Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月8日(2004.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の前部又は後部に取付けられる車載用ビデオカメラにおいて、
前記車両の前端又は後端からわずかに内側に後退した位置に孔部を設け、
前記孔部に対して、所定の駆動機構により昇降又は回転自在に配置されたカメラ取付け部材と、
前記カメラ取付け部材の先端に取付けられた撮像手段とを備える
車載用ビデオカメラ。
【請求項２】
請求項１記載の車載用ビデオカメラにおいて、
前記駆動機構により撮像手段が昇降する方向は、車両の垂直方向に対して所定の角度を持って傾斜した方向とし、
前記カメラ取付け部材が前記駆動機構により伸長又は回転させた状態の場合に、前記孔部よりも外側に突出した位置に前記撮像手段が位置するようにした
車載用ビデオカメラ。
【請求項３】
請求項１記載の車載用ビデオカメラにおいて、
前記カメラ取付け部材に取付けられた撮像手段が備える撮影用レンズの光軸を水平よりも若干下向きの角度に配置し、
前記車両の前端又は後端が、撮影画角の下部に入るようにした
車載用ビデオカメラ。
【請求項４】
請求項２記載の車載用ビデオカメラにおいて、
前記駆動機構により撮像手段が昇降する方向と撮像手段が備える撮影用レンズの光軸とは直交する方向に配置した
車載用ビデオカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、図５を参照して本例のビデオカメラに接続される自動車内の構成について説明する。本例においては、左右のカメラ支持部材１０Ｌ，１０Ｒの内部に、それぞれ別々のビデオカメラ２０Ｌ，２０Ｒが内蔵させてあり、左側のカメラ支持部材１０Ｌに内蔵された左用ビデオカメラ２０Ｌは、左用昇降部１３Ｌにより直線状に往復駆動される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003158649.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】標本化方法および装置、ならびに、推測方法および装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力範囲が異なる少なくとも２つの標本化手段により、周波数が既知の同一正弦波信号を１周期あたりＮ点で標本化するステップと、
各前記標本化手段において、前記Ｎが偶数である時は各前記標本化手段の入力範囲の半幅をｓｉｎ（π／２―π／Ｎ）倍した値を閾値とし、前記Ｎが奇数である時は各前記標本化手段の入力範囲の半幅をｓｉｎ（π／２―π／（２Ｎ））倍した値を閾値とするステップと、
前記正弦波信号の標本値の絶対値の全てが前記閾値未満である前記標本化手段のうち最も入力範囲が狭い標本化手段の標本結果を選択するステップと、
を含むことを特徴とする標本化方法。
【請求項２】
正弦波信号の瞬時値が標本化手段の入力範囲を超える可能性について推測する方法であって、
前記標本化手段により、周波数が既知の前記正弦波信号を１周期あたりＮ点で標本化するステップと、
前記Ｎが偶数である時に前記標本化手段の入力範囲の半幅をｓｉｎ（π／２―π／Ｎ）倍した値を閾値とし、前記Ｎが奇数である時に前記標本化手段の入力範囲の半幅をｓｉｎ（π／２―π／（２Ｎ））倍した値を閾値とするステップと、
前記正弦波信号の標本値の少なくとも１つの絶対値が前記閾値以上であれば、前記瞬時値が前記標本化手段の前記入力範囲を超える可能性があると推測するステップと、
を含むことを特徴とする推測方法。
【請求項３】
前記Ｎは、３以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
周波数が既知の同一正弦波信号を１周期あたりＮ点で標本化する、入力範囲が異なる少なくとも２つの標本化手段と、
各前記標本化手段において、前記Ｎが偶数である時は各前記標本化手段の入力範囲の半幅をｓｉｎ（π／２―π／Ｎ）倍した値を閾値とし、前記Ｎが奇数である時は各前記標本化手段の入力範囲の半幅をｓｉｎ（π／２―π／（２Ｎ））倍した値を閾値とする手段と、
前記正弦波信号の標本値の絶対値の全てが前記閾値未満である前記標本化手段のうち最も入力範囲が狭い標本化手段の標本結果を選択する手段と、
を備えることを特徴とする標本化装置。
【請求項５】
正弦波信号の瞬時値が標本化手段の入力範囲を超える可能性について推測する装置であって、
周波数が既知の前記正弦波信号を１周期あたりＮ点で標本化する前記標本化手段と、
前記Ｎが偶数である時に前記標本化手段の入力範囲の半幅をｓｉｎ（π／２―π／Ｎ）倍した値を閾値とし、前記Ｎが奇数である時に前記標本化手段の入力範囲の半幅をｓｉｎ（π／２―π／（２Ｎ））倍した値を閾値とする手段と、
前記正弦波信号の標本値の少なくとも１つの絶対値が前記閾値以上であれば、前記瞬時値が前記標本化手段の前記入力範囲を超える可能性があると推測する手段と、
を備えることを特徴とする推測装置。
【請求項６】
前記Ｎは、３以上であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実数部がマイクロ波周波数において負であるεまたはμを有する材料から形成されたオブジェクト（１４）と、
１以上のセンサ（１６、１８）とを含む装置であって、
前記１以上のセンサ（１６、１８）が、前記オブジェクト内にまたはこれに隣接して配置され、そしてそこでの電界または磁界の強度を測定するように構成されており、
前記オブジェクトのεまたはμは、外部から印加された均一の電界または磁界が前記オブジェクト（１４）の内部に電界または磁界を生成するようなεまたはμであり、前記生成された電界または磁界の平均強度は、前記外部から印可された対応する電界または磁界の強度よりも強いものであり、そして、
前記１以上のセンサが、前記オブジェクトの線形寸法よりも長い波長を有する電界または磁界を測定するよう構成されており、そして、
前記オブジェクトはメタマテリアルであることを特徴とする装置。
【請求項２】
マイクロ波受信器（１０）をさらに含み、前記オブジェクト（１４）および１以上のセンサ（１６、１８）は、前記受信器（１０）のアンテナとして機能するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
１以上のセンサ（１６，１８）に結合され、マイクロ波周波数における信号を増幅するように構成された増幅器（１２）をさらに含むことを特徴とする請求項２記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
色差信号のソースと、
輝度信号のソースと、
第１のタイミング間隔の間に生じる第１のクランプパルスのソースと、
第１のクランプ基準のソースと、
第２のタイミング間隔の間に生じる第２のクランプパルスのソースと、
