Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品に添付される伝票を識別する識別情報を読み取る読取装置、前記物品に付され該物品を識別する識別情報を読み取る読取装置、該物品に関する物品情報を該物品の前記識別情報と対応付けて格納する記憶装置、及び前記伝票の識別情報と前記記憶装置に格納されている前記物品の識別情報及び物品情報とを対応付けて該物品の搬送先へネットワークを介して送信する送信装置からなる物品管理システム。
【請求項２】
請求項１記載の物品管理システムにおいて、前記物品の識別情報を読み取る読取装置と前記伝票の識別情報を読み取る読取装置とは同一の読取装置である物品管理システム。
【請求項３】
物品に添付される伝票を識別する識別情報を読み取る読取装置、前記物品に付された該物品を識別する識別情報を読み取る読取装置、前記伝票の識別情報と該物品に関する物品情報及び該物品の前記識別情報とを対応付けて格納する記憶装置、前記読み取った伝票の識別情報に対応する、前記記憶装置に格納されている前記物品の識別情報及び物品情報を読み出す読み出し手段、及び前記記憶装置から読み出した物品の識別情報と前記読取装置で読み取った物品の識別情報との照合結果に基づいて前記物品の搬送先を決定する決定手段からなる物品管理システム。
【請求項４】
請求項３記載の物品管理システムにおいて、前記物品の識別情報を読み取る読取装置と前記伝票の識別情報を読み取る読取装置とは同一の読取装置である物品管理システム。
【請求項５】
請求項３記載の物品管理システムにおいて、前記記憶手段に格納した情報は、前記伝票の識別情報、前記物品の識別情報、及び前記物品の物品情報を対応付けて前記搬送元から予め受信されたものである物品管理システム。
【請求項６】
請求項３記載の物品管理システムにおいて、前記伝票から前記伝票の識別情報が読み取れない場合、当該伝票を真正のものでないとして、前記伝票が添付された物品の識別情報を搬送元に通知する物品管理システム。
【請求項７】
前記物品に添付された伝票を識別する識別情報を読み取る読取装置、前記物品に付され該物品を識別する識別情報を読み取る読取装置、前記物品の識別情報と該物品に関する物品情報と前記伝票の識別情報とを対応付けて格納する記憶装置、前記読み取った伝票の識別情報に対応する、前記記憶装置に格納された物品の物品情報を読み出す読み出し手段、及び前記物品の物品情報に基づいて該物品の加工方法を決定する加工方法決定手段からなる物品管理システム。
【請求項８】
請求項７記載の物品管理システムにおいて、前記物品の識別情報を読み取る読取装置と前記伝票の識別情報を読み取る読取装置とは同一の読取装置である物品管理システム。
【請求項９】
出荷対象の物品を管理する物品管理システムにおける物品管理方法であって、
前記物品管理システムの出荷処理装置は、前記物品に付され該物品を識別する識別情報の入力を受け付け、
前記出荷処理装置は、前記物品に添付される伝票に付され該伝票を識別する識別情報の入力を受け付け、
前記物品管理システムの受注情報記憶装置は、出荷する物品に関する物品情報と前記物品の識別情報とを対応付けて記憶し、
前記物品管理システムの受注管理装置は、前記読み取った伝票の識別情報と前記記憶した物品の識別情報及び物品情報を対応付けて搬送先へネットワークを介して送信する物品管理方法。
【請求項１０】
加工対象の物品を管理する物品管理システムにおける物品管理方法であって、
前記物品管理システムの入荷処理装置は、物品に添付される伝票を識別する識別情報の入力を受け付け、
前記入荷処理装置は、前記物品に付された該物品を識別する識別情報の入力を受け付け、
前記物品管理システムの加工情報記憶装置は、前記伝票の識別情報と該物品に関する物品情報及び該物品の前記識別情報とを対応付けて格納し、
前記物品管理システムの加工管理装置は、前記入力した伝票の識別情報に対応する、前記加工情報記憶装置に格納されている前記物品の識別情報及び物品情報を読み出し、
前記加工管理装置は、前記加工情報記憶装置から読み出した物品の識別情報と前記入力した物品の識別情報との照合結果に基づいて前記物品の搬送先を決定する物品管理方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の物品管理方法において、前記加工情報記憶装置に格納されている情報は予め搬送元から受信したものである物品管理方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の搬入処理システムにおいて、発注管理装置は、前記伝票から前記伝票の識別情報が読み取れない場合、当該伝票を真正のものでないとして、前記伝票が添付された物品の識別情報を搬送元に通知する物品管理方法。
【請求項１３】
加工対象の物品を管理する物品管理システムにおける物品管理方法であって、
前記物品管理システムの加工情報記憶装置は、物品に添付される伝票を識別する識別情報と該物品に関する物品情報及び該物品を識別する識別情報とを対応付けて格納し、
前記物品管理システムの入荷処理装置は、前記伝票の識別情報の入力を受け付け、
前記物品管理システムの加工管理装置は、前記入力した伝票の識別情報に対応する、前記加工情報記憶装置に格納されている前記物品の識別情報及び物品情報を読み出し、
前記物品管理システムの加工処理装置は、前記物品に付された物品の識別情報の入力を受け付け、
前記加工処理装置は、前記加工情報記憶装置から読み出した物品の識別情報が対応する該物品の物品情報に基づいて製造方法を決定する物品管理方法。
【請求項１４】
加工対象の物品を管理する物品管理システムにおける物品管理方法であって、
前記物品管理システムの加工情報記憶装置は、物品に添付される伝票を識別する識別情報と該物品に関する物品情報及び該物品を識別する識別情報とを対応付けて格納し、
前記物品管理システムの入荷処理装置は、前記伝票の識別情報の入力を受け付け、
前記物品管理システムの加工管理装置は、前記入力した伝票の識別情報に対応する、前記加工情報記憶装置に格納されている前記物品の識別情報及び物品情報を読み出し、
前記入荷処理装置は、前記物品に付された物品の識別情報の入力を受け付け、
前記加工管理装置は、前記読み出した物品の識別情報と前記入力した物品の識別情報との照合結果に基づいて前記物品の搬送先を決定する物品管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
ファインスキャンは、可変絞り２４の絞り値等の読取条件が設定されたファインスキャンの読取条件となる以外はプレスキャンと同様に行われ、イメージセンサ３４からの出力信号はアンプ３６で増幅されて、Ａ／Ｄ変換器３８でデジタル信号とされ、処理装置１４のデータ処理部４６で処理されて、Ｌｏｇ変換器４８でファインスキャンデータとされ、ファインスキャンメモリ５２に送られる。
ファインスキャンデータがファインスキャンメモリ５２に送られると、ファインスキャン処理部５８によって読み出され、処理部６６において確定した画像処理条件で画像処理され、次いで、信号変換部６８で変換されて出力用の画像データとされ、プリンタ１６に出力され、この画像データを再生したプリントが作成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
