Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月20日(2003.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
この第２の変形形態は、第１の少額カウンタＣＰＴ１の上で実行された集計を蓄積する、カード内の第２のカウンタＣＰＴ２を管理することからなる。カウンタＣＰＴ２の値が、銀行によって規定されたカード内にすでに登録されている最高限度額ＶＰ２２に達すると、カードは認証センタによる計算された証明書の検査を要求する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
手順を以下に説明する。
カードは、ＣＰＴ１から読み取った値に、取引の金額Ｍを加算する。
（テスト１３で）ＣＰＴ１＋Ｍの総額が最高限度額ＶＰ１２に達すると、カードは、所持人の秘密の暗証番号の検査を要求する（ステップ１０、１１および１２）。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
秘密の暗証番号が正しい場合、カードはＣＰＴ２から読み取った値にＣＰＴ１＋Ｍの値を加算する。
得られた新しい値が、しきい値ＶＰ２２と比較される（テスト１４）。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ＣＰＴ１＋Ｍ＋ＣＰＴ２の総額が最高限度額ＶＰ２２に達すると、カードは、証明書の検査を要求し（ステップ１５）、この証明書は、読み取り端末装置Ｌの端末の照会先である認証センタにより計算される（ステップ１６）。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
証明書が正しくない場合、カードは取引のシグネチャを引き渡さず、カウンタＣＰＴ１およびＣＰＴ２の値を変更しないままとする。
ＣＰＴ１＋Ｍ＋ＣＰＴ２の総額が最高限度額の値ＶＰ２２に達しない場合、カードはカウンタＣＰＴ１をゼロにリセットし、カウンタＣＰＴ２については、その以前の値をＣＰＴ２＋ＣＰＴ１＋Ｍと差し替えることにより更新する（ステップ１８）。次に、カードは取引のシグネチャを計算して引き渡す（ステップ７、８および９）。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
秘密の暗証番号が正しくない場合、カードＣは取引のシグネチャを引き渡さず、カウンタＣＰＴ１およびＣＰＴ２の値を変更しないままとする。
ＣＰＴ１＋Ｍの総額が最高限度額の値ＶＰ１２に達しない場合、カードは、カウンタＣＰＴ１を、その以前の値をＣＰＴ１＋Ｍの総額と差し替えることにより更新し（ステップ１９）、その後に取引のシグネチャを引き渡す（ステップ７、８および９）。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
すぐ上に説明したカードは、ポストデビット（後引き落とし）方式で使用できる。引き落とされる金額は、所持人の口座番号ごとに、例えば最大30日にわたって集計され、所持人の口座のデビット（引き落とし）は、最高限度額ＶＰ２、ＶＰ１２を超過した時、または、その口座の最後の引き落としからの金額の集計が30日に達した時に実施される。金額は以下の場所で集計できる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
・商用端末上に記憶された取引の収集(collection)後に収集サーバ上で。この場合、最高限度額ＶＰ２またはＶＰ１２を超過すると、銀行による再規定が可能な新しい最高限度額ＶＰ２、ＶＰ１２に等しい金額の認証要求が、端末を介してカード内で発動される。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
・カード自体の内部で。この場合、最高限度額ＶＰ２、ＶＰ２２を超過すると、集計および認証要求のリセットが、端末を介してカード内で発動される。この場合は、顧客にそのカード取得時に保証金を支払わせ、カードの「計画」盗難または紛失を防止する（こうして、その集計の引き落としを防止する）必要がある。この保証金は隠す、即ち、カードの年会費に含める、ことができる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
カードはまたプリデビット (前引き落とし) 方式でも使用できる。この場合、ＶＰ２値、図２の変形形態の場合はＶＰ１２値は、所持人により前払いされており、ユーザが前支払いしてある金額に依存する受領した証明書によって、その値がカード内で更新される。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
万一、ユーザが端末上に識別キーパッドがないか、または端末が通信ネットワークに接続されていないのに気づき、かつ前払いされたＶＰ２、ＶＰ１２の値を知りたい場合、ユーザは銀行の装置（自動現金預払機＜ＡＴＭ＞−バウチャ・ディスペンサまたは公衆電話）を利用した操作により、認証センタが発行した証明書を検査する動作を実行することができる。この場合の取引は架空であり、プリデビットの申し込みの場合を除いて、顧客の口座からは金額の引き落としは行われない。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2002525766.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月27日(2003.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネイティブのＷＴ１ポリペプチドの免疫原性部分あるいは１以上の置換、欠失、付加および／または挿入において異なるその改変体を含む、ポリペプチドであって、このような改変により、該改変体のＷＴ１特異的抗血清および／またはＴ細胞株もしくはクローンと反応する能力が実質的に減少しておらず、ここで該免疫原性部分は、ネイティブのＷＴ１ポリペプチド内に存在する１６以下の連続するアミノ酸残基を含む、ポリペプチド。
【請求項２】
前記免疫原性部分が、ＭＨＣクラスＩ分子に結合する、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項３】
前記免疫原性部分が、ＭＨＣクラスＩＩ分子に結合する、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項４】
請求項１に記載のポリペプチドであって、該ポリペプチドが、以下：
（ａ）表ＩＩ〜ＸＬＶＩの１以上に列挙される配列；ならびに
（ｂ）１以上の置換、欠失、付加および／または挿入において異なる該配列の改変体であって、このような改変により、該改変体の抗原特異的抗血清および／またはＴ細胞株もしくはクローンと反応する能力が実質的に減少されていない、改変体、
からなる群より選択される配列を含む、ポリペプチド。
【請求項５】
請求項１に記載のポリペプチドであって、前記免疫原性部分が、以下：
