【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および表示装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
基板上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜およびゲート電極を順に形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜およびゲート電極をパターニングし前記半導体膜の一部を露出させる工程と、
前記ゲート電極および前記半導体膜の一部上に不純物を含有する液状物を塗布する工程と、
前記半導体膜を加熱し前記半導体膜の一部に前記不純物を拡散する工程と、を有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項２】  
基板上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上に不純物を含有する液状物を塗布する工程と、
前記半導体膜を加熱し前記半導体膜に前記不純物を拡散する工程と、を有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のトランジスタの製造方法において、
前記加熱工程は、前記半導体膜に光を照射する工程を含むことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載のトランジスタ置の製造方法において、
前記光はレーザ光であることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のトランジスタの製造方法において、
前記レーザ光を前記半導体膜の一部に照射し、該半導体膜の一部に前記不純物を拡散させることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
前記液状物を塗布する工程に先立ち、前記半導体膜上の前記不純物を拡散させたくない領域の上に絶縁膜を形成することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
前記不純物はリンまたはボロンを含むものであることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
前記液状物はシリケートガラスの液状前駆体を含むことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
前記液状物はオキシ塩化リンを含むことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
前記液状物はインクジェット法により吐出されることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載のトランジスタの製造方法を用いることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法を用いることを特徴とする表示装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、本発明の課題は、レジストマスクを形成しなくても、半導体層に不純物を選択的に導入することのできるトランジスタの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および表示装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るトランジスタの製造方法は、基板上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜およびゲート電極を順に形成する工程と、前記ゲート絶縁膜およびゲート電極をパターニングし前記半導体膜の一部を露出させる工程と、前記ゲート電極および前記半導体膜の一部上に不純物を含有する液状物を塗布する工程と、前記半導体膜を加熱し前記半導体膜の一部に前記不純物を拡散する工程と、を有することを特徴とする。また、本発明は、基板上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上に不純物を含有する液状物を塗布する工程と、前記半導体膜を加熱し前記半導体膜に前記不純物を拡散する工程と、を有することを特徴とするものであってもよい。これによって、半導体膜上の所定領域に不純物を容易に導入することができる。上記トランジスタの製造方法において、前記加熱工程は、前記半導体膜に光を照射する工程を含むものであることが好ましい。これによって、安価なガラス基板などの耐熱温度の低い基板を利用することができる。上記トランジスタの製造方法において、前記光はレーザ光であることが好ましい。これは、前記レーザ光を前記半導体膜の一部に照射し、該半導体膜の一部に前記不純物を拡散させるものであってもよい。これによって、エッチング等のフォトリソグラフィ技術を用いることなく、所望の部分のみに不純物を拡散することができる。  上記トランジスタの製造方法において、前記液状物を塗布する工程に先立ち、前記半導体膜上の前記不純物を拡散させたくない領域の上に絶縁膜を形成することもできる。これによれば、半導体膜上の所望の領域に不純物を拡散することができる。上記トランジスタの製造方法において、前記不純物はリンまたはボロンを含むものであることが望ましい。これらが半導体膜に拡散することで、半導体膜に導電性をもたせることができる。上記トランジスタの製造方法において、前記液状物はシリケートガラスの液状前駆体を含むものであってもよい。また、前記液状物はオキシ塩化リンを含むものであってもよい。上記トランジスタの製造方法において、前記液状物はインクジェット法により吐出されることが好ましい。これによれば、半導体膜上の所望の位置に液状物を配置することができるため、製造工程を簡略化することができる。
また、上記課題を解決するため、本発明に係る半導体層への不純物の導入方法では、インクジェットヘッドから半導体層表面に向けてＮ型あるいはＰ型の不純物を含む液状物を吐出して不純物拡散源を前記半導体層表面の所定領域に形成した後、該不純物拡散源から不純物を前記半導体層中に拡散させることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
［実施の形態１］
図１は、本形態に係る半導体層への不純物の導入方法を用いて同一基板上にＮ型のＴＦＴおよびＰ型のＴＦＴを製造する方法を示す工程断面図である。ここで説明する方法では、インクジェット法を最大限に利用して、レジストマスクなどを用いずに島状のシリコン膜に不純物を選択的に導入し、オフセットゲート構造のＮ型のＴＦＴおよびＰ型のＴＦＴを製造する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
［実施の形態１の変形例］
なお、上記形態では、不純物拡散源として不純物含有のシリケートガラスを用いたが、このような固体の不純物拡散源に代えて、液体の不純物拡散源を用いてもよい。たとえば、図１（Ｃ）を参照して説明した工程において、シリコン膜２０の露出部分のうち、ゲート電極１３の端部に対峙する部分（オフセット領域となる部分）を除く領域に対して、不純物含有のシリケートガラスの液状前駆体に代えて、インクジェットヘッドＨＮから液体のオキシ塩化リンを吐出して、そこにオキシ塩化リンを液状の不純物拡散源として付着させ、しかる後に、加熱炉内での加熱、あるいはレーザアニールによって、液状の不純物拡散源からシリコン膜２０の所定領域のみにリンイオンを拡散させて、オフセットゲート構造のＴＦＴ２を製造してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
［実施の形態２］
図２は、本形態に係る半導体層への不純物の導入方法を用いて同一基板上にＮ型のＴＦＴおよびＰ型のＴＦＴを製造する方法を示す工程断面図である。ここで説明する方法では、レーザアニール法を最大限に利用して、レジストマスクなどを用いずに島状のシリコン膜に不純物を選択的に導入し、オフセットゲート構造のＮ型のＴＦＴおよびＰ型のＴＦＴを製造する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
［実施の形態２の変形例］
なお、上記形態では、不純物拡散源として不純物含有のシリケートガラスを用いたが、このような固体の不純物拡散源に代えて、液体の不純物拡散源を用いてもよい。たとえば、図２（Ｃ）を参照して説明した工程において、不純物含有のシリケートガラスの液状前駆体に代えて、液状のオキシ塩化リンをインクジェットヘッドＨＮから吐出して、シリコン膜２０の露出部分全体、およびゲート電極１３に対して液状不純物拡散源（オキシ塩化リン）を塗布した後、その塗布領域の所定領域のみにレーザ光を選択的に照射することによって、レーザ光が照射された領域のシリコン膜２０のみに、液状不純物拡散源から不純物を拡散させてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図３に示す方法では、図２（Ｂ）に示した工程までを行った後、透明基板１０をオキシ塩化リン７１（液状のＮ型の不純物拡散源）の中に浸漬する。そして、透明基板１０に形成したシリコン膜２０のうち、矢印ＬＮでレーザ光の照射領域を示すように、ゲート電極１３から所定の距離以上、離れている領域のみにレーザ光を照射する。その結果、オキシ塩化リンからはシリコン膜２０のレーザ光が照射された領域のみにリンイオンが拡散していき、ソース・ドレイン領域２１が形成される。従って、レジストマスクなどを用いずに、不純物の導入されていないオフセット領域２２を形成できるので、オフセットゲート構造のＴＦＴ２を製造するプロセスを簡略化できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
上記形態は、いずれもオフセットゲート構造のＴＦＴ２、３を形成することを目的に本発明を適用したが、その他の半導体素子（半導体装置）を製造するのに本発明を適用してもよいことは勿論である）。