Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月21日(2004.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体であって、
少なくとも１つの開口を有する第１の部分と、
少なくとも１つの開口を有する第２の部分と、
第１の曲がり部及び第２の曲がり部を有するばねクリップであって、前記第１の曲がり部と前記第２の曲がり部が互いに離間しようとする動きに対してばね力が抵抗するようになっており、前記第１の曲がり部が前記第１の部分の前記開口にスナップ嵌合し、前記第２の曲がり部が前記第２の部分の前記開口にスナップ嵌合しているばねクリップと、
第１の端部及び第２の端部を有するスタンドであって、前記第１の端部が前記第１の部分の前記開口にスナップ嵌合しており、前記第２の端部が前記第２の部分の前記開口にスナップ嵌合しており、前記スタンドは前記ばねクリップを覆うスタンドと、を備えることを特徴とする筐体。
【請求項２】
前記第１の部分上の第１の表面であって、前記第１の部分の前記開口は前記第１の表面にあるような第１の表面と、
前記第１の部分上にあって、前記第１の表面に平行な第２の表面と、
前記第２の表面にあるポケットと、
前記第２の部分上の第３の表面であって、前記第２の部分の前記開口は前記第３の表面にあるような第３の表面と、
前記第３の表面に平行である、前記第２の部分の第４の表面と、
前記第４の表面上に設けられる突出部とをさらに備え、
前記第１の部分が第２の部分に結合されたとき、前記突出部は前記ポケットに挿入されて前記第２の表面と前記第４の表面をこれらが互いに合わさるように保持するヒンジが形成され、前記第２の表面が前記第４の表面に対して前記ヒンジのまわりに回転できることを特徴とする請求項１に記載の筐体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に単結晶または多結晶の半導体薄膜を利用して形成されたソース領域、ドレイン領域及び活性領域と、
少なくとも前記活性領域と前記ドレイン領域との接合部にかかるように、前記活性領域に局部的に設けられた不純物領域と、
前記不純物領域に挟まれた真性または実質的に真性なチャネル形成領域と、
前記半導体薄膜上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートと、
前記フローティングゲート上に層間膜を介して形成されたコントロールゲートと、
を含み、
前記不純物領域は１３族又は１５族から選ばれた元素を含むことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に単結晶または多結晶の半導体薄膜を利用して形成されたソース領域、ドレイン領域及び活性領域と、
前記ソース領域から前記ドレイン領域に渡って、前記活性領域に局部的に設けられた不純物領域と、
前記不純物領域に挟まれた真性または実質的に真性なチャネル形成領域と、
前記半導体薄膜上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートと、
前記フローティングゲート上に層間膜を介して形成されたコントロールゲートと、
を含み、
前記不純物領域は１３族又は１５族から選ばれた元素を含むことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記不純物領域によって前記ドレイン領域から前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止されることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項４】
請求項1乃至請求項３のいずれか一項において、前記不純物領域はストライプ状に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項５】
請求項1乃至請求項３のいずれか一項において、前記不純物領域はドット状に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項６】
請求項1乃至請求項３のいずれか一項において、前記不純物領域は楕円形状に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記不純物領域に含まれる前記元素の濃度は 1×１０17〜５×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間の距離は、０．０５〜０．５μｍであることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記活性領域は前記ソース領域、前記ドレイン領域およびフィールド酸化膜で囲まれており、前記不純物領域は、前記フィールド酸化膜と接する前記活性領域の側端部に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記絶縁表面を有する基板は、結晶化ガラス、石英またはセラミックスであることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１１】
請求項1乃至請求項９のいずれか一項において、前記絶縁表面を有する基板とは表面に絶縁膜を設けた結晶化ガラスであることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記半導体薄膜はシリコンまたはシリコンとゲルマニウムの化合物でなることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の不揮発性メモリを記録媒体として利用することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子機器は、マイクロプロセッサ、ビデオカメラ、電子スチルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
そのため、図６（Ｂ）において消去ゲイト６０１とフローティングゲイト１０８とを絶縁分離する絶縁膜６０２はトンネル電流（ファウラノルドハイム電流）を流すことができる様に可能な限り薄く（好ましくは８〜12nm）、且つ、耐久性が高い様に高品質な膜でなければならない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
〔実施例８〕
本実施例では、１〜６に示した不揮発性メモリにおいて半導体層の下地となる絶縁層（埋め込み酸化膜等）に、ピニング領域と同一導電型の不純物元素を添加する構成について説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
〔実施例９〕
実施例１〜７に示した不揮発性メモリは不揮発性メモリを用いた公知の全ての回路構成に対して適用できる。そこで本実施例では、本願発明をＮＡＮＤ型及びＮＯＲ型アーキテクチャで設計されたフラッシュメモリに適用した場合について説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
