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【手続補正書】
【提出日】平成15年12月25日(2003.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともその一部が誘電層で覆われた半導体ウェハの特性を１種類以上判定する特性
判定方法であって、
（ａ）複数の集積回路のパターンが形成され、前記複数の集積回路を相互に離隔する複
数のスクライブラインを備える半導体ウェハを配置し、
（ｂ）弾性変形可能な導電性端部を有するプローブを用い、
（ｃ）少なくとも前記半導体ウェハにおける複数本のスクライブラインのうちの１本の
一部を覆う誘電層に対し、前記少なくとも一部が誘電層で覆われたスクライブラインの１
本に対応する位置で前記プローブ端部を接触させて金属酸化物半導体（MOS）構造を形成
し、
（ｄ）前記MOS構造に電気的刺激を付与し、
（ｅ）前記電気的刺激に対する前記MOS構造の反応を測定し、
（ｆ）前記誘電層、前記半導体ウェハ、前記誘電層及び前記半導体ウェハの間に形成さ
れる境界のうち少なくとも１つに関する少なくとも１種類の特性を前記反応に基づいて判
定する、ことを特徴とする特性判定方法。
【請求項２】
請求項１に記載の特性判定方法において、前記半導体ウェハには、前記プローブ端部が
接触する誘電層の下方に位置する半導体層にイオン注入されたドーパントを含む試験用部
位が形成されることを特徴とする特性判定方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の特性判定方法において、
前記工程（ｄ）では、直流電圧に交流電圧を重畳させた静電容量−電圧（ＣＶ）型の電
気的刺激を付与し、前記直流電圧を第１の開始電圧値と第２の終了電圧値との間で変化さ
せ、
前記工程（ｅ）では、前記直流電圧の変化時に静電容量値を求めることを特徴とする特
性判定方法。
【請求項４】
半導体ウェハの特性を１種類以上判定する特性判定方法であって、
（ａ）複数の集積回路のパターンが形成され、前記複数の集積回路を相互に離隔する複
数のスクライブラインを備える半導体ウェハを配置し、
（ｂ）弾性変形可能な導電性端部を有するプローブを用い、
（ｃ）少なくとも前記半導体ウェハの複数本のスクライブラインのうちの１本の一部に
対して前記プローブ端部を接触させ、
（ｄ）前記プローブ端部と前記半導体ウェハの間に電気的刺激を付与し、
（ｅ）前記電気的刺激に対する前記半導体ウェハの反応を測定し、
（ｆ）前記半導体ウェハの少なくとも1種類の特性を前記反応に基づいて判定すること
を特徴とする特性判定方法。
【請求項５】
請求項４に記載の特性判定方法において、前記プローブ端部は、前記半導体ウェハを含
む半導体層、または、前記半導体ウェハを含む前記半導体層を覆う誘電層と接触すること
を特徴とする特性判定方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の特性判定方法において、
前記工程（ｄ）では、交流電圧を直流電圧に重畳させた静電容量−電圧（ＣＶ）型の電
気的刺激を付与し、
前記工程（ｅ）では、前記直流電圧の変化時に静電容量値を求めることを特徴とする特
性判定方法。
【請求項７】
請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の特性判定方法において、
前記半導体ウェハを含む半導体層は、前記プローブ端部と前記半導体ウェハとの接触部
の下方に位置する前記半導体層にイオン注入されたドーパントを含む試験用部位を形成す
ることを特徴とする特性判定方法。
【請求項８】
請求項３、請求項６、請求項７のいずれかに記載の特性判定方法において、前記工程（
ｆ）では、前記試験用部位の少なくとも一層における前記ドーパントの濃度を、前記求め
た静電容量値及びこの静電容量値を求めた際の電圧の関数として判定することを特徴とす
る特性判定方法。
【請求項９】
請求項８に記載の特性判定方法において、前記工程（ｆ）では、前記試験用部位におけ
る前記ドーパントの注入ドーズ量を、前記試験用部位の複数の層における前記ドーパント
濃度の関数として判定することを特徴とする特性判定方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の特性判定方法において、前記複数の層は、前記試験用部位の表面近傍
を起点に、前記試験用部位表面近傍から前記試験用部位内部へと伸びることを特徴とする
特性判定方法。
【請求項１１】
請求項３及び請求項６〜１０のいずれかに記載の特性判定方法において、前記工程（ｆ
）では、
前記試験用部位における多数キャリアが減少し、前記試験用部位内またはその近傍にお
ける多数キャリアと少数キャリアとの純粋な再結合が平衡状態にあるときに生じる前記試
験用部位の最小静電容量値（Ｃmin）を、前記求めた静電容量値に基づいて判定し、
前記試験用部位が平衡状態のときに前記減少した多数キャリアが存在する前記試験用部
位表面からの距離である前記試験用部位の最大空間電荷深度を前記Ｃminに基づいて判定
し、
前記試験用部位にイオン注入されたドーパントの平均表面濃度を、前記最大空間電荷深
度に基づいて判定することを特徴とする特性判定方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の特性判定方法において、前記求めた静電容量値に基づいて閾値電圧
（Ｖt）を判定することを特徴とする特性判定方法。
【請求項１３】
請求項３に記載の特性判定方法において、
前記工程（ｆ）では、
前記試験用部位における多数キャリアが減少し、前記試験用部位内またはその近傍に
おける多数キャリアと少数キャリアとの純粋な再結合が平衡状態にあるときに生じる前記
試験用部位の最小静電容量値（Ｃmin）を、前記求めた静電容量値に基づいて判定し、
前記試験用部位が平衡状態のときに前記減少した多数キャリアが存在する前記試験用
部位表面からの距離である前記試験用部位の最大空間電荷深度を前記Ｃminに基づいて判
定し、
前記試験用部位にイオン注入されたドーパントの平均表面濃度を、前記最大空間電荷
深度に基づいて判定し、
複数の集積回路のパターンが形成され、前記複数の集積回路を相互に離隔する複数のス
クライブラインを備える別の半導体ウェハを配置し、
少なくとも前記別の半導体ウェハの複数本のスクライブラインのうちの１本の一部を覆
う誘電層に対し、前記少なくとも一部が誘電層で覆われたスクライブラインの１本に対応
する位置で前記プローブ端部を接触させて金属酸化物半導体（MOS）構造を形成し、
前記工程（ｄ）−（ｆ）を前記別の半導体ウェハについて繰返し、
前記半導体ウェハ及び前記別の半導体ウェハの試験用部位にイオン注入されたドーパン
