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【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光ダイオードを有する複数のＬＥＤモジュールを備えるＬＥＤ装置であって、
前記ＬＥＤモジュールはそれぞれ、前記発光ダイオードの異常を検知する異常検知手段を有し、
前記ＬＥＤ装置は、ＬＥＤモジュールの異常検知手段が並列接続され異常信号を共通に出力させる共通出力線と、前記共通出力線からの異常信号を監視する監視手段と、を有することを特徴とするＬＥＤ装置。
【請求項２】
前記ＬＥＤ装置は、異常検知手段からの信号を記憶する記憶手段を有することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項３】
前記異常検知手段は、オープンコレクタ型回路で構成されており、各異常検知手段からの出力が共通出力線にワイヤードＯＲ接続されて監視手段に入力されることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項４】
前記異常が発光ダイオードへ流れる電流の開放及び／又は短絡であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項５】
前記異常検知手段は、各発光ダイオードを点灯させる駆動手段の出力に少なくとも１つ以上の基準電圧を持つ電圧比較回路を具備することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項６】
前記異常検知手段は、各発光ダイオードを点灯させる駆動手段に制御電流検出回路を具備することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項７】
前記ＬＥＤモジュールは、ＲＧＢの発光ダイオードを有し、
前記共通出力線は、ＲＧＢの各発行色ごとに設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月15日(2004.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ここで、導電性接着剤４３，４３は、例えばエポキシ樹脂系の接着剤やシリコーン樹脂系の接着剤やポリイミド系の接着剤やウレタン系の接着剤などの中に、絶縁性皮膜で包まれたＡｇ（銀）などの導電性微粒子を含有している。そして、この導電性接着剤を押圧することで、絶縁性皮膜が破れて各導電性微粒子が接触し、導電可能な接着剤となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の不純物を第１の濃度で含む半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、前記第１の濃度よりも低い第２の濃度で第１導電型の不純物を含み、主表面を有する半導体層と、
前記半導体層の上に設けられた記憶領域と、
前記半導体層の上で前記記憶領域と異なる位置に設けられた論理回路領域とを備え、
前記記憶領域は、
前記半導体層に形成され、前記主表面から第１の深さに位置する第１の底面を有する第１導電型の第１のウェル領域と、
前記第１のウェル領域のまわりを取囲むように前記半導体層に形成され、前記主表面からの深さが前記第１の深さよりも浅い第２の深さに位置する第２の底面を有する第２導電型の第２のウェル領域と、
前記第１と第２の底面に接触するように前記半導体層に設けられた第２導電型の第１のボトムウェル領域とを含み、
前記論理回路領域は、
前記半導体層の主表面上に形成された相補型電界効果型半導体素子を含む、半導体記憶装置。
【請求項２】
前記記憶領域は、前記第１のウェル領域に形成された記憶素子を含む、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記記憶素子は、ダイナミック型ランダムアクセスメモリを含む、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記記憶素子はキャパシタを含む、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記論理回路領域は、前記半導体領域に設けられた第１導電型の第３のウェル領域と、第２導電型の第４のウェル領域とを含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記論理回路領域は、前記第３のウェル領域に形成された第２導電型の電界効果型トランジスタと、前記第４のウェル領域に形成された第１導電型の電界効果型トランジスタとを含む、請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記第４のウェル領域は前記第３のウェル領域のまわりを取囲むように設けられ、前記論理回路領域は前記第３と第４のウェル領域の底面に接触する第２導電型の第２のボトムウェル領域を含む、請求項５または６に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
第１導電型の不純物を第１の濃度で含む半導体基板の上にエピタキシャル成長した半導体層であって、前記第１の濃度よりも低い第２の濃度で第１導電型の不純物を含み、主表面を有する前記半導体層の上に記憶領域を形成する工程と、
前記半導体層の上で前記記憶領域と異なる位置に論理回路領域を形成する工程とを備え、
前記記憶領域を形成する工程は、前記半導体層に形成され、前記主表面から第１の深さに位置する第１の底面を有する第１導電型の第１のウェル領域と、前記第１のウェル領域のまわりを取囲むように前記半導体層に形成され、前記主表面からの深さが第１の深さよりも浅い第２の深さに位置する第２の底面を有する第２導電型の第２のウェル領域と、前記第１と第２の底面に接触するように前記半導体層に設けられた第２導電型の第１のボトムウェル領域とを形成する工程を含み、
前記論理回路領域を形成する工程は、前記半導体層の主表面上に相補型電界効果型半導体素子を形成する工程を含む、半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明に従った半導体記憶装置の製造方法は、第１導電型の不純物を第１の濃度で含む半導体基板の上にエピタキシャル成長した半導体層であって、第１の濃度よりも低い第２の濃度で第１導電型の不純物を含み、主表面を有する半導体層の上に記憶領域を形成する工程と、半導体層の上で記憶領域と異なる位置に論理回路領域を形成する工程とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全描画領域を所定の区分け態様で区分けすることで各々連続的に描画が可能な複数の単位領域を設定し、該単位領域毎の描画を間歇的に全ての単位領域においてそれぞれ行なうことで全描画領域の描画処理を行なうとともに、描画内容が各単位領域毎に分解されて表わされた描画データに基づいて上記の描画処理を行なう描画方法であって、