〔実施例１０〕
本実施例では本願発明の不揮発性メモリをワンチップ上に集積化されたＲＩＳＣプロセッサ、ＡＳＩＣプロセッサ等のマイクロプロセッサに適用した場合の例について説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８６】
〔実施例１１〕
本願発明の不揮発性メモリで構成された半導体回路（メモリ回路）はデータの記憶・読み出しを行う記録媒体として、あらゆる分野の電子機器に組み込むことが可能である。本実施例では、その様な電子機器の一例を図１１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台部に受載部を嵌脱可能に設け、前記基台部と受載部とにより被処理基板裏面全面に当接する基板受載面が形成されるサセプタを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記受載部が前記被処理基板の中央部分に当接可能であり、前記基台部には上面から前記受載部が嵌合可能な中央凹部が形成され、該中央凹部の外周の全周に亘り前記被処理基板の周辺部と当接する周辺凹部が形成され、前記中央凹部を遊嵌する支持ピンにより前記受載部が昇降可能に構成された請求項１の半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ワイヤ（１８）を半導体素子（１０）上のパッド（１３）に接合するワイヤ接合方法であって：
前記ワイヤ（１８）の球状の先端（１９、図１）を第１の力および第１の超音波変位を使用して前記球状の先端部を前記パッド（１３）に接触させることにより扁平化された先端部（１９、図２）を形成する段階；および
前記第１の力より小さい第２の力を前記扁平化された先端部に与えかつ前記第１の超音波変位より大きい第２の超音波変位を用いることにより前記扁平化された先端部（１９、図２）を前記パッド（１３）に超音波接合する段階；
を具備することを特徴とするワイヤ接合方法。
【請求項２】  前記第１の力は約９０グラムであり、かつ前記第２の力は約２６グラムであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  さらに、第２の力を使用して前記球状の先端部より約３５パーセント大きな面積を有する前記扁平化された先端部を生じさせる段階を具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に開口が形成されたコンクリート製門型側溝ブロックの設置により側溝を形成する門型側溝の施工法であって、
基礎の整地面へ配置した高さ調整金具上へ門型側溝ブロックを設置する工程と、
前記高さ調整金具により前記門型側溝ブロックの設置高さを調整する工程と、
前記高さ調整金具を前記設置した状態で、前記開口を介して生コンクリートを注入し、基礎コンクリートと底版コンクリートとして同時一体打設を行う工程とを備えた、門型側溝の施工法。
【請求項２】
上面に開口が形成されたコンクリート製門型側溝ブロックの設置により側溝を形成する門型側溝の施工法であって、
基礎の整地面へ、高さ調整金具を取り付けた門型側溝ブロックを設置する工程と、
前記高さ調整金具により前記門型側溝ブロックの設置高さを調整する工程と、
前記高さ調整金具を前記取り付けた状態で、前記開口を介して生コンクリートを注入し、基礎コンクリートと底版コンクリートとして同時一体打設を行う工程とを備えた、門型側溝の施工法。
【請求項３】
前記高さ調整金具は、接地盤と、前記接地盤上に起立して設けたおねじ部と、前記おねじ部に螺着されるめねじ部を有すると共に前記門型側溝ブロック下縁を受ける受板とからなり、前記受板は底板と前記門型側溝ブロック下縁の側部に添う側板とを有する、請求項１又は請求項２記載の門型側溝の施工法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】門型側溝の施工法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記の難点を解決しようとするものであって、上面に開口が形成されたコンクリート製門型側溝ブロックの設置により側溝を形成する門型側溝の施工法であって、基礎の整地面へ配置した高さ調整金具上へ門型側溝ブロックを設置する工程と、前記高さ調整金具により前記門型側溝ブロックの設置高さを調整する工程と、前記高さ調整金具を前記設置した状態で、前記開口を介して生コンクリートを注入し、基礎コンクリートと底版コンクリートとして同時一体打設を行う工程とを備えたものである。
又、上面に開口が形成されたコンクリート製門型側溝ブロックの設置により側溝を形成する門型側溝の施工法であって、基礎の整地面へ、高さ調整金具を取り付けた門型側溝ブロックを設置する工程と、前記高さ調整金具により前記門型側溝ブロックの設置高さを調整する工程と、前記高さ調整金具を前記取り付けた状態で、前記開口を介して生コンクリートを注入し、基礎コンクリートと底版コンクリートとして同時一体打設を行う工程とを備えたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この施工法に使用する高さ調整金具は、接地盤と、前記接地盤上に起立して設けたおねじ部と、前記おねじ部に螺着されるめねじ部を有すると共に前記門型側溝ブロック下縁を受ける受板とからなり、前記受板は底板と前記門型側溝ブロック下縁の側部に添う側板とを有する構造である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005226447.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005226447.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２０デシベル以上の信号対雑音比を維持するように、抵抗性素子を有するランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）アレイを設計する方法であって、
（ａ）互いから間隔をおいて配置される複数のメモリセルを行および列のマトリクスに配置し、各メモリセルが０．２５ＭΩから３．６０ＭΩの接合部抵抗値を有するように選択され、
（ｂ）複数の導電性行線を配置し、各行線が１つの行内の前記メモリセル間に接続され、実質的に０．０Ωから０．３８Ωの値の、メモリセル間の行単位線抵抗値を有するように選択され、
（ｃ）複数の導電性列線を配置し、各列線が１つの列内の前記メモリセル間に接続され、実質的に０．０Ωから０．３８Ωの値の、メモリセル間の列単位線抵抗値を有するように選択され、及び
（ｄ）前記抵抗性メモリアレイにおいて２０デシベル以上の信号対雑音比を有するようにするために、メモリセル接合部抵抗値と、行および列の単位線抵抗値とを相関させることからなる、方法。
【請求項２】
