(57)【要約】  従来、導電性高分子とイオン液体からなる電解質組成物は、導電性高分子コンデンサに用いた場合、耐久性に劣る場合がある（特にインピーダンス特性）という課題があった。本発明は、アニオン成分にカルボン酸を有するイオン液体を用いることにより、耐久性に優れた電解質組成物を提供するものである。またカルボン酸は、水酸基を有するものであるか、アミノ酸であることが好ましい。また電解質組成物は、（Ａ）導電性高分子モノマーと（Ｂ）イオン液体からなるものであることが好ましい。また電解質組成物は、アンモニウム塩、アミン塩、又は四級アンモニウム塩等を含有することが好ましい。
2009031490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性高分子モノマーと、ギ酸アニオンを有するイオン液体および／または一般式（１）；
【化１】
2009031490.tif 000032
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に水素原子，保護または無保護の水酸基，保護または無保護のアミノ基，アルコキシ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，ハロゲン原子，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20のアルケニル基，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20のアルキニル基，置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基，置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ20のヘテロアリール基，置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ20のアラルキル基，置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ20のヘテロアラルキル基を表し、互いに同じであっても異なっていてもよく、また一緒になって環を形成してもよい）
で表されるアニオンを有するイオン液体を少なくとも１種以上含むことを特徴とする電解質組成物。
【請求項２】
前記式（１）において、Ｒ1もしくはＲ2の少なくとも一方が保護または無保護の水酸基であることを特徴とする請求項１に記載の電解質組成物。
【請求項３】
前記式（１）において、Ｒ1もしくはＲ2の少なくとも一方が、直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基、または置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基であることを特徴とする請求項１または２に記載の電解質組成物。
【請求項４】
前記式（１）において、Ｒ1もしくはＲ2の一方が保護または無保護の水酸基であり、もう片方が直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基、または置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項５】
前記式（１）がマンデル酸及びその誘導体であることを特徴とする請求項４に記載の電解質組成物。
【請求項６】
アニオン成分がアミノ酸又はアミノ酸誘導体であるイオン液体、及び、導電性高分子を含むことを特徴とする請求項１に記載の電解質組成物。
【請求項７】
アニオン成分が一般式（２）；
【化２】
2009031490.tif 000033
（式中、Ｒ3は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基、置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ20のアラルキル基、又は水素原子を表し、Ｒ4は水素原子又はアミノ基の保護基を表す）
で表されるアミノ酸であることを特徴とする請求項１または６に記載の電解質組成物。
【請求項８】
アニオン成分がグリシン、フェニルグリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、シスチン、メチオニン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトファン、ヒスチジン、リシン、アルギニン、アスパラギン酸、アスパラギン、グルタミン酸、グルタミン、オルニチン及びこれらの誘導体からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の電解質組成物。
【請求項９】
アニオン成分が一般式（３）；
【化３】
2009031490.tif 000034
（式中、Ｒ4は前記と同じ意味を表し、ｎは１〜５の整数を表す）
或いは一般式（４）；
【化４】
2009031490.tif 000035
（式中、Ｒ4、ｎは前記と同じ意味を表す）
で表されるアミノ酸であることを特徴とする請求項６に記載の電解質組成物。
【請求項１０】
アニオン成分がプロリン、ピペコリン酸、ニペコチン酸及びこれらの誘導体からなる群より選択されることを特徴とする請求項９に記載の電解質組成物。
【請求項１１】
イオン液体が、陽極酸化法によって弁金属表面へ酸化膜を形成する能力を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項１２】
イオン液体のカチオン成分が、アンモニウムイオン、イミダゾリニウムイオン、ピリジニウムイオン、ピロリジニウムイオン、ピロリニウムイオン、ピラジニウムイオン、ピリミジニウムイオン、トリアゾニウムイオン、トリアジニウムイオン、トリアジンイオン、キノリニウムイオン、イソキノリニウムイオン、インドリニウムイオン、キノキサリニウムイオン、ピペラジニウムイオン、オキサゾリニウムイオン、チアゾリニウムイオン、モルフォリニウムイオン、ピペラジンイオン及びこれらの誘導体からなる群より選択されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項１３】
導電性高分子を構成するモノマーがピロール、アニリン、チオフェンおよびこれらの誘導体からなる群より選択される少なくとも１種または２種以上を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項１４】
イオン液体に加えて、アンモニウム塩、アミン塩、四級アンモニウム塩、三級アミンおよび有機酸、イミダゾリウム塩、アミジン塩からなる群より選択される少なくとも１種以上の物質を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項１５】
ギ酸アニオンを有するイオン液体および／または前記式（１）で表されるアニオンを有するイオン液体の添加量が、導電性高分子モノマーに対して０．０１モル当量以上０．５モル当量以下であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項１６】
アンモニウム塩、アミン塩、四級アンモニウム塩、三級アミンおよび有機酸、イミダゾリウム塩、アミジン塩からなる群より選択される少なくとも１種以上の物質がイオン液体に対して１重量％以上５０重量％以下含まれることを特徴とする請求項１４に記載の電解質組成物。
【請求項１７】
下記式（５）；
【化５】
2009031490.tif 000036
で表されるイオン液体。
【請求項１８】
下記式（６）；
【化６】
2009031490.tif 000037
で表されるイオン液体。
【請求項１９】
下記式（７）；
【化７】
2009031490.tif 000038
で表されるイオン液体。
【請求項２０】
下記式（８）；
【化８】
2009031490.tif 000039
で表されるイオン液体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性高分子モノマーとイオン液体を用いる新規電解質組成物、その製造方法、およびイオン液体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、導電性高分子を電解質として用いた電解コンデンサは、その優れたインピーダンス特性により市場を拡大しつつある。【０００３】
電解コンデンサは、典型的には、固体であるポリピロールあるいはポリチオフェン誘導体等の導電性高分子を電解質として用いたものである。これらの導電性高分子は、通常の液体を電解質として用いた電解コンデンサと比べてその電気伝導度（すなわち電子伝導性）がはるかに高いため、該導電性高分子を電解質とするコンデンサでは内部インピーダンスを低減する事ができ、特に高周波回路用コンデンサとして優れた特性を発揮する。
しかしながらいずれの導電性高分子コンデンサにおいても、導電性高分子は本質的にイオン伝導性を有していないので、コンデンサの誘電酸化皮膜の修復性（すなわち陽極酸化作用）の点では、従来の電解液を用いたコンデンサに比較して大きく劣るものであった。この結果、電解コンデンサにおいては高耐電圧のコンデンサを作る事が出来ないという欠点があった。具体的には、通常アルミニウムを陽極として用いた電解コンデンサでは、たとえば４０Ｖ化成を行った場合、実使用上の電圧は１６Ｖ程度であり、タンタルを用いた電解コンデンサでは、例えば２４Ｖ化成を行った場合、実使用上の電圧は１２Ｖ程度である。ここで、４０Ｖ化成とは、弁金属表面に誘電体の酸化皮膜を形成する際に印加する直流電圧が４０Ｖであることを意味し、理想的には４０Ｖの耐電圧を有するコンデンサが得られるはずである。化成電圧を大きくして実使用上の耐電圧を上げる事は原理的には可能であるが、その場合には化成電圧が高くなるに従ってコンデンサ容量が小さくなり、さらに化成電圧を高くしても実使用上の耐電圧はそれに比例して上昇しないという問題がある。
