(57)【要約】  表示装置は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれて設けられている発光層と、を備え、前記発光層は、第１半導体物質よりなる多結晶体構造であって、前記多結晶体構造の粒界に前記第１半導体物質とは異なる第２半導体物質が偏析していると共に、前記発光層は、所定範囲を選択的に発光可能な複数の画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を区切る非画素領域とを有する。
2008102559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透明又は半透明である一対の第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれて設けられている発光層と、
を備え、
前記発光層は、第１半導体物質よりなる多結晶体構造であって、前記多結晶体構造の粒界に前記第１半導体物質とは異なる第２半導体物質が偏析していると共に、
前記発光層は、所定範囲を選択的に発光可能な複数の画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を区切る非画素領域とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記画素領域と前記非画素領域とは、前記発光層の同一平面内にわたって周期的に分布しており、且つ、前記画素領域は前記非画素領域によって分割されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記非画素領域は、前記画素領域をストライプ状に区切るように設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の不連続な領域を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の少なくとも一部を区切る前記第１電極又は第２電極の一部分を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記非画素領域は、前記画素領域より高抵抗な領域からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記非画素領域は、真空若しくは不活性ガスを充填した中空領域であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記非画素領域は、絶縁性樹脂を主体とする固体領域であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光層は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｉｎから選択される１又は複数の元素を含み、
前記非画素領域は、前記画素領域とは前記元素の含有濃度が異なることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記発光層は、化合物半導体からなることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記非画素領域は、非晶質領域からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記画素領域は、前記発光層を構成する材料の結晶質領域からなり、前記非画素領域は、前記発光層を構成する材料の非晶質領域からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１半導体物質と前記第２半導体物質とは、互いに異なる伝導型の半導体構造を有することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１半導体物質はｎ型半導体構造を有し、前記第２半導体物質はｐ型半導体構造を有することを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１半導体物質及び前記第２半導体物質は、それぞれ化合物半導体であることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１半導体物質は、第１２族−第１６族間化合物半導体であることを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１半導体物質は、立方晶構造を有することを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１半導体物質は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂからなる群より選択される少なくとも一種の元素を含んでいることを特徴とする請求項１から１７のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１半導体物質よりなる多結晶体構造の平均結晶粒子径は、５〜５００ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１から１８のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第２半導体物質は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかであることを特徴とする請求項１から１９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記第１半導体物質が亜鉛を含む亜鉛系材料であって、
前記電極のうち、少なくとも一方は、亜鉛を含む材料からなる、請求項１から１９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記一方の電極を構成する前記亜鉛を含む材料は、酸化亜鉛を主体とし、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記電極の少なくとも一方に面して支持する支持体基板をさらに備えることを特徴とする請求項１から２２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記電極に対向し、且つ、発光取出し方向前方に色変換層をさらに備えることを特徴とする請求項１から２３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２５】
基板を準備する工程と、
前記基板の上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に発光層を形成する工程と、
前記発光層の一部にレーザアニールを行って、結晶質の画素領域と非結晶質の非画素領域とを画成する工程と、
前記発光層の上に透明又は半透明である第２電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２６】
少なくとも一方が透明又は半透明である一対の第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれて設けられ、ｐ型半導体とｎ型半導体とを有する発光層と、
を備え、
前記発光層は、所定範囲を選択的に発光可能な複数の画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を区切る非画素領域とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２７】
前記発光層は、ｐ型半導体の媒体の中にｎ型半導体粒子が分散して構成されていることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２８】
前記発光層は、ｎ型半導体粒子の集合体で構成され、該粒子間にｐ型半導体が偏析していることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２９】
前記ｎ型半導体粒子は、前記ｐ型半導体を介して前記第１及び第２電極と電気的に接合されていることを特徴とする請求項２８に記載の表示装置。
【請求項３０】
前記画素領域と前記非画素領域とは、前記発光層の同一平面内にわたって周期的に分布しており、且つ、前記画素領域は前記非画素領域によって分割されていることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項３１】
前記非画素領域は、前記画素領域をストライプ状に区切るように設けられていることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項３２】
前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の不連続な領域を含むことを特徴とする請求項２６から３１のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項３３】
前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の少なくとも一部を区切る前記第１電極又は第２電極の一部分を含むことを特徴とする請求項２６から３１のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項３４】
前記非画素領域は、前記画素領域より高抵抗な領域からなることを特徴とする請求項２６から３１のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項３５】
前記非画素領域は、真空若しくは不活性ガスを充填した中空領域であることを特徴とする請求項３４に記載の表示装置。
【請求項３６】
前記非画素領域は、絶縁性樹脂を主体とする固体領域であることを特徴とする請求項３４に記載の表示装置。
【請求項３７】
前記非画素領域は、非晶質領域からなることを特徴とする請求項２６から３４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項３８】
前記画素領域は、前記発光層を構成する材料の結晶質領域からなり、前記非画素領域は、前記発光層を構成する材料の非晶質領域からなることを特徴とする請求項２６から３４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項３９】
前記ｎ型半導体粒子及び前記ｐ型半導体は、それぞれ化合物半導体であることを特徴とする請求項２６から３８のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４０】
前記ｎ型半導体粒子は、第１２族−第１６族間化合物半導体であることを特徴とする請求項２６から３９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４１】
前記ｎ型半導体粒子は、第１３族−第１５族間化合物半導体であることを特徴とする請求項２６から３９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４２】
前記ｎ型半導体粒子は、カルコパイライト型化合物半導体であることを特徴とする請求項２６から３９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４３】
前記ｎ型半導体粒子は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかであることを特徴とする請求項２６から３９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４４】
前記ｎ型半導体粒子が亜鉛を含む亜鉛系材料であって、
前記第１の電極又は前記第２の電極のうち、少なくとも一方の電極は、亜鉛を含む材料からなる、請求項２６から４３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４５】
前記一方の電極を構成する前記亜鉛を含む材料は、酸化亜鉛を主体とし、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項４４に記載の表示装置。
【請求項４６】
前記第１の電極又は前記第２の電極の少なくとも一方の電極に面して支持する支持体基板をさらに備えることを特徴とする請求項２６から４５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４７】
前記第１の電極及び前記第２の電極のそれぞれに対向し、且つ、前記発光層からの発光の取出し方向の前方に色変換層をさらに備えることを特徴とする請求項２６から４６のいずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、日本国に２００７年２月２３日に出願した特願２００７−４３９５６号の日本特許出願と、日本国に２００７年２月２７日に出願した特願２００７−４６９８６号の日本特許出願と、を優先権主張の基礎とするものであり、これらの日本特許出願の内容は本願明細書の一部をなすものとしてここに挙げておく。【０００２】
本発明は、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと略記）素子を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、多くの種類の平面型の表示装置の中でも、エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置に期待が集まっている。このＥＬ素子を用いた表示装置は、自発光性を有し、視認性に優れ、視野角が広く、応答性が速いなどの特徴を持つ。また、現在開発されているＥＬ素子には、発光体として無機材料を用いた無機ＥＬ素子と、発光体として有機材料を用いた有機ＥＬ素子がある。【０００４】
硫化亜鉛等の無機蛍光体を発光体とする無機ＥＬ素子は、１０６Ｖ／ｃｍもの高電界で加速された電子が蛍光体の発光中心を衝突励起し、それらが緩和する際に発光する。無機ＥＬ素子には、蛍光体粉末を高分子有機材料等に分散させ、上下に電極を設けた構造の分散型ＥＬ素子と、一対の電極間に二層の誘電体層と、更に誘電体層の間に挟まれた薄膜発光層とを設けた薄膜型ＥＬ素子がある。分散型ＥＬ素子は、製造が容易ではあるが、輝度が低く寿命が短いため、その利用は限られてきた。一方の薄膜型ＥＬ素子では、１９７４年に猪口らによって提案された二重絶縁構造の素子が高い輝度と長寿命を持つことを示し、車載用ディスプレイ等への実用化がなされた（例えば、特許文献１参照。）。【０００５】
以下、従来の無機ＥＬ素子について、図６４を用いて説明する。図６４は、厚膜誘電体５５を用いたＥＬ素子５０の発光面に垂直な方向から見た断面図である。このＥＬ素子５０は、基板５１上に透明電極５２と、薄膜誘電体層５３と、発光層５４と、厚膜誘電体層５５と、背面電極５６とが、この順に積層された構造となっている。発光層５４からの発光は透明電極５２側より取り出す。厚膜誘電体層５５は、発光層５４内を流れる電流を制限する機能を有し、ＥＬ素子５０の絶縁破壊を抑えることが可能であり、且つ、安定な発光特性が得られるように作用する。【０００６】
また、複数のＥＬ素子を２次元配列して表示装置を構成するにあたって、同一の行にわたる複数のＥＬ素子で透明電極を共通として、同一の列にわたる複数のＥＬ素子で背面電極を共通としてもよい。この場合、１本の透明電極は列方向に延在するデータ電極となり、また、１本の背面電極は行方向に延在する走査電極となって、互いに平行な複数のデータ電極と複数の走査電極とが互いに直交するようにストライプ上にパターニングされる。このデータ電極と走査電極のマトリクスで選択された特定の画素に電圧を印加することにより、任意のパターン表示を行うパッシブマトリクス駆動方式の表示装置を得ることができる。【０００７】
しかしながら、前述の無機ＥＬ素子を用いた表示装置をテレビ等の高品位なディスプレイデバイスとして利用する場合、約３００ｃｄ／ｍ２以上の輝度が必要とされ、発光輝度の面で未だ不十分である。また、パッシブマトリクス駆動方式の表示装置の場合、高精細化の進展に伴って走査線数が増えると、さらに輝度が低下することになる。またさらに、前述の無機ＥＬ素子の駆動には通常２００Ｖ前後の交流電圧を数ｋＨｚの高周波で印加する必要があり、薄膜トランジスタ等のアクティブ素子が使えない、駆動回路が高コスト化する、という課題もあり、実用的な課題は残されている。【０００８】
一方、本発明者は、無機ＥＬ素子の低電圧化、高輝度化に向けて、鋭意研究を続けた結果、直流駆動が可能で、且つ従来の無機ＥＬ素子に比べて十分に低い数１０Ｖの電圧で高輝度発光する無機ＥＬ素子を見出した（以下、「直流駆動型無機ＥＬ素子」という。）。【０００９】
【特許文献１】特公昭５２−３３４９１号公報
【特許文献２】特開平９−３２０７６０号公報
【特許文献３】特開平７−５０１９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記直流駆動型無機ＥＬ素子は、従来の発光素子に供される発光層に比べて、抵抗率にして数桁抵抗の低い半導体領域の抵抗率を有する発光層を用いている。このＥＬ素子を単純マトリクス構造の表示装置に適用した場合、特定の画素（Ｃｉ，ｊとする）のみを発光させようとして、走査電極Ｘｉとデータ電極Ｙｊとに発光閾値電圧を印加したとしても、周囲の画素（例えば、Ｃｉ＋１，ｊ）を構成する走査電極Ｘｉ＋１とデータ電極Ｙｊとの間に漏れ電流が流れ、誤発光（以下、このような現象をクロストークという）が生じる場合がある。このように、直流駆動型無機ＥＬ素子には、高輝度化という効果が得られた一方で、新たな実用面での課題が見出された。【００１１】
上記課題に類似の例として、発光体として有機材料を用いた有機ＥＬ素子による単純マトリクス型の表示装置の例が挙げられる。上記特許文献２に記載の技術によれば、有機薄膜ＥＬ素子において、発光時における有機薄膜層での漏れ電流を防止するために、各層の成膜後に表層部からエキシマレーザを照射することによって、１つ若しくは複数の電極層若しくは有機薄膜層をパターニングすることで、マトリクス状の有機薄膜ＥＬ素子のクロストークを防止する方法を提案している。また、直接的な目的は異なるものの類似の方法として、上記特許文献３に記載の技術によれば、従来の無機ＥＬ素子において、各層の成膜後に表層部からフォーカシングされた所望の波長を有するレーザビームを照射することによって、下部誘電体層の一部分を直接的に除去し、且つ、下部誘電体層の上側に積層された発光層、上部誘電体層、透明電極を間接的に除去する方法が開示されている。この方法では、透明電極のストライプ状微細パターンが形成される際に、発光層も同時にパターニングされる。【００１２】
本発明の目的は、低電圧での駆動が可能であり、且つ高輝度、高効率の発光素子を用いた表示装置であって、クロストークを防止し、高品位の表示が可能な表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る表示装置は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれて設けられている発光層と、
を備え、
前記発光層は、第１半導体物質よりなる多結晶体構造であって、前記多結晶体構造の粒界に前記第１半導体物質とは異なる第２半導体物質が偏析していると共に、
前記発光層は、所定範囲を選択的に発光可能な複数の画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を区切る非画素領域とを有することを特徴とする。【００１４】
また、前記画素領域と前記非画素領域とは、前記発光層の同一平面内にわたって周期的に分布しており、且つ、前記画素領域は前記非画素領域によって分割されていてもよい。【００１５】
さらに、前記非画素領域は、前記画素領域をストライプ状に区切るように設けられていてもよい。【００１６】
またさらに、前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の不連続な領域を含んでもよい。【００１７】
また、前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の少なくとも一部を区切る前記第１電極又は第２電極の一部分を含んでもよい。【００１８】
さらに、前記非画素領域は、前記画素領域より高抵抗な領域からなるものであってもよい。【００１９】
またさらに、前記非画素領域は、真空若しくは不活性ガスを充填した中空領域であってもよい。前記非画素領域は、絶縁性樹脂を主体とする固体領域であってもよい。【００２０】
また、前記発光層は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｉｎから選択される１又は複数の元素を含み、
前記非画素領域は、前記画素領域とは前記元素の含有濃度が異なるものであってもよい。【００２１】
さらに、前記発光層は、化合物半導体からなるものであってもよい。【００２２】
また、前記非画素領域は、非晶質領域からなるものであってもよい。【００２３】
さらに、前記画素領域は、前記発光層を構成する材料の結晶質領域からなり、前記非画素領域は、前記発光層を構成する材料の非晶質領域からなるものであってもよい。【００２４】
またさらに、前記第１半導体物質と前記第２半導体物質とは、互いに異なる伝導型の半導体構造を有するものであってもよい。【００２５】
また、前記第１半導体物質はｎ型半導体構造を有し、前記第２半導体物質はｐ型半導体構造を有するものであってもよい。前記第１半導体物質及び前記第２半導体物質は、それぞれ化合物半導体であってもよい。【００２６】
さらに、前記第１半導体物質は、第１２族−第１６族間化合物半導体であってもよい。【００２７】
またさらに、前記第１半導体物質は、立方晶構造を有するものであってもよい。【００２８】
また、前記第１半導体物質は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂからなる群より選択される少なくとも一種の元素を含んでいるものであってもよい。【００２９】
さらに、前記第１半導体物質よりなる多結晶体構造の平均結晶粒子径は、５〜５００ｎｍの範囲にあるものであってもよい。【００３０】
またさらに、前記第２半導体物質は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかであってもよい。【００３１】
また、前記第１半導体物質が亜鉛を含む亜鉛系材料であってもよい。この場合、前記電極のうち、少なくとも一方は、亜鉛を含む材料からなるものであってもよい。【００３２】
さらに、前記一方の電極を構成する前記亜鉛を含む材料は、酸化亜鉛を主体とし、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むものであってもよい。【００３３】
またさらに、前記電極の少なくとも一方に面して支持する支持体基板をさらに備えてもよい。また、前記電極に対向し、且つ、発光取出し方向前方に色変換層をさらに備えてもよい。【００３４】
本発明に係る表示装置の製造方法は、基板を準備する工程と、
前記基板の上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に発光層を形成する工程と、
前記発光層の一部にレーザアニールを行って、結晶質の画素領域と非結晶質の非画素領域とを画成する工程と、
前記発光層の上に透明又は半透明である第２電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。【００３５】
本発明に係る表示装置は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれて設けられ、ｐ型半導体とｎ型半導体とを有する発光層と、
を備え、
前記発光層は、所定範囲を選択的に発光可能な複数の画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を区切る非画素領域とを有することを特徴とする。【００３６】
前記発光層は、ｐ型半導体の媒体の中にｎ型半導体粒子が分散して構成されていてもよい。また、前記発光層は、ｎ型半導体粒子の集合体で構成され、該粒子間にｐ型半導体が偏析していてもよい。【００３７】
また、前記ｎ型半導体粒子は、前記ｐ型半導体を介して前記第１及び第２電極と電気的に接合されていてもよい。【００３８】
さらに、前記画素領域と前記非画素領域とは、前記発光層の同一平面内にわたって周期的に分布しており、且つ、前記画素領域は前記非画素領域によって分割されていてもよい。またさらに、前記非画素領域は、前記画素領域をストライプ状に区切るように設けられていてもよい。【００３９】
また、前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の不連続な領域を含んでもよい。【００４０】
さらに、前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の少なくとも一部を区切る前記第１電極又は第２電極の一部分を含んでもよい。【００４１】
またさらに、前記非画素領域は、前記画素領域より高抵抗な領域からなるものであってもよい。【００４２】
また、前記非画素領域は、真空若しくは不活性ガスを充填した中空領域であってもよい。前記非画素領域は、絶縁性樹脂を主体とする固体領域であってもよい。【００４３】
さらに、前記非画素領域は、非晶質領域からなってもよい。前記画素領域は、前記発光層を構成する材料の結晶質領域からなり、前記非画素領域は、前記発光層を構成する材料の非晶質領域からなるものであってもよい。【００４４】
またさらに、前記ｎ型半導体及び前記ｐ型半導体は、それぞれ化合物半導体であってもよい。前記ｎ型半導体は、第１２族−第１６族間化合物半導体であってもよい。前記ｎ型半導体は、第１３族−第１５族間化合物半導体であってもよい。前記ｎ型半導体は、カルコパイライト型化合物半導体であってもよい。前記ｎ型半導体は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかであってもよい。【００４５】
また、前記ｎ型半導体が亜鉛を含む亜鉛系材料であってもよい。この場合、前記第１の電極又は前記第２の電極のうち、少なくとも一方の電極は、亜鉛を含む材料からなるものであってもよい。【００４６】
さらに、前記一方の電極を構成する前記亜鉛を含む材料は、酸化亜鉛を主体とし、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むものであってもよい。【００４７】
またさらに、前記第１の電極又は前記第２の電極の少なくとも一方の電極に面して支持する支持体基板をさらに備えるものであってもよい。【００４８】
また、前記第１の電極及び前記第２の電極のそれぞれに対向し、且つ、前記発光層からの発光の取出し方向の前方に色変換層をさらに備えてもよい。
【発明の効果】
【００４９】
本発明によれば、低電圧での駆動が可能であり、且つ、高輝度、高効率の発光素子を用いた表示装置であって、クロストークを防止し、高品位の表示が可能な表示装置を提供することができる。【００５０】
本発明に係る表示装置によれば、発光層は、ｎ型半導体物質よりなる多結晶体構造であって、この多結晶体構造の粒界にｐ型半導体物質が偏析した構造を有する。発光層が上記構造を有することによって、粒界に偏析したｐ型半導体物質により正孔の注入性を改善することができ、低電圧で、高輝度で発光し、しかも長寿命の表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図１の表示装置の一つの画素についての構成を示す概略断面図である。
【図３】図２の発光層の拡大図である。
【図４】（ａ）は、ＺｎＳからなる発光層とＡＺＯからなる透明電極（又は、背面電極）との界面付近の模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。