上記単位領域の境界線がずれるように２以上の区分け態様を設定するとともに、上記描画データを上記２以上の区分け態様で各々設定される複数種の単位領域にそれぞれ対応させて複数種類作成する描画データ作成ステップと、
該描画データ作成ステップで作成された複数種類の描画データを１つずつ用いて複数回の描画処理を同一の描画素材に対して行なう多重描画ステップとを有していることを特徴とする描画方法。
【請求項２】
連続した線描画が可能なベクタスキャン方式で描画処理が行なわれることを特徴とする請求項１記載の描画方法。
【請求項３】
上記単位領域は、上記描画データを描画領域の分割単位ごとに分解した場合に描画データを分解可能な最小の分割単位であることを特徴とする請求項１又は２に記載の描画方法。
【請求項４】
上記描画データ作成ステップにおいて、全描画領域の大きさの指定を異ならせた複数の区分け態様を用いることで上記単位領域の境界線がずれるようにされていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の描画方法。
【請求項５】
全描画領域を所定の区分け態様で区分けすることで各々連続的な描画が可能な複数の単位領域を設定し、描画内容が各単位領域毎に分解されて表わされた描画データを作成するデータ処理装置と、連続した線描画が可能なベクタスキャン方式の描画を行なうとともに、上記描画データに基づいて上記単位領域毎の描画処理を間歇的に全ての単位領域においてそれぞれ行なうことで領域全体の描画を行なう描画装置とを備えた描画システムにおいて、
上記データ処理装置は、上記単位領域の境界線がずれるように２以上の区分け態様を設定するとともに、上記描画データを上記２以上の区分け態様で各々設定された複数種の単位領域にそれぞれ対応させて複数種類作成する機能を備え、
上記描画装置は、上記データ処理装置で作成された複数種類の描画データを１つずつ用いて当該複数種類の描画データに基づく複数回の描画処理を同一の描画素材に対して行なう機能を備えていることを特徴とする描画システム。
【請求項６】
ステージを有する電子線描画装置を用いてマスク基板に所望のパターンを描画するフォトマスクの製造方法であって、
上記所望のパターンを、上記ステージの移動で規定されるフィールドと、前記フィールド内を前記電子線の大きな偏光操作で規定されるサブフィールドと、更に前記サブフィールド内を前記電子線の小さな偏光操作でサブサブフィールドとに区分し、前記サブサブフィールド内のパターンを描画する第１の工程と、前記第１の工程と前記電子線の小さな偏光操作とを繰り返すことにより前記サブフィールド内のパターンを描画する第２の工程と、前記第２の工程と前記電子線の大きな偏光操作とを繰り返すことにより前記フィールド内のパターンを描画する第３の工程と、前記第３の工程と前記ステージ移動とを繰り返すことにより前記所定のパターンを描画する第４の工程とを有し、前記サブサブフィールドを描画する際にその境界線をずらすことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ステップ１０１：装置コンフィグレーションの設定
３項目の設定（装置タイプ、膜種、温度帯）
ここで、装置タイプは、例えばウェーハ径２００ｍｍに対応するものとして、
また、ウェーハ径３００ｍｍに対応するものなど、仕様毎に設定されている装置
型番を選択できる。また、膜種には、ＤＲＹ，ＰＹＲＯ，ＨＴＯ，Ｓｉ3Ｎ4，Ｄ
‐ＰＯＬＹ（ドープトポリシリコン），ＰＯＬＹ，ＴＥＯＳ，ＡＮＥＥＬ（アニ
ール）などを選択できる。また、温度帯には、０、５０、１００，１５０、２０
０、２５０〜１４００℃（５０℃刻み）を選択できる。なお、５０℃刻みでなく
、他の温度刻みで良いことはもちろんである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザー照射装置、レーザー照射方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照射物上にレーザー光を照射するレーザー照射装置において、
レーザーと、
前記レーザーから発振されたレーザー光のビーム形状を前記被照射物上で線状に成形する手段と、
前記線状に成形されたレーザー光を前記被照射物上で回転させ、前記線状に成形されたレーザー光の長軸方向を設定する手段とを有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項２】
被照射物上にレーザー光を照射するレーザー照射装置において、
レーザーと、
前記レーザーから発振されたレーザー光のビーム形状を前記被照射物上で線状に成形する手段と、
前記線状に成形されたレーザー光を前記被照射物上で回転させ、前記線状に成形されたレーザー光の長軸方向を設定する手段と、
前記線状に成形され、前記長軸方向が設定されたレーザー光を前記被照射物上で焦点を結ぶ手段と、
前記焦点が結ばれたレーザー光を前記被照射物上で走査する手段とを有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記焦点を結ぶ手段はｆ−θレンズであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記走査する手段はガルバノミラーであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記線状に成形する手段はシリンドリカルレンズであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において
前記レーザー光を回転させ、前記線状に成形されたレーザー光の長軸方向を設定する手段は、回転可能なシリンドリカルレンズであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項７】
被照射物上にレーザー光を照射するレーザー照射装置において、
レーザーと、
前記レーザーから発振されたレーザー光を、前記被照射物上で線状に成形するシリンドリカルレンズと、
