Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケラチン質物質の化粧処置用の透明な組成物であって、油中水型のエマルションであり、化粧学的に許容される媒体中に、ポリオール及び無機電解質を含む群から選択される少なくとも一種の化合物、少なくとも一種の揮発性シリコーン、少なくとも一種のシリコーン型界面活性剤及び該組成物全質量を基準として、0.5質量％を越える濃度の、少なくとも一種のカチオン性界面活性剤を含み、かつ比：(ポリオール及び/又は電解質)/油が２以上であり、該油が少なくとも該揮発性シリコーンを含むことを特徴とする上記透明組成物。
【請求項２】
該比：(ポリオール及び/又は電解質)/油が２〜10なる範囲にある、請求項１記載のケラチン質物質の化粧処置用透明組成物。
【請求項３】
該油が、また植物油、動物油、無機油、合成油、脂肪酸エステル及びこれらの混合物から選択される少なくとも１種の化合物をも含む、請求項１又は２に記載のケラチン質物質の化粧処置用透明組成物。
【請求項４】
該ポリオールが、糖及びC3-C20アルキレンポリオールから選択される、上記請求項１ないし３の何れか１項に記載のケラチン質物質の化粧処置用透明組成物。
【請求項５】
該無機電解質が、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、及びリン酸のナトリウム塩から選択される、上記請求項１ないし４の何れか１項に記載のケラチン質物質の化粧処置用透明組成物。
【請求項６】
該揮発性シリコーンが、８ mm2/s 未満の、室温及び大気圧下で測定した粘度を持つ、直鎖又は環式のシリコーンである、上記請求項１ないし５の何れか１項に記載のケラチン質物質の化粧処置用透明組成物。
【請求項７】
該揮発性シリコーンが、
−  ３〜７個の珪素原子を含む環式揮発性シリコーン、及び
−  ２〜９個の珪素原子を有し、かつ５ mm2/s 以下の25℃における粘度を持つ、直鎖揮発性シリコーン
から選択される、請求項６記載のケラチン質物質の化粧処置用透明組成物。
【請求項８】
該シリコーン界面活性剤が、以下の一般式(I)、(II)、(III)、(IV)及び(V)で示される化合物から選択される、上記請求項１ないし７の何れか１項に記載のケラチン質物質の化粧処置用透明組成物。
【化１】
2004526689.tif 000001
2004526689.tif 000002
2004526689.tif 000003
2004526689.tif 000004
2004526689.tif 000005
ここで
−  R1は同一又は異なっており、直鎖又は分岐C1-C30アルキル基又はフェニル基を表し；
−  R2は同一又は異なっており、-CcH2c-O-(C2H4O)a-(C3H6O)b-R5又はC6H2cO-(C4H8O)a-R5を表し；
−  R3及びR4は同一又は異なっており、各々直鎖又は分岐C1-C12アルキル基であり；
−  R5は同一又は異なっており、水素原子、炭素原子数１〜12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素原子数１〜６の直鎖又は分岐アルコキシ基、炭素原子数２〜12の直鎖又は分岐アシル基、ヒドロキシル基、-SO3M、-OCOR6、アミノ基において置換されていてもよいC1-C6アミノアルコキシ基、アミノ基において置換されていてもよいC2-C6アミノアシル基、-NHCH2CH2COOM、-N(CH2CH2-COOM)2、アミノ基及びアルキル鎖において置換されていてもよいC1-C12アミノアルキル基、C1-C30カルボキシアシル基、１又は２個の置換C1-C12アミノアルキル基により置換されていても良いホスホノ基、-CO(CH2)d(COOM)、-OCOCHR7(CH2)d(COOM)、-NHCO(CH2)dOH、-NH3Y基から選択され；
−  Mは同一又は異なっており水素原子、Na、K、Li、NH4又は有機アミンであり；
−  R6は直鎖又は分岐C1-C30アルキル基であり；
−  R7は水素原子又はSO3M基であり；
−  ｄは１〜10なる範囲で変動し；
−  ｍは０〜20なる範囲で変動し；
−  ｍ'は１〜20なる範囲で変動し；
−  ｎは０〜500なる範囲で変動し；
−  ｐは１〜50なる範囲で変動し；
−  ｑは０〜20なる範囲で変動し；
−  ａは０〜50なる範囲で変動し；
−  ｂは０〜50なる範囲で変動し；
−  (ａ+ｂ)は１以上であり；
−  ｃは０〜４なる範囲で変動し；
−  ｗは１〜100なる範囲で変動し；かつ
−  Ｙは一価の無機又は有機アニオン、例えばハライド、硫酸根又はカルボキシレートを表す。
【請求項９】
該カチオン性界面活性剤が、ポリオキシアルキレンで修飾されていても良い、一級、二級又は三級脂肪アミンの塩、四級アンモニウム塩及びこれらの混合物から選択される、上記請求項１ないし８の何れか１項に記載のケラチン質物質の化粧処置用透明組成物。
【請求項１０】
該四級アンモニウム塩が、
−  以下の一般式(VI)で示されるもの：
【化２】
2004526689.tif 000006
ここで、置換基R8〜R11は同一又は異なっていてもよく、炭素原子数１〜30の直鎖又は分岐脂肪族基又は芳香族基、例えばアリール又はアルキルアリール基を表し、Xはハライド、ホスフェート、アセテート、ラクテート、(C2-C6) アルキルサルフェート、アルキル-又はアルキルアリール-スルホネートからなる群から選択されるアニオンであり、
−  イミダゾリンの四級アンモニウム塩、
−  以下の式(VIII)で示される四級ジアンモニウム塩：
【化３】
2004526689.tif 000007
ここで、R16はおよそ16〜30個の炭素原子を含む、脂肪族基であり、R17、R18、R19、R20及びR21は同一又は異なっており、水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を含む群から選択され、またXはハライド、アセテート、ホスフェート、ニトレート及びメチルサルフェート基からなる群から選択されるアニオンであり、及び
−  少なくとも一つのエステル官能基を含む四級アンモニウム塩
から選択される、請求項９記載のケラチン質物質の化粧処置用透明組成物。
【請求項１１】
ケラチン質物質の化粧処置法であって、上記請求項１ないし１０の何れか１項に記載の化粧処置用透明組成物を、該ケラチン質物質に適用することを特徴とする、上記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本質的に１−クロロ−１，３，３，３−テトラフルオロプロパン及びフッ化水素からなる共沸又は共沸様組成物。