例えば、上述したような方法で、自動検索を行い、同時プリント時の画像処理条件が設定されると、次のステップ１５０において、再プリントの処理が行われる。
すなわち、このファインスキャン処理部５６への画像処理条件の設定で、画像処理条件が確定し、ファインスキャンが開始される。あるいは、必要に応じて、同時プリントと同様に検定を行って、画像処理条件を確定してもよい。
ファインスキャンは、基本的に、同時プリントと同様に行われ、スキャナ１２は、供給されたファインスキャンの読取条件の下、イメージセンサ３４からの出力信号はアンプ３６で増幅されて、Ａ／Ｄ変換器３８でデジタル信号とされ、処理装置１４のデータ処理部４６で処理されて、Ｌｏｇ変換器４８でファインスキャンデータとされ、ファインスキャンメモリ５２に送られ、記憶される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ転送の指示を受けると、そのデータのうちの最初及び最後のデータはバイト転送又はワード転送を行い、残りのデータはすべてワード転送を行うように転送方式を指示する指示手段と、
前記指示による転送方式によりデータ転送元からデータ転送先へのダイレクトメモリアクセスによるデータ転送を行う転送手段と
を有するダイレクトメモリアクセス装置。
【請求項２】
前記指示手段は、前記転送方式をレジスタに書き込むことにより指示する請求項１記載のダイレクトメモリアクセス装置。
【請求項３】
前記レジスタは、前記最初のデータがバイト転送又はワード転送のいずれか、及び前記最後のデータがバイト転送又はワード転送のいずれかを指示するための情報を含む請求項２記載のダイレクトメモリアクセス装置。
【請求項４】
前記レジスタは、前記最初のデータがバイト転送又はワード転送のいずれかを指示するための第１のビット、及び前記最後のデータがバイト転送又はワード転送のいずれかを指示するための第２のビットを含む請求項３記載のダイレクトメモリアクセス装置。
【請求項５】
前記指示手段は、前記最初及び最後のデータの転送元アドレス及び転送先アドレスがそれぞれ奇数アドレス又は偶数アドレスのいずれかに応じて、前記最初及び最後のデータについてそれぞれバイト転送又はワード転送のいずれかを指示する請求項４記載のダイレクトメモリアクセス装置。
【請求項６】
前記指示手段は、奇数アドレススタート及び偶数バイト長のデータ転送の場合は、最初及び最後のデータを共にバイト転送し、残りはすべてワード転送を行うように指示する請求項４記載のダイレクトメモリアクセス装置。
【請求項７】
前記指示手段は、前記最初及び最後のデータの転送元アドレス及び転送先アドレスがそれぞれ奇数アドレス又は偶数アドレスのいずれかに応じて、前記最初及び最後のデータについてそれぞれバイト転送又はワード転送のいずれかを指示する請求項１記載のダイレクトメモリアクセス装置。
【請求項８】
データ転送元及びデータ転送先のデータバス幅が異なるか否か、及びデータ転送元アドレス及びデータ転送先アドレスがそれぞれ偶数アドレス又は奇数アドレスのいずれかを判断する判断手段と、
前記判断手段の判断結果に応じて、データ転送元からデータ転送先へのダイレクトメモリアクセスによるデータ転送方式を制御する転送手段と
を有するダイレクトメモリアクセス装置。
【請求項９】
前記転送手段は、バイト転送又はワード転送のデータ転送方式を制御する請求項８記載のダイレクトメモリアクセス装置。
【請求項１０】
前記転送手段は、上位バイトレジスタ及び下位バイトレジスタを含むワードレジスタを有し、前記判断手段の判断結果に応じて、データ転送元から入力したデータを上位バイトレジスタ及び／又は下位バイトレジスタに入力し、上位バイトレジスタ及び／又は下位バイトレジスタのデータをデータ転送先へ出力する請求項９記載のダイレクトメモリアクセス装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央処理ユニットと、
インタフェイス回路と、
上記インタフェイス回路を介したデータ転送を行うＤＭＡＣとを備え、
上記ＤＭＡＣは、１回の転送開始から転送終了割り込みまでにおいて動的に転送サイズを変更するＤＭＡ転送スケジューリングを行うことを可能としたＤＭＡブリッジを含むものであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記ＤＭＡブリッジは、複数バイトブロック単位転送、ロングワード単位転送、ワード単位転送及びバイト単位転送からなる転送サイズの組み合わせと転送回数により上記ＤＭＡ転送スケジューリングを行うことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項２において、
上記転送スケジューリングは、転送回数が最小になるような転送サイズの組み合わせと転送回数を計算することにより決定されるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
中央処理ユニットと、
インタフェイス回路と、
上記インタフェイス回路を介してデータ転送を行うＤＭＡＣとを搭載した半導体集積回路装置におけるＤＭＡデータ転送方法であって、
１回の転送開始から転送終了割り込みまでに動的に転送サイズの変更可能としたＤＭＡ転送スケジューリングを行うことを特徴とするＤＭＡデータ転送方法。
【請求項５】
請求項４において、
上記転送スケジューリングは、転送回数が最小になるような複数バイトブロック単位転送、ロングワード単位転送、ワード単位転送及びバイト単位転送からはなる転送サイズの組み合わせと転送回数を計算することにより決定されるものであることを特徴とするＤＭＡデータ転送方法。
【請求項６】
中央処理装置と、
インタフェイス回路と、
データ転送可能なデータ転送制御回路とを有し、
上記データ転送制御回路は、上記中央処理装置によって設定可能な複数のレジスタを有し、
上記複数のレジスタは、
転送回数を設定可能な第１レジスタと、
転送データ量を設定可能な第２レジスタと、
転送データサイズを設定可能な第３レジスタとを有し、
上記データ転送制御回路は、１回のデータ転送を上記第１レジスタに設定された転送回数及び上記第３レジスタに設定された転送データサイズに従ってデータ転送可能な第１動作と、上記第２レジスタに設定された転送データ量に従って転送回数と転送サイズとを自動的に設定してデータ転送可能な第２動作とを有し、
上記インタフェイス回路は、上記第２動作で外部とデータ転送可能であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）第１のアドレスに対しデータ・アクセス要求を発生するよう動作可能なデータ処理回路と、
（ｉｉ）前記第１のアドレスを第２のアドレスに変換すると共に、前記第１のアドレスに関連した１つ以上の属性値を読み取るように動作可能な変換回路と、
（ｉｉｉ）前記１つ以上の属性値に応答して第１のデータ・アクセス・バスまたは第２のデータ・アクセス・バスのいずれかを介し前記第２のアドレスに前記データアクセス要求を送るように動作可能なバス切り替え回路と、
