(57)【要約】  この表示装置（１Ｂ）は、基板（３）上に形成された金属導電層（２１）と、同一基板上に形成され、前記金属導電層と接合する透明導電膜（３９）と、金属導電層（２１）と透明導電膜（３９）とを隔絶する層間絶縁膜（２５）とを備え、金属導電層（２１）は、アルミまたはアルミ合金からなる下層アルミ層（４０ａ）と、不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなり下層アルミ層（４０ａ）の上面の略全面上に形成された中間不純物含有層（４１ａ）と、アルミまたはアルミ合金からなり中間不純物含有層（４０ａ）上に形成された上層アルミ層（４２ａ）とを有し、層間絶縁膜（２５）および上層アルミ層（４２ａ）には、中間不純物含有層（４１ａ）が局所的に露出する様にコンタクトホール（２７）が貫設され、透明電極膜（３９）は、金属導電層（２１）と、コンタクトホール（２７）から露出する中間不純物含有層（４１ａ）で接合する。
2008099697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された金属導電層と、
同一基板上に形成され、前記金属導電層と接合する透明導電膜と、
前記金属導電層と前記透明導電膜とを隔絶する層間絶縁膜とを備え、
前記金属導電層は、
アルミまたはアルミ合金からなる下層アルミ層と、
不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなり前記下層アルミ層の上面の略全面上に形成された中間不純物含有層と、
アルミまたはアルミ合金からなり前記中間不純物含有層上に形成された上層アルミ層とを有し、
前記層間絶縁膜および前記上層アルミ層には、前記中間不純物含有層が局所的に露出する様にコンタクトホールが貫設され、
前記透明電極膜は、前記金属導電層と、前記コンタクトホールから露出する前記中間不純物含有層で接合することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記金属導電層は、更に、不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなり、前記上層アルミ層の表層に局所的に形成されると共に前記中間不純物含有層と繋がる様に形成された局所的不純物含有層を有し、
前記透明性電極膜は、前記局所的不純物含有層を介して前記中間不純物含有層と接合することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
基板上に形成された金属導電層と、
同一基板上に形成され、前記金属導電層と接合する透明導電膜と、
前記金属導電層と前記透明導電膜とを隔絶する層間絶縁膜とを備え、
前記金属導電層は、
不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなる下層不純物含有層と、
アルミまたはアルミ合金からなり前記下層不純物含有層上に形成された上層アルミ層とを有し、
前記層間絶縁膜および前記上層アルミ層には、前記下層不純物含有層を局所的に露出する様にコンタクトホールが貫設され、
前記透明電極膜は、前記金属導電層と、前記コンタクトホールから露出する前記下層不純物含有層で接合することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記金属導電層は、更に、不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなり、前記上層アルミ層の表層に局所的に形成されると共に前記下層不純物含有層と繋がる様に形成された局所的不純物含有層を有し、
前記透明性電極膜は、前記局所的不純物含有層を介して前記下層不純物含有層と接合することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記コンタクトホールの前記層間絶縁膜での開口部は、前記コンタクトホールの前記上層アルミ層での開口部よりも大きく、且つ前記上層アルミ層での前記開口部の開口面全体を包含する様に形成されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記金属導電層は、更に、不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなり、前記上層アルミ層における前記コンタクトホール内での露出部分上に被覆形成された局所的不純物含有層を有し、
前記透明電極膜は、前記金属導電層と、前記コンタクトホールから露出する前記下層不純物含有層および前記局所的不純物含有層で接合することを特徴とする特徴とする請求項３〜５の何れかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記金属導電層を、配線部分および反射電極部に用いたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記不純物は、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
基板上にアルミまたはアルミ合金からなる下層アルミ層を積層形成し、前記下層アルミ層の上面の略全面上に不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなる中間不純物含有層を積層形成し、前記中間不純物含有層の上面の略全面上にアルミまたはアルミ合金からなる上層アルミ層を積層形成することで積層物を形成し、前記積層物から、配線部分と反射電極部分とを有する金属導電層を形成する工程と、
前記金属導電層上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜および前記上層アルミ層を貫通して前記中間不純物含有層が局所的に露出する様に、コンタクトホールを形成する工程と、
前記中間不純物含有層における前記コンタクトホールからの露出部分に接合する様に、前記層間絶縁膜上に透明電極膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上にアルミまたはアルミ合金からなる下層アルミ層を積層形成し、前記下層アルミ層の上面の略全面上に不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなる中間不純物含有層を積層形成し、前記中間不純物含有層の上面の略全面上にアルミまたはアルミ合金からなる上層アルミ層を積層形成することで積層物を形成し、前記積層物から、配線部分と反射電極部分とを有する金属導電層を成形する工程と、
前記金属導電層上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜を貫通して前記上層アルミ層が露出する様に、コンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを介して前記上層アルミ層の表層に不純物を局所的に注入して前記中間不純物含有層と繋がる様に局所的不純物含有層を形成する工程と、
前記局所的不純物含有層に接合する様に前記層間絶縁膜上に透明電極膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
（ａ）基板上に不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなる下層不純物含有層を積層形成し、前記下層不純物含有層の上面の略全面上にアルミまたはアルミ合金からなる上層アルミ層を積層形成することで積層物を形成し、前記積層物から、配線部分と反射電極部分とを有する金属導電層を形成する工程と、
（ｂ）前記金属導電層上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜および前記上層アルミ層を貫通して前記下層不純物含有層が局所的に露出する様に、コンタクトホールを形成する工程と、
（ｃ）前記下層不純物含有層における前記コンタクトホールからの露出部分に接合する様に、前記層間絶縁膜上に透明電極膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（ｂ）は、
前記層間絶縁膜上に第１の開口部を有する第１のフォトレジストを形成し、前記第１のフォトレジストを用いてエッチングを行うことで、前記層間絶縁膜に、前記上層アルミ層を局所的に露出する様に開口部を形成する工程と、
前記上層アルミ層の当該露出部分をエッチング除去して、前記上層アルミ層に、前記下層不純物含有層を局所的に露出する様に開口部を形成する工程と、
前記第１のフォトレジストを除去した後、前記層間絶縁膜上に前記第１の開口部よりも大きな第２の開口部を有する第２のフォトレジストを形成し、前記第２のフォトレジストを用いてエッチングを行って前記層間絶縁膜の前記開口部を拡径することで、前記層間絶縁膜に、前記上記上層アルミ層の前記開口部よりも大きく且つ前記上層アルミ層の前記開口部の開口面全体を包含する拡径開口部を形成し、前記層間絶縁膜の前記拡径開口部と前記上層アルミ層の前記開口部により前記コンタクトホールを構成する工程と、
を備えることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ｂ）は、
前記層間絶縁膜上に、開口部を有し且つ前記開口部の周辺部分の厚さがそれ以外の部分の厚さよりも薄くされたフォトレジストを形成し、前記フォトレジストを用いてエッチングを行うことで、前記層間絶縁膜に、前記上層アルミ層を局所的に露出する様に開口部を形成する工程と、
前記上層アルミ層の当該露出部分をエッチング除去して、前記上層アルミ層に、前記下層不純物含有層を局所的に露出する様に開口部を形成する工程と、
前記フォトレジストの表面全体を一定の厚さだけ除去して、前記フォトレジストの前記開口部を拡径する工程と、
前記開口部の拡径された前記フォトレジストを用いてエッチングを行って前記層間絶縁膜の前記開口部の開口径を拡径することで、前記層間絶縁膜に、前記上記層アルミ層の前記開口部よりも大きく且つ前記上記層アルミ層の前記開口部の開口面全体を包含する拡径開口部を形成し、前記層間絶縁膜の前記拡径開口部と前記上層アルミ層の前記開口部により前記コンタクトホールを構成する工程と、
を備えることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記工程（ｂ）と（ｃ）との間に、
（ｄ）前記上層アルミ層における前記コンタクトホール内での露出部分上に、不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなる局所的不純物含有層を形成する工程を更に備え、
