(57)【要約】  信頼性に優れた弾性表面波装置およびその製造方法を提供する。弾性表面波を伝搬させる圧電基板（１）と、圧電基板（１）の第１主面の上に形成されるＩＤＴ（２）と、光硬化性材料からなり、ＩＤＴ（２）の形成領域を覆うことによって第１主面とともに中空の収容空間（７）を形成する保護カバーであって、保護カバーの下端の領域に酸発生材を含む酸発生部を有する保護カバー（６）を備える。さらに前記第１主面の上に形成され、ＩＤＴ（２）に接続されるとともに保護カバー（６）の外側に端部を有するように保護カバー（６）の内側から外側にかけて引き出される接続線（３）と、絶縁材料からなり、少なくとも保護カバー（６）の酸発生部と接続線（３）との間に介在するようにして形成される接合膜（８）とを備えた構成とする。
2008081935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波を伝搬させる圧電基板と、
前記圧電基板の第１主面の上に形成され、前記弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に長手方向を有する複数の電極指からなる櫛歯状電極を少なくとも１つ備えるＩＤＴと、
光硬化性材料からなり、前記ＩＤＴの形成領域を覆うことによって前記第１主面とともに中空の収容空間を形成する保護カバーであって、前記保護カバーの下端の領域に酸発生材を含む酸発生部を有する保護カバーと、
前記第１主面上に形成され、前記ＩＤＴに接続されるとともに前記保護カバーの外側に端部を有するように前記収容空間から前記保護カバーを隔てた前記収容空間の外側にかけて引き出される接続線と、
絶縁材料からなり、少なくとも前記保護カバーの前記酸発生部と前記接続線との間に介在するようにして形成される接合膜と、
を備える弾性表面波装置。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波装置であって、
前記保護カバーが、前記ＩＤＴを囲繞する枠体と、前記枠体の上に載置されたフィルム状の蓋体とを接合することによって形成されてなることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項３】
請求項１に記載の弾性表面波装置であって、
前記ＩＤＴを埋入するように形成されてなり前記ＩＤＴを保護する保護膜、
をさらに備えることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項４】
請求項３に記載の弾性表面波装置であって、
前記接合膜が前記ＩＤＴを埋入するように延在して形成されてなることで、前記接合膜が保護膜を兼ねることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項５】
請求項１に記載の弾性表面波装置であって、
前記接合膜の外周縁が、前記枠部の外周縁よりも外側に位置していることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項６】
請求項１に記載の弾性表面波装置であって、
前記接続線の前記端部の上に略柱状の外部接続用電極を備えるとともに、前記外部接続用電極の上端部分を露出させつつ前記保護カバーと前記外部接続用電極とを樹脂封止してなることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項７】
弾性表面波装置の製造方法であって、
圧電基板の第１主面の上に、前記圧電基板における弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に長手方向を有する複数の電極指からなる櫛歯状電極を少なくとも１つ備えるＩＤＴと、前記ＩＤＴに接続され前記ＩＤＴと外部回路とを電気的に接続する接続線とを形成するパターン形成工程と、
少なくとも前記接続線の上に絶縁材料からなる接合膜を形成する接合膜形成工程と、
光硬化性材料からなり、前記ＩＤＴの形成領域を覆い、且つ前記接合膜と接する下端の領域に酸発生材を含む酸発生部が形成された保護カバーを設けることによって、前記第１主面と前記保護カバーの内面とで囲まれた領域からなる中空の収容空間を形成する収容空間形成工程と、
を備える弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の弾性表面波装置の製造方法であって、
前記収容空間形成工程が、
前記収容空間となるべき空間をみたす犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記犠牲層を覆うように前記保護カバーを形成する保護カバー形成工程と、
前記保護カバーに貫通孔を形成し、前記貫通孔を通じて前記犠牲層を除去することによって前記収容空間を形成する犠牲層除去工程と、
を備えることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の弾性表面波装置の製造方法であって、
前記収容空間形成工程が、
前記第１主面の上に前記ＩＤＴを囲繞する枠体を載置することによって枠部を形成する枠部形成工程と、
前記枠体の上にフィルム状の蓋体を載置することによって蓋部を形成する蓋部形成工程と、
前記枠体と前記蓋体とを接合して前記保護カバーを形成する接合工程と、
を備えることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の弾性表面波装置の製造方法であって、
前記接合膜形成工程においては、前記接合膜が前記ＩＤＴの保護膜を兼ねるように、前記接合膜を前記ＩＤＴを埋入するように形成する、
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の弾性表面波装置の製造方法であって、
前記接続線の前記端部の上に略柱状の外部接続用電極を備える電極形成工程と、
前記外部接続用電極の上端部分を露出させつつ前記保護カバーと前記外部接続用電極とを樹脂封止する封止工程と、
をさらに備えることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動体通信機器等の無線通信回路に主に用いられる弾性表面波装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信に用いられる携帯端末装置は小型化、軽量化が進むとともに、複数の通信システムに対応するためのマルチバンド化及び多機能化のため、内蔵する回路が増加してきている。そのため、使用される電子部品に対して、実装密度向上のための表面実装可能化や小型化が強く要望されている。【０００３】
