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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ部品を整列状態で前方に搬送するための横通路と、
横通路の前側に配置され、先頭のチップ部品の当接により搬送部品を停止するための部品ストッパと、
搬送部品が停止した状態で部品ストッパを前方に変位させるためのストッパ変位機構と、
横通路の前部上面に部品搬送方向に沿って設けられたスリットと、
スリット内に配置され、少なくとも部品ストッパに当接した先頭のチップ部品を非接触状態で覆うスライダと、
搬送部品が停止した状態でスライダをスリットに沿って後方に変位させるためのスライダ変位機構とを備える、
ことを特徴とするチップ部品供給装置。
【請求項２】
部品ストッパに当接した先頭のチップ部品を該部品ストッパに吸着するための部品吸着部を備える、
ことを特徴とする請求項１記載のチップ部品供給装置。
【請求項３】
ストッパ変位機構による部品ストッパの前方変位とスライダ変位機構によるスライダの後方変位とが同時に実施される、
ことを特徴とする請求項１または２記載のチップ部品供給装置。
【請求項４】
ストッパ変位機構とスライダ変位機構とが共通の操作レバーを有する、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項記載のチップ部品供給装置。
【請求項５】
スリットの幅が、チップ部品の搬送方向と直交する方向に沿う寸法よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載のチップ部品供給装置。
【請求項６】
スライダの長さが、チップ部品の搬送方向に沿う寸法よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項記載のチップ部品供給装置。
【請求項７】
部品吸着部が永久磁石である、
ことを特徴とする請求項２乃至６の何れか１項記載のチップ部品供給装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明のチップ部品供給装置は、チップ部品を整列状態で前方に搬送するための横通路と、横通路の前側に配置され、先頭のチップ部品の当接により搬送部品を停止するための部品ストッパと、搬送部品が停止した状態で部品ストッパを前方に変位させるためのストッパ変位機構と、横通路の前部上面に部品搬送方向に沿って設けられたスリットと、スリット内に配置され、少なくとも部品ストッパに当接した先頭のチップ部品を非接触状態で覆うスライダと、搬送部品が停止した状態でスライダをスリットに沿って後方に変位させるためのスライダ変位機構とを備えることをその主たる特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このチップ部品供給装置によれば、先頭のチップ部品が部品ストッパに当接して搬送部品が停止した状態では、先頭のチップ部品がスライダによって非接触状態で覆われる。この後、部品ストッパがストッパ変位機構によって前方に変位し、スライダがスライダ変位機構によって後方に変位し、先頭のチップ部品に対する覆いが解かれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、先頭のチップ部品が部品ストッパに当接して搬送部品が停止するまでは、少なくとも先頭のチップ部品をスライダによって非接触状態で覆っているので、部品搬送時の勢いで先頭のチップ部品が立ち上がったり外部に飛び出したりすることを確実に防止して、該先頭のチップ部品を適正状態で停止させることができる。また、先頭のチップ部品の取り出しが、搬送部品停止後に部品ストッパが前方に変位し、且つスライダが後方に変位した状態、つまり先頭のチップ部品に対する覆いが解かれた状態で実施されるため、先頭のチップ部品を吸着ノズルによって取り出すときに、該先頭のチップ部品が２番目のチップ部品と干渉することがなく、両部品の干渉を原因として生じていた取出不良の問題を一掃して、装置からのチップ部品の取り出しを極めて良好に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リフロー加熱装置およびリフロー方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が装着された基板をリフロー加熱して前記電子部品を基板に半田付けするようにしたリフロー加熱装置において、装置本体内で空気を循環させる送風機と、循環される空気を加熱するヒータと、加熱された空気を吹き出して前記基板を加熱する熱風吹き出し口と、基板を加熱した熱風が流れる炉壁面と、前記熱風を吸い込んで前記送風機に戻すための熱風吸い込み口とを、搬送ラインの上面側と下面側との両方又はいずれか一方に備えており、前記送風機で圧縮送風され前記ヒータで加熱された熱風が、前記基板の基板面に対して垂直に吹き付けられ、前記基板面に吹き付けられた熱風は、前記基板に沿って水平方向へ流れて前記炉壁面の内側を流れ、その後に、前記熱風吸い込み口を経て前記送風機に吸引されるように構成したことを特徴とするリフロー加熱装置。
【請求項２】
前記基板に垂直に吹き付けられる熱風が、前記基板の搬送面に対して基板の反対側に侵入することを阻止する隔壁シャッターを設けたことを特徴とする請求項１に記載のリフロー加熱装置。
【請求項３】
前記隔壁シャッターは、前記基板を搬送するガイドレールに取り付けられ、基板の幅寸法に応じて伸縮する構造であることを特徴とする請求項２に記載のリフロー加熱装置。
【請求項４】
上面独立循環又は下面独立循環とされ、前記基板を搬送する下面側又は上面側に圧縮空気を噴出する冷却ノズルを備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のリフロー加熱装置。
【請求項５】
前記基板を加熱した後の熱風が前記送風機に向けて循環する炉壁面の外側に、炉壁に蓄積された熱を放熱する放熱フィンを設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリフロー加熱装置。
【請求項６】
基板を加熱した後の熱風が前記送風機に向けて循環する炉壁面に、冷却フィンと、この冷却フィンに蓄積された熱を放熱する前記放熱フィンを備えていることを特徴とする請求項５に記載のリフロー加熱装置。
【請求項７】
