Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月2日(2004.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低電源側の第１の信号を，前記低電源より高い高電源側の第２の信号にレベル変換するレベルコンバート回路において，
前記低電源側の第１の信号とその逆相信号で制御され，グランド側に設けられた第１及び第２のトランジスタと，
前記第１及び第２のトランジスタにそれぞれ接続され，前記高電源側に設けられ，ゲート・ドレイン間が交差接続された第３及び第４のトランジスタと，
前記第１及び第３のトランジスタの間の第１のノードと，前記第２及び第４のトランジスタの間の第２のノードのいずれか一方のノードを，前記高電源の立ち上がり時に，電流パスによって，グランド電位に引き下げる初期化回路とを有し、
前記初期化回路は，前記第１及び第２のノードのいずれか一方のノードとグランドとの間に設けられ，前記高電源の立ち上がり時であって前記低電源が立ち上がらない期間に導通する初期化用トランジスタ回路を有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項２】
請求項１において，前記初期化用トランジスタ回路は，前記第１の信号と同相の信号または逆相の信号のいずれかにより制御される第５のトランジスタと，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードにより制御される第６のトランジスタとが直列に接続されていることを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項３】
低電源側の第１の信号を，前記低電源より高い高電源側の第２の信号にレベル変換するレベルコンバート回路において，
前記低電源側の第１の信号とその逆相信号で制御され，グランド側に設けられた第１及び第２のトランジスタと，
前記第１及び第２のトランジスタにそれぞれ接続され，前記高電源側に設けられ，ゲート・ドレイン間が交差接続された第３及び第４のトランジスタと，
前記第１及び第３のトランジスタの間の第１のノードと，前記第２及び第４のトランジスタの間の第２のノードのいずれかのノードを，前記高電源の立ち上がり時に，電流パスによって，グランド電位（または高電源電位）に引き下げる（または引き上げる）初期化回路とを有し、
前記初期化回路は，前記第１及び第２のノードのいずれか一方のノードと高電源との間に設けられ，前記高電源の立ち上がり時であって前記低電源が立ち上がらない期間に導通する第１の初期化用トランジスタ回路と，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードとグランドとの間に設けられ，前記一方のノードの引き上げに応答して導通する第２の初期化用トランジスタ回路とを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項４】
請求項３において，前記第１の初期化用トランジスタ回路は，前記第１の信号と同相の信号または逆相の信号のいずれかにより制御される第５のトランジスタと，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードにより制御される第６のトランジスタとが直列に接続されていることを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項５】
請求項３において，前記第２の初期化トランジスタ回路は，前記第１及び第２のノードとグランドとの間にそれぞれ設けられ，ゲートとドレインが交差接続された第８及び第９のトランジスタを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項６】
低電源側の第１の信号を，前記低電源より高い高電源側の第２の信号にレベル変換するレベルコンバート回路において，
前記低電源側の第１の信号とその逆相信号で制御され，グランド側に設けられた第１及び第２のトランジスタと，
前記第１及び第２のトランジスタにそれぞれ接続され，前記高電源側に設けられ，ゲート・ドレイン間が交差接続された第３及び第４のトランジスタと，
前記第１及び第３のトランジスタの間の第１のノードと，前記第２及び第４のトランジスタの間の第２のノードのいずれかのノードを，前記高電源の立ち上がり時に，電流パスによって，グランド電位（または高電源電位）に引き下げる（または引き上げる）初期化回路とを有し、
前記初期化回路は，前記第１及び第２のノードのいずれか一方のノードと前記高電源との間に設けられ，前記高電源の立ち上がりに応答して前記一方のノードを前記高電源電位に引き上げるプルアップ回路と，前記第１及び第２のノードのいずれか他方のノードとグランドとの間に設けられ，前記一方のノードの引き上げに応答して導通する初期化用トランジスタ回路とを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて，更に，前記高電源と前記一方のノードとの間に設けられた第１のカップリング容量を有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかにおいて，前記グランドと前記他方のノードとの間に設けられた第２のカップリング容量を有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【請求項９】
低電源側の第１の信号を，前記低電源より高い高電源側の第２の信号にレベル変換するレベルコンバート回路において，
前記低電源側の第１の信号とその逆相信号で制御され，グランド側に設けられた第１及び第２のトランジスタと，
前記第１及び第２のトランジスタにそれぞれ接続され，前記高電源側に設けられ，ゲート・ドレイン間が交差接続された第３及び第４のトランジスタと，
前記第１及び第３のトランジスタの間の第１のノードと，前記第２及び第４のトランジスタの間の第２のノードのいずれか一方のノードと，グランド電位（または高電源電位）との間に設けられ，前記高電源の立ち上がり時であって前記低電源が立ち上がらない期間に導通する初期化回路とを有することを特徴とするレベルコンバータ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通端子と複数の分配端子とを具備し、前記共通端子に入力される信号を各前記分配端子へ分配する電力分配器であって、
前記共通端子と各前記分配端子との間に、変成器と変成回路との直列回路が接続され、
各前記直列回路の電気長は、所定の周波数において１／４波長であり、
前記変成回路は、周波数が高くなるにつれてインピーダンスが小さくなり、
各前記分配端子に吸収回路が接続される、
ことを特徴とする電力分配器。
【請求項２】
前記吸収回路のインピーダンスは、周波数に関わりなく前記分配端子における特性インピーダンスに等しい値であることと、
前記変成回路のインピーダンスは、周波数がゼロ付近である時は前記分配端子における特性インピーダンスと等しい値を有し且つ周波数が高くなるにつれて小さくなることと、
