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【手続補正書】
【提出日】平成16年11月18日(2004.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（イ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（ロ）ヒドロキシスチレンに相当する繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増加する樹脂、並びに
（ハ）（１）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネートの群から選択される少なくとも一種の溶剤、
（２）プロピレングリコールモノメチルエーテル及びエトキシエチルプロピオネートの群から選択される少なくとも一種の溶剤
を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項２】
前記〔ハ〕の溶剤が、更に（３）γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートの群から選択される少なくとも一種の溶剤
を含有することを特徴とする請求項１に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項３】
（ロ）の樹脂が、下記一般式（ＩV）及び（V）で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
2001183837.tif 000001
（上記式中、Ｌは、水素原子、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。
Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。）
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー容器を駆動して該トナー容器からトナーを取り出す容器駆動手段、
前記トナー容器から取り出されたトナーを現像手段に供給するトナー搬送手段、
モータ、
該モータの駆動力を前記トナー搬送手段に伝達する第１伝達手段及び、
前記モータの駆動力を前記容器駆動手段に伝達する係脱可能な第２伝達手段、を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記現像手段内の現像剤のトナー濃度を検知するトナー濃度検知手段を有し、前記モータは前記トナー濃度検知手段からの検知信号に基づいて制御されることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記トナー容器から取り出されたトナーを貯留するトナー貯留部及び該トナー貯留部におけるトナーの量を検知するトナー検知手段を有し、前記第２伝達手段は前記トナー検知手段により係脱制御されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記トナー貯留部にリサイクルトナーを受け入れる受入口を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は画像形成装置におけるトナー補給装置に関連した改良に関し、特に、画像形成装置のトナー補給部の改良に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の仕切り部材（バンク）によって囲まれる領域の各々に、電子と正孔の結合により自ら発光する発光層が形成さた有機エレクトロルミネッセンス装置において、
前記発光層に対し前記正孔を注入する正孔注入層が、前記仕切り部材によって囲まれる領域及び前記仕切り部材の下層に形成されてなり、前記発光層は前記仕切り部材によって囲まれる領域内に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記正孔注入層が少なくともPolyethylendioxythiopheneとPolystyrenesulfonateを含むことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記正孔注入層が少なくともポリアニリンとPolystyrenesulfonateを含むことを特徴とするディスプレイ基板請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記仕切り部材が含フッ素樹脂より形成されていることを特徴とする請求項１乃至３記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記仕切り部材が感光性を有する樹脂より形成されていることを特徴とする請求項１乃至３記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記仕切り部材が、フッ素化エポキシ樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化ポリアミド樹脂、フッ素化ポリウレタン樹脂、フッ素化シロキサン樹脂およびそれらの変性樹脂より形成されていることを特徴とする請求項４又は５記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
第１の電極と第２の電極に挟持された発光層及び正孔注入層を有するエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
基板上に前記第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に前記正孔注入層を形成する工程と、
前記正孔注入層上に前記発光層を仕切る仕切り部材を形成する工程と、
前記正孔注入層上の前記仕切り部材によって囲まれた領域内に前記発光層を形成する工程と、
前記仕切り部材及び前記発光層上に前記第２の電極を形成する工程とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
前記正孔注入層を液体材料をスピンコートすることにより形成することを特徴とする請求項７記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
前記液体材料が水分散性高分子材料であること
を特徴とする請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
前記仕切り部材は、含フッ素感光性樹脂を有機溶剤で現像することにより形成する
ことを特徴とする請求項７乃至９記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は基板上の仕切り部材（バンク）によって囲まれる領域の各々に、電子と正孔の結合により自ら発光する発光層が形成さた有機エレクトロルミネッセンス装置において、
