Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月30日(2003.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源に結合された抵抗層を備えた抵抗加熱体であって、前記抵抗層は金属成分及び前記金属成分の１つまたは複数の酸化物、窒化物、炭化物、及び／または硼化物誘導体を含み、前記抵抗層は０．０００１〜１．０Ωｃｍの抵抗率を有し、前記電源から前記抵抗層に電流を印加すると結果的に前記抵抗層によって熱が発生するように構成された抵抗加熱体。
【請求項２】
前記酸化物、窒化物、炭化物、及び／または硼化物誘導体が、０．０００１〜１．０Ωｃｍの前記抵抗層の抵抗率を結果的に生じる量だけ前記抵抗層に存在し、前記電源から前記抵抗層に電流を印加すると結果的に前記抵抗層によって熱が発生するように構成された、請求項１に記載の抵抗加熱体。
【請求項３】
前記抵抗加熱体がサブストレート上に堆積される、請求項１に記載の抵抗加熱体。
【請求項４】
ａ）サブストレートと、金属成分原料と、酸素、窒素、炭素、及び硼素の１つまたは複数を含むガスとを用意するステップと、
ｂ）前記原料を溶融して溶融滴の流れを生成するステップと、
ｃ）前記溶融滴を前記ガスと反応させて、前記金属成分の１つまたは複数の酸化物、窒化物、炭化物、または硼化物誘導体を生成するステップであって、前記金属成分の一部分が前記ガスと反応して前記金属成分の前記酸化物、窒化物、炭化物、及び／または硼化物誘導体を生成し、前記金属成分の一部分は反応せずに残るようにしたステップと、
ｄ）前記未反応金属成分及び前記金属成分の前記酸化物、窒化物、炭化物、及び／または硼化物誘導体を前記サブストレート上に堆積して抵抗層を生成するステップと、
ｅ）ステップ（ｄ）の前記抵抗層を電源に接続して抵抗加熱体を生成するステップと
を含む方法によって生成される、サブストレート上の抵抗加熱体。
【請求項５】
前記溶融滴が５〜１５０μｍの平均直径を有する、請求項４に記載の抵抗加熱体。
【請求項６】
前記抵抗層が０．０００１〜１．０Ωｃｍの抵抗率を有する、請求項４に記載の抵抗加熱体。
【請求項７】
前記サブストレートと前記抵抗層との間に電気絶縁層をさらに含む、請求項１または４に記載の抵抗加熱体。
【請求項８】
前記絶縁層が酸化アルミニウムまたは酸化シリコンを含む、請求項７に記載の抵抗加熱体。
【請求項９】
前記絶縁層と前記サブストレートとの間に接着層をさらに含む、請求項７に記載の抵抗加熱体。
【請求項１０】
前記接着層がニッケルクロム合金またはニッケルクロムアルミニウムイットリウム合金を含む、請求項９に記載の抵抗加熱体。
【請求項１１】
前記抵抗層と前記サブストレートとの間の熱反射層をさらに含む、請求項１または４に記載の抵抗加熱体。
【請求項１２】
前記熱反射層が酸化ジルコニウムを含む、請求項１１に記載の抵抗加熱体。
【請求項１３】
前記抵抗層の上にセラミック層をさらに含む、請求項１または４に記載の抵抗加熱体。
【請求項１４】
前記セラミック層が酸化アルミニウムを含む、請求項１３に記載の抵抗加熱体。
【請求項１５】
前記セラミック層がナノフェーズ酸化アルミニウムにより封止される、請求項１４に記載の抵抗加熱体。
【請求項１６】
前記抵抗層の上に金属層をさらに含む、請求項１または４に記載の抵抗加熱体。
【請求項１７】
前記金属層がモリブデンまたはタングステンを含む、請求項１６に記載の抵抗加熱体。
【請求項１８】
前記サブストレートが射出成形金型、ローラ、または半導体ウェハ処理用のプラテンである、請求項１または４に記載の抵抗加熱体。
【請求項１９】
前記金属成分がチタン（Ｔｉ）、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、またはそれらの合金である、請求項１または４に記載の抵抗加熱体。
【請求項２０】
サブストレート上に抵抗加熱体を作成する方法であって、
ａ）サブストレートと、金属成分原料と、酸素、窒素、炭素、及び硼素の１つまたは複数を含むガスとを用意するステップと、
ｂ）前記原料を溶融して溶融滴の流れを生成するステップと、
ｃ）前記溶融滴を前記ガスと反応させて、前記金属成分の１つまたは複数の酸化物、窒化物、炭化物、及び／または硼化物誘導体を生成するステップであって、前記金属成分の一部分が前記ガスと反応して前記金属成分の前記酸化物、窒化物、炭化物、及び／または硼化物誘導体を生成し、前記金属成分の一部分は反応せずに残るようにしたステップと、
ｄ）前記未反応金属成分及び前記金属成分の前記酸化物、窒化物、炭化物、及び／または硼化物誘導体を前記サブストレート上に堆積して抵抗層を生成するステップと、
ｅ）ステップ（ｄ）の前記抵抗層を電源に接続して抵抗加熱体を生成するステップと
を含む方法。
【請求項２１】
ステップ（ｄ）の前記抵抗層が０．０００１〜１．０Ωｃｍの抵抗率を持つように、前記溶融ステップ（ｂ）及び前記反応ステップ（ｃ）が調整される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ステップ（ｂ）の前記溶融滴が５〜１５０μｍの平均直径を有する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
ステップ（ｄ）の前記抵抗層が０．０００１〜１．０Ωｃｍの抵抗率を有する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記サブストレートが電気絶縁層を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記サブストレートが接着層を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
前記サブストレートが熱反射層を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
（ｆ）前記抵抗層の上にセラミック層を塗布するステップをさらに含み、ステップ（ｆ）がステップ（ｅ）の前、途中、または後に実行される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２８】
（ｇ）前記セラミック層の上に金属層を塗布するステップをさらに含み、ステップ（ｇ）がステップ（ｅ）の前、途中、または後に実行される、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記サブストレートが射出成形金型、ローラ、または半導体ウェハ処理用のプラテンである、請求項２０に記載の方法。
【請求項３０】
前記金属成分がチタン（Ｔｉ）、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、またはそれらの合金である、請求項２０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサとメモリとを備えた、少なくとも１つの、ＴＣＰ受信装置である第１の計算装置；
プロセッサとメモリとを備えた、少なくとも１つの、ＴＣＰ送信装置である第２の計算装置；
前記第１の計算装置および前記第２の計算装置に結合した通信ネットワーク；
前記第１の計算装置および前記第２の計算装置のうちの一方に関連した前記メモリと結合し、（１）ＴＣＰ動作に関する一連のデータを決定すること、（２）ＴＣＰ動作に関する前記一連のデータを評価することを含み；そして、（３）前記評価の結果を生じさせる一連のインストラクション；および、
