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【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面板の主面上に複数のアドレス電極と複数の隔壁とを備えてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、前記隔壁がアドレス電極に平行な隔壁と前記アドレス電極に交差する隔壁とからなり、前記アドレス電極に交差する隔壁の気孔率が、前記アドレス電極に平行な隔壁の気孔率よりも大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項２】
前記アドレス電極に交差する隔壁の気孔率が０．５％以上３０％以下であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項３】
前記アドレス電極に交差する隔壁の高さが、前記アドレス電極に平行な隔壁より低いことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用基板。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月20日(2004.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子線装置および画像表示方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子銃と、電子銃から発生する電子線の通過補正を行うガンアライメントコイルと、電子線を絞る収束レンズと、収束レンズで収束された電子線を偏向させる偏向コイルと、試料から出力される情報信号を検出する検出器と、情報信号を画像表示する画面表示装置と、情報信号を画像データとして記憶する記憶媒体とを備えた電子顕微鏡において、
観察条件とそれに基づいた画像データとを関連付けて記憶媒体に記憶せしめ、前記画面表示装置の画面に２つの観察条件を縦軸と横軸に表示し、かつ縦軸と横軸との観察条件が交差する位置に当該観察条件で記憶された画像データによって縮小した画像を表示する画像ファイリング手段を備えたこと
を特徴とする電子線装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記画像ファイリング手段は、観察条件の表示範囲を変え、表示する縮小した画像の数量を変更することを特徴とする電子線装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記画像ファイリング手段は、二以上の各種観察条件の組み合わせを構成し、その組み合わせから任意に縦軸および横軸に観察条件を設定することを特徴とする電子線装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記画像ファイリング手段は、縦軸と横軸との観察条件が交差する位置に画像を表示するときに、観察条件の相違点または観察条件の遷移を表示することを特徴とする電子線装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記画像ファイリング手段は、観察条件をファイル名として記憶せしめ、該ファイル名または観察条件を画像の表示に換えて表示することを特徴とする電子線装置。
【請求項６】
電子銃と、電子銃から発生する電子線の通過補正を行うガンアライメントコイルと、電子線を絞る収束レンズと、収束レンズで収束された電子線を偏向させる偏向コイルと、試料から出力される情報信号を検出する検出器と、情報信号を画像表示する画面表示装置と、情報信号を画像データとして記憶する記憶媒体とを備えた電子顕微鏡において、
観察条件とそれに基づいた画像データとを関連付けて記憶媒体に記憶せしめ、前記画面表示装置の画面に２つの観察条件を縦軸と横軸に表示し、かつ縦軸と横軸との観察条件が交差する位置にファイル名または観測条件を示す文字データあるいは記号を表示し、前記画面表示装置の同一画面に、交差する位置に関連した縮小画像を上方から下方へ、また左方から右方へ交差する位置を示して表示する画像ファイリング装置を備えたこと
を特徴とする電子線装置。
【請求項７】
試料に電子線を照射し、試料から出力される情報信号を検出して情報信号を画像データとして記憶し、画像データによって画像を表示する画像表示方法において、
二つの観察条件を縦軸と横軸に表示すると共にこれらの条件に交差する位置に、観察条件と関連付けられて記憶された画像を縮小して直接または間接的に表示し、観察条件を変えることによって表示する画像を次々に変えること
を特徴とする画像表示方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非接触式自動改札機の本体に設けられているアンテナの通信範囲にかざされた非接触券との間でデータ授受を行って入出場の演算処理を行う非接触式自動改札機において、
前記非接触券に対して前記非接触式自動改札機の本体から所定のデータの書込みが行われ、その所定のデータの書込みが終了した旨の信号がその非接触券で受信されないときに通信が中断されたと判定する判定手段と、
前記判定手段で通信が中断したと判定された後に、その非接触券が前記アンテナの通信範囲にかざされたときに、その非接触券に記録されているデータを読取る読取手段と、
前記読取手段で読取られたデータと前記判定手段で通信が中断されたと判定される前の書込データとを照合する照合手段と、
前記照合手段の照合により前記判定手段で通信が中断されたと判定される前に書込まなければならない書込データのうち、未だ書込まれていないデータを抽出する抽出手段と、  前記抽出手段により抽出された未だ書込まれていないデータを前記非接触券に対して書込みを行う書込手段と、
を有することを特徴とする非接触式自動改札機。
【請求項２】
請求項１に記載の非接触式自動改札機において、判定手段で通信が中断されたと判定されたときに、非接触券をアンテナに再びかざすように案内する案内手段を設けたことを特徴とする非接触式自動改札機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る非接触式自動改札機は、上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、本体に設けられているアンテナの通信範囲にかざされた非接触券との間でデータ授受を行って入出場の演算処理を行う非接触式自動改札機において、前記非接触券に対して前記本体から所定のデータの書込みが行われ、その所定のデータの書込みが終了した旨の信号がその非接触券で受信されないときに通信が中断されたと判定する判定手段と、その判定手段で通信が中断したと判定された後に、その非接触券が前記アンテナの通信範囲にかざされたときに、その非接触券に記録されているデータを読取る読取手段と、その読取手段で読取られたデータと前記判定手段で通信が中断されたと判定される前の書込データとを照合する照合手段と、その照合手段の照合により前記判定手段で通信が中断されたと判定される前に書込まなければならない書込データのうち、未だ書込まれていないデータを抽出する抽出手段と、その抽出手段により抽出された未だ書込まれていないデータを前記非接触券に対して書込みを行う書込手段と、を有することを特徴としている。
