【手続補正書】
【提出日】平成17年6月22日(2005.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板に掘り込んで形成したダイヤフラムと、このダイヤフラムのたわみ量を検出する回路素子を形成しているシリコン基板と、検知対象導入用の貫通孔を形成したガラス基板とを、シリコン基板のダイヤフラム掘り込み部側を接合面側として、陽極接合法によって接合する工程を備える半導体圧力センサの製造方法において、ガラス基板との接合面となるシリコン基板の肉厚部底面に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層を形成し、その後、シリコン基板とガラス基板を接合することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
【請求項２】
ガラス基板との接合面となるシリコン基板の肉厚部底面と共に、ダイヤフラム掘り込み面全体に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層を形成し、その後、シリコン基板とガラス基板を接合することを特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
次に、図３は発明の第３実施形態を説明するための断面図である。第３実施形態の製造方法では、ガラス基板３２との接合面となるシリコン基板３１の肉厚部底面３６に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層６をスパッタ又は蒸着により形成すると共に、ダイヤフラム掘り込み面３３全体に、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍのアルミニウム層６を形成し、その後、シリコン基板３１とガラス基板３２を接合する。この場合には、まず、シリコン基板３１の接合面側にダイヤフラム掘り込み部３４を形成した後、メタルマスク等を用いて、肉厚部底面３６にアルミニウム層６を形成し、次いで、別のメタルマスク等を用いてダイヤフラム掘り込み面３３全体に、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍのアルミニウム層６を形成することで、厚さが異なるアルミニウム層６を形成することができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
この発明では、ダイヤフラム掘り込み面３３全体に、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍのアルミニウム層６を形成しているので、請求項２に係る発明と同様に破壊耐圧強度の向上ができると共に、ダイヤフラム３の受圧面に形成するアルミニウム層６の厚みが極めて薄いので、アルミニウム膜に起因する応力のダイヤフラム３への影響を極めて小さくでき、オフセット電圧の温度特性等に悪影響を与えることがないので、半導体圧力センサの精度低下防止がより確実となる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
次に、図４は発明の第４実施形態を説明するための断面図である。第４実施形態の製造方法では、ガラス基板３２との接合面となるシリコン基板３１の肉厚部底面３６と共に、ダイヤフラム掘り込み面３３全体に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層６をスパッタ又は蒸着により形成した後、さらに、ダイヤフラム掘り込み面３３に形成したアルミニウム層６の上に、スパッタ又は蒸着により、厚さが１００ｎｍ〜１．０μｍの金層７を形成し、その後、シリコン基板３１とガラス基板３２を陽極接合法で接合するようにしていて、その他の工程は上記の第1実施形態と同様である。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に、図５は発明の第５実施形態を説明するための断面図である。第５実施形態の製造方法では、ガラス基板３２との接合面となるシリコン基板３１の肉厚部底面３６と共に、ダイヤフラム掘り込み面３３全体に、厚さが１００ｎｍ〜１．０μｍの金層７をスパッタ又は蒸着により形成した後、さらに、ガラス基板３２との接合面となるシリコン基板３１の肉厚部底面３６に形成した金層７の上に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層６をスパッタ又は蒸着により形成し、その後、シリコン基板３１とガラス基板３２を陽極接合法で接合するようにしていて、その他の工程は上記の第1実施形態と同様である。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、図６は発明の第６実施形態を説明するための断面図である。第６実施形態の製造方法では、ガラス基板３２との接合面となるシリコン基板３１の肉厚部底面３６と共に、ダイヤフラム掘り込み面３３全体に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層６をスパッタ又は蒸着により形成した後、さらに、ダイヤフラム掘り込み面３３に形成したアルミニウム層６の表面を沸騰水処理又は過蒸気処理を行ってアルマイト化して耐食性酸化皮膜８を形成し、その後、シリコン基板３１とガラス基板３２を陽極接合法で接合するようにしていて、その他の工程は上記の第1実施形態と同様である。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
次に、図７は発明の第７実施形態を説明するための断面図である。第７実施形態の製造方法では、ガラス基板３２との接合面となるシリコン基板３１の肉厚部底面３６と共に、ダイヤフラム掘り込み面３３全体及び、シリコン基板３１に形成しているダイヤフラム３の、ダイヤフラム掘り込み面３３と反対側の表面に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層６をスパッタ又は蒸着により形成し、その後、シリコン基板３１とガラス基板３２を陽極接合法で接合するようにしていて、その他の工程は上記の第1実施形態と同様である。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
