【手続補正書】
【提出日】平成17年8月24日(2005.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の１つの面に配置される第１および第２の電極と、
前記基板に搭載され、入力端子および出力端子を有する第１ないし第３のトランジスタを有する四辺形状の半導体チップと、
前記第１の電極と前記第２のトランジスタの前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
前記第２の電極と前記第３のトランジスタの前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子に入力された信号は、前記第２のトランジスタの前記出力端子から出力され、
前記第２のトランジスタの前記入力端子に入力された信号は、前記第３のトランジスタの前記出力端子から出力され、
前記第１の接続導体は、前記第１の接続導体と前記半導体チップの第１の辺とが互いに交差するように、前記第２のトランジスタの前記入力端子から前記第１の電極まで延在し、
前記第２の接続導体は、前記第２の接続導体と前記半導体チップの前記第１の辺に隣り合う第２の辺とが互いに交差するように、前記第３のトランジスタの前記出力端子から前記第２の電極まで延在することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板の前記１つの面に配置される第３および第４の電極と、
前記第３の電極と前記第１のトランジスタの前記入力端子とを電気的に接続する第３の接続導体と、
前記第４の電極と前記第２のトランジスタの前記出力端子とを電気的に接続する第４の接続導体とを更に具備して成り、
前記第３の接続導体は、前記第３の接続導体と前記半導体チップの前記第２の辺に対向する第３の辺とが互いに交差するように、前記第１のトランジスタの前記入力端子から前記第３の電極まで延在し、
前記第４の接続導体は、前記第４の接続導体と前記半導体チップの前記第１の辺に対向する第４の辺とが互いに交差するように、前記第２のトランジスタの前記出力端子から前記第４の電極まで延在することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体チップは、前記第２のトランジスタの前記入力端子と前記第１の電極とが対向し、前記第３のトランジスタの前記出力端子と前記第２の電極とが対向し、前記第１のトランジスタの前記入力端子と前記第３の電極とが対向し、前記第２のトランジスタの前記出力端子と前記第４の電極とが対向するように配置されることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項４】
請求項３において、
前記半導体チップは、前記基板の前記１つの面に設けられたキャビティ内に配置されることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第１のトランジスタの前記入力端子に入力された信号を電圧増幅し、前記第３のトランジスタの前記出力端子から、電圧増幅された前記信号を出力することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは第１の整合回路を介して互いに接続され、
前記第２のトランジスタの前記出力端子と前記第３のトランジスタの前記入力端子とは第２の整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１および第２の整合回路は、前記基板の前記１つの面上に形成されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項８】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第１ないし前記第３のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであり、
前記第２のトランジスタの前記入力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第３のトランジスタの前記出力端子は、前記第３のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項９】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第１ないし前記第３のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタを含んで成ることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１０】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第２のトランジスタの前記入力端子と前記第３のトランジスタの前記出力端子とのボンディング部間の距離は０．３ｍｍ以上であり、前記第２および前記第３のトランジスタの安定係数はそれぞれ１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１１】
基板と、
前記基板の１つの面に配置される第１および第２の電極と、
前記基板に搭載され、入力端子および出力端子を有する第１ないし第３のトランジスタを有する四辺形状の半導体チップと、
前記第１の電極と前記第２のトランジスタの前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
前記第２の電極と前記第３のトランジスタの前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子に入力された信号は、前記第２のトランジスタの前記出力端子から出力され、
前記第２のトランジスタの前記入力端子に入力された信号は、前記第３のトランジスタの前記出力端子から出力され、
前記第１の電極のボンディング部は、前記半導体チップの第１の辺を挟んで前記第２のトランジスタの前記入力端子に対向し、
前記第２の電極のボンディング部は、前記半導体チップの前記第１の辺に隣り合う第２の辺を挟んで前記第３のトランジスタの前記出力端子に対向することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記基板の前記１つの面に配置される第３および第４の電極と、
前記第３の電極と前記第１のトランジスタの前記入力端子とを電気的に接続する第３の接続導体と、
前記第４の電極と前記第２のトランジスタの前記出力端子とを電気的に接続する第４の接続導体とを更に具備して成り、
前記第３の電極のボンディング部は、前記半導体チップの前記第２の辺に対向する第３の辺を挟んで前記第１のトランジスタの前記入力端子に対向し、
