Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月17日(2004.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このようなシャドウマスク９の支持方式として、図４に示したように、マスクフレーム１９のコーナーの側壁部にほぼ楔状の弾性支持体２１を取付け、この弾性支持体２１をパネル３のコーナーのスカート部２に設けられたスタッドピン２２に係止することにより、パネル３の内側に着脱可能に支持する方式がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかし実際には、カラー受像管製造工程では、パネルに対するシャドウマスクの着脱が繰返され、この着脱時に加わる力によりマスクフレームに撓みが生じ、このマスクフレームの撓みによりマスク本体にも撓みが生じ、３色蛍光体層に対してビームランディングがずれ、色ずれが生ずる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記シャドウマスク３０は、図２に示すように、上記蛍光体スクリーンと対向する曲面からなる主面部３１に多数の電子ビーム通過孔が形成され、この主面部３１の周辺部にスカート部３２が設けられたほぼ矩形状のマスク本体３３と、このマスク本体３３のスカート部３２に接して溶接される側壁部３４の一端に内側張出し部３５が設けられたほぼ矩形状のマスクフレーム３６とからなり、このマスクフレーム３６のコーナーの側壁部３４に取付けられたほぼ楔状の弾性支持体２１をパネル３のコーナーのスカート部２内面に設けられたスタッドピン２２に係止することにより、パネル３の内側に着脱可能に支持されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記のようにマスク本体３３に取付けられるマスクフレーム３６の側壁部３４にビード部３８を設けると、マスクフレーム３６を軽量化しても、その機械的強度を高めることができ、シャドウマスク３０の組立時にマスク本体３３にバランスの悪い不必要な力を与えることがなく、マスク本体３３の変形を防止できる。またカラー受像管の製造工程でシャドウマスクを着脱する際に加わる力などに対して、マスクフレームの変形を低減でき、その結果生ずるマスク本体の変形やパネルとシャドウマスクとの位置関係の変化を効果的に防止でき、３色蛍光体層に対してビームランディングのずれが生じにくい品位良好なカラー受像管を構成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記表１、表２に示されているように、ビード部を形成しないマスクフレームは、ビード部を設けたマスクフレームにくらべて、長辺曲げ、短辺曲げがいちじるしく大きいが、ビード部を設けることにより大幅に低減できることが示されている。またビード部を形成しないマスクフレームの場合、長辺部と短辺部の長さの相違により、短辺曲げよりも長辺曲げの方が変形量が大きいが、長辺側壁部および短辺側壁部のビード部の長さをそれぞれ長辺側壁部および短辺側壁部の長さの６５％、長辺側壁部および短辺側壁部のビード部の管軸方向の幅をそれぞれ長辺側壁部および短辺側壁部の最大幅の５０％〜７５％とすると、長辺曲げと短辺曲げのアンバランスが改善され、長辺部と短辺部の変形量をほぼ等しくすることができ、長辺部と短辺部に不均一な力が加わっても、マスク本体に加わる力をほぼ均一にし、マスク本体の変形を軽減することができるとの結果が得られた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】
上記のように、ほぼ矩形状のシャドウマスクのマスクフレームの側壁部にビード部を設け、このビード部を、長辺側壁部についてはこの長辺側壁部の管軸と直交する方向の長さ、短辺側壁部についてはこの短辺側壁部の管軸と直交する方向の長さの６５％±１０％に形成し、ビード部の管軸方向幅を、長辺側壁部についてはこの長辺側壁部の管軸方向の最大幅、短辺側壁部についてはこの短辺側壁部の管軸方向の最大幅の５０％〜７５％に形成すると、その機械的強度を高めることができ、マスクフレームを軽量化しても、シャドウマスクの組立時にマスク本体にバランスの悪い不必要な力を与えることがなく、マスク本体の変形を防止でき、またカラー受像管の製造工程でシャドウマスクを着脱する際に加わる力などに対して、マスクフレームの変形を低減でき、その結果生ずるマスク本体の変形やパネルとシャドウマスクとの位置関係の変化を効果的に防止でき、３色蛍光体層に対してビームランディングのずれが生じにくい品位良好なカラー受像管を構成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス型表示装置の駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２ｍ（ｍは自然数）列ｎ（ｎは自然数）行のマトリクス状に配置された複数の画素と、
前記２ｍ列の画素のうち第１乃至第ｍ列の画素の各列に１本ずつ接続されたｍ本の第１のソース信号線と、
前記２ｍ列の画素のうち第（ｍ＋１）列乃至第２ｍ列の画素の各列に１本ずつ接続されたｍ本の第２のソース信号線と、
前記ｍ本の第１のソース信号線に画像信号を入力する第１のソース線側ドライバと、
前記ｍ本の第２のソース信号線に画像信号を入力する第２のソース線側ドライバと、
第１の記憶領域及び第２の記憶領域とを有し、
前記第１の記憶領域及び前記第２の記憶領域それぞれは、２ｍ個の画像信号を保持する第１乃至第２ｍの領域を有し、
前記第１の記憶領域及び前記第２の記憶領域それぞれは、前記第１乃至第２ｍの領域に画像信号を順に保持する第１の動作と、前記第１乃至第ｍの領域に保持された画像信号を前記第１のソース線側ドライバへ出力する第２の動作と、前記第（ｍ＋１）乃至第２ｍの領域に保持された画像信号を前記第２のソース線側ドライバへ出力する第３の動作とを繰り返し行い、
前記第１の記憶領域と前記第２の記憶領域の一方が前記第１の動作を行う間に、前記第１の記憶領域と前記第２の記憶領域の他方は前記第２の動作と前記第３の動作とを同時に行うことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項２】
２ｍ（ｍは自然数）列ｎ（ｎは自然数）行のマトリクス状に配置された複数の画素と、
前記２ｍ列の画素のうち第１乃至第ｍ列の画素の各列に１本ずつ接続されたｍ本の第１のソース信号線と、
前記２ｍ列の画素のうち第（ｍ＋１）列乃至第２ｍ列の画素の各列に１本ずつ接続されたｍ本の第２のソース信号線と、
前記ｍ本の第１のソース信号線に画像信号を入力する第１のソース線側ドライバと、
前記ｍ本の第２のソース信号線に画像信号を入力する第２のソース線側ドライバと、
第１の記憶領域及び第２の記憶領域とを有し、
前記第１の記憶領域及び前記第２の記憶領域それぞれは、２ｍ個の画像信号を保持する第１乃至第２ｍの領域を有し、
