(57)【要約】  乾燥ホッパ２１と、除湿ユニット３０と、該乾燥ホッパと該除湿ユニットとの間を連通接続して処理ガスを循環させる処理ガス供給経路４０及び処理ガス除湿経路４１を有した循環経路とを備え、処理ガスを前記循環経路内を繰り返し循環供給する構成とした粉粒体材料の除湿乾燥システムＡにおいて、前記処理ガス供給経路と前記処理ガス除湿経路とは、調整弁４５を有したバイパス経路４４で連通接続され、前記処理ガス除湿経路には、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスの温度を検出する温度検出センサ４７が設けられており、前記循環経路を循環する処理ガスの全体の循環風量を、前記バイパス経路の通過量を含めて略一定に保持した条件下で、前記温度検出センサが検出した温度検出信号に基づいて、前記バイパス経路に設けた前記調整弁を開閉制御する制御手段５１を備えている。
2009020042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉粒体材料を貯留し、乾燥する乾燥ホッパと、吸着体を配した除湿ユニットと、該乾燥ホッパと該除湿ユニットとの間を連通接続して処理ガスを循環させる処理ガス供給経路及び処理ガス除湿経路を有した循環経路とを備え、前記処理ガス供給経路から供給された処理ガスを、加熱ヒータで加熱して前記乾燥ホッパ内を通過させた後は、該乾燥ホッパから前記処理ガス除湿経路を介し前記除湿ユニットに戻して前記循環経路内を繰り返し循環させる構成とした粉粒体材料の除湿乾燥方法において、
前記処理ガス供給経路と前記処理ガス除湿経路とをバイパス経路で連通接続し、
前記除湿ユニットでは、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスを、吸着体に通過させて除湿処理する除湿処理工程と、処理ガスの除湿処理後の吸着体に再生用加熱ガスを通過させて加熱再生する加熱再生工程と、加熱再生がなされた後の吸着体に再生用冷却ガスを通過させて冷却再生する冷却再生工程とを実行し、
前記循環経路を循環する処理ガスの全体の循環風量を、前記バイパス経路の通過量を含めて略一定に保持した条件下で、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスの温度に基づいて、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を調整することによって、前記乾燥ホッパに供給する処理ガスの流量を増減制御することを特徴とする粉粒体材料の除湿乾燥方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記バイパス経路に処理ガスの通過量を調整する調整弁を設け、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスの温度に基づいて、前記調整弁を開閉制御して調整する粉粒体材料の除湿乾燥方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記乾燥ホッパから排気された処理ガスの温度が予め設定された閾値を上回ったときには、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を漸増させる一方、該閾値を下回ったときには、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を漸減させるように前記調整弁を開閉制御する粉粒体材料の除湿乾燥方法。
【請求項４】
粉粒体材料を貯留し、乾燥する乾燥ホッパと、吸着体を配した除湿ユニットと、該乾燥ホッパと該除湿ユニットとの間を連通接続して処理ガスを循環させる処理ガス供給経路及び処理ガス除湿経路を有した循環経路とを備え、前記処理ガス供給経路から供給された処理ガスを、加熱ヒータで加熱して前記乾燥ホッパ内を通過させた後は、該乾燥ホッパから前記処理ガス除湿経路を介し前記除湿ユニットに戻して前記循環経路内を繰り返し循環させる構成とした粉粒体材料の除湿乾燥方法において、
前記処理ガス供給経路と前記処理ガス除湿経路とをバイパス経路で連通接続し、
前記除湿ユニットでは、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスを、吸着体に通過させて除湿処理する除湿処理工程と、処理ガスの除湿処理後の吸着体に再生用加熱ガスを通過させて加熱再生する加熱再生工程と、加熱再生がなされた後の吸着体に再生用冷却ガスを通過させて冷却再生する冷却再生工程とを実行し、
前記循環経路を循環する処理ガスの全体の循環風量を、前記バイパス経路の通過量を含めて略一定に保持した条件下で、前記乾燥ホッパ内の上層部の温度に基づいて、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を調整することによって、前記乾燥ホッパに供給する処理ガスの流量を増減制御することを特徴とする粉粒体材料の除湿乾燥方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記乾燥ホッパ内の上層部の温度は、前記乾燥ホッパ内に貯留されている粉粒体材料層の上方空間の温度である粉粒体材料の除湿乾燥方法。
【請求項６】
請求項４において、
前記乾燥ホッパ内の上層部の温度は、前記乾燥ホッパ内に貯留されている粉粒体材料層の上層部の温度である粉粒体材料の除湿乾燥方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか１項において、
前記バイパス経路に処理ガスの通過量を調整する調整弁を設け、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を、前記乾燥ホッパ内の上層部の温度に基づいて、前記調整弁を開閉制御して調整する粉粒体材料の除湿乾燥方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記乾燥ホッパ内の上層部の温度が予め設定された閾値を上回ったときには、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を漸増させる一方、該閾値を下回ったときには、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を漸減させるように前記調整弁を開閉制御する粉粒体材料の除湿乾燥方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項において、
前記吸着体を、多数のガス流通路をハニカム状に形成した除湿ロータで構成し、
該除湿ロータは、その回転軸を中心にして、除湿処理ゾーン、加熱再生ゾーン、冷却再生ゾーンの３つのゾーンに区分けされ、これら３つのゾーンのそれぞれに、前記処理ガス、前記再生用加熱ガス、前記再生用冷却ガスを通過させて、前記除湿ロータを連続回転させることで、前記処理ガスの除湿処理工程、該除湿ロータの一部の加熱再生工程、該除湿ロータの一部の冷却再生工程が並列的になされるようにしている粉粒体材料の除湿乾燥方法。
【請求項１０】
粉粒体材料を貯留し、乾燥する乾燥ホッパと、吸着体を配した除湿ユニットと、該乾燥ホッパと該除湿ユニットとの間を連通接続して処理ガスを循環させる処理ガス供給経路及び処理ガス除湿経路を有した循環経路とを備え、前記処理ガス供給経路から供給された処理ガスを、加熱ヒータで加熱して前記乾燥ホッパ内を通過させた後は、該乾燥ホッパから前記処理ガス除湿経路を介し前記除湿ユニットに戻して前記循環経路内を繰り返し循環させる構成とした粉粒体材料の除湿乾燥システムにおいて、
前記処理ガス供給経路と前記処理ガス除湿経路とは、調整弁を有したバイパス経路で連通接続され、前記処理ガス除湿経路には、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスの温度を検出する温度検出センサが設けられており、
前記除湿ユニットは、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスを、吸着体に通過させて除湿処理する除湿処理ゾーンと、処理ガスの除湿処理後の吸着体に再生用加熱ガスを通過させて加熱再生する加熱再生ゾーンと、加熱再生された後の吸着体に再生用冷却ガスを通過させて冷却再生する冷却再生ゾーンと、前記処理ガス、前記再生用加熱ガス及び前記再生用冷却ガスのそれぞれを、前記除湿処理ゾーン、前記加熱再生ゾーン及び前記冷却再生ゾーンのそれぞれに導入し、通過させるための導入口及び導出口とを備えており、
前記循環経路を循環する処理ガスの全体の循環風量を、前記バイパス経路の通過量を含めて略一定に保持した条件下で、前記温度検出センサが検出した温度検出信号に基づいて、前記バイパス経路に設けた前記調整弁を開閉制御する制御手段を備えていることを特徴とする粉粒体材料の除湿乾燥システム。
【請求項１１】
粉粒体材料を貯留し、乾燥する乾燥ホッパと、吸着体を配した除湿ユニットと、該乾燥ホッパと該除湿ユニットとの間を連通接続して処理ガスを循環させる処理ガス供給経路及び処理ガス除湿経路を有した循環経路とを備え、前記処理ガス供給経路から供給された処理ガスを、加熱ヒータで加熱して前記乾燥ホッパ内を通過させた後は、該乾燥ホッパから前記処理ガス除湿経路を介し前記除湿ユニットに戻して前記循環経路内を繰り返し循環させる構成とした粉粒体材料の除湿乾燥システムにおいて、
前記処理ガス供給経路と前記処理ガス除湿経路とは、調整弁を有したバイパス経路で連通接続され、前記乾燥ホッパには、該乾燥ホッパ内の上層部の温度を検出する温度検出センサが設けられており、
前記除湿ユニットは、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスを、吸着体に通過させて除湿処理する除湿処理ゾーンと、処理ガスの除湿処理後の吸着体に再生用加熱ガスを通過させて加熱再生する加熱再生ゾーンと、加熱再生された後の吸着体に再生用冷却ガスを通過させて冷却再生する冷却再生ゾーンと、前記処理ガス、前記再生用加熱ガス及び前記再生用冷却ガスのそれぞれを、前記除湿処理ゾーン、前記加熱再生ゾーン及び前記冷却再生ゾーンのそれぞれに導入し、通過させるための導入口及び導出口とを備えており、
前記循環経路を循環する処理ガスの全体の循環風量を、前記バイパス経路の通過量を含めて略一定に保持した条件下で、前記温度検出センサが検出した温度検出信号に基づいて、前記バイパス経路に設けた前記調整弁を開閉制御する制御手段を備えていることを特徴とする粉粒体材料の除湿乾燥システム。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記温度検出センサは、前記乾燥ホッパ内に貯留されている粉粒体材料層の上方空間の温度を検出するものである粉粒体材料の除湿乾燥システム。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記温度検出センサは、前記乾燥ホッパ内に貯留されている粉粒体材料層の上層部の温度を検出するものである粉粒体材料の除湿乾燥システム。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか１項において、
前記吸着体は、多数のガス流通路をハニカム状に形成した除湿ロータで構成されており、
該除湿ロータの両端部には、該除湿ロータの回転軸を中心にして、除湿処理ゾーン、加熱再生ゾーン、冷却再生ゾーンの３つのゾーンに区分けする区画形成手段が配設され、それぞれのゾーンには、前記処理ガス、前記再生用加熱ガス、前記再生用冷却ガスを通過させるために、導入口と、導出口とが対応して設けられており、前記除湿ロータを連続回転させることで、前記処理ガスの除湿処理、該除湿ロータの一部の加熱再生処理、該除湿ロータの一部の冷却再生処理が並列的に実行される構成としている粉粒体材料の除湿乾燥システム。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれか１項において、
