(57)【要約】  結合層製造工程のマージンが広く、書き込みが容易で、隣接ビット書き込みによって書き換えられにくい、垂直磁気記録媒体を提供する。  垂直磁気記録媒体は、非磁性基板と、非磁性基板上方に形成された軟磁性裏打ち層と、軟磁性裏打ち層上に形成された非磁性中間層と、中間層上に形成された磁気記録層であって、垂直磁気異方性を有する第１の強磁性記録層と、第１の強磁性記録層上に形成され、Ｐｄ、Ｐｔ、これらの合金のいずれかで形成された結合層と、結合層上に形成され、垂直磁気異方性を有する第２の強磁性記録層を含む磁気記録層と、を有する。
2008126133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板と、
前記非磁性基板上方に形成された軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された非磁性中間層と、
前記中間層上に形成された磁気記録層であって、垂直磁気異方性を有する第１の強磁性記録層と、前記第１の強磁性記録層上に形成され、Ｐｄ、Ｐｔ、これらの合金のいずれかで形成された結合層と、前記結合層上に形成され、垂直磁気異方性を有する第２の強磁性記録層を含む磁気記録層と、
を有する垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第１の強磁性記録層と前記第２の強磁性記録層とが、外部磁界を印加しない状態で、強磁性の結合状態を有する請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第１の強磁性記録層は、前記第２の強磁性記録層より大きい垂直磁気異方性を有する請求項１または２記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
第１の強磁性記録層がＣｏＣｒＰｔ合金を含むグラニュラ磁性層で形成され、第２の強磁性記録層がＣｏＣｒＰｔの磁性合金で形成された請求項３記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記結合層の厚さが、０．４ｎｍ〜１．１ｎｍの範囲である請求項１〜４のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記中間層が複数の層で形成され、前記中間層の少なくとも上部の層と、前記強磁性記録層とは、面心立方構造、または六方稠密構造の結晶構造を有する請求項１〜５のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記中間層が、ＮｉＦｅＣｒ層とその上に形成されたＲｕ層を含み、前記第１の強磁性記録層が前記Ｒｕ層の上に形成されている請求項１〜６のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記軟磁性裏打ち層が、第１のＦｅＣｏＢ層と、その上に形成されたＲｕ層と、その上に形成されたＦｅＣｏＢ層との積層、またはＦｅＣｏＺｒＴａ層と、その上に形成されたＲｕ層と、その上に形成されたＦｅＣｏＺｒＴａ層との積層を含む請求項１〜７のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記結合層が、厚さ０．４ｎｍ〜１．７ｎｍのＰｄ層である請求項１〜８のいずれか１項記載の垂直記録媒体。
【請求項１０】
前記結合層が、厚さ０．４ｎｍ〜１．４ｎｍのＰｄ層である請求項９記載の垂直記録媒体。
【請求項１１】
前記結合層が、厚さ０．４ｎｍ〜１．１ｎｍのＰｔ層である請求項１〜８のいずれか１項記載の垂直記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体に関し、特に結合層を介して複数の記録層を積層配置した垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録装置には、磁気記録層の磁化方向が面内を向いた面内磁気記録方式が使用されてきた。面内磁気記録方式では、高密度記録のため磁区ドメインを小さくして行くと、熱揺らぎのため記録した情報が消えていくことが問題となる。【０００３】
