Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置で複数のサブパケットを送信する方法であって、
複数のデータパケットをエンコードすること、
各データパケットに対して複数のサブパケットを生成することであって、該サブパケットのそれぞれはサブパケット識別子によって区別され得ること、
パケットデータチャネルを介して複数のサブパケットを送信すること、および
パケットデータ制御チャネルを介してサブパケット識別子を送信することであって、該複数のサブパケットの第１のサブパケットのためのサブパケット識別子は、各データパケットに対して生成された複数のサブパケットの全てと同じであること、
を包含する方法。
【請求項２】
前記各データパケットに対する複数のサブパケットが、少なくとも４つのサブパケットを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記全ての複数のサブパケットの第１のサブパケットのためのサブパケット識別子が、二進化値”００”を有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記残りのサブパケットのそれぞれのためのサブパケット識別子が、”０１”、”１０”又は”１１”の二進化値を有する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記全ての複数のサブパケットの第１のサブパケットのためのサブパケット識別子が、二進化値”０００”を有する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記残りの各パケットのためのサブパケット識別子が、二進化値”００１”、”０１０”、”０１１”、”１００”、”１０１”、”１１０”又は”１１１”を有する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記二進化値”１１１”が、前に送信されたサブパケットの連続する表示である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
同じデータパケットの部分である全てのサブパケットの長さが同じである請求項１に記載の方法。
【請求項９】
同じデータパケットの部分である全てのサブパケットの長さが可変である請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数のサブパケットが、エンコードする工程の結果をインターリービングし、変調し、デマルチプレキシングした後に生成される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記変調が、ＱＰＳＫ、８−ＰＳＫ、およびＱＡＭ変調である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記デマルチプレキシングが、所定の数のワルシコードに基づいている請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記所定の数が２８以下である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記各複数のサブパケットが、所定の数のパケットデータチャネルのスロットを介して送信される請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記スロットの前記所定の数が１，２，４又は８である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数のサブパケットが、ハイブリッド自動再送要求方式を用いて送信される請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記サブパケット識別子がサブパケット転送開始点に相当する請求項１，２，３，４，８，９，１０，１１，１２，１３，１４又は１５に記載の方法。
【請求項１８】
通信装置でｋ番目のサブパケットの開始点を決定する方法であって、
パケットデータチャネルを介して複数のサブパケットを受信すること、
パケットデータ制御チャネルを介して複数の制御情報を受信することであって、ここで、該制御情報がｋ番目のサブパケットのサブパケット識別子（ＳＰＩＤｋ）を含み、ＮＥＰがエンコーダパケットにおけるビット数に相当し、Ｎwalsh,Kがｋ番目のサブパケットのＮ-チップワルシチャネル数に相当し、Ｎslots,kがｋ番目サブパケットのスロット数に相当し、および
以下に基づいてｋ番目サブパケットの開始点Ｆｋを決定すること、を包含する方法：
Ｆｋ＝（ＳＰＩＤｋ*Ｌｋ）ｍｏｄ（ｎ*ＮＥＰ)、ここでＬｋが定数*Ｎwalsh,K*Ｎslots,k*ｍｋであり、ｎは所定の値、ｍｋはｋ番目のサブパケットの変調オーダーに相当する。
【請求項１９】
前記Ｎが３２に等しい請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記定数が４８に等しい請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ｎが５に等しい請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ＳＰＩＤｋが，二進化値”００”、”０１”、”１０”又は”１１”に基づいた十進値に相当する請求項１８又は２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記（ｎ*ＮＥＰ)がｍｉｎ（ｘ，５ＮＥＰ)である請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記ｍｋがさらにパケットデータチャネルを介して受信される請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
前記各スロットは、1.25ｍｓに等しい請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】
前記ｍｋが、ＱＰＳＫでは２、８−ＰＳＫでは３、又は１６-ＱＡＭでは４である請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記同じエンコーダパケットの部分である全てのサブパケットの長さが同じである請求項１８に記載の方法。
【請求項２８】
同じエンコーダパケットの部分である全てのサブパケットの長さが可変である請求項１８に記載の方法。
【請求項２９】
Ｌｋがｋ番目のサブパケットのコードシンボルの数に相当する請求項１８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
即ち、エンコーダパケット（図４ａおよび図４ｂのターボ符号器１０１の入力パケット）の大きさと、サブパケットの長さが決められると、サブパケットのコードシンボル大きさが決定されるので、その情報を用いて、以前のサブパケットが現在サブパケットで転送されるコードシンボルの大きさと同じ大きさを有して転送されたという仮定の下で、現在転送されるサブパケットの転送位置を決める方式である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
