(57)【要約】  光送信器１００は、光源部１０３から出力される光に低周波のパイロット信号を重畳し、パイロット信号が重畳された信号光を、入力された変調信号に応じて変調するＥＡ変調部１０６を備えており、ＥＡ変調部１０６から出力された信号光の高出力側の最大値（Ｖｐ）と、高出力側の最大値の変動幅（ＶＨ）と、低出力側の最小値の変動幅（ＶＬ）とを検出し、高出力側の最大値（Ｖｐ）を基にして、光変調器に入力する電気信号のバイアス電位を調整し、高出力側の最大値の変動幅（ＶＬ）と低出力側の最小値の変動幅（ＶＬ）とを基にしてＥＡ変調部１０６に入力する変調信号の振幅を調整する。
2008111223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の周波数のパイロット信号が重畳された光を出力する光源と、
前記光源からの光を、入力された電気信号に応じて変調する光変調手段と、
前記光変調手段から出力された信号光の高出力側の最大値と、高出力側の最大値の変動幅と、低出力側の最小値の変動幅とを検出する検出手段と、
前記検出された最大値を基にして前記光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整するバイアス電位調整手段と、
前記高出力側の最大値の変動幅と前記低出力側の最小値の変動幅とを基にして前記光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整する振幅調整手段と、
を備えた光送信器。
【請求項２】
前記バイアス電位調整手段は、前記検出手段によって検出された最大値が所定値となるように前記光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整することを特徴とする請求項１に記載の光送信器。
【請求項３】
前記振幅調整手段は、前記高出力側の最大値の変動幅と前記低出力側の最小値の変動幅との比が所定の値となるように前記光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整することを特徴とする請求項１または２に記載の光送信器。
【請求項４】
所定の周波数のパイロット信号が重畳された光を出力する光源と、
前記光源からの光を、入力された電気信号に応じて変調する光変調手段と、
前記光変調手段に入力される電気信号の高電圧側の最大値と、高電圧側の最大値の変動幅と、低電圧側の最小値の変動幅とを検出する検出手段と、
前記高電圧側の最大値と、前記光変調手段に入力される電流の値とを基にして前記光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整するバイアス電位調整手段と、
前記高電圧側の最大値の変動幅と低電圧側の最小値の変動幅とを基にして前記光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整する振幅調整手段と、
を備えた光送信器。
【請求項５】
前記バイアス電位調整手段は、前記高電圧側の最大値と、前記光変調手段に入力される電流の値と、前記光変調手段の抵抗値とを基にして、前記光変調手段の吸収電流を算出し、算出した吸収電流が所定値となるように前記光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整することを特徴とする請求項４に記載の光送信器。
【請求項６】
前記振幅調整手段は、前記高電圧側の最大値の変動幅と前記低電圧側の最小値の変動幅との比が所定の値となるように前記光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整することを特徴とする請求項４または５に記載の光送信器。
【請求項７】
入力された電気信号に応じて変調した信号光を送信する光送信器の光送信方法であって、
前記光送信器は、所定の周波数のパイロット信号が重畳された光を出力する光源と、入力された電気信号に応じて信号光を変調する光変調器とを備え、
前記光源からの光を、前記光変調器によって変調する光変調工程と、
前記光変調器から出力された信号光の高出力側の最大値と、高出力側の最大値の変動幅と、低出力側の最小値の変動幅とを検出する検出工程と、
前記最大値を基にして前記光変調器に入力する電気信号のバイアス電位を調整するバイアス電位調整工程と、
前記高出力側の最大値の変動幅と前記低出力側の最小値の変動幅とを基にして前記光変調器に入力する電気信号の振幅を調整する振幅調整工程と、
を含んだことを特徴とする光送信方法。
【請求項８】
前記バイアス電位調整工程は、前記検出工程によって検出された最大値が所定値となるように前記光変調器に入力する電気信号のバイアス電位を調整することを特徴とする請求項７に記載の光送信方法。
【請求項９】
入力された電気信号に応じて変調した信号光を送信する光送信器の光送信方法であって、
前記光送信器は、所定の周波数のパイロット信号が重畳された光を出力する光源と、入力された電気信号に応じて信号光を変調する光変調器とを備え、
前記光源からの光を、前記光変調器によって変調する光変調工程と、
前記光変調器に入力される電気信号の高電圧側の最大値と、高電圧側の最大値の変動幅と、低電圧側の最小値の変動幅とを検出する検出工程と、
前記検出工程によって検出された高電圧側の最大値と、前記光変調手段に入力される電流の値とを基にして前記光変調器に入力する電気信号のバイアス電位を調整するバイアス電位調整工程と、
前記高電圧側の最大値の変動幅と低電圧側の最小値の変動幅とを基にして前記光変調器に入力する電気信号の振幅を調整する振幅調整工程と、
を含んだことを特徴とする光送信方法。
【請求項１０】
前記バイアス電位調整工程は、前記高電圧側の最大値と、前記光変調器に入力される電流の値と、前記光変調器の抵抗値とを基にして、前記光変調器の吸収電流を算出し、算出した吸収電流が所定値となるように前記光変調器に入力する電気信号のバイアス電位を調整することを特徴とする請求項９に記載の光送信方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力された電気信号に応じて変調した信号光を送信する光送信器に関し、特に、消光特性が変動した場合にでも、最適なバイアス点、変動振幅に調整でき、信号光の波形の変動を抑えることができる光送信器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ネットワーク上で伝送されるデータ量の増加に伴い、通信網には１０Ｇ（ｂ／ｓ）以上の伝送容量が要求されるようになっている。こうした大容量伝送を実現するために、高速で光を変調することができるＥＡ（Electro  Absorption）変調器等が用いられている。【０００３】
