Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプにおいて、
利用可能な領域を有するベース面を含む基板と、
相互に離隔されて前記利用可能な領域の概ね全てを占有するように配置され、前記ベース面と接触し、前記ベース面から外側に延在する複数の押し型と、
を備え、
前記各押し型は所定の形状を有し、かつ前記各押し型は相対する側面を有する微小機構と、前記相対する側面から横方向外側に延在する複数のスペーサとを有しており、
前記微小機構および前記スペーサは前記ベース面から外側に延在し、また印刷プロファイルを画定するために、前記微小機構と前記スペーサとの間で異なる高さおよび幅を有する、
ことを特徴とするワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項２】
前記所定の形状は、前記押し型の全ての間で同一の形状、前記押し型の全ての間で異なる形状、または前記押し型の全ての間で同一および異なる形状を組み合わせた形状であることを特徴とする請求項１に記載のワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項３】
前記微小機構は、酸化シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、金属、酸窒化シリコン、炭化シリコン、ダイヤモンドライクカーボンおよびシリサイドのうちから選択された材料によって形成されることを特徴とする請求項１に記載のワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項４】
前記スペーサは、酸化シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、金属、酸窒化シリコン、炭化シリコン、ダイヤモンドライクカーボンおよびシリサイドのうちから選択された材料によって形成されることを特徴とする請求項１に記載のワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項５】
前記基板は、ガラス、ホウケイ酸ガラス、酸化シリコン、酸化アルミニウムおよびリン化インジウムのうちから選択された材料によって形成されることを特徴とする請求項１に記載のワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項６】
前記基板は半導体であることを特徴とする請求項１に記載のワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項７】
前記半導体はシリコンであることを特徴とする請求項６に記載のワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項８】
隣接する前記押し型の間に配置される充填材層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項９】
前記充填材層は、テトラエチルオルトシリケート、ホウ素を添加したテトラエチルオルトシリケート、リンを添加したテトラエチルオルトシリケート、ホウ素およびリンを添加したテトラエチルオルトシリケートのうちから選択された物質を材料としていることを特徴とする請求項８に記載のワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項１０】
前記押し型は、前記利用可能な領域よりも小さい領域を占有することを特徴とする請求項１に記載のワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項１１】
前記利用可能な領域は互いに離隔するように配置された複数のダイに分割され、前記押し型は、ダイ面積を有する前記各ダイの中で、前記ダイ面積の概ね全ての面積を占有するサブ領域と、前記ダイ面積より狭い面積を占有するサブ領域と、のうちのいずれかの領域を占有することを特徴とする請求項１０に記載のワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプ。
【請求項１２】
ワイドエリア・ナノサイズインプリント用スタンプを形成する方法であって、
基板のベース面上の利用可能な領域上に機構層を堆積することと、
前記機構層をパターン成形し、その後ドライエッチングして、上側表面および相対する側面を有する複数の微小機構を形成することと、
スペーサ層が前記上側表面および前記相対する側面上で概ね等しい所望の厚みを有するまで、前記微小機構上に前記スペーサ層を一様に増大させることと、
前記スペーサ層を異方性エッチングし、前記上側表面上に配置される前記スペーサ層の一部分を除去し、個々の前記微小機構の前記相対する側面上に複数のスペーサを有する複数の押し型を形成することと、
前記スペーサ層を一様に増大させるステップと前記スペーサ層を異方性エッチングするステップとを必要に応じて繰り返して、前記押し型上にさらに別のスペーサを形成することと、
前記微小機構および前記スペーサが、前記ベース面から概ね同じ高さとなるように前記押し型を平坦化することと、
選択された１つ以上の前記スペーサおよび前記微小機構を選択的にエッチングして、前記押し型に印刷プロファイルを形成することと、
選択された１つ以上の前記スペーサおよび前記微小機構を選択的にエッチングする前記ステップを必要に応じて繰り返して、前記押し型の前記印刷プロファイルをさらに形成することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記平坦化するステップの前に、前記押し型を完全に覆う充填材層を堆積することをさらに含み、その後前記平坦化するステップを実施して、前記押し型および前記充填材層を平坦化し、前記微小機構、前記スペーサおよび前記充填材層が前記ベース面から概ね同じ高さとなるようにすることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記微小機構を選択的にエッチングするステップは、前記充填材層が前記高さより低くなるまで前記充填材層を選択的にエッチングすることを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】 金属製のヒートシンク部に溝を形成し、この溝の中に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子に接続されるリードピンの一端を配置したことを特徴とする半導体レーザ装置。    