【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅イオン源、酸性電解質、及び抑制剤化合物として以下の構造式を有する１以上の分岐ポリマーを含む電解めっき浴：
Ｒ−（−Ｏ−（ＣＸＹＣＸ’Ｙ’Ｏ）ｎＨ）ｍ
［ここで、Ｒは重合体骨格であり；Ｘ、Ｙ、Ｘ’及びＹ’は、それぞれ独立に水素、アルキル、アリール、またはアルアルキルであり；ｎは、５から１００，０００の間の整数であり、ｍは５から５００の整数である。］。
【請求項２】
１以上の分岐抑制剤が、高分岐線状ポリマー、デンドリマー又は星状ポリマーである請求項１に記載の電解めっき浴。
【請求項３】
１以上の分岐抑制剤が酸素又は窒素から選択される１以上のヘテロ原子を含有する請求項１に記載の電解めっき浴。
【請求項４】
ａ）基体に請求項１から３のいずれか１項に記載の電解めっき浴を接触させ；及びｂ）金属層を析出させるのに十分な電流密度を電解めっき浴に加える工程を含む、基体上に金属層を析出する方法。
【請求項５】
ａ）電子デバイスに請求項１から３のいずれか１項に記載の電解めっき浴を接触させ；及びｂ）電子デバイス上に金属層を析出させるのに十分な電流密度を電解めっき浴に加える工程を含む、電子デバイスを製造する方法。
【請求項６】
１以上のアパーチャを含有する電子デバイス基体を含む製品であって、各アパーチャ壁は、請求項１から３のいずれか１項に記載の電解めっきから得られた電解銅析出物を含有する、製品。
【請求項７】
請求項６に記載の製品を回転ポリッシングパッドと接触させ、それにより製品から過剰の物質を除去することを含む化学的機械的平坦化法を使用することによる製品から過剰物質を除去する方法。
【請求項８】
ａ）酸化または不連続を有するシード層を含む基体に請求項１から３のいずれか１項に記載の電解めっき浴を接触させ；及びｂ）十分な金属を析出させるのに十分な電流密度を電解めっき浴に加え、実質的に均一なシード層を提供する工程を含む、シード層を修復する方法。
【請求項９】
酸素又は窒素から選択される１以上のヘテロ原子を含有し、１０，０００以上の分子量を有する１以上の分岐重合体化合物を電解金属めっき浴に添加する工程を含む電解めっき浴からの金属のめっき速度を抑制する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
本発明は、電解銅めっき浴に関して記載されているが、本混合酸電解質は、銅合金、錫、錫合金、ニッケル及びニッケル‐合金等のような多様なめっき浴について使用され得ることが当業者には理解されるであろう。
本発明は以下の態様を含むものである。
（１）  金属イオン源、電解質及び１以上の分岐抑制剤化合物を含む電解めっき浴。
（２）  １以上の分岐抑制剤が、高分岐線状ポリマー、デンドリマー又は星状ポリマーである前記（１）に記載の電解めっき浴。
（３）  １以上の分岐抑制剤が酸素又は窒素から選択される１以上のヘテロ原子を含有する前記（１）に記載の電解めっき浴。
（４）  １以上の分岐抑制剤が１０，０００以上の分子量を有する前記（１）に記載の電解めっき浴。
（５）  分子量が５０，０００以上である前記（４）に記載の電解めっき浴。
（６）  電解質が酸性である前記（１）に記載の電解めっき浴。
（７）  電解質が添加された酸を含まない前記（１）に記載の電解めっき浴。
（８）  金属イオンが銅イオンである前記（１）に記載の電解めっき浴。
（９）  銅イオンが１５から５０ｇ／Ｌの量で存在する前記（８）に記載の電解めっき浴。
（１０）  電解質が更にハロゲン化物を含む前記（１）に記載の電解めっき浴。
（１１）  ハロゲン化物が１０から３５ｐｐｍの量で存在する前記（１０）に記載の電解めっき浴。
（１２）  ａ）基体に金属イオン源、電解質及び１以上の分岐抑制剤化合物を含む電解めっき浴を接触させ；及びｂ）金属層を析出させるに十分な電流密度を電解めっき浴に加える工程を含む、基体上に金属層を析出する方法。
（１３）  １以上の分岐抑制剤が高分岐線状ポリマー、デンドリマー又は星状ポリマーである前記（１２）に記載の方法。