第２のクランプ基準のソースと、
前記色差信号及び前記輝度信号に結合し、前記第１及び第２クランプパルスを受け取るクランプ手段であって、前記第１のクランプパルスに応答して前記第１のクランプ基準を前記色差信号に結合し、前記第２のクランプパルスに応答して前記第２のクランプ基準を前記輝度信号に結合するクランプ手段とを具え、
前記第１のタイミング間隔および前記第２のタイミング間隔は異なったタイミング間隔であることを特徴とするカラービデオ表示信号プロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を複数の色光に分解する色分解系と、入力画像信号に応じて前記複数の色光をそれぞれ変調する複数の画像表示素子とを有し、前記複数の画像表示素子により変調された前記複数の色光を合成して表示する画像表示装置であって、
外光の光量を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記複数の色光に色再現性が輝度性よりも高いスペクトル分布を持たせる第１のモード、および前記複数の色光に輝度性が色再現性よりも高いスペクトル分布を持たせる第２のモードのうち一方のモードを設定し、設定されたモードに応じて前記入力画像信号の階調特性の可変設定および前記画像表示素子の駆動電圧範囲の可変設定のうち少なくとも一方を行う制御手段とを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記検出手段により外光の光量が所定値以下のときは前記第１のモードを設定し、前記所定値より大きいときは前記第２のモードを設定することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第１のモードを設定したときに、前記第２のモードを設定したときよりも前記階調特性の制御に用いる階調補正係数を大きくすることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記第１のモードを設定したときに、前記第２のモードを設定したときよりも前記画像表示素子の駆動電圧範囲を小さくすることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項５】
光源からの光を複数の色光に分解する色分解系と、入力画像信号に応じて前記複数の色光をそれぞれ変調する複数の画像表示素子とを有し、前記複数の画像表示素子により変調された前記複数の色光を合成して表示する画像表示装置であって、
外光の光量を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記入力画像信号の階調特性および前記画像表示素子の駆動電圧範囲のうち少なくとも一方を調整する制御手段とを有することを特徴とする画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一方、ダイクロイックミラーＤＭ１０１を透過した赤色帯域光は、反射ミラーＭ１０１によって光路を９０度変えられ、フィールドレンズ１０８および挿入／抜去を選択可能なダイクロイックフィルタ１０９を介して赤色用液晶パネル１１０に入射する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ここで、ダイクロイックミラーＤＭ１０１およびダイクロイックフィルタ１０９はそれぞれ、図９（ａ）、（ｂ）に示す波長−透過率特性を持つるため、ダイクロイックフィルタ１０９を挿入したときの赤色光スペクトルは、図９（ｄ）に示すようになり、未挿入時の赤色光スペクトルは図９（ｃ）のようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、使用環境に応じて自動的に表示モード設定を行い、常に最適な表示画像を得られるようにした画像表示装置を提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明では、光源からの光を複数の色光に分解する色分解系と、入力画像信号に応じて複数の色光をそれぞれ変調する複数の画像表示素子とを有し、複数の画像表示素子により変調された複数の色光を合成して表示する画像表示装置において、外光の光量を検出する検出手段と、この検出手段による検出結果に基づいて、複数の色光に色再現性が輝度性よりも高いスペクトル分布を持たせる第１のモード（色再現重視モード）、および複数の色光に輝度性が色再現性よりも高いスペクトル分布を持たせる第２のモード（輝度重視モード）のうち一方のモードを設定し、設定されたモードに応じて入力画像信号の階調特性の可変設定および画像表示素子の駆動電圧範囲の可変設定のうち少なくとも一方を行う制御手段とを設けている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ダイクロイックミラーＤＭ１によって反射されて光路を９０度変えられた緑色および青色帯域光のうち緑色帯域光Ｇは、ダイクロイックミラーＤＭ２によって反射してその光路を９０度変えられ、フィールドレンズ４を介して緑色用液晶パネル（画像表示素子）５に入射する。また、ダイクロイックミラーＤＭ２を透過した青色帯域光Ｂは反射ミラーＭ２，Ｍ３や不図示のレンズ群およびフィールドレンズ６を介して青色用液晶パネル（画像表示素子）７に入射する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
一方、ダイクロイックミラーＤＭ１を透過した赤色帯域光は、反射ミラーＭ１によって反射して光路を９０度変えられ、フィールドレンズ８および挿入／抜去を選択可能なダイクロイックフィルタ９を介して赤色用液晶パネル（画像表示素子）１０に入射する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
各々の液晶パネル５、７、１０には、後述するＬＣＤ駆動部２２からの駆動信号が入力される。駆動信号は入力信号処理部２０に外部のパーソナルコンピュータ、ビデオ、テレビ、ＤＶＤ等の画像情報供給装置から入力される画像信号に所定の処理が施されて生成されたものであり、液晶パネル５、７、１０には各色用の液晶画像が表示されることになる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
３１は光センサであり、外光（周囲光）の光量に応じた信号をＭＰＵ３０に入力する。ＭＰＵ３０では、この外光の光量に応じて表示モードを切り換えるための演算を行い、この演算結果に基づいて、
（ａ）ダイクロイックフィルタ９の挿入もしくは抜去
（ｂ）メイン信号処理部２１における階調補正係数の変更
（ｃ）ＬＣＤ駆動部２２における液晶駆動電圧範囲の変更
を行う。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
