Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高熱伝導性基板と蓋と高熱伝導性カバー層とを含み、
前記基板の一主面には冷媒を流通させるための冷媒用溝が形成されており、
前記蓋は前記冷媒用溝上に配置されてその冷媒用溝を封じており、
前記カバー層は前記蓋および前記基板の前記一主面を覆っており、
前記基板、前記蓋および前記カバー層のいずれもがダイヤモンドで形成されていて、それらのいずれの相互界面にも実質的にダイヤモンド以外の物質が存在していないことを特徴とする熱消散体。
【請求項２】
前記冷媒用溝の深さは５０μｍ以上であり、かつ前記基板の厚さの９０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の熱消散体。
【請求項３】
前記冷媒用溝の幅が２０μｍ以上であり、かつ１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の熱消散体。
【請求項４】
前記冷媒用溝の幅ａとそれらの冷媒用溝の間隔ｂとの比が０．０２≦（ａ／ｂ）≦５０の範囲内にあることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の熱消散体。
【請求項５】
前記冷媒用溝の内壁は、冷媒に対する濡れ性が高められるように表面処理されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかの項に記載の熱消散体。
【請求項６】
前記蓋の幅は前記冷媒用溝の幅より大きく、かつその冷媒用溝の幅より５ｍｍを超えて大きくはないことを特徴とする請求項１から５のいずれかの項に記載の熱消散体。
【請求項７】
前記蓋の上面と側面との間の角部が緩やかに面取りされていることを特徴とする請求項１から６のいずれかの項に記載の熱消散体。
【請求項８】
前記冷媒用溝の上部に前記蓋を受入れるための蓋用溝が形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれかの項に記載の熱消散体。
【請求項９】
前記冷媒用溝の上部に前記蓋を受入れるための蓋用溝が形成されており、前記蓋用溝は前記蓋の厚さに等しい深さを有していることを特徴とする請求項１から６のいずれかの項に記載の熱消散体。
【請求項１０】
高熱伝導性基板を用意する工程と、
前記基板の一主面に冷媒を流通させるための冷媒用溝を形成する工程と、
前記冷媒用溝上に蓋を配置してその冷媒用溝を封じる工程と、
前記蓋および前記基板の前記一主面上に高熱伝導性カバー層を形成する工程とを含むことを特徴とする熱消散体の製造方法。
【請求項１１】
前記高熱伝導性基板はダイヤモンド板を気相合成することによって用意されることを特徴とする請求項１０に記載の熱消散体の製造方法。
【請求項１２】
前記蓋はダイヤモンド板を気相合成することによって用意されることを特徴とする請求項１０または１１に記載の熱消散体の製造方法。
【請求項１３】
前記高熱伝導性カバー層の形成は気相合成によってダイヤモンド層を形成することによって行なわれることを特徴とする請求項１０から１２のいずれかの項に記載の熱消散体の製造方法。
【請求項１４】
前記冷媒用溝はエキシマレーザを用いて形成されることを特徴とする請求項１０から１３のいずれかの項に記載の熱消散体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の１つの態様による冷媒流路を含む熱消散体は、高熱伝導性基板と蓋と高熱伝導性カバー層とを含み、基板の一主面には冷媒を流通させるための冷媒用溝が形成されており、蓋は冷媒用溝上に配置されてその冷媒用溝を封じており、カバー層は蓋および基板の一主面を覆っており、基板、蓋およびカバー層のいずれもがダイヤモンドで形成されていて、それらのいずれの相互界面にも実質的にダイヤモンド以外の物質が存在していないことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、優れた熱消散特性を有する熱消散体を得ることができる。また、その熱消散体は実質的に全体をダイヤモンドだけで形成することが可能であり、優れた冷却基板として用いられ得るのみならず、高エネルギ光用の優れた窓材として用いることもできる。さらに、本発明による熱消散体は冷媒用溝における漏れや詰まりを生じることなく、かつ容易に製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を吸着するノズルユニット部に複数個具備したヘッド部を有し、前記ヘッド部を回転させ各停止ポジションでの作業を同時に行なえ、前記電子部品を吸着しプリント基板の所定位置に装着していく電子部品装着装置において、前記ノズルユニット部内に、吸着ノズル部を部品吸着可能な負圧回路に接続するか否かの回路切替え可能なバルブ部と、電子部品の種別を判断する制御部と、前記バルブ部の回路切替可能な複数のバルブ切替レバー部を有することを特徴とする電子部品装着装置。
【請求項２】
複数のバルブ切替レバー部において、レバー部を駆動するか否か選択するストッパー部を有することを特徴とする請求項１記載の電子部品装着装置。
【請求項３】
電子部品の種別を判断する制御部により、無段階にバルブ切替タイミングが設定可能なバルブ切替レバー部を有することを特徴とする請求項２記載の電子部品装着装置。
【請求項４】
電子部品を吸着するノズルユニット部に複数個具備したヘッド部を有し、前記ヘッド部を回転させ各停止ポジションでの作業を同時に行なえ、前記電子部品を吸着しプリント基板の所定位置に装着していく電子部品装着方法において、前記ノズルユニット部内に、吸着ノズル部を部品吸着可能な負圧回路に接続するか否かの回路切替え可能なバルブ部と、電子部品の種別を判断する制御部と、前記バルブ部の回路切替可能な複数のバルブ切替レバー部を有しており、吸着ポジション内でのバルブ切替では真空到達が不十分な重い電子部品に対しては吸着前ポジションでバルブ切替を行ない、吸着前ポジションでバルブを切替えると吸着状態が悪くなる軽い電子部品に対しては吸着ポジションでバルブ切替えを行なうことを特徴とする電子部品装着方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、電子部品を吸着するノズルユニット部に複数個具備したヘッド部を有し、前記ヘッド部を回転させ各停止ポジションでの作業を同時に行なえ、前記電子部品を吸着しプリント基板の所定位置に装着していく電子部品装着装置において、前記ノズルユニット部内に、吸着ノズル部を部品吸着可能な負圧回路に接続するか否かの回路切替え可能なバルブ部と、電子部品の種別を判断する制御部と、前記バルブ部の回路切替可能な複数のバルブ切替レバー部を有することを要旨とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の請求項３に記載の発明は、電子部品の種別を判断する制御部により、無段階にバルブ切替タイミングが設定可能なバルブ切替レバー部を有することを要旨とするものである。