前記調整弁は、開度制御可能な構成とされている粉粒体材料の除湿乾燥システム。
【請求項１６】
請求項１５において、
予め設定された閾値を記憶する記憶手段を更に備えており、
前記制御手段は、前記温度検出センサが検出した温度検出信号が前記閾値を上回ったときには、前記調整弁の開度を漸増制御する一方、前記温度検出センサが検出した温度検出信号が前記閾値を下回ったときには、前記調整弁の開度を漸減制御する構成とされている粉粒体材料の除湿乾燥システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、乾燥ホッパ内に貯留された粉粒体材料を乾燥するための処理ガスを循環し、再生利用する方式の除湿乾燥方法、及び粉粒体材料の除湿乾燥システムの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、粉粒体材料の除湿乾燥システムとして、粉粒体材料を貯留する乾燥ホッパと、吸着体を配した除湿ユニットと、これらに関連付けて配設された複数のガス経路とを備えたものが汎用されている。
このような粉粒体材料の除湿乾燥システムでは、例えば、吸着剤（乾燥剤、吸湿剤）を充填あるいは配設し、多数のガス流通路をハニカム状に形成した除湿ロータ（ハニカムロータ）に、乾燥ホッパ内で粉粒体材料の除湿乾燥に使用されて該乾燥ホッパから排気された処理ガスを通過させている。該除湿ロータを通過した処理ガスに含まれる水分を、該除湿ロータで吸着することで、該処理ガスを除湿し、その除湿された処理ガスを、乾燥ホッパに再導入して粉粒体材料を除湿乾燥させている。【０００３】
例えば、下記特許文献１では、粉粒体材料（粒状物）の乾燥ホッパ（粒状物ホッパ）と、吸着剤（吸着物質）を含むハニカムロータ（吸着ドライヤ）とを複数の空気管（ダクト）により連通連結して構成された除湿乾燥装置（粒状物乾燥装置）が提案されている。
この従来の除湿乾燥装置について、以下、図９に基づいて説明する。
尚、特許文献１に記載の用語は、便宜的にカッコ内に示している。【０００４】
図９は、この従来の除湿乾燥装置を模式的に示す概略説明図である。
図例の除湿乾燥装置１は、大略的に、粉粒体材料を貯留する乾燥ホッパ２と、乾燥ホッパ２から排気された処理ガス（エア）を除湿するハニカムロータ３と、これらを連通連結する複数の空気管１０〜１４とを備えている。
ハニカムロータ３には、シリカゲルなどの吸着剤が含有されており、該ハニカムロータ３は、時計方向（白抜矢印方向）に回転する構成とされ、ロータ３内を通過する処理ガスに含まれる水分の吸着と、水分を吸着した吸着剤の再生とを連続的に行う構成としている。
すなわち、ハニカムロータ３では、乾燥ゾーン３ａで、処理ガスを除湿し、再生ゾーン３ｂで、ハニカムロータ３内の吸着剤の再生を行い、冷却ゾーン３ｃで、吸着剤の冷却を行う構成としている。
乾燥ゾーン３ａを通過した処理ガスは、吸着剤によって除湿（水分を吸着）されて除湿エアとして、空気管１０を経由し、乾燥ホッパ２に付設されたヒータ４により加熱され、乾燥ホッパ２内に導入されて粉粒体材料の除湿乾燥に使用される。【０００５】
乾燥ホッパ２内で粉粒体材料の除湿乾燥に使用されて水分を含んだ処理ガスは、乾燥ホッパ２の上方に連結された空気管１１、該空気管１１に連結された空気管１３、フィルタ５、クーラー６、ブロア７をこの順で経由して、空気管１４を経て、再度、ハニカムロータ３に導入される。
このように、ハニカムロータ３の上流側にクーラー６を介在させているのは、その下流側に位置するブロア７の保護と、加熱再生された吸着剤の温度を下げて水分の吸着量を増大させるためである。
また、空気管１４は、後記する冷却ゾーン３ｃに冷却ガスを導入する空気管１４ｂと、前記乾燥ゾーン３ａに冷却ガスを導入する空気管１４ａとに分岐されている。【０００６】
乾燥ゾーン３ａで、水分を吸着した吸着剤は、再生ゾーン３ｂに至る。
再生ゾーン３ｂでは、再生ブロア８を駆動して外気を吸引し、その吸引した外気を再生用ヒータ９によって加熱し、温風として空気管１５を介して再生ゾーン３ｂを通過させて、吸着剤を高温にすることで水分を脱離させ、水分を吸着した吸着剤の再生がなされる。
また、前記のように再生ゾーン３ｂで温風により再生された吸着剤は、冷却ゾーン３ｃに至り、吸着剤の吸着能力を高めるため、空気管１４ｂを経由して導入された冷却ガスにより冷却がなされる。この冷却に使用された冷却ガスは、空気管１２を経由して、乾燥ホッパ２内で粉粒体材料の乾燥処理に使用されて排気された処理ガスと合流し、空気管１３、フィルタ５、クーラー６、ブロア７をこの順で経由して、空気管１４により、再度、ハニカムロータ３に導入される。【０００７】
また、乾燥ホッパ２の上方には、捕集器（運搬ユニット）２ａが設けられ、この捕集器２ａには、捕集器２ａ内に一時的に貯留されている粉粒体材料の温度を測定する粉粒体温度センサ（粒状物温度センサ）２ｂが設けられている。すなわち、乾燥ホッパ２内の上部に投入される直前の粉粒体材料の温度が、粉粒体温度センサ２ｂによって測定される。
さらに空気管１１には、乾燥ホッパ２から排気された処理ガスの温度を測定する温度センサ１１ａが設けられている。
この温度センサ１１ａの測定値と、前記粉粒体温度センサ２ｂの測定値との温度差に基づいて、各温度センサ２ｂ、１１ａと接続された制御装置１６がブロア７の回転速度を変更させることで、乾燥ホッパ２へ供給される処理ガスの流量を制御する構成としている。
この乾燥ホッパ２へ供給される処理ガスの流量は、上記温度センサ１１ａの測定値と、前記粉粒体温度センサ２ｂの測定値との温度差が２，３℃程度となるように制御している。【０００８】
このような構成により、特許文献１に記載の除湿乾燥装置１では、ハニカムロータ３によって、連続的に処理ガスを除湿して、その除湿された処理ガスを乾燥ホッパ２へ連続的に導入可能としている。
また、乾燥ホッパ２へ供給する処理ガスの流量を、上記温度センサ１１ａの測定値と、前記粉粒体温度センサ２ｂの測定値との温度差が２，３℃程度となるように制御することで、省エネルギ化が図れる、と説明されている。
すなわち、乾燥ホッパ２内の上部へ投入される直前の粉粒体材料の温度に対して、乾燥ホッパ２から排気された処理ガスの温度が２，３℃程度高い温度となるように、乾燥ホッパ２へ供給する処理ガスの流量を制御している。これにより、乾燥ホッパ２から排気された処理ガスの冷却及びその後の乾燥ホッパ２への供給前になされる処理ガスの再加熱に伴う継続的なエネルギの浪費を低減できる、と説明されている。
【特許文献１】特開２００５−１４０４９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記特許文献１で提案されている除湿乾燥装置１では、前記のように、乾燥ホッパ２内へ投入される直前の粉粒体材料の温度と、乾燥ホッパ２から排気される処理ガスの温度との温度差が一定となるように、乾燥ホッパ２へ供給する処理ガスの流量を制御することで、省エネルギ化を図っている。
しかし、乾燥ホッパ内へ投入される直前の粉粒体材料の温度が低い場合に、粉粒体材料の温度と乾燥ホッパ２から排気される処理ガスの温度との温度差を一定に保つように、乾燥ホッパ２へ供給する処理ガスの流量を制御すれば、粉粒体材料の種類や条件（初期水分など）によっては、乾燥ホッパ内上方に位置する粉粒体材料の温度を十分に高められないため、十分な乾燥がなされず、あるいは、長い乾燥時間が必要な場合がある。すなわち、乾燥ホッパ内に貯留された粉粒体材料の温度分布を均一かつ温度を高い状態とすることが困難、あるいは長時間掛かる場合がある。
また、上記のように、乾燥ホッパ２へ供給する処理ガスの流量を制御すると、吸着剤を冷却するために導入される冷却ガスの流量も減少することとなり、吸着剤の冷却が十分になされない。このため、吸着剤の水分の吸着能力が十分に高められず、ハニカムロータ３を通過して除湿された処理ガスの露点を安定させることが困難であった。
すなわち、乾燥ホッパ２内へ投入される直前の粉粒体材料の温度と、乾燥ホッパ２から排気される処理ガスの温度との温度差が一定となるように、単に乾燥ホッパへの処理ガスの流量を減少させるようにすれば、省エネルギ化は図れる。しかしながら、再生冷却のための冷却ガスの流量も同時に減少し、吸着剤の冷却が十分になされず、乾燥ゾーンを通過する処理ガスに含まれる水分を十分に吸着できない。従って、乾燥ホッパへ供給される処理ガスの露点は、高くなったり、不安定なものとなり、そのため、貯留されている粉粒体材料の除湿乾燥が十分になされない、あるいは、乾燥時間を長く必要とするなどの問題点があった。【００１０】
上記のような問題点は、例えば、吸着剤の吸着能力を高めるために、ハニカムロータへ導入する冷却ガスを、別経路、例えば外気を冷却手段等で冷却して、導入することで解消することが考えられる。しかしながら、粉粒体材料の間を通過して水分を含んで乾燥ホッパから排気されたガスよりも、一般的に露点のさらに高い外気を、再生用の冷却ガスとして、吸着剤に導入して冷却再生するようにすれば、加熱再生されて水分の脱離がなされた吸着剤に、水分を再度、吸着させることとなる。従って、吸着剤の水分の吸着能力を十分に高めることは困難である。また、このような場合は、外気を導入するためのブロアなどの吸引手段を別途、配設する必要がある。【００１１】
本発明は、前記問題を解決するために提案されたもので、その目的は、除湿ユニットを経て除湿された処理ガスの露点の安定性を阻害することなく、省エネルギ化が図れる粉粒体材料の除湿乾燥方法、及び粉粒体材料の除湿乾燥システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために、本発明の第１発明に係る粉粒体材料の除湿乾燥方法は、粉粒体材料を貯留し、乾燥する乾燥ホッパと、吸着体を配した除湿ユニットと、該乾燥ホッパと該除湿ユニットとの間を連通接続して処理ガスを循環させる処理ガス供給経路及び処理ガス除湿経路を有した循環経路とを備え、前記処理ガス供給経路から供給された処理ガスを、加熱ヒータで加熱して前記乾燥ホッパ内を通過させた後は、該乾燥ホッパから前記処理ガス除湿経路を介し前記除湿ユニットに戻して前記循環経路内を繰り返し循環させる構成とした粉粒体材料の除湿乾燥方法において、前記処理ガス供給経路と前記処理ガス除湿経路とをバイパス経路で連通接続し、前記除湿ユニットでは、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスを、吸着体に通過させて除湿処理する除湿処理工程と、処理ガスの除湿処理後の吸着体に再生用加熱ガスを通過させて加熱再生する加熱再生工程と、加熱再生がなされた後の吸着体に再生用冷却ガスを通過させて冷却再生する冷却再生工程とを実行し、前記循環経路を循環する処理ガスの全体の循環風量を、前記バイパス経路の通過量を含めて略一定に保持した条件下で、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスの温度に基づいて、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を調整することによって、前記乾燥ホッパに供給する処理ガスの流量を増減制御することを特徴とする。【００１３】