前記冷却フィンによって、前記基板のリフロー半田付けによって生じるフラックスヒュームを液化し、炉内下方に液化されたフラックスを回収する回収ボックスを設けたことを特徴とする請求項６に記載のリフロー加熱装置。
【請求項８】
前記熱風吹き出し口は、基板の搬送幅方向に平行に並設された複数の平板をそれぞれ断面略三角形に折り曲げてなるものの間に形成された複数のスリットで構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のリフロー加熱装置。
【請求項９】
前記熱風吹き出し口は、基板の搬送幅方向に平行に並設された複数の平板をそれぞれ断面多角形に折り曲げてなるものの間に形成された複数のスリットで構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のリフロー加熱装置。
【請求項１０】
前記熱風吹き出し口は、基板の搬送幅方向に平行に並設された複数の平板をそれぞれ断面半円形に折り曲げてなるものの間に形成された複数のスリットで構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のリフロー加熱装置。
【請求項１１】
前記熱風吹き出し口は、平板に形成された多数の孔部で構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のリフロー加熱装置。
【請求項１２】
前記熱風吹き出し口は、平板に形成された多数の孔部と、この平板に垂設され、前記多数の孔部にそれぞれ接合された多数のパイプで構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のリフロー加熱装置。
【請求項１３】
前記熱風吹き出し口は、平板に形成され基板の搬送幅方向に複数の平行な溝型の孔部で構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のリフロー加熱装置。
【請求項１４】
一次面に電子部品が半田付けされている基板の二次面に電子部品をリフロー加熱して半田付けするリフロー方法において、送風機で圧縮送風されたヒータで加熱された空気を前記基板の二次面に対して垂直に吹き付け、前記基板の二次面に吹き付けられた空気を、前記基板の二次面に沿って水平方向に流して炉壁面の内側に導き、その後に熱風吸い込み口を経て前記送風機に吸引させて、前記空気を循環させることを特徴とするリフロー方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品を装着させた基板を加熱して、リフロー半田付けするためのリフロー加熱装置およびリフロー方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、電子部品が装着された基板をリフロー加熱して前記電子部品を基板に半田付けするようにしたリフロー加熱装置において、装置本体内で空気を循環させる送風機と、循環される空気を加熱するヒータと、加熱された空気を吹き出して前記基板を加熱する熱風吹き出し口と、基板を加熱した熱風が流れる炉壁面と、前記熱風を吸い込んで前記送風機に戻すための熱風吸い込み口とを、搬送ラインの上面側と下面側との両方又はいずれか一方に備えており、前記送風機で圧縮送風され前記ヒータで加熱された熱風が、前記基板の基板面に対して垂直に吹き付けられ、前記基板面に吹き付けられた熱風は、前記基板に沿って水平方向へ流れて前記炉壁面の内側を流れ、その後に、前記熱風吸い込み口を経て前記送風機に吸引されるように構成したことを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
更に、前記熱風吹き出し口は、平板に形成された多数の孔部と、この平板に垂設され、前記多数の孔部にそれぞれ接合された多数のパイプで構成されていることが好ましい。また、前記熱風吹き出し口は、平板に形成され基板の搬送幅方向に複数の平行な溝型の孔部で構成されていると好適である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明のリフロー方法は、一次面に電子部品が半田付けされている基板の二次面に電子部品をリフロー加熱して半田付けするリフロー方法において、送風機で圧縮送風されたヒータで加熱された空気を前記基板の二次面に対して垂直に吹き付け、前記基板の二次面に吹き付けられた空気を、前記基板の二次面に沿って水平方向に流して炉壁面の内側に導き、その後に熱風吸い込み口を経て前記送風機に吸引させて、前記空気を循環させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また封口蓋体の材質としては、巻き芯同様に電解液に対して耐腐食性があり、機械的強度が大きいものが好ましい。巻き芯同様に絶縁性の樹脂でもよいが、アルミニウム等の金属も好ましい。なお、金属を使用する場合は、金属ケースと蓋体、または蓋体と電極端子を絶縁させることが必要である。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
なお、図２のような構成の場合は、封口蓋体８０の内面( 上部絶縁固定板に対向する面 )には、電極端子７２、７４が突出し、絶縁固定板全体を封口蓋体に接触させることを困難にしているので、支持部の一部９４ａ'を例えば中央部において突出せしめ、この突出部分を封口蓋体８０に嵌入( または螺合 )せしめることにより、上部絶縁固定板を封口蓋体に固定することが好ましい。なお、この固着をより確実にするために、支持部９４ａの外縁部９４ａ''を図に示すように折り曲げて、ケース側面６３に係止せしめることにより、絶縁固定板の封口蓋体への固定の補助とすることも好ましい。また、外縁部９４ａ''の先端部がケースの内側面に接するようにし、そのわずかに上方においてケースの外周をパッキン等を介しながらビード状に内側に絞ることができる。このようにして支持部により巻回素子体の位置が固定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２においては、複数の正極リード５２、５２'、５２''、・・・および複数の負極リード５４、５４'、５４''、・・・が引き出されるが、それぞれ、巻回体の巻き位相が３０度以内であることが好ましく、さらに好ましくは２０度以内であり、同じ極の集電リードはできるだけ小さい位相で取り出されることが望ましい。すなわち、複数の集電リードが、巻回体の上方から見ると、半径方向にほぼ直線上に並ぶように配置されることが好ましい。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
