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【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変倍作用、もしくはその変倍に伴う像面ずれを補正するコンペンセート作用を有し、変倍時に可動な少なくとも２つのレンズ群と、フォーカシング作用を有する形状可変ミラーとを有し、前記形状可変ミラーは前記変倍作用を有するレンズ群よりも像側に配置されることを特徴とするズーム光学系。
【請求項２】
前記形状可変ミラーが最も像側のレンズ群に配置されることを特徴とする請求項１に記載のズーム光学系。
【請求項３】
前記形状可変ミラーは、偏心収差補正機能を有する回転非対称な曲面形状であることを特徴とする請求項１、２に記載のズーム光学系。
【請求項４】
前記形状可変ミラーより物体側の光学系から見た射出瞳位置から前記形状可変ミラーまでの距離が以下の条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のズーム光学系。
０．５ ＜ EXW／ｆW ＜ ５０．０ （１−１）
０．５ ＜ EXT／ｆT ＜ ５０．０ （２−１）
ただし、EXW、EXTはそれぞれ広角端、望遠端における、前記可変形状ミラーから見た光学系の射出瞳位置から形状可変ミラーまでの物理的な距離、ｆW、ｆTはそれぞれ広角端、望遠端における全系の焦点距離である。
【請求項５】
前記形状可変ミラーと像面との間にあるレンズ群の広角端における倍率ζWが、以下の条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のズーム光学系。
０．３ ＜ ζW ＜ ０．９ （３−１）
【請求項６】
開口絞りを備え、
広角端において、前記開口絞りよりも物体側のレンズ群の焦点距離をｆａ、前記開口絞りよりも像側のレンズ群の焦点距離をｆｂとしたとき、以下の条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のズーム光学系。
−５．０ ＜ （ｆａ／ｆｂ）×ｆW ＜ −０．５ （４−１）
ただし、ｆWは広角端における全系の焦点距離である。
【請求項７】
物体側から順に、負のパワーの第１群、正のパワーの第２群、正のパワーの第３群、正のパワーの第４群で構成され、少なくとも第２群もしくは第３群が変倍作用を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のズーム光学系。
【請求項８】
物体側から順に、負のパワーの第１群、正のパワーの第２群、正のパワーの第３群で構成され、少なくとも第２群が変倍作用を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のズーム光学系。
【請求項９】
物体側から順に、正のパワーの第１群、負のパワーの第２群、正のパワーの第３群、正のパワーの第４群で構成され、少なくとも第２群が変倍作用を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のズーム光学系。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のズーム光学系を用いた撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下の透明電極に挟まれた屈折率異方性媒質の方位を該透明電極を介して電界制御する光偏向素子において、
少なくとも一方の透明電極の形状は、ストライプ状に複数の個別電極を配した少なくとも１つの群で構成され、
その各群における複数の個別電極の重心間隔を不等間隔にするとともに、前記各個別電極間を高抵抗の配線で接続したことを特徴とする光偏向素子。
【請求項２】
前記群の少なくとも両端に位置する個別電極に、少なくとも２つの外部引き出し電極線を配したことを特徴とする請求項１に記載の光偏向素子。
【請求項３】
前記群は少なくとも２つであり、その各群の基本格子形状が同じであることを特徴とした請求項１または２に記載の光偏向素子。
【請求項４】
前記群は少なくとも２つであり、その群の間が不透明パターンで区切られたことを特徴とした請求項１から３のいずれか１に記載の光偏向素子。
【請求項５】
屈折率異方性媒質が、液晶素子であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１に記載の光偏向素子。
【請求項６】
前記液晶素子の液晶層が、ホモジェニアス型液晶もしくはホメオトロピック型液晶であることを特徴とする請求項５に記載の光偏向素子。
【請求項７】
請求項５または６に記載の光偏向素子の駆動方法であって、
対向側の透明電極に対し、前記屈折率異方性媒質の動作実効電圧よりも高い電圧を、前記群の両端に位置する各個別電極に与えることを特徴とする光偏向素子の駆動方法。
【請求項８】
前記群の両端に位置する各個別電極の間に、電位差を生じさせることを特徴とする請求項７に記載の光偏向素子の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明において上記課題を解決するための第１の手段は、上下の透明電極に挟まれた屈折率異方性媒質の方位を該透明電極を介して電界制御する光偏向素子において、少なくとも一方の透明電極の形状は、ストライプ状に複数の個別電極を配した少なくとも１つの群で構成され、その各群における複数の個別電極の重心間隔を不等間隔にするとともに、前記各個別電極間を高抵抗の配線で接続した構成としたことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、第２の手段は、前記群の少なくとも両端に位置する個別電極に、少なくとも２つの外部引き出し電極線を配した構成としたことである。第３の手段は、前記群は少なくとも２つであり、その各群の基本格子形状が同じである構成としたことである。第４の手段は、前記群は少なくとも２つであり、その群の間が不透明パターンで区切られた構成としたことである。第５の手段は、屈折率異方性媒質が液晶素子である構成としたことである。第６の手段は、前記液晶素子の液晶層が、ホモジェニアス型液晶もしくはホメオトロピック型液晶である構成としたことである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、第７の手段は、前記手段５または６に記載の光偏向素子の駆動方法であって、対向側の透明電極に対し、前記屈折率異方性媒質の動作実効電圧よりも高い電圧を、前記群の両端に位置する各個別電極に与える駆動方法としたことである。第８の手段は、前記群の両端に位置する各個別電極の間に、電位差を生じさせる駆動方法としたことである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  販売促進用電子チップの流通及び交換レート等を制御するコンピュータである電子チップ流通サーバ装置を含み、販売促進用電子チップを流通させるための電子チップ流通方法であって、