を特徴とする請求項１に記載の電力分配器。
【請求項３】
前記吸収回路のインピーダンスは、周波数が高い時は前記分配端子における特性インピーダンスと等しい値を有し且つ周波数が低くなるにつれて大きくなることと、
前記変成回路のインピーダンスは、周波数がゼロ付近である時は前記分配端子における特性インピーダンスと等しい値を有し且つ周波数が高くなるにつれて小さくなることと、
を特徴とする請求項１に記載の電力分配器。
【請求項４】
前記吸収回路は、一端が共通に接続され、他端が各前記分配端子に接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電力分配器
【請求項５】
前記吸収回路は、前記分配端子間に備えられることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電力分配器
【請求項６】
インピーダンス整合器を、前記共通端子に備えることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電力分配器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ここで、電力分配器２００における、共通端子２１０から分配端子２２０または２３０への伝送損失特性を図５に、分配端子間のアイソレーション特性を図６に、それぞれ示す。図５に示されるとおり、共通端子２１０から分配端子２２０または２３０への伝送損失は、理想的には全周波数において３ｄＢである。また、図６に示されるとおり、分配端子間のアイソレーションは、所定の周波数において最高であって、その周波数から遠ざかるにつれて低くなり、ついには３ｄＢとなる。電力分配器２００は、周波数に依存する事なく、低い伝送損失特性を示す。しかし、分配端子２２０と分配端子２３０との間のアイソレーションは、所定の周波数から遠い周波数において、極めて低い。従って、一方の分配端子から信号が入力される時、他方の分配端子へ当該信号が混入するため、当該分配器を電子測定器に用いた場合、測定精度に悪影響を及ぼす可能性がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決しようとする手段】
要するに、本第一発明は、共通端子と複数の分配端子とを具備し、前記共通端子に入力される信号を各前記分配端子へ分配する電力分配器であって、前記共通端子と各前記分配端子との間に、変成器と変成回路との直列回路が接続され、各前記直列回路の電気長は、所定の周波数において１／４波長であり、前記変成回路は、周波数が高くなるにつれてインピーダンスが小さくなり、各前記分配端子に吸収回路が接続される事を特徴とするものである。また、本第二の発明は、本第一の発明において、前記吸収回路のインピーダンスが、周波数に関わりなく前記分配端子における特性インピーダンスに等しい値であることと、前記変成回路のインピーダンスが、周波数がゼロ付近である時は前記分配端子における特性インピーダンスと等しい値を有し且つ周波数が高くなるにつれて小さくなることとを特徴とするものである。さらに、本第三の発明は、本第一の発明において、前記吸収回路のインピーダンスが、周波数が高い時は前記分配端子における特性インピーダンスと等しい値を有し且つ周波数が低くなるにつれて大きくなることと、前記変成回路のインピーダンスが、周波数がゼロ付近である時は前記分配端子における特性インピーダンスと等しい値を有し且つ周波数が高くなるにつれて小さくなることとを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月12日(2005.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第一方向に沿った第一波の入力／出力及び第二方向に沿った第二波入力／出力を含有する電磁気導波管要素であって、前記第一方向は前記第二方向を切断する面内に位置し、前記第一及び前記第二入力／出力は少なくとも一つの曲がった部分で接続しており、前記曲がった部分は、二つの端によって制限されている一定の断面の少なくとも一つの曲がった部分（１１、１２）を含んでおり、少なくとも一つの前記端は前記導管の断面の変化に対応することを特徴とする電磁気導波管要素。
【請求項２】  前記部分の前記２つの端が導管の断面の変化に対応し、前記部分の前記導波管の中央軸の曲がった長さは、前記部分の前記導波管の前記断面に関連する波長の４分の１の倍数に等しいことを特徴とする請求項１に記載の要素。
【請求項３】  前記導波管の前記中央軸の曲がりは、断面の変化に対応する前記部分の前記端で少なくとも一つの不連続（２０）を有することを特徴とする請求項２に記載の要素。
【請求項４】  断面の変化に対応する前記端は二つの曲がった部分間に位置することを特徴とする請求項１乃至３の一に記載の要素。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェーズ・ロックド・ループ発振装置であって、
位相比較器と、
濾波器と、
電圧制御発振器と、
前記位相比較器と前記濾波器との間に配置され、前記濾波器と前記電圧制御発振器との間で検出する信号に応じて増幅率を非線形に変化させる可変利得増幅器と、
を備え、
前記増幅率の非線形な変化により一巡利得が一定に保たれることを特徴とするフェーズ・ロックド・ループ発振装置。
【請求項２】
フェーズ・ロックド・ループ発振器を複数備える電子測定装置において、前記フェーズ・ロックド・ループ発振器のそれぞれは、
位相比較器と、
濾波器と、
電圧制御発振器と、
前記位相比較器と前記濾波器との間に配置され、増幅率が制御可能な可変利得増幅器と、
前記濾波器と前記電圧制御発振器との間で検出する信号に応じて、前記可変利得増幅器の増幅率を制御する手段と
を具備することを特徴とする測定装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記濾波器と前記電圧制御発振器との間で検知される信号を所望の電圧信号または電流信号に変換して出力し、これにより、掃引周波数帯域における前記フェーズ・ロックド・ループ発振器の一巡利得を一定にするために必要な前記可変利得増幅器の増幅率を設定することを特徴とする請求項２に記載の測定装置。
【請求項４】
少なくとも１つのフェーズ・ロックド・ループ発振器を備える電子測定装置において、前記フェーズ・ロックド・ループ発振器は、
位相比較器と、
濾波器と、
電圧制御発振器と、
前記位相比較器と前記濾波器との間に配置され、前記濾波器と前記電圧制御発振器との間で検出する信号に応じて増幅率を非線形に変化させる可変利得増幅器と、
を備え、
前記増幅率の非線形な変化により前記フェーズ・ロックド・ループ発振器の一巡利得が一定に保たれることを特徴とする測定装置。
【請求項５】