軟磁性裏打ち層の上に磁気記録層を配置し、磁気記録層の表面に対して垂直方向の磁界を印加し、磁化方向を記録層の面に垂直にした垂直磁気記録方式では、高密度記録が可能になるとされている。【０００４】
しかし、垂直磁気記録媒体においても、耐熱揺らぎ特性と信号雑音比（ＳＮ比）を、共に良好に保つことは容易でない。【０００５】
特開２００３−１５７５１６号は、第１の磁性層の上に中間層を形成し、その上に第２の磁性層を形成する構成を提案する。第１、第２の磁性層は、たとえばＣｏ（６６ａｔ％）Ｐｔ（１８ａｔ％）Ｃｒ（１６ａｔ％）で形成し、中間層はＲｕ−Ｔｉ合金、またはＨｆで形成する。第１と第２の磁性層で発生するノイズは独立でありＳＮ比を向上できる、第１と第２の磁性層は磁気的には分断されず良好な熱揺らぎ耐性を得られると説明されている。【０００６】
特開２００６−４８９００号は、結合層によって第１と第２の磁性層を磁気的に結合する際、反強磁性結合させる時と強磁性結合させる時とを比較し、強磁性結合させた場合、交換結合エネルギが高くなるほど、反強磁性結合の場合と同様熱安定性が増し、反強磁性結合の場合と異なり記録容易性が向上すると教示する。このような磁気的結合記録媒体を、ＥＣＣ（exchange
coupled composite）媒体と呼ぶ。【０００７】
また、第１と第２の磁性層の磁化を反転させる時、一方の磁化を反転させた後他方の磁化を反転させるようにすると磁化反転に必要な反転磁界が低下する、このため、異方性磁界の低い方の層の１軸異方性定数と膜厚の積を他方の磁性層の１軸異方性定数と膜厚の積よりも小さくすることを教示する。この構成により、熱的安定性の向上と反転磁界の低下の効果を得られると教示する。【０００８】
第１、第２の磁性層は、少なくともＣｏとＰｔを含む強磁性材料が好適であり、第１の磁性層は非磁性物質中に磁性結晶粒子が分散したグラニュラ磁性層が特に好ましい、結合層は、Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｉｒの内から選ばれる少なくとも１つの元素、またはこれらの内の少なくとも１つの元素を主成分とする合金を用い、膜厚は２ｎｍ以下、より好ましくは０．３ｎｍ以下、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ以外の材料では０．３ｎｍ以下、または１．２ｎｍ−２ｎｍの範囲とすることが好ましいと記載されている。ＰｄやＰｔを用いた場合、反転磁界の増大を招く結果が得られており、不適であると記載されている。【０００９】
【特許文献１】特開２００３−１５７５１６号公報
【特許文献２】特開２００６−４８９００号公報
【発明の開示】
【００１０】
本発明者らは、結合層としてＲｕやＣｕを用いた場合、結合層の厚さを０．３ｎｍ以下にする必要があることを実験的に確認した。厚さ０．３ｎｍ以下の膜を成膜するのは、製造工程のマージンが狭すぎる。
【００１１】
本発明の目的は、結合層製造工程のマージンが広く、書き込みが容易で、隣接ビット書き込みによって書き換えられにくい、垂直磁気記録媒体を提供することである。
【００１２】
本発明の１観点によれば、
非磁性基板と、
前記非磁性基板上方に形成された軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された非磁性中間層と、
前記中間層上に形成された磁気記録層であって、垂直磁気異方性を有する第１の強磁性記録層と、前記第１の強磁性記録層上に形成され、Ｐｄ、Ｐｔ、これらの合金のいずれかで形成された結合層と、前記結合層上に形成され、垂直磁気異方性を有する第２の強磁性記録層を含む磁気記録層と、