上記電子チップ流通サーバ装置内において、
ユーザによる所定の発行操作に対して、データベースに保持されている電子チップ発行条件に基づき電子チップ を発行し、
ユーザによる所定の消費操作に対して、データベースに保持されている電子チップ消費条件に基づき前記電子チップの消費を受け付け、
前記ユーザに、そのユーザが保有する電子チップに関する情報を、電子チップ情報として供給し、
前記ユーザによる前記所定の発行操作の履歴及び前記所定の消費操作の履歴を一定期間毎にデータベースに登録して管理し、一定期間毎にデータベースに登録して管理されている前記電子チップ の発行履歴及び前記電子チップ の消費履歴の各管理内容に基づき、前記電子チップ発行条件及び前記電子チップ消費条件を所定の関数に従って動的に変化させ、その時の電子チップの単位と貨幣の単位との換算レートを算出する、過程を更に含む、ことを特徴とする電子チップ流通方法。
【請求項２】  前記請求項１に記載の方法であって、前記電子チップ消費条件は、前記電子チップの単位と貨幣の単位との換算レートと、該電子チップの有効期限とを含む、ことを特徴とする電子チップ流通方法。
【請求項３】  前記請求項１または２に記載の方法であって、前記ユーザ全体で共通の前記電子チップ発行条件又は前記電子チップ消費条件を算出する過程を含む、ことを特徴とする電子チップ流通方法。
【請求項４】  前記請求項１または２に記載の方法であって、前記ユーザ毎に個別の前記電子チップ発行条件又は前記電子チップ消費条件を算出する過程を含む、ことを特徴とする電子チップ流通方法。
【請求項５】  前記請求項１〜４の内、いずれか１項に記載の方法であって、ユーザによる商品の購入操作に対し、前記電子チップ発行条件に基づき前記電子チップを発行する過程を含む、ことを特徴とする電子チップ流通方法。
【請求項６】  前記請求項５において、前記電子チップ発行条件を、加入期間が長いユーザほど所定の関数に従って交換レートが大きくなるように、又は総買上高が高いユーザほど所定の関数に従って交換レートが大きくなるように動的に変動させることを特徴とする電子チップ流通方法。
【請求項７】  前記請求項１〜６の内、いずれか１項に記載の方法であって、ユーザによる商品の購入操作に伴い、前記電子チップ消費条件に基づき前記電子チップの消費を受け付ける過程を含む、ことを特徴とする電子チップ流通方法。
【請求項８】  前記請求項７において、電子チップ消費条件を、総売上高が低いクライアント装置ほど所定の関数に従って前記換算レートが大きくなるように、又は期間の経過に従って総売上高が低くなる割合が大きいクライアント装置ほど所定の関数に従って前記換算レートが大きくなるように、あるいは有効期限が近づいているレコードほど交換レートが小さくなるように動的に変化させることを特徴とする電子チップ流通方法。
【請求項９】 販売促進用電子チップの流通及び交換レート等を制御するコンピュータである電子チップ流通サーバ装置において、
上記電子チップ流通サーバ装置内に、ユーザによる商品の購入操作に対し、データベースに保持されている電子チップ発行条件に基づき電子チップを発行する電子チップ発行モジュールと、
ユーザによる所定の消費操作に対して、データベースに保持されている前記電子チップ の単位と貨幣の単位との換算レートと、該電子チップの有効期限とを含む電子チップ消費条件に基づき前記電子チップの消費を受け付ける電子チップ消費モジュールと、
前記ユーザに対して、そのユーザが保有する電子チップに関する情報を、電子チップ情報として供給する電子チップ情報供給モジュールと、
前記電子チップ発行モジュールによる電子チップの発行履歴及び前記電子チップ消費モジュールによる電子チップの消費履歴を一定期間毎にデータベースに登録して管理する電子チップ履歴管理モジュールと、
該電子チップ履歴管理モジュールの管理内容に基づき、前記電子チップ発行条件及び前記電子チップ消費条件を算出する電子チップ条件算出モジュールと、
前記ユーザによる前記商品購入による電子チップ発行操作の履歴及び前記所定の消費操作の履歴を一定期間毎にデータベースに登録して管理する操作履歴管理モジュールを有し、
前記電子チップ条件算出モジュールは、前記電子チップ履歴管理モジュール及び前記操作履歴管理モジュールの各管理内容に基づき、前記電子チップ発行条件及び前記電子チップ消費条件を所定の関数に従って動的に変化させ、その時の電子チップの単位と貨幣の単位との換算レートを算出すると共に、前記電子チップ消費条件は、前記電子チップの単位と貨幣の単位との換算レートと、該電子チップの有効期限とを含み、
前記電子チップ条件算出モジュールは、前記ユーザ全体で共通の前記電子チップ発行条件及び前記電子チップ消費条件を算出する、
ことを特徴とする電子チップ流通サーバ装置。
【請求項１０】 前記請求項９に記載の電子チップ流通サーバ装置において、前記電子チップ発行条件を、加入期間が長いユーザほど所定の関数に従って交換レートが大きくなるように、又は総買上高が高いユーザほど所定の関数に従って交換レートが大きくなるように動的に変動させることを特徴とする電子チップ流通サーバ装置。
【請求項１１】 前記請求項９または１０に記載の電子チップ流通サーバ装置において、電子チップ消費条件を、総売上高が低いクライアント装置ほど所定の関数に従って前記換算レートが大きくなるように、又は期間の経過に従って総売上高が低くなる割合が大きいクライアント装置ほど所定の関数に従って前記換算レートが大きくなるように、あるいは有効期限が近づいているレコードほど交換レートが小さくなるように動的に変化させることを特徴とする電子チップ流通サーバ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
生活環境内における管理対象物と生活者とに関する情報を収集して加工し、生活情報として管理する生活情報管理システムであって、
管理対象物に取付けられて、該管理対象物の情報をデータとして保持する記録保持手段、および外部と無線による情報通信が可能な通信手段を有する第一のデータタグと、
生活者に携帯されて、該生活者の情報を保持する記録保持手段、および外部と無線による情報通信が可能な通信手段を有する第二のデータタグと、
外部との間で無線による情報通信が可能な通信手段、および該情報通信に基づいて通信情報を記録する記録手段を有する観察機と、
第一のデータタグ、第二のデータタグ、および観察機のうちのいずれかの間で通信された情報を観察機の通信手段を介して収集して加工する処理を行う情報処理手段とを含み、
各通信手段は、無線による情報通信が到達可能な通信距離を複数設定することが可能であることを特徴とする生活情報管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
生活環境内における管理対象物と生活者とに関する情報を収集して加工し、生活情報として管理する生活情報管理方法であって、
