Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回路装置及びインターポーザー
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子を有するベース基板と、
前記ベース基板上に配置され、半導体基板で形成されたものであって、前記ベース基板の端子に接続された第１の端子と、第２の端子と、前記第２の端子に接続され且つ半導体能動素子を含んだ回路部とを有するインターポーザーと、
前記インターポーザー上に配置され、前記第２の端子に接続された端子を有する半導体集積回路チップと、
を備え、
前記インターポーザーは、第１の領域と、前記インターポーザーの主面に平行な方向において前記第１の領域の内側に位置する第２の領域とを有し、前記第１の端子は第１の領域に配置され、前記第２の端子は第２の領域に配置されていることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
端子を有するベース基板と、
前記ベース基板上に配置され、半導体基板で形成されたものであって、前記ベース基板の端子に接続された第１の端子と、評価対象となる半導体集積回路基板の端子に接続可能な第２の端子と、前記半導体集積回路基板の評価を行うためのものであって前記第２の端子に接続され且つ半導体能動素子を含んだ回路部とを有するインターポーザーと、
を備え、
前記インターポーザーは、第１の領域と、前記インターポーザーの主面に平行な方向において前記第１の領域の内側に位置する第２の領域とを有し、前記第１の端子は第１の領域に配置され、前記第２の端子は第２の領域に配置されていることを特徴とする回路装置。
【請求項３】
ベース基板の端子と半導体集積回路チップ又は半導体集積回路基板の端子との接続に用いられ、半導体基板で形成されたインターポーザーであって、
前記ベース基板の端子に接続可能であり、第１の領域に配置された第１の端子と、
前記半導体集積回路チップ又は半導体集積回路基板の端子に接続可能であり、前記インターポーザーの主面に平行な方向において前記第１の領域の内側に位置する第２の領域に配置された第２の端子と、
前記第２の端子に接続され且つ半導体能動素子を含んだ回路部と、
を備えたことを特徴とするインターポーザー。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路装置及びインターポーザーに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記従来の課題に対してなされたものであり、半導体集積回路チップの負担を低減することが可能な回路装置及びインターポーザーを提供すること、並びに、半導体集積回路基板に対してロスのない正確な評価を行うことが可能な回路装置及びインターポーザーを提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る回路装置は、端子を有するベース基板と、前記ベース基板上に配置され、半導体基板で形成されたものであって、前記ベース基板の端子に接続された第１の端子と、第２の端子と、前記第２の端子に接続され且つ半導体能動素子を含んだ回路部とを有するインターポーザーと、前記インターポーザー上に配置され、前記第２の端子に接続された端子を有する半導体集積回路チップと、を備え、前記インターポーザーは、第１の領域と、前記インターポーザーの主面に平行な方向において前記第１の領域の内側に位置する第２の領域とを有し、前記第１の端子は第１の領域に配置され、前記第２の端子は第２の領域に配置されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明に係る回路装置は、端子を有するベース基板と、前記ベース基板上に配置され、半導体基板で形成されたものであって、前記ベース基板の端子に接続された第１の端子と、評価対象となる半導体集積回路基板の端子に接続可能な第２の端子と、前記半導体集積回路基板の評価を行うためのものであって前記第２の端子に接続され且つ半導体能動素子を含んだ回路部とを有するインターポーザーと、を備え、前記インターポーザーは、第１の領域と、前記インターポーザーの主面に平行な方向において前記第１の領域の内側に位置する第２の領域とを有し、前記第１の端子は第１の領域に配置され、前記第２の端子は第２の領域に配置されていることを特徴とする。
また、本発明に係るインターポーザーは、ベース基板の端子と半導体集積回路チップ又は半導体集積回路基板の端子との接続に用いられ、半導体基板で形成されたインターポーザーであって、前記ベース基板の端子に接続可能であり、第１の領域に配置された第１の端子と、前記半導体集積回路チップ又は半導体集積回路基板の端子に接続可能であり、前記インターポーザーの主面に平行な方向において前記第１の領域の内側に位置する第２の領域に配置された第２の端子と、前記第２の端子に接続され且つ半導体能動素子を含んだ回路部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられ、素子領域を区画する素子分離絶縁膜と、
前記半導体基板内の前記素子領域上に前記素子分離絶縁膜と自己整合的に設けられた第１ゲート電極と、
前記第１ゲート電極上に第１絶縁膜を介して設けられた第１部分と、前記素子分離絶縁膜上に延在し且つ前記第１部分と異なる膜厚を有する第２部分と、を有する第２ゲート電極と、
前記素子分離絶縁膜上に設けられ、前記第２ゲート電極と実質的に同じ材料により構成され、前記第２ゲート電極の前記第２部分と実質的に同じ膜厚を有し、前記素子領域上まで延在しない抵抗素子と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
半導体基板内に形成され、素子領域を区画する素子分離絶縁膜と、
この素子分離絶縁膜上に形成された導電膜からなる抵抗素子とを具備し、
前記抵抗素子下の前記半導体基板の不純物濃度は、バルクと同等かあるいはバルクの不純物濃度以下であることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
前記半導体基板は、前記抵抗素子下部周辺を囲む領域の表面に前記半導体基板と同導電型で前記半導体基板よりも高濃度の不純物領域を有することを特徴とする請求項１または２に記載の前記半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第１部分の上面と、前記第２部分の上面と、前記抵抗素子の上面と、は実質的に同じ高さに位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記抵抗素子は、前記素子分離絶縁膜上に、前記第１絶縁膜と同じ材料から構成される第２絶縁膜を介して設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記第２ゲート電極の前記第２部分と、前記抵抗素子と、は前記素子分離絶縁膜上で分断されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
