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【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板検査装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板について少なくともマクロ検査を行うマクロ検査部を有する基板検査装置において、前記マクロ検査部と検査者との間を遮るように設けられた隔壁部材と、この隔壁部材の少なくとも一部を前記マクロ検査部の基板を目視するための透明部材で形成した窓部とを具備したことを特徴とする基板検査装置。
【請求項２】
前記マクロ検査部でマクロ検査された基板についてミクロ検査を行うミクロ検査部を有し、これらマクロ検査部およびミクロ検査部と検査者との間を遮るように隔壁部材を設けたことを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
【請求項３】
前記隔壁部材は少なくとも前記マクロ検査部および前記ミクロ検査部の周辺四方を囲むことを特徴とする請求項２に記載の基板検査装置。
【請求項４】
基板について少なくともマクロ検査を行うマクロ検査部とを有する基板検査装置において、さらに前記マクロ検査部でマクロ検査された基板についてミクロ検査を行うミクロ検査部とを有し、少なくとも前記マクロ検査部の四方および上面を覆い前記マクロ検査部と検査者との間を遮るように設けられた隔壁部材と、この隔壁部材の少なくとも一部を前記マクロ検査部の基板を目視するための透明部材で形成した窓部とを具備したことを特徴とする基板検査装置。
【請求項５】
基板について少なくともマクロ検査を行うマクロ検査部とを有する基板検査装置において、さらに前記マクロ検査部でマクロ検査された基板についてミクロ検査を行うミクロ検査部とを有し、少なくとも前記マクロ検査部の四方および上面を覆い前記マクロ検査部と検査者との間を遮るように設けられた隔壁部材と、この隔壁部材の少なくとも一部を前記マクロ検査部の基板を目視するための透明部材で形成した窓部と、この隔壁部材上面に設置されたエアフィルタとを具備したことを特徴とする基板検査装置。
【請求項６】
前記ミクロ検査部は対物レンズとＸＹステージを有し、前記隔壁部材は少なくとも前記対物レンズと前記ＸＹステージを覆うことを特徴とする請求項４または５に記載の基板検査装置。
【請求項７】
前記隔壁部材は少なくとも前記マクロ検査部および前記ミクロ検査部の周辺四方を囲むことを特徴とする請求項４から６のいずれか１項に記載の基板検査装置。
【請求項８】
前記検査部は操作部を有し、その操作部は前記隔壁部材の外に配置されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか1項記載の基板検査装置。
【請求項９】
前記窓部の透明部材の表面に反射防止処理を施したことを特徴とする請求項１から８のいずれか1項に記載の基板検査装置。
【請求項１０】
前記マクロ検査部は、基板を吸着した状態で上昇し、上昇位置で水平回転および揺動回転可能であることを特徴とする請求項１から９のいずれか1項に記載の基板検査装置。
【請求項１１】
前記マクロ検査部は、基板保持腕を備え、この基板保持腕によりマクロ検査部上の基板を吸着し、前記基板を反転させて裏面に対する目視によるマクロ検査を行うことを特徴とする請求項１から１０のいずれか1項に記載の基板検査装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ等の欠陥検査に用いられる基板検査装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このようなウェハ検査装置では、検査者とウェハ３との間を遮るものが存在していないため、ウェハ３に対する汚染源の一つである検査者から放出された各種の蒸気、微粒子、塵埃などの汚染物が空気中を漂いながらウェハ３に付着することがある。このウェハ検査過程において、ウェハ３の汚染により不良ウェハが発生してしまうという問題点があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、検査者によるウェハ等の基板汚染を防止することができる基板検査装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板について少なくともマクロ検査を行うマクロ検査部を有する基板検査装置において、前記マクロ検査部と検査者との間を遮るように設けられた隔壁部材と、この隔壁部材の少なくとも一部を前記マクロ検査部の基板を目視するための透明部材で形成した窓部とにより構成している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、請求項１記載において、前記マクロ検査部でマクロ検査された基板についてミクロ検査を行うミクロ検査部を有し、これらマクロ検査部およびミクロ検査部と検査者との間を遮るように隔壁部材を設けるようにしている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、基板について少なくともマクロ検査を行うマクロ検査部とを有する基板検査装置において、さらに前記マクロ検査部でマクロ検査された基板についてミクロ検査を行うミクロ検査部とを有し、少なくとも前記マクロ検査部の四方および上面を覆い前記マクロ検査部と検査者との間を遮るように設けられた隔壁部材と、この隔壁部材の少なくとも一部を前記マクロ検査部の基板を目視するための透明部材で形成した窓部とにより構成している。
また本発明は、基板について少なくともマクロ検査を行うマクロ検査部とを有する基板検査装置において、さらに前記マクロ検査部でマクロ検査された基板についてミクロ検査を行うミクロ検査部とを有し、少なくとも前記マクロ検査部の四方および上面を覆い前記マクロ検査部と検査者との間を遮るように設けられた隔壁部材と、この隔壁部材の少なくとも一部を前記マクロ検査部の基板を目視するための透明部材で形成した窓部と、この隔壁部材上面に設置されたエアフィルタとにより構成している。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、検査者から放出された汚染物が空気中を漂いながらマクロ検査部やミクロ検査部の基板に付着するのを少なくでき、検査者による基板検査の際の基板汚染を防止することができる。また、マクロ検査部を目視するための隔壁部材の窓部の透明部材表面での不必要な反射を除去することで、マクロ検査を確実に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷を放散させることが可能な導電性表面を有する回路基盤と、