次に、図８及び図９は発明の第８実施形態を説明するための断面図である。第８実施形態の製造方法では、ガラス基板３２との接合面となるシリコン基板３１の肉厚部底面３６と共に、ダイヤフラム掘り込み面３３全体に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層６をスパッタ又は蒸着により形成する。その際に、図８に示すように、ダイヤフラム掘り込み部３４の開口端の内方に突出する突出部３７（オーバーハング）を有するようにアルミニウム層６を形成する。その後、シリコン基板３１とガラス基板３２を陽極接合法で接合して、図９に示すように、ダイヤフラム掘り込み部３４の開口端がある位置の、シリコン基板３１とガラス基板３２の接合個所（図１４で示す、センサチップ１とガラス台座２の接合個所の、内部側にあるくさび状角部５２）を、アルミニウムの突出部３７で補強した状態の接合状態を得る。そして、その他の工程は上記の第1実施形態と同様である。なお、接合することにより、ダイヤフラム掘り込み部３４の開口端の内方に突出する突出部３７（オーバーハング）は変形して、フィレット状（断面３角形状のヒレ状）となる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
次に、図１０は発明の第９実施形態を説明するための断面図である。第９実施形態の製造方法では、シリコン基板３１のガラス基板３２との接合面となる肉厚部底面３６に、厚さが５０ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜９を形成し、このシリコン酸化膜９の上に厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層６をスパッタ又は蒸着により形成し、その後、シリコン基板３１とガラス基板３２を陽極接合法で接合するようにしていて、その他の工程は上記の第1実施形態と同様である。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
次に、図１１は発明の第１０実施形態を説明するための断面図である。第１０実施形態の製造方法では、シリコン基板３１のガラス基板３２との接合面となる肉厚部底面３６に、厚さが５０ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜９を例えばＣＶＤ法で形成し、このシリコン酸化膜９の上に、厚さが５０ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン窒化膜１０を例えばスパッタ法で形成し、その上に厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層６をスパッタ又は蒸着により形成し、その後、シリコン基板３１とガラス基板３２を陽極接合法で接合するようにしていて、その他の工程は上記の第1実施形態と同様である。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
次に、図１２は発明の第１１実施形態を説明するための断面図である。第１１実施形態の製造方法では、ガラス基板３２との接合面となるシリコン基板３１の肉厚部底面３６と共に、ダイヤフラム掘り込み面３３全体に、シリコン酸化膜９を形成し、次いで、ガラス基板３２との接合面となるシリコン基板３１の肉厚部底面３６に形成したシリコン酸化膜９の上に、厚さが１μｍ〜３μｍのアルミニウム層６をスパッタ又は蒸着により形成する。その後、シリコン基板３１とガラス基板３２を陽極接合法で接合するようにしていて、その他の工程は上記の第1実施形態と同様である。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１に係る発明の実施形態（第１実施形態）を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せた状態を示す断面図である。
【図２】請求項２に係る発明の実施形態（第２実施形態）を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せた状態を示す断面図である。
【図３】発明の第３実施形態を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せた状態を示す断面図である。
【図４】発明の第４実施形態を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せた状態を示す断面図である。
【図５】発明の第５実施形態を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せた状態を示す断面図である。
【図６】発明の第６実施形態を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せた状態を示す断面図である。
【図７】発明の第７実施形態を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せた状態を示す断面図である
【図８】発明の第８実施形態を説明するための、接合前のシリコン基板を示す断面図である。
【図９】発明の第８実施形態を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せて、接合した状態を示す断面図である。
【図１０】発明の第９実施形態を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せた状態を示す断面図である。
【図１１】発明の第１０実施形態を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せて、接合するプロセスの一例を示す断面図である。
【図１２】発明の第１１実施形態を説明するための、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せた状態を示す断面図である。
【図１３】シリコン基板とガラス基板とを重ね合せて、接合するプロセスの従来の一例を示す断面図である。
【図１４】従来の半導体圧力センサの一例を示す断面図である。