集電ディスクは、上部と下部でほぼ同一であるため、まとめて説明する( 以下の説明では、( )内は、下部集電ディスクに対応する上部集電ディスクの部位である。) 。また、集電ディスクは、集電機能の点を除けば、図２で説明した絶縁固定板と同じような形状を有していて、巻き芯を保持固定する機能の点では同一であるので、類推適用が可能であり、煩を避けるため、簡単に説明する。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、下部集電ディスクを、その外径がケース底部近傍の側面の内径より僅かに小さい円盤状に加工し、ケース内に殆ど隙間の無い状態で嵌合させ固定することも可能である。また、このとき円盤の外周に円盤の中心線に平行な方向にローレットが形成されていると、集電ディスクをケース内面により固定しやすい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
集電ディスクの形状は、円盤状を基本とするが、単なる円盤ではなく、場合によってはこの円盤にも孔を形成したり、切り欠きを設けることが好ましい。切り欠きの数は任意であり、例えば２個、３個、４個、・・・と目的に応じて選択することができる。例えば、切り欠きを３個設ければＹの字型の集電ディスクに、４個設ければ十字型の集電ディスクになる。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
後記するように、本発明のキャパシタを組み立てる場合、例えば巻回素子体を金属ケースに収容し、封口蓋体により封口した後に、封口蓋体に設けられた注液口から電解液を注入して前記素子体に含浸させる操作を行うが、上記形状の集電ディスクを使用することにより、高い注液性( 充分な注液と注液時間の短縮 )を確保することができる。すなわち、注液口から注入された電解液は、集電ディスク全体に分配されてＹ字型や十字型等の集電ディスクの各切り欠き部から速やかに下方に流下し、巻回素子体の上端面および下端面から、帯状の電極体を構成する電極と電極の間隙を通り、素子体の内部に浸透して行き、速やかに素子体全体が電解液で含浸される。 
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
最後に電解液をケース内に供給して電極を電解液に浸漬せしめ、金属ケースの上端を封口蓋体にかしめて、キャパシタとして密封することにより電気二重層キャパシタが形成される。なお、かしめる場合、シリコンゴム、ブチルゴム、エチレン・プロピレンゴム、ポリプロピレン等の絶縁体からなるガスケットを用いることが好ましい。 
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【表１】
1999251190.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被研磨物の被研磨面に研磨パッドを押し当て、前記被研磨物および前記研磨パッドの少なくとも一方を回転させて前記被研磨物を研磨する研磨方法であって、
前記研磨パッドを回転させる回転トルクおよび前記被研磨物を回転させる回転トルクの少なくとも一方の回転トルクの時間変化率を検出し、
検出された回転トルクの時間変化率に基づいて前記被研磨面の研磨均一性を評価することを特徴とする研磨方法。
【請求項２】
前記被研磨物は複数であることを特徴とする請求項１に記載の研磨方法。
【請求項３】
前記被研磨物と前記研磨パッドとの間に研磨スラリを供給することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の研磨方法。
【請求項４】
評価された研磨均一性に基づいて研磨条件を設定することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の研磨方法。
【請求項５】
前記研磨条件の設定は、前記研磨パッドの回転数の変更、前記被研磨物の回転数の変更、前記研磨パッドを前記被研磨面に押しつける圧力の変更、前記研磨スラリの流量の変更、前記研磨パッドの交換、前記被研磨物を保持するリテーナの調整、前記被研磨物を保持するリテーナの交換、及び前記研磨パッドの目立ての実施の少なくとも１つであることを特徴とする請求項４に記載の研磨方法。
【請求項６】
被研磨物が取り付けられて一の回転軸回りに回転する研磨台と、
前記研磨台に取り付けられた被研磨物に押し当てられて前記被研磨物を研磨する研磨パッドと、
前記研磨パッドを被着して、他の回転軸回りに回転する研磨定盤と、
各回転軸のうち少なくとも１つの回転軸のトルクの時間変化率を検出するトルク時間変化率検出部と、
前記トルク時間変化率検出部で検出されたトルクの時間変化率に基づいて前記被研磨面の研磨均一性を評価する評価部と
を備えることを特徴とする研磨装置。
【請求項７】
被研磨物の被研磨面に研磨パッドを押し当て、前記被研磨物および前記研磨パッドの少なくとも一方を回転させて前記被研磨物を研磨する研磨装置であって、
前記研磨パッドを回転させる回転トルクおよび前記被研磨物を回転させる回転トルクの少なくとも一方の回転トルクの時間変化率を検出する手段と、
検出された回転トルクの時間変化率に基づいて前記被研磨面の研磨均一性を評価する手段と
を備えることを特徴とする研磨装置。
【請求項８】
評価された研磨均一性に基づいて研磨条件を設定する手段を備える請求項６又は請求項７に記載の研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明による研磨方法は、被研磨物の被研磨面に研磨パッドを押し当て、前記被研磨物および前記研磨パッドの少なくとも一方を回転させて前記被研磨物を研磨する研磨方法であって、前記研磨パッドを回転させる回転トルクおよび前記被研磨物を回転させる回転トルクの少なくとも一方の回転トルクの時間変化率を検出し、検出された回転トルクの時間変化率に基づいて前記被研磨面の研磨均一性を評価することを特徴とする。また、請求項２に係る発明による研磨方法は、前記被研磨物は複数であることを特徴とする。ここで、例えば図２を参照すれば、研磨パッド２を回転させる回転トルクは、回転軸２３の回転トルクであり、被研磨物Ｓを回転させる回転トルクは、回転軸２１または回転軸２２の回転トルクである。また、検出されたトルクの時間変化率に基づいて被研磨面Ｓａの研磨均一性を評価するには、例えば実験によりトルクの時間変化率と被研磨面Ｓａ内の研磨均一性との相関関係を把握しておき、それと実際に計測されるトルクの時間変化率とを比較する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