前記行または列の単位線抵抗値が、約０．２４Ωから０．３８Ωの範囲にあるように選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接合部抵抗値の範囲が、０．８ＭΩから２．８ＭΩに維持される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記メモリセルの前記接合部抵抗値と、前記行または列の単位線抵抗値とは、前記接合部抵抗値と前記行または列の単位線抵抗値の比が、約５００万対１であるように相互に関連づけられる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
行におけるメモリセルの数が、列におけるメモリセルの数とほぼ等しい、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
Ｎ行およびＭ列を有するメモリアレイにおいて、全行または全列の線抵抗に対する前記接合部抵抗の比を、前記全行または全列の線抵抗がＮまたはＭに対して前記接合部抵抗が約５００万よりも高い値に維持するために、前記接合部抵抗値が前記全行または全列の線抵抗値に対して相互に関連づけられる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＮおよびＭが約１，０２４に等しく、ＭＴＪ抵抗値と前記全行または全列の線抵抗値の比が、約５，０００以上に維持される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記メモリセルが磁気ＲＡＭセルである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記メモリセルが、ＭＴＪ抵抗を有する磁気抵抗トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
２０デシベル以上の信号対雑音比を維持するための素子抵抗値を有する抵抗性ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）アレイであって、
（ａ）行および列のマトリクスに互いから間隔をおいて配置される複数のメモリセルであって、各メモリセルが０．２５ＭΩから３．６０ＭΩの接合部抵抗値を有するように選択される、複数のメモリセルと、
（ｂ）複数の導電性行線であって、各行線が１つの行内の前記メモリセル間に接続され、実質的に０．０Ωから０．３８Ωの値の、メモリセル間の行単位線抵抗値を有するように選択される、複数の導電性行線と、
（ｃ）複数の導電性列線であって、各列線が１つの列内の前記メモリセル間に接続され、メモリセル間の列単位線抵抗値を有するように選択され、前記行単位線抵抗値が前記列単位線抵抗値に概ね等しい、複数の導電性列線とを備え、
（ｄ）前記抵抗性メモリアレイにおいて、信号対雑音比が２０デシベル以上であるように、前記接合部抵抗値が、前記行または列の単位線抵抗値と相互に関連づけられる、抵抗性ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）アレイ。
【請求項１１】
行におけるメモリセルの数が、列におけるメモリセルの数とほぼ等しい、請求項１０に記載のメモリアレイ。
【請求項１２】
前記複数のメモリセルが１，０２４×１，０２４のメモリセルアレイに配置され、前記行または列の単位線抵抗値が、０．２４Ωから０．３８Ωの範囲に入るように選択され、前記メモリセルが、０．８ＭΩから２．８ＭΩの前記接合部抵抗値の範囲を有するように選択される、請求項１０に記載のメモリアレイ。
【請求項１３】
前記接合部抵抗値と前記行または列の単位線抵抗値の比が、約５００万対１であるように、前記接合部抵抗値が、前記行または列の単位線抵抗値と相互に関連づけられる、請求項１０に記載のメモリアレイ。
【請求項１４】
前記行および列の単位線抵抗値は、１つの行導体の全行抵抗値が、１つの列導体の全列抵抗値にほぼ等しくなるように選択される、請求項１０に記載のメモリアレイ。
【請求項１５】
前記メモリセルが磁気ＲＡＭセルである、請求項１０に記載のメモリアレイ。
【請求項１６】
前記メモリセルが、ＭＴＪ抵抗を有する磁気抵抗トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスである、請求項１５に記載のメモリアレイ。
【請求項１７】
前記ＭＴＪデバイスが、磁気の向きが固定されたピン留め層と、磁界をかけるのに応じて磁気の向きの状態間で変化するセンス層と、前記ピン留め層と前記センス層との間にある絶縁層とを有する、請求項１６に記載のメモリアレイ。
【請求項１８】
前記ピン留め層が反強磁性層と強磁性ピン留め層からなり、前記センス層が磁界によって影響を及ぼされる磁性材料からなる、請求項１７に記載のメモリアレイ。
【請求項１９】
許容できる信号対雑音比を維持するように選択され、且つ相互に関連付けられた抵抗性素子を有する磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）アレイであって、
（ａ）約Ｎ行およびＮ列の正方形のマトリクスに互いから間隔をおいて配置される複数の磁気抵抗トンネル接合（ＭＴＪ）メモリセルであって、各メモリセルが０．２５ＭΩから３．６０ＭΩの範囲のＭＴＪ抵抗値を有するように選択される、複数の磁気抵抗トンネル接合（ＭＴＪ）メモリセルと、
（ｂ）複数の導電性行線であって、各行線が１つの行内の前記メモリセル間に接続され、０．０Ωから０．３８Ωの値の、メモリセル間の行単位抵抗値のＮ倍の全行線抵抗値を有するように選択される、複数の導電性行線と、
（ｃ）複数の導電性列線であって、各列線が１つの列内の前記メモリセル間に接続され、０．０Ωから０．３８Ωの値の、メモリセル間の列単位抵抗値のＮ倍の全列線抵抗値を有するように選択される、複数の導電性列線と、
（ｄ）前記抵抗性メモリアレイにおいて、少なくとも２０デシベルの信号対雑音比を維持するために、前記全行または全列の線抵抗値に対する前記ＭＴＪ抵抗値の比を、前記全行または全列の線抵抗値がＮに対して前記ＭＴＪ抵抗値が約５００万よりも高い値になるように、前記ＭＴＪ抵抗値が前記全行または全列の線抵抗値と相互に関連づけられる、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）アレイ。
【請求項２０】
Ｎが約１，０２４に等しく、前記ＭＴＪ抵抗値と前記全行または全列の線抵抗値の比を約５，０００以上に維持するように、前記ＭＴＪ抵抗値が前記全行または全列の線抵抗値に相互に関連づけられる、請求項１９に記載のＭＲＡＭメモリアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板より上に形成された反強磁性層と、該反強磁性層上に直接形成された結晶質強磁性層と、該結晶質強磁性層上に直接形成された軟磁性下地層と、該軟磁性下地層上に形成された垂直記録層とを有してなり、
