【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書
【発明の名称】  半導体装置の製造方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】 半導体ウエハの表面上に素子及び配線を形成する工程と、
前記素子及び前記配線を覆うように、前記半導体基板上に保護膜を形成する工程と、
前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程と、
前記半導体ウエハを個々のＩＣチップに分割する工程と、
前記ＩＣチップの表面上の前記保護膜を、所定の膜厚分だけ除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＩＣチップを実装基板上に搭載した後に、前記保護膜が所定の膜厚分だけ除去されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  半導体ウエハの表面上に素子及び配線を形成する工程と、
前記素子及び前記配線を覆うように、前記半導体基板上に第１の保護膜を形成する工程と、
前記第１の保護膜上に第２の保護膜を形成する工程と、
前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程と、
前記半導体ウエハを個々のＩＣチップに分割する工程と、
前記ＩＣチップの表面上の前記第２の保護膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＩＣチップを実装基板上に搭載した後に、前記第２の保護膜が除去されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  請求項３又は４記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の保護膜は窒化膜からなり、前記第２の保護膜は酸化膜からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【従来の技術】
従来、このような半導体装置の製造方法としては、
（１）ウエハ（半導体基板）上にトランジスタ（Ｔｒ）や抵抗体などの素子や配線などを形成し、さらにその上に、保護膜（パッシベーション膜）を形成した後、
（２）所定の厚さまでウエハ裏面を研磨して薄くする。
【０００２】
（３）そのウエハをＩＣチップ毎にダイスカットした後、
（４）そのＩＣチップをＣＯＢ（チップオンボード）などの実装基板上にダイスボンドする。
【０００３】
（５）その後、配線（ワイヤボンド）、モールドなどの製品組立を行う。
ようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した半導体装置の製造方法では、ＩＣチップの厚さはウエハの裏面研磨によりコントロールするようにしている。このため、ＩＣチップの厚さが薄くなるに従い、ウエハ状態での加工が困難になってくる。
【０００５】
また、ウエハ状態のまま薄くすると、強度的にも弱くなり、またそのウエハを取り扱う上でも、ウエハ破損などリスクが増えるといった問題があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点を除去し、ウエハ状態での加工が容易であり、かつ、ウエハを取り扱う上でもウエハ破損の恐れがなく、薄いＩＣチップ厚で実装基板に実装することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕半導体装置の製造方法において、半導体ウエハの表面上に素子及び配線を形成する工程と、前記素子及び前記配線を覆うように、前記半導体基板上に保護膜を形成する工程と、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを個々のＩＣチップに分割する工程と、前記ＩＣチップの表面上の前記保護膜を、所定の膜厚分だけ除去する工程とを有するようにしたものである。
【０００８】
〔２〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造方法において、前記ＩＣチップを実装基板上に搭載した後に、前記保護膜が所定の膜厚分だけ除去されるようにしたものである。
【０００９】
〔３〕半導体装置の製造方法において、半導体ウエハの表面上に素子及び配線を形成する工程と、前記素子及び前記配線を覆うように、前記半導体基板上に第１の保護膜を形成する工程と、前記第１の保護膜上に第２の保護膜を形成する工程と、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを個々のＩＣチップに分割する工程と、前記ＩＣチップの表面上の前記第２の保護膜を除去する工程とを有するようにしたものである。
【００１０】
〔４〕上記〔３〕記載の半導体装置の製造方法において、前記ＩＣチップを実装基板上に搭載した後に、前記第２の保護膜が除去されるようにしたものである。
【００１１】
〔５〕上記〔３〕又は〔４〕記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の保護膜は窒化膜からなり、前記第２の保護膜は酸化膜からなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明の第１実施例を示す半導体装置の製造工程断面図である。
【００１４】
（１）まず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板（ウエハ）１上に拡散層２Ａ、ゲート電極２Ｂ、ＭＯＳキャパシタなどを有する半導体素子２や金属配線３を形成する。
【００１５】
（２）次に、図１（ｂ）に示すように、その上面に保護膜４（パッシベーション膜）として酸化膜あるいは窒化膜を形成する。この時、ＩＣチップを実装後チップ厚を薄くするために、保護膜４表面をエッチングで削るため、その分の膜厚を予め厚く形成しておく。