を有するデータ処理装置。
【請求項２】
前記第１のアドレスは仮想アドレスであり、前記第２のアドレスは物理アドレスである、請求項１記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記変換回路は変換ルックアサイド・バッファである、請求項１記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記１つ以上の属性値はメモリ・ページ属性値である、請求項１記載のデータ処理装置。
【請求項５】
前記第１のバスは共有可能バスであり、前記第２のバスは専用バスである、請求項１記載のデータ処理装置。
【請求項６】
データ・アクセス要求を発生するよう動作可能で、前記共有可能バスに接続された更なるデータ処理回路を有する、請求項５記載のデータ処理装置。
【請求項７】
前記共有可能バスに接続された共有メモリを有する、請求項６記載のデータ処理装置。
【請求項８】
前記専用バスに接続された専用周辺装置を有する、請求項５記載のデータ処理装置。
【請求項９】
前記１つ以上の属性は、前記第１のアドレスが、通常のデータ記憶動作を有するメモリか、または通常のデータ記憶動作以外の動作を有する装置のいずれかに関連しているということを示す装置属性を有する、請求項１記載のデータ処理装置。
【請求項１０】
前記１つ以上の属性は、前記第１のアドレスが共有可能記憶区域かまたは非共有可能記憶区域のいずれかと関連しているということを示す共有可能属性値を有する、請求項１記載のデータ処理装置。
【請求項１１】
前記１つ以上の属性は、前記第１のアドレスが、共有可能記憶区域かまたは非共有可能記憶区域のいずれかと関連しているということを示す共有可能属性値を有し、前記バス切り替え回路は、
（ｉ）前記第１のアドレスが通常の記憶動作を有するメモリまたは共有可能な記憶区域と関連する時、前記第１のバスに対し前記データアクセス要求を送り、
（ｉｉ）前記第１のアドレスが通常の記憶動作以外の動作を有する装置および共有不可の記憶区域と関連する時、前記第２のバスに対し前記データアクセス要求を送る、
よう動作可能な請求項９記載のデータ処理装置。
【請求項１２】
前記データ処理回路と前記更なるデータ処理回路は対称的な多重処理を行うよう動作可能である、請求項６記載のデータ処理装置。
【請求項１３】
前記データ処理回路と前記更なるデータ処理回路は共通のコンピュータプログラムにより制御される、請求項６記載のデータ処理装置。
【請求項１４】
前記１つ以上の属性は、
（ｉ）強く順序付けられている、
（ｉｉ）キャッシュ不可である、
（ｉｉｉ）ライト・スルー・キャッシュが可能である、
（ｉｖ）ライト・バック・キャッシュが可能である
の１つ以上を有する、請求項１記載のデータ処理装置。
【請求項１５】
（ｉ）データ処理回路で第１のアドレスに対しデータ・アクセス要求を発生するステップと、
（ｉｉ）前記第１のアドレスを第２のアドレスに変換すると共に前記第１のアドレスに関連した１つ以上の属性値を読み取るステップと、
（ｉｉｉ）前記１つ以上の属性値に応答して第１のデータ・アクセス・バスまたは第２のデータ・アクセス・バスのいずれかを介して前記第２のアドレスに前記データ・アクセス要求を送るステップと、
を有するデータ処理方法。
【請求項１６】
前記第１のアドレスは仮想アドレスであり、前記第２のアドレスは物理アドレスである、請求項１５記載のデータ処理方法。
【請求項１７】
前記変換は、変換ルックアサイド・バッファにより行われる、請求項１５記載のデータ処理装置。
【請求項１８】
前記１つ以上の属性値はメモリ・ページ属性値である、請求項１５記載のデータ処理方法。
【請求項１９】
前記第１のバスは共有可能バスであり、前記第２のバスは専用バスである、請求項１５記載のデータ処理方法。
【請求項２０】
前記共有可能バスに接続された更なるデータ処理回路で更なるデータアクセス要求を発生するステップを有する、請求項１９記載のデータ処理方法。
【請求項２１】
共有メモリが前記共有可能バスに接続されている、請求項２０記載のデータ処理方法。
【請求項２２】
専用周辺装置が前記専用バスに接続されている、請求項１９記載のデータ処理方法。
【請求項２３】
前記１つ以上の属性は、前記第１のアドレスが、通常のデータ記憶動作を有するメモリか、または通常のデータ記憶動作以外の動作を有する装置のいずれかに関連しているということを示す装置属性を有する、請求項１５記載のデータ処理方法。
【請求項２４】
前記１つ以上の属性は、前記第１のアドレスが、共有可能記憶区域かまたは非共有可能記憶区域のいずれかと関連しているということを示す共有可能属性値を有する、請求項１５記載のデータ処理方法。
【請求項２５】
前記１つ以上の属性は、前記第１のアドレスが、共有可能記憶区域かまたは非共有可能記憶区域のいずれかと関連しているということを示す共有可能属性値を有し、データ・アクセス要求は、
（ｉ）前記第１のアドレスが通常の記憶動作を有するメモリまたは共有可能な記憶区域と関連する時、前記第１のバスに対し送られ、
（ｉｉ）前記第１のアドレスが通常の記憶動作以外の動作を有する装置および共有不可の記憶区域と関連する時、前記第２のバスに対し送られる、
請求項２３記載のデータ処理方法。
【請求項２６】
前記データ処理回路と前記更なるデータ処理回路は対称的な多重処理を行う、請求項２０記載のデータ処理方法。
【請求項２７】
前記データ処理回路と前記更なるデータ処理回路は共通のコンピュータプログラムにより制御される、請求項２０記載のデータ処理方法。
【請求項２８】
前記１つ以上の属性は、
（ｉ）強く順序付けられている、
（ｉｉ）キャッシュ不可である、
（ｉｉｉ）ライト・スルー・キャッシュが可能である、
（ｉｖ）ライト・バック・キャッシュが可能である
の１つ以上を有する、請求項１５記載のデータ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報入力手段と、複数の入出力手段と，前記複数の入出力手段各々に対応した複数のドキュメント制御部と，協調制御部と装置全体を制御する制御部を有し，前記情報入力手段は前記複数の入出力手段の各々に対応したドキュメントを取得し、前記ドキュメント制御部は，対応する前記入出力手段から受け取った入力を仮入力情報として前記協調制御部に送信し，
前記協調制御部は，上記受け取った仮入力情報から選択した情報を確定入力情報として各前記ドキュメント制御部に送信し，各前記ドキュメント制御部は，前記確定入力情報と，前記ドキュメントに記載される該確定入力情報の内容に対応した前記各入出力手段の振る舞いに関する情報とに基づいて装置を制御することを特徴とする情報提供装置。
【請求項２】
請求項１において，少なくとも１つの入力手段が音声入力であることを特徴とする情報提供装置。
【請求項３】
上記各ドキュメントは、上記複数のドキュメント間で同じ情報については同じ属性情報が付されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報提供装置。
