【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の薄膜層状超格子材料層（１１５）と電極（１０５または１４５）とを支持する基板（１３５）を備える集積回路デバイス（１００、２００、３００）であって、
該第１の薄膜層状超格子材料層と該電極との間に挟まれた界面バッファ層（１２０または２０５）を備え、
該界面バッファ層は、ビスマス酸化物を除く、Ａサイト金属またはＢサイト金属の単純酸化物、および、該第１の薄膜層状超格子材料と異なり、かつ、該第１ の層状超格子材料におけるＡサイト金属またはＢサイト金属と同じである少なくとも１つのＡサイト金属またはＢサイト金属を含む、第２の層状超格子材料からなる群から選択される、集積回路デバイス。
【請求項２】  前記界面バッファ層は、ストロンチウムタンタレート、ビスマスタンタレート、ストロンチウムニオブタンタレート、ストロンチウムビスマスタンタレートニオベート、酸化チタン、五酸化タンタル、Ａサイト金属およびＢサイト金属の他の単純酸化物、および、１つ以上のＡサイト金属またはＢサイト金属の他の単純酸化物からなる群から選択される、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項３】  前記界面バッファ層はドーパントをさらに含む、請求項２に記載の集積回路デバイス。
【請求項４】  前記ドーパントは、前記薄膜層状超格子材料層の超格子ジェネレータ金属と同じ金属を含む、請求項３に記載の集積回路デバイス。
【請求項５】  前記薄膜層状超格子材料層はビスマスを含む、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項６】  前記薄膜層状超格子材料層は、ストロンチウムビスマスタンタレート、ストロンチウムビスマスニオベート、ストロンチウムビスマスニオブ タンタレート、ビスマスチタネート、および、ビスマスランタンチタネートからなる群から選択される材料を含む、請求項５に記載の集積回路デバイス。
【請求項７】  前記電極は上部電極（１０５）であり、該上部電極は、前記薄膜層状超格子材料層に対して前記基板から離れている、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項８】  前記薄膜層状超格子材料層と前記基板との間に挟まれた下部電極（２０５）を含む、請求項７に記載の集積回路デバイス。
【請求項９】  前記界面バッファ層はストロンチウムタンタレートを含む、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項１０】  前記界面バッファ層はビスマスタンタレートを含む、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項１１】  前記界面バッファ層はニオブタンタレートを含み、前記薄膜層状超格子材料層はストロンチウムビスマスニオブタンタレートを含む、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項１２】  前記界面バッファ層はストロンチウムビスマスタンタルニオベートを含み、前記薄膜層状超格子材料層はストロンチウムビスマスタンタレートを含む、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項１３】  前記界面バッファ層は酸化チタンを含み、前記薄膜層状超格子材料層はビスマスチタネートを含む、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項１４】  前記界面バッファ層はランタンドープト酸化チタンを含み、前記薄膜層状超格子材料層はビスマスランタンチタネートを含む、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項１５】  前記界面バッファ層の厚さは３ｎｍ〜３０ｎｍの範囲である、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項１６】  前記界面バッファ層の厚さは５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項１７】  前記集積回路デバイス（１００）は電子メモリである、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項１８】  前記集積回路デバイスはキャパシタ（１５０）を含む、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項１９】  前記集積回路デバイスは強誘電体ＦＥＴを含む、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項２０】  前記第１の層状超格子材料は、ストロンチウムビスマスタンタルニオベートまたはストロンチウムビスマスタンタレートを含み、前記第２の層状超格子材料は、該第１の層状超格子材料のニオブ含有量よりも多いニオブ含有量を有するストロンチウムビスマスタンタルニオベートを含む、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項２１】  集積回路メモリデバイスを作製する方法であって、
基板（１３５）上に第１の電極層（１４５）を堆積するステップと、
該基板上に第１の界面バッファ層（２０５）を堆積するステップであって、該第１の界面バッファ層は、ビスマスを除くＡサイト金属またはＢサイト金属の単純酸化物、および、層状超格子材料からなる群から選択される、ステップと、
該第１の界面バッファ層に隣接して薄膜層状超格子材料層（１１５）を堆積するステップであって、該薄膜層状超格子材料層は、該第１の界面バッファ層の材 料と異なる材料であり、該第１の界面バッファ層の材料におけるＡサイト金属またはＢサイト金属と同じである少なくとも１つのＡサイト金属またはＢサイト金属を含む、ステップと
を包含する、方法。
【請求項２２】  前記薄膜層状超格子材料層上に第２の界面バッファ層（１２０）を堆積するステップであって、該第２の界面バッファ層は、ビスマスを除 くＡサイト金属またはＢサイト金属の単純酸化物、および、層状超格子材料からなる群から選択され、該薄膜層状超格子材料層と異なる材料を含む、ステップと、
