Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ヘッドと記録媒体との間の境界から離されているスピン・トンネル検知素子を有する記録ヘッドであって、前記スピン・トンネル検知素子は、前記記録媒体から発せられる磁束を前記境界から離れて前記スピン・トンネル検知素子の活動領域まで導く磁束ガイドとして機能する磁性素子を備えていることを特徴とする記録ヘッド。
【請求項２】
前記磁束ガイドは、前記磁束ガイドの磁化の向きを設定する一対の安定化領域に結合されていることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【請求項３】
前記安定化領域に結合されていない、前記磁束ガイドの領域は活動領域を画定していることを特徴とする請求項２に記載の記録ヘッド。
【請求項４】
前記安定化領域は反強磁性材料から構成されていることを特徴とする請求項２に記載の記録ヘッド。
【請求項５】
前記安定化領域は一対の永久磁石を備えていることを特徴とする請求項２に記載の記録ヘッド。
【請求項６】
前記スピン・トンネル検知素子は、ピン留め磁性膜および介在する誘電体バリアをさらに備えていることを特徴とする請求項２に記載の記録ヘッド。
【請求項７】
前記ピン留め磁性膜は、前記磁束ガイドの向きと実質的に垂直な磁化の向きを有していることを特徴とする請求項６に記載の記録ヘッド。
【請求項８】
前記ピン留め磁性膜は、反強磁性材料の層に結合されている軟磁性膜を含むことを特徴とする請求項６に記載の記録ヘッド。
【請求項９】
前記軟磁性膜はパーマロイ層から構成されていることを特徴とする請求項８に記載の記録ヘッド。
【請求項１０】
前記軟磁性膜はニッケル鉄の層から構成されていることを特徴とする請求項８に記載の記録ヘッド。
【請求項１１】
前記反強磁性材料はマンガン系材料であることを特徴とする請求項８に記載の記録ヘッド。
【請求項１２】
前記反強磁性材料は酸化ニッケルであることを特徴とする請求項８に記載の記録ヘッド。
【請求項１３】
前記反強磁性材料はテルビウム鉄であることを特徴とする請求項８に記載の記録ヘッド。
【請求項１４】
前記スピン・トンネル検知素子は所定電位に維持されるシールドに囲まれ、前記磁束ガイドは前記磁束ガイドと前記シールドとの間の短絡を防止するように前記所定電位に維持されていることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【請求項１５】
前記磁束ガイドは軟磁性膜から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【請求項１６】
前記磁束ガイドはパーマロイ層から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【請求項１７】
前記磁束ガイドはニッケル鉄の層から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【請求項１８】
前記スピン・トンネル検知素子に電気的接続を提供する一対の導体層をさらに備え、前記導体層は、前記記録媒体と前記記録ヘッドとの間の短絡を防止するように前記境界から離されることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コンピュータによる実行のためにメモリのブート可能パーティションを選択する装置であって、
複数のブート可能イメージを記憶するよう構成された第１プログラマブル・メモリと、
前記複数のブート可能イメージのどれが選択されたかを示すステータス情報を記憶するよう構成された第２プログラマブル・メモリと
を備え、
前記第１プログラマブル・メモリが、更に、プログラム不可能なブート・ブロック部分を備え、
前記装置はさらに、前記予め選択されたブート可能イメージを実行する前に、前記予め選択されたブート可能イメージの完全性チェックを行い、前記予め選択されたブート可能イメージが前記完全性チェックで不合格となった場合、別のブート可能イメージを選択するように構成されているコンピュータ・プロセッサを備えている
ことを特徴とする装置。
【請求項２】  請求項１記載の装置において、前記コンピュータ・プロセッサはさらに、前記別のブート可能イメージを実行する前に、該別のブート可能イメージの完全性チェックを行うように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項３】  請求項２記載の装置において、前記コンピュータ・プロセッサはさらに、前記別のブート可能イメージが前記完全性チェックで不合格となった場合、前記ブート処理を中止するよう構成されていることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
融点が３５０℃を超える全芳香族液晶ポリエステル樹脂又は融点が３５０℃以上であるその他の熱可塑性樹脂より成る用紙分離爪の爪先先端部が導電性フッ素樹脂によりコーティングされた用紙分離爪であって、爪先先端とそれと反対方向のコーティング膜後端部にテスターまたは絶縁抵抗計の金属電極を当てて塗膜の表面抵抗値を測定する以外はＪＩＳＫ−６９１１に準拠した試験方法による表面抵抗値が１０6オーム以下である用紙分離爪。
【請求項２】
融点が３５０℃を超える全芳香族液晶ポリエステル樹脂又は融点が３５０℃以上であるその他の熱可塑性樹脂より成る用紙分離爪の爪先先端部が、ＪＩＳＫ−６９１１に従い測定した２０μｍ厚みの塗膜の表面抵抗値が１０6オーム以下の導電性フッ素樹脂によりコーティングされた用紙分離爪。
【請求項３】
全芳香族液晶ポリエステル樹脂が下式（３）、（４）及び（５）で表される繰り返し構造単位を９０重量％以上有する分子構造より成り、その融点が３５０℃を超える全芳香族液晶ポリエステル樹脂である請求項１または２記載の用紙分離爪。
【化２】
1999316515.tif 000001
【請求項４】
導電性フッ素樹脂が、
Ａ．（イ）テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ樹脂）、
（ロ）ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ樹脂）、
（ハ）テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ樹脂）、
より成る群から選択され、かつ（イ）を必須成分とするフッ素樹脂１種類以上と、
Ｂ．（ニ）カーボン、
（ホ）導電性金属酸化物、
（ヘ）金属微粉末、
の何れか１種類以上とを混合して成る導電性フッ素樹脂組成物から成ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の用紙分離爪。
【請求項５】
