【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板上に、第１絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に多結晶シリコン膜を形成する工程、
（ｃ）前記多結晶シリコン膜の両側の半導体基板に不純物を注入することにより、第１半導体領域を形成する工程、
（ｄ）前記多結晶シリコン膜の側壁に第２絶縁膜を形成する工程、
（ｅ）前記第２絶縁膜の両側の半導体基板に不純物を注入することにより、前記第１半導体領域よりも不純物濃度の高い第２半導体領域を形成する工程、
（ｆ）スパッタエッチングによって、前記第２半導体領域の表面から２．５ｎｍ以下の領域をエッチングする工程、
（ｇ）前記第２半導体領域上に金属膜を形成する工程、
（ｈ）前記金属膜に熱処理を施し、金属シリサイド層を形成する工程、
（ｉ）未反応の前記金属膜を除去する工程、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属シリサイド層は、前記多結晶シリコン膜上および前記第２半導体領域上に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属シリサイド層は、前記第１半導体領域から離れて形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属シリサイド層と、前記第１半導体領域と前記半導体基板の接合面との間のリーク電流を防止することを特徴とする請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２半導体領域と前記半導体基板の接合面は、前記第１半導体領域と前記半導体基板の接合面よりも深い位置に形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ｅ）工程と前記（ｆ）工程の間に、
（ｊ）フッ酸を含む洗浄液を用いて、前記第２半導体領域上を洗浄する工程、
を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
前記スパッタエッチングはアルゴンスパッタエッチングであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
前記金属膜はＣｏ膜であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記金属シリサイド層はＣｏＳｉ2層であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記金属シリサイド層の膜厚は２０ｎｍ以上で４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
前記金属シリサイド層のシート抵抗は５Ω／□以上で１２Ω／□以下であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１絶縁膜、第２絶縁膜、多結晶シリコン膜、第１半導体領域および第２半導体領域によってＭＩＳＦＥＴが構成され、
前記ＭＩＳＦＥＴは、ＳＲＡＭメモリセルを構成することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ＭＩＳＦＥＴは、９０℃での動作テスト時のスタンバイ電流が５μＡ以下であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ＭＩＳＦＥＴは、電池によって駆動されることを特徴とする請求項１〜１３いずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
前記（ｆ）および（ｇ）工程は、同一装置内において行われることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体基板主表面に形成されたＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板上に、前記ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記ゲート絶縁膜上に前記ＭＩＳＦＥＴのゲート電極を形成する工程、
（ｃ）前記ゲート電極の両側の半導体基板に不純物を注入することによって、前記ＭＩＳＦＥＴのソースまたはドレイン領域の一部を構成する第１半導体領域を形成する工程、
（ｄ）前記ゲート電極の側壁にサイドウォールスペーサを形成する工程、
（ｅ）前記サイドウォールスペーサの両側の半導体基板に不純物を注入することによって、前記ＭＩＳＦＥＴのソースまたはドレイン領域の一部を構成し、かつ、前記第１半導体領域よりも不純物濃度の高い第２半導体領域を形成する工程、
（ｆ）前記第２半導体領域の表面から２．５ｎｍ以下の深さの窪みを形成する工程、
（ｇ）前記窪みを含む前記第２半導体領域上に金属膜を形成する工程、
（ｈ）前記金属膜に熱処理を施し、金属シリサイド層を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
前記金属シリサイド層は、前記ゲート電極上および前記窪みを含む前記第２半導体領域上に形成されることを特徴とする請求項１６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
前記金属シリサイド層は、前記第１半導体領域から離れて形成されていることを特徴とする請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】
前記金属シリサイド層と、前記第１半導体領域と前記半導体基板の接合面との間のリーク電流を防止することを特徴とする請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２半導体領域と前記半導体基板の接合面は、前記第１半導体領域と前記半導体基板の接合面よりも深い位置に形成することを特徴とする請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２１】
前記（ｅ）工程と前記（ｆ）工程の間に、
（ｊ）フッ酸を含む洗浄液を用いて、前記第２半導体領域上を洗浄する工程、
を有することを特徴とする請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２２】
前記（ｆ）工程で、前記窪みはスパッタエッチングによって行われることを特徴とする請求項１６〜２１のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２３】
前記（ｆ）工程で、前記スパッタエッチングはアルゴンスパッタエッチングであることを特徴とする請求項２２記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２４】
前記金属膜はＣｏ膜であることを特徴とする請求項１６〜２３のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２５】
前記金属シリサイド層はＣｏＳｉ2膜であることを特徴とする請求項１６〜２４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２６】
前記金属シリサイド層の膜厚は２０ｎｍ以上で４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１６〜２５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２７】
前記金属シリサイド層のシート抵抗は５Ω／□以上で１２Ω／□以下であることを特徴とする請求項１６〜２６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２８】
前記ＭＩＳＦＥＴは、ＳＲＡＭメモリセルを構成することを特徴とする請求項１６〜２８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２９】
前記ＭＩＳＦＥＴは、９０℃での動作テスト時のスタンバイ電流が５μＡ以下であることを特徴とする請求項１６〜２８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３０】
前記ＭＩＳＦＥＴは、電池によって駆動されることを特徴とする請求項１６〜２９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３１】
前記（ｆ）および（ｇ）工程は、同一装置内において行われることを特徴とする請求項１６〜３０のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、ｐ型ウエル３上のゲート電極Ｇの両側にｎ型不純物（リン）を注入することによってｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのソース領域またはドレイン領域の一部を構成するｎ-型半導体領域１３を形成する。このｎ-型半導体領域１３の接合深さは、５０ｎｍ程度である。ここで、ｎ-型半導体領域１３の接合深さとは、半導体基板１の表面からその導電型がｐ型に変わるまでの距離をいう。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
従って、金属シリサイド層の底面に凹凸が生じてしまうと、このソース、ドレイン領域の接合面から金属シリサイド層の底面が突き抜けるもしくは、接合面と金属シリサイド層底面が近接してしまい、リーク電流が生じてしまう。特に、ｎ-型半導体領域１３の接合面から金属シリサイド層の底面が突き抜けるもしくは、接合面と金属シリサイド層底面が近接してしまい、リーク電流が生じてしまう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
逆に、図１５に示すように、スパッタエッチング量を多くしすぎると、半導体基板表面１が深くエッチングされてしまうため、ソース、ドレイン領域の接合面と金属シリサイド層とが接近してしまい、リーク電流が増大する。特に、ｎ-型半導体領域１３の接合面と金属シリサイド層の底面とが近接してしまい、リーク電流が増大する。