Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベアリングと自己含有型ＡＩＤＣ装置との組合せにおいて、前記ベアリングは、内部レース、外部レース、前記内部レースと前記外部レースとの間に配置された複数の回転部材、及び前記回転部材間に所望の空間を保持すべくケージを備え；
前記ベアリングは、表面及び該表面に形成されたポケットをさらに有し；
前記自己含有型ＡＩＤＣ装置は、メモリーチップ及びアンテナを有し、かつ、前記ポケットに完全に収納され、前記ポケットは、前記ＡＩＤＣ装置が前記表面を越えて延びていないような寸法に仕上げられており；
前記ＡＩＤＣ装置は、前記ベアリングの製造に関連付けられた情報を保有している；
ことを特徴とする、ベアリング。
【請求項２】
前記メモリーチップはリライタブルメモリーチップであり、かつ、前記チップ上の情報は、使用者又は製造者によりアップデート又は変更可能であることを特徴とする請求項１に記載のベアリング。
【請求項３】
前記ＡＩＤＣ装置は、中継器であることを特徴とする請求項１に記載のベアリング。
【請求項４】
前記中継器は、ＲＦタグであることを特徴とする請求項１に記載のベアリング
【請求項５】
前記ＲＦタグは、ＥＥＰＲＯＭチップを含むことを特徴とする請求項４に記載のベアリング。
【請求項６】
前記ＲＦタグは、電源装置をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のベアリング。
【請求項７】
前記ポケットが形成された前記ベアリングの前記表面は、前記ベアリングの外部表面であることを特徴とする請求項６に記載のベアリング。
【請求項８】
前記の個々のベアリングに関連付けられた前記情報は、前記の個々のベアリングの物理的特性であることを特徴とする請求項１に記載のベアリング。
【請求項９】
前記データは、前記ベアリングに特有の少なくとも一つの測定された物理的特性、製造識別データ、検査データ、管理データ、管理記録、条件モニタリングデータ、在庫情報データ、前記ベアリングの製造中に取得された測定値及び測定された前記ベアリングの制御値並びにこれらの組合せのみから本質的になる群から選択されていることを特徴とする請求項１に記載のベアリング。
【請求項１０】
前記管理記録は、最終的に識別された前記ベアリングの潤滑を備えていることを特徴とする請求項９に記載のベアリング。
【請求項１１】
前記の測定された制御値は、ベアリング温度、到達された最大温度、記録された最大振動、累積回転数、及びこれらの組合せのみから本質的になる群から選択されていることを特徴とする請求項９に記載のベアリング。
【請求項１２】
ベアリングに関する製造情報を前記ベアリングの使用者に伝達する方法において：
前記ベアリングの表面にポケットを有するベアリングを製造し；
前記ベアリングに関連付けられた物理的データを取得し；
前記のベアリングのポケットに自己含有型ＡＩＤＣ装置を配置し、前記のベアリングのポケットは、前記ＡＩＤＣ装置が前記ベアリング表面を超えて延びていないような寸法に仕上げられており、前記自己含有型ＡＩＤＣ装置は、該ＡＩＤＣ装置のためのメモリーチップ及びアンテナを備えており；
前記の取得した物理的データを前記メモリーチップにコード化し；
前記データは、電磁場を介して前記ベアリングを通過することにより、前記ベアリングに関連付けられた製造データを受信し解釈するように、前記ベアリングの使用者により読取可能である；
ことを特徴とする、方法。
【請求項１３】
前記のコード化されたデータは、シリアル番号であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記のコード化されたデータは、コンピューターにより解釈されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記コンピューターは、前記製品の使用者により制御されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記データは、前記製品の物理的測定値、管理データ、認証コード及び／又はモニターされた制御条件の少なくとも一つを備えていることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極（１０７、１０９あるいは２０１、２０３及び２０２、２０４）によって生成される電界内で構成される分子システム（４３０、６３０、６３０'、７３０）からなる電界駆動の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）であって、
（１）分子配座の変化あるいは異性化、
（２）バンドギャップを変化させる化学結合変化を介した拡張共役の変化、
あるいは、
（３）分子の折り畳みあるいは伸長、
のうちの１つのメカニズムによって、前記分子システム（４３０、６３０、６３０'、７３０）において電界誘導のバンドギャップ変化が起こる、光スイッチ。
【請求項２】
前記電界誘導バンドギャップ変化が分子配座の変化あるいは異性化によって生じ、前記分子システム（４３０）が少なくとも１つの固定子部（４３４）及び少なくとも１つの回転子部（４３２）からなり、該回転子（４３２）が印加電界により第１の状態から第２の状態に回転し、前記第１の状態では、前記分子システムの全体にわたって拡張共役が存在し、その結果バンドギャップが比較的小さくなり、且つ前記第２の状態では、前記拡張共役が破壊され、その結果バンドギャップが比較的大きくなる請求項１に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項３】
前記電界誘導バンドギャップがバンドギャップを変化させる化学結合の変化を介して生じ、この場合、前記電界誘導バンドギャップ変化が、バンド局在化の増減を伴う電荷分離あるいは再結合を介した拡張共役の変化によって生じる請求項１に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項４】
前記分子システム（６３０）が２つの部分（６３２、６３４）からなり、第１の状態から第２の状態への変化は印加電界により生じ、該変化が、前記第１の状態から前記第２の状態に変化する際に電荷分離を伴い、それにより結果としてπ非局在化が少ない比較的バンドギャップの大きい状態となり、且つ前記変化が、前記第２の状態から前記第１の状態に変化する際に電荷の再結合を伴い、それにより結果としてπ非局在化が比較的大きい比較的バンドギャップが小さい状態になる請求項３に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項５】
前記電界誘導バンドギャップがバンドギャップを変化させる化学結合の変化を介して生じ、この場合、前記電界誘導バンドギャップ変化が、電荷の分離あるいは再結合、及びπ結合の破壊あるいは形成を介する拡張共役の変化によって生じる請求項３に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項６】