従って、エンコーディッドパケットは、図４ａおよび図４ｂに示すように、１５３６０ビットを含む複数のエンコーディッドパケットから生成し、そのエンコーディッドパケットにおける各サブパケットの転送時点は、次のように決められる。このとき、各サブパケットのコードシンボルの大きさは１０７５２である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動ステーションへの新たな接続を開くときに、その接続のインターリーブ期間のスタート時間を、移動ステーションの接続のインターリーブ期間のスタート時間を整列させる第１の所定ルールに基づいて設定することを特徴とするセルラーテレコミュニケーション・システムにおける移動ステーションの接続を確立する方法。
【請求項２】
第１ルールに従って、上記接続のインターリーブ期間のスタートフレームが設定されるそのフレームにおいては、上記インターリーブ期間の長さを法とするグローバルフレーム番号が所定数である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記所定数はゼロである請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記インターリーブ期間の長さは、接続のインターリーブ期間がスタートするそのフレームの頻度数を増加する第２の所定ルールに基づいて設定される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第２の所定ルールに基づき、上記インターリーブ期間の長さを２の累乗に設定する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
セルラーテレコミュニケーションシステムのための移動テレコミュニケーション装置（１０）において、該移動テレコミュニケーション装置（１０）と上記セルラーテレコミュニケーション・システムのネットワーク要素（２０、３０、３１）との間に新たな接続を開く準備を、上記移動テレコミュニケーション装置と上記セルラーテレコミュニケーション・システムとの間の接続のインターリーブ期間のスタート時間を整列させる第１の所定ルールに基づいて上記新たな接続のインターリーブ期間のスタート時間を設定することによって行なう手段を備えることを特徴とする移動テレコミュニケーション装置。
【請求項７】
セルラーテレコミュニケーション・システムのためのネットワーク要素（２０、３０、３１）において、該ネットワーク要素（２０、３０、３１）と上記セルラーテレコミュニケーション・システムの移動テレコミュニケーション装置（１０）との間に新たな接続を開く準備を、上記セルラーテレコミュニケーション・システムと上記移動テレコミュニケーション装置との間の接続のインターリーブ期間のスタート時間を整列させる第１の所定ルールに基づいて上記新たな接続のインターリーブ期間のスタート時間を設定することによって行なう手段を備えることを特徴とするネットワーク要素。
【請求項８】
無線ネットワークコントローラ（３０、３１）である請求項７に記載のネットワーク要素。
【請求項９】
ベースステーション（２０）である請求項７に記載のネットワーク要素。
【請求項１０】
ネットワーク要素（２０、３０、３１）および移動ステーション（１０）を備えるセルラーテレコミュニケーション・システムにおいて、該ネットワーク要素（２０、３０、３１）と上記セルラーテレコミュニケーション・システムの移動テレコミュニケーション装置（１０）との間に新たな接続を開く準備を、上記セルラーテレコミュニケーション・システムと上記移動テレコミュニケーション装置との間の接続のインターリーブ期間のスタート時間を整列させる第１の所定ルールに基づいて上記新たな接続のインターリーブ期間のスタート時間を設定することによって行なう手段を備えることを特徴とするセルラーテレコミュニケーション・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、前記一対の電極の間に介在するセパレータと、前記電極と前記セパレータに含浸させた電解質溶液を含む電気化学蓄電デバイスであって、
前記電極が、硝酸ルテニウムおよび前記硝酸ルテニウムを溶かした溶液から選ばれる少なくとも一つを炭素系材料に吸着させ付加処理を行うことにより、少なくとも酸化ルテニウムまたは水酸化ルテニウムを前記炭素系材料に担持した電極であることを特徴とする電気化学蓄電デバイス。
【請求項２】
付加処理が熱処理である請求項１に記載の電気化学蓄電デバイス。
【請求項３】
付加処理がアルカリ性水溶液中への浸漬である請求項1に記載の電気化学蓄電デバイス。
【請求項４】
炭素材料の比表面積が５００m2/g以上４０００m2/g以下の多孔質炭である請求項１に記載の電気化学蓄電デバイス。
【請求項５】
炭素材料が、活性炭繊維である請求項１に記載の電気化学蓄電デバイス。
【請求項６】
電極材料中には、酸化物または水酸化物の形でハロゲン化物は添加しない請求項１に記載の電気化学蓄電デバイス。
【請求項７】
電極材料中のハロゲン化物は２０ppm未満である請求項１に記載の電気化学蓄電デバイス。
【請求項８】
硝酸ルテニウムの担持量が、０．０１質量％以上３０質量％の範囲である請求項１に記載の電気化学蓄電デバイス。
【請求項９】
一対の電極と、前記一対の電極の間に介在するセパレータと、前記電極と前記セパレータに含浸させた電解質溶液を含む電気化学蓄電デバイスの製造方法であって、
前記電極を、遷移金属硝酸化合物および前記遷移金属硝酸化合物を溶かした溶液から選ばれる少なくとも一つを炭素系材料に吸着させ付加処理を行うことにより、少なくとも遷移金属酸化物または遷移金属水酸化物を前記炭素系材料に担持して形成することを特徴とする電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項１０】
付加処理が熱処理である請求項９に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項１１】
付加処理がアルカリ性水溶液中への浸漬である請求項９に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項１２】
遷移金属硝酸化合物が硝酸ルテニウム、硝酸バナジウム、硝酸タングステン、硝酸モリブデン、硝酸クロム、硝酸マンガン、硝酸鉄、硝酸ロジウム、硝酸オスミウム、硝酸イリジウム、硝酸コバルト、硝酸ニッケルおよび硝酸パラジウムから選ばれる少なくとも一つである請求項９に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項１３】
炭素材料が、活性炭繊維である請求項９に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項１４】
