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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明の複合半導体について説明する。
本発明の複合半導体は、結晶性ｎ型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するｎ型半導体より高い伝導帯準位を有するｎ型半導体のいずれかからなる厚さ１ｎｍ未満のシェルで被覆されたことを特徴とする。シェルの厚みが１ｎｍ未満である複合半導体を使用することによって、シェルの存在による開放電圧と曲線因子の向上効果と短絡電流のバランスがとれた高い変換効率を有する光電変換素子が得られる。
より高い変換効率を得るために、シェルの厚みは好ましくは０．８ｎｍ以下、より好ましくは０．６ｎｍ以下、更に好ましくは０．４ｎｍ以下である。また、下限に関しては開放電圧が向上する限り特に限定は無いが、好ましくは０．０１ｎｍ以上である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】保護回路および液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被保護薄膜トランジスタの入力回路に接続された薄膜トランジスタからなる保護回路であって、
前記保護回路の薄膜トランジスタのチャネル層に設けられたＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子と、
前記Ｐ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子が接続されたグランド端子と
を具備してなることを特徴とする保護回路。
【請求項２】
被保護薄膜トランジスタの入力回路に接続された薄膜トランジスタからなる保護回路であって、
前記入力回路に接続されたプラス側のサージノイズの入力に対して動作するチャネル層にＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子を有する第１の保護回路と、
前記入力回路に接続されたマイナス側のサージノイズの入力に対して動作するチャネル層にＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子を有する第２の保護回路と、
前記第１の保護回路および第２の保護回路のＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子が接続されたグランド端子と
を具備してなることを特徴とする保護回路。
【請求項３】
前記保護回路を構成する薄膜トランジスタのゲート幅は、前記被保護薄膜トランジスタのゲート幅より大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の保護回路。
【請求項４】
前記保護回路を構成する薄膜トランジスタのゲート幅は、１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の保護回路。
【請求項５】
前記被保護薄膜トランジスタは、チャネル層にＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子を有し、前記Ｐ型基板電位固定端子および前記Ｎ型基板電位固定端子を基板バイアス発生回路に接続したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の保護回路。
【請求項６】
前記保護回路の薄膜トランジスタは、降伏電圧、ホールド電圧が、前記被保護薄膜トランジスタもしくは画素駆動用スイッチング素子の薄膜トランジスタの降伏電圧、ホールド電圧よりそれぞれ低く構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の保護回路。
【請求項７】
ガラス基板と、
前記ガラス基板上の各画素位置に設けられたスイッチング用薄膜トランジスタと、
前記スイッチング用薄膜トランジスタを駆動する駆動回路とを有する液晶パネルと
を具備してなる液晶表示装置であって、
前記液晶パネルの対向電極に電圧を印加する初段薄膜トランジスタの入力回路に保護用薄膜トランジスタを接続し、
前記保護用薄膜トランジスタは、チャネル層にＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子を有するトランジスタであり、
前記Ｐ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子とグランド端子とを接続する回路
を具備してなることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入出力初段薄膜トランジスタに対して、電流サージや電圧ノイズに関する静電気対策として入出力保護機能を持たせた保護回路およびそれを用いた液晶表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上記のような従来の問題点に鑑みてなされたもので、より安定な入出力保護機能を有する保護回路および液晶表示装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
すなわち、請求項１記載の保護回路は、被保護薄膜トランジスタの入力回路に接続された薄膜トランジスタからなる保護回路であって、前記保護回路の薄膜トランジスタのチャネル層に設けられたＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子と、前記Ｐ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子が接続されたグランド端子とを具備してなることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、請求項２記載の保護回路は、被保護薄膜トランジスタの入力回路に接続された薄膜トランジスタからなる保護回路であって、前記入力回路に接続されたプラス側のサージノイズの入力に対して動作するチャネル層にＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子を有する第１の保護回路と、前記入力回路に接続されたマイナス側のサージノイズの入力に対して動作するチャネル層にＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子を有する第２の保護回路と、前記第１の保護回路および第２の保護回路のＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子が接続されたグランド端子とを具備してなることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、請求項３記載の保護回路は、請求項１又は２に記載の保護回路において、前記保護回路を構成する薄膜トランジスタのゲート幅は、前記被保護薄膜トランジスタのゲート幅より大きいことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、請求項４記載の保護回路は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の保護回路において、前記保護回路を構成する薄膜トランジスタのゲート幅は、１００μｍ以上であることを特徴とする。
