Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月18日(2005.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リモコン又は他の照明器具からの照明制御の赤外線信号を受けてランプの光出力を増減させるように動作すると共に赤外線信号を外部に送信する照明装置は、赤外線信号を受信して照明制御信号に変換して出力すると共に照明制御指令に基づき赤外線信号を送信する少なくとも１つの送受信ユニットと、前記送受信ユニットからの照明制御信号に基づいて照明制御指令を該送受信ユニットに返送すると共にランプを点灯・調光制御する照明器具と、送受信ユニットと照明器具を接続する信号線とを備えてなることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
リモコン又は他の照明器具からの照明制御の赤外線信号を受けてランプの光出力を増減させるように動作すると共に赤外線信号を外部に送信する照明装置であって、
ランプを点灯・調光制御する照明器具と、
赤外線信号を受信して照明制御信号に変換して前記照明器具に出力する送受信ユニットと、
前記送受信ユニットと前記照明器具を接続する信号線とを備え、
送受信ユニットは、赤外線信号を受信する赤外線受信部と、受信した赤外線信号と同じ内容の赤外線信号を他の照明器具に送るための照明制御指令を前記照明器具から受信して、この照明制御指令に基づき赤外線信号を送信する赤外線送信部とを備えることを特徴とする照明装置。
【請求項３】
前記照明器具は、受信した赤外線信号を他の照明器具に配信するため、受信した赤外線信号と同じ内容の赤外線信号を送るための照明制御指令を前記信号線を介して前記送受信ユニットに送る制御部を備えることを特徴とする請求項２記載の照明装置。
【請求項４】
前記信号線は、前記送受信ユニットのインターフェース部と、前記照明器具のインターフェース部とを接続していることを特徴とする請求項２または請求項３記載の照明装置。
【請求項５】
前記送受信ユニットは、赤外線遮蔽物を回避した任意の位置に前記照明器具から分離して設置されることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の少なくとも一部に表示域を有する表示装置本体と、前記表示装置本体の前記表示域の内側に配設された導光板と、前記導光板の背面側に配設された反射シート体と、前記導光板の一側部側又は対向する二側部側に配設された発光手段とを備え、
前記発光手段は、前記導光板の前記一側部側又はその対向する二側部側に長手方向に間隔をおいて配設された複数個の発光ダイオードから構成され、前記導光板の背面には、前記導光板内を伝送する光を前記導光板の表面側に拡散するための拡散パターンが設けられ、前記複数個の発光ダイオードは、前記導光板、前記拡散パターン及び前記反射シート体の作用によって、前記表示域を実質上均一に照明することを特徴とする照明表示装置。
【請求項２】
前記反射シート体は、前記導光板における、前記表示装置本体の前記表示域に対応する部分を除く他の部分の実質上全域を覆っていることを特徴とする請求項１記載の照明表示装置。
【請求項３】
前記複数個の発光ダイオードは回路基板に取り付けられ、前記複数個の発光ダイオードと前記回路基板との電気的接続部を含む前記回路基板全体が、合成樹脂によって密封防水されていることを特徴とする請求項１又は２記載の照明表示装置。
【請求項４】
前記拡散パターンのパターン形状は、前記発光手段に近い領域において比較的小さく形成され、前記発光手段から離れた領域において比較的大きく形成されていることを特徴とする請求項１に記載の照明表示装置。
【請求項５】
前記拡散パターンは前記導光板の背面にシルク印刷を施すことによって形成されていることを特徴とする請求項１又は４に記載の照明表示装置。
【請求項６】
前記発光手段は前記導光板の対向する二側部側に長手方向に間隔をおいて配設された複数個の発光ダイオードから構成され、前記導光版の背面に施された前記拡散パターンのパターン形状は、前記導光板の両側部において比較的小さく形成され、前記導光板の中央部において比較的大きく形成されていることを特徴とする請求項１に記載の照明表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
更に、本発明では、前記複数個の発光ダイオードは回路基板に取り付けられ、前記複数個の発光ダイオードと前記回路基板との電気的接続部を含む前記回路基板全体が、合成樹脂によって密封防水されていることを特徴とする。
本発明に従えば、複数個の発光ダイオードと回路基板との電気的接続部を含む回路基板全体が合成樹脂によって密封防水されているので、表示装置本体を防水構造にすることなく照明表示装置に防水性を持たせることができ、比較的簡単な構成で耐防水性を持たせ、屋外の照明表示装置として好都合に用いることができる。
更にまた、本発明では、前記拡散パターンのパターン形状は、前記発光手段に近い領域において比較的小さく形成され、前記発光手段から離れた領域において比較的大きく形成されていることを特徴とする。
本発明に従えば、拡散パターンのパターン形状は発光手段に近い領域においては比較的小さく、発光手段から離れた領域においては比較的大きく形成されているので、発光手段に近い領域では導光板を通る光の表面側への反射量は少なく、発光手段から離れた領域では導光板を通る光の表面側への反射量は多くなり、これによって、表示域の全域にわたって輝度を実質上均一にすることができる。
また、本発明では、前記拡散パターンは前記導光板の背面にシルク印刷を施すことによって形成されていることを特徴とする。
本発明に従えば、導光板の背面にシルク印刷を施すことによって拡散パターンを形成することができる。尚、シルク印刷としては、例えば、ビニール樹脂及びアクリル樹脂を主成分とする白色の混合物を用いることができる。
更に、本発明では、前記発光手段は前記導光板の対向する二側部側に長手方向に間隔をおいて配設された複数個の発光ダイオードから構成され、前記導光版の背面に施された前記拡散パターンのパターン形状は、前記導光板の両側部において比較的小さく形成され、前記導光板の中央部において比較的大きく形成されていることを特徴とする。
本発明に従えば、導光板の対向する二側部側に複数個の発光ダイオードが配設されているので、表示域を明るく照明することができる。また、拡散パターンのパターン形状は、導光板の両側部において比較的小さく、その中央部において比較的大きく形成されているので、表示域の全域の輝度を実質上均一にすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、本発明の請求項２の照明表示装置によれば、導光板における、表示域に対応する部分を除く他の部分が、反射シート体で覆われているので、この表示域を除く他の部分から外部を照射しようとする光は、反射シート体によって導光板側に反射されて最終的に表示域を照射するようになり、従って、複数個の発光ダイオードの照明効率を一層高めることができる。
