【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたチャネル領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜とを介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面および前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜とを介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延び、且つ前記電極と接しておらず、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面および前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜とを介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面および前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接しており、
前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と前記層間絶縁膜とが接する領域において、前記電極が前記第１のゲイト絶縁膜と前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールによって前記不純物領域と接続されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
基板上に形成されたチャネル領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接し、且つ前記ゲイト電極の上面および側面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
基板上に形成されたチャネル領域、一対の不純物領域および前記チャネル領域と前記一対の不純物領域間に形成された低濃度不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延び、且つ前記低濃度不純物領域と重なっており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項６】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜とを有し、
前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延び、且つ前記電極と接しておらず、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接し、且つ前記ゲイト電極の上面および側面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項７】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接し、且つ前記ゲイト電極の上面および側面と接しており、
前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と前記層間絶縁膜とが接する領域において、前記電極が前記第１のゲイト絶縁膜と前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールによって前記不純物領域と接続されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項８】
基板上に形成されたチャネル領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜とを介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記結晶性シリコン膜と電気的に接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面および前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項９】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜とを介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極と、
前記電極と接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延び、且つ前記電極と接しておらず、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面および前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１０】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜とを介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極と、
前記電極と接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面および前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接しており、
前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と前記層間絶縁膜とが接する領域において、前記電極が前記第１のゲイト絶縁膜と前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールによって前記不純物領域と接続されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１１】
基板上に形成されたチャネル領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記結晶性シリコン膜と電気的に接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接し、且つ前記ゲイト電極の上面および側面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１２】
基板上に形成されたチャネル領域、一対の不純物領域および前記チャネル領域と前記一対の不純物領域間に形成された低濃度不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極と、
前記電極と接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延び、且つ前記低濃度不純物領域と重なっており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１３】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極と、
前記電極と接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延び、且つ前記電極と接しておらず、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接し、且つ前記ゲイト電極の上面および側面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１４】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、
前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極と、
前記電極と接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延び、且つ前記電極と接しておらず、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接し、且つ前記ゲイト電極の上面および側面と接しており、
前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と前記層間絶縁膜とが接する領域において、前記電極が前記第１のゲイト絶縁膜と前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールによって前記不純物領域と接続されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１５】
基板上に形成されたチャネル領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜とを介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成された有機樹脂を含む第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記結晶性シリコン膜と電気的に接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面および前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１６】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜とを介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極と、
前記第１の層間絶縁膜および前記電極を覆って形成された有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記電極と接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延び、且つ前記電極と接しておらず、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面および前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接していることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１７】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜とを介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極と、
前記第１の層間絶縁膜および前記電極を覆って形成された有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記電極と接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面および前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接しており、
前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と前記層間絶縁膜とが接する領域において、前記電極が前記第１のゲイト絶縁膜と前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールによって前記不純物領域と接続されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１８】