この様な問題点を解決するために、本発明者らはイオン液体と導電性高分子とからなる電解質をすでに開発している（特許文献１〜３）。これはイオン液体が優れた弁金属の陽極酸化作用を有し、例えばアルミニウムの酸化膜の欠陥を修復できる事を発見して成されたもので、この発明により高耐電圧の電解コンデンサが実現できた。
しかし本発明者らがさらに詳細に検討したところ、従来のイオン液体を用いた場合、インピーダンス特性が低下しやすいことが新たに明らかになった。すなわちコンデンサの耐久性が十分でない場合があった。さらに本発明者らの検討により、従来のイオン液体では陽極酸化能力が不充分なため、上記酸化皮膜の腐食や皮膜欠陥の修復が間に合わず、最終的には酸化皮膜の破壊が起こりショートに至ってしまうという問題があることも明らかになった。すなわちイオン液体と導電性高分子とからなる電解質では、良好な耐久性を確保する事が大きな課題であることが分かった。
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００５／０１２５９９号パンフレット
【特許文献２】国際公開ＷＯ２００５／０５１８９７号パンフレット
【特許文献３】国際公開ＷＯ２００６／０８８０３３号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、新たに発見された上記課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、時間の経過によるインピーダンス特性の低下を招くことなく、高耐圧（好適には、化成電圧の７０％以上）を有する導電性高分子電解質を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記に鑑み鋭意検討を行った結果、導電性高分子モノマーと、特定のアニオン成分を有するイオン液体群から選択される少なくとも１種以上のイオン液体を含む組成物から得られた導電性高分子電解質が、従来にない優れた耐久性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。この場合、酸化皮膜の腐食の程度が従来のイオン液体と比較して低減される。さらに本発明者らは、カルボン酸アニオンを有するイオン液体が、従来にない高い陽極酸化能力を有することを新たに見出し、本発明を完成するに至った。【０００６】
すなわち本発明は、以下の〔１〕〜〔１９〕である。
〔１〕導電性高分子モノマーと、ギ酸アニオンを有するイオン液体および／または一般式（１）；【０００７】
【化９】
2009031490.tif 000003
【０００８】
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に水素原子，保護または無保護の水酸基，保護または無保護のアミノ基，アルコキシ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，ハロゲン原子，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20のアルケニル基，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20のアルキニル基，置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基，置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ20のヘテロアリール基，置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ20のアラルキル基，置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ20のヘテロアラルキル基を表し、互いに同じであっても異なっていてもよく、また一緒になって環を形成してもよい）
で表されるアニオンを有するイオン液体を少なくとも１種以上含むことを特徴とする電解質組成物。
〔２〕前記式（１）において、Ｒ1もしくはＲ2の少なくとも一方が保護または無保護の水酸基であることを特徴とする〔１〕に記載の電解質組成物。
〔３〕前記式（１）において、Ｒ1もしくはＲ2の少なくとも一方が、直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基、または置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基であることを特徴とする〔１〕または〔２〕に記載の電解質組成物。
〔４〕前記式（１）において、Ｒ1もしくはＲ2の一方が保護または無保護の水酸基であり、もう片方が直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基、または置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基であることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の電解質組成物。
〔５〕アニオン成分がアミノ酸又はアミノ酸誘導体であるイオン液体、及び、導電性高分子を含むことを特徴とする〔１〕に記載の電解質組成物。
〔６〕アニオン成分が一般式（２）で表されるアミノ酸であることを特徴とする〔１〕または〔５〕に記載の電解質組成物。
〔７〕アニオン成分がグリシン、フェニルグリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、シスチン、メチオニン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトファン、ヒスチジン、リシン、アルギニン、アスパラギン酸、アスパラギン、グルタミン酸、グルタミン、オルニチン及びこれらの誘導体からなる群から選択されることを特徴とする〔６〕に記載の電解質組成物。
〔８〕アニオン成分が一般式（３）或いは一般式（４）で表されるアミノ酸であることを特徴とする〔５〕に記載の電解質組成物。
〔９〕アニオン成分がプロリン、ピペコリン酸、ニペコチン酸及びこれらの誘導体からなる群より選択されることを特徴とする〔８〕に記載の電解質組成物。
〔１０〕イオン液体が、陽極酸化法によって弁金属表面へ酸化膜を形成する能力を有することを特徴とする〔１〕〜〔９〕のいずれかに記載の電解質組成物。
〔１１〕イオン液体のカチオン成分が、アンモニウムイオン、イミダゾリニウムイオン、ピリジニウムイオン、ピロリジニウムイオン、ピロリニウムイオン、ピラジニウムイオン、ピリミジニウムイオン、トリアゾニウムイオン、トリアジニウムイオン、トリアジンイオン、キノリニウムイオン、イソキノリニウムイオン、インドリニウムイオン、キノキサリニウムイオン、ピペラジニウムイオン、オキサゾリニウムイオン、チアゾリニウムイオン、モルフォリニウムイオン、ピペラジンイオン及びこれらの誘導体からなる群より選択されることを特徴とする、〔１〕〜〔１０〕のいずれかに記載の電解質組成物。
〔１２〕導電性高分子を構成するモノマーがピロール、アニリン、チオフェンおよびこれらの誘導体からなる群より選択される少なくとも１種または２種以上を含むことを特徴とする〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の電解質組成物。
〔１３〕イオン液体に加えて、アンモニウム塩、アミン塩、四級アンモニウム塩、三級アミンおよび有機酸、イミダゾリウム塩、アミジン塩からなる群より選択される少なくとも１種以上の物質を含むことを特徴とする〔１〕〜〔１２〕のいずれかに記載の電解質組成物。
〔１４〕ギ酸アニオンを有するイオン液体および／または前記式（１）で表されるアニオンを有するイオン液体の添加量が、導電性高分子モノマーに対して０．０１モル当量以上０．５モル当量以下であることを特徴とする〔１〕〜〔１３〕のいずれかに記載の電解質組成物。
〔１５〕アンモニウム塩、アミン塩、四級アンモニウム塩、三級アミンおよび有機酸、イミダゾリウム塩、アミジン塩からなる群より選択される少なくとも１種以上の物質がイオン液体に対して１重量％以上５０重量％以下含まれることを特徴とする〔１３〕に記載の電解質組成物。
〔１６〕下記式（５）で表されるイオン液体。【０００９】
【化１０】
2009031490.tif 000004
【００１０】
〔１７〕下記式（６）で表されるイオン液体。【００１１】
【化１１】
2009031490.tif 000005
【００１２】
〔１８〕下記式（７）で表されるイオン液体。【００１３】
【化１２】
2009031490.tif 000006
【００１４】
〔１９〕下記式（８）で表されるイオン液体。【００１５】
【化１３】
2009031490.tif 000007
【００１６】
上記式（５）〜（８）で表されるイオン液体は、本発明者らにより優れた陽極酸化能力を有することが見出された新規のイオン液体である。
【発明の効果】
【００１７】
導電性高分子モノマーと特定のアニオン成分を有するイオン液体からなる電解質組成物、または導電性高分子モノマーと特定のアニオン成分を有するイオン液体および特定の塩からなる電解質組成物を用いることによって、耐久性に優れ、また陽極酸化能力に優れた導電性高分子電解質を得る事が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】インピーダンス測定に用いた水銀セル
【図２】イオン液体によるアルミの陽極酸化に用いたセル
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施形態を詳細に説明する。