第１導電型の半導体基板内に形成され、素子領域を区画する素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜上に形成された導電膜からなる抵抗素子と、
前記抵抗素子が形成されている前記素子分離絶縁膜に隣接する前記素子領域に形成された前記半導体基板と逆導電型の第２導電型の不純物領域とを具備し、
読み出し、書き込みあるいは消去時に、前記抵抗素子と前記第２導電型の不純物領域とに同極性の電圧を印加する
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項８】
前記半導体基板がｐ型のとき、前記抵抗素子と前記第２導電型の不純物領域とに正の電圧を印加し、前記半導体基板がｎ型のとき、前記抵抗素子と前記第２導電型の不純物領域とに負の電圧を印加することを特徴とする請求項７に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
半導体基板と、
前記半導体基板内に設けられ、素子領域を区画する第１素子分離絶縁膜と、
前記半導体基板内に設けられ、素子領域を区画し、前記第１素子分離絶縁膜の上面より高い部分を有する第２素子分離絶縁膜と、
前記半導体基板内の前記素子領域上に第１素子分離絶縁膜と自己整合的に設けられ、前記第１素子分離絶縁膜の上面より高い上面を有する第１ゲート電極と、
前記第１ゲート電極上に第１絶縁膜を介して設けられた第１部分と、前記第１素子分離絶縁膜上に延在し且つ前記第１部分と異なる厚さを有する第２部分と、を有する第２ゲート電極と、
前記第２素子分離絶縁膜上に設けられ、前記第２ゲート電極と同じ材料から構成され、前記素子領域上に延在しない抵抗素子と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記抵抗素子は、前記第２素子分離絶縁膜上に、前記第１絶縁膜と同じ材料膜から構成される第２絶縁膜を介して設けられることを特徴とする請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記第２ゲート電極の前記第２部分と、前記抵抗素子と、は前記第２素子分離絶縁膜上で分断されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記第２素子分離絶縁膜の一部は、前記第１素子分離絶縁膜と同じ高さを有することを特徴とする請求項９に記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2002110825.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の半導体ペレットが複数個のヘッダにそれぞれボンディングされており、前記各ヘッダの前記半導体ペレットと反対側の主面が樹脂封止体の一主面においてそれぞれ露出されている半導体装置であって、
前記複数個の半導体ペレットのうち少なくとも一個はパワートランジスタ素子が作り込まれた半導体ペレットであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数個の半導体ペレットのうち少なくとも一個は小信号を扱う半導体ペレットであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
複数個のヘッダを有し、一部のヘッダに接続されたパワートランジスタ素子を有する半導体ペレットと、他部のヘッダに接続された小信号を扱う半導体ペレットと、前記複数個のヘッダおよび前記複数個の半導体ペレットを封止する樹脂封止体とを有する半導体装置の製造方法であって、
複数のヘッダがインナリード群およびアウタリード群と共に異形板材によって一体成形されたリードフレームが準備されるリードフレーム準備工程と、
前記リードフレームの前記複数のヘッダの一部のヘッダの一主面にパワートランジスタ素子を有する半導体ペレットをボンディングし、前記複数のヘッダの他部のヘッダの一主面に小信号を扱う半導体ペレットをボンディングするペレットボンディング工程と、
前記複数のヘッダの前記一主面とは反対側の主面が露出するように、前記各半導体ペレットおよび前記複数のヘッダを封止する樹脂封止工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記リードフレーム準備工程において、隣合うヘッダ同士が連結された状態でリードフレームが成形されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タブの半導体チップ搭載領域に搭載した半導体チップと、このタブの周囲に配置され封止体外に露出して外部端子となるリードとを電気的に接続した半導体装置において、
前記タブのボンディング領域の高さが、タブの半導体チップ搭載領域の高さとは異なっており、半導体チップのパッドの高さに近付けられていて、前記タブのボンディング領域と半導体チップの接地電源用のパッドとを電気的に接続し、前記タブの底面を前記封止体の底面から露出させ、この露出しているタブの底面を半導体装置の接地電源用外部端子とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記タブのボンディング領域と半導体チップ搭載領域との間に孔或いはスリットが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
タブの半導体チップ搭載領域に搭載した半導体チップと、このタブの周囲に配置され封止体外に露出して外部端子となる複数のリードとを電気的に接続した半導体装置において、
前記複数のリードの一部は前記タブに接続一体化され、前記タブに接続一体化されたリードの裏面側は部分的にエッチングされた構造であり、
前記半導体チップの接地電源用のパッドと前記タブに接続一体化されたリードの表面側とが電気的に接続され、前記タブの底面を前記封止体の底面から露出させ、この露出しているタブの底面を半導体装置の接地電源用外部端子としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップの接地電源用のパッドに接続される部分のリードと前記タブとの間が前記の部分的にエッチングされた構造であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
タブの半導体チップ搭載領域に搭載した半導体チップと、このタブの周囲に配置され封止体外に露出して外部端子となるリードとを電気的に接続する半導体装置の製造方法において、
タブの半導体チップ搭載領域に半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップのパッドとリードとをボンディングし、前記半導体チップの接地電源用のパッドとタブのボンディング領域とをボンディングする工程と、
