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【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パンチとダイを用いた、高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法であって、
前記パンチにより、第一の板状材料に第一の孔部を開ける第一の工程と、
前記第一の孔部から前記パンチを抜き取らない状態で、前記第一の板状材料をストリッパーに密着させて引き上げる第二の工程と、
前記パンチの先端部が引き上げた前記第一の板状材料の最下部より僅かに引き込む程度に、前記パンチを引き上げる第三の工程と、
前記パンチにより、第二の板状材料に第二の孔部を開ける第四の工程と、
前記第二の孔部から前記パンチを抜き取らない状態で、前記第二の板状材料を前記第一の板状材料とともに引き上げる第五の工程と、
前記パンチの先端部が引き上げた前記第二の板状材料の最下部より僅かに引き込む程度に、前記パンチを引き上げる第六の工程を含み、
以降、複数枚の板状材料を、第四の工程から第六の工程を繰り返して積層するとともに、前記第一の工程及び前記第四の工程において、パンチで板状材料に孔部を開ける際に、ダイとストリッパーとの間にスペーサを介することを特徴とする高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項２】
前記スペーサの厚さが、ダイとストリッパーとの間に存在する板状材料の厚さの合計より、略５乃至１５μｍ厚い請求項１に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項３】
前記第四の工程から第六の工程を繰り返し、所望枚数の板状材料を積層した後に、
積層された板状材料が引き上げられている状態において、ワーク受け治具をダイ上に挿入し、前記積層された板状材料を前記ワーク受け治具上に移載する工程を有する請求項１に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項４】
前記第二の工程と第三の工程の間において、前記パンチの先端部が、引き上げた前記第一の板状材料の最下部より僅かに飛び出た状態において、前記第一の板状材料の第一の孔部のカス取りを行う工程と、
及び、前記第五の工程と第六の工程の間において、前記パンチの先端部が、引き上げた前記第二の板状材料の最下部より僅かに飛び出た状態において、前記第二の板状材料の第二の孔部のカス取りを行う工程と、を含む請求項１に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項５】
前記カス取りが、圧縮空気の流れでカスを除去する空気ブロー手段によるか、若しくは、粘着媒体に付着させてカスを除去する粘着手段により行われる請求項４に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項６】
前記工業用部品に開けた前記貫孔部の寸法の精度が、一枚の前記板状材料に開けた前記孔部の寸法の精度と同等である請求項１に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項７】
前記貫孔部の直径若しくは縁と対向する縁との最短距離と、軸長との比が、略１：１〜１：１５である請求項１〜６の何れか一項に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項８】
前記貫孔部と隣接する貫孔部との間隔と、前記貫孔部の軸長との比が、略１：１〜１：１５である請求項１〜７の何れか一項に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項９】
前記貫孔部の直径が１００μｍ以下である請求項１〜８の何れか一項に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項１０】
前記貫孔部と隣接する貫孔部との間隔が１００μｍ以下である請求項１〜９の何れか一項に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項１１】
予め接着剤が塗布されている前記板状材料を用いる請求項１〜１０の何れか一項に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【請求項１２】
前記第一の板状材料と前記第二の板状材料との間に、接着シートを挟む工程を有する請求項１〜１０の何れか一項に記載の高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】  即ち、本発明によれば、パンチとダイを用いた、高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法であって、パンチにより、第一の板状材料に第一の孔部を開ける第一の工程と、第一の孔部からパンチを抜き取らない状態で、第一の板状材料をストリッパーに密着させて引き上げる第二の工程と、パンチの先端部が引き上げた第一の板状材料の最下部より僅かに引き込む程度にパンチを引き上げる第三の工程と、パンチにより、第二の板状材料に第二の孔部を開ける第四の工程と、第二の孔部からパンチを抜き取らない状態で、第二の板状材料を第一の板状材料に密着させて引き上げる第五の工程と、パンチの先端部が引き上げた第二の板状材料の最下部より僅かに引き込む程度にパンチを引き上げる第六の工程を含み、以降、複数枚の板状材料を、第四の工程から第六の工程を繰り返して接着させて積層するとともに、第一の工程及び第四の工程において、パンチにより板状材料に孔部を開ける際に、ダイとストリッパーとの間にスペーサを介することを特徴とする高アスペクト比な貫孔部を有する工業用部品の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記スペーサの厚さは、ダイとストリッパーとの間に存在する板状材料の厚さの合計、換言すれば、既にパンチに積層された板状材料の厚さと孔部を開けようとするダイ上に置かれた板状材料の厚さの合計より、概ね５〜１５μｍ厚いことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月5日(2004.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】微細パターン検査方法及び装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布された薄膜にパターン露光工程を経て形成された微細パターンを検査する微細パターン検査方法において、
