【手続補正書】
【提出日】平成16年10月19日(2004.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上にギャップを介して対向するように一対の電極を有し、このギャップ上にＳｉを含有する下地層を介して感湿薄膜を有し、
この感湿薄膜が、エチレン性不飽和基を有する導電性高分子重合体の架橋物を含有し、かつ前記下地層と前記感湿薄膜とが結合している湿度センサ素子。
【請求項２】
前記下地層と前記感湿薄膜とが、相互侵入高分子網目構造により物理的に結合している請求項１の湿度センサ素子。
【請求項３】
絶縁基板上にギャップを介して対向するように一対の電極を有し、このギャップ上にＳｉを含有する下地層を介して感湿薄膜を有し、
この感湿薄膜が、下記式（Ｉ）で示される重合体の架橋物を含有し、かつ前記下地層と感湿薄膜とは脱ハロゲン化反応を経ない共有結合により相互に結合している湿度センサ素子。
【化１】
2002181755.tif 000001
〔式（Ｉ）において、ＡおよびＢは各々二価基を表わす。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５およびＹ６は、各々一価基を表わし、これらのうち少なくとも一つは、エチレン性不飽和反応性基を末端に有する基である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ａおよびこれらの窒素原子（Ｎ）側の一部のうちの任意の２つ以上、またはＹ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｂおよびこれらの窒素原子（Ｎ）側の一部のうちの任意の２つ以上が結合して窒素原子（Ｎ）とともに環を形成してもよい。Ｘ−はハロゲン化物イオンを表わす。ｎは２〜５０００である。〕
【請求項４】
さらに前記下地層と感湿薄膜とは相互侵入高分子網目構造により物理的に結合している請求項３の湿度センサ素子。
【請求項５】
前記感湿薄膜の膜厚が０．１〜２０μｍである請求項１〜４のいずれかの湿度センサ素子。
【請求項６】
前記重合体が、下記式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）で示される請求項３〜５のいずれかの湿度センサ素子。
【化２】
2002181755.tif 000002
【化３】
2002181755.tif 000003
〔式（ＩＩ）および式（ＩＩＩ）の各々において、ＡおよびＢは各々二価基を表わす。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は各々アルキル基またはアルケニル基を表わす。Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＡもしくはＡの一部、Ｒ２とＡもしくはＡの一部、Ｒ３とＲ４、Ｒ３とＡもしくはＡの一部、Ｒ４とＡもしくはＡの一部、Ｒ１とＲ３もしくはＲ４、またはＲ２とＲ３もしくはＲ４が互いに結合して窒素原子（Ｎ）とともに環を形成してもよい。Ｌは二価基を表わす。
Ｒは水素原子またはアルキル基を表わす。Ｘ−はハロゲン化物イオンを表わす。ｎは２〜５０００である。
式（ＩＩ）において、Ｒ５およびＲ６は各々アルキル基またはアルケニル基を表わす。〕
【請求項７】
前記Ａで表わされる二価基がアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基またはこれらの組合せである請求項３〜６のいずれかの湿度センサ素子。
【請求項８】
前記Ｂで表わされる二価基が、オキシ基（−Ｏ−）およびカルボニル基（−ＣＯ−）のうちの１種以上が介在してもよいアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基またはこれらの組合せである請求項３〜７のいずれかの湿度センサ素子。
【請求項９】
前記重合体が、ジアミン化合物とジハロゲン化合物とを反応させて得られる中間重合体の両末端にエチレン性不飽和反応性基を導入して得られる請求項３〜８のいずれかの湿度センサ素子。
【請求項１０】
少なくとも加水分解性基と不飽和結合を有する有機基とを有するシラン化合物を基板上に塗布して下地層を形成し、
この下地層上にエチレン性不飽和基を有する導電性高分子を含有する溶液を塗布した後、
前記導電性高分子を放射線照射によって架橋させ、かつ前記シラン合物と結合させて感湿薄膜を形成する湿度センサ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記導電性高分子とシラン化合物との結合は、エチレン性不飽和基と不飽和結合との間の架橋による共有結合である請求項１０の湿度センサ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記架橋物が紫外線照射によって得られる請求項１０または１１の湿度センサ素子。
【請求項１３】
前記導電性高分子は下記式（Ｉ）で表される請求項１０〜１２のいずれかの湿度センサ素子の製造方法。
【化４】
2002181755.tif 000004
〔式（Ｉ）において、ＡおよびＢは各々二価基を表わす。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５およびＹ６は、各々一価基を表わし、これらのうち少なくとも一つは、エチレン性不飽和反応性基を末端に有する基である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ａおよびこれらの窒素原子（Ｎ）側の一部のうちの任意の２つ以上、またはＹ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｂおよびこれらの窒素原子（Ｎ）側の一部のうちの任意の２つ以上が結合して窒素原子（Ｎ）とともに環を形成してもよい。Ｘ−はハロゲン化物イオンを表わす。ｎは２〜５０００である。〕
【請求項１４】
前記シラン化合物は、下記式（ＩＶ）で表される請求項１０〜１３のいずれかの湿度センサの製造方法。
【化５】
2002181755.tif 000005
〔式（ＩＶ）においてＸ０は加水分解性基を、Ｒ０は有機基を表している。ｎは１、２または３のいずれかの整数を表す。〕
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