導電性フッ素樹脂組成物をコーティングするに当たって、導電性フッ素樹脂組成物のエナメルをエアースプレー塗装することにより５〜３０μｍのコーティング膜を作成することにより請求項１〜４のいずれか記載の用紙分離爪を製造することを特徴とする用紙分離爪の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
具体的に、本発明は、
１．融点が３５０℃を超える全芳香族液晶ポリエステル樹脂又は融点が３５０℃以上であるその他の熱可塑性樹脂より成る用紙分離爪の爪先先端部が導電性フッ素樹脂によりコーティングされた用紙分離爪であって、爪先先端とそれと反対方向のコーティング膜後端部にテスターまたは絶縁抵抗計の金属電極を当てて塗膜の表面抵抗値を測定する以外はＪＩＳＫ−６９１１に準拠した試験方法による表面抵抗値が１０6オーム以下である用紙分離爪、
２．融点が３５０℃を超える全芳香族液晶ポリエステル樹脂又は融点が３５０℃以上であるその他の熱可塑性樹脂より成る用紙分離爪の爪先先端部が、ＪＩＳＫ−６９１１に従い測定した２０μｍ厚みの塗膜の表面抵抗値が１０6オーム以下の導電性フッ素樹脂によりコーティングされた用紙分離爪、
３．全芳香族液晶ポリエステル樹脂が下式（３）、（４）及び（５）で表される繰り返し構造単位を９０重量％以上有する分子構造より成り、その融点が３５０℃を超える全芳香族液晶ポリエステル樹脂である上記１または２記載の用紙分離爪、
【化４】
1999316515.tif 000002
４．導電性フッ素樹脂が、
Ａ．（イ）テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ樹脂）、
（ロ）ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ樹脂）、
（ハ）テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ樹脂）、
より成る群から選択され、かつ（イ）を必須成分とするフッ素樹脂１種類以上と、
Ｂ．（ニ）カーボン、
（ホ）導電性金属酸化物、
（ヘ）金属微粉末、
の何れか１種類以上とを混合して成る導電性フッ素樹脂組成物から成ることを特徴とする上記１〜３のいずれか記載の用紙分離爪、および
５．導電性フッ素樹脂組成物をコーティングするに当たって、導電性フッ素樹脂組成物のエナメルをエアースプレー塗装することにより５〜３０μｍのコーティング膜を作成することにより上記１〜４のいずれか記載の用紙分離爪を製造することを特徴とする用紙分離爪の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明における用紙分離爪に用いる素材は、全芳香族液晶ポリエステル樹脂又は融点が３５０℃以上であるその他の熱可塑性樹脂より成るものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【実施例】
以下に実施例を挙げ発明の具体化例及び具体的効果について記述する。  
実施例１、比較例
ＰＥＫ樹脂（ビクトレックス製：２２０Ｐ）、全芳香族ＬＣＰ樹脂（住友化学（株）製：Ｅ４０００）、チタン酸カリウム繊維（大塚化学製：“ティスモ”Ｄ−１０２）及びホウ酸アルミニューム繊維（四国化成製：“アルボレックス、Ｙ”）を下表−１に示す配合組成で配合し、まず原材料全てをヘンシェルミキサーにより混合した後シリンダ温度３８０〜３９０℃に設定された二軸押出機に供給し毎分７０〜３００回転で溶融混練し押出造粒した。次に得られた組成物をインラインスクリュウ式射出成形機を用いて金型温度１５０〜２２０℃、成形温度３８０〜３９０℃の成形条件下に於いて図１に示す形状の分離爪試験片を作製した。さらに、此の分離爪にＰＦＡ樹脂１００重量部、水１００重量部、界面活性剤５重量部、エチレングリコール２０重量部のＰＦＡディスパージョンにカーボンウィスカー５重量部、カーボンブラック１５重量部、酸化チタン１０重量部を分散させ導電性フッ素樹脂エナメルを作成した。此の導電性フッ素樹脂エナメルによる塗装膜（厚さ約２０μｍ）の導電抵抗はＪＩＳＫ−６９１１に準拠した試験法により１０5Ωであった。此の導電性フッ素樹脂エナメルをエアースプレー塗装して分離爪先端に塗装した後、約３４０℃のオーブンに３０分から６０分入れて塗膜を焼成して約２０μｍ厚の塗装膜を作成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【表１】
1999316515.tif 000003
@0003
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【表３】
1999316515.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被定着部材と接触して被定着部材上の画像を加熱定着させる加熱部材と、この加熱部材を誘導加熱させる誘導加熱手段とを具備し、前記誘導加熱手段は、コア部材と、このコア部材に巻回されたコイル部材とを有し、前記コア部材は、被定着部材表面に垂直でかつ搬送方向に平行な面に対し、所定の角度で傾斜した面で複数に分割されていることを特徴とする定着装置。
【請求項２】
被定着部材と接触して被定着部材上の画像を加熱定着させる加熱部材と、この加熱部材を誘導加熱させる誘導加熱手段とを具備し、前記誘導加熱手段は、コア部材と、このコア部材に巻回されたコイル部材とを有し、前記コア部材は、被定着部材表面に垂直でかつ搬送方向に平行な面に対し所定の角度で傾斜した面、およびそれ以外の面を有する分割面で複数に分割されていることを特徴とする定着装置。
【請求項３】
被定着部材と接触して被定着部材上の画像を加熱定着させる加熱部材と、この加熱部材を誘導加熱させる誘導加熱手段とを具備し、前記誘導加熱手段は、コア部材と、このコア部材に巻回されたコイル部材とを有し、前記コア部材は、被定着部材の搬送方向に垂直な面を有する分割面で複数に分割されていることを特徴とする定着装置。
【請求項４】
被定着部材と接触して被定着部材上の画像を加熱定着させる加熱部材と、この加熱部材を誘導加熱させる誘導加熱手段とを具備し、前記誘導加熱手段は、コア部材と、このコア部材に巻回されたコイル部材とを有し、前記コア部材の一部が非磁性体により構成され、この非磁性体によりコア部材は複数に分割されていることを特徴とする定着装置。
【請求項５】
前記分割された複数のコア部材が接着剤により接着されて一体構造とされていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかの項に記載の定着装置。
【請求項６】
前記接着剤は、定着温度に耐え得る耐熱性を有することを特徴とする請求項５に記載の定着装置。
【請求項７】
前記接着剤は、１８０℃以上の温度に耐え得る耐熱性を有することを特徴とする請求項５に記載の定着装置。
【請求項８】
