【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】複数のプッシュプル増幅器を具えており、各増幅器は２つのゲインブロックを含み、各ゲインブロックは、正極及び負極を有する入力ポートと、正極及び負極を有する出力ポートとを具え、
（i）各プッシュプル増幅器の２つのゲインブロックは、インダクティブパスにより各々の出力ポートの正極で相互に接続されると共に、各々の出力ポートの正極で共通の電源電圧を共有しており、
（ii）各プッシュプル増幅器における各ゲインブロックの出力ポートの負極は、これら増幅器が環状に相互に接続されるように、隣接するプッシュプル増幅器におけるゲインブロックの出力ポートの負極に接続され、隣接するゲインブロックの接続された負極は、仮想ａｃ接地を形成するように相互に接続されており、
（iii）各ゲインブロックの入力ポートは、隣接するゲインブロックの入力ポートに対して少なくともほぼ等しい振幅であって逆相であるａｃ入力信号を受信することに適している、
ＲＦ入力信号を増幅する分布型環状電力増幅器。
【請求項２】（a）第１ゲインブロック及び第２ゲインブロックを含み、各ゲインブロックは、正極及び負極を有する入力ポートと、正極及び負極を有する出力ポートとを具え、これらブロックは、インダクティブパスにより各々の出力ポートの正極で相互に接続されている第１プッシュプル増幅器と、
（b）第２ゲインブロックに隣接する第３ゲインブロック、及び第４ゲインブロックを含み、第３ゲインブロック及び第４ゲインブロックは、夫々、正極及び負極を有する入力ポートと、正極及び負極を有する出力ポートとを具えている第２プッシュプル増幅器と、
を具えており、
第２プッシュプル増幅器のゲインブロックは、インダクティブパスにより各々の出力ポートの正極で相互に接続され、
隣接する第２及び第３ゲインブロックは、各々の出力ポートの負極で相互に接続されて仮想ａｃ接地を形成し、第４ゲインブロックの出力ポートの負極は、第４ゲインブロックから流れるほぼ全てのａｃ電流が第１ゲインブロックに流れるように、第１ゲインブロックの出力ポートの負極に接続され、
隣接する各ゲインブロックの入力ポートは、少なくともほぼ等しい振幅であって逆相である入力信号を受信することに適している、
分布型環状電力増幅器。
【請求項３】基本動作周波数で、仮想ａｃ接地がゲインブロックの出力ポートの負極に現れるように、プッシュプル増幅器が相互に接続されている請求項２に記載の電力増幅器。
【請求項４】相互に接続された１対のゲインブロックを有する、少なくとも１つの追加のプッシュプル増幅器をさらに含んでおり、第４ゲインブロックの出力ポートの負極は、その少なくとも１つの追加のプッシュプル増幅器を介して、第１ゲインブロックの出力ポートの負極に間接的に接続されている請求項２に記載の電力増幅器。
【請求項５】（a）第５及び第６ゲインブロックを有し、各ブロックは、正極及び負極を有する入力ポートと、正極及び負極を有する出力ポートとを具え、第５及び第６ブロックは、インダクティブパスにより各々の出力ポートの正極で相互に接続されている第３プッシュプル増幅器と、
（b）第７及び第８ゲインブロックを有し、各ブロックは、正極及び負極を有する入力ポートと、正極及び負極を有する出力ポートとを具え、第７及び第８ブロックは、インダクティブパスにより各々の出力ポートの正極で相互に接続されている第４プッシュプル増幅器と、
を具えており、
第４ゲインブロックの出力ポートの負極は、第５ゲインブロックの出力ポートの負極に接続され、
第６ゲインブロックの出力ポートの負極は、第７ゲインブロックの出力ポートの負極に接続され、
第８ゲインブロックの出力ポートの負極は、第１ゲインブロックの出力ポートの負極に接続されている、
請求項２に記載の電力増幅器。
【請求項６】各ゲインブロックは、カソード、アノード及び制御端子を夫々有する少なくとも最初及び最後の３端子能動素子を具えており、各ゲインブロックの能動素子は互いに縦続に接続され、最初の能動素子のカソードは、各ゲインブロックの出力ポートの負極として働き、最後の能動素子のアノードは、各ゲインブロックの出力ポートの正極として働き、最初の能動素子の制御端子は、ゲインブロックの入力ポートである、請求項２に記載の電力増幅器。
【請求項７】プッシュプル増幅器はモノリシックに集積されている、請求項２に記載の電力増幅器。
【請求項８】各プッシュプル増幅器のインダクティブパスは金属スラブである、請求項２に記載の電力増幅器。