【請求項２】 前記半導体レーザ素子を前記溝からはみ出さないように前記溝の中に配置したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。    【請求項３】 前記半導体レーザ素子に接続されるワイヤボンド線を、前記溝からはみ出さないように前記溝の中に配置したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。    【請求項４】 金属製のベースの一面に前記ヒートシンク部が設けられ、前記リードピンは、前記ベース部を貫通して前記溝の中に配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。    【請求項５】 金属製のヒートシンク部に溝を形成し、この溝の中に半導体発光素子とこの半導体発光素子に接続されるリードピンの一端を配置したことを特徴とする半導体装置。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】  【課題を解決するための手段】  本発明は、請求項１に記載のように、金属製のヒートシンク部に溝を形成し、この溝の中に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子に接続されるリードピンの一端を配置したことを特徴とする。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  本発明は、請求項２に記載のように、前記半導体レーザ素子を前記溝からはみ出さないように前記溝の中に配置したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】  本発明は、請求項３に記載のように、前記半導体レーザ素子に接続されるワイヤボンド線を、前記溝からはみ出さないように前記溝の中に配置したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  本発明は、請求項４に記載のように、金属製のベースの一面に前記ヒートシンク部が設けられ、前記リードピンは、前記ベース部を貫通して前記溝の中に配置されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】  本発明は、請求項５に記載のように、金属製のヒートシンク部に溝を形成し、この溝の中に半導体発光素子とこの半導体発光素子に接続されるリードピンの一端を配置したことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の有機発光層を陽極と陰極との間に挟み、前記陽極側から前記有機発光層へ注入される正孔と、前記陰極側から前記有機発光層へ注入される電子とを結合させて発光させる有機エレクトロルミネッセンス素子において、
１つの特定の有機発光層に前記陰極側又は陽極側で隣接する有機発光層に対して、前記特定の有機発光層における基本発光物質の発光色と同系の色の発光を行う補助発光物質をドープし、前記特定の有機発光層における正孔の移動度が電子の移動度よりも大きい場合には、前記特定の有機発光層に対して隣接関係にある前記有機発光層を前記陰極側に隣接させ、前記特定の有機発光層における電子の移動度が正孔の移動度よりも大きい場合には、前記特定の有機発光層に対して隣接関係にある前記有機発光層を前記陽極側に隣接させた有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記補助発光物質は、前記基本発光物質と同じ物質である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記特定の有機発光層における正孔の移動度は、電子の移動度よりも大きく、前記補助発光物質は、前記特定の有機発光層に対して前記陰極側で隣接する有機発光層にドープされる請求項１及び請求項２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記特定の有機発光層に対して前記陰極側で隣接する有機発光層における正孔の移動度は、前記特定の有機発光層における正孔の移動度よりも小さい請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記複数の有機発光層は、赤色発光層と青色発光層と緑色発光層とであり、有機エレクトロルミネッセンス素子は白色発光素子である請求項３及び請求項４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記赤色発光層と青色発光層と緑色発光層とをこの順に前記陽極側から積層し、前記赤色発光層における前記基本発光物質を前記補助発光物質として前記青色発光層へドープした請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記複数の有機発光層は、互いに補色の関係にある色を別々に発光する一対の有機発光層であり、有機エレクトロルミネッセンス素子は白色発光素子である請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記複数の有機発光層の全ては、発光するドーパントを前記基本発光物質として発光しないホストにドープして構成した有機発光層であり、１つの特定の有機発光層に前記陰極側又は陽極側で隣接する有機発光層に対して前記特定の有機発光層におけるドーパントを前記補助発光物質としてドープし、前記特定の有機発光層における正孔の移動度が電子の移動度よりも大きい場合には、前記特定の有機発光層に対して隣接関係にある前記有機発光層を前記陰極側に隣接させ、前記特定の有機発光層における電子の移動度が正孔の移動度よりも大きい場合には、前記特定の有機発光層に対して隣接関係にある前記有機発光層を前記陽極側に隣接させた請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
駆動電流の大きさの変化に伴う白色発光の色度の変化が抑制される。
請求項６の発明では、請求項５において、前記赤色発光層と青色発光層と緑色発光層とをこの順に前記陽極側から積層し、前記赤色発光層における前記基本発光物質を前記補助発光物質として前記青色発光層へドープした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
