【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の主表面中に、ライン状に設けられ、前記半導体基板の表面から基板内部へ進むに従い前記ライン幅が狭くなるように形成されたトレンチ分離用のトレンチと、
前記トレンチ内を埋込むように前記半導体基板の上に設けられた第１の絶縁物と、
前記トレンチを挟むように、前記半導体基板の上に、第１の酸化膜を介在させて設けられた一対の第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極の上に、第２の絶縁物を介在させて設けられた第２のゲート電極と、を備えた不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁物が第１ゲート電極の側壁に接している位置は、前記第１のゲート電極の上面より下にあり、かつ前記第１のゲート電極の下面より上にある、請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記一対の第１のゲート電極は、前記半導体基板の表面から基板内部方向へ進むに従い前記一対の第１のゲート電極の間隔が狭くなるように形成された部分を有する、請求項１または２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
ライン状に形成されたトレンチ分離を有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
半導体基板の上に、第１の酸化膜、第１のゲート電極を順次堆積する第１工程と、
前記第１のゲート電極上に、前記トレンチを形成する部分以外の部分を覆う、有機物を含まない無機物からなるエッチングマスクを形成し、前記第１のゲート電極および前記第１の酸化膜のパターンを形成し、前記エッチングマスクを用いて、前記半導体基板の表面を自己整合的にエッチングし、前記半導体基板の主表面中に前記ライン状のトレンチを形成する第２工程と、
前記トレンチの内部を埋込むように、かつ前記エッチングマスクを覆うように前記半導体基板の上に第１の絶縁物を堆積する第３工程と、
前記第１の絶縁物の表面と前記エッチングマスクの表面が面一になるように、前記第１の絶縁膜を削り落とす第４工程と、
前記エッチングマスクを除去し、前記第１の絶縁膜の頭部分を突出させる第５工程と、
前記第１の絶縁膜の前記頭部分を、該第１の絶縁膜が第１のゲート電極の側壁に接している位置が前記第１のゲート電極の上面と下面との間にくるまで、エッチング除去する第６工程と、
前記第１のゲート電極を被覆するように、前記半導体基板の上に第２の絶縁膜を堆積し、続いて、第２のゲート電極を堆積する第７工程と、を備えた、不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のゲート電極および前記第１の酸化膜のパターン形成は、前記エッチングマスクを用いて行なわれる、請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１工程において、第１のゲート電極上に、薄膜酸化膜および半導体薄膜を順次堆積する工程を含み、
前記第２の工程において、前記エッチングマスクは前記半導体薄膜上に形成され、前記薄膜酸化膜および半導体薄膜もパターン形成され、
前記第６工程と前記第７工程の間に、前記半導体薄膜をエッチング除去し、前期薄膜酸化膜の表面を露出させる工程および、その後に、露出している前記薄膜酸化膜を除去し、前記第１ゲート電極の表面を露出させる工程を含む、請求項４または５に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項７】
前記第６工程における前記エッチングは、前記第１の絶縁膜が第１のゲート電極の側壁に接している位置が、前記第１のゲート電極の厚さの半分にくるように行なわれる、請求項４から６のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程における前記ライン状のトレンチ形成は、前記半導体基板の表面から基板内部へ進むに従い前記ライン幅が狭くなるように行なわれる、請求項４から７のいずれかに記載の不揮発性半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板を備える。上記半導体基板の主表面中に、ライン状に、半導体基板の表面から基板内部へ進むに従いライン幅が狭くなるように、トレンチ分離用のトレンチが形成されている。上記トレンチ内を埋込むように、上記半導体基板の上に第１の絶縁物が設けられる。上記トレンチを挟むように、上記半導体基板の上に、第１の酸化膜を介在させて、第１のゲート電極が設けられる。上記第１のゲート電極の上に、第２の絶縁物を介在させて第２のゲート電極が設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
請求項２に記載の不揮発性半導体記憶装置によれば、第１の絶縁膜が第１のゲート電極の側壁に接している位置は、上記第１のゲート電極の上面より下にあり、かつ該第１のゲート電極の下面より上にある。
請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置によれば、一対の第１のゲート電極は、半導体基板の表面から基板内部方向へ進むに従い一対の第１のゲート電極の間隔が狭くなるように形成された部分を有する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、ライン状に形成されたトレンチ分離を有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法に係る。まず、半導体基板の上に、第１の酸化膜、第１のゲート電極を順次堆積する（第１工程）。上記第１のゲート電極上に、上記トレンチを形成する部分以外の部分を覆う、有機物を含まない無機物からなるエッチングマスクを形成し、第１のゲート電極および第１の酸化膜のパターンを形成し、上記エッチングマスクを用いて、半導体基板の表面を自己整合的にエッチングし、上記半導体基板の主表面中に上記ライン状のトレンチを形成する（第２工程）。上記トレンチの内部を埋込むように、かつ上記エッチングマスクを覆うように、上記半導体基板の上に第１の絶縁物を堆積する（第３工程）。上記第１の絶縁物の表面と上記エッチングマスクの表面が面一になるように、上記第１の絶縁膜の表面を削り落とす（第４工程）。上記エッチングマスクを除去し、上記第１の絶縁膜の頭部分を突出させる（第５工程）。上記第１の絶縁膜の上記頭部分を、該第１の絶縁膜が第１のゲート電極の側壁に接している位置が、上記第１のゲート電極の上面と下面との間にくるまで、エッチング除去する（第６工程）。上記第１のゲート電極を被覆するように上記半導体基板の上に第２の絶縁膜を堆積し、続いて、第２のゲート電極を堆積する（第７工程）。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
請求項５に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法によれば、第１のゲート電極および第１の酸化膜のパターン形成は、前記エッチングマスクを用いて行なわれる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
請求項６に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法によれば、第１工程において、第１のゲート電極上に、薄膜酸化膜および半導体薄膜を順次堆積する工程を含む。第２の工程において、エッチングマスクは半導体薄膜上に形成され、薄膜酸化膜および半導体薄膜もパターン形成される。第６工程と第７工程の間に、半導体薄膜をエッチング除去し、薄膜酸化膜の表面を露出させる工程および、その後に、露出している薄膜酸化膜を除去し、第１ゲート電極の表面を露出させる工程を含む。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
請求項７に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法によれば、上記第６工程における上記エッチングは、上記第１の絶縁膜の第１のゲート電極の側壁に接している位置が上記第１のゲート電極の厚さの半分にくるように行なわれる。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
請求項８に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法によれば、上記第２工程におけるライン状のトレンチ形成は、半導体基板の表面から基板内部へ進むに従いライン幅が狭くなるように行なわれる。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８５】
請求項２に係る不揮発性半導体記憶装置によれば、第１の絶縁物が第１のゲート電極の側壁に接している位置は、第１のゲート電極の上面より下にあり、かつ第１のゲート電極の下面より上にあるので、寄生トランジスタができない。
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９４】
請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法によれば、トレンチの内部が、カーボン等のコンタミネーションによって汚染されない。
請求項６に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法によれば、フローティングゲートの上面表面や上面表面近傍のフローティングゲート内部にダメージを与えない不揮発性半導体記憶装置が得られる。
【手続補正５６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０２】
請求項８に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法によれば、厚膜酸化膜がトレンチ内へ埋込まれやすくなる。
【手続補正６４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０３
【補正方法】削除
【補正の内容】