【手続補正書】
【提出日】平成16年5月26日(2004.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キラリティーに基づく単壁管状フラーレンのバルク分離方法であって、
ａ．管状の輪郭および選択されたキラリティーを有する複数のそれぞれの単壁フラーレンをエネルギー学的に容易に吸着するように配向された複数の開口を有するテンプレートを結晶性基板上に形成する段階と、
ｂ．前記テンプレートを、ランダムなキラリティーの単壁管状フラーレンの懸濁液に暴露して、前記選択されたキラリティーの単壁管状フラーレンを前記テンプレートの前記開口の中に吸着させる段階と、
ｃ．前記懸濁液から前記テンプレートを取り出す段階と、
ｄ．前記選択されたキラリティーの前記吸着させた単壁管状フラーレンを前記テンプレートから取り出す段階
を含む方法。
【請求項２】
テンプレートを形成する前記段階が、
ａ．所定の格子構造を有する前記結晶性基板を用意する段階と、
ｂ．前記選択されたキラリティーの複数の単壁管状フラーレンを前記基板上に付着させる段階
を含み、
付着させた前記単壁管状フラーレンの格子構造が、前記結晶性基板の前記所定の格子構造と整列した関係にあり、
さらに、
ｃ．それぞれの前記単壁管状フラーレンの周囲の前記結晶性基板の領域を、前記選択されたキラリティーの前記単壁管状フラーレンに対する親和力よりも前記結晶性基板に対する親和力のほうが大きい組成物でコーティングする段階と、
ｄ．段階ｃの前記組成物を乱すことなく、前記単壁管状フラーレンを前記基板から取り出す段階
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
結晶性基板を用意する前記段階が、グラファイトから形成された基板を用意する段階を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記コーティングする段階が、前記選択されたキラリティーの前記付着させた複数の単壁管状フラーレンの周囲の前記基板上に、ヌクレオチド塩基分子の単分子層を付着させる段階を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
複数の単壁管状フラーレンを付着させる前記段階が、複数の単壁カーボン・ナノチューブを付着させる段階を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
複数の単壁カーボン・ナノチューブを付着させる前記段階が、単壁カーボン・ナノチューブを官能基化してその溶解性を向上させる段階を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記単壁カーボン・ナノチューブを官能基化する前記段階が、前記単壁カーボン・ナノチューブを末端官能基化する段階を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記吸着させた単壁管状フラーレンを取り出す前記段階が、コーティングされた前記結晶性基板を溶媒溶液に暴露する段階を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記吸着させた単壁管状フラーレンを溶媒溶液中で取り出す前記段階が、エーテル、ジクロロメタン、およびトリクロロメタンから成るグループから選択された有機溶媒を用意する段階を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記コーティングする段階が、アデニン、グアニン、チミン、ウラシルまたはキサンチンから成るグループから選択された組成物を前記結晶性基板上に付着させる段階を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
複数の単壁管状フラーレンを付着させる前記段階が、前記単壁管状フラーレンを電着させる段階を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
前記吸着させた単壁管状フラーレンを取り出す前記段階が、
前記テンプレートを溶媒溶液に暴露して、吸着させた前記単壁管状フラーレンを前記テンプレートから取り出す段階と、
前記選択されたキラリティーの前記単壁管状フラーレンを前記溶媒溶液から回収する段階
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記テンプレートを暴露する前記段階が、複数の単壁カーボン・ナノチューブから成る懸濁液を用意する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記テンプレートを暴露する前記段階が、前記テンプレート上に前記単壁カーボン・ナノチューブを電着させる段階を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
段階ｂからｄを選択された回数だけ繰り返して、所定の量の前記選択されたキラリティーの単壁管状フラーレンを蓄積する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
