【手続補正書】
【提出日】平成16年11月18日(2004.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された無機材料からなる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された有機材料からなる第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
第１の電極、有機化合物層、および第２の電極からなる発光素子と、
前記第２の絶縁膜および前記第１の電極に挟まれ、かつ前記第１の電極と重なる位置に形成された無機材料からなる第３の絶縁膜と、を有していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された無機材料からなる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された有機材料からなる第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
第１の電極、有機化合物層、および第２の電極からなる発光素子と、
前記第２の絶縁膜および前記第１の電極に挟まれ、かつ前記第１の電極と重なる位置に形成された無機材料からなる第３の絶縁膜と、を有し、
前記ＴＦＴは、前記コンタクトホールに形成された配線を介して前記第１の電極と電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
絶縁表面上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された無機材料からなる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された有機材料からなる第２の絶縁膜と、
前記ＴＦＴが有するゲート絶縁膜、前記第１の絶縁膜、および前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
第１の電極、有機化合物層、および第２の電極からなる発光素子と、
前記第２の絶縁膜および前記第１の電極に挟まれ、かつ前記第１の電極と重なる位置に形成された無機材料からなる第３の絶縁膜と、を有し、
前記ＴＦＴは、前記コンタクトホールにおいて、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記ゲート絶縁膜と接して形成された配線を介して前記第１の電極と電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記無機材料からなる前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は、窒化酸化珪素膜または窒化珪素膜であり、
珪素の含有比率が２５．０ａｔｏｍｉｃ％以上３５．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ窒素の含有比率が３５．０ａｔｏｍｉｃ％以上６５．０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記有機材料は、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミドまたはベンゾシクロブテンであることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の発光装置を表示部に有することを特徴とする表示装置、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置、ゴーグル型ディスプレイ、ビデオカメラまたは携帯電話。
【請求項７】
絶縁表面上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上にスパッタリング法により無機材料からなる第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に塗布法により有機材料からなる第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にスパッタリング法により無機材料からなる第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に導電膜を形成し、
マスクを用いた第１のエッチングにより、前記導電膜から第１の電極を形成し、
前記マスクを用いた第２のエッチングにより前記第１の電極と重なる部分を残して前記第３の絶縁膜を除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上にスパッタリング法により無機材料からなる第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に塗布法により有機材料からなる第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にスパッタリング法により無機材料からなる第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に導電膜を形成し、
マスクを用いた第１のエッチングにより、前記導電膜から第１の電極を形成し、
前記マスクを用いた第２のエッチングにより前記第１の電極と重なる部分を残して前記第３の絶縁膜を除去し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記ゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに配線を前記ＴＦＴ及び前記第１の電極と接して形成し、
前記第１の電極上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上にスパッタリング法により無機材料からなる第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に塗布法により有機材料からなる第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にスパッタリング法により無機材料からなる第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に導電膜を形成し、
マスクを用いたウエットエッチング法により、前記導電膜から第１の電極を形成し、
前記マスクを用いたドライエッチング法により前記第１の電極と重なる部分を残して前記第３の絶縁膜を除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上にスパッタリング法により無機材料からなる第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に塗布法により有機材料からなる第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にスパッタリング法により無機材料からなる第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に導電膜を形成し、
マスクを用いたウエットエッチング法により、前記導電膜から第１の電極を形成し、
前記マスクを用いたドライエッチング法により前記第１の電極と重なる部分を残して前記第３の絶縁膜を除去し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記ゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに配線を前記ＴＦＴおよび前記第１の電極と接して形成し、
前記第１の電極上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記無機材料からなる第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜は、珪素をターゲットとし、希ガスと窒素を含有するガスを用いて、
珪素の含有比率が２５．０ａｔｏｍｉｃ％以上３５．０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ窒素の含有比率が３５．０ａｔｏｍｉｃ％以上６５．０ａｔｏｍｉｃ％以下である膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、図１に示すように第１の電極１１１の端部、及び配線（１１２〜１１５）は第１の絶縁層１１９、第２の絶縁層１２０により覆われている。なお、第１の絶縁層１１９、第２の絶縁層１２０を形成する材料としては、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素および塗布シリコン酸化膜（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）等の珪素を含む無機材料の他、ポリイミド、ポリアミド、アクリル（感光性アクリルを含む）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機材料からなる絶縁膜を用いる。なお、膜厚は、０．１〜２μｍで形成することができるが、特に酸化珪素、窒化珪素および窒化酸化珪素等の珪素を含む材料を用いる場合には０．１〜０．３μｍの膜厚で形成することが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
第１の絶縁層１１９は第１の電極１１１と重なる位置に開口部を有している。また、第１の絶縁層１１９上に第２の絶縁層１２０が形成される。なお、第２の絶縁層１２０も第１の電極１１１と重なる位置に開口部を有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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