【請求項２】
本質的にフッ化水素約１〜約７０重量パーセント及び１−クロロ−１，３，３，３−テトラフルオロプロパン約２５〜約９９重量パーセントからなる共沸又は共沸様組成物であって、約６９kPa（１０psia）〜約４７０kPa（６８psia）の圧力で約３０℃〜約６０℃の沸点を有する組成物。
【請求項３】
フッ化水素が約１５〜約６０重量パーセントの量で存在する、請求項２記載の組成物。
【請求項４】
フッ化水素が約３５〜約４０重量パーセントの量で存在する、請求項２記載の組成物。
【請求項５】
共沸又は共沸様組成物を形成する方法であって、該方法が本質的にフッ化水素約１〜約７５重量パーセント及び１−クロロ−１，３，３，３−テトラフルオロプロパン約２５〜約９９重量パーセントをブレンドすることからなり、該組成物が約６９kPa（１０psia）〜約４７０kPa（６８psia）の圧力で約３０℃〜約６０℃の沸点を有する方法。
【請求項６】
１−クロロ−１，３，３，３−テトラフルオロプロパン及び少なくとも１種の不純物の混合物から１−クロロ−１，３，３，３−テトラフルオロプロパンを取り出すための方法であって、フッ化水素を該１−クロロ−１，３，３，３−テトラフルオロプロパン及び該フッ化水素の共沸又は共沸様組成物を形成するのに充分な量で該混合物に添加し、その後、該共沸組成物を該不純物から分離することを含んでなる方法。
【請求項７】
不純物が含ハロゲン炭素化合物を含んでなる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
不純物が１，１，１，３，３−ペンタクロロプロパンである、請求項６記載の方法。
【請求項９】
分離が蒸留により行われる、請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物を調製する方法であって、
【化１】
2004526700.tif 000001
[ここで、Ｘは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ1、Ｏ、Ｓ、またはＳｅであり、
Ｒは、それぞれの発生で同じかまたは異なり、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＮＯ2，ＣＮ，１〜２０の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖または環状のアルキルまたはアルコキシ基であり、そのそれぞれ隣接しない一以上のＣＨ2基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ1−、または−ＣＯＮＲ2に置換可能であり、そのそれぞれの一以上の水素原子は、Ｆ、または、一以上の非芳香族ラジカルＲに置換可能な４〜１４の炭素原子を有するアリールまたはヘテロアリール基に置換可能であり、
同一環上または二つの異なる環上にある複数の置換基Ｒは、その結果として、さらなる単環または多環の系を一緒に形成することが可能であり、
Ｒ1およびＲ2は、同一かまたは異なり、それぞれ、Ｈまたは１〜２０の炭素原子を有する脂肪族または芳香族の炭化水素ラジカルであり、
ａは、０，１，２，３、または４であり、
ｂは、０，１、または２である]
式（Ｉａ）の化合物と、
【化２】
2004526700.tif 000002
式（Ｉｂ）の化合物とを、
【化３】
2004526700.tif 000003
[ここで、ラジカルＸ，Ｒ，ａ，およびｂは、それぞれ式（Ｉ）において定義されたものである]
双極子プロトン性溶媒、それらに由来するエーテル化された誘導体、またはＮ−メチルピロリジンオン（ＮＭＰ）中で、１６０〜２２０℃の温度範囲で２０〜１００時間反応させ、その際にイリジウム反応物（イリジウムに基づく）濃度は０.０５〜１.００mol/lの範囲であり、使用されるリガンド（アリール−ピリジル誘導体）の濃度はイリジウム反応物の４〜２０倍である方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記使用される溶媒は、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール、ＰＥＧ６００、ＰＥＧ１０００、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリ（エチレングリコール）ジメチルエーテル、またはＮ−メチルピロリジンオン（ＮＭＰ）であることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、前記反応は、１８０〜２１０℃の温度範囲内で行われることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の方法であって、前記イリジウム反応物、アセチルアセトンイリジウム（III）またはその１，３−ジケトキレート錯体の濃度範囲は、０．０８〜０．２５モル濃度であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の方法であって、前記イリジウム反応物、アセチルアセトンイリジウム（III）またはその１，３−ジケトキレート錯体とアリールピリジル誘導体の割合は、１：６〜１：１５であることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の方法であって、前記反応は、３０〜８０時間以内で行われることを特徴とする方法。
【請求項７】
式（II）の化合物を調製する方法であって、
【化４】
2004526700.tif 000004
[ここで、Ｘは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ1、Ｏ、Ｓ、またはＳｅであり、
Ｒ´は、それぞれの場合で同じかまたは異なり、Ｆ，１〜２０の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖または環状のアルキル基であり、その一以上の水素原子はＦ、または、一以上の非芳香族ラジカルＲ´に置換可能な６〜１４の炭素原子を有するアリール基に置換可能であり、
同一環上または二つの異なる環上にある複数の置換基Ｒ´は、その結果として、さらなる単環または多環の系を一緒に形成することが可能であり、
Ｒ1は、それぞれの場合で同一かまたは異なり、１〜２０の炭素原子を有する脂肪族または芳香族の炭化水素ラジカルであり、
ａは、０，１，２，３、または４であり、
ｂは、０，１、または２である]
式（ＩＩｂ）の化合物を、
【化５】
2004526700.tif 000005
（ラジカルＸ、Ｒ´、ａ，およびｂは、上記で定義される）
有機金属リチウム化合物と反応させることにより、式（ＩＩｃ）の化合物を与え、
