【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  処理室内に処理ガスを導入し，プラズマ源により前記処理室内にプラズマを生成すると共に，前記処理室内に配置された電極にバイアス用電力を印加して，前記電極上に載置された被処理体に対して所定のエッチング処理を施すプラズマエッチング方法であって，
前記バイアス用電力を前記電極に印加して所定のエッチング時間にわたり前記被処理体にエッチングを施すエッチング工程と，前記バイアス用電力を低減または遮断して所定の成膜時間にわたり前記被処理体表面のエッチングマスクに保護膜を形成する成膜を施す成膜工程とを順次反復し，その際に，前記各エッチング時間と前記各成膜時間とは，エッチング処理の進行に応じて変更されることを特徴とする，プラズマエッチング方法。
【請求項２】  前記各成膜時間は，エッチング処理の進行に応じて相対的に延長されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】  前記各成膜時間は，１秒以上であることを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】  前記エッチング処理の最終工程として，前記エッチング工程が行われることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマエッチング方法。
【請求項５】  前記エッチング処理の開始工程として，前記成膜工程が行われることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】  前記エッチング対象は，酸化シリコン膜であり，
前記処理ガスは，フルオロカーボンガスを含むガスであることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】  処理室内に処理ガスを導入し，プラズマ源により前記処理室内にプラズマを生成すると共に，前記処理室内に配置された電極にバイアス用電力を印加して，前記電極上に載置された被処理体に対して所定のエッチング処理を施すプラズマエッチング装置であって，
前記電極には，所定のエッチング時間にわたり前記バイアス用電力を出力し，所定の成膜時間にわたり前記バイアス用電力を低減または遮断すると共に，前記バイアス用電力の出力と低減または遮断とを１秒以上の周期で順次反復するバイアス用電源が接続され，その際に，前記各エッチング時間と前記各成膜時間とは，エッチング処理の進行に応じて変更されることを特徴とする，プラズマエッチング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発明のように，処理室内に処理ガスを導入し，プラズマ源により処理室内にプラズマを生成すると共に，処理室内に配置された電極にバイアス用電力を印加して，電極上に載置された被処理体に対して所定のエッチング処理を施すプラズマエッチング方法であって，バイアス用電力を電極に印加して所定のエッチング時間にわたり被処理体にエッチングを施すエッチング工程と，バイアス用電力を低減または遮断して所定の成膜時間にわたり被処理体表面のエッチングマスクに保護膜を形成する成膜を施す成膜工程とを順次反復し，その際に，前記各エッチング時間と前記各成膜時間とは，エッチング処理の進行に応じて変更されることを特徴とする，プラズマエッチング方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
かかる構成によれば，エッチング工程と成膜工程とを反復しながらエッチング処理を行うので，エッチングマスク，例えばフォトレジスト膜を保護膜で保護しながら被処理体にエッチングを行うことができる。その結果，フォトレジスト膜がエッチングされ難くなり，選択比が大きくなるので，フォトレジスト膜のパターンの拡大を抑制することができ，さらに成膜工程時にマスクパターン側壁にも保護膜が形成されるので，被処理体に所望のコンタクトホールを形成できる。また，各エッチング時間と各成膜時間とを，エッチング処理の進行に応じて変更すれば，処理の進行によって被処理体とフォトレジスト膜の状態が変化しても，所定のエッチング処理を行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに，各成膜時間を，例えば請求項２に記載の発明のように，エッチング処理の進行に応じて相対的に延長しても良い。コンタクトホールは，処理の進行によってアスペクト比が高くなり，コンタクトホール底面に保護膜が形成され難くなるので，上記の如く各成膜時間を延長すれば，所定のエッチングを行いながらフォトレジスト膜の保護をより確実に行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらにまた，各成膜時間を，例えば請求項３に記載の発明のように，１秒以上にすれば，各成膜工程の間に保護膜をフォトレジスト膜に形成できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また，エッチング処理の最終工程として，例えば請求項４に記載の発明のように，エッチング工程を行えば，コンタクトホール底面やフォトレジスト膜上に形成された保護膜を除去できるので，保護膜の除去工程が不要となり，後処理を迅速に行うことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに，エッチング処理の開始工程として，例えば請求項５に記載の発明のように，成膜工程を行えば，エッチング工程の前にフォトレジスト膜を保護膜で保護できるので，被処理体により所望の処理を行うことができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらにまた，例えば請求項６に記載の発明のように，エッチング対象を酸化シリコン膜とし，処理ガスとしてフルオロカーボンガスを含むガスを採用すれば，フォトレジスト膜に保護膜を確実に形成できると共に，ＳｉＯ２膜に所望のコンタクトホールを形成できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また，本発明の第２の観点によれば，請求項７に記載の発明のように，処理室内に処理ガスを導入し，プラズマ源により処理室内にプラズマを生成すると共に，処理室内に配置された電極にバイアス用電力を印加して，電極上に載置された被処理体に対して所定のエッチング処理を施すプラズマエッチング装置であって，電極には，所定のエッチング時間にわたりバイアス用電力を出力し，所定の成膜時間にわたりバイアス用電力を低減または遮断すると共に，バイアス用電力の出力と低減または遮断とを１秒以上の周期で順次反復するバイアス用電源が接続され，その際に，前記各エッチング時間と前記各成膜時間とは，エッチング処理の進行に応じて変更されることを特徴とする，プラズマエッチング装置が提供される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
かかる構成によれば，電極に対してバイアス用電力を間欠的に印加するので，上記請求項１に記載の発明のように，バイアス用電力の印加時には被処理体にエッチングを施し，バイアス用電力の低減時または遮断時には被処理体のエッチングマスクに保護膜を形成することができ，被処理体に所望のコンタクトホールを形成できる。また，各エッチング時間と各成膜時間とを，エッチング処理の進行に応じて変更すれば，処理の進行によって被処理体とフォトレジスト膜の状態が変化しても，所定のエッチング処理を行うことができる。