トの平均表面濃度を比較することを特徴とする特性判定方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の特性判定方法において、
前記半導体ウェハ及び前記別の半導体ウェハのイオン注入プロセスが許容値外で変化す
るかどうかを前記平均表面ドーパント濃度の比較結果に基づいて判定することを特徴とす
る特性判定方法。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載の特性判定方法において、前記工程（ｃ）
では前記プローブ端部がその弾性限界内で弾性変形することを特徴とする特性判定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月28日(2003.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電セラミック層（１１）と電極層（１２、１３）とが交互に重ねられて積層体（１８）を形成している
多層構造の圧電エレメントにおいて、
積層体（１８）の少なくとも１つの側面（１９）に、エレメント（１０）の表面（１９）のパシベーション材料の接着力より小さい破断耐性を有するパシベーション材料から成るパシベーション（２０）が形成されている
ことを特徴とする多層構造の圧電エレメント。
【請求項２】
前記パシベーション材料は少なくとも１つのプラスティックから成る、請求項１記載のエレメント。
【請求項３】
前記パシベーション材料はプロセス中に低粘性特性を有する少なくとも１つの材料から成る、請求項１記載のエレメント。
【請求項４】
前記パシベーション材料は少なくとも１つのポリウレタンから成る、請求項１から３までのいずれか１項記載のエレメント。
【請求項５】
前記パシベーション材料はフッ素ベースの少なくとも１つの材料から成る、請求項１から４までのいずれか１項記載のエレメント。
【請求項６】
前記パシベーション材料は少なくとも１つの樹脂から成る、請求項１から５までのいずれか１項記載のエレメント。
【請求項７】
前記パシベーション材料はラテックスのグループのうち少なくとも１つの材料から成る、請求項１から６までのいずれか１項記載のエレメント。
【請求項８】
前記パシベーション材料はポリイミドおよび／またはポリアミドおよび／またはポリメチルアクリレートおよび／またはパリレンのグループのうち少なくとも１つの材料から成る、請求項１から７までのいずれか１項記載のエレメント。
【請求項９】
前記パシベーション材料の流体中の膨潤率は４０％以下である、請求項１から８までのいずれか１項記載のエレメント。
【請求項１０】
前記パシベーション材料は１５０℃以上の持続温度耐性を有する、請求項１から９までのいずれか１項記載のエレメント。
【請求項１１】
前記パシベーション材料はパシベーション材料が少なくとも１つの接合剤を介して積層体（１８）の少なくとも１つの側面（１９）に配置されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載のエレメント。
【請求項１２】
ピエゾアクチュエータまたは圧電変換器として構成されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載のエレメント。
【請求項１３】
ピエゾアクチュエータとしてディーゼル駆動機構内に設けられている、請求項１から１２までのいずれか１項記載のエレメント。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月2日(2005.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたはそれより多くの遷移金属イオン種または希土類金属イオン種を含有する少なくとも１つの媒質を含む広帯域光源において、光エネルギーを注入されたときに、近赤外領域において、少なくとも約１５０〜２５０ｎｍの帯域幅をもつ広い出力スペクトルを発生することを特徴とする光源。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月7日(2005.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作中にそれらの間で温度勾配を示す、少なくとも１つの第１の端と、少なくとも１つの第２の端とを有する少なくとも１つの熱電素子のアレイを形成する複数の熱電素子を備えており、前記少なくとも１つの熱電素子のアレイの少なくとも一部が、前記熱電素子のアレイの少なくとも一部の少なくとも一方の端へのほぼ定常状態の対流式熱輸送を可能とするように構成されている熱発電装置のシステム。
【請求項２】
前記アレイの少なくとも一部を通る少なくとも１種の対流媒体が、前記ほぼ定常状態の対流式熱輸送を提供するものであり、前記少なくとも１種の対流媒体が、通常は前記少なくとも１つの第１の端から前記少なくとも１つの第２の端へ流れるものである請求項１記載の熱発電装置。
【請求項３】
前記少なくとも１種の対流媒体が、前記熱電素子の少なくとも幾つかの内側、その外側、及び／又はその中を流れるものである請求項１記載の熱発電装置。
【請求項４】
前記熱電素子の少なくとも幾つかが透過性である請求項３記載の熱発電装置。
【請求項５】
前記アレイの少なくとも一部が、前記対流媒体の少なくとも一部と、前記少なくとも１つの熱電素子のアレイとの間の熱輸送を改善する少なくとも１つの熱輸送における特徴を備える請求項２〜４の何れかの項に記載の熱発電装置。
【請求項６】
第１の複数の熱電素子が熱輸送のために第１の型に構成されており、第２の複数の熱電素子が対流式熱輸送のために第２の型に構成されている請求項２〜４の何れかの項に記載の熱発電装置。
【請求項７】
前記少なくとも１種の対流媒体の少なくとも一部が、少なくとも１種の熱電素子であり、該対流媒体の熱電材料が、前記熱電素子の少なくとも幾つかを形成している請求項２〜４の何れかの項に記載の熱発電装置。
【請求項８】
前記少なくとも１種の対流媒体が、固体又は流体である請求項２〜４の何れかの項に記載の熱発電装置。
【請求項９】
前記熱電素子の少なくとも幾つかがそれぞれ熱電素子のアレイから形成されている請求項２記載の熱発電装置。
【請求項１０】
コージェネレータの作動流体として前記対流媒体を有し、前記熱発電装置のシステムと共に動作するように構成された少なくとも１つのコージェネレータをさらに含んでいる請求項１記載の熱発電装置。
【請求項１１】
少なくとも幾分か、前記少なくとも１種の対流媒体を用いて動作するように構成された少なくとも１つの加熱又は冷却システムをさらに含んでいる請求項１記載の熱発電装置。
【請求項１２】
