【手続補正書】
【提出日】平成16年9月22日(2004.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （１）第１の側及び第２の側を有し、前記第１の側及び第２の側の両方に所定の厚さの伝導箔が積層された誘電基体材料で構成した所定の厚さの積層誘電基体を準備するステップと、
（２）前記積層誘電基体の第２の側の伝導箔部分を除去することにより、相互接続する伝導性回路を前記積層誘電基体の第２の側に生成し、相互接続する伝導箔の回路を、前記誘電基体材料の所定の体積をもつペリメータ内へ前記ペリメータ内の所定の位置で一部分突出したままの状態で残しておくステップと、
（３）前記所定の体積をもつペリメータ内における積層誘電基体の第１の側から伝導箔を除去して前記ペリメータ内の誘電基体材料を露出するステップと、
（４）前記誘電基体材料に空隙を生成するために、前記空隙となるペリメータに突出する前記相互接続する伝導性回路の部分を傷つけることなく、前記体積をもつペリメータ内の誘電基体材料を除去するステップと、
（５）前記積層誘電基体の所定の厚さを超えず且つ前記空隙へ挿入される電子部品面上で少なくとも１つの接点を有する当該電子部品を、前記積層誘電基体の第１の側から前記誘電基体材料の空隙へ挿入するステップと、前記少なくとも１つの接点は、前記空隙のペリメータに突出する前記相互接続の部分と対応した位置関係にあり、その結果、完全に挿入されたときは前記電子部品の接点が前記相互接続の伝導性回路の突出部分に接触し且つきっちり重なり、
（６）前記誘電基体材料の空隙に前記電子部品を保持するために、前記電子部品の接点をボンディングし且つ前記相互接続の伝導性回路部分を突出させるステップ、
とを含むことを特徴とする相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２】  前記ステップ（４）がレーザによって実行されることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３】  前記積層の誘電基体材料は、前記レーザ照射後に移動することを特徴とする請求項２に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項４】  前記レーザは、ＣＯ2レーザであることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項５】  前記ステップ（２）は、アートワークを用いて実行されることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項６】  前記伝導箔は、銅及びアルミニウムの何れかであることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項７】  前記伝導箔は、銅であることを特徴とする請求項６に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項８】  前記誘電材料は、ポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項９】  前記ポリマーは、ＰＥＴ、液晶ポリマー、ポリアミド、ＰＥＮ、ポリ塩化ビニル、マイラー、及びＴｈｅｒｍｏｕｎｔ（ランダムストランドアラミド）の何れかであることを特徴とする請求項８に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項１０】  前記ポリマーはＰＥＴであることを特徴とする請求項９に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項１１】  前記基体の厚さは、２００ミクロンより小さいことを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項１２】  導電体トラックを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項１３】  前記ステップ（２）は、前記空隙のペリメータへ突出する複数の導電体タブを形成することを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項１４】  前記空隙のペリメータ及び電子部品はきっちり重なることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項１５】  前記レーザは、比較的高い比率でパルス化されることを特徴とする請求項３に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項１６】  前記比率は、１秒あたり約３００〜８００パルスであることを特徴とする請求項１５に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項１７】  前記ステップ（４）の後、プラズマ又は湿式の化学洗浄が行われることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項１８】  前記相互接続する回路の突出部分は、圧力スイッチとして使用されることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項１９】  前記ステップ（４）は、複数の空間的空隙を形成するために実行されることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２０】  前記空間的空隙は、配列に整えられることを特徴とする請求項１９に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２１】  前記ステップ（４）の後、前記空隙のペリメータへ突出する相互接続する回路の部分上にスズ、銀、及び金の何れかの堆積が行われることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２２】  前記堆積は、前記積層誘電基体の全露出部分を覆うことを特徴とする請求項２１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２３】  