【図５】（ａ）は、比較例として、ＺｎＳからなる発光層とＩＴＯからなる透明電極との界面の模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１３】本発明の実施の形態２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１４】本発明の実施の形態２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１５】本発明の実施の形態３に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１７】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１８】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１９】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図２０】本発明の実施の形態４に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図２２】本発明の実施の形態４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図２３】本発明の実施の形態４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図２４】本発明の実施の形態４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図２５】本発明の実施の形態４に係る表示装置の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態５に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図２７】図２６の発光層３のＡ−Ａ’線に沿った特定金属元素濃度の変化を示すグラフである。
【図２８】本発明の実施の形態５に係る表示装置の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態６に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態７に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３１】本発明の実施の形態８に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３２】本発明の実施の形態９に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３３】本発明の実施の形態９に係る表示装置の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図３４】本発明の実施の形態１０に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３５】本発明の実施の形態１１に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３６】図３５の表示装置の発光層の詳細な構成を示す断面図である。
【図３７】別例の表示装置の断面図である。
【図３８】さらに別例の表示装置の断面図である。
【図３９】（ａ）は、ＺｎＳからなる発光層とＡＺＯからなる透明電極（又は、背面電極）との界面付近の模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。
【図４０】（ａ）は、比較例として、ＺｎＳからなる発光層とＩＴＯからなる透明電極との界面の模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。
【図４１】本発明の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４２】本発明の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４３】本発明の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４４】本発明の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４５】本発明の実施の形態１２に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図４６】本発明の実施の形態１２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４７】本発明の実施の形態１２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４８】本発明の実施の形態１２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４９】本発明の実施の形態１２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５０】本発明の実施の形態１３に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図５１】本発明の実施の形態１３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５２】本発明の実施の形態１３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５３】本発明の実施の形態１３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５４】本発明の実施の形態１３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５５】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図５６】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５７】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５８】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５９】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図６０】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図６１】本発明の実施の形態１５に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図６２】本発明の実施の形態１５に係る表示装置の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図６３】本発明の実施の形態１６に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図６４】従来例の無機ＥＬ素子の発光面に垂直な方向から見た概略断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下、本発明の実施の形態に係る表示装置について添付図面を用いて説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。【００５３】
（実施の形態１）
＜表示装置の概略構成＞
図１は、本実施の形態１に係る表示装置１０の断面構成を示す概略断面図である。図２は、図１の表示装置における一つの画素についての構成を示す概略断面図である。この表示装置１０では、発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極４との間に構成されている。これらを支えるものとして、透明基板１が透明電極２に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極４とは、電源５を介して電気的に接続されている。電源５から電力が供給されると、透明電極２及び背面電極４との間に電位差が生じ、電圧が印加され、発光層３に電流が流れる。そして、透明電極２と背面電極４との間に配設されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２及び透明基板１を透過して表示装置１０の外部に取り出される。本実施の形態においては、電源５として直流電源を用いている。【００５４】
図３は、発光層３の拡大概略図である。この表示装置１０では、発光層３は、図３に示すように、第１半導体物質２１からなる多結晶体構造であって、この多結晶体構造の粒界２２に第２半導体物質２３が偏析した構造を有する。本実施の形態では、第１半導体物質２１は、ｎ型半導体物質であり、第２半導体物質２３は、ｐ型半導体物質である。このように、ｎ型半導体物質の粒界に偏析したｐ型半導体物質により正孔の注入性が改善され、電子と正孔の再結合型発光が効率よく生じ、低電圧で発光が可能であって、且つ、高輝度発光する表示装置１０を実現することができる。【００５５】
また、図１に示すように、この表示装置１０では、発光層３において、選択的に発光可能な複数の画素領域３ａが２次元的に配置されている。各画素領域３ａは、透明電極２と背面電極４との組合せによって選択され、発光させることができる。また、各画素領域３ａは、非画素領域３ｂによって区切られている。この非画素領域３ｂは、発光層３の不連続部分で構成されている。この画素間領域の不連続部分の一部には背面電極４が画素領域３ａを囲むようにして形成されている。さらに、この表示装置１０は、透明電極２と透明基板１との間にカラーフィルタ１７をさらに備えている。このカラーフィルタ１７は、隣り合う画素間の領域にブラックマトリクス１９を備え、ブラックマトリクス１９に囲まれている画素に対応した領域は、発光層３からの発光をＲＧＢ各色毎に選択的に透過する。【００５６】
なお、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、第１の電極及び第２の電極の両方を透明電極にする、背面電極４を黒色電極とする、表示装置１０の全部又は一部を封止する構造を更に備える、発光取出し方向前方であって、カラーフィルタ１７の手前に、発光層３からの発光色を色変換する構造を更に備える等、適宜変更が可能である。【００５７】
以下、この表示装置１０の各構成部材について詳述する。【００５８】
＜基板＞
透明基板１は、その上に形成する各層を支持できるもので、且つ、電気絶縁性の高い材料を用いる。また、発光層３から発せられる光の波長に対し、透過性を有する材料であることが求められる。このような材料としては、例えば、コーニング１７３７等のガラス、石英、セラミック等を用いることができる。通常のガラスに含まれるアルカリイオン等が発光素子へ影響しないように、無アルカリガラスや、ガラス表面にイオンバリア層としてアルミナ等をコートしたソーダライムガラスであってもよい。なお、これらは例示であって、透明基板１の材料は特にこれらに限定されるものではない。また、基板１側から光を取り出さない構成の場合は、上述の光透過性は不要であり、透光性を有していない材料も用いることができる。これらには、表面に絶縁層を有する金属基板やセラミックス基板、シリコンウエハ等がある。【００５９】
＜電極＞
光を取り出す側の透明電極２の材料は、発光層３内で生じた発光を取り出せるように光透過性を有するものであればよく、特に可視光領域において高い透過率を有することが好ましい。また、低抵抗であることが好ましく、更には保護層１８や発光層３との密着性に優れていることが好ましい。透明電極２の材料として、特に好適なものは、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２をドープしたものであり、インジウム錫酸化物ともいう。）やＩｎＺｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等を主体とする金属酸化物、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属薄膜、あるいはポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェンなどの導電性高分子等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。【００６０】
例えば、ＩＴＯは、その透明性を向上させ、あるいは抵抗率を低下させる目的で、スパッタリング法、エレクトロンビーム蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜方法で成膜できる。また成膜後に、抵抗率制御の目的でプラズマ処理などの表面処理を施してもよい。透明電極２の膜厚は、必要とされるシート抵抗値と可視光透過率から決定される。【００６１】
光を取り出さない側の背面電極４には、一般に良く知られている導電材料であればいずれでも適用できる。例えば、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等を主体とする金属酸化物、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属、ポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ〔ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）〕／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）などの導電性高分子、あるいは導電性カーボンなどが用い得る。【００６２】
透明電極２及び背面電極４は、層内に複数の電極をストライプ状に構成されてもよい。さらに、透明電極２（第１の電極）および背面電極４（第２の電極）をともに複数の電極をストライプ状に構成し、第１の電極２の各ストライプ状の電極と第２の電極４のすべてのストライプ状の電極とが、それぞれねじれの位置の関係であり、かつ、第１の電極２の各ストライプ状の電極を発光面に投影したものと第２の電極４のすべてのストライプ状の電極を発光面に投影したものとがそれぞれ交わるように構成してもよい。この場合、第１の電極の各ストライプ状の電極、および、第２の電極の各ストライプ状の電極からそれぞれ選択した電極に電圧を印加することにより、所定位置を発光させることができるディスプレイを構成することが可能となる。【００６３】
＜発光層＞
次に、発光層３について説明する。図３は、発光層３の断面の一部を拡大した概略構成図である。発光層３は、第１半導体物質２１からなる多結晶体構造であって、この多結晶体構造の粒界２２に第２半導体物質２３が偏析した構造を有する。第１半導体物質２１としては、多数キャリアが電子であって、ｎ型伝導を示す半導体材料が用いられる。一方、第２半導体物質２３は、多数キャリアが正孔であって、ｐ型伝導を示す半導体材料が用いられる。また、第１半導体物質２１と第２半導体物質２３とは電気的に接合している。【００６４】
第１半導体物質２１としては、バンドギャップの大きさが近紫外領域から可視光領域（１．７ｅＶから３．６ｅＶ）を有するものが好ましく、さらに近紫外領域から青色領域（２．６ｅＶから３．６ｅＶ）を有するものがより好ましい。具体的には、前述のＺｎＳや、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等の第１２族−第１６族間化合物やこれらの混晶（例えばＺｎＳＳｅ等）、ＣａＳ、ＳｒＳ等の第２族−第１６族間化合物やこれらの混晶（例えばＣａＳＳｅ等）、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ等の第１３族−第１５族間化合物やこれらの混晶（例えばＩｎＧａＮ等）、ＺｎＭｇＳ、ＣａＳＳｅ、ＣａＳｒＳ等の前記化合物の混晶等を用いることができる。またさらに、ＣｕＡｌＳ２等のカルコパイライト型化合物を用いてもよい。またさらに、第１半導体物質２１よりなる多結晶体は、主たる部分が立方晶構造を有しているものが好ましい。またさらに、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂからなる群より選択される１又は複数種の原子もしくはイオンを添加剤として含んでいてもよい。これらの元素の種類によっても、発光層３からの発光色が決定される。【００６５】
一方、第２半導体物質２３としては、Ｃｕ２Ｓ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮを用いることができる。これらの材料にはｐ型伝導を付与するための添加剤として、Ｎ、Ｃｕ、Ｉｎから１種又は複数種の元素を添加剤として含んでいてもよい。【００６６】
本実施の形態１に係る表示装置１０の特徴は、発光層３がｎ型半導体物質２１よりなる多結晶体構造であって、この多結晶体構造の粒界２２にｐ型半導体物質２３が偏析した構造を有する点にある。従来の無機ＥＬでは、発光層の結晶性を高めることで、高電界で加速された電子が散乱されることを防いでいたが、ＺｎＳやＺｎＳｅ等は一般にｎ型伝導を示すため、正孔の供給が十分ではなく、電子と正孔の再結合による高輝度の発光は期待できない。一方で、発光層の結晶粒が成長すると、単結晶でない限り、結晶粒界も一意的に伸びる。高電圧を印加する従来の無機ＥＬ素子では、膜厚方向の粒界が導電パスとなり、耐圧低下を引き起こすという課題も生じる。これに対して、本発明者は、鋭意研究の結果、発光層３をｎ型半導体物質２１よりなる多結晶体構造であって、この多結晶体構造の粒界２２にｐ型半導体物質２３が偏析した構造とすることによって、粒界に偏析したｐ型半導体物質により正孔の注入性が改善されることを見出した。さらに、発光層３中に偏析部を高密度に散在させることで、電子と正孔の再結合型発光が効率よく生じることを見出した。これによって、低電圧で高輝度発光する発光素子を実現することができ、本発明に至ったものである。また、ドナーあるいはアクセプターを導入することにより、自由電子とアクセプターに捕獲された正孔の再結合、自由正孔とドナーに捕獲された電子の再結合、ドナー−アクセプター対発光も同様に可能である。またさらに、他のイオン種が近傍にあることでエネルギー移動による発光も同様に可能である。【００６７】
さらに、発光層３のｎ型半導体粒子２１としてＺｎＳ等の亜鉛系材料を用いる場合には、透明電極２と背面電極４の少なくとも一方には、例えば、ＺｎＯ、ＡＺＯ（酸化亜鉛に例えばアルミをドープしたもの）、ＧＺＯ（酸化亜鉛に、例えばガリウムをドープしたもの）等の亜鉛を含む金属酸化物からなる電極を用いることが好ましい。本発明者は、特定のｎ型半導体粒子２１と特定の透明電極２（又は背面電極４）との組み合わせを採用することによって、高効率に発光させることができることを見出したものである。【００６８】
すなわち、透明電極２（又は背面電極４）における仕事関数について着目すると、ＺｎＯの仕事関数は５．８ｅＶであるのに対して、従来、透明電極として使われてきたＩＴＯ（酸化インジウムスズ）の仕事関数は７．０ｅＶである。一方、発光層３のｎ型半導体粒子２１である亜鉛系材料の仕事関数は５〜６ｅＶであることから、ＩＴＯに比べてＺｎＯの仕事関数は、亜鉛系材料の仕事関数により近いため、発光層３への電子注入性が良いというメリットがある。これは、透明電極２（又は背面電極４）として同様に亜鉛系材料であるＡＺＯ、ＧＺＯを用いた場合も同様である。【００６９】
図４（ａ）は、ＺｎＳからなる発光層３とＡＺＯからなる透明電極２（又は、背面電極４）との界面付近の模式図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。また、図５（ａ）は、比較例として、ＺｎＳからなる発光層３とＩＴＯからなる透明電極との界面の模式図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。【００７０】
図４（ａ）に示すように、上記の好ましい例では、発光層３を構成するｎ型半導体粒子２１が亜鉛系材料（ＺｎＳ）であって、透明電極２（又は、背面電極４）が酸化亜鉛系材料（ＡＺＯ）であることから、透明電極２（又は、背面電極４）と発光層３との界面にできる酸化物は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）となる。さらに、界面では成膜時にドーピング材料（Ａｌ）が拡散し、低抵抗な酸化膜が形成される。また、上記の酸化亜鉛系（ＡＺＯ）の透明電極２（又は背面電極４）は、六方晶の結晶構造をとるが、発光層３を構成するｎ型半導体物質２１である亜鉛系材料（ＺｎＳ）も六方晶または立方晶の結晶構造をとるため、両者の界面では歪が小さくエネルギー障壁が小さくなる。これによって、図４（ｂ）に示すように、ポテンシャルエネルギーの変位が少ない。【００７１】
一方、比較例では、図５（ａ）のように透明電極が亜鉛系材料でないＩＴＯであるため、界面にできた酸化膜（ＺｎＯ）は、ＩＴＯにとって異なる結晶構造を持つことから、その界面におけるエネルギー障壁が大きくなる。したがって、図５（ｂ）に示すように、ポテンシャルエネルギーの変位が界面で大きくなり、発光素子の発光効率が低下する。【００７２】
以上のように、発光層３のｎ型半導体粒子２１として、ＺｎＳ、ＺｎＳｅなどの亜鉛系材料を用いる場合には、酸化亜鉛系材料からなる透明電極２（又は、背面電極４）と組み合わせることにより、発光効率の良い表示装置を提供することができる。【００７３】
なお、上記の例では、亜鉛を含む透明電極２（又は、背面電極４）として、アルミニウムをドープしたＡＺＯとガリウムをドープしたＧＺＯとを例にあげて説明したが、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素のうち少なくとも１種類をドープした酸化亜鉛を用いても同様である。【００７４】
＜製造方法＞
以下、実施の形態１に係る表示装置１０の製造方法の一実施例を説明する。図６〜図９は、本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）透明基板１としてガラス基板を準備する。
（２）ガラス基板１上に、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板１の面に平行な第１方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンと、第１方向と直交する方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配した。
（３）次に、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂ各色毎にこれを繰り返しカラーフィルタ１７を形成する。
（４）次に、カラーフィルタ１７の各着色パターン上に、保護層１８を形成し、さらに保護層１８上にスパッタリング法により透明電極２を形成した。透明電極２としてはＩＴＯを使用し、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。【００７５】
（５）次に、カラーフィルタ１７の保護層１８及び透明電極２上に、平面状の発光層３を形成する。発光層３の形成は次のようにして行った。まず、複数の蒸発源にＺｎＳとＣｕ２Ｓの粉体をそれぞれ投入し、真空中（１０−６Ｔｏｒｒ台）にて、各材料にエレクトロンビームを照射し、成膜する。このとき、基板温度は２００℃とし、ＺｎＳとＣｕ２Ｓを共蒸着する。
（６）成膜後、硫黄雰囲気中、７００℃で約１時間焼成して発光層３を得る。この膜をＸ線回折やＳＥＭによって調べることによって、微小なＺｎＳ結晶粒の多結晶体構造と、その粒界における、ＣｕｘＳの偏析部とが観察される。詳細は明らかではないが、ＺｎＳとＣｕｘＳとの相分離が生じ、前記偏析構造が形成されるものと考えられる（図６）。
（７）次に、発光層３上より、第１方向に延在しているブラックマトリクス１９に向けて、略線状のＹＡＧレーザ２４を間欠的に照射し、発光層３のパターニングを行なった（図７）。なお、ＹＡＧレーザ２４の波長は、光学的に略透明な保護層１８及び発光層３に対しては、バンドギャップに相当する波長よりも長く、保護層１８及び発光層３には余り吸収されないが、その下層に位置するブラックマトリクス１９には吸収され、ブラックマトリクス１９の表層部とともに、保護層１８及び発光層３が除去される（図８）。【００７６】
（８）次に、発光層３上に、スパッタリング法により背面電極４を形成した。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、第２方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。その結果、透明電極２と背面電極４は、カラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
（９）次に、発光層３及び背面電極４上に、絶縁性の保護層１１を形成した。
以上の工程によって、本実施例の表示装置を得た。【００７７】
なお、レーザ２４のスポット形状は略点状であってもよい。この場合、レーザスポットを第１方向及び第２方向に走査することによって、発光層３のパターニングを行なうことができる（図９）。
さらに、レーザ２４を照射すべき領域を開口させたマスクパターンを発光層３に重ね、マスクパターン上から、複数の画素、複数の電極に渡る領域を一括してレーザ照射してもよい。【００７８】
＜効果＞
本実施の形態１に係る表示装置では、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域の発光層３を除去することにより、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層３を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。【００７９】
（実施の形態２）
＜表示装置の概略構成＞
図１０は、本実施の形態２に係る表示装置１０ａの構成を示す概略斜視図である。この表示装置１０ａでは、実施の形態１に係る表示装置と比較して、隣り合う画素間の画素間領域において、発光層３の上層部のみを除去して各画素領域３ａを区切っている点で相違する。発光層３の上層部を除去した領域は、周辺の除去しなかった領域に比べて発光層３の膜厚が相対的に薄く、発光面に平行な方向に相対的に高抵抗化している。【００８０】
＜製造方法＞
以下、実施の形態２に係る表示装置１０ａの製造方法の一実施例を説明する。図１１〜図１４は本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様にガラス基板１上にベタ状に発光層３を形成した（図１１）。
（２）次に、発光層３上から、ストライプ状の透明電極２に対して略平行で、且つ、隣接する透明電極２の間の領域に向けて、略線状のエキシマレーザ２４を照射し、発光層３のパターニングを行なった。（図１２）エキシマレーザ２４は、紫外線領域の比較的に短い波長の光を生成する。この波長ではレーザエネルギーを略透明な発光層３により吸収することができるので、レーザ２４を照射した場所のみ選択的に、局所加熱により発光層３の上層部が除去される（図１３）。
（３）次に、前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と保護層１１とを形成した。背面電極４は、透明電極２とカラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ａを得た。【００８１】
なお、レーザ２４のスポット形状は略点状であってもよい。この場合、レーザスポット２４を第１方向及び第２方向に走査することによって、発光層３のパターニングを行なう（図１４）。
さらに、レーザ２４を照射すべき領域を開口させたマスクパターンを発光層３に重ね、マスクパターン上から、複数の画素、複数の電極に渡る領域を一括してレーザ照射してもよい。【００８２】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置１０ａでは、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域の発光層３を除去し、発光層３が不連続となる領域を形成することにより、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。【００８３】
（実施の形態３）
＜表示装置の概略構成＞
図１５は、本実施の形態３に係る表示装置１０ｂの構成を示す概略断面図である。この表示装置１０ｂでは、実施の形態１に係る表示装置と比較して、隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域において、非画素領域３ｂとしての隔壁２６を形成し、発光層３の中で各画素領域３ａを区分している点で相違する。【００８４】
隔壁２６としては、発光層３に比べて高抵抗の材料を用いることができる。隔壁２６は、例えば、有機材料、無機材料等を用いることができる。この有機材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる。また、無機材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、アルミナ等、あるいは、これらの積層や混合（例えば、無機フィラーを分散したバインダ）等の複合構造であってもよい。隔壁２６の形状は、特に限定されるものではないが、隔壁２６の高さが発光層３の膜厚に対して０．５から１．５倍程度が好ましい。また、隔壁２６の幅は、隣接する透明電極２の間隔に対して０．５から１．５倍程度が好ましい。【００８５】
