Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある特定の農業または食品の原料を評価する方法であって、前記方法は、
（ａ）０．３ｃｍ×０．３ｃｍ以上かつ５０ｃｍ×５０ｃｍ以下の面積を有する前記特定の原料のある領域の化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する工程を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、原料中の添加物の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、食品原料中の添加物の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、紙における添加物の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、原料中の改質された種子繊維の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、原料中の脂肪の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、植物原料中の添加物の影響の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、除草剤、農薬、および肥料、またはこれらの混合物より選択される添加物の植物原料中での影響の分布を評価するために行われる方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）ある特定の原料の化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程で使用される前記原料が、植物原料である方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）ある特定の原料の化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程で使用される前記原料が、動物原料である方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、ココア粉末中の脂肪の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、原料において特定の％含有量を越える脂肪の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、原料中の水の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、エマルジョン中の水の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、鶏肉表皮エマルジョン中の水の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、原料中のある成分の分布を示すために行われ、前記成分は前記原料の重量比にして５％以下である方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、原料中のある成分の分布を示すために行われ、前記成分は前記原料の重量比にして２％以下である方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、拡散反射分光法によってＮＩＲデータを収集する工程を含む方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、高調波からであって２００ｎｍ以下の波長範囲から収集されたＮＩＲデータの結果をプロットする工程を含む方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、１００ミクロン以下の厚さを有する前記原料の試料からのＮＩＲデータを収集する工程を含む方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、原料中の砂糖の分布をプロットするために行われる方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、原料中のスクロースの分布をプロットするために行われる方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、ココア粉末中のスクロースの分布をプロットするために行われる方法。