【請求項４】
前記協調処理部は、一定時間以内に複数の前記仮入力情報が与えられた場合，最初に与えられた仮入力情報を上記確定入力情報として上記ドキュメント制御部に送信することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の情報提供装置。
【請求項５】
前記協調処理部は、一定以上の間隔をあけて複数の前記仮入力情報が与えられた場合，後から与えられた仮入力情報も上記確定入力情報として上記ドキュメント制御部に送信することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の情報提供装置。
【請求項６】
画像表示装置を有し、上記音声入力手段に入力が行われている場合に，上記制御部は前記画像表示装置に音声入力を行っていることを表示させることを特徴とする請求項２乃至５の何れかに記載の情報提供装置。
【請求項７】
上記何れかの入力手段に対して入力がなされている間，上記制御部は他の前記入力手段への入力を禁止することを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の情報提供装置。
【請求項８】
上記制御部は、上記ドキュメントから有効期限を示す情報を読み取り、有効期限の切れたドキュメント群を消去させることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の情報提供装置。
【請求項９】
前記情報入力手段から複数の前記入出力手段の各々に対応したドキュメントを取得して記憶手段に記憶するステップと、前記入出力手段の何れかに入力なされた場合に仮入力情報を出力させるステップと、上記仮入力情報を記憶するステップと、該仮入力情報のうち選択した情報を確定入力情報として出力するステップと、前記確定入力情報と，前記ドキュメントに記載される該確定入力情報の内容に対応した前記各入出力手段の振る舞いに関する情報とに基づいて各々の入出力手段を制御するステップとを有する情報提供方法をコンピュータに実現させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
また、上記第１および第２の実施形態において、画像サーバ２，４において、端末装置１，３にインストールする画像処理アプリケーションプログラムＰ０等種々のアプリケーションプログラムについて常に最新バージョンのものを保管し、画像サーバ１，３にインストールされたアプリケーションプログラムのバージョンを端末情報Ｔ０に含めて画像サーバ２，４に送信し、画像サーバ２，４において端末情報Ｔ０に基づいて端末装置１，３にインストールされたアプリケーションプログラムのバージョンを判定し、端末装置１，３にインストールされたアプリケーションプログラムのバージョンが最新のバージョンでない場合には、端末装置１，３の機種に応じた最新バージョンのアプリケーションプログラムを端末装置１，３に送信するようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月7日(2004.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
可動イオン（Ｍイオン：Ｍは金属原子）を有する前記混合導電体材料が前記可動イオン供給源（Ｍ）上に形成されていることを特徴とする請求項１記載のポイントコンタクト・アレー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
〔２〕上記〔１〕記載のポイントコンタクト・アレーにおいて、可動イオン（Ｍイオン：Ｍは金属原子）を有する前記混合導電体材料が前記可動イオン供給源（Ｍ）上に形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
この結果、Ｒ０よりもＲ２の方が抵抗値が１桁以上小さくなるので、Ｖ２′は約２００ｍＶ（５００ｍＶ）となる。このときＶ１′もほぼ２００ｍＶ（５００ｍＶ）となるので、架橋２６（図６）に対しては架橋が消滅する電圧が印加されたことになり、Ｒ１は１ＭΩ以上の大きい値となる。この結果、Ｖ１が０Ｖであっても、Ｒ０，Ｒ１≫Ｒ２であるので、Ｖ１′はＶ２′と同じ約２００ｍＶ（５００ｍＶ）となる。その結果、出力は２００ｍＶ（５００ｍＶ）となるのである。正確には、架橋２５の成長と架橋２６の切断は平行して起こり、上述の結果をもたらす。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月28日(2004.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上部に配置され、半導体素子が形成される複数の素子領域と、前記素子領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とからなる素子形成領域と、
前記素子形成領域同士を互いに分離するために前記半導体基板に酸化膜が埋め込まれた素子分離領域と、
前記素子領域と前記素子分離領域との界面、及び、前記ゲート絶縁膜と前記素子分離領域との界面、及び、前記ゲート電極と前記素子分離領域との界面の少なくとも一部、に配置された酸窒化膜と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記酸窒化膜は、前記半導体基板と前記素子分離領域との界面に配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子はゲート絶縁膜を有するＭＯＳ型トランジスタであり、
前記ゲート絶縁膜は、酸窒化物で構成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上の半導体素子が形成される素子形成領域に選択的に耐エッチング膜を形成する第１工程と、
前記耐エッチング膜をマスクとして前記半導体基板を選択的にエッチングして、溝を形成する第２工程と、
少なくとも前記溝の側面に酸窒化膜を形成する第３工程と、
前記溝の内部に酸化膜を形成する第４工程と、
前記素子形成領域に前記半導体素子を構成する各拡散領域を形成する第５工程と
を少なくとも具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第３工程は、
前記溝の表面に酸化膜を形成する第１ステップと、
窒素／酸素系ガスの雰囲気における加熱処理を行うことで、前記溝の表面に形成された前記酸化膜に窒素を添加する第２ステップと
を少なくとも具備することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３工程は、
前記溝の表面に酸化膜を形成する第１ステップと、
前記半導体基板に対して斜め方向に窒素イオンをイオン注入することで、前記溝の側面に形成された前記酸化膜に窒素を添加する第２ステップと
を少なくとも具備することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板と、