前記線状に成形されたレーザー光を、前記被照射物上で焦点を結ぶｆ−θレンズとを有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記レーザーは連続発振型のレーザーであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記レーザーと前記被照射物との間に計算機ホログラムが設置されていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記レーザーと前記被照射物との間にアイソレーターが設置されていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
インターロックが設置されることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
ダンパーが設置されていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
チャンバーが設置されていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、
前記レーザー照射装置が複数設置されることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１５】
レーザーからレーザー光を発振させ、
前記レーザー光のビーム形状を被照射物上で線状に成形し、
前記線状に成形されたレーザー光を前記被照射物上で回転させ、かつ、前記線状に成形されたレーザー光の長軸方向を設定し、
前記長軸方向が設定されたレーザー光を前記被照射物上で焦点を結び、
前記被照射物上で焦点を結んだレーザー光を前記被照射物上で走査させることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
シリンドリカルレンズにより前記レーザーから発振されたレーザー光のビーム形状を前記被照射物上で線状に成形することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６において、
シリンドリカルレンズを回転させることにより、前記線状に成形されたレーザー光を前記被照射物上で回転させ、前記線状に成形させたレーザー光の長軸方向を設定することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１８】
請求項１５乃至１７のいずれか一において、
ｆ−θレンズにより、前記線状に成形され、前記被照射物上で前記長軸方向が設定されたレーザー光の焦点を結ぶことを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至１８のいずれか一において、
ガルバノミラーにより、前記焦点を結んだレーザー光を前記被照射物上で走査させることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２０】
請求項１５乃至１９のいずれか一において、
前記レーザーは連続発振型のレーザーであることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２１】
請求項１５乃至２０のいずれか一において、
用いるレーザー照射装置は複数であることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項２２】
請求項１５乃至２１のいずれか一に記載の前記レーザー照射方法を用いて半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月21日(2004.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第１の半導体集積回路装置の製造方法は、半導体ウエハ上に絶縁膜を形成する第１の工程と、絶縁膜の上に、機能素子又は配線を含むマスクパターンを形成し、形成したマスクパターンを用いて絶縁膜をパターニングする第２の工程とを備え、第２の工程において、少なくとも第１の工程により絶縁膜の膜厚又は誘電率に生じるプロセス変動量に応じて、マスクパターンのマスク寸法を変更することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第４の半導体集積回路装置の製造方法によると、ウエハ上において成膜される膜の膜厚にプロセス変動によるばらつきが生じたとしても、半導体ウエハ上に互いに大きさが異なるチップ形成領域を形成するため、半導体ウエハ上におけるばらつきの程度が小さい領域に相対的に面積が大きいチップ形成領域を区画する一方、ばらつきの程度が大きい領域に相対的に面積が小さいチップ形成領域を区画すると、プロセス変動量を実質的に抑制することができる。その結果、素子等の微細化に対応することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
その結果、層間絶縁膜１０の膜厚ｔ0 が所定値よりも小さい場合には、配線容量が相対的に大きくなって、信号伝送遅延量が増大するため、例えば第１の配線接続パターン１４Ａを適用する。逆に、膜厚ｔ0 が所定値を超える場合には、配線容量が相対的に小さくなって、信号伝送遅延量が減少するため、例えば第３の配線接続パターン１４Ｃを適用する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
しかしながら、ウエハの大口径化は、今後、プロセス装置の大面積化に対する均一性の点で行き詰まる虞があるため、基体の形状も、球体状の基体が既に用いられていることをも考慮すると、直方体状（１０２）又は円柱状（１０３）等の、種々の多面体状の基体が近いうちに登場してくる可能性がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003158090.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザと、
第1の冶具に設置された基板と、
第2の冶具に設置された金属基板とを有し、
前記レーザより発振したレーザ光が前記第1の冶具に設置された基板を照射した際、前記基板を透過したレーザ光が前記第2の冶具に設置された金属基板に照射されることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザから発振されたレーザ光により第1の基板を照射し、
前記第1の基板を透過した前記レーザ光により第2の基板が照射され、
