Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顕微鏡に装填された観察標本の光学的な顕微鏡画像をデジタル画像信号として入力する画像入力手段と、
上記顕微鏡画像に対する撮影倍率を所望する倍率に変更する変倍制御手段と、
上記観察標本の顕微鏡画像の全体像の画角から、上記所望する撮影倍率に基づき、上記全体像を複数の小区画に分割する画像分割手段と、
上記画像入力手段による上記顕微鏡画像の全体像若しくは小区画の撮影の際に適正な入力画像ゲインを検出し設定する入力画像ゲイン検出手段と、
上記画像入力手段により撮影された小区画の画像情報を蓄積する画像蓄積手段と、
上記画像蓄積手段から小区画の画像情報を読み出し、貼り合わせる画像貼り合わせ手段と、
上記観察標本に関する画像及び情報を表示するモニタ手段と、を具備し、
最初の小区画撮影時若しくは、画角決めのための全体像撮影時の画像入力手段の画像入力ゲインを、以後の小区画撮影の画像入力ゲインとして用いることを特徴とする顕微鏡デジタル画像撮影システム。
【請求項２】
顕微鏡を用いて観察標本の高解像な顕微鏡画像を観察するための顕微鏡デジタル画像の撮影方法において、
上記観察標本に対する全体像の画角決めを行い、適正な画像入力ゲインを検出し、以後の入力画像のゲインとして設定する工程と、
上記観察標本に対する所望な撮影倍率の設定により、画像の分割数を設定する工程と、
上記分割数で撮影された小区画を貼り合わせ、上記観察標本の全体像を形成する工程と、
を具備することを特徴とする顕微鏡デジタル画像撮影方法。
【請求項３】
顕微鏡を用いて観察標本の高解像な顕微鏡画像を観察するための顕微鏡デジタル画像撮影方法において、
上記観察標本に対する全体像の画角決めを行う工程と、
上記観察標本に対する所望な撮影倍率の設定により、全体像の分割数を設定する工程と、
上記観察標本に対して上記分割数の小区画を撮影し、最初に撮影した小区画の適正な画像入力ゲインを、以後に撮影される小区画の入力画像ゲインとして固定する工程と、
上記分割数で撮影された小区画を貼り合わせ、上記観察標本の全体像の形成する工程と、
を具備することを特徴とする顕微鏡デジタル画像撮影方法。
【請求項４】
顕微鏡画像を入力するための画像入力手段と、
画像情報を蓄積するための画像蓄積手段と、
画像情報を表示するための画像表示手段と、
複数枚の画像を貼り合わせるための画像貼り合わせ手段と、
顕微鏡の観察倍率を変更する変倍制御手段と、
観察標本を保持するステージを光軸に対して垂直平面方向に移動するステージ制御手段と、を具備し、
低倍率で全体像の画角決めを行い、同じ画角を複数の小区画に分割し、一連の複数の小区画の高倍率撮影画像の貼り合わせにより、高解像な全体像を形成する顕微鏡デジタル画像撮影システムにおいて、
初めの小区画の高倍率撮影時に画像入力手段のゲインを固定することを特徴とする顕微鏡デジタル画像撮影システム。
【請求項５】
顕微鏡画像を入力するための画像入力手段と、
画像情報を蓄積するための画像蓄積手段と、
画像情報を表示するための画像表示手段と、
複数枚の画像を貼り合わせるための画像貼り合わせ手段と、
顕微鏡の観察倍率を変更する変倍制御手段と、
観察標本を保持するステージを光軸に対して垂直平面方向に移動するステージ制御手段と、を具備し、
低倍率で全体像の画角決めを行い、同じ画角を複数の小区画に分割し、一連の複数の小区画の高倍率撮影画像の貼り合わせにより、高解像な全体像を形成する顕微鏡デジタル画像撮影システムにおいて、
低倍率での全体像の画角決め時に画像入力手段のゲインを固定する顕微鏡デジタル画像撮影システム。
【請求項６】
最初の小区画撮影時又は全体像の画角決め時の画像入力ゲインに代えて、操作者が所望する部位のゲインを小区画撮影時の画像入力ゲインとして用いることを特徴とする、請求項１、４又は５に記載の顕微鏡デジタル画像撮影システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、低倍率での全体像の画角決め時に画像入力手段のゲインを固定し、同じ画角を複数の小区画に分割し、複数に分割された小区画の高倍率撮影画像の貼り合わせにより、高解像な全体像が形成される。
また本発明は、最初の小区画撮影時又は全体像の画角決め時の画像入力ゲインに代えて、操作者が所望する部位のゲインを小区画撮影時の画像入力ゲインとして用いることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プロジェクタのパネル冷却装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネルを用いたプロジェクタにおいて、
前記パネルを取り付け固定し、かつ、前記パネルの直下に設けた冷却外気送風口を有したキャビティと、
前記キャビティの下側に配置された外気吸入用の電動モータファンと、
前記キャビティの冷却外気送風口に介挿され、前記キャビティの上面から突出した第１の突出片と、前記キャビティの下面に延在し、前記電動モータファンで吸入した外気の上昇傾斜に沿って折曲した折曲片とを有した第１の風向板と、
前記キャビティの冷却外気送風口に介挿され、前記キャビティの上面から突出した第２の突出片と、前記キャビティの下面に延在した延在片を有した第２の風向板と、
を具備し、前記電動モータファンで吸入した外気を前記キャビティの下面に延在した第１風向板の折曲片と第２の風向板の延在片で案内誘導し、前記キャビティの上面に突出した前記第１と第２の突出片で誘導拡散し、前記パネルに冷却外気を送風することを特徴とするプロジェクタのパネル冷却装置。
【請求項２】
前記第１と第２の風向板は、異なる板体で形成し、前記第１の風向板を前記第２の風向板に重ねて、前記キャビティに固定することを特徴とする請求項１記載のプロジェクタのパネル冷却装置。
【請求項３】
前記キャビティの冷却外気送風口の開口は、前記第１と第２の風向板の突出片で所定の間隔で区切ることを特徴とする請求項１記載のプロジェクタのパネル冷却装置。
【請求項４】
