【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止体と、
前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第１の半導体チップの電極に電気的に接続される第１のリードと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第２の半導体チップの電極に電気的に接続される第２のリードとを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１のリード、第２のリードの夫々を重ね合わせた状態で前記樹脂封止体を形成した後、前記第１のリード、第２のリードの夫々を溶接にて接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
樹脂封止体と、
前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第１の半導体チップの電極に電気的に接続される第１のリードと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第２の半導体チップの電極に電気的に接続される第２のリードとを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１のリード、第２のリードの夫々を重ね合わせた状態で前記樹脂封止体を形成した後、前記第１のリード、第２のリードの夫々を前記樹脂封止体から離れた位置で溶接にて接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
樹脂封止体と、
前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第１の半導体チップの電極に電気的に接続される第１のリードと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第２の半導体チップの電極に電気的に接続される第２のリードとを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１のリード、第２のリードの夫々を重ね合わせた状態で前記樹脂封止体を形成した後、前記第１のリード、第２のリードの夫々を前記第２のリードの先端部分において溶接にて接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のうち何れか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂封止体は、前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々の裏面同志を向い合わせた状態で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のうち何れか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１のリード、第２のリードのうちの何れか一方のリードは、前記樹脂封止体の外部に位置する外部リード部の長さが他方のリードの外部リード部の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のうち何れか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記溶接は、前記第１のリード、第２のリードのうちの何れか一方の上方からレーザ光を照射して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、前記レーザ光の照射径は、前記第１のリード、第２のリードの夫々の接合部におけるリード幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１のリード、第２のリードの夫々は、鉄−ニッケル系の合金材又は銅系の合金材で形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
樹脂封止体と、
前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第１の半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に第１の導電性ワイヤを介して電気的に接続される第１のリードと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第２の半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に第２の導電性ワイヤを介して電気的に接続される第２のリードとを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々の裏面同志が向い合うように、前記第１のリード、第２のリードの夫々を重ね合わせた状態で前記樹脂封止体を形成した後、前記第１のリード、第２のリードの夫々を溶接にて接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
樹脂封止体と、
前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第１の半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に第１の導電性ワイヤを介して電気的に接続される第１のリードと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第２の半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に第２の導電性ワイヤを介して電気的に接続される第２のリードとを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々の裏面同志が向い合うように、前記第１のリード、第２のリードの夫々を重ね合わせた状態で前記樹脂封止体を形成した後、前記第１のリード、第２のリードの夫々を前記樹脂封止体から離れた位置で溶接にて接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
樹脂封止体と、