前記分子システム（６３０'）が２つの部分（６３２'、６３４'）からなり、第１の状態から第２の状態への変化が印加電界により生じ、該変化が、前記第１の状態から前記第２の状態に変化する際に電荷分離を伴い、前記第１の状態では、前記分子システム（６３０'）の全体にわたって拡張共役が存在し、その結果バンドギャップが比較的小さい状態となり、且つ前記第２の状態では、前記拡張共役が破壊され、前記分子システム内に分離した正及び負の電荷が生成され、その結果バンドギャップが比較的大きい状態になる請求項５に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項７】
前記電界誘導バンドギャップ変化が分子の折り畳みあるいは伸長を介して生じ、前記分子システム（７３０）が３つの部分（７３２、７３４、７３６）、即ち第２の中央部分（７３４）にそれぞれ結合している第１の部分（７３２）及び第３の部分（７３６）からなり、第１の状態から第２の状態への変化は印加電界により生じ、該変化が前記第２の部分の近傍あるいは前記第２の部分の折り畳みあるいは伸長を伴い、前記第１の状態では、前記分子システム（７３０）の全体にわたって拡張共役が存在し、その結果バンドギャップが比較的小さい状態になり、且つ前記第２の状態では、前記拡張共役が破壊され、その結果バンドギャップが比較的大きい状態になる請求項１に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項８】
前記分子システム（４３０、６３０、６３０'、７３０）が双安定性であり、不揮発性の構成要素をもたらす請求項１に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項９】
前記分子システム（４３０、６３０、６３０'、７３０）が本質的に種々の状態間で低い活性化障壁を有し、高速であるが揮発性のスイッチをもたらす請求項１に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項１０】
前記分子システム（４３０、６３０、６３０'、７３０）が３つ以上の切替え可能な状態を有し、それによって次第に低下するあるいは増加する電界を印加することによって前記分子システム（４３０、６３０、６３０'、７３０）の光学的特性が連続して調整されるようにし揮発性スイッチを形成するか、又は少なくとも１つの活性化障壁を有するスイッチに電圧パルスを印加することにより色が瞬時に変更されるようにする請求項１に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項１１】
前記分子システム（４３０、６３０、６３０'、７３０）が、透明状態と有色状態との間、又はある有色状態と別の有色状態との間で変化する請求項１に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項１２】
前記分子システム（４３０、６３０、６３０'、７３０）が、ある屈折率と別の屈折率との間で変化する請求項１に記載の光スイッチ（１０１、２０５、２０７、２０９）。
【請求項１３】
請求項１に記載の分子システム（４３０、６３０、６３０'、７３０）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生物学的プローブによって官能化された有機ポリマーであるフィルムを、その上に付着させた基体を含むバイオチップであって、前記プローブが、蛍光標識、燐光標識、または化学発光標識で予め官能化された化学体、生化学体、または生物学体との対合を引き起こすことを企図し、前記フィルムが電気絶縁体有機ポリマーであること及び前記フィルムが前記蛍光標識、燐光標識、または化学発光標識の検出のための少なくとも１つの波長範囲において透明であるように選択されることを特徴とする、バイオチップ。
【請求項２】
前記フィルムが、ビニルポリマーのフィルムである、請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項３】
前記フィルムが、下式（I）：
【化１】
2005505782.tif 000001
[式中、
R1、R2、R3、及びR4は、個別に、水素原子、または有機基、例えばアルカン、アルケン、またはアルキンから選択される炭化水素；アミド、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、エステル、酸ハロゲン化物、酸無水物、ニトリル、アミン、チオールまたはホスフェート、エーテル、ホモ-またはヘテロ環芳香族、あるいはこれらの官能基を含むあらゆる環基、並びにこれらの官能基の幾つかを担持するあらゆる基を表す]
のモノマーの、または前記式（I）に相当する異なるモノマーの混合物の、重合によって得られるビニルポリマーである、請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項４】
前記生物学的プローブが、DNAである、請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項５】
分析物の検出方法における、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバイオチップの使用であって、前記分析物が前記生物学的プローブの標的であって、前記分析物が少なくとも前記波長範囲内で発光する標識を使用してラベルされており、前記フィルムが１ミクロメートル未満の厚さを有する、バイオチップの使用。
【請求項６】
フィルムで被覆された基体であって、前記フィルムが少なくとも１つの波長範囲内で透明な電気絶縁体有機ポリマーであり、且つ前記フィルムが少なくとも前記波長範囲内で発光する標識と混合されることを特徴とする基板。
【請求項７】
前記フィルムが、ビニルポリマーから選択される絶縁体ポリマーを含む、請求項６に記載のフィルムで被覆された基体。
【請求項８】
前記フィルムが、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、シアノアクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、スチレン、パラ-クロロスチレン、N-ビニルピロリドン、及びハロゲン化ビニルの架橋または非架橋ポリマーから選択される絶縁体ポリマーを含む、請求項６に記載のフィルムで被覆された基体。
【請求項９】
前記フィルムが、ポリアクリルアミド、イソプレンの、エチレンの、プロピレンの、エチレンオキシド及び歪んだ環を含む分子の、乳酸もしくはそのオリゴマーの、ラクトンの、ε-カプロラクトンの、グリコール酸の、またはアスパラギン酸のポリマー、ポリアミド、ポリウレタン、パリレン及び置換パリレンに基づくポリマー、オリゴペプチド及びタンパク質、並びにこれらのポリマーに基づくプレポリマー、マクロマー、またはテレケリック、並びにこれらのポリマーのモノマーもしくはこれらのポリマー自身から形成可能なコポリマー及び／またはブレンドから選択される、架橋または非架橋絶縁体ポリマーを含む、請求項６に記載のフィルムで被覆された基体。
【請求項１０】
前記フィルムが、下式（I）：
【化２】
2005505782.tif 000002
[式中、