前記第１と第２の風向板の少なくとも一方を複数設け、前記第１の風向板の折曲片と前記第２の風向板の前記延在片の寸法を異ならせることを特徴とする請求項１記載のプロジェクタのパネル冷却装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プロジェクタにおけるパネルの冷却装置に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、回転数の低い電動モータファンを用い、かつ、外気中の塵埃を十分除去できる微細メッシュのフィルタを用い、外気取り入れ開口から取り込む外気量が少なくても、前記パネルを冷却するために必要な風量が得られるパネル冷却装置を提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、パネルを用いたプロジェクタにおいて、前記パネルを取り付け固定し、かつ、前記パネルの直下に設けた冷却外気送風口を有したキャビティと、前記キャビティの下側に配置された外気吸入用の電動モータファンと、前記キャビティの冷却外気送風口に介挿され、前記キャビティの上面から突出した第１の突出片と、前記キャビティの下面に延在し、前記電動モータファンで吸入した外気の上昇傾斜に沿って折曲した折曲片とを有した第１の風向板と、前記キャビティの冷却外気送風口に介挿され、前記キャビティの上面から突出し、た第２の突出片と、前記キャビティの下面に延在した延在片を有した第２の風向板とを備え、前記電動モータファンで吸入した外気を前記キャビティの下面に延在した第１風向板の折曲片と第２の風向板の延在片で案内誘導し、前記キャビティの上面に突出した前記第１と第２の突出片で誘導拡散し、前記パネルに冷却外気を送風することを特徴とするプロジェクタのパネル冷却装置である。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明に係るプロジェクタのパネル冷却装置の一実施の形態を示す図で、図１（ａ）は、一部断面斜視図で、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ、Ｙ線で切断した断面図である。なお、この図１は、図４で説明した液晶プロジェクタの液晶パネルと投射レンズの部分のみを示し、光源から液晶パネルまでの光学系の構成は省略している。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【発明の効果】
本発明のパネルの冷却装置を用いることにより、騒音が極めて少なく、回転数の低い冷却用の電動モータファンと、微細な塵埃も集塵可能なフィルタとを採用し、吸入外気量が少なくしても、吸入した外気を有効に集積して、前記液晶パネルに送風し、その外気により液晶パネルの発熱を効率よく冷却排気することが可能となった。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプロジェクタの一実施の形態を示す、図１（ａ）は一部断面斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の切断線Ｘ，Ｙから切断した断面図。
【図２】本発明に係る風向板の形状を説明する展開斜視図。
【図３】本発明に係る風向板の取付状態と風向を示す拡大斜視図。
【図４】液晶プロジェクタの構成を示す平面図。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージ上に載置された試料上にスポット光を走査することで試料を観察する走査型顕微鏡において、
前記ステージ上の試料を撮像する撮像手段を有するとともに該撮像手段により撮像された観察画像を取込む画像取込み手段と、
この画像取り込み手段により取込まれた観察画像の少なくとも１ラインごとのの輝度情報から前記観察画像中の輝度の分布を求める輝度分布検出手段と、
この輝度分布検出手段の検出結果に基づいて前記試料上のスポット光を走査するラインを決定する走査ライン決定手段とを具備したことを特徴とする走査型顕微鏡。
【請求項２】
ステージ上に載置された試料上にスポット光を走査することで試料を観察する走査型顕微鏡において、
前記ステージ上の試料を撮像する撮像手段を有するとともに該撮像手段により撮像された観察画像を取込む画像取込み手段と、
この画像取り込み手段により取込まれた観察画像の２値化処理により前記観察画像中の輝度の分布を求める輝度分布検出手段と、
この輝度分布検出手段の検出結果に基づいて前記試料上のスポット光を走査する領域を決定する走査領域決定手段とを具備したことを特徴とする走査型顕微鏡。
【請求項３】
ステージ上に載置された試料上にスポット光を走査することで試料を観察する走査型顕微鏡において、
前記ステージ上の試料を撮像する撮像手段を有するとともに該撮像手段により撮像された観察画像を取込む画像取込み手段と、
この画像取り込み手段により取込まれた観察画像中の輝度の分布を求める輝度分布検出手段と、
この輝度分布検出手段の検出結果に基づいて前記試料上のスポット光を走査する領域を決定する走査領域決定手段と、
この走査領域決定手段により決定されたスポット光走査領域が所定の走査領域内にあるかを判断する走査領域判断手段と、
この走査領域判断手段の判断結果により前記走査領域決定手段により決定されたスポット光走査領域を前記所定の走査領域内に位置するように前記試料を載置したステージを移動するステージ駆動手段とを具備したことを特徴とする走査型顕微鏡。
【請求項４】
前記決定された領域を前記観察画像にオーバーレイ表示するとともに、この表示された走査領域の修正、追加を可能にしたことを特徴とする請求項２記載の走査型顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３記載の発明によれば、ステージ上に載置された試料を撮像した観察画像を取込み、この観察画像の２値化処理により観察画像中の輝度の分布を求め、この輝度分布に基づいて走査領域決定手段により試料上のスポット光を走査する領域を決定し、この決定したスポット光走査領域が所定の走査領域内にない場合は、ステージを移動してスポット光走査領域を所定の走査領域に位置させるようにして試料上のスポット光走査を行うようにできるので、所定領域外の観察対象に対しても必要最小限のスポット光走査により観察画像を取込むことができる。
請求項４記載の発明は、請求項２の発明において、前記決定された領域を前記観察画像にオーバーレイ表示するとともに、この表示された走査領域の修正、追加を可能にしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
