Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月15日(2004.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに積層された多数の平形燃料電池と、端版（７ａ〜7ｅ）と、端版を通り抜ける作動媒体通路（１７ａ、１７ｂ、２７）とを備えた燃料電池ブロックにおいて、
少なくとも部分的に作動媒体通路内に配置されていて且つ少なくとも部分的に端板内に組み込まれている作動媒体制御装置（１５、１９、２３、２９、３１、３３）を備えることを特徴とする燃料電池ブロック。
【請求項２】
作動媒体制御装置（１５）が水分離器であることを特徴とする請求項１記載の燃料電池ブロック。
【請求項３】
水分離器（１５）が完全に端板（７ｃ）内に収容されたことを特徴とする請求項２記載の燃料電池ブロック。
【請求項４】
燃料電池の積層方向に対し平行な第１および第２の軸方向通路と、両軸方向通路の接続のために端板（７ｃ）内に形成された接続通路（１７ａ、１７ｂ）を備えることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の燃料電池ブロック。
【請求項５】
接続通路（１７ａ、１７ｂ）内に配置され、且つ端板（７ｃ）内に組み込まれた水分離器（１５）を備えることを特徴とする請求項４記載の燃料電池ブロック。
【請求項６】
多数のカスケード状に配置された多数の燃料電池ブロック段（５ｂ、５ｃ）を備え、１つのカスケード段（５ｂ）からの作動媒体移送のための第１の軸方向通路と、次のカスケード段（５ｃ）の作動媒体供給のための第２の軸方向通路とを備えることを特徴とする請求項４又は５記載の燃料電池ブロック。
【請求項７】
作動媒体制御装置（１５、１９、２３、２９、３１、３３）が、水分離器、流れ監視器、センサ、弁又は操作要素であることを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の燃料電池ブロック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、互いに積層された多数の平形燃料電池と、端板と、端板を通り抜ける作動媒体通路とを備えた燃料電池ブロックに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の他の利点は、セルの積層方向に対し平行な２つの軸方向通路を互いに接続すべく端板に形成した接続通路により得られる。燃料電池スタック内部の軸方向通路は、作動ガスと冷却水を燃料電池に供給および排出するのに役立つ。例として、ここでは端板内部における冷却水案内通路について説明する。燃料電池スタックの冷却構想に応じ、例えば冷却水を、燃料電池ブロックの供給部から軸方向通路に導き、そこで燃料電池スタックに通し、軸方向通路からスタックの燃料電池へ分配し、そこから別の軸方向通路に再び集める。燃料電池スタックの終端で冷却水を別の軸方向通路に導き、この別の軸方向通路で冷却水を燃料電池ブロックの供給部へ再び戻す。冷却水を収集する軸方向通路と、冷却水を燃料電池ブロックの供給部に帰還させる軸方向通路との間の接続管は、燃料電池スタックを外側に対し区画する端板内部の通路として形成する。この方法で、両軸方向通路間の接続部分を付加的に必要な密封箇所と共に回避できる。この結果安全性が高まり、占有空間を節約できる。金属製の端板が燃料電池ブロック全体に安定性を与える故、端板は、一般に、問題なく作動媒体制御装置又は作動媒体通路に場所を提供できる厚みになし得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図３は端子板として構成した端板７ａの断面を概略的に示す。端子板は、作動媒体通路２７が貫通するドーム２５を持つ。作動媒体通路２７は、作動媒体端子１３の１つを燃料電池ブロック１の供給部３に配置した燃料電池ブロック１の供給装置に接続する。作動媒体通路２７内へ突出して、温度センサとして構成した作動媒体制御装置２９を配置している。温度センサは、完全に端板７ａ内に組み込めるように端板７ａに嵌めこんでいる。同様に作動媒体通路２７に、弁として形成した別の作動媒体制御装置３１を配置している。この弁は、弁の操作要素として形成した作動媒体制御装置３３を配設しており、これは弁自体と同様に、完全に端板７ａ内に組み込めるように端板７ａに嵌め込んでいる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の（ＩＰベースの）制御ネットワークを一つにまとめることを可能にする方法であって、前記制御ネットワークのそれぞれ１つは制御目的のために前記ネットワークのそれぞれ１つにおいてそれぞれの装置またはそれぞれのサービスの発見を可能にするそれぞれのマルチキャストチャネルを使用するそれぞれの発見プロトコルを用いて動作する、方法であり、
前記ネットワークの少なくとも他の１つへのユニキャストメッセージとして前記ネットワークの特定の１つのマルチキャストチャネルにおいてマルチキャストメッセージを転送することを可能にする段階；並びに
前記他のネットワークにおいて前記ユニキャストメッセージから前記マルチキャストメッセージを再生成することを可能にする段階；
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記マルチキャストメッセージは特定の装置または特定のサービスの発見のための検索メッセージを有する、ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記マルチキャストメッセージは特定の装置または特定のサービスの存在を通知するための通知メッセージを有する、ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記制御ネットワークの少なくとも特定の１つは無線ネットワークを有する、ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、ＩＰマルチキャスティングを使用する段階を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記制御ネットワークの少なくとも特定の１つはＵＰｎＰアーキテクチャを有する、ことを特徴とする方法。
【請求項７】
制御目的のためにネットワークにおいて装置またはサービスの発見を可能にするマルチキャストチャネルを使用する発見プロトコルを用いて動作する制御ネットワークにおいてインストールされるためのソフトウェア構成要素であって：
前記マルチチャネルにおけるマルチキャストメッセージを受信し；並びに
他の制御ネットワークにユニキャストメッセージとして前記マルチキャストメッセージを転送する；
ために動作可能であることを特徴とするソフトウェア構成要素。
【請求項８】
請求項７に記載のソフトウェア構成要素であって、前記制御ネットワークはＩＰマルチキャスティングを使用する、ことを特徴とするソフトウェア構成要素。
【請求項９】
請求項８に記載のソフトウェア構成要素であって、前記制御ネットワークはＵＰｎＰアーキテクチャを有する、ことを特徴とするソフトウェア構成要素。
【請求項１０】