前記タブの底面を露出させて封止体を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
ＪＩＳ  Ｒ３２１２に規定されている耐光性試験に従って紫外線照射を行なったときに、紫外線照射前と比較して、４．０ｍｍの厚みにおいて、１０００ｎｍの波長における光透過率が０．３％以上上昇し、紫外線照射後において、日射透過率が９０．０％以上、可視光透過率が９０．５％以上、である請求項６に記載の高透過ガラス板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ところで、ソーダ石灰珪酸塩系のガラス板は、強化処理を施して、建築用ガラス，自動車用ガラス，太陽電池パネルのカバーガラス、太陽熱利用温水器用材料等に利用される。このような強化処理を施す際には、ガラス板を軟化点近く（約６００℃）まで加熱した後に急冷し、ガラス板の表面層に圧縮応力を発生させている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、非晶質シリコンを用いた太陽電池パネルのための基板ガラスおよびカバーガラスとしては５００〜６００ｎｍ付近の波長の光に対する高い透過率と、適度な日射吸収を有するものが望ましく、この場合には上記のＴ−Ｆｅ２Ｏ３量の範囲で、ＦｅＯは０．００３％より多くかつ０．００８％未満であり、ＦｅＯ比が２２％以上で４０％未満であることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
意図的にＮｉ金属を含有させたソーダ石灰珪酸塩ガラスについて、全酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３換算）含有量とＮｉＳの生成のし易さについて検討を行なった結果、図３に示す通りの結果が得られ、全酸化鉄含有量が０．２０質量％から減少するにつれてＮｉＳが生成しやすくなり、特に全酸化鉄含有量が０．０６０質量％以下ではＮｉＳの生成が急激に増大することが観察された。図３の具体的な全酸化鉄含有量およびＮｉ金属添加量と生成したＮｉＳ個数およびＮｉＳ最大径は表１に示す通りである。これは２５０ｃｍ３の坩堝での実験結果であるが、実際にタンク型溶融炉を用いたソーダ石灰珪酸塩ガラスの溶融および成形の実操業においても、ガラス中の酸化鉄含有量が０．２０質量％から減少するにつれて、ソーク処理による強化ガラス板の不良率が増大することが確かめられた。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月9日(2004.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
これらの薬剤を、表１に示した「使用時の希釈倍率」に従って水道水でさらに希釈した。なお、希釈倍率１では薬液をそのまま使用した。希釈倍率ｎは、薬液をその（ｎ−１）倍量の質量の水道水を加えて希釈したことを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）式：
【化１】
2003160408.tif 000001
（式中、Ｒは水素または置換もしくは非置換アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、フェニル、またはナフチル基であり；置換基は独立して、ハロゲン、アルコキシ、または置換もしくは非置換フェノキシである）のシクロプロペン；
ｂ）シクロプロペンが内部に封入される分子封入剤；および
ｃ）１またはそれ以上の二酸化炭素発生添加剤を含む組成物。
【請求項２】  Ｒが（Ｃ１−Ｃ８）アルキルである請求項１記載の組成物。
【請求項３】  Ｒがメチルである請求項１記載の組成物。
【請求項４】  分子封入剤が、シクロデキストリンまたはシクロデキストリン類の混合物である請求項１記載の組成物。
【請求項５】  分子封入剤がα−シクロデキストリンである請求項１記載の組成物。
【請求項６】  二酸化炭素発生添加剤が：
ａ）１またはそれ以上の酸；および
ｂ）１またはそれ以上の炭酸塩または炭酸水素塩の組み合わせである請求項１記載の組成物。
【請求項７】  さらに置換物質を含む請求項１記載の組成物。
【請求項８】  置換物質が、安息香酸、ドデシル硫酸ナトリウム、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、デシルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルトリメチルアンモニウムブロミド、またはそれらの混合物である請求項７記載の組成物。
【請求項９】  組成物が多層タブレットの形態である請求項１記載の組成物。
【請求項１０】  ａ）式：
【化２】
2003160408.tif 000002
（式中、Ｒは水素または置換もしくは非置換アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、フェニル、またはナフチル基であり；置換基は独立してハロゲン、アルコキシ、または置換あるいは非置換フェノキシである）のシクロプロペン；
ｂ）シクロプロペンが内部に封入される分子封入剤；および
ｃ）１またはそれ以上の二酸化炭素発生添加剤
を含む組成物から、シクロプロペンを放出する方法であって、該組成物を水と接触させる工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
化学式１で表される環状四糖は、ゲイル・エム・ブラッドブルク等によって『カーボハイドレート  リサーチ』、第３２９巻、６５５乃至６６５頁（２０００年）に記載されているように、グルコースが４個、α−１，３とα−１，６結合で、環状構造を形成した、即ち、サイクロ｛→６）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→３）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→６）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→３）−α−Ｄ−グルコピラノシル−（１→｝の構造を有する非還元性の糖質である（以後、本明細書においては単に「環状四糖」と記載する。）。本糖質は、例えば、本出願人が国際特許出願ＰＣＴ／ＪＰ０１／０４２７６号明細書（国際公開番号ＷＯ０１／９０３３８号）、国際特許出願ＰＣＴ／ＪＰ０１／０６４１２号明細書（国際公開番号ＷＯ０２／１０３６１号）などで示した方法に準じて、澱粉からα−イソマルトシルグルコ糖質生成酵素とα−イソマルトシル転移酵素とを利用する酵素糖化法を用いて得ることができる。また、その形状としては、シラップ、含蜜結晶粉末、含水結晶、無水結晶、非晶質固体等適宜採用できる。本発明の活性酸素消去能低減抑制剤中の環状四糖の含量は、植物性可食物等に含有せしめて、植物性可食物等が持つ活性酸素消去能の低減の抑制効果を発揮できればよく、通常、無水物換算で、約１０ｗ／ｗ％（以下、本明細書では、特に断らない限り、ｗ／ｗ％を単に％で示す。）