さらに、偏光変換のために必要な光路長も短くて済むと共に、偏光変換対象の偏光成分が１／４波長板を通過する回数も３回で良いので、光量損失の増加を抑制でき、また、偏光効率の低下も抑制できる。これに加えて、偏光分離膜が形成される偏光プリズムの大きさも半分にできるので、その分、プリズム内の光路長が短くなるため、光の吸収損失も低減できる。この結果、２個の光源ランプを備えた高輝度の偏光光源装置を実現できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ここで、この偏光光源装置３０の変形例としては、第２の偏光分離膜の偏光分離特性を、第１の偏光分離膜とは逆の特性とし、１／２波長板を省略する構成を挙げることができる。例えば、第１の偏光分離膜７がＳ偏光成分の光を反射し、Ｐ偏光成分の光を透過するものである場合には、第２の偏光分離膜８は、Ｐ偏光成分の光を透過し、Ｓ偏光成分の光を反射するものとされる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の課題は、偏光変換を光量損失が少なく、しかも偏光効率の低下を招くことなく行うことの可能な偏光光源装置を提案することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
なお、本例では、半円形の開口部分３ｃの出射側にはＩＲ・ＵＶカットフィルター７が配置されており、図において斜線部分で示される半円形断面の平行光束Ｉはこのフィルター７を通って偏光変換光学系５に出射される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
半円形断面の平行光束Ｉは、まず、偏光ビームスプリッター８の第１の偏光分離膜１１において、そのＳ偏光成分の光Ｉ（ｓ）のみが反射され、Ｐ偏光成分の光Ｉ（ｐ）はそのまま透過する。反射したＳ偏光成分の光Ｉ（ｓ）は出射面８ａおよびコンデンサーレンズ１５を介して出射される。Ｐ偏光成分の光Ｉ（ｐ）は第１の偏光分離膜１１を透過した後に、更に、偏光分離特性が同一の第２の偏光分離膜１２も透過する。この後は、１／４波長板１３を介して偏光方向が４５度回転させられた後は全反射板１４で同一方向に反射されて、再び１／４波長板１３を透過する。この結果、Ｐ偏光成分の光Ｉ（ｐ）は１／４波長板１３を２度通過するので、その偏光方向が９０度回転してＳ偏光成分の光Ｉ’（ｓ）となる。従って、第２の偏光分離膜１２において直角に反射されて、偏光ビームスプリッター８の出射面８ａおよびコンデンサーレンズ１５を介して出射される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
さらに、偏光変換のために必要な光路長も短くて済むと共に、偏光変換対象の偏光成分が１／４波長板を通過する回数も２回で良いので、光量損失の増加を抑制でき、また、偏光効率の低下も抑制できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  偏光光源装置
２  発光管
３  反射鏡
３ａ  反射面
３ｂ  光源ランプの円形射出開口
３ｃ  反射板で遮蔽されていない半円形の射出開口部分
４  光源ランプ
４ａ  光源光軸
５  偏光変換光学系
６  反射板
６ａ  反射面
７  ＩＲ・ＵＶカットフィルター
８  偏光ビームスプリッター
８ａ  出射面
１１  第１の偏光分離膜
１２  第２の偏光分離膜
１３  １／４波長板
１４  全反射板
１５  コンデンサーレンズ
２０  偏光光源装置
２１  反射型液晶装置
３０  偏光光源装置
３１  第１の全反射板
３２  第２の全反射板
３３  １／２波長板
Ｉ（ｓ）  Ｓ偏光成分の光
Ｉ（ｐ）  Ｐ偏光成分の光
Ｉ’（ｓ）  偏光変換されて得られたＳ偏光成分の光
Ｉ（ｏｕｔ）  偏光変換後の出射光束
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結像レンズ前群と、該結像レンズ前群の後側焦点位置に配置された光学フィルターと、該光学フィルターの後側に配置された結像レンズ後群とを有する結像光学系において、
前記光学フィルターは、第１の位相領域と、該第１の位相領域に対して１８０°の位相差を生じさせる第２の位相領域とを交互に配置して形成され、前記第１の位相領域と第２の位相領域とはいずれも同一の幅を有し、且つ前記第１の位相領域と第２の位相領域との間の中央部の境界を物体からの０次回折光が通過するように配置したことを特徴とする結像光学系。
【請求項２】
前記第１の位相領域と前記第２の位相領域との境界部分の透過率を、前記第１の位相領域と第２の位相領域の中央部分の透過率よりも低く構成した請求項１記載の結像光学系。
【請求項３】
前記第１の位相領域と第２の位相領域との前記幅をＰとし、前記０次回折光が通過する前記境界から前記幅方向への距離をｘとしたとき、
前記光学フィルターの透過率分布がｓｉｎ2（πｘ／Ｐ）となるように構成した請求項２記載の結像光学系。
【請求項４】
細く絞られた照明光束を発する光源と、結像レンズ前群と、該結像レンズ前群の後側焦点位置に配置された光学フィルターと、該光学フィルターの後側に配置された結像レンズ後群とを有する結像光学系において、
前記光学フィルターは、第１の位相領域と、該第１の位相領域に対して１８０°の位相差を生じさせる第２の位相領域とを交互に配置して形成され、前記第１の位相領域と第２の位相領域とはいずれも同一の幅を有し、且つ前記第１の位相領域と第２の位相領域との間の中央部の境界を物体からの０次回折光が通過するように配置したことを特徴とする結像光学系。
【請求項５】
前記第１の位相領域と前記第２の位相領域との境界部分の透過率を、前記第１の位相領域と第２の位相領域の中央部分の透過率よりも低く構成した請求項４記載の結像光学系。
【請求項６】
前記第１の位相領域と第２の位相領域との前記幅をＰとし、前記０次回折光が通過する前記境界から前記幅方向への距離をｘとしたとき、
前記光学フィルターの透過率分布がｓｉｎ2（πｘ／Ｐ）となるように構成した請求項５記載の結像光学系。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月22日(2004.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビーム光を発生するビーム光発生手段と、
このビーム光発生手段から発生されたビーム光を被走査面へ向けて反射し、前記ビーム光により前記被走査面を走査する走査手段と、
