(57)【要約】【課題】プラスチック基板などの伸縮性を有する基板の表面に広範囲に亘って形成される多数の半導体形成領域に対して、基板が伸縮しても、アニール処理や半導体材料の塗布などの所定の処理を高精度に行うこと【解決手段】トラッキングしながら基板表面に光を照射する発光部（３４）と、この発光部（３４）から照射されて前記基板表面に反射した光を受光する受光部（３５）と、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部（３６）と、を有するトラッキング手段（３３）と、前記トラッキング手段（３３）からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段として、例えばアニール光照射手段（３７）やインクジェットノズル（４１）を備えた構成とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造装置であって、
トラッキングしながら基板表面に光を照射する発光部と、この発光部から照射されて前記基板表面に反射した光を受光する受光部と、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部と、を有するトラッキング手段と、
前記トラッキング手段からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段と、を備えたことを特徴とする半導体基板製造装置。
【請求項２】
前記基板は、プラスチック基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板製造装置。
【請求項３】
前記半導体形成領域に対して一定の離間距離を有し、前記半導体形成領域の配列方向に沿って連続する目標物が前記基板上に形成されており、この目標物をトラッキングして前記半導体形成領域の位置を前記位置検出部が算出することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板製造装置。
【請求項４】
前記連続する目標物をトラッキングして、このトラッキング方向に対して直交する方向に配列された複数の半導体形成領域の位置を同時に算出することを特徴とする請求項３に記載の半導体基板製造装置。
【請求項５】
基板上に形成された電源ライン，データライン，走査ラインの少なくとも一つの電極ラインを前記目標物にすることを特徴とする請求項３または４に記載の半導体基板製造装置。
【請求項６】
前記半導体形成領域に沿って連続する目標物の終端部が、当該目標物の他の部位とは異なる形状を有していることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項７】
前記半導体形成領域のそれぞれの位置情報を記憶する記憶手段を有し、この記憶手段から位置情報を読み出して前記半導体処理手段が処理を行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項８】
基板上に広範囲に形成された半導体形成領域または目標物の中の一部を検出し、検出位置を短時間のうちに順次切り替えて、半導体処理手段が処理する位置をその都度決定することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項９】
検出位置の切り替え頻度が１秒以内であることを特徴とする請求項８に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１０】
一つのトラッキング手段に対して、複数の半導体処理手段を備えたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１１】
前記半導体処理手段は、半導体形成領域に形成された半導体に対してアニール光を照射するアニール光照射手段であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１２】
前記トラッキング手段を後方から追従しながら、前記アニール光照射手段がアニール光を照射することを特徴とする請求項１１に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１３】
前記発光部から照射されるトラッキング用の光の波長と、前記アニール光照射手段から照射されるアニール光の波長とが少なくとも１００ｎｍ以上離れていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１４】
前記トラッキング用の光の進入角度と、前記アニール光の進入角度を少なくとも１０度以上異ならしめたことを特徴とする請求項１２または１３に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１５】
前記トラッキング手段の受光部がアニール光を遮断する遮断機構を有することを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１６】
前記半導体処理手段は、前記半導体形成領域に液状の半導体材料を塗布するインクジェットノズルであることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１７】
基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造装置であって、
半導体形成領域が配列された基板表面を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段で撮像した基板表面の情報に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部と、
前記位置検出部からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段と、を備えたことを特徴とする半導体基板製造装置。
【請求項１８】
前記基板は、プラスチック基板であることを特徴とする請求項１７に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１９】
前記半導体形成領域のそれぞれの位置情報を記憶する記憶手段を有し、この記憶手段から位置情報を読み出して前記半導体処理手段が処理を行うことを特徴とする請求項１７または１８に記載の半導体基板製造装置。
【請求項２０】