【請求項９】インダクティブパスは、ほぼ直線状の金属スラブである、請求項８に記載の電力増幅器。
【請求項１０】隣接するプッシュプル増幅器における隣接するゲインブロックの出力ポートの正極間に接続された共振高調波同調コンデンサをさらに含む、請求項２に記載の電力増幅器。
【請求項１１】隣接するプッシュプル増幅器の隣接するゲインブロックの入力ポート間に堆積されたインダクティブループをさらに含んでおり、ＲＦ入力信号に示されるインピータンスが調整される、請求項２に記載の電力増幅器。
【請求項１２】同相の平衡入力信号を、全てのゲインブロックの入力ポートへ増幅されるように対称的に接続する入力電力分配ネットワークをさらに含む、請求項２に記載の電力増幅器。
【請求項１３】入力電力分配ネットワークは、電力増幅器の環形状内の点からの同相の平衡入力信号を対称的に接続する、請求項１２に記載の電力増幅器。
【請求項１４】入力電力分配ネットワークは、電力増幅器の環形状外の点からの同相の平衡入力信号を対称的に接続する、請求項１２に記載の電力増幅器。
【請求項１５】各プッシュプル増幅器で増幅された信号を合成する、プッシュプル増幅器に接続された電力合成回路をさらに含む、請求項２に記載の電力増幅器。
【請求項１６】プッシュプル増幅器は、アクティブトランスフォーマの環状の１次巻線を形成する第１閉ループとして構成され、電力合成回路は、１次巻線に近接して配置されると共にこれと磁気的に結合されるアクティブトランスフォーマの２次巻線として構成され、２次巻線は、閉じた第１ループ内のプッシュプル増幅器の合成出力を与える出力を有している、請求項１５に記載の電力増幅器。
【請求項１７】２次巻線はシングルターン回路である、請求項１６に記載の電力増幅器。
【請求項１８】２次巻線は幅が変化する部分を有する伝導部材である、請求項１６に記載の増幅器。
【請求項１９】同相の平衡入力信号を、電力増幅器の環形状内の点から各ゲインブロックの各入力ポートに増幅されるように対称的に接続する入力電力分配ネットワークをさらに含む、請求項１６に記載の電力増幅器。
【請求項２０】入力電力分配ネットワークが、２次巻線に近接して配置される複数のツイスト入力ループを具えることにより、２次巻線からの磁気結合を与えて、各プッシュプル増幅器のゲイン又は線形性を高めている、請求項１９に記載の電力増幅器。
【請求項２１】１次及び２次巻線に近接して配置されて、これらと磁気的に結合する少なくとも１つの追加の２次巻線をさらに含んでおり、インタディジタル型トランスフォーマがもたらされている、請求項１６に記載の電力増幅器。
【請求項２２】１次及び２次巻線に近接して配置されて、これらと磁気的に結合する少なくとも１つの追加の環状１次巻線をさらに含んでおり、インタディジタル型トランスフォーマがもたらされている、請求項１６に記載の電力増幅器。
【請求項２３】複数のプッシュプル増幅器を具えており、各増幅器は第１の３端子能動素子及び第２の３端子能動素子を含み、各能動素子は、アノード、カソード及び制御端子を具えると共に、入力信号を増幅することに適しており、
（i）各プッシュプル増幅器の２つの能動素子は、インダクティブパスにより各々のアノードで相互に接続されると共に、各々のアノードで共通の電源電圧を共有しており、
（ii）各プッシュプル増幅器のある能動素子のカソードは、これら増幅器が環状に相互に接続されるように、隣接するプッシュプル増幅器の隣接する能動素子のカソードに接続され、隣接する能動素子の直接接続されたカソードは、仮想ａｃ接地を形成するように共に接続されており、
（iii）隣接する各能動素子の制御端子は、少なくともほぼ等しい振幅であって逆相である入力信号を受信することに適している、
ＲＦ入力信号を増幅する分布型環状電力増幅器。
【請求項２４】（a）（i）アノード、カソード及び制御電極を具える第１の３端子能動素子と、
（ii）アノード、カソード及び制御電極を具える第２の３端子能動素子と、
（iii）共通の電源電圧を共有する、第１及び第２の能動素子のアノードを相互に接続するインダクティブパスと、
を具え、ＲＦ入力信号を増幅することに適している第１プッシュプル増幅器と、
（b）（i）第２の３端子能動素子に隣接し、アノード、カソード及び制御電極を具える第３の３端子能動素子と、
（ii）アノード、カソード及び制御電極を具える第４の３端子能動素子と、
（iii）共通の電源電圧を共有する、第３及び第４の能動素子のアノードを相互に接続する第２インダクティブパスと、