前記電子部品はダイであることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２４】  前記電子部品デバイスは、半導体チップであることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２５】  前記半導体チップは、ＩＣ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、及びマイクロプロセッサの何れかであることを特徴とする請求項２４に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２６】  前記ステップ（６）は、超音波ボンディング及び圧力ボンディングの何れかによって実行されることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２７】  前記積層誘電基体は、可撓性であることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２８】  前記ステップ（６）の後、スプール上で前記積層誘電基体を巻き取ることが行われることを特徴とする請求項２７に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項２９】  前記ステップ（５）は、ピック−アンド−プレイス装置、空気ジェット、及び真空の何れかを用いて実行されることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３０】  前記積層誘電基体は、テープ及びシートの何れかであることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３１】  前記ステップ（６）の後、ステップ（１）乃至ステップ（６）を１またはそれ以上の回数繰り返すことが行われ、その結果、複数の分離した相互接続する電子部品デバイスが製造され、その後前記分離した基体を積み重ねて多階層からなる構造体を形成することを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３２】  前記電子部品デバイスは、抵抗器、キャパシター、インダクター、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ、チューナー、導波路、圧電デバイス、コイル、ヒートシンク、電気光学的デバイスの何れかであることを特徴とする請求項１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３３】  前記電子部品デバイスは、ＬＥＤであることを特徴とする請求項３２に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３４】  前記導電体トラックは、前記ＬＥＤに相互接続する積層誘電基体上に形成されることを特徴とする請求項３３に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３５】  前記トラックは、透過であり且つ酸化インジウムスズで構成されることを特徴とする請求項３４に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３６】  下部にある誘電基体材料を露出するために露出した伝導箔の所定部分が除去され、前記下部の露出された材料に空隙を形成するとともに埋め込まれた伝導箔を露出し、前記露出され埋め込まれた伝導箔と接触するために前記空隙にフリップチップダイを挿入し、及びそこへ前記フリップチップダイをボンディングすることを特徴とする請求項３１に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３７】  前記フリップチップダイは、はんだバンプを含み、その結果としてボンディングを達成することを特徴とする請求項３６に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３８】  （１）第１の側及び第２の側を有し、前記第１の側及び第２の側の両方に所定の厚さの伝導箔が積層された誘電基体材料で構成した所定の厚さの積層誘電基体を準備するステップと、
（２）前記積層誘電基体の少なくとも片側に電気回路を形成するステップと、
（３）前記積層誘電基体の第２の側の伝導箔部分を選択的に除去することによって前記電気回路のための相互接続する伝導性回路を生成し、前記積層誘電基体の第２の側の伝導箔により電気的接点が延長された相互接続タブをそのままにしておくステップと、ここで前記タブは自由端（free end）であって前記所定の厚さの基体よりも長く、前記タブの自由端は前記誘電基体材料の所定の体積をもつペリメータ内へ突出し、
（４）前記所定の体積のペリメータ内における前記積層誘電基体の第１の側から伝導箔を除去して前記ペリメータ内の誘電基体材料を露出するステップと、
（５）前記誘電基体材料に空隙を生成するために、前記空隙となるペリメータに突出する前記延長された相互接続タブを傷つけることなく、前記体積をもつペリメータ内の誘電基体材料を除去するステップと、
（６）前記空隙を通って前記積層誘電基体の第１の側へ前記タブの自由端を通過させるステップと、
（７）前記積層誘電基体の第１の側の伝導箔に前記タブを接続させるステップ、
とを含むことを特徴とする相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項３９】  前記ステップ（４）がレーザによって実行されることを特徴とする請求項３８に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項４０】  前記積層の誘電基体材料は、前記レーザ照射後に移動することを特徴とする請求項３９に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項４１】  前記レーザは、ＣＯ2レーザであることを特徴とする請求項３８に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項４２】  前記ステップ（３）は、アートワークを用いて実行されることを特徴とする請求項３８に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項４３】  前記伝導箔は、銅及びアルミニウムの何れかであることを特徴とする請求項３８に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項４４】  前記誘電材料は、ポリマーであることを特徴とする請求項３８に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項４５】  前記ステップ（５）の後、前記空隙のペリメータへ突出する前記タブ上にスズ、銀、及び金の何れかの堆積が行われることを特徴とする請求項３８に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項４６】  前記堆積は、前記積層誘電基体の全露出部分を覆うことを特徴とする請求項４５に記載の相互接続された電子部品デバイスを作る方法。
