【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される１，３位にカルボニル基を有する化合物と光ラジカル発生剤を含有する光重合開始剤組成物。
【化１】
2004012820.tif 000001
（式（１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有しても良いアラルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアリーロキシ基又は重合性不飽和基もしくは高分子化合物残基を有する有機基を表す。Ｒ３は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有しても良いアラルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を表す。）
【請求項２】
下記一般式（２）で表される１，３位にカルボニル基を有する化合物と光ラジカル発生剤を含有する光重合開始剤組成物。
【化２】
2004012820.tif 000002
（式（２）中、Ｒ３は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有しても良いアラルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を表し、Ｒ４は置換基を有しても良いアルキレン基を示す。）
【請求項３】
一般式（１）で表される１，３位にカルボニル基を有する化合物がマロン酸ジメチル、Ｎ−アセトアセチルモルホリン、Ｎ−アセトアセチル−ｐ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする請求項１に記載の光重合開始剤組成物。
【請求項４】
一般式（２）で表される１，３位にカルボニル基を有する化合物がジメドンであることを特徴とする請求項２に記載の光重合開始剤組成物。
【請求項５】
光ラジカル発生剤がヘキサアリールビイミダゾール化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の光重合開始剤組成物。
【請求項６】
ヘキサアリールビイミダゾール化合物が一般式（３）で示される化合物である請求項５に記載の光重合開始剤組成物。
【化３】
2004012820.tif 000003
（式（３）中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基を示し、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基を表す。）
【請求項７】
ヘキサアリールビイミダゾール化合物が一般式（４）で示される化合物である請求項５に記載の光重合開始剤組成物。
【化４】
2004012820.tif 000004
（式（４）中、Ｒ１３はハロゲン原子を示し、Ｒ１４は置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基を表す。）
【請求項８】
光ラジカル発生剤が一般式（５）で示される有機ホウ素塩化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の光重合開始剤組成物。
【化５】
2004012820.tif 000005
（式（５）中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８はそれぞれ独立して置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シリル基、複素環基又は脂環式基を示し、Ｚ＋は任意のカチオンを表す。）
【請求項９】
光ラジカル発生剤が一般式（３）で示されるヘキサアリールビイミダゾール化合物及び一般式（５）で示される有機ホウ素塩化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の光重合開始剤組成物。
【請求項１０】
増感剤として、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、アンスラキノン系化合物及びケトクマリン系化合物からなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の光重合開始剤組成物。
【請求項１１】
少なくとも以下に示す（Ａ）〜（Ｃ）の成分を含有することを特徴とする光重合性組成物。
（Ａ）請求項１〜１０のいずれかに記載の光重合開始剤組成物
（Ｂ）カルボキシル基を有するバインダー樹脂
（Ｃ）エチレン性不飽和基を有する化合物
【請求項１２】
着色顔料を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の光重合性組成物。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の光重合性組成物からなる皮膜を細線状のパターンを有するフォトマスクを介しての光照射（露光）により重合した後、アルカリ現像を行って露光部パターンを形成する方法において、アルカリ現像時間を非露光部の皮膜が完全に溶解する時間（ｔＤ）の１．５〜３倍とすることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項１４】
請求項１１又は１２に記載の光重合性組成物からなる皮膜を細線状のパターンを有するフォトマスクを介しての光照射（露光）により重合した後、アルカリ現像を行って露光部パターンを形成する方法において、露光量を最小適正露光量の１〜３倍とすることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４の形成方法によって製造されたレジストパターン。
【請求項１６】
露光部パターンの断面形状における最上層の幅（Ｔ）と最下層の幅（Ｂ）との比（Ｔ／Ｂ）が１以下であることを特徴とする請求項１５に記載のレジストパターン。
【請求項１７】
最小適正露光量における露光部パターンの線幅と最小適正露光量の３倍の露光量における露光部パターンの線幅との差が５μｍ以下であることを特徴とする請求項１５に記載のレジストパターン。
【請求項１８】
請求項１〜１０のいずれか一つに記載の光重合開始剤組成物を用いて得られるカラーフィルタレジスト。
【請求項１９】
請求項１１又は１２に記載の光重合性組成物を用いて得られるカラーフィルタレジスト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
[３]  一般式（１）で表される１，３位にカルボニル基を有する化合物がマロン酸ジメチル、Ｎ−アセトアセチルモルホリン、Ｎ−アセトアセチル−ｐ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする上記[１]に記載の光重合開始剤組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
[４]  一般式（２）で表される１，３位にカルボニル基を有する化合物がジメドンであることを特徴とする上記[２]に記載の光重合開始剤組成物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
[５]  光ラジカル発生剤がヘキサアリールビイミダゾール化合物であることを特徴とする上記[１]または[２]に記載の光重合開始剤組成物。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
[６]  ヘキサアリールビイミダゾール化合物が一般式（３）で示される化合物である請求項５に記載の光重合開始剤組成物。
【化６】
2004012820.tif 000006
（式（３）中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基を示し、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基を表す。）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
[７]  ヘキサアリールビイミダゾール化合物が一般式（４）で示される化合物である上記[５]に記載の光重合開始剤組成物。
【化７】
2004012820.tif 000007
（式（４）中、Ｒ１３はハロゲン原子を示し、Ｒ１４は置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアルコキシ基を表す。）
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
[８]  光ラジカル発生剤が一般式（５）で示される有機ホウ素塩化合物であることを特徴とする上記[１]または[２]に記載の光重合開始剤組成物。
【化８】
2004012820.tif 000008
（式（５）中、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８はそれぞれ独立して置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シリル基、複素環基又は脂環式基を示し、Ｚ＋は任意のカチオンを表す。）
[９]  光ラジカル発生剤が一般式（３）で示されるヘキサアリールビイミダゾール化合物及び一般式（５）で示される有機ホウ素塩化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の光重合開始剤組成物。
[１０]  増感剤として、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、アンスラキノン系化合物及びケトクマリン系化合物からなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の光重合開始剤組成物。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
[１２]  着色顔料を含むことを特徴とする、上記[１１]に記載の光重合性組成物。
[１３]  上記[１１]又は[１２]に記載の光重合性組成物からなる皮膜を細線状のパターンを有するフォトマスクを介しての光照射（露光）により重合した後、アルカリ現像を行って露光部パターンを形成する方法において、アルカリ現像時間を非露光部の皮膜が完全に溶解する時間（ｔＤ）の１．５〜３倍とすることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
[１４]  上記[１１]又は[１２]に記載の光重合性組成物からなる皮膜を細線状のパターンを有するフォトマスクを介しての光照射（露光）により重合した後、アルカリ現像を行って露光部パターンを形成する方法において、露光量を最小適正露光量の１〜３倍とすることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
[１５]  上記[１３]または[１４]の形成方法によって製造されたレジストパターン。
[１６]  露光部パターンの断面形状における最上層の幅（Ｔ）と最下層の幅（Ｂ）との比（Ｔ／Ｂ）が１以下であることを特徴とする上記[１５]に記載のレジストパターン。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】[１７]  最小適正露光量における露光部パターンの線幅と最小適正露光量の３倍の露光量における露光部パターンの線幅との差が５μｍ以下であることを特徴とする上記[１５]に記載のレジストパターン。
[１８]  上記[１]〜[１０]のいずれか一つに記載の光重合開始剤組成物を用いて得られるカラーフィルタレジスト。
[１９]  上記[１１]又は[１２]に記載の光重合性組成物を用いて得られるカラーフィルタレジスト。