を具え、ＲＦ入力信号をさらに増幅するのに適している第２プッシュプル増幅器と、
を具えた分布型環状電力増幅器であって、
第１及び第２プッシュプル増幅器は、第２の能動素子のカソードが第３の能動素子のカソードに接続されて仮想ａｃ接地を形成するように、環状に相互に接続され、第４の能動素子から流れるほぼ全てのａｃ電流が第１の能動素子に流れるように、第１の能動素子のカソードは第４の能動素子のカソードに接続され、
隣接する各能動素子の制御電極は、少なくともほぼ等しい振幅であって逆相である入力信号を受信するのに適している、
分布型環状電力増幅器。
【請求項２５】第２の能動素子のカソードは、第３の能動素子のカソードに直接接続され、第１の能動素子のカソードは、少なくとも一つの追加のプッシュプル増幅器を介して、第４の能動素子のカソードに間接的に接続されている請求項２４に記載の電力増幅器
【請求項２６】（a）第５及び第６の能動素子を有し、各能動素子は、アノード、カソード及び制御電極を具え、第５及び第６の能動素子は、インダクティブパスによりアノードで相互に接続されている第３プッシュプル増幅器と、
（b）第７及び第８の能動素子を有し、これら能動素子の各々は、アノード、カソード及び制御電極を具え、第７及び第８ブロックは、インダクティブパスによりアノードで相互に接続されている第４プッシュプル増幅器と、
を具えており、
第４の能動素子のカソードは、第５の能動素子のカソードに接続され、
第６の能動素子のカソードは、第７の能動素子のカソードに接続され、
第８の能動素子のカソードは、第１の能動素子のカソードに接続されている、
請求項２６に記載の電力増幅器。
【請求項２７】プッシュプル増幅器はモノリシックに集積されている、請求項２４に記載の電力増幅器。
【請求項２８】各プッシュプル増幅器のインダクティブパスは金属スラブである、請求項２４に記載の電力増幅器。
【請求項２９】インダクティブパスは、ほぼ直線状の金属スラブである、請求項２８に記載の電力増幅器。
【請求項３０】隣接するプッシュプル増幅器における隣接するゲインブロックの出力ポートの正極間に接続された共振高調波同調コンデンサをさらに含む、請求項２４に記載の電力増幅器。
【請求項３１】隣接するプッシュプル増幅器の隣接する能動素子の制御電極間に堆積されたインダクティブループをさらに含んでおり、ＲＦ入力信号に示されるインピータンスが調整される、請求項２４に記載の電力増幅器。
【請求項３２】同相の平衡入力信号を、各能動素子の各制御電極へ増幅されるように対称的に接続する入力電力分配ネットワークをさらに含む、請求項２４に記載の電力増幅器。
【請求項３３】入力電力分配ネットワークは、電力増幅器の環形状内の点からの同相の平衡入力信号を対称的に接続する、請求項２４に記載の電力増幅器。
【請求項３４】入力電力分配ネットワークは、電力増幅器の環形状外の点からの同相の平衡入力信号を対称的に接続する、請求項２４に記載の電力増幅器。
【請求項３５】各プッシュプル増幅器で増幅された信号を合成する、プッシュプル増幅器に接続された電力合成回路をさらに含む、請求項２４に記載の電力増幅器。
【請求項３６】プッシュプル増幅器は、アクティブトランスフォーマの環状の１次巻線を形成する第１閉ループとして構成され、電力合成回路は、１次巻線に近接して配置されると共にこれと磁気的に結合されるアクティブトランスフォーマの２次巻線として構成され、２次巻線は、閉じた第１ループ内のプッシュプル増幅器の合成出力を与える出力を有している、請求項３５に記載の電力増幅器。
【請求項３７】２次巻線はシングルターン回路である、請求項３６に記載の電力増幅器。
【請求項３８】２次巻線は幅が変化する部分を有する伝導部材である、請求項３６に記載の増幅器。
【請求項３９】同相の平衡入力信号を、電力増幅器の環形状内の点から各能動素子の各制御電極に増幅されるように対称的に接続する入力電力分配ネットワークをさらに含む、請求項３６に記載の電力増幅器。
【請求項４０】入力電力分配ネットワークが、２次巻線に近接して配置される複数のツイスト入力ループを具えることにより、２次巻線からの磁気結合を与えて、各プッシュプル増幅器のゲイン又は線形性を高めている、請求項３９に記載の電力増幅器。
【請求項４１】１次及び２次巻線に近接して配置されて、これらと磁気的に結合する少なくとも１つの追加の２次巻線をさらに含んでおり、インタディジタル型トランスフォーマがもたらされている、請求項３６に記載の電力増幅器。