【化６】
2004526700.tif 000006
続いて、式（IIｃ）の化合物とＩｒ（III）化合物を低温で反応させ、目的とする式（II）の化合物を得る方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、塩化イリジウム（III）、塩化トリス（ピリジン）イリジウム（III）、および塩化トリス（テトラヒドロチオフェン）イリジウム（III）を使用することを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の方法であって、前記式（ＩＩｃ）の２´−リチオ−２−アリールピリジル誘導体はインサイチューで調製されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項７〜９の何れか一項に記載の方法であって、前記反応は−１１０〜＋１０℃の範囲内で行われることを特徴とする方法。
【請求項１１】
式（Ｉ）の化合物であって、
【化７】
2004526700.tif 000007
Ｘは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ1、Ｏ、Ｓ、またはＳｅであり、
Ｒは、それぞれの発生で同じかまたは異なり、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＮＯ2，ＣＮ，１〜２０炭素原子を有する直鎖または分枝鎖または環状のアルキルまたはアルコキシ基であり、そのそれぞれ隣接しない一以上のＣＨ2基は−Ｏ−，−Ｓ−,−ＮＲ1−,または−ＣＯＮＲ2に置換可能であり、そのそれぞれの一以上の水素原子はＦ、または、一以上の非芳香族ラジカルＲに置換可能な、４〜１４の炭素原子を有するアリールまたはヘテロアリール基に置換可能であり、
複数の置換基Ｒは、同じ環上にあるか二つの異なる環上にあり、その結果として、さらに単環または多環の系を一緒に形成でき、
Ｒ1およびＲ2は、同じかまたは異なることができ、それぞれ、Ｈまたは１〜２０の炭素電子を有する脂肪族または芳香族の炭化水素ラジカルであり、
ａは、０，１，２，３、または４であり、
ｂは、０，１、または２であり、
その純度（ＨＰＬＣの平均により測定）が９９％より高い化合物。
【請求項１２】
式（II）の化合物であって、
【化８】
2004526700.tif 000008
Ｘは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＨ−、−ＣＲ＝ＣＲ−、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｒ1、Ｏ、Ｓ、またはＳｅであり、
Ｒ´は、それぞれの発生で同じかまたは異なっており、Ｆ，１〜２０炭素原子を有する直鎖または分枝鎖または環状のアルキル基であり、一以上の水素原子はＦ、または、一以上の非芳香族ラジカルＲ´に置換可能な、６〜１４の炭素原子を有するアリール基に置換可能であり、
複数の置換基Ｒ´は、同じ環上にあるか二つの異なる環上にあり、その結果として、さらに単環または多環の系を一緒に形成でき、
Ｒ１は、それぞれの場合で同じかまたは異なり、１〜２０の炭素電子を有する脂肪族または芳香族の炭化水素ラジカルであり、
ａは、０，１，２，３、または４であり、
ｂは、０，１、または２であり、
その純度（ＨＰＬＣの平均により測定）が９９％より高い化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無水トリメリト酸を製造する方法であって、
（ａ）溶媒、及び多価金属を含む触媒の存在下で、プソイドクメンを酸化してトリメリト酸を作る工程と、
（ｂ）トリメリト酸を結晶化及び濾過して、該多価金属を含む不純物を有する粗トリメリト酸ケークを作る工程と、
（ｃ）該粗トリメリト酸ケークを脱水して、粗無水トリメリト酸を形成する工程と、
（ｄ）該粗無水トリメリト酸を分別塔内で蒸留する工程と、
を含み、該工程（ａ）の後であるが該工程（ｂ）の前に、粘性改質剤を添加して、該粘性改質剤が該分別塔の底部分画に存在するようにし、該粘性改質剤は（ｉ）リン酸であり、該リン酸と、該粗トリメリト酸ケーク中の多価金属の総量とのモル比が１：１０〜１：２となるように該粗トリメリト酸ケークに添加されるか、若しくは該粘性改質剤は（ｉｉ）硫酸、硝酸、ホウ酸、リン酸、臭化水素酸及びこれらの混合物からなる群より選択される鉱酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩である方法。
【請求項２】
前記粘性改質剤は、硫酸、硝酸、ホウ酸、リン酸、臭化水素酸及びこれらの混合物からなる群より選択される鉱酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩であり、前記粗トリメリト酸ケークに添加される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記粘性改質剤は、リン酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記リン酸のアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩を前記粗トリメリト酸ケークに添加して、該ケーク内のリン酸と総多価金属とのモル比が、１：１０〜１０：１であるようにする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記モル比は、１：４〜４：１である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記モル比は、１：３〜１：１である請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むカーボン／グラファイト生産物の製造方法：
約150〜250℃の範囲に軟化点を有するコールタールピッチを用意する工程；
コークス粉を用意する工程；
コールタールピッチとコークス粉を混合する工程；及び
コールタールピッチとコークス粉の混合物を押出成形する工程。
【請求項２】
コールタールピッチが約160〜220℃の範囲に軟化点を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コールタールピッチが約170〜200℃の範囲に軟化点を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
以下のものを含むカーボン／グラファイト生産物：
約150〜250℃の範囲に軟化点を有するコールタールピッチ；及び
コークス粉。
【請求項５】
