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【手続補正書】
【提出日】平成17年1月25日(2005.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項６に記載のＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法において、
前記第２フィールド酸化膜は、後に行われる前記ソース領域およびドレイン領域の形成で、前記第１シリコン領域に注入される第１導電型の不純物が、前記第１シリコン領域に接する第３シリコン領域にまで到達することのないような厚さを有する膜として形成すること
を特徴とするＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれか一項に記載のＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法において、
前記チャネル領域上にゲート酸化膜を形成し、該ゲート酸化膜上にゲート電極を形成した後、前記ソース領域に浅い接合のソース、およびドレイン領域に浅い接合のドレインをそれぞれ第１導電型不純物イオンを注入することにより形成する工程と、
前記ソース領域およびドレイン領域に第２導電型不純物イオンを、前記第１導電型不純物イオンの注入よりも高いエネルギーで以て注入することによって、前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインの下の領域に第２導電型の中性領域を形成する工程と、
前記ゲート電極のゲート長方向の両側にサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールから露出している前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインに第１導電型不純物イオンを注入することによって、前記サイドウォールから露出している前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインと前記中性領域とを、ソースおよびドレインに変える工程とを含むこと
を特徴とするＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
請求項１２に記載のＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法において、
前記第２フィールド酸化膜は、後に行われる前記ソース領域およびドレイン領域の形成で、前記第１シリコン領域に注入される第１導電型の不純物が、前記第１シリコン領域に接する第３シリコン領域にまで到達することのないような厚さを有する膜として形成すること
を特徴とするＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
請求項１２〜１６のいずれか一項に記載のＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法において、
さらに、前記チャネル領域上にゲート酸化膜を形成し、該ゲート酸化膜上にゲート電極を形成した後、前記ソース領域に浅い接合のソース、およびドレイン領域に浅い接合のドレインをそれぞれ第１導電型不純物イオンを注入することにより形成する工程と、
前記ソース領域およびドレイン領域に第２導電型不純物イオンを、前記第１導電型不純物イオンの注入よりも高いエネルギーで以て注入することによって、前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインの下の領域に第２導電型の中性領域を形成する工程と、
前記ゲート電極のゲート長方向の両側にサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールから露出している前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインに第１導電型不純物イオンを注入することによって、前記サイドウォールから露出している前記浅い接合のソースおよび浅い接合のドレインと前記中性領域とを、ソースおよびドレインに変える工程とを含むこと
を特徴とするＳＯＩＭＯＳＦＥＴの製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
この例では、第３シリコン領域２５および第２フィールド酸化膜２７は、チャネル領域１５のチャネル幅方向（図１に実線矢印ａで示す。）の一方の側に接して設けられていて、チャネル領域１５の延長線上に第３シリコン領域２５およびボディコンタクト領域２２が形成されている（図１および図２）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
ここでは、ソース領域１７となる領域およびドレイン領域１９となる領域に、ＢＦ2 を７０ｋｅＶ、２×１０13ｃｍ-2という条件でイオン注入する。これにより浅い接合のソース５５およびドレイン５９の下の領域に、それぞれＰ型の中性領域（５７および６１）が形成される（図１６（Ｂ））。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  運搬装置であって：
主面を有する保持構造；
各々前記保持構造の主面上に配置された延長ロッドおよび本体を有する第１および第２セレクタ・ピン；および
前記保持構造の主面から離れてかつ前記保持構造の主面の下に保持されたマスクであって、該マスクは前記第１セレクタ・ピンの延長ロッドの先端が前記マスクの下に延出することを防止し、前記マスクはさらに開口を有し、前記第２セレクタ・ピンの前記延長ロッドの先端が前記開口を通って延出するもの；
を具備することを特徴とする運搬装置。
【請求項２】  運搬装置であって：
主面を有する構造体；
前記主面上に配置された第１および第２セレクタ・ピン；および
前記構造体の前記主面の下に位置するマスクであって、該マスクは前記第１セレクタ・ピンの終端部が前記マスクを通って延出することを防止し、前記マスクはさらに前記第２セレクタ・ピンの終端が前記マスクを通って延出可能とする開口を有するもの；
を具備することを特徴とする運搬装置。
【請求項３】  前記マスクは前記構造体に取り付けられていることを特徴とする請求項２に記載の運搬装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に形成された第１の溝と、第２の方向に形成された第２の溝とを有する半導体基板と、