前記工程（ｃ）では、
前記下層不純物含有層における前記コンタクトホールからの露出部分および前記局所的不純物含有層に接合する様に、前記層間絶縁膜上に透明電極膜を形成することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリックス型等の表示装置に関し、特にスイッチング素子として用いられる薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、TFT）を備えた薄膜トランジスタアレイ基板（以下、TFTアレイ基板）およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶やエレクトロルミネセンス等を用いたディスプレイ用電気光学素子は、CRTに代わるフラットパネルディスプレイの一つとして、低消費電力や薄型であるという特徴を活かした製品への応用が盛んになされている。【０００３】
例えば、液晶表示装置は通常、TFTアレイ基板とカラーフィルタを有する対向基板との間に液晶層が狭持されてなる液晶パネルと、液晶パネルに設けられる偏光板とを備えており、さらに一方の基板の外側にバックライトユニットと光源とを備えている。光源からの光がバックライトユニットによって偏光板および液晶パネルに照射されて通過することにより、カラー表示の画像を得ることができる。また、エレクトロルミネセンス表示装置は、TFTアレイ基板上にエレクトロルミネセンスによる発光膜と対向電極とを備えており、発光膜に電流を流すことにより表示光を得ることができる。【０００４】
TFTアレイ基板上には、TFTと画素電極とがマトリクス状に配置されている。TFTのドレイン電極と画素電極とは、層間絶縁膜により隔絶されており、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して相互接合されている。【０００５】
通常、画素電極の材料として酸化インジュウムや酸化亜鉛等の透明導電材料を使用する。その際、ドレイン電極の材料としてアルミまたはアルミ合金を使用すると、前記透明導電材料との接合部に酸化層が発生し、接合部でのコンタクト抵抗が増大する。そのため、ドレイン電極の材料としては、クロムやチタンのように還元力を有する高融点金属を用いることが多かった。【０００６】
液晶やエレクトロルミネセンス等を用いた表示装置が、他の表示装置と置換し、その適用範囲が拡大するにつれ、画面の大型化や高精細化・高輝度化が求められるようになってきている。大面積画面においても良好な画質を維持するためには、画面大型化に伴う配線長の配線抵抗の増大を抑制する必要があるが、配線抵抗を低減するために配線幅を広げると、光の透過領域（すなわち開口率）を減少させ、輝度の低下を引き起こすため、アルミまたはアルミ合金のように抵抗の低い配線材料を用いる必要がある。【０００７】
ドレイン電極（即ち配線）にアルミまたはアルミ合金を使用する場合、画素電極（即ち透明電極）との接合部でのコンタクト抵抗が増大する。この問題を解決するために、ドレイン電極の表面にアルミ以外の導電層を形成しておく方法が提案されている（例えば、特許文献1参照）。しかし、この方法では、当該導電層の形成のために、新たに成膜もしくはパターニングを追加する必要があり、コストが増大する問題があった。【０００８】
上記の方法以外の他の方法として、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成した時に、コンタクトホールから露出するドレイン電極の最上層のアルミまたはアルミ合金をウエットエッチングでエッチング除去する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。しかし、このようにウエットエッチング等の等方性エッチング法を用いると、サイドエッチングが進行するため、コンタクトホールの内側壁がドレイン電極と接することなく浮いた形状（すなわち庇構造）になり、画素電極とドレイン電極とが十分に接合せず、導通不良を引き起こす場合がある。【０００９】
また上記の他の方法によっても、当該導電層の形成のために、アルミ合金のほか、一層の成膜もしくはパターニングを追加する必要があり、コストが増大する問題があった。【００１０】
またドレイン電極（配線）上にコンタクトホールを形成した場合、コンタクトホールから露出するドレイン電極の最上層のアルミまたはアルミ合金を除去するため（以下、この方法をアルミ除去コンタクト構造と呼ぶ）、その分、配線の電気抵抗が増大し、動作速度の遅延や信頼性の劣化を招く。それを回避するため、アレイ周辺および外部回路との入出力端子や、後付のＬＳＩチップとの配線パターンに制約を受ける（例えば特許文献３に示す回路図を参照）。【００１１】
また、別の他の方法として、アルミまたはアルミ合金からなるドレイン電極（配線）の表層全体に不純物を含有することにより、画素電極（透明電極）との接合部に酸化層が形成されることを抑止する方法が提案されている（例えば特許文献４、以下、この方法を表層不純物含有アルミ構造と呼ぶ）。この方法によれば、コストの増大を招くこともなく、また、配線抵抗の増大や導通不良を引き起こすこともない。【００１２】
ところで、消費電力の制約や、明るい場所での視認性向上のために、液晶表示装置の光源として、バックライトだけでなく、外光も使用する例が見られている。これは、光を透過する透明な画素電極と共に、アルミや銀のように可視光領域での反射率が高い材料からなる反射電極をTFTの上部に形成することにより、外部から液晶パネルに入射する外光を反射させ、表示光として利用する方式である（例えば特許文献５、以下、この方式を半透過方式液晶表示装置と呼ぶ）。【００１３】
しかしながら、反射電極は通常、画素電極の形成工程の前または後の工程で形成されるため、反射電極の形成工程を追加する必要があり、コストが増大する問題があった。【００１４】
そこで、上記の表層不純物含有アルミ構造において、アルミまたはアルミ合金によって配線を形成する際に反射電極も形成することで、上記の半透過方式液晶表示装置を製造すれば、反射電極を形成するために新たな工程を追加する必要がない。【００１５】
しかしながら、アルミ表層に不純物を導入すると可視光の反射率が低下するため、高反射率を有する半透過方式表示装置が得られないという問題点があった。例えば、波長550nmの入射光に対し、アルミまたはアルミ合金の場合、反射率90％以上であったものが、不純物を導入すると反射率85％以下まで低下する。【００１６】
【特許文献１】特開平４−２５３３４２号公報（３頁４〜３１行、図１）
【特許文献２】特開平９−２４４０６２号公報（５頁右欄１２行〜７頁左４行、図５，６）
【特許文献３】特開２００６−１０７６９２号公報（図19、20）
【特許文献４】特開平１１−２８４１９５号公報（図３）
【特許文献５】特開平１１−１０９４１７号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
このような半透過方式液晶表示装置にあっては、上述の様に、配線と反射電極とを別々に形成すると、コスト増大を招き、他方、配線と反射電極とを同時に形成すると、高い可視光の反射率が得られないという問題点がある。【００１８】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、配線と透明電極との接合部でのコンタクト抵抗を低減でき、且つ製造コストを増大することなく高反射率の反射電極を備えた表示装置を得ることを目的としている。【００１９】
本発明の第１の態様は、基板上に形成された金属導電層と、同一基板上に形成され、前記金属導電層と接合する透明導電膜と、前記金属導電層と前記透明導電膜とを隔絶する層間絶縁膜とを備え、前記金属導電層は、アルミまたはアルミ合金からなる下層アルミ層と、不純物を含むアルミまたはアルミ合金からなり前記下層アルミ層の上面の略全面上に形成された中間不純物含有層と、アルミまたはアルミ合金からなり前記中間不純物含有層上に形成された上層アルミ層とを有し、前記層間絶縁膜および前記上層アルミ層には、前記中間不純物含有層が局所的に露出する様にコンタクトホールが貫設され、前記透明電極膜は、前記金属導電層と、前記コンタクトホールから露出する前記中間不純物含有層で接合するものである。【００２０】
この態様によれば、金属導電層は、アルミまたはアルミ合金により形成されるので、電気抵抗の低い配線を構成できる。そして前記金属導電層の表面では、透明導電膜との接合部が不純物含有層により形成されるので、前記金属導電層と前記透明電極膜との接合部でのコンタクト抵抗を低減できる。【００２１】
また、金属導電層の表面では、透明導電膜との接合部が不純物含有層により局所的に形成されるので（即ち金属導電層の表面における接合部以外の部分は、アルミまたはアルミ合金により形成されるので）、金属導電層は、低電気抵抗の配線としてだけでなく高反射率の反射電極としても使用できる。そのため、この金属導電層を配線としても反射電極としても使用することで、低電気抵抗の配線と高反射率の反射電極とを同時に形成でき、製造コストを増大させることなく高反射率の反射電極を備えた表示装置を得ることができる。【００２２】
また、中間不純物含有層における局所的に露出する部分が接合部となるので、即ち、前記接合部の形成に必要な不純物含有層（中間不純物含有層）自体を局所的に形成しないので、構造的に製造し易く、製造コストの増大を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態１，３，５に係る表示装置を示す平面図である。
【図２】実施の形態１の場合の図１のII−II断面図である。
【図３】図３（ａ）は、図２の領域Ｘ内の反射画素部を拡大した図であり、図３（ｂ）は、図２の領域Ｙ内における反射画素部と透明画素部との接合部を拡大した図である。
【図４】オーミックコンタクト層１９を形成するまでの工程を説明する図である。
【図５】アルミ層３７を形成する工程を説明する図である。
【図６】ソース電極２３，ドレイン電極２１および層間絶縁膜２５を形成する工程を説明する図である。
【図７】コンタクトホール２７を形成する工程を説明する図である。
【図８】局所的不純物含有層３８を形成する工程を説明する図である。
【図９】実施の形態３の場合の図１のII−II断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、図９の領域Ｘ内の反射画素部を拡大した図であり、図１０（ｂ）は、図９の領域Ｙ内における反射画素部と透明画素部との接合部を拡大した図である。
