【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板に凸部または凹部を形成する工程と、
前記凸部の頂面または前記凹部の底面の上に酸化物超電導体膜を形成する工程とを備える、酸化物超電導体微細構造の形成方法。
【請求項２】  前記基板に凸部または凹部を形成する工程は、集束イオンビームを前記基板に照射する工程を含む、請求項１に記載の酸化物超電導体微細構造の形成方法。
【請求項３】  前記頂面または前記底面の平面形状が多角形または線である、請求項１または２に記載の酸化物超電導体微細構造の形成方法。
【請求項４】  前記多角形の１辺の長さまたは前記線の線幅が１．０μｍ以下である、請求項３に記載の酸化物超電導体微細構造の形成方法。
【請求項５】  前記基板はチタン酸ストロンチウムを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の酸化物超電導体微細構造の形成方法。
【請求項６】  前記凸部または前記凹部の側壁は、ミラー指数で表すと、前記チタン酸ストロンチウムの［１００］方向あるいは［１１０］方向にほぼ平行な面を有する、請求項５に記載の酸化物超電導体微細構造の形成方法。
【請求項７】  凸部または凹部が形成された基板と、
前記凸部の頂面または前記凹部の底面の上に形成された酸化物超電導体膜、若しくは前記凸部または前記凹部の側壁の上に形成された酸化物超電導体膜、とを備える、酸化物超電導体微細構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明の一の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、基板に凸部または凹部を形成する。凸部の頂面または凹部の底面の上に酸化物超電導体膜を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明の他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、基板に凸部または凹部を形成する。凸部または凹部の側壁の上に酸化物超電導体膜を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、基板の表面から凸部の頂面までの高さが１．０μｍ以下であってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、基板の表面から凹部の底面までの深さが１．０μｍ以下であってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、頂面または底面の平面形状が多角形であってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、多角形の一辺の長さが１．０μｍ以下であってもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、頂面または底面の平面形状が線であってもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、線の線幅が１．０μｍ以下であってもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の作成方法では、基板がチタン酸ストロンチウムを含んでいてもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、凸部または凹部の側壁が、ミラー指数で表すと、チタン酸ストロンチウムの［１００］方向あるいは［１１０］方向にほぼ平行な面を有していてもよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、酸化物超電導体膜を形成する工程が、分子線エピタキシー法を用いて酸化物超電導体膜を形成する工程を含んでいてもよい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の成形方法では、分子線エピタキシー法を用いて酸化物超電導体膜を形成する工程が、基板に照射される分子線の基板表面に対する入射方向を調節する工程を含んでいてもよい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、酸化物超電導体膜がＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体膜であり、分子線がＢｉを含んでいてもよい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、酸化物超電導体膜が、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体膜であってもよい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
上記一の局面または他の局面における酸化物超電導体微細構造の形成方法では、基板に凸部または凹部を形成する工程が、集束イオンビームを基板に照射する工程を含んでいてもよい。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
この発明の別の局面における酸化物超電導体微細構造は、基板と酸化物超電導体膜とを備える。基板には凸部または凹部が形成されている。酸化物超電導体膜は、凸部の頂面または凹部の底面の上に形成されている。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
この発明のもう一つの局面における酸化物超電導体微細構造は、基板と酸化物超電導体膜とを備える。基板には凸部または凹部が形成されている。酸化物超電導体膜は、凸部または凹部の側壁の上に形成されている。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
【発明の効果】
このように、本発明によれば、予め基板に凸部または凹部を形成し、この凸部の頂面または凹部の底面の上に酸化物超電導体膜を形成するので、この凸部の頂面または凹部の底面の形状を調節することにより、必要な形状の酸化物超電導体膜を得ることができる。また、この際、酸化物超電導体膜は直接エッチングなどの加工を受けないため、ダメージを受けることがない。この結果、酸化物超電導体膜の超電導特性がこれらのダメージに起因して劣化するということを防止できる。この結果、超電導特性を劣化させることなく、サブミクロンサイズの酸化物超電導体微細構造を形成することが可能となった。