熱発電装置のシステムへの熱の導入を通して該熱発電装置のシステムの動作中にそれらの間で少なくとも１つの温度勾配を示す、少なくとも１つの第１の端と、少なくとも１つの第２の端とを有する少なくとも１つの熱電素子のアレイを形成する複数の熱電素子を備えた熱発電装置のシステムにおける効率を改善する方法であって、
前記アレイの少なくとも一部を通して能動的に熱パワーをほぼ定常状態に対流させるステップと、
前記少なくとも１つの熱電素子のアレイからパワーを発生させるステップとを含む方法。
【請求項１３】
前記熱を対流させるステップが、前記少なくとも１つの熱電素子のアレイの少なくとも一部の内側、その外側、及び／又はその中を通して、少なくとも１種の対流媒体を流すステップを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも幾分か、前記少なくとも１種の対流媒体を用いてパワーをコージェネレーティングするステップをさらに含む請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記コージェネレーティングするステップが、少なくとも１つのコージェネレータで、前記少なくとも１種の対流媒体の少なくとも一部を燃焼させるステップを含む請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記コージェネレーティングするステップが、前記少なくとも１種の対流媒体の少なくとも一部を膨張させるステップを含む請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのコージェネレータが、少なくとも１つのタービン発電機を備えている請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの電気化学プロセス部が少なくとも１つの燃料電池プロセスを含む請求項１４記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも幾分か、前記少なくとも１種の対流媒体を用いて加熱又は冷却を行うステップをさらに含む請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のノードを通過する複数の回線を備える通信網のためのフォルトマネジメントシステムを動作する方法であって、該方法は、
複数の前記回線上でテストを実行して回線毎にテストデータの１つまたはそれ以上の要素を得る工程と、
該テストデータを分析して回線を共通の故障特性で識別する工程と、
該共通の故障特性の原因が最も位置する可能性が高いノードを指摘するように、ノード毎に共通の故障特性を有する回線の物理的なクラスタ化の相対的な基準に基づき、ノード毎にスコアを確立する工程と、
を備えている。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、該共通の故障特性は所定の時間内に発生すると予想される故障の特性である。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の方法において、該テストされた特性は回線のワイアの１とバッテリー間の抵抗測定値である。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法において、各ノードにおける各クラスタは分析されて統計的に意味があるか或いはランダムかを判断する。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法において、該故障特性を表わさずかつ該故障特性を表わす回線のクラスタ間に配置された１又はそれ以上の回線の組は分析されて、隣接するクラスタの一部を形成するか否かを判断する。
【請求項６】
複数のノードを通過する複数の回線を備えている通信網のためのフォルトマネジメントシステムは、
複数の前記回線上でテストを実施して、回線毎にテストデータの１つまたはそれ以上の要素を得るよう動作可能な手段と、
該テストデータを分析して、共通の故障特性で回線を識別するよう動作可能な手段と、
該共通の故障特性の原因が最も位置する可能性が高いノードを指摘するように、ノード毎に共通の故障特性を有する回線の物理的なクラスタ化の相対的な基準に基づき、ノード毎にスコアを確立するよう動作可能な手段と、を備えている。
【請求項７】
請求項６記載のシステムにおいて、該共通の故障特性は所定の時間内に発生すると予想される故障の特性である。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載のシステムにおいて、該テストされた特性は回線のワイアの１とバッテリー間の抵抗測定値である。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載のシステムにおいて、各ノードにおける各クラスタは分析されて統計的に意味があるか或いはランダムかを判断する。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載のシステムにおいて、該故障特性を表わさず、かつ該故障特性を表わす回線のクラスタ間に配置された１又はそれ以上の回線の組は、分析されて、隣接するクラスタの一部を形成するか否かを判断する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
故障回線のパーセンテージの増加Ｉは、以下の式に従って計算される。
【数５】
2004526371.tif 000001
優先順位スコアに影響を及ぼす２つのさらなる係数Ｐ１とＰ２がある。これらは、優先順位アルゴリズムの性能を調整するために使用できる加重係数である。第１の加重係数Ｐ１は故障増加加重係数(Fault Increase Weighting Factor)と呼ばれ、本実施形態では１００という値に設定される。Ｉは故障増加率の基準(measure)であり、Ｐ１はＩが優先順位スコアに対して有する影響を支配する。第２の加重係数Ｐ２はグループ化アルゴリズム加重係数(Grouping Algorithm Weighting Factor)と呼ばれ、この実施形態では１０という値に設定される。Ｐ２は、クラスタ値Ｃが優先順位スコアに対して有する影響を支配する。優先順位スコアアルゴリズムは、「０」という値を「１」に変換する「１（One）」と呼ばれる関数も利用する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月18日(2003.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