前記半導体処理手段は、半導体形成領域に形成された半導体に対してアニール光を照射するアニール光照射手段であることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項２１】
前記半導体処理手段は、前記半導体形成領域に液状の半導体材料を塗布するインクジェットノズルであることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項２２】
基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造方法であって、
基板表面にトラッキング用の光を照射し、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する工程と、
前記半導体形成領域の位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う工程と、を有することを特徴とする半導体基板製造方法。
【請求項２３】
前記基板は、プラスチック基板であることを特徴とする請求項２２に記載の半導体基板製造方法。
【請求項２４】
前記半導体形成領域に対して一定の離間距離を有し、前記半導体形成領域の配列方向に沿って連続する目標物が前記基板上に形成されており、当該目標物をトラッキングして前記半導体形成領域の位置を算出することを特徴とする請求項２２または２３に記載の半導体基板製造方法。
【請求項２５】
前記連続する目標物をトラッキングして、このトラッキング方向に対して直交する方向に配列された複数の半導体形成領域の位置を同時に算出することを特徴とする請求項２４に記載の半導体基板製造方法。
【請求項２６】
基板上に形成された電源ライン，データライン，走査ラインの少なくとも一つの電極ラインを前記目標物にしてトラッキングすることを特徴とする請求項２４または２５に記載の半導体基板製造方法。
【請求項２７】
前記半導体形成領域に沿って連続する目標物の終端部が、当該目標物の他の部位とは異なる形状を有しており、受光する光のスペクトルまたは強度の変化に従って終端部を検出すると、別の目標物に移行してトラッキングすることを特徴とする請求項２４〜２６のいずれか１項に記載の半導体基板製造方法。
【請求項２８】
基板上に広範囲に形成された半導体形成領域または目標物の中の一部を検出し、検出位置を短時間のうちに順次切り替えて、半導体処理手段が処理する位置をその都度決定することを特徴とする請求項２２〜２７のいずれか１項に記載の半導体基板製造方法。
【請求項２９】
検出位置の切り替え頻度を１秒以内にしたことを特徴とする請求項２８に記載の半導体基板製造方法。
【請求項３０】
前記所定の処理を行う工程は、前記半導体形成領域のそれぞれに形成された半導体に対してアニール光を照射するアニール処理工程であることを特徴とする請求項２２〜２９のいずれか１項に記載の半導体基板製造方法。
【請求項３１】
前記所定の処理は、インクジェットノズルを用いて前記半導体形成領域のそれぞれに液状の半導体材料を塗布する工程であることを特徴とする請求項２２〜３０のいずれか１項に記載の半導体基板製造方法。
【請求項３２】
基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造方法であって、
半導体形成領域が配列された基板表面を撮像する工程と、
前記撮像した基板表面の情報に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する工程と、
前記検出された位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う工程と、を有することを特徴とする半導体基板製造方法。
【請求項３３】
前記基板は、プラスチック基板であることを特徴とする請求項３２に記載の半導体基板製造方法。
【請求項３４】
前記半導体形成領域のそれぞれの位置情報を記憶し、記憶した位置情報に従って前記所定の処理を行うことを特徴とする請求項３２または３３に記載の半導体基板製造方法。
【請求項３５】
前記所定の処理を行う工程は、前記半導体形成領域のそれぞれに形成された半導体に対してアニール光を照射するアニール処理工程であることを特徴とする請求項３２〜３４のいずれか１項に記載の半導体基板製造方法。
【請求項３６】
前記所定の処理は、インクジェットノズルを用いて前記半導体形成領域のそれぞれに液状の半導体材料を塗布する工程であることを特徴とする請求項３２〜３５のいずれか１項に記載の半導体基板製造方法。
【請求項３７】
表面に広範囲に亘って多数の半導体形成領域が配列された基板であって、
前記半導体形成領域に対して一定の離間距離を有し、前記半導体形成領域の配列方向に沿って連続するトラッキング用の目標物が形成されていることを特徴とする半導体基板。
【請求項３８】
前記基板上に形成される電源ライン，データライン，走査ラインの少なくとも一つの電極ラインが前記目標物を兼用することを特徴とする請求項３７に記載の半導体基板。
【請求項３９】
前記半導体形成領域に沿って連続する目標物の終端部が、当該目標物の他の部位とは異なる形状を有していることを特徴とする請求項３７または３８に記載の半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばプラスチック基板などの伸縮性を有する基板上に広範囲に亘って形成された多数の半導体形成領域に対して所定の処理をする半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に半導体部を形成して半導体基板を製造する場合、洗浄工程、電極線配線工程、絶縁膜形成工程、半導体焼成工程などの種々の工程が行われるのが一般的である。基板の材質がガラス基板やシリコンウエハなど場合は特に問題にならないが、プラスチック基板の場合には工程毎に基板が伸縮するという問題がある。基板材料にもよるが、伸縮が大きい場合には基板の辺の長さに対して約０．１％の割合で変化することがあり、数十センチ角以上の大型基板では全体の歪みが約１００μｍにまで達することがある。【０００３】
