Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月9日(2004.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
キャリア３０は、図２（Ａ）に示されるように、所定の読取位置にフィルムＦを位置させつつ、イメージセンサ３４のラインＣＣＤセンサの延在方向（主走査方向）と直交する副走査方向に、フィルムＦの長手方向を一致させて搬送する、読取位置を副走査方向に挟んで配置される搬送ローラ対３０ａおよび３０ｂと、フィルムＦの投影光を所定のスリット状に規制する、読取位置に対応する位置において主走査方向に延在するスリット４０ａを有するマスク４０とを有する。
フィルムＦは、このキャリア３０によって読取位置に配置されて副走査方向に搬送されつつ、読取光を入射される。これにより、結果的にフィルムＦが主走査方向に延在するスリット４０ａによって２次元的にスリット走査され、フィルムＦに撮影された各コマの画像が読み取られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
レンズ特性としては、特に限定はないが、一般的に、レンズの歪曲収差の特性や倍率色収差や周辺光量低下や必要に応じて画像のボケなどの特性は、レンズの光軸すなわちフィルムＦに撮影された画像の中心からの距離（例えば、ｘ−ｙで示される）をパラメータとする３次関数で、ある程度まで近似することができるので、歪曲収差や倍率色収差や周辺光量低下や画像のボケなどの補正が必要なレンズ種について、その歪曲収差の特性を示す関数および倍率色収差の特性を示す関数ならびに周辺光量低下の特性を示す関数や画像のボケ特性を示す関数などを、レンズ特性として記憶しておけばよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
また、上述した例では、高強度のシャープネス処理を行なう際に、シャープネス強度（ゲインＨ）を３原色の画像データ、例えばＲＧＢ画像データで一律に変更しているが、本発明はこれに限定されず、ＲＧＢ画像データ毎に独立に変更してもよい。もちろん、残りのシャープネス処理条件（ゲインＭ）も、ＲＧＢ画像データ毎に独立に変更してもよい。
シャープネス強度（ゲインＨ）や条件（ゲインＭ）をＲＧＢ画像データ毎に独立に変更する場合には、例えば上述した図５に示すシャープネス処理回路９０をＲＧＢ毎に備え、ゲインＨを、それぞれゲインＨＲ、ゲインＨＧおよびゲインＨＢとして、ゲインＭを、それぞれゲインＭＲ、ゲインＭＧおよびゲインＭＢとして、ＲＧＢ毎のシャープネス処理回路の第１および第２アンプ（１０２、１０４に相当）に独立に設定すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
上述した例では、シャープネス強調の強度を変更する際に、高周波数成分のゲインや中周波数成分のゲインをＲＧＢ画像データに一律に、またはそれぞれに独立に変更しているが、本発明はこれに限定されず、どのような方法で行ってもよい。例えば、それぞれのゲインは、変更せずに、高・中・低周波数成分に分解する周波数領域（周波数帯）を変更してもよい。また、シャープネス強調処理の方法自体を変更してもよく、その強度の変更を行うようにしてもよい。例えば、アンシャープマスキングによるシャープネス強調処理の場合には、強調係数を変更するようにすればよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
検定を行う場合には、プレスキャン処理部６２によってプレスキャンデータがプレスキャンメモリ５４から読み出され、画像処理部６４において設定された画像処理条件で画像処理され、さらに、データ変換部６６で変換され、シュミレーション画像としてディスプレイ２０に表示される。
オペレータは、ディスプレイ２０の表示を見て、画像すなわち処理結果の確認（検定）を行い、必要に応じて、キーボード１８ａに設定された調整キー等を用いて色、濃度、階調等を補正する。
この調整の入力は、キー補正部７８に送られ、キー補正部７８は補正入力に応じた補正量を算出し、これをパラメータ統合部７６に送る。パラメータ統合部７６は、この補正量に応じて、これを実行するための補正条件を設定し、また、先に設定した画像処理条件の補正等を行う。従って、この補正すなわちオペレータによる調整入力に応じて、ディスプレイ２０に表示される画像も変化する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
プリンタ１６は、感光材料（印画紙）を画像データに応じて露光して潜像を記録し、感光材料に応じた現像処理を施して（仕上り）プリントとして出力するものである。例えば、感光材料をプリントに応じた所定長に切断した後に、バックプリントの記録、感光材料（印画紙）の分光感度特性に応じた、赤（Ｒ）露光、緑（Ｇ）露光および青（Ｂ）露光の３種の光ビームを画像データ（記録画像）に応じて変調すると共に、主走査方向に偏向し、主走査方向と直交する副走査方向に感光材料を搬送することによる潜像の記録等を行い、潜像を記録した感光材料に、発色現像、漂白定着、水洗等の所定の湿式現像処理を行い、乾燥してプリントとした後に、仕分けして集積する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
他の辺が、上記電極端子リードが引き出される辺と直交する２辺であることを特徴とする請求項４記載の非水電解質電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図１１の（ａ）は、この発明の一実施の形態に係る陰極線管に適用される電子銃構体の概略断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図１１の（ａ）に示すように、電子銃構体は、ヒータ（図示せず）を内装した３個のカソードＫ（Ｂ、Ｇ、Ｒ）、第１グリッドＧ１、第２グリッドＧ２、第３グリッドＧ３、第４グリッドＧ４、第５グリッドＧ５、中間電極ＧＭ、第６グリッドＧ６、及びコンバーゼンスカップＣを備えている。これらのカソード、グリッド、及び電極は、この順に配置され、絶縁支持体（図示せず）により支持固定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
この電子銃構体では、図１１の（ａ）に示すように、３個の陰極Ｋ（Ｂ、Ｇ、Ｒ）には、約１００乃至１５０Ｖ程度の電圧ＥＫが印加され、第１グリッドＧ１は、接地されている。第２グリッドＧ２及び第４グリッドＧ４は、管内で接続され、約６００乃至８００Ｖ程度の電圧ＥＣ２が印加されている。第３グリッドＧ３及び第５グリッドＧ５の第１セグメントＧ５１は、管内で接続され、中位に固定された約６乃至９ＫＶ程度の集束電圧Ｖｆが印加されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターミネートされた畳み込み符号を連続して受信するビタビ復号装置において、