前記薄膜に形成された微細パターンの画像を取得する工程と、
前記画像から前記薄膜の上面における微細パターン形状と前記薄膜の下面における微細パターン形状を求める工程と、
前記工程で求めた２つの微細パターンの位置ずれを検出する工程とを含むことを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項２】
請求項１記載の微細パターン検査方法において、前記微細パターンは円形パターンであり、前記薄膜の上面における円形パターンの重心と前記薄膜の下面における円形パターンの重心のずれを前記位置ずれとして検出することを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項３】
請求項１記載の微細パターン検査方法において、前記微細パターンはラインパターンであり、前記薄膜の上面におけるラインパターンの中心軸と前記薄膜の下面におけるラインパターンの中心軸のずれを前記位置ずれとして検出することを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項４】
請求項１，２又は３記載の微細パターン検査方法において、前記微細パターンの位置に当該微細パターンの位置ずれの大きさと方向を表す矢印を表示することを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項５】
請求項１，２又は３記載の微細パターン検査方法において、所定の区画内の複数の位置で前記位置ずれを検出する工程と、前記複数の位置における位置ずれを統計的に処理して前記区画を特徴付ける位置ずれを求める工程とを更に含むことを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項６】
請求項５記載の微細パターン検査方法において、前記区画に当該区画を特徴付ける位置ずれの大きさと方向に応じた矢印を表示することを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項７】
請求項５又は６記載の微細パターン検査方法において、前記区画は１ショット領域又は１チップ領域であることを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項８】
請求項５，６又は７記載の微細パターン検査方法において、前記複数の位置における位置ずれの分布傾向と微細パターン形成装置に異常がある場合に予想される位置ずれの分布傾向とを比較する工程を含み、微細パターン形成装置の異常検知を行うことを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項９】
基板上に塗布された薄膜にパターン露光工程を経て形成された微細パターンを検査する微細パターン検査方法において、
前記薄膜に形成された微細パターンの画像を取得する工程と、
前記画像から微細パターンの形状を求める工程と、
前記微細パターンを形状の特徴量によってカテゴライズする工程とを含むことを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項１０】
請求項９記載の微細パターン検査方法において、１ショット又は１チップ内の複数の位置で前記微細パターンをカテゴライズする工程と、前記複数の位置におけるカテゴライズ結果を統計的に処理して前記１ショット又は１チップを特徴付ける微細パターンのカテゴリを求める工程とを更に含むことを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の微細パターン検査方法において、前記１ショット又は１チップの区画を当該１ショット又は１チップを特徴付ける微細パターンのカテゴリに応じて着色表示することを特徴とする微細パターン検査方法。
【請求項１２】
基板上に塗布された薄膜にパターン露光工程を経て形成された微細パターンを検査する微細パターン検査装置において、
前記薄膜に形成された微細パターンの画像を取得する手段と、前記画像から前記薄膜の上面における微細パターン形状と前記薄膜の下面における微細パターン形状を求める手段と、前記手段で求めた２つの微細パターンの位置ずれを検出する手段とを備えることを特徴とする微細パターン検査装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の微細パターン検査装置において、前記微細パターンの位置ずれは、前記微細パターンの重心もしくは中心軸のずれとすることを特徴とする微細パターン検査装置。
【請求項１４】
請求項１２又は１３記載の微細パターン検査装置において、前記微細パターンの位置に当該微細パターンの位置ずれの大きさと方向を表す矢印を表示する手段を備えることを特徴とする微細パターン検査装置。
【請求項１５】
請求項１２又は１３記載の微細パターン検査装置において、所定の区画内の複数の位置で前記位置ずれを検出する手段と、前記複数の位置における位置ずれから前記区画を特徴付ける位置ずれを求める手段とを備えることを特徴とする微細パターン検査装置。
【請求項１６】
請求項１２又は１３記載の微細パターン検査装置において、所定の区画内の複数の位置で前記位置ずれを検出する手段と、前記位置ずれの分布を表示する手段とを備えることを特徴とする微細パターン検査装置。
【請求項１７】
請求項１５記載の微細パターン検査装置において、前記区画に当該区画を特徴付ける位置ずれの大きさと方向に応じた矢印を表示する手段を備えることを特徴とする微細パターン検査装置。
【請求項１８】
請求項１５〜１７のいずれか１項記載の微細パターン検査装置において、前記複数の位置における位置ずれの分布傾向から微細パターン形成装置の異常検知を行う手段を備えたことを特徴とする微細パターン検査装置。
【請求項１９】
基板上に塗布された薄膜にパターン露光工程を経て形成された微細パターンを検査する微細パターン検査装置において、
前記薄膜に形成された微細パターンの画像を取得する手段と、前記画像から微細パターンの形状を求める手段と、前記微細パターンを形状の特徴量によってカテゴライズする手段とを備えることを特徴とする微細パターン検査装置。
【請求項２０】
請求項１９記載の微細パターン検査装置において、１ショット又は１チップ内の複数の位置で前記微細パターンをカテゴライズする手段と、前記複数の位置におけるカテゴライズ結果から前記１ショット又は１チップを特徴付ける微細パターンのカテゴリを求める手段とを備えることを特徴とする微細パターン検査装置。
【請求項２１】
