【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポジ型フォトレジストの液体コーティング層を基体表面上に塗布し、前記フォトレジストがフォト酸発生剤化合物とフォト酸レイビル基を有する樹脂を含み；
前記フォトレジストコーティング層から溶剤を除去して、少なくとも約１．５ミクロンの層厚を提供し；
前記フォトレジストコーティング層をパターン化された活性化放射線に露光し；前記露光されたフォトレジストコーティング層を約１１５℃を超えない温度まで加熱し；さらに
前記フォトレジストコーティング層を現像して、レジストレリーフ像を提供することを含むレジストレリーフ像を提供する方法。
【請求項２】
ポジ型フォトレジストの液体コーティング層を基体表面上に塗布し、前記フォトレジストがフォト酸発生剤化合物およびフォト酸レイビル基を有する樹脂を含み；
前記フォトレジストコーティング層から溶剤を除去して、少なくとも約１．５ミクロンの層厚を提供し；
前記フォトレジストコーティング層を約２４８ｎｍの波長を有するパターン化された活性化放射線に露光し；
前記露光されたフォトレジストコーティング層を約１１０℃を超えない温度まで加熱し；さらに
前記フォトレジストコーティング層を現像して、レジストレリーフ像を提供する
ことを含むレジストレリーフ像を提供する方法。
【請求項３】
ポジ型フォトレジストの液体コーティング層を基体表面上に塗布し、前記フォトレジストがフォト酸発生剤化合物、並びにフェノール性基およびフォト酸レイビル部分を有する重合されたアルキルアクリレート基を有する樹脂を含み；
前記フォトレジストコーティング層から溶剤を除去して、少なくとも約１．５ミクロンの層厚を提供し；
前記フォトレジストコーティング層をパターン化された活性化放射線に露光し；
前記露光されたフォトレジストコーティング層を約１２０℃を超えない温度まで加熱し；さらに
前記フォトレジストコーティング層を現像して、レジストレリーフ像を提供する
ことを含むレジストレリーフ像を提供する方法。
【請求項４】
ポジ型フォトレジストコーティング層をその上に有する基体であって；
前記フォトレジストがフォト酸発生剤化合物およびフォト酸レイビル基を有する樹脂を含み；前記コーティング層が少なくとも約１．５ミクロンの厚さを有し、さらにレジスト溶剤を実質的に含まない前記基体。
【請求項５】
フォト酸発生剤、フォト酸レイビルデブロッキング基を含んでなる樹脂、および可塑剤化合物を含み、前記樹脂が約２０，０００以下のＭｗ分子量を有するフォトレジスト組成物。
【請求項６】
マイクロエレクトロニクス用ウエハーなどのエレクトニクス用物品を製造する方法であって、
ポジ型フォトレジストの液体コーティング層を基体表面上に塗布し、前記フォトレジストがフォト酸発生剤化合物およびフォト酸レイビル基を有する樹脂を含み；
熱処理により前記フォトレジストコーティング層から溶剤を除去して、少なくとも約１．５ミクロンの層厚を提供し；
前記フォトレジストコーティング層をパターン化された活性化放射線に露光し；
前記露光済フォトレジストコーティング層を、前記溶媒を除去するための熱処理の温度よりも低い温度で加熱し；さらに
前記フォトレジストコーティング層を現像して、レジストレリーフ像を提供することを含み
ここで、前記露光前の熱処理と前記露光後の加熱の最大温度の温度差が約１０℃〜約４０℃である前記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
この明細書で挙げたすべての文書は引用によりこの明細書に組み込まれている。次の非限定的な実施例は本発明を例示するものである。
また、本発明は以下の態様を包含する。
（１）ポジ型フォトレジストの液体コーティング層を基体表面上に塗布し、前記フォトレジストがフォト酸発生剤化合物とフォト酸レイビル基を有する樹脂を含み；
前記フォトレジストコーティング層から溶剤を除去して、少なくとも約１．５ミクロンの層厚を提供し；
前記フォトレジストコーティング層をパターン化された活性化放射線に露光し；前記露光されたフォトレジストコーティング層を約１１５℃を超えない温度まで加熱し；さらに前記フォトレジストコーティング層を現像して、レジストレリーフ像を提供することを含むレジストレリーフ像を提供する方法。