更に、本発明の請求項３の照明表示装置によれば、複数個の発光ダイオードと回路基板との電気的接続部を含む回路基板全体が合成樹脂によって密封防水されているので、表示装置本体に防水構造を採用することなく照明表示装置に防水性を持たせることができる。
更にまた、本発明の請求項４の照明表示装置によれば、拡散パターンのパターン形状は発光手段に近い領域においては比較的小さく、発光手段から離れた領域においては比較的大きく形成されているので、発光手段に近い領域では導光板を通る光の表面側への反射量は少なく、発光手段から離れた領域では導光板を通る光の表面側への反射量は多くなり、これによって、表示域の全域にわたって輝度を実質上均一にすることができる。
また、本発明の請求項５の照明表示装置によれば、導光板の背面にシルク印刷を施すことによって拡散パターンを形成することができる。
更に、本発明の請求項６の照明表示装置によれば、導光板の対向する二側部側に複数個の発光ダイオードが配設されているので、表示域を明るく照明することができる。また、拡散パターンのパターン形状は、導光板の両側部において比較的小さく、その中央部において比較的大きく形成されているので、表示域の全域の輝度を実質上均一にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月13日(2004.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転状態にあるディスクに対して、レーザ光を照射し、情報の記録・再生を行う記録再生装置において、
上記ディスクに対向して配され、かつ、揺動可能に支持される、対向平面を有する安定化スライダーと、
上記ディスクを介して、上記安定化スライダーに対向するように配された安定化板とが設けられ、
上記安定化板は、揺動可能に支持される、対向面を有するスライダーからなり、このスライダーは、上記ディスクに照射されるレーザ光を集光するための集光手段が設けられた集光スライダーであることを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
上記集光スライダーには、集光手段としての第１レンズと第２レンズとが所定の間隔で配置され、かつ、該第１レンズと第２レンズの間隔を制御するための圧電素子層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項３】
上記安定化スライダーには、磁界を発生する磁界発生素子が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の記録再生装置。
【請求項４】
上記安定化板には、磁界を発生する空芯コイルが設けられていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の記録再生装置。
【請求項５】
上記安定化スライダーには、軟磁性体が設けられていることを特徴とする請求項４記載の記録再生装置。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１項に記載の記録再生装置で使用されるディスクがカートリッジに収納され、かつ、記録再生時にディスクが露出されるディスクカートリッジであって、該ディスクカートリッジの内壁面が、上記ディスク回転時に、該ディスクとの間の空間を減圧状態とし得る安定化板であることを特徴とするディスクカートリッジ。
【請求項７】
ディスクとディスクカートリッジの両方の内壁面との距離が、それぞれ、１０μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする請求項６記載のディスクカートリッジ。
【請求項８】
光源と、該光源から出射されたレーザ光を、ディスクに集束して照射する集光手段と、上記ディスクを回転駆動する回転駆動手段とを備えた記録再生装置において、
上記ディスクと上記集光手段との間に配され、該集光手段と連動する第１安定化板と、
上記ディスクを挟んで上記第１安定化板と対向するように配され、かつ、揺動可能に支持される、対向平面を有するスライダーとを備えたことを特徴とする記録再生装置。
【請求項９】
第１安定化板は、集光手段に弾性を有する弾性部材を介して固定されていることを特徴とする請求項８に記載の記録再生装置。
【請求項１０】
集光手段は、少なくとも２つのレンズを組み合わせた群レンズであることを特徴とする請求項８または９に記載の記録再生装置。
【請求項１１】
スライダーは、磁界を発生する磁界発生素子を備えたことを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項１２】
第１安定化板は、透明であることを特徴とする請求項８から１１のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項１３】
ディスクに対向し、かつ、上記ディスク回転時には、該ディスクとの間の空間を減圧状態とし得る位置に第２安定化板をさらに配設したことを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項１４】
上記第２安定化板には、記録再生時にスライダーまたは第１安定化板がディスクに近接するための開口部が形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の記録再生装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の記録再生装置で使用されるディスクがカートリッジに収納され、かつ、記録再生時にディスクが露出されるディスクカートリッジであって、上記ディスクに対する第２安定化板がカートリッジの一方の内壁面で構成されていることを特徴とするディスクカートリッジ。
【請求項１６】
ディスクがカートリッジに収納され、かつ、記録再生時にディスクが露出されるディスクカートリッジにおいて、ディスクに対向し、かつ、上記ディスク回転時には、該ディスクとの間の空間を減圧状態とし得る位置にカートリッジの両方の内壁面で構成される第２安定化板が設けられていることを特徴とするディスクカートリッジ。
【請求項１７】
ディスクとカートリッジの両方の内壁面との距離が、それぞれ、１０μｍ以上、かつ、２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１６に記載のディスクカートリッジ。
【請求項１８】
カートリッジの両方の内壁面には、
