【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体装置の製造時に、半導体基板のポリシランを変化させる方法であって、
ａ）半導体基板にポリシランを塗布し、このポリシランにレジストを塗布するステップと、
ｂ）上記レジストを露光および現像によりパターン化するステップと、
ｃ）上記レジストに対して、選択的なエッチングプロセスを使用して上記レジストから上記ポリシランにパターンを転写するステップと、
ｄ）上記レジストを剥離するステップと、
ｅ）上記ポリシランに対して、選択的なエッチングを使用して上記ポリシランからハードマスクにパターンを転写するステップと、
ｆ）上記ポリシランをシリカまたは酸化シリコンに変化させるために、このポリシランを熱またはプラズマ／熱酸化するステップと、
ｇ）上記基板をエッチングし、上記ハードマスクを剥離するステップとを含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
上記ポリシランは、
（Ｒ1mＲ2nＸpＳｉ）q
（Ｉ）
という式であって、
Ｒ1およびＲ2は、同一または異なるものであり、置換または非置換の一価の炭化水素基であって、
Ｘは、置換または非置換の一価の炭化水素基、アルコキシ基、またはハロゲン原子であり、添え字ｍ、ｎおよびｐは、１＜ｍ＋ｎ＋ｐ＜２．２を満たす数であり、ｑは、１０〜１００，０００の整数であって、
Ｒ1およびＲ2は、脂肪族のまたは脂環式の炭化水素基であり、
炭素原子の数は、１〜１２であり、Ｒ1およびＲ2が芳香族炭化水素基である場合は、この炭素原子の数が６〜１４であって、
Ｘは、Ｒ1を定義する基、または１〜８個の炭素原子あるいはハロゲン原子のアルコキシ基である請求項２に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
上記エーテル溶媒は、テトラヒドロフランまたはジブチルエーテルから選択される請求項１１に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（図面の簡単な説明）
図１は、ポリシランおよびフォトレジストが塗布されている半導体基板を示す図である。図２は、例えば、フォトリソグラフィーなどの露光と現像（development）によってレジストをパターニングした後の図１の半導体を示す図である。図３は、レジストに対して選択的にエッチングプロセスを使用する、レジストからポリシランへのパターンの転写を示す図である。図４は、レジストの剥離ステップを示す図である。図５は、ポリシランに対して選択的なエッチングプロセスを使用する、ポリシランからハードマスクへのパターンを転写するステップを示す図である。図６は、ポリシランをシリカに変化させるために、ウェハーを熱またはプラズマ／熱酸化するステップを示す図である。図７は、基板をエッチングし、酸化物の形状であるハードマスクの全てを剥離するステップを示す図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（本発明の好ましい実施形態の説明）
一般的に、本発明のプロセスは、半導体を形成する間にポリシランを剥離するための解決策を提供する。そして、本発明のプロセスは、ポリシランを剥離するためにウエット作用物質を使用する、周知のプロセスの代用となるものである。なお、この周知のプロセスでは、ポリシランが半導体装置の反射防止膜（ＡＲＣ）として使用される場合には満足いくプロセスとはならない。また、本発明のプロセスは、ポリシランをシリカに変化させることによって、基板をエッチングするための付加的なマスク層を提供する。炭素含有ポリシランを、純粋な酸化シリコンに変化させるために、熱酸化または、熱とプラズマとを組み合わせた酸化を行う。そして、本発明のプロセスは、基板をエッチングするためのマスク層として付加的な酸化物層を挿入することにより、ポリシランを剥離する必要が無くなる。一般的なプロセスのフローは、以下の通りである。
基板にポリシランとフォトレジストとを塗布するステップ。
フォトリソグラフィーを使用して、露光および現像することによりこのレジストをパターニングするステップ。
レジストに対して選択的なエッチングプロセスを使用してパターンをレジストからポリシランに転写するステップ。
レジストを剥離するステップ。
ポリシランに対して選択的なエッチングプロセスを使用して、パターンをポリシランからハードマスクに転写するステップ。
ポリシランをシリカに変化させるために、ポリシラン層を熱、または、熱／プラズマ酸化するステップ。
基板をエッチングするステップ。
全てのハードマスクを剥離するステップ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図４に示すように、レジスト１２が剥離され、パターン化１４されたポリシランを有する基板１０が残る。次に、図５に示すように、基板のポリシランに対して選択的なエッチングプロセスを使用することによって、ポリシランのパターンがハードマスクに転写される。そして、これを符号１６として示している。図５の残存ポリシラン層１７は、図６に示すように、ポリシラン層１７をシリカまたは酸化シリコン１８に変化するように、熱、または、プラズマ／熱酸化のどちらかを行う。なお、熱、またはプラズマ／熱酸化の間の温度範囲は、約２００℃から約１０００℃である。正確に、熱、または、プラズマ／熱酸化がどのように働くかについての理論に束縛されることは望ましくないが、しかしながら、Ｏ2プラズマの使用は、プラズマ／熱酸化ステップにおいて用いられる温度を下げることに有用であると考えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、好適なポリシランは、以下の式に従う。
（Ｒ1mＲ2nＸpＳｉ）q
（Ｉ）
ただし、Ｒ1とＲ2とは、同じであってもよく、または異なっていてもよい。また、Ｒ1とＲ2とは、置換または非置換の一価の炭化水素基（a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group）でもよい。また、Ｘは、置換または非置換の一価の炭化水素基、アルコキシ基、またはハロゲン原子である。添え字ｍ、ｎ、およびｐは、１＜ｍ＋ｎ＋ｐ＜２．２を満たす数であり、ｑは、１０〜１００，０００の整数である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ｍ、ｎ、ｐおよびｑの個々の値は、ポリシランが有機溶媒に溶解し、０．１〜１，０００μｍの均一な厚さで基板に塗布することができる限り、それほど重要ではない。添え字ｍ、ｎ、および、ｐは、１＜ｍ＋ｎ＋ｐ＜２．２を満たす数字であり、ｑは、１０〜１００，０００の整数である。好ましくは、ｍは０．１〜１の数であり、より好ましくは０．５〜１．５の数である。また、ｎは、好ましくは０．１〜２の数であり、より好ましくは０．５〜１．５の数である。また、ｐは、好ましくは０〜０．５の数であり、より好ましくは０〜０．２の数である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【図１】ポリシランおよびフォトレジストが塗布されている半導体基板を示す図である。
【図２】例えば、フォトリソグラフィーなどの露光と現像によってレジストをパターニングした後の図１の半導体を示す図である。
【図３】レジストに対して選択的にエッチングプロセスを使用する、レジストからポリシランへのパターンの転写を示す図である。
【図４】レジストの剥離ステップを示す図である。
【図５】ポリシランに対して選択的なエッチングプロセスを使用する、ポリシランからハードマスクへのパターンを転写するステップを示す図である。
【図６】ポリシランをシリカに変化させるために、ウエハーを熱またはプラズマ／熱酸化するステップを示す図である。
【図７】基板をエッチングし、酸化物の形状であるハードマスクの全てを剥離するステップを示す図である。