半導体材料は、通常は、焼成することによって半導体としての機能が発現する。半導体を焼成する方法としては、基板を加熱する方法と、半導体にレーザー光を照射する方法がある。しかしながら、プラスチック基板に用いられる材料の多くは融点が２００℃以下であり、基板を加熱する方法では加熱温度が制限されてしまい、半導体の機能が充分に発現しない場合がある。一方、レーザーを照射する方法の場合、図９に示すように、基板１上に多数形成された各半導体形成領域１１にそれぞれ対応する多数の開口部１２を有するマスク１３を製作し、このマスク１３を介してレーザー照射手段からレーザー光を照射するのが一般的である。マスク１３としては、フォトマスクを使用する。しかしながら、基板１がプラスチック基板の場合、熱伸縮などによって基板に伸縮や歪みが発生し、半導体形成領域１１に位置ずれが生じ、レーザー光が照射されない場合がある。基板１の隅部に位置合わせ用のマーク１４を形成し、このマーク１４を検出してマスク１３の位置合わせを行ったとしても、基板自体に伸縮や歪みが発生している場合には、マスク１３の開口部１２同士の間隔と半導体形成領域１１同士の間隔に差が生じているので、有効な解決手段となり得ない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題には、上述した問題が一例として挙げられる。そこで、本発明の目的としては、プラスチック基板などの伸縮性を有する基板の表面に広範囲に亘って形成される多数の半導体形成領域に対して、基板が伸縮しても、アニール処理や半導体材料の塗布などの所定の処理を高精度に行うことのできる半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板を提供することが一例として挙げられる。【０００５】
また、本発明の他の目的は、伸縮を起こした基板上の半導体形成領域に対して、短時間で所定の処理を行うことができ、工程の短縮化を図ることが可能な半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板を提供することが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体基板製造装置は、請求項１に記載されているように、基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造装置であって、トラッキングしながら基板表面に光を照射する発光部と、この発光部から照射されて前記基板表面に反射した光を受光する受光部と、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部と、を有するトラッキング手段と、前記トラッキング手段からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段と、を備えたことを特徴とする。【０００７】
また、本発明の他の半導体基板製造装置は、請求項１７に記載されているように、基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造装置であって、半導体形成領域が配列された基板表面を撮像する撮像手段と、前記撮像手段で撮像した基板表面の情報に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部と、前記位置検出部からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段と、を備えたことを特徴とする。【０００８】
本発明の半導体基板製造方法は、請求項２２に記載されているように、基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造方法であって、基板表面にトラッキング用の光を照射し、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する工程と、前記半導体形成領域の位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う工程と、を有することを特徴とする。【０００９】
また、本発明の他の半導体製造方法は、請求項３２に記載されているように、基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造方法であって、半導体形成領域が配列された基板表面を撮像する工程と、前記撮像した基板表面の情報に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する工程と、前記検出された位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う工程と、を有することを特徴とする。【００１０】
本発明の半導体基板は、請求項３７に記載されているように、表面に広範囲に亘って多数の半導体形成領域が配列された基板であって、前記半導体形成領域に対して一定の離間距離を有し、前記半導体形成領域の配列方向に沿って連続するトラッキング用の目標物が形成されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態による半導体基板製造装置で処理される基板の一例を示す図である。
【図２】本発明の実施形態による半導体基板製造装置の概略構成を示す図である。
【図３】上記半導体基板製造装置で上記基板を処理する様子を模式的に示す図である。
【図４】上記半導体基板製造装置で処理される基板の他の例を示す図である。
【図５】上記半導体基板製造装置で処理される基板のさらに他の例を示す図である。
【図６】上記半導体基板製造装置で上記基板を処理する様子を模式的に示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態による半導体基板製造装置の概略構成を示す図である。
【図８】本発明の他の実施形態による半導体基板製造装置の概略構成を示す図である。
【図９】従来技術によるアニール処理の様子を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００１２】
２    基板
２１  有機ＥＬ部
２２  半導体形成領域
２３  電極ライン
３    半導体基板製造装置
３３  トラッキング手段
３４  発光部
３５  受光部
３６  位置検出部
３７  アニール光照射手段
３９  記憶手段
４    半導体基板製造装置
４１  インクジェットノズル
４２  吐出孔
５    撮像手段
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好ましい実施形態に従う半導体基板製造装置について、添付図面を参照しながら詳しく説明する。但し、以下に説明する実施形態によって本発明が限定されることはない。【００１４】
（第１実施形態）
