【手続補正書】
【提出日】平成15年3月19日(2003.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レティクル基体、マスク層、移動層、及びレジスト層を有するマスク素材上に、パターン発生器により特定構造を形成する方法において、
パターン発生器を用いて前記レジスト層に潜像を形成し、
前記潜像に相当するプラズマエッチング障壁を形成し、然も、前記プラズマエッチング障壁は、前記レジスト層、及び前記レジスト層と移動層との間の別のフイルム中に含まれる珪素又は酸化珪素の一方を含み、
前記プラズマエッチング障壁を通って移動層を指向的にエッチングし、
前記移動層を通って前記マスク層を指向的にエッチングし、そして
前記移動層を除去してマスク層のエッチングされていない部分を露出させる、諸工程を有する形成方法。
【請求項２】
レジスト層を湿式現像する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レジスト層が２００ｎｍより薄い厚さを有し、好ましくは約１５０ｎｍの厚さを有し、移動層が２００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３５０ｎｍの厚さを有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
プラズマエッチング障壁が、レジスト層の珪素を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
レジスト層中の珪素が、潜像を形成する前に存在する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
レジスト層中の珪素が、潜像形成後に、前記レジスト層を珪素化合物で処理することにより添加される、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
プラズマエッチング障壁が、レジスト層と移動層との間の分離フイルムを有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
プラズマエッチング障壁が、スパッタリングにより蒸着された薄膜を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
プラズマエッチング障壁が、金属含有フイルム、好ましくはアルミニウムフイルムを有する、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
プラズマエッチング障壁が、金属酸化物フイルムを有する、請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
プラズマエッチング障壁が、珪素含有フイルム、好ましくは酸化珪素フイルムを有する、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
プラズマエッチング障壁が、レジスト層中に含まれる酸化珪素により形成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
露出する前にレジスト層中に珪素が存在し、レジストを通してエッチングすることによりパターンを形成する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
レジスト層を現像した後、珪素化合物で処理することにより珪素をレジスト層へ添加する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
プラズマエッチング障壁を、レジスト層を通ってプラズマエッチングすることによりパターン化する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
移動層が、潜像を形成するのに用いられるエネルギービームに対し本質的に非透過性である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
移動層を、第一化学的プラズマを用いて除去する、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
第一化学的プラズマがハロゲンイオンを含有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
第一化学的プラズマが酸素プラズマである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
移動層が有機層であり、第一化学的プラズマが酸化性プラズマである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
移動層が、酸素プラズマ中で除去される、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
移動層及びマスク層の指向性エッチングが、ＲＩＥ型エッチングにより行われ、移動層の除去が、非選択的酸素プラズマにより行われる、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
レティクル基体、マスク層、移動層、及びレジスト層を有するレティクル上に、特定構造を形成する方法において、
前記レジスト層と前記移動層との間の別のフイルムを含むプラズマエッチング障壁を与え、
パターン発生器を用いて前記レジスト層を露出し、
前記レジスト層を現像して、前記レジスト層の部分を選択的に除去し、
前記レジスト層の下の移動層を指向的にエッチングし、
前記移動層の下のマスク層を指向的にエッチングし、そして
前記移動層を除去してマスク層のエッチングされていない部分を露出させる、諸工程を有する形成方法。
【請求項２４】
パターン発生器が、ホトンエネルギービームを用いてレジスト層を照射する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
移動層が、ホトンエネルギービームに対し、本質的に非透過性である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