制御目的のためにネットワークにおいて装置またはサービスの発見を可能にするためにマルチキャストチャネルを使用する発見プロトコルを用いて動作する制御ネットワークにおいてインストールされるためのソフトウェア構成要素であって：
他の制御ネットワークからユニキャストネットワークを受信し；並びに
前記マルチキャストチャネルにおいてマルチキャストメッセージとしてユニキャストメッセージを送信する；
ために動作可能であることを特徴とするソフトウェア構成要素。
【請求項１１】
請求項１０に記載のソフトウェア構成要素であって、前記制御ネットワークはＩＰマルチキャスティングを使用する、ことを特徴とするソフトウェア構成要素。
【請求項１２】
請求項１０に記載のソフトウェア構成要素であって、前記制御ネットワークはＵＰｎＰアーキテクチャを有する、ことを特徴とするソフトウェア構成要素。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＵＰｎＰネットワークを一つにまとめるためのユニキャストメッセージをトンネリングさせるマルチキャスト発見プロトコル使用方法
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流を運ぶ少なくとも１つの誘導コイル（２）で、プラズマ処理に好適な装置の真空容器（１）の真空チャンバ（１ａ）において少なくとも生成されるプラズマを生成するための手順であって、プラズマを生成するのに使用される気体は、少なくとも１つの注入口（３）を通して真空チャンバ（１ａ）に与えられ、真空チャンバ（１ａ）は少なくとも１つのポンプ装置（４）のポンプ作用を受け、直流も誘導コイル（２）に印加されてプラズマ密度に影響を与えることを特徴とし、直流および誘導コイルの巻線の数は、巻線の数および直流の積が、平均しておよび絶対値として、１０から１０００アンペアの巻線になるような態様で選択される、プラズマを生成するための手順。
【請求項２】
直流は変調され、好ましくはパルス状にされ、特に単極または二極の態様でパルス状にされる、請求項１に記載の手順。
【請求項３】
交流は、高周波発生器（６）によって生成される、請求項１または２に記載の手順。
【請求項４】
高周波発生器（６）は、周波数が１００から１４，０００ｋＨｚで、好ましくは４００から２０００ｋＨｚで動作する、請求項３に記載の手順。
【請求項５】
巻線の数および直流の積は、平均しておよび絶対値として、１００から４００アンペアの巻線になる、請求項１から４のいずれか１つに記載の手順。
【請求項６】
直流は、ローパスフィルター（１２）を通して誘導コイル（２）に印加される、請求項１から５に記載の手順。
【請求項７】
真空チャンバ１ａにおける圧力は、０．０１から１０Ｐａ、および好ましくは０．０５から０．２Ｐａとなる、請求項１から６のいずれか１つに記載の手順。
【請求項８】
プラズマは、ある距離で隔てられた少なくとも１対の電極（５ａ，５ｂ）に印加された電界によって、協同で生成されるまたは協同で励起される、請求項１から７のいずれか１つに記載の手順。
【請求項９】
電圧は、交流電圧または直流電圧であり、これらはおそらく単極または二極の態様でパルス状にされる、請求項８に記載の手順。
【請求項１０】
交流電圧は、周波数が少なくとも１ＭＨｚの高周波交流電圧である、請求項９に記載の手順。
【請求項１１】
真空チャンバ（１ａ）は、基板（９）のための基板台（８）を含む、請求項１から１０のいずれか１つに記載の手順。
【請求項１２】
基板台（８）は電極（５ａ）によって形成される、請求項８および１１に記載の手順。
【請求項１３】
暗部遮蔽は、逆電極（５ｂ）として使用される、請求項１２に記載の手順。
【請求項１４】
交流および直流は、基板（９）の面および／またはそれと平行した面におけるプラズマ密度の均一性指数が、１０％を超えず、好ましくは５％を超えないような態様で選択される、請求項１２から１３のいずれか１つに記載の手順。
【請求項１５】
誘導コイル（２）は、誘電体内部ケーシング（７）または誘導体窓によって、プラズマが生成される真空容器（１ａ）の少なくとも一部から分離される、請求項１から１４のいずれか１つに記載の手順。
【請求項１６】
おそらくは、少なくとも１つの基板（９）の反応性コーティングのための、請求項１から１５のいずれか１つに記載の手順の使用法。
【請求項１７】
おそらくは、少なくとも１つの基板（９）の反応性エッチングのための、請求項１から１５のいずれか１つに記載の手順の使用法。
【請求項１８】
真空容器（１）の真空チャンバ（１ａ）におけるプラズマを少なくとも協同で生成するための、少なくとも１つの誘導コイル（２）を含む、プラズマ処理に好適な装置であって、真空チャンバ（１ａ）にはプラズマを生成する働きをする気体を入れる少なくとも１つの注入口（３）、および少なくとも１つのポンプ装置（４）が設けられ、誘導コイル（２）は、それに交流またはおそらく変調された直流を印加する１つ以上の電圧発生器に接続され、これらは好ましくは、単極または二極の態様でパルス状にされ、装置は、巻線の数および直流の積が、平均しておよび絶対値として、１０から１０００アンペアの巻線になるような態様で準備される、プラズマ処理に好適な装置。
【請求項１９】
誘導コイル（２）は、アダプタフィルター（１２）を通して交流電圧発生器（６）に、およびローパスフィルター（１３）を通して直流電圧発生器（６′）に接続される、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
ある距離で隔てられた少なくとも１対の電極（５ａ，５ｂ）を含む、請求項１８から１９のいずれか１つに記載の装置。
【請求項２１】
真空チャンバ（１ａ）は、基板（９）のための基板台（８）を含む、請求項１８から１９のいずれか１つに記載の装置。
【請求項２２】
基板台（８）は電極（５ａ）によって形成される、請求項２０および／または請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
暗部遮蔽は、逆電極（５ｂ）として使用される、請求項２０から２２のいずれか１つに
記載の装置。
【請求項２４】
誘導コイル（２）は、誘電体内部ケーシング（７）または誘電体窓によって、プラズマが生成される真空容器（１ａ）の少なくとも一部から分離される、請求項１８から２３のいずれか１つに記載の装置。
【請求項２５】
伝達スルースゲートによって共通の移送装置に接続されるいくつかの処理ステーションを含むクラスタであって、少なくとも１つの処理ステーションは、請求項１７から２４に記載の装置である、クラスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月20日(2004.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
モータなどの電気装置をドライブする回路には、典型的に、パワーＦＥＴ（field effect transistor）などのパワーデバイスが含まれ、これらパワーデバイスにはパワーが供給される。これらパワーデバイスは、例えば、ＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor）とすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005505179.tif 000001
