Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機器の裏面上方に所定量の遊技球を保持する玉タンクを配置される遊技機であって、上記玉タンクの内周壁には、遊技球の流れを調整する断面凸型とした整流部材を配設したことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
上記整流部材は、玉タンクと一体的に成形したことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
上記整流部材は、玉タンクとは別体として形成されて裏面にシール部材を貼着され、上記玉タンクの内周壁における所定位置に貼着されることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項４】
上記整流部材は、遊技球の径とずれたピッチで貼着されることを特徴とする請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
上記整流部材は、外形を円形として形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項６】
上記整流部材は、表面を球面形としたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の遊技機。
【請求項７】
上記整流部材は、表面にフッ素系コーティング層を備えたことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の遊技機。
【請求項８】
上記整流部材は、外形を楕円形としつつ、長手方向を整流方向に沿うように配向させたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項９】
上記整流部材の表面には、乗り上げた遊技球を誘導する溝を形成したことを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の遊技機。
【請求項１０】
上記整流部材の表面には、乗り上げようとする遊技球を誘導する尾根を形成したことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の遊技機。
【請求項１１】
上記整流部材内にピエゾ素子を配置し、所定の時間間隔を隔てて電圧を印加し、整流部材自体をわずかに変形可能としたことを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の遊技機。
【請求項１２】
上記ピエゾ素子への通電を、遊技機のゲーム音楽が鳴動されているときに行うようにしたことを特徴とする請求項１１に記載の遊技機。
【請求項１３】
上記ピエゾ素子を弾性被覆部材にて被覆して上記整流部材を形成したことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の遊技機。
【請求項１４】
上記玉タンクの底面に段差を形成しつつ、当該段差部分に上記整流部材を配置したことを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の遊技機。
【請求項１５】
上記整流部材は、高さを異ならせた複数の種類のものを採用することを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項１６】
上記整流部材は、流下側に断崖部分を形成したことを特徴とする請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、故障を発生したり、騒音の原因となったりすることを防止しつつ玉詰まりを解消することが可能な遊技機を提供することができる。
また、手段１および請求項２にかかる発明によれば、整流部材を玉タンクと一体的に形成し、製造の手間を低減化することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに、手段２および請求項３にかかる発明によれば、任意の位置に貼着できるので、設置状況によって玉詰まりの発生状況が変化した場合でも随時対応できる。
また、手段３および請求項４にかかる発明によれば、整流部材を遊技球の玉径とずれたピッチとすることにより、玉詰まりの発生を効果的に予防できる。
さらに、手段４および請求項５にかかる発明によれば、整流部材を円形とすることにより、玉詰まりを発生させにくくすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに、手段５および請求項６にかかる発明によれば、整流部材の断面形状を円弧とすることにより、玉詰まりを発生させにくくすることができる。
さらに、手段６および請求項７にかかる発明によれば、整流部材の表面にフッ素系コーティング層を形成することにより、汚れを付着させにくくして玉詰まりを発生させにくくすることができる。
さらに、手段７にかかる発明によれば、整流部材の表面にテフロン系コーティング層を形成することにより、整流部材状で玉が滑りやすくなり、玉詰まりを発生させにくくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに、手段８および請求項８にかかる発明によれば、整流部材の外形を楕円形とすることにより、玉の流れ方向を誘導しつつ、乗り上がった遊技球を不安定とすることができ、玉詰まりを発生させにくくすることができる。
さらに、手段９および請求項９にかかる発明によれば、整流部材に溝を形成して遊技球を誘導することにより、玉詰まりを発生させにくくすることができる。
さらに、手段１０および請求項１０にかかる発明によれば、整流部材に尾根を形成して遊技球を誘導することにより、玉詰まりを発生させにくくすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
さらに、手段１１および請求項１１にかかる発明によれば、ピエゾ素子を封入することにより整流部材が変形し、生じている玉詰まりを崩すことで玉詰まりを発生させにくくすることができる。
さらに、手段１２および請求項１２にかかる発明によれば、ピエゾ素子への通電をゲーム音楽の鳴動時とすることにより、玉詰まりを発生させにくくしつつ、騒音を目立たなくさせることができる。
さらに、手段１３および請求項１３にかかる発明によれば、ピエゾ素子を弾性被覆部材で被覆することにより、騒音を発生させにくくすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
さらに、手段１８にかかる発明によれば、玉詰まりが発生しやすい部位で玉詰まりの発生を防止することができる。