記録再生時にディスクを露出し、かつ、記録再生装置で用いられる集光手段と上記ディスクとの間に配され、該集光手段と連動する第１安定化板と、上記ディスクを挟んで上記第１安定化板と対向するように配され、かつ、揺動可能に支持される、対向平面を有するスライダーとを上記ディスクに近接するための開口部が形成されていることを特徴とする請求項１６または１７に記載のディスクカートリッジ。
【請求項１９】
上記ディスクは、可撓性を有していることを特徴とする請求項１から５、８から１４の何れか１項に記載の記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
記録媒体を通すことのできる記録媒体挿入口を介して前記記録媒体を機器本体内に向けて搬送し、かつ前記機器本体内にある記録媒体を前記機器本体外に向けて搬送する記録媒体の搬送経路を開閉する開閉装置であって、
前記記録媒体挿入口を通して前記記録媒体が前記機器本体内に侵入することを阻止する阻止位置と、前記記録媒体挿入口を通して前記記録媒体が前記機器本体内に侵入することを許容する許容位置と、に亘って変位自在なストッパ手段と、
前記ストッパ手段が前記阻止位置に位置した状態で前記機器本体の内方向に押されると、前記ストッパ手段が前記許容位置に向かって変位することを規制する規制手段と、
を備えたことを特徴とする記録媒体搬送経路の開閉装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載した発明は、記録媒体を通すことのできる記録媒体挿入口を介して前記記録媒体を機器本体内に向けて搬送し、かつ前記機器本体内にある記録媒体を前記機器本体外に向けて搬送する記録媒体の搬送経路を開閉する開閉装置であって、前記記録媒体挿入口を通して前記記録媒体が前記機器本体内に侵入することを阻止する阻止位置と、前記記録媒体挿入口を通して前記記録媒体が前記機器本体内に侵入することを許容する許容位置と、に亘って変位自在なストッパ手段と、前記ストッパ手段が前記阻止位置に位置した状態で前記機器本体の内方向に押されると、前記ストッパ手段が前記許容位置に向かって変位することを規制する規制手段と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な電子放射領域（１１４）と、
前記平坦な電子放射領域用の集束構造（１１８、１２０）
を備える、電子源（１０２）。
【請求項２】
前記平坦な電子放射領域（１１４）は多孔性領域である、請求項１に記載の電子源。
【請求項３】
前記多孔性領域は１つの層内に配置され、前記層はアクティブ基板上に存在し、前記層の表面にパターニングマスクが存在し、該パターニングマスク内の開口部は、前記電子放射領域を画定する、請求項２に記載の電子源。
【請求項４】
前記電子源（１０２）はさらに、前記多孔性領域に位置合わせされたアクティブ領域（１０６）を有する基板（１０４）を備える、請求項２に記載の電子源。
【請求項５】
前記集束構造（１１８、１２０）はアパーチャ（１２２）を含み、電子放射は前記アパーチャを通して集束され、前記平坦な電子放射領域（１１４）のサイズは、前記集束構造のアパーチャ（１２２）より小さい、請求項１に記載の電子源。
【請求項６】
前記平坦な電子放射領域（１１４）は、前記集束構造のアパーチャ（１２２）のサイズの９５％以下である、請求項５に記載の電子源。
【請求項７】
前記平坦な電子放射領域（１１４）上に導電層（１２４）をさらに有する、請求項１に記載の電子源。
【請求項８】
前記平坦な電子放射領域（１１４）は、放射に利用可能な全面積の１％未満までの面積に制限される、請求項１に記載の電子源。
【請求項９】
前記集束構造は、半導体層上に第１の電極（１１６）と、該第１の電極（１１６）上に絶縁層（１１８）と、該絶縁層（１１８）上に第２の電極（１２０）とを備え、前記電極（１１６、１２０）と前記絶縁層（１１８）を通って開口部（１２２）が延在し、前記開口部は前記平坦な電子放射領域（１１４）を露出させることからなる、請求項１に記載の電子源。
【請求項１０】
前記集束構造はさらに、前記第２の電極（１２０）上に第２の絶縁層（３０４）と、該第２の絶縁層（３０４）上に第３の電極（３０６）とを備え、前記第２の絶縁層（３０４）と前記第３の電極（３０６）とを通って開口部（３０８）が延在することからなる、請求項９に記載の電子源。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上の被覆材を処理するための紫外線発生システムであって、
処理空間と、前記処理空間内に該基材を位置させることができる入口ポートとを有し、マイクロ波エネルギーの放出をほとんど遮断するマイクロ波室と、
前記マイクロ波室の前記処理空間内に取り付けられ縦方向に延在したプラズマランプと、
前記マイクロ波室に結合され前記プラズマランプを励起して前記マイクロ波室内に紫外線を放出し前記処理空間内の該基材を照射するためのマイクロ波発生器と、
前記マイクロ波室内に取り付けられ前記プラズマランプからの紫外線を反射し前記処理空間内の該基材を照射するための反射器とを備え、
前記反射器は、縦方向に延在した複数の矩形の反射器パネルを含み、それぞれの反射器パネルはそれぞれの反射面が前記プラズマランプに対向して配置され、該基材の周囲を取り囲む関係で氾濫パターンの紫外線を与えることを特徴とする紫外線発生システム。
【請求項２】
前記マイクロ波室は、さらに、出口ポートを備え、該基材は少なくとも一部分が前記入口ポートと前記出口ポートとの間の前記処理空間内で前記マイクロ波室を通って移動することができることを特徴とする請求項１に記載の紫外線発生システム。
【請求項３】
該基材はケーブルであることを特徴とする請求項１に記載の紫外線発生システム。
【請求項４】
該ケーブルは光ファイバーケーブルであることを特徴とする請求項３に記載の紫外線発生システム。
【請求項５】
前記反射器パネルは、前記処理空間内への少なくとも一つの空気流れ入口と少なくとも一つの空気流れ出口とを設けるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の紫外線発生システム。
【請求項６】
さらに、前記マイクロ波室に取り付けられた一組の間隔を空けて配置されたセラミック製ブラケットを備え、前記ブラケットが前記反射器を支えていることを特徴とする請求項１に記載の紫外線発生システム。
【請求項７】
光ファイバーケーブル上の被覆材を処理するための紫外線発生システムであって、
処理空間と、前記処理空間内に該光ファイバーケーブルを位置させることができる入口ポート及び出口ポートとを有し、マイクロ波エネルギーの放出をほとんど遮断するマイクロ波室と、
前記入口ポートに取り付けられた第一マイクロ波チョーク及び前記出口ポートに取り付けられた第二マイクロ波チョークと、
前記第一及び第二マイクロ波チョークは前記入口ポート及び前記出口ポートからのマイクロ波エネルギーの放出をそれぞれ阻止することができ、