ベイジアン・ネットワークは、ノードが確率論的変数に対応する有向非巡回グラフ（ＤＡＧ）である。アーク（弧）は、連結された変数間の直接の因果関係を記述する。これらのリンクの強度は、条件付確率分布（ｃｐｄ）によって与えられる。より形式的には、Ｎ個の変数の集合Ω（xi,...,xN）がＤＡＧを定義する場合を考える。各変数xi,,i=1,...,Nに対し、ＤＡＧにおけるΩの変数の部分集合ΠXi、xiの親集合、即ち、xiの祖先が存在し、
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【数２】
2004526372.tif 000001
のように表され、ここで、Ｐ（・｜・）は条件付確率分布を表し、厳密に正である。次に、連鎖法則
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【数３】
2004526372.tif 000002
を使用して、同時確率密度関数（ｐｄｆ）
Ｐ（_i,...,_N）
を与える。この式によると、親集合ΠXiは、ΠXiが与えられているときxi及び｛x1,...,xN｝＼ΠXiが条件付きに独立であるという性質を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【数４】
2004526372.tif 000003
であり、ここで、各要素xi(l)に対して、親集合Πi(l)、所与のレベルlに対する親集合の和、即ち、
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【数５】
2004526372.tif 000004
が存在する。各レベルに関して異なる親集合の間に重なり合いが存在しても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
−チューナと復調器を有する受信ユニット及び第１マイクロコンピュータを有するデジタル受信機、並びに、
−第１マイクロコンピュータを備え、この場合、
−ＭＰＥＧトランスポートストリームに対応するデータが、復調器の出力部に存在し、この場合、
−復調器が、信号処理ユニットに接続されていて、かつデジタル受信機の機器インターフェースを介して追加モジュールに接続されていて、この場合、
−追加モジュールは、第２信号処理ユニットを有し、この第２信号処理ユニットの出力部が、機器インターフェースを介して第１信号処理ユニットに接続されているデジタル無線信号を受信する装置において、
−この装置は、復調器（５）の出力部に接続されているパケット開始検出器（２１）を有すること、
−制御信号が、第１マイクロコンピュータ（７）のパケット開始検出器（２１）に入力可能であること、及び、
−パケット開始インディケータが発生したときに初めて、パケット開始検出器  （２１）が制御信号に応答して第１信号処理ユニット（８）への信号経路を開放することを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
希望のテレビ番組が遠隔制御送信器１６のキーを用いて切替えられると、マイクロコンピュータ７が、希望のテレビ番組に属する特徴データを上述した送信器メモリから読取り、これらのデータをチューナ４，復調器５，パケット開始検出器２１及び信号処理ユニット８の制御に使用する。さらに、マイクロコンピュータ７は、特徴データのうちの特定の特徴データをインターフェース６を通じて追加モジュール１２のマイクロコンピュータ１５に伝送する。例えば、その都度の付随データストリームの識別子や場合によっては暗号化の方式が、インターフェース６を通じてマイクロコンピュータ１５に伝送されるこれらの特徴データに属する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
例えば番組を暗号化されないで伝送される第１のテレビ番組から暗号化されて伝送される第２のテレビ番組に切替えるときは、ダイレクトモードからバイパスモードに切り替える必要がある。ダイレクトモードの場合、ＭＰＥＧデータストリームが、追加モジュール１２を迂回しスイッチＳ１を経由して信号処理ユニット８に直接入力される。バイパスモードの場合、ＭＰＥＧデータストリームが、追加モジュール１２とスイッチＳ２を経由して信号処理ユニット８に入力される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月12日(2005.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数のレンズ（Ｌ６０１〜Ｌ６３０、Ｌ８０１〜Ｌ８１７）、少なくとも１つのフッ化物結晶からのレンズ（１）を持つ対物レンズ（６１１、７１１）、特にマイクロリソグラフィ用投射照明装置（８１）向けの投射対物レンズであって、
少なくとも１つのレンズ（１）が、｛１００｝結晶平面またはフッ化物結晶のそれと等価な結晶平面にほぼ垂直であるレンズ軸（ＥＡ）を持つ（１００）レンズであることを特徴とする対物レンズ（６１１、７１１）。
【請求項２】
それぞれがほぼ主結晶方向に向いているレンズ軸を持つ、フッ化物結晶から成る少なくとも２つのレンズを有していて、
それぞれが方位角αR、開口角θRおよび互いに直交する２つの直線偏光状態における光路差ΔＯＰＬを示す光線を含む光線束が像平面（Ｏ’）の像点に入射する対物レンズ（６１１、７１１）、特にマイクロリソグラフィ用投射照明装置向けの投射対物レンズであって、レンズ軸が同一の主結晶方向に向いていて、レンズ軸の周りに相互に捻れた状態で配置されているのではないレンズと比較して、方位角αRおよび開口角θRの関数としての光線束の光路差分布ΔＯＰＬ（αR、θR）が大幅に低い値を示すように、レンズがレンズ軸の周りに捻れた状態で配置されていることを特徴とする対物レンズ（６１１、７１１）。
【請求項３】
それぞれほぼ主結晶方向を向いたレンズ軸を持つ、フッ化物結晶から成る少なくとも２つのレンズを有する対物レンズ（６１１、７１１）、特にマイクロリソグラフィ用投射照明装置向けの投射対物レンズの製造方法であって、
レンズ軸が同一の主結晶方向に向いていて、レンズ軸の周りに相互に捻れた状態で配置されているのではないレンズに比較して、光線束の光路差分布ΔＯＰＬ（αR、θR）が大幅に低い値を示すように、レンズがレンズ軸の周りに捻れた状態で配置されており、それぞれ方位角αR、開口角θRおよび互いに直交する２つの直線偏光状態における像平面での光路差ΔＯＰＬを示す光線を含む光線束について、レンズにおける光路差分布ΔＯＰＬ（αR、θR）を測定することを特徴とする方法。
【請求項４】
結晶方位が相互に捻れた位置関係の結晶素材、好ましくはフッ化物結晶、特にフッ化カルシウムから成る複数の平板が、光学的に継目なく接合され、特に圧着され、引き続き一様な未加工材として成形加工され、研磨されることを特徴とするレンズ製造方法。
【請求項５】