炭素材料の比表面積が５００m2/g以上４０００m2/g以下の多孔質炭である請求項９に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項１５】
電極材料中には、酸化物または水酸化物の形でハロゲン化物は添加しない請求項９に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項１６】
電極材料中のハロゲン化物は２０ppm未満である請求項９に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項１７】
熱処理が、酸素ガスが０以上３０vol.％以下の不活性ガス雰囲気下である請求項１０に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項１８】
熱処理が、１５０℃以上７５０℃以下の範囲である請求項１０に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項１９】
アルカリ性水溶液が、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＮａＨＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3およびＮＨ4ＯＨから選ばれる少なくとも一つのアルカリ性水溶液である請求項１１に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項２０】
アルカリ性水溶液中のアルカリ物質の濃度が、０．００１〜１０Ｎの範囲である請求項１９に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【請求項２１】
アルカリ性水溶液中へ浸漬した後、遊離のナトリウムイオンおよび硝酸イオンを洗浄により除去する請求項９に記載の電気化学蓄電デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の電気化学蓄電デバイスは、一対の電極と、前記一対の電極の間に介在するセパレータと、前記電極と前記セパレータに含浸させた電解質溶液を含む電気化学蓄電デバイスであって、前記電極が、硝酸ルテニウムおよび前記硝酸ルテニウムを溶かした溶液から選ばれる少なくとも一つを炭素系材料に吸着させ付加処理を行うことにより、少なくとも酸化ルテニウムまたは水酸化ルテニウムを前記炭素系材料に担持した電極であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージ処理システムにおけるフレーム間ノイズを最小化するための方法において、
イメージ処理システムにおけるイメージ制御機能に対する目標設定を設けるステップ（２０８）と、
前記イメージ制御機能に関連する状態情報を記憶するように構成された記憶ユニットを設けるステップ（２０２）であって、前記状態情報は、第１の状態または第２の状態のいずれかであることからなる、ステップと、
前記イメージ制御機能に対する許容値を設けるステップであって、前記許容値は、前記第１の状態では第１の値（２１４）であり、前記第２の状態では第２の値（２１２）であることからなる、ステップと、
ビデオフレームに対応するフレームデータを受け取るステップ（２０４）と、
前記フレームデータから前記イメージ制御機能に関連するイメージ制御機能測定値を決定するステップ（２０６）と、
前記イメージ制御機能測定値と前記目標設定を用いて誤差値を計算するステップ（２０８）と、
前記誤差値が前記許容値を超えたかどうかを判断するステップ（２１６）と、
前記誤差値が前記許容値を超えたという判断に応答して、前記状態情報を前記第１の状態に設定し（２２０）、前記イメージ制御機能測定値を前記目標設定に向けて収束させるステップ（２２２）
を含む、方法。
【請求項２】
前記第１の値が、狭い許容値であり（２１４）、前記第２の値が、広い許容値である（２１２）、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記目標設定が、目標輝度である（３０８）、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記目標設定が、前記フレームデータにおいて測定された最大のグリーン値である（４０８）、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
イメージ処理システム（１００）において、
一つまたはそれ以上のイメージ制御機能に対して一つまたはそれ以上の目標設定を記憶するように構成された第１の記憶ユニットであって、イメージ制御機能に対する目標設定を記憶する第１の記憶ユニットと、
前記イメージ制御機能に関連する状態情報を記憶するように構成された第２の記憶ユニット（１０６）であって、前記状態情報は、第１の状態または第２の状態のいずれかであることかなる、第２の記憶ユニットと、
前記イメージ制御機能に対する許容値を記憶するように構成された第３の記憶ユニット（１０８）であって、前記許容値は、前記第１の状態では第１の値であり、前記第２の状態では第２の値であることからなる、第３の記憶ユニットと、
前記第１、第２および第３の記憶ユニットに結合されたモジュール（１０４）
を備え、
前記モジュールは、ビデオフレームに対応するフレームデータを受け取る（２０４）ように動作可能であり、及び、前記フレームデータからイメージ制御機能測定値を決定する（２０６）ように動作可能であり、及び、前記イメージ制御機能測定値と前記目標設定を用いて誤差値を計算する（２０８）ように動作可能であり、さらに、前記モジュールは、前記誤差値が前記許容値を超えたかどうかを判断する（２１６）ように動作可能であって、前記誤差値が前記許容値を超えたことの判断に応答して、前記状態情報を前記第１の状態に設定して（２２０）、前記イメージ制御機能測定値を前記目標設定に向けて収束させる（２２２）よう動作可能であり、前記イメージ制御機能測定値は、前記イメージ制御機能に関連していることからなる、システム。
【請求項６】
前記モジュール（１０４）に結合されて、前記フレームデータからの統計値を決定するように動作可能な第２のモジュール（１０２）を更に備える請求項５のシステムであって、前記統計値は、前記イメージ制御機能測定値を決定するために使用されることからなる、システム。
【請求項７】
イメージ処理システムにおけるフレーム間ノイズを最小化するための方法であって、
ビデオフレームを受信するステップ（２０４）と、
ビデオフレームのイメージ制御機能に関連する測定値を決定するステップ（２０６）と、
目標値を設定するステップ（２０８）と、
許容値を設定するステップ（２１２、２１４）と、
前記測定値と前記目標値を用いて誤差値を計算するステップ（２０８）と、
前記誤差値と前記許容値を比較するステップ（２１６）と、
前記誤差値が前記許容値よりも大きいことに応答して、前記イメージ制御機能を調整するステップ（２２２）
を含む、方法。
【請求項８】
前記誤差値が前記許容値以下であることに応答して、前記イメージ制御機能を保持するステップ（２１８）を更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第１の状態（２２０）または第２の状態（２１８）のいずれかである状態情報を保持するステップ（２０２）と、