なお、図１〜図３に示すように、複数の被研磨物Ｓの被研磨面Ｓａに研磨パッド２を押し当て、複数の被研磨物Ｓをそれぞれ自転させると共に、複数の被研磨物Ｓと研磨パッド２とを相対的に公転させて複数の被研磨物Ｓを研磨する研磨方法であって、相対的に公転させるための回転トルクと複数の被研磨物Ｓをそれぞれ自転させる各回転トルクの少なくとも一つの回転トルクの時間変化率を検出し、前記検出されたトルクの時間変化率に基づいて被研磨面Ｓａの研磨均一性を評価するようにしてもよい。ここで、被研磨面Ｓａの研磨均一性というときは、ある１つの被研磨面Ｓａ内の研磨の均一性、あるいは複数の被研磨面Ｓａ間の研磨の均一性を意味する。また、例えば図２を参照すれば、相対的に公転させるための回転トルクは、回転軸２２または回転軸２３の回転トルクであり、自転させる各回転トルクは各回転軸２１の回転トルクである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項５に記載のように、請求項４に記載の研磨方法においては、前記研磨条件の設定は、前記研磨パッドの回転数の変更、前記被研磨物の回転数の変更、前記研磨パッドを前記被研磨面に押しつける圧力の変更、前記研磨スラリの流量の変更、前記研磨パッドの交換、前記被研磨物を保持するリテーナの調整（例えばシムの挿入等による高さの変更）、前記被研磨物を保持するリテーナの交換、及び前記研磨パッドの目立ての実施の少なくとも１つであるようにすることが好ましい。これらの条件が、ウエハＳの研磨均一性を支配する主なものである。ここで例えば図２を参照すれば、研磨パッド２の回転数とは回転軸２３の回転数であり、被研磨物Ｓの回転数とは回転軸２１あるいは回転軸２２の回転数である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するために、請求項６に係る発明による研磨装置は、被研磨物が取り付けられて一の回転軸回りに回転する研磨台と、前記研磨台に取り付けられた被研磨物に押し当てられて前記被研磨物を研磨する研磨パッドと、前記研磨パッドを被着して、他の回転軸回りに回転する研磨定盤と、各回転軸のうち少なくとも１つの回転軸のトルクの時間変化率を検出するトルク時間変化率検出部と、前記トルク時間変化率検出部で検出されたトルクの時間変化率に基づいて前記被研磨面の研磨均一性を評価する評価部とを備える。トルク時間変化率検出部と評価部とは一体の装置として構成してもよい。また、請求項７に係る発明による研磨装置は、被研磨物の被研磨面に研磨パッドを押し当て、前記被研磨物および前記研磨パッドの少なくとも一方を回転させて前記被研磨物を研磨する研磨装置であって、前記研磨パッドを回転させる回転トルクおよび前記被研磨物を回転させる回転トルクの少なくとも一方の回転トルクの時間変化率を検出する手段と、検出された回転トルクの時間変化率に基づいて前記被研磨面の研磨均一性を評価する手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記の研磨装置では、請求項８に記載のように、評価された研磨均一性に基づいて研磨条件を設定する手段を備えてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
複数の信号線を有するマザーボードの主面上に設けられたコネクタに差し込まれる回路モジュールであって、
基板の主面上に設けられ、前記コネクタの有する複数のコネクタピンを介して複数の前記信号線にそれぞれ接続される複数のコネクタ端子と、
前記基板の前記主面上に設けられ、複数の前記コネクタ端子のそれぞれに接続される一端を有する複数の配線と、
前記基板の前記主面上に設けられ、複数の前記配線の他端にそれぞれ接続される複数の端子を有するＩＣと
を備え、
複数の前記端子は、複数の前記コネクタ端子が並ぶ方向に平行な方向に並設される回路モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、この発明のうち請求項１１に係る回路モジュールは、複数の信号線を有するマザーボードの主面上に設けられたコネクタに差し込まれる回路モジュールであって、基板の主面上に設けられ、コネクタの有する複数のコネクタピンを介して複数の信号線にそれぞれ接続される複数のコネクタ端子と、基板の主面上に設けられ、複数のコネクタ端子のそれぞれに接続される一端を有する複数の配線と、基板の主面上に設けられ、複数の配線の他端にそれぞれ接続される複数の端子を有するＩＣとを備え、複数の端子は、複数のコネクタ端子が並ぶ方向に平行な方向に並設されるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
一方、メモリＩＣ３の有するピンＡ0〜Ａkは、アドレス／コマンド信号をメモリＩＣ３に入力するためのアドレス／コマンドピンである。本実施の形態１に係るメモリモジュール１ａにおいては、アドレス／コマンドピンＡ0〜Ａkの並ぶ方向もコネクタ端子４の並ぶ方向と平行している。上述したデータ信号の入出力の場合とは異なり、アドレス／コマンド信号は、各メモリＩＣ３のアドレス／コマンドピンＡsに対して共通に入力される。従って、図１に示すように各メモリＩＣ３がそれぞれ８本のアドレス／コマンドピンを備える場合は、メモリモジュール１ａの備える複数のコネクタ端子４のうち８個のコネクタ端子は、アドレス／コマンド信号用のコネクタ端子４ｂとして機能することとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンゲルマニウム（Ｓｉ1-XＧｅx：ただし０＜Ｘ＜１）からなる活性層を含むＴＦＴとアモルファスシリコンからなる活性層を含むＴＦＴとを同一基板上に有し、前記シリコンゲルマニウムからなる活性層を含むＴＦＴはＮチャネル型ＴＦＴ及びＰチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
シリコンゲルマニウム（Ｓｉ1-XＧｅx：ただし０＜Ｘ＜１）からなる活性層を含むＴＦＴとアモルファスシリコンからなる活性層を含むＴＦＴとを同一基板上に有し、前記シリコンゲルマニウムからなる活性層を含むＴＦＴでドライバー回路が構成され、前記シリコンからなる活性層を含むＴＦＴで画素マトリクス回路が構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記シリコンゲルマニウムはポリシリコンゲルマニウムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
