【手続補正書】
【提出日】平成17年5月13日(2005.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、下部シールド層と、下部絶縁ギャップ層と、反強磁性層と、該反強磁性層に接して形成され一定方向に磁化方向が固定された固定磁性層と、自由磁性層と、前記固定磁性層と前記自由磁性層を磁気的に分離する非磁性導電層とを有する巨大磁気抵抗効果層積層体を有し、前記巨大磁気抵抗効果層積層体の端部には前記自由磁性層の磁化方向を一定にするための磁区制御層と、前記巨大磁気抵抗効果層積層体に電流を供給するための導電層を有し、前記巨大磁気抵抗効果層積層体の上には、上部絶縁ギャップ層と上部磁気シールド層を備えた構造を有する巨大磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記巨大磁気抵抗効果層積層体を構成する反強磁性層の層数が1層であり、前記巨大磁気抵抗効果層積層体の端部側面の角度として、前記自由磁性層の膜厚方向の中線における前記巨大磁気抵抗効果層積層体端部の接線と、前記自由層の中線とのなす角度が４５°以上であり、前記巨大磁気抵抗効果層積層体直下で前記下部磁気シールド層との間に挟まれた前記下部絶縁ギャップ層の厚さが、前記磁区制御層或いは導電層と下部シールド層との間に挟まれて形成されている部分の下部絶縁ギャップ層の厚さよりも、１０ｎｍ以下の範囲内で大きいことを特徴とするスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項２】
少なくとも、下部シールド層と、下部絶縁ギャップ層と、反強磁性層と、該反強磁性層に接して形成され一定方向に磁化方向が固定された固定磁性層と、自由磁性層と、前記固定磁性層と前記自由磁性層を磁気的に分離する非磁性導電層とを有する巨大磁気抵抗効果層積層体を有し、前記巨大磁気抵抗効果層積層体の端部には前記自由磁性層の磁化方向を一定にするための磁区制御層と、前記巨大磁気抵抗効果層積層体に電流を供給するための導電層を有し、前記巨大磁気抵抗効果層積層体の上には、上部絶縁ギャップ層と上部磁気シールド層を備えた構造を有する巨大磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記巨大磁気抵抗効果層積層体を構成する反強磁性層の層数が２層であり、前記巨大磁気抵抗効果層積層体の端部側面の角度として、前記自由磁性層の膜厚方向の中線における前記巨大磁気抵抗効果層積層体端部の接線と、前記自由層の中線とのなす角度が４５°以上であり、前記巨大磁気抵抗効果層積層体直下で前記下部磁気シールド層との間に挟まれた前記下部絶縁ギャップ層の厚さが、前記磁区制御層或いは導電層と下部シールド層との間に挟まれて形成されている部分の下部絶縁ギャップ層の厚さよりも、１０ｎｍ以下の範囲内で大きいことを特徴とするスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項３】
前記巨大磁気抵抗効果層積層体の上下を挟んでいる下部シールド層の上端から上部シールド層の下端までの距離を示す磁気ギャップ距離が０.１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項４】
前記巨大磁気抵抗効果層積層体の上下を挟んでいる下部シールド層の上端から上部シールド層の下端までの距離を示す磁気ギャップ距離が０.１２μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項５】
前記巨大磁気抵抗効果層積層体の側面部分の幅が、前記巨大磁気抵抗効果層積層体の全体膜厚以下であることを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載のスピンスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項６】
基板上に前記下部磁気シールド層を形成する工程と、前記下部磁気シールド層上に下部非磁性絶縁ギャップ層を形成する工程と、前記非磁性絶縁ギャップ層上に前記反強磁性層と前記固定磁性層と前記非磁性導電層と前記自由磁性層と前記非磁性保護層とで構成される多層膜を形成する工程と、前記多層膜上に０.０１μｍ〜０.０５μｍの範囲内の膜厚を有する有機膜と０.１μｍ〜０.３５μｍの範囲内の膜厚を有するレジスト膜とで所望のマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターン以外の開口部下の前記多層膜及び前記下部絶縁ギャップ層をエッチングし、前記巨大磁気抵抗効果層積層体に成形する工程と、前記巨大磁気抵抗効果層積層体の成形によって露出された前記非磁性絶縁ギャップ膜の一部分の上と前記マスクパターン上に前記磁区制御層と前記導電層を形成する工程と、前記マスクパターンを剥離して前記磁区制御層および前記導電膜をリフトオフする工程とを有することを特徴とするスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項７】