しかし、ＥＡ変調器は、ＥＡ変調器に印加した電圧の大きさとＥＡ変調器から出力される信号光の強度との特性（以下、消光特性と表記する）が温度によって変動してしまうため、消光特性の変動を抑えるために温度を一定に保つ必要があった。また、ＥＡ変調器の経年劣化等により消光特性が変動し、ＥＡ変調器から出力される信号光の波形が劣化してしまうという問題もあった。【０００４】
そこで、低周波のパイロット信号を主信号（伝送信号）に重畳してＥＡ変調器に入力し、ＥＡ変調器から出力される信号光からパイロット信号の成分を取り出し、取り出したパイロット信号を基にＥＡ変調器に印加する電圧を制御することで、消光特性の変動による信号光の波形劣化を抑える方法が提案されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１２３４７１号公報
【特許文献２】特許第３３３３１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、一般に主信号の信号源回路の動作点とＥＡ変調器の動作点（バイアス電圧）は必ずしも一致しないため（もしくは、一致させるのが困難なため）、主信号の信号源とＥＡ変調器間はＡＣ結合する場合が多い。【０００７】
主信号の信号源とＥＡ変調器間はＡＣ結合する場合、低域の遮断周波数は、カップリングコンデンサにより制限される。そのため、上述した従来の技術のようにパイロット信号を主信号に重畳する方式では、主信号だけでなくパイロット信号も歪みなく通すために、大きな容量のコンデンサを使用して低域遮断周波数を下げる必要がある。【０００８】
低域遮断周波数を下げるためにコンデンサの容量を大きくすると、コンデンサのサイズが大きくなって電極のサイズが大きくなり、その影響を受けて基板パターンの特性インピーダンスの設計が困難になる。また、コンデンサはサイズが大きいほど高周波でのインピーダンスが高くなるため、高周波特性に対して不利が生じてしまう。【０００９】
すなわち、容量の大きなコンデンサを用いることなく、ＥＡ変調器の消光特性が変動した場合でもＥＡ変調器から出力される信号光の波形変動を抑えることが極めて重要な課題となっている。【００１０】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、ＥＡ変調器の消光特性が変動した場合でもＥＡ変調器から出力される信号光の波形変動を抑えることができる光送信器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる光送信器は、所定の周波数のパイロット信号が重畳された光を出力する光源と、前記光源からの光を、入力された電気信号に応じて変調する光変調手段と、前記光変調手段から出力された信号光の高出力側の最大値と、高出力側の最大値の変動幅と、低出力側の最小値の変動幅とを検出する検出手段と、前記最大値を基にして前記光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整するバイアス電位調整手段と、前記高出力側の最大値の変動幅と前記低出力側の最小値の変動幅とを基にして前記光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整する振幅調整手段と、を備えたことを特徴とする。【００１２】
また、本発明は、上記発明において、前記バイアス電位調整手段は、前記検出手段によって検出された最大値の値が所定値となるように前記光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整することを特徴とする。【００１３】
また、本発明は、上記発明において、前記振幅調整手段は、前記高出力側の最大値の変動幅と前記低出力側の最小値の変動幅との比が所定の値となるように前記光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整することを特徴とする。【００１４】
また、本発明にかかる光送信器は、所定の周波数のパイロット信号が重畳された光を出力する光源と、前記光源からの光を、入力された電気信号に応じて変調する光変調手段と、前記光変調手段に入力される電気信号の高電圧側の最大値と、高電圧側の最大値の変動幅と、低電圧側の最小値の変動幅とを検出する検出手段と、前記高電圧側の最大値と、前記光変調手段に入力される電流の値とを基にして前記光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整するバイアス電位調整手段と、前記高電圧側の最大値の変動幅と低電圧側の最小値の変動幅とを基にして前記光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整する振幅調整手段と、を備えたことを特徴とする。【００１５】
また、本発明は、上記発明において、前記バイアス電位調整手段は、前記高電圧側の最大値と、前記光変調手段に入力される電流の値と、前記光変調手段の抵抗値とを基にして、前記光変調手段の吸収電流を算出し、算出した吸収電流が所定値となるように前記光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整することを特徴とする。【００１６】
また、本発明は、上記発明において、前記振幅調整手段は、前記高電圧側の最大値の変動幅と前記低電圧側の最小値の変動幅との比が所定の値となるように前記光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整することを特徴とする。【００１７】