この走査手段により前記被走査面を走査すべく導かれたビーム光を、前記ビーム光の走査方向に対してほぼ直交する方向に複数の解像度に対応した間隔で平行に並列配設された複数の光検知部で検知するビーム光位置検知手段と、
このビーム光位置検知手段の検知結果に基づき、前記走査手段により走査されるビーム光の前記被走査面における通過位置が適正位置となるよう制御するビーム光通過位置制御手段と、
を具備したことを特徴とするビーム光走査装置。
【請求項２】
前記走査手段により前記被走査面を走査すべく導かれたビーム光の通過タイミングを検知する複数のビーム光通過タイミング検知手段と、
この複数のビーム光通過タイミング検知手段の出力信号に基づき、前記複数のビーム光通過タイミング検知手段のうちどのビーム光通過タイミング検知手段が最初にビーム光を検知したかを判定する判定手段と、
この判定手段の判定結果に基づき、前記ビーム光の通過タイミングを検知するビーム光通過タイミング検知手段を決定する決定手段と、
この決定手段で決定されたビーム光通過タイミング検知手段の出力信号に基づき、前記ビーム光の通過タイミングに同期し、かつ、画像の解像度に応じた複数の周波数のクロックパルスを発生するパルス発生手段と、
このパルス発生手段から発生されるクロックパルスに同期して前記ビーム光発生手段を変調駆動する駆動手段と、を具備したことを特徴とする請求項１記載のビーム光走査装置。
【請求項３】
前記走査手段により前記被走査面を走査すべく導かれたビーム光の通過タイミングを検知する複数のビーム光通過タイミング検知手段と、
この複数のビーム光通過タイミング検知手段の出力信号に基づき、それぞれのビーム光通過タイミングに同期したクロックパルスを発生するパルス発生手段と、
このパルス発生手段から発生されるクロックパルスに同期して前記ビーム光発生手段を変調駆動する駆動手段と、
前記走査手段により前記被走査面を走査すべく導かれたビーム光のパワーを検知するビーム光パワー検知手段と、
このビーム光パワー検知手段の検知結果に基づき、前記被走査面を走査するビーム光のパワーが所定値となるよう前記ビーム光発生手段を制御するビーム光パワー制御手段と、
前記ビーム光位置検知手段、前記ビーム光通過タイミング検知手段、および、前記ビーム光パワー検知手段を一体的に保持する保持手段と、を具備したことを特徴とする請求項１記載のビーム光走査装置。
【請求項４】
それぞれがビーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、
この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビーム光を被走査面へ向けてそれぞれ反射し、前記複数のビーム光により前記被走査面を走査する走査手段と、
この走査手段により前記被走査面を走査すべく導かれた複数のビーム光を、前記複数のビーム光の走査方向に対してほぼ直交する方向に複数の解像度に対応した間隔で平行に並列配設された複数の光検知部で検知するビーム光位置検知手段と、
このビーム光位置検知手段の検知結果に基づき、前記走査手段により走査される複数のビーム光の前記被走査面における通過位置が適正位置となるよう制御するビーム光通過位置制御手段と、
を具備したことを特徴とするビーム光走査装置。
【請求項５】
前記走査手段により前記被走査面を走査すべく導かれた複数のビーム光の通過タイミングをそれぞれ検知する複数のビーム光通過タイミング検知手段と、
この複数のビーム光通過タイミング検知手段の出力信号に基づき、前記複数のビーム光の前記複数のビーム光通過タイミング検知手段に対する到来順を判定する判定する判定手段と、
この判定手段の判定結果に基づき、前記ビーム光とそのビーム光の通過タイミングを検知するビーム光通過タイミング検知手段との組合わせを決定する決定手段と、
この決定手段で決定された前記ビーム光とそのビーム光の通過タイミングを検知するビーム光通過タイミング検知手段との組合わせにおいて、前記複数のビーム光通過タイミング検知手段の出力信号に基づき、それぞれのビーム光通過タイミングに同期し、かつ、画像の解像度に応じた複数の周波数のクロックパルスを発生するパルス発生手段と、
このパルス発生手段から発生されるクロックパルスに同期して前記複数のビーム光発生手段をそれぞれ変調駆動する駆動手段と、を具備したことを特徴とする請求項４記載のビーム光走査装置。
【請求項６】
前記複数のビーム光通過タイミング検知手段は、前記被走査面と同等の位置において、前記複数のビーム光の走査方向に対して互いに異なった位置に配設され、かつ、その配設間隔は前記複数の周波数のクロックパルスの１パルス時間に前記複数のビーム光が走査方向に移動する距離の最小公倍数の整数倍であることを特徴とする請求項２または５記載のビーム光走査装置。
【請求項７】
前記走査手段により前記被走査面を走査すべく導かれた複数のビーム光の通過タイミングをそれぞれ検知する複数のビーム光通過タイミング検知手段と、
この複数のビーム光通過タイミング検知手段の出力信号に基づき、それぞれのビーム光通過タイミングに同期したクロックパルスを発生するパルス発生手段と、
このパルス発生手段から発生されるクロックパルスに同期して前記複数のビーム光発生手段をそれぞれ変調駆動する駆動手段と、
前記走査手段により前記被走査面を走査すべく導かれた複数のビーム光の各パワーをそれぞれ検知するビーム光パワー検知手段と、
このビーム光パワー検知手段の各検知結果に基づき、前記被走査面を走査する複数のビーム光の各パワーの差が所定値以下になるよう前記複数のビーム光発生手段をそれぞれ制御するビーム光パワー制御手段と、
前記ビーム光位置検知手段、前記ビーム光通過タイミング検知手段、および、前記ビーム光パワー検知手段を一体的に保持する保持手段と、を具備したことを特徴とする請求項４記載のビーム光走査装置。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれか１項記載のビーム光走査装置と、
前記ビーム光走査装置からのビーム光によりその表面上を走査露光される像担持体と、を具備したことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】制御機器及び操作方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の異なる電化製品を操作するための制御機器であって、
