【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な第１の基板と第２の基板の間に挟持される液晶層を有し、
前記第１の基板上には複数のゲート配線と、該複数のゲート配線とマトリクス状に交差する複数のドレイン配線を有し、
前記複数のゲート配線およびドレイン配線で囲まれる領域で画素が構成され、各画素は少なくとも１つのＴＦＴ素子を有し、前記ＴＦＴ素子により前記ドレイン配線からの信号が前記ゲート配線の信号により選択されて電気的に供給される画素電極を有する液晶表示装置において、
前記ＴＦＴ素子を構成する半導体層を有し、
絶縁層を間に挟んで前記半導体層と容量素子を構成する容量配線を有し、
前記半導体層と容量配線間に、前記半導体層を導通状態とし得る極性の電位差がほぼ常に印加されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
透明な第１の基板と第２の基板の間に挟持される液晶層を有し、
前記第１の基板上には複数のゲート配線と、該複数のゲート配線とマトリクス状に交差する複数のドレイン配線を有し、
前記複数のゲート配線およびドレイン配線で囲まれる領域で画素が構成され、各画素は少なくとも１つのＴＦＴ素子を有し、前記ＴＦＴ素子により前記ドレイン配線からの信号が前記ゲート配線の信号により選択されて電気的に供給される画素電極を有する液晶表示装置において、
前記ＴＦＴ素子と一体に構成された半導体層を有し、
絶縁層を間に挟んで前記半導体層と容量素子を構成する容量配線を有し、
前記ＴＦＴ素子と一体に形成された半導体層は、前記ＴＦＴ素子のゲート電極に対し前記ドレイン配線が形成された側とは反対の側で前記画素電極と電気的に接続し、
前記容量配線に前記半導体層を導通状態とする電圧をほぼ常時印加することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
透明な第１の基板と第２の基板の間に挟持される液晶層を有し、
前記第１の基板上には複数のゲート配線と、該複数のゲート配線とマトリクス状に交差する複数のドレイン配線を有し、
前記複数のゲート配線およびドレイン配線で囲まれる領域で画素が構成され、各画素は少なくとも１つのＴＦＴ素子を有し、前記ＴＦＴ素子により前記ドレイン配線からの信号が前記ゲート配線の信号により選択されて電気的に供給される画素電極を有する液晶表示装置において、
前記画素電極は金属材料層と透明導電体層の２層で構成され、
前記ＴＦＴ素子と一体に構成された半導体層を有し、
絶縁層を間に挟んで前記半導体層と容量素子を構成する容量配線を有し、
前記半導体層は前記画素電極の金属層と前記絶縁層に設けられたスルーホールで接続され、前記画素電極の金属層と前記画素電極の透明導電体層は別の絶縁層に設けられたスルーホールで接続され、
前記容量配線に前記半導体層を導通状態とする電圧をほぼ常時印加することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の基板上に共通信号線を有し、前記共通信号線と前記画素電極が平面的に重畳部を有し、
該共通信号線と前記容量配線の電位が異なることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の基板上に共通電極を有し、前記画素電極と離間して構成され、該共通電極と該画素電極間に形成する前記第１の基板と平行な方向の成分を有する電界により前記液晶層を駆動することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記半導体層と前記容量配線の間の絶縁膜の膜厚が前記画素電極に接するいずれの絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記半導体層と前記容量配線の間の絶縁膜がＳｉＯ２であることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記容量配線の電位が前記ゲート配線のＯＮ電位と同一であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記容量配線の電位が前記ドレイン配線の最大電圧に前記ＴＦＴ素子のしきい値電圧を足した値以上であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記容量配線に絶縁膜を介して平面的に重畳してシールド電極が構成されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記シールド電極が前記共通電極あるいは前記共通電極配線であることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記半導体層がポリシリコンであることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記半導体層がｐ型あるいはｎ型のいずれかで構成され、画素領域外に設けられたＴＦＴ素子と同じ型であることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１の基板の背面にバックライトユニットを有する請求項１ないし１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記バックライトユニットの輝度が８０００ｃｄ／ｍ２以上であることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
透明な第１の基板と第２の基板の間に挟持される液晶層を有し、
前記第１の基板上には複数のゲート配線と、該複数のゲート配線とマトリクス状に交差する複数のドレイン配線を有し、
前記複数のゲート配線およびドレイン配線で囲まれる領域で画素が構成され、各画素は少なくとも１つの薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタにより前記ドレイン配線からの信号が前記ゲート配線の信号により選択されて電気的に供給される画素電極を有し、
各画素は複数の画素に渡って接続され基準電圧を与える共通電極配線と、該共通電極配線と接続された共通電極を有し、
該共通電極と該画素電極間に形成する前記第１の基板と平行な成分の電界を有する横電界により前記液晶層の液晶分子を駆動する液晶表示装置において、
前記共通電極および共通電極配線とは異なる保持容量電極あるいは保持容量配線を有し、該保持容量電極あるいは保持容量配線と前記画素電極の電位に接続された保持容量部材との間に保持容量を形成したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
前記保持容量は一方の電極を前記保持容量電極あるいは保持容量配線とし、他方の電極となる前記保持容量部材を薄膜トランジスタを構成する半導体膜とし、該保持容量電極あるいは保持容量配線と該保持容量部材の間にゲート絶縁膜を有することを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記半導体膜は、前記保持容量電極あるいは保持容量配線に電圧が印加され前記半導体膜の前記ゲート絶縁膜との界面で電子あるいは正孔が誘起されることにより抵抗率が低下し前記保持容量を構成する他方の電極として機能することを特徴とする１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記薄膜トランジスタを構成する半導体膜はポリシリコン膜であることを特徴とする請求項１６ないし１８のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記保持容量電極あるいは保持容量配線上に共通電極あるいは共通電極配線が絶縁膜を介して重畳されていることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記共通電極あるいは共通電極配線は前記ゲート配線と平行して配置された第2の共通電極配線と前記絶縁膜の開口部で接続されていることを特徴とする請求項２０記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記保持容量電極あるいは保持容量配線は前記薄膜トランジスタが形成された前記透明な第1の基板上で、前記保持容量電極あるいは保持容量配線上に絶縁膜を被覆しさらにその上部で共通電極あるいは共通電極配線及び画素電極で電気的にシールドされていることを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記保持容量電極あるいは保持容量配線上には第１の絶縁膜、画素電極、第２の絶縁膜、共通電極を順次有し、該画素電極と該共通電極は該第２の絶縁膜を介して互いに重なる構造であることを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記保持容量電極あるいは保持容量配線を被覆する前記画素電極及び前記共通電極は、平面パターン的に互いにのこぎりの刃の形状で重なることを特徴とする請求項２２あるいは２３のいずれかに記載の液晶表示装置。