携帯端末装置のキーパーツとして弾性表面波装置がある。弾性表面波装置は、通常、弾性表面波が励振される電極面近傍に、振動空間となる封止された中空部を確保した構成を有する。このような弾性表面波装置に対しても、表面実装可能かつ小型であることが要求されている。【０００４】
従来の弾性表面波装置においては、圧電基板の上にＩＤＴを形成し、ＩＤＴの周囲を枠体で囲い、枠体上に蓋体を接合することによって保護カバーを形成するようにしている、（例えば、特開平９−２４６９０５号公報、特開平１０−２７０９７５号公報、および特開平１０−１１２６２４号公報を参照）。枠体および蓋体の形成には、フォトレジスト等の光硬化性の樹脂を用いることができる。【０００５】
また、従来の弾性表面波装置においては、圧電基板の面上に、ＩＤＴと外部回路との接続を行うための接続線を、保護カバーの内側から外側へと延在するように設けている。換言すれば、接続線をまたぐように保護カバーが設けられる構成でもある。【０００６】
しかしながら、従来の弾性表面波装置においては、ＩＤＴと外部との接続線の上に直接、保護カバーを設けるという構成を有することに起因して、次のような問題が生じる。【０００７】
保護カバーを形成する樹脂には、感光性を付与するために酸発生材が含まれる。係る樹脂に対し露光を行うと、保護カバーにおいてプロトンが発生する。これにより、化学増幅が促進されるが、上述のように、このような酸発生材を含む保護カバーを接続線の上に直接に形成しようとする場合は、露光時に発生するプロトンが接続線を構成する金属中に取り込まれてしまい、接続線と保護カバーとの接合界面付近で分子の架橋反応が十分に起こらない。そのため、接続線と接する部分で保護カバーの枠体が十分に硬化せず、接続線と保護カバーとの間では十分な密着性を得られないために、収容空間を気密封止することができない。このため、製造工程中または装置完成後に収容空間に水分や腐食性のガス，薬液等が入り、弾性表面波装置５０の電気特性に劣化が生じてしまうことになる。
【発明の開示】
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、信頼性に優れた弾性表面波装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様に係る弾性表面波装置は、弾性表面波を伝搬させる圧電基板と、前記圧電基板の第１主面の上に形成され、前記弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に長手方向を有する複数の電極指からなる櫛歯状電極を少なくとも１つ備えるＩＤＴと、光硬化性材料からなり、前記ＩＤＴの形成領域を覆うことによって前記第１主面とともに中空の収容空間を形成する保護カバーであって、前記保護カバーの下端の領域に酸発生材を含む酸発生部を有する保護カバーと、前記第１主面上に形成され、前記ＩＤＴに接続されるとともに前記保護カバーの外側に端部を有するように前記収容空間から前記保護カバーを隔てた前記収容空間の外側にかけて引き出される接続線と、絶縁材料からなり、少なくとも前記保護カバーの前記酸発生部と前記接続線との間に介在するようにして形成される接合膜と、を備える。
【００１０】
本発明によれば、長期信頼性に優れた弾性表面波装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ１を概略的に示す模式図である。図１（ａ）は、弾性表面波装置Ｓ１の断面図である。図１（ｂ）は弾性表面波装置Ｓ１の各部の平面的な配置関係を示す図である。
【図２】弾性表面波装置Ｓ１の製造工程の概略を模式的に示す図である。
【図３】第２の実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ２を概略的に示す断面模式図である。
【図４】弾性表面波装置Ｓ２に封止樹脂層１１を形成するとともに、併せて外部電極を設けた構成を模式的に示す図である。
【図５】弾性表面波装置Ｓ２の製造工程の概略を模式的に示す図である。
【図６】弾性表面波装置Ｓ２の製造工程の概略を模式的に示す図である。
【図７】第１、第２の実施形態に係る弾性表面波装置の変形例を示す図である。図７（ａ）は弾性表面波装置Ｓ３の断面図、図７（ｂ）は弾性表面波装置Ｓ３の各部の平面的な配置関係を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
＜第１の実施の形態＞
＜弾性表面波装置の構成＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ１を概略的に示す模式図である。図１（ｂ）のＡ−Ａ断面が、概ね図１（ａ）で示す断面に相当する。ただし、各部の具体的な寸法や配置間隔等は必ずしも図１に示すものには限られない。また、図１（ｂ）は配置関係の理解を助けるための図であって、弾性表面波装置Ｓ１を上面視した場合に、必ずしも図１（ｂ）のように視認されるわけではない。【００１３】
本実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ１は、図１に示すように、圧電基板１と、ＩＤＴ２と、接続線３と、保護カバー６と、接合膜８とを主として備える。【００１４】
圧電基板１は、例えばタンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶基板である。【００１５】
ＩＤＴ２は、圧電基板１の第１主面（図１（ａ）に示す断面の場合であれば上側の面、以下、単に上面と称する）の上に形成されてなり、長手方向が圧電基板１の弾性表面波伝搬方向と直交するように複数の電極指が設けられた、１対または複数対の櫛歯状電極からなる。該櫛歯状電極は、それぞれの電極指が互いに噛み合うように形成されてなる。なお、図示の都合上、図１（ａ）と図１（ｂ）とにおける櫛歯状電極の本数は異なる。ＩＤＴ２は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成される。所望の特性を得るため、複数のＩＤＴ２を直列接続や並列接続等の方式で接続することによってラダー型弾性表面波フィルタ等を構成する態様であってもよい。なお、ＩＤＴ２の両端には、ＩＤＴ２と同じく、長手方向が圧電基板１の弾性表面波伝搬方向と直交するように複数の電極指が設けられた櫛歯状電極を有する反射器が設けられる。ただし、係る詳細構成そのものは本実施の形態の特徴部分に直接には関係しないことから、本実施の形態においては、説明の簡単のため、この反射器も含めてＩＤＴ２と称することとする。【００１６】