また、本発明は、上記発明において、前記振幅調整手段は、前記高電圧側の最大値の変動幅と前記低電圧側の最小値の変動幅との比が所定の値となるように前記光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、所定の周波数のパイロット信号が重畳された光を出力する光源からの光を、入力された電気信号に応じて変調し、変調した信号光の高出力側の最大値と、高出力側の最大値の変動幅と、低出力側の最小値の変動幅とを検出し、最大値を基にして電気信号のバイアス電位を調整し、高出力側の最大値の変動幅と低出力側の最小値の変動幅とを基にして光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整するので、容量の大きなコンデンサを用いることなく、光変調手段の消光特性が変動した場合でも光変調手段から出力される信号光の波形変動を抑えることができる。【００１９】
また、本発明によれば、光変調手段から出力された信号光の最大値の値が所定値となるように光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整するので、光変調手段の消光特性の変動に関わらず、光変調手段から出力される信号光の最大値を一定に保つことができる。【００２０】
また、本発明によれば、高出力側の最大出力の変動幅と前記低出力側の最小出力の変動幅とが等しくなるように光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整するので、光変調手段の消光特性の変動した場合であっても信号光の波形変動を抑えることができる。【００２１】
また、本発明によれば、所定の周波数のパイロット信号が重畳された光を出力する光源からの光を、入力された電気信号に応じて変調し、光変調手段に入力される電気信号の高電圧側の最大値と、高電圧側の最大値の変動幅と、低電圧側の最小値の変動幅とを検出し、高電圧側の最大値と、光変調手段に入力される電流の値とを基にして光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整し、高電圧側の最大値の変動幅と低電圧側の最小値の変動幅とを基にして光変調手段に入力する電気信号の振幅を調整するので、光変調手段の消光特性が変動した場合でも光変調手段から出力される信号光の波形変動を抑えることができる。【００２２】
また、本発明によれば、高電圧側の最大値と、光変調手段に入力される電流の値と、光変調手段の抵抗値とを基にして、光変調手段の吸収電流を算出し、算出した吸収電流が所定値となるように光変調手段に入力する電気信号のバイアス電位を調整するので、光変調手段の消光特性が変動した場合でも光変調手段から出力される信号光の波形変動を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本実施例１にかかる光送信器の構成を示す機能ブロック図である。
【図２】図２は、本実施例１にかかるＥＡ変調器から出力される信号光およびＥＡ変調器に印加される電気信号（変調信号）との関係を示す図である。
【図３】図３は、本実施例１のバイアス制御にかかる処理手順を示すフローチャートである。
【図４】図４は、本実施例１の変調振幅制御にかかる処理手順を示すフローチャートである。
【図５】図５は、本実施例２にかかる光送信器の構成を示す機能ブロック図である。
【図６】図６は、本実施例２にかかるＥＡ変調器から出力される信号光およびＥＡ変調器に入力される電気信号（変調信号）との関係を示す図である。
【図７】図７は、式（１）を補足説明するための説明図である。
【図８】図８は、本実施例２のバイアス制御にかかる処理手順を示すフローチャートである。
【図９】図９は、本実施例２の変調振幅制御にかかる処理手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００２４】
７１，１０１，２０１    パイロット信号源
７２    ＬＤ電流源
７３    光源
７４    ＥＡ
７５    バイアス用電流源
７６，１１６，２１５    パルス駆動部
１００，２００    光送信器
１０２，２０２    電流源
１０３，２０３    光源部
１０４，１０８，２０４    光／電気変換部
１０５，２０５    電流制御部
１０６，２０６    ＥＡ変調部
１０７    分岐部
１０９，２０７    ピーク電圧検出部
１１０，１１５，２０９，２１４    比較部
１１１，２１０    ＥＡバイアス駆動部
１１２，２１１    信号結合部
１１３，２１２    Ｈ側振幅検出部
１１４，２１３    Ｌ側振幅検出部
２０８    演算部
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に添付図面を参照して、この発明に係る光送信器の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２６】
まず、本実施例１にかかる光送信器の概要および特徴について説明する。本実施例１にかかる光送信器は、光源部から出力される光に低周波のパイロット信号を重畳し、パイロット信号が重畳された信号光を、入力された変調信号（電気信号）に応じて変調する光変調器（例えば、ＥＡ（Electro  Absorption）変調器等）を備えており、光変調器から出力された信号光の高出力側の最大値と、高出力側の最大値の変動幅と、低出力側の最小値の変動幅とを検出し、高出力側の最大値を基にして、光変調器に入力する電気信号のバイアス電位を調整し、高出力側の最大値の変動幅と低出力側の最小値の変動幅とを基にして光変調器に入力する電気信号の振幅を調整する。【００２７】
このように、本実施例１にかかる光送信器は、光変調器から出力された信号光の高出力側の最大値、高出力側の最大値の変動幅、低出力側の最小値の変動幅に基づいて、光変調器に入力する電気信号のバイアス電圧および振幅を調整するので、光変調器の消光特性が変動した場合でも、最適なバイアス点、変動振幅に調整でき、信号光の波形の変動を抑えることができる。【００２８】