前記第１の記憶領域及び前記第２の記憶領域それぞれは、前記第１乃至第２ｍの領域に画像信号を順に保持する第１の動作と、前記第１乃至第ｍの領域に保持された画像信号を前記第１のソース線側ドライバへ出力する第２の動作と、前記第（ｍ＋１）乃至第２ｍの領域に保持された画像信号を前記第２のソース線側ドライバへ出力する第３の動作とを繰り返し行い、
前記第２の動作において前記第ｉ（ｉはｍ以下の自然数）の領域に保持された画像信号を前記第１のソース線側ドライバへ出力するのと同時に、前記第３の動作において前記第（ｍ＋ｉ）の領域に保持された画像信号を前記第２のソース線側ドライバへ出力し、
前記第１の記憶領域と前記第２の記憶領域の一方が前記第１の動作を行う間に、前記第１の記憶領域と前記第２の記憶領域の他方は前記第２の動作と前記第３の動作とを同時に行うことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の記憶領域及び前記第２の記憶領域は、ＤＲＡＭ、ＶＲＡＭまたはＳＲＡＭであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記画素は、表示媒体としてエレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記画素は、表示媒体として液晶素子を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月14日(2004.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（９）  項８記載のフィルタリング方法に於て、α＝０．８、β＝０．５、μ＝０．５×ｋ（１）でｋ（１）が第１反射係数であるフィルタリング方法。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（１１）  項１０記載のフィルタリング方法に於て、パワーが雑音利得に３０ｄＢを加えた値より大きければ、前記信号確率値が１であるフィルタリング方法。
（１２）  項１１記載のフィルタリング方法に於て、パワーが雑音利得に１２ｄＢを加えた値より小さければ、前記信号確率値が０であるフィルタリング方法。
（１３）  項１２記載のフィルタリング方法に於いて、パワーが雑音利得に１２ｄＢを加えた値より大きく、雑音利得に３０ｄＢを加えた値より小さい場合に、信号確率値を（対数利得−１２−雑音利得）／１８に等しいとするフィルタリング方法。
（１４）  項１０記載のフィルタリング方法に於て、α＝０．８、β＝０．５、μ＝０．５×ｋ（１）でｋ（１）が第１反射係数であるフィルタリング方法。    （１５）  項１４記載のフィルタリング方法に於て、対数利得が雑音利得に３０ｄＢを加えた値より大きければ、前記ｓｉｇ−ｐｒｏｂが１であるフィルタリング方法。
（１６）  項１５記載のフィルタリング方法に於て、対数利得が雑音利得に１２ｄＢを加えた値より小さければ、前記ｓｉｇ−ｐｒｏｂが０であるフィルタリング方法。
（１７）  項１６記載のフィルタリング方法に於いて、パワーが雑音利得に１２ｄＢを加えた値より大きく、雑音利得に３０ｄＢを加えた値より小さい場合に、前記ｓｉｇ−ｐｒｏｂを（対数利得−１２−雑音利得）／１８に等しいとするフィルタリング方法。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（１９）  項１８記載の低ビット速度音声通信システムに於て、前記パワーが雑音利得に３０ｄＢを加えた値より大きければ、前記信号確率値ｓｉｇ−ｐｒｏｂが１である低ビット速度音声通信システム。
（２０）  項１９記載の低ビット速度音声通信システムに於て、前記パワーが雑音利得に１２ｄＢを加えた値より小さければ、前記信号確率値ｓｉｇ−ｐｒｏｂが０である低ビット速度音声通信システム。
（２１）  項２０記載の低ビット速度音声通信システムに於て、前記パワーが雑音利得に１２ｄＢを加えた値より大きく、雑音利得に３０ｄＢを加えた値より小さければ、信号確率値ｓｉｇ−ｐｒｏｂを（対数利得−１２−雑音利得）／１８に等しいとする低ビット速度音声通信システム。
（２２）  項１８記載の低ビット速度音声通信システムに於て、βが０．５であり、αが０．８であり、ｋ（１）を第１反射係数として、μが０．５×ｋ（１）である低ビット速度音声通信システム。
（２３）  項１８記載の低ビット速度音声通信システムに於て、前記合成器が、ＬＰＣ係数によって制御されるＬＰＣフィルタを含む低ビット速度音声通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒と高分子電解質樹脂と分散媒とを有する触媒分散物を基体に塗布し形成した反応部を高分子電解質膜の少なくとも一方側に圧接して高分子電解質膜−反応部接合体を作製し、つづいて、酸性溶液で処理することを特徴とする高分子電解質膜−反応部接合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明においては、酸性溶液が、硫酸、塩酸または硝酸であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明においては、処理が高分子電解質膜−反応部接合体を酸性溶液に浸漬することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明においては、処理が高分子電解質膜−反応部接合体を酸性溶液で煮沸することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極、及びリチウム塩を含む非水電解液からなる非水電解液二次電池において、
前記負極の活物質が式１で示される複合酸化物であることを特徴とする非水電解液二次電池。
ＳｎＺｎh Ｐi Ｏj  ・・・式１
（ただし、式１において、０．０１≦ｈ＜１．０、０．１≦ｉ≦２．０、２．０≦ｊ≦５．０である。）
【請求項２】
前記複合酸化物は非晶質である請求項１記載の非水電解液二次電池。
【請求項３】
負極の活物質が、Ｆ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１種を合量でＳｎに対して２０原子％以下含む請求項１又は２記載の非水電解液二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、正極、負極、及びリチウム塩を含む非水電解液からなる非水電解液二次電池において、前記負極の活物質が式１で示される複合酸化物であることを特徴とする非水電解液二次電池を提供する。
ＳｎＺｎh Ｐi Ｏj     ・・・式１