ターミネートするステートに到達するパスに対応する復号語を必ず出力するようになされたことを特徴とするビタビ復号装置。
【請求項２】
請求項１において、
レジスタ遷移法を行うパスメモリに打ち切り長分のレジスタ列をさらに一列付加し、
上記レジスタ列に、ターミネートするステートに対応する復号語を記憶しておき、ターミネート時には、レジスタ列に記憶した復号語を順に出力することを特徴とするビタビ復号装置。
【請求項３】
請求項１において、
レジスタ遷移法を行うパスメモリに、ターミネートするステートに対応するレジスタ列内の各メモリセルの選択情報をコントロールするコントロール回路をさらに付加し、
上記コントロール回路の動作によってターミネート時にはターミネートするステートに対応する復号語をそのまま出力することを特徴とするビタビ復号装置。
【請求項４】
請求項１において、
トレースバック法を行うパスメモリを有し、
打ち切り長をターミネート長の１／ｎ（ｎは整数）となるように設定することにより、
ターミネート時にはターミネートするステートからトレースを開始することを特徴とするビタビ復号装置。
【請求項５】
請求項１において、
ターミネート時にはターミネートするステート以外のステートのステートメトリックを充分大きい値に設定することにより、
ターミネートするステートを通過するパスを必ず選択するようにしたことを特徴とするビタビ復号装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、ターミネートされた畳み込み符号を連続して受信するビタビ復号装置において、
ターミネートするステートに到達するパスに対応する復号語を必ず出力するようになされたことを特徴とするビタビ復号装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタ上にあるアモルファスカーボン膜と、
前記アモルファスカーボン膜上に形成された遮光膜とを有し、
前記アモルファスカーボン膜と前記遮光膜とは同一形状のパターンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタ上に、前記薄膜トランジスタを遮光するブラックマスクとを有し、
当該ブラックマスクは上層の遮光膜と下層のアモルファスカーボン膜との積層構造からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタ上部に選択的に配置されたアモルファスカーボン膜と、
前記アモルファスカーボン膜及び前記層間絶縁膜上に、前記薄膜トランジスタ並びに該薄膜トランジスタと接続するゲイト配線及びソース配線を遮光するように配置された遮光膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項1乃至請求項３のいずれか一項において、前記遮光膜は黒色樹脂膜または導電膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと接続するドレイン電極と、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記ドレイン電極が露出するように前記層間絶縁膜に設けられた開口部において、前記ドレイン電極と接するように形成されたアモルファスカーボン膜と、
前記アモルファスカーボン膜上に形成された導電性を有する膜とを有し、
前記ドレイン電極と前記導電性を有する膜とで前記アモルファスカーボン膜を誘電体とする補助容量を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと接続するドレイン電極と、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記ドレイン電極が露出するように前記層間絶縁膜に設けられた開口部において、前記ドレイン電極と接するように形成されたアモルファスカーボン膜と、
前記アモルファスカーボン膜上に形成された導電性を有する遮光膜とを有し、
前記ドレイン電極と前記遮光膜とで前記アモルファスカーボン膜を誘電体とする補助容量を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記アモルファスカーボン膜の膜厚は５０〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成されたアモルファスカーボン膜と、
前記アモルファスカーボン膜上に接して形成され、前記薄膜トランジスタの活性層と電気的に接続する画素電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、前記アモルファスカーボン膜の膜厚は５０〜２００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記層間絶縁膜とはポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルから選ばれた一種または複数種の材料からなる有機樹脂膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記アモルファスカーボン膜はsp3 結合を主体とする炭素または炭素を主成分とする材料であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の表面及び裏面に形成された酸化窒化珪素膜と、
前記酸化窒化珪素膜上に形成された半導体薄膜をチャネル形成領域とするＴＦＴとを有し、
前記ＴＦＴは、前記半導体薄膜上に形成された酸化窒化珪素膜でなるゲート絶縁膜を有し、
前記ゲート絶縁膜は前記ガラス基板の裏面を覆い、
前記チャネル形成領域の面方位は概略｛１００｝配向であり、且つ、結晶粒界において９０％以上の結晶格子に連続性があることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ガラス基板の表面及び裏面に形成された酸化窒化珪素膜と、
前記酸化窒化珪素膜上に形成された半導体薄膜をチャネル形成領域とするＴＦＴとを有し、
前記ＴＦＴは、前記半導体薄膜上に形成された酸化窒化珪素膜でなるゲート絶縁膜を有し、
前記ゲート絶縁膜は前記ガラス基板の裏面を覆い、
