【手続補正書】
【提出日】平成16年11月9日(2004.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡散バリア層の表面に金属膜を形成するための方法であって、
拡散バリア層の表面であり、金属、金属炭化物、金属窒化物、金属炭窒化物、金属ケイ素炭化物、金属ケイ素窒化物、金属ケイ素炭窒化物、及びそれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも１つの材料から構成され、且つ少なくとも１つの表面は元素金属を実質的に含まない表面を用意すること、及び
少なくとも１つの有機金属前駆体を使用して当該少なくとも１つの表面に金属膜を形成すること、
を含み、但し拡散バリア層の表面が、（ｉ）金属である少なくとも１つの材料を有し、（ｉｉ）実質的に（１１１）優先方位以外の方位を有し、（ｉｉｉ）９５％未満の（１１１）優先方位を有し、及び／又は（ｉｖ）金属窒化物、金属炭化物、金属炭窒化物、及びそれらの混合物から選択され、含有される金属原子に対して化学量論量未満の窒素及び／又は炭素原子を有する少なくとも１つの材料を含む場合には、当該少なくとも１つの表面を、窒素、窒素含有化合物、炭素含有化合物、炭素及び窒素含有化合物、ケイ素含有化合物、ケイ素及び炭素含有化合物、ケイ素、炭素及び窒素含有化合物、並びにそれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも１つの密着促進剤に暴露する工程を行う、
拡散バリア層表面に金属膜を形成する方法。
【請求項２】
前記暴露工程が行われる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記形成の工程が、化学気相成長又は原子層堆積よりなる群から選択される少なくとも１つの方法を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記化学気相成長が、熱化学気相成長、プラズマ化学気相成長、遠隔プラズマ化学気相成長、プラズマ支援化学気相成長、低温化学気相成長、化学支援気相成長、熱フィラメント化学気相成長、光開始化学気相成長、及びそれらの組合せよりなる群から選択される少なくとも１つの方法である、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記拡散バリア層が、
（１）窒化クロム、窒化タンタル、窒化チタン、窒化タングステン、窒化モリブデン、窒化ジルコニウム、窒化バナジウム、及びそれらの混合物よりなる群から選択される金属窒化物、
（２）炭化クロム、炭化タンタル、炭化チタン、炭化タングステン、炭化モリブデン、炭化ジルコニウム、炭化バナジウム、及びそれらの混合物よりなる群から選択される金属炭化物、
（３）クロム、タンタル、チタン、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、バナジウム、及びそれらの混合物よりなる群から選択される金属、
（４）炭窒化クロム、炭窒化タンタル、炭窒化チタン、炭窒化タングステン、炭窒化モリブデン、炭窒化ジルコニウム、炭窒化バナジウム、及びそれらの混合物よりなる群から選択される金属炭窒化物、
（５）窒化ケイ素タンタル、窒化ケイ素チタン、窒化ケイ素モリブデン、及びそれらの混合物よりなる群から選択される金属ケイ素窒化物、
（６）炭化ケイ素タンタル、炭化ケイ素チタン、及びそれらの混合物よりなる群から選択される金属ケイ素炭化物、又は、
（７）炭窒化ケイ素、炭窒化ケイ素チタン、炭窒化ケイ素タンタル、及びそれらの混合物よりなる群から選択される金属ケイ素炭窒化物、
である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記有機金属前駆体がフッ素化されていない、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記有機金属前駆体がフッ素化されている、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記有機金属前駆体がヘキサフルオロアセチルアセトナートを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記有機金属前駆体が有機金属銅前駆体を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記有機金属銅前駆体が１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト−銅（Ｉ）トリメチルビニルシランである、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記有機金属前駆体が次の構造式（Ｉ）
【化１】
2004343108.tif 000001
（この式中、
Ｍ及びＭ’はそれぞれ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ又はＲｅであり、
Ｘ及びＸ’はそれぞれＮ又はＯであり、
Ｙ及びＹ’はそれぞれＳｉ、Ｃ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｂ又はＡｌであり、
Ｚ及びＺ’はそれぞれＣ、Ｎ又はＯであり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’、及びＲ２’は、ＸとＸ’がＮであるとき、それぞれ独立に、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化されたアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化されたアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリルであり、