（２）前記露光されたフォトレジストレリーフ像を、露光後、約１０５℃以下の温度で加熱する（１）に記載の方法。
（３）前記露光されたフォトレジストレリーフ像を、露光後、約１００℃以下で加熱する（１）に記載の方法。
（４）溶剤を除去して、少なくとも約２ミクロンのレジスト層厚さを提供する（１）から（３）のいずれか１つに記載の方法。
（５）溶剤を除去して、少なくとも約３ミクロンのレジスト層厚さを提供する（１）から（３）のいずれか１つに記載の方法。
（６）溶剤を除去して、少なくとも約４ミクロンのレジスト層厚さを提供する（１）から（３）のいずれか１つに記載の方法。
（７）溶剤を除去して、少なくとも約５ミクロンのレジスト層厚さを提供する（１）から（３）のいずれか１つに記載の方法。
（８）塗布されたフォトレジスト層を露光前に、前記露光されたフォトレジストコーティング層を加熱する最大温度よりも少なくとも１５℃高い最大温度で熱処理することにより、前記塗布されたフォトレジスト層から溶剤を除去する（１）から（７）のいずれか１つに記載の方法。
（９）塗布されたフォトレジスト層を露光前に、前記露光されたフォトレジストコーティング層を加熱する最大温度よりも少なくとも２０℃高い最大温度で熱処理することにより、前記塗布されたフォトレジスト層から溶剤を除去する（１）から（７）のいずれか１つに記載の方法。
（１０）塗布されたフォトレジスト層を露光前に、前記露光されたフォトレジストコーティング層を加熱する最大温度よりも少なくとも２５℃高い最大温度で熱処理することにより、前記塗布されたフォトレジスト層から溶剤を除去する（１）から（７）のいずれか１つに記載の方法。
（１１）前記フォトレジスト樹脂がフェノール単位を含む（１）から（１０）のいずれか１つに記載の方法。
（１２）前記フォトレジスト樹脂がフェノールおよびアクリレート単位を含む（１）から（１０）のいずれか１つに記載の方法。
（１３）前記アクリレート単位がフォト酸レイビル基を含む（１２）に記載の方法。
（１４）前記フォトレジスト樹脂が約２０，０００以下のＭｗ分子量を有する（１）から（１３）のいずれか１つに記載の方法。
（１５）前記フォトレジスト組成物がジアゾメタンスルホンフォト酸発生剤化合物を含む（１）から（１４）のいずれか１つに記載の方法。
（１６）前記フォトレジスト組成物がオニウム塩フォト酸発生剤化合物を含む（１）から（１５）のいずれか１つに記載の方法。
（１７）前記フォトレジスト組成物が活性化放射線への露光時にスルホン酸を発生するフォト酸発生剤化合物を含む（１）から（１６）のいずれか１つに記載の方法。
（１８）前記フォトレジスト組成物が可塑剤化合物を含んでなる（１）から（１７）のいずれか１つに記載の方法。
（１９）前記可塑剤が非ポリマー性化合物である（１８）に記載の方法。
（２０）前記可塑剤が芳香族化合物である（１８）または（１９）に記載の方法。
（２１）前記フォトレジストコーティング層を約３００ｎｍ以下の放射線に露光する（１）から（２０）のいずれか１つに記載の方法。
（２２）前記フォトレジストコーティング層を約２４８ｎｍの波長を有する放射線に露光する（１）から（２１）のいずれか１つに記載の方法。
（２３）前記基体がマイクロエレクトロニクス用ウエハーである（１）から（２２）のいずれか１つに記載の方法。
（２４）ポジ型フォトレジストの液体コーティング層を基体表面上に塗布し、前記フォトレジストがフォト酸発生剤化合物およびフォト酸レイビル基を有する樹脂を含み；
前記フォトレジストコーティング層から溶剤を除去して、少なくとも約１．５ミクロンの層厚を提供し；
前記フォトレジストコーティング層を約２４８ｎｍの波長を有するパターン化された活性化放射線に露光し；
前記露光されたフォトレジストコーティング層を約１１０℃を超えない温度まで加熱し；さらに
前記フォトレジストコーティング層を現像して、レジストレリーフ像を提供する
ことを含むレジストレリーフ像を提供する方法。
（２５）溶剤を除去して、少なくとも約２ミクロンのレジスト層厚さを提供する（２４）の方法。
（２６）溶剤を除去して、少なくとも約３ミクロンのレジスト層厚さを提供する（２４）の方法。
（２７）塗布されたフォトレジスト層を露光前に、前記露光されたフォトレジストコーティング層を加熱する最大温度よりも少なくとも約１５℃高い最大温度で熱処理することにより、前記塗布されたフォトレジスト層から溶剤を除去する（２４）から（２６）のいずれか１つに記載の方法。