（ただし、式１において、０．０１≦ｈ＜１．０、０．１≦ｉ≦２．０、２．０≦ｊ≦５．０である。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明において、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＰを含む複合酸化物を非晶質とするためには、Ｓｎに対するＺｎ、Ｐの組成比が重要であり、そのため式１で表される複合酸化物を採用している。
ＳｎＺｎh Ｐi Ｏj   ・・・式１
ただし、式１において、０．０１≦ｈ＜１．０、０．１≦ｉ≦２．０、２．０≦ｊ≦５．０である。
非晶質化を進めるためには、式１において０．０２≦ｈ≦０．２、０．２５≦ｉ≦１．５、２．０≦ｊ≦４．０であることがより好ましい
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
この後に、ＰＭＯＳ−Ｔｒのチャネル領域およびＮＭＯＳ−Ｔｒのチャネル領域にそれぞれイオン注入で不純物導入を行って、ＰＭＯＳ−ＴｒおよびＮＭＯＳ−Ｔｒのゲート表面領域を適切な不純物濃度にする。このイオン注入によって、ＰＭＯＳ−ＴｒおよびＮＭＯＳ−Ｔｒのしきい値電圧がそれぞれ決定される。そして、ゲート酸化膜をチャネル部に形成する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
また、Ｎ型第３半導体層１９は、Ｎ型第１半導体層１５を形成するイオン注入およびＮ型第２半導体層１７を形成するイオン注入を共に行って形成してもよい。このようにすると、イオン注入量が増えた分、縦型ＰＮＰ―Ｔｒのｈｆｅが下がり耐圧が増加するが、目的、状況に応じて選択することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式〔１〕
【化１】
1997301934.tif 000001
（式中、Ｑ１は低級アルキルおよび低級アルコキシ基よりなる群から選ばれた置換基を    有することもある、アリール基および式
【化２】
1997301934.tif 000002
で表わされる基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、Ｑ２、Ｑ３、    Ｑ４およびＱ５は低級アルキルおよび低級アルコキシ基よりなる群から選ばれた置換    基を有することもある、アリール基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基で    あり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、    Ｒ１２およびＲ１３は、水素原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基よりなる    群からそれぞれ独立して選ばれた基である）
で表わされる高分子量芳香族アミン化合物。
【請求項２】
下記一般式〔２〕
【化３】
1997301934.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、    Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８は水素原子、低級    アルキル基および低級アルコキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基で    ある）
で表わされる高分子量芳香族アミン化合物。
【請求項３】
請求項１または２記載の高分子量芳香族アミン化合物よりなるホール輸送性材料。
【請求項４】
請求項３記載のホール輸送性材料を含有する有機ＥＬ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月16日(2004.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腎不全患者等に対する血液透析に用いる製剤であって、酢酸を含有しないことを特徴とする人工透析製剤。
【請求項２】
腎不全患者等に対する血液透析に用いる製剤であって、アルカリ剤として重炭酸イオンを用いる重炭酸透析製剤において、緩衝液として乳酸−乳酸塩系を用いることを特徴とする、請求項１に記載の人工透析製剤。
【請求項３】
腎不全患者等に対する血液透析に用いる製剤であり、ナトリウムイオン、カリウムイオン、カルシウムイオンおよびマグネシウムイオンを含有するＡ剤および重炭酸水素ナトリウムを含有するＢ剤からなる組合せ製剤で構成する重炭酸透析製剤において、緩衝剤として乳酸−乳酸塩系を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の人工透析製剤。
【請求項４】
透析用電解質、重炭酸ナトリウムおよびブドウ糖を含有する血液透析用粉末製剤において、緩衝剤として乳酸−乳酸塩系を用いることを特徴とする請求項１に記載の人工透析製剤。
【請求項５】
乳酸塩が乳酸カルシウムを主体とすることを特徴とする請求項１〜４記載の人工透析製剤。
【請求項６】
乳酸と乳酸塩とのモル比が１：１〜５であることを特徴とする請求項１〜５記載の人工透析製剤。
【請求項７】
使用時における乳酸イオンの含有量が３〜１０ｍＥｑ／Ｌであることを特徴とする請求項１〜６記載の人工透析製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各カセットスロットに一枚ずつウェーハを収納しているカセットが受け渡しステーションに設置され、移載装置が前記カセットスロットからウェーハをウェーハボートの各ボートスロットに移載し、ウェーハが移載されたウェーハボートのウェーハの収納状態を表示する半導体製造装置において、
前記各ボートスロットに格納されたウェーハがどのカセットのどのカセットスロット番号から移載されたものかを記憶する記憶手段と、
記憶手段のデータを参照して、前記ボートスロットに収納されたウェーハがどのカセットのどのカセットスロット番号から移載されたものかを表示する表示手段とを有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
各カセットスロットに一枚ずつウェーハを収納しているカセットが受け渡しステーションに設置され、移載装置が前記カセットスロットからウェーハをウェーハボートの各ボートスロットに移載し、ウェーハが移載されたウェーハボートのウェーハの収納状態をウェーハの種類毎に色分けし表示器に表示し、
前記表示されたウェーハの種類のうちから所望の種類が指示されると、支持された種類に対応する色以外の色を消去するようにしたことを特徴とするウェーハボート上のウェーハ表示方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＰＶＤＣ樹脂炭化物を含む電気二重層コンデンサ用電極において、
密度は０．６５〜０．７５ｇ／ｃｃであり、かつ、シート抵抗は０．９〜３．０Ω／□であることを特徴とする電気二重層コンデンサ用電極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ＰＶＤＣ樹脂炭化物を含む電極を具備する電気二重層コンデンサにおいて、
