントスイッチシステムにおいて適用することは、別々のファイバーを使ってマスターレーザ信号を各送信器に送るといったことがなされない限り、非実用的である。この場合、局部発振コヒーレント型スイッチにおいて適用される技術を適用することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の第１の実施の形態であり、１０ＧＨｚのチャンネル間隔を有する３２チャンネル基準線コーム発生装置を示す概略図である。
【図２】
本発明の第１の実施の形態であり、４つの出力を有し、６つのＳＳＢ光周波数シフター（ＳＳＢ−ＯＦＳ）及び２つの半導体光増幅器（ＳＯＡ）を適用するＳＳＢ−ＯＦＳ構成ブロックを示す図である。
【図３】
本発明の第１の実施の形態であり、図２のＳＳＢ−ＯＦＳ構成ブロックの概略を示す図である。
【図４】
本発明の第１の実施の形態であり、８線基準コームを形成する、図２、図３のＳＳＢ−ＯＦＳ構成ブロックの適用を示す図である。
【図５】
スタンダードコヒーレント受信装置を示す図である。
【図６】
本発明の第２の実施の形態であり、正あるいは負の周波数シフトをされたＬＯレーザ信号を選択するためにＳＳＢ−ＯＦＳ、２つのＩＦステージ、及び電気多重化装置を適用するコヒーレント受信装置の概略を示す図である。
【図７】
本発明の第３の実施の形態であり、正あるいは負の周波数シフトをされたＬＯレーザ信号を選択するためにＳＳＢ−ＯＦＳ、単一のＩＦステージ、及び光スイッチを適用するコヒーレント受信装置の概略を示す図である。
【図８】
本発明の一実施形態であり、正あるいは負の周波数シフトをされた出力を選択するための光スイッチ機能を含む拡張されたＳＳＢブロックを示す図である。
【図９】
本発明の一実施形態であり、選択型ＳＳＢ−ＯＦＳの概略を示す図である。
【図１０】
本発明の一実施形態であり、図８、図９の選択型ＳＳＢ−ＯＦＳを適用するコヒーレント受信装置を示す図である。
【図１１】
本発明の一実施形態であり、ＳＳＢ−ＯＦＳを適用する簡略化されたコヒーレントトランシーバの概略を示す図である。
【図１２】
（ａ）は光信号と、それに対応する図１１に示される基準（Ａ）で表される周波数位置とを示す図、（ｂ）は光信号と、それに対応する図１１に示される基準（Ｂ）で表される周波数位置とを示す図、（ｃ）は光信号と、それに対応する図１１に示される基準（Ｃ）で表される周波数位置とを示す図、（ｄ）は光信号と、それに対応する図１１に示される基準（Ｄ）で表される周波数位置とを示す図である。
【図１３】
本発明の第３の実施の形態であり、ＳＳＢ−ＯＦＳによって生成され、利用者端末において送信信号が選択される送信器コームを示す図である。
【図１４】
本発明の第４の実施の形態であり、ＳＳＢ−ＯＦＳによって生成され、１つの基準線の選択により、利用者の送信信号が得られる基準コームを示す図である。
【図１５】
従来の単側波帯（ＳＳＢ）変調装置を示す図である。
【図１６】
図１５の従来のＳＳＢ変調装置を示す概略図である。
【符号の説明】
１  結合器
２  出力干渉計
３  マスターレーザ
４  半導体光増幅器
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１ゲートバス配線を形成する段階と、前記第1ゲートバス配線上に第２ゲートバス配線を形成する段階と、前記基板上にゲート絶縁層、半導体層及び不純物半導体層を形成する段階と、前記不純物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆う保護層を形成する段階と、前記ドレイン電極を露出させるためのドレインコンタクトホールを形成する段階と、前記ドレインコンタクトホールを通して前記ドレイン電極に連結される画素電極を形成する段階から構成されることを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２ゲートバス配線を形成する段階において、前記第２ゲートバス配線の端部にゲートパッドと、前記第２ゲートバス配線から分岐するゲート電極とを形成し、前記ドレインコンタクトホールを形成する段階において、前記ゲートパッドを露出させるためのゲートパッドコンタクトホールを形成し、前記画素電極を形成する段階において、前記ゲートパッドコンタクトホールを通して前記ゲートパッドに連結されるゲートパッド連結端子を形成することを特徴とする、請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１ゲートバス配線を形成する段階において、前記第１ゲートバス配線の端部に第1ゲートパッドと、前記第１ゲートバス配線から分岐する第１ゲート電極とを形成し、前記第２ゲートバス配線を形成する段階において、前記第１ゲートパッドを覆う第２ゲートパッドと、前記第１ゲート電極を覆う第２ゲート電極を形成し、前記ドレインコンタクトホールを形成する段階において、前記ゲートパッドを露出させるためのゲートパッドコンタクトホールを形成し、前記画素電極を形成する段階において、前記ゲートパッドコンタクトホールを通して前記ゲートパッドに連結されるゲートパッド連結端子を形成することを特徴とする、請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記ソース電極を形成する段階において、前記ソース電極に連結されるソースバス配線を形成し、前記ソースバス配線の端部にソースパッドを形成し、前記ドレインコンタクトホールを形成する段階において、前記ソースパッドを露出させるためのソースパッドコンタクトホールを形成し、そして、前記画素電極を形成する段階において、前記ソースパッドコンタクトホールを通して前記ソースパッドに連結されるソースパッド連結端子を形成することを特徴とする、請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ソース電極を形成する段階において、前記第２ゲートバス配線の一部分上に保持容量電極を形成し、前記ドレインコンタクトホールを形成する段階において、前記保持容量電極を露出させるための保持容量コンタクトホールを形成し、前記画素電極は、前記保持容量コンタクトホールを通して前記保持容量電極に連結されることを特徴とする、請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１ゲートバス配線を形成する段階において、前記第１ゲートバス配線と平行する保持容量配線を加えて形成し、前記ソース電極を形成する段階において、前記保持容量配線の一部分に重畳するように保持容量電極を加えて形成し、前記ドレインコンタクトホールを形成する段階において、前記保持容量電極を露出するための保持容量コンタクトホールを形成し、前記画素電極は、前記保持容量コンタクトホールを通して前記保持容量電極に連結されることを特徴とする、請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
基板と、ゲートバス配線と、ソースバス配線と、前記ゲートバス配線に連結されたゲート電極、ゲート絶縁層、前記ソースバス配線に連結されたソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ、前記ゲートバス配線及び前記ソースバス配線を覆う保護層と、前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に連結された画素電極と、前記ゲートバス配線の端部に形成されたゲートパットと、前記ソースバス配線の端部に形成されたソースパットとを備え、前記ゲートバス配線は第1金属層及び前記第１金属層を覆う第２金属層を含み、前記ゲートパッドは、前記ゲート絶縁層及び保護層を通して前記ゲートパッド上に形成されたゲートパッドコンタクトホールを通して第１導電層に連結され、前記ソースパッドは、前記保護層を通して前記ゲート絶縁層上に形成されたソースパッドコンタクトホールを通して第２導電層に連結されることを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項８】
前記ゲートパッド、又は前記ゲート電極は、前記第１金属層と、前記第１金属層を覆う前記第２金属層を含むことを特徴とする、請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記ゲートバス配線の一部分に重畳する前記ゲート絶縁層上に形成される保持容量電極を加えて構成することを特徴とする、請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１導電層、又は前記第２導電層は、前記画素電極の形成に使用された物質と同じ物質から形成されることを特徴とする、請求項７記載の液晶表示装置。