【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式ＭIaＭIIb Ｏc （ただし、ａ、ｂ、ｃは原子％で表した組成、ＭI はＰｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、ＲｈおよびＰｄからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属、ＭIIはＨｆ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表す）で表され、その組成範囲が９０≧ａ≧４０、１５≧ｂ≧２、４≦ｃ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００であることを特徴とする電子材料。
【請求項２】
上記電子材料の組成範囲は８５≧ａ≧６５、１０≧ｂ≧２、１０≦ｃ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００であることを特徴とする請求項１記載の電子材料。
【請求項３】
組成式ＭIaＭIIb Ｏc （ただし、ａ、ｂ、ｃは原子％で表した組成、ＭI はＰｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、ＲｈおよびＰｄからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属、ＭIIはＨｆ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表す）で表され、その組成範囲が９０≧ａ≧４０、１５≧ｂ≧２、４≦ｃ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００である電子材料の製造方法であって、
上記電子材料を酸素または水蒸気を用いた反応性スパッタリング法により成膜するようにした
ことを特徴とする電子材料の製造方法。
【請求項４】
組成式ＭIaＭIIb Ｏc （ただし、ａ、ｂ、ｃは原子％で表した組成、ＭI はＰｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、ＲｈおよびＰｄからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属、ＭIIはＨｆ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表す）で表され、その組成範囲が９０≧ａ≧４０、１５≧ｂ≧２、４≦ｃ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００である材料からなる拡散防止層と、
上記拡散防止層上の下部電極と、
上記下部電極上の誘電体膜と、
上記誘電体膜上の上部電極とを有する
ことを特徴とする誘電体キャパシタ。
【請求項５】
上記ＭIaＭIIb Ｏc で表される材料の組成範囲は８５≧ａ≧６５、１０≧ｂ≧２、１０≦ｃ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００であることを特徴とする請求項４記載の誘電体キャパシタ。
【請求項６】
上記拡散防止層はＩｒ−Ｈｆ−Ｏ、Ｉｒ−Ｚｒ−Ｏ、Ｉｒ−Ｎｂ−Ｏ、Ｒｕ−Ｚｒ−Ｏ、Ｒｕ−Ｔａ−Ｏ、Ｐｔ−Ｈｆ−Ｏ、Ｐｔ−Ｚｒ−Ｏ、Ｐｄ−Ｚｒ−Ｏ、Ｒｈ−Ｖ−Ｏ、Ｒｈ−Ｍｏ−ＯまたはＲｈ−Ｗ−Ｏからなることを特徴とする請求項４記載の誘電体キャパシタ。
【請求項７】
上記拡散防止層は酸素または水蒸気を用いた反応性スパッタリング法により成膜されたものであることを特徴とする請求項４記載の誘電体キャパシタ。
【請求項８】
上記下部電極はＰｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、ＲｈおよびＰｄからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属からなることを特徴とする請求項４記載の誘電体キャパシタ。
【請求項９】
上記誘電体膜はＢｉ系層状構造ペロブスカイト型強誘電体からなることを特徴とする請求項４記載の誘電体キャパシタ。
【請求項１０】
上記誘電体膜は、Ｂｉx （Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）y （Ｔａ，Ｎｂ）2 Ｏz （ただし、２．５０≧ｘ≧１．７０、１．２０≧ｙ≧０．６０、ｚ＝９±ｄ、１．０≧ｄ≧０）で表される結晶層を８５％以上含む強誘電体からなることを特徴とする請求項４記載の誘電体キャパシタ。
【請求項１１】
上記誘電体膜は、Ｂｉx Ｓｒy Ｔａ2 Ｏz （ただし、２．５０≧ｘ≧１．７０、１．２０≧ｙ≧０．６０、ｚ＝９±ｄ、１．０≧ｄ≧０）で表される結晶層を８５％以上含む強誘電体からなることを特徴とする請求項４記載の誘電体キャパシタ。
【請求項１２】
上記誘電体膜はＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 で表される強誘電体からなることを特徴とする請求項４記載の誘電体キャパシタ。
【請求項１３】
上記誘電体膜はＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 で表される強誘電体からなることを特徴とする請求項４記載の誘電体キャパシタ。
【請求項１４】
上記誘電体膜は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 で表される高誘電体からなることを特徴とする請求項４記載の誘電体キャパシタ。