前記第１の溝の内壁面を覆う誘電体膜と、前記第１の溝内を充填し、前記第１の溝の側壁部位において前記誘電体膜を介して前記半導体基板と対向する第１の電極とを備えてなり、電荷を蓄積するメモリキャパシタと、
前記第２の溝の内壁面を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記第２の溝を充填する第２の電極とを備えてなり、前記メモリキャパシタを前記半導体基板とともに区画するフィールドシールド素子分離構造と、
前記メモリキャパシタ上に形成されたゲート構造と、前記ゲート構造の両側における前記半導体基板に形成された一対の第１の不純物拡散層とを備えてなり、前記メモリキャパシタに前記電荷を蓄積するトランジスタと
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の溝の両側の側壁部位における前記半導体基板の表面領域に第２の不純物拡散層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート構造はゲート電極とゲート絶縁膜からなり、前記第１の電極の上面は前記ゲート絶縁膜によって覆われていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板は前記第１の不純物拡散層と逆導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層とからなり、
前記第１の溝及び前記第２の溝は前記第１の半導体層に達していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記フィールドシールド素子分離構造によって列方向に区画された前記第２の半導体層の各々に、複数の前記メモリキャパシタ及び前記トランジスタが形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は同じ導電型であって、
前記第１の半導体層が含有する不純物の濃度は、前記第２の半導体層が含有する不純物の濃度よりも大きいことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁膜はシリコン窒化膜を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁膜はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜からなる３層構造を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板の列方向に複数の第１の溝を形成する第１の工程と、
前記第１の溝の内壁面を覆うように誘電体膜を形成する第２の工程と、
前記第１の溝内に前記誘電体膜を介して第１の導電膜を埋め込む第３の工程と、
前記半導体基板の行方向に複数の第２の溝を形成するとともに、当該第２の溝により前記第１の溝に形成された前記誘電体膜及び前記第１の導電膜を分断する第４の工程と、
前記第２の溝の内壁面を覆うように第１の絶縁膜を形成する第５の工程と、
前記第１の溝内に前記第１の絶縁膜を介して第２の導電膜を埋め込む第６の工程と、
隣接する前記第２の溝により行方向に延在するように分割された前記半導体基板の表面に第２の絶縁膜を形成する第７の工程と、
前記第２の絶縁膜上に第３の導電膜を形成する第８の工程と、
前記第３の導電膜及び前記第２の絶縁膜を前記第１の溝上に残すようにパターニングして、前記第１の溝上に前記第２の絶縁膜及び前記第３の導電膜からなるゲート構造を形成する第９の工程と、
前記ゲート構造の両側の前記半導体基板の表面領域に一対の不純物拡散層を形成する第１０の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の工程と前記第２の工程の間に、前記第１の溝の両側の側壁部位に不純物を導入して、前記側壁部位における前記半導体基板の表面領域に一対の不純物拡散層を形成する第１１の工程を更に有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体基板は第１の半導体層上に第２の半導体層が形成されてなる半導体基板であって、
前記第１の工程において、前記第１の溝を前記第１の半導体層に達するように前記第２の半導体層に形成し、
前記第４の工程において、前記第２の溝を前記第１の半導体層に達するように前記第２の半導体層に形成して、前記第２の半導体層を行方向に延在するように分断することを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記誘電体膜がシリコン窒化膜を含むことを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の工程は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の工程は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を順次形成する工程を有することを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記誘電体膜は強誘電体膜を含むことを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の絶縁膜がシリコン窒化膜を含むことを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第５の工程は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項９〜１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第５の工程は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を順次形成する工程を有することを特徴とする請求項９〜１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の半導体装置は、第１の方向に形成された第１の溝と、第２の方向に形成された第２の溝とを有する半導体基板と、前記第１の溝の内壁面を覆う誘電体膜と、前記第１の溝内を充填し、前記第１の溝の側壁部位において前記誘電体膜を介して前記半導体基板と対向する第１の電極とを備えてなり、電荷を蓄積するメモリキャパシタと、前記第２の溝の内壁面を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記第２の溝を充填する第２の電極とを備えてなり、前記メモリキャパシタを前記半導体基板とともに区画するフィールドシールド素子分離構造と、前記メモリキャパシタ上に形成されたゲート構造と、前記ゲート構造の両側における前記半導体基板に形成された一対の第１の不純物拡散層とを備えてなり、前記メモリキャパシタに前記電荷を蓄積するトランジスタとを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月14日(2005.