前記第2の基板は金属基板であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
第1の基板上に非晶質半導体膜を形成し、
レーザから発振されたレーザ光により第1の基板を照射し、
前記第1の基板を透過した前記レーザ光により第2の基板を照射し、
前記第2の基板は金属基板であることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに結晶性半導体膜の作製方法
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月21日(2005.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザと、
前記レーザから射出されるレーザビームを複数に分割する第１の光学系と、
前記第１の光学系によって分割されたレーザビームを合成して、被照射面において周期的なエネルギー分布を有するレーザビームを形成する第２の光学系とを有し、
前記第１の光学系は、前記レーザと前記第２の光学系との間に設けられていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザから射出されるレーザビームを被照射面に照射するレーザ照射装置において、
第１の光学系と第２の光学系とを有し、
前記第２の光学系は、前記第１の光学系により分割されたレーザビームの光軸を被照射面で重畳するように配置されており、
前記レーザから射出され前記第１の光学系および前記第２の光学系を経たレーザビームは、前記被照射面において周期的なエネルギー分布を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記被照射面に照射するレーザビームは、前記複数に分割されたレーザビームを干渉させて形成することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第１の光学系および第２の光学系は、前記レーザから射出されたレーザビームを試料の被照射面に対して斜めに照射するように設置されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第１の光学系および第２の光学系は、前記レーザから射出されたレーザビームを試料の被照射面に対して３〜３２度の入射角で照射するように設置されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第１の光学系は、シリンドリカルレンズアレイ、プリズムまたはミラーであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記第２の光学系は、ミラーまたはシリンドリカルレンズであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記レーザは、連続発振またはパルス発振の固体レーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項８において、前記レーザは、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザまたはＴｉ：サファイアレーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
同一のレーザから射出されたレーザビームの光路を第１の光学系により複数に分割し、
前記複数に分割されたレーザビームを第２の光学系により被照射面に対して斜めに照射して前記被照射面において周期的なエネルギ−分布を有するようにレーザビームを合成することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
同一のレーザから射出されたレーザビームの光路を第１の光学系により複数に分割し、
前記複数に分割されたレーザビームを第２の光学系により被照射面に対して斜めに照射して、前記被照射面の第１の方向において周期的なエネルギ−分布を有するようにレーザビームを合成し、前記被照射面の第１の方向および前記第１の方向に垂直な第２の方向に前記レーザビームを相対的に移動することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、前記被照射面に照射するレーザビームは、前記第１の光学系により複数に分割したレーザビームを干渉させて形成することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、前記被照射面に対して照射するレーザビームの角度は、３〜３２度であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記第１の光学系は、シリンドリカルレンズアレイ、プリズムまたはミラーであることであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、前記レーザは、連続発振またはパルス発振の固体レーザであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１５のいずれか一項において、前記レーザは、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザまたはＴｉ：サファイアレーザであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載のレーザ照射装置を用いて半導体膜を結晶化させるまたは半導体膜の結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載のレーザ照射装置を用いて不純物元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１０乃至請求項１６のいずれか一項に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を結晶化させるまたは半導体膜の結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１０乃至請求項１６のいずれか一項に記載のレーザ照射方法を用いて不純物元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月19日(2004.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここで、上記Ｒ−Ｔ−Ｍ−Ｂ希土類永久磁石において、Ｒとしては、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｄｙが好ましく、その含有量は特に１０〜３５ｗｔ％の範囲であることが好ましい。また、Ｔにおいて、ＣｏはＦｅとＣｏとの総量中、２０ｗｔ％以下、特に０〜１０ｗｔ％であることが好ましく、Ｔの含有量は特には５５〜８５ｗｔ％の範囲であるとが好ましい。Ｍとしては、特にＮｂ，Ａｌ，Ｖ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｍｏ，Ｗが好ましく、その含有量は特に０〜２ｗｔ％の範囲であることが好ましい。