前記半導体基板の上部に配置され、半導体素子が形成される複数の素子領域と、前記素子領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積層及びゲート電極の積層とからなるメモリセルトランジスタと、
前記メモリセルトランジスタ同士を互いに分離するために前記半導体基板に酸化膜が埋め込まれた素子分離領域と、
前記素子領域と前記素子分離領域との界面、及び、前記ゲート絶縁膜と前記素子分離領域との界面、及び、前記電荷蓄積層と前記素子分離領域との界面の少なくとも一部、に配置された酸窒化膜と
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の特徴は、半導体基板と、半導体基板の上部に配置され、半導体素子が形成される複数の素子領域と、素子領域上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とからなる素子形成領域と、素子形成領域同士を互いに分離するために半導体基板に酸化膜が埋め込まれた素子分離領域と、素子領域と素子分離領域との界面、及び、ゲート絶縁膜と素子分離領域との界面、及び、ゲート電極と素子分離領域との界面の少なくとも一部、に配置された酸窒化膜とを有する半導体装置であることである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の特徴によれば、半導体素子が形成される素子形成領域と酸化膜が埋め込まれた素子分離領域との界面に酸窒化膜を配置することができる。
本発明の第３の特徴は、半導体基板と、半導体基板の上部に配置され、半導体素子が形成される複数の素子領域と、素子領域上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積層及びゲート電極の積層とからなるメモリセルトランジスタと、メモリセルトランジスタ同士を互いに分離するために半導体基板に酸化膜が埋め込まれた素子分離領域と、素子領域と素子分離領域との界面、及び、ゲート絶縁膜と素子分離領域との界面、及び、電荷蓄積層と素子分離領域との界面の少なくとも一部、に配置された酸窒化膜とを有する不揮発性半導体記憶装置であることである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の電池の製造工程を示す断面図
【図２】従来の電池の外装缶の一例を示す断面図
【図３】従来の電池の外装缶の他の一例を示す断面図
【図４】従来の他の電池の断面図
【図５】本発明の実施例の密閉電池の断面図
【図６】図５に示す密閉電池の斜視図
【図７】図６に示す密閉電池の分解斜視図
【図８】本発明の他の実施例の密閉電池の分解斜視図
【図９】本発明の他の実施例の密閉電池の断面図
【図１０】図９に示す密閉電池の斜視図
【図１１】図９に示す密閉電池の製造工程を示す分解断面図
【図１２】本発明の他の実施例の密閉電池の断面図
【図１３】図１２に示す密閉電池の斜視図
【図１４】図１２に示す密閉電池の製造工程を示す分解断面図
【図１５】本発明の他の実施例の密閉電池の要部拡大断面図
【図１６】本発明の他の実施例の密閉電池の要部拡大断面図
【図１７】本発明の他の実施例の密閉電池の要部拡大断面図
【図１８】図１６に示す密閉電池の製造工程を示す分解断面図
【図１９】図１７に示す密閉電池の製造工程を示す分解断面図
【図２０】本発明の他の実施例の密閉電池の製造工程を示す分解断面図
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空室と、上記真空室内にガスを供給するガス供給装置と、排気装置と、上記真空室内を所定の圧力に制御する圧力制御部と、基板を載置する基板電極と、高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生機構とを備えたプラズマ処理装置であって、
昇降可能でかつ下降時に上記基板を上記基板電極に押し付けて固定するクランプリングと、その上部を被うクランプリング断熱部材とを備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
上記クランプリング断熱部材は、クランプリング側の表面に少なくとも１つの突起部を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
真空室内にガスを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら上記真空室内にプラズマを発生させ、基板電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、
昇降可能なクランプリングの下降時に上記基板を上記基板電極に押し付けて固定するとともに上記クランプリングの上部をクランプリング断熱部材で被いながら、上記基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
クランプリング側表面に少なくとも１つの突起部を有するクランプリング断熱部材を用いて上記基板を処理する、請求項３に記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
真空室と、上記真空室内にガスを供給するガス供給装置と、排気装置と、上記真空室内を所定の圧力に制御する圧力制御部と、基板を載置する基板電極と、高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生機構とを備えたプラズマ処理装置であって、
昇降可能でかつ下降時に上記基板を上記基板電極に押し付けて固定するクランプリングと、上記クランプリングの基板側に配置されかつ上記基板と直接接触する基板断熱部材とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
上記基板断熱部材は、上部クランプリング側表面に少なくとも１つの突起部を有する、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
真空室内にガスを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら上記真空室内にプラズマを発生させ、基板電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、
昇降可能なクランプリングの基板側に配置された基板断熱部材を上記基板と直接接触させて、上記クランプリングの下降時に上記基板断熱部材で上記基板を上記基板電極に押し付けて固定しながら、上記基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
クランプリング側表面に少なくとも１つの突起部を有する基板断熱部材を用いて上記基板を処理する、請求項７に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月8日(2004.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザ発振器から放射された複数のレーザビームを加工対象物の表面に照射するレーザ光学系であって、