まず本発明において用いられる導電性高分子モノマーについて説明する。導電性高分子モノマーとは、重合して導電性高分子を与え得るモノマーをいう。本発明において用いられる導電性高分子モノマーは、特に制限されるものではないが、例えばチオフェンまたはその誘導体、ピロールまたはその誘導体、アニリンまたはその誘導体などのポリマーが挙げられる。チオフェン誘導体としては、３,４−エチレンジオキシチオフェン、３−アルキルチオフェン（アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など）、フルオロフェニルチオフェン、アリルチオフェン、３−メトキシチオフェン、３−クロロチオフェン、３−アセチルチオフェンなどが挙げられ、ピロール誘導体としては、３−メチルピロール、１−（ジメチルアミノ）ピロールなどが挙げられ、アニリン誘導体としては、ｏ−トルイジン、ｍ−トルイジン、１，３−ベンゼンジアミン、１，２−ベンゼンジアミン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、２−フルオロアニリン、３−フルオロアニリン、２−エチニルアニリン、３−エチニルアニリン、２−アミノベンゾニトリル、３−アミノベンゾニトリル、３−ビニルアニリン、２，３−ジメチルアニリン、３，５−ジメチルアニリン、２，５−ジメチルアニリン、２−（アミノメチル）アニリン、４−メチル−１，２−ベンゼンジアミン、２−メチル−１，３−ベンゼンジアミン、４−メチル−１，３−ベンゼンジアミン、２−メトキシアニリン、３−メトキシアニリン、２，３−ジアミノフェノール、５−フルオロ−２−メチルアニリン、２−フルオロ−５−メチルアニリン、３−フルオロ−２−メチルアニリン、２−クロロアニリンなどが挙げられる。ポリマーの導電性が高く、かつ空気中で安定であることからポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）またはポリピロールが好ましく、導電性および耐熱性の観点からポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。また、二種類以上の導電性高分子モノマーからなるポリマーであってもよい。
次に、本発明において用いられるイオン液体について説明する。イオン液体は、常温溶融塩ともいわれ、イオンのみから構成されているにも関わらず常温で液体であるものを指し、イミダゾリニウムなどのカチオンと適当なアニオンの組み合わせから構成される。イオン液体は、通常の有機溶媒のように一部がイオン化・解離しているのではなく、イオンのみから形成され１００％イオン化していると考えられている。上述のように、通常イオン液体は常温で液体であるものをいうが、本発明で用いるイオン液体は必ずしも常温で液体である必要はなく、コンデンサのエージング処理、または熱処理時に液体となって電解質全体に広がり、誘電酸化皮膜修復時にその発生するジュール熱によって液体となるものであればよい。【００２０】
本発明においては、ギ酸アニオンを有するイオン液体および／または一般式（１）；【００２１】
【化１４】
2009031490.tif 000008
【００２２】
で表されるアニオンを有するイオン液体を用いることができる。前記式（１）で表されるアニオンを有するイオン液体について説明する。前記式（１）で表されるアニオンは後述するカチオンと対になって常温で液体の塩、すなわちイオン液体を形成する。【００２３】
前記式（１）においてＲ1およびＲ2は、それぞれ独立に水素原子，保護または無保護の水酸基，保護または無保護のアミノ基，アルコキシ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，ハロゲン原子，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20のアルケニル基，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20のアルキニル基，置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基，置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ20のヘテロアリール基，置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ20のアラルキル基，置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ20のヘテロアラルキル基を表し、互いに同じであっても異なっていてもよく、また一緒になって環を形成してもよい。【００２４】
なお、本発明において「置換基を有していてもよい」とは、他の原子あるいは置換基によって置換されていてもよいことを示す。「置換基」とは、反応に悪影響を与えない限り特に限定されるものではなく、具体的には、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、ハロゲン原子などが挙げられる。【００２５】
上記Ｒ1およびＲ2についてさらに説明する。直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基としては、特に限定されるものではないが、例えばメチル基、ヒドロキシメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、などを挙げることができ、またこれらのアルキル基の水素原子が任意の数だけフッ素原子で置換されたものを挙げることができる。直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20のアルケニル基としては、例えば、ビニル基，プロペニル基，スチリル基，イソプロペニル基，シクロプロペニル基，ブテニル基，シクロブテニル基，シクロペンテニル基，ヘキセニル基，シクロヘキセニル基などが挙げられる。直鎖または分岐もしくは環を形成していても良く置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ6のアルキニル基としては、例えば、エチニル基，プロピニル基，フェニルエチニル基，シクロプロピルエチニル基，ブチニル基，ペンチニル基，シクロブチルエチニル基，ヘキシニル基などが挙げられる。置換基を有していても良いアリール基としては、例えば、フェニル基，ナフチル基，アントリル基，フェナントリル基，テルフェニル基，３，４，５−トリフルオロフェニル基などが挙げられる。置換基を有していても良いヘテロアリール基としては、例えば、ピロリニル基，ピリジル基，キノリル基，イミダゾリル基，フリル基，インドリル基，チエニル基，オキサゾリル基，チアゾリル基，２−フェニルチアゾリル，２−アニシルチアゾリル基などが挙げられる。置換基を有していても良いアラルキル基としては、例えば、ベンジル基，クロロベンジル基，ブロモベンジル基，サリチル基、α−ヒドロキシベンジル基、フェネチル基，α−ヒドロキシフェネチル基、ナフチルメチル基，アントラセニルメチル基，３，５−ジフルオロベンジル基，トリチル基などが挙げられる。置換基を有していても良いヘテロアラルキル基としては、ピリジルメチル基，ジフルオロピリジルメチル基，キノリルメチル基，インドリルメチル基，フルフリル基，チエニルメチル基などが挙げられる。あるいはＲ1とＲ2が一緒になって環を形成していてもよく、シクロヘキシル基、フェニル基などが例示される。また、Ｒ1または／およびＲ2が水酸基である、または置換基として水酸基を有する場合には、水酸基は保護されていても無保護でもよく、保護されている場合には保護基は特に制限されるものではないが、例えば一般的な保護基を使用すればよく、例えば「ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ  ＧＲＯＵＰＳ  ｉｎ  ＯＲＧＡＮＩＣ  ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ  ＴＨＩＲＤ  ＥＤＩＴＩＯＮ」（１７ページ  ＷＩＬＥＹ−ＩＮＴＥＲＳＣＩＥＮＣＥ）記載のものが挙げられる。水酸基の保護基としては、具体的には、メチル基、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基などのエーテル系保護基や、アセチル基、クリロアセチル基などのエステル系保護基を挙げることができる。【００２６】
さらにＲ1および／またはＲ2がアミノ基であるか、置換基としてアミノ基を有する場合には、アミノ基は保護されていても無保護でもよく、保護されている場合には保護基は特に制限されるものではないが、例えば一般的な保護基を使用すればよく、例えば「ＰＲＯＴＥＣＴＩＶＥ  ＧＲＯＵＰＳ  ｉｎ  ＯＲＧＡＮＩＣ  ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ  ＴＨＩＲＤ  ＥＤＩＴＩＯＮ」（４９４ページ  ＷＩＬＥＹ−ＩＮＴＥＲＳＣＩＥＮＣＥ）記載のものが挙げられる。アミノ基の保護基についてはさらに詳細を前記式（１）のＲ4の説明において後述する。【００２７】
これらのイオン液体は単独で用いてもよいし、二種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。また分子内に不斉点を有する場合には、光学活性体であってもよいし、ラセミ体でもよい。陽極酸化能力および入手の容易さの観点からは、Ｒ1およびＲ2は少なくとも片方が水素原子または水酸基であり、もう片方がメチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基などであることが好ましい。Ｒ1およびＲ2の少なくとも片方が水酸基である場合には、保護されていても無保護でもよいが、一般に無保護のほうが高い陽極酸化能力を示し好ましい。より具体的にはＲ1およびＲ2の少なくとも片方が水酸基であり、もう片方がフェニル基である、すなわちマンデル酸あるいはその誘導体が特に好ましい。またＲ1とＲ2が一緒になってシクロヘキシル基、フェニル基を形成しているものも好ましい例として挙げられる。
