【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強誘電体コンポーネント（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）に関連した強誘電損失を決定する方法であって、
該強誘電体コンポーネント（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）を狭帯域共振回路（４００、４５０、６００）に接続する工程と、
ネットワークアナライザを用いて該狭帯域共振回路（４００、４５０、６００）および該強誘電体コンポーネント（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）の中心周波数および挿入損失を測定する工程と、
少なくとも該狭帯域共振回路（４００、４５０、６００）または該強誘電体コンポーネント（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）のいずれかの少なくともジオメトリ損失または金属損失のいずれかを計算する工程と、
該測定された挿入損失から少なくとも該計算されたジオメトリ損失または該計算された金属損失のいずれかを減算することにより、該強誘電体コンポーネント（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）の該強誘電体損失の近似値を取得する工程と
を包含する、方法。
【請求項２】
前記強誘電体コンポーネント（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）は、キャパシタである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記狭帯域共振回路（４００、４５０、６００）は、前記キャパシタと一体化された共振器を含む一体化型の構造を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記一体型構造は、ギャップ（６１４、６３０、６４０）によって分離された低損失基板（６０２）上に配置される導電ストリップ（６３２、６４２）と、該ギャップ（６１４、６３０、６４０）の下に強誘電体材料の薄膜（６１６）とを備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記強誘電体コンポーネント（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）は、インターデジタルキャパシタ（１００）、ギャップキャパシタ（２００、６１０）およびオーバーレイキャパシタ（３００）を含む群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ジオメトリ損失、または前記金属損失は、回路シュミレーションツールを用いて計算される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ジオメトリ損失、または前記金属損失は、電磁場シミュレーションツールを用いて計算される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記強誘電体コンポーネント（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）は、１００よりも大きい品質係数Ｑである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記強誘電体コンポーネント（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）は、２００よりも大きい品質係数Ｑである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記狭帯域共振回路（４００、４５０、６００）は、前記キャパシタを規定するためのギャップを有するマイクロストリップ共振器を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
チューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）は、
第１の導電層と、
第２の導電層とを備え、該第１および該第２の導電層はキャパシタを備え、
該第１および該第２の導電層に近接する強誘電体材料と、
該強誘電体材料の誘電率の変化に応答し、可変の電圧線に印加された電圧に応答して、該キャパシタのキャパシタンスを変化させるための該強誘電体材料に結合された可変電圧線とを備え、
該第１および該第２の導電層は、２〜３ミクロンの範囲の厚さを有する金属である、チューニング可能強誘電体キャパシタ。
【請求項１２】
−５０℃〜１００℃の範囲の温度で動作した場合、前記品質係数Ｑは、０．８ＧＨｚ〜７．０ＧＨｚの周波数範囲で、８０よりも大きい、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項１３】
−５０℃〜１００℃の範囲の温度で動作した場合、前記品質係数Ｑは、０．２５ＧＨｚ〜２．５ＧＨｚの周波数範囲で、８０よりも大きい、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項１４】
−５０℃〜１００℃の範囲の温度で動作した場合、前記品質係数Ｑは、０．８ＧＨｚ〜２．５ＧＨｚの周波数範囲で、８０よりも大きい、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項１５】
−５０℃〜１００℃の範囲の温度で動作した場合、前記品質係数Ｑは、０．２５ＧＨｚ〜７．０ＧＨｚの周波数範囲で、１８０よりも大きい、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項１６】
−５０℃〜１００℃の範囲の温度で動作した場合、前記品質係数Ｑは、０．８ＧＨｚ〜２．５ＧＨｚの周波数範囲で、約１８０よりも大きい、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項１７】
−５０℃〜１００℃の範囲の温度で動作した場合、前記品質係数Ｑは、０．３ｐＦ〜３．０ｐＦの範囲のキャパシタンスに対して、８０よりも大きい、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項１８】
−５０℃〜１００℃の範囲の温度で動作した場合、前記品質係数Ｑは、０．５ｐＦ〜１．０ｐＦの範囲のキャパシタンスに対して、約８０よりも大きい、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項１９】
−５０℃〜１００℃の範囲の温度で動作した場合、前記品質係数Ｑは、０．３ｐＦ〜３．０ｐＦの範囲のキャパシタンスに対して、１８０よりも大きい、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項２０】
−５０℃〜１００℃の範囲の温度で動作した場合、前記品質係数Ｑは、０．５ｐＦ〜１．０ｐＦの範囲のキャパシタンスに対して、１８０よりも大きい、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項２１】
前記キャパシタは、前記強誘電体材料に０電圧が印加された場合、０．８〜１．５ｐＦのキャパシタンスを有する、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項２２】
前記強誘電体材料は、バリウムストロンチウムチタネートを含む、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項２３】
前記強誘電体材料は、約１ミクロンの厚さを有する膜を含む、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項２４】
前記キャパシタは、マイクロストリップギャップキャパシタである、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項２５】
前記第１の導電層および前記第２の導電層は、約２．５ミクロン幅のギャップによって分離される、請求項２４に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項２６】
前記キャパシタは、オーバーレイキャパシタである、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項２７】
前記第２の導電層は、金または銀を含む、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項２８】
第１の強誘電体キャパシタボンディングパッドから前記チューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）への第１のテーパーは、２５．４ミクロンの距離にわたって１０１．６ミクロン幅から２．５４ミクロン幅への前記第１の導電層の縮小を含み、
該チューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）からＤＣバイアスパッド領域への第２のテーパーは、２５．４ミクロンの距離にわたって２．５４ミクロン幅から１０１．６ミクロン幅への前記第２の導電層の拡大を含む、請求項１１に記載のチューニング可能強誘電体キャパシタ（１００、２００、３００、４１０、４１２、４５２、４５４、６１０）。
【請求項２９】
前記ジオメトリ損失および前記金属損失はともに計算され、該ジオメトリ損失および該金属損失は、前記測定された挿入損失から減算されることにより、前記強誘電体損失の近似値を取得する、請求項１に記載の方法。