本発明の請求項２に記載の非接触式自動改札機は、判定手段で通信が中断されたと判定されたときに、非接触券をアンテナに再びかざすように案内する案内手段を設けたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の効果】
本発明の請求項１に係る非接触式自動改札機は、非接触券に対して本体から所定のデータの書込みが行われ、その所定のデータの書込みが終了した旨の信号がその非接触券で受信されないときに通信が中断されたと判定する判定手段と、その判定手段で通信が中断したと判定された後に、その非接触券がアンテナの通信範囲にかざされたときに、その非接触券に記録されているデータを読取る読取手段と、その読取手段で読取られたデータと前記判定手段で通信が中断されたと判定される前の書込データとを照合する照合手段と、その照合手段の照合により前記判定手段で通信が中断されたと判定される前に書込まなければならないの書込データのうち、未だ書込まれていないデータを抽出する抽出手段と、その抽出手段により抽出された未だ書込まれていないデータを前記非接触券に対して書込みを行う書込手段とからなるので、非接触券に対して正確なデータを書込むことができる。  本発明の請求項２に係る非接触式自動改札機は、判定手段で通信が中断されたと判定されたときに、非接触券をアンテナに再びかざすように案内する案内手段を設けたので、利用者は案内に従って円滑に再かざしを行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月26日(2004.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク形状の情報記録媒体において、
スパイラルトラックと、
前記スパイラルトラックを遮断するようにディスクの半径方向に沿ってアラインされたものであって、各トラックの方向に沿って各トラックのアドレスデータがエンボス記録されたインデックスヘッダと、
を備えたことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記スパイラルトラック上に、アドレスデータが記録されるヘッダフィールド及び各種データが記録されるデータフィールドを有する所定トラック長の記録フィールドを記録するとともに、前記ヘッダフィールドにはこの記録フィールドのアドレスデータを記録した、
ことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記スパイラルトラック上に前記記録フィールドを記録するとき、一つの記録フィールドが前記インデックスヘッダを跨ぐ場合には、一つの記録フィールドを二つのサブ記録フィールドとして前記インデックスヘッダを跨いで記録し、これら二つのサブ記録フィールド夫々にはアドレスデータが記録されるヘッダフィールド、及び各種データが記録されるデータフィールドを記録するとともに、これら二つのサブ記録フィールド夫々に記録されたヘッダフィールドには同一のアドレスデータを記録した、
ことを特徴とする請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
所定周回分のスパイラルトラックを含むゾーンを複数備え、
前記スパイラルトラックがウォブルを有し、
所定のゾーンに含まれるトラック１周あたりのウォブル数が同一で、このウォブルの周波数に基づきディスク回転数及びデータ記録クロック周波数を決定可能にした、
ことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記スパイラルトラックが、１周毎に交互に、ランド形状のトラック及びグルーブ形状のトラックを有し、
前記スパイラルトラックに沿って光ビームが走査したとき、トラック１周につき一度だけ前記インデックスヘッダが現れるように、ランド形状のトラックとグルーブ形状のトラックとの切り変わり目の一箇所だけ前記インデックスヘッダをアラインした、
ことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記インデックスヘッダに記録されたアドレスデータは、前記スパイラルトラック上に前記記録フィールドが記録される前に利用されるアドレスデータ、又は前記スパイラルトラック上に前記記録フィールドが記録された後で補助的に利用されるアドレスデータであり、
前記記録フィールドの前記ヘッダフィールドに格納されたアドレスデータは、この記録フィールドが前記スパイラルトラック上に記録された後で利用されるアドレスデータである、
ことを特徴とする請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
ディスク形状の情報記録媒体であって、ウォブルが施されたスパイラルトラックと、前記スパイラルトラックを遮断するようにディスクの半径方向に沿ってアラインされたものであって、各トラックの方向に沿って各トラックのアドレスデータがエンボス記録されたインデックスヘッダとを備えた情報記録媒体に対してデータを記録する情報記録装置において、
前記インデックスヘッダに記録されたアドレスデータを頼りにして、前記スパイラルトラックに、ヘッダフィールド及びデータフィールドを有する記録フィールドを記録するとともに、前記ヘッダフィールドにはこの記録フィールドのアドレスデータを記録する記録手段を備えたことを特徴とする情報記録装置。
【請求項８】
ディスク形状の情報記録媒体であって、ウォブルが施されたスパイラルトラックと、前記スパイラルトラックを遮断するようにディスクの半径方向に沿ってアラインされたものであって、各トラックの方向に沿って各トラックのアドレスデータがエンボス記録されたインデックスヘッダとを備えた情報記録媒体に対してデータを記録する情報記録方法において、
前記インデックスヘッダに記録されたアドレスデータを頼りにして、前記スパイラルトラックに、ヘッダフィールド及びデータフィールドを有する記録フィールドを記録するとともに、前記ヘッダフィールドにはこの記録フィールドのアドレスデータを記録する行程を備えたことを特徴とする情報記録方法。
【請求項９】
ディスク形状の情報記録媒体であって、ウォブルが施されたスパイラルトラックと、前記スパイラルトラックを遮断するようにディスクの半径方向に沿ってアラインされたものであって、各トラックの方向に沿って各トラックのアドレスデータがエンボス記録されたインデックスヘッダとを備え、前記スパイラルトラック上に、アドレスデータが記録されるヘッダフィールド及び各種データが記録されるデータフィールドを有する所定トラック長の記録フィールドが記録されるとともに、前記ヘッダフィールドにはこの記録フィールドのアドレスデータが記録され、前記データフィールドには所望のデータが記録された情報記録媒体からデータを再生する情報再生装置において、
前記記録フィールドの前記ヘッダフィールドに記録されたアドレスデータを頼りにして、前記記録フィールドの前記データフィールドに記録された所望のデータを再生するデータ再生手段を備えたことを特徴とする情報再生装置。
【請求項１０】