前記電極の密度は０．６５〜０．７５ｇ／ｃｃであり、かつ、電極のシート抵抗は０．９〜３．０Ω／□であることを特徴とする電気二重層コンデンサ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＰＶＤＣ樹脂炭化物を含む電気二重層コンデンサ用電極において、密度は０．６５〜０．７５ｇ／ｃｃであり、かつ、シート抵抗は０．９〜３．０Ω／□である電気二重層コンデンサ用電極である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、ＰＶＤＣ樹脂炭化物を含む電極を具備する電気二重層コンデンサにおいて、前記電極の密度は０．６５〜０．７５ｇ／ｃｃであり、かつ、電極のシート抵抗は０．９〜３．０Ω／□である電気二重層コンデンサである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＰＶＤＣ樹脂炭化物を含む電気二重層コンデンサ用電極において、
フェノール樹脂炭化物を有することを特徴とする電気二重層コンデンサ用電極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ＰＶＤＣ樹脂炭化物を含む電極を具備する電気二重層コンデンサにおいて、
前記電極は、フェノール樹脂炭化物を有することを特徴とする電気二重層コンデンサ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＰＶＤＣ樹脂炭化物を含む電気二重層コンデンサ用電極において、フェノール樹脂炭化物を有する電気二重層コンデンサ用電極である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、ＰＶＤＣ樹脂炭化物を含む電極を具備する電気二重層コンデンサにおいて、前記電極は、フェノール樹脂炭化物を有する電気二重層コンデンサである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面側にマトリックス状に配置された複数の接続端子を有する電子部品が実装される多層プリント配線板において、多層プリント配線板の半田ランドをスルーホールにより第１層より下層の配線パターンに接続し、多層プリント配線板の第１層の該マトリックス状に配置された複数の接続端子に対応した半田ランドの周囲でかつ半田ランドパターンに対して低インピーダンスの安定的な電圧を有する信号パターンを形成することを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
請求項１に記載の多層プリント配線板において、高い周波数を有する信号の半田ランドの周囲には、低インピーダンスの安定的な電圧を有する信号パターンを形成しないことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項３】
請求項１に記載の多層プリント配線板において、スルーホールを半田ランドパターンの略中央に設けたことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項４】
下面側にマトリックス状に配置された複数の接続端子を有する電子部品が実装される多層プリント配線板において、多層プリント配線板の半田ランドをスルーホールにより第１層より下層の配線パターンに接続し、多層プリント配線板の第２層にスルーホールの周囲でかつスルーホールに対して低インピーダンスの安定的な電圧を有する信号パターンを形成することを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項５】
請求項４に記載の多層プリント配線板において、高い周波数を有する信号のスルーホールの周囲でかつスルーホールに対して等間隔に低インピーダンスの安定的な電圧を有する信号パターンを形成しないことを特徴とするプリント配線板。
【請求項６】
請求項１、請求項３または請求項４のいずれか１項に記載のプリント配線板に、下面側にマトリックス状に配置された複数の接続端子を有する電子部品を実装したことを特徴とする電子部品が実装されたプリント配線板。
【請求項７】
請求項２または請求項５に記載のプリント配線板に、下面側にマトリックス状に配置された複数の接続端子を有する電子部品を実装したことを特徴とする電子部品が実装されたプリント配線板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明が解決しようとする第４の課題は、高周波信号の波形の立ち上がり立ち下がりに応答遅れ（なまり）をなすとともに他の信号には誘導による高周波ノイズの軽減できる下面側にマトリックス状に配置された複数の接続端子を有する電子部品が実装されたプリント配線板を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記第２の課題を解決する他の発明として、請求項５に記載した本発明は、請求項４に記載の多層プリント配線板において、高い周波数を有する信号のスルーホールの周囲でかつスルーホールに対して等間隔に低インピーダンスの安定的な電圧を有する信号パターンを形成しないことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月16日(2005.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明は、電波吸収壁の反射減衰量のピークをより高い周波数にシフトさせてＵＨＦ帯域で良好な電波吸収特性を得るため、あるフェライトタイル１の磁界成分方向の長さの１０％以上の間隙を開けて磁界成分方向（Ｈ方向）に他のフェライトタイル１を配置するもので、１０％未満では高い周波数において所要の吸収特性が得られない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
一方、フェライトタイル１同志の間隔がある程度まで増加すると各フェライトタイルの透磁率は関与しなくなるので、必ずしも低透磁率でなくてもよい。フェライトタイル１の間隔の上限は特にないが、外装材２の材質や厚みを考慮して選定する必要があり、好ましくはフェライトタイルの磁界成分方向寸法の１０〜８０％、最も好ましくは外装材２の厚みが２０〜３０ｍｍの場合、タイル間隔は３０〜８０％である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月16日(2005.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外壁を構成する複数の外装材の各裏面にフェライトタイルからなる磁性体が直接あるいは配列用枠体を介して少なくとも１つ固着配置され、磁性体の屋内側に反射体が配置された電波吸収壁。
【請求項２】
