【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】    明細書
【発明の名称】ブラインドビアを有する多層基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の上面導体（Ｌ１）と、配線基板の内層導体（Ｌ２）と、配線基板の下面導体（Ｌ３）とからなる３層導体構造の多層基板であって、
配線基板の上面導体（Ｌ１）と内層導体（Ｌ２）とを電気的に接続する上向きの第１のブラインドビア（Ｂ１）と、配線基板の内層導体（Ｌ２）と下面導体（Ｌ３）とを電気的に接続する下方に開口している第２のブラインドビア（Ｂ２）とが第２のブラインドビア（Ｂ２）上の領域内で背面的に重ねて形成し、この第２のブラインドビア（Ｂ２）のほぼ中心で分割切断して端面電極を形成することを特徴とするブラインドビアを有する多層基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板に関するもので、特にブラインドビアのほぼ中心で分割切断して端面電極を形成するブラインドビアを有する多層基板である。
【０００２】
【従来の技術】
従来は基板に端面電極を形成する場合、プリント配線板の外形側面の近傍に一直線上に貫通スルーホール穴を設け、貫通スルーホール穴のほぼ中心線上で分割切断して分割した貫通スルーホール穴の内部が半円筒状で外部に露呈した端面電極を形成する。
基板に半導体集積回路素子、電子部品素子、電子部品を実装し、その後基板の配線パタ−ンや半導体集積回路素子、電子部品素子、電子部品を樹脂で樹脂モ−ルドして樹脂封止をし端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、貫通スルーホール穴の内部に封止樹脂が侵入しないように貫通スルーホール穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材（フィルム、テ−プ、基材など）を設けなければならない。
【０００３】その一例として、特開２００２−１６４６５８号公報に開示されているモジュ−ル基板では、多層基板の表面に電子部品が実装され、外部との接続に使用する電極を多層基板の側面の中間層基板と底面層基板に導通溝が形成され、電子部品が実装される表面の層には、上記導通溝が形成されていない表面層基板を設けるモジュ−ル基板である。
このモジュ−ル基板では中間層基板と底面層基板の側面には端面電極用スルーホールが形成されているが中間層基板の上に貼り合わせる表面層基板には端面電極用スルーホールは形成されていないものである。
【０００４】上記のモジュ−ル基板では表面層基板と中間層基板と底面層基板の３枚の基板を貼り合わせた３層基板であり、薄板化には問題がある。
また、中間層基板と底面層基板を貫通する端面電極用スルーホールの上に表面層基板を貼り合わせる際にプリプレグ等の接着樹脂がスルーホール内に流れ込み、高品質な端面電極を形成することは難しい。
従って、薄板化が要求される高精細な電子部品用のベ−ス基板としては問題があり、端面電極としても、はんだ濡れ性不良が生じ易い。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−１６４６５８号公報。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
基板に電子部品素子、電子部品を実装し、その後実装した電子部品素子や電子部品を樹脂封止して端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、基板に設けた貫通スルーホール穴の内部に封止樹脂が侵入しないように貫通スルーホール穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材（絶縁基材、絶縁テ−プ、フィルム状、シ−ト状などの阻止部材）を設けなければならない。
上記の阻止部材を張り合わせる為、高密度化や端面電極の接続信頼性が低下していた。
特に、モ−ルド樹脂部品を高温高圧（１４０〜１８０℃、２０〜３０トン）で大量生産するトランスファモ−ルド法では、モ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的及びはんだ接続信頼性が要求されている。
【０００７】特開２００２−１６４６５８号公報に開示されているモジュ−ル基板とは、１つの組立体系の中での分離可能なユニット（日本プリント回路工業会発行のプリント回路用語）となる基板である。
しかし、モ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的接続信頼性及びはんだ接続信頼性が要求される薄板のベ−ス基板としては問題点が多く、端面電極とする穴の内部に封止樹脂が侵入しないように穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する薄板の部材を高温高圧に耐えられるようにすることが不可となっていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、配線基板の上面導体（Ｌ１）と、配線基板の内層導体（Ｌ２）と、配線基板の下面導体（Ｌ３）とからなる３層導体構造の多層基板であって、
配線基板の上面導体（Ｌ１）と内層導体（Ｌ２）とを電気的に接続する上向きの第１のブラインドビア（Ｂ１）と、配線基板の内層導体（Ｌ２）と下面導体（Ｌ３）とを電気的に接続する下方に開口している第２のブラインドビア（Ｂ２）とが第２のブラインドビア（Ｂ２）上の領域内で背面的に重ねて形成し、この第２のブラインドビア（Ｂ２）のほぼ中心で分割切断して端面電極を形成するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本願の発明は端面電極を形成するためのブラインドビアを有する多層基板であって、３層導体構造の多層基板のブラインドビアをダイシング用の分割切断線で分割して端面電極を形成するものである。