さらに、手段１９にかかる発明によれば、遊技球がスムーズに流下して玉詰まりを発生しにくくさせることができる。
さらに、手段２０および請求項１４にかかる発明によれば、遊技球が動きやすくしつつ、動きやすい部位で流下方向を調整して玉詰まりを発生しにくくさせることができる。
さらに、手段２１および請求項１５にかかる発明によれば、玉詰まりが発生しやすい部分で任意の起伏を生成して玉詰まりが発生しにくくすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
さらに、手段２２および請求項１６にかかる発明によれば、遊技球が整流部材を乗り越えるときに大きく移動して玉詰まりを発生しにくくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
遊技領域の所定の位置に設けられた始動入賞口と、
該始動入賞口への遊技球の入賞を検出する始動検出手段と、
該始動検出手段の遊技球の検出に対応する検出値を記憶可能な第１始動検出記憶手段と、
該始動検出手段の遊技球の検出に対応する検出値を記憶可能な第２始動検出記憶手段と、
該第１始動検出記憶手段または／及び該第２始動検出記憶手段の検出値に基づいて第１図柄を変動表示し、該変動表示している第１図柄を所定時間後に停止させて確定表示する第１図柄表示制御手段と、
該第１図柄表示制御手段が確定表示した第１図柄が所定の第１図柄である場合には、遊技者にとって有利な特別遊技を発生させる特別遊技発生手段と、
を備えた遊技機であって、
該特別遊技発生手段により遊技者にとって有利な特別遊技が発生した場合には、前記第１始動検出記憶手段を停止して前記第２始動検出記憶手段を実行する第２始動検出記憶実行手段と、
該第２始動検出記憶実行手段が実行されると、前記特別遊技発生手段により発生した遊技者にとって有利な前記特別遊技が終了するまで前記第１図柄表示制御手段の変動表示を禁止する第１図柄変動表示禁止手段と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
このような問題を解決するために、本発明の遊技機は、請求項１に記載したように、遊技領域の所定の位置に設けられた始動入賞口と、該始動入賞口への遊技球の入賞を検出する始動検出手段と、該始動検出手段の遊技球の検出に対応する検出値を記憶可能な第１始動検出記憶手段と、該始動検出手段の遊技球の検出に対応する検出値を記憶可能な第２始動検出記憶手段と、該第１始動検出記憶手段または／及び該第２始動検出記憶手段の検出値に基づいて第１図柄を変動表示し、該変動表示している第１図柄を所定時間後に停止させて確定表示する第１図柄表示制御手段と、該第１図柄表示制御手段が確定表示した第１図柄が所定の第１図柄である場合には、遊技者にとって有利な特別遊技を発生させる特別遊技発生手段と、を備えた遊技機であって、該特別遊技発生手段により遊技者にとって有利な特別遊技が発生した場合には、前記第１始動検出記憶手段を停止して前記第２始動検出記憶手段を実行する第２始動検出記憶実行手段と、該第２始動検出記憶実行手段が実行されると、前記特別遊技発生手段により発生した遊技者にとって有利な前記特別遊技が終了するまで前記第１図柄表示制御手段の変動表示を禁止する第１図柄変動表示禁止手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１の発明は、始動入賞口への遊技球の入賞を始動検出手段により検出し、第１始動検出記憶手段と第２始動検出記憶手段が、その始動検出手段の遊技球の検出に対応する検出値、例えば始動検出手段が遊技球を検出したタイミングに基づいて作成する乱数等を用いて、その検出値を記憶する。そして第１図柄表示制御手段が、図柄表示器等に第１始動検出記憶手段または／及び第２始動検出記憶手段の検出値に基づいて第１図柄を変動表示し所定時間後に停止させて確定表示させ、その確定表示した第１図柄が所定の第１図柄、例えば予め定められたぞろ目の数字図柄（７７７）等である場合には、特別遊技発生手段が遊技者にとって有利な特別遊技を発生させる。そしてこのような遊技機において、特別遊技発生手段により遊技者にとって有利な特別遊技が発生した場合には、第２始動検出記憶実行手段が第１始動検出記憶手段を停止して第２始動検出記憶手段を実行する。即ち、本発明の遊技機では、遊技者にとって有利な特別遊技が発生すると、第２始動検出記憶実行手段により第２始動検出記憶手段のみが実行され、従って第２始動検出記憶手段だけが、始動検出手段の遊技球の検出に対応する検出値を記憶することとなる。しかも、本発明の遊技機では、第２始動検出記憶実行手段が実行され、第２始動検出記憶手段が始動検出手段の遊技球の検出に対応する検出値を特別遊技発生手段により発生した遊技者にとって有利な特別遊技が終了するまでは、第１図柄変動表示禁止手段により第１図柄表示制御手段の変動表示を禁止する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ここで、図柄の変動表示とは、例えば、液晶表示器やドットマトリクス表示器等の表示器では、図柄としての絵柄、キャラクタ、数字、記号、文字等が上下または左右に回転する（スクロール）様子を示す擬似的な画像を表示したり、７セグメントＬＥＤ表示器等では、各セグメントを一つずつ順次点灯制御して回転する様子を表示することをいう。即ち、図柄が次から次へと変化して動いていく様子を擬似的な画像にて表示することで、その態様は様々なものが考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
そして、Ｓ５１でＮＯ、即ちカウンタＢが５の値のときには、Ｓ５０に戻って、始動入賞検出装置１１６が遊技球を検出するまで待機する。Ｓ５１でＹＥＳ、即ちカウンタＢが０〜４の値のときには、Ｓ５２へ移行して、ＣＰＵ１０２は前記した始動入賞検出信号を基に、カウンタＢの値をインクリメント（１加算する）する。次に、Ｓ５３へ移行し、大当り、外れを決定する大当り乱数を作成する。この乱数は、０〜３５０で構成され、そのうちの７が当り乱数となっている（大当り確率１／３５１）。なお、この大当り確率（１／３５１）は、適宜手段にて、直接的に、あるいは間接的に遊技者に報知しても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月31日(2004.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活魚が通過可能な開口部と該開口部を気密可能に密閉できる開閉自在の扉を備え活魚と水を収容できる中空体に活魚と水を入れた後、密閉された前記開口部を水没させて前記扉を開いて前記開口部を水中に開放させて前記活魚だけを水中に移動可能にしたことを特徴とする活魚移送装置
【請求項２】