続いて、ステップ６では、メイン信号処理部２１のガンマ補正係数をγｓに設定する。γｓは、周囲が明るいときの視感特性を考慮した階調補正係数である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003158747.tif 000001
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2003158747.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月24日(2004.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記焼成処理を、１〜１０5Ｐａの圧力範囲の空気または不活性ガスの少なくとも一種類を含む雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１または２に記載の超低屈折率多孔質ＳＯＧ膜の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この場合、上記の焼成処理の温度条件は２００〜５００℃の範囲であることが望ましく、さらに、焼成処理の圧力条件としては、空気またはＨｅガス、Ａｒガス、Ｎ2ガスなどの不活性ガスの少なくとも一種類を含む雰囲気下１〜１０5Ｐａの範囲であることが望ましい。このような処理条件の焼成を経ることにより得られる超低屈折率多孔質ＳＯＧ膜は、上記の実用化水準に適合した小さい膜厚と平坦な膜表面とを有することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
なお、超低屈折率の多孔質ＳＯＧ膜を得るためには、好ましくは、空気中で５０〜３５０℃程度の温度で処理して主として溶媒を蒸発させ、次いで、例えば１〜１０5Ｐａ程度の空気中で界面活性剤その他の有機物質などを蒸発させることのできる温度（例えば、２００〜５００℃）で、得られる多孔質膜の構造が破壊されない時間の間熱処理すればよい。もちろん、酸化等が問題になる場合は、全てＨｅガス、Ａｒガス、Ｎ2ガスなどの不活性ガスの少なくとも一種類を含む雰囲気にて処理する必要がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このようにして得られた多孔質ＳＯＧ膜は、室温において１．３０未満の屈折率を有する超低屈折率薄膜として形成される。また、この薄膜は、上記スピンコート時の回転数を変化させて３００ｎｍ〜１．２μｍの範囲で膜厚制御でき、さらに、このときの平坦性を表す膜厚の散布度は、上記範囲の膜厚において±１０Åの範囲に留まっているので膜表面が平坦に形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明により形成される多孔質ＳＯＧ膜は、塗布時のスピンコート回転数により３００ｎｍ〜２μｍに制御可能な膜厚を有し、さらに、その膜厚の散布度は±１０Åの範囲内であるような良好な平坦性を有することができる。そして、この多孔質ＳＯＧ膜は、形成時の焼成温度により、室温において１．３０未満の領域において制御可能な超低屈折率を有することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
絶縁材料からなる基層上に複数の島状非単結晶導体薄膜層を形成する工程と、上記島状非単結晶半導体薄膜層を覆う絶縁膜層を形成する工程と、上記島状非単結晶半導体薄膜層に対応する上方箇所において上記絶縁膜層上にゲート電極を設け、かつ、ゲート電極の表面部に、レーザ照射線の反射を低減する構成部分を形成する工程と、上記ゲート電極をマスクとして上方からのレーザ照射を行うことにより、ゲート電極にマスクされないソース／ドレイン領域の半導体をアニールすると共に、ソース／ドレイン領域の中間に位置してゲート電極にマスクされるチャネル領域を結晶化させる工程と、前記絶縁膜層にコンタクトホールを形成した後にソース／ドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程、とを有する薄膜半導体装置製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の薄膜半導体装置製造方法において、絶縁材料からなる基層上に非単結晶半導体薄膜層を形成し、上記非単結晶半導体薄膜層を島状に加工するまでの工程は、常法に従って行われる。すなわち、ケイ酸ガラス、石英ガラス、サファイア、プラスティック，ポリイミド等の薄板からなる基層（１０１）上に、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、SiGe等の半導体物質を、化学気相成長法やスパッタ法などを用いて堆積（１０２）させる（図１(a)）。その際、薄膜の厚さは60nm以下にすることが望ましい。なお、非単結晶半導体薄膜層としては、非晶質半導体を堆積させたものでもよく、或いは、すでに微小粒径の結晶が形成されている半導体の層でもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
不純物イオンの注入は、例えば、N型TFTであればリンイオン（Ｐ＋）を１０１５／
Cm２程度のオーダーで注入し、P型TFTであればBF２＋を１０１５／Cm２程度のオーダーで注入する。それによって、島状非単結晶半導体薄膜層のうち、ゲート電極によってマスクされない両側部分は、イオンによって活性化されてソース領域(１０９)及びドレイン領域(１１０)となり、マスクされた中央部分はチャネル領域(１１１)となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリッシング対象物である基板を保持して研磨面に押圧する基板保持装置において、
内部に収容空間を有するトップリング本体と、該トップリング本体の収容空間内で上下動可能な上下動部材とを備え、
前記上下動部材の下面には、弾性膜を備えた当接部材を取付け、
前記当接部材の弾性膜は、外方に張り出したつばを有すると共に前記基板に直接的又は間接的に当接する当接部と、前記当接部のつばの基部から上方に延びて前記上下動部材に接続される接続部とを備え、
前記接続部は前記当接部よりも伸縮性に富んだ材質で形成されていることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
ポリッシング対象物である基板を保持して研磨面に押圧する基板保持装置において、
内部に収容空間を有するトップリング本体と、該トップリング本体の収容空間内で上下動可能な上下動部材とを備え、
前記上下動部材の下面には、弾性膜を備えた当接部材を取付け、
前記当接部材の弾性膜は、外方に張り出したつばを有すると共に前記基板に直接的又は間接的に当接する当接部と、前記当接部のつばの基部から上方に延びて前記上下動部材に接続される接続部とを備え、
前記接続部は前記当接部よりも厚さの薄い薄肉部を有することを特徴とする基板保持装置。
【請求項３】