接続線３は、圧電基板１の上に形成されてなる、ＩＤＴ２を外部回路と接続するための信号線である。接続線３は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成される。なお、図１（ａ）に示す断面図においては、ＩＤＴ２の長手方向に垂直な断面が示されるように（図面に垂直な方向が電極指の長手方向に一致するように）ＩＤＴ２を図示するとともに、接続線３についてもその断面が示されるように図示しているが、弾性表面波装置Ｓ１におけるＩＤＴ２と接続線３との配置関係は、係る状態をみたす態様に限られるものではない。また、図１においては接続線３が圧電基板１の側端部にまで達する態様にて設けられている場合を示しているが、必ずしも係る配置態様に限定されるわけではない。なお、接続線３のＩＤＴ２に接続されていない側の端部を幅広にすれば、外部回路との接続が容易となり好ましい。【００１７】
ＩＤＴ２と接続線３とはいずれも、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により形成されたＡｌ合金膜を、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィ法等により所望の形状にパターニングすることによって形成することができる。【００１８】
保護カバー６は、ＩＤＴを囲繞する枠部と該枠部の上に備わる平板状の蓋部とから構成され、ＩＤＴ２の形成領域を覆うことによって、圧電基板１とともにＩＤＴ２を収容する中空の収容空間７が形成されるように、圧電基板１の上に設けられてなる部材である。なお、図１（ｂ）においては、保護カバー６の（枠部の）下端に対応する部分に斜線を付している。ここで、収容空間７は、ＩＤＴ２の電極指の振動空間として確保される空間である。当然ながら、保護カバー６の形成には、圧電基板１との間で十分な接合が実現される材料が用いられる。例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、あるいはアクリル系樹脂などのネガ型の光硬化性レジストを主たる材料として用いることができる。【００１９】
ただし、図１に示すように、本実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ１においては接続線３の端部が保護カバー６の外側まで延在するようにしている。換言すれば、保護カバー６の一部分が接続線３の上をまたぐように形成している。それゆえ、接続線３が形成されている箇所については、接続線３の上に、酸化珪素、窒化珪素、あるいはシリコンなどの絶縁材料からなる樹脂膜である接合膜８を形成し、さらにその上に保護カバー６を形成するようにしている。しかも、保護カバー６の（枠部の）下端のうち、少なくとも接合膜８と接する部分（配設面１４と称する）は、酸発生部となっている。酸発生部とは、保護カバー６のうち、上述の感光性レジストに酸発生材を混合させることによって形成された部分である。ここで、酸発生材とは、光照射または加熱に感応してプロトン（Ｈ+）を発生させる物質である。例えば、トリアリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを用いるのが好適な一例である。その他、ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレート、ピロガロールトリトシレート、ピロガロールトリメシレート、トリ（ニトロベンジル）フォスフェート、トリアニソインフォスフェート、ジアリールヨードニウム塩、またはトリアリールスルホニウム塩なども適用可能である。なお、上述のような酸発生材は、保護カバー６の配設面１４のみではなく、保護カバー６の構成材料である感光性レジスト全体に付与してもよい。【００２０】
上述のように、接続線３の上に接合膜８を形成し、さらにこれと接する保護カバー６の配設面１４に酸発生材を含むようにすることによって、弾性表面波装置Ｓ１においては、保護カバー６と接続線３との間においても、収容空間７の気密性が確保されるだけの十分に良好な接合が実現されてなる。従って、保護カバー６の内部への水分や、腐食性の薬液等の侵入を少なくすることができる。また、保護カバー６の底面側においても硬化が進んでいるため、収容空間７は安定して維持されてなる。【００２１】
係る良好な接合の実現は、接合膜８の表面の原子と酸発生材から発生したプロトンとの間で共有結合が生じることによって実現されるものと推察される。例えば、接合膜８としてＳｉＯ2を用いる場合であれば、保護カバー６の配設面１４の酸発生材から発生するプロトンが、保護カバー６を構成する樹脂材料のＯ原子の結合手を切断して開環させ、ＳｉＯ2表面のＳｉ−ＯＨ基とのＯ原子との間で共有結合が形成されることで、実現されているものと考えられる。また、プロトンがＳｉＯ2表面においてＯＨ基の形成を促進する可能性も考えられる。【００２２】
別の見方をすれば、接合膜８は、配設面１４が直接に接続線３と接触するのを防ぐ役割も有するものでもある。【００２３】
また図１（ｂ）に点線で示したように、接合膜８の外周縁８ａは、保護カバー６の（枠部の）外周縁よりも外側に位置していることが好ましい。このように接合膜８の外周縁８ａが保護カバー６の外周縁より外側に位置するようにして接合膜８を形成することによって、保護カバー６の配設面１４が接続線３と接触するのをより有効に防ぐことができる。また接合膜８と封止樹脂層１１との接触面積が増加することによって、接合膜８と封止樹脂層１１との接着力が向上し、収容空間７の気密性をより向上させることができるという利点もある。【００２４】
保護カバー６には、後述する弾性表面波装置Ｓ１の製造工程上の必要から、貫通孔６ａが設けられるが、これは封止樹脂層１１によって封止されているので、収容空間７における気密性は確保されている。【００２５】
なお、図１においては、接合膜８を接続線３と保護カバー６との間にのみ存在する態様で設けるのではなく、ＩＤＴ２が形成された領域にまで延在させてＩＤＴ２を覆うように（ＩＤＴ２を埋入させるように）接合膜８を設ける態様を示している。これは、ＩＤＴ２を保護する保護膜として接合膜８を作用させる態様である。【００２６】
接合膜８を接続線３と保護カバー６との間にのみ存在する態様で設けた構成であっても、接続線３の部分でも保護カバー６の気密性を確保する効果がある。加えて、図１のような態様を採る場合、収容空間７における気密性はより向上する。また、弾性表面波装置Ｓ１の周波数温度特性の変化を抑制する効果も得られる。なお、接合膜８の厚みを適宜に調整することで、弾性表面波装置Ｓ１の周波数特性を適宜に調整することが可能である。【００２７】
