【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面領域（１３）を有する基板材料（１、１０）内に集積化される少なくとも１つの部品のための電気的コンタクト接続を形成する方法であって、
ａ）少なくとも１つの端子コンタクト（１２）が各部品に対して第１の表面領域内に少なくとも部分的に配置され、
ｂ）光学的に透明のカバー（２０）が第１の表面領域に取り付けられ、そして、
ｃ）基板材料内で第１の表面領域に関して横断方向に走る少なくとも１つのコンタクト経路（３１）が形成され、これは、
ｄ）供給される第２の表面領域内に少なくとも１つのコンタクト場所（２４）を形成するためであり、さらに、
ｅ）それぞれのコンタクト経路（３１）を経由して、コンタクト場所（２４）から端子コンタクト（１２）のうちの少なくとも１つへの少なくとも１つの電気的コンタクト接続が形成され、
少なくとも１つのコンタクト経路（３０）または少なくとも１つのコンタクト場所（２４）が形成される前にカバー（２０）が取り付けられ、第２の表面領域の供給が基板材料の薄肉化の工程を含み、特に、第２の表面領域から出発するコンタクト経路（３１）が端子コンタクトに実質的に直接隣り合うことを特徴とする方法。
【請求項２】
部品に関する基板材料（１、１０）が、規定されるべきチップ領域（１ａ、１ｂ）に分割され、コンタクト経路（３１）が、端子コンタクト（１２）の隣りで基板材料のそれぞれのチップ領域に導入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コンタクト経路（３１）が、基板材料（１、１０）内に、端子コンタクトにこれらが隣接するような手法で導入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
コンタクト経路（３１）のうちの少なくともいくつかがチップ領域（１ａ、１ｂ）の規定されるべき分離線（３６）上に敷設されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
コンタクト経路（３１）の形成が基板材料（１、１０）に関するコンタクト経路の横方向の絶縁（３２）を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
コンタクト経路（３１）の形成が、元素の周期律系の第ＩＩＩ主族または第Ｖ主族からの化学元素で基板材料をドープする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
コンタクト経路（３１）の形成が元素のイオン・インプランテーションによってドープする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
コンタクト経路（３１）の形成が元素の熱拡散によってドープする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
コンタクト経路（３１）の形成が開口（１７、３０）の供給を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
コンタクト経路（１９、３１）がドライ・エッチング法および／またはウェット・エッチング法の補助で形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
開口（１７、３０）のドライ・エッチングが、フォトリソグラフィによるパターニング、および／または、好ましくはＳＦ６ラジカルによる異方性ドライ・エッチングを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
開口（１７、３０）のドライ・エッチングが、フォトリソグラフィによるパターニング、および／または、好ましくはＫＯＨ溶液による異方性ウェット・エッチングを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
電気的コンタクト接続（１９、３１）の形成が第１の表面領域上の端子コンタクト（１２）の中継（１８）を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
電気的コンタクト接続（１９、３１）の形成が、好ましくはアルミニウム、銅またはニッケルの蒸発コーティングおよび／またはスパッタリングおよび／またはＣＶＤおよび／またはＰＶＤ蒸着によって達成され、引き続きパターニングが行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
電気的コンタクト接続（１９、３１）の形成が、好ましくはアルミニウム、銅またはニッケルの非電気的蒸着を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
電気的コンタクト接続（１９、３１）の形成がコンタクト経路または開口（１７、３０）の充填を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
異なる端子コンタクトへの複数の電気的コンタクト接続がそれぞれのコンタクト経路（１９、３１）または開口（１７、３０）を通って敷設されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
電気的コンタクト接続が敷設された後にコンタクト経路（１９、３１）または開口（１７、３０）を絶縁材で充填する処理が行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
