【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された、絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部と、
前記絶縁表面及び前記複数の凸部上に形成された結晶性半導体膜とを有し、
前記絶縁表面と前記複数の凸部の側面とがなす角は、それぞれ１４５±５°または１３５±５°であり、
前記結晶性半導体膜のうち、前記複数の凸部それぞれの間に形成された凹部に設けられた領域は、優勢結晶面が｛１１０｝面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された、絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部と、
前記絶縁表面及び前記複数の凸部上に形成された結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、
前記絶縁表面と前記複数の凸部の側面とがなす角は、それぞれ１４５±５°または１３５±５°であり、
前記結晶性半導体膜のうち、前記複数の凸部それぞれの間に形成された凹部に設けられた領域は、優勢結晶面が｛１１０｝面であり、
前記ゲート絶縁膜を介して前記領域と前記ゲート電極とが重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記絶縁表面は、酸化アルミニウム膜の表面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ガラス基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部と、
前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部上に形成された結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、
前記第１の絶縁膜と前記複数の凸部の側面とがなす角は、それぞれ１４５±５°または１３５±５°であり、
前記結晶性半導体膜のうち、前記複数の凸部それぞれの間に形成された凹部に設けられた領域は、優勢結晶面が｛１１０｝面であり、
前記ゲート絶縁膜を介して前記領域と前記ゲート電極とが重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ガラス基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部と、
前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部を覆うバッファ膜と、
前記バッファ膜上に形成された結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、
前記第１の絶縁膜と前記複数の凸部の側面とがなす角は、それぞれ１４５±５°または１３５±５°であり、
前記結晶性半導体膜のうち、前記複数の凸部それぞれの間に形成された凹部に設けられた領域は、優勢結晶面が｛１１０｝面であり、
前記ゲート絶縁膜を介して前記領域と前記ゲート電極とが重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または５において、前記絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部のエッチングレートは、前記第１の絶縁膜のエッチングレートよりも相対的に速いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部は、同一測定条件における石英のエッチングレートよりも速いエッチングレートの絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部は、同一測定条件における石英の硬度よりも低い硬度の絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置はｐチャネル型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置を表示部に備えたことを特徴とする電子手帳、モバイルコンピュータ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ受像器、または携帯電話。
【請求項１１】
絶縁表面上に絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記絶縁表面及び前記複数の凸部上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記絶縁表面と前記複数の凸部の側面とがなす角を、それぞれ１４５±５°または１３５±５°とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記絶縁表面及び前記複数の凸部上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記絶縁表面と前記複数の凸部の側面とがなす角を、それぞれ１４５±５°または１３５±５°とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２において、前記絶縁表面は、酸化アルミニウム膜の表面であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一において、前記絶縁膜は、同一測定条件における石英のエッチングレートよりも速いエッチングレートの絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１３のいずれか一において、前記絶縁膜は、同一測定条件における石英の硬度よりも低い硬度の絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
ガラス基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜と前記複数の凸部の側面とがなす角を、それぞれ１４５±５°または１３５±５°とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
ガラス基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記結晶性半導体膜に周期表の１５族に属する元素を添加し、
前記第１の絶縁膜と前記複数の凸部の側面とがなす角を、それぞれ１４５±５°または１３５±５°とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
ガラス基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部を覆うバッファ膜を形成し、
前記バッファ膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜と前記複数の凸部の側面とがなす角を、それぞれ１４５±５°または１３５±５°とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至１８のいずれか一において、前記第２の絶縁膜のエッチングレートは、前記第１の絶縁膜のエッチングレートよりも相対的に速いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１６乃至１９のいずれか一において、前記第２の絶縁膜は、同一測定条件における石英のエッチングレートよりも速いエッチングレートの絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至１９のいずれか一において、前記第２の絶縁膜は、同一測定条件における石英の硬度よりも低い硬度の絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１１乃至２１のいずれか一において、前記結晶性半導体膜のうち前記複数の凸部それぞれの間に形成された凹部に設けられた領域を、薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１１乃至２２のいずれか一において、前記複数の凸部の直線状のストライプパターンが延在する方向と平行な方向にレーザー光を走査することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１１乃至２３のいずれか一において、前記レーザー光としてパルス発振または連続発振のレーザー光を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。