また、弾性表面波装置Ｓ１には、保護カバー６を覆うように、かつ、貫通孔６ａを密閉するように、封止樹脂層１１が形成される。封止樹脂層１１は、フィラーを混入させることにより熱膨張係数を圧電基板１とほぼ等しくなるように調整でき、耐薬品性にも優れたエポキシ系樹脂や、あるいはその他の弾性率が低い材料を用いて形成するのが好適である。これは、圧電基板１に加わる応力をできるだけ抑制するためである。【００２８】
ただし、封止樹脂層１１は、後述するように、接続線３の上に外部接続用電極を形成した後に形成される態様であってよい。【００２９】
さらに、弾性表面波装置Ｓ１には、圧電基板１のＩＤＴ２が形成されている主面と反対側の主面（図１に示す断面の場合であれば下側の面、以下、単に下面と称する）の全面に、裏面電極１２が設けられる。裏面電極１２は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金からなる。裏面電極１２を備えることにより、温度変化に起因して圧電基板１の表面にチャージした電荷を接地することできるので、スパーク等によって圧電基板１に割れが生じることや、ＩＤＴ２の電極指間においてスパークが生じることなどを防ぐことができる。裏面電極１２は、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により形成される。【００３０】
以上、説明したように、本実施の形態に係る弾性表面波装置においては、保護カバーの内部のＩＤＴの収容空間に水分が浸入することに起因する電気特性の劣化を抑制することができる。すなわち、本実施の形態においては、長期信頼性に優れた弾性表面波装置が実現されてなる。【００３１】
＜弾性表面波装置の製造方法＞
次に、本実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ１の製造工程について図２を用いて説明する。なお、ここでは、図１に示すように、接合膜８をＩＤＴ２が形成された領域にまで延在させてＩＤＴ２を覆うように設ける場合について説明する。【００３２】
まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板１の上面にＩＤＴ２と接続線３とを形成する。具体的には、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶基板を圧電基板１とし、その一主面上に、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって、ＩＤＴ２と接続線３とを形成する。ＩＤＴ２，接続線３の形成は、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により形成されたＡｌ合金薄膜を、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィ法等により所望の形状にパターニングする、パターン形成工程を実行することによって行う。なお、圧電基板１上のＩＤＴ２が形成された領域を弾性表面波素子領域とすることとする。【００３３】
続いて、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、圧電基板１の裏面にＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金からなる裏面電極１２を形成する。【００３４】
次に、図２（ｂ）に示すように、酸化珪素，窒化珪素，あるいはシリコンからなる接合膜８を形成する接合膜形成工程を行う。具体的には、少なくともＩＤＴ２および接続線３の上を覆うように酸化珪素，窒化珪素，あるいはシリコンからなる薄膜をＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成した上で、接続線３のうち外部回路と接続部となる部分が露出するようにフォトリソグラフィ法によってその一部を除去することで、接合膜８を形成する。【００３５】
次に図２（ｃ）に示すように、接合膜８の上面であって、弾性表面波素子領域の上方の部分に、犠牲層７ａを形成する、犠牲層形成工程を行う。犠牲層７ａは、いったんは形成するものの後段の工程においてエッチングあるいは溶解等の処理によって除去される層である。犠牲層７ａは、例えば二酸化珪素等の酸化珪素，アモルファスシリコン，フォトレジスト，あるいはその他ポリマー材料等によって形成することができる。ここでは、二酸化珪素にて犠牲層７ａを形成する場合について説明する。【００３６】
係る場合、犠牲層７ａは、ＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケート），ＴＥＢ（テトラエチルボートレート），ＴＭＯＰ（テトラメチルオキシフォスレート）等の原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により形成する方法や、スパッタリング法等の真空プロセスを用いる等の方法で形成することができる。【００３７】
あるいは、ポリシランの感光性を利用して犠牲層７ａを形成することも可能である。ポリシランは珪素（Ｓｉ）原子が鎖状につながった珪素系高分子であり、これに紫外光を照射することにより−Ｓｉ−Ｓｉ−結合が光分解し、珪素結合間に酸素原子が配置されたシロキサン結合部位や、酸サイトとして作用するシラノール基が生成される。これをアルカリ性現像液に浸漬すると、シラノール基が生成された部位は現像液に溶解する。すなわち紫外線露光部分を選択的に形成することにより該露光部分のみを溶解除去することができ、任意の平面形状が加工可能である。現像後、再び十分な強度の紫外線を照射して全面を露光した後に、再び酸素雰囲気中で加熱することで、紫外線に反応して珪素間の結合が切れた部位に酸素原子が入り込むことによって酸化珪素膜が形成される。なお、ポリシランの側鎖に修飾される修飾基としては、プロピル基，ヘキシル基，フェニルメチル基，トリフルオロプロピル基，ノナフルオロヘキシル基，トリル基，ビフェニル基，フェニル基，シクロヘキシル基等の種々のものが適宜選択可能である。【００３８】
また、アモルファスシリコンにて犠牲層７ａを形成する場合であれば、Ｈ2やＳｉＨ4等の原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により形成する方法や、スパッタリング法等の真空プロセスを用いる等の方法で形成することができる。【００３９】