前記マイクロ波室の前記処理空間内に取り付けられ縦方向に延在したプラズマランプと、
前記マイクロ波室に結合され前記プラズマランプを励起して前記マイクロ波室内に紫外線を放出し前記処理空間内の該光ファイバーケーブルを照射するためのマイクロ波発生器と、
前記マイクロ波室内に取り付けられ紫外線の一部を反射し前記処理空間内の該光ファイバーケーブルを照射することができる縦方向に延在した反射器とを備えたことを特徴とする紫外線発生システム。
【請求項８】
前記反射器は、該光ファイバーケーブルを取り囲む関係で焦点を絞ったパターンの紫外線を反射できることを特徴とする請求項7に記載の紫外線発生システム。
【請求項９】
前記反射器は、該光ファイバーケーブルの周囲を取り囲む関係で前記プラズマランプからの氾濫パターンの紫外線を反射するように構成されていることを特徴とする請求項7に記載の紫外線発生システム。
【請求項１０】
処理空間を有し、前記処理空間内に少なくとも一部が配置されている物体を照射することができる紫外線装置であって、
該物体と間隔を空けて前記処理空間内に配置され、動作中は紫外線供給源となることができるプラズマランプと、
前記処理空間の周りに前記プラズマランプから離れて配置され、縦方向に延在した反射器とを備え、
前記反射器は、前記プラズマランプと間隔を空けた関係及び該物体と間隔を空けた関係を有し、前記反射器は、該物体の周囲を取り囲む関係で該プラズマランプからの氾濫パターンの紫外線を反射して前記処理空間内の該物体を照射することを特徴とする紫外線装置。
【請求項１１】
該物体は、前記処理空間を通って移動することを特徴とする請求項１０に記載の紫外線装置。
【請求項１２】
処理空間内に取り付けられたプラズマランプと、該プラズマランプと間隔を空けて該処理空間内に取り付けられた反射器とを有するマイクロ波室の該処理空間内で基材上の被覆材を処理する方法であって、
該処理空間に該基材を通して移動させることと、
紫外線を放射するためにマイクロ波エネルギーで該プラズマランプを励起させることと、
該プラズマランプからの紫外線を該基材の周囲を取り囲む関係の氾濫パターンで反射することと、
該紫外線及び該反射した紫外線で該処理空間内を移動する該基材を処理することとを含む方法。
【請求項１３】
さらに、前記マイクロ波室の該処理空間内に該基材が位置しているときに、該基材を紫外線透過導管で囲むことを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記反射器は、縦方向に延在した少なくとも四つの反射器パネルを含んでいることを特徴とする請求項１０に記載の紫外線装置。
【請求項１５】
さらに、前記処理空間と、前記処理空間内に該物体を位置させることができる入口ポートとを有し、マイクロ波エネルギーの放出をほとんど遮断するマイクロ波室と、
前記マイクロ波室に結合され前記プラズマランプを励起して前記マイクロ波室内に紫外線を放出し前記処理空間内の該物体を照射するためのマイクロ波発生器とを備えていることを特徴とする請求項１０に記載の紫外線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスク・ドライブにおいて半径方向トラッキング信号を生成する方法において、
光ディスク上に少なくとも３つの光スポットを集束させるステップであって、前記スポットの中心間の間隔が光ディスク上のトラックのピッチの約４分の１であることからなる、ステップと、
少なくとも３つの信号を生成するステップであって、それぞれの信号が、前記光ディスクの１つのスポットから反射された光から生成されることからなる、ステップと、
前記信号を組み合わせて、前記スポットのうちの１つからの前記信号の振幅における一定のオフセットを実質的に除去するステップ
とを含む方法。
【請求項２】
前記スポットの中心間の前記間隔が、前記光ディスク上のトラックのピッチの４分の１の意図された間隔を有し、前記意図された間隔にはある範囲が存在する、請求項１の方法。
【請求項３】
前記スポットの中心間の前記間隔が、前記光ディスクのトラックのピッチの８分の１から８分の３の範囲内である、請求項項１の方法。
【請求項４】
前記スポットのうちの２つからの信号の組み合せから形成された信号の位相が、第３のスポットからの信号の位相に対して、該第３のスポットからの信号の周期の８分の１から８分の３の範囲内でオフセットされる、請求項１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
曲面を有するオブジェクトの画像をレンダリングするためのシステムであって、
前記画像のレンダリングに関するＭ個の属性（Ｍは整数）を決定する決定器と、
前記画像のレンダリングに関するＮ個の属性（ＮはＭ以下の整数）を事前計算するプロセッサであって、該Ｎ個の属性が事前計算可能な第１のプロセッサと、
前記Ｍ個の属性を計算する第２のプロセッサとを備えることを特徴とするシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記第１のプロセッサは、ｘ属性、ｙ属性、およびｚ属性によって特徴付けられる１つ以上のピクセルについて、周囲ライティング成分、拡散ライティング成分、反射ライティング成分、極ベクトル、赤道ベクトル、および極交差赤道ベクトルのうち少なくとも１つを事前計算することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記第１のプロセッサは、１つ以上のオブジェクトについてのエッジバッファを事前計算することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記オブジェクトは、ライティングされた球体であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記オブジェクトは、テクスチャのある球体であることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記オブジェクトは、バンプマッピングされることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
図２８の符号２０１は、従来技術の複合配線板である。
図３０はこの複合配線板２０１の構造を示す分解図であり、符号２７１Ａ、２７２Ａ、２７１Ｂ、２７２Ｂは、リジッド積層板を示し、符号２７８は単層又は積層構造のフレキシブル配線板を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方晶系の単結晶基板と、この単結晶基板上に積層された化合物半導体層と、この化合物半導体層に設けられた電極とを備えた半導体発光素子において、前記単結晶基板及び化合物半導体層が、それぞれ、角度６０゜±３°の内角を有する平行四辺形平面形状を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記平行四辺形が、＜１１−２０＞方向に平行な対辺を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