【図１１】オーミックコンタクト層１９を形成するまでの工程を説明する図である。
【図１２】下層アルミ層４０、中間不純物含有層４１および上層アルミ層４２を形成する工程を説明する図である。
【図１３】ソース電極２３，ドレイン電極２１および層間絶縁膜２５を形成する工程を説明する図である。
【図１４】コンタクトホール２７を形成する工程を説明する図である。
【図１５】実施の形態１２の場合の図１のII−II断面図である。
【図１６】図１６（ａ）は、図１５の領域Ｘ内の反射画素部を拡大した図であり、図１６（ｂ）は、図１５の領域Ｙ内における反射画素部と透明画素部との接合部を拡大した図である。
【図１７】オーミックコンタクト層１９を形成するまでの工程を説明する図である。
【図１８】下層アルミ層４０、中間不純物含有層４１および上層アルミ層４２を形成する工程を説明する図である。
【図１９】ソース電極２３，ドレイン電極２１および層間絶縁膜２５を形成する工程を説明する図である。
【図２０】コンタクトホール２７を形成する工程を説明する図である。
【図２１】局所的不純物含有層４３を形成する工程を説明する図である。
【図２２】実施の形態５〜１０の場合の図１のII−II断面図である。
【図２３】（ａ）は、図２２の領域Ｘの拡大図であり、（ｂ）は、図２２の領域Ｙの拡大図である。
【図２４】実施の形態６の製造工程途中のII−II断面図である。
【図２５】実施の形態６の製造工程途中のII−II断面図である。
【図２６】実施の形態６の製造工程途中のII−II断面図である。
【図２７】実施の形態６の製造工程途中のII−II断面図である。
【図２８】（ａ）は、実施の形態７の場合の図２２の領域Ｘの拡大図であり、（ｂ）は、実施の形態７の場合の図２２の領域Ｙの拡大図である。
【図２９】実施の形態８の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図３０】実施の形態８の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図３１】実施の形態８の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図３２】実施の形態８の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図３３】実施の形態８の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図３４】実施の形態８の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図３５】実施の形態８の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図３６】実施の形態８の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図３７】実施の形態９の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図３８】実施の形態９の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図３９】実施の形態９の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図４０】実施の形態９の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図４１】実施の形態９の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図４２】実施の形態９の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図４３】実施の形態９の製造工程途中の図２８に示す部分を示す図である。
【図４４】（ａ）は、実施の形態１０の場合の図２２の領域Ｘの拡大図であり、（ｂ）は、実施の形態１０の場合の図２２の領域Ｙの拡大図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
実施の形態１．
この実施の形態に係る表示装置１の画素部分は、図１および図２の様に、ガラス基板などの透明絶縁性基板（基板）３上に、薄膜トランジスタ部（以後、ＴＦＴ部と呼ぶ）５と、ＴＦＴ部５に隣接する反射画素部７と、反射画素部７に隣接する透明画素部９と、透明画素部９に隣接する容量部１１とを備えて構成されている。【００２５】
より詳細には、表示装置１は以下の様に構成されている。即ち、基板３上に、ゲート電極１３と、ゲート電極１３に繋がるゲート配線１４（図１参照）と、下部補助容量電極１５とが形成されており、それらを被覆する様に基板３の上面の略全面にゲート絶縁膜１７が形成されている。【００２６】
ゲート電極１３の上面におけるＴＦＴ部５の形成範囲には、ゲート絶縁膜１７を介して、例えばアモルファスシリコン膜からなる半導体能動層１８が形成されている。【００２７】
半導体能動層１８上には、n+アモルファスシリコン層からなるオーミックコンタクト層１９ａ，１９ｂが形成されている。オーミックコンタクト層１９ａは、ゲート電極１３の一側（反射画素部７側）の縁部に重なる様に形成され、他方、オーミックコンタクト層１９ｂは、ゲート電極１３の反対側の縁部に重なる様に形成されている。【００２８】
オーミックコンタクト層１９ｂ上には、アルミまたはアルミ合金からなるアルミ層３７ｃにより、ソース電極２３が形成されている。【００２９】
また、ゲート絶縁膜１７の上面における反射画素部７の形成範囲およびオーミックコンタクト層１９ａの上面に渡って、ドレイン電極２１が形成されている。【００３０】
ドレイン電極２１は、アルミまたはアルミ合金からなるアルミ層３７ａと、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を含有するアルミまたはアルミ合金からなる局所的不純物含有層３８とを有している。ドレイン電極２１の表面では、後述の透明電極膜３９との接合部が局所的不純物含有層３８により局所的（より詳細には、表面方向に局所的、以下同様）に形成され、前記接合部以外の部分がアルミ層３７ａにより形成されている。より詳細には、ここでは、ドレイン電極２１は、その表層における前記接合部だけが局所的不純物含有層３８により形成され、その残り全体がアルミ層３７ａにより形成されている。【００３１】
ドレイン電極２１のうち、オーミックコンタクト層１９ａ上の部分がＴＦＴドレイン電極２１ａとなり、反射画素部７の形成範囲内の部分が反射画素部電極２１ｂとなっている。ここでは、反射画素部電極２１ｂの表面に前記接合部が形成されている。【００３２】
基板３上には、各部１７，１８，１９ａ，１９ｂ，２１，２３の露出部分を被覆する様に、層間絶縁膜２５が形成されている。層間絶縁膜２５には、反射画素部電極２１ｂの表面の局所的不純物含有層３８を露出する様に、コンタクトホール２７が形成されている。【００３３】
層間絶縁膜２５上には、コンタクトホール２７、透明画素部９の形成範囲および容量部１１の形成範囲を被覆する様に、透明電極膜３９が形成されている。この状態で、透明電極膜３９は、コンタクトホール２７から露出する局所的不純物含有層３８と接合している。尚、透明電極膜３９のうち、透明画素部９の形成範囲内の部分が透明画素部電極３１を構成しており、容量部１１の形成範囲内の部分が上部補助容量電極３３を構成している。【００３４】
この様に構成された表示装置１では、ＴＦＴ部５の形成範囲内の各部１３，１７，１８，１９ａ，１９ｂ，２３，２１ａ，２５によりＴＦＴ部５が構成されており、また反射画素部７の形成範囲内の各部１７，２１ｂ，２５により反射画素部７が構成されており、また透明画素部９の形成範囲内の各部１７，２５，３１により透明画素部９が構成されており、また容量部１１の形成範囲内の各部１５，１７，２５，３３により容量部１１が構成されている。【００３５】
図３（ａ）（ｂ）はそれぞれ、図２の位置Ｘ，Ｙの拡大図である。この構成によれば、図３（ｂ）に示すように、透明電極膜３９とドレイン電極２１との接合は、コンタクトホール２７から露出する局所的不純物含有層３８を介して行われる。そのため、それら各部３９，２１の接合面（界面）に酸化層が形成されることを抑止することができる。さらに図３（ａ）に示すように、反射画素電極２１ｂにおいて、外光は、不純物を含まないアルミ層３７ａで反射されるので、高反射率が得られる。【００３６】
通常、ソース電極２３およびドレイン電極２１の膜厚は、300nm〜600nmに設定され、その際の局所的不純物含有層３８の膜厚は、5nm〜200nmが適当である。局所的不純物含有層３８にＮを導入することにより形成する場合は、局所的不純物含有層３８の窒化度は、0.1〜0.9が適当である。なお、窒化度とは、窒化Ａｌ層の窒素元素濃度を表すもので、窒化度＝AlN/(AlN+Al)と定義する。【００３７】
尚、ここでは、アルミ層３７ａ，３７ｃおよび局所的不純物含有層３８（換言すればドレイン電極２１およびソース電極２３）により金属導電層が構成されている。【００３８】
以上の様に構成された表示装置１によれば、金属導電層（ここではドレイン電極２１およびソース電極２３）は、アルミまたはアルミ合金からなるアルミ層３７ａ，３７ｃで構成されるので、電気抵抗の低い配線を構成できる。そして前記金属導電層の表面では、透明導電膜（ここでは透明画素電極３１）との接合部が不純物含有層（ここでは局所的不純物含有層３８）により局所的に形成されるので、前記金属導電層と前記透明電極膜との接合部でのコンタクト抵抗を低減できる。【００３９】
また、上記の様に前記金属導電層（配線）と前記透明電極膜との接合の際、従来技術のアルミ除去コンタクト構造の様に配線中のアルミを除去しないので、配線の電気抵抗の増大させることが無く、これによりアレイ周辺および外部回路との入出力端子や後付のＬＳＩチップとの配線パターンに制約が起こらないので、レイアウト面積を比較的縮小することができる。【００４０】
また、前記金属導電層の表面における前記接合部以外の部分は、アルミまたはアルミ合金からなるアルミ層３７ｃにより形成されるので、前記金属導電層は、電気抵抗の小さい配線としてだけでなく高反射率を有する反射電極としても使用できる。そのため、この金属導電層を配線（ここではＴＦＴドレイン電極２１ａおよびソース電極２３）としても反射電極（ここでは反射画素部電極２１ｂ）としても使用することで、低電気抵抗の配線と高反射率の反射電極とを同時に形成でき、製造コストを増大させることなく高反射率の反射電極を備えた表示装置を得ることができる。【００４１】