次にイオン液体のアニオン成分がアミノ酸である場合について説明する。まず一般式（２）；【００２８】
【化１５】
2009031490.tif 000009
【００２９】
で表されるアミノ酸について説明する。前記式（２）において、Ｒ3は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基、置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ20のアラルキル基、または水素原子を表す。置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基としては、特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、３−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル基、メルカプトメチル基、エピチオメチル基、１−メチルチオエチル基、インドリルメチル基、イミダゾリルメチル基、１−アミノブチル基、１−アミノプロピル基、１−アミジノアミノプロピル基、カルボキシルメチル基、カルバモイルメチル基、１−カルボキシエチル基、１−カルバモイルエチル基などを挙げることができ、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基としては、特に限定されず、例えば、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ナフチル基などを挙げることができる。置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ20のアラルキル基としては、特に限定されず、例えばベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−メトキシベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−メトキシベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基などを挙げることができる。なかでも、入手の容易さおよびＴｇの比較的低いイオン液体が容易に得られることから、グリシン、フェニルグリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、シスチン、メチオニン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトファン、ヒスチジン、リシン、アルギニン、アスパラギン酸、アスパラギン、グルタミン酸、グルタミン、オルニチンが好ましいアミノ酸として挙げられる。
前記式（１）においてＲ4は水素原子またはアミノ基の保護基を表す。アミノ基の保護基としては具体的には、ベンジル基、トリチル基、ホルミル基、アセチル基、クロロアセチル基、テトラクロロアセチル基、テトラフルオロアセチル基、ベンゾイル基、フェニルアセトキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、９−フルオレニルメトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基などが挙げられる。導入及び脱保護の容易さの観点から、上記の群の中で好ましくは、ベンジル基、トリチル基、ホルミル基、アセチル基、クロロアセチル基、テトラクロロアセチル基、テトラフルオロアセチル基、ベンゾイル基、フェニルアセトキシ基、９−フルオレニルメトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基である。
次に一般式（３）；【００３０】
【化１６】
2009031490.tif 000010
【００３１】
で表されるアミノ酸および一般式（４）；【００３２】
【化１７】
2009031490.tif 000011
【００３３】
で表されるアミノ酸について説明する。前記式（３）および（４）においてｎは１〜５の整数であり、特に限定されるものではないが、入手容易さの観点からは、プロリン、ピペコリン酸、ニペコチン酸が好ましいアミノ酸として挙げられる。Ｒ2は既に説明したとおりである。
上記アミノ酸において、グリシン以外は不斉炭素を有するが、いずれにおいても光学活性体でもよいしラセミ体でもよい。【００３４】
イオン液体のカチオン成分としては、アンモニウムおよびその誘導体、イミダゾリニウムおよびその誘導体、ピリジニウムおよびその誘導体、ピロリジニウムおよびその誘導体、ピロリニウムおよびその誘導体、ピラジニウムおよびその誘導体、ピリミジニウムおよびその誘導体、トリアゾニウムおよび誘導体、トリアジニウムおよびその誘導体、トリアジンおよびその誘導体、キノリニウムおよびその誘導体、イソキノリニウムおよびその誘導体、インドリニウムおよびその誘導体、キノキサリニウムおよびその誘導体、ピペラジニウムおよびその誘導体、オキサゾリニウムおよびその誘導体、チアゾリニウムおよびその誘導体、モルフォリニウムおよびその誘導体、ピペラジンおよびその誘導体が挙げられるが、アミノ酸とから得られるイオン液体が比較的低いＴｇを示すことから、イミダゾリウム誘導体が好ましく、イミダゾリウム誘導体としてはジエチルイミダゾリウム、エチルブチルイミダゾリウム、ジメチルイミダゾリウムが好ましく、特に好ましくはエチルメチルイミダゾリウム、メチルブチルイミダゾリウムである。【００３５】
使用されるイオン液体の量は特に制限されるものではないが、イオン液体はイオン伝導性はあるが電子伝導性を有さないため、コンデンサ電解質においては絶縁体として振舞う。したがって、あまりに多くのイオン液体を添加するとインピーダンス特性が悪化してしまうため、添加されるイオン液体の総量は導電性高分子モノマーに対して１モル当量以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．０１モル当量以上０．８モル当量以下である。さらにイオン液体と導電性高分子モノマーのモル比は、得られたコンデンサがインピーダンス及び耐圧特性において良好な結果を与えるものであれば特に限定されるものではないが、好ましくは導電性高分子モノマー：イオン液体＝１：０．０１〜０．６（モル比）であり、イオン液体が０．０１以上であると耐電圧が優れ、０．６以下であれば低抵抗が優れる。すなわち、イオン液体／導電性高分子モノマーの比は、耐電圧の観点から好ましくは０．０１以上、低抵抗の観点から、好ましくは０．６０以下である。それ以下であると、効果が低くなり、範囲以上であると抵抗が高くなり、好ましくない。特に好ましくは０.０１以上０．５以下である。【００３６】
またさらなる高耐圧特性を実現するために、上記イオン液体に加え、アンモニウム塩、アミン塩、四級アンモニウム塩、三級アミンおよび有機酸、イミダゾリウム塩、などの添加物を加えることができる。これらの添加物はイオン液体に溶解させて添加される。イオン液体は事実上蒸発しないことから、添加物は常に溶液状態で存在するためその陽極酸化能力がイオン液体の陽極酸化能力にプラスされることになり、電解質としての能力はより高いものになる。アンモニウム塩の例としては、アジピン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、アジピン酸アンモニウム、マレイン酸アンモニウムなどを挙げることができる。またアミン塩としては、マレイン酸トリエチルアミンなどを、四級アンモニウム塩としてはマレイン酸第四級アンモニウム、フタル酸第四級アンモニウムなどを例示することができる。三級アミンおよび有機酸の例としては、例えばトリエチルアミンやジイソプロピルエチルアミンなどの三級アミンとアジピン酸、リン酸、ホウ酸、サリチル酸、リンゴ酸、コハク酸などの組み合わせを例示することができる。イミダゾリウム塩としては、１，３−エチルメチルイミダゾリウム−ｐ−トルエンスルホン酸塩、１，３−ブチルメチルイミダゾリウム−ｐ−トルエンスルホン酸塩、１，３−エチルメチルイミダゾリウム−ｐ−トリフルオロメチルフェニルスルホン酸塩、１，３−ブチルメチルイミダゾリウム−ｐ−トリフルオロメチルフェニルスルホン酸塩などが挙げられる。特にこれらイミダゾリウム塩は、電解質の陽極酸化能力を向上させるのみならず、コンデンサのＥＳＲ特性も向上させる効果があることが発明者らの検討により見出され、より好ましい添加剤として挙げることができる。【００３７】
これらの添加物の添加量は、イオン液体の液体としての性質が失われない範囲で任意に選択することができる。例えばアジピン酸アンモニウムをイオン液体に添加する場合イオン液体の種類にもよるが、一般には陽極酸化能力の改善には１重量％以上５０重量％以下の範囲であることが好ましい。またこれらの添加物は、単独で用いてもよいし任意の割合で２種以上を混合して用いてもよい。
次に本発明における導電性高分子コンデンサの製造方法について説明する。本発明の電解質及び電極を含む導電性高分子コンデンサの製造方法は、特に限定されておらず、例えば巻き取り形の導電性高分子アルミ電解コンデンサにおける表面に誘電酸化皮膜を形成した弁作用金属からなる陽極箔と、陰極箔をその間にセパレータを介在させて捲回することにより構成されたコンデンサ素子であって良く、陽極箔と陰極箔との間に導電性高分子及びイオン液体からなる電解質を設け、前記素子を例えば、有底筒状のアルミニウムケースに収納した後、アルミニウムケースの開口部を封口剤で密封してアルミニウム電解コンデンサを構成することができる。【００３８】