立方晶系、フッ化物結晶から成る少なくとも２つのレンズを有し、
２つのレンズの各レンズは、＜１１１＞結晶方向またはそれと等価な主結晶方向を向いたレンズ軸を有し、２つのレンズがレンズ軸の周りで互いに６０゜回転させられて配置されていることを特徴とする対物レンズ。
【請求項６】
立方晶系、フッ化物結晶から成る少なくとも２つのレンズを有し、
２つのレンズの各レンズは、＜１１１＞結晶方向またはそれと等価な主結晶方向を向いたレンズ軸を有し、フッ化物結晶の真性複屈折の効果を補償するために２つのレンズがレンズ軸の周りで互いに相対的に回転させられて配置されていることを特徴とする対物レンズ。
【請求項７】
立方晶系、フッ化物結晶から成る少なくとも２つのレンズを有し、
２つのレンズの各レンズは、＜１００＞結晶方向またはそれと等価な主結晶方向を向いたレンズ軸を有し、２つのレンズがレンズ軸の周りで互いに４５゜回転させられて配置されていることを特徴とする対物レンズ。
【請求項８】
立方晶系、フッ化物結晶から成る少なくとも２つのレンズを有し、
２つのレンズの各レンズは、＜１００＞結晶方向またはそれと等価な主結晶方向を向いたレンズ軸を有し、フッ化物結晶の真性複屈折の効果を補償するために２つのレンズがレンズ軸の周りで互いに相対的に回転させられて配置されていることを特徴とする対物レンズ。
【請求項９】
立方晶系、フッ化物結晶からなる少なくとも２つのレンズを有し、
２つのレンズの各レンズは、＜１１１＞結晶方向またはそれと等価な主結晶方向を向いたレンズ軸を有し、２つのレンズがレンズ軸の周りで互いに６０゜回転させられて配置されており
さらに、立方晶系、フッ化物結晶からなる少なくとも他の２つのレンズを有し、
他の２つのレンズの各レンズは、＜１００＞結晶方向またはそれと等価な主結晶方向を向いたレンズ軸を有し、２つのレンズがレンズ軸の周りで互いに４５゜回転させられて配置されていることを特徴とする対物レンズ。
【請求項１０】
立方晶系、フッ化物結晶からなる少なくとも２つのレンズを有し、
２つのレンズの各レンズは、＜１１１＞結晶方向またはそれと等価な主結晶方向を向いたレンズ軸を有し、
さらに、立方晶系、フッ化物結晶からなる少なくとも他の２つのレンズを有し、
他の２つのレンズの各レンズは、レンズ軸が＜１００＞結晶方向またはそれと等価な主結晶方向を向いたレンズ軸を有し、
フッ化物結晶の真性複屈折の効果を補償するために２つのレンズがレンズ軸の周りで互いに相対的に回転させられて配置されていることを特徴とする対物レンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
毎秒３，０００レーザ出力パルスを超えるパルス繰返し率で作動することができる超高繰返し率ガス放電レーザシステムであって、
Ａ）放電領域を形成し、該放電領域で発生する静的圧力低下の大きな割合の部分を回復させるように電極の下流側に徐々に増加する断面を備えたガス流路を含む２つの細長い電極を有する、レーザガスを包含するレーザチャンバと、
Ｂ）毎秒４，０００ガス放電まで及びそれを超える繰返し率又はそれ以上で作動する時に、前記放電領域における各ガス放電に続いて、該放電領域から次のガス放電の前に生成された実質的に全ての放電生成イオンを取り除くために、該放電領域において前記レーザガスの十分なガス移動を生み出すための接線型ファンと、
Ｃ）熱エネルギを前記レーザガスから取り除く熱交換器システムと、
Ｄ）約５ｍＪの範囲の正確に制御されたパルスエネルギにより毎秒４，０００レーザ出力パルスまで及びそれを超える繰返し数でレーザ出力パルスを生成するのに十分な電気パルスを前記電極に供給するパルスパワーシステムと、
Ｅ）全てのパルス又は実質的に全てのパルスのパルスエネルギ、波長、及び帯域幅を測定し、レーザ出力パルスエネルギ及び波長のフィードバック制御を有するレーザビーム測定及び制御システムと、
を含むことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２】
前記チャンバはまた、前記放電領域の上流のガス速度を正常化するための該放電領域の上流のベーン構造を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項３】
前記熱交換器システムは、管状水流通路を有する少なくとも１つの熱交換器を含み、
少なくとも１つの攪拌器が、前記通路に位置する、
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項４】
前記パルスパワーシステムは、充電コンデンサを正確に制御された電圧に充電するための共振充電システムを含み、
前記パルスパワーシステムは、更に、「ｄｅ−Ｑｉｎｇ」回路及びブリード回路を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項５】
前記レーザビーム測定及び制御システムは、エタロンユニットと、フォトダイオードアレーと、プログラム可能論理装置と、レーザ光を該エタロンユニットから該フォトダイオードアレー上に集束させる光学器械とを含み、
前記プログラム可能論理装置は、前記フォトダイオードアレーからのデータを解析し、該フォトダイオードアレー上のエタロン縞の位置を判断するようにプログラムされる、
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項６】
前記測定及び制御システムはまた、前記プログラム可能論理装置により位置が求められた縞データから波長及び帯域幅を計算するようにプログラムされたマイクロプロセッサを含み、
前記マイクロプロセッサは、前記縞の測定に基づいて波長及び帯域幅を計算するアルゴリズムを用いてプログラムされる、
ことを特徴とする請求項５に記載のレーザ。
【請求項７】
少なくとも部分的にＰＺＴ駆動装置によって駆動される同調ミラーを備えたラインナローイングユニットを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項８】
前記同調ミラーはまた、部分的にステッパモータによって駆動されることを特徴とする請求項７に記載のレーザ。
【請求項９】
前記チャンバはまた、レーザガス流の方向に長尺方向を有するほぼ矩形断面を備えたリブを有する電流戻り装置を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１０】
前記チャンバは、陽極と該陽極の２つの側面上に位置決めされた誘電スペーサとを含み、２つの電極間の領域のレーザガスの流れを改善することを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１１】