上記レーザ光学系が、それぞれのレーザビームが加工対象物の表面で線状になるようにレーザビームを形成する複数の線状ビーム成形手段を備え、
それぞれの線状のレーザビームは、加工対象物表面上を、当該レーザビームの長手方向及びレーザビームの伝搬方向に対して略垂直の方向に、相対的に移動可能であり、
レーザビームの加工対象物表面における照射帯域と、隣接する他のレーザビームの照射帯域との間に隙間が生じないレーザ光学系。
【請求項２】
線状ビーム成形手段が、レーザビームの光軸と直交する方向に収束する円筒レンズを含み、円筒レンズが複数のレーザビームに対して共通の単一の円筒レンズである請求項１に記載のレーザ光学系。
【請求項３】
各レーザ発振器と対応の線状ビーム成形手段とがそのレーザビームの光軸を、基板と平行で且つ基板表面に対して縦に配列した請求項１のレーザ光学系。
【請求項４】
上記レーザ光学系が、基板上の半導体膜表面に照射された線状の照射レーザビームを、ビーム長手方向にほほ一直線に配列させるようにした請求項１ないし３のいずれかに記載のレーザ光学系。
【請求項５】
上記レーザ光学系が、基板上の半導体膜表面に照射された各照射レーザビームを互いに重複することなく近接させた請求項１ないし４のいずれかに記載のレーザ光学系。
【請求項６】
半導体膜が、基板上に成膜されたケイ素膜である請求項１ないし５のいずれかに記載のレーザ光学系
【請求項７】
レーザ発振器が、３３０〜８００ｎｍの範囲の発振波長を有するパルスレーザ発振器である請求項１ないし６のいずれかに記載のレーザ光学系を備えたレーザ光学系。
【請求項８】
レーザ発振器が、固体レーザの高調波を利用する請求項７に記載のレーザ光学系。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載のレーザ光学系と上記レーザ発振器と、半導体膜を形成した該基板を載置するステージとを含み、レーザビームとステージとの相対的移動により、半導体膜表面上で線状レーザビームをその幅方向に移動させて、半導体膜を溶融後結晶化させるレーザアニーリング装置。
【請求項１０】
上記ステージに走査駆動装置を備えて、ステージを走査させるようにした請求項９に記載のレーザアニーリング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月26日(2004.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子を有し、隣り合う光電変換素子の間の少なくとも１つには、表面が凹凸化された中間層が設けられており、
該凹凸の高さは、その二乗平均値が、２５〜６００ｎｍの範囲に設定されており、かつ、該凹凸の平均線に対する凹凸表面の傾きの平均値をΘとしたときのｔａｎΘが０．０７〜０．２０の範囲に設定されている多接合型薄膜太陽電池。
【請求項２】
上記凹凸の一部である穴は、直径が２００〜２０００ｎｍの範囲である略半球状あるいは円錐状の形状を有していることを特徴とする請求項１記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項３】
上記穴は、直径が４００〜１２００ｎｍの範囲である略半球状あるいは円錐状の形状を有していることを特徴とする請求項２記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項４】
上記光電変換素子と接している基板を有し、
上記基板の上記光電変換素子と接する面が凹凸化されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項５】
上記基板の凹凸および上記中間層は、透明導電性の材料からなるものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項６】
上記透明導電性の材料からなるものは、主として酸化亜鉛からなることを特徴とする請求項５記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項７】
上記基板の凹凸および上記中間層の凹凸は、上記透明導電性の材料からなるものに対して、エッチングが行われることにより形成されることを特徴とする請求項５または６に記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項８】
上記少なくとも１つの光電変換素子における活性層は、結晶質シリコンまたはシリコン合金からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の多接合型薄膜太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月26日(2004.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの表面が凹凸化されており、該凹凸面の反対側から光が入射する太陽電池用基板であって、
該凹凸の高さは、その二乗平均値が２５ｎｍ〜６００ｎｍの範囲になるように設定されていると共に、
該凹凸の平均線に対する該凹凸表面の傾きの平均値をΘとしたときのｔａｎΘが０．０７〜０．２０の範囲に設定されていることを特徴とする太陽電池用基板。
【請求項２】
上記凹凸の一部である穴は、直径が２００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲である略半球状または円錐状の形状を有することを特徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。
【請求項３】
上記穴は、直径が４００ｎｍ〜１２００ｎｍの範囲である略半球状または円錐状の形状を有することを特徴とする請求項２記載の太陽電池用基板。
【請求項４】
上記凹凸が透明導電性の材料からなるものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池用基板。
【請求項５】
上記透明導電性の材料からなるものは、主として酸化亜鉛からなることを特徴とする請求項４記載の太陽電池用基板。
【請求項６】
上記凹凸は、上記透明導電性の材料からなるものに対してエッチングが行われることにより形成されることを特徴とする請求項４又は５に記載の太陽電池用基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の太陽電池用基板を備え、該太陽電池用基板に少なくとも一つの光電変換素子からなる光電変換層が設けられていることを特徴とする薄膜太陽電池。
【請求項８】
上記光電変換層の、太陽電池用基板と接する上記表面と反対側の表面は凹凸化されており、
該凹凸の高さは、その二乗平均値が１５ｎｍ〜６００ｎｍの範囲になるように設定されていると共に、
該凹凸の平均線に対する該凹凸表面の傾きの平均値をΘとしたときのｔａｎΘが０．１０〜０．３０の範囲に設定されていることを特徴とする請求項７記載の薄膜太陽電池。
【請求項９】