を有する垂直磁気記録媒体
が提供される。
【００１３】
結合層をＰｄ，またはＰｔで形成すると、拡大された厚さ範囲内で改良された特性が得られることが判った。厚さ範囲が拡大するため、結合層製造工程のマージンが広くなる。サンプルを作成し、特性を測定した結果、書き込みが容易で、隣接ビット書き込みによって書き換えられにくい、垂直磁気記録媒体を製造できることが判明した。Ｐｄ結合層、Ｐｔ結合層で類似の特性が得られるので、これらの合金でも同様の効果が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１ＡはＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体の基本構成を示す概略断面図、図１Ｂは第１の実施例によるＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体の構成を概略的に示す断面図，図１Ｃ，１Ｄは第１、第２、第３の比較例の垂直磁気記録媒体の構成を概略的に示す断面図である。
【００１５】
【図２】図２Ａ，２Ｂは、作成したサンプルで測定した、結合層の厚さに対する、保磁力Ｈｃと飽和磁界Ｈｓを示すグラフと、結合層の厚さ０の時の値で規格化した保磁力Ｈｃ／Ｈｃ（０）と飽和磁界Ｈｓ／Ｈｓ（０）を代表的な結合層の厚さでリストした表である。
【００１６】
【図３】図３Ａ，３Ｂは、別に作成した第１の実施例によるサンプルを用いて測定した、結合層の厚さに対する、記録磁界、隣接トラック許容磁界を示すグラフ、およびＨｃ，記録磁界、隣接トラック許容磁界、隣接トラック許容磁界の記録磁界に対する比を代表的な結合層の厚さでリストした表である。
【００１７】
【図４】図４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、第２の実施例によるＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体、第４の比較例による垂直磁気記録媒体、第５の比較例による垂直磁気記録媒体の構成を概略的に示す断面図である
【図５】図５Ａ，５Ｂ、５Ｃは、サンプルを用いて測定した、記録特性を示すグラフおよび表である。
【００１８】
【図６】図６Ａは、第３の実施例によるＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体を概略的に示す断面図、図６Ｂは第３の実施例によるサンプルで測定した、Ｐｄ層の厚さに対するＨｃ，Ｈｓの変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００１９】
１    非磁性基板、１０    軟磁性裏打ち層、１１    ＦｅＣｏＢ層、１２    Ｒｕ層、１３    ＦｅＣｏＢ層、１４    ＦｅＣｏＺｒＴａ層、１５    Ｒｕ層、１６    ＦｅＣｏＺｒＴａ層、２０    非磁性中間層、２１    Ｔａ層、２２    ＮｉＦｅＣｒ層、２３    Ｒｕ層、２５    ＮｉＦｅＣｒ層、２６    Ｒｕ層、３０    磁気記録層、３１    グラニュラＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２第１記録層、３２，３２ｘ    結合層、３３    ＣｏＣｒＰｔＢ第２記録層、３４、３５    ＣｏＣｒＰｔ磁性層、３７    グラニュラＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２第１記録層、３８    Ｐｔ結合層、３９    ＣｏＣｒＰｔＢ第２記録層、４０    保護層、
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。【００２１】
