【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置、ディスプレイ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、携帯情報端末及びコンピュータ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
ＯＣＢモードで表示を行い、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２０】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２１】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２２】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２３】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２４】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２５】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２６】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２７】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２８】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２９】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３０】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３１】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３２】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３３】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３４】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３５】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３６】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３７】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３８】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３９】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４０】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトにＬＥＤを用いており、
フィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４１】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４２】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４３】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４４】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４５】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４６】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４７】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４８】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４９】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５０】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５１】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５２】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５３】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５４】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５５】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５６】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５７】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５８】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第２のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５９】
画素に薄膜トランジスタが設けられ、
前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた２つのゲート電極を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記ゲート電極と重ならないで設けられており、
前記半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６０】
画素に第１の薄膜トランジスタが設けられ、
ソースドライバ及びゲートドライバに第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第１の不純物領域は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならないで設けられており、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第３のゲート電極を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第３の不純物領域と、第４の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域が含む不純物元素の濃度は、前記第４の不純物領域が含む不純物元素の濃度よりも低く、前記第３の不純物領域は、前記第３のゲート電極と一部重なって設けられており、
前記第１の薄膜トランジスタ、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバは同一基板上に一体に形成されており、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、結晶質ポリシリコン膜であり、
ＯＣＢモードで表示を行い、
バックライトに赤のＬＥＤと、緑のＬＥＤと、青のＬＥＤを用いており、
前記赤のＬＥＤと、前記緑のＬＥＤと、前記青のＬＥＤが順次点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６１】
請求項１乃至請求項６０のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いたディスプレイ。
【請求項６２】
請求項６１において、前記ディスプレイは対角１０インチ以上であることを特徴とするディスプレイ。
【請求項６３】
請求項６１において、前記ディスプレイは対角３０インチ以上であることを特徴とするディスプレイ。
【請求項６４】
請求項１乃至請求項６０のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いたプロジェクター。
【請求項６５】
請求項１乃至請求項６０のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を２個用いたゴーグル型ディスプレイ。
【請求項６６】
請求項１乃至請求項６０のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いた携帯情報端末。
【請求項６７】
請求項１乃至請求項６０のいずれか一項に記載の前記液晶表示装置を用いたコンピュータ。