＜製造方法＞
以下、実施の形態３に係る表示装置１０ｂの製造方法の一実施例を説明する。図１６〜図１９は本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。なお、前述の他の材料からなる発光層についても同様の製造方法が利用可能である。
（１）前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様にガラス基板１上にカラーフィルタ１７を設け、その上に第１の保護層１８を設ける。さらに、第１の保護層１８の上に透明電極２を形成した。透明電極２は、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した（図１６）。
（２）次に、第１の保護層１８上に、隔壁２６を形成した。この隔壁２６の形成は次のようにして行った。まず、アルミナ粉末を分散したガラスペーストをスクリーン印刷により、隣接する透明電極２の間の位置にあって、第１方向に延在するストライプ状にパターン形成した。その後、これを焼成することにより所望のパターンの隔壁２６を得た（図１７）。
（３）次に、前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、透明電極２上に発光層３を形成した。隔壁２６上はメタルマスクによって遮蔽した（図１８）。
（４）次に、前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と第２の保護層１１とを形成した。この背面電極４は、透明電極２とカラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ｂを得た。【００８６】
なお、隔壁２６のパターン形状は、略格子状であってよい。この場合、第２方向に延在する隔壁２６は、隣接する背面電極４の間に位置する（図１９）。
さらに、隔壁２６の形成方法は上記スクリーン印刷法に限定されるものではなく、フォトリソグラフィ法によるエッチング、サンドブラスト法、インクジェット法等を用いることができる。【００８７】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置１０ｂでは、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域に絶縁性樹脂を主体とする隔壁２６を設けて、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層３を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。【００８８】
（実施の形態４）
＜製造方法＞
図２０は、本実施の形態４の表示装置１０ｃの概略構成図である。この表示装置１０ｃでは、実施の形態２に係る表示装置と略同一の構成、形状を呈しているが、その製造方法において異なる。以下、実施の形態４に係る表示装置１０ｃの製造方法の一実施例を説明する。図２１〜図２４は、本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、ガラス基板１上に透明電極２を形成した。この透明電極２は、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。
（２）その後、前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、ベタ状に発光層３を形成した後、感光性レジストを用いてフォトリソグラフィ法によりマスクパターン２８を形成した。このマスクパターン２８は、隣り合う透明電極２の間にあって、第１方向に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて略平行に開口部を設けている（図２１）。
（３）次に、ドライエッチング法によって露出している発光層３の部分を所望の厚みになるまでエッチングした（図２２）。
（４）次に、感光性レジストからなるマスクパターン２８を除去した（図２３）。
（５）その後、前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と保護層１１とを形成した。背面電極４と透明電極２とは、カラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ｃを得た。【００８９】
なお、エッチングする際の感光性レジストによるマスクパターン２８のパターン形状は、上記ストライプ形状に限られず、例えば、略格子状としてもよい。この場合、第２方向に延在する開口部は、隣接する背面電極４の間に位置し、且つ、所定の間隔を隔てて略平行に設けられている（図２４）。
さらに、エッチングの方法は、上記ドライエッチング法に限定されるものではなく、ウェットエッチング法、サンドブラスト法等を用いることができる。【００９０】
またさらに、図２５に実施の形態４の変形例の表示装置１０ｄを示す。この表示装置１０ｄは、実施の形態４に係る表示装置１０ｃに比べて、発光層３の少なくとも一部が除去されるまでエッチングが至っていない点で相違する。この変形例の表示装置１０ｄでは、ウェットエッチングの過程で、発光層３に浸透、拡散したエッチング液が、発光層３内の隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域（非画素領域）３ｂの一部に高抵抗領域３２を形成している。【００９１】
＜効果＞
本実施の形態４に係る表示装置１０ｃでは、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域３ｂに画素領域３ａよりも高抵抗の領域を形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。【００９２】
（実施の形態５）
＜表示装置の概略構成＞
図２６は、本実施の形態５の表示装置２０の概略構成を示す断面図である。この表示装置２０では、発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極４との間に構成されている。これらを支えるものとして、基板１が背面電極４に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極４とは、電源を介して電気的に接続されている。電源から電力が供給されると、透明電極２及び背面電極４との間に電位差が生じ、電圧が印加され、発光層３に電流が流れる。そして、透明電極２と背面電極４とに挟持されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２を透過して表示装置２０の外部に取り出される。本実施の形態に係る表示装置２０においては、電源として直流電源を用いている。また、図２６に示すように透明電極２上に、カラーフィルタ１７をさらに備えている。このカラーフィルタ１７は、隣り合う画素間の領域にブラックマトリクス１９を備え、ブラックマトリクス１９に囲まれている画素に対応した領域は、発光層３からの発光をＲＧＢの色毎に選択的に透過する。【００９３】
一方、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、第１の電極及び第２の電極の両方を透明電極にする、背面電極４を黒色電極とする、表示装置２０の全部又は一部を保護層１１によって封止する構造を更に備える、発光取出し方向前方であって、カラーフィルタ１７の手前に、発光層３からの発光色を色変換する構造（色変換層１６）を更に備える等、適宜変更が可能である。【００９４】
＜製造方法＞
以下、実施の形態５に係る表示装置２０の製造方法の一実施例を説明する。
（１）基板１としてガラス基板を準備する。
（２）次に、基板１上に、スパッタリング法により背面電極４を形成する。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、ガラス基板１の面に平行な第１方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いが平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
（３）次に、ガラス基板１から背面電極４上に、実施の形態１と同様にしてベタ状に発光層３を形成する。
（４）次に、発光層３上の画素に対応する領域３ａに、ドーパント材料をマスキング蒸着した後、アニールによってドーパントを熱拡散させる。これによって、発光層３の面内において、画素領域３ａが高濃度、画素間領域３ｂが低濃度となるドーパント濃度分布を形成する。このときのドーパント濃度分布の様子を図２７に示す。特定のドーパント材料、例えばＺｎ等は発光層の低抵抗化の因子となっている。画素間領域３ｂは、画素領域３ａよりもドーパント濃度が低いため、画素領域３ａよりも抵抗が高くなる。また、同時に発光層３内のホスト物質についても結晶化が進み、非発光再結合中心の密度を減らす効果もある。
（５）次に、発光層３上に、スパッタリング法により透明電極２を形成する。透明電極２としては、ＩＴＯを使用し、ガラス基板１の面に平行であって、前述の第１方向に対して略直交する第２方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いが平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。【００９５】
（６）次に、発光層３から透明電極２上に保護層としてＳｉＮを成膜した後、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板面に平行であって、前述の背面電極４の間隙に第１方向に延在する複数の線上パターンと、隣接する透明電極２の間隙に第２方向に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配する。
（７）次に、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、隣接するブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎にこれを繰り返し、カラーフィルタ１７を形成する。
（８）次に、カラーフィルタ１７上に、エポキシ樹脂を用いて絶縁性の保護層１１を形成する。
以上の工程によって、本実施例のトップエミッション型表示装置２０を得た。【００９６】
なお、アニールの手段としては電気炉等による全体加熱でも、レーザ照射による局所加熱によって行ってもよい。また、図２８に示すようにガラス基板１上に設けたカラーフィルタ１７と色変換層１６とを、接着層３４を介して貼り合わせることにより、別例のトップエミッション型表示装置２０ａを作成することも可能である。【００９７】
＜効果＞
本実施の形態５に係る表示装置２０では、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域の発光層３ｂを画素領域の発光層３ａよりも高抵抗化したことにより、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。【００９８】
（実施の形態６）
＜表示装置の概略構成＞
図２９は、本実施の形態６の表示装置２０ｂの概略構成を示す断面図である。この表示装置２０ｂは発光を透明基板１側から取り出すボトムエミッション型構成である。カラーフィルタ１７及び色変換層１６が発光層３の下層に配置されることを除いては、実施の形態１と実質的に同一の部材を用いることができる。【００９９】
＜製造方法＞
以下、実施の形態６に係る表示装置２０ｂの製造方法の一実施例を説明する。
（１）透明基板１としてガラス基板を準備する。
（２）ガラス基板１上に、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板１の面に平行な第１方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンと、第１方向と直交する方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配する。
（３）次に、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎にこれを繰り返してカラーフィルタ１７を形成する。
（４）次に、カラーフィルタ１７の各着色パターン上に、色変換層１６を形成し、さらに該色変換層１６上にスパッタリング法により透明電極２を形成する。透明電極２としてはＩＴＯを使用し、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成する。
（５）次に、色変換層１６から透明電極２上に、実施の形態１と同様にして、ベタ状に発光層３を形成する。さらに、発光層３上の画素に対応する領域３ａに、ドーパント材料をイオン注入することにより、発光層３面内において、画素領域３ａが高濃度、画素間領域３ｂが低濃度となるドーパント濃度分布を形成する。
（６）次に、発光層３上に、スパッタリング法により背面電極４を形成する。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、第２方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成する。その結果、透明電極２と背面電極４は、カラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
（７）次に、発光層３及び背面電極４上に、エポキシ樹脂を用いて絶縁性の保護層１１を形成した。
以上の工程によって、本実施例のボトムエミッション型表示装置２０ｂを得た。【０１００】
この表示装置２０ｂでは、各画素が発光素子からなり、複数の画素を２次元的に配置して構成されている。この表示装置２０ｂによれば、実施の形態１の表示装置と同様、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。【０１０１】
（実施の形態７）
＜表示装置の概略構成＞
図３０は、本実施の形態７に係る表示装置２０ｃの概略構成を示す断面図である。この表示装置２０ｃは、各画素にスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた基板３８（以下、「ＴＦＴ基板」という。）を用いているアクティブ駆動型の表示装置である。この表示装置２０ｃは、ＴＦＴ基板３８上に、画素毎に設ける背面電極４、ベタ状の発光層３、ベタ状の透明電極２を順次積層して形成する。発光は透明電極２側から取り出すトップエミッション型構成である。ＴＦＴ基板３８を用いていることを除いては、実施の形態１と実質的に同一の部材、同一の製造方法を用いることができる。【０１０２】
この表示装置２０ｃでは、実施の形態１の表示装置と同様、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。【０１０３】
（実施の形態８）
＜表示装置の概略構成＞
図３１は、本実施の形態８に係る表示装置２０ｄの概略構成を示す断面図である。この表示装置２０ｄは、発光をＴＦＴ基板３８側から取り出すボトムエミッション型構成である。カラーフィルタ１７及び色変換層１６が発光層３の下側に配置されているため、実施の形態６と同様に、下層に熱ストレスを加えない製造方法により発光層３のドーパント濃度分布を形成する。この濃度分布形成過程を除いては、実施の形態７と実質的に同一の部材を用いることができる。【０１０４】
この表示装置２０ｄでは、実施の形態１の表示装置と同様、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。【０１０５】
（実施の形態９）
＜表示装置の概略構成＞
図３２は、本実施の形態９に係る表示装置３０の概略構成を示す断面図である。この表示装置３０では、発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極４との間に構成されている。これらを支えるものとして、基板１が背面電極４に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極４とは、電源を介して電気的に接続されている。電源（図示せず）から電力が供給されると、透明電極２及び背面電極４との間に電位差が生じ、電圧が印加され、発光層３に電流が流れる。そして、透明電極２と背面電極４とに挟持されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２を透過して表示装置２０の外部に取り出される。本実施の形態９に係る表示装置３０においては、電源として直流電源を用いている。また、図３２に示すように、透明電極２上に、色変換層１６、カラーフィルタ１７をさらに備えている。このカラーフィルタ１７は、隣り合う画素間の画素間領域に対応してブラックマトリクス１９を備え、ブラックマトリクス１９に囲まれている画素に対応した領域は、発光層３からの発光をＲＧＢの色毎に選択的に透過する。また、色変換層１６は、発光層３からの発光色を長波長光に変換する機能を有しており、例えば、発光層３より青色光が発する場合、色変換層１６にて、青色光が緑色光や赤色光に変換され、外部へ取り出される。【０１０６】
一方、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、第１の電極及び第２の電極の両方を透明電極にする、背面電極４を黒色電極とする、表示装置３０の全部又は一部を保護層１１によって封止する構造を更に備える等、適宜変更が可能である。発光層３からの発光が白色光であれば、色変換層１６を不要とする構成もまた可能である。【０１０７】
＜製造方法＞
以下、実施の形態９に係る表示装置３０の製造方法の一実施例を説明する。
（１）基板１としてガラス基板を準備する。
（２）次に、基板１上に、スパッタリング法により背面電極４を形成する。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、ガラス基板１の面に平行な第１方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いに平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
（３）次に、ガラス基板１から背面電極４上に、実施の形態１と同様にしてベタ状に発光層３を形成する。
（４）次に、発光層３の画素に対応する画素領域３ａにのみレーザアニールを施すことによって、発光層３の面内において、画素領域３ａが結晶質領域、画素間領域３ｂが非晶質領域となる結晶性の分布パターンを形成する。
（５）次に、発光層３上に、スパッタリング法により透明電極２を形成する。透明電極２としては、ＩＴＯを使用し、ガラス基板面に平行であって、前述の第１方向に対して略直交する第２方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いが平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
（６）次に、発光層３乃至透明電極２上に保護層１８としてＳｉＮを成膜した後、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板１の面に平行であって、前述の背面電極４の間隙に第１方向に延在する複数の線上パターンと、透明電極２の間隙に第２方向に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配する。
（７）次に、色変換層１６をインクジェット法にて形成した後、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎にこれを繰り返してカラーフィルタ１７を形成する。
（８）次に、カラーフィルタ１７上に、エポキシ樹脂を用いて絶縁性の保護層１１を形成する。
以上の工程によって、本実施例のトップエミッション型表示装置３０を得た。【０１０８】
なお、図３３に示すようにガラス基板１上に設けたカラーフィルタ１７と色変換層１６を、接着層３４を介して貼り合わせることにより、別例のトップエミッション型表示装置３０ａを作成することも可能である。なお、この場合、透明電極２の上に保護層１８ｂを設け、色変換層１６の上に保護層１８ａを設け、それぞれの保護層１８ａ、１８ｂのいずれかの上に接着層３４を設けて互いに貼り合わせてもよい。また、この接着層３４は、接着剤３５と充填剤３６とからなる。【０１０９】
＜効果＞
本実施の形態９に係る表示装置３０では、発光層３の同一平面内において、画素領域３ａを結晶質領域にして、隣り合う画素間の画素間領域３ｂを非晶質領域にすることにより、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。【０１１０】
（実施の形態１０）
＜表示装置の概略構成＞
図３４は、本実施の形態１０に係る表示装置３０ｂの構成を示す概略断面図である。この表示装置３０ｂは、各画素にスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた基板（以下、「ＴＦＴ基板」という。）３８を用いているアクティブ駆動型の表示装置である。この表示装置３０ｂは、ＴＦＴ基板３８上に、画素毎に設ける背面電極４、ベタ状の発光層３、ベタ状の透明電極２を順次積層して形成する。この表示装置３０ｂは、発光を透明電極２側から取り出すトップエミッション型構成である。ＴＦＴ基板３８を用いていることを除いては、実施の形態１と実質的に同一の部材、同一の製造方法を用いることができる。【０１１１】
この表示装置３０ｂでは、実施の形態１の表示装置と同様、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。【０１１２】
（実施の形態１１）
＜表示装置の概略構成＞
図３５は、本実施の形態１１に係る表示装置１０の構成を示す概略構成図である。この表示装置１０では、発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極４との間に構成されている。これらを支えるものとして、透明基板１が透明電極２に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極４とは、電源５を介して電気的に接続されている。電源５から電力が供給されると、透明電極２及び背面電極４との間に電位差が生じ、電圧が印加され、発光層３に電流が流れる。そして、透明電極２と背面電極４との間に配設されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２及び透明基板１を透過して表示装置１０の外部に取り出される。本実施の形態においては、電源５として直流電源を用いている。【０１１３】
この表示装置１０では、発光層３は、図３６に示すように、ｎ型半導体粒子２１の集合体で構成され、該粒子間にｐ型半導体２３が偏析していることを特徴とする。なお、ここでは、図３６に示すように、基板１の上に透明電極２を設ける場合について説明するが、これに限られず、例えば、図３７の別例の表示装置１０ａに示すように、基板１の上に背面電極４を設け、その上に発光層３、透明電極２を順に積層する構成としてもよい。あるいは、図３８に示す別例の表示装置１０ｂでは、発光層３が、ｐ型半導体２３の媒体の中にｎ型半導体粒子２１が分散して構成されたことを特徴とする。このように、ｎ型半導体粒子とｐ型半導体との界面を多く形成することによって、正孔の注入性が改善され、電子と正孔の再結合型発光が効率よく生じ、低電圧で高輝度発光する面状発光装置を実現することができる。さらに、ｎ型半導体粒子がｐ型半導体を介して電極と電気的に接続されている構成とすることによって、発光効率を向上させることができ、低電圧で発光が可能で、且つ、高輝度発光する表示装置が得られる。【０１１４】
また、この表示装置１０では、発光層３において、選択的に発光可能な複数の画素領域３ａが２次元的に配置されている。各画素領域３ａは、透明電極２と背面電極４との組合せによって選択され、発光させることができる。また、各画素領域３ａは、非画素領域３ｂによって区切られている。この非画素領域３ｂは、発光層３の不連続部分で構成されている。この画素間領域の不連続部分の一部には背面電極４が画素領域３ａを囲むようにして形成されている。さらに、この表示装置１０は、透明電極２と透明基板１との間にカラーフィルタ１７をさらに備えている。このカラーフィルタ１７は、隣り合う画素間の領域にブラックマトリクス１９を備え、ブラックマトリクス１９に囲まれている画素に対応した領域は、発光層３からの発光をＲＧＢ各色毎に選択的に透過する。【０１１５】
なお、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、第１の電極及び第２の電極の両方を透明電極にする、背面電極４を黒色電極とする、表示装置１０の全部又は一部を封止する構造を更に備える、発光取出し方向前方であって、カラーフィルタ１７の手前に、発光層３からの発光色を色変換する構造を更に備える等、適宜変更が可能である。【０１１６】
以下、この表示装置１０の各構成部材について詳述する。【０１１７】
＜基板＞
透明基板１は、その上に形成する各層を支持できるもので、且つ、電気絶縁性の高い材料を用いる。また、発光層３から発せられる光の波長に対し、透過性を有する材料であることが求められる。このような材料としては、例えば、コーニング１７３７等のガラス、石英、セラミック等を用いることができる。通常のガラスに含まれるアルカリイオン等が発光素子へ影響しないように、無アルカリガラスや、ガラス表面にイオンバリア層としてアルミナ等をコートしたソーダライムガラスであってもよい。なお、これらは例示であって、透明基板１の材料は特にこれらに限定されるものではない。また、基板１側から光を取り出さない構成の場合は、上述の光透過性は不要であり、透光性を有していない材料も用いることができる。これらには、表面に絶縁層を有する金属基板やセラミックス基板、シリコンウエハ等がある。【０１１８】
＜電極＞
光を取り出す側の透明電極２の材料は、発光層３内で生じた発光を取り出せるように光透過性を有するものであればよく、特に可視光領域において高い透過率を有することが好ましい。また、低抵抗であることが好ましく、更には保護層１８や発光層３との密着性に優れていることが好ましい。透明電極２の材料として、特に好適なものは、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２をドープしたものであり、インジウム錫酸化物ともいう。）やＩｎＺｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等を主体とする金属酸化物、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属薄膜、あるいはポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェンなどの導電性高分子等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。【０１１９】
例えば、ＩＴＯは、その透明性を向上させ、あるいは抵抗率を低下させる目的で、スパッタリング法、エレクトロンビーム蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜方法で成膜できる。また成膜後に、抵抗率制御の目的でプラズマ処理などの表面処理を施してもよい。透明電極２の膜厚は、必要とされるシート抵抗値と可視光透過率から決定される。【０１２０】
光を取り出さない側の背面電極４には、一般に良く知られている導電材料であればいずれでも適用できる。例えば、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等を主体とする金属酸化物、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属、ポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ〔ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）〕／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）などの導電性高分子、あるいは導電性カーボンなどが用い得る。【０１２１】
透明電極２及び背面電極４は、層内に複数の電極をストライプ状に構成されてもよい。さらに、透明電極２（第１の電極）および背面電極４（第２の電極）をともに複数の電極をストライプ状に構成し、第１の電極２の各ストライプ状の電極と第２の電極４のすべてのストライプ状の電極とが、それぞれねじれの位置の関係であり、かつ、第１の電極２の各ストライプ状の電極を発光面に投影したものと第２の電極４のすべてのストライプ状の電極を発光面に投影したものとがそれぞれ交わるように構成してもよい。この場合、第１の電極の各ストライプ状の電極、および、第２の電極の各ストライプ状の電極からそれぞれ選択した電極に電圧を印加することにより、所定位置を発光させることができるディスプレイを構成することが可能となる。【０１２２】