前記回路基盤に取り付けられ、熱を生じる部品と、
前記部品から生じる熱を前記部品から遠ざけるように伝導する熱伝導性隣接構造であって、電荷を放散することが可能な導電性表面を有する熱伝導性隣接構造と、
前記部品及び前記熱伝導性隣接構造と熱的に接触して前記部品から前記熱伝導性隣接構造へ熱を伝導する複合熱インターフェースパッドと、
を備えるアッセンブリにおいて、
前記複合熱インターフェースパッドは、弾性材料によって形成されて内部にキャビティが形成される型板であって、前記型板の周辺に近接して形成された一連のキャビティを含む型板と、前記キャビティに備えられる曲げやすい非弾性の材料とによって構成され、
前記曲げやすい非弾性の材料は、前記複合熱インターフェースパッドが前記部品から熱を遠ざけるように伝導するときも曲げやすく非弾性のままであり、前記型板の周辺に近接する前記一連のキャビティ内の前記曲げやすい非弾性の材料は導電性であり、前記部品の導電性表面及び前記隣接構造と電気的に接触する、
ことを特徴とするアッセンブリ。
【請求項２】
熱を生じる部品と、
前記部品から生じた熱を前記部品から遠ざけるように伝導する、突起形状を有する熱伝導性隣接構造と、
前記部品及び前記熱伝導性隣接構造と熱的に接触し、前記部品から前記熱伝導性隣接構造へ熱を伝導する複合熱インターフェースパッドと、
を備えるアッセンブリにおいて、
前記複合熱インターフェースパッドは、弾性材料によって形成されて内部に一つ以上のキャビティが形成される型板と、一つ以上の前記キャビティに備えられる曲げやすい非弾性の材料とによって構成され、
前記曲げやすい非弾性の材料は、前記複合熱インターフェースパッドが前記部品から熱を遠ざけるように伝導するときも曲げやすく非弾性のままであり、前記熱伝導性隣接構造の突起形状は前記曲げやすい非弾性の材料まで延びている、
ことを特徴とするアッセンブリ。
【請求項３】
熱を生じ、突起形状を有する部品と、
前記部品から生じた熱を前記部品から遠ざけるように伝導する熱伝導性隣接構造と、
前記部品及び前記熱伝導性隣接構造と熱的に接触し、前記部品から前記熱伝導性隣接構造へ熱を伝導する複合熱インターフェースパッドと、
を備えるアッセンブリにおいて、
前記複合熱インターフェースパッドは、弾性材料によって形成されて内部に一つ以上のキャビティが形成される型板と、一つ以上の前記キャビティに備えられる曲げやすい非弾性の材料とによって構成され、前記曲げやすい非弾性の材料は、前記複合熱インターフェースパッドが前記部品から熱を遠ざけるように伝導するときも曲げやすく非弾性のままであり、前記部品の突起形状は前記曲げやすい非弾性の材料まで延びている、
ことを特徴とするアッセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップを封止するモールド部と、
前記モールド部内において前記半導体チップの回路形成面と平行に延び前記モールド部の側面から外部に突出するインナーリードと
を含み、
前記モールド部は、
前記半導体チップの回路形成面を覆うパッケージ上型部と、
前記半導体チップの反対の面を覆うパッケージ下型部と
を備え、
前記パッケージ上型部の幅が前記パッケージ下型部の同一方向の幅より小さく、
前記モールド部は、少なくとも１つの側面において、前記パッケージ上型部の端面と前記パッケージ下型部の端面とのずれ量が０から５０μｍの範囲内にあることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
少なくとも１本の前記インナーリードに連接されているアウターリードにおいて、平行に配置された複数のアウターリードを連結していたタイバーが切断されて形成された凸部または凹部を、前記モールド部の側端面よりも外側に有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
半導体チップと、
ほぼ直方体形状を有し、前記半導体チップを封止するモールド部と、
前記モールド部内において前記半導体チップの回路形成面と平行に延び前記モールド部の側面から外部に突出するインナーリードと
を含み、
前記モールド部は、
前記半導体チップの回路形成面を覆うパッケージ上型部と、
前記半導体チップの反対の面を覆うパッケージ下型部と
を備え、
当該モールド部の４つの側面において、前記パッケージ上型部の幅が前記パッケージ下型部の同一方向の幅より小さく、
前記モールド部は、前記パッケージ上型部の端面と前記パッケージ下型部の端面とのずれ量が０から５０μｍの範囲内にあることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
半導体チップと、
前記半導体チップを封止するモールド部と、
前記モールド部内において前記半導体チップの回路形成面と平行に延び前記モールド部の側面から外部に突出するインナーリードと
を含み、
少なくとも１本の前記インナーリードにおいて、ボンディングワイヤが接着されている面の前記モールド部の端部から前記インナーリードに連接されているアウターリードの先端部までの距離Ｒ１が、反対の面の前記モールド部の端部からアウターリードの先端部までの距離Ｒ２より大きく、前記距離Ｒ１と前記距離Ｒ２との差が０から５０μｍの範囲内にあることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
少なくとも１本の前記インナーリードに連接されているアウターリードにおいて、平行に配置された複数のアウターリードを連結していたタイバーが切断されて形成された凸部または凹部を、前記モールド部の側端面よりも外側に有することを特徴とする請求項４に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】
半導体チップと、
ほぼ直方体形状を有し、前記半導体チップを封止するモールド部と、
前記モールド部内において前記半導体チップの回路形成面と平行に延び前記モールド部の側面から外部に突出するインナーリードと
を含み、
前記モールド部は、
前記半導体チップの回路形成面を覆うパッケージ上型部と、
前記半導体チップの反対の面を覆うパッケージ下型部と
を備え、
前記パッケージ上型部の幅が前記パッケージ下型部の同一方向の幅より大きく、
前記モールド部は、少なくとも１つの側面において、前記パッケージ上型部の端面と前記パッケージ下型部の端面とのずれ量が０から５０μｍの範囲内にあることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】