【請求項１５】
組成式ＭIaＭIIb Ｏc （ただし、ａ、ｂ、ｃは原子％で表した組成、ＭI はＰｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、ＲｈおよびＰｄからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属、ＭIIはＨｆ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表す）で表され、その組成範囲が９０≧ａ≧４０、１５≧ｂ≧２、４≦ｃ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００である材料からなる下部電極と、
上記下部電極上の誘電体膜と、
上記誘電体膜上の上部電極とを有する
ことを特徴とする誘電体キャパシタ。
【請求項１６】
上記ＭIaＭIIb Ｏc で表される材料の組成範囲は８５≧ａ≧６５、１０≧ｂ≧２、１０≦ｃ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００であることを特徴とする請求項１５記載の誘電体キャパシタ。
【請求項１７】
上記下部電極はＩｒ−Ｈｆ−Ｏ、Ｉｒ−Ｚｒ−Ｏ、Ｉｒ−Ｎｂ−Ｏ、Ｒｕ−Ｚｒ−Ｏ、Ｒｕ−Ｔａ−Ｏ、Ｐｔ−Ｈｆ−Ｏ、Ｐｔ−Ｚｒ−Ｏ、Ｐｄ−Ｚｒ−Ｏ、Ｒｈ−Ｖ−Ｏ、Ｒｈ−Ｍｏ−ＯまたはＲｈ−Ｗ−Ｏからなることを特徴とする請求項１５記載の誘電体キャパシタ。
【請求項１８】
上記下部電極は酸素または水蒸気を用いた反応性スパッタリング法により成膜されたものであることを特徴とする請求項１５記載の誘電体キャパシタ。
【請求項１９】
上記誘電体膜はＢｉ系層状構造ペロブスカイト型強誘電体からなることを特徴とする請求項１５記載の誘電体キャパシタ。
【請求項２０】
上記誘電体膜は、Ｂｉx （Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）y （Ｔａ，Ｎｂ）2 Ｏz （ただし、２．５０≧ｘ≧１．７０、１．２０≧ｙ≧０．６０、ｚ＝９±ｄ、１．０≧ｄ≧０）で表される結晶層を８５％以上含む強誘電体からなることを特徴とする請求項１５記載の誘電体キャパシタ。
【請求項２１】
上記誘電体膜は、Ｂｉx Ｓｒy Ｔａ2 Ｏz （ただし、２．５０≧ｘ≧１．７０、１．２０≧ｙ≧０．６０、ｚ＝９±ｄ、１．０≧ｄ≧０）で表される結晶層を８５％以上含む強誘電体からなることを特徴とする請求項１５記載の誘電体キャパシタ。
【請求項２２】
上記誘電体膜はＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 で表される強誘電体からなることを特徴とする請求項１５記載の誘電体キャパシタ。
【請求項２３】
上記誘電体膜はＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 で表される強誘電体からなることを特徴とする請求項１５記載の誘電体キャパシタ。
【請求項２４】
上記誘電体膜は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 で表される高誘電体からなることを特徴とする請求項１５記載の誘電体キャパシタ。
【請求項２５】
トランジスタと誘電体キャパシタとからなるメモリセルを有する不揮発性メモリにおいて、
上記誘電体キャパシタが、
組成式ＭIaＭIIb Ｏc （ただし、ａ、ｂ、ｃは原子％で表した組成、ＭI はＰｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、ＲｈおよびＰｄからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属、ＭIIはＨｆ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表す）で表され、その組成範囲が９０≧ａ≧４０、１５≧ｂ≧２、４≦ｃ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００である材料からなる拡散防止層と、
上記拡散防止層上の下部電極と、
上記下部電極上の誘電体膜と、
上記誘電体膜上の上部電極とを有する
ことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２６】
トランジスタと誘電体キャパシタとからなるメモリセルを有する不揮発性メモリにおいて、
上記誘電体キャパシタが、
組成式ＭIaＭIIb Ｏc （ただし、ａ、ｂ、ｃは原子％で表した組成、ＭI はＰｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、ＲｈおよびＰｄからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属、ＭIIはＨｆ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表す）で表され、その組成範囲が９０≧ａ≧４０、１５≧ｂ≧２、４≦ｃ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００である材料からなる下部電極と、
上記下部電極上の誘電体膜と、
上記誘電体膜上の上部電極とを有する
ことを特徴とする不揮発性メモリ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】