犠牲層７ａを形成した後、エポキシ系樹脂やポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、あるいはアクリル系樹脂等のネガ型の感光性レジストによってスピンコート法などの手法で図２（ｄ）に示すように該犠牲層７ａを覆い、露光および現像を行うことによって、保護カバー６を形成する、保護カバー形成工程を行う。その際、少なくとも接合膜８と接する配設面１４の部分に酸発生材が含まれるようにする。保護カバー６全体を酸発生材を含む感光性レジストで形成する態様であってもよい。接合膜８を酸化珪素によって形成する場合であれば、感光性レジストが露光によって光硬化する際に架橋反応が生じることによって、酸発生材から発生するプロトンが、保護カバー６を構成する樹脂材料のＯ原子の結合手を切断して開環させ、接合膜８のＳｉ−ＯＨ基との間に共有結合が形成される。これによって、圧電基板１と保護カバー６の配設面１４との間でのみならず、接合膜８と該配設面１４との間においても、良好な接合が実現される。【００４０】
さらに、この保護カバー６に貫通孔６ａを形成し、貫通孔６ａを介して犠牲層７ａを除去する犠牲層除去工程を行うことによって、図２（ｅ）に示すように、保護カバー６と圧電基板１との間にＩＤＴの振動空間としての収容空間７を形成する。本実施の形態においては、犠牲層７ａの形成を行う犠牲層形成工程と、保護カバー６の形成を行う保護カバー形成工程と、犠牲層７ａの除去を行う犠牲層除去工程とが、収容空間形成工程に相当する。【００４１】
貫通孔６ａを介して犠牲層７ａを除去する方法としては、犠牲層７ａをアモルファスシリコンで形成した場合であれば、ドライエッチングあるいはウェットエッチングによる選択的エッチングの手法を適用することが出来る。例えば、ＸｅＦ2（フッ化キセノンガス）を用いたドライエッチングやフッ硝酸を用いたウェットエッチング等によって犠牲層を除去することが出来る。また、犠牲層７ａを二酸化珪素で形成した場合であれば、フッ酸蒸気によるドライエッチングやバッファフッ酸内に浸漬することによるウェットエッチングなどの手法が利用できる。【００４２】
犠牲層７ａを除去することによって収容空間７を形成した後、エポキシ系樹脂などによって封止樹脂層１１を形成する。【００４３】
以上の工程を経ることにより、図１に示すような、長期信頼性に優れた弾性表面波装置Ｓ１を作製することが出来る。【００４４】
＜第２の実施の形態＞
＜弾性表面波装置の構成＞
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ２を概略的に示す断面模式図である。なお、本実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ２が備える構成要素のうち、第１の実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ１と同一の作用効果を奏する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。【００４５】
本実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ２においても、保護カバー６によって収容空間７が確保されるとともに、接続線３が保護カバー６の外側まで延在するようにされてなる。換言すれば、保護カバー６の一部分が接続線３の上をまたぐように形成されてなる。しかしながら、弾性表面波装置Ｓ２は、保護カバー６が枠体４と蓋体５とが個別に形成されてなる点で第１の実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ１と相違する。すなわち、本実施の形態においては、保護カバー６は、圧電基板１上に、ＩＤＴ２が形成された領域を囲む枠体４を形成したうえで、枠体４の上面に蓋体５を設け、これらを加熱接合することによって形成されたものである。係る態様は、収容空間７において高い気密性が実現するうえで好適なものであり、長期信頼性に優れた弾性表面波装置の実現に資するものである。【００４６】
枠体４は、第１の実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ１の保護カバー６と同様に、エポキシ系樹脂やポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、あるいはアクリル系樹脂などのネガ型の感光性レジストに酸発生材を混合させたものによって形成される。本実施の形態においては、枠体４の下端部分が配設面１４となる。本実施の形態においても、保護カバー６と接続線３との間において収容空間７の気密性が確保されるだけの十分に良好な接合が実現されるように、配設面１４のうち少なくとも接合膜８と接する箇所は、上述の感光性レジストに酸発生材を混合させたものによって形成するようにしている。【００４７】
蓋体５は、例えばエポキシ系樹脂やポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、あるいはアクリル系樹脂等のレジストによって形成される。好ましくは、蓋体５は、これらのレジストをフィルム状にした部材（フィルム部材）によって形成される。係る場合、フィルムを貼り付けるだけで、均一な厚みの蓋体５を形成することができる。【００４８】
あるいは、枠体４もフィルム部材によって形成される態様であってもよい。係る場合、枠体４の厚みが均一になるので、蓋体５を枠体４上に隙間なく形成することができる。なお、枠体４としてフィルム部材によって形成する場合には、自重を確保しつつ小型低背化するという観点からは、約３０μｍ程度の厚みとするのが好ましい。【００４９】
より好ましくは、枠体４と蓋体５は同一材料で形成されてなる。係る場合、保護カバー６において加熱接合後に両者の接合界面は存在せず、実質的には両者が一体化した構造の保護カバー６が形成されてなる。この場合、枠体４と蓋体５の密着強度が十分に確保されることから、気密性の優れた保護カバー６が実現される。【００５０】
なお、図３においては図示を省略しているが、弾性表面波装置Ｓ２においても保護カバー６を覆うように封止樹脂層１１を設けても良い。【００５１】
図４は、弾性表面波装置Ｓ２に封止樹脂層１１を形成するとともに、併せて外部電極を設けた構成を模式的に示す図である。【００５２】
図４に示すように、弾性表面波装置Ｓ２には、図３では外部に露出する態様で示されていた接続線３の部分の上に、電極形成下地層９を設けた上で柱状部１０と電極端子部１３とからなる外部接続用電極が設けられる。また、保護カバー６および柱状部１０を埋め込むように封止樹脂層１１が形成される。【００５３】