以上、望ましくは、約２０％以上、更に望ましくは約５０％以上が好適である。また、本発明の植物性可食物及び／又は植物性抗酸化物質含有組成物に対して、環状四糖として、無水物換算で、通常約１％以上、望ましくは、約５％以上、更に好ましくは約２０％以上含有せしめるのが好適である。一般に、環状四糖が、無水物換算で約１％未満では活性酸素消去能の低減抑制作用が不充分なきらいがある。なお、本発明でいう無水物換算とは、本発明の植物性可食物及び／又は植物性抗酸化物質含有組成物において、水分を全く含有しないという理想的な乾燥状態下における固形物重量に換算することであって、例えば、通常行われる乾燥工程では除去できない水分をカール・フィッシャー法などの手法により測定し、乾燥重量からその水分量を差し引くことによって算出することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明でいう含有せしめるとは、共存させることをいい、植物由来の活性酸素消去能を有する物質に本発明の活性酸素消去能低減抑制剤若しくはその有効成分である環状四糖を含有せしめる場合には、それによって、植物由来の活性酸素消去能の低減を抑制させる効果が発揮できればよく、含有せしめる方法は特に問うものではない。望ましくは、植物性可食物及び／又は植物性抗酸化物質と環状四糖を、水性媒体存在下でできるだけ均一に接触させて含有せしめるのがよい。具体的に述べれば、例えば、植物性可食物等が、液状乃至懸濁状物のような多汁状態である場合には、これに粉末、結晶等の固状の環状四糖をできるだけ均一に混合溶解させて含有せしめるか、又はシラップ状の環状四糖をできるだけ均一に混合して含有せしめればよい。また、植物性可食物等が固状である場合には、これに適量の水性媒体を添加して液状乃至懸濁状物のような多汁状態にした後、前述のように処理して含有せしめるか、又は、適量の水性媒体によってシラップ状となった環状四糖を用意し、これに固状の植物性可食物等を分散、溶解乃至懸濁し、できるだけ均一に接触させて、植物性可食物及び／又は植物性抗酸化物質に環状四糖を含有せしめればよい。水性媒体としては、通常水が用いられ、場合によっては、海水、海洋深層水、牛乳、血清、スープなどに例示される、酸、塩基、ミネラル、糖質、アルコール、アミノ酸、蛋白質などの物質を本発明の効果を損ねない範囲内で含有する水を用いることもできる。また、植物性可食物が、生の植物組織を細断、千切り又はスライス等切断したもののような場合には、これに固状環状四糖をふりかけ、混合して溶解含有させるか又はシラップ状環状四糖溶液に浸漬する等して、該植物の組織内部にできるだけ均一に環状四糖を含有せしめればよい。植物性可食物等に環状四糖を接触含有せしめる際の温度、時間等の条件は、必要に応じて適宜選択できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の活性酸素消去能の低減を抑制した組成物は、基本的には、食品材料から構成され、毒性を懸念することなく利用でき、これを経口摂取する場合、通常、大人、一日当たり、無水物換算で、約０．１乃至１０００ｇ、望ましくは約０．２乃至５００ｇ、更に望ましくは約１乃至１００ｇの範囲で利用するのが好適である。経管、経皮、経粘膜等の他の経路による利用の場合も、経口摂取の場合の量に準じて利用すればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このジェル組成物は、ジェルの特性を損ねない範囲で、化粧料で通常使用される任意成分を含有することができるとともに、ジェル組成物を含有する皮膚外用剤や化粧料とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式 (1)で表されるチオール化合物(a1)と一分子内にメルカプト基および／またはヒドロキシ基を有し、かつ一分子内のメルカプト基とヒドロキシ基の総数が２以上の化合物(a2)を含むA成分と、一分子内に二つ以上のビニル基を有する化合物(b1)、一分子内に二つ以上のイソシアネート基および／またはイソチオシアネート基を有する化合物(b2)、並びに一分子内に一つ以上のビニル基とイソシアネート基および／またはイソチオシアネート基とを有する化合物(b3)のうち少なくとも一種を含むB成分とを用いて得られた重合体からなる光学製品。
【化１】
2003160631.tif 000001
（式中nは、1もしくは2を示す。）
【請求項２】
前記Ａ成分およびＢ成分に、さらにエピスルフィド化合物を添加した重合体を用いる請求項１記載の光学製品。
【請求項３】
プラスチックレンズである請求項1又は２に記載の光学製品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月3日(2005.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
以下のモノマー：
ａ）フッ化ビニル（ＶＦ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）、トリフルオロエチレン、ペルフルオロアルキルエチレンＣＨ2＝ＣＨ−Ｒ2f（式中、Ｒ2fはＣ1−Ｃ6ペルフルオロアルキルである）のようなＣ2−Ｃ8水素化フルオロオレフィン；
ｂ）一般式：
ＣＦＸ＝ＣＸＯＣＦ2ＯＲ  （Ｉ）
（式中、Ｒは以下：
−Ｃ2−Ｃ6直鎖または分岐状（ペル）フルオロアルキル、
−Ｃ5−Ｃ6環式（ペル）フルオロアルキル、
―１〜３の酸素原子を含むＣ2−Ｃ6直鎖または分岐状（ペル）フルオロオキシアルキルの意味を有し、ＸはＦ、Ｈである）のフルオロビニルエーテル；
ｃ）一般式：
ＲI1ＲI2Ｃ＝ＣＲI3−Ｚ−ＣＲI4＝ＣＲI5ＲI6  （ＩＡ）
（式中、ＲI1、ＲI2、ＲI3、ＲI4、ＲI5、ＲI6は同一または互いに異って、ＨまたはＣ1−Ｃ5アルキルであり、Ｚは任意に酸素原子を含有するＣ1−Ｃ18直鎖もしくは分岐状アルキレンまたはＣ4−Ｃ18シクロアルキレン基、あるいは（ペル）フルオロポリオキシアルキレン基である）を有するビスオレフィン；
ｄ）任意に、以下：
−（ペル）フルオロアルキルビニルエーテル（ＰＡＶＥ）ＣＦ2＝ＣＦＯＲ2f（式中、Ｒ2fはＣ1−Ｃ6（ペル）フルオロアルキルである）、
−（ペル）フルオロ-オキシアルキルビニルエーテルＣＦ2＝ＣＦＯＸa（式中、ＸaはＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12オキシアルキルまたは１つ以上のエーテル基を有するＣ1−Ｃ12（ペル）フルオロオキシアルキルである）、
から選択される１つ以上のフッ化オレフィンコモノマー；
ｅ）任意に、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ヘキサフルオロプロペン（ＨＦＰ）のようなＣ2−Ｃ8ペルフルオロオレフィン、および／またはクロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）；