多角形の平面形状を有する六方晶系の単結晶基板と、この単結晶基板上に積層された化合物半導体層と、この化合物半導体層に接続された電極とを備え、前記単結晶基板の一辺が＜１１−２０＞方向に平行であり、他の一辺が＜１−１００＞方向に平行であり、かつ前記多角形が長方形であって、前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足し、かつ前記単結晶基板の裏面の凹凸が前記単結晶基板の厚さＴの３％以内にあることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項４】
六方晶系の単結晶基板の表面上に化合物半導体層を積層する工程、前記化合物半導体層に接して電極を形成する工程、前記単結晶基板の裏面を凹凸が前記単結晶基板の厚さの３％以内となるように加工する工程、前記裏面を加工した単結晶基板を切断して平面多角形状にする工程を包含し、該切断工程において、単結晶基板を前記多角形の一辺が＜１１−２０＞方向に平行に、および他の一辺が＜１−１００＞方向に平行になり、前記多角形が長方形となるように、かつ前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足するように切断することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
六方晶系の単結晶基板の表面上に化合物半導体層を積層する工程、前記化合物半導体層に接して電極を形成する工程、前記単結晶基板の裏面を凹凸が前記単結晶基板の厚さの３％以内となるように加工する工程、前記裏面を加工した単結晶基板を切断して平面多角形状にする工程を包含し、該切断工程において、単結晶基板を前記多角形の一辺が＜１１−２０＞方向に平行に、および他の一辺が＜１−１００＞方向に平行になり、前記多角形が長方形となるように、かつ前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足するように切断することを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体発光素子およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は上記の問題を解決し、発光効率等の特性が良好な半導体発光素子およびその製造方法を提供することを課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第２に、本発明は、多角形の平面形状を有する六方晶系の単結晶基板と、この単結晶基板上に積層された化合物半導体層と、この化合物半導体層に接続された電極とを備え、前記単結晶基板の一辺が＜１１−２０＞方向に平行であり、他の一辺が＜１−１００＞方向に平行であり、かつ前記多角形が長方形であって、前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足し、かつ前記単結晶基板の裏面の凹凸が前記単結晶基板の厚さＴの３％以内にあることを特徴とする半導体発光素子を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第３に、本発明は、六方晶系の単結晶基板の表面上に化合物半導体層を積層する工程、前記化合物半導体層に接して電極を形成する工程、前記単結晶基板の裏面を凹凸が前記単結晶基板の厚さの３％以内となるように加工する工程、前記裏面を加工した単結晶基板を切断して平面多角形状にする工程を包含し、該切断工程において、単結晶基板を前記多角形の一辺が＜１１−２０＞方向に平行に、および他の一辺が＜１−１００＞方向に平行になり、前記多角形が長方形となるように、かつ前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足するように切断することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第４に、本発明は、六方晶系の単結晶基板の表面上に化合物半導体層を積層する工程、前記化合物半導体層に接して電極を形成する工程、前記単結晶基板の裏面を凹凸が前記単結晶基板の厚さの３％以内となるように加工する工程、前記裏面を加工した単結晶基板を切断して平面多角形状にする工程を包含し、該切断工程において、単結晶基板を前記多角形の一辺が＜１１−２０＞方向に平行に、および他の一辺が＜１−１００＞方向に平行になり、前記多角形が長方形となるように、かつ前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足するように切断することを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも水溶性第４級アンモニウム塩、水溶性第４級アンモニウム塩を除く塩基性有機化合物、無機酸塩、水溶性高分子、砥粒および水系媒体が配合されて得られたことを特徴とするポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体。
【請求項２】
少なくとも水溶性第４級アンモニウム塩、無機酸塩および水系媒体が配合されて得られた水系分散体（Ｉ）と、少なくとも水溶性高分子、水溶性第４級アンモニウム塩を除く塩基性有機化合物および水系媒体が配合されて得られた水系分散体（II）と、が混合されてなり、かつ該水系分散体（Ｉ）および該水系分散体（II）の少なくとも一方に砥粒が配合されていることを特徴とするポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体。
【請求項３】
上記水溶性第４級アンモニウム塩が下記式（１）で表される化合物である請求項１または２に記載のポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体。
ＮＲ4ＯＨ      （１）
［式（１）中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を表す。これら４個のＲはすべて同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。］
【請求項４】
上記無機酸塩が無機アンモニウム塩である請求項１ないし３のうちのいずれか１項に記載のポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体。
【請求項５】