また、前記目的を達成するために、本発明の第２発明に係る粉粒体材料の除湿乾燥方法は、粉粒体材料を貯留し、乾燥する乾燥ホッパと、吸着体を配した除湿ユニットと、該乾燥ホッパと該除湿ユニットとの間を連通接続して処理ガスを循環させる処理ガス供給経路及び処理ガス除湿経路を有した循環経路とを備え、前記処理ガス供給経路から供給された処理ガスを、加熱ヒータで加熱して前記乾燥ホッパ内を通過させた後は、該乾燥ホッパから前記処理ガス除湿経路を介し前記除湿ユニットに戻して前記循環経路内を繰り返し循環させる構成とした粉粒体材料の除湿乾燥方法において、前記処理ガス供給経路と前記処理ガス除湿経路とをバイパス経路で連通接続し、前記除湿ユニットでは、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスを、吸着体に通過させて除湿処理する除湿処理工程と、処理ガスの除湿処理後の吸着体に再生用加熱ガスを通過させて加熱再生する加熱再生工程と、加熱再生がなされた後の吸着体に再生用冷却ガスを通過させて冷却再生する冷却再生工程とを実行し、前記循環経路を循環する処理ガスの全体の循環風量を、前記バイパス経路の通過量を含めて略一定に保持した条件下で、前記乾燥ホッパ内の上層部の温度に基づいて、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を調整することによって、前記乾燥ホッパに供給する処理ガスの流量を増減制御することを特徴とする。【００１４】
上記第１発明及び第２発明に係る粉粒体材料の除湿乾燥方法では、除湿ユニットは、除湿処理工程では、乾燥ホッパから排気された処理ガスを通過させて処理ガスの除湿処理をなし、加熱再生工程では、処理ガスを除湿処理後、再生用加熱ガスを通過させて吸着体の加熱再生処理をなし、更に冷却再生工程では、加熱再生処理がなされた後に再生用冷却ガスを通過させて吸着体の冷却再生処理をなしている。このような除湿ユニットを、バイパス経路を設けた処理ガスの循環経路に配し、バイパス経路を含めて処理ガスの循環経路に循環させる系全体の処理ガスの循環風量を変動させない構成にすることで、乾燥ホッパに供給する処理ガスの流量を変動させた場合でも、処理ガスの露点を安定させることを実現している。
したがって、除湿ユニットは、以上のような基本構成を備え、処理ガスの露点を変動させることなく、制御に追従できる条件を備えている限り、構造は問わない。
以下に示す明細書では、除湿処理後の処理ガスの露点の一定性の点で優れた、多数のガス流通路をハニカム状に形成した１つの除湿ロータを望ましい実施形態として説明しているが、多塔式の構造の除湿ユニットであってもよい。また、除湿ロータを複数備えた除湿ユニット、あるいは、除湿ユニットを複数備えた構成とすることも可能である。【００１５】
また、処理ガスのバイパス経路の通過量の調整は、バイパス経路に配した調整弁を開閉制御するなどの方法で実施できるが、本発明方法では、乾燥ホッパ内に定量の材料が補給された後に実行される通常の運転状態では、材料が補給される毎に、乾燥ホッパ内の温度が低下するので、それによって低下する乾燥ホッパから排気される処理ガスの温度（排気温度）、或いは乾燥ホッパ内の上層部の温度に追従させてバイパス経路の通過量を制御し、乾燥ホッパへの処理ガスの流量を増減させる制御を追従させている。
このような制御系では、処理ガスのバイパス経路の通過量の調整は、乾燥ホッパ内に供給する処理ガスの流量を急激に変動させることなくスムーズに行うことが望ましく、以下に示す実施形態では、上記排気温度、或いは乾燥ホッパ内の上層部の温度に閾値を設け、バイパス経路の調整弁の開閉度合いを時間制御することで、バイパス経路の処理ガスの通過量を漸増、漸減させているが、乾燥ホッパ内に材料が補給されるタイミングや、処理ガス供給経路による遅延要素などを考慮して、最適な変化量として制御がなされる。
したがって、バイパス経路の処理ガスの通過量の調整は、バイパス経路の調整弁の開閉を時間制御する手法以外に、調整弁の開時における単位時間当たりの通過量を小さく設定し、高速で開閉制御させる方法を採用してもよい。
また、上記第２発明に係る粉粒体材料の除湿乾燥方法において、上記乾燥ホッパ内の上層部の温度としては、前記乾燥ホッパ内に貯留されている粉粒体材料層の上方空間の温度としてもよく、或いは、前記乾燥ホッパ内に貯留されている粉粒体材料層の上層部の温度としてもよい。【００１６】
また、前記目的を達成するために、本発明の第３発明に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムは、粉粒体材料を貯留し、乾燥する乾燥ホッパと、吸着体を配した除湿ユニットと、該乾燥ホッパと該除湿ユニットとの間を連通接続して処理ガスを循環させる処理ガス供給経路及び処理ガス除湿経路を有した循環経路とを備え、前記処理ガス供給経路から供給された処理ガスを、加熱ヒータで加熱して前記乾燥ホッパ内を通過させた後は、該乾燥ホッパから前記処理ガス除湿経路を介し前記除湿ユニットに戻して前記循環経路内を繰り返し循環させる構成とした粉粒体材料の除湿乾燥システムにおいて、前記処理ガス供給経路と前記処理ガス除湿経路とは、調整弁を有したバイパス経路で連通接続され、前記処理ガス除湿経路には、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスの温度を検出する温度検出センサが設けられており、前記除湿ユニットは、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスを、吸着体に通過させて除湿処理する除湿処理ゾーンと、処理ガスの除湿処理後の吸着体に再生用加熱ガスを通過させて加熱再生する加熱再生ゾーンと、加熱再生された後の吸着体に再生用冷却ガスを通過させて冷却再生する冷却再生ゾーンと、前記処理ガス、前記再生用加熱ガス及び前記再生用冷却ガスのそれぞれを、前記除湿処理ゾーン、前記加熱再生ゾーン及び前記冷却再生ゾーンのそれぞれに導入し、通過させるための導入口及び導出口とを備えており、前記循環経路を循環する処理ガスの全体の循環風量を、前記バイパス経路の通過量を含めて略一定に保持した条件下で、前記温度検出センサが検出した温度検出信号に基づいて、前記バイパス経路に設けた前記調整弁を開閉制御する制御手段を備えていることを特徴とする。【００１７】
また、前記目的を達成するために、本発明の第４発明に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムは、粉粒体材料を貯留し、乾燥する乾燥ホッパと、吸着体を配した除湿ユニットと、該乾燥ホッパと該除湿ユニットとの間を連通接続して処理ガスを循環させる処理ガス供給経路及び処理ガス除湿経路を有した循環経路とを備え、前記処理ガス供給経路から供給された処理ガスを、加熱ヒータで加熱して前記乾燥ホッパ内を通過させた後は、該乾燥ホッパから前記処理ガス除湿経路を介し前記除湿ユニットに戻して前記循環経路内を繰り返し循環させる構成とした粉粒体材料の除湿乾燥システムにおいて、前記処理ガス供給経路と前記処理ガス除湿経路とは、調整弁を有したバイパス経路で連通接続され、前記乾燥ホッパには、該乾燥ホッパ内の上層部の温度を検出する温度検出センサが設けられており、前記除湿ユニットは、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスを、吸着体に通過させて除湿処理する除湿処理ゾーンと、処理ガスの除湿処理後の吸着体に再生用加熱ガスを通過させて加熱再生する加熱再生ゾーンと、加熱再生された後の吸着体に再生用冷却ガスを通過させて冷却再生する冷却再生ゾーンと、前記処理ガス、前記再生用加熱ガス及び前記再生用冷却ガスのそれぞれを、前記除湿処理ゾーン、前記加熱再生ゾーン及び前記冷却再生ゾーンのそれぞれに導入し、通過させるための導入口及び導出口とを備えており、前記循環経路を循環する処理ガスの全体の循環風量を、前記バイパス経路の通過量を含めて略一定に保持した条件下で、前記温度検出センサが検出した温度検出信号に基づいて、前記バイパス経路に設けた前記調整弁を開閉制御する制御手段を備えていることを特徴とする。【００１８】
上記第３発明及び第４発明は、それぞれ方法発明である第１発明及び第２発明を実施するための粉粒体材料の除湿乾燥システムとして提案されており、第３発明及び第４発明において採用される除湿ユニット、バイパス経路の調整弁も前記第１発明及び第２発明と同様な構成、機能を有したものが採用される。【００１９】
また、上記第３発明及び第４発明においては、予め設定された閾値を記憶する記憶手段を更に備えたものとし、前記温度検出センサが検出した温度検出信号が前記閾値を上回ったときに、前記調整弁の開度を漸増制御する一方、前記温度検出センサが検出した温度検出信号が前記閾値を下回ったときに、前記調整弁の開度を漸減制御する構成としてもよい。【００２０】
また、上記第４発明に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムにおいて、上記乾燥ホッパ内の上層部の温度を検出する温度検出センサとしては、前記乾燥ホッパ内に貯留されている粉粒体材料層の上方空間の温度を検出するものとしてもよく、或いは、前記乾燥ホッパ内に貯留されている粉粒体材料層の上層部の温度を検出するものとしてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
上記第１発明〜第４発明によれば、上記のように、除湿ユニットの吸着体で除湿処理した処理ガスを、乾燥ホッパへ供給して粉粒体材料の除湿乾燥を行うので、乾燥ホッパ内に、加熱ヒータで加熱した外気を直接導入して粉粒体材料を乾燥する乾燥装置と比べて、加熱ヒータの小型化（低電力化）が図れたり、乾燥時間を短縮化したりできる。すなわち、外気を加熱して直接導入する構成とすれば、季節にもよるが外気の露点は高く、乾燥ホッパ内の粉粒体材料を乾燥するには、乾燥時間を長く必要としたり、大型の加熱ヒータが必要となったりするが、本発明によれば、吸着体で除湿処理されて露点が低くなった処理ガスを、乾燥ホッパ内へ供給することで、効率的に粉粒体材料の除湿乾燥を行うことができる。【００２２】
また、乾燥ホッパへ供給される処理ガスの流量の増減が、該処理ガス供給経路と該処理ガス除湿経路とを連通接続するバイパス経路を通過させる処理ガスの流量を調整することでなされるので、除湿ユニットを通過する処理ガスの流量を増減させることなく乾燥ホッパに供給する処理ガスの流量を増減させることができる。
すなわち、前記循環経路を循環する処理ガスの全体の循環風量を、前記バイパス経路の通過量を含めて略一定に保持した条件下で、乾燥ホッパへ供給する処理ガスの流量を増減させるようにしている。換言すれば、前記除湿ユニットを通過して前記処理ガス供給経路に向けて送気される処理ガスの流量及び前記処理ガス除湿経路を経て前記除湿ユニットに導入される処理ガスの流量を、略一定に保持した条件下で、乾燥ホッパへ供給する処理ガスの流量を増減させるようにしている。
これにより、除湿ユニットが備える吸着体の加熱再生処理後の冷却再生処理を阻害することなく、冷却再生処理を安定して行うことができる。従って、安定した露点の処理ガスを乾燥ホッパへ向けて供給できる。【００２３】
さらに、上記第１発明及び第３発明においては、乾燥ホッパへ供給する処理ガスの流量を、乾燥ホッパから排気された処理ガスの温度（排気温度）に基づいて、増減させるようにしている。また、上記第２発明及び第４発明においては、乾燥ホッパへ供給する処理ガスの流量を、上記乾燥ホッパ内の上層部の温度に基づいて、増減させるようにしている。従って、乾燥ホッパ内への無駄な処理ガスの供給による粉粒体材料の劣化（酸化、やけ、分解、変色など）の発生や粉粒体材料に添加されている添加剤などの飛散、乾燥ホッパから排気される過熱された処理ガスによる冷却手段への負荷などを低減できる。また、上記排気温度或いは乾燥ホッパ内の上層部の温度が高くなれば、乾燥ホッパ内に貯留された粉粒体材料の温度が十分に高くなり、乾燥処理が問題なく進むので、乾燥ホッパへ供給する処理ガスの流量を減少させることで、乾燥ホッパへ供給する処理ガスを加熱するための加熱ヒータの稼働率を下げることができ、省電力化が図れる。
さらにまた、バイパス経路を通過させる処理ガスの流量が最大となった場合にも、乾燥ホッパへの処理ガスの供給は、該処理ガス供給経路を経てなされている。従って、乾燥ホッパからの粉粒体材料の排出及び乾燥ホッパへの粉粒体材料の投入がなされることで、乾燥ホッパ内の粉粒体材料の温度分布が変化した場合にも、粉粒体材料の温度分布を通常範囲にスムーズに移行させることができる。【００２４】
