【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
各々が磁気的に書込まれた記憶データに応じて変化する電気抵抗を有する複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリアレイと、
複数のメモリセル行にそれぞれ対応して設けられ、データ書込時に、選択行において一定方向の所定書込電流を流すための複数のライトディジット線と、
複数のメモリセル列にそれぞれ対応して設けられる複数のビット線と、
前記複数のビット線の一端側および他端側のそれぞれに対応して配置され、前記複数のビット線によって共有される第１および第２の書込電流制御配線と、
前記データ書込時に、前記第１および第２の書込電流制御配線の一方を第１の電圧と接続するための第１の接続制御部と、
前記データ書込時に、前記第１および第２の書込電流制御配線の他方を第２の電圧と接続するための第２の接続制御部と、
前記複数のメモリセル列にそれぞれ対応して設けられ、選択列において活性化される複数の列選択線と、
各前記ビット線に対応して設けられ、対応するビット線に書込データのレベルに応じた方向のデータ書込電流を流すために、対応する列選択線の活性化に応答して動作するライトドライバとを備える、薄膜磁性体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
データ書込時に非選択のメモリブロックにおいて、前記第１および第２の接続制御部は、対応する第１および第２の書込電流制御配線の各々を前記第１および第２の電圧のうちの低い方と接続する、請求項１１に記載の薄膜磁性体記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この発明の他の構成に従う薄膜磁性体記憶装置は、各々が磁気的に書込まれた記憶データに応じて変化する電気抵抗を有する複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリアレイと、複数のメモリセル行にそれぞれ対応して設けられ、データ書込時に、選択行において一定方向の所定書込電流を流すための複数のライトディジット線と、複数のメモリセル列にそれぞれ対応して設けられる複数のビット線と、複数のビット線の一端側および他端側のそれぞれに対応して配置され、複数のビット線によって共有される第１および第２の書込電流制御配線と、データ書込時に、第１および第２の書込電流制御配線の一方を第１の電圧と接続するための第１の接続制御部と、データ書込時に、第１および第２の書込電流制御配線の他方を第２の電圧と接続するための第２の接続制御部と、複数のメモリセル列にそれぞれ対応して設けられ、選択列において活性化される複数の列選択線と、各ビット線に対応して設けられ、対応するビット線に書込データのレベルに応じた方向のデータ書込電流を流すために、対応する列選択線の活性化に応答して動作するライトドライバとを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
さらに好ましくは、データ書込時に非選択のメモリブロックにおいて、第１および第２の接続制御部は、対応する第１および第２の書込電流制御配線の各々を第１および第２の電圧のうちの低い方と接続する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
ビット線電流制御回路３１は、さらに、論理回路６２ｄの出力を反転するインバータＩＶｃ１と、書込データＤＩＮ（３）を反転するインバータＩＶｄと、インバータＩＶｄの出力をさらに反転するインバータＩＶｃ２と、インバータＩＶｃ１およびＩＶｃ２のそれぞれの出力間のＡＮＤ論理演算結果をＡＮＤ論理演算結果を書込制御信号ＷＴ３ａとして出力する論理回路６３ａと、論理回路６２ｄの出力および書込データ／ＤＩＮ（３）の間のＡＮＤ論理演算結果を生成する論理回路６３ｂと、インバータＩＶｃ１の出力および書込データ／ＤＩＮ（３）との間のＡＮＤ論理演算結果を生成する論理回路６３ｃとを有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
ライトドライバ１１ｂに対応して設けられるビット線電流制御回路３２は、ビット線電流制御回路３１と同様の構成を有し、書込データ／ＤＩＮ（１）〜／ＤＩＮ（３）に応じて、書込制御信号ＷＴ１ａ♯〜ＷＴ１ｃ♯，ＷＴ２ａ♯〜ＷＴ２ｃ♯，ＷＴ３ａ♯を生成する。すなわち、書込制御信号ＷＴ１ａ♯〜ＷＴ１ｃ♯，ＷＴ２ａ♯〜ＷＴ２ｃ♯，ＷＴ３ａ♯のレベルは、ビット線電流制御回路３１において、書込データＤＩＮ（１）〜ＤＩＮ（３）に代えて、／ＤＩＮ（１）〜／ＤＩＮ（３）をそれぞれ入力した場合における、書込制御信号ＷＴ１ａ〜ＷＴ１ｃ，ＷＴ２ａ〜ＷＴ２ｃ，ＷＴ３ａ〜ＷＴ３ｃのレベルとそれぞれ等しい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