本発明の請求項４に記載の発明は、電子部品を吸着するノズルユニット部に複数個具備したヘッド部を有し、前記ヘッド部を回転させ各停止ポジションでの作業を同時に行なえ、前記電子部品を吸着しプリント基板の所定位置に装着していく電子部品装着方法において、前記ノズルユニット部内に、吸着ノズル部を部品吸着可能な負圧回路に接続するか否かの回路切替え可能なバルブ部と、電子部品の種別を判断する制御部と、前記バルブ部の回路切替可能な複数のバルブ切替レバー部を有しており、吸着ポジション内でのバルブ切替では真空到達が不十分な重い電子部品に対しては吸着前ポジションでバルブ切替を行ない、吸着前ポジションでバルブを切替えると吸着状態が悪くなる軽い電子部品に対しては吸着ポジションでバルブ切替えを行なうことを要旨とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月10日(2004.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理装置であって、
第１の基板を支持する支持手段と、
前記支持手段により支持された第１の基板に第２の基板を対向させた状態で、該第２の基板に加圧する加圧手段と、
を備え、前記支持手段は、第１の基板の所定部分が第２の基板から離隔する方向に湾曲した状態及び湾曲しない状態で、該第１の基板を支持可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記加圧手段は、前記支持手段により支持された第１の基板に第２の基板を対向させた状態で、該第２の基板の裏面に加圧することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記支持手段は、第１の基板の周辺部が第２の基板から離隔する方向に湾曲した状態及び湾曲しない状態で、該第１の基板を支持可能であり、前記加圧手段は、前記支持手段により支持された第１の基板に第２の基板を対向させた状態で、該第２の基板の略中央部に加圧することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記支持手段は、前記加圧手段により第２の基板の裏面に加圧してから相応の時間が経過するまでは、第１の基板を湾曲した状態で支持し、その後、該第１の基板を湾曲しない状態で支持することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記支持手段は、前記加圧手段により第２の基板の裏面に加圧してから第１及び第２の基板の密着部が所定の領域に拡大するまでは、第１の基板を湾曲した状態で支持し、その後、該第１の基板を湾曲しない状態で支持することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記支持手段は、第１の基板と第２の基板との密着部が中心側から周辺方向に向かって段階的に拡大するように、該第１の基板の湾曲を調整するための調整手段を有することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記調整手段は、第１の基板と第２の基板との密着部が同心円状に段階的に拡大するように、該第１の基板の湾曲を調整することを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記支持手段は、第１の基板の裏面を吸着して該第１の基板を湾曲させる吸着手段を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記支持手段は、周辺部の高さが中央部の高さよりも低い支持台を有し、該支持台に第１の基板を吸着することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記支持台は、円盤状の中央部と、１又は複数の環状の周辺部とを有することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記支持台は、円盤状の中央部と、環状の周辺部とを有し、前記周辺部の吸着面は、前記中央部の吸着面に対して傾斜していることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記中央部の吸着面と前記周辺部の吸着面とに夫々第１の基板を吸着するための吸着機構を有することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記中央部及び／又は周辺部の吸着面には、第１の基板を支持するための剣山状のピン群が形成され、ピン間の空間を減圧することにより第１の基板を吸着することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記支持台のうち前記周辺部の吸着面のみに第１の基板を吸着するための吸着機構を有することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記支持手段は、第１の基板の中央部が前記支持台の中央部から離隔するようにして該第１の基板の周辺部のみを前記支持台に吸着することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記支持手段により支持された第１の基板に第２の基板を対向させて支持した後に該第２の基板の支持を解除する基板操作手段を更に備え、前記加圧手段は、前記基板操作手段による第２の基板の支持の解除に合わせて該第２の基板に加圧することを特徴とする請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記支持手段は、第１の基板を略水平に支持し、前記基板操作手段は、第２の基板を前記第１の基板の上方に略水平に支持した後に前記第２の基板の支持を解除することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶構造を有する基板上にファンデルワールス結晶体よりなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、