また、前記除湿ユニットの前記吸着体を、多数のガス流通路をハニカム状に形成した除湿ロータで構成し、該除湿ロータを、その回転軸を中心にして、除湿処理ゾーン、加熱再生ゾーン、冷却再生ゾーンの３つのゾーンに区分けし、これら３つのゾーンのそれぞれに、前記処理ガス、前記再生用加熱ガス、前記再生用冷却ガスを通過させて、前記除湿ロータを連続回転させることで、前記処理ガスの除湿処理、該除湿ロータの一部の加熱再生処理、該除湿ロータの一部の冷却再生処理が並列的になされるようにしてもよい。
これによれば、該除湿ロータを連続回転させることで、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスの除湿処理と、該除湿ロータの一部の加熱再生処理と、該除湿ロータの一部の冷却再生処理とが連続的になされるので、安定した露点の処理ガスを乾燥ホッパ内へ供給できる。
すなわち、例えば、時系列的に処理ガスの除湿処理と、除湿ロータの再生とを繰り返す構成とした場合や、複数の吸着塔を切り替えて処理ガスの除湿処理と、吸着塔の再生とを並列的に行う構成とした場合は、乾燥ホッパ内へ供給される処理ガスの露点を略一定とすることは困難であるが、上記のようにすれば、より安定した略一定の露点の処理ガスを乾燥ホッパへ供給することができる。【００２５】
また、特に、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を、例えば、単なる開閉弁のＯＮ／ＯＦＦ調節ではなく、該バイパス経路に設けられた調整弁の開度制御によって増減させるようにすれば、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量の増減を細かく制御できる。すなわち、乾燥ホッパへ供給する処理ガスの流量の増減を細かく制御できる。【００２６】
さらにまた、前記バイパス経路を通過させる処理ガスの流量を、前記乾燥ホッパから排気された処理ガスの温度が、予め設定された閾値を上回ったときには、漸増させる一方、その閾値を下回ったときには、漸減させるようにすれば、閾値を上回ると、バイパス経路へ送気される処理ガスの流量が徐々に増加する一方、閾値を下回ると、バイパス経路へ送気される処理ガスの流量が徐々に減少する。
すなわち、排気温度が閾値を上回ると、乾燥ホッパへの処理ガスの流量が徐々に減少し、閾値を下回ると、乾燥ホッパへの処理ガスの流量が徐々に増加する。これによれば、乾燥する粉粒体材料の種類や条件等に応じて予め閾値を設定しておくことで、該閾値に基づいて、乾燥ホッパへ供給される処理ガスの流量の増減がなされるので、材料に応じた適切な乾燥が、省電力化を図りつつ効果的になされる。【００２７】
また、上記のようにすれば、乾燥ホッパへの処理ガスの流量が、漸減あるいは漸増されるので、その流量が急激に変化することがない。これにより、加熱ヒータのＯＮ／ＯＦＦ制御による処理ガスの温度コントロールの追従が安定してなされる。すなわち、乾燥ホッパへの処理ガスの流量が急激に変化すると、その変化に対して、加熱ヒータのＯＮ／ＯＦＦ制御による処理ガスの温度コントロールの追従がなされない恐れがあり、例えば、オーバーシュートやアンダーシュートなどが発生する恐れがあるが、上記のようにすることで、そのような恐れを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムの一実施形態を模式的に示す概略説明図である。
【図２】同実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムの内部構成を示すブロック図である。
【図３】同実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムで実行される粉粒体材料の除湿乾燥処理を説明するためのタイムチャートの一例であり、（ａ）は、排気温度を模式的に示すタイムチャート、（ｂ）は、バルブ開度及び処理ガスの流量を模式的に示すタイムチャートである。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、いずれも図３に対応させたタイムチャートの他例である。
【図５】本発明に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムにおける粉粒体材料の除湿乾燥処理の一実施例を模式的に示すタイムチャートである。
【図６】本発明に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムの他の実施形態を模式的に示す概略説明図である。
【図７】同実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムの内部構成を示すブロック図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、いずれも同実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムの一変形例を模式的に示す概略一部説明図である。
【図９】従来の除湿乾燥装置の一例を模式的に示す概略説明図である。
【符号の説明】
【００２９】
２１                    ホッパ本体（乾燥ホッパ）
２７                    加熱ヒータ
３０                    除湿ユニット
３１                    ハニカムロータ（吸着体、除湿ロータ）
３２                    蓋体（導入口、導出口）
３２ａ                  除湿処理ゾーン
３２ｂ                  加熱再生ゾーン
３２ｃ                  冷却再生ゾーン
３２ｄ                  仕切壁（区画形成手段）
４０                    処理ガス供給経路（処理ガスの循環経路）
４０ｂ                  ホッパ側供給経路（処理ガス供給経路、処理ガスの循環経路）
４１                    処理ガス除湿経路（処理ガスの循環経路）
４１ｂ                  除湿側分岐管（処理ガス除湿経路、処理ガスの循環経路）
４４                    バイパス経路
４５                    流量調整バルブ（調整弁）
４７                    排気温度検出センサ（温度検出センサ）
４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃ  上層部温度検出センサ（温度検出センサ）
５１                    ＣＰＵ（制御手段）
５３                    記憶手段
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ          除湿乾燥システム
ｍ                      粉粒体材料
ｎｈｍ                  昇温過程にある粉粒体材料（粉粒体材料層の上層部）
ｎｐｍ                  新たに投入された粉粒体材料（粉粒体材料層の上層部）
ｓｐ                    粉粒体材料層の上方空間
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に、本発明の最良の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、第１実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムの一例を模式的に示す概略説明図、図２は、同実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムの内部構成を示すブロック図、図３は、同実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムで実行される粉粒体材料の除湿乾燥処理を説明するためのタイムチャートの一例であり、（ａ）は、排気温度を模式的に示すタイムチャート、（ｂ）は、バルブ開度及び処理ガスの流量を模式的に示すタイムチャート、図４（ａ）、（ｂ）は、いずれも図３に対応させたタイムチャートの他例である。
図例の粉粒体材料の除湿乾燥システムＡは、大略的に、乾燥ホッパユニット２０と、除湿ユニット３０と、ホッパ側供給経路４０ｂを含む処理ガス供給経路４０、処理ガス除湿経路４１及び処理ガス除湿経路の一部を構成する除湿側分岐管４１ｂを有した処理ガスの循環経路４０，４０ｂ，４１，４１ｂと、前記処理ガス除湿経路４１から分岐されて形成された再生側分岐管４１ｃと、再生用冷却ガス経路４２と、再生用加熱ガス経路４３と、バイパス経路４４と、同システムＡの適所に設けられた制御部５０（図２参照）とを備えている。【００３１】
乾燥ホッパユニット２０は、下部が円錐状、上部が円筒状とされ、上方から順次投入された粉粒体材料ｍを貯留するホッパ本体（乾燥ホッパ）２１と、後記する除湿ユニット３０を通過して供給される処理ガスを加熱する加熱ヒータ２７とを備えている。
ホッパ本体２１の上方には、材料タンク（不図示）などから材料輸送管２８を介して輸送されてくる粉粒体材料ｍを一時的に貯留する捕集器２６が接続されており、捕集器２６の下方に形成された材料投入バルブ２２の開閉により、粉粒体材料ｍがホッパ本体２１内に順次投入される。
ホッパ本体２１内に順次投入され貯留された粉粒体材料ｍは、後記するように除湿乾燥処理がなされて、ホッパ本体２１の下方に形成された材料排出バルブ２３の開閉により、次工程である樹脂成形機や一時貯留ホッパ（不図示）などへ向けて順次排出される。【００３２】
このような、粉粒体材料ｍのホッパ本体２１への投入は、例えば、ホッパ本体２１の上方部位に配設されたレベルゲージなどの材料センサ（不図示）の信号に基づいてなされ、材料排出バルブ２３から排出された量に応じて、順次投入されて、ホッパ本体２１内の粉粒体材料ｍの貯留量が略一定となるように制御されている。すなわち、ホッパ本体２１内に積層状態で貯留されている粉粒体材料ｍは、除湿乾燥処理がなされて、最下層にあるものから順次排出され、また、新たな粉粒体材料ｍが排出された量に応じて上方から投入される。
ここに、粉粒体材料ｍは、合成樹脂ペレットなどの粉体・粒体等を指すが、これに限らず、微小薄片・短繊維片のものや、加工食品材料・医薬品材料の粉粒体等、製造工程で除湿乾燥処理が必要な材料を含む。
尚、上記のような粉粒体材料ｍの投入及び排出は、ホッパ本体２１内の貯留量がある程度の貯留量となるようにして、連続的あるいは間歇的になされるものとしてもよい。【００３３】
また、ホッパ本体２１内の下部には、後記する処理ガス供給経路４０を介して送気される処理ガスを、ホッパ本体２１内に吐出する吐出口２４が設けられている。
吐出口２４は、平面視円状に形成されたホッパ本体２１の平面視略中心に配置され、処理ガス供給経路４０を経て送気されてくるガスを、均一に分散して給気する構成とされている。
吐出口２４から吐出された処理ガスは、ホッパ本体２１内に貯留されている粉粒体材料ｍの間を上方に向けて通過して、ホッパ本体２１の上部に形成された排気口２５から処理ガス除湿経路４１に向けて送気される。【００３４】
除湿ユニット３０は、吸着剤が配され吸着体を構成するハニカムロータ（除湿ロータ）３１、その上下両端に配設された蓋体３２などを備えたハニカム式の除湿ユニットとされている。
ハニカムロータ３１は、ハニカム状に形成したセラミックファイバーに吸着剤を含浸させて多数のガス流通路を軸方向に沿って有した円筒状体であり、モータ等の駆動手段（不図示）により、回転軸３３を中心として時計方向（白抜矢印方向）に回転自在とされている。このハニカムロータ３１の回転は、例えば、１時間当りに１０回転〜２０回転（１０〜２０ｒｐｈ）程度の回転数で低速かつ連続的になされる。