また、前記金属導電層と透明導電膜３９とは層間絶縁膜２５により隔絶され、層間絶縁膜２５にはコンタクトホール２７が貫設され、透明電極膜３９は、前記金属導電層と、コンタクトホール２７から露出する局所的不純物含有層３８でのみ接合するので、コンタクトホール２７のみで接合する場合でも、前記金属導電層と透明電極膜３９とを適切に接合できる。【００４２】
また不純物は、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つであるので、不純物含有層の表面に酸化膜が生じる事を適切に防止できる。【００４３】
実施の形態２．
この実施の形態に係る表示装置の製造方法は、上記の実施の形態１に係る表示装置１の製造方法である。以下、図２および図４〜図８に基づいて、この実施の形態に係る表示装置の製造方法については説明する。【００４４】
まず図４の様に、基板３上に、ゲート電極１３と、ゲート電極１３に繋がるゲート配線１４（図１参照）と、下部補助容量電極１５とを形成し、それらを被覆する様に基板３の上面の略全面にゲート絶縁膜１７を形成する。ゲート絶縁膜１７上には、ゲート電極１３を被覆する様に、半導体能動層１８およびオーミックコンタクト層１９を順に積層形成する。【００４５】
図５の様に、基板３の上面の略全面には、スパッタ法等により、各部１７，１８，１９の露出部分を被覆する様に、アルミまたはアルミ合金からなるアルミ層３７を積層形成する。【００４６】
図６の様に、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、オーミックコンタクト層１９の不要部分（即ちゲート電極１３の中央部分に重なる部分）およびアルミ層３７の不要部分（即ちゲート電極１３の中央部分に重なる部分および各部５，７，９の形成範囲以外の部分）は除去される。【００４７】
この除去により、ＴＦＴ構造（ゲート電極１３の中央部分上の凹部）を形成すると共に、アルミ層３７から、ソース電極２３およびドレイン電極２１（より詳細にはドレイン電極２１のうちの後述の接合部以外の部分）を形成する（即ち配線部分（ソース電極２３およびドレイン電極２１のＴＦＴドレイン電極２１ａ部分）および反射電極部分（ドレイン電極２１の反射画素部電極２１ｂ部分）を形成する）。【００４８】
尚、オーミックコンタクト層１９のうち、反射画素部７側の部分がオーミックコンタクト層１９ａとなり、その反対側の部分がオーミックコンタクト層１９ｂとなっている。アルミ層３７のうち、オーミックコンタクト層１９ｂ上の部分３７ｃがソース電極２３となり、オーミックコンタクト層１９ａ上の部分と反射画素部７の形成範囲内の部分とを合わせた部分３７ａがドレイン電極２１（より詳細にはドレイン電極２１のうちの後述の接合部以外の部分）となっている。【００４９】
図６の様に、基板３上には、各部１７，１８，１９ａ，１９ｂ，３７ａ，３７ｃの露出部分を被覆する様に、層間絶縁膜２５を形成する。【００５０】
図７の様に、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、例えば反射画素部７の形成範囲において、層間絶縁膜２５には、その下層のアルミ層３７ａが露出する様にコンタクトホール２７を形成する。尚、一般に層間絶縁膜２５がSiNの場合は、エッチング法にはドライ方式が用いられ、その際のエッチングガスにはフッ素系ガスが用いられる。なお、この場合、主に層間絶縁膜２５のみがエッチングされ、アルミ層３７ａはほとんどエッチングされない。【００５１】
図８の様に、イオン注入法またはプラズマ表面処理法を用いて、アルミ層３７ａにおけるコンタクトホール２７からの露出部分の表層には、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を注入することで、アルミ層３７の表層に局所的不純物含有層３８を局所的に形成する。この局所的不純物含有層３８が、後述の透明電極膜３９との接合部となる。【００５２】
その際、局所的不純物含有層３８を、イオン注入法を用いてＮを導入することにより形成する場合、その厚さを5nmにする場合の注入時のエネルギーは、例えば1〜10KeV程度であり、またその厚さを200nmにする場合の注入時のエネルギーは、例えば70〜90KeV程度である。【００５３】
尚、アルミ層３７ａおよび局所的不純物含有層（接合部）３８によりドレイン電極２１が構成されている。ドレイン電極２１のうち、オーミックコンタクト層１９ａ上の部分がＴＦＴドレイン電極２１ａとなり、反射画素部７の形成範囲内の部分が反射画素部電極２１ｂとなっている。尚、アルミ層３７ａ，３７ｃおよび局所的不純物含有層３８（換言すればドレイン電極２１およびソース電極２３）により金属導電層が構成されている。【００５４】
図２の様に、層間絶縁膜２５上には、透明電極膜３９を、透明画素部９の形成範囲全体、コンタクトホール２７および下部補助容量電極１５を被覆する様に一体的に形成する。この状態では、透明電極膜３９は、コンタクトホール２７から露出した局所的不純物含有層３８と接合している。【００５５】
以上の様に構成された表示装置の製造方法によれば、配線部分（ここではソース電極２３およびＴＦＴドレイン電極２１ａ）と反射電極部分（反射画素部電極２１ｂ）とを同時に形成するので、反射電極部分の形成工程を新たに設ける必要が無く、よって、製造コストを増大させることなく高反射率の反射電極を備えた表示装置を得ることができる。【００５６】
実施の形態３．
この実施の形態に係る表示装置１Ｂは、上記の実施の形態１に係る表示装置１と比べて、配線部分（ソース電極２３およびＴＦＴドレイン電極２１ａ）および反射電極部分（反射画素部電極２１ｂ）の構造が異なる以外は、同様に構成されている。以下、上記の実施の形態１に係る表示装置１と同一部分については同一符号を付して説明を省略し、異なる部分を説明する。【００５７】
この実施の形態では、図９の様に、ドレイン電極２１およびソース電極２３はそれぞれ、アルミまたはアルミ合金からなる下層アルミ層４０ａ，４０ｃと、下層アルミ層４０ａ，４０ｃの上面の略全面上に積層形成され、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を含有するアルミまたはアルミ合金からなる中間不純物含有層（不純物含有層）４１ａ，４１ｃと、中間不純物含有層４１ａ，４１ｃの上面の略全面上に積層形成され、アルミまたはアルミ合金からなる上層アルミ層４２ａ，４２ｃとで構成されている。【００５８】
基板３上には、各部１７，１８，１９ａ，１９ｂ，２１，２３の露出部分を被覆する様に、層間絶縁膜２５が形成されている。層間絶縁膜２５および上層アルミ層４２ａを貫通して中間不純物含有層４１ａを局所的に露出する様に、コンタクトホール２７が形成されている。中間不純物含有層４１ａのうちの上記の局所的に露出された部分が、後述の透明電極膜３９との接合部となる。即ち、ドレイン電極２１の表面では、前記接続部が中間不純物含有層（不純物含有層）４１ａの露出部分により局所的に形成され、前記接続部以外の部分が上層アルミ層（アルミ層）４２ａにより形成されている。【００５９】
層間絶縁膜２５上には、コンタクトホール２７、透明画素部９の形成範囲および容量部１１の形成範囲を被覆する様に、透明電極膜３９が形成されている。この状態で、透明電極膜３９は、コンタクトホール２７から露出する局所的不純物含有層４１ａと接合している。【００６０】
この構成によれば、図１０（ｂ）に示すように、透明電極膜３９とドレイン電極２１との接合は、コンタクトホール２７から露出する中間不純物含有層４１ａを介して行われる。そのため、それら各部３９，２１の接合部に酸化層が形成されることを抑止することができる。さらに図１０（ａ）に示すように、反射画素部電極２１ｂにおいて、外光は、不純物を含まない上層アルミ層４２ａで反射されるので、高反射率が得られる。【００６１】
通常、ソース電極２３およびドレイン電極２１の膜厚は、300nm〜600nmに設定され、その際の中間不純物含有層４１ａ，４１ｃの膜厚は、5nm〜200ｎｍが適当である。中間不純物含有層４１ａ，４１ｃをＮを導入することにより形成する場合は、中間不純物含有層３８ｂの窒化度は、0.1〜0.9が適当である。なお、上層アルミ層４２ａ，４２ｃの膜厚は、5nm以上が適当である。【００６２】
尚、ここでは、アルミ層４０ａ，４０ｃ，４２ａ，４２ｃおよび中間不純物含有層４１ａ，４１ｃにより金属導電層が構成されている。【００６３】
以上の様に構成された表示装置１Ｂによっても、上記の実施の形態１に係る表示装置１と同じ効果を得ることができる。【００６４】
また金属導電層（例えばドレイン電極２１）は、下層アルミ層４０ａと、下層アルミ層４０ａの上面の略全面上に形成された中間不純物含有層４１ａと、中間不純物含有層４１ａを局所的に露出する様に中間不純物含有層４１ａ上に形成された上層アルミ層４２ａとを有し、中間不純物含有層４１ａにおける前記局所的に露出する部分が前記接合部となるので、即ち、前記接合部の形成に必要な不純物含有層（ここでは中間不純物含有層４１ａ）自体を上記の実施の形態１の局所的不純物含有層３８の様に局所的に形成しないので、構造的に製造し易く、製造コストの増大を抑えることができる。【００６５】
実施の形態４．
この実施の形態に係る表示装置の製造方法は、上記の実施の形態３に係る表示装置１Ｂの製造方法である。以下、図９および図１１〜図１４に基づいて、この実施の形態に係る表示装置の製造方法については説明する。【００６６】
まず図１１の様に、透明絶縁性基板（基板）３上に、ゲート電極１３と、ゲート電極１３に繋がるゲート配線１４（図１参照）と、下部補助容量電極１５とを形成し、それらを被覆する様に基板３の上面の略全面にゲート絶縁膜１７を形成する。ゲート絶縁膜１７上には、ゲート電極１３を被覆する様に、半導体能動層１８およびオーミックコンタクト層１９を順に積層形成する。【００６７】
図１２の様に、基板３上には、スパッタ法等により、各部１７，１８，１９の露出部分を被覆する様に、順に、アルミまたはアルミ合金からなる下層アルミ層４０と、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を含有するアルミまたはアルミ合金からなる中間不純物含有層４１と、アルミまたはアルミ合金からなる上層アルミ層４２とを積層形成する。【００６８】