【図２】
2005505179.tif 000002
【図３】
2005505179.tif 000003
【図４】
2005505179.tif 000004
【図５】
2005505179.tif 000005
【図６】
2005505179.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形品の製造のための顆粒の製造方法であって、連続再生セルロース繊維が引抜き処理でエンプラおよび接着促進剤のマトリクス材でコーティングされ、次いで粒状化され、さらにその後乾燥に引き続き再度押出しされ、粒状化され、新たに乾燥されることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
引抜成形処理が１または複数の段階を有することを特徴とする、請求項１７または請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか１項に記載の方法で製造された顆粒。
【請求項４】
エンプラの処理温度が２４０℃未満であることを特徴とする、請求項３に記載の顆粒。
【請求項５】
エンプラが、ポリオレフィン、ポリオレフィン誘導体、ＰＶＣ、またはポリアミドであることを特徴とする、請求項３または４のいずれか１項に記載の顆粒。
【請求項６】
繊維要素の引張り強さが、４００ＭＰａ超であることを特徴とする、請求項３から５のいずれか１項に記載の顆粒。
【請求項７】
繊維要素の破断伸度が、５％超、好ましくは８％超、特に好ましくは１２％超であることを特徴とする、請求項３から６のいずれか１項に記載の顆粒。
【請求項８】
１０〜９０重量％の繊維要素、好ましくは２０〜４２重量％の繊維要素を含むことを特徴とする、請求項３から７のいずれか１項に記載の顆粒。
【請求項９】
接着促進剤が、マレイン酸コポリマーまたはイソシアン酸誘導体等であることを特徴とする、請求項３から８のいずれか１項に記載の顆粒。
【請求項１０】
１０重量％まで、好ましくは２〜４重量％の接着促進剤を含むことを特徴とする、請求項３から９のいずれか１項に記載の顆粒。
【請求項１１】
紫外線安定剤、またはさらなる添加物を含むことを特徴とする、請求項３から１０のいずれか１項に記載の顆粒。
【請求項１２】
顆粒の長さが１ｍｍ〜１５ｍｍであり、顆粒中に含まれる繊維要素の長さが１ｍｍ〜１５ｍｍであることを特徴とする、請求項３から１１のいずれか１項に記載の顆粒。
【請求項１３】
固化状態で請求項３から１２のいずれか１項に記載の溶融顆粒を含む、成形品。
【請求項１４】
射出成形処理によって製造されることを特徴とする、請求項１３に記載の成形品。
【請求項１５】
射出成形処理中に、溶融顆粒の最高温度が、５０〜７００ｂａｒでの射出圧力で１９０〜２１０℃であることを特徴とする、請求項１４に記載の成形品。
【請求項１６】
成形品に含まれる繊維要素片の長さが１〜８ｍｍであることを特徴とする、請求項１３に記載の成形品。
【請求項１７】
成形品に含まれる繊維要素片の長さが主に２ｍｍ超であり、繊維要素片の１５〜４０％の長さが１．５〜５ｍｍであることを特徴とする、請求項１３に記載の成形品。
【請求項１８】
車両の内装、特に自動車のダッシュボードまたはドア・トリムの成形品であることを特徴とする、請求項１３から１７のいずれか１項に記載の成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月15日(2003.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２ａ及び図２ｂは、それぞれ、本発明の一実施例により選択酸化及び緩慢な酸還流により精製したＳＷＮＴのＴＰＯ及びＤＴＯＰを示す図、並びに市販の精製パルスレーザ蒸気（ＰＬＶ）カーボンナノチューブのＴＰＯ及びＤＴＯＰを示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図２は、選択的酸化及び酸還流プロセス後のＡＤ煤のＴＰＯ／ＤＴＰＯグラフを示す。還流は、４Ｍ塩酸中で約４時間行った。精製試料のＤＴＰＯデータでは、ＳＷＮＴに起因する強いカーボンピークが１本と、残存する多層カーボンに起因する弱いカーボンピークが１本観察され、アモルファスカーボンに起因するピークは見られなかった。従って、この例では、アモルファスカーボンは測定限界以下のレベルまで除去されている。精製ＡＤ煤のＤＴＰＯピークのローレンツ分布分析によると、以下のカーボン分量が得られた：８５％のＳＷＮＴ（Ｔox：約５０７℃）、１５％の多層カーボン（Ｔox：約７００℃）。ＡＤ煤原料のＴox（ＳＷＮＴ）と比較して、ＳＷＮＴの酸化温度が高温側に約５０℃シフトし、約５０７℃となっているが、この値は文献で報告されている温度より依然として低い。このＴox値のシフトは、精製したＡＤ煤中に残存する金属触媒に由来すると考えられる。高温でのＴＰＯデータは、煤中の金属含有量が２段工程精製処理後に４３ｗｔ％（図１）から６ｗｔ％に低下したことを示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【図１】ＳＷＮＴを含有するアーク放電由来の煤原料の昇温酸化（ＴＰＯ）及び微分昇温酸化（ＤＴＰＯ）を示す図。
【図２】図２ａは本発明の一実施例により選択酸化及び緩慢な酸還流により精製したＳＷＮＴのＴＰＯ及びＤＴＰＯを示す図、図２ｂは市販の精製パルスレーザ蒸気（ＰＬＶ）カーボンナノチューブのＤＴＯＰ及びＤＴＰＯを示す図。
【図３】図３ａ及び図３ｂはアーク放電由来の煤原料の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真。
【図４】図４ａ及び図４ｂは本発明の一実施例により選択酸化したＳＷＮＴのＴＥＭ写真。
【図５】本発明の一実施例により精製したＳＷＮＴのＴＥＭ写真。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005505481.tif 000001
【図２】
2005505481.tif 000002
【図３】
2005505481.tif 000003
【図４】
2005505481.tif 000004
【図５】
2005505481.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯電話のモバイル装置の場所に基づいたサービスデータの伝送方法であって、アプリケーションが、基地局又は関連のセルについてそれぞれの情報を検出し、記憶し、メッセージによってリモート・サービス・センターに伝送することにより測定を行い、その際、処理システムが、計算手順と基地局の地理的位置データベースを適用して前記場所に基づいたサービスに関連のデータを計算する前記方法において、
前記アプリケーションが、圧縮フォーマットにてデータセットを含む少なくとも１つのメッセージを生成し、該データセットは、各単一メッセージについての特定データ、メッセージセットについての特定データ、測定についての特定データ及びモバイル装置によりモニターされたセルについての特定データからなるセットから選択されることを特徴とする前記方法。
【請求項２】
