【手続補正書】
【提出日】平成17年7月21日(2005.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体不揮発性記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのメモリセルを有する半導体不揮発性記憶装置であって、
上記メモリセルは、
半導体基板に形成された第１導電型の不純物領域と、
上記不純物領域を被覆して上記半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、
上記不純物領域に達するように上記第１絶縁膜に開口された開口部と、
上記開口部内に上記不純物領域側から順に積層された第１導電型の第１半導体層、第２絶縁膜および第２導電型の第２半導体層と
を有する
半導体不揮発性記憶装置。
【請求項２】
上記メモリセルにおいて記憶するデータに応じて上記第１半導体層と上記第２半導体層の間に所定の電圧を印加することで上記第２絶縁膜における絶縁破壊を生じせしめ、各メモリセルにおける上記第１半導体層と上記第２半導体層の間の導通あるいは非導通によりデータを記憶する
請求項１に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項３】
上記メモリセルにおいて、ワード線となるゲート電極が上記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成され、上記ゲート電極下部における上記半導体基板にチャネル形成領域を有し、上記不純物領域をドレイン領域とする電界効果トランジスタが形成されており、
上記第２半導体層にビット線が接続して形成されている
請求項１に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項４】
上記電界効果トランジスタのソース領域が接地されている
請求項３に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項５】
上記電界効果トランジスタのソース領域から上記半導体基板側に流れる電流を検知する手段をさらに有する
請求項３に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項６】
上記ワード線とビット線が、供給信号を通過させるパストランジスタを含む行デコーダおよび列デコーダにそれぞれ接続されている
請求項３に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項７】
上記行デコーダおよび列デコーダに、アドレス信号の反転信号が正転信号とともに外部装置から供給される
請求項６に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項８】
複数個の上記メモリセルがマトリクス状に配置されてなる
請求項１に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項９】
少なくとも１つのメモリセルを有する半導体不揮発性記憶装置であって、
上記メモリセルは、
第１配線と、
上記第１配線上に形成された第１絶縁膜と、
上記第１配線に達するように上記第１絶縁膜に開口された開口部と、
上記開口部内に上記第１配線側から順に積層された第１導電型の第１半導体層、第２絶縁膜および第２導電型の第２半導体層と、
上記第２半導体層に接続して形成された第２配線と
を有する
半導体不揮発性記憶装置。
【請求項１０】
上記メモリセルにおいて記憶するデータに応じて上記第１半導体層と上記第２半導体層の間に所定の電圧を印加することで上記第２絶縁膜における絶縁破壊を生じせしめ、各メモリセルにおける上記第１半導体層と上記第２半導体層の間の導通あるいは非導通によりデータを記憶する
請求項９に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項１１】
上記メモリセルにおいて、上記第１配線がワード線であり、上記第２配線がビット線である
請求項９に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項１２】
上記ワード線とビット線が、供給信号を通過させるパストランジスタを含む行デコーダおよび列デコーダにそれぞれ接続されている
請求項１１に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項１３】
上記行デコーダおよび列デコーダに、アドレス信号の反転信号が正転信号とともに外部装置から供給される
請求項１２に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項１４】
複数個の上記メモリセルがマトリクス状に配置されてなる
請求項９に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項１５】
上記第１配線、第１絶縁膜および第２配線の積層体が互いに絶縁されて複数層積層しており、各積層体において、上記第１配線と第２配線に接続するように複数個の上記メモリセルがマトリクス状に配置されてなる
請求項９に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項１６】
少なくとも１つのメモリセルを有する半導体不揮発性記憶装置であって、
上記メモリセルは、
絶縁性基板上の第１半導体層に形成された第１導電型の不純物領域と、
上記不純物領域を被覆して上記第１半導体層上に形成された第１絶縁膜と、
上記不純物領域に達するように上記第１絶縁膜に開口された開口部と、
上記開口部内に上記不純物領域側から順に積層された第２絶縁膜および第２導電型の第２半導体層と
を有する
半導体不揮発性記憶装置。
【請求項１７】
上記メモリセルにおいて記憶するデータに応じて上記不純物領域と上記第２半導体層の間に所定の電圧を印加することで上記第２絶縁膜における絶縁破壊を生じせしめ、各メモリセルにおける上記不純物領域と上記第２半導体層の間の導通あるいは非導通によりデータを記憶する
請求項１６に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項１８】
上記メモリセルにおいて、ワード線となるゲート電極が上記第１半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成され、上記ゲート電極下部における上記第１半導体層にチャネル形成領域を有し、上記不純物領域をドレイン領域とする電界効果トランジスタが形成されており、
上記第２半導体層にビット線が接続して形成されている
請求項１６に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項１９】
上記電界効果トランジスタのソース領域が接地されている
請求項１８に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項２０】
上記電界効果トランジスタのソース領域から上記半導体基板側に流れる電流を検知する手段をさらに有する
請求項１８に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項２１】
上記ワード線とビット線が、供給信号を通過させるパストランジスタを含む行デコーダおよび列デコーダにそれぞれ接続されている
請求項１８に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項２２】
上記行デコーダおよび列デコーダに、アドレス信号の反転信号が正転信号とともに外部装置から供給される
請求項２１に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項２３】
複数個の上記メモリセルがマトリクス状に配置されてなる
請求項１６に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【請求項２４】
上記第１半導体層が互いに絶縁されて複数層積層しており、各第１半導体層のそれぞれにおいて、上記メモリセルがマトリクス状に配置されてなる
請求項１６に記載の半導体不揮発性記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体不揮発性記憶装置に関し、特にデータを１回のみ書き込むことができるＯＴＰ（One Time Programmable ）半導体不揮発性記憶装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、従って、本発明は、酸化シリコン膜の絶縁破壊の再現性、信頼性を向上させ、製造コストのさらなる低減が可能な半導体不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】