また、請求項５記載の保護回路は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の保護回路において、前記被保護薄膜トランジスタは、チャネル層にＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子を有し、前記Ｐ型基板電位固定端子および前記Ｎ型基板電位固定端子を基板バイアス発生回路に接続したことを特徴とする。
また、請求項６記載の保護回路は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の保護回路において、前記保護回路の薄膜トランジスタは、降伏電圧、ホールド電圧が、前記被保護薄膜トランジスタもしくは画素駆動用スイッチング素子の薄膜トランジスタの降伏電圧、ホールド電圧よりそれぞれ低く構成されていることを特徴とする。
また、請求項７記載の液晶表示装置は、ガラス基板と、前記ガラス基板上の各画素位置に設けられたスイッチング用薄膜トランジスタと、前記スイッチング用薄膜トランジスタを駆動する駆動回路とを有する液晶パネルとを具備してなる液晶表示装置であって、前記液晶パネルの対向電極に電圧を印加する初段薄膜トランジスタの入力回路に保護用薄膜トランジスタを接続し、前記保護用薄膜トランジスタは、チャネル層にＰ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子を有するトランジスタであり、前記Ｐ型基板電位固定端子およびＮ型基板電位固定端子とグランド端子とを接続する回路を具備してなることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、より安定な入出力保護機能を有する保護回路および液晶表示装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられエッチングにより形成されたテーパ部を有する多結晶又は非晶質半導体層と、
前記多結晶又は非晶質半導体層の両側に設けられた一方がソース領域および他方がドレイン領域と、
前記ソース領域およびドレイン領域間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記チャネル領域のチャネル幅方向の前記テーパ部のテーパ角が略６０度以上であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
基板上に設けられエッチングにより形成されたテーパ部を有する多結晶又は非晶質半導体層と、
前記多結晶又は非晶質半導体層の両側に設けられた一方がソース領域および他方がドレイン領域と、
前記ソース領域およびドレイン領域間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記チャネル領域のチャネル幅方向の前記テーパ部が絶縁化された絶縁部と
を具備してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
基板上に設けられエッチングにより形成されたテーパ部を有する多結晶又は非晶質半導体層と、
前記多結晶又は非晶質半導体層の両側に設けられた一方がソース領域および他方がドレイン領域と、
前記ソース領域およびドレイン領域間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記チャネル領域のチャネル幅方向の前記テーパ部に不純物が導入された不純物領域と
を具備してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記不純物領域は、高濃度不純物領域であることを特徴とする請求項３記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１、２、または３記載の薄膜トランジスタを液晶パネルに用いたことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置の液晶パネル等に用いられる薄膜トランジスタ及び液晶表示装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の目的は、チャネル幅方向の半導体層の端部のテーパ角のばらつきに起因する薄膜トランジスタの特性のばらつきを抑制できる薄膜トランジスタ及びそれを液晶パネルに用いた液晶表示装置を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、請求項１記載の薄膜トランジスタは、基板上に設けられエッチングにより形成されたテーパ部を有する多結晶又は非晶質半導体層と、前記多結晶又は非晶質半導体層の両側に設けられた一方がソース領域および他方がドレイン領域と、前記ソース領域およびドレイン領域間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記チャネル領域のチャネル幅方向の前記テーパ部のテーパ角が略６０度以上であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、請求項２記載の薄膜トランジスタは、基板上に設けられエッチングにより形成されたテーパ部を有する多結晶又は非晶質半導体層と、前記多結晶又は非晶質半導体層の両側に設けられた一方がソース領域および他方がドレイン領域と、前記ソース領域およびドレイン領域間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記チャネル領域のチャネル幅方向の前記テーパ部が絶縁化された絶縁部とを具備してなることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、請求項３記載の薄膜トランジスタは、基板上に設けられエッチングにより形成されたテーパ部を有する多結晶又は非晶質半導体層と、前記多結晶又は非晶質半導体層の両側に設けられた一方がソース領域および他方がドレイン領域と、前記ソース領域およびドレイン領域間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記チャネル領域のチャネル幅方向の前記テーパ部に不純物が導入された不純物領域とを具備してなることを特徴とする。