前記誤差値が前記許容値よりも大きいことに応答して、前記状態情報を前記第１の状態に設定するステップ（２２０）
を更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
記憶媒体中に記憶されたビデオフレームと、
前記記憶媒体に結合されて、前記ビデオフレーム中の測定値を決定する（２０６）よう動作可能なモジュール（１０４）
を備えるイメージ処理システム（１００）であって、
前記測定値は、イメージ制御機能に関連するものであり、前記モジュールは、前記測定値と目標値を用いて誤差値を計算し(２０８)、前記誤差値と許容値を比較する（２１６）よう動作可能であり、前記モジュールは、さらに、前記誤差値が前記許容値よりも大きいことに応答して、前記イメージ制御機能を調整する（２２２）ように動作可能であることからなる、イメージ処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）所定のフレーム撮影速度でデジタル動画シーケンスを記録するステップと、
（ｂ）前記動画シーケンスの異なる箇所での情景コンテンツ変化の関数として、それぞれ異なる有効画像コンテンツの変化速度を選択するステップと、
（ｃ）前記デジタル動画シーケンスを処理し、前記選択された有効画像コンテンツの変化速度を有する処理済みデジタル動画シーケンスを作成するステップと
を含むことを特徴とするデジタル動画シーケンスの記録処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記モータ側コネクタの各接続部材は、前記本体延設部の延在方向に向かって見たときの端面形状が、前記モータ側係合部と外部側係合部とを繋ぐように折り返された形状に形成されていることを特徴とする請求項３記載のモータ用コネクタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、請求項４にかかるモータ用コネクタ装置では、上記請求項３に加えて、モータ側コネクタの各接続部材は、前記本体延設部の延在方向に向かって見たときの端面形状が、前記モータ側係合部と外部側係合部とを繋ぐように折り返された形状に形成されていることから、上記請求項３の作用に加えて、小型の形状をなす接続部材によって、モータ側コネクタの剛性が効率的に向上されることとなり、上記請求項３の作用が、小型の装置で実現されるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2002359034.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶装置であって、
電子ビームを放出するように適合され、それぞれが平坦な放出表面を有する、複数の電子エミッタと、及び
前記複数の電子エミッタに近接して配置される記憶媒体であって、その記憶媒体が、データを表す少なくとも２つの異なる状態を可能にする複数の記憶領域を有し、各記憶領域の状態が、電子エミッタによって放出される電子ビームによるボンバードに応じて変更可能である、記憶媒体とを含み、
前記記憶領域の状態を変更することにより前記記憶装置にデータが書き込まれ、前記記憶領域に関連した現象を観測することにより前記記憶装置によってデータが読み出される、データ記憶装置。
【請求項２】
入射する電子ビームに応じて前記記憶領域によって生じる二次電子および後方散乱電子を受け取るように配置された電子コレクタをさらに含む、請求項１のデータ記憶装置。
【請求項３】
前記記憶媒体がダイオードであり、前記記憶領域が入射する電子ビームに応じて少数キャリアを生成する、請求項１のデータ記憶装置。
【請求項４】
データを格納するための方法であって、
平坦な放出表面を含む電子エミッタから電子ビームを放出するステップと、
複数の記憶領域を含む記憶媒体の方へ前記電子ビームを向けるステップと、および
記憶領域の状態を変更するように前記電子ビームの状態の電子で前記複数の記憶領域の１つをボンバードするステップとを含む、方法。
【請求項５】
前記記憶領域が結晶状態からアモルファス状態に変更される、請求項５の方法。
【請求項６】
前記記憶領域がアモルファス状態から結晶状態に変更される、請求項５の方法。
【請求項７】
前記記憶領域の状態を判定するために、入射する電子ビームに応じて前記記憶領域によって生じる二次電子および後方散乱電子を収集するステップをさらに含む、請求項５の方法。
【請求項８】
前記記憶領域の状態を判定するために、入射する電子ビームに応じて前記記憶領域によって生じる少数キャリアに対する影響を観測するステップをさらに含む、請求項５の方法。
【請求項９】
データ記憶装置であって、
電子ビームを放出するように適合された複数の電子エミッタであって、該複数の電子エミッタのそれぞれが、活性領域を有する基板と、その基板上に形成された半導体層とを含み、その半導体層が、平坦な放出表面を形成する平坦な外側表面を含む、複数の電子エミッタと、及び
前記複数の電子エミッタに近接して配置される記憶媒体であって、その記憶媒体が、データを表す少なくとも２つの異なる状態を可能にする複数の記憶領域を有し、前記記憶領域の状態が、前記電子エミッタによって放出される電子ビームによるボンバードに応じて変更可能である、記憶媒体とを含み、
前記記憶領域の状態を変更することにより前記記憶装置にデータが書き込まれ、前記記憶領域に関連した現象を観測することにより前記記憶装置によってデータが読み出される、データ記憶装置。
【請求項１０】
データ記憶装置であって、
電子エミッタを含み、
前記電子エミッタが、基板と、その基板上に設けられた半導体層とを含み、その半導体層が、平坦な放出表面を含む平坦な外側表面を含み、前記電子エミッタが前記平坦な放出表面から電子を放出するように構成されている、データ記憶装置。
【請求項１１】
前記半導体層が、ポリシリコンまたは炭化ケイ素から作成される、請求項１０のデータ記憶装置。
【請求項１２】
前記半導体層が、前記平坦な放出表面と揃えられた多孔性領域を含む、請求項１０のデータ記憶装置。
【請求項１３】
データ記憶装置において使用するためのデータ記憶デバイスであって、
電子エミッタを含み、
前記電子エミッタが、基板と、その基板上に設けられた絶縁層とを含み、その絶縁層が、平坦な放出表面を含む平坦な外側表面を含み、前記電子エミッタが前記平坦な放出表面から電子を放出するように構成されている、データ記憶デバイス。
【請求項１４】
データ記憶装置において使用するための電子エミッタであって、
基板と、および
前記基板上に設けられ、平坦な放出表面を含む平坦な外側表面を含む半導体層とを含み、
前記電子エミッタが、前記データ記憶装置内で前記平坦な放出表面から電子を放出するように構成されている、電子エミッタ。
【請求項１５】
データ記憶装置において使用するための電子エミッタであって、
基板と、および
前記基板上に設けられ、平坦な放出表面を含む平坦な外側表面を含む絶縁層とを含み、
