【手続補正書】
【提出日】平成16年8月6日(2004.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線と取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は前記上部電極と異なる層に形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
請求項1において、前記取出し端子は前記下部電極と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項３】
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記スイッチング素子は、信号を読み出す受光画素を選択するための信号が入力される選択線を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線および取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は前記選択線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項４】
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記スイッチング素子は、信号を読み出す受光画素を選択するための信号が入力される選択線を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線、第１の取出し端子および第２の取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第１の取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第２の取出し端子は、前記第１の取出し端子に接続されており、
前記第１の取出し端子は前記下部電極と同じ出発膜で形成されており、
前記第２の取出し端子は前記選択線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項５】
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記スイッチング素子は、読み出した信号を出力するための信号線を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線および取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は前記信号線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項６】
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記スイッチング素子は、読み出した信号を出力するための信号線を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線、第１の取出し端子および第２の取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第１の取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第２の取出し端子は、前記第１の取出し端子に接続されており、
前記第１の取出し端子は前記下部電極と同じ出発膜で形成されており、
前記第２の取出し端子は前記信号線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項７】
請求項1乃至請求項６のいずれか一項において、
前記スイッチング素子は薄膜トランジスタであることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記光電変換層は、前記上部電極をマスクにしてパターニングされていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項９】
同一基板上に、
複数の選択線と複数の信号線が格子状に配置され、複数の画素電極を有する表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線および取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は前記上部電極と異なる層に形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記取出し端子は前記下部電極と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】
同一基板上に、
複数の選択線と複数の信号線が格子状に配置され、複数の画素電極を有する表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記スイッチング素子は、信号を読み出す受光画素を選択するための信号が入力される選択線を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線および取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は前記選択線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１２】
同一基板上に、
複数の選択線と複数の信号線が格子状に配置され、複数の画素電極を有する表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記スイッチング素子は、信号を読み出す受光画素を選択するための信号が入力される選択線を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線、第１の取出し端子および第２の取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第１の取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第２の取出し端子は、前記第１の取出し端子に接続されており、
前記第１の取出し端子は前記下部電極と同じ出発膜で形成されており、
前記第２の取出し端子は前記選択線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１３】
同一基板上に、
複数の選択線と複数の信号線が格子状に配置され、複数の画素電極を有する表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記スイッチング素子は、読み出した信号を出力するための信号線を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線および取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は前記信号線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１４】
同一基板上に、
複数の選択線と複数の信号線が格子状に配置され、複数の画素電極を有する表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記スイッチング素子は、読み出した信号を出力するための信号線を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線、第１の取出し端子および第２の取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第１の取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第２の取出し端子は、前記第１の取出し端子に接続されており、
前記第１の取出し端子は前記下部電極と同じ出発膜で形成されており、
前記第２の取出し端子は前記信号線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１５】
同一基板上に、
複数の選択線と複数の信号線が格子状に配置され、複数の画素電極と、前記画素電極に接続された能動素子とを有する表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記表示マトリクスは、前記信号線及び前記選択線を少なくとも覆う電極層を有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離され、前記電極層と同じ出発膜で形成された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線および取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し端子は前記上部電極と異なる層に形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１６】
請求項１５において、前記取出し端子は、前記画素電極と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１７】
請求項１５において、前記取出し端子は、前記選択線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１８】
請求項１５において、前記取出し端子は、前記信号線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１９】
請求項１５において、前記取出し端子は、前記電極層と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２０】
同一基板上に、
複数の選択線と複数の信号線が格子状に配置され、複数の画素電極と、前記画素電極に接続された能動素子とを有する表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記表示マトリクスは、前記信号線及び前記選択線を少なくとも覆う電極層を有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離され、前記電極層と同じ出発膜で形成された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線、第１の取出し端子および第２の取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第１の取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第２の取出し端子は、前記第１の取出し端子に接続されており、
前記第１の取出し端子は前記電極層と同じ出発膜で形成されており、
前記第２の取出し端子は前記選択線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２１】
同一基板上に、
複数の選択線と複数の信号線が格子状に配置され、複数の画素電極と、前記画素電極に接続された能動素子とを有する表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記表示マトリクスは、前記信号線及び前記選択線を少なくとも覆う電極層を有し、