被定着部材と接触して被定着部材上の画像を加熱定着させる加熱ローラ部材と、この加熱ローラ部材を誘導加熱させる誘導加熱手段とを具備し、前記誘導加熱手段は、コア部材と、このコア部材に巻回されたコイル部材とを有し、前記加熱ローラ部材の両端部にはフランジ部材が、少なくとも一方が取り外し可能に取付けられていることを特徴とする定着装置。
【請求項９】
前記フランジ部材は、少なくとも一方が耐熱樹脂製であることを特徴とする請求項８に記載の定着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、誘導加熱手段を構成するコア部材を複数に分割した、以下の第１〜第４の発明が提供される。
第１の発明は、被定着部材と接触して被定着部材上の画像を加熱定着させる加熱部材と、この加熱部材を誘導加熱させる誘導加熱手段とを具備し、前記誘導加熱手段は、コア部材と、このコア部材に巻回されたコイル部材とを有し、前記コア部材は、被定着部材表面に垂直でかつ搬送方向に平行な面に対し、所定の角度で傾斜した面で複数に分割されていることを特徴とする定着装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の発明は、被定着部材と接触して被定着部材上の画像を加熱定着させる加熱部材と、この加熱部材を誘導加熱させる誘導加熱手段とを具備し、前記誘導加熱手段は、コア部材と、このコア部材に巻回されたコイル部材とを有し、前記コア部材は、被定着部材表面に垂直でかつ搬送方向に平行な面に対し所定の角度で傾斜した面、およびそれ以外の面を有する分割面で複数に分割されていることを特徴とする定着装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第３の発明は、被定着部材と接触して被定着部材上の画像を加熱定着させる加熱部材と、この加熱部材を誘導加熱させる誘導加熱手段とを具備し、前記誘導加熱手段は、コア部材と、このコア部材に巻回されたコイル部材とを有し、前記コア部材は、被定着部材の搬送方向に垂直な面を有する分割面で複数に分割されていることを特徴とする定着装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第４の発明は、被定着部材と接触して被定着部材上の画像を加熱定着させる加熱部材と、この加熱部材を誘導加熱させる誘導加熱手段とを具備し、前記誘導加熱手段は、コア部材と、このコア部材に巻回されたコイル部材とを有し、前記コア部材の一部が非磁性体により構成され、この非磁性体によりコア部材は複数に分割されていることを特徴とする定着装置を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ｂ）前記接着剤は、定着温度に耐え得る耐熱性を有すること。
ｃ）前記接着剤は、１８０℃以上の温度に耐え得る耐熱性を有すること。
また、上記課題を解決するため、第５の発明は、被定着部材と接触して被定着部材上の画像を加熱定着させる加熱ローラ部材と、この加熱ローラ部材を誘導加熱させる誘導加熱手段とを具備し、前記誘導加熱手段は、コア部材と、このコア部材に巻回されたコイル部材とを有し、前記加熱ローラ部材の両端部にはフランジ部材が少なくとも一方が取り外し可能に取付けられていることを特徴とする定着装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
水中よりのエコー信号のレベル強度から標的の中心を検出し、その標的中心に送波ビームを定めることにより、標的を自動追尾するようにしたスキャニングソナーにおいて、標的中心が所定の時間を経過する毎に、標的中心の最初と最後の位置データから標的の移動軌跡、移動速度もしくは移動方位の少なくとも一つを表示することを特徴とする自動魚群追尾スキャニングソナー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スキャニングソナーに関し、特に標的を自動追尾できる機能を有する自動魚群追尾スキャニングソナーに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した従来のシステムでは、検出結果をそのまま軌跡として表示するために紛らわしい表示が出力される。船体の動揺周期は一般に数秒程度で短い。従って所定時間が経過する毎に、もしくは魚群が所定距離を移動する毎に、画面に出力するようにすれば、つまり、検出データを出力しない不感帯を設ければ短時間内で生じるような動揺に伴う偽りの検出データを排除することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
不感帯として固定の時間を設定すると、魚群の移動速度が小さいとき、その時間が経過する毎に、魚群の位置はほぼ正確に表示されるが、データ検出時に船体が動揺しておれば、やはり魚群の移動方向が定まらず、正確な移動方向が表示されない。そこで、本発明では、請求項１で示したように、標的中心が所定の時間を経過する毎に、標的中心の最初と最後の位置データから標的の移動軌跡、移動速度もしくは移動方位の少なくとも一つを表示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
標的移動速度は、移動距離と移動に要した時間で算出されるが、距離と時間が短い程つまり、瞬時の速度は変化が激しく安定した結果が得られない。そこで、瞬時速度を所定時間で平均化した速度を用いれば安定し見やすい結果となる。ここでは、移動に要した時間を所定時間以上に確保することにより平均化の効果を持たせた。移動方位に関してもこれと同様の手段を用いた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次のステップＳ９では、標的とした魚群Ｘ1の中心が上述したように重心の検出により行われる。図１２は魚群中心の別の検出方法を示している。図１２の(Ａ)は、メインエリアＷ1にある魚群Ｘ1を示し、この魚群Ｘ1の中心を求めるに際し、魚群Ｘ1の各画素における平均レベルを演算し、(Ｂ)に示すように、その平均レベルを上回るドットのデータのみを抽出し、そして、(Ｃ)に示すように、それらのデータを囲む最小の四辺形をあてがい、その四辺形の中心Ｏを魚群Ｘ1の中心としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの異なる電位を用いて２値情報を表現する情報処理装置であって、
処理命令により実行の指示が与えられる演算装置を有し、
前記演算装置は、各処理命令に対し第１データと前記データのビット値を反転した第２データとを処理することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の情報処理装置であって、
記憶装置と、
データバスとを有し、
前記演算装置は、前記記憶装置を介し前記第１データと前記第２データとを組みで一緒に前記記憶装置へ転送するものであって、