尚、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、ターゲットとしてアルミまたはアルミ合金を用いて、下層アルミ層４０、中間不純物含有層４１および上層アルミ層４２を積層形成する場合は、まず、スパッタガスに純Ａｒガスを用いて下層アルミ層４０を積層形成する。次に、スパッタガスを純ＡｒガスとＮ2ガスとの混合ガスに切り替えて中間不純物含有層４１を積層形成する。再度スパッタガスに純Ａｒガスを用いて上層アルミ層４２を積層形成する。この方法によれば、上記の実施の形態２の場合と比べて、イオン注入装置やプラズマ表面処理装置を必要とせず、スパッタ装置のスパッタガスの切り替えのみで、中間不純物含有層４１を形成することができる。【００６９】
尚、仮にイオン注入装置を用いた場合、上記の実施の形態２において200nm膜厚の局所的不純物含有層３８を形成する場合は、その注入時のエネルギーは、70〜90KeV程度の比較的高いエネルギーが必要であるが、この実施の形態において中間不純物含有層４１を形成する場合は、中間不純物含有層４１の形成時に不純物を導入できるので、比較的低いエネルギーで中間不純物含有層４１の膜厚を厚く設定することができる。【００７０】
図１３の様に、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、オーミックコンタクト層１９の不要部分（即ちゲート電極１３の中央部分に重なる部分）、各部４０，４１，４２からなる積層物の不要部分（即ちゲート電極１３の中央部分に重なる部分および各部５，７，９の形成範囲以外の部分）を除去する。【００７１】
この除去により、ＴＦＴ構造（ゲート電極１３の中央部分上の凹部）を形成すると共に、前記積層物から、ソース電極２３およびドレイン電極２１（より詳細にはドレイン電極２１のうちの後述の接合部以外の部分）を形成する（即ち配線部分（ソース電極２３およびドレイン電極２１のＴＦＴドレイン電極２１ａ部分）および反射電極部分（ドレイン電極２１の反射画素部電極２１ｂ部分）を形成する）。【００７２】
尚、オーミックコンタクト層１９のうち、反射画素部７側の部分がオーミックコンタクト層１９ａとなり、その反対側の部分がオーミックコンタクト層１９ｂとなっている。そして、各部４０，４１，４２からなる積層物のうち、オーミックコンタクト層１９ｂ上の部分（即ち各部４０ｃ，４１ｃ，４２ｃからなる積層物）がソース電極２３となり、オーミックコンタクト層１９ａ上の部分と反射画素部７の形成範囲内の部分とを合わせた部分（即ち各部４０ａ，４１ａ，４２ａからなる積層物）がドレイン電極２１となっている。ドレイン電極２１のうち、オーミックコンタクト層１９ａ上の部分がＴＦＴドレイン電極２１ａとなり、反射画素部７の形成範囲上の部分が反射画素部電極２１ｂとなっている。【００７３】
図１３の様に、基板３上には、各部１７，１８，１９ａ，１９ｂ，２１，２３の露出部分を被覆する様に、層間絶縁膜２５を形成する。【００７４】
図１４の様に、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、例えば反射画素部７の形成範囲において、層間絶縁膜２５および上層アルミ層４２を貫通して中間不純物含有層４１が局所的に露出する様に、コンタクトホール２７を形成する。より詳細には、まずドライ方式のエッチング法により、層間絶縁膜２５を貫通する貫通孔を形成して上層アルミ層４２を露出させる。更に、酸性溶液を用いたウエットエッチング法により、上層アルミ層４２の当該露出部分を溶解して中間不純物含有層４１を露出させることで、コンタクトホール２７を形成する。この際、酸性溶液の濃度を調整することにより、容易にアルミ合金層（あるいはアルミ層）と不純物含有層とのエッチングレート差を確保できるので、不純物含有層４１を、ほとんど溶解することなく、上層アルミ層４２を除去することができる。その後、中間不純物含有層４１のうちのコンタクトホール２７からの露出部分が、後述の透明電極膜３９との接合部となる。【００７５】
図９の様に、層間絶縁膜２５上には、透明電極膜３９を、透明画素部９の形成範囲全体とコンタクトホール２７と下部補助容量電極１５とを被覆する様に一体的に形成する。この状態では、透明電極膜３９は、中間不純物含有層４１におけるコンタクトホール２７からの露出部分と接合している。【００７６】
以上の様に構成された表示装置の製造方法によれば、配線部分（ソース電極２３およびＴＦＴドレイン電極２１ａ）と反射電極部分（反射画素部電極２１ｂ）とを同時に形成するので、反射電極部分の形成工程を新たに設ける必要が無く、よって、製造コストを増大させることなく高反射率の反射電極を備えた表示装置を得ることができる。【００７７】
また、中間不純物含有層４１ａを下層アルミ層４０ａの上面の略全面上に形成して、中間不純物含有層４１ａを局所的に露出する様に上層アルミ層４２ａを積層形成することで、中間不純物含有層４１ａの局所的な露出部分により、透明電極膜３９との接合部を局所的に形成するので、即ち、前記接合部の形成に必要な不純物含有層（ここでは中間不純物含有層４１ａ）自体を上記の実施の形態１の局所的不純物含有層３８の様に局所的に形成しないので、中間不純物含有層４１ａの形成にイオン注入装置やプラズマ表面処理装置を使用せずに済み、例えばスパッタ装置を使用してスパッタガスの切り替えのみで形成でき、製造コストの増大を抑えることができる。【００７８】
実施の形態５．
この実施の形態に係る表示装置１Ｄは、上記の実施の形態３に係る表示装置１Ｂと比べて、配線部分（ソース電極２３およびＴＦＴドレイン電極２１ａ）および反射電極部分（反射画素部電極２１ｂ）の構造が異なる以外は、同様に構成されている。以下、図２２および図２３に基づき、上記の実施の形態３に係る表示装置１と同一部分については同一符号を付して説明を省略し、異なる部分を説明する。【００７９】
この実施の形態では、図２２の様に、ドレイン電極２１およびソース電極２３はそれぞれ、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を含有するアルミまたはアルミ合金からなる下層不純物含有層（不純物含有層）１００ａ，１００ｃと、アルミまたはアルミ合金からなる上層アルミ層１０１ａ，１０１ｃとで構成されている。【００８０】
基板３上には、各部１７，１８，１９ａ，１９ｂ，２１，２３の露出部分を被覆する様に、層間絶縁膜２５が形成されている。層間絶縁膜２５および上層アルミ層１０１ａを貫通して下層不純物含有層１００ａを局所的に露出する様に、コンタクトホール２７が形成されている。下層不純物含有層１００ａのうちの上記の局所的に露出された部分が、透明電極膜３９との接合部となる。即ち、ドレイン電極２１の表面では、前記接続部が下層不純物含有層（不純物含有層）１００ａの露出部分により局所的に形成され、前記接続部以外の部分が上層アルミ層（アルミ層）１０１ａにより形成されている。【００８１】
層間絶縁膜２５上には、コンタクトホール２７、透明画素部９の形成範囲および容量部１１の形成範囲を被覆する様に、透明電極膜３９が形成されている。この状態で、透明電極膜３９は、コンタクトホール２７から露出する下層不純物含有層１００ａと接合している。【００８２】
この構成によれば、図２３（ｂ）に示すように、透明電極膜３９とドレイン電極２１との接合は、コンタクトホール２７から露出する下層不純物含有層１００ａを介して行われる。そのため、それら各部３９，２１の接合部に酸化層が形成されることを抑止することができる。さらに図２３（ａ）に示すように、反射画素部電極２１ｂにおいて、外光は、不純物を含まない上層アルミ層１０１ａで反射されるので、高反射率が得られる。【００８３】
通常、ソース電極２３およびドレイン電極２１の膜厚は、300nm〜600nmに設定され、その際の下層不純物含有層１００ａ,１００ｃの膜厚は、5nm〜200nmが適当である。【００８４】
尚、ここでは、上層アルミ層１０１ａ，１０１ｃおよび下層不純物含有層１００ａ，１００ｃにより金属導電層が構成されている。【００８５】
以上の様に構成された表示装置１Ｄによっても、上記の実施の形態１に係る表示装置１と同じ効果を得ることができる。【００８６】
さらには、下層不純物含有層１００ａ，１００ｃは、それぞれ、オーミックコンタクト層１９a, １９ｂに接合する。即ち、下層不純物含有層１００ａ，１００ｃとオーミックコンタクト層１９a, １９ｂとの間にアルミ層あるいはアルミ合金層を介することながないため、下層不純物含有層１００ａ，１００ｃは、オーミックコンタクト層１９a, １９ｂとも良好なコンタクトを得ることが期待できる。【００８７】
実施の形態６．
この実施の形態に係る表示装置の製造方法は、上記の実施の形態５に係る表示装置１Ｄを製造する方法である。以下、図２２および図２４〜図２７に基づき、この実施の形態に係る表示装置の製造方法については説明する。【００８８】
まず図２４の様に、透明絶縁性基板（基板）３上に、ゲート電極１３と、ゲート電極１３に繋がるゲート配線１４（図１参照）と、下部補助容量電極１５とを形成し、それらを被覆する様に基板３の上面の略全面にゲート絶縁膜１７を形成する。ゲート絶縁膜１７上には、ゲート電極１３を被覆する様に、半導体能動層１８およびオーミックコンタクト層１９を順に積層形成する。【００８９】
そして図２５の様に、基板３上には、スパッタ法等により、各部１７，１８，１９の露出部分を被覆する様に、順に、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を含有するアルミまたはアルミ合金からなる下層不純物含有層１００と、アルミまたはアルミ合金からなる上層アルミ層１０１とを積層形成する。【００９０】
尚、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、ターゲットとしてアルミまたはアルミ合金を用いて、下層不純物含有層１００、上層アルミ層１０１を積層形成する場合は、まず、スパッタガスを純ＡｒガスとＮ2ガスとの混合ガスを用いて下層不純物含有層１００を積層形成する。次に、スパッタガスを純Ａｒガスに切り替えて上層アルミ層１０１を積層形成する。この方法によれば、上記の実施の形態２の場合と比べて、イオン注入装置やプラズマ表面処理装置を必要とせず、スパッタ装置のスパッタガスの切り替えのみで、下層不純物含有層１００を形成することができ、また、上記の実施の形態４の場合と比べても、スパッタ時のスパッタガスの切り替えが１度で済む。【００９１】
そして図２６の様に、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、オーミックコンタクト層１９の不要部分（即ちゲート電極１３の中央部分に重なる部分）、各部１００、１０１からなる積層物の不要部分（即ちゲート電極１３の中央部分に重なる部分および各部５，７の形成範囲以外の部分）を除去する。【００９２】