前記薄肉部は断面形状が内方にくびれていることを特徴とする請求項２に記載の基板保持装置。
【請求項４】
ポリッシング対象物である基板を保持して研磨面に押圧する基板保持装置において、
内部に収容空間を有するトップリング本体と、該トップリング本体の収容空間内で上下動可能な上下動部材とを備え、
前記上下動部材の下面には、弾性膜を備えた当接部材を取付け、
前記当接部材の弾性膜は、外方に張り出したつばを有すると共に前記基板に直接的又は間接的に当接する当接部と、前記当接部のつばの基部から上方に延びて前記上下動部材に接続される接続部とを備え、
前記当接部のつばの基部の下面の密着性を弱めたことを特徴とする基板保持装置。
【請求項５】
前記当接部のつばの基部の下面に前記基板に対しての密着性の低い中間部材を介在させて前記つばの基部の下面の密着性を弱めたことを特徴とする請求項４に記載の基板保持装置。
【請求項６】
ポリッシング対象物である基板を保持して研磨面に押圧する基板保持装置において、
内部に収容空間を有するトップリング本体と、該トップリング本体の収容空間内で上下動可能な上下動部材とを備え、
前記上下動部材の下面には、弾性膜を備えた当接部材を取付け、
前記当接部材の弾性膜は、外方に張り出したつばを有すると共に前記基板に直接的又は間接的に当接する当接部と、前記当接部のつばの基部から上方に延びて前記上下動部材に接続される接続部とを備え、
前記当接部のつばの基部に該弾性膜よりも硬い材質で形成された硬質部材を埋設したことを特徴とする基板保持装置。
【請求項７】
前記硬質部材が環状であることを特徴とする請求項６に記載の基板保持装置。
【請求項８】
ポリッシング対象物である基板を保持して研磨面に押圧する基板保持装置において、
内部に収容空間を有するトップリング本体と、該トップリング本体の収容空間内で上下動可能な上下動部材とを備え、
前記上下動部材の下面には、弾性膜を備えた当接部材を取付け、
前記当接部材の弾性膜は、外方に張り出したつばを有すると共に前記基板に直接的又は間接的に当接する当接部と、前記当接部のつばとの間に溝を形成しつつ該つばの基部から外方に向かって該つばの先端より内方の位置まで延びる延出部と、前記延出部の外方端部から上方に延びて前記上下動部材に接続される接続部とを備えたことを特徴とする基板保持装置。
【請求項９】
径方向内側に位置する前記接続部の厚さと径方向外側に位置する前記接続部の厚さとが異なることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１０】
前記径方向内側に位置する接続部の厚さが前記径方向外側に位置する接続部の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項９に記載の基板保持装置。
【請求項１１】
径方向外側に張り出した前記つばの長さと径方向内側に張り出した前記つばの長さとが異なることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１２】
前記径方向外側に張り出したつばの長さが前記径方向内側に張り出したつばの長さよりも長いことを特徴とする請求項１１に記載の基板保持装置。
【請求項１３】
ポリッシング対象物である基板を保持して研磨面に押圧する基板保持装置において、
内部に収容空間を有するトップリング本体と、該トップリング本体の収容空間内で上下動可能な上下動部材とを備え、
前記上下動部材の下面には、弾性膜を備えた当接部材を取付け、
前記当接部材の弾性膜は、前記基板に直接的又は間接的に当接する当接部と、前記当接部から上方に延びて前記上下動部材に接続される接続部とを備え、
前記接続部は前記当接部と異なる材質で形成されていることを特徴とする基板保持装置。
【請求項１４】
ポリッシング対象物である基板を保持して研磨面に押圧する基板保持装置において、
内部に収容空間を有するトップリング本体と、該トップリング本体の収容空間内で上下動可能な上下動部材とを備え、
前記上下動部材の下面には、弾性膜を備えた当接部材を取付け、
前記当接部材の弾性膜は、前記基板に直接的又は間接的に当接する当接部と、前記当接部から上方に延びて前記上下動部材に接続される接続部とを備え、
前記接続部は前記当接部よりも厚さの薄い薄肉部を有することを特徴とする基板保持装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の基板保持装置と、研磨面を有する研磨テーブルとを備えたことを特徴とするポリッシング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の第６の態様は、ポリッシング対象物である基板を保持して研磨面に押圧する基板保持装置において、内部に収容空間を有するトップリング本体と、該トップリング本体の収容空間内で上下動可能な上下動部材とを備え、前記上下動部材の下面には、弾性膜を備えた当接部材を取付け、前記当接部材の弾性膜は、前記基板に直接的又は間接的に当接する当接部と、前記当接部から上方に延びて前記上下動部材に接続される接続部とを備え、前記接続部は前記当接部と異なる材質で形成されていることを特徴とする基板保持装置である。
本発明の第７の態様は、ポリッシング対象物である基板を保持して研磨面に押圧する基板保持装置において、内部に収容空間を有するトップリング本体と、該トップリング本体の収容空間内で上下動可能な上下動部材とを備え、前記上下動部材の下面には、弾性膜を備えた当接部材を取付け、前記当接部材の弾性膜は、前記基板に直接的又は間接的に当接する当接部と、前記当接部から上方に延びて前記上下動部材に接続される接続部とを備え、前記接続部は前記当接部よりも厚さの薄い薄肉部を有することを特徴とする基板保持装置である。
本発明の第８の態様は、上述した基板保持装置と、研磨面を有する研磨テーブルとを備えたことを特徴とするポリッシング装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、半導体ウエハおよび半導体集積回路装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が各半導体チップとされるべき複数の領域をその主面に有し、前記複数の領域の各々に集積回路と位置確認回路とを含む半導体ウエハを準備し、
前記複数の領域内の任意の領域の前記集積回路の解析を行う際、前記任意の領域内の前記位置確認回路に電位を印加し、前記位置確認回路の発光、または電圧／電流変化を観測することによって、解析中の領域の位置確認を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
各々が半導体チップとされるべき複数の領域と前記複数の領域間に設けられたスクライブライン領域とをその主面に有し、前記複数の領域の各々に集積回路を含み、前記集積回路に対応するように前記スクライブライン領域に設けられた位置確認回路とを含む半導体ウエハを準備し、