図１ＡはＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体の基本構成を示す概略断面図、図１Ｂは第１の実施例によるＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体の構成を概略的に示す断面図，図１Ｃ，１Ｄは第１、第２、第３の比較例の垂直磁気記録媒体の構成を概略的に示す断面図である。【００２２】
図１Ａに示すように、ＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体は、ガラス、アルミニウム、Ｓｉ等の非磁性材料で形成された非磁性基板１の上に、軟磁性裏打ち層１０、非磁性中間層２０、磁気記録層３０、保護層４０を積層した構成を有する。磁気記録層３０は、強磁性記録層３１，３３を非磁性の結合層３２で結合した構成を有する。軟磁性裏打ち層１０は磁気ヘッドと共に磁気閉回路を形成するための磁性層であり、例えば非晶質のＣｏ合金であるＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＴａ等を用いることができる。軟磁性裏打ち層を非磁性層を含む複数層の積層で形成してもよい。たとえば、ＦｅＣｏＢ層、Ｒｕ層、ＦｅＣｏＢ層の積層としてもよい。非磁性中間層２０は、磁気記録層３０の結晶性を向上するための層であり、単層または複数層で形成される。非磁性中間層２０は、例えば、アモルファスＴａ層、ＮｉＦｅＣｒ層、Ｒｕ層の積層、ＮｉＦｅＣｒ層、Ｒｕ層の積層等で形成できる。アモルファスＴａ層は、その上に形成する結晶性金属層の配向を向上できる機能を有する。強磁性記録層３１，３３は、例えばＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ等のＣｏＣｒＰｔの磁性合金，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＰｔ等の強磁性材料で形成できる。非磁性結合層３２は、良好なＥＣＣ構造を実現するための層であり、通常Ｒｕ，Ｃｕ等で形成される。本発明者は、非磁性結合層３２として、ＰｄまたはＰｔを用いることを試みた。【００２３】
図１Ｂは、本発明の第１の実施例によるＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体を示す。実際に作成したサンプルの構成を例にとって説明する。なお、材料の結晶構造を、面心立方格子はｆｃｃ、稠密六方格子はｈｃｐとして併記する。ガラス基板１の上に、厚さ５０ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層１０をアルゴンガス圧０．５Ｐａ，スパッタ電力１ｋＷのスパッタリングで成膜した。単層の軟磁性裏打ち層である。軟磁性裏打ち層１０の上に、厚さ３ｎｍの（アモルファス）Ｔａ層２１をアルゴンガス圧０．５Ｐａ，スパッタ電力０．４ｋＷのスパッタリングで成膜し、その上に厚さ３ｎｍの（ｆｃｃ）ＮｉＦｅＣｒ層２２をアルゴンガス圧０．５Ｐａ，スパッタ電力０．１ｋＷのスパッタリングで成膜し、さらに厚さ２０ｎｍの（ｈｃｐ）Ｒｕ層２３をアルゴンガス圧４．０Ｐａ，スパッタ電力０．４ｋＷのスパッタリングで成膜した。Ｔａ層２１、ＮｉＦｅＣｒ層２２、Ｒｕ層２３が３層積層構造の中間層２０を構成する。なお、ＮｉＦｅＣｒ層をＮｉＦｅ層に置き換えると、ＮｉＦｅ層は、下のＴａ層を介して軟磁性ＣｏＺｒＮｂ層と共に３層構成の軟磁性裏打ち層を構成する。【００２４】
中間層２０の上に、厚さ１３ｎｍのグラニュラ（ｈｃｐ）ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２第１記録層３１をアルゴンガス圧４Ｐａ，スパッタ電力０．４ｋＷで成膜した。ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２は、［Ｃｏ（６６ａｔ％）Ｃｒ（１３ａｔ％）Ｐｔ（２１ａｔ％）］９１（ＳｉＯ２）９の組成を有する。第１記録層３１の上に、厚さを種々に変えて（ｆｃｃ）Ｐｄ層３２をアルゴンガス圧０．５Ｐａ，スパッタ電力０．１ｋＷで成膜した。Ｐｄ層３２の上に、厚さ６ｎｍの（ｈｃｐ）ＣｏＣｒＰｔＢ第２記録層３３をアルゴンガス圧０．５Ｐａ，スパッタ電力０．４ｋＷで成膜した。【００２５】
