(57)【要約】  半導体レーザ１からの出射光は液晶回折光学素子２ａを０次光として透過し、ディスク５に集光される。ディスク５からの反射光は液晶回折光学素子２ａで±１次回折光として回折され、光検出器６ａ、６ｂで受光される。ディスク５への情報の記録時、半導体レーザ１の側から液晶回折光学素子２ａへ入射した光が高い効率で液晶回折光学素子２ａから対物レンズ４の側へ出射される。ディスク５からの情報の再生時、対物レンズ４の側から液晶回折光学素子２ａへ入射した光がその偏光状態に依存せずに高い効率で液晶回折光学素子２ａから光検出器６ａ、６ｂの側へ出射されるように、液晶回折光学素子２ａが駆動される。
2008126512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マーク部とスペース部との反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体に、光源から出射される出射光を集光する集光手段と、
前記光記録媒体からの反射光を受光する光検出手段と、
前記出射光と前記反射光とを分離する光分離手段と
を具備し、
前記光源側から前記光分離手段へ入射する光の光量に対する前記光分離手段から前記集光手段側へ出射する光の光量の比率を往路の比率とし、前記集光手段側から前記光分離手段へ入射する光の光量に対する前記光分離手段から前記光検出手段側へ出射する光の光量の比率を復路の比率とするとき、
前記光分離手段は、その特性を前記往路の比率が第１の値である第１状態と、前記往路の比率が前記第１の値より小さい第２の値である第２状態とに切り替え可能であり、
前記光分離手段の特性が前記第２状態のときの前記復路の比率は、前記集光手段側から前記光分離手段へ入射する光の偏光状態に実質的に依存せずに定まる
光ヘッド装置。
【請求項２】
前記光分離手段は、
液晶高分子層と、
前記液晶高分子層に交流電圧を印加するための電極と
を有する回折光学素子を備える
請求の範囲１に記載の光ヘッド装置。
【請求項３】
前記液晶高分子層は、
前記第１状態のときに前記液晶高分子層に入射する入射光の光軸に平行な方向に配向し、前記第２状態のときに前記液晶高分子層に入射する入射光の光軸に垂直でランダムな方向に配向する液晶高分子を含む
請求の範囲２に記載の光ヘッド装置。
【請求項４】
請求の範囲１から請求の範囲３のいずれかに記載の光ヘッド装置と、
動作状態に応じて前記光分離手段の特性を前記第１状態と前記第２状態との間で切り替えるように前記光分離手段を駆動する駆動回路と
を具備する光学式情報記録再生装置。
【請求項５】
前記駆動回路は、前記光記録媒体へ情報を記録するときに前記光分離手段を駆動してその特性を前記第１状態とし、前記光記録媒体から情報を再生するときに前記光分離手段を駆動してその特性を前記第２状態とする
請求の範囲４に記載の光学式情報記録再生装置。
【請求項６】
請求の範囲１から請求の範囲３のいずれかに記載の光ヘッド装置と、
前記光分離手段を駆動する駆動回路と
を備える光学式情報記録再生装置によって情報を記録再生する光学式情報記録再生方法であって、
前記光記録媒体へ情報を記録する場合に、前記駆動回路により前記光分離手段を駆動して前記光分離手段の特性を前記第１状態にするステップと、
前記光記録媒体から情報を再生する場合に、前記駆動回路により前記光分離手段を駆動して前記光分離手段の特性を前記第２状態にするステップと
を具備する
光学式情報記録再生方法。
【請求項７】
マーク部とスペース部との反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体に、光源から出射される出射光を集光手段により集光するステップと、
前記光記録媒体からの反射光を光検出手段により受光するステップと、
光分離手段により前記出射光と前記反射光とを分離する分離ステップと
を具備し、
前記光源側から前記光分離手段へ入射する光の光量に対する前記光分離手段から前記集光手段側へ出射する光の光量の比率を往路の比率とし、前記集光手段側から前記光分離手段へ入射する光の光量に対する前記光分離手段から前記光検出手段側へ出射する光の光量の比率を復路の比率とするとき、
前記分離ステップは、
前記光記録媒体へ情報を記録するとき、前記往路の比率を第１の値として前記出射光と前記反射光とを分離する第１分離ステップと、
前記光記録媒体から情報を再生するとき、前記往路の比率を前記第１の値より小さい第２の値とし、前記集光手段側から前記光分離手段へ入射する光の偏光状態に実質的に依存せずに前記復路の比率を定めて前記出射光と前記反射光とを分離する第２分離ステップとを含む
光学式情報記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マーク部とスペース部の反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体を使用対象とする光ヘッド装置、ならびにそれを用いた光学式情報記録再生装置および光学式情報記録再生方法に関する。なお、本出願は、日本出願番号２００７−８５２７６に基づく優先権を主張するものであり、日本出願番号２００７−８５２７６における開示内容は引用により本出願に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