それぞれのコンタクト経路（１９、３１）または開口（１７、３０）を通って敷設された電気的コンタクト接続が、異なるチップ領域（１ａ、１ｂ）の端子コンタクトへと導かれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
電気的コンタクト接続の形成が第２の表面領域上のコンタクト経路（１９、３１）の領域内にハンダ・ビード（２４）を付ける工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
電気的コンタクト接続の形成が第２の表面領域上で敷設された電気的コンタクト接続の中継（２６）を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
カバー（２０）が、ガラスまたはプラスティックまたはガラス−プラスティック複合材料から供給されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
カバーが接着促進剤（２１）を使用して取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
接着促進剤（２１）が、接着剤、好ましくはエポキシ樹脂、および／またはワックスおよび／またはゾル・ゲルを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
カバー（２０）が熱または陽極ボンディング法の補助で取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
カバーの取り付けもしくはカバー（２０）の接着が基板材料（１、１０）上の酸化層の蒸着を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
カバーの取り付けもしくは接着が化学的機械的研磨法の補助で平面化する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
薄肉化が基板材料のエッチング、および／または、研削を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
特に、ハウジング内で少なくとも１つの部品を実装する方法であって、
ａ）第２の表面領域の反対側にある第１の表面領域からなる基板材料（１、１０）内で少なくとも１つの半導体部品を作製する工程を含み、各集積回路（１１）について少なくとも１つの端子コンタクト（１２）が少なくとも部分的に第１の表面領域に配置されており、さらに、
ｂ）第１の表面領域の上に第１のカバーを設けられ、かつ第２の表面領域に少なくとも１つのコンタクト場所（２３、２４）を有する基板材料を形成するために請求項１乃至２８のいずれか１項に記載の方法を実行する工程と、
ｃ）第２の表面領域に第２のカバーを取り付ける工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項３０】
カバー（２７）の取り付けが、カバーを貫く全行程を通過する開口（２８）の導入を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
敷設する工程が貫通開口（２８）の充填を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
カバーの開口を通してコンタクト場所および／または中継されたコンタクト場所へと少なくとも１つの電気的接続を敷設する工程を含み、基板材料から遠隔にある第２のカバーのその側の敷設の結果として、少なくとも１つのハウジングのコンタクト場所（３８）が形成されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
第２の表面領域上にコンタクト場所（２３）の中継を有することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】
敷設の工程が、基板材料から遠隔にある第２のカバーのその側でハウジングのコンタクト場所（３８）を中継する工程を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
基板材料が、少なくとも２つの部品もしくは集積回路（１ａ、１ｂ）、部品間もしくは集積回路間に形成された少なくとも１つの隔絶用トレンチ（３５）を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３６】
隔絶用トレンチ（３５）が、隔絶用トレンチに隣接する基板材料の領域間で電気的な隔絶が作り出されるような手法で形成されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３７】
隔絶用トレンチ（３５）を絶縁材で充填する工程を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３８】
部品（１１）もしくは集積回路がその上に実装された半導体ウェハが基板材料（１、１０）として供給されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３９】
隔絶用トレンチ（３５）が、隔絶用トレンチに沿って基板材料が少なくとも１つの部品を含むチップ領域に分割されることができるような手法で基板材料に配置されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項４０】