赤色発光層が特定の有機発光層となり、赤色発光層における正孔の移動度が電子の移動度よりも大きい。駆動電流が大きくなってゆくと、正孔と電子との再結合領域が陰極側へ移動する。赤色発光層における基本発光物質（赤色発光物質）をドープされた青色発光層は、赤色発光層に対して陰極側で隣接している。従って、駆動電流が大きくなってゆくと、赤色発光層に隣接する青色発光層における補助発光物質（赤色発光物質）の発光が増える。その結果、駆動電流の大きさの変化に伴う白色発光の色度の変化が抑制される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項７の発明では、請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記複数の有機発光層は、互いに補色の関係にある色を別々に発光する一対の有機発光層とした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
駆動電流の大きさの変化に伴う白色発光の色度の変化が抑制される。
請求項８の発明では、請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記複数の有機発光層の全ては、発光するドーパントを前記基本発光物質として発光しないホストにドープして構成した有機発光層とし、１つの特定の有機発光層に前記陰極側又は陽極側で隣接する有機発光層に対して前記特定の有機発光層におけるドーパントを前記補助発光物質としてドープし、前記特定の有機発光層における正孔の移動度が電子の移動度よりも大きい場合には、前記特定の有機発光層に対して隣接関係にある前記有機発光層を前記陰極側に隣接させ、前記特定の有機発光層における電子の移動度が正孔の移動度よりも大きい場合には、前記特定の有機発光層に対して隣接関係にある前記有機発光層を前記陽極側に隣接させた。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ここで、図３の横軸は時間を表し、それぞれスパッタ状態Ｓ、アーク放電状態Ａ、休止状態Ｒに分類されている。そして、同図の波形は、ターゲット１０４の電圧と電流をそれぞれ表す。ここで、ターゲット電圧は、チャンバー１０１を基準にターゲット１０４を測定しているので、Ｂの位置を基準（ゼロボルト）としてマイナス側に表れる。また、ターゲット電流は、Ｃを基準（ゼロアンペア）としてプラス側に表した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
振動電流は、コンデンサＣ１の電荷がゼロになった時点で最大となり、その値は、ＣＶ２＝ＬＩ２のエネルギー保存式（注：式の両辺の１／２は省略）を満たす値となる。すなわち、アーク放電電圧８０Ｖを考慮して計算すると、次式の関係が得られる。
Ｃ１×（Ｖｓｐ−Ｖａｒｃ）２＝（Ｌ１＋Ｌｃａｂｌｅ）×Ｉｐ２        （１）
ここで、Ｖｓｐはスパッタ電圧、Ｖａｒｃはアーク放電電圧、Ｌｃａｂｌｅはケーブル１２０Ａ、１２０Ｂのインダクタンス、Ｉｐは振動電流をそれぞれ表す。この式を変形すると、次式が得られる。
（Ｖｓｐ−Ｖａｒｃ）／Ｉｐ＝（（Ｌ１＋Ｌｃａｂｌｅ）／Ｃ１）１／２    （２）
すなわち、振動電流Ｉｐは  （Ｌ／Ｃ）１／２と直前のスパッタ電圧で決まる。振動の周期Ｔは、Ｔ＝２π（ＬＣ）１／２であるので、周期Ｔと電圧変化ｄＶと振動電流Ｉｐから、インダクタンスＬとコンデンサＣを逆算できる。
ｄＶ／Ｉｐ＝（Ｌ／Ｃ）１／２                 （３）
Ｔ＝２π（ＬＣ）１／２               （４）
（３）式と（４）式の両辺をそれぞれかけると、次式が得られる。
Ｔ×ｄＶ／Ｉｐ＝（Ｌ／Ｃ）１／２×２π（ＬＣ）１／２ 
＝２πＬ                              （５）
一方、（４）式の両辺を（３）式の両辺で割ると次式が得られる。
Ｔ／（ｄＶ／Ｉｐ）＝２π（ＬＣ）１／２／（Ｌ／Ｃ）１／２ 
＝２πＣ                           （６）
（５）式よりＬを求めると以下の如くとなる。
Ｌ＝Ｔ×ｄＶ／Ｉｐ／２π  
＝５２０（Ｖ）／３８（Ａ）×１０Ｅ−６（ｓ）／２π
＝２．１８Ｅ−５Ｈ  
＝２１．８μＨ                               （７）
また、（６）式よりＣを求めると以下の如くとなる。
Ｃ＝Ｔ／２π／（ｄＶ／Ｉｐ）
＝１０Ｅ−６（ｓ）／２π／（５２０（Ｖ）／３８（Ａ））
＝１．１６Ｅ−７Ｆ
＝０．１１６μＦ                            （８）
これらの値は、実際の回路定数（Ｌ＝（２０＋２．５）μＨ、Ｃ＝０．１０２μＦ）に近い値である。ここで、ケーブル１２０Ａ、１２０Ｂとターゲット１０４のコンデンサ成分は、ケーブル１２０Ａ、１２０Ｂの長さを１０ｍとしても  １００ｐＦ／ｍ×１０ｍ＋３００ｐＦ＝１３００ｐＦ＝０．００１３μＦ程度であるので、コンデンサＣ１の容量の１／１００程度となり、無視できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
まず、インダクタンスＬ０にスパッタ電流Ｉｓｐが流れており、コンデンサＣ２には定常的なスパッタ電圧Ｖｓｐがチャージされている状態で、放電が止まった場合、次式が成立する。
１／２×Ｌ０×Ｉｓｐ２＝１／２（１０００Ｖ２−Ｖｓｐ２）×（Ｃ２＋Ｃ１）  （９）
インダクタンスＬ０に２５Ａのスパッタ電流が流れており、コンデンサＣ２には６００Ｖがチャージされているとすると、Ｉｓｐは２５Ａ、Ｖｓｐは６００Ｖとなり、次式が得られる。
Ｌ０×２５２＝（１０００Ｖ２−６００２）×（Ｃ２＋Ｃ１）
従って、コンデンサＣ２の容量は、次式により表される値よりも大きくすることが望ましい。
Ｃ２＝Ｌ０×２５２／（１０００２−６００２）−Ｃ１
＝０．０００９７７Ｌ０−Ｃ１              （１０）
すなわち、コンデンサＣ２の容量は、インダクタンスＬ０と、スパッタ電流（出力電力）と、所定の最大点火電圧と、に応じて適宜決定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
また、より一般的な表現として、（９）式から、コンデンサＣ２は次式の範囲を満たすことが望ましいことが分かる。
Ｃ２≧Ｌ０×Ｉｓｐ２／（Ｖｍａｘ２−Ｖｓｐ２）−Ｃ１      （１１）