請求項１の移送装置の中空体中空部に収容された水域に外部の水を循環可能に接続される外部水循環装置を備えたことを特徴とする活魚移送装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】課題を解決するための手段
【補正方法】変更
【補正の内容】
【課題を解決するための手段】
本発明による請求項１の活魚移送装置は、活魚が通過可能な開口部と該開口部を気密可能に密閉できる開閉自在の扉を備え活魚と水を収容できる中空体に活魚と水を入れた後、密閉された前記開口部を水没させて前記扉を開いて前記開口部を水中に開放させて前記活魚だけを水中に移動可能にしたことを特徴とする。
【０００７】
また、請求項２の活魚移送装置は、請求項１の移送装置の中空体中空部に収容された水域に外部の水を循環可能に接続される外部水循環装置を備えたことを特徴とする。
【０００８】
また、応用例の活魚移送装置は、一端が移送元水槽の水中に水没され他端が移送先水槽の水中に水没され少なくとも移送元水槽の水中に水没される先端部分が採光可能とされ中空部に魚が通行可能な水路が形成される移送パイプと、該移送パイプの移送元水槽の水中に水没される先端に連結され魚を移送パイプ内の水路に導入させる活魚導入部材と、前記移送パイプの略最高所の壁に貫通される排気口を介して移送パイプの中空部内の空気を排出する手段と、前記移送パイプの壁に貫通される注水口を介して移送パイプの中空部内に外部の水を注水し移送パイプ内水路に水流を付与する手段を備えたことを特徴とする
【０００９】
また、別の応用例の活魚移送装置は、一端が移送元水槽の水中に水没され他端が移送先水槽の水中に水没され少なくとも移送元水槽の水中に水没される先端部分が採光可能とされ中空部に魚が通行可能な水路が形成される移送パイプと、該移送パイプの移送元水槽の水中に水没される先端に連結され魚を移送パイプ内の水路に導入させる活魚導入部材と、前記移送パイプの略最高所の壁に貫通される排気口を介して移送パイプの中空部内の空気又は／及び水を排出する手段とを備え移送パイプ内水路に水流を付与可能にしたことを特徴とする。
【００１０】
さらにまた、別の応用例の活魚移送装置は、前記移送パイプが透明な材料から成り前記移送パイプの移送元水域の水中に臨まされる先端部に基端部が接続され前記移送パイプを被覆して前記移送パイプの軸方向に伸縮自在とされる有色の追出し手段を備えたことを特徴とする。
【００１１】
さらにまた、別の応用例の活魚移送装置は、前記移送パイプに形成される水路を進退自在とされる移動子を備えた水路内追出し手段を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技盤面上に球を打ち出す遊技である条件が成立すると、遊技者に有利な特賞が発生する遊技機において、
可変表示装置と、遊技制御装置とを有し、
前記可変表示装置は、各種図柄が変化した後に停止する通常画像遊技と、特別画像遊技をそれぞれ表示可能であり、
前記遊技制御装置は、
遊技中に所定の始動条件が成立した場合に、前記可変表示装置の画面全体で通常画像遊技を実行し、
通常画像遊技で大当たりの前提条件となる準当たりが成立した場合に、該準当たりが表示された領域を可変表示装置の画面の一部に縮小すると共に、該画面上に新たに生じた領域で前記特別画像遊技を実行し、
前記特別画像遊技の結果が、前記通常画像遊技での準当たりを構成する図柄との関係において、予め定めた特定条件を満たした場合に、前記特賞を発生させることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技盤面上に球を打ち出す遊技で所定の条件が成立すると、遊技者に有利な特賞が発生する遊技機において、
前記遊技盤面上に配設した可変表示装置と、抽選実行手段と、通常画像制御手段と、特別画像制御手段と、特賞生成手段とを有し、
前記可変表示装置は、各種図柄が変化した後に停止する通常画像遊技と、特別画像遊技とそれぞれ表示可能であり、
前記抽選実行手段は、遊技中に所定の始動条件が成立した場合に、それに基づき乱数を用いた無作為抽選を実行し、
前記通常画像制御手段は、前記抽選実行手段の抽選結果に応じて、前記通常画像遊技を実行し、
前記特別画像制御手段は、前記抽選実行手段の抽選結果に応じて、前記通常画像遊技で大当たりの前提条件となる準当たりが成立した場合に、該準当たりが表示された領域を可変表示装置の画面の一部に縮小すると共に、該画面上に新たに生じた領域で前記特別画像遊技を実行し、
前記特賞生成手段は、前記抽選実行手段の抽選結果に応じて、前記特別画像遊技の結果が、前記通常画像遊技での準当たりを構成する図柄との関係において、予め定めた特定条件を満たした場合に、前記特賞を発生させることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
前記抽選実行手段は、前記始動条件が成立した場合に、前記通常画像遊技で準当たりとなるかハズレに確定するかを決定する第１図柄乱数を生成し、該第１図柄乱数が準当たりに相当した場合に、さらに前記特別画像遊技の結果が特定条件を満たすか否かを決定する第２図柄乱数を生成することを特徴とする請求項２記載の遊技機。
【請求項４】
前記通常画像遊技で準当たりが成立した場合に、前記可変表示装置の画面が分割され、一の分割画面に前記準当たりが表示され、他の分割画面で前記特別画像遊技が実行されることを特徴とする請求項１，２または３記載の遊技機。
【請求項５】
前記通常画像遊技で準当たりが成立した場合に、前記可変表示装置の画面で前記準当たりが表示された領域がそのまま相似形に縮小されて一のウインドウとなり、その下層に新たに出現した他のウインドウで前記特別画像遊技が実行されることを特徴とする請求項１，２または３記載の遊技機。
【請求項６】
前記通常画像遊技は、１または複数のライン上で複数並ぶ各種図柄が連続的に変化した後に順次停止するものであり、何れかのライン上で最後に停止する図柄を１つ残して既に停止した図柄が互いに一致する状態が前記準当たりに相当することを特徴とする請求項１，２，３，４または５記載の遊技機。
【請求項７】
前記特別画像遊技は、各種図柄としての数字が１または複数無作為に選択されるものであることを特徴とする請求項１，２，３，４，５または６記載の遊技機。
【請求項８】
前記特別画像遊技は、各種図柄としての数字が１または複数無作為に選択されるものであり、その選択過程を、裏側が表示されたトランプカードを順に表側にめくる動作に模したことを特徴とする請求項１，２，３，４，５または６記載の遊技機。
【請求項９】
前記特別画像遊技は、各種図柄としての数字が１または複数無作為に選択されるものであり、その選択過程を、サイコロを順にふるう動作に模したことを特徴とする請求項１，２，３，４，５または６記載の遊技機。
【請求項１０】