【００１６】
すなわち、本来保護膜として必要な膜厚＋ＩＣチップ実装後削る膜厚以上の膜厚を形成しておく。その後、保護膜のホトリソおよびエッチングにより、金属パッド（メタルパッド）５などパターン形成を行う。
【００１７】
（３）その後、図１（ｃ）に示すように、ウエハ１の裏面をバックグラインドまたはバックエッチングなどにより研磨して所定の厚さにする。そのウエハ厚さは研磨加工する上で無理のない、また、ハンドリングする上でも十分なウエハ強度を確保できる程度の厚さに設定する。ここで、６はダイスカット部、７はＩＣチップ領域である。
【００１８】
（４）次に、図１（ｄ）に示すように、このウエハ１をＩＣチップ単位にダイスカットし、ＣＯＢなどの実装基板８上にダイスボンドし配置する。なお、１１は実装基板の配線である。
【００１９】
（５）その後、図１（ｅ）に示すように、これに保護膜４（酸化膜または窒化膜）のエッチング処理を施し、保護膜４を所定の膜厚まで薄くする。つまり、図１（ｄ）に示す保護膜上面のエッチング領域９をエッチングする。このとき、金属パッド５や、実装基板８（主に樹脂材料）およびその上の配線材料（メタル材料）は、全面エッチングの際、保護膜とはエッチング選択比が充分確保できるので保護膜４のみ薄くすることが可能である。なお、１０は最終の保護膜である。
【００２０】
この後は、図示しないが、ＩＣチップと基板とのワイヤボンドによる配線や、モールド等の製品組立を行う。
【００２１】
以上の方法により、非常に薄いＩＣチップ厚で実装基板上へのＩＣチップの設置が可能となる。
【００２２】
このように、第１実施例によれば、保護膜を予め厚めに形成しておくため、ウエハの裏面を研磨する際、ウエハの厚さを最終チップ厚よりも厚く設定することができる。このため、ウエハの加工上、または、その後のウエハのハンドリングに対して、十分なウエハ強度を確保できる。
【００２３】
また、そのウエハ厚のままで後の工程のダイスカットおよびダイスボンドなどが行えるために、ＩＣチップ実装工程においても十分なＩＣチップの設置の強度が確保される。
【００２４】
更に、実装基板上にＩＣチップを設置（ダイスボンド）した後でチップ厚を薄くしているため、ＩＣチップを取り扱う上での割れなどのリスクが軽減できる。
【００２５】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００２６】
第１実施例では、工程（２）において、保護膜は１種類の材料を想定したものであるが、この実施例では保護膜を種類の異なった多層膜構造として厚めに構成する。
【００２７】
図２は本発明の第２実施例を示す半導体装置の要部製造工程断面図である。
【００２８】
（１）まず、上記した第１実施例と同様に、Ｓｉ基板（ウエハ）１上に拡散層２Ａ、ゲート電極２Ｂ、ＭＯＳキャパシタなどを有する半導体素子２や金属配線３を形成する。
【００２９】
次に、図２（ａ）に示すように、その上面に保護膜１１０（ＰＶ：パッシベーション膜）として、種類の異なる多層膜構造（例えば、下層に窒化膜１０１、上層に酸化膜１０２）を形成する。この上層の酸化膜１０２には最終的にチップ厚を薄くするためにエッチング除去する分の膜厚を設定しておく。
【００３０】
（２）次いで、図２（ｂ）に示すように、これをＩＣチップ実装基板８上に実装後、全面エッチング（この場合、酸化膜１０２のエッチング）することにより、保護膜１１０の上層の酸化膜１０２の膜厚分チップ厚をエッチングして薄くし、保護膜１００としては下層膜（窒化膜）１０１が最終的に残る。
【００３１】
このように、第２実施例によれば、保護膜を種類の異なった多層膜構造とすることによって、全面エッチングの際に、最終的に保護膜として残す膜と、チップ実装後に除去する膜とのエッチング選択比が確実に確保できるため、ＩＣチップの厚さを容易にコントロールすることが可能になる。
【００３２】
以上の方法により、ウエハ強度あるいはＩＣチップ強度を確保したままで、非常に薄いＩＣチップを実装基板上へ設置することが可能となる。
【００３３】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００３４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
【００３５】
（Ａ）保護膜を予め厚めに形成しておくため、ウエハの裏面を研磨する際、ウエハの厚さを最終チップ厚よりも厚く設定できる。このため、ウエハの加工上、または、その後のウエハのハンドリングに対して、十分なウエハ強度を確保できる。
【００３６】
また、そのウエハ厚のままで後の工程のダイスカットおよびダイスボンドなどが行えるために、ＩＣチップ実装工程においても十分なＩＣチップの設置の強度が確保される。
【００３７】
更に、実装基板上にＩＣチップを設置（ダイスボンド）した後でチップ厚を薄くしているため、ＩＣチップを取り扱う上での割れなどのリスクが軽減できる。
【００３８】
（Ｂ）保護膜を種類の異なる多層構造とすることによって、全面エッチングの際に、最終的に保護膜として残す膜と、チップ実装後に除去する膜とのエッチング選択比が確実に確保できるため、ＩＣチップの厚さを容易にコントロールすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の第１実施例を示す半導体装置の製造工程断面図である。
【図２】
本発明の第２実施例を示す半導体装置の要部製造工程断面図である。
【符号の説明】
１    Ｓｉ基板（ウエハ）
２    半導体素子
２Ａ    拡散層
２Ｂ    ゲート電極
３    金属配線
４，１１０    保護膜（ＰＶ：パッシベーション膜）
５    金属パッド（メタルパッド）
６    ダイスカット部
７    ＩＣチップ領域
８    実装基板
９    エッチング領域
１０，１００    最終の保護膜
１１    実装基板の配線
１０１    窒化膜（保護膜下層：最終保護膜）
１０２    酸化膜（保護膜上層：最終的には除去される膜）