（２８）前記フォトレジスト樹脂がフェノール単位を含む（２４）から（２７）のいずれか１つに記載の方法。
（２９）ポジ型フォトレジストの液体コーティング層を基体表面上に塗布し、前記フォトレジストがフォト酸発生剤化合物、並びにフェノール性基およびフォト酸レイビル部分を有する重合されたアルキルアクリレート基を有する樹脂を含み；
前記フォトレジストコーティング層から溶剤を除去して、少なくとも約１．５ミクロンの層厚を提供し；
前記フォトレジストコーティング層をパターン化された活性化放射線に露光し；
前記露光されたフォトレジストコーティング層を約１２０℃を超えない温度まで加熱し；さらに
前記フォトレジストコーティング層を現像して、レジストレリーフ像を提供する
ことを含むレジストレリーフ像を提供する方法。
（３０）前記最大露光前処理温度と前記最大露光後熱処理の間の温度差が１０℃〜３０℃である（２９）に記載の方法。
（３１）前記温度差が約１５℃〜２５℃である（３０）に記載の方法。
（３２）ポジ型フォトレジストコーティング層をその上に有する基体であって；
前記フォトレジストがフォト酸発生剤化合物およびフォト酸レイビル基を有する樹脂を含み；前記コーティング層が少なくとも約１．５ミクロンの厚さを有し、さらにレジスト溶剤を実質的に含まない前記基体。
（３３）前記レジストコーティング層が少なくとも約２ミクロンの厚さを有する（３２）に記載の基体。
（３４）前記レジストコーティング層が少なくとも約３ミクロンの厚さを有する（３２）に記載の基体。
（３５）前記レジストコーティング層が少なくとも約４ミクロンの厚さを有する（３２）に記載の基体。
（３６）前記レジストコーティング層が少なくとも約６ミクロンの厚さを有する（３２）に記載の基体。
（３７）前記フォトレジスト樹脂がフェノール単位を含んでなる（３２）から（３６）のいずれか１つに記載の基体。
（３８）前記フォトレジスト樹脂がフェノールおよびアクリレート単位を含む（３２）から（３６）のいずれか１つに記載の基体。
（３９）前記アクリレート単位がフォト酸レイビル基を含む（３８）に記載の基体。
（４０）前記フォトレジスト樹脂が約５，０００以下のＭｗ分子量を有する（３２）から（３９）のいずれか１つに記載の基体。
（４１）前記フォトレジスト樹脂が約１００℃以下のＴｇを有する（３２）から（４０）のいずれか１つに記載の基体。
（４２）前記フォトレジスト組成物がジアゾメタンスルホンフォト酸発生剤化合物を含んでなる（３２）から（４１）のいずれか１つに記載の基体。
（４３）前記フォトレジスト組成物がオニウム塩フォト酸発生剤化合物を含んでなる（３２）から（４２）のいずれか１つに記載の基体。
（４４）前記フォトレジスト組成物が活性化放射線への露光時にスルホン酸を発生するフォト酸発生剤化合物を含んでなる（３２）から（４３）のいずれか１つに記載の基体。
（４５）前記フォトレジスト組成物が可塑剤化合物を含んでなる（３２）から（４４）のいずれか１つに記載の基体。
（４６）フォト酸発生剤、フォト酸レイビルデブロッキング基を含んでなる樹脂、および可塑剤化合物を含み、前記樹脂が約２０，０００以下のＭｗ分子量を有するフォトレジスト組成物。
（４７）マイクロエレクトロニクス用ウエハーなどのエレクトニクス用物品を製造する方法であって、
ポジ型フォトレジストの液体コーティング層を基体表面上に塗布し、前記フォトレジストがフォト酸発生剤化合物およびフォト酸レイビル基を有する樹脂を含み；
熱処理により前記フォトレジストコーティング層から溶剤を除去して、少なくとも約１．５ミクロンの層厚を提供し；
前記フォトレジストコーティング層をパターン化された活性化放射線に露光し；
前記露光済フォトレジストコーティング層を、前記溶媒を除去するための熱処理の温度よりも低い温度で加熱し；さらに
前記フォトレジストコーティング層を現像して、レジストレリーフ像を提供することを含み
ここで、前記露光前の熱処理と前記露光後の加熱の最大温度の温度差が約１０℃〜約４０℃である前記方法。
（４８）前記温度差が１０℃〜約３０℃である（４７）に記載の方法。
（４９）前記温度差が１５℃〜約４５℃である（４７）に記載の方法。
（５０）前記フォトレジストがフェノール単位および重合されたアルキルアクリレート単位を含む樹脂を含んでなる（４７）から（４９）のいずれか１つに記載の方法。