前記可変利得増幅器の増幅率は、前記濾波器と前記電圧制御発振器との間で検出する信号に応じて、折れ線的に変化することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記濾波器と前記電圧制御発振器との間で検出する信号は、前記電圧制御発振器に入力される信号であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月2日(2005.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示するように構成されたディスプレイと、
前記ディスプレイによって示される画像を、最新に取り込まれた次の画像に変更するように構成された第１のボタンと、前記ディスプレイによって示される画像を、以前に取り込まれた次の画像に変更するように構成された第２のボタンとを有する簡易画像表示制御インタフェースとを備え、
前記第１のボタンは、さらに、最新に取り込まれた次の画像が存在しない場合にライブ・プレビューを表示するように構成され、前記第２のボタンは、さらに、以前に取り込まれた次の画像が存在しない場合に前記ディスプレイの電源を切るように構成されていることを特徴とする画像を表示するための表示インタフェース。
【請求項２】
前記ディスプレイによって示される画像に関連したデータを削除するように構成された第３のボタンをさらに備え、
前記第３のボタンは、さらに、前記ディスプレイによって示される前記画像に関連する削除すべきデータが存在しない場合には前記ディスプレイの電源を切るように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像を表示するための表示インタフェース。
【請求項３】
少なくとも１つの取り込み画像に対応するデータを格納するように構成されたメモリと、
前記メモリに接続され、前記第１のボタンおよび前記第２のボタンから信号を受信するように構成され、前記第１のボタンおよび前記第２のボタンによって指定される取り込み画像に関連するデータを前記メモリから取り出すようにさらに構成されているプロセッサユニットと、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の画像を表示するための表示インタフェース。
【請求項４】
ディスプレイ上の画像の表示を制御するための方法であって、
第１の制御ボタンおよび第２の制御ボタンを有する簡易画像表示制御インタフェースの作動を検出することと、
前記第１の制御ボタンが作動されると、前記ディスプレイ上に最新に取り込まれた次の画像を表示することと、
前記第２の制御ボタンが作動されると、前記ディスプレイ上に以前に取り込まれた次の画像を表示することと、
前記第１の制御ボタンが作動される場合に、前記ディスプレイ上で表示する、最新に取り込まれた次の画像があるかどうかを判断することと、
前記最新に取り込まれた次の画像がない場合には、画像センサによって検出される現在の画像を表示することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記現在の画像が表示される場合に、前記第１の制御ボタンの作動に応答して前記ディスプレイの電源を切ることをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の制御ボタンが作動される場合に、前記ディスプレイ上で表示する、以前に取り込まれた次の画像があるかどうかを判断することと、
前記以前に取り込まれた次の画像がない場合、前記第２の制御ボタンの作動に応答して前記ディスプレイの電源を切ることと、
をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
第３の制御ボタンをさらに有する前記簡易画像表示制御インタフェースの作動を検出することと、
前記第３の制御ボタンが作動される場合には、前記ディスプレイ上に示される画像に関連するデータを削除することと、
をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記ディスプレイの電源が切れているかどうかを判断することと、
前記ディスプレイの電源が切れている場合、前記第１の制御ボタンおよび前記第２の制御ボタンのうちの一方の作動の検出に応答して前記ディスプレイの電源を入れることと、
をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項９】
第１の制御ボタン、第２の制御ボタンおよび第３の制御ボタンを有する簡易画像表示制御インタフェースの作動を検出する手段と、
前記第１の制御ボタンが作動される場合、最新に取り込まれた次の画像を前記ディスプレイ上に表示する手段と、
前記第２の制御ボタンが作動される場合、前記ディスプレイ上に示される画像に関連するデータを削除する手段と、
前記第３の制御ボタンが作動される場合、以前に取り込まれた次の画像を前記ディスプレイ上に表示する手段と、
前記第１の制御ボタンが作動される場合に、前記ディスプレイ上で表示する、前記最新に取り込まれた次の画像があるかどうかを判断する手段、および前記最新に取り込まれた次の画像がない場合には、画像センサによって検出される現在の画像を表示する手段と、
前記第２の制御ボタンが作動される場合、前記ディスプレイ上に示される画像に関連するデータが削除に用いることが可能かどうかを判断する手段、および前記データが用いられない場合、画像センサによって検出される現在の画像を表示する手段と、
前記第３の制御ボタンが作動される場合、前記ディスプレイ上で表示する、前記最新に取り込まれた次の画像があるかどうかを判断する手段、および前記最新に取り込まれた次の画像がない場合には、画像センサによって検出される現在の画像を表示する手段と、
を備えることを特徴とするディスプレイ上の画像の表示を制御するためのシステム。
【請求項１０】
デジタル画像取込装置と、
画像を表示するように構成された、前記デジタル画像取込装置に備わっているディスプレイと、
最新に取り込まれた画像が表示された後に前記ディスプレイ上にライブ・プレビューを表示するように構成された第１のボタン、および最も古い取り込み画像が表示された後に前記ディスプレイの電源を切るように構成された第２のボタンを有する簡易画像表示制御インタフェースと、
を備えることを特徴とする画像を表示するための表示インタフェース。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取得した画像の所望の領域を拡大し、かつ、拡大された該所望の領域以外の領域の一部または全てを縮小し、前記拡大された画像と前記縮小された画像を表示画面に表示することを特徴とする画像表示方法。
【請求項２】
請求項１記載の画像表示方法において、前記所望の領域の中心と、拡大率と、及び前記拡大された画像を表示する前記表示画面の表示領域の大きさとを指定することにより、前記取得した画像の所望の領域を電子ズームアップして前記表示画面の前記表示領域に表示することを特徴とする画像表示方法。
【請求項３】
請求項１乃至請求項２のいずれか１つに記載の画像表示方法おいて、前記所望の領域以外の領域について横方向と縦方向または横方向と縦方向のいずれか一方向を圧縮して表示することを特徴とする画像表示方法。
【請求項４】