管理対象物に、該管理対象物の情報をデータとして保持し、外部と無線による情報通信が可能な第一のデータタグを取付けておき、
生活者に、該生活者の情報を保持し、外部と無線による情報通信が可能な第二のデータタグを携帯させ、
第一のデータタグと第二のデータタグとの間の情報通信、および第一のデータタグまたは第二のデータタグとの情報通信が到達可能な通信距離を複数設定することが可能であり、これらで送受信される情報を収集して加工し、生活情報として管理することを特徴とする生活情報管理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、生活環境内における管理対象物と生活者とに関する情報を収集して加工し、生活情報として管理する生活情報管理システムであって、
管理対象物に取付けられて、該管理対象物の情報をデータとして保持する記録保持手段、および外部と無線による情報通信が可能な通信手段を有する第一のデータタグと、
生活者に携帯されて、該生活者の情報を保持する記録保持手段、および外部と無線による情報通信が可能な通信手段を有する第二のデータタグと、
外部との間で無線による情報通信が可能な通信手段、および該情報通信に基づいて通信情報を記録する記録手段を有する観察機と、
第一のデータタグ、第二のデータタグ、および観察機のうちのいずれかの間で通信された情報を観察機の通信手段を介して収集して加工する処理を行う情報処理手段とを含み、
各通信手段は、無線による情報通信が到達可能な通信距離を複数設定することが可能であることを特徴とする生活情報管理システムである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に従えば、生活情報管理システムは、生活環境内における管理対象物と生活者とに関する情報を収集して加工し、生活情報として管理するために、第一のデータタグと、第二のデータタグと、観察機と、情報処理手段とを含む。第一のデータタグは、管理対象物に取付けられて、その管理対象物の情報をデータとして保持する記録保持手段、および外部と無線による情報通信が可能な通信手段を有する。第二のデータタグは、生活者に携帯されて、該生活者の情報を保持する記録保持手段、および外部と無線による情報通信が可能な通信手段を有する。観察機は、外部との間で無線による情報通信が可能な通信手段、および該情報通信に基づいて通信情報を記録する記録手段を有する。情報処理手段は、第一のデータタグ、第二のデータタグ、および観察機のうちのいずれかの間で通信された情報を観察機の通信手段を介して収集して加工する処理を行うので、管理対象物と生活者との関係を容易に把握することができる。情報処理手段は、第一のデータタグおよび第二のデータタグとそれぞれ情報通信が可能であるので、情報通信に伴って受信される情報を収集して加工することによって、生活情報を有効に管理することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
さらに本発明は、生活環境内における管理対象物と生活者とに関する情報を収集して加工し、生活情報として管理する生活情報管理方法であって、
管理対象物に、該管理対象物の情報をデータとして保持し、外部と無線による情報通信が可能な第一のデータタグを取付けておき、
生活者に、該生活者の情報を保持し、外部と無線による情報通信が可能な第二のデータタグを携帯させ、
第一のデータタグと第二のデータタグとの間の情報通信、および第一のデータタグまたは第二のデータタグとの情報通信が到達可能な通信距離を複数設定することが可能であり、これらで送受信される情報を収集して加工し、生活情報として管理することを特徴とする生活情報管理方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタおよび強誘電体キャパシタを含むセルを有する半導体記憶装置において、
半導体基板表面に第１の絶縁層を介して形成した前記強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタを覆うように形成した第２の絶縁層の表面上に形成した第１の配線層と、
前記第１の配線層を覆うように形成した第３の絶縁層の表面上に形成され、第２及び第３の絶縁層に開口したコンタクトホールを介して前記強誘電体キャパシタの上部電極に直接接続された第２の配線層とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
トランジスタおよび強誘電体キャパシタを含むセルを有する半導体記憶装置において、
半導体基板表面に第１の絶縁層を介して形成した前記強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタを覆うように形成した第２の絶縁層の表面上に形成し、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に形成した第１のコンタクトホールを介して、前記半導体基板の表面部分に形成した前記トランジスタの拡散層に接続された第１の配線層と、
前記第１の配線層を覆うように形成した第３の絶縁層の表面上に形成し、第２及び第３の絶縁層に形成した第２のコンタクトホールを介して前記強誘電体キャパシタの上部電極に接続し、前記第３の絶縁層に形成した第３のコンタクトホールを介して前記第１の配線層に接続された第２の配線層とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体記憶装置において、
前記第１の絶縁層の内部に形成した第３の配線層をさらに備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体記憶装置において、
前記強誘電体キャパシタの上部電極と前記トランジスタの拡散層が前記第３の配線層を介して接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体記憶装置において、
前記第１の配線層と前記第２の配線層の少なくとも一方が、少なくともアルミニウム又は銅のいずれか一方を含む材料からできていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
トランジスタおよび強誘電体キャパシタを含むセルを有する半導体記憶装置において、
半導体基板の表面上に形成した第１の絶縁層の表面部分に形成し、前記第１の絶縁層内に形成した第１のコンタクトホールを介して前記半導体基板の表面部分に形成した前記トランジスタの拡散層に接続された第１の配線層と、
前記第１の絶縁層の表面上に形成した前記強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタを覆うように形成した第２の絶縁層の表面上に形成し、前記第２の絶縁層内に形成した第２のコンタクトホールを介して、前記強誘電体キャパシタの上部電極に接続され、前記第３の絶縁層に形成した第３のコンタクトホールを介して前記第１の配線層に接続されたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