まず、本実施形態の半導体基板製造装置で処理される基板の一例について、図１を参照しながら説明する。基板２は、例えば長さ６８０ｍｍ、幅８８０ｍｍ、厚み０．２ｍｍの矩形平板状のプラスチック基板であり、その表面には、図１に模式的に示すように、一対の有機ＥＬ部２１及び半導体形成領域２２の多数が、基板２の表面に広範囲に亘ってマトリックス状に整列配置されている。当該基板２は、例えば有機ＥＬパネル用の基板として用いることができ、有機ＥＬ素子によって形成される有機ＥＬ部２１が一画素を構成する。この場合、前記半導体形成領域２２は、有機ＥＬ部２１をアクティブ駆動させるための有機トランジスタのチャネル部を形成する有機半導体層である。なお、図１では図示を省略してあるが、実際には、基板２の表面に数千（行）×数千（列）個の多数組の有機ＥＬ部２１及び半導体形成領域２２が配置されている。但し、本実施形態で処理される基板２は、その表面に広範囲に亘って多数の半導体形成領域２１が形成されていればよく、材質、基板形状、基板上のパターン形状などが限定されることはない。【００１５】
半導体形成領域２２は、例えば基板２に成膜した感光性有機材料をパターニングして凹部を形成し、この凹部内に半導体材料を充填した構成である。半導体材料は、有機半導体材料または無機半導体材料のいずれであってもよい。さらに、凹部内に半導体材料を充填する方法としては、例えば蒸着法や塗布法などを用いることができる。なお、図１の例では、楕円形状の半導体形成領域２２を一例として示しているが、これに限定されることはなく、矩形状、線状、円形状、パターン状などの任意の形状にすることができる。【００１６】
さらに、基板２には、多数組の有機ＥＬ部２１及び半導体形成領域２２のそれぞれを区画するようにして網目状に電極ライン２３が形成されている。これら電極ライン２３は、電源ライン，データライン，走査ラインなどであり、例えば電極線配線工程にて基板２に形成される。具体的には、スパッタ法などによって基板２に例えば反射率の高いアルミニウムなどの導電性材料で薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法及びエッチングによってパターニングしてまずＸ方向に延びる電極ラインを形成し、Ｙ方向に延びる電極ラインとの交差部で電気的ショートが発生しないように絶縁膜を形成し、最後にＹ方向に延びる電極ラインを例えば反射率の低いクロムなどの導電性材料を用いて形成する。図１の例では、基板２の長さ方向（Ｘ方向）に延びる電極ラインが電源ライン２３ａであり、基板２の幅方向（Ｙ方向）に延びる電極ラインがデータライン２３ｂである。但し、これに限定されるものではない。【００１７】
ここで、詳しくは後述するように、本実施形態では、基板２の長さ方向（Ｘ方向）に延びる電極ライン（例えば電源ライン２３ａ）をトラッキングの目標物に設定している。この場合、電極ライン２３ａの両端部は、他の部位と異なる形状とし、光の反射特性を他の部位と異なるようにするのが好ましい。このように構成すれば、電極ライン２３ａの始端及び終端を確実にトラッキングにより検出することが可能となる。一例として、図１に示すように、順次間隔が小さくなるスリット２３ｃを形成することができる。さらに、トラッキングを容易にするために、目標物である電極ライン２３ａの表面に、反射膜を形成したり、ピットなどの凹凸を形成したりして反射率を調整するようにしてもよい。【００１８】
上記の基板２を処理する半導体基板製造装置３の一例としては、図２に概略構成を示すように、処理空間を形成する筐体３１を備え、この筐体３１の内部に基板保持部３２を備えている。そして、基板保持部３２に保持された基板２の表面に対して所定の隙間を介して対向するようにトラッキング手段３３が配置されている。トラッキング手段３３は、例えば波長６３５ｎｍのトラッキング用の半導体レーザー光を、予め設定した所定の進入角θ１で照射する発光部３４と、発光部３４から照射され基板２の表面に反射した光を受光する受光部３５と、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて基板２上の目標物を検出し、半導体形成領域２２の位置情報を取得する位置検出部３６と、を有している。発光部３４としては半導体レーザーを用いることができ、受光部３５としてはフォトダイオードを用いることができる。また、位置検出部３６としては、例えばＣＰＵを備えたコンピュータ装置を用いることができる。但し、発光部３４、受光部３５及び位置検出部３６が、これらに限定されることはない。【００１９】
発光部３４及び受光部３５は、駆動機構（不図示）によって、基板２の表面に対して所定の間隔を介して対向するように上下方向（Ｚ方向）に移動可能であると共に、基板２の長さ方向（Ｘ方向）及び幅方向（Ｙ方向）に走査自在なように構成されている。そして、例えばリニアスケールなどを用いてX方向とＹ方向の相対的移動量を検出し、基板２との離間距離及び進入角θ１に基づいて、基板２の表面に照射されるトラッキング用のレーザー光の座標（Ｘ，Ｙ）を演算によって算出する。【００２０】
さらに、半導体基板製造装置３には、基板２の半導体形成領域２２に対して所定の処理を行う半導体処理手段が設けられている。本実施形態では、半導体処理手段として、半導体形成領域２２に形成された半導体に対して、例えば波長３０８ｎｍのアニール用のレーザー光を、予め設定した所定の進入角θ２で照射するアニール光照射手段３７が設けられている。アニール光照射手段３７としては、例えばエキシマレーザーなどを用いることができるが、これに限定されることはない。アニール光照射手段３７は、駆動機構（不図示）によって、基板２の表面に対して所定の間隔を介して対向するように上下方向（Ｚ方向）に移動可能であると共に、基板２の長さ方向（Ｘ方向）及び幅方向（Ｙ方向）に走査自在なように構成されている。そして、例えばリニアスケールなどを用いてＸ方向とＹ方向の相対的移動量を検出し、基板２との離間距離及び進入角θ２に基づき、基板２の表面の任意の座標（Ｘ，Ｙ）に対してレーザー光を照射可能な構成である。【００２１】
上記発光部３４、受光部３５、位置検出部３６及びアニール光照射手段の動作は、制御部３８により制御される。制御部３８としては、例えばＣＰＵを備えたコンピュータ装置を用いることができるが、これに限定されることはない。【００２２】
ここで、同一の基板２に対してトラッキングによる半導体形成領域２２の位置検出を行いながらアニール処理を行う場合、受光部３５がアニール光を受光することで検出誤差が生じるのを防止するために、トラッキング用の光の照射領域（照射スポット）とアニール光の照射領域（照射スポット）が重ならないようにするのが好ましい。さらに、より確実に検出誤差を小さくするためには、トラッキング用の光の波長とアニール光の波長が少なくとも１００ｎｍ以上離れるように設定するのが好ましい。また、トラッキング用の光の進入角θ１とアニール光の進入角θ２を少なくとも１０度以上異なるように設定するのが好ましい。さらにまた、アニール光を遮断する遮断機構として、例えば光フィルタを受光部３５に設けるようにするのが好ましい。【００２３】
