【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２個のジョセフソン接合からなる第１のジョセフソン接合対と、前記第１のジョセフソン接合対と環状に接続され第１の超電導ループを形成する第１と第２の誘導性素子と、前記第２の誘導性素子の一部を共有し環状に接続され、第２の超電導ループを形成する２個のジョセフソン接合からなる第２のジョセフソン接合対と、前記第２のジョセフソン接合対と環状に接続された第２の超電導ループを形成する第３の誘導性素子と、前記第１と第３の誘導性素子と磁気結合された入力回路と、を具備したことを特徴する超電導量子干渉素子。
【請求項２】
前記第１と第３の各々の誘導素子が二つに分けられていることを特徴する請求項１記載の超電導量子干渉素子。
【請求項３】
前記二つに分かれている部分に直流電源かアースのいずれかを接続されていることを特徴する請求項２記載の超電導量子干渉素子。
【請求項４】
信号を入力する入力端と信号を出力する出力端とを有する誘導性素子と、前記誘導性素子の入力端と出力端に接続されたジョセフソン接合と、前記入力端と出力端に接続された直流電源と、から成る第１のジョセフソン伝送線路と、前記第１のジョセフソン伝送線路と同一の構造の第２のジョセフソン伝送線路と、前記第２のジョセフソン伝送線路の入力端と前記第１のジョセフソン伝送線路との出力端との間に接続された第１の誘導性素子と、前記第１の誘導性素子と磁気結合している第２の誘導性素子と、２個のジョセフソン接合からなるジョセフソン接合対と、前記ジョセフソン接合対と前記第２の誘導性素子とを環状に接続され第１の超電導ループと、前記第２のジョセフソン伝送線路の出力端に接続された抵抗部材と、を有することを特徴する超電導回路。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載の入力回路の信号を入力する入力端と信号を出力する出力端とのそれぞれに、第１のジョセフソン伝送線路と、前記第１のジョセフソン伝送線路と同一構造の第２のジョセフソン伝送線路とを具備したことを特徴する超電導回路。
【請求項６】
基板と、前記基板上に設けられた磁気遮蔽膜と、前記磁気遮蔽膜上に電気的に絶縁する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上部に設けられた第１の超電導薄膜と、前記第１の超電導薄膜上に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上部に設けられた第２の超電導薄膜と、前記第１の超電導薄膜と第２の超電導薄膜とを接続して形成したジョセフソン接合を有する超電導回路にあって、前記超電導回路を複数個有し前記磁気遮蔽膜が前記超電導回路単位で分離していることを特徴する超電導回路。
【請求項７】
基板と、前記基板上に設けられた磁気遮蔽膜と、前記磁気遮蔽膜上に電気的に絶縁する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上部に設けられた第１の超電導薄膜と、前記第１の超電導薄膜上に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上部に設けられた第２の超電導薄膜と、前記第１の超電導薄膜と第２の超電導薄膜とを接続して形成したジョセフソン接合を有する超電導回路と、前記超電導回路と磁気結合する二つの超電導薄膜と、を具備したことを特徴する超電導回路。
【請求項８】
前記二つの超電導薄膜は前記第１又は２の超電導薄膜の層に配置されていることを特徴する請求項７記載の超電導回路。
【請求項９】
基板と、前記基板上に設けられた磁気遮蔽膜と、前記磁気遮蔽膜上に電気的に絶縁する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上部に設けられた第１の超電導薄膜と、前記第１の超電導薄膜上に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上部に設けられた第２の超電導薄膜と、前記第１の超電導薄膜と第２の超電導薄膜とを接続して形成したジョセフソン接合を有する超電導回路と、前記超電導回路と磁気結合する二つの超電導薄膜と、前記超電導回路を複数個有し前記磁気遮蔽膜が前記超電導回路単位で分離していることを特徴する超電導回路。
【請求項１０】
前記第１、第２の超電導薄膜は酸化物超電導体で形成されていることを特徴とする請求項６から９のいずれかに記載の超電導信号増幅回路。
【請求項１１】