前記バッファ層の上にガリウムと窒素とを含む半導体結晶層を形成する半導体層形成工程とを備えていることを特徴とする半導体の製造方法。
【請求項２】
前記基板の結晶構造は立方晶であることを特徴とする請求項１に記載の半導体の製造方法。
【請求項３】
前記基板の主面の面方位は（１１１）面であることを特徴とする請求項２に記載の半導体の製造方法。
【請求項４】
前記バッファ層は、セレン化ガリウム，硫化ガリウム，セレン化インジウム，硫化インジウム，セレン化モリブデン又は硫化モリブデンよりなることを特徴とする請求項１に記載の半導体の製造方法。
【請求項５】
前記バッファ層形成工程と前記半導体層形成工程との間に、
前記バッファ層の表面に露出する原子をＶ族の原子で置換する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体の製造方法。
【請求項６】
前記Ｖ族の原子は窒素原子であることを特徴とする請求項５に記載の半導体の製造方法。
【請求項７】
前記バッファ層形成工程は、原子層制御エピタキシ法又はマイグレーション・エンハンスド・エピタキシ法を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体の製造方法。
【請求項８】
前記バッファ層形成工程において前記バッファ層を形成するためのバッファ層成長用反応容器と、前記半導体層形成工程において前記半導体層を形成するための半導体層成長用反応容器とは、互いに異なる容器であることを特徴とする請求項１に記載の半導体の製造方法。
【請求項９】
前記半導体層形成工程は、前記基板上に結晶層を成長させるための反応容器に、ガリウム源を供給する工程と窒素源を供給する工程とを含み、
前記窒素源を供給する工程は、前記反応容器にアンモニアガスを、前記半導体層の成長に必要な量で且つ前記反応容器の真空度を下げないように供給することを特徴とする請求項１に記載の半導体の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体層形成工程は、
前記バッファ層が形成された前記基板を反応容器に収納する基板収納工程と、
前記バッファ層の上にガリウムを分子線として供給するガリウム供給工程と、
前記バッファ層の上にアンモニアガスを前記反応容器に設けられた電磁弁を介して供給するアンモニアガス供給工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体の製造方法。
【請求項１１】
前記ガリウム供給工程と前記アンモニアガス供給工程との間に、時間的な間隔を設けることを特徴とする請求項１０に記載の半導体の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体層形成工程は、前記反応容器に窒素源としてプラズマ化された窒素ガスを供給する窒素ガス供給工程を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明は、立方晶の基板上に、互いに隣接する層同士が弱い分子間力（ファンデルワールス力：ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ  ｆｏｒｃｅ）で結合しているファンデルワールス結晶層を成長させ、該ファンデルワールス結晶層上にＧａＮ系半導体結晶層を成長させる構成とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る第１の半導体の製造方法は、結晶構造を有する基板上にファンデルワールス結晶体よりなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、バッファ層の上にガリウムと窒素とを含む半導体結晶層を形成する半導体層形成工程とを備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月2日(2004.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【他の実施の形態】
図１の自動転換器ＳＷ1 において、トランジスタＴＲ3 、ＴＲ4 は、フォトスイッチ素子ＰＣ2bに代えることができる（図２）。ただし、フォトスイッチ素子ＰＣ2bは、他の自動転換器ＳＷ2 の発光素子ＰＣ2aと光結合されているものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともイメージスキャナ及びプリンタを有し、ネットワークを介してコンピュータと接続可能なディジタル複合装置であって、
ディジタル複合装置本体の前記イメージスキャナ及びプリンタそれぞれの動作状況を格納する格納手段と、
ネットワークを介してコンピュータと接続するネットワーク接続手段と、
前記コンピュータからの指示によりＨＴＴＰ（Hyper Text Transfer Protocol）に従って前記格納手段で格納された前記イメージスキャナ及びプリンタそれぞれの動作状況を送信するＨＴＴＰサーバ手段とを有することを特徴とするディジタル複合装置。
【請求項２】
前記格納手段に格納されたディジタル複合装置本体の動作状況はＨＴＭＬ（Hyper Text Markup Language）形式で動的に記述されることを特徴とする請求項１記載のディジタル複合装置。
【請求項３】
前記ＨＴＴＰサーバ手段は、ＣＧＩ（Common Gateway Interface）機能を有し、前記ＣＧＩ機能により前記ディジタル複合装置本体の動作を制御することを特徴とする請求項１記載のディジタル複合装置。
【請求項４】