＜発光層＞
この発光層３は、透明電極２と背面電極４との間に挟持され、次の２つのうち、いずれかの構造を有する。
（ｉ）ｎ型半導体粒子の集合体であって、該粒子間にｐ型半導体２３が偏析した構造（図３６）。なお、上記ｎ型半導体粒子２１の集合体は、それ自体で層を構成している。
（ｉｉ）ｐ型半導体２３の媒体中にｎ型半導体粒子２１が分散した構造（図３８）。
更に、発光層３を構成する各ｎ型半導体粒子２１が、ｐ型半導体２３を介して電極２、４と電気的に接合されていることが好ましい。【０１２３】
＜発光体＞
ｎ型半導体粒子２１の材料は、多数キャリアが電子でありｎ型伝導を示すｎ型半導体材料である。材料としては、第１２族−第１６族間化合物半導体であってもよい。また、第１３族−第１５族間化合物半導体であってもよい。具体的には、光学バンドギャップが可視光の大きさを有する材料であって、例えば、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ、ＧａＰ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＳｒＳ、ＣａＳを母体とし、母体のまま使用するか、あるいは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂからなる群より選択される１又は複数種の原子もしくはイオンを添加剤として含んでいてもよい。これらの元素の種類によっても、発光層２０からの発光色が決定される。【０１２４】
一方、ｐ型半導体２３の材料は、多数キャリアが正孔であり、ｐ型伝導を示すｐ型半導体材料である。このｐ型半導体材料としては、例えば、Ｃｕ２Ｓ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅなどの化合物や、更にＧａＮ，ＩｎＧａＮ等の窒化物である。このｐ型半導体の材料のうち、Ｃｕ２Ｓなどは、本来的にｐ型伝導を示すが、その他の材料は添加剤として窒素、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎから一種以上選択される元素を添加して用いる。また、ｐ型伝導を示すＣｕＧａＳ２、ＣｕＡｌＳ２などのカルコパイライト型化合物を用いても良い。【０１２５】
本実施の形態に係る表示装置１０の特徴は、発光層３が、（ｉ）ｎ型半導体粒子２１の粒子間にｐ型半導体２３が偏析した構造（図３６）、（ｉｉ）ｐ型半導体２３の媒体中にｎ型半導体粒子２１が分散した構造（図３８）のいずれかの構造を有することである。従来例のように、半導体粒子と電気的に接合する媒体がインジウム錫酸化物の場合、電子が半導体粒子に到達して発光することが可能であるが、インジウム錫酸化物の正孔濃度は小さいため、再結合するための正孔が不足する。従って、電子と正孔の再結合による高輝度の発光は期待できない。そこで、本発明者は、特に高輝度で効率良く、しかも連続した発光を得るために、発光層３において、電子の注入とともに正孔を効率良く注入することができる構造に着目した。上記構造を実現するためには、発光体粒子内部または界面に多くの正孔が到達すること、更に電子の注入電極に対向する電極からの正孔の注入が速やかに行われかつ発光体粒子あるいは界面に到達する必要がある。そこで、本発明者は鋭意研究の結果、発光層３の構造として、上記（ｉ）、（ｉｉ）のうち、いずれかの構造とすることによって、ｎ型半導体粒子内部または界面へ電子の注入とともに正孔を効率良く注入することができることを見出した。すなわち、上記各構造の発光層３によれば、電極から注入された電子は、ｐ型半導体２３を通してｎ型半導体粒子２１に到達し、一方、他方の電極から多くの正孔が発光体粒子に到達し、電子と正孔との再結合によって効率よく発光させることができる。これによって、低電圧で高輝度発光する面状発光装置を実現することができ、本発明に至ったものである。また、ドナーあるいはアクセプターを導入することにより、自由電子とアクセプターに捕獲された正孔の再結合、自由正孔とドナーに捕獲された電子の再結合、ドナー−アクセプター対発光も同様に可能である。またさらに、他のイオン種が近傍にあることでエネルギー移動による発光も同様に可能である。【０１２６】
さらに、発光層３のｎ型半導体粒子２１としてＺｎＳ等の亜鉛系材料を用いる場合には、透明電極２と背面電極４の少なくとも一方には、例えば、ＺｎＯ、ＡＺＯ（酸化亜鉛に例えばアルミをドープしたもの）、ＧＺＯ（酸化亜鉛に、例えばガリウムをドープしたもの）等の亜鉛を含む金属酸化物からなる電極を用いることが好ましい。本発明者は、特定のｎ型半導体粒子２１と特定の透明電極２（又は背面電極４）との組み合わせを採用することによって、高効率に発光させることができることを見出したものである。【０１２７】
すなわち、透明電極２（又は背面電極４）における仕事関数について着目すると、ＺｎＯの仕事関数は５．８ｅＶであるのに対して、従来、透明電極として使われてきたＩＴＯ（酸化インジウムスズ）の仕事関数は７．０ｅＶである。一方、発光層３のｎ型半導体粒子２１である亜鉛系材料の仕事関数は５〜６ｅＶであることから、ＩＴＯに比べてＺｎＯの仕事関数は、亜鉛系材料の仕事関数により近いため、発光層３への電子注入性が良いというメリットがある。これは、透明電極２（又は背面電極４）として同様に亜鉛系材料であるＡＺＯ、ＧＺＯを用いた場合も同様である。【０１２８】
図３９（ａ）は、ＺｎＳからなる発光層３とＡＺＯからなる透明電極２（又は、背面電極４）との界面付近の模式図である。図３９（ｂ）は、図３９（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。また、図４０（ａ）は、比較例として、ＺｎＳからなる発光層３とＩＴＯからなる透明電極との界面の模式図である。図４０（ｂ）は、図４０（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。【０１２９】
図３９（ａ）に示すように、上記の好ましい例では、発光層３を構成するｎ型半導体粒子２１が亜鉛系材料（ＺｎＳ）であって、透明電極２（又は、背面電極４）が酸化亜鉛系材料（ＡＺＯ）であることから、透明電極２（又は、背面電極４）と発光層３との界面にできる酸化物は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）となる。さらに、界面では成膜時にドーピング材料（Ａｌ）が拡散し、低抵抗な酸化膜が形成される。また、上記の酸化亜鉛系（ＡＺＯ）の透明電極２（又は背面電極４）は、六方晶の結晶構造をとるが、発光層３を構成するｎ型半導体物質２１である亜鉛系材料（ＺｎＳ）も六方晶または立方晶の結晶構造をとるため、両者の界面では歪が小さくエネルギー障壁が小さくなる。これによって、図３９（ｂ）に示すように、ポテンシャルエネルギーの変位が少ない。【０１３０】
一方、比較例では、図４０（ａ）のように透明電極が亜鉛系材料でないＩＴＯであるため、界面にできた酸化膜（ＺｎＯ）は、ＩＴＯにとって異なる結晶構造を持つことから、その界面におけるエネルギー障壁が大きくなる。したがって、図４０（ｂ）に示すように、ポテンシャルエネルギーの変位が界面で大きくなり、発光素子の発光効率が低下する。【０１３１】
以上のように、発光層３のｎ型半導体粒子２１として、ＺｎＳ、ＺｎＳｅなどの亜鉛系材料を用いる場合には、酸化亜鉛系材料からなる透明電極２（又は、背面電極４）と組み合わせることにより、発光効率の良い表示装置を提供することができる。【０１３２】
なお、上記の例では、亜鉛を含む透明電極２（又は、背面電極４）として、アルミニウムをドープしたＡＺＯとガリウムをドープしたＧＺＯとを例にあげて説明したが、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素のうち少なくとも１種類をドープした酸化亜鉛を用いても同様である。【０１３３】
＜製造方法＞
以下、実施の形態１１に係る表示装置１０の製造方法の一実施例を説明する。図４１〜図４４は、本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）透明基板１としてガラス基板を準備する。
（２）ガラス基板１上に、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板１の面に平行な第１方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンと、第１方向と直交する方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配した。
（３）次に、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂ各色毎にこれを繰り返しカラーフィルタ１７を形成する。
（４）次に、カラーフィルタ１７の各着色パターン上に、保護層１８を形成し、さらに保護層１８上にスパッタリング法により透明電極２を形成した。透明電極２としてはＩＴＯを使用し、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。【０１３４】
（５）次に、カラーフィルタ１７の保護層１８及び透明電極２上に、平面状の発光層３を形成する。発光層３の形成は次のようにして行った。まず、複数の蒸発源にＺｎＳとＣｕ２Ｓの粉体をそれぞれ投入し、真空中（１０−６Ｔｏｒｒ台）にて、各材料にエレクトロンビームを照射し、基板１上に発光層３として成膜する。このとき、基板温度は２００℃とし、ＺｎＳとＣｕ２Ｓを共蒸着する。
（６）発光層３の成膜後、硫黄雰囲気中、７００℃で約１時間焼成する。この膜をＸ線回折やＳＥＭによって調べることによって、微小なＺｎＳ結晶粒の多結晶構造とＣｕＸＳの偏析部とが観察される。詳細は明らかではないが、ＺｎＳとＣｕｘＳとの相分離が生じ、前記偏析構造が形成されたものと考えられる（図４１）。
（７）次に、発光層３上より、第１方向に延在しているブラックマトリクス１９に向けて、略線状のＹＡＧレーザ２４を間欠的に照射し、発光層３のパターニングを行なった（図４２）。なお、ＹＡＧレーザ２４の波長は、光学的に略透明な保護層１８及び発光層３に対しては、バンドギャップに相当する波長よりも長く、保護層１８及び発光層３には余り吸収されないが、その下層に位置するブラックマトリクス１９には吸収され、ブラックマトリクス１９の表層部とともに、保護層１８及び発光層３が除去される（図４３）。【０１３５】
（８）次に、発光層３上に、スパッタリング法により背面電極４を形成した。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、第２方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。その結果、透明電極２と背面電極４は、カラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
（９）次に、発光層３及び背面電極４上に、絶縁性の保護層１１を形成した。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０を得た。【０１３６】
なお、レーザ２４のスポット形状は略点状であってもよい。この場合、レーザスポットを第１方向及び第２方向に走査することによって、発光層３のパターニングを行なうことができる（図４４）。
さらに、レーザ２４を照射すべき領域を開口させたマスクパターンを発光層３に重ね、マスクパターン上から、複数の画素、複数の電極に渡る領域を一括してレーザ照射してもよい。【０１３７】
＜効果＞
本実施の形態１１に係る表示装置では、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域の発光層３を除去することにより、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層３を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。【０１３８】
（実施の形態１２）
＜表示装置の概略構成＞
図４５は、本実施の形態１２に係る表示装置１０ｃの構成を示す概略斜視図である。この表示装置１０ｃでは、実施の形態１１に係る表示装置と比較して、隣り合う画素間の画素間領域において、発光層３の上層部のみを除去して各画素領域３ａを区切っている点で相違する。発光層３の上層部を除去した領域は、周辺の除去しなかった領域に比べて発光層３の膜厚が相対的に薄く、発光面に平行な方向に相対的に高抵抗化している。【０１３９】
＜製造方法＞
以下、実施の形態１２に係る表示装置１０ｃの製造方法の一実施例を説明する。図４６〜図４７は本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様にガラス基板１上にベタ状に発光層３を形成した（図４６）。
（２）次に、発光層３上から、ストライプ状の透明電極２に対して略平行で、且つ、隣接する透明電極２の間の領域に向けて、略線状のエキシマレーザ２４を照射し、発光層３のパターニングを行なった（図４７）。エキシマレーザ２４は、紫外線領域の比較的に短い波長の光を生成する。この波長ではレーザエネルギーを略透明な発光層３により吸収することができるので、レーザ２４を照射した場所のみ選択的に、局所加熱により発光層３の上層部が除去される（図４８）。
（３）次に、前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と保護層１１とを形成した。背面電極４は、透明電極２とカラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ｃを得た。【０１４０】
なお、レーザ２４のスポット形状は略点状であってもよい。この場合、レーザスポット２４を第１方向及び第２方向に走査することによって、発光層３のパターニングを行なう（図４９）。
さらに、レーザ２４を照射すべき領域を開口させたマスクパターンを発光層３に重ね、マスクパターン上から、複数の画素、複数の電極に渡る領域を一括してレーザ照射してもよい。【０１４１】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置１０ｃでは、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域の発光層３を除去し、発光層３が不連続となる領域を形成することにより、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。【０１４２】
（実施の形態１３）
＜表示装置の概略構成＞
図５０は、本実施の形態１３に係る表示装置１０ｄの構成を示す概略断面図である。この表示装置１０ｄでは、実施の形態１１に係る表示装置と比較して、隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域において、非画素領域３ｂとしての隔壁２６を形成し、発光層３の中で各画素領域３ａを区分している点で相違する。【０１４３】
隔壁２６としては、発光層３に比べて高抵抗の材料を用いることができる。隔壁２６は、例えば、有機材料、無機材料等を用いることができる。この有機材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる。また、無機材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、アルミナ等、あるいは、これらの積層や混合（例えば、無機フィラーを分散したバインダ）等の複合構造であってもよい。隔壁２６の形状は、特に限定されるものではないが、隔壁２６の高さが発光層３の膜厚に対して０．５から１．５倍程度が好ましい。また、隔壁２６の幅は、隣接する透明電極２の間隔に対して０．５から１．５倍程度が好ましい。【０１４４】
＜製造方法＞
以下、実施の形態１３に係る表示装置１０ｄの製造方法の一実施例を説明する。図５１〜図５４は本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。なお、前述の他の材料からなる発光層についても同様の製造方法が利用可能である。
（１）前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様にガラス基板１上にカラーフィルタ１７を設け、その上に第１の保護層１８を設ける。さらに、第１の保護層１８の上に透明電極２を形成した。透明電極２は、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した（図５１）。
（２）次に、第１の保護層１８上に、隔壁２６を形成した。この隔壁２６の形成は次のようにして行った。まず、アルミナ粉末を分散したガラスペーストをスクリーン印刷により、隣接する透明電極２の間の位置にあって、第１方向に延在するストライプ状にパターン形成した。その後、これを焼成することにより所望のパターンの隔壁２６を得た（図５２）。
（３）次に、前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、透明電極２上に発光層３を形成した。隔壁２６上はメタルマスクによって遮蔽した（図５３）。
（４）次に、前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と第２の保護層１１とを形成した。この背面電極４は、透明電極２とカラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ｄを得た。【０１４５】
なお、隔壁２６のパターン形状は、略格子状であってよい。この場合、第２方向に延在する隔壁２６は、隣接する背面電極４の間に位置する（図５４）。
さらに、隔壁２６の形成方法は上記スクリーン印刷法に限定されるものではなく、フォトリソグラフィ法によるエッチング、サンドブラスト法、インクジェット法等を用いることができる。【０１４６】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置１０ｄでは、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域に絶縁性樹脂を主体とする隔壁２６を設けて、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層３を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。【０１４７】
（実施の形態１４）
＜製造方法＞
図５５は、本実施の形態１４の表示装置１０ｅの概略構成図である。この表示装置１０ｅでは、実施の形態１２に係る表示装置と略同一の構成、形状を呈しているが、その製造方法において異なる。以下、実施の形態１４に係る表示装置１０ｅの製造方法の一実施例を説明する。図５６〜図６１は、本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、ガラス基板１上に透明電極２を形成した。この透明電極２は、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。
（２）その後、前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、ベタ状に発光層３を形成した後、感光性レジストを用いてフォトリソグラフィ法によりマスクパターン２８を形成した。このマスクパターン２８は、隣り合う透明電極２の間にあって、第１方向に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて略平行に開口部を設けている（図５６）。
（３）次に、ドライエッチング法によって露出している発光層３の部分を所望の厚みになるまでエッチングした（図５７）。
（４）次に、感光性レジストからなるマスクパターン２８を除去した（図５８）。
（５）その後、前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と保護層１１とを形成した。背面電極４と透明電極２とは、カラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ｅを得た。【０１４８】
なお、エッチングする際の感光性レジストによるマスクパターン２８のパターン形状は、上記ストライプ形状に限られず、例えば、略格子状としてもよい。この場合、第２方向に延在する開口部は、隣接する背面電極４の間に位置し、且つ、所定の間隔を隔てて略平行に設けられている（図５９）。
さらに、エッチングの方法は、上記ドライエッチング法に限定されるものではなく、ウェットエッチング法、サンドブラスト法等を用いることができる。【０１４９】
またさらに、図６０に実施の形態１４の変形例の表示装置１０ｆを示す。この表示装置１０ｆは、実施の形態１４に係る表示装置１０ｅに比べて、発光層３の少なくとも一部が除去されるまでエッチングが至っていない点で相違する。この変形例の表示装置１０ｆでは、ウェットエッチングの過程で、発光層３に浸透、拡散したエッチング液が、発光層３内の隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域（非画素領域）３ｂの一部に高抵抗領域３２を形成している。【０１５０】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置では、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域３ｂに画素領域３ａよりも高抵抗の領域を形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。【０１５１】
（実施の形態１５）
＜表示装置の概略構成＞
図６１は、本実施の形態１５に係る表示装置２０の概略構成を示す断面図である。この表示装置２０では、発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極４との間に構成されている。これらを支えるものとして、基板１が背面電極４に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極４とは、電源を介して電気的に接続されている。電源（図示せず）から電力が供給されると、透明電極２及び背面電極４との間に電位差が生じ、電圧が印加され、発光層３に電流が流れる。そして、透明電極２と背面電極４とに挟持されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２を透過して表示装置２０の外部に取り出される。本実施の形態１５に係る表示装置２０においては、電源として直流電源を用いている。また、図６１に示すように、透明電極２上に、色変換層１６、カラーフィルタ１７をさらに備えている。このカラーフィルタ１７は、隣り合う画素間の画素間領域に対応してブラックマトリクス１９を備え、ブラックマトリクス１９に囲まれている画素に対応した領域は、発光層３からの発光をＲＧＢの色毎に選択的に透過する。また、色変換層１６は、発光層３からの発光色を長波長光に変換する機能を有しており、例えば、発光層３より青色光が発する場合、色変換層１６にて、青色光が緑色光や赤色光に変換され、外部へ取り出される。【０１５２】
一方、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、第１の電極及び第２の電極の両方を透明電極にする、背面電極４を黒色電極とする、表示装置２０の全部又は一部を保護層１１によって封止する構造を更に備える等、適宜変更が可能である。発光層３からの発光が白色光であれば、色変換層１６を不要とする構成もまた可能である。【０１５３】
＜製造方法＞
以下、実施の形態１５に係る表示装置２０の製造方法の一実施例を説明する。
（１）基板１としてガラス基板を準備する。
（２）次に、基板１上に、スパッタリング法により背面電極４を形成する。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、ガラス基板１の面に平行な第１方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いに平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
（３）次に、ガラス基板１から背面電極４上に、実施の形態１１と同様にしてベタ状に発光層３を形成する。
（４）次に、発光層３の画素に対応する画素領域３ａにのみレーザアニールを施すことによって、発光層３の面内において、画素領域３ａが結晶質領域、画素間領域３ｂが非晶質領域となる結晶性の分布パターンを形成する。
（５）次に、発光層３上に、スパッタリング法により透明電極２を形成する。透明電極２としては、ＩＴＯを使用し、ガラス基板面に平行であって、前述の第１方向に対して略直交する第２方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いが平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
（６）次に、発光層３乃至透明電極２上に保護層１８としてＳｉＮを成膜した後、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板１の面に平行であって、前述の背面電極４の間隙に第１方向に延在する複数の線上パターンと、透明電極２の間隙に第２方向に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配する。
（７）次に、色変換層１６をインクジェット法にて形成した後、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎にこれを繰り返し、カラーフィルタ１７を形成する。
（８）次に、カラーフィルタ１７上に、エポキシ樹脂を用いて絶縁性の保護層１１を形成する。
以上の工程によって、本実施例のトップエミッション型表示装置２０を得た。【０１５４】
なお、図６２に示すようにガラス基板１上に設けたカラーフィルタ１７と色変換層１６とを、接着層３４を介して貼り合わせることにより、別例のトップエミッション型表示装置２０ａを作成することも可能である。なお、この場合、透明電極２の上に保護層１８ｂを設け、色変換層１６の上に保護層１８ａを設け、それぞれの保護層１８ａ、１８ｂのいずれかの上に接着層３４を設けて互いに貼り合わせてもよい。また、この接着層３４は、接着剤３５と充填剤３６とからなる。【０１５５】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置では、発光層３の同一平面内において、画素領域３ａを結晶質領域にして、隣り合う画素間の画素間領域３ｂを非晶質領域にすることにより、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現した。【０１５６】
（実施の形態１６）
＜表示装置の概略構成＞
図６３は、本実施の形態１６に係る表示装置２０ｂの構成を示す概略断面図である。この表示装置２０ｂは、各画素にスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた基板（以下、「ＴＦＴ基板」という。）３８を用いているアクティブ駆動型の表示装置である。この表示装置２０ｂは、ＴＦＴ基板３８上に、画素毎に設ける背面電極４、ベタ状の発光層３、ベタ状の透明電極２を順次積層して形成する。この表示装置２０ｂは、発光を透明電極２側から取り出すトップエミッション型構成である。ＴＦＴ基板３８を用いていることを除いては、実施の形態１１と実質的に同一の部材、同一の製造方法を用いることができる。【０１５７】
この表示装置２０ｂでは、実施の形態１１の表示装置と同様、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。【０１５８】
上述の通り、本発明は好ましい実施の形態により詳細に説明されているが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的範囲内において多くの好ましい変形例及び修正例が可能であることは当業者にとって自明なことであろう。
【産業上の利用可能性】
【０１５９】
本発明に係る表示装置は、低電圧での駆動が可能であり、且つ、高輝度、高効率の発光素子を用いた表示装置であって、クロストークを防止し、高品位の表示が可能な表示装置を提供するものである。特に、テレビ等の高品位ディスプレイデバイスとして有用である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年7月16日(2009.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、日本国に２００７年２月２３日に出願した特願２００７−４３９５６号の日本特許出願と、日本国に２００７年２月２７日に出願した特願２００７−４６９８６号の日本特許出願と、を優先権主張の基礎とするものであり、これらの日本特許出願の内容は本願明細書の一部をなすものとしてここに挙げておく。