前記第１の計算装置および前記第２の計算装置のうちの一方に関連した前記メモリに結合されるデータベース、を含む装置。
【請求項２】
ＴＣＰ動作に関する一連のデータを決定する前記インストラクションが、モニターする一連のイベント、および、前記イベントがモニターされる時間細分性を決定することを含む、請求項１の装置。
【請求項３】
ＴＣＰに関する前記一連のデータを評価する、前記一連のインストラクションが、ＴＣＰ受信装置での再伝送タイムアウト検出のサブセットインストラクションを含む、請求項１の装置。
【請求項４】
再伝送タイムアウトを検出する前記サブセットインストラクションが、
タイムスタンプおよびシーケンス番号を伴って、ＴＣＰ再アセンブリ待ち行列に挿入される各パケットにタグ付けをするインストラクション；
シーケンシャルオーダーにない前記タグを特定するよう、各タグを読み出し、ソートするインストラクション；
シーケンシャルオーダーにない全ての前記各タグに対し、フラグを立てるインストラクション；および、
前記メモリ内に前記フラグを保存するインストラクションを含む、請求項３の装置。
【請求項５】
ＴＣＰ動作に関する前記一連のデータを評価する前記一連のインストラクションが、入力パケットの平均パケットサイズを評価するサブセットインストラクションを含む、請求項１の装置。
【請求項６】
平均パケットサイズを評価する前記サブセットインストラクションが、
折り返しパケットのバーストに含まれるパケットを確認するインストラクション；
前記確認されたパケットのサイズを評価するインストラクション；
折り返しパケットの前記バースト内に含まれるいずれかのパケットが、所定の閾値を下回る場合、フラグを立てるインストラクション；および、
前記メモリ内に前記フラグを格納するインストラクションを含む、請求項５の装置。
【請求項７】
ＴＣＰ動作に関する前記一連のデータを評価する前記一連のインストラクションが、ＴＣＰ受信装置でボトルネックチェックを実行する、少なくとも３つのサブセットインストラクションを含む、請求項１の装置。
【請求項８】
ＴＣＰ動作に関する一連のデータを決定するステップ；
ＴＣＰ受信装置、もしくは、ＴＣＰ送信装置のパフォーマンスを評価するステップ；
前記パフォーマンスに関する一連のデータを生成するステップ；および、
前記一連のデータを収集するステップを含む方法。
【請求項９】
一連のデータを決定する前記ステップが、
モニターする一連のイベントを決定するステップ；および、
前記一連のイベントがモニターされる時間細分性を決定するステップを含む、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記パフォーマンスを評価する前記ステップが、
データパケットが受信される時間と順序を見ることにより、ＴＣＰ受信装置での再伝送タイムアウトを検出するステップ；
折り返し結合パケットのバースト内に含まれる入力パケットの平均サイズを評価するステップ；
前記ＴＣＰ受信装置の広告ウィンドウのサイズをモニターし、前記データパケットの受信レートと比較するステップ；
ＴＣＰプロトコルの実行に用いられるプロセッササイクルの数をモニターし、それらをアイドルタイムとして特徴付けられるサイクル数と比較するステップ；および、
前記ＴＣＰ受信装置のバッファからの読み出しレートをモニターし、それを標準レートと比較するステップを含む、請求項８の方法。
【請求項１１】
前記パフォーマンスを評価する前記ステップが、
何時再伝送時間が期限切れとなり、ＴＣＰ送信装置によってパケットが再送されるかをモニターすることにより、再伝送タイムアウトを検出するステップ；
折り返し結合送出パケットのバースト内に含まれる、前記送出パケットのサイズをモニターすることにより、送出パケットの平均サイズを評価するステップ；
ＴＣＰ受信装置に関連する受信装置ウィンドウのサイズをモニターするステップ；
前記受信装置ウィンドウのサイズ内のパターンをモニターするステップ；
前記ＴＣＰ送信装置に関連するバッファサイズをモニターし、前記パケットが伝送されるレートと比較するステップ；
ＴＣＰ送信装置に関連する前記バッファ内の送られない待機データの量をモニターするステップ；および、
プロトコル処理実行レートをモニターし、それをデータ消費帯域幅と比較するステップを含む、請求項８の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ボトルネックチェック
ＴＣＰ受信装置１１０と同様に、インストラクションセット１５５は、ＴＣＰ送信装置１２０が、計算的もしくはプロトコルのボトルネックでないことを保証するよう、様々なインストラクションサブセットを含んでいる。第１のインストラクションサブセットは、ＴＣＰ送信装置１２０に結合されるバッファサイズと、ＴＣＰ送信装置１２０およびＴＣＰ受信装置１１０間のネットワーク経路の完全な帯域幅とを比較することを伴っている。バッファサイズが適切で、後述のような他の支持がなされない場合は、ＴＣＰ送信装置がボトルネックとして作動している可能性は低い。第２のインストラクションサブセットは、送信バッファ装置での、送られない待機データをモニターすることを伴っている。ＴＣＰ送信装置１２０が何も送ることが出来ない期間がある場合、ＴＣＰ送信装置１２０は、ボトルネックとして作用している可能性がある。最後に、第３インストラクションサブセットは、ＴＣＰ送信装置１２０が、ＴＣＰ受信装置１１０のデータ消費ペースを維持するよう、プロトコル処理を十分速く実行可能か否かをモニターする。プロトコル処理がＴＣＰ受信装置１１０に対して低速度で実行される場合、ＴＣＰ送信装置はボトルネックとして作用している可能性がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ステップ２５５では、最終レポートは、（１）ポスト診断収集、および（２）集められなかった個々の問題の記述に基づいて作られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月5日(2005.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータで実現される複数のアイテムをコピーする方法であって、
アイテムがディレクトリである場合、新しいプロセスを生成するステップと、
該アイテムがファイルである場合、該ファイルをコピーするステップとを含み、
該新しいプロセスが生成された場合、該新しいプロセスは、前記生成を行なう現在のプロセスと同時にまたは同時発生的に実行し、該新しいプロセスは、該ディレクトリの別のアイテムを生成またはコピーするという行為を行い、
該現在のプロセスは、さらに別のアイテムを生成またはコピーするという行為を繰返す、方法。
【請求項２】
生成する前に、
コピーするために開始されたプロセスの現在の数を、制限と比較するステップと、
該現在の数が該制限よりも大きい、または該制限と等しい場合に、待つステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コンピュータで実現されるアイテムをコピーする方法であって、
コピーされるべきアイテムがディレクトリである場合、プロセスを作成するステップと、
該アイテムがファイルである場合、該アイテムをコピーするステップとを含み、該コピーするステップの前に、
リソースの制限を増大させるステップと、
コピーの際に、該リソースを、増大した制限で使用するステップとを含む、方法。
【請求項４】