（ａ）ＣＭＴＷＮＱＭＮＬ（配列番号４９および２５８）、ＲＭＦＰＮＡＰＹＬ（配列番号１８５および２９３）；ＮＡＰＹＬＰＳＣＬ（配列番号１４４）；ＲＤＬＮＡＬＬＰＡＶＰＳＬＧＧＧＧ（配列番号１）；ＲＤＬＮＡＬＬＰＡＶＳＳＬＧＧＧＧ（配列番号１３）；ＡＬＬＰＡＶＳＳＬ（配列番号２５５）；ＡＬＬＰＡＶＰＳＬ（配列番号３４）；ＶＬＤＦＡＰＰＧＡ（配列番号２４１）；ＶＲＲＶＳＧＶＡＰＴＬＶＲＳ（配列番号１７）；ＲＩＨＴＨＧＶＦＲＧＩＱＤＶＲ（配列番号１５および１６）ならびに、
（ｂ）１以上の置換、欠失、付加および／または挿入において異なる該配列の改変体であって、このような改変により、該改変体の抗原特異的抗血清および／またはＴ細胞株もしくはクローンと反応する能力が実質的に減少されていない、改変体、
からなる群より選択されるポリペプチド配列を含む、ポリペプチド。
【請求項６】
前記免疫原性部分が、ＣＭＴＷＮＱＭＮＬ（配列番号４９および２５８）またはＲＭＦＰＮＡＰＹＬ（配列番号１８５および２９３）のポリペプチド配列を含む、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項７】
前記ポリペプチドが、ネイティブのＷＴ１ポリペプチドの４〜１６の連続するアミノ酸を含む、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項８】
前記ポリペプチドが、ネイティブのＷＴ１ポリペプチドの８〜１０の連続するアミノ酸を含む、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項９】
ネイティブのＷＴ１ポリペプチドの免疫原性部分あるいは１以上の置換、欠失、付加および／または挿入において異なるその改変体を含む、ポリペプチドであって、このような改変により、該改変体のＷＴ１特異的抗血清および／またはＴ細胞株もしくはクローンと反応する能力が実質的に減少しておらず、ここで該免疫原性部分は、配列番号２に記載されるアミノ酸残基を含む、ポリペプチド。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリペプチドを、薬学的に受容可能なキャリアまたは賦形剤と組み合わせて含む、薬学的組成物。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリペプチドを、非特異的免疫応答エンハンサーと組み合わせて含む、ベクター。
【請求項１２】
以下を含む、薬学的組成物：
（ａ）ＷＴ１ポリペプチドであって、該ポリペプチドは、ネイティブのＷＴ１の免疫原性部分あるいは１以上の置換、欠失、付加および／または挿入において異なるその改変体を含み、このような改変により、該改変体の抗原特異的Ｔ細胞株もしくはクローンと反応する能力が実質的に減少していない、ＷＴ１ポリペプチド；ならびに
（ｂ）薬学的に受容可能なキャリアまたは賦形剤。
【請求項１３】
以下を含む、ベクター：
（ａ）ＷＴ１ポリペプチドであって、該ポリペプチドは、ネイティブのＷＴ１の免疫原性部分あるいは１以上の置換、欠失、付加および／または挿入において異なるその改変体を含み、このような改変により、該改変体の抗原特異的Ｔ細胞株もしくはクローンと反応する能力が実質的に減少していない、ＷＴ１ポリペプチド；ならびに
（ｂ）患者におけるＴ細胞応答を優先的に増強する非特異的免疫応答エンハンサー。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリペプチドをコードする、ポリヌクレオチド。
【請求項１５】
請求項１４に記載のポリヌクレオチドを、薬学的に受容可能なキャリアまたは賦形剤と組み合わせて含む、薬学的組成物。
【請求項１６】
請求項１４に記載のポリヌクレオチドを、非特異的免疫応答エンハンサーと組み合わせて含む、ワクチン。
【請求項１７】
前記免疫応答エンハンサーがアジュバントである、請求項１１、１３および１６のいずれか１項に記載のワクチン。
【請求項１８】
請求項１１、１３および１６のいずれか１項に記載のワクチンであって、前記非特異的免疫応答エンハンサーが、Ｍｏｎｔａｎｉｄｅ  ＩＳＡ５０、Ｓｅｐｐｉｃ  ＭＯＮＴＡＮＩＤＥ  ＩＳＡ  ７２０、サイトカイン（例えば、ＧＭ−ＣＳＦ、Ｆｌａｔ３−リガンド）、ミクロスフェア、ジメチルジオクタデシルアンモニウムブロミド（ＤＤＡ）ベースのアジュバント、ＡＳ−１、ＡＳ−２、Ｒｉｂｉ  Ａｄｊｕｖａｎｔシステムベースのアジュバント、ＱＳ２１、サポニンベースのアジュバント、マイクロフルイダイズされた形態のＳｙｎｔｅｘアジュバント、ＭＶ、ｄｄＭＶ、免疫刺激複合体（ｉｓｃｏｍ）ベースのアジュバント、および不活性化毒素からなる群より選択される、ワクチン。
【請求項１９】
前記免疫応答エンハンサーが、患者におけるＴ細胞応答を優先的に増強する、請求項１１および１６のいずれか１項に記載のワクチン。
【請求項２０】
活性な治療用物質として使用するための、請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリペプチド。
【請求項２１】
患者において免疫応答を増強または誘導するための医薬の製造における使用のための、請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリペプチド。
【請求項２２】
被験体において癌を処置するための医薬の製造における使用のための、請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリペプチド。
【請求項２３】
患者において白血病を処置するための医薬の製造における使用のための、請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリペプチド。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月29日(2004.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  室温で炭化珪素基板（１２）の表面に選択ドーパント材料を注入し、それにより漸増濃度のドーパント材料を有する該炭化珪素基板上に層（１６）を形成する工程；
該注入された炭化珪素基板を最初にアニールする工程；
該注入された表面の反対側の該炭化珪素表面上でＳｉＣ（１４）の解離温度未満で解離するＳｉＣ以外の化合物の少なくとも１つのエピタキシャル層を成長させる工程；
該炭化珪素基板（１２）の注入された表面上で金属の層（１８）を堆積する工程；
該エピタキシャル層（１４）を形成する該化合物の有意な劣化が起こると考えられる温度未満で、しかし該注入された炭化珪素（１２，１６）と堆積された金属との間にオーミックコンタクトを形成するのに十分に高い温度で、該金属（１８）と該注入された炭化珪素基板（１２，１６）とを再度アニールする工程
を含む、半導体デバイスのために炭化珪素（１２）にオーミックコンタクトを形成する方法。
【請求項２】  該炭化珪素基板（１２）上の該エピタキシャル層（１４）を成長させる工程を、該注入された炭化珪素基板（１２）の第一アニール工程の先に行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  該炭化珪素基板（１２）上の該エピタキシャル層（１４）を成長させる工程を、該注入された炭化珪素基板（１２）の第一アニール工程の後に行う、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  該選択ドーパント材料を、窒素、アルミニウム、砒素、燐、硼素及びガリウムから成る群より選択する請求項１記載の方法。  