次に、本実施例１にかかる光送信器の構成について説明する。図１は、本実施例１にかかる光送信器の構成を示す機能ブロック図である。同図に示すように、この光送信器１００は、パイロット信号源１０１と、電流源１０２と、光源部１０３と、光／電気変換部１０４，１０８と、電源制御部１０５と、ＥＡ変調部１０６と、分岐部１０７と、ピーク電圧検出部１０９と、比較部１１０，１１５と、ＥＡバイアス駆動部１１１と、信号結合部１１２と、Ｈ側振幅検出部１１３と、Ｌ側振幅検出部１１４と、パルス駆動部１１６とを備えて構成される。【００２９】
このうち、パイロット信号源１０１は、所定の周波数のパイロット信号（低周波信号）を電流源１０２に出力する装置である。電流源１０２は、パイロット信号源１０１から出力されるパイロット信号を重畳した電気信号を光源部１０３に出力する装置である。【００３０】
光源部１０３は、電流源１０２から出力される電気信号によって信号光を生成し、生成した信号光を光／電気変換部１０４およびＥＡ変調部１０６に出力する装置である。なお、光源部１０３は、電流源１０２からパイロット信号が重畳された電気信号によって、パイロット信号が重畳された信号光を生成する。【００３１】
光／電気変換部１０４は、光源部１０３から出力される信号光を電気信号に変換する装置である。そして、光／電気変換部１０４は、変換した電気信号を電流制御部１０５に出力する。電流制御部１０５は、光／電気変換部１０４から光出力に比例した電気信号を取得し、かかる電気信号の振幅（あるいは最大出力（最大値））が予め定められた基準値となるように電流源１０２の電流を制御する装置である。電流制御部１０５が電流源１０２の電流を制御することによって、光源部１０３から出力される信号光は一定に保たれる。【００３２】
ＥＡ変調部１０６は、光源部１０３から出力された信号光（パイロット信号が重畳された信号光）に対して、信号結合部１１２から入力された電気信号に応じた変調を行い、変調した信号光を分岐部１０７に出力する装置である。このＥＡ変調部１０６は、信号結合部１１２から出力される電気信号に応じて、光の透過率が変化する。【００３３】
光源に低周波のパイロット信号を重畳すると、ＥＡ変調部１０６のフォトカレントにはパイロット信号と同相の変化が生じ、さらにフォトカレントの変化はＥＡ変調部１０６に並列に接続した終端抵抗に流れる電流にパイロット信号と逆相の変化を生じさせ、これによってＥＡバイアスにはパイロット信号と逆相の変化が生じる。そして、ＥＡ変調部１０６に変調信号が入力された状態では、変調信号のＨ側およびＬ側にパイロット信号が包絡線状に重畳されることとなる。この結果、ＥＡ変調部１０６から出力される信号光のＨ側およびＬ側にも同様にパイロット信号が包絡線状に重畳される。【００３４】
ここで、ＥＡ変調部１０６から出力される信号光およびＥＡ変調部１０６に印加される電気信号（変調信号）との関係について説明する。図２は、本実施例１にかかるＥＡ変調器から出力される信号光およびＥＡ変調器に印加される電気信号（変調信号）との関係を示す図である。図２は、図表１０、図表２０から構成される。【００３５】
図表１０は、横軸がＥＡ変調部１０６に入力される電圧（ＥＡバイアス）を表し、縦軸がＥＡ変調部１０６から出力された信号光のパワーを表す。また、曲線１１および曲線１２は、ＥＡ変調部１０６の消光特性を示す。ＥＡ変調部１０６の消光特性は、温度に応じて変化するが、ここでは一例として、２種類の消光特性のみを示す。【００３６】
図表１０の曲線１１に示したような消光特性を持つＥＡ変調部１０６に、変調信号３１（信号結合部１１２からＥＡ変調部１０６に出力される電気信号）を入力した場合、ＥＡ変調部１０６からは、信号光１３が出力される。変調信号３１は、曲線１１に示した消光特性に合わせて、変調信号３１の変調振幅およびＥＡバイアスが最適に設定されているものとする。【００３７】
同様に、図表１０の曲線１２に示したような消光特性を持つＥＡ変調部１０６に、変調信号３２（信号結合部１１２からＥＡ変調部１０６に出力される電気信号）を入力した場合、ＥＡ変調部１０６からは、信号光１４が出力される。変調信号３２は、曲線１２に示した消光特性に合わせて、変調信号３２の変調振幅およびＥＡバイアスが最適に設定されているものとする。【００３８】
本実施例１では、一例として、信号光１４の波形の高出力側（以下、Ｈ側）の振幅の変動幅をＶＨとし、信号光１４の波形の低出力側（以下、Ｌ側）の振幅の変動幅をＶＬとする。また、信号光１４のＨ側の振幅の最大出力をピーク電圧（以下、Ｖｐ）とする。【００３９】
図表２０の説明に移ると、図表２０は、横軸がＥＡ変調部１０６に入力される電圧（ＥＡバイアス）を表し、縦軸がＥＡ変調部１０６のフォトカレントの大きさを示している。フォトカレントは、ＥＡ変調部１０６に吸収される電流（吸収電流）を示す。曲線２１は、消光特性が曲線１１で表される場合のフォトカレント特性を示す。曲線２２は、消光特性が曲線１２で表される場合のフォトカレント特性を示す。【００４０】
また、フォトカレントの特性が曲線２１の場合に、変調信号３１がＥＡ変調部１０６に入力されると、フォトカレント波形２３が出力される。フォトカレントの特性が曲線２２の場合に、変調信号３２がＥＡ変調部１０６に入力されると、フォトカレント波形２４が出力される。【００４１】
図１の説明に戻ると、分岐部１０７は、ＥＡ変調部１０６から入力された信号光を所定の割合で複数に分岐して出力する装置である。例えば、分岐部１０７によって信号光を９：１に分岐し、分岐の割合が大きい信号光は、光送信器１００の信号光として伝送路へ出力される。また、分岐部１０７による分岐の割合が小さい信号光は、光／電気変換部１０８に出力される。光／電気変換部１０８は、分岐部１０７から入力された信号光を電気信号へと変換してピーク電圧検出部１０９、Ｈ側振幅検出部１１３、Ｌ側振幅検出部１１４へ出力する。【００４２】
ピーク電圧検出部１０９は、光／電気変換部１０８から入力された信号光の高出力側の最大出力を検出する。具体的には、光／電気変換部１０８から入力された電気信号の波形からＨ側のピーク電圧であるＶｐを検出する。ピーク電圧検出部１０９は、検出したＶｐを比較部１１０に出力する。【００４３】
比較部１１０は、ピーク電圧検出部１０９から入力されたＶｐと予め設定された基準値とを比較し、比較結果に応じてＥＡバイアス駆動部１１０がＥＡ変調部１０６に印加する電圧（バイアス）を調整する装置である。比較部１１０は、基準値とＶｐとの値が等しければ、ＥＡバイアス駆動部１１１のバイアス点を保持させる。一方、Ｖｐが基準値よりも小さければ、バイアス点を上げ、Ｖｐが基準値よりも大きければバイアス点を下げる。【００４４】