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリマブル部品またはそのトリマブル部品を実装した回路基板の電気特性を測定しながら被トリミング部をレーザビームで切断除去して調整するに際し、
被トリミング部の一端から他端に向けてトリミングされたトリミング終了点を確認して、前記トリミング終了点を被トリミング部の他端に位置補正してトリミングして前記電気特性を所定特性に調整するトリミング方法。
【請求項２】
トリマブル部品またはそのトリマブル部品を実装した回路基板の電気特性を測定しながら被トリミング部をレーザビームで切断除去して調整するに際し、
電気特性の調整異常を検出したときには、被トリミング部の一端から他端に向けてトリミングされたトリミング終了点を確認して、前記トリミング終了点を被トリミング部の他端に位置補正してトリミングして前記電気特性を所定特性に調整するトリミング方法。
【請求項３】
トリマブル部品またはそのトリマブル部品を実装した回路基板の電気特性を測定しながら被トリミング部をレーザビームで切断除去して調整するに際し、
電気特性の調整異常を検出したときには、被トリミング部の一端から他端に向けてトリミングされたトリミング終了点を認識して、前記トリミング終了点から被トリミング部の他端までの長さを演算して求め、前記トリミング終了点から他端に向けて少なくともその長さ分トリミングし、以後その長さを追加して前記トリミング終了点を位置補正してトリミングして前記電気特性を所定特性に調整するトリミング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のトリミング方法は、トリマブル部品またはそのトリマブル部品を実装した回路基板の電気特性を測定しながら被トリミング部をレーザビームで切断除去して調整するに際し、被トリミング部の一端から他端に向けてトリミングされたトリミング終了点を確認して、前記トリミング終了点を被トリミング部の他端に位置補正してトリミングして前記電気特性を所定特性に調整するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、トリマブル部品またはそのトリマブル部品を実装した回路基板の電気特性を測定しながら被トリミング部をレーザビームで切断除去して調整するに際し、被トリミング部の一端から他端に向けてトリミングされたトリミング終了点を確認して、前記トリミング終了点を被トリミング部の他端に位置補正してトリミングして前記電気特性を所定特性に調整するトリミング方法としたものであり、被トリミング部を正しく認識してトリミングすることができ、回路基板の廃棄によるロスコストやトリマブル部品の交換による修正コストの発生を防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の請求項２に記載の発明は、トリマブル部品またはそのトリマブル部品を実装した回路基板の電気特性を測定しながら被トリミング部をレーザビームで切断除去して調整するに際し、電気特性の調整異常を検出したときには、被トリミング部の一端から他端に向けてトリミングされたトリミング終了点を確認して、前記トリミング終了点を被トリミング部の他端に位置補正してトリミングして前記電気特性を所定特性に調整するトリミング方法としたものであり、電気特性の調整異常に基づいてトリミング終了点の近傍を局部認識することで、被トリミング部を正しく認識してトリミングすることができ、回路基板の廃棄によるロスコストやトリマブル部品の交換による修正コストの発生を防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の請求項３に記載の発明は、トリマブル部品またはそのトリマブル部品を実装した回路基板の電気特性を測定しながら被トリミング部をレーザビームで切断除去して調整するに際し、電気特性の調整異常を検出したときには、被トリミング部の一端から他端に向けてトリミングされたトリミング終了点を認識して、前記トリミング終了点から被トリミング部の他端までの長さを演算して求め、前記トリミング終了点から他端に向けて少なくともその長さ分トリミングし、以後その長さを追加して前記トリミング終了点を位置補正してトリミングして前記電気特性を所定特性に調整するトリミング方法としたものであり、電気特性の調整異常に基づいてトリミング終了点の近傍を局部認識することで、被トリミング部を正しく認識してトリミングすることができ、回路基板の廃棄によるロスコストやトリマブル部品の交換による修正コストの発生を防止することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【発明の効果】
以上のように本発明のトリミング方法によれば、トリマブル部品またはそのトリマブル部品を実装した回路基板の電気特性を測定しながら被トリミング部をレーザビームで切断除去して調整するに際し、被トリミング部の一端から他端に向けてトリミングされたトリミング終了点を確認して、前記トリミング終了点を被トリミング部の他端に位置補正してトリミングして前記電気特性を所定特性に調整することにより、被トリミング部の大きさを正しく認識してトリミングすることができ、回路基板の廃棄によるロスコストやトリマブル部品の交換による修正コストの発生を完全に防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
箔合金組成において、アルミニウム純度が９９．９％以上であるとともに、Ｓｉ：０．００１０〜０．０１００wt％、Ｆｅ：０．００１０〜０．０１００wt％、Ｃｕ：０．０００５〜０．０５０wt％、Ｇａ：０．００５０wt％以下および不可避不純物を含有する軟箔であって、ＦｅおよびＳｉの含有量の合計に対し、熱フェノール溶解法により測定されるＦｅおよびＳｉの析出量の合計の割合（Ｙ）とＧａ含有量（wt％）（Ｘ）とが，