光記録媒体には、ＣＤ−Ｒ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ-Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）、ＣＤ−ＲＷ（ＣＤ−ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）、ＤＶＤ−Ｒ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ−Ｒ）、ＤＶＤ−ＲＷのような、マーク部とスペース部の反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体がある。光記録媒体に対して記録および再生を行うための光ヘッド装置は、光源からの出射光と光記録媒体からの反射光を分離する光分離部を有している。マーク部とスペース部との反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体を使用対象とする光ヘッド装置の光学系は、この光分離部の特性により偏光光学系と無偏光光学系に分けられる。偏光光学系においては、光分離部は、光源の側から入射した光である偏光方向が特定方向に平行な直線偏光を高い効率で対物レンズの側へ出射すると共に、対物レンズの側から入射した光である偏光方向が特定方向に垂直な直線偏光を高い効率で光検出器の側へ出射する特性を有する。一方、無偏光光学系においては、光分離部は、光源の側から入射した光をその偏光状態に実質的に依存せずに所定の効率で対物レンズの側へ出射すると共に、対物レンズの側から入射した光をその偏光状態に実質的に依存せずに所定の効率で光検出器の側へ出射する特性を有する。【０００３】
光分離部としては、例えば、光源の側から入射した光を透過させて対物レンズの側へ出射すると共に、対物レンズの側から入射した光を回折させて光検出器の側へ出射する回折光学素子が用いられる。図１に、マーク部とスペース部との反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体を使用対象とし、光分離部として回折光学素子を用いた従来の光ヘッド装置の例が示される。光源である半導体レーザ２２からの出射光は、光分離部である回折光学素子２３へ入射し、回折光学素子２３を０次光として透過し、１／４波長板２４を透過し、対物レンズ２５で発散光から収束光へ変換され、光記録媒体であるディスク２６内に集光される。また、ディスク２６からの反射光は、対物レンズ２５で発散光から収束光へ変換され、１／４波長板２４を透過して回折光学素子２３へ入射し、回折光学素子２３で±１次回折光として回折され、光検出器２７ａおよび光検出器２７ｂで受光される。【０００４】
図１に示される光ヘッド装置の光学系が偏光光学系である場合、回折光学素子２３として、効率が入射光の偏光状態に依存する回折光学素子が用いられる。この回折光学素子は、例えば、入射光である偏光方向が特定方向に平行な直線偏光のほぼ１００％を０次光として透過させると共に、入射光である偏光方向が特定方向に垂直な直線偏光の約８１％を±１次回折光として回折させる。半導体レーザ２２からの出射光は、偏光方向が特定方向に平行な直線偏光として回折光学素子２３へ入射し、０次光としてほぼ１００％が透過してディスク２６へ向かう。また、１／４波長板２４の働きにより、ディスク２６からの反射光は、偏光方向が特定方向に垂直な直線偏光として回折光学素子２３へ入射し、±１次回折光としてそれぞれ約４０．５％が回折されて光検出器２７ａおよび光検出器２７ｂへ向かう。【０００５】
一方、図１に示される光ヘッド装置の光学系が無偏光光学系である場合、回折光学素子２３として、効率が入射光の偏光状態に依存しない回折光学素子が用いられる。この回折光学素子は、例えば、入射光の約５０％をその偏光状態に依存せずに０次光として透過させると共に、入射光の約４０．５％をその偏光状態に依存せずに±１次回折光として回折させる。半導体レーザ２２からの出射光は、回折光学素子２３へ入射し、０次光として約５０％が透過してディスク２６へ向かう。また、ディスク２６からの反射光は、回折光学素子２３へ入射し、±１次回折光としてそれぞれ約２０．３％が回折されて光検出器２７ａおよび光検出器２７ｂへ向かう。【０００６】
図１に示される光ヘッド装置においては、光記録媒体であるディスク２６への情報の記録時と光記録媒体であるディスク２６からの情報の再生時とで、光分離部である回折光学素子２３の特性は同じである。これに対し、光記録媒体への情報の記録時と光記録媒体からの情報の再生時とで、光分離部の特性を切り替える光ヘッド装置が特開平５−１０９１１１号公報に記載されている。この光ヘッド装置は、光磁気ディスクのような、マーク部とスペース部との磁化の向きの違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体を使用対象とする光ヘッド装置である。【０００７】
図２に、特開平５−１０９１１１号公報に記載の光ヘッド装置の構成が示される。光源である半導体レーザ２２からの出射光は、光分離部である液晶回折光学素子２８へ入射し、液晶回折光学素子２８を０次光として透過し、ファラデー回転子２９を透過し、対物レンズ２５で発散光から収束光へ変換され、光記録媒体であるディスク２６に集光される。また、ディスク２６からの反射光は、対物レンズ２５で発散光から収束光へ変換され、ファラデー回転子２９を透過して液晶回折光学素子２８へ入射し、液晶回折光学素子２８で±１次回折光として回折され、光検出器２７ａおよび光検出器２７ｂで受光される。【０００８】
図３は液晶回折光学素子２８の断面図である。液晶回折光学素子２８は、基板３０ａと基板３０ｂとの間に液晶高分子層３２を挟んだ構成である。基板３０ａの液晶高分子層３２側の面、基板３０ｂの液晶高分子層３２側の面には、液晶高分子層３２に交流電圧を印加するための電極３１ａ、電極３１ｂがそれぞれ形成されている。電極３１ａは全面電極であり、電極３１ｂは回折格子を構成するパタン電極である。【０００９】
ディスク２６への情報の記録時には、液晶高分子層３２に約３Ｖの交流電圧が印加される。このとき、液晶回折光学素子２８は、偏光方向が図の紙面に平行な直線偏光を殆んど回折させず、偏光方向が図の紙面に垂直な直線偏光の３０％強を±１次回折光として回折させる。一方、ディスク２６からの情報の再生時には、液晶高分子層３２に約６Ｖの交流電圧が印加される。このとき、液晶回折光学素子２８は、偏光方向が図の紙面に平行な直線偏光の４０％強を±１次回折光として回折させ、偏光方向が図の紙面に垂直な直線偏光の約２０％を±１次回折光として回折させる。【００１０】