前記半導体薄膜は、結晶化を助長する触媒元素を用いて結晶化された結晶性半導体薄膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記触媒元素は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐｂから選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ガラス基板は結晶化ガラスであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ガラス基板の歪み点は７５０℃以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ガラス基板の歪み点は９５０〜１１００℃であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体装置を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体装置を用いたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体装置を用いたことを特徴とするビデオカメラ、電子スチルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、モバイルコンピュータ、携帯電話またはＰＨＳ。
【請求項１０】
ガラス基板の表面及び裏面に酸化窒化珪素膜を形成し、
前記酸化窒化珪素膜上に非晶質半導体薄膜を形成し、
前記非晶質半導体薄膜上の一部又は全部に当該半導体薄膜の結晶化を助長する触媒元素を添加又は保持し、
その後、加熱処理により前記非晶質半導体薄膜の一部又は全部を結晶化させ、結晶性半導体薄膜を形成し、
前記結晶性半導体薄膜中から前記触媒元素をゲッタリングし、
前記ゲッタリング後の結晶性半導体薄膜をパターニングして活性層を形成し、
前記活性層上に、前記ガラス基板の表面及び裏面を覆う酸化窒化珪素膜を形成し、
当該酸化窒化珪素膜を用いてゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
ガラス基板の表面及び裏面に酸化窒化珪素膜を形成し、
前記酸化窒化珪素膜上に非晶質半導体薄膜を形成し、
前記非晶質半導体薄膜上の一部又は全部に当該半導体薄膜の結晶化を助長する触媒元素を添加又は保持し、
その後、加熱処理により前記非晶質半導体薄膜の一部又は全部を結晶化させ、結晶性半導体薄膜を形成し、
前記結晶性珪素膜の一部に対して選択的に１５族から選ばれた不純物元素を添加し、前記不純物元素が添加されなかった領域中に残存する前記触媒元素を、加熱処理により前記不純物元素が添加された領域に移動させてゲッタリングし、
前記ゲッタリング後の結晶性半導体薄膜をパターニングして活性層を形成し、
前記活性層上に、前記ガラス基板の表面及び裏面を覆う酸化窒化珪素膜を形成し、
当該酸化窒化珪素膜を用いてゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
前記酸化窒化珪素膜は、ＣＶＤ法によって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記触媒元素は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐｂから選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記ガラス基板は結晶化ガラスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記ガラス基板の歪み点は７５０℃以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記ガラス基板の歪み点は９５０〜１１００℃であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、前記光源より発振されるパルスレーザービームを縦横に複数分割した後、分割された各々のビームを線状としてから合成させ、被照射面においてビーム幅Ｗを有する線状ビームを得る光学系と、前記線状ビームが照射される半導体膜が設けられた基板を移動させる手段とを有し、
前記半導体膜表面の高低差をｒ、前記ビーム幅Ｗの前記高低差ｒに対する変化量をΔ（ｒ）、前記光源のパルスレーザーの発振周期の間に前記基板が移動するピッチをｘとするとき、
Ｗ／２０≦Δ（ｒ）≦ｘ≦Ｗ／５の条件を満たしていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項２】
光源と、前記光源より発振されるパルスレーザービームを縦横に複数分割した後、分割された各々のビームを線状としてから合成させ、被照射面においてビーム幅Ｗを有する線状ビームを得る光学系と、前記線状ビームが照射される半導体膜が設けられた基板を移動させる手段とを有し、
前記半導体膜表面の高低差をｒ、前記ビーム幅Ｗの前記高低差ｒに対する変化量をΔ（ｒ）、前記光源のパルスレーザーの発振周期の間に前記基板が移動するピッチをｘとするとき、
Δ（ｒ）≦Ｗ／２０≦ｘ≦Ｗ／５の条件を満たしていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項３】
光源と、前記光源より発振されるパルスレーザービームを縦横に複数分割した後、分割された各々のビームを線状としてから合成させ、被照射面においてビーム幅Ｗを有する線状ビームを得る光学系と、前記線状ビームが照射される半導体膜が設けられた基板を移動させる手段とを有し、
前記半導体膜表面の高低差をｒ、前記ビーム幅をＷ、前記光学系の最終レンズに入射するレーザービームの、前記最終レンズの母線に垂直な方向の入射範囲の大きさをＤ、前記最終レンズの母線と前記半導体膜との距離をＦ、前記光源のパルスレーザーの発振周期の間に前記基板が移動するピッチをｘとするとき、
Ｗ／２０≦ｒＤ／２Ｆ≦ｘ≦Ｗ／５の条件を満たしていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項４】
光源と、前記光源より発振されるパルスレーザービームを縦横に複数分割した後、分割された各々のビームを線状としてから合成させ、被照射面においてビーム幅Ｗを有する線状ビームを得る光学系と、前記線状ビームが照射される半導体膜が設けられた基板を移動させる手段とを有し、
前記半導体膜表面の高低差をｒ、前記ビーム幅をＷ、前記光学系の最終レンズに入射するレーザービームの、前記最終レンズの母線に垂直な方向の入射範囲の大きさをＤ、前記最終レンズの母線と前記半導体膜との距離をＦ、前記光源のパルスレーザーの発振周期の間に前記基板が移動するピッチをｘとするとき、