【０００２】
本発明は、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと略記）素子を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、多くの種類の平面型の表示装置の中でも、エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置に期待が集まっている。このＥＬ素子を用いた表示装置は、自発光性を有し、視認性に優れ、視野角が広く、応答性が速いなどの特徴を持つ。また、現在開発されているＥＬ素子には、発光体として無機材料を用いた無機ＥＬ素子と、発光体として有機材料を用いた有機ＥＬ素子がある。
【０００４】
硫化亜鉛等の無機蛍光体を発光体とする無機ＥＬ素子は、１０６Ｖ／ｃｍもの高電界で加速された電子が蛍光体の発光中心を衝突励起し、それらが緩和する際に発光する。無機ＥＬ素子には、蛍光体粉末を高分子有機材料等に分散させ、上下に電極を設けた構造の分散型ＥＬ素子と、一対の電極間に二層の誘電体層と、更に誘電体層の間に挟まれた薄膜発光層とを設けた薄膜型ＥＬ素子がある。分散型ＥＬ素子は、製造が容易ではあるが、輝度が低く寿命が短いため、その利用は限られてきた。一方の薄膜型ＥＬ素子では、１９７４年に猪口らによって提案された二重絶縁構造の素子が高い輝度と長寿命を持つことを示し、車載用ディスプレイ等への実用化がなされた（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
以下、従来の無機ＥＬ素子について、図６４を用いて説明する。図６４は、厚膜誘電体５５を用いたＥＬ素子５０の発光面に垂直な方向から見た断面図である。このＥＬ素子５０は、基板５１上に透明電極５２と、薄膜誘電体層５３と、発光層５４と、厚膜誘電体層５５と、背面電極５６とが、この順に積層された構造となっている。発光層５４からの発光は透明電極５２側より取り出す。厚膜誘電体層５５は、発光層５４内を流れる電流を制限する機能を有し、ＥＬ素子５０の絶縁破壊を抑えることが可能であり、且つ、安定な発光特性が得られるように作用する。
【０００６】
また、複数のＥＬ素子を２次元配列して表示装置を構成するにあたって、同一の行にわたる複数のＥＬ素子で透明電極を共通として、同一の列にわたる複数のＥＬ素子で背面電極を共通としてもよい。この場合、１本の透明電極は列方向に延在するデータ電極となり、また、１本の背面電極は行方向に延在する走査電極となって、互いに平行な複数のデータ電極と複数の走査電極とが互いに直交するようにストライプ上にパターニングされる。このデータ電極と走査電極のマトリクスで選択された特定の画素に電圧を印加することにより、任意のパターン表示を行うパッシブマトリクス駆動方式の表示装置を得ることができる。
【０００７】
しかしながら、前述の無機ＥＬ素子を用いた表示装置をテレビ等の高品位なディスプレイデバイスとして利用する場合、約３００ｃｄ／ｍ２以上の輝度が必要とされ、発光輝度の面で未だ不十分である。また、パッシブマトリクス駆動方式の表示装置の場合、高精細化の進展に伴って走査線数が増えると、さらに輝度が低下することになる。またさらに、前述の無機ＥＬ素子の駆動には通常２００Ｖ前後の交流電圧を数ｋＨｚの高周波で印加する必要があり、薄膜トランジスタ等のアクティブ素子が使えない、駆動回路が高コスト化する、という課題もあり、実用的な課題は残されている。
【０００８】
一方、本発明者は、無機ＥＬ素子の低電圧化、高輝度化に向けて、鋭意研究を続けた結果、直流駆動が可能で、且つ従来の無機ＥＬ素子に比べて十分に低い数１０Ｖの電圧で高輝度発光する無機ＥＬ素子を見出した（以下、「直流駆動型無機ＥＬ素子」という。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特公昭５２−３３４９１号公報
【特許文献２】特開平９−３２０７６０号公報
【特許文献３】特開平７−５０１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記直流駆動型無機ＥＬ素子は、従来の発光素子に供される発光層に比べて、抵抗率にして数桁抵抗の低い半導体領域の抵抗率を有する発光層を用いている。このＥＬ素子を単純マトリクス構造の表示装置に適用した場合、特定の画素（Ｃｉ，ｊとする）のみを発光させようとして、走査電極Ｘｉとデータ電極Ｙｊとに発光閾値電圧を印加したとしても、周囲の画素（例えば、Ｃｉ＋１，ｊ）を構成する走査電極Ｘｉ＋１とデータ電極Ｙｊとの間に漏れ電流が流れ、誤発光（以下、このような現象をクロストークという）が生じる場合がある。このように、直流駆動型無機ＥＬ素子には、高輝度化という効果が得られた一方で、新たな実用面での課題が見出された。
【００１１】
上記課題に類似の例として、発光体として有機材料を用いた有機ＥＬ素子による単純マトリクス型の表示装置の例が挙げられる。上記特許文献２に記載の技術によれば、有機薄膜ＥＬ素子において、発光時における有機薄膜層での漏れ電流を防止するために、各層の成膜後に表層部からエキシマレーザを照射することによって、１つ若しくは複数の電極層若しくは有機薄膜層をパターニングすることで、マトリクス状の有機薄膜ＥＬ素子のクロストークを防止する方法を提案している。また、直接的な目的は異なるものの類似の方法として、上記特許文献３に記載の技術によれば、従来の無機ＥＬ素子において、各層の成膜後に表層部からフォーカシングされた所望の波長を有するレーザビームを照射することによって、下部誘電体層の一部分を直接的に除去し、且つ、下部誘電体層の上側に積層された発光層、上部誘電体層、透明電極を間接的に除去する方法が開示されている。この方法では、透明電極のストライプ状微細パターンが形成される際に、発光層も同時にパターニングされる。
【００１２】
本発明の目的は、低電圧での駆動が可能であり、且つ高輝度、高効率の発光素子を用いた表示装置であって、クロストークを防止し、高品位の表示が可能な表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る表示装置は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれて設けられている発光層と、
を備え、
前記発光層は、第１半導体物質よりなる多結晶体構造であって、前記多結晶体構造の粒界に前記第１半導体物質とは異なる第２半導体物質が偏析していると共に、
前記発光層は、所定範囲を選択的に発光可能な複数の画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を区切る非画素領域とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、前記画素領域と前記非画素領域とは、前記発光層の同一平面内にわたって周期的に分布しており、且つ、前記画素領域は前記非画素領域によって分割されていてもよい。
【００１５】
さらに、前記非画素領域は、前記画素領域をストライプ状に区切るように設けられていてもよい。
【００１６】
またさらに、前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の不連続な領域を含んでもよい。
【００１７】
また、前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の少なくとも一部を区切る前記第１電極又は第２電極の一部分を含んでもよい。
【００１８】
さらに、前記非画素領域は、前記画素領域より高抵抗な領域からなるものであってもよい。
【００１９】
またさらに、前記非画素領域は、真空若しくは不活性ガスを充填した中空領域であってもよい。前記非画素領域は、絶縁性樹脂を主体とする固体領域であってもよい。
【００２０】
また、前記発光層は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｉｎから選択される１又は複数の元素を含み、
前記非画素領域は、前記画素領域とは前記元素の含有濃度が異なるものであってもよい。
【００２１】
さらに、前記発光層は、化合物半導体からなるものであってもよい。
【００２２】
また、前記非画素領域は、非晶質領域からなるものであってもよい。
【００２３】
さらに、前記画素領域は、前記発光層を構成する材料の結晶質領域からなり、前記非画素領域は、前記発光層を構成する材料の非晶質領域からなるものであってもよい。
【００２４】
またさらに、前記第１半導体物質と前記第２半導体物質とは、互いに異なる伝導型の半導体構造を有するものであってもよい。
【００２５】
また、前記第１半導体物質はｎ型半導体構造を有し、前記第２半導体物質はｐ型半導体構造を有するものであってもよい。前記第１半導体物質及び前記第２半導体物質は、それぞれ化合物半導体であってもよい。
【００２６】
さらに、前記第１半導体物質は、第１２族−第１６族間化合物半導体であってもよい。
【００２７】
またさらに、前記第１半導体物質は、立方晶構造を有するものであってもよい。
【００２８】
また、前記第１半導体物質は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂからなる群より選択される少なくとも一種の元素を含んでいるものであってもよい。
【００２９】
さらに、前記第１半導体物質よりなる多結晶体構造の平均結晶粒子径は、５〜５００ｎｍの範囲にあるものであってもよい。
【００３０】
またさらに、前記第２半導体物質は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかであってもよい。
【００３１】
また、前記第１半導体物質が亜鉛を含む亜鉛系材料であってもよい。この場合、前記電極のうち、少なくとも一方は、亜鉛を含む材料からなるものであってもよい。
【００３２】
さらに、前記一方の電極を構成する前記亜鉛を含む材料は、酸化亜鉛を主体とし、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むものであってもよい。
【００３３】
またさらに、前記電極の少なくとも一方に面して支持する支持体基板をさらに備えてもよい。また、前記電極に対向し、且つ、発光取出し方向前方に色変換層をさらに備えてもよい。
【００３４】
本発明に係る表示装置の製造方法は、基板を準備する工程と、
前記基板の上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に発光層を形成する工程と、
前記発光層の一部にレーザアニールを行って、結晶質の画素領域と非結晶質の非画素領域とを画成する工程と、
前記発光層の上に透明又は半透明である第２電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００３５】
本発明に係る表示装置は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれて設けられ、ｐ型半導体とｎ型半導体とを有する発光層と、
を備え、
前記発光層は、所定範囲を選択的に発光可能な複数の画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を区切る非画素領域とを有することを特徴とする。
【００３６】
前記発光層は、ｐ型半導体の媒体の中にｎ型半導体粒子が分散して構成されていてもよい。また、前記発光層は、ｎ型半導体粒子の集合体で構成され、該粒子間にｐ型半導体が偏析していてもよい。
【００３７】
また、前記ｎ型半導体粒子は、前記ｐ型半導体を介して前記第１及び第２電極と電気的に接合されていてもよい。
【００３８】
さらに、前記画素領域と前記非画素領域とは、前記発光層の同一平面内にわたって周期的に分布しており、且つ、前記画素領域は前記非画素領域によって分割されていてもよい。またさらに、前記非画素領域は、前記画素領域をストライプ状に区切るように設けられていてもよい。
【００３９】
また、前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の不連続な領域を含んでもよい。
【００４０】
さらに、前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の少なくとも一部を区切る前記第１電極又は第２電極の一部分を含んでもよい。
【００４１】
またさらに、前記非画素領域は、前記画素領域より高抵抗な領域からなるものであってもよい。
【００４２】
また、前記非画素領域は、真空若しくは不活性ガスを充填した中空領域であってもよい。前記非画素領域は、絶縁性樹脂を主体とする固体領域であってもよい。
【００４３】
さらに、前記非画素領域は、非晶質領域からなってもよい。前記画素領域は、前記発光層を構成する材料の結晶質領域からなり、前記非画素領域は、前記発光層を構成する材料の非晶質領域からなるものであってもよい。
【００４４】
またさらに、前記ｎ型半導体及び前記ｐ型半導体は、それぞれ化合物半導体であってもよい。前記ｎ型半導体は、第１２族−第１６族間化合物半導体であってもよい。前記ｎ型半導体は、第１３族−第１５族間化合物半導体であってもよい。前記ｎ型半導体は、カルコパイライト型化合物半導体であってもよい。前記ｎ型半導体は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかであってもよい。
【００４５】
また、前記ｎ型半導体が亜鉛を含む亜鉛系材料であってもよい。この場合、前記第１の電極又は前記第２の電極のうち、少なくとも一方の電極は、亜鉛を含む材料からなるものであってもよい。
【００４６】
さらに、前記一方の電極を構成する前記亜鉛を含む材料は、酸化亜鉛を主体とし、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むものであってもよい。
【００４７】
またさらに、前記第１の電極又は前記第２の電極の少なくとも一方の電極に面して支持する支持体基板をさらに備えるものであってもよい。
【００４８】
また、前記第１の電極及び前記第２の電極のそれぞれに対向し、且つ、前記発光層からの発光の取出し方向の前方に色変換層をさらに備えてもよい。
【発明の効果】
【００４９】
本発明によれば、低電圧での駆動が可能であり、且つ、高輝度、高効率の発光素子を用いた表示装置であって、クロストークを防止し、高品位の表示が可能な表示装置を提供することができる。
【００５０】
本発明に係る表示装置によれば、発光層は、ｎ型半導体物質よりなる多結晶体構造であって、この多結晶体構造の粒界にｐ型半導体物質が偏析した構造を有する。発光層が上記構造を有することによって、粒界に偏析したｐ型半導体物質により正孔の注入性を改善することができ、低電圧で、高輝度で発光し、しかも長寿命の表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図１の表示装置の一つの画素についての構成を示す概略断面図である。
【図３】図２の発光層の拡大図である。
【図４】（ａ）は、ＺｎＳからなる発光層とＡＺＯからなる透明電極（又は、背面電極）との界面付近の模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。
【図５】（ａ）は、比較例として、ＺｎＳからなる発光層とＩＴＯからなる透明電極との界面の模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１３】本発明の実施の形態２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１４】本発明の実施の形態２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１５】本発明の実施の形態３に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１７】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１８】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図１９】本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図２０】本発明の実施の形態４に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図２２】本発明の実施の形態４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図２３】本発明の実施の形態４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図２４】本発明の実施の形態４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図２５】本発明の実施の形態４に係る表示装置の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態５に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図２７】図２６の発光層３のＡ−Ａ’線に沿った特定金属元素濃度の変化を示すグラフである。
【図２８】本発明の実施の形態５に係る表示装置の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態６に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態７に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３１】本発明の実施の形態８に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３２】本発明の実施の形態９に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３３】本発明の実施の形態９に係る表示装置の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図３４】本発明の実施の形態１０に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３５】本発明の実施の形態１１に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図３６】図３５の表示装置の発光層の詳細な構成を示す断面図である。
【図３７】別例の表示装置の断面図である。
【図３８】さらに別例の表示装置の断面図である。
【図３９】（ａ）は、ＺｎＳからなる発光層とＡＺＯからなる透明電極（又は、背面電極）との界面付近の模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。
【図４０】（ａ）は、比較例として、ＺｎＳからなる発光層とＩＴＯからなる透明電極との界面の模式図であり、（ｂ）は、（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。
【図４１】本発明の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４２】本発明の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４３】本発明の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４４】本発明の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４５】本発明の実施の形態１２に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図４６】本発明の実施の形態１２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４７】本発明の実施の形態１２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４８】本発明の実施の形態１２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図４９】本発明の実施の形態１２に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５０】本発明の実施の形態１３に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図５１】本発明の実施の形態１３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５２】本発明の実施の形態１３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５３】本発明の実施の形態１３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５４】本発明の実施の形態１３に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５５】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図５６】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５７】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５８】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図５９】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の製造方法の一工程を示す概略斜視図である。
【図６０】本発明の実施の形態１４に係る表示装置の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図６１】本発明の実施の形態１５に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図６２】本発明の実施の形態１５に係る表示装置の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図６３】本発明の実施の形態１６に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図６４】従来例の無機ＥＬ素子の発光面に垂直な方向から見た概略断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下、本発明の実施の形態に係る表示装置について添付図面を用いて説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００５３】
（実施の形態１）
＜表示装置の概略構成＞
図１は、本実施の形態１に係る表示装置１０の断面構成を示す概略断面図である。図２は、図１の表示装置における一つの画素についての構成を示す概略断面図である。この表示装置１０では、発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極４との間に構成されている。これらを支えるものとして、透明基板１が透明電極２に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極４とは、電源５を介して電気的に接続されている。電源５から電力が供給されると、透明電極２及び背面電極４との間に電位差が生じ、電圧が印加され、発光層３に電流が流れる。そして、透明電極２と背面電極４との間に配設されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２及び透明基板１を透過して表示装置１０の外部に取り出される。本実施の形態においては、電源５として直流電源を用いている。
【００５４】
図３は、発光層３の拡大概略図である。この表示装置１０では、発光層３は、図３に示すように、第１半導体物質２１からなる多結晶体構造であって、この多結晶体構造の粒界２２に第２半導体物質２３が偏析した構造を有する。本実施の形態では、第１半導体物質２１は、ｎ型半導体物質であり、第２半導体物質２３は、ｐ型半導体物質である。このように、ｎ型半導体物質の粒界に偏析したｐ型半導体物質により正孔の注入性が改善され、電子と正孔の再結合型発光が効率よく生じ、低電圧で発光が可能であって、且つ、高輝度発光する表示装置１０を実現することができる。
【００５５】
また、図１に示すように、この表示装置１０では、発光層３において、選択的に発光可能な複数の画素領域３ａが２次元的に配置されている。各画素領域３ａは、透明電極２と背面電極４との組合せによって選択され、発光させることができる。また、各画素領域３ａは、非画素領域３ｂによって区切られている。この非画素領域３ｂは、発光層３の不連続部分で構成されている。この画素間領域の不連続部分の一部には背面電極４が画素領域３ａを囲むようにして形成されている。さらに、この表示装置１０は、透明電極２と透明基板１との間にカラーフィルタ１７をさらに備えている。このカラーフィルタ１７は、隣り合う画素間の領域にブラックマトリクス１９を備え、ブラックマトリクス１９に囲まれている画素に対応した領域は、発光層３からの発光をＲＧＢ各色毎に選択的に透過する。
【００５６】
なお、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、第１の電極及び第２の電極の両方を透明電極にする、背面電極４を黒色電極とする、表示装置１０の全部又は一部を封止する構造を更に備える、発光取出し方向前方であって、カラーフィルタ１７の手前に、発光層３からの発光色を色変換する構造を更に備える等、適宜変更が可能である。
【００５７】
以下、この表示装置１０の各構成部材について詳述する。
【００５８】
＜基板＞
透明基板１は、その上に形成する各層を支持できるもので、且つ、電気絶縁性の高い材料を用いる。また、発光層３から発せられる光の波長に対し、透過性を有する材料であることが求められる。このような材料としては、例えば、コーニング１７３７等のガラス、石英、セラミック等を用いることができる。通常のガラスに含まれるアルカリイオン等が発光素子へ影響しないように、無アルカリガラスや、ガラス表面にイオンバリア層としてアルミナ等をコートしたソーダライムガラスであってもよい。なお、これらは例示であって、透明基板１の材料は特にこれらに限定されるものではない。また、基板１側から光を取り出さない構成の場合は、上述の光透過性は不要であり、透光性を有していない材料も用いることができる。これらには、表面に絶縁層を有する金属基板やセラミックス基板、シリコンウエハ等がある。
【００５９】
＜電極＞
光を取り出す側の透明電極２の材料は、発光層３内で生じた発光を取り出せるように光透過性を有するものであればよく、特に可視光領域において高い透過率を有することが好ましい。また、低抵抗であることが好ましく、更には保護層１８や発光層３との密着性に優れていることが好ましい。透明電極２の材料として、特に好適なものは、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２をドープしたものであり、インジウム錫酸化物ともいう。）やＩｎＺｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等を主体とする金属酸化物、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属薄膜、あるいはポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェンなどの導電性高分子等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００６０】
例えば、ＩＴＯは、その透明性を向上させ、あるいは抵抗率を低下させる目的で、スパッタリング法、エレクトロンビーム蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜方法で成膜できる。また成膜後に、抵抗率制御の目的でプラズマ処理などの表面処理を施してもよい。透明電極２の膜厚は、必要とされるシート抵抗値と可視光透過率から決定される。
【００６１】
