【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１個のヒドロキシルブチルスルホネート置換基を含むシクロデキストリンエーテル。
【請求項２】  少なくとも１個のヒドロキシルブチルスルホネートスルフィネート置換基を含むシクロデキストリンエーテル。
【請求項３】  少なくとも１個のヒドロキシルブチルジスルホネート置換基を含むシクロデキストリンエーテル。
【請求項４】  少なくとも１個のＲ置換基及び少なくとも１個のヒドロキシルブチルスルホネート置換基を含み、Ｒが３，４−エポキシ−１−ブテン以外のＯ−アルキル化剤から誘導されたものであるシクロデキストリンエーテル。
【請求項５】  少なくとも１個のＲ置換基及び少なくとも１個のヒドロキシブチルスルホネートスルフィネート置換基を含み、Ｒが３，４−エポキシ−１−ブテン以外のＯ−アルキル化剤から誘導されたものであるシクロデキストリンエーテル。
【請求項６】  少なくとも１個のＲ置換基及び少なくとも１個のヒドロキシブチルジスルホネート置換基を含み、Ｒが３，４−エポキシ−１−ブテン以外のＯ−アルキル化剤から誘導されたものであるシクロデキストリンエーテル。
【請求項７】  ヒドロキシブチルスルホネート、ヒドロキシブチルスルホネートスルフィネート及びヒドロキシブチルジスルホネートからなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基を含む水溶性又は水分散性シクロデキストリンエーテルホスト分子であって、そのシクロデキストリンエーテルホスト分子が、スルホン化、スルホン化かつスルフィン化又はジスルホン化される前に、０．０２〜９．０のヒドロキシブテニルの全ＤＳを有し、かつホストーゲスト錯体を形成することができるホスト分子。
【請求項８】  少なくとも１個のＲ置換基及びヒドロキシブチルスルホネート、ヒドロキシブチルスルホネートスルフィネート及びヒドロキシブチルジスルホネートから選ばれる少なくとも１個の置換基を含む水溶性又は水分散性のシクロデキストリンエーテルホスト分子であって、Ｒが３，４−エポキシ−１−ブテン以外のＯ−アルキル化剤から誘導され、そしてシクロデキストリンホスト分子が、スルホン化、スルホン化かつスルフィン化又はジスルホン化される前に、０．０２〜９．０のヒドロキシブテニルの全ＤＳを有し、かつホストーゲスト錯体を形成することができるホスト分子。
【請求項９】  ヒドロキシブチルスルホネート、ヒドロキシブチルスルホネートスルフィネート及びヒドロキシブチルジスルホネートから選ばれる少なくとも１個の置換基を含むシクロデキストリンエーテルの製造方法であって、ヒドロキシブテニルシクロデキストリンをビサルファイト源、そして任意的な過酸化水素又は次亜塩素酸ナトリウムと接触させる工程を含むシクロデキストリンエーテルの製造方法。
【請求項１０】  少なくとも１個のＲ置換基及びヒドロキシブチルスルホネート、ヒドロキシブチルスルホネートスルフィネート及びヒドロキシブチルジスルホネートから選ばれる少なくとも１個の置換基を含み、Ｒが３，４−エポキシ−１−ブテン以外のＯ−アルキル化剤から誘導されたものであり、そしてヒドロキシブテニルシクロデキストリンをビサルファイト源、そして任意的な過酸化水素又は次亜塩素酸ナトリウムと接触させる工程を含むシクロデキストリンエーテルの製造方法。
【請求項１１】  スルホン化された、スルホン化且つスルフィン化された、又はジスルホン化されたシクロデキストリンエーテルの製造方法であって、シクロデキストリンエーテルが少なくとも１個の２−ヒドロキシブテニル置換基を含み、ヒドロキシブテニルシクロデキストリンをビサルファイト源、そして任意的な過酸化水素又は次亜塩素酸ナトリウムと接触させる工程を含むシクロデキストリンエーテルの製造方法。