ｒＤ／２Ｆ≦Ｗ／２０≦ｘ≦Ｗ／５の条件を満たしていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至４において、前記半導体膜表面の高低差ｒはｒ≦１０００μｍであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至４において、前記半導体膜表面の高低差ｒはｒ≦１００μｍであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至６において、前記基板は、１００ｍｍ×１００ｍｍ〜１０００ｍｍ×１０００ｍｍの大きさを有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至６において、前記基板は、３００ｍｍ×３００ｍｍ〜８００ｍｍ×８００ｍｍの大きさを有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項９】
基板上に半導体膜を形成し、
光源より発振されるパルスレーザービームを縦横に複数分割した後、分割された各々のビームを線状としてから合成することで、被照射面においてビーム幅Ｗを有する線状ビームに成形し、
前記基板を移動させながら前記線状ビームを前記半導体膜に照射する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体膜表面の高低差をｒ、前記ビーム幅Ｗの前記高低差ｒに対する変化量をΔ（ｒ）、前記光源のパルスレーザーの発振周期の間に前記基板が移動するピッチをｘとするとき、
Ｗ／２０≦Δ（ｒ）≦ｘ≦Ｗ／５の条件を満たしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に半導体膜を形成し、
光源より発振されるパルスレーザービームを縦横に複数分割した後、分割された各々のビームを線状としてから合成することで、被照射面においてビーム幅Ｗを有する線状ビームに成形し、
前記基板を移動させながら前記線状ビームを前記半導体膜に照射する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体膜表面の高低差をｒ、前記ビーム幅Ｗの前記高低差ｒに対する変化量をΔ（ｒ）、前記光源のパルスレーザーの発振周期の間に前記基板が移動するピッチをｘとするとき、
Δ（ｒ）≦Ｗ／２０≦ｘ≦Ｗ／５の条件を満たしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に半導体膜を形成し、
光源より発振されるパルスレーザービームを縦横に複数分割した後、分割された各々のビームを線状としてから合成することで、被照射面においてビーム幅Ｗを有する線状ビームに成形し、
前記基板を移動させながら前記線状ビームを前記半導体膜に照射する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体膜表面の高低差をｒ、前記ビーム幅をＷ、前記光学系の最終レンズに入射するレーザービームの、前記最終レンズの母線に垂直な方向の入射範囲の大きさをＤ、前記最終レンズの母線と前記半導体膜との距離をＦ、前記光源のパルスレーザーの発振周期の間に前記基板が移動するピッチをｘとするとき、
Ｗ／２０≦ｒＤ／２Ｆ≦ｘ≦Ｗ／５の条件を満たしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に半導体膜を形成し、
光源より発振されるパルスレーザービームを縦横に複数分割した後、分割された各々のビームを線状としてから合成することで、被照射面においてビーム幅Ｗを有する線状ビームに成形し、
前記基板を移動させながら前記線状ビームを前記半導体膜に照射する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体膜表面の高低差をｒ、前記ビーム幅をＷ、前記光学系の最終レンズに入射するレーザービームの、前記最終レンズの母線に垂直な方向の入射範囲の大きさをＤ、前記最終レンズの母線と前記半導体膜との距離をＦ、前記光源のパルスレーザーの発振周期の間に前記基板が移動するピッチをｘとするとき、
ｒＤ／２Ｆ≦Ｗ／２０≦ｘ≦Ｗ／５の条件を満たしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一項において、前記半導体膜表面の高低差ｒは  ｒ≦１０００μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１２のいずれか一項において、前記半導体膜表面の高低差ｒは  ｒ≦１００μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一項において、前記基板は、１００ｍｍ×１００ｍｍ〜１０００ｍｍ×１０００ｍｍの大きさを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項９乃至１４のいずれか一項において、前記基板は、３００ｍｍ×３００ｍｍ〜８００ｍｍ×８００ｍｍの大きさを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着ノズルによる部品取り出し位置に形成された供給口へキャリアテープを搬送し、前記供給口の手前位置で前記キャリアテープからトップテープを剥離して前記キャリアテープのキャビティを順次に開放する電子部品供給装置において、トップテープが剥離されて供給口へ送られるキャリアテープの上面開口に対向するテープ押さえ部材を設け、前記テープ押さえ部材とキャリアテープの間に配設され先端が前記供給口の近傍位置に延設されたプレートを設け、キャリアテープの搬送に同期して前記供給口の位置に移動して初期位置に復帰する往復駆動され、先端は前記キャリアテープのトップテープが剥離されたキャビティの開口部に近接したシャッタを設け、前記プレートと前記シャッタとでキャビティからの供給部品の飛び出しを規制しながら供給部品を前記の供給口へ搬送する電子部品供給装置。
【請求項２】
プレートの先端にキャリアテープの上面開口の移動経路に沿ったスリットを形成し、前記スリットを介してシャッタの先端がキャリアテープの上面開口の側に突出している請求項１記載の電子部品供給装置。
【請求項３】
吸着ノズルによる部品取り出し位置に形成された供給口へキャリアテープを搬送し、前記供給口の手前位置で前記キャリアテープからトップテープを剥離して前記キャリアテープのキャビティを順次に開放する電子部品供給装置において、トップテープが剥離されて供給口へ送られるキャリアテープの上面開口に対向するテープ押さえ部材を設け、前記テープ押さえ部材とキャリアテープの間に配設されキャリアテープの搬送に同期して前記供給口の位置に向かって移動して初期位置に復帰する往復駆動のプレートを設け、前記プレートでキャビティからの供給部品の飛び出しを規制しながら供給部品を前記の供給口へ搬送する電子部品供給装置。
【請求項４】
プレートを板バネにした請求項１から請求項３のいずれかに記載の電子部品供給装置。
【請求項５】
吸着ノズルによる部品取り出し位置に形成された供給口へキャリアテープを搬送し、前記供給口の手前位置で前記キャリアテープからトップテープを剥離して前記キャリアテープのキャビティを順次に開放し、前記供給口から前記吸着ノズルで前記キャリアテープから供給部品を取り出すに際し、