また、特開２００１−３１９３６７号公報には、偏光面制御部と、回折部とを光学系に備える情報記録再生装置が記載されている。この情報記録再生装置は、記録時、光源から出射されるレーザビームを情報信号で変調した後、光学系を介して光記録媒体に照射して情報信号を記録する。再生時には、情報記録再生装置は、光源から出射された強度一定のレーザビームを光記録媒体に光学系を介して照射し、光学系を介して光記録媒体の反射光を光検出部で検出して記録情報信号を再生する。偏光面制御部は、光源から出射されたレーザビームの偏光面を、再生時と記録時とで互いに直交するように制御する。回折部は、偏光面制御部により偏光面が制御されたレーザビームが入射される。回折部は、再生時は特定の偏光面のレーザビームを回折することにより、光記録媒体の任意のメイントラックにメインビームを照射し、メイントラックの両側に隣接する２つの隣接トラック又はメイントラックと隣接トラックの間に、２本のサブビームで別々に照射する計３本のレーザビームを取り出して光記録媒体に照射する。記録時、回折部は、光記録媒体に１本の記録用レーザビームを照射する。【００１１】
さらに、特開２００２−２６０２７２号公報には、光源と光集光部と光分離部と光検出部と光結合効率可変部とを備えた光ヘッド装置が記載されている。光源は、光ビームを出射し、光集光部は、その光源からの光ビームを光記録媒体に供給する。光分離部は、光源から出射された光ビームと光記録媒体からの反射光ビームとを分離する。光検出部は、光分離部によって分離された光記録媒体からの反射光ビームを受光する。光源から出射する光ビームの総光量に対する光記録媒体上に集光する光量の比率である光結合効率を変化させることが可能な光結合効率可変部は、光源と光分離部との間に設けられる。【００１２】
光記録媒体は保護層を有し、その保護層には通常は安価なポリカーボネートが用いられるが、ポリカーボネートは複屈折を有する。光記録媒体の保護層は、通常は二軸の屈折率異方性を有している。三つの主軸をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸とすると、Ｘ軸、Ｙ軸が光記録媒体の法線方向に垂直となり、Ｚ軸が光記録媒体の法線方向に平行となるようにＸＹＺ座標を定めることができる。三つの主軸に対応する三つの主屈折率をｎｘ、ｎｙ、ｎｚとすると、面内複屈折の値は、Δｎｉ＝ｎｘ−ｎｙ、垂直複屈折の値は、Δｎｖ＝（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚと定義することができる。【００１３】
マーク部とスペース部との反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体を使用対象とする光ヘッド装置において、光ヘッド装置の光学系を偏光光学系とする場合、光源の側から光分離部へ入射した光は、高い効率で光分離部から対物レンズの側へ出射されるため、記録時の対物レンズからの出射光量が多く、記録時に高い光出力が得られる。また、光記録媒体の保護層に複屈折がなければ、対物レンズの側から光分離部へ入射した光は、高い効率で光分離部から光検出器の側へ出射されるため、再生時の光検出器における受光量が多く、再生時に高い信号対雑音比が得られる。しかし、光記録媒体の保護層に面内複屈折または垂直複屈折があると、対物レンズの側から光分離部へ入射した光が光分離部から光検出器の側へ出射される際の効率が低下するため、再生時の光検出器における受光量が低下し、再生時に得られる信号対雑音比が低下する。【００１４】
図４に、光源の波長が４０５ｎｍ、光記録媒体の保護層の厚さが０．６ｍｍの場合の、光記録媒体の保護層の面内複屈折の値と光検出器における受光量との関係の計算例が示される。図の縦軸は、面内複屈折の値が０の場合の受光量で規格化された相対受光量である。面内複屈折の値の絶対値が増加するに従って相対受光量は減少し、面内複屈折の値の絶対値が１×１０−４の場合の相対受光量は０．４以下になることがわかる。【００１５】
一方、マーク部とスペース部との反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体を使用対象とする光ヘッド装置において、光学系を無偏光光学系とする場合、光記録媒体の保護層に面内複屈折または垂直複屈折があっても、対物レンズの側から光分離部へ入射した光が光分離部から光検出器の側へ出射される際の効率は変化しない。そのため、再生時の光検出器における受光量は変化せず、再生時に得られる信号対雑音比は変化しない。しかし、光源の側から光分離部へ入射した光が光分離部から対物レンズの側へ出射される際の効率を高く設計すると、記録時の対物レンズからの出射光量が多く、記録時に高い光出力が得られるが、対物レンズの側から光分離部へ入射した光が光分離部から光検出器の側へ出射される際の効率は低くなる。そのため、再生時の光検出器における受光量は低下し、再生時に得られる信号対雑音比は低下する。また、対物レンズの側から光分離部へ入射した光が光分離部から光検出器の側へ出射される際の効率を高く設計すると、再生時の光検出器における受光量が多く、再生時に高い信号対雑音比が得られるが、光源の側から光分離部へ入射した光が光分離部から対物レンズの側へ出射される際の効率は低くなる。そのため、記録時の対物レンズからの出射光量は低下し、記録時に得られる光出力は低下する。すなわち、記録時に得られる光出力と再生時に得られる信号対雑音比は両立しない。【００１６】
さらに、図２に示される光ヘッド装置は、マーク部とスペース部の磁化の向きの違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体を使用対象とする光ヘッド装置である。この光ヘッド装置をマーク部とスペース部との反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体に適用した場合、記録時に光源の側から光分離部へ入射した光が光分離部から対物レンズの側へ出射される際の効率は高いため、記録時の対物レンズからの出射光量は多く、記録時に得られる光出力は高い。しかし、再生時に対物レンズの側から光分離部へ入射した光が光分離部から光検出器の側へ出射される際の効率は低いため、再生時の光検出器における受光量は少なく、再生時に得られる信号対雑音比は低い。