前記結晶質強磁性層はｂｃｃ構造を有すると共に、前記結晶質強磁性層の膜厚は１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の垂直磁気記録媒体において、前記結晶質強磁性層の材料はＣｏとＦｅを主成分とするｂｃｃ合金であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項２に記載の垂直磁気記録媒体において、前記ＣｏとＦｅを主成分とするｂｃｃ合金のＦｅ濃度は２０％以上、７０％以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項３に記載の垂直磁気記録媒体において、前記ＣｏとＦｅを主成分とするｂｃｃ合金のＦｅ濃度は、更に３０％以上、５０％以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１に記載の垂直磁気記録媒体において、ディスク状の基板と反強磁性層と軟磁性下地層と垂直記録層を含み、前記基板のディスク半径方向に磁界を印加して測定した前記軟磁性下地層の磁化曲線が磁界方向にシフトし、該シフト量が15 Oe以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１に記載の垂直磁気記録媒体において、前記基板と反強磁性層との間に面心立方（ｆｃｃ）構造を有する非磁性層が形成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項６記載の垂直磁気記録媒体において、前記ｆｃｃ構造を有する非磁性層の材料は白金族のｆｃｃ金属もしくは白金族を主成分とするｆｃｃ合金であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１に記載の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性下地層と反強磁性層の間に形成された結晶質強磁性層を備えたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１に記載の垂直磁気記録媒体において、前記反強磁性層の材料は不規則合金であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項９に記載の垂直磁気記録媒体において、前記不規則合金はＭｎとＩｒを主成分とすることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
垂直磁気記録媒体と、再生部と記録部とを備えた磁気ヘッドを有する磁気記憶装置において、
前記垂直磁気記録媒体は、反強磁性層と、該反強磁性層上に直接形成された結晶質強磁性層と、該結晶質強磁性層上に直接形成された軟磁性下地層と、該軟磁性下地層上に形成された垂直記録層とを有してなり、前記結晶質強磁性層はｂｃｃ構造を有すると共に、その膜厚は１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であり、
前記磁気ヘッドは、記録部として単磁極ヘッドを備えたことを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の磁気記憶装置において、前記磁気ヘッドは、再生部として磁気抵抗効果もしくはトンネル磁気抵抗効果を利用した高感度素子を備えたことを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の磁気記憶装置において、前記基板と反強磁性層との間に面心立方（ｆｃｃ）構造を有する非磁性層が形成されていることを特徴とする磁気記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】再生装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各種録音形態によって記録された再生メディアを再生可能な再生装置において、
前記再生メディアの録音形態が、高い再生音量を生じさせるように録音されている第１の録音形態か、低い再生音量を生じさせるように録音されている第２の録音形態かを判別する判別手段と、
前記判別手段により前記第２の録音形態であると判別されたとき音量を増大し、前記第１の録音形態であると判別されたとき音量を維持する音量可変手段と、を備えることを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記判別手段により前記第２の録音形態から前記第１の録音形態に切り換えられたと判別されたとき、前記音量可変手段は、再生音量を前記音量増大前の音量に戻すことを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
前記再生メディアのイジェクト動作を検出するイジェクト検出手段を有し、
前記イジェクト検出手段により前記再生メディアのイジェクト動作が検出されたとき、前記音量可変手段は、再生音量を前記音量増大前の音量に戻すことを特徴とする請求項１又は２に記載の再生装置。
【請求項４】
音量を調整可能な音量調整手段を有し、
前記音量可変手段は、前記再生音量を音量増大前の音量に戻す場合、前記音量調整手段により調整された調整量を反映させた音量に戻すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の再生装置。
【請求項５】
各種録音形態によって記録された再生メディアを再生可能な再生装置において、
前記再生メディアの録音形態が、高い再生音量を生じさせるように録音されている第１の録音形態か、低い再生音量を生じさせるように録音されている第２の録音形態かを判別する判別手段と、
前記判別手段により前記第２の録音形態であると判別されたとき音声帯域の周波数特性を増強し、前記第１の録音形態であると判別されたとき周波数特性を維持する音量特性可変手段と、を備えることを特徴とする再生装置。
【請求項６】
前記判別手段により前記第２の録音形態から前記第１の録音形態に切り換えられたと判別されたとき、前記音量特性可変手段は、前記音声帯域の周波数特性の増強前の周波数特性に戻すことを特徴とする請求項５に記載の再生装置。
【請求項７】
前記再生メディアのイジェクト動作を検出するイジェクト検出手段を有し、
前記イジェクト検出手段により前記再生メディアのイジェクト動作が検出されたとき、前記音量特性可変手段は、前記音声帯域の周波数特性の増強前の周波数特性に戻すことを特徴とする請求項５又は６に記載の再生装置。
【請求項８】
周波数特性を調整可能な周波数特性調整手段を有し、
前記音量特性可変手段は、前記再生音量を音量増大前の音量に戻す場合、前記周波数特性調整手段により調整された調整量を反映させた音量に戻すことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の再生装置。
【請求項９】
前記判別手段により前記第２の録音形態であると判別されたとき音量を増大し、前記第１の録音形態であると判別されたとき音量を維持する音量可変手段をさらに備えることを特徴とする請求項５〜８のいずれか一項に記載の再生装置。