トップテープが剥離されて前記供給口へ送られる途中では、キャリアテープの上面開口に対向して配置されているテープ押さえ部材と前記キャリアテープとの間に配設され、先端が前記供給口の近傍位置に延びたプレートによって前記搬送中の前記キャビティ内における供給部品の踊り状態を規制し、
前記供給口では、先端が前記キャリアテープのトップテープが剥離されたキャビティの開口部に近接したシャッタをキャリアテープの搬送に同期して往復駆動させ、前記吸着ノズルによる部品取り出し時までは前記供給口の位置に移動している前記シャッタによって前記供給部品の飛び出しを規制し、前記吸着ノズルによる部品取り出し時には部品取り出しを妨げない初期位置に前記シャッタを移動させる
電子部品供給方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項４記載の電子部品供給装置は、請求項１から請求項３のいずれかにおいて、プレートを板バネにしたことを特徴とする。この構成によると、テープ押さえ部材とキャリアテープとの隙間をより小さくすることができるためより安定したキャリアテープの搬送が実現できる。また、請求項５記載の電子部品供給方法は、吸着ノズルによる部品取り出し位置に形成された供給口へキャリアテープを搬送し、前記供給口の手前位置で前記キャリアテープからトップテープを剥離して前記キャリアテープのキャビティを順次に開放し、前記供給口から前記吸着ノズルで前記キャリアテープから供給部品を取り出すに際し、トップテープが剥離されて前記供給口へ送られる途中では、キャリアテープの上面開口に対向して配置されているテープ押さえ部材と前記キャリアテープとの間に配設され、先端が前記供給口の近傍位置に延びたプレートによって前記搬送中の前記キャビティ内における供給部品の踊り状態を規制し、前記供給口では、先端が前記キャリアテープのトップテープが剥離されたキャビティの開口部に近接したシャッタをキャリアテープの搬送に同期して往復駆動させ、前記吸着ノズルによる部品取り出し時までは前記供給口の位置に移動している前記シャッタによって前記供給部品の飛び出しを規制し、前記吸着ノズルによる部品取り出し時には部品取り出しを妨げない初期位置に前記シャッタを移動させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記圧縮符号化された画像はJPEG画像であり、前記復号データはＤＣＴ係数と逆ＤＣＴ変換されたビットマップデータとを含むことを特徴とする請求項１８記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記ブロック抽出手段で抽出された前記連続するブロックの数に基づいて、注目画像領域となる候補を選別する選別手段を更に有することを特徴とする請求項１５又は１７記載の画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
伝送路を介して接続された複数の機器の各々との間でパケットを単位として通信を行うマルチイニシエータ制御装置であって、
送信すべきパケットを前記伝送路に送信する一方、前記伝送路からパケットを受信し、誤り検出を行って出力するリンクコア回路と、
前記リンクコア回路が受信したパケットを解析し、得られた受信アドレスを、イニシエータのノード番号に基づき、前記機器毎に異なるアドレス領域内に設定されたレジスタのアドレスと比較し一致したとき結果を出力するパケットフィルタと、
各々、前記複数の機器の各々に対応し、対応する機器との間のコマンド処理シーケンスを制御する複数のコマンド制御回路と、
前記パケットフィルタの出力に基づいて、前記受信アドレスによって示されるレジスタに、コマンド処理シーケンスに必要な前記受信したパケットの情報を格納させ、かつ、前記複数のコマンド制御回路のうちの１つにシーケンス実行許可を与えるマルチ制御回路と、
前記シーケンス実行許可を与えられたコマンド制御回路が出力する情報を有するパケットを前記送信すべきパケットとして生成し、前記リンクコア回路に出力して送信させる一方、前記リンクコア回路が受信して出力したパケットを前記パケットフィルタが出力する解析結果に従って出力するパケット処理回路と、
前記パケット処理回路が出力するパケットに含まれるコマンドを実行するＣＰＵ（central processing unit）とを備える
マルチイニシエータ制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載のマルチイニシエータ制御装置において、
前記複数のコマンド制御回路は、それぞれ、
対応する機器が出力し、当該対応する機器との間のコマンド処理シーケンスに必要な情報を、前記シーケンス実行許可が与えられると、対応するレジスタから読み出して出力するものであり、
前記パケット処理回路は、
前記シーケンス実行許可を与えられたコマンド制御回路が出力する情報を有するパケットを生成して出力し、これに応答して当該コマンド制御回路に対応する機器が出力したパケットを、受信して出力するものである
ことを特徴とするマルチイニシエータ制御装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１に記載のマルチイニシエータ制御装置において、
前記レジスタのアドレスは、
前記複数のコマンド制御回路のうちの基準とするものの同種のレジスタのアドレスに、２の累乗である所定の値を単位とする加算がされたアドレスである
ことを特徴とするマルチイニシエータ制御装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
伝送路を介して接続された複数の機器の各々との間でパケットを単位として通信を行うマルチイニシエータ制御方法であって、
コマンドフェッチ要求パケットを受信して、前記機器毎に異なるアドレス領域内に設定され、得られた受信アドレスによって示されるレジスタに、前記コマンドフェッチ要求パケットの情報を保持するステップと、
前記複数の機器から１つを所定の順で選択し、選択された機器からコマンドフェッチ要求を受けたことを記憶しているか否かを判定するステップと、
コマンドフェッチ要求を受けたことを記憶していると判定したときは、前記選択された機器からコマンドをフェッチして実行するステップとを備える
マルチイニシエータ制御方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
