【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜の形成方法、薄膜の形成装置、プログラム及びコンピュータ読取り可能情報記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜する薄膜の原料となる元素を含む原料ガスを処理容器内に供給し、基板上または該基板上に既に吸着している原料ガスの分子上に前記原料ガスを吸着させる第１の工程と、
前記原料ガスと反応して薄膜を生成する一種或いは複数種の反応ガスを前記処理容器内に供給し、前記原料ガスと前記反応ガスを反応させて薄膜層を形成する第２の工程とを有し、
前記第１の工程と前記第２の工程を繰り返し実施することにより薄膜を形成する薄膜の形成方法において、
前記原料ガスが、前記基板上に吸着する前に、前記処理容器内で前記原料ガスを前記基板に吸着し易い状態に変化させる第３の工程を設けたことを特徴とする薄膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜の形成方法において、
前記第３の工程では、前記原料ガスを活性化することにより、前記原料ガスを前記基板に吸着し易い状態に変化させることを特徴とする薄膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１記載の薄膜の形成方法において、
前記第３の工程では、還元ガスを用いて前記原料ガスを還元することを特徴とする薄膜の形成方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の薄膜の形成方法において、
前記原料ガスは、ハロゲン化金属または金属アルコキシドであることを特徴とする薄膜の形成方法。
【請求項５】
請求項３または４記載の薄膜の形成方法において、
前記原料ガスは四塩化チタンであり、前記反応ガスはアンモニアであり、前記還元ガスは水素であることを特徴とする薄膜の形成方法。
【請求項６】
成膜する薄膜の原料となる元素を含む原料ガスを処理容器内に供給する第１の供給手段と、
前記原料ガスと反応して薄膜を生成する一種或いは複数種の反応ガスを前記処理容器内に供給する第２の供給手段とを有し、
前記第１の供給手段によって原料ガスを供給する工程と前記第２の供給手段によって反応ガスを供給する工程とを繰り返し実施することにより薄膜を形成する薄膜の形成装置において、
還元ガスを前記処理容器内に供給する第３の供給手段を設け、前記原料ガスが処理容器内に供給される前、または前記原料ガスと共に、該還元ガスが前記処理容器内に供給される構成としたことを特徴とする薄膜の形成装置。
【請求項７】
請求項６に記載の薄膜の形成装置において、
前記原料ガスは、ハロゲン化金属または金属アルコキシドであることを特徴とする薄膜の形成装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の薄膜の形成装置において、
前記原料ガスは四塩化チタンであり、前記反応ガスはアンモニアであり、還元ガスは水素であることを特徴とする薄膜の形成装置。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の薄膜の形成方法の各工程をコンピュータに実行させるための命令よりなるプログラム。
【請求項１０】
請求項９記載のプログラムを格納したコンピュータ読取り可能情報記録媒体。
【請求項１１】
成膜する薄膜の原料となる元素を含む原料ガスを処理容器内に供給し、基板上または該基板上に既に吸着している原料ガスの分子上に前記原料ガスを吸着させる第１の工程と、
前記原料ガスと反応して薄膜を生成する一種或いは複数種の反応ガスを前記処理容器内に供給し、前記原料ガスと前記反応ガスとを反応させて薄膜層を形成する第２の工程とを有し、
前記第１の工程と前記第２の工程とを繰り返し実施することにより薄膜を形成する薄膜の形成方法において、
前記原料ガスが、前記基板上に吸着する前に、還元ガスを用いて前記原料ガスを前記基板に吸着し易い状態に変化させる第３の工程を設けたことを特徴とする薄膜の形成方法。
【請求項１２】
成膜する薄膜の原料となる元素を含む原料ガスを処理容器内に供給し、基板上または該基板上に既に吸着している原料ガスの分子上に前記原料ガスを吸着させる第１の工程と、
前記原料ガスと反応して薄膜を生成する一種或いは複数種の反応ガスを前記処理容器内に供給し、前記原料ガスと前記反応ガスとを反応させて薄膜層を形成する第２の工程とを実行する制御装置を備えた薄膜の形成装置であって、
前記第１の工程と前記第２の工程とを繰り返し実施することにより薄膜を形成する機能を有し、
更に前記原料ガスが、前記基板上に吸着する前に、前記処理容器内で前記原料ガスを前記基板に吸着し易い状態に変化させる第３の工程を実行する構成とされてなることを特徴とする薄膜の形成装置。
【請求項１３】
成膜する薄膜の原料となる元素を含む原料ガスを処理容器内に供給し、基板上または該基板上に既に吸着している原料ガスの分子上に前記原料ガスを吸着させる第１の工程と、
前記原料ガスと反応して薄膜を生成する一種或いは複数種の反応ガスを前記処理容器内に供給し、前記原料ガスと前記反応ガスとを反応させて薄膜層を形成する第２の工程とを実行する制御装置を備えた薄膜の形成装置であって、