前記アモルファスシリコン膜の一部にゲルマニウムを添加する工程と、
処理温度４５０〜６００℃、処理時間４〜１２ｈｒの加熱処理により、ゲルマニウムが添加された前記アモルファスシリコン膜の前記一部を結晶化する工程と、
を有し、
前記結晶化する工程によりポリシリコンゲルマニウム領域を形成し、前記ポリシリコンゲルマニウム領域以外をアモルファスシリコン領域とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
前記アモルファスシリコン膜上の一部にゲルマニウム膜を形成する工程と、
処理温度４５０〜６００℃、処理時間４〜１２ｈｒの加熱処理により、上部に前記ゲルマニウム膜が形成された前記アモルファスシリコン膜を結晶化する工程と、
を有し、
前記結晶化する工程によりポリシリコンゲルマニウム領域を形成し、前記ポリシリコンゲルマニウム領域以外をアモルファスシリコン領域とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
前記アモルファスシリコン膜上の一部に絶縁膜を形成する工程と、
前記アモルファスシリコン膜及び前記絶縁膜を覆ってゲルマニウム膜を形成する工程と、
処理温度４５０〜６００℃、処理時間４〜１２ｈｒの加熱処理により、前記アモルファスシリコン膜のうち、前記ゲルマニウム膜と接した部分を結晶化する工程と、
を有し、
前記結晶化する工程によりポリシリコンゲルマニウム領域を形成し、前記ポリシリコンゲルマニウム領域以外をアモルファスシリコン領域とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記ポリシリコンゲルマニウム領域でなる第１の活性層と前記アモルファスシリコン領域でなる第２の活性層を形成し、
前記第１の活性層を含むＴＦＴ及び前記第２の活性層を含むＴＦＴを形成し、
前記第１の活性層を含むＴＦＴでドライバー回路を形成し、前記第２の活性層を含むＴＦＴで画素マトリクス回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記ポリシリコンゲルマニウム領域でなる第１の活性層と前記アモルファスシリコン領域でなる第２の活性層を形成し、
前記第１の活性層を含むＴＦＴ及び前記第２の活性層を含むＴＦＴを形成し、
前記第１の活性層を含むＴＦＴで信号処理回路を形成し、前記第２の活性層を含むＴＦＴで画素マトリクス回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記工程（ｃ）は
（ｃ−１）前記第１の導電層を、前記ゲート電極に接続される第１部分と、前記ゲート電極と共にＭＯＳトランジスタを構成する不純物領域及び前記第２導電層に接続される第２部分とに分けてパターニングする工程
を有し、
前記工程（ｃ），（ｄ）の間に
（ｅ）前記第１部分と前記第２導電層との間に介在する層間絶縁膜を形成する工程
を更に備える、請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この発明のうち請求項１８にかかるものは、請求項１７記載の半導体装置の製造方法であって、前記工程（ｃ）は（ｃ−１）前記第１の導電層を、前記ゲート電極に接続される第１部分と、前記ゲート電極と共にＭＯＳトランジスタを構成する不純物領域及び前記第２導電層に接続される第２部分とに分けてパターニングする工程を有し、前記工程（ｃ），（ｄ）の間に（ｅ）前記第１部分と前記第２導電層との間に介在する層間絶縁膜を形成する工程を更に備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
実施の形態５．
図２９は、本発明の実施の形態５にかかるＩＧＢＴを製造する方法を示す断面図である。まず実施の形態１において示された工程及び実施の形態３において示した工程を用いて図２７に示す構造を得る。その後、少なくともトレンチ３０１の内壁に堆積したノンドープのアモルファスシリコン層２５に対して窒素イオン９２を注入する（図２９）。そしてアニールを施すことにより、アモルファスシリコン層２５に注入した窒素イオン９２はトレンチ３０１の周囲のＮ- 型半導体層１及びＰ型ベース層４へと拡散する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
例えば図３４においてエミッタパッド３１はアルミ配線層２１を覆っており、図３４において現れるアルミ配線層２１はＮ+ 型エミッタ拡散層５１に接続されている。しかし、図４９に示すアルミ配線層１２１と同様にして、アルミ配線層２１は他の箇所においてＮ+ 型エミッタ拡散層５１の代わりにゲート電極１３に接続されている。つまりアルミ配線層２１は、上述のパターニングにより、ゲート電極１３に接続される第１部分と、Ｎ+ 型エミッタ拡散層５１に接続される第２部分との２種類に区分される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
有機ＥＬ素子に印加される高電界は、素子内に誘電分極を発生させ、これが薄膜内の物質の分子内移動・配向の原因となって、素子の結晶化・凝集を促進すると思われる。また陽極と正孔輸送層界面では、キャリア注入のエネルギー障壁が大きい場合には、更に大きな電界がかかる。この高電界は、分極した有機物質に大きな力を及ぼし、やはり結晶化・凝集を促進すると思われる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略密閉された加熱室内に収容された被加熱物を加熱調理する加熱調理装置において、
a)加熱室内部に向けて配設され、中央より吸引した空気を外周側へ送る金属体から成るファンと、
b)該ファンの背面後方に配設されたコイルと、
c)該コイルに高周波電力を供給し前記ファンを誘導加熱する電力供給手段と、
を備えることを特徴とする加熱調理装置。
【請求項２】
前記コイルは、前記ファンの回転軸の周囲に平板渦巻状に巻回されて成ることを特徴とする請求項１に記載の加熱調理装置。
【請求項３】
被加熱物をマイクロ波加熱するためのマグネトロンを含む加熱手段を更に備え、前記コイルと前記ファンとの間に、該コイルより発生する磁束を通過させつつ前記マグネトロンより発生するマイクロ波を遮蔽する遮蔽壁を設けることを特徴とする請求項１又は２に記載の加熱調理装置。