前記電子エミッタが、前記データ記憶装置内で前記平坦な放出表面から電子を放出するように構成されている、電子エミッタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、本発明はデータを格納するための方法に関し、その方法は、平坦な放出表面を含む電子エミッタから電子ビームを放出するステップと、その電子ビームを複数の記憶領域からなる記憶媒体に向けるステップと、記憶領域の状態を変更するように、記憶領域の１つに電子ビームの状態の電子で衝撃を加えるステップとからなる。典型的には、必ずというわけではないが、その方法は、記憶領域の１つに低電子ビーム流の状態の電子で衝撃を加えるステップと、記憶領域においてその作用を観測するステップとをさらに含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１および図２に示されるように、データ記憶装置１００は、内側空間１０４内の所定位置に記憶媒体１１０を支持する１つあるいは複数の支持体１２０をさらに含む。支持体を設ける場合、その支持体１２０は典型的には、記憶媒体１１０がＸ方向および／またはＹ方向に移動する際に撓む、薄壁形に微細加工された梁を含む。図１および図２にさらに示されるように、支持体１２０は、ケーシング１０２の壁１０６にそれぞれ接続され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月2日(2004.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つのワードゲートと、２つのコントロールゲートにより制御される２つの不揮発性メモリ素子を有するメモリセルを、相交差する第１及び第２の方向にそれぞれ複数配列してなるメモリセルアレイ領域と、
前記メモリセルアレイ領域と前記第１の方向にて隣接して配置された選択領域と、
を有し、
前記メモリセルアレイ領域は、
前記第１の方向に沿って配列された複数のメモリセルの両側にて、前記第１の方向に沿って前記選択領域まで延長された不純物層にて形成された複数のサブビット線と、
前記第１の方向に沿って延び、前記複数のサブビット線の２倍の数の複数のコントロールゲート線と、
前記第２の方向に沿って延びる複数のワード線と、
を有し、
前記選択領域及び前記メモリセルアレイ領域上にて前記第１の方向に沿って延び、前記複数のサブビット線より少ない複数のメインビット線が設けられ、
前記選択領域は、前記複数のサブビット線を前記複数のメインビット線に選択して接続するサブビット選択回路を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記選択領域は、前記第１の方向にて前記メモリセルアレイ領域を挟んだ両側に設けられた第１及び第２の選択領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記複数のサブビット線のうちの偶数のサブビット線は、前記第１の選択領域まで延長され、
前記複数のサブビット線のうちの奇数のサブビット線は、前記第２の選択領域まで延長されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の選択領域は、前記偶数のサブビット線を選択して、偶数のメインビット線に接続する偶数サブビット選択回路を有し、
前記第２の選択領域は、前記奇数のサブビット線を選択して、奇数のメインビット線に接続する奇数サブビット選択回路を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれかにおいて、
前記メモリセルアレイ領域は、前記複数のサブビット線の各々の両側に配置される各２本のコントロールゲート線を、前記複数のサブビット線の各々が前記選択領域に向けて延長される端部とは反対の端部にてそれぞれ接続する複数の共通接続部を有し、
前記複数の共通接続部の各々と前記選択領域とは、前記複数のサブビット線と同数の複数のサブコントロールゲート線によりそれぞれ接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記選択領域及び前記メモリセルアレイ領域上にて前記第１の方向に沿って延び、前記複数のサブコントロールゲート線より少ない複数のメインコントロールゲート線が設けられ、
前記選択領域は、前記複数のサブコントロールゲート線を前記複数のメインコントロールゲート線に選択して接続するサブコントロールゲート選択回路を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記奇数のサブビット線の両側の各２本のコントロールゲート線は、前記第１の方向の一端に設けられた奇数の前記共通接続部にて共通接続され、
前記偶数のサブビット線の両側の各２本のコントロールゲート線は、前記第１の方向の他端側に設けられた偶数の前記共通接続部にて共通接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記奇数の共通接続部の各々は、奇数のサブコントロールゲート線の各々に接続され、前記奇数のサブコントロールゲート線の各々が前記第１の選択領域まで延長され、
前記偶数の共通接続部の各々は、偶数のサブコントロールゲート線の各々に接続され、前記偶数のサブコントロールゲート線の各々が前記第２の選択領域まで延長されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１の選択領域は、前記奇数のサブコントロールゲート線を選択して、奇数のメインコントロールゲート線に接続する奇数サブコントロールゲート選択回路を有し、
前記第２の選択領域は、前記偶数のサブコントロールゲート線を選択して、偶数のメインコントロールゲート線に接続する偶数サブコントロールゲート選択回路を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記メモリセルアレイ領域及び前記選択領域にて１単位のメモリブロックが構成され、複数のメモリブロックが前記第１の方向に沿って配列されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記複数のメモリブロックの前記第１の方向の一端には、前記複数のメインビット線を駆動するメインビット線ドライバが設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１２】
請求項６において、
前記メモリセルアレイ領域及び前記選択領域にて１単位のメモリブロックが構成され、複数のメモリブロックが前記第１の方向に沿って配列され、
前記複数のメモリブロックの前記第１の方向の一端には、前記複数のメインビット線を駆動するメインビット線ドライバが設けられ、
前記複数のメモリブロックの前記第１の方向の他端には、前記複数のメインコントロールゲート線を駆動するメインコントロールゲート線ドライバが設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２において、