光を取り出さない側の背面電極４には、一般に良く知られている導電材料であればいずれでも適用できる。例えば、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等を主体とする金属酸化物、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属、ポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ〔ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）〕／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）などの導電性高分子、あるいは導電性カーボンなどが用い得る。
【００６２】
透明電極２及び背面電極４は、層内に複数の電極をストライプ状に構成されてもよい。さらに、透明電極２（第１の電極）および背面電極４（第２の電極）をともに複数の電極をストライプ状に構成し、第１の電極２の各ストライプ状の電極と第２の電極４のすべてのストライプ状の電極とが、それぞれねじれの位置の関係であり、かつ、第１の電極２の各ストライプ状の電極を発光面に投影したものと第２の電極４のすべてのストライプ状の電極を発光面に投影したものとがそれぞれ交わるように構成してもよい。この場合、第１の電極の各ストライプ状の電極、および、第２の電極の各ストライプ状の電極からそれぞれ選択した電極に電圧を印加することにより、所定位置を発光させることができるディスプレイを構成することが可能となる。
【００６３】
＜発光層＞
次に、発光層３について説明する。図３は、発光層３の断面の一部を拡大した概略構成図である。発光層３は、第１半導体物質２１からなる多結晶体構造であって、この多結晶体構造の粒界２２に第２半導体物質２３が偏析した構造を有する。第１半導体物質２１としては、多数キャリアが電子であって、ｎ型伝導を示す半導体材料が用いられる。一方、第２半導体物質２３は、多数キャリアが正孔であって、ｐ型伝導を示す半導体材料が用いられる。また、第１半導体物質２１と第２半導体物質２３とは電気的に接合している。
【００６４】
第１半導体物質２１としては、バンドギャップの大きさが近紫外領域から可視光領域（１．７ｅＶから３．６ｅＶ）を有するものが好ましく、さらに近紫外領域から青色領域（２．６ｅＶから３．６ｅＶ）を有するものがより好ましい。具体的には、前述のＺｎＳや、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等の第１２族−第１６族間化合物やこれらの混晶（例えばＺｎＳＳｅ等）、ＣａＳ、ＳｒＳ等の第２族−第１６族間化合物やこれらの混晶（例えばＣａＳＳｅ等）、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ等の第１３族−第１５族間化合物やこれらの混晶（例えばＩｎＧａＮ等）、ＺｎＭｇＳ、ＣａＳＳｅ、ＣａＳｒＳ等の前記化合物の混晶等を用いることができる。またさらに、ＣｕＡｌＳ２等のカルコパイライト型化合物を用いてもよい。またさらに、第１半導体物質２１よりなる多結晶体は、主たる部分が立方晶構造を有しているものが好ましい。またさらに、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂからなる群より選択される１又は複数種の原子もしくはイオンを添加剤として含んでいてもよい。これらの元素の種類によっても、発光層３からの発光色が決定される。
【００６５】
一方、第２半導体物質２３としては、Ｃｕ２Ｓ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮを用いることができる。これらの材料にはｐ型伝導を付与するための添加剤として、Ｎ、Ｃｕ、Ｉｎから１種又は複数種の元素を添加剤として含んでいてもよい。
【００６６】
本実施の形態１に係る表示装置１０の特徴は、発光層３がｎ型半導体物質２１よりなる多結晶体構造であって、この多結晶体構造の粒界２２にｐ型半導体物質２３が偏析した構造を有する点にある。従来の無機ＥＬでは、発光層の結晶性を高めることで、高電界で加速された電子が散乱されることを防いでいたが、ＺｎＳやＺｎＳｅ等は一般にｎ型伝導を示すため、正孔の供給が十分ではなく、電子と正孔の再結合による高輝度の発光は期待できない。一方で、発光層の結晶粒が成長すると、単結晶でない限り、結晶粒界も一意的に伸びる。高電圧を印加する従来の無機ＥＬ素子では、膜厚方向の粒界が導電パスとなり、耐圧低下を引き起こすという課題も生じる。これに対して、本発明者は、鋭意研究の結果、発光層３をｎ型半導体物質２１よりなる多結晶体構造であって、この多結晶体構造の粒界２２にｐ型半導体物質２３が偏析した構造とすることによって、粒界に偏析したｐ型半導体物質により正孔の注入性が改善されることを見出した。さらに、発光層３中に偏析部を高密度に散在させることで、電子と正孔の再結合型発光が効率よく生じることを見出した。これによって、低電圧で高輝度発光する発光素子を実現することができ、本発明に至ったものである。また、ドナーあるいはアクセプターを導入することにより、自由電子とアクセプターに捕獲された正孔の再結合、自由正孔とドナーに捕獲された電子の再結合、ドナー−アクセプター対発光も同様に可能である。またさらに、他のイオン種が近傍にあることでエネルギー移動による発光も同様に可能である。
【００６７】
さらに、発光層３のｎ型半導体粒子２１としてＺｎＳ等の亜鉛系材料を用いる場合には、透明電極２と背面電極４の少なくとも一方には、例えば、ＺｎＯ、ＡＺＯ（酸化亜鉛に例えばアルミをドープしたもの）、ＧＺＯ（酸化亜鉛に、例えばガリウムをドープしたもの）等の亜鉛を含む金属酸化物からなる電極を用いることが好ましい。本発明者は、特定のｎ型半導体粒子２１と特定の透明電極２（又は背面電極４）との組み合わせを採用することによって、高効率に発光させることができることを見出したものである。
【００６８】
すなわち、透明電極２（又は背面電極４）における仕事関数について着目すると、ＺｎＯの仕事関数は５．８ｅＶであるのに対して、従来、透明電極として使われてきたＩＴＯ（酸化インジウムスズ）の仕事関数は７．０ｅＶである。一方、発光層３のｎ型半導体粒子２１である亜鉛系材料の仕事関数は５〜６ｅＶであることから、ＩＴＯに比べてＺｎＯの仕事関数は、亜鉛系材料の仕事関数により近いため、発光層３への電子注入性が良いというメリットがある。これは、透明電極２（又は背面電極４）として同様に亜鉛系材料であるＡＺＯ、ＧＺＯを用いた場合も同様である。
【００６９】
図４（ａ）は、ＺｎＳからなる発光層３とＡＺＯからなる透明電極２（又は、背面電極４）との界面付近の模式図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。また、図５（ａ）は、比較例として、ＺｎＳからなる発光層３とＩＴＯからなる透明電極との界面の模式図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。
【００７０】
図４（ａ）に示すように、上記の好ましい例では、発光層３を構成するｎ型半導体粒子２１が亜鉛系材料（ＺｎＳ）であって、透明電極２（又は、背面電極４）が酸化亜鉛系材料（ＡＺＯ）であることから、透明電極２（又は、背面電極４）と発光層３との界面にできる酸化物は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）となる。さらに、界面では成膜時にドーピング材料（Ａｌ）が拡散し、低抵抗な酸化膜が形成される。また、上記の酸化亜鉛系（ＡＺＯ）の透明電極２（又は背面電極４）は、六方晶の結晶構造をとるが、発光層３を構成するｎ型半導体物質２１である亜鉛系材料（ＺｎＳ）も六方晶または立方晶の結晶構造をとるため、両者の界面では歪が小さくエネルギー障壁が小さくなる。これによって、図４（ｂ）に示すように、ポテンシャルエネルギーの変位が少ない。
【００７１】
一方、比較例では、図５（ａ）のように透明電極が亜鉛系材料でないＩＴＯであるため、界面にできた酸化膜（ＺｎＯ）は、ＩＴＯにとって異なる結晶構造を持つことから、その界面におけるエネルギー障壁が大きくなる。したがって、図５（ｂ）に示すように、ポテンシャルエネルギーの変位が界面で大きくなり、発光素子の発光効率が低下する。
【００７２】
以上のように、発光層３のｎ型半導体粒子２１として、ＺｎＳ、ＺｎＳｅなどの亜鉛系材料を用いる場合には、酸化亜鉛系材料からなる透明電極２（又は、背面電極４）と組み合わせることにより、発光効率の良い表示装置を提供することができる。
【００７３】
なお、上記の例では、亜鉛を含む透明電極２（又は、背面電極４）として、アルミニウムをドープしたＡＺＯとガリウムをドープしたＧＺＯとを例にあげて説明したが、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素のうち少なくとも１種類をドープした酸化亜鉛を用いても同様である。
【００７４】
＜製造方法＞
以下、実施の形態１に係る表示装置１０の製造方法の一実施例を説明する。図６〜図９は、本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）透明基板１としてガラス基板を準備する。
（２）ガラス基板１上に、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板１の面に平行な第１方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンと、第１方向と直交する方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配した。
（３）次に、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂ各色毎にこれを繰り返しカラーフィルタ１７を形成する。
（４）次に、カラーフィルタ１７の各着色パターン上に、保護層１８を形成し、さらに保護層１８上にスパッタリング法により透明電極２を形成した。透明電極２としてはＩＴＯを使用し、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。
【００７５】
（５）次に、カラーフィルタ１７の保護層１８及び透明電極２上に、平面状の発光層３を形成する。発光層３の形成は次のようにして行った。まず、複数の蒸発源にＺｎＳとＣｕ２Ｓの粉体をそれぞれ投入し、真空中（１０−６Ｔｏｒｒ台）にて、各材料にエレクトロンビームを照射し、成膜する。このとき、基板温度は２００℃とし、ＺｎＳとＣｕ２Ｓを共蒸着する。
（６）成膜後、硫黄雰囲気中、７００℃で約１時間焼成して発光層３を得る。この膜をＸ線回折やＳＥＭによって調べることによって、微小なＺｎＳ結晶粒の多結晶体構造と、その粒界における、ＣｕｘＳの偏析部とが観察される。詳細は明らかではないが、ＺｎＳとＣｕｘＳとの相分離が生じ、前記偏析構造が形成されるものと考えられる（図６）。
（７）次に、発光層３上より、第１方向に延在しているブラックマトリクス１９に向けて、略線状のＹＡＧレーザ２４を間欠的に照射し、発光層３のパターニングを行なった（図７）。なお、ＹＡＧレーザ２４の波長は、光学的に略透明な保護層１８及び発光層３に対しては、バンドギャップに相当する波長よりも長く、保護層１８及び発光層３には余り吸収されないが、その下層に位置するブラックマトリクス１９には吸収され、ブラックマトリクス１９の表層部とともに、保護層１８及び発光層３が除去される（図８）。
【００７６】
（８）次に、発光層３上に、スパッタリング法により背面電極４を形成した。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、第２方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。その結果、透明電極２と背面電極４は、カラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
（９）次に、発光層３及び背面電極４上に、絶縁性の保護層１１を形成した。
以上の工程によって、本実施例の表示装置を得た。
【００７７】
なお、レーザ２４のスポット形状は略点状であってもよい。この場合、レーザスポットを第１方向及び第２方向に走査することによって、発光層３のパターニングを行なうことができる（図９）。
さらに、レーザ２４を照射すべき領域を開口させたマスクパターンを発光層３に重ね、マスクパターン上から、複数の画素、複数の電極に渡る領域を一括してレーザ照射してもよい。
【００７８】
＜効果＞
本実施の形態１に係る表示装置では、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域の発光層３を除去することにより、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層３を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。
【００７９】
（実施の形態２）
＜表示装置の概略構成＞
図１０は、本実施の形態２に係る表示装置１０ａの構成を示す概略斜視図である。この表示装置１０ａでは、実施の形態１に係る表示装置と比較して、隣り合う画素間の画素間領域において、発光層３の上層部のみを除去して各画素領域３ａを区切っている点で相違する。発光層３の上層部を除去した領域は、周辺の除去しなかった領域に比べて発光層３の膜厚が相対的に薄く、発光面に平行な方向に相対的に高抵抗化している。
【００８０】
＜製造方法＞
以下、実施の形態２に係る表示装置１０ａの製造方法の一実施例を説明する。図１１〜図１４は本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様にガラス基板１上にベタ状に発光層３を形成した（図１１）。
（２）次に、発光層３上から、ストライプ状の透明電極２に対して略平行で、且つ、隣接する透明電極２の間の領域に向けて、略線状のエキシマレーザ２４を照射し、発光層３のパターニングを行なった。（図１２）エキシマレーザ２４は、紫外線領域の比較的に短い波長の光を生成する。この波長ではレーザエネルギーを略透明な発光層３により吸収することができるので、レーザ２４を照射した場所のみ選択的に、局所加熱により発光層３の上層部が除去される（図１３）。
（３）次に、前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と保護層１１とを形成した。背面電極４は、透明電極２とカラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ａを得た。
【００８１】
なお、レーザ２４のスポット形状は略点状であってもよい。この場合、レーザスポット２４を第１方向及び第２方向に走査することによって、発光層３のパターニングを行なう（図１４）。
さらに、レーザ２４を照射すべき領域を開口させたマスクパターンを発光層３に重ね、マスクパターン上から、複数の画素、複数の電極に渡る領域を一括してレーザ照射してもよい。
【００８２】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置１０ａでは、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域の発光層３を除去し、発光層３が不連続となる領域を形成することにより、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。
【００８３】
（実施の形態３）
＜表示装置の概略構成＞
図１５は、本実施の形態３に係る表示装置１０ｂの構成を示す概略断面図である。この表示装置１０ｂでは、実施の形態１に係る表示装置と比較して、隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域において、非画素領域３ｂとしての隔壁２６を形成し、発光層３の中で各画素領域３ａを区分している点で相違する。
【００８４】
隔壁２６としては、発光層３に比べて高抵抗の材料を用いることができる。隔壁２６は、例えば、有機材料、無機材料等を用いることができる。この有機材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる。また、無機材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、アルミナ等、あるいは、これらの積層や混合（例えば、無機フィラーを分散したバインダ）等の複合構造であってもよい。隔壁２６の形状は、特に限定されるものではないが、隔壁２６の高さが発光層３の膜厚に対して０．５から１．５倍程度が好ましい。また、隔壁２６の幅は、隣接する透明電極２の間隔に対して０．５から１．５倍程度が好ましい。
【００８５】
＜製造方法＞
以下、実施の形態３に係る表示装置１０ｂの製造方法の一実施例を説明する。図１６〜図１９は本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。なお、前述の他の材料からなる発光層についても同様の製造方法が利用可能である。
（１）前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様にガラス基板１上にカラーフィルタ１７を設け、その上に第１の保護層１８を設ける。さらに、第１の保護層１８の上に透明電極２を形成した。透明電極２は、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した（図１６）。
（２）次に、第１の保護層１８上に、隔壁２６を形成した。この隔壁２６の形成は次のようにして行った。まず、アルミナ粉末を分散したガラスペーストをスクリーン印刷により、隣接する透明電極２の間の位置にあって、第１方向に延在するストライプ状にパターン形成した。その後、これを焼成することにより所望のパターンの隔壁２６を得た（図１７）。
（３）次に、前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、透明電極２上に発光層３を形成した。隔壁２６上はメタルマスクによって遮蔽した（図１８）。
（４）次に、前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と第２の保護層１１とを形成した。この背面電極４は、透明電極２とカラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ｂを得た。
【００８６】
なお、隔壁２６のパターン形状は、略格子状であってよい。この場合、第２方向に延在する隔壁２６は、隣接する背面電極４の間に位置する（図１９）。
さらに、隔壁２６の形成方法は上記スクリーン印刷法に限定されるものではなく、フォトリソグラフィ法によるエッチング、サンドブラスト法、インクジェット法等を用いることができる。
【００８７】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置１０ｂでは、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域に絶縁性樹脂を主体とする隔壁２６を設けて、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層３を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。
【００８８】
（実施の形態４）
＜製造方法＞
図２０は、本実施の形態４の表示装置１０ｃの概略構成図である。この表示装置１０ｃでは、実施の形態２に係る表示装置と略同一の構成、形状を呈しているが、その製造方法において異なる。以下、実施の形態４に係る表示装置１０ｃの製造方法の一実施例を説明する。図２１〜図２４は、本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、ガラス基板１上に透明電極２を形成した。この透明電極２は、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。
（２）その後、前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、ベタ状に発光層３を形成した後、感光性レジストを用いてフォトリソグラフィ法によりマスクパターン２８を形成した。このマスクパターン２８は、隣り合う透明電極２の間にあって、第１方向に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて略平行に開口部を設けている（図２１）。
（３）次に、ドライエッチング法によって露出している発光層３の部分を所望の厚みになるまでエッチングした（図２２）。
（４）次に、感光性レジストからなるマスクパターン２８を除去した（図２３）。
（５）その後、前述の実施の形態１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と保護層１１とを形成した。背面電極４と透明電極２とは、カラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ｃを得た。
【００８９】
なお、エッチングする際の感光性レジストによるマスクパターン２８のパターン形状は、上記ストライプ形状に限られず、例えば、略格子状としてもよい。この場合、第２方向に延在する開口部は、隣接する背面電極４の間に位置し、且つ、所定の間隔を隔てて略平行に設けられている（図２４）。
さらに、エッチングの方法は、上記ドライエッチング法に限定されるものではなく、ウェットエッチング法、サンドブラスト法等を用いることができる。
【００９０】
またさらに、図２５に実施の形態４の変形例の表示装置１０ｄを示す。この表示装置１０ｄは、実施の形態４に係る表示装置１０ｃに比べて、発光層３の少なくとも一部が除去されるまでエッチングが至っていない点で相違する。この変形例の表示装置１０ｄでは、ウェットエッチングの過程で、発光層３に浸透、拡散したエッチング液が、発光層３内の隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域（非画素領域）３ｂの一部に高抵抗領域３２を形成している。
【００９１】
＜効果＞
本実施の形態４に係る表示装置１０ｃでは、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域３ｂに画素領域３ａよりも高抵抗の領域を形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。
【００９２】
（実施の形態５）
＜表示装置の概略構成＞
図２６は、本実施の形態５の表示装置２０の概略構成を示す断面図である。この表示装置２０では、発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極４との間に構成されている。これらを支えるものとして、基板１が背面電極４に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極４とは、電源を介して電気的に接続されている。電源から電力が供給されると、透明電極２及び背面電極４との間に電位差が生じ、電圧が印加され、発光層３に電流が流れる。そして、透明電極２と背面電極４とに挟持されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２を透過して表示装置２０の外部に取り出される。本実施の形態に係る表示装置２０においては、電源として直流電源を用いている。また、図２６に示すように透明電極２上に、カラーフィルタ１７をさらに備えている。このカラーフィルタ１７は、隣り合う画素間の領域にブラックマトリクス１９を備え、ブラックマトリクス１９に囲まれている画素に対応した領域は、発光層３からの発光をＲＧＢの色毎に選択的に透過する。
【００９３】
一方、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、第１の電極及び第２の電極の両方を透明電極にする、背面電極４を黒色電極とする、表示装置２０の全部又は一部を保護層１１によって封止する構造を更に備える、発光取出し方向前方であって、カラーフィルタ１７の手前に、発光層３からの発光色を色変換する構造（色変換層１６）を更に備える等、適宜変更が可能である。
【００９４】
＜製造方法＞
以下、実施の形態５に係る表示装置２０の製造方法の一実施例を説明する。
（１）基板１としてガラス基板を準備する。
（２）次に、基板１上に、スパッタリング法により背面電極４を形成する。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、ガラス基板１の面に平行な第１方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いが平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
（３）次に、ガラス基板１から背面電極４上に、実施の形態１と同様にしてベタ状に発光層３を形成する。
（４）次に、発光層３上の画素に対応する領域３ａに、ドーパント材料をマスキング蒸着した後、アニールによってドーパントを熱拡散させる。これによって、発光層３の面内において、画素領域３ａが高濃度、画素間領域３ｂが低濃度となるドーパント濃度分布を形成する。このときのドーパント濃度分布の様子を図２７に示す。特定のドーパント材料、例えばＺｎ等は発光層の低抵抗化の因子となっている。画素間領域３ｂは、画素領域３ａよりもドーパント濃度が低いため、画素領域３ａよりも抵抗が高くなる。また、同時に発光層３内のホスト物質についても結晶化が進み、非発光再結合中心の密度を減らす効果もある。
（５）次に、発光層３上に、スパッタリング法により透明電極２を形成する。透明電極２としては、ＩＴＯを使用し、ガラス基板１の面に平行であって、前述の第１方向に対して略直交する第２方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いが平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
【００９５】
（６）次に、発光層３から透明電極２上に保護層としてＳｉＮを成膜した後、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板面に平行であって、前述の背面電極４の間隙に第１方向に延在する複数の線上パターンと、隣接する透明電極２の間隙に第２方向に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配する。
（７）次に、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、隣接するブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎にこれを繰り返し、カラーフィルタ１７を形成する。
（８）次に、カラーフィルタ１７上に、エポキシ樹脂を用いて絶縁性の保護層１１を形成する。
以上の工程によって、本実施例のトップエミッション型表示装置２０を得た。
【００９６】
なお、アニールの手段としては電気炉等による全体加熱でも、レーザ照射による局所加熱によって行ってもよい。また、図２８に示すようにガラス基板１上に設けたカラーフィルタ１７と色変換層１６とを、接着層３４を介して貼り合わせることにより、別例のトップエミッション型表示装置２０ａを作成することも可能である。
【００９７】
＜効果＞
本実施の形態５に係る表示装置２０では、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域の発光層３ｂを画素領域の発光層３ａよりも高抵抗化したことにより、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。
【００９８】
（実施の形態６）
＜表示装置の概略構成＞
図２９は、本実施の形態６の表示装置２０ｂの概略構成を示す断面図である。この表示装置２０ｂは発光を透明基板１側から取り出すボトムエミッション型構成である。カラーフィルタ１７及び色変換層１６が発光層３の下層に配置されることを除いては、実施の形態１と実質的に同一の部材を用いることができる。
【００９９】
＜製造方法＞
以下、実施の形態６に係る表示装置２０ｂの製造方法の一実施例を説明する。
（１）透明基板１としてガラス基板を準備する。
（２）ガラス基板１上に、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板１の面に平行な第１方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンと、第１方向と直交する方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配する。
（３）次に、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎にこれを繰り返してカラーフィルタ１７を形成する。