０．１５−２０Ｘ≦Ｙ≦０．７０−２０Ｘ
の関係を満たすことを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔。
【請求項２】
請求項１に記載されたアルミニウム合金箔を電気化学的あるいは化学的エッチング処理したアルミニウム合金エッチング箔。
【請求項３】
請求項１に記載されたアルミニウム合金箔を交流エッチングして得られる低圧用電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ウェーハ処理装置およびウェーハ処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハ保持用のサセプタ上に未処理のウェーハを供給し、サセプタ上から処理済のウェーハを回収するウェーハ搬送装置を備えたウェーハ処理装置であって、前記ウェーハ搬送装置は、ウェーハを支持して搬送するロボットアーム及びウェーハ昇降機構を含み、前記ロボットアームは、ウェーハを支持する上下２段のフィンガを有し、前記ウェーハ昇降機構は、上段位置、中断位置および下段位置に停止可能に且つウェーハの周縁部を支持可能に構成された複数のウェーハ支持部を有し、前記上下２段のフィンガは、前記ウェーハ支持部の上段位置と中断位置との間の高さ位置に上段のフィンガが臨み、中断位置と下段位置との間の高さ位置に下段のフィンガが臨む様に設けられていることを特徴とするウェーハ搬送装置を備えたウェーハ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のウェーハ搬送装置を使用して、サセプタ上の処理済のウェーハを支持した各ウェーハ支持部を上段位置まで上昇させ、次いで、未処理のウェーハが下段のフィンガ上に支持された上下のフィンガを処理済のウェーハの下方に進入させた後、各ウェーハ支持部を中段位置まで下降させて処理済のウェーハを上段のフィンガ上に載置し、続いて、上下のフィンガをウェーハの昇降領域から退出させた後に各ウェーハ支持部を下段位置まで下降させ、その後、上下のフィンガをウェーハの昇降領域に進入させ、次いで、各ウェーハ支持部を中段位置まで上昇させることによって下段のフィンガ上の未処理のウェーハを各ウェーハ支持部上に支持し、次いで、上下のフィンガをウェーハの昇降領域から退出させた後に各ウェーハ支持部を下段位置まで下降させることによって未処理のウェーハをサセプタ上に供給し、該ウェーハへ所定の処理を行うことを特徴とするウェーハ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベンゼン環を有する化合物のガスを含む成膜ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板上にフッ素添加カ−ボン膜よりなる絶縁膜を成膜することを特徴とするプラズマ成膜方法。
【請求項２】
ベンゼン環を有する化合物は、ＣとＦとからなる化合物であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ成膜方法。
【請求項３】
ベンゼン環を有する化合物はＣ6Ｆ6またはＣ7Ｆ8であることを特徴とする請求項２記載のプラズマ成膜方法。
【請求項４】
ベンゼン環を有する化合物はＣとＦとＨとからなる化合物であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ成膜方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ成膜方法は、ベンゼン環を有する化合物のガスを含む成膜ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板上にフッ素添加カ−ボン膜よりなる絶縁膜を成膜することを特徴とする。ベンゼン環を有する化合物は例えばＣとＦとからなる化合物やＣとＦとＨとからなる化合物、あるいはＣとＨとからなる化合物を挙げることができ、前記ＣとＦとからなる化合物としては例えばＣ6Ｆ6やＣ7Ｆ8が挙げられる。また前記ＣとＨとからなる化合物を用いる場合には、更にＣとＦとを含む化合物からなるガスが添加される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の孔あき板ガラス同士を、ガラス孔を貫通するシャフトを介して連結し構造物の部材に取付ける、孔あき板ガラスの取付け方法において、
前記孔あき板ガラスのそれぞれのガラス孔に嵌合する外側リングと、該外側リングに内接し、孔の中心が内側リングの中心と異なる孔を有する内側リングと、で構成される偏心ダブルリングをそれぞれのガラス孔に挿入し、前記偏心ダブルリングの内側リングを回転させ、それぞれのガラス孔内の前記内側リングの孔の中心を一致させた後に、シャフトを貫通させることを特徴とする孔あき板ガラスの取付け方法。
【請求項２】
複数枚の孔あき板ガラス同士を、ガラス孔を貫通するシャフトを介して連結する、孔あき板ガラスの連結方法において、
前記孔あき板ガラスのそれぞれのガラス孔に嵌合する外側リングと、該外側リングに内接し、孔の中心が内側リングの中心と異なる孔を有する内側リングと、で構成される偏心ダブルリングをそれぞれのガラス孔に挿入し、前記偏心ダブルリングの内側リングを回転させ、それぞれのガラス孔内の前記内側リングの孔の中心を一致させた後に、シャフトを貫通させることを特徴とする孔あき板ガラスの連結方法。
【請求項３】
孔あき板ガラスを、構造物の部材とガラス孔を貫通するシャフトを介して取付ける、孔あき板ガラスの取付け方法において、
前記孔あき板ガラスのガラス孔に嵌合する外側リングと、該外側リングに内接し、孔の中心が内側リングの中心と異なる孔を有する内側リングと、で構成される偏心ダブルリングをガラス孔に挿入し、前記偏心ダブルリングの内側リングを回転させ、ガラス内の前記内側リングの孔の中心を構造物の部材の連結位置に位置させた後に、シャフトを貫通させることを特徴とする孔あき板ガラスの取付け方法。
【請求項４】
前記孔あき板ガラスが、孔あき板ガラス同士を中間膜を用いて接着することによって構成される孔あき合わせ板ガラスであることを特徴とする請求項１または３に記載の孔あき板ガラスの取付け方法、または請求項２に記載の孔あき板ガラスの連結方法。
【請求項５】