R1、R2、R3、及びR4は、個別に、水素原子、または有機基、例えばアルカン、アルケン、またはアルキンから選択される炭化水素；アミド、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、エステル、酸ハロゲン化物、酸無水物、ニトリル、アミン、チオールまたはホスフェート、エーテル、ホモ-またはヘテロ環芳香族、あるいはこれらの官能基を含むあらゆる環基、並びにこれらの官能基の幾つかを担持するあらゆる基を表す]
のモノマーの、または前記式（I）に相当する異なるモノマーの混合物の、重合によって得られるビニルポリマーである、請求項６に記載のフィルムで被覆された基体。
【請求項１１】
前記フィルムが、ポリメタクリロニトリルの、またはポリ（メチルメタクリレート）のものである、請求項６に記載のフィルムで被覆された基体。
【請求項１２】
前記標識が、蛍光標識、燐光標識、または化学発光標識から選択される、請求項６に記載のフィルムで被覆された基体。
【請求項１３】
化学体の検出方法における、前記化学体を官能化する標識の少なくとも１つの発光波長範囲内で透明であるように選択される、電気絶縁体有機ポリマーのフィルムの使用。
【請求項１４】
絶縁体有機ポリマーのフィルムが、化学体のための認識分子で官能化されている、請求項１３に記載の使用。
【請求項１５】
前記化学体が、ＤＮＡである、請求項１３に記載の使用。
【請求項１６】
化学体の検出のための手段における、前記化学体を官能化する標識の少なくとも１つの発光波長範囲内で透明であるように選択される、電気絶縁体有機ポリマーのフィルムの使用。
【請求項１７】
前記検出手段が、バイオチップである、請求項１６に記載の使用。
【請求項１８】
物質の品質管理方法、遠心分離方法、または識別方法から選択される方法における、少なくとも１つの波長範囲内で発光する標識と混合した、前記波長範囲内で透明な電気絶縁体有機ポリマーのフィルムの使用。
【請求項１９】
前記フィルムが、下式（I）：
【化３】
2005505782.tif 000003
[式中、
R1、R2、R3、及びR4は、個別に、水素原子、または有機基、例えばアルカン、アルケン、またはアルキンから選択される炭化水素；アミド、アルデヒド、ケトン、カルボン酸、エステル、酸ハロゲン化物、酸無水物、ニトリル、アミン、チオールまたはホスフェート、エーテル、ホモ-またはヘテロ環芳香族、あるいはこれらの官能基を含むあらゆる環基、並びにこれらの官能基の幾つかを担持するあらゆる基を表す]
のモノマーの、または前記式（I）に相当する異なるモノマーの混合物の、重合によって得られるビニルポリマーである、請求項１３乃至１８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項２０】
前記フィルムが、ポリメタクリロニトリルの、またはポリ（メチルメタクリレート）のものである、請求項１９に記載の使用。
【請求項２１】
前記標識が、蛍光標識、燐光標識、または化学発光標識から選択される、請求項１３乃至２０のいずれか一項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月7日(2005.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面投影スクリーンであって、
複数の溝が形成され、画定された聴衆観察領域に光を向けるように動作可能な背面構造化層と、
該構造化層に連結され、つや消しポリエステルフィルムから形成されることにより正面に乾式消去能力が提供される、正面拡散層と、
を具備する前面投影スクリーン。
【請求項２】
前記つや消しポリエステルフィルムが、テクラ・マーノット・エックスエル・つや消し・メリネックス（ＴＥＫＲＡ  Ｍａｒｎｏｔ  ＸＬ  Ｍａｔｔｅ  Ｍｅｌｉｎｅｘ）ポリエステルフィルムである、請求項１記載の前面投影スクリーン。
【請求項３】
前記構造化層が、光沢白色コーティングを有するアクリレート線形プリズム構造として形成される、請求項１記載の前面投影スクリーン。
【請求項４】
前記アクリレート線形プリズム構造とつや消しポリエステルフィルムとが、積層すること及び単一構造として押出し成形されることのいずれかにより連結される、請求項３記載の前面投影スクリーン。
【請求項５】
一体化前面投影表示システムであって、
前面投影装置と、
該前面投影装置から画像を受取るように構成される前面投影スクリーンであって、
複数の溝が形成され、画定された聴衆観察領域に光を向けるように動作可能な背面構造化層と、
該構造化層に連結され、つや消しポリエステルフィルムから形成されることにより正面に乾式消去能力が提供される、正面拡散層と、
を備える前面投影スクリーンと、
を備える一体化前面投影表示システム。
【請求項６】
前記前面投影装置が、前記前面投影スクリーンに連結される、請求項５記載の一体化前面投影表示システム。
【請求項７】
投影表示システムから視認可能画像を提供する方法であって、
投影スクリーンの背面に対する構造化層を利用して、画定された聴衆観察領域に光を向け、該構造化層が複数の溝から形成されるものである、工程と、
該構造化層に連結された正面拡散層を利用して、該拡散層の正面に乾式消去能力を提供し、該拡散層がつや消しポリエステルフィルムから形成されるものである、工程と、
を含む方法。
【請求項８】
画像を、前面投影システムを備えた前記投影スクリーンに投影する工程をさらに含む請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  管路内のガス又は低密度流体の流れを求めるための超音波測定システムであって、
前記管路内を流れている流体を横切る第１の超音波信号経路を定めるように固定された第１の送受信機の対と、
前記管路内を流れている流体を横切る第２の超音波信号経路を定めるように構成された第２の送受信機の対と、
を含み、
該第２の送受信機の対は、前記第２の経路が前記第１の経路に対して逆平行であり、かつ該第１の経路から一定距離だけ間隔をおいて定められるように取り付けられており、
前記第１の対のタグ変調された出力信号を前記第２の対のタグ変調された出力信号と相関させて流れを表す時間間隔を求めるように動作するプロセッサが設けられている、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】  前記第１の対が、前記第２の対とは異なる周波数で動作することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】  １００キロヘルツを超える周波数範囲で動作することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】  前記第１の対が前記第２の対の動作周波数とは異なる周波数で動作し、受信信号がそれらの送信周波数で復調されることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】  前記第１の対が、前記第２の対の前記動作周波数のほぼ１０パーセント以内の周波数で動作することを特徴とする、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】  前記第１の対及び前記第２の対が連続モードで動作することを特徴とする、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】  管路内のガスの流れを測定するための超音波測定システムであって、
