【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために、検査用回路基板の表面に配置されて当該検査用回路基板とウエハとを電気的に接続するための異方導電性コネクターにおいて、
検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に伸びる複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板と、このフレーム板の各異方導電膜配置用孔内に配置され、当該異方導電膜配置用孔の周辺部に支持された複数の弾性異方導電膜とよりなり、
前記弾性異方導電膜の各々は、弾性高分子物質により形成され、検査対象であるウエハに形成された集積回路における被検査電極に対応して配置された、磁性を示す導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の接続用導電部、およびこれらの接続用導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する機能部と、この機能部の周縁に一体に形成され、前記フレーム板における異方導電膜配置用孔の周辺部に固定された被支持部とよりなり、
前記弾性異方導電膜における接続用導電部に含有された導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなり、当該芯粒子に対する高導電性金属の割合が１５質量％以上であり、かつ、下記式（１）によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚みｔが５０ｎｍ以上であり、
前記弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質は、付加型液状シリコーンゴムの硬化物であって、その１５０℃における圧縮永久歪みが１０％以下で、かつ、デュロメーターＡ硬度が１０〜６０のものであることを特徴とする異方導電性コネクター。
式（１）  ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
〔但し、ｔは高導電性金属による被覆層の厚み（ｍ）、Ｓｗは芯粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ3 ）、Ｎは（高導電性金属の質量／導電性粒子全体の質量）の値を示す。〕
【請求項２】
導電性粒子は、下記に示す電気抵抗値Ｒの値が０．３Ω以下であることを特徴とする請求項１に記載の異方導電性コネクター。
電気抵抗値Ｒ：導電性粒子０．６ｇと液状ゴム０．８ｇとを混練することによってペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、０．５ｍｍの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が１ｍｍの一対の電極間に配置し、この一対の電極間に０．３Ｔの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。
【請求項３】
導電性粒子は、ＢＥＴ比表面積が１０〜５００ｍ2 ／ｋｇであることを特徴とする請求項１また請求項２に記載の異方導電性コネクター。
【請求項４】
弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質は、そのデュロメーターＡ硬度が２５〜４０のものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の異方導電性コネクター。
【請求項５】
弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質は、その引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ以上のものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の異方導電性コネクター。
【請求項６】
フレーム板の線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の異方導電性コネクター。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を形成するための導電性ペースト組成物であって、
硬化可能な液状シリコーンゴムと、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性粒子とを含有してなり、前記導電性粒子は、芯粒子に対する高導電性金属の割合が１５質量％以上であり、かつ、請求項１に記載の式（１）によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚みｔが５０ｎｍ以上であり、
前記液状シリコーンゴムは、その硬化物の１５０℃における圧縮永久歪みが１０％以下で、かつ、デュロメーターＡ硬度が１０〜６０のものであることを特徴とする導電性ペースト組成物。
【請求項８】
ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるプローブ部材であって、
検査対象であるウエハに形成された集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面に配置された、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とするプローブ部材。
【請求項９】
異方導電性コネクターにおけるフレーム板の線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下であり、検査用回路基板を構成する基板材料の線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下であることを特徴とする請求項８に記載のプローブ部材。
【請求項１０】
異方導電性コネクター上に、絶縁性シートと、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸び、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された複数の電極構造体とよりなるシート状コネクターが配置されていることを特徴とする請求項８または請求項９に記載のプローブ部材。
【請求項１１】
ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うウエハ検査装置において、
請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載のプローブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介して、検査対象であるウエハに形成された集積回路に対する電気的接続が達成されることを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項１２】
ウエハに形成された複数の集積回路の各々を、請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載のプローブ部材を介してテスターに電気的に接続し、当該ウエハに形成された集積回路の電気的検査を実行することを特徴とするウエハ検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の異方導電性コネクターは、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために、検査用回路基板の表面に配置されて当該検査用回路基板とウエハとを電気的に接続するための異方導電性コネクターにおいて、
検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に伸びる複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板と、このフレーム板の各異方導電膜配置用孔内に配置され、当該異方導電膜配置用孔の周辺部に支持された複数の弾性異方導電膜とよりなり、
前記弾性異方導電膜の各々は、弾性高分子物質により形成され、検査対象であるウエハに形成された集積回路における被検査電極に対応して配置された、磁性を示す導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の接続用導電部、およびこれらの接続用導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する機能部と、この機能部の周縁に一体に形成され、前記フレーム板における異方導電膜配置用孔の周辺部に固定された被支持部とよりなり、
前記弾性異方導電膜における接続用導電部に含有された導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなり、当該芯粒子に対する高導電性金属の割合が１５質量％以上であり、かつ、下記式（１）によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚みｔが５０ｎｍ以上であり、
前記弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質は、付加型液状シリコーンゴムの硬化物であって、その１５０℃における圧縮永久歪みが１０％以下で、かつ、デュロメーターＡ硬度が１０〜６０のものであることを特徴とする。
式（１）  ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
〔但し、ｔは高導電性金属による被覆層の厚み（ｍ）、Ｓｗは芯粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ3 ）、Ｎは（高導電性金属の質量／導電性粒子全体の質量）の値を示す。〕
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の異方導電性コネクターにおいては、前記導電性粒子は、下記に示す電気抵抗値Ｒの値が０．３Ω以下であることが好ましい。
電気抵抗値Ｒ：導電性粒子０．６ｇと液状ゴム０．８ｇとを混練することによってペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、０．５ｍｍの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が１ｍｍの一対の電極間に配置し、この一対の電極間に０．３Ｔの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。
また、本発明の異方導電性コネクターにおいては、前記導電性粒子は、ＢＥＴ比表面積が１０〜５００ｍ2 ／ｋｇであることが好ましい。
また、本発明の異方導電性コネクターにおいては、前記フレーム板の線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下であることが好ましい。
また、弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質は、その引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ以上のものであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の導電性ペースト組成物は、上記の異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を形成するための導電性ペースト組成物であって、
硬化可能な液状シリコーンゴムと、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性粒子とを含有してなり、前記導電性粒子は、芯粒子に対する高導電性金属の割合が１５質量％以上であり、かつ、前記式（１）によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚みｔが５０ｎｍ以上であり、
前記液状シリコーンゴムは、その硬化物の１５０℃における圧縮永久歪みが１０％以下で、かつ、デュロメーターＡ硬度が１０〜６０のものであることを特徴とする。