【請求項１０】
前記音量特性可変手段は、出力歪みが生じない程度に前記音声帯域の周波数特性を増強し、
前記音量可変手段は、前記音量特性可変手段による音声帯域の周波数特性の増強では不足する分だけ音量を増大することを特徴とする請求項９に記載の再生装置。
【請求項１１】
前記音声帯域の周波数特性の最大変化幅を算出する算出手段と、
イコライザのゲインまたはラウドネスのゲインを、前記最大変化幅分だけ引き下げる引下手段と、を有することを特徴とする請求項５に記載の再生装置。
【請求項１２】
前記判別手段により前記第２の録音形態から前記第１の録音形態に切り換えられたと判別されたとき、前記引下手段は、前記イコライザのゲインまたはラウドネスのゲインを引き下げた状態を維持し、前記音量特性可変手段は、前記音声帯域の周波数特性の増強前の周波数特性に戻すことを特徴とする請求項１１に記載の再生装置。
【請求項１３】
前記第１の録音形態は、リニアＰＣＭ又はＭＰＥＧ２であり、前記第２の録音形態は、ＡＣ−３又はＤＴＳであることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の再生装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生装置、例えば車載用として好適なオーディオ再生装置における出力レベル調整に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
再生装置の音源としては、従前の一般放送波やカセットテープ等のメディアから、近年のＣＤ，ＭＤおよびＤＶＤ等のディスクを媒体とするメディアまで、多種に及ぶ。これらのうち、本発明は主として後者のディスクを媒体とするメディアについて述べる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
したがって本発明は、メディアとして少なくともＤＶＤを再生する再生装置において、音源の録音形態の違いに起因して、メディアまたは音源のモード切換え時に生ずる出力レベルの大きな変動を、自動的に抑制することのできる出力レベル調整システムを提供することを目的とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板と、
該非磁性基板の上に形成された、Ｃｒを主成分とし２at％以上１２at％以下のＢを含有する体心立方構造の合金層と、Ｃｒ−Ｔｉ−Ｂ合金とを少なくとも一層含む複数の下地層と、
該下地層の上に形成されたＣｏを主成分としＣｒを１０at％以上１６at％以下含有し、かつ膜厚が１．５ｎｍ以上４．５ｎｍ以下である下部磁性層と、
該下部磁性層の上に形成された非磁性中間層と、
該非磁性中間層の上に形成された前記下部磁性層と反強磁性結合したＣｏを主成分とする上部磁性層とを有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記下部磁性層がさらに１０at％以下のＰｔを含有する請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記上部磁性層と前記非磁性中間層の間に、前記上部磁性層よりも高い飽和磁束密度を有するＣｏを主成分とする合金層を有する請求項１あるいは２のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性基板と、
該非磁性基板の上に形成された非晶質もしくは微結晶構造の第一の下地層と、
該第一の下地層の上に形成されたＣｒを主成分とし２at％以上１２at％以下のＢを含有する体心立方構造であり、Ｃｒ−Ｔｉ−Ｂ合金である第二の下地層と、
該第二の下地層の上に形成されたＣｏを主成分としＣｒを１０at％以上１６at％以下含有し、かつ膜厚が１．５ｎｍ以上４．５ｎｍ以下である下部磁性層と、
該下部磁性層の上に形成された非磁性中間層と、
該非磁性中間層の上に形成された前記下部磁性層と反強磁性結合したＣｏを主成分とする上部磁性層とを有する磁気記録媒体。
【請求項５】
前記下部磁性層がさらに１０at％以下のＰｔを含有する請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記第一の下地層がＮｉ−Ｔａ合金である請求項４あるいは５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記上部磁性層と前記非磁性中間層の間に、前記上部磁性層よりも高い飽和磁束密度を有するＣｏを主成分とする合金層を有することを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
非磁性基板と、
該非磁性基板の上に形成されたＢ２構造の第一の下地層と、
該第一の下地層の上に形成されたＣｒを主成分とし２at％以上１２at％以下のＢを含有する体心立方構造であり、Ｃｒ−Ｔｉ−Ｂ合金である第二の下地層と、
該第二の下地層の上に形成されたＣｏを主成分としＣｒを１０at％以上１６at％以下含有し、かつ膜厚が１．５ｎｍ以上４．５ｎｍ以下である下部磁性層と、
該下部磁性層の上に形成された非磁性中間層と、
該非磁性中間層の上に形成された前記下部磁性層と反強磁性結合したＣｏを主成分とする上部磁性層とを有する磁気記録媒体。
【請求項９】
前記下部磁性層がさらに１０at％以下のＰｔを含有する請求項８に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記第一の下地層はＮｉ−Ａｌ合金である請求項８あるいは９のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記上部磁性層と前記非磁性中間層の間に、前記上部磁性層よりも高い飽和磁束密度を有するＣｏを主成分とする合金層を有する請求項８乃至１０のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
非磁性基板と，
該非磁性基板の上に形成された非晶質もしくはＢ２構造の第一の下地層と、
該第一の下地層の上に形成されたＣｒを主成分として２at％以上１２at％以下のＢを含有する体心立方構造であり、Ｃｒ−Ｔｉ−Ｂ合金である第二の下地層と、
該第二の下地層の上に形成されたＣｏを主成分とする非磁性の六方稠密構造の第三の下地層と、
該第三の下地層の上に形成されたＣｏを主成分としＣｒを１０at％以上１６at％以下含有し、かつ膜厚が１．５ｎｍ以上４．５ｎｍ以下である下部磁性層と、
該下部磁性層の上に形成された非磁性中間層と、
該非磁性中間層の上に形成された前記下部磁性層と反強磁性結合したＣｏを主成分とする上部磁性層とを有する磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記下部磁性層がさらに１０at％以下のＰｔを含有する請求項１２に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記下部磁性層がさらに１０at％以下のＢを含有する請求項１２あるいは１３に記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】
