【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明材料から成り少なくとも一層の情報記録層をもつ円板状の第一及び第二のディスク基板を有し、
少なくとも一方のディスク基板の一面に上記情報記録層が半透過性の反射膜により形成されていて、
各ディスク基板を上記一面が重なるようにして貼り合わせる透明接着層を有し、
上記第一のディスク基板の情報記録層が、第二のディスク基板の情報記録層に比較して高密度であって、
上記第一のディスクの基板の情報記録層（高密度記録層）が、λ≦４６０ｎｍで且つＮ．Ａ．≧０．６の光学パラメータで記録及び／または再生され、
上記第二のディスクの基板の情報記録層（中密度記録層）が、６１５ｎｍ≦λ≦６５５ｎｍで且つＮ．Ａ．＝０．６プラスマイナス０．０５の光学パラメータで記録及び／または再生される
構成としたことを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
上記中密度記録層が、λ≦４６０ｎｍで且つＮ．Ａ．≧０．６の光学パラメータでも記録及び／または再生される
構成としたことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク。
【請求項３】
上記高密度記録層が、０．２８μｍ≦トラックピッチ≦０．５４μｍで且つ０．１５μｍ≦最短ピット長≦０．２９μｍのピットパラメータであって、
上記中密度記録層が、０．７０μｍ≦トラックピッチ≦０．８０μｍで且つ０．４０μｍ≦最短ピット長≦０．４５μｍのピットパラメータである
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク。
【請求項４】
上記高密度記録層の上に、３８０ｎｍ≦λ≦４６０ｎｍにおける反射率が１０％以上で、且つ６１５μｍ≦λ≦６５５μｍにおける透過率が４０％以上である半透明膜が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク。
【請求項５】
上記半透明膜が、Ｓｉ化合物から構成されていることを特徴とする請求項４に記載の光ディスク。
【請求項６】
上記高密度記録層が、再生専用であって、上記中密度記録層が記録・再生可能であることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク。
【請求項７】
上記透明接着層が、１０乃至１００μｍの厚さであることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク。
【請求項８】
光ビームを出射する光源と、
上記光源から出射された光ビームを光ディスクの信号記録面上に集束させる光集束手段と、
上記光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを受光する受光部を有する光検出器と
を含んでおり、
上記光ディスクが、
透明材料から成り少なくとも一層の情報記録層をもつ円板状の第一及び第二のディスク基板を有し、
少なくとも一方のディスク基板の一面に上記情報記録層が半透過性の反射膜により形成されていて、
各ディスク基板を上記一面が重なるようにして貼り合わせる透明接着層を有し、
上記第一のディスク基板の情報記録層が、第二のディスク基板の情報記録層に比較して高密度であって、
上記光源からの光ビームが、上記第一のディスクの基板の情報記録層（高密度記録層）に対して、λ≦４６０ｎｍで且つＮ．Ａ．≧０．６の光学パラメータで照射され、
上記光ビームが上記第二のディスクの基板の情報記録層（中密度記録層）に対して、６１５ｎｍ≦λ≦６５５ｎｍで且つＮ．Ａ．＝０．６プラスマイナス０．０５の光学パラメータで照射される
構成としたことを特徴とする光学ピックアップ。
【請求項９】
上記中密度記録層が、λ≦４６０ｎｍで且つＮ．Ａ．≧０．６の光学パラメータでも記録及び／または再生されることを特徴とする請求項８に記載の光学ピックアップ。
【請求項１０】
光源から出射した光ビームを、光ディスクの信号記録面上に集束する光集束手段と、
光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを受光する受光部を有する光検出手段と、
上記光集束手段を移動可能な駆動手段と、
上記光検出手段の受光部からの信号に基づいて生成されるサーボ信号を上記駆動手段に与えるサーボ手段と
を含んでいる光ディスク装置であって、
上記光ディスクが、
透明材料から成り少なくとも一層の情報記録層をもつ円板状の第一及び第二のディスク基板を有し、
少なくとも一方のディスク基板の一面に上記情報記録層が半透過性の反射膜により形成されていて、
各ディスク基板を上記一面が重なるようにして貼り合わせる透明接着層を有し、
上記第一のディスク基板の情報記録層が、第二のディスク基板の情報記録層に比較して高密度であって、
上記光源からの光ビームが、第一のディスクの基板の情報記録層（高密度記録層）に対して、λ≦４６０ｎｍで且つＮ．Ａ．≧０．６の光学パラメータで照射され、