前記特別画像遊技で選択される各種図柄の数が当初の予定数よりも特別に追加される場面を設けたことを特徴とする請求項７，８または９記載の遊技機。
【請求項１１】
前記特別画像遊技の結果として特定条件を満たすのは、無作為に選択された数字を用いた四則計算の答えが、前記通常画像遊技で準当たりを構成する図柄である数字と一致した場合であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９または１０記載の遊技機。
【請求項１２】
前記特別画像遊技の結果として特定条件を満たすのは、無作為に選択された数字の合計値が、前記通常画像遊技で準当たりを構成する図柄である数字と一致した場合であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０または１１記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者の操作にもとづいて遊技を行うとともに遊技の結果が所定の態様になったことにもとづいて遊技者に有利な特定遊技状態に移行可能な遊技機であって、
遊技の進行を制御するＣＰＵはＲＯＭに格納されている遊技制御プログラムにもとづいて遊技制御を行い、
遊技者に所定の遊技価値が付与可能となる状態を生じやすい特別遊技状態とそれ以外の通常状態とで異なる格納領域に、遊技制御を行うプログラム部分で使用される複数のパラメータがそれぞれ設定された状態変数テーブルが前記ＲＯＭに格納され、
前記状態変数テーブル中で、前記通常状態の各パラメータとそれに対応する前記特別遊技状態の各パラメータとはそれぞれ同一順序で設定され、かつ、前記通常状態の各パラメータの先頭アドレスからのアドレス差は前記特別遊技状態の各パラメータの先頭アドレスからのアドレス差と同一であるように設定され、
前記ＣＰＵは、前記通常状態と前記特別遊技状態とを切り替えるタイミングで、切り替え後の状態の各パラメータの先頭アドレスを示すデータを保存し、
保存した先頭アドレスを示すデータに対して読み出すパラメータに対応するアドレス差を加算した値を用いてアドレス指定を行うことによって当該パラメータを入手し、入手したパラメータにもとづいて遊技制御を行う
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記状態変数テーブルには、遊技媒体が入賞しやすい状態と入賞しにくい状態とに可変可能な可変入賞球装置の動作条件を決めるための普通図柄の変動時間を特定可能な情報が含まれる
請求項１記載の遊技機。
【請求項３】
前記状態変数テーブルには、前記可変入賞球装置の動作時間が含まれる
請求項２記載の遊技機。
【請求項４】
前記状態変数テーブルには、前記特別遊技状態を示す発光体の点灯パターンを特定可能な情報が含まれる
請求項１から請求項３のうちのいずれかに記載の遊技機。
【請求項５】
表示結果が導出表示されていない段階で既に表示結果が導出表示されている表示態様が特定の表示態様の組合せとなる表示条件を満たしているリーチ状態を複数種類のうちから選択する選択手段を備え、
前記状態変数テーブルには、前記選択手段がいずれのリーチ種類とするのか選択するためのリーチ選択用データが含まれる
請求項１から請求項４のうちのいずれかに記載の遊技機。
【請求項６】
前記状態変数テーブルには、遊技者に所定の遊技価値が付与可能となる状態を発生させるか否か判定するための判定値は含まれない
請求項１から請求項５のうちのいずれかに記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明による遊技機は、遊技者の操作にもとづいて遊技を行うとともに遊技の結果が所定の態様になったことにもとづいて遊技者に有利な特定遊技状態に移行可能な遊技機であって、遊技の進行を制御するＣＰＵはＲＯＭに格納されている遊技制御プログラムにもとづいて遊技制御を行い、遊技者に所定の遊技価値が付与可能となる状態を生じやすい特別遊技状態とそれ以外の通常状態とで異なる格納領域に、遊技制御を行うプログラム部分で使用される複数のパラメータがそれぞれ設定された状態変数テーブルがＲＯＭに格納され、状態変数テーブル中で、通常状態の各パラメータとそれに対応する特別遊技状態の各パラメータとはそれぞれ同一順序で設定され、かつ、通常状態の各パラメータの先頭アドレスからのアドレス差は特別遊技状態の各パラメータの先頭アドレスからのアドレス差と同一であるように設定され、ＣＰＵは、通常状態と特別遊技状態とを切り替えるタイミングで、切り替え後の状態の各パラメータの先頭アドレスを示すデータを保存し、保存した先頭アドレスを示すデータに対して読み出すパラメータに対応するアドレス差を加算した値を用いてアドレス指定を行うことによって当該パラメータを入手し、入手したパラメータにもとづいて遊技制御を行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄水を頭部に噴射する複数の洗浄用ノズルを有する自動洗髪機において、
洗浄水を溜めておく貯湯タンクと、
上記貯湯タンクから洗浄水を汲み出し、上記洗浄用ノズルに供給する湯水供給用ポンプと、
開閉動作により上記洗浄用ノズルからの洗浄水の噴射を制御する湯水供給用電磁弁と、
上記湯水供給用電磁弁の開閉動作のタイミングに合わせて、上記湯水供給用ポンプから上記洗浄用ノズルに供給する洗浄水の水量を変化させるように上記湯水供給用ポンプの出力を制御する湯水供給用ポンプ制御手段とを備えたことを特徴とする自動洗髪機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、請求項１に係る自動洗髪機は、洗浄水を頭部に噴射する複数の洗浄用ノズルを有する自動洗髪機において、洗浄水を溜めておく貯湯タンクと、上記貯湯タンクから洗浄水を汲み出し、上記洗浄用ノズルに供給する湯水供給用ポンプと、開閉動作により上記洗浄用ノズルからの洗浄水の噴射を制御する湯水供給用電磁弁と、上記湯水供給用電磁弁の開閉動作のタイミングに合わせて、上記湯水供給用ポンプから上記洗浄用ノズルに供給する洗浄水の水量を変化させるように上記湯水供給用ポンプの出力を制御する湯水供給用ポンプ制御手段とを備えたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の効果】