前記複数のメモリブロックの第２の方向の一端には、前記ワード線を駆動するワード線ドライバが設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第２の方向にて前記ワード線ドライバを挟んだ両側に、前記複数のメモリブロックがそれぞれ配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１５】
請求項５乃至１４のいずれかにおいて、
前記複数のサブコントロールゲート線は、第１層の金属配線層であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記複数のワード線には、第２層の金属配線層が接続されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記複数のメインビット線及び前記複数のメインコントロールゲート線は、第３層の金属配線層であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれかにおいて、
前記２つの不揮発性メモリ素子は、酸化膜（Ｏ）、窒化膜（Ｎ）及び酸化膜（Ｏ）からなるＯＮＯ膜を電荷のトラップサイトとして有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のバンドギャップエネルギー及び第１の導電タイプを有する第１の半導体材料からなる第１の閉じ込め層（110）と、
第２のバンドギャップエネルギーを有する第２の半導体材料からなる第２の閉じ込め層（112）と、
第３のバンドギャップエネルギー及び前記第１の導電タイプとは逆の第２の導電タイプを有する第３の半導体材料からなる光導電層（111）と、この光導電層が、前記第１の閉じ込め層と前記第２の閉じ込め層の間に挟まれ、前記第３のバンドギャップエネルギーが、前記第１及び第２のバンドギャップエネルギーより小さく、また前記光導電層が、
前記第１の閉じ込め層に接触しているドープトサブレイヤ（114）及び、
前記第２の閉じ込め層に隣接しているアンドープトサブレイヤ（115）を含み、
間隙によって互いに分離され、前記光導電層から遠隔の前記第１の閉じ込め層の表面に配置されている第１電極（118）及び第２電極（120）とを含む光導電スイッチ。
【請求項２】
前記ドープトサブレイヤが第１のドープトサブレイヤであり、
さらに前記光導電層が前記第２の閉じ込め層に接触している第２のドープトサブレイヤ（216）を含む請求項１に記載の光導電スイッチ。
【請求項３】
さらに（ａ）傾斜組成層及び、（ｂ）前記光導電層と前記第１の閉じ込め層の間に挟まれているチャープ超格子多層薄膜（330）の一方が含まれている請求項１に記載の光導電スイッチ。
【請求項４】
さらに前記光導電スイッチが入射光（14）で前記光導電層を照射するように配置されている光源を含み、
前記第１の閉じ込め層及び前記光導電層の厚みが、それぞれｔｃ及びｄであり、
前記第１の半導体材料及び前記第３の半導体材料が、それぞれ入射光に関してαｃ及びαｐの吸収係数を有し、
前記第１の閉じ込め層の厚みと前記第１の半導体材料の吸収係数の積ｔｃαｃが、１と比較して小さい値であり、
前記光導電層の厚みと前記第３の半導体材料の吸収係数の積ｄαｐが、約１を超える値である請求項１に記載の光導電スイッチ。
【請求項５】
前記第１の導電タイプがｎ型であり、
前記第３の半導体材料が、前記第１のドープトサブレイヤ及び前記第２のドープトサブレイヤにおいてｐ型になるようにドープされ、
前記第３の半導体材料が、前記アンドープトサブレイヤにおいて添加ドーパントが不足している請求項１に記載の光導電スイッチ。
【請求項６】
接触層と、
キャップ層と、
順に前記第１の閉じ込め層と前記第１電極の間、及び前記第１の閉じ込め層と前記第２の閉じ込め層の間に挟まれている傾斜組成層とをさらに含む請求項１に記載の光導電スイッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
光導電層111は、第１の閉じ込め層110と第２の閉じ込め層112の間に挟まれており、第１の閉じ込め層110に隣接したドープトサブレイヤ114を含む。光導電層の残りの部分は、アンドープトサブレイヤ115を構成している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ搭載面を有し、複数のチップ搭載領域が一部領域が重なる状態で上記半導体チップ搭載面に設定された絶縁基板と、
前記複数の各チップ搭載領域に搭載可能な半導体チップそれぞれに対応して前記絶縁基板上に形成された複数のグループの複数の導電パッドと、
前記複数のチップ搭載領域のいずれか１つのチップ搭載領域に搭載され、上面に複数の導電パッドが設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの上面に設けられた複数の導電パッドと、前記絶縁基板上に形成された複数のグループの複数の導電パッドのうち前記チップ搭載領域に搭載された半導体チップに対応したグループの前記複数の導電パッドとを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ
とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
少なくとも前記半導体チップ及び複数のボンディングワイヤを覆うように設けられた封止用樹脂を具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップが半導体メモリチップであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数のチップ搭載領域に搭載可能な前記複数種類の半導体チップが、記憶容量が異なる半導体メモリチップであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数のチップ搭載領域に搭載可能な前記複数種類の半導体チップが、同一機能を有しサイズが異なる半導体メモリチップであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁基板上に形成された複数のグループの複数の導電パッドのうち同一機能を有する複数の導電パッド相互をグループ間で電気的に接続する前記絶縁基板の前記半導体チップ搭載面に設けられた複数の配線を具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁基板の前記半導体チップ搭載面とは反対の面に設けられた複数の導電層と、