前記光電変換層のうち、少なくとも１つの光電変換素子における活性層は結晶質シリコンまたはシリコン合金からなることを特徴とする請求項７または８に記載の薄膜太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月20日(2004.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力パラメタとなる単数ないし複数の規格項目に基づいて、ソフトウエア無線機が含む機能要素の特性を確定する特性パラメタを決定するテーブルを備えることを特徴とするソフトウエア無線機。
【請求項２】
少なくとも変調方式と信号伝送速度と隣接チャネルの定義と隣接チャネルへの許容漏洩電力とを外部の入力パラメタとし、上記各入力パラメタに対応してソフトウエア無線機内部のフィルタ処理時のサンプル倍率とフィルタタップ数と上記各タップの係数とを決定するテーブルを備えることを特徴とする請求項１記載のソフトウエア無線機。
【請求項３】
少なくとも変調方式と信号伝送速度と隣接チャネルの定義と隣接チャネルへの許容漏洩電力とを外部の入力パラメタとし、さらに、送信信号の占有周波数帯域幅を入力パラメタとして、上記各入力パラメタに対応してソフトウエア無線機内部のフィルタ処理時のサンプル倍率とフィルタタップ数と上記各タップの係数とを決定するテーブルを備えることを特徴とする請求項２記載のソフトウエア無線機。
【請求項４】
上記ソフトウエア無線機に含まれるＤＳＰ（Digital  Signal  Processor）において、特性パラメタを更改することにより所望のフィルタ処理が実現できるように設計したフィルタ処理サブルーチンブロックを実行することを特徴とする請求項２記載のソフトウエア無線機。
【請求項５】
上記ソフトウエア無線機に含まれるディジタル部に予めパラメタを更改するだけで所望のフィルタ処理が実現できるよう設計したＰＬＤ（Programmable  Logic  Device）を実装したことを特徴とする請求項２記載のソフトウエア無線機。
【請求項６】
通信方式の規定情報を含むソースプログラムと、上記ソースプログラムから上記無線機の備えるテーブルによって決定される該ソフトウェア無線機の機能要素の上記特性パラメタとに基づいて実行用プログラムを生成するためのコード生成部を備えることを特徴とする請求項１記載のソフトウエア無線機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムにおいて用いるソース符号化ビット流に対するチャネル誤り保護を提供するための方法であって、
前記通信システムの第一のネットワーク層内で、前記ソース符号化ビット流の複数の異なる部分の一つあるいは複数を、指定される外チャネル符号を用いて外チャネル符号化することで、前記ソース符号化ビット流の前記複数の部分の各々が異なるレベルの誤り保護を持つ外チャネル符号化ビット流を生成するステップを含み、この外チャネル符号化ステップが、前記通信システムの第二のネットワーク層内で、この外チャネル符号化ビット流を、指定される内チャネル符号を用いて内チャネル符号化することでチャネル符号化ビット流を生成する動作と協調するように構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第一のネットワーク層が前記通信システムのアプリケーション層から成り、前記第二のネットワーク層が前記通信システムの物理層から成ることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ソース符号化ビット流が、各々が特定の重要度の順番に配列された複数のビットを持つ一つあるいは複数のフレームを持つプログレッシブソース符号化ビット流から成ることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ソース符号化ビット流が、各々が特定の重要度の順番に配列された複数の異なる部分を含む一つあるいは複数のフレームを持つ分割ソース符号化ビット流から成ることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記外チャネル符号が少なくとも一部前記通信システムの受信機からのフィードバックに基づいて適応的に適用されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ソース符号化ビット流の前記複数の部分の少なくとも一つと関連する前記外チャネル符号化ビット流の符号語が、前記内チャネル符号を適用する前に、前記通信システムの異なるモデムフレーム内に配列されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
通信システムにおいて用いるソース符号化ビット流に対するチャネル誤り保護を提供するための装置であって、
前記通信システムの第一のネットワーク層内で、前記ソース符号化ビット流の複数の異なる部分の一つあるいは複数を、指定される外チャネル符号を用いて外チャネル符号化することで、前記ソース符号化ビット流の前記複数の部分の各々が異なるレベルの誤り保護を持つ外チャネル符号化ビット流を生成するための外チャネル符号器を備え、この外チャネル符号器が、この外チャネル符号器の一つあるいは複数の出力に結合されるように適合化された入力を持つ内チャネル符号器と協調するように構成され、前記内チャネル符号器が前記外チャネル符号化ビット流を、前記通信システムの第二のネットワーク層内で、指定される内チャネル符号を用いて、内チャネル符号化することでチャネル符号化ビット流を生成することを特徴とする装置。
【請求項８】
通信システムにおいてソース符号化ビット流に対するチャネル誤り保護を提供するために用いる一つあるいは複数のソフトウエアプログラムを格納するメモリ媒体から成る製品であって、前記一つあるいは複数のプログラムが実行されたとき：
前記通信システムの第一のネットワーク層内で、前記ソース符号化ビット流の複数の異なる部分の一つあるいは複数を、指定される外チャネル符号を用いて外チャネル符号化することで、前記ソース符号化ビット流の前記複数の部分の各々が異なるレベルの誤り保護を持つ外チャネル符号化ビット流を生成するステップを実行し；
前記外チャネル符号化ビット流を前記通信システムの第二のネットワーク層内で、指定される内チャネル符号を用いて、内チャネル符号化することで、チャネル符号化ビット流が生成されることを特徴とする製品。
【請求項９】
通信システムにおいて用いるソース符号化ビット流に対するチャネル誤り保護を提供するための方法であって、
前記通信システムの第一のネットワーク層内で、前記ソース符号化ビット流の複数の異なる部分の一つあるいは複数を、指定される外チャネル符号を用いて外チャネル符号化することで、前記ソース符号化ビット流の前記複数の部分の各々が異なるレベルの誤り保護を持つ外チャネル符号化ビット流を生成するステップ；および
前記外チャネル符号化ビット流を前記通信システムの第二のネットワーク層内で指定される内チャネル符号を用いて内チャネル符号化することでチャネル符号化ビット流を生成するステップを含み；
前記チャネル符号化ビット流が前記通信システム内を伝送されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
