【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が少なくとも２つの明確に区別できる溶媒の混合物を含んでなり、前記明確に区別できる溶媒の１つはケトン部位を含有せず、メチルエチルケトンとクロロベンゼンからなる溶媒成分は除外されるフォトレジスト組成物。
【請求項２】
フッ素化樹脂、光活性成分および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が３−ヘプタノン；エチル−ｎ−アミル−ケトン；エチレングリコールエチルエーテル；アミルアセテート；メチルイソ−アミルケトン；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；メチルアミルアセテート；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；エチル−ｎ−ブチルケトン；イソ−ブチルイソブチレート；２−メチル−ｌ−ペンタノール（ヘキサノール）；エチレングリコールプロピルエーテル；プロピレングリコールｔ−ブチルエーテル；メチルカプロエート；エチルカプロエート（エチルヘキサノエート）；クメン（イソプロピルベンゼン）；キシレン；アニソール；エチレングリコールエチルエーテルアセテート；１−トリデカノール；シクロヘキサノール；メシチレン；ヘキシルアセテート；ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）；ジイソブチルケトン；ジ−ｎ−プロピルカーボネート；ジアセトンアルコール；エチレングリコールブチルエーテル；およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる溶媒を含んでなるフォトレジスト組成物。
【請求項３】
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が少なくとも３つの明確に区別できる溶媒の混合物を含んでなるフォトレジスト組成物。
【請求項４】
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分がハロゲン化溶媒を含んでなり、クロロベンゼンとメチルエチルケトンからなる溶媒成分は除外されるフォトレジスト組成物。
【請求項５】
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が水を含んでなるフォトレジスト組成物。
【請求項６】
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなるフォトレジスト組成物。
【請求項７】
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分がフッ素化溶媒を含んでなるフォトレジスト組成物。
【請求項８】
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも２つの溶媒を含んでなるフォトレジスト組成物。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項のフォトレジスト組成物のコーティング層を基板に塗布し；
前記フォトレジストコーティング層を活性化放射線で露光し、そして前記露光されたレジスト層を現像する
ことを含んでなるフォトレジストレリーフ像を形成する方法。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか１項のフォトレジスト組成物のコーティング層をその上に有する基板を含んでなる製造物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
本発明は以下の態様を包含する。
（１）
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が少なくとも２つの明確に区別できる溶媒の混合物を含んでなり、前記明確に区別できる溶媒の１つはケトン部位を含有せず、メチルエチルケトンとクロロベンゼンからなる溶媒成分は除外されるフォトレジスト組成物。
（２）
前記溶媒成分がヘプタノンを含んでなる上記（１）のフォトレジスト組成物。
（３）
前記溶媒成分がシクロヘキサノンを含んでなる上記（１）または（２）のフォトレジスト組成物。
（４）
前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなる上記（１）から（３）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（５）
前記溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる上記（１）から（４）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（６）
前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも２つの溶媒を含んでなる上記（１）から（５）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（７）
前記溶媒成分がヘプタノン；エチル−ｎ−アミル−ケトン；メチルエチルケトン；エチレングリコールエチルエーテル；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート；アミルアセテート；メチルイソ−アミルケトン；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；メチルアミルアセテート；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；エチル−ｎ−ブチルケトン；イソ−ブチルイソブチレート；２−メチル−１−ペンタノール（ヘキサノール）；エチレングリコールプロピルエーテル；プロピレングリコールｔ−ブチルエーテル；メチルカプロエート；エチルカプロエート（エチルヘキサノエート）；クメン（イソプロピルベンゼン）；キシレン；アニソール；エチレングリコールエチルエーテルアセテート；１−トリデカノール；シクロヘキサノール；メシチレン；ヘキシルアセテート；ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）；ジイソブチルケトン；ジ−ｎ−プロピルカーボネート；ジアセトンアルコール；エチレングリコールブチルエーテル；およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる２つ以上の明確に区別できる溶媒を含んでなる上記（１）から（６）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（８）