ビット線ＢＬ１の一端側および他端側の他方（電源電圧Ｖｃｃと結合されなかった方）は、書込データＤＩＮ（１）およびＤＩＮ（２）のレベルが異なる場合には、次の選択ビット線ＢＬ２と接続される。具体的には、トランジスタスイッチ４１ｃおよび５１ｃのいずれか一方が、書込データＤＩＮ（１）およびＤＩＮ（２）のレベルに応じてオンする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
選択ビット線ＢＬ１およびＢＬ２の間に同一方向のビット線電流を流す場合には、これらの選択ビット線間に配置されたトランジスタスイッチ４１ｃおよび５１ｃの各々はオフされる。さらに、選択ビット線ＢＬ１の一端側および他端側の電源電圧Ｖｃｃと接続されなかった一方は、対応する電流帰還配線ＲＬ１と接続される。すなわち、書込データＤＩＮ（１）のレベルに応じて、トランジスタスイッチ４１ａおよび５１ａのいずれか一方が選択されてオンされる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
このように、メモリセル列ごとに配置されたビット線ＢＬおよび電流帰還配線ＲＬを用いて、隣接する選択ビット線間に逆方向のビット線電流を生じさせる場合には、隣接する２本のビット線の一端側同士もしくは他端側同士を接続して、折返し用のビット線電流を発生させる。これに対して、隣接するビット線間に同一方向の電流を流す場合には、ビット線ＢＬの電流を同一メモリセル列に属する電流帰還配線ＲＬによって折返した上で、次のメモリセル列の選択ビット線へ伝達する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
書込電流制御回路１３５は、各メモリブロックＭＢごとに設けられた、インバータ１３７および論理回路１３６，１３８を有する。インバータ１３７は、インバータ１３１と同様に、書込データＤＩＮのレベルを反転して出力する。論理回路１３８は、書込ブロックデコード信号ＷＢＤＳ、制御信号ＷＥ、およびインバータ１３６の出力を受けて、すなわち論理回路１３２と同様の入力を受けて、これらのＮＡＮＤ論理演算結果をトランジスタスイッチ１２２のゲートへ出力する。論理回路１３６は、論理回路１３３と同様の入力を受けて、これらのＮＡＮＤ論理演算結果をトランジスタスイッチ１２１のゲートへ出力する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
実施の形態３に従う構成においては、選択メモリブロックを構成するＫ個のサブブロックのそれぞれに対して、Ｋビットのデータが並列に書込まれる。実施の形態１および２に従う構成と同様に、ディジット線ドライバ２１は、各メモリブロックごとに配置される。また、ライトディジット線ＷＤＬは、各メモリセル行において、同一のメモリブロックに属する複数（Ｋ個）のサブブロックに対して共通に配置される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
隣接するサブブロックＳＢ１１およびＳＢ１２の間に配置された電流方向調整回路１５０において、トランジスタスイッチ１５１のゲートには、書込データＤＩＮ（１）が入力され、トランジスタスイッチ１５５のゲートには、書込データＤＩＮ（２）が入力される。トランジスタスイッチ１５２のゲートには、反転された書込データ／ＤＩＮ（２）が入力される。トランジスタスイッチ１５４のゲートには、インバータ１７２によって反転された書込データ／ＤＩＮ（１）が入力される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５６】
たとえば、サブブロックＳＢ１１およびＳＢ１２の間に設けられた論理回路１６５は、反転された書込データ／ＤＩＮ（１）および／ＤＩＮ（２）の間の一致比較（排他的ＮＯＲ）結果を出力し、論理回路１７５は、書込データＤＩＮ（１）およびＤＩＮ（２）の間の一致比較（排他的ＮＯＲ）結果を出力する。なお、トランジスタスイッチ１５３および１５６の各々のゲートへは、論理回路１６５および１７５のいずれの出力を与えてもよい。また、論理回路１６５および１７５のいずれか一方の配置を省略することもできる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
たとえば、書込データＤＩＮ（１）およびＤＩＮ（２）のレベルが同一である場合には、サブブロックＳＢ１１およびＳＢ１２の間に配置された電流方向調整回路１５０において、書込データレベルに応じて、書込電流制御配線ＷＣＬ１１および／ＷＣＬ１２の間、もしくは書込電流制御配線／ＷＣＬ１１およびＷＣＬ１２の間が電気的に結合される。これに対して、書込データＤＩＮ（１）およびＤＩＮ（２）のレベルが異なる場合には、書込データレベルに応じて、書込電流制御配線ＷＣＬ１１およびＷＣＬ１２の間、もしくは／ＷＣＬ１１および／ＷＣＬ１２の間が電気的に結合される。