請求項１９記載の微細パターン検査装置において、前記１ショット又は１チップの区画を当該１ショット又は１チップを特徴付ける微細パターンのカテゴリに応じて着色表示する手段を備えることを特徴とする微細パターン検査装置。
【請求項２２】
基板上の膜に形成されたコンタクトホールを検査する検査装置において、
前記コンタクトホールの画像を取得する手段と、前記コンタクトホールの上面の重心と前記コンタクトホールの下面の重心を求める手段と、前記手段で求めた２つの重心の位置ずれを検出する手段とを備えることを特徴とする検査装置。
【請求項２３】
基板上の膜に形成された微細パターンを検査する微細パターン検査装置において、前記膜に形成された微細パターンに関する特徴量の分布を表示する手段を備えることを特徴とする微細パターン検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップとインナリードとの間に長さの異なるワイヤが複数本ワイヤボンディングされた半導体装置において、
長いワイヤの間に配置された短いワイヤの第二ボンディング部が前記半導体チップの前記インナリードに対する位置ずれ量に対応して正規の位置からずらされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記短いワイヤをボンディングされる前記インナリードが前記ワイヤの並び方向に長く敷設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記短いワイヤがグランド端子または電源端子に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体チップとインナリードとの間に長さの異なるワイヤが複数本ワイヤボンディングされた半導体装置の製造方法において、
長いワイヤの間に配置された短いワイヤの第二ボンディング部が前記半導体チップの前記インナリードに対する位置ずれ量に対応して正規の位置からずらされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体チップの前記インナリードに対する位置ずれ量を測定する測定工程と、
この測定工程の測定結果に基づいて前記短いワイヤの第二ボンディング部の長いワイヤの間に配置すべき位置を演算する演算工程と、
この演算工程の演算によって指定された位置に前記第二ボンディング部を配置して前記短いワイヤをワイヤボンディングするワイヤボンディング工程と、
を備えていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記短いワイヤが全てワイヤボンディングされた後に、前記長いワイヤがワイヤボンディングされることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、半導体チップとインナリードとの間に長さの異なるワイヤが複数本ワイヤボンディングされた半導体装置において、
長いワイヤの間に配置された短いワイヤの第二ボンディング部が前記半導体チップの前記インナリードに対する位置ずれ量に対応して正規の位置からずらされていることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図５において、１９は配線基板３のターゲットであり、２０はチップ１５のターゲットである。座標の原点は配線基板３のターゲット１９とするが、便宜上、「正」のみで説明する。座標（ｘA1、ｙA1）は第一の長いワイヤ１８Ａの第一ボンディング部すなわち指定された電極パッド１６Ａの中心であり、座標（ｘA2、ｙA2）は第一の長いワイヤ１８Ａの正規の第二ボンディング部の位置すなわち指定された信号線用インナリード５における正規のボンディング位置である。座標（ｘB1、ｙB1）は短いワイヤ１７Ｂの第一ボンディング部すなわち指定された電極パッド１６Ｂの中心であり、座標（ｘB2、ｙB2）は短いワイヤ１７Ｂの第二ボンディング部の位置すなわち電源用インナリード６における正規に設定されたボンディング位置である。座標（ｘC1、ｙC1）は第二の長いワイヤ１８Ｃの第一ボンディング部すなわち指定された電極パッド１６Ｃの中心であり、座標（ｘC2、ｙC2）は第二の長いワイヤ１８Ｃの正規の第二ボンディング部の位置すなわち指定された信号線用インナリード５における正規のボンディング位置である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月8日(2004.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気手段と、ガス導入手段と、被加工試料を設置可能な真空相と、
該被加工試料に対面する位置に配置した平面版と、電子サイクロトロンとを備えたプラズマ処理装置において、
上記平面版から導入する電磁波と磁場の相互作用によって上記ガス導入手段で導入したガスをプラズマ化し、
さらに上記電子サイクロトロンの共鳴磁場面の分布を制御することによって、上記プラズマ化を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
上記平面板の上記被加工試料に対面する面の上下50mmの範囲に上記電子サイクロトロンによる共鳴時場面を配置することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置において、
上記電子サイクロトロンによる共鳴磁場面を上記平面板の径方向に分布させ、上記共鳴磁場面を上記平面板の上記被加工試料に対面する面に対し下方向の湾曲から上方向の湾曲の範囲に配置することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３記載のプラズマ処理装置において、
上記平面板の上記被加工試料に対する面の中心部における上記共鳴磁場面の湾曲と上記面との距離と、上記面内で上記中心部から150mm離れた部分における上記共鳴磁場面の湾曲と上記面との距離との差が50mm以内であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、
上記平面板中央部での磁場の磁力線の向きが上記平面板に対し平行から垂直までの範囲であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に塗布膜が形成されてなる基板を保持する基板保持機構と、
前記基板表面に対してリンス液を吹き付けることで、リンス液を吹き付けた位置の塗布膜を選択的に除去するリンス液吐出部と、
前記基板の外縁部に対向して設けられ、この基板の外縁部の位置を検出する位置検出部と、
前記基板と前記リンス液吐出部を相対的に駆動するアライメント機構と
前記位置検出部の検出結果に基づいて前記アライメント機構を制御し、前記基板と前記リンス液吐出部を相対位置決めする制御部と