前記発光層に対し前記正孔を注入する正孔注入層が、前記仕切り部材によって囲まれる領域及び前記仕切り部材の下層に形成されてなり、前記発光層は前記仕切り部材によって囲まれる領域内に形成されていることを特徴とする本発明の構成は、基板面のうちの表示領域に設け
また、基板面のうちの表示領域に設けた仕切部材（バンク）によって囲まれる領域の各々に、電子と正孔の結合により自ら発光する発光層が形成されたディスプレイ基板において、前記発光層に対し前記正孔を注入する正孔注入層が、前記基板面のうちの表示領域全面に形成され、前記正孔注入層の層上にバンクが形成されていることを特徴とする。
かかる構成によれば、正孔注入層を前記基板面のうちの表示領域全面に形成することができ、正孔注入層の膜厚を均一にして容易に形成できる。また、正孔注入層の層上に設けたバンクにより囲まれる領域には発光層のみが形成されるから、このようなディスプレイ基板を製造するにあたっての工程内容を簡易化することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また上述した構成において、前記正孔注入層は少なくとも
PolyethylendioxythiopheneとPolystyrenesulfonateを含むようにしてもよい。あるいは、前記正孔注入層は少なくともポリアニリンとPolystyrenesulfonateを含むようにしてもよい。
更には、前記仕切り部材が含フッ素樹脂より形成されていても良い。前記仕切り部材が感光性を有する樹脂より形成されていても良い。前記仕切り部材が、フッ素化エポキシ樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化ポリアミド樹脂、フッ素化ポリウレタン樹脂、フッ素化シロキサン樹脂およびそれらの変性樹脂より形成されていても良い。
かかる構成によれば、発光層に対する正孔注入性能が良好なため、発光輝度、発光効率、寿命などの諸特性が優れるＥＬディスプレイを作製することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、第１の電極と第２の電極に挟持された発光層及び正孔注入層を有するエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
基板上に前記第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に前記正孔注入層を形成する工程と、
前記正孔注入層上に前記発光層を仕切る仕切り部材を形成する工程と、
前記正孔注入層上の前記仕切り部材によって囲まれた領域内に前記発光層を形成する工程と、
前記仕切り部材及び前記発光層上に前記第２の電極を形成する工程とを有することを特徴とする
また本発明の構成は、基板面のうちの表示領域に設けた仕切部材（バンク）によって囲まれる領域の各々に、電子と正孔の結合により自ら発光する発光層が形成されたディスプレイ基板の製造方法において、前記発光層に対して前記正孔を注入する正孔注入層を、前記基板面のうちの表示領域全面に形成する過程と、前記正孔注入層の面上に前記バンクを形成する過程と、前記バンクにより囲まれる領域の各々に前記発光層を形成する過程とを有することを特徴とする。
かかる構成によれば、正孔注入層を前記基板面のうちの表示領域全面に形成することができ、正孔注入層の膜厚を均一にして容易に形成できる。また、正孔注入層の層上に設けたバンクにより囲まれる領域には発光層のみを形成すれば足りるため、ディスプレイ基板製造工程の内容を簡易化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
小径ディスク２ａの中心が検出レバー７ａ，７ｂの当接片７ｃ間を過ぎると、検出レバー７ａ，７ｂ、連動部材１４およびロッド板９ａ，９ｂはばね１５により復帰する。一方、検知板１６の摺接片１６ｂは、まだ小径ディスク２ａの上面に乗り上げているため、係止片１４ｂの受け面１４ｄがフック１６ａの下に入り込み、突起１４ｃがフック１６ａの側面に当接して連動部材１４の復帰を途中で禁止し、図１０の如く、接触子２１を長接点２４にのみ接する位置に留める。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記再生手段によって再生が行われている情報の単位時間当たりの拍数を検出する拍数検出手段を備え、
前記制御手段は、前記操作手段より繰返し再生の開始の指示がなされた際に、
前記拍数検出手段にて測定された単位時間当たりの拍数と予め設定されている所定の拍数との比に比例する時間を求め、当該求めた時間に基づいて前記指示された時点から所定時間の経過時点までの範囲内の情報を設定して、前記再生手段に対して繰返し再生を行わせることを特徴とする請求項１に記載の情報再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【００１７】また上記目的を達成するため本発明の情報再生装置は、上記操作手段より繰返し再生の開始の指示がなされる以前に上記再生手段によって再生が行われている情報の単位時間当たりの拍数を検出する拍数検出手段を備え、上記制御手段は、上記操作手段より繰返し再生の開始の指示がなされた際に、上記拍数検出手段にて測定された単位時間当たりの拍数と予め設定されている所定の拍数との比に比例する時間を求め、当該求めた時間に基づいて上記指示された時点から所定時間の経過時点までの範囲内の情報を設定して、上記再生手段に対して繰返し再生を行わせることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像、音響を含むメディアデータと、前記メディアデータよりも前に位置し該メディアデータを再生するために必要な情報を含むメタデータとを含んだファイルを生成するファイル生成装置において、
前記メディアデータと前記メタデータとの間に、フリーデータを挿入してファイルを生成することを特徴とするファイル生成装置。
【請求項２】
請求項1に記載のファイル生成装置において、挿入される上記フリーデータのサイズを外部から指定する手段を有するファイル生成装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のファイル生成装置において、複数のファイルフォーマットに関する情報を格納する記録手段と、要求に応じて前記ファイルフォーマットに関する情報を出力する手段を有することを特徴とするファイル生成装置。
【請求項４】
請求項３に記載のファイル生成装置において、前記ファイルフォーマットに関する情報に基づいて、前記上書き可能なフリーデータサイズを決定する決定手段をさらに有することを特徴とするファイル生成装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載のファイル生成装置において、前記ファイル変換方式を指定する手段をさらに有することを特徴とするファイル生成装置。