本発明において電解質は、化学重合において作製することもできるし、電解重合により作製することもできる。【００３９】
まず化学重合による方法について説明する。化学重合法は、適切な酸化剤の存在下で、例えばピロールなどの導電性高分子モノマーを重合し合成する方法である。【００４０】
酸化剤としては、例えばパラトルエンスルホン酸第二鉄、ナフタレンスルホン酸第二鉄、ｎ−ブチルナフタレンスルホン酸第二鉄、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸第二鉄、過硫酸塩、過酸化水素、ジアゾニウム塩、ハロゲン及びハロゲン化物、あるいは鉄、銅、マンガン等の遷移金属塩が使用できる。化学重合により合成された導電性高分子は、酸化剤のアニオンがドーバントとして重合過程でポリマー中に取り込まれることにより、一段階の反応で導電性を有するポリマーを得る事ができることから、ドーパントとしての移動度の高いパラトルエンスルホン酸イオンを含むパラトルエンスルホン酸第二鉄を酸化剤として用いることが好ましい。【００４１】
該重合の場合、導電性高分子モノマー及び前記イオン性液体を含有する溶液に酸化剤を加えることが好ましい。この場合には溶剤を加えて粘度、濃度を調整してもよい。該重合で用いられる重合溶媒としては公知のもので良く、特に限定されるものではない。例えばメタノール、エタノール、ブタノール、ジエチレングリコール、２−プロパノール、アセトン、ジエチルエーテル、酢酸エチル、ＴＨＦ、ＤＭＦ、アセトニトリル、ＤＭＳＯ、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ヘキサン、トルエン、クロロホルムなどが挙げられ、イオン液体および導電性高モノマー分子との相溶性の観点から、特に好ましくはブタノールである。【００４２】
核重合においては、任意成分として例えば界面活性剤などを含有していても勿論よい。界面活性剤としては例えば直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、テトラアルキルアンモニウム、ラウリル硫酸ナトリウム、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸、アルキルスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ヘキサドデシルトリメチルアンモニウムブロマイドなどが挙げられ、特に好ましくはドデシルベンゼンスルホン酸である。【００４３】
重合条件は公知の重合条件で良く、温度範囲は−５０℃〜２００℃で、特に好ましくは０℃〜１８０℃である。【００４４】
重合時間は、１分〜２４時間であり、特に好ましくは１分〜５時間である。また、該重合は複数回繰り返してもよい。【００４５】
次に電解重合により電解質を形成する方法について説明する。電解重合法とは、導電高分子モノマーを溶媒に溶解し、陽極酸化することにより導電性高分子を脱水素重合する方法である。電解重合は、例えば、ピロールモノマーを支持電解質と共に溶媒に溶解し、陽極酸化する事により脱水素重合する方法で、陽極上に導電性高分子であるポリピロールを析出させることができる。一般的に、ポリマーの酸化還元電位はモノマーに比べて低いため、重合過程でさらにポリマー骨格の酸化が進み、それに伴って支持電解質のアニオンがドーバントとしてポリマー中に取り込まれる。電解重合においては、こうしたメカニズムにより、後でドーバントを加えなくても、導電性を有するポリマーが得られるという利点がある。また、イオン性液体中で電解重合を行うとイオン性液体のアニオン性分がドーバントとして導電性高分子に取り込まれる場合があり、本発明の目的には特に好ましい。電解重合法で導電性高分子を合成する場合には、弁金属上の酸化皮膜が誘電体なので、その誘電体上にあらかじめ導電性の皮膜を形成して導電化しておき、給電電源から電流または電圧を印加して電解重合を行う。この様な目的に用いられる導電性皮膜としては化学重合により合成された導電性高分子や熱分解二酸化マンガンなどを用いる事ができる。【００４６】
本発明の導電性高分子コンデンサの陽極としては、コンデンサにおいて従来公知のものが好ましく使用でき、例えば陽極金属として、アルミニウム等の電極箔の表面にエッチングを施してエッチング孔を形成したものや、タンタル等からなる粉体電極を用い、該陽極金属の表面に陽極酸化等の方法によって形成された酸化皮膜からなる誘電体を組み合わせることにより、陽極金属と誘電酸化皮膜とからなる陽極を形成できる。上記の陽極酸化は、陽極金属をたとえばアジピン酸アンモニウム水溶液等に浸漬して化成電圧を印加することにより行うことができる。【００４７】
陰極としてはたとえばカーボンペーストおよび銀ペースト等が従来公知の方法で形成され得る。陽極および陰極はそれぞれ端子に接続される。このようにして陽極と電解質と陰極とを少なくとも備える導電性高分子コンデンサが形成され得る。【００４８】
上記方法により形成された電解質を用いた本発明の導電性高分子コンデンサにおいて、特に言及していないコンデンサの構成要素については特に制限されるものではなく、従来公知のものを適宜適用することができる。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更可能である。
（イオン液体）
アミノ酸をアニオン成分とするイオン液体は全て（非特許文献１）記載の方法に準拠して調製した。具体的には、通常、水酸基アニオンを有するイミダゾリウムカチオンとアミノ酸との塩交換反応により調製することができる。またイオン液体Ａ及びＢは（特許文献４）記載の方法に準拠して調製した。具体的には、通常、ハロゲンアニオンを有するイミダゾリウムと相当するフルオロアルキル硫酸のアンモニウム塩との塩交換反応により調製することができる。その他のイオン液体および塩の合成法または入手先を以下に述べる。
（非特許文献１）Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００５，１２７，２３９８
（特許文献４）国際公開ＷＯ２００５／１０５７５６号パンフレット
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  ビス（パーフルオロメチルスルホニル）イミド（以下[ｂｍｉｍ][ＴＦＳＩ]と略す）【００５０】
【化１８】
2009031490.tif 000012
【００５１】
関東化学から購入した。
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  トリフルオロメタンスルホネート（以下[ｅｍｉｍ][ＴｆＯ]と略す）【００５２】
【化１９】
2009031490.tif 000013
【００５３】
和光純薬から購入した。
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  テトラフルオロボレート（以下[ｂｍｉｍ][ＢＦ4]と略す）【００５４】
【化２０】
2009031490.tif 000014
【００５５】
メルクから購入した。
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  アセテート（以下[ｂｍｉｍ][ＡｃＯ]と略す）【００５６】
【化２１】
2009031490.tif 000015
【００５７】
アルドリッチより購入した。
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  トリフルオロアセテート（以下[ｂｍｉｍ][ＴＦＡ]と略す）【００５８】
【化２２】
2009031490.tif 000016
【００５９】
メルクより購入した。
１−エチル−３−メチルイミダゾリウム  ラクテート（以下[ｅｍｉｍ][ＬＡ]と略す）【００６０】
【化２３】
2009031490.tif 000017
【００６１】
アルドリッチより購入した。
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  ベンゾエート（以下[ｂｍｉｍ][ＢＡ]と略す）【００６２】
【化２４】
2009031490.tif 000018
【００６３】
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムハイドロジェンカーボネート ５０％水溶液（４０００ｍｇ， ９．９８ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。その後、安息香酸（１２１９ｍｇ， ９．９８ｍｍｏｌ）の水溶液をゆっくり滴下し、室温で１時間攪拌した。反応溶液をそのまま濃縮して溶媒を減圧下留去し、得られた残渣にジクロロメタンを加え、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去することで、目的化合物を薄褐色の油状物として１８２４．２ｍｇ得た。（収率７０％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）δ０．９０（ｔ、３Ｈ）、１．２８−１．３５（ｍ、２Ｈ）、１．７６−１．８７（ｍ、２Ｈ）、４．０６（ｓ、３Ｈ）、４．２７（ｔ、２Ｈ）、７．１４（ｄ、２Ｈ）、７．２７−７．３４（ｍ、３H）、８．０７−８．１０（ｍ、２H）、１１．３９（ｓ、１Ｈ）
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  マンデレート（以下[ｂｍｉｍ][ＭＡ]と略す）【００６４】
【化２５】
2009031490.tif 000019
【００６５】
