【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】      シリコンウェーハ基板で無欠陥かつエピタキシャル成長層で無欠陥となる無欠陥領域であって、シリコン結晶中のボロン濃度が１×１０１８atoms/ｃｍ３以上でボロン濃度が上昇するにしたがい成長速度Ｖが徐々に低下するラインを下限ライン（ＬＮ１）とする無エピ欠陥領域（α2）内に入るように、シリコン結晶中のボロンの濃度と成長条件Ｖ/Ｇ（Ｖ：成長速度、Ｇ：結晶の軸方向温度勾配）を制御して、シリコン結晶を製造するシリコン結晶製造工程と、
前記シリコン結晶からシリコンウェーハ基板を採取するシリコンウェーハ基板採取工程と、
前記シリコンウェーハ基板の上にエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長工程と
を含むシリコンウェーハ製造方法。
【請求項２】      前記シリコン結晶製造工程では、シリコン結晶の軸方向温度勾配Ｇが結晶中心から結晶端の間で所定レベル以下に均一にされること
を特徴とする請求項１記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】      前記シリコン結晶製造工程では、シリコン結晶が引き上げ
られるシリコン融液に磁場を印加することによって、シリコン結晶の軸方向温度勾配Ｇを結晶中心から結晶端の間で所定レベル以下に均一にすること
を特徴とする請求項２記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】      前記シリコン結晶製造工程では、シリコン結晶が引き上げられるシリコン融液を、無磁場の状態とし、かつシリコン結晶の回転数を制御することによって、シリコン結晶の軸方向温度勾配Ｇを結晶中心から結晶端の間で所定レベル以下に均一にすること
を特徴とする請求項２記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】      前記シリコン結晶製造工程では、シリコン結晶が引き上げられるシリコン融液を、無磁場の状態とし、かつシリコン融液が収容される石英るつぼの回転数を制御することによって、シリコン結晶の軸方向温度勾配Ｇを結晶中心から結晶端の間で所定レベル以下に均一にすること
を特徴とする請求項２記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項６】      前記シリコン結晶製造工程では、シリコン結晶中の酸素濃度が１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制御されること
を特徴とする請求項１または２記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項７】      シリコンウェーハ基板でＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）が顕れエピタキシャル成長層で欠陥が顕れるエピ欠陥領域（β1）を少なくとも含むように、シリコン結晶中のボロンの濃度と成長条件Ｖ/Ｇ（Ｖ：成長速度、Ｇ：結晶の軸方向温度勾配）を制御するとともに、ＯＳＦ核がＯＳＦに顕在化しないようにシリコン結晶の熱処理の条件とシリコン結晶中の酸素濃度とを制御すること
を特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項８】      シリコンウェーハ基板でボイド欠陥が顕れエピタキシャル成長層で無欠陥となる無エピ欠陥領域（α1）内の下限ライン（ＬＮ３）近傍になるように、シリコン結晶中のボロン濃度と成長条件Ｖ/Ｇ（Ｖ：成長速度、Ｇ：結晶の軸方向温度勾配）を制御して、シリコン結晶を製造するシリコン結晶製造工程と、
前記シリコン結晶からシリコンウェーハ基板を採取するシリコンウェーハ基板採取工程と、
前記シリコンウェーハ基板の上に、２μｍ以下の薄膜のエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長工程と
を含むシリコンウェーハ製造方法。
【請求項９】      前記シリコン結晶製造工程では、シリコン結晶中の酸素濃度が１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制御されること
を特徴とする請求項８記載のシリコンウェーハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
第６発明は、第１発明または第２発明において、
前記シリコン結晶製造工程では、シリコン結晶中の酸素濃度が１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制御されること
を特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
第６発明は、第１発明または第２発明のシリコン結晶製造工程に更に技術的限定を加えたものであり、シリコン結晶製造工程では、シリコン結晶中の酸素濃度が１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制御される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
第６発明によれば、シリコン結晶中の酸素濃度が１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制御されて低酸素濃度になると、たとえ製造条件領域がエピ欠陥領域β1にまたがっていたとしても、シリコンウェーハ基板中のＯＳＦ核がＯＳＦという欠陥に成長してエピ欠陥としてエピタキシャル成長層で顕在化しにくくなる。このためボロン濃度と成長条件Ｖ/Ｇの設定条件を緩やかにでき、より歩留まりを向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
第９発明は、第８発明において、
前記シリコン結晶製造工程では、シリコン結晶中の酸素濃度が１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制御されること
を特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
第９発明によれば、シリコン結晶中の酸素濃度が１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制御されて低酸素濃度になると、たとえ結晶製造条件領域がエピ欠陥領域β1にまたがっていたとしても、シリコンウェーハ基板中のＯＳＦ核がＯＳＦという欠陥に成長してエピ欠陥としてエピタキシャル成長層で顕在化しにくくなる。このためボロン濃度と成長条件Ｖ/Ｇの設定条件を緩やかにでき、更に歩留まりを高くすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
（第６の製造方法）
この第６の製造方法では、第１の製造方法でシリコン結晶１０を製造するに際して、シリコン結晶１０中の酸素濃度を１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制限する制御が追加される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
そこでシリコン結晶１０中の酸素濃度を１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制限する制御が行われる。シリコン結晶１０が低酸素濃度になると、たとえ結晶製造条件領域がエピ欠陥領域β1にまたがっていたとしても、シリコンウェーハ基板中のＯＳＦ核がＯＳＦという欠陥に成長してエピ欠陥としてエピタキシャル成長層で顕在化しにくくなる。このためボロン濃度と成長条件Ｖ/Ｇの設定条件を緩やかにでき、より歩留まりを向上させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
１）シリコン結晶１０中の酸素濃度を１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制限し、乾燥  したＯ２  ガス雰囲気下（Dry Ｏ２ ）で1000 ℃ x 16 時間の熱処理を施す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
２）シリコン結晶１０中の酸素濃度を１１×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制限し、湿ったＯ２  ガ ス雰囲気下（Wet Ｏ２ ）で650 ℃ x 3 時間+ 1100 ℃ x 2時間の熱処理を施す。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
３）シリコン結晶１０中の酸素濃度を１１×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制限し、乾燥した  Ｏ２  ガス雰囲気下（Dry Ｏ２ ）で650 ℃ x 3 時間+ 1000 ℃ x 16 時間の熱処理を施す。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
（第９の製造方法）
この第９の製造方法では、第８の製造方法でシリコン結晶１０を製造するに際して、シリコン結晶１０中の酸素濃度を１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制限する制御が追加される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
そこでシリコン結晶１０中の酸素濃度を１２．５×１０１７atoms/ｃｍ３以下に制限する制御が行われる。シリコン結晶１０が低酸素濃度になると、たとえ結晶製造条件領域がエピ欠陥領域β1にまたがっていたとしても、シリコンウェーハ基板中のＯＳＦ核がＯＳＦという欠陥に成長してエピ欠陥としてエピタキシャル成長層で顕在化しにくくなる。このためボロン濃度と成長条件Ｖ/Ｇの設定条件を緩やかにでき、より歩留まりを向上させることができる。