を有することを特徴とする塗布膜除去装置。
【請求項２】
請求項１記載の塗布膜除去装置において、
前記アライメント機構は、所定のアライメント方向に沿って前記基板保持機構を前記リンス液吐出部に対して相対的に駆動することで前記基板と前記リンス液吐出部とを位置決めするものであり、
前記位置検出部と前記リンス液吐出部は、前記アライメント方向に沿って配置されている
ことを特徴とする塗布膜除去装置。
【請求項３】
請求項２記載の塗布膜除去装置において、
前記リンス液吐出部は、前記位置検出部によって位置検出された基板の外縁部と前記アライメント方向に沿って逆側の外縁部の塗布膜を除去するものである
ことを特徴とする塗布膜除去装置。
【請求項４】
請求項３記載の塗布膜除去装置において、
前記基板保持時機構は、リンス液吐出部による塗布膜除去の際に前記基板を駆動するものであり、
前記制御部は、前記検出部の検出結果に基づいて前記アライメント機構を制御しながら前記基板保持機構を作動させることで、外縁部に沿って塗布膜を除去させる
ことを特徴とする塗布膜除去装置。
【請求項５】
請求項４記載の塗布膜除去装置において、
前記制御部は、
前記検出部による検出の際には、前記アライメント機構を作動させず前記基板保持機構を作動させることで、前記基板の外縁部の位置変動を検出させ、
前記リンス液吐出部による塗布膜除去の際には、前記外縁部の位置変動に応じて前記アライメント機構を作動させつつ前記基板保持機構を動作させることで、逆側の外縁部の塗布膜を除去させる
ことを特徴とする塗布膜除去装置。
【請求項６】
請求項２の塗布膜除去装置において、
前記基板保持時機構は、リンス液吐出部による塗布膜除去の際に前記基板を回転駆動するものであり、
前記位置検出部と前記リンス液吐出部は、この基板保持機構の回転軸を挟んで対向するように配置されている
ことを特徴とする塗布膜除去装置。
【請求項７】
請求項１記載の塗布膜除去装置において、
前記リンス液吐出部は、
ポンプを介してリンス液供給源に接続されており、
前記ポンプは、ステッピングモータの回転数によりリンス液の吐出圧／吐出速度を制御できるものである
ことを特徴とする塗布膜除去装置。
【請求項８】
リンス液吐出部から前記基板表面に対してリンス液を吹き付けることで、基板外縁部の塗布膜を選択的に除去する塗布膜除去方法であって、
表面に塗布膜が形成されてなる基板を保持する基板保持工程と、
この基板の外縁部の位置を検出する位置検出工程と、
前記位置検出部の検出結果に基づいて前記基板とリンス液吐出部とのアライメントを行い、前記基板外縁部の塗布膜を除去する塗布膜除去工程と
を有することを特徴とする塗布膜除去方法。
【請求項９】
請求項８記載の塗布膜除去装置において、
前記位置検出工程は、前記アライメント方向に沿って前記リンス吐出部により塗布膜が除去される外縁部と反対側の外縁部の位置を検出する
ことを特徴とする塗布膜除去方法。
【請求項１０】
請求項９記載の塗布膜除去装置において、
前記位置検出工程は、前記基板を所定の方向に駆動しながら、この基板の外縁部の位置変動を検出するものであり、
前記塗布膜除去工程は、前記位置変動の検出結果に基づいて前記基板とリンス液吐出部とのアライメントしかつ前記基板を所定の方向に駆動することで、前記位置変動を補償しながら、この基板外縁部の塗布膜を除去するものである
ことを特徴とする塗布膜除去方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の塗布膜除去方法において、
前記塗布膜除去工程は、リンス液吐出部による塗布膜除去の際に前記基板を回転させるものであり、
前記位置検出工程は、リンス液吐出部と基板の回転軸を挟んで反対側の位置の位置変動を検出するものである
ことを特徴とする塗布膜除去方法。
【請求項１２】
請求項８記載の塗布膜除去方法において、
基板外縁部の塗布膜を除去する前に、基板表面に形成された塗布膜を加熱乾燥する工程を含むことを特徴とする塗布膜除去方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
１の実施形態によれば、前記制御部は、前記検出部による検出の際には、前記アライメント機構を作動させず前記基板保持機構を作動させることで、前記基板の外縁部の位置変動を検出させ、前記リンス液吐出部による塗布膜除去の際には、前記外縁部の位置変動に応じて前記アライメント機構を作動させつつ前記基板保持機構を動作させることで、逆側の外縁部の塗布膜を除去させる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月10日(2004.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面にパターンを形成した半導体ウェハに研磨加工具を押し付け前記半導体ウェハと前記研磨加工具を相対運動させ平坦化する工程において、上記半導体ウェハをウェハ保持具に保持し、酸化セリウム砥粒と前記砥粒を結合するための物質からなる円形またはリング形状の、２つまたはそれ以上の砥石を含む研磨加工具を同心円状に配置し、上記同心円状の砥石の内の少なくとも一つの砥石は他の砥石と回転方向が異なるように同時かつ独立に運動させ、上記半導体ウェハの表面には少なくとも２つ以上の上記同心円状の砥石が接触するようにして平坦化研磨を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板の表面にパターンを形成した半導体ウェハに研磨加工具を押し付け前記半導体ウェハと前記研磨加工具とを相対運動させ平坦化する工程において、上記半導体ウェハをウェハ保持具に保持し、酸化セリウム砥粒と前記砥粒を結合するための物質からなる円形状の、２つまたはそれ以上の砥石を含む研磨加工具を回転定盤上に配置し、上記円形状の砥石を上記回転定盤の回転方向と逆方向に回転させ、上記半導体ウェハの表面には少なくとも２つ以上の上記円形状の砥石が接触するようにして平坦化研磨を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記半導体ウェハについて、その直径が２００mm以上であることを特徴とする上記請求項１または２記載の半導体ウェハ平坦化加工方法。
【請求項４】
上記半導体ウェハを研磨加工具へ押しつける圧力が１５０ｇ／ｃｍ2以上であることを特徴とする上記請求項１または２記載の半導体ウェハ平坦化加工方法。
【請求項５】
