【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の発光部、陽極、陰極からなり、
前記半導体基板上に形成された高抵抗層(Fe-InP)と、
前記高抵抗層(Fe-InP)上に形成された、第１導電型(ｎ)の第１半導体層(n-InP)と、
前記第１半導体層(n-InP)上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された、前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型(p)の第２半導体層（p-InP）と、
前記第２半導体層および活性層を、前記発光部と陽極に分離し、その底が第２導電型半導体層の底と第１導電型半導体層の底の間にある第１分離溝と、
前記第１、第２半導体層および活性層を、前記発光部と陰極に分離し、その底が第１導電型半導体層の下にある第２分離溝と、
前記第２半導体層（p-InP）上に形成された、開口部を持つ絶縁膜と、
前記発光部内の前記絶縁膜上に形成され、前記第２半導体層(p-InP)と電気的に接続された第１電極(p電極)と、
前記陽極内の前記絶縁膜上に形成され、前記第１半導体層(n-InP)と電気的に接続された第２電極(n電極)と、
前記陰極内の前記絶縁膜上に形成され、前記第１電極と電気的に接続された第３電極(p電極) とを有することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記発光部内の前記第２半導体層（p-InP）と前記第１電極間に、前記第２導電型(p)の第３半導体層(p-InGaAs)が形成され、
前記第２半導体層（p-InP）と前記第１電極は、前記絶縁膜の開口部を介し、電気的に接続され、
前記第１電極および第３半導体層はリッジ構造を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記活性層は多重量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記活性層はＩｎＧａＡｌＡｓ層とＩｎＧａＡｓＰの積層からなることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第２および第３電極は前記半導体基板の同一の面側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記活性層の下層には前記第１導電型(n)の第４半導体層（下SCH）が形成され、
前記活性層の上層には前記第２導電型(p)の第５半導体層（上SCH）が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記第４半導体層（下SCH）および第５半導体層（上SCH ）はそれぞれｎ型ＩｎＧａＡｌＡｓ層およびｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ層からなることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記陽極内にコンタクトホールが形成され、前記コンタクトホールを介し、前記第２電極と前記第４半導体層（下SCH）が電気的に接続されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記第１および第２半導体層は、それぞれｎ型およびｐ型のInPからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記高抵抗層はプロトン打ち込み又はFeドープによって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記高抵抗層はFeがドープされたInPからなることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記第１、第２分離溝の延在方向に垂直な面での断面はＶ字形状を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記第１、第２分離溝の延在方向に垂直な面での断面はＵ字形状を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記第２および第３電極にはワイヤがボンディングされることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１５】
前記高抵抗層は前記第１および第２導電型をそれぞれ有する複数の第６および第７半導体層の積層からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１６】
前記第６および第７半導体層はそれぞれ、n 型およびｐ型のInPからなることを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１７】
前記半導体基板の裏面には半導体発光素子固定用のメタライズ層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１８】
複数の外部電極端子を有するパッケージと、
前記パッケージ内に封止される支持基板と、
前記支持基板上に固定され前記パッケージ内に封止される半導体レーザ素子と、
前記パッケージ内において前記半導体レーザ素子の各電極と前記外部電極端子を電気的に接続する接続手段と、
前記パッケージケースの内外に亘って延在し、内端は前記半導体レーザ素子の出射面に対面して前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を取り込む光ファイバとを有する半導体レーザモジュールであって、
前記半導体レーザ素子は請求項１に記載の半導体レーザ素子であることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項１９】
前記支持基板は上面に所定の配線パターンが形成され、前記半導体レーザ素子の前記第１電極及び第２電極は前記支持基板の所定の配線にフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２０】
前記パッケージは絶縁性樹脂からなる箱型のパッケージ本体と、このパッケージ本体を塞ぐキャップとで構成され、
前記外部電極端子は前記パッケージ本体の内外に亘って延在し、
前記支持基板は前記外部電極端子の一部上に固定され、
前記支持基板の配線と前記外部電極端子の内端部分は導電性のワイヤで接続されていることを特徴とする請求項１９に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２１】
前記パッケージは上面から両側面に掛けて設けられた所定の配線パターンを有するセラミックからなる箱型のパッケージ本体と、このパッケージ本体を塞ぐキャップとで構成され、
前記外部電極端子は前記パッケージ本体の側面に設けられた配線に接合材を介して接続され、
前記支持基板は前記パッケージ本体の上面に固定され、
前記パッケージ本体の配線と前記支持基板の配線は導電性のワイヤで接続されていることを特徴とする請求項１９に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２２】
前記支持基板は上面に所定の配線パターンが形成され、前記半導体レーザ素子は前記支持基板にジャンクションアップ状態で実装され、前記半導体レーザ素子の前記第１電極及び第２電極は所定箇所と導電性のワイヤで接続されていることを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２３】
前記パッケージは絶縁性樹脂からなる箱型のパッケージ本体と、このパッケージ本体を塞ぐキャップとで構成され、
前記外部電極端子は前記パッケージ本体の内外に亘って延在し、
前記支持基板は前記外部電極端子の一部上に固定され、
前記支持基板の配線と前記外部電極端子の内端部分は導電性のワイヤで接続されていることを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２４】
前記パッケージは上面から両側面に掛けて設けられた所定の配線パターンを有するセラミックからなる箱型のパッケージ本体と、このパッケージ本体を塞ぐキャップとで構成され、
前記外部電極端子は前記パッケージ本体の側面に設けられた配線に接合材を介して接続され、
前記支持基板は前記パッケージ本体の上面に固定され、
前記パッケージ本体の配線と前記支持基板の配線は導電性のワイヤで接続されていることを特徴とする請求項２２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２５】
前記支持基板の上面には前記光ファイバを案内する溝が設けられていることを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２６】
前記パッケージ内には前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を受光するモニター用の受光素子が搭載されていることを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザモジュール。