【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の製造方法、固体撮像装置とその製造方法、及び固体撮像装置用の選別方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリコン基板に、イオン注入装置のＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下である状態でシリコンと同族の元素をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域を形成し、前記シリコン基板の表面にシリコンエピタキシャル層を形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】  イオン注入装置のＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２  以下である状態でシリコンと同族の元素をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域を形成したシリコン基板を用意し、
前記不純物注入領域を形成したシリコン基板の表面にシリコンエピタキシャル層を形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項３】  前記シリコンと同族の元素が炭素であり、前記不純物注入領域が炭素注入領域である
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】  シリコン基板内にＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下の雰囲気下でシリコンと同族の不純物をイオン注入して形成されたゲッタリング用不純物注入領域を有し、該シリコン基板の表面にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル基板が用いられ、
前記エピタキシャル層に光電変換部を有する複数の画素と、該各画素の信号電荷を読出す読出し手段が形成されて成る
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項５】  前記シリコンと同族の不純物が炭素であり、前記ゲッタリング用不純物領域が炭素注入領域で形成されて成る
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項６】  シリコン基板に、イオン注入装置のＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下である状態でシリコンと同族の元素をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域を形成し、前記シリコン基板の表面にシリコンエピタキシャル層を形成して、半導体基板を形成する工程と、
前記半導体基板に固体撮像装置を作成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】  イオン注入装置のＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下である状態でシリコンと同族の不純物をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域を形成したシリコン基板を用意し、
前記不純物注入領域を形成したシリコン基板の表面にシリコンエピタキシャル層を形成して、半導体基板を形成する工程と、
前記半導体基板に固体撮像装置を作成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】  前記シリコンと同族の元素が炭素であり、前記不純物注入領域が炭素注入領域である
ことを特徴とする請求項６又は７記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】  固体撮像装置の作成において、
シリコン基板に、イオン注入装置のＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下である状態でシリコンと同族の不純物をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域を形成した後、前記シリコン基板の表面にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル基板のみを選別して用いる
ことを特徴とする固体撮像装置用基板の選別方法。
【請求項１０】  前記シリコンと同族の元素が炭素であり、前記不純物注入領域が炭素注入領域である
ことを特徴とする請求項９記載の固体撮像装置用基板の選別方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置（特に固体撮像装置）を形成する際に適用されるエピタキシャル層を有した半導体基板の製造方法に関する。
また、本発明は、この半導体基板を用いて作成した固体撮像装置とその製造方法に関する。
さらに、本発明は、固体撮像装置の作成に際しての、固体撮像装置用基板の選別方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
特に、固体撮像装置用としては、半導体基板に導入した不純物の濃度むら、いわゆるドーパント濃度むら（Ｓｔｒｉａｔｉｏｎ）に起因する、画像コントラストむらを低減するために、エピタキシャル基板やＭＣＺ基板が主として使用されている。このうち、エピタキシャル基板は、素子形成層下に埋め込み領域による低抵抗領域を形成したり、又は低抵抗基板を使用することができ、低電圧駆動、低消費電力化として有効であり、今後も用途の拡大が基体される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上述の点に鑑み、炭素ゲッタリングのイオン注入工程で混入する不純物を低減し、有効なゲッタリング能力を有する半導体基板、即ちエピタキシャル基板の製造方法を提供するものである。
また、本発明は、白傷欠陥を低減した固体撮像装置とその製造方法を提供するものである。
また、本発明は、固体撮像装置の作成に際しての、固体撮像装置用基板の選別方法を提供するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る固体撮像装置は、シリコン基板内にＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下の雰囲気下でシリコンと同族の不純物をイオン注入して形成されたゲッタリング用不純物注入領域を有し、該シリコン基板の表面にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル基板が用いられ、エピタキシャル層に光電変換部を有する複数の画素と、該各画素の信号電荷を読出す読出し手段が形成された構成とする。
シリコンと同族の不純物は炭素とし、上記ゲッタリング用不純物領域は炭素注入領域で形成されるのが好ましい。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、シリコン基板に、イオン注入装置のＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下である状態でシリコンと同族の不純物をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域を形成し、シリコン基板の表面にシリコンエピタキシャル層を形成して、半導体基板を形成する工程と、この半導体基板に固体撮像装置を作成する工程とを有する。
また、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、イオン注入装置のＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下である状態でシリコンと同族の不純物をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域を形成したシリコン基板を用意し、この不純物注入領域を形成したシリコン基板の表面にシリコンエピタキシャル層を形成して半導体基板を形成する工程と、この半導体基板に固体撮像装置を作成する工程とを有する。
上記シリコンと同族の不純物は炭素とし、上記ゲッタリング用の不純物注入領域は炭素注入領域とするのが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の固体撮像装置においては、シリコン基板内にＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下の雰囲気下でシリコンと同族の不純物、好ましくは炭素不純物をイオン注入して形成されたゲッタリング用不純物注入領域を有するエピタキシャル基板が用いられるので、エピタキシャル基板に金属汚染がなく、白傷欠陥が低減される。
本発明の固体撮像装置の製造方法においては、シリコン基板にゲッタリング用の不純物注入領域を形成するためのシリコンと同族の元素、好ましくは炭素をイオン注入するに際し、イオン注入装置のＭｏの不純物レベルが２．４×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下である状態でイオン注入することにより、上記元素イオン注入時の金属汚染が除去され、ゲッタリング能力に強いシリコンエピタキシャル基板が作成される。このシリコンエピタキシャル基板に固体撮像装置を作成するので、より白傷欠陥が低減した固体撮像装置の製造が可能になる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明に係る固体撮像装置によれば、白傷欠陥が大幅に低減し、固体撮像装置の高信頼性化を図ることができる。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法によれば、上記半導体基板、即ちゲッタリング能力が強いシリコンエピタキシャル基板を用いることにより、固体撮像装置の白傷欠陥を大幅に低減することができる。従って、信頼性の高い固体撮像装置を提供することができる。