請求項１ないし４のうちのいずれか１項に記載のポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体を用いてポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を研磨することを特徴とする化学機械研磨方法。
【請求項６】
同一条件により研磨した場合に、シリコン酸化膜の研磨速度に対するポリシリコン膜の研磨速度の比が３０以上である請求項５に記載の化学機械研磨方法。
【請求項７】
同一条件により研磨した場合に、窒化物層の研磨速度に対するポリシリコン膜の研磨速度の比が５０以上である請求項５に記載の化学機械研磨方法。
【請求項８】
請求項１ないし４のうちのいずれか１項に記載のポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体を使用して半導体基板上のポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を研磨することで半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法に関する。さらに詳しくは、保存安定性が高く、高濃度状態での貯蔵においても経時的劣化が抑制された半導体装置の製造に有用なポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体、およびこれを用いた研磨除去選択性に優れた化学機械研磨方法、ならびに半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情を鑑みなされたもので、その課題は、化学機械研磨による被研磨面の平坦化工程においてディッシング、エロージョンないしスクラッチをはじめとした表面欠陥が抑えられ、ポリシリコンとシリコン酸化物との研磨除去選択性およびポリシリコンと窒化物との研磨除去選択性に優れ、濃縮状態においても長期安定性に優れるポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体、およびこれを用いた化学機械研磨方法、ならびに半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決する手段】
本発明は以下のとおりである。
本発明のポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体（以下、単に「化学機械研磨用水系分散体」ともいう。）は、少なくとも水溶性第４級アンモニウム塩、水溶性第４級アンモニウム塩を除く塩基性有機化合物、無機酸塩、水溶性高分子、砥粒および水系媒体が配合されて得られたことを特徴とする（以下、「成分配合型水系分散体」という。）。
本発明の他の化学機械研磨用水系分散体は、少なくとも水溶性第４級アンモニウム塩、無機酸塩および水系媒体が配合されて得られた水系分散体（Ｉ）と、少なくとも水溶性高分子、水溶性第４級アンモニウム塩を除く塩基性有機化合物および水系媒体が配合されて得られた水系分散体（II）と、が混合されてなり、かつ該水系分散体（Ｉ）および該水系分散体（II）の少なくとも一方に砥粒が配合されていることを特徴とする（以下、「２液混合型水系分散体」という。）。
本発明の化学機械研磨方法は、本発明の化学機械研磨用水系分散体または本発明の他の化学機械研磨用水系分散体を用いてポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を研磨することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の化学機械研磨用水系分散体または本発明の他の化学機械研磨用水系分散体を使用して半導体基板上のポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を研磨することで半導体装置を製造することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月12日(2005.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力軸を有するロータと、内径側に上記出力軸に対する軸受部を有するステータとを含み、上記ロータと上記ステータとが、上記出力軸上でその軸線方向に沿って所定の間隙をもって対向的に配置されているアキシャルギャップ型電動機において、
上記軸受部は、各内輪が上記出力軸に圧入固定される第１，第２の２つのラジアルボールベアリングと、上記ステータの内径側に一体的に固定されるほぼ円筒状に形成された軸受ハウジングとを備え、
上記軸受ハウジングには、その一端側から上記第１ラジアルボールベアリングの外輪が収納される第１ベアリング収納部と、他端側から上記第２ラジアルボールベアリングの外輪が収納される第２ベアリング収納部とが設けられているとともに、上記第１，第２ベアリング収納部間には仕切壁が形成されており、
上記第１ベアリング収納部は、その内径がベアリング内のボール軌道に歪みを与えない程度に上記第１ラジアルボールベアリングの外輪を圧入し得る大きさに形成されており、
上記第２ベアリング収納部は、その内径が上記第２ラジアルボールベアリングの外輪を緩く嵌合し得る大きさに形成されているとともに、上記仕切壁と上記第２ラジアルボールベアリングの外輪との間には予圧バネが介装されていることを特徴とするアキシャルギャップ型電動機。
【請求項２】
上記第２ベアリング収納部の外周には、同第２ベアリング収納部を強制的に縮径して上記第２ラジアルボールベアリングの外輪を固定するスリーブが設けられている請求項１記載のアキシャルギャップ型電動機。
【請求項３】
上記仕切壁の内径は、上記各ラジアルボールベアリングの内輪の外径よりも大径である請求項１または２に記載のアキシャルギャップ型電動機。
【請求項４】
上記予圧バネには、上記ラジアルボールベアリングの外輪を上記出力軸の軸線と平行な方向に付勢する波ワッシャバネが用いられる請求項１，２または３に記載のアキシャルギャップ型電動機。
【請求項５】
上記第１および第２ベアリング収納部には、上記各ベアリング収納部に可撓性を与えるためのすり割り溝が複数設けられている請求項１，２，３または４に記載のアキシャルギャップ型電動機。
【請求項６】
