【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信回路と受信回路を切り替えるスイッチ回路を備え、
前記スイッチ回路はスイッチ素子と、電極パターンと誘電体層から構成される積層体とを主構成とし、前記スイッチ素子は前記積層体上に配置され、
前記積層体における各層間の電極パターンの電気的接続を全てスルーホールで行うとともに、
前記積層体内に形成されたグランド電極から積層体底面に複数のスルーホールを延出させ、
前記スルーホールで前記積層体底面に形成されたグランド端子と前記グランド電極とを電気的接続したことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項２】
複数の送受信系の信号を分波する分波回路を備え、
積層体底面には高周波信号用端子（共通端子、送信系端子、受信系端子）が形成されており、
前記分波回路を構成する電極パターンと前記共通端子が、誘電体層の積層方向に連続する複数のスルーホールを介して電気的接続することを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項３】
前記グランド電極は、その電極パターンの一部が抜いて形成され、前記抜き部に前記高周波信号用端子と接続するスルーホールが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項４】
インダクタ用電極、コンデンサ用電極、グランド電極などの電極パターンと誘電体層から構成される積層体に、複数の送受信系の信号を分波する分波回路と、前記積層体上に配置されたスイッチ素子により送信回路と受信回路を切り替えるスイッチ回路を備え、
積層体底面の側面側には、前記分波回路とスイッチ回路を構成する前記電極パターンとスルーホールで電気的接続するグランド端子と高周波信号用端子（共通端子、送信系端子、受信系端子）を有し、
前記高周波信号用端子は積層体の長辺側面側にのみ形成され、短辺側面側にはグランド端子のみが形成され、前記グランド端子と前記積層体内に形成されたグランド電極とを複数のスルーホールで接続したことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項５】
積層体の長辺側面側に形成された複数のグランド端子間に共通端子が配置され、
前記共通端子は、積層方向に連続する複数のスルーホールを介して分波回路を構成する電極パターンと電気的接続することを特徴とする請求項４に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項６】
インダクタ用電極、コンデンサ用電極、グランド電極などの電極パターンと誘電体層から構成される積層体に、複数の送受信系の信号を分波する分波回路と、前記積層体上に配置されたスイッチ素子により送信回路と受信回路を切り替えるスイッチ回路を具備し、
積層体底面には、前記分波回路とスイッチ回路を構成する電極パターンとスルーホールで電気的接続するグランド端子、高周波信号用端子（共通端子、送信系端子、受信系端子）が形成されており、
前記積層体は、前記グランド端子とスルーホールで直接接続される第１のグランド電極と、前記第1のグランド電極とスルーホールを介して接続される第２のグランド電極を備え、
前記第２のグランド電極は、電極パターンの一部を抜いて形成され、前記抜き部にスルーホールが形成されており、前記スルーホールの一部が、前記第１のグランド電極と前記第２のグランド電極との間の誘電体層に形成されたコンデンサ用電極と、前記第１のグランド電極の上層に形成された電極パターンとを接続することを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項７】
インダクタ用電極、コンデンサ用電極、グランド電極などの電極パターンと誘電体層から構成される積層体に、複数の送受信系の信号を分波する分波回路と、前記積層体上に配置されたスイッチ素子により送信回路と受信回路を切り替えるスイッチ回路を備え、
積層体底面の側面側には、前記分波回路とスイッチ回路を構成する前記電極パターンとスルーホールで電気的接続するグランド端子と高周波信号用端子（共通端子、送信系端子、受信系端子）、及びコントロール端子を有し、
積層体の長辺側面側には、グランド端子と高周波信号用端子及びコントロール端子が形成され、
短辺側面側には、グランド端子のみが形成されており、
前記高周波信号用端子間には、グランド端子又はコントロール端子が配置されることを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項８】
短辺側面側のグランド端子は、長辺側面側に形成された各端子よりも幅広に形成されていることを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項９】
長辺側面側に形成されたグランド端子間に、誘電体層の積層方向に連続する複数のスルーホールを介して前記分波回路を構成する電極パターンと電気的接続する共通端子を配置したことを特徴とする請求項７又は８に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項１０】