（１４）  １以上の分岐抑制剤が酸素又は窒素から選択される１以上のヘテロ原子を含有する前記（１２）に記載の方法。
（１５）  １以上の分岐抑制剤が１０，０００以上の分子量を有する前記（１２）に記載の方法。
（１６）  分子量が５０，０００以上である前記（１５）に記載の方法。
（１７）  電解質が酸性である前記（１２）に記載の方法。
（１８）  電解質が添加された酸を含まない前記（１２）に記載の方法。
（１９）  金属イオンが銅イオンである前記（１２）に記載の方法。
（２０）  銅イオンが３０から４５ｇ／Ｌの量で存在する前記（１９）に記載の方法。
（２１）  電解質が更にハロゲン化物を含む前記（１２）に記載の方法。
（２２）  ハロゲン化物が１０から３５ｐｐｍの量で存在する前記（１２）に記載の方法。
（２３）  ａ）電子デバイスに金属イオン源、電解質及び１以上の分岐抑制剤化合物を含む電解めっき浴を接触させ；及びｂ）電子デバイス上に金属層を析出させるに十分な電流密度を電解めっき浴に加える工程を含む、電子デバイスを製造する方法。
（２４）  １以上の分岐抑制剤が高分岐線状ポリマー、デンドリマー又は星状ポリマーである前記（２３）に記載の方法。
（２５）  １以上の分岐抑制剤が酸素又は窒素から選択される１以上のヘテロ原子を含有する前記（２３）に記載の方法。
（２６）  電解質が酸性である前記（２３）に記載の方法。
（２７）  電解質が添加された酸を含まない前記（２３）に記載の方法。
（２８）  金属イオンが銅イオンである前記（２３）に記載の方法。
（２９）  銅イオンが３０から４５ｇ／Ｌの量で存在する前記（２８）に記載の方法。
（３０）  電解質が更にハロゲン化物を含む前記（２３）に記載の方法。
（３１）  １以上のアパーチャを含有する電子デバイス基体を含む製品であって、各アパーチャ壁は、少なくとも一つの可溶性銅塩、電解質及び１以上の分岐抑制剤化合物を含む電解めっき組成物から得られた電解銅析出物を含有する、製品。
（３２）  半導体ウェーハを回転ポリッシングパッドと接触させ、それにより半導体ウェーハから過剰の物質を除去することを含む化学的機械的平坦化法を使用することによる半導体ウェーハから過剰物質を除去する方法であって、ここで半導体ウェーハは、少なくとも一つの可溶性銅塩、電解質及び１以上の分岐抑制剤化合物を含む電解銅めっき組成物によって予め電解めっきされたものである、方法。
（３３）  １以上の分岐抑制剤が高分岐線状ポリマー、デンドリマー又は星状ポリマーである前記（３２）に記載の方法。
（３４）  １以上の分岐抑制剤が酸素又は窒素から選択される１以上のヘテロ原子を含有する前記（３２）に記載の方法。
（３５）  電解質が酸性である前記（３２）に記載の方法。
（３６）  電解質が添加された酸を含まない前記（３２）に記載の方法。
（３７）  金属イオンが銅イオンである前記（３２）に記載の方法。
（３８）  銅イオンが１５から５０ｇ／Ｌの量で存在する前記（３７）に記載の方法。
（３９）  電解質が更にハロゲン化物を含む前記（３２）に記載の方法。
（４０）  半導体ウェーハを回転ポリッシングパッドと接触させ、それにより半導体ウェーハから過剰の物質を除去することを含む化学的機械的平坦化法を使用することによる半導体ウェーハから過剰物質を除去する方法であって、ここで半導体ウェーハは、前記（１）に記載の電解めっき浴により予め電解めっきされたものである、方法。
（４１）  ａ）酸化または不連続を有するシード層を含む基体を接触させ；ｂ）その基体に金属イオン源、電解質及び１以上の分岐抑制剤化合物を含む電解めっき浴を接触させ；及びｃ）十分な金属を析出させるに十分な電流密度を電解めっき浴に加え、実質的に均一なシード層を提供する工程を含む、シード層を修復する方法。
（４２）  酸素又は窒素から選択される１以上のヘテロ原子を含有し、１０，０００以上の分子量を有する１以上の分岐重合体化合物を電解金属めっき浴に添加する工程を含む電解めっき浴からの金属のめっき速度を抑制する方法。