第１記録層３１、結合層３２、第２記録層３３がＥＣＣ構造の記録層３０を構成する。外部磁界を印加しない状態で、第１記録層３１と第２記録層３３とは強磁性の結合状態を有する。グラニュラ強磁性層の第１記録層の垂直磁気異方性は、ノングラニュラ強磁性層の第２記録層の垂直磁気異方性より大きい。【００２６】
記録層３０の上に、厚さ３ｎｍのＣ層を保護層４０として形成した。実際に使用する場合は、保護層４０の上にさらに液体潤滑層を塗布することが好ましい。アモルファスＴａ層の上の層は、ｆｃｃまたはｈｃｐ構造を有するので、優れた結晶性、配向性が得られ、エピタキシャル的層が得られる。【００２７】
図１Ｃは、第１の比較例による垂直磁気記録媒体の構成を概略的に示す。図１Ｂの構成と比べたとき、結合層３２が形成されない。従って、ＥＣＣ構造は持たない。図１Ｂの構成において、結合層３２の厚さを０にしたときに当たる。他の点は同じである。【００２８】
図１Ｄは、第２、第３の比較例によるＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体の構成を概略的に示す。結合層３２ｘは、Ｐｄではなく、第２の比較例ではＲｕ、第３の比較例ではＣｕにより形成される。他の点は同じである。【００２９】
第１の実施例によるサンプルを、結合層３２の厚さを０（第１の比較例）から、０．１ｎｍ刻みで２．５ｎｍまで変えて作成した。但し、厚さ１．９ｎｍ以上では、グラニュラ磁性層の下層と上層とがデカップリング状態となり、それぞれ単層の磁気特性を示すようになるので、以下の説明、図では省略する。第２、第３の比較例のサンプルも、結合層３２ｘの厚さを０．１ｎｍ刻みで変化させて作成した。【００３０】
図２Ａ，２Ｂは、作成したサンプルで測定した、結合層の厚さに対する、保磁力Ｈｃと飽和磁界Ｈｓを示すグラフと、結合層の厚さ０の時の値で規格化した保磁力Ｈｃ／Ｈｃ（０）と飽和磁界Ｈｓ／Ｈｓ（０）を代表的結合層厚さでリストした表である。図２Ａにおいて、横軸は結合層の厚さを単位ｎｍで示し、縦軸はＨｓ，Ｈｃを単位ｋＯｅで示す。【００３１】
図２Ａに示すように、Ｒｕを結合層として用いた第２の比較例の場合、結合層の厚さが０．１ｎｍでＨｃ，Ｈｓが最小値となる。Ｈｃの値は、意図せざる原因による磁気的記録の書き換えに対する耐性を示し、熱的ゆらぎや、隣接領域の書き込みによる漏洩磁界に対する障壁高さ（記録を保持する力）を表し、大きいほど好ましい。Ｈｓの値は、書き込みに必要な磁界を表わし、低いほど好ましい。Ｈｃ，Ｈｓは、結合層の厚さ０から０．１ｎｍの変化で減少し、その後０．２ｎｍ以上にすると、結合層の厚さと共に増大する。結合層の厚さを０．２ｎｍ以上にすると、Ｈｓの値は結合層の厚さ０（結合層無し）の場合よりも大きく増大してしまう。書き込みに必要な磁界が増大し、書き込みにくくなることを示唆する。書き込み磁界を増大させないためには、結合層の厚さは０．１ｎｍ以下とすべきであろう。【００３２】
結合層をＣｕで形成した第３の比較例の場合、Ｈｃは結合層の厚さが０．３ｎｍで最小値となり、結合層の厚さ０．４ｎｍで増大し始め、結合層の厚さ０．５ｎｍ以上で厚さ０の場合より大きくなる。Ｈｓは結合層の厚さ０．２ｎｍ，０．３ｎｍ付近で最小値となり、以後結合層の厚さと共に増大する。結合層の厚さ０．４ｎｍ、０．５ｎｍで厚さ０の場合と同等程度まで増大し、結合層の厚さ０．６ｎｍ以上では厚さ０の場合より大きく増大してしまう。書き込みに必要な磁界を大きくしないためには、結合層の厚さは０．５ｎｍ以下とすべきであり、好ましくは書き込みに必要な磁界を小さくするために、結合層の厚さは０．３ｎｍ以下とすべきであろう。【００３３】