柱状部１０は、所定の金属材料を電気メッキあるいは化学メッキすることによって形成される。電極形成下地層９は、係るメッキ形成時に、柱状部１０の構成材料となる金属をその上に析出・堆積させるための下地層として設けられる。そのため、電極形成下地層９は柱状部１０と同一の材料を使用して形成することが好ましい。柱状部１０と電極形成下地層９は、Ｃｕで形成されるのが好適な一例である。なお、接続線３を形成するＡｌ−Ｃｕ合金との密着性を考慮すると、ＣｒやＴｉなどからなる図示しない密着層を接続線３と電極形成下地層９との間にさらに介在させることがより好ましい。なお、柱状部１０を電気メッキ法で形成する場合は、電極形成下地層９は１００ｎｍ以上の厚みに形成することが好ましい。係る厚みを有する場合、柱状部１０の形成時に安定して電流を流すことができるからである。ただし、その上に柱状部１０を形成することから、電極形成下地層９自体は必要以上に厚く形成せずともよく、せいぜい数百ｎｍ程度の厚みでよい。【００５４】
なお、外部接続用電極をＩＤＴ２における発熱箇所の近傍に配置することで、弾性表面波装置の放熱性を向上させることができる。例えば、本実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ２として分波器を作製した場合、外部接続用電極の柱状部１０は放熱用電極としても好適に機能する。なお、ＩＤＴ２における発熱箇所は、使用周波数や、ＩＤＴ２が複数個ある場合にはその接続方法によっても異なるが、共振子の場合にはＩＤＴ２の中心部分付近となる。柱状部１０の配置、本数、径を、弾性表面波装置Ｓ２の構成に合わせて工夫することで、放熱性を向上させることができる。【００５５】
電極端子部１３は、弾性表面波装置Ｓ２を表面実装する際の、外部回路との接続端子となる。電極端子部１３は、柱状部１０の端部（図４の場合は上端部）に設けられる。すなわち、ＩＤＴ２と電極端子部１３は、接続線３、および柱状部１０によって互いに接続されていることになる。電極端子部１３は、ＰｂＳｎはんだ，鉛フリーはんだ，ＡｕＳｎはんだ，ＡｕＧｅはんだ等による、はんだバンプの形成によって実現されてもよいし、導電性材料の薄膜によるフラットなパッドの形成によって実現されてもよい。なお、本実施の形態においては、電極端子部１３を形成する材料を、弾性表面波装置を実装する実装基板に応じて選択することが可能である。これにより、実装基板との接合信頼性が高い弾性表面波装置を実現することが出来る。【００５６】
封止樹脂層１１は、第１の実施の形態と同様に、エポキシ系樹脂や、あるいはその他の弾性率が低い材料を用いて形成される。封止樹脂層１１を備えることで、収容空間７が確実に封止されてなる。またこの封止樹脂層１１は、柱状部１０を保護し柱状部１０が破損するのを防止する役割も果たしている。なお、本実施の形態においては、後述するように、柱状部１０を形成した後に封止樹脂層１１が形成され、その後、電極端子部１３が形成される。【００５７】
なお、第１の実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ１においても、このように、柱状部１０を設けた上で封止樹脂層１１を形成し、その後、電極端子部１３を形成するようにしてもよい。【００５８】
以上、説明したように、本実施の形態に係る弾性表面波装置においても、上述のような構成を有することにより、保護カバーの内部のＩＤＴの収容空間に水分等が浸入することに起因する電気特性の劣化を抑制することができる。すなわち、本実施の形態においては、長期信頼性に優れた弾性表面波装置が実現されてなる。【００５９】
＜弾性表面波装置の製造方法＞
次に、本実施の形態に係る弾性表面波装置Ｓ２の製造工程について図５および図６を用いて説明する。なお、ここでは、図３に示すように、接合膜８をＩＤＴ２が形成された領域にまで延在させてＩＤＴ２を覆うように設ける場合について説明する。【００６０】
まず、図５（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、圧電基板１の上面にＩＤＴ２と接続線３とを形成する。具体的には、例えばタンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶基板を圧電基板１とし、その一主面上に、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって、ＩＤＴ２と接続線３とを形成する。ＩＤＴ２，接続線３の形成は、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により形成されたＡｌ合金薄膜を、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィ法等により所望の形状にパターニングするパターン形成工程を実行することによって行う。なお、圧電基板１上のＩＤＴ２が形成された領域を弾性表面波素子領域とすることとする。【００６１】
続いて、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、圧電基板１の裏面にＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金からなる裏面電極１２を形成する。【００６２】
次に、図５（ｂ）に示すように、酸化珪素，窒化珪素，あるいはシリコンからなる接合膜８を形成する、接合膜形成工程を行う。具体的には、少なくともＩＤＴ２および接続線３の上を覆うように酸化珪素，窒化珪素，あるいはシリコンからなる薄膜をＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成した上で、接続線３のうち外部回路と接続部となる部分が露出するようにフォトリソグラフィ法によってその一部を除去することで、接合膜８を形成する。【００６３】
次に、図５（ｃ）に示すように、圧電基板１上に、印刷法などの手法によって、ＩＤＴ２が形成された領域を囲むようにネガ型感光性レジストを塗布し、露光・現像を行うことによって、枠体４を形成する、枠部形成工程を行う。また、フィルム部材を押圧しながら貼り付け機を用いて圧電基板１上に貼り付けたうえで、露光・現像を行って枠体４を形成してもよい。その際、少なくとも接合膜８と接する配設面１４の部分に酸発生材が含まれるようにする。枠体４全体を酸発生材を含む感光性レジストで形成する態様であってもよい。ネガ型感光性レジストとしては、第１の実施の形態において保護カバー６の形成に用いたものと同様のものを用いることが出来る。【００６４】
次に、図５（ｄ）に示すように、蓋体５を形成するためのフィルム部材５ａを貼り付け機を用いて枠体４の上面に貼り付ける蓋部形成工程を行ったうえで、加熱することによって両者を接合させる接合工程を行う。加熱の条件は、両者の材料などに応じて適宜に定められる。なお、枠体４と蓋体５の材料としてエポキシ系樹脂を用いる場合であれば、１００℃から２００℃の範囲で加熱接合を行うのが、エポキシ樹脂の重合が促進され、密着強度、気密性がより向上するので好ましい。【００６５】