前記第１の工程と前記第２の工程とを繰り返し実施することにより薄膜を形成する機能を有し、
前記原料ガスが、前記基板上に吸着する前に、還元ガスを用いて前記原料ガスを前記基板に吸着し易い状態に変化させる第３の工程を実行する構成とされてなることを特徴とする薄膜の形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜の形成方法、薄膜の形成装置、プログラム及びコンピュータ読取り可能情報記録媒体に係り、特に原料となるガスを交互に供給することにより成膜を行なう薄膜の形成方法、薄膜の形成装置、プログラム及びコンピュータ読取り可能情報記録媒体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１記載の発明は、
成膜する薄膜の原料となる元素を含む原料ガスを処理容器内に供給し、基板上または該基板上に既に吸着している原料ガスの分子上に前記原料ガスを吸着させる第１の工程と、
前記原料ガスと反応して薄膜を生成する一種或いは複数種の反応ガスを前記処理容器内に供給し、前記原料ガスと前記反応ガスを反応させて薄膜層を形成する第２の工程とを有し、
前記第１の工程と前記第２の工程を繰り返し実施することにより薄膜を形成する薄膜の形成方法において、
前記原料ガスが、前記基板上に吸着する前に、前記処理容器内で前記原料ガスを前記基板に吸着し易い状態に変化させる第３の工程を設けたことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項６記載の発明は、
成膜する薄膜の原料となる元素を含む原料ガスを処理容器内に供給する第１の供給手段と、
前記原料ガスと反応して薄膜を生成する一種或いは複数種の反応ガスを前記処理容器内に供給する第２の供給手段とを有し、
前記第１の供給手段によって原料ガスを供給する工程と前記第２の供給手段によって反応ガスを供給する工程とを繰り返し実施することにより薄膜を形成する薄膜の形成装置において、
還元ガスを前記処理容器内に供給する第３の供給手段を設け、前記原料ガスが処理容器内に供給される前、または前記原料ガスと共に、該還元ガスが前記処理容器内に供給される構成としたことを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、請求項８記載の発明は、
請求項７記載の薄膜の形成装置において、
前記原料ガスは四塩化チタンであり、前記反応ガスはアンモニアであり、前記還元ガスは水素であることを特徴とするものである。
また、請求項９記載の発明に係るプログラムは、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の薄膜の形成方法の各工程をコンピュータに実行させるための命令よりなることを特徴とするものである。
また、請求項１０記載の発明に係るコンピュータ読取り可能情報記録媒体は、
請求項９記載のプログラムを格納してなることを特徴とするものである。
また、請求項１１記載の発明は、
成膜する薄膜の原料となる元素を含む原料ガスを処理容器内に供給し、基板上または該基板上に既に吸着している原料ガスの分子上に前記原料ガスを吸着させる第１の工程と、
前記原料ガスと反応して薄膜を生成する一種或いは複数種の反応ガスを前記処理容器内に供給し、前記原料ガスと前記反応ガスとを反応させて薄膜層を形成する第２の工程とを有し、
前記第１の工程と前記第２の工程とを繰り返し実施することにより薄膜を形成する薄膜の形成方法において、
前記原料ガスが、前記基板上に吸着する前に、還元ガスを用いて前記原料ガスを前記基板に吸着し易い状態に変化させる第３の工程を設けたことを特徴とする薄膜の形成方法。
また、請求項１２記載の発明は、
成膜する薄膜の原料となる元素を含む原料ガスを処理容器内に供給し、基板上または該基板上に既に吸着している原料ガスの分子上に前記原料ガスを吸着させる第１の工程と、
前記原料ガスと反応して薄膜を生成する一種或いは複数種の反応ガスを前記処理容器内に供給し、前記原料ガスと前記反応ガスとを反応させて薄膜層を形成する第２の工程とを実行する制御装置を備えた薄膜の形成装置であって、
前記第１の工程と前記第２の工程とを繰り返し実施することにより薄膜を形成する機能を有し、
更に前記原料ガスが、前記基板上に吸着する前に、前記処理容器内で前記原料ガスを前記基板に吸着し易い状態に変化させる第３の工程を実行する構成とされてなることを特徴とするものである。
また、請求項１３記載の発明は、
成膜する薄膜の原料となる元素を含む原料ガスを処理容器内に供給し、基板上または該基板上に既に吸着している原料ガスの分子上に前記原料ガスを吸着させる第１の工程と、
前記原料ガスと反応して薄膜を生成する一種或いは複数種の反応ガスを前記処理容器内に供給し、前記原料ガスと前記反応ガスとを反応させて薄膜層を形成する第２の工程とを実行する制御装置を備えた薄膜の形成装置であって、
前記第１の工程と前記第２の工程とを繰り返し実施することにより薄膜を形成する機能を有し、
前記原料ガスが、前記基板上に吸着する前に、還元ガスを用いて前記原料ガスを前記基板に吸着し易い状態に変化させる第３の工程を実行する構成とされてなることを特徴とするものである。