トランジスタと強誘電体キャパシタを含むセルを有する半導体記憶装置の製造方法において、
半導体の基板表面に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタ上を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に第１の配線層を形成する工程と、
前記第１の配線層上に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜にコンタクトホールを開口し前記強誘電体キャパシタの上部電極を露出させる工程と、
前記第３の絶縁膜上に第２の配線層を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体記憶装置の製造方法において、
前記第１の絶縁層の形成工程が２つ以上の絶縁層堆積工程からなり、
前記第１の絶縁層内部に第３の配線層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８記載の半導体記憶装置の製造方法において、
前記第１の配線層または前記第２の配線層のうちの少なくともいずれか一方の材料がアルミニウムまたは銅を含んでいることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体記憶装置は、トランジスタおよび強誘電体キャパシタを含むセルを有する半導体記憶装置において、半導体基板表面に第１の絶縁層を介して形成された前記強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタを覆うように形成した第２の絶縁層の表面上に形成した第１の配線層と、前記第１の配線層を覆うように形成した第３の絶縁層の表面上に形成され、第２及び第３の絶縁層に開口したコンタクトホールを介して前記強誘電体キャパシタの上部電極に直接接続された第２の配線層を備えることを特徴とする。
また、本発明の半導体記憶装置は、トランジスタおよび強誘電体キャパシタを含むセルを有する半導体記憶装置において、半導体基板表面に第１の絶縁層を介して形成した前記強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタを覆うように形成した第２の絶縁層の表面上に形成し、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に形成した第１のコンタクトホールを介して、前記半導体基板の表面部分に形成した前記トランジスタの拡散層に接続された第１の配線層と、前記第１の配線層を覆うように形成した第３の絶縁層の表面上に形成し、第２及び第３の絶縁層に形成した第２のコンタクトホールを介して前記強誘電体キャパシタの上部電極に接続し、前記第３の絶縁層に形成した第３のコンタクトホールを介して前記第１の配線層に接続された第２の配線層とを備えることを特徴とする。
あるいは、本発明の半導体記憶装置は、トランジスタおよび強誘電体キャパシタを含むセルを有する半導体記憶装置において、半導体基板の表面上に形成した第１の絶縁層の表面部分に形成し、前記第１の絶縁層内に形成した第１のコンタクトホールを介して前記半導体基板の表面部分に形成した前記トランジスタの拡散層に接続された第１の配線層と、前記第１の絶縁層の表面上に形成した前記強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタを覆うように形成した第２の絶縁層の表面上に形成し、前記第２の絶縁層内に形成した第２のコンタクトホールを介して、前記強誘電体キャパシタの上部電極に接続され、前記第３の絶縁層に形成した第３のコンタクトホールを介して前記第１の配線層に接続されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された下層金属ゲートと、前記下層金属ゲートの上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜の上に形成された半導体層と、前記半導体層に形成されたチャネル部と、前記チャネル部を挟んで離間して形成されたソース／ドレイン領域と、ソース／ドレインからの取り出し電極とを備えてなる強誘電体薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層が、Geからなることを特徴とする強誘電体薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記チャネル部の上側に、ソース／ドレイン領域と逆導電型の不純物がドーピングされており、前記ソース側の取り出し電極がソース領域と、前記チャネル部の上側とにまたがって接触していることを特徴とする請求項１記載の強誘電体薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記半導体層がSiｘGe１−ｘ（ｘ＜0.5）化合物からなることを特徴とする請求項１又は２記載の強誘電体薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記強誘電体膜が、PbZrTiO3、SrBi2Ta2O9、BaｘSr1-xTiO3、Pb5Ge3O11、Bi4Ti3O12（Pb,La）TiO3から選ばれた１種類の材料からなることを特徴とする請求項１又は２記載の強誘電体薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記金属ゲートが、異なる材料からなる２層以上の積層膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の強誘電体薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記積層膜の下層が、W、Ta、Mo、TiN、Nb、V、TaN、TaSiN、TiW、TiWN、TiAlNから選ばれた１種類の材料からなる単層膜もしくは２種類以上の材料を組み合わせた多層膜であることを特徴とする請求項５記載の強誘電体薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記積層膜の上層が、IrO2、Ir、Ru、Pt、RuO2、SrRuO3、La1-xSrxCoO3、SrMoO3から選ばれた１種類の材料からなる単層膜もしくは２種以上の材料を組み合わせた多層膜であることを特徴とする請求項５記載の強誘電体薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明では、半導体基板上に形成された下層金属ゲートと、前記下層金属ゲートの上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜の上に形成された半導体層と、前記半導体層に形成されたチャネル部と、前記チャネル部を挟んで離間して形成されたソース／ドレイン領域と、ソース／ドレインからの取り出し電極とを備えてなる強誘電体薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層が、Geからなることを特徴とする強誘電体薄膜トランジスタとしたので強誘電体容量部分とMOSFET部分を１素子で実現できるため構造が単純になり微細化しやすい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月12日(2005.