【請求項６】
請求項３に記載のファイル生成装置において、前記ファイルフォーマットに関する情報を編集する手段を有することを特徴とするファイル生成装置。
【請求項７】
請求項４乃至６の何れかに記載のファイル生成装置において、
上記決定手段は、変換前のファイルに存在せず、かつ変換後のファイルに必須であるデータのサイズＣを算出し、前記算出サイズＣのフリーデータを挿入することを特徴とするファイル生成装置。
【請求項８】
請求項７に記載のファイル生成装置において、
上記決定手段は、変換前のファイルに存在し、かつ変換後のファイルに不要なデータのサイズを上記算出サイズCから減算して上記フリーデータのサイズを決定し、前記減算処理により影響が及ぶ他データの内容を更新する手段を有することを特徴とするファイル生成装置。
【請求項９】
映像、音響を含むメディアデータと、前記メディアデータより前の位置に該メディアデータを再生するために必要な情報を含むメタデータとフリーデータを含んだ第１のフォーマットによる第１のファイルを入力する入力部と、
前記メディアデータより前の部分を第２のフォーマットに基づくデータで上書きする変換処理部と、
前記第２のフォーマットに変更処理したファイルを出力する出力部とを備えたことを特徴とするファイル変換装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の変換処理部は、上記第１のフォーマットによるファイルにおける、上記メディアデータよりも前に位置するデータの第１のデータサイズと、上記第２のフォーマットにおけるファイルのメディアデータよりも前に位置するデータの第２のデータサイズとを比較する手段を有し、前記第１のデータサイズが前記第２のデータサイズ以上である場合に、上記上書き変更を行うことを特徴とするファイル変換装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のファイル変換装置において、前記第１のデータサイズが前記第２のデータサイズよりも小さい場合に、前記メディアデータを一時的に記憶できるかどうかを判断し、
前記判断により記憶が不可と判断された場合に、前記変換処理の中止の旨を示すメッセージを出力して変換処理を中止する手段と、
前記判断により記憶が可能と判断された場合に、前記メディアデータを一時的にコピーする手段と、前記メディアデータを前記第２のフォーマットにおけるメディアデータより前に位置するデータで上書き変更する手段と、前記一時的にコピーしたメディアデータを前記上書き変更されたデータの直後に格納する手段と、前記メタデータ内のメディアデータの位置情報を上書き変更する手段を有することを特徴とするファイル変換装置。
【請求項１２】
映像、音響を含むメディアデータと前記メディアデータより前に位置し該メディアデータを再生するために必要な情報を含むメタデータとを含んだ第１のフォーマットによる第１のファイルを入力し、
入力された前記メディアデータよりも前に位置するデータの第１のデータサイズと、第２のフォーマットにおける前記メディアデータよりも前に位置するデータの第２のデータサイズとを比較し、
前記第１のデータサイズが前記第２のデータサイズ以上である場合に前記第１のファイルの前記メディアデータより前の部分を上書き変換し、前記第２のフォーマットに変換処理したファイルを出力することを特徴とするファイル変換方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のファイル変換装置において、
前記第１のデータサイズが前記第２のデータサイズよりも小さい場合に、前記メディアデータを一時的に記憶してできるか判断し、
前記判断により記憶が不可と判断された場合には、上記変換処理を中止し、
前記判断により記憶が可能と判断された場合は、前記メディアデータを一時的にコピーし、前記メディアデータを前記第２のフォーマットにおけるメディアデータよりも前に位置すべきデータで上書き変更し、前記一時的にコピーしたメディアデータを前記上書き変更されたデータの直後に格納し、前記第２のフォーマットにおけるメタデータ内のメディアデータの位置情報を上書き変更することを特徴とするファイル変換方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
再び図３を参照して、実施の形態１に従う構成においては、オフセット調整のためのテストモードに用いられる、テスト電流供給回路１００および、電流切換回路１２０および１３０がさらに配置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
電流切換回路１２０は、ノードＮｃおよび接地電圧ＧＮＤの間に直列に接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタ１２２および１２５を有する。電流切換回路１３０は、ノードＮｄおよび接地電圧ＧＮＤの間に直列に接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３２および１３５を有する。トランジスタ１１０、１２２および１３２の各ゲートは、トランジスタ１１０および定電流発生回路１０５の接続ノードと結合される。さらに、トランジスタ１２５および１３５のゲートには、イネーブル信号ＥＮ４およびＥＮ５がそれぞれ入力される。データ読出動作時には、イネーブル信号ＥＮ４およびＥＮ５はＬレベルに非活性化されるので、電流切換回路１２０および１３０は、テスト電流供給回路１００とノードＮｃおよびＮｄとの間を切離す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
インピーダンス調整回路７０ｂは、ノードＮｃと接続されたゲートを有するＮチャネルＭＯＳトランジスタ７６ａ，７６ｂ，７６ｃ，７６ｄ，７８と、制御信号ＴＳ２ａ〜ＴＳ２ｄをそれぞれゲートに受けるＮチャネルＭＯＳトランジスタ７７ａ，７７ｂ，７７ｃ，７７ｄとを有する。トランジスタ７８は、ノードＮｅと接地電圧ＧＮＤとの間に電気的に結合される。トランジスタ７６ａおよび７７ａは、ノードＮｅと接地電圧ＧＮＤとの間に直列に接続される。同様に、トランジスタ７６ｂおよび７７ｂはノードＮｅおよび接地電圧ＧＮＤの間に直列に接続され、トランジスタ７６ｃおよび７７ｃはノードＮｅおよび接地電圧ＧＮＤの間に直列に接続され、トランジスタ７６ｄおよび７７ｄはノードＮｅおよび接地電圧ＧＮＤの間に直列に接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