前記複数の領域内の任意の領域の前記集積回路の解析を行う際、前記任意の領域内の前記位置確認回路に電位を印加し、前記位置確認回路の発光、または電圧／電流変化を観測することによって、解析中の領域の位置確認を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法において、
前記位置確認回路は、前記電位が印加されるべき１対のパッドの間に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記位置確認回路は、配線、ＭＯＳトランジスタ、ヒューズから選択された１つ、またはその組み合わせから構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数の第一回路と複数の位置確認回路とを有する半導体ウエハであって、
それぞれの前記第一回路は半導体チップにされるべきものであり、
それぞれの前記位置確認回路はそれぞれの前記第一回路の位置を特定するためのものであり、
それぞれの前記位置確認回路はそれぞれの前記第一回路にそれぞれ対応していることを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項６】
請求項５記載の半導体ウエハにおいて、
さらにスクライブライン領域を有し、前記位置確認回路は前記スクライブライン領域に存在することを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項７】
第一回路を有し、前記第一回路が半導体ウエハ上のどの位置に存在していたかを特定するための第二回路を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体集積回路装置において、
前記第二回路は２つのパッドを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体集積回路装置において、
前記２つのパッドを繋ぐ経路にＭＯＳトランジスタを有するよう構成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体集積回路装置において、
前記２つのパッドを繋ぐ経路にヒューズを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体集積回路装置において、
前記ヒューズは前記第一回路を構成する配線層の最下層のさらに下層に前記ヒューズが形成される領域を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１２】
請求項８記載の半導体集積回路装置において、
前記２つのパッドを繋ぐ経路の配線は、前記第一回路を構成する配線層の最下層に前記配線が形成される領域を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１３】
請求項９記載の半導体集積回路装置において、
前記ＭＯＳトランジスタは前記第一回路を構成する配線層の最下層のさらに下層に前記ＭＯＳトランジスタが形成される領域を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体ウエハの不良解析の際に、前記不良解析の対象とされるべき前記第一回路の位置を調べるために前記２つのパッドに対して所定の電圧を印加したときの発光または電流変化は前記ＭＯＳトランジスタの発光、または電流変化を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１５】
請求項１１記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体ウエハの不良解析の際に、前記不良解析の対象とされるべき前記第一回路の位置を調べるために前記２つのパッドに対して所定の電圧を印加したときの発光または電流変化は前記ヒューズの発光、または電流変化を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１６】
集積回路を有し、前記集積回路は第一回路を有し、前記第一回路は一対のパッドを有し、
前記第一回路は前記一対のパッド間に配線、ＭＯＳトランジスタ、ヒューズから選択された１つ、またはその組み合わせを有するように構成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体集積回路装置において、
前記第一回路は前記一対のパッド間の経路が１つの電流経路となるように構成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
上部表面と、底部表面と、エッジと、前面エッジ除外ゾーンとを備える基板上に強誘電体デバイスを形成する方法であって、
前記基板の上部表面の上に底部電極を形成するステップと、
前記底部電極の上に強誘電体層を形成するステップと、
前記強誘電体層の上に上部電極を形成するステップと、
前記基板の前記底部表面及び前記エッジから強誘電体デバイス材料を選択的エッチングで除去するステップと
を含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板表面の第１領域に形成されたトランジスタと第２領域に形成された可変容量ダイオードとを有する半導体装置であって、
前記第１領域と第２領域と両方の表面に共通に形成された、前記第１導電型と異なる第２導電型の第２導電型拡散層と、
前記第２領域のみに、前記第２導電型拡散層の下面に接して形成された、前記第１導電型の半導体基板よりも第１導電型の不純物濃度が高い高濃度第１導電型拡散層とを有し、かつ、該高濃度第１導電型拡散層が、それぞれが前記第２導電型拡散層の下面に接する、第１の高濃度第１導電型拡散層と、該第１の高濃度第１導電型拡散層と濃度もしくは厚さの少なくとも一方が異なる第２の高濃度第１導電型拡散層とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１領城のみに形成された前記第１導電型のウエルをさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の高濃度第１導電型拡散層は、前記第２導電型拡散層内にピークを有し、該第１の高濃度第１導電型拡散層内では深さ方向に低下する濃度分布を有する前記第１導電型の不純物からなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
第１導電型の半導体基板表面の第１領域に形成されたトランジスタと第２領域に形成された可変容量ダイオードとを有する半導体装置を製造する方法であって、
前記第１領域と第２領域との両方に、前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物が導入された第２導電型不純物導入層を形成する工程と、
前記導入された第２導電型の不純物を活性化させて第２導電型拡散層を形成する工程と、
