(57)【要約】  テストヘッド（３）にて、測定ユニット（４）とインタフェース基板端子（６）との間を電気的に接続するためのテスト電極（５）のインタフェース基板端子（６）への電気的接続状態を、各々のテスト電極（５）ごとの可動部分を用いて任意に制御することにより、測定ユニット（４）とインタフェース基板端子（６）との間の電気的接続状態を変える。
2008062579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの測定ユニットに共通接続された複数のテスト電極を有するテストヘッドと、
被測定デバイスの複数のデバイス端子にそれぞれ個別に接続される複数の基板端子を有するインタフェース基板とを備えた半導体検査装置であって、
前記測定ユニットと前記複数のデバイス端子との間に選択的な接続経路を形成するように、前記複数のテスト電極は、各々前記複数の基板端子のうちの対応する基板端子への接触により電気的接続を達成するための可動部分を有することを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体検査装置において、
前記複数のテスト電極の各々の可動部分が互いに同心状に配置されたことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体検査装置において、
前記インタフェース基板は、前記複数のテスト電極の各々の可動部分に対応した多層構造を有することを特徴とする半導体検査装置。
【請求項４】
複数の測定ユニットにそれぞれ個別に接続された複数のテスト電極を有するテストヘッドと、
被測定デバイスの１つのデバイス端子に電気接続される基板端子を有するインタフェース基板とを備えた半導体検査装置であって、
前記複数の測定ユニットと前記デバイス端子との間に選択的な接続経路を形成するように、前記複数のテスト電極は、各々前記基板端子への接触により電気的接続を達成するための可動部分を有することを特徴とする半導体検査装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体検査装置において、
前記複数のテスト電極の各々の可動部分が互いに同心状に配置されたことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体検査装置において、
前記インタフェース基板は、前記複数のテスト電極の各々の可動部分に対応した多層構造を有することを特徴とする半導体検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路を被測定デバイスとして種々の測定を実施するための半導体検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体検査装置では、被測定デバイスと測定ユニットとの間で試験に必要な信号を伝達するためのインタフェース基板がテストヘッドに装着される。【０００３】
ある先行技術に係る電子回路デバイスの検査装置によれば、ウェーハ試験においてウェーハ上のチップの電極に接触させるように基板に取り付けられるプローブにバイメタルを利用した可動構造を採用し、以てチップ電極の損傷防止等を図る（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３１３８５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の半導体集積回路の高集積化に伴い、半導体集積回路の面積が増大するとともにデバイス端子数も増加する傾向にある。また、検査の低コスト化対応として、複数の半導体集積回路を同時に測定する傾向にある。しかし測定ユニット数は限られていることから、必要な検査を限られた測定ユニットで行うために、特定の測定ユニットに複数のデバイス端子を接続し、検査項目に応じて接続状態を切り替える必要がある。【０００５】
また、デバイス端子の多機能化によって、例えば１つのデバイス端子からデジタル信号を出力したり、アナログ信号を出力したりすることが可能となっており、必要に応じてデバイス端子の機能を切り替える。それに伴って、半導体集積回路の特定のデバイス端子に対して複数の測定ユニットを割り当て、検査項目に応じて接続状態を切り替える必要がある。【０００６】
ところが、測定ユニットとデバイス端子との間の電気的接続状態を切り替える場合に、接続配線間にリレーを介することによってこれを行い、そのリレーをインタフェース基板上に実装することとすると、様々な課題が生じる。例えば、リレー数が増加することでインタフェース基板への実装が困難となる。また、リレー数の増加や、リレーをインタフェース基板へ実装することにより、基板配線が複雑になることによって検査コストが増加する。更に、測定ユニットとデバイス端子との間の配線にリレーを介することにより、電気的特性の悪化を招く。【０００７】
