【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース信号線と、発光素子と、ＴＦＴとを有する発光装置であって、
前記ソース信号線は、導電体と、前記導電体を覆う前記導電体よりも低い抵抗値を有する被膜とからなり、
前記ソース信号線に入力される信号によって前記ＴＦＴのスイッチングが制御されることで、前記発光素子の発光が制御されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
電源供給線と、発光素子と、ＴＦＴとを有する発光装置であって、
前記電源供給線は、導電体と、前記導電体を覆う前記導電体よりも低い抵抗値を有する被膜とからなり、
前記ＴＦＴのゲート電極に入力される信号によって前記ＴＦＴのスイッチングが制御され、
前記ＴＦＴがオンになると前記電源供給線の電位が前記発光素子の画素電極に与えられ、前記発光素子が発光することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記被膜は電気メッキ法によって形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、前記被膜は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはこれらの合金を主成分とすることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記導電体は、前記ＴＦＴのゲート電極と同じ材料で形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
ソース信号線と、電源供給線と、発光素子と、ＴＦＴとを有する発光装置であって、
前記ソース信号線は、第１の導電体と、前記第１の導電体を覆う前記第1の導電体よりも低い抵抗値を有する第１の被膜とからなり、
前記電源供給線は、第２の導電体と、前記第２の導電体を覆う前記第２の導電体よりも低い抵抗値を有する第２の被膜とからなり、
前記ソース信号線に入力される信号によって前記ＴＦＴのスイッチングが制御され、
前記ＴＦＴがオンになると前記電源供給線の電位が前記発光素子の画素電極に与えられ、前記発光素子が発光することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
ソース信号線と、発光素子と、ＴＦＴと、端子とを有する発光装置であって、
前記ソース信号線は、第１の導電体と、前記第1の導電体を覆う前記第1の導電体よりも低い抵抗値を有する第１の被膜とからなり、
前記端子は、第２の導電体と、前記第２の導電体を覆う前記第２の導電体よりも低い抵抗値を有する第２の被膜とからなり、
前記ソース信号線に入力される信号によって前記ＴＦＴのスイッチングが制御されることで、前記発光素子の発光が制御されることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
電源供給線と、発光素子と、ＴＦＴと、端子とを有する発光装置であって、
前記電源供給線は、第１の導電体と、前記第１の導電体を覆う前記第1の導電体よりも低い抵抗値を有する第１の被膜とからなり、
前記端子は、第２の導電体と、前記第２の導電体を覆う前記第２の導電体よりも低い抵抗値を有する第２の被膜とからなり、
前記ＴＦＴのゲート電極に入力される信号によって前記ＴＦＴのスイッチングが制御され、
前記ＴＦＴがオンになると前記電源供給線の電位が前記発光素子の画素電極に与えられ、前記発光素子が発光することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか１項において、前記第１の被膜または前記第２の被膜は、電気メッキ法によって形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項８のいずれか１項において、前記第１の被膜または前記第２の被膜は、印刷法により形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか１項において、前記第１の被膜または前記第２の被膜は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはこれらの合金を主成分とすることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか１項において、前記第１の導電体と、前記第２の導電体とは、同時に形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項６乃至請求項１２のいずれか１項において、前記第１の導電体または前記第２の導電体は、前記ＴＦＴのゲート電極と同じ材料で形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
ソース信号線、発光素子及び第１のＴＦＴを含む画素部と、第２のＴＦＴ及び第３のＴＦＴを含む駆動回路とを有する発光装置であって、
前記ソース信号線は、導電体と、前記導電体を覆う前記導電体よりも低い抵抗値を有する被膜とからなり、
前記ソース信号線に入力される信号によって前記第１のＴＦＴのスイッチングが制御されることで、前記発光素子の発光が制御されることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
電源供給線、発光素子及び第１のＴＦＴを含む画素部と、第２のＴＦＴ及び第３のＴＦＴを含む駆動回路とを有する発光装置であって、
前記電源供給線は、導電体と、前記導電体を覆う前記導電体よりも低い抵抗値を有する被膜とからなり、
前記第１のＴＦＴのゲート電極に入力される信号によって前記第１のＴＦＴのスイッチングが制御され、
前記第１のＴＦＴがオンになると前記電源供給線の電位が前記発光素子の画素電極に与えられ、前記発光素子が発光することを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５において、前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ及び前記第３のＴＦＴは、ｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