【発明の開示】
【００１７】
本発明の目的は、光記録媒体への情報の記録時には高い光出力が得られ、光記録媒体からの情報の再生時には光記録媒体の保護層に複屈折があっても高い信号対雑音比が得られる光ヘッド装置、ならびにそれを用いた光学式情報記録再生装置および光学式情報記録再生方法を提供することにある。
【００１８】
本発明の観点では、光ヘッド装置は、対物レンズと、光検出器と、光分離部とを具備する。対物レンズは、マーク部とスペース部との反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体に、光源から出射される出射光を集光する。光検出器は、光記録媒体からの反射光を受光する。光分離部は、出射光と反射光とを分離する。ここで、光源側から光分離部へ入射する光の光量に対する光分離部から対物レンズ側へ出射する光の光量の比率を往路の比率とし、対物レンズ側から光分離部へ入射する光の光量に対する光分離部から光検出器側へ出射する光の光量の比率を復路の比率とする。光分離部は、その特性を往路の比率が第１の値である第１状態と、往路の比率が第１の値より小さい第２の値である第２状態とに切り替え可能である。光分離部が第２状態のときの復路の比率は、対物レンズ側から光分離部へ入射する光の偏光状態に実質的に依存せずに定まる。
【００１９】
また、本発明の他の観点では、光学式情報記録再生方法は、上記の光ヘッド装置と、光分離部を駆動する駆動回路とを備える光学式情報記録再生装置において情報を記録再生する光学式情報記録再生方法である。この光学式情報記録再生方法では、光記録媒体へ情報を記録する場合には、駆動回路により光分離部を駆動して光分離部の特性を第１状態とし、光記録媒体から情報を再生する場合には、駆動回路により光分離部を駆動して光分離部の特性を第２状態とする。
【００２０】
また、本発明の他の観点では、光学式情報記録再生方法は、集光するステップと、受光するステップと、分離ステップとを具備する。集光するステップでは、光源から出射される出射光は、マーク部とスペース部との反射率の違いにより情報の記録再生が行われる光記録媒体に対物レンズにより集光される。受光するステップでは、光記録媒体からの反射光は、光検出器により受光される。分離ステップでは、光分離部により出射光と反射光とが分離される。そして、分離ステップは、光記録媒体へ情報を記録するときの第１分離ステップと、光記録媒体から情報を再生するときの第２分離ステップとを含む。第１分離ステップでは、往路の比率を第１の値として出射光と反射光とが分離される。第２分離ステップでは、往路の比率を第１の値より小さい第２の値として出射光と反射光とが分離される。ここで、往路の比率は、光源側から光分離部へ入射する光の光量に対する光分離部から対物レンズ側へ出射する光の光量の比率である。また、復路の比率は、対物レンズ側から光分離部へ入射する光の光量に対する光分離部から光検出器側へ出射する光の光量の比率である。この復路の比率は、対物レンズ側から光分離部へ入射する光の偏光状態に実質的に依存せずに定まる。
【００２１】
本発明の光ヘッド装置、ならびにそれを用いた光学式情報記録再生装置および光学式情報記録再生方法においては、光記録媒体への情報の記録時には、光源の側から光分離部へ入射した光が高い効率で光分離部から対物レンズの側へ出射されるように光分離部の特性を設定する。このとき、記録時の対物レンズからの出射光量は多いため、記録時に高い光出力が得られる。一方、光記録媒体からの情報の再生時には、対物レンズの側から光分離部へ入射した光がその偏光状態に実質的に依存せずに高い効率で光分離部から光検出器の側へ出射されるように光分離部の特性を設定する。このとき、光記録媒体の保護層に複屈折がなければ、再生時の光検出器における受光量は多いため、再生時に高い信号対雑音比が得られる。また、光記録媒体の保護層に面内複屈折や垂直複屈折があっても、再生時の光検出器における受光量は変化しないため、再生時に得られる信号対雑音比は変化しない。すなわち、光記録媒体の保護層に複屈折があっても、再生時に高い信号対雑音比が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
上記発明の目的、効果、特徴は、添付される図面と連携して実施の形態の記述から、より明らかになる。
【図１】図１は、従来の光ヘッド装置（光分離部：回折光学素子）の構成例を示す図である。
【図２】図２は、従来の光ヘッド装置（光分離部の特性切替）の構成例を示す図である。
【図３】図３は、従来の光ヘッド装置の液晶回折光学素子の断面図である。
【図４】図４は、光記録媒体の保護層の面内複屈折の値と光検出器における受光量との関係の計算例を示す図である。
【図５】図５は、本発明の第一の実施の形態に係る光ヘッド装置の構成を示す図である。
【図６】図６Ａ〜６Ｂは、本発明の第一の実施の形態に係る光ヘッド装置の液晶回折光学素子の断面図である。
【図７】図７Ａ〜７Ｂは、本発明の第二の実施の形態に係る光ヘッド装置の液晶回折光学素子の断面図である。
【図８】図８Ａ〜８Ｂは、本発明の第三の実施の形態に係る光ヘッド装置の液晶回折光学素子の断面図である。
【図９】図９Ａ〜９Ｂは、本発明の第一〜第三の実施の形態に係る光ヘッド装置の光検出器の受光部と受光部上に形成される光スポットを示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第四の実施の形態に係る光学式情報記録再生装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。【００２４】