前記ガラス孔と前記偏心ダブルリングとの間に緩衝リングを介在させることを特徴とする請求項１、３または４に記載の孔あき板ガラスの取付け方法、または請求項２に記載の孔あき板ガラスの連結方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、孔あき板ガラスを、構造物の部材とガラス孔を貫通するシャフトを介して取付ける、孔あき板ガラスの取付け方法において、前記孔あき板ガラスのガラス孔に嵌合する外側リングと、該外側リングに内接し、孔の中心が内側リングの中心と異なる孔を有する内側リングと、で構成される偏心ダブルリングをガラス孔に挿入し、前記偏心ダブルリングの内側リングを回転させ、ガラス内の前記内側リングの孔の中心を構造物の部材の連結位置に位置させた後に、シャフトを貫通させることを特徴とする孔あき板ガラスの取付け方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば、車両後席用空調装置では、図６及び図７にて示すように、そのケース１内にて、フィルタ２、エバポレータ３、送風機ユニット４が、順次、車両上方からその下方にかけて、配置されるとともに、エバポレータ３の直下にて送風機ユニット４のブロワモータ４ａが位置するものがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ケース部１１は、円板状前壁部１１ａ、円板状後壁部１１ｂ及び筒部を有しており、後壁部１１ｂには、後述する遠心式送風機６０の空気取入口部１１ｃが形成されており、空気取入口部１１ｃはベルマウス状に形成されて、フィルタ２０を通してケース部１１内に吸い込まれる空気流を整流し吸込騒音及び吸込抵抗の低減を図る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図５は従来の撮影装置における撮影素子の一例を示す構成図であり、図５を参照して撮影素子１について説明する。
図５の撮影素子１は、複数の画素２、垂直ＣＣＤレジスタ３、４、水平ＣＣＤレジスタ５、６等からなっている。各画素２はマトリクス状に配置されていて、水平ＣＣＤレジスタ５、６に電気的に接続されている。垂直ＣＣＤレジスタ３、４は各画素２に蓄積された信号のうち、長時間露光された際の電荷信号Ｓ１を収容する領域と、短時間露光された際の電荷信号Ｓ２を収容する領域とを有している。
垂直ＣＣＤレジスタ３、４は水平ＣＣＤレジスタ５、６と電気的に接続されている。水平ＣＣＤレジスタ５は短時間露光された電荷信号Ｓ２を出力するものであり、水平ＣＣＤレジスタ６は長時間露光された電荷信号Ｓ１を出力するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし上述した撮像素子１によると、図５に示すように、２つの水平ＣＣＤレジスタ３、４が必要となり、また垂直ＣＣＤレジスタ５、６を通常の２倍の密度で作り、転送速度を２倍にする必要がある。一方、水平ＣＣＤレジスタ３、４及び垂直ＣＣＤレジスタ５、６の製造は精度が要求されるため、この数が増えてしまうと、製造作業の効率が落ちてしまうとともに、撮像素子１のコストが高くなってしまうという問題がある。
また、長時間露光と短時間露光とをフィールド毎に交互に切り替える方法をとると、長時間露光された電荷信号Ｓ１と短時間露光された電荷信号Ｓ２とはフィールドのずれを生じている。このフィールドの違う長時間露光された電荷信号Ｓ１と短時間露光された電荷信号Ｓ２を合成した画像はぼけたものになってしまい、画質の低下をひき起こすという問題がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月20日(2005.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力映像信号の高輝度部分のダイナミックレンジを適応的に圧縮して出力する映像信号処理装置であって、
前記入力映像信号の輝度レベルのピーク値を検出するピーク値検出手段と、
出力輝度レベルの最大値を指定する最大出力輝度レベル設定手段と、
ダイナミックレンジの圧縮率を指定する圧縮率設定手段と、
入力映像信号の輝度レベルのピーク値、前記出力輝度レベルの最大値及び前記ダイナミックレンジの圧縮率に基づいて、ダイナミックレンジの圧縮を開始する輝度レベルを算出する圧縮開始輝度レベル算出手段と、
圧縮開始輝度レベル以上の高輝度部分について、入力映像信号の輝度分布に対するヒストグラムを検出するヒストグラム検出手段と、
ヒストグラム検出手段の検出結果に基づいて、出現頻度の高い輝度レベルに多くの出力ダイナミックレンジを割り当てる変換グラフ生成手段と、
生成された変換グラフを用い、前記入力映像信号の高輝度部分を圧縮する階調変換手段と
を有することを特徴とする映像信号処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の映像信号処理装置は、
前記圧縮開始輝度レベルの最小値を指定する最小圧縮開始輝度レベル設定手段を有し、
前記圧縮開始輝度レベル算出手段で算出された圧縮開始輝度レベルが、前記最小圧縮開始輝度レベル設定手段で指定される最小値よりも低い場合、
前記圧縮開始輝度レベル算出手段は、前記圧縮開始輝度レベルを前記最小値に置換すると共に、置換後の条件を満たすように前記ダイナミックレンジの圧縮率を補正する
ことを特徴とする映像信号処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
こうして求めたＹのピーク値をピーク検出回路１２で検出して得られたＹｐとあらかじめ設定値１３−２として決められた輝度圧縮後のピーク値Ｙ´ｐと圧縮率（傾き）Ｋｓから、処理回路１３の計算回路１３−１で、式（４）によりＫｐを求めることができる。このＫｐとＫｓからＲＧＢの各入力に演算処理部１５−１〜１５−３にて式（１）および式（２）の処理を加えることにより入力映像信号を圧縮することができる。