請求項１４または請求項１５において、前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ及び前記第３のＴＦＴは、ｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、前記第２のＴＦＴ及び前記第３のＴＦＴでＥＥＭＯＳ回路またはＥＤＭＯＳ回路が形成されたことを特徴とする発光装置。
【請求項１９】
請求項１４または請求項１５において、前記第２のＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、前記第３のＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする発光装置。
【請求項２０】
請求項１４乃至請求項１９のいずれか１項において、前記被膜は、電気メッキ法によって形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２１】
請求項１４乃至請求項１９のいずれか１項において、前記被膜は、印刷法により形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２２】
請求項１４乃至請求項２１のいずれか１項において、前記被膜は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはこれらの合金を主成分とすることを特徴とする発光装置。
【請求項２３】
請求項１４乃至請求項２２のいずれか１項において、前記導電体は、前記第１のＴＦＴのゲート電極と同じ材料で形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項２４】
請求項１４乃至請求項２３のいずれか１項において、前記第１のＴＦＴは、テーパー部を有するゲート電極と、該ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、該ゲート電極と一部重なる不純物領域とを有していることを特徴とする発光装置。
【請求項２５】
請求項１４乃至請求項２４のいずれか１項において、前記第１のＴＦＴは、複数のチャネル形成領域を有していることを特徴とする発光装置。
【請求項２６】
請求項１４乃至請求項２５のいずれか１項において、前記第１のＴＦＴは、３つのチャネル形成領域を有していることを特徴とする発光装置。
【請求項２７】
請求項１４乃至請求項２６のいずれか１項において、前記第２のＴＦＴ及び前記第３のＴＦＴは、テーパー部を有するゲート電極と、該ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、該ゲート電極と一部重なる不純物領域とを有していることを特徴とする発光装置。
【請求項２８】
請求項１４乃至請求項２７のいずれか１項において、前記第１、第２または第３のＴＦＴの不純物領域は、少なくとも１×１０17〜１×１０18／ｃｍ3の範囲で不純物の濃度勾配を有する領域を含んでおり、当該領域においてチャネル形成領域からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加することを特徴とする発光装置。
【請求項２９】
請求項１乃至請求項２８のいずれか１項において、前記発光装置とは、エレクトロルミネッセンス表示装置、パーソナルコンピュータまたはデジタルバーサタイルディスクであることを特徴とする発光装置。
【請求項３０】
基板の絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極と、導電体とを形成し、
前記導電体の表面に電気メッキ法により、前記導電体よりも抵抗の低い被膜を形成することでソース信号線を形成すること、
を特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３１】
基板の絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極と、導電体とを形成し、
前記導電体の表面に電気メッキ法により、前記導電体よりも抵抗の低い被膜を形成することで電源供給線を形成すること、
を特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項３０において、前記ソース信号線は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはこれらの合金を主成分とする材料からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３３】
請求項３１において、前記電源供給線は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはこれらの合金を主成分とする材料からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３４】
請求項３０乃至請求項３３のいずれか１項に記載の前記電気メッキ法を施す工程において、前記導電体は、同電位となるようにメッキ処理用電極でつなげられていることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３５】
請求項３４において、前記同電位となるようにつなげられたメッキ処理用電極は、前記被膜形成後にレーザー光で分断されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３６】
請求項３４において、前記同電位となるようにつなげられたメッキ処理用電極は、メッキ処理後に前記基板と同時に分断されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３７】
ソース信号線と、発光素子と、ＴＦＴとを有する発光装置であって、
前記ソース信号線は、前記ＴＦＴのゲート電極と同じ材料からなり間隔を有する２つの第1の導電層と、前記２つの第1の導電層の間を埋めるように設けられた第２の導電層とからなり、
前記第２の導電層は前記ゲート電極より低抵抗な材料からなり、
前記ソース信号線に入力される信号によって前記ＴＦＴのスイッチングが制御されることで、前記発光素子の発光が制御されることを特徴とする発光装置。
【請求項３８】
請求項３７において、前記ソース信号線は印刷法により形成されたことを特徴とする発光装置。