Ｒ１及びＲ１’は、ＸとＸ’がＯであるとき、それぞれ独立に、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化されたアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化されたアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリルであり、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’、及びＲ４’は、それぞれ独立に、水素、アルキル、部分的にフッ素化されたアルキル、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化されたアリール、フルオロアルキル置換アリール、又はアルコキシであり、
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’、及びＲ６’は、それぞれ独立に、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化されたアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化されたアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、又はアルコキシであり、
但し、ＸとＸ’がそれぞれＯであるとき、Ｒ２とＲ２’に置換はなく、
更に、ＺとＺ’がそれぞれＮであるとき、Ｒ６とＲ６’に置換はなく、
更に、ＺとＺ’がそれぞれＯであるとき、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’、又はＲ６’に置換はなく、
上記アルキルとアルコキシドは１〜８個の炭素を有し、上記アルケニルとアルキニルは２〜８個の炭素を有し、そして上記アリールは６個の炭素を有する）
で表される化合物である、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記金属膜が実質的に（１１１）優先方位を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記金属膜がシード層である、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
請求項１記載の方法により製造された金属膜を含む基材。
【請求項１５】
拡散バリア層の表面に実質的に連続の銅膜を形成するための方法であって、
拡散バリア層の表面を含む基材であり、当該表面は金属、金属炭化物、金属窒化物、金属炭窒化物、金属ケイ素窒化物、金属ケイ素炭化物、金属ケイ素炭窒化物、及びそれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも１つの材料から構成される基材を用意すること、
当該拡散バリア層の表面を、窒素、窒素含有化合物、炭素含有化合物、炭素及び窒素含有化合物、ケイ素含有化合物、ケイ素及び炭素含有化合物、ケイ素、炭素及び窒素含有化合物、並びにそれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも１つの密着促進剤に暴露すること、及び
有機金属銅前駆体を使用して当該表面の少なくとも一部分に銅膜を形成すること、
を含む、拡散バリア層表面に実質的に連続の銅膜を形成する方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの材料が、金属炭化物、金属窒化物、金属炭窒化物、金属ケイ素窒化物、金属ケイ素炭化物、及び金属ケイ素炭窒化物である、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記拡散バリア層の表面が９５％未満の（１１１）優先方位を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記拡散バリア層の表面が（１１１）優先方位以外の方位を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの材料が金属である、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
拡散バリア層の表面が、金属炭化物、金属窒化物、及び金属炭窒化物から選択される少なくとも１つの材料であって炭素及び／又は窒素の量が当該少なくとも１つの材料中の金属の化学量論量より少ない少なくとも１つの材料を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
拡散バリア層の表面に実質的に連続の金属膜を形成するための方法であって、
表面が金属炭化物、金属窒化物、金属炭窒化物、金属ケイ素炭化物、金属ケイ素窒化物、金属ケイ素炭窒化物、及びそれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも１つの材料を含み、且つ当該表面が実質的に（１１１）優先方位を含む拡散バリア層を、基材上に被着すること、及び
当該表面の少なくとも一部分に少なくとも１つの有機金属前駆体を使用して金属膜を形成すること、
を含む、拡散バリア層表面に実質的に連続の金属膜を形成する方法。
【請求項２２】