少なくとも１本の前記インナーリードに連接されているアウターリードにおいて、平行に配置された複数のアウターリードを連結していたタイバーが切断されて形成された凸部または凹部を、前記モールド部の側端面よりも外側に有することを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項８】
半導体チップと、
ほぼ直方体形状を有し、前記半導体チップを封止するモールド部と、
前記モールド部内において前記半導体チップの回路形成面と平行に延び前記モールド部の側面から外部に突出するインナーリードと
を含み、
前記モールド部は、
前記半導体チップの回路形成面を覆うパッケージ上型部と、
前記半導体チップの反対の面を覆うパッケージ下型部と
を備え、
当該モールド部の４つの側面において、前記パッケージ上型部の幅が前記パッケージ下型部の同一方向の幅より大きく、
前記モールド部は、前記パッケージ上型部の端面と前記パッケージ下型部の端面とのずれ量が０から５０μｍの範囲内にあることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】
半導体チップと、
前記半導体チップを封止するモールド部と、
前記モールド部内において前記半導体チップの回路形成面と平行に延び前記モールド部の側面から外部に突出するインナーリードと
を含み、
少なくとも１本の前記インナーリードにおいて、ボンディングワイヤが接着されている面の前記モールド部の端部から前記インナーリードに連接されているアウターリードの先端部までの距離Ｒ３が、反対の面の前記モールド部の端部からアウターリードの先端部までの距離Ｒ４より小さく、前記距離Ｒ３と前記距離Ｒ４との差が０から５０μｍの範囲内にあり、
少なくとも１本の前記インナーリードに連接されているアウターリードにおいて、平行に配置された複数のアウターリードを連結していたタイバーが切断されて形成された凸部または凹部を、前記モールド部の側端面よりも外側に有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データソースを含む少なくとも一つのネットワーク要素からの複数のデータ単位をデータシンク及びデータバッファを含む少なくとも一つの他のネットワーク要素へ伝送する複数のネットワーク要素を含む伝送システムにおいて、データソースからデータバッファへのデータ伝送の時間的制御を行う第１手段と、データバッファからデータシンクへのデータ伝送の時間的制御を行う第２手段とを設けたことを特徴とする伝送システム。
【請求項２】
第１手段がデータソースを制御するデータソース制御モジュールを含み、該データソース制御モジュールがデータソースからデータバッファへのデータ単位の伝送のためにそれぞれの制御命令をデータソースを介して供給し、第２手段がデータシンク及びデータバッファを制御するデータシンク制御モジュールを含み、該データシンク制御モジュールがデータバッファからデータシンクへのデータ単位の伝送のためにそれぞれの制御命令をデータバッファを介して供給することを特徴とする請求項１記載の伝送システム。
【請求項３】
１つのネットワーク要素から他のネットワーク要素へのデータ伝送を開始させるために開始命令を制御モジュールを介して出力する制御ユニットが設けられていることを特徴とする請求項２記載の伝送システム。
【請求項４】
データシンク制御モジュールが、データバッファからデータシンクへデータを等時間間隔で伝送するようにデータバッファを制御するよう構成されていることを特徴とする請求項２又は３記載の伝送システム。
【請求項５】
制御ユニットが開始命令をデータシンク制御モジュールへ出力し、各々関連するデータバッファを含む複数のデータシンクにおけるデータ出力を同期させて、データバッファからデータシンクへのデータ伝送を同時に開始させることを特徴とする請求項３又は４記載の伝送システム。
【請求項６】
制御ユニットが、データソースからデータバッファへデータ単位を時間的にオフセットさせて伝送するようにデータソース制御モジュールを制御するよう構成されていることを特徴とする請求項５記載の伝送システム。
【請求項７】
データソースを含むネットワーク要素からの複数のデータ単位をデータシンク及びデータバッファを含む少なくとも一つの他のネットワーク要素へ伝送する複数のネットワーク要素を含む伝送システム用の、データソース又はデータシンク及びデータバッファ含むネットワーク要素において、該ネットワーク要素はデータソースからデータバッファへのデータ伝送又はデータバッファからデータシンクへのデータ伝送の時間的制御を行う手段を含むことを特徴とするネットワーク要素。
【請求項８】
データソースを含む少なくとも一つのネットワーク要素からの複数のデータ単位をデータシンク及びデータバッファを含む少なくとも一つの他のネットワーク要素へ伝送する複数のネットワーク要素を含む伝送システム用の制御ユニットにおいて、該制御ユニットは、データソースからデータバッファへのデータ伝送及びデータバッファからデータシンクへのデータ伝送を互いに独立の時間的制御の下で行うように構成されていることを特徴とする制御ユニット。
【請求項９】
データソースを含む少なくとも一つのネットワーク要素からの複数のデータ単位をデータシンク及びデータバッファを含む少なくとも一つの他のネットワーク要素へ伝送する方法において、個々のデータ単位をデータソースからデータバッファへ時間的に制御して伝送し、次にデータバッファからデータシンクへ時間的に制御して伝送することを特徴とする伝送方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月12日(2004.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、ＤＣフリーでないディジタル変調方式を採用している場合では、再生信号のパターンによって、オフセットが変動する。また、光磁気ディスクの基板製造時に生じた力学的な歪みによって、光学的な複屈折が生じ、再生ＲＦ信号のオフセットが低い周波数で変動する。オフセットの変動によって、スライスレベルが理想的な位置からずれ、２値化エラーが発生する。また、ビタビ復号器を採用している場合では、その前段のＡ／Ｄ変換器のダイナミックレンジを狭くし、Ａ／Ｄ変換の分解能を低下させる。それによって、ビタビ復号の精度の低下が生じる。さらに、ビタビ復号の振幅基準値がずれ、ブランチメトリックの計算値が不正確となり、その結果、復号精度が低下する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸光層と第１の不純物濃度を有するアバランシェ増倍層とを備えた第１の導電性タイプの半導体層構造と、
