【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
本発明の第１Ｃの態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法若しくは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、工程（Ｆ）において、エッチング用マスク層を用いて、マスク層開口の下のゲート電極及び絶縁層をエッチングして、孔部の上方の絶縁層及びゲート電極に孔部の径よりも大きな径を有する開口部を形成するが、このような開口部は、絶縁層及びゲート電極のオーバーエッチングによって達成することができる。また、本発明の第１Ｄの態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法若しくは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、工程（Ｆ）において、第１のエッチング用マスク層を用いて、マスク層開口の下のゲート電極及び絶縁層をエッチングして、孔部の上方の絶縁層及びゲート電極に孔部の径よりも大きな径を有する開口部を形成するが、このような開口部は、絶縁層及びゲート電極のオーバーエッチングによって達成することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
本発明の第３Ｃの態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法若しくは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、工程（Ｇ）において、エッチング用マスク層を用いて、マスク層開口の下のゲート電極及び絶縁層をエッチングして開口部を形成するが、開口部は孔部の径よりも大きな径を有することが好ましく、このような開口部は、絶縁層及びゲート電極のオーバーエッチングによって達成することができる。また、本発明の第３Ｄの態様に係る冷陰極電界電子放出素子の製造方法若しくは冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法にあっては、工程（Ｇ）において、第１のエッチング用マスク層を用いて、マスク層開口の下のゲート電極及び絶縁層をエッチングして開口部を形成するが、開口部は孔部の径よりも大きな径を有することが好ましく、このような開口部は、絶縁層及びゲート電極のオーバーエッチングによって達成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
そして、［工程−２４０］において、電子放出部１５を得た後、有機酸金属化合物から成る金属化合物を焼成することによって、有機酸金属化合物に由来した金属原子（具体的には、Ｉｎ及びＳｎ）を含むマトリックス（具体的には、金属酸化物であり、より一層具体的にはＩＴＯ）にてカーボン・ナノチューブがカソード電極１１及び支持体１０の表面に固定された電子放出部１５を得ることができる。焼成を、大気雰囲気中で、３５０゜Ｃ、２０分の条件にて行うことができる。こうして、得られたマトリックスの体積抵抗率は、５×１０-7Ω・ｍ程度である。有機酸金属化合物を出発物質として用いることにより、焼成温度３５０゜Ｃといった低温においても、ＩＴＯから成るマトリックスを形成することができる。尚、有機酸金属化合物溶液の代わりに、有機金属化合物溶液を用いてもよいし、金属の塩化物の溶液（例えば、塩化錫、塩化インジウム）を用いた場合、焼成によって塩化錫、塩化インジウムが酸化されつつ、ＩＴＯから成るマトリックスが形成される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
［工程−３５０］
その後、エッチング用マスク層２１Ａを用いて、マスク層開口２２Ａの下のゲート電極１３Ａ及び絶縁層１２Ａをエッチングした後、エッチング用マスク層２１Ａを除去し、以て、孔部１１Ａの上方の絶縁層１２Ａ及びゲート電極１３Ａに、孔部１１Ａの径よりも大きな径を有する開口部１４を形成し、開口部１４の底部にカソード電極１１の一部を露出させる（図９の（Ｂ）参照）。尚、このような開口部１４は、絶縁層１２Ａ及びゲート電極１３Ａのオーバーエッチングによって達成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
［工程−４３０］
その後、第１のエッチング用マスク層２３Ａを用いて、マスク層開口２４Ａの下のゲート電極１３Ａ及び絶縁層１２Ａをエッチングした後、第１のエッチング用マスク層２３Ａを除去し、以て、孔部１１Ａの上方の絶縁層１２Ａ及びゲート電極１３Ａに、孔部１１Ａの径よりも大きな径を有する開口部１４を形成し、開口部１４の底部にカソード電極１１の一部を露出させる（図１１の（Ｂ）参照）。尚、このような開口部１４は、絶縁層１２Ａ及びゲート電極１３Ａのオーバーエッチングによって達成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０２】
［工程−７４０］
その後、実施の形態１の［工程−１４０］と同様にして、少なくとも開口部１４内に、感光性材料から成る電子放出部形成層２０を形成する（図１８の（Ｂ）参照）。即ち、「感光性材料から成る電子放出部形成層の形成工程」を実行する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１７】
［工程−９２０］
次いで、実施の形態３の［工程−３２０］と同様にして、絶縁層１２Ａ上に、露光光を透過する非感光性材料から成り、第１の方向とは異なる第２の方向に延びるゲート電極１３Ａを形成する。即ち、「非感光性材料から成るゲート電極の形成工程」を実行する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１９】
［工程−９４０］
次に、実施の形態３の［工程−３４０］と同様にして、孔部１１Ａを露光用マスクとして、支持体１０の裏面（第２面）側から露光光を照射して、エッチング用マスク層２１Ａを露光した後（図２３の（Ｂ）参照）、エッチング用マスク層２１Ａを現像して孔部１１Ａの上方のエッチング用マスク層２１Ａの部分にマスク層開口２２Ａを形成する（図２４の（Ａ）参照）。即ち、「エッチング用マスク層へのマスク層開口形成工程」を実行する。尚、孔部１１Ａを露光用マスクとして、支持体１０の裏面（第２面）側から露光光を照射する際、露光光を照射すべきではないエッチング用マスク層２１Ａの部分に露光光が照射されないように、支持体１０の裏面（第２面）側に露光光遮蔽材（マスク１９）を配置することが好ましい。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２０】
［工程−９５０］
その後、実施の形態３の［工程−３５０］と同様にして、エッチング用マスク層２１Ａを用いて、マスク層開口２２Ａの下のゲート電極１３Ａ及び絶縁層１２Ａをエッチングした後、エッチング用マスク層２１Ａを除去し、以て、孔部１１Ａの上方の絶縁層１２Ａ及びゲート電極１３Ａに開口部１４を形成し、開口部１４の底部に光透過層２５を露出させる（図２４の（Ｂ）参照）。尚、開口部１４は、孔部１１Ａの径よりも大きな径を有することが好ましく、このような開口部１４は、絶縁層１２Ａ及びゲート電極１３Ａのオーバーエッチングによって達成することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２３】
（実施の形態１０）
実施の形態１０は、本発明の第３Ｄの態様に係る電界放出素子の製造方法、及び、第３Ｄの態様に係る表示装置の製造方法に関し、更には、本発明の第２の態様に係る電界放出素子及び表示装置に関する。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２８】
［工程−１０３０］
その後、第１のエッチング用マスク層２３Ａを用いて、マスク層開口２４Ａの下のゲート電極１３Ａ及び絶縁層１２Ａをエッチングした後、第１のエッチング用マスク層２３Ａを除去し、以て、孔部１１Ａの上方の絶縁層１２Ａ及びゲート電極１３Ａに開口部１４を形成し、開口部１４の底部に光透過層２５の一部を露出させる（図２６の（Ｂ）参照）。尚、開口部１４は、孔部１１Ａの径よりも大きな径を有することが好ましく、このような開口部１４は、絶縁層１２Ａ及びゲート電極１３Ａのオーバーエッチングによって達成することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２９】
［工程−１０４０］
次いで、実施の形態２の［工程−２１０］あるいはその変形例と同様にして、「非感光性材料から成る電子放出部形成層の形成工程」を実行する（図２７の（Ａ）参照）。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５３】
ゲート電極を、有効領域を１枚のシート状の導電材料（開口部を有する）で被覆した形式のゲート電極とすることもできる。この場合には、かかるゲート電極に正の電圧を印加する。そして、各画素を構成するカソード電極とカソード電極制御回路との間に、例えば、ＴＦＴから成るスイッチング素子を設け、かかるスイッチング素子の作動によって、各画素を構成するカソード電極への印加状態を制御し、画素の発光状態を制御する。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、発明の実施の形態１の冷陰極電界電子放出素子を備えた冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図２】図２の（Ａ）〜（Ｃ）は、発明の実施の形態１の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部断面図である。