前記管路を横切る第１の通過経路と該第１の通過経路に対して逆平行でありかつ前記管路を横切る第２の通過経路とを定める、第１及び第２の送受信機の対と、
前記第１及び第２の経路に沿って受信された信号を処理するための信号プロセッサと、
前記第１及び第２の経路上の相関したタグ変調された信号間の時間間隔を求めるための相関器と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項８】  前記送受信機の対が、公称直径が約５．５センチ（２インチ）未満の管路に取り付けられていることを特徴とする、請求項８に記載のシステム。
【請求項９】  前記送受信機の対の少なくとも１つが、クランプオンにより管路に取り付けられていることを特徴とする、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】  管路内の蒸気又はガスの流れを測定するための方法であって、
第１の受信機の出力がパイプ内の流体中のタグによって変調されるように、該流体を通り抜ける第１の信号経路を定める第１の送信機／受信機の対を設ける段階と、
第２の受信機の出力がパイプ内の流体中のタグによって変調されるように、該流体を通り抜け前記第１の経路と逆平行である第２の信号経路を定める第２の送信機／受信機の対を設ける段階と、
前記第２の受信機の出力を前記第１の受信機の出力と相関させて流速を求める段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】  前記タグによって良好に変調されるのに十分なほどに高い第１の周波数で前記第１の送信機／受信機の対を動作させ、また前記第１の周波数とは異なるが該第１の周波数に近接した第２の周波数で前記第２の送信機／受信機の対を動作させる段階を更に含むことを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  送信機／受信機の各対を設ける前記段階が、クランプオン式変換器を設ける段階を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記を含むことを特徴とする、ネコの血液型を判定するためのキット：
(a)  少なくとも１種類のモノクローナル抗体とネコの血液サンプルとの接触を促進するための基体部材；及び
(b)  該基体部材と接触して置かれている第１のモノクローナル抗体と第２のモノクローナル抗体の混合物であって、各抗体が少なくとも１つのネコの血液グループの特異的A抗原を認識することを特徴とする、混合物。
【請求項２】
前記混合物中のモノクローナル抗体の一つが糖脂質A抗原(NeuGc)2GD3を認識することを特徴とする請求の範囲１記載のキット。
【請求項３】
前記混合物中のモノクローナル抗体の一つが、 (NeuGc)2GT3を含む糖脂質A抗原、またはガングリオシドを含有する(NeuGc)を認識することを特徴とする請求の範囲１記載のキット。
【請求項４】
前記第１のモノクローナル抗体が13G3抗体であることを特徴とする請求の範囲１記載のキット。
【請求項５】
前記第２のモノクローナル抗体が4E10抗体であることを特徴とする請求の範囲１記載のキット。
【請求項６】
前記モノクローナル抗体が34〜136 μg/mlの濃度で溶液中に存在することを特徴とする請求の範囲３記載のキット。
【請求項７】
前記モノクローナル抗体が64〜256 μg/mlの濃度で溶液中に存在することを特徴とする請求の範囲２記載のキット。
【請求項８】
前記抗体混合物が凍結乾燥されていることを特徴とする請求の範囲１記載のキット。
【請求項９】
前記基体部材がカード部材と試験管から成る群から選ばれることを特徴とする請求の範囲１記載のキット。
【請求項１０】
血液型Bと凝集反応を起こす物質を包括することを特徴とする請求の範囲１記載のキット。
【請求項１１】
前記物質がTriticum vulgarisから得られたレクチンであることを特徴とする請求の範囲１０記載のキット。
【請求項１２】
下記工程を含むことを特徴とする、ネコの血液サンプルを血液型判定するための方法：
(a)  血液サンプルを被検ネコから採取する工程；
(b)  当該血液サンプルのある量を基体部材に施す工程であって、それにより第１のモノクローナル抗体と第２のモノクローナル抗体との混合物と当該基体部材との間の接触が促進されること、かつ各抗体がネコの血液グループA特異的抗原を認識することを特徴とする、工程；及び
(c)  当該サンプルが凝集反応を起こしたか否かを判定するために、当該血液サンプル及び当該抗体混合物を検査する工程。
【請求項１３】
血液型を判定すべき各ネコから得られた、EDTA中に集められた５０μｌから１００μｌの間の血液サンプルを、前記基体部材に加えることを特徴とする請求の範囲１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記混合物中のモノクローナル抗体の一つが糖脂質A抗原(NeuGc)2GD3を認識することを特徴とする請求の範囲１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記１３G３抗体が34〜136 μg/mlの濃度で存在することを特徴とする請求の範囲１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記4E10抗体が64〜256 μg/mlの濃度で存在することを特徴とする請求の範囲１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記血液サンプルが、凝集の観察に十分な量の前記抗体混合物と混合されることを特徴とする請求の範囲１２に記載の方法。
【請求項１８】
ネコの血液型判定のためにモノクローナル抗体を用いる方法であって、ネズミのモノクローナル抗体の混合物とネコの血液サンプルを接触する工程を含み、ここで、当該抗体の一つが糖脂質A抗原(NeuGc)2GD3を認識し、他の当該モノクローナル抗体が、糖脂質A抗原(NeuGc)2GT3、またはガングリオシドを含む(NeuGc)を認識する、方法。
【請求項１９】
ネコのA型血液を特徴づける赤血球糖脂質抗原上にある受容体と特異的に結合し、かつネコのB型血液を特徴づける抗原上のいかなる受容体とも結合しないことを特徴とする、単離されたネズミモノクローナル抗体。
【請求項２０】
糖脂質A抗原(NeuGc)2GD3を認識することを特徴とする請求の範囲１９に記載の抗体。
【請求項２１】
糖脂質A抗原(NeuGc)2GT3、またはガングリオシドを含む(NeuGc)を認識することを特徴とする請求の範囲１９に記載の抗体。
【請求項２２】
