【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方晶系窒化ホウ素スラリーを製造する方法であって、媒質中で０．５ｗｔ％〜５ｗｔ％の界面活性剤を３０ｗｔ％〜５０ｗｔ％の六方晶系窒化ホウ素粉末と、六方晶系窒化ホウ素スラリーを生成するのに有効な条件下で混合することを含む方法。
【請求項２】
六方晶系窒化ホウ素スラリーが、４０ｗｔ％〜５０ｗｔ％の六方晶系窒化ホウ素粉末を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
界面活性剤が、ポリカルボン酸、シランおよび有機金属化合物から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
六方晶系窒化ホウ素粉末が、５ｍ2／ｇ〜３０ｍ2／ｇの表面積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
媒質が、水性媒質である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
媒質が、イソプロピルアルコール、メタノールおよびエタノールから成る群から選択された非水性媒質である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
０．５ｗｔ％〜５ｗｔ％の界面活性剤および３０ｗｔ％〜５０ｗｔ％の六方晶系窒化ホウ素粉末を媒質中に含む六方晶系窒化ホウ素スラリー。
【請求項８】
スラリーが、４０ｗｔ％〜５０ｗｔ％の六方晶系窒化ホウ素粉末を含む、請求項７に記載のスラリー。
【請求項９】
界面活性剤が、ポリカルボン酸、シランおよび有機金属化合物から成る群から選択される、請求項７に記載のスラリー。
【請求項１０】
六方晶系窒化ホウ素粉末が、５ｍ2／ｇ〜３０ｍ2／ｇの表面積を有する、請求項７に記載のスラリー。
【請求項１１】
媒質が、水性媒質である、請求項７に記載のスラリー。
【請求項１２】
媒質が、イソプロピルアルコール、メタノールおよびエタノールから成る群から選択された非水性媒質である、請求項７に記載のスラリー。
【請求項１３】
球状窒化ホウ素粉末を製造する方法であって、
六方晶系窒化ホウ素スラリーを用意し、
窒化ホウ素小板の球状集塊を含む球状窒化ホウ素粉末を生成するのに有効な条件下で、該スラリーを噴霧乾燥し、そして
この球状窒化ホウ素粉末を焼結する
ことを含む方法。
【請求項１４】
六方晶系窒化ホウ素スラリーが、３０ｗｔ％〜５０ｗｔ％の六方晶系窒化ホウ素粉末を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
窒化ホウ素小板の球状集塊が、１０ミクロン〜５００ミクロンの平均集塊直径を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
窒化ホウ素集塊のより多量の部分が、３０ミクロン〜１５０ミクロンの平均直径を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
球状窒化ホウ素粉末が、０．４ｇ／ｃｃ〜０．７ｇ／ｃｃのタップ密度を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
焼結を、１，８００℃〜２，４００℃の温度にて行う、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
所望の集塊サイズ分布を得るのに有効な条件下で球状窒化ホウ素粉末を分級することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
分級が、篩分け、空気分級および湿式篩から成る群から選択される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
窒化ホウ素小板の球状集塊を含む球状窒化ホウ素粉末。
【請求項２２】
窒化ホウ素小板の球状集塊が、１０ミクロン〜５００ミクロンの平均集塊直径を有する、請求項２１に記載の球状窒化ホウ素粉末。
【請求項２３】
窒化ホウ素集塊のより多量の部分が、３０ミクロン〜１５０ミクロンの平均直径を有する、請求項２２に記載の球状窒化ホウ素粉末。
【請求項２４】
球状窒化ホウ素粉末が、０．４ｇ／ｃｃ〜０．７ｇ／ｃｃのタップ密度を有する、請求項２１に記載の球状窒化ホウ素粉末。
【請求項２５】
六方晶系窒化ホウ素ペーストを製造する方法であって、
六方晶系窒化ホウ素スラリーを用意し、そして