前記アバランシェ増倍層に近接して配置され、第１のＰ−Ｎ接合を形成する第２の導電性タイプの半導体材料から形成されたキャップ層と、
前記キャップ層と前記第１のＰ−Ｎ接合と前記アバランシェ増倍層の上部とを含み、メサ表面を備え、側部を含むメサ構造と、
前記メサ構造の少なくとも前記側部に重なるウインドウを形成する、前記メサ表面の一部をカバーするマスキング層と、
前記ウインドウと同じ範囲に広がっており、前記第１の不純物濃度より低い第２の不純物濃度を有する前記第２の導電性タイプのエピタキシャル半導体材料による保護リングと、
を具備した半導体光検出器。
【請求項２】
前記キャップ層と前記保護リングとの双方が第１の半導体材料から形成されており、前記保護リングの不純物濃度が前記キャップ層のドーパント濃度より低い請求項１に記載の半導体光検出器。
【請求項３】
前記メサ構造が前記メサ表面から前記メサ構造内に入り込む前記第２の導電性タイプのバッファ領域を含む請求項に２記載の半導体光検出器。
【請求項４】
前記バッファ領域が前記ウインドウと同じ範囲に広がっている請求項３に記載の半導体光検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月19日(2004.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
なお、この図１７に示す例のように、シリコン／酸化シリコン／シリコンといった三層構造をもった基板１００は、いわゆるＳＯＩウエハ（Silicon On Insulator wafer）として一般に市販されており（シリコンの部分は単結晶が形成されている）、このような市販品を利用するようにすれば、製造コストをより低減させることができる。この実施例で実際に用いた基板１００の寸法を参考のために提示しておくと、直径：φ＝１５２ｍｍ（６インチ）、下層部１１０の厚み：１５μｍ、中層部１２０の厚み：１μｍ、上層部１３０の厚み：６００μｍである。通常のマイクロマシニングで利用できるウエハの厚みは３００μｍ程度であり（これ以上厚くなると、深部の加工が困難になる）、直径は１００ｍｍ（４インチ）程度のものである。ところが本発明では、後述するようにエッチング工程を併用するため、６００μｍ程度の厚みをもったウエハを利用することができ、いわゆる６インチウエハという大口径のウエハを利用することができる。このように、大口径ウエハを用いて生産性を高めることができる点も本発明の利点の１つである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回路基板にチップ状電子部品およびリード付き電子部品を混載して実装する電子部品実装方法において、
前記回路基板の実装面の所定部位に電気接合用および部品保持用の粘性材料をそれぞれ供給して付着する工程と、
前記チップ状部品を前記電気接合用粘性材料により装着する工程と、
前記リード付き電子部品を、その部品本体を前記部品保持用粘性材料の上部に載せた状態としてリードの先端を電気接合用粘性材料に接触させて実装する工程と、
リフローによる接合工法により前記チップ状電子部品および前記リード付き電子部品を前記電気接合用粘性材料を介して回路基板に電気的接続状態に固定する工程とを有していることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項２】  回路基板にチップ状電子部品およびリード付き電子部品を混載して実装する電子部品実装方法において、
前記回路基板の一面に粘性材料を供給して付着する工程と、
前記チップ状部品を前記粘性材料により装着する工程と、
前記リード付き電子部品を、リードの先端を前記粘性材料に接触させて実装する工程と、
リフローによる接合工法により前記チップ状電子部品および前記リード付き電子部品を前記粘性材料を介して回路基板に電気的接続状態に固定する工程とを有していることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項３】  リード付き電子部品を、実装済みのチップ状電子部品の上方に配置して実装するようにした請求項１または２に記載の電子部品実装方法。
【請求項４】  リード付き電子部品を、その部品本体が実装済みチップ状電子部品の上方に位置する配置で実装するようにした請求項３に記載の電子部品実装方法。
【請求項５】  リード付き電子部品を、そのリードが実装済みチップ状電子部品の上方に位置する配置で実装するようにした請求項３に記載の電子部品実装方法。
【請求項６】  少なくとも２個のチップ状電子部品を、リード付き電子部品の部品本体を下方両側から支持できる配置で前記リード付き電子部品の装着に先立って装着するようにした請求項１または２に記載の電子部品実装方法。
【請求項７】  リード付き電子部品の装着に先立ってリードを切断したのちに部品本体に対し直交方向に折り曲げる工程において、前記リードにおける電気接合用粘性材料に接合される先端部分を、回路基板に対し平行となる方向に再度折り曲げるようにした請求項１に記載の電子部品実装方法。
【請求項８】  リード付き電子部品の少なくとも２本のリードにおける電気接合用粘性材料に接合される先端部分を、部品本体の両側方に突出するよう互いに反対方向に再度折り曲げるようにした請求項７に記載の電子部品実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この電子部品実装方法では、リード付き電子部品を、その部品本体を部品保持用粘性材料で支持した状態でリードを電気接合用粘性材料に接触させて装着するとともに、チップ状部品とリード付き電子部品とをリフローによる接合工法によって回路基板に固定して実装するので、回路基板の同一の実装面にチップ状電子部品とリード付き電子部品とを混載して実装することができる。