ここで、Ｉｓｐはスパッタ電流、Ｖｓｐは定常的なスパッタ電圧、Ｖｍａｘは最大許容電圧をそれぞれ表す。つまり、コンデンサＣ２の容量を（１１）式の範囲とすれば、ターゲット電圧を最大許容電圧Ｖｍａｘ以下の範囲に抑えることができ、アーク放電の再発を確実に阻止することが可能となる。  
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
次に、図８（ｂ）に表した放電電圧記憶回路ＩＶＭの場合、バリスタＶＲと抵抗Ｒ２との直列回路がコンデンサＣ２に対して並列に接続されている。バリスタＶＲは、ツェナー・ダイオードＺＤとほぼ同様の動作、すなわち低電圧動作をするので、図８（ａ）の回路とほぼ同様の作用効果が得られる。さらにまた、電気素子の選択の範囲としては、バリスタＶＲのほうがツェナー・ダイオードＺＤよりも電力容量の大きなものが得やすい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
次に、図８（ｃ）に表した具体例の場合、ツェナー・ダイオードＺＤと抵抗Ｒ２との直列回路がダイオードＤ２に対して並列に接続されている。この回路の場合、コンデンサＣ２から流れ出す電流は、スパッタ電圧ＶSPとツェナー・ダイオードＺＤの電圧ＶZDとの和すなわち（ＶSP＋ＶZD）がコンデンサＣ２の電圧より低い場合に流れるので、コンデンサＣ２の電圧は、スパッタ電圧ＶSPよりもツェナー・ダイオードＺＤの電圧ＶZDだけ高い電圧に保たれる。つまり、ツェナー・ダイオードＺＤの電圧ＶZDをスパッタ電圧ＶSPの１〜２割に選ぶと、電圧の跳ね上がり量を選択して、プラズマ濃度の戻りを最適化できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004006146.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004006146.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004006146.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェースプレート構造とバックプレート構造とを有するフラットパネルディスプレイにスペーサを装着する方法であって、
スペーサ壁上に前記スペーサ壁の両端近傍付近において１または２以上のスペーサ脚部を形成する過程と、
前記フェースプレート構造と前記バックプレート構造の選択された一方の上に前記スペーサ壁を配置する過程と、
前記選択された構造において形成された複数の電極によって導入された静電力で前記選択された構造上に前記スペーサ壁を保持する過程とを含むことを特徴とするスペーサの装着方法。
【請求項２】
前記選択された構造に溝を形成する過程と、
前記溝に前記スペーサ壁を設置する過程とを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記選択された構造に前記スペーサ壁の両端を結合する過程を更に含むことを特徴とする請求項１若しくは２に記載の方法。
【請求項４】
前記結合過程の前に前記スペーサ壁を膨張させる過程と、
前記結合過程の後に前記スペーサ壁が収縮できるようにする過程とを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記膨張させる過程が、前記スペーサ壁を加熱する過程を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記膨張させる過程が、前記スペーサ壁に外力を加える過程を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記結合する過程の前に前記選択された構造を収縮させる過程と、
前記結合する過程の後に前記選択された構造が膨張できるようにする過程とを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記収縮させる過程が、前記選択された構造を凹形状に曲げる過程を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記収縮させる過程が、前記選択された構造を前記スペーサ壁の温度より低い温度まで冷却させる過程を含むことを特徴とする請求項７若しくは８に記載の方法。
【請求項１０】
フェースプレート構造とバックプレート構造とを有するフラットパネルディスプレイにスペーサを装着する方法であって、
前記スペーサ壁を長さ方向に伸ばすべく前記スペーサ壁を所定の温度まで加熱する過程と、
前記フェースプレート構造と前記バックプレート構造の選択された一方に前記加熱されたスペーサ壁の末端を取り付ける過程であって、前記選択された構造が前記加熱されたスペーサ壁の温度より低い温度である、該過程と、
前記スペーサ壁が収縮するように取り付けられた前記スペーサ壁を冷却できるようにする過程とを含むことを特徴とするスペーサの装着方法。
【請求項１１】
フェースプレート構造とバックプレート構造とを有するフラットパネルディスプレイにスペーサ壁を装着する方法であって、
第１の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料からスペーサ壁を形成する過程と、
第２のＣＴＥを有する材料からフェースプレート構造及びバックプレート構造の選択された一方を形成する過程であって、第１のＣＴＥが第２のＣＴＥより大きい、該過程と、
前記スペーサ壁及び前記選択された構造を室温より高い温度まで加熱する過程と、
前記選択された構造に前記スペーサ壁の末端を取り付ける過程と、
続けて前記スペーサ壁及び前記選択された構造が冷却できるようにする過程であって、前記スペーサ壁の収縮度が前記選択された構造の収縮度より大きい、該過程とを含むことを特徴とするスペーサの装着方法。
【請求項１２】
フェースプレート構造とバックプレート構造とを有するフラットパネルディスプレイにスペーサを装着する方法であって、
スペーサ壁に前記スペーサ壁の両端近傍においてスペーサ脚部を取り付ける過程と、
前記スペーサ脚部間に力を加えることによって前記スペーサ壁を機械的に伸ばす過程と、
続けて前記フェースプレート構造と前記バックプレート構造の選択された一方に前記スペーサ壁の両端を取り付ける過程と、
前記スペーサ脚部の間に加えられた力を取り除く過程とを含むことを特徴とするスペーサの装着方法。
【請求項１３】
前記力が機械的ねじ、圧電素子及び高熱膨張性合金の少なくとも１つによって加えられることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