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムハイドロジェンカーボネート ５０％水溶液（５０００ｍｇ， １２．４８ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。その後、マンデル酸（１８９９ｍｇ， １２．４８ｍｍｏｌ）の水溶液をゆっくり滴下し、室温で１時間攪拌した。反応溶液をそのまま濃縮して溶媒を減圧下留去し、得られた残渣にジクロロメタンを加え、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去することで、目的化合物を薄褐色の油状物として３６２２．３ｍｇ得た。（収率１００％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）δ０．９３（ｔ、３Ｈ）、１．２９−１．３４（ｍ、２Ｈ）、１．７４−１．７９（ｍ、２Ｈ）、３．８４（ｓ、３Ｈ）、４．１０（ｔ、２Ｈ）、４．９２（ｓ、１Ｈ）、７．０４（ｓ、１Ｈ）、７．１４−７．２６（ｍ、１Ｈ）、７．２３−７．２６（ｍ、３Ｈ）、７．５４（ｄ、２Ｈ）、１０．７４（ｓ、１Ｈ）
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  カプリレート（以下[ｂｍｉｍ][ＣＡ]と略す）【００６６】
【化２６】
2009031490.tif 000020
【００６７】
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムハイドロジェンカーボネート ５０％水溶液（５．００ｇ， １２．４８ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。その後、カプリル酸（１．８０ｇ， １２．４８ｍｍｏｌ）の水溶液をゆっくり滴下し、室温で１時間攪拌した。反応溶液をそのまま濃縮して溶媒を減圧下留去し、得られた残渣にジクロロメタンを加え、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去することで、目的化合物を黄色の油状物として２．２０ｇ得た。（収率６２％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）δ０．８３−０．９２（ｍ、７Ｈ）、１．２１−１．２９（ｍ、１１Ｈ）、１．３８（ｍ、２Ｈ）、１．７３−１．７８（ｍ、２Ｈ）、３．８５（ｓ、３Ｈ）、４．１７（ｔ、２Ｈ）、７．７２（ｓ、１Ｈ）、７．７９（ｓ、１Ｈ）、９．３９（ｓ、１Ｈ）
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  フェニルアセテート（以下[ｂｍｉｍ][ＰＡ]と略す）【００６８】
【化２７】
2009031490.tif 000021
【００６９】
クロマトカラム管にＡｍｂｅｒｌｉｔｅ ＩＲＡ４００（ＯＨ）（１４０ｍＬ）を加え、１ＮＮａＯＨ水溶液（２．５Ｌ）を流しＡｍｂｅｒｌｉｔｅ ＩＲＡ４００（ＯＨ）を活性化させた後、ろ液が中性になるまで純水（１．５Ｌ）を流した。１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムクロリド（５．０ｇ、２８．６３ｍｍｏｌ）に純水（５０ｍＬ）を加えて溶解させた後、これを先ほど活性化したＡｍｂｅｒｌｉｔｅ ＩＲＡ４００（ＯＨ）に通し、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムヒドロキシド水溶液を得た。フェニル酢酸（３．９ｇ、２８．６３ｍｍｏｌ）に純水（２００ｍＬ）とＴＨＦ（１００ｍＬ）を加え、均一溶液にした後、これに１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムヒドロキシド水溶液をゆっくり滴下し、０℃で１２時間攪拌した。反応溶液をそのまま濃縮し、得られた残渣にアセトニトリル（９０ｍＬ）とメタノール（１０ｍＬ）を加えて０℃で３０分間攪拌した。ろ液を濃縮して減圧加熱乾燥することで、目的化合物を薄黄色の油状物として８．０ｇ得た。（収率１００％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6、３００ＭＨｚ）δ０．８９（ｔ、３Ｈ）、１．２１−１．２８（ｍ、２Ｈ）、１．７０−１．７７（ｍ、２Ｈ）、３．２３（ｓ、２Ｈ）、３．８３（ｓ、３Ｈ）、４．１５（ｔ、２Ｈ）、７．０９−７．１９（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｓ、１H）、７．７７（ｓ、１H）、９．２９（ｓ、１Ｈ）
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  ２−フェニルブチレート（以下[ｂｍｉｍ][ＰＢ]と略す）【００７０】
【化２８】
2009031490.tif 000022
【００７１】
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムハイドロジェンカーボネート ５０％水溶液（６．０ｇ、 １４．９８ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。その後、２−フェニル酪酸（２．４ｇ、１４．９８ｍｍｏｌ）の水溶液をゆっくり滴下し、室温で１時間攪拌した。反応溶液をそのまま濃縮して溶媒を減圧下留去し、得られた残渣にジクロロメタンを加え、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去することで、目的化合物を黄色の油状物として４．５ｇ得た。（収率１００％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6、３００ＭＨｚ）δ０．６６（ｔ、３Ｈ）、０．８０（ｔ、３Ｈ）、１．１２−１．１９（ｍ、１Ｈ）、１．３１−１．３５（ｍ、１Ｈ）、１．６１−１．８０（ｍ、３Ｈ）、２．８２（ｔ、１Ｈ）、３．７４（ｓ、３Ｈ）、４．０６（ｔ、２Ｈ）、６．９５−７．１５（ｍ、５Ｈ）、７．６２（ｄ、１H）、７．６８（ｄ、１H）、９．２８（ｓ、１Ｈ）
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  ３−フェニルプロピオネート（以下[ｂｍｉｍ][ＰＰ]と略す）【００７２】
【化２９】
2009031490.tif 000023
【００７３】
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムハイドロジェンカーボネート ５０％水溶液（６．０ｇ、 １４．９８ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。その後、４−フェニル酢酸（２．４ｇ、１４．９８ｍｍｏｌ）の水溶液をゆっくり滴下し、室温で１時間攪拌した。反応溶液をそのまま濃縮して溶媒を減圧下留去し、得られた残渣にジクロロメタンを加え、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去することで、目的化合物を黄色の油状物として４．４ｇ得た。（収率９８％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）δ０．９４（ｔ、３Ｈ）、１．３２−１．３９（ｍ、２Ｈ）、１．８２−１．８７（ｍ、２Ｈ）、１．９５−２．０１（ｍ、２Ｈ）、２．３０（ｔ、２Ｈ）、２．６８（ｔ、２Ｈ）、４．０６（ｓ、３Ｈ）、４．２９（ｔ、２Ｈ）、７．０７−７．２７（ｍ、７Ｈ）、１１．６８（ｓ、１Ｈ）
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  ナフチルアセテート（以下[ｂｍｉｍ][ＮＡ]と略す）【００７４】
【化３０】
2009031490.tif 000024
【００７５】
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムハイドロジェンカーボネート ５０％水溶液（６．０ｇ、 １４．９８ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却した。その後、１−ナフタレン酢酸（２．７ｇ、１４．９８ｍｍｏｌ）の水溶液をゆっくり滴下し、室温で１時間攪拌した。反応溶液をそのまま濃縮して溶媒を減圧下留去し、得られた残渣にジクロロメタンを加え、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去することで、目的化合物を黄色の油状物として５．０ｇ得た。（収率１００％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6、３００ＭＨｚ）δ０．８８（ｔ、３Ｈ）、１．１９−１．２６（ｍ、２Ｈ）、１．７０−１．７５（ｍ、２Ｈ）、３．５９（ｓ、２Ｈ）、３．８１（ｓ、３Ｈ）、４．１２（ｔ、２Ｈ）、７．２２−７．４４（ｍ、４Ｈ）、７．６４−７．７６（ｍ、３Ｈ）、７．８０−７．８３（ｍ、１Ｈ）、８．１５−８．１８（ｍ、１Ｈ）、９．３６（ｓ、１Ｈ）
１−エチル−３−メチルイミダゾリウム  トシレート（以下[ｅｍｉｍ][ＴｓＯ]と略す）【００７６】
【化３１】
2009031490.tif 000025
【００７７】
アルドリッチから購入した。
１−エチル−３−メチルイミダゾリウム  ４−（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート（以下[ｅｍｉｍ][ＴＦＢＳＡ]と略す）【００７８】
【化３２】
2009031490.tif 000026
【００７９】