ｆ）任意に、１つ以上のＣ2−Ｃ8非フッ化オレフィンコモノマー；
を重合して得ることができ、鎖および／または末端位がヨウ素および／または臭素からなり、前記ハロゲン原子が「硬化部位」コモノマーおよび／または重合に用いられる連鎖移動剤に由来する硬化性フルオロエラストマー。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【実施例】
本発明をさらに具体的な態様について説明するために、以下に具体例を挙げる。本発明がこれのみに限定されるものでないことはいうまでもない。また、例中の特性は下記の方法で測定した。
（１）オリゴマーの重合度及び量
１）オリゴマー成分の分離
試料５０ｍｇをクロロフォルムに溶解して約１０００ppmの溶液を調製し、島津製作所製のＨＰＬＣ  ＬＣ−６型にて、４．６ｍｍID×２５０ｍｍLのシリカ−６０のカラムによって温度４０℃、流速１．０ｍｌ／分、注入量５μｌ、移動相としてジクロロメタン／ジオキサンを用い、測定波長２４０ｎｍで紫外線吸光度計の検出器を用いて測定した。
２）ＬＣ／ＭＳによる同定
ＨＰＬＣのピークを同定するために、ＬＣ／ＭＳ測定を行った。
日本電子製ＳＸ−１０２Ａ型を用い、上記と同じ条件で測定同定した。
（２）ポリマーの固有粘度
試料２５０ｍｇをフェノール／テトラクロロエタン（１／１）の混合液２５ｍｌに溶解し、３０℃で測定した。
（３）カルボキシル基の濃度
試料０．３ｇを３０ｍｌのベンジルアルコールに加熱溶解したのち冷却し、２０ｍｌのクロロフォルムを加え、０．０１Ｎ−ＫＯＨにより滴定して測定した。
（４）ジエチレングリコールの量
試料１ｇと３０ｍｌのメタノール及び酢酸亜鉛２ｍｇを１００ｍｌのカリウス管中２００℃でメタノリシスした液を用いてクロマトグラフで測定した。
（５）エステル化率
試料の酸価を測定し、カルボキシル基の残存量を求めて、エステル化率を算出した。
（６）ポリマーの色調（カラー）
試料ポリマーを１３５℃で１時間乾燥結晶化したのち、日本電色工業製  色差計ＺＥ−２０００にて、ハンター値L、ａ、ｂを測定した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
実施例２
酸化チタンを第１のプレポリマー化反応器に添加した以外は、実施例１と同じ条件で行った。酸化チタンはクロノス社製の繊維用酸化チタンを８０℃で減圧乾燥させたものを用い、この酸化チタン３ｋｇを１２５℃に保持した溶融ビス（２−ヒドロキシエチル）テレフタレート７．０ｋｇに加え、ラボ用のジャケット付ニーダーで混練した。次に、この混練物を１μｍのジャケット付のステンレス製焼却メタルカートリッジ式フィルターで濾過し、得られたペースト状の混練物をギヤポンプによって流速４ｋｇ／時でプレポリマー化反応器に供給した。重合により得られたポリエチレンテレフタレートを分析したところ、酸化チタンの濃度は０．３２重量％であった。また、酸化チタンの分散状態を顕微鏡観察した結果は、ジメチルテレフタレートとエチレングリコールのエステル交換反応により得られるポリエチレンテレフタレート中の酸化チタンの分散状態に近く、極めて良好なものであった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給送ローラと該給送ローラに圧接される分離パッドを備え、該給送ローラと該分離パッドの間にニップを形成しシートをはさみ、シート束からシートを１枚ずつ順次分離給送するシート材搬送装置において、
前記分離パッドはシートの搬送方向に対して少なくとも２箇所に配置され、前記各分離パッドと前記シートとの摩擦係数は異なり、
前記給送ローラとシートとの摩擦係数をμ１、シート搬送方向最上流側の前記分離パッドとシートとの摩擦係数をμ２、シート搬送方向最下流側の前記分離パッドとシートとの摩擦係数をμ３、シート間の摩擦係数をμｐとすると、
μ２＞μｐ、μ１＞μ３＋μｐ
の関係になるように該シート搬送方向最上流側の分離パッドおよび該シート搬送方向最下流側の分離パッドのシートとの摩擦係数を設定することを特徴とするシート搬送装置。
【請求項２】
前記各分離パッドの前記シートとの間に形成されるニップの面積はシート搬送方向下流に向かうにしたがって小さくなることを特徴とする特許請求項１記載のシート搬送装置。
【請求項３】
前記請求項１又は請求項２に記載のシート搬送装置と、
前記シート搬送装置により給送される原稿を読み取る原稿読み取り部と、
を備えたことを特徴とする自動原稿読み取り装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、本発明では、給送ローラと該給送ローラに圧接される分離パッドを備え、該給送ローラと該分離パッドの間にニップを形成しシートをはさみ、シート束からシートを１枚ずつ順次分離給送するシート材搬送装置において、前記分離パッドはシートの搬送方向に対して少なくとも２箇所に配置され、前記各分離パッドと前記シートとの摩擦係数は異なり、前記給送ローラとシートとの摩擦係数をμ１、シート搬送方向最上流側の前記分離パッドとシートとの摩擦係数をμ２、シート搬送方向最下流側の前記分離パッドとシートとの摩擦係数をμ３、シート間の摩擦係数をμｐとすると、
μ２＞μｐ、μ１＞μ３＋μｐ
の関係になるように該シート搬送方向最上流側の分離パッドおよび該シート搬送方向最下流側の分離パッドのシートとの摩擦係数を設定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
在庫許容台数設定手段５は、繁忙期および閑散期の各月における適正な在庫数（適正在庫数）の上限および下限許容値を製品別に設定する。または、適正在庫数の割合（上限および下限許容割合値）で設定する。
なお、本システムでは、生産サイクル在庫数の１／２に相当する比率（デフォルト値）として、生産サイクル在庫数（後述する）および基準在庫数を使用し、「生産サイクル在庫数÷基準在庫数÷２」の値を、各々上限許容値割合、下限許容値割合に設定する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
在庫許容台数設定手段５は、生産・出荷計画見直しの判断基準となる適正在庫数の上限・下限許容値を設定する。上限・下限許容値は、製品の台数をそのまま設定するか、図５のように適正在庫数を基準にした割合（％、上限・下限許容割合値）で設定することもできる。例えば、適正在庫数が小さい場合には、台数をそのまま設定するとよい。
なお、本システムでは、生産サイクル在庫数の１／２に相当する比率（デフォルト値）として、「生産サイクル在庫数÷基準在庫数÷２」の値を、各々上限許容値割合、下限許容値割合に設定する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
比較例１
実施例２において用いたチタニルフタロシアニンに代えて、図−３に示されるCuKα線
によるX線回折スペクトルを有する結晶型のチタニルフタロシアニンを使用した以外は実
施例２と同様に行い比較感光体１を作製した。