そのため、回路基板の小型化を図ることができ、しかも、従来のフロー接合工法を用いないので、接合品質の向上と製造工程の環境の改善とを図ることができる上に、リード付き電子部品をこれのリードを回路基板の取付孔に挿入しない状態で表面実装するので、使用済みの実装回路基板の解体が容易となる利点もある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この電子部品実装方法では、回路基板にリードの取付孔を設けずにチップ状部品とリード付き電子部品とを一括して半田接合して実装するので、回路基板の同一の実装面にチップ状電子部品とリード付き電子部品とを混載して実装することができ、しかも、従来のフロー接合工法を用いずにリフローによる半田接合工法を用いるので、半田の接合品質の向上と製造工程の環境の改善とを図ることができ、さらに、リード付き電子部品をこれのリードを取付孔に挿入しない状態で表面実装するので、使用済みの実装回路基板の解体が容易となる利点もある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＧＣＴ（Gate Commutated Turn-off Thyristor）などの高耐圧スイッチング素子の応用に必要な還流用ダイオードや電圧クランプ用ダイオードとして、高耐圧かつ速やかな逆回復特性がダイオードに要求される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ＰＮ接合近傍のライフタイムはプロトン照射等により制御され、キャリア再結合の中心が形成されている。また、半導体基板全体のライフタイムは貴金属の拡散や電子線照射等の技術によって短くなるように制御されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図２は、電圧阻止能力の略２／３を越える逆方向電圧の印加時に空乏層がＮ-層内の拡がりの割合と電圧発振の大きさを示すグラフである。同図に示すように、電圧阻止能力の略２／３を越える逆方向電圧が印加されて空乏層がＮ+層に到達しＮ+層内に拡がっても、電圧の発振の大きさが２ＫＶを大きく下回る許容範囲に抑制できている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
＜実施の形態４＞
図１１はこの発明の実施の形態４である半導体装置の構造を示す断面図である。同図に示すように、図８で示した実施の形態１のＰ層１０２の代わりに複数のＰ領域１０８がＮ-層１０１の表面に選択的に形成されている。そして、複数のＰ領域１０８上それぞれに部分アノード電極１０９が形成されている。他の構造は全て図８で示した実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
請求項６記載の半導体装置は、第２及び第３の半導体層の界面近傍（ＰＮ接合部近傍）のライフタイムを短く設定することにより、上記ＰＮ接合部から拡がる空乏層の伸びが抑制されるため、より薄い膜厚の第２の半導体層を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001210651.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月27日(2004.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハに形成された半導体チップの電気的試験を行うテストシステムであって、
前記半導体チップにおける電極パッドの配置にあわせて導電性のニードルを配設し、テスト回路と接続するプローブカードと、
前記プローブカードに搭載され、プログラムに基づいて前記半導体チップのテストを行うテスト回路と、
前記テスト回路におけるプログラムの書き換え、ならびに前記テスト回路から出力されたテスト結果を格納する制御装置とよりなることを特徴とするテストシステム。
【請求項２】
半導体ウエハに形成された半導体チップの電気的試験を行うテストシステムであって、前記半導体ウエハの任意の位置に形成された前記半導体チップをテストするテスト回路と、前記半導体チップと前記テスト回路とを接続するテスト用配線が形成されプロービングモジュールと、前記プロービングモジュールを介して前記半導体チップ、および前記テスト回路に電源を供給する電源供給装置とを備えたことを特徴とするテストシステム。
【請求項３】
半導体ウエハに形成された半導体チップの電気的試験を行うテストシステムであって、前記半導体ウエハにおけるスクライブエリア、またはチップエリアに、前記半導体チップをテストするテスト回路を形成し、前記半導体ウエハのスクライブエリアまたはテスト用配線層に、前記テスト回路と半導体チップとを接続するテスト用配線を形成した構成よりなることを特徴とするテストシステム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のテストシステムにおいて、前記テスト回路が、ＦＰＧＡまたはマイクロコンピュータデバイスを含むことを特徴とするテストシステム。
【請求項５】
半導体ウエハに形成された半導体チップの電気的試験を行うテスタにおけるブロック毎の機能とテストされる前記半導体チップの機能とをハードウェア記述言語で記述し、前記ハードウェア記述とテストプログラムをハードウェアエミュレータに入力して、前記ハードウェアエミュレータによってシミュレーションを行ない、テストプログラムのデバッグを行うことを特徴とするテストプログラムの生成方法。
【請求項６】
請求項２あるいは請求項３に記載されたテストシステムにおいて、前記テスト回路は、半導体ウエハに形成された複数の半導体チップのテストを行なうことを特徴とするテストシステム。
【請求項７】
請求項６に記載のテストシステムにおいて、前記テスト回路が、ＦＰＧＡまたはマイクロコンピュータデバイスよりなることを特徴とするテストシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１の液晶表示装置の製造装置は、基板を洗浄する洗浄処理室と、洗浄処理室で洗浄された基板に対して成膜処理を行う成膜処理室と、洗浄処理室から成膜処理室へ基板を外気にさらすことなく移送する外気遮断移送手段とを備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２の液晶表示装置の製造装置では、請求項１の装置において、外気遮断移送手段が、洗浄処理室から成膜処理室まで基板が移送される通路であって外気が遮断された外気遮断通路と、該外気遮断通路内において基板を搬送する搬送機とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３の液晶表示装置の製造装置では、請求項１の装置において、外気遮断移送手段は、洗浄処理室で洗浄された基板を外気にさらすことなく、外気と隔離可能な密閉カセット内に搬入する基板搬入手段と、成膜処理室において基板を密閉カセット内から取り出す基板取出し手段とを備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４の液晶表