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント配線板およびプリント配線板にコネクタを実装する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【実施例】以下に、図面を参照して本発明の実施例を説明する。本発明によるプリント配線板の一実施例では、図４に示すように、プリント配線板４１に、コモン用の導電性パッド４２と、その内部に信号線用の円形状の導電性パッド４３が配置されている。図４に示すように、パッド４２は、コネクタのコモン用のリード部が挿入される各スルーホール４４を電気的に結合している。また、このパッドの形状を、例えば搭載されるコネクタの接続底面２４と一致した形状にすることによって、コネクタをプリント配線板に半田付け実装した時に、パッドとコネクタ接続底面との間が間隙なく連結されるので、遮蔽構造がコネクタからプリント配線板表面まで保たれることになり、高周波信号の劣化を防ぐことができる。必ずしも、コネクタの接続底面と同じ形状のパッドにしたり、コネクタの接続底面の領域を全て含むような形状にする必要はないが、条件として、コネクタとプリント配線板表面との間を間隙なく、及び均等に半田が埋め尽くされ得るようにした形状である必要がある。なお、信号リードに対応する部分については従来からの円形パッド４３を用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
処理すべきマスク基板の装着されるプロセス室内のバイアス基板電極には、基板外周部におけるプラズマの乱れを抑制するために基板と同じ厚みの処理面高さ均一化用石英製電極表面材が設けられる。
特に、露光に使用するマスク石英基板のパターンは、パーティクルによる影響が非常に大きく、装置としてエッチング処理前及びエッチング処理中のパーティクル発生を極力抑える必要があるが、本発明においては、スロー排気・スローベントとなるように排気時間及び大気開放時間を制御しているので、真空排気及び大気圧解放時にパーティクルの拡散を防ぎ、マスク基板上に付着しないようにできる。
真空搬送室においても基板を基板表面と隙間１mm程度になるように設定された整流板を設け、その位置にて、真空排気及び大気解放時には時間と圧力との関係よりパーティクル発生を抑えるようにスロー排気・スローベントするように構成することによって、パーティクルレスなマスク基板を製作できる。
石英材部品については、好ましくは、全面鏡面仕上げ及び面取りを行ってチッピングや表面からのパーティクル発生を防ぐように構成され得る。
また、シリコンウエハー等では、基板裏面についてそれほど、接触による傷やパーティクル付着等については注意されていないが、マスク石英基板においては露光時の光の透過があるため、マスク基板裏面については接触による傷は絶対避ける必要がある。そこで、本発明の好ましい実施の形態においては、基板搬送ロボットのハンド、カセット、プロセス室の基板が載る電極部においてマスク基板外周部２mm以外は接触しないように構成される。特に、電極部においては段差が設けられ、また、プラズマに直接晒されることによる金属汚染を防ぐために、マスク基板外周部に相当するバイアス電極表面部分にはアルミナが溶射され得る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
特に、露光に使用するマスク石英基板のパターンは、パーティクルによる影響が非常に大きく、装置としてエッチング処理前及びエッチング処理中のパーティクル発生を極力抑える必要があるが、本発明においては、スロー排気・スローベントとなるように排気時間及び大気開放時間を制御しているので、真空排気及び大気圧解放時にパーティクルの拡散を防ぎ、マスク基板上に付着しないようにできる。
石英材部品については、好ましくは、全面鏡面仕上げ及び面取りを行ってチッピングや表面からのパーティクル発生を防ぐように構成され得る。
【実施例】
以下、添付図面を参照して本発明の実施例について説明する。
図１及び図２には本発明を大型マスク形成するエッチング装置として実施している磁気中性線放電プラズマ処理装置の全体構成を概略的に示し、図示装置は磁気中性線放電プラズマを発生する磁気中性線放電プラズマ生成室１と、エッチング室２と、基板搬送室３と、カセットステーション４とを備えている。
またエッチング室２と基板搬送室３との間及び基板搬送室３とカセットステーション４との間には、それぞれ仕切弁５、６が設けられている。７は装置の操作盤、８はガスボックス、９は給排水盤である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このようにして真空搬送室３内が予め設定してあるチャンバー間受け渡し圧力値になると、真空搬送室３とエッチングプロセス室２との間の仕切弁５が開放され、それによりマスク基板は、エッチングプロセス室２へ搬送される。
エッチングプロセス室２に搬送されたマスク基板は、基板昇降機構２２によってロボットハンド３６上からバイアス基板電極２０上に移される。
その後、ロボットハンド３６はエッチングプロセス室２から真空搬送室３へ戻され、仕切弁５は閉じられ、そしてエッチングプロセス室２は設定圧力まで排気される。エッチングプロセス室２が設定圧力まで排気されると、プラズマ生成室１の上部天板１１にあるプロセスガス導入口１６を介して選択したガスが導入され、エッチングプロセス室２の排気ポート２３に設けられた自動圧力調整機２４によってプロセスガス圧力に設定される。
この状態において、先ず電磁石１２、１３、１４に設定電流を流し、次にバイアス基板電極２０に設定電力を投入した後、高周波コイルすなわちアンテナ１５に設定電力を投入してプラズマ生成室１内に磁気中性線放電プラズマを生成させ、生成した磁気中性線放電プラズマはプラズマ生成室１内からエッチングプロセス室２のバイアス基板電極２０上へ引き込まれ、マスク基板２１上の被エッチング膜のパターニング（エッチング）が行なわれる。
エッチング終了後、電磁石１２、１３、１４、バイアス基板電極２０、アンテナ１５への電力投入は停止され、その後ガス導入が停止され、エッチングプロセス室２内は高真空に排気される。