上記複数の異なる電化製品の中から操作対象となる電化製品を選択する選択手段と、
上記選択手段によって選択された電化製品に応じた操作画面を表示する表示手段と、
上記表示手段によって表示された操作画面上で選択された機能を上記選択手段によって選択された電化製品に実行させるための制御信号を出力する出力手段と
を具備したことを特徴とする制御機器。
【請求項２】
上記複数の異なる電化製品の夫々の使用頻度をカウントするカウント手段をさらに有し、
上記表示手段は、上記カウント手段によって得られる使用頻度の最も高い電化製品の操作画面を初期動作時において表示させる手段を含むことを特徴とする請求項１記載の制御機器。
【請求項３】
上記操作対象となる電化製品の操作時に使用されるタブレット型の入力手段をさらに有することを特徴とする請求項１記載の制御機器。
【請求項４】
上記複数の異なる電化製品の中の操作対象となる電化製品に設置する際に使用されるコネクタをさらに有することを特徴とする請求項１記載の制御機器。
【請求項５】
複数の異なる電化製品を操作する操作方法において、
上記複数の異なる電化製品の中から操作対象となる電化製品を選択する選択ステップと、
上記選択ステップにて選択された電化製品に応じた操作画面を表示する表示ステップと、
上記表示ステップにて表示された操作画面上で選択された機能を上記選択された電化製品に実行させるための制御信号を出力する出力ステップと
を有することを特徴とする操作方法。
【請求項６】
上記複数の異なる電化製品の夫々の使用頻度をカウントするカウントステップをさらに有し、
上記表示ステップは、上記カウントステップにて得られる使用頻度の最も高い高い電化製品の操作画面を初期動作時において表示させるステップを含むことを特徴とする請求項５記載の操作方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の異なる電化製品に共通のインタフェースとして用いられる制御機器及び操作方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上記のような点に鑑みなされたもので、複数の異なる電化製品を１台の機器で効率良く操作することのできる制御機器及び操作方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の制御機器は、複数の異なる電化製品を操作するための制御機器であって、上記複数の異なる電化製品の中から操作対象となる電化製品を選択する選択手段と、上記選択手段によって選択された電化製品に応じた操作画面を表示する表示手段と、上記表示手段によって表示された操作画面上で選択された機能を上記選択手段によって選択された電化製品に実行させるための制御信号を出力する出力手段とを具備したことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような構成によれば、各電化製品毎にそれらの機能を選択するための複数の操作画面を有する。この中で操作対象となる電化製品の操作画面を表示し、その操作画面上で機能を選択することにより、当該電化製品にその機能を実行させるための制御信号が出力される。したがって、本発明の制御機器１台で複数の異なる電化製品を効率良く操作することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、上記複数の異なる電化製品の夫々の使用頻度をカウントするカウント手段をさらに有し、上記表示手段は、上記カウント手段によって得られる使用頻度の最も高い電化製品の操作画面を初期動作時において表示させる手段を含むことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような構成によれば、初期動作時において、使用頻度の最も高い電化製品の操作画面が表示される。したがって、画面切換えの操作をせずに、その電化製品をすぐに操作することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、各電化製品毎にそれらの機能を選択するための複数の操作画面を有し、操作対象となる電化製品に応じて操作画面を切換え、その操作画面上で選択された機能に応じた制御信号を当該電化製品に出力する構成としたため、複数の異なる電化製品を１台の機器で効率良く操作することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、本発明では、各電化製品の使用頻度をカウントしておき、初期起動時に、使用頻度の最も高い電化製品の操作画面を表示するようにしたため、画面切換えの操作をせずに、その電化製品をすぐに操作することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）  入力と出力とを有する第１ラッチ（１４）と、
（Ｂ）  入力と出力とを有する増幅器（１６）であって、前記増幅器（１６）の前記入力は、前記第１ラッチ（１４）の出力から信号を受領するよう接続されている、増幅器（１６）と、
（Ｃ）  前記増幅器（１６）の前記出力に接続された入力を有する第２ラッチ（１８）と、からなり、
前記第１ラッチ（１４）は、前記第２ラッチ（１８）よりも感度が高く出力電圧の振幅が小さい
ことを特徴とするカスケード接続されたラッチチェーン。
【請求項２】
所定のサイクルを有するクロック（２２）をさらに有し、
前記クロック（２２）は、サンプル周期とホールド周期の間で、前記第１ラッチ（１４）と第２ラッチ（１８）を切り換えるよう接続されていることを特徴とする請求項１記載のラッチチェーン。
【請求項３】
前記増幅器（１６）は、前記第１ラッチからの出力信号の受領時と前記増幅された出力信号の送信時との間に前記クロックの前記サイクルの約１／２の遅延をもって増幅された出力信号を生成することを特徴とする請求項２記載のラッチチェーン。
【請求項４】
前記第１ラッチ（１４）は、前記第２ラッチ（１８）の入力感度よりも低い出力電圧を生成することを特徴とする請求項１記載のラッチチェーン。
【請求項５】
前記（Ａ）第１ラッチ（１４）は、
（Ａ１）  前記第１ラッチの出力上に出力電圧を生成する出力用トランジスタ（３２，３４）と、
（Ａ２）  前記出力用トランジスタ（３２，３４）のベースにバイアス電圧をかけるバイアス回路（３６，３８，４６，４７）と、