２個のジョセフソン接合からなる第１のジョセフソン接合対と、前記第１のジョセフソン接合対と環状に接続され第１の超電導ループを形成する第１の誘導性素子と第２の誘導性素子と、前記第１の誘導性素子を共有し環状に接続され、第２の超電導ループを形成する２個のジョセフソン接合からなる第２のジョセフソン接合対と、前記第２のジョセフソン接合対と環状に接続された第２の超電導ループを形成する第３の誘導性素子と、信号を入力する入力端と信号を出力する出力端とを有する誘導性素子と、前記誘導性素子の入力端と出力端に接続されたジョセフソン接合と、前記入力端と出力端に接続された直流電源と、から成る第１のジョセフソン伝送線路と、前記第１のジョセフソン伝送線路と同一構成の第２のジョセフソン伝送線路と、前記第１のジョセフソン伝送線路の入力端に接続され、且つ前記第２の誘導性素子と磁気結合された第４の誘導性素子と、前記第２のジョセフソン伝送線路の入力端に接続され、且つ前記第３の誘導性素子と磁気結合された第５の誘導性素子と、前記１のジョセフソン伝送線路の出力端に取り付けられた第１の終端抵抗と、前記第２のジョセフソン伝送線路との出力端に接続された第２の終端抵抗と、から成ることを特徴する超電導回路素子。
【請求項１２】
２個のジョセフソン接合からなる第１のジョセフソン接合対と、前記第１のジョセフソン接合対と環状に接続され第１の超電導ループを形成する第１の誘導性素子と第２の誘導性素子と、前記第１の誘導性素子を共有し環状に接続され、第２の超電導ループを形成する２個のジョセフソン接合からなる第２のジョセフソン接合対と、前記第２のジョセフソン接合対と環状に接続された第２の超電導ループを形成する第３の誘導性素子と、信号を入力する入力端と信号を出力する出力端とを有する誘導性素子と、前記誘導性素子の入力端と出力端に接続されたジョセフソン接合と、前記入力端と出力端に接続された直流電源と、から成る第１のジョセフソン伝送線路と、前記第１のジョセフソン伝送線路と同一構成の第２のジョセフソン伝送線路と、前記第２の誘導性素子と磁気結合された第４の誘導性素子と、前記第１のジョセフソン伝送線路の出力端に前記第４の誘導性素子を接続し、前記第３の誘導性素子と磁気結合された第５の誘導性素子と、前記第２のジョセフソン伝送線路の出力端に前記第５の誘導性素子を接続し、前記第１のジョセフソン伝送線路の入力端に接続された第６の誘導性素子と、前記第２のジョセフソン伝送線路の入力端に接続された第７の誘導性素子と、前記第６の誘導性素子の一端と前記第７の誘導性素子の一端とを接続した信号入力端を設けたことを特徴する超電導回路。
【請求項１３】
２個のジョセフソン接合からなるジョセフソン接合対と環状に接続され超電導ループを形成する超電導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ）を複数個、直列に接続したＳＱＵＩＤ列、１つの磁束量子信号から２つの磁束量子信号を発生させる分岐回路を含み、前記ＳＱＵＩＤの個数分の磁束量子信号を発生させる回路、それぞれの磁束量子信号をＳＱＵＩＤの磁場印加用制御線への制御信号として同時に入力する入力回路から構成され、磁束量子信号により前記ＳＱＵＩＤ列を電圧状態にする超電導信号増幅回路。
【請求項１４】
請求項１３記載の超電導信号増幅回路における磁束量子信号を発生させる回路が、分岐回路を複数段カスケード状に設けられるとともに、それぞれの分岐回路の出力する磁束量子信号を次段の分岐回路の入力とし、該分岐回路間が、2個以上のジョセフソン接合を超電導配線によって並列に接続して構成するジョセフソン伝送線路でもって接続され、かつ、該ＳＱＵＩＤまでの磁束量子信号の走行時間が同じになるように配置したことを特徴とする超電導信号増幅回路。
【請求項１５】
請求項１３または１４記載の超電導信号増幅回路において、前記ＳＱＵＩＤの磁場印加用制御線が、ジョセフソン伝送線路を介して終端されていることを特徴とする超電導信号増幅回路。
【請求項１６】
基板と、前記基板上に設けられた磁気遮蔽膜と、前記磁気遮蔽膜の上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上部に設けられた第１の超電導薄膜と、前記第１の超電導薄膜の上部に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上部に設けられた第２の超電導薄膜と、前記第１の超電導薄膜と第２の超電導薄膜とを接続して形成したジョセフソン接合と、少なくとも前記第１の絶縁膜もしくは前記第２の絶縁膜の一部を貫通して設けられた、前記磁気遮蔽膜と第１の超電導薄膜もしくは第２の超電導薄膜との接続点とを有した超電導回路の前記磁気遮蔽膜が前記超電導回路単位で分離していることを特徴とする超電導回路。
【請求項１７】
２個のジョセフソン接合からなる第１のジョセフソン接合対と、前記第１のジョセフソン接合対と環状に接続され第１の超電導ループを形成する第１と第２の誘導性素子と、前記第２の誘導性素子の一部を共有し環状に接続され、第２の超電導ループを形成する２個のジョセフソン接合からなる第２のジョセフソン接合対と、前記第２のジョセフソン接合対と環状に接続された第２の超電導ループを形成する第３の誘導性素子とを具備したことを特徴する超電導量子干渉素子。