【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子、および前記半導体素子に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、
前記半導体素子は、
Ｎ型又はＰ型の半導体基板に形成されたソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネルが形成される活性領域と、
前記活性領域上のゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極とを有し、
前記半導体素子上を覆って絶縁層が形成され、
前記薄膜トランジスタは前記絶縁層上に形成され、結晶性半導体薄膜でなるソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
前記半導体素子の活性領域には、前記半導体基板と同一導電型を示し、前記半導体基板よりも抵抗が低い不純物領域が１つまたは複数形成され、前記不純物領域の少なくとも１つは、前記ドレイン領域と前記活性領域との接合部にかかるように、当該不純物領域の一部分が前記ドレイン領域に侵入して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子、および前記半導体素子に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、
前記半導体素子は、
Ｎ型又はＰ型の半導体基板に形成されたソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネルが形成される活性領域と、
前記活性領域上のゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極とを有し、
前記半導体素子上を覆って絶縁層が形成され、
前記薄膜トランジスタは前記絶縁層上に形成され、結晶性半導体薄膜でなるソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
前記半導体素子は、前記半導体基板に設けられ、前記活性領域に接合するＬＤＤ領域を有し、
前記活性領域には、前記半導体基板と同一導電型を示し、前記半導体基板よりも抵抗が低い不純物領域が１つまたは複数形成され、前記不純物領域の少なくとも１つは、前記ＬＤＤ領域と前記活性領域との接合部にかかるように、当該不純物領域の一部分が前記ＬＤＤ領域に侵入して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体素子、および前記半導体素子に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、
前記半導体素子は、
Ｎ型又はＰ型の半導体基板に形成されたソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネルが形成される活性領域と、
前記活性領域上のゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極とを有し、
前記半導体素子上を覆って絶縁層が形成され、
前記薄膜トランジスタは前記絶縁層上に形成され、結晶性半導体薄膜でなるソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
前記活性領域には、前記半導体基板と同じ導電型であり、前記半導体基板よりも抵抗が低い不純物領域が１つまたは複数形成され、前記不純物領域はキャリアの移動方向にそったストライプ状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体素子、および前記半導体素子に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、
前記半導体素子は、
Ｎ型又はＰ型の半導体基板に形成されたソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネルが形成される活性領域と、
前記活性領域上のゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極とを有し、
前記半導体素子上を覆って絶縁層が形成され、
前記薄膜トランジスタは前記絶縁層上に形成され、結晶性半導体薄膜でなるソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
前記活性領域には、前記半導体基板と同じ導電型であり、前記半導体基板よりも抵抗が低い不純物領域が１つまたは複数形成され、前記不純物領域はドット状または楕円状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記不純物領域の少なくとも１つは、前記ドレイン領域と前記活性領域との接合部にかかるように、当該領域の一部が前記ドレイン領域に侵入して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３または４において、
前記半導体基板には、前記活性領域に接合するＬＤＤ領域が形成され、
前記不純物領域の少なくとも１つが、前記ＬＤＤ領域と前記活性領域との接合部にかかるように、当該領域の一部が前記ＬＤＤ領域に侵入して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体素子、および前記半導体素子に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、
前記半導体素子は、
Ｎ型又はＰ型の単結晶シリコン基板に形成されたソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネルが形成される活性領域と、
前記活性領域上のゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極とを有し、
前記半導体素子上を覆って絶縁層が形成され、
前記薄膜トランジスタは、絶縁層上に形成され、結晶性半導体薄膜でなるソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
前記活性領域には、局所的にＳｉｘＧｅ１−ｘ領域（０＜ｘ＜１）が１つまたは複数形成され、前記ＳｉｘＧｅ１−ｘ領域の少なくとも１つは、前記ドレイン領域と前記活性領域との接合部にかかるように、当該領域の一部分が前記ドレイン領域に侵入して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体素子、および前記半導体素子に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、
前記半導体素子は、
Ｎ型又はＰ型の単結晶シリコン基板に形成されたソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネルが形成される活性領域と、
前記活性領域上のゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極とを有し、
前記半導体素子上を覆って絶縁層が形成され、
前記薄膜トランジスタは、絶縁層上に形成され、結晶性半導体薄膜でなるソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
前記半導体素子は、前記半導体基板に設けられ、前記活性領域に接合するＬＤＤ領域を有し、
前記活性領域には、局所的にＳｉｘＧｅ１−ｘ領域（０＜ｘ＜１）が１つまたは複数形成され、前記ＳｉｘＧｅ１−ｘ領域の少なくとも１つは、前記ＬＤＤ領域と前記活性領域との接合部にかかるように、当該領域の一部分が前記ＬＤＤ領域に侵入して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体素子、および前記半導体素子に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、
前記半導体素子は、
Ｎ型又はＰ型の単結晶シリコン基板に形成されたソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネルが形成される活性領域と、
前記活性領域上のゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極とを有し、
前記半導体素子上を覆って絶縁層が形成され、
前記薄膜トランジスタは、絶縁層上に形成され、結晶性半導体薄膜でなるソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
前記活性領域には、局所的にＳｉｘＧｅ１−ｘ領域（０＜ｘ＜１）が１つまたは複数形成され、前記ＳｉｘＧｅ１−ｘ領域はキャリアの移動方向にそったストライプ状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
半導体素子、および前記半導体素子に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、
前記半導体素子は、
Ｎ型又はＰ型の単結晶シリコン基板に形成されたソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に設けられたチャネルが形成される活性領域と、
前記活性領域上のゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極とを有し、
前記半導体素子上を覆って絶縁層が形成され、
前記薄膜トランジスタは、絶縁層上に形成され、結晶性半導体薄膜でなるソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
前記活性領域には、局所的にＳｉｘＧｅ１−ｘ領域（０＜ｘ＜１）が１つまたは複数形成され、前記ＳｉｘＧｅ１−ｘ領域はドット状または楕円状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９または１０において、
前記ＳｉｘＧｅ１−ｘ領域の少なくとも１つは、前記ドレイン領域と前記活性領域との接合部にかかるように、当該領域の一部が前記ドレイン領域に侵入して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９または１０において、
前記単結晶シリコン基板には、前記活性領域に接合するＬＤＤ領域が形成され、
前記ＳｉｘＧｅ１−ｘ領域の少なくとも１つは、前記ＬＤＤ領域と前記活性領域との接合部にかかるように、当該領域の一部が前記ＬＤＤ領域に侵入して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項７乃至１２のいずれか１項において、前記ＳｉｘＧｅ１−ｘ領域はｘが０．０５〜０．９５の範囲の濃度でゲルマニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、前記薄膜トランジスタの結晶性半導体薄膜は珪素を主成分とし、少なくとも前記チャネル形成領域は珪素を主成分とする扁平棒状結晶の集合体でなることをを特徴とする半導体装置。