（４）次に、カラーフィルタ１７の各着色パターン上に、色変換層１６を形成し、さらに該色変換層１６上にスパッタリング法により透明電極２を形成する。透明電極２としてはＩＴＯを使用し、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成する。
（５）次に、色変換層１６から透明電極２上に、実施の形態１と同様にして、ベタ状に発光層３を形成する。さらに、発光層３上の画素に対応する領域３ａに、ドーパント材料をイオン注入することにより、発光層３面内において、画素領域３ａが高濃度、画素間領域３ｂが低濃度となるドーパント濃度分布を形成する。
（６）次に、発光層３上に、スパッタリング法により背面電極４を形成する。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、第２方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成する。その結果、透明電極２と背面電極４は、カラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
（７）次に、発光層３及び背面電極４上に、エポキシ樹脂を用いて絶縁性の保護層１１を形成した。
以上の工程によって、本実施例のボトムエミッション型表示装置２０ｂを得た。
【０１００】
この表示装置２０ｂでは、各画素が発光素子からなり、複数の画素を２次元的に配置して構成されている。この表示装置２０ｂによれば、実施の形態１の表示装置と同様、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。
【０１０１】
（実施の形態７）
＜表示装置の概略構成＞
図３０は、本実施の形態７に係る表示装置２０ｃの概略構成を示す断面図である。この表示装置２０ｃは、各画素にスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた基板３８（以下、「ＴＦＴ基板」という。）を用いているアクティブ駆動型の表示装置である。この表示装置２０ｃは、ＴＦＴ基板３８上に、画素毎に設ける背面電極４、ベタ状の発光層３、ベタ状の透明電極２を順次積層して形成する。発光は透明電極２側から取り出すトップエミッション型構成である。ＴＦＴ基板３８を用いていることを除いては、実施の形態１と実質的に同一の部材、同一の製造方法を用いることができる。
【０１０２】
この表示装置２０ｃでは、実施の形態１の表示装置と同様、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。
【０１０３】
（実施の形態８）
＜表示装置の概略構成＞
図３１は、本実施の形態８に係る表示装置２０ｄの概略構成を示す断面図である。この表示装置２０ｄは、発光をＴＦＴ基板３８側から取り出すボトムエミッション型構成である。カラーフィルタ１７及び色変換層１６が発光層３の下側に配置されているため、実施の形態６と同様に、下層に熱ストレスを加えない製造方法により発光層３のドーパント濃度分布を形成する。この濃度分布形成過程を除いては、実施の形態７と実質的に同一の部材を用いることができる。
【０１０４】
この表示装置２０ｄでは、実施の形態１の表示装置と同様、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。
【０１０５】
（実施の形態９）
＜表示装置の概略構成＞
図３２は、本実施の形態９に係る表示装置３０の概略構成を示す断面図である。この表示装置３０では、発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極４との間に構成されている。これらを支えるものとして、基板１が背面電極４に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極４とは、電源を介して電気的に接続されている。電源（図示せず）から電力が供給されると、透明電極２及び背面電極４との間に電位差が生じ、電圧が印加され、発光層３に電流が流れる。そして、透明電極２と背面電極４とに挟持されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２を透過して表示装置２０の外部に取り出される。本実施の形態９に係る表示装置３０においては、電源として直流電源を用いている。また、図３２に示すように、透明電極２上に、色変換層１６、カラーフィルタ１７をさらに備えている。このカラーフィルタ１７は、隣り合う画素間の画素間領域に対応してブラックマトリクス１９を備え、ブラックマトリクス１９に囲まれている画素に対応した領域は、発光層３からの発光をＲＧＢの色毎に選択的に透過する。また、色変換層１６は、発光層３からの発光色を長波長光に変換する機能を有しており、例えば、発光層３より青色光が発する場合、色変換層１６にて、青色光が緑色光や赤色光に変換され、外部へ取り出される。
【０１０６】
一方、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、第１の電極及び第２の電極の両方を透明電極にする、背面電極４を黒色電極とする、表示装置３０の全部又は一部を保護層１１によって封止する構造を更に備える等、適宜変更が可能である。発光層３からの発光が白色光であれば、色変換層１６を不要とする構成もまた可能である。
【０１０７】
＜製造方法＞
以下、実施の形態９に係る表示装置３０の製造方法の一実施例を説明する。
（１）基板１としてガラス基板を準備する。
（２）次に、基板１上に、スパッタリング法により背面電極４を形成する。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、ガラス基板１の面に平行な第１方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いに平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
（３）次に、ガラス基板１から背面電極４上に、実施の形態１と同様にしてベタ状に発光層３を形成する。
（４）次に、発光層３の画素に対応する画素領域３ａにのみレーザアニールを施すことによって、発光層３の面内において、画素領域３ａが結晶質領域、画素間領域３ｂが非晶質領域となる結晶性の分布パターンを形成する。
（５）次に、発光層３上に、スパッタリング法により透明電極２を形成する。透明電極２としては、ＩＴＯを使用し、ガラス基板面に平行であって、前述の第１方向に対して略直交する第２方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いが平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
（６）次に、発光層３乃至透明電極２上に保護層１８としてＳｉＮを成膜した後、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板１の面に平行であって、前述の背面電極４の間隙に第１方向に延在する複数の線上パターンと、透明電極２の間隙に第２方向に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配する。
（７）次に、色変換層１６をインクジェット法にて形成した後、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎にこれを繰り返してカラーフィルタ１７を形成する。
（８）次に、カラーフィルタ１７上に、エポキシ樹脂を用いて絶縁性の保護層１１を形成する。
以上の工程によって、本実施例のトップエミッション型表示装置３０を得た。
【０１０８】
なお、図３３に示すようにガラス基板１上に設けたカラーフィルタ１７と色変換層１６を、接着層３４を介して貼り合わせることにより、別例のトップエミッション型表示装置３０ａを作成することも可能である。なお、この場合、透明電極２の上に保護層１８ｂを設け、色変換層１６の上に保護層１８ａを設け、それぞれの保護層１８ａ、１８ｂのいずれかの上に接着層３４を設けて互いに貼り合わせてもよい。また、この接着層３４は、接着剤３５と充填剤３６とからなる。
【０１０９】
＜効果＞
本実施の形態９に係る表示装置３０では、発光層３の同一平面内において、画素領域３ａを結晶質領域にして、隣り合う画素間の画素間領域３ｂを非晶質領域にすることにより、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。
【０１１０】
（実施の形態１０）
＜表示装置の概略構成＞
図３４は、本実施の形態１０に係る表示装置３０ｂの構成を示す概略断面図である。この表示装置３０ｂは、各画素にスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた基板（以下、「ＴＦＴ基板」という。）３８を用いているアクティブ駆動型の表示装置である。この表示装置３０ｂは、ＴＦＴ基板３８上に、画素毎に設ける背面電極４、ベタ状の発光層３、ベタ状の透明電極２を順次積層して形成する。この表示装置３０ｂは、発光を透明電極２側から取り出すトップエミッション型構成である。ＴＦＴ基板３８を用いていることを除いては、実施の形態１と実質的に同一の部材、同一の製造方法を用いることができる。
【０１１１】
この表示装置３０ｂでは、実施の形態１の表示装置と同様、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。
【０１１２】
（実施の形態１１）
＜表示装置の概略構成＞
図３５は、本実施の形態１１に係る表示装置１０の構成を示す概略構成図である。この表示装置１０では、発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極４との間に構成されている。これらを支えるものとして、透明基板１が透明電極２に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極４とは、電源５を介して電気的に接続されている。電源５から電力が供給されると、透明電極２及び背面電極４との間に電位差が生じ、電圧が印加され、発光層３に電流が流れる。そして、透明電極２と背面電極４との間に配設されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２及び透明基板１を透過して表示装置１０の外部に取り出される。本実施の形態においては、電源５として直流電源を用いている。
【０１１３】
この表示装置１０では、発光層３は、図３６に示すように、ｎ型半導体粒子２１の集合体で構成され、該粒子間にｐ型半導体２３が偏析していることを特徴とする。なお、ここでは、図３６に示すように、基板１の上に透明電極２を設ける場合について説明するが、これに限られず、例えば、図３７の別例の表示装置１０ａに示すように、基板１の上に背面電極４を設け、その上に発光層３、透明電極２を順に積層する構成としてもよい。あるいは、図３８に示す別例の表示装置１０ｂでは、発光層３が、ｐ型半導体２３の媒体の中にｎ型半導体粒子２１が分散して構成されたことを特徴とする。このように、ｎ型半導体粒子とｐ型半導体との界面を多く形成することによって、正孔の注入性が改善され、電子と正孔の再結合型発光が効率よく生じ、低電圧で高輝度発光する面状発光装置を実現することができる。さらに、ｎ型半導体粒子がｐ型半導体を介して電極と電気的に接続されている構成とすることによって、発光効率を向上させることができ、低電圧で発光が可能で、且つ、高輝度発光する表示装置が得られる。
【０１１４】
また、この表示装置１０では、発光層３において、選択的に発光可能な複数の画素領域３ａが２次元的に配置されている。各画素領域３ａは、透明電極２と背面電極４との組合せによって選択され、発光させることができる。また、各画素領域３ａは、非画素領域３ｂによって区切られている。この非画素領域３ｂは、発光層３の不連続部分で構成されている。この画素間領域の不連続部分の一部には背面電極４が画素領域３ａを囲むようにして形成されている。さらに、この表示装置１０は、透明電極２と透明基板１との間にカラーフィルタ１７をさらに備えている。このカラーフィルタ１７は、隣り合う画素間の領域にブラックマトリクス１９を備え、ブラックマトリクス１９に囲まれている画素に対応した領域は、発光層３からの発光をＲＧＢ各色毎に選択的に透過する。
【０１１５】
なお、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、第１の電極及び第２の電極の両方を透明電極にする、背面電極４を黒色電極とする、表示装置１０の全部又は一部を封止する構造を更に備える、発光取出し方向前方であって、カラーフィルタ１７の手前に、発光層３からの発光色を色変換する構造を更に備える等、適宜変更が可能である。
【０１１６】
以下、この表示装置１０の各構成部材について詳述する。
【０１１７】
＜基板＞
透明基板１は、その上に形成する各層を支持できるもので、且つ、電気絶縁性の高い材料を用いる。また、発光層３から発せられる光の波長に対し、透過性を有する材料であることが求められる。このような材料としては、例えば、コーニング１７３７等のガラス、石英、セラミック等を用いることができる。通常のガラスに含まれるアルカリイオン等が発光素子へ影響しないように、無アルカリガラスや、ガラス表面にイオンバリア層としてアルミナ等をコートしたソーダライムガラスであってもよい。なお、これらは例示であって、透明基板１の材料は特にこれらに限定されるものではない。また、基板１側から光を取り出さない構成の場合は、上述の光透過性は不要であり、透光性を有していない材料も用いることができる。これらには、表面に絶縁層を有する金属基板やセラミックス基板、シリコンウエハ等がある。
【０１１８】
＜電極＞
光を取り出す側の透明電極２の材料は、発光層３内で生じた発光を取り出せるように光透過性を有するものであればよく、特に可視光領域において高い透過率を有することが好ましい。また、低抵抗であることが好ましく、更には保護層１８や発光層３との密着性に優れていることが好ましい。透明電極２の材料として、特に好適なものは、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２をドープしたものであり、インジウム錫酸化物ともいう。）やＩｎＺｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等を主体とする金属酸化物、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属薄膜、あるいはポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェンなどの導電性高分子等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【０１１９】
例えば、ＩＴＯは、その透明性を向上させ、あるいは抵抗率を低下させる目的で、スパッタリング法、エレクトロンビーム蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜方法で成膜できる。また成膜後に、抵抗率制御の目的でプラズマ処理などの表面処理を施してもよい。透明電極２の膜厚は、必要とされるシート抵抗値と可視光透過率から決定される。
【０１２０】
光を取り出さない側の背面電極４には、一般に良く知られている導電材料であればいずれでも適用できる。例えば、ＩＴＯやＩｎＺｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等を主体とする金属酸化物、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ等の金属、ポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ〔ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）〕／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）などの導電性高分子、あるいは導電性カーボンなどが用い得る。
【０１２１】
透明電極２及び背面電極４は、層内に複数の電極をストライプ状に構成されてもよい。さらに、透明電極２（第１の電極）および背面電極４（第２の電極）をともに複数の電極をストライプ状に構成し、第１の電極２の各ストライプ状の電極と第２の電極４のすべてのストライプ状の電極とが、それぞれねじれの位置の関係であり、かつ、第１の電極２の各ストライプ状の電極を発光面に投影したものと第２の電極４のすべてのストライプ状の電極を発光面に投影したものとがそれぞれ交わるように構成してもよい。この場合、第１の電極の各ストライプ状の電極、および、第２の電極の各ストライプ状の電極からそれぞれ選択した電極に電圧を印加することにより、所定位置を発光させることができるディスプレイを構成することが可能となる。
【０１２２】
＜発光層＞
この発光層３は、透明電極２と背面電極４との間に挟持され、次の２つのうち、いずれかの構造を有する。
（ｉ）ｎ型半導体粒子の集合体であって、該粒子間にｐ型半導体２３が偏析した構造（図３６）。なお、上記ｎ型半導体粒子２１の集合体は、それ自体で層を構成している。
（ｉｉ）ｐ型半導体２３の媒体中にｎ型半導体粒子２１が分散した構造（図３８）。
更に、発光層３を構成する各ｎ型半導体粒子２１が、ｐ型半導体２３を介して電極２、４と電気的に接合されていることが好ましい。
【０１２３】
＜発光体＞
ｎ型半導体粒子２１の材料は、多数キャリアが電子でありｎ型伝導を示すｎ型半導体材料である。材料としては、第１２族−第１６族間化合物半導体であってもよい。また、第１３族−第１５族間化合物半導体であってもよい。具体的には、光学バンドギャップが可視光の大きさを有する材料であって、例えば、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ、ＧａＰ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＳｒＳ、ＣａＳを母体とし、母体のまま使用するか、あるいは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂからなる群より選択される１又は複数種の原子もしくはイオンを添加剤として含んでいてもよい。これらの元素の種類によっても、発光層２０からの発光色が決定される。
【０１２４】
一方、ｐ型半導体２３の材料は、多数キャリアが正孔であり、ｐ型伝導を示すｐ型半導体材料である。このｐ型半導体材料としては、例えば、Ｃｕ２Ｓ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅなどの化合物や、更にＧａＮ，ＩｎＧａＮ等の窒化物である。このｐ型半導体の材料のうち、Ｃｕ２Ｓなどは、本来的にｐ型伝導を示すが、その他の材料は添加剤として窒素、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎから一種以上選択される元素を添加して用いる。また、ｐ型伝導を示すＣｕＧａＳ２、ＣｕＡｌＳ２などのカルコパイライト型化合物を用いても良い。
【０１２５】
本実施の形態に係る表示装置１０の特徴は、発光層３が、（ｉ）ｎ型半導体粒子２１の粒子間にｐ型半導体２３が偏析した構造（図３６）、（ｉｉ）ｐ型半導体２３の媒体中にｎ型半導体粒子２１が分散した構造（図３８）のいずれかの構造を有することである。従来例のように、半導体粒子と電気的に接合する媒体がインジウム錫酸化物の場合、電子が半導体粒子に到達して発光することが可能であるが、インジウム錫酸化物の正孔濃度は小さいため、再結合するための正孔が不足する。従って、電子と正孔の再結合による高輝度の発光は期待できない。そこで、本発明者は、特に高輝度で効率良く、しかも連続した発光を得るために、発光層３において、電子の注入とともに正孔を効率良く注入することができる構造に着目した。上記構造を実現するためには、発光体粒子内部または界面に多くの正孔が到達すること、更に電子の注入電極に対向する電極からの正孔の注入が速やかに行われかつ発光体粒子あるいは界面に到達する必要がある。そこで、本発明者は鋭意研究の結果、発光層３の構造として、上記（ｉ）、（ｉｉ）のうち、いずれかの構造とすることによって、ｎ型半導体粒子内部または界面へ電子の注入とともに正孔を効率良く注入することができることを見出した。すなわち、上記各構造の発光層３によれば、電極から注入された電子は、ｐ型半導体２３を通してｎ型半導体粒子２１に到達し、一方、他方の電極から多くの正孔が発光体粒子に到達し、電子と正孔との再結合によって効率よく発光させることができる。これによって、低電圧で高輝度発光する面状発光装置を実現することができ、本発明に至ったものである。また、ドナーあるいはアクセプターを導入することにより、自由電子とアクセプターに捕獲された正孔の再結合、自由正孔とドナーに捕獲された電子の再結合、ドナー−アクセプター対発光も同様に可能である。またさらに、他のイオン種が近傍にあることでエネルギー移動による発光も同様に可能である。
【０１２６】
さらに、発光層３のｎ型半導体粒子２１としてＺｎＳ等の亜鉛系材料を用いる場合には、透明電極２と背面電極４の少なくとも一方には、例えば、ＺｎＯ、ＡＺＯ（酸化亜鉛に例えばアルミをドープしたもの）、ＧＺＯ（酸化亜鉛に、例えばガリウムをドープしたもの）等の亜鉛を含む金属酸化物からなる電極を用いることが好ましい。本発明者は、特定のｎ型半導体粒子２１と特定の透明電極２（又は背面電極４）との組み合わせを採用することによって、高効率に発光させることができることを見出したものである。
【０１２７】
すなわち、透明電極２（又は背面電極４）における仕事関数について着目すると、ＺｎＯの仕事関数は５．８ｅＶであるのに対して、従来、透明電極として使われてきたＩＴＯ（酸化インジウムスズ）の仕事関数は７．０ｅＶである。一方、発光層３のｎ型半導体粒子２１である亜鉛系材料の仕事関数は５〜６ｅＶであることから、ＩＴＯに比べてＺｎＯの仕事関数は、亜鉛系材料の仕事関数により近いため、発光層３への電子注入性が良いというメリットがある。これは、透明電極２（又は背面電極４）として同様に亜鉛系材料であるＡＺＯ、ＧＺＯを用いた場合も同様である。
【０１２８】
図３９（ａ）は、ＺｎＳからなる発光層３とＡＺＯからなる透明電極２（又は、背面電極４）との界面付近の模式図である。図３９（ｂ）は、図３９（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。また、図４０（ａ）は、比較例として、ＺｎＳからなる発光層３とＩＴＯからなる透明電極との界面の模式図である。図４０（ｂ）は、図４０（ａ）のポテンシャルエネルギーの変位を説明する模式図である。
【０１２９】
図３９（ａ）に示すように、上記の好ましい例では、発光層３を構成するｎ型半導体粒子２１が亜鉛系材料（ＺｎＳ）であって、透明電極２（又は、背面電極４）が酸化亜鉛系材料（ＡＺＯ）であることから、透明電極２（又は、背面電極４）と発光層３との界面にできる酸化物は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）となる。さらに、界面では成膜時にドーピング材料（Ａｌ）が拡散し、低抵抗な酸化膜が形成される。また、上記の酸化亜鉛系（ＡＺＯ）の透明電極２（又は背面電極４）は、六方晶の結晶構造をとるが、発光層３を構成するｎ型半導体物質２１である亜鉛系材料（ＺｎＳ）も六方晶または立方晶の結晶構造をとるため、両者の界面では歪が小さくエネルギー障壁が小さくなる。これによって、図３９（ｂ）に示すように、ポテンシャルエネルギーの変位が少ない。
【０１３０】
一方、比較例では、図４０（ａ）のように透明電極が亜鉛系材料でないＩＴＯであるため、界面にできた酸化膜（ＺｎＯ）は、ＩＴＯにとって異なる結晶構造を持つことから、その界面におけるエネルギー障壁が大きくなる。したがって、図４０（ｂ）に示すように、ポテンシャルエネルギーの変位が界面で大きくなり、発光素子の発光効率が低下する。
【０１３１】
以上のように、発光層３のｎ型半導体粒子２１として、ＺｎＳ、ＺｎＳｅなどの亜鉛系材料を用いる場合には、酸化亜鉛系材料からなる透明電極２（又は、背面電極４）と組み合わせることにより、発光効率の良い表示装置を提供することができる。
【０１３２】
なお、上記の例では、亜鉛を含む透明電極２（又は、背面電極４）として、アルミニウムをドープしたＡＺＯとガリウムをドープしたＧＺＯとを例にあげて説明したが、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素のうち少なくとも１種類をドープした酸化亜鉛を用いても同様である。
【０１３３】
＜製造方法＞
以下、実施の形態１１に係る表示装置１０の製造方法の一実施例を説明する。図４１〜図４４は、本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）透明基板１としてガラス基板を準備する。
（２）ガラス基板１上に、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板１の面に平行な第１方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンと、第１方向と直交する方向に所定の間隔を隔てて平行に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配した。
（３）次に、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂ各色毎にこれを繰り返しカラーフィルタ１７を形成する。
（４）次に、カラーフィルタ１７の各着色パターン上に、保護層１８を形成し、さらに保護層１８上にスパッタリング法により透明電極２を形成した。透明電極２としてはＩＴＯを使用し、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。
【０１３４】
（５）次に、カラーフィルタ１７の保護層１８及び透明電極２上に、平面状の発光層３を形成する。発光層３の形成は次のようにして行った。まず、複数の蒸発源にＺｎＳとＣｕ２Ｓの粉体をそれぞれ投入し、真空中（１０−６Ｔｏｒｒ台）にて、各材料にエレクトロンビームを照射し、基板１上に発光層３として成膜する。このとき、基板温度は２００℃とし、ＺｎＳとＣｕ２Ｓを共蒸着する。
（６）発光層３の成膜後、硫黄雰囲気中、７００℃で約１時間焼成する。この膜をＸ線回折やＳＥＭによって調べることによって、微小なＺｎＳ結晶粒の多結晶構造とＣｕＸＳの偏析部とが観察される。詳細は明らかではないが、ＺｎＳとＣｕｘＳとの相分離が生じ、前記偏析構造が形成されたものと考えられる（図４１）。
（７）次に、発光層３上より、第１方向に延在しているブラックマトリクス１９に向けて、略線状のＹＡＧレーザ２４を間欠的に照射し、発光層３のパターニングを行なった（図４２）。なお、ＹＡＧレーザ２４の波長は、光学的に略透明な保護層１８及び発光層３に対しては、バンドギャップに相当する波長よりも長く、保護層１８及び発光層３には余り吸収されないが、その下層に位置するブラックマトリクス１９には吸収され、ブラックマトリクス１９の表層部とともに、保護層１８及び発光層３が除去される（図４３）。
【０１３５】
（８）次に、発光層３上に、スパッタリング法により背面電極４を形成した。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、第２方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。その結果、透明電極２と背面電極４は、カラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
（９）次に、発光層３及び背面電極４上に、絶縁性の保護層１１を形成した。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０を得た。
【０１３６】
なお、レーザ２４のスポット形状は略点状であってもよい。この場合、レーザスポットを第１方向及び第２方向に走査することによって、発光層３のパターニングを行なうことができる（図４４）。
さらに、レーザ２４を照射すべき領域を開口させたマスクパターンを発光層３に重ね、マスクパターン上から、複数の画素、複数の電極に渡る領域を一括してレーザ照射してもよい。
【０１３７】
＜効果＞
本実施の形態１１に係る表示装置では、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域の発光層３を除去することにより、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層３を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。
【０１３８】
（実施の形態１２）