この除去により、ＴＦＴ構造（ゲート電極１３の中央部分上の凹部）を形成すると共に、前記積層物から、ソース電極２３およびドレイン電極２１（より詳細にはドレイン電極２１のうちの後述の接合部以外の部分）を形成する（即ち配線部分（ソース電極２３およびドレイン電極２１のＴＦＴドレイン電極２１ａ部分）および反射電極部分（ドレイン電極２１の反射画素部電極２１ｂ部分）を形成する）。【００９３】
尚、オーミックコンタクト層１９のうち、反射画素部７側の部分がオーミックコンタクト層１９ａとなり、その反対側の部分がオーミックコンタクト層１９ｂとなっている。そして、各部１００，１０１らなる積層物のうち、オーミックコンタクト層１９ｂ上の部分（即ち各部１００ｃ，１０１ｃからなる積層物）がソース電極２３となり、オーミックコンタクト層１９ａ上の部分と反射画素部７の形成範囲内の部分とを合わせた部分（即ち各部１００ａ，１０１ａからなる積層物）がドレイン電極２１となっている。ドレイン電極２１のうち、オーミックコンタクト層１９ａ上の部分がＴＦＴドレイン電極２１ａとなり、反射画素部７の形成範囲上の部分が反射画素部電極２１ｂとなっている。【００９４】
そして図２６の様に、基板３上には、各部１７，１８，１９ａ，１９ｂ，２１，２３の露出部分を被覆する様に、層間絶縁膜２５を形成する。【００９５】
そして図２７の様に、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、例えば反射画素部７の形成範囲において、層間絶縁膜２５および上層アルミ層１０１を貫通して下層不純物含有層１００が局所的に露出する様に、コンタクトホール２７を形成する。より詳細には、まずドライ方式のエッチング法により、層間絶縁膜２５を貫通する貫通孔を形成して上層アルミ層１０１を露出させる。更に、酸性溶液を用いたウエットエッチング法により、上層アルミ層１０１の当該露出部分を溶解して下層不純物含有層１００を露出させることで、コンタクトホール２７を形成する。尚、エットエッチング法では、たとえばリン酸を主成分とする酸性溶液を用いることができる。【００９６】
その際、酸性溶液の濃度を調整することにより、容易にアルミ合金層（あるいはアルミ層）と不純物含有層とのエッチングレート差を確保できるので、下層不純物含有層１００ａを、ほとんど溶解することなく、上層アルミ層１０１を除去することができる。その後、下層不純物含有層１００のうちのコンタクトホール２７からの露出部分が、後述の透明電極膜３９との接合部となる。【００９７】
そして図２２の様に、層間絶縁膜２５上には、透明電極膜３９を、透明画素部９の形成範囲全体とコンタクトホール２７と下部補助容量電極１５とを被覆する様に一体的に形成する。この状態では、透明電極膜３９は、下層不純物含有層１００におけるコンタクトホール２７からの露出部分と接合している。【００９８】
以上の様に構成された表示装置の製造方法によれば、配線部分（ソース電極２３およびＴＦＴドレイン電極２１ａ）と反射電極部分（反射画素部電極２１ｂ）とを同時に形成するので、反射電極部分の形成工程を新たに設ける必要が無く、よって、製造コストを増大させることなく高反射率の反射電極を備えた表示装置を得ることができる。【００９９】
また図２５の様に下層不純物含有層１００ａを基板３の上面の略全面に形成し、その後、図２７の様にその下層不純物含有層１００ａを局所的に露出する様にその下層不純物含有層１００ａ上に層アルミ層１０１ａを積層形成することで、下層不純物含有層１００ａのその局所的な露出部分により、透明電極膜３９との接合部を局所的に形成する。即ち、前記接合部の形成に必要な不純物含有層（ここでは下層不純物含有層１００ａ）自体を上記の実施の形態１の局所的不純物含有層３８の様に局所的に形成しない。よって、下層不純物含有層１００ａの形成にイオン注入装置やプラズマ表面処理装置を使用せずに済み、また、実施の形態３に比べ、スパッタ装置を使用してスパッタガスの切り替えは、一度のみで形成でき、製造コストの増大を抑えることができる。【０１００】
実施の形態７．
この実施の形態に係る表示装置１Ｅは、上記の実施の形態５に係る表示装置１Ｄと比べて、コンタクト２７の構造が異なる以外は、同様に構成されている。以下、図２８に基づき、上記の実施の形態５に係る表示装置１Ｄと同一部分については同一符号を付して説明を省略し、異なる部分を説明する。【０１０１】
上記の実施の形態５に係る表示装置１Ｄにおける予測される製造上の課題として、以下の課題がある。即ち例えば、ソース電極２３およびドレイン電極２１の膜厚を６００ｎｍに設定し、下層不純物含有層１００ａの膜厚を５ｎｍに設定した場合、上層アルミ層１０１ａの膜厚は、５９５ｎｍと比較的に厚くなる。このように比較的に厚い上層アルミ層１０１ａをエッチングすると横方向のエッチングも同時に進行する。【０１０２】
そのため、コンタクトホール２７の形成工程において、上層アルミ層１０１ａをエッチングした際、上層アルミ層１０１ａが横方向に大きくエッチングされ、その上層の層間絶縁膜２５が庇状に張り出してしまう（即ち、コンタクトホール２７内の各部１０１ａ，２５の境界部位に庇構造が生じてしまう）。この状態で、コンタクトホール２７内に透明電極膜３９を堆積すると、層間絶縁膜２５の当該庇状部分で、透明電極膜３９が切れ易くなり、またボイド（空洞）が残り易くなり、接続不良の原因になる。【０１０３】
その様な接続不良を抑止するためには、図２８（ｂ）の様に、コンタクトホール２７内の各部１０１ａ，２５の境界部位をステップ構造（階段構造）にするのが有効である。即ち、コンタクトホール２７の層間絶縁膜２５での開口部を、コンタクトホール２７の上層アルミ層１０１ａでの開口部よりも大きく且つ上層アルミ層１０１ａでの前記開口部の開口面全体を包含する様に形成するのが有効である。より詳細には、コンタクトホール２７はエッチングにより底細りになるので、層間絶縁膜２５の当該開口部の底面の開口径２５ｒを上層アルミ層１０１ａの当該開口部の上面の開口径１０１ｒよりも大きく形成し、且つ層間絶縁膜２５の当該開口部を上層アルミ層１０１ａの当該開口部の開口面全体を包含する様に形成する。この様なコンタクトホール２７内に堆積された透明電極膜３９は、コンタクトホール２７内において、切れやボイドが生じる事無くステップ状に堆積する。【０１０４】
この様に構成された表示装置１Ｅによれば、コンタクトホール２７内の各部１０１ａ，２５の境界部位をステップ構造に形成する（即ち、コンタクトホール２７の層間絶縁膜２５での開口部を、コンタクトホール２７の上層アルミ層１０１ａでの開口部よりも大きく且つ上層アルミ層１０１ａでの開口部の開口面全体を包含する様に形成する）ので、透明電極膜３９をコンタクトホール２７内においてステップ状に堆積でき、これにより、コンタクトホール２７内における透明電極膜３９の接続不良を抑止できる。【０１０５】
実施の形態８．
この実施の形態に係る表示装置の製造方法は、上記の実施の形態７に係る表示装置１Ｅの製造方法である。以下、図２８〜図３６に基づいて、この実施の形態に係る表示装置の製造方法については説明する。尚、図２８（ａ）〜図３６（ａ）は、この実施の形態に係る表示装置の製造方法における各製造工程での図２２の位置Ｘの拡大図であり、図２８（ｂ）〜図３６（ｂ）は、この実施の形態に係る表示装置の製造方法における各製造工程での図２２の位置Ｙの拡大図である。【０１０６】
図２９は、図２６の工程と同様の工程を示した図であり、ゲート絶縁膜１７、下層不純物含有層１００ａ、上層アルミ層１０１ａ、層間絶縁膜２５が順に積層形成された状態を示している。【０１０７】
そして図３０の様に、層間絶縁膜２５の上面全面にフォトレジスト（第１のフォトレジスト）１０４を塗布し、例えば反射画素部７の形成範囲において、リソグラフィ法により、フォトレジスト１０４に開口部（第１の開口部）１０４ｈを形成する。【０１０８】
そして図３１の様に、ドライ方式のエッチング法により、フォトレジスト１０４をマスクとして、上層アルミ層１０１ａを局所的に露出する様に層間絶縁膜２５に開口部２５ｈを形成する。【０１０９】
そして図３２の様に、酸性溶液を用いたウエットエッチング法により、上層アルミ層１０１ａの当該露出部分を溶解して除去し、下層不純物含有層１００ａを局所的に露出する様に上層アルミ層１０１ａに開口部１０１ｈを形成する。【０１１０】
そして図３３の様に、アッシング法等により、フォトレジスト１０４を除去する。【０１１１】
そして図３４の様に、層間絶縁膜２５の上面全面に再度フォトレジスト（第２のフォトレジスト）１０８を塗布し、リソグラフィ法により、フォトレジスト１０８に開口部（第２の開口部）１０８ｈを形成する。その際、その開口部１０８ｈは、その開口係１０８ｒが１回目（図３２）のフォトレジスト１０４の開口部１０４ｈの開口径１０４ｒよりも大きく形成され、且つ層間絶縁膜２５の開口部２５ｈの開口面全体を包含する様に形成される。【０１１２】
そして図３５の様に、再度ドライ方式のエッチング法により、フォトレジスト１０８をマスクとして層間絶縁膜２５をエッチングして開口部２５ｈを拡径することで、層間絶縁膜２５に開口部（拡径開口部）２５ｈ２を形成する。尚、この開口部２５ｈ２は、上層アルミ層１０１ａの開口部１０１ｈよりも大きく（より詳細には、開口部２５ｈ２の底面の開口径２５ｒが上層アルミ層１０１ａの開口部１０１ｈの上面の開口径１０１ｒよりも大きくなる。）、且つ上層アルミ層１０１ａの開口部１０１ｈの開口面全体を包含する様に形成されている。この状態で、層間絶縁膜２５の開口部２５ｈ２と上層アルミ層１０１ａの開口部１０１ｈとにより、各部１０１ａ，２５の境界部位がステップ構造（階段構造）になったコンタクトホール２７が構成される。【０１１３】
そして図３６の様に、アッシング法等により、フォトレジスト１０８を除去する。その後、図２２の様に、層間絶縁膜２５上に、透明電極膜３９を、透明画素部９の形成範囲全体とコンタクトホール２７と下部補助容量電極１５とを被覆する様に一体的に形成する。この状態では、図２８の様に、透明電極膜３９は、コンタクトホール２７内にステップ状に堆積し、下層不純物含有層１００におけるコンタクトホール２７からの露出部分と接合する。【０１１４】
この様に実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば、実施の形態７に係る表示装置１Ｅを製造できる。即ちコンタクトホール２７の各部１０１ａ，２５の境界部位がステップ構造になった表示装置を製造できる。これにより、コンタクトホール２７内における透明電極膜３９の接続不良を抑止できる。【０１１５】