こうしてエッチングプロセス室２内のガス抜きを行った後、仕切弁５が開放され、ロボット１のハンド３６がエッチングプロセス室２内に挿入され、処理した基板２１を収納する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月14日(2005.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影像の歪みを調整可能な投影露光装置を少なくとも１つ含む複数の投影露光装置で感応基板を多層的に露光する露光方法において、
少なくとも１層以上の露光がなされた前記感応基板の重ね合わせ露光に際し、前記感応基板の露光履歴と前記複数の投影露光装置それぞれの歪み調整能力とに基づいて、前記感応基板を重ね合わせ露光する投影露光装置を前記複数の投影露光装置の中から選択することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記露光履歴は、前記複数の投影露光装置の内の前記感応基板を露光した投影装置の露光時における投影像の歪み情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記選択に際し、前記複数の投影露光装置のそれぞれについて、前記感応基板を露光した投影露光装置による投影像との重ね合わせ誤差が最も小さくなるように歪み調整を行ったときの残留誤差を求めることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項４】
前記選択された投影露光装置により重ね合わせ露光を行う際に、前記残留誤差を求めたときの歪み調整に関する情報を用いることを特徴とする請求項３に記載の露光方法。
【請求項５】
前記重ね合わせ露光を行う投影露光装置の選択の際には、マスクに形成されたパターンの描画誤差が更に考慮されることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項６】
前記重ね合わせ露光を行う投影露光装置の選択の際には、前記選択時における前記複数の露光装置の稼動状況が更に考慮されることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項７】
投影像の歪みを調整可能な投影露光装置を少なくとも１つ含む複数の投影露光装置と；
少なくとも１層以上の露光がなされた前記感応基板の重ね合わせ露光に際し、前記感応基板の露光履歴と前記複数の投影露光装置それぞれの歪み調整能力とに基づいて、前記感応基板を重ね合わせ露光する投影露光装置を前記複数の投影露光装置の中から選択する判定装置とを備えるリソグラフィシステム。
【請求項８】
前記判定装置は、
前記複数の投影露光装置の稼動状況を管理するプロセス管理装置と；
前記感応基板の露光履歴及び前記複数の投影露光装置の投影像の歪み設定を管理する歪み管理装置とを備える請求項７に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９】
前記歪み管理装置は、前記感応基板の露光履歴に基づいて、前記投影像を調整可能な投影露光装置について、前記感応基板の露光の際に最適な歪み設定値を算出することを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０】
請求項９に記載のリソグラフィシステムで使用される露光方法であって、
感応基板の露光に際し、前記プロセス管理装置が、前記感応基板の識別子を前記歪み管理装置に供給する第１工程と；
前記歪み管理装置が、前記感応基板の識別子によって識別された感応基板の露光履歴と、前記複数の投影露光装置のそれぞれの前記歪み調整能力とに基づいて、前記複数の投影露光装置の中から露光を行う候補の投影露光装置を１つ以上を決定し、前記決定された投影露光装置の情報を前記プロセス管理装置に供給する第２工程と；
前記プロセス管理装置が、前記決定された投影露光装置の稼動状況に基づいて、前記決定された投影露光装置の中から前記感応基板を露光する投影露光装置を選択する第３工程と；
前記選択された投影露光装置の投影像の歪みが調整可能な場合には、前記選択された投影露光装置が、前記感応基板の露光の際の歪み設定パラメータを前記歪み管理装置に問い合わせる第４工程と；
前記選択された投影露光装置が、前記歪み管理装置からの前記歪み設定パラメータに基づいて投影像の歪みを調整した状態で露光を行う第５工程とを含む露光方法。
【請求項１１】
デバイス製造用の回路パターンが形成されたレチクルを用意し、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、前記レチクル上に形成された回路パターンの像で、前記感応基板を露光する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ有するプリチャージ電源線が共通に接続され、それぞれ同様の構成を有する複数の回路ブロックと、
前記プリチャージ電源線にプリチャージ電流出力ノードが接続され、半導体チップの電源投入時にプリチャージ電流供給動作を開始する第１のプリチャージ電源供給回路と、
前記プリチャージ電源線にプリチャージ電流出力ノードが接続され、前記第１のプリチャージ電源供給回路のプリチャージ電流により前記プリチャージ電源線が所定の電位に立ち上がった後にプリチャージ電流供給動作を開始する第２のプリチャージ電源供給回路
とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２のプリチャージ電源供給回路は、
外部電源入力に基づいて第１の基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、
前記外部電源入力に基づいて半導体チップ内部で生成された内部電圧が動作電源として供給され、前記プリチャージ電源線にプリチャージ電流を供給するための第１のトランジスタと、
外部電源入力が動作電源として供給され、前記プリチャージ電源線が所定の電位に立ち上がった後に生成される制御信号を受けて前記第１の基準電圧と前記プリチャージ電源線の電圧とを比較し、比較出力に応じて前記第１のトランジスタのプリチャージ電流供給動作を制御する第１の電圧比較回路
とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記基準電圧生成回路は、前記第１の基準電圧より大きい第２の基準電圧をさらに生成し、
前記プリチャージ電源線から電流を放電させるための第２のトランジスタと、
前記第２の基準電圧と前記プリチャージ電源線の電圧とを比較し、比較出力に応じて前記第２のトランジスタの放電動作を制御する第２の電圧比較回路とをさらに具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
それぞれプリチャージ電源線を有する複数の回路ブロックと、
前記複数の回路ブロックに対応して設けられ、対応する回路ブロックのプリチャージ電源線に一端側が接続され、半導体チップの電源投入時から所定期間後にオフ状態に制御される複数のスイッチ回路と、