通信システムにおいて用いるソース符号化ビット流に対するチャネル誤り保護を提供するための装置であって、
前記通信システムの第一のネットワーク層内で、前記ソース符号化ビット流の複数の異なる部分の一つあるいは複数を、指定される外チャネル符号を用いて外チャネル符号化することで、前記ソース符号化ビット流の前記複数の部分の各々が異なるレベルの誤り保護を持つ外チャネル符号化ビット流を生成するための外チャネル符号器；および
前記外チャネル符号器の一つあるいは複数の出力に結合された入力を持つ内チャネル符号器を備え、この内チャネル符号器が  前記外チャネル符号化ビット流を前記通信システムの第二のネットワーク層内で指定される内チャネル符号を用いて内チャネル符号化することでチャネル符号化ビット流を生成し；
前記チャネル符号化ビット流が前記通信システム内を伝送されることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月16日(2005.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の識別情報を可変表示可能な可変表示装置を有し、該可変表示装置において複数種類の識別情報が可変表示された後、複数種類の識別情報の組合せのうちのいずれかが導出表示され、該導出表示された識別情報の組合せが予め定められた特定の組合せになった場合に遊技者に有利な状態に制御可能な遊技機であって、
前記可変表示装置とは別に設けられ、複数種類の飾り識別情報を可変表示した後、複数種類の飾り識別情報の組合せのうちのいずれかが導出表示される飾り可変表示装置と、
前記可変表示装置において識別情報を可変開始させた後、識別情報の組合せを導出表示させる制御を行なうとともに、前記飾り可変表示装置において飾り識別情報を可変開始させた後、飾り識別情報の組合せを導出表示させる制御を行なう可変表示制御手段とを含み、
前記可変表示制御手段は、
前記可変表示装置に導出表示される識別情報の組合せに対応する飾り識別情報の組合せを前記飾り可変表示装置に導出表示させる飾り識別情報の組合せとして導出表示させる制御を行なうとともに、
前記可変表示装置に導出表示可能な識別情報の組合せの総数よりも総数の多い飾り識別情報の組合せを前記飾り可変表示装置に導出表示可能であることを特徴とする、遊技機。
【請求項２】
前記可変表示制御手段は、前記飾り可変表示装置にリーチ状態を表示させる制御を行なうとともに、前記可変表示装置にはリーチ状態を表示させない制御をさらに行なうことを特徴とする、請求項１に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の本発明は、複数種類の識別情報を可変表示可能な可変表示装置を有し、該可変表示装置において複数種類の識別情報が可変表示された後、複数種類の識別情報の組合せのうちのいずれかが導出表示され、該導出表示された識別情報の組合せが予め定められた特定の組合せになった場合に遊技者に有利な状態に制御可能な遊技機であって、
前記可変表示装置とは別に設けられ、複数種類の飾り識別情報を可変表示した後、複数種類の飾り識別情報の組合せのうちのいずれかが導出表示される飾り可変表示装置と、
前記可変表示装置において識別情報を可変開始させた後、識別情報の組合せを導出表示させる制御を行なうとともに、前記飾り可変表示装置において飾り識別情報を可変開始させた後、飾り識別情報の組合せを導出表示させる制御を行なう可変表示制御手段とを含み、
前記可変表示制御手段は、
前記可変表示装置に導出表示される識別情報の組合せに対応する飾り識別情報の組合せを前記飾り可変表示装置に導出表示させる飾り識別情報の組合せとして導出表示させる制御を行なうとともに、
前記可変表示装置に導出表示可能な識別情報の組合せの総数よりも総数の多い飾り識別情報の組合せを前記飾り可変表示装置に導出表示可能であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の本発明は、請求項１に記載の発明の構成に加えて、前記可変表示制御手段は、前記飾り可変表示装置にリーチ状態を表示させる制御を行なうとともに、前記可変表示装置にはリーチ状態を表示させない制御をさらに行なうことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【作用】
請求項１に記載の本発明によれば、複数種類の飾り識別情報を可変表示した後、複数種類の飾り識別情報の組合せのうちのいずれかが導出表示される飾り可変表示装置が、複数種類の識別情報を可変表示可能な可変表示装置とは別に設けられる。可変表示制御手段の働きにより、可変表示装置において識別情報を可変開始させた後、識別情報の組合せを導出表示させる制御が行なわれる。可変表示制御手段のさらなる働きにより、可変表示装置に導出表示される識別情報の組合せに対応する飾り識別情報の組合せを前記飾り可変表示装置に導出表示させる飾り識別情報の組合せとして導出表示させる制御が行なわれるとともに、可変表示装置に導出表示可能な識別情報の組合せの総数よりも総数の多い飾り識別情報の組合せが飾り可変表示装置に導出表示可能となる。このように、可変表示装置に導出表示される識別情報の組合せに対応して、その識別情報の組合せの総数よりも総数の多い飾り識別情報の組合せが飾り可変表示装置に導出表示されることとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に記載の本発明によれば、請求項１に記載の発明の作用に加えて、次のように作用する。可変表示制御手段のさらなる働きにより、飾り可変表示装置にリーチ状態を表示させる制御が行なわれるとともに、可変表示装置にはリーチ状態を表示させない制御がさらに行なわれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
【課題を解決するための手段の具体例の効果】
請求項１に関しては、可変表示装置とは別に、可変表示装置の識別情報の組合せの総数よりも総数の多い飾り識別情報の組合せを導出表示可能な飾り可変表示装置が設けられ、可変表示装置に導出表示される識別情報の組合せに対応する飾り識別情報の組合せが飾り可変表示装置に導出表示させる飾り識別情報の組合せとして導出表示されるように制御されるため、設計段階において、遊技価値を付与するか否かに関連する識別情報の組合せのチェックを、導出表示可能な識別情報の組合せ総数が少ない可変表示装置により行なうことができる。このため、設計段階においては、遊技価値を付与するか否かに関連する識別情報の組合せのチェックを容易にすることができるとともに、遊技中においては、導出表示される飾り識別情報の組合せ総数が多い飾り可変表示装置により、飾り識別情報の組合せをバラエティに富んだものにすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６４】
請求項２に関しては、請求項１に関する効果に加えて、飾り可変表示装置にリーチ状態を表示させる制御が行なわれるとともに、可変表示装置にはリーチ状態を表示させない制御がさらに行なわれる。