【請求項５】  該注入された炭化珪素基板（１２，１６）の該第一アニール工程を、１０００℃ 〜 １３００℃を超える温度で行う請求項１記載の方法。
【請求項６】  該金属（１８）を、ニッケル、パラジウム、白金、アルミニウム及びチタンから成る群より選択する請求項１記載の方法。
【請求項７】  該炭化珪素基板（１２）と該堆積された金属（１８）をアニールする工程を８５０℃未満で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  第一表面及び第二表面及び第一導電型を有する半導体基板（１２）；
該半導体基板（１２）の該第一表面上にある少なくとも１つのエピタキシャル層（１４）であって、該半導体基板の解離温度未満の解離温度をもつ材料から形成される該エピタキシャル層；
該半導体基板（１２）にあって、該半導体材料の該第二表面から該第一表面の方へと延びている漸増キャリヤー濃度帯（１６）；及び
該金属と該漸増キャリヤー濃度帯（１６）との界面（２０）においてオーミックコンタクトを形成する、該半導体基板（１２）の該第二表面上に堆積された金属層（１８）
を含む半導体デバイス（１０）。
【請求項９】  該半導体基板（１２）が、炭化珪素である請求項８記載の半導体デバイス。
【請求項１０】  該注入されたドーパント材料を、窒素、アルミニウム、砒素、燐、硼素及びガリウムから成る群より選択する請求項８記載の半導体デバイス。
【請求項１１】  該炭化珪素における該初期キャリヤー濃度が、１ x １０１５cm-3 〜１ x １０１９cm-3である請求項９記載の半導体デバイス。
【請求項１２】  該漸増キャリヤー濃度帯（１６）における該キャリヤー濃度が、１ x １０１８cm-3 〜１ x １０２０cm-3であり、該炭化珪素における該初期キャリヤー濃度に比べて高い請求項１１記載の半導体デバイス。
【請求項１３】  該エピタキシャル層（１４）を、窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムガリウム；及び珪素、ガリウム、アルミニウム及びインジウムの酸化物から成る群より選択する請求項８記載の半導体デバイス。
【請求項１４】  該金属（１８）を、ニッケル、パラジウム、白金、アルミニウム及びチタンから成る群より選択する請求項９記載の半導体デバイス。
【請求項１５】  第一表面と第二表面と初期導電型を付与するドーパントの初期濃度とを有する炭化珪素基板（１２）；
該炭化珪素基板（１２）の該第一表面上にある少なくとも１つのエピタキシャル層（１４）；
該炭化珪素基板（１２）にあって、該炭化珪素基板（１２）の該第二表面から該第一表面の方へと延びている漸増キャリヤー濃度帯（１６）、該ドーパント材料帯（１６）は該第二表面から該第一表面の方へとドーパント濃度が次第に低下して行くことを特徴とする；及び
該炭化珪素基板（１２）の該第二表面上にあるニッケルオーミックコンタクト（１８）
を含む半導体デバイス（１０）。
【請求項１６】  該注入されたドーパント材料を、窒素、アルミニウム、砒素、燐、硼素及びガリウムから成る群より選択する請求項１５記載の半導体デバイス。
【請求項１７】  該炭化珪素における当該初期キャリヤー濃度が、１ x １０１５cm-3 〜１ x １０１９cm-3である請求項１５記載の半導体デバイス。
【請求項１８】  該漸増キャリヤー濃度帯における該キャリヤー濃度が、１ x １０１８cm-3 〜１ x １０２０cm-3であって、且つ該炭化珪素における該初期キャリヤー濃度に比べて高い請求項１７記載の半導体デバイス。
【請求項１９】  該エピタキシャル層（１４）を、窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムガリウム；及び珪素、ガリウム、アルミニウム及びインジウムの酸化物から成る群より選択する請求項１５記載の半導体デバイス。
【請求項２０】  該半導体デバイスが、縦型デバイスである請求項１５記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成15年1月22日(2003.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子のポリアミン結合部位に結合し、及び／又は、ポリアミンの輸送を阻害し、
Ｒ１−リンカー−Ｒ１
の構造を有するポリアミンの類似体若しくは誘導体であって、前記Ｒ１としてはスペルミン又はスペルミンの末端アミノ基を保護したＮ１２−（ｔ−ブトキシカルボニル）−スペルミンのいずれかが含まれ、前記リンカーとしては炭素数１〜１２の脂肪族炭素鎖、脂環式部位又は芳香族部位が含まれることを特徴とするポリアミンの類似体又は誘導体。
【請求項２】
前記リンカーが炭素数１〜１２の脂肪族炭素鎖であることを特徴とする請求項１に記載の類似体又は誘導体。
【請求項３】
前記リンカーが脂環式部位であることを特徴とする請求項１に記載の類似体又は誘導体。
【請求項４】
前記リンカーが芳香族部位であることを特徴とする請求項１に記載の類似体又は誘導体。
【請求項５】
前記芳香族部位がベンゼン環及びナフタレンから選ばれることを特徴とする請求項４に記載の類似体又は誘導体。
【請求項６】
前記部位がベンゼン環であることを特徴とする請求項４に記載の類似体又は誘導体。
【請求項７】
前記部位がナフタレンであることを特徴とする請求項４に記載の類似体又は誘導体。
【請求項８】
それぞれのＲ１が、Ｎ１位で前記リンカーに付着しているスペルミンであることを特徴とする請求項１に記載の類似体又は誘導体。
【請求項９】
それぞれのスペルミンがアミド結合又はスルホンアミド結合を介して前記リンカーに付着していることを特徴とする請求項８に記載の類似体又は誘導体。
【請求項１０】
それぞれのスペルミンがアミド結合を介して前記リンカーに付着していることを特徴とする請求項９に記載の類似体又は誘導体。
【請求項１１】
それぞれのスペルミンがスルホンアミド結合を介して前記リンカーに付着していることを特徴とする請求項９に記載のポリアミンの類似体又は誘導体。
【請求項１２】
それぞれのＲ１に対するリンカーが、１，３−ジメチル−アダマンチレン、ナフタレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレンから選ばれたものであり、且つ、Ｒ１は前記リンカーとのアミド結合を有するスペルミンであることを特徴とする請求項１に記載の類似体又は誘導体。
【請求項１３】
それぞれのＲ１に対するリンカーが、１，３−ジメチル−アダマンチレン、ナフタレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレンから選ばれたものであり、且つ、Ｒ１は前記リンカーへのアミド結合を有するスペルミンの末端アミノ基を保護したＮ１２−（ｔ−ブトキシカルボニル）−スペルミンであることを特徴とする請求項１に記載の類似体又は誘導体。
【請求項１４】