前記第一の下地層はＮｉ−Ｔａ合金である請求項１２乃至１４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記第一の下地層はＮｉ−Ａｌ合金である請求項１２乃至１５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１７】
前記上部磁性層と前記非磁性中間層の間に、前記上部磁性層よりも高い飽和磁束密度を有するＣｏを主成分とする合金層を有する請求項１２乃至１６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】
磁気記録媒体と、これを記録方向に駆動する駆動部と、記録用の電磁誘導型磁気ヘッドと再生用のスピンバルブ型磁気ヘッドを併せ持つ複合型ヘッドと、該複合型ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、前記複合型ヘッドの記録再生信号処理手段とを有する磁気記憶装置において、前記磁気記録媒体が請求項１乃至１７のいずれかに記載の磁気記録媒体で構成される磁気記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  支持基体上に、少なくとも１層の記録層と記録層上の光透過層とを有する光記録媒体を製造する方法であって、記録層上にエネルギー線硬化性樹脂層を設け、この樹脂層に少なくとも２回のエネルギー線照射を行い、且つ、いずれかの回のエネルギー線照射とこの照射の次の回のエネルギー線照射との間に、アニール処理工程（熱緩和処理工程）を行うことにより光透過層を形成することを特徴とする、光記録媒体の製造方法。
【請求項２】  各回のエネルギー線照射の積算光量を、各回間において段階的に増大させる、請求項１に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項３】  エネルギー線が紫外線である、請求項１又は２に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項４】  アニール処理工程を６０℃以上の温度で行う、請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項５】  前記光透過層の厚さは、２０〜２００μｍである、請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項６】  支持基体上にエネルギー線硬化性樹脂を塗布しエネルギー線硬化性樹脂層を設ける塗布手段と、
前記エネルギー線硬化性樹脂層にエネルギー線照射を行い半硬化状態の樹脂層とする第１のエネルギー線照射手段と、
前記半硬化状態の樹脂層を加熱するアニール処理手段と、
アニール処理された前記半硬化状態の樹脂層にエネルギー線照射を行い完全硬化状態の樹脂層とする第２のエネルギー線照射手段とを備える、光記録媒体の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、支持基体上に、少なくとも１層の記録層と記録層上の光透過層とを有する光記録媒体を製造する方法であって、記録層上にエネルギー線硬化性樹脂層を設け、この樹脂層に少なくとも２回のエネルギー線照射を行い、且つ、いずれかの回のエネルギー線照射とこの照射の次の回のエネルギー線照射との間に、アニール処理工程（熱緩和処理工程）を行うことにより光透過層を形成することを特徴とする、光記録媒体の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、アニール処理工程を６０℃以上の温度で行う、前記の光記録媒体の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、硬化収縮による応力は、樹脂が硬化した瞬間に極大となり、時間の経過と共に緩和される。このため、ディスクにたまった応力を一旦開放させてから次の硬化を行うことで、硬化収縮でたまる応力をさらに減らすことが可能である。ただし、半硬化の状態で応力開放までの時間をかけることは生産的でないため、アニール処理工程を行い短時間で応力を開放させ、再度エネルギー線を照射し硬化させることが可能である。すなわち、本発明において、いずれかの回のエネルギー線照射とこの照射の次の回のエネルギー線照射との間に、アニール処理工程を行う。エネルギー線照射を３回以上行う場合には、１回目の照射と２回目の照射との間、２回目の照射と３回目の照射との間というように、各回の照射の終了毎にアニール処理工程を行うことが、硬化収縮応力を開放させる観点からは好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
［実施例１］（参考例）
以下の手順で光ディスクサンプルを作成した。
プリグルーブを形成したディスク状支持基体（ポリカーボネート製、直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）の表面に、Ａｇを主成分とする合金からなる厚さ１００ｎｍの反射層をスパッタリング法により形成した。グルーブの深さは、波長λ＝４０５ｎｍにおける光路長で表してλ／１０とし、記録トラックピッチが０．３μｍのランド／グルーブ基板とした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
［実施例３］（参考例）
ウレタンアクリレートを主成分とする紫外線硬化性樹脂として、実施例１で用いた樹脂よりも硬化収縮がやや大きい樹脂（硬化収縮率５．９％、２５℃における粘度５８００ｃＰ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてディスクサンプルを作成した。ディスクサンプルについて、前記のＤＣ−１０１０Ｃにて機械特性を測定した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶システムにおいて複数のデータ媒体にアクセスできるようにする伸縮式のドロワに取り付けられるように構成される格納トレーであって、前記データ記憶システムが、前記複数のデータ媒体に記憶されるデータを交換するように構成されるデータ交換装置と、前記格納トレーと前記データ交換装置との間で前記複数のデータ媒体を移動させるように構成される媒体ハンドリングシステムとを含む、格納トレーであって、前記格納トレーは、
前記複数のデータ媒体を収容する大きさである第１容積を画定する床部、背部、前端壁及び後端壁と、
前記前端壁から延出するベース部材であって、前記伸縮式のドロワの前部アクセスパネルに付加されるベース部材と、
前記ベース部材から延出する第１スロット部材であって、前記第１スロット部材は前記前端壁と前記第１スロット部材との間で第２容積を画定し、前記第２容積は前記媒体ハンドリングシステムによってアクセスできない第１予備データ媒体を収容する大きさである、第１スロット部材と、
