【手続補正書】
【提出日】平成17年5月16日(2005.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質珪素膜の一部の領域から他の領域へと結晶成長を行う工程を有し、
前記結晶成長は珪素の結晶化を助長する金属元素の移動に従って行うものであり、
前記一部の領域からの前記金属元素の拡散と、前記他の領域における前記金属元素のゲッタリングとを同時に行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記一部の領域には金属元素が添加され、または接して保持され、
前記他の領域には１５族の元素から選ばれた元素が添加され、または接して保持されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質珪素膜の一部の領域から他の領域へと結晶成長を行う工程を有し、
前記結晶成長は、珪素の結晶化を助長する金属元素が添加され、または接して保持される前記一部の領域から、１５族の元素から選ばれた元素が添加され、または接して保持される前記他の領域へ、前記金属元素を移動させて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、  前記結晶成長は加熱により行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜の一部の領域に金属元素を添加し、または接して保持し、
前記非晶質珪素膜の他の領域に１５族の元素から選ばれた元素を添加し、または接して保持し、
前記非晶質珪素膜を加熱して前記金属元素を前記一部の領域から前記他の領域に移動させて、前記非晶質珪素膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜の一部の領域に金属元素を添加し、または接して保持し、
前記非晶質珪素膜の他の領域に１５族の元素から選ばれた元素を添加し、または接して保持し、
前記非晶質珪素膜を加熱して前記金属元素を前記一部の領域から前記他の領域に移動させて、前記非晶質珪素膜を結晶化し、
前記一部の領域及び前記金属元素が移動した前記他の領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、前記金属元素を前記一部の領域及び前記他の領域に添加し、または接して保持することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に第１の開口部及び第２の開口部を有するマスクを形成し、
前記マスクの第１の開口部において、前記非晶質珪素膜の一部の領域に金属元素を添加し、または接して保持し、
前記マスクの第２の開口部において、前記非晶質珪素膜の他の領域に１５族の元素から選ばれた元素を添加し、または接して保持し、
前記非晶質珪素膜を加熱して前記金属元素を前記一部の領域から前記他の領域に移動させて、前記非晶質珪素膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に第１の開口部及び第２の開口部を有するマスクを形成し、
前記マスクの第１の開口部において、前記非晶質珪素膜の一部の領域に金属元素を添加し、または接して保持し、
前記マスクの第２の開口部において、前記非晶質珪素膜の他の領域に１５族の元素から選ばれた元素を添加し、または接して保持し、
前記非晶質珪素膜を加熱して前記金属元素を前記一部の領域から前記他の領域に移動させて、前記非晶質珪素膜を結晶化し、
前記マスク、前記一部の領域、及び前記金属元素が移動した前記他の領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に第１の開口部を有するマスクを形成し、
前記マスクの第１の開口部において、前記非晶質珪素膜の一部の領域に１５族の元素から選ばれた元素を添加し、または接して保持し、
前記第１の開口部を有するマスクに第２の開口部を形成し、前記マスクの第１の開口部及び第２の開口部において、前記非晶質珪素膜の一部の領域及び他の領域に金属元素を添加し、または接して保持し、
前記非晶質珪素膜を加熱して前記金属元素を前記他の領域から前記一部の領域に移動させて、前記非晶質珪素膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に第１の開口部を有するマスクを形成し、
前記マスクの第１の開口部において、前記非晶質珪素膜の一部の領域に１５族の元素から選ばれた元素を添加し、または接して保持し、
前記第１の開口部を有するマスクに第２の開口部を形成し、前記マスクの第１の開口部及び第２の開口部において、前記非晶質珪素膜の一部の領域及び他の領域に金属元素を添加し、または接して保持し、
前記非晶質珪素膜を加熱して前記金属元素を前記他の領域から前記一部の領域に移動させて、前記非晶質珪素膜を結晶化し、
前記マスク、前記他の領域、及び前記金属元素が移動した前記一部の領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項４乃至請求項１１のいずれか一項において、前記非晶質珪素膜を加熱して前記非晶質珪素膜の膜面に平行な方向に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項２乃至請求項１２のいずれか一項において、前記１５族の元素から選ばれた元素は、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、金属元素として、Ｎｉを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｉｎから選ばれた一種または複数種類を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
非晶質珪素膜の代わりに珪素を主成分とした非晶質膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記珪素を主成分とした非晶質膜は、ＳｉxＧｅ(1-x)（０．５＜ｘ＜１）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
マスク１０３を配置して図１（Ａ）に示す状態を得たら、つぎにニッケルを含有させた酸化珪素膜を成膜する。この酸化珪素膜は、酸化珪素系被膜形成用塗布液を塗布し、それを焼成することによって形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ここでは、酸化珪素系被膜形成用塗布液として、東京応化工業株式会社のＯＣＤ(Ohka Coat Diffusion-Source)のType-1（ノンドープタイプ）を用いる。ニッケルは重量換算で１００ｐｐｍの濃度になるようにＯＣＤ溶液に含有させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
非晶質珪素膜３０２を成膜したら、ここではまず図示しない酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法でもって１５０ｎｍの厚さに成膜する。そして、その膜をパターニングすることにより、３０５で示される酸化珪素膜パターンを形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
この酸化珪素膜パターン３０５には、３０３、３０４で示される開口が形成されている。これら開口３０３、３０４はニッケルを除去するためのＰ（燐）の添加領域を選択するためのものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
酸化珪素膜パターン３０５を配置し図３（Ａ）に示す状態を得たら、次に燐の添加をプラズマドーピング法（またはイオン注入法）を用いて行う。この工程では、燐イオンが酸化珪素膜パターン３０５によって遮蔽され、酸化珪素膜パターンの開口部３０３, ３０４から非晶質珪素膜３０２の３０６、３０７で示す領域に選択的にドーピングされる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
開口部３０３、３０４、３０８を有する酸化珪素膜パターンを配置したら、ニッケルを含有した溶液（１０ｐｐｍ）をスピンコート法により塗布し、Ｎｉ含有領域層３１０を形成する（図３（Ｃ））。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
図３（Ｄ）に示す結晶化の工程が終了したら、酸化珪素膜パターン３０５を除去し、そして残存した珪素膜をパターニングすることにより図３（Ｅ）の３１３，３１４で示すパターンを形成する。