表面にパターンを形成した半導体ウェハに研磨加工具を押し付け前記半導体ウェハと前記研磨加工具を相対運動させ、上記パターンを平坦化する装置において、上記半導体ウェハを保持するウェハ保持具と、酸化セリウム砥粒と前記砥粒を結合するための物質からなる円形またはリング形状の、２つまたはそれ以上の砥石を同心円状に配置した研磨加工具とからなり、上記同心円状の砥石の少なくとも一つの砥石は他の砥石と回転方向が異なるように同時かつ独立に回転を行い、上記半導体ウェハの表面には少なくとも２つ以上の上記同心円状の砥石が接触するよう上記同心円状の砥石を配置したことを特徴とする半導体ウェハの平坦化加工装置。
【請求項６】
表面にパターンを形成した半導体ウェハに研磨加工具を押し付け前記半導体ウェハと前記研磨加工具を相対運動させ、上記パターンを平坦化する装置において、上記半導体ウェハを保持するウェハ保持具と、酸化セリウム砥粒と前記砥粒を結合するための物質からなる円形状の、２つまたはそれ以上の砥石を回転定盤上に配置した研磨加工具とからなり、上記円形状の砥石を上記回転定盤の回転方向と逆方向に上記円形状の砥石の中心軸を中心に回転させ、上記半導体ウェハの表面には少なくとも２つ以上の上記円形状の砥石が接触するよう上記円形状の砥石を上記回転定盤上に配置したことを特徴とする半導体ウェハの平坦化加工装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】  また、この流体加熱装置１００Ａの配管構造としては、加熱部１０に流体（超純水）を流入させるための流入管Ｐ１、加熱部１０から加熱後の流体を流出させるための流出管Ｐ２（Ｐ２１とＰ２２とで構成される）、流入管Ｐ１を流れる加熱前の流体の一部を流出管Ｐ２にバイパスするバイパス管Ｐ３が備わる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送風通路（７）と、この送風通路（７）に連通した外気導入口（１５）と、送風通路（７）に連通した内気導入口（１４）と、送風通路（７）内に設けられ外気導入口（１５）及び内気導入口（１４）を介して内外気を吸入するブロワユニット（９）と、このブロワユニット（９）により送風通路（７）内に吸入される空気を清浄するフィルタ（１０）とを備えた車両用空調装置であって、
ブロワユニット（９）を囲繞して送風通路（７）を形成し底面がブロワユニット（９）の下方に位置すると共に内気導入口（１４）を形成するように開口した通路形成用ケース（８）を設け、その底面に内気用のフィルタ（１０Ａ）を取り付けたことを特徴とする車両用空調装置。
【請求項２】
通路形成用ケース（８）がブロワケース（１７）と一体的に形成されたことを特徴とする請求項１記載の車両用空調装置。
【請求項３】
通路形成用ケース（８）がインストルメントパネル（３）及び／又はグローブボックス（４）と一体的に形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の車両用空調装置。
【請求項４】
通路形成用ケース（８）内に吸音材（１１）が設けられたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の車両用空調装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、送風通路７と、この送風通路７に連通した外気導入口１５と、送風通路７に連通した内気導入口１４と、送風通路７内に設けられ外気導入口１５及び内気導入口１４を介して内外気を吸入するブロワユニット９と、このブロワユニット９により送風通路７内に吸入される空気を清浄するフィルタ１０とを備えた車両用空調装置であって、ブロワユニット９を囲繞して送風通路７を形成し底面がブロワユニット９の下方に位置すると共に内気導入口１４を形成するように開口した通路形成用ケース（８）を設け、その底面に内気用のフィルタ１０Ａを取り付けたことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドに設けられたノズルから記録材を吹き付けて、記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、
当該画像形成装置に設定された記録媒体のサイズを測定して実測サイズを検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記実測サイズに基づいて、前記記録媒体に印刷処理を施さない領域と、印刷処理を施す領域と、を設定するマスク処理を施すマスク処理手段と、
前記マスク処理手段により設定された前記印刷処理を施す領域にのみ印刷処理を施す印刷処理手段と、
前記記録媒体の状態を検出するセンサと、
前記センサの出力信号に基づいて前記記録媒体の有無を検出する検出回路と、
前記センサの出力信号に基づいて前記検出回路の駆動および停止を切り替える切替手段と、を備え、
前記検出手段は、所定の検出領域の範囲内において、前記記録媒体のサイズを測定することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記切替手段は、前記センサにより検出された前記記録媒体の状態を示す信号を保持するカウンタと、前記記録媒体の有無を検出する際の基準となる所定の位置情報を保持したレジスタと、前記カウンタと前記レジスタとの値を比較する比較器と、を備え、
前記切替手段は、前記比較器の出力信号に基づいて、前記検出回路の駆動および停止を切り替えることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記検出回路の駆動および停止の切り替えを実行する割り込み要求を発生する要求発生回路を備え、
前記切替手段は、前記要求発生回路で発生した前記割り込み要求に基づいて前記検出回路の駆動および停止を切り替えることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１記載の発明は、ヘッドに設けられたノズルから記録材を吹き付けて、記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、当該画像形成装置に設定された記録媒体のサイズを測定して実測サイズを検出する検出手段と、前記検出手段により検出された前記実測サイズに基づいて、前記記録媒体に印刷処理を施さない領域と、印刷処理を施す領域と、を設定するマスク処理を施すマスク処理手段と、前記マスク処理手段により設定された前記印刷処理を施す領域にのみ印刷処理を施す印刷処理手段と、前記記録媒体の状態を検出するセンサと、前記センサの出力信号に基づいて前記記録媒体の有無を検出する検出回路と、前記センサの出力信号に基づいて前記検出回路の駆動および停止を切り替える切替手段と、を備え、前記検出手段は、所定の検出領域の範囲内において、前記記録媒体のサイズを測定することにより、前記目的を達成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記切替手段は、前記センサにより検出された前記記録媒体の状態を示す信号を保持するカウンタと、前記記録媒体の有無を検出する際の基準となる所定の位置情報を保持したレジスタと、前記カウンタと前記レジスタとの値を比較する比較器と、を備え、前記切替手段は、前記比較器の出力信号に基づいて、前記検出回路の駆動および停止を切り替えることにより、前記目的を達成する。