前記記憶装置は、前記第１データと前記第２データとを組で格納することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
２つの異なる電位を用いて２値情報を表現する情報処理装置であって、
処理命令により実行の指示が与えられる演算装置を有し、
前記演算装置は、第１ルーチンにより第１データを処理し第２データを生成し、第２ルーチンにより前記第１データのビット値を反転した第３データを処理し第４データを生成し、
前記第２データと前記第４データとはビット反転した関係にあることを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の情報処理装置であって、
記憶装置と、
データバスを有し、
前記演算装置は、前記記憶装置を介し前記第２データと前記第４データとを組みで一緒に前記記憶装置へ転送するものであって、
前記記憶装置は、前記第２データと前記第４データとを組で格納することを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
請求項３また４記載の情報処理装置において、
前記第１及び第２ルーチンは、ビット単位のデータを入れ替えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
請求項３また４記載の情報処理装置において、
前記第１及び第２ルーチンは、バイト単位のデータを入れ替えることを特徴する情報処理装置。
【請求項７】
２つの異なる電位を用いて２値情報を表現する情報処理装置であって、
演算装置を有し、
前記演算装置は、第１ルーチンにより第１データを処理し第２データを生成し、前記第２データのビット値を反転した第３データを生成することを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
請求項７記載の情報処理装置であって、
記憶装置と、
データバスとを有し、
前記演算装置は、前記記憶装置を介し前記第２データと前記第３データとを組みで一緒に前記記憶装置へ転送するものであって、
前記記憶装置は、前記第２データと前記第３データとを組で格納することを特徴とする情報処理装置。
【請求項９】
請求項７記載の情報処理装置において、
前記第１ルーチンは、ビット単位のデータを入れ替えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１０】
請求項７記載の情報処理装置において、
前記第１ルーチンは、バイト単位のデータを入れ替えることを特徴する情報処理装置。
【請求項１１】
請求項２、４、８のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記データバスはプリチャージバスであって、プリチャージ状態と転送時とにおけるデータバスのデータのビット値が異なるビット数が一定であることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１２】
請求項２、４、８のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記データバスはプリチャージバスであって、転送時のデータバスのデータのハミングウエイトが一定であることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれかに記載の情報処理装置を含むことを特徴とするＩＣカード。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月24日(2005.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
ＣＣＤ転送路３３の転送操作は停止している。ＣＣＤの転送操作を１ステップだけ進める。この状態で全ての画素の中から１画素だけを選んで、ＣＣＤ転送路３３ａの下端のドレーンゲート３５ａだけを開く。これにより画素で発生した６０個の画像情報のうち、最初の画像情報がドレーンゲート３５ａからドレーン３６ａへ、そしてドレーン線５８ａに排出される（図６参照）。全てのドレーン線５８は一つにつながり、読み出し操作時には受光面外の読み出し回路に接続されている。読み出し回路を通じて素子外に画像情報として読み出される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
画像情報である電気信号（電荷）は各転送路の最下端要素に保持されている。読み出し兼ドレーンゲートが、図５で言えば垂直ＭＯＳスイッチ（ゲート）３５である。垂直走査シフトレジスタ４５から水平制御線５６の中の１本の水平制御線５６ａに電圧を送ると、この水平制御線５６ａに連なる横１行の垂直ＭＯＳゲートが一斉に開いて通電状態となる。この状態を保って、水平走査シフトレジスタ４６から受光面外に並んだ水平ＭＯＳゲート４７に順次電圧を送る。電圧を送ったゲートに連なる垂直信号読み出し線と、通電中の水平制御線の交点に当たるフォトダイオード３０（図４、図５では６０番目の画像情報蓄積要素、すなわち最下端の転送路要素）から、画像信号が読み出し線５８に流出する。以下、垂直走査シフトレジスタ４５から、順次電圧を送り、その状態で水平走査シフトレジスタ４６を走査する。こうしてある時点に対する全ての画素の画像情報を順次読み出す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
図１５に示すような鉛直オーバーフローゲート兼リセットゲート９１を設けるときは、インプットゲート３２とドレーン３６の位置は離れていても良い。例えば第１から第３実施形態でインプットゲートをフォトダイオードの真ん中左、又は真ん中右に置いても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
各垂直信号線１３５の読み出し／リセットゲート１４５は、それぞれ図において上下方向に延びる読み出し／リセットゲート制御線１５５を介して図示しないシフトレジスタから送られる電圧により開閉される。受光面上で図において上下方向に並んでいるフォトセンサ部１３１に対応する垂直信号線１３５の読み出し／リセットゲート制御線１４５は同一の読み出し／リセットゲート制御線１４５に接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
（第６実施形態）
図２３及び図２４は、本発明の第６実施形態の撮像素子を示している。