更に、Ｂの好適含有量は０．５〜２ｗｔ％の範囲であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
手書き画像入力装置のペンが当接せしめられる表面を有するスクリーンと、該スクリーンの外周部を支持し前記手書き画像入力装置のペン位置検知部が取り付けられるスクリーン支持部と、前記スクリーンに画像を形成する画像形成手段とを備えており、前記ペン位置検知部は前記表面に当接せしめられた前記ペンの位置を検知して前記表面上における前記ペンの位置を示す手書き画像信号を生成する画像表示装置であって、
前記スクリーンは前記表面の中央に５ｋｇの加重を印加した時の撓み量が１０ｍｍ以下であることを特徴とする画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月12日(2005.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】発光方法であって、
制御信号を設けるステップと、
光の発生中に２つの偏光状態で作用することができるレーザを用いて光を発生するステップと、
前記制御信号に対応する前記偏光状態の間で前記レーザの作用を調整するステップと、
前記偏光状態の間で前記レーザの作用を調整する前記ステップに対応して、前記光の波長を調整するステップと、
を含む発光方法。
【請求項２】前記光を発生するステップが、複数のミラーで定義されるキャビティ内に設けられた前記レーザを用いて光を発生することを含み、前記光の波長を調整するステップが、前記レーザの作用を調整する前記ステップに対応して、前記キャビティ内で光路の少なくとも一部分の反射率を調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記波長を調整するステップが、複屈折材料を用いて調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】発光方法であって、
半導体レーザを設けるステップと、
２つの偏光状態において前記半導体レーザの作用を制御するステップと、
前記半導体レーザを用いて、前記２つの偏光状態のうちの１つにそれぞれ対応する２つの波長を備える光を発生するステップと、
を含む発光方法。
【請求項５】前記制御するステップが、前記半導体レーザを制御して第１の偏光状態で作用することを含み、前記光を発生するステップが、前記第１の偏光状態における前記半導体レーザの前記作用中に第１の波長を備えた光を発生することを含み、前記制御するステップが、前記半導体レーザを制御して第２の偏光状態で作用することをさらに含み、前記光を発生するステップが、前記第２の偏光状態における前記半導体レーザの前記作用中に前記第１の波長とは異なる第２の波長を備えた光を発生することをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】前記設けるステップが、前記半導体レーザに関する光路を形成するキャビティを設けることを含み、さらに前記２つの波長を備える光を発生するために前記半導体レーザの前記２つの偏光状態に対応して前記光路の少なくとも一部分の屈折率を調節することを含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルバミン酸エステルをイソシアネート及びヒドロキシル化合物へ熱分解する方法であって、
ａ）カルバミン酸エステルを、任意に溶解状態で、エステルの融点より高い温度にて、蒸発器帯域、反応／ストリッピング帯域、中間帯域、濃縮帯域、及び液体分離器と凝縮器を備えた頂部帯域を有する反応精留装置の注入口へ導入し〔該カラムは中間帯域に注入口を有し、蒸発器帯域に排出口を有し、液体分離器に排出口を有し、中間帯域と濃縮帯域の間に排出口（前記注入口）を有するものである〕、
ｂ）カラムの反応／ストリッピング帯域において、カルバミン酸エステルの溶剤となる高沸点化合物の存在下、１５０〜４００℃の温度にてカルバミン酸エステルを熱分解し（該高沸点化合物は、カルバミン酸エステル及び分解反応の生成物に対して実質的に不活性であり、かつ熱エネルギーを蒸発器からカラムの反応／ストリッピング帯域へ移送するものである）、
ｃ）分解反応の生成物を、少なくとも９５重量％のアルコールからなるフラクションと、濃縮帯域で使用されるカルバミン酸エステルの少なくとも９０重量％に相当するイソシアネートフラクションに分離し、
ｄ）蒸発器帯域の圧力を２〜１０００ミリバール、温度を１５０〜４００℃に維持することにより、蒸発器帯域において溶剤をその沸点より高い温度に維持し、
ｅ）適切なバッフルにより、滞留時間、質量、及び反応／ストリッピング帯域と中間帯域での熱伝達を調整して、カルバミン酸エステルをこれらの帯域中で分解させ、
ｆ）ヒドロキシル化合物を頂部帯域の液体分離器から除去し、イソシアネート成分を中間帯域と濃縮帯域の間の排出口から除去し、
ｇ）装置へ供給された高沸点化合物の量にほぼ相当する量の、不純物を含んでいてもよい高沸点化合物を、蒸発器帯域の排出口から除去する
ことからなる上記方法。
【請求項２】
イソシアネート成分を蒸留して精製イソシアネート化合物と底部フラクションを回収し、任意に底部フラクションを全部または一部精留装置へリサイクルすることを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
蒸発器帯域の排出口からの排出物を蒸留し、実質的に高沸点化合物溶剤を含有する低沸点フラクションを全部または一部精留装置への注入口へリサイクルすることを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
高沸点化合物が、異性体ジベンジルトルエン、部分水素化テルフェニル及びフェノキシビフェニルよりなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項５】