結合層をＰｄで形成した第１の実施例によるサンプルの場合は、Ｈｃは結合層の厚さと共に減少し、結合層の厚さ１．３ｎｍで最小値となり、結合層の厚さ１．４ｎｍで増大し始め、結合層の厚さ１．５ｎｍ以上で厚さ０の場合より大きくなる。Ｈｓは、結合層の厚さ１．２ｎｍ，１．３ｎｍ付近で最小値となり、厚さ１．４ｎｍで若干増大し、厚さ１．５ｎｍ以後結合層の厚さと共に急激に増大し、結合層無しの場合より大きくなっている。結合層の厚さが０の第１の比較例と比べて、Ｈｓの値を小さくし、小さな記録磁界で書き込むためには、結合層の厚さは、１．４ｎｍ以下とするのが好ましいであろう。製造工程の制御を容易にし、マージンを大きくするには、結合層の厚さは０．４ｎｍ以上とすることが望ましい。作成する結合層の厚さが０．４ｎｍ〜１．４ｎｍとなれば、Ｈｓは小さくなり、製造工程のマージン、制御性は大幅に増大する。【００３４】
図２Ｂは、結合層の代表的厚さと規格化したＨｃ，Ｈｓの関係を示す表である。大まかに見て、結合層がＲｕの第２の比較例の場合、結合層の厚さ０．１ｎｍまでがＨｓの減少を示す領域である。結合層がＣｕの第３の比較例の場合、結合層の厚さ０．３ｎｍまでがＨｓの減少を示す領域である。これらに対し、結合層がＰｄの第１の実施例によるサンプルの場合、結合層の厚さ１．３ｎｍまでがＨｓが減少を示す領域である。Ｐｄ層の厚さが１．８ｎｍとなると、Ｈｓ，Ｈｃは、Ｐｄ結合層無し（厚さ０）の場合より大きくなっている。【００３５】
ただし、Ｈｓ，Ｈｃは静的（スタチック）な物性であり、磁気記録装置の性能を支配するのは動的（ダイナミック）な特性である。Ｈｓの代わりに記録磁界（ＨｃWriteと標記する）、Ｈｃの変わりに隣接トラック許容磁界（ＨｃEraseと標記する）を用いるのが好ましい。第１の実施例による動的性能測定サンプルを、Ｐｄ結合層の厚さ０ｎｍ、１．０ｎｍ，１．５ｎｍ，１．９ｎｍで作成した。【００３６】
図３Ａ，３Ｂはこれらのサンプルを用いて測定した、結合層の厚さに対する記録磁界ＨｃWrite、隣接トラック許容磁界ＨｃEraseの変化を示すグラフ、および保磁力Ｈｃ，記録磁界ＨｃWrite、隣接トラック許容磁界ＨｃErase、隣接トラック許容磁界の記録磁界ＨｃWriteに対する比ＨｃErase／ＨｃWriteを、結合層の厚さに対してリストした表である。図３Ａにおいて、横軸は結合層であるＰｄ層の厚さを単位ｎｍで示し、縦軸は記録磁界ＨｃWrite，隣接トラック許容磁界ＨｃEraseを単位ｋＯｅで示す。【００３７】
図３Ａに示すように、記録磁界ＨｃWriteはＰｄ層の厚さが０ｎｍから約１．５ｎｍまで、Ｐｄ層の厚さと共に減少する。Ｐｄ層の厚さ１．９ｎｍではかなりの増大を示す。但し、Ｐｄ層の厚さ１．９ｎｍでも、記録磁界ＨｃWriteはＰｄ結合層無しの場合より小さい。Ｐｄ層の厚さ１．５ｎｍでＰｄ層無し（厚さ０）の場合と比べ、記録磁界は、約５ｋＯｅの減少を示した。隣接トラック許容磁界ＨｃEraseは、Ｐｄ層の厚さの増大と共に緩やかな減少を示す。【００３８】
図３Ｂに示した隣接トラック許容磁界ＨｃEraseの記録磁界ＨｃWriteに対する比ＨｃErase／ＨｃWriteは、値が大きいほど書き込みやすく、消されにくい記録性能を示す指標となる。Ｐｄ層の厚さ１．５ｎｍまで、記録磁界ＨｃWriteは減少し、隣接トラック許容磁界ＨｃEraseの記録磁界ＨｃWriteに対する比ＨｃErase／ＨｃWriteは増大を示している。Ｐｄ層の厚さ１．５ｎｍで記録磁界は、結合層無しの場合と比べ、約５ｋＯｅ小さくなる。Ｐｄ層の厚さ１．９ｎｍでは、比ＨｃErase／ＨｃWriteは結合層なしの場合より小さくなっている。Ｐｄ層の厚さ１．７ｎｍ以下で磁気記録特性の向上が期待できる。【００３９】