備えることを特徴とする格納トレー。
【請求項２】
前記格納トレーはプラスチックから成型されることを特徴とする請求項１に記載の格納トレー。
【請求項３】
前記床部、前記背部、前記前端壁、前記後端壁、前記ベース部材及び前記第１スロット部材は一体的に形成されることを特徴とする請求項１に記載の格納トレー。
【請求項４】
前記ベース部材は前記前端壁に固定されることを特徴とする請求項１に記載の格納トレー。
【請求項５】
前記第１スロット部材は前記ベース部材に固定されることを特徴とする請求項１に記載の格納トレー。
【請求項６】
前記背部から延出し、前記データ記憶システムに結合されるロック機構と係合するように構成されるロックプレートをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の格納トレー。
【請求項７】
前記ベース部材から延出する第２スロット部材であって、前記第１スロット部材及び前記第２スロット部材は前記第１スロット部材と前記第２スロット部材との間に第３容積を画定し、前記第３容積は前記媒体ハンドリングシステムによってアクセスできない第２予備データ媒体を収容する大きさである、第２スロット部材をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の格納トレー。
【請求項８】
前記床部、前記背部、前記前端壁及び前記後端壁によって画定される前記第１容積は、前記複数のデータ媒体を収容するように構成される第１媒体格納装置を収容する大きさであることを特徴とする請求項１に記載の格納トレー。
【請求項９】
前記前端壁と前記後端壁との間に配置される仕切板であって、前記第１媒体格納装置が前記後端壁と前記仕切板との間に収容され、第２媒体格納装置が前記仕切板と前記前端壁との間に収容されるように、前記床部から延出する仕切板をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の格納トレー。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の光記録媒体に対する情報の記録、再生、及び消去のうち少なくとも再生を行なうために用いられる光ピックアップ装置であって、
前記複数の光記録媒体に個別に対応して設けられ、波長の異なる光束をそれぞれ択一的に出射する複数の光源と；
前記各光束を対応する光記録媒体の記録面に集光する対物レンズを含み、前記各光束をそれぞれの光源から前記記録面に導くとともに、前記記録面で反射された戻り光束を所定の受光位置まで導く光学系と；
前記受光位置に配置され、所定方向の分割線により、受光面の領域が２分割され、それぞれの分割領域の前記分割線に直交する方向の幅が、前記複数の光束のうち波長の最も長い光束を受光した場合に、前記対物レンズの焦点からの前記対物レンズの光軸方向に関する前記記録面の位置ずれの指標として得られるＳカーブ信号の最大値又は最小値が得られるときの、前記波長の最も長い光束によって前記受光面に形成される光スポットの前記分割線に直交する方向の最大幅とほぼ等しく設定された２分割受光素子と；を備える光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記光学系は、前記記録面により反射された波長の異なる戻り光束のそれぞれを前記２分割受光素子に導く、波長毎に設けられた複数のホログラムを含むことを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記複数のホログラムのそれぞれは、対応する光束の波長に応じた面積を有することを特徴とする請求項２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記２分割受光素子は、前記複数の光源と同一筐体内に収納され、パッケージ化されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
複数種類の光ディスクに対して、情報の記録、再生、及び消去のうち少なくとも再生を行なう光ディスク装置であって、
請求項１〜４に記載の光ピックアップ装置と；
前記光ピックアップ装置を構成する前記２分割受光素子から出力される前記Ｓカーブ信号に基づいて前記光ピックアップ装置の前記記録面に対する前記対物レンズの光軸方向に関する位置を制御する制御装置と；を備える光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、複数種類の光記録媒体に対する情報の記録、再生、及び消去のうち少なくとも再生を行なうために用いられる光ピックアップ装置であって、前記複数の光記録媒体に個別に対応して設けられ、波長の異なる光束をそれぞれ択一的に出射する複数の光源と；前記各光束を対応する光記録媒体の記録面に集光する対物レンズを含み、前記各光束をそれぞれの光源から前記記録面に導くとともに、前記記録面で反射された戻り光束を所定の受光位置まで導く光学系と；前記受光位置に配置され、所定方向の分割線により、受光面の領域が２分割され、それぞれの分割領域の前記分割線に直交する方向の幅が、前記複数の光束のうち波長の最も長い光束を受光した場合に、前記対物レンズの焦点からの前記対物レンズの光軸方向に関する前記記録面の位置ずれの指標として得られるＳカーブ信号の最大値又は最小値が得られるときの、前記波長の最も長い光束によって前記受光面に形成される光スポットの前記分割線に直交する方向の最大幅とほぼ等しく設定された２分割受光素子と；を備える光ピックアップ装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
これによれば、複数の光源からそれぞれ択一的に出射される各光束は、対物レンズを含む光学系を介して、対応する光記録媒体の記録面に集光される。そして、記録面で反射した戻り光束は、光学系を介して２分割受光素子で受光される。ここで、２分割受光素子の各分割領域における分割線に直交する方向の幅は、複数の光束のうち波長の最も長い光束を受光した場合に、Ｓカーブ信号の最大値又は最小値が得られるときの、波長の最も長い光束によって受光面に形成される光スポットの分割線に直交する方向の最大幅とほぼ等しく設定されている。そこで、複数の光束のうち波長の最も長い光束を受光した場合に、対物レンズの焦点からの対物レンズの光軸方向に関する記録面の位置ずれ、いわゆるフォーカスずれが、Ｓカーブ信号の最大値又は最小値が得られるときのずれよりも大きくなると、光スポットは、２分割受光素子の受光面からはみ出るようになり、Ｓカーブ信号は急激に０に近くなる。従って、従来のような開口制限を用いることなく、２分割受光素子がフレアに起因する不要な光スポットを受光することを防止でき、小型化のために複数の光源を近接して配置した場合であっても、フォーカス情報に乱れが生じることを防止できる。すなわち、大型化を招くことなく複数の光源を近接して配置することができ、複数種類の光記録媒体に対応可能で、正確にフォーカス情報を安定して検出することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記画像濃度の検出手段は、ビデオカウントを用いるか、前記像坦持体の電位を用いることを特徴とする請求項１から８の何れかのカラー画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