図２３に示すように、この第６実施形態の撮像素子２８０では、電荷収集井戸２８１の図において上下両側に接続された一対のフォトダイオード２８３ａ，２８３ｂが各画素２８４のフォトセンサ部２８５を構成している。電荷収集井戸２８１、はインプットゲート２８６を介して６画素分の距離を直線状に延びるＣＣＤ転送路２８７に接続している。ＣＣＤ転送路２８７の図において下端側には、バッファ／ドレーンゲート２８９、増幅器２９０及びリセットゲート２９１が設けられている。バッファ／ドレーンゲート２８９は、オーバーフロー／リセットゲート２９２を介して、そのＣＣＤ転送路２８７に電気信号が記録されるフォトダイセンサ部２８５を備える画素２８４に対して、図２３において６個下側で１個左側の画素２８４のインプットゲート２８６に接続されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000165750.tif 000001
【図２】
2000165750.tif 000002
【図３】
2000165750.tif 000003
【図４】
2000165750.tif 000004
【図５】
2000165750.tif 000005
【図６】
2000165750.tif 000006
【図７】
2000165750.tif 000007
【図８】
2000165750.tif 000008
【図９】
2000165750.tif 000009
【図１０】
2000165750.tif 000010
【図１１】
2000165750.tif 000011
【図１２】
2000165750.tif 000012
【図１３】
2000165750.tif 000013
【図１４】
2000165750.tif 000014
【図１５】
2000165750.tif 000015
【図１６】
2000165750.tif 000016
【図１７】
2000165750.tif 000017
【図１８】
2000165750.tif 000018
【図１９】
2000165750.tif 000019
【図２０】
2000165750.tif 000020
【図２１】
2000165750.tif 000021
【図２２】
2000165750.tif 000022
【図２３】
2000165750.tif 000023
【図２４】
2000165750.tif 000024
【図２５】
2000165750.tif 000025
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
移動局端末装置１は、ＣＤＭＡ方式を用いて複数の基地局から送信される信号を受信し、受信した信号に含まれているパイロット信号のタイミングを用いて受信信号を復調することができるようにされたものである。すなわち、移動局端末装置１は、復調対象となる基地局から受信した受信信号のみを復調することができるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
すなわち、各移動局端末装置１から見ると、隣接基地局からのパイロット信号は、後述するように、（１）Ａｃｔｉｖｅ  Ｓｅｔ、（２）Ｃａｎｄｉｄａｔｅ  Ｓｅｔ、（３）Ｎｅｉｇｈｂｏｒ  Ｓｅｔ、（４）Ｒｅｍａｉｎｉｎｇ  Ｓｅｔの４つの集合にふり分けられ、この集合毎に、各基地局からのパイロット信号を監視し、各基地局からのパイロット信号の受信エネルギーやタイミングを管理する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
このように、この実施の形態の移動局端末装置１においては、通話時において、移動局端末装置１により、（１）Ａｃｔｉｖｅ  Ｓｅｔ、（２）Ｃａｎｄｉｄａｔｅ  Ｓｅｔ、（３）Ｎｅｉｇｈｂｏｒ  Ｓｅｔ、（４）Ｒｅｍａｉｎｉｎｇ  Ｓｅｔの４つの集合毎に管理されている隣接基地局情報に基づいて、各集合毎に、呼切断後のパイロット信号の検出を行うようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（４）転がり寿命試験（ラジアル荷重）
φ２０ｍｍの鍛造材よりφ２０ｍｍ×２２ｍｍの試験片を旋削により加工し、高周波焼入れ焼戻し後、表面研磨して転がり寿命試験を、ＰＭＡＸ−５８８０ＭＰａ、荷重：ラジアル方向、温度：室温の条件で行い、Ｌ10寿命により評価した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
少なくとも２段階以上で分子量が高い重合体成分と分子量が低い重合体成分を開環メタセシス重合触媒で重合し、次いで水素添加触媒のもとに水素添加することを特徴とする、請求項１６に記載の開環メタセシス重合体水素添加物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
少なくとも２種類以上の重合触媒を共存させて分子量が高い重合体成分と分子量が低い重合体成分を重合し、次いで水素添加触媒のもとに水素添加することを特徴とする、請求項１６に記載の開環メタセシス重合体水素添加物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
いくつかのフロントタイヤ／車輪組立体（２６、２９、３０）といくつかのリアタイヤ／車輪組立体（２２、２４）を含み、各タイヤ／車輪組立体が車輪（７３）に取り付けられたタイヤ（７２）を有する、複数のタイヤ／車輪組立体を有する乗物（２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ）におけるステアリング性能安定性を向上させる方法であって、
少なくとも１つの前記タイヤ／車輪組立体のタイヤに、調節された量の剛性非一様性を加えることを含む、ステアリング性能安定性を向上させる方法。
【請求項２】
いくつかのフロントタイヤ／車輪組立体（２６、２９、３０）といくつかのリアタイヤ／車輪組立体（２２、２４）を含み、各タイヤ／車輪組立体が車輪（７３）に取り付けられたタイヤ（７２）を有する、複数のタイヤ／車輪組立体を有する乗物（２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ）におけるステアリング性能安定性を向上させる方法において、
少なくとも１つのタイヤ／車輪組立体に、該少なくとも１つのタイヤ／車輪組立体の質量非一様性、寸法非一様性、および剛性非一様性に対する変更の任意の組合せによって、調節された量の半径方向力変動および／または接線力変動を加えるステップと、
前記少なくとも１つのタイヤ／車輪組立体における横力変動を最小限に抑えるステップと
を有することを特徴とする、ステアリング性能安定性を向上させる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月1日(2005.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源としてナノチューブのアレイを含む、データ記憶デバイス。
【請求項２】