キラリティーに基づく単壁管状フラーレンのバルク分離方法であって、
ａ．所定の格子構造を有する結晶性基板を用意する段階と、
ｂ．選択されたキラリティーの複数の単壁管状フラーレンを前記基板上に付着させる段階
を含み、
前記付着させた単壁管状フラーレンの格子構造が、前記結晶性基板の前記所定の格子構造と整列した関係にあり、
さらに、
ｃ．前記結晶性基板上の前記選択されたキラリティーのそれぞれの前記単壁管状フラーレンの周囲に分子層を付着させる段階と、
ｄ．前記分子層を実質的に乱すことなく前記結晶性基板から前記単壁管状フラーレンを取り出してテンプレートを形成する段階と、
ｅ．前記テンプレートを、ランダムなキラリティーの単壁管状フラーレンの懸濁液に暴露して、前記選択されたキラリティーの単壁管状フラーレンを前記テンプレート上に吸着させる段階と、
ｆ．前記懸濁液から前記テンプレートを取り出す段階と、
ｇ．前記テンプレートを溶媒溶液に暴露して、吸着させた前記単壁管状フラーレンを前記テンプレートから取り出す段階と、
ｈ．前記選択されたキラリティーの前記単壁管状フラーレンを前記溶媒溶液から回収する段階
を含む方法。
【請求項１７】
前記テンプレートを再使用して、段階ｅからｈを選択された回数だけ繰り返し、所定の量の前記選択されたキラリティーの単壁管状フラーレンを蓄積する段階をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
結晶性基板を用意する前記段階が、高度に配向したパイロリティック・グラファイトから形成された基板を用意する段階を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
分子層を付着させる前記段階が、アデニン、グアニン、チミン、ウラシルまたはキサンチンから成るグループから選択された組成物を前記結晶性基板上に付着させる段階を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記テンプレートを溶媒溶液に暴露する前記段階が、エーテル、ジクロロメタン、およびトリクロロメタンから成るグループから選択された有機溶媒を使用する段階を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
キラリティーに基づく単壁管状カーボン・ナノチューブのバルク分離方法であって、
ａ．選択されたキラリティーを有する複数のそれぞれの単壁カーボン・ナノチューブをエネルギー学的に容易に吸着するように配向された複数の開口を有するテンプレートを、高度に配向したパイロリティック・グラファイト基板上に形成する段階と、
ｂ．前記テンプレートを、ランダムなキラリティーの単壁管状カーボン・ナノチューブの懸濁液に暴露して、前記選択されたキラリティーの単壁管状カーボン・ナノチューブを前記テンプレートの前記開口の中に吸着させる段階と、
ｃ．前記懸濁液から前記テンプレートを取り出す段階と、
ｄ．吸着させた前記選択されたキラリティーの前記単壁管状カーボン・ナノチューブを前記テンプレートから取り出す段階
を含む方法。
【請求項２２】
テンプレートを形成する前記段階が、
ａ．前記高度に配向したパイロリティック・グラファイト基板を用意する段階と、
ｂ．前記選択されたキラリティーの複数の単壁管状カーボン・ナノチューブを、前記高度に配向したパイロリティック・グラファイト基板上に付着させる段階
を含み、
前記付着させた単壁管状カーボン・ナノチューブの格子構造が、前記高度に配向したパイロリティック・グラファイト基板の前記所定の格子構造と整列した関係にあり、
さらに、
ｃ．それぞれの前記単壁管状カーボン・ナノチューブの周囲の前記高度に配向したパイロリティック・グラファイト基板の領域を、前記選択されたキラリティーの前記単壁管状カーボン・ナノチューブに対する親和力よりも前記高度に配向したパイロリティック・グラファイト基板に対する親和力のほうが大きい組成物でコーティングする段階と、
ｄ．前記高度に配向したパイロリティック・グラファイト基板から前記単壁管状カーボン・ナノチューブを取り出す段階
を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
キラリティーに基づく単壁管状フラーレンのバルク分離方法であって、
ａ．所定の格子構造を有する結晶性基板を用意する段階と、
ｂ．所定のキラリティーの単壁管状フラーレンを前記基板に保持し、前記基板の前記格子構造の１つの軸に対して所定の角度をもって、前記基板上に複数の単壁管状フラーレンを記録する段階と、
ｃ．前記基板に保持されている前記単壁管状フラーレンを該基板から取り出す段階と
を含む方法。
【請求項２４】
記録する前記段階が、各縦軸が前記所定の角度の方向を向いている前記複数の単壁管状フラーレンを付着させる段階を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記単壁管状フラーレンを取り出す前記段階の前に、前記単壁管状フラーレンの周囲の前記基板の領域を、前記所定のキラリティーの前記単壁管状フラーレンに対する親和力よりも前記基板に対する親和力のほうが大きい組成物でコーティングする段階を有する、請求項２３に記載の方法。