【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、一方に先の尖った複数の凸端部を有する第１形状の半導体領域を形成し、
連続発振レーザー光を前記凸端部から前記凸端部と対向する辺に向かって走査しながら前記第１形状の半導体領域に照射することによって、前記第１形状の半導体領域を結晶化又は結晶性を向上させ、
前記第１形状の半導体領域をエッチングすることによって、複数のチャネル形成領域とソース領域及びドレイン領域を有する第２形状の半導体領域を形成し、
前記第２形状の半導体領域は、前記複数の凸端部から延びる結晶領域のそれぞれに前記複数のチャネル形成領域が形成されるように配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、一方に先の尖った凸端部を有する半導体領域を複数個並列に配置した第１形状の半導体領域を形成し、
連続発振レーザー光を前記凸端部から前記凸端部と対向する辺に向かって走査しながら前記第１形状の半導体領域に照射することによって、前記第１形状の半導体領域を結晶化又は結晶性を向上させ、
前記第１形状の半導体領域をエッチングすることによって、複数のチャネル形成領域とソース領域及びドレイン領域を有する第２形状の半導体領域を形成し、
前記第２形状の半導体領域は、前記凸端部から延びる結晶領域のそれぞれに前記複数のチャネル形成領域が形成されるように配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、五角形の対向する二辺が鋸歯状である形状を有する半導体領域を有する第１形状の半導体領域を形成し、
連続発振レーザー光を前記半導体領域の前記鋸歯形状を有さない二辺で成る頂点から前記頂点と対向する辺に向かって走査しながら前記第１形状の半導体領域に照射することによって、前記第１形状の半導体領域を結晶化又は結晶性を向上させ、
前記第１形状の半導体領域をエッチングすることによって、チャネル形成領域とソース領域及びドレイン領域を有する第２形状の半導体領域を形成し、
前記第２形状の半導体領域は、前記頂点から延びる結晶領域に前記チャネル形成領域が形成されるように配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、一方に先の尖った複数の凸端部を有する第１形状の半導体領域を形成し、
照射面において線状に集光させた連続発振レーザー光を前記凸端部から前記凸端部と対向する辺に向かって走査しながら前記第１形状の半導体領域に照射することによって、前記第１形状の半導体領域を結晶化又は結晶性を向上させ、
前記第１形状の半導体領域をエッチングすることによって、複数のチャネル形成領域とソース領域及びドレイン領域を有する第２形状の半導体領域を形成し、
前記第２形状の半導体領域は、前記複数の凸端部から延びる結晶領域のそれぞれに前記複数のチャネル形成領域が形成されるように配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、一方に先の尖った凸端部を有する半導体領域を複数個並列に配置した第１形状の半導体領域を形成し、
照射面において線状に集光させた連続発振レーザー光を前記凸端部から前記凸端部と対向する辺に向かって走査しながら前記第１形状の半導体領域に照射することによって、前記第１形状の半導体領域を結晶化又は結晶性を向上させ、
前記第１形状の半導体領域をエッチングすることによって、複数のチャネル形成領域とソース領域及びドレイン領域を有する第２形状の半導体領域を形成し、
前記第２形状の半導体領域は、前記凸端部から延びる結晶領域のそれぞれに前記複数のチャネル形成領域が形成されるように配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、五角形の対向する二辺が鋸歯状である形状を有する半導体領域を有する第１形状の半導体領域を形成し、
照射面において線状に集光させた連続発振レーザー光を前記半導体領域の前記鋸歯形状を有さない二辺で成る頂点から前記頂点と対向する辺に向かって走査しながら前記第１形状の半導体領域に照射することによって、前記第１形状の半導体領域を結晶化又は結晶性を向上させ、
前記第１形状の半導体領域をエッチングすることによって、複数のチャネル形成領域とソース領域及びドレイン領域を有する第２形状の半導体領域を形成し、
前記第２形状の半導体領域は、前記凸端部から延びる結晶領域のそれぞれに前記複数のチャネル形成領域が形成されるように配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、一方に先の尖った複数の凸端部を有する第１形状の半導体領域を形成し、
複数の連続発振レーザー光を照射面において線状に集光させ、前記線状に集光させた複数の連続発振レーザー光を前記凸端部から前記凸端部と対向する辺に向かって走査しながら前記第１形状の半導体領域に照射することによって、前記第１形状の半導体領域を結晶化又は結晶性を向上させ、
前記第１形状の半導体領域をエッチングすることによって、複数のチャネル形成領域とソース領域及びドレイン領域を有する第２形状の半導体領域を形成し、
前記第２形状の半導体領域は、前記複数の凸端部から延びる結晶領域のそれぞれに前記複数のチャネル形成領域が形成されるように配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、一方に先の尖った凸端部を有する半導体領域を複数個並列に配置した第１形状の半導体領域を形成し、
複数の連続発振レーザー光を照射面において線状に集光させ、前記線状に集光させた複数の連続発振レーザー光を前記凸端部から前記凸端部と対向する辺に向かって走査しながら前記第１形状の半導体領域に照射することによって、前記第１形状の半導体領域を結晶化又は結晶性を向上させ、
前記第１形状の半導体領域をエッチングすることによって、複数のチャネル形成領域とソース領域及びドレイン領域を有する第２形状の半導体領域を形成し、
前記第２形状の半導体領域は、前記凸端部から延びる結晶領域のそれぞれに前記複数のチャネル形成領域が形成されるように配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、五角形の対向する二辺が鋸歯状である形状を有する半導体領域を有する第１形状の半導体領域を形成し、
複数の連続発振レーザー光を照射面において線状に集光させ、前記線状に集光させた複数の連続発振レーザー光を前記半導体領域の前記鋸歯形状を有さない二辺で成る頂点から前記頂点と対向する辺に向かって走査しながら前記第１形状の半導体領域に照射することによって、前記第１形状の半導体領域を結晶化又は結晶性を向上させ、