撮像素子と、該撮像素子が取得した映像信号を画像処理する信号処理手段と、該画像処理された画像データを保存する画像メモリと、該保存された画像の所望の領域を拡大または縮小する拡大縮小手段と、該拡大縮小手段を制御する制御手段とを備えたテレビジョンカメラ装置であって、
前記制御手段は、前記撮像素子が取得した画像の所望の領域を電子ズームアップし、かつ、それ以外の領域を縮小し、前記取得した画像の全体を表示することを特徴とするテレビジョンカメラ装置。
【請求項５】
請求項４に記載のテレビジョンカメラ装置において、
前記拡大縮小手段は、前記画像メモリが保存する前記画像データの画像サイズと同じサイズになるように前記所望の領域を拡大しかつ前記所望の領域以外の領域を縮小した映像データを出力することを特徴とするテレビジョンカメラ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、画像処理システムにおいて、同じ２４枚撮りフィルムでも、実際にプリント可能な画像数がいくつ存在するかは、現像が終了した後でなければ不明である。ある画像処理ジョブでは、２４枚全て２枚ずつプリントする必要があるのに対し、他の画像処理ジョブでは拡大／トリミングを行う画像処理ジョブもある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図３の実施の形態の画像処理システムは、ネットワーク２に、例えば装置１と読取ユニットＹ３とを接続し、装置１内に読取ユニットＹ１，Ｙ２と画像補正ユニットＨ１とを備え、装置１に近傍に配置したプリントユニットＰ１，Ｐ２が接続されたものである。ネットワーク２は、例えばインターネット等の通信網、アナログ公衆回線等が用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯情報端末及びその据置台
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡張スロット部を有する携帯情報端末において、
他のデバイスとのデータ通信に用いる接点と、前記携帯情報端末に充電もしくは通電するための接点と、を有する据置台との結合部を前記拡張スロット部内に設けたことを特徴とする携帯情報端末。
【請求項２】
前記据置台に設置時、前記筐体が通常使用と比較して回転して設置されている場合、前記携帯情報端末の表示画面の内容を前記回転方向と反対にさせ、通常使用時と同様の表示にする手段を有することを特徴とする請求項１に記載の携帯情報端末。
【請求項３】
携帯情報端末の拡張スロット内に設けられたデータ通信用接点を介して他のデバイスと前記携帯情報端末間のデータ通信を行なうデータ通信手段と、
前記携帯情報端末に充電もしくは通電するための接点と、
前記データ通信手段によるデータ通信状態をユーザに示す通知手段と、を有することを特徴とする前記携帯情報端末の据置台。
【請求項４】
前記通知手段は、データ通信中もしくはデータ通信完了を通知することを特徴とする請求項３に記載の据置台。
【請求項５】
前記充電するための接点を介した前記携帯情報端末への充電状態をユーザに通知する第２の通知手段を有することを特徴とする請求項３に先の据置台。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯情報端末及びその据置台に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
いま携帯情報端末１３をＰＣ（不図示）とデータを共有するためにクレードル１４に接続する場合、本体側接点１５とクレードル側接点１６が接する。さらには携帯情報端末１３と保持部１９が接しクレードル１４に携帯情報端末本体が保持される。その後、ＡＣケーブル１８からクレードル１９に供給された電力あるいは通信ケーブル１７によって送受信されたデータがクレードル側接点１６から本体側接点１５と流れる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで本発明は、携帯情報端末本体とクレードル（据置台）との接点を携帯情報端末本体内部にもうけ、指等からの放電による静電破壊を防ぐ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また本発明は、携帯情報端末本体とクレードルとの接点を携帯情報端末の拡張用スロット部設け、例えば携帯情報端末本体のクレードル設置時に別途保持部をクレードル側に設ける必要をなくす。このことで携帯情報端末本体に筐体保護カバーを使用している状態でもクレードル設置を可能にする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで本発明はクレードル側に、通信中、充電中がユーザーに認知できる手段を設け、画面表示がユーザーに見えなくても、上記状態が認知できるよにする。
また携帯情報端末本体をクレードル設置時においてスロットの開口方向によっては表示画面が通常使用時と異なってしまうが、この場合は表示画面の内容を回転させ通常使用時と同様の表示にする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記事項を考慮してなされたものであり、拡張スロット部を有する携帯情報端末において、他のデバイスとのデータ通信に用いる接点と、前記携帯情報端末に充電もしくは通電するための接点と、を有する据置台との結合部を前記拡張スロット部内に設けたことを特徴とする携帯情報端末を提供する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、携帯情報端末の拡張スロット内に設けられたデータ通信用接点を介して他のデバイスと前記携帯情報端末間のデータ通信を行なうデータ通信手段と、前記携帯情報端末に充電もしくは通電するための接点と、前記データ通信手段によるデータ通信状態をユーザに示す通知手段と、を有することを特徴とする前記携帯情報端末の据置台を提供する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
以上説明したように、上記実施形態によると、携帯情報端末本体とクレードルとの接点を携帯情報端末本体内部にもうけたことにより、指等からの放電による静電破壊を防ぐことができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、携帯情報端末本体とクレードルとの接点を携帯情報端末の拡張機能用スロット部設けたことで、携帯情報端末本体のクレードル設置時に別途保持部をクレードル側に設ける必要がなくなった。このことで携帯情報端末本体に筐体保護カバーを使用している状態でもクレードル設置が可能となった。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、クレードル側に、通信中、充電中がユーザーに認知できる手段を設けることで、画面表示がユーザーに見えなくても、上記状態が認知できることにより、不用意にユーザーがクレードルから携帯情報端末本体をはずすことはなくなり、結果、データの欠落や不完全な充電状態で使用をさけることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また携帯情報端末本体をクレードル設置時においてスロットの開口方向によっては表示画面が通常使用時と異なってしまうが、この場合は表示画面の内容を回転させ通常使用時と同様の表示にすることで、クレードル設置状態でも通常とおなじ使用状態を保持できる。