ディスク形状の情報記録媒体であって、ウォブルが施されたスパイラルトラックと、前記スパイラルトラックを遮断するようにディスクの半径方向に沿ってアラインされたものであって、各トラックの方向に沿って各トラックのアドレスデータがエンボス記録されたインデックスヘッダとを備え、前記スパイラルトラック上に、アドレスデータが記録されるヘッダフィールド及び各種データが記録されるデータフィールドを有する所定トラック長の記録フィールドが記録されるとともに、前記ヘッダフィールドにはこの記録フィールドのアドレスデータが記録され、前記データフィールドには所望のデータが記録された情報記録媒体からデータを再生する情報再生方法において、
前記記録フィールドの前記ヘッダフィールドに記録されたアドレスデータを頼りにして、前記記録フィールドの前記データフィールドに記録された所望のデータを再生する行程を備えたことを特徴とする情報再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月5日(2004.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート、ソース及びドレーンを備える薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタが形成された基板上に平坦化膜を形成する段階と、
前記平坦化膜を熱処理する段階と、
前記平坦化膜上の所定部分に前記ドレーンと電気的に連結するように画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記平坦化膜はスピンオングラス（SOG)膜で形成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記平坦化膜は１０００〜３０００Åの厚さに形成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記平坦化膜を熱処理する段階は、前記平坦化膜を３００〜４００℃で熱処理して、平坦化膜内の水分を薄膜トランジスタに拡散させることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記平坦化膜を熱処理する段階と、前記画素電極を形成する段階との間に、
前記平坦化膜上に窒化膜または酸化膜と窒化膜との複合膜よりなる絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記画素電極を形成する段階後に、前記基板結果物を熱処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記熱処理段階は１５０〜２００℃で行われることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
基板上にゲート電極、ソース電極及びドレーン電極を備える薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタが形成された基板上に平坦化特性を有する第１絶縁膜を形成する段階と、
前記第１絶縁膜を熱処理する段階と、
前記第１絶縁膜の表面が平坦化されるように前記第１絶縁膜の表面を所定の厚さだけエッチバックする段階と、
前記平坦化膜上に第２絶縁膜を形成する段階と、
前記第２及び第１絶縁膜を貫通して、前記第２絶縁膜上に前記ドレーン電極とコンタクトするように画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記薄膜トランジスタを形成する段階は、
前記基板上に結晶質シリコン膜で半導体膜パターンを形成する段階と、
前記基板及び半導体膜パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上の所定部分にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極の両側の半導体膜パターンに不純物を注入して、ソース及びドレーンを形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及びゲート電極上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に前記ソース及びドレーンと各々コンタクトされるソース電極及びドレーン電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体膜パターンを形成する段階は、
前記基板上に非晶質シリコン膜を蒸着する段階と、
前記非晶質シリコン膜をレーザで結晶化する段階と、
前記結晶化されたシリコン膜をパターニングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ソース及びドレーンはイオンシャワードーピングによって形成されることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１絶縁膜はSOG膜で形成することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１絶縁膜は１０００〜３０００Å程度の厚さに形成することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１絶縁膜を熱処理する段階は３００〜４００℃の温度で行われることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２絶縁膜は窒化膜または酸化膜と窒化膜との複合膜で形成することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１絶縁膜を熱処理する段階と前記第１絶縁膜をエッチバックする段階との間で、
前記第１絶縁膜を形成する段階と、前記第１絶縁膜を熱処理する段階とを少なくとも１回繰り返して実施することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記画素電極を形成する段階後に、前記画素電極が形成された基板結果物を熱処理することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記熱処理段階は１５０〜２００℃の温度で行われることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記画素電極はITO（Indium tin oxide）で形成することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記薄膜トランジスタを形成する段階と前記第１絶縁膜を形成する段階との間に、前記薄膜トランジスタが形成された基板上に第３絶縁膜を形成する段階をさらに含み、
前記第１絶縁膜をエッチバックする段階で、前記第１絶縁膜を前記第３絶縁膜の表面が露出されるまでエッチバックすることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】
基板と、
前記基板の所定部分上に形成され、ゲート電極、ソース電極及びドレーン電極を含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタが形成された基板上に形成される平坦化膜と、
前記平坦化膜上の所定部分に形成され、前記ドレーン電極と電気的に連結される画素電極と、