本発明の目的は、測定ユニットとインタフェース基板との間の電気的接続状態を容易に変更できるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の半導体検査装置では、テストヘッドとインタフェース基板との間を電気的に接続するためのテスト電極のインタフェース基板への電気的接続状態を、各々のテスト電極ごとの可動部分を用いて任意に制御することにより、測定ユニットとインタフェース基板との間の電気的接続状態を変えることとした。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体検査装置では、インタフェース基板上へのリレーの実装が不要となり、テストヘッドの特定の測定ユニットに複数のデバイス端子を接続する場合、又は、特定のデバイス端子に複数の測定ユニットを割り当て、検査項目によりその測定ユニットを切り替えたい場合の実施容易性が向上する。【００１０】
また、インタフェース基板上へのリレーの実装が不要となることから、リレーを実装する場合と比較して基板配線が簡素化されることにより検査コストを抑制することが可能となる。更に、測定ユニットとデバイス端子との間の配線にリレーを介す必要がなくなることにより、電気的特性の悪化を回避することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体検査装置の概略側面図である。
【図２】図２は、図１中のテスト電極の非接続状態を表す拡大斜視図である。
【図３】図３は、図１中のテスト電極の接続状態を表す拡大斜視図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体検査装置の概略側面図である。
【図５】図５は、本発明の第３の実施形態に係る半導体検査装置におけるテスト電極の拡大平面図である。
【図６】図６は、図５のテスト電極の非接続状態を表す拡大斜視図である。
【図７】図７は、図５のテスト電極の１つの接続状態を表す拡大斜視図である。
【図８】図８は、図５のテスト電極の他の接続状態を表す拡大斜視図である。
【図９】図９は、図７の状態のテスト電極とインタフェース基板との接触を表す断面図である。
【図１０】図１０は、図８の状態のテスト電極とインタフェース基板との接触を表す断面図である。
【符号の説明】
【００１２】
１  デバイス端子
２  被測定デバイス
３  テストヘッド
４  測定ユニット
５  テスト電極
６  インタフェース基板端子
８  固定部分
９  可動部分
１０〜１４  可動部分
１５  絶縁支持棒
１６  インタフェース基板
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。【００１４】
《第１の実施形態》
本発明の半導体検査装置の第１の実施形態を説明する。図１〜図３は第１の実施形態の半導体検査装置の構成図である。１はデバイス端子、２は被測定デバイス、３はテストヘッド、４は測定ユニット（チャネル、電源、シグナルユニット等）、５はテスト電極（ポゴピン）、６はインタフェース基板端子である。図２はテスト電極５の拡大斜視図であり、非接続状態を示しており、８は固定部分、９は可動部分である。図３はテスト電極５の拡大斜視図であり、接続状態である。【００１５】
本実施形態の半導体検査装置では、テスト電極５とインタフェース基板端子６との接続状態の切り替えを、テスト電極５の状態を図２、図３のように変化させて電気的接続状態を変えることにより、行うことを特徴とする。【００１６】
テストヘッド３内で特定の測定ユニット４から電気的に接続された複数のテスト電極５があり、各々のテスト電極５がそれぞれデバイス端子１に接続可能になっている。このデバイス端子１の選択を、テスト電極５が図２、図３のように物理的に動くことによって行う。【００１７】
インタフェース基板端子６と非接続状態の場合、図２のように可動部分９は固定部分８の内部に存在し、電気信号が被測定デバイス２に送られることはない。インタフェース基板端子６と接続する場合には、可動部分９がインタフェース基板端子６と接触することで電気的接続がされ、信号伝搬を行うことができる（図３参照）。テスト電極５を図２、図３のように変化させる方法としては、ばね式、電場の印加、磁場の印加等は問わない。【００１８】
これによって、インタフェース基板にリレーを実装することなく、１つの測定ユニット４に複数のデバイス端子１を接続する構成において、その接続経路の制御を各々のテスト電極５ごとに任意に行うことが可能となる。【００１９】
《第２の実施形態》
本発明の半導体検査装置の第２の実施形態を説明する。図４は、第２の実施形態の半導体検査装置の構成図である。１はデバイス端子、２は被測定デバイス、３はテストヘッド、４は測定ユニット、５はテスト電極、６はインタフェース基板端子である。【００２０】
本実施形態の半導体検査装置でも、テスト電極５とインタフェース基板端子６との接続状態の切り替えを、テスト電極５の状態を図２又は図３のように変化させて電気的接続状態を変えることにより、行うことを特徴とする。【００２１】
テストヘッド３内で複数の測定ユニット４からそれぞれ独立に電気的に接続された複数のテスト電極５があり、各々のテスト電極５が特定のデバイス端子１に接続可能になっている。テストヘッド３内の複数の測定ユニット４のうち、特定のデバイス端子１に電気的に接続する測定ユニット４の選択を、テスト電極５が図２、図３のように物理的に動くことによって行う。【００２２】