図５に、本発明の第一の実施の形態に係る光ヘッド装置の構成が示される。光ヘッド装置６０は、半導体レーザ１、液晶回折光学素子２ａ、１／４波長板３、対物レンズ４、光検出器６ａ、６ｂを具備する。光源である半導体レーザ１からの出射光は、光分離部である液晶回折光学素子２ａへ入射し、液晶回折光学素子２ａを０次光として透過し、１／４波長板３を透過し、対物レンズ４で発散光から収束光へ変換され、光記録媒体であるディスク５に集光される。また、ディスク５からの反射光は、対物レンズ４で発散光から収束光へ変換され、１／４波長板３を透過して液晶回折光学素子２ａへ入射し、液晶回折光学素子２ａで±１次回折光として回折され、光検出器６ａおよび光検出器６ｂで受光される。  図６Ａ〜６Ｂは、液晶回折光学素子２ａの断面図である。液晶回折光学素子２ａは、基板７ａと基板７ｂとの間に液晶高分子層９ａと充填材１０ａとを挟み、基板７ｂと基板７ｃとの間に液晶高分子層９ｂと充填材１０ｂとを挟んだ構成である。基板７ａの液晶高分子層９ａ側の面、基板７ｂの液晶高分子層９ａ側の面には、液晶高分子層９ａに交流電圧を印加するための電極８ａ、電極８ｂがそれぞれ形成されている。基板７ｂの液晶高分子層９ｂ側の面、基板７ｃの液晶高分子層９ｂ側の面には、液晶高分子層９ｂに交流電圧を印加するための電極８ｃ、電極８ｄがそれぞれ形成されている。電極８ａ〜電極８ｄはいずれも全面電極である。図中の矢印は、液晶高分子層９ａ、液晶高分子層９ｂの液晶高分子の長手方向を示している。液晶高分子層９ａ、液晶高分子層９ｂは、光学軸の方向が液晶高分子の長手方向である一軸の屈折率異方性を有している。液晶高分子の長手方向に平行な方向の偏光成分（異常光成分）に対する屈折率をｎｅ、長手方向に垂直な方向の偏光成分（常光成分）に対する屈折率をｎｏとすると、ｎｅはｎｏに比べて大きい。また、充填剤１０ａ、充填材１０ｂの屈折率はいずれもｎｏである。充填材１０ａ、充填材１０ｂは、いずれもライン部の幅とスペース部の幅とが等しい矩形状の断面形状を有する回折格子を構成している。ここで、充填材１０ａ、充填材１０ｂが構成する回折格子の深さをそれぞれｈａ、ｈｂとする。【００２５】
液晶高分子層９ａに印加される交流電圧の実効値を０Ｖ、液晶高分子層９ｂに印加される交流電圧の実効値を５Ｖとした場合、図６Ａに示されように、液晶高分子層９ａの液晶高分子の長手方向は、入射光の光軸に垂直で図の紙面に垂直な方向となり、液晶高分子層９ｂの液晶高分子の長手方向は、入射光の光軸に平行な方向となる。従って、入射光が直線偏光であり、その偏光方向が図の紙面に平行である場合、入射光に対する液晶高分子層９ａ、液晶高分子層９ｂの屈折率はそれぞれｎｏ、ｎｏとなる。このため、充填材１０ａが構成する回折格子、充填材１０ｂが構成する回折格子は、いずれも回折作用を有しない。また、入射光が直線偏光であって、その偏光方向が図の紙面に垂直である場合、入射光に対する液晶高分子層９ａ、液晶高分子層９ｂの屈折率はそれぞれｎｅ、ｎｏとなる。このため、充填材１０ａが構成する回折格子は回折作用を有するが、充填材１０ｂが構成する回折格子は回折作用を有しない。ここで、ｈａ＝０．５λ／（ｎｅ−ｎｏ）（λは入射光の波長）となるようにｈａを定めると、充填材１０ａが構成する回折格子における０次光の透過率は０％、±１次回折光の回折効率はそれぞれ４０．５％となる。【００２６】
これに対し、液晶高分子層９ａに印加される交流電圧の実効値を５Ｖ、液晶高分子層９ｂに印加される交流電圧の実効値を０Ｖとした場合、図６Ｂに示されるように、液晶高分子層９ａの液晶高分子の長手方向は、入射光の光軸に平行な方向となり、液晶高分子層９ｂの液晶高分子の長手方向は、入射光の光軸に垂直で液晶高分子毎にランダムな方向となる。従って、入射光の偏光状態に依存せず、入射光に対する液晶高分子層９ａ、液晶高分子層９ｂの屈折率はそれぞれｎｏ、［（２ｎｏ２＋ｎｅ２）／３］１／２となる。このため、充填材１０ｂが構成する回折格子は回折作用を有するが、充填材１０ａが構成する回折格子は回折作用を有しない。ここで、ｎｒ＝［（２ｎｏ２＋ｎｅ２）／３］１／２とし、ｈｂ＝０．３９８λ／（ｎｒ−ｎｏ）（λは入射光の波長）となるようにｈｂを定めると、充填材１０ｂが構成する回折格子における０次光の透過率は１０％、±１次回折光の回折効率はそれぞれ３６．５％となる。【００２７】
ディスク５への情報の記録時には、液晶高分子層９ａに印加される交流電圧の実効値を０Ｖ、液晶高分子層９ｂに印加される交流電圧の実効値を５Ｖとする。このとき、半導体レーザ１からの出射光は、偏光方向が図の紙面に平行な直線偏光として液晶回折光学素子２ａへ入射し、ほぼ１００％が０次光として透過してディスク５へ向かう。また、ディスク５の保護層に複屈折がなければ、１／４波長板３の働きにより、ディスク５からの反射光は、偏光方向が図の紙面に垂直な直線偏光として液晶回折光学素子２ａへ入射し、±１次回折光としてそれぞれ約４０．５％が回折されて光検出器６ａおよび光検出器６ｂへ向かう。その結果、半導体レーザ１の側から液晶回折光学素子２ａへ入射した光が、液晶回折光学素子２ａから対物レンズ４の側へ高い効率で出射されるため、記録時の対物レンズ４からの出射光量が多く、記録時に高い光出力が得られる。【００２８】
一方、ディスク５からの情報の再生時には、液晶高分子層９ａに印加される交流電圧の実効値を５Ｖ、液晶高分子層９ｂに印加される交流電圧の実効値を０Ｖとする。このとき、半導体レーザ１からの出射光は、液晶回折光学素子２ａへ入射し、その偏光状態に依存せずに約１０％が０次光として透過してディスク５へ向かう。また、ディスク５からの反射光は、液晶回折光学素子２ａへ入射し、その偏光状態に依存せずに±１次回折光としてそれぞれ約３６．５％が回折されて光検出器６ａおよび光検出器６ｂへ向かう。その結果、対物レンズ４の側から液晶回折光学素子２ａへ入射した光が、その偏光状態に依存せずに液晶回折光学素子２ａから光検出器６ａおよび光検出器６ｂの側へ高い効率で出射される。そのため、ディスク５の保護層に複屈折がなければ、再生時の光検出器６ａおよび光検出器６ｂにおける受光量は多く、再生時に高い信号対雑音比が得られる。また、ディスク５の保護層に面内複屈折や垂直複屈折があっても、再生時の光検出器６ａおよび光検出器６ｂにおける受光量は変化せず、再生時に得られる信号対雑音比は変化しない。すなわち、ディスク５の保護層に複屈折があっても、再生時に高い信号対雑音比が得られる。【００２９】