以上のように本発明（請求項１）によれば、洗浄水を頭部に噴射する複数の洗浄用ノズルを有する自動洗髪機において、洗浄水を溜めておく貯湯タンクと、上記貯湯タンクから洗浄水を汲み出し、上記洗浄用ノズルに供給する湯水供給用ポンプと、開閉動作により上記洗浄用ノズルからの洗浄水の噴射を制御する湯水供給用電磁弁と、上記湯水供給用電磁弁の開閉動作のタイミングに合わせて、上記湯水供給用ポンプから上記洗浄用ノズルに供給する洗浄水の水量を変化させるように上記湯水供給用ポンプの出力を制御する湯水供給用ポンプ制御手段とを備えたことを特徴とするものであるので、上記洗浄用ノズルの噴射場所，用途，形状に応じて各洗浄用ノズルからの洗浄水の噴射圧，噴射量を最適な状態にして洗髪を行うことが可能となり、洗浄水を無駄にすることなくより経済的かつ効率的な洗髪が可能となる。また、各洗浄用ノズルからの洗浄水の噴射圧に高低を設けることにより頭部へのマッサージ効果を向上させたり、各洗浄用ノズルの噴射場所の感度に応じて洗浄水の噴射圧を調整することにより、より快適な洗髪を提供することができる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月30日(2004.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各商品に関する情報を表示するために各商品の近傍に配置される複数の棚札表示器と、
各商品に関する情報を有し、その情報を前記棚札表示器に対して送信するサーバーと、
を備え、
店舗で陳列している商品の広告に対する作業員による作業が必要なときに、前記サーバーからの指令によって前記棚札表示器が前記作業を補助する表示を行う、棚札表示変更システム。
【請求項２】
前記作業は、所定の商品の近傍に配置されるその商品に関するＰＯＰ広告の取り付け及び取り外しである、請求項１に記載の棚札表示変更システム。
【請求項３】
前記棚札表示器は、その商品が期間限定の特別売り出し品であるときに、商品の特別売りだしの期間を表示する、請求項２に記載の棚札表示変更システム。
【請求項４】
前記サーバーは、前記ＰＯＰ広告の取り付けあるいは取り外しが必要な商品の近傍に配置されている前記棚札表示器を点滅させる、請求項２又は３に記載の棚札表示変更システム。
【請求項５】
前記サーバーの有する各商品に関する情報には、少なくとも期間が異なる第１及び第２特別売りだし期間の情報が含まれており、
前記サーバーは、作業員が前記第１特別売りだし期間を持った商品に対してその近傍に前記ＰＯＰ広告を取り付ける作業を行うときにはその商品の近傍の前記棚札表示器の表示を点滅させ、作業員が前記第２特別売りだし期間を持った商品に対してその近傍に前記ＰＯＰ広告を取り付ける作業を行うときにはその商品の近傍の前記棚札表示器の表示を点滅させる、
請求項４に記載の棚札表示変更システム。
【請求項６】
前記サーバーの有する各商品に関する情報は、前記ＰＯＰ広告の作成時に決められる取り付け／取り外し作業時のデータを含んでおり、
前記サーバーは、前記ＰＯＰ広告の取り付け／取り外し作業のために、前記取り付け／取り外し作業時のデータを基に前記ＰＯＰ広告の取り付け／取り外しを行う商品のリストを出力することができる、
請求項２から５のいずれかに記載の棚札表示変更システム。
【請求項７】
前記棚札表示器は、少なくとも、主として客に対して商品の情報を表示する第１表示面と、主として作業員に対して商品や商品の広告に対する作業指示を表示する第２表示面とを有している、請求項１から６のいずれかに記載の棚札表示変更システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の課題は、ＥＳＬシステム（棚札表示変更システム）を導入している場合において、ＰＯＰ広告の取り付け及び取り外し等の商品の広告に対する作業の作業性を向上させ、作業の正確性や省力化を図ることにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る棚札表示変更システムは、複数の棚札表示器と、サーバーとを備えている。棚札表示器は、各商品の近傍に配置され、各商品に関する情報を表示する。サーバーは、各商品に関する情報を有しており、その情報を棚札表示器に対して送信する。このシステムでは、店舗で陳列している商品の広告に対する作業員による作業が必要なときに、サーバーからの指令によって、棚札表示器が作業員による商品やその商品の広告に対する作業を補助する表示を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、棚札表示器の表示に加えて客の注目をより引くためのＰＯＰ広告を商品に付ける場合には、商品の広告に対する作業が必要となるが、ここでは棚札表示器がその作業を補助する。具体的には、作業員が作業を行うときに、サーバーが棚札表示器に送信を行って棚札表示器に作業の補助となるような表示を出させる。例えば、作業が必要な商品近傍の棚札表示器が、作業指示の表示を出したり、作業内容を示唆する表示を出したり、作業順に表示を出したりする。これにより、作業を行う作業員が作業を行いやすくなり、作業にかかる時間が短くなるとともに、作業ミスも少なくなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このように、本請求項１のシステムを使えば、商品の広告に対する作業の作業性が向上するため、作業の正確性や省力化を図ることができる。また、作業ミスが少なくなるため、店舗に対する客のより高い信頼を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項７に係る棚札表示変更システムは、請求項１から６のいずれかに記載のシステムであって、棚札表示器は、少なくとも、第１表示面と第２表示面とを有している。第１表示面は、主として客に対して商品の情報を表示する画面である。第２表示面は、主として作業員に対して商品や商品の広告に対する作業指示を表示する画面である。なお、必ずしも第１表示面と第２表示面とを平面的に並べる必要はなく、表画面及び裏画面のようにして両者を重ねて配置してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
【発明の効果】
本発明では、商品の広告に対する作業を作業員が行うときに、サーバーが棚札表示器に送信を行って棚札表示器に作業の補助となるような表示を出させるようにしているため、作業を行う作業員が作業を行いやすくなり、作業にかかる時間が短くなるとともに、作業ミスも少なくなる。また、これに伴い、店舗に対する客のより高い信頼を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月16日(2003.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層の上に、エッチング停止層を形成する第１の工程と、
前記エッチング停止層の上に、III-Ｖ族化合物半導体からなる第２の半導体層を形成する第２の工程とを備え、
前記エッチング停止層のドライエッチングによるエッチングレートは、前記第２の半導体層のエッチングレートよりも小さいことを特徴とする半導体レーザ発光装置の製造方法であって、