前記フォトレジストが少なくとも３つの明確に区別できる溶媒を含んでなる上記（１）から（７）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（９）
フッ素化樹脂、光活性成分および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が３−ヘプタノン；エチル−ｎ−アミル−ケトン；エチレングリコールエチルエーテル；アミルアセテート；メチルイソ−アミルケトン；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；メチルアミルアセテート；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；エチル−ｎ−ブチルケトン；イソ−ブチルイソブチレート；２−メチル−ｌ−ペンタノール（ヘキサノール）；エチレングリコールプロピルエーテル；プロピレングリコールｔ−ブチルエーテル；メチルカプロエート；エチルカプロエート（エチルヘキサノエート）；クメン（イソプロピルベンゼン）；キシレン；アニソール；エチレングリコールエチルエーテルアセテート；１−トリデカノール；シクロヘキサノール；メシチレン；ヘキシルアセテート；ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）；ジイソブチルケトン；ジ−ｎ−プロピルカーボネート；ジアセトンアルコール；エチレングリコールブチルエーテル；およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる溶媒を含んでなるフォトレジスト組成物。
（１０）
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が少なくとも３つの明確に区別できる溶媒の混合物を含んでなるフォトレジスト組成物。
（１１）
前記溶媒成分がヘプタノンを含んでなる上記（１０）のフォトレジスト組成物。
（１２）
前記溶媒成分がシクロヘキサノンを含んでなる上記（１０）または（１１）のフォトレジスト組成物。
（１３）
前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなる上記（１０）から（１２）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（１４）
前記溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる上記（１０）から（１３）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（１５）
前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも２つの溶媒を含んでなる上記（１０）から（１４）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（１６）
前記溶媒成分がヘプタノン；エチル−ｎ−アミル−ケトン；エチレングリコールエチルエーテル；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート；アミルアセテート；メチルイソ−アミルケトン；メチルエチルケトン；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；メチルアミルアセテート；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；エチル−ｎ−ブチルケトン；イソ−ブチルイソブチレート；２−メチル−ｌ−ペンタノール（ヘキサノール）；エチレングリコールプロピルエーテル；プロピレングリコールｔ−ブチルエーテル；メチルカプロエート；エチルカプロエート（エチルヘキサノエート）；クメン（イソプロピルベンゼン）；キシレン；アニソール；エチレングリコールエチルエーテルアセテート；１−トリデカノール；シクロヘキサノール；メシチレン；ヘキシルアセテート；ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）；ジイソブチルケトン；ジ−ｎ−プロピルカーボネート；ジアセトンアルコール；エチレングリコールブチルエーテル；およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる３つ以上の明確に区別できる溶媒を含んでなる上記（１０）のフォトレジスト組成物。
（１７）
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分がハロゲン化溶媒を含んでなり、クロロベンゼンとメチルエチルケトンからなる溶媒成分は除外されるフォトレジスト組成物。
（１８）
前記フォトレジスト組成物がフッ素化溶媒を含んでなる上記（１７）のフォトレジスト組成物。
（１９）
前記フォトレジスト組成物がフルオロエーテル溶媒を含んでなる上記（１７）のフォトレジスト組成物。
（２０）
前記溶媒成分がヘプタノンを含んでなる上記（１７）から（１９）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（２１）
前記溶媒成分がシクロヘキサノンを含んでなる上記（１７）から（２０）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（２２）
前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなる上記（１７）から（２１）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（２３）