本発明の光ヘッド装置の第二の実施の形態は、第一の実施の形態における液晶回折光学素子２ａを液晶回折光学素子２ｂに置き換えたものであり、その構成は図５に示されるものと同じである。【００３０】
図７Ａ〜７Ｂは、液晶回折光学素子２ｂの断面図である。液晶回折光学素子２ｂは、基板７ｄと基板７ｅとの間に液晶高分子層９ｃと充填材１０ｃとを挟み、基板７ｅと基板７ｆとの間に液晶高分子層９ｄと充填材１０ｄとを挟んだ構成である。基板７ｄの液晶高分子層９ｃ側の面、基板７ｅの液晶高分子層９ｃ側の面には、液晶高分子層９ｃに交流電圧を印加するための電極８ｅ、電極８ｆがそれぞれ形成されている。基板７ｅの液晶高分子層９ｄ側の面、基板７ｆの液晶高分子層９ｄ側の面には、液晶高分子層９ｄに交流電圧を印加するための電極８ｇ、電極８ｈがそれぞれ形成されている。電極８ｅ〜電極８ｈはいずれも全面電極である。図中の矢印は、液晶高分子層９ｃ、液晶高分子層９ｄの液晶高分子の長手方向を示している。液晶高分子層９ｃ、液晶高分子層９ｄは、光学軸の方向が液晶高分子の長手方向である一軸の屈折率異方性を有している。液晶高分子の長手方向に平行な方向の偏光成分（異常光成分）に対する屈折率をｎｅ、長手方向に垂直な方向の偏光成分（常光成分）に対する屈折率をｎｏとすると、ｎｅはｎｏに比べて大きい。また、充填剤１０ｃ、充填材１０ｄの屈折率はいずれもｎｏである。充填材１０ｃ、充填材１０ｄは、いずれもライン部の幅とスペース部の幅とが等しい矩形状の断面形状を有する回折格子を構成している。ここで、充填材１０ｃ、充填材１０ｄが構成する回折格子の深さをそれぞれｈｃ、ｈｄとする。【００３１】
液晶高分子層９ｃに印加される交流電圧の実効値を０Ｖ、液晶高分子層９ｄに印加される交流電圧の実効値を５Ｖとした場合、図７Ａに示されるように、液晶高分子層９ｃの液晶高分子の長手方向は、入射光の光軸に垂直で液晶高分子毎にランダムな方向となり、液晶高分子層９ｄの液晶高分子の長手方向は、入射光の光軸に平行な方向となる。従って、入射光の偏光状態に依存せず、入射光に対する液晶高分子層９ｃ、液晶高分子層９ｄの屈折率はそれぞれ［（２ｎｏ２＋ｎｅ２）／３］１／２、ｎｏとなる。このため、充填材１０ｃが構成する回折格子は回折作用を有するが、充填材１０ｄが構成する回折格子は回折作用を有しない。ここで、ｎｒ＝［（２ｎｏ２＋ｎｅ２）／３］１／２とし、ｈｃ＝０．１０２λ／（ｎｒ−ｎｏ）（λは入射光の波長）となるようにｈｃを定めると、充填材１０ｃが構成する回折格子における０次光の透過率は９０％、±１次回折光の回折効率はそれぞれ４．１％となる。【００３２】
これに対し、液晶高分子層９ｃに印加される交流電圧の実効値を５Ｖ、液晶高分子層９ｄに印加される交流電圧の実効値を０Ｖとした場合、図７Ｂに示されるように、液晶高分子層９ｃの液晶高分子の長手方向は、入射光の光軸に平行な方向となり、液晶高分子層９ｄの液晶高分子の長手方向は、入射光の光軸に垂直で液晶高分子毎にランダムな方向となる。従って、入射光の偏光状態に依存せず、入射光に対する液晶高分子層９ｃ、液晶高分子層９ｄの屈折率はそれぞれｎｏ、［（２ｎｏ２＋ｎｅ２）／３］１／２となる。このため、充填材１０ｄが構成する回折格子は回折作用を有するが、充填材１０ｃが構成する回折格子は回折作用を有しない。ここで、ｎｒ＝［（２ｎｏ２＋ｎｅ２）／３］１／２とし、ｈｄ＝０．３９８λ／（ｎｒ−ｎｏ）（λは入射光の波長）となるようにｈｄを定めると、充填材１０ｄが構成する回折格子における０次光の透過率は１０％、±１次回折光の回折効率はそれぞれ３６．５％となる。【００３３】
ディスク５への情報の記録時には、液晶高分子層９ｃに印加される交流電圧の実効値を０Ｖ、液晶高分子層９ｄに印加される交流電圧の実効値を５Ｖとする。このとき、半導体レーザ１からの出射光は、液晶回折光学素子２ｂへ入射し、その偏光状態に依存せずに約９０％が０次光として透過してディスク５へ向かう。また、ディスク５からの反射光は、液晶回折光学素子２ｂへ入射し、その偏光状態に依存せずに±１次回折光としてそれぞれ約４．１％が回折されて光検出器６ａおよび光検出器６ｂへ向かう。その結果、半導体レーザ１の側から液晶回折光学素子２ｂへ入射した光が、液晶回折光学素子２ｂから対物レンズ４の側へ高い効率で出射される。そのため、記録時の対物レンズ４からの出射光量が多く、記録時に高い光出力が得られる。【００３４】
一方、ディスク５からの情報の再生時には、液晶高分子層９ｃに印加される交流電圧の実効値を５Ｖ、液晶高分子層９ｄに印加される交流電圧の実効値を０Ｖとする。このとき、半導体レーザ１からの出射光は、液晶回折光学素子２ｂへ入射し、その偏光状態に依存せずに約１０％が０次光として透過してディスク５へ向かう。また、ディスク５からの反射光は、液晶回折光学素子２ｂへ入射し、その偏光状態に依存せずに±１次回折光としてそれぞれ約３６．５％が回折されて光検出器６ａおよび光検出器６ｂへ向かう。その結果、対物レンズ４の側から液晶回折光学素子２ｂへ入射した光が、その偏光状態に依存せずに液晶回折光学素子２ｂから光検出器６ａおよび光検出器６ｂの側へ高い効率で出射される。そのため、ディスク５の保護層に複屈折がなければ、再生時の光検出器６ａおよび光検出器６ｂにおける受光量は多く、再生時に高い信号対雑音比が得られる。また、ディスク５の保護層に面内複屈折や垂直複屈折があっても、再生時の光検出器６ａおよび光検出器６ｂにおける受光量は変化せず、再生時に得られる信号対雑音比は変化しない。すなわち、ディスク５の保護層に複屈折があっても、再生時に高い信号対雑音比が得られる。【００３５】
本発明の第三の実施の形態に係る光ヘッド装置は、第一の実施の形態における液晶回折光学素子２ａを液晶回折光学素子２ｃに置き換えたものであり、その構成は図１に示されるものと同じである。【００３６】