前記第２領域のみに、前記第１導電型の不純物を導入することで、前記第１導電型の半導体基板よりも該第１導電型の不純物濃度が高い高濃度第１導電型不純物導入層を形成する工程と、
前記導入された第１導電型の不純物を活性化させて高濃度第１導電型拡散層を形成する工程とを有し、
前記第１および第２導電型の不純物の導入および活性化を、前記高濃度第１導電型拡散層が前記第２導電型拡散層の下面に接する位置に形成される条件で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１領域のみに前記第１導電型のウエルを形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１導電型の不純物の活性化と前記第２導電型の不純物の活性化とを同一の熱処理工程で実施することを特徴とする請求項４または６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１導電型の不純物の導入を、前記第２導電型拡散層の厚さに比較して薄い位置に濃度ピークを形成する条件のイオン注入で実施することを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２導電型の不純物の導入を、ヒ素のイオン注入で実施し、前記第１導電型の不純物の導入を、前記ヒ素の濃度ピークに比較して深い位置に濃度ピークを形成する条件の、ホウ素のイオン注入で実施することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２領域に形成される第２導電型拡散層および高濃度第１導電型拡散層を取り囲む位置に、前記第１導電型の半導体基板よりも第１導電型の不純物濃度が高い環状第１導電型拡散層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項４ないし８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された素子分離酸化膜と、該素子分離酸化膜上に形成された抵抗素子と、該抵抗素子上に形成された層間膜と、該層間膜を開口して上記抵抗素子上の少なくとも複数箇所に形成されたコンタクト領域と、該コンタクト領域の上面に形成された金属配線層とを備えた半導体装置において、
上記抵抗素子の直表面および直側面の一部を覆うように形成された第１の酸化膜を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記第１の酸化膜の直表面および直側面を覆うように形成された窒化膜を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上記窒化膜の直表面および直側面を覆うように形成された第２の酸化膜を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
上記抵抗素子の上面および側面の一部を覆うように形成された導電性膜を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
上記導電性膜を上部電極、上記抵抗素子を下部電極として用い、該上部電極と下部電極の間に上記第１の酸化膜、上記窒化膜および上記第２の酸化膜を層間誘電体膜として設けたことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
上記抵抗素子と上記コンタクト領域との接触部分に形成されたシリサイド層を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板上に素子分離酸化膜を形成する工程と、上記素子分離酸化膜上に半導体材料を形成する工程と、上記半導体材料にイオン注入することで抵抗素子を形成する工程と、上記抵抗素子上に層間膜を形成する工程と、上記層間膜を開口して上記抵抗素子上の少なくとも複数箇所にコンタクト領域を形成する工程と、上記コンタクト領域の上面に金属配線層を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、
上記抵抗素子の直表面および直側面の一部を覆うように第１の酸化膜を形成する工程と、
上記第１の酸化膜の直表面および直側面を更に覆うように窒化膜を形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記窒化膜の直表面および直側面を覆うように第２の酸化膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記抵抗素子の上面および側面の一部を覆うように導電性膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記抵抗素子と上記コンタクト領域の接触部分において、上記抵抗素子の表面を選択的に高融点金属とシリサイド反応をさせる工程を備えたことを特徴とする７〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明に係る半導体装置は、半導体基板上に形成された素子分離酸化膜と、該素子分離酸化膜上に形成された抵抗素子と、該抵抗素子上に形成された層間膜と、該層間膜を開口して上記抵抗素子上の少なくとも複数箇所に形成されたコンタクト領域と、該コンタクト領域の上面に形成された金属配線層とを備えた半導体装置において、上記抵抗素子の直表面および直側面の一部を覆うように形成された第１の酸化膜を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、半導体基板上に形成された素子分離酸化膜と、該素子分離酸化膜上に形成された抵抗素子と、該抵抗素子上に形成された層間膜と、該層間膜を開口して上記抵抗素子上の少なくとも複数箇所に形成されたコンタクト領域と、該コンタクト領域の上面に形成された金属配線層とを備えた半導体装置において、上記抵抗素子の直表面および直側面の一部を覆うように形成された第１の酸化膜を備えたので、熱処理時の不純物の再放出を阻止でき、品質が良くて安価な半導体装置が得られるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本実施形態においては、第１〜第４の実施形態が３倍周波数波形発生回路５により制御電圧２２ｏにＤＣ−ＤＣ変換部１ａ、１ｂ、１ｃの発振周波数に同期する３倍周波数波形を重畳させることに対して、次位相同期波形発生回路７によりスイッチング電流信号１ａｉ、１ｂｉ、１ｃｉに他のＤＣ−ＤＣ変換部１ｂ、１ｃ、１ａのスイッチング電流信号１ｂｉ、１ｃｉ、１ａｉのオン位相と同一位相の時間と共に増加する波形を重畳させることのみが異なる。次位相同期波形発生回路７はスイッチング電流信号１ａｉ、１ｂｉ、１ｃｉを入力として他のＤＣ−ＤＣ変換部１ｂ、１ｃ、１ａのスイッチング電流信号１ｂｉ、１ｃｉ、１ａｉのオン位相と同一位相の時間と共に増加する波形を出力７ａｏ、７ｂｏ、７ｃｏとして出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長さが異なる長短の二次電池を充電する充電器であって、長電池(2)と短電池(3)を脱着自在に嵌着できる長電池嵌着凹部(4)と短電池嵌着凹部(5)を有し、