を含む表示装置。
【請求項２２】
前記薄膜トランジスタは、
基板上の所定部分に形成される半導体膜パターンと、
前記半導体膜パターン上の所定部分に形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の半導体膜パターン上に各々形成されるソース及びドレーンと、
前記ゲート電極及び半導体膜パターン間に介在されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極及びゲート絶縁膜上に形成される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記ソース及びドレーンと電気的に各々連結されるソース電極及びドレーン電極と、
を含むことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記薄膜トランジスタ及び前記平坦化膜間に第１絶縁膜がさらに介在されることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記第１絶縁膜の厚さは１０００〜１００００Åであることを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記第１絶縁膜の表面は前記薄膜トランジスタにより所定の段差を有し、前記平坦化膜の表面は前記第１絶縁膜の表面のうち相対的に高い段差部分の表面と一致することを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２７】
前記平坦化膜及び画素電極間に第２絶縁膜がさらに介在されることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２８】
前記第２絶縁膜は窒化膜または酸化膜と窒化膜との複合膜であることを特徴とする請求項２７に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電材料から成る基底板と、
ピン、及び電気的に接続された上下側の接地平面を有する回路アセンブリと、
前記基底板と前記回路アセンブリとの間に配置され、熱膨張差に適応し且つ前記基底板と前記回路アセンブリの下側の接地板とを電気的に接地するように動作する、導電材料から成る基底板プレフォームと、
導電材料から成る蓋と、
前記回路アセンブリと前記蓋との間に配置され、熱膨張差に適応し且つ前記回路アセンブリの上側の接地板と前記蓋とを電気的に接地する、導電材料から成る蓋プレフォームと、
を備えて成ることを特徴とするパッケージング・アセンブリ。
【請求項２】
前記基底板は、前記回路アセンブリの前記ピンに対して電気的アイソレーションを提供する、金属接地平面を備えていることを特徴とする、請求項１に記載のパッケージング・アセンブリ。
【請求項３】
導電材料から成る基底板、
ピン、及び電気的に接続された上下側の接地平面を有する回路アセンブリ、
前記基底板と前記回路アセンブリとの間に配置され、熱膨張差に適応し且つ前記基底板と前記回路アセンブリの下側の接地板とを電気的に接地するように動作する、導電材料から成る基底板プレフォーム、
導電材料から成る蓋、及び
前記回路アセンブリと前記蓋との間に配置され、熱膨張差に適応し且つ前記回路アセンブリの上側の接地板と前記蓋とを電気的に接地する、導電材料から成る蓋プレフォーム
を有するパッケージング・アセンブリと、
穴を有する基板であって、前記パッケージング・アセンブリが前記基板上に設置され、前記ピンが穴を貫いて突出している基板と、
導電性であり、前記基板と前記パッケージング・アセンブリとの間に配置され、前記ＰＣ基板と前記回路アセンブリとの間の連続接地接続を行なうように動作する第１の従順なガスケットと、
前記ピンを前記基板に固定する働きをする半田のアレイと、
前記基板に取付けられた裏当板と、
導電性であり、前記基板と前記裏当板との間に配置されている第２の従順なガスケットと
を備えて成ることを特徴とする低価格マイクロ波パッケージ。
【請求項４】
前記基底板は、前記回路アセンブリのピンに電気的アイソレーションを提供する、金属接地平面を備えていることを特徴とする、請求項３に記載の低価格マイクロ波パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも金属または金属シリサイドを一層含む導電層パターンと、
前記導電層パターンの側壁部に形成されたシリコン窒化膜以外の絶縁膜からなる第１の絶縁膜と、
前記導電層パターンと前記第１の絶縁膜を覆うように形成されたシリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
少なくとも金属または金属シリサイドを一層含む導電層パターンと、
前記導電層パターンの側壁部と上部を覆うように形成された、シリコン窒化膜以外の絶縁膜からなる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を覆うように形成されたシリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜は、前記導電層パターンの側壁部と上部とで異なる膜で構成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜は、前記導電層パターンの側壁部に位置する前記シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜の下部にもあることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導電層パターンはＭＩＳトランジスタのゲート電極を構成することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜は導電層パターン上面では側面よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項８】
前記シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜上に形成された、シリコン窒化膜とエッチング特性の異なる第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜に形成され、その底部の一部が前記シリコン窒化膜上にかかるように形成されたコンタクト窓を有することを特徴とする請求項１から５記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第３の絶縁膜の表面は、前記半導体基板に対して概ね平行となるように形成されていることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板上に少なくとも金属シリサイドを一層含む導電層を形成する工程と、
前記導電層上に第１のシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記導電層と前記第１のシリコン窒化膜からなる積層体をパターニングする工程と、
熱酸化法により、前記導電層の側壁部に酸化膜を形成する工程と、