二つの別個のモノクローナル抗体を含むモノクローナル抗体混合物とネコ血液サンプルとの間の接触を促進するための基体部材を含み、当該混合物は糖脂質A抗原 (NeuGc)2GD3を認識する第１モノクローナル抗体、及び糖脂質A抗原(NeuGc)2GT3またはガングリオシドを含む(NeuGc) を認識する第２モノクローナル抗体を含み、当該第１の抗体が64〜256 μg/mlの濃度で存在し、当該第２の抗体が34〜136 μg/mlの濃度で存在することを特徴とする、ネコの血液型を判定するためのキット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱交換器において、
ａ）ある長さと、ある幅と、ある高さと、少なくとも１つの熱伝導面を持つ多数の面とを有するハウジングと、
ｂ）熱交換器流体を受け取り且つ押し出し得るように前記ハウジング内に画成された少なくとも２つの開口部と、
ｃ）前記ハウジング内に配置された少なくとも１つの熱交換器構造体であって、少なくとも２つのマニホルド、好ましくは、少なくとも１つの入口マニホルド及び少なくとも１つの出口マニホルドを画成する少なくとも２つの開口を有し、好ましくは、前記少なくとも１つの入口マニホルドの数及び前記少なくとも１つの出口マニホルの数が１つだけ相違し、前記少なくとも２つのマニホルドの各々が、前記少なくとも２つの開口部の少なくとも１つと流体的に連通した前記少なくとも１つの熱交換器構造体と、
ｄ）前記少なくとも１つの熱交換器構造体内に画成された少なくとも１つの相互に接続する通路であって、前記少なくとも２つのマニホルドを互いに流体的に結合し、流体を前記少なくとも１つの熱伝導面に向けた第一の方向に導き得るようにされた第一の部分と、流体を前記少なくとも１つの熱伝導面から離れる第二の方向に導き得るようにされた第二の部分とを有する前記少なくとも１つの相互に接続する通路とを備え、
好ましくは、前記少なくとも１つの相互に接続する通路の前記第一の部分及び第二の部分がほぼ同等の断面積を有するようにした、熱交換器。
【請求項２】
請求項１に記載の熱交換器において、
前記少なくとも１つの相互に接続する通路の前記第一及び第二の部分の各々内に画成された少なくとも１つの熱伝導フィンを備え、
前記少なくとも１つの熱伝導フィンの各々が、前記少なくとも１つの熱伝導面からある距離に頂縁部を有し、
前記少なくとも１つの熱伝導フィンが前記少なくとも１つの熱伝導面と熱的に連通するようにした熱交換器。
【請求項３】
請求項２に記載の熱交換器において、
前記第二の部分における前記頂縁部の前記距離が、前記第一の部分における前記頂縁部の前記距離よりも長いようにした熱交換器。
【請求項４】
請求項２に記載の熱交換器において、
前記少なくとも１つの熱伝導フィンが、前記熱伝導面の上方における所望の熱抵抗の分布特徴に従った寸法とされる熱交換器。
【請求項５】
請求項１から４の何れか１つに記載の熱交換器において、
前記少なくとも１つの相互に接続する通路が、前記少なくとも２つのマニホルドの１つと接続された第一の端部と、前記少なくとも２つのマニホルドの２つと接続された第二の端部分とを有するようにした熱交換器。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１つに記載の熱交換器において、
前記少なくとも１つの相互に接続する通路が少なくとも１つの流れ仕切部を有するようにした熱交換器。
【請求項７】
請求項１から６の何れか１つに記載の熱交換器において、
前記ハウジングが、少なくとも２つのプレナムを更に備え、該プレナムの各々が、前記少なくとも２つの開口部の少なくとも１つと流体的に連通し、また、前記少なくとも２つのマニホルドの少なくとも１つと流体的に連通しているようにした熱交換器。
【請求項８】
請求項１から７の何れか１つに記載の熱交換器において、
前記ハウジングが、ある長さと、幅と、高さを有するコアを備え、
該コアが、積重ね軸線を有し且つ、前記コアを形成し得るように前記積重ね軸線に沿って互いに積重ねられた複数の前記熱交換器構造体を備え、
好ましくは、前記コアが、第一の容積を画成し、前記少なくとも２つのマニホルドが、前記第一のマニホルドの少なくとも２０％の容積である第二の容積を画成するようにした熱交換器。
【請求項９】
請求項１から８の何れか１つに記載の熱交換器において、
前記少なくとも２つのマニホルドが、少なくとも１つの支え材を有するようにした熱交換器。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか１つに記載の熱交換器において、
前記少なくとも１つの相互に接続する通路が、少なくとも１つの流れ案内タブを有するようにした熱交換器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図５には、入口マニホルド１４０及び出口マニホルド１４２が対の板により画成される状態を示すべく、互いに適正に整列した１対の熱交換器板１３６、１３８が示してある。図５には、板１３６における入口マニホルド１４０の部分及び出口マニホルド１４２の部分の各々が板１３８における相応するマニホルド部分１４０、１４２と重なり合うことが板の各々の入口マニホルド部分１４０と板の各々の出口マニホルド部分１４２との間の流体的連通を促進する状態も示してある。板１３６が板１３８の頂部に積重ねられたとき、板１３８における支え材１３９を板１３６における支え材１４９に対し食い違いに配置することは、入口マニホルド１４０及び出口マニホルド１４２内の流体がコア１３０の長さに沿って連通することを可能にする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005505739.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月19日(2004.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数のホットゾーン領域を含み、その領域の少なくとも２つは互いに熱的に隔離されている、焼成セラミックイグナイター部材。
【請求項２】
多数のホットゾーン領域を含み、その領域の少なくとも２つは互いに熱的に隔離されていおり、そしてその２つは互いに熱的に隔離されたホットゾーン領域は共通の導電性ゾーンに近接する、セラミックイグナイター部材。
【請求項３】
３つ以上のホットゾーン領域を含み、少なくとも２つのホットゾーンは互いに熱的に隔離されている、セラミックイグナイター部材。
【請求項４】
絶縁領域が２つのホットゾーン領域の間に配置されている請求項１〜３のいずれか記載の部材。
【請求項５】
部材が隣接するホットゾーン領域の間に配置された導電性ゾーンを含む請求項１〜４のいずれか記載の部材。
【請求項６】
部材が、約１５〜５０ｖ/oの絶縁体材料；０〜５０ｖ/oの半導体材料；および２０〜７０ｖ/oの金属導電性材料を含むコールドゾーンを含む請求項１〜５のいずれか記載の部材。
【請求項７】
コールドゾーン絶縁体が窒化アルミニウムもしくは酸化アルミニウム、またはそれらの混合物であり；０〜５０ｖ/oの半導体材料；コールドゾーン半導体材料が炭化ケイ素であり；そしてコールドゾーン導電性材料がＭｏＳｉ２である請求項６記載の部材。
【請求項８】
イグナイターが、約３〜２５ｖ/oのＡｌＮ；約６０〜９０ｖ/oのＡｌ２Ｏ３；および約８〜１５ｖ/oのＳｉＣを含む絶縁領域を含む請求項１〜７のいずれか記載の部材。
【請求項９】