前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第１の半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に第１の導電性ワイヤを介して電気的に接続される第１のリードと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第２の半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に第２の導電性ワイヤを介して電気的に接続される第２のリードとを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々の裏面同志が向い合うように、前記第１のリード、第２のリードの夫々を重ね合わせた状態で前記樹脂封止体を形成した後、前記第１のリード、第２のリードの夫々を前記第２のリードの先端部分において溶接にて接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のうち何れか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１のリード、第２のリードのうちの何れか一方のリードは、前記樹脂封止体の外部に位置する外部リード部の長さが他方のリードの外部リード部の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１１のうち何れか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記溶接は、前記第１のリード、第２のリードのうちの何れか一方の上方からレーザ光を照射して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、前記レーザ光の照射径は、前記第１のリード、第２のリードの夫々の接合部におけるリード幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３又は請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１のリード、第２のリードの夫々は、鉄−ニッケル系の合金材又は銅系の合金材で形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
第１のリードフレームと第２のリードフレームとを重ね合わせた状態で、前記第１のリードフレームの枠体に支持された第１のリードの内部リード部と、前記第２のリードフレームの枠体に支持された第２のリードの内部リード部と、前記第１のリードの内部リード部に接着固定され、かつ電極が前記第１のリードの内部リード部に電気的に接続された第１の半導体チップと、前記第２のリードの内部リード部に接着固定され、かつ電極が前記第２のリードの内部リード部に電気的に接続された第２の半導体チップとを樹脂封止体で封止する工程と、
前記第１のリード、第２のリードの夫々の外部リード部にメッキ処理を施す工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止体で封止する工程の後であって、前記メッキ処理を施す工程の前に、前記第２のリードフレームの枠体を除去する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップを準備し、
更に、第１の枠体で囲まれた領域内に位置し、外部リード部における先端部分が前記第１の枠体に支持され、中間部分が第１のダムバーによって互いに連結され、かつ前記第１のダムバーによって前記第１の枠体に支持された複数本の第１のリードを有する第１のリードフレームを準備し、
更に、第２の枠体で囲まれた領域内に位置し、外部リード部における先端部分が第２のダムバーによって互いに連結され、かつ前記第２のダムバーによって前記第２の枠体に支持された複数本の第２のリードを有する第２のリードフレームを準備する工程と、
前記第１の半導体チップの表面に前記第１のリードの内部リード部を接着固定し、前記第２の半導体チップの表面に前記第２のリードの内部リード部を接着固定する工程と、
前記第１の半導体チップの電極と前記第１のリードの内部リード部とを電気的に接続し、前記第２の半導体チップの電極と前記第２のリードの内部リード部とを電気的に接続する工程と、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々の裏面同志が向い合うように、前記第１のリードフレーム、第２のリードフレームの夫々を重ね合わせた状態で、前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、第１のリードの内部リード部、及び第２のリードの内部リード部を樹脂封止体で封止する工程と、
前記第１のダムバー、第２のダムバーの夫々を切断して前記第２の枠体を除去する工程と、
前記第１のリード、第２のリードの夫々の外部リード部にメッキ処理を施す工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップを準備し、
更に、第１の枠体で囲まれた領域内に位置し、外部リード部における先端部分が前記第１の枠体に支持され、中間部分が第１のダムバーによって互いに連結され、かつ前記第１のダムバーによって前記第１の枠体に支持された複数本の第１のリードと、前記第１の枠体で囲まれた領域内に位置し、前記第１の枠体に支持された吊りリードとを有する第１のリードフレームを準備し、
更に、第２の枠体で囲まれた領域内に位置し、外部リード部における先端部分が第２のダムバーによって互いに連結され、かつ前記第２のダムバーによって前記第２の枠体に支持された複数本の第２のリードを有する第２のリードフレームとを準備する工程と、
前記第１の半導体チップの表面に前記第１のリードの内部リード部を接着固定し、前記第２の半導体チップの表面に前記第２のリードの内部リード部を接着固定する工程と、
前記第１の半導体チップの電極と前記第１のリードの内部リード部とを電気的に接続し、前記第２の半導体チップの電極と前記第２のリードの内部リード部とを電気的に接続する工程と、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々の裏面同志が向い合うように、前記第１のリードフレーム、第２のリードフレームの夫々を重ね合わせた状態で、前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、第１のリードの内部リード部、第２のリードの内部リード部、及び吊りリードを樹脂封止体で封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップを準備し、
更に、第１の枠体で囲まれた領域内に位置し、外部リード部における先端部分が前記第１の枠体に支持され、中間部分が第１のダムバーによって互いに連結され、かつ前記第１のダムバーによって前記第１の枠体に支持された複数本の第１のリードを有する第１のリードフレームを準備し、
更に、第２の枠体で囲まれた領域内に位置し、外部リード部における先端部分が第２のダムバーによって互いに連結され、かつ前記第２のダムバーによって前記第２の枠体に支持された複数本の第２のリードと、前記第２の枠体で囲まれた領域内に位置し、前記第２のダムバー及び前記第２の枠体に支持された補強リードとを有する第２のリードフレームを準備する工程と、
前記第１の半導体チップの表面に前記第１のリードの内部リード部を接着固定し、前記第２の半導体チップの表面に前記第２のリードの内部リード部を接着固定する工程と、
前記第１の半導体チップの電極と前記第１のリードの内部リード部とを電気的に接続し、前記第２の半導体チップの電極と前記第２のリードの内部リード部とを電気的に接続する工程と、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々の裏面同志が向い合うように、前記第１のリードフレーム、第２のリードフレームの夫々を重ね合わせた状態で、前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、第１のリードの内部リード部、及び第２のリードの内部リード部を樹脂封止体で封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
