【手続補正書】
【提出日】平成16年2月10日(2004.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク吐出口近傍に設けられた薄膜発熱抵抗体にパルス通電することによってインク流路中のインクの一部を急速に気化させ、この気泡の膨張力によって前記吐出口から液滴状インクを吐出させて記録するインクジェット記録ヘッドにおいて、
前記薄膜発熱抵抗体の一部とこれに接続する薄膜導体が耐熱性有機絶縁物層で覆われ、該有機絶縁物層で覆われている部分の薄膜発熱抵抗体の幅が前記インクの一部を気化させる部分の薄膜発熱抵抗体の幅よりも１０％以上広く作られていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項２】
インク吐出口近傍に設けられた薄膜発熱抵抗体にパルス通電することによってインク流路中のインクの一部を急速に気化させ、この気泡の膨張力によって前記吐出口から液滴状インクを吐出させて記録するインクジェット記録ヘッドにおいて、
前記薄膜発熱抵抗体の一部とこれに接続する個別電極側薄膜導体が耐熱性有機絶縁物層で覆われ、該有機絶縁物層で覆われている部分の薄膜発熱抵抗体の幅が前記インクの一部を気化させる部分の薄膜発熱抵抗体の幅よりも１０％以上広く作られていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項３】
前記耐熱性有機絶縁物層が、前記インク流路を形成する隔壁を構成するものであることを特徴とする請求項１または２に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項４】
前記耐熱性有機絶縁物層が、ポリイミド樹脂からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項５】
前記薄膜発熱抵抗体が、６４％≦Ｔａ≦８５％、５％≦Ｓｉ≦２６％、６％≦Ｏ≦１５％の範囲にあるＴａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項６】
前記薄膜発熱抵抗体に接続する薄膜導体が、Ｎｉ金属からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッドを用いたことを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱エネルギを利用してインク液滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式のインクジェット記録ヘッドおよびこれを用いたインクジェット記録装置に関するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、薄膜抵抗体と垂直な方向にインクを吐出する方式のトップシュータタイプのインクジェット記録ヘッドにおいて、個別電極側のＮｉ薄膜導体を全て樹脂隔壁で覆い保護する方法を開発した（特願平０７−４３９６８号）。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、この追加工程を削除する方法を検討中に考案されたもので、薄膜導体を直接、耐熱性有機絶縁物層で被覆しても、発熱抵抗体の信頼性を低下させることのないインクジェット記録ヘッドおよびこれを用いたインクジェット記録装置を提供することを課題としている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、インク吐出口近傍に設けられた薄膜発熱抵抗体にパルス通電することによってインク流路中のインクの一部を急速に気化させ、この気泡の膨張力によって前記吐出口から液滴状インクを吐出させて記録するインクジェット記録ヘッドにおいて、前記薄膜発熱抵抗体の一部とこれに接続する薄膜導体が耐熱性有機絶縁物層で覆われ、該有機絶縁物層で覆われている部分の薄膜発熱抵抗体の幅が前記インクの一部を気化させる部分の薄膜発熱抵抗体の幅よりも１０％以上広く作られていることにより達成される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記課題は、インク吐出口近傍に設けられた薄膜発熱抵抗体にパルス通電することによってインク流路中のインクの一部を急速に気化させ、この気泡の膨張力によって前記吐出口から液滴状インクを吐出させて記録するインクジェット記録ヘッドにおいて、前記薄膜発熱抵抗体の一部とこれに接続する個別電極側薄膜導体が耐熱性有機絶縁物層で覆われ、該有機絶縁物層で覆われている部分の薄膜発熱抵抗体の幅が前記インクの一部を気化させる部分の薄膜発熱抵抗体の幅よりも１０％以上広く作られていることにより達成される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更に、前期耐熱性有機絶縁物層が、前記インク流路を形成する隔壁を構成するものとすることによって達成される。
なお、前記薄膜発熱抵抗体が絶縁性自己酸化膜で覆われていても良い。また、前記インクジェット記録ヘッドは、前記薄膜発熱抵抗体とほぼ垂直の方向にインク滴が吐出するトップシュータタイプであっても良い。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
Ｓｉ基板１の裏面にあけられているインク供給口（図示せず）から導入されたインクはＳｉ基板１の表面側にあけられているインク溝（９はこの溝壁）を通り、Ｓｉ基板１の表面側に形成されている共通インク通路１０、個別インク通路１１を経由して、ノズル１２から吐出される。この吐出は、正極側の個別配線導体（Ｎｉ薄膜導体）４から負極側の共通配線導体（Ｎｉ薄膜導体）５にパルス通電を行い、これによって薄膜発熱抵抗体（薄膜抵抗体）３が瞬間的に約３００℃に加熱されることによって行われる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明では、図１に示すように、樹脂隔壁（耐熱性有機絶縁物層）７が接する領域の薄膜発熱抵抗体３（自己酸化被膜６も含む）の幅を本来の発熱抵抗体３の部分の幅よりも広くし、その部分の温度上昇を２０％またはそれ以上に低下させようとするものである。これによって、樹脂隔壁７が受ける最高温度が量産ばらつきも含めて３５０℃を越えないようにすることが可能となった。但し、この数値は理論的推定値であり、実験的には１０％増の過剰投入電力で１億パルス以上のインクの吐出に異常が認められず、２０％増で信頼性が若干低下するという実験データを得ているので、ほぼ妥当な推定値と考える。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１の場合は、発熱抵抗体幅の増加率を約２０％としてあるため、個別配線導体４の配線間隔が約５μｍと狭くなっている。このため、配線間ショートによる歩留まりを避けるために、Ｎｉ薄膜導体からなる個別配線導体４の端部近傍以外は配線間隔を広くとった例を示している。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１はＳｉ基板、２はＳｉＯ2 断熱層、３は薄膜抵抗体、４は個別配線導体（薄膜導体）、５は共通配線導体（薄膜導体）、６は絶縁性自己酸化被膜、７は樹脂隔壁（耐熱性有機絶縁物層）、８はオリフィスプレート、９はインク溝の壁、１０は共通インク通路、１１は個別インク通路、１２はノズル壁である。