コールタールピッチが約160〜220℃の範囲に軟化点を有する、請求項４に記載の生産物。
【請求項６】
コールタールピッチが約170〜200℃の範囲に軟化点を有する、請求項４に記載の生産物。
【請求項７】
約150〜250℃の範囲に軟化点を有するコールタールピッチを含むカーボン／グラファイト生産物。
【請求項８】
コールタールピッチが約160〜220℃の範囲に軟化点を有する、請求項７に記載の生産物。
【請求項９】
コールタールピッチが約170〜200℃の範囲に軟化点を有する、請求項７に記載の生産物。
【請求項１０】
約150〜250℃の範囲に軟化点を有するコールタールピッチを少なくとも3重量％添加する工程を含むフリクション生産物の製造方法。
【請求項１１】
コールタールピッチが約170〜240℃の範囲に軟化点を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
コールタールピッチが約180〜230℃の範囲に軟化点を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
約150〜250℃の範囲に軟化点を有するコールタールピッチを少なくとも3重量％含むフリクション生産物。
【請求項１４】
コールタールピッチが約170〜240℃の範囲に軟化点を有する、請求項１３に記載の生産物。
【請求項１５】
コールタールピッチが約180〜230℃の範囲に軟化点を有する、請求項１３に記載の生産物。
【請求項１６】
以下の工程を含む飽和エアークラフトブレーキプリフォームの製造方法：
減圧下にカーボンファイバープリフォームを配置する工程；
カーボンファイバープリフォームを加熱する工程；
約160〜240℃の範囲に軟化点を有するコールタールピッチをカーボンファイバープリフォームに導入する工程；
コールタールピッチ飽和カーボンファイバープリフォームを窒素で加圧する工程；
飽和カーボンファイバーを冷却する工程；
化学気相浸潤により飽和カーボンファイバープリフォームを処理する工程。
【請求項１７】
コールタールピッチが約170〜220℃の範囲に軟化点を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
コールタールピッチが約180〜200℃の範囲に軟化点を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
約160〜240℃の範囲に軟化点を有するコールタールピッチを含む飽和エアークラフトブレーキプリフォーム。
【請求項２０】
コールタールピッチが約170〜220℃の範囲に軟化点を有する、請求項１９に記載の生産物。
【請求項２１】
コールタールピッチが約180〜200℃の範囲に軟化点を有する、請求項１９に記載の生産物。
【請求項２２】
約100〜200℃の範囲に軟化点を有するコールタールピッチを添加する工程を含む、配合物中に天然ゴムを有する配合物の製造方法。
【請求項２３】
コールタールピッチが約120〜180℃の範囲に軟化点を有する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
コールタールピッチが約140〜180℃の範囲に軟化点を有する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
配合物がタイヤ配合物である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
約100〜200℃の範囲に軟化点を有するコールタールピッチを含む配合物中に天然ゴムを有する生産物。
【請求項２７】
コールタールピッチが約120〜180℃の範囲に軟化点を有する、請求項２６に記載の生産物。
【請求項２８】
コールタールピッチが約140〜180℃の範囲に軟化点を有する、請求項２６に記載の生産物。
【請求項２９】
以下の工程を含む中間相ピッチの製造方法：
約70〜160℃の範囲に軟化点を有するコールタールピッチを処理容器に供給する工程、ここで前記処理容器を約300〜450℃の範囲の温度に加熱し、かつ前記処理容器の内部圧力は5Torr以下である；
留出物を前記処理容器から得る工程、ここで前記蒸留物は約40〜80℃の範囲に軟化点を有し、かつキノリン不溶分及び灰分を含まない；
前記留出物を400〜455℃の温度範囲で3〜8時間加熱処理する工程。
【請求項３０】
キノリン不溶分を含まないコールタールピッチから生産される中間相ピッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温超伝導体の前駆体として用いるのに適する細かく分割された複数の金属酸化物粉末の製造方法であって、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｙ、Ｔｌ、Ｈｇ、Ｌａ、ランタニドおよびアルカリ土類金属から選択される少なくとも３種の元素を含む、必要な化学量論比の固体形態または溶液または懸濁液形態の対応する金属塩および／または金属酸化物および／または金属の混合物を無炎燃焼から生じるパルスガス流を有するパルスリアクタへ導入し、部分的または完全に複数の金属酸化物へと転化することを特徴とする、前記製造方法。
【請求項２】
導入される混合物が、硝酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、乳酸塩、酒石酸塩、塩化物、水酸化物、炭酸塩および／またはシュウ酸塩の塩の水溶液または水性懸濁液であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
混合物が、パルスリアクタの燃焼室または燃焼室に接続されたパルスリアクタ共鳴管へ直接導入されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
無炎燃焼から生じるパルスリアクタのガス流が、20〜150 Hzで振動することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
無炎燃焼から生じるパルスリアクタのガス流が、30〜70 Hzで振動することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
無炎燃焼から生じるパルスリアクタのガス流が、その乱流の度合いが定常状態流よりも5〜10倍大きい乱流を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
パルスリアクタの燃焼室のガス流が、650℃より大きい温度であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
