【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロホン組立体であって、
金属であるハウジングと、
ハウジング内に取り付けられた半導体バックプレートであって、バックプレートはシリコンであり、バックプレートは、上部、底部、および側部と、バックプレートの上部からバックプレートの底部に延在する複数の開口部と、を含み、前記複数の開口部が、バックプレートの側部に沿って、かつスペーサの半径方向外側に配置されている、バックプレートと、
バックプレート上に配置された可撓性のダイヤフラムであって、保護環境バリアとしても、容量性電気音響変換器の検知電極としても機能する可撓性ダイヤフラムであって、金属フィルムまたはメタライズドポリマーの群から成る材料から構成されるダイヤフラムと、
バックプレートと一体的であり、かつバックプレートとダイヤフラムの中間にある半導体スペーサであって、二酸化ケイ素またはフルオロポリマーから成る群による絶縁層をさらに含むスペーサと、
ダイヤフラムフレームと、を含み、前記ダイヤフラムがダイヤフラムフレーム上で引張られ、かつ接着によりダイヤフラムフレームに取り付けられ、ダイヤフラムフレームがダイヤフラムの張力を維持するマイクロホン組立体。
【請求項２】
バックプレートが円形である請求項１に記載のマイクロホン組立体。
【請求項３】
バックプレートが矩形である請求項１に記載のマイクロホン組立体。
【請求項４】
スペーサが、環状壁部、一連の弧状壁部、一連の弧状延長部または矩形の壁部から成る群から構成される請求項２に記載のマイクロホン組立体。
【請求項５】
ハウジングが上側リップを含み、ダイヤフラムフレームが、上側リップに接して配置される金属リングを含む請求項４に記載のマイクロホン組立体。
【請求項６】
さらに、バックプレートの底部上の金属接触部を含む請求項５に記載のマイクロホン組立体。
【請求項７】
さらに、バックプレートとハウジングの下部の間に配置されたばねを含む請求項６に記載のマイクロホン組立体。
【請求項８】
さらに、ハウジングに連結されたトランジスタを含む請求項７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項９】
さらに、バックプレートに連結されたトランジスタを含む請求項７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項１０】
さらに、バックプレートに連結された集積回路を含み、集積回路がトランジスタを有する請求項７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項１１】
さらに、バックプレートに連結された集積回路を含み、集積回路が電圧ステップアップ回路を有する請求項７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項１２】
さらに、バックプレートに連結された集積回路を含み、集積回路がＲＦバイアス回路を有する請求項７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項１３】
ＲＦバイアス回路がＲＦ変調出力を発生し、ＲＦ変調出力がＲＦ無線伝送のために用いられる請求項１２に記載のマイクロホン組立体。
【請求項１４】
さらに、バックプレートに連結された集積回路を含み、集積回路がデジタル信号プロセッサを有する請求項７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項１５】
さらに、バックプレートに連結された集積回路を含み、集積回路がアナログ‐デジタル変換器を有する請求項７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項１６】
マイクロホン組立体であって、
上側リップを含むハウジングと、
上部、底部、および環状側部を有するシリコンバックプレートと、
バックプレートと一体的に形成されたシリコンスペーサであって、シリコンバックプレートの上部から延在し、かつシリコンバックプレートの上部と一体的な少なくとも１つの突出部を含み、さらに、二酸化ケイ素またはフルオロポリマーから成る群から形成された絶縁層を含むシリコンスペーサと、
バックプレートの上部からバックプレートの底部に延在する複数の開口部と、
メタライズドポリマーフィルムから構成された単一のダイヤフラムであって、保護環境バリアとしても、容量性電気音響検知変換器の検知電極としても作用する単一のダイヤフラムと、
ハウジングの上側リップに接して配置され、かつダイヤフラムが接着により取り付けられた金属リングであって、上側リップおよびばねと協働してダイヤフラムをスペーサの絶縁層に固定する金属リングと、を含むマイクロホン組立体。
【請求項１７】
マイクロホン組立体であって、
ハウジングと、
ハウジング内に取り付けられた半導体バックプレートと、
バックプレート上に配置された可撓性のダイヤフラムであって、保護環境バリアとしても、容量性電気音響変換器の検知電極としても機能する可撓性ダイヤフラムと、
バックプレートと一体的であり、かつバックプレートとダイヤフラムの中間にある半導体スペーサと、
ダイヤフラムフレームと、を含み、前記ダイヤフラムがダイヤフラムフレーム上で引張られ、かつ接着によりダイヤフラムフレームに取り付けられ、ダイヤフラムフレームがダイヤフラムの張力を維持するマイクロホン組立体。
【請求項１８】
ダイヤフラムが、金属フィルムまたはメタライズドポリマーの群から成る材料から構成される請求項１７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項１９】
ハウジングが金属である請求項１８に記載のマイクロホン組立体。
【請求項２０】
バックプレートがシリコンである請求項１９に記載のマイクロホン組立体。
【請求項２１】
スペーサが、二酸化ケイ素またはフルオロポリマーから成る群による絶縁層をさらに含む請求項２０に記載のマイクロホン組立体。
【請求項２２】
バックプレートが、上部、底部、および側部と、バックプレートの上部からバックプレートの底部に延在する複数の開口部と、を含む請求項２１に記載のマイクロホン組立体。
【請求項２３】
さらに、バックプレートに連結された集積回路を含み、集積回路がトランジスタを有する請求項１７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項２４】
さらに、バックプレートに連結された集積回路を含み、集積回路が電圧ステップアップ回路を有する請求項１７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項２５】
さらに、バックプレートに連結された集積回路を含み、集積回路がＲＦバイアス回路を有する請求項１７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項２６】
ＲＦバイアス回路がＲＦ変調出力を発生し、ＲＦ変調出力がＲＦ無線伝送のために用いられる請求項２５に記載のマイクロホン組立体。
【請求項２７】
さらに、バックプレートに連結された集積回路を含み、集積回路がデジタル信号プロセッサを有する請求項１７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項２８】
さらに、バックプレートに連結された集積回路を含み、集積回路がアナログ‐デジタル変換器を有する請求項１７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項２９】
ハウジングが上縁部を含み、上縁部がダイヤフラムフレームおよびダイヤフラムをスペーサに押し込む請求項１７に記載のマイクロホン組立体。
【請求項３０】
マイクロホン組立体であって、
ハウジングと、
ハウジング内に取り付けられた半導体バックプレートと、
バックプレートから延在し、かつバックプレートと一体的である突出部を含む半導体スペーサと、
金属フィルムまたはメタライズドポリマーフィルムから成る群から構成された単一のダイヤフラムであって、保護環境バリアとしても、容量性電気音響変換器の検知電極としても作用するダイヤフラムと、
ダイヤフラムフレームであって、ダイヤフラムがフレーム上で引張られかつフレームに接着されるダイヤフラムフレームと、を含むマイクロホン組立体。