前記スイッチ素子としてダイオードまたはトランジスタを用いた請求項１ないし９のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項１１】
前記積層体にＳＡＷフィルタを配置してなり、前記ＳＡＷフィルタは誘電体層の積層方向に連続する複数のスルーホールを介して前記受信系端子と電気的接続することを特徴とする請求項２ないし１０のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は下記の構成を要旨とする。
第１の発明は、送信回路と受信回路を切り替えるスイッチ回路を備え、前記スイッチ回路はスイッチ素子と、電極パターンと誘電体層から構成される積層体とを主構成とし、前記スイッチ素子は前記積層体上に配置され、前記積層体における各層間の電極パターンの電気的接続を全てスルーホールで行うとともに、前記積層体内に形成されたグランド電極から積層体底面に複数のスルーホールを延出させ、前記スルーホールで前記積層体底面に形成されたグランド端子と前記グランド電極とを電気的接続した高周波スイッチモジュールである。
本発明に係る高周波スイッチモジュールは、複数の送受信系の信号を分波する分波回路を備え、積層体底面には高周波信号用端子（共通端子、送信系端子、受信系端子）が形成されており、前記分波回路を構成する電極パターンと前記共通端子が、誘電体層の積層方向に連続する複数のスルーホールを介して電気的接続する高周波スイッチモジュールでもある。
前記グランド電極は、その電極パターンの一部を抜いて形成され、前記抜き部に前記高周波信号用端子と接続するスルーホールが形成されている。
第２の発明は、インダクタ用電極、コンデンサ用電極、グランド電極などの電極パターンと誘電体層から構成される積層体に、複数の送受信系の信号を分波する分波回路と、前記積層体上に配置されたスイッチ素子により送信回路と受信回路を切り替えるスイッチ回路を備え、積層体底面の側面側には、前記分波回路とスイッチ回路を構成する前記電極パターンとスルーホールで電気的接続するグランド端子と高周波信号用端子（共通端子、送信系端子、受信系端子）を有し、  前記高周波信号用端子は積層体の長辺側面側にのみ形成され、短辺側面側にはグランド端子のみが形成され、前記グランド端子と前記積層体内に形成されたグランド電極とを複数のスルーホールで接続した高周波スイッチモジュールである。
前記積層体の長辺側面側には複数のグランド端子が形成され、複数のグランド端子間に共通端子が配置されており、前記共通端子を、積層方向に連続する複数のスルーホールを介して分波回路を構成する電極パターンと電気的接続するのが好ましい。
第３の発明は、インダクタ用電極、コンデンサ用電極、グランド電極などの電極パターンと誘電体層から構成される積層体に、複数の送受信系の信号を分波する分波回路と、前記積層体上に配置されたスイッチ素子により送信回路と受信回路を切り替えるスイッチ回路を具備し、積層体底面には、前記分波回路とスイッチ回路を構成する電極パターンとスルーホールで電気的接続するグランド端子、高周波信号用端子（共通端子、送信系端子、受信系端子）が形成されており、  前記積層体は、前記グランド端子とスルーホールで直接接続される第１のグランド電極と、前記第1のグランド電極とスルーホールを介して接続される第２のグランド電極を備え、前記第２のグランド電極は、電極パターンの一部を抜いて形成され、前記抜き部にスルーホールが形成されており、前記スルーホールの一部が、前記第１のグランド電極と前記第２のグランド電極との間の誘電体層に形成されたコンデンサ用電極と、前記第１のグランド電極の上層に形成された電極パターンとを接続する高周波スイッチモジュールである。
第４の発明は、インダクタ用電極、コンデンサ用電極、グランド電極などの電極パターンと誘電体層から構成される積層体に、複数の送受信系の信号を分波する分波回路と、前記積層体上に配置されたスイッチ素子により送信回路と受信回路を切り替えるスイッチ回路を備え、積層体底面の側面側には、前記分波回路とスイッチ回路を構成する前記電極パターンとスルーホールで電気的接続するグランド端子と高周波信号用端子（共通端子、送信系端子、受信系端子）、及びコントロール端子を有し、積層体の長辺側面側には、グランド端子と高周波信号用端子及びコントロール端子が形成され、短辺側面側には、グランド端子のみが形成されており、前記高周波信号用端子間には、グランド端子又はコントロール端子が配置された高周波スイッチモジュールである。積層体の短辺側面側のグランド端子は、長辺側面側に形成された各端子よりも幅広に形成されている。
第３又は第４の発明において、積層体の長辺側面側に形成されたグランド端子間に、誘電体層の積層方向に連続する複数のスルーホールを介して前記分波回路を構成する電極パターンと電気的接続する共通端子を配置するのが好ましい。
第１乃至第４の発明の高周波スイッチモジュールにおいては、前記スイッチ素子としてダイオードまたはトランジスタを用いた。
第１乃至第４の発明の高周波スイッチモジュールにおいては、前記積層体にＳＡＷフィルタを配置してなり、前記ＳＡＷフィルタは誘電体層の積層方向に連続する複数のスルーホールを介して前記受信系端子と電気的接続するのが好ましい。