（Ａ３）  サンプル周期の間、前記第１ラッチ（１４）に加えられる入力電圧に応答して前記バイアス回路に第１のバイアス電流を与えるよう接続されたサンプル段（４０）と、
（Ａ４）  サンプル周期の間、前記第１ラッチに与えられる入力電圧に応答して前記バイアス回路に第２のバイアス電流を与えるホールド段（４２）とを有し、
前記サンプル段（４０）とホールド段（４２）は、前記出力用トランジスタ（３２，３４）のベースを異なる電位にバイアスすることを特徴とする請求項１記載のラッチチェーン。
【請求項６】
前記第２バイアス電流（Ｉ２）の絶対値は、前記第１バイアス電流（Ｉ１）の絶対値よりも小さいことを特徴とする請求項５記載のラッチチェーン。
【請求項７】
クロックパルスによりクロックされるサンプル周期とホールド周期とを有するラッチにおいて、
（Ａ）  出力電圧を生成する出力用トランジスタ（３２，３４）と、
（Ｂ）  前記出力用トランジスタ（３２，３４）のベースにバイアス電圧をかけるバイアス回路（３６，３８，４６，４７）と、
（Ｃ）  クロックパルスの前記サンプル周期の間、印加される入力電圧に応答して、前記バイアス回路に第１のバイアス電流を与えるよう接続されたサンプル段（４０）と、
（Ｄ）  クロックパルスの前記ホールド周期の間、印加される入力電圧に応答して、前記バイアス回路に第２のバイアス電流を与えるホールド段（４２）とを有し、
前記サンプル段（４０）とホールド段（４２）は、前記出力用トランジスタ（３２，３４）のベースを異なる電位にバイアスしていることを特徴とする、クロックパルスによりクロックされるサンプル周期とホールド周期とを有するラッチ。
【請求項８】
前記第２バイアス電流（Ｉ２）の絶対値は、前記第１バイアス電流（Ｉ１）の絶対値よりも小さいことを特徴とする請求項７記載のラッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
入力信号Ｓinがハイレベルのとき、トランジスタＱＮ１０が導通し、トランジスタＱＮ１１が遮断する。このとき、トランジスタＱＮ１１のドレイン、即ち、ノードＮＤ４の電位が上昇してトランジスタＱＮ１２が導通し、負荷抵抗Ｒ８に駆動電流ＩL が供給される。このとき、ノードＮＤ４の電圧ＶB は、駆動電流ＩL の電流値に応じて、電源電圧ＶCC1 とトランジスタＱＮ１４のソース電圧ＶDにダイオードＤ３の順方向電圧降下ＶF(D3) を加えた電圧との中間の電圧（ＶCC1 ＞ＶB ＞ＶD＋ＶF(D3) ）に保持される。
このとき、例えば、トランジスタＱＮ１２のドレイン電圧、即ちノードＮＤ５の電圧ＶA がトランジスタＱＮ１４のソース電圧ＶD より低くなると、トランジスタＱＮ１３が導通し、トランジスタＱＮ１２のドレイン電圧ＶA が引き上げられる。逆に、トランジスタＱＮ１２のドレイン電圧ＶA がトランジスタＱＮ１４のソース電圧ＶD より高くなると、逆流防止用ダイオードＤ３の働きによってトランジスタＱＮ１３が遮断し、トランジスタＱＮ１２のドレイン電圧ＶA がトランジスタＱＮ１２によって引き下げられる。このため、トランジスタＱＮ１２が導通状態にあるとき、そのドレイン電圧、即ちノードＮＤ５の電圧ＶA は、常にクランプ回路１０のトランジスタＱＮ１４のソース電圧ＶD とほぼ同じレベルに保持される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月16日(2004.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上記受信装置１の制御系は、図６に示すように構成されている。すなわち、上記受信装置１の制御回路２１は、メロディ再生専用ＩＣ２２と、固定音声再生専用ＩＣ２３とを有し、これらの再生専用ＩＣ２２，２３（報知音記憶手段）は、製造者によって製造段階において予め報知音が録音されており、使用者が報知音の再生のみ行えるものである。また、制御回路２１は、録音・再生用ＩＣ２４（報知音録音手段）も備えている。そして、上記選択スイッチ１２による選択によって、制御用ＣＰＵ２５（報知音選択制御手段）が、録音・再生用ＩＣ２４、メロディ再生専用ＩＣ２２及び固定音声再生専用ＩＣ２３並びに報知音出力切替スイッチ２６を制御して、使用者側が自由に選択することができる。なお、制御用ＣＰＵ２５は、予め各送信機３のアドレス番号と報知音識別番号とが結びついたデータが設定されており、送信機３の送信識別信号を受信することにより、その信号に合致した報知音を出力させる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
しかも、その場合、使用者が録音した報知音を出力させることができるので、予め送信機を設置する場所や利用する目的が定まっているような場合には、その場所や目的に応じた報知音を録音しておくことで、前記送信機における報知音識別番号を変更すれば、送信機からの送信の目的が、報知音を使用者が聞くだけで、すぐに理解することができ、送信機を設置する場所や利用する目的を変更することによる無用な混乱を回避することができる。また、使用者が利用した報知音であれば、その報知音を聞くだけで、どの場所に設置した送信機３から送信識別信号が送られてきたもすぐにわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  実質的に平面で窪みのない平坦な表面を有する基板と、
前記基板上に形成された第一の擬似同軸伝送線と、
前記第一の擬似同軸伝送線と同じ基板側上に、前記第一の擬似同軸伝送線の上を交差するように形成された第二の擬似同軸伝送線と、
を備える擬似同軸伝送装置であって、
各擬似同軸伝送線は、完全にシールドされており、かつ、各擬似同軸伝送線は、
前記基板の平坦な表面上に設けられたそれぞれの下部アースシールドと、
前記下部アースシールド上に設けられた下部帯状の誘電材料と、
前記下部帯状誘電材料上に設けられた中心導体と、
前記中心導体と前記下部帯状誘電材料上に設けられた上部帯状誘電材料と、
前記結合された上部帯状誘電材料と下部帯状誘電材料上に単一ユニットとして設けられた単一上部アースシールドであって、前記第一の擬似同軸伝送線に沿った位置にあり、かつ、前記第一の擬似同軸伝送線の上を交差する場所とは異なる前記第二の擬似同軸伝送線に沿った位置にあり、前記下部帯状誘電材料の両側上の下部アースシールドの反対の位置と連続して物理的な接触をしている、単一上部アースシールドと、
を備え、さらに、