また、請求項４記載の薄膜トランジスタは、請求項１乃至３のいずれか記載の薄膜トランジスタにおいて、前記基板はガラス基板であることを特徴とする。
また、請求項５記載の薄膜トランジスタは、請求項３記載の薄膜トランジスタにおいて、前記不純物領域は、高濃度不純物領域であることを特徴とする。
また、請求項６記載の液晶表示装置は、請求項１、２、または３記載の薄膜トランジスタを液晶パネルに用いたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、特性のばらつきを抑制でき、製造歩留りを向上できる薄膜トランジスタ及びそれを液晶パネルに用いた液晶表示装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月14日(2005.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置とその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１導電型のエピ層、第２導電型のベース層、第１導電型のソース領域を順次形成する工程と、前記ソース領域上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の所定領域をエッチング除去する工程と、
残された前記絶縁膜をマスクとして、ＲＩＥ法により、前記ソース領域、前記ベース層に接するトレンチを形成する工程と、
等方性エッチングにより、前記トレンチ側から選択的に前記絶縁膜の下方まで前記ソース領域をエッチングする工程と、
前記絶縁膜をマスクとして、前記トレンチ内部に第２導電型の不純物をイオン注入し、拡散処理を行う工程と、
前記トレンチ内部に金属層を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板中にトレンチゲートを形成する工程を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記トレンチ内部に第２導電型の不純物をイオン注入し、拡散処理を行う工程の後、前記絶縁膜を、少なくとも前記エッチングされたソース領域の端部直上までエッチングする工程を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層上に形成された第２導電型のべース層と、前記第２導電型のベース層上に形成された第１導電型のソース領域と、前記ソース領域上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜から前記ソ−ス領域、前記ベース層に接するよう形成されたトレンチと、前記トレンチの周囲の前記第２導電型のベ−ス層中のみに形成された第２導電型の拡散層と、前記トレンチ内部に形成された金属層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体基板上に第１導電型のエピ層、第２導電型のベース層、第１導電型のソース領域を順次形成する工程と、前記ソース領域上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の所定領域をエッチング除去する工程と、
残された前記絶縁膜をマスクとして、ＲＩＥ法により、前記ソース領域、前記ベース層に接するトレンチを形成する工程と、
等方性エッチングにより、前記トレンチ側から選択的に前記絶縁膜の下方まで前記ソース領域をエッチングする工程と、
前記絶縁膜をマスクとして、前記トレンチ内部に第２導電型の不純物をイオン注入し、拡散処理を行う工程と、
前記トレンチ内部に金属層を形成する工程とを備えることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法においては、前記トレンチ内部に第２導電型の不純物をイオン注入し、拡散処理を行う工程の後、前記絶縁膜を、少なくとも前記エッチングされたソース領域の端部直上までエッチングする工程を備えることを特徴としている。
また、本発明の半導体装置においては、第１導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層上に形成された第２導電型のべース層と、前記第２導電型のベース層上に形成された第１導電型のソース領域と、前記ソース領域上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜から前記ソ−ス領域、前記ベース層に接するよう形成されたトレンチと、前記トレンチの周囲の前記第２導電型のベ−ス層中のみに形成された第２導電型の拡散層と、前記トレンチ内部に形成された金属層とを備えたことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異種の有機材料からなる接合面形成領域どうしが互いに接することにより形成されるヘテロ接合面を含んだ機能層と、機能層表面に形成される少なくとも２つの電極とからなるヘテロ接合素子であって、機能層は、ヘテロ接合面が露出する接合露出表面を有しており、この接合露出表面が前記電極のいずれかに直接接合されるか又は中間層を介して接合されたヘテロ接合素子において、機能層表面に露出する接合面形成領域のうち少なくとも一方の領域が電極または中間層と化学的に結合していることを特徴とするヘテロ接合素子。
【請求項２】
電極は機能層を挟んで２つの電極が形成され、機能層は、ヘテロ接合面が露出する１つの接合露出表面を有しており、この接合露出表面の少なくとも一方の領域が２つの電極のうち一方側の電極または中間層と化学的に結合していることを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合素子。
【請求項３】
電極は機能層を挟んで２つの電極が形成され、機能層は、ヘテロ接合面が露出する表側と裏側との２つの接合露出表面を有しており、表側と裏側との２つの接合露出表面のそれぞれにおいて、少なくとも一方の領域がそれぞれが２つの電極のいずれか一方側と化学的に結合していることを特徴とする請求項１記載のヘテロ接合素子。
【請求項４】
ヘテロ接合が電子受容性有機材料と電子供与性有機材料のｐｎ接合、半導体性有機材料と金属性有機材料とのショットキー接合、前記ｐｎ接合と前記ショットキー接合との組み合わせ、のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載のヘテロ接合素子。
【請求項５】
接合面形成領域の少なくともいずれか一方の領域の形状は、その領域内の一点からヘテロ接合面までの最短距離が当該領域内での電子、正孔、電子正孔対の接合面までの移動可能距離と等しいか小さい距離となるように形成されることを特徴とする請求項４に記載のヘテロ接合素子。
【請求項６】
機能層に形成されるヘテロ接合の接合面の総面積が、機能層表面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のヘテロ接合素子。