前記第１の半導体層はマグネシウムを含み、
前記エッチング停止層は、III-Ｖ族窒化物半導体に含まれる元素と、III-Ｖ族窒化物半導体の導電性を決定する不純物元素とからなり、
前記不純物元素はマグネシウムであって、
前記エッチング停止層に含まれるマグネシウムの量は、前記第１の半導体層に含まれているマグネシウムの量よりも多い、半導体レーザ発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング停止層に含まれるマグネシウムの量は、約１×１０20ｃｍ-3以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体結晶の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体結晶の製造方法であって、
結晶成長面が凹凸面とされた基板の該結晶成長面上に、前記半導体結晶を結晶層として成長させる工程を有し、
該工程において、前記半導体結晶を、ファセット面を有する形状に成長させた後、横方向成長が促進されるように成長条件を変化させて成長させ、成長面を平坦化させて前記結晶層とすることを特徴とする、
前記半導体結晶の製造方法。
【請求項２】
上記工程において、ＮＨ３分圧の低い減圧成長によって、ファセット面を有する形状に成長させた後、ＮＨ３分圧を上げて横方向成長を促進させ成長面を平坦化させるものである、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
上記工程において、ファセット面を有する形状に成長させた後に、横方向成長を促進させる際の、成長条件の変化が、常圧成長から減圧成長への変化を含んでいる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
上記工程において、ファセット面を有する形状に成長させた後に、横方向成長を促進させる際の、成長条件の変化が、成長温度を上げることを含んでいる、請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体基材は、基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は凹部及び／または凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであることを特徴とするものである。
また、本発明の製造方法は、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体結晶の製造方法であって、結晶成長面が凹凸面とされた基板の該結晶成長面上に、前記半導体結晶を結晶層として成長させる工程を有し、該工程において、前記半導体結晶を、ファセット面を有する形状に成長させた後、横方向成長が促進されるように成長条件を変化させて成長させ、成長面を平坦化させて前記結晶層とすることを特徴とするものである。
上記工程では、例えば、ＮＨ３分圧の低い減圧成長によって、ファセット面を有する形状に成長させた後、ＮＨ３分圧を上げて横方向成長を促進させ成長面を平坦化させる。
また、上記工程では、ファセット面を有する形状に成長させた後の、横方向成長を促進させる際の成長条件の変化は、常圧成長から減圧成長への変化を含んでいてもよい。
また、上記工程では、ファセット面を有する形状に成長させた後の、横方向成長を促進させる際の成長条件の変化は、成長温度を上げることを含んでいてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
基板1上に成長される半導体層としては種々の半導体材料を用いることができ、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）ではｘ、ｙの組成比を変化させたＧａＮ、Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ、Ｉｎ０．４Ｇａ０．６Ｎなどが例示できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体結晶層を成長させるためのベースとなる基板であって、
当該基板の結晶成長面には、ストライプ型の凸部を有する凹凸が設けられ、前記結晶成長面に対する凸部の占有する面積の割合は５０％以下とされ、且つ、該凸部の幅ａは０＜ａ＜１μｍの範囲とされていることを特徴とする基板。
【請求項２】
上記結晶成長面に対する凸部の占有する面積の割合が、２〜３０％とされていることを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項３】
半導体結晶層を成長させるためのベースとなる基板であって、
当該基板の結晶成長面には、ストライプ型の凸部を有する凹凸が設けられ、前記結晶成長面に対する凸部の占有する面積の割合は５０〜７０％とされ、且つ、該凸部の幅ａは０＜ａ＜１μｍの範囲とされていることを特徴とする基板。
【請求項４】
半導体結晶層を成長させるためのベースとなる基板であって、
当該基板の結晶成長面には、ストライプ型の凸部を有する凹凸が設けられ、該凸部の幅ａは０＜ａ＜１μｍの範囲とされ、且つ、該凸部の幅ａが、凹部の幅ｂ以下とされている部分を有することを特徴とする基板。
【請求項５】
当該基板の材料が、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｓｉ、スピネル、ＺｎＯ、ＧａＡｓまたはＮＧＯである、請求項１〜４のいずれかに記載の基板。
【請求項６】
半導体結晶層が、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる結晶層である、請求項５に記載の基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体基材は、基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長された半導体基材において、前記凸部は、その幅ａが０＜ａ＜１μｍの範囲とされ、且つ、上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が５０％以下とされていることを特徴とするものである。
また、本発明の基板は、半導体結晶層を成長させるためのベースとなる基板であって、
当該基板の結晶成長面には、ストライプ型の凸部を有する凹凸が設けられ、前記結晶成長面に対する凸部の占有する面積の割合は５０％以下とされ、且つ、該凸部の幅ａは０＜ａ＜１μｍの範囲とされていることを特徴とするものである。
上記結晶成長面に対する凸部の占有する面積の好ましい割合は、２〜３０％である。