パルスリアクタの燃焼室のガス流が、800℃より大きい温度であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
混合物が、周期表のＩｂ族、ＩＩｂ族、ＩＶａ族、ＩＶｂ族、およびＶＩＩｂ族から選択される１種または２種以上の元素の溶解した塩および/または分散した固体形態の添加物を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
混合物が、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｚｒ、およびＭｎから選択される１種または２種以上の元素の溶解した塩および/または分散した固体形態の添加物を含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
パルスリアクタでの反応後、金属酸化物粉末を、500〜960℃の範囲の温度の、熱の後処理にかけることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
パルスリアクタでの反応後、金属酸化物粉末を、550〜800℃の範囲の温度の、熱の後処理にかけることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
熱の後処理が、室内、管内、トンネル内、ベルト内または回転環状炉内または流動床リアクタ内で行われることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
用いられる混合物が、以下の群: Bi-EA-Cu、(Bi、Pb)-EA-Cu、Y-EA-Cu、(Y、SE)-EA-Cu、Tl-EA-Cu、(Tl、Pb)-EA-CuまたはTl-(Y、EA)-Cu、ここで、EAは、アルカリ土類金属元素を示し、およびSEは、希土類金属を示す、
から選択される元素を有する化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
用いられる混合物が、以下の群: Bi-EA-Cu、(Bi、Pb)-EA-Cu、Y-EA-Cu、(Y、SE)-EA-Cu、Tl-EA-Cu、(Tl、Pb)-EA-CuまたはTl-(Y、EA)-Cu、ここで、EAは、Ba、Caおよび／またはSrを示し、およびSEは、希土類金属を示す、
から選択される元素を有する化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜１４
のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
混合物の化合物が、以下の元素のモル比
Bi(2.0+/-x) Sr(2.0+/-x) Ca(1.0+/-x) Cu(2.0+/-x) 
ここで、x = 0.3であり、または
Pb(0.3+/-y)  Bi(1.7+/-y) Sr(2.0+/-y) Ca(2.0+/-y) Cu(3.0+/-y) 
ここで、y = 0.3 またはYc Bad Cu3 ここで、1 < c < 1.8および1.5 < d < 2.5である、
で用いられることを特徴とする、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
混合物の化合物が、以下の元素のモル比
Bi(2.0+/-x) Sr(2.0+/-x) Ca(1.0+/-x) Cu(2.0+/-x) 
ここで、x = 0.2であり、または
Pb(0.3+/-y)  Bi(1.7+/-y) Sr(2.0+/-y) Ca(2.0+/-y) Cu(3.0+/-y) 
ここで、y = 0.3 またはYc Bad Cu3 ここで、1 < c < 1.8および1.5 < d < 2.5である、
で用いられることを特徴とする、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１８】
製造される細かく分割された金属酸化物粉末が、平均< 500 nmの結晶サイズを有することを特徴とする、請求項１〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載の方法によって製造された細かく分割された、複数の金属酸化物粉末。
【請求項２０】
以下の組成: Bi-EA-Cu-O、(Bi、Pb)-EA-Cu-O、Y-EA-Cu-O、(Y、SE)-EA-Cu-O、Tl-EA-Cu-O、(Tl、Pb)-EA-Cu-OまたはTl-(Y、EA)-Cu-O、ここで、EAは、アルカリ土類金属元素を示し、および SEは、希土類金属を示す、
の１つからなることを特徴とする、請求項１９に記載の金属酸化物粉末。
【請求項２１】
以下の組成: Bi-EA-Cu-O、(Bi、Pb)-EA-Cu-O、Y-EA-Cu-O、(Y、SE)-EA-Cu-O、Tl-EA-Cu-O、(Tl、Pb)-EA-Cu-OまたはTl-(Y、EA)-Cu-O、ここで、EAは、Ba、Caおよび／またはSrを示し、および SEは、希土類金属を示す、
の１つからなることを特徴とする、請求項１９に記載の金属酸化物粉末。
【請求項２２】
請求項１〜１8のいずれかに記載によって製造された金属粉末の高温超伝導体のための使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ凝集体流動層反応装置を用いてカーボンナノチューブを連続製造する方法であって、以下の工程：
（１）遷移金属酸化物を担体に担持させる工程、
（２）前記担持した遷移金属酸化物の触媒を触媒活性化反応炉に装填して、５００〜９００℃で、Ｈ2またはＣＯとＮ2との混合ガスを当該反応炉に吹き込み、ナノサイズの遷移金属酸化物粒子をナノサイズの金属粒子に還元する工程、その際、Ｎ2ガスに対するＨ2またはＣＯガスの体積比率を１:０.３〜１：１、還元反応時の空間速度を０.３〜３／時間とし、かつ触媒は、直径１〜１０００μｍのナノ凝集体形態にあること、
（３）前記還元した触媒を流動層反応装置内に移送し、５００〜９００℃で、Ｈ2またはＣＯ、７個未満の炭素原子を有する低級炭化水素のガス及びＮ2との混合ガスを、Ｈ2またはＣＯ、炭素源ガス及びＮ2の体積比率が０.４〜１:１:０.１〜２となるように、当該反応装置に吹き込む工程、その際、反応時の空間速度を５〜１００００／時間、ガスの空塔速度を０.０８〜２ｍ／秒とし、層密度を２０〜８００ｋｇ／ｍ3に維持して、触媒及びカーボンナノチューブ製品のナノ凝集体を濃厚相の流動状態に保持し、結果としてカーボンナノチューブが流動層反応装置から得られるようにすること、
を含んでなる、前記方法。
【請求項２】