前記溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる上記（１７）から（２２）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（２４）
前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも２つの溶媒を含んでなる上記（１７）から（２３）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（２５）
前記溶媒成分が少なくとも３つの明確に区別できる溶媒を含んでなる上記（１７）から（２４）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（２６）
前記溶媒成分がヘプタノン；エチル−ｎ−アミル−ケトン；エチレングリコールエチルエーテル；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート；アミルアセテート；メチルイソ−アミルケトン；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；メチルアミルアセテート；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；エチル−ｎ−ブチルケトン；イソ−ブチルイソブチレート；２−メチル−ｌ−ペンタノール（ヘキサノール）；エチレングリコールプロピルエーテル；プロピレングリコールｔ−ブチルエーテル；メチルカプロエート；エチルカプロエート（エチルヘキサノエート）；クメン（イソプロピルベンゼン）；キシレン；アニソール；エチレングリコールエチルエーテルアセテート；１−トリデカノール；シクロヘキサノール；メシチレン；ヘキシルアセテート；ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）；ジイソブチルケトン；ジ−ｎ−プロピルカーボネート；ジアセトンアルコール；エチレングリコールブチルエーテル；およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる１つ以上の溶媒を含んでなる上記（１７）から（２５）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（２７）
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が水を含んでなるフォトレジスト組成物。
（２８）
水が前記組成物の全溶媒の約３パーセント以下を構成する上記（２７）のフォトレジスト組成物。
（２９）
前記溶媒成分がヘプタノンを含んでなる上記（２７）または（２８）のフォトレジスト組成物。
（３０）
前記溶媒成分がシクロヘキサノンを含んでなる上記（２７）から（２９）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（３１）
前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなる上記（２７）から（３０）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（３２）
前記溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる上記（２６）から（３１）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（３３）
前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも２つの溶媒を含んでなる上記（２７）から（３２）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（３４）
溶媒成分が少なくとも３つの明確に区別できる溶媒を含んでなる上記（２７）から（３３）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（３５）
前記溶媒成分がヘプタノン；エチル−ｎ−アミル−ケトン；メチルエチルケトン；エチレングリコールエチルエーテル；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート；アミルアセテート；メチルイソ−アミルケトン；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；メチルアミルアセテート；エチレングリコールメチルエーテルアセテート；エチル−ｎ−ブチルケトン；イソ−ブチルイソブチレート；２−メチル−１−ペンタノール（ヘキサノール）；エチレングリコールプロピルエーテル；プロピレングリコールｔ−ブチルエーテル；メチルカプロエート；エチルカプロエート（エチルヘキサノエート）；クメン（イソプロピルベンゼン）；キシレン；アニソール；エチレングリコールエチルエーテルアセテート；１−トリデカノール；シクロヘキサノール；メシチレン；ヘキシルアセテート；ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）；ジイソブチルケトン；ジ−ｎ−プロピルカーボネート；ジアセトンアルコール；エチレングリコールブチルエーテル；およびプロピレングリコールブチルエーテルからなる群から選ばれる１つ以上の溶媒を含んでなる上記（２７）から（３４）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（３６）
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分がエチルラクテートを含んでなるフォトレジスト組成物。
（３７）
前記溶媒成分がヘプタノンを含んでなる上記（３６）のフォトレジスト組成物。
（３８）
前記溶媒成分がシクロヘキサノンを含んでなる上記（３６）または（３７）のフォトレジスト組成物。
（３９）
前記溶媒成分がプロピレングリコールメチルエーテルアセテートを含んでなる上記（３６）から（３８）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（４０）
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分がフッ素化溶媒を含んでなるフォトレジスト組成物。
（４１）