図３Ａ、３Ｂの実験結果は、製造工程のマージンを含めて、Ｐｄ結合層の厚さは０．４ｎｍ〜１．７ｎｍが好ましいであろうことを示唆する。なお、図２Ａに示した特性と比べ、好ましいＰｄ層の厚さ領域に差がある。成膜技術が未だ確立されておらず、作成ロット間の差と考えられる。成膜技術が確立されれば、厚さ０．４ｎｍ〜１．７ｎｍのＰｄ結合層を採用して、優れた垂直磁気記録媒体を製造できるであろう。Ｐｄ層の厚さを０．４ｎｍ〜１．４ｎｍとすれば、より確実に優れた垂直磁気記録媒体を製造できるであろう。【００４０】
磁気記録装置には、書き込み／読み出し特性が求められる。書き込み特性として、一旦記録した上に再度記録を行なうオーバライト（ＯＷ）特性がある。ビット長の短い高密度記録を行ない、その上にビット長の長い低密度記録を行なった時、先に記録していた高密度記録がどこまで減衰するかを示すオーバーライトツーＯＷ２（ｄＢ）がよく測定される。ＯＷ２において、減衰率を高くすると、実効的ライトコア幅ＷＣｗは大きくなり易い。これらの特性を調べるため、第２の実施例によるサンプルを作成した。【００４１】
図４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、第２の実施例によるＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体、第４の比較例による垂直磁気記録媒体、第５の比較例による垂直磁気記録媒体の構成を概略的に示す断面図である。【００４２】
図４Ａは、第２の実施例によるＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体を示す。実際に作成したサンプルの構成を例にとって説明する。ガラス基板１の上に、厚さ２５ｎｍのＦｅＣｏＢ層１１、厚さ０．４ｎｍのＲｕ層１２、厚さ２５ｎｍのＦｅＣｏＢ層１３を形成し、軟磁性裏打ち層１０を形成した。軟磁性裏打ち層１０の上に、厚さ５ｎｍのＮｉＦｅＣｒ層２５、厚さ２０ｎｍのＲｕ層２６を形成し、中間層２０を形成した。中間層２０の上に、厚さ１１ｎｍのグラニュラＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２の第１記録層３１、厚さを変えたＰｄ結合層３２、厚さ８ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ第２記録層３３を形成し、記録層３０を形成した。第１記録層３１、第２記録層３３の組成は、第１の実施例の第１記録層３１、第２記録層３３の組成と同じである。記録層３０の上に厚さ３ｎｍのＣ保護層４０を形成した。【００４３】
図４Ｂは、第４の比較例の構成を示す。図４Ａの構成と比べたとき、結合層３２が形成されない。従って、ＥＣＣ構造は持たない。図４Ａの構成において、結合層３２の厚さを０にしたときに当たる。他の点は同じである。【００４４】
図４Ｃは、第５の比較例の構成を示す。図４Ａに示す第２の実施例と比べると、第１記録層３１の上に、結合層を形成することなく、２層のＣｏＣｒＰｔ磁性層３４，３５を形成した点が異なる。他の点は、第２の実施例と同じである。【００４５】
図５Ａ，５Ｂ、５Ｃは、サンプルを用いて測定した記録特性を示すグラフおよび表である。【００４６】
図５Ａは、第２の実施例のサンプルで測定した、ＯＷ２のＰｄ層の厚さ依存性を示す。横軸がＰｄ層の厚さを単位ｎｍで示し、縦軸がＯＷ２を単位ｄＢで示す。Ｐｄ層の厚さを厚くするほどＯＷ２の減衰が大きくなることを示している。【００４７】
図５Ｂは、第２の実施例および、第４、第５の比較例を用いて測定した、ＯＷ２の大きさに対する実効的ライトコア幅ＷＣｗの変化を示すグラフである。横軸がＯＷ２を単位ｄＢで示し、縦軸がＷＣｗを単位μｍで示す。第２の実施例のサンプルの測定値を実線Ｅ２で結んで示す。２層記録層と付記されたプロットはＰｄ層がない（厚さ０）第４の比較例のプロットである。他のプロットは図４Ｃに示した第５の比較例のプロットである。ＯＷ２の絶対値を大きくすると、ＷＣｗが大きくなる傾向は、第５の比較例と比べ、第２の実施例のサンプルで格段に小さい。【００４８】