ハニカムロータ３１に使用される吸着剤としては、シリカゲル、チタニウムシリカゲル、リチウムクロライド、合成ゼオライト（商品名モレキュラシーブ）などが挙げられるが、固体のもので、水分の吸着が可能かつ後記する再生用加熱ガスの通過による再生（水分の脱離）が可能なものであれば、どのようなものでもよい。【００３５】
ハニカムロータ３１の上下両端に配設された上記蓋体３２は、各経路からのガスが導入される導入口及び各経路へガスを導出する導出口を備えている。また、該蓋体３２には、後記する除湿処理ゾーン３２ａ、加熱再生ゾーン３２ｂ、冷却再生ゾーン３２ｃを区画形成するための区画形成手段を構成する仕切壁３２ｄが形成されている。仕切壁３２ｄは、ハニカムロータ３１の回転軸３３を中心にして、遠心方向に向けて３つ設けられており、本実施形態では、除湿処理ゾーン３２ａ、加熱再生ゾーン３２ｂ、冷却再生ゾーン３２ｃの容積割合が、それぞれ５：２：１となるように形成されている。【００３６】
蓋体３２は、固定状態とされ、ハニカムロータ３１が蓋体３２に対して回転することで、蓋体３２に形成された３つの仕切壁３２ｄによって、ハニカムロータ３１を、上記３つの区画（ゾーン）に区分けする構成としている。
尚、蓋体３２は、上下一対として図示の下側の蓋体３２にも上側の蓋体３２に形成された３つの仕切壁３２ｄに対応させて、同様の３つの仕切壁３２ｄが形成されている。
また、上記のようなハニカム式の除湿ユニットの具体的構成についての詳述は省略するが、例えば、実開昭６０−１１５５２６号公報、実開平１−１６７３１８号公報、実開平２−１３９９４号公報に開示があるハニカム式の除湿ユニットを本実施形態に適用してもよい。【００３７】
処理ガスの循環経路は、除湿ユニット３０を通過して除湿された処理ガスを、乾燥ホッパユニット２０に向けて送気する処理ガス供給経路４０と、乾燥ホッパユニット２０を通過して、粉粒体材料ｍの後記する除湿乾燥処理に使用され、水分を含んだ処理ガスを、除湿ユニット３０に向けて送気する処理ガス除湿経路４１と、処理ガス除湿経路４１から分岐して形成された処理ガス除湿経路４１の一部を構成する除湿側分岐管４１ｂとを備えている。
処理ガス供給経路４０は、連結部４０ａを有し、後記するバイパス経路４４が経路途中に連結されている。
また、処理ガス除湿経路４１は、連結部４１ｄを有し、後記するバイパス経路４４が経路途中に連結されている。
処理ガス除湿経路４１には、排気温度検出センサ４７、循環フィルタ３７、冷却器３８、メインブロア３９がこの順で配され、メインブロア３９の下流側には、分配手段を構成する分岐部４１ａが形成されている。上記メインブロア３９の駆動によって、処理ガスの循環供給がなされる。
分岐部４１ａの下流側には、後記する冷却再生ゾーン３２ｃに連通される再生側分岐管４１ｃが更に形成されている。
排気温度検出センサ４７は、ホッパ本体２１から排気された処理ガスの温度を検出するための温度検出センサであって、ホッパ本体２１の排気口２５と、後記するバイパス経路４４の連結部４１ｄとの間に位置する処理ガス除湿経路４１に設けられている。【００３８】
再生用冷却ガス経路４２は、その下流端が、ホッパ本体２１と循環フィルタ３７との間に位置する前記処理ガス除湿経路４１に連結され、前記再生側分岐管４１ｃを経てハニカムロータ３１を通過した再生用冷却ガスを、前記処理ガス除湿経路４１に合流させる。すなわち、本実施形態では、再生用冷却ガスは、前記循環経路を循環する処理ガスと同様に、処理ガス除湿経路４１の経路途中に配設されたメインブロア３９の駆動によって、乾燥ホッパユニット２０を通過した処理ガスとともに、ハニカムロータ３１を通過して循環している。換言すれば、乾燥ホッパユニット２０と除湿ユニット３０との間を循環する処理ガスの一部が、分岐部４１ａで分配されて再生用冷却ガスとしてハニカムロータ３１を通過し、再生用冷却ガス経路４２を経て、処理ガス除湿経路４１で乾燥ホッパユニット２０を通過した処理ガスと合流する構成とされている。【００３９】
再生用加熱ガス経路４３には、吸気フィルタ３４、再生用ブロア３５、再生用加熱ヒータ３６が、上流側からハニカムロータ３１に向けて、この順に配設されている。再生用加熱ガス経路４３では、再生用ブロア３５の駆動により、吸気フィルタ３４を介して外気を導入し、再生用加熱ヒータ３６で加熱して、再生用加熱ガスを生成し、その生成された再生用加熱ガスをハニカムロータ３１に導入する構成としている。
尚、再生用加熱ヒータ３６で加熱されて導入される再生用加熱ガスの温度は、水分を吸着した吸着剤から水分を脱離させるため、１８０℃〜２４０℃程度としてもよい。【００４０】
バイパス経路４４は、処理ガス供給経路４０と処理ガス除湿経路４１とを連通接続し、その経路途中には、バイパス経路４４を通過させる処理ガスの流量を調整するための流量調整バルブ（調整弁）４５が配設されている。
すなわち、バイパス経路４４の上流端が、処理ガス供給経路４０の連結部４０ａに連結され、その下流端が、ホッパ本体２１と循環フィルタ３７との間に位置する処理ガス除湿経路４１の連結部４１ｄに連結されている。
また、バイパス経路４４の管径は、流量調整バルブ４５が全開状態の時に、処理ガス供給経路４０を送気される処理ガスのうち、略半分の処理ガスがバイパス経路４４へ分配されて送気されるよう設定されている。すなわち、流量調整バルブ４５が全開状態の時に、ホッパ本体２１内に供給される処理ガスの流量は、流量調整バルブ４５が全閉状態の時と比べて略半分となる。【００４１】
流量調整バルブ４５は、モータバルブなど開度の制御が可能なバルブで構成されており、後記する制御手段を構成するＣＰＵ５１によって、その開度の制御がなされる。
この流量調整バルブ４５を開閉することによって、処理ガス供給経路４０を送気される処理ガスの一部がバイパス経路４４を送気され、除湿処理された処理ガスの一部がホッパ本体２１に至ることなく、除湿ユニット３０に還流される。
すなわち、流量調整バルブ４５が開状態の場合は、除湿ユニット３０で除湿され、処理ガス供給経路４０を送気される処理ガスは、処理ガス供給経路４０の連結部４０ａで、処理ガス供給経路４０のホッパ側供給経路４０ｂと、バイパス経路４４とに分配されて送気される。
尚、流量調整バルブ４５の開度制御の例については後記する。【００４２】
制御部５０は、図２に示すように、除湿乾燥システムＡの各部を制御するＣＰＵ５１、各種設定や後記する排気温度の閾値などを設定するための設定手段を構成する操作パネル５２、操作パネル５２の操作により設定された設定条件や制御プログラムなどを記憶する記憶手段５３などを備えている。
ＣＰＵ５１は、ホッパ本体２１からの排気温度を検出する排気温度検出センサ４７が検出した温度検出信号に基づいて、後記するように、流量調整バルブ４５の開度を制御する。また、ＣＰＵ５１は、加熱ヒータ２７を介してホッパ本体２１内に給気される処理ガスの温度（給気温度）を検出する給気温度検出センサ４６の温度検出信号に基づいて、ホッパ本体２１内に供給される処理ガスの温度が略一定の値となるように加熱ヒータ２７をＯＮ／ＯＦＦ制御あるいはＰＩＤ制御する。【００４３】
前記各経路４０乃至４３は、ハニカムロータ３１の上下両端部に設けられた蓋体３２に連結されており、蓋体３２に形成された３つの仕切壁３２ｄにより区分けされた除湿処理ゾーン３２ａ、加熱再生ゾーン３２ｂ、冷却再生ゾーン３２ｃに連通される。
すなわち、以下に説明するように、各経路４０乃至４３は、ハニカムロータ３１の回転に伴い、互いに気密状態とされた３つの区画（除湿処理ゾーン３２ａ、加熱再生ゾーン３２ｂ、冷却再生ゾーン３２ｃ）と、それぞれ連通する構成とされている。【００４４】
除湿処理ゾーン３２ａには、ホッパ本体２１内に貯留された粉粒体材料ｍを通過することで水分を含んだ処理ガスが、処理ガス除湿経路４１の経路途中に配設されたメインブロア３９の駆動により、循環フィルタ３７、冷却器３８を経て冷却されて、除湿側分岐管４１ｂを介して導入される。
除湿処理ゾーン３２ａに導入された処理ガスは、そこに位置するハニカムロータ３１内の吸着剤が配されたガス流通路を通過して、吸着剤により水分が吸着され、除湿済みの処理ガスとして、処理ガス供給経路４０に向けて送気される（除湿処理工程）。
処理ガス供給経路４０を送気される処理ガスは、前記流量調節バルブ４５が開状態とされている場合には、その一部がバイパス経路４４に分配されてバイパス経路４４を送気される。また、バイパス経路４４を送気されない処理ガスは、前記加熱ヒータ２７で加熱されて、処理ガス供給経路４０の下流側端部に形成された吐出口２４からホッパ本体２１内に給気される。【００４５】
除湿処理ゾーン３２ａで水分を吸着したハニカムロータ３１内の吸着剤は、ハニカムロータ３１の回転に伴い、加熱再生ゾーン３２ｂに至る。
加熱再生ゾーン３２ｂでは、再生用加熱ガス経路４３を経て前記再生用加熱ガスが導入され、水分を吸着した吸着剤が加熱乾燥されて、吸着剤の再生（水分の脱離）がなされる（加熱再生工程）。
再生用加熱ガス経路４３を経て、加熱再生ゾーン３２ｂに位置するハニカムロータ３１内の吸着剤が配されたガス流通路を通過した再生用加熱ガスは、装置外へ排気される。【００４６】
加熱再生ゾーン３２ｂで加熱再生されたハニカムロータ３１内の吸着剤は、ハニカムロータ３１の回転に伴い、冷却再生ゾーン３２ｃに至る。
冷却再生ゾーン３２ｃでは、処理ガス除湿経路４１を経て、送気される処理ガスを、冷却器３８を介して冷却し、その冷却されたガスが、分岐部４１ａで分配されて再生側分岐管４１ｃを経て導入され、加熱再生された吸着剤の冷却再生がなされる（冷却再生工程）。
このように、処理ガスを冷却するのは、メインブロア３９の保護のため、及び、上記した合成ゼオライト等の吸着剤は低温であるほどその水分吸着量が増大する特性があり、吸着剤の除湿能力（水分の吸着能力）を高めるためである。従って、冷却器３８は、メインブロア３９の上流側に配置することが好ましい。
尚、冷却器３８で冷却された処理ガスの温度は、５０℃〜７０℃程度としてもよい。
また、冷却器３８としては、水冷式や空冷式など公知の冷却器の適用が可能である。【００４７】
再生側分岐管４１ｃを経て、冷却再生ゾーン３２ｃに位置するハニカムロータ３１内の吸着剤が配されたガス流通路を通過した再生用冷却ガスは、ハニカムロータ３１の下流側の再生用冷却ガス経路４２に向けて送気され、処理ガス除湿経路４１に合流して、除湿ユニット３０に向けて送気される。【００４８】
ホッパ本体２１内の下部に位置する吐出口２４からホッパ本体２１内に給気された処理ガスは、前記したように、ホッパ本体２１内に貯留された粉粒体材料ｍの間を上方に向けて通過して、ホッパ本体２１の上方に形成された排気口２５から処理ガス除湿経路４１に送気される。処理ガス除湿経路４１に送気された処理ガスは、前記したように、循環フィルタ３７、冷却器３８を介して冷却され、除湿側分岐管４１ｂ及び再生側分岐管４１ｃを経て、それぞれ除湿処理ゾーン３２ａ及び冷却再生ゾーン３２ｃに位置するハニカムロータ３１内の吸着剤が配されたガス流通路を通過する。このように、処理ガスは、乾燥ホッパユニット２０と除湿ユニット３０との間を循環する構成とされている。
また、乾燥ホッパユニット２０と除湿ユニット３０との間を循環する処理ガスの全体の循環風量は、前記バイパス経路４４及び再生用冷却ガス経路４３の通過量も含めて、略一定に保持されている。【００４９】
尚、図１において、符号４８は、再生用加熱ヒータ３６をＯＮ／ＯＦＦ制御あるいはＰＩＤ制御するための温度検出センサである。また、符号４９は、加熱再生ゾーン３２ｂを通過した再生用加熱ガスの温度を検出するための温度検出センサである。この温度に基づいて、再生用ブロア３５の回転数を調整制御するようにしてもよい。【００５０】