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記検出回路の駆動および停止の切り替えを実行する割り込み要求を発生する要求発生回路を備え、前記切替手段は、前記要求発生回路で発生した前記割り込み要求に基づいて前記検出回路の駆動および停止を切り替えることにより、前記目的を達成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、記録媒体の有無を検出する検出回路の駆動および停止を切り替えることにより、センサが印字ヘッドと共に移動する構成を備えた画像形成装置における記録媒体範囲の誤検出を容易に防ぐことができる。
請求項２記載の発明によれば、切替手段をカウンタ、レジスタおよび比較器から構成することにより、ソフトウェアの介在無しに誤検出を防ぐことができる。
請求項３記載の発明によれば、カウンタ等のハードウェアの負荷無しに誤検出を防止することにより、画像形成装置における外部回路を削減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月11日(2004.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  インサート成形により成形した金属片と樹脂の成形体による複合体の縦断正面図である。
【図２】  同上の平面図である。
【図３】  ポリアミド樹脂の表面接着強度の比較図である。
【図４】  ポリフェニレンスルファイド樹脂の表面接着強度の比較図である。
【図５】  ポリフェニレンスルファイド樹脂の表面接着強度の比較図である。
【符号の説明】
１      金属片
２ａ，２ｂ，２ｃ    樹脂の成形体
３    複合体
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  捩じれ変形可能なトーションバー（１２）の両端に連なる一対のアーム（１３）をサスペンションに接続し、トーションバー（１２）の両端近傍をそれぞれ支持手段（１４）を介して車体（１５）に支持するスタビライザーの車体への支持構造において、
前記支持手段（１４）は、トーションバー（１２）に固定し、トーションバー（１２）を車体（１５）に対して回転可能に支持するボールジョイント（１８，１８′）を備えたことを特徴とするスタビライザーの車体への支持構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載された発明によれば、捩じれ変形可能なトーションバーの両端に連なる一対のアームをサスペンションに接続し、トーションバーの両端近傍をそれぞれ支持手段を介して車体に支持するスタビライザーの車体への支持構造において、前記支持手段は、トーションバーに固定し、トーションバーを車体に対して回転可能に支持するボールジョイントを備えたことを特徴とするスタビライザーの車体への支持構造が提案される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ５μｍ以上の平均二次粒子径を有する沈降法シリカを、カチオン性化合物の存在下、水性媒体中でメディアミルを使用して平均二次粒子径４００ｎｍ以下に微粉砕した粒子、ほう酸またはほう酸塩、及び該粒子に対して２０質量％未満のポリビニルアルコールを含有する多孔質のインク受容層を有するインクジェット用記録材料において、ヒドラジン誘導体を含有することを特徴とするインクジェット用記録材料。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微多孔性支持膜上に多官能アミン化合物と多官能酸ハロゲン化物との反応物からなる分離機能層を形成してなり、ホルマリン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、グリシジルアルデヒド、３−ヒドロキシプロパナル、グリオキサール、グルタルアルデヒド、リボース、グリオキシリックアルデヒド、ベンズアルデヒド、サルチルアルデヒド、ジメチルアミノベンズアルデヒド、フタルアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、ホルミルベンズアミドのいずれかのアルデヒド基を少なくとも１個有する化合物が該分離機能層表面のアミノ基とのみ共有結合を形成していることを特徴とする複合半透膜。
【請求項２】
２５℃において、ｐＨ６．５の、ＮａＣｌ濃度が１，５００ｍｇ／ｌである水溶液を１．０ＭＰａの圧力で加えて１時間ろ過したときの透過水量が０．５〜３．０ｍ３／（ｍ２・ｄ）である請求項１記載の複合半透膜。
【請求項３】
２５℃において、ｐＨ６．５の、ＮａＣｌ濃度が１，５００ｍｇ／ｌである水溶液を１．０ＭＰａの圧力で加えて１時間ろ過したときの透過水量をＦ１とし、続いてポリオキシエチレン（１０）オクチルフェニルエーテルを１００ｍｇ／ｌの濃度となるように前記水溶液に加えて１時間ろ過したときの透過水量をＦ２としたとき、１−（Ｆ２／Ｆ１）の値が０．３５以下である請求項１または２に記載の複合半透膜。
【請求項４】
微多孔性支持膜上に多官能アミン化合物と多官能酸ハロゲン化物とを重縮合させてポリアミド分離機能層を設けた後に、ホルマリン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、グリシジルアルデヒド、３−ヒドロキシプロパナル、グリオキサール、グルタルアルデヒド、リボース、グリオキシリックアルデヒド、ベンズアルデヒド、サルチルアルデヒド、ジメチルアミノベンズアルデヒド、フタルアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、ホルミルベンズアミドのいずれかのアルデヒド基を少なくとも１個有する化合物の溶液を該ポリアミド分離機能層の表面に被覆して、該分離機能層表面に残存するアミノ基との間でのみ共有結合を形成させることを特徴とする複合半透膜の製造方法。
【請求項５】
アルデヒド基を有する化合物がホルマリンまたはグルタルアルデヒドである請求項４に記載の複合半透膜の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の複合半透膜を用いて下水を処理することを特徴とする下水処理方法。