前記受光部は、前記受光画素ごとに分離され、前記電極層と同じ出発膜で形成された複数の下部電極と、光電変換層と、前記受光画素に共通な上部電極とを有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線、第１の取出し端子および第２の取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第１の取出し端子は、光入射側で取出し配線に接続されており、
前記第２の取出し端子は、前記第１の取出し端子に接続されており、
前記第１の取出し端子は前記電極層と同じ出発膜で形成されており、
前記第２の取出し端子は前記信号線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２２】
請求項１５乃至請求項２１のいずれか一項において、
前記能動素子は薄膜トランジスタであることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２３】
請求項９乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記スイッチング素子は薄膜トランジスタであることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２４】
同一基板上に、
複数の信号線と複数の選択線が格子状に配置され、複数の表示画素を備えた表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記画素マトリクスは、
前記信号線及び前記選択線に接続された能動素子と、
前記能動素子を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され、前記信号線及び前記選択線とを少なくとも覆う電極層と、
前記電極層上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成され前記能動素子に接続された画素電極と、
を有し、
前記イメージセンサは、
前記基板上に形成された前記スイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆う前記第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、
前記下部電極上に形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に形成され、前記受光画素に共通な上部電極と、
前記上部電極を覆う前記第2の絶縁膜と、
を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線および取出し端子が設けられており、
前記取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記取出し配線は、前記画素電極と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２５】
請求項２４において、
前記取出し端子は、前記上部電極とは異なる層に形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２６】
請求項２４又は請求項２５において、
前記取出し端子は、前記下部電極と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２７】
同一基板上に、
複数の信号線と複数の選択線が格子状に配置され、複数の表示画素を備えた表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記画素マトリクスは、
前記信号線及び前記選択線に接続された能動素子と、
前記能動素子を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され、前記信号線及び前記選択線とを少なくとも覆う電極層と、
前記電極層上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成され前記能動素子に接続された画素電極と、
を有し、
前記イメージセンサは、
前記基板上に形成された前記スイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆う前記第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され前記電極層と同じ出発膜で形成されている前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、
前記下部電極上に形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に形成され、前記受光画素に共通な上部電極と、
前記上部電極を覆う前記第2の絶縁膜と、
を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線、第１の取出し端子および第２の取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第１の取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第２の取出し端子は、前記第１の取出し端子に接続されており、
前記第１の取出し端子は前記電極層と同じ出発膜で形成されており、
前記第２の取出し端子は前記信号線と同じ出発膜で形成されており、
前記取出し配線は、前記画素電極と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２８】
同一基板上に、
複数の信号線と複数の選択線が格子状に配置され、複数の表示画素を備えた表示マトリクスと、
複数の受光画素が配置された受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に接続されたスイッチング素子とを有するイメージセンサと、を有し、
前記画素マトリクスは、
前記信号線及び前記選択線に接続された能動素子と、
前記能動素子を覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され、前記信号線及び前記選択線とを少なくとも覆う電極層と、
前記電極層上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成され前記能動素子に接続された画素電極と、
を有し、
前記イメージセンサは、
前記基板上に形成された前記スイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆う前記第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成され前記電極層と同じ出発膜で形成されている前記受光画素ごとに分離された複数の下部電極と、
前記下部電極上に形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に形成され、前記受光画素に共通な上部電極と、
前記上部電極を覆う前記第2の絶縁膜と、
を有し、
前記受光画素領域の外部に取出し配線、第１の取出し端子および第２の取出し端子が設けられており、
前記上部電極は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第１の取出し端子は、光入射側で前記取出し配線に接続されており、
前記第２の取出し端子は、前記第１の取出し端子に接続されており、
前記第１の取出し端子は前記電極層と同じ出発膜で形成されており、
前記第２の取出し端子は前記選択線と同じ出発膜で形成されており、
前記取出し配線は、前記画素電極と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２９】
請求項２４乃至請求項２８のいずれか一項において、前記能動素子は、薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３０】
請求項２４乃至請求項２９のいずれか一項において、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３１】
請求項９乃至請求項３０のいずれか一項において、前記基板上には、前記スイッチング素子に接続された周辺回路が設けられており、前記取出し端子は前記周辺回路との接続部を除いた前記受光マトリクスの周囲を少なくとも囲んで形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３２】
請求項９乃至請求項３１のいずれか一項において、前記光電変換層は、前記上部電極をマスクにしてパターニングされていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
基板５００上には、受光マトリクス１１１と表示マトリクス１２１が形成されている。表示マトリクス１２１には、信号線３０７及び選択線３０２が格子状に配列され、この格子内に、信号線３０７及び選択線３０２接続されたＴＦＴでなる能動素子が表示画素ごとに配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
表示マトリクス１２１には、ＴＦＴを覆う第２の絶縁膜５４０と、第２の絶縁膜５４０上に形成され、選択線３０２及び信号線３０７とを少なくとも覆う電極層３０８が配置されている。図１において、電極層３０８は分断されているように図示されているが、格子状に一体的に配置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
電極層３０８上には第３の絶縁膜５５０が形成され、第３の絶縁膜５５０上には画素電極３１２が形成されている。画素電極３１２は第１、第２の絶縁膜５４０、５５０に設けられたコンタクトホールを介して表示マトリクスのＴＦＴに接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
活性層２０１にリンをドープすることにより、N型のソース領域２０３、ドレイン領域２０４、チャネル形成領域２０５が自己整合的に形成され、活性層３０１にリンをドープすることにより、N型のソース領域３０３、ドレイン領域３０４、チャネル形成領域３０５が自己整合的に形成され、活性層４０１にリンをドープすることにより、N型のソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域が自己整合的に形成される。活性層２０１、３０１、４０１をレジストマスクで覆い、活性層４０２のみにボロンをドープして、Ｐ型のソース領域およびドレイン領域と、チャネル形成領域を自己整合的に形成する。ドーピング後、ドーピングされた不純物を活性化する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
なお、本実施例では活性層２０１、３０１、４０１が多結晶シリコンであるため、配線・電極２０２、３０２、４０３を形成する前に、少なくともＮチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域となる領域にボロン等のＰ型の不純物を添加して、しきい値を最適化するのが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
1999097690.tif 000001