【請求項７】
電極とこの電極に接合する機能層表面に露出した接合面形成領域との関係は、接合面形成領域のいずれか一方との関係がエネルギー障壁性となり、他方との関係がオーミック性となり、電極と機能層表面との間での電子又は正孔の移動が制御されることを特徴とする請求項１に記載のヘテロ接合素子。
【請求項８】
接合面形成領域のうち、少なくとも一方の領域がバンドギャップエネルギー１．５ｅＶ以下の半導体性有機材料からなることを特徴とする請求項１に記載のヘテロ接合素子。
【請求項９】
接合面形成領域は、それぞれ吸収波長帯が異なる２種以上の材料からなることを特徴とする請求項１に記載のヘテロ接合素子。
【請求項１０】
接合面形成領域はそれぞれ分子が平均的に一方向に配向していることを特徴とする請求項１に記載のヘテロ接合素子。
【請求項１１】
短波長の光の浸入を防ぐためのフィルタ層が電極の外側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のヘテロ接合素子。
【請求項１２】
電極および機能層への気体、液体成分の侵入を防ぐための保護層が電極および機能層の外側を囲うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のヘテロ接合素子。
【請求項１３】
ヘテロ接合面に特定波長範囲の光が入射されることによりキャリアを発生する分子が接合面形成領域に存在することを特徴とする請求項１に記載のヘテロ接合素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このように、ハンダバンプが形成されたＰ型熱電材料板を上基板１にセットする。この際、電極５とハンダバンプは接合されるべき位置に配置される。これを加熱することにより、ハンダが溶融し、上基板１とＰ型熱電材料板はハンダを介して接合されるが、ハンダとＰ型熱電材料板との間に形成されている突起状のニッケルめっきにより、上基板１とＰ型熱電材料板との間には、間隙が存在する。この間隙は、後工程である熱電材料の不要部の削除とエレメントの作製をおこなう切断工程において、熱電材料のみの切断を行い、基板の切断を防ぐために設けられるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
誘電体基板上に形成された中心導体と、前記中心導体を両側から挟むように第１の接地導体及び第２の接地導体とで構成されたコプレーナ構造のマイクロ波伝送線路と、
前記マイクロ波伝送線路の中心導体を橋状に跨ぎ、かつその一端が前記第１の接地導体に接続され、他の一端が前記第２の接地導体に接続された圧電体と、
前記圧電体を外側から覆い、前記マイクロ波伝送線路の第１の接地導体と第２の接地導体間に接続された橋状接地導体と、
前記マイクロ波伝送線路の中心導体にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と
を具備したことを特徴とするマイクロ波移相器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のマイクロ波移相器は、誘電体基板上に形成された中心導体と、前記中心導体を両側から挟むように第１の接地導体及び第２の接地導体をとで構成されたコプレーナ構造のマイクロ波伝送線路と、前記マイクロ波伝送線路の中心導体を橋状に跨ぎ、かつその一端が前記第１の接地導体に接続され、他の一端が前記第２の接地導体に接続された圧電体と、前記圧電体を外側から覆い、前記マイクロ波伝送線路の第１の接地導体と第２の接地導体間に接続された橋状接地導体と、前記マイクロ波伝送線路の中心導体にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段とを具備したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長多重光信号を複数個の波長帯に分離する帯域分割手段と、
分離された波長多重光信号に対して残量分散の補償を行う固定分散補償手段と、
を備えることを特徴とする波長分散補償装置。
【請求項２】
波長多重光信号を複数個の波長帯に分離する帯域分割手段と、
分離された該波長多重光信号に対して一括して分散補償を行う可変分散補償手段と、
を備えることを特徴とする波長分散補償装置。
【請求項３】
前記帯域分散手段の前段に、前記波長多重光信号を分岐し、チャネル間隔を拡大した複数の光信号に変換するインタリーバ手段を更に備えることを特徴とする請求項１または２に記載の波長分散補償装置。
【請求項４】
全て、または、一部の波長多重光信号に対して、一括して分散補償を行う可変分散補償手段と、
該波長多重光信号を分割する光分波手段と、
該分離された各チャネルの光信号に対して、残留分散の補償を行う固定分散補償手段と、
を備えることを特徴とする波長分散補償装置。
【請求項５】
前記光分波手段は、前記波長多重光信号を複数の波長帯域に分割することを特徴とする請求項４に記載の波長分散補償装置。
【請求項６】
前記光分波手段は、前記波長多重光信号を各チャネル毎の光信号に分波することを特徴とする請求項４に記載の波長分散補償装置。
【請求項７】
前記波長分散補償装置は、受信端局内に設けられることを特徴とする請求項１、２、または４に記載の波長分散補償装置。
【請求項８】
前記波長分散補償装置は、インライン中継器に設けられることを特徴とする請求項１、２、または４に記載の波長分散補償装置。
【請求項９】
前記分散補償は、受信した波長多重光信号が受けている波長分散の１０５％〜１２０％を補償することを特徴とする請求項１、２、または４に記載の波長分散補償装置。
【請求項１０】
波長多重光信号を複数の波長帯に分離する帯域分割手段と、
分離された波長帯域の各々に対して帯域間残留分散差を低減するための分散補償手段と、
を備えることを特徴とする波長分散補償装置。
【請求項１１】
前記分散補償手段は、固定分散補償器であることを特徴とする請求項１０に記載の波長分散補償装置。
【請求項１２】
前記分散補償手段は、可変分散補償器であることを特徴とする請求項１０に記載の波長分散補償装置。
【請求項１３】
前記波長分散補償装置は、インライン中継器に設けられることを特徴とする請求項１０に記載の波長分散補償装置。
【請求項１４】
入力された波長多重光信号を一括して分散補償する一括分散補償手段を更に有し、該一括分散補償手段は、受信した波長多重光信号の受けている波長分散の１０５％〜１２０％を補償することを特徴とする請求項１０に記載の波長分散補償装置。
【請求項１５】
波長多重光伝送システムにおいて、
波長多重光信号を複数の波長帯に分離する帯域分割手段と、
分離された波長帯域の各々に対して帯域間残留分散差を低減するための分散補償手段と、
を備える波長分散補償装置と、
