【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層の厚さを、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする光送受信システム。
【請求項２】
光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする光送受信システム。
【請求項３】
発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする光送受信システム。
【請求項４】
発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする光送受信システム。
【請求項５】
前記反射部材は、前記伝送路の方向を９０°変換することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光送受信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】    【課題を解決するための手段】  本発明はかかる課題を解決するために、請求項１は、発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層の厚さを、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  コンピュータ・ネットワーク、長距離大容量通信の幹線系など光ファイバー通信が期待されているレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧、発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光型半導体レーザおよびそれを用いた光送受信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧、発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な建物内（構内）光送受信システムが実現できた。  さらに、このような光構内送受信システムを構築するにあたり、伝送路の方向変換のための反射部材を設けるようにしたので、建物の形状に合せて効率よく伝送路を配置できるようになり、不要な伝送路が目に触れるところに露出したり、建物の天井、床下あるいは壁内部に必要以上に伝送路が面積を占有したりすることがなく、建物設計が効果的にできるようになるとともに美的設計への自由度が増えた。かかる発明によれば、半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧、発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な建物内（構内）光送受信システムが実現できた。  請求項２は、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする。  請求項３は、発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】  請求項４は、発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】  請求項５は、前記反射部材は、前記伝送路の方向を９０°変換することも本発明の有効な手段である。このような構内送受信システムにおいて、伝送路の方向変換のための反射部材が伝送路の方向を９０°変換するようにしたので、建物の形状に合せて効率よく伝送路を配置できるようになった。  通常建物を設計／施工する場合、特別なデザイン上の要求がない限り、その柱、壁、床、天井は、直線およびその直線を９０°交差させた平面を基調に設計／施工される。よって、建物の内部に張り巡らされる本発明のような光送受信システムの伝送路も、その伝送路の方向を変える場合に、その建物の柱、壁、床、天井等に合せて９０°ずつ変わるようにするのがもっとも効率的、かつ伝送路の配置を見ても美しい。  よってこのように伝送路の方向変換のための反射部材が伝送路の方向を９０°変換するようにしたので、不要な伝送路が目に触れるところに露出したり、建物の天井、床下あるいは壁内部に必要以上に伝送路が面積を占有したりすることがなく、建物設計が効果的にできるようになるとともに美的設計への自由度が増えた。  かかる技術手段によれば、伝送路の方向変換のための反射部材が伝送路の方向を９０°変換するようにしたので、建物の形状に合せて効率よく伝送路を配置できるようになった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】    【発明の効果】  以上記載のごとく請求項１〜３の発明によれば、半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧、発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な建物内（構内）光送受信システムが実現できた。  さらに、このような光構内送受信システムを構築するにあたり、伝送路の方向変換のための反射部材を設けるようにしたので、建物の形状に合せて効率よく伝送路を配置できるようになり、不要な伝送路が目に触れるところに露出したり、建物の天井、床下あるいは壁内部に必要以上に伝送路が面積を占有したりすることがなく、建物設計が効果的にできるようになるとともに美的設計への自由度が増えた。  また請求項４では、非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップとすることにより安定した発振が可能となり、これを発光光源とした実用的な光送受信システムが実現できた。  さらに、このような構内光送受信システムを構築するにあたり、伝送路の方向変換のための反射部材を設けるようにしたので、建物の形状に合せて効率よく伝送路を配置できるようになり、不要な伝送路が目に触れるところに露出したり、建物の天井、床下あるいは壁内部に必要以上に伝送路が面積を占有したりすることがなく、建物設計が効果的にできるようになるとともに美的設計への自由度が増えた。  また請求項５では、伝送路の方向変換のための反射部材が伝送路の方向を９０°変換するようにしたので、建物の形状に合せて効率よく伝送路を配置できるようになった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2002329930.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2002329930.tif 000002