上記のように、本実施形態では、除湿ユニット３０のハニカムロータ３１で除湿処理した処理ガスを、ホッパ本体２１へ供給して粉粒体材料ｍの除湿乾燥を行うので、例えば、ホッパ本体内に、加熱ヒータで加熱した外気を直接導入して粉粒体材料を乾燥する乾燥装置と比べて、加熱ヒータの小型化（低電力化）が図れたり、乾燥時間を短縮化したりできる。すなわち、外気を加熱して直接導入する構成とすれば、季節にもよるが外気の露点は高く、ホッパ本体内の粉粒体材料を乾燥するには、乾燥時間を長く必要としたり、大型の加熱ヒータが必要となったりするが、本実施形態によれば、ハニカムロータ３１で除湿処理されて露点が低くなった処理ガスを、ホッパ本体２１内へ供給することで、効率的に粉粒体材料ｍの除湿乾燥を行うことができる。【００５１】
また、ハニカムロータ３１を連続回転させることで、処理ガスの除湿処理、ハニカムロータ３１の一部の加熱再生処理、ハニカムロータ３１の一部の冷却再生処理が並列的になされるようにしているので、安定した露点の処理ガスをホッパ本体２１内へ供給できる。
すなわち、例えば、時系列的に処理ガスの除湿処理と、ハニカムロータの再生とを繰り返す構成とした場合や、複数の吸着塔を切り替えて処理ガスの除湿処理と、吸着塔の再生とを並列的に行う構成とした場合は、ホッパ本体内へ供給される処理ガスの露点を略一定とすることは困難であるが、本実施形態によれば、後記するように、より安定した略一定の露点の処理ガスをホッパ本体内へ供給することができる。【００５２】
尚、本実施形態では、除湿乾燥させるガスとして空気を適用しているが、これに限らず、水分を含んだ気体、例えば、窒素、水素、アルゴンなどのガスを除湿乾燥させて、乾燥ホッパへ導入し、粉粒体材料ｍの除湿乾燥を行うようにしてもよい。
また、上記各経路を介して送気される各ガスの温度や露点は、除湿乾燥処理する粉粒体材料ｍの種類や初期水分、ホッパ本体２１の容量、各ヒータ及び各ブロアの出力、ハニカムロータ３１の形状等に応じて、適宜、設定される。
特に、一定の低水分率とする要望が高い合成樹脂ペレット等を除湿乾燥処理する場合には、除湿された処理ガスの露点が、例えば、−１０℃〜−６０℃程度、好ましくは、−４０℃〜−５０℃となるようにしてもよい。【００５３】
さらに、本実施形態では、除湿ユニットとしてハニカム式のものを適用し、吸着体を１つのハニカムロータ３１としているが、これに限られず、例えば、除湿ユニットを複数の吸着塔を有した多塔式のものとしてもよい。このような多塔式のものでは、前記各経路と各吸着塔との切り替えを、切り替え弁により行うものや、各経路に対して各吸着塔を回転させて、各経路と各吸着塔とを順次、循環させて連通させるものがあるが、本実施形態のような処理ガスの循環経路を備え、処理ガスの除湿と供給を行い、吸着体の再生処理がなされるものであれば、適用可能である。
このような多塔式の除湿ユニットとしては、例えば、特開昭６０−１７８００９号公報や特開昭６０−１３２６２２号公報に開示がある。【００５４】
すなわち、本実施形態では、除湿処理ゾーン、加熱再生ゾーン及び冷却再生ゾーンのそれぞれに対応して配される吸着体を、１つのハニカムロータ３１で構成し、ハニカムロータの回転に伴い、仕切壁３２ｄがハニカムロータ３１に対して移動することで、ハニカムロータ３１に対して各ゾーンが順次移動し、処理ガスを除湿処理する除湿処理工程、ハニカムロータの一部を加熱再生する加熱再生工程、ハニカムロータの一部を冷却再生する冷却再生工程が並列的に実行される構成としている。一方、前記した多塔式のものでは、前記各経路と各吸着塔との切り替えを、切り替え弁によって行ったり、各経路に対して各吸着塔を回転させたりすることにより、各吸着塔のそれぞれが、各ゾーンのそれぞれを順次、構成することとなり、処理ガスを除湿処理する除湿処理工程、吸着塔を加熱再生する加熱再生工程、吸着塔を冷却再生する冷却再生工程がなされる。【００５５】
このような構成により多塔式の除湿ユニットでは、本実施形態で適用したハニカム式の除湿ユニットと比べて、露点の一定性という点では、劣るが、本実施形態を適用することで、同様の効果が得られる。
すなわち、多塔式の除湿ユニットにおいても、前記図９に基づいて説明した従来の除湿乾燥装置のように、単に、乾燥ホッパへの処理ガスの流量を増減させるようにすれば、前記したように、除湿処理後の処理ガスの露点が安定せず、不安定なものとなる。
一方、本実施形態を多塔式の除湿ユニットに適用すれば、除湿処理後の処理ガスの露点を略一定とすることは困難であるが、多塔式の除湿ユニットが本来有する安定した露点（露点は、上下に若干、波打つが、略正弦曲線を描くように推移し、周期的で安定している。）を持つ処理ガスの供給を阻害することはない。【００５６】
あるいは、除湿ユニットとして、複数のハニカムロータを備えた構成としてもよい。例えば、複数のハニカムロータを前記各経路に対して並列的に配する構成としてもよい。この場合は、複数のハニカムロータのそれぞれのゾーンに対して、各経路を分岐させることで本発明を適用することができる。
または、除湿乾燥システムとして、複数の除湿ユニットを備えた構成としてもよい。例えば、複数の除湿ユニットを前記乾燥ホッパに対して並列的に配する構成としてもよい。この場合は、処理ガス除湿経路４１をバイパス経路４４の下流側で分岐させて、各除湿ユニットが有するハニカムロータへ接続し、処理ガス供給経路４０をバイパス経路４４の上流側で分岐させて、各除湿ユニットが有するハニカムロータに接続するよう構成することで、本発明を適用することができる。【００５７】
また、本実施形態では、処理ガス供給経路４０と処理ガス除湿経路４１とを連通接続するバイパス経路４４に配設された流量調整バルブ４５は、開度制御可能なものとしているが、開度の制御ができない単なる開閉弁としてもよい。
さらに、バイパス経路４４を、一つのみ設ける構成を例示しているが、例えば、複数のバイパス経路４４を設け、それぞれのバイパス経路４４に開閉弁を配設し、全ての開閉弁が開状態で処理ガス供給経路を送気される処理ガスのうち、例えば、略半分が、それら複数のバイパス経路にそれぞれ分配されて送気されるようにしてもよい。この場合は、後記するように排気温度に基づいて、順次、開閉弁を開閉制御して、ホッパ本体２１内へ供給する処理ガスの流量を増減させるようにしてもよい。これによってもホッパ本体２１内へ供給する処理ガスの流量を漸増、漸減させることができる。
さらにまた、流量調整バルブ４５に換えて、単なる開閉弁を配設し、その開閉弁の開時における流量を小さく設定し、高速で開閉制御を行うことによって、バイパス経路４４を通過させる処理ガスの流量を漸増、漸減させるようにしてもよい。【００５８】
次に、前記構成とされた粉粒体材料の除湿乾燥システムＡにおけるホッパ本体２１へ供給する処理ガスの流量を増減させる態様の一例を図３に基づいて説明する。
図３では、ホッパ本体２１内に貯留された粉粒体材料ｍの除湿乾燥処理における３状態、すなわち、バッチ運転、連続運転、スタンバイ状態を示している。
尚、図３（ａ）、（ｂ）では、横軸は、いずれも同じ時間軸を示している。また、図３（ａ）では、ホッパ本体２１からの排気温度を、縦軸で示している。また、図３（ａ）において、実線は、ホッパ本体２１への処理ガスの流量を可変とした場合の排気温度の変化を示し、二点鎖線は、ホッパ本体２１への処理ガスの流量を一定とした場合の排気温度の変化を示し、いずれも加熱ヒータ２７をＯＮ／ＯＦＦ制御あるいはＰＩＤ制御するための給気温度の設定を同じ温度に設定した場合を図示している。
図３（ｂ）では、バイパス経路４４に設けられた流量調整バルブ４５の開度及びホッパ本体２１内に供給される処理ガスの流量を縦軸で示している。また、図３（ｂ）において、実線は、流量調整バルブ４５の開度の変化を示し、二点鎖線は、ホッパ本体２１内に供給される処理ガスの流量の変化を示している。【００５９】
この図３に示す態様では、ＣＰＵ５１は、排気温度検出センサ４７の温度検出信号に基づいて、排気温度が上限閾値を上回ったときには、流量調整バルブ４５の開度を漸増させ、排気温度が下限閾値を下回ったときには、流量調整バルブ４５の開度を漸減させるよう制御する。また、排気温度が上限閾値と下限閾値との間のときは、非干渉領域として、流量調整バルブ４５の開閉動作を停止（直前の開度を維持）させるよう制御する。このように非干渉領域を設けることで、流量調整バルブ４５の休止時間を発生させることができる。
上限閾値及び下限閾値は、ホッパ本体２１で除湿乾燥処理される粉粒体材料ｍの種類や条件等に応じて、ユーザ側で操作パネル５２を操作することにより設定し、記憶手段５３に記憶させてもよい。あるいは、予め粉粒体材料ｍの種類や条件等に応じた複数の上限閾値及び下限閾値を設定、記憶させておき操作パネル５２の操作によってユーザ側で選択できるようにしてもよい。または、粉粒体材料ｍの種類や条件等に応じて、設定温度のみを上記のように設定あるいは選択し、その設定温度に対して、所定値を加算及び減算した値を、それぞれ上限閾値及び下限閾値としてもよい。【００６０】
図において、バッチ運転は、ホッパ本体２１内に貯留された粉粒体材料ｍの除湿乾燥処理の初期の運転状態（例えば、除湿乾燥システムＡの稼動開始時など）を示し、ホッパ本体２１内には、水分を含んだ室温程度の粉粒体材料ｍが所定の貯留量となるまで投入されて、貯留されている。この貯留量は、前記したホッパ本体２１の上方部位に設けられたレベルゲージによって制御され、バッチ運転中は、粉粒体材料ｍの排出及び投入はなされず、ホッパ本体２１内の下方に位置する粉粒体材料ｍが、所定の温度、水分率となるまで除湿乾燥がなされる。
このバッチ運転の運転時間は、ホッパ本体２１の容量、粉粒体材料ｍの種類や条件、順次排出される粉粒体材料ｍの量などに応じて、適宜設定される。
すなわち、ホッパ本体２１内に貯留された粉粒体材料ｍは、ホッパ本体２１内の下部の吐出口２４から吐出された処理ガスによって、最下層に位置する粉粒体材料ｍから徐々に加熱、除湿がなされ、ホッパ本体２１内に貯留されている粉粒体材料ｍの最下部から５割〜７割程度の粉粒体材料ｍの温度が所定の温度となるように運転が続けられる。
換言すれば、少なくとも後記する連続運転開始までに、その連続運転の際に順次、最下層から排出される所定の排出量の粉粒体材料ｍの除湿乾燥が十分になされ、所定の水分率となるまでバッチ運転が続けられる。【００６１】
上記バッチ運転では、図３（ａ）に示すように、運転開始時から徐々に排気温度が高くなる。このバッチ運転開始の際、図３（ｂ）に示すように、流量調整バルブ４５は、全閉状態、すなわち、ホッパ本体２１へ供給される処理ガスの流量は最大である。換言すれば、処理ガス供給経路４０を送気される処理ガスの全てがホッパ本体２１内に供給されている。
ホッパ本体２１内に貯留されている粉粒体材料ｍの加熱、除湿が進み、排気温度が上限閾値を上回ると、流量調整バルブ４５が開動作を始める。この際、流量調整バルブ４５は、その開度が徐々に増加するように開動作する。この流量調整バルブ４５の開度が漸増することによって、ホッパ本体２１へ供給される処理ガスの流量が漸減する。すなわち、処理ガス供給経路４０を送気される処理ガスの一部がバイパス経路４４を経て、ハニカムロータ３１側へ還流される。これにより、排気温度の上昇スピードが徐々に遅くなる。【００６２】
流量調整バルブ４５の開度の漸増制御は、上限閾値を超えている限り継続され、開度が全開となった状態では、ホッパ本体２１への処理ガスの流量が最小となる。すなわち、処理ガス供給経路４０を送気される処理ガスは、略半分がバイパス経路４４へ送気され、略半分がホッパ本体２１内へ供給される。
前記のようにホッパ本体２１内に貯留された下方に位置する粉粒体材料ｍの除湿乾燥処理が十分になされると、樹脂成形機や一次貯留ホッパへ向けて所定量の粉粒体材料ｍを排出し、その排出量に応じて捕集機２６から粉粒体材料ｍを投入する連続運転に移行する。
この粉粒体材料ｍの排出及び投入は、例えば、樹脂成形機や一次貯留ホッパからの材料要求信号に基づいて、例えば、定期的に繰り返しなされる。【００６３】
上記連続運転では、粉粒体材料ｍの排出量に応じて、新たに投入された粉粒体材料ｍによって、排気温度が急激に降下する。
すなわち、ホッパ本体２１の最下部から５割〜７割程度の粉粒体材料ｍは、バッチ運転時に十分に加熱されて所定温度となっているが、上方部位に新たに投入された粉粒体材料ｍは、未だ加熱が十分にされておらず、例えば、室温程度の低温であるため、排気温度が降下する。