前記波長多重光システムに、前記波長分散補償装置を含むインライン中継器と該波長分散補償装置を含まないインライン中継器とを混在させることを特徴とする波長多重光伝送システム。
【請求項１６】
前記インライン中継器の中の、前記波長分散装置の前段あるいは後段に、分散補償ファイバを増幅媒体として用いた光増幅器を設けることを特徴とする請求項１３に記載の波長分散補償装置。
【請求項１７】
前記分割された波長帯域毎に分散補償ファイバを増幅媒体として用いた光増幅器を設けることを特徴とする請求項１０に記載の波長分散補償装置。
【請求項１８】
波長多重光伝送システムの波長分散補償装置において、
各インライン中継器に、該インライン中継器の前段のインライン中継区間の波長分散量を１０５％〜１２０％だけ過補償する分散補償手段を備えることを特徴とする波長分散補償装置。
【請求項１９】
前記波長多重光伝送システムにおいては、受信端において、総分散量を零近傍になるように補償することを特徴とする請求項１８に記載の波長分散補償装置。
【請求項２０】
前記波長多重光伝送システムの波長分散補償装置において、
波長多重光信号の中心チャネルの各インライン中継区間の波長分散両情報に基づいて、各インライン中継器内及び、受信端における分散補償量を設定することを特徴とする請求項１９に記載の波長分散補償装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】 
【発明の属する技術分野】
本発明は、今後の更なる大容量化・高速化・長距離化を実現するための波長分散補償装置及び光伝送システムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】波長分散と偏波モード分散を共に補償するシステム及び方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバを伝送線路として用いる通信システムにおいて、
光ファイバを伝送することによって光信号が受ける偏波モード分散を補償する偏波モード分散補償手段と、
該偏波モード分散補償手段に、該光信号が受けている偏波モード分散の状態に関する情報をフィードバックする偏波モード分散測定手段と、
該光ファイバを伝送することによって光信号が受ける波長分散を補償する波長分散補償手段と、
該波長分散補償手段に、該光信号が受けている波長分散の状態に関する情報をフィードバックする、該偏波モード分散補償手段よりも受信側に設けられた波長分散測定手段と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記偏波モード分散の状態に関する情報は、ストークスパラメータを使用したものであることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記偏波モード分散補償手段による偏波モード分散の補償を行った後に、前記波長分散補償手段による波長分散補償を行うことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記システムは、波長分割多重通信システムに適用されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記偏波モード分散測定手段は、前記波長分割多重通信システムの波長多重光に含まれる光信号を各チャネル毎の光信号に分波した後の、各チャネルの光信号のそれぞれの偏波モード分散を測定することを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記波長分散測定手段は、前記波長分割多重通信システムの波長多重光に含まれる光信号を各チャネル毎の光信号に分波した後の、各チャネルの光信号の内、１以上のチャネルについて波長分散を測定することを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記波長分散補償手段は、前記波長多重光の波長分散補償を一括して行うことを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項８】
前記偏波モード分散補償手段は、前記波長多重光の偏波モード分散補償を一括して行うことを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項９】
前記波長分散補償手段は、前記波長多重光を分波し、グループ化した後、グループ毎に一括して波長分散補償を行うことを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項１０】
前記偏波モード分散補償手段は、前記波長多重光の各チャネル毎に偏波モード分散補償を行うことを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項１１】
波長分散スロープを補償する波長分散スロープ補償手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記波長分散スロープ補償手段は、補償すべき分散スロープの補償量を可変出来ることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
光ファイバを伝送することによって光信号が受ける偏波モード分散の状態を測定し、偏波モード分散を補償する偏波モード分散補償手段と、該光ファイバを伝送することによって光信号が受ける波長分散を測定し、波長分散を補償する、該偏波モード分散補償手段より受信側に波長分散の測定点を持つ波長分散補償手段とを備える通信システムにおける偏波モード分散及び波長分散の補償方法であって、
該偏波モード分散補償手段によって、該光信号が受けた偏波モード分散を補償するステップと、
該偏波モード分散の補償が行われた後に、該波長分散補償手段によって、該光信号が受けた波長分散を補償するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記偏波モード分散の状態は、ストークスパラメータによって表されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記システムは、波長分割多重通信システムに適用されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記偏波モード分散測定手段は、前記波長分割多重通信システムの波長多重光に含まれる光信号を各チャネル毎の光信号に分波した後の、各チャネルの光信号のそれぞれの偏波モード分散を測定することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記波長分散測定手段は、前記波長分割多重通信システムの波長多重光に含まれる光信号を各チャネル毎の光信号に分波した後の、各チャネルの光信号の内、１以上のチャネルについて波長分散を測定することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記波長分散補償手段は、前記波長多重光の波長分散補償を一括して行うことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記偏波モード分散補償手段は、前記波長多重光の偏波モード分散補償を一括して行うことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記波長分散補償手段は、前記波長多重光を分波し、グループ化した後、グループ毎に一括して波長分散補償を行うことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記偏波モード分散補償手段は、前記波長多重光の各チャネル毎に偏波モード分散補償を行うことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
