【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に埋め込まれ、ガードリング、インダクタ又はパッドを構成する配線構造体と、
前記配線構造体近傍の前記第１の絶縁膜の少なくとも表面側に埋め込まれた第１の導電層よりなる第１のダミーパターンと、
前記配線構造体近傍の前記第２の絶縁膜に埋め込まれた第２の導電層よりなり、前記第１のダミーパターンにビア部を介して接続された第２のダミーパターンと
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記配線構造体は、前記第１の絶縁膜に埋め込まれ、前記第１の導電層と同一の導電層よりなる第１の配線パターンと、前記第２の絶縁膜に埋め込まれ、前記第２の導電層と同一の導電層よりなり、前記第１の配線パターンにビア部を介して接続された第２の配線パターンとを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記第２のダミーパターンは、前記第２の導電層よりなるパターンの面内におけるパターン密度が均一になるように周期的に形成された複数の孤立パターンを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第２のダミーパターンを前記第１のダミーパターンに接続する前記ビア部は、前記配線構造体近傍に配置された前記複数の孤立パターンに形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第２の配線パターンを前記第１の配線パターンに接続する前記ビア部は、溝状のパターンを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体基板上に形成され、複数の絶縁膜よりなる絶縁膜積層体と、
前記絶縁膜積層体に埋め込まれた複数の導電層よりなり、ガードリング、インダクタ又はパッドを構成する配線構造体と、
前記配線構造体を構成する複数の前記導電層によりなり、複数の前記絶縁膜の少なくとも表面側にそれぞれ埋め込まれた複数のダミーパターンとを有し、
前記配線構造体近傍の前記複数のダミーパターンは、ビア部を介して互いに接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体基板上に、第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の少なくとも表面側に、第１の配線パターンと、前記第１の配線パターンの近傍に形成され、前記第１の配線パターンと同一の導電層よりなる第１のダミーパターンとを埋め込む工程と、
前記第１の配線パターン及び前記第１のダミーパターンが埋め込まれた前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に、ビア部を介して前記第１の配線パターンに接続された第２の配線パターンと、前記第２の配線パターンの近傍に形成され、前記第２の配線パターンと同一の導電層よりなり、ビア部を介して前記第１のダミーパターンに接続された第２のダミーパターンとを埋め込む工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のダミーパターンを形成する工程では、前記第２の配線パターン及び前記第２のダミーパターンを構成する導電層よりなるパターンの面内におけるパターン密度が均一になるように、周期的に形成された複数の孤立パターンにより構成される前記第２のダミーパターンを形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のダミーパターンを形成する工程では、前記配線構造体近傍に配置された前記複数の孤立パターンに前記ビア部を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に埋め込まれ、ガードリング、インダクタ又はパッドを構成する配線構造体と、前記配線構造体近傍の前記第１の絶縁膜の少なくとも表面側に埋め込まれた第１の導電層よりなる第１のダミーパターンと、前記配線構造体近傍の前記第２の絶縁膜に埋め込まれた第２の導電層よりなり、前記第１のダミーパターンにビア部を介して接続された第２のダミーパターンとを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記目的は、半導体基板上に形成され、複数の絶縁膜よりなる絶縁膜積層体と、前記絶縁膜積層体に埋め込まれた複数の導電層よりなり、ガードリング、インダクタ又はパッドを構成する配線構造体と、前記配線構造体を構成する複数の前記導電層によりなり、複数の前記絶縁膜の少なくとも表面側にそれぞれ埋め込まれた複数のダミーパターンとを有し、前記配線構造体近傍の前記複数のダミーパターンは、ビア部を介して互いに接続されていることを特徴とする半導体装置によっても達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ガードリング２の周辺には、ダミーパターン７が形成されている。ダミーパターン７は、デュアルダマシンプロセスにより配線層を形成する際のＣＭＰ過程において、研磨量の面内ばらつき、例えば銅のオーバーポリッシュに起因するディッシングや、層間絶縁膜のオーバーポリッシュに起因するエロージョンを低減するためのものである。ガードリング２近傍のダミーパターン７は、ビア部７ａ及び配線部７ｂを有している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
層間絶縁膜８２上には、ＳｉＯ２膜／ＳｉＣ膜の積層構造よりなる層間絶縁膜８６が形成されている。層間絶縁膜８６には、コンタクトプラグ８８が埋め込まれている。層間絶縁膜８６上には、コンタクトプラグ８８に接続されたリングパターン９０ｃが形成されている。リングパターン９０ｃが形成された層間絶縁膜８６上には、ＳｉＮ膜／ＳｉＯ２膜の積層構造よりなるカバー膜９２が形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
次いで、例えば図４（ｃ）乃至図６（ｃ）に示す工程を繰り返し、層間絶縁膜４０に埋め込まれた配線層４２ａ、ダミーパターン４２ｂ及びリングパターン４２ｃ、層間絶縁膜４４に埋め込まれた配線層４６ａ、ダミーパターン４６ｂ及びリングパターン４６ｃ、層間絶縁膜４８に埋め込まれた配線層５０ａ、ダミーパターン５０ｂ及びリングパターン５０ｃを形成する（図６（ｄ））。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
次いで、層間絶縁膜４８上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚５０ｎｍのＳｉＣ膜５２ａと、例えば膜厚５００ｎｍのＳｉＯＣ膜５２ｂと、例えば膜厚５０ｎｍのＳｉＣ膜５２ｃと、例えば膜厚４００ｎｍのＳｉＯＣ膜５２ｄと、例えば膜厚５０ｎｍのＳｉＣ膜５２ｅとを順次堆積し、ＳｉＣ膜５２ｅ／ＳｉＯＣ膜５２ｄ／ＳｉＣ膜５２ｃ／ＳｉＯＣ膜５２ｂ／ＳｉＣ膜５２ａの積層構造を有する層間絶縁膜５２を形成する（図７（ａ））。ＳｉＣ膜５２ａ，５２ｃ，５２ｅは、エッチングストッパ膜及び銅の拡散防止膜として機能する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
次いで、フォトリソグラフィーにより、ビアホールの形成予定領域を露出するフォトレジスト膜５４を形成する。フォトレジスト膜５４は、ダミーパターン形成領域では、ガードリング形成領域近傍のダミーパターンを層厚方向に接続するためのビアホールの形成予定領域を露出し、ガードリング形成領域では、リングパターンをリングパターン５０ｃに接続するための溝状のビアホールの形成予定領域を露出する（図７（ｂ））。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
層間絶縁膜１１４上には、配線層１２２及びダミーパターン１２４が埋め込まれた層間絶縁膜１２０と、配線層１２８及びダミーパターン１３０が埋め込まれた層間絶縁膜１２６とが形成されている。配線層１２８は、ビア部１２８ａと、これらビア部１２８ａ上に形成された配線部１２８ｂとを有し、ビア部１２８ａを介して配線層１２２に接続されている。配線層１２８近傍のダミーパターン１３０には、ビア部１３０ａが設けられており、ビア部１３０ａを介してダミーパターン１２４に接続されている。