該リソースは開いたファイルの数である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該リソースはファイルのサイズである、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
該リソースはメモリである、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
該メモリはスタックとして編成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該メモリはヒープとして編成される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
該コピーするステップは、
データを該ファイルから一時バッファへ転送するステップと、
該一時バッファをロックするステップと、
該一時バッファからコピーするために、直接メモリアクセス（ＤＭＡ）プロセスを引起こすステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
コンピュータで実現されるアイテムをコピーする方法であって、
コピーされるべきアイテムがディレクトリである場合、プロセスを作成するステップと、
該アイテムがファイルである場合、該アイテムをコピーするステップとを含み、
該コピーするステップの前に、
該アイテムがそれ自身へのリンクであるかどうかをチェックするステップと、
該アイテムがそれ自身へのリンクではない場合にのみ、前記コピーを行なうステップとを含む、方法。
【請求項１１】
該チェックするステップは、ストリング比較動作を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
コンピュータで実行されるアイテムをコピーする方法であって、
コピーされるべきアイテムがディレクトリである場合、プロセスを作成するステップと、
該アイテムがファイルである場合、該アイテムをコピーするステップとを含み、
コピーの際に、宛先のリソースが一杯である場合、ｅメールメッセージを送信するステップを含み、
該ｅメールメッセージが、該方法を開始したユーザのｅメールアドレスに送信される、方法。
【請求項１３】
コピーの際に、該ｅメールメッセージを送信した後で、再始動されるのを待つステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記待つステップは、信号を自身に送信して、実行を中断するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
コピーする際に、再始動されると、前記ファイルを始めから再びコピーするステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
該ｅメールアドレスは、前記ユーザの識別（identity）に基づいて、パスワードファイルから識別される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記生成するステップは、前記ディレクトリが現在のディレクトリではなく、かつ親ディレクトリでない場合にのみ、行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
アイテムをコピーするための装置であって、
コピーされるべきアイテムがディレクトリである場合、プロセスを生成するための手段と、
該アイテムがファイルである場合、該アイテムをコピーするための手段とを含む、装置。
【請求項１９】
該コピーするための手段がエラーに遭遇した場合、ｅメールメッセージを送信するための手段をさらに含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
リソースの制限を最大に増大させるための手段をさらに含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２１】
前記コピーするための手段は、
一時バッファを使用するための手段と、
直接メモリアクセス（ＤＭＡ）を使用するための手段とを含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２２】
該アイテムがそれ自身へのリンクであるかどうかをチェックするための手段をさらに含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２３】
該ディレクトリにある各々のアイテムのために前記方法を行なうように命令して、該プロセスが開始される、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記プロセスは、前記繰返すことによって生成されたいかなる新しいプロセスとも並行して実行する、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
生成によって作成されたプロセスの数は、コピーされるべきディレクトリの数に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
該アイテムは、コピーされるべきアイテムのリストからのものであり、
前記別のアイテムおよび前記さらに別のアイテムは、前記リストからのものである、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
該ファイルが、コピーから除外されるべきアイテムのリストにあるかどうかをチェックするステップと、
該ファイルが前記リストにない場合にのみ、前記コピーを行なうステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
該ファイルは、該ユーザによって指定された場合、多数の宛先にコピーされる、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
ソフトウェアで符号化されたコンピュータ読取可能記憶媒体であって、該ソフトウェアは、以下のステップによってコンピュータにアイテムをアーカイブするように、という命令を含み、前記以下のステップは、
該アイテムがディレクトリである場合、新しいプロセスを生成するステップと、
該アイテムがファイルである場合、該アイテムをコピーするステップとを含み、
該新しいプロセスが生成された場合、該新しいプロセスは、前記生成を行なう現在のプロセスと同時にまたは同時発生的に実行する、コンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項３０】
コンピュータで実現されるアイテムをコピーする方法であって、
コピーされるべきアイテムがディレクトリである場合、プロセスを作成するステップと、
該アイテムがファイルである場合、該アイテムをコピーするステップとを含み、
前記作成するステップおよび前記コピーするステップのうち少なくとも１つは、各々のアイテムについて行なわれ、
コピーされるべきディレクトリの数に依存して、対応する数のプロセスが作成される、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも１つの光源、
ｂ）前記光源からの光をガイドに供給することができる少なくとも１つの光入力面と、表示面と、前記表示面に対向する光出力面と、を有し、前記光出力面はその上に光抽出層を有し、前記光抽出層は実質的に平坦な光出射面を有し、かつガイドから前記光出射面を介して供給光を抽出する埋込み反射ファセットを含む、フロントライトガイド、および
ｃ）前記ガイドから抽出された光を受光し、その光の少なくとも一部を前記表示面に戻す反射型光弁、