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、指等からの放電による静電破壊を防ぐことができる。また、携帯情報端末の画面表示がユーザーに見えなくても、不用意にユーザーが据置台から携帯情報端末本体をはずすことを防止でき、結果、データの欠落や不完全な充電状態で使用をさけることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話を保持するスタンドが発売されている。以下、図１１を参照して、このようなスタンドの一例について説明する。図１１において、スタンド１００は、ホルダ１０１が設けられる本体１０２と、運動体１０３とを備える。ホルダ１０１は、携帯電話２００を保持する。本体１０２には、図示を省略しているが、電磁波検出部が組み込まれている。電磁波検出部は、携帯電話２００への着信電波を検出する。運動体１０３は、典型的には、キャラクター、動物または人間を模した外観を有する。さらに、運動体１０３には、図示を省略しているが、キャラクターなどの手足が動くように、いくつかのアクチュエータが組み込まれている。さらに、本体１０２または運動体１０３には、その手足の動作パターンを規定するため、つまり各アクチュエータを制御するためのデータ（以下、パターンデータと称する）およびマイコンが組み込まれている。マイコンは、電磁波検出部が着信電波を検出した時、上述のパターンデータに従って、アクチュエータを制御する。これによって、運動体１０３は、上述の動作パターン通りに動き、ユーザからはあたかもキャラクターが踊っているように見える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
なお、以上の第１〜第３の実施形態では、各運動体１、４および８の動作に同期して、各移動体通信機器２、５および８から、音声、画像および光のすべてが出力されると説明した。しかし、これに限らず、それらの動作に同期して、各移動体通信機器２、５および８は、音声、画像または光のみを出力するようにしてもよい。また、音声、画像および光の内の２つのみが出力されても良い。さらに、音声、画像および光は出力されなくとも良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、以上の第１〜第３の実施形態では、運動体１、４および８には、１つのパターンデータが格納されると説明したが、これに限らず、複数が格納されても良い。この場合、移動体通信機器２、５および８は、動作命令と同時に、今回必要な１つのパターンデータを指定する必要がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、第１〜第３の実施形態では、運動体１、４および８ならびに移動体通信機器２、５および８は、ケーブル３により接続されるとして説明したが、これに限らず、無線通信可能に接続されても良い。さらに、運動体１、４および８から移動体通信機器２、５および８へとパターンデータが送信された後、ケーブル３は取り外されてもよい。この場合、好ましくは、運動体１、４および８にはスイッチが配置され、このスイッチのオン／オフにより、運動体１、４および８が動作開始／終了する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、第１〜第３の実施形態において、一旦記憶装置１８に格納されたパターンデータが、移動体通信機器２、５および８側で再編集されても良い。さらに、第３の実施形態において、ダウンロードされたパターンデータは、そのまま運動体７の記憶装置１８に格納されると説明したが、これに限らず、一旦、移動体通信機器８側で編集された後に、記憶装置１８に格納されるようにしても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、第１〜第３の実施形態では、運動体制御部１７が記憶装置１８から読み出したパターンデータに従ってアクチュエータ１９〜１１２を駆動すると説明したが、これに限らず、機器側制御部２６が、運動体１、４および８と通信を行って、アクチュエータ１９〜１１２を、パターンデータで指定されたように駆動しても良い。しかし、この場合、運動体１、４および８と、移動体通信機器２、５および８とは相当な速度で通信を行う必要があるため、第１〜第３の実施形態で説明したように、運動体制御部１７がアクチュエータ１９〜１１２を駆動する方が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月13日(2004.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
正極４は、活物質のコバルト酸リチウム（ＬｉＣｏＯ2）を８８重量％、導電剤としてアセチレンブラックを５重量％、結着剤としてポリテトラフルオロエチレンを７重量％の混合比で混合し乾燥した合剤約２５０ｍｇを２ｔｏｎ／ｃｍ2で直径１６ｍｍのペレットに加圧成形し、２００℃で乾燥し作製した。また、負極５は、活物質のＬｉ4/3Ｔｉ5/3Ｏ4を８８重量％、導電剤としてアセチレンブラックを５重量％、結着剤としてスチレン・ブタジエンラテックス水分散物を固形分で７重量％の混合比で混合し乾燥した合剤約１８５ｍｇを２ｔｏｎ／ｃｍ2で直径１６ｍｍのペレットに加圧成形し、２００℃で乾燥し作製した。正極４及び負極５は、ポリプロピレン製の不織布からなるセパレータ６を介して対向配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子と、
前記エレクトロルミネッセンス素子を樹脂材料で覆うことで形成された第１の保護膜と、
前記第１の保護膜を樹脂材料で覆うことで形成された第２の保護膜とを備え、
前記第２の保護膜の吸水率は、前記第１の保護膜の吸水率より大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子と、
前記エレクトロルミネッセンス素子を樹脂材料で覆うことで形成された第１の保護膜と、
前記第１の保護膜を樹脂材料で覆うことで形成された第２の保護膜とを備え、
前記第２の保護膜の弾性率は、前記第１の保護膜の弾性率よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子と、
前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う第１の保護膜と、
前記第１の保護膜を覆う第２の保護膜とを備え、  前記第１の保護膜および前記第２の保護膜のうちの少なくとも前記第２の保護膜は化学反応硬化型の合成樹脂膜であり、