前記ＣＧＩ機能により動作するＣＧＩスクリプトを作成しておき、前記コンピュータの汎用ブラウザから前記ＣＧＩスクリプトを実行させる指示により、前記ディジタル複合装置本体の動作を制御することを特徴とする請求項３記載のディジタル複合装置。
【請求項５】
前記コンピュータの汎用ブラウザから前記ＣＧＩスクリプトを実行させる指示は、ＨＴＭＬ（Hyper Text Markup Language）形式のファイルに記述されていることを特徴とする請求項４記載のディジタル複合装置。
【請求項６】
前記ＨＴＴＰサーバ手段は、ＨＴＴＰサーバソフトウェアを含み、汎用プラットフォームと互換性を有するＡＰＩ（Application Programming Interface）を備えることを特徴とする請求項１記載のディジタル複合装置。
【請求項７】
少なくともイメージスキャナ及びプリンタを有し、ネットワークを介してコンピュータと接続可能なディジタル複合装置の制御方法であって、
ディジタル複合装置本体の前記イメージスキャナ及びプリンタそれぞれの動作状況を格納し、
前記コンピュータからの指示によりＨＴＴＰ（Hyper Text Transfer Protocol）に従って格納された前記イメージスキャナ及びプリンタそれぞれの動作状況を送信することを特徴とするディジタル複合装置の制御方法。
【請求項８】
ＣＧＩ（Common Gateway Interface）機能により前記ディジタル複合装置の動作状況を取得することを特徴とする請求項７記載のディジタル複合装置の制御方法。
【請求項９】
前記ＣＧＩ機能により動作するＣＧＩスクリプトを作成しておき、前記コンピュータの汎用ブラウザから前記ＣＧＩスクリプトを実行させる指示により、前記ディジタル複合装置本体の動作を制御することを特徴とする請求項８記載のディジタル複合装置の制御方法。
【請求項１０】
前記コンピュータの汎用ブラウザから前記ＣＧＩスクリプトを実行させる指示は、ＨＴＭＬ（Hyper Text Markup Language）形式のファイルに記述されていることを特徴とする請求項９記載のディジタル複合装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、少なくともイメージスキャナ及びプリンタを有し、ネットワークを介してコンピュータと接続可能なディジタル複合装置であって、ディジタル複合装置本体の前記イメージスキャナ及びプリンタそれぞれの動作状況を格納する格納手段と、ネットワークを介してコンピュータと接続するネットワーク接続手段と、前記コンピュータからの指示によりＨＴＴＰ（Hyper Text Transfer Protocol）に従って前記格納手段で格納された前記イメージスキャナ及びプリンタそれぞれの動作状況を送信するＨＴＴＰサーバ手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、少なくともイメージスキャナ及びプリンタを有し、ネットワークを介してコンピュータと接続可能なディジタル複合装置の制御方法であって、ディジタル複合装置本体の前記イメージスキャナ及びプリンタそれぞれの動作状況を格納し、前記コンピュータからの指示によりＨＴＴＰ（Hyper Text Transfer Protocol）に従って格納された前記イメージスキャナ及びプリンタそれぞれの動作状況を送信することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
本形態例において、セラミックヒータ１７は定着フィルム１６側に発熱層１７ｂを配置した例を示したが、これに限らず窒化アルミ等を用いた良熱伝導性の基板の加熱面（フィルム摺動面）と反対側の面に発熱層を設けた背面加熱型のセラミックヒータを用いても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光基板、発光ディスプレイ、及び発光基板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１電極と、発光層と、第２電極とが、この順に形成され、かつ、該発光層を仕切る土手とを有する発光基板であって、
前記土手は前記第１電極側が前記第２電極側より長い断面形状を有し、該土手で仕切られた領域には、有機ＥＬ材料を溶解した溶液をインクジェットプリンティング装置により吐出して前記発光層が形成されてなることを特徴とする発光基板。
【請求項２】
基板上に、第１電極と、発光層と、第２電極とが、この順に形成され、かつ、該発光層を仕切る土手とを有する発光基板であって、
該土手で仕切られた領域には、有機ＥＬ材料を溶解した溶液をインクジェットプリンティング装置により吐出して前記発光層が形成され、
前記土手で仕切られた領域の面積は前記第１電極側よりも前記第２電極側の方が大きいことを特徴とする発光基板。
【請求項３】
前記基板はＴＦＴ素子を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光基板。
【請求項４】
前記土手はガラス前駆体からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光基板。
【請求項５】
基板上に、第１電極と、発光層と、第２電極とが、この順に形成され、かつ、該発光層を仕切る土手とを有する発光基板の製造方法であって、
底辺が対辺より長い断面形状である土手を有する金属型を用い、樹脂型を形成する工程と、
前記基板と前記樹脂型とを接触させる工程と、
前記基板と前記樹脂型との間に形成される空間にガラス前駆体を進入させて固化し、前記基板上に透明電極側に接する辺が対辺より長くなる断面形状となるよう前記土手を形成する工程と、
前記土手で仕切られた領域に、有機ＥＬ材料を溶解した溶液をインクジェットプリンティング装置により吐出して前記発光層を形成する工程と、を備えることを特徴とする発光基板の製造方法。
【請求項６】
基板上に、第１電極と、発光層と、第２電極とが、この順に形成され、かつ、該発光層を仕切る土手とを有する発光基板からなる発光ディスプレイであって、
前記土手は前記第１電極側が前記第２電極側より長い断面形状を有し、該土手で仕切られた領域には、有機ＥＬ材料を溶解した溶液をインクジェットプリンティング装置により吐出して前記発光層が形成されてなる発光基板を備えることを特徴とする発光ディスプレイ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に、第１電極と、発光層と、第２電極とが、この順に形成され、かつ、該発光層を仕切る土手とを有する発光基板であって、