前記パターニングされた積層体および側壁の酸化膜を含む前記半導体基板上に第２のシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記第２のシリコン窒化膜を異方性エッチングして、前記側壁の酸化膜を含む前記積層体の側壁に第２のシリコン窒化膜からなるサイドウォールを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板上に少なくとも金属シリサイドを一層含む導電層を形成する工程と、
前記導電層上に第１の絶縁膜と第１のシリコン窒化膜を順次形成する工程と、
前記導電層と前記第１の絶縁膜と前記第１のシリコン窒化膜からなる積層体をパターニングする工程と、
熱酸化法により、導電層の側壁部に酸化膜を形成する工程と、
前記パターニングされた積層体および側壁の酸化膜を含む前記半導体基板上に第２のシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記第２のシリコン窒化膜を異方性エッチングして、前記側壁の酸化膜を含む前記積層体の側壁に第２のシリコン窒化膜からなるサイドウォールを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の絶縁膜は前記酸化膜よりもその膜厚が厚くなるように形成することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜を貫き、さらに、その底部の一部が少なくとも前記第２のシリコン窒化膜の一部の上にくるように、コンタクト窓を開口する工程と、
をさらに有することを特徴とする、請求項１０または１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の絶縁膜を形成後、平坦化処理をする工程を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の絶縁膜は、熱酸化法または気相成長法によって形成することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の絶縁膜は、熱酸化法と気相成長法で形成した積層膜であることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
一般式IＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩおよびＩＸ:
【化７】
2003096003.tif 000001
式中、それぞれの基は次の意味：
R0は、n-アルキル、オキサアルキル、フルオロアルキル、アルケニルオキシまたはアルケニルで、それぞれ９個以下の炭素原子を有し、
X0は、F、Cl、または１〜６個の炭素原子を有するハロゲン化アルキル、アルケニル、アルコキシであり、
Z0は、-C2H4-、-C2F4-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-または-COO-であり、
Y1、Y2、Y3およびY4は、それぞれ互いに独立し、HまたはFであり、そして
rは、０、１または２である、
を有する、
からなる群から選択される１または２以上の化合物を付加的に含むことを特徴とする、請求項６に記載の液晶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
流下した溶湯は急冷用回転ロール上で急冷凝固させて組織制御を行ない、材料の高性能、高機能化を計ることができる。図３の右側の模式図は、ランダム方位の多結晶である合金インゴットが急冷凝固により異方性の組織制御合金となる様子を示している。図３のＨは、磁場、熱量、Ｌは元の長さ、ΔＬは、変体の伸び、ひずみ(磁歪、形状記憶変化)を示している。この方法によれば４０〜３００ミクロン厚さの薄帯や直径３０〜２００ミクロン程度の細線を製造できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
〈結晶構造解析〉
バルク試料および薄帯試料の結晶構造は、プレート状のままＣｕｋα1線を用いてＸ線回折を行い、ホイスラー型合金であることが確認された。得られたＸ線回折のデータを図４に示す。図４から、２θ＝４３°に現れる｛220｝ピークが２本に分離していることから、ホイスラー型正方晶であり、マルテンサイト相が存在することが確認される。さらに、薄帯における｛200｝ピークの分離がバルク試料より著しいことから急冷凝固法がマルテンサイト相形成に有効に作用することがわかる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
〈磁化測定〉
各試料の磁気特性は振動試料型磁力計（VSM）を用い最大印加磁場（Hmax）＝５ｋＯｅとし、磁化−印加磁場曲線（M-Hループ）を測定することにより行われた。得られたＭ−Ｈループを図６に示す。図６は、Ｃｏ50Ｎｉ21.25ｇａ28.75のバルク試料と急冷薄帯試料のθ＝０°と９０°方向別のＭ−Ｈループである。ここでθは、図８（ｂ）に示すように印加磁場方向と薄帯平面との間の角度を表す。両試料のθ＝０°方向におけるＭ−Ｈループは５ｋＯｅで飽和し、約４５ｅｍｕ/ｇの磁化を持ち、強磁性体であることがわかる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
さらに、図６の測定より求めたバルク試料と急冷薄帯試料に対する方向別の保磁力Ｈｃの値を図７に示す。バルク試料の保磁力は方向に依らず等方的で、ランダム方位結晶材料であるのに対し、急冷試料の保磁力はθ＝７０°〜８０°で約１４００Ｏｅもの保磁力を示し、この方向に極めて強い結晶異方性をもっていることを示している。この現象は他の4種類の合金薄帯でも現れた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
〈磁歪測定〉
磁歪の測定は、まず、大気中、室温（293K）で８ｋＯｅまでの磁場中で試料表面に貼付した歪ゲージを用いて行なった。測定中、試料はアクリルの棒状ホルダーに固定され、磁場中心にくるように上部架台より吊下げられた。また急冷試料は試料作製時の長手方向（RD方向）を回転軸として固定し、Ｂｕｌｋ試料は平面内の１方向を回転軸として固定し、それぞれ試料面に対し垂直な方向（厚さ方向）に印加された時の測定方向をθ＝９０°と定義している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
磁場発生装置はJOEL(株)製を用いて行なった。使用条件は、磁極間隔３０ｍｍで使用し、６０Ｖ−３０Ａで８ｋＯｅの磁場を得る。供給電圧は、定電圧装置を用い、電流は手動により設定した値を供給する。図８ (ｂ)に印加磁場の方向θを示す。図８（ａ−１）と（ａ−２）はそれぞれＣｏ50Ｎｉ21.25Ｇａ28.75のＢｕｌｋ試料および急冷薄帯試料における磁歪の方向依存性を示すグラフである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図８ (a-1)のＢｕｌｋ試料（等方的でランダム方位結晶材料）の磁歪はθ＝０°方向で２５ｐｐｍと小さいのに比べて、図８(a-2)の急冷薄帯試料の磁歪は、θ＝８０°で最大磁歪９０ｐｐｍが出現し、強い結晶異方性があることがわかる。この結果は、図７に示す保磁力の方向依存性とほぼ一致し、急冷凝固法により生じた強い結晶異方性によりマルテンサイト双晶界面が一方向に移動しやすいことを示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