処理回路１３の演算は主にソフトウェアによる制御である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するため、本発明は、入力映像信号の高輝度部分のダイナミックレンジを適応的に圧縮して出力する映像信号処理装置であって、（１）入力映像信号の輝度レベルのピーク値を検出するピーク値検出手段と、（２）出力輝度レベルの最大値を指定する最大出力輝度レベル設定手段と、（３）ダイナミックレンジの圧縮率を指定する圧縮率設定手段と、（４）入力映像信号の輝度レベルのピーク値、出力輝度レベルの最大値及びダイナミックレンジの圧縮率に基づいて、ダイナミックレンジの圧縮を開始する輝度レベルを算出する圧縮開始輝度レベル算出手段と、（５）圧縮開始輝度レベル以上の高輝度部分について、入力映像信号の輝度分布に対するヒストグラムを検出するヒストグラム検出手段と、（６）ヒストグラム検出手段の検出結果に基づいて、出現頻度の高い輝度レベルに多くの出力ダイナミックレンジを割り当てる変換グラフ生成手段と、（７）生成された変換グラフを用い、入力映像信号の高輝度部分を圧縮する階調変換手段とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の請求項１の発明は、入力映像信号の高輝度部分のダイナミックレンジを適応的に圧縮して出力する映像信号処理装置であって、入力映像信号の輝度レベルのピーク値を検出するピーク値検出手段と、出力輝度レベルの最大値を指定する最大出力輝度レベル設定手段と、ダイナミックレンジの圧縮率を指定する圧縮率設定手段と、入力映像信号の輝度レベルのピーク値、出力輝度レベルの最大値及びダイナミックレンジの圧縮率に基づいて、ダイナミックレンジの圧縮を開始する輝度レベルを算出する圧縮開始輝度レベル算出手段と、圧縮開始輝度レベル以上の高輝度部分について、入力映像信号の輝度分布に対するヒストグラムを検出するヒストグラム検出手段と、ヒストグラム検出手段の検出結果に基づいて、出現頻度の高い輝度レベルに多くの出力ダイナミックレンジを割り当てる変換グラフ生成手段と、生成された変換グラフを用い、入力映像信号の高輝度部分を圧縮する階調変換手段とを有することを特徴とする。
これにより、比較的簡単な方法で、入力映像信号のピーク値の変動が映像信号に影響することなく、限られた出力ダイナミックレンジを有効を利用することができ、優れた階調表現を示す輝度圧縮用の映像信号処理装置を実現することができ、かつ変換設定の処理を自動的に行うことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明の請求項２の発明は、前記圧縮開始輝度レベルの最小値を指定する最小圧縮開始輝度レベル設定手段を有し、圧縮開始輝度レベル算出手段で算出された圧縮開始輝度レベルが、最小圧縮開始輝度レベル設定手段で指定される最小値よりも低い場合、圧縮開始輝度レベル算出手段は、圧縮開始輝度レベルを最小値に置換すると共に、置換後の条件を満たすように前記ダイナミックレンジの圧縮率を補正することを特徴とする。
これにより、必要以上に圧縮点が下がって高輝度部分だけを圧縮するという目的から外れ、輝度を全体に下げてしまうような虞を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な DNAに関する。さらに詳しくは、本発明は Candida tropicalisに外来遺伝子を導入して形質転換する際に利用されるARS (autonomously replicating sequence) 遺伝子DNA 及びこのARS 遺伝子 DNA並びに大腸菌における複製開始点DNA 配列 ori (replication origin）が組み込まれたプラスミドに関するものである。該プラスミドは、宿主のCandida tropicalisと E. coliとでともに複製が可能であり、従って、 Candida tropicalisに、外来遺伝子の導入が可能なシャトルベクターとして機能する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、本発明は、Candida tropicalisのゲノムからクローニングされた、Candida tropicalis由来のARS 活性を示す遺伝子DNA 断片であり、具体的には、配列表配列番号１の塩基配列で表されるCandida tropicalis由来のARS 遺伝子DNA である。加えて、本発明のシャトルベクタープラスミドは、前記の配列番号１の塩基配列で表されるCandida tropicalis由来のARS 遺伝子DNA 並びに大腸菌における複製開始点ori を保持し、Candida tropicalisとE.coliの菌体内でともに複製するシャトルベクターpUCARSである。具体的には、該シャトルベクターpUCARSは、図４にその構成を示すプラスミドである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
１．Candida tropicalis由来のARS 活性を有するDNA 断片のクローニング
1.1 ゲノムライブラリー作製
Candida tropicalisのゲノムDNAライブラリーは、以下のように作製する。最初に、ゲノムDNA を予め選択してある制限酵素で処理し、同じ制限酵素で切断したクローニングベクター、具体的には、マーカー遺伝子として、薬剤耐性マーカー遺伝子及びCandida tropicalisのURA3遺伝子を持つベクター断片にライゲーションする。このとき、ライゲーションの収率を高くするには、ベクター断片は、制限酵素で切断した後、その末端をアルカリホスホターゼで脱リン酸化しておくことが望ましい。このライゲーション液を用いて、Candida tropicalisのゲノムDNA から得られる種々のDNA断片が挿入されたベクターにより大腸菌に形質転換する。その形質転換された大腸菌を、薬剤耐性マーカーを利用して、コロニー分離し、更に培養して、プラスミドを大量調製する。このようにして得られたプラスミドを Candida tropicalisのゲノムライブラリーとして用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記のシャトルベクターpUCARSに用いる、 Candida tropicalis 1098 株由来のURA3遺伝子は、次に示すPCR増幅用プライマーを用いて、ゲノムDNA からPCR
増幅することで調製される。
プライマーH801
5'-TCTAGAGTATGATATCTTTCGGCATCATAA-3'
プライマーH802
5'-GGATCCTAATAAAATTAAACTAAATATTCT-3'
前記のPCR 増幅用プライマーは、URA3遺伝子の翻訳領域の上流並びに下流の非翻訳領域にハイブリダイズし、目的とする酵素蛋白質をコードするURA3遺伝子が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
プライマーH801
5'-TCTAGAGTATGATATCTTTCGGCATCATAA-3'
プライマーH802
5'-GGATCCTAATAAAATTAAACTAAATATTCT-3'