それぞれのＲ１に対するリンカーがナフタレンであり、Ｒ１がスペルミンであることを特徴とする請求項１１に記載の類似体又は誘導体。
【請求項１５】
前記Ｒ１がＮ１２位に保護基を含むスペルミンであることを特徴とする請求項１に記載の類似体又は誘導体。
【請求項１６】
前記類似体又は誘導体はＲ１に対するリンカーを有するように選ばれ、前記Ｒ１はそれぞれ１，３−ジメチル−アダマンチレン、ナフタレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレンから選ばれたものであり、Ｒ１は前記リンカーへのアミド結合を有するスペルミンのＮ１２−ｔ−ブチルカルバミン酸塩であることを特徴とする請求項１５に記載の類似体又は誘導体。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか１項に記載の類似体又は誘導体及び１以上の医薬的に許容できる賦形剤を含む、ポリアミンの輸送を阻害することが望ましい病気又は健康状態を治療するのに有用な組成物。
【請求項１８】
請求項１７に記載の組成物及びポリアミン合成阻害剤を含む、ポリアミンの輸送及び合成を阻害することが望ましい病気又は健康状態を治療するのに有用な組成物。
【請求項１９】
前記ポリアミン合成阻害剤がジフルオロメチルオルニチン（ＤＦＭＯ）であることを特徴とする請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
請求項１７に記載の組成物であって、前記組成物とともに、前記病気又は健康状態を治療するのに有用であることが公知の添加剤を１以上更に含むことを特徴とする組成物。
【請求項２１】
請求項１７に記載の組成物であって、前記類似体が請求項１２に記載の化合物から選ばれることを特徴とする組成物。
【請求項２２】
請求項１７に記載の組成物であって、前記類似体が請求項１４に記載の化合物であることを特徴とする組成物。
【請求項２３】
請求項１７に記載の組成物であって、前記類似体が請求項１３に記載の化合物から選ばれることを特徴とする組成物。
【請求項２４】
請求項１から１６のいずれか１項に記載の類似体又は誘導体の効果的な量を患者へ投与することからなることを特徴とする、望ましくない細胞及び／又は細胞成分の増殖に関わる患者に対する、及び／又は、ポリアミンの輸送を阻害することにより治療できる病気又は健康状態を治療する方法。
【請求項２５】
前記望ましくない細胞及び／又は細胞成分の増殖がガン又は自己免疫疾患に関与していることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
患者において抗下痢効果が生じる請求項１から１６のいずれか１項に記載の類似体又は誘導体の効果的な量を前記患者へ投与することからなることを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項１から１６のいずれか１項に記載の類似体又は誘導体及びポリアミン合成阻害剤の効果的な量を患者へ投与することを含む、望ましくない細胞及び／又は細胞成分の増殖に関わる患者に対する、及び／又は、ポリアミンの輸送及び合成を阻害することにより治療できる病気又は健康状態を治療する方法。
【請求項２８】
前記ポリアミン合成阻害剤がジフルオロメチルオルニチン（ＤＦＭＯ）であることを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成14年11月13日(2002.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2004509837.tif 000001
で示される化合物、そのＲ，Ｒ−及びＳ，Ｓ−鏡像異性体、並びにその薬学的に許容されうる酸付加塩。
【請求項２】
（３Ｒ，４Ｒ）及び（３Ｓ，４Ｓ）−４−ベンジル−１−〔２−（４−ヒドロキシフェノキシ）エチル〕ピペリジン−３，４−ジオールである、請求項１記載の式Ｉで示される化合物。
【請求項３】
（３Ｒ，４Ｒ）−４−ベンジル−１−〔２−（４−ヒドロキシフェノキシ）エチル〕ピペリジン−３，４−ジオールである、請求項１記載の式Ｉで示される化合物。
【請求項４】
（３Ｓ，４Ｓ）−４−ベンジル−１−〔２−（４−ヒドロキシフェノキシ）エチル〕ピペリジン−３，４−ジオールである、請求項１記載の式Ｉで示される化合物。
【請求項５】
（３Ｒ，４Ｒ）及び（３Ｓ，４Ｓ）−４−ベンジル−１−〔２−（４−ヒドロキシフェノキシ）エチル〕ピペリジン−３，４−ジオール、
（３Ｒ，４Ｒ）−４−ベンジル−１−〔２−（４−ヒドロキシフェノキシ）エチル〕ピペリジン−３，４−ジオールおよび
（３Ｓ，４Ｓ）−４−ベンジル−１−〔２−（４−ヒドロキシフェノキシ）エチル〕ピペリジン−３，４−ジオール
である、請求項１〜４記載の化合物の１つ以上と薬学的に不活性な賦形剤を含有する薬剤。
【請求項６】
発作又は脳外傷により引き起こされる急性型神経変性；アルツハイマー病、パーキンソン病、ハンチントン病又はＡＬＳ（筋萎縮性側索硬化症）のような慢性型神経変性；細菌又はウイルス感染に関連する神経変性、並びに神経分裂病、不安、うつ病及び慢性／急性疼痛のような疾患を含む疾患の処置のための、請求項５記載の薬剤。
【手続補正書】
【提出日】平成14年12月9日(2002.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）：
【化１】
2004509839.tif 000001
〔式中、
Ｒ１は、アルキル又はシクロアルキルアルキルを表し、
Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立にアルキル又はシクロアルキルを表すか、あるいは隣接した炭素原子と一緒に、飽和の３員〜６員の炭素環又は複素環を表し（アルキル、シクロアルキル、炭素環又は複素環は、非置換であるか、又は置換されている）、そして
Ｒ４は、水素、ハロゲン、シアノ、アルキル、アルキルチオ、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシアルキル、ヒドロキシアルキニル、アルコキシアルキル、アルコキシアルキニル、トリアルキルシリル、アリール又はヘテロアリールを表す〕で示される置換クロメン誘導体、及びこれらの化合物の薬学的に許容しうる塩。
【請求項２】
Ｒ１が、メチル又はエチルである、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ２及びＲ３のそれぞれが、メチルである、請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ２及びＲ３が、隣接した炭素原子と一緒に、シクロブチル又はテトラヒドロピラニルを表す、請求項１又は２記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ４が、臭素である、請求項１〜４のいずれか１項記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ４が、メチルチオである、請求項１〜４のいずれか１項記載の化合物。
【請求項７】
５−（４−ブロモ−８−メトキシ−２，２−ジメチル−２Ｈ−クロメン−６−イルメチル）−ピリミジン−２，４−ジアミン、