〈磁歪の温度依存性〉
形状記憶（回復）効果を発現するＣｏＧａ系合金でのマルテンサイト双晶の発生・移動・消滅を伴う相変態温度を挟む各温度での磁歪測定を行なうために、熱電対を歪ゲージ貼り付け部の近傍に固定し、温度一定制御下での磁歪を測定した。試料の温度制御はジュワー瓶の中の液体窒素と銅製の試料台に巻かれたヒータ電流を調節することにより行われた。図１０における磁場の印加方向は、室温で大きな磁歪の現れたθ＝５０°に固定された。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図１０は３種類の急冷薄帯の磁歪の温度依存性を示す。この図は、３５０Ｋ付近でピークを示し、磁歪は大きくなる。さらに、約１５０Ｋ以下の温度で−１００ｐｐｍを遥かに越える大きな磁歪を示し、８ｋＯｅの印加磁場でも、まだ飽和しない。また１５０Ｋの磁歪量を比較するとＧａ量の減少に比例して増加し、１５０Ｋよりも低温領域では、磁場によりマルテンサイト双晶界面の移動が活発化する相変態が存在している。故に、１４０Ｋ以下の温度で８ｋＯｅ以上の印加磁場の条件下では、さらに大きい巨大磁歪が得られる可能性がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月1日(2004.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
【実施例Ｂ−３】
〈カプセルの調製〉
実施例Ａ−１で調製したプルラン含有粉末を１５０重量部、カラギーナンを１重量部、塩化アンモニウムを３重量部、イオン交換水８５０重量部を含む原料水溶液を調製し、減圧脱泡した。この原料水溶液を５０℃に保温し、カプセル形成用ピンの先端を原料水溶液中に入れた後、取り出し、乾燥させてプルランカプセルを調製した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月21日(2005.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油相中固形脂肪の分散系から成るかまたは該分散系を含有する食品の固形脂肪相を加工する方法であって、液体状態で最小量の油相を含む固形脂肪相を冷却装置に入れ、ついで、その食品を冷却して、可能な限り迅速に脂肪の結晶化を行う各工程を含む方法。
【請求項２】
食品の油相の一部のみが固形脂肪相で加工される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
本発明の方法を使用して固形脂肪相で加工されるべき油の最小量が、極低温加工後、完全なる配合物中での固形脂肪相の分散を容易にする、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
油の量が固形脂肪相の少なくとも３５vol％である、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
油の量が固形脂肪相の少なくとも４０vol％である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
冷却後の食品が配合物の油相および／またはその他成分の残りと機械的に加工されて、固形脂肪相の均一な分散系が存在する食品を製造する、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明のウレタン生成物中のビスウレア体含量が３重量％以下である剥離処理剤の製造例としては、次のようにして製造することができる。１０メツシュ以下の大きさの粒子状エチレン−ビニルアルコール共重合体またはポリビニルアルコールをトルエン等の非極性溶媒に分散し例えば共沸脱水し、温度を下げてから、必要によりジメチルスルホキシド等の水溶性の溶媒を添加し、オクタデシルイソシアネート等の脂肪族イソシアネートを滴下し反応させる。
エチレン−ビニルアルコール共重合体またはポリビニルアルコールを１０メツシュ以下の大きさにした後に、水分を除く方法として特に限定されないが、例示すると乾燥機等により水分を除く方法があげられる。水分を除く方法として、共沸脱水の方法を用いるのが工業的に好ましく、共沸脱水の操作として、還流を行いながら還流装置の途中で水分を分離除去する方法等も含む。また使用する溶剤は水と共沸する溶剤であれば特に限定されないが、本発明の剥離処理剤を基材に塗布する際に使用できる溶剤と同種の溶剤のほうが好ましく、トルエン、キシレンが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
反応の完結または終点は、反応混合物中のイソシアネート化合物の残存量を赤外分光光度計により測定して、確認することができる。なお、上記の反応を完結させるに際し、必要に応じて水酸基とイソシアネート基との反応を促進させる触媒、例えば有機錫化合物等を用いることができる。反応終了後、水を加え油層と水層を分離し、望ましくは油層をろ過機（フィルター）を通してろ過し、微量のビスウレア体を捕捉する。使用できるろ過機は特に限定はされないが、使用する溶剤がトルエン等の有機溶剤、ろ液中に反応生成物が含まれていることにより、ろ液を取ることを目的とすることから、密閉型加圧ろ過機が好ましく、密閉型葉状式加圧ろ過機が特に好ましい。密閉式の加圧ろ過機として市販されているものの例としては、石川島播磨重工業社製、商品名：フンダバックフィルターまたは商品名：リーフフィルターが市販されており、密閉型葉状式加圧ろ過機としては、前記、商品名リーフフィルターの他、ミウラ化学装置株式会社製の商品名：ウルトラフィルターが市販されている。溶液をいれた器からフィルターを通し別の受器で溶液を受ける方式、あるいは、溶液を入れた器からフィルターを通し、再び溶液をいれてある器に戻す循環方式のどちらでも使用できる。最後に、予めメタノールを入れてある器に油層（トルエン、剥離処理剤）を導入し、反応生成物をろ別して乾燥させ目的のウレタン生成物である剥離処理剤を得る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の高粘度液体洗浄剤組成物において、本発明の増粘剤の配合量について下記に説明する。
本発明の高粘度液体洗浄剤組成物において、本発明の増粘剤成分と、液体洗浄剤成分との乾燥質量比は、前述のように１：９９〜４０：６０であることが好ましい。
本発明の増粘剤は、それとともにこの増粘剤を水に可溶化させる成分とともに配合された場合、得られた洗浄剤組成物において、顕著な増粘効果を発揮するが、その可溶化に寄与するアニオン界面活性剤、両性界面活性剤、双性界面活性剤、及び／又は半極性界面活性剤の合計配合量１００質量部に対し、本発明増粘剤の配合量は２．５質量部〜４３質量部の範囲内にあることが好ましく、更に好適には５質量部〜２５質量部である。
本発明の増粘剤の配合量が、それの可溶化に寄与する界面活性剤１００質量部に対して２．５質量部未満であると十分な増粘効果は発現されない。またそれが４３質量部を超えると、得られる洗浄剤組成物の低温安定性が不十分になることがある。
