【手続補正書】
【提出日】平成16年7月2日(2004.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線が行われるチップを有する半導体装置において、
該多層配線の少なくとも１層が、配線以外の領域に該配線と同一メタルが敷き詰められており、
最上層の配線が、該最上層の１層下の層の配線を覆う最上層間絶縁膜の表面から、該最上層間絶縁膜に開口されて、該最上層の配線と該１層下の層の配線とを接続する最上ヴィアホールの内部にかけて、該最上ヴィアホールの内部に空間を残す膜厚に堆積された配線膜をパターニングすることによって形成され、
該最上ヴィアホールの内部にのみ、該配線膜とは別の第２のメタルを形成して、該最上ヴィアホールの内部を該第２のメタルで充填したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記最上層が、該チップ上に配置される液晶の画素電極層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記少なくとも一層が該１層下の層であり、
該１層下の層の配線の少なくとも表面を、反射率の低い物質で形成したことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記反射率の低い物質がＴｉＮであることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
多層配線を有し、
該多層配線の少なくとも一層が、配線以外の領域に該配線と同一のメタルが敷き詰められており、
画素電極層である最上層の配線に、該最上層の１層下の層の配線を覆う最上層間絶縁膜の表面から、該最上層間絶縁膜に開口されて、該最上層の配線と該１層下の層の配線とを接続する最上ヴィアホールの内部にかけて、該最上ヴィアホール内部に空間を残す膜厚に堆積された配線膜をパターニングすることによって形成され、
該最上ヴィアホールの内部のみに、該配線とは別の第２のメタルを形成して、該最上ヴィアホールの内部を該第２のメタルで充填した半導体チップと、
該半導体チップ上に配設され、該半導体チップにより駆動される反射型の液晶部と、
を備えたことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明は、更に、チップと一体的に形成された反射型液晶駆動半導体装置を提供することを第３の課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【課題を解決するための手段】
本願の第１発明は、多層配線が行われるチップを有する半導体装置において、該多層配線の少なくとも１層の、配線以外の領域に該配線と同一メタルを敷き詰め、最上層の配線を、該最上層の１層下の層の配線を覆う最上層間絶縁膜の表面から、該最上層間絶縁膜に開口されて、該最上層の配線と該１層下の層の配線とを接続する最上ヴィアホールの内部にかけて、該最上ヴィアホールの内部に空間を残す膜厚に堆積された配線膜をパターニングすることによって形成し、該最上ヴィアホールの内部にのみ、該配線膜とは別の第２のメタルを形成して、該最上ヴィアホールの内部を該第２のメタルで充填することにより、前記第１の課題を解決したものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
第１発明は、又、前記少なくとも一層が該１層下の層であり、該１層下の層の配線の少なくとも表面を、反射率の低い物質で形成することにより、前記第２の課題を解決したものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本願の第２発明は、反射型液晶駆動半導体装置において、多層配線を有し、該多層配線の少なくとも一層に、配線以外の領域に該配線と同一のメタルが敷き詰められており、画素電極層である最上層の配線が、該最上層の１層下の層の配線を覆う最上層間絶縁膜の表面から、該最上層間絶縁膜に開口されて、該最上層の配線と該１層下の層の配線とを接続する最上ヴィアホールの内部にかけて、該最上ヴィアホール内部に空間を残す膜厚に堆積された配線膜をパターニングすることによって形成され、該最上ヴィアホールの内部のみに、該配線とは別の第２のメタルを形成して、該最上ヴィアホールの内部を該第２のメタルで充填した半導体チップと、該半導体チップ上に配設され、該半導体チップにより駆動される反射型の液晶部とを備えることにより、前記第３の課題を解決したものである。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
次に、第２実施形態を説明する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
次に、第３実施形態を詳細に説明する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
次に、第２発明に係る第５実施形態を詳細に説明する。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
図１６は、第５実施形態の反射型液晶駆動半導体装置の構成を示す断面図である。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
第１発明が採用されたチップ１４８以外の構成及び作用は、公知のＳｉチップベースド液晶と同じであるので、詳細な説明は省略する。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
なお、本実施形態においては、第１発明が、反射型液晶駆動半導体装置に適用されていたが、第１発明の適用対象は、これに限定されない。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
更に、第２発明によれば、チップと一体的に形成された反射型液晶駆動半導体装置を提供することができる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
第２実施形態を説明するための、ダミー配線挿入前の正規の回路パターンを示す上面図
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
第３実施形態による配線パターンの例を示す平面図
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
第４実施形態による配線パターンの例を示す平面図
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
第２発明に係る第５実施形態の反射型液晶駆動半導体装置の要部を示す部分断面図