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
クローニングベクターpUCNUAの構成を示す図。
図中 MCSは、マルチクローニングサイト(multicloning site) を示す。
【図２】
クローニングされた Candida tropicalis 1098 株由来のARS 活性を示すDNA
断片の制限酵素マップを示す図。
【図３】
Candida tropicalis 1098 株由来のARS 塩基配列とそこに存在するパン酵母のARS の保存配列と類似した配列を示す図。
実線の矢印は、11bp中10bpがパン酵母の保存配列と一致した箇所を示す。点線の矢印は、11bp中 9bpがパン酵母の保存配列と一致した箇所を示す。
【図４】
シャトルベクターpUCARSの構成を示す図。
図中 MCSはマルチクローニングサイト(multicloning site) を示す。
【図５】
クローニングされた約6.2kbpのDNA 断片を制限酵素BglII で切断してえられる断片のARS 活性の有無を示す図。
図中Bgは、制限酵素BgIII 切断サイトを示す。Baは、ＢamＨＩ切断サイトを示す。
【図６】
Candida tropicalis 1098 株由来URA3遺伝子中にコードされるアミノ酸配列と、他の酵母菌由来のURA3遺伝子中にコードされるアミノ酸配列とを対比した図。  アミノ酸は、一文字表記で示されている。
1098は、Candida tropicalis 1098 株由来 URA3 を、CMは、Candida maltosa
由来 URA3 を、CTは、Candida tropicalis  由来 URA3 を、SCは S. cerevisiae由来 URA3 をそれぞれ示す。* は一致したアミノ酸であることを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イヌ白血球に作用して抗ウイルス活性因子およびイヌ腫瘍細胞上のクラスＩＩＭＨＣの発現を増強する因子を誘導する能力、イヌリンパ球の増殖を促進する能力、イヌリンパ球およびイヌ腫瘍細胞上のＦａｓリガンドの発現を増強させる能力、イヌ腫瘍細胞を障害し死滅させる能力、イヌ生体に発生した腫瘍を縮小させる能力、およびイヌ白血球を活性化してイヌのアレルギーを抑制する能力から選ばれる少なくとも１つの能力を有するイヌインターロイキン１８。
【請求項２】
配列番号：１または配列番号：９で表されるアミノ酸配列を有する請求項１記載のイヌインターロイキン１８。
【請求項３】
請求項１または２に記載のイヌインターロイキン１８をコードするＤＮＡ配列。
【請求項４】
配列番号：３に記載の非コード領域を含むＤＮＡ配列。
【請求項５】
請求項３に記載のイヌインターロイキン１８をコードするＤＮＡ配列を含む組換えベクター。
【請求項６】
インターロイキン１βおよびインターロイキン１８の前駆体タンパクを切断し、それらを活性型にする能力を有するイヌインターロイキン１β変換酵素。
【請求項７】
配列番号：２で表されるアミノ酸配列を有する請求項６記載のイヌインターロイキン１β変換酵素。
【請求項８】
請求項６または７に記載のイヌインターロイキン１β変換酵素をコードするＤＮＡ配列。
【請求項９】
配列番号：４に記載の非コード領域を含むＤＮＡ配列。
【請求項１０】
インターロイキン１８の前駆体タンパクをコードするＤＮＡ配列とインターロイキン１β変換酵素をコードするＤＮＡ配列を同時に含む組換えベクター。
【請求項１１】
配列番号：１に示すＤＮＡ配列と配列番号：２に示すＤＮＡ配列を同時に含む組換えベクター。
【請求項１２】
インターロイキン１８の前駆体タンパクをコードするＤＮＡ配列を含む組換えバキュロウイルス。
【請求項１３】
配列番号：１または配列番号：９に示すＤＮＡ配列を含む組換えバキュロウイルス。
【請求項１４】
インターロイキン１８の前駆体タンパクをコードするＤＮＡ配列とインターロイキン１β変換酵素をコードするＤＮＡ配列を同時に含む組換えバキュロウイルス。
【請求項１５】
配列番号：１に示すＤＮＡ配列と配列番号：２に示すＤＮＡ配列を同時に含む組換えバキュロウイルス。
【請求項１６】
請求項５，１０，１１のいずれか１項記載の組換えベクターにより宿主細胞を形質転換してなる形質転換体。
【請求項１７】
宿主細胞が原核細胞または真核細胞である請求項１６に記載の形質転換体。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の形質転換体を培養することを特徴とするインターロイキン１８の製造方法。
【請求項１９】
請求項１２〜１５のいずれか１項記載の組換えバキュロウイルスを昆虫樹立細胞中またはカイコ生体中で増殖させることを特徴とするインターロイキン１８の製造方法。
【請求項２０】
イヌインターロイキン１８を含んでなるイヌの免疫疾病治療薬。
【請求項２１】
イヌの免疫疾病がイヌの腫瘍、イヌのアレルギー疾病、イヌの感染症またはイヌの皮膚炎である請求項２０に記載のイヌの免疫疾病治療薬。
【請求項２２】
イヌインターロキン１８が請求項１または２に記載のイヌインターロイキン１８、あるいは、請求項１８または１９に記載の方法により得たイヌインターロイキン１８であるイヌの免疫疾病治療薬。
【請求項２３】
イヌインターロイキン１８とイヌインターロイキン１２を含んでなるイヌの免疫疾病治療薬。
【請求項２４】
請求項２０から２３のいずれか１項に記載されたイヌの免疫疾病治療薬をイヌに注射投与することを特徴とするイヌの免疫疾病治療方法。
【請求項２５】
イヌの腫瘍に直接注射投与することを特徴とする請求項２４記載のイヌの免疫疾病治療方法。
【請求項２６】
請求項２０から２３のいずれか１項に記載されたイヌの免疫疾病治療薬をイヌ末梢血から分離したリンパ球に作用させた後、再びイヌ体内に戻すことを特徴とするイヌの免疫疾病治療方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動量をパルスに変換するパルスジェネレータを備えた可動体と、この可動体の動作を制御するコントローラとを有する装置の制御方法において、
前記パルスジェネレータが発生するパルスを前記コントローラに入力し、前記コントローラにおいて前記パルスを計数し、ある時間内に入力されたパルス数を基に前記可動体の移動速度を推定し、
非速度指令にて制御している状態から速度指令での制御に切り替わったときは、前記推定した移動速度と前記速度指令制御における指令速度との大小関係を比較し、推定移動速度と指令速度が等しければそのまま、推定移動速度より指令速度が大きければ加速処理に入り、小さければ減速処理に入るという遷移処理を行うことにより、可動体を停止することなく滑らかに速度指令で可動体を制御することを特徴とする可動体の制御方法。