前記課題を解決するため、請求項１の発明が講じた手段は、伝送路を介して接続された複数の機器の各々との間でパケットを単位として通信を行うマルチイニシエータ制御装置であって、送信すべきパケットを前記伝送路に送信する一方、前記伝送路からパケットを受信し、誤り検出を行って出力するリンクコア回路と、前記リンクコア回路が受信したパケットを解析し、得られた受信アドレスを、イニシエータのノード番号に基づき、前記機器毎に異なるアドレス領域内に設定されたレジスタのアドレスと比較し一致したとき結果を出力するパケットフィルタと、各々、前記複数の機器の各々に対応し、対応する機器との間のコマンド処理シーケンスを制御する複数のコマンド制御回路と、前記パケットフィルタの出力に基づいて、前記受信アドレスによって示されるレジスタに、コマンド処理シーケンスに必要な前記受信したパケットの情報を格納させ、かつ、前記複数のコマンド制御回路のうちの１つにシーケンス実行許可を与えるマルチ制御回路と、前記シーケンス実行許可を与えられたコマンド制御回路が出力する情報を有するパケットを前記送信すべきパケットとして生成し、前記リンクコア回路に出力して送信させる一方、前記リンクコア回路が受信して出力したパケットを前記パケットフィルタが出力する解析結果に従って出力するパケット処理回路と、前記パケット処理回路が出力するパケットに含まれるコマンドを実行するＣＰＵ（central processing unit）とを備えるものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、請求項２の発明では、請求項１に記載のマルチイニシエータ制御装置において、前記複数のコマンド制御回路は、それぞれ、対応する機器が出力し、当該対応する機器との間のコマンド処理シーケンスに必要な情報を、前記シーケンス実行許可が与えられると、対応するレジスタから読み出して出力するものであり、前記パケット処理回路は、前記シーケンス実行許可を与えられたコマンド制御回路が出力する情報を有するパケットを生成して出力し、これに応答して当該コマンド制御回路に対応する機器が出力したパケットを、受信して出力するものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また、請求項５の発明では、請求項１に記載のマルチイニシエータ制御装置において、前記レジスタのアドレスは、前記複数のコマンド制御回路のうちの基準とするものの同種のレジスタのアドレスに、２の累乗である所定の値を単位とする加算がされたアドレスである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
また、請求項１０の発明は、伝送路を介して接続された複数の機器の各々との間でパケットを単位として通信を行うマルチイニシエータ制御方法であって、コマンドフェッチ要求パケットを受信して、前記機器毎に異なるアドレス領域内に設定され、得られた受信アドレスによって示されるレジスタに、前記コマンドフェッチ要求パケットの情報を保持するステップと、前記複数の機器から１つを所定の順で選択し、選択された機器からコマンドフェッチ要求を受けたことを記憶しているか否かを判定するステップと、コマンドフェッチ要求を受けたことを記憶していると判定したときは、前記選択された機器からコマンドをフェッチして実行するステップとを備えるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置およびウィンドウ表示制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示モニタをマルチモニタ環境で表示制御する表示制御機能をもつ情報処理装置に於いて、
前記マルチモニタ環境下で扱う、ウィンドウを開いた状態での表示画面を前記表示モニタ間で移動する際に、
移動前の表示画面上のウィンドウ表示状態を移動先の表示モニタ上で再現可能な情報として取得し保持する手段
を具備したことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記保持情報には、少なくとも前記移動前の表示画面上のすべてのウィンドウのサイズおよび位置情報と、前記移動前の表示画面を表示している表示モニタの表示解像度と、前記表示画面を表示する移動先の表示モニタの表示解像度とが含まれる請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
複数の表示モニタをマルチモニタ環境で表示制御する表示制御手段と、
前記表示制御手段の制御下にある表示モニタの間に於いて、ウィンドウを開いた状態での表示画面を移動する際に、少なくとも前記表示画面の移動元および移動先の表示モニタの画面の大きさをドット数を単位として取得する取得手段と、
前記移動の対象となる表示画面上のすべてのウィンドウサイズを前記情報取得手段が取得した画面の大きさに比例して変更する処理手段とを具備し、
前記移動先の表示モニタが前記処理手段により変更されたすべてのウィンドウを表示することを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
表示モニタと、
前記表示モニタの解像度を変更する解像度変更手段と、
解像度変更手段が前記表示モニタの解像度を変更したとき前記表示モニタの画面の大きさをドット数を単位として取得する取得手段と、
前記取得手段が取得した画面の大きさに比例して前記表示モニタに表示するすべてのウィンドウのサイズを変更する処理手段と、
前記処理手段が変更したウィンドウのすべてを前記表示モニタに表示するウィンドウ表示手段と
を具備したことを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
第１のウィンドウの中に第２のウィンドウを表示するウィンドウ表示手段と、
前記第１のウィンドウの中に第２のウィンドウが表示されている状態で、前記第１のウィンドウがサイズ変更されたとき、当該変更したウィンドウサイズの割合を算出する演算手段と、
前記演算手段が算出した割合で前記第１のウィンドウの中に表示されていた前記第２のウィンドウのサイズを変更して表示するウィンドウ再表示手段と
を具備したことを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
複数の表示モニタをマルチモニタ環境で表示している際に、
前記表示モニタ間で、ウィンドウを開いた状態で表示画面を移動する事象が発生したとき、
前記表示画面の移動元および移動先の表示モニタの画面の大きさをドット数を単位として取得し、
前記移動の対象となる表示画面上のすべてのウィンドウサイズを前記取得した画面の大きさに比例して変更して、
変更したすべてのウィンドウを移動先の表示モニタに表示することを特徴とするウィンドウ表示制御方法。
【請求項７】
表示モニタの解像度が変更されたとき、
前記表示モニタの画面の大きさをドット数を単位に取得して、前記表示モニタに表示するすべてのウィンドウのサイズを前記取得した画面の大きさに比例して変更し、前記表示モニタに表示することを特徴とするウィンドウ表示制御方法。
【請求項８】