さらに、位置検出部３６は、各半導体形成領域２２の位置を記憶する記憶手段３９として例えばメモリなどを有しており、トラッキングによって検出した半導体形成領域２２の位置情報を当該記憶手段３９に順次記憶し、この記憶手段３９から読み出した位置情報に基づいてアニール光を照射するように制御することができる。【００２４】
続いて、図２に示す半導体基板製造装置３を用いて、図１に示す基板２を処理する動作について説明する。【００２５】
まず、洗浄工程、電極線配線工程、絶縁膜形成工程などの前工程を通じて図１のように構成された基板２を、基板搬入口（不図示）を介して筐体３１の内部に搬入し、基板保持部３２に載置する。このとき、例えば基板保持部３２の表面に吸引機構を設けておき、基板２を吸着保持するようにしてもよい。【００２６】
続いて、発光部３４及び受光部３５を基板２の表面に向かって移動させ、基板２の表面から例えば５ｍｍの離間距離を介して対向するように設定する。そして、トラッキング用の光を照射しながら発光部３４及び受光部３５を水平方向（Ｘ方向及びＹ方向）に走査させ、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて目標物である電極ライン（２３ａ）を検出する。目標物であるか否かの判定としては、例えば、目標物に反射したときの光のスペクトルまたは強度を予め測定して位置検出部３６の記憶手段３９に記憶しておき、トラッキングしたときに受光される光のスペクトルまたは強度と比較して目標物であるか否かを判定することができる。さらに、図１に示したように、電極ライン（２３ａ）の端部にスリット２３ｃを形成している場合には、光のスペクトルまたは強度が変化するのに基づいてトラッキングの始端及び終端を検出することができる。【００２７】
図３を参照しながら、トラッキングの一例について詳しく説明すると、まず、トラッキング用の光の照射位置を基板２の隅部（位置Ａ）に設定し、この照射領域を基板２の幅方向（Ｙ方向）に走査すると、位置Ｂにて目標物を検出するので、今度は基板２の長さ方向（Ｘ方向）に走査して目標物をトラッキングしていく。そして、位置Ｃで目標物の終端が検出されると、今度は基板２の幅方向（Ｙ方向）に走査することにより、位置Ｄで次の目標物を検出するので、基板２の長さ方向（Ｘ方向）に走査して目標物をトラッキングしていく。以後、同様の動作を継続する。【００２８】
ここで、目標物である電極ライン（２３ａ）は、半導体形成領域２２とは離間距離Ｌ１の分だけ離れているが、離間距離Ｌ１は予め設計によって決められているので、検出した目標物の座標を距離Ｌ１の分だけ補正することにより、半導体形成領域２２の位置を演算によって求めることができる。さらに、Ｘ方向およびＹ方向の電極ライン２３ａ，２３ｂの交差する位置で光のスペクトルまたは強度が変化するのを検出し、この検出位置を基準にして離間距離Ｌ２を補正することにより、半導体形成領域２２のＸ方向の位置情報を演算によって求めることもできる。既述したように、プラスチック基板を用いると伸縮する場合があるが、離間距離Ｌ１，Ｌ２は１００μｍ程度と極めて短い距離であるため、基板２に伸縮または歪みが発生したとしても、離間距離Ｌ１，Ｌ２の変化は極めて小さい。そのため、離間距離Ｌ１，Ｌ２で補正することによる誤差の発生はないか、あったとしても極めて少ない。【００２９】
上記のようにして半導体形成領域２２の位置を検出する一方で、検出された位置情報に基づいてアニール光照射手段３７を走査し、半導体形成領域２２にアニール光を照射する。より詳しくは、例えば図３に示すように、目標物を検出した位置Ｂから離間距離Ｌ１を補正した位置Ｅに対してアニール光を照射可能なように、アニール光照射手段３７を移動させ、半導体形成領域２２が間隔をおいて配列されている基板の長さ方向（Ｘ方向）にアニール光照射手段３７を走査しながら、これら半導体形成領域２２に対して順次アニール光を照射していく。このようにアニール処理することで半導体の特性が充分に発現される。【００３０】
なお、上記のようにトラッキング手段３３の後方からアニール光照射手段３７を追従させながらアニール処理すれば、処理時間の短縮化を図ることができるが、これに限定されることはなく、すべての半導体形成領域２２の位置を検出した後に、記憶手段３９から位置情報を読み出してアニール処理を行うようにしてもよい。【００３１】
さらには、複数のアニール光照射手段３７を備えた構成とし、これら複数のアニール光照射手段３７を同時またはタイミングを異ならしめて一斉に走査してアニール光を照射するようにしてもよい。このようにすれば、アニール処理に要する時間を短縮することができるという利点がある。一例として、例えば図４に示すように、第１の行に配列された半導体形成領域２２Ａ、第２の行に配列された半導体形成領域２２Ｂ、第３の行に配列された半導体形成領域２２Ｃのそれぞれに対して、アニール光照射手段３７Ａ，３７Ｂ，３７Ｃを配置し、これらアニール光照射手段３７Ａ，３７Ｂ，３７Ｃを基板２の長さ方向（Ｘ方向）に走査して各行ごとにアニール処理することができる。なお、図４には３本のアニール照射手段３７Ａ，３７Ｂ，３７Ｃを設けた例を示しているが、これに限定されることはなく、それ以上のアニール照射手段を設けるようにすることもできる。【００３２】
上述の実施形態によれば、基板２の表面に広範囲に亘って形成されている電極ライン２３を目標物に設定し、この目標物をトラッキングして半導体形成領域２２の位置情報を取得しているので、たとえ基板２に伸縮や歪みが発生していても、基板２に形成された多数の半導体形成領域２２の位置を高精度に検出することができる。そして、取得した位置情報に基づいてアニール光を照射することによって、これら多数の半導体形成領域２２に対して高精度にアニール処理を行うことが可能となる。【００３３】
さらに本実施形態によれば、基板全体にアニール光を照射しないで、アニール処理を必要とする半導体形成領域２２に対してのみアニール光を照射するので、基板２に供給される熱エネルギー量を必要最小限に抑えることができる。その結果、基板２に与えるダメージを少なくして、半導体の機能を発現させることが可能となる。【００３４】