前記第二の擬似同軸伝送線が前記第一の擬似同軸伝送線の上を交差する位置において、
（a）前記第二の擬似同軸伝送線の下部帯状誘電材料、前記第二の擬似同軸伝送線の中心導体、前記第二の擬似同軸伝送線の上部帯状誘電材料、および前記第二の擬似同軸伝送線の単一上部アースシールドが、前記第一の擬似同軸伝送線の上を伸び、
（b）前記第一の擬似同軸伝送線の単一上部アースシールドが前記第二の擬似同軸伝送線の下部アースシールドの一部としての役割を果たし、
（c）前記第一の擬似同軸伝送線の上を交差する前記第二の擬似同軸伝送線用の単一上部アースシールドの伸びた部分が、それとは反対の側で前記第一の擬似同軸伝送線の単一上部アースシールドの交差されている部分と連続的な物理的接触をしている、
ことを特徴とする擬似同軸伝送装置。
【請求項２】  前記基板の平坦な表面上に設けられたアース面をさらに備え、前記第一及び第二の擬似同軸伝送線の下部アースシールドがそれぞれ前記アース面の一部であることを特徴とする請求項１に記載の擬似同軸伝送装置。
【請求項３】  実質的に平面で窪みのない平坦な表面を有する基板と、
前記基板上に形成された第一の擬似同軸伝送線と、
前記第一の擬似同軸伝送線と同じ基板側上に、前記第一の擬似同軸伝送線の上を交差するように形成された第二の擬似同軸伝送線と、
前記第二の擬似同軸伝送線により交差される前記第一の擬似同軸伝送線の位置において前記第一の擬似同軸伝送線を覆う絶縁層と、
を備える擬似同軸伝送装置であって、
各擬似同軸伝送線は、完全にシールドされており、かつ、各擬似同軸伝送線は、
前記基板の平坦な表面上に設けられたそれぞれの下部アースシールドと、
前記下部アースシールド上に設けられた下部帯状誘電材料と、
前記下部帯状誘電材料上に設けられた中心導体と、
前記中心導体と下部帯状誘電材料上に設けられた上部帯状誘電材料と、
前記結合された上部帯状誘電材料と下部帯状誘電材料上に単一ユニットとして設けられた単一上部アースシールドであって、前記第一の擬似同軸伝送線に沿った位置にあり、かつ、前記第一の擬似同軸伝送線の上を交差する場所とは異なる前記第二の擬似同軸伝送線に沿った位置にあり、前記下部帯状誘電材料の両側上の下部アースシールドの反対の位置と連続な物理的接触をしている、単一上部アースシールドと、
を備え、さらに、
前記第二の擬似同軸伝送線が前記第一の擬似同軸伝送線の上を交差する位置において、
（a）前記第二の擬似同軸伝送線の下部アースシールド、前記第二の擬似同軸伝送線の下部帯状誘電材料、前記第二の擬似同軸伝送線の中心導体、前記第二の擬似同軸伝送線の上部帯状部、および前記第二の擬似同軸伝送線の単一上部アースシールドが、前記第一の擬似同軸伝送線の上を伸び、
（b）前記第一の擬似同軸伝送線の上を交差する前記第二の擬似同軸伝送線用の単一上部アースシールドの伸びた部分が、前記第二の擬似同軸伝送線の伸びた下部帯状誘電材料の両側上の前記第二の擬似同軸伝送線の下部アースシールドの伸びた部分の反対側の位置と連続的な物理的接触をしている、
ことを特徴とする擬似同軸伝送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
Ｐ３点でクランプされた後、さらに負荷４の抵抗が小さくなっていき、負荷４が短絡するまで、出力端子２の電位Ｖｏは下降していく。このとき、ＭＯＳトランジスタ１１のゲート・ソース間は、２個のダイオード１８によりクランプされているが、出力端子２の電位Ｖｏの下降に伴い、チャージポンプ１４の昇圧電位Ｖcpと出力端子２間の電圧は増加する。その結果、この電圧により抵抗１５を介して２個のダイオード１８に流れる電流が増加し、２個のダイオード１８の順方向電圧の和のクランプ電圧も増加し、図４に示すように、Ｐ３点から負荷４が短絡するＰ４点まで、ＭＯＳトランジスタ１１のゲート・ソース間電圧が増加し、Ｐ４点でクランプ電圧は最大となる。従って、Ｐ３点での電流制限値より負荷４が短絡するＰ４点での電流制限値が大きくなる。負荷短絡時の電流制限値が大きくなり過ぎると、負荷短絡の耐量が低くなるため、電流制限値を設定するとき、負荷４が短絡するときの電流制限値を基準に設計する必要があり、低目に設定しなければならず、電流制限値を大きく設定できないという問題があった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記ループアンテナ用設置基板は比誘電率１以上３未満のポリ四フッ化エチレン樹脂等の低誘電率材料で形成したことを特徴とする請求項１記載の平面ループアンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、上述した課題を解決するため、本発明に係る平面ループアンテナは請求項４に記載したように、前記ループアンテナ用設置基板は比誘電率１以上３未満のポリ四フッ化エチレン樹脂等の低誘電率材料で形成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一方、ループアンテナ用設置基板２０の誘電率が低いほどアンテナ利得およびアンテナ指向性等のアンテナの性能は向上する。従って、ループアンテナ用設置基板２０には、比誘電率が１以上３未満の低い誘電率材料、例えばポリ四フッ化エチレン樹脂（比誘電率＝２．２）の基板を用いる。もちろん、ポリ四フッ化エチレン樹脂に限らず比誘電率１以上３未満の低誘電率材料であればアンテナ利得およびアンテナ指向性等のアンテナ性能の向上に有効である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月19日(2004.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明に係る差動入力回路は、
２つの入力信号のうち一方を基準信号（例えば、図１の参照信号Ｖｒｅｆ）として、該基準信号に対する他の入力信号（例えば、図１の入力信号Ｖｉｎ）の差分を所定の利得に基づいて増幅する差動増幅回路（例えば、図１の差動増幅回路１０）と、該差動増幅回路の後段に接続され、入力信号に対する所定の閾値を有するインバータ回路（例えば、図１のインバータ２０）とを備える差動入力回路であって、
前記差動増幅回路と同一の特性を有する補正用差動増幅回路（例えば、図１の差動増幅回路３０）と、
前記インバータ回路の閾値となる閾値信号を生成する閾値信号生成手段（例えば、図１のインバータ４０および抵抗５０）と、