また、本発明の基板の他の態様では、当該基板の結晶成長面に、ストライプ型の凸部を有する凹凸が設けられ、前記結晶成長面に対する凸部の占有する面積の割合は５０〜７０％とされ、且つ、該凸部の幅ａは０＜ａ＜１μｍの範囲とされている。
また、本発明の基板のその他の態様では、当該基板の結晶成長面に、ストライプ型の凸部を有する凹凸が設けられ、該凸部の幅ａは０＜ａ＜１μｍの範囲とされ、且つ、該凸部の幅ａが、凹部の幅ｂ以下とされている部分を有することを特徴とするものである。
当該基板の材料は、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｓｉ、スピネル、ＺｎＯ、ＧａＡｓまたはＮＧＯが好ましく、これら基板材料に対する半導体結晶層の好ましい材料は、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
基板１上に成長される半導体結晶としては種々の半導体材料を用いることができ、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）ではｘ、ｙの組成比を変化させたＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮなどが例示できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月24日(2004.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のコレクタ層として機能するＮ型の第１の単結晶半導体層の上に、ベース層として機能するＰ型の第２の単結晶半導体層をエピタキシャル成長させる工程（ａ）と、
上記第２の単結晶半導体層の上に、第３の単結晶半導体層をエピタキシャル成長させる工程（ｂ）と、
上記第３の単結晶半導体層の上に、上記第３の単結晶半導体層の固溶限の濃度のリンを第３の単結晶半導体層に拡散させる濃度以下の濃度のリンを含むＮ-ポリシリコンと、上記Ｎ-ポリシリコンよりも高濃度のリンを含むＮ＋ポリシリコンを順に積層することによりエミッタ引き出し電極を堆積する工程（ｃ）と、
上記Ｎ-ポリシリコン内のリンを拡散させるための熱処理を行ない、上記第３の単結晶半導体層の上部に固溶限以下の濃度のリンをドープすることによりエミッタを形成する工程（ｄ）と
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）では、上記半導体層にドープするリンの濃度を上方に向かってステップ状に高くしていく、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）では、上記半導体層にドープするリンの濃度を上方に向かって連続的に高くしていく、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１の単結晶半導体層はＳｉ層であり、
上記第２の単結晶半導体層はＳｉＧｅ層であり、
上記第３の単結晶半導体層はＳｉ層である、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１の単結晶半導体層はＳｉ層であり、
上記第２の単結晶半導体層はＳｉＧｅＣ層であり、
上記第３の単結晶半導体層はＳｉ層である、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記Ｎ-ポリシリコンが凹部を有しており、上記Ｎ+ポリシリコンが凸部を有しており、上記凹部と上記凸部とがはまりあうように上記エミッタ引き出し電極を堆積する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板上のコレクタ層として機能するＮ型の第１の単結晶半導体層の上に、ベース層として機能するＰ型の第２の単結晶半導体層をエピタキシャル成長させる工程（ａ）と、
上記第２の単結晶半導体層の上に、第３の単結晶半導体層をエピタキシャル成長させる工程（ｂ）と、
上記第３の単結晶半導体層の少なくとも上部にＰ型不純物をドープする工程（ｃ）と、
上記第３の単結晶半導体層の上に、リンを含む半導体層を形成する工程（ｄ）と、
上記半導体層内のリンを拡散させるための熱処理を行ない、上記第３の単結晶半導体層の上部に上記工程（ｃ）でドープされたＰ型不純物よりも高濃度のリンをドープすることによりエミッタを形成する工程（ｅ）と
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）は、上記工程（ｂ）と同時に、Ｐ型不純物をドープしながら上記第３の単結晶半導体層をエピタキシャル成長させることにより行なわれる，半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）は、上記工程（ｂ）の後、上記第３の単結晶半導体層内にＰ型不純物のイオンを注入することにより行なわれる，半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｂ）の後、上記工程（ｃ）の前に、上記第３の単結晶半導体層の上に絶縁層を形成する工程と、
上記絶縁層の上に、Ｐ型不純物を含む半導体層を形成する工程とをさらに含み、
上記工程（ｃ）は、熱処理により上記半導体層から上記絶縁層を通過させて上記第３の単結晶半導体層にＰ型不純物を導入することにより行なわれる，半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月17日(2004.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、 配線基板のパッドの径が１５０μｍ以下で、かつ該パッド上に形成された半田バンプの高さが平均値で７０μｍ以下で、その高さのバラツキが該平均値の±２０％の範囲内であることを特徴とする。
本発明では、配線基板のパッドの径が１５０μｍ以下で、半田バンプの高さが平均値で７０μｍ以下と小さい半田バンプの場合でも、その高さのバラツキが平均値の±２０％の範囲内と少ないので、例えばフリップチップとの接合性が高くなる。
請求項２の発明は、前記パッドが、同一高さの半田バンプを形成するのに異なる量の半田を要するパッドが混在しているパッド群であることを特徴とする。
配線基板のパッドが、同一高さの半田バンプを形成するのに異なる量の半田を要するパッドが混在しているパッド群（例えば図９（ａ）に示す様な、パッドの形状又はサイズ（径等）が異なるパッドが混在するパッド群）であることを特徴とする場合には、フリップチップ等との接合性が悪化しがちであるが、高さバラツキが少ないので、良好な接合性を得ることができる。
請求項３の発明は、前記パッドが、ビア部パッド及び非ビア部パッドであることを特徴とする（［００８６］参照）。