前記パルスパワーシステムは、インダクタンスの増加をもたらすように選択された長さを有する金属ロッドによりピークコンデンサバンクのコンデンサと前記電極の一方とに電気的に接続されたコロナプレートを含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１２】
Ａ）電極間に放電領域を形成する２つの細長い電極を有し、該放電領域を通るガス流路を有する、レーザガスを包含するレーザチャンバと、
Ｂ）毎秒４，０００ガス放電まで及びそれを超える繰返し率で作動する時に、前記放電領域における各ガス放電に続いて、該放電領域から次のガス放電の前に生成された実質的に全ての放電生成イオンを取り除くために、該放電領域を通る前記レーザガスの十分なガス移動を生み出すためのファンと、
Ｃ）熱エネルギを前記レーザガスから取り除く熱交換器システムと、
Ｄ）正確に制御されたパルスエネルギにより毎秒４，０００レーザ出力パルスまで及びそれを超える繰返し数でレーザ出力パルスを生成するのに十分な電気パルスを前記電極に供給するパルスパワーシステムと、
Ｅ）全てのパルス又は実質的に全てのパルスのパルスエネルギ、波長、及び帯域幅を測定し、レーザ出力のフィードバック制御を有するレーザビーム測定及び制御システムと、
を含み、
前記レーザビーム測定及び制御システムは、干渉縞を生成する光学器械と、干渉縞を表す出力信号を生成する干渉縞光検出器と、該干渉縞光検出器の該出力信号を受け取るプログラム可能論理装置とを含み、
前記プログラム可能論理装置は、前記干渉縞光検出器の前記出力信号を解析して該干渉縞の存在及び位置を判断し、該干渉縞の該存在及び位置を表す出力信号を供給する論理回路を有する、
ことを特徴とするガス放電レーザシステム。
【請求項１３】
前記プログラム可能論理装置の前記出力に接続され、該プログラム可能論理装置の該出力を利用して前記出力レーザパルスの波長及び帯域幅の１つ又はそれ以上を計算するようにプログラムされたコンピュータプロセッサ、
を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
火器に対する銃身アセンブリにおいて、
銃口を有する銃身と、
前記銃身内に軸方向に積重ねられた複数個の管状弾と、
管状弾の間に介在し、圧力に対応して管状弾の間の作動的な銃身閉鎖を達成する閉鎖手段と、及び
銃身の銃口を通って隣接する前方の弾丸と関連する閉鎖手段とを発射するため点火可能な各弾内の選択的に点火可能な発射装薬とを備える、銃身アセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の銃身アセンブリにおいて、各管状弾は開放端を持つ管状本体部をもち、閉鎖部材は隣接する管状本体部の間に挟まれた閉鎖壁部材である、銃身アセンブリ。
【請求項３】
請求項２に記載の銃身アセンブリにおいて、各閉鎖壁部材は延在して銃身の銃腔に接触して銃身に作動的に封止係合する、銃身アセンブリ。
【請求項４】
請求項２に記載の銃身アセンブリにおいて、閉鎖壁部材は隣接する管状弾の端面間に挟まれており、閉鎖壁部材の周辺部は、端面から加わる軸方向の圧縮によって隣接する管状弾の間で外向きに拡がって銃身に作動的に封止係合する、銃身アセンブリ。
【請求項５】
請求項２に記載の銃身アセンブリにおいて、閉鎖壁部材は隣接する管状弾の端面と封止係合を形成する、銃身アセンブリ。
【請求項６】
請求項４に記載の銃身アセンブリにおいて、隣接する管状弾の端面は、挟まれた閉鎖壁部材の周辺部で夫々の相補的なくさび面に係合するように形成されている、銃身アセンブリ。
【請求項７】
請求項２に記載の銃身アセンブリにおいて、管状弾は相互に突き合わせとなる又は密に隣接する相補的な外側端壁部を持ち、閉鎖壁部材は内側及び外側の壁部間に挟まれている、銃身アセンブリ。
【請求項８】
請求項７に記載の銃身アセンブリにおいて、隣接する管状弾の端面は、半径方向及び／又は銃身軸の斜め方向に延在している、銃身アセンブリ。
【請求項９】
請求項７に記載の銃身アセンブリにおいて、前記外側端壁部と前記内側端壁部は、隣接する弾の間に入れ子式係合をもたらすように相互に軸方向に離隔している、銃身アセンブリ。
【請求項１０】
請求項９に記載の銃身アセンブリにおいて、隣接する弾の入れ子部分は、外向きに拡がって隣接する入れ子部分又は銃身に封止係合できる薄い壁部分を有している、銃身アセンブリ。
【請求項１１】
請求項２に記載の銃身アセンブリにおいて、挟まれた各封鎖壁部材はその前面に対する発射装薬の圧力に反応して、隣接する後方の弾に内蔵された装薬の噴き出し点火に対する封止となる、銃身アセンブリ。
【請求項１２】
請求項１に記載の銃身アセンブリにおいて、選択的に点火可能な各発射装薬は、弾の周りに延在し、銃身を通して突出する夫々の電気コンタクトに接触する一対の離間した環状コンタクトに接続する電気作動の雷管を有している、銃身アセンブリ。
【請求項１３】
請求項１に記載の銃身アセンブリにおいて、環状弾は、管状本体に対し夫々の封鎖を収束して形成する外向きに収束する壁セグメントをもつ管状本体を有している、銃身アセンブリ。
【請求項１４】
請求項１に記載の銃身アセンブリにおいて、銃身内の先頭の弾以外の各弾は、発射装薬を有し、先頭の弾は次の弾の発射装薬が点火した時に銃身から発射される、銃身アセンブリ。
【請求項１５】
請求項１４に記載の銃身アセンブリにおいて、発射装薬の点火による圧力により、後方の弾の前方端にある壁セグメントが開放される、銃身アセンブリ。
【請求項１６】
火器又は弾薬の銃身アセンブリから発射する弾において、該弾は、
前記銃身アセンブリの銃身に装填された開放端付き管状本体と、
前記管状本体と隣接する弾の間に介在配置され、圧力に反応して弾の間に閉鎖を形成する閉鎖部材と、及び
隣接する前方の弾を銃身の銃口を通って発射するため管状本体内に選択的に点火可能な発射装薬とを備える、弾。
【請求項１７】
請求項１６に記載の弾において、閉鎖部材は隣接する弾の端面の間に挟まれ、壁部材の周辺部は、使用時に端面に加わる軸方向圧力によって隣接する弾の間で外向きに拡がって銃身に作動的に封止係合する、弾。
【請求項１８】
請求項１７に記載の弾において、隣接する管状弾の端面は、挟まれた閉鎖部材の周辺部で夫々の相補的なくさび面に係合するように形成されている、弾。
【請求項１９】
請求項１に記載の弾において、管状本体は隣接する弾と入れ子式係合するような端面をもっている、弾。
【請求項２０】
請求項１６に記載の弾において、封鎖壁部材は、銃身に装填された時隣接する弾に設けられた閉鎖壁部材に突き合わせになる、弾。
【請求項２１】
使用時に火器の銃身内に積み重ねた弾丸の部分を形成する管状本体と、
本体の後方端にあり、圧力に対応して積み重ね内の隣接する後方の弾丸又は銃身と封止係合を形成する閉鎖と、
本体内にあり、隣接する前方の弾と夫々の閉鎖を銃身から発射するため点火可能な発射薬とを備えた、火器用の弾。