【請求項２】
移動量をパルスに変換するパルスジェネレータを備えた可動体と、この可動体の動作を制御するコントローラとを有する装置において、
前記パルスジェネレータが発生するパルスを前記コントローラに入力し、前記コントローラにおいて前記パルスを計数し、ある時間内に入力されたパルス数を基に前記可動体の移動速度を推定し、非速度指令にて制御している状態から速度指令での制御に切り替わったときは、前記推定した移動速度と前記速度指令制御における指令速度との大小関係を比較し、推定移動速度と指令速度が等しければそのまま、推定移動速度より指令速度が大きければ加速処理に入り、小さければ減速処理に入るという遷移処理を行うことにより、可動体を停止することなく滑らかに速度指令で可動体を制御することを特徴とする可動体とコントローラを有する装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、第１および第２の本発明は、移動量をパルスに変換するパルスジェネレータを備えた可動体と、この可動体の動作を制御するコントローラとを有する装置において、前記パルスジェネレータが発生するパルスを前記コントローラに入力し、前記コントローラにおいて前記パルスを計数し、ある時間内に入力されたパルス数を基に前記可動体の移動速度を推定し、非速度指令にて制御している状態から速度指令での制御に切り替わったときは、前記推定した移動速度と前記速度指令制御における指令速度との大小関係を比較し、推定移動速度と指令速度が等しければそのまま、推定移動速度より指令速度が大きければ加速処理に入り、小さければ減速処理に入るという遷移処理を行うことにより、可動体を停止することなく滑らかに速度指令で可動体を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  前記環状部材はプラスチックにより構成されている請求項４に記載のスピンドルモータ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  閃光を発生する発光手段と、
該発光手段に印加する電気エネルギーを蓄積する電気エネルギー蓄積手段と、
該電気エネルギー蓄積手段に充電を行う電源手段と、
前記発光手段に発光を開始させるためのトリガ信号を発生する発光制御手段と、
前記発光手段を発光させる発光間隔を測定する計数手段とを有し、
前記計数手段の測定結果に基づいて、前記発光制御手段にトリガ信号を発生するタイミングを補正させるタイミング補正手段を備えることを特徴とする光情報通信装置。
【請求項２】  前記発光制御手段は発光指示信号を受けることに応じてトリガ信号を発生するものであって、前記タイミング補正手段は前記発光制御手段が前記発光指示信号を受ける間隔に応じて、前記発光制御手段に前記発光指示信号を受けてから前記トリガ信号を発生するまでのタイミングを異ならせることを特徴とする請求項１に記載の光情報通信装置。
【請求項３】  前記タイミング補正手段は前記発光制御手段が前記発光指示信号を受ける間隔が長いほど、前記発光制御手段が前記発光指示信号を受けてから前記トリガ信号を発生するまでのタイミングを短くさせることを特徴とする請求項２に記載の光情報通信装置。
【請求項４】  所定の周期に同期したタイミングによって通信データを検出し、該通信データが発光指示と非発光指示の組合せからなるものであって、発光指示であることを検出した場合に発光信号を形成して発光手段に発光を行わせることによって、前記通信データに基づいて光通信を行う光情報通信装置において、
前記発光指示を検出してから前記発光信号が形成されるまでの時間を、前記通信データに基づいて調定することを特徴とする光情報通信装置。
【請求項５】  前記発光指示を検出してから前記発光信号が形成されるまでの時間を、前記発光指示を検出した間隔に応じて調定することを特徴とする請求項４に記載の光情報通信装置。
【請求項６】  前記発光指示を検出した間隔が長いほど、前記発光指示を検出してから前記発光信号が形成されるまでの時間を短くすることを特徴とする請求項５に記載の光情報通信装置。
【請求項７】  前記発光手段は閃光管であることを特徴とする請求項４から６のいずれ一つに記載の光情報通信装置。
【請求項８】  前記光情報通信装置はストロボ装置であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一つに記載の光情報通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本出願に係る発明の目的を実現する構成は、閃光を発生する発光手段と、該発光手段に印加する電気エネルギーを蓄積する電気エネルギー蓄積手段と、該電気エネルギー蓄積手段に充電を行う電源手段と、前記発光手段に発光を開始させるためのトリガ信号を発生する発光制御手段と、前記発光手段を発光させる発光間隔を測定する計数手段とを有し、前記計数手段の測定結果に基づいて、前記発光制御手段にトリガ信号を発生するタイミングを補正させるタイミング補正手段を備えることを特徴とする光情報通信装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本出願に係る発明の目的を実現する他の構成は、所定の周期に同期したタイミングによって通信データを検出し、該通信データが発光指示と非発光指示の組合せからなるものであって、発光指示であることを検出した場合に発光信号を形成して発光手段に発光を行わせることによって、前記通信データに基づいて光通信を行う光情報通信装置において、前記発光指示を検出してから前記発光信号が形成されるまでの時間を、前記通信データに基づいて調定することを特徴とする光情報通信装置にある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
これらの構成によれば、通信データを送信するための発光パルス間隔のばらつきが防止され、正確な光情報の伝達が可能になる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、通信データを送信するための発光パルス間隔のばらつきが防止され、正確な光情報の伝達が可能になる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】