を具備する照射型ディスプレイ。
【請求項２】
前記抽出層が、前記ガイドに面する複数の突出部を含む構造面を有するフィルムを含み、前記ファセットに隣接しかつ前記突出部の間にあるポケットが、前記フィルムが作製された材料より低い屈折率を有する媒体を含む請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項３】
前記突出部は前記ファセットを含み、ライザーおよびプラトーをさらに含み、略台形の形状を有し、ランドが前記突出部を離隔し、前記ポケットが空気を含み、かつ、供給光が前記光出力面からプラトーを通過し、その後前記光出力面を介してファセットから反射される請求項２に記載のディスプレイ。
【請求項４】
ランド全長に対するプラトー全長の比が３：１より大きい請求項３に記載のディスプレイ。
【請求項５】
前記突出部が、供給光が前記表示面にわたって均等に分布されるような寸法、ピッチ、および角度方向を有し、かつ、前記光入力面付近で比較的粗いピッチで離隔され、前記光入力面から遠い位置で比較的細かいピッチで離隔される請求項３に記載のディスプレイ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のディスプレイを含む携帯電話、ポケットベル（ｐａｇｅｒ）、個人用携帯情報端末、置時計、腕時計、計算機、ラップトップコンピュータまたは運搬用車両。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
海水を導電性経路の一部として使用する開ループ磁場掃海システムにおいて、
ヘリコプタ、他の航空機乗物、または海洋乗物によって海中を曳航される小型で軽量の流線型本体であって、曳航される乗物から前記流線型本体まで電力提供用の曳航ケーブルを接続するコネクタと、流体力学的制御表面とを有する流線型本体と、
この流線型本体から水中を後方に向かってかなりの距離で延びるのに適する単一の絶縁防水性の掃引ケーブルと、
この掃引ケーブルから水中を後方にかなりの距離にわたって延びるようにこの掃引ケーブルに接続された第１電極と、
曳航される前記流線型本体の前方に配置され、前記曳航ケーブルに沿って延び、かつこの曳航ケーブルに接続された第２電極と、
電力変換電気要素であって、曳航される乗物から、この電力変換電気要素に供給されるＡＣ電力を、前記第１電極および第２電極の両端に提供されるＤＣ電力に変換するための、曳航される前記流線型本体の上に含まれる電力変換電気要素と、
を備える開ループ磁場掃海システム。
【請求項２】
複数の整形板が、前記曳航ケーブルに取り付けられ、各整形板が、前記曳航ケーブルから電気的に絶縁された導電性部分を有し、前記導電性部分が、前記第２電極を形成するように電気的に共に接続される、請求項１に記載の開ループ磁場掃海システム。
【請求項３】
前記各整形板が、前記曳航ケーブルに取り付けられた非導電性部分を有する、請求項２に記載の開ループ磁場掃海システム。
【請求項４】
前記各導電性部分が、金属尾部であり、前記各非導電性部分が、プラスチック・ノーズ部である、請求項３に記載の開ループ磁場掃海システム。
【請求項５】
可撓性導体が、前記導電性部分を共に接続する、請求項２に記載の開ループ磁場掃海システム。
【請求項６】
絶縁防水性ケーブルが、第２電極をＤＣ電力に接続する、請求項２に記載の開ループ磁場掃海システム。
【請求項７】
曳航される本体の上の前記電力変換電気要素が、変換器および整流器を備え、この両方が、薄い防水の材料層によって封入され、前記封入された変換器および整流器が、封入用の前記材料層を通して変換器および整流器を冷却するために、海水に直接さらされるように本体の上に取り付けられる、請求項１に記載の開ループ磁場掃海システム。
【請求項８】
曳航される本体であって、この曳航される本体の前方に延びかつこの曳航される本体とヘリコプタ、他の航空機乗物、または海洋乗物との間に接続された曳航ケーブルによって海中を曳航される本体と、この本体から後方に延びる掃引ケーブル及び電極とを備えた開ループ磁場掃海システムに使用するための複数の整形板において、
前記各整形板が、前記曳航ケーブルに取り付けられる非導電性部分と、この非導電性部分によって曳航ケーブルから電気的に絶縁される導電性部分とを有する各別の分離したユニットであり、前記導電性部分が、前記曳航本体から給電されるために前記曳航本体の前方の電極を形成するように電気的に共に接続される、複数の整形板。
【請求項９】
前記導電性部分が、可撓性導体によって電気的に共に接続される請求項８に記載の複数の整形板。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月27日(2004.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記容器（１）は、そのケーシング（４２）に少なくとも１個の二重壁部を備え、２個の壁（５０、５１）間の中空スペース（５２）は、テンパリング媒体用の管路（５６）に接続されることを特徴とする、請求項１乃至１８のいずれか１に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
円盤７２と容器１の内壁５０との間には、環状間隙７３があり、その幅は、一般に、少なくとも２０ｍｍに達し、上方内部６８内を循環することにより加熱される合成樹脂材料が、容器１の下方内部６９に次第に達することができる。しかしながら、処理される合成樹脂材料が、この環状間隙７３を早く通過しないようにするため、間隙の幅は、大き過ぎてはならず、一般に、３０ｍｍよりも小である。この環状間隙７３の幅を変更できるようにすると、処理される合成樹脂材料の種々の状態に適応できる。このため、円盤７２、又は、容器の内壁は、円盤７２の縁部又は内壁が、半径方向において調節自在とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  前記腸溶性ポリマーのコーティング濃度が、投与製剤の総重量の約4.5%〜約5%w/wである、請求項１に記載の投与製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月27日(2005.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白金族の一種以上の金属をベースとした不均一触媒の存在下で、ハロゲン化プロモーター及び／又は酸プロモーターを含む反応溶媒中で水素と酸素から過酸化水素を製造する方法であって、反応溶媒が、（１）アルコール又はアルコールの混合物、（２）脂肪族エーテル及び（３）任意成分としての水から成る事を特徴とする方法。
【請求項２】
アルコールが１〜６個の炭素原子を有するものから選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アルコールが、メタノール、エタノール、ｔ−ブタノール（ＴＢＡ）又はそれらの混合物から選ばれる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
アルコールがメタノールである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
アルコール又はアルコールの混合物の量が反応溶媒の２０質量％〜８０質量％の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
脂肪族エーテルが、一般式（Ｉ）
Ｒ−Ｏ−Ｒ1