前記第４の電極のボンディング部は、前記半導体チップの前記第１の辺に対向する第４の辺を挟んで前記第２のトランジスタの前記出力端子に対向することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記半導体チップは、前記基板の前記１つの面上に設けられたキャビティ内に配置されることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれかにおいて、
前記第１のトランジスタの前記入力端子に入力された信号を電圧増幅し、前記第３のトランジスタの前記出力端子から、電圧増幅された前記信号を出力することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１５】
請求項１１ないし１３のいずれかにおいて、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは第１の整合回路を介して互いに接続され、
前記第２のトランジスタの前記出力端子と前記第３のトランジスタの前記入力端子とは第２の整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第１および第２の整合回路は、前記基板の前記１つの面上に形成されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１７】
請求項１１ないし１３のいずれかにおいて、
前記第１ないし前記第３のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであり、
前記第２のトランジスタの前記入力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第３のトランジスタの前記出力端子は、前記第３のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１８】
請求項１１ないし１３のいずれかにおいて、
前記第１ないし前記第３のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタを含んで成ることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１９】
請求項１１ないし１３のいずれかにおいて、
前記第２のトランジスタの前記入力端子と前記第３のトランジスタの前記出力端子とのボンディング部間の距離は０．３ｍｍ以上であり、前記第２または前記第３のトランジスタの安定係数はそれぞれ１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２０】
基板と、
前記基板に搭載され、入力端子および出力端子を有する第１ないし第３のトランジスタを有する四辺形状の半導体チップと、
一端が前記第２のトランジスタの前記入力端子に接続され、前記半導体チップの第１の辺と交差するように設けられた第１の接続導体と、
一端が前記第３のトランジスタの前記出力端子に接続され、前記半導体チップの前記第１の辺に隣り合う第２の辺と交差するように設けられた第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子に入力された信号は、前記第２のトランジスタの前記出力端子から出力され、
前記第２のトランジスタの前記入力端子に入力された信号は、前記第３のトランジスタの前記出力端子から出力されることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２１】
請求項２０において、
一端が前記第１のトランジスタの前記入力端子に接続され、前記半導体チップの前記第２の辺に対向する第３の辺と交差するように設けられた第３の接続導体と、
一端が前記第２のトランジスタの前記出力端子に接続され、前記半導体チップの前記第１の辺に対向する第４の辺と交差するように設けられた第２の接続導体とを更に具備して成ることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２２】
請求項２１において、
前記半導体チップは、前記基板に設けられたキャビティ内に配置されることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２３】
請求項２０ないし２２のいずれかにおいて、
前記第１のトランジスタの前記入力端子に入力された信号を電圧増幅し、前記第３のトランジスタの前記出力端子から、電圧増幅された前記信号を出力することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２４】
請求項２０ないし２２のいずれかにおいて、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは第１の整合回路を介して互いに接続され、
前記第２のトランジスタの前記出力端子と前記第３のトランジスタの前記入力端子とは第２の整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２５】
請求項２４において、
前記第１および第２の整合回路は、前記基板の前記１つの面上に形成されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２６】
請求項２０ないし２２のいずれかにおいて、
前記第１ないし前記第３のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであり、
前記第２のトランジスタの前記入力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第３のトランジスタの前記出力端子は、前記第３のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２７】
請求項２０ないし２２のいずれかにおいて、
前記第１ないし前記第３のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタを含んで成ることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２８】
請求項２０ないし２２のいずれかにおいて、
前記第２のトランジスタの前記入力端子と前記第３のトランジスタの前記出力端子とのボンディング部間の距離は０．３ｍｍ以上であり、前記第２または前記第３のトランジスタの安定係数はそれぞれ１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２９】
基板と、
前記基板の１つの面に配置される第１および第２の電極と、
前記基板に搭載され、入力端子および出力端子を有する第１ないし第３のトランジスタを有して成る四辺形状の半導体チップと、
前記第１の電極と前記第２のトランジスタの前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