フェースプレート構造とバックプレート構造とを有するフラットパネルディスプレイにスペーサを装着する方法であって、
前記フェースプレート構造と前記バックプレート構造の選択された一方を冷却し、前記選択された構造が収縮するようにする過程と、
前記選択された構造に前記スペーサ壁の両端を取り付ける過程であって、前記選択された構造の温度が前記スペーサ壁の温度より低い、該過程と、
前記選択された構造が膨張するように、前記選択された構造を暖める過程とを含むことを特徴とするスペーサの装着方法。
【請求項１５】
フェースプレート構造とバックプレート構造とを有するフラットパネルディスプレイにスペーサを装着する方法であって、
前記フェースプレート構造及び前記バックプレート構造の少なくとも一方に、機械的に伸ばされたスペーサ壁の両端部を固着することを特徴とするスペーサの装着方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極電極と、陽極電極と、プラズマ化させるガスの導入手段とを有し、
前記陰極電極における前記陽極電極側の表面にカーボンナノチューブが形成されていることを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項２】
陰極電極と、陽極電極と、プラズマ化させるガスの導入手段と、磁場を形成する手段とを有し、
前記陰極電極における前記陽極電極側の表面には、カーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブを保護する手段が複数形成されていることを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項３】
陰極電極と、陽極電極と、プラズマ化させるガスの導入手段と、磁場を形成する手段とを有し、
前記陰極電極における前記陽極電極側の表面には、カーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブを保護する手段が複数形成されており、前記保護する手段はシース電界に対して傾斜していることを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項４】
陰極電極と、陽極電極と、プラズマ化させるガスの導入手段と、磁場を形成する手段とを有し、
前記陰極電極における前記陽極電極側の表面には、カーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブを保護する手段が複数形成されており、前記保護する手段は曲率を有していることを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項５】
陰極電極と、陽極電極と、プラズマ化させるガスの導入手段と、磁場を形成する手段とを有し、
前記陰極電極における前記陽極電極側の表面には、カーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブを保護する手段が複数形成されており、前記保護する手段はシース電界に対して傾斜しており且つ曲率を有していることを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一項において、前記カーボンナノチューブを保護する手段は、前記陰極電極とプラズマ化された前記ガスの間に形成されるシース電界で加速された正イオンを遮蔽することを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、前記カーボンナノチューブを保護する手段は、導電材料または絶縁材料で形成されていることを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記カーボンナノチューブは、導電性ペーストによって前記陰極電極に接着されていることを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記カーボンナノチューブは、前記陰極電極表面に気相成長させて形成したことを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記カーボンナノチューブは単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、ＶＧＣＦ、カーボンナノホーン、ナノグラスファイバーから選ばれた一種または複数種であることを特徴とするプラズマ生成装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載のプラズマ生成装置を備えたエッチング装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載のプラズマ生成装置を備えたスパッタ装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載のプラズマ生成装置を備えた成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ生成装置、エッチング装置、スパッタ装置及び成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
σ＝Ｃ／Ｒ  （Ｃ＝Ｉ／Ｓ）
ここでＩは試料の厚さ、Ｓはその面積、Ｒは抵抗を示す。ＩとＳの値は常にそれぞれ０．０４ｃｍ、０．７８５ｃｍ2になるようにフィルムを作成している、Ｃの値は常に０．０５１０である。抵抗値Ｒは複素交流インピーダンス測定を行い決定した。この方法を用いれば、周波数変化に対応するインピーダンス変化並びに位相の変化を解析することにより、バルク、粒界あるいは電極の挙動を明らかにすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
高温（８０℃）、低温（３０℃）でのイオン導電率は、図５に示したようにポリマー電解質膜中の高分岐ポリマーに関係なくほぼ一定の値であった。この結果、リチウム塩にＬｉ（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎを使用した場合（実施例１）と同様にイオン導電率は高分岐ポリマーの添加により増加する。低温でのイオン導電率の向上に高分岐ポリマーの添加は有効であることがわかる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
