【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マルチチップモジュールの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体基板に、金属膜を露光光に対する遮光膜として用いた第１のフォトマスクを用いて所定のパターンを形成する工程を少なくとも１回含み、複数の第１の半導体集積回路装置を製造する工程と、
第２の半導体基板に、有機感光性樹脂膜を露光光に対する遮光膜として用いた第２のフォトマスクを用いて所定のパターンを形成する工程を少なくとも１回含み、複数の第２の半導体集積回路装置を製造する工程と、
前記第１の半導体集積回路装置と、前記第２の半導体集積回路装置とを同一の配線基板に実装する工程とを有することを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記第１の半導体集積回路装置は、メモリ素子を含むことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記第２の半導体集積回路装置は、論理素子を含むことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記第１および第２の半導体集積回路装置は、前記配線基板に対してフェースダウンボンディングで電気的に接続されることを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項５】
金属膜を遮光体としてパターンが描かれたフォトマスクを用い、前記パターンを投影光学系を介して半導体基板上に転写する投影露光を繰り返し実施して所定のパターンを順次形成していく工程を含む第１の半導体集積回路装置製造工程と、
有機感光性樹脂を遮光体とし開口パターンが描かれたフォトマスクを用いて前記パターンを投影光学系を介して半導体基板上に転写する投影露光工程を少なくとも１回含み、他の露光工程は金属膜を遮光体とするフォトマスクを用い、投影露光を繰り返し実施して所定のパターンを順次形成していく工程を含む第２の半導体集積回路装置製造工程と、
前記第１の半導体集積回路装置製造工程で製造された第１の半導体集積回路装置と前記第２の半導体集積回路装置製造工程で製造された第２の半導体集積回路装置とを同一の配線基板上に実装する工程とを有することを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記第１の半導体集積回路装置は主にメモリ素子であり、前記第２の半導体集積回路装置は主に論理素子であることを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項７】
有機感光性樹脂を遮光体とし開口パターンが描かれたフォトマスクを用いて前記パターンを投影光学系を介して半導体基板上に転写する投影露光工程と、金属膜を遮光体とするフォトマスクを用い、投影露光を繰り返し実施して所定のパターンを順次形成していく工程とを含み、パターン形成は主に前記金属膜を遮光体とするフォトマスクを用いる第１の半導体集積回路装置製造工程と、
有機感光性樹脂を遮光体とし開口パターンが描かれたフォトマスクを用いて前記パターンを投影光学系を介して半導体基板上に転写する投影露光工程と、金属膜を遮光体とするフォトマスクを用い、投影露光を繰り返し実施して所定のパターンを順次形成していく工程とをそれぞれ使い分けて形成する第２の半導体集積回路装置製造工程と、
前記第１の半導体集積回路装置製造工程で製造された第１の半導体集積回路装置と前記第２の半導体集積回路装置製造工程で製造された第２の半導体集積回路装置とを同一の配線基板上に実装する工程とを有することを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記有機感光性樹脂を遮光体とするフォトマスクを用いて露光する工程は、少なくともホールまたは配線パターンのいずれかを形成する工程であることを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項７記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記有機感光性樹脂を遮光体とするフォトマスクを用いて露光する工程は、半導体集積回路素子のボンディングパッドと半田バンプを繋ぐ再配置配線の形成工程であることを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項７記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記有機感光性樹脂は電子線レジスト材料であり、該レジストを遮光体とするフォトマスクを用いて露光する工程における露光波長は２５０ｎｍ以下であることを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項１１】
請求項７記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記有機感光性樹脂と反射防止膜を含む有機材料を遮光体とするフォトマスクを用いて露光する工程における露光波長は３７０ｎｍ以下であることを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マルチチップモジュールの製造技術に関し、特に、半導体集積回路装置の製造工程において、半導体ウエハ（以下、単にウエハと言う）にフォトマスク（以下、単にマスクという）を用いて所定のパターンを転写するフォトリソグラフィ（以下、単にリソグラフィという）技術に適用して有効な技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明は、第１の半導体基板に、金属膜を露光光に対する遮光膜として用いた第１のフォトマスクを用いて所定のパターンを形成する工程を少なくとも１回含み、複数の第１の半導体集積回路装置を製造する工程と、
第２の半導体基板に、有機感光性樹脂膜を露光光に対する遮光膜として用いた第２のフォトマスクを用いて所定のパターンを形成する工程を少なくとも１回含み、複数の第２の半導体集積回路装置を製造する工程と、
前記第１の半導体集積回路装置と、前記第２の半導体集積回路装置とを同一の配線基板に実装する工程とを有するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、金属膜を遮光体としてパターンが描かれたフォトマスクを用い、前記パターンを投影光学系を介して半導体基板上に転写する投影露光を繰り返し実施して所定のパターンを順次形成していく工程を含む第１の半導体集積回路装置製造工程と、
有機感光性樹脂を遮光体とし開口パターンが描かれたフォトマスクを用いて前記パターンを投影光学系を介して半導体基板上に転写する投影露光工程を少なくとも１回含み、他の露光工程は金属膜を遮光体とするフォトマスクを用い、投影露光を繰り返し実施して所定のパターンを順次形成していく工程を含む第２の半導体集積回路装置製造工程と、
前記第１の半導体集積回路装置製造工程で製造された第１の半導体集積回路装置と前記第２の半導体集積回路装置製造工程で製造された第２の半導体集積回路装置とを同一の配線基板上に実装する工程とを有するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、有機感光性樹脂を遮光体とし開口パターンが描かれたフォトマスクを用いて前記パターンを投影光学系を介して半導体基板上に転写する投影露光工程と、金属膜を遮光体とするフォトマスクを用い、投影露光を繰り返し実施して所定のパターンを順次形成していく工程とを含み、パターン形成は主に前記金属膜を遮光体とするフォトマスクを用いる第１の半導体集積回路装置製造工程と、
有機感光性樹脂を遮光体とし開口パターンが描かれたフォトマスクを用いて前記パターンを投影光学系を介して半導体基板上に転写する投影露光工程と、金属膜を遮光体とするフォトマスクを用い、投影露光を繰り返し実施して所定のパターンを順次形成していく工程とをそれぞれ使い分けて形成する第２の半導体集積回路装置工程と、
前記第１の半導体集積回路装置製造工程で製造された第１の半導体集積回路装置と前記第２の半導体集積回路装置製造工程で製造された第２の半導体集積回路装置とを同一の配線基板上に実装する工程とを有するものである。