５−〔（４−ブロモ−２′，３′，５′，６′−テトラヒドロ−８−メトキシスピロ〔２Ｈ−１−ベンゾピラン−２，４′−〔４Ｈ〕ピラン〕−６−イル）−メチル〕−２，４−ピリミジンジアミン、
５−（８−エトキシ−２，２，４−トリメチル−２Ｈ−クロメン−６−イルメチル）−ピリミジン−２，４−ジアミン、
５−（４−クロロ−８−メトキシ−２，２−ジメチル−２Ｈ−クロメン−６−イルメチル）−ピリミジン−２，４−ジアミン、
５−（８−エトキシ−４−エチル−２，２−ジメチル−２Ｈ−クロメン−６−イルメチル）−ピリミジン−２，４−ジアミン、
５−（８−メトキシ−２，２−ジメチル−４−メチルスルファニル−２Ｈ−クロメン−６−イルメチル）−ピリミジン−２，４−ジアミン、
５−（８−エトキシ−２，２−ジメチル−４−プロピル−２Ｈ−クロメン−６−イルメチル）−ピリミジン−２，４−ジアミン、
５−〔８−メトキシ−４−（３−メトキシ−プロパ−１−イニル）−２，２−ジメチル−２Ｈ−クロメン−６−イルメチル〕−ピリミジン−２，４−ジアミン、
５−〔４−（４−フルオロ−フェニル）−８−メトキシ−２，２−ジメチル−２Ｈ−クロメン−６−イルメチル〕−ピリミジン−２，４−ジアミン、
５−〔（４−ブロモ−８−エトキシスピロ〔２Ｈ−１−ベンゾピラン−２，１′−シクロブタン〕−６−イル）メチル〕−２，４−ピリミジンジアミン、
５−（４−ブロモ−８−エトキシ−２，２−ジメチル−２Ｈ−クロメン−６−イルメチル）−ピリミジン−２，４−ジアミンから選択される、請求項１記載の化合物。
【請求項８】
一般式（ＩＩ）：
【化２】
2004509839.tif 000002
〔式中、Ｒ１〜Ｒ４は、請求項１と同義であり、そしてＸは、離脱基、好ましくは臭素、ヨウ素、メチルスルホニルオキシ、トリフルオロメチルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ又はｐ−トリルスルホニルオキシである（ここで、官能基は、場合により保護されている）〕で示される化合物。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物及び治療上不活性な担体を含む、医薬。
【請求項１０】
更にスルホンアミドを含む、請求項９記載の医薬。
【請求項１１】
化合物対スルホンアミドの比が、１：４０〜１：１重量部の間、好ましくは１：１０〜１：２重量部の間にある、請求項１０記載の医薬。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物の製造方法であって、
ａ）一般式（ＩＩ）：
【化３】
2004509839.tif 000003
〔式中、Ｒ１〜Ｒ４は、請求項１と同義であり、Ｘは、離脱基を表し、そして官能基は、場合により保護されている〕で示される化合物を、グアニジンと反応させ、そして存在する保護基を開裂すること、又は
ｂ）Ｒ４が、水素又はハロゲン以外である、式（Ｉ）の化合物の製造には、一般式（Ｉａ）：
【化４】
2004509839.tif 000004
で示される化合物を、一般式（ＩＩＩ）：
Ｒ４０Ｙ                    （ＩＩＩ）
〔式中、Ｒ２〜Ｒ３は、請求項１と同義であり、Ｒ４０は、水素及びハロゲンを除いて、請求項１のＲ４と同義であり（Ｒ１〜Ｒ３及びＲ４０中の官能基は、場合により保護されている）、記号：Ｘ及びＹの一方は、離脱基を表し、そしてもう一方は、この離脱基と一緒に離脱される基を表す〕で示される化合物と反応させ、そして存在する保護基を開裂すること、又は
ｃ）式（Ｉ）の化合物を薬学的に許容しうる塩に変換すること
を特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法により、又はその明白な化学的同等法により調製される、請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物。
【請求項１４】
医薬として使用するための、請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物。
【請求項１５】
抗菌活性医薬の製造における、請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月5日(2003.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変性した有蹄類PrPScおよび天然の有蹄類PrPCに対して108l/モル以上の結合親和性Kaで、および天然の有蹄類PrPScに対して106l/モル以下の結合親和性Kaで結合する能力により特徴付けられ、有蹄類以外の哺乳類のPrPCには結合しないことによりさらに特徴付けられる単離抗体。
【請求項２】
抗体が(HaM)FabPである、請求項1記載の抗体。
【請求項３】
抗体が(HuM)FabSである、請求項1記載の抗体。
【請求項４】
変性したウシPrPScおよび天然のウシPrPCに対して108l/モル以上の結合親和性Kaで結合し、天然の有蹄類PrPScに対して106l/モル以下の結合親和性Kaで結合する能力により特徴付けられる単離抗体。
【請求項５】
以下の段階を含む方法によって生産される、天然の有蹄類PrPCに特異的に結合する抗体:
ファージ上に抗体ライブラリーを合成する段階;
ファージと、有蹄類PrPタンパク質を含む組成物を接触させることによって、試料に対してライブラリーをパニングする段階;
天然の有蹄類PrPCに結合するファージを単離する段階であって、
該抗体が、変性した有蹄類PrPScおよび天然の有蹄類PrPCに対して108l/モル以上の結合親和性Kaで、および天然の有蹄類PrPScに対して106l/モル以下の結合親和性Kaで結合する能力により特徴付けられる段階；ならびに
単離されたファージを解析してPrPCが結合するアミノ酸配列をコードする配列を決定する段階。
【請求項６】
ファージ上の抗体ライブラリーが以下の段階によって調製される、請求項5記載の抗体:
免疫応答を生じさせるために、宿主哺乳動物をPrPタンパク質で免疫する段階;
抗体産生を担っている細胞を該宿主哺乳動物から抽出する段階;
宿主哺乳動物の該細胞からRNAを単離する段階;
該RNAを逆転写してcDNAを生成する段階;
プライマーを用いて該cDNAを増幅する段階;および
抗体がファージ上で発現するように、該cDNAをファージディスプレイベクターに挿入する段階。
【請求項７】
方法が、リポソームに分散させた抗原に対する抗体をパニングする段階をさらに含む、請求項5記載の抗体。
【請求項８】
リポソームに分散させた抗原が、PrPScでは入手できないPrPCのエピトープをコードするペプチドである、請求項7記載の抗体。
【請求項９】
リポソームに分散させた抗原がウシの残基90〜120位を含む、請求項7記載の抗体。
【請求項１０】