前記第２の保護膜の吸水率は前記第１の保護膜の吸水率よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子と、
前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う第１の保護膜と、
前記第１の保護膜を覆う第２の保護膜とを備え、
前記第１の保護膜および前記第２の保護膜のうちの少なくとも前記第２の保護膜は化学反応硬化型の合成樹脂膜であり、
前記第２の保護膜の弾性率は、前記第１の保護膜の弾性率よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子と、
前記エレクトロルミネッセンス素子上に第１の保護膜から第ｎの保護膜（ｎは３以上の自然数）を順次積層されて設けられるｎ層の保護膜とを備え、
前記ｎ層の保護膜の少なくとも前記第ｎの保護膜は、化学反応硬化型の合成樹脂膜であり、
前記ｎ層の保護膜の吸水率は、前記エレクトロルミネッセンス素子側から、前記第１の保護膜の吸水率＜前記第２の保護膜の吸水率＜…＜前記第ｎの保護膜の吸水率、の不等式を満たすように漸次増加することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
基板と、
前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子と、
前記エレクトロルミネッセンス素子上に第１の保護膜から第ｎの保護膜（ｎは３以上の自然数）を順次積層されて設けられるｎ層の保護膜とを備え、
前記ｎ層の保護膜の少なくとも前記第ｎの保護膜は、化学反応硬化型の合成樹脂膜であり、
前記ｎ層の保護膜の弾性率は、前記エレクトロルミネッセンス素子側から、前記第１の保護膜の弾性率＜前記第２の保護膜の弾性率＜…＜前記第ｎの保護膜の弾性率、の不等式を満たすように漸次増加することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子と、
前記エレクトロルミネッセンス素子上に第１の保護膜から第ｎの保護膜（ｎは３以上の自然数）を順次積層されて設けられるｎ層の保護膜とを備え、
前記ｎ層の保護膜の少なくとも前記第ｎの保護膜は、化学反応硬化型の合成樹脂膜であり、
前記ｎ層の保護膜の硬度は、前記エレクトロルミネッセンス素子側から、前記第１の保護膜の硬度＜前記第２の保護膜の硬度＜…＜前記第ｎの保護膜の硬度、の不等式を満たすように漸次増加することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記化学反応硬化型の合成樹脂膜は、エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビニル系、又は、シリコーン系の合成樹脂膜であることを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明は、基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置において、エレクトロルミネッセンス素子を樹脂材料で覆って形成された第１の保護膜と、当該第１の保護膜を樹脂材料で覆って形成された第２の保護膜とを設けたことを特徴とする。この第２の保護膜は、第１の保護膜より大きい吸水率、又は大きい弾性率を示す。
上記第１の保護膜並びに上記第２の保護膜のうち、少なくとも第２の保護膜は、化学反応硬化型の合成樹脂膜（例えば、エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビニル系、あるいは、シリコーン系の合成樹脂膜）で構成される。
このように、本発明によれば、従来のように、基板上に接着剤を介して封止缶を接着し、この封止缶で、基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子を覆う代わりに、エレクトロルミネッセンス素子を覆う上記第１及び第２の保護膜を、任意の形状および任意の厚さで形成するようにしたので、従来よりも、表示装置の薄型化、並びに、軽量化を図ることが可能となる。
また、本発明では、第１の保護膜を、エレクトロルミネッセンス素子の全面に密着して形成するようにしたので、従来よりも、表示装置の透湿性を向上させることが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明では、複数（ｎ層）の保護膜を、エレクトロルミネッセンス素子上に順次積層させて形成し、エレクトロルミネッセンス素子を覆う保護膜を第１の保護膜、第１の保護膜上に順次積層されて設けられる保護膜を、第２の保護膜ないし第ｎの保護膜とするとき、各保護膜が下記（１）式、（２）式、又は（３）式を満足するように形成する。
【数１】
第１の保護膜の吸水率＜第２の保護膜の吸水率＜…＜第ｎの保護膜の吸水率
・・・・・・・・・・・  （１）
第１の保護膜の弾性率＜第２の保護膜の弾性率＜…＜第ｎの保護膜の弾性率  
・・・・・・・・・・・  （２）
第１の保護膜の硬度＜第２の保護膜の硬度＜…＜第ｎの保護膜の硬度
・・・・・・・・・・・  （３）
また、本発明では、保護膜を覆うガラス、または、金属膜、あるいは、光電変換素子（例えば、太陽電池）を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にセンサ素子が２次元に配されたエリアセンサと、前記センサ素子に基準電位を供給する基準電源回路と、を有し、前記基準電位は、前記基準電源回路と前記センサ素子との間に設けられた低域通過フィルタを透過して前記基準電源回路から供給されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記低域通過フィルタを透過した基準電位のノイズ実効値が、前記エリアセンサで発生するランダムノイズ実効値の１／１０以下となるように決定される撮像装置。
【請求項３】
請求項１に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記基準電位に要求される応答時間に応じて決定される撮像装置。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記エリアセンサに接続されるサンプルホールド回路のサンプリング周波数より低い撮像装置。
【請求項５】
請求項１に記載の撮像装置において、前記低域通過フィルタの出力側には、アンプが設けられる撮像装置。
【請求項６】
請求項５に記載の撮像装置において、前記アンプのノイズ密度は、３．３ｎＶ／√Ｈｚ以下であることを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項１に記載の撮像装置において、前記エリアセンサは、前記センサ素子である光電変換素子とスイッチ素子であるＴＦＴとからなる画素を二次元に配列しており、前記光電変換素子と前記ＴＦＴのドレイン電極、前記ＴＦＴのゲート電極と共通ゲートライン、前記ＴＦＴのソース電極と共通データラインがそれぞれ接続され、さらに前記共通データラインが読み出し装置に、前記共通ゲートラインがゲート駆動装置に接続され、マトリクス動作を行う撮像装置。