フッ素化樹脂、光活性成分、および溶媒成分を含んでなり、前記溶媒成分が室温共沸物を形成することができる少なくとも２つの溶媒を含んでなるフォトレジスト組成物。
（４２）
前記溶媒成分が少なくとも３つの明確に区別できる溶媒を含んでなる上記（４１）のフォトレジスト組成物。
（４３）
前記溶媒成分が少なくとも４つの溶媒を含んでなる上記（４１）のフォトレジスト組成物。
（４４）
前記光活性成分が１つ以上のヨードニウム化合物を含んでなる上記（１）から（４３）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（４５）
前記光活性成分が１つ以上のスルホニウム化合物を含んでなる上記（１）から（４４）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（４６）
前記光活性成分がイミドスルホナート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、ジアゾスルホニル、α，α−メチレンジスルホン、ジスルホンヒドラジン、ニトロベンジル、およびジスルホニルアミンである上記（１）から（４５）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（４７）
前記フォトレジストが塩基性添加物、溶解抑制剤化合物、界面活性剤、および可塑剤の群から選ばれる１つ以上の材料を更に含んでなる上記（１）から（４６）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（４８）
前記フッ素化樹脂が、これらの式が下記に定義されているような式（Ａ）〜（Ｓ）の構造に対応する１つ以上の重合単位を含んでなる上記（１）から（４７）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（４９）
前記樹脂が下記式：
【化１】
2005509180.tif 000001
（式中、Ｘは（−ＣＨ２−）ｐ（ここで、ｐは０または１である）、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＯＣＨ２−、または−ＣＨ２Ｏ−であり；
Ｙは水素、酸素と基Ｚを連結する化学結合、（−ＣＨ２−）ｐ（ここで、ｐは１または２である）、−ＣＨ２Ｏ−、またはＣＨＲＯ−（ここで、ＲはＣ１−１６アルキルである）であり；そして
Ｚはアルキル；ジ（Ｃ１−１６）アルキルカルボキシルアリールメチル；ベンジル；フェンキル；トリ（Ｃ１−１６アルキル）炭素環式アリール；Ｃ１−１６アルキルカルボニルオキシ；ホルミル基；アセテート基；テトラヒドロピラニル；またはテトラヒドロフラニルである）
の基を含んでなる上記（１）から（４８）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（５０）
前記フッ素化樹脂がこれらの式が上記に定義されているような式（Ｐ）、（Ｑ）、（Ｒ）および／または（Ｓ）の構造に対応する１つ以上の重合単位を含んでなる上記（１）から（４９）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（５１）
前記フォトレジストがＤＢＵ；ＤＢＮ；Ｎ，Ｎ−ビス−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン；Ｎ，Ｎ−ビス−（２−ヒドロキシエチル）−２，５−ジアザビシクロ［２．２．１］ヘプタン；Ｎ−トリイソプロパノールアミン；ジブチルアミン；トリブチルアミン；任意に置換されたピペリジン；および他の任意に置換されたピペラジンである塩基性添加物を含んでなる上記（１）から（５０）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（５２）
前記フォトレジストがヒドロキシ−アルキル二級および三級アミンを含んでなる上記（１）から（５１）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（５３）
前記フォトレジストが高分子アミンを含んでなる上記（１）から（５２）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（５４）
前記フォトレジストがフッ素化溶解抑制剤を含んでなる上記（１）から（５３）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（５５）
前記溶解抑制剤がステロイドである上記（５４）のフォトレジスト組成物。
（５６）
前記フォトレジストが高分子溶解抑制剤を含んでなる上記（１）から（５５）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（５７）
前記フォトレジストが可塑剤材料を含んでなる上記（１）から（５６）のいずれかのフォトレジスト組成物。
（５８）
前記可塑剤が１つ以上の酸素あるいは硫黄原子を含んでなる上記（５７）のフォトレジスト組成物。
（５９）
前記可塑剤がアジペート、セバケート、フタレートまたはポリ（エチレングリコール）である上記（５７）または（５８）のフォトレジスト組成物。
（６０）
上記（１）から（５９）のいずれかのフォトレジスト組成物のコーティング層を基板に塗布し；
前記フォトレジストコーティング層を活性化放射線で露光し、そして前記露光されたレジスト層を現像する
ことを含んでなるフォトレジストレリーフ像を形成する方法。
（６１）
前記フォトレジストコーティング層が約２００ｎｍ未満の波長を有する放射線に露光される上記（６０）の方法。
（６２）
前記フォトレジストコーティング層が約１７０ｎｍ未満の波長を有する放射線に露光される上記（６０）の方法。
（６３）
前記フォトレジストコーティング層が約１５７ｎｍの波長を有する放射線に露光される上記（６０）の方法。
（６４）
上記（１）から（５９）のいずれかのフォトレジスト組成物のコーティング層をその上に有する基板を含んでなる製造物品。
（６５）
前記基板がマイクロエレクトロニクスウエハー基板である上記（６４）の物品。
（６６）
前記基板がオプトエレクトロニクスデバイス基板である上記（６４）の物品。
本発明の前出の説明は本発明を単に例示するものであり、そして特許請求の範囲で示されるような本発明の精神と範囲から逸脱せずに変形と改変を行うことができることは理解される。