【請求項２２】
請求項２１に記載の弾において、使用時に閉鎖は夫々の発射装薬の点火によって発生する圧力に反応する、火器用の弾。
【請求項２３】
請求項２１に記載の弾において、閉鎖は反応して後方の弾丸の管状本体に封止を形成する、火器用の弾。
【請求項２４】
請求項２１に記載の弾において、閉鎖は反応して銃身に封止を形成する、火器用の弾。
【請求項２５】
軸方向に積重ねられた管状弾を有する銃身と、
管状本体、本体の後方端にある閉鎖及び本体内の発射装薬を有するほぼ全ての弾とを備え、
各封鎖は夫々の発射装薬の点火に応答して管状本体に封止を形成する、武器用の銃身アセンブリ。
【請求項２６】
請求項２５に記載の銃身アセンブリにおいて、積み重ね内の前方の弾は発射装薬を内蔵していない、銃身アセンブリ。
【請求項２７】
請求項２５に記載の銃身アセンブリにおいて、管状本体は一つ以上の相補的な面で封鎖に係合する、銃身アセンブリ。
【請求項２８】
請求項２５に記載の銃身アセンブリにおいて、各封鎖は夫々の発射装薬の点火に反応して銃身に封止を形成する、銃身アセンブリ。
【請求項２９】
請求項２５に記載の銃身アセンブリにおいて、各管状弾は、開放端付き管状本体を有し、閉鎖手段は隣接する弾の開放端の間の壁に形成されている、銃身アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月5日(2003.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微生物の存在についての液体炭化水素燃料の分析方法であって、該方法は、該微生物の存在または非存在を検出するために、乳化剤を含む水性希釈物と燃料サンプルを混合すること、および該炭化水素燃料と接触して増殖した該微生物に対して惹起されたかまたは該炭化水素燃料と接触して増殖した該微生物の代謝物もしくは分解産物に対して惹起された抗体とその混合物またはその一相を接触させることを包含する。
【請求項２】
前記方法が、抗体との接触の前に、燃料と水性希釈物を激しく混合することを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記乳化剤が非イオン性界面活性剤である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記乳化剤がポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノラウレートである、先の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記乳化剤が０．０１〜１０容量％の濃度で使用される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記炭化水素燃料が３９０℃未満の沸点を有する軽質−中間留分燃料である、先の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記微生物がＨｏｒｍｏｃｏｎｉｓ  ｒｅｓｉｎａｅである、先の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
炭化水素燃料中で増殖し得る微生物に特異的な抗原のサンプル；該炭化水素燃料と接触して増殖した微生物から調製された抗原；該抗原に反応性の抗体；および乳化剤を含む水性希釈液を備える、先の請求項にいずれかに記載の方法における使用のためのキット。
【請求項９】
液体炭化水素燃料中で増殖した微生物の代謝物または誘導体への暴露によって調製された抗体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプロセスの比質量分析方法であって、
被分析物を有する試料を準備する工程と、
被分析物に関する同位体濃縮スパイクを準備する工程と、
スパイクを試料に加えて、それらを平衡にする工程と、
大気圧イオン化法によって、平衡状態のスパイクと試料からイオンを作り出す工程と、
イオンを質量分析計に導入して、質量分析計が被分析物の応答とスパイクの応答とを示す工程と、
プロセッサにて、被分析物の応答とスパイクの応答の比を用いて試料の被分析物の量を決定する工程とを含んでいる方法。
【請求項２】
試料を準備する工程は、液体試料を準備する工程である、請求項１のインプロセスの比質量分析方法。
【請求項３】
液体試料を準備する工程は、水性試料を準備する工程である、請求項２のインプロセスの比質量分析方法。
【請求項４】
試料を準備する工程は、１又は複数の不純物として被分析物がある試料を準備する工程である、請求項１のインプロセスの比質量分析方法。
【請求項５】
インプロセスの比質量分析装置であって、
被分析物を有する試料を受け取るように構成された試料を受け取る装置と、
少なくとも１つの同位体濃縮スパイクを試料に導入して、それらを平衡にするスパイク導入装置と、
平衡になった試料とスパイクを受け取り、それらをイオン化する大気圧イオン発生器と、
イオンを受け取って処理して、被分析物の応答とスパイクの応答とを示す質量分析計と、
被分析物の応答とスパイクの応答の比を用いて試料の被分析物の量を決定するプロセッサとを具えている装置。
【請求項６】
試料を分析し、該試料の分析情報をプロセッサに送達する試料分析器をさらに含んでいる、請求項５のインプロセスの比質量分析装置。
【請求項７】
プロセッサによって処理された情報を受信し、装置の他の部分へフィードバックするコントローラをさらに含んでいる、請求項６のインプロセスの比質量分析装置。
【請求項８】
試料が大気圧イオナイザーに入る前に、コントローラからの信号に応答して試料の特性を変化させる試料改質装置をさらに含んでいる、請求項５のインプロセスの比質量分析装置。
【請求項９】
コントローラは、試料を受け取る装置、スパイク導入装置、試料改質装置、大気圧イオン発生器及び質量分析計の動作を調整する、請求項８のインプロセスの比質量分析装置。
【請求項１０】
試料改質装置と大気圧イオン発生器の間に配備された溶液処理装置と、
溶液処理装置に連繋されており、大気圧イオン発生器へ送る前に、平衡である試料とスパイクを予め濃縮する少なくとも１つのクロマトグラフとをさらに含んでいる、請求項９のインプロセスの比質量分析装置。
【請求項１１】
クロマトグラフは、液体クロマトグラフ及び気体クロマトグラフからなる群から選択される、請求項１０のインプロセスの比質量分析装置。
【請求項１２】
試料を受け取る装置は、化学改質装置に連通する出口導管を有するスパイク導入装置に連通する第１の出口導管と、化学改質装置に連通する第２の導管とを有している、請求項１０のインプロセスの比質量分析装置。
【請求項１３】