上記第１ベアリング収納部に設けられるすり割り溝と、上記第２ベアリング収納部に設けられるすり割り溝とが、互いに異なる位置に設けられている請求項５に記載のアキシャルギャップ型電動機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明は、出力軸を有するロータと、内径側に上記出力軸に対する軸受部を有するステータとを含み、上記ロータと上記ステータとが、上記出力軸上でその軸線方向に沿って所定の間隙をもって対向的に配置されているアキシャルギャップ型電動機において、上記軸受部は、各内輪が上記出力軸に圧入固定される第１，第２の２つのラジアルボールベアリングと、上記ステータの内径側に一体的に固定されるほぼ円筒状に形成された軸受ハウジングとを備え、上記軸受ハウジングには、その一端側から上記第１ラジアルボールベアリングの外輪が収納される第１ベアリング収納部と、他端側から上記第２ラジアルボールベアリングの外輪が収納される第２ベアリング収納部とが設けられているとともに、上記第１，第２ベアリング収納部間には仕切壁が形成されており、上記第１ベアリング収納部は、その内径がベアリング内のボール軌道に歪みを与えない程度に上記第１ラジアルボールベアリングの外輪を圧入し得る大きさに形成されており、上記第２ベアリング収納部は、その内径が上記第２ラジアルボールベアリングの外輪を緩く嵌合し得る大きさに形成されているとともに、上記仕切壁と上記第２ラジアルボールベアリングの外輪との間には予圧バネが介装されていることを特徴としている。
これによれば、内輪の移動が固定されている場合でも、外輪が予圧バネによって内輪に対して適正位置に保持されていることにより、安価なラジアルボールベアリングを使った高精度な軸受構造を得ることができる。
また、上記第２ベアリング収納部の外周には、同第２ベアリング収納部を強制的に縮径して上記第２ラジアルボールベアリングの外輪を固定するスリーブが設けられていることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、軸受ハウジングに第１ラジアルボールベアリングの外輪が収納される第１ベアリング収納部と、第２ラジアルボールベアリングの外輪が収納される第２ベアリング収納部とを設け、第１，第２ベアリング収納部間に仕切壁を形成し、第１ベアリング収納部にその内径がベアリング内のボール軌道に歪みを与えない程度に第１ラジアルボールベアリングの外輪を圧入し、第２ベアリング収納部に、その内径が第２ラジアルボールベアリングの外輪を緩く嵌合して、仕切壁と第２ラジアルボールベアリングの外輪との間に予圧バネを介装することにより、内輪の移動が固定されている場合でも、外輪が予圧バネによって内輪に対して適正位置に保持されていることにより、安価なラジアルボールベアリングを使った高精度な軸受構造を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１ 】本発明の一実施形態に係るアキシャルギャップ型電動機の内部構造を概略的に示す断面図。
【図２ 】軸受部の要部断面図。
【図３ 】図２ のＡ −Ａ 線断面図およびＢ −Ｂ 線断面図。
【図４ 】軸受部の構成を模式的示した分解斜視図。
【符号の説明】
１ ア キシャルギャップ型電動機
２ ス テータ
３ ロ ータ
４ ロ ータ出力軸
５ ス テータコア
６ 軸 受部
７ ベ アリング
８ 軸 受ハウジング
８ １ 第１ ベアリング収納部
８ ２ 第２ ベアリング収納部
８ ３ 仕切壁
８ ４ 鉤部
８ ５ スリーブ
８ ６ 予圧バネ
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月29日(2005.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 複数のセルで構成される蓄電器を備えたハイブリッド駆動型建設機械の電力制御装置であって、
前記複数のセルの電圧値のうち最大の電圧値である最大セル電圧値を検出する最大セル電圧値検出手段と、
前記複数のセルの電圧値のうち最小の電圧値である最小セル電圧値を検出する最小セル電圧値検出手段と、
前記最大セル電圧値検出手段により検出され前記最大セル電圧値に基づいて前記蓄電器の最大充電電力を決定する最大充電電力決定手段と、
前記最小セル電圧値検出手段により検出された前記最小セル電圧値に基づいて前記蓄電器の最大放電電力を決定する最大放電電力決定手段と、
を備えたことを特徴とするハイブリッド駆動型建設機械の電力制御装置。
【請求項２】  前記最大充電電力決定手段は、
前記蓄電器の充電状態或いは温度を検出する検出手段と、
前記蓄電器の充電状態或いは温度に関連付けて当該充電状態或いは温度に応じて定められた充電電力を記憶する充電電力記憶手段と、
前記セル電圧最大値に関連付けて当該セル電圧最大値に応じて定められた前記蓄電器の充電電力を低減させる充電電力低減量を記憶する充電電力低減量記憶手段と、
前記充電電力記憶手段から前記検出手段により検出された前記充電状態或いは温度に関連付けられた前記充電電力を抽出する充電電力抽出手段と、
前記充電電力低減量記憶手段から前記最大セル電圧値検出手段により検出された前記最大セル電圧値に関連付けられた前記充電電力低減量を抽出する充電電力低減量抽出手段と、
前記充電電力抽出手段により抽出された前記充電電力から前記充電電力低減量抽出手段により抽出された前記充電電力低減量を減算することにより前記蓄電器の前記最大充電電力を算出する最大充電電力算出手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載のハイブリッド駆動型建設機械の電力制御装置。
【請求項３】  前記最大放電電力検定手段は、
前記蓄電器の充電状態或いは温度を検出する検出手段と、
前記蓄電器の充電状態或いは温度に関連付けて当該充電状態或いは温度に応じて定められた放電電力を記憶する放電電力記憶手段と、
前記セル電圧最小値に関連付けて当該セル電圧最小値に応じて定められた前記蓄電器の放電電力を低減させる放電電力低減量を記憶する放電電力低減量記憶手段と、
前記放電電力記憶手段から前記検出手段により検出された前記充電状態或いは温度に関連付けられた前記放電電力を抽出する放電電力抽出手段と、
前記放電電力低減量記憶手段から前記最小セル電圧値検出手段により検出された前記最小セル電圧値に関連付けられた前記放電電力低減量を抽出する放電電力低減量抽出手段と、
前記放電電力抽出手段により抽出された前記放電電力から前記放電電力低減量抽出手段により抽出された前記放電電力低減量を減算することにより前記蓄電器の前記最大放電電力を算出する最大放電電力算出手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載のハイブリッド駆動型建設機械の電力制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載のハイブリッド駆動型建設機械の電力制御装置は、複数のセルで構成される蓄電器を備えたハイブリッド駆動型建設機械の電力制御装置であって、前記複数のセルの電圧値のうち最大の電圧値である最大セル電圧値を検出する最大セル電圧値検出手段と、前記複数のセルの電圧値のうち最小の電圧値である最小セル電圧値を検出する最小セル電圧値検出手段と、前記最大セル電圧値検出手段により検出され前記最大セル電圧値に基づいて前記蓄電器の最大充電電力を決定する最大充電電力決定手段と、前記最小セル電圧値検出手段により検出された前記最小セル電圧値に基づいて前記蓄電器の最大放電電力を決定する最大放電電力決定手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、本体とスキャナを備えた、スキャニング機能付きの装置に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