反応容器にエチル４−（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート（２０００ｍｇ、７．８６ｍｍｏｌ）、１−メチルイミダゾール（６４５ｍｇ， ７．８６ｍｍｏｌ）、１，１，１−トリクロロエタン（８．０ｍＬ）を順次加え、８時間加熱還流した。反応溶液をそのまま濃縮した後、得られた固体を１，１，１−トリクロロエタンで洗浄した。その後、ジクロロメタン（６．０ｍＬ）加え、これを水（３．０ｍＬ）で３回洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去することで目的化合物を白色固体として２３２１．９ｍｇ得た。（収率８８％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）δ１．５３（ｔ、３Ｈ）、４．０２（ｓ、３Ｈ）、４．２９（ｑ、２Ｈ）、７．３０（ｂｒｓ、２Ｈ）、７．６３（ｄ、２Ｈ）、８．０２（ｄ、２Ｈ）、９．８０（ｓ、１Ｈ）
エチル  ４−（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートは以下の方法にて合成したものを用いた。【００８０】
エタノール／ジクロロメタン溶液（７０３ｍｇ、 １５．２７ｍｍｏｌ／５．０ｍＬ）を反応容器に入れ、０℃にしてトリエチルアミン（２３１７ｍｇ、 ２２．９０ｍｍｏｌ）、４−（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルクロライド／ジクロロメタン溶液（３７３６ｍｇ、 １５．２７ｍｍｏｌ／１０ｍＬ）を順次滴下した。室温で１時間攪拌した後、氷水を加えて反応を停止させた。ジクロロメタンで抽出後、水、飽和食塩水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１、シリカゲル３０ｇ）で精製し、目的化合物を無色透明の油状物として３２９９．０ｍｇ得た。（収率８５％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）δ１．３４（ｔ、３Ｈ）、４．１９（ｑ、２Ｈ）、７．８３（ｄ、２Ｈ）、８．０５（ｄ、２Ｈ）
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム  ４−（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート（以下[ｂｍｉｍ][ＴＦＢＳＡ]と略す）【００８１】
【化３３】
2009031490.tif 000027
【００８２】
反応容器にブチル４−（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート（５００ｍｇ、 １．７７ｍｍｏｌ）、１−メチルイミダゾール（１４５ｍｇ、 １．７７ｍｍｏｌ）、１，１，１−トリクロロエタン（１．８ｍＬ）を順次加え、６時間加熱還流した。反応溶液をそのまま濃縮した後、得られた固体を１，１，１−トリクロロエタンで洗浄した。その後、ジクロロメタン（３．０ｍＬ）加え、これを水（２．０ｍＬ）で３回洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去することで目的化合物を薄褐色固体として６６０．４ｍｇ得た。（収率１００％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）δ０．９２（ｔ、３Ｈ）、１．２９−１．３６（ｍ、２Ｈ）、１．７８−１．８８（ｍ、２Ｈ）、４．０４（ｓ、３Ｈ）、４．２３（ｔ、２Ｈ）、７．２３（ｓ、１Ｈ）、７．３０（ｓ、１Ｈ）、７．６３（ｄ、２Ｈ）、８．０３（ｄ、２Ｈ）、９．８５（ｓ、１Ｈ）
ブチル４−（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートは以下の方法にて合成したものを用いた。【００８３】
ブタノール／ジクロロメタン溶液（３０２ｍｇ、４．０８ｍｍｏｌ／１．０ｍＬ）を反応容器に入れ、０℃にしてトリエチルアミン（６２０ｍｇ、６．１３ｍｍｏｌ）、４−（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルクロライド／ジクロロメタン溶液（１０００ｍｇ、 ４．０８ｍｍｏｌ／3.0ｍＬ）を順次滴下した。室温で１時間攪拌した後、氷水を加えて反応を停止させた。ジクロロメタンで抽出後、水、飽和食塩水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１、シリカゲル１０ｇ）で精製し、目的化合物を無色透明の油状物として９９２．５ｍｇ得た。（収率８４％）
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）δ０．８８（ｔ、３Ｈ）、１．３２−１．３９（ｍ、２Ｈ）、１．６１−１．７１（ｍ、２Ｈ）、４．１１（ｔ、２Ｈ）、７．８３（ｄ、２Ｈ）、８．０５（ｄ、２Ｈ）
（インピーダンス測定）
図１に示す水銀セルを用いて、インピーダンスの測定を行なった。装置には、日置電気社製のＬＣＲメータ３５２２-５０を用い、インピーダンス測定を行ない、１００ｋＨｚのインピーダンス値を電極のインピーダンスとした。
（実施例１）
アルミの酸化皮膜上に３，４−エチレンジオキシチオフェン（以下、ＥＤＯＴと略す。Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ−Ｖ  ＴＥＣＨ社製）の化学重合よって得られた導電性高分子形成することで導電性高分子アルミ電解コンデンサの作製を行った。すなわち、有効面積が１０ｍｍ×１０ｍｍのアルミニウムエッチド箔を、１％アジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬し、まず２０ｍＶ／ｓｅｃの速度で０から４５Ｖまで上げ、つづけて４５Ｖの定電圧を４０分間印加し、前記アルミニウムエッチド箔の表面に誘電体皮膜を形成した。次に、この箔を脱イオン水の流水により３分洗浄してから１２０℃で１時間乾燥を行った。この時得られた、アルミエッチド箔の液中容量は２５μＦであった。次にＥＤＯＴとエチルメチルイミダゾリウムカチオンと乳酸からなるイオン液体[ｅｍｉｍ][ＬＡ]をモル比＝１：０．５となるように配合し、電解質形成に用いる化学重合組成物を調製した。酸化剤としてはパラトルエンスルホン酸鉄の４０ｗｔ％１−ブタノール溶液を用い、上記ＥＤＯＴ／[ｅｍｉｍ][ＬＡ]からなる組成物にパラトルエンスルホン酸鉄がＥＤＯＴに対し０．５モル当量となる量を加えた。次にその重合溶液中に前記アルミエッチド箔を浸漬し、引き上げ後１２０℃で１時間加熱処理を行った。同じ処理を４回繰り返し、箔の表面が均一に電解質で覆われるようにした。こうして得られた箔を図１に示す水銀セルを用いて、インピーダンスを測定した。さらに得られた電極を、１０５℃のオーブンにて６５０時間保管した後に同様の方法にてインピーダンス測定を行い、初期からインピーダンス特性低下の程度を調べた。結果を表１に示す。なお、表１の結果はいずれも１０個の電極の平均値であり、１０ｋＨｚのインピーダンスの値を示した。また特性低下の程度は（６５０時間後のインピーダンス）／（初期インピーダンス）％である。
（実施例２〜１０）
イオン液体を表１に記載したとおりに変更した以外は、実施例１と同様にしてコンデンサを作製し、得られたコンデンサの特性を評価した。得られた結果を表１に示した。これらの結果と表３に示した比較例１〜５の結果との比較から、カルボン酸をアニオン成分とするイオン液体が、耐久性に優れる導電性高分子コンデンサ用電解質を与える事が確認された。
（実施例１１〜１３）
イオン液体を[ｅｍｉｍ][ＬＡ]とし、表１に記載した塩をＥＤＯＴ：[ｅｍｉｍ][ＬＡ]：塩＝１：０．２５：０．２５（モル比）となるように配合し、電解質形成に用いる化学重合組成物を調製した以外は、実施例１と同様にしてコンデンサを作製し、得られたコンデンサの特性を評価した。なお、得られた結果を表１に示した。【００８４】
【表１】
2009031490.tif 000028
【００８５】
（実施例１４〜３３）
イオン液体を表２に記載したとおりに変更した以外は、実施例１と同様にしてコンデンサを作製し、得られたコンデンサの特性を評価した。得られた結果を表２に示した。これらの結果と表３に示した比較例１〜５の結果との比較から、アミノ酸をアニオン成分とするイオン液体が、耐久性に優れる導電性高分子コンデンサ用電解質を与える事が確認された。【００８６】
【表２】
2009031490.tif 000029
【００８７】
（比較例１〜５）
イオン液体を表３に記載したとおりに変更した以外は、実施例１と同様にしてコンデンサを作製し、得られたコンデンサの特性を評価した。得られた結果を表３に示した。【００８８】
【表３】
2009031490.tif 000030
【００８９】
（実施例３４）
陽極酸化能力の評価として以下の実験を行った。１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍに加工したアルミニウム板を、図２に示す測定セルを用い[ｅｍｉｍ][ＬＡ]中に浸漬し、１００ｍＶ／秒の速度で４０Ｖまで電圧を上昇させ、皮膜を形成させた後、メタノールで洗浄し乾燥することで分析用サンプルを作製した。得られた酸化皮膜の分析をＸＰＳにより行った。ＸＰＳ分析は、アルバック・ファイ社製Ｑｕａｎｔｕｍ２０００を用い、Ｘ線強度：ＡｌＫα／１５ｋＶ・１２．５Ｗ、Ｘ線ビーム径：５０μｍΦ、スパッタレート：０．９ｎｍ／ｍｉｎ（ＳｉＯ2換算）の条件において、アルゴンイオンエッチング法によりデプスプロファイル測定を行なった。得られたデプスプロファイルにおいて、Ａｌ2Pデータ、Ｏ1Sデータ値の両方が、一定時間の定常状態を経た後に、直前データと比較して５％以上変動したスパッタ時間を「酸化皮膜厚さに相当するスパッタ時間」と定義した。また、リン酸アンモニウムを用いたデータにおいて、膜厚とスパッタ時間において認められた、０．４ｎｍ／分の結果を利用し、各種イオン性液体を用いた膜厚を計算によって求めた。【００９０】