大気圧イオン発生器はエレクトロスプレーイオナイザーである、請求項５のインプロセスの比質量分析装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
大気圧イオン化(ＡＰＩ)技術として、エレクトロスプレー(ＥＳ)イオン化と大気圧化学イオン化(ＡＰＣＩ)がある。この技術は、ペプチド、蛋白質、核酸、炭水化物のような生物分子の特性を明らかにするために広く使用されされている［Cole, R. B. Electrospray Ionization Mass Spectrometry: Fundamentals Instrumentation & Applications; John Wiley & Sons, Inc.: New York, 1997を参照のこと］。これはまた、無機金属イオン、有機金属イオン及び錯金属イオンの存在を定性的に決定するために使用されるが、その情報を定量化することは、大きな問題を残したままである。化学的ノイズ及び信号抑制(マトリックス効果)による高いバックグラウンドは、多くの被分析物の定量化に対する上限界因子となる［Stewart, I.I., Electrospray Mass Spectrometry: a Tool for Elemental Speciation, Spectrochim. Acta. Part-B. (1999)  54B 1649-1695を参照のこと］。衝突誘起解離(ＣＩＤ)は、エネルギー的衝突を生成し、質量スペクトルを単純化し、バックグラウンドを低下させ、感度を増加させる。しかしながら、安定な運転は、溶液伝導度の狭い範囲で限定され、定量化の間、固有の非線形信号応答を起こす。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
光学的観察によって液体標本の光学分析を実行するための装置に使用する試験チャンバーを収容し、装置はカートリッジを受容し、カートリッジの試験チャンバーを装置の観察野に配置して試験チャンバー内の液体の分析を可能にするレセプタクルを有し、装置はレセプタクルの反対側に配置された少なくとも２つの磁極を有して磁場をカートリッジに印加し、カートリッジは、
磁極の間で装置のレセプタクルに滑走可能に嵌合して試験チャンバーを極の磁場中に配置するように適合させた半透明プラスチック製の筐体、筐体は装置の観察野に配置するように適合された平坦なランド面を持つドーム状断面を有し、
平坦なランド面の下にあり、そこに液体が挿入されるとき垂直に配置されるように適合された長軸を有する試験チャンバーであって、試験チャンバーの上方に前房、試験チャンバーと前房との間にインレット、およびインレット近傍に位置する満水線を有する該試験チャンバー、満水線は試験チャンバーに挿入された液体の液面によって定められ；
インレットに密閉するように収まってそれを閉鎖するように適合された第１シールを有するストッパー、ストッパーは第１シールがインレットを閉鎖する前に満水線の下方の試験チャンバーのインレットに入るように適合された末端を有し、末端はインレットを通って液体を上に排出し、第１シールがインレットを閉鎖する前に液体の液面を前房に配置するのに十分な厚みを有し、第１シールはインレットに収められることにより、試験チャンバー内の空気捕捉を排除し；
第１シールを収めることにより排除されるであろう一定量の液体を受容するためのオーバーフロー受けを形成する容積を有する前房；および
前房内における第１シールから離れた第２シール、第１および第２のシールはこれらの間にオーバーフロー受けを画定し、第２シールはカートリッジから第２シールを通過するいずれのオーバーフロー液体の移動をも排除する；
を含む該カートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図１に概略的に示されるシステムはオーディオおよびデータ記憶技術の分野で知られているコンパクトディスクを読み出すのに用いられるものと同様の光学トラッキングビーム分析コンポーネント３０を含む。簡単に言えば、一対のレーザダイオードが光３１および３２の平行ビームを発する。一方のビームは標的部分のラインを位置付け追跡する分析系に用いられる。他方のビームは位置付けられたライン近傍にある収集された標的部分の存在を検出するために用いられる。カートリッジ２１と分析システムの光学エレメントとの間の相対運動は、アパーチャー３４を有するメカニカル並進ユニット３５によって与えられる。分析システムの機能はマイクロプロセッサー（図示せず）によって調整される。トラッキングビーム３１は二色性ミラー３６によって反射され、アパーチャー３４を通り、対物レンズ３７１によってカートリッジ２１の上面に焦点が合わされる。検出ビーム３２は二色性ミラー３７によって反射され、二色性レンズ３６および対物レンズ３７１を通る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
カートリッジ２１は上記米国特許第６,０１３,５３２号に記載されるように、顕微鏡のごとき他の検出装置にも用いることができ、ここに、当該ステージは、カートリッジの表面が顕微鏡の光路中に位置するようにレセプタクル２０を収容する。上記したように、試験チャンバーの向きは水平、垂直または検出装置の計装によって決定されるいずれか角度であってもよい。
図１に示される向きの場合、カートリッジ２１はドーム状筐体部５１を有し、その反対側に外側に広がるグライド５２および５３を有する。グライド５２および５３は、レセプタクルのガイドウェイ５４に滑り込んで、カートリッジのドーム状筐体部が極２２および２３の下面の下に入るように設計される。両側のガイドウェイ５４の中間に、レセプタクルはスロットすなわちアパーチャー５６を有し、レセプタクルの底部を通る光路を提供する。この光路は、カートリッジがレセプタクル２０内の位置に挿入されたとき、カートリッジの長軸中心線と重なる。カートリッジは、カートリッジをレセプタクルに挿入し、それから取り外すことを可能にするためのハンドル部６１を有する。カートリッジは、蛍光物質無添加のポリカーボネート、ポリスチレンまたはアクリルのごとき非磁性不活性材料製であり、光学分析システムの光路内にまたはそれから操作することができる剛直なチャンバーを備えるように形成される。カートリッジはドーム５１の頂部に平坦ランド面６２を有し、レセプタクルの筐体はランド面６２の下にある試験チャンバーを備える。レセプタクル２０内に配置されたとき、試験チャンバー６３は、レセプタクル２０が搭載された検出装置の光路に沿ってレセプタクルのアパーチャー５６と整列し、この目的のため、ランド面６２は光学的に透明で分析用観察面を与える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004526955.tif 000001