前記第１形状の半導体領域をエッチングすることによって、複数のチャネル形成領域とソース領域及びドレイン領域を有する第２形状の半導体領域を形成し、
前記第２形状の半導体領域は、前記凸端部から延びる結晶領域のそれぞれに前記複数のチャネル形成領域が形成されるように配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項４乃至請求項９のいずれか一項において、前記線状に集光させた連続発振レーザー光は、強度分布が、長手方向において均一な分布を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記連続発振レーザー光の光源は、矩形ビーム固体レーザー発振装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記連続発振レーザー光の光源は、スラブレーザー発振装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記複数のチャネル形成領域の隣接間隔は、前記複数のチャネル形成領域のそれぞれのチャネル幅方向の長さの２倍以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、前記複数のチャネル形成領域のそれぞれの隣接間隔は、０．５〜１．０μmあることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、前記複数のチャネル形成領域の両端に低濃度ドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、前記第２形状の半導体領域に、絶縁膜を介して共通の電位が印加される電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
具体的には、一辺に、先の尖った複数の凸端部を有する第１形状の半導体領域を形成し、その領域から連続発振レーザー光を照射することにより、当該レーザー光の走査方向に沿って第１形状の半導体領域を結晶化又は結晶性を向上させる。レーザー光は照射面において線状に集光される一つ又は複数の線状に集光される連続発振レーザー光を用いるのが好ましい。その後、第１形状の半導体領域をエッチングして、その内側に、チャネル形成領域とソース及びドレイン領域が形成される第２形状の半導体領域を形成する。この第２形状の半導体領域は、複数の凸端部から延びる結晶領域のそれぞれにチャネル形成領域が形成されるように短冊状の半導体領域が配置され、当該チャネル形成領域に隣接する半導体領域が除去されるように写真蝕刻技術を用いてエッチング処理を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、第２形状の半導体領域における短冊状の半導体領域の隣接間隔は、当該半導体領域におけるチャネル幅方向の長さの２倍以上とするのが好ましく、結晶成長との兼ね合いから０．５〜１．０μmであることが望ましい。この短冊状の半導体領域には低濃度ドレイン領域や、絶縁膜を介して共通の電位が印加される電極を形成することによりチャネル形成領域を設ける。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図２３は好適な第１形状の半導体領域の形状に関する他の一例を示している。図２３（Ａ）で示す基本的な形態は、第１形状すなわち五角形の対向する二辺が鋸歯状である形状の半導体領域９０１はシード領域９０２が備えられ、その点から第１形状の半導体領域がＷ0の幅に広がり、距離ｔ0の地点でＷ1の幅に括れた形状となり、以降距離ｔ1毎に（必ずしも周期的でなくても良い）括れをもたせた形状となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
こうして、レーザー光４０６が照射された領域から結晶化が進み、固液界面を連続して移動させることにより結晶性半導体４０７を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【実施例５】
図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）に示すように、実施例３と同様にしてガラス基板５０１、ブロッキング層５０２、非晶質珪素膜を形成した後、第１形状の半導体領域５２０を形成する。そして、全面に触媒元素としてＮｉを添加する。Ｎｉの添加法に限定はなく、スピン塗布法、蒸着法、スパッタ法などを適用するこができる。スピン塗布法による場合には酢酸ニッケル塩が５ｐｐｍの水溶液を塗布して触媒元素含有層５２１を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
【実施例６】
図１７（Ａ）に示すように、実施例３と同様にしてガラス基板５０１、ブロッキング層５０２、非晶質珪素膜を形成した後、第１形状の半導体領域５２０を形成する。そして、全面に触媒元素としてＮｉを添加する。Ｎｉの添加法に限定はなく、スピン塗布法、蒸着法、スパッタ法などを適用するこができる。スピン塗布法による場合には酢酸ニッケル塩が５ｐｐｍの水溶液を塗布して触媒元素含有層５２１を形成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
図２１では第１ＴＦＴ１３０５をマルチゲート構造とし、且つ、低濃度ドレイン（ＬＤＤ）を設けオフ電流を低減させている。第４ＴＦＴ１３０６にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けている。多結晶珪素を用いたＴＦＴは、高い動作速度を示すためホットキャリア効果による劣化が起こりやすい。そのため、図２１のように、画素内において機能に応じて構造の異なるＴＦＴ（オフ電流の十分に低いスイッチング用ＴＦＴと、ホットキャリア注入に強い電流制御用ＴＦＴ）を形成することは、高い信頼性を有し、且つ、良好な画像表示が可能な（動作性能の高い）表示装置を作製する上で非常に有効である。この画素部における上面図は図２２で示されている。図２２ではほぼ１画素分の構成を示し、第１ＴＦＴ１３０５、第２ＴＦＴ１３１１、第３ＴＦＴ１３１２、第４ＴＦＴ１３０６、容量部１３１２が設けられている。その等価回路図を図２４に示す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003197916.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2003197916.tif 000002
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2003197916.tif 000003