上記光ビームが上記第二のディスクの基板の情報記録層（中密度記録層）に対して、６１５ｎｍ≦λ≦６５５ｎｍで且つＮ．Ａ．＝０．６プラスマイナス０．０５の光学パラメータで照射される
構成としたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１１】
上記中密度記録層が、λ≦４６０ｎｍで且つＮ．Ａ．≧０．６の光学パラメータでも記録及び／または再生される
ことを特徴とする請求項１０に記載の光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、本発明によれば、透明材料から成り少なくとも一層の情報記録層をもつ円板状の第一及び第二のディスク基板を有し、少なくとも一方のディスク基板の一面に上記情報記録層が半透過性の反射膜により形成されていて、各ディスク基板を上記一面が重なるようにして貼り合わせる透明接着層を有し、第一のディスク基板の情報記録層が、第二のディスク基板の情報記録層に比較して高密度であって、上記第一のディスクの基板の情報記録層（高密度記録層）が、λ≦４６０ｎｍで且つＮ．Ａ．≧０．６の光学パラメータで記録及び／または再生され、上記第二のディスクの基板の情報記録層（中密度記録層）が、６１５ｎｍ≦λ≦６５５ｎｍで且つＮ．Ａ．＝０．６プラスマイナス０．０５の光学パラメータで記録及び／または再生される構成とした、光ディスクにより、達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記請求項１に対応した構成によれば、第一のディスク基板の情報記録層が高密度記録層として、λ≦４６０ｎｍで且つＮ．Ａ．（開口数）≧０．６の光学パラメータで記録及び／または再生されると共に、第二のディスクの基板の情報記録層が中密度記録層として、６１５ｎｍ≦λ≦６５５ｎｍで且つＮ．Ａ．＝０．６プラスマイナス０．０５の光学パラメータで記録及び／または再生される。これにより、一枚の光ディスクで、中密度記録層は、波長６３５μｍまたは６５０ｎｍの光ビームを利用した従来の中密度記録光ディスク用の光ディスク装置により記録及び／または再生されることになると共に、高密度記録層は、波長４１０ｎｍの光ビームを利用したより高密度の光ディスクのための光ディスク装置により記録及び／または再生されることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
光源２１は、例えば半導体の再結合発光を利用した半導体レーザ素子を備えており、例えば波長４１０ｎｍのレーザ光を出射する。あるいは、光源２１は、後述するように、二種類の波長の光ビーム、例えば高密度記録光ディスク用の波長６５０ｎｍの光ビームそして中密度記録光ディスク用の波長４１０ｎｍの光ビームを選択的に出射するように、例えば二つの半導体レーザ素子（図示せず）を備えていてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
さらに、上記反射膜３４は、好ましくはＳｉ化合物から構成されており、３８０ｎｍ≦λ≦４６０ｎｍにおける反射率が１０％以上で且つ６１５ｎｍ≦λ≦６５５ｎｍにおける透過率が４０％以上であるように、構成されている。
ここで、反射率が１０％未満の場合には、高密度記録層からの戻り光の光量が十分ではなく、高密度記録層の再生特性が劣化してしまう。また透過率が４０％未満の場合には、中密度記録層への照射光量が低下することになり、中密度記録層の記録及び／または再生特性が劣化してしまう。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、上記反射膜３５は、６１５ｎｍ≦λ≦６５５ｎｍにおける反射率が２５％以上であるように構成されている。ここで、反射率が２５％未満の場合には、中密度記録層からの戻り光の光量が十分ではなく、中密度記録層の再生特性が劣化してしまう。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
さらに、上記高密度記録層は、０．３０μｍ≦トラックピッチ≦０．７０μｍで且つ０．１５μｍ≦最短ピット長≦０．４０μｍのピットパラメータである。また、上記中密度記録層は、０．７０μｍ≦トラックピッチ≦０．８０μｍで且つ０．４０μｍ≦最短ピット長≦０．４５μｍのピットパラメータである。
ここで、例えば、現在実用化されている最も高密度記録の光記録媒体であるＤＶＤディスク（中密度記録層）では、λ＝０．６３５または０．６５μｍで、Ｎ．Ａ．＝０．６，トラックピッチ（Ｔ．Ｐ．）＝０．４μｍであり、次の関係となる。
Ｔ．Ｐ．＝０．７４×（λ／０．６３５）×（０．６／Ｎ．Ａ．）
最短ピット長（Ｐｍｉｎ）＝０．４×（λ／０．６３５）×（０．６／Ｎ．Ａ．）
そして、本実施形態の光学パラメータとして前述のλ≦４６０ｎｍで且つＮ．Ａ．≧０．６を代入すると、
Ｔ．Ｐ．≦０．５４μｍ
Ｐｍｉｎ．≦０．２９μｍ
となる。
さらに、波長λの現実的な技術的限界は０．３８μｍで、同様にＮ．Ａ．の限界は最大０．９５であるから、
Ｔ．Ｐ．≧０．２８μｍＰｍｉｎ．≧０．１５μｍ
となることがわかる。