樹脂封止体と、
前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第１の半導体チップの電極に電気的に接続される第１のリードと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第２の半導体チップの電極に電気的に接続される第２のリードとを有し、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々は、夫々の裏面同志を向い合わせた状態で積層される半導体装置の製造方法であって、
前記第１の半導体チップの裏面と前記第２の半導体チップの裏面との間に緩衝体が充填された状態で、前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、第１のリードの内部リード部及び第２のリードの内部リード部を成形金型のキャビティ内に配置し、その後、前記キャビティ内に樹脂を加圧注入して前記樹脂封止体を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
樹脂封止体と、
前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第１の半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に第１の導電性ワイヤを介して電気的に接続される第１のリードと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第２の半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に第２の電極性ワイヤを介して電気的に接続される第２のリードとを有し、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々は、夫々の裏面同志を向い合わせた状態で積層される半導体装置の製造方法であって、
前記第１の半導体チップの裏面と前記第２の半導体チップの裏面との間に緩衝体が充填された状態で、前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、第１のリードの内部リード部、第２のリードの内部リード部、第１の導電性ワイヤ及び第２の導電性ワイヤを成形金型のキャビティ内に配置し、その後、前記キャビティ内に樹脂を加圧注入して前記樹脂封止体を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
多数のフィラーが混入された樹脂を用いて形成される樹脂封止体と、
前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第１の半導体チップの電極に電気的に接続される第１のリードと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第２の半導体チップの電極に電気的に接続される第２のリードとを有し、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々は、夫々の裏面同志を向い合わせた状態で積層される半導体装置の製造方法であって、
前記第１の半導体チップの裏面と前記第２の半導体チップの裏面との間に、前記フィラーの最大粒径よりも広い間隔を持たせた状態で、前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、第１のリードの内部リード部及び第２のリードの内部リード部を成形金型のキャビティ内に配置し、その後、前記キャビティ内に前記樹脂を加圧注入して前記樹脂封止体を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
多数のフィラーが混入された樹脂を用いて形成される樹脂封止体と、
前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第１の半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に第１の導電性ワイヤを介して電気的に接続される第１のリードと、
前記樹脂封止体の内外に亘って延在し、前記第２の半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に第２の導電性ワイヤを介して電気的に接続される第２のリードとを有し、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々は、夫々の裏面同志を向い合わせた状態で積層される半導体装置の製造方法であって、
前記第１の半導体チップの裏面と前記第２の半導体チップの裏面との間に、前記フィラーの最大粒径よりも広い間隔を持たせた状態で、前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、第１のリードの内部リード部、第２のリードの内部リード部、第１の導電性ワイヤ及び第２の導電性ワイヤを成形金型のキャビティ内に配置し、その後、前記キャビティ内に前記樹脂を加圧注入して前記樹脂封止体を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
表裏面のうちの表面に電極が形成された第１の半導体チップ及び第２の半導体チップを準備し、
更に、第１の枠体で囲まれた領域内に位置し、外部リード部における先端部分が前記第１の枠体に支持され、中間部分が第１のダムバーによって互いに連結され、かつ前記第１のダムバーによって前記第１の枠体に支持された複数本の第１のリードを有する第１のリードフレームを準備し、
更に、第２の枠体で囲まれた領域内に位置し、外部リード部における先端部分が第２のダムバーによって互いに連結され、かつ前記第２のダムバーによって前記第２の枠体に支持された複数本の第２のリードと、前記第２の枠体で囲まれた領域内に位置し、前記第２のダムバー及び前記第２の枠体に支持された補強リードとを有し、前記第２のダムバーの切断部分の幅は前記第１のダムバーの切断部分の幅よりも狭い第２のリードフレームを準備する工程と、
前記第１の半導体チップの表面に前記第１のリードの内部リード部を接着固定し、前記第２の半導体チップの表面に前記第２のリードの内部リード部を接着固定する工程と、
前記第１の半導体チップの電極と前記第１のリードの内部リード部とを第１の導電性ワイヤで電気的に接続し、前記第２の半導体チップの電極と前記第２のリードの内部リード部とを第２の導電性ワイヤで電気的に接続する工程と、
前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップの夫々の裏面同志が向い合うように前記第１のリードフレーム、第２のリードフレームの夫々を重ね合わせた状態で、前記第１の半導体チップ、第２の半導体チップ、第１のリードの内部リード部、第２のリードの内部リード部、第１の導電性ワイヤ及び第２の導電性ワイヤを樹脂封止体で封止する工程と、
前記第１のダムバー、第２のダムバーの夫々の切断部分を切断する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。