【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板材料または基板材料に形成されたホールを保護するための反射防止組成物であって、前記組成物は、溶媒系に溶解されたポリマーを含み、
前記ポリマーは、アリールイソシアネートと反応させたヒドロキシアルキルセルロースよりなることを特徴とする反射防止組成物。
【請求項２】
前記ポリマーは、下記式の繰り返しモノマーを含む請求項１に記載の組成物。
【化１】
2004519541.tif 000001
式中、Ｒは、該Ｒのうち少なくとも１つが−Ｒ1−Ｏ−Ｘまたは−ＣＨ2−Ｏ−Ｒ1−Ｘであることを条件に、各々独立して、−ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、−Ｒ1−Ｏ−Ｘ、−ＣＨ2−Ｏ−Ｒ1−Ｘからなる群から選択される。ここで、Ｒ1は、各々独立して、分岐した、または分岐を有しないアルキル基からなる群から選択され、Ｘは、各々下記式で表される。
【化２】
2004519541.tif 000002
式中、Ａｒはアリール基である。
【請求項３】
少なくとも１つのＲ1は、炭素数１〜８のアルキル基からなる群から選択される請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
少なくとも１つのＲ1は、エチル基およびプロピル基からなる群から選択される請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記アリールイソシアネートは、炭素数６〜１２のアリールイソシアネート類からなる群から選択される請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記アリールイソシアネートは、フェニルイソシアネート類、ベンジルイソシアネート類、２−メトキシフェニルイソシアネート類および２−ニトロフェニルイソシアネート類からなる群から選択される請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記ポリマーは、該ポリマーの合計質量を１００質量％とした場合に、前記モノマーを４１〜６６質量％含む請求項２に記載の組成物。
【請求項８】
前記溶媒系は、ＰＧＭＥＡ、２−ヘプタノン、プロピレングリコール−ｎ−プロピルエーテル、ＰＧＭＥ、Ｎ−メチルピロリジノン、およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記溶媒系は、１１８〜２０２℃の沸点を有する請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組成物は、さらに、架橋剤、触媒、光減衰化合物、およびこれらの群から選択される化合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記化合物は、アミノ樹脂を含む架橋剤である請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記化合物は、ｐ−トルエンスルホン酸、ピリジウムトシレート、４，４′−スルホニルジフェノール、およびこれらの混合物からなる群から選択される触媒である請求項１０に記載の組成物。
【請求項１３】
表面を有する基板と、前記表面上の硬化された保護層と、のコンビネーションであって、前記硬化された保護層は、アリールイソシアネートと反応させたヒドロキシアルキルセルロースよりなるポリマーを含む組成物から形成される。
【請求項１４】
前記ポリマーは、下記式の繰り返しモノマーを含む請求項１３に記載のコンビネーション。
【化３】
2004519541.tif 000003
式中、Ｒは、該Ｒのうち少なくとも１つが−Ｒ1−Ｏ−Ｘまたは−ＣＨ2−Ｏ−Ｒ1−Ｘであることを条件に、各々独立して、−ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、−Ｒ1−Ｏ−Ｘ、−ＣＨ2−Ｏ−Ｒ1−Ｘからなる群から選択される。ここで、Ｒ1は、各々独立して、分岐した、または分岐を有しないアルキル基からなる群から選択され、Ｘは、各々下記式で表される。
【化４】
2004519541.tif 000004
式中、Ａｒはアリール基である。
【請求項１５】
少なくとも１つのＲ1は、炭素数１〜８のアルキル基からなる群から選択される請求項１４に記載のコンビネーション。
【請求項１６】
少なくとも１つのＲ1は、エチル基およびプロピル基からなる群から選択される請求項１５に記載のコンビネーション。
【請求項１７】
前記アリールイソシアネートは、炭素数６〜１２のアリールイソシアネート類からなる群から選択される請求項１４に記載のコンビネーション。
【請求項１８】
前記アリールイソシアネートは、フェニルイソシアネート類、ベンジルイソシアネート類、２−メトキシフェニルイソシアネート類および２−ニトロフェニルイソシアネート類からなる群から選択される請求項１７に記載のコンビネーション。
【請求項１９】
前記ポリマーは、該ポリマーの合計質量を１００質量％とした場合に、前記モノマー単位を４１〜６６質量％含む請求項１４に記載のコンビネーション。
【請求項２０】
前記層は、波長１９３ｎｍの光を少なくとも９６％吸収する請求項１３に記載のコンビネーション。
【請求項２１】
集積回路の製造に使用されるプレカーサー構造を作成する方法であって、前記方法は、基板表面に反射防止層を形成するために、前記基板表面に請求項１に記載の反射防止組成物をある量適用する工程を含む。
【請求項２２】
前記適用する工程は、前記基板表面に前記組成物をスピンコートすることを含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記適用する工程の実施後、さらに、少なくとも１５０℃の温度で前記反射防止層をベークする工程を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
さらに、前記反射防止層にフォトレジストを適用する工程を含む請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記フォトレジスト層の少なくとも一部に活性放射線を照射する工程と、
前記照射されたフォトレジスト層を現像する工程と、
前記現像されたフォトレジスト層をエッチングする工程と、をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
リソグラフィープロセスで使用される反射防止組成物に有用なポリマーを作成する方法であって、前記方法は、溶媒系でアリールイソシアネートをヒドロキシアルキルセルロースを反応させる工程を含み、前記溶媒系はＰＧＭＥＡを含む。
【請求項２７】
リソグラフィープロセスで使用される反射防止組成物に有用なポリマーを作成する方法であって、前記方法は、アリールイソシアネートをヒドロキシアルキルセルロースと反応させて、前記イソシアネートのＣ＝Ｏ基の炭素原子と前記ヒドロキシアルキルセルロースの−ＯＨ基とを結合させて、それらの間にウレタン結合を形成する工程と、
第２のイソシアネートを前記ウレタン結合と反応させる工程と、を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
より具体的には、該ポリマーは、下記式の部分（ｍｏｉｅｔｙ）を含む。
【化５】
2004519541.tif 000005
式中、Ｒは、各々独立して、−ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、−Ｒ1−Ｏ−Ｘ、−ＣＨ2−Ｏ−Ｒ1−Ｘからなる群から選択される。好ましくは、該Ｒのうち少なくとも１つは、−Ｒ1−Ｏ−Ｘまたは−ＣＨ2−Ｏ−Ｒ1−Ｘである。Ｒ1は、各々独立して、分岐した、もしくは分岐を有しない、置換された、もしくは置換されていないアルキル基（好ましくは炭素数１〜８であり、より好ましくは炭素数１〜４である。）からなる群から選択され、Ｘは、各々下記式で表される。
【化６】
2004519541.tif 000006
式中、Ａｒは置換された、もしくは置換されていないアリールイソシアネート類（好ましくは炭素数６〜１２である。）からなる群から選択される。最も好ましいアリールイソシアネート類は、フェニルイソシアネート類、ベンジルイソシアネート類、２−メトキシフェニルイソシアネート類および２−ニトロフェニルイソシアネート類を含む。