（式中、Ｒ及びＲ1は、同じか異なる１〜６個の炭素原子を有するアルキル基である）で定義されるものから選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
式（Ｉ）を有する化合物において、Ｒがメチルであり、Ｒ1がｔ−アルキルである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
一般式（Ｉ）を有する脂肪族エーテルの量が反応溶媒の０．１質量％〜９０質量％の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
水の量が反応溶媒の０〜５０質量％の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
反応溶媒が、パラフィン、シクロパラフィン及び芳香族化合物から選ばれる一種以上の、５〜３２個の炭素原子の炭化水素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
パラフィンが、５〜１８個の炭素原子を有するものから選ばれる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
シクロパラフィンが、シクロヘキサン、デカリン又は１〜６個の炭素原子を有する一種以上のアルキル基で置換されているそれらの誘導体から選ばれる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
置換シクロパラフィンが、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン及びジメチルシクロヘキサンから選ばれる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
芳香族化合物が、６〜１２個の炭素原子を有する直鎖又は分岐アルキル鎖を有するアルキルベンゼン及びアルキルナフタレンから選ばれる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
炭化水素の量が反応溶媒の０〜４０質量％の範囲である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
炭化水素の量が反応溶媒の０．１質量％〜２０質量％の範囲である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
触媒の金属成分が、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム及び金から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
触媒の金属成分が、パラジウム及び白金である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
触媒が、沈殿及び／又は含浸により不活担体上に活性成分を分散させる事によって調製される、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
触媒が、担体上に、触媒の単独金属成分の前駆体を順番に且つ交互に分散させる事によって調製される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
担体が、３００ｍ2／ｇより大きい表面積を有する活性炭である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
触媒が、反応溶媒の０．１質量％〜１０質量％の範囲の濃度で使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
触媒が、反応溶媒の０．３質量％〜３質量％の範囲の濃度で使用される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
酸プロモーターが、反応溶媒中でＨ+の水素イオンを発生させる事のできる物質から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
酸プロモーターが、硫酸、リン酸、硝酸の如き無機酸又は、スルホン酸の如き有機酸から選ばれる、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
酸プロモーターの濃度が、反応溶媒の１ｋｇ当り２０〜１０００ｍｇの範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
酸プロモーターの濃度が、反応溶媒の１ｋｇ当り５０〜５００ｍｇの範囲である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
ハロゲン化プロモーターが、反応溶媒中でハロゲンイオンを発生する事のできる物質から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
ハロゲン化プロモーターが、臭化水素酸の如き臭化物イオンを発生させる事のできる物質及び反応媒体に可溶な臭化アルカリ、臭化アンモニウム又は臭素酸ナトリウムの如きその塩から選ばれる、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
ハロゲン化プロモーターの濃度が、反応溶媒の１ｋｇ当り０．１〜５０ｍｇの範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
反応が、２℃〜５０℃の範囲の温度で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３２】
反応が、大気圧より高い全体圧力で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３３】
供給の水素／酸素モル比が１／１〜１／１００の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項３４】
反応が、窒素、ヘリウム、アルゴンから選ばれる不活性ガスの存在下で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３５】
反応が酸素源として空気を使用して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３６】
反応がバッチ又は連続で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３７】
過酸化水素の溶液が、触媒としてチタニウムシリカライトを使用する、オレフィン、芳香族炭化水素、アンモニア及びカルボニル化合物から選ばれる基材の酸化方法で直接使用される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲン化促進剤及び／又は酸促進剤を含有する反応溶媒中、白金族の１以上の金属をベースとする不均一触媒の存在下、水素及び酸素から過酸化水素を生成する方法であって、前記反応溶媒が、
(１)アルコール又はアルコール混合物；及び
(２)１以上のＣ5〜Ｃ32炭化水素； 
(３)反応溶媒に対して０〜５０質量％の水
からなることを特徴とする方法。
【請求項２】
アルコールが、１〜６の炭素原子を有するものから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アルコールが、メタノールである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