第１のウィンドウの中に、第２のウィンドウが表示されている状態で、前記第１のウィンドウがサイズ変更されたとき、変更されたウィンドウサイズの割合を算出し、前記第１のウィンドウの中に表示されていた前記第２のウィンドウを前記算出した割合でサイズ変更して表示することを特徴とするウィンドウ表示制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の表示ウィンドウを扱うアプリケーションを実行する環境に適用して好適な情報処理装置およびウィンドウ表示制御方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記実情に鑑みなされたもので、表示モニタ間に於けるウィンドウの移動、ウィンドウが開かれた状態での画面解像度の変更、ウィンドウの中にウィンドウが表示されている状態での外側ウィンドウの縮小操作等に対して、常に、開かれているウィンドウのすべてを適正なサイズ状態に維持して表示することのできる情報処理装置およびウィンドウ表示制御方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の表示モニタをマルチモニタ環境で表示制御する表示制御機能をもつ情報処理装置に於いて、前記マルチモニタ環境下で扱う、ウィンドウを開いた状態での表示画面を前記表示モニタ間で移動する際に、移動前の表示画面上のウィンドウ表示状態を移動先の表示モニタ上で再現可能な情報として取得し保持する手段を具備したことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、複数の表示モニタをマルチモニタ環境で表示している際に、前記表示モニタ間で、ウィンドウを開いた状態で表示画面を移動する事象が発生したとき、前記表示画面の移動元および移動先の表示モニタの画面の大きさをドット数を単位として取得し、前記移動の対象となる表示画面上のすべてのウィンドウサイズを前記取得した画面の大きさに比例して変更して、変更したすべてのウィンドウを移動先の表示モニタに表示するウィンドウ表示制御方法を特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブ・マトリクス型液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素列を有する画素アレイと、
前記複数の画素列の夫々を選択する走査信号を伝送する複数のゲート線と、
前記走査信号により選択された画素列に対して信号を供給するデータ線とを有し、ノーマリ黒表示モードで動作するアクティブ・マトリクス型液晶表示装置であって、
Ｙ本（Ｙ≧２）の隣接するゲート線を順次選択し、前記Ｙ本のゲート線で選択された画素列に対して表示信号を順次供給する第１の工程と、
前記順次選択されたＹ本のゲート線とは離間したＺ本（Ｚ≧２）のゲート線を一括して選択し、前記Ｚ本のゲート線で選択された複数の画素列に対してブランキング信号を一括して供給する第２の工程とを有し、
１フレームにおいて、前記Ｙ本の隣接するゲート線を前記画素アレイ内において順次移動させながら、前記第１の工程と前記第２の工程とを交互に繰り返すことを特徴とするアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】
前記Ｙ本と前記Ｚ本とは、同じ本数であることを特徴とする請求項１に記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項３】
前記Ｙ本と前記Ｚ本とは、４本であることを特徴とする請求項１に記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項４】
前記ブランキング信号とは、画素に黒を表示する信号であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項５】
前記Ｙ本のゲート線と、前記Ｙ本のゲート線とは離間した前記Ｚ本のゲート線との間に存在するゲート線の数を変更することが可能な請求項１乃至４の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素アレイの各画素に応じて暗さのことなるブランキング信号を供給することを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２の工程で選択させるＺ本のゲート線は、フレーム毎に、１ゲート線ずつずれていることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項８】
複数の画素列を有する画素アレイと、
前記複数の画素列の夫々を選択する走査信号を伝送する複数のゲート線と、
前記走査信号により選択された画素列に対して表示信号を供給するデータ線とを有し、ノーマリ黒表示モードで動作するアクティブ・マトリクス型液晶表示装置であって、
１フレームにおいて、Ｙ本（Ｙ≧２）の隣接するゲート線を順次選択し、前記Ｙ本のゲート線で選択された画素列に対して表示信号を順次供給し、第１の期間が経過した後に、前記Ｙ本のゲート線を一括して選択し、前記Ｙ本のゲート線で選択された画素列に対してブランキング信号を供給し、
前記１フレームにおいて、前記Ｙ本のゲート線とは異なるＸ本（Ｘ≧２）の隣接するゲート線を順次選択し、前記Ｘ本のゲート線で選択された画素列に対して表示信号を順次供給し、第２の期間が経過した後に、前記Ｘ本のゲート線を一括して選択し、前記Ｘ本のゲート線で選択された画素列に対してブランキング信号を供給しすることを特徴とするアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項９】
前記Ｙ本のゲート線と前記Ｘ本のゲート線とは隣接するゲート線であることを特徴とする請求項８に記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項１０】
前記Ｙ本と前記Ｘ本とは４本であることを特徴とする請求項８又は９に記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項１１】
前記ブランキング信号とは、画素に黒を表示する信号であることを特徴とする請求項８乃至１０の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１の期間と前記第２の期間とは同じ時間であることを特徴とする請求項８乃至１１の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１の期間と前記第２の期間と変更することが可能であることを特徴とする請求項１２に記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項１４】
前記画素アレイの各画素に応じて暗さのことなるブランキング信号を供給することを特徴とする請求項８乃至１３の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項１５】
