【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面上にマウントされた半導体レーザ素子と、
を備えた光集積ユニットであって、
前記半導体レーザ素子は、
第１の波長のレーザ光を放出する第１のレーザ発振部と前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を前放出する第２のレーザ発振部とをモノリシックに集積してなり、且つ前記第１の波長のレーザ光と前記第２のレーザ光を前記基板の前記主面に対して略平行な方向に出射するものとして構成され、
前記基板は、
前記第１及び第２のレーザ光を前記主面に対して略垂直上方に反射するように前記主面に対して傾斜したミラー面と、
前記第１のレーザ発振部に対応する第１のマウント部と前記第２のレーザ発振部に対応する第２のマウント部とを電気的に分離する手段と、
を有することを特徴とする光集積ユニット。
【請求項２】
前記分離する手段は、前記基板の表面に形成されたｐｎ接合であることを特徴とする請求項１記載の光集積ユニット。
【請求項３】
前記分離する手段は、前記基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上において互いに分離して形成された一対の配線パターンであることを特徴とする請求項１記載の光集積ユニット。
【請求項４】
前記半導体レーザ素子から放出される前記第１及び第２のレーザ光の一部が前記主面に遮られないように前記主面の一部が掘り下げられた凹部が設けられ、前記ミラー面は前記凹部の側壁に連続的に延在するものとして構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光集積ユニット。
【請求項５】
前記基板は、単結晶シリコンからなり、前記半導体レーザ素子からみて前記ミラー面とは反対側に、前記半導体レーザ素子のレーザ出力をモニタするためのモニタ用受光素子としてのｐｎ接合部を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の光集積ユニット。
【請求項６】
前記モニタ用受光素子としての前記ｐｎ接合部は、前記第１のレーザ発振部に対応して設けられた第１のモニタ用ｐｎ接合部と、前記第２のレーザ発振部に対応して設けられた第２のモニタ用ｐｎ接合部とを含むことを特徴とする請求項５記載の光集積ユニット。
【請求項７】
前記基板は、単結晶シリコンからなり、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第１の波長の反射光を検出する第１の検出用受光素子としての第１の検出用ｐｎ接合部と、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第２の波長の反射光を検出する第２の検出用受光素子としての第２の検出用ｐｎ接合部と、をさらに有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の光集積ユニット。
【請求項８】
前記第１の検出用ｐｎ接合部は、ホログラム光学系により回折された前記第１の波長の反射光のプラス１次回折光を受光するように前記基板上に配置され、
前記第２の検出用ｐｎ接合部は、前記ホログラム光学系により回折された前記第２の波長の反射光のマイナス１次光を受光するように前記基板上に配置されたことを特徴とする請求項７記載の光集積ユニット。
【請求項９】
前記ホログラム光学系は、少なくとも３つの異なる回折領域を有し、
前記第１の検出用ｐｎ接合部は、前記３つの異なる回折領域のそれぞれにより回折される３つのプラス１次光に対応して分割して設けられ、
前記第２の検出用ｐｎ接合部は、前記３つの異なる回折領域のそれぞれにより回折される３つのマイナス１次光に対応して分割して設けられたことを特徴とする請求項８記載の光集積ユニット。
【請求項１０】
前記ホログラム光学系をさらに備えたことを特徴とする請求項８または９に記載の光集積ユニット。
【請求項１１】
前記基板は、（１００）面を主面とした単結晶シリコンからなり、
前記ミラー面は、（１１１）面により構成されていることを特徴する請求項１〜１０のいずれか１つに記載の光集積ユニット。
【請求項１２】
前記第１の波長は、７８０ｎｍを中心とし、
前記第２の波長は、６３５ｎｍ、６５０ｎｍ及び６８５ｎｍのいずれかを中心とすることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の光集積ユニット。
【請求項１３】
光集積ユニットを備え、
前記光集積ユニットは、
基板と、
前記基板の主面上にマウントされた半導体レーザ素子と、
を有し、
前記半導体レーザ素子は、
第１の波長のレーザ光を放出する第１のレーザ発振部と前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を前放出する第２のレーザ発振部とをモノリシックに集積してなり、且つ前記第１の波長のレーザ光と前記第２のレーザ光を前記基板の前記主面に対して略平行な方向に出射するものとして構成され、
前記基板は、
前記第１及び第２のレーザ光を前記主面に対して略垂直上方に反射するように前記主面に対して傾斜したミラー面と、
前記第１のレーザ発振部に対応する第１のマウント部と前記第２のレーザ発振部に対応する第２のマウント部とを電気的に分離する手段と、
前記光集積ユニットから放出される前記第１の波長のレーザ光または前記第２のレーザ光を集光して光記録媒体に照射し且つ前記光記録媒体から反射された反射光を前記光集積ユニットに導く光学系と、有することを特徴とする光ピックアップ。
【請求項１４】
前記基板は、単結晶シリコンからなり、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第１の波長の反射光を検出する第１の検出用受光素子としての第１の検出用ｐｎ接合部と、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第２の波長の反射光を検出する第２の検出用受光素子としての第２の検出用ｐｎ接合部と、をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載の光ピックアップ。
【請求項１５】
前記第１の検出用ｐｎ接合部は、ホログラム光学系により回折された前記第１の波長の反射光のプラス１次回折光を受光するように前記基板上に配置され、
前記第２の検出用ｐｎ接合部は、前記ホログラム光学系により回折された前記第２の波長の反射光のマイナス１次光を受光するように前記基板上に配置されたことを特徴とする請求項１４に記載の光ピックアップ。
【請求項１６】
光集積ユニットを有する光ピックアップを備え、
前記光集積ユニットは、
基板と、
前記基板の主面上にマウントされた半導体レーザ素子と、
を有し、
前記半導体レーザ素子は、
第１の波長のレーザ光を放出する第１のレーザ発振部と前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を前放出する第２のレーザ発振部とをモノリシックに集積してなり、且つ前記第１の波長のレーザ光と前記第２のレーザ光を前記基板の前記主面に対して略平行な方向に出射するものとして構成され、
前記基板は、
前記第１及び第２のレーザ光を前記主面に対して略垂直上方に反射するように前記主面に対して傾斜したミラー面と、
前記第１のレーザ発振部に対応する第１のマウント部と前記第２のレーザ発振部に対応する第２のマウント部とを電気的に分離する手段と、
前記光集積ユニットから放出される前記第１の波長のレーザ光または前記第２のレーザ光を集光して光記録媒体に照射し且つ前記光記録媒体から反射された反射光を前記光集積ユニットに導く光学系と、有することを特徴とする光記録媒体駆動装置。
【請求項１７】
前記基板は、単結晶シリコンからなり、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第１の波長の反射光を検出する第１の検出用受光素子としての第１の検出用ｐｎ接合部と、前記ミラー面により反射されて外部に放出され光記録媒体において反射されて戻った前記第２の波長の反射光を検出する第２の検出用受光素子としての第２の検出用ｐｎ接合部と、をさらに有することを特徴とする請求項１６に記載の光記録媒体駆動装置。
【請求項１８】
前記第１の検出用ｐｎ接合部は、ホログラム光学系により回折された前記第１の波長の反射光のプラス１次回折光を受光するように前記基板上に配置され、
前記第２の検出用ｐｎ接合部は、前記ホログラム光学系により回折された前記第２の波長の反射光のマイナス１次光を受光するように前記基板上に配置されたことを特徴とする請求項１７に記載の光記録媒体駆動装置。