【請求項４２】１次及び２次巻線に近接して配置されて、これらと磁気的に結合する少なくとも１つの追加の環状１次巻線をさらに含んでおり、インタディジタル型トランスフォーマがもたらされている、請求項３６に記載の電力増幅器。
【請求項４３】（a）カソード、アノード及び制御電極を夫々有する第１の３端子能動素子及び第２の３端子能動素子を含み、これら能動素子は、第１インダクティブパスにより各々のアノードで相互に接続されており、これらアノードは第１インダクティブパス上の点で共通の電源を共有している第１プッシュプル増幅器と、
（b）カソード、アノード及び制御電極を夫々有する第３の３端子能動素子及び第４の３端子能動素子を含み、第３及び第４の能動素子は、第２インダクティブパスにより各々のアノードで相互に接続されており、これらアノードは第２インダクティブパス上の点で共通の電源を共有している第２プッシュプル増幅器と、
（c）カソード、アノード及び制御電極を夫々有する第５の３端子能動素子及び第６の３端子能動素子を含み、第５及び第６の能動素子は、第３インダクティブパスにより各々のアノードで相互に接続されており、これらアノードは第３インダクティブパス上の点で共通の電源を共有している第３プッシュプル増幅器と、
（d）カソード、アノード及び制御電極を夫々有する第７の３端子能動素子及び第８の３端子能動素子を含み、第７及び第８の能動素子は、第４インダクティブパスにより各々のアノードで相互に接続されており、これらアノードは第４インダクティブパス上の点で共通の電源を共有している第４プッシュプル増幅器と、
を具えており、
各増幅器の各能動素子のカソードが隣接する増幅器の隣接する能動素子のカソードに接続され、両カソードが相互に接続されて仮想ａｃ接地が形成されるように、これら増幅器は環状に相互に接続され、
各能動素子は、隣接するプッシュプル増幅器の隣接する能動素子の位相と逆相で動作する、
分布型アクティブトランスフォーマ電力増幅器。
【請求項４４】複数のプッシュプル増幅器の増幅された出力を合成して電力増幅器を形成する方法であって、
各プッシュプル増幅器は２つのインダクティブに相互に接続されたゲインブロックを有しており、
（a）隣接する増幅器の隣接するゲインブロックが相互に接続されて、それにより仮想ａｃ接地を形成するように、第１閉ループを複数の増幅器で構成する工程と、
（b）少なくともほぼ等しい及び反対の入力信号で、隣接するプッシュプル増幅器の隣接するゲインブロックを駆動する工程と、
を具えている方法。
【請求項４５】２次コイルの第１閉ループでプッシュプル増幅器の出力電力を合成する工程をさらに含み、２次コイルは、第１閉ループに近接して配置され、これと磁気的に結合する、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】電圧信号を処理する集積回路の基板に堆積する低損失インダクタであって、
基板に堆積され、第１及び第２端を有する細長い伝導部材と、
これら端の間に堆積された伝導部分と、
この部材に亘る平均ａｃ信号電圧と、を具えており、
部材に亘る平均ａｃ信号電圧よりも信号電圧が低いと判断される部分が、部材に亘る平均ａｃ信号電圧よりも信号電圧が高いと判断されるインダクタの他の部分よりも相対的に広いようにされている、低損失インダクタ。
【請求項４７】伝導部材はシングルターン回路である、請求項４６に記載のインダクタ。
【請求項４８】シングルターン回路は、相互に接続された直線状の複数の金属部分を含む、請求項４６に記載のインダクタ。
【請求項４９】伝導部材はマルチプルターン回路である、請求項４６に記載のインダクタ。
【請求項５０】インダクタが不平衡なように、インダクタの一端部は接地されている、請求項４６に記載のインダクタ。
【請求項５１】インダクタが平衡なように、インダクタの何れの端部も接地されていない、請求項４６に記載のインダクタ。
【請求項５２】集積回路の基板に堆積されたインダクタの電気的損失を低減する方法であって、
インダクタは、細長い部材を具えており、その部材は、相互に接続された伝導部分と、平均幅と、該部材に亘る平均ａｃ信号電圧とを有しており、
インダクタ部材の一部分の幅を、その部分のａｃ電圧信号がインダクタ部材に亘る平均ａｃ信号電圧よりも相対的に高いところで、平均幅に対して低減する工程と、
インダクタ部材の別の部分の幅を、その部分の平均ａｃ信号電圧がインダクタ部材に亘る平均ａｃ信号電圧よりも相対的に低い箇所で、増加させる工程と、
を具えている方法。