変性したウシPrPScおよび天然のウシPrPCに対して108l/モル以上の結合親和性Kaで結合し、天然のウシPrPScに対して106l/モル以下の結合親和性Kaで結合する能力により特徴付けられ、有蹄類以外の哺乳類のPrPCには結合しないことによりさらに特徴付けられる単離抗体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年1月10日(2003.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回転再生式熱交換器用の熱伝達要素バスケットアセンブリ、ロータアセンブリ、及び熱伝達要素バスケットアセンブリをロータアセンブリ内に取り付ける方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004509307.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004509307.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成14年8月20日(2002.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可逆的電気化学ミラー装置のミラー電極上のミラー金属デポジットの厚さを決定して電磁放射の伝播を制御する方法であって、前記可逆的電気化学ミラーは、
ミラー電極（１１０）と、
反対側電極であって、前記ミラー及び反対側電極の少なくとも一方は電磁放射のスペクトルの少なくとも一部に対して実質的に透過的である、反対側電極（１０６）と、
前記ミラー及び反対側電極の間に配置されこれらの電極と電気的に接触する電解質であって、電着可能なミラー金属の陽イオンを含む、電解質（１１２）と、
を含んでおり、前記反対側電極との関係で前記ミラー電極に与えられる負の電位は、ミラー金属を前記反対側電極から前記電解質の中に溶解させ、前記電解質から前記ミラー電極の上にミラー・デポジットとして電着させる傾向を有し、
前記反対側電極との関係で前記ミラー電極に与えられる正の電位は、ミラー金属を前記ミラー電極から前記電解質の中に溶解させ、前記反対側電極の上に電着させる傾向を有し、
前記ミラー電極上に存在している積層されたミラー金属の厚さは、電磁放射に対する前記装置の反射率に影響する、方法において、
（１）前記ミラー電極の上の２つの位置（１３１、１３２）の間の電気抵抗値を測定するステップと、
（２）前記測定された抵抗値を、既知の厚さを有するミラー金属デポジットに対する既知の電気抵抗値と比較し、前記既知の抵抗値と前記既知の厚さとに基づいて前記測定された抵抗値に対応するミラー・デポジットの厚さを計算するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記測定するステップは、交流電圧（１３３）を与えるステップと、前記交流電圧に対する交流電流の応答を測定するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、前記測定された抵抗値は、前記交流電圧と前記交流電流とそれらの間の位相シフトとから計算されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記測定するステップは、
直流電圧を与えるステップと、
前記直流電圧への直流電流応答を測定するステップと、
オームの法則を用いて前記抵抗値を計算するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、
（３）既知の厚さのミラー金属デポジットを有する装置の反射率を測定するステップと、
（４）ステップ（２）において決定された前記ミラー金属デポジットの厚さを既知の装置反射率のミラー金属デポジットの厚さと比較し、前記測定された電気抵抗値に対応する前記装置反射率を決定するステップと、
を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記既知のデポジットの厚さは、前記ミラー金属デポジットの積層に必要な電荷から決定されることを特徴とする方法。
【請求項７】
可逆的電気化学ミラー装置のミラー電極上のミラー金属デポジットの厚さを決定して電磁放射の伝播を制御する装置であって、
ミラー電極（１１０）と、
反対側電極であって、前記ミラー及び反対側電極の少なくとも一方は電磁放射のスペクトルの少なくとも一部に対して実質的に透過的である、反対側電極（１０６）と、
前記ミラー及び反対側電極の間に配置されこれらの電極と電気的に接触する電解質であって、電着可能なミラー金属の陽イオンを含む、電解質（１１２）と、
を含んでおり、前記反対側電極との関係で前記ミラー電極に与えられる負の電位は、ミラー金属を前記反対側電極から前記電解質の中に溶解させ、前記電解質から前記ミラー電極の上にミラー・デポジットとして電着させる傾向を有し、
前記反対側電極との関係で前記ミラー電極に与えられる正の電位は、ミラー金属を前記ミラー電極から前記電解質の中に溶解させ、前記反対側電極の上に電着させる傾向を有し、
前記ミラー電極上に存在している積層されたミラー金属の厚さは、電磁放射に対する前記装置の反射率に影響する、装置において、
（１）前記ミラー電極の上に配置された第１及び第２の電気的接点（１３１、１３２）と、
（２）前記電気的接点の間の電気抵抗値を測定する手段（１３２、１３４）と、
（３）前記測定された抵抗値を積層されたミラー金属の既知の厚さに対する抵抗値に相関させる手段と、
（４）前記測定された抵抗値に対応する前記ミラー金属デポジットの厚さを計算する手段と、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項７記載の装置において、前記電気的接点の少なくとも一方は前記電解質とは電気的に接触していないことを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項７記載の装置において、前記電気的接点は矩形のミラー電極の対向する側において提供されることを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項７記載の装置において、前記電気的接点の少なくとも一方は、前記ミラー金属を前記ミラー電極上に電着させる又は前記ミラー電極から溶解させる傾向を有する電圧を与えるのに用いられる接点を含まない前記対向する側の少なくとも一方の中間点に配置されていることを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004509374.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004509374.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透明な基板を有し、基板の表面に、光を使用して記録可能な情報層、場合により反射層、場合により中間層および／または場合により保護層が被覆されている光学的データ記憶媒体において、光を使用して記録可能な情報層が、光吸収化合物として、少なくとも１個の式Ｉ：
【化１】
2004509377.tif 000001
［式中、
ＣｏＰｃはコバルト（ＩＩＩ）フタロシアニンを表し、Ｌ１およびＬ２は軸方向に配位結合したコバルト中心原子のリガンドであり、基Ｒ３〜Ｒ６はフタロシアニンの置換基に相当し、
Ｌ１およびＬ２は互いに独立に式ＮＲ０Ｒ１Ｒ２のアミンを表すかまたは式：
【化２】
2004509377.tif 000002