この降下によって、排気温度が下限閾値を下回ると、流量調整バルブ４５を閉動作させて、その開度を漸減させる。これにより、ホッパ本体２１へ供給される処理ガスの流量が漸増し、排気温度が徐々に上昇して、ホッパ本体２１内の粉粒体材料ｍの除湿乾燥がなされる。
この連続運転では、繰り返しなされる粉粒体材料ｍの排出及び投入動作に伴い、排気温度が上限閾値を上回ると流量調整バルブ４５の開度を漸増制御し、下限閾値を下回ると、その開度を漸減制御する制御がなされる。【００６４】
上記連続運転の間に、例えば樹脂成形機等からの粉粒体材料ｍの要求信号等がない等、粉粒体材料ｍの排出・投入が所定時間なされない場合は、スタンバイ状態となる。
このスタンバイ状態では、排気温度は、上限閾値と下限閾値との間の非干渉領域に留まり、流量調整バルブ４５の開度が全開、ホッパ本体２１への処理ガスの流量が最小の状態となっている。
このように流量調整バルブ４５の開度が全開とされている場合でも、前記したようにホッパ本体２１内へは、処理ガス供給経路４０を送気される処理ガスの半分程度がホッパ本体２１内へ供給される。これにより、ホッパ本体２１内の粉粒体材料ｍは、常に適温で加熱され、除湿乾燥されている状態となり、粉粒体材料ｍの排出及び投入が後に開始され、ホッパ本体２１内の粉粒体材料ｍの温度分布が崩れても、スムーズに通常状態の温度分布へ移行させることができる。【００６５】
上記のように、ホッパ本体２１内へ供給される処理ガスの流量を、排気温度に基づいて増加、減少させることで、図３（ａ）の二点鎖線に示すホッパ本体への処理ガスの流量を一定とした場合と比べて、排気温度が無駄に上昇すること防止できる。すなわち、ホッパ本体２１内に貯留されている粉粒体材料ｍを所望の水分率とするためには、ある程度の温度の処理ガスを給気する必要があり、また、その給気温度を一定に保つことが好ましい。このような場合に、稼働時間が十分に経過し、ホッパ本体２１内の下方に位置する粉粒体材料ｍの除湿処理がなされた後も同じ量の処理ガスを供給すると、排気温度が無駄に上昇し、例えば、粉粒体材料ｍに劣化（酸化、やけ、分解、変色など）が発生したり、粉粒体材料ｍに添加剤などが添加されている場合には、その添加剤が飛散したりする恐れがある。【００６６】
また、排気温度が無駄に上昇することで、処理ガス除湿経路４１に配設された冷却器３８への負荷が高くなる恐れもある。
本実施形態では、上記のように、排気温度に基づいてホッパ本体２１内へ供給される処理ガスの流量を増減させているので、上記のような問題を低減できる。
また、上記のように排気温度が所定の閾値を上回ると、ホッパ本体２１内への処理ガスの流量を減少させることで、ホッパ本体２１内へ供給する処理ガスを加熱する加熱ヒータ２７の稼働率を下げることができ、省電力化が図れる。換言すれば、前記のように、稼働時間が十分に経過し、ホッパ本体２１内の下方に位置する粉粒体材料ｍの除湿処理がなされた後も同じ流量の処理ガスを供給する場合は、ホッパ本体２１から排気される処理ガスの熱エネルギは、冷却器３８で廃棄されることとなり、エネルギの無駄が生じるが、本実施形態によれば、そのようなことを低減できる。
さらに、ホッパ本体２１内への処理ガスの流量の増減がなされても、除湿ユニット３０へ導入される処理ガスの流量は、増減されることがない。従って、除湿ユニット３０が備えるハニカムロータ３１の加熱再生処理後の冷却再生処理に影響を与えることがない。これにより、ハニカムロータ３１における吸着剤による水分の吸着及び、その再生のバランスが崩れることが無く、よって、安定した露点の処理ガスをホッパ本体２１へ向けて供給できる。【００６７】
さらにまた、本実施形態では、バイパス経路４４を通過させる処理ガスの流量を、ホッパ本体２１からの排気温度が、予め設定された上限閾値を上回ったときには、漸増させる一方、予め設定された下限閾値を下回ったときには、漸減させるようにしているので、上限閾値を上回ると、バイパス経路４４への処理ガスの流量が徐々に増加する一方、下限閾値を下回ると、バイパス経路４４への処理ガスの流量が徐々に減少する。
すなわち、排気温度が上限閾値を上回ると、ホッパ本体２１への処理ガスの流量が徐々に減少し、下限閾値を下回ると、ホッパ本体２１への処理ガスの流量が徐々に増加する。これによれば、乾燥する粉粒体材料ｍの種類や条件等に応じて予め上限閾値及び下限閾値を設定しておくことで、これら閾値に基づいて、ホッパ本体２１へ供給される処理ガスの流量が増減されるので、材料に応じた適切な乾燥が、省電力化を図りつつ効果的になされる。【００６８】
また、上記のように、ホッパ本体２１への処理ガスの流量が、漸減あるいは漸増されるので、その流量が急激に変化することがない。これにより、加熱ヒータ２７のＯＮ／ＯＦＦ制御による処理ガスの温度コントロールの追従が安定してなされる。すなわち、ホッパ本体２１への処理ガスの流量が急激に変化すると、その変化に対して、加熱ヒータ２７のＯＮ／ＯＦＦ制御による処理ガスの温度コントロールの追従がなされない恐れがあり、例えば、オーバーシュートやアンダーシュートなどが発生する恐れがあるが、本実施形態によれば、そのような恐れを低減できる。【００６９】
次に、除湿乾燥システムＡにおけるホッパ本体２１へ供給する処理ガスの流量を増減させる態様の他例を図４に基づいて説明する。
上記図３に基づいて説明した態様例と異なる点を主に説明し、同様の点については、説明を省略する。【００７０】
この図４に示す態様では、ＣＰＵ５１は、排気温度検出センサ４７の温度検出信号に基づいて、排気温度が閾値を上回ったときには、流量調整バルブ４５の開度を漸増させ、排気温度が閾値を下回ったときには、流量調整バルブ４５の開度を漸減させるよう制御する。
すなわち、上記図３に基づいて説明した態様例とは異なり、一つの閾値のみに基づいて流量調整バルブ４５の開度を制御している。
この閾値は、前記した上限閾値及び下限閾値と同様、ホッパ本体２１で除湿乾燥処理される粉粒体材料ｍの種類や条件等に応じて、ユーザ側で操作パネル５２を操作することにより設定し、記憶手段５３に記憶させてもよい。あるいは、予め粉粒体材料ｍの種類や条件等に応じた複数の閾値を設定、記憶させておき操作パネル５２の操作によってユーザ側で選択設定できるようにしてもよい。
このように、図４に示す本態様では、図３に基づいて説明した態様とは異なり、非干渉領域を設けていないので、流量調整バルブ４５は、閾値を挟んで開動作から閉動作への切り換え、あるいは閉動作から開動作への切り換えがなされる。【００７１】
尚、上記各態様例では、流量調整バルブ４５の開度を漸増及び漸減させる速さは、例えば、全閉状態から全開状態となるまで１時間〜２時間程度のゆっくりとした速さで漸増、漸減させてもよいが、ホッパ本体２１の容量、除湿乾燥する粉粒体材料ｍの種類や条件等に応じて適宜設定可能である。
また、流量調整バルブ４５の開度は、一定の速さで漸増及び漸減させるようにしてもよく、あるいは、その速さを可変としてもよい。
さらに、本実施形態では、流量調整バルブ４５の開度が全開となった際に、処理ガス供給経路４０を送気される処理ガスのうち、略半分の処理ガスがバイパス経路４４に分配されて、バイパス経路４４を送気される構成としているが、これに限られず、バイパス経路４４に分配される処理ガスの流量を、半分より多くしてもよく、あるいは半分未満としてもよい。【００７２】
次に、本実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＡにおける粉粒体材料ｍの除湿乾燥処理の一実施例を図５に基づいて説明する。
図５は、同実施例を模式的に示すタイムチャートであり、横軸は、時間軸である。また、縦軸は、排気温度（℃）、バルブ開度（度）、ホッパ本体への処理ガスの流量（ｍ３／ｈ）、露点（℃）を示している。また、各グラフは、経過時間が３６００秒の時点で上から順に、ホッパ本体への給気温度の変化、ホッパ本体からの排気温度の変化、ホッパ本体への処理ガスの流量の変化、バルブ開度の変化、除湿処理された処理ガスの露点の変化をそれぞれ示している。【００７３】
本実施例では、ホッパ本体２１に貯留され、除湿処理される粉粒体材料ｍとして、ポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ樹脂）ペレットを採用している。
ホッパ本体２１へ供給する処理ガスの温度（給気温度）が略１３０℃となるように、加熱ヒータ２７を制御している。
流量調整バルブ４５は、全閉状態から全開状態、あるいは全開状態から全閉状態となるまでの時間が約２時間となるように設定されている。また、一定の速さで開・閉動作がなされている。
ホッパ本体２１へ供給される処理ガスの流量は、流量調整バルブ４５が全開のときには、約１５ｍ３／ｈとされ、流量調整バルブ４５が全閉のときには、約４５ｍ３／ｈとされている。すなわち、流量調整バルブ４５が全開のときには、除湿ユニット３０を経て処理ガス供給経路４０を送気される処理ガスのうち、約２／３程度の流量の処理ガスがバイパス経路４４に分配されて送気されるようにしている。
排気温度の設定温度は、４０℃として、上限閾値を設定温度+３℃、すなわち４３℃に設定し、下限閾値を設定温度−３℃、すなわち３７℃に設定している。【００７４】
図に示すように、給気温度は、上記のように制御され、１３０℃をやや下回った状態の略一定温度で推移している。
排気温度は、室温程度の２５℃程度からＰＢＴ樹脂の除湿乾燥処理が進むに従い、徐々に上昇し、９０℃程度まで上昇している。
上記排気温度の上昇過程で、上限閾値である４３℃を上回ると、流量調整バルブ４５が全閉状態から開動作し、徐々にその開度が大きくなる。この流量調整バルブ４５の開動作に従い、ホッパ本体２１へ供給される処理ガスの流量は、徐々に減少している。【００７５】
排気温度は、前記図３及び図４に基づいて説明した各態様と同様、ＰＢＴ樹脂の排出・投入によって、急激に降下する。図に示すように、ＰＢＴ樹脂が排出・投入される毎に、降下と、上昇とを繰り返している（排気温度が急激に降下している経過時間にＰＢＴ樹脂の排出・投入がなされている）。
本実施例では、排気温度が下限閾値を下回る前に流量調整バルブ４５の開度が全開となっている。この状態からＰＢＴ樹脂の排出・投入に伴う排気温度の降下と上昇が繰り返されながらも、徐々に排気温度が降下し、下限閾値である３７℃を下回ると、流量調整バルブ４５が全開状態から閉動作し、徐々にその開度が小さくなる。この流量調整バルブ４５の閉動作に従い、ホッパ本体２１への処理ガスの流量は、徐々に増加する。これにより排気温度がＰＢＴ樹脂の排出・投入に伴う降下と上昇を繰り返しながらも徐々に上昇する。この排気温度の上昇過程で、上記同様、上限閾値である４３℃を上回ると、流量調整バルブ４５が全閉状態から開動作し、徐々にその開度が大きくなる。以下、同様に、排気温度に基づいて、流量調整バルブ４５の開度の漸増制御、漸減制御がなされ、ホッパ本体２１へ供給される処理ガスの流量の増減がなされている。【００７６】
以上のように、排気温度に基づいて、ホッパ本体２１へ供給する処理ガスの流量を増減させた結果、図に示すように、除湿ユニット３０で除湿処理された処理ガスの露点は、安定しており、−４５℃前後の略一定の露点で推移している。
この安定した低い露点の処理ガスをホッパ本体２１に供給することにより、ホッパ本体２１に貯留されているＰＢＴ樹脂を効率的に除湿乾燥処理できる。
また、ホッパ本体２１へ供給する処理ガスの流量を上記のように排気温度に基づいて、増減させることで、前記したように省電力化を図ることができる。【００７７】
次に、本発明に係る他の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図６は、第２実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムを模式的に示す概略説明図、図７は、同実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムの内部構成を示すブロック図である。