基板上に形成されたチャネル領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成された有機樹脂を含む第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記結晶性シリコン膜と電気的に接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接し、且つ前記ゲイト電極の上面および側面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１９】
基板上に形成されたチャネル領域、一対の不純物領域および前記チャネル領域と前記一対の不純物領域間に形成された低濃度不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極と、
前記第１の層間絶縁膜および前記電極を覆って形成された有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記電極と接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延び、且つ前記低濃度不純物領域と重なっており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２０】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極と、
前記第１の層間絶縁膜および前記電極を覆って形成された有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記電極と接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延び、且つ前記電極と接しておらず、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接し、且つ前記ゲイト電極の上面および側面と接することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２１】
基板上に形成されたチャネル領域および一対の不純物領域を有する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、
前記第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、
前記第１および第２のゲイト絶縁膜を介して前記チャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、
前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記一対の不純物領域のいずれか一方に接続された電極と、
前記第１の層間絶縁膜および前記電極を覆って形成された有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記電極と接続された画素電極とを有し、
前記第２のゲイト絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びており、
前記第１のゲイト絶縁膜は、前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びており、
前記層間絶縁膜は、前記ゲイト電極の端よりも延びている前記第２のゲイト絶縁膜の上面と前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と接し、且つ前記ゲイト電極の上面および側面と接しており、
前記第２のゲイト絶縁膜の端よりも延びている前記第１のゲイト絶縁膜の上面と前記層間絶縁膜とが接する領域において、前記電極が前記第１のゲイト絶縁膜と前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールによって前記不純物領域と接続していることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２２】
請求項８乃至請求項２１のいずれか一項において、
前記画素電極は、ＩＴＯよりなることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記基板には下地膜として酸化珪素膜が形成されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２４】
Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタとを有する回路であって、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜の厚さは前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２５】
請求項２４において、
Ｎチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜は、第１の絶縁層を覆って、該第１の絶縁層と同一、または異なるプロセスで形成された第２の絶縁層との二層構造をとることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２６】
請求項２４において、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜の厚さが、前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜の厚さの１２０％以上であることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２７】
請求項２４において、
Ｎチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタとが相補的に構成されたＣＭＯＳ構造を有していることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２８】
Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタとを有する構造において、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタおよびＮチャネル型の薄膜トランジスタそれぞれのソース及びドレイン領域上には同じ厚さの第１の絶縁層が形成されており、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタは、前記第１の絶縁層でもってゲイト絶縁膜が形成されており、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタは、チャネル形成領域に隣接して、ソース及びドレイン領域よりも低濃度に不純物を含んだ低濃度不純物領域が配置されており、チャネル形成領域と低濃度不純物領域上には、ソース及びドレイン領域上の絶縁層よりも厚い第２の絶縁層が形成されており、該第２の絶縁層を用いてゲイト絶縁膜が構成さていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２９】
絶縁表面を有する基板上に、第１の薄膜トランジスタに用いる薄膜半導体領域と第２の薄膜トランジスタに用いる薄膜半導体領域を形成し、
前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタに用いる薄膜半導体領域を覆って第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を覆って第２の絶縁層を形成し、
前記第１の薄膜トランジスタに用いる薄膜半導体領域を覆う第２の絶縁層を選択的に除去することを特徴とする半導体集積回路の作製方法。
【請求項３０】
絶縁表面を有する基板上に、第１の薄膜トランジスタに用いる薄膜半導体領域と第２の薄膜トランジスタに用いる薄膜半導体領域を形成し、
前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタに用いる薄膜半導体領域を覆って第１の絶縁層を形成し、
第２の薄膜トランジスタのチャネル形成領域上を覆っている前記第１の絶縁層以外を選択的に除去し、
前記第１の絶縁層および半導体領域を覆って第２の絶縁層を形成することを特徴とする半導体集積回路の作製方法。
【請求項３１】
請求項２９または請求項３０において、
前記第１の薄膜トランジスタは高速動作を優先し、前記第２の薄膜トランジスタは劣化防止を優先するように形成することを特徴とする半導体集積回路の作製方法。
【請求項３２】
Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタとを同一絶縁表面上に形成する方法であって、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタおよび前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタそれぞれの活性層を構成する半導体領域を形成し、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタおよび前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタそれぞれの半導体領域上に第１の絶縁層を形成し、
Ｎチャネル型の薄膜トランジスタの低濃度不純物領域とチャネル形成領域上の第１の絶縁層上に第２の絶縁層を選択的に積層し、
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが積層された部分を用いて、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを構成する半導体領域中に自己整合的に低濃度不純物領域を形成し、
前記低濃度不純物領域は、ソース及びドレイン領域よりも不純物濃度が低くなるように形成することを特徴とする半導体集積回路の作製方法。
【請求項３３】
Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタとを同一絶縁表面上に形成する方法であって、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタおよび前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタそれぞれの活性層を構成する半導体領域を形成し、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタおよび前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタそれぞれの半導体領域上に絶縁層を形成し、
Ｎチャネル型の薄膜トランジスタを構成する半導体領域における低濃度不純物領域となる領域上と、チャネル形成領域となる領域上と、に存在する前記絶縁層を厚く形成し、
前記絶縁層の厚くした部分を用いてＮチャネル型の薄膜トランジスタを構成する半導体領域中に自己整合的に低濃度不純物領域を形成し、
前記低濃度不純物領域は、ソース及びドレイン領域よりも不純物濃度が低くなるように形成することを特徴とする半導体集積回路の作製方法。