【請求項８】
請求項７に記載の撮像装置において、前記読み出し装置は、前記共通データラインに接続されリセット動作可能なアンプを有し、かつ前記基準電位としてアンプのリセット電位が供給される撮像装置。
【請求項９】
請求項７に記載の撮像装置において、前記ゲート駆動装置には、前記基準電位としてＴＦＴのオン電位とＴＦＴのオフ電位が供給されている撮像装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の撮像装置において、前記エリアセンサには、前記基準電位として、前記光電変換素子にバイアス電圧を印加するための、バイアス電位が供給されている撮像装置。
【請求項１１】
請求項７に記載の撮像装置において、前記光電変換素子およびＴＦＴはアモルファスシリコンまたはポリシリコンを材料としている撮像装置。
【請求項１２】
請求項７に記載の撮像装置において、前記光電変換素子はｐｉｎ型フォトダイオードあるいはＭＩＳ型センサである撮像装置。
【請求項１３】
請求項７に記載の撮像装置において、前記エリアセンサはさらに蛍光体を有するＸ線エリアセンサである撮像装置。
【請求項１４】
請求項７に記載の撮像装置において、前記エリアセンサの光電変換素子は半導体層に入射したＸ線を直接電荷に変換して読み出す撮像装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の撮像装置において、前記光電変換素子は半導体層の材料としてガリウム砒素、ガリウムリン、ヨウ化鉛、ヨウ化水銀、アモルファスセレン、ＣｄＺｎ、ＣｄＺｎＴｅを材料としている撮像装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の撮像装置において、前記基板は絶縁性基板であり、前記基準電源回路および低域通過フィルタは結晶基板上に形成されてなる撮像装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の撮像装置と、該撮像装置からの信号を画像として処理する画像処理手段と、該画像処理手段からの信号を記録する記録手段と、該画像処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記画像処理からの信号を伝送するための伝送手段と、を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載の撮像システムにおいて、更に放射線を前記センサ素子の感度領域の波長に変換するための波長変換体を有する撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、基板上にセンサ素子が２次元に配されたエリアセンサと、前記センサ素子に基準電位を供給する基準電源回路と、を有し、前記基準電位は、前記基準電源回路と前記センサ素子との間に設けられた低域通過フィルタを透過して前記基準電源回路から供給されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記低域通過フィルタのカットオフ周波数は、前記低域通過フィルタを透過した基準電位のノイズ実効値が、前記エリアセンサで発生するランダムノイズ実効値の１／１０以下となるように決定されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月16日(2005.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
引張応力を有する第１の材料層と、前記第１の材料層上に接して形成された圧縮応力を有する第２の材料層とが設けられた基板上に被剥離層を形成し、
物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において前記基板を剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項２】
圧縮応力を有する第１の材料層と、前記第１の材料層上に接して形成された圧縮応力を有する第２の材料層とが設けられた基板上に被剥離層を形成した後、加熱処理またはレーザー光の照射を行うことにより、前記第１の材料層を引張応力を有する膜に変化させ、
物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において前記基板を剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項３】
引張応力を有する第１の材料層と、前記第１の材料層上に接して形成された圧縮応力を有する第２の材料層とが設けられた基板上に被剥離層を形成し、
前記被剥離層に支持体を接着した後、物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において前記基板を剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項４】
圧縮応力を有する第１の材料層と、前記第１の材料層上に接して形成された圧縮応力を有する第２の材料層とが設けられた基板上に被剥離層を形成した後、加熱処理またはレーザー光の照射を行うことにより、前記第１の材料層を引張応力を有する膜に変化させ、
前記被剥離層に支持体を接着した後、物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において前記基板を剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項５】
請求項３または４において、前記支持体を接着する前に、加熱処理またはレーザー光の照射を行うことを特徴とする剥離方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記基板を剥離する前に、加熱処理またはレーザー光の照射を行うことを特徴とする剥離方法。
【請求項７】
基板上に引張応力を有する第１の材料層を形成する工程と、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成する工程と、
前記第２の材料層上に被剥離層を形成する工程と、
物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において前記基板を剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に圧縮応力を有する第１の材料層を形成する工程と、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成する工程と、
前記第２の材料層上に被剥離層を形成した後、加熱処理またはレーザー光の照射を行うことにより、前記第１の材料層を引張応力を有する膜に変化させる工程と、