示装置の製造装置では、請求項１または２の装置において、カセットロード室と、搬送ロボットを有する搬送ロボット室（ロードロック室）とをさらに備え、カセットロード室、洗浄処理室および成膜処理室は、いずれも、搬送ロボットの周囲に配置され、搬送ロボットによって基板の出し入れができるように搬送ロボット室と連絡している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素からなる半導体表面に素子分離のためのフィールド絶縁層を選択的に形成して該フィールド絶縁層によって互いに分離された第１及び第２半導体領域を形成した後、露出された上記第１および第２半導体領域の表面を酸化してそれぞれ第１及び第２酸化珪素膜を形成し、該両酸化珪素膜上に実質的に塩素を含まない珪素と水素との化合物ガスとアンモニアとをソースガスとする化学気相成長法によってそれぞれ第１及び第２窒化珪素膜を形成し、上記第１窒化珪素膜上部に選択的にフォトレジスト膜を被着し、該フォトレジスト膜によって覆われていない上記第２窒化珪素膜とその下の第２酸化珪素膜とを除去して上記第２半導体領域の表面を露出し、続いて上記第１窒化珪素膜上部の上記フォトレジスト膜を除去した後、露出した上記第２半導体領域の表面を再度酸化して上記第１酸化珪素膜とは厚さの異なる第３酸化珪素膜を上記第２半導体領域の表面に形成し、しかる後上記第１窒化珪素膜及び第３酸化珪素膜上部にそれぞれ第１および第２ゲート電極を形成することによって、互いに膜厚の異なるゲート絶縁膜を有する第１及び第２絶縁ゲート型素子をそれぞれ上記第１及び第２半導体領域に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記実質的に塩素を含まない化合物がモノシランであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
珪素からなる半導体表面に素子分離のためのフィールド絶縁層を選択的に形成して該フィールド絶縁層によって互いに分離された第１及び第２半導体領域を形成した後、露出された上記第１および第２半導体領域の表面を酸化してそれぞれ第１及び第２酸化珪素膜を形成し、該両酸化珪素膜上に実質的に塩素を含まない珪素と水素との化合物ガスとアンモニアとをソースガスとする化学気相成長法によってそれぞれ第１及び第２窒化珪素膜を形成し、上記第１窒化珪素膜上部に選択的にフォトレジスト膜を被着し、該フォトレジスト膜によって覆われていない上記第２窒化珪素膜とその下の第２酸化珪素膜とを除去して上記第２半導体領域の表面を露出し、続いて上記第１窒化珪素膜上部の上記フォトレジスト膜を除去した後、露出した上記第２半導体領域の表面を再度酸化して上記第１酸化珪素膜とは厚さの異なる第３酸化珪素膜を上記第２半導体領域の表面に形成し、更に上記第１窒化珪素膜及び第３酸化珪素膜上に実質的に塩素を含まない珪素と水素との化合物ガスとアンモニアとをソースガスとする化学気相成長法によってそれぞれ第３及び第４窒化珪素膜を形成し、しかる後上記第３及び第４窒化珪素膜上にそれぞれ第１および第２ゲート電極を形成することによって互いに膜厚の異なるゲート絶縁膜を有する第１及び第２絶縁ゲート型素子をそれぞれ上記第１及び第２半導体領域に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記実質的に塩素を含まない化合物がモノシランであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
珪素からなる半導体表面に素子分離のためのフィールド絶縁層を選択的に形成して該フィールド絶縁層によって互いに分離された第１及び第２半導体領域を形成した後、露出された上記第１および第２半導体領域の表面を酸化してそれぞれ第１及び第２酸化珪素膜を形成し、該両酸化珪素膜上にそれぞれ第１及び第２窒化珪素膜を形成し、上記第１窒化珪素膜上部に選択的にフォトレジスト膜を被着し、該フォトレジスト膜によって覆われていない上記第２窒化珪素膜とその下の第２酸化珪素膜とを除去して上記第２半導体領域の表面を露出し、続いて上記第１窒化珪素膜上部の上記フォトレジスト膜を除去した後、露出した上記第２半導体領域の表面を再度酸化して、上記第１酸化珪素膜と上記第１窒化珪素膜との積層膜より酸化膜換算膜厚が厚くなる膜厚の第３酸化珪素膜を上記第２半導体領域の表面に形成し、しかる後上記第１窒化珪素膜及び第３酸化珪素膜上部にそれぞれ第１および第２ゲート電極を形成することによって、互いに酸化膜換算膜厚の異なるゲート絶縁膜を有する第１及び第２絶縁ゲート型素子をそれぞれ上記第１及び第２半導体領域に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
珪素からなる半導体表面に素子分離のためのフィールド絶縁層を選択的に形成して該フィールド絶縁層によって互いに分離された第１及び第２半導体領域を形成した後、露出された上記第１および第２半導体領域の表面を酸化してそれぞれ第１及び第２酸化珪素膜を形成し、該両酸化珪素膜上にそれぞれ第１及び第２窒化珪素膜を形成し、上記第１窒化珪素膜上部に選択的にフォトレジスト膜を被着し、該フォトレジスト膜によって覆われていない上記第２窒化珪素膜とその下の第２酸化珪素膜とを除去して上記第２半導体領域の表面を露出し、続いて上記第１窒化珪素膜上部の上記フォトレジスト膜を除去した後、露出した上記第２半導体領域の表面を再度酸化して、上記第１酸化珪素膜と上記第１窒化珪素膜との積層膜より酸化膜換算膜厚が厚くなる膜厚の第３酸化珪素膜を上記第２半導体領域の表面に形成し、更に上記第１窒化珪素膜及び第３酸化珪素膜上にそれぞれ第３及び第４窒化珪素膜を形成し、しかる後上記第３及び第４窒化珪素膜上にそれぞれ第１および第２ゲート電極を形成することによって互いに酸化膜換算膜厚の異なるゲート絶縁膜を有する第１及び第２絶縁ゲート型素子をそれぞれ上記第１及び第２半導体領域に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
＜第２の巻線について＞
第２の巻線は、絶縁被覆導線を第１の巻線の上に直接または層間紙を介して、あるいはコアおよび第１の巻線を収納する後述するケースの外側において第１の巻線に磁気結合して巻装される。しかし、２次巻線を１次巻線の上に重ね巻するだけでなく、反対に２次巻線の上に１次巻線を重ね巻きしてもよいことはいうまでもない。そして、その一方の端部は、２個の接続端子のいずれか一方に接続される。他方は、予め第３の接続端子を配設しておき、その第３の接続端子に接続するか、第２の巻線の端部自体をして接続端子として機能させることができる。なお、第２の巻線の接続端子への接続は、第１の巻線と同様に行うことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
