【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  固体Ｓｅと、固体Ａｇ又は固体Ｇｅの少なくとも一つとを組み合わせ；
前記Ｓｅの少なくとも一部を、前記Ａｇ又はＧｅ及び残りすべてのＳｅを被覆するのに十分なだけ溶融して、該溶融部分がＳｅの液相を規定し；
前記Ｓｅの液相全体にわたって前記Ａｇ又はＧｅのほぼ均質な分布を形成し；
前記Ｓｅの液相を固化して、前記固化したＳｅのマトリックス中にほぼ均質に分布した前記固体Ａｇ又はＧｅを含む複合材料を規定する；
ことを含む方法。
【請求項２】  前記固体Ｓｅと、前記固体Ａｇ又は固体Ｇｅの少なくとも一つが金属粒子であり、約３２５メッシュを超えない粒度を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記Ｓｅが少なくとも約９９．９９重量パーセント（ｗｔ％）のＳｅを含み、前記Ａｇ又はＧｅがそれぞれ少なくとも約９９．９９ｗｔ％のＡｇ又はＧｅを含み、前記複合材料が、前記Ｓｅのマトリックス中に前記Ａｇ又はＧｅの少なくとも一つを約２５〜約５０ｗｔ％含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記複合材料が、少なくとも約５０体積パーセント（ｖｏｌ％）のマトリックスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記複合材料が、物理蒸着用ターゲット片として形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記固体Ａｇ又は固体Ｇｅの少なくとも一つが固体Ｇｅからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  物理蒸着用ターゲットの形成法であって、
固体第一材料と固体第二材料を組み合わせ；
前記第一材料の少なくとも一部を、前記第二材料及び残りすべての第一材料を被覆するのに十分なだけ溶融して、該溶融部分は第一材料の液相を規定し；
前記第一材料の液相全体にわたって前記第二材料のほぼ均質な分布を形成し；
前記第一材料の液相を固化して、前記固化した第一材料のマトリックス中にほぼ均質に分布した前記固体第二材料を含む複合ターゲット片を規定する、
ことを含む方法。
【請求項８】  前記第一及び第二材料が金属を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記固体第一及び第二材料が粒子を含み、約１００メッシュを超えない粒度を示す、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  前記第一材料がＳｅを含み、前記第二材料がＧｅを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】  前記第一材料がＳｅを含み、前記第二材料がＡｇを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】  前記固体第一及び第二材料に、少なくとも１種類の追加の固体材料を組み合わせることをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】  前記第一材料の少なくとも一部の前記溶融と、前記ほぼ均質な分布の形成が一緒に発生し、ホットプレスすることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】  前記第一材料の少なくとも一部の前記溶融が、実質的にすべての前記第一材料を溶融し、前記第二材料を実質的に全く溶融しないことを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】  前記複合ターゲット片が、少なくとも約５０ｖｏｌ％のマトリックスを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】  前記溶融が、前記第二材料のおよそ融点未満の温度で発生する、請求項７に記載の方法。
【請求項１７】  前記第一材料の前記溶融が前記第一材料を或る温度に加熱し且つ前記第一材料を或る圧力で圧縮する間に容器中で発生し、前記第一材料の液相は、該温度で、相当量の前記第一材料液相が該圧力で前記容器から散逸するのを防ぐに足る高さの粘度を示す、請求項７に記載の方法。
【請求項１８】  前記第一材料の前記溶融が或る温度で発生し、前記第一材料の液相は、該温度で、相当量の第二材料が前記第一材料の液相中におけるほぼ均質な分布から沈降するのを防ぐに足る高さの粘度を示す、請求項７に記載の方法。
【請求項１９】  前記複合ターゲット片が、理論密度の少なくとも約９５％の嵩密度を示す、請求項７に記載の方法。
【請求項２０】  物理蒸着用ターゲットの形成法であって、
第一金属を含む第一粉末を、第二金属を含む第二粉末と組み合わせ、前記組み合わせた第一及び第二粉末は第一体積を有し、前記第一金属は、前記第二金属の示す融点より少なくとも約１００℃低い融点を呈し；
前記第一体積に熱及び圧力を適用して前記第一体積を第二体積に変え、前記第二体積は前記第一金属の少なくとも約５０ｖｏｌ％の液相を含み；そして
前記第二体積を冷却して、前記第一金属を含む固体マトリックス全体にわたってほぼ均質に分布した少なくとも前記第二粉末を含む複合ターゲット片にする、
ことを含む方法。