各ホットゾーンが、５０〜７０ｖ/oの電気絶縁材料；１０〜４５ｖ/oの半導体材料；および６〜１６ｖ/oの導電性材料を含む請求項１〜８のいずれか記載の部材。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか記載のセラミックイグナイター部材を含む燃料排ガス処理装置。
【請求項１１】
装置がディーゼル燃料トラップである請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか記載のセラミックイグナイター部材を含む燃料燃焼装置。
【請求項１３】
装置が多数の、間隔をあけたガス出口を有するガスバーナーを含む請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
ガスバーナーを含む調理用装置であり、装置が請求項１〜９のいずれか記載のイグナイターを含む装置。
【請求項１５】
装置が多数の、間隔をあけたガス出口を有するガスバーナーを含む請求項１４記載の調理用装置。
【請求項１６】
フィルター；多数のホットゾーン領域を含み、その領域の少なくとも２つは互いに熱的に隔離されている、焼成セラミックイグナイター部材；ならびにフィルターに結合されたその部材、を含むディーゼルフィルターアセンブリー。
【請求項１７】
イグナイターが請求項２〜９のいずれか記載のイグナイターである請求項１６記載のアセンブリー。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月8日(2004.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【図１】典型的なＣＭＯＳ画像センサの構成を示すブロック線図である。
【図２】本発明に係る画像センサの一実施例を示すブロック線図である。
【図３】本発明に係る画像センサの別の実施例を示すブロック線図である。
【図４】本発明に係る画像センサの別の実施例を示すブロック線図である。
【図５】本発明に係る画像センサの別の実施例を示すブロック線図である。
【図６】３つの異なった衝突光強度についてストレージノードの電圧を時間関数として示した説明図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−分岐（１０）へ分散体を供給する流入チャネル（９）と、
−分岐（１０）から離して低減した粒子濃度を有する流体を導出する第１排出チャネル（１１）と、
−分岐（１０）から離して増大した粒子濃度を有する流体を導出する第２排出チャネル（１２）とを含む、流動チャネル（３）を有する基板（５）を備える分離モジュールによって、分散流体からの粒子の分離、とくに生物サンプルとりわけ血液からの微粒子成分の分離方法において、
前記流体が第２排出チャネルの中で、分散粒子が分岐（１０）で様々な流速に基づき有利には第２排出チャネル（１２）の中でさらに流動するように第１排出チャネル（１２）の中よりもはるかに速く流れる方法。
【請求項２】
第１排出チャネル（１１）が別の分岐（２０）へ通じ、それによって前記分離モジュールが別の分岐（２０）用の流入チャネルを形成し、別の分岐から低減した粒子濃度を有する流体を導出する別の第１排出チャネル（２１）と増大した粒子濃度を有する流体を導出する第２排出チャネル（２２）とが分岐する分離モジュールによる請求項１記載の粒子分離方法において、
前記流体が別の第２排出チャネル（２２）の中で、分散粒子が別の分岐（２０）で様々な流速に基づき有利には別の第２排出チャネル（２２）の中でさらに流動するように別の第１排出チャネル（２１）の中よりもはるかに速く流れる方法。 
【請求項３】
第２排出チャネルが別の分岐（２５）へ通じ、それによって前記分離モジュールが別の分岐（２５）用の流入チャネルを形成し、別の分岐から低減した粒子濃度を有する流体を導出する別の第１排出チャネル（２７）と増大した粒子濃度を有する流体を導出する別の第２排出チャネル（２６）とが分岐する分離モジュールによる請求項１記載の粒子分離方法において、
前記流体が別の第２排出チャネル（２６）の中で、分散粒子が別の分岐（２５）で様々な流速に基づき有利には別の第２排出チャネル（２６）の中でさらに流動するように別の第１排出チャネル（２７）の中よりもはるかに速く流れる方法。 
【請求項４】
流入チャネルの深さ（ｔ）が少なくとも分岐（１０）に直接先行するチャネル部分でその幅（ｂ）よりも大きい、請求項１、２または３記載の方法を実施するための分離モジュール。 
【請求項５】
第１排出チャネル（１１）の深さ（ｔ）が少なくとも分岐（１０）に直接続くチャネル部分でその幅（ｂ）よりも大きい、請求項１、２、３または４記載の方法を実施するための分離モジュール。 
【請求項６】
第１排出チャネル（１１）の最小断面積寸法が少なくとも５μｍおよび最大１５０μｍになる、請求項１、２または３記載の方法を実施するための分離モジュール。
【請求項７】
第１排出チャネル（１１）の流れ抵抗が第２排出チャネル（１２）の流れ抵抗よりも高い、請求項１、２または３記載の方法を実施するための分離モジュール。
【請求項８】
第１排出チャネル（１１）のより高い流れ抵抗が、前記第１排出チャネルが第２排出チャネル（１２）よりも長いことから生じる、請求項７記載の分離モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月15日(2004.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記遊離塩基層及び前記水層を、６０℃〜８５℃の温度まで加熱する請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線モジュールをワイヤレス通信プロトコルに従って動作させるための高レベル・ベースバンド・コントローラと、
高レベル・ベースバンド・コントローラに結合されたプライマリ・ホスト・プロセッサとを含み、
前記プロセッサは、コントローラから受信され、ワイヤレス通信プロトコルに関連付けられたリアルタイム・イベントを処理するための第１の部分を有し、非リアルタイム・イベントを処理するための第２の部分を有する移動ユニプロセッサ・コンピュータ・コンピュータ・システム。
【請求項２】
非リアルタイム・オペレーティング・システムに関連付けられるプロセスをコンピュータ・システムのプライマリ・ホスト・プロセッサ上で実行するステップと、
ワイヤレス通信プロトコルに関連付けられるリアルタイム・イベントを、コンピュータ・システムのトランシーバによって外部デバイスから受信するステップと、
イベントをプロセッサに転送するステップと、
イベントをリアルタイムで処理し、ワイヤレス通信プロトコルが維持され、ワイヤレス通信プロトコルに関連付けられたベースバンド処理の高レベル部分が、オペレーティング・システムから独立したプロセッサによって行われるようにするステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月28日(2004.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その長手方向延在部の方向に係止ボルトハウジング（２）内に可動に支承され、かつ係止バネ（４）によって切替えリンクに対して軸方向の予緊張の下に保持される係止ボルト（１）を有する切替え装置において、