精留装置の濃縮帯域と任意に中間帯域を、反応／ストリッピング帯域の圧力よりも低い圧力にて操作することを含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
精留装置の濃縮帯域と任意に中間帯域を、別の装置内に配置することを含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
触媒の存在下にて反応を行うことを含む請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の実施の形態】
０．９１kg／時のヘキサメチレン−ジ−ｎ−ブチルウレタン−１，６（ＨＤＵ−Ｂ）混合物を、０．３kg／時のオルト−フェノキシビフェニル（ＧＣより含有量＞９９％）と共に分解カラムへ連続的に供給した。ＨＤＵ−Ｂとオルト−フェノキシビフェニルはカラムのストリッピング帯域の上方へ供給した。
カラムは、４個の水平に配置されたヒータープラグ差し込み口を有する蒸発器を備えるものである。上記蒸発器の上方には全長８．１m のストリッピング帯域があり、該帯域は直径７０mmの均一充填材と約１５００mlの液体ホールドアップを有するものである。原料注入口はこの反応帯域の上方に位置し、ＨＤＵ−Ｂを１２０℃にて量り入れ、溶剤を１６０℃にて量り入れた。カラムの中間帯域は直径７０mm、有効高さ９９０mmであり、９９０mmの有効高さ全体にわたってクロス充填材で充填されている。この上には副流排出口があり、直径５０mmのクロス充填材の有効長さを有する濃縮帯域がそれに続く。カラムの頂部には、液体分離器と水冷凝縮器が備えられている。カラムは断熱してある。本実施例では、頂部還流比は７であり、副流還流比は１０であった。頂部圧力は８５ミリバールであり、底部温度は２６０℃であった。
液体を０．３kg／時の速度にてカラム底部から排出させた。超臨界流体クロマトグラフィー（ＳＦＣ）にて分析したところ、この液体には熱交換媒体のみが含まれていた。ＨＤＵ−Ｂまたはその副生物は検出されなかった（検出限界０．１％）。ＩＲ分析からも同一の結果が得られた。ストリッピング帯域から底部へ排出させた液体もサンプリングし、純粋であることを確認した。ここでも、ＳＦＣまたはＩＲ分析のいずれでも不純物は見つからなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記「ブトキシ基」はイソ−およびｎ−ブトキシ基である。
この種の塔にて分解を行うのに適する溶剤は液体もしくは固体とすることができる。この種の溶剤の例は欧州特許出願公開明細書第５４２，１０６号に示されている。塔底部における圧力の条件下での適する溶剤の沸点は、分解すべきカルバミド酸エステルの基礎を構成するイソシアネートおよびアルコールの沸点よりも少なくとも１０℃、好ましくは少なくとも４０℃高い。これら溶剤は次の要件を満たす：
（ａ）  分解の条件下で、これらは出発物質として使用されたカルバミド酸エステルおよび反応の副生物として生成するイソシアネートの副生物の両者を実質的に溶解すること；
（ｂ）  これらは分解の条件下で実質的に熱安定性であること；
（ｃ）  これらは使用するカルバミド酸エステルおよび生成するイソシアネートに対し実質的に化学不活性であること；
（ｄ）  これらは分解の条件下で実質的に蒸留しうること；
（ｅ）  これらは反応副生物から蒸留により実質的に分離しうること；および
（ｆ）  これらは循環しうること。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
米国特許発明明細書第３，９１９，２７８号；欧州特許出願公開明細書第３２３，５１４号；欧州特許出願公開明細書第６１，０１３号；および欧州特許発明明細書第９２，７３８号は、これら要件を満たす高沸点物質の特定例を開示している。これら開示された溶剤は、精製した後に本発明の実施に使用することができる。他の適する溶剤の例は各種の異性体ベンジルトルエン、テルフェニル、フェノキシビフェニル、フタル酸ジアル（アラル）キルエステルおよびｏ−燐酸トリアル（アラル）キルエステル（それぞれの場合アル（アラル）キルエステルに１〜１０個の炭素原子を有する）およびこの種の化合物の混合物を包含する。
工業級のジベンジルトルエン、ベンジル−ｎ−ブチルフタレート、工業級テルフェニルおよび部分水素化されたテルフェニル、フェノキシビフェニルおよびその異性体混合物が分解および精留塔での使用に特に適している。しかしながら、市販入手しうる高沸点溶剤もしくは伝熱媒体は所定の沸点を示さず、或る沸騰範囲を示す。この結果、分解塔での広い温度プロフィルにおける溶剤混合物の蒸留により分離が生ずる。極端な場合、低沸騰成分が留去されると共にイソシアネートもしくはアルコール分解生成物と高沸騰生成物が塔底部で濃縮される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、本発明は着座姿勢保持可能な車両用座席に係るものであるが、下部にエアバッグを埋設した複数の直方体のクッション体ブロックからなるクッション材は、図９（ａ），（ｂ）および図１０に示すように介護用ベッドに用いることもできる。介護用ベッドのマットをこの様に構成することにより、患者が長期間ベッドの上に横たわっている場合であっても、寝返りをうつことなく床擦れを防止することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1999342775.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1999342775.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
1999342775.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
1999342775.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
1999342775.tif 000005
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
1999342775.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体検査装置は、電磁波吸収強度検出手段と所定のデータ処理手段とを備える
事を特徴とする生体検査装置。
【請求項２】
請求項１の生体検査装置は、少なくとも導波路と、その先端に測定電磁波用吸
収強度測定手段とを備える事を特徴とする生体検査装置。
【請求項３】