【請求項２１】  前記第一金属がＳｅを含み、前記第二金属がＧｅを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】  前記第一金属がＳｅを含み、前記第二金属がＡｇを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】  前記第一及び第二粉末が約３２５メッシュを超えない粒度を示し、前記方法が、凝集物を分離するために前記第一及び第二粉末の少なくとも一つを１００メッシュの篩でスクリーニングすることをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】  前記熱及び圧力の適用は、約６．９×１０６〜約２８×１０６パスカル（約１０００〜約４０００ポンド／インチ２）の圧縮下で、１時間あたり約２００〜約４００℃の速度で前記第二金属のおよそ融点未満の温度まで加熱することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】  前記第二体積の前記冷却が、およそ中間的な温度を得るるために熱を除去し、前記およそ中間的な温度を約４５〜約９０分間維持し、そして約２０〜約２５℃の室温にさらに冷却することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】  前記複合ターゲット片が、理論密度の少なくとも約９７％の嵩密度を示す、請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】  請求項７の方法によって製造される物理蒸着用ターゲット。
【請求項２８】  請求項２０の方法によって製造される物理蒸着用ターゲット。
【請求項２９】  請求項２７の物理蒸着用ターゲットによって製造されるフィルム。
【請求項３０】  請求項２８の物理蒸着用ターゲットによって製造されるフィルム。
【請求項３１】  Ｓｅのマトリックスを、前記Ｓｅのマトリックス全体にわたってほぼ均質に分布した固体Ａｇ又は固体Ｇｅの少なくとも一つとは分離した固相として含む複合材料。
【請求項３２】  前記固体Ａｇ又は固体Ｇｅの少なくとも一つが金属粒子を含み、約３２５メッシュを超えない粒度を示す、請求項３１に記載の材料。
【請求項３３】  前記Ｓｅが少なくとも約９９．９９ｗｔ％のＳｅを含み、前記Ａｇ又はＧｅがそれぞれ少なくとも約９９．９９ｗｔ％のＡｇ又はＧｅを含み、前記複合材料が、前記Ｓｅのマトリックス中に前記Ａｇ又はＧｅの少なくとも一つを約２５〜約５０ｗｔ％含む、請求項３１に記載の材料。
【請求項３４】  前記複合材料が、少なくとも約５０ｖｏｌ％のマトリックスを含む、請求項３１に記載の材料。
【請求項３５】  前記複合材料が物理蒸着用ターゲット片である、請求項３１に記載の材料。
【請求項３６】  液体から固化された第一材料のマトリックスを、前記第一材料のマトリックス全体にわたってほぼ均質に分布している第二材料の粒子と分離しており且つそれを包んでいる連続相として含む、物理蒸着用ターゲット。
【請求項３７】  前記第一及び第二材料が金属を含む、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項３８】  前記第二材料の粒子が、約１００メッシュを超えない粒度を示す、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項３９】  第二材料の粒子のいかなる凝集物も約１００メッシュを超えない、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項４０】  前記第一材料がＳｅを含み、前記第二材料がＧｅを含む、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項４１】  前記第一材料がＳｅを含み、前記第二材料がＡｇを含む、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項４２】  第三の材料をさらに含む、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項４３】  前記ターゲットが少なくとも約５０ｖｏｌ％のマトリックスを含む、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項４４】  前記第一及び第二材料が、それぞれ異なる第一及び第二金属からなる、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項４５】  前記第一材料が、前記第二材料によって示される融点より少なくとも約１００℃低い融点を示す、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項４６】  前記ターゲットが、理論密度の少なくとも約９５％の嵩密度を示す、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項４７】  前記マトリックスが前記第二材料を実質的に含まない、請求項３６に記載のターゲット。
【請求項４８】  Ｓｅの連続マトリックスを含む物理蒸着用ターゲットであって、前記Ｓｅの連続マトリックスは、前記Ｓｅのマトリックス全体にわたってほぼ均質に分布した粉末を被包しており、前記粉末は、金属を基準として少なくとも約９９．９９ｗｔ％のＡｇ又はＧｅの少なくとも一つを含み、前記ターゲットは、約２５〜約５０ｗｔ％の組み合わせたＡｇ及びＧｅ含有量を有するＳｅのマトリックスを呈する、物理蒸着用ターゲット。
【請求項４９】  前記ターゲットが少なくとも約５０ｖｏｌ％のマトリックスを含む、請求項４８に記載のターゲット。
【請求項５０】  前記マトリックスが実質的にすべての前記Ｓｅを含み、前記Ａｇ又はＧｅを実質的に含まない、請求項４８に記載のターゲット。
【請求項５１】  前記ターゲットが、理論密度の少なくとも約９８％の嵩密度を示す、請求項４８に記載のターゲット。
【請求項５２】  前記粉末が、約９９．９９ｗｔ％のＧｅを含む、請求項４８に記載のターゲット。