電圧比較器６２は、電源電圧ＶｃｃおよびノードＮ４の間に電気的に結合されるＰチャネルＭＯＳトランジスタ２０２と、電源電圧ＶｃｃおよびノードＮ５の間に電気的に結合されるＰチャネルＭＯＳトランジスタ２０４と、ノードＮｂと接続されたゲートを有するＮチャネルＭＯＳトランジスタ２０５ａ，２０５ｂ，２０５ｃ，２０５ｄ，２１５と、制御信号ＴＳ３ａ〜ＴＳ３ｄをそれぞれゲートに受けるＮチャネルＭＯＳトランジスタ２１０ａ〜２１０ｄとを有する。トランジスタ２１５は、ノードＮ５と接地電圧ＧＮＤとの間に電気的に結合される。トランジスタ２０５ａおよび２１０ａは、ノードＮ５と接地電圧ＧＮＤとの間に直列に接続される。同様に、トランジスタ２０５ｂおよび２１０ｂはノードＮ５および接地電圧ＧＮＤの間に直列に接続され、トランジスタ２０５ｃおよび２１０ｃはノードＮ５および接地電圧ＧＮＤの間に直列に接続され、トランジスタ２０５ｄおよび２１０ｄはノードＮ５および接地電圧ＧＮＤの間の直列に接続される。ノードＮ４は、伝達トランジスタ６３のゲートと接続される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
電圧比較器６２は、さらに、各々が基準電圧Ｖｒｅｆを与えられたゲートを有するＮチャネルＭＯＳトランジスタ２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃ，２２０ｄ，２２５と、制御信号ＴＳ４ａ〜ＴＳ４ｄをそれぞれゲートに受けるＮチャネルＭＯＳトランジスタ２３０ａ〜２３０ｄとを有する。トランジスタ２２５は、ノードＮ４と接地電圧ＧＮＤとの間に電気的に結合される。トランジスタ２２０ａおよび２３０ａは、ノードＮ４と接地電圧ＧＮＤとの間に直列に接続される。同様に、トランジスタ２２０ｂおよび２３０ｂはノードＮ４および接地電圧ＧＮＤの間に直列に接続され、トランジスタ２２０ｃおよび２３０ｃはノードＮ４および接地電圧ＧＮＤの間に直列に接続され、トランジスタ２２０ｄおよび２３０ｄはノードＮ４および接地電圧ＧＮＤの間に直列に接続される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８２】
基準電圧発生回路４００は、電圧発生回路４０５と、ＭＴＪメモリセルと同様に作成されたダミーメモリセル４１０と、ＭＴＪメモリセルの設計抵抗値を示すための基準セル４１５と、ダミーメモリセル４１０に対応して設けられる電流検出回路４２０と、基準セル４１５に対応して設けられる電流検出回路４３０と、ダミーメモリセル４１０および基準セル４１５の通過電流の差を検出するための電流検出回路４４０，４５０と、電圧発生回路４０５と同様の構成を有する電圧発生回路４６５と、電流検出回路４４０および４５０の検出結果に応じて、電圧発生回路４０５の出力電圧を調整して基準電圧Ｖｒｅｆを生成する基準電圧調整回路４６０とを含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８４】
ダミーメモリセル４１０は、ダミートンネル磁気抵抗素子ＴＭＲｄｒおよびアクセストランジスタＡＴＲｄｒを有する。ダミートンネル磁気抵抗素子ＴＭＲｄｒは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲと同様に設計および作製され、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲと同様の構造を有する。ダミートンネル磁気抵抗素子ＴＭＲｄｒには、電気抵抗Ｒｍｉｎに対応する記憶データが予め書込まれている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003173700.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003173700.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクと外周面がテーパー面のテーパースペーサと、該テーパースペーサの内周面とエアーを利用して調芯するセンサーシャフトとを有し、該ディスクは該ディスクの内周面と該テーパースペーサのテーパー面とを接触固定して該センターシャフトに調芯し、固定されていることを特徴とするディスクの調芯固定装置。
【請求項２】
前記エアーは前記センターシャフトの外周面に設けたエアー供給口から前記テーパースペーサの内周面に供給されていることを特徴とする請求項１のディスクの調芯固定装置。
【請求項３】
前記ディスクを前記テーパースペーサに調芯固定する平行スペーサを有することを特徴とする請求項１又は２のディスクの調芯固定装置。
【請求項４】
前記テーパースペーサは金属又は樹脂より成り、前記ディスクの内周面との接触面には、フッ素樹脂がコーディングされていることを特徴とする請求項１、２又は３のディスクの調芯固定装置。
【請求項５】
前記テーパースペーサのテーパー面と前記テーパースペーサの内周面は、同一チャックで旋盤加工されたものであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項のディスクの調芯固定装置。
【請求項６】
前記テーパースペーサの外周面のテーパー面の角度は、前記ディスクの内周面に対応した面より成っていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項のディスクの調芯固定装置。
【請求項７】
前記センターシャフトには、前記テーパースペーサに調芯固定したディスクのユニットが複数装着されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項のディスクの調芯固定装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項のディスクの調芯固定装置と、前記ディスクを回転する為のモータ部を有することを特徴とするスピンドルモータ。
【請求項９】
請求項１から７のいずれか１項のディスクの調芯固定装置を有することを特徴とするサーボライタ。
【請求項１０】
ディスクの内径面を外周面がテーパー形状のテーパースペーサの外周面で押し当てる工程と、エアー圧力を利用して該テーパースペーサの内径面をセンターシャフトに対して調芯する工程を利用して、ディスクをセンターシャフトに対して調芯固定することを特徴とするディスクの調芯固定方法。
【請求項１１】
外周面がテーパー面のテーパースペーサの該テーパー面にディスクの内周面を接して、ディスクをテーパースペーサの中心に調芯する工程と、テーパースペーサの内周面とセンターシャフトの外周面との円周に一定の厚さの空気層を形成して双方の軸を合わせる工程と、該ディスクを該テーパースペーサに調芯固定するときに用いる平行スペーサと該ディスクとの間に空気の隙間を形成し、該ディスクが該センターシャフトの軸と垂直方向に静圧支持される工程とを利用して該ディスクを該センターシャフトに調芯固定することを特徴とするディスクの調芯固定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２の発明は請求項１の発明において、