【請求項４】
前記遮蔽壁は、多数の小孔を穿孔して所定の開口率を確保した金属板であることを特徴とする請求項３に記載の加熱調理装置。
【請求項５】
前記遮蔽壁は、開口を有さない薄い金属板であることを特徴とする請求項３に記載の加熱調理装置。
【請求項６】
前記ファン外縁端の回転軌跡と所定間隔を保って外側に位置する偏平円筒部と、該ファンの前方にあって吸気孔及び吹出孔とを穿孔した平板部とを有するファン保護体を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の加熱調理装置。
【請求項７】
前記ファンは、加熱室上面壁に下方に向けて取り付けられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の加熱調理装置。
【請求項８】
前記ファンの背面に水を流下する給水手段を更に設けることを特徴とする請求項７に記載の加熱調理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために成された本発明の第１の加熱調理装置は、略密閉された加熱室内に収容された被加熱物を加熱調理する加熱調理装置において、
a)加熱室内部に向けて配設され、中央より吸引した空気を外周側へ送る金属体から成るファンと、
b)該ファンの背面後方に配設されたコイルと、
c)該コイルに高周波電力を供給し前記ファンを誘導加熱する電力供給手段と、
を備えることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
各第１コンタクト３０は、第１基部３２、この第１基部３２の上方へ湾曲して延びる第１ばねアーム部（弾性接触部）３４、第１基部３２の側部から直線的に延びる圧入部３６、及び第１基部３２の下側角部から延びる接続部（第１接続部）３８を有する。第１ばねアーム部３４は、第１基板３との多数回の接続及び分離を保証するためにばね長を十分に長く設定されて応力の集中が回避されており、その自由端には幅広で且つ略円弧状の接触端３４ａが設けられている。接触端３４ａは、第１基板３の下面３ｂ上に形成された導電性パッド４と当接すると破線で示される位置に変位するので、第１基板３の下面３ｂに沿って若干量のワイピングが得られる。圧入部３６は、全体が槍状をなし、その根元近傍に圧入部受容部１８ｄの内壁に食い込む１対の突起３６ａを有する。圧入部３６とは反対側の第１基部３２の平坦な側面３２ａは、第１コンタクト３０を第１キャビィ１８内に圧入する際に圧入治具（図示せず）との当接面となる。接続部３８は、後述する第２コネクタ４０の上側略半分を受容すると共に接触する凹部３８ａを有する。第１コンタクト３０は第１絶縁ハウジング１２に千鳥状に設けられた第１キャビティ１８に挿入されるので、接触端３４ａは第１絶縁ハウジング１２の上面２０から千鳥状の突出する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図１及び図２において、ベースシェル６０は、アルミニウムダイキャスト等の金属性の枠体であり、各コネクタモジュール１０の下側突部２４をそれぞれ受容する受容孔６２、これらすべての受容孔６２に連通すると共に上方に開口する凹部６４を有する。凹部６４には、コネクタモジュール１０及び第１基板３が挿入される。凹部６４の上面６６は、コネクタモジュール１０の下側角部２６と当接する当接面を構成する。このため、実使用時において、第１コンタクト３０の第１ばねアーム部３４を弾性変形させる力は、剛性を有するベースシェル６０の凹部上面６６に伝達されるので、第２コンタクト５０の表面実装タイン部５８及び第２基板５のパッド６の間の半田接続部に伝達されない。従って、半田接続部に半田クラックが発生するおそれは実質的にない。さらに、第１コンタクト３０の第１ばねアーム部３４を弾性変形させる力は、比較的表面積が大きくて剛性を有する単一のベースシェル６０が受けて第２基板５に伝達するので、第２基板５に反りは発生しない。また、ベースシェル６０は、その周辺においてベースシェル６０を第２基板５に固定するボルト７０を受容するボルト受容孔６８を有する。なお、ベースシェル６０が第２基板５の上面５ａ上の回路を短絡させないように、ベースシェル６０及び第２基板５間に絶縁シート７４（図５参照）を介在させてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法および半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に層間絶縁膜を成膜し、当該層間絶縁膜上に上層絶縁膜を成膜する工程と、
前記上層絶縁膜上にレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンをマスクに用いて前記上層絶縁膜及び層間絶縁膜をエッチングし、当該上層絶縁膜及び層間絶縁膜に前記基板にまで達する接続孔を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去した後、前記接続孔内を埋め込む状態で前記上層絶縁膜の上方にプラグ形成膜を成膜する工程と、
前記上層絶縁膜上における前記プラグ形成膜が除去されるまで当該プラグ形成膜をエッチバックし、これによって前記接続孔内に前記プラグ形成膜からなるプラグを形成する工程と、
前記層間絶縁膜に対して前記上層絶縁膜を選択的にエッチング除去する工程と、
を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に層間絶縁膜を成膜し、当該層間絶縁膜上に上層絶縁膜を成膜する工程と、
前記上層絶縁膜上にレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンをマスクに用いて前記上層絶縁膜をエッチングし、前記上層絶縁膜に孔パターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを除去した後、前記孔パターンの内壁に絶縁性のサイドウォールを形成する工程と、
前記上層絶縁膜及び前記サイドウォールをマスクに用いて前記層間絶縁膜をエッチングし、当該層間絶縁膜に前記基板にまで達する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔内を埋め込む状態で前記上層絶縁膜の上方にプラグ形成膜を成膜する工程と、
前記上層絶縁膜上における前記プラグ形成膜が除去されるまで当該プラグ形成膜をエッチバックし、これによって前記接続孔内にプラグ形成膜からなるプラグを形成する工程と、