前記土手は前記第１電極側が前記第２電極側より長い断面形状を有し、該土手で仕切られた領域には、有機ＥＬ材料を溶解した溶液をインクジェットプリンティング装置により吐出して前記発光層が形成されてなることを特徴とする。また、前記土手で仕切られた領域の面積は前記第１電極側よりも前記第２電極側の方が大きいことを特徴してもよい。また、前記基板はＴＦＴ素子を備える構成であってもよく、前記土手はガラス前駆体からなる構成であってもよい。この発光基板の製造方法は、基板上に、第１電極と、発光層と、第２電極とが、この順に形成され、かつ、該発光層を仕切る土手とを有する発光基板の製造方法であって、底辺が対辺より長い断面形状である土手を有する金属型を用い、樹脂型を形成する工程と、前記基板と前記樹脂型とを接触させる工程と、前記基板と前記樹脂型との間に形成される空間にガラス前駆体を進入させて固化し、前記基板上に透明電極側に接する辺が対辺より長くなる断面形状となるよう前記土手を形成する工程と、前記土手で仕切られた領域に、有機ＥＬ材料を溶解した溶液をインクジェットプリンティング装置により吐出して前記発光層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。さらに、基板上に、第１電極と、発光層と、第２電極とが、この順に形成され、かつ、該発光層を仕切る土手とを有する発光基板からなる発光ディスプレイであって、前記土手は前記第１電極側が前記第２電極側より長い断面形状を有し、該土手で仕切られた領域には、有機ＥＬ材料を溶解した溶液をインクジェットプリンティング装置により吐出して前記発光層が形成されてなる発光基板を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月17日(2004.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電圧源と、
この交流電圧源に一次巻線が接続されその電圧を昇圧する高電圧変圧器と、
この高電圧変圧器の二次巻線に接続され昇圧された交流電圧を直流高電圧に変換する高電圧整流器と、
この高電圧整流器に接続されこの直流高電圧を平滑化するコンデンサと、
このコンデンサに接続されたＸ線管と、
からなるＸ線高電圧装置において、
前記Ｘ線管からのＸ線の放射を停止した時に、前記コンデンサーに蓄積され管電圧の波尾を生じさせる電荷のエネルギーを前記高電圧変圧器の前記二次巻線側から前記一次巻線側に前記高電圧変圧器を経由せずに回生させる波尾エネルギー回生手段を設けたことを特徴とするＸ線高電圧装置。
【請求項２】
前記波尾エネルギー回生手段は、前記Ｘ線放射の停止時、X線放射中に前記コンデンサーに蓄えられていた電荷のエネルギーにて生じる前記波尾部分を除去して管電圧を急激に降下させるとともに、前記除去した波尾部分のエネルギーを前記一次巻線側の電気エネルギー蓄積素子に回生させる手段を設けたことを特徴とする請求項１に記載のＸ線高電圧装置。
【請求項３】
前記波尾エネルギー回生手段は、前記コンデンサの両端電圧がほとんどゼロあるいはマイナスになるまで前記コンデンサーの放電を持続させるように構成されたことを特徴とする請求項１または２に記載のＸ線高電圧装置。
【請求項４】
前記波尾エネルギー回生手段は、少なくとも第二の変圧器と、スイッチと、整流器と、を有し、
前記第二の変圧器の一次巻線とスイッチとからなる直列接続体は、前記Ｘ線管のアノードとカソード間に接続され、
前記整流器は、前記第二の変圧器の二次巻線に接続され、
前記整流器の出力を前記交流電圧源若しくは他の電気エネルギー蓄積要素に接続してなる請求項１に記載のＸ線高電圧装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、  交流電圧源と、この交流電圧源に一次巻線が接続されその電圧を昇圧する高電圧変圧器と、この高電圧変圧器の二次巻線に接続され昇圧された交流電圧を直流高電圧に変換する高電圧整流器と、この高電圧整流器に接続されこの直流高電圧を平滑化するコンデンサと、このコンデンサに接続されたＸ線管と、からなるＸ線高電圧装置において、前記Ｘ線管からのＸ線の放射を停止した時に、前記コンデンサーに蓄積され管電圧の波尾を生じさせる電荷のエネルギーを前記高電圧変圧器の前記二次巻線側から前記一次巻線側に前記高電圧変圧器を経由せずに回生させる波尾エネルギー回生手段を設けたことを特徴とするＸ線高電圧装置を設けることによって達成される。
また、前記波尾エネルギー回生手段は、前記Ｘ線放射の停止時、X線放射中に前記コンデンサーに蓄えられていた電荷のエネルギーにて生じる前記波尾部分を除去して管電圧を急激に降下させるとともに、前記除去した波尾部分のエネルギーを前記一次巻線側の電気エネルギー蓄積素子に回生させるものでも良い。
前記波尾エネルギー回生手段は、前記コンデンサの両端電圧がほとんどゼロあるいはマイナスになるまで放電を持続させるように構成されたものでも良い。
このように構成することによって、Ｘ線曝射停止時に前記コンデンサに蓄積された電荷のエネルギを交流電圧源若しくは他の電気エネルギー蓄積要素に回生されるので、従来の電流制限用インピーダンスやテトロード及びこれらの冷却装置が不要となってＸ線高電圧装置の高電圧部の小型化が可能となると共に、この時の電力が有効に利用できるという利点が生じる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記回生する手段は、少なくとも第二の変圧器と、スイッチと、整流器と、を有し、前記第二の変圧器の一次巻線とスイッチとからなる直列接続体は、前記Ｘ線管のアノードとカソード間に接続され、前記整流器は、前記第二の変圧器の二次巻線に接続され、前記整流器の出力を前記交流電圧源若しくは他の電気エネルギー蓄積要素に接続してなり、この整流器の出力端子を前記コンデンサに蓄積された電荷のエネルギーを回生するための接続部に接続するものである。  このように構成することによって、比較的簡単な構成で回生手段を実現できる。
［その他］
補正の根拠は明細書中、【００１８】と【００２１】にあります。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
