【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光に対する遮光体をレジスト膜で構成するマスクの検査において、前記マスクに照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方の光学情報を読み取ることで、または、前記マスクからの前記反射光の光学情報と前記マスクを透過した前記透過光の光学情報とを比較することで、前記マスクを検査する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のマスクの製造方法において、前記マスクを異物検査装置により検査することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項３】
以下の工程を有することを特徴とするマスクの製造方法：
（ａ）マスク基板を用意する工程、
（ｂ）前記マスク基板の第１主面上にマスクを用いた露光処理における露光光に対して遮光性を有するレジスト膜を堆積する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記マスク基板に照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方の光学情報を読み取り検査する第１検査工程、
（ｄ）前記マスク基板上のレジスト膜に露光処理によってパターンを転写した後、現像処理を施すことによりレジストパターンを形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、比較検査をせずに、前記マスク基板に照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方の光学情報を読み取り検査する第２検査工程。
【請求項４】
請求項３記載のマスクの製造方法において、前記第１、第２検査工程において異物検査装置を用いることを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項５】
請求項３記載のマスクの製造方法において、前記第１検査工程において欠陥有りと判定された場合には、前記レジスト膜を剥離し、前記マスク基板を再生させる工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項６】
請求項３記載のマスクの製造方法において、前記第２検査工程において欠陥有りと判定された場合には、前記レジストパターンを剥離し、前記マスク基板を再生させる工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項７】
請求項３記載のマスクの製造方法において、前記第２検査工程において欠陥有りと判定された場合には、欠陥を修正する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項８】
請求項３記載のマスクの製造方法において、前記（ｄ）工程後、前記（ｅ）工程前に、前記マスク基板の第１主面側にペリクルを装着する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項９】
以下の工程を有することを特徴とするマスクの製造方法：
（ａ）マスク基板を用意する工程、
（ｂ）前記マスク基板の第１主面上にマスクを用いた露光処理における露光光に対して遮光性を有するレジスト膜を堆積する工程、
（ｃ）前記マスク基板上のレジスト膜に露光処理によってパターンを転写した後、現像処理を施すことによりレジストパターンを形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記マスク基板に照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方の光学情報を読み取るか、または、前記マスクからの前記反射光の光学情報と前記マスクを透過した前記透過光の光学情報とを比較することで、前記マスクを検査する検査工程。
【請求項１０】
請求項９記載のマスクの製造方法において、前記検査工程において異物検査装置を用いることを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載のマスクの製造方法において、前記検査工程において欠陥有りと判定された場合には、前記レジストパターンを剥離し、前記マスク基板を再生させる工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１２】
請求項９記載のマスクの製造方法において、前記（ｃ）工程後、前記（ｄ）工程前に、前記マスク基板の第１主面側にペリクルを装着する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載のマスクの製造方法において、前記第２検査工程において欠陥有りと判定された場合には、前記レジストパターンを剥離し、前記マスク基板を再生させる工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１４】
以下の工程を有することを特徴とするマスクの製造方法：
（ａ）作成されたマスクが、遮光体をレジスト膜で構成する第１マスクか、それとも遮光体を金属膜で構成する第２マスクかを判定する工程、
（ｂ）前記判定結果に応じてマスクの検査方法を変更する工程。
【請求項１５】
請求項１４記載のマスクの製造方法において、前記（ａ）において作成されたマスクが第１マスクであると判定した場合、前記（ｂ）工程においては、比較検査をせずに、前記第１マスクに照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方の光学情報を読み取ることで第１マスクを検査することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１６】
請求項１４記載のマスクの製造方法において、前記（ａ）において作成されたマスクが第２マスクであると判定した場合、前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記第２マスクに照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方の光学情報を読み取ることで第２マスクを検査する工程、
（ｂ２）前記第２マスクを比較検査法により検査する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１７】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）遮光体をレジスト膜で構成するマスクを作成する工程、
（ｂ）前記マスクの検査において、マスクに照射された検査光に対する反射光および透過光の両方の光学情報を読み取ることで、または、前記マスクからの前記反射光の光学情報と前記マスクを透過した前記透過光の光学情報とを比較することで、前記マスクを検査する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程で合格したマスクを用いた縮小投影露光処理によりウエハ上のレジスト膜に所望のパターンを転写する工程。
【請求項１８】
露光光に対する遮光体をポジ型のレジスト膜で構成するホールパターン転写用のマスクの検査において、前記マスクに照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方を読み取ることで前記マスクの前記ポジ型のレジスト膜の未開口部を検出する検査工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載のマスクの製造方法において、所定のエネルギービームに反応する反応剤を含む前記ポジ型のレジスト膜に前記所定のエネルギービームによりホールパターンを転写する工程を経た後、前記検査工程により前記未開口部を検出する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２０】
請求項１８記載のマスクの製造方法において、前記検査工程では、前記検査光に対する未開口部の反射光、透過光またはその両者の強度が変化することで前記未開口部を検出することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２１】
請求項１８記載のマスクの製造方法において、前記検査工程は、前記マスクにペリクルを装着した後に行うことを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２２】
請求項１８記載のマスクの製造方法において、前記ポジ型のレジスト膜の膜厚を調節することにより、前記検査光に対する反射光、透過光またはその両方の検出感度を調節することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２３】
以下の工程を有することを特徴とするマスクの製造方法：
（ａ）マスク基板を用意する工程、
（ｂ）前記マスク基板の第１主面上にマスクを用いた露光処理における露光光に対して遮光性を有するポジ型のレジスト膜を堆積する工程、
（ｃ）前記マスク基板上のレジスト膜に所定のエネルギービームを用いた露光処理によってホールパターンを転写する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後のマスクに対して現像処理を施す工程、
（ｅ）前記マスク基板に照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方の光学情報を読み取ることで前記マスクの前記ポジ型のレジスト膜の未開口部を検出する検査工程。
【請求項２４】
請求項２３記載のマスクの製造方法において、前記ポジ型のレジスト膜は、前記所定のエネルギービームに反応する反応剤を含有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２５】
請求項２３記載のマスクの製造方法において、前記（ｅ）の検査工程では、前記検査光に対する未開口部の反射光の強度が変化することで前記未開口部を検出することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２６】
請求項２３記載のマスクの製造方法において、前記（ｅ）の検査工程は、前記（ｄ）工程後、前記マスクにペリクルを装着した後に行うことを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２７】
請求項２３記載のマスクの製造方法において、前記ポジ型のレジスト膜の膜厚を調節することにより、前記検査光に対する反射光、透過光またはその両方の検出感度を調節することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２８】
請求項１または９記載のマスクの製造方法において、前記比較工程は、前記反射光の強度と前記透過光の強度とを比較する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２９】
請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記比較工程は、前記反射光の強度と前記透過光の強度とを比較する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３０】
以下の工程を有することを特徴とするマスクの製造方法：
（ａ）マスク基板を用意する工程、
（ｂ）前記マスク基板の第１主面上にマスクを用いた露光処理における露光光に対して遮光性を有するレジスト膜を堆積する工程、
（ｃ）前記マスク基板上のレジスト膜に露光処理によってパターンを転写した後、現像処理を施すことによりレジストパターンを形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、比較検査をせずに、前記マスク基板に照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方の光学情報を読み取り検査する検査工程、
（ｅ）前記検査工程において欠陥有りと判定された場合には、前記レジストパターンを剥離し、前記マスク基板を再生させる工程。