前記複数の配線と上記複数の導電層のうち対応するもの同士を電気的に接続する前記絶縁基板の前記半導体チップ搭載面及びその反対面を貫通するように設けられた複数のスルーホール導電体とを具備したことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記複数の配線のうち電源電位もしくは接地電位を伝達する各配線は、前記複数のスルーホール導電体から前記複数の導電パッドに至る経路の途中で各チップ搭載領域毎に分岐されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体チップ搭載面を有し、複数のチップ搭載領域が一部領域が重なる状態で上記半導体チップ搭載面に設定された絶縁基板と、前記複数の各チップ搭載領域に搭載可能な半導体チップそれぞれに対応して前記絶縁基板上に形成された複数のグループの複数の導電パッドと、前記複数のチップ搭載領域のいずれか１つのチップ搭載領域に搭載され、上面に複数の導電パッドが設けられた半導体チップと、前記半導体チップの上面に設けられた複数の導電パッドと、前記絶縁基板上に形成された複数のグループの複数の導電パッドのうち前記チップ搭載領域に搭載された半導体チップに対応したグループの前記複数の導電パッドとを電気的に接続する複数のボンディングワイヤとを具備している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、搭載チップの変更に伴う新規な半導体チップ搭載基板の開発設計を不要化でき、半導体チップ搭載基板の品種の増加を抑制し、製造コストの上昇を抑制し得る半導体装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図２５において、円形状の給電点１１８において、上面導体１１５ａとアンテナ素子１１３の上端との間に、ギャップ１２０が形成され、これらの間に周波数選択回路１１９が接続される。この従来例のアンテナ装置では、接地導体１１１と上面導体１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃと４つの側面導体１１４が電気的に接続され、ＺＹ面、ＺＸ面に対して対称に直方体を構成し、上面において同一形状の２つの矩形開口１１６，１１７がＺＹ面に対して対称に配置され、給電部１１２がＸＹ面の原点上に配置され、アンテナ素子１１３がＸＹ面に垂直な導体線で構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図１において、接地導体１１の略中央部に円形状の孔が形成されて、給電ケーブル（図示せず。）と接続される給電部１２が形成される。給電ケーブルの接地導体は、上面がＸＹ平面上に位置する接地導体１１に接続される一方、その中心導体は放射導体４を下端に接続される。Ｍ型アンテナ素子１が、給電点１２を有する接地導体１１上に設けられ、ここで、放射導体３の下端は接地され、その上端は伝送導体６の一端に接続される。また、放射導体５の下端は接地され、その上端は伝送導体６の他端に接続される。さらに、放射導体４の上端は接続点Ｐ１で伝送導体６の略中央部に接続される。なお、放射導体４はＺ軸上に延在し、放射導体３，５はＺ軸と平行となるように形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図８（ａ）から明らかなように、周波数ずれ比ｆ１／ｆ１０はいずれの場合においても１に近く、周波数ｆ１とｆ１０の差は非常に小さいことがわかる。具体的には差は３％以下である。以上より、本実施例に係るＭ型アンテナ装置の第１の共振周波数ｆ１は、Ｍ型アンテナ素子１の共振周波数ｆ１０から精度良く求めることができ、本実施例に係るＭ型アンテナ装置を容易に設計できることがわかる。特に、放射導体の高さの差ΔＨを０．００７×λ２以下に設定すれば、共振周波数比ｆ２０／ｆ１０の値に関わらず、周波数ずれ比ｆ１／ｆ１０は１に近く、共振周波数差は±１％以下である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
＜第１３の変形例＞
図２３（ｄ）は第５の実施形態から変形された第１３の変形例であるＭ型アンテナ装置の構成を示す斜視図である。第５の実施形態では、放射導体４ａは接続点Ｐ２と接続点Ｐ１との間に接続され、放射導体４ｂは接続点Ｐ３と接続点Ｐ２との間に接続されているが、第１３の変形例では、放射導体４ａに代えて放射導体４ｅを備え、放射導体４ｂに代えて放射導体４ｆを備える。ここで、放射導体４ｅの一端は接続点Ｐ２に接続される一方、放射導体４ｅの他端は接続点Ｐ１と、伝送導体６の一端又は他端との間の接続点Ｐ５との間に接続される。また、放射導体４ｆの一端は接続点Ｐ３に接続される一方、放射導体４ｆの他端は接続点Ｐ２と、伝送導体６ａの一端又は他端との間の接続点Ｐ６との間に接続される。ここで、接続点Ｐ５及びＰ６の位置を伝送導体６，６ａ上で移動することにより、当該Ｍ型アンテナ装置の入力インピーダンスを調整できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
図３２において、ＹＺ平面上において、放射導体３，４，５と伝送導体６とを備え、第１の実施形態と同様な構成を有するＭ型アンテナ素子１が形成され、ＹＺ平面から−Ｘ方向であって所定の距離ｄｓだけ離れた、ＹＺ平面に平行な平面上に、放射導体３ａ，５ａと伝送導体６ａとを備え、第１の実施形態と同様な構成を有するＭ型アンテナ素子２が形成される。ここで、伝送導体６の中央点である接続点Ｐ１から、ＸＹ平面に対して平行に延在して、伝送導体６ａの中央点である接続点Ｐ２に接続される伝送導体６ｃが形成される。なお、伝送導体６ｃはＸ軸方向と平行であって、伝送導体６ａの長さは、伝送導体６の長さよりも短くなるように設定される。また、Ｍ型アンテナ素子１の給電点１２から放射導体４、伝送導体６及び放射導体３を介して給電点１２に至るアンテナ長と、Ｍ型アンテナ素子１の給電点１２から放射導体４、伝送導体６及び放射導体５を介して給電点１２に至るアンテナ長とは、周波数ｆ１の半波長の整数倍となるように設定される。一方、Ｍ型アンテナ素子２は、矢印４３乃至４７により電流分布を示す図３３に示すように、給電部１２から放射導体４、伝送導体６ｃ、伝送導体６ａ及び放射導体３ａを介して給電部１２までに戻る、矢印４１ａで示されたループ回路の長さが、周波数ｆ２の半波長の整数倍となるように設定されるとともに、給電部１２から放射導体４、伝送導体６ｃ、伝送導体６ａ及び放射導体５ａを介して給電部１２までに戻る、矢印４２ａで示されたループ回路の長さが、周波数ｆ２の半波長の整数倍となるように設定される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部電極、圧電（ＰＺ）層、及び表面電極を有する薄膜バルク音響共振器の共振周波数を低下させる方法であって、
前記表面電極が加熱により酸化される導電体部分を含むようにし、加熱を行うことで前記表面電極の一部を酸化する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記導電体部分は、モリブデンを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板の加熱は、空気中で行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板の加熱を、約３００℃で約１時間行うことにより、約５ＭＨｚだけ前記共振周波数を低下させるようにすることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板の加熱による酸化を監視し、約１乃至６％の範囲での前記共振周波数の低下を制御する工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