得られた各感光体を感光体特性測定装置に装着し、まず暗所で表面電位を−７００Ｖにするために必要なスコロトロン帯電器のグリッド電圧（Ｖｇ）を測定した。次に表面電位を−７００Ｖに帯電させた後、７８０ｎｍの光を照射したときの半減露光量(Ｅ１／２感
度)及び残留電位（Ｖｌｍａｘ）、更に−７００Ｖに帯電して５秒間放置後の電荷保持率
（ＤＤＲ）の測定を行った。その結果を表−２に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で得られたチタニルフタロシアニンの偏光反射スペクトル。
【図２】既存オキシチタニウムフタロシアニンの偏光反射スペクトル。
【図３】結晶相IのCuKα線によるX線回折スペクトル
【図４】結晶相IIのCuKα線によるX線回折スペクトル
【図５】結晶相ＹのCuKα線によるX線回折スペクトル
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量が３０万以上であるエラストマー（Ａ）を５０〜９５質量部、融点が１１０℃以下であるエチレン共重合体（Ｂ）を５０〜５質量部（但し、エラストマー（Ａ）＋エチレン共重合体（Ｂ）を１００質量部とする）、およびフィラー（Ｃ）を（Ａ）＋（Ｂ）の合計１００質量部に対して１００〜２０００質量部含むことを特徴とする樹脂組成物。
【請求項２】
エラストマー（Ａ）がイソブチレンをモノマー単位として有するエラストマーである請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
エラストマー（Ａ）がポリイソブチレンである請求項２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
ポリイソブチレンのポリスチレン換算の重量平均分子量が１００万以上である請求項３に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
エチレン共重合体（Ｂ）が、エチレン−ビニルエステル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体およびエチレン−メタクリル酸エステル共重合体からなる群から選ばれる少なくとも一つである請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
エチレン共重合体（Ｂ）が、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体およびエチレン−メタクリル酸メチル共重合体からなる群から選ばれる少なくとも一つである請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
エチレン共重合体（Ｂ）の融点が８０℃以上１０５℃以下である請求項５または６に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
フィラー（Ｃ）が磁性粉末である請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物の成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［５］エチレン共重合体（Ｂ）が、エチレン−ビニルエステル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体およびエチレン−メタクリル酸エステル共重合体からなる群から選ばれる少なくとも一つである上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
［６］エチレン共重合体（Ｂ）が、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体およびエチレン−メタクリル酸メチル共重合体からなる群から選ばれる少なくとも一つである上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
［７］エチレン共重合体（Ｂ）の融点が８０℃以上１０５℃以下である上記［５］または［６］に記載の樹脂組成物。
［８］フィラー（Ｃ）が磁性粉末である上記［１］〜［７］のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
［９］上記［１］〜［８］のいずれか１項に記載の樹脂組成物の成形体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ポリエステル樹脂とポリカーボネート樹脂とを含んでなるポリマー系、
耐衝撃性改良剤、及び
ヒンダードアミン光安定剤とＵＶ吸収剤を含んでなる添加剤組成物
を含んでなるＵＶ安定化組成物であって、上記ヒンダードアミン光安定剤が置換ピペリジン部分又は置換ピペリジン部分オリゴマーを含むＵＶ安定化組成物。
【請求項２】  前記ヒンダードアミン光安定剤が当該組成物の全重量を基準にして０．０５重量％超１０重量％未満の量で存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】  前記ＵＶ吸収剤がヒドロキシフェニル−トリアジン、ヒドロキシフェニル−ピリミジン、ベンゾトリアゾール及びそれらの混合物のいずれかから選択される、請求項１又は請求項２記載の組成物。
【請求項４】  前記ＵＶ吸収剤が下記（ａ）〜（ｅ）のいずれかから選択される、請求項３記載の組成物。
（ａ）次式のヒドロキシフェニル−トリアジンＵＶ吸収剤
【化１】
2003160721.tif 000001
（ｂ）次式のヒドロキシフェニル−トリアジンＵＶ吸収剤
【化２】
2003160721.tif 000002
（ｃ）次式のベンゾトリアゾールＵＶ吸収剤
【化３】
2003160721.tif 000003
（ｄ）次式のベンゾトリアゾールＵＶ吸収剤
【化４】
2003160721.tif 000004
（ｅ）これらの混合物。
【請求項５】  前記ＵＶ吸収剤が０．０１重量％以上１０重量％以下の濃度で存在する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の組成物。
【請求項６】  前記ヒンダードアミン光安定剤が下記（ａ）〜（ｅ）のいずれかから選択される、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の組成物。
（ａ）次の一般式の４−ピペリジノール誘導体
【化５】
2003160721.tif 000005