前記層間絶縁膜に対して前記上層絶縁膜及び前記サイドウォールを選択的にエッチング除去する工程と、
を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記上層絶縁膜は、前記プラグ形成膜のエッチバックの際に前記接続孔内に生じるプラグロスの深さと同程度の膜厚に成膜されること、
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記上層絶縁膜は、前記プラグ形成膜のエッチバックの際に前記接続孔内に生じるプラグロスの深さよりも大きい膜厚に成膜され、
前記レジストパターンをマスクに用いた前記上層絶縁膜及び層間絶縁膜のエッチングでは、当該レジストパターンマスクに用いて前記上層絶縁膜にサイドエッチがはいるようにエッチングを行うことによって当該上層絶縁膜に孔パターンを形成し後、当該レジストパターンをマスクに用いて前記層間絶縁膜をエッチングすることによって当該層間絶縁膜に前記孔パターンよりも開口幅が小さい接続孔を形成すること、
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板と、当該基板上に成膜された層間絶縁膜と、当該層間絶縁膜に形成された接続孔内に埋め込まれたプラグとを備えた半導体装置において、
前記プラグは、その上部が前記接続孔の上部から突出して設けられると共に、当該接続孔から突出した部分の面積が当該接続孔の開口面積よりも広く形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記接続孔から突出した前記プラグ部分と前記層間絶縁膜の上面との間には、薄膜状の絶縁膜が設けられている
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関し、特には層間絶縁膜の接続孔内にプラグを形成する場合における半導体装置の製造方法、および層間絶縁膜の接続孔内にプラグを設けた構成の半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以上のように、プラグ形成膜のエッチバックの際に生じたプラグロスの深さが上層絶縁膜の膜厚分だけ緩和されることから、この層間絶縁膜上に成膜される上層膜のステップカバレッジは良好になる。また、上層膜の成膜においては、微細な開口幅を有する凹状段差上のカバレッジよりも、凸状段差上のカバレッジのほうが優れていることから、接続孔内からプラグが突出した状態になっても、上記上層膜のステップカバレッジは良好になる。
また、本発明の半導体装置は、基板と、当該基板上に成膜された層間絶縁膜と、当該層間絶縁膜に形成された接続孔内に埋め込まれたプラグとを備えている。そして特に、プラグの上部が前記接続孔の上部から突出して設けられると共に、当該接続孔から突出した部分の面積が当該接続孔の開口面積よりも広く形成されていることとする。これにより、上層膜のステップカバレッジは良好になることに加えて、上層配線の合わせマージンを得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の各半導体装置の製造方法によれば、層間絶縁膜上に上層絶縁膜を積層することによって接続孔の深さを嵩上げした状態でプラグ形成膜のエッチバックを行ない、プラグを形成した後に上層絶縁膜を除去することで、エッチバックの際に接続孔内に生じたプラグロスを上層絶縁膜の膜厚分だけ緩和することが可能になる。このため、接続孔の微細化の進行にかかわらず、この層間絶縁膜上に成膜されるアルミニウム膜のカバレッジを向上させることが可能になり、このアルミニウム膜からなる上層配線の断線を防止することができる。
また本発明の半導体装置によれば、接続孔から突出したプラグ部分の面積を、接続孔の開口面積よりも広くしたことにより、上層膜のステップカバレッジは良好になることに加えて、上層配線の合わせマージンを得ることができ、上層配線とプラグとの合わせマージンの向上を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子分離部内部に誘電率の異なる物質を内包する構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記誘電率の異なる物質がＳｉＯ2 膜より誘電率の低い空気であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、前記誘電率の異なる物質が誘電率の低いＳｉＯＦ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、前記空気により空洞になる部分の体積を調整できることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、前記素子分離部をＣＭＰ及びドライエッチングにより平坦化することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
（ａ）Ｓｉ基板上にパッド酸化膜とシリコン窒化膜を生成する工程と、
（ｂ）ホトリソ／エッチングを行い、薄いフィールド酸化膜のＬＯＣＯＳ分離を形成し、該フィールド酸化膜を所定の深さまでドライエッチングし、該フィールド酸化膜に溝を形成する工程と、
（ｃ）ＢＰＳＧ膜を前記ドライエッチングにて形成したフィールド酸化膜の溝の所望の深さに生成した後、ドライエッチングし、前記シリコン窒化膜を除去する工程と、
（ｄ）ＮＳＧ膜を堆積し、ホトリソ／エッチング工程を経てアクティブ領域の端部より距離をとった位置の前記ＮＳＧ膜に穴を空け、ホトリソ／エッチング工程のレジストを除去せずにＨＦを含んだ溶液にてエッチングし、前記ＮＳＧ膜下の前記ＢＰＳＧ膜を除去する工程とを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
（ａ）Ｓｉ基板上にパッド酸化膜とシリコン窒化膜を生成する工程と、
（ｂ）ホトリソ／エッチングを行い、その後、薄いフィールド酸化膜のＬＯＣＯＳ分離を形成し、該フィールド酸化膜を所定の深さまでドライエッチングし、該フィールド酸化膜に溝を形成する工程と、
（ｃ）ＳｉＯＦ膜を前記ドライエッチングにて形成したフィールド酸化膜の溝に生成し、素子分離部にのみ前記ＳｉＯＦ膜を残す工程とを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
（ａ）Ｓｉ基板上にパッド酸化膜とシリコン窒化膜を生成する工程と、