例えば本発明の増粘剤の可溶化に寄与する界面活性剤の配合量が液体洗浄剤組成物の合計質量の２０質量％であるときは、本発明の増粘剤の配合量は、前記液体洗浄剤組成物の合計質量の０．５〜８．６質量％であることが好ましく、１．０〜５質量％であることがさらに好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【表５】
2003096435.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
【表６】
2003096435.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月1日(2005.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成ポリアミド繊維材料の三色浸染または捺染の方法であって、式（１）：
【化１】
2003096677.tif 000001
で示される少なくとも１種類の赤色の反応染料を、式（２）〜（４）：
【化２】
2003096677.tif 000002
で示される少なくとも１種類の黄色または橙色の反応染料と、式（５）：
【化３】
2003096677.tif 000003
で示される少なくとも１種類の青色の反応染料、
〔式中、
Ｒ1、Ｒ4、Ｒ6、Ｒ10、Ｒ15およびＲ16は、それぞれ互いに独立して、水素、あるいは非置換またはヒドロキシル、スルホ、スルファト、カルボキシルもしくはシアノで置換されたＣ1〜Ｃ4アルキルであり、
Ｒ2、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ13およびＲ14は、それぞれ互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ4アルキル、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、Ｃ2〜Ｃ4アルカノイルアミノ、ウレイド、スルファモイル、ハロゲン、スルホまたはカルボキシルであり、
Ｒ3は、アミノ、またはＮ−モノもしくはＮ，Ｎ−ジ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルアミノであり、
Ｒ8は、水素、スルホメチル、カルバモイルまたはシアノであり、
Ｒ9は、Ｃ1〜Ｃ4アルキルであり、
Ｒ11およびＲ12は、それぞれ互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ4アルキル、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲン、スルホまたはカルボキシルであり、
Ｂは、１、２または３個の−Ｏ−で中断されていてもよく、かつ非置換またはヒドロキシもしくはスルファトで置換されたＣ2〜Ｃ6アルキレン基であるか、あるいはそれぞれ非置換またはＣ1〜Ｃ4アルキルで置換されたシクロヘキシレン基もしくはメチレンシクロヘキシレン基であるか、あるいはそれぞれ非置換またはＣ1〜Ｃ4アルキル、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲンもしくはスルホで置換されたフェニレンもしくはメチレンフェニレンメチレン基であり、
ｈは、０または１の数であり、
ｋは、１、２または３の数であり、
Ｖ1は、式（６ａ）、（６ｂ）、（６ｃ）または（６ｄ）：
【化４】
2003096677.tif 000004
で示される基であって、
Ｒ17およびＲ19は、それぞれ互いに独立して、水素、あるいは非置換またはヒドロキシル、スルホ、スルファト、カルボキシルもしくはシアノで置換されたＣ1〜Ｃ4アルキルであり、
Ｒ18は、Ｃ1〜Ｃ4アルキル、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ、ハロゲンまたはスルホであり、
Ｚは、基：−ＣＨ＝ＣＨ2または−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｙであり、Ｙは脱離基であり、
ｍは、０、１または２の数であり、
ｎは、０または１の数であり、そして
Ｖ2、Ｖ3、Ｖ4およびＶ5は、それぞれ互いに独立して、上記の式（６ａ）、（６ｂ）、（６ｃ）もしくは（６ｄ）の基、または式（６ｅ）：
【化５】
2003096677.tif 000005
（式中、Ｒ20は、水素、あるいは非置換またはヒドロキシル、スルホ、スルファト、カルボキシルもしくはシアノで置換されたＣ1〜Ｃ4アルキルであり、
Ｘは、基：
【化６】
2003096677.tif 000006
であり、Halは、臭素または塩素である）
で示される基であり、
ただし、式（１）の染料は、二つのスルホ基を有するものとする〕
と一緒に用いることを特徴とする方法。
【請求項２】
式（１）の反応染料が、反応染料（１ａ）：
【化８】
2003096677.tif 000007
である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
式（１ｂ）：
【化９】
2003096677.tif 000008
〔式中、Ｒ1およびＲ17は、それぞれ互いに独立して、水素、あるいは非置換またはヒドロキシル、スルホ、スルファト、カルボキシルもしくはシアノで置換されたＣ1〜Ｃ4アルキルであり、
Ｚは、基：−ＣＨ＝ＣＨ2または−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｙであり、Ｙは脱離基である〕
で示される反応染料。
【請求項４】
天然または合成ポリアミド繊維材料を浸染もしくは捺染するための請求項３記載の式（１ｂ）の反応染料の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月10日(2004.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
糸条Ａと糸条Ｂが共にＳＺ交互撚糸であり、糸条Ａと糸条Ｂが引き揃えられてＳＺ交互撚り構造を形成すると共に、糸条Ａを構成する単繊維と糸条Ｂを構成する単繊維とが部分的に融着部を形成していることを特徴とする特殊仮撚加工糸。
【請求項２】
共にＳＺ交互撚糸である糸条Ａと糸条Ｂとを合糸して仮撚加撚域へ供給し、糸条Ａを構成する単繊維及び又は糸条Ｂを構成する単繊維に融着を生じさせる温度で仮撚加撚することを特徴とする特殊仮撚加工糸の製造法。
【請求項３】
請求項１に記載の特殊仮撚加工糸で一部又は全部が構成された織編物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の特殊仮撚加工糸において、加工糸を構成する糸条Ａと糸条Ｂとが共に
ＳＺ交互撚糸であることと、糸条Ａと糸条Ｂが引き揃えられてＳＺ交互撚り構造
を形成することが必要である。糸条Ａと糸条Ｂには単繊維が揃った集束構造を
有している撚り部がそれぞれ存在し、更に糸条Ａと糸条Ｂとが引き揃えられて形
成されたＳＺ交互撚り構造が、諸撚糸の上撚りに相当するものとなり、本発明の
特殊仮撚加工糸は、諸撚糸様のハリ・コシ、ふくらみ感、ドレープ性を織編物に
付与することが可能な加工糸をなしている。なお、本発明において、ＳＺ交互撚