【請求項７】
精密ろ過膜または限外ろ過膜で処理した後の下水を複合半透膜に供給する請求項６記載の下水処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、本発明で用いられるアルデヒド基を少なくとも１個有する化合物としては、ホルマリン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、グリシジルアルデヒド、３−ヒドロキシプロパナル、グリオキサール、グルタルアルデヒド、リボース、グリオキシリックアルデヒド、ベンズアルデヒド、サルチルアルデヒド、ジメチルアミノベンズアルデヒド、フタルアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、ホルミルベンズアミドのいずれかであることが必要である。これらの中では膜の性能の面からホルマリン、グルタルアルデヒドが好ましい。特にグルタルアルデヒドが好ましく用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
植物体の一部をなしていた木質系部分を含む材料であって、家畜等の動物の消化管を通ったことがなく且つ工業的に食品又は飼料とするために加工又は分解工程を受けたことがなく且つ食品又は食品原料として不適である、リグニンの結合しているセルロース質を含んでいる材料を粉砕して細かいチップの集合体とし、
該チップの集合体を、湿り気を与えながら好気的条件下で、チップの形状をそのまま保持した状態で、すくなくとも腐朽菌の付着により部分的に腐朽の開始が認められるまでの一定期間堆積し、
該堆積物をタンクに入れ、水及び該堆積物の重量に対して少なくとも２０重量％の泥土又はヘドロを加えるが、該泥土又はヘドロとして水素生成菌とメタン産生菌の両方の棲息に適していてこれらの菌を含んでいるものを使用し、
該タンク内容物をメタン発酵に適した温度で嫌気的条件下で培養し、
該タンクからメタンガスを取り出すことからなる、メタンガスの生産方法。
【請求項２】
植物体の一部をなしていた木質系部分を含む材料であって、家畜等の動物の消化管を通ったことがなく且つ工業的に食品又は飼料とするために加工又は分解工程を受けたことがなく且つ食品又は食品原料として不適である、リグニンの結合しているセルロース質を含んでいる材料を粉砕して細かいチップの集合体とし、
該チップの集合体を、湿り気を与えながら好気的条件下で、チップの形状をそのまま保持した状態で、すくなくとも腐朽菌の付着により部分的に腐朽の開始が認められるまでの一定期間堆積し、
該堆積物をタンクに入れ、水及び該堆積物の重量に対して少なくとも２０重量％の泥土又はヘドロを加えるが、該泥土又はヘドロとして水をはったレンコン畑の中の泥土又はヘドロ、生活排水や温泉浴場の排水等によりある程度有機物を含む河川の水のよどんだ所の底にある泥土又はヘドロ、及び有機物を多く含んでいる湖沼の底の泥土又はヘドロからなる群から選択される泥土又はヘドロを使用し、
該タンク内容物をメタン発酵に適した温度で嫌気的条件下で培養し、
該タンクからメタンガスを取り出すことからなる、メタンガスの生産方法。
【請求項３】
該木質系部分を含む材料が、樹木の枝や幹を切って生じた処分材、倒木や廃棄樹木及びそれらの一部、落葉、及び製材工程や解体で生じる廃木材及び木屑からなる群から選択される１以上であるか、又はそれの実質的な量又は主要量と廃棄野菜、雑草ゴミ、ワラ、生ごみからなる群から選択される１以上との混合物である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
該チップの寸法が８ｍｍの篩を通過させたものである請求項１〜３のいずれか一に記載の方法。
【請求項５】
該堆積期間が２０日〜３０日である請求項１〜４のいずれか一に記載の方法。
【請求項６】
該メタン発酵に適した温度が２５℃以上である請求項１〜５のいずれか一記載の方法。
【請求項７】
ａ）搬入口から搬入される生ごみを、必要ならば生ごみを粉砕した後、水性嫌気性菌に富んだ泥土又はヘドロと、撹拌槽で撹拌し、
ｂ）該撹拌物を嫌気的条件下のサイロ中に入れ、該サイロ中に一定期間保持して生ごみを分解させ、
ｃ）該サイロ中で発生するメタンガスをサイロから取り出して収集し、
ｄ）サイロ中に残る残渣を排出して、空になったサイロは再び上記段階ｂ）のために用いる段階を含み、
該水性嫌気性菌に富んだ泥土又はヘドロが、
イ）水をはったレンコン畑の中の泥土又はヘドロ、生活排水や温泉浴場の排水等によりある程度有機物を含む河川の水のよどんだ所の底にある泥土又はヘドロ、及び有機物を多く含んでいる湖沼の底の泥土又はヘドロからなる群から選択される泥土又はヘドロであるか、又は
ロ）嫌気性水素生成菌と嫌気性メタン産生菌に富んだ泥土又はヘドロである
ことを特徴とする、メタンガスを生産する方法。
【請求項８】
更に貯蔵のために水を吸着させた活性炭に生じたメタンを吸着させる段階を含む請求項１〜７に記載のメタンガスを生産する方法。
【請求項９】
電気を生じるためにメタンガスを燃料電池のための原料に供給する段階を含む請求項１〜７に記載のメタンガスを生産する方法を利用して電気を造り出す方法。
【請求項１０】
水性嫌気性菌に富んだ泥土又はヘドロの水性懸濁液を貯蔵するタンクと、
生ごみの搬入口と、
該タンクと該搬入口の間に設けられた、該懸濁液と生ごみとを撹拌するための撹拌手段を備えた撹拌槽と、
該撹拌槽で撹拌された該懸濁液と生ごみとの混合物を気密状態で一定期間保持するために、複数設けられた嫌気性のサイロと、
該サイロで発生するメタンガスをガス収集管を経由して受入れるためのガス貯蔵手段と、
該サイロに該水性懸濁液を貯蔵するタンクから該水性懸濁液を追加するための水性懸濁液導入管と、
メタンガスを収集した後に該サイロ中に溜まった残渣を収集するための収集管と、を有すること、及び
該泥土又はヘドロが、
イ）水をはったレンコン畑の中の泥土又はヘドロ、生活排水や温泉浴場の排水等によりある程度有機物を含む河川の水のよどんだ所の底にある泥土又はヘドロ、及び有機物を多く含んでいる湖沼の底の泥土又はヘドロからなる群から選択される泥土又はヘドロであるか、又は
ロ）嫌気性水素生成菌と嫌気性メタン産生菌に富んだ泥土又はヘドロであること
を特徴とする、メタン発生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドに設けられたノズルから記録材を吹き付けて、記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、