基板上に共振器を製造する方法において、
前記基板上に第１の底部電極、第１の圧電（ＰＺ）層および第１の表面電極を備えた第１の共振器を作る工程と、
前記基板上に第２の底部電極、第２の圧電（ＰＺ）層および第２の表面電極を備えた第２の共振器を作る工程と、
前記第１の表面電極を部分的に酸化して、前記第１の共振器の共振周波数を低下させる工程とを有することを特徴とする共振器の製造方法。
【請求項７】
前記基板の加熱は、空気中で行われることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記基板の加熱を、約３００℃で約１時間行うことにより、約５ＭＨｚだけ前記共振周波数を低下させるようにすることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記基板の加熱による酸化を監視し、約１乃至６％の範囲での前記共振周波数の低下を制御する工程を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
圧電（ＰＺ）層を挟持する底部および表面電極を備え、前記表面電極が、導電体部分と酸化された導電体部分とを備え、該導電体部分の存在により共振周波数が低下されていることを特徴とする共振器。
【請求項１１】
前記酸化された導電体部分は、空気中での加熱により前記導電体部分の一部を酸化することによって形成されたものであることを特徴とする、請求項１０に記載の共振器。
【請求項１２】
前記導電体部分は、モリブデンを含み、前記酸化された導電体が、酸化モリブデンを含むようにしたことを特徴とする、請求項１０に記載の共振器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュール基体と、当該モジュール基体を覆う導電性機能を有する蓋部材と、前記モジュール基体と前記蓋部材とで囲まれた空間と、前記空間内に少なくとも半導体光素子と電気信号配線部と、前記空間よりモジュール基体の外部に導出される光通路部材とを、少なくとも有し、前記モジュール基体はセラミックにて構成され、前記モジュール基体の少なくとも一部に導電性部材を有し、前記導電性部材の少なくとも一部に導電性接着材を有し、前記モジュール基体と蓋部材とが前記導電性接着材を介して接着され且つ蓋部材の有する導電性機能部は前記モジュール基体の少なくとも一部に設けられた前記導電性部材に電気的に接続され、この導電性部材が接地に接続される端子に電気的に接続され、且つ前記導電性接着剤が有機系導電性接着剤であることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記有機系導電性接着剤が少なくとも導電性粉体と有機樹脂とを含有する有機系導電性接着剤であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記モジュール基体が、複数のセラミック体の積層によって構成され、且つ前記セラミック体の表面の少なくとも一部に導電性部材が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記蓋部材が、前記モジュール基体の少なくとも一対の側面の一部を覆う屈曲部を有することを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記蓋部材が、前記モジュール基体の少なくとも一対の側面の一部を覆う屈曲部を有し、当該屈曲部の少なくとも一対と、前記モジュール基体の少なくとも一対の側面との各領域に、勘合可能領域を有し、当該両勘合可能領域が勘合されていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記半導体光素子に接触して当該半導体光素子の光に対して透光性なる樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記蓋部材が、前記モジュール基体の少なくとも一対の側面の一部を覆う屈曲部を有し、当該屈曲部の少なくとも一対に突起部を有し、前記モジュール基体の少なくとも一対の側面に凹部を有し、且つ前記突起部と前記凹部とが勘合されていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記モジュール基体と前記導電性機能を有する蓋部材とで囲まれた空間が、その外部と通気性を有することを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記蓋部材が、前記モジュール基体の少なくとも一対の側面の一部を覆う屈曲部を有し、当該屈曲部の少なくとも一対と、前記モジュール基体の少なくとも一対の側面との各領域に、勘合可能領域を有し、当該両勘合可能領域が勘合されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１０】
光信号を入力または出力するための光ファイバ若しくは光コネクタと電気信号を入力または出力するための端子を備え、本体とキャップを有し、本体とキャップで囲まれた空間に半導体光素子を有し、前記本体が配線パターンを有するセラミック板を多層に積層した構造から成り、前記本体の表面の少なくとも一部に電極パターンを有し、前記電極パターンの少なくとも一部の上に設けた導電性接着剤によって前記キャップが接着されており、前記電極パタ−ンはグランドに接続する端子と電気的に接続されており、前記導電性接着剤は少なくとも導電性粉体と樹脂を含有する有機系の導電性接着剤であり、該キャップは金属製であるか若しくは導電性の膜を有することを特徴とする光モジュール。
【請求項１１】
モジュール基体と、当該モジュール基体を覆う電磁波遮蔽機能を有する蓋部材と、前記モジュール基体と前記電磁波遮蔽機能を有する蓋部材とで囲まれた空間と、前記空間内に少なくとも半導体光素子と電気信号配線部と、前記空間よりモジュール基体の外部に導出される光通路部材とを、少なくとも有し、少なくとも前記半導体光素子は前記モジュール基体に搭載され且つ前記半導体光素子は透明な樹脂で覆われ、前記モジュール基体は複数のセラミック層の積層にて構成され、前記モジュール基体の少なくとも一部に電極層を有し、前記電極層の少なくとも一部に導電性接着材を有し、前記モジュール基体と蓋部材とが前記導電性接着材を介して接着され、前記モジュール基体の少なくとも一部に設けられた前記導電性部材が接地に接続される端子に電気的に接続され、且つ前記導電性部材が摂氏１５０度以下で硬化可能な有機系導電性接着剤であり、前記モジュール基体と前記電磁波遮蔽機能を有する蓋部材とで囲まれた空間とその外部の空間との境界にその両者の間を通気する構造を有し、且つ前記蓋部材が、前記モジュール基体の少なくとも一対の側面の一部を覆う屈曲部を有し、当該屈曲部に突起部を有し、前記モジュール基体を構成する複数のセラミック層の積層の内の少なくとも一層の外周に欠損部を有し、且つ前記突起部と前記欠損部とが勘合されていることことを特徴とする光モジュール。