【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
青色又は紫外発光が可能な発光ダイオードによる励起によって白色発光を生じる蛍光体であって、
可視光を透過し得る基板と、
前記基板の上に形成された半導体層とを備えていることを特徴とする蛍光体。
【請求項２】
前記基板における前記半導体層が形成されている面とは反対側の面又は前記半導体層における前記基板が形成されている面とは反対側の面の上に形成された蛍光材料よりなる蛍光層をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体。
【請求項３】
前記蛍光層は、第１の蛍光層及び第２の蛍光層を少なくとも含み、
前記第１の蛍光層及び前記第２の蛍光層の各々は、前記発光ダイオードによる励起によって互いに異なる中心波長を有する発光を生じることを特徴とする請求項２に記載の蛍光体。
【請求項４】
前記半導体層は、前記発光ダイオードによる励起によって赤色発光を生じることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体。
【請求項５】
前記半導体層は、ＩｎＧａＡｌＰよりなることを特徴とする請求項４に記載の蛍光体。
【請求項６】
前記半導体層は、第１の半導体層及び第２の半導体層を少なくとも含み、
前記第１の半導体層は、前記発光ダイオードによる励起によって赤色発光を生じ、
前記第２の半導体層は、前記発光ダイオードによる励起によって緑色発光を生じることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体。
【請求項７】
前記第１の半導体層は、ＩｎＧａＡｌＰよりなり、
前記第２の半導体層は、ＺｎＭｇＳＳｅよりなることを特徴とする請求項６に記載の蛍光体。
【請求項８】
白色発光を生じる半導体発光素子であって、
青色又は紫外発光が可能な発光ダイオードチップと、
前記発光ダイオードチップからの発光が透過可能な位置に配置された可視光を透過し得る基板及び該基板上に形成された半導体層よりなる蛍光体とを備え、
前記発光ダイオードチップと前記蛍光体とは、１つのパッケージに実装されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項９】
前記蛍光体は、前記基板における前記半導体層が形成されている面とは反対側の面又は前記半導体層における前記基板が形成されている面とは反対側の面の上に形成された蛍光材料よりなる蛍光層をさらに備えていることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
白色発光を生じる半導体発光素子であって、
基板上に形成された、ＩｎＧａＡｌＮよりなる活性層を有する青色又は紫外発光が可能なダイオードと、
前記ダイオード上に形成された、前記ダイオードからの発光を透過し得る透明電極と、
前記透明電極上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成された蛍光材料よりなる蛍光層とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１１】
白色発光を生じる半導体発光素子であって、
基板上に形成された、ＩｎＧａＡｌＮよりなる活性層を有する青色又は紫外発光が可能なダイオードと、
前記ダイオード上に形成された、前記ダイオードからの発光を透過し得る透明電極と、
前記透明電極上に形成された、互いに異なる組成を有する複数の半導体層とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１２】
白色発光を生じる半導体発光素子であって、
ＩｎＧａＡｌＮよりなる活性層を有する青色又は紫外発光が可能なダイオードと、
前記ダイオード上に形成された、前記ダイオードからの発光を透過し得る透明電極と、
前記透明電極上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成された、前記ダイオード及び前記半導体層からの発光を透過し得る基板と、
前記基板上に形成された蛍光材料よりなる蛍光層とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１３】
白色発光を生じる半導体発光素子であって、
ＩｎＧａＡｌＮよりなる活性層を有する青色又は紫外発光が可能なダイオードと、
前記ダイオード上に形成された、前記ダイオードからの発光を透過し得る透明電極と、
前記透明電極上に形成された、互いに異なる組成を有する複数の半導体層と、
前記複数の半導体層の上に形成された、前記ダイオード及び前記複数の半導体層からの発光を透過し得る基板とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１４】
青色又は紫外発光が可能な発光ダイオードによる励起によって白色発光を生じる蛍光体の製造方法であって、
単結晶よりなる第１の基板の上に半導体層を形成した後に、前記半導体層における前記第１の基板が形成されている面とは反対側の面の上に可視光を透過し得る第２の基板を接着する工程と、