請求項１において、複数の外装材の裏面に固着配置される磁性体が到来電波の電界成分方向に所要間隔をあけるか又は連続して配置され、到来電波の磁界成分方向に当該磁性体の磁界成分方向の寸法の１０％以上の間隔を開けて配置された電波吸収壁。
【請求項３】
請求項２において、複数の外装材が外壁構成用枠体内に配置され、複数の磁性体が配列用枠体に支持されて外装材の裏面の所要位置に固着配置された電波吸収壁。
【請求項４】
請求項２において、複数の磁性体が到来電波の磁界成分方向の磁性体間の隙間に、吸水性のない非導電性材料を配置している電波吸収壁。
【請求項５】
請求項１〜請求項４において、反射減衰量のピーク値が４７０〜７７０ＭＨｚの周波数帯域にあり、かつ−１４ｄＢ以下の電波吸収特性を有する電波吸収壁。
【請求項６】
請求項１〜請求項４のいずれかにおいて、磁界成分方向の間隔が当該磁性体の磁界成分方向の寸法の１０〜８０％である電波吸収壁。
【請求項７】
請求項１〜請求項４のいずれかにおいて、磁性体と反射体との距離を１５ｍｍ以下にした電波吸収壁。
【請求項８】
複数の外装材の各裏面にフェライトタイルからなる磁性体を少なくとも１つ配置し、各外装材を外壁形成用型枠内に配列し、当該磁性体が外壁の到来電波の電界成分方向に所要間隔をあけるか又は連続して配置され、到来電波の磁界成分方向に当該磁性体の磁界成分方向の寸法の１０％以上の間隔を開けて配置されるように構成し、この型枠で形成固化された型材を単位に外壁を構成し、電波吸収壁を形成する電波吸収壁の施工方法。
【請求項９】
外壁構成用枠体内に配置された複数の外装材の各裏面にフェライトタイルからなる磁性体を配列用枠体を介して少なくとも１つ固着配置して、当該磁性体が外壁の到来電波の電界成分方向に所要間隔をあけるか又は連続して配置され、到来電波の磁界成分方向に当該磁性体の磁界成分方向の寸法の１０％以上の間隔を開けて配置されるように構成し、外壁構成用枠体に一体化された外壁パネルを単位に外壁を構成し、電波吸収壁を形成する電波吸収壁の施工方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、複数の磁性体が到来電波の磁界成分方向の磁性体間の隙間に、吸水性のない非導電性材料を配置する電波吸収壁の施工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
一方、フェライトタイル１同志の間隔がある程度まで増加すると各フェライトタイルの透磁率は関与しなくなるので、必ずしも低透磁率でなくてもよい。フェライトタイル１間隔の上限は特にないが、外装材２の材質や厚みを考慮して選定する必要があり、好ましくはフェライトタイルの磁界成分方向寸法の１０〜８０％、最も好ましくは外装材２の厚みが２０〜３０ｍｍの場合、タイル間隔は３０〜８０％である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
従来から行われる湿式工法において、例えば、４ｍ×４ｍ程度の外壁形成用型粋１０内に外装材を敷き並べるが、この発明による電波吸収壁を構成するに際して、フェライト一枚一枚の磁界成分方向の間に大きな隙問をあけるため、例えば、外装材が４５×９０ｍｍ、４５×１３５ｍｍ、１００×１００ｍｍ等の磁器タイルの場合、フェライトタイル寸法や磁界ギャップ寸法を適宜選定することが可能であり、図３Ａに示すごとく、外壁形成用型枠１０に配置される個々の磁器タイル等の外装材２の裏面にフェライトタイル１を予め固着させることが可能であり、作業性が著しく向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この発明において、図１に示す電波吸収壁の例で、反射体５としてフェライトタイル１から１５ｍｍ以内の近傍に配置する反射筋を採用する場合は、ステンレス鋼筋や防錆加工を施した鉄筋を用いる必要がある。特にＵＨＦ帯域で良好な電波吸収特性を得る場合、反射体としての機能を維持するために、電界方向成分と平行な横筋のピッチを４０ｍｍ以下で配置する必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス発振し発振波長が狭帯域であるレーザ光源と、
非線形光学結晶と、誘導ラマン効果を利用して波長変換を行う波長変換手段とから構成され、
波長が１９０ｎｍ以下の光を放出するコヒーレント光源。
【請求項２】
ＹＬＦレーザ光源と、
このＹＬＦレーザ光源から放出される光の２倍波により励起されるチタンサファイアレーザ光源と、
ＹＬＦレーザ光源から放出される光を２倍波に波長変換する非線形光学結晶と、
チタンサファイアレーザ光源から放出される光を３倍波に波長変換する非線形光学結晶と、
上記ＹＬＦ光源から放出される光と上記非線形光学結晶から放出される光とが入射し、両者の和周波を放出する和周波結晶と、
和周波結晶から放出された光が入射し、この入射した光を誘導ラマン効果によって波長が略１５７ｎｍとなるように波長変換する、水素が封入されたセルとから構成され、
波長が略１５７ｎｍの光を放出するコヒーレント光源。
【請求項３】
ＹＡＧレーザ光源と、
このＹＡＧレーザ光源から放出された光が入射し、この入射した光を５倍波に波長変換する非線形光学結晶と、
この非線形光学結晶から放出された光が入射し、この入射した光を誘導ラマン効果によって波長が略１５７ｎｍとなるように波長変換する、水素が封入されたセルとから構成され、
波長が略１５７ｎｍの光を放出するコヒーレント光源。
【請求項４】
請求項１，２，または３のいずれかに記載のコヒーレント光源と、
上記コヒーレント光源から放出される光をシード光として注入同期されて動作し、波長が１９０ｎｍ以下の光を放出するガスレーザ光源とから構成される
ことを特徴とする露光用レーザ装置。
【請求項５】
上記ガスレーザ光源がＦ2 レーザであることを特徴とする露光用レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
Ｆ2 レーザから構成されるガスレーザ光源２は、波長変換手段から上記波長の狭帯域のシード光が注入されると、シード光と同じ発振波長で発振し、狭帯域の上記波長の光を放出する。
本発明においては、上記のように、コヒーレント光源１において、パルス発振し発振波長が狭帯域であるレーザ光源２が放出する光を波長安定化手段３で波長安定化し、誘導ラマン効果を用いた波長変換手段により波長変換して、ガスレーザ光源２の発振波長とほぼ等しい波長の光を得て、これをシード光としてガスレーザ光源２に注入し、ガスレーザ光源２を発振させているので、ガスレーザ光源２が放出する光を狭帯域化することができるとともに、その発振波長を安定化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月26日(2004.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記第５工程が、１水素２フッ化アンモニウムを用いてウエットエッチングを行う工程であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペロブスカイト型結晶構造の誘電体からなる誘電体膜を用いた誘電体キャパシタの製造方法において、
