【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有し、Ta, Pt, FeTa, TiZr, Mo, Al, AlCuFe, FeMn, 又はFeAlの１以上を含むＰＶＤターゲット（上記の複合体は、量論ではなく成分という観点から記載されている）；
ＰＶＤターゲット表面上にあり、ＰＶＤターゲット表面を通って浸透しており、ターゲット表面とは異なる組成を有し、ターゲットへ強い拡散結合を形成する結合層；及び
少なくとも結合層によりＰＶＤターゲット表面と隔てられたバッキングプレート；
を備えたＰＶＤターゲット／バッキングプレートアセンブリー。
【請求項２】
結合層がチタンを含む請求項１のアセンブリー。
【請求項３】
結合層が本質的にチタンからなる請求項１のアセンブリー。
【請求項４】
結合層がジルコニウムを含む請求項１のアセンブリー。
【請求項５】
結合層が本質的にジルコニウムからなる請求項１のアセンブリー。
【請求項６】
結合層が銅を含む請求項１のアセンブリー。
【請求項７】
結合層が本質的に銅からなる請求項１のアセンブリー。
【請求項８】
表面を有し、コバルトを含まないＰＶＤターゲット；
ＰＶＤターゲット表面上にあり、ターゲット表面とは異なる組成を有するチタン含有結合層；及び
少なくとも結合層によりＰＶＤターゲット表面と隔てられたバッキングプレート；
を備えたＰＶＤターゲット／バッキングプレートアセンブリー。
【請求項９】
チタンが結合層の主要な元素である請求項８のアセンブリー。
【請求項１０】
チタンが結合層の主要な元素であり、結合層の厚さが約２０００Åから４０００Åである請求項８のアセンブリー。
【請求項１１】
結合層が本質的にチタンからなる請求項８のアセンブリー。
【請求項１２】
結合層がチタンからなる請求項８のアセンブリー。
【請求項１３】
結合層上の保護層；及び
バッキングプレート及び保護層の間にあり、保護層及びバッキングプレートと接するハンダ層；
をさらに備えた請求項８のアセンブリー。
【請求項１４】
ハンダ層がＩｎ及びＳｎの一方又は両方を含む請求項１３のアセンブリー。
【請求項１５】
保護層がＮｉを含み、保護層の厚さが少なくとも約１５００Åである請求項１３のアセンブリー。
【請求項１６】
保護層がＮｉを含む請求項１３のアセンブリー。
【請求項１７】
保護層が本質的にＮｉからなる請求項１３のアセンブリー。
【請求項１８】
保護層がＮｉからなる請求項１３のアセンブリー。
【請求項１９】
ＰＶＤターゲットが少なくとも１種の遷移金属を含む請求項８のアセンブリー。
【請求項２０】
ＰＶＤターゲットがTl, Ta, Zr, Pt, Fe, Nb, Mn, Cr, Al, 及びCuの１以上を含む請求項８のアセンブリー。
【請求項２１】
ＰＶＤターゲットが、本質的にTa, Pt, FeTa, TiZr, Mo, Al, AlCuFe, FeMn又はFeAl（上記の複合体は量論ではなく成分の観点から記載されている）からなる請求項８のアセンブリー。
【請求項２２】
表面を有するＰＶＤターゲット；
ＰＶＤターゲット表面上にあり、ターゲット表面とは異なる組成を有するチタン含有結合層；及び
少なくとも結合層によりＰＶＤターゲット表面と隔てられたバッキングプレート；
バッキングプレート及び結合層の間にあるハンダ層
を備えたＰＶＤターゲット／バッキングプレートアセンブリー。
【請求項２３】
ハンダ層がＩｎ及びＳｎの一方又は両方を含む請求項２２のアセンブリー。
【請求項２４】
表面を有するＰＶＤターゲット；
ＰＶＤターゲット表面上にあり、ターゲット表面とは異なる組成を有するジルコニウム含有結合層；及び
少なくとも結合層によりＰＶＤターゲット表面と隔てられたバッキングプレート；
を備えたＰＶＤターゲット／バッキングプレートアセンブリー。
【請求項２５】
ジルコニウムが結合層の主要な元素である請求項２４のアセンブリー。
【請求項２６】
ジルコニウムが結合層の主要な元素であり、結合層の厚みが約２０００Åから約４０００Åである請求項２４のアセンブリー。
【請求項２７】
結合層が本質的にジルコニウムからなる請求項２４のアセンブリー。
【請求項２８】
結合層がジルコニウムからなる請求項２４のアセンブリー。
【請求項２９】
ＰＶＤターゲットがTl, Ta, Co, Zr, Pt, Fe, Nb, Mn, Cr, Al,及びCuの１以上を含む請求項２４のアセンブリー。