【請求項２４】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、食肉中の脂肪の分布を示すために行われる方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、牛肉中の脂肪の分布を示すために行われる方法。
【請求項２６】
請求項１に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、種子の油分豊富および水分豊富な領域を評価するために行われる方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法であって、
（ａ）化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロットを作成する前記工程が、大麦穀粒の油分豊富および水分豊富な領域を評価するために行われる方法。
【請求項２８】
請求項１〜２７のいずれかに記載の方法によって作成される化学形態ＮＩＲ画像コントラストプロット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地スプリングプローブ（５８）を信号プローブコネクタ（６０）の接地シールド（６４）に電気的に接続する接地装置であって、
信号プローブコネクタ（６０）の接地シールド（６４）と電気的に接触し、非線形穴（８０、８０’、８０”、８２、８２’、８２”）が内部を貫通する、導電性の接地要素（５２、５６）と、
該接地要素（５２、５６）の該非線形穴（８０、８０’、８０”、８２、８２’、８２”）に挿入される直線状の導電性の接地スプリングプローブ（５８）であり、該接地要素（５２、５６）と電気的に接触し、該非線形穴（８０、８０’、８０”、８２、８２’、８２”）内で弾力的に変形されることにより、該接地スプリングプローブ（５８）を該非線形穴（８０、８０’、８０”、８２、８２’、８２”）内に保持するために十分な、該接地要素（５２、５６）と該接地スプリングプローブ（５８）との間のスプリング力をもたらす、接地スプリングプローブ（５８）と、
を具備する接地装置。
【請求項２】
複数の接地要素（５２、５６）をさらに具備し、該複数の接地要素（５２、５６）の各々が、関連する接地プローブ（５８）を信号プローブコネクタ（６０）の関連する接地シールド（６４）と電気的に接続し、該接地要素（５２、５６）の各々が、その関連する接地プローブ（５８）を弾力的に変形することにより、該接地要素（５２、５６）と該関連する接地プローブ（５８）との間のスプリング力を維持する請求項１記載の接地装置。
【請求項３】
第２接地スプリングプローブ（５８）をさらに具備し、該第２接地スプリングプローブ（５８）が、前記接地要素（５２、５６）によって弾力的に変形されることにより、該接地要素（５２、５６）と該第２接地スプリングプローブ（５８）との間のスプリング力を維持する請求項１記載の接地装置。
【請求項４】
ハウジングにスプリングプローブ（５８）を保持する方法であって、
該ハウジング内に、導電性の接地要素（５２、５６）を提供する工程と、
該接地要素（５２、５６）が、内部に延在する非線形穴（８０、８０’、８０”、８２、８２’、８２”）を有する工程と、
スプリングプローブ（５８）を該非線形穴（８０、８０’、８０”、８２、８２’、８２”）に挿入し、該スプリングプローブ（５８）が、該接地要素（５２、５６）の該非線形穴（８０、８０’、８０”、８２、８２’、８２”）によって弾力的に変形されることにより、該接地要素（５２、５６）と該スプリングプローブ（５８）との間のスプリング力を維持するものである、工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月15日(2003.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイオチップカートリッジであって、
ａ）自己組織化単分子膜および捕獲結合リガンドを含む電極のアレイが設けられた基板を含み、試薬を導入するための流入口を有する反応チャンバと、
ｂ）上記電極とプロセッサの電気的接続を可能にする内部結線と、を備えたことを特徴とするバイオカートリッジ。
【請求項２】
請求項１に記載のバイオチップカートリッジであって、
捕獲結合リガンドは、捕獲プローブであることを特徴とするバイオカートリッジ。
【請求項３】
請求項１に記載のバイオチップカートリッジであって、
流体を上記アレイに接触させた状態で維持するためのガスケットをさらに有することを特徴とするバイオカートリッジ。
【請求項４】
請求項１に記載のバイオチップカートリッジであって、
流入口上にシールをさらに有することを特徴とするバイオカートリッジ。
【請求項５】
請求項１に記載のバイオチップカートリッジであって、
上記反応チャンバは、流出口をさらに有することを特徴とするバイオカートリッジ。