のイソニトリルを表し、
Ｒ０、Ｒ１およびＲ２は互いに独立に水素、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アリールまたはヘタリールを表すか、または基Ｒ０〜Ｒ２の２つは結合しているＮ原子と一緒に水素化された、部分的に水素化された、準芳香族または芳香族の環、有利には５〜７員環を形成し、該環は他のヘテロ原子、特にＮ、Ｏおよび／またはＳからの原子を含有してもよく、
Ｒはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、アリールまたはヘタリールを表すか、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は互いに独立にハロゲン、シアノ、アルキル、アリール、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルコキシ、アリールオキシ、アリールチオ、アルキルチオ、ＳＯ３Ｈ、ＳＯ２ＮＲ７Ｒ８、ＣＯ２Ｒ１２、ＣＯＮＲ７Ｒ８、ＮＨ−ＣＯＲ１２、または基−（Ｂ）ｍ−Ｄを表し、
Ｂは直接結合、ＣＨ２、ＣＯ、ＣＨ（アルキル）、Ｃ（アルキル）２、ＮＨ、Ｓ、Ｏまたは−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群からの橋かけ員子を表し、（Ｂ）ｍは橋かけ員子Ｂの化学的に有利な組み合わせを表し、ｍは１〜１０であり、有利にはｍは１であり、
Ｄは式：
【化３】
2004509377.tif 000003
のレドックス系の一価の基を表すか、またはメタロセニル基またはメタロセニルカルボニル基を表し、チタン、マンガン、鉄、ルテニウムまたはオスミウムが金属中心として適しており、
Ｘ１およびＸ２は互いに独立にＮＲ′Ｒ″、ＯＲ″またはＳＲ″を表し、
Ｙ１はＮＲ′、ＯまたはＳを表し、
Ｙ２はＮＲ′を表し、
ｎは１〜１０であり、
Ｒ′およびＲ″は互いに独立に水素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘタリールを表すか、または直接結合または
【化４】
2004509377.tif 000004
鎖のＣ原子の１つに対する橋を形成し、
ｗ、ｘ、ｙおよびｚは互いに独立に０〜１２を表し、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚは１２以下であり、
Ｒ７およびＲ８は互いに独立にアルキルアミノ、ヒドロキシアルキルアミノ、ジアルキルアミノ、ビスヒドロキシアルキルアミノ、アリールアミノを表すかまたはＲ７およびＲ８は結合しているＮ原子と一緒に５、６または７員の複素環を形成し、該環は他のヘテロ原子、特にＯ、ＮおよびＳからなる群からの原子を有してもよく、ＮＲ７Ｒ８は特にピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノを表し、
Ｒ１２はアルキル、アリール、ヘタリールまたは水素を表し、
Ａｎ−はアニオンを表す］で表されるＣｏ−フタロシアニン染料を含有することを特徴とする光学的データ記憶媒体。
【請求項２】  請求項１記載の光学的データ記憶媒体を、７００〜８３０ｎｍの波長の光を使用して記録することにより得られる記録可能な情報層を有する光学的データ記憶媒体。
【請求項３】  請求項１記載の光学的データ記憶媒体の製造方法において、光を使用して記録可能な情報層を、場合により適当な結合剤、添加剤および適当な溶剤と組み合わせて式ＩのＣｏ−フタロシアニン錯体で被覆することにより透明な基板に塗布し、更に場合により反射層、場合により他の中間層および場合により保護層を施すことを特徴とする光学的データ記憶媒体の製造方法。
【請求項４】  光を使用して記録可能である、光学的データ貯蔵装置の情報層への光吸収化合物としての式（Ｉ）のＣｏ−フタロシアニン錯体の使用。
【請求項５】  式Ｉｃ：
【化５】
2004509377.tif 000005
［式中、
ハロゲンは塩素、臭素またはフッ素を表し、
Ｒ７およびＲ８は互いに独立に請求項１記載のＲ７およびＲ８の意味を表し、
【化６】
2004509377.tif 000006
］の化合物。
【請求項６】  式ＳＯ２ＮＲ７Ｒ８（Ｒ７およびＲ８は前記のものを表す）のスルホンアミド基および場合によりハロゲンおよび／またはアルコキシにより置換されたＣｏ−フタロシアニンを酸化させ、アミンＬ１およびＬ２と反応させることを特徴とする請求項５記載の化合物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成14年12月16日(2002.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
信号処理システム１９０は、検出器１７０によって受け取られた回折信号を、ライブラリ１８５内に記憶されている模擬回折信号と比較する。ライブラリ１８５内の模擬回折信号の各々は仮想プロファイルに関連付けられている。検出器１７０から受け取られた回折信号とライブラリ１８５内の模擬回折信号の１つとの間に一致が生じる時には、その一致する模擬回折信号に関連付けられている仮想プロファイルが周期格子１４５の実プロファイルに相当すると推定される。その次に、一致する模擬回折信号および／または理論的プロファイルが、周期格子が仕様にしたがって製造されているかどうかの判定を支援するために提供されることが可能である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
誤差計量（ｅｒｒｏｒ  ｍｅｔｒｉｃ）が、最適化ルーチンをガイドするために選択される。この典型的な実施形態では、選択された誤差計量は測定回折信号と模擬回折信号との間の２乗誤差和（ｓｕｍ−ｓｑｕａｒｅｄ−ｅｒｒｏｒ）である。この誤差計量は、誤差が互いに同類かつ独立に正規分布（ｉｉｎｄ：ｉｄｅｎｔｉｃａｌｌｙ ａｎｄ ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔｌｙ ｎｏｒｍａｌｌｙ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ）しており、かつ、差が妥当である用途では、適切に機能することが可能であるが、誤差が出力値の関数であり（したがってｉｉｎｄでなく）、かつ、比率が妥当である場合には、適切な計量でないことがある。誤差が出力の指数関数である時には、２乗差対数誤差和（ｓｕｍ−ｓｑｕａｒｅｄ−ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ−ｌｏｇ−ｅｒｒｏｒ）がより適切な誤差計量であることがありうる。したがって、この実施形態では、２乗誤差和がｃｏｓ（Δ）の比較に使用され、および、ゼロ次のＴＥ反射率に対するゼロ次のＴＭ反射率の比率がｔａｎ（Ψ）ｅｉΔによって与えられる場合に、２乗差対数誤差和がｔａｎ（Ψ）の比較に使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成14年7月22日(2002.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車の駆動系統装置のアンバランスを検出するように適合した移動式の環境装置であって、