図８Ａ〜８Ｂは、液晶回折光学素子２ｃの断面図である。液晶回折光学素子２ｃは、基板７ｇと基板７ｈとの間に液晶高分子層９ｅと充填材１０ｅとを挟んだ構成である。基板７ｇの液晶高分子層９ｅ側の面、基板７ｈの液晶高分子層９ｅ側の面には、液晶高分子層９ｅに交流電圧を印加するための電極８ｉ、電極８ｊがそれぞれ形成されている。電極８ｉ、電極８ｊはいずれも全面電極である。図中の矢印は、液晶高分子層９ｅの液晶高分子の長手方向を示している。液晶高分子層９ｅは、光学軸の方向が液晶高分子の長手方向である一軸の屈折率異方性を有している。液晶高分子の長手方向に平行な方向の偏光成分（異常光成分）に対する屈折率をｎｅ、長手方向に垂直な方向の偏光成分（常光成分）に対する屈折率をｎｏとすると、ｎｅはｎｏに比べて大きい。また、充填材１０ｅの屈折率をｎｆとする。充填材１０ｅは、ライン部の幅とスペース部の幅とが等しい矩形状の断面形状を有する回折格子を構成している。ここで、充填材１０ｅが構成する回折格子の深さをｈｅとする。【００３７】
液晶高分子層９ｅに印加される交流電圧の実効値を５Ｖとした場合、図８Ａに示されるように、液晶高分子層９ｅの液晶高分子の長手方向は、入射光の光軸に平行な方向となる。従って、入射光の偏光状態に依存せず、入射光に対する液晶高分子層９ｅの屈折率はｎｏとなる。このため、ｎｏ≠ｎｆならば、充填材１０ｅが構成する回折格子は回折作用を有する。これに対し、液晶高分子層９ｅに印加される交流電圧の実効値を０Ｖとした場合、図８Ｂに示されるように、液晶高分子層９ｅの液晶高分子の長手方向は、入射光の光軸に垂直で液晶高分子毎にランダムな方向となる。従って、入射光の偏光状態に依存せず、入射光に対する液晶高分子層９ｅの屈折率は［（２ｎｏ２＋ｎｅ２）／３］１／２となる。このため、ｎｒ＝［（２ｎｏ２＋ｎｅ２）／３］１／２とすると、ｎｒ≠ｎｆならば、充填材１０ｅが構成する回折格子は回折作用を有する。ここで、ｎｏ＝１．５、ｎｅ＝１．７、ｎｆ＝１．４７６とすると、ｈｅ＝０．１０２λ／（ｎｏ−ｎｆ）＝０．３９８λ／（ｎｒ−ｎｆ）（λは入射光の波長）となるようにｈｅを定めることができる。【００３８】
液晶高分子層９ｅに印加される交流電圧の実効値を５Ｖとした場合、上記のようにｈｅを定めると、充填材１０ｅが構成する回折格子における０次光の透過率は９０％、±１次回折光の回折効率はそれぞれ４．１％となる。これに対し、液晶高分子層９ｅに印加される交流電圧の実効値を０Ｖとした場合、上記のようにｈｅを定めると、充填材１０ｅが構成する回折格子における０次光の透過率は１０％、±１次回折光の回折効率はそれぞれ３６．５％となる。【００３９】
ディスク５への情報の記録時には、液晶高分子層９ｅに印加される交流電圧の実効値を５Ｖとする。このとき、半導体レーザ１からの出射光は、液晶回折光学素子２ｃへ入射し、その偏光状態に依存せずに約９０％が０次光として透過してディスク５へ向かう。また、ディスク５からの反射光は、液晶回折光学素子２ｃへ入射し、その偏光状態に依存せずに±１次回折光としてそれぞれ約４．１％が回折されて光検出器６ａおよび光検出器６ｂへ向かう。その結果、半導体レーザ１の側から液晶回折光学素子２ｃへ入射した光が、液晶回折光学素子２ｃから対物レンズ４の側へ高い効率で出射される。そのため、記録時の対物レンズ４からの出射光量が多く、記録時に高い光出力が得られる。【００４０】
一方、ディスク５からの情報の再生時には、液晶高分子層９ｅに印加される交流電圧の実効値を０Ｖとする。このとき、半導体レーザ１からの出射光は、液晶回折光学素子２ｃへ入射し、その偏光状態に依存せずに約１０％が０次光として透過してディスク５へ向かう。また、ディスク５からの反射光は、液晶回折光学素子２ｃへ入射し、その偏光状態に依存せずに±１次回折光としてそれぞれ約３６．５％が回折されて光検出器６ａおよび光検出器６ｂへ向かう。その結果、対物レンズ４の側から液晶回折光学素子２ｃへ入射した光は、その偏光状態に依存せずに液晶回折光学素子２ｃから光検出器６ａおよび光検出器６ｂの側へ高い効率で出射される。そのため、ディスク５の保護層に複屈折がなければ、再生時の光検出器６ａおよび光検出器６ｂにおける受光量は多く、再生時に高い信号対雑音比が得られる。また、ディスク５の保護層に面内複屈折や垂直複屈折があっても、再生時の光検出器６ａおよび光検出器６ｂにおける受光量は変化せず、再生時に得られる信号対雑音比は変化しない。すなわち、ディスク５の保護層に複屈折があっても、再生時に高い信号対雑音比が得られる。【００４１】
図９Ａ〜９Ｂに、光検出器６ａおよび光検出器６ｂの受光部と、受光部上に形成される光スポットが示される。光検出器６ａ、光検出器６ｂの受光部は、それぞれディスク５のトラックに平行な１本の直線と、ディスク５のトラックに垂直な３本の直線とにより分割されている。従って、光検出器６ａは、図９Ａに示されるように、受光部１２ａ〜受光部１２ｈの８つの受光部を備える。光検出器６ｂは、図９Ｂに示されるように、受光部１２ｉ〜受光部１２ｐの８つの受光部を備える。【００４２】
液晶回折光学素子２ａ〜液晶回折光学素子２ｃは、−１次回折光に対して凹レンズの働きをし、＋１次回折光に対して凸レンズの働きをする。光検出器６ａ、光検出器６ｂは、それぞれ復路における液晶回折光学素子２ａ〜液晶回折光学素子２ｃからの−１次回折光、＋１次回折光を受光する。光検出器６ａおよび光検出器６ｂの受光部の光軸方向の位置は、往路における対物レンズ４からの出射光の集光点がディスク５の記録面上にある場合の、復路における液晶回折光学素子２ａ〜液晶回折光学素子２ｃからの−１次回折光の集光点と、復路における液晶回折光学素子２ａ〜液晶回折光学素子２ｃからの＋１次回折光の集光点との中間である。このとき、復路における液晶回折光学素子２ａ〜液晶回折光学素子２ｃからの−１次回折光が光検出器６ａの受光部上に形成する光スポット１１ａと、復路における液晶回折光学素子２ａ〜液晶回折光学素子２ｃからの＋１次回折光が光検出器６ｂの受光部上に形成する光スポット１１ｂとは、大きさがほぼ等しい。【００４３】