圧縮フォーマットにて生成されたいくつかのデータの大きさが、現時点で行われた測定の結果と以前に得られた結果とに依存することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
圧縮フォーマットの前記データが、各メッセージに対して、
−  現在のメッセージの番号；
−  場所に基づいたサービスデータの伝送専用のメッセージの総数；
を含み、メッセージ本体において：
−  特定サービスに専用のデータ；及び／又は
−  前記測定の数；
を含み、各測定に対して：
−  ＲＸＬＥＶ−ＦＵＬＬ−ＳＥＲＶＩＮＧ−ＣＥＬＬ、すなわち前記モバイル装置に関連するサービス中セルの信号強度；
−  「変更タグ」、すなわち次のデータ、すなわち変更タグラベルに関連しかつサービス中セルに属するセルＩＤ（サービス中セルの識別）、ＬＡＣ（ローカル・エリア・コード）、ＭＣＣ（モバイル・カントリー・コード）及びＭＮＣ（モバイル・ネットワーク・コード）のうちのどれが前の測定に対して変わったかを示すラベル；
−  ＭＣＣ［「変更タグ」が第１値より大きい場合］；
−  ＭＮＣ［「変更タグ」が第１値より大きい場合］；
−  ＬＡＣ［「変更タグ」が第２値より大きい場合］；
−  サービス中セルＩＤ［「変更タグ」が第３値より大きい場合］；
−  前記モバイル装置に関連のモニターされた隣接セルの数；
を含み、各隣接セルに対して：
−  前の測定に基づいて計算された信号の相対強度；
−  「ＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣキャッシュインデックス」、すなわち適当なメモリテーブル中のＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣ（チャンネル番号−識別コード）対のインデックス；
−  ＡＲＦＣＮ（チャンネル番号）［「ＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣキャッシュインデックス」が第１バイナリ値を有する場合］；
−  ＢＳＩＣ（識別コード）［「ＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣキャッシュインデックス」が第１バイナリ値を有する場合］；
−  信号の絶対強度［「隣接セル信号の相対強度」が第２バイナリ値を有する場合］
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
圧縮フォーマットの前記データが、以下のバイナリの大きさ、すなわち
−  現在のメッセージの番号、４ビット；
−  メッセージの総数、４ビット；
−  特定サービスに専用のデータ、１又は複数のバイト；
−  測定の番号、１バイト；
−  ＲＸＬＥＶ−ＦＵＬＬ−ＳＥＲＶＩＮＧ−ＣＥＬＬ、６ビット；
−  「変更タグ」、２ビット；
−  ＭＣＣ、２バイト；
−  ＭＮＣ、１バイト；
−  ＬＡＣ、２バイト；
−  サービス中セルのＩＤ、２バイト；
−  モニターされた隣接セルの数、１バイト；
−  隣接セル信号の相対強度、５ビット；
−  「ＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣキャッシュインデックス」、３ビット；
−  ＡＲＦＣＮ、１０ビット；
−  ＢＳＩＣ、６ビット；
−  隣接セル信号の絶対強度、８ビット；
を有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
新しい測定が実施される度に、前記アプリケーションが、変更タグラベルに関連の前記データ（セルＩＤ、ＬＡＣ、ＭＣＣ及びＭＮＣ）のうちのどれが前の測定に対して変わったかを調べ、その結果として変更タグラベルを設定し、変わった対応するデータのみをメッセージの本体に加えることを特徴とする請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記隣接セル信号の相対強度を計算するために、前記アプリケーションが、モニターされた各隣接セルに対して１バイトのメモリテーブルを使用し、符号化中に該テーブル中の各項目に対して第３バイナリ値を初期化し、各々の隣接セル信号の強度測定後に以下の操作が実行され、すなわち
−  現在の隣接セルの強度が、同じ位置にある隣接セルに関係した前の測定の強度に対して第１バイナリ範囲内に含まれる場合には、前記アプリケーションは強度の差のみを伝送し、現在の強度の絶対値によりテーブルを更新し；
−  そうでない場合には、第２バイナリ値が相対強度に割り当てられ、現在の絶対強度値が次のバイト中に送られ、同じ絶対値によってテーブルが更新され、
また、復号化のために同様の逆手順がサービス・センター側にて実行されることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記アプリケーションは、ＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣ対の値により形成されたテーブルであって、新しいＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣ対の値に遭遇して前記「ＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣキャッシュインデックス」を得ると漸次入れられる該テーブルを使用し、そして
−  テーブル中に存在する値に遭遇すると、該遭遇した値を含んだＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣ対の列の番号又はインデックスが該値自身の代わりに用いられ、
−  テーブル中に存在しないＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣ値に遭遇し且つ該テーブルがいっぱいの場合には、新しい値がＦＩＦＯモードに従って最も古いものの上に書き込まれ、もしテーブルがいっぱいでないならば、テーブルに新しい値を加えるべく「ＡＲＦＣＮ−ＢＳＩＣキャッシュインデックス」が第１バイナリ値に設定され、実際の値がその次のバイトに加えられ、
また、復号化のために同様の逆手順がサービス・センター側にて実行されることを特徴とする請求項３〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
圧縮フォーマットのデータセットを含んだ前記少なくとも１つのメッセージが、ＳＭＳ型メッセージであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記アプリケーションがモバイル装置に又はモバイル装置に含まれるＳＩＭカードにインストールされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理システムが必要に応じてモバイル装置に前記地理的位置を知らせることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