前記補正用差動増幅回路の出力信号と、前記閾値信号とを比較し、比較結果に応じて、前記差動増幅回路および前記補正用差動増幅回路の利得を調整するための利得調整信号を出力する電圧比較回路（例えば、図１の電圧比較回路６０）と、
を備え、
前記補正用差動増幅回路の２つの入力信号として前記基準信号を入力し、前記電圧比較回路は、前記比較結果に応じて、前記補正用差動増幅回路の出力信号を前記閾値信号と整合させるように前記利得調整信号を出力することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月5日(2004.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層体の光の導波方向に垂直なへき開面を共振器面として有し、該共振器面の少なくとも一方に保護層が設けられている半導体レーザ素子において、
前記保護層が少なくとも３層からなり、該保護層の前記積層体側から第１層が構成元素に酸素を含まない材料からなり、第２層が前記材料を母材とする酸化物からなり、第３層が酸化物からなり、前記第１層と前記第２層との合計膜厚をｄ1とし、前記第２層の膜厚をｄ2とすると、前記第１層と第２層との合計膜厚および前記第２層の膜厚が、0.1≦ｄ2/ｄ1≦0.9の関係を満たすことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第１層が、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＴａおよびＴｉの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第３層が、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＴａおよびＴｉの少なくとも１つの酸化物であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
積層体の光の導波方向に垂直なへき開面を共振器面として有し、該共振器面の少なくとも一方に保護層が設けられている半導体レーザ素子において、
前記保護層が少なくとも３層からなり、該保護層の前記積層体側から第１層が構成元素に窒素を含まない材料からなり、第２層が前記材料を母材とする窒化物からなり、第３層が窒化物からなり、前記第１層と前記第２層との合計膜厚をｄ1とし、前記第２層の膜厚をｄ2とすると、前記第１層と第２層との合計膜厚および前記第２層の膜厚が、0.1≦ｄ2/ｄ1≦0.9の関係を満たすことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第１層が、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＴａおよびＴｉの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第３層が、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＴａおよびＴｉの少なくとも１つの窒化物であることを特徴とする請求項４または５記載の半導体レーザ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体より成るレーザ素子であって、素子内の電流路のうちレーザ光を生成する活性層に達する一方の部分が、活性層における光の共振方向に対して垂直な方向に狭窄しているものにおいて、
活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する特性を有し、電流路の狭窄した部分から僅かに離間して活性層における光の共振方向に延びる光吸収部を備えることを特徴とするレーザ素子。
【請求項２】
電流路の狭窄した部分を形成するために、活性層における光の共振方向に延びるリッジ構造と、リッジ構造の側方に位置してリッジ構造に接する絶縁膜を備え、
光吸収部が絶縁膜と活性層との間に位置することを特徴とする請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項３】
電流路の狭窄した部分を形成するために、活性層における光の共振方向に延びるリッジ構造と、リッジ構造の側方に位置してリッジ構造に接する絶縁膜を備え、
絶縁膜と活性層との間の層が溝を有し、
光吸収部が絶縁膜と活性層との間の層の溝を埋めていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項４】
電流路の狭窄した部分を形成するために、活性層における光の共振方向に延びるリッジ構造と、リッジ構造の側方に位置してリッジ構造に接する絶縁膜を備え、
光吸収部が絶縁体より成り、絶縁膜の側方に位置して絶縁膜に接していることを特徴とする請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項５】
活性層で生成されるレーザ光の波長の光に対する光吸収部の吸収係数κが０．１以上であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項６】
電流路の狭窄した部分と光吸収部との離間距離が０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項７】
電流路の狭窄した部分の幅が０．５μｍ以上かつ５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項８】
光吸収部がＭｏ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＳｉＯ、ＴｉＯ2およびポリアミドのいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項９】
絶縁膜がＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳおよびＢｉ2Ｏ3のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項１０】
光源からの光を光記録媒体に導いて情報の記録と再生を行う光記録再生装置において、
請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載のレーザ素子を光源として備えることを特徴とする光記録再生装置。