さらに、本実施形態によれば、例えば有機半導体材料を用いた場合に、半導体形成プロセスの簡便化を図ることができるという利点がある。すなわち、有機半導体材料は、焼成しなければ半導体としての機能が発現せず、絶縁物として機能する。そこで、基板表面の全体に有機半導体材料の薄膜を形成し、必要な部位のみアニール光を照射して、半導体としての機能を発現させるようにする。これにより、蒸着法や印刷法のように選択的部位に半導体を形成する場合に比べて、半導体形成プロセスを簡便化させることが可能となる。しかも、絶縁膜を同時に形成することが可能である、【００３５】
さらに本実施形態によれば、トラッキング手段３３によって目標物の検出を行う一方で、トラッキング手段３３の後方からアニール光照射手段３７を追従させてアニール処理を行うことにより、一つの基板２に対し、トラッキングを開始してからアニール処理を終了するまでの工程を短時間に行うことが可能となる。このとき、トラッキング用の光の波長とアニール光の波長が少なくとも１００ｎｍ以上離れるように設定するか、または、トラッキング用の光の進入角θ１とアニール光の進入角θ２を少なくとも１０度以上異なるように設定するか、あるいは、アニール光を遮断する遮断機構を受光部３５に設けるようにすれば、受光部３５がアニール光を検出してしまうことが抑えられ、目標物の誤検出を防止することができる。その結果、半導体形成領域２２の位置検出に誤差が生じるのを防止することが可能となる。【００３６】
さらに本実施形態において、基板２に広範囲に形成された半導体形成領域（目標物）の中の一部を検出し、検出位置を短時間（例えば１秒以内の頻度）のうちに順次切り替えて、アニール光照射手段３７がアニール光を照射する位置をその都度決定するようにすれば、目標物の検出位置と照射位置との距離が遠くならないうちに、換言すればトラッキングした後の基板２の伸縮によって検出した位置のずれが大きくならないうちに、照射位置の近くにある別の新たな目標物に切り替えることができる。つまり、上記のように切り替えを短時間に行ってアニール光の照射位置をその都度決定することにより、目標物と照射位置との関係が基板全体の大きさに対して比較的近距離を保つことができ、アニール光の照射ずれを小さくすることが可能となる。【００３７】
なお、上記の実施形態では、基板２の長さ方向（Ｘ方向）に延びる電極ライン（２３ａ）を目標物に設定しているが、これに限定されることはなく、基板の幅方向（Ｙ方向）に延びる電極ライン２３ｂを目標物に設定してもよく、また別の部材を目標物に設定してもよく、あるいは新たに目標物を形成するようにしてもよい。さらには、半導体形成領域２２自体を目標物に設定するようにしてもよい。具体的な変形例としては、例えば図５に示すように、第１の行に配列された有機ＥＬ部２１Ａのそれぞれに対応する半導体形成領域２２Ｄと、第２の行に配列された有機ＥＬ部２１Ｂのそれぞれに対応する半導体形成領域２２Ｅを、基板２の長さ方向（Ｘ方向）に一列に配列することができる。このように構成することにより、アニール光照射手段３７の走査回数を少なくすることができ、より確実にアニール処理に要する時間を短縮することが可能となる。【００３８】
さらに他の変形例としては、例えば図６に示すように、目標物としてのみ機能する半導体形成領域２２Ｆを基板２の長さ方向端部（紙面上側）に形成することができる。この場合、目標物である半導体形成領域２２Ｆをトラッキングし、離間距離Ｌ３を補正して第１の行の半導体形成領域２２Ａの位置を算出する。続いて、当該第１の行の半導体形成領域２２Ａをトラッキングし、同じく離間距離Ｌ３を補正して第２の行の半導体形成領域２２Ｂの位置を算出する。なお、図６では電極ラインの図示を省略している。【００３９】
（第２実施形態）
続いて、本発明の第２実施形態について図７を参照しながら説明する。
図７に模式的に示すように、本実施形態による半導体基板製造装置４は、半導体処理手段として、半導体材料塗布手段であるインクジェットノズル４１を備え、半導体形成領域２２のそれぞれに対して液状の半導体材料を塗布する処理を行うことを除けば、第１実施形態の半導体基板製造装置３と同じ構成である。従って、第１実施形態の半導体基板製造装置３と同じ構成については同じ符号を付すことによって詳しい説明を省略する。【００４０】
図７に示すように、インクジェットノズル４１は、その下面に多数の吐出孔４２が一列に並んで形成され、各吐出孔４２ごとに吐出動作を制御可能なように構成されている。そして、駆動機構（不図示）により、基板２の長さ方向（Ｘ方向）にノズル４１を連続的または間欠的に走査しながら、半導体形成領域２２の上方を通過する吐出孔４２から液状の半導体材料を吐出する。【００４１】
上記構成の半導体基板製造装置４により基板２を処理する動作について説明すると、まず、既述したようにしてトラッキング手段３３を動作させて基板２のすべての半導体形成領域２２の位置情報を取得して記憶手段３９に記憶する。続いて、基板２の長さ方向（Ｘ方向）にノズル４１を走査し、前記位置情報に基づき、所定の走査位置にて所定の吐出孔４２から液状の半導体材料を吐出し、半導体形成領域２２のそれぞれに半導体材料を塗布する。なお、ノズル４１を基板２の幅方向（Ｙ方向）に対して水平方向に傾斜（傾斜角θ３）させることによりＹ方向に並ぶ半導体形成領域２２の間隔に吐出孔４２のピッチを合わせ、すべての半導体形成領域２２の上方を吐出孔４２が通過するようにするか、あるいは通過する吐出孔４２の数が最大数となるように設定するようにしてもよい。この場合、吐出孔４２の間隔は予め設計によって決まっているので、取得した位置情報に基づいて傾斜角θ３の角度を調整することができる。【００４２】
上述の実施形態においても、基板２の表面に広範囲に亘って形成されている目標物をトラッキングして半導体形成領域２２の位置情報を取得しているので、たとえ基板２の伸縮や歪みが発生していたとしても、基板２のすべての半導体形成領域２２の位置を高精度に検出することができる。そして、取得した位置情報に基づいてノズル４１から液状半導体材料を吐出することによって、これら多数の半導体形成領域２２に対して高精度に液状半導体材料を塗布することが可能となる。なお、多数の吐出孔４２を有するノズル４１に代えて、一つの吐出孔を有するノズルを用いて塗布するようにしても同様の効果を得ることができる。【００４３】
さらには、半導体処理手段として、半導体材料塗布手段であるインクジェットノズル４１とアニール照射手段３７の両方を備えた構成とし、インクジェットノズル４１で半導体材料を塗布した後、アニール照射手段３７でアニール処理することもできる。このような構成とすれば、第１及び第２実施形態の両方の効果を得ることが可能となる。【００４４】