圧縮フォーマットの前記データが、特定サービスに専用のサービス特定データを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月22日(2004.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同期通信ネットワーク上の伝送のためにデータ信号を同期させる方法であって、
データ信号のデータ・レート(ｆ１)と同期通信ネットワークの基準周波数(ｆ２)との間の関係を示すタイミング推定値(Ｆ)を計算するステップと、
前記タイミング推定値（Ｆ）にしたがって同期信号へスタッフビットを挿入し、前記基準周波数（ｆ２）にしたがって同期通信ネットワークの同期信号へデータ信号のデータをマッピングするステップと、
前記同期通信ネットワークを通して前記タイミング推定値（Ｆ）を通信するステップと、
を含むデータ信号を同期させる方法。
【請求項２】
前記タイミング推定値（Ｆ）が、
データ・レート(ｆ１)と基準周波数(ｆ２)との比、
データ・レート(ｆ１)と基準周波数(ｆ２)との差分、および、
データ・レート(ｆ１)に関連した回復されたデータ・クロック信号と、基準周波数(ｆ２)に関連した基準クロック信号との位相差、
のいずれか１つまたは複数である、請求項１に記載のデータ信号を同期させる方法。
【請求項３】
前記データ・レート(ｆ１)が、データ信号のビット・レートと等しい周波数において生成された順次マルチビット・ワードを含むデータ・マルチビット・クロック信号によって表され、該マルチビット・ワードのそれぞれの値が前記同期通信ネットワーク上を伝送されるべきデータ信号のビットの割合を表す、請求項１に記載のデータ信号を同期させる方法。
【請求項４】
前記タイミング推定値(Ｆ)を計算するステップが、
データ・マルチビット・クロックに基づいてデータ位相値を計算するステップと、
基準周波数(ｆ２)に基づいて同期位相値を計算するステップと、
所定のサンプル・レートでデータ位相値と同期位相値とを比較するステップであって、比較結果を示す誤差値を生成する、前記比較するステップと、
前記誤差値の時間平均としてタイミング推定値(Ｆ)を計算するステップと、
を含む、請求項３に記載のデータ信号を同期させる方法。
【請求項５】
前記データ位相値を計算するステップが、データ・マルチビット・クロックの連続したワードを所定の数だけ加算するステップを含む、請求項４に記載のデータ信号を同期させる方法。
【請求項６】
前記同期位相値を計算するステップが、
基準周波数(ｆ２)と等しい周波数において生成された順次マルチビット・ワードを含む第２のマルチビット・クロック信号を生成するステップであって、前記マルチビット・ワードのそれぞれの値が同期信号のビットを搬送するために使用可能な同期信号のビットの割合を表す、前記生成するステップと、
前記第２のマルチビット・クロックの連続ワードを加算するステップと、
前記加算の結果を積分するステップと、
を含む請求項４記載のデータ信号を同期させる方法。
【請求項７】
前記データ位相値と同期位相値とを比較するステップが、データ位相値から同期位相値を減算するステップを含む、請求項４に記載のデータ信号を同期させる方法。
【請求項８】
前記データ位相値と同期位相値とを比較するステップが、データ位相値から基準値Ｒを減算するステップをさらに含む、請求項７に記載のデータ信号を同期させる方法。
【請求項９】
所定のサンプリング・レートが、データ位相値が再計算されるレートに対応する、請求項４に記載のデータ信号を同期させる方法。
【請求項１０】
前記タイミング推定値(Ｆ)を通信するステップが、該タイミング推定値(Ｆ)が前記同期通信ネットワーク上で伝送されるように該タイミング推定値を同期信号に挿入するステップを含む、請求項１に記載のデータ信号を同期させる方法。
【請求項１１】
前記データ信号のデータを同期信号へマッピングするステップが、
データ・レート(ｆ１)を持つデータ・クロックにしたがって緩衝型記憶機構にデータをバッファ記憶するステップと、
基準周波数(ｆ２)を持つ読み取りクロックにしたがって該緩衝型記憶機構からデータを読み取るステップと、
読み取った前記データを前記同期信号の同期ペイロード・エンベロープ(ＳＰＥ)に挿入するステップと、
前記タイミング推定値(Ｆ)にしたがって前記同期ペイロード・エンベロープにスタッフ・ビットを挿入するステップと、
を含む、請求項１に記載のデータ信号を同期させる方法。
【請求項１２】
前記スタッフ・ビットが前記同期ペイロード・エンベロープのバーチャル・トリビュタリの中で均等に分散される、請求項１１に記載のデータ信号を同期させる方法。 
【請求項１３】
同期通信ネットワーク経由で伝送されたデータ信号を同期解除する方法であって、
同期通信ネットワークの同期ペイロード・エンベロープ(ＳＰＥ)を受け取るステップであって、前記同期ペイロード・エンベロープは、データ信号のデータ・レート（ｆ１）と前記同期通信ネットワークの基準周波数（ｆ２）との間の関係を示すタイミング推定値（Ｆ）を含む、前記受け取るステップと、
前記タイミング推定値（Ｆ）にしたがって同期信号からスタッフビットを抽出し、前記同期ペイロード・エンベロープからデータ信号のデータを逆マッピングするステップと、
を含むデータ信号を同期解除する方法。
【請求項１４】
前記タイミング推定値(Ｆ)が、
データ・レート(ｆ１)と基準周波数(ｆ２)との比、
データ・レート(ｆ１)と基準周波数(ｆ２)との差分、および、
データ・レート(ｆ１)に関連した回復されたデータ・クロック信号と基準周波数(ｆ２)に関連した基準クロック信号との位相差、
のいずれか１つまたは複数である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記同期ペイロード・エンベロープからデータ信号のデータを逆マッピングするステップが、
同期通信ネットワークの基準周波数(ｆ２)に対応する周波数を有するＲｘローカル・クロックを導出するステップと、
Ｒｘローカル・クロックおよびタイミング推定値(Ｆ)にしたがって緩衝型記憶機構にデータをバッファ記憶するステップと、
Ｒｘローカル・クロックおよびタイミング推定値(Ｆ)を使用して、データ・レート(ｆ１)に対応する周波数を持つ回復されたデータ・クロックを導出するステップと、
前記回復されたデータ・クロックにしたがって緩衝型記憶機構からデータを読み取るステップと、
を含む、請求項１３に記載のデータ信号を同期解除する方法。
【請求項１６】
前記緩衝型記憶機構にデータをバッファ記憶するステップが、
Ｒｘローカル・クロックおよびタイミング推定値を使用して、ギャップ付与された書き込みクロックを導出するステップと、
ギャップ付与されたＲｘローカル・クロックを使用して、データ信号のデータ・ビットが前記緩衝型記憶機構に書き込まれ、スタッフ・ビットが削除されるように、同期ペイロード・エンベロープのビットを前記緩衝型記憶機構に書き込むステップと、
を含む、請求項１５に記載のデータ信号を同期解除する方法。
【請求項１７】
前記回復されたデータ・クロックを導出するステップが、
Ｒｘローカル・クロックを同期解除器の位相ロックループ(ＰＬＬ)に供給するステップと、
前記タイミング推定値(Ｆ)を示すマルチビット値を使用して同期解除器の位相ロックループを制御するステップと、
