【手続補正書】
【提出日】平成16年3月16日(2004.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を有し、各電極にバンプが形成されてなる半導体チップと、
絶縁層に支持された導電層と、
を含み、
前記バンプの少なくとも先端部は、前記導電層に入り込んで配置され、
前記バンプの側面と前記導電層とが電気的に接続されてなる半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記導電層は、前記バンプよりも軟らかく形成されてなり、
前記バンプの少なくとも先端部が、前記導電層に埋め込まれてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記導電層は、前記バンプが入り込む位置に穴が形成されてなり、
前記バンプの側面と前記導電層の前記穴とが接触してなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記バンプは、前記導電層を貫通して前記絶縁層に接触してなる半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記バンプは、前記絶縁層に突き刺さってなる半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記絶縁層の少なくとも一部を介在させて前記導電層の下方に、第２の導電層が形成され、
前記バンプは、前記絶縁層を貫通して、前記第２の導電層と接続されてなる半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記バンプは、前記電極側の基端部よりも先端部が小さく形成されてなる半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体チップと前記絶縁層との間に、アンダーフィル樹脂が設けられ、
前記アンダーフィル樹脂の収縮力によって、前記バンプの側面と前記導電層とが圧接してなる半導体装置。
【請求項９】
半導体チップの複数の電極のそれぞれに形成されたバンプの少なくとも先端部を、絶縁層に支持された導電層に入り込ませて、前記バンプの側面と前記導電層とを電気的に接続する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電層を、前記バンプよりも軟らかい材料で形成し、
前記バンプの少なくとも先端部を、前記導電層に埋め込む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電層の前記バンプが入り込む位置に穴を形成し、
前記バンプの側面と前記導電層の前記穴とを接触させる半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記バンプを、前記導電層を貫通させて前記絶縁層に接触させる半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、
前記バンプを、前記絶縁層に突き刺す半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層の下に、第２の導電層を形成し、
前記バンプを、前記絶縁層を貫通させて、前記第２の導電層と接続させる半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項９から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記バンプを、前記電極側の基端部よりも先端部を小さく形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項９から請求項１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップと前記絶縁層との間に、アンダーフィル樹脂を設け、
前記アンダーフィル樹脂の収縮力によって、前記バンプの側面と前記導電層とを圧接させる半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、電気的な接続信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（９）本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップの複数の電極のそれぞれに形成されたバンプの少なくとも先端部を、絶縁層に支持された導電層に入り込ませて、前記バンプの側面と前記導電層とを電気的に接続する工程を含む。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（１０）この半導体装置の製造方法において、
前記導電層を、前記バンプよりも軟らかい材料で形成し、
前記バンプの少なくとも先端部を、前記導電層に埋め込んでもよい。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（１１）この半導体装置の製造方法において、
前記導電層の前記バンプが入り込む位置に穴を形成し、
前記バンプの側面と前記導電層の前記穴とを接触させてもよい。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（１２）この半導体装置の製造方法において、
前記バンプを、前記導電層を貫通させて前記絶縁層に接触させてもよい。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（１３）この半導体装置の製造方法において、
前記バンプを、前記絶縁層に突き刺してもよい。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（１４）この半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層の少なくとも一部を介在させて前記導電層の下方に、第２の導電層を形成し、
前記バンプを、前記絶縁層を貫通させて、前記第２の導電層と接続させてもよい。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（１５）この半導体装置の製造方法において、
前記バンプを、前記電極側の基端部よりも先端部を小さく形成してもよい。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（１６）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップと前記絶縁層との間に、アンダーフィル樹脂を設け、
前記アンダーフィル樹脂の収縮力によって、前記バンプの側面と前記導電層とを圧接させてもよい。