＜表示装置の概略構成＞
図４５は、本実施の形態１２に係る表示装置１０ｃの構成を示す概略斜視図である。この表示装置１０ｃでは、実施の形態１１に係る表示装置と比較して、隣り合う画素間の画素間領域において、発光層３の上層部のみを除去して各画素領域３ａを区切っている点で相違する。発光層３の上層部を除去した領域は、周辺の除去しなかった領域に比べて発光層３の膜厚が相対的に薄く、発光面に平行な方向に相対的に高抵抗化している。
【０１３９】
＜製造方法＞
以下、実施の形態１２に係る表示装置１０ｃの製造方法の一実施例を説明する。図４６〜図４７は本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様にガラス基板１上にベタ状に発光層３を形成した（図４６）。
（２）次に、発光層３上から、ストライプ状の透明電極２に対して略平行で、且つ、隣接する透明電極２の間の領域に向けて、略線状のエキシマレーザ２４を照射し、発光層３のパターニングを行なった（図４７）。エキシマレーザ２４は、紫外線領域の比較的に短い波長の光を生成する。この波長ではレーザエネルギーを略透明な発光層３により吸収することができるので、レーザ２４を照射した場所のみ選択的に、局所加熱により発光層３の上層部が除去される（図４８）。
（３）次に、前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と保護層１１とを形成した。背面電極４は、透明電極２とカラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ｃを得た。
【０１４０】
なお、レーザ２４のスポット形状は略点状であってもよい。この場合、レーザスポット２４を第１方向及び第２方向に走査することによって、発光層３のパターニングを行なう（図４９）。
さらに、レーザ２４を照射すべき領域を開口させたマスクパターンを発光層３に重ね、マスクパターン上から、複数の画素、複数の電極に渡る領域を一括してレーザ照射してもよい。
【０１４１】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置１０ｃでは、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域の発光層３を除去し、発光層３が不連続となる領域を形成することにより、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現できる。
【０１４２】
（実施の形態１３）
＜表示装置の概略構成＞
図５０は、本実施の形態１３に係る表示装置１０ｄの構成を示す概略断面図である。この表示装置１０ｄでは、実施の形態１１に係る表示装置と比較して、隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域において、非画素領域３ｂとしての隔壁２６を形成し、発光層３の中で各画素領域３ａを区分している点で相違する。
【０１４３】
隔壁２６としては、発光層３に比べて高抵抗の材料を用いることができる。隔壁２６は、例えば、有機材料、無機材料等を用いることができる。この有機材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる。また、無機材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、アルミナ等、あるいは、これらの積層や混合（例えば、無機フィラーを分散したバインダ）等の複合構造であってもよい。隔壁２６の形状は、特に限定されるものではないが、隔壁２６の高さが発光層３の膜厚に対して０．５から１．５倍程度が好ましい。また、隔壁２６の幅は、隣接する透明電極２の間隔に対して０．５から１．５倍程度が好ましい。
【０１４４】
＜製造方法＞
以下、実施の形態１３に係る表示装置１０ｄの製造方法の一実施例を説明する。図５１〜図５４は本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。なお、前述の他の材料からなる発光層についても同様の製造方法が利用可能である。
（１）前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様にガラス基板１上にカラーフィルタ１７を設け、その上に第１の保護層１８を設ける。さらに、第１の保護層１８の上に透明電極２を形成した。透明電極２は、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した（図５１）。
（２）次に、第１の保護層１８上に、隔壁２６を形成した。この隔壁２６の形成は次のようにして行った。まず、アルミナ粉末を分散したガラスペーストをスクリーン印刷により、隣接する透明電極２の間の位置にあって、第１方向に延在するストライプ状にパターン形成した。その後、これを焼成することにより所望のパターンの隔壁２６を得た（図５２）。
（３）次に、前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、透明電極２上に発光層３を形成した。隔壁２６上はメタルマスクによって遮蔽した（図５３）。
（４）次に、前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と第２の保護層１１とを形成した。この背面電極４は、透明電極２とカラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ｄを得た。
【０１４５】
なお、隔壁２６のパターン形状は、略格子状であってよい。この場合、第２方向に延在する隔壁２６は、隣接する背面電極４の間に位置する（図５４）。
さらに、隔壁２６の形成方法は上記スクリーン印刷法に限定されるものではなく、フォトリソグラフィ法によるエッチング、サンドブラスト法、インクジェット法等を用いることができる。
【０１４６】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置１０ｄでは、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域に絶縁性樹脂を主体とする隔壁２６を設けて、画素領域３ａの発光層３よりも高抵抗の非画素領域３ｂを形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層３を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。
【０１４７】
（実施の形態１４）
＜製造方法＞
図５５は、本実施の形態１４の表示装置１０ｅの概略構成図である。この表示装置１０ｅでは、実施の形態１２に係る表示装置と略同一の構成、形状を呈しているが、その製造方法において異なる。以下、実施の形態１４に係る表示装置１０ｅの製造方法の一実施例を説明する。図５６〜図６１は、本実施例の製造方法の各工程を示す概略斜視図である。
（１）前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、ガラス基板１上に透明電極２を形成した。この透明電極２は、第１方向に延在している複数のブラックマトリクス１９に対して、隣接するブラックマトリクス１９の間の位置にあって、略平行に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて形成した。
（２）その後、前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、ベタ状に発光層３を形成した後、感光性レジストを用いてフォトリソグラフィ法によりマスクパターン２８を形成した。このマスクパターン２８は、隣り合う透明電極２の間にあって、第１方向に延在し、且つ、所定の間隔を隔てて略平行に開口部を設けている（図５６）。
（３）次に、ドライエッチング法によって露出している発光層３の部分を所望の厚みになるまでエッチングした（図５７）。
（４）次に、感光性レジストからなるマスクパターン２８を除去した（図５８）。
（５）その後、前述の実施の形態１１に係る表示装置の製造方法と同様に、発光層３上に、背面電極４と保護層１１とを形成した。背面電極４と透明電極２とは、カラーフィルタ１７の着色パターン上で互いに直交し、且つ、発光層３を挟んで対面している。
以上の工程によって、本実施例の表示装置１０ｅを得た。
【０１４８】
なお、エッチングする際の感光性レジストによるマスクパターン２８のパターン形状は、上記ストライプ形状に限られず、例えば、略格子状としてもよい。この場合、第２方向に延在する開口部は、隣接する背面電極４の間に位置し、且つ、所定の間隔を隔てて略平行に設けられている（図５９）。
さらに、エッチングの方法は、上記ドライエッチング法に限定されるものではなく、ウェットエッチング法、サンドブラスト法等を用いることができる。
【０１４９】
またさらに、図６０に実施の形態１４の変形例の表示装置１０ｆを示す。この表示装置１０ｆは、実施の形態１４に係る表示装置１０ｅに比べて、発光層３の少なくとも一部が除去されるまでエッチングが至っていない点で相違する。この変形例の表示装置１０ｆでは、ウェットエッチングの過程で、発光層３に浸透、拡散したエッチング液が、発光層３内の隣り合う画素領域３ａの間の画素間領域（非画素領域）３ｂの一部に高抵抗領域３２を形成している。
【０１５０】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置では、発光層３の同一平面内において、隣り合う画素間の画素間領域３ｂに画素領域３ａよりも高抵抗の領域を形成した。これによって、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。
【０１５１】
（実施の形態１５）
＜表示装置の概略構成＞
図６１は、本実施の形態１５に係る表示装置２０の概略構成を示す断面図である。この表示装置２０では、発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極４との間に構成されている。これらを支えるものとして、基板１が背面電極４に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極４とは、電源を介して電気的に接続されている。電源（図示せず）から電力が供給されると、透明電極２及び背面電極４との間に電位差が生じ、電圧が印加され、発光層３に電流が流れる。そして、透明電極２と背面電極４とに挟持されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２を透過して表示装置２０の外部に取り出される。本実施の形態１５に係る表示装置２０においては、電源として直流電源を用いている。また、図６１に示すように、透明電極２上に、色変換層１６、カラーフィルタ１７をさらに備えている。このカラーフィルタ１７は、隣り合う画素間の画素間領域に対応してブラックマトリクス１９を備え、ブラックマトリクス１９に囲まれている画素に対応した領域は、発光層３からの発光をＲＧＢの色毎に選択的に透過する。また、色変換層１６は、発光層３からの発光色を長波長光に変換する機能を有しており、例えば、発光層３より青色光が発する場合、色変換層１６にて、青色光が緑色光や赤色光に変換され、外部へ取り出される。
【０１５２】
一方、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、第１の電極及び第２の電極の両方を透明電極にする、背面電極４を黒色電極とする、表示装置２０の全部又は一部を保護層１１によって封止する構造を更に備える等、適宜変更が可能である。発光層３からの発光が白色光であれば、色変換層１６を不要とする構成もまた可能である。
【０１５３】
＜製造方法＞
以下、実施の形態１５に係る表示装置２０の製造方法の一実施例を説明する。
（１）基板１としてガラス基板を準備する。
（２）次に、基板１上に、スパッタリング法により背面電極４を形成する。背面電極４としては、Ｐｔを使用し、ガラス基板１の面に平行な第１方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いに平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
（３）次に、ガラス基板１から背面電極４上に、実施の形態１１と同様にしてベタ状に発光層３を形成する。
（４）次に、発光層３の画素に対応する画素領域３ａにのみレーザアニールを施すことによって、発光層３の面内において、画素領域３ａが結晶質領域、画素間領域３ｂが非晶質領域となる結晶性の分布パターンを形成する。
（５）次に、発光層３上に、スパッタリング法により透明電極２を形成する。透明電極２としては、ＩＴＯを使用し、ガラス基板面に平行であって、前述の第１方向に対して略直交する第２方向に、且つ、所定の間隔を隔てて互いが平行に延在している複数の線状パターンとして形成する。
（６）次に、発光層３乃至透明電極２上に保護層１８としてＳｉＮを成膜した後、カーボンブラックを含む樹脂材料を使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９を形成する。ブラックマトリクス１９は、ガラス基板１の面に平行であって、前述の背面電極４の間隙に第１方向に延在する複数の線上パターンと、透明電極２の間隙に第２方向に延在している複数の線状パターンにより、略格子状になるように配する。
（７）次に、色変換層１６をインクジェット法にて形成した後、カラーレジストを使用し、フォトリソグラフィ法によって、ブラックマトリクス１９の間に着色パターンを形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂの色毎にこれを繰り返し、カラーフィルタ１７を形成する。
（８）次に、カラーフィルタ１７上に、エポキシ樹脂を用いて絶縁性の保護層１１を形成する。
以上の工程によって、本実施例のトップエミッション型表示装置２０を得た。
【０１５４】
なお、図６２に示すようにガラス基板１上に設けたカラーフィルタ１７と色変換層１６とを、接着層３４を介して貼り合わせることにより、別例のトップエミッション型表示装置２０ａを作成することも可能である。なお、この場合、透明電極２の上に保護層１８ｂを設け、色変換層１６の上に保護層１８ａを設け、それぞれの保護層１８ａ、１８ｂのいずれかの上に接着層３４を設けて互いに貼り合わせてもよい。また、この接着層３４は、接着剤３５と充填剤３６とからなる。
【０１５５】
＜効果＞
本実施の形態に係る表示装置では、発光層３の同一平面内において、画素領域３ａを結晶質領域にして、隣り合う画素間の画素間領域３ｂを非晶質領域にすることにより、エレクトロルミネセンス発光を示す低抵抗の発光層を用いた表示装置であっても、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現した。
【０１５６】
（実施の形態１６）
＜表示装置の概略構成＞
図６３は、本実施の形態１６に係る表示装置２０ｂの構成を示す概略断面図である。この表示装置２０ｂは、各画素にスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた基板（以下、「ＴＦＴ基板」という。）３８を用いているアクティブ駆動型の表示装置である。この表示装置２０ｂは、ＴＦＴ基板３８上に、画素毎に設ける背面電極４、ベタ状の発光層３、ベタ状の透明電極２を順次積層して形成する。この表示装置２０ｂは、発光を透明電極２側から取り出すトップエミッション型構成である。ＴＦＴ基板３８を用いていることを除いては、実施の形態１１と実質的に同一の部材、同一の製造方法を用いることができる。
【０１５７】
この表示装置２０ｂでは、実施の形態１１の表示装置と同様、表示の際のクロストークを大幅に低減することができ、表示品質の向上を実現することができる。
【０１５８】
上述の通り、本発明は好ましい実施の形態により詳細に説明されているが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的範囲内において多くの好ましい変形例及び修正例が可能であることは当業者にとって自明なことであろう。
【産業上の利用可能性】
【０１５９】
本発明に係る表示装置は、低電圧での駆動が可能であり、且つ、高輝度、高効率の発光素子を用いた表示装置であって、クロストークを防止し、高品位の表示が可能な表示装置を提供するものである。特に、テレビ等の高品位ディスプレイデバイスとして有用である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透明又は半透明である一対の第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれて設けられている発光層と、
を備え、
前記発光層は、第１半導体物質よりなる多結晶体構造であって、前記多結晶体構造の粒界に前記第１半導体物質とは異なる第２半導体物質が偏析していると共に、
前記発光層は、所定範囲を選択的に発光可能な複数の画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を区切る非画素領域とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記画素領域と前記非画素領域とは、前記発光層の同一平面内にわたって周期的に分布しており、且つ、前記画素領域は前記非画素領域によって分割されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記非画素領域は、前記画素領域をストライプ状に区切るように設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の不連続な領域を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の少なくとも一部を区切る前記第１電極又は第２電極の一部分を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記非画素領域は、前記画素領域より高抵抗な領域からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記非画素領域は、真空若しくは不活性ガスを充填した中空領域であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記非画素領域は、絶縁性樹脂を主体とする固体領域であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光層は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｉｎから選択される１又は複数の元素を含み、
前記非画素領域は、前記画素領域とは前記元素の含有濃度が異なることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記発光層は、化合物半導体からなることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記非画素領域は、非晶質領域からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記画素領域は、前記発光層を構成する材料の結晶質領域からなり、前記非画素領域は、前記発光層を構成する材料の非晶質領域からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１半導体物質と前記第２半導体物質とは、互いに異なる伝導型の半導体構造を有することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１半導体物質はｎ型半導体構造を有し、前記第２半導体物質はｐ型半導体構造を有することを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１半導体物質及び前記第２半導体物質は、それぞれ化合物半導体であることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１半導体物質は、第１２族−第１６族間化合物半導体であることを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１半導体物質は、立方晶構造を有することを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１半導体物質は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂからなる群より選択される少なくとも一種の元素を含んでいることを特徴とする請求項１から１７のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１半導体物質よりなる多結晶体構造の平均結晶粒子径は、５〜５００ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１から１８のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第２半導体物質は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかであることを特徴とする請求項１から１９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記第１半導体物質が亜鉛を含む亜鉛系材料であって、
前記電極のうち、少なくとも一方は、亜鉛を含む材料からなる、請求項１から１９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記一方の電極を構成する前記亜鉛を含む材料は、酸化亜鉛を主体とし、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記電極の少なくとも一方に面して支持する支持体基板をさらに備えることを特徴とする請求項１から２２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記電極に対向し、且つ、発光取出し方向前方に色変換層をさらに備えることを特徴とする請求項１から２３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項２５】
基板を準備する工程と、
前記基板の上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に発光層を形成する工程と、
前記発光層の一部にレーザアニールを行って、結晶質の画素領域と非結晶質の非画素領域とを画成する工程と、
前記発光層の上に透明又は半透明である第２電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２６】
少なくとも一方が透明又は半透明である一対の第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれて設けられ、ｐ型半導体とｎ型半導体とを有する発光層と、
を備え、
前記発光層は、所定範囲を選択的に発光可能な複数の画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を区切る非画素領域とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２７】
前記発光層は、ｐ型半導体の媒体の中にｎ型半導体粒子が分散して構成されていることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２８】
前記発光層は、ｎ型半導体粒子の集合体で構成され、該粒子間にｐ型半導体が偏析していることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２９】
前記ｎ型半導体粒子は、前記ｐ型半導体を介して前記第１及び第２電極と電気的に接合されていることを特徴とする請求項２８に記載の表示装置。
【請求項３０】
前記画素領域と前記非画素領域とは、前記発光層の同一平面内にわたって周期的に分布しており、且つ、前記画素領域は前記非画素領域によって分割されていることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項３１】
前記非画素領域は、前記画素領域をストライプ状に区切るように設けられていることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項３２】
前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の不連続な領域を含むことを特徴とする請求項２６から３１のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項３３】
前記非画素領域は、前記画素領域を構成する発光層の少なくとも一部を区切る前記第１電極又は第２電極の一部分を含むことを特徴とする請求項２６から３１のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項３４】
前記非画素領域は、前記画素領域より高抵抗な領域からなることを特徴とする請求項２６から３１のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項３５】
前記非画素領域は、真空若しくは不活性ガスを充填した中空領域であることを特徴とする請求項３４に記載の表示装置。
【請求項３６】
前記非画素領域は、絶縁性樹脂を主体とする固体領域であることを特徴とする請求項３４に記載の表示装置。
【請求項３７】
前記非画素領域は、非晶質領域からなることを特徴とする請求項２６から３４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項３８】
前記画素領域は、前記発光層を構成する材料の結晶質領域からなり、前記非画素領域は、前記発光層を構成する材料の非晶質領域からなることを特徴とする請求項２６から３４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項３９】
前記ｎ型半導体粒子及び前記ｐ型半導体は、それぞれ化合物半導体であることを特徴とする請求項２６から３８のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４０】
前記ｎ型半導体粒子は、第１２族−第１６族間化合物半導体であることを特徴とする請求項２６から３９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４１】
前記ｎ型半導体粒子は、第１３族−第１５族間化合物半導体であることを特徴とする請求項２６から３９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４２】
前記ｎ型半導体粒子は、カルコパイライト型化合物半導体であることを特徴とする請求項２６から３９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４３】
前記ｎ型半導体粒子は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮのいずれかであることを特徴とする請求項２６から３９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４４】
前記ｎ型半導体粒子が亜鉛を含む亜鉛系材料であって、
前記第１の電極又は前記第２の電極のうち、少なくとも一方の電極は、亜鉛を含む材料からなる、請求項２６から４３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４５】
前記一方の電極を構成する前記亜鉛を含む材料は、酸化亜鉛を主体とし、アルミニウム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、タングステン、銅、銀、ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項４４に記載の表示装置。
【請求項４６】
前記第１の電極又は前記第２の電極の少なくとも一方の電極に面して支持する支持体基板をさらに備えることを特徴とする請求項２６から４５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項４７】
前記第１の電極及び前記第２の電極のそれぞれに対向し、且つ、前記発光層からの発光の取出し方向の前方に色変換層をさらに備えることを特徴とする請求項２６から４６のいずれか一項に記載の表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【国際調査報告】
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