【手続補正書】
【提出日】平成16年2月4日(2004.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出素子が配置される電子源形成用基板であって、基板と、前記基板の前記電子放出素子が配置される表面に、メジアン値で表される平均粒子径が６ｎｍ〜６０ｎｍの範囲の複数の金属酸化物粒子を含有する第１の絶縁材料膜と、前記第１の絶縁材料膜の上に積層された第２の絶縁材料膜とを有することを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項２】
前記第１の絶縁材料膜は更に、リンを含有している請求項１に記載の電子源形成用基板。
【請求項３】
前記第１の絶縁材料膜は更に、リンを１重量部〜１０重量部含有している請求項１に記載の電子源形成用基板。
【請求項４】
前記第１の絶縁材料膜の厚さは、２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲である請求項１〜３のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項５】
前記第１の絶縁材料膜の厚さは、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲である請求項１〜３のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項６】
前記第２の絶縁材料膜の厚さは、２０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である請求項１〜５のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項７】
前記第２の絶縁材料膜の厚さは、４０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である請求項１〜５のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項８】
前記第１の絶縁材料膜は、ＳｉＯ2膜である請求項１〜７のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項９】
前記第２の絶縁材料膜は、ＳｉＯ2膜である請求項１〜８のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項１０】
前記メジアン値で表される平均粒子径が１５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲である請求項１〜９のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項１１】
前記金属酸化物粒子は、電子伝導性酸化物粒子である請求項１〜１０のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項１２】
前記金属酸化物粒子は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｅから選ばれる金属の酸化物粒子である請求項１〜１０のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項１３】
前記金属酸化物粒子は、ＳｎＯ2の粒子である請求項１〜１０のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項１４】
前記基板は、ナトリウムを含有する基板である請求項１〜１３のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項１５】
基板と、前記基板上に配置された、電子放出素子とを備える電子源であって、前記基板が、請求項１〜１４のいずれかに記載された電子源形成用基板であることを特徴とする電子源。
【請求項１６】
前記電子放出素子は、電子放出部を含む導電性膜を備える電子放出素子である請求項１５に記載の電子源。
【請求項１７】
前記電子放出素子の複数が、複数の行方向配線及び複数の列方向配線とによりマトリクス配線されている請求項１５又は１６に記載の電子源。
【請求項１８】
前記電子放出素子は、一対の電極間に、電子放出部を含む導電性膜を備える電子放出素子である請求項１５に記載の電子源。
【請求項１９】
前記電子放出素子の複数が、複数の行方向配線及び複数の列方向配線とによりマトリクス配線されており、前記一対の電極が白金を主成分とする材料より構成され、かつ、前記配線が、銀を主成分とする材料より構成されている請求項１８に記載の電子源。
【請求項２０】
外囲器と、前記外囲器内に配置された、電子放出素子及び前記電子放出素子からの電子の照射により画像を表示する画像表示部材とを備える画像表示装置であって、前記電子放出素子が配置されている基板が、請求項１〜１４のいずれかに記載された電子源形成用基板であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２１】
前記電子放出素子は、電子放出部を含む導電性膜を備える電子放出素子である請求項２０に記載の画像表示装置。
【請求項２２】
前記電子放出素子の複数が、複数の行方向配線及び複数の列方向配線とによりマトリクス配線されている請求項２０又は２１に記載の画像表示装置。
【請求項２３】
前記電子放出素子は、一対の電極間に、電子放出部を含む導電性膜を備える電子放出素子である請求項２０に記載の画像表示装置。
【請求項２４】
前記電子放出素子の複数が、複数の行方向配線及び複数の列方向配線とによりマトリクス配線されており、前記一対の電極が白金を主成分とする材料より構成され、かつ、前記配線が、銀を主成分とする材料より構成されている請求項２３に記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち、本発明の電子源形成用基板は、電子放出素子が配置される電子源形成用基板であって、基板と、前記基板の前記電子放出素子が配置される表面に、メジアン値で表される平均粒子径が６ｎｍ〜６０ｎｍの範囲の複数の金属酸化物粒子を含有する第１の絶縁材料膜と、前記第１の絶縁材料膜の上に積層された第２の絶縁材料膜とを有することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記本発明の電子源形成用基板は、更なる好ましい特徴として、「前記第１の絶縁材料膜は更に、リンを含有している」こと、「前記第１の絶縁材料膜は更に、リンを１重量部〜１０重量部含有している」こと、「前記第１の絶縁材料膜の厚さは、２００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲である」こと、「前記第１の絶縁材料膜の厚さは、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲である」こと、「前記第２の絶縁材料膜の厚さは、２０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である」こと、「前記第２の絶縁材料膜の厚さは、４０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である」こと、「前記第１の絶縁材料膜は、ＳｉＯ2膜である」こと、「前記第２の絶縁材料膜は、ＳｉＯ2膜である」こと、を含む。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の電子源形成用基板においては、基板の電子放出素子が配置される表面に、メジアン値で表される平均粒子径が６ｎｍ〜６０ｎｍの範囲の複数の金属酸化物粒子を含有する第１の絶縁材料膜、具体的には例えばＳｎＯ2の粒子を含有するＳｉＯ2膜を有することにより、Ｎａを含有する基板、特に主成分としてＳｉＯ2を５０〜７５重量％、Ｎａを２〜１７重量％含有するガラス基板のＮａを効果的にブロックすることができる。このため、本発明の電子源形成用基板を用いた電子放出素子は、電子放出特性の経時的変化が低減し、安定した電子放出特性が得られる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、第１の絶縁材料膜（例えばＳｉＯ2膜）中に、リンを添加する事によって膜の抵抗値を容易に制御できる。また、適度なリンの添加は、ナトリウムのブロック効果を高めることができるわかった。このメカニズムはまだ解明はされてはいないが、基板ガラス中のナトリウムがリンと何らかの化合物を形成して固定される事によって、基板表面への拡散を押さえているのではないかと考えている。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、第１の絶縁材料膜（例えばＳｉＯ2膜）上に、更に第２の絶縁材料膜（例えばＳｉＯ2膜）を有する構成にする事によって、単に各々の膜から予想されるブロック効果よりはるかにナトリウムブロック効果が向上する。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１は、本発明の電子源形成用基板の一実施形態を示す断面図である。図１において、１はＮａを含有する、例えば、青板ガラス、あるいはＮａの１部をＫに置換して歪み点を上昇させた高歪み点ガラスなどの基板、６は金属酸化物粒子を含有した第１の層（第１の絶縁材料膜）、７は該第１の層６上に形成された第２の層（第２の絶縁材料膜）、８は第１の層６中の金属酸化物粒子である。