図５Ｃは、第２に実施例によるＰｄ層の厚さ１．５ｎｍのサンプルと、第４の比較例のサンプルとを用いて測定したエラーレートを示す表である。第４の比較例と比べ、バイトエラーレートが改善している。また、実効的ライトコア幅ＷＣｗも第４の比較例が０．１７５−０．１７９（平均値０．１７７）に対して、第２の実施例では０．１７１と僅かではあるが狭くなっている。【００４９】
結合層としてＰｄ層を用いた場合、結合層を用いない場合やＲｕ層やＣｕ層を結合層として用いた場合より、好ましい特性が得られることが判った。さらに、結合層として、Ｐｄ層の代わりにＰｔ層を用いた場合も確認した。【００５０】
図６Ａは、第３の実施例によるＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体を概略的に示す断面図、図６Ｂは第３の実施例によるサンプルで測定した、Ｐｄ層の厚さに対するＨｃ，Ｈｓの変化を示すグラフである。【００５１】
図６Ａは、第３の実施例によるＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体を示す。実際に作成したサンプルの構成を例にとって説明する。ガラス基板１の上に、厚さ２５ｎｍのＦｅＣｏＺｒＴａ層１４、厚さ０．５ｎｍのＲｕ層１５、厚さ２５ｎｍのＦｅＣｏＺｒＴａ層１６を形成し、軟磁性裏打ち層１０を形成した。軟磁性裏打ち層１０の上に、厚さ５ｎｍのＮｉＦｅＣｒ層２５、厚さ２０ｎｍのＲｕ層２６を形成し、中間層２０を形成した。中間層２０の上に、厚さ１１ｎｍのグラニュラＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２第１記録層３７、厚さを変えたＰｔ結合層３８、厚さ８ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ第２記録層３９を形成し、記録層３０を形成した。第１記録層３７の組成は、［Ｃｏ（７１ａｔ％）Ｃｒ（１３ａｔ％）Ｐｔ（１６ａｔ％）］０．９２（ＳｉＯ２）８，第２記録層３９の組成はＣｏ（６１ａｔ％）Ｃｒ（２０ａｔ％）Ｐｔ（１５ａｔ％）Ｂ（４ａｔ％）である。記録層３０の上に厚さ３ｎｍのＣ保護層４０を形成した。【００５２】
図６Ｂは、Ｐｔ層の厚さに対するＨｃ，Ｈｓの変化を示すグラフである。横軸はＰｔ結合層の厚さを単位ｎｍで示し、縦軸はＨｓ，Ｈｃを単位ｋＯｅで示す。【００５３】
結合層をＰｔで形成した場合は、Ｈｃは結合層の厚さと共に緩やかに減少する。Ｈｓは、結合層の厚さと共に初め減少し、０．８ｎｍ付近で最小値となり、その後結合層の厚さと共に増大する。Ｐｄ結合層の場合同様、結合層の厚さ０．４ｎｍ〜１．１ｎｍの範囲で、Ｐｔ結合層がない場合より総合的に見て優れた磁気記録特性が得られるであろう。厚さ０．４ｎｍ〜１．１ｎｍのＰｔ結合層を採用して、優れた垂直磁気記録媒体を製造できるであろう。【００５４】
なお、厚さ０．４ｎｍ〜１．１ｎｍの範囲であれば、ＰｄまたはＰｔの結合層を採用して、優れた垂直磁気記録媒体を製造できるといえる。ＰｄまたはＰｔで作成した結合層の場合を説明したが、ＰｄとＰｔの合金で結合層を作成しても、同様の効果が期待できるであろう。この場合、厚さ０．４ｎｍ〜１．１ｎｍのＰｄ−Ｐｔ合金結合層で、優れた垂直磁気記録媒体を製造できるであろう。【００５５】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、結合層以外の層構成、層の材料、厚さは種々変更、組み合わせ可能である。その他、種々の変更、置換、改良、組み合わせが可能なことは当業者に自明であろう。
【産業上の利用の可能性】
【００５６】
ＥＣＣ構造を有する垂直磁気記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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