前記エアーは前記センターシャフトの外周面に設けたエアー供給口から前記テーパースペーサの内周面に供給されていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリデバイスであって、
メモリアレイと、第１の電流源と、第２の電流源
とを備え、
前記メモリアレイは、
基板と、
該基板上に配置されるメモリセルのアレイと、
前記メモリセルに結合される複数の第１の導体と、
前記メモリセルに結合される複数の第２の導体
とを備え、
前記第１の導体は前記第２の導体と前記メモリセルにおいて交差し、
前記第１の電流源は、前記第１の導体に選択的に結合され、選択された第１の導体に第１の書込み電流を与えることが可能であり、前記第１の電流源は、前記メモリアレイの温度を検知するために配置される第１の温度センサを備え、前記第１の温度センサは、前記第１の書込み電流を調整し、前記メモリアレイ内の温度変動を補償するための出力を与え、
前記第２の電流源は、前記第２の導体に選択的に結合されることからなる、メモリデバイス。
【請求項２】
前記第１の温度センサは、
温度とともに変動する抵抗を有する複数の能動デバイスを含む、請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項３】
前記複数の能動デバイスが、変動する温度に応答して、変化する出力電圧を提供することが可能な変換器デバイスを備える、請求項２のメモリデバイス。
【請求項４】
前記第１の温度センサが、前記第１の電流源の制御要素に結合される、請求項１のメモリデバイス。
【請求項５】
前記制御要素が三端子デバイスを備える、請求項４のメモリデバイス。
【請求項６】
前記第１の電流源は、
前記制御要素に結合された出力電流回路と、
一組の公称電流回路であって、前記制御要素とバイアス電圧源を備える、一組の公称電流回路
とを備える、請求項４のメモリデバイス。
【請求項７】
前記制御要素は、前記出力電流回路を通って流れる基準電流の流れを制御する、請求項６のメモリデバイス。
【請求項８】
前記出力電流回路はカレントミラーから構成され、該カレントミラーは、前記基準電流から前記第１の書き込み電流を生成する、請求項７のメモリデバイス。
【請求項９】
前記第１の温度センサは、第１の書き込み電流が生成されている間に、前記出力を与える、請求項１のメモリデバイス。
【請求項１０】
前記第１の電流源が電圧に結合される、請求項９のメモリデバイス。
【請求項１１】
前記第１の電流源がバイアス電圧源を備え、該バイアス電圧により、いつ該電圧が第１の書き込み電流を生成するかが決定される、請求項９のメモリデバイス。
【請求項１２】
前記第２の電流源は、
前記メモリアレイの温度を検知するために配置される第２の温度センサを備え、前記第２の温度センサは、前記第２の電流源によって生成される第２の書込み電流を調整し、前記メモリアレイ内の温度変動を補償するための出力を与える、請求項１のメモリデバイス。
【請求項１３】
前記第１の電流源を前記第１の導体に選択的に結合する第１のスイッチのバンクと、
前記第２の電流源を前記第２の導体に選択的に結合する第２のスイッチのバンク
を備える、請求項１２のメモリデバイス。
【請求項１４】
メモリデバイスにおいて書込み電流を生成する方法であって、前記メモリデバイスは、メモリセルのアレイと、前記メモリセルに結合される複数の第１の導体と、前記メモリセルに結合される複数の第２の導体と、少なくとも１つの温度センサを有する少なくとも１つの電流源とを備え、前記方法は、
書込み電流が前記第１の導体のうちの１つに流れることができるようにするステップと、
前記電流源の前記温度センサからの出力を受け取るステップと、
前記温度センサからの前記出力を用いて、前記書込み電流を生成するステップ
含む、方法。
【請求項１５】
前記温度センサからの出力を受け取る前記ステップは、前記電流源の制御要素において、前記温度センサの電圧を受け取るステップを含む、請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記書込み電流を生成する前記ステップが、前記温度センサの電圧に応じて基準電流を調整するステップを含み、前記書き込み電流が前記基準電流に応じて変化する、請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記書込み電流を生成する前記ステップは、前記書込み電流が生成されている間に、該書込み電流を調整するステップを含む、請求項１４の方法。
【請求項１８】
前記温度センサに電圧を印加するステップ含み、前記温度センサは、複数の能動要素を備えることからなる、請求項１７の方法。
【請求項１９】
前記温度センサからの出力を受け取る前記ステップは、前記書き込み電流が生成されている間に前記出力を受け取るステップを含むことからなる、請求項１７の方法。
【請求項２０】
メモリアレイに書き込むための回路において、
複数の能動デバイスを備える温度センサであって、前記温度センサは、制御要素の第１の端子に結合される、温度センサと、
前記制御要素の第２の端子に結合されるバイアス電圧源と、
前記制御要素の第３の端子に結合される出力電流回路
を備え、
前記出力電流回路は、メモリアレイの導体に書き込み電流を与えるよう構成可能であり、前記能動デバイスは、温度の変化と共にその抵抗が変わることからなる、回路。
【請求項２１】
前記制御要素がトランジスタである、請求項２０の回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報記録担体及びその再生装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口数ＮＡの対物レンズを介して集光された波長λのレーザ光により記録される情報記録担体であって、
グルーブ部とランド部とが交互に形成された微細パターンを有する支持体と、
前記微細パターン上に形成された相変化材料からなる記録層と、
前記記録層上に形成された厚さ０．０７〜０．１２ｍｍの透光層とから少なくともなり、
前記グルーブ部のピッチ又は前記ランド部のピッチをＰとするとき、前記微細パターンは、Ｐ＜λ／ＮＡの関係を有すると共に、前記グルーブ部又は前記ランド部のいずれか一方にのみ相変化記録によるマークが形成されていることを特徴とする情報記録担体。
【請求項２】
前記マークは、変調振幅０．４以上のコントラストで形成されていることを特徴とする請求項１記載の情報記録担体。
【請求項３】
前記波長λが３５０〜４５０ｎｍであり、前記ＮＡが０．７５〜０．９であることを特徴とする請求項１又は２記載の情報記録担体。
【請求項４】
