【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路であって、
導波路軸に沿って延在する誘電体コア領域と、
導波路軸の周囲でコアを囲む誘電体閉じ込め領域であって、フォトニック・バンドギャップを有するフォトニック結晶構造を備える誘電体閉じ込め領域とを備え、前記フォトニック結晶構造は、前記導波路軸の周囲でコアを囲む少なくとも２つの誘電体の交互層を備え、当該閉じ込め領域は使用中は少なくとも第１の範囲の周波数のＥＭ放射線を案内して導波路軸に沿って伝搬させ、
前記コアが、第１の周波数範囲の周波数に対して約１．３より小さい平均屈折率を有し、
前記コアが、約４λから８０λの範囲の直径を有し、ここで、λは前記第１の周波数範囲の中心周波数に対応する波長であり、
前記誘電体閉じ込め領域が、前記コアから少なくとも約６λの距離にわたって横断方向に延在する導波路。
【請求項２】
前記誘電体閉じ込め領域が、前記コアから少なくとも約１０λの距離にわたって横断方向に延在する、請求項１に記載の導波路。
【請求項３】
前記コアの前記平均屈折率が、前記第１の周波数範囲の周波数では約１．２より小さい、請求項１に記載の導波路。
【請求項４】
前記コアが気体を含む、請求項１に記載の導波路。
【請求項５】
前記第１の周波数範囲が、約１．２ミクロンから１．７ミクロンの範囲の波長に対応する、請求項１に記載の導波路。
【請求項６】
前記第１の周波数範囲が、約０．７ミクロンから０．９ミクロンの範囲の波長に対応する、請求項１に記載の導波路。
【請求項７】
前記第１の周波数範囲と前記中心周波数の帯域幅の比率が少なくとも約１０％である、請求項１に記載の導波路。
【請求項８】
前記導波路の軸が直線である、請求項１に記載の導波路。
【請求項９】
前記導波路が、前記伝搬するＥＭ放射線の平均エネルギーの少なくとも９９％が前記第１の周波数範囲の周波数では前記コア内にあるモードをサポートする、請求項１に記載の導波路。
【請求項１０】
前記閉じ込め領域が、異なる屈折率を有する少なくとも２つの誘電体を含む、請求項２３に記載の導波路。
【請求項１１】
前記高屈折率誘電体の屈折率と前記低屈折率誘電体の屈折率との比が１．５より大きい、請求項１０に記載の導波路。
【請求項１２】
前記フォトニック・バンドギャップが全方向フォトニック・バンドギャップである、請求項１に記載の導波路。
【請求項１３】
前記フォトニック・バンドギャップが、前記第１の周波数範囲で前記コアから前記閉じ込め領域に入射し、かつ任意の偏光を有するＥＭ放射線が、平面の幾何学的形状では、０°から少なくとも８０°の範囲の入射角に対して９５％より大きい反射率を有するのに十分なものある、請求項１に記載の導波路。
【請求項１４】
前記閉じ込め領域が、前記導波路軸の周囲でコアを囲む２つの誘電体の交互層を備える、請求項１０に記載の導波路。
【請求項１５】
光導波路であって、
導波路軸に沿って延在する誘電体コア領域と、
前記導波路軸の周囲で前記コアを囲む誘電体閉じ込め領域であって、異なる屈折率を有する少なくとも２つの誘電体の交互層を備える閉じ込め領域とを備え、当該交互層は前記導波路軸の周囲でコアを囲み、前記閉じ込め領域は使用中、少なくとも第１の周波数範囲でＥＭ放射線を案内して導波路軸に沿って伝搬させ、
前記コアが、前記第１の周波数範囲の周波数では約１．３より小さい平均屈折率を有し、
前記コアが、約４λから８０λの範囲の直径を有し、ここで、λは前記第１の周波数範囲の中心周波数に対応する波長であり、
前記誘電体閉じ込め領域が、前記コアから少なくとも約６λの距離にわたって横断方向に延在し、前記交互の誘電体層のうち少なくとも幾つかの屈折率および厚さが、下記の等式
【数１】
2004521378.tif 000001
をほぼ満足し、
ここで、ｄhiおよびｄloはそれぞれ隣接する高屈折率層および低屈折率層の厚さであり、ｎhiおよびｎloはそれぞれ隣接する高屈折率層および低屈折率層の屈折率である、導波路。
【請求項１６】
前記閉じ込め領域が少なくとも１２対の交互層を備える、請求項１に記載の導波路。
【請求項１７】
前記導波路が、前記閉じ込め領域が前記モードの放射損を前記第１の周波数範囲の周波数に対して０．０１ｄＢ／ｋｍ未満に制限するのに十分な数の交互層の対を備える導波路の軸に沿って伝搬する少なくとも１つのモードをサポートする、請求項１に記載の導波路。
【請求項１８】