を含む、請求項１５に記載のデータ信号を同期解除する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
左レンズ系と、
右レンズ系と、
光センサアレイと、
前記左レンズ系からの光を前記光センサアレイの第１の部分に集束し、前記右レンズ系からの光を前記光センサアレイの第２の部分に集束するためのマイクロレンズアレイと、
前記マイクロレンズアレイを移動させて、前記左レンズ系からの光が前記光センサアレイの前記第２の部分に集束され、前記右レンズ系からの光が前記光センサアレイの前記第１の部分に集束されるようにするための手段と、
を備えているカメラ。
【請求項２】
前記マイクロレンズアレイが円柱レンズを含むレンズアレイである、請求項１に記載のカメラ。
【請求項３】
前記移動させるための手段が圧電材料を含む、請求項１に記載のカメラ。
【請求項４】
左レンズ系と、
右レンズ系と、
光センサアレイと、
前記左レンズ系からの光と前記右レンズ系からの光とを合成するための偏光ビームスプリッタと、
前記左レンズ系からの光と前記右レンズ系からの光とのいずれかを選択するための偏光フィルタと、
を備えているカメラ。
【請求項５】
前記選択された光を捕捉するためのセンサアレイをさらに含む、請求項４に記載のカメラ。
【請求項６】
前記偏光フィルタが液晶ウィンドウである、請求項４に記載のカメラ。
【請求項７】
前記偏光フィルタに前記左レンズ系からの光と前記右レンズ系からの光とのいずれかを選択させるための制御ユニットをさらに含む、請求項６に記載のカメラ。
【請求項８】
左レンズ系と、
右レンズ系と、
前記左レンズ系からの光と前記右レンズ系からの光とを合成するための偏光ビームスプリッタと、
偏光フィルタを有する光センサアレイであって、該偏光フィルタによって、前記光センサアレイのセンサのうちの半分が前記左レンズ系からの光を捕捉でき、前記光センサアレイのセンサのうちの残りの半分が前記右レンズ系からの光を捕捉できるようになる、光センサアレイと、
を備えているカメラ。
【請求項９】
あるシーンの左画像と右画像とを捕捉する方法であって、
センサアレイ上に左レンズ系からの光を集束するステップと、
前記センサアレイを用いて、第１の時点で前記左画像を捕捉するステップと、
前記センサアレイ上に右レンズ系からの光を集束するステップと、
前記センサアレイを用いて、第２の時点で前記右画像を捕捉するステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
前記左側の光が、マイクロレンズアレイによって前記センサアレイ上に集束される、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力アドレスに応答して第１のクロック周期中に第１の一連のインターリーブアドレスを計算する第１の手段と、
前記入力アドレスに応答して前記第１のクロック周期中に第２の一連のインターリーブアドレスを計算する第２の手段と、
前記第１または前記第２の一連のインターリーブアドレスが無効であるかを決定し、この決定に応答して信号を生成する第３の手段と、
前記信号に応答して、前記第１または前記第２の一連のインターリーブアドレスを、前記第１のクロック周期に対する出力インターリーブアドレスとして選択する第４の手段とを具備するインターリーバ。
【請求項２】
前記第１の手段は、以下の式を実現する手段を含み、
A=bitrev(row)2c+{(col+1)c(i)}modC
ここでAは前記第１の一連のインターリーブアドレスであり、
bitrevは５個の最下位ビットを有するロウ内のビットの順序を逆にする関数であり、
colは前記入力アドレスのc個の最上位ビットであり、
modはある数が別の数で除算されるときの余りを返す関数であり、Ｃはカラムの数であり、
c(i)はルックアップテーブルの出力であり、”i”は現在のロウの数である請求項１記載のインターリーバ。
【請求項３】
前記第２の手段は、以下の式を実現する手段を含み、
A=bitrev(row)2c+{(col+1)c(i)}modC
ここでAは前記第２の一連のインターリーブアドレスであり、
bitrevは５個の最下位ビットを有するロウ内のビットの順序を逆にする関数であり、
colは前記入力アドレスのc個の最上位ビットであり、
modはある数が別の数で除算されるときの余りを返す関数であり、Ｃはカラムの数であり、
c(i)はルックアップテーブルの出力であり、”i”は現在のロウの数である請求項２記載のインターリーバ。
【請求項４】
前記第３の手段はしきい値検出器である請求項１記載のインターリーバ。
【請求項５】
前記しきい値検出器は比較器を含む請求項４記載のインターリーバ。
【請求項６】
前記第４の手段はマルチプレクサである請求項１記載のインターリーバ。
【請求項７】
前記第１の手段の出力は前記マルチプレクサへの第１の入力を提供し、前記第２の手段の出力は前記マルチプレクサへの第２の出力を提供し、前記第３の手段の出力は前記マルチプレクサに対する制御入力を提供する請求項６記載のインターリーバ。
【請求項８】
方向制御信号に応答して前記入力アドレスに対してフォワード方向またはリバース方向に移動するように前記インターリーバを制御する第５の手段をさらに具備する請求項１記載のインターリーバ。
【請求項９】
前記入力アドレスに対するアドレスオフセットを提供する手段をさらに具備する請求項１記載のインターリーバ。
【請求項１０】
入力アドレスに応答して第１のクロック周期中に第１の一連のインターリーブアドレスを計算する第１の手段と、
前記入力アドレスに応答して前記第１のクロック周期中に第２の一連のインターリーブアドレスを計算する第２の手段と、
前記第１または前記第２の一連のインターリーブアドレスが無効であるかを決定し、この決定に応答して信号を生成する第３の手段と、
前記信号に応答して、前記第１または前記第２の一連のインターリーブアドレスを、前記第１のクロック周期に対する出力インターリーブアドレスとして選択する第４の手段と、
方向制御信号に応答して前記入力アドレスに対してフォワード方向またはリバース方向に移動するように前記インターリーバを制御する第５の手段と、
前記入力アドレスに対するアドレスオフセットを提供する第６の手段とを具備するインターリーバ。
【請求項１１】
前記第１の手段は、以下の式を実現する手段を含み、
A=bitrev(row)2c+{(col+1)c(i)}modC
ここでAは前記第１の一連のインターリーブアドレスであり、
bitrevは５個の最下位ビットを有するロウ内のビットの順序を逆にする関数であり、
colは前記入力アドレスのc個の最上位ビットであり、
modはある数が別の数で除算されるときの余りを返す関数であり、Ｃはカラムの数であり、
c(i)はルックアップテーブルの出力であり、”i”は現在のロウの数である請求項１０記載のインターリーバ。
【請求項１２】
前記第２の手段は、以下の式を実現する手段を含み、
A=bitrev(row)2c+{(col+1)c(i)}modC
ここでAは前記第２の一連のインターリーブアドレスであり、
bitrevは５個の最下位ビットを有するロウ内のビットの順序を逆にする関数であり、
colは前記入力アドレスのc個の最上位ビットであり、
modはある数が別の数で除算されるときの余りを返す関数であり、Ｃはカラムの数であり、