（１）  絶縁基板上にギャップを介して対向するように一対の電極を有し、このギャップ上にＳｉを含有する下地層を介して感湿薄膜を有し、
この感湿薄膜が、エチレン性不飽和基を有する導電性高分子重合体の架橋物を含有し、かつ前記下地層と前記感湿薄膜とが結合している湿度センサ素子。
（２）  前記下地層と前記感湿薄膜とが、相互侵入高分子網目構造により物理的に結合している上記（１）の湿度センサ素子。
（３）  絶縁基板上にギャップを介して対向するように一対の電極を有し、このギャップ上にＳｉを含有する下地層を介して感湿薄膜を有し、
この感湿薄膜が、下記式（Ｉ）で示される重合体の架橋物を含有し、かつ前記下地層と感湿薄膜とは脱ハロゲン化反応を経ない共有結合により相互に結合している湿度センサ素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
〔式（Ｉ）において、ＡおよびＢは各々二価基を表わす。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５およびＹ６は、各々一価基を表わし、これらのうち少なくとも一つは、エチレン性不飽和反応性基を末端に有する基である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ａおよびこれらの窒素原子（Ｎ）側の一部のうちの任意の２つ以上、またはＹ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｂおよびこれらの窒素原子（Ｎ）側の一部のうちの任意の２つ以上が結合して窒素原子（Ｎ）とともに環を形成してもよい。Ｘ−はハロゲン化物イオンを表わす。ｎは２〜５０００である。〕
（４）  さらに前記下地層と感湿薄膜とは相互侵入高分子網目構造により物理的に結合している上記（３）の湿度センサ素子。
（５）  前記感湿薄膜の膜厚が０．１〜２０μｍである上記（１）〜（４）のいずれかの湿度センサ素子。
（６）  前記重合体が、下記式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）で示される（３）〜（５）のいずれかの湿度センサ素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
〔式（ＩＩ）および式（ＩＩＩ）の各々において、ＡおよびＢは各々二価基を表わす。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は各々アルキル基またはアルケニル基を表わす。Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＡもしくはＡの一部、Ｒ２とＡもしくはＡの一部、Ｒ３とＲ４、Ｒ３とＡもしくはＡの一部、Ｒ４とＡもしくはＡの一部、Ｒ１とＲ３もしくはＲ４、またはＲ２とＲ３もしくはＲ４が互いに結合して窒素原子（Ｎ）とともに環を形成してもよい。Ｌは二価基を表わす。
Ｒは水素原子またはアルキル基を表わす。Ｘ−はハロゲン化物イオンを表わす。ｎは２〜５０００である。
式（ＩＩ）において、Ｒ５およびＲ６は各々アルキル基またはアルケニル基を表わす。〕
（７）  前記Ａで表わされる二価基がアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基またはこれらの組合せである上記（３）〜（６）のいずれかの湿度センサ素子。
（８）  前記Ｂで表わされる二価基が、オキシ基（−Ｏ−）およびカルボニル基（−ＣＯ−）のうちの１種以上が介在してもよいアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基またはこれらの組合せである上記（３）〜（７）のいずれかの湿度センサ素子。
（９）  前記重合体が、ジアミン化合物とジハロゲン化合物とを反応させて得られる中間重合体の両末端にエチレン性不飽和反応性基を導入して得られる上記（３）〜（８）のいずれかの湿度センサ素子。
（１０）  少なくとも加水分解性基と不飽和結合を有する有機基とを有するシラン化合物を基板上に塗布して下地層を形成し、
この下地層上にエチレン性不飽和基を有する導電性高分子を含有する溶液を塗布した後、
前記導電性高分子を放射線照射によって架橋させ、かつ前記シラン合物と結合させて感湿薄膜を形成する湿度センサ素子の製造方法。
（１１）  前記導電性高分子とシラン化合物との結合は、エチレン性不飽和基と不飽和結合との間の架橋による共有結合である上記（１０）の湿度センサ素子の製造方法。
（１２）  前記架橋物が紫外線照射によって得られる上記（１０）または（１１）の湿度センサ素子。
（１３）  前記導電性高分子は下記式（Ｉ）で表される上記（１０）〜（１２）のいずれかの湿度センサ素子の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
〔式（Ｉ）において、ＡおよびＢは各々二価基を表わす。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５およびＹ６は、各々一価基を表わし、これらのうち少なくとも一つは、エチレン性不飽和反応性基を末端に有する基である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ａおよびこれらの窒素原子（Ｎ）側の一部のうちの任意の２つ以上、またはＹ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｂおよびこれらの窒素原子（Ｎ）側の一部のうちの任意の２つ以上が結合して窒素原子（Ｎ）とともに環を形成してもよい。Ｘ−はハロゲン化物イオンを表わす。ｎは２〜５０００である。〕
（１４）  前記シラン化合物は、下記式（ＩＶ）で表される上記（１０）〜（１３）のいずれかの湿度センサの製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
出力特性は特開平３−１２３８４３号公報に記載の回路に湿度センサを組み込み、分流式湿度発生装置（モデルＳＲＨ−１、神栄株式会社製）を用いて評価した。前記分流式湿度発生装置内に前記回路に組み込んだ湿度センサ素子を設置し、２５℃にて相対湿度を低湿度側から高湿度側へ、続いて高湿度側から低湿度側へ変化させ、その各過程における０％ＲＨ、１０％ＲＨ、２０％ＲＨ、３０％ＲＨ、５０％ＲＨ、７０％ＲＨ、９０％ＲＨの各湿度条件下に湿度センサ素子を１０分間放置したときの出力電圧を測定した。得られた結果を図２に示す。