【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インゴットからもたらされ、少なくとも９９．９５％の純度であり、且つ実質的に均一な平均粒径を有する、押出タンタル又はニオブビレット。
【請求項２】  該平均粒径が１５０μｍ以下である、請求項１に記載の押出タンタル又はニオブビレット。
【請求項３】  該平均粒径が２５μｍ〜１００μｍである、請求項１に記載の押出タンタル又はニオブビレット。
【請求項４】  前記純度が少なくとも９９．９９５％である、請求項１に記載の押出タンタル又はニオブビレット。
【請求項５】  該タンタル又はニオブビレットが再結晶化されている、請求項１に記載の押出タンタル又はニオブビレット。
【請求項６】  請求項１に記載の押出タンタル又はニオブビレットを含む、スパッタターゲット。
【請求項７】  請求項１に記載の押出タンタル又はニオブビレットを含む、キャパシタ缶。
【請求項８】  タンタル又はニオブビレット又はインゴットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で、初期タンタル又はニオブビレット又はインゴットを押出すことを含む、請求項１に記載の押出タンタル又はニオブビレットの製造方法。
【請求項９】  該十分な温度が１２００°Ｆ（約６４９℃）〜２９５０°Ｆ（約１６２１℃）である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  インゴットを少なくとも１つの出発ビレットに切断すること、および該出発ビレット上に保護コーティングを付着させるかもしくは該出発ビレットを缶内に入れること；ならびに
タンタル又はニオブビレットを少なくとも部分的に再結晶化して該押出タンタル又はニオブビレットを形成するのに十分な温度および十分な時間で、該出発ビレットを押出すこと、を含む、請求項１に記載の押出タンタル又はニオブビレットの製造方法。
【請求項１１】  該押出タンタル又はニオブビレットをアニール処理することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本発明の他の態様は本明細書を考慮し、そしてここに開示された本発明の実施から当業者に明らかであろう。発明の詳細な説明および実施例は例示的なものであり、本発明の範囲および精神は特許請求の範囲およびその均等物により示される。本発明の態様としては下記の態様を挙げることができる：
（１）実質的に均一な粒径を有するタンタルビレット。
（２）実質的に均一な平均粒径を有する押出タンタルビレット。
（３）該平均粒径が約１５０μｍ以下である、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（４）該平均粒径が約１００μｍ以下である、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（５）該平均粒径が約５０μｍ以下である、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（６）該平均粒径が約２５μｍ〜約１００μｍである、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（７）少なくとも約９９．９９５％の純度を有する、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（８）該タンタルビレットが十分に再結晶化されている、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（９）該タンタルビレットが少なくとも部分的に再結晶化されている、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（１０）該タンタルビレットが約９８％以上再結晶化されている、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（１１）該タンタルビレットが約８０％以上再結晶化されている、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（１２）約９９．９９５％〜約９９．９９９％の純度を有する、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（１３）少なくとも１つの合金材料をさらに含む、上記（２）項に記載の押出タンタルビレット。
（１４）上記（２）項に記載の押出タンタルビレットを含むスパッタターゲット。
（１５）上記（２）項に記載の押出タンタルビレットを含むキャパシタ缶。
（１６）上記（２）項に記載の押出タンタルビレットを含む抵抗膜層。
（１７）少なくとも１成分として上記（２）項に記載の押出タンタルビレットを含む物品。
（１８）押出時にタンタルビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で、タンタルインゴットを押出すことを含む、上記（２）項に記載の押出タンタルビレットの製造方法。
（１９）該十分な温度が約１２００°Ｆ（約６４９℃）〜約２９５０°Ｆ（約１６２１℃）である、上記（１８）項に記載の方法。
（２０）該温度が押出プロセスにわたって均一である、上記（１８）項に記載の方法。
（２１）押出後に押出タンタルビレットを急水冷する段階をさらに含む、上記（１８）項に記載の方法。
（２２）押出タンタルビレットを機械クリーニングすることをさらに含む、上記（１８）項に記載の方法。
（２３）タンタルビレットを少なくとも部分的に再結晶化して該押出タンタルビレットを形成するのに十分な温度および十分な時間で、出発タンタルビレットを押出すことを含む、上記（２）項に記載の押出タンタルビレットの製造方法。
（２４）該十分な温度が約１２００°Ｆ（約６４９℃）〜約２９５０°Ｆ（約１６２１℃）である、上記（２３）項に記載の方法。
（２５）該温度が押出プロセスにわたって均一である、上記（２３）項に記載の方法。