【請求項６】
請求項１に記載のバイオチップカートリッジであって、
反応チャンバは、サンプルを導入する際、気泡の導入または保持を最小限に抑えるように構成されたことを特徴とするバイオカートリッジ。
【請求項７】
請求項１に記載のバイオチップカートリッジであって、
上記アレイは、上記基板の一方の表面上にあることを特徴とするバイオカートリッジ。
【請求項８】
請求項１に記載のバイオチップカートリッジであって、
上記基板の２つの表面のそれぞれに、アレイを有することを特徴とするバイオカートリッジ。
【請求項９】
請求項１に記載のバイオチップカートリッジであって、
アッセイ試薬を含む少なくとも１つのウェルを有するキャップを有することを特徴とするバイオカートリッジ。
【請求項１０】
バイオチップカートリッジを収容するように構成された少なくとも２つのステーションを有する、複数のバイオチップ解析を行うためのデバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のデバイスであって、
少なくとも１つのステーションが温度コントローラを有することを特徴とするデバイス。
【請求項１２】
請求項１０に記載のデバイスであって、
各ステーションが温度コントローラを有することを特徴とするデバイス。
【請求項１３】
請求項１０に記載のデバイスであって、
少なくとも１つのステーションが発信システムを有することを特徴とするデバイス。
【請求項１４】
請求項１０に記載のデバイスであって、
少なくとも１つのステーションがメモリチップリーダを有することを特徴とするデバイス。
【請求項１５】
請求項１０に記載のデバイスであって、
少なくとも１つのステーションがバーコードリーダを有することを特徴とするデバイス。
【請求項１６】
請求項１０に記載のデバイスであって、
少なくとも１つのステーションがメモリチップライタを有することを特徴とするデバイス。
【請求項１７】
請求項１０に記載のデバイスであって、
少なくとも１つのステーションが暗号化システムを有することを特徴とするデバイス。
【請求項１８】
請求項１０に記載のデバイスであって、
少なくとも２つのバイオチップカートリッジをさらに有することを特徴とするデバイス。
【請求項１９】
請求項１０に記載のデバイスであって、
液体処理システムをさらに有することを特徴とするデバイス。
【請求項２０】
請求項１０に記載のデバイスであって、
無線通信部品をさらに有することを特徴とするデバイス。
【請求項２１】
請求項１０に記載のデバイスであって、
デバイス基板をさらに有することを特徴とするデバイス。
【請求項２２】
請求項１０に記載のデバイスであって、
プロセッサをさらに有することを特徴とするデバイス。
【請求項２３】
請求項１０に記載のデバイスであって、
地球位置システムをさらに有することを特徴とするデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
従って、好適な実施態様において、本発明は複数の電極、好ましくは金電極を含む基板を含むバイオチップ（場合により本明細書では「チップ」という）を提供する。電極数はアレイについて概説したとおりである。各電極は、好ましくは、本明細書に概説したように自己集合した単層（自己組織化された単分子膜）を含む。好適な実施態様において、単層形成種の１つは本明細書に概説したように捕獲リガンドを含む。さらに、各電極は相互接続をもち、それが一端で電極に付着し、最終的に電極を制御し得る装置に付着している。即ち、各電極は独立してアドレス参照可能である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
電極成分に加えて、好ましい実施態様の本発明の電極は、自己集合単層（自己組織化単分子膜またはＳＡＭともいう）を含む。これらのＳＡＭの組成は使用する検出方法により変化する。一般に、２つの基本的な検出メカニズムがある。好適な実施態様において、ＥＴＭの検出は、２本鎖核酸の積層したπ−軌道を通しての電子伝達に基づく。この基本的メカニズムは米国特許第５，５９１，５７８号、第５，７７０，３６９号、第５，７０５，３４８号およびＰＣＴ ＵＳ９７／２００１４に記載されており、本明細書では「メカニズム−１」と名付ける。簡単に説明すると、これまでの研究では、電子伝達が、２本鎖核酸の積層したπ−軌道を通しては急速に、また、１本鎖核酸では有意によりゆっくりと進行することが示されている。従って、このメカニズムはアッセイの基本となり得る。このように、伝導性オリゴマーを介して検出電極に付着している核酸にＥＴＭを（下記のように、鎖の一方に共有結合により、またはハイブリダイゼーションインジケーターの使用を経てハイブリダイゼーション複合体に非共有結合により）加えることにより、ＥＴＭと電極間の電子伝達が、核酸と伝導性オリゴマーを通して検出し得る。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
