【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機高分子からなる絶縁層の少なくとも一面に配線を形成する配線形成方法であって、（ａ）シート状の金属材の粗面化処理された面側に、導電性薄膜層を形成する工程と、（ｂ）形成された導電性薄膜層上に、有機高分子からなる絶縁層を形成する工程と、（ｃ）導電性薄膜層を絶縁層の一面に残し、シート状の金属材をエッチング除去する工程と、（ｄ）絶縁層の一面にある導電性薄膜層上にアディティブ法により金属配線を形成する工程と、（ｆ）金属配線形成領域以外の導電性薄膜層をエッチング除去する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
請求項１において、導電性薄膜層上に、有機高分子からなる絶縁層を形成する工程は、キャスティングによることを特徴とする配線形成方法。
【請求項３】
請求項１ないし２におけるシート状の金属材が、金属箔であることを特徴とする配線形成方法。
【請求項４】
請求項１ないし３において、シート状の金属材が導電性薄膜層よりも卑な金属にて構成されていることを特徴とする配線形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし４における有機高分子がポリイミドからなることを特徴とする配線形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし５におけるシート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のＪＩＳ  Ｂ０６０１の中心線平均粗さＲａが０．５〜２μｍで、十点平均粗さＲｚが５〜１０μｍであることを特徴とする配線形成方法。
【請求項７】
配線をアディティブ法により形成するための基板で、シート状の金属材の粗面化処理された面側に導電性薄膜層を設け、更に該導電性薄膜層上に有機高分子からなる絶縁層を設けたものであり、前記シート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のＪＩＳ  Ｂ０６０１の中心線平均粗さＲａが０．５〜２μｍで、十点平均粗さＲｚが５〜１０μｍであることを特徴とする基板。
【請求項８】
請求項７において、キャスティングにより、導電性薄膜層上に有機高分子からなる絶縁層を設けたものであることを特徴とする基板。
【請求項９】
請求項７ないし８におけるシート状の金属材が、金属箔であることを特徴とする基板。
【請求項１０】
請求項７ないし９において、シート状の金属材が導電性薄膜層よりも卑な金属にて構成されていることを特徴とする基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線形成方法は、有機高分子からなる絶縁層の少なくとも一面に配線を形成する配線形成方法であって、（ａ）シート状の金属材の粗面化処理された面側に、導電性薄膜層を形成する工程と、（ｂ）形成された導電性薄膜層上に、有機高分子からなる絶縁層を形成する工程と、（ｃ）導電性薄膜層を絶縁層の一面に残し、シート状の金属材をエッチング除去する工程と、（ｄ）絶縁層の一面にある導電性薄膜層上にアディティブ法により金属配線を形成する工程と、（ｆ）金属配線形成領域以外の導電性薄膜層をエッチング除去する工程とを有することを特徴とするものである。
そして、上記において、導電性薄膜層上に、有機高分子からなる絶縁層を形成する工程は、キャスティングによることを特徴とするものである。
そしてまた、上記におけるシート状の金属材が、金属箔であることを特徴とするものである。
また、上記において、シート状の金属材が導電性薄膜層よりも卑な金属にて構成されていることを特徴とするものである。
また、上記における有機高分子がポリイミドからなることを特徴とするものである。
また、上記におけるシート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のＪＩＳ  Ｂ０６０１の中心線平均粗さＲａが０．５〜２μｍで、十点平均粗さＲｚが５〜１０μｍであることを特徴とするものである。
尚、前述のように、ここでは、配線部がポリイミド層等の絶縁層と金属層との２層からなり、接着剤層を設けていない配線基板を２層配線基板と言い、金属層としては、単層、多層のものも含め、接着剤層を用いず、配線部がポリイミド層等の絶縁層と金属層との２層からなるものを２層基板と言う。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の基板は、配線をアディティブ法により形成するための基板で、シート状の金属材の粗面化処理された面側に導電性薄膜層を設け、更に該導電性薄膜層上に有機高分子からなる絶縁層を設けたものであり、前記シート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のＪＩＳ  Ｂ０６０１の中心線平均粗さＲａが０．５〜２μｍで、十点平均粗さＲｚが５〜１０μｍであることを特徴とするものである。
そして、上記において、キャスティングにより、導電性薄膜層上に有機高分子からなる絶縁層を設けたものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記におけるシート状の金属材が、金属箔であることを特徴とするものである。
また、上記において、シート状の金属材が導電性薄膜層よりも卑な金属にて構成されていることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【作用】
本発明の配線形成方法は、このような構成にすることにより、接着剤を用いず、ポリイミド等の絶縁層に直接金属層からなる配線を形成するフレキシブルプリント配線基板としての２層配線基板を、配線とポリイミド等の絶縁層との密着性に優れたものとして、且つ、微細配線を可能として、作製できる配線形成方法の提供を可能としている。
同時に、これを低コストで達成できるものとしている。
具体的には、（ａ）シート状の金属材の粗面化処理された面側に、導電性薄膜層を形成する工程と、（ｂ）形成された導電性薄膜層上に、有機高分子からなる絶縁層を形成する工程と、（ｃ）導電性薄膜層を絶縁層の一面に残し、シート状の金属材をエッチング除去する工程と、（ｄ）絶縁層の一面にある導電性薄膜層上にアディティブ法により金属配線を形成する工程と、（ｆ）金属配線形成領域以外の導電性薄膜層をエッチング除去する工程とを有することにより、これを達成している。
更に具体的には、シート状の金属材の粗面化処理された面側に、導電性薄膜層を形成し、形成された導電性薄膜層上に、キャスティングにて有機高分子からなる絶縁層を形成することにより、導電性薄膜層と、絶縁層の、シート状の金属材側面を、導電性薄膜層を介して金属材の粗面化処理面に合わせた粗面形状として作成するものであり、これにより、導電性薄膜層と絶縁層との密着性を良いもとでき、絶縁層上に導電性薄膜層を介して、アディティブ法により金属配線を形成した場合、金属配線と絶縁層とを密着性が良いものとできる。
結果、このような本発明の配線形成方法においては、図５に示す３層基板を用い、その銅層から配線部を形成した場合と、同程度以上の密着力を持つ配線を形成することができる。
また、有機高分子からなる絶縁層上に、導電性薄膜層を介して、アディティブ法により金属配線部を形成していることにより、微細配線を可能としている。
そして、シート状の金属材として金属箔を用いることにより、金属配線形成領域以外の下地導電薄膜層をエッチング除去する際に、エッチングを容易なものとしている。
そして、シート状の金属材が導電性薄膜層よりも卑な金属にて構成されていることにより、その処理性を良いものとしている。
有機高分子がポリイミドからなることにより、耐熱性、屈曲性、耐マイグレーション性、ボンディング性の特性に優れる、接着剤層を含まない金属層とポリイミドの２層配線基板が提供できる。
シート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のＪＩＳ  Ｂ０６０１の中心線平均粗さＲａが０．５〜２μｍで、十点平均粗さＲｚが５〜１０μｍであることにより、特に、金属配線の密着性を良いものとしている。
尚、言うまでもなく、このようにして作製された、接着剤を用いずに、絶縁層上に金属層を設けた２層配線基板を更に複数枚重ねてた配線基板を作製することもできる。