前記低屈折率誘電体がポリマーまたはガラスを含む、請求項１に記載の導波路。
【請求項１９】
前記高屈折率誘電体がゲルマニウム、テルルまたはカルコゲナイド・ガラスを含む、請求項１に記載の導波路。
【請求項２０】
前記コアの直径が約８λから８０λの範囲である、請求項１に記載の導波路。
【請求項２１】
前記コアの直径が約５λから６０λの範囲である、請求項１に記載の導波路。
【請求項２２】
前記コアの直径が約６λから４０λの範囲である、請求項１に記載の導波路。
【請求項２３】
光導波路であって、
導波路軸に沿って延在する誘電体コア領域と、
前記導波路軸の周囲で前記コアを囲む誘電体閉じ込め領域であって、フォトニック・バンドギャップを有するフォトニック結晶構造を備える誘電体閉じ込め領域とを備え、前記閉じ込め領域は使用中、少なくとも第１の周波数範囲でＥＭ放射線を案内して導波路軸に沿って伝搬させ、
前記コアが、前記第１の周波数範囲の周波数では約１．３より小さい平均屈折率を有し、
前記コアが、約４λから８０λの範囲の直径を有し、ここで、λは前記第１の周波数範囲の中心周波数に対応する波長であり、
前記誘電体閉じ込め領域が、前記コアから少なくとも約６λの距離にわたって横断方向に延在し、前記導波路の少なくとも第１の端部が、前記屈折率断面が導波路軸に関して連続的に変化する結合セグメントを含む、光導波路。
【請求項２４】
前記屈折率断面が、連続的に変化して作業モードの場の輪郭を変化させる、請求項２３に記載の導波路。
【請求項２５】
光導波路であって、
導波路軸に沿って延在する誘電体コア領域と、
前記導波路軸の周囲で前記コアを囲む誘電体閉じ込め領域であって、フォトニック・バンドギャップを有するフォトニック結晶構造を備える誘電体閉じ込め領域とを備え、前記閉じ込め領域は使用中、少なくとも第１の周波数範囲でＥＭ放射線を案内して導波路軸に沿って伝搬させ、
前記コアが、前記第１の周波数範囲の周波数では約１．３より小さい平均屈折率を有し、
前記コアが、約４λから８０λの範囲の直径を有し、ここで、λは前記第１の周波数範囲の中心周波数に対応する波長であり、
前記誘電体閉じ込め領域が、前記コアから少なくとも約６λの距離にわたって横断方向に延在し、前記第１の導波路に結合された第２の導波路を備え、前記第１の導波路に隣接する前記第２の導波路の断面が、前記作業モードの第２の導波路への結合を改善するように配置されたドープしたシリコンの領域を更に含む、光導波路。
【請求項２６】
光導波路であって、
導波路軸に沿って延在する誘電体コア領域と、
前記導波路軸の周囲で前記コアを囲む誘電体閉じ込め領域であって、フォトニック・バンドギャップを有するフォトニック結晶構造を備える誘電体閉じ込め領域とを備え、前記閉じ込め領域は使用中、少なくとも第１の周波数範囲でＥＭ放射線を案内して導波路軸に沿って伝搬させ、
前記コアが、前記第１の周波数範囲の周波数では約１．３より小さい平均屈折率を有し、
前記コアが、約４λから８０λの範囲の直径を有し、ここで、λは前記第１の周波数範囲の中心周波数に対応する波長であり、
前記誘電体閉じ込め領域が、前記コアから少なくとも約６λの距離にわたって横断方向に延在し、前記第１の導波路に結合された第２の導波路を備え、前記第１の導波路に隣接する前記第２の導波路の断面が、前記第１の導波路と接触して、作業モードの前記第２の導波路への結合を改善する中空リングを備える、光導波路。
【請求項２７】
光導波路であって、
導波路軸に沿って延在する誘電体コア領域と、
前記導波路軸の周囲で前記コアを囲む少なくとも２つの誘電体の交互層を備える誘電体閉じ込め領域であって、前記コアより大きい平均屈折率を有する誘電体閉じ込め領域とを備え、当該閉じ込め領域は使用中、少なくとも第１の周波数範囲でＥＭ放射線を案内して導波路軸に沿って伝搬させ、
前記コアが、前記第１の周波数範囲の周波数では約１．３より小さい平均屈折率を有し、
前記コアが、約４λから８０λの範囲の直径を有し、ここで、λは前記第１の周波数範囲の中心周波数に対応する波長であり、
前記誘電体閉じ込め領域が、前記コアから少なくとも約６λの距離にわたって横断方向に延在する、導波路。
【請求項２８】
前記誘電体閉じ込め領域が、少なくとも１０％だけ異なる屈折率を有する少なくとも２つの誘電体を備える、請求項２７に記載の導波路。
【請求項２９】
前記コアが約６λから６０λの範囲の直径を有する、請求項２７に記載の導波路。