さらに、本発明において用いる不飽和形変圧器は、要すればドラムコアや棒コアを備えたチョークコイルに２次巻線を重ね巻きすることによって、これを構成することができる。しかし、２次巻線を１次巻線の上に重ね巻きするだけでなく、反対に２次巻線の上に１次巻線を重ね巻きしてもよいことはいうまでもない。さらにまた、２次巻線は、単一または複数であることを許容する。たとえば、第１および第２のスイッチング手段に対してそれぞれ一つの２次巻線を割り付けてドライブ共振回路およびドライブ回路を配設することもできる。しかし、一対の2次巻線を配設する場合であっても、一方の２次巻線にのみ静電容量を接続してドライブ共振回路を形成すれば、他方の２次巻線に対しても共振出力を誘起するので、ドライブ共振回路を２つ配設する必要はない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）重量平均分子量が１０万以上であり、かつ分子量比（Ｍｗ/Ｍｎ）が１０以下であるポリオレフィンを塩素化した塩素含有量が２０〜５０重量％である塩素化ポリオレフィン  １００重量部、（Ｂ）ポリエチレンワックス  １〜１２重量部、（Ｃ）受酸剤となる金属化合物  １〜３０重量部、（Ｄ）白色充填剤  ５〜１５０重量部、（Ｅ）可塑剤  ５〜８０重量部及び（Ｆ）架橋剤及び架橋促進剤  ０．１〜２０重量部からなる架橋可能な耐磨耗性に優れた塩素化ポリオレフィン組成物。
【請求項２】
（Ｂ）ポリエチレンワックスの重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００〜１００００である請求項１に記載の塩素化ポリオレフィン組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の塩素化ポリオレフィン組成物を熱プレスして得られる成形体。
【請求項４】
請求項１または２に記載の塩素化ポリオレフィン組成物を熱プレスして得られるシート。
【請求項５】
請求項１または２に記載の塩素化ポリオレフィン組成物を用いた自動車部品。
【請求項６】
請求項１または２に記載の塩素化ポリオレフィン組成物を用いた産業資材。
【請求項７】
請求項１または２に記載の塩素化ポリオレフィン組成物を用いた建築資材。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明に用いる繊度０．３デニール以下の極細繊維（Ａ）を発生させる極細繊維発生型繊維は、相溶性を有していない２種以上の熱可塑性ポリマーを複合紡糸または混合紡糸することにより得られる。その代表的な繊維の形態はいわゆる海島型断面繊維と呼ばれるものである。
繊維の島成分ポリマーとしては、溶融紡糸可能で、強度等の繊維物性を十分に発揮するポリマーであって、紡糸条件下で海成分ポリマーより溶融粘度が大きく、かつ表面張力が大きいポリマーが好ましく、例えば６−ナイロン、６６−ナイロン等のポリアミド系ポリマー、およびこれを主体とする共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系ポリマー、およびこれを主体とする共重合体等が好適に用いられる。
また海成分ポリマーとしては、島成分ポリマーよりも溶融粘度が低く、島成分との溶解性、分解性を異にし、海成分の溶解、除去に用いられる溶剤または分解剤等への溶解性が大きく、島成分との相溶性の小さいポリマーが好ましい。例えばポリエチレン、変性ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、変性ポリエステルなどが好適に用いられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
立毛繊維基体に染料を塗布する方法には、柄模様に彫刻されたプリントロールあるいは柄状にスリットを有するスクリーンが好ましく使用される。また、浸染法での染色については、ウインス、ダッシュライン、サーキュラー等の従来公知の染色機を用いる。柄模様に用いる染料と全体を染色するのに用いる染料とは、同色系のものであっても、また異色系のものであっても良い。同色系の染料を用いる場合には、色の濃淡による柄模様が得られ、異色系の染料を用いる場合には、異色効果による柄模様が得られる。
なお本発明において、柄模様を複数枚のスクリーンを用いて多色の柄模様とすることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
例えば、特開平６−１０６１６２号公報に、繊維状活性炭を使用して水道水中の遊離塩素及び黴臭を吸着する浄水器が提案され、特開昭６２−１５２５３３号公報、特開平６−９９０６４号公報、特開平６−９９０６５号公報及び特開平６−１０６１６１号公報に、特定の繊維状活性炭を使用して水道水中のトリハロメタンを除去することが開示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ポリエーテルエステル系ブロック共重合体（Ｅ）と、該ブロック共重合体よりも融点が１０℃以上高いポリエステル（Ｐ）とを、繊維断面において、Ｅ：Ｐ＝２０：８０〜８０：２０の面積比率で、且つ該ブロック共重合体（Ｅ）が少なくともその繊維表面に露出するように配されてなるポリエステル系複合繊維において、
該ブロック共重合体（Ｅ）が、ハードセグメント成分をポリトリメチレンテレフタレート系ポリエステルとし、ソフトセグメント成分を平均分子量４００〜５０００のポリ（アルキレンオキシド）グリコールとし、ハードセグメント成分とソフトセグメント成分との共重合割合が９５：５〜２０：８０であり、他方、ポリエステル（Ｐ）がポリトリメチレンテレフタレート系ポリエステルであることを特徴とする、ポリエステル系熱接着性複合繊維。
【請求項２】  ポリエーテルエステルブロック共重合体（Ｅ）の融点が１００〜１９０℃の範囲であって、且つポリエステル（Ｐ）の融点が２００℃以上である、請求項１記載の熱接着性複合繊維。
【請求項３】  熱接着性複合短繊維をバインダーとし、非弾性ポリエステル系短繊維集合体をマトリックスとし、該熱接着性複合短繊維と非弾性ポリエステル系短繊維集合体とが重量比で５：９５〜５０：５０である繊維構造体であって、