（第３実施形態）
上述の実施形態では、トラッキング手段３３を用いて目標物を検出し、半導体形成領域２２の位置情報を取得していたが、これに限定されることはなく、例えば図８に模式的に示すように、ＣＣＤカメラなどの撮像手段５を用いて基板２の表面を撮像し、撮像した基板表面のデータ解析を行って半導体形成領域２２の位置情報を取得することができる。この場合、半導体処理手段として、アニール光照射手段３７及びインクジェットノズル４１の一方、または両方を備えた構成とすることができる。このような構成であっても、基板２に広範囲に亘って形成された半導体形成領域２２の位置を高精度に検出することができ、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、撮像手段５を用いて位置を検出する構成とすることにより、位置情報の取得時間を短縮化することが可能となる。【００４５】
以上説明したように、本発明によれば、基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造装置であって、トラッキングしながら基板表面に光を照射する発光部と、この発光部から照射されて前記基板表面に反射した光を受光する受光部と、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部と、を有するトラッキング手段と、前記トラッキング手段からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段と、を備えた構成とすることにより、たとえ基板に伸縮や歪みが発生していても、基板の表面に広範囲に亘って形成されている多数の半導体形成領域の位置を高精度に検出することができる。そして、取得した位置情報に基づいて半導体処理手段が処理することによって、これら多数の半導体形成領域に対して高精度に処理を行うことが可能となる。【００４６】
また、本発明によれば、基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造装置であって、半導体形成領域が配列された基板表面を撮像する撮像手段と、前記撮像手段で撮像した基板表面の情報に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部と、前記位置検出部からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段と、を備えた構成とすることにより、上記発明と同様の効果を得ることができると共に、位置検出に要する時間の短縮化を図ることができる。
【図１】
2008117355.tif 000003
【図２】
2008117355.tif 000004
【図３】
2008117355.tif 000005
【図４】
2008117355.tif 000006
【図５】
2008117355.tif 000007
【図６】
2008117355.tif 000008
【図７】
2008117355.tif 000009
【図８】
2008117355.tif 000010
【図９】
2008117355.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造装置であって、
前記半導体形成領域に対して一定の離間距離を有し、前記半導体形成領域の配列方向に沿って連続すると共にその終端部が他の部位とは異なる形状を有している基板上に形成された目標物をトラッキングしながら基板表面に光を照射する発光部と、この発光部から照射されて前記基板表面に反射した光を受光する受光部と、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部と、を有するトラッキング手段と、
前記トラッキング手段からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段と、を備えたことを特徴とする半導体基板製造装置。
【請求項２】
前記基板は、プラスチック基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板製造装置。
【請求項３】
前記連続する目標物をトラッキングして、このトラッキング方向に対して直交する方向に配列された複数の半導体形成領域の位置を同時に算出することを特徴とする請求項１に記載の半導体基板製造装置。
【請求項４】
基板上に形成された電源ライン，データライン，走査ラインの少なくとも一つの電極ラインを前記目標物にすることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板製造装置。
【請求項５】
前記半導体形成領域のそれぞれの位置情報を記憶する記憶手段を有し、この記憶手段から位置情報を読み出して前記半導体処理手段が処理を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項６】
基板上に広範囲に形成された半導体形成領域または目標物の中の一部を検出し、検出位置を短時間のうちに順次切り替えて、半導体処理手段が処理する位置をその都度決定することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項７】
検出位置の切り替え頻度が１秒以内であることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板製造装置。
【請求項８】
一つのトラッキング手段に対して、複数の半導体処理手段を備えたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項９】
前記半導体処理手段は、半導体形成領域に形成された半導体に対してアニール光を照射するアニール光照射手段であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１０】
前記トラッキング手段を後方から追従しながら、前記アニール光照射手段がアニール光を照射することを特徴とする請求項９に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１１】
前記発光部から照射されるトラッキング用の光の波長と、前記アニール光照射手段から照射されるアニール光の波長とが少なくとも１００ｎｍ以上離れていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１２】