（２６）押出後に押出タンタルビレットを急水冷する段階をさらに含む、上記（２３）項に記載の方法。
（２７）押出タンタルビレットを機械クリーニングすることをさらに含む、上記（２３）項に記載の方法。
（２８）インゴットを少なくとも１つの出発ビレットに切断すること、ならびに該出発ビレット上に保護コーティングを付着させるかもしくは該出発ビレットを缶内に入れること；ならびに
タンタルビレットを少なくとも部分的に再結晶化して該押出タンタルビレットを形成するのに十分な温度および十分な時間で、出発ビレットを押出すことを含む、上記（２）項に記載の押出タンタルビレットの製造方法。
（２９）該十分な温度が約１２００°Ｆ（約６４９℃）〜約２９５０°Ｆ（約１６２１℃）である、上記（２８）項に記載の方法。
（３０）該温度が押出プロセスにわたって均一である、上記（２８）項に記載の方法。
（３１）押出後に押出タンタルビレットを急水冷する段階をさらに含む、上記（２８）項に記載の方法。
（３２）押出タンタルビレットを機械クリーニングすることをさらに含む、上記（２８）項に記載の方法。
（３３）該インゴットが高純度タンタル粉末供給原料の電子ビーム溶解により得られる、上記（２８）項に記載の方法。
（３４）該保護コーティングもしくは缶が該押出し後に除去される、上記（２８）項に記載の方法。
（３５）該保護コーティングが酸洗もしくは機械クリーニング、またはその両方により除去される、上記（３４）項に記載の方法。
（３６）実質的に均一な粒径を有するニオブビレット。
（３７）実質的に均一な平均粒径を有する押出ニオブビレット。
（３８）該平均粒径が約１５０μｍ以下である、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（３９）該平均粒径が約１００μｍ以下である、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（４０）該平均粒径が約５０μｍ以下である、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（４１）該平均粒径が約２５μｍ〜約１００μｍである、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（４２）少なくとも約９９．９９５％の純度を有する、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（４３）該ニオブビレットが十分に再結晶化されている、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（４４）該ニオブビレットが少なくとも部分的に再結晶化されている、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（４５）該ニオブビレットが約９８％以上再結晶化されている、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（４６）該ニオブビレットが約８０％以上再結晶化されている、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（４７）約９９．９９５％〜約９９．９９９％の純度を有する、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（４８）少なくとも１つの合金材料をさらに含む、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレット。
（４９）上記（３７）項に記載の押出ニオブビレットを含むスパッタターゲット。
（５０）上記（３７）項に記載の押出ニオブビレットを含むキャパシタ缶。
（５１）上記（３７）項に記載の押出ニオブビレットを含む抵抗膜層。
（５２）少なくとも１成分として、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレットを含む物品。
（５３）押出時にニオブビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で、ニオブインゴットを押出すことを含む、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレットの製造方法。
（５４）該十分な温度が約１０００°Ｆ（約５３８℃）〜約２６５０°Ｆ（約１４５４℃）である、上記（５３）項に記載の方法。
（５５）該温度が押出プロセスにわたって均一である、上記（５３）項に記載の方法。
（５６）押出後に押出ニオブビレットを急水冷する段階をさらに含む、上記（５３）項に記載の方法。
（５７）押出ニオブビレットを機械クリーニングすることをさらに含む、上記（５３）項に記載の方法。
（５８）ニオブビレットを少なくとも部分的に再結晶化して該押出ニオブビレットを形成するのに十分な温度および十分な時間で、出発ニオブビレットを押出すことを含む、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレットの製造方法。
（５９）該十分な温度が約１０００°Ｆ（約５３８℃）〜約２６５０°Ｆ（約１４５４℃）である、上記（５８）項に記載の方法。
（６０）該温度が押出プロセスにわたって均一である、上記（５８）項に記載の方法。
（６１）押出後に押出ニオブビレットを急水冷する段階をさらに含む、上記（５８）項に記載の方法。
（６２）押出ニオブビレットを機械クリーニングすることをさらに含む、上記（５８）項に記載の方法。
（６３）インゴットを少なくとも１つの出発ビレットに切断すること、ならびに該出発ビレット上に保護コーティングを付着させるかもしくは該出発ビレットを缶内に入れること；ならびに
ニオブビレットを少なくとも部分的に再結晶化して該押出ニオブビレットを形成するのに十分な温度および十分な時間で、出発ビレットを押出すことを含む、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレットの製造方法。
