【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に電界効果トランジスタ要素が作り込まれて小形の平板形状に形成された半導体ペレットと、
前記電界効果トランジスタ要素を電気的に外部に引き出すための複数のインナリードと、
前記インナリードにそれぞれ接続された各アウタリードと、
放熱性能を高めるためのヘッダと、
前記インナリード群および前記ヘッダの一部を樹脂封止した樹脂封止体とを有し、
前記半導体ペレットの前記主面には前記インナリードのそれぞれが突起状端子から形成された接続部によって機械的および電気的に接続され、前記半導体ペレットの前記主面と反対側の面には前記樹脂封止体から露出した前記ヘッダが機械的および電気的に接続されており、前記アウタリードのそれぞれがガル・ウイング形状に屈曲されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求の範囲第１項記載の半導体装置であって、前記半導体ペレットの前記主面と反対側の面にはドレイン用電極パッドが形成され、このドレイン用電極パッドが前記ヘッダに機械的および電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求の範囲第１項記載の半導体装置であって、前記半導体ペレットの前記主面と反対側の面にはソース用電極パッドが形成され、このソース用電極パッドが前記ヘッダに機械的および電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求の範囲第１項記載の半導体装置であって、前記複数のインナリードのうちソース用インナリードは、複数の前記突起状端子から形成された前記接続部によって前記半導体ペレットのソース用電極パッドに機械的および電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求の範囲第１項記載の半導体装置であって、前記半導体ペレットの前記主面と反対側の面にはドレイン用電極パッドが形成されており、このドレイン用電極パッドが前記ヘッダに機械的および電気的に接続され、前記複数のインナリードのうちソース用インナリードは、複数の前記突起状端子から形成された前記接続部によって前記半導体ペレットのソース用電極パッドに機械的および電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求の範囲第１項記載の半導体装置であって、前記複数のインナリードのうちドレイン用インナリードは、複数の突起状端部から形成された前記接続部によって前記半導体ペレットのドレイン用電極パッドに機械的および電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求の範囲第１項記載の半導体装置であって、前記半導体ペレットの前記主面と反対側の面にはソース用電極パッドが形成されており、このソース用電極パッドが前記ヘッダに機械的および電気的に接続され、前記複数のインナリードのうちドレイン用インナリードは、複数の突起状端子から形成された前記接続部によって前記半導体ペレットのドレイン用電極パッドに機械的および電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求の範囲第１項記載の半導体装置であって、前記複数のインナリードのうちゲート用インナリードは、単数の突起状端子から形成された前記接続部によって前記半導体ペレットのゲート用電極パッドに機械的および電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求の範囲第１項記載の半導体装置であって、前記半導体ペレットの前記主面と反対側の面にはドレイン用電極パッドが形成されており、このドレイン用電極パッドが前記ヘッダに機械的および電気的に接続され、前記複数のインナリードのうちゲート用インナリードは、単数の突起状端子から形成された前記接続部によって前記半導体ペレットのゲート用電極パッドに機械的および電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求の範囲第１項記載の半導体装置であって、前記半導体ペレットの前記主面と対向して配置されたインナリード連結部に複数の前記アウタリードが接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求の範囲第１項記載の半導体装置であって、前記アウタリード群が前記樹脂封止体の互いに対向する位置の一対の側面に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、樹脂封止体２９の内部において、半導体ペレット１０の表面電極であるゲート用電極パッド１９はゲート用のインナリード３５にゲート用接続部２５によって、半導体ペレット１０の表面電極であるソース用電極パッド２０はソース用のインナリード３６にソース用接続部２６によって、半導体ペレット１０の裏面１０ｂ（下面）に形成されたドレイン用電極パッド２１はヘッダ２８にドレイン用接続部２７によってそれぞれ機械的かつ電気的に接続されている。さらに、ヘッダ２８の下面すなわち半導体ペレット１０との接合面２８ａに対する反対側の面は、樹脂封止体２９の下面において露出する露出面２８ｂである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
また、図２４（ａ）、（ｂ）に示すように、ヘッダ２８およびヘッダ突出部２８ｃの外周の一部（側面を含む少なくとも樹脂封止体２９と接合する箇所）には、段差部２８ｆが設けられている。これにより、樹脂封止体２９とヘッダ２８との接合面積を増加させることができ、その結果、両者の密着性を向上できる。したがって、樹脂封止体２９へのクラックの形成を防止でき、これにより、ＭＯＳＦＥＴ７０の品質を向上することができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
また、ヘッダフレーム４１を、図２７（ａ）の比較例のヘッダフレーム４２のように一列に三つのヘッダ２８を連結させた構造のフレームも考えられるが、この場合、半導体ペレットのサイズが小さくなると、ヘッダ２８の重さにより、図２７（ｂ）に示すように、ヘッダ２８が傾く可能性があるため、このような三つのヘッダ２８を一列に配置したヘッダフレーム４２も好ましくない。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
すなわち、インナリード３５を支持するゲート用接続部片３５ａと半導体ペレット１０のゲート用電極パッド１９（図２参照）とを、ゲート用電極パッド１９に取り付けられたゲート用バンプ２２（突起状端子）を熱圧着してゲート用接続部２５によって接合し、これにより、ゲート用バンプ２２およびゲート用接続部片３５ａを介してゲート用電極パッド１９とインナリード３５とを電気的に接続する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
さらに、本実施の形態２のＭＯＳＦＥＴ７０の製造方法によって得られるその他の作用効果については、前記実施の形態１で説明したものと同様であるため、その重複説明は省略する。