複数の画素列を有する画素アレイと、
前記複数の画素列の夫々を選択する走査信号を伝送する複数のゲート線と、
前記走査信号により選択された画素列に対して表示信号を供給するデータ線とを有し、
前記複数の画素列のそれぞれの画素が有する画素電極と対向電極との電位差が大きくなるほど液晶層の光透過率が上昇する液晶表示装置であって、
Ｙ本（Ｙ≧２）の隣接するゲート線を順次選択し、前記Ｙ本のゲート線で選択された画素列に対して表示信号を順次供給する第１の工程と、
前記順次選択されたＹ本のゲート線とは離間したＺ本（Ｚ≧２）のゲート線を一括して選択し、前記Ｚ本のゲート線で選択された複数の画素列に対してブランキング信号を一括して供給する第２の工程とを有し、
１フレームにおいて、前記Ｙ本の隣接するゲート線を前記画素アレイ内において順次移動させながら、前記第１の工程と前記第２の工程とを交互に繰り返すことを特徴とするアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項１６】
前記Ｙ本と前記Ｚ本とは、同じ本数であることを特徴とする請求項１５に記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項１７】
前記Ｙ本と前記Ｚ本とは、４本であることを特徴とする請求項１５に記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項１８】
前記ブランキング信号とは、画素に黒を表示する信号であることを特徴とする請求項１５乃至１７の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項１９】
前記Ｙ本のゲート線と、前記Ｙ本のゲート線とは離間した前記Ｚ本のゲート線との間に存在するゲート線の数を変更することが可能な請求項１５乃至１８の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項２０】
前記画素アレイの各画素に応じて暗さのことなるブランキング信号を供給することを特徴とする請求項１５乃至１９の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第２の工程で選択させるＺ本のゲート線は、フレーム毎に、１ゲート線ずつずれていることを特徴とする請求項１５乃至２０の何れかに記載のアクティブ・マトリクス型液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
続いて、第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッド（図１参照）に関して、意図しない情報の消去を防止する上で適正化を図ったところ、図１３に示した結果が得られた。図１３は非記録時において薄膜磁気ヘッドが保有する磁場強度の長さ比依存性を表しており、「横軸」は長さ比Ｌ１／Ｌ２（ライトシールド層１５の長さ１と上部リードシールド層７の長さＬ２との比）を示し、「縦軸」は磁場強度（非記録時において薄膜磁気ヘッドが保有した磁場強度；×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ＝Ｏｅ）を示している。磁場強度の長さ比依存性を調べるために設定した上部リードシールド層７の長さＬ２は、Ｌ２＝１１２μｍである。なお、図１３に示した「○」は上部リードシールド層７について示し、「□」は主磁極層１０２について示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
この場合には、特に、不要な磁気的閉ループに起因する意図しない情報の消去を防止するために薄膜磁気ヘッドが保有する磁場状態を適正化する上で、上部リードシールド層７が保有する磁場強度を０Ａ／ｍ以上８００×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下とすると共に、主磁極層１０２が保有する磁場強度を０Ａ／ｍよりも大きくする必要があるとすると、この条件は、長さ比Ｌ１／Ｌ２が０．４５≦Ｌ１／Ｌ２≦１．３であれば満たされる。このことから、本発明の第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、長さ比Ｌ１／Ｌ２を０．４５≦Ｌ１／Ｌ２≦１．３とすれば、不要な磁気的閉ループが形成されなくなり、意図しない情報の消去が防止されることが確認された。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
続いて、第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッド（図６参照）の構成に関して、意図しない情報の消去を防止する上で適正化を図ったところ、図１４に示した結果が得られた。図１４は非記録時において薄膜磁気ヘッドが保有する磁場強度の長さ比依存性を表しており、「横軸」は長さ比Ｌ１／Ｌ２を示し、「縦軸」は磁場強度（非記録時において薄膜磁気ヘッドが保有した磁場強度；×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ＝Ｏｅ）を示している。磁場強度の長さ比依存性を調べるために設定した上部リードシールド層７の長さＬ２は、Ｌ２＝１２μｍである。なお、図１４に示した「○」は上部リードシールド層７について示し、「□」は主磁極層１０２について示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
この場合には、特に、不要な磁気的閉ループに起因する意図しない情報の消去を防止するために薄膜磁気ヘッドが保有する磁場状態を適正化する上で、上記したように、上部リードシールド層７が保有する磁場強度を０Ａ／ｍ以上８００×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ以下とすると共に、主磁極層１０２が保有する磁場強度を０Ａ／ｍよりも大きくする必要があるとすると、この条件は、長さ比Ｌ１／Ｌ２が１．０≦Ｌ１／Ｌ２≦１．３であれば満たされる。この範囲は、上部リードシールド層７がバックギャップ１３ＢＧよりも前方まで延在しているのに対して、ライトシールド層１５がバックギャップ１３ＢＧよりも後方まで延在しているため、これらのライトシールド層１５の長さＬ１と上部リードシールド層７の長さＬ２とが互いに一致し得ないことを考慮すれば、１．０＜Ｌ１／Ｌ２≦１．３となる。このことから、本発明の第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、長さ比Ｌ１／Ｌ２を１．０＜Ｌ１／Ｌ２≦１．３とすれば、不要な磁気的閉ループが形成されなくなり、意図しない情報の消去が防止されることが確認された。