下部電極を形成する工程と、
上記下部電極上に、上記誘電体の構成元素からなるアモルファス相またはフルオライト相を主成分とする前駆体膜を形成する工程と、
上記前駆体膜上に上部電極を形成する工程と、
少なくとも上記上部電極および上記前駆体膜をエッチングにより上記誘電体キャパシタの形状にパターニングする工程と、
上記誘電体キャパシタの形状にパターニングされた上記前駆体膜を熱処理することにより、上記アモルファス相またはフルオライト相をペロブスカイト型結晶構造の結晶相に相変化させて上記誘電体膜を得る工程
とを有することを特徴とする誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２】
上記前駆体膜はＢｉ、Ｓｒ、Ｔａ、ＮｂおよびＯからなるアモルファス相またはフルオライト相を主成分とする膜（ただし、その原子組成比の範囲は２．０≦２Ｂｉ／（Ｔａ＋Ｎｂ）≦２．６、０．６≦２Ｓｒ／（Ｔａ＋Ｎｂ）≦１．２）であることを特徴とする請求項１記載の誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項３】
上記前駆体膜はＰｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＯからなるアモルファス相を主成分とする膜（ただし、その原子組成比の範囲は０．１≦Ｚｒ／Ｐｂ≦０．６、０．４≦Ｔｉ／Ｐｂ≦０．９）であることを特徴とする請求項１記載の誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項４】
上記前駆体膜はＢａ、Ｓｒ、ＴｉおよびＯからなるアモルファス相を主成分とする膜（ただし、その原子組成比の範囲は０≦Ｓｒ／Ｔｉ≦１．０、０≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０）であることを特徴とする請求項１記載の誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項５】
上記誘電体キャパシタの形状にパターニングされた上記前駆体膜を、酸化性ガス雰囲気中で熱処理するようにしたことを特徴とする請求項１記載の誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項６】
ペロブスカイト型結晶構造の誘電体からなる誘電体膜を用いた誘電体キャパシタの製造方法において、
下部電極を形成する工程と、
上記下部電極上に、上記誘電体の構成元素からなるアモルファス相またはフルオライト相を主成分とする前駆体膜を形成する工程と、
上記前駆体膜上に上部電極を形成する工程と、
上記上部電極および上記前駆体膜をエッチングにより上記誘電体キャパシタの形状にパターニングする工程と、
上記誘電体キャパシタの形状にパターニングされた上記上部電極および上記前駆体膜の側壁を覆うように保護膜を形成する工程と、
上記誘電体キャパシタの形状にパターニングされ、かつ、その側壁が上記保護膜で覆われた上記前駆体膜を熱処理することにより、上記アモルファス相またはフルオライト相をペロブスカイト型結晶構造の結晶相に相変化させて上記誘電体膜を得る工程
とを有することを特徴とする誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項７】
上記保護膜はＳｒＴａ2 Ｏ6 、ＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 またはＨｆＯ2 からなることを特徴とする請求項６記載の誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項８】
上記誘電体キャパシタの形状にパターニングされた上記前駆体膜を、酸化性ガス雰囲気中で熱処理するようにしたことを特徴とする請求項６記載の誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項９】
ペロブスカイト型結晶構造の誘電体からなる誘電体膜を用いた誘電体キャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法において、
上記誘電体キャパシタの下部電極を形成する工程と、
上記下部電極上に、上記誘電体の構成元素からなるアモルファス相またはフルオライト相を主成分とする前駆体膜を形成する工程と、
上記前駆体膜上に上記誘電体キャパシタの上部電極を形成する工程と、
少なくとも上記上部電極および上記前駆体膜をエッチングにより上記誘電体キャパシタの形状にパターニングする工程と、
上記誘電体キャパシタの形状にパターニングされた上記前駆体膜を熱処理することにより、上記アモルファス相またはフルオライト相をペロブスカイト型結晶構造の結晶相に相変化させて上記誘電体膜を得る工程
とを有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１０】
上記前駆体膜はＢｉ、Ｓｒ、Ｔａ、ＮｂおよびＯからなるアモルファス相またはフルオライト相を主成分とする膜（ただし、その原子組成比の範囲は２．０≦２Ｂｉ／（Ｔａ＋Ｎｂ）≦２．６、０．６≦２Ｓｒ／（Ｔａ＋Ｎｂ）≦１．２）であることを特徴とする請求項９記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１１】
上記前駆体膜はＰｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＯからなるアモルファス相を主成分とする膜（ただし、その原子組成比の範囲は０．１≦Ｚｒ／Ｐｂ≦０．６、０．４≦Ｔｉ／Ｐｂ≦０．９）であることを特徴とする請求項９記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１２】
上記前駆体膜はＢａ、Ｓｒ、ＴｉおよびＯからなるアモルファス相を主成分とする膜（ただし、その原子組成比の範囲は０≦Ｓｒ／Ｔｉ≦１．０、０≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０）であることを特徴とする請求項９記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１３】
上記誘電体キャパシタの形状にパターニングされた上記前駆体膜を、酸化性ガス雰囲気中で熱処理するようにしたことを特徴とする請求項９記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１４】
ペロブスカイト型結晶構造の誘電体からなる誘電体膜を用いた誘電体キャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法において、