その後、フィルム部材５ａの不要部分（枠体４の外側にはみ出た部分）を除去することによって、図５（ｅ）に示すように、蓋体５と枠体４とが接合された構造の保護カバー６が形成されたことになる。本実施の形態においては、枠体４の形成を行う枠部形成工程と、蓋体５の形成を行う蓋体形成工程と、両者の接合を行う接合工程とが、収容空間形成工程に相当する。【００６６】
また、係る保護カバー６の形成によって、保護カバー６と圧電基板１との間には、ＩＤＴ２の振動空間としての収容空間７が形成される。すなわち、本実施の形態においては、枠体４と蓋体５とを順次に形成することで、保護カバー６を形成するという態様にて弾性表面波装置を形成することから、第１の実施の形態に係る製造方法のように、収容空間７を得るためにいったん犠牲層７ａを形成し、後に貫通孔６ａを設けてこれを除去する、というプロセスは必要ではない。本実施の形態に係る製造方法においては、収容空間７に残留物が生じることが少ないので、弾性表面波装置の電気特性が係る残留物の存在によって劣化するのを抑制することができる。従って、上述のようなプロセスで保護カバー６および収容空間７を形成する本実施の形態の製造方法の方は、より信頼性の高い弾性表面波装置を製造できるという点で優れている。【００６７】
保護カバー６の形成によって収容空間７が形成されると、引き続き、外部接続用電極を形成する電極形成工程と、樹脂封止を行う封止工程とが行われる。【００６８】
まず、図６（ａ）に示すように、圧電基板１の上面全体を覆うメッキ用下地層９ａを形成する。メッキ用下地層９ａは、その一部が後段の工程で電極形成下地層９として用いられる金属層である。メッキ用下地層９ａは、例えばフラッシュメッキ法により、Ｔｉ−Ｃｕ合金等で形成するのが好適な一例である。フラッシュメッキ法によりメッキ用下地層９ａを形成する場合、メッキ形成部位に電流を流すための配線パターンを形成する必要がない。このことは、弾性表面波装置の小型化に資するものである。【００６９】
なお、保護カバー６を含む圧電基板１の上面全体にメッキ用下地層９ａを形成する場合、少なくとも電極形成下地層９となる部分において、その上に外部接続用電極の柱状部１０を確実に形成することができる程度にメッキ用下地層９ａが形成されていればよい。従って、例えば保護カバー６の側面部などに大きな段差があり、当該部分にメッキ用下地層９ａの非形成部が生じ、保護カバー６の（蓋体５の）上面と電極形成下地層９となる部分との導通がとれていなくても、実用上はあまり問題はないが、全てを導通の取れた状態とするには、具体的には、そのような段差の高さが形成しようとするメッキ用下地層９ａの厚みに対して半分以下であれば問題はない。例えば段差が０．３５μｍ以下の場合、メッキ用下地層９ａの厚みを０．７μｍとすればよい。【００７０】
メッキ用下地層９ａが得られると、メッキ用下地層９ａの上に、メッキ用レジスト層１５を形成する。ただし、メッキ用レジスト層１５は図６（ｂ）に示すように、保護カバー６よりも外側に位置する接続線３の上方の部分（電極形成下地層９となる部分）に、メッキ用下地層９ａが露出した開口部１６を有するように形成する。係る露出部分が後段の工程において電極形成下地層９として用いられることになる。【００７１】
メッキ用レジスト層１５は、例えば、スピンコート等の手法でメッキ用下地層９ａ上に形成する。なお、使用するレジスト材料の粘度やスピンコートによる塗布回数を調整することによって、メッキ用レジスト層１５の厚さは、数μｍから数百μｍの範囲で適宜に定めることができる。メッキ用レジスト層１５の厚さは、後段の工程で形成しようとする柱状部１０の高さに応じて定めればよい。【００７２】
なお、メッキ用レジスト層１５の形成にあたっては、保護カバー６の上面とほぼ同じ高さにまでいったんレジスト材料を塗布しこれを硬化させることによって保護カバー６による大きな段差を埋めて平坦面を得た後に、さらにレジスト材料の塗布・硬化を繰り返すようにすることが好ましい。そのようにした場合、上面が平坦なメッキ用レジスト層１５をえることができるからである。【００７３】
開口部１６は、一般的なフォトリソグラフィ法により好適に形成することができる。
開口部１６が形成されると、図６（ｃ）に示すように、開口部１６内において、電極形成下地層９の上に柱状部１０を形成する。【００７４】
柱状部１０は、電気メッキ法，無電解メッキ法，スタッドバンプ法等により形成することができるが、なかでも電気メッキ法で形成するのが好適である。電気メッキ法は、成長速度が速く厚膜形成が容易な手法であることから、柱状部１０の高さの自由度を高めることができる。また、形成した柱状部１０とメッキ用下地層９ａとの密着性も良好なものとなる。特に、メッキの厚さはメッキ処理時間に依存することから、３０μｍを超える厚みを形成する場合には、成長速度が速い電気メッキ法が好ましい。柱状部１０の形成材料としては、例えば、はんだ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉなどを用いることができる。特に、Ｃｕやはんだを用いる場合、材料コストを抑制できるため好ましい。【００７５】
柱状部１０は、その上面が保護カバー６の上面よりも高い位置にくるように形成する。これは、後段の工程で樹脂層１１ａの上部を除去する際に、保護カバー６が封止樹脂層１１に覆われた状態で柱状部１０の上面を露出させるためである。ここで、柱状部１０と保護カバー６の高さとは、圧電基板１の上面からの高さをいうものとする。係る関係をみたす場合、後述のように樹脂層１１ａを研削しても保護カバー６の上面（蓋体５）が露出したり、研削されたりすることがないので、保護カバー６の気密性が確実に確保される。【００７６】
柱状部１０が形成されると、図６（ｄ）に示すように、メッキ用レジスト層１５と、メッキ用下地層９ａのうち、メッキ用レジスト層１５の下方に形成されている部分（電極形成下地層９以外の部分）とを除去することによって、柱状部１０を露出させる。【００７７】
メッキ用レジスト層１５は、アセトンやＩＰＡ等の有機溶剤や、ジメチルスルフォキシド等のアルカリ性有機溶剤により除去する。メッキ用下地層９ａは、Ｃｕにてこれを形成した場合には、塩化第２鉄や燐酸と過酸化水素水の混合液により除去する。メッキ用下地層９ａをＴｉにて形成した場合には、希フッ酸やアンモニアと過酸化水素水の混合液で除去する。ただし、メッキ用下地層９ａの下に形成されている、ＳｉＯ2などで形成されている接合膜８やＡｌ−Ｃｕ合金などで形成されている接続線３へのダメージを少なくするという観点からは、アンモニアと過酸化水素水の混合液の使用が好ましい。【００７８】