前記マークが反射率差又は位相差の少なくとも１つの記録モードに基づいて形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の情報記録担体。
【請求項５】
情報記録担体を装着した情報記録担体の再生装置であって、
前記情報記録担体は、グルーブ部とランド部とが交互に形成され、前記グルーブ部のピッチ又は前記ランド部のピッチをＰとした微細パターンを有する支持体と、前記微細パターン上に形成された相変化材料からなる記録層と、前記記録層上に形成された厚さ０．０７〜０．１２ｍｍの透光層と、を少なくとも備え、
前記再生装置は、再生光の波長がλであり、ＲＩＮが１２５ｄＢ／Ｈｚ以下のノイズを有したレーザ発光素子と、開口数ＮＡの対物レンズと、光検出器を具備し、前記透光層を介して、情報記録担体に形成されているグルーブ部又はランド部のいずれか一方を選択して再生を行うピックアップと、を少なくとも有するとともに、Ｐ＜λ／ＮＡの関係を有していることを特徴とする情報記録担体の再生装置。
【請求項６】
前記記録層は、変調振幅０．４以上のコントラストのマークが形成されていることを特徴とする請求項５記載の情報記録担体の再生装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報記録担体に対して相対運動をさせて情報を読み出す再生装置に用いられる情報記録担体に関し、特に光学的手段によって記録及び／又は再生を行う情報記録担体及びその再生装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このようにクロスイレースが生じると、隣接トラックの情報が損傷を受けるため、大容量の情報システムにあっては、損失情報量が非常に大きなものとなるので、ユーザーへの影響が甚大である。このため、この情報記録担体１００を用いて、ランド部Ｌ又はグルーブ部Ｇのいずれか一方のみに記録することが考えられるが、記録容量が減少し、高密度記録のポテンシャルを有する情報記録担体のメリットが薄れてしまう。そこで、従来の問題を解消すべく、クロスイレースを低減し、高密度記録された情報記録担体、その再生装置を提供することを目的とする。特に、３５０〜４５０ｎｍの波長での記録・再生を前提とした情報記録担体、その再生装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願発明の第１の発明は、開口数ＮＡの対物レンズを介して集光された波長λのレーザ光により記録される情報記録担体であって、グルーブ部とランド部とが交互に形成された微細パターンを有する支持体と、前記微細パターン上に形成された相変化材料からなる記録層と、前記記録層上に形成された厚さ０．０７〜０．１２ｍｍの透光層とから少なくともなり、前記グルーブ部のピッチ又は前記ランド部のピッチをＰとするとき、前記微細パターンは、Ｐ＜λ／ＮＡの関係を有すると共に、前記グルーブ部又は前記ランド部のいずれか一方にのみ相変化記録によるマークが形成されていることを特徴とする情報記録担体を提供する。
第２の発明は、前記マークは、変調振幅０．４以上のコントラストで形成されていることを特徴とする請求項１記載の情報記録担体を提供する。
第３の発明は、前記波長λが３５０〜４５０ｎｍであり、前記ＮＡが０．７５〜０．９であることを特徴とする請求項１又は２記載の情報記録担体を提供する。
第４の発明は、前記マークが反射率差又は位相差の少なくとも１つの記録モードに基づいて形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の情報記録担体を提供する。
第５の発明は、情報記録担体を装着した情報記録担体の再生装置であって、前記情報記録担体は、グルーブ部とランド部とが交互に形成され、前記グルーブ部のピッチ又は前記ランド部のピッチをＰとした微細パターンを有する支持体と、前記微細パターン上に形成された相変化材料からなる記録層と、前記記録層上に形成された厚さ０．０７〜０．１２ｍｍの透光層と、を少なくとも備え、前記再生装置は、再生光の波長がλであり、ＲＩＮが１２５ｄＢ／Ｈｚ以下のノイズを有したレーザ発光素子と、開口数ＮＡの対物レンズと、光検出器を具備し、前記透光層を介して、情報記録担体に形成されているグルーブ部又はランド部のいずれか一方を選択して再生を行うピックアップと、を少なくとも有するとともに、Ｐ＜λ／ＮＡの関係を有していることを特徴する情報記録担体の再生装置を提供する。
第６の発明は、前記記録層は、変調振幅０．４以上のコントラストのマークが形成されていることを特徴とする請求項５記載の情報記録担体の再生装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の上にテクスチャー加工を施すテクスチャー工程の後に、少なくとも、非磁性下地膜、磁性層、保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、テクスチャー工程が、コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーとテクスチャーテープとを用いるテクスチャー初工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
非磁性基板が、アルミニウム合金基板、ガラス基板、セラミック基板、可撓性樹脂基板、またはこれらの基板にＮｉＰまたはＮｉＰ合金をメッキあるいはスパッタ法により蒸着させた基板であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーが、平均粒径が０．０３〜０．５［μｍ］であるコロイダルシリカ砥粒を３〜３０質量％の濃度で含むことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
テクスチャーテープが、織布状のテープ、植毛状のテープ、テープを構成する部材中にポリウレタンを含むテープから選ばれるいずれかのテープであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
ポリウレタンを含むテープが、ＰＥＴフィルム上に発泡ポリウレタン層を有している発泡ポリウレタン製テープ、ナイロンまたはポリエステルの繊維に対して１０質量％以上のポリウレタンを含有している不織布テープ、ナイロン、ポリエステル、レーヨンのいずれかからなる織布テープや植毛テープであって繊維に対して１０質量％以上のポリウレタンを含浸したテープから選ばれるいずれかのテープであることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
発泡ポリウレタン製テープが、発泡ポリウレタン層が２０〜７０μｍの平均ポア径を有し３００μｍ以上の厚さを有していることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