前記ナノチューブがカーボンをベースにしている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ナノチューブが窒化ホウ素をベースにしている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記電子源の先端部に隣接する相変化記憶層をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
各ナノチューブ電子源が伸長される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ナノチューブが１０：１より大きいアスペクト比を有する、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記ナノチューブをアドレス指定するためのワード線およびビット線をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記アレイを位置決めするためのマイクロムーバをさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
カーボンベースのナノチューブのアレイと、及び
前記ナノチューブの先端部に隣接する相変化記憶層とを含む、データ記憶デバイス。
【請求項１０】
窒化ホウ素ベースのナノチューブのアレイと、及び
前記ナノチューブの先端部に隣接する相変化記憶層とを含む、データ記憶デバイス。
【請求項１１】
ナノチューブのアレイを含む、データ記憶デバイス用の電子ビーム源。
【請求項１２】
前記ナノチューブがカーボンナノチューブである、請求項１１に記載の電子ビーム源。
【請求項１３】
前記ナノチューブが窒化ホウ素ナノチューブである、請求項１１に記載の電子ビーム源。
【請求項１４】
前記ナノチューブが１０：１より大きいアスペクト比を有する、請求項１１に記載の電子ビーム源。
【請求項１５】
前記ナノチューブをアドレス指定するためのワード線およびビット線をさらに含む、請求項１１に記載の電子ビーム源。
【請求項１６】
前記アレイを位置決めするためのマイクロムーバをさらに含む、請求項１１に記載の電子ビーム源。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子分解能ストーレッジ（ＡＲＳ）システムを製造する方法であって、
第１のウェーハ（２２０）の第１の側に保護層（３５０）を被着するステップ（６１２）、
前記第１のウェーハ（２２０）とハンドルウェーハ（５３０）を結合するステップ（６１４）、
前記第１のウェーハ（２２０）の第２の側において前記第１のウェーハ（２２０）を薄層化するステップ（６１６）、
第２のウェーハ（２３０）を処理するステップ（６２０）、
前記第１のウェーハ（２２０）と前記第２のウェーハ（２３０）を結合するステップ（６２６）、
前記ハンドルウェーハ（５３０）を分離するステップ（６２８）、
前記第１のウェーハ（２２０）の前記第１の側に導電性電極（４３４（ｃ））を被着することにより、前記第１のウェーハ（２２０）の前記第１の側を処理するステップ（６３２）
を含む方法。
【請求項２】
支持ばね（２４０）を形成するステップ（６３４）をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記支持ばねを形成する前記ステップが、
前記保護層（３５０）をパターニングするステップ、
前記保護層（３５０）を選択的にエッチングするステップ、
前記保護層（３５０）をマスクとして用いて、前記第１のウェーハ（２２０）を選択的に深くＳｉエッチングするステップを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記保護層を除去するステップ（６３０）をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
レーザダイシングするステップ（６３６）をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記保護層を被着する前記ステップが、酸化物層あるいはフォトレジスト（ＰＲ）層を被着するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記保護層を被着する前記ステップが、ＢＰＳＧ（ホウ酸添加燐酸珪酸ガラス）層を被着するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のウェーハと前記ハンドルウェーハを結合する前記ステップが、前記第１のウェーハ（２２０）と網目状のハンドルウェーハ（５３０）を結合するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のウェーハと前記ハンドルウェーハを結合する前記ステップが、セレン化反応を用いるステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記分離するステップが、結合層（５２０）を選択的にウエットエッチングすることにより、前記ハンドルウェーハ（５３０）を分離するステップを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のウェーハ（２２０）の前記第２の側に導電性電極（４３４（ａ））を被着することにより、前記第１のウェーハ（２２０）の前記第２の側を処理するステップ（６１８）をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２のウェーハ（２３０）を処理する前記ステップ（６２０）が、前記第２のウェーハにＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）回路（２３２）を形成するステップ（６２２）を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２のウェーハ（２３０）を処理する前記ステップ（６２０）が、前記第２のウェーハの表面に導電性電極（４３４（ｂ））を被着することにより、前記第２のウェーハの表面を処理するステップ（６２４）を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
原子分解能ストーレッジ（ＡＲＳ）システムを製造する方法であって、
ロータウェーハ（２２０）の媒体側に保護層（３５０）を被着するステップ（６１２）、
前記ロータウェーハ（２２０）とハンドルウェーハ（５３０）を結合するステップ（６１４）、
前記ロータウェーハ（２２０）のステータ側において前記ロータウェーハ（２２０）を薄層化するステップ（６１６）、
ステータウェーハ（２３０）を処理するステップ（６２０）、
前記ロータウェーハ（２２０）と前記ステータウェーハ（２３０）を結合するステップ（６２６）、
前記ハンドルウェーハ（５３０）を分離するステップ（６２８）、