これによって、インタフェース基板にリレーを実装することなく、１つのデバイス端子１に複数の測定ユニット４を接続する構成において、その接続経路の制御を各々のテスト電極５ごとに任意に行うことが可能となる。【００２３】
《第３の実施形態》
本発明の半導体検査装置の第３の実施形態を説明する。図５〜図１０は、本発明の第３の実施形態に係る半導体検査装置におけるテスト電極５及びインタフェース基板１６の構成図である。テスト電極５において、８は固定部分、１０〜１４は円筒形状で同心円状に配置された可動部分、１５は絶縁支持棒である。１６は円筒状のテスト電極５に適応したインタフェース基板である。【００２４】
本実施形態は、インタフェース基板１６に接続するテスト電極５のより安定した、確実な接続方法を提供する。【００２５】
第１及び第２の実施形態で説明したテスト電極５は、１つのテスト電極５に対して１つの接続経路しか持っていない。したがって、第１の実施形態で説明したように特定の測定ユニット４に複数のデバイス端子１を接続する場合、又は、第２の実施形態で説明したように特定のデバイス端子１に複数の測定ユニット４を割り当て、検査項目によりその測定ユニット４を切り替えたい場合においては、複数の接続経路が必要であることから、テスト電極５が必要接続経路分だけ必要である。また、テスト電極５が図２、図３のように変化することにより、各テスト電極５の電気的接続状態を変えているが、テスト電極５とインタフェース基板端子６との位置関係を確認できないため、所望の接続状態を実現できているかの確実性に課題がある。【００２６】
そこで、本実施形態の半導体検査装置では、１又は複数の測定ユニット４とインタフェース基板１６との間を電気的に接続するためのテスト電極５が円筒状の複数の可動部分１０〜１４を組み合わせた構造を持ち、各々の可動部分１０〜１４が独立した動作を行うことにより測定ユニット４とインタフェース基板１６との間の電気的接続状態を変えることができることを特徴とする。また、このテスト電極５に対応したインタフェース基板１６と組み合わせることにより、測定を実現する。【００２７】
テスト電極５は、図５〜図８のように円筒構造となっている。各々半径の異なる第１〜第５の可動部分１０〜１４を組み合わせてテスト電極５を構成する。各可動部分１０〜１４の間は絶縁されており、相互に電気的には接続されない。【００２８】
また、図５〜図８で説明した構造を持つテスト電極５に適したインタフェース基板１６の構造を図９、図１０に示す。インタフェース基板１６の端子部分は円錐構造となっている。このインタフェース基板１６の端子部分は複数の層でそれぞれ独立した端子を持ち、各層の端子間はそれぞれ電気的に絶縁されている。【００２９】
検査未使用時、全ての可動部分１０〜１４は、図６に示すとおりテストヘッド３に設置するための固定部分８の内部に収納されている。第３の可動部分１２を使用する場合、図７で示すとおり当該第３の可動部分１２を上方に移動させることにより、図９で示すとおり第３の可動部分１２とインタフェース基板１６の特定の層（下から３番目の層）の端子とが接続され、電気信号を被測定デバイス２へ伝搬することができる。また、第５の可動部分１４を使用する場合は図８で示すとおり当該第５の可動部分１４を上方に移動させることにより、図１０で示すとおり第５の可動部分１４とインタフェース基板１６の図９とは異なる特定の層（最上層）の端子とが接続され、電気信号を被測定デバイス２へ伝搬することができる。【００３０】
これにより、１つの組み合わせテスト電極５で複数の接続経路を持つことが可能となり、特定の測定ユニット４に複数のデバイス端子１を接続する場合、又は、特定のデバイス端子１に複数の測定ユニット４を割り当て、検査項目によりその測定ユニット４を切り替える場合において、電極数の増大を抑えることが可能となる。【００３１】
また、テスト電極５の中心軸に存在する絶縁支持棒１５は、インタフェース基板１６と固定部分８との位置関係を保つために使用する。これにより、安定かつ確実に電極選択を行うことが可能となる。
【産業上の利用の可能性】
【００３２】
以上説明してきたとおり、本発明に係る半導体検査装置は、被測定デバイスと測定ユニットとの間の接続状態を切り替える検査の実施容易性が向上するので有用である。
【図１】
2008062579.tif 000003
【図２】
2008062579.tif 000004
【図３】
2008062579.tif 000005
【図４】
2008062579.tif 000006
【図５】
2008062579.tif 000007
【図６】
2008062579.tif 000008
【図７】
2008062579.tif 000009
【図８】
2008062579.tif 000010
【図９】
2008062579.tif 000011
【図１０】
2008062579.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（削除）
【請求項２】
１つの測定ユニットに共通接続された複数のテスト電極を有するテストヘッドと、
被測定デバイスの複数のデバイス端子にそれぞれ個別に接続される複数の基板端子を有するインタフェース基板とを備えた半導体検査装置であって、