本明細書での「単層（単分子膜ともいう）」または「自己集合単層（自己組織化単分子膜ともいう）」または「ＳＡＭ」とは、表面上に自然に化学吸着した分子の比較的秩序だった集合体を意味し、そこでは分子が互いに略平行に方向づけられており、かつ、表面に対し大まかに垂直に方向づけられている。分子の大部分は表面に接着する官能基を含み、また、一部が単層中の隣接する分子と相互作用し、比較的秩序だったアレイを形成する。「混成」単層は不均質の単層を含む。即ち、そこでは少なくとも２つの異なる分子が単層を作り上げている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状のブレーキディスクの磨耗を減少させる方法であって、次の工程により作られる環状プリホームから前記ブレーキディスクを製造する工程を含む方法：
ａ）一方向連続ファイバ（２５）の大きい方の部分とステープルファイバ（２６）のウエブの小さい方の部分とを有する針穿孔された不織布を提供する工程；
ｂ）前記不織布から製造されるべきプリホームの外径及び内径を各々有する複数の環状セグメント（２１）を前記不織布から作る工程；
ｃ）前記環状セグメント（２１）を交互の層に配置する工程であって、その連続ファイバ（２５）がセグメント円弧二等分線に対し＋４５度とセグメント円弧二等分線に対し−４５度に交互に配置され、応用のために所望のプリホーム密度を提供するように計算された重量及び寸法を有する多層中間体を提供する工程；
ｄ）前記多層中間体を不活性雰囲気内でファイバを炭素に変換するのに十分な時間量だけ１５００℃以上の温度に加熱する工程；及び
ｅ）炭化された製品を炭素蒸着により所望のプリホーム密度に濃縮する工程。
【請求項２】
環状のディスク形状を有し、９０乃至７０重量％の連続ファイバ（２５）及び１０乃至３０重量％のステープルファイバ（２６）からなる当接する布円弧セグメント（２１）の複数の連続的に重ねられた層で形成され、布円弧セグメント（２１）の層がステープルファイバ（２６）の少なくとも一部により相互接続される、形状付けられた繊維状布構造体（２０）であって、
前記布円弧セグメント（２１）の各々が環体の中心からその外径上の点へ方向付けられる半径方向を有し、前記セグメントの外径中心を通る前記半径方向がセグメント円弧二等分線を形成し、
前記布円弧セグメント（２１）の１つの半分の連続ファイバ（２５）がセグメント円弧二等分線に対し＋４５度に配置され、他の半分の連続ファイバ（２５）がセグメント円弧二等分線に対し−４５度に交互に配置され、前記＋４５度の布円弧セグメント（２１）及び前記−４５度の布円弧セグメント（２１）が交互の層に配置されることを特徴とする繊維状布構造体。
【請求項３】
前記連続ファイバ（２５）及び前記ステープルファイバ（２６）の両者が本質的に酸化されたポリアクリロニトリル（ＯＰＡＮ）ファイバから成る請求項２の繊維状布構造体。
【請求項４】
次の工程を含む環状のプリホーム複合体（２０）を作る方法：
ａ）一方向連続ファイバ（２５）のトウの大きい方の部分とステープルファイバ（２６）のウエブの小さい方の部分とを有する針穿孔された不織布を提供する工程；
ｂ）前記不織布から製造されるべきプリホームの外径及び内径を各々有する複数の環状セグメント（２１）を前記不織布から作る工程；
ｃ）前記環状セグメント（２１）を交互の層に配置する工程であって、その連続ファイバ（２５）がセグメント円弧二等分線に対し＋４５度とセグメント円弧二等分線に対し−４５度に交互に配置され、応用のために所望のプリホーム密度を提供するように計算された重量及び寸法を有する多層中間体を提供する工程；
ｄ）前記多層中間体を不活性雰囲気内でファイバを炭素に変換するのに十分な時間量だけ１５００℃以上の温度に加熱する工程；及び
ｅ）炭化された製品を炭素蒸着により所望のプリホーム密度に濃縮する工程。
【請求項５】
仕上げられた環状ディスクが１．７０乃至１．８０ｇ／ｃｃの範囲の密度を有して生産されることを特徴とする請求項４の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理力感知装置であって、該装置は、
内側部分および外側部分を有し、該内側部分は突出した複数の第１離隔電極を具備して形成されて第１空間を画定する、カバー板と、
プルーフ・マスと、
を備え、
前記プルーフ・マスは、
突出した複数の第２離隔電極を具備して形成されて第２空間を画定する内側部分と、