尚、前記配線基板の製造に用いることができる半田バンプ形成用メタルマスクについて簡単に説明する。
半田バンプを形成するために、配線基板に対して半田ペーストを印刷する際に用いられるメタルマスクとして、形成する半田バンプに対応したパターン穴の縦断面形状が、開口端の径より中央部の径が大きい略樽形状のものを用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】誘電体膜
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性半導体層の上に形成され、上記半導体層の主面において上記半導体の結晶とほぼ格子整合する結晶性金属酸化物からなる下地層と、  
上記下地層の上に形成された結晶性ＣｅＯ2層と  
を備え、
前記結晶性半導体層はＳｉ層であり、
前記Ｓｉ層の主面は（００１）面であり、
前記結晶性ＣｅＯ2層の膜面は（００１）である、
誘電体膜。
【請求項２】
請求項１の誘電体膜において、
上記金属酸化物の金属材料は、Ｍｇ，Ｚｒ，Ｙ，及びＢｉのうち少なくともいずれか１つから選ばれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、金属Ｃｅと酸素とを原料として、Ｓｉ基板上に形成される結晶性の高いＣｅＯ2膜を備えた誘電体膜に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の目的は、かかる点に鑑み、Ｓｉ基板の上に結晶性の高い単結晶のＣｅＯ2膜を有する誘電体膜を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明に係る誘電体膜は、結晶性半導体層の上に形成され、上記半導体層の主面において上記半導体の結晶とほぼ格子整合する結晶性金属酸化物からなる下地層と、記下地層の上に形成された結晶性ＣｅＯ2層とを備え、前記結晶性半導体層はＳｉ層であり、前記Ｓｉ層の主面は（００１）面であり、前記結晶性ＣｅＯ2層の膜面は（００１）である、
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上記金属酸化物の金属材料は、Ｍｇ，Ｚｒ，Ｙ，及びＢｉのうち少なくともいずれか１つから選ばれることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明によれば、（００１）Ｓｉ基板上に高い結晶性を有する（００１）ＣｅＯ2膜からなるＣｅＯ2層を有する誘電体膜を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応管に連通するガス導入管と閉塞部材を有したガス排気管とを備えた基板処理装置において、
前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、
前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、
排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御部を有し、
前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ガス排気管からの排気は、前記ガス導入管からのクリーニングガス供給開始と同時又はクリーニングガス供給開始前に実質的に停止することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ガス排気管からの排気は、前記ガス導入管からのクリーニングガス供給開始後７秒以内に実質的に停止することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させる第１段階と、この第１段階の後、前記反応室内を排気する第２段階とを設け、前記第１段階と第２段階とを少なくとも１サイクル以上繰り返すことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ガス導入管からのクリーニングガスの供給は、第１の流量で反応管内に供給した後、前記第１の流量より少ない第２の流量で反応管内に供給することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の流量でクリーニングガスを反応管内に供給する第１の期間は、前記第２の流量でクリーニングガスを反応管内に供給する第２の期間よりも短いことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の流量でクリーニングガスを反応管内に供給する期間における反応管内の圧力上昇度は、前記第２の流量でクリーニングガスを反応管内に供給する期間における反応管内の圧力上昇度よりも高いことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記反応管内にクリーニングガスを供給し、反応管内圧力が所定の圧力になった後、クリーニングガスの供給を所定時間停止することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項９】
反応管に連通するガス導入管と閉塞部材を有したガス排気管とを備えた基板処理装置において、
前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、
前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、
排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御部を有し、
前記制御部の制御により前記反応管内をクリーニングガスで充満させる第１段階と、
この第１段階の後、前記反応室内を排気する第２段階とを設け、前記第１段階と第２段階とを少なくとも１サイクル以上繰り返すことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
反応管と、
この反応管に連通するガス導入管と、
前記反応管に連通し、閉塞部材を有するガス排気管と、
前記ガス導入管にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
このクリーニングガス供給手段により前記ガス導入管を介して前記反応管内にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、
前記ガス導入管から前記反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、排気を実質的に停止させるように前記閉塞部材の開度を制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。