ホトンエネルギービームが、３００〜３８０ｎｍの波長範囲にある、請求項２４又は２５に記載の方法。
【請求項２７】
ホトンエネルギービームが、２２０〜３００ｎｍの波長範囲にある、請求項２４又は２５に記載の方法。
【請求項２８】
ホトンエネルギービームが、１００〜２２０ｎｍの波長範囲にある、請求項２４又は２５に記載の方法。
【請求項２９】
ホトンエネルギービームが、約５〜１３ｎｍの波長範囲にある、請求項２４又は２５に記載の方法。
【請求項３０】
パターン発生器が、粒子ビームを用いてレジストを照射する、請求項２３に記載の方法。
【請求項３１】
特定構造を、７５ｎｍ〜２８５ｎｍの範囲の最小の特定構造の大きさを有する方法により形成する、請求項２３〜３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
特定構造を、５５ｎｍ〜２２５ｎｍの範囲の最小の特定構造の大きさを有する方法により形成する、請求項２３〜３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
特定構造を、３２ｎｍ〜１２４ｎｍの範囲の最小の特定構造の大きさを有する方法により形成する、請求項２３〜３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３４】
特定構造を、６ｎｍ〜４４ｎｍの範囲の最小の特定構造の大きさを有する方法により形成する、請求項２３〜３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３５】
パターン発生器が、３０００ｅＶより小さな電子エネルギーを有する電子エネルギービームを用いてレジストを照射する、請求項２３に記載の方法。
【請求項３６】
特定構造を、２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲の最小の特定構造の大きさを有する方法により形成する、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
レジスト及び移動層が、或る波長の光に対し透過性であり、更に或る波長の光を用いて観察することができる前記レジスト及び移動層の下の特定構造にパターン発生器を整合させる工程を含む、請求項２３〜３６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３８】
移動層が、特定の波長の光に対しレジスト層よりも一層吸収性であり、更に特定の波長の光を用いて前記移動層に自動的に焦点を合わせる工程を含む、請求項２３〜３７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３９】
レジスト層が比較的薄く、移動層が比較的厚く、前記移動層が特定の波長の光に対し前記レジスト層よりも一層吸収性であり、前記レジスト層及び移動層が、ほぼ同じ屈折率を有する、請求項２３〜３８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４０】
レティクル基体、マスク層、移動層、及びレジスト層を有するレティクル上に、特定構造を形成する方法において、
パターン発生器を用いて前記レジスト層を照射し、然も、その照射工程が複数回前記レジスト層の上を通過する照射を含み、
前記レジスト層を現像して、前記レジスト層の部分を選択的に除去し、
前記レジスト層の下の移動層を指向的にエッチングし、
前記移動層の下のマスク層を指向的にエッチングし、そして
前記移動層を除去してマスク層のエッチングされていない部分を露出させる、諸工程を有する形成方法。
【請求項４１】
照射工程が、レジスト層上を少なくとも４回照射通過することを含む、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
照射工程が、レジスト層上を第一方向に少なくとも２回照射通過し、前記レジスト層上を第二方向に少なくとも２回照射通過することを含み、前記第一及び第二の方向が本質的に反対である、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
照射工程が、レジスト層上を複数回照射通過することを含み、照射通過と、最終照射通過の完了との間の平均時間を有し、その平均時間がレティクルを横切って分布した位置について本質的に等しい、請求項４０〜４２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４４】
レティクル基体、マスク層、移動層、及びレジスト層を有するレティクル上に、特定構造を形成する方法において、
珪素を含有するレジスト層を与え、
パターン発生器を用いて前記レジスト層を照射し、それによりパターン発生器を用いて前記レジスト層中に潜像を形成し、
前記潜像に相当するプラズマエッチング障壁を形成し、
前記レジスト層を現像して、前記レジスト層の部分を選択的に除去し、
前記レジスト層の下の移動層を指向的にエッチングし、
前記移動層の下のマスク層を指向的にエッチングし、そして
前記移動層を除去してマスク層のエッチングされていない部分を露出させる、諸工程を有する形成方法。
【請求項４５】
選択的除去工程が、酸素及び二酸化珪素を含むプラズマを用いる、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
現像工程前に、レジストを珪素化合物、好ましくはシランで処理する工程を更に含み、前記珪素化合物が、好ましくは液体又はガス状である、請求項４４又は４５に記載の方法。
【請求項４７】
レジストを現像し、選択的に除去する間に、レジストを珪素化合物、好ましくはシランで処理する工程を更に含み、前記珪素化合物が、好ましくは液体又はガス状である、請求項４４又は４５に記載の方法。
【請求項４８】
現像工程が、レジストを湿式現像し、次に濯ぎ、乾燥することを含む、請求項４４〜４７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４９】
現像工程が、レジストをシリル化し、次に乾燥現像することを含む、請求項４４〜４７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５０】