該第２の界面バッファ層に隣接して第２の電極層（１０５）を堆積するステップと
をさらに包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  前記第１の界面バッファ層を堆積するステップは、堆積チャンバ内の前記基板を用いて行われ、
前記薄膜層状超格子材料層を堆積するステップは、該堆積チャンバから該基板を除去することなく、超格子ジェネレータ金属供給源をオンに切り換えて、該薄膜層状超格子材料層に隣接する該超格子ジェネレータ金属を含む薄膜層状超格子材料層を堆積するステップを包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】  前記超格子ジェネレータ金属供給源をオフに切り換えて、前記薄膜層状超格子材料層上に第２の界面バッファ層を堆積するステップであって、該第２の界面バッファ層は、ビスマスを除くＡサイト金属またはＢサイト金属の単純酸化物からなる群から選択される、ステップと、
該第２の界面バッファ層に隣接して電極層を堆積するステップと
をさらに包含する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  前記超格子ジェネレータ金属供給源をオンに切り換えるステップは、ビスマス供給源をオンに切り換えるステップを包含する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】  前記基板上に第１の界面バッファ層を堆積するステップは、ストロンチウムタンタレート、ビスマスタンタレート、ストロンチウムニオブタンタレート、ストロンチウムビスマスタンタレートニオベート、酸化チタン、五酸化タンタル、Ａサイト金属およびＢサイト金属の他の単純酸化物、および、１つ以上のＡサイト金属またはＢサイト金属の他の単純酸化物からなる群から選択される第１の界面バッファ層を堆積するステップを包含し、
前記方法は、該第１の界面バッファ層を含む前記集積回路デバイスをソフトベーク温度でベーキングするステップをさらに包含し、
前記第１の界面バッファ層に隣接して薄膜層状超格子材料層を堆積するステップは、ストロンチウムビスマスタンタレート、ストロンチウムビスマスニオベート、ストロンチウムビスマスニオブタンタレート、ビスマスチタネート、および、ビスマスランタンチタネートからなる群から選択される層状超格子材料層を堆積するステップを包含し、
該方法は、
該薄膜層状超格子材料層を含む該集積回路デバイスをソフトベーク温度でベーキングするステップと、
該層のうち１つ以上をアニーリングするステップと
をさらに包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】  前記界面バッファ層を前記薄膜層状超格子材料層に拡散させるためにアニーリングするステップをさらに包含する、請求項２１、２２、２３、２４、２５または２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】  前記薄膜層状超格子材料層に隣接して第２の界面バッファ層（１２０）を堆積するステップであって、該第２の界面バッファ層は、ストロ ンチウムタンタレート、ビスマスタンタレート、ストロンチウムニオブタンタレート、ストロンチウムビスマスタンタレートニオベート、酸化チタン、五酸化タンタル、Ａサイト金属およびＢサイト金属の他の単純酸化物、および、１つ以上のＡサイト金属またはＢサイト金属の他の単純酸化物からなる群から選択される、ステップと、
その後、前記集積回路デバイスをソフトベーク温度でベーキングするステップと、
該第２の界面バッファ層に隣接して第２の電極（１０５）を堆積するステップと
をさらに包含する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】  前記基板上に第１の界面バッファ層を堆積するステップは、ストロンチウムビスマスタンタルニオベートを堆積するステップを包含し、
前記第１の界面バッファ層に隣接して薄膜層状超格子材料層を堆積するステップは、該第１の界面バッファ層のニオブ量よりも少ないニオブ量を有する、ストロンチウムビスマスタンタレートまたはストロンチウムビスマスタンタルニオベートを堆積するステップを包含し、
前記方法は、該第１の界面バッファ層を有することなく、該薄膜層状超格子材料層の結晶化温度よりも低い結晶化温度で前記集積回路デバイスをアニーリングするステップをさらに包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】  前記アニーリングするステップは、前記第１の界面バッファ層を前記薄膜層状超格子材料層に拡散させるステップを包含する、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】  前記第１の界面バッファ層（２０５）は前記第１の電極層（１４５）上に堆積され、その後、前記薄膜層状超格子材料層（１１５）は該界面バッファ層上に堆積される、請求項２１、２６または２９のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】  前記薄膜層状超格子材料層に隣接して第２の界面バッファ層（１２０）を堆積するステップであって、該第２の界面バッファ層は、ストロンチウムタンタレート、ビスマスタンタレート、ストロンチウムニオブタンタレート、ストロンチウムビスマスタンタレートニオベート、酸化チタン、五酸化タンタル、Ａサイト金属およびＢサイト金属の他の単純酸化物、および、１つ以上のＡサイト金属またはＢサイト金属の他の単純酸化物からなる群から選択される、ステップと、
該第２の界面バッファ層に隣接して第２の電極層（１０５）を堆積するステップと、
該層のうち１つ以上をアニーリングするステップと
をさらに包含する、請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】  前記第２の界面バッファ層は、前記薄膜層状超格子材料層のニオブ濃度よりも高いニオブ濃度を有するストロンチウムビスマスタンタルニオベートを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】  前記ストロンチウムビスマスタンタレートの結晶化温度は、５５０℃〜７５０℃の範囲である、請求項２９、３２または３３のいずれかに記載の方法。