実施の形態９．
この実施の形態では、図２８および図３７〜図４３に基づき、実施の形態８と異なる、実施の形態７に係る表示装置１Ｅの製造方法を説明する。尚、図２８（ａ）および図３７（ａ）〜図４３（ａ）は、この実施の形態に係る表示装置の製造方法における各製造工程での図２２の位置Ｘの拡大図であり、図２８（ｂ）および図３７（ｂ）〜図４３（ｂ）は、この実施の形態に係る表示装置の製造方法における各製造工程での図２２の位置Ｙの拡大図である。【０１１６】
図３７は、図２６の工程と同様の工程を示した図であり、ゲート絶縁膜１７、下層不純物含有層１００ａ、上層アルミ層１０１ａ、層間絶縁膜２５が順に積層形成された状態を示している。【０１１７】
そして図３８の様に、層間絶縁膜２５の上面全面にフォトレジスト１０４を塗布し、例えば反射画素部７の形成範囲において、リソグラフィ法により、フォトレジスト１０４に開口部１０４ｓを形成する。その際、フォトレジスト１０４のコンタクト周辺部Ｃ２への露光光の透過率をコンタクト部Ｃ１への露光光の透過率の２０〜４０％に減じる手法により、フォトレジスト１０４における開口部１０４ｓの周辺部分の厚さｄ１を、フォトレジスト１０４におけるそれ以外の部分の厚さｄ２よりも薄くなるようにする。一般的には、フォトレジスト１０４ｓにおける開口部１０４ｓの周辺部分の厚さｄ１は〜1.5μmに設定し、フォトレジスト１０４ｓにおけるそれ以外の部分の厚さｄ２は〜4.0μmに設定する。【０１１８】
尚、露光光の透過率を２０〜４０％に減じる手法には、露光光の透過率を減じるフィルタ膜もしくはフィルタ層をフォトマスク１０４上に配置する方法、あるいは、細かいスリットを形成したマスクをフォトマスク１０４上に配置してそのマスクでの光の回折現象を利用する方法等を用いることが可能である。これらの方法は、一般的に、ハーフトーン露光技術あるいはグレイトーン露光技術として公知の技術である。【０１１９】
そして図３９の様に、ドライ方式のエッチング法により、フォトレジスト１０４をマスクとして、上層アルミ層１０１ａを局所的に露出する様に層間絶縁膜２５に開口部２５ｓを形成する。【０１２０】
そして図４０の様に、酸性溶液を用いたウエットエッチング法により、上層アルミ層１０１ａの当該露出部分を溶解して除去し、下部不純物含有層１００ａを局所的に露出する様に上層アルミ層１０１ａに開口部１０１ｓを形成する。【０１２１】
そして図４１の様に、アッシング法等により、フォトレジスト１０４の表面全体を一定の厚さ分だけ除去して、開口部１０４ｓの底面の開口径１０４ｔを拡径する。この状態で、開口部１０４ｓは、その開口径１０４ｔが上層アルミ層１０１ａの開口部１０１ｓの上面の開口径１０１ｒよりも大きく、且つ上層アルミ層１０１ａの開口部１０１ｓの開口面全体を包含する様になる。【０１２２】
そして図４２の様に、再度ドライ方式のエッチング法により、そのフォトレジスト１０４をマスクとして層間絶縁膜２５をエッチングして開口部２５ｓを拡径することで、層間絶縁膜２５に開口部（拡径開口部）２５ｓ２を形成する。尚、この開口部２５ｓ２は、上層アルミ層１０１ａの開口部１０１ｓよりも大きく（より詳細には、開口部２５ｓ２の底面の開口径２５ｒが上層アルミ層１０１ａの開口部１０１ｓの上面の開口径１０１ｒよりも大きくなる。）、且つ上層アルミ層１０１ａの開口部１０１ｓの開口面全体を包含する様に形成されている。この状態で、層間絶縁膜２５の開口部２５ｓ２と上層アルミ層１０１ａの開口部１０１ｓとにより、各部１０１ａ，２５の境界部位がステップ構造になったコンタクトホール２７が構成される。【０１２３】
尚、ドライ方式のエッチング法では、例えば層間絶縁膜２５がSiNの材料である場合に、フッ素系ガスガスを用いてもよい。この場合、主に層間絶縁膜２５のみがエッチングされ、下層不純物含有層１００ａはほとんどエッチングされない。【０１２４】
そして図４３の様に、アッシング法等により、フォトレジスト１０４を除去する。その後、図２２の様に、層間絶縁膜２５上に、透明電極膜３９を、透明画素部９の形成範囲全体とコンタクトホール２７と下部補助容量電極１５とを被覆する様に一体的に形成する。この状態では、図２８の様に、透明電極膜３９は、コンタクトホール２７内にステップ状に堆積し、下層不純物含有層１００におけるコンタクトホール２７からの露出部分と接合する。【０１２５】
この実施の形態に係る表示装置の製造方法によっても、実施の形態８と同様に、実施の形態７に係る表示装置を製造できる。即ちコンタクトホール２７の各部１０１ａ，２５の境界部位がステップ構造になった表示装置を製造できる。これにより、コンタクトホール２７内における透明電極膜３９の接続不良を抑止できる。【０１２６】
また実施の形態８に比べて、コンタクトホール２７を形成するためのリソグラフィ工程が、一回で済むので、工程時間の短縮によるコスト削減を図ることができる。【０１２７】
実施の形態１０．
この実施の形態に係る表示装置１Ｆは、上記の実施の形態７に係る表示装置１Ｅを改良したものである。コンタクト２７の構造が異なる以外は、同様に構成されている。以下、図２２および図４４に基づき、上記の実施の形態７に係る表示装置１Ｅと同一部分については同一符号を付して説明を省略し、異なる部分を説明する。【０１２８】
この実施の形態に係る表示装置では、図４４（ｂ）の様に、局所的不純物含有層１００ｐが、コンタクトホール２７内の上層アルミ層１０１ａの露出部分（即ち、開口部１０１ｕの内側面および上層アルミ層１０１ａの上面における層間絶縁膜２５の未被覆部分）上に被覆形成されると共に下部不純物含有層１００ａに接続する様に形成されている。【０１２９】
そして、透明電極膜３９とドレイン電極２１との接合は、コンタクトホール２７から露出する下層不純物含有層１００ａと、局所的不純物含有層１００ｐとを介して行われる。【０１３０】
そのため、それら各部３９，２１の接合部に酸化層が形成されることを抑止することができる。更に図４４（ａ）および図２２の様に、反射画素部電極２１ｂにおいて、外光は、不純物を含まない上層アルミ層１０１ａで反射されるので、高反射率が得られる。【０１３１】
また実施の形態７に比べて、不純物含有層１００ａ，１００ｐと透明電極膜３９との接触面積が増加するため、比較的低抵抗で良好なコンタクトを形成することができる。【０１３２】
実施の形態１１．
この実施の形態に係る表示装置の製造方法は、実施の形態１０に係る表示装置１Ｆを製造する方法である。実施の形態１０に係る表示装置１Ｆを製造するには、実施の形態８または９と同様の製造方法で、コンタクトホール２７まで形成する。そして実施の形態２に示したイオン注入法またはプラズマ表面処理法を用いて、コンタクトホール２７内における上層アルミ層１０１ａの露出部分に不純物を注入することで、コンタクトホール２７内における上層アルミ層１０１ａの当該露出部分上に局所的不純物含有層１００ｐを形成する。そして下層不純物含有層１００ａにおけるコンタクトホール２７からの露出部分および局所的不純物含有層１０１ｐに接合する様に、層間絶縁膜２５上に透明電極膜３９を形成する。【０１３３】
この実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば、実施の形態１０に係る表示装置１Ｆを製造できる。特に上記の様に、実施の形態２に示したイオン注入法またはプラズマ表面処理法を用いて、局所的不純物含有層１００ｐを形成すれば、比較的容易に製造できる。【０１３４】
実施の形態１２．
この実施の形態に係る表示装置１Ｃは、上記の実施の形態１に係る表示装置１と比べて、配線部分（ソース電極２３およびＴＦＴドレイン電極２１ａ）および反射電極部分（反射画素部電極２１ｂ）の構造が異なる以外は、同様に構成されている。以下、上記の実施の形態１に係る表示装置１と同一部分については同一符号を付して説明を省略し、異なる部分を説明する。【０１３５】
この実施の形態では、図１５の様に、ソース電極２３は、アルミまたはアルミ合金からなる下層アルミ層４０ａ，４０ｃと、下層アルミ層４０ａ，４０ｃの上面の略全面上に、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を含有するアルミまたはアルミ合金により積層形成されてなる中間不純物含有層４１ａ，４１ｃと、中間不純物含有層４１ａ，４１ｃの上面の略全面上に、アルミまたはアルミ合金により積層形成されてなる上層アルミ層４２ａ，４２ｃとで構成されている。【０１３６】
またゲート電極２１は、アルミまたはアルミ合金からなる下層アルミ層４０ａ，４０ｃと、下層アルミ層４０ａ，４０ｃの上面の略全面上に、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を含有するアルミまたはアルミ合金により積層形成されてなる中間不純物含有層４１ａ，４１ｃと、中間不純物含有層の上面の略全面上に、アルミまたはアルミ合金により積層形成されてなる上層アルミ層４２ａ，４２ｃと、上層アルミ層４２ａ，４２ｃの表層に局所的に、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を含有するアルミまたはアルミ合金により、中間不純物含有層４１ａに繋がる様に形成された局所的不純物含有層４３とで構成されている。局所的不純物含有層４３は、後述の透明電極膜３９との接合部となっている。即ち、ドレイン電極２１の表面では、前記接続部が局所的不純物含有層（不純物含有層）４３により局所的に形成され、前記接続部以外の部分が上層アルミ層（アルミ層）４２ａにより形成されている。【０１３７】
尚、アルミ層４０ａ，４０ｃ，４２ａ，４２ｃおよび不純物含有層４１ａ，４１ｃ，４３（換言すればドレイン電極２１およびソース電極２３）により金属導電層が構成されている。【０１３８】
基板３上には、各部１７，１８，１９ａ，１９ｂ，２１，２３の露出部分を被覆する様に、層間絶縁膜２５が形成されている。層間絶縁膜２５を貫通してドレイン電極２１の局所的不純物含有層４３を露出する様に、コンタクトホール２７が形成されている。【０１３９】
層間絶縁膜２５上には、コンタクトホール２７、透明画素部９の形成範囲および容量部１１の形成範囲を被覆する様に、透明電極膜３９が形成されている。この状態で、透明電極膜３９は、コンタクトホール２７から露出する局所的不純物含有層４１ａと接合している。【０１４０】
この構成によれば、図１６（ｂ）に示すように、透明電極膜３９とドレイン電極２１との接合は、コンタクトホール２７から露出する局所的不純物含有層４３を介して行われる。そのため、それら各部３９，２１の接合部に酸化層が形成されることを抑止することができる。さらに図１６（ａ）に示すように、反射画素部電極２１ｂにおいて、外光は、不純物を含まない上層アルミ層４２ａで反射されるので、高反射率が得られる。【０１４１】