言語等の特性に合わせて設定することができるスキャニング機能を持つ装置は今までになかった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御信号により最終段のスイッチング素子を動作させるパルス幅変調増幅装置において、前記スイッチング素子が動作したことを感知する動作感知手段と、時間を測定する時間測定手段と、信号に遅延を与える遅延手段と、ＰＷＭ信号発生手段を有し、前記時間測定手段は、前記制御信号が第１のレベルから第２のレベルに変化した時点から該変化に基づく前記スイッチング素子の動作を前記動作感知手段が感知した時点までの第１の遅延時間と、前記制御信号が第２のレベルから第１のレベルに変化した時点から該変化に基づく前記スイッチング素子の動作を前記動作感知手段が感知した時点までの第２の遅延時間を測定するものであり、前記ＰＷＭ信号発生手段は、前記第１の遅延時間と前記第２の遅延時間の大小関係に基づいて、前記制御信号に前記第１の遅延時間を与えた第１の遅延制御信号と、前記制御信号に前記第２の遅延時間を与えた第２の遅延制御信号との論理積または論理和によりＰＷＭ信号を発生させるものであることを特徴とするパルス幅変調増幅装置。
【請求項２】
制御信号により最終段の複数のスイッチング素子を動作させるパルス幅変調増幅装置において、前記各スイッチング素子が動作したことを感知する動作感知手段と、時間を測定する時間測定手段と、信号に遅延を与える遅延手段と、ＰＷＭ信号発生手段を有し、前記時間測定手段は、前記各スイッチング素子について、前記制御信号が第１のレベルから第２のレベルに変化した時点から該変化に基づく前記各スイッチング素子の動作を前記動作感知手段が感知した時点までのそれぞれの第１の遅延時間と、前記制御信号が第２のレベルから第１のレベルに変化した時点から該変化に基づく前記各スイッチング素子の動作を前記動作感知手段が感知した時点までのそれぞれの第２の遅延時間を測定するものであり、前記ＰＷＭ信号発生手段は、一定時間からそれぞれの前記第１の遅延時間を減算した第３の遅延時間と、前記一定時間からそれぞれの前記第２の遅延時間を減算した第４の遅延時間を演算し、前記第１の遅延時間と前記第２の遅延時間の大小関係に基づいて、前記制御信号に前記第３の遅延時間を与えた第１の遅延制御信号と、前記制御信号に前記第４の遅延時間を与えた第２の遅延制御信号との論理積または論理和によりＰＷＭ信号を発生させるものであることを特徴とするパルス幅変調増幅装置。
【請求項３】
前記一定時間が、前記それぞれの第１の遅延時間と、前記それぞれの第２の遅延時間のうちの最大値であることを特徴とする請求項２に記載のパルス幅変調増幅装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
ＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）増幅装置は、Ｄ級アンプである。Ｄ級アンプは、Ａ級、Ｂ級アンプに比べて、出力段での半導体素子で消費する電力が少ないので、近年の省電力化において大いに注目されている。ＰＷＭ増幅装置は、出力段のＯＮとＯＦＦの２値で信号を表現するので、正確なパルス幅や電圧変動のない電源が必要となる。また、素子のばらつき等でパルス幅が目的の値に比べて変化した場合、オフセットや歪が生じる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２に記載の発明は、制御信号により最終段の複数のスイッチング素子を動作させるパルス幅変調増幅装置において、前記各スイッチング素子が動作したことを感知する動作感知手段と、時間を測定する時間測定手段と、信号に遅延を与える遅延手段と、ＰＷＭ信号発生手段を有し、前記時間測定手段は、前記各スイッチング素子について、前記制御信号が第１のレベルから第２のレベルに変化した時点から該変化に基づく前記各スイッチング素子の動作を前記動作感知手段が感知した時点までのそれぞれの第１の遅延時間と、前記制御信号が第２のレベルから第１のレベルに変化した時点から該変化に基づく前記各スイッチング素子の動作を前記動作感知手段が感知した時点までのそれぞれの第２の遅延時間を測定するものであり、前記ＰＷＭ信号発生手段は、一定時間からそれぞれの前記第１の遅延時間を減算した第３の遅延時間と、前記一定時間からそれぞれの前記第２の遅延時間を減算した第４の遅延時間を演算し、前記第１の遅延時間と前記第２の遅延時間の大小関係に基づいて、前記制御信号に前記第３の遅延時間を与えた第１の遅延制御信号と、前記制御信号に前記第４の遅延時間を与えた第２の遅延制御信号との論理積または論理和によりＰＷＭ信号を発生させるものであることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図５の遅延回路１，２には、図８（Ｂ）の制御信号が入力されるから、遅延回路１の出力信号は、図８（Ｃ）に示すように、制御信号が（Ｔｋ−Ｔｏｎ）だけ遅延された信号となる。また、遅延回路２の出力信号は、図８（Ｄ）に示すように、制御信号が（Ｔｋ−Ｔｏｆｆ）だけ遅延された信号となる。遅延回路１および遅延回路２の出力信号は、ＯＲ回路によって、図８（Ｅ）に示すように、制御信号のパルス幅よりも（Ｔｋ−Ｔｏｆｆ）−（Ｔｋ−Ｔｏｎ）＝（Ｔｏｎ−Ｔｏｆｆ）だけ長くなったパルス幅Ｈ２の信号となる。換言すれば、（Ｔｋ−Ｔｏｎ）−（Ｔｋ−Ｔｏｆｆ）＝（Ｔｏｆｆ−Ｔｏｎ）だけ短くなったパルス幅Ｈ２の信号となったということができる。これがＰＷＭ信号として、ドライバ５に送出される。このＰＷＭ信号によってスイッチング素子Ｑｎが駆動されると、図８（Ｆ）に示すように、スイッチング素子Ｑｎの動作時間（ＯＮからＯＦＦまでの時間）は、オーディオ信号から生成された図８（Ｂ）に示す制御信号（パルス幅Ｈ）と同じパルス幅の信号になる。また、動作の開始時点は、図８（Ｂ）に示す制御信号の立ち上がり時点から、（Ｔｋ−Ｔｏｎ）＋Ｔｏｎ＝Ｔｋとなり、Ｔｏｎ，Ｔｏｆｆの値にかかわらず、一定値Ｔｋとなる。したがって、Ｔｏｎ＝Ｔｏｆｆの場合は、制御信号にＴｋの遅延を与えてもよいのである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004266650.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2004266650.tif 000002