ＥＡバイアス駆動部１１１は、比較部１１０によってバイアス点が調整されたバイアス信号を信号結合部１１２に出力する。信号結合部１１２は、ＥＡバイアス駆動部１１１から入力されるバイアス信号とパルス駆動部１１６から出力される変調信号とを結合して、電気信号（変調信号）としてＥＡ変調部１０６へ出力する装置である。【００４５】
Ｈ側振幅検出部１１３は、光／電気変換部１０８から入力された信号光の出力の高出力側の最大出力の変動幅を検出する装置である。具体的には、光／電気変換部１０８から入力された電気信号の波形からＨ側の振幅の変動幅であるＶＨを検出する。Ｈ側振幅検出部１１３は、検出したＶＨを比較部１１５へ出力する。【００４６】
Ｌ側振幅検出部１１４は、光／電気変換部１０８から入力された信号光の出力の低出力側の最小出力（最小値）の変動幅を検出する装置である。具体的には、光／電気変換部１０８から入力された電気信号の波形からＬ側の振幅の変動幅であるＶＬを検出する。Ｌ側振幅検出部１１４は、検出したＶＬを比較部１１５へ出力する。【００４７】
比較部１１５は、Ｈ側振幅検出部１１３から入力されるＶＨと、Ｌ側振幅検出部１１４から入力されるＶＬとを比較し、比較結果に応じてパルス駆動部１１６から出力される変調信号の変調振幅を調整する装置である。比較部１１５は、ＶＨとＶＬとの比が所定の値となるように（本実施例１ではＶＨ：ＶＬ＝１：１となるように）変調振幅を調整する。【００４８】
ＶＨがＶＬよりも小さい場合には、変調振幅が不足している状態なので、比較部１１５は、パルス駆動部１１６から出力される変調信号の変調振幅を大きくする。一方、ＶＨがＶＬよりも大きい場合には、変調振幅が大きすぎるため、パルス駆動部１１６から出力される変調信号の変調振幅を小さくする。このように、比較部１１５がＶＨとＶＬとの比を１：１に調整することで、変調振幅の過不足を抑えることができる。【００４９】
パルス駆動部１１６は、外部の端末装置から入力信号が入力された場合に、かかる入力信号を電気信号（変調信号）として信号結合部１１２に出力する装置である。なお、パルス駆動部１１６が出力する変調信号の変調振幅は、比較部１１５によって調整された変調振幅となる。【００５０】
次に、光送信器１００のバイアス制御にかかる処理手順について説明する。図３は、本実施例１のバイアス制御にかかる処理手順を示すフローチャートである。同図に示すように、バイアスの基準値を設定し（ステップＳ１０１）、ＥＡバイアス駆動部１１１がバイアス信号を出力する（ステップＳ１０２）。【００５１】
そして、光／電気変換部１０８がＥＡ変調器からの信号光を電気信号に変換してピーク電圧検出部に出力し（ステップＳ１０３）、ピーク電圧検出部１０９がピーク電圧Ｖｐを検出し（ステップＳ１０４）、比較部１１０が基準値とピーク電圧Ｖｐとを比較する（ステップＳ１０５）。【００５２】
基準値とピーク電圧Ｖｐとが等しい場合には（ステップＳ１０６、Ｙｅｓ）、バイアスの設定を保持し（ステップＳ１０７）、ステップＳ１１１に移行する。一方、基準値とピーク電圧Ｖｐとが異なる場合には（ステップＳ１０６，Ｎｏ）、ピーク電圧が基準値よりも小さいか否かを判定し、ピーク電圧Ｖｐが基準値よりも大きい場合には（ステップＳ１０８，Ｎｏ）、バイアスの設定を下げ（ステップＳ１０９）、ステップＳ１１１に移行する。【００５３】
ピーク電圧Ｖｐが基準値よりも小さい場合には（ステップＳ１０８，Ｙｅｓ）、バイアスの設定を上げ（ステップＳ１１０）、制御を終了するか否かを判定し、制御を終了しない場合には（ステップＳ１１１，Ｎｏ）ステップ１０２に移行する。制御を終了する場合には（ステップＳ１１１，Ｙｅｓ）、バイアス制御を終了する。【００５４】
このように、ピーク電圧Ｖｐと基準値とを基にしてバイアスを調整することで、ＥＡ変調部１０６から出力される信号光の消光特性の変動に関わらず、信号光のピークを一定に保つことができる。【００５５】
次に、光送信器１００の変調振幅制御にかかる処理手順について説明する。図４は、本実施例１の変調振幅制御にかかる処理手順を示すフローチャートである。同図に示すように、パルス駆動部１１６は変調信号をＥＡ変調部１０６へ出力し（ステップＳ２０１）、光／電気変換部１０８がＥＡ変調部１０６からの信号光を電気信号に変換し、Ｈ側振幅検出部１１３およびＬ側振幅検出部１１４に出力する（ステップＳ２０２）。【００５６】
そして、Ｈ側振幅検出部１１３およびＬ側振幅検出部１１４がそれぞれＶＨおよびＶＬを検出し（ステップＳ２０３）、比較部１１０がＶＨ：ＶＬ＝１：１となるか否かを判定し（ステップＳ２０５）、ＶＨ：ＶＬ＝１：１となっている場合には（ステップＳ２０５，Ｙｅｓ）、変調振幅を保持し（ステップＳ２０６）、ステップＳ２１０に移行する。【００５７】
一方、ＶＨ：ＶＬ＝１：１となっていない場合には（ステップＳ２０５，Ｎｏ）、比較部１１０は、ＶＨがＶＬよりも小さいか否かを判定し、ＶＨがＶＬよりも大きい場合には（ステップＳ２０７，Ｎｏ）、変調振幅を小さくし（ステップＳ２０８）、ステップＳ２１０に移行する。【００５８】
ＶＨがＶＬよりも大きい場合には（ステップＳ２０７，Ｙｅｓ）、比較部１１０は、変調振幅を大きくする（ステップＳ２０９）。そして、制御を終了するか否かを判定し、制御を終了しない場合には（ステップＳ２１０，Ｎｏ）、ステップＳ２０１に移行し、制御を終了する場合には（ステップＳ２１０，Ｙｅｓ）、変調振幅制御を終了する。【００５９】
このように、ＶＨとＶＬとの比を一定に制御することで変調信号の変調振幅の過不足を抑えることができる。【００６０】
上述してきたように、本実施例１にかかる光送信器１００は、光源部１０３から出力される光に低周波のパイロット信号を重畳し、パイロット信号が重畳された信号光を、入力された変調信号に応じて変調するＥＡ変調部１０６を備えており、ＥＡ変調部１０６から出力された信号光の高出力側の最大値（Ｖｐ）と、高出力側の最大値の変動幅（ＶＨ）と、低出力側の最小値の変動幅（ＶＬ）とを検出し、高出力側の最大値（Ｖｐ）を基にして、光変調器に印加する電気信号のバイアス電位を調整し、高出力側の最大値の変動幅（ＶＬ）と低出力側の最小値の変動幅（ＶＬ）とを基にしてＥＡ変調部１０６に入力する変調信号の振幅を調整するので、ＥＡ変調部１０６の消光特性が変動した場合でも、最適なバイアス点、変動振幅に調整され、信号光の波形の変動を抑えることができる。