【図３】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２の（Ｃ）に引き続き、発明の実施の形態１の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図４】図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、図３の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態１の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図５】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、発明の実施の形態２の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態２の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図７】図７は、図６の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態２の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図８】図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、発明の実施の形態３の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、図８の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態３の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、発明の実施の形態４の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１０の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態４の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１１の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態４の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１３】図１３の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１２の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態４の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１４】図１４は、図１３の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態４の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１５】図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、発明の実施の形態５の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１６】図１６は、図１５の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態５の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１７】図１７の（Ａ）〜（Ｃ）は、発明の実施の形態７の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部断面図である。
【図１８】図１８の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１７の（Ｃ）に引き続き、発明の実施の形態７の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図１９】図１９の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１８の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態７の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２０】図２０の（Ａ）及び（Ｂ）は、発明の実施の形態８の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２１】図２１の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２０の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態８の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２２】図２２は、図２１の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態８の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２３】図２３の（Ａ）及び（Ｂ）は、発明の実施の形態９の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２４】図２４の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２３の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態９の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２５】図２５の（Ａ）及び（Ｂ）は、発明の実施の形態１０の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２６】図２６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２５の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態１０の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２７】図２７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２６の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態１０の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２８】図２８の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２７の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態１０の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図２９】図２９は、図２８の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態１０の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図３０】図３０の（Ａ）及び（Ｂ）は、発明の実施の形態１１の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図３１】図３１は、図３０の（Ｂ）に引き続き、発明の実施の形態１１の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図３２】図３２は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を備えた従来の冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図３３】図３３は、冷陰極電界電子放出表示装置のカソードパネルとアノードパネルを分解したときの模式的な部分的斜視図である。
【図３４】図３４の（Ａ）及び（Ｂ）は、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図３５】図３５の（Ａ）及び（Ｂ）は、図３４の（Ｂ）に引き続き、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。
【図３６】図３６の（Ａ）〜（Ｃ）は、平面型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。