【表１】
2004006237.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
（実施例７）
リチウム塩（Ｌｉ（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ）の量をＬｉ／Ｏ＝１／１５とし、複合酸化物にＢａＴｉＯ3を１０重量％（粒径０．５μｍ）、基材ポリマーにＥＯ／ＰＯ共重合体（ｎ／ｍ＝９０／１０モル％：分子量＝８３×１０4）を用い、高分岐ポリマー（poly-Ac1b；Mn＝２５０００）の無添加の場合と、２０重量％添加した場合のポリマー電解質膜を、アセトニトリルによりキャステング法で調製した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
（実施例８）
リチウム塩（Ｌｉ（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ）の量をＬｉ／Ｏ＝１／１２とし、3-2-1-10-ＰＥＯ（分子量＝６０×１０4）を８０wt%と高分岐ポリマー（poly-Ac1b）２０wt%とのブレンドポリマーに無機フィラーとして０．５μｍのＢａＴｉＯ3 を配合し、表２に示す組成の４種類の溶液を調製し、ＢａＴｉＯ3の量を変化させて得た４種類のポリマー電解質膜を調製した。そして得られたポリマー電解質膜の温度に対するイオン伝導率を測定し、その結果を図１１に示した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
【表２】
2004006237.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
すべてのＢａＴｉＯ3の配合量においてイオン伝導率曲線は直線的であった。また、活性化エネルギーはＢａＴｉＯ3の１wt%配合のもので２３．７kJ/kmol、１５wt%で３０．８kJ/kmol、２０wt%で２３．６kJ/kmol となった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
【表３】
2004006237.tif 000003
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
【表４】
2004006237.tif 000004
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
【表５】
2004006237.tif 000005
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
（正極にボロキシン化合物を添加したポリマーリチウム電池のサイクル特性試験）
得られたポリマーリチウム電池の正極容量の充放電サイクルによる変化を温度条件５０℃，充放電密度０．１ｍＡ／ｃｍ2の試験条件で測定した。この正極容量の充放電サイクルによる変化を図１９に示す。Ｂ（７．２）無添加のポリマーリチウム電池では、正極の初期容量が１１３ｍＡｈ／ｇであり、この正極容量はサイクルとともに徐々に低下して２０サイクル経過後には１０２ｍＡｈ／ｇにまで低減した。Ｂ（７．２）無添加のポリマーリチウム電池における１サイクルあたりの低減率［（初期容量−２０サイクル後の容量）／初期容量／２０×１００］は０．４９％であった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記を含む装置：
複数の第一のＬＥＤであって、第一のスペクトルを有する第一の投射光を生ぜしめるように構成されているもの、
複数の第二のＬＥＤであって、第二のスペクトルを有する第二の投射光を生ぜしめるように構成されているもの、
生じた第一の投射光と第二の投射光とを混合するディフューザであって、均一な色の光であって可視スペクトルを有するもの、第一の投射光と第二の投射光との組み合わせに基づいて与えるもの、および
少なくとも１つの制御器であって、複数の第一のＬＥＤおよび複数の第二のＬＥＤを制御して、ディフューザが与える全ての可視光が、白色光としてのみ知覚されるようにするもの。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キセノンランプと蓄光材を一体化した光源を光学系の焦点近傍に位置させた標示ランプ。
【請求項２】
キセノンランプの長手方向に沿ってスリーブを設け、そのスリーブの一部又は全周に亘って、蓄光材を被覆した光源を持つ標示ランプ。
【請求項３】
蓄光材を、直接キセノンランプに被覆した光源を持つ標示ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】    従来、この種の標示ランプとしては、ＬＥＤや白熱電球からなる光源とアルミなどの反射材を併用使用して装着し、被視認性を確保しているのが一般的であるが、更には自発光で視覚に強く訴えるものが要求されている。現状では消費電力、コスト面での制約があり、唯一自発光で電力の追加なしでできるのが蓄光材である。蓄光材については光源との組み合わせによる照明技術が、多く紹介されている。内容としては、以下に集約される。
（１）蓄光材シートに、別に設けられた外部光源から光を照射し、蓄光材シートを励起発光させ、蓄光材シートそのものを標識灯として利用する。
（特開平８−１３７４１９参照）
（２）内部に、光源を備えるランプケースに蓄光材シートを貼付し、蓄光の励起光を標識として利用する。
（特願平９−１８３０２９参照）
（３）蛍光ランプの外側に蓄光材を塗布し、蛍光ランプを消灯した後、蓄光材からの励起残光を照明として利用する。
（特開平９−５５１８９参照）