波長分散スロープを補償するステップを更に備えることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の課題は、波長分散と偏波モード分散を共に最適に補償することの出来るシステム及び方法を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明のシステムは、光ファイバを伝送線路として用いる通信システムにおいて、光ファイバを伝送することによって光信号が受ける偏波モード分散を補償する偏波モード分散補償手段と、該偏波モード分散補償手段に、該光信号が受けている偏波モード分散の状態に関する情報をフィードバックする偏波モード分散測定手段と、該光ファイバを伝送することによって光信号が受ける波長分散を補償する波長分散補償手段と、該波長分散補償手段に、該光信号が受けている波長分散の状態に関する情報をフィードバックする、該偏波モード分散補償手段よりも受信側に設けられた波長分散測定手段とを備えることを特徴とする。
本発明の方法は、光ファイバを伝送することによって光信号が受ける偏波モード分散の状態を測定し、偏波モード分散を補償する偏波モード分散補償手段と、該光ファイバを伝送することによって光信号が受ける波長分散を測定し、波長分散を補償する、該偏波モード分散補償手段より受信側に波長分散の測定点を持つ波長分散補償手段とを備える通信システムにおける偏波モード分散及び波長分散の補償方法であって、該偏波モード分散補償手段によって、該光信号が受けた偏波モード分散を補償するステップと、該偏波モード分散の補償が行われた後に、該波長分散補償手段によって、該光信号が受けた波長分散を補償するステップとを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープリール機構を有する対応するテープ駆動機構に使用されるテープカートリッジにおいて、
開口を有するハウジングと、
前記ハウジングの内部に回転可能に設置されたテープ供給リールと、
前記テープ供給リールに巻かれ、自由端が前記開口の近くにある磁気テープのウェブと、
第１の端、第２の端およびリール・ロック面を有した先導ブロックと、
を備え、前記第１の端は前記磁気テープの前記自由端に取付けられ、前記第２の端はテープ駆動先導ブロック検索器に対応する寸法になっており、前記先導ブロックの前記リール・ロック面は前記先導ブロックが前記ハウジングの中にあるとき前記テープ供給リールに面して設置されることを特徴とするテープカートリッジ。
【請求項２】
テープリール機構を有する対応するテープ駆動機構に使用されるテープカートリッジにおいて、
ハウジングであって、一隅に開口を有し、内部に回転可能に取付けられる一巻きの磁気テープを取り囲むようになっているハウジングと、
前記ハウジングの内部に回転可能に設置され、上リム、下リムおよび中心ハブを有するテープ供給リールと、
前記テープ供給リールに巻かれ、自由端が前記開口の近くにある磁気テープのウェブと、
第１の端、第２の端およびリール・ロック面を有した先導ブロックと、
を備え、前記第１の端は前記磁気テープの前記自由端に取付けられ、前記第２の端はテープ駆動先導ブロック検索器に対応する寸法になっており、前記リール・ロック面は前記第１の端と前記第２の端との間に設置されて、前記リール・ロック面は前記先導ブロックが前記ハウジングの中にあるとき前記テープ供給リールに面しており、前記リール・ロック面は前記テープ供給リールのリムに近接していることを特徴とするテープカートリッジ。
【請求項３】
テープリール機構を有する対応するテープ駆動機構に使用されるテープカートリッジにおいて、
開口を有するハウジングと、
前記ハウジングの内部に回転可能に設置され、上リム、下リムおよび中心ハブを有するテープ供給リールと、
前記テープ供給リールに巻かれ、自由端が前記開口の近くにある磁気テープのウェブと、
第１の端、第２の端、リール・ロック面および移動止めを有した先導ブロックと、
を備え、前記第１の端は前記磁気テープの前記自由端に取付けられ、前記第２の端はテープ駆動先導ブロック検索器に対応する寸法になっており、前記先導ブロックの前記リール・ロック面は前記第１の端と前記第２の端との間にあって、前記先導ブロックが前記ハウジングの中にあるとき前記テープ供給リールに面しており、前記移動止めは前記第１の端と前記第２の端との間で前記リール・ロック面とは反対側に設置され、前記先導ブロックが前記ハウジングの中にあるとき前記ハウジングに面していることを特徴とするテープカートリッジ。
【請求項４】
前記テープ供給リールのリムの少なくとも一つは、前記先導ブロックの前記リール・ロック面で取り外し可能なようにロックされるよう構成されていることを特徴とする請求項２または３に記載のテープカートリッジ。
【請求項５】
前記テープ供給リールの少なくとも一つのリムには歯が付いていることを特徴とする請求項２または３に記載のテープカートリッジ。
【請求項６】
前記テープ供給リールの少なくとも一つのリムには摩擦係数の高い縁があることを特徴とする請求項２または３に記載のテープカートリッジ。
【請求項７】