【実施例２】
【００６１】
次に、本実施例２にかかる光送信器の概要および特徴について説明する。本実施例２にかかる光送信器は、光源部から出力される光に低周波のパイロット信号を重畳し、パイロット信号が重畳された信号光を、入力された変調信号に応じて変調するＥＡ変調器を備えており、ＥＡ変調器に入力される変調信号の高電圧側の最大値と、高電圧側の最大値の変動幅と、低電圧側の最小値の変動幅とを検出する。そして、高電圧側の最大値とＥＡ変調器に入力される電流の値とを基にしてＥＡ変調器に入力するバイアス電位を調整すると共に、高電圧側の最大値の変動幅と低電圧側の最小値の変動幅とを基にしてＥＡ変調器に入力する変調信号の振幅を調整する。【００６２】
このように、本実施例２にかかる光送信器は、高電圧側の最大値とＥＡ変調器に入力される電流の値とを基にしてＥＡ変調器に入力するバイアス電位を調整すると共に、高電圧側の最大値の変動幅と低電圧側の最小値の変動幅とを基にしてＥＡ変調器に入力する変調信号の振幅を調整するので、光変調器の消光特性が変動した場合でも、最適なバイアス点、変動振幅に調整でき、信号光の波形の変動を抑えることができる。【００６３】
次に、本実施例２にかかる光送信器の構成について説明する。図５は、本実施例２にかかる光送信器の構成を示す機能ブロック図である。同図に示すように、この光送信器２００は、パイロット信号源２０１と、電流源２０２と、光源部２０３と、光／電気変換部２０４と、電流制御部２０５と、ＥＡ変換器２０６と、ピーク電圧検出部２０７と、演算部２０８と、比較部２０９と、ＥＡバイアス駆動部２１０と、信号結合部２１１と、Ｈ側振幅検出部２１２と、Ｌ側振幅検出部２１３と、比較部２１４と、パルス駆動部２１５とを備えて構成される。【００６４】
このうち、パイロット信号源２０１は、所定の周波数のパイロット信号（低周波信号）を電流源２０２に出力する装置である。電流源２０２は、パイロット信号源２０１から出力されるパイロット信号を重畳した電気信号を光源部２０３に出力する装置である。【００６５】
光源部２０３は、電流源２０２から出力される電気信号によって信号光を生成し、生成した信号光を光／電気変換部２０４およびＥＡ変調器２０６に出力する装置である。なお、光源部２０３は、電流源２０２からパイロット信号が重畳された電気信号によって、パイロット信号が重畳された信号光を生成する。【００６６】
光／電気変換部２０４は、光源部２０３から出力される信号光を電気信号に変換する装置である。そして、光／電気変換部２０４は、変換した電気信号を電流制御部２０５に出力する。電流制御部２０５は、光／電気変換部２０４から光出力に比例した電気信号を取得し、かかる電気信号の振幅（あるいは最大出力）が予め定められた基準値となるように電流源２０２の電流を制御する装置である。電流制御部２０５が電流源２０２の電流を制御することによって、光源部２０３から出力される信号光は一定に保たれる。【００６７】
ＥＡ変調器２０６は、光源部２０３から出力された信号光（パイロット信号が重畳された信号光）に対して、信号結合部２１１から入力された電気信号（変調信号）に応じた変調を行い、変調した信号光を外部の装置に出力する装置である。このＥＡ変調器２０６は、信号結合部２１１から出力される電気信号に応じて、光の透過率が変化する。【００６８】
ここで、ＥＡ変調器２０６から出力される信号光およびＥＡ変調器２０６に入力される電気信号（変調信号）との関係について説明する。図６は、本実施例２にかかるＥＡ変調器から出力される信号光およびＥＡ変調器に入力される電気信号（変調信号）との関係を示す図である。図６は、図表４０、図表５０から構成される。【００６９】
図表４０は、横軸がＥＡ変調器２０６に入力される電圧（ＥＡバイアス）を表し、縦軸がＥＡ変調部１０６から出力された信号光のパワーを表す。また、曲線４１および曲線４２は、ＥＡ変調器２０６の消光特性を示す。ＥＡ変調器２０６の消光特性は、温度に応じて変化するが、ここでは一例として、２種類の消光特性のみを示す。【００７０】
図表４０の曲線４１に示したような消光特性を持つＥＡ変調器２０６に変調信号６１（信号結合部２１１からＥＡ変調器２０６に出力される電気信号）を入力した場合、ＥＡ変調器２０６からは、信号光４３が出力される。【００７１】
変調信号６１の高電圧側の最大値をピーク電圧Ｖｐ１とし、変調信号６１の高電圧側（以下、Ｈ側）の最大値の変動幅をＶＨ１とし、変調信号６１の低電圧側（以下、Ｌ側）の最小値の変動幅をＶＬ１とする。【００７２】
図表４０の曲線４２のような消光特性を持つＥＡ変調器２０６に、変調信号６２（信号結合部２１１からＥＡ変調器２０６に出力される電気信号）を入力した場合、ＥＡ変調器２０６からは、信号光４４が出力される。変調信号６２の高電圧側の最大値をピーク電圧Ｖｐ２とし、変調信号６２のＨ側の最大値の変動幅をＶＨ２とし、変調信号６２のＬ側の最小値の変動幅をＶＬ２とする。【００７３】
図表５０の説明に移ると、図表５０は、横軸がＥＡ変調器２０６に入力される電圧（ＥＡバイアス）を表し、縦軸がＥＡ変調器２０６のフォトカレントの大きさを示している。曲線５１は、消光特性が曲線４１で表されるＥＡ変調器２０６に変調信号６１が入力された場合のフォトカレント特性を示す。曲線５２は、消光特性が曲線４２で表されるＥＡ変調器２０６に変調信号６２が入力された場合のフォトカレント特性を示す。【００７４】
また、フォトカレント特性が曲線５１の場合に、変調信号６１がＥＡ変調器２０６に入力されると、フォトカレント波形５３が出力される。フォトカレントの特性が曲線５２の場合に、変調信号６２がＥＡ変調器２０６に入力されると、フォトカレント波形５４が出力される。曲線５１とＶｐ１との交点をＩｐ１とし、曲線５２とＶｐ２との交点をＩｐ２とする。【００７５】
