【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）フォトレジスト樹脂と、（ｂ）光酸発生剤と、（ｃ）下記式（１）で示される光ラジカル発生剤（photo radical generator）と、（ｄ）有機溶媒を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。
【化１】
2002082440.tif 000001
（前記式で、
Ｒ1は水素、又は炭素数１〜５のアルキルであり、Ｒ2は水素、炭素数１〜５のアルキル、或いはフェニル基であり、Ｒ3は水素、炭素数１〜５のアルキル、フェニル基、或いは炭素数１〜５のアルコキシ基である。）
【請求項２】
前記式（１）で示される化合物は、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン又はα−ヒドロキシ−α,α−ジメチルアセトフェノンであることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３】
前記光酸発生剤は、ジフェニルヨード塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨード塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨード塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニルトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、ジフェニルパラ−ｔ−ブチルフェニルトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートで成る群から選択されたものを一つ又は二つ以上含むことを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
前記光酸発生剤は、前記フォトレジスト樹脂に対し０．０５〜１０重量％の比率で用いられることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５】
前記光ラジカル発生剤は、光酸発生剤に対し１０〜３００モル％の比率で用いられることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
前記フォトレジスト樹脂は、シクロオレフィン系共単量体等が付加重合された反復単位（repeating unit）を含む重合体であることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
前記フォトレジスト重合体は、ポリ（ｔ−ブチルビシクロ[２．２．１]ヘプト−５−エヌ−２−カルボキシレート／２−ヒドロキシエチルビシクロ[２．２．１]ヘプト−５−エヌ−２−カルボキシレート／ノルボニレン／無水マレイン酸）、又はポリ（ｔ−ブチルビシクロ[２．２．１]ヘプト−５−エヌ−２−カルボキシレート／２−ヒドロキシエチルビシクロ[２．２．１]ヘプト−５−エヌ−２−カルボキシレート／ビシクロ[２．２．１]ヘプト−５−エヌ−２−カルボン酸／無水マレイン酸）であることを特徴とする請求項６記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】
前記有機溶媒は、メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキプロピオネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、及びシクロヘキサノン、２−ヘプタノンで成る群から選択されたことを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項９】
前記有機溶媒は、前記フォトレジスト樹脂に対し２００〜８００重量％の比率で用いられることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
（ａ）請求項１から９のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を被食刻層上部に塗布してフォトレジスト膜を形成する段階、（ｂ）前記フォトレジスト膜を露光する段階、及び（ｃ）前記結果物を現像して望むパターンを得る段階を含むことを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１１】
前記（ｂ）段階の露光前及び／又は露光後に、それぞれベーク工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１２】
前記ベーク工程は、７０〜２００℃で行われることを特徴とする請求項１１記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１３】
前記露光工程は、光源としてＡｒＦ（１９３nm）、ＫｒＦ（２４８nm）、ＶＵＶ（１５７nm）、ＥＵＶ（１３nm）、Ｅ−ビーム、Ｘ−線、又はイオンビームを利用して行われることを特徴とする請求項１０記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１４】
前記露光工程は、１〜１００mJ/cm2の露光エネルギーで行われることを特徴とする請求項１０記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１５】
請求項１０から１４のいずれかに記載のフォトレジストパターン形成方法を利用して製造されたことを特徴とする半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、請求項１記載の発明のフォトレジスト組成物は、（ａ）フォトレジスト樹脂と、（ｂ）光酸発生剤と、（ｃ）下記式（１）で示される光ラジカル発生剤（photo radical generator）と、（ｄ）有機溶媒を含むことを特徴としている。
【化２】
2002082440.tif 000002
（前記式で、
Ｒ1は水素、又は炭素数１〜５のアルキルであり、Ｒ2は水素、炭素数１〜５のアルキル、或いはフェニル基であり、Ｒ3は水素、炭素数１〜５のアルキル、フェニル基、或いは炭素数１〜５のアルコキシ基である。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記式（１）で示される化合物は、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン又はα−ヒドロキシ−α,α−ジメチルアセトフェノンであることを特徴としている。  
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３記載の発明は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤は、ジフェニルヨード塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨード塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨード塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニルトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、ジフェニルパラ−ｔ−ブチルフェニルトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートで成る群から選択されたものを一つ又は二つ以上含むことを特徴としている。  
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤は、前記フォトレジスト樹脂に対し０．０５〜１０重量％の比率で用いられることを特徴としている。  
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項５記載の発明は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記光ラジカル発生剤は、光酸発生剤に対し１０〜３００モル％の比率で用いられることを特徴としている。      
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項６記載の発明は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記フォトレジスト樹脂は、シクロオレフィン系共単量体等が付加重合された反復単位（repeating unit）を含む重合体であることを特徴としている。      
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項７記載の発明は、請求項６記載のフォトレジスト組成物において、前記フォトレジスト重合体は、ポリ（ｔ−ブチルビシクロ[２．２．１]ヘプト−５−エヌ−２−カルボキシレート／２−ヒドロキシエチルビシクロ[２．２．１]ヘプト−５−エヌ−２−カルボキシレート／ノルボニレン／無水マレイン酸）、又はポリ（ｔ−ブチルビシクロ[２．２．１]ヘプト−５−エヌ−２−カルボキシレート／２−ヒドロキシエチルビシクロ[２．２．１]ヘプト−５−エヌ−２−カルボキシレート／ビシクロ[２．２．１]ヘプト−５−エヌ−２−カルボン酸／無水マレイン酸）であることを特徴としている。  
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項８記載の発明は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記有機溶媒は、メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、及びシクロヘキサノン、２−ヘプタノンで成る群から選択されたことを特徴としている。  
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項９記載の発明は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記有機溶媒は、前記フォトレジスト樹脂に対し２００〜８００重量％の比率で用いられることを特徴としている。  
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項１０記載のフォトレジストパターン形成方法は、（ａ）請求項１から９のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を被食刻層上部に塗布してフォトレジスト膜を形成する段階、（ｂ）前記フォトレジスト膜を露光する段階、及び（ｃ）前記結果物を現像して望むパターンを得る段階を含むことを特徴としている。  
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項１１記載の発明は、請求項１０記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記（ｂ）段階の露光前及び／又は露光後に、それぞれベーク工程を行う段階をさらに含むことを特徴としている。  
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項１２記載の発明は、請求項１１記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記ベーク工程は、７０〜２００℃で行われることを特徴としている。  
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項１３記載の発明は、請求項１０記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記露光工程は、光源としてＡｒＦ（１９３nm）、ＫｒＦ（２４８nm）、ＶＵＶ（１５７nm）、ＥＵＶ（１３nm）、Ｅ−ビーム、Ｘ−線、又はイオンビームを利用して行われることを特徴としている。  
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１４記載の発明は、請求項１０記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記露光工程は、１〜１００mJ/cm2の露光エネルギーで行われることを特徴としている。  
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項１５記載の半導体素子は、請求項１０から１４のいずれかに記載のフォトレジストパターン形成方法を利用して製造されたことを特徴としている。