糸或いはＳＺ交互撚り構造とは、糸長手方向にＳ撚り部とＺ撚り部が交互に形成
されている糸条或いは構造をいう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の特殊仮撚加工糸の製造法においては、糸条Ａを構成する単繊維及び／
又は糸条Ｂを構成する単繊維に溶融を生じさせる温度で仮撚加撚を行うことが必
要であり、単繊維に溶融を生じさせる温度で仮撚加撚を行うことにより、糸条Ａを構成する単繊維と糸条Ｂを構成する単繊維とが部分的に融着部を形成させ、糸条Ａと糸条Ｂが仮撚加撚方向と同方向に合撚された部分と、仮撚加撚方向とは逆方向に合撚された部分を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月2日(2004.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
得られた加工糸を評価したところ、加工糸は、ＳＺ交互撚糸構造を有する２本以上のマルチフィラメント糸から構成され、かつそれぞれの構成マルチフィラメント糸のＳ方向下撚部及びＺ方向下撚部の位置が同じ位相で上撚形態を形成しており、上撚形成部の構成比率が８２％、上撚非形成部の長さが１．５〜５．０ｃｍ、最大上撚数が８００Ｔ／ｍで形成された諸撚調加工糸であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
得られた加工糸を評価したところ、加工糸はＳＺ交互撚糸構造を有する２本以上のマルチフィラメント糸から構成されてはいるが、上撚形成部の構成比率が３６％、上撚非形成部の長さが７〜１５ｃｍ、最大上撚数が５００Ｔ／ｍで形成されており、上撚形成部の構成比率が低く、上撚非形成部が長い加工糸であった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投光した赤外光のうち、検出体に当たって反射した赤外光線を検出する検出手段を有し、吐水口に近接した前記検出体を感知して自動的に吐水を行う手洗い器、洗面器又はシンクに取り付けられる自動水栓制御装置において、
前記検出手段の赤外光は手洗い器、洗面器又はシンクに向けられるとともに、前記検出手段は投光する赤外光の直線偏光成分を透過する第１の偏光手段と、受光する赤外光の直線偏光成分を透過させる第２の偏光手段とを備え、しかも、前記第１、第２の偏光手段の偏光面は、互いに交差しており、これにより、前記検出手段は、前記手洗い器、洗面器又はシンク表面からの鏡面反射光は検出せず、前記検出体からの拡散反射光を検出するようにしたことを特徴とする自動水栓制御装置。
【請求項２】
水栓の流路を開閉する電磁弁と、検出体に向けて赤外光を投光する投光手段と、前記検出体により反射された赤外光を受光する受光手段と、前記受光手段の出力により前記検出体の有無を判定する感知判定手段と、前記感知判定手段による感知信号に基づいて前記電磁弁を制御する電磁弁制御手段とを備えた手洗い器、洗面器又はシンクに取り付けられる自動水栓制御装置において、前記投光手段は偏光成分を透過する第１の偏光手段を有し、前記受光手段は前記第１の偏光手段を透過した光と異なる偏光成分を透過する第２の偏光手段を有し、
これにより、前記手洗い器、洗面器又はシンク表面からの鏡面反射光は検出せず、前記検出体からの拡散反射光を検出することにより前記感知判定手段は検出体が存在すると判断することを特徴とする自動水栓制御装置。
【請求項３】
請求の範囲第２項に記載の自動水栓制御装置において、
前記第１及び第２の偏光手段は、それぞれの偏光方向が直交するように配置された偏光板であることを特徴とする自動水栓制御装置。
【請求項４】
投光した赤外光のうち、検出体に当たって反射した赤外光線を検出し、吐水口に近接した前記検出体を感知して自動的に吐水を行う手洗い器、洗面器又はシンクに取り付けられる自動水栓制御方法において、前記赤外光は手洗い器、洗面器又はシンクに向けられるとともに、第１の偏光手段に赤外光を投光し、直線偏光成分を透過させ、この直線偏光成分を対象物に当てる工程と、前記対象物で反射した前記直線偏光成分の反射光を、前記第１の偏光手段の偏光面に交差する偏光面を有する第２の偏光手段に当て、この第２の偏光手段を透過した直線偏光成分のみを検出する工程とを有し、これにより、前記手洗い器、洗面器又はシンク表面からの鏡面反射光は検出せず、前記対象物からの拡散反射光を検出して吐水を行うことを特徴とする自動水栓制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】  上記目的を達成するために請求項１は、投光した赤外光のうち、検出体に当たって反射した赤外光線を検出する検出手段を有し、吐水口に近接した前記検出体を感知して自動的に吐水を行う手洗い器、洗面器又はシンクに取り付けられる自動水栓制御装置において、前記検出手段の赤外光は手洗い器、洗面器又はシンクに向けられるとともに、前記検出手段は投光する赤外光の直線偏光成分を透過する第１の偏光手段と、受光する赤外光の直線偏光成分を透過させる第２の偏光手段とを備え、しかも、前記第１、第２の偏光手段の偏光面は、互いに交差しており、これにより、前記検出手段は、前記手洗い器、洗面器又はシンク表面からの鏡面反射光は検出せず、前記検出体からの拡散反射光を検出するようにした。
請求項２は、水栓の流路を開閉する電磁弁と、検出体に向けて赤外光を投光する投光手段と、前記検出体により反射された赤外光を受光する受光手段と、前記受光手段の出力により前記検出体の有無を判定する感知判定手段と、前記感知判定手段による感知信号に基づいて前記電磁弁を制御する電磁弁制御手段とを備えた手洗い器、洗面器又はシンクに取り付けられる自動水栓制御装置において、前記投光手段は偏光成分を透過する第１の偏光手段を有し、前記受光手段は前記第１の偏光手段を透過した光と異なる偏光成分を透過する第２の偏光手段を有し、これにより、前記手洗い器、洗面器又はシンク表面からの鏡面反射光は検出せず、前記検出体からの拡散反射光を検出することにより前記感知判定手段は検出体が存在すると判断するので、有害な信号である鏡面反射の赤外光を除去し、手などの反射光を確実に検出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３は、請求項２の自動水栓制御装置において、前記第１及び第２の偏光手段は、それぞれの偏光方向が直交するように配置された偏光板であるので、従来からある赤外線センサに対して形状が大きくなることがなく、赤外線センサの長所を維持しつつ、誤感知を防止する。
請求項４は、投光した赤外光のうち、検出体に当たって反射した赤外光線を検出し、吐水口に近接した前記検出体を感知して自動的に吐水を行う手洗い器、洗面器又はシンクに取り付けられる自動水栓制御方法において、前記赤外光は手洗い器、洗面器又はシンクに向けられるとともに、第１の偏光手段に赤外光を投光し、直線偏光成分を透過させ、この直線偏光成分を対象物に当てる工程と、前記対象物で反射した前記直線偏光成分の反射光を、前記第１の偏光手段の偏光面に交差する偏光面を有する第２の偏光手段に当て、この第２の偏光手段を透過した直線偏光成分のみを検出する工程とを有し、これにより、前記手洗い器、洗面器又はシンク表面からの鏡面反射光は検出せず、前記対象物からの拡散反射光を検出して吐水を行うようにした。