前記触媒担体が超微細ガラスビーズ、シリカ、アルミナ及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれる、請求項１に記載のカーボンナノチューブを連続製造する方法。
【請求項３】
前記遷移金属酸化物がＦｅ−Ｃｕ酸化物、Ｎｉ−Ｃｕ酸化物、Ｃｏ−Ｍｎ酸化物およびＮｉ酸化物からなる群より選ばれる、請求項１に記載のカーボンナノチューブを連続製造する方法。
【請求項４】
ナノ凝集体流動層反応装置を用いてカーボンナノチューブを連続製造する方法であって、以下の工程：
（１）触媒担体を流動層反応装置内に装填し、その触媒担体の凝集体の直径を１〜１０００μｍの範囲とし、かつ反応装置の層密度を２０〜１５００ｋｇ／ｍ3として、触媒担体を流動化させる工程、
（２）メタロセン化合物を低炭素数の有機溶剤中に溶解させる工程、
（３）上記溶液を有機溶剤の沸点を超える温度まで加熱して、気化させる工程、
（４）上記気化した触媒前駆体を流動層反応装置内に供給し、５００〜９００℃で、Ｈ2またはＣＯ、７個未満の炭素原子を有する低級炭化水素のガス及びＮ2との混合ガスを、Ｈ2またはＣＯ、炭素源ガス及びＮ2の体積比率が０.４〜１:１:０.１〜２となるように、当該反応装置に吹き込む工程、その際、反応時の空間速度を５〜１００００／時間、ガスの空塔速度を０．００５〜２ｍ／秒とし、かつ反応装置内の原料を濃厚相の流動状態に保持し、結果としてカーボンナノチューブが流動層反応装置から得られるようにすること、
を含んでなる、前記方法。
【請求項５】
前記触媒担体が超微細ガラスビーズ、シリカ、アルミナ及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれる、請求項４に記載のカーボンナノチューブを連続製造する方法。
【請求項６】
ナノ凝集体流動層を用いてカーボンナノチューブを連続製造する反応装置であって、流動層反応装置、触媒活性化反応炉、ガス分配器、固気分離器及び製品脱気部を具備し、その触媒活性化反応炉が流動層反応装置と連結され、ガス分配器が流動層反応装置内の下部に配設され、固気分離器が流動層反応装置の頂部に配設され、流動層反応装置の内部に熱交換器が設けられ、そして流動層反応装置の底部に供給ガス用入口が設けられ、かつ製品脱気部が流動層反応装置に連結されていることを特徴とする、前記反応装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
微細粒子間の粒子間力は、粒子サイズの減少に伴って単調に増大しないことが知られている。一部のナノ材料系では、ナノメータ粒子間のファンデルワールス力が、一次粒子の自己凝集により構造的にルーズな凝集体を生成することによって、効果的に弱められ、それによって前記ナノ材料が流動化して、凝集体の形態で流動できるようになる。Chaouki 等は、Ｃｕ／Ａｌ2Ｏ3エアロゲルの凝集体の流動化を報告している（Powder Technology（粉体技術）、１９８５年、第４３巻、１１７号）。Wang Yao等は、気相ＳｉＯ2ナノ凝集体の粒子流動化についての挙動を研究してきた（中国清華大学学報、Science & Technology Engineering（科学と技術工学）、第４１巻、４／５号、２００１年４月、３２〜３５頁）。また、カーボン繊維の凝集体流動化は、Brooks 等によって報告されている（Fluidization V（流動化 Ｖ）、New York: Engineering Foundation、１９８６年、２１７頁)。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【非特許文献１】Powder Technology（粉体技術）、１９８５年、第４３巻、１１７号
【非特許文献２】中国清華大学学報、Science & Technology Engineering（科学と技術工学）、第４１巻、４／５号、２００１年４月、３２〜３５頁
【非特許文献３】Fluidization V（流動化 Ｖ）、New York: Engineering Foundation、１９８６年、２１７頁
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明によれば、以下の工程：
（１）触媒担体を流動層反応装置内に装填し、その触媒担体の凝集体の直径を１〜１０００μｍの範囲とし、かつ反応装置の層密度を２０〜１５００ｋｇ／ｍ3として、触媒担体を流動化させる工程、
（２）メタロセン化合物を低炭素数の有機溶剤中に溶解させる工程、
（３）上記溶液を有機溶剤の沸点を超える温度まで加熱して、気化させる工程、
（４）上記気化した触媒前駆体を流動層反応装置内に供給し、５００〜９００℃で、Ｈ2またはＣＯ、７個未満の炭素原子を有する低級炭化水素のガス及びＮ2との混合ガスを、Ｈ2またはＣＯ、炭素源ガス及びＮ2の体積比率が０.４〜１:１:０.１〜２となるように、当該反応装置に吹き込む工程、その際、反応時の空間速度を５〜１００００／時間、ガスの空塔速度を０．００５〜２ｍ／秒とし、かつ反応装置内の原料を濃厚相の流動状態に保持し、結果としてカーボンナノチューブが流動層反応装置から得られるようにすること、を含んでなる、ナノ凝集体流動層を用いた第二のカーボンナノチューブの連続製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記の化学構造を有する化合物：
【化１】
2004526671.tif 000001
式中、Ｍは９９ｍＴｃ、５１Ｃｒ、６７Ｇａ、６８Ｇａ、１１１Ｉｎ、１６８Ｙｂ、１４０Ｌａ、９０Ｙ、８８Ｙ、８６Ｙ、１５３Ｓｍ、１６６Ｈｏ、１６５Ｄｙ、６４Ｃｕ、６７Ｃｕ、９７Ｒｕ、１０３Ｒｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、２０３Ｐｂ、２１１Ｂｉ、２１２Ｂｉ、２１３Ｂｉ、２１４Ｂｉ、２１５Ｂｉ、１７７Ｌｕ、クロム（ＩＩＩ）、マンガン（ＩＩ）、鉄（ＩＩ）、鉄（ＩＩＩ）、コバルト（ＩＩ）、ニッケル（ＩＩ）、銅（ＩＩ）、プラセオジム（ＩＩＩ）、ネオジム（ＩＩＩ）、サマリウム（ＩＩＩ）、ガドリニウム（ＩＩＩ）、テルビウム（ＩＩＩ）、ジスプロシウム（ＩＩＩ）、ホルミウム（ＩＩＩ）、エルビウム（ＩＩＩ）、またはイッテルビウム（ＩＩＩ）であり；かつ
ＸはＣＨ２、アミノ酸、ペプチド、蛋白質、または抗体である。
【請求項２】  請求項１記載の化合物の合成法であって、下記の構造：
【化２】
2004526671.tif 000002
（式中、ＸはＣＨ２、アミノ酸、ペプチド、蛋白質、または抗体である）