前記複数のスイッチ回路の各他端側に共通に接続された共通プリチャージ電源線と、
前記複数の回路ブロックに対応して設けられ、対応する回路ブロックのプリチャージ電源線にプリチャージ電流出力ノードが接続された複数のプリチャージ電源供給回路とを具備し、
前記複数のプリチャージ電源供給回路は、半導体チップの電源投入時にプリチャージ電流供給動作を開始する第１のプリチャージ電源供給回路と、前記第１のプリチャージ電源供給回路のプリチャージ電流により前記プリチャージ電源線が所定の電位に立ち上がった後にプリチャージ電流供給動作を開始する第２のプリチャージ電源供給回路とが混在することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記複数の回路ブロックとプリチャージ電源供給回路のパターン配置関係は、各回路ブロック毎にほぼ対称になっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
それぞれプリチャージ電源線を有する複数の回路ブロックと、
前記複数の回路ブロックのうちの特定の第１の回路ブロックのプリチャージ電源線に一端側が接続され、他端側が共通に接続され、半導体チップの電源投入時から所定期間後にオフ状態に制御されるスイッチ回路と、
前記第１の回路ブロック以外の第２の回路ブロックのプリチャージ電源線および前記スイッチ回路の他端側に共通に接続された共通プリチャージ電源線と、
前記第１の回路ブロックのプリチャージ電源線にプリチャージ電流出力ノードが接続された第１のプリチャージ電源供給回路と、
前記第２の回路ブロックのプリチャージ電源線にプリチャージ電流出力ノードが接続された第２のプリチャージ電源供給回路とを具備し、
前記第１のプリチャージ電源供給回路および第２のプリチャージ電源供給回路のうち、一方のプリチャージ電源供給回路は、半導体チップの電源投入時にプリチャージ電流供給動作を開始し、他方のプリチャージ電源供給回路は、前記一方のプリチャージ電源供給回路のプリチャージ電流により前記プリチャージ電源線が所定の電位に立ち上がった後にプリチャージ電流供給動作を開始するように制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置は、
メモリセルアレイおよびそれに関連する回路が複数のバンクに区分され、各バンクを独立に選択可能な構成を有する同期型ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリであり、
前記各バンクのプリチャージ電源線は、セルアレイのビット線あるいはキャパシタプレート線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、
クロック信号および制御信号が入力されるクロック入力バッファと、
アドレス信号およびバンクアドレス信号が入力され、上記クロック入力バッファの出力信号に同期してアドレス信号およびバンクアドレス信号をバッファ増幅し、バンクアドレス信号をデコードしてバンク選択信号を生成するバンク選択回路を含むアドレス入力バッファと、
動作モード指定用のコマンド入力として外部制御信号が入力され、上記クロック入力バッファの出力信号に同期して外部制御信号をデコードするコマンド・デコーダと、
セルフリフレッシュモードのときは上記アドレス入力バッファで生成されるバンク選択信号が入力されて回路ブロック選択信号を生成する回路ブロック選択回路と、
上記コマンド・デコーダのデコード出力信号が入力され、上記クロック入力バッファの出力信号に同期して内部制御信号を発生する制御信号発生回路と、
リフレッシュアドレス信号を生成するリフレッシュカウンタと、
通常動作モード／セルフリフレッシュモードに応じて、上記アドレス入力バッファの出力信号及びリフレッシュアドレス信号をラッチするアドレスラッチ回路
とをさらに具備することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ｄ／Ａ変換回路、半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されるｎビット（ｎは２以上の自然数）のデジタル信号に対応する階調電圧が出力線に供給されるＤ／Ａ変換回路であって、
前記ｎビットのデジタル信号を上位ｘビットと下位ｙビットとに分割し（ｘ＋ｙ＝ｎ；ｘ、ｙは共に自然数）、
前記ｎビットのデジタル信号の上位ｘビットによって（２ｘ＋１）本の階調電圧線のうち隣り合う２本の階調電圧線が選択され、
選択された前記隣り合う２本の階調電圧線の階調電圧から、２ｙ通りの階調電圧が作り出され、
前記ｎビットのデジタル信号の下位ｙビットによって、前記２ｙ通りの階調電圧のうち対応する階調電圧が前記出力線に供給されることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。
【請求項２】
入力されるｎビット（ｎは２以上の自然数）のデジタル信号に対応する階調電圧が出力線に供給されるＤ／Ａ変換回路であって、
前記ｎビットのデジタル信号を上位ｘビットと下位ｙビットとに分割し（ｘ＋ｙ＝ｎ；ｘ、ｙは共に自然数）、
前記ｎビットのデジタル信号の上位ｘビットによって（２ｘ＋１）本の階調電圧線のうち、第１の階調電圧線から第（２ｘ＋１）の階調電圧線に向かってより高い電圧が供給されている第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線が選択され（１≦ｚ≦２ｘ；ｚは自然数）、
選択された前記第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線の階調電圧から、２ｙ通りの階調電圧が作り出され、
前記ｎビットのデジタル信号の下位ｙビットによって、前記２ｙ通りの階調電圧のうち対応する階調電圧が前記出力線に供給されることを特徴とするＤ／Ａ変換回路。
【請求項３】
前記Ｄ／Ａ変換回路は、薄膜トランジスタを用いて絶縁基板上に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＤ／Ａ変換回路。
【請求項４】
マトリクス状に配置された複数のＴＦＴと、
前記複数のＴＦＴを駆動するソース信号線側駆動回路とゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体装置であって、
前記ソース信号線側駆動回路は、入力されるｎビット（ｎは２以上の自然数）のデジタル信号に対応する階調電圧が出力線に供給されるＤ／Ａ変換回路を備えており、
前記ｎビットのデジタル信号を上位ｘビットと下位ｙビットとに分割し（ｘ＋ｙ＝ｎ；ｘ、ｙは共に自然数）、
前記ｎビットのデジタル信号の上位ｘビットによって（２ｘ＋１）本の階調電圧線のうち隣り合う２本の階調電圧線が選択され、
選択された前記隣り合う２本の階調電圧線の階調電圧から、２ｙ通りの階調電圧が作り出され、