カラー画像形成装置では電子写真方式が知られており、その画像形成過程は、まず帯電装置によって感光ドラムを均一に帯電し、レーザーまたはＬＥＤによって静電潜像を形成する。次にこの静電潜像をトナーによって現像し、このトナー像を用紙等の記録材に転写する。これをマゼンタ、シアン、イエロー、ブラックの色毎に行い、記録材に重ねたトナー像を熱によって記録材に定着させるという方法でカラー画像を形成している。この過程の中で、転写後に感光ドラム上に残留したトナーはクリーニング装置によって除去している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（９）前記画像濃度の検出手段は、ビデオカウントを用いるか、前記像坦持体の電位を用いることを特徴とする（１）から（８）の何れかのカラー画像形成装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
そして、ＲＧＢ信号はシェーディング部１０３で、シェーディング補正及び黒補正が施された後、つなぎ＆ＭＴＦ補正＆原稿検知部１０４で、ＣＣＤ１０１が３ラインＣＣＤの場合、つなぎ処理はライン間の読取位置が異なるため、読取速度に応じてライン毎の遅延量を調整し、３ラインの読取位置が同じになるように信号タイミングを補正し、ＭＴＦ補正は読取速度や変倍率によって読取のＭＴＦが変るため、その変化を補正し、原稿検知は原稿台ガラス上の原稿サイズを認識する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
帯電器３２１は本例のものは磁気ブラシ接触帯電器であり、図４に示すように、磁界発生手段としてのマグネットローラ３７０ａを内包させた帯電スリーブ３７０の外周面に磁性キャリアとしての低抵抗のフェライトキャリア５０２を誘電ブラシ（磁気ブラシ）として吸着保持させて、帯電スリーブ３７０を矢印の時計方向に所定の周速度にて回転駆動させる。帯電スリーブ外周面の誘電ブラシは層厚規制ブレード３７０ｂで所定の層厚に規制され、感光ドラム３４２の面を摺擦する。帯電スリーブ３７０の回転方向は誘電ブラシと感光ドラム３４２の接触部において感光ドラム３４２の回転方向とは逆方向としている。そして帯電スリーブ３７０に不図示の電源から所定の帯電バイアスが印加されることで、感光ドラム３４２の表面が所定の極性・電位に一様に帯電されて、潜像形成の準備がなされる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
２）また、上記実施例ではＬＥＤ発光素子総数を用いて画像濃度を求めているが、レーザーで潜像を形成する装置においてもビデオカウントを用いて同様の制御が行える。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器本体内に粉体を収納する粉体収納容器において、
容器本体内で回転可能な回転部材と、
容器本体開口部の周囲に形成された円管状突起部に嵌合し、前記回転部材に駆動力を伝達するための駆動伝達部材と、
前記開口部をシールするシール部材と、
を有し、
前記駆動伝達部材は前記円管状突起部の外径部における第１嵌合部に嵌合し、前記シール部材は前記円管状突起部の内径部における第２嵌合部に嵌合し、且つ前記第１嵌合部と第２嵌合部とは前記回転部材の回転軸方向において重なるよう位置していることを特徴とする粉体収納容器。
【請求項２】
前記駆動伝達部材はギア部と軸部とを有し、前記軸部が前記開口部から挿入されて前記回転部材と係合することを特徴とする請求項１記載の粉体収納容器。
【請求項３】
前記シール部材は前記開口部と、該開口部から挿入された前記軸部との隙間をシールすることを特徴とする請求項２記載の粉体収納容器。
【請求項４】
電子写真感光体に粉体であるトナーを供給する現像装置のおいて、
トナーを収納するためのトナー容器と、
前記トナー容器に収納されたトナーを電子写真感光体に供給するためのトナー担持体と、
を有し、
前記トナー容器として請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の粉体収納容器を備えたことを特徴とする現像装置。
【請求項５】
電子写真感光体に潜像を形成し、該潜像を現像装置で現像して画像を形成する画像形成装置において、
前記現像装置として請求項４記載の現像装置を備えたことを特徴とする電子写真画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係る代表的な構成は、容器本体内に粉体を収納する粉体収納容器において、容器本体内で回転可能な回転部材と、容器本体開口部の周囲に形成された円管状突起部に嵌合し、前記回転部材に駆動力を伝達するための駆動伝達部材と、前記開口部をシールするシール部材と、を有し、前記駆動伝達部材は前記円管状突起部の外径部における第１嵌合部に嵌合し、前記シール部材は前記円管状突起部の内径部における第２嵌合部に嵌合し、且つ前記第１嵌合部と第２嵌合部とは前記回転部材の回転軸方向において重なるよう位置していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本実施形態にあっては、トナー撹拌ギア313はトナー容器302の円管状突起部320内径部ではなく、外径部331に嵌合される。こうすれば結果的に、トナー撹拌ギア313の嵌合部323とオイルシール314を軸方向に配置する必要がなくなり、トナー撹拌ギア313とトナー容器302の嵌合面（第１嵌合部）326とオイルシール314とトナー容器302との嵌合部を近づけることができる。すなわちトナー撹拌ギア313と円管状突起部302との嵌合面326と、オイルシール314と円管状突起部320との嵌合面（第２嵌合部）327とが、嵌合面の半径方向、すなわちトナー撹拌軸315の回転半径方向で投影した場合に重なるように位置している。従って、両嵌合面326、327はトナー撹拌軸315の回転軸方向において重なるように位置している。図８(b)のＢ部で嵌合面同士の重なった範囲を示す。このような関係で嵌合面同士が配置されれば、図９で示すαの値が、軸328と穴329の嵌合部との距離が離れるにつれ増大するのを抑えることができる。よって、オイルシールリップ部325とトナー撹拌ギア軸部324との接触位置で、従来の構成よりもトナー撹拌ギア313の軸倒れを抑えることが可能となり、安定的なしめしろが確保でき、シール性を維持することができる。またこれによって、従来の構成よりもトナー撹拌ギア313とトナー容器302との嵌合長Ａを短くすることができ、さらに嵌合面326がトナー容器302のより内側へ配置されることになるため、装置全体の長手幅を抑えることができ、装置のコストダウンをすることができる。