尚、デプスプロファイルにおいて、Ａｌ2Pデータ、Ｏ1Sデータ値において一定時間の定常状態が存在しない試料に関しては、明確な酸化皮膜が形成されていないと判断し、膜厚の計算は行っていない。得られた結果を表４に示す。
（実施例３５〜４３）
イオン液体を表４に示した種類とした以外は実施例３４と同様にして実験を行った。得られた結果を表４に示す。
（比較例７〜９）
イオン液体を表４に示した種類とした以外は実施例１と同様にして実験を行った。得られた結果を表４に示す。
（比較例１０）
イオン液体を[ｂｍｉｍ][ＴＦＳＩ]とし、１０Ｖまで電圧を上昇させた以外は実施例１と同様にして酸化皮膜分析を行った。結果として、９．５ｎｍの厚さで酸化皮膜が形成されているのが確認された。【００９１】
実施例３４〜４３において示したイオン液体では明確な酸化皮膜が確認されたが、比較例７〜９に示したイオン液体ではいずれも酸化皮膜は確認できなかった。以上の結果より、実施例３４〜４３に示したイオン液体は、比較例７〜９に示したイオン液体と比較し、陽極酸化能力に優れたイオン液体であることが示された。また比較例１０では電圧が低い領域では酸化皮膜が形成されていることが確認された。比較例１０で使用されたイオン液体は、これまでに陽極酸化能力がありコンデンサの高耐圧化に寄与することが報告されたイオン液体であるが、４０Ｖまで昇圧した比較例７では酸化皮膜が認められず、これは高圧領域では皮膜形成よりも皮膜の溶解が優先した結果、皮膜がなくなってしまったものと考えられる。今回、実施例３４〜４３に示したイオン液体は、４０Ｖと高圧領域でも皮膜の溶解が起こらず、したがって陽極酸化能力に非常に優れたイオン液体であることが示された。【００９２】
【表４】
2009031490.tif 000031
【図１】
2009031490.tif 000040
【図２】
2009031490.tif 000041
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月23日(2010.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性高分子モノマーと、ギ酸アニオンを有するイオン液体および／または一般式（１）；
【化１】
2009031490.tif 000042
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に水素原子，保護または無保護の水酸基，保護または無保護のアミノ基，アルコキシ基，ニトロ基，シアノ基，カルボキシル基，ハロゲン原子，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20のアルケニル基，直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20のアルキニル基，置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基，置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ20のヘテロアリール基，置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ20のアラルキル基，置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ20のヘテロアラルキル基を表し、互いに同じであっても異なっていてもよく、また一緒になって環を形成してもよい）
で表されるアニオンを有するイオン液体を少なくとも１種以上含むことを特徴とする電解質組成物。
【請求項２】
前記式（１）において、Ｒ1もしくはＲ2の少なくとも一方が保護または無保護の水酸基であることを特徴とする請求項１に記載の電解質組成物。
【請求項３】
前記式（１）において、Ｒ1もしくはＲ2の少なくとも一方が、直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基、または置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基であることを特徴とする請求項１または２に記載の電解質組成物。
【請求項４】
前記式（１）において、Ｒ1もしくはＲ2の一方が保護または無保護の水酸基であり、もう片方が直鎖または分岐もしくは環を形成していてもよく置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基、または置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項５】
前記式（１）がマンデル酸及びその誘導体であることを特徴とする請求項４に記載の電解質組成物。
【請求項６】
アニオン成分がアミノ酸又はアミノ酸誘導体であるイオン液体を含むことを特徴とする請求項１に記載の電解質組成物。
【請求項７】
アニオン成分が一般式（２）；
【化２】
2009031490.tif 000043
（式中、Ｒ3は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20のアルキル基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20のアリール基、置換基を有していてもよいＣ7〜Ｃ20のアラルキル基、又は水素原子を表し、Ｒ4は水素原子又はアミノ基の保護基を表す）
で表されるアミノ酸であることを特徴とする請求項１または６に記載の電解質組成物。
【請求項８】
アニオン成分がグリシン、フェニルグリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、シスチン、メチオニン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトファン、ヒスチジン、リシン、アルギニン、アスパラギン酸、アスパラギン、グルタミン酸、グルタミン、オルニチン及びこれらの誘導体からなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の電解質組成物。
【請求項９】
アニオン成分が一般式（３）；
【化３】
2009031490.tif 000044
（式中、Ｒ4は前記と同じ意味を表し、ｎは１〜５の整数を表す）
或いは一般式（４）；
【化４】
2009031490.tif 000045
（式中、Ｒ4、ｎは前記と同じ意味を表す）
で表されるアミノ酸であることを特徴とする請求項６に記載の電解質組成物。
【請求項１０】
アニオン成分がプロリン、ピペコリン酸、ニペコチン酸及びこれらの誘導体からなる群より選択されることを特徴とする請求項９に記載の電解質組成物。
【請求項１１】
イオン液体が、陽極酸化法によって弁金属表面へ酸化膜を形成する能力を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項１２】
イオン液体のカチオン成分が、アンモニウムイオン、イミダゾリニウムイオン、ピリジニウムイオン、ピロリジニウムイオン、ピロリニウムイオン、ピラジニウムイオン、ピリミジニウムイオン、トリアゾニウムイオン、トリアジニウムイオン、トリアジンイオン、キノリニウムイオン、イソキノリニウムイオン、インドリニウムイオン、キノキサリニウムイオン、ピペラジニウムイオン、オキサゾリニウムイオン、チアゾリニウムイオン、モルフォリニウムイオン、ピペラジンイオン、イミダゾリウムイオン及びこれらの誘導体からなる群より選択されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項１３】
導電性高分子を構成するモノマーがピロール、アニリン、チオフェンおよびこれらの誘導体からなる群より選択される少なくとも１種または２種以上を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項１４】
イオン液体に加えて、アンモニウム塩、アミン塩、四級アンモニウム塩、三級アミンおよび有機酸、イミダゾリウム塩、アミジン塩からなる群より選択される少なくとも１種以上の物質を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項１５】
ギ酸アニオンを有するイオン液体および／または前記式（１）で表されるアニオンを有するイオン液体の添加量が、導電性高分子モノマーに対して０．０１モル当量以上０．５モル当量以下であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の電解質組成物。
【請求項１６】
アンモニウム塩、アミン塩、四級アンモニウム塩、三級アミンおよび有機酸、イミダゾリウム塩、アミジン塩からなる群より選択される少なくとも１種以上の物質がイオン液体に対して１重量％以上５０重量％以下含まれることを特徴とする請求項１４に記載の電解質組成物。
【請求項１７】
一般式（１）；
【化５】
2009031490.tif 000046
（式中、Ｒ1及びＲ2は、少なくとも片方が水酸基であり、もう片方がメチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基のいずれかである）で表されるカルボキシレートアニオンと、
一般式（２１）；
【化６】
2009031490.tif 000047
（式中、Ｒ5はエチル基またはブチル基である）で表されるイミダゾリウムカチオンと、
の組み合わせから成るイオン液体。

【国際調査報告】
2009031490.tif 000048
2009031490.tif 000049
2009031490.tif 000050
2009031490.tif 000051