該熱接着性複合繊維を、ハードセグメント成分をポリトリメチレンテレフタレート系ポリエステルとし、ソフトセグメント成分を平均分子量４００〜５０００のポリ（アルキレンオキシド）グリコールとし、ハードセグメント成分とソフトセグメント成分との共重合割合が９５：５〜２０：８０である、ポリエーテルエステル系ブロック共重合体（Ｅ）と、該ブロック共重合体よりも融点が１０℃以上高いポリトリメチレンテレフタレート系ポリエステルとを、繊維断面において、Ｅ：Ｐ＝２０：８０〜８０：２０の面積比率で、且つ該ブロック共重合体（Ｅ）が少なくともその繊維表面に露出するように配されてなるポリエステル系複合短繊維とし、非弾性ポリエステル系短繊維集合体を、該短繊維集合体の重量を基準として、ポリトリメチレンテレフタレート系ポリエステル短繊維５０〜１００％と、ポリトリメチレンテレフタレ−トと該ポリトリメチレンテレフタレート以外のポリアルキレンテレフタレートを少なくとも１成分以上配してなる複合短繊維０〜５０％とし、且つ、下記（ａ）及び（ｂ）の熱接着点が繊維構造体内部に散在していることを特徴とする、繊維構造体。
（ａ）熱接着性複合短繊維と非弾性ポリエステル系短繊維との交差点における熱接着点。
（ｂ）熱接着性複合短繊維同士の交差点における熱接着点。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
また比較例１２、１３ではポリアルキレンオキシドグリコールの共重合率を変えた。比較例１２は、ソフトセグメントであるポリアルキレンオキシドグリコールの共重合率が少ないため、繊維構造体の性能が低下した。また比較例１３では、共重合率が高すぎて、ポリマーのチップ化工程でカット不良が発生しチップができなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上の送信元と接続して送信元からコンテンツ情報を受信する端末装置におけるユーザインタフェース方法であって、
送信元との間の通信が不能なとき、指示されたネットワークアドレス上に該当するサーバまたはコンテンツ情報が存在しないとき、送信元からのコンテンツ情報を前記端末装置で再生できないとき、または送信元からの送信が途切れたときには、非言語的なサウンドパターンまたは画像パターンを出力するユーザインタフェース方法。
【請求項２】
請求項１のユーザインタフェース方法において、
送信元との間の通信が不能なとき、または指示されたネットワークアドレス上に該当するサーバまたはコンテンツ情報が存在しないときには、第１のサウンドパターンまたは画像パターンを出力し、
送信元からのコンテンツ情報を前記端末装置で再生できないときには、前記第１のサウンドパターンまたは画像パターンと異なる第２のサウンドパターンまたは画像パターンを出力し、
送信元からの送信が途切れたときには、前記第１および第２のサウンドパターンまたは画像パターンと異なる第３のサウンドパターンまたは画像パターンを出力するユーザインタフェース方法。
【請求項３】
非言語的なサウンドパターンまたは画像パターンのデータを出力する出力手段と、
ネットワーク上の送信元と接続して送信元からコンテンツ情報を受信する通信手段と、
この通信手段によって受信されたコンテンツ情報を再生する再生手段と、
送信元との間の通信が不能なとき、指示されたネットワークアドレス上に該当するサーバまたはコンテンツ情報が存在しないとき、送信元からのコンテンツ情報を前記再生手段で再生できないとき、または送信元からの送信が途切れたときには、前記出力手段に非言語的なサウンドパターンまたは画像パターンを出力させる制御手段と、
を備える端末装置。
【請求項４】
請求項３の端末装置において、
前記出力手段は、
非言語的なサウンドパターンまたは画像パターンのデータを記憶した記憶手段と、
この記憶手段から非言語的なサウンドパターンまたは画像パターンのデータを読み出して出力する読出手段と、
を備える端末装置。
【請求項５】
請求項４の端末装置において、
前記記憶手段は、互いに異なるパターンの第１、第２および第３のパターンデータを記憶したものであり、
前記制御手段は、送信元との間の通信が不能なとき、または指示されたネットワークアドレス上に該当するサーバまたはコンテンツ情報が存在しないときには、前記第１のパターンデータによって第１のサウンドパターンまたは画像パターンを出力させ、送信元からのコンテンツ情報を前記再生手段で再生できないときには、前記第２のパターンデータによって第２のサウンドパターンまたは画像パターンを出力させ、送信元からの送信が途切れたときには、前記第３のパターンデータによって第３のサウンドパターンまたは画像パターンを出力させる端末装置。
【請求項６】
ネットワーク上の相手方と接続して相手方との間で情報を送受信する端末装置におけるユーザインタフェース方法であって、
相手方との間の通信が不能なとき、または相手方との間の通信が途切れたときには、非言語的なサウンドパターンまたは画像パターンを出力するユーザインタフェース方法。
【請求項７】
請求項６のユーザインタフェース方法において、
相手方との間の通信が不能なときには、第１のサウンドパターンまたは画像パターンを出力し、
相手方との間の通信が途切れたときには、前記第１のサウンドパターンまたは画像パターンと異なる第２のサウンドパターンまたは画像パターンを出力するユーザインタフェース方法。
【請求項８】
非言語的なサウンドパターンまたは画像パターンのデータを出力する出力手段と、
ネットワーク上の相手方と接続して相手方との間で情報を送受信する通信手段と、
相手方との間の通信が不能なとき、または相手方との間の通信が途切れたときには、前記出力手段に非言語的なサウンドパターンまたは画像パターンを出力させる制御手段と、
を備える端末装置。
【請求項９】
請求項８の端末装置において、
前記出力手段は、
非言語的なサウンドパターンまたは画像パターンのデータを記憶した記憶手段と、
この記憶手段から非言語的なサウンドパターンまたは画像パターンのデータを読み出して出力する読出手段と、
を備える端末装置。
【請求項１０】
請求項９の端末装置において、
前記記憶手段は、互いに異なるパターンの第１および第２のパターンデータを記憶したものであり、
前記制御手段は、相手方との間の通信が不能なときには、前記第１のパターンデータによって第１のサウンドパターンまたは画像パターンを出力させ、相手方との間の通信が途切れたときには、前記第２のパターンデータによって第２のサウンドパターンまたは画像パターンを出力させる端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置が実装されてなる回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置を有する電子機器。