【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸分解性樹脂を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2003316004.tif 000001
（式中、Ｒ(I)-1〜Ｒ(I)-3はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｌ1は、２価の連結基を表す。
Ｚは、酸分解性基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位中の酸分解性基Ｚが、−ＯＣ（Ｒ11a）(Ｒ12a)（Ｒ13a）、−ＯＣ（Ｒ14a）（Ｒ15a）（ＯＲ16a）、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ（Ｒ11a）(Ｒ12a)（Ｒ13a）、−ＣＯ−ＯＣ（Ｒ11a）(Ｒ12a)（Ｒ13a）、−ＣＯ−ＯＣ（Ｒ14a）（Ｒ15a）（ＯＲ16a）で示される群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
（式中、Ｒ11a〜Ｒ13aはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。
Ｒ14a及びＲ15aはそれぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｒ16aは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロア
ルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。
Ｒ11a、Ｒ12a、Ｒ13aのうちの２つ、又はＲ14a、Ｒ15a、Ｒ16aのうちの２つが結合して環を形成してもよい。）
【請求項３】
更に、下記一般式（ＩＩａ）及び（ＩＩｂ）で示される繰り返し単位のうち少なくとも１つを含有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
2003316004.tif 000002
（式中、Ｒ(II)-1〜Ｒ(II)-3はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｌ、Ｌ1及びＬ2はそれぞれ独立して、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｖa、Ｖ1a及びＶ2aはそれぞれ独立して、酸分解性基又は非酸分解性の有機基を表す。）
【請求項４】
前記一般式（ＩＩａ）中のＶa、又は、前記一般式（ＩＩｂ）中のＶ1a及びＶ2aの少なくともいずれか一方が、酸分解性基であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
酸分解性基が、−ＯＣ（Ｒ11a）(Ｒ12a)（Ｒ13a）、−ＯＣ（Ｒ14a）（Ｒ15a）（ＯＲ16a）、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ（Ｒ11a）(Ｒ12a)（Ｒ13a）、−ＣＯ−ＯＣ（Ｒ11a）(Ｒ12a)（Ｒ13a）、−ＣＯ−ＯＣ（Ｒ14a）（Ｒ15a）（ＯＲ16a）（式中、Ｒ11a〜Ｒ16aは、上記に定義される通りである。）で示される群から選択されることを特徴とする、請求項４に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記一般式（ＩＩａ）及び（ＩＩｂ）で示される繰り返し単位が、それぞれ下記一般式（ＩＩａ１）及び（ＩＩｂ１）で示されることを特徴とする、請求項３〜５の何れか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
2003316004.tif 000003
（式中、Ｒ(II)-1〜Ｒ(II)-3は、上記に定義される通りである。
Ｒ18は、−ＯＣ（Ｒ11a）(Ｒ12a)（Ｒ13a）又は−ＯＣ（Ｒ14a）（Ｒ15a）（ＯＲ16a）（式中、Ｒ11a〜Ｒ16aは、上記に定義される通りである。）で示される基を表す。
Ｙは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はＲ18を表す。）
【請求項７】
前記一般式（ＩＩａ）又は（ＩＩａ１）で示される繰り返し単位中のＲ(I)-1〜Ｒ(I)-3のうちの少なくとも１つ、及び、前記一般式（ＩＩｂ）又は（ＩＩｂ１）で示される繰り返し単位中のＲ(I)-1及びＲ(I)-3のうちの少なくとも一方が、フッ素原子を含有することを特徴とする、請求項３〜６の何れか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
更に、下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項１〜７の何れか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
2003316004.tif 000004
（式中、Ｒ(III)-1〜Ｒ(III)-3はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。但し、Ｒ(III)-1〜Ｒ(III)-3のうち少なくとも２つはフッ素原子である。
Ｒ(III)-4は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。）
【請求項９】
更に、下記一般式（ＩＶ）で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項１〜８の何れか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【化５】
2003316004.tif 000005
（式中、Ｒ(Iv)-1〜Ｒ(Iv)-4はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。但しＲ(Iv)-1〜Ｒ(Iv)-4のうち少なくとも２つはフッ素原子である。）
【請求項１０】
（Ａ１）請求項１〜９の何れか１項に記載の、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸分解性樹脂、及び、（Ｂ）活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項１１】
更に、（Ａ１）以外の、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂（Ａ２）を含有することを特徴とする、請求項１０に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１２】
前記（Ａ２）の樹脂が、下記一般式（Ｉ'）〜（ＶＩ'）で示される群から選ばれる少なくとも１つの繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項１１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化６】
2003316004.tif 000006
（式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｘは、酸の作用により分解する基を表す。
Ｒ3'及びＲ4'は、酸の作用により分解する基を表す。
Ｒ11〜Ｒ16、Ｒ21〜Ｒ32、Ｒ41〜Ｒ46、Ｒ51〜Ｒ56は、それぞれ、水素原子、フッ素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。但しＲ11〜Ｒ16の少なくとも１つ、Ｒ21〜Ｒ32の少なくとも１つ、Ｒ41〜Ｒ46の少なくとも１つ、又はＲ51〜Ｒ56少なくとも１つはフッ素原子である。
ｎは、１〜５の整数を表す。）
【請求項１３】
前記（Ａ２）の樹脂が、更に下記一般式（Ｉ''）〜（ＶＩ''）で示される群から選ばれる少なくとも１つの繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項１１又は１２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化７】
2003316004.tif 000007
（式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表し、該アルキル基、該アラルキル基はそれぞれ途中に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ2−、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−ＳＯ−を有していても良い。
Ｒ11〜Ｒ16、Ｒ21〜32、Ｒ41〜Ｒ46、Ｒ51〜Ｒ56は、それぞれ、水素原子、フッ素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。但し、Ｒ11〜Ｒ16の少なくとも１つ、Ｒ21〜32の少なくとも１つ、Ｒ41〜Ｒ46の少なくとも１つ、またはＲ51〜Ｒ56の少なくとも１つはフッ素原子である。
ｎは、１〜５の整数を表す。）
【請求項１４】
前記（Ｂ）成分が、（Ｂ１）少なくとも１つのフッ素原子で置換された脂肪族あるいは芳香族のスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とする、請求項１０〜１３の何れか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１５】
前記（Ｂ）成分として、更に（Ｂ２）活性光線または放射線の照射により、フッ素原子を含まない脂肪族あるいは芳香族のスルホン酸、または脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を発生する化合物を含有することを特徴とする、請求項１４に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。