c(i)はルックアップテーブルの出力であり、”i”は現在のロウの数である請求項１１記載のインターリーバ。
【請求項１３】
前記第３の手段はしきい値検出器である請求項１０記載のインターリーバ。
【請求項１４】
前記しきい値検出器は比較器を含む請求項１３記載のインターリーバ。
【請求項１５】
前記第４の手段はマルチプレクサである請求項１０記載のインターリーバ。
【請求項１６】
前記第１の手段の出力は前記マルチプレクサへの第１の入力を提供し、前記第２の手段の出力は前記マルチプレクサへの第２の出力を提供し、前記第３の手段の出力は前記マルチプレクサに対する制御入力を提供する請求項１５記載のインターリーバ。
【請求項１７】
入力アドレスに応答して第１のクロック周期中に第１の一連のインターリーブアドレスを計算し、
前記入力アドレスに応答して前記第１のクロック周期中に第２の一連のインターリーブアドレスを計算し、
前記第１または前記第２の一連のインターリーブアドレスが無効であるかを決定し、この決定に応答して信号を生成し、
前記信号に応答して、前記第１または前記第２の一連のインターリーブアドレスを、前記第１のクロック周期に対する出力インターリーブアドレスとして選択することを含むインターリーブまたはデインターリーブする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導プラズマトーチであって、
基端部と先端部とを有しているとともに、内部に高温プラズマが形成される軸方向チャンバを包含した、チューブ状トーチボディと；
このチューブ状トーチボディの基端部に取り付けられているとともに、前記軸方向チャンバ内へと少なくとも１つのガス状物質を供給するための、ガス供給ヘッドと；
前記チューブ状トーチボディの前記基端部と前記先端部との間において前記チューブ状トーチボディに対して全体的に同軸的であるようにして前記チューブ状トーチボディに対して取り付けられた一連をなす複数の誘導コイルであるとともに、
−前記誘導プラズマトーチの動作時には、第１電源の高周波数出力に対して接続されることによって、前記軸方向チャンバに供給された前記少なくとも１つのガス状物質に対して誘導的にエネルギーを印加し得るものとされた、第１誘導コイルと、
−この第１誘導コイルと前記チューブ状トーチボディの前記先端部との間に配置されるとともに、各々が端子を有しているような、複数の第２誘導コイルと、
を備えている、一連をなす複数の誘導コイルと；
前記誘導プラズマトーチの動作時には、（ａ）第２電源の低周波数出力に関する第１端子および第２端子と、（ｂ）前記複数の第２誘導コイルの前記複数の端子と、の間に介在することによって、前記第２電源の前記第１端子と前記第２端子との間において、前記複数の第２誘導コイルを直列的におよび／または並列的に接続し得るものとされた、相互接続回路であって、このような前記複数の第２誘導コイルの直列的および／または並列的な接続を行うことによって、
−前記複数の第２誘導コイルの入力インピーダンスと前記第２電源の出力インピーダンスとを実質的に整合させることができるとともに、
−前記軸方向チャンバに供給された前記少なくとも１つのガス状物質に対して誘導的にエネルギーを印加することができる、
ものとされた、相互接続回路と；
を具備していることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項２】
請求項１記載の誘導プラズマトーチにおいて、
前記第１誘導コイルに対して接続された前記高周波数出力を有した前記第１電源と；
前記低周波数出力を有するとともに、前記第１端子および前記第２端子を有した、前記第２電源と；
（ａ）前記第２電源の前記低周波数出力に関する前記第１端子および前記第２端子と、（ｂ）前記複数の第２誘導コイルの前記複数の端子と、の間に介在することによって、前記第２電源の前記第１端子と前記第２端子との間において、前記複数の第２誘導コイルを直列的におよび／または並列的に接続し得るものとされた、前記相互接続回路と；
を具備していることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項３】
請求項１または２記載の誘導プラズマトーチにおいて、
前記チューブ状トーチボディが、第１直径とされた円筒形内表面を有し、
前記誘導プラズマトーチが、さらに、（ａ）熱伝導度の大きな材料から形成されており、（ｂ）内部に高温プラズマが制限される前記軸方向チャンバを規定し、（ｃ）前記第１直径よりもわずかに小さな第２直径を有した円筒形外表面を有した、プラズマ制限チューブを具備し、
このプラズマ制限チューブが、前記チューブ状トーチボディ内に取り付けられ、
前記チューブ状トーチボディの前記円筒形内表面と、前記プラズマ制限チューブの前記円筒形外表面とが、互いに同軸的とされていて、これら内表面と外表面との間に、一様厚さを有した薄い環状チャンバが形成され、これにより、この薄い環状チャンバ内においては、冷却流体の高速流通が可能とされ、
前記プラズマ制限チューブの構成材料の熱伝導度が大きいことと、冷却流体の流速が大きいことと、の双方によって、プラズマによる高温によって加熱された前記プラズマ制限チューブの熱を、冷却流体へと効率的に伝達することができ、これにより、前記プラズマ制限チューブの冷却を効率的に行い得るようになっていることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項４】
請求項３記載の誘導プラズマトーチにおいて、
さらに、前記薄い環状チャンバに対して接続され、この薄い環状チャンバ内における前記冷却流体の前記高速流通を確立し得る、冷却流体供給源を具備していることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項５】
請求項１，２，３，または，４記載の誘導プラズマトーチにおいて、
前記第２電源が、固体電源とされていることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項６】
請求項１，２，３，または，４記載の誘導プラズマトーチにおいて、
前記第１電源が、チューブタイプの発振電源とされ、
前記第２電源が、固体電源とされていることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項７】
請求項１，２，３，または，４記載の誘導プラズマトーチにおいて、
前記第２誘導コイルが、前記相互接続回路を介して、前記第２電源の前記低周波数出力に関する前記第１端子および前記第２端子の間において、並列的に接続されていることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項８】
請求項１，２，３，または，４記載の誘導プラズマトーチにおいて、
前記第２誘導コイルが、前記相互接続回路を介して、前記第２電源の前記低周波数出力に関する前記第１端子および前記第２端子の間において、直列的に接続されていることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項９】
請求項１，２，３，または，４記載の誘導プラズマトーチにおいて、