アルコール又はアルコール混合物の量が、反応溶媒に対して１０〜９９．９質量％で変動する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
Ｃ5〜Ｃ32炭化水素が、パラフィン、シクロパラフィン及び芳香族化合物から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
パラフィンが、５〜１８の炭素原子を有し、かつ、直鎖又は分岐鎖であり得るものから選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
シクロパラフィンが、シクロヘキサン、デカリン、又は、１〜６の炭素原子を有する１以上のアルキル基で置換されたこれらの誘導体から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
芳香族炭化水素が、６〜２４の炭素原子を有するものから選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
アルキルベンゼンが、トルエン、キシレン(オルト、メタ及びパラ)、エチルベンゼン及びクメンから選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
炭化水素の量が、反応溶媒に対して、０．０１〜４０質量％の範囲にある、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
触媒の金属成分が、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム及び金から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
触媒の金属成分が、パラジウム及び白金である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
触媒が、０．０１〜５質量％の範囲の量のパラジウム、及び０．０１〜１質量％の範囲の量の白金を含み、原子比白金／パラジウムが、０．１／９９．９〜５０／５０の範囲にある、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
触媒が、活性成分を不活性担体上に沈殿及び／又は含浸によって分散することによって調製される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
担体が、活性炭、スルホン酸基で官能性を持たせた活性炭、シリカ、アルミナ、シリカ−アルミナ及びゼオライトから選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
活性炭が、300m2/gより高い表面積を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ハロゲン化促進剤が、反応溶媒においてハロゲンイオンを発生し得る物質から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
ハロゲン化促進剤が、臭化水素酸のような臭素イオンを発生し得る物質、及び、臭化アルカリ、臭化アンモニウム又は臭素酸ナトリウムのような反応媒体に溶解し得るその塩から選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
ハロゲン化促進剤の濃度が、反応溶媒のｋｇ当たり、０．１〜５０ｍｇの範囲にある、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
酸促進剤が、反応溶媒中においてＨ+水素イオンを発生し得る物質から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
酸促進剤が無機酸又は有機酸から選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
酸の濃度が、反応溶媒のｋｇに対して２０〜１０００ｍｇの範囲にある、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
触媒が、反応溶媒に対して０．１〜１０質量％の範囲の濃度で使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
反応が、−５〜９０℃の範囲の温度で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
反応が、大気圧よりも高い全圧力で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
給送中におけるモル比水素／酸素が、1/1〜1/100の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
反応が、窒素、ヘリウム、アルゴンから選択される不活性ガスの存在下で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
反応溶媒と接触する気体相における水素濃度が、４．５％モルより低い値に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
反応が、バッチ式又は連続的に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３０】
過酸化水素の溶液が、オレフィン、芳香族炭化水素、アンモニア及びカルボニル化合物から選択される物質の、チタンシリケートを触媒として使用する酸化プロセスにおいて直接使用される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ヒト免疫不全ウイルス（ＨＩＶ）感染した被験体におけるＨＩＶの免疫学的制御を促進するのに使用するための薬学的組成物の製造におけるインターロイキン−２（ＩＬ−２）またはその改変体の使用であって、ここで、該薬学的組成物の投与と組み合わせて、少なくとも１サイクルの断続的な投薬レジメンの高活性抗レトロウイルス療法（ＨＡＡＲＴ）が該被験体に施され、該投与により、該被験体内での該ＩＬ−２の基準レベルが提供される、使用。
【請求項２】  前記ＨＡＡＲＴが、少なくとも３つの抗レトロウイルス剤の日周投与を包含し、該抗レトロウイルス剤の各々の治療有効量が投与される、請求項１に記載の使用。
【請求項３】  前記抗レトロウイルス剤が、リバーストランスクリプターゼインヒビターおよびプロテアーゼインヒビターから選択される、請求項２に記載の使用。
【請求項４】  前記リバーストランスクリプターゼインヒビターが、ジデオキシイノシン（ｄｄＩ）、ジドブジン（ＡＺＴ）、ザルシタビン（ｄｄＣ）、ラミブジン（３ＴＣ）、スタブジン（Ｄ４Ｔ）、アバカビル、デラビルジン、エファビレンズ、およびネビラピンから選択される、請求項３に記載の使用。
【請求項５】  前記プロテアーゼインヒビターが、インジナビル（ＩＤＶ）、アンプレナビル、サキナビル、リトナビル、ＡＢＴ−３７８、ネルフィナビル、およびＧＷ１４１から選択される、請求項３に記載の使用。
【請求項６】  前記ＨＡＡＲＴの断続的投薬レジメンが、前記被験体中で血漿ウイルスＲＮＡが検出不可能になるまで該被験体にＨＡＡＲＴを施す工程、次いで、血漿ウイルスＲＮＡが該被験体中で許容可能な閾値レベルに達するまで該ＨＡＡＲＴの投与を中断する工程を包含する、請求項１に記載の使用。