以下、本発明の非貫通導通穴を有する多層基板を形成する製造工程を図２を参照して説明する。
まず、図２（ａ）として下面の銅箔４がある片面銅張積層板の基材２側に乳液状、フィルム状、シ−ト状などの接着剤３を張り合わせ下部配線基板１とする。図２（ｂ）接着剤を半硬化してから下部配線基板１の所定の箇所にＮＣドリリングマシンにより、穴明け加工を施して貫通穴９とする。次に図２（ｃ）に示すように、下部配線基板１の所定の箇所に穴明け加工を施して貫通穴９を形成した下部配線基板１の接着剤３の上に銅箔６を積層プレスをして張り合わせる。
次に図２（ｄ）に示すように、下部配線基板１の上面の銅箔６の所定の箇所にエッチングして内層パタ−ン（Ｌ２）を回路形成する。
【００１０】図２（ｅ）は下部配線基板１の上面の銅箔６の所定の箇所に内層パタ−ン（Ｌ２）を回路形成した上面に絶縁層７と銅箔８を積層プレスをして上部配線基板１０を形成する。
次に図２（ｆ）に示すように、上部配線基板１０の所定の箇所に上面外層の銅箔８と内層パタ−ン（Ｌ２）の間だの絶縁層７を炭酸ガスレーザー加工により絶縁樹脂を除去し非貫通穴１１を形成する。
その次に、図２（ｇ）に示すように無電解銅めっきを施し、めっき層１２を形成して所定の上部配線基板１０の非貫通導通穴１５と下部配線基板１の非貫通導通穴１６を形成する。その後、所定の箇所をエッチングして上面外層パタ−ン（Ｌ１）と下面外層パタ−ン（Ｌ３）とを回路形成する。
【００１１】配線基板の片側だけに開口しているビアはブラインドビアと呼ばれ、外層導体と内層導体を電気的に接続する非貫通導通穴である。上面外層パタ−ン（Ｌ１）と内層パタ−ン（Ｌ２）とを電気的に接続する上部配線基板１０に形成した非貫通導通穴１５を第１のブラインドビア（Ｂ１）とし、内層パタ−ン（Ｌ２）と下面外層パタ−ン（Ｌ３）とを電気的に接続する非貫通導通穴１６を第２のブラインドビア（Ｂ２）とし、この第２のブラインドビア（Ｂ２）のほぼ中心で分割切断して端面電極を形成する。
また、信頼性の向上、はんだ付性の向上、ワイヤーボンデング作業等の必要性からソルダーレジストの形成やＮｉ−Ａｕめっき等を行う場合もある。
【００１２】本発明のブラインドビアを有する多層基板の構成について図１で説明する。配線基板の上面導体（Ｌ１）と、配線基板の下面導体（Ｌ３）と、配線基板の内層導体（Ｌ２）とからなる３層導体構造であって、電子部品や電子部品素子を実装する部品接続ランド１７を配線基板の上面導体（Ｌ１）に設ける。
配線基板の上面導体（Ｌ１）と内層導体（Ｌ２）とを電気的に接続する上向きの第１のブラインドビア（Ｂ１）と、配線基板の内層導体（Ｌ２）と下面導体（Ｌ３）とを電気的に接続する下方に開口している第２のブラインドビア（Ｂ２）とが第２のブラインドビア（Ｂ２）上の領域内で背面的に重ねて形成し、この第２のブラインドビア（Ｂ２）のほぼ中心の分割切断線上で分割切断して端面電極を形成するものである。
【００１３】上部配線基板１０の部品接続ランド１７と内層パタ−ン（Ｌ２）とを電気的に接続する。つまり上部配線基板１０の上向きの第１のブラインドビア（Ｂ１）であり、下部配線基板１の非貫通導通穴である第２のブラインドビア（Ｂ２）と上部配線基板１０の第１のブラインドビア（Ｂ１）とは、内層導体（Ｌ２）を介して電気的に接続される。
この下部配線基板１に形成する内層パタ−ン（Ｌ２）と下面外層パタ−ン（Ｌ３）とを電気的に接続する非貫通導通穴を第２のブラインドビア（Ｂ２）として、この第２のブラインドビア（Ｂ２）の略中央部を通る分割切断線１８でダイシング切断して端面電極を形成する。
【００１４】高温高圧のトランスファモ−ルド法では、ブラインドビアを有する配線基板において、第１のブラインドビア（Ｂ１）の内部には導電性ペ−ストや金属めっき、又は絶縁物を充填し、第２のブラインドビア（Ｂ２）穴の内部に高温高圧の封止樹脂が侵入しないようにして、電気的接続信頼性及びはんだ接続信頼性を向上させる。
この端面電極を形成するため第２のブラインドビア（Ｂ２）の穴内部は空洞とするものである。
【００１５】モ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的及びはんだ接続信頼性に対応し、特に薄型高密度のチップ部品をトランスファモ−ルド法で大量生産するベ−ス基板として、上部配線基板の絶縁層の厚さ０．０３〜０．２００ｍｍとする。端面電極用の非貫通導通穴を形成する下部配線基板の基材の厚さは０．２０〜０．５０ｍｍとする。また、非貫通導通穴の穴径は端面電極用の第２のブラインドビア（Ｂ２）はφ０．３０〜φ１．００ｍｍが良好である。第１のブラインドビア（Ｂ１）はφ０．１０〜φ０．３０ｍｍが良好である。
つまり、本発明の非貫通導通穴を有する多層基板は配線基板の上面と下面を貫通するスル−ホ−ル穴を設けないものである。
【００１６】
【発明の効果】
配線基板の上面と下面を貫通するスル−ホ−ル穴を設けない非貫通導通穴を有する３層導体構造の多層基板は、第２のブラインドビア（Ｂ２）穴の内部に封止樹脂が侵入しないようにして端面電極を形成して高い電気的接続信頼性及びはんだ接続信頼性を向上させる。かつ電子部品素子、電子部品を実装できる薄型で高密度のベ−ス基板が供給できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明のブラインドビアを有する多層基板の断面図。
【図２】
本発明のブラインドビアを有する多層基板の工程図。
【符号の説明】
１…下部配線基板、２…基材、３…接着剤、４…下面の銅箔、
６…銅箔、７…絶縁層、８…銅箔、９…貫通穴、
１０…上部配線基板、１１…非貫通穴、１２…めっき層、
１５，１６…非貫通導通穴、１７…部品接続ランド、１８…分割切断線。