を有する化合物を、９９ｍＴｃ、５１Ｃｒ、６７Ｇａ、６８Ｇａ、１１１Ｉｎ、１６８Ｙｂ、１４０Ｌａ、９０Ｙ、８８Ｙ、８６Ｙ、１５３Ｓｍ、１６６Ｈｏ、１６５Ｄｙ、６４Ｃｕ、６７Ｃｕ、９７Ｒｕ、１０３Ｒｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、２０３Ｐｂ、２１１Ｂｉ、２１２Ｂｉ、２１３Ｂｉ、２１４Ｂｉ、２１５Ｂｉ、１７７Ｌｕ、クロム（ＩＩＩ）、マンガン（ＩＩ）、鉄（ＩＩ）、鉄（ＩＩＩ）、コバルト（ＩＩ）、ニッケル（ＩＩ）、銅（ＩＩ）、プラセオジム（ＩＩＩ）、ネオジム（ＩＩＩ）、サマリウム（ＩＩＩ）、ガドリニウム（ＩＩＩ）、テルビウム（ＩＩＩ）、ジスプロシウム（ＩＩＩ）、ホルミウム（ＩＩＩ）、エルビウム（ＩＩＩ）、およびイッテルビウム（ＩＩＩ）から選択される金属と接触させる段階を含む方法。
【請求項３】  下記の構造：
【化３】
2004526671.tif 000003
を有する化合物を脱保護して、下記の構造：
【化４】
2004526671.tif 000004
（式中、ＸはＣＨ２、アミノ酸、ペプチド、蛋白質、または抗体である）
を有する化合物を生成する段階をさらに含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】  下記の構造：
【化５】
2004526671.tif 000005
（式中、ＸはＣＨ２、アミノ酸、ペプチド、蛋白質、または抗体である）
を有する化合物を塩基により加水分解して、下記の構造：
【化６】
2004526671.tif 000006
を有する化合物を生成する段階をさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】  下記の構造：
【化７】
2004526671.tif 000007
（式中、Ｒは水素、アミノ酸、ペプチド、蛋白質、抗体、または
【化８】
2004526671.tif 000008
である）
を有する化合物を、下記の構造：
【化９】
2004526671.tif 000009
を有する化合物と接触させて、下記の構造：
【化１０】
2004526671.tif 000010
（式中、ＸはＣＨ２、アミノ酸、ペプチド、蛋白質、または抗体である）
を有する化合物を生成する段階をさらに含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】  下記の構造：
【化１１】
2004526671.tif 000011
を有する化合物を水素添加して、下記の構造：
【化１２】
2004526671.tif 000012
を有する化合物を生成する段階をさらに含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】  下記の構造：
【化１３】
2004526671.tif 000013
を有する化合物をアジ化ナトリウムと接触させて、下記の構造：
【化１４】
2004526671.tif 000014
を有する化合物を生成する段階をさらに含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】  下記の構造：
【化１５】
2004526671.tif 000015
を有する化合物を塩化ｐ−トルエンスルホニルと接触させて、下記の構造：
【化１６】
2004526671.tif 000016
を有する化合物を生成する段階をさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】  下記の構造：
【化１７】
2004526671.tif 000017
を有する化合物。
【請求項１０】  下記の構造：
【化１８】
2004526671.tif 000018
を有する化合物。
【請求項１１】  下記の構造：
【化１０８】
2004526671.tif 000019
を有する化合物。
【請求項１２】  下記の構造：
【化１２８】
2004526671.tif 000020
を有する化合物。
【請求項１３】  放射性医薬品を調製するためのキットであって、錯体配位子および／または抗酸化剤に共有結合された抗酸化剤を含むキット。
【請求項１４】  錯体配位子に共有結合された標的指向分子をさらに含む、請求項１３記載のキット。
【請求項１５】  標的指向分子がアミノ酸、ペプチド、蛋白質、または抗体である、請求項１４記載のキット。
【請求項１６】  抗酸化剤がアスコルビン酸またはその誘導体である、請求項１３または１４記載のキット。
【請求項１７】  抗酸化剤がアスコルビン酸であり、錯体配位子がＤＯＴＡであり、かつ金属が９９ｍＴｃ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、９０Ｙ、８８Ｙ、８６Ｙ、１７７Ｌｕ、またはガドリニウム（ＩＩＩ）である、請求項１６記載のキット。
【請求項１８】  放射性医薬品を調製するためのキットであって、下記の構造を有する化合物を含むキット：
【化１５４】
2004526671.tif 000021
式中、ＸはＣＨ２、アミノ酸、ペプチド、蛋白質、または抗体である。
【請求項１９】  放射性医薬品配位子の安定化法であって、標的指向分子を任意に含む放射性医薬品配位子に抗酸化剤を共有結合させる段階を含む方法。
【請求項２０】  抗酸化剤がアスコルビン酸またはその誘導体である、請求項１９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  野生型ヒトＢｃｌ−２タンパク質から派生した変異タンパク質であって、該野生型ヒトＢｃｌ−２タンパク質に由来するフレキシブルループを含むアミノ酸残基の配列が、少なくとも２個の酸性アミノ酸を含む交換アミノ酸配列に交換されている、変異タンパク質。
【請求項２】  交換アミノ酸配列が、ヒトＢｃｌ−ｘＬタンパク質に由来するフレキシブルループの少なくとも一部の配列を含む、請求項１に記載の変異タンパク質。
【請求項３】  交換アミノ酸配列が配列番号１の配列を含む、請求項２に記載の変異タンパク質。
【請求項４】  交換アミノ酸配列が、少なくとも４〜約５０アミノ酸残基の配列を含む、請求項１に記載の変異タンパク質。
【請求項５】  該酸性アミノ酸が、グルタミン酸及びアスパラギン酸からなる群より独立に選択される、請求項１に記載の変異タンパク質。
【請求項６】  ヒトＢｃｌ−２タンパク質に由来するフレキシブルループをコードする該アミノ酸残基が、該ヒトＢｃｌ−２タンパク質のアミノ酸３５〜９１を含む、請求項１に記載の変異タンパク質。
【請求項７】  野生型Ｂｃｌ−２より低い等電点を有している、請求項１に記載の変異タンパク質。
【請求項８】
【化１】
2004526673.tif 000001
を含むアミノ酸配列を有している変異タンパク質。
【請求項９】  Ｂｃｌ−２タンパク質と結合する物質を同定するためのアッセイであって、