尚、上記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略あるいは簡略に説明する。【００７８】
本実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＢでは、バイパス経路４４を通過させる処理ガスの流量を制御するための温度検出信号を生成する温度検出センサの配設箇所が、上記第１実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＡとは異なる。
すなわち、本実施形態では、処理ガス除湿経路４１に設けた排気温度検出センサ４７に代えて、ホッパ本体２１内の上層部の温度を検出するための上層部温度検出センサ４７Ａを備えている。【００７９】
上記上層部温度検出センサ４７Ａは、ホッパ本体２１内に貯留されている粉粒体材料ｍが満レベルまで貯留されている状態において、その粉粒体材料ｍの最上層部からホッパ本体２１の上端部を閉塞する天蓋までの空間に、その検出部が臨むように配設されている。
すなわち、当該上層部温度検出センサ４７Ａは、ホッパ本体２１内に貯留されている粉粒体材料層の上方空間（以下、材料非貯留空間と略す）ｓｐの雰囲気温度を測定している。
このホッパ本体２１内の上記材料非貯留空間ｓｐの温度は、図３或いは図４に基づいて説明した上記各態様の排気温度の変化と同様、粉粒体材料ｍの排出及び投入に伴い、降下と上昇とを繰り返すようにして、上記排気温度の温度変化と略同様に推移する。
上述のように、ホッパ本体２１内の下部の吐出口２４からホッパ本体２１内に吐出された高温の処理ガスは、ホッパ本体２１内に貯留されている粉粒体材料ｍの間を上方に向けて通過し、上記排気口２５からホッパ本体２１外へ排気される。この際、該処理ガスは、ホッパ本体２１内に貯留されている粉粒体材料ｍ（特に、上層部に貯留されている十分に昇温されていない粉粒体材料や新たに投入された粉粒体材料）との熱交換がなされて、上記材料非貯留空間ｓｐの温度は、ホッパ本体２１内への新たな粉粒体材料ｍの投入によって、一旦、降下し、処理ガスの供給によって昇温されて徐々に上昇する。【００８０】
上記構成とされた本実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＢにおいても、図３或いは図４に基づいて説明した上記各態様と同様、該上層部温度検出センサ４７Ａが検出した温度検出信号に基づいて、ホッパ本体２１内に供給する処理ガスの流量を増減させている。
すなわち、図７に示すように、制御部５０のＣＰＵ５１による制御によって、上記同様、上層部温度検出センサ４７Ａが検出した温度検出信号に基づいて、流量調整バルブ４５の開度を増減制御し、ホッパ本体２１内に供給する処理ガスの流量を増減させている。
上記構成とされた本実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＢによれば、上記第１実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＡと同様の効果を奏する。【００８１】
次に、本実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムの変形例について図８に基づいて説明する。
図８（ａ）、（ｂ）は、いずれも同実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムの一変形例を模式的に示す概略一部説明図である。
尚、上記第１実施形態及び第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略あるいは簡略に説明する。
また、図８（ａ）、（ｂ）においては、除湿ユニットを図示省略しているが、上記各例と同様である。
また、以下の各変形例に係る各粉粒体材料の除湿乾燥システムの内部構成は、図７に基づいて説明した上記除湿乾燥システムＢと略同様であり、図７に参照符号を付して、その説明を省略する。【００８２】
図８（ａ）に示す第１変形例に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＣは、上記第２実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＢとは、上層部温度検出センサ４７Ｂの配設箇所が異なる。
本変形例においては、上記上層部温度検出センサ４７Ｂを、上記した例の上層部温度検出センサ４７Ａよりも、その検出部がホッパ本体２１内においてやや下方位置となるように配設している。
すなわち、図８（ａ）に示すように、当該上層部温度検出センサ４７Ｂは、ホッパ本体２１内に貯留されている粉粒体材料層の上層部の粉粒体材料層内に、その検出部が位置するように配設されており、この上層部の粉粒体材料層の温度、すなわち、実質的には、その粉粒体材料層における粉粒体材料ｎｐｍの温度を測定している。【００８３】
この上層部の粉粒体材料ｎｐｍは、上記連続運転の際に、ホッパ本体２１の下部の材料排出バルブ２３が開放されて排出された粉粒体材料ｍの排出量に応じて、捕集器２６から新たに投入された粉粒体材料である。換言すれば、粉粒体材料ｎｐｍは、ホッパ本体２１の粉粒体材料ｍの貯留レベルが下部からの排出によって低下して、捕集器２６からの材料の投入が開始される材料投入開始レベルの位置から、所定の満レベルになるまで新たに投入されて、貯留されている粉粒体材料である。【００８４】
上記のように新たに投入された粉粒体材料ｎｐｍは、投入された直後は、例えば、室温程度であり、ホッパ本体２１内に供給された処理ガスによって徐々に昇温される。この粉粒体材料ｎｐｍの温度は、上記第１実施形態で説明した排気温度及び上記例の材料非貯留空間ｓｐの温度と略同様の温度変化で推移する。
つまり、この粉粒体材料ｎｐｍの温度は、投入された直後の室温程度の温度から、処理ガスの供給による除湿乾燥処理が進むに従い、徐々に上昇する。この粉粒体材料ｎｐｍの温度を、上層部温度検出センサ４７Ｂによって測定して、上記同様、その温度検出信号に基づいて、上記流量調整バルブ４５の開度を増減制御し、ホッパ本体２１内に供給する処理ガスの流量を増減させている。
このような態様によっても上記第１実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＡと同様の効果を奏する。
また、投入された直後の粉粒体材料ｎｐｍの温度を直接、測定することにより、上記した各例よりも投入に伴う温度の降下を、迅速に検出することができる。【００８５】
図８（ｂ）に示す第２変形例に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＤは、上記第１変形例に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＣとは、上層部温度検出センサ４７Ｃの配設箇所が異なる。
すなわち、本変形例においては、上記上層部温度検出センサ４７Ｃを、上記第１変形例にて説明した上層部温度検出センサ４７Ｂよりも、その検出部がホッパ本体２１内において、さらに下方位置となるように配設している。
この上層部温度検出センサ４７Ｃは、上記バッチ運転後の連続運転時において昇温過程にある粉粒体材料層内に、その検出部が位置するように配設されており、この上層部に貯留された昇温過程にある粉粒体材料層の温度、すなわち、実質的には、その粉粒体材料層における粉粒体材料ｎｈｍの温度を測定している。【００８６】
上記昇温過程にある粉粒体材料ｎｈｍは、上記バッチ運転及び連続運転時において、未だ十分に昇温がなされていない粉粒体材料であって、上記バッチ運転において十分に昇温がなされて所定の設定温度に達した下層部の粉粒体材料ｈｍよりも低温の粉粒体材料である。
すなわち、下層部の粉粒体材料ｈｍは、図３或いは図４に基づいて説明した各態様と同様、上記連続運転への移行前に所定の温度に昇温されているが、その上層に貯留されている粉粒体材料ｎｈｍは、上記バッチ運転及び連続運転時においては、その所定の温度までは昇温されていない状態である。
つまり、ホッパ本体２１内に貯留されている粉粒体材料の温度分布は、上記下層部では略一定の設定温度となっており、該下層部の上層側では、最上層部に向けて徐々に温度が低くなるような分布となっている。換言すれば、上記下層部に貯留された粉粒体材料ｈｍは、上記バッチ運転終了時において、また、上記連続運転中には、略全量が設定温度に達している。一方、その下層部の粉粒体材料ｈｍの上層側に貯留された粉粒体材料ｎｈｍ及び新たに投入された粉粒体材料ｎｐｍは、昇温過程にあり、設定温度には達しておらず、最上層部に向けて徐々に温度が低くなるように積層されている。【００８７】
上記昇温過程にある粉粒体材料ｎｈｍの温度は、上記各例よりも高温域での変化ではあるが、粉粒体材料の排出及び投入に伴い、降下と上昇とを繰り返すように推移する。
すなわち、上記のような温度分布とされたホッパ本体２１内においては、ホッパ本体２１の下部からの下層部の粉粒体材料ｈｍの一部の排出に伴い、上記上層部温度検出センサ４７Ｄの検出部周囲には、昇温過程にある粉粒体材料ｎｈｍのうち、さらに低温の粉粒体材料が降下してくる。その降下してきた粉粒体材料ｎｈｍは、上記各例と同様、吐出口２４から供給される処理ガスによって徐々に昇温されて、その温度が徐々に上昇する。
本変形例では、この昇温過程にある粉粒体材料ｎｈｍの温度を測定し、上記同様、上記上層部温度検出センサ４７Ｄの温度検出信号に基づいて、上記流量調整バルブ４５の開度を増減制御し、ホッパ本体２１内に供給する処理ガスの流量を増減させている。
本変形例では、上記各例で説明した各閾値は、上記各例のように新たに投入された粉粒体材料による急激な温度降下がなく、また、ある程度の昇温がなされた粉粒体材料ｎｈｍの温度を測定しているので、上記した各例よりも高く設定されている。【００８８】
上記のような態様によっても上記第１実施形態に係る粉粒体材料の除湿乾燥システムＡと同様の効果を奏する。
また、特に、昇温過程にある粉粒体材料ｎｈｍの温度に基づいて、ホッパ本体２１内に供給する処理ガスの流量を増減させることで、上記各例に比べて、検出する温度変化の上下幅が小さく、より精密かつ緻密な制御を行うことができる。
また、ホッパ本体２１の下部からの排出に伴い、下層部へと移行する前の粉粒体材料ｎｈｍの温度に基づいて、上述のようにホッパ本体２１内に供給する処理ガスの流量を増減させているので、下層部の粉粒体材料ｈｍが上記所定の設定温度となるように制御することもできる。換言すれば、所定の設定温度にする必要がある下層部の粉粒体材料ｈｍの前段に位置し、昇温過程にある粉粒体材料ｎｈｍの温度に基づいて、上記のようにホッパ本体２１内に供給する処理ガスの流量を増減させることで、ホッパ本体２１内における上述のような好ましい粉粒体材料の温度分布を制御することも可能となる。【００８９】
尚、本変形例において、上記下層部の粉粒体材料ｈｍの量、上記昇温過程にある粉粒体材料ｎｈｍの量は、ホッパ本体２１の下部からの排出量や排出態様（排出頻度等）に応じて、適宜、設定される。すなわち、成形機等からの材料要求信号に応じて排出される最下層の所定量の粉粒体材料が、常に十分に除湿乾燥がなされたものとなるよう、上記下層部の粉粒体材料ｈｍ及び上記昇温過程にある粉粒体材料ｎｈｍの各量を設定すればよい。
また、上記第２実施形態及び各変形例では、ホッパ本体２１内の上層部の温度をそれぞれ検出するための各上層部温度検出センサを、ホッパ本体２１の側壁から内方に向けて設けた例を示しているが、ホッパ本体２１の天蓋から内方に向けて設けるような態様としてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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