前記保護層（３５０）を除去するステップ（６３０）、
前記ロータウェーハ（２２０）の前記媒体側に導電性電極（４３４（ｃ））を被着することにより、前記ロータウェーハ（２２０）の前記媒体側を処理するステップ（６３２）、
支持ばね（２４０）を形成するステップ（６３４）、
レーザダイシングするステップ（６３６）
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図９を参照すると、ロータウェーハ２２０を選択的に深くＳｉエッチングすることにより、支持ばね２４０が形成される場合がある。支持ばね２４０は、典型的にはマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）素子を得るために形成され、それを用いて、電界エミッタ先端部２１４とステータウェーハ２３０との間にロータウェーハ２２０を保持し、データビットが電界エミッタ先端部２１４に対して移動できるようにし、それにより各電界エミッタ先端部２１４が多数のデータビットにアクセスできるようにする。ＭＥＭＳは、Ｓｉチップ上の電気回路に加えて、集積回路技術を用いて可動部品を形成することに関連している。最初に、保護層３５０の所定の部分がエッチングされ、保護層３５０のエッチングされた部分に対応するロータウェーハ２２０の部分が露出される場合がある。次に、ロータウェーハ２２０の露出された部分が、保護層３５０をマスクとして用いて、深くＳｉエッチングすることにより除去されることができる。マスクとしての保護層３５０には、たとえば、ハードマスク用の酸化物層あるいはソフトマスク用のＰＲ層を用いることができる。最後に、コンピュータによって誘導されるレーザを用いて、ロータウェーハ２２０を個々の長方形の素子、すなわちダイスにカットするために、レーザダイシングが実行される場合がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月20日(2005.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のウェーハの第１の側に導電性電極を被着させることにより当該第１のウェーハの第１の側を処理し
前記第１のウェーハの第１の側に保護層を被着させ、
前記第１のウェーハをハンドルウェーハと結合させ、
前記第１のウェーハの第２の側において、前記第１のウェーハを薄層化させ、
第２のウェーハを処理し、
前記第１のウェーハを前記第２のウェーハと結合させ、
前記ハンドルウェーハを分離することを含む原子分解能ストレージ（ARS）システムの製造方法。
【請求項２】
支持ばねを形成することをさらに含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記支持ばねを形成する前記ステップが、
前記保護層をパターニングし、
前記保護層を選択的にエッチングし、
前記保護層をマスクとして使用して、前記第１のウェーハを選択的に深くＳｉエッチングすることを含む請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
さらに前記保護層を除去することを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
さらにレーザダイシングすることを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記保護層を被着させる前記ステップが、酸化物層あるいはフォトレジスト（PR）層を被着させることを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記保護層を被着させる前記ステップが、ボロフォスフォシリケートガラス（BPSG）層を被着させることを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第１のウェーハを前記ハンドルウェーハと結合する前記ステップが、前記第１のウェーハを網目状のハンドルウェーハと結合することを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
前記第１のウェーハを前記ハンドルウェーハと結合する前記ステップが、セレン化反応を利用することを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記分離するステップが、結合層を選択的にウエットエッチングすることにより前記ハンドルウェーハを分離することを含む請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第１のウェーハの前記第２の側に、導電性電極を被着させることにより、前記第１のウェーハの前記第２の側を処理することをさらに含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第２のウェーハを処理する前記ステップが、前記第２のウェーハに相補型金属酸化膜半導体（CMOS）回路を形成することを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記第２のウェーハを処理する前記ステップが、前記第２のウェーハの表面上に、導電性電極を被着させることにより、該第２のウェーハの該表面を処理することを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
第２のウェーハと第３のウェーハの間に結合されている第１のウェーハであって、読出し/書込み動作するための記憶媒体と接触するとともに当該第１のウェーハの第１の側に被着されている導電性電極及び、当該導電性電極を後続のロータウェーハ薄層化工程から保護するように当該導電性電極上に被着されている保護層及び、取扱いを容易にするための、前記第１のウェーハに結合されているハンドルウェーハを含む第１のウェーハからなる原子分解能ストレージ（ARS）システム。
【請求項１５】
前記ハンドルウェーハが、セレン化反応を利用して前記第１のウェーハに結合されている請求項１４に記載の原子分解能ストレージシステム。
【請求項１６】
前記ハンドルウェーハが、結合層の選択的なウエットエッチングによって後に分離されている請求項１４に記載の原子分解能ストレージシステム。
【請求項１７】
前記結合層が三セレン化二インジウム（In2Se3）結合層である請求項１６に記載の原子分解能ストレージシステム。
【請求項１８】
前記ハンドルウェーハが網目状である請求項１４に記載の原子分解能ストレージシステム。
【請求項１９】
前記保護層がボロフォスフォシリケートガラス（BPSG）層である請求項１４に記載の原子分解能ストレージシステム。
【請求項２０】
原子分解能ストレージ（ARS）システムの製造方法であって、
ロータウェーハの媒体側に導電性電極を被着させることにより当該ロータウェーハの媒体側を処理し