図６に示すように、ＥＡ変調器２０６のフォトカレントとＥＡバイアスは、ＥＡ変調器２０６の消光特性と相関があり、ＥＡバイアスを大きくすればフォトカレントが大きくなると共に信号光の出力が下がる。逆に、ＥＡバイアスを小さくすれば、フォトカレントが小さくなると共に、信号光の出力が上がる。光源部１０３からの信号光の出力が一定であるならば、フォトカレントとＥＡ変調部１０６を透過した後の信号光の出力との関係は反比例の関係となる。【００７６】
したがって、ＥＡ変調器２０６の消光特性が変動した場合でも、フォトカレントを一定に保てば、ＥＡ変調器２０６を透過する信号光の出力を一定に保つことができる。フォトカレントはＥＡバイアスにより制御が可能であるため、フォトカレントが一定となるように、ＥＡバイアスを制御すれば、信号光の出力を一定にすることができる。【００７７】
図５の説明に戻ると、ピーク電圧検出部２０７は、信号結合部２１１から出力される変調信号を取得し、取得した変調信号のピーク電圧（Ｖｐ１あるいはＶｐ２）を検出する装置である。ピーク電圧検出部２０７は、検出したピーク電圧の情報を演算部２０８に出力する。【００７８】
演算部２０８は、ＥＡ変調器２０６のフォトカレントを演算する装置である。演算部２０８がフォトカレントを算出する具体的な式は、
Ip=Ib-Vb/R  ・・・（１）
によって表される。式（１）に示すＩｐは、ＥＡ変調器２０６のフォトカレントを示し、Ｉｂは、ＥＡバイアスの駆動電流を示し、Ｖｂは、ＥＡバイアスを示し、Ｒは、ＥＡ変調器２０６の終端抵抗を示す。【００７９】
図７は、式（１）を補足説明するための説明図である。同図に示すパイロット信号源７１、ＬＤ電流源７２、光源７３、ＥＡ７４、バイアス用電流源７５、パルス駆動部７６は、図５に示したパイロット信号源２０１、電流源２０２、光源部２０３、ＥＡ変調器２０６、ＥＡバイアス駆動部２１０、パルス駆動部２１５にそれぞれ対応する。【００８０】
図７に示すように、ＥＡ７４は、バイアス用電流ＩｂがＥＡと並列に接続される終端抵抗Ｒに流れることで発生する電圧Ｖｂ（ＥＡバイアス）によりバイアスされる。一方、ＥＡ７４は、光源７３の光を吸収し、ＥＡバイアスＶｂに応じたフォトカレントＩｐを生じるため、バイアス用電流Ｉｂは、終端抵抗ＲだけでなくフォトカレントＩｐの分だけＥＡ７４にも流れる。したがって、フォトカレントＩｐは、バイアス用電流Ｉｂから終端抵抗Ｒに流れる電流（ＥＡバイアスＶｂを抵抗値Ｒで割った値）を差し引けば求めることができる。【００８１】
図５の説明に戻ると、演算部２０８は、ＥＡバイアス電流Ｉｂの情報をＥＡバイアス駆動部２１０から取得し、ＥＡバイアスＶｂの情報をピーク電圧検出部２０７からピーク電圧として取得する。なお、終端抵抗Ｒの情報は、予め演算部２０８の記憶部に記憶されているものとする。演算部２０８は、演算したフォトカレントを比較部２０９に出力する。【００８２】
比較部２０９は、予め設定された基準値と演算部２０８から入力されるフォトカレントとを比較して、ＥＡバイアス駆動部２１０がＥＡ変調器２０６に印加する電圧（ＥＡバイス）を調整する装置である。比較部２０９は、基準値とフォトカレントとの値が等しければ、ＥＡバイアス駆動部２１０のバイアス点を保持させる。一方、フォトカレントが基準値よりも小さければバイアス点を下げ、フォトカレントが基準値よりも大きければバイアス点を上げる。【００８３】
ＥＡバイアス駆動部２１０は、比較部２０９によってバイアス点が調整されたバイアス信号を信号結合部２１１に出力する。信号結合部２１１は、ＥＡバイアス駆動部２１０から入力されるバイアス信号とパルス駆動部２１５から出力される変調信号とを結合して、電気信号（変調信号）としてＥＡ変調器２０６へ出力する。【００８４】
ＥＡ変調器２０６の消光特性が図６の曲線４１であるとき、ＥＡ変調器２０６に変調信号６１を入力すると、ピーク電圧Ｖｐ１がピーク電圧検出部２０７で検出され、このピーク電圧の値を式（１）のＶｂに代入すれば、フォトカレントＩｐ１を求めることができる。このフォトカレントＩｐ１が基準値と等しいものとする（図６において、Ｉｐ１は、Ｖｐ１と曲線５１との交点である）。【００８５】
ＥＡ変調器２０６の消光特性が曲線４１から曲線４２に変動した場合、フォトカレントとＥＡバイアスの関係も図６に示すような曲線５１から曲線５２に変化する。この変化によって、変調信号のピーク電圧Ｖｐ１に相当するフォトカレントは減少し、このときＥＡバイアス用電流Ｉｂに変化がなければ、フォトカレントが減少した分の電流は終端抵抗Ｒに流れるためＥＡバイアスＶｂは大きくなる。【００８６】
その結果、変調信号のピーク電圧も大きくなり、フォトカレントの値が基準値よりも小さくなる（式（１）より、フォトカレントの値が小さくなることが求められる）。減少したフォトカレントを基準値Ｉｐ１に戻すためＥＡバイアスをＥＡバイアス電流により制御する必要がある。フォトカレントが基準値Ｉｐ１に等しくなったとき、変調信号のピーク電圧は、Ｉｐ１とフォトカレント特性曲線５２が交差するＶｐ２となっている。この制御動作により、図６に示す例では、ＥＡ変調器２０６から出力される信号光の波形のＨ側が一定に保たれる。【００８７】
Ｈ側振幅検出部２１２は、信号結合部２１１から出力される変調信号を取得し、変調信号の高電圧側の最大値の変動幅（ＶＨ１あるいはＶＨ２）を検出する装置である。具体的には、ＥＡ変調器２０６の消光特性が曲線４１の場合には、Ｈ側の振幅の変動幅であるＶＨ１を検出する。一方、ＥＡ変調器２０６の消光特性が曲線４２の場合には、Ｈ側の振幅の変動幅であるＶＨ２を検出する。Ｈ側振幅検出部２１２は、検出したＨ側の振幅の変動幅を比較部２１４に出力する。【００８８】
Ｌ側振幅検出部２１３は、信号結合部２１１から出力される変調信号を取得し、変調信号の低電圧側の最小値の変動幅（ＶＬ１あるいはＶＬ２）を検出する装置である。具体的には、ＥＡ変調器２０６の消光特性が曲線４１の場合には、Ｌ側の振幅の変動幅であるＶＬ１を検出する。一方、ＥＡ変調器２０６の消光特性が曲線４２の場合には、Ｌ側の振幅の変動幅であるＶＬ２を検出する。Ｌ側振幅検出部２１３は、検出したＬ側の振幅の変動幅を比較部２１４に出力する。【００８９】
比較部２１４は、Ｈ側振幅検出部２１２から取得したＨ側の振幅の変動幅ＶＨ（ＶＨはＶＨ１あるいはＶＨ２）と、Ｌ側振幅検出部２１３から取得したＬ側の振幅の変動幅ＶＬ（ＶＬはＶＬ１あるいはＶＬ２）とを基にして、パルス駆動部２１５が出力する変調信号の変調振幅を調整する装置である。【００９０】