６０ｗｔ％〜８０ｗｔ％の固体六方晶系窒化ホウ素を含む六方晶系窒化ホウ素ペーストを生成するのに有効な条件下で、該スラリーを処理する
ことを含む方法。
【請求項２６】
六方晶系窒化ホウ素スラリーが、３０ｗｔ％〜５０ｗｔ％の六方晶系窒化ホウ素固形分充填量を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
処理が、スラリーをセッコウ型中に入れることを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
処理が、真空濾過を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
媒質中の６０ｗｔ％〜８０ｗｔ％の固体六方晶系窒化ホウ素を含む六方晶系窒化ホウ素ペースト。
【請求項３０】
媒質が、水性媒質である、請求項２９に記載の六方晶系窒化ホウ素ペースト。
【請求項３１】
媒質が、イソプロピルアルコール、メタノールおよびエタノールから成る群から選択された非水性媒質である、請求項２９に記載の六方晶系窒化ホウ素ペースト。
【請求項３２】
ポリマー配合物であって、
ポリマー、および
六方晶系窒化ホウ素小板の球状集塊を含む粉末相
を含み、しかも該粉末相が、該ポリマー内に均質に分配されているポリマー配合物。
【請求項３３】
六方晶系窒化ホウ素小板の球状集塊が、１０ミクロン〜５００ミクロンの平均集塊直径を有する、請求項３２に記載のポリマー配合物。
【請求項３４】
球状集塊のより多量の部分が、３０ミクロン〜１５０ミクロンの平均直径を有する、請求項３３に記載のポリマー配合物。
【請求項３５】
粉末相が、０．４ｇ／ｃｃ〜０．７ｇ／ｃｃのタップ密度を有する、請求項３２に記載のポリマー配合物。
【請求項３６】
ポリマーが、溶融加工可能なポリマー、ポリエステル、フェノール類、シリコーンポリマー、アクリル類、ロウ、熱可塑性ポリマー、低分子量流体およびエポキシ成形コンパウンドから成る群から選択される、請求項３２に記載のポリマー配合物。
【請求項３７】
ポリマー配合物が、３０ｗｔ％〜８０ｗｔ％の球状窒化ホウ素粉末を含む、請求項３２に記載のポリマー配合物。
【請求項３８】
ポリマー配合物が、１Ｗ／ｍＫ〜１５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する、請求項３２に記載のポリマー配合物。
【請求項３９】
熱源、ヒートシンク、および該熱源を該ヒートシンクに連接する熱伝導性材料を含むシステムにおいて、該熱伝導性材料が、六方晶系窒化ホウ素小板の球状集塊を含む粉末相を含むシステム。
【請求項４０】
六方晶系窒化ホウ素小板の球状集塊が、１０ミクロン〜５００ミクロンの平均集塊直径を有する、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４１】
球状集塊のより多量の部分が、３０ミクロン〜１５０ミクロンの平均直径を有する、請求項４０に記載のシステム。
【請求項４２】
粉末相が、０．４ｇ／ｃｃ〜０．７ｇ／ｃｃのタップ密度を有する、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４３】
熱源が、集積回路チップ、パワーモジュールまたはトランスフォーマーである、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４４】
ヒートシンクが、フィン状のアルミニウム、銅、ベリリウムまたはダイヤモンドである、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４５】
熱伝導性材料が、ポリマーである、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４６】
ポリマーが、溶融加工可能なポリマー、ポリエステル、フェノール類、シリコーンポリマー、アクリル類、ロウ、熱可塑性ポリマー、低分子量流体およびエポキシ成形コンパウンドから成る群から選択される、請求項４５に記載のシステム。
【請求項４７】
熱伝導性材料が、３０ｗｔ％〜８０ｗｔ％の球状窒化ホウ素粉末を含む、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４８】
熱伝導性材料が、１Ｗ／ｍＫ〜１５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する、請求項３９に記
載のシステム。