長電池嵌着凹部(4)が単３電池を嵌着できる凹部で、短電池嵌着凹部(5)が単４電池を嵌着できる凹部で、
長電池嵌着凹部(4)は、一方の端部に長電池(2)の＋電極に接触する第１充電端子(6)を、他方の端部に長電池(2)の他方の−電極に接触する第２充電端子(7)を有し、
さらに、長電池嵌着凹部(4)の底面には、第１充電端子(6)から第２充電端子(7)に向かって下り勾配に傾斜する底面の短電池嵌着凹部(5)を設けており、かつ、この短電池嵌着凹部(5)は長電池嵌着凹部(4)よりも短く形成されて、長電池嵌着凹部(4)の底面の途中に短電池(3)の−電極に接触する第３充電端子(8)を設けており、
第１充電端子(6)と第２充電端子(7)と第３充電端子(8)はケース(1)に内蔵している充電回路に接続されると共に、第１充電端子(6)は、長電池(2)と短電池(3)の両方の電極に接触される位置に配設され、第３充電端子(8)は、弾性金属部材であって、ケース(1)内の部材に固定されると共に、該部材を貫通し、
長電池嵌着凹部(4)に装着される長電池(2)の電極に、第１充電端子(6)と第２充電端子(7)が接触され、短電池嵌着凹部(5)に装着される短電池(3)の電極には、第１充電端子(6)と第３充電端子(8)が接触されるようにしてなる充電器。
【請求項２】
第２充電端子(7)と第３充電端子(8)とが１本の金属線あるいは金属板である請求項１に記載される充電器。
【請求項３】
第１充電端子(6)が、短電池(3)の電極に接触する部分を、短電池嵌着凹部(5)に装着される短電池(3)の電極面と平行としている請求項１に記載される充電器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の充電器は、長さが異なる長短の二次電池を充電するもので、長電池２と短電池３を脱着自在に嵌着できる長電池嵌着凹部４と短電池嵌着凹部５を有する。長電池嵌着凹部４は、一方の端部に長電池２の電極に接触する第１充電端子６を、他方の端部に長電池２の他方の電極に接触する第２充電端子７を有する。長電池嵌着凹部４の底面に、第１充電端子６から第２充電端子７に向かって下り勾配に傾斜する底面の短電池嵌着凹部５を設けている。この短電池嵌着凹部５は長電池嵌着凹部４よりも短く、ここに装着される短電池３を充電するために、長電池嵌着凹部４の底面の途中に短電池３の電極に接触する第３充電端子８を設けている。第１充電端子６と第２充電端子７と第３充電端子８は、ケース１に内蔵している充電回路に接続されて、充電端子に接触する二次電池を充電する。第１充電端子６は、長電池２と短電池３の両方の電極に接触される位置に配設され、第３充電端子８は、弾性金属部材であって、ケース１内の部材に固定されると共に、該部材を貫通している。長電池嵌着凹部４に装着される長電池２の電極は、第１充電端子６と第２充電端子７に接触し、短電池嵌着凹部５に装着される短電池３の電極は、第１充電端子６と第３充電端子８が接触される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１充電端子６は、短電池３の電極に接触する部分を、短電池嵌着凹部５に装着される短電池３の電極面と平行としている。この形状の第１充電端子６は、傾斜する姿勢で装着される短電池３を短電池嵌着凹部５から押し出すことがない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月18日(2004.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流を通電するアクティブ領域と、アクティブ領域に隣接して形成され、電界を緩和するターミネーション領域とを備えた半導体装置において、
前記ターミネーション領域には、フィールドリミッティングリングと、
該フィールドリミッティングリングに接触形成され、電界を緩和するフィールドプレートとが形成され、前記フィールドプレートが抵抗体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、前記フィールドプレートの抵抗率が、５×10-3Ωcm以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置において、前記フィールドプレートが多結晶シリコンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記フィールドプレートとフィールドリミッティングリングとの間に絶縁物層を形成して、フィールドリミッティングリングとフィールドプレートとを絶縁したことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
一対の主表面を有する一方導電型の半導体基体と、前記半導体基体の一方の主表面に隣接して形成され、電流を通電するアクティブ領域と、前記半導体基体の一方の主表面に隣接し、前記アクティブ領域を包囲して前記半導体基体内に形成された他方導電型のフィールドリミッティング層とを備えた半導体装置において、
前記フィールドリミッティング層に接触し、前記半導体基体の一方の主表面上で前記フィールドリミッティング層に接触形成され、前記半導体基体上に絶縁膜を介して延在する抵抗体からなるフィールドプレートとを有するフィールドプレートを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、前記フィールドプレートの抵抗率が、５×10-3Ωcm以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６のいずれかに記載の半導体装置において、前記フィールドプレートが多結晶シリコンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、前記フィールドプレートとフィールドリミッティングリングとの間に絶縁物層を形成して、フィールドリミッティングリングとフィールドプレートとを絶縁したことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
一対の直流端子と、交流出力の相数と同数の交流端子と、一対の直流端子間に接続され、それぞれスイッチング素子と逆極性のダイオードの並列回路を２個直列接続した構成からなり、並列回路の相互接続点が異なる交流端子に接続された交流出力の相数と同数のインバータ単位とを具備する電力変換装置において、