前記測定ユニットと前記複数のデバイス端子との間に選択的な接続経路を形成するように、前記複数のテスト電極は、各々前記複数の基板端子のうちの対応する基板端子への接触により電気的接続を達成するための可動部分を有し、かつ
前記複数のテスト電極の各々の可動部分が互いに同心状に配置されたことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体検査装置において、
前記インタフェース基板は、前記複数のテスト電極の各々の可動部分に対応した多層構造を有することを特徴とする半導体検査装置。
【請求項４】
（削除）
【請求項５】
複数の測定ユニットにそれぞれ個別に接続された複数のテスト電極を有するテストヘッドと、
被測定デバイスの１つのデバイス端子に電気接続される基板端子を有するインタフェース基板とを備えた半導体検査装置であって、
前記複数の測定ユニットと前記デバイス端子との間に選択的な接続経路を形成するように、前記複数のテスト電極は、各々前記基板端子への接触により電気的接続を達成するための可動部分を有し、かつ
前記複数のテスト電極の各々の可動部分が互いに同心状に配置されたことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体検査装置において、
前記インタフェース基板は、前記複数のテスト電極の各々の可動部分に対応した多層構造を有することを特徴とする半導体検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの測定ユニットに共通接続された複数のテスト電極を有するテストヘッドと、
被測定デバイスの複数のデバイス端子にそれぞれ個別に接続される複数の基板端子を有するインタフェース基板とを備えた半導体検査装置であって、
前記測定ユニットと前記複数のデバイス端子との間に選択的な接続経路を形成するように、前記複数のテスト電極は、各々前記複数の基板端子のうちの対応する基板端子への接触により電気的接続を達成するための可動部分を有し、かつ
前記複数のテスト電極の各々の可動部分が互いに同心状に配置されたことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体検査装置において、
前記インタフェース基板は、前記複数のテスト電極の各々の可動部分に対応した多層構造を有することを特徴とする半導体検査装置。
【請求項３】
複数の測定ユニットにそれぞれ個別に接続された複数のテスト電極を有するテストヘッドと、
被測定デバイスの１つのデバイス端子に電気接続される基板端子を有するインタフェース基板とを備えた半導体検査装置であって、
前記複数の測定ユニットと前記デバイス端子との間に選択的な接続経路を形成するように、前記複数のテスト電極は、各々前記基板端子への接触により電気的接続を達成するための可動部分を有し、かつ
前記複数のテスト電極の各々の可動部分が互いに同心状に配置されたことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体検査装置において、
前記インタフェース基板は、前記複数のテスト電極の各々の可動部分に対応した多層構造を有することを特徴とする半導体検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路を被測定デバイスとして種々の測定を実施するための半導体検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体検査装置では、被測定デバイスと測定ユニットとの間で試験に必要な信号を伝達するためのインタフェース基板がテストヘッドに装着される。
【０００３】
ある先行技術に係る電子回路デバイスの検査装置によれば、ウェーハ試験においてウェーハ上のチップの電極に接触させるように基板に取り付けられるプローブにバイメタルを利用した可動構造を採用し、以てチップ電極の損傷防止等を図る（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３１３８５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の半導体集積回路の高集積化に伴い、半導体集積回路の面積が増大するとともにデバイス端子数も増加する傾向にある。また、検査の低コスト化対応として、複数の半導体集積回路を同時に測定する傾向にある。しかし測定ユニット数は限られていることから、必要な検査を限られた測定ユニットで行うために、特定の測定ユニットに複数のデバイス端子を接続し、検査項目に応じて接続状態を切り替える必要がある。
【０００５】
また、デバイス端子の多機能化によって、例えば１つのデバイス端子からデジタル信号を出力したり、アナログ信号を出力したりすることが可能となっており、必要に応じてデバイス端子の機能を切り替える。それに伴って、半導体集積回路の特定のデバイス端子に対して複数の測定ユニットを割り当て、検査項目に応じて接続状態を切り替える必要がある。
【０００６】