選択的に除去したレジストを検査し、補修する工程を更に含む、請求項４４〜４９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５１】
移動層をエッチングする工程が、プラズマエッチングを含む、請求項４４〜５０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５２】
移動層をエッチングする工程が、反応性イオンエッチングを含む、請求項４４〜５０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５３】
マスク層をエッチングする工程が、プラズマエッチングを含み、前記プラズマエッチングガスが、好ましくは塩素を含む、請求項４４〜５２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５４】
マスク層をエッチングする工程が、反応性イオンエッチングを含む、請求項４４〜５２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５５】
マスク層が、非化学量論的酸化クロムの反射防止層で覆われているクロム層を有する、請求項４４〜５４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５６】
パターン化するためのレティクル素材を製造する方法において、レティクル基体上にマスク層を形成し、
前記マスク層の上に有機層を回転被覆し、
前記有機層を焼成し、
前記有機層の上に珪素含有ポジレジスト層を回転被覆し、そして
前記レジスト層を焼成する、
諸工程を有するレティクル素材製造方法。
【請求項５７】
マスク層が、好ましくは４０〜９０ｎｍの厚さ範囲で、クロム、アルミニウム、及びタングステンの少なくとも一つを含む、請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】
レティクル基体が石英を含む、請求項５６又は５７に記載の方法。
【請求項５９】
マスク層が、レティクル基体の石英上のパターン化構造体を有する、請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】
レジスト層が、或る波長の光に対し低い吸収性を有し、移動層が、前記レジスト層とほぼ同じ屈折率を有し、前記移動層が、或る波長の光を実質的に吸収する染料を含有する、請求項５６〜５９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６１】
レジスト層が、５０〜２００ｎｍの厚さを有し、好ましくは約１５０ｎｍの厚さを有する、請求項５６〜６０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６２】
移動層の有機材料が、マスク層を平坦化するのに適合する、請求項５６〜６１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６３】
移動層の有機材料が、ＤＵＶ吸収性層で着色されている、請求項５５〜６１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６４】
パターン発生器を用いてレティクルを照射する方法において、レティクルを覆うレジスト層を複数回の照射通過で照射し、然も、前記照射通過が第一方向と第二方向で行われ、前記第一方向と第二方向とが本質的に反対であることを含む、照射方法。
【請求項６５】
複数回の照射通過が、少なくとも４回の照射通過を含む、請求項６４に記載の方法。
【請求項６６】
連続する通過が、反対方向に書き込まれる、請求項６４に記載の方法。
【請求項６７】
連続する通過が、反対方向に書き込まれる、請求項６５に記載の方法。
【請求項６８】
照射通過が、ホトンエネルギービームを用いる、請求項６５に記載の方法。
【請求項６９】
パターン発生器が、電子ビームを用いる、請求項６５に記載の方法。
【請求項７０】
パターン発生器が、ガウスのエネルギービームを用いる、請求項６５に記載の方法。
【請求項７１】
パターン発生器が粒子ビームを用いる、請求項６５に記載の方法。
【請求項７２】
パターン発生器を用いてレティクルを照射する方法において、レティクルを覆うレジスト層を複数回の照射通過で照射し、然も、前記照射通過が、照射から全ての照射通過の完了までの平均時間を有し、その平均時間がレティクルを横切って分布した位置について本質的に等しいことを含む、照射方法。
【請求項７３】
複数回の照射通過が、少なくとも４回の照射通過を含む、請求項７２に記載の方法。
【請求項７４】
連続する通過が、本質的に反対方向に書き込まれる、請求項７２に記載の方法。
【請求項７５】
連続する通過が、反対方向に書き込まれる、請求項７３に記載の方法。
【請求項７６】
パターン発生器がホトンエネルギービームを用いる、請求項７３に記載の方法。
【請求項７７】
パターン発生器が、電子ビームを用いる、請求項７３に記載の方法。
【請求項７８】
パターン発生器が、ガウスのエネルギービームを用いる、請求項７３に記載の方法。
【請求項７９】
パターン発生器が粒子ビームを用いる、請求項７３に記載の方法。
【請求項８０】
レジスト層を照射する方法が、複数回の照射通過で前記レジスト層を照射し、然も、前記照射通過が、第一方向と第二方向で行われ、前記第一方向と第二方向が本質的に逆であることを含む、照射方法。
【請求項８１】
複数回の照射通過が、少なくとも４回の照射通過を含む、請求項８０に記載の方法。
【請求項８２】
レジスト層を照射する方法において、複数回の照射通過で前記レジスト層を照射し、然も、前記照射通過が、照射から全ての照射通過の完了までの平均時間を有し、その平均時間がレジスト層を横切って分布した位置について本質的に等しいことを含む、照射方法。
【請求項８３】
複数回の照射通過が、少なくとも４回の照射通過を含む、請求項８２に記載の方法。
【請求項８４】
連続する通過が、本質的に反対方向に書き込まれる、請求項８２に記載の方法。
【請求項８５】
連続する通過が、反対方向に書き込まれる、請求項８３に記載の方法。