これ等の技術は、（１）（２）については、光源と蓄光材が一体でなく独立して設けられており、蓄光効率が悪く、又レンズ、反射鏡を使って標示ランプとして自在に光学設計ができない。（３）については、標示ランプでなく照明ランプとして使用するものであるが、これも（１）（２）の理由と同様、光源として蓄光材を使用したものでないため、レンズや反射鏡等の光学系を使った標示ランプとは基本的に異なるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】    しかしながら、ＬＥＤや白熱電球からなる光源の標示ランプは、自転車等軽車両の走行などに使用するには明るさが不足したり、又逆に消費電力が大きすぎるという問題点があり、現在は光源を使わない反射器のみの装着で普及している。消費電力を増やさず自発光できるものとして蓄光材が考えられるが、標示ランプとして蓄光材を使用するには、励起光の明るさを増大するための飛躍的な解決策が必要であり、これを解決することができれば標示ランプとしての用途は大きく拡大される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図９は、励起光を得るために蓄光材に与えるエネルギー（照度で評価）と蓄光材からの励起光の輝度を示すもので、蓄光材には大きなエネルギーを与えればそのぶん励起光の輝度も大きくなることは当然であるが、限られた光源を使用する場合には、光源を蓄光材にできる限り近づける方が有利となる。従って、本発明ではキセノンランプと蓄光材を一体化して使用するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水素イオン伝導性高分子電解質膜と、その電解質膜の両面にそれぞれ配置されガス拡散層および触媒層からなる電極の一対とからなる電解質膜電極接合体と、前記電極の一対の一方の電極に燃料ガスを供給排出するためのガス流路を有し前記一方の電極に接する導電性セパレータ板と、他方の電極に酸化剤ガスを供給排出するためのガス流路を有し前記他方の電極に接するさらなる導電性セパレータ板とからなる単位電池が複数積層され積層方向に締結されてなる電池スタックを具備する高分子電解質型燃料電池であって、前記締結のための締結圧のうち、前記各電極に印加される締結圧が、前記各電極の面積当たり２．０〜４．０ｋｇｆ/ｃｍ2であることを特徴とする高分子電解質型燃料電池。
【請求項２】  水素イオン伝導性高分子電解質膜と、その電解質膜の両面にそれぞれ配置されガス拡散層および触媒層からなる電極の一対とからなる電解質膜電極接合体と、前記電極の一対の一方の電極に燃料ガスを供給排出するためのガス流路を有し前記一方の電極に接する導電性セパレータ板と、他方の電極に酸化剤ガスを供給排出するためのガス流路を有し前記他方の電極に接するさらなる導電性セパレータ板とからなる単位電池が複数積層され積層方向に締結されてなる電池スタックを具備する高分子電解質型燃料電池であって、前記締結のための締結圧のうち、前記各電極に印加される締結圧が、前記各導電性セパレータ板と前記各電極とが接する面積当たり４．０〜８．０ｋｇｆ/ｃｍ2であることを特徴とする高分子電解質型燃料電池。
【請求項３】  前記各導電性セパレータ板の前記各ガス流路の溝幅が０．８ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下であり、前記各ガス流路の深さが０．３ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下である請求項２記載の高分子電解質型燃料電池。
【請求項４】  前記各導電性セパレータ板に接する前記各電極の面積のうち、前記各導電性セパレータ板と前記各電極とが接する部分の面積が、前記各導電性セパレータ板と前記各電極が接しない部分の面積以上である請求項２記載の高分子電解質型燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと接続された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、
前記第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、
前記層上に接する第２の電極とを有する発光素子であって、
前記第１の電極は多層構造であって、
前記第１の電極の最下層は前記薄膜トランジスタのソースまたはドレインの一方と接続され、
前記第１の電極の最上層は反射性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと接続された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、
前記第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、
前記層上に接する第２の電極とを有する発光素子であって、
前記第１の電極は、前記第１の電極の中央部に向かう凹部形状を成す傾斜面を有し、前記傾斜面は、前記有機化合物を含む層からの発光を反射することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと接続された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、
前記第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、
前記層上に接する第２の電極とを有する発光素子であって、
前記第１の電極は端部よりも膜厚の薄い凹部形状となっている部分を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタと接続された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、
前記第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、
前記層上に接する第２の電極とを有する発光素子であって、
前記第１の電極は、多層構造であり、前記第１の電極における端部よりも積層数が少ない部分を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２の電極は光を透過する導電膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の電極は陰極であり、前記第２の電極は陽極であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の電極は、凹部形状を成す傾斜面を有し、前記傾斜面の傾斜角度は、３０°を越え７０°未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第１の電極の端部を覆う絶縁物は、上端部に曲率半径を有する曲面を有しており、前記曲率半径は、０．２μｍ〜３μｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の電極は、チタンを含む第１の金属層と、窒化チタンまたは窒化タングステンを含む第２の金属層と、アルミニウムを含む第３の金属層と、窒化チタンを含む第４の金属層との積層であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は、赤色発光する材料、緑色発光する材料、もしくは青色発光する材料であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は白色発光する材料であり、封止材に設けられたカラーフィルタと組み合わされたことを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は単色発光する材料であり、封止材に設けられた色変換層または着色層と組み合わされたことを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末であることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