なお、上述のようにメッキ用レジスト層１５を除去して柱状部１０を露出させた後に、メッキ用下地層９ａを除去する際、柱状部１０の下面に位置する電極形成下地層９は外縁部が一部除去されるものの、それ以外は残存する。すなわち、メッキ用下地層９ａの除去に際して柱状部１０が除去されることはない。【００７９】
柱状部１０を露出させた後、図６（ｅ）に示すように、保護カバー６および柱状部１０を含めた圧電基板１の上面全体を覆う、樹脂層１１ａを形成する。樹脂層１１ａは、その一部が封止樹脂層１１として用いられることになる層である。従って、樹脂層１１ａは、封止樹脂層１１を構成する材料に形成される。すなわち、エポキシ系樹脂やその他の弾性率が低い材料を使用して形成される。なお、封止樹脂層１１内に気泡が混入すると安定して保護カバー６を含む構造体を封止することができないので、樹脂層１１ａは、真空印刷法により印刷することも好適である。【００８０】
樹脂層１１ａが得られると、その上面部分を研削し、図６（ｆ）に示すように、柱状部１０を露出させる。係る工程で研削されずに残った部分が、封止樹脂層１１となる。【００８１】
具体的には、グラインダーを用い、柱状部１０が露出するまで樹脂層１１ａの上面を研磨刃で研磨する。さらにその後、後述する電極端子部１３と柱状部１０との接続を良好なものとするために、バフ研磨等による仕上げ加工を行ってもよい。【００８２】
好ましくは、このように封止樹脂層１１が得られた時点で、引き続き、図６（ｇ）に示すように保護層１７を形成する。【００８３】
保護層１７は、製造時および製造後における弾性表面波装置Ｓ１の耐衝撃性を向上させる目的で設けられる。すなわち、保護層１７を備えることで、弾性表面波装置における割れ、カケ等の不良の発生が抑制され、製造歩留まりの向上や、信頼性の向上が実現される。【００８４】
この保護層１７を圧電基板１の下面から側面にかけて形成した場合には、圧電基板１の下面のみならず側面もが保護された構造となる。係る場合、圧電基板１と封止樹脂層１１との界面から水分が浸入することが抑制されるので、気密性，耐湿性がさらに向上した弾性表面波装置が実現される。【００８５】
保護層１７は、封止樹脂層１１と熱膨張係数が略同一の材料で形成することが好ましい。係る場合、封止樹脂層１１のみが設けられた場合に生じる封止樹脂層１１による応力が緩和されることから、該応力に起因する圧電基板１の反りの発生を抑えることができる。すなわち、より信頼性の高い弾性表面波装置を実現することができる。特に、エポキシ系樹脂材料を用いれば、ＳｉＯ2等のフィラーを添加させることにより熱膨張係数をコントロールできるとともに、透湿性が低く、且つ吸水性が高いため、圧電基板１にかかる応力を上下面で相殺することができるとともに、弾性表面波装置への水分の浸入を抑制することができるので好適である。【００８６】
また、係る保護層１７の形成は、裏面電極１２の形成後であればどのタイミングにおいて行うことも可能であるが、上述のように、圧電基板１の上面に封止樹脂層１１を形成した後に行えば、圧電基板１と封止樹脂層１１との間の熱膨張係数の違いにより圧電基板１に加わる応力を打ち消すことができ、より信頼性の高い弾性表面波装置を実現することができるので好ましい。【００８７】
次に、露出した柱状部１０の上面に、電極端子部１３を形成する。電極端子部１３は、図６（ｈ）に示すようなはんだバンプとして設ける態様であってもよいし、導電性材料の薄膜を形成することによりフラットなパッドとして設ける態様であってもよい。前者の場合であれば、例えば、ＰｂＳｎはんだ，鉛フリーはんだ，ＡｕＳｎはんだ，あるいはＡｕＧｅはんだ等からなるクリームはんだを柱状部１０の上部にスクリーン印刷しリフローすることにより、電極端子部１３を形成することができる。【００８８】
以上のような工程で、本実施の形態に係る弾性表面波装置を製造することが出来る。しかも、これらの工程は、いわゆるウェハプロセスにおいて実現できるものであり、分割によって圧電基板１となる母基板を対象に、上述の工程を、多数個分の弾性表面波装置について同時に行うことが出来るものである。すなわち、後工程における複雑な処理を経ることなく弾性表面波装置を提供することができる。【００８９】
また、犠牲層を用いることなく、ＩＤＴの振動空間となる収容空間を形成することができるので、犠牲層の形成・除去のために必要だった工程が不要となり、振動空間を形成するための工数を少なくすることができ、生産性の高いものとすることができる。また、保護カバーを圧電基板１上に設けることより、弾性表面波装置を収容するセラミックパッケージ等が不要となり、小型な弾性表面波装置を提供することができる。【００９０】
＜第１、第２の実施形態の変形例＞
次に上述した第１、第２の実施形態の変形例について図７を用いて説明する。図７（ｂ）のＢ−Ｂ断面が、概ね図８（ａ）に示す断面に相当する。なお図７では、弾性表面波装置Ｓ３を第１の実施形態に係る弾性表面波装置Ｓ１の変形例として示しているが、この変形例は第２の実施形態に係る弾性表面波装置Ｓ２にも適用可能である。【００９１】
上述した第１、第２の実施形態では、接続線３の端部が保護カバー６の外側に位置する場合（具体的には、その一例として、接続線３が圧電基板１の側端部にまで達する場合）について説明したが、この変形例では、図７に示すように、接続線３の端部が平面視矩形状であり、かつ保護カバー６の枠部の下方に位置するようにしている。また、接合膜８は、接続線３の近傍においては、該接続線３の端部の上面および外周部のみを被覆する態様にて形成されてなる。すなわち、接合膜８は、接続線３の中央領域に開口部８ｂを有するように形成されてなる。また、保護カバー６の枠部には、前記開口部と連通する貫通孔６ａが設けられてなる。これら開口部８ｂおよび貫通孔６ａに金属材料が充填されることで、接続線３の端部と接続される外部接続用電極の柱状部１０が形成されてなる。なお、柱状部１０の上端部には電極端子部１３が設けられている。また保護カバー６を覆い且つ貫通孔６ａを密閉するように封止樹脂層１１が設けられている。【００９２】
図４に示した弾性表面波装置Ｓ２では、封止樹脂層１１が柱状部１０を支える役割を果たしていたが、図７に示す変形例の場合、柱状部１０は保護カバー６の枠部で支えられた状態となるため、封止樹脂層１１を貫通孔６ａを塞ぐ部分にのみ設けるようにしてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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