当該画像形成装置に設定された記録媒体のサイズを測定して実測サイズを検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記実測サイズに基づいて、前記記録媒体に印刷処理を施さない領域と、印刷処理を施す領域と、を設定するマスク処理を施すマスク処理手段と、
前記マスク処理手段により設定された前記印刷処理を施す領域にのみ印刷処理を施す印刷処理手段と、を備え、
前記検出手段は、所定の検出領域の範囲内において、前記記録媒体のサイズを測定することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記記録媒体の有無を検出するセンサを備え、
前記検出手段は、前記センサから出力される電圧に基づいて、前記記録媒体の有無を判断することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記記録媒体の搬送を行う静電ベルトを備え、
前記検出領域は、前記静電ベルトの主走査幅の領域内であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記静電ベルトの主走査幅は、予め設定された固定値であることを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記静電ベルトの主走査幅を検出する主走査幅検出手段を備えたことを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記主走査幅検出手段により検出された前記静電ベルトの主走査幅を記憶する記憶手段を備えたことを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記記憶手段は、不揮発性の記憶媒体に前記静電ベルトの主走査幅を記憶することを特徴とする請求項６記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、ヘッドに設けられたノズルから記録材を吹き付けて、記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、当該画像形成装置に設定された記録媒体のサイズを測定して実測サイズを検出する検出手段と、前記検出手段により検出された前記実測サイズに基づいて、前記記録媒体に印刷処理を施さない領域と、印刷処理を施す領域と、を設定するマスク処理を施すマスク処理手段と、前記マスク処理手段により設定された前記印刷処理を施す領域にのみ印刷処理を施す印刷処理手段と、を備え、前記検出手段は、所定の検出領域の範囲内において、前記記録媒体のサイズを測定することにより、前記目的を達成する。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記記録媒体の有無を検出するセンサを備え、前記検出手段は、前記センサから出力される電圧に基づいて、前記記録媒体の有無を判断することにより、前記目的を達成する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
階調制御のためのパルス幅変調を行うパルス幅変調手段を有するカラー印刷装置であって、
供給された印刷データの印刷モードを判断する第１の判断手段と、
前記印刷データを単色として処理すべきかどうかを判断する第２の判断手段と、
前記第１および第２の判断手段による判断結果に応じて、前記パルス幅変調手段において使用されるパルス幅変調パターンを設定する設定手段と、
を有することを特徴とするカラー印刷装置。
【請求項２】
前記設定手段は、
前記第１の判断手段により前記印刷データの印刷モードが細線再現性を重視する所定のモードでないと判断されたとき、または、前記第２の判断手段により前記印刷データが単色であると判断されたときは、第１のパルス幅変調パターンを設定し、
前記第１の判断手段により前記印刷モードが前記所定のモードであると判断され、かつ、前記第２の判断手段により前記印刷データが多色であると判断されたときは、前記第１のパルス幅変調パターンよりも現像剤載り量が小さくなる第２のパルス幅変調パターンを設定する
ことを特徴とする請求項１に記載のカラー印刷装置。
【請求項３】
前記所定のモードは、ＣＡＤデータ向けのモードであることを特徴とする請求項２に記載のカラー印刷装置。
【請求項４】
階調制御のためのパルス幅変調を行うパルス幅変調手段を有するカラー印刷装置の制御方法であって、
供給された印刷データの印刷モードを判断する第１の判断ステップと、
前記印刷データを単色として処理すべきかどうかを判断する第２の判断ステップと、
前記第１および第２の判断ステップによる判断結果に応じて、前記パルス幅変調手段において使用されるパルス幅変調パターンを設定する設定ステップと、
を有することを特徴とするカラー印刷装置の制御方法。
【請求項５】
前記設定ステップは、
前記第１の判断ステップで前記印刷データの印刷モードが細線再現性を重視する所定のモードでないと判断されたとき、または、前記第２の判断ステップで前記印刷データが単色であると判断されたときは、第１のパルス幅変調パターンを設定し、
前記第１の判断ステップ前記印刷モードが前記所定のモードであると判断され、かつ、前記第２の判断ステップで前記印刷データが多色であると判断されたときは、前記第１のパルス幅変調パターンよりも現像剤載り量が小さくなる第２のパルス幅変調パターンを設定する
ことを特徴とする請求項４に記載のカラー印刷装置の制御方法。
【請求項６】
前記所定のモードは、ＣＡＤデータ向けのモードであることを特徴とする請求項５に記載のカラー印刷装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面は、階調制御のためのパルス幅変調を行うパルス幅変調手段を有するカラー印刷装置に係り、供給された印刷データの印刷モードを判断する第１の判断手段と、前記印刷データを単色として処理すべきかどうかを判断する第２の判断手段と、前記第１および第２の判断手段による判断結果に応じて、前記パルス幅変調手段において使用されるパルス幅変調パターンを設定する設定手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
上記により製造したセラミック固形物１０１は、これを水に入れると、水はセラミック基材１０１ａの前記孔（室）１０８を通じて基材１０１ａ内に浸み込んで前記物質と接触して反応し、前記式で示される二価三価鉄塩を含有する水となる。また、前記物質はセラミック基材１０１ａに一体に燒結して担持されているので、水に一度に溶出することなく、基材内にとどまって長期間にわたり継続的に安定して作用する（有効作用期間は約１〜２年程度）。