前記スイッチング素子が請求項１乃至８に記載の半導体装置であることを特徴とする電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月10日(2004.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮ系半導体（ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ、但し０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）が成長可能な基板の表面に、ＧａＮ系半導体の成長が起こらない物質からなるマスクを付着させ、該マスクに適切な開口部を設け、開口部からＧａＮ系半導体薄膜を成長させるＧａＮ系半導体薄膜の製造方法において、屈折率ｎ1を持った第１のＧａＮ系半導体を開口部から成長させる第１の工程と、該第１のＧａＮ系半導体の表面が平坦化しない段階で、第１のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ2を持つ第２のＧａＮ系半導体を第１のＧａＮ系半導体上に成長させる第２の工程と、該第２のＧａＮ系半導体の表面が平坦化しない段階で、さらに第２のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ3を持つ第３のＧａＮ系半導体を第２のＧａＮ系半導体上に成長させる第３の工程とを具備することを特徴とするＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とは組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。
【請求項３】
前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とはドーピング状態の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。
【請求項４】
前記第２のＧａＮ系半導体が、２種類以上の組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を周期的に積層した多層膜よりなることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記第１のＧａＮ系半導体と第３のＧａＮ系半導体が、同じＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。
【請求項６】
前記第３のＧａＮ系半導体が、表面の平坦なＧａＮ系半導体薄膜となることを特徴とする請求項１ないし５の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。
【請求項７】
前記第３のＧａＮ系半導体上に、表面の平坦なＧａＮ系半導体薄膜を成長させることを特徴とする請求項１ないし６の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。
【請求項８】
前記ＧａＮ系半導体が成長可能な基板が、ＧａＮ、サファイア、ＳｉＣ、シリコンのうちの何れか１種類であることを特徴とする請求項１ないし７の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。
【請求項９】
前記マスクがＳｉＮからなることを特徴とする請求項１ないし８の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。
【請求項１０】
基板上にマスクを付着させ、該マスクに適切な開口部を設け、開口部からマスク表面を覆って成長させたＧａＮ系半導体薄膜において、該ＧａＮ系半導体薄膜が、開口部から成長させた屈折率ｎ1を持つ第１のＧａＮ系半導体と、該第１のＧａＮ系半導体の表面が平坦化しない段階で第１のＧａＮ系半導体上に成長させた、第１のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ2を持つ第２のＧａＮ系半導体と、第２のＧａＮ系半導体の表面が平坦化しない段階で第２のＧａＮ系半導体上に成長させた、第２のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ3を持つ第３のＧａＮ系半導体とを具備することを特徴とするＧａＮ系半導体薄膜。
【請求項１１】
前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とは組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする請求項１０に記載のＧａＮ系半導体薄膜。
【請求項１２】
前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とはドーピング状態の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする請求項１０または１１に記載のＧａＮ系半導体薄膜。
【請求項１３】
前記第２のＧａＮ系半導体が、２種類以上の組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を周期的に積層した多層膜よりなることを特徴とする請求項１０に記載のＧａＮ系半導体薄膜。
【請求項１４】
前記第１のＧａＮ系半導体と第３のＧａＮ系半導体が、同じＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする請求項１０ないし１３の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜。
【請求項１５】
前記第３のＧａＮ系半導体が、表面の平坦なＧａＮ系半導体薄膜であることを特徴とする請求項１０ないし１４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜。
【請求項１６】
前記第３のＧａＮ系半導体上に、表面の平坦なＧａＮ系半導体薄膜が形成されていることを特徴とする請求項１０ないし１５の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜。
【請求項１７】
前記ＧａＮ系半導体が成長可能な基板が、ＧａＮ、サファイア、ＳｉＣ、シリコンのうちの何れか１種類であることを特徴とする請求項１０ないし１６の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜。
【請求項１８】
前記マスクがＳｉＮからなることを特徴とする請求項１０ないし１７の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜。
【請求項１９】
前記第３のＧａＮ系半導体上に、ｐ型およびｎ型のＧａＮ系半導体薄膜からなるｐｎ接合が形成されていることを特徴とする請求項１０ないし１８の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体薄膜。
【請求項２０】
請求項１９に記載のＧａＮ系半導体薄膜を用いて作製した半導体発光素子。