メモリ24は、ネットワーク32への送信に先立ちパケット・データが記憶されているデータ・バッファ24A を有する。パケット・データはコントローラ18の指令でRLP フレーム形式でデータ・バッファ24A から出力され、複数個のパラレル逆方向符号チャネルへ出される。これらのチャネルは、基本符号チャネル(FCC)40 、少なくとも最初の補助符号チャネル(SCC0)42、そして恐らく他のSCC(例えば、SCC n 44まで) となることが図に示されている。各符号チャネルは、通常の畳み込みエンコーダ、インタリーバ及び現在定められているような他の回路を有するものと仮定されている。各符号チャネル40〜44の出力は、それぞれの拡散器40A 〜44A へ送られ、そこで、そのチャネルによって伝送されたデータはネットワーク32が前もって割り当てた拡散符号( 例えば、ウォルシュ符号) を用いて拡散される。これらの拡散符号は、基本ウォルシュ符号(FWC) 及び補助ウォルシュ符号(SWC0 〜 SWCn ) として示される。長符号及び IとQ PN符号( 図示せず) のような他の拡散符号も、信号を拡散するために通常使用される。最終的結果として、利用可能なスペクトラムにわたって各並列データチャネルが拡散され、並列データチャネルを伝送する信号は次にサミングノードで結合され、コンポジット信号がキャリヤ上に位相変調され、最終送信機周波数までアップコンバートされ、それから、可変利得増幅器( 図示せず) と最終電力増幅器(PA)15によって増幅される。PA15は図1 に示す送信機14の一部を形成する。通常、方向性結合器13は、実際の送信機電力(TX 電力出力) を示すために設けられる。この増幅された信号は、直交拡散符号で拡散された並列データチャネルのすべてを含むものであるが、その後アンテナ12からネットワーク32の基地局30へ送信される。この送信信号は基地局30によって受信され、復調され、対応するウォルシュ符号(FWC、SWC0...SWCn ) や他の任意の適用可能な符号を用いてマルチフィンガー逆拡散器(multi-finger despreader) ( 例えば、レイク受信機) で逆拡散され、回復データチャネルが結合されて所望のパケット・データ・ストリームになる。このパケット・データ・ストリームを結合して、MSC34 に接続した公衆交換電話網(PSTN)になるようにすることもできる。あるいはこれを宛先デバイスにルーティングを行うための私設データネットワークや公衆データネットワークに接続することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報伝送方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化された情報にその復号に必要なヘッダ情報を付加して伝送する情報伝送方法において、
前記ヘッダ情報またはそのヘッダ情報の一部の情報の内容を復元可能にするための復元用情報をデータストリームに付加して伝送し、
受信側で前記ヘッダ情報またはその一部の情報についての誤りが検出されたとき、前記復元用情報を代用して前記データストリームを復号できるようにしたことを特徴とする情報伝送方法。
【請求項２】
前記ヘッダ情報内には、前記復元用情報を付加したことを示す指示情報がさらに付加されていることを特徴とする請求項１記載の情報伝送方法。
【請求項３】
前記符号化された情報は画像信号を圧縮符号化することにより得られた画像符号列を含み、前記復元用情報は前記画像符号化列の各画像フレームの表示時刻を表す情報を含むことを特徴とする請求項１記載の情報伝送方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は符号化された動画像／静止画像をＩＳＤＮやインターネット等の有線通信網、あるいはＰＨＳや衛星通信等の無線通信網を用いて伝送する情報伝送方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、符号化列の構造自体に誤り耐性能力を持たせることにより、伝送路誤りによってへッダ情報のような重要情報に誤りが発生しても高品位に画像信号を復号することが可能な情報伝送方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に溝が形成された半導体基板と、前記溝の内部を埋め込む埋込み部材とを有する半導体装置であって、
前記溝をその深さ方向に平行な法線を有する第１の平面で切断した場合の前記溝の断面を第１の断面とし、前記溝をその深さ方向に平行な法線を有し、かつ前記第１の平面よりも前記溝の底に近い第２の平面で切断した場合の前記溝の断面を第２の断面としたときに、
第１の断面の面積が第２の断面の面積よりも小さく、かつ第１の断面における曲率半径の最小値が第２の断面における曲率半径の最小値よりも小さいという条件を満たす第１および第２の断面が存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
表面にアスペクト比が１０以上の溝が形成された半導体基板と、前記溝の内部を埋め込む埋込み部材とを有する半導体装置であって、
前記溝の底から前記溝の開口方向に前記溝の深さの４／５の距離だけ離れた位置で、前記溝をその深さ方向に平行な法線を有する第１の平面で切断した場合の前記溝の断面を第１の断面とし、前記溝の底から前記溝の開口方向に前記溝の深さの１／５の距離だけ離れた位置で、前記溝をその深さ方向に平行な法線を有する第２の平面で切断した場合の前記溝の断面を第２の断面としたときに、
前記第２の断面の長径を前記第２の断面の短径で割った値が、前記第１の断面の長径を前記第１の断面の短径で割った値の１．１倍よりも小さいという条件を満たすことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
表面に溝が形成された半導体基板と、前記溝の内部を埋め込む埋込み部材とを有する半導体装置であって、
前記溝の深さ方向に垂直な法線を有する平面により前記溝をその中心を通るように切断した場合に、前記溝径の中心に対して左右非対称な断面形状が存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記溝は、トレンチキャパシタのトレンチ、または素子分離溝であることを特徴とする請求項１ないし請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板の表面に溝を形成する工程と、