【請求項１２】  シクロデキストリンエーテルからの、スルホン化された、スルホン化且つスルフィン化された、又はジスルホン化されたシクロデキストリンエーテルの製造方法であって、少なくとも１個のＲ置換基及び少なくとも１個の２−ヒドロキシブテニル置換基を含み、Ｒが３，４−エポキシ−１−ブテン以外のＯ−アルキル化剤から誘導されたものであり、少なくとも１個のＲ置換基及び少なくとも１個の２−ヒドロキシブテニル置換基を含む前記シクロデキストリンエーテルをビサルファイト源及び任意的な過酸化水素又は次亜塩素酸ナトリウムと接触させる工程を含む製造方法。
【請求項１３】  水溶性又は水分散性のシクロデキストリンエーテルホスト分子及び包接された物質を含む包接錯体であって、シクロデキストリンエーテルホスト分子がヒドロキシブチルスルホネート、ヒドロキシブチルスルホネートスルフィネート及びヒドロキシブチルジスルホネートからなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基を含み、そしてシクロデキストリンエーテルホスト分子が、スルホン化、スルホン化かつスルフィン化又はジスルホン化される前に、０．０２〜９．０のヒドロキシブテニルの全ＤＳを有する包接錯体。
【請求項１４】  水溶性又は水分散性のシクロデキストリンエーテルホスト分子及び包接された物質からなる包接錯体であって、シクロデキストリンエーテルが少なくとも１個のＲ置換基及びヒドロキシブチルスルホネート、ヒドロキシブチルスルホネートスルフィネート及びヒドロキシブチルジスルホネートからなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基を含み、Ｒが３，４−エポキシ−１−ブテン以外のＯ−アルキル化剤から誘導されたものであり、そしてシクロデキストリンホスト分子が、スルホン化、スルホン化かつスルフィン化又はジスルホン化される前に、０．０２〜９．０のヒドロキシブテニルの全ＤＳを有する包接錯体。
【請求項１５】  ナトリウム  ３，４−ジヒドロキシブタン−１−スルホネートを含んでなる組成物。
【請求項１６】  ナトリウム  ３，４−ジヒドロキシブタン−１−スルホネート及び少なくとも５モル％のジナトリウム  ３，４−ジヒドロキシブタン−１−スルホネート−２−スルフィネートの混合物を含んでなる組成物。
【請求項１７】  ジナトリウム  ３，４−ジヒドロキシブタン−１，２−スルホネートを含んでなる組成物。
【請求項１８】  スルホン化された３，４−ジヒドロキシブタン、１，４−ジヒドロキシブタン及びスルホン化された３，４−エポキシ−１−ブテンのオリゴマーの混合物を含んでなる組成物。
【請求項１９】  スルホン化された、スルホン化且つスルフィン化された、又はジスルホン化された、３，４−ジヒドロキシブタンを含むモノマーであって、そのモノマーが重縮合に適しており、それによってスルホネート含有ポリエステルを提供するモノマー。
【請求項２０】  少なくとも１個のヒドロキシブチルスルホネートスルフィネート置換基又はヒドロキシブチルジスルホン化置換基を含む多糖エーテル。
【請求項２１】  少なくとも１個のヒドロキシブチルスルホネートスルフィネート置換基又はヒドロキシブチルジスルホン化置換基を含むアルキルポリグリコシドエーテル。
【請求項２２】  少なくとも１個のヒドロキシブチル置換基及び、任意的に、少なくとも１個のＲ置換基を含んでなる、スルホン化された、スルホン化且つスルフィン化された、又はジスルホン化されたシクロデキストリンエーテルの使用であって、Ｒが３，４−エポキシ−１−ブテン以外のＯ−アルキル化剤から誘導され、そしてシクロデキストリンエーテルが、分析用又は分取用クロマトグラフィーに於けるキラル識別剤として用いるのに適している使用。