受光部１２ａ〜１２ｐからの出力をそれぞれＶ１２ａ〜Ｖ１２ｐで表すと、Ｖ１２ａ〜Ｖ１２ｐに基づいて以下に示されるようにフォーカス誤差信号、トラック誤差信号、ディスク５に記録されたマーク／スペース信号である再生信号が検出される。フォーカス誤差信号は、公知のスポットサイズ法により、（Ｖ１２ａ＋Ｖ１２ｂ＋Ｖ１２ｇ＋Ｖ１２ｈ＋Ｖ１２ｋ＋Ｖ１２ｌ＋Ｖ１２ｍ＋Ｖ１２ｎ）−（Ｖ１２ｃ＋Ｖ１２ｄ＋Ｖ１２ｅ＋Ｖ１２ｆ＋Ｖ１２ｉ＋Ｖ１２ｊ＋Ｖ１２ｏ＋Ｖ１２ｐ）の演算から得られる。トラック誤差信号は、ディスク５への情報の記録時には公知のプッシュプル法により、（Ｖ１２ａ＋Ｖ１２ｃ＋Ｖ１２ｅ＋Ｖ１２ｇ＋Ｖ１２ｊ＋Ｖ１２ｌ＋Ｖ１２ｎ＋Ｖ１２ｐ）−（Ｖ１２ｂ＋Ｖ１２ｄ＋Ｖ１２ｆ＋Ｖ１２ｈ＋Ｖ１２ｉ＋Ｖ１２ｋ＋Ｖ１２ｍ＋Ｖ１２ｏ）の演算から得られ、ディスク５からの情報の再生時には公知の位相差法により、（Ｖ１２ａ＋Ｖ１２ｃ＋Ｖ１２ｆ＋Ｖ１２ｈ＋Ｖ１２ｉ＋Ｖ１２ｋ＋Ｖ１２ｎ＋Ｖ１２ｐ）と（Ｖ１２ｂ＋Ｖ１２ｄ＋Ｖ１２ｅ＋Ｖ１２ｇ＋Ｖ１２ｊ＋Ｖ１２ｌ＋Ｖ１２ｍ＋Ｖ１２ｏ）との位相差から得られる。再生信号は、（Ｖ１２ａ＋Ｖ１２ｂ＋Ｖ１２ｃ＋Ｖ１２ｄ＋Ｖ１２ｅ＋Ｖ１２ｆ＋Ｖ１２ｇ＋Ｖ１２ｈ＋Ｖ１２ｉ＋Ｖ１２ｊ＋Ｖ１２ｋ＋Ｖ１２ｌ＋Ｖ１２ｍ＋Ｖ１２ｎ＋Ｖ１２ｏ＋Ｖ１２ｐ）の演算から得られる。【００４４】
図１０に、本発明の第四の実施の形態に係る光学式情報記録再生装置の構成が示される。本実施の形態では、光学式情報記録再生装置は、図５に示される光ヘッド装置６０、変調回路１３、記録信号生成回路１４、半導体レーザ駆動回路１５、増幅回路１６、再生信号処理回路１７、復調回路１８、誤差信号生成回路１９、対物レンズ駆動回路２０、液晶回折光学素子駆動回路２１を具備する。【００４５】
変調回路１３は、ディスク５へ記録すべきデータを変調規則に従って変調する。記録信号生成回路１４は、変調回路１３で変調された信号に基づいて、記録ストラテジに従って半導体レーザ１を駆動するための記録信号を生成する。半導体レーザ駆動回路１５は、記録信号生成回路１４で生成された記録信号に基づいて、半導体レーザ１へ記録信号に応じた電流を供給して半導体レーザ１を駆動する。これによりディスク５への情報の記録が行われる。【００４６】
増幅回路１６は、光検出器６ａおよび光検出器６ｂの各受光部からの出力を増幅する。再生信号処理回路１７は、増幅回路１６で増幅された信号に基づいて、再生信号の生成、波形等化および２値化を行う。復調回路１８は、再生信号処理回路１７で２値化された信号を復調規則に従って復調する。これによりディスク５からの情報の再生が行われる。【００４７】
誤差信号生成回路１９は、増幅回路１６で増幅された信号に基づいて、フォーカス誤差信号およびトラック誤差信号の生成を行う。対物レンズ駆動回路２０は、誤差信号生成回路１９で生成された誤差信号に基づいて、対物レンズ４を駆動する図示しないアクチュエータへ誤差信号に応じた電流を供給して対物レンズ４を駆動する。さらに、ディスク５を除く光学系は、図示されないポジショナによりディスク５の半径方向へ駆動される。ディスク５は、図示されないスピンドルにより回転駆動される。これによりフォーカス、トラック、ポジショナおよびスピンドルのサーボが行われる。【００４８】
液晶回折光学素子駆動回路２１は、液晶回折光学素子２ａの電極８ａ〜電極８ｄに交流電圧を印加して光分離部である液晶回折光学素子２ａを駆動する。すなわち、ディスク５への情報の記録時には、液晶回折光学素子駆動回路２１は、半導体レーザ１の側から液晶回折光学素子２ａへ入射した光が高い効率で液晶回折光学素子２ａから対物レンズ４の側へ出射されるように、液晶回折光学素子２ａを駆動する。ディスク５からの情報の再生時には、液晶回折光学素子駆動回路２１は、対物レンズ４の側から液晶回折光学素子２ａへ入射した光がその偏光状態に依存せずに高い効率で液晶回折光学素子２ａから光検出器６ａおよび光検出器６ｂの側へ出射されるように、液晶回折光学素子２ａを駆動する。これにより光分離部の特性切替が行われる。【００４９】
変調回路１３から半導体レーザ駆動回路１５までの情報の記録に関わる回路、増幅回路１６から復調回路１８までの情報の再生に関わる回路、増幅回路１６から対物レンズ駆動回路２０までのサーボに関わる回路、および液晶回折光学素子駆動回路２１である光分離部の特性切替に関わる回路は、図示されないコントローラにより制御される。コントローラから液晶回折光学素子駆動回路２１へは、ディスク５への情報の記録時にはＬｏｗレベル、ディスク５からの情報の再生時にはＨｉｇｈレベルとなる記録ゲート信号が送られる。液晶回折光学素子駆動回路２１は、この記録ゲート信号に従って液晶回折光学素子２ａを駆動する。【００５０】
光学式情報記録再生装置は、第二、第三の実施の形態において説明された光ヘッド装置６０、変調回路１３、記録信号生成回路１４、半導体レーザ駆動回路１５、増幅回路１６、再生信号処理回路１７、復調回路１８、誤差信号生成回路１９、対物レンズ駆動回路２０、液晶回折光学素子２１を具備してもよい。【００５１】
本発明によれば、光記録媒体への情報の記録時には高い光出力が得られ、光記録媒体からの情報の再生時には光記録媒体の保護層に複屈折があっても高い信号対雑音比が得られる光ヘッド装置、ならびにそれを用いた光学式情報記録再生装置および光学式情報記録再生方法を提供することができる。これは、記録時には光源の側から光分離部へ入射した光が高い効率で光分離部から対物レンズの側へ出射されるように、光分離部の特性が設定され、再生時には対物レンズの側から光分離部へ入射した光がその偏光状態に実質的に依存せずに高い効率で光分離部から光検出器の側へ出射されるように光分離部の特性が設定されるためである。以上、実施の形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施の形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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