【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う第１の工程と、
前記液処理の後に前記基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板に蒸気を吹き付けて前記基板上から液を掃き出す第２の工程と
を有する基板処理方法。
【請求項２】
前記第２の工程の後に前記基板の表面に残る液を自然乾燥により蒸発させる請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第２の工程の後に前記基板の表面に残る液を加熱処理により蒸発させる請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、
前記搬送路上で前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う液処理部と、
蒸気を噴射する蒸気噴射ノズルを１つまたは複数有し、前記液処理部より下流側の前記搬送路上で前記基板に前記蒸気噴射ノズルより蒸気を吹き付けて前記基板上から液を掃き出す乾燥処理部と
を有する基板処理装置。
【請求項５】
前記乾燥処理部が、所定の液体を蒸発させて蒸気を生成する蒸気生成手段と、前記蒸気を他の気体と混合して昇圧する昇圧手段とを有する請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記乾燥処理部が、第１の位置にて前記搬送路の上方から前記基板の上面に蒸気を吹き付ける第１の蒸気噴射ノズルと、第２の位置にて前記搬送路の下から前記基板の下面に蒸気を吹き付ける第２の蒸気噴射ノズルとを有する請求項４または５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２の位置が前記搬送路に沿って前記第１の位置より直ぐ下流側の位置に設定される請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２の位置が前記搬送路に対して前記第１の位置のほぼ真向かいの位置に設定される請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第１および第２の蒸気噴射ノズルを前記搬送路の左右横方向に対して斜めに傾けて配置する請求項６〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記乾燥処理部が、第１の位置にて前記搬送路の上方から前記基板の上面に蒸気を吹き付ける蒸気噴射ノズルと、第２の位置にて前記搬送路の下から前記基板の下面に蒸気以外の気体を吹き付けるガス噴射ノズルとを有する請求項４または５に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板のおもて面に所定の処理液を供給して液処理を行う第１の工程と、
前記液処理の後に前記基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板のおもて面に蒸気を吹き付けて前記基板おもて面から液を掃き出すと同時に前記基板の裏面に乾燥ガスを吹き付ける第２の工程と
を有する基板処理方法。
【請求項１２】
前記第２の工程で、液を掃き出した直後の前記基板のおもて面が生乾きの状態である請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記蒸気を吹き付ける位置と前記乾燥ガスを吹き付ける位置とが前記基板に対してほぼ真向かいの位置である請求項１１または１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記乾燥ガスを吹き付ける位置が前記蒸気を吹き付ける位置に対して搬送方向の下流側に位置する請求項１１または１２に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記第２の工程の後に前記基板のおもて面に残る液を加熱処理により蒸発させる請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記生乾きの状態は、大気中で自然乾燥により１０秒ないし数１０秒で蒸発する程度の極薄の液膜が前記基板のおもて面の上に形成されている状態である請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記蒸気と前記乾燥ガスとを前記基板の搬送方向と直交する水平方向において少なくとも基板の一端から他端までに亘って吹き付ける請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、好ましい一態様として、乾燥処理部が、第１の位置にて搬送路の上方から基板の上面に蒸気を吹き付ける第１の蒸気噴射ノズルと、搬送路に沿って第１の位置より直ぐ下流側の第２の位置にて搬送路の下から基板の下面に蒸気を吹き付ける第２の蒸気噴射ノズルとを有する構成としてもよい。かかる構成では、搬送路を挟んで上下に配置される一対の蒸気噴射ノズルの間で搬送方向に位置的なオフセットをもたせることにより、基板の上面および下面における液の掃き寄せないし掃き出しに時間的なオフセットを与え、それによって基板後端における液切りを良好に行い、基板後端付近の液の残留を防止ないし低減できる。
また、別の好適な一態様として、第１および第２の蒸気噴射ノズルを互いに平行に、かつ搬送路の左右横方向に対して斜めに傾けて配置してよい。かかる構成によれば、基板の上面および下面において液を基板後端部の同じ角隅部の方に寄せ集めて対角線方向に効果的に液切りすることができる。
また、乾燥処理部において、基板の下面または裏面の液切りを行なうための蒸気噴射ノズルを蒸気以外の気体（たとえばエアーまたは窒素ガス）を吹き付けるガス噴射ノズルに置き換える構成も可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の別の観点による基板処理方法は、基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板のおもて面に所定の処理液を供給して液処理を行う第１の工程と、前記液処理の後に前記基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板のおもて面に蒸気を吹き付けて前記基板おもて面から液を掃き出すと同時に前記基板の裏面に乾燥ガスを吹き付ける第２の工程とを有する。
この基板処理方法においては、第１の工程の液処理によって基板に付着した液を、基板おもて面では蒸気を吹き付けて掃き出し、基板裏面では乾燥ガスを吹き付けて払い落とす。好ましくは、第２の工程で、液を掃き出した直後の基板のおもて面が生乾きの状態になるようにしてよい。この生乾きの状態は、大気中で自然乾燥により１０秒ないし数１０秒で蒸発する程度の極薄の液膜が基板のおもて面の上に形成されている状態である。もっとも、第２の工程の後に基板のおもて面に残る液を加熱処理により蒸発させてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の好適な一態様によれば、蒸気を吹き付ける位置と乾燥ガスを吹き付ける位置とが基板に対してほぼ真向かいの位置となるように設定される。別の好適な一態様によれば、乾燥ガスを吹き付ける位置が蒸気を吹き付ける位置に対して搬送方向の下流側に位置するように設定される。また、好ましくは、蒸気と乾燥ガスとを基板の搬送方向と直交する水平方向において少なくとも基板の一端から他端までに亘って吹き付けてよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０５には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
このように、この実施形態では、表面にリンス液ＲＵ，ＲＬが付いている基板Ｇに対してベーパナイフＶＮU，ＶＮLより水蒸気を吹き付けて水蒸気流の圧力で基板上からリンス液を掃き出すようにしたので、リンス液を掃き出した後の基板表面は半乾きまたは生乾きの状態となる。つまり、基板Ｇに吹き付けられた水蒸気の一部が基板表面で液化することにより、リンス液を掃き出しても、基板表面は完全に乾くことはなく極薄の水膜Ｍで覆われた状態となる。このことにより、リンス液の飛散によって発生したミストの中でベーパナイフＶＮU，ＶＮLの下流側（搬送方向の前方側）に回って基板表面に付着するものがあっても、水膜Ｍの中で分散するため、シミを生じることはない。また、基板表面、特に上面（被処理面）のレジスト膜または下地膜から溶け出した液体も、やはり水膜Ｍの中で分散するため、凝集して残渣を生じるようなことはない。基板上の水膜Ｍは、極薄のために大気中でも蒸発しやすく、自然乾燥により１０秒ないし数１０秒も経過すれば大方消滅する。