（式中、Ｘは酸素であり、Ｙは水素、ヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基、又はヒドロキシル基とアミノ基で置換されたアルキル基（ただし、アルキル基の平均炭素原子数は２０以下）であり、Ｒ６及びＲ７は各々独立に水素、アルキル基、アルケニル基及びアリールアルキル基からなる群から選択され、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は各々独立に炭素原子数１〜６のアルキル基、フェニル基、アリールアルキル基、及び酸素、硫黄又は窒素原子を含む炭素原子数５又は６の芳香族複素環式基から選択され、或いはＲ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１が各々、一緒に又はそれらに結合した炭素と共にＣ５〜Ｃ１２シクロアルキル基を形成し、Ｚは水素、アシル基、オキシ基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基、或いは非置換アリールアルキル基又はアリール部分に１以上の置換基を有するアリールアルキル基である。）、
（ｂ）次式のヒンダードアミン光安定剤
【化６】
2003160721.tif 000006
（式中、ｎは平均して９超で１２未満である。）、
（ｃ）次式のヒンダードアミン光安定剤
【化７】
2003160721.tif 000007
（式中、ｎは平均して４超で７未満である。）、
（ｄ）次式のヒンダードアミン光安定剤、
【化８】
2003160721.tif 000008
（ｅ）上記ヒンダードアミン光安定剤の１種以上を含む混合物。
【請求項７】  前記ポリエステル樹脂が次式の繰返し単位を有する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の組成物。
【化９】
2003160721.tif 000009
式中、Ｒ１は炭素原子数２〜１２の脂肪族、脂環式又は芳香族基であり、Ｒ２は炭素原子数６〜２０の脂肪族、脂環式又はアリール基である。
【請求項８】  前記ポリマー系と耐衝撃性改良剤とを基準にして０．００１〜５重量％の量で触媒奪活剤をさらに含む、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の組成物。
【請求項９】  染料、顔料、特殊効果添加剤、滑剤、造核剤、難燃剤、充填剤、補強剤、熱安定剤、酸化防止剤、可塑剤、帯電防止剤、離型剤、追加の樹脂、発泡剤及びこれらの１種以上を含む組合せからなる群から選択される添加剤をさらに含んでいて、添加剤が４０重量％未満の濃度で当該組成物に存在する、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１０】  実質的に透明なＵＶ安定化組成物であって、
脂環式ポリエステル樹脂と線状ポリカーボネート樹脂とから基本的になるポリマー系、
９０重量％以上のスチレン−アクリロニトリル共重合体（ＳＡＮ）がポリブタジエンにグラフトし、残部が遊離のＳＡＮであるゴムグラフトＡＢＳ耐衝撃性改良剤、及び
下記の式のヒンダードアミン光安定剤と、別のヒンダードアミン光安定剤、ヒドロキシフェニル−トリアジン、ヒドロキシフェニル−ピリミジン、ベンゾトリアゾール及びこれらの１種以上を含む混合物からなる群から選択されるＵＶ吸収剤とを含む添加剤組成物
【化１０】
2003160721.tif 000010
（式中、ｎは平均して４超で７未満である。）
を含んでなる組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月26日(2004.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩化ビニル系樹脂１００重量部に対し、（ａ）可塑剤０〜４０重量部、（ｂ）有機酸アルカリ土類金属塩の少なくとも一種０．００１〜１０重量部、（ｃ）有機酸亜鉛塩の少なくとも一種０．００１〜１０重量部、（ｄ）下記一般式（Ｉ）で表される塩基性リン酸亜鉛の少なくとも一種０．００１〜１０重量部及び、（ｅ）下記一般式（II）で表されるハイドロタルサイト化合物の少なくとも一種０．００１〜１０重量部を配合してなる塩化ビニル系樹脂組成物。
【化１】
2003160707.tif 000001
（式中、ｘは０．１〜２０を表し、ｙは０又は正の数を表す。）
【化２】
2003160707.tif 000002
（式中、ｘ１、ｘ２及びｙ１は各々下記式で表される条件を満足する数を示し、ｍは０又は任意の正数を示す；０≦ｘ２／ｘ１＜１０、２≦ｘ１＋ｘ２＜２０、０≦ｙ１≦２）
【請求項２】
化粧板用に使用されることを特徴とする請求項１記載の塩化ビニル系樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【化３】
ｘＺｎＯ・ＺｎＨＰＯ4 ・ｙＨ2 Ｏ      （Ｉ）
（式中、ｘは０．１〜２０を表し、ｙは０又は正の数を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面活性剤、水不溶性無機化合物及び水溶性無機化合物を含有し、ＪＩＳ  Ｋ３３６２：１９９８による見掛け密度が６００ｇ／Ｌ以上であり、以下に示す方法による流動時間が１０秒以下である高見掛け密度合成洗剤組成物を、洗剤の収容部と、該収容部に連通する開口と、該開口上の蓋とを有する容器に収容し、該容器を熱収縮性薄膜により熱収縮包装した容器入り合成洗剤。
＜流動時間の測定方法＞
ＪＩＳ  Ｋ  ３３６２：１９９８による見掛け密度測定操作により１００ｍＬの試料を得る。次に見掛け密度測定操作に準じて１００ｍＬの試料を自由落下させる。この時の試料が流出するのに要する時間を流出時間とする。
【請求項２】
容器の開口を封緘紙により封じた後、蓋をして包装される請求項１記載の容器入り合成洗剤。
【請求項３】
容器が、３０質量％以上の植物繊維を含有する材質からなる請求項１又は２記載の容器入り合成洗剤。
【請求項４】
加熱収縮応力が５０ｇ／ｍｍ2以上の熱収縮性薄膜により密封包装された請求項１〜３何れか記載の容器入り合成洗剤。
【請求項５】
請求項１〜４何れか記載の容器入り合成洗剤を横転させて収容した包装体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月5日(2005.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の銅合金は、請求項１０の特徴事項に相応して特に、非鉄金属、特にアルミニウムあるいはアルミニウム合金よりなるベルト状物を最終寸法に近くに鋳造する際に高いロール圧のもとで交番熱負荷に付される双ロール鋳造装置の鋳造ロールのジャケットを製造するのに適している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
全ての合金は坩堝で溶融しそして同じ形状の線材ブロックに鋳造する。組成（重量％）を以下の表１に示す。マグネシウムの添加は溶融物の予備脱酸化に役立てそしてジルコニウムの添加は熱可塑性にプラスに作用する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
2003160534.tif 000001
［式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基又は塩素原子を表し、ｍは１〜３の整数を表す。］で表される安息香酸類と一般式（２）
2003160534.tif 000002