第１の電極と、前記第１の電極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層に接する第２の電極とを有する発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
金属層の積層からなる前記第１の電極の端部を覆うように前記絶縁物を形成し、
前記絶縁物をマスクとしてエッチングを行うことにより、前記第１の電極に斜面が形成されるように前記第１の電極を部分的に薄くし、
前記斜面が形成された第１の電極及び前記絶縁物上に前記有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に光を透過する金属薄膜からなる前記第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記第１の電極は光を反射する金属層と、エッチングストッパーとなる金属層との積層を有し、前記光を反射する金属層がエッチングされることによって、前記第１の電極に形成された斜面には、光を反射する金属材料が露呈していることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６において、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極よりも仕事関数が大きい金属層からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１５乃至１７のいずれか一において、前記第１の電極は、チタンを含む第１の金属層と、窒化チタンまたは窒化タングステンを含む第２の金属層と、アルミニウムを含む第３の金属層と、窒化チタンを含む第４の金属層との積層であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至１８のいずれか一において、前記第１の電極は凹部形状を成す傾斜面を有し、前記傾斜面の傾斜角度は、３０°を越え７０°未満であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１５乃至１９のいずれか一において、前記第１の電極の端部を覆う絶縁物は、上端部に曲率半径を有する曲面を有しており、前記曲率半径は、０．２μｍ〜３μｍであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直方向へ延びる支持手段と、ウエーハを支持するために該垂直方向へ延びる支持手段から実質的に水平に延びる支持手段とを具備する架台において、前記実質的に水平に延びる支持手段の径方向内側の先端とウエーハとの接触点がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の２０％〜８０％の範囲にあり、且つ、前記垂直方向へ延びる支持手段によって影となるウエーハ部分の面積がウエーハの全面積の３０％以下となるように前記実質的に水平に延びる支持手段が径方向へ延びることを特徴とする架台。
【請求項２】
上記実質的に水平に延びる支持手段が上記垂直な支持手段から連続的に上方へと傾斜しつつ実質的に水平に延び、該実質的に水平に延びる支持手段上にウエーハが支持されたときに該実質的に水平に延びる支持手段の径方向内側の先端がウエーハに接触し、該実質的に水平に延びる支持手段の径方向内側の先端とウエーハとが接触する面積がウエーハの全面積の約０．０２％〜約１％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の架台。
【請求項３】
上記実質的に水平に延びる支持手段上にウエーハが支持されたときに該実質的に水平に延びる支持手段がウエーハの縁から該実質的に水平に延びる支持手段の径方向内側の先端まで連続して接触し、該実質的に水平に延びる支持手段の径方向内側の先端とウエーハとが接触する面積がウエーハの全面積の約１％〜約５％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の架台。
【請求項４】
前記垂直方向へ延びる支持手段によって影となるウエーハ部分の面積がウエーハの全面積の１０％以下となるように前記実質的に水平に延びる支持手段が径方向へ延びることを特徴とする請求項１に記載の架台。
【請求項５】
垂直方向へ延びる支持手段と、ウエーハを支持するために該垂直方向へ延びる支持手段から実質的に水平に延びる支持手段とを具備する架台において、前記実質的に水平に延びる支持手段の径方向内側の先端とウエーハとの接触点がウエーハの縁から測ってウエーハ半径の３３％〜６６％の範囲にあり、且つ、前記垂直方向へ延びる支持手段によって影となるウエーハ部分の面積がウエーハの全面積の３０％以下となるように前記実質的に水平に延びる支持手段が径方向へ延びることを特徴とする架台。
【請求項６】
ウエーハと、垂直方向へ延びる支持手段とウエーハを支持するために該垂直方向へ延びる支持手段から実質的に水平に延びる支持手段とを具備する架台との組合せにおいて、該ウエーハの直径が２００ｍｍであり、前記実質的に水平に延びる支持手段の長さが少なくとも３２ｍｍであることを特徴とする組合せ。
【請求項７】
ウエーハと、垂直方向へ延びる支持手段とウエーハを支持するために該垂直方向へ延びる支持手段から実質的に水平に延びる支持手段とを具備する架台との組合せにおいて、該ウエーハの直径が３００ｍｍであり、前記実質的に水平に延びる支持手段の長さが少なくとも４２ｍｍであることを特徴とする組合せ。