前記第２電極が前記第１電極から電気的に絶縁された状態で前記カバー板の前記外側部分に結合した外側部分と、を備えており、前記第２電極および空間は、前記プルーフ・マスの前記内側部分が前記カバー板の前記内側部分に向かって偏向した場合に前記第２電極が前記第１空間内に移動し前記第１電極が前記第２空間内に移動するように、前記第１電極および空間に位置合せされており、前記プルーフ・マスはさらに、
該内側部分と該外側部分の間に結合された可撓性懸架部材を備えている、物理力感知装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記可撓性懸架部材はさらに、環状撓み部を備えた、物理力感知装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、前記カバー板およびプルーフ・マスの前記外側部分は、対応する各内側部分を実質的に包囲する環状輪部をさらに備えた、物理力感知装置。
【請求項４】
物理力感知装置であって、
実質的に平坦で平行に対向する偏移した第１および第２表面を有し、該第１表面は周縁部により実質的に包囲された離間電極からなる第１直立パターン構造体を含む、カバー板と、
実質的に平坦で平行に対向する偏移した第１および第２表面を有し、該第１表面は周縁部により実質的に包囲され周縁部から隔膜撓み部により懸架された離間電極からなる第２直立パターン構造体を含み、該第２パターン構造体の該離間電極は前記第１パターン構造体の前記離間電極間を通るように構成された、プルーフ・マスと、
前記カバー板の前記周縁部と前記プルーフ・マスの前記周縁部とを結合する接着材と、
を備えた物理力感知装置。
【請求項５】
物理力センサであって、
直立電極からなる第１パターン構造体と直立電極からなる第２パターン構造体とを電気的に絶縁する手段と、
前記第１電極が前記第２電極間の凹部内に移動するために、前記第１電極パターン構造体を前記第２電極パターン構造体に対して懸架する手段と、
前記第１電極と第２電極間に容量を生成する手段と、
前記第１電極パターン構造体の前記第２電極パターン構造体に対する変位の関数として容量の変化を測定する手段と、
を備えた物理力センサ。
【請求項６】
２層式物理力センサであって、
実質的に平坦で平行に対向する偏移した上面および下面をそれぞれが有する実質的に丸い第１および第２の半導体基板と、
前記第１基板に形成された下部カバー板であって、
前記上面の中央部から突き出た直立離隔電極からなるパターン構造体、および、
前記上面の周縁部から突き出た直立環状隆起部
を含む下部カバー板と、
前記第２基板に形成されたプルーフ・マスであって、
前記下面の周縁部から突き出ており、前記下部カバー板の前記隆起部に固定された協働直立環状隆起部、
前記環状隆起部から柔軟に懸架された中央部、および、
前記下面の前記中央部から突き出た直立離隔電極からなり、前記下部カバー板の前記上面の前記電極パターン構造体に対して偏移しており、それにより、前記プルーフ・マスの前記協働環状隆起部が前記下部カバー板の前記上面の前記環状隆起部に係合した場合に自身が前記下部カバー板の前記電極パターン構造体間を移動する、協働パターン構造体、
を含むプルーフ・マスと、
を備えた２層式物理力センサ。
【請求項７】
請求項６に記載のセンサであって、前記プルーフ・マスは、前記環状隆起部から前記中央部を懸架する環状撓み部をさらに備えた、２層式物理力センサ。
【請求項８】
請求項６に記載のセンサであって、前記下部カバー板の前記上面の前記電極パターン構造体および前記プルーフ・マスの前記下面の前記協働電極パターン構造体はそれぞれ、円形電極の同心パターン構造体を備えた、２層式物理力センサ。
【請求項９】
請求項６に記載のセンサであって、該センサは、前記プルーフ・マスの前記下面の前記協働環状隆起部を、前記下部カバー板の前記上面の前記環状隆起部に固定する絶縁接着材をさらに備えた、２層式物理力センサ。
【請求項１０】
３層式物理力センサであって、
それぞれが、実質的に平坦で平行に対向する偏移した第１および第２の表面を有する実質的に丸い第１および第２の半導体基板に形成された第１および第２のカバー板であって、そのそれぞれの該第１および第２表面の一方は、
環状接合領域、および、
前記環状接合領域内に配置され、突き出た複数の直立離隔電極を有する中央部
を含む、
第１および第２のカバー板と、
前記第１カバー板の前記第１表面と前記第２カバー板の前記第１表面の間に配置されたプルーフ・マスであって、プルーフ・マスは、実質的に平坦で平行に対向する偏移した第１および第２の表面を有する実質的に丸い第３の半導体基板に形成され、該第１および第２表面のそれぞれは、
環状接合領域を含み、前記第１および第２のプルーフ・マス表面の前記環状接合領域のそれぞれが、前記第１および第２カバー板の一方の前記環状接合領域に接合され、該第１および第２表面のそれぞれはさらに、
前記環状接合領域