前記ロータウェーハの媒体側に保護層を被着させ、
前記ロータウェーハをハンドルウェーハと結合させ、
前記ロータウェーハのステータ側において、当該ロータウェーハを薄層化させ、
前記ロータウェーハのステータ側を処理し、
回路を有するステータウェーハを処理し、
前記ロータウェーハと前記ステータウェーハとを結合させ、
前記ハンドルウェーハを分離し、
前記保護層を除去し、
支持ばねを形成し、
レーザダイシングすることを含む製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の露光素子がアレイ状に並んで配設された露光素子チップを主走査方向に複数直線上に並べて成り、感光体を露光するための印字ヘッドの露光位置調整装置において、前記印字ヘッドの一端部に配設された露光素子チップの露光素子の露光点と、他端部に配設された露光素子チップの露光素子の露光点とを結ぶ直線から、前記両端の露光素子チップ間にある露光素子チップに配設された露光素子の露光点のずれ量を測定する測定手段と、該測定値に基づいて、各露光素子チップの補正値を演算する補正値演算手段と、該補正値を記憶手段へ書き込む書込手段とを有することを特徴とする印字ヘッドの露光位置調整装置。
【請求項２】
前記測定手段は、前記露光素子チップを主走査方向に複数直線上に並べた印字ヘッドを固定し、前記印字ヘッドの一端部に配設された露光素子チップの一端の露光素子の露光点を調整する第１の調整手段と、前記印字ヘッドの他端部に配設された露光素子チップの最端部の露光素子の露光点を調整する第２の調整手段とを有し、前記第１、第２の調整手段によって前記露光素子の露光点を調整した後、撮像手段を用いて直線上に並べられた複数の露光素子チップの露光位置の測定を行うことを特徴とする請求項１記載の印字ヘッドの露光位置調整装置。
【請求項３】
前記測定手段は、前記露光素子チップを主走査方向に複数直線上に並べた印字ヘッドを固定し、前記端部に配設された露光素子チップの一端の露光素子の露光点を調整する単一の調整手段を有し、該調整手段によって前記露光素子の露光点を調整した後、撮像手段を用いて直線上に並べられた複数の露光素子チップの露光位置の測定を行うことを特徴とする請求項１記載の印字ヘッドの露光位置調整装置。
【請求項４】
前記印字ヘッドの一端部に配設された露光素子チップの露光素子は、該露光素子チップの最端部に位置する露光素子であり、前記印字ヘッドの他端部に配設された露光素子チップの露光素子も該露光素子チップの最端部に位置する露光素子であることを特徴とする請求項１記載の印字ヘッドの露光位置調整装置。
【請求項５】
前記測定手段は、固定手段と、前記第１、第２の調整手段と、前記撮像手段とを備えた治具であることを特徴とする請求項２記載の印字ヘッドの露光位置調整装置。
【請求項６】
前記測定手段は、固定手段と、前記調整手段と、前記撮像手段とを備えた治具であることを特徴とする請求項３記載の印字ヘッドの露光位置調整装置。
【請求項７】
前記撮像手段は、前記固定手段によって固定された前記複数の露光素子チップ近傍を走査し、各露光素子からの光を受光する２次元領域に感度を有することを特徴とする請求項２、３、５、又は６記載の印字ヘッドの露光位置調整装置。
【請求項８】
前記撮像手段は、前記複数の露光素子が形成された露光素子チップから選択した１個の露光を受光することを特徴とする請求項２、３、５、又は６記載の印字ヘッドの露光位置調整装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題は請求項１記載の発明によれば、複数の露光素子がアレイ状に並んで配設された露光素子チップを主走査方向に複数直線上に並べて成り、感光体を露光するための印字ヘッドの露光位置調整装置において、前記印字ヘッドの一端部に配設された露光素子チップの露光素子の露光点と、他端部に配設された露光素子チップの露光素子の露光点とを結ぶ直線から、前記両端の露光素子チップ間にある露光素子チップに配設された露光素子の露光点のずれ量を測定する測定手段と、該測定値に基づいて、各露光素子チップの補正値を演算する補正値演算手段と、該補正値を記憶手段へ書き込む書込手段とを有する印字ヘッドの露光位置調整装置を提供することによって達成できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このように構成することにより、効率よく印字ヘッドの露光位置調整を行うことができる印字ヘッドの露光位置調整装置を提供するものである。請求項２の記載は、上記請求項１記載の発明において、前記測定手段は、前記露光素子チップを主走査方向に複数直線上に並べた印字ヘッドを固定し、前記印字ヘッドの一端部に配設された露光素子チップの一端の露光素子の露光点を調整する第１の調整手段と、前記印字ヘッドの他端部に配設された露光素子チップの最端部の露光素子の露光点を調整する第２の調整手段とを有し、前記第１、第２の調整手段によって前記露光素子の露光点を調整した後、撮像手段を用いて直線上に並べられた複数の露光素子チップの露光位置の測定を行う構成である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本例は上記請求項２において両端に使用した調整手段を単一の調整手段によって構成するものである。このように構成することによっても、容易に印字ヘッドの露光位置調整を行うことができる。請求項４の記載は、上記請求項１記載の発明において、前記印字ヘッドの一端部に配設された露光素子チップの露光素子は、該露光素子チップの最端部に位置する露光素子であり、前記印字ヘッドの他端部に配設された露光素子チップの露光素子も該露光素子チップの最端部に位置する露光素子である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
１５．２×１５．２ｃｍ（６×６インチ）の加熱されたプラテンを有する１２トンのカーヴァー（Carver）油圧ホットプレスモデル＃３９１２を使用して、コートされたフィルム材料のエンボス性能（capability）を評価した。１０．２×１０．２ｃｍ（４×４インチ）のニッケルエンボス用シムを、ＰＥＴフィルムの１０．２×１０．２ｃｍ（４×４インチ）試料の上に置いた。両方のプラテンを２２０°Ｆに加熱した。フィルム試料およびシムを２．７６ＭＰａ（４００ｐｓｉ）で１０秒間一緒にプレスした。試料を取り去り、冷却させた。冷却後、エンボスされたＰＥＴフィルムを約４５度の角度でシムからゆっくりとはがした。エンボスの質を視覚的に決定するために、ＰＥＴフィルム試料を黒色背景で置いて、エンボスした画像の可視性（visibility）を高めた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【表１】
2003094584.tif 000001