前記先導ブロックの前記リール・ロック面および前記テープ供給リールの少なくとも一つのリムには、摩擦係数の高い材料から製造された縁があることを特徴とする請求項２または３に記載のテープカートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性セラミックからなる発光管の両端開口部と電極を備えた電極支持体とを封着材で気密に封止し、前記発光管の内部に金属または金属ハロゲン化物と水銀、不活性ガスを封入した金属蒸気放電灯において、前記電極支持体は耐熱金属製の管状体と、前記管状体内に差し込み固定された耐熱金属製柱状体とから構成されていることを特徴とする金属蒸気放電灯。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる金属蒸気放電灯は透光性セラミックからなる発光管の両端開口部と電極を備えた電極支持体とを封着材で気密に封止し、前記発光管の内部に金属または金属ハロゲン化物と水銀、不活性ガスを封入した金属蒸気放電灯において、前記電極支持体は耐熱金属製の管状体と、前記管状体内に差し込み固定された耐熱金属製柱状体とから構成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線を照射する陰極と、陰極からの電子線の照射方向に配置されその電子線が衝突することでＸ線発生源となるターゲットとターゲットを支持する基礎構体とを有する陽極と、を備えた固定陽極Ｘ線管装置において、前記基礎構体には、前記ターゲットの熱膨張分の大きさよりも大きな形状の前記ターゲットを収容するための凹部が設けられ、前記基礎構体の凹部の底面と前記ターゲットの前記電子線を受ける面の反対側の面とはろう付接合されていることを特徴とする固定陽極Ｘ線管装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回転陽極を軸承するスリーブ軸受けと内部軸受セグメント及びホルダを備えた外部軸受セグメントとを含み、介在片はホルダと内部軸受セグメントとの間に設けられて内部軸受セグメントに軸受面が対応して形成され、介在片がラジアル及びアキシャル軸受力を受けるよう配置された、回転陽極Ｘ線管であって、
介在片及びホルダの向き合う面はホルダの介在片が軸受面と整列するように形成されていることを特徴とする回転陽極Ｘ線管。
【請求項２】  ホルダに向き合う介在片の面は、望ましくは回転対称形の凸状面を有することを特徴とする請求項１記載の回転陽極Ｘ線管。
【請求項３】  介在片に向き合うホルダの面は円錐面の如き形状をしていることを特徴とする請求項２記載の回転陽極Ｘ線管。
【請求項４】  内部軸受セグメント及び介在片の軸受面は円錐面の如き形状をしていることを特徴とする請求項１記載の回転陽極Ｘ線管。
【請求項５】  ホルダは互いに軸方向に調整可能な２つのセグメントを含むことを特徴とする請求項１記載の回転陽極Ｘ線管。
【請求項６】  ホルダの２つのセグメントはネジを介して互いに接続されていることを特徴とする請求項５記載の回転陽極Ｘ線管。
【請求項７】  ホルダ及び介在片はロッキングを形成することにより協働するロッキング要素により回転しないようにロックされている請求項１記載の回転陽極Ｘ線管。
【請求項８】  内部軸受セグメントは回転陽極Ｘ線管の容器に接続されていることを特徴とする請求項１記載の回転陽極Ｘ線管。
【請求項９】  外部軸受セグメントは回転陽極Ｘ線管の容器に接続されていることを特徴とする請求項１記載の回転陽極Ｘ線管。
【請求項１０】  内部軸受セグメントとホルダを備えた外部軸受セグメントとを含み、介在片はホルダと中間軸受セグメントとの間に設けられ、内部軸受セグメントに軸受面を対応して形成され、介在片にラジアル及びアキシャル軸受力を受けるよう配置されたスリーブ軸受であって、
介在片分及びホルダの向き合う面はホルダの介在片が軸受面と整列するように形成されていることを特徴とするスリーブ軸受。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材、およびＩＲ放射線を吸収する成分を含有し、赤外放射線の作用により水性アルカリ現像剤に対して可溶化するか、または少なくとも膨潤し得る様になる放射線感応性で水溶性の層を有する記録材料であって、前記放射線感応性層の上に、白色光に対しては不透明であるが、ＩＲ領域における放射線に対しては透明であり、水または水溶液で除去できる最上層が存在することを特徴とする記録材料。
【請求項２】
放射線感応性層が、ＵＶ／ＶＩＳ領域においても像様識別する様に十分に感応化されている、請求項１に記載の記録材料。
【請求項３】
ＩＲ吸収性成分の量が、それぞれの場合に層の不揮発成分の総重量に対して０．５〜３０重量％である、請求項１に記載の記録材料。
【請求項４】
最上層が、少なくとも１種の水溶性有機重合体状バインダーおよび少なくとも１種の、ＵＶ／ＶＩＳ領域における放射線を吸収する成分を含む、請求項１に記載の記録材料。
【請求項５】
ＵＶ／ＶＩＳ放射線を吸収する成分の量が、それぞれの場合に最上層の不揮発成分の総重量に対して５〜５０重量％である、請求項４に記載の記録材料。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサを使用して、構造物の構成を解析し、及び、改良する方法において、
複数の構造体を有する構造物の表現を生成するステップであって、前記複数の構造体の一つの構造体が、１つの要素、または１つの要素への接続点である１つのノードとして定義され、前記複数の構造体が、少なくとも１つの要素および少なくとも１つのノードを備え、
前記構造物の１つまたは複数の基準点を定義するステップと、
前記複数の構造体の各構造体に関するデータ構造を生成し、前記データ構造をデータで満たすステップと、
前記構造物の前記複数の構造体間にポインタを割り当てるステップと、
前記構造物の構成の解析を改善するために、前記構造物に関する表現の外部の情報を含む外部情報ファイルをプロセッサに提供するステップと、
前記外部情報ファイルを処理するステップ
からなる、複数の構造体を有する構造物の表現を生成する前記ステップと、
前記プロセッサを使用して、前記複数の構造体を解析し、前記複数の構造体の各構造体が確立された基準を満足するかどうかを判定するステップであって、プロセッサによる前記複数の構造体のうちの第１の構造体の解析が開始されると、前記第１の構造体の解析が完了するまで、前記プロセッサによる前記複数の構造体のうちの第２の構造体の解析が開始しないことからなる、ステップ
を含む、方法。
【請求項２】
プロセッサを使用して、構造物の構成を解析し、及び、改良する方法において、
複数の構造体を有する構造物の表現を生成するステップであって、前記複数の構造体の一つの構造体が、１つの要素、または１つの要素への接続点である１つのノードとして定義され、前記複数の構造体が、少なくとも１つの要素および少なくとも１つのノードを備えることからなる、ステップと、
前記構造物の１つまたは複数の既知のトポロジのうちの既知の各トポロジを探索して抽出するステップと、
前記プロセッサを使用して、前記複数の構造体を解析し、前記複数の構造体の各構造体が確立された基準を満足するかどうかを判定するステップであって、プロセッサによる前記複数の構造体のうちの第１の構造体の解析が開始されると、前記第１の構造体の解析が完了するまで、前記プロセッサによる前記複数の構造体のうちの第２の構造体の解析が開始しないことからなる、ステップと、
前記構造物の構成の解析を改善するために、前記構造物の前記複数の構造体の解析の結果として、前記表現の外部の情報を含む、前記プロセッサに提供される外部情報ファイルを介して、前記１つまたは複数の既知のトポロジのうちの既知の各トポロジタイプを探索して抽出するために使用される１組の仮定に対してユーザによる調整がなされるステップと、
