【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス基板、及びアクティブマトリクス型表示装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の走査線と、該走査線に交差する複数のデータ線と、該データ線と前記走査線の交差に対応して形成された複数の画素からなる表示部とを有し、該画素の各々は、前記走査線を介して走査信号がゲート電極に供給される薄膜トランジスタを含む回路と、画素電極と、該画素電極に積層された発光薄膜、及び対向電極を具備する薄膜発光素子とを備え、前記データ線から前記回路を介して供給される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光するアクティブマトリクス基板であって、
前記対向電極の上層側には、保護膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
請求項１において、前記発光薄膜の周辺の、前記基板と前記対向電極との間には、前記発光薄膜よりも厚い絶縁膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記対向電極は、アルカリ金属含有アルミニウム膜から構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記保護膜は、絶縁膜から構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記保護膜は、シリコン窒化膜から構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記保護膜は、高融点金属あるいはその合金から構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記保護膜は、純アルミニウム膜、シリコン含有アルミニウム膜、及び銅含有アルミニウム膜のうちいずれかのアルミニウム膜から構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記保護膜は、導電膜と絶縁膜の２層構造になっていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、前記回路は、前記走査信号がゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタ、及び該第１の薄膜トランジスタを介してゲート電極が前記データ線に接続する第２の薄膜トランジスタを備え、該第２の薄膜トランジスタと前記薄膜発光素子は、前記データ線および走査線とは別に構成された駆動電流供給用の共通給電線と前記対向電極との間に直列に接続していることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項１０】
画素電極と、発光薄膜と、複数の前記画素電極と通電する対向電極とを有する薄膜発光素子を有し、
前記対向電極の上層側には、保護膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項１１】
前記請求項１０において、前記発光薄膜の周辺の、前記基板と前記対向電極との間には、絶縁膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項１２】
前記請求項１０において、画素の周辺の、前記基板と前記対向電極との間には、絶縁膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項１３】
基板上に、複数の走査線と、該走査線に交差する複数のデータ線と、該データ線と前記走査線の交差に対応して形成された複数の画素からなる表示部とを有し、該画素の各々は、前記走査線を介して走査信号がゲート電極に供給される薄膜トランジスタを含む回路と、画素電極と、該画素電極に積層された発光薄膜、及び対向電極を具備する薄膜発光素子とを備え、前記データ線から前記回路を介して供給される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光するアクティブマトリクス基板を含むアクティブマトリックス型表示装置であって、
前記対向電極の上層側には保護膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決する手段】
上記課題を解決するため、本発明では、基板上に、複数の走査線と、該走査線に交差する複数のデータ線と、該データ線と前記走査線の交差に対応して形成された複数の画素からなる表示部とを有し、該画素の各々は、前記走査線を介して走査信号がゲート電極に供給される薄膜トランジスタを含む回路と、画素電極と、該画素電極に積層された発光薄膜、及び対向電極を具備する薄膜発光素子とを備え、前記データ線から前記回路を介して供給される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光するアクティブマトリクス基板であって、前記対向電極の上層側には保護膜が形成されていることを特徴とする。また、前記アクティブマトリクス基板を含むアクティブマトリクス型表示装置であってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明では、薄膜発光素子の対向電極の上層側には保護膜が形成されているので、対向電極を拡散、透過してくる水分等から薄膜発光素子を保護することができる。従って、薄膜発光素子において、その発光効率の低下、駆動電圧の上昇（しきい値電圧の高電圧側へのシフト）、信頼性の低下などが発生するおそれがない。また、このような保護膜は、半導体プロセスを利用して容易に形成できるので、アクティブマトリクス基板の製造コストを高めることがない。それ故、薄膜発光素子を用いたアクティブマトリクス基板の利点である対向基板を被せる必要がないという利点をそのままにして、アクティブマトリクス基板の信頼性を向上させることができる。さらに、保護膜で薄膜発光素子を保護するので、対向電極に用いる材料としては、薄膜発光素子の発光効率や駆動電圧などの面からその材質を選択すればよく、薄膜発光素子を保護する性能が高いものに限定されないという利点もある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明において、前記発光薄膜の周辺の、前記基板と前記対向電極との間には、前記発光薄膜よりも厚い絶縁膜が形成されていることが好ましい。薄膜発光素子を用いたアクティブマトリクス基板では、対向電極は少なくとも表示部の全面に形成され、データ線と対向する状態にあるため、このままではデータ線に対して大きな容量が寄生することになる。しかるに本発明では、データ線と対向電極との間に厚い絶縁膜を介在させたので、データ線に容量が寄生することを防止できる。その結果、データ側駆動回路の負荷を低減できるので、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。また、このような絶縁膜を形成すれば、この絶縁膜で区画された領域内に発光薄膜をインクジェット法により形成する際に、前記絶縁膜を吐出液のはみ出しを防止するバンク層として利用することができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明において、前記保護膜は、シリコン窒化膜などの絶縁膜で構成してもよいが、高融点金属あるいはその合金などの導電膜から構成してもよい。また、前記保護膜を純アルミニウム膜、シリコン含有アルミニウム膜、銅含有アルミニウム膜などの導電膜から構成してもよい。さらには、前記保護膜を導電膜と絶縁膜との２層構造としてもよい。対向電極に積層される保護膜を導電膜で形成した場合には、対向電極の電気的抵抗を低下させたのと同様な効果を得ることができる。また、前記の有機半導体膜の形成領域を区画する厚い絶縁膜を形成した場合にこの絶縁膜が形成する大きな段差によって、その上層側に形成される対向電極に断線が発生させるおそれがあるが、対向電極に積層される保護膜を導電膜で形成した場合には、かかる導電膜によって冗長配線構造が形成されるので、対向電極の断線を防止することができる。それ故、アクティブマトリクス基板において、有機半導体膜の周りに厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑えたとしても、絶縁膜の上層に形成する対向電極に断線が発生しないので、アクティブマトリクス基板の表示品質および信頼性を向上することができる。