通常、ソース電極２３およびドレイン電極２１の膜厚は、300nm〜600nmに設定され、その際の中間不純物含有層４１の膜厚は、5nm〜200ｎｍが適当である。局所的不純物含有層４３および中間不純物含有層４１をＮを導入することにより形成する場合は、それらの窒化度は、0.1〜0.9が適当である。なお、上層アルミ層４２の膜厚は、5nm以上が適当である。よって、局所的不純物含有層４３の膜厚も上層アルミ層４２の膜厚と同程度である。【０１４２】
以上の様に構成された表示装置１Ｃによっても、上記の実施の形態１に係る表示装置１と同じ効果を得ることができる。【０１４３】
また金属導電層（例えばドレイン電極２１）は、下層アルミ層４０ａと、下層アルミ層４０ａの上面の略全面上に形成された中間不純物含有層４１ａと、中間不純物含有層４１ａを局所的に露出する様に中間不純物含有層４１ａ上に形成された上層アルミ層４２ａと、上層アルミ層４２ａの表層に局所的に、中間不純物含有層４１ａと繋がる様に形成された局所的不純物含有層４３とを有し、局所的不純物含有層４３が前記接合部となるので、即ち、中間不純物含有層４１ａ上に局所的不純物含有層４３が形成されるので、前記金属導電層上に層間絶縁膜２５を積層形成し、その層間絶縁膜２５にコンタクトホール２７を形成する際に、コンタクトホール２７を深く掘り過ぎることを防止でき、これにより深く掘り過ぎて、コンタクトホール２７が中間不純物含有層４１ａを貫通することを防止できる。【０１４４】
実施の形態１３．
この実施の形態に係る表示装置の製造方法は、上記の実施の形態１２に係る表示装置１Ｃの製造方法である。以下、図１５および図１７〜図１８に基づいて、この実施の形態に係る表示装置の製造方法については説明する。【０１４５】
まず図１７の様に、透明絶縁性基板（基板）３上に、ゲート電極１３と、ゲート電極１３に繋がるゲート配線１４（図１参照）と、下部補助容量電極１５とを形成し、それらを被覆する様に基板３の上面の略全面にゲート絶縁膜１７を形成する。ゲート絶縁膜１７上には、ゲート電極１３を被覆する様に、半導体能動層１８およびオーミックコンタクト層１９を順に積層形成する。【０１４６】
図１８の様に、基板３上には、上記の実施の形態４の場合と同様に、スパッタ法等により、各部１７，１８，１９の露出部分を被覆する様に、順に、アルミまたはアルミ合金からなる下層アルミ層４０と、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を含有するアルミまたはアルミ合金からなる中間不純物含有層４１と、アルミまたはアルミ合金からなる上層アルミ層４２とを積層形成する。【０１４７】
図１９の様に、上記の実施の形態４の場合と同様に、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、オーミックコンタクト層１９の不要部分（即ちゲート電極１３の中央部分に重なる部分）、各部４０，４１，４２からなる積層物の不要部分（即ちゲート電極１３の中央部分に重なる部分および各部５，７，９の形成範囲以外の部分）を除去する。【０１４８】
この除去により、ＴＦＴ構造（ゲート電極１３の中央部分上の凹部）を形成すると共に、前記積層物から、ソース電極２３およびドレイン電極２１（より詳細にはドレイン電極２１のうちの後述の接続部以外の部分）を形成する（即ち配線部分（ソース電極２３およびドレイン電極２１のＴＦＴドレイン電極２１ａ部分）および反射電極部分（ドレイン電極２１の反射画素部電極２１ｂ部分）を形成する）。【０１４９】
尚、オーミックコンタクト層１９のうち、反射画素部７側の部分がオーミックコンタクト層１９ａとなり、その反対側の部分がオーミックコンタクト層１９ｂとなっている。各部４０，４１，４２からなる積層物のうち、オーミックコンタクト層１９ｂ上の部分（即ち各部４０ｃ，４１ｃ，４２ｃからなる積層物）がソース電極２３となり、オーミックコンタクト層１９ａ上の部分と反射画素部７の形成範囲内の部分とを合わせた部分（即ち各部４０ａ，４１ａ，４２ａからなる積層物）がドレイン電極２１（より詳細にはドレイン電極２１のうちの後述の接続部以外の部分）となっている。【０１５０】
図１９の様に、基板３上には、各部１７，１８，１９ａ，１９ｂ，４０ａ，４０ｃ，４１ａ，４１ｃ，４２ａ，４２ｃの露出部分を被覆する様に、層間絶縁膜２５を形成する。【０１５１】
図２０の様に、上記の実施の形態４の場合と同様に、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、例えば反射画素部７の形成範囲において、層間絶縁膜２５を貫通して上層アルミ層４２が局所的に露出する様に、コンタクトホール２７を形成する。【０１５２】
図２１の様に、イオン注入法またはプラズマ表面処理法を用いて、上層アルミ層４２のうちのコンタクトホール２７からの露出部分の表層に局所的に、Ｎ、Ｏ、ＳｉおよびＣのうちの少なくとも１つの不純物を注入することで、中間不純物含有層４１と繋がる様に、局所的不純物含有層４３を形成する。この局所的不純物含有層４３が、後述の透明電極膜３９との接合部となる。【０１５３】
尚、各部４０ａ，４１ａ，４２ａ，４３からなる積層物によりドレイン電極２１が構成されている。そしてドレイン電極２１のうち、オーミックコンタクト層１９ａ上の部分によりＴＦＴドレイン電極２１ａが構成され、反射画素部７の形成範囲内の部分により反射画素部電極２１ｂが構成されている。またアルミ層４０ａ，４０ｃ，４２ａ，４２ｃおよび不純物含有層４１ａ，４１ｃ，４３（換言すればドレイン電極２１およびソース電極２３）により金属導電層が構成されている。【０１５４】
図１５の様に、層間絶縁膜２５上には、透明電極膜３９を、透明画素部９の形成範囲全体とコンタクトホール２７と下部補助容量電極１５とを被覆する様に一体的に形成する。この状態では、透明電極膜３９は、コンタクトホール２７から露出した局所的不純物含有層４３と接合している。【０１５５】
以上の様に構成された表示装置の製造方法によれば、配線部分（ソース電極２３およびＴＦＴドレイン電極２１ａ）と反射電極部分（反射画素部電極２１ｂ）とを同時に形成するので、反射電極部分の形成工程を新たに設ける必要が無く、よって、製造コストを増大させることなく高反射率の反射電極を備えた表示装置を得ることができる。【０１５６】
また、上記の実施の形態４と比べて、上層アルミ層４２ａをエッチング（例えば酸性溶液を用いてウエットエッチング）して中間不純物含有層４１ａを露出させないので、そのエッチング時に、中間不純物含有層４１ａまで溶解させることや、横方向に上層アルミ層４２ａを溶解させる懸念（即ち背景技術で指摘した庇構造となる懸念）も無い。また、局所的不純物含有層４３の膜厚は、上層アルミ層４２ａと同等で、5nm程度に設定した場合、イオン注入時のエネルギーは、1〜10KeV程度であるので、比較的低エネルギーで局所的不純物含有層４３を形成することができる。【０１５７】
実施の形態１４．
この実施の形態に係る表示装置１Ｇは、実施の形態５（図２２）に係る表示装置１Ｃにおいて、実施の形態１２（図１５）の局所的不純物含有層４３の様に、局所的不純物含有層を、上層アルミ層１０１ａの表層に局所的に形成すると共に下層不純物含有層１００ａと繋がる様に形成したものである。この様にすれば、実施の形態５，１１の両方の効果を実現できる。【０１５８】
尚、この実施の形態に係る表示装置１Ｇの製造方法については、実施の形態６の製造方法において、コンタクトホール２７および当該局所的不純物含有層の形成に関しては、実施の形態１３の製造方法を採用すれば良い。
【図１】
2008099697.tif 000003
【図２】
2008099697.tif 000004
【図３】
2008099697.tif 000005
【図４】
2008099697.tif 000006
【図５】
2008099697.tif 000007
【図６】
2008099697.tif 000008
【図７】
2008099697.tif 000009
【図８】
2008099697.tif 000010
【図９】
2008099697.tif 000011
【図１０】
2008099697.tif 000012
【図１１】
2008099697.tif 000013
【図１２】
2008099697.tif 000014
【図１３】
2008099697.tif 000015
【図１４】
2008099697.tif 000016
【図１５】
2008099697.tif 000017
【図１６】
2008099697.tif 000018
【図１７】
2008099697.tif 000019
【図１８】
2008099697.tif 000020
【図１９】
2008099697.tif 000021
【図２０】
2008099697.tif 000022
【図２１】
2008099697.tif 000023
【図２２】
2008099697.tif 000024
【図２３】
2008099697.tif 000025
【図２４】
2008099697.tif 000026
【図２５】
2008099697.tif 000027
【図２６】
2008099697.tif 000028
【図２７】
2008099697.tif 000029
【図２８】
2008099697.tif 000030
【図２９】
2008099697.tif 000031
【図３０】
2008099697.tif 000032
【図３１】
2008099697.tif 000033
【図３２】
2008099697.tif 000034
【図３３】
2008099697.tif 000035
【図３４】
2008099697.tif 000036
【図３５】
2008099697.tif 000037
【図３６】
2008099697.tif 000038
【図３７】
2008099697.tif 000039
【図３８】
2008099697.tif 000040
【図３９】
2008099697.tif 000041
【図４０】
2008099697.tif 000042
【図４１】
2008099697.tif 000043
【図４２】
2008099697.tif 000044
【図４３】
2008099697.tif 000045
【図４４】
2008099697.tif 000046
【国際調査報告】
2008099697.tif 000047
2008099697.tif 000048