基板上に前記下部磁気シールド層を形成する工程と、前記下部磁気シールド層上に下部非磁性絶縁ギャップ層を形成する工程と、前記非磁性絶縁ギャップ層上に前記反強磁性層と前記固定磁性層と前記非磁性導電層と前記自由磁性層と前記非磁性保護層とで構成される多層膜を形成する工程と、前記多層膜上に０.０１μｍ〜０.０５μｍの範囲内の膜厚を有する有機膜を形成する工程と、０.１μｍ〜０.３５μｍの範囲内の膜厚を有する無機膜を形成する工程と、０.１μｍ〜０.３５μｍの範囲内の膜厚を有するレジスト膜で所望のマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターン以外の前記無機膜をエッチングし所望のパターンを形成する工程と、前記無機膜の前記パターンをマスクとして前記パターン以外の開口部下の前記多層膜および前記下部非磁性絶縁ギャップ層をエッチングし前記巨大磁気抵抗効果層積層体に成形する工程と、前記開口部の下の前記巨大磁気抵抗効果素子を構成する前記巨大磁気抵抗効果多層膜をエッチングし所定のパターンに形成する工程と、前記巨大磁気抵抗効果層積層体の成形によって露出された前記非磁性絶縁ギャップ膜の一部分の上と前記マスクパターン上に前記磁区制御層と前記導電層を形成する工程と、前記マスクパターンを剥離して前記磁区制御層および前記導電膜をリフトオフする工程とを有することを特徴とするスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項８】
基板上に前記下部磁気シールド層を形成する工程と、前記下部磁気シールド層上に下部非磁性絶縁ギャップ層を形成する工程と、前記非磁性絶縁ギャップ層上に前記反強磁性層と前記固定磁性層と前記非磁性導電層と前記自由磁性層と前記非磁性保護層とで構成される多層膜を形成する工程と、０.１μｍ〜０.３５μｍの範囲内の膜厚を有するレジスト膜で所望のマスクパターンを形成する工程と、かつ前記レジスト膜の最下面から高さ０.０５μｍ以内を奥行き０.０５μｍ〜０.１５μｍの範囲内で前記レジスト膜の内側に食い込ませる工程と、前記マスクパターン以外の開口部下の前記多層膜および下部非磁性絶縁ギャップ層をエッチングし前記巨大磁気抵抗効果層積層体に成形する工程と、前記巨大磁気抵抗効果層積層体の成形によって露出された前記非磁性絶縁ギャップ膜の一部分の上と前記マスクパターン上に前記磁区制御層と前記導電層を形成する工程と、前記マスクパターンを剥離して前記磁区制御層および前記導電膜をリフトオフする工程とを有することを特徴とするスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記レジスト膜は、露光波長３６５ｎｍによるパターニングが可能な性質を有することを特徴とする請求項６、又は請求項７、又は請求項８のいずれかに記載のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記レジスト膜は、露光波長２４８ｎｍによるパターニングが可能な性質を有することを特徴とする請求項６、又は請求項７、又は請求項８のいずれかに記載のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記レジスト膜は、露光波長１９３ｎｍによるパターニングが可能な性質を有することを特徴とする請求項６、又は請求項７、又は請求項８のいずれかに記載のスピンバルブが型巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記レジスト膜は、電子線によるパターニングが可能な性質を有することを特徴とする請求項６、又は請求項７、又は請求項８のいずれかに記載のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記レジスト膜は、露光波長３６５ｎｍかつ電子線によるパターニングが可能な性質を有することを特徴とする請求項６、又は請求項７、又は請求項８のいずれかに記載のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記レジスト膜は、露光波長２４８ｎｍかつ電子線によるパターニングが可能な性質を有することを特徴とする請求項６、又は請求項７、又は請求項８のいずれかに記載のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記レジスト膜は、露光波長３６５ｎｍによるパターニングが可能な性質を有し、横断面形状が台形状で鉛直方向と前記レジスト膜側面のなす角度が３°以上であることを特徴とする請求項６、又は請求項７、又は請求項８のいずれかに記載の巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記レジスト膜は、露光波長２４８ｎｍによるパターニングが可能な性質を有し、横断面形状が台形状で鉛直方向と前記レジスト膜側面のなす角度が３°以上であることを特徴とする請求項６、又は請求項７、又は請求項８のいずれかに記載の巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記レジスト膜は、電子線によるパターニングが可能な性質を有し、横断面形状が台形状で鉛直方向と前記レジスト膜側面のなす角度が３°以上であることを特徴とする請求項６、又は請求項７、又は請求項８のいずれかに記載の巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記多層膜及び前記下部非磁性絶縁ギャップ層のエッチングに於いて、エッチング量を終点検知装置によって制御することを特徴とする請求項６、又は請求項７、又は請求項８のいずれかに記載のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。