基板、少なくとも１つの端子コンタクト（２５）、および第１の側でチップ（１、２、３）の回路を含む活性層（１１）を有するウェハ（１）を備えた集積回路（６）を作製する方法であって、
１．ウェハ（１）の第１の側（１４）に透明のカバー（２０）を固定する工程と、
２．活性層（１１）を含む側（１４）の反対の側（２２）でウェハ（１）を薄肉化する工程と、
３．活性層（１１）を含む側（１４）に対して反対の側であるウェハ（１）の第２の側（２２）から第１の側（１４）の表面に対して実質的に直角に延びる少なくとも１つの導電性経路をウェハ（１）内に導入する工程と、およびウェハ（１）の回路の少なくとも１つの端子と導電性経路（３１）の間に電気的コンタクトを形成する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項４１】
基板（１０１）をドープすることによって導電性経路が形成されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
少なくとも１つの開口（１７）を導入することおよび導電性材料（１９、３１）で開口（１７）を充填することによって導電性経路が形成されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項４３】
少なくとも１つの開口がエッチングによってチップの基板内に形成されることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
少なくとも１つの開口（１７）の導入がドライ・エッチングによって達成されることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】
少なくとも１つの開口（１７）の導入がＫＯＨによるエッチングによって達成されることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４６】
導電性材料（３１）が導電性のエポキシを含むことを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４７】
導電性材料（３１）が、電着によって少なくとも１つの開口内に堆積される金属を含むことを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４８】
導電性経路に電気的に接続される少なくとも１つのコンタクト面（２５）が、活性層（１１）を有する側（１４）の反対側にあるウェハ（１）の第２の側に取り付けられることを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項４９】
さらなるカバー（２７）がウェハの第２の側に取り付けられることを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項５０】
さらなるカバー（２７）が少なくとも１つの開口部（２８）を含みその開口が導電性経路に合致することを特徴とする請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
少なくとも１つの開口部（２８）が導電性の充填物（２９）を供給され、導電性経路と導電性充填物（２９）の間でカバー（２７）に電気的コンタクトが形成されることを特徴とする請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
少なくとも１つの開口部（２８）で導電性充填物（２９）に電気的に接続される少なくとも１つのコンタクト面（２５）が、ウェハ（１）に面するカバーの側からさらなるカバー（２７）の反対側に取り付けられることを特徴とする請求項５０に記載の方法。
【請求項５３】
ウェハ（１）と少なくとも１つのさらなるウェハ（２、３）を、ウェハ（１）の導電性経路（３１）とさらなるウェハ（２）の少なくとも１つの対応する端子面（２５）の間に電気的コンタクトが形成されるような手法で相互に、または相互に上に固定する工程を含むことを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項５４】
ウェハ（１、２、３）を相互に上に固定する工程が、ウェハ（１、２、３）のコンタクト面（２５、３６）上でハンダ・ビード（２４）を溶融させる工程を含むことを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
ウェハ（２）の第１の側（１４）に対して実質的に直交して延びる導電性経路が少なくとも１つのさらなるウェハ（２）内に導入されることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５６】
少なくとも１つのさらなるウェハ（２、３）が活性層（１１）を含む側の反対の側で薄肉化されることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５７】
少なくとも１つのさらなるウェハ（２、３）内の少なくとも１つの導電性経路が、開口（１７）を形成することおよび導電性材料（３１）で開口（１７）を充填することによって形成されることを特徴とする請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】
少なくとも１つの導電性経路がドーピングによって少なくとも１つのさらなるウェハ（２、３）内に形成されることを特徴とする請求項５５に記載の方法。