具体的に、比較部２１４は、ＶＨ：ＶＬ＝１：２となるように、変調信号の変調振幅を調整する。すなわち、比較部２１４は、ＶＨ／ＶＬ＝１／２となっている場合には、パルス駆動部２１５が出力する変調信号の変調振幅を保持する。一方、ＶＬの値が小さくなり、ＶＨ／ＶＬ＞１／２となった場合には、変調振幅が不足している状態なので、変調振幅を大きくする。反対に、ＶＬの値が大きくなり、ＶＨ／ＶＬ＜１／２となった場合には、変調振幅が大きすぎる状態であるため、変調振幅を小さくする。【００９１】
パルス駆動部２１５は、外部の端末装置から入力信号が入力された場合に、かかる入力信号を電気信号（変調信号）として信号結合部２１１に出力する装置である。なお、パルス駆動部２１５が出力する変調信号の変調振幅は、比較部２１４によって調整された変調振幅となる。【００９２】
次に、光送信器２００のバイアス制御にかかる処理手順について説明する。図８は、本実施例２のバイアス制御にかかる処理手順を示すフローチャートである。同図に示すように、フォトカレントの基準値を設定し（ステップＳ３０１）、ＥＡバイアス駆動部２１０がバイアス信号を信号結合部２１１に出力する（ステップＳ３０２）。【００９３】
そして、ピーク電圧検出部２０７がピーク電圧を検出し（ステップＳ、３０３）、演算部２０８がフォトカレントを算出する（ステップＳ３０４）。比較部２０９は、基準値とフォトカレントとが等しいか否かを判定し、基準値とフォトカレントとが等しい場合には（ステップＳ３０５，Ｙｅｓ）、バイアス（バイアス用電流）の設定を保持し（ステップＳ３０６）、ステップＳ３１０に移行する。【００９４】
一方、比較部２０９は、基準とフォトカレントとの値が異なっている場合に（ステップＳ３０５，Ｎｏ）、フォトカレントが基準値よりも小さいか否かを判定し、フォトカレントが基準値よりも小さい場合には（ステップＳ３０７，Ｙｅｓ）、バイアスの設定を下げ（ステップＳ３０８）、ステップＳ３１０に移行する。【００９５】
フォトカレントが基準値よりも大きい場合には（ステップＳ３０７，Ｎｏ）、バイアスの設定を上げ（ステップＳ３０９）、制御を終了するか否かを判定し、制御をしない場合には（ステップＳ３１０，Ｎｏ）、ステップＳ３０２に移行する。制御を終了する場合には（ステップＳ３１０，Ｙｅｓ）、バイアス制御を終了する。【００９６】
このように、フォトカレントと基準値とを基にして、バイアス（バイアス用電流）を調整することで、ＥＡ変調器２０６から出力される信号光のＨ側の出力を一定に保つことができる。【００９７】
次に、光送信器２００の変調振幅制御にかかる処理手順について説明する。図９は、本実施例２の変調振幅制御にかかる処理手順を示すフローチャートである。同図に示すように、パルス駆動部２１５が変調信号を信号結合部２１１に出力し（ステップＳ４０１）、Ｈ側振幅検出部２１２およびＬ側振幅検出部２１３がＶＨおよびＶＬを検出する（ステップＳ４０２）。【００９８】
そして、比較部２１４はＶＨとＶＬとの比が１：２か否かを判定し、ＶＨとＶＬとの比が１：２である場合には（ステップＳ４０４，Ｙｅｓ）、変調振幅を保持し（ステップＳ４０５）、ステップＳ４０９に移行する。【００９９】
一方、比較部２１４は、ＶＨとＶＬとの比が１：２ではない場合に（ステップＳ４０４，Ｎｏ）、ＶＨとＶＬとの関係がＶＨ／ＶＬ＞１／２の条件を満たすか否かを判定し、条件を満たさない場合に（ステップＳ４０６，Ｎｏ）、変調振幅を小さくし（ステップＳ４０７）、ステップＳ４０９に移行する。【０１００】
一方、条件を満たす場合には（ステップＳ４０６，Ｙｅｓ）、変調振幅を大きくする（ステップＳ４０８）。そして、制御を終了するか否かを判定し、制御を終了しない場合には（ステップＳ４０９，Ｎｏ）、ステップＳ４０１に移行し、制御を終了する場合には（ステップＳ４０９，Ｙｅｓ）、変調振幅制御を終了する。【０１０１】
このように、ＶＨとＶＬとの日を一定に制御することで変調信号の変調振幅の過不足を抑えることができる。【０１０２】
上述してきたように、本実施例２にかかる光送信器２００は、光源部２０３から出力される光に低周波のパイロット信号を重畳し、パイロット信号が重畳された信号光を、入力された変調信号に応じて変調するＥＡ変調器２０６を備えており、ＥＡ変調器２０６に入力される変調信号の高電圧側の最大値（Ｖｐ）と、高電圧側の最大値の変動幅（ＶＨ）と、低電圧側の最小値の変動幅（ＶＬ）とを検出する。そして、高電圧側の最大値とＥＡ変調器に入力されるバイアス用電流とを基にしてＥＡ変調器２０６に入力するバイアス電位を調整すると共に、高電圧側の最大値の変動幅（ＶＨ）と低電圧側の最小値の変動幅（ＶＬ）とを基にしてＥＡ変調器２０６に入力する変調信号の変調振幅を調整するので、ＥＡ変調器２０６の消光特性が変動した場合でも、最適なバイアス点、変動振幅に調整でき、信号光の波形の変動を抑えることができる。【０１０３】
ところで、本実施例において説明した各処理のうち、自動的に行われるものとして説明した処理の全部または一部を手動的に行うこともでき、あるいは、手動的に行われるものとして説明した処理の全部あるいは一部を公知の方法で自動的に行うこともできる。この他、上記文書中や図面中で示した処理手順、制御手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。【０１０４】
また、各図に示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。さらに、各装置にて行われる各処理機能は、その全部または任意の一部がＣＰＵおよび当該ＣＰＵにて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得る。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
以上のように、本発明にかかる光送信器は、データの大容量伝送を行う伝送システムに有用であり、特に、温度変化によって発生する信号光の変動を抑える必要がある場合に適している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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