テクスチャーテープを１×９．８×１０4〜３×９．８×１０4［Ｐａ］の圧力で押し付けることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
テクスチャー初工程に不織布テープを用いたクリーニング工程を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
テクスチャー工程が、初工程の後にダイヤモンド砥粒を含むスラリー、および不織布製テープ、織布テープ、発泡ポリウレタン製テープの何れかのテープを用いるテクスチャー後工程を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
テクスチャー工程が、初工程の後に複数のテクスチャー後工程を含み、各後工程で用いるスラリー中の砥粒の平均粒径を段階的に小さくすることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
表面にテクスチャー加工を施した非磁性基板の上に、少なくとも、非磁性下地膜、磁性層、保護膜が形成された磁気記録媒体において、半径方向のキズが実質的に無く基板全体のロールオフが４５ｎｍ以下であって、表面のテクスチャーラインの線密度が２００００［本／ｍｍ］以上である磁気記録媒体。
【請求項１２】
非磁性基板が、アルミニウム合金基板、ガラス基板、セラミック基板、可撓性樹脂基板であることを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
非磁性基板が、表面にＮｉＰまたはＮｉＰ合金膜を有することを特徴とする請求項１１または１２に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
非磁性基板が、その表面がコロイダルシリカ砥粒を含むスラリーとテクスチャーテープとを用いるテクスチャー初工程が施された表面であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】
磁気記録媒体に用いる媒体基板であって、非磁性基板の表面が、コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーとテクスチャーテープとを用いるテクスチャー初工程が施された表面であることを特徴とする媒体基板。
【請求項１６】
半径方向のキズが実質的に無く基板全体のロールオフが４５ｎｍであることを特徴とする請求項１５に記載の媒体基板。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、前記組成物（Ｑ）においては、化合物（Ｄ）とともに前記単官能化合物（Ｇ）を併用してもよい。該単官能化合物（Ｇ）としては、前記例示化合物が適宜選定使用でき、組成物（Ｐ）と組成物（Ｑ）とで該単官能化合物（Ｇ）を同種にしても異種にしてもよい。該単官能化合物（Ｇ）を化合物（Ｄ）とともに併用する場合は、（Ｄ）および（Ｇ）の合計１００重量部に対し、（Ｅ）および（Ｃ）の割合を上記範囲とすることが好ましい。（Ｅ）中のメルカプト基のモル数についても同様に、（Ｄ）中の重合性官能基と（Ｇ）中の重合性官能基との合計モル数に対して５０％以下であることが好ましい。また、化合物（Ｄ）／単官能化合物（Ｇ）の併用比（質量基準）は、１０／０〜１／３の範囲から選定されるのが望ましい。該単官能化合物（Ｇ）の併用比が余りに大きくなると、ハードコート層（Ｙ）の耐擦傷性が低下する傾向にある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月31日(2005.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも、光透過層と、前記光透過層と厚みの異なる基材と、前記光透過層と前記基材に挟まれた１層以上の情報記録層を備え、かつ、前記基材の外側主面の一部のみに、吸湿防止膜が成膜されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】前記吸湿防止膜を第１吸湿防止膜として、前記光透過層の外側主面の少なくとも一部に第２吸湿防止膜が形成された請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】前記吸湿防止膜が、誘電体材料からなることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】前記誘電体材料が、ＺｎＳを主成分とすることを特徴とする請求項３記載の光情報記録媒体。
【請求項５】前記誘電体材料が、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ2であることを
特徴とする請求項４記載の光情報記録媒体。
【請求項６】前記誘電体材料が、ＳｉＯ2を主成分とすることを特徴とする請
求項３記載の光情報記録媒体。
【請求項７】前記吸湿防止膜が、樹脂材料からなることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項８】前記樹脂材料が、塩化ビニリデンであることを特徴とする請求項７記載の光情報記録媒体。
【請求項９】前記光透過層上の少なくとも一部に、保護膜を有することを特徴とする請求項１、３から８のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１０】前記光透過層の外側主面に成膜された前記第２吸湿防止膜上に、保護膜を有することを特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体。
【請求項１１】前記基材がポリカーボネートからなることを特徴とする請求項１、３から１０のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１２】前記光透過層が、放射線硬化性樹脂と、シート状基板からなることを特徴とする請求項１、３から１１のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１３】前記光透過層が、粘着性樹脂材料と、シート状基板からなることを特徴とする請求項１、３から１１のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１４】前記シート状基板がポリカーボネートであることを特徴とする請求項１２または１３に記載の光情報記録媒体。