前記第１の基板を前記半導体層から分離する工程と、
前記第２の基板における前記半導体層が形成されている面とは反対側の面又は前記半導体層における前記第２の基板が形成されている面とは反対側の面の上に、蛍光材料よりなる蛍光層を形成する工程を備えることを特徴とする蛍光体の製造方法。
【請求項１５】
青色又は紫外発光が可能な発光ダイオードによる励起によって白色発光を生じる蛍光体の製造方法であって、
単結晶よりなる第１の基板上に複数の半導体層を形成する工程と、
前記複数の半導体層における前記第１の基板が形成されている側の面とは反対側の面の上に可視光を透過し得る第２の基板を接着する工程と、
前記第１の基板を前記複数の半導体層から分離する工程とを備えることを特徴とする蛍光体の製造方法。
【請求項１６】
前記複数の半導体層の少なくとも一層は、前記第１の基板と格子整合が可能な組成を有していることを特徴とする請求項１５に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項１７】
白色発光を生じる半導体発光素子の製造方法であって、
第１の基板上に、ＩｎＧａＡｌＮよりなる活性層を有する青色又は紫外発光が可能なダイオードを形成する工程と、
前記ダイオードにおける前記第１の基板が形成されている面とは反対側の面の上に、前記ダイオードからの発光を透過し得る透明電極を形成する工程と、
単結晶よりなる第２の基板上に半導体層を形成する工程と、
前記透明電極における前記ダイオードが形成されている面とは反対側の面と、前記半導体層における前記第２の基板が形成されている面とは反対側の面とを接着させる工程と、
前記第２の基板を前記半導体層から分離する工程と、
前記半導体層における前記透明電極が存在していている面とは反対側の面の上に、蛍光材料よりなる蛍光層を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
白色発光を生じる半導体発光素子の製造方法であって、
第１の基板上に、ＩｎＧａＡｌＮよりなる活性層を有する青色又は紫外発光が可能なダイオードを形成する工程と、
前記ダイオードにおける前記第１の基板が形成されている面とは反対側の面の上に、前記ダイオードからの発光を透過し得る透明電極を形成する工程と、
単結晶よりなる第２の基板上に複数の半導体層を形成する工程と、
前記透明電極における前記ダイオードが形成されている面とは反対側の面と、前記複数の半導体層における前記第２の基板が形成されている面とは反対側の面とを接着させる工程と、
前記第２の基板を前記複数の半導体層から分離する工程とを備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
白色発光を生じる半導体発光素子の製造方法であって、
第１の基板上に、ＩｎＧａＡｌＮよりなる活性層を有する青色又は紫外発光が可能なダイオードを形成する工程と、
前記ダイオードにおける前記第１の基板が形成されている面とは反対側の面上に、前記ダイオードからの発光を透過し得る透明電極を形成する工程と、
単結晶よりなる第２の基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層における前記第２の基板が形成されている面とは反対側の面上に、可視光を透過し得る第３の基板を接着させる工程と、
前記第２の基板を前記半導体層から分離する工程と、
前記透明電極における前記ダイオードが形成されている面とは反対側の面と、前記半導体層における前記第３の基板が形成されている面とは反対側の面とを接着させる工程と、
前記第１の基板を前記ダイオードから分離する工程とを備え、
前記第３の基板を形成する工程よりも後に、前記第３の基板における前記半導体層が形成されている面とは反対側の面の上に、蛍光材料よりなる蛍光層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】
白色発光を生じる半導体発光素子の製造方法であって、
第１の基板上に、ＩｎＧａＡｌＮよりなる活性層を有する青色又は紫外発光が可能なダイオードを形成する工程と、
前記ダイオードにおける前記第１の基板が形成されている面とは反対側の面の上に、前記ダイオードからの発光を透過し得る透明電極を形成する工程と、
単結晶よりなる第２の基板上に、複数の半導体層を形成する工程と、
前記複数の半導体層における前記第２の基板が形成されている面とは反対側の面の上に、可視光を透過し得る第３の基板を接着する工程と、
前記第２の基板を前記複数の半導体層から分離する工程と、
前記透明電極における前記ダイオードが形成されている面とは反対側の面と、前記複数の半導体層における前記第３の基板が形成されている面とは反対側の面とを接着させる工程と、
前記第１の基板を前記ダイオードから分離する工程とを備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の基板を前記ダイオードから分離する工程は、
前記第１の基板における前記ダイオードが形成されている面とは反対側の面から光を照射することにより、前記第１の基板を除去する工程を含むことを特徴とする請求項２０に記載の半導体発光素子の製造方法。