前記第２の電極と前記第３のトランジスタの前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子に入力された信号は、前記第２のトランジスタの前記出力端子から出力され、
前記第２のトランジスタの前記入力端子に入力された信号は、前記第３のトランジスタの前記出力端子から出力され、
前記第１の接続導体は第１の方向に延在し、前記第２の接続導体は前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在し、
前記第１の方向と前記第２の方向との成す角は、前記基板の前記１つの面を平面図として見た場合に７２〜１８０度の範囲内であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３０】
請求項２９において、
前記基板の前記１つの面に配置される第３および第４の電極と、
前記第３の電極と前記第１のトランジスタの前記入力端子とを電気的に接続する第３の接続導体と、
前記第４の電極と前記第２のトランジスタの前記出力端子とを電気的に接続する第４の接続導体とを更に具備して成り、
前記第３の接続導体は第３の方向に延在し、前記第４の接続導体は前記第３の方向とは異なる第４の方向に延在し、
前記第３の方向と前記第４の方向との成す角は、前記基板の前記１つの面を平面図として見た場合に７２〜１８０度の範囲内であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３１】
請求項３０において、
前記半導体チップは、前記第２のトランジスタの前記入力端子と前記第１の電極とが対向し、前記第３のトランジスタの前記出力端子と前記第２の電極とが対向し、前記第１のトランジスタの前記入力端子と前記第３の電極とが対向し、前記第２のトランジスタの前記出力端子と前記第４の電極とが対向するように配置されることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３２】
請求項３１において、
前記半導体チップは、前記基板に設けられたキャビティ内に配置されることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３３】
請求項２９ないし３２のいずれかにおいて、
前記第１のトランジスタの前記入力端子に入力された信号を電圧増幅し、前記第３のトランジスタの前記出力端子から、電圧増幅された前記信号を出力することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３４】
請求項２９ないし３２のいずれかにおいて、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは第１の整合回路を介して互いに接続され、
前記第２のトランジスタの前記出力端子と前記第３のトランジスタの前記入力端子とは第２の整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３５】
請求項３４において、
前記第１および第２の整合回路は、前記基板の前記１つの面上に形成されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３６】
請求項２９ないし３２のいずれかにおいて、
前記第１ないし前記第３のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであり、
前記第２のトランジスタの前記入力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第３のトランジスタの前記出力端子は、前記第３のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３７】
請求項２９ないし３２のいずれかにおいて、
前記第１ないし前記第３のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタを含んで成ることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３８】
請求項２９ないし３２のいずれかにおいて、
前記第２のトランジスタの前記入力端子と前記第３のトランジスタの前記出力端子とのボンディング部間の距離は０．３ｍｍ以上であり、前記第２または前記第３のトランジスタの安定係数はそれぞれ１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の１つの高周波電力増幅器モジュールは、基板と、前記基板の１つの面に配置される第１および第２の電極と、前記基板に搭載され、入力端子および出力端子を有する第１ないし第３のトランジスタを有する四辺形状の半導体チップと、前記第１の電極と前記第２のトランジスタの前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、前記第２の電極と前記第３のトランジスタの前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、前記第１のトランジスタの前記入力端子に入力された信号は、前記第２のトランジスタの前記出力端子から出力され、前記第２のトランジスタの前記入力端子に入力された信号は、前記第３のトランジスタの前記出力端子から出力され、前記第１の接続導体は、前記第１の接続導体と前記半導体チップの第１の辺とが互いに交差するように、前記第２のトランジスタの前記入力端子から前記第１の電極まで延在し、前記第２の接続導体は、前記第２の接続導体と前記半導体チップの前記第１の辺に隣り合う第２の辺とが互いに交差するように、前記第３のトランジスタの前記出力端子から前記第２の電極まで延在するものである。
また、本発明の他の高周波電力増幅器モジュールは、誘電体材料を基体とする配線基板上に半導体チップが設置された高周波電力増幅器モジュールにおいて、半導体チップに、２段以上の増幅段トランジスタ、これらの増幅段トランジスタへ高周波電力を入力するためのボンディング用入力電極、およびこれらの増幅段トランジスタから高周波電力を出力するためのボンディング用出力電極を設け、ある一つの増幅段トランジスタに対応するボンディング用入力電極と配線基板を接続する入力ボンディングワイヤの両端のボンディング部同士を結ぶ第１の補助線と、この一つの増幅段トランジスタの次段に位置する増幅段トランジスタに対応するボンディング用出力電極と配線基板を接続する出力ボンディングワイヤの両端のボンディング部（その中心部）同士を結ぶ第２の補助線のなす角度が、７２〜１８０゜の範囲に入るように、かつボンディング用入力電極とボンディング用出力電極のボンディング部の間隔が０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ未満の範囲に入るように高周波電力増幅器モジュールを設計するものである。