減圧下での処理により前記溝の形状を変形させ、請求項１または請求項２に記載の条件を満たす第１および第２の断面を有する溝を形成する工程と、
前記溝の内部を埋込み部材により埋め込む工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の表面に溝を形成する工程と、
減圧下での熱処理により前記溝の形状を変形させ、請求項１または請求項２に記載の条件を満たす第１および第２の断面を有する溝を形成する工程と、
前記溝の内面に不純物を拡散させることにより、前記溝の内面に第１のキャパシタ電極としての不純物拡散層を形成する工程と、
前記溝の内部をキャパシタ絶縁膜を介して第２のキャパシタ電極により埋め込む工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ドーパントとしての不純物を含むガス雰囲気中での熱処理により、前記ガス雰囲気中の前記不純物を前記溝の内面に拡散させることにより、前記不純物拡散層を形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記減圧下の熱処理と、前記ドーパントとしての不純物を含むガス雰囲気中での熱処理とを同一の真空容器内で連続的に行うことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記減圧下の熱処理を前記半導体基板の表面が還元されるガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板の表面に第１の溝を形成する工程と、
減圧下での第１の熱処理により前記第１の溝を分離させる工程と、
前記半導体基板の表面に第２の溝を形成する工程と、
前記減圧下での第２の熱処理により、前記第１および第２の溝を請求項３に記載の条件を満たす断面形状を有する溝に変える工程と、
この溝の内部を埋込み部材により埋め込む工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記埋込み部材は、前記トレンチキャパシタを形成するためのものであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月31日(2005.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報信号を表現する圧縮入力ビットストリームのビットストリーム特性を修正するための方法であって、
圧縮出力ビットストリームのビットストリーム特性を定義する出力ビットストリーム定義を生成するステップと、
前記圧縮入力ビットストリームから、ビットストリーム・パラメータを導出するステップと、
前記圧縮入力ビットストリームを少なくとも部分的に復号して、復号ビットストリームを提供するステップと、
前記圧縮入力ビットストリームから導出された前記ビットストリーム・パラメータを用いて、前記復号ビットストリームを再符号化し、前記出力ビットストリーム定義によって定義されるビットストリーム特性を持つ圧縮出力ビットストリームを生成するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記圧縮入力ビットストリームから導出されるビットストリーム・パラメータは、大きな計算処理資源を用いて生成されるビットストリーム・パラメータである、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、前記復号ビットストリームを、前記情報信号を修正するように処理して、修正ビットストリームを生成するステップを含み、
前記復号ビットストリームに代えて、前記修正ビットストリームを、前記ビットストリーム・パラメータを用いて再符号化して、前記圧縮出力ビットストリームを生成する、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記復号ビットストリームは、前記ビットストリーム・パラメータに応じて処理される、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
情報信号を表現する圧縮入力ビットストリームを処理するための方法であって、該圧縮入力ビットストリームは、圧縮状態を有しており、
多層の符号化／復号モジュールを提供するステップと、
前記多層の符号化／復号モジュールから、符号化／復号モジュールの第１のセット、および符号化／復号モジュールの第２のセットを選択するステップと、
前記符号化／復号モジュールの第１のセットを用いて、前記圧縮入力ビットストリームの前記圧縮状態を変更し、第１の出力ビットストリームを提供するステップと、
前記第１の出力ビットストリームを、前記情報信号を修正するように処理して、修正ビットストリームを生成するステップであって、該修正ビットストリームは、前記第１の出力ビットストリームと同じ圧縮状態となるよう生成される、ステップと、
前記符号化／復号モジュールの第２のセットを用いて、前記修正ビットストリームの圧縮状態を変更し、第２の出力ビットストリームを生成するステップと、
を含む、方法。
【請求項６】
さらに、
前記符号化／復号モジュールの第１のセットについて、符号化モードおよび復号モードのいずれかを選択するステップと、
前記符号化／復号モジュールの第２のセットについて、符号化モードおよび復号モードのいずれかを選択するステップと、
を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
さらに、前記圧縮入力ビットストリームから、ビットストリーム・パラメータを導出するステップを含み、
前記修正ビットストリームの圧縮状態は、該圧縮入力ビットストリームから導出されたビットストリーム・パラメータを用いて変更される、
請求項５に記載の方法。
【請求項８】
さらに、前記圧縮入力ビットストリームから、ビットストリーム・パラメータを導出するステップを含み、
前記第１の出力のビットストリームは、該圧縮入力ビットストリームから導出されたビットストリーム・パラメータを用いて処理される、