（ｂ）ホトリソ／エッチングを行い、薄いフィールド酸化膜のＬＯＣＯＳ分離を形成し、該フィールド酸化膜をＨＦにて素子分離領域の底部にフィールド酸化膜が残るようにウエットエッチングして、該フィールド酸化膜に溝を形成する工程と、
（ｃ）前記シリコン窒化膜を除去し、ＢＰＳＧ膜を堆積し、素子分離部のみに所望の膜厚が残るように該ＢＰＳＧ膜をエッチングし、その上にＮＳＧ膜を堆積し、素子分離部にのみ前記ＮＳＧ膜が残るように平坦化する工程と、
（ｄ）その後、ホトリソ／エッチング工程を経てアクティブ領域の端部より距離をとった位置に前記ＮＳＧ膜に穴を空け、ホトリソ／エッチング工程のレジストを除去せずにＨＦを含んだ溶液にてエッチングし、前記ＮＳＧ膜下の前記ＢＰＳＧ膜を除去する工程とを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
（ａ）Ｓｉ基板上にパッド酸化膜とシリコン窒化膜を生成する工程と、
（ｂ）ホトリソ／エッチングを行い、薄いフィールド酸化膜のＬＯＣＯＳ分離を形成し、該フィールド酸化膜をＨＦにて素子分離領域の底部にフィールド酸化膜が残るように、ウエットエッチングする工程と、
（ｃ）その上にＢＰＳＧ膜を堆積する工程と、
（ｄ）その後、ホトリソ／エッチング工程によりアクティブ領域の端部より距離をとった位置にＢＰＳＧ膜をパターニングする工程と、
（ｅ）その後、ＮＳＧ膜を堆積し、平坦化した後、ホトリソ／エッチング工程を行って前記ＮＳＧ膜に穴を空け、その後、前記ＢＰＳＧ膜をウエットエッチングにて除去する工程とを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
（ａ）Ｓｉ基板上にパッド酸化膜とシリコン窒化膜を生成する工程と、
（ｂ）ホトリソ／エッチングを行い、薄いフィールド酸化膜のＬＯＣＯＳ分離を形成し、該フィールド酸化膜をＨＦにて素子分離領域の底部にフィールド酸化膜が残るように、ウエットエッチングする工程と、
（ｃ）その上にＳｉＯＦ膜を堆積する工程と、
（ｄ）その後、ホトリソ／エッチング工程により前記ＳｉＯＦ膜をパターニングし、その上にＮＳＧ膜を堆積し、平坦化する工程とを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路用パッケージにおいて、
(a)  上面と下面を有する基板、
(b)  前記基板の前記上面と下面の１方に配置され、上にボンドパッドを持つ集積回路ダイを受けるダイ空洞、
(c)  前記基板上に配置された信号トレース、
(d)  前記信号トレースから絶縁され、少なくとも前記信号トレースと少なくとも前記ボンドパッドの間に配置された、前記基板上の少なくとも１つの電気的領域、
(e)  前記信号トレース上に配置され上に延びる導電性のスペーサー、及び、
(f)  前記集積回路ダイと、前記信号トレースから離れた前記スペーサーの一部の間の少なくとも１つのボンドワイヤー接続、を備え、前記ボンドワイヤーは前記電気的領域から絶縁されて前記電気的領域を横切ることを特徴とするパッケージ。
【請求項２】  前記スペーサーはボールである請求項１のパッケージ。
【請求項３】  前記ボールは、前記信号トレースへのボールボンドである請求項２のパッケージ。
【請求項４】  前記スペーサーへの前記ボンドワイヤー接続は、ステッチボンドである請求項１のパッケージ。
【請求項５】  前記スペーサーへの前記ボンドワイヤー接続は、ステッチボンドである請求項２のパッケージ。
【請求項６】  所定の間隙をおいて避ける必要のある障害物の反対側上の1対の位置の間に接合を形成する方法において、
(a)  ワイヤーの反対側端部を接合する第１、第２位置を設け、前記位置はワイヤーが避けるべき障害物の反対面上に配置され、
(b)  前記第１位置上に前記障害物上に延びるボールを形成し、
(c)  前記第２位置にワイヤーをボンディングし、
(d)  次に前記第１位置から離れた前記ボールの一部に前記ワイヤーを延ばしてボンディングする、
ステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項７】  前記第１位置は基板上に配置された信号トレースであり、前記第２位置は集積回路のダイパッドである請求項６の方法。
【請求項８】  キャピラリからワイヤーを延ばし、前記延ばしたワイヤーでボールを形成し、前記ボールを前記第１位置に置き、前記ボール上で前記ワイヤーを破断するステップにより、ボールが形成される請求項６の方法。
【請求項９】  キャピラリからワイヤーを延ばし、前記延ばしたワイヤーでボールを形成し、前記ボールを前記第１位置に置き、前記ボール上で前記ワイヤーを破断するステップにより、ボールが形成される請求項７の方法。
【請求項１０】  前記位置への前記ボンドは第２ボールボンドであり、前記ボールへの前記ボンドはステッチボンドである請求項６の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月15日(2004.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属層上に、該金属層と選択エッチング可能な第２の金属層が形成され、さらに第２の金属層上に、第１の金属層と同じ組成の金属で厚さが第１の金属層と異なる第３の金属層が形成された３層からなる金属箔の、前記第１の金属層に、所定の大きさの突起電極をエッチングにより形成する工程、および前記突起電極をマスクとして前記第２の金属をエッチングする工程、を含むことを特徴とする突起電極を有する部材の製造法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造法により製造された部材の突起電極側に絶縁樹脂を介して表面が平坦な部材を加圧せしめ、突起電極上に被覆された絶縁樹脂の厚さを１μｍ以下になるようにする工程、および突起電極上に被覆された絶縁樹脂を除去する工程、を含むことを特徴とする突起電極を有する部材の製造法。
【請求項３】
前記絶縁樹脂が熱可塑性樹脂であることを特徴とする、請求項２に記載の突起電極を有する部材の製造法。
【請求項４】
前記突起電極の形状がテーパ形状であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の突起電極を有する部材の製造法。
【請求項５】
前記突起電極の高さが１８〜７０μｍであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の突起電極を有する部材の製造法。