係止ボルト（１）が、その周囲にわたって配分されて配設され、外側に突出し、そして係止ボルトハウジング（２）の内側に半径方向の予緊張の下で当接する複数の案内手段（７）を備えることを特徴とする切替え装置。
【請求項２】
案内手段（７）が、係止ボルト（１）の長手方向延在部内で整向される曲げに対して柔軟な案内リブ（Ｆ）によって構成されており、これらの案内リブによって、係止ボルト（１）が、その前方の先端近くの領域内を、係止ボルトハウジング（２）内に案内されていることを特徴とする請求項１に記載の切替え装置。
【請求項３】
複数の案内リブ対が設けられており、これらの案内リブ対が、それぞれ互いに同じ角度間隔で配設されていることを特徴とする請求項２に記載の切替え装置。
【請求項４】
案内リブ（Ｆ）を収容する係止ボルト（１）のジャケット面の外径が、若干の過大寸法をもって係止ボルトハウジング（２）の内法の内部幅よりも大きいことを特徴とする請求項２又は３に記載の切替え装置。
【請求項５】
係止ボルト（１）が、案内リブ（Ｆ）によって係止ボルトハウジング（２）内に捩れないように案内されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載の切替え装置。
【請求項６】
係止ボルトハウジング（２）が案内突出部（９）を備え、この案内突出部に、それぞれ案内リブ対の２つの案内リブ（Ｆ）が当接することを特徴とする請求項３〜５のいずれか１つに記載の切替え装置。
【請求項７】
案内手段（７）が、レバー状に形成された可動の押圧アーム（７）によって構成されており、これらの押圧アームに、それぞれ１つの転向要素（７’）が存在し、この転向要素が、それぞれの押圧アーム（７）が半径方向に係止ボルトハウジング（２）の内側に押し付けられているように、係止バネ（４）と協働することを特徴とする請求項１に記載の切替え装置。
【請求項８】
押圧アーム（７）が、係止ボルト（１）の先端近くの領域内に配設されており、係止ボルト（１）の長手方向延在部に対して平行に延在することを特徴とする請求項７に記載の切替え装置。
【請求項９】
転向要素が、それぞれ、それぞれの押圧アーム（７）の先端近くの端部において転向斜面（７’）として形成されていること、そして押圧アーム（７）が、その先端から遠い端部において係止ボルト（１）と可動に結合されていることを特徴とする請求項８に記載の切替え装置。
【請求項１０】
転向斜面（７’）が、その係止ボルト（１）の中心軸に指向する端部において、それぞれの押圧アーム（７）の半径方向の偏位を制限するストッパフック（７”）を備えていることを特徴とする請求項９に記載の切替え装置。
【請求項１１】
転向斜面（７’）の設定角度が、約３０°であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の切替え装置。
【請求項１２】
係止バネ（４）の先端近くの端部と転向斜面（７’）との間に、高剛性の中間体が、特に中間リングが設けられており、この中間体によって、係止バネ（４）の押圧力が、本質的に一様に押圧アーム（７）に配分されることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１つに記載の切替え装置。
【請求項１３】
案内手段（７）が、互いに同じ角度間隔で配設されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載の切替え装置。
【請求項１４】
係止ボルト（１）の軸（５）が、案内手段（７）と共に、合成物質から、実用的な方法で射出成形法の方法で製造されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の切替え装置。
【請求項１５】
案内手段（７）によって、第１の案内部分が、係止ボルト（１）の先端近くの領域内に構成されていること、そして係止ボルト（１）の後端部の領域内に、第１の案内部分から間隔を置いた別の案内部分（８）が配設されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１つに記載の切替え装置。
【請求項１６】
後の案内部分（８）が、軸（５）を包囲するビード（１０）によって構成されていることを特徴とする請求項１５に記載の切替え装置。
【請求項１７】
ビード（１０）が、外側に丸み付けされていることを特徴とする請求項１６に記載の切替え装置。
【請求項１８】
軸（５）の後端部が、案内手段（８）として使用されるビード（１０）と共にスリット（１１）を備えていることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の切替え装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に注入された少なくとも一種類の種の注入量を現場外で判定する方法であって、
前記基板に注入された前記種を膨れさせる加熱工程と、
前記基板の表面の画像を得る工程と、そして、
前記画像を処理する工程とを備え、前記画像処理工程から注入量特性を推定することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記注入量特性は量的な特性であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記画像処理工程中に前記種の膨れの密度と大きさを分析することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記画像処理工程中に前記種の膨れの面積を計算することを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記加熱工程と前記画像を得る工程の前に、注入量の関数として前記種の膨れ密度を調整することを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の方法。
【請求項６】
膨れ密度パラメータにより、注入量を推定することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