【請求項７】  前記血漿ウイルスＲＮＡが、ＨＡＡＲＴの中断前の少なくとも約１ヶ月間、該被験体中で検出不可能であり、前記血漿ウイルスＲＮＡの前記許容可能な閾値レベルが、約１週間間隔で測定された２つの連続的な測定値において、約１０，０００分子／ｍｌである、請求項６に記載の使用。
【請求項８】  前記ＩＬ−２またはその改変体が皮下投与される、請求項１〜７に記載の使用。
【請求項９】  前記ＩＬ−２またはその改変体が、毎日投与される、請求項１〜８に記載の使用。
【請求項１０】  前記治療有効量のＩＬ−２またはその改変体が、約０．６ｍＩＵ／ｍ２〜約３ｍＩＵ／ｍ２の範囲である、請求項９に記載の使用。
【請求項１１】  前記治療有効量のＩＬ−２またはその改変体が、約０．７ｍＩＵ／ｍ２〜約３ｍＩＵ／ｍ２の範囲である、請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】  前記治療有効量のＩＬ−２またはその改変体が、約１．２０ｍＩＵ／ｍ２である、請求項１１に記載の使用。
【請求項１３】  前記ＩＬ−２またはその改変体が断続的に投与される、請求項１〜８に記載の使用。
【請求項１４】  ＩＬ−２またはその改変体を含む前記薬学的組成物が、安定化されたモノマーＩＬ−２の薬学的組成物、マルチマーＩＬ−２の薬学的組成物、マルチマーＩＬ−２の組成物、安定化された凍結乾燥ＩＬ−２の薬学的組成物、および安定化された噴霧乾燥ＩＬ−２の薬学的組成物からなる群より選択される、請求項１〜１３に記載の使用。
【請求項１５】  前記ＩＬ−２が、ヒトＩＬ−２またはその改変体のアミノ酸配列を有する組換え生成されたＩＬ−２である、請求項１４に記載の使用。
【請求項１６】  前記ＩＬ−２の改変体が、前記ヒトＩＬ−２のアミノ酸配列に対して少なくとも約７０％の配列同一性を有するアミノ酸配列を有する、請求項１５に記載の使用。
【請求項１７】  ヒト免疫不全ウイルス（ＨＩＶ）に感染した被験体を処置するのに使用するための薬学的組成物の製造におけるインターロイキンー２（ＩＬ−２）またはその改変体の使用であって、該薬学的組成物の投与と組み合わせて、少なくとも１サイクルの断続的な投薬レジメンの高活性抗レトロウイルス療法（ＨＡＡＲＴ）が該被験体に施され、該投与により、該被験体内での該ＩＬ−２の基準レベルが提供される、使用。
【請求項１８】  請求項２〜１６のいずれかに記載の特徴によりさらに定義される、請求項１７に記載の使用。
【請求項１９】  ヒト免疫不全ウイルス（ＨＩＶ）に感染した被験体を処置するのに使用するための薬学的組成物の製造におけるインターロイキン−２（ＩＬ−２）またはその改変体の使用であって、ここで、少なくとも１サイクルの断続的な投薬レジメンの高活性抗レトロウイルス療法（ＨＡＡＲＴ）が、該ＨＡＡＲＴの断続的な投薬レジメンの各サイクルを通して、該薬学的組成物と組み合わせて該被験体に施され、該投与は該被験体内での該ＩＬ−２の基準レベルを提供し、そして該ＨＡＡＲＴの断続的な投薬レジメンは、血漿ウイルスＲＮＡが、ＨＡＡＲＴの中断前の少なくとも約１ヶ月間、該被験体中で検出不可能になるまで該被験体にＨＡＡＲＴを施す工程、次いで、該血漿ウイルスＲＮＡが、約１週間間隔で測定された２つの連続的な測定値において、少なくとも約１０，０００分子／ｍｌに達するまで該ＨＡＡＲＴの施行を中断する工程を包含する、使用。
【請求項２０】  前記ＩＬ−２またはその改変体が皮下注入により毎日投与される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記治療有効量のＩＬ−２またはその改変体が、約０．２ｍＩＵ／ｍ２〜約５ｍＩＵ／ｍ２の範囲である、請求項２０または２１に記載の使用。
【請求項２２】  前記治療有効量のＩＬ−２またはその改変体が、約０．５ｍＩＵ／ｍ２〜約２ｍＩＵ／ｍ２の範囲である、請求項２１に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部乗場支持部と、
上部乗場支持部と、
前記下部乗場支持部と上部乗場支持部とを相互に接続する傾斜部と、
を有し、
前記傾斜部は少なくとも一つのモジュールを有し、かつ、該モジュールはエスカレータ駆動装置付近に鋼板を備えることを特徴とするエスカレータの支持構造アセンブリ。
【請求項２】
少なくとも一つの前記モジュールが、前記下部乗場支持部から前記上部乗場支持部へと延びた一つのシングルピース・プレス加工品を含み、かつ、該プレス品は水平な底部と一対の垂直なサイド部とからＵ字形をなすことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記モジュールの各サイド部に取り付けられた少なくとも一つの補強はりを有する請求項２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
少なくとも一つの前記モジュールは、複数のプレス加工モジュールからなり、各プレス加工モジュールは、一つの水平な底部と一対の垂直なサイド部を備えたＵ字形をなし、かつ、前記傾斜部を形成させるために一つのプレス加工のモジュールを次のモジュールに固定する複数の連結プレートを含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
各サイド部を補強し、かつ各プレス加工モジュールの長さ方向に沿って延びている一対のはりを有している請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
少なくとも一つの前記モジュールは、複数のプレス加工モジュールからなり、各プレス加工モジュールは、一つの水平な底部部品とこの底部部品にＵ字形をなすように溶接される一対の垂直なサイド部部品とを含む複数のプレス加工品からなり、かつ、一つの前記プレス加工のモジュールを次のモジュールに固定する複数の連結プレートを有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
各サイド部を補強し、かつ、各プレス加工モジュールの長さ方向に沿って延びている一対のはりを有する請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】
少なくとも一つの前記モジュールは、複数のプレス加工モジュールから構成され、各プレス加工モジュールは、互いに溶接された一対のプレス加工品から構成され、かつ、隣接のプレス加工モジュールの対応するチャンネル部材に接続されるように、前記モジュールの一つの垂直方向エッジに沿って取り付けられた少なくとも一つのチャンネル部材を含むことを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
少なくとも一つの前記モジュールは、複数のプレス加工モジュールから構成され、各プレス加工モジュールは、アングル状上部エッジとアングル状下部エッジとを有した、ほぼ垂直なボデー部を有する第１のプレス加工品と、アングル状上部エッジとアングル状下部エッジとを有した、ほぼ垂直なボデー部分を有する第２のプレス加工品とから構成され、前記第１のプレス加工品と前記第２のプレス加工品とが、前記アングル状上部エッジ同士が互いに対向する方向に延びて上部チャンネルを形成し、かつ、前記アングル状下部エッジ同士が互いに対向する方向に延びて下部チャンネルを形成するように、互いに接続されていることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記プレス加工モジュールの前記ボデー部のサイドエッジを次のプレス加工モジュールと結合するための複数の連結プレートを有する請求項９に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記傾斜部を補強するために、前記上部チャンネルに収容される第１のはりと、前記下部チャンネルに収容される第２のはりとを含む請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記第１のプレス加工品が前記第２の加工品と結合されたときに、前記上部チャンネルおよび前記下部チャンネルが９０度の角度をなすように、前記アングル状上部エッジおよび前記アングル状下部エッジが、前記ボデー部に対し４５度の角度で延びることを特徴とする請求項１１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記鋼板製モジュールが、傾斜部の他の部分に溶接されていることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記下部乗場支持部がモジュールを構成し、