前記トラッキング用の光の進入角度と、前記アニール光の進入角度を少なくとも１０度以上異ならしめたことを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１３】
前記トラッキング手段の受光部がアニール光を遮断する遮断機構を有することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１４】
前記半導体処理手段は、前記半導体形成領域に液状の半導体材料を塗布するインクジェットノズルであることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体基板製造装置。
【請求項１５】
基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造方法であって、
前記半導体形成領域に対して一定の離間距離を有し、前記半導体形成領域の配列方向に沿って連続すると共にその終端部が他の部位とは異なる形状を有している基板上に形成された目標物にトラッキング用の光を照射し、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出し、受光する光のスペクトルまたは強度の変化に従って目標物の終端部を検出すると、別の目標物に移行してトラッキングする工程と、
前記半導体形成領域の位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う工程と、を有することを特徴とする半導体基板製造方法。
【請求項１６】
前記基板は、プラスチック基板であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体基板製造方法。
【請求項１７】
前記連続する目標物をトラッキングして、このトラッキング方向に対して直交する方向に配列された複数の半導体形成領域の位置を同時に算出することを特徴とする請求項１５に記載の半導体基板製造方法。
【請求項１８】
基板上に形成された電源ライン，データライン，走査ラインの少なくとも一つの電極ラインを前記目標物にしてトラッキングすることを特徴とする請求項１５に記載の半導体基板製造方法。
【請求項１９】
基板上に広範囲に形成された半導体形成領域または目標物の中の一部を検出し、検出位置を短時間のうちに順次切り替えて、半導体処理手段が処理する位置をその都度決定することを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の半導体基板製造方法。
【請求項２０】
検出位置の切り替え頻度を１秒以内にしたことを特徴とする請求項１９に記載の半導体基板製造方法。
【請求項２１】
前記所定の処理を行う工程は、半導体形成領域に形成された半導体に対してアニール光を照射するアニール処理工程であることを特徴とする請求項１５〜２０のいずれか１項に記載の半導体基板製造方法。
【請求項２２】
前記所定の処理は、インクジェットノズルを用いて半導体形成領域に液状の半導体材料を塗布する工程であることを特徴とする請求項１５〜２１のいずれか１項に記載の半導体基板製造方法。
【請求項２３】
表面に広範囲に亘って多数の半導体形成領域が配列された基板であって、
前記半導体形成領域に対して一定の離間距離を有し、前記半導体形成領域の配列方向に沿って連続すると共にその終端部が他の部位とは異なる形状を有しているトラッキング用の目標物が形成されていることを特徴とする半導体基板。
【請求項２４】
前記基板上に形成される電源ライン，データライン，走査ラインの少なくとも一つの電極ラインが前記目標物を兼用することを特徴とする請求項２３に記載の半導体基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の半導体基板製造装置は、請求項１に記載されているように、基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造装置であって、前記半導体形成領域に対して一定の離間距離を有し、前記半導体形成領域の配列方向に沿って連続すると共にその終端部が他の部位とは異なる形状を有している基板上に形成された目標物をトラッキングしながら基板表面に光を照射する発光部と、この発光部から照射されて前記基板表面に反射した光を受光する受光部と、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出する位置検出部と、を有するトラッキング手段と、前記トラッキング手段からの位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う半導体処理手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の半導体基板製造装置は、請求項１５に記載されているように、  基板上に広範囲に亘って配列された多数の半導体形成領域に対して所定の処理を行う半導体基板製造方法であって、前記半導体形成領域に対して一定の離間距離を有し、前記半導体形成領域の配列方向に沿って連続すると共にその終端部が他の部位とは異なる形状を有している基板上に形成された目標物にトラッキング用の光を照射し、受光した光のスペクトルまたは強度に基づいて前記基板上の半導体形成領域の位置を検出し、受光する光のスペクトルまたは強度の変化に従って目標物の終端部を検出すると、別の目標物に移行してトラッキングする工程と、前記半導体形成領域の位置情報に基づき、前記半導体形成領域のそれぞれに対して所定の処理を行う工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体基板は、請求項２３に記載されているように、表面に広範囲に亘って多数の半導体形成領域が配列された基板であって、前記半導体形成領域に対して一定の離間距離を有し、前記半導体形成領域の配列方向に沿って連続すると共にその終端部が他の部位とは異なる形状を有しているトラッキング用の目標物が形成されていることを特徴とする。                                                                 
【国際調査報告】
2008117355.tif 000012
2008117355.tif 000013
2008117355.tif 000014
2008117355.tif 000015
2008117355.tif 000016
2008117355.tif 000017
2008117355.tif 000018