【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加工する方法であって、
(ａ)可視または紫外放射を発するレーザで、前記基板の第１の面内に、前記基板の全深さには満たない、前記第１の面から所定の深さまで構造を加工するステップと、
(ｂ)続いて、化学的エッチング、プラズマエッチングおよびレーザアブレーションのうちの一つを用いて、前記構造に通じるように、前記第１の面に対向する、前記基板の第２の面から、材料を、前記第１の面からの深さが所定のところまで除去するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、
ステップ(ａ)は、概ね、２６６ｎｍ、３５５ｎｍ及び５３２ｎｍのうちの一つの波長の放射を発するレーザでレーザ加工するステップを有する方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の方法であって、
前記構造を加工するステップは、溝を加工するステップを有し、
前記ステップ(ｂ)は、前記溝において前記基板の切断を完了するステップを有する方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、
前記ステップ(ａ)は、
前記第１の面と前記第１の面から所定の深さのところとの間の、概ね平らな対向側壁と、前記所定の深さよりも下方の、概ね弓状の対向側壁とを有する溝を加工するステップを有する方法。
【請求項５】
請求項３記載の方法であって、
前記ステップ(ａ)は、溝のグリッドを加工するステップを備え、
前記ステップ(ｂ)は、前記溝のグリッドに沿って、前記基板のダイシングを完了する方法。
【請求項６】
請求項３、４及び５のいずれかに１項に記載の方法であって、
前記ステップ(ｂ)は、前記溝に沿って前記基板を割るために、前記基板に機械的な圧力を加えるステップを有する方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法であって、
前記構造を加工するステップ(ａ)は、ビアを加工し、前記ビアに金属でメタライズするステップを備え、
前記ステップ(ｂ)は、特にラッピング及び研磨による機械的な材料除去、化学的エッチング、プラズマエッチング及びレーザアブレーションのうちの１つを用いて、前記ビア内の金属の一部を第２の面で露出させるステップを有する方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法であって、
前記ビアを加工するステップは、円または複数の同心円を形成するパスで加工し、前記円または前記複数の同心円の中心を中心としてビアを形成するステップを有する方法。
【請求項９】
請求項７または８記載の方法であって、
前記ビアをメタライズするステップは、前記ビアを酸化させる前段階ステップを含む方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法であって、
レーザ加工前、レーザ加工中及びレーザ加工後の少なくともいずれかにおいて、反応ガス及びパッシブガスの少なくとも一方を用い、ステップ(ａ)が、非雰囲気制御ガス環境で行われる方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法であって、
反応ガス及びパッシブガスの少なくとも一方を用いる前記ステップは、前記基板のレーザ加工中、前記基板の酸化を十分に防ぐために、前記基板に対して実質的に不活性なパッシブガスを用いるステップを有する方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法であって、
パッシブガスを用いる前記ステップは、アルゴン及びヘリウムの一方を用いるステップを有する方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の方法であって、
反応ガス及びパッシブガスの少なくとも一方を用いる前記ステップは、ステップ(ａ)で形成されるレーザ加工面の粗さを小さくするために、前記基板に対して反応性のあるガスを用いるステップを有する方法。
【請求項１４】
請求項１０記載の方法であって、
反応及びパッシブガスの少なくとも一方を用いる前記ステップは、ステップ(ａ)で生成される破片を除去するために、前記基板に対して反応性のあるガスを用いるステップを有する方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４記載の方法であって、
前記基板に対して反応性のあるガスを用いるステップは、クロロフルオロカーボン基ガス及びハロカーボン基ガスの少なくとも一方を用いるステップを有する方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法であって、
前記ステップ(ａ)は、ステップ(ａ)及び(ｂ)の少なくとも一方で形成される破片に対する保護層を前記第１の表面に与えるステップをさらに有する方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法であって、
スピンコートされた保護層を提供するステップを有する方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の方法であって、
前記保護層としてテープを供給するステップを有する方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法であって、
前記基板は、シリコン材料から成る方法。
【請求項２０】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法であって、
前記基板は、光電子材料から成る方法。
【請求項２１】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法であって、
前記基板は、半導体及び金属材料の層を有する方法。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれか１項に記載の方法であって、
前記ステップ(ａ)は、Ｑスイッチレーザを用いるレーザ加工ステップを有する方法。
【請求項２３】
基板加工システムであって、
(ａ)可視または紫外放射を発し、基板の第１の面内に、前記基板の全深さには満たない、前記第１の面から所定の深さまで構造を加工するレーザ加工手段と、
(ｂ)化学的エッチング手段、プラズマエッチング手段及びレーザアブレーション手段のうち、少なくとも１つを有し、前記加工された構造に通じるように、前記第１の面に対向する、前記基板の第２の面から、材料を、前記第１の面からの深さが所定のところまで除去する材料除去手段と、
を備えるシステム。
【請求項２４】
請求項２３記載のシステムであって、
前記レーザ加工手段は、溝を加工するよう準備され、
前記材料除去手段は、前記溝において前記基板の切断を完了するよう準備されるシステム。
【請求項２５】
請求項２４記載のシステムであって、
前記レーザ加工手段は、前記第１の面と前記第１の面から所定の深さのところとの間の、概ね平らな対向側壁と、前記所定の深さよりも向こう側の、概ね弓状の対向側壁とを有する溝を加工するよう準備されるシステム。
【請求項２６】
請求項２３記載のシステムであって、
前記レーザ加工手段は、溝のグリッドを加工するよう準備され、
前記材料除去手段は、前記溝のグリッドに沿って、前記基板のダイシングを完了するよう準備されるシステム。
【請求項２７】
請求項２３記載のシステムであって、
前記レーザ加工手段は、ビアを加工するよう準備され、
当該システムは、
前記ビアをメタライズする金属被覆手段と、
特にラッピング及び研磨手段である機械的材料除去手段、化学的エッチング手段、プラズマエッチング手段及びレーザアブレーション手段の少なくとも１つを有し、前記ビア内の金属を前記第２の面で露出させるよう準備された前記材料除去手段と、
を備えるシステム。
【請求項２８】
請求項２７記載のシステムであって、
メタライズの前に、前記ビアを酸化させる酸化手段をさらに備えるシステム。
【請求項２９】
請求項２３〜２８のいずれか１項に記載のシステムであって、
レーザ加工前、レーザ加工中及びレーザ加工後の少なくともいずえかにおいて、反応ガス環境及びパッシブガス環境の少なくとも一方を前記基板に与えるガス処理手段をさらに備えるシステム。
【請求項３０】
請求項２３〜２９のいずれか１項に記載のシステムであって、
シリコン材料を加工するよう準備されるシステム。
【請求項３１】
請求項２３〜２９のいずれか１項に記載のシステムであって、
半導体及び金属材料の層を有する基板を加工するよう準備されるシステム。
【請求項３２】
請求項２３〜２９のいずれか１項に記載のシステムであって、
光電子材料を有する基板を加工するよう準備されるシステム。
【請求項３３】
請求項２３〜３２のいずれか１項に記載のシステムであって、
前記レーザ加工手段は、Ｑスイッチレーザを備えるシステム。
【請求項３４】
請求項２３〜３３のいずれか１項に記載のシステムであって、
前記レーザ加工手段は、概ね、２６６ｎｍ、３５５ｎｍ及び５３２ｎｍのうちのいずれかの波長の放射を発するよう準備されるシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本発明は、添付の図面を関してのみ一例としてあたえられたいくつかの実施例に関する以上の説明から、より明らかに理解される。