請求項１または２における生体検査装置の電磁波吸収強度検出手段は、
電磁波照射手段と、第１波長選択子と、第２波長選択子と、試料保持手段と、電
磁波検出手段を備える生体検査装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかの生体検査装置において、
第１電磁波の波長が１０３８ｃｍ―１付近または１０３３ｃｍ―１付近のいずれ
か一方、またはその両方で、第２電磁波の波長が１０８０ｃｍ―１付近である事
を特徴とする歯垢検査装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかの生体検査装置において、
第１電磁波の波長が１０３８ｃｍ―１付近または１０３３ｃｍ―１付近のいずれ
か一方、またはその両方で、第２電磁波の波長が８５５ｃｍ―１付近である事を
特徴とする歯垢検査装置。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれかの生体検査装置において、
第１電磁波の波長が１０３８ｃｍ―１付近または１０３３ｃｍ―１付近のいずれ
か一方、またはその両方で、第２電磁波の波長が８３７ｃｍ―１付近である事を
特徴とする歯垢検査装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかの生体検査装置において、
第１電磁波または第２の電磁波の波長が１０１５ｃｍ―１付近である事を特徴とする歯垢検査装置。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかの生体検査装置において、
第１電磁波または第２の電磁波の波長が１０５５ｃｍ―１付近である事を特徴とする歯垢検査装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかの生体検査装置において、
その検査波長が、測定する波長域内にてピークを見つける様に連続または断続的
に変化する波長可変手段を備える事を特徴とする生体検査装置。
【請求項１０】
歯垢の病原性などの性状を検査する生体検査装置において、
電磁波照射手段と、検査波長が連続または断続的に変化する波長選択手段と、試
料保持手段と、電磁波検出手段と、それから検出された歯垢の電磁波吸収パター
ンと唾液の吸収パターンとを比較する歯垢唾液吸収強度比較手段を備える歯垢検
査装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかの生体検査装置において、
所定の診断機能を備える事を特徴とする生体検査装置。
【プルーフの要否】    要
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波画像をモニタ画面に表示可能な超音波診断装置において、前記超音波画像を得るための超音波を送受波する探触子の少なくとも超音波送受波部分に対応した形状を有し、前記超音波画像とその大きさ，位置，向きが合わされた探触子模式像を前記超音波画像と共に表示させることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項２】
前記探触子模式像は、前記超音波画像の表示倍率の切替えに応じて、同一倍率で拡大，縮小表示されることを特徴とする請求項１記載の超音波診断装置。
【請求項３】
穿刺針が取り付けられた探触子を用いた場合に、所望時に、その探触子模式像に対して位置，向きが合わされた前記穿刺針についてのバイオプシガイドライン像を超音波画像及び前記模式像と共にモニタ画面に表示することを特徴とする請求項１に記載の超音波診断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを吐出可能なインクジェットヘッドによって所定のテストパターンを形成し、そのテストパターンを測定手段によって測定することにより、前記プリントヘッドの特性を評価する評価装置において、
前記テストパターンは、前記インクジェットヘッドから透明の液体を吐出させることによって形成され、
前記測定手段は、前記透明の液体により形成された前記テストパターンを測定する
ことを特徴とするインクジェットヘッドの評価装置。
【請求項２】
前記テストパターンは平坦な透明部材に形成され、
前記測定手段は、前記透明部材の表面に対してほぼ直角に光を照射する照射部と、前記透明部材の表面に対してほぼ直角をなす方向から前記テストパターンを撮像する撮像部とを有する
ことを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッドの評価装置。
【請求項３】
インクを吐出可能なインクジェットヘッドによって所定のテストパターンを形成し、そのテストパターンを測定することにより、前記プリントヘッドの特性を評価する評価方法において、
前記インクジェットヘッドから透明の液体を吐出させることによって前記テストパターンを形成し、
前記透明の液体により形成された前記テストパターンを測定することにより、前記インクジェットヘッドの特性を評価する
ことを特徴とするインクジェットヘッドの評価方法。
【請求項４】
前記テストパターンを形成する前記透明の液体の液滴の位置を測定する
ことを特徴とする請求項３に記載のインクジェットヘッドの評価方法。
【請求項５】
前記テストパターンを形成する前記透明の液体の液滴の大きさを測定する
ことを特徴とする請求項３または４に記載のインクジェットヘッドの評価方法。
【請求項６】
前記テストパターンを平坦な透明部材に形成し、
前記透明部材の表面に対してほぼ直角に光を照射して、前記透明部材の表面に対してほぼ直角をなす方向から前記テストパターンを撮像する
ことを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載のインクジェットヘッドの評価方法。
【請求項７】
前記透明な液体は、前記インクから着色剤を除いた液体である
ことを特徴とする請求項３から６のいずれかに記載のインクジェットヘッドの評価方法。
【請求項８】
インクを吐出可能なインクジェットヘッドの特性評価用の所定のテストパターンを形成するために用いられる評価用液体であって、
前記インクジェットヘッドから吐出されて前記テストパターンを形成可能な透明の液体であることを特徴とするインクジェットヘッド評価用液体。
【請求項９】
前記インクから着色剤を除いた液体であることを特徴とする請求項８に記載のインクジェットヘッド評価用液体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月10日(2005.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信回線を介して送られてくる情報とこの情報の一部のみを印刷する一部印刷要求とを受信する受信手段と、