上記誘電体キャパシタの下部電極を形成する工程と、
上記下部電極上に、上記誘電体の構成元素からなるアモルファス相またはフルオライト相を主成分とする前駆体膜を形成する工程と、
上記前駆体膜上に上記誘電体キャパシタの上部電極を形成する工程と、
上記上部電極および上記前駆体膜をエッチングにより上記誘電体キャパシタの形状にパターニングする工程と、
上記誘電体キャパシタの形状にパターニングされた上記上部電極および上記前駆体膜の側壁を覆うように保護膜を形成する工程と、
上記誘電体キャパシタの形状にパターニングされ、かつ、その側壁が上記保護膜で覆われた上記前駆体膜を熱処理することにより、上記アモルファス相またはフルオライト相をペロブスカイト型結晶構造の結晶相に相変化させて上記誘電体膜を得る工程
とを有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１５】
上記保護膜はＳｒＴａ2 Ｏ6 、ＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 またはＨｆＯ2 からなることを特徴とする請求項１４記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１６】
上記誘電体キャパシタの形状にパターニングされた上記前駆体膜を、酸化性ガス雰囲気中で熱処理するようにしたことを特徴とする請求項１４記載の半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のエネルギ線を射出するエネルギ源を有し、パターンが形成されたレチクルを照明する照明系と、
前記レチクル上の照明領域を規定するブラインド部と、
前記パターンの像を基板上に投影する投影系と、
前記基板を保持して２次元平面内で移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージ上に設けられたエネルギ入力部を有し、前記基板ステージを移動させて前記投影系のイメージフィールド内の強度分布を測定する強度分布測定系と、
前記ブラインドにより規定される照明領域毎の前記強度分布が所定の許容値内に入るように前記照明系内の部材の位置を補正する補正手段と
を備えたことを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】
請求項１記載の投影露光装置において、
前記強度分布測定系は、前記ブラインド部により前記照明領域が変更される毎に、前記強度分布を測定するように前記基板ステージを制御することを特徴とする投影露光装置。
【請求項３】
請求項２記載の投影露光装置において、
前記補正手段は、前記照明領域毎の前記所定の許容値のデータを格納する記憶部を有していることを特徴とする投影露光装置。
【請求項４】
請求項３記載の投影露光装置において、
前記補正手段は、前記ブラインド部により前記照明領域が変更されたら、前記記憶部内の当該照明領域に対応する前記所定の許容値のデータと、当該照明領域で測定した前記強度分布のデータとを比較して前記部材の位置補正量を算出する演算部を有していることを特徴とする投影露光装置。
【請求項５】
請求項４記載の投影露光装置において、
前記補正手段は、前記照明領域毎に対応付けた前記部材の位置補正量を記憶する記憶部を有していることを特徴とする投影露光装置。
【請求項６】
請求項５記載の投影露光装置において、
前記記憶部は、前記照明領域毎に対応付けた強度分布のデータをさらに有し、
前記補正手段は、前記照明領域における測定された前記強度分布と前記強度分布のデータとに基づいて、前記部材の位置補正量を決定することを特徴とする投影露光装置。
【請求項７】
所定のエネルギ線を射出するエネルギ源を有し、パターンが形成されたレチクルを照明する照明系と、
前記照明系内に設けられ、前記レチクルを照明する照明条件を変更する照明条件変更手段と、
前記パターンの像を基板上に投影する投影系と、
前記基板を保持して２次元平面内で移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージ上に設けられたエネルギ入力部を有し、前記基板ステージを移動させて前記投影系のイメージフィールド内の強度分布を測定する強度分布測定系と、
前記照明条件毎の前記強度分布が所定の許容値内に入るように前記照明系内の部材の位置を補正する補正手段と
を備えたことを特徴とする投影露光装置。
【請求項８】
請求項７記載の投影露光装置において、
前記強度分布測定系は、前記照明条件変更手段により照明条件が変更される毎に、前記強度分布を測定するように前記基板ステージを制御することを特徴とする投影露光装置。
【請求項９】
請求項８記載の投影露光装置において、
前記補正手段は、前記照明条件毎の前記所定の許容値のデータを格納する記憶部を有していることを特徴とする投影露光装置。
【請求項１０】
請求項９記載の投影露光装置において、
前記補正手段は、前記照明条件変更手段により前記照明条件が変更されたら、前記記憶部内の当該照明条件に対応する前記所定の許容値のデータと、当該照明条件で測定した前記強度分布のデータとを比較して前記部材の位置補正量を算出する演算部を有していることを特徴とする投影露光装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の投影露光装置において、
前記補正手段は、前記照明条件毎に対応付けた前記部材の位置補正量を記憶する記憶部を有していることを特徴とする投影露光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の投影露光装置において、
前記エネルギ入力部は、２次元配列された複数個の光電変換素子を備えていることを特徴とする投影露光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の投影露光装置において、
前記補正手段は、前記部材の位置を補正した後、前記レチクルを透過した前記イメージフィールド上の前記エネルギ線のエネルギ量を所定の最適露光量に補正することを特徴とする投影露光装置。
【請求項１４】
照明領域を規定するブラインド部からのエネルギ線でパターンが設けられたマスクを照明し、当該パターンの像を投影系を介して基板上に露光する露光方法において、
前記照明領域の変更毎に前記投影系のイメージフィールド内の強度分布を検出し、当該強度分布が所定の許容値内に入るように補正することを特徴とする露光方法。
【請求項１５】
所定の照明条件でパターンが設けられたマスクを照明し、当該パターンの像を投影系を介して基板上に露光する露光方法において、
前記照明条件の変更毎に前記投影系のイメージフィールド内の強度分布を検出し、当該強度分布が所定の許容値内に入るように補正することを特徴とする露光方法。
【請求項１６】