前記ｎビットのデジタル信号の下位ｙビットによって、前記２ｙ通りの階調電圧のうち対応する階調電圧が前記出力線に供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
マトリクス状に配置された複数のＴＦＴと、
前記複数のＴＦＴを駆動するソース信号線側駆動回路とゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体装置であって、
前記ソース信号線側駆動回路は、入力されるｎビット（ｎは２以上の自然数）のデジタル信号に対応する階調電圧が出力線に供給されるＤ／Ａ変換回路を備えており、
前記ｎビットのデジタル信号を上位ｘビットと下位ｙビットとに分割し（ｘ＋ｙ＝ｎ；ｘ、ｙは共に自然数）、
前記ｎビットのデジタル信号の上位ｘビットによって（２ｘ＋１）本の階調電圧線のうち、第１の階調電圧線から第（２ｘ＋１）の階調電圧線に向かってより高い電圧が供給されている第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線が選択され（１≦ｚ≦２ｘ；ｚは自然数）、
選択された前記第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線の階調電圧から、２ｙ通りの階調電圧が作り出され、
前記ｎビットのデジタル信号の下位ｙビットによって、前記２ｙ通りの階調電圧のうち対応する階調電圧が前記出力線に供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
複数のＴＦＴと、
前記複数のＴＦＴを駆動するソース信号線側駆動回路とゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体装置であって、
前記ソース信号線側駆動回路は、入力されるｎビット（ｎは２以上の自然数）のデジタル信号に対応する階調電圧が出力線に供給されるＤ／Ａ変換回路を備えており、
前記ｎビットのデジタル信号を上位ｘビットと下位ｙビットとに分割し（ｘ＋ｙ＝ｎ；ｘ、ｙは共に自然数）、
前記ｎビットのデジタル信号の上位ｘビットによって（２ｘ＋１）本の階調電圧線のうち、第１の階調電圧線から第（２ｘ＋１）の階調電圧線に向かってより高い電圧が供給されている第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線が選択され（１≦ｚ≦２ｘ；ｚは自然数）、
選択された前記第ｚおよび第（ｚ＋１）の階調電圧線の階調電圧から、２ｙ通りの階調電圧が作り出され、
前記ｎビットのデジタル信号の下位ｙビットによって、前記２ｙ通りの階調電圧のうち対応する階調電圧が前記出力線に供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記複数のＴＦＴと、前記ソース信号線側駆動回路と、前記ゲイト信号線側駆動回路とは、薄膜トランジスタを用いて絶縁基板上に一体形成されることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体装置のブラックマスク層は、前記ソース信号線側駆動回路または前記ゲイト信号線側駆動回路の第３配線として用いられることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体装置のブラックマスク層には、Ａｌ膜あるいはＡｌおよびＴｉの積層膜が用いられることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体装置を有する請求項４乃至請求項９のいずれか一に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図８に示す加算器１２は、２つの入力端子を有する３つの加算器（ＡＤＤ）１２０、１２２、１２４によって構成されている。これら３つの加算器１２０、１２２、１２４によって、４つの階段関数発生部１１−１〜１１−４から出力されるそれぞれのデータが加算される。この加算結果がＤ／Ａ変換器（ＤＡＣ）１４に入力されて階段状の電圧波形に変換され、縦続接続された２つの積分処理部１６、１８のうちの前段の積分処理部１６に印加される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、図８に示すように、前段の積分処理部１６は、２つの演算増幅器１４０、１４１、２つのキャパシタ１４２、１４３、２つの抵抗１４４、１４５およびスイッチ１４６を含んで構成されている。一方の演算増幅器１４０とキャパシタ１４２および抵抗１４４によって積分回路が構成されており、抵抗１４４を介して演算増幅器１４０の反転入力端子に印加されるＤ／Ａ変換器１４の出力電圧に対して所定の積分動作が行われる。また、後段の積分処理部１８は、２つの演算増幅器１５０、１５１、２つのキャパシタ１５２、１５３、２つの抵抗１５４、１５５およびスイッチ１５６を含んで構成されている。一方の演算増幅器１５０とキャパシタ１５２および抵抗１５４によって積分回路が構成されており、抵抗１５４を介して演算増幅器１５０の反転入力端子に印加される前段の積分処理部１６の出力電圧に対して所定の積分動作が行われる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
ところで、本実施形態のＤ／Ａ変換器は、例えばテレビジョン受信機のＲＧＢ信号や輝度信号等の映像信号を得る回路として用いる用途に適している。具体的には、テレビジョン受信機用のＤ／Ａ変換器は、図８に構成を示した回路をＲ、Ｇ、Ｂデータのそれぞれに対応させて３組備えており、１画面に対応するフレームを構成する各走査線毎に所定の時間間隔でそれぞれが８ビットのＲ、Ｇ、Ｂデータが入力されて、それぞれのデータを補間する連続的なＲ、Ｇ、Ｂアナログ電圧を生成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
後段の積分処理部１８に含まれる演算増幅器１５２とキャパシタ１５３および抵抗１５５によって平均レベル保持回路が構成されており、演算増幅器１５０等によって構成される積分回路の出力の平均値が、演算増幅器１５１の非反転入力端子に印加される電圧レベルと同じになるように、演算増幅器１５０の非反転入力端子の電圧レベルが調整される。なお、演算増幅器１５１の非反転入力端子に印加される電圧レベルは、入力データそのものをアナログ電圧に変換してその平均レベルを求めたものが用いられ、この電圧レベルを求めるために、順次入力される入力データを保持するＤ型フリップフロップによって構成されるデータ保持部１８０と、この保持されたデジタルデータに対応するアナログ電圧を発生するＤ／Ａ変換器１８２と、Ｄ／Ａ変換器１８２の出力電圧を積分する積分回路１８４とが備わっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
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