【請求項５９】
少なくとも１つのさらなるウェハ（２、３）の回路から少なくとも１つの導電性経路へと電気的接続が形成されることを特徴とする請求項５５に記載の方法。
【請求項６０】
多層構造から成る集積回路（６）のウェハ（１、２、３）が絶縁性の介在層（４５）を介して相互に接続されることを特徴とする請求項５５に記載の方法。
【請求項６１】
ウェハ（１、２、３）を相互に上に固定する工程が、
ａ）ウェハ（１、２、３）のコンタクト面（２３、２５）にハンダ・ビードを付ける工程と、
ｂ）コンタクト面（２３、２５）を含む表面（１４、２２）に絶縁層（４５）を付着させてハンダ・ビードを覆う工程と、
ｃ）ハンダ・ビード（２４）が露出してコンタクト面（３６）を有するまで層（４５）を研削する工程と、
ｄ）コンタクト面（３６）にハンダ・ビード（２４）を付ける工程と、
ｅ）ハンダ・ビード（２４）を部分的に溶融することによってチップを連結する工程とを含むことを特徴とする請求項６０に記載の方法。
【請求項６２】
チップ（１、２、３）がダイシング・ソーを使用して分離されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項６３】
集積回路（６）が貫通孔またはＳＭＴハウジング内に投入されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項６４】
基板材料内に集積化される少なくとも１つの部品を含むデバイスであって、基板材料（１）が、第２の表面領域の反対側にある第１の表面領域（１３）と各集積回路について第１の表面領域に少なくとも部分的に配置される少なくとも１つの端子コンタクト（１２）とを有し、第２の表面領域に少なくとも１つのさらなるコンタクト場所を含み、少なくとも１つの更なるコンタクト場所が少なくとも１つの電気的コンタクト接続を介して端子コンタクトに接続され、そして、コンタクト接続が、基板材料に導入され、かつ第１の表面領域に関して横断方向にあるコンタクト経路を介して形成されることを特徴とするデバイス。
【請求項６５】
第１の表面領域にセンサもしくは光学的活性を有する部品を含むことを特徴とする請求項６４に記載のデバイス。
【請求項６６】
第１および／または第２の表面領域の上にカバー（２０、２７）を含むことを特徴とする請求項６４に記載のデバイス。
【請求項６７】
部品間に絶縁材で充填された隔絶用トレンチ（３５）を有することを特徴とする請求項６４に記載のデバイス。
【請求項６８】
基板、少なくとも１つの端子コンタクト（２５）および一方の側（１４）上でチップ（１、２、３）の回路を含む活性層（１１）を有するチップ（１、２、３）を含む集積回路配列であって、ガラスもしくは透明プラスティックのカバー（２０）がチップ（１）の一方の側（１４、２２）に固定され、反対の側で基板が薄肉化され、第１のチップ（１）の第２の側、すなわち活性層を含む側の反対側から導入される導電性経路（１９）をチップが有し、薄肉化および経路の導入の前にカバーが取り付けられており、チップ（１）の回路の少なくとも１つの端子と導電性経路の間に電気的コンタクトが存在することを特徴とする集積回路配列。
【請求項６９】
配列のうちのチップ（１）が光学モジュールであり、その光学感受性の側（１４）が透明カバー（２０、２１）で覆われることを特徴とする請求項６８に記載の集積回路配列。
【請求項７０】
カバーが光学素子、特にプリズム、グレーティングまたは光学フィルタを含むことを特徴とする請求項６８に記載の集積回路配列。
【請求項７１】
チップ（１）が放射、圧力、温度、水分、および／または気体もしくは液体の成分に反応する化学センサを含むことを特徴とする請求項６８に記載の集積回路配列。
【請求項７２】
相互に上に配置され、かつ各々のケースで基板、少なくとも１つの端子コンタクト（２５）および一方の側（１４）でチップ（１、２、３）の回路を含む活性層（１１）を有する基板を含む少なくとも２つのチップ（１、２、３）を含むことを特徴とする請求項６８に記載の集積回路配列。
【請求項７３】
配列のうちのチップ（１、２、３）間に絶縁性の介在層（４５）が配置されることを特徴とする請求項７２に記載の集積回路配列。
【請求項７４】
配列がエポキシ樹脂（４０）でカプセル封入されることを特徴とする請求項６８に記載の集積回路配列。
【請求項７５】
カバー（２０）が透明のエポキシ樹脂（２１）によってチップ（１）に接続されることを特徴とする請求項７０に記載の集積回路配列。
【請求項７６】
特に請求項１乃至２５のいずれか１項に記載の方法を使用して作製される格納マルチ・パッケージ（６）であって、
相互に上に配置され少なくとも２つのチップ（１、２、３）を含み、一方の側（１４）において、その各々が少なくとも１つの端子コンタクト（２５）と、チップ（１、２、３）の回路からなり且つ少なくとも部分的にハウジング（２０、２７、４５、４０）で囲まれる活性層（１１）とを含み、カバー（２０）がチップ（１、２）のうちの第１のものの一方の側（１４、２２）に固定され、チップ（１）の基板が活性層（１１）を含む側（１４）の反対の側（２２）で薄肉化され、第１のチップ（１）の活性層を含む側の反対の側であるこの側（２２）から導入される導電性経路（１９）をチップが有し、薄肉化および経路の導入の前にカバーが固定されており、一方で、経路（１）を含むチップの回路の少なくとも１つの端子と導電性経路の間に電気的コンタクトが存在し、他方で、さらなるチップ（２、３）の端子面（２５）が導電性経路を有することを特徴とする格納マルチ・パッケージ。