前記上部乗場支持部がモジュールを構成し、かつ、
前記傾斜部の各モジュールは、各々が互いに接続された一対の鋼板からなる複数のサブモジュールを有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
隣接のサブモジュールの対応するチャンネル部材と接続するために、前記サブモジュールの一つの垂直方向のサイドエッジに沿って固定された少なくとも一つのチャンネル部材を含む請求項１４に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
隣接し合うチャンネル部材同士が、複数の締結具により締結されることを特徴とする請求項１５に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
隣接し合うチャンネル部材同士が、溶接されることを特徴とする請求項１５に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗癌成分と少なくとも１種のシリコンインプラントを含む内部治療用製品であって、該シリコンインプラントの１個又は少なくとも１個が、多孔質シリコン、多結晶質シリコン及び吸収性シリコンの１種以上を含み、該インプラントの１個又は少なくとも１個が、０．１〜１００μｍの寸法を有するシリコン微粒子であり、前記抗癌成分が、前記微粒子の１個又は少なくとも１個中に配置された放射性ヌクレオチドを含み；及び前記治療用製品が、近接照射療法による癌の治療に使用されることを特徴とする、内部治療用製品。
【請求項２】
前記放射性ヌクレオチドが、前記インプラントの１個又は少なくとも１個を介して実質的に均一に分布されている、請求項１記載の内部治療用製品。
【請求項３】
前記インプラントの１個又は少なくとも1個が、多孔質シリコン、生体適合性シリコン、バイオ活性シリコン、非晶質シリコン及び体積結晶質シリコンを含む、請求項１又は２に記載の内部治療用製品。
【請求項４】
微粒子の１個又は少なくとも１個が、２０〜５０μｍの寸法を有する、請求項１記載の内部治療用製品。
【請求項５】
前記治療用製品が吸収性シリコンを含み、前記治療用製品が患者に埋め込まれた場合に、前記放射性ヌクレオチドの１個又は少なくとも１個の半減期を過ぎると直ぐに該吸収性シリコンが実質的に完全に吸収する構造及び組成を有する、請求項１記載の内部治療用製品。
【請求項６】
前記放射性ヌクレオチドが、90Y、32P、124Sb、114In、59Fe、76As、140La、47Ca、103Pd、89Sr、131I、125I、60Co、192Ir、12B、71Ge、64Cu、203Pb及び198Auの1種以上から選ばれる、請求項1記載の内部治療用製品。
【請求項７】
前記放射性ヌクレオチドが、90Y及び／又は32Pを含む、請求項６記載の内部治療用製品。
【請求項８】
(i) アルキル化剤、細胞毒性抗体、抗代謝剤、ビンカアルカロイド、ホルモン調節剤、および白金化合物の１種以上を含む細胞毒性薬物；及び
(ii) 多孔質シリコンを含むシリコン成分であって、細胞毒性薬物が該多孔質シリコンの孔の少なくとも１つ中に配置されているもの；
を含み、接照射療法による癌の治療に使用されることを特徴とする、内部治療用製品。
【請求項９】
前記シリコン成分が、多結晶質シリコン、生体適合性シリコン、バイオ活性シリコン、非晶質シリコン、吸収性シリコン及び体積結晶質シリコンの１種以上を含む、請求項８に記載の内部治療用製品。
【請求項１０】
治療用製品が、少なくとも１個の微粒子を含み、該微粒子の１個又は少なくとも１個が、０．１〜１００μｍの範囲の寸法を有する、請求項８記載の内部治療用製品。
【請求項１１】
前記微粒子の１個又は少なくとも１個が、２０〜５０μｍの寸法を有する、請求項１０記載の内部治療用製品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式
【化１】
2004528299.tif 000001
（上式中、Ｒは１〜９個の炭素原子を含むアルキル基であり、Ｐｈはフェニル基である）
のアルキルベンゾイルアクリレートの製造方法であって、反応を、中間体生成物を単離することなく同じ反応器内で酸性媒体中で行い、以下の工程
２〜８当量のアセトフェノンを１当量のグリオキシル酸と縮合させ下式(II)
【化２】
2004528299.tif 000002
の化合物を得ること、
水／アセトフェノン混合物を除去すること、
過剰のアセトフェノンを除去すること、
強酸の存在下において、式(II)の化合物を式(III)
Ｒ−ＯＨ    (III)
（上式中、Ｒは１〜９個の炭素原子を含むアルキル基である）
のアルコールによりエステル化し、中間体生成物を単離することなく下式
【化３】
2004528299.tif 000003
（上式中、Ｒ及びＰｈは上記と同じ意味を有する）
の化合物を得ること、
溶媒を加えること、
水、溶媒及び式(III)のアルコールで構成される混合物を除去すること、
水の共沸蒸留により式(IV)の化合物を脱水すること、
塩基水溶液により強酸を中和すること、
有機相をデカントし、濃縮すること、
式(I)の最終生成物を回収すること
を含む方法。
【請求項２】
１当量のグリオキシル酸を４当量のアセトフェノンと反応させることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
１当量の当初のグリオキシル酸あたり２〜１０当量のアルコールを反応させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
１当量の当初のグリオキシル酸あたり３当量のアルコールを反応させることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
用いる式(III)のアルコールがエタノールであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
用いる強酸が硫酸であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
用いる共沸溶媒がトルエンであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
用いる塩基性水溶液が炭酸水素ナトリウムの水溶液であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
エチルベンゾイルアクリレートが製造されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。