ところが、測定ユニットとデバイス端子との間の電気的接続状態を切り替える場合に、接続配線間にリレーを介することによってこれを行い、そのリレーをインタフェース基板上に実装することとすると、様々な課題が生じる。例えば、リレー数が増加することでインタフェース基板への実装が困難となる。また、リレー数の増加や、リレーをインタフェース基板へ実装することにより、基板配線が複雑になることによって検査コストが増加する。更に、測定ユニットとデバイス端子との間の配線にリレーを介することにより、電気的特性の悪化を招く。
【０００７】
本発明の目的は、測定ユニットとインタフェース基板との間の電気的接続状態を容易に変更できるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の半導体検査装置では、テストヘッドとインタフェース基板との間を電気的に接続するためのテスト電極のインタフェース基板への電気的接続状態を、各々のテスト電極ごとの可動部分を用いて任意に制御することにより、測定ユニットとインタフェース基板との間の電気的接続状態を変えることとした。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体検査装置では、インタフェース基板上へのリレーの実装が不要となり、テストヘッドの特定の測定ユニットに複数のデバイス端子を接続する場合、又は、特定のデバイス端子に複数の測定ユニットを割り当て、検査項目によりその測定ユニットを切り替えたい場合の実施容易性が向上する。
【００１０】
また、インタフェース基板上へのリレーの実装が不要となることから、リレーを実装する場合と比較して基板配線が簡素化されることにより検査コストを抑制することが可能となる。更に、測定ユニットとデバイス端子との間の配線にリレーを介す必要がなくなることにより、電気的特性の悪化を回避することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
《第１の実施形態》
本発明の半導体検査装置の第１の実施形態を説明する。図１〜図３は第１の実施形態の半導体検査装置の構成図である。１はデバイス端子、２は被測定デバイス、３はテストヘッド、４は測定ユニット（チャネル、電源、シグナルユニット等）、５はテスト電極（ポゴピン）、６はインタフェース基板端子である。図２はテスト電極５の拡大斜視図であり、非接続状態を示しており、８は固定部分、９は可動部分である。図３はテスト電極５の拡大斜視図であり、接続状態である。
【００１３】
本実施形態の半導体検査装置では、テスト電極５とインタフェース基板端子６との接続状態の切り替えを、テスト電極５の状態を図２、図３のように変化させて電気的接続状態を変えることにより、行うことを特徴とする。
【００１４】
テストヘッド３内で特定の測定ユニット４から電気的に接続された複数のテスト電極５があり、各々のテスト電極５がそれぞれデバイス端子１に接続可能になっている。このデバイス端子１の選択を、テスト電極５が図２、図３のように物理的に動くことによって行う。
【００１５】
インタフェース基板端子６と非接続状態の場合、図２のように可動部分９は固定部分８の内部に存在し、電気信号が被測定デバイス２に送られることはない。インタフェース基板端子６と接続する場合には、可動部分９がインタフェース基板端子６と接触することで電気的接続がされ、信号伝搬を行うことができる（図３参照）。テスト電極５を図２、図３のように変化させる方法としては、ばね式、電場の印加、磁場の印加等は問わない。
【００１６】
これによって、インタフェース基板にリレーを実装することなく、１つの測定ユニット４に複数のデバイス端子１を接続する構成において、その接続経路の制御を各々のテスト電極５ごとに任意に行うことが可能となる。
【００１７】
《第２の実施形態》
本発明の半導体検査装置の第２の実施形態を説明する。図４は、第２の実施形態の半導体検査装置の構成図である。１はデバイス端子、２は被測定デバイス、３はテストヘッド、４は測定ユニット、５はテスト電極、６はインタフェース基板端子である。
【００１８】
本実施形態の半導体検査装置でも、テスト電極５とインタフェース基板端子６との接続状態の切り替えを、テスト電極５の状態を図２又は図３のように変化させて電気的接続状態を変えることにより、行うことを特徴とする。
【００１９】
テストヘッド３内で複数の測定ユニット４からそれぞれ独立に電気的に接続された複数のテスト電極５があり、各々のテスト電極５が特定のデバイス端子１に接続可能になっている。テストヘッド３内の複数の測定ユニット４のうち、特定のデバイス端子１に電気的に接続する測定ユニット４の選択を、テスト電極５が図２、図３のように物理的に動くことによって行う。
【００２０】
これによって、インタフェース基板にリレーを実装することなく、１つのデバイス端子１に複数の測定ユニット４を接続する構成において、その接続経路の制御を各々のテスト電極５ごとに任意に行うことが可能となる。
【００２１】
《第３の実施形態》
本発明の半導体検査装置の第３の実施形態を説明する。図５〜図１０は、本発明の第３の実施形態に係る半導体検査装置におけるテスト電極５及びインタフェース基板１６の構成図である。テスト電極５において、８は固定部分、１０〜１４は円筒形状で同心円状に配置された可動部分、１５は絶縁支持棒である。１６は円筒状のテスト電極５に適応したインタフェース基板である。
【００２２】