請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の入力信号と第２の入力信号との間の位相差に応答して、一対の出力端子の一方に位相差信号を生成する位相検出器であって、
前記第１の入力信号と前記第２の入力信号とを受け取り、該２つの入力信号のうちのどちらの入力信号が他方の入力信号に対して位相が進んでいるかに従ってイネーブル信号を発生する進み／遅れ指示器と、
前記第１の入力信号と前記第２の入力信号とを受け取り、前記第１の入力信号と前記第２の入力信号との対応する振幅遷移間の遅延時間に従って出力信号を発生し、前記イネーブル信号に対して前記出力信号を遅延させる論理ブロックと、
前記出力端子と前記論理ブロックと前記進み／遅れ指示器とに結合され、前記イネーブル信号と前記出力信号とを受け取り、前記イネーブル信号によって指定された前記出力端子の一方に前記出力信号を導いて前記位相差信号を提供するゲートと、
を備えて成る位相検出器。
【請求項２】
前記出力信号が、前記第１の入力信号と前記第２の入力信号との対応する振幅遷移間の遅延時間と等しいパルス幅を有するパルスであることを特徴とする請求項１に記載の位相検出器。
【請求項３】
それぞれが２つの入力信号のうちの異なる一方を受け取る第一および第二のフリップ・フロップを前記進み／遅れ指示器が有し、前記イネーブル信号が、
前記第１の入力信号が前記第２の入力信号に対して位相が進んでいるときに第１の出力状態を有し、前記第１の入力信号が前記第２の入力信号に対し位相が遅れているときに第２の出力状態を有する、前記第１のフリップ・フロップによって提供される第１の信号と、
前記第２の入力信号が前記第１の入力信号に対し位相が進んでいるときに第１の出力状態を有し、前記第２の入力信号が前記第１の入力信号に対し位相が遅れているときに第２の出力状態を有する、前記第２のフリップ・フロップによって提供される第２の信号と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の位相検出器。
【請求項４】
前記対応する振幅遷移が、前記第１の入力信号と前記第２の入力信号の立上り縁を含み、前記第１のフリップ・フロップが、前記第１の入力信号の立上り縁によってクロックされ、前記第２のフリップ・フロップが、前記第２の入力信号の立上り縁によってクロックされることを特徴とする請求項３に記載の位相検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項２において、前記斜面６４Ｃは前記支持軸２８の軸芯Ｘに対して５０〜７０度の傾斜面とし、前記クラッチ保持面６４Ｄは前記軸芯Ｘに対して直交する平坦面若しくは約１０度の後退面とした動力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項４において、前記斜面７２Ｃは前記支持軸２８の軸芯Ｘに対して５０〜７０度の傾斜面とし、前記クラッチ保持面６４Ｄは前記軸芯Ｘに対して直交する平坦面若しくは約１０度の後退面とした動力装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記アーマチュア６１の左面にはカム体６３を固定する。カム体６３のカム面６４は、図９のように、第１支持軸２８の軸芯方向の左方に膨らむ頂部６４Ａと、切欠により形成した底部６４Ｂと、これらを繋げる斜面６４Ｃを備えた規則性のある環状凹凸面である。斜面６４Ｃは、中腹にクラッチ保持面６４Ｄを備えた２段斜面で、中腹のクラッチ保持面６４Ｄが本発明の要旨となる構成であり、後述するように、クラッチ保持面６４Ｄにより電磁コイル部６０がオフ状態でもクラッチを連結状態に維持できるようにする。図１１のように、斜面６４Ｃは第１支持軸２８の軸芯Ｘと直交する面に対して好適には約３０度（軸芯Ｘに対して好適には約６０度）の斜面であり、また、クラッチ保持面６４Ｄは軸芯Ｘに対して直交する平坦面でも良いが、好適には約１０度の後退面に形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図７において、前記第１支持軸２８の一方の端部は前記ケース２９を貫通して外方に突出させ、その突出端には歯車５１を固定し、歯車５１には回転体５２を噛合させる。回転体５２は前記ワイヤードラム３０の回転で第１支持軸２８が回転すると、これに連動して回転する。５３は動力ユニット２０の制御基板であり、制御基板５３には回転体５２の回転（及び回転方向、回転速度）を検出するセンサー５４が直接取付けられている。回転体５２の好適な実施例は、Ｓ極磁性体とＮ極磁性体を円周方向に間隔を置いて配置したもので、センサー５４は磁気を検出するホールＩＣである。センサー５４を制御基板５３に直接取付けると、ハーネスが不要になって外部からの電気のノイズに対して有利になる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図３Ａには、リフタ１８を囲繞するアウターシリンダ３０が示されている。リフタ１８
は、任意の適切なバルブ駆動機構を内部に有している。同図に示す装置においては、主カムローブ１４の両側方に、主カムローブ１４と一体的に付随カムローブ３４が設けられている。この場合には、カムシャフト１０の構造を簡略化できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
【図１】本発明による装置の構成を示す第１の全体図である。
【図１Ａ】本発明による装置の作動を示す第２の全体図である。
【図２】本発明による装置の第１の正面断面図であって、図１に対応している。
【図２Ａ】本発明による装置の第２の正面断面図であって、図１Ａに対応している。
【図３】本発明による装置の一部を示す第１の概略図であって、図１Ａに対応している。
【図３Ａ】図３に対応する第２の概略図であって、本発明による装置を構成するアウターシリンダを示している。
【図４】付随カムローブの第１の実施例を示す図である。
【図４Ａ】付随カムローブの第２の実施例を示す図である。
【図５】本発明を従来技術と対比するグラフである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ｂ
【補正方法】削除
【補正の内容】