【手続補正書】
【提出日】平成17年5月16日(2005.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含む半導体装置であって、
前記ゲート電極は、第１の導電層を下層とし、前記第１の導電層の端部におけるテーパー角度より大きいテーパー角度を端部に有する第２の導電層を上層とする積層構造を有し、
前記半導体層は、前記第２の導電層と重なるチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域よりも不純物濃度の低い第２の不純物領域とを有し、
前記第２の不純物領域は前記第１の導電層と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含む半導体装置であって、
前記ゲート電極は、第１の導電層を下層とし、前記第１の導電層の端部におけるテーパー角度より大きいテーパー角度を端部に有する第２の導電層を上層とする積層構造を有し、
前記半導体層は、前記第２の導電層と重なるチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域よりも不純物濃度の低い第２の不純物領域とを有し、
前記第２の不純物領域は前記第１の導電層と重なる領域と、前記ゲート電極の外側に位置する領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記半導体層の端部はテーパー形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記半導体層の端部は、前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた絶縁膜に覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記絶縁膜のうち、ゲート電極近傍は、テーパー形状を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体装置を用いたパーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、モバイルコンピュータ、ゴーグル型ディスプレイ、プログラムを記録した記録媒体、デジタルカメラ、フロント型プロジェクター、リア型プロジェクター、携帯電話、電子書籍またはディスプレイ。
【請求項７】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含む半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に、第１の導電層と、前記第１の導電層の端部におけるテーパー角度より大きいテーパー角度を端部に有する第２の導電層との積層からなるゲート電極を形成する第３の工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記半導体層の端部は、テーパー形状とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、第２の導電層の幅は、第１の導電層の幅より狭いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、前記第３の工程は、塩素系ガス及びフッ素系ガス、若しくは、前記塩素系ガス及び前記フッ素系ガス及びＯ2を用いてドライエッチングを行った後、塩素系ガス及びフッ素系ガス及びＯ2を用いてドライエッチングを行うことでゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜を形成する第３の工程と、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成する第４の工程と、
前記第２の導電膜及び前記第１の導電膜に対してドライエッチングを１回または複数回行い第１の形状のゲート電極を形成する第５の工程と、
前記半導体層に第１の不純物領域を形成する第６の工程と、
前記第１の形状のゲート電極に対してドライエッチングを行い第２の形状のゲート電極を形成する第７の工程と、
前記第２の形状のゲート電極を構成する第２の導電膜に対して選択的にドライエッチングを行い第３の形状のゲート電極を形成する第８の工程と、
前記半導体層に第２の不純物領域を形成する第９の工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、タングステン、タンタル、チタン、モリブデンから選ばれた高融点金属を主成分とする材質、またはこれら金属を含む合金、またはこれら金属を主成分とする窒化物、から選ばれた材質であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、前記第５の工程におけるドライエッチングでは、塩素系ガス及びフッ素系ガス、若しくは塩素系ガス及びフッ素系ガス及びＯ2を用いて第１の形状のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一において、前記第７の工程におけるドライエッチングでは、塩素系ガス及びフッ素系ガスを用いて第２の形状のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一において、前記第８の工程におけるドライエッチングでは、塩素系ガス及びフッ素系ガス及びＯ2を用いて第３の形状のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれか一に記載の前記第９の工程は、前記第３の形状のゲート電極を構成する前記第１の導電膜及び前記ゲート絶縁膜を通過するように不純物元素をドーピングすることで前記半導体層に前記第２の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至１６のいずれか一項に記載の第９の工程は、前記第３の形状のゲート電極の外側に位置する半導体層及び第３の形状のゲート電極と重なる半導体層に同時に不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜を形成する第３の工程と、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成する第４の工程と、
前記第２の導電膜及び前記第１の導電膜に対してドライエッチングを１回または複数回行い第１の形状のゲート電極を形成する第５の工程と、
前記半導体層に第１の不純物領域を形成する第６の工程と、
前記第１の形状のゲート電極を構成する第２の導電膜に対して選択的にドライエッチングを行い第２の形状のゲート電極を形成する第７の工程と、
前記半導体層に第２の不純物領域を形成する第８の工程と、
前記第２の形状のゲート電極を構成する第１の導電膜に対して選択的にドライエッチングを行い第３の形状のゲート電極を形成する第９の工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１８において、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、タングステン、タンタル、チタン、モリブデンから選ばれた高融点金属を主成分とする材質、またはこれら金属を含む合金、またはこれら金属を主成分とする窒化物、から選ばれた材質であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１８または請求項１９において、前記第５の工程におけるドライエッチングでは、塩素系ガス及びフッ素系ガス、若しくは、塩素系ガス及びフッ素系ガス及びＯ2を用いて第１の形状のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１８乃至２０のいずれか一において、前記第７の工程におけるドライエッチングでは、塩素系ガス及びフッ素系ガス及びＯ2を用いて第２の形状のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１８乃至２１のいずれか一において、前記第９の工程におけるドライエッチングでは、塩素系ガス及びフッ素系ガス、塩素系ガス及びフッ素系ガス及びＯ2、ＣＨＦ3、Ｃ4Ｆ8の中から選ばれたガスを用いて第３の形状のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１８乃至２２のいずれか一における前記第８の工程は、前記第２の形状のゲート電極を構成する前記第１の導電膜及びゲート絶縁膜を通過するように不純物元素をドーピングすることで前記半導体層に前記第２の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１０、１３、１４、１５、２０、２１または２２のいずれか一において、前記塩素系ガスは、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4から選ばれたガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１０、１３、１４、１５、２０、２１または２２のいずれか一において、前記フッ素系ガスは、ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3から選ばれたガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。