前記第２誘導コイルが、前記相互接続回路を介して、前記第２電源の前記低周波数出力に関する前記第１端子および前記第２端子の間において、直列接続と並列接続とを併用して接続されていることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項１０】
請求項１，２，３，または，４記載の誘導プラズマトーチにおいて、
前記第１誘導コイルおよび前記第２誘導コイルが、前記チューブ状トーチボディ内に埋設されていることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項１１】
請求項１，２，３，または，４記載の誘導プラズマトーチにおいて、
前記複数の第２誘導コイルが、螺旋的に連接されていることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【請求項１２】
請求項１，２，３，または，４記載の誘導プラズマトーチにおいて、
前記複数の第２誘導コイルが、前記第１誘導コイルと前記チューブ状トーチボディの前記先端部との間において、一連をなす複数の誘導コイルを形成していることを特徴とする誘導プラズマトーチ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】  ステンレス鋼板２の厚さは約０．５ｍｍ、一方セラミックトラックはそれぞれ厚さにして約７５μｍ、セラミックトラックが包囲する加熱トラックは厚さ０．３〜１μｍと想定している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ発振器周波数の複数の位相を供給する電圧制御発振器（ＶＣＯ）であって、前記ＶＣＯは、各々発振器位相を駆動する複数の位相ドライバを含み、各位相ドライバは、電圧制御可能であり、また、少なくとも２つの発振器位相を受信し、
前記ＶＣＯは、直交ＶＣＯであり、また、２対の交差結合位相ドライバを含み、前記各対の前記各位相ドライバは、前記他方の対の交差結合位相ドライバから位相を受信し、受信した前記各位相は、対応する位相ドライバ出力に対して９０度位相がずれており、
前記各位相ドライバは、少なくとも２つの独立制御可能な相互コンダクタンス増幅器を含み、前記各制御可能な相互コンダクタンス増幅器は、制御電圧及び入力位相を受信し、また、前記制御電圧に応答して、そこから前記入力位相への出力を生成し、前記少なくとも２つの独立制御可能な相互コンダクタンス増幅器双方からの前記出力は、共に接続され、前記位相ドライバの出力部で発振器位相を駆動する、ＶＣＯ。
【請求項２】
請求項１に記載のＶＣＯであって、
複数の独立制御可能な相互コンダクタンス増幅器が、対の反転器であり、前記反転器の相互コンダクタンスは、前記制御電圧で調整されるＶＣＯ。
【請求項３】
同じ発振器周波数の複数の位相を供給する電圧制御発振器（ＶＣＯ）であって、前記ＶＣＯは、各々発振器位相を駆動する複数の位相ドライバを含み、各位相ドライバは、電圧制御可能であり、また、少なくとも２つの発振器位相を受信し、
前記各位相ドライバは、少なくとも２つの独立制御可能な相互コンダクタンス増幅器を含み、前記各制御可能な相互コンダクタンス増幅器は、制御電圧及び入力位相を受信し、また、共に接続されて前記位相ドライバの出力部で発振器位相を駆動する前記少なくとも２つの独立制御可能な相互コンダクタンス増幅器双方から出力を生成し、更に、
複数の独立制御可能な相互コンダクタンス増幅器が、対の反転器であり、前記反転器の相互コンダクタンスは、前記制御電圧で調整され、また更に、
前記各独立制御可能な相互コンダクタンス増幅器には、
反転器出力部と低電源電圧との間に接続された第１伝導型の第１トランジスタと、
高電源電圧（Ｖｈｉ）と前記反転器出力部との間に接続された第２伝導型の第２トランジスタと、
反転器出力部において前記第２トランジスタの制御ゲートに接続された前記第１トランジスタの制御ゲートと、が含まれ、更にまた、
前記各独立制御可能な相互コンダクタンス増幅器には、更に、
（Ｖｈｉ）と前記第２トランジスタとの間に接続された第２伝導型の第３トランジ
スタと、
前記第３トランジスタの制御ゲートに接続された制御電圧と、
前記高電源電圧と前記反転器出力部との間に直列接続された前記第２伝導型の第４及び第５トランジスタと、
前記第５トランジスタの制御端子に接続された第２制御電圧と、
前記反転器入力部において、前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、及び前記第４トランジスタ各々の制御ゲートに接続された入力位相と、が含まれる、ＶＣＯ。
【請求項４】
複数の発振器位相を供給する電圧制御発振器（ＶＣＯ）であって、前記ＶＣＯは、各々発振器位相を受信する複数の制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器を含み、前記各発振器位相は、少なくとも２つの制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器によって駆動され、
前記ＶＣＯは、直交ＶＣＯであり、また、２対の交差結合された及び２対の直列接続された制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器を含み、各直列接続対は、前記交差結合対の内、対応する１つの対の出力部間に接続され、前記交差結合対の各出力部は、他の直列接続対間に接続され、
制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器の各対は、反転器であり、前記反転器の相互コンダクタンスは、前記反転器対の電源電圧を調整することによって制御可能である、ＶＣＯ。
【請求項５】
直交ＶＣＯであって、
交差結合されて第１対の補間出力を供給する第１対の電圧制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器と、
交差結合されて第２対の補間出力を供給する第２対の電圧制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器であって、前記第２対の補間出力は、前記第１対の補間出力に対して９０度位相がずれている前記第２対の電圧制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器と、
前記第１対の出力部間に直列接続された第３対の電圧制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器であって、前記第２対の出力部が前記第３対間に接続された前記第３対の電圧制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器と、
前記第２対の出力部間に直列接続された第４対の電圧制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器であって、前記第１対の出力部が前記第４対間に接続され、前記第１及び第２対の増幅器の相互コンダクタンスが第１制御電圧で制御され、また、前記第３及び第４対の増幅器の相互コンダクタンスが第２制御電圧で制御される前記第４対の電圧制御可能な相互コンダクタンス反転増幅器と、
が含まれる直交ＶＣＯ。