【請求項４７】  （１）第１の側及び第２の側を有し、前記第１の側及び第２の側の両方に伝導箔が積層されたポリマー材料を含んで構成される、所定の厚さの積層誘電基体と、
（２）前記誘電材料における空隙のペリメータ内へ前記ペリメータ内の所定の位置で突出する少なくとも１つの相互接続する伝導箔部分をもち、前記積層基体の第２の側の金属箔に形成される回路と、
（３）基体の所定の厚さを超えず前記積層基体の空隙に配置され、且つ前記相互接続の伝導箔部分と対応した位置関係にある接点をその面に少なくとも１つ有して、当該接点が前記少なくとも１つの相互接続の伝導箔部分に接触し及びきっちり重なる電子部品と、
（４）前記部品上の接点及び少なくとも１つの相互接続伝導箔部分は、前記部品を前記空隙内で保持するために一緒にボンディングされる、
ことを含むことを特徴とする電気的な相互接続デバイス。
【請求項４８】  前記金属箔は、銅で構成されることを特徴とする請求項４７に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項４９】  前記誘電材料はＰＥＴであることを特徴とする請求項４７に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項５０】  前記所定の厚さは、２００ミクロンより小さいことを特徴とする請求項４７に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項５１】  前記金属箔に形成された回路は、導電体トラックであることを特徴とする請求項４７に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項５２】  複数の相互接続伝導箔部分は、前記誘電材料の空隙のペリメータ内へ前記ペリメータ内の所定の位置で突き出すことを特徴とする請求項４７に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項５３】  前記電子部品デバイスのペリメータは、前記空隙のペリメータときっちり重なることを特徴とする請求項４７に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項５４】  前記積層誘電基体は、テープ及びシートの何れかであることを特徴とする請求項４７に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項５５】  前記基体は、複数の空隙とともに各空隙に関連した前記金属箔に形成される回路を含み、電子部品デバイスを各空隙内部に据え付けることを特徴とする請求項５４に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項５６】  前記複数の空隙は、配列として整えられることを特徴とする請求項５５に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項５７】  前記誘電材料の空隙のペリメータ内へ前記ペリメータ内の所定の位置で突出する前記相互接続の伝導箔部分は、銀及び金の何れかで被覆されることを特徴とする請求項４７に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項５８】  複数の同様な基体が、一緒に積み重ねられることを特徴とする請求項４７に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項５９】  前記空隙に据え付けられた電子部品デバイスを有する基体の最終幾何形状は、平面であることを特徴とする請求項４７に記載の電気的な相互接続デバイス。
【請求項６０】  （１）第１の側及び第２の側を有し、前記第１の側及び第２の側の両方に伝導箔が積層された誘電基体材料を含んで構成される所定の厚さの積層誘電基体と、
（２）前記積層誘電基体の少なくとも片側にある電気回路と、
（３）前記積層誘電基体の第２の側の前記伝導箔により電気的接点が延長された相互接続タブを残した、前記積層誘電基体の第２の側の伝導箔部分を選択的に除去することにより形成された前記電気回路のための相互接続する伝導性回路と、前記タブは自由端（free end）で前記所定の厚さの基体よりも長く、前記タブの自由端は前記誘電基体材料における所定の体積のペリメータ内へ突出し、
（４）前記所定の体積のペリメータ内における前記積層誘電基体の第１の側に存在しない伝導箔と、
（５）前記ペリメータ内の誘電基体材料に生成された空隙と、
（６）前記空隙を通って前記積層誘電基体の第１の側へ通過し、且つ前記積層誘電基体の第１の側の伝導箔に接続する前記延長された相互接続タブの自由端と、
を含むデバイスを相互接続した電子部品デバイス。
【請求項６１】  前記伝導箔は、銅及びアルミニウムの何れかであることを特徴とする請求項６０に記載のデバイスを相互接続した電子部品デバイス。
【請求項６２】  前記誘電材料は、ポリマーであることを特徴とする請求項６０に記載のデバイスを相互接続した電子部品デバイス。
【請求項６３】  前記タブは、スズ、銀、及び金の何れかで被覆されることを特徴とする請求項６０に記載のデバイスを相互接続した電子部品デバイス。
【請求項６４】  前記積層誘電基体の全露出部分は、被覆されることを特徴とする請求項６３に記載のデバイスを相互接続した電子部品デバイス。