本実施形態は、インタフェース基板１６に接続するテスト電極５のより安定した、確実な接続方法を提供する。
【００２３】
第１及び第２の実施形態で説明したテスト電極５は、１つのテスト電極５に対して１つの接続経路しか持っていない。したがって、第１の実施形態で説明したように特定の測定ユニット４に複数のデバイス端子１を接続する場合、又は、第２の実施形態で説明したように特定のデバイス端子１に複数の測定ユニット４を割り当て、検査項目によりその測定ユニット４を切り替えたい場合においては、複数の接続経路が必要であることから、テスト電極５が必要接続経路分だけ必要である。また、テスト電極５が図２、図３のように変化することにより、各テスト電極５の電気的接続状態を変えているが、テスト電極５とインタフェース基板端子６との位置関係を確認できないため、所望の接続状態を実現できているかの確実性に課題がある。
【００２４】
そこで、本実施形態の半導体検査装置では、１又は複数の測定ユニット４とインタフェース基板１６との間を電気的に接続するためのテスト電極５が円筒状の複数の可動部分１０〜１４を組み合わせた構造を持ち、各々の可動部分１０〜１４が独立した動作を行うことにより測定ユニット４とインタフェース基板１６との間の電気的接続状態を変えることができることを特徴とする。また、このテスト電極５に対応したインタフェース基板１６と組み合わせることにより、測定を実現する。
【００２５】
テスト電極５は、図５〜図８のように円筒構造となっている。各々半径の異なる第１〜第５の可動部分１０〜１４を組み合わせてテスト電極５を構成する。各可動部分１０〜１４の間は絶縁されており、相互に電気的には接続されない。
【００２６】
また、図５〜図８で説明した構造を持つテスト電極５に適したインタフェース基板１６の構造を図９、図１０に示す。インタフェース基板１６の端子部分は円錐構造となっている。このインタフェース基板１６の端子部分は複数の層でそれぞれ独立した端子を持ち、各層の端子間はそれぞれ電気的に絶縁されている。
【００２７】
検査未使用時、全ての可動部分１０〜１４は、図６に示すとおりテストヘッド３に設置するための固定部分８の内部に収納されている。第３の可動部分１２を使用する場合、図７で示すとおり当該第３の可動部分１２を上方に移動させることにより、図９で示すとおり第３の可動部分１２とインタフェース基板１６の特定の層（下から３番目の層）の端子とが接続され、電気信号を被測定デバイス２へ伝搬することができる。また、第５の可動部分１４を使用する場合は図８で示すとおり当該第５の可動部分１４を上方に移動させることにより、図１０で示すとおり第５の可動部分１４とインタフェース基板１６の図９とは異なる特定の層（最上層）の端子とが接続され、電気信号を被測定デバイス２へ伝搬することができる。
【００２８】
これにより、１つの組み合わせテスト電極５で複数の接続経路を持つことが可能となり、特定の測定ユニット４に複数のデバイス端子１を接続する場合、又は、特定のデバイス端子１に複数の測定ユニット４を割り当て、検査項目によりその測定ユニット４を切り替える場合において、電極数の増大を抑えることが可能となる。
【００２９】
また、テスト電極５の中心軸に存在する絶縁支持棒１５は、インタフェース基板１６と固定部分８との位置関係を保つために使用する。これにより、安定かつ確実に電極選択を行うことが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
以上説明してきたとおり、本発明に係る半導体検査装置は、被測定デバイスと測定ユニットとの間の接続状態を切り替える検査の実施容易性が向上するので有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体検査装置の概略側面図である。
【図２】図１中のテスト電極の非接続状態を表す拡大斜視図である。
【図３】図１中のテスト電極の接続状態を表す拡大斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体検査装置の概略側面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る半導体検査装置におけるテスト電極の拡大平面図である。
【図６】図５のテスト電極の非接続状態を表す拡大斜視図である。
【図７】図５のテスト電極の１つの接続状態を表す拡大斜視図である。
【図８】図５のテスト電極の他の接続状態を表す拡大斜視図である。
【図９】図７の状態のテスト電極とインタフェース基板との接触を表す断面図である。
【図１０】図８の状態のテスト電極とインタフェース基板との接触を表す断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  デバイス端子
２  被測定デバイス
３  テストヘッド
４  測定ユニット
５  テスト電極
６  インタフェース基板端子
８  固定部分
９  可動部分
１０〜１４  可動部分
１５  絶縁支持棒
１６  インタフェース基板
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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