【請求項３０】
ＰＶＤターゲットがTa, Co, CoTaZr, CoPt, Pt, FeTa, TiZr, CoNb, Mo, CoCrPt, Al, AlCuFe, FeMn又はFeAl（該複合体は量論ではなく成分という観点から記載されている）から本質的になる請求項２４のアセンブリー。
【請求項３１】
表面を有し銅を含まないＰＶＤターゲット；
ＰＶＤターゲット表面上にあり、ＰＶＤターゲット表面を通って浸透している銅含有結合層；
少なくとも結合層によりＰＶＤターゲット表面と隔てられたバッキングプレート；
を備えたＰＶＤターゲット／バッキングプレートアセンブリー。
【請求項３２】
銅が結合層の主要な元素である請求項３１のアセンブリー。
【請求項３３】
銅が結合層の主要な元素であり、結合層の厚さが約２０００Åから約４０００Åである請求項３１のアセンブリー。
【請求項３４】
結合層が本質的に銅からなる請求項３１のアセンブリー。
【請求項３５】
結合層が銅からなる請求項３１のアセンブリー。
【請求項３６】
ＰＶＤターゲットがTl, Ta, Co, Zr, Pt, Fe, Nb, Mn, Cr及びAlの１以上を含む請求項３１のアセンブリー。
【請求項３７】
ＰＶＤターゲットがTa, Co, CoTaZr, CoPt, Pt, FeTa, TiZr, CoNb, Mo, CoCrPt, Al, AlCuFe, FeMn又はFeAl（該複合体は量論ではなく成分という観点から記載されている）から本質的になる請求項３１のアセンブリー。
【請求項３８】
ＰＶＤターゲット表面上に結合層を形成し、約５００℃以下で約２４時間以内に結合層及びターゲット間に強い拡散結合を形成する工程であって；結合層の形成は、イオン蒸着により該表面上へ結合層をコーティングすることを含み；強い拡散結合をイオン蒸着の間に形成する、上記の工程、
結合層上に保護層を形成する工程、
保護層上にハンダ層を形成する工程、及び、
ターゲットにバッキングプレートを接合する工程であって；接合はハンダによるバッキングプレートの結合を含み；バッキングプレートは、少なくとも結合層が含まれる接続部を介して接合され、その結果少なくとも結合層によりＰＶＤターゲット表面から隔てられている、上記の工程；
を含むＰＶＤターゲット／バッキングプレートアセンブリーの形成方法。
【請求項３９】
結合層の形成の前に、ＰＶＤターゲット表面をプラズマエッチングに露出する工程をさらに含む請求項３８の方法。
【請求項４０】
プラズマエッチングへのＰＶＤターゲットの露出から、ハンダ層を形成する工程を通じて、少なくともハンダ層を形成する該工程まで、ＰＶＤターゲットが大気圧より低い圧力に露出された状態のままである請求項３９の方法。
【請求項４１】
保護層がニッケルを含む請求項３８の方法。
【請求項４２】
チタンが結合層の主要な元素である請求項３８の方法。
【請求項４３】
結合層が本質的にチタンからなる請求項３８の方法。
【請求項４４】
ジルコニウムが結合層の主要な元素である請求項３８の方法。
【請求項４５】
結合層が本質的にジルコニウムからなる請求項３８の方法。
【請求項４６】
銅が結合層の主要な元素である請求項３８の方法。
【請求項４７】
結合層が本質的に銅からなる請求項３８の方法。
【請求項４８】
ＰＶＤターゲットが少なくとも１種の遷移金属を含む請求項３８の方法。
【請求項４９】
ＰＶＤターゲットが、Tl, Ta, Co, Zr, Pt, Fe, Nb, Mn, Cr, Al, Cuの１以上を含む請求項３８の方法。
【請求項５０】
ＰＶＤターゲットがTa, Co, CoTaZr, CoPt, Pt, FeTa, TiZr, CoNb, Mo, CoCrPt, Al, AlCuFe, FeMn又はFeAl（該複合体は量論ではなく成分という観点から記載されている）から本質的になる請求項３８の方法。
【請求項５１】
ＰＶＤターゲット表面上に、ジルコニウム及びチタンの一方又は両方を含む結合層を形成する工程、及び
ターゲットにバッキングプレートを接合する工程であって；バッキングプレートは、少なくとも結合層が含まれる接続部を介して接合され、その結果少なくとも結合層によりＰＶＤターゲット表面から隔てられている、上記の工程；
を含むＰＶＤターゲット／バッキングプレートアセンブリーの形成方法。