前記環境装置を移動させる牽引車両に取付けるためのヒッチを有してなる密閉型のトレーラであって、前記密閉型のトレーラは駆動系統装置の試験を行なうための管理された環境を提供するように適合してなる壁を有し、これによって、前記管理された環境を外界の気温及び騒音から実質的に隔離するような上記密閉型のトレーラと、
駆動系統装置の駆動軸から間隔を隔ててはいるが関連しているような、非接触の関係の位置に配置されてなる角度位置及び速度センサであって、駆動軸の事前選択した基準点に対しての、駆動軸の速度と角度位置とに応じた信号を発生するように適合してなる前記センサと、
駆動系統装置の駆動軸から間隔を隔ててはいるが関連しているような、非接触の関係の位置に配置されてなる少なくともひとつの振動センサであって、駆動系統の振動を検出して振動に応じた信号を発生するように適合してなる前記少なくともひとつの振動センサと、
駆動系統装置のアライメント角度を検出するための角度センサと、
前記角度位置及び速度センサと前記少なくともひとつの振動センサとが発生した信号を受けるように適合してなる信号分析装置であって、駆動系統装置のあらゆるアンバランスを計算して、装置のアンバランスを完全に修正するための、釣合重りの重量と配置とについてのパラメータを提示するような上記信号分析装置と、を備え、
前記角度センサは一対のパーセプトロンカメラを備え、これらのカメラが前記信号分析装置へ一対の信号を送出して、駆動系統装置のアライメント角度を決定して、中間軸受と自動車との間の調整シムの厚さを計算する
ことを特徴とする環境装置。
【請求項２】
自動車の駆動系統装置のアンバランスを検出する方法であって、
自動車の駆動系統装置のアンバランスを検出するように適合されてなる移動可能な環境装置を提供する段階と、
車両の試験を行なう場所へ環境装置を移動させる段階と、
移動可能な環境装置の内部に自動車を配置する段階と、
環境装置を実質的に密閉して、外界の天候、気温、及び騒音から環境装置を隔離する段階と、
駆動系統装置の駆動軸の角度位置と速度とに応じた信号を発生させる段階と、
駆動系統装置の振動を検出して、振動に応じた信号を発生させる段階と、
駆動系統の車両に対する角度関係を決定する段階と、
駆動系統装置のあらゆるアンバランスを、角度位置及び速度ならびに検出した振動の信号に基づいて計算し、修正のための釣合重りの重量と配置とを決定し、実質的に装置のアンバランスを完全に解消する段階と、
を有することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月10日(2003.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記周波数変調信号の搬送波周波数は約１から約２０００Ｈｚの範囲にある請求項１０から１３のいずれかに記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004509337.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月18日(2003.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テスト・チャンバ、標本支持、安定器によって制御された電源によって電力を供給される光源、前記テスト・チャンバの前後に配置された一対のチャンバ気温センサ、ブラック・パネル温度センサ、空気加熱器、および新鮮な、ならびに再循環された空気を引き込み、ならびに循環させるための二重送風機システムであって、新鮮空気送風機ならびに再循環空気送風機を含む前記二重送風機システムを有する促進暴露装置において、前記テスト・チャンバ内の空気とブラック・パネル、両方の温度を制御するための方法であって：
（ａ）所望の放射照度を選択し；
（ｂ）所望のチャンバ気温と、所望のブラック・パネル温度とを選択し；
（ｃ）前記チャンバ気温を感知し；
（ｄ）前記テスト・チャンバ内の前記ブラック・パネル温度を感知し；
（ｅ）前記感知されたチャンバ気温を前記選択されたチャンバ気温と比較し；
（ｆ）前記感知されたブラック・パネル温度を前記選択されたブラック・パネル温度と比較し；および
（ｇ）比較ステップ（ｅ）および（ｆ）を受けて、前記新鮮空気送風機および前記再循環空気送風機のうち、少なくとも１の速度を調節すること
を含む前記方法。
【請求項２】
テスト・チャンバ、標本支持手段、放射源、チャンバ気温センサ、ブラック・パネル温度センサ、新鮮空気送風機、再循環空気送風機、前記新鮮ならびに再循環空気送風機を制御するための制御手段、および加湿器と湿度制御手段とを有するテスト装置内の標本をテストする促進暴露の方法であって：
（ａ）所望の（１）放射照度、（２）チャンバ気温（ＣＡＴ）、（３）ブラック・パネル温度（ＢＰＴ）、および（４）相対湿度を選択し；
（ｂ）前記選択された放射照度に従って前記標本を照射し；
（ｃ）初期新鮮空気送風機速度（ＳＦ）で、前記新鮮空気送風機で前記テスト装置に新鮮な空気を引き込み；
（ｄ）湿度を前記新鮮空気に加え；
（ｅ）前記加湿された新鮮な空気を加熱し；
（ｆ）前記加熱され、加湿された新鮮な空気を前記テスト・チャンバに循環させ；
（ｇ）それが前記テスト・チャンバ内に存在するときに、前記空気のＣＡＴを感知し；
（ｈ）前記空気が前記テスト・チャンバ内に存在するときに、前記ＢＰＴを感知し；および
（ｉ）前記新鮮空気送風機によって引き込まれた新鮮空気と混ざるように、初期再循環空気送風機速度（ＳＲ）で、前記再循環空気送風機で前記テスト・チャンバ内に存在する空気の一部を再循環させる
ステップを具備する方法。
【請求項３】
促進暴露装置であって：
テスト・チャンバと；
前記テスト・チャンバ内に標本を支持するための標本支持手段と；
前記テスト・チャンバにおいて光を生み出すために、前記テスト・チャンバ内に配置された光源と；
前記光源に電力を供給するための電源と；
前記電源から前記光源が受け取る電力量を制御するための、前記光源に接続された安定器手段と；
暴露装置内で、それを通して空気が循環するダクト・システムであって：
新鮮な空気と再循環した空気が混合する空気混合ダクトと；
前記空気混合ダクトと、前記テスト・チャンバの第一の端部との間に配置されたチャンバ流入ダクトと；および
前記テスト・チャンバの第二の端部と排出部との間に配置された排出ダクトと
を含む前記ダクト・システムと；
前記チャンバ流入ダクトおよび前記排出ダクトのうち、少なくとも１に配置された少なくとも１のテスト・チャンバ気温センサと；
ブラック・パネル温度（ＢＰＴ）およびブラック標準温度（ＢＳＴ）のうちの１を計測するための、前記標本支持手段に隣接して配置されたブラック・パネル温度センサと；および
前記テスト・チャンバを通して空気を循環させる多重送風機システムであって：
新鮮空気流入部を通して、室内空気を前記空気混合ダクトに引き込む新鮮空気送風機と；
再循環流入部を通して、前記排出ダクトから前記空気混合ダクトに任意で空気を引き込む、再循環空気送風機と；および
前記新鮮空気送風機速度（ＳＦ）および前記再循環空気送風機速度（ＳＲ）を制御する送風機コントローラと
を含む前記多重送風機システムと
を具備する促進暴露装置。