前記拡散バリア層の表面を、窒素、窒素含有化合物、炭素含有化合物、炭素及び窒素含有化合物、ケイ素含有化合物、ケイ素及び炭素含有化合物、ケイ素、炭素及び窒素含有化合物、及びそれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも１つの密着促進剤に暴露することを更に含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記金属膜が、銅、白金、コバルト、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀、及びそれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む、請求項１又は２１記載の方法。
【請求項２４】
前記金属膜が（１１１）優先方位を有する、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
拡散バリア層の表面に実質的に連続の金属層を形成するための方法であって、
拡散バリア層を含む基材であり、当該拡散バリア層の表面が金属、金属炭化物、金属窒化物、金属炭窒化物、金属ケイ素窒化物、金属ケイ素炭化物、金属ケイ素炭窒化物、及びそれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも１つの材料から構成される基材を用意すること、
当該拡散バリア層の表面を、窒素、窒素含有化合物、炭素含有化合物、炭素及び窒素含有化合物、ケイ素含有化合物、ケイ素及び炭素含有化合物、ケイ素、炭素及び窒素含有化合物、並びにそれらの混合物よりなる群から選択される密着促進剤に暴露すること、
そして当該表面をハロゲン含有前駆体及び有機金属前駆体と接触させて、前駆体中のハロゲンと金属とが反応して金属ハロゲン化物層を形成することにより、当該拡散バリア層の表面に金属ハロゲン化物層を成長させること、及び
この金属ハロゲン化物層を還元剤に暴露して金属層を得ること、
を含む、拡散バリア層表面に実質的に連続の金属層を形成する方法。
【請求項２６】
拡散バリア層の少なくとも１つの表面に実質的に連続の金属層を形成するための方法であって、
拡散バリア層を含む基材であり、当該拡散バリア層の少なくとも１つの表面は元素金属を実質的に含まない基材を真空チャンバー内に供給すること、
この真空チャンバー中に少なくとも１つの有機金属前駆体を導入すること、及び
当該少なくとも１つの有機金属前駆体にエネルギーを与えて当該少なくとも１つの有機金属前駆体の反応を誘起させて、当該拡散バリア層の少なくとも１つの表面に金属層を被着すること、
を含む、拡散バリア層表面に実質的に連続の金属層を形成する方法。
【請求項２７】
前記拡散バリア層の少なくとも１つの表面を、窒素、窒素含有化合物、炭素含有化合物、炭素及び窒素含有化合物、ケイ素含有化合物、ケイ素及び炭素含有化合物、ケイ素、炭素及び窒素含有化合物、及びそれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも１つの化学薬剤に暴露することを更に含む、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記暴露の工程を前記形成の工程の前に行う、請求項２又は２７記載の方法。
【請求項２９】
前記暴露の工程を前記形成の工程の少なくとも一部分の最中に行う、請求項２又は２７記載の方法。
【請求項３０】
前記供給の工程が、金属窒化物、金属炭化物、金属炭窒化物、金属ケイ素窒化物、金属ケイ素炭化物、金属ケイ素炭窒化物、及びそれらの混合物を含む拡散バリア層を被着することを含む、請求項２６記載の方法。
【請求項３１】
前記拡散バリア層が実質的に（１１１）優先方位を含む、請求項２６記載の方法。
【請求項３２】
拡散バリア層の表面に実質的に連続の金属膜を形成するための方法であって、
表面が金属炭化物、金属窒化物、金属炭窒化物、及びそれらの混合物から選択される少なくとも１つの材料を含み、且つ当該表面が当該少なくとも１つの材料中に含有される金属に対して化学量論量以上の炭素及び／又は窒素を含む拡散バリア層を、基材の上に被着すること、及び
当該表面の少なくとも一部分に少なくとも１つの有機金属前駆体を使用して金属膜を形成すること、
を含む、拡散バリア層表面に実質的に連続の金属膜を形成する方法。
【請求項３３】
拡散バリア層の表面に実質的に連続の金属膜を形成するための方法であって、
表面が（１００）優先方位を有する化学量論的な窒化タングステン、（１１１）優先方位を有する化学量論的な窒化タングステン、アモルファスである化学量論的な窒化タングステン、アモルファスである化学量論的な窒化タングステン、多結晶性である化学量論的な窒化タングステン、含有されるタングステン原子より多量の窒素原子を有する非化学量論的な窒化タングステン、及びそれらの混合物から選択される少なくとも１つの材料から構成される拡散バリア層を、基材の上に被着すること、及び
当該表面の少なくとも一部分に少なくとも１つの有機金属前駆体を使用して金属膜を形成すること、
を含む、拡散バリア層表面に実質的に連続の金属膜を形成する方法。
【請求項３４】
前記表面が（１００）優先方位を有する化学量論的な窒化タングステンから構成される、請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
前記表面が（１１１）優先方位を有する化学量論的な窒化タングステンから構成される、請求項３３記載の方法。
【請求項３６】
前記表面が含有されるタングステン原子より多量の窒素原子を有する非化学量論的な窒
化タングステンから構成される、請求項３３記載の方法。