【請求項５２】
結合層の形成が、イオン蒸着により該表面上に結合層をコーティングすることを含む請求項５１の方法。
【請求項５３】
結合層を形成する前にＰＶＤターゲット表面をプラズマエッチングに露出する工程をさらに含む請求項５１の方法であって；結合層の形成が、イオン蒸着により該表面上に結合層をコーティングすることを含み；露出及びコーティングの間、ＰＶＤターゲットが大気圧より低い圧力に露出された状態のままである、上記の方法。
【請求項５４】
結合層の上に保護層を形成する工程、及び
保護層の上にハンダ層を形成する工程
をさらに含む請求項５３の方法であって、
ターゲットへのバッキングプレートの接合が、ハンダによりバッキングプレートを結合する工程を含み、
プラズマエッチングへのＰＶＤターゲットの露出から、ハンダ層を形成する工程を通じて、少なくともハンダ層を形成する工程まで、ＰＶＤターゲットが大気圧より低い圧力に露出された状態のままである上記の方法。
【請求項５５】
保護層がニッケルを含む請求項５４の方法。
【請求項５６】
結合層の形成の前に
有機溶媒で該表面を洗浄し；
洗浄された表面をプラズマエッチングに露出する；
工程をさらに含み、
結合層の形成が、イオン蒸着により該表面上に結合層をコーティングすることを含む、請求項５１の方法。
【請求項５７】
チタンが結合層の主要な元素である請求項５１の方法。
【請求項５８】
結合層が本質的にチタンからなる請求項５１の方法。
【請求項５９】
ジルコニウムが結合層の主要な元素である請求項５１の方法。
【請求項６０】
結合層が本質的にジルコニウムからなる請求項５１の方法。
【請求項６１】
結合層の上に保護層を形成し；
保護層の上にハンダ層を形成する；
工程をさらに含む請求項５１の方法であって、ターゲットへのバッキングプレートの接合がハンダによるバッキングプレートの結合を含む上記の方法。
【請求項６２】
ＰＶＤターゲットが少なくとも１種の遷移金属を含む請求項５１の方法。
【請求項６３】
ＰＶＤターゲットがTl, Ta, Co, Zr, Pt, Fe, Nb, Mn, Cr, Al, Cuの１以上を含む請求項５１の方法。
【請求項６４】
ＰＶＤターゲットがTa, Co, CoTaZr, CoPt, Pt, FeTa, TiZr, CoNb, Mo, CoCrPt, Al, AlCuFe, FeMn又はFeAl（該複合体は量論ではなく成分という観点から記載されている）から本質的になる請求項５１の方法。
【請求項６５】
表面を有し、Ta, Co, CoTaZr, CoPt, Pt, FeTa, TiZr, CoNb, Mo, CoCrPt, Al, AlCuFe, FeMn又はFeAl（該複合体は量論ではなく成分という観点から記載されている）の１以上を含むＰＶＤターゲット、
ＰＶＤターゲット表面上にあり、ジルコニウムを含み、ターゲット表面と異なる組成を有し、ターゲットへ強い拡散結合を形成する結合層、及び
少なくとも結合層によりＰＶＤターゲット表面から隔てられたバッキングプレート
を備えたＰＶＤターゲット／バッキングプレートアセンブリー。
【請求項６６】
結合層が本質的にジルコニウムからなる請求項６５のアセンブリー。
【請求項６７】
表面を有し、Co, CoPt, Pt, Mo, CoCrPt, Al, AlCuFe, FeMn,又はFeAl（該複合体は量論ではなく成分という観点から記載されている）の１以上を含むＰＶＤターゲット、
ＰＶＤターゲット表面上にあり、ＰＶＤターゲット表面と異なる組成を有し本質的にＴｉを含まず、ターゲットへ強い拡散結合を形成する結合層、及び
少なくとも結合層によりＰＶＤターゲット表面から隔てられたバッキングプレート
を備えたＰＶＤターゲット／バッキングプレートアセンブリー。
【請求項６８】
結合層が銅を含む請求項６７のアセンブリー。
【請求項６９】
結合層が本質的に銅からなる請求項６７のアセンブリー。
【請求項７０】
表面を有し、CoTaZr, CoPt, CoNb, 又はCoCrPt（該複合体は量論ではなく成分という観点から記載されている）から本質的になるＰＶＤターゲット、
ＰＶＤターゲット表面上にあり、ターゲット表面と異なる組成を有するチタン含有結合層、
少なくとも結合層によりＰＶＤターゲット表面から隔てられたバッキングプレート
を備えたＰＶＤターゲット／バッキングプレートアセンブリー。