［式中、ｎは２〜２００の整数を表す。］で表されるポリエチレングリコールとを、触媒の存在下にエステル化反応させてポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類を製造する方法において、該触媒として錫化合物を用いることを特徴とするポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類の製造方法。
【請求項２】
錫化合物が、酸化錫、水酸化錫、粉末錫及び下記一般式（３）
2003160534.tif 000003
［式中、Ｒ２は炭素数１〜１７の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、炭素数３〜１７の直鎖状若しくは分岐状アルケニル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数７〜３０のアラルキル基、又は炭素数６〜３０の芳香族基を表す。］で表される有機酸錫化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載のポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類の製造方法。
【請求項３】
ポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類が、一般式（４）
2003160534.tif 000004
［式中、ｎは２〜２００の整数を表す。］
で表されるポリエチレングリコールジ安息香酸エステルである請求項１又は２に記載のポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類の製造方法。
【請求項４】
エチレングリコールジ安息香酸エステルの含有量が、３０００ｐｐｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載のポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法により製造されるポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類。
【請求項６】
ハーゼン色数が、１００以下である請求項１〜４のいずれかに記載のポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法より製造されるポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、本発明は、次の発明を提供するものである。
項１  一般式（１）
2003160534.tif 000005
［式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基又は塩素原子を表し、ｍは１〜３の整数を表す。］
で表される安息香酸類と一般式（２）
2003160534.tif 000006
［式中、ｎは２〜２００の整数を表す。］で表されるポリエチレングリコールとを、触媒の存在下にエステル化反応させてポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類を製造する方法において、該触媒として錫化合物を用いることを特徴とするポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
項３  ポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類が、一般式（４）
2003160534.tif 000007
［式中、ｎは２〜２００の整数を表す。］で表されるポリエチレングリコールジ安息香酸エステルである上記項１〜３のいずれかに記載のポリエチレングリコールジ安息香酸エステル類の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上記のエステル化反応の反応温度は、原料の種類や反応時の溶剤の使用の有無によって適宜選択されるが、通常、１５０〜２５０℃の範囲である。反応温度が１５０℃未満だと充分な触媒活性が得られにくく、また、２５０℃を越えると生成物が黄色を呈し、副成するエチレングリコールジ安息香酸エステルの量が多くなる傾向が見られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【実施例】以下の実施例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。得られた生成物の酸価、ケン化価、及びハーゼン色数は下記の方法に準拠して測定した。また、副成物のエチレングリコールジ安息香酸エステルは、ガスクロマトグラフィー分析にて定量した。
（１）酸価
ＪＩＳ Ｋ ００７０に準拠して測定した。  
（２）ケン化価
ＪＩＳ Ｋ ００７０に準拠して測定した。
（３）ハーゼン色数
ＪＩＳ Ｋ ４１０１に準拠して測定した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
比較例１
酸化錫に代えて、ｐ−トルエンスルホン酸４．８６ｇ（１．２８重量％／対安息香酸）を用いる以外は実施例１と同様にしてエステル化反応を行った。得られたエステルは８９０．３ｇ（収率９７．６％）であり、そのケン化価は１８８であり、酸価は０．３２、ハーゼン色数は２００であった。ガスクロマトグラフィーによる分析から主成分はポリエチレングリコールジ安息香酸エステルであり、また、副成物のエチレングリコールジ安息香酸エステルの含有量は８２３００ｐｐｍであることを確認した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応原料液の上流側と下流側が１以上の通液可能な仕切りで区分けされており、その区分けされた複数の区画のうち２以上の区画にイオン交換樹脂触媒が装填されているエステル化反応またはエステル交換反応用の反応器であって、少なくとも1つの区画に装填されたイオン交換樹脂触媒が他の区画のものよりイオン交換容量が少ないことを特徴とする反応器。
【請求項２】
イオン交換容量が少ないイオン交換樹脂触媒が反応に使用したイオン交換樹脂触媒であることを特徴とする請求項１記載のエステル化反応またはエステル交換反応用の反応器。
【請求項３】
反応原料液の上流側の区画ほどイオン交換容量が少ないイオン交換樹脂触媒が装填されていることを特徴とする請求項１または２記載のエステル化反応またはエステル交換反応用の反応器。
【請求項４】
反応器が塔型であって、反応原料液の入口が塔の最下部の区画にあり、反応液の出口が塔の最上部の区画にある請求項１〜３のいずれか記載のエステル化反応またはエステル交換反応用の反応器。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか記載のエステル化反応またはエステル交換反応用の反応器を用いることを特徴とするエステルの製造方法。