所定の照明条件でマスクを照射し、該マスク上の照明領域内のパターンを基板上に露光することで、前記基板上に半導体素子を形成する素子形成方法において、前記照明領域の変更または前記照明条件の変更に応じて、前記基板上におけるエネルギ分布を補正することを特徴とする素子形成方法。
【請求項１７】
露光光を射出する光源と、
パターンが形成されたレチクルを照明する照明系と、
前記レチクル上の照明領域を規定する規定手段と、
前記パターンの像を基板上に投影する投影系と、
前記ブラインドにより規定される照明領域の変更に応じて、前記投影系のイメージフィールド内の強度分布を所定の許容値内に入るように補正する補正手段と、
を備えたことを特徴とする投影露光装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の投影露光装置において、
前記規定手段により前記照明領域が変更される毎に、前記強度分布を測定する強度分布測定系をさらに備えた投影露光装置。
【請求項１９】
請求項１７又は１８記載の投影露光装置において、
前記補正手段により前記強度分布を補正することにより、前記照明領域の変更によって生じる前記投影光学系を構成する光学部材での露光光の反射光量の変化に起因する前記強度分布の変化を補償することを特徴とする投影露光装置。
【請求項２０】
請求項１７乃至１９のいずれか一項記載の投影露光装置において、
前記補正手段は、前記照明系内の光学部材を動かすことによって、前記強度分布を補正することを特徴とする投影露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光基板表面に複数の光ビームを投射し、それらの反射光を複数の受光系で受光して、投影光学系の結像面に対する前記感光基板表面のずれ量に応じた検出信号を生成するステップと、
前記検出信号に基づいて、前記感光基板を保持するステージを前記投影光学系の光軸方向へ移動させ、前記光軸に対して傾斜させるステップと、
前記投影光学系を介してレチクル上のパターンの像を前記感光基板上に露光するステップとを有する投影露光方法において、
前記感光基板の各ショット領域の前記レチクルに対するアライメント情報に基づいて、前記各ショット領域毎に、前記複数の受光系のうち使用すべき受光系を選択する受光系選択ステップを備えていることを特徴とする投影露光方法。
【請求項２】
請求項１記載の投影露光方法において、
前記受光系選択ステップは、前記ショット領域内に形成されたスクライブライン上に投射される前記光ビームを受光する受光系を除外して、使用すべき受光系を選択することを特徴とする投影露光方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の投影露光方法において、
前記受光系選択ステップは、前記ショット領域内の露光エリアを規定するブラインドの設定に応じて使用すべき受光系を選択することを特徴とする投影露光方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の投影露光方法において、
前記受光系選択ステップは、次のショット領域を露光するために前記ステージを移動させる際に、当該次のショット領域で使用すべき受光系を選択することを特徴とする投影露光方法。
【請求項５】
請求項４記載の投影露光方法において、
前記受光系選択ステップは、次に露光すべきショット領域が、直前に露光したショット領域の露光エリアの形状と異なる場合に、前記使用すべき受光系を選択し直すことを特徴とする投影露光方法。
【請求項６】
レチクル上のパターンの像を感光基板上に投影する投影光学系と、
前記感光基板を保持して前記投影光学系の光軸方向に移動可能で、前記光軸に対して傾斜可能なステージと、
前記感光基板表面に投射した複数の光ビームの反射光を受光して光電検出する複数の受光系を有し、前記投影光学系の結像面に対する前記感光基板表面の前記光軸方向のずれ量に応じた検出信号を出力する焦点検出手段と、
前記検出信号に基づいて、前記ステージを前記光軸方向へ移動させ、前記光軸に対して傾斜させる制御手段とを備えた投影露光装置において、
前記感光基板の各ショット領域の前記レチクルに対するアライメント情報に基づいて、前記各ショット領域毎に、前記焦点検出手段の前記複数の受光系のうち使用すべき受光系を選択する受光系選択手段を備えていることを特徴とする投影露光装置。
【請求項７】
請求項６記載の投影露光装置において、
前記受光系選択手段は、前記ショット領域内に形成されたスクライブライン上に投射される前記光ビームを受光する受光系を除外して、使用すべき受光系を選択することを特徴とする投影露光装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の投影露光装置において、
前記受光系選択手段は、前記ショット領域内の露光エリアを規定するブラインドの設定に応じて使用すべき受光系を選択することを特徴とする投影露光装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれかに記載の投影露光装置において、
前記受光系選択手段は、次のショット領域を露光するために前記ステージを移動させる際に、当該次のショット領域で使用すべき受光系を選択することを特徴とする投影露光装置。
【請求項１０】
請求項９記載の投影露光装置において、
前記受光系選択手段は、次に露光すべきショット領域が、直前に露光したショット領域の露光エリアの形状と異なる場合に、前記使用すべき受光系を選択し直すことを特徴とする投影露光装置。
【請求項１１】
レチクル上のパターンを照明し、前記パターンの像を投影光学系を介して感光基板上に投影して回路素子を製造する素子製造方法において、
前記投影光学系の結像面と前記感光基板のショット領域とのずれ量を検出する焦点検出手段の複数の受光系を、前記ショット領域の前記レチクルに対するアライメント情報に基づいて選択し、
前記焦点検出手段により検出された前記ずれ量に基づいて、前記ショット領域を前記投影光学系の結像面に一致させてから前記パターンの像を投影することを特徴とする素子製造方法。
【請求項１２】
前記アライメント情報は、前記感光基板上のアライメントマークの位置情報に基づいて作成されたショットマップ情報を含む請求項１１記載の素子製造方法。
【請求項１３】
前記感光基板のサイズ、前記ショット領域の大きさ、前記ショット領域内のチップの個数、前記ショット領域内でのチップの配置、前記感光基板上でのショット配列を入力するステップと、
前記入力された情報に基づいて第１のショットマップを作成するステップと、
前記感光基板上のアライメントマークの位置情報に基づいて前記第１のショットマップを補正し、前記アライメント情報としての第２のショットマップを作成する請求項１１記載の素子製造方法。
【請求項１４】
前記感光基板の伸縮による影響を受けないように、前記アライメント情報に基づいて前記受光系の選択が行なわれる請求項１１乃至１３のいずれか一項記載の素子製造方法。