注入量値を用いて、注入機器の補償係数を求めることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記注入量特性は質的な特性であることを特徴とする請求項１乃至７いずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記基板上の注入量の空間的な均一性を判定することにより注入量を判定することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板上の注入量の空間的な分布を得るために、前記基板の異なる部分で異なる膨れ測定を行うことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記加熱工程中の局部的な温度の影響を考慮して向きを変えて同じ条件で前記加熱工程を行った複数の基板に対して前記膨れ測定を行うことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記注入される種は水素又はヘリウムであることを特徴とする請求項１乃至１１いずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記基板は半導体材料で形成されることを特徴とする請求項１乃至１２いずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記材料はシリコン単結晶であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月19日(2004.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開放型ディープサイクル鉛蓄電池を充電する方法であって、選択された充電プロファイルにしたがってこの電池に充電エネルギーを印加する段階と、前記電池の状態が前記電池の完全充電状態に対して既知の関係を有するプロセス中の時点を識別し、前記プロセスの開始からその時点までに前記電池に供給される充電エネルギーの第１の量を求める段階と、前記第１の量に関係付けられた選択された量だけ前記電池が過充電されることを生じさせるために前記電池に印加されるときに適切である、さらに別の充電エネルギーの第２の量を求める段階と、前記第２の量の充電エネルギーを前記電池に印加する段階と、を含む方法。
【請求項２】
開放型ディープサイクル鉛蓄電池を充電する方法であって、
前記電池の初期充電不足量に等しい充電エネルギーの量をこの電池に印加する段階と、
前記充電不足量の選択されたパーセント値として予め決められた度合いに前記電池を過充電するのに適切である、この方法の実行中に前記電池から得られた情報から求められた充電エネルギーのさらに別の増分を前記電池に印加する段階と、
を含む方法。
【請求項３】
ディープサイクル鉛蓄電池を充電する装置であって、改善が、電圧測定装置と、電流測定装置と、タイマと、この装置によって充電されている電池が、完全充電かまたはそれよりも少ない状態である予め決められた充電状態を前記電池が有する充電事象中の時点に何時あるかを判定するように、および、その充電事象中のその時点に前記電池に供給される充電エネルギーの量の選択されたパーセント値だけ前記電池を過充電するのに有効な充電エネルギー量の、その時点を超えた前記電池に対する印加を求めて制御するように動作する機構と、を含む組合せを具備することを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本発明による電池再充電プロセスが終了されなければならない時点を判定するのに有用な関係は次の通りである。
ＱS／ｐ  ＝  ＱD（１＋ｘ）
ここで、ＱSとＱDは上記定義の通りであり（用語解説を参照されたい）、ｘは、電池の所望のコンディショニング（電解質攪拌）を得るために完全充電後に電池に加えられるべき補充充電ＱRのパーセント値に等しい小数である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単電池の充電カットオフ電圧が４．２Ｖ超５．８Ｖ未満であり、且つ充電電圧を４．２Ｖに限定したときの比容量に基づいて計算される単電池の正極材料と負極材料との比率が１：１．０〜１：２．５であることを特徴とする、リチウムイオン二次電池又はバッテリーの容量、平均動作電圧、及び比エネルギーの改良方法。
【請求項２】
前記単電池の充電カットオフ電圧が４．３Ｖ〜５．２Ｖの範囲内にあることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
単電池の前記充電カットオフ電圧が４．３Ｖ〜４．８Ｖの範囲内にあることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記単電池の正極材料と負極材料との比率が１：１．１５〜１：２．５であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
リチウムイオン二次単電池の充電カットオフ電圧が４．２Ｖ超５．８Ｖ未満であり、且つ充電カットオフ電圧を４．２Ｖに設定したときの理論上の容量に基づいて計算されるこの単電池の正極材料と負極材料との比率が１：１．０〜１：２．５であることを特徴とする、リチウムイオン二次電池又はバッテリー。
【請求項６】
リチウムイオン二次単電池の前記充電カットオフ電圧が４．３Ｖ〜５．２Ｖの範囲内であることを特徴とする、請求項５に記載のリチウムイオン二次電池又はバッテリー。
【請求項７】
リチウムイオン二次単電池の前記充電カットオフ電圧が４．３Ｖ〜４．８Ｖの範囲内であることを特徴とする、請求項５に記載のリチウムイオン二次電池又はバッテリー。
【請求項８】
前記単電池の正極材料と負極材料との比率が１：１．１５〜１：２．５であることを特徴とする、請求項５に記載のリチウムイオン二次電池又はバッテリー。
【請求項９】
前記リチウムイオン単電池が４．３５Ｖを超える最初の過充電保護電圧及び４．１５Ｖを超える過充電開放電圧を有することを特徴とする、請求項２に記載のリチウムイオン二次電池又はバッテリー。
【請求項１０】
前記リチウムイオン単電池が４．４５Ｖを超える最初の過充電保護電圧及び４．２５Ｖを超える過充電開放電圧を有することを特徴とする、請求項９に記載のリチウムイオン二次電池又はバッテリー。
【請求項１１】
請求項５〜１０のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池又はバッテリー用の保護回路であって、前記保護回路のリチウムイオン単電池が４．３５Ｖを超える最初の過充電保護電圧及び４．１５Ｖを超える過充電開放電圧を有することを特徴とする、保護回路。
【請求項１２】
前記保護回路のリチウムイオン単電池が４．４５Ｖを超える最初の過充電保護電圧及び４．２５Ｖを超える過充電開放電圧を有することを特徴とする、請求項１１に記載の保護回路。
【請求項１３】
エネルギー源としてリチウムイオン二次電池又はバッテリーを用いる電子装置であって、前記電子装置が保護回路を含み、そのリチウムイオン単電池が４．３５Ｖを超える最初の過充電保護電圧及び４．１５Ｖを超える過充電開放電圧を有することを特徴とする、電子装置。
【請求項１４】
前記電子装置が保護回路を含み、そのリチウムイオン単電池が４．４５Ｖを超える最初の過充電保護電圧及び４．２５Ｖを超える過充電開放電圧を有することを特徴とする、請求項１３に記載の電子装置。
【請求項１５】
リチウムイオン二次電池又はバッテリー用の充電装置であって、前記充電装置が、リチウムイオン単電池に対する充電カットオフ電圧を、４．３Ｖ超５．８Ｖ未満に制御することを特徴とする、充電装置。
【請求項１６】
前記充電装置が、リチウムイオン単電池に対する充電カットオフ電圧を、４．３Ｖ〜５．２Ｖの範囲内に制御することを特徴とする、請求項１５に記載の充電装置。
【請求項１７】
前記充電装置が、リチウムイオン単電池に対する充電カットオフ電圧を、４．３Ｖ〜４．８Ｖの範囲内に制御することを特徴とする、請求項１５に記載の充電装置。