この受信手段で受信された情報と一部印刷要求とを格納する格納手段と、
この格納手段に格納された情報に基づいて印刷を行う印刷手段と、
この印刷手段を用いて、上記格納手段に格納された一部印刷要求に応じて上記情報の一部のみの印刷を制御する制御手段と、
を具備したことを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
通信回線を介して送られてくる複数頁の情報とこの複数頁の情報のうち特定頁のみを印刷する印刷要求とを受信する受信手段と、
この受信手段で受信された複数頁の情報と印刷要求とを格納する格納手段と、
この格納手段に格納された複数頁の情報に基づいて印刷を行う印刷手段と、
この印刷手段を用いて、上記格納手段に格納された印刷要求に応じて上記複数頁の情報のうち特定頁のみの印刷を制御する制御手段と、
を具備したことを特徴とする印刷装置。
【請求項３】
通信回線を介して送られてくる複数頁の情報とこの複数頁の情報のうち特定頁のみを印刷する試し印刷要求と、この試し印刷要求の印刷に試し印刷である旨の識別情報を付加する付加要求とを受信する受信手段と、
この受信手段で受信された複数頁の情報と試し印刷要求と付加要求とを格納する格納手段と、
この格納手段に格納された複数頁の情報に基づいて印刷を行う印刷手段と、
上記格納手段に格納された付加要求に応じて上記複数頁の情報のうち特定頁に試し印刷である旨の識別情報を付加する付加手段と、
上記印刷手段を用いて、上記格納手段に格納された試し印刷要求に応じて上記付加手段で識別情報が付加された特定頁のみの印刷を制御する制御手段と、
を具備したことを特徴とする印刷装置。
【請求項４】
通信回線を介して送られてくる情報を受信する受信手段と、
この受信手段で受信された情報を格納する格納手段と、
この格納手段に格納された情報の印刷を行う印刷手段と、
上記格納手段に格納された情報を試しに印刷する試し印刷モードを選択する選択手段と、
この選択手段で試し印刷モードが選択された際、上記格納手段に格納されている試し印刷する情報を指定する指定手段と、
この指定手段で指定された情報を展開して印刷情報を作成する作成手段と、
この作成手段で作成された印刷情報を印刷するための設定値を入力する入力手段と、
この入力手段で入力された設定値に基づいて上記作成手段で作成された印刷情報を上記印刷手段を用いて印刷する制御を行う制御手段と、
を具備したことを特徴とする印刷装置。
【請求項５】
通信回線を介して送られてくる情報とその印刷を行うための設定値とを受信する受信手段と、
この受信手段で受信された情報とその設定値とを格納する格納手段と、
この格納手段に格納された情報をその設定値に基づいて印刷を行う印刷手段と、
上記格納手段に格納された情報の設定値を変更する変更手段と、
この変更手段で変更された設定値に基づいて上記格納手段に格納された複数頁の情報のうち特定頁を試しに印刷する試し印刷を指示する指示手段と、
この指示手段の指示に応じて上記印刷手段を用いて試し印刷の制御を行う制御手段と、
を具備したことを特徴とする印刷装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明の印刷装置は、通信回線を介して送られてくる情報とこの情報の一部のみを印刷する一部印刷要求とを受信する受信手段と、この受信手段で受信された情報と一部印刷要求とを格納する格納手段と、この格納手段に格納された情報に基づいて印刷を行う印刷手段と、この印刷手段を用いて、上記格納手段に格納された一部印刷要求に応じて上記情報の一部のみの印刷を制御する制御手段とから構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明の印刷装置は、通信回線を介して送られてくる複数頁の情報とこの複数頁の情報のうち特定頁のみを印刷する印刷要求とを受信する受信手段と、この受信手段で受信された複数頁の情報と印刷要求とを格納する格納手段と、この格納手段に格納された複数頁の情報に基づいて印刷を行う印刷手段と、この印刷手段を用いて、上記格納手段に格納された印刷要求に応じて上記複数頁の情報のうち特定頁のみの印刷を制御する制御手段とから構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明の印刷装置は、通信回線を介して送られてくる複数頁の情報とこの複数頁の情報のうち特定頁のみを印刷する試し印刷要求と、この試し印刷要求の印刷に試し印刷である旨の識別情報を付加する付加要求とを受信する受信手段と、この受信手段で受信された複数頁の情報と試し印刷要求と付加要求とを格納する格納手段と、この格納手段に格納された複数頁の情報に基づいて印刷を行う印刷手段と、上記格納手段に格納された付加要求に応じて上記複数頁の情報のうち特定頁に試し印刷である旨の識別情報を付加する付加手段と、上記印刷手段を用いて、上記格納手段に格納された試し印刷要求に応じて上記付加手段で識別情報が付加された特定頁のみの印刷を制御する制御手段とから構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マンドレルチューブ（２）の外周面に、伸縮性および変形追従性を有する金属メッシュチューブ（３）を被せた液圧式マンドレル（１）を用い、該マンドレル（１）を中空材（Ｗ）の内部に挿入し、前記マンドレルチューブ（２）内に液を導入して液圧にて該マンドレルチューブ（２）を膨らませるとともに金属メッシュチューブ（３）を膨らませることにより、中空材（Ｗ）の内面を前記金属メッシュチューブ（２）を介して支持し、その支持状態において該中空材（Ｗ）の曲げ加工を行うことを特徴とする液圧式マンドレルを用いた中空材の曲げ加工方法。
【請求項２】
マンドレルチューブ（２）の外周面に、伸縮性および変形追従性を有する金属メッシュチューブ（３）を被せたことを特徴とする液圧式マンドレル。
【請求項３】
曲げ加工方法が回転引き曲げである請求項１に記載の液圧式マンドレルを用いた中空材の曲げ加工方法。
【請求項４】
マンドレルチューブがゴム製であり、中空材が金属製である請求項１または３に記載の液圧式マンドレルを用いた中空材の曲げ加工方法。
【請求項５】
マンドレルチューブがゴム製である請求項２に記載の液圧式マンドレル。
【請求項６】
請求項１、３、４のいずれか１項に記載の曲げ加工方法による曲げ部を有することを特徴とする金属製中空材。