物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において前記基板を剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または８において、前記被剥離層は、素子を含む層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に引張応力を有する第１の材料層を形成する工程と、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成する工程と、
前記第２の材料層上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に素子を形成する工程と、
前記素子に支持体を接着した後、物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において前記基板を剥離する工程と、
前記絶縁層または前記第２の材料層に転写体を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に圧縮応力を有する第１の材料層を形成する工程と、
前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成する工程と、
前記第２の材料層上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に素子を形成した後、加熱処理またはレーザー光の照射を行うことにより、前記第１の材料層を引張応力を有する膜に変化させる工程と、
前記素子に支持体を接着した後、物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において前記基板を剥離する工程と、
前記絶縁層または前記第２の材料層に転写体を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１において、前記支持体は、フィルム基板または基材であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一において、前記転写体は、フィルム基板または基材であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一において、前記支持体を接着する前に、加熱処理またはレーザー光の照射を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至１３のいずれか一において、前記基板を剥離する前に、加熱処理またはレーザー光の照射を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれか一において、前記支持体は対向基板であって、前記素子は画素電極を有しており、前記画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至１５のいずれか一において、前記支持体は封止材であって、前記素子は発光素子であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項９乃至１７のいずれか一において、前記素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 部品面及び非部品面を有する基板であって、前記部品面は該基板の外側表面でありその上に直接取り付けられた部品を支持するようにして成る基板と、
前記部品面の直上のアース面と、
前記部品面上に直接取り付けられ、信号端子を有する部品と、
前記アース面上に形成されている誘電材料の対応するトレース領域上に形成され、前記信号端子に近づいている金属性トレースと、
前記金属性トレースが前記信号端子に近づく付近にあるキャパシタ誘電材料の対応する領域上に形成された金属からなるキャパシタであって、前記キャパシタ誘電材料自体が前記アース面上に直接形成されており、前記キャパシタの金属が前記金属製トレースに対して同じ範囲に存在するとともに電気的にも接続していることを特徴とする前記キャパシタと、
前記金属製トレース及び前記部品の前記信号端子からの電気接続と
を含む厚膜回路組立体。
【請求項２】 完全にシールドされた準同軸導体を前記部品面上に更に含むことを特徴とする請求項１に記載の厚膜回路組立体。
【請求項３】 前記金属製トレースが、前記キャパシタ及び前記電気接続のうちのいずれかと直列に繋がる抵抗器を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の厚膜回路組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に第１導電型の半導体層を有する半導体基体と、
前記半導体層に形成され、かつ並列に接続された複数のＭＩＳＦＥＴとを有し、
前記ＭＩＳＦＥＴは、
前記半導体層に形成された第２導電型のドレイン拡散層と、
前記ドレイン拡散層に接して前記半導体層に形成された第１導電型のチャネル拡散層と、
前記チャネル拡散層に形成された第２導電型のソース拡散層と、
前記チャネル層上にゲート絶縁膜を介在して設けられたゲート電極とを有し、
前記チャネル拡散層及び前記ソース拡散層は同電位に電位固定される半導体装置であって、
前記半導体層は、前記チャネル拡散層の直下において、前記ソース拡散層と同電位に電位固定されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、前記半導体層は、前記チャネル拡散層の直下において、前記チャネル拡散層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、前記ドレイン拡散層は、前記半導体層の表面から深さ方向に沿う厚さが前記チャネル拡散層よりも厚く形成され、かつ前記チャネル拡散層の直下における領域の一部分を避けるようにして形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置において、前記ドレイン拡散層は、前記半導体層の表面から深さ方向に沿う厚さが前記チャネル層よりも薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁層上に第１導電型の半導体層を有する半導体基体と、
前記半導体層に形成されたＭＩＳＦＥＴを有し、
前記ＭＩＳＦＥＴは、
前記半導体層に形成された第２導電型のドレイン拡散層と、
前記ドレイン拡散層に接して前記半導体層に形成された第１導電型のチャネル拡散層と、
前記チャネル拡散層に形成された第２導電型のソース拡散層と、
前記チャネル層上にゲート絶縁膜を介在して設けられたゲート電極を有し、
前記チャネル拡散層及び前記ソース拡散層は電気的に接続されている半導体装置であって、
前記半導体層は、前記ソース拡散層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、前記チャネル拡散層と前記ソース拡散層は同電位であり、
前記半導体層と前記ソース拡散層は同電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体装置において、前記第１および第２導電型は、それぞれｎ型およびｐ型の導電型であることを特徴とする半導体装置。