（６４）該十分な温度が約１０００°Ｆ（約５３８℃）〜約２６５０°Ｆ（約１４５４℃）である、上記（６３）項に記載の方法。
（６５）該温度が押出プロセスにわたって均一である、上記（６３）項に記載の方法。
（６６）押出後に押出ニオブビレットを急水冷する段階をさらに含む、上記（６３）項に記載の方法。
（６７）押出ニオブビレットを機械クリーニングすることをさらに含む、上記（６３）項に記載の方法。
（６８）該インゴットが高純度ニオブ粉末供給原料の電子ビーム溶解により得られる、上記（６３）項に記載の方法。
（６９）該保護コーティングもしくは缶が該押出し後に除去される、上記（６３）項に記載の方法。
（７０）該保護コーティングが酸洗もしくは機械クリーニング、またはその両方により除去される、上記（６９）項に記載の方法。
（７１）該押出タンタルビレットをアニールすることをさらに含む、上記（１８）項に記載の方法。
（７２）該アニールが、アニール時に押出タンタルビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で生じる、（７１）項に記載の方法。
（７３）該アニールが約９５０℃〜約１１５０℃の温度、約２時間で生じる、上記（７１）項に記載の方法。
（７４）該押出タンタルビレットをアニールすることをさらに含む、上記（２３）項に記載の方法。
（７５）該アニールが、アニール時に押出タンタルビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で生じる、上記（７４）項に記載の方法。
（７６）該アニールが約９５０℃〜約１１５０℃の温度、約２時間で生じる、上記（７４）項に記載の方法。
（７７）該押出タンタルビレットをアニールすることをさらに含む、上記（２８）項に記載の方法。
（７８）該アニールが、アニール時に押出タンタルビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で生じる、上記（７７）項に記載の方法。
（７９）該アニールが約９５０℃〜約１１５０℃の温度、約２時間で生じる、上記（７７）項に記載の方法。
（８０）該押出ニオブビレットをアニールすることをさらに含む、上記（５３）項に記載の方法。
（８１）該アニールが、アニール時に押出ニオブビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で生じる、上記（８０）項に記載の方法。
（８２）該アニールが約９５０℃〜約１１５０℃の温度、約２時間で生じる、上記（８０）項に記載の方法。
（８３）該押出ニオブビレットをアニールすることをさらに含む、上記（５８）項に記載の方法。
（８４）該アニールが、アニール時に押出ニオブビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で生じる、上記（８３）項に記載の方法。
（８５）該アニールが約９５０℃〜約１１５０℃の温度、約２時間で生じる、上記（８３）項に記載の方法。
（８６）該押出ニオブビレットをアニールすることをさらに含む、上記（６３）項に記載の方法。
（８７）該アニールが、アニール時に押出ニオブビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で生じる、上記（８６）項に記載の方法。
（８８）該アニールが約９５０℃〜約１１５０℃の温度、約２時間で生じる、上記（８６）項に記載の方法。
（８９）押出タンタルビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で、タンタルインゴットを押出して押出タンタルビレットを形成すること、ついで該押出タンタルビレットをアニールすることを含む、上記（２）項に記載の押出タンタルビレットの製造方法。
（９０）押出タンタルビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で、出発タンタルビレットを押出して該押出タンタルビレットを形成すること、ついで該押出タンタルビレットをアニールすることを含む、上記（２）項に記載の押出タンタルビレットの製造方法。
（９１）インゴットを少なくとも１つの出発ビレットに切断すること、ならびに該出発ビレット上に保護コーティングを付着させるかもしくは該出発ビレットを缶内に入れること；ならびに
押出タンタルビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で、出発ビレットを押出して該押出タンタルビレットを形成すること、ついで該押出タンタルビレットをアニールすることを含む、上記（２）項に記載の押出タンタルビレットの製造方法。
（９２）押出ニオブビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で、ニオブインゴットを押出して押出ニオブビレットを形成すること、ついで該押出ニオブビレットをアニールすることを含む、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレットの製造方法。
（９３）押出ニオブビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で、出発ニオブビレットを押出して該押出ニオブビレットを形成すること、ついで該押出ニオブビレットをアニールすることを含む、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレットの製造方法。
（９４）インゴットを少なくとも１つの出発ビレットに切断すること、ならびに該出発ビレット上に保護コーティングを付着させるかもしくは該出発ビレットを缶内に入れること；ならびに
押出ニオブビレットを少なくとも部分的に再結晶化するのに十分な温度および十分な時間で、出発ビレットを押出して該押出ニオブビレットを形成すること、ついで該押出ニオブビレットをアニールすることを含む、上記（３７）項に記載の押出ニオブビレットの製造方法。