前記プロセッサを使用して、前記１つまたは複数の既知のトポロジのうちの既知の各トポロジタイプを探索して抽出するために使用される前記調整された１組の仮定にしたがって、前記構造物の前記複数の構造体を再度解析するステップ
を含む、方法。
【請求項３】
構造物の構成を解析し、及び、改良するためのコンピュータプログラムを備える記憶媒体において、
複数の構造体を有する構造物の表現を生成するための命令であって、前記複数の構造体のうちの一つの構造体が、１つの要素、または１つの要素への接続点である１つのノードとして定義され、前記複数の構造体が、少なくとも１つの要素および少なくとも１つのノードを備えており、
前記構造物の１つまたは複数の基準点を定義するための命令と、
前記複数の構造体の各構造体に関するデータ構造を生成し、前記データ構造をデータで満たすための命令と、
前記構造物の前記複数の構造体間にポインタを割り当てるための命令と、
前記構造物の構成の解析を改善するために、前記構造物に関する表現の外部の情報を含む、プロセッサに提供される外部情報ファイルを受け取るための命令と、
前記外部情報ファイルを処理するための命令
とからなる、複数の構造体を有する構造物の表現を生成するための前記命令と、
前記プロセッサを使用して、前記複数の構造体を解析し、前記複数の構造体の各構造体が確立された基準を満足するかどうかを判定するための命令であって、プロセッサによる前記複数の構造体のうちの第１の構造体の解析が開始されると、前記第１の構造体の解析が完了するまで、前記プロセッサによる前記複数の構造体のうちの第２の構造体の解析が開始しないことからなる、命令
を含む、記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ネットワークに接続された情報記憶装置と、
この情報記憶装置の記憶領域を複数の領域に分割してそれぞれを各加入者に割り当てるとともに、各加入者だけがその加入者に割り当てられた記憶領域に通信ネットワーク経由でアクセスし、情報機器で作成したデータやそのバックアップデータを当該記憶領域に保存したり当該記憶領域から読み出したりできるように管理する管理装置と
を備えたことを特徴とする情報貸金庫システム。
【請求項２】
通信ネットワークに接続された第１及び第２の情報記憶装置と、
第１の情報記憶装置の記憶領域を複数の領域に分割してそれぞれを各加入者に割り当てるとともに、各加入者だけがその加入者に割り当てられた記憶領域に通信ネットワーク経由でアクセスし、情報機器で作成したデータやそのバックアップデータを当該記憶領域に保存したり当該記憶領域から読み出したりできるように管理し、且つ各記憶領域に記憶されているデータのバックアップデータを作成してこれを第１の情報記憶装置とは別の場所に設置された第２の情報記憶装置に保存する管理装置と
を備えたことを特徴とする情報貸金庫システム。
【請求項３】
前記通信ネットワークと第１の情報記憶装置とを結ぶ通信ラインに異常が生じたり第１の情報記憶装置に異常が生じたりした場合、第２の情報記憶装置に保存されているバックアップデータの記憶領域に当該バックアップデータの元のデータを第１の情報記憶装置に保存した加入者だけがアクセスできるように構成したことを特徴とする請求項２に記載の情報貸金庫システム。
【請求項４】
前記情報機器は、通信ネットワークに接続されており、当該機器上で作成中の文書のバックアップデータを、所定の時間毎あるいは特定の処理が実行される度毎に自動的に前記情報記憶装置に送信し保存する機能を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の情報貸金庫システム。
【請求項５】
前記特定の処理は上書き処理であることを特徴とする請求項４記載の情報貸金庫システム。
【請求項６】
前記情報記憶装置及び管理装置を飛行船に搭載し、その飛行船をオゾン層内に浮かべたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の情報貸金庫システム。
【請求項７】
前記飛行船に放送用またはデータ通信用の送受信装置を搭載したことを特徴とする請求項６に記載の情報貸金庫システム。
【請求項８】
前記飛行船の推進機関として、オゾン破壊物質を除去する機能を備えたものを使用することを特徴とする請求項６または７に記載の情報貸金庫システム。
【請求項９】
前記情報機器で作成したデータは、デジタル・スチル・カメラやデジタルＶＴＲで撮影した画像データをアルバム編集したデータであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の情報貸金庫システム。
【請求項１０】
情報記憶装置の記憶領域を複数の領域に分割してそれぞれを各加入者に割り当てるとともに、各加入者だけがその加入者に割り当てられた記憶領域に通信ネットワーク経由でアクセスし、情報機器で作成したデータやそのバックアップデータを当該記憶領域に保存したり当該記憶領域から読み出したりできるように管理することを特徴とする管理装置。
【請求項１１】
第１の情報記憶装置の記憶領域を複数の領域に分割してそれぞれを各加入者に割り当てるとともに、各加入者だけがその加入者に割り当てられた記憶領域に通信ネットワーク経由でアクセスし、情報機器で作成したデータやそのバックアップデータを当該記憶領域に保存したり当該記憶領域から読み出したりできるように管理し、且つ各記憶領域に記憶されているデータのバックアップデータを作成してこれを第１の情報記憶装置とは別の場所に設置された第２の情報記憶装置に保存することを特徴とする管理装置。
【請求項１２】
通信ネットワークに接続された情報機器であって、当該機器上で作成中の文書のバックアップデータを、所定の時間毎あるいは特定の処理が実行される度毎に自動的に通信ネットワーク経由で情報記憶装置に送信し保存する機能を有する情報機器。
【請求項１３】
前記特定の処理は上書き処理であることを特徴とする請求項１２の情報機器。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれかに記載の情報貸金庫システムにおける情報機器をコンピュータを用いて実現するためのプログラム又は請求項１１若しくは１２の情報機器をコンピュータを用いて実現するためのプログラムを記憶した記憶媒体。
【請求項１５】
画像データのプリント・サービスあるいは保管サービスを提供するサービス提供会社、あるいはサービス提供会社の運営あるいは提携する各店が各加入者となり、客から預かった画像データを、請求項１〜８のいずれかに記載の情報貸金庫システムにおける情報記憶装置に保存することを特徴とする情報セキュリティシステム。
【請求項１６】
学校または学習塾が各加入者となり、生徒の成績データを、請求項１〜８のいずれかに記載の情報貸金庫システムにおける情報記憶装置に保存することを特徴とする情報セキュリティシステム。