（ａ）試験すべき候補物質を準備する工程；
（ｂ）請求項１の変異タンパク質と強固に結合することができる標識されたペプチドを準備する工程；
（ｃ）標識されたペプチドと該変異タンパク質との複合体を形成させる工程；
（ｄ）候補物質を、標識されたペプチド／変異タンパク質複合体と接触させることにより、反応混合物を形成させる工程；
（ｅ）候補物質が、反応し、標識されたペプチドを追い出すことを可能にするために十分な条件の下で、反応混合物をインキュベートする工程；及び
（ｆ）該変異タンパク質との結合から追い出された標識されたペプチドの量を決定する工程を含むアッセイ。
【請求項１０】  ペプチドが、放射性同位体、蛍光部分、酵素、特異的結合分子又は粒子で標識されている、請求項９に記載のアッセイ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  芳香族カーボネートの製造方法であって、アリールアルコールとジアルキルカーボネートを含む反応混合物を反応器内で反応させてアリールアルキルカーボネートとジアリールカーボネートを生成させることを含んでなり、アリールアルキルカーボネートとジアリールカーボネートとの合計収率が４０％以上である、方法。
【請求項２】  芳香族カーボネートの製造方法であって、アリールアルコールとジアルキルカーボネートを含む反応混合物を反応器内で反応させてアリールアルキルカーボネートとジアリールカーボネートを生成させることを含んでなり、ジアリールカーボネートとアリールアルキルカーボネートの合計量に対するジアリールカーボネートの選択率が２５％以上である、方法。
【請求項３】  前記反応器が蒸留塔である、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】  前記アリールアルコールがフェノールであり、前記ジアルキルカーボネートがジメチルカーボネートである、請求項３記載の方法。
【請求項５】  前記反応混合物がさらに触媒を含む、請求項３記載の方法。
【請求項６】  ジアルキルカーボネートとアリールアルコールの重量比が４〜６である、請求項４記載の方法。
【請求項７】  前記塔の底部で測定した温度が２２０〜２４０℃である、請求項４記載の方法。
【請求項８】  前記塔の頂部で測定した温度が１１０〜２１０℃である、請求項４記載の方法。
【請求項９】  前記塔の頂部で測定した運転圧力が３〜６ｋｇ／ｃｍ2ゲージである、請求項４記載の方法。
【請求項１０】  還流比が０．２〜３である、請求項４記載の方法。
【請求項１１】  芳香族カーボネートの製造方法であって、頂部及び底部サブセクションを有する下部反応セクションと、頂部サブセクションを有する上部精留セクションとを含む蒸留塔を用意し、アリールアルコールと触媒を含む第一の流れを上記反応セクションの頂部サブセクションに供給し、ジアルキルカーボネートを含む第二の流れを上記反応セクションの底部サブセクションに供給することを含んでなり、蒸留塔に供給されるジアルキルカーボネートとアリールアルコールの重量比が４〜６となるのに十分な量で第一の流れ及び第二の流れを供給し、上記塔の底部での温度が２２０〜２４０℃であり、上記塔の頂部で測定した塔の運転圧力が３〜６ｋｇ／ｃｍ2ゲージであり、上記反応がチタンのアルコキシド又はアリールオキシドをベースにした触媒の存在下で実施され、上記触媒がアリールアルコールを基準として０．５〜１．０モル％の量で存在する、方法。
【請求項１２】  ジフェニルカーボネートを二価フェノールと反応させることを含んでなるポリカーボネートの製造方法であって、上記ジフェニルカーボネートを請求項１乃至請求項１１のいずれか１項記載の方法で製造する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
連続して配置される装置（１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ）が、互いに略直交して配置されていて、粗面加工未処理の側端縁部が前記連続する装置（１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ）の下流の装置で粗面加工処理されるようにしてあることを特徴とする、請求項１８に記載のコンクリート・ブロック粗面加工ライン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
前記ステップ（i）が、前記棚部（Ｌ）の個所に、各前記コンクリート・ブロック（Ｃ）の底面の後端縁部分（Ｃ’）を露出させる間隙（Ｇ２）を有する前記ブロック支持面（１７，１８，１９，２０）を準備することを含み、前記ステップ（ii）が、複数の衝撃部材（６４，６４’）を有し、前記間隙（Ｇ２）の下方の所定位置に配置される少なくとももう一つの粗面形成装置（６０，６０’）を準備することを含み、且つ、前記ステップ（iii）が、前記コンクリート・ブロック（Ｃ）が前記移送手段（６０）によって移送され、前記間隙（Ｇ２）に落ち込んだときに、前記コンクリート・ブロック（Ｃ）の前記後端部分（Ｃ’）に衝撃を加えることを含む、請求項２０に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
複数のブロック支持面（１７，１８，１９，２０）が直列に設けられ、前記コンクリート・ブロック（Ｃ）が、続くブロック支持面（１７，１８，１９，２０）間を移送されたときに、未処理の端縁部分（Ｃ’）を先頭にして載置され、各ブロック支持面（１７，１８，１９，２０）でステップ（i）、（ii）および（iii）を繰り返して、コンクリート・ブロック（Ｃ）の全端縁部分（Ｃ’）を処理する、請求項２０に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
粗面形成装置（４０，５０）を更に設け、これにより各コンクリート・ブロック（Ｃ）の上面（Ｃ’）を処理するステップを更に備えている、請求項２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年2月7日(2003.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記連結器（６）は復元力、または回転方向の変化によって係合から外すことができる、請求項２に記載のシートベルト巻取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記連結器（６）の駆動部（８）が、前記巻取リール（１）の突出部（７）に、該突出部の内側固定箇所（１１）の所で回転不能に結合された動力ばね（１０）の外側固定箇所（９）を含んでいる、請求項２に記載のシートベルト巻取装置。