【請求項１５】前記光透過層が、放射線硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項１、３から１１のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１６】前記光透過層の厚さが略０．１ｍｍであることを特徴とする請求項１、３から１５のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１７】前記光透過層と前記基材を合わせた厚さが、略１．２ｍｍであることを特徴とする請求項１、３から１５のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１８】前記基板上の前記吸湿防止膜が、あるパターンで成膜されていることを特徴とする請求項１、３から１７のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１９】前記パターンが、ドット状であることを特徴とする請求項１８記載の光情報記録媒体。
【請求項２０】前記パターンが、網目状であることを特徴とする請求項１８記
載の光情報記録媒体。
【請求項２１】請求項１、３から１７のいずれかに記載の光情報記録媒体の基板上の前記吸湿防止膜を、あるパターンで成膜することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項２２】前記基材が円盤形状であって、前記パターンが輪帯状の領域に形成されていることを特徴とする請求項１８から２０のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項２３】前記基材が円盤形状であって、前記基材上の前記吸湿防止膜が、輪帯状に成膜されていることを特徴とする請求項１、３から１７のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項２４】請求項１、３から１７のいずれかに記載の光情報記録媒体の輪帯状に成膜された前記吸湿防止膜の内径を、前記基材の外径の４０％以上８０％以下の大きさとすることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２５】輪帯状に成膜された前記吸湿防止膜の内径が、前記基材の外径の５０％以上７０％以下の大きさであることを特徴とする請求項２４記載の光情報記録媒体。
【請求項２６】輪帯状に成膜された前記吸湿防止膜の外径が、前記基材の外径の９０％以上の大きさであることを特徴とする請求項２３から２５のいずれかに記載の光情報記録媒。
【請求項２７】輪帯状に成膜された前記吸湿防止膜の外径が、前記基材の外径の９８％以上の大きさであることを特徴とする請求項２６記載の光情報記録媒体。
【請求項２８】前記吸湿防止膜が、前記基材の前記外側主面の３５％以上８５％以下に成膜されていることを特徴とする請求項２、１８，２４から２７のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項２９】前記吸湿防止膜が、前記基材の前記外側主面の５０％以上７０％以下に成膜されていることを特徴とする請求項１、３から２０、２２，２３のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項３０】前記基材に成膜された前記吸湿防止膜上に、バランス層を形成
することを特徴とする請求項１、３から２０、２２，２３のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項３１】前記吸湿防止膜が成膜された前記基材の外側主面に、さらに吸湿防止膜が成膜されていることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３２】前記基材の外側主面に成膜された前記吸湿防止膜と、その上にさらに成膜された吸湿防止膜の材料が異なることを特徴とする請求項３１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３３】少なくとも、光透過層と、前記光透過層と厚みの異なる基材と、前記光透過層と前記基材に挟まれた１層以上の情報記録層を備える光情報記録媒体の、前記基材の外側主面の一部のみに、吸湿防止膜を成膜する際に、
前記光透過層上に傷つき防止膜を形成しておくことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項３４】少なくとも、光透過層と、前記光透過層と厚みの異なる基材と、前記光透過層と前記基材に挟まれた１層以上の情報記録層を備え、前記光透過層上の少なくとも一部に吸湿防止膜が成膜された光情報記録媒体の、前記吸湿防止膜上に保護膜を形成する際に、
前記保護膜となる材料が微粒子となって存在する雰囲気中を、前記光情報記録媒体を通過させることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の光情報記録媒体は、少なくとも光透過層と、光透過層と厚みの異なる基材と、光透過層と基材に挟まれた１層以上の情報記録層を備え、かつ、基材の外側主面の一部のみに吸湿防止膜が成膜されていることを特徴とする。上記本発明の光情報記録媒体によって、環境変化、特に湿度の変化に対して、基材と光透過層の吸水量、吸水膨張差をバランスさせ、チルト変動が小さく、記録・再生特性に影響を与えない光情報記録媒体作製が容易であり、特に情報記録層に対して基材と光透過層の厚みが非対称となる光情報記録媒体において有効である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
次に、ポートＰ２を第１のレベルにする（Ｓ３０）。この第１のレベルは、予備発光時における閃光放電管８の発光強度に対応している。後述するＳ３１におけるタイマのタイムアップ時間内に、第１のレベルに制御された発光波高値は放電管内部にアークを急速に広げるに十分な値が設定されている。第１のレベルによる波高値（発光強度）制御について以下に述べる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の第１実施形態である閃光装置を備えたカメラの電気回路ブロック図。
【図２】
本発明の第１実施形態である閃光装置内における閃光放電管近傍の図（ａ、ｂ）。
【図３】
本発明の第１実施形態である閃光装置を備えたカメラにおける撮影動作を示すフローチャート 。
【図４】
本発明の第１実施形態である閃光装置における発光動作を示すフローチャート。
【図５】
（ａ）従来技術である閃光装置の発光強度を示す閃光波形。
（ｂ）本発明の第１実施形態である閃光装置の発光強度を示す閃光波形。
【図６】
本発明の第２実施形態である閃光装置内における閃光放電管近傍の図（ａ、ｂ）。
【符号の説明】
１：電源電池  ２：昇圧回路  ３：メインコンデンサ  ６：トリガ回路
８：閃光放電管  １０：閃光制御回路  １１：積分回路
１２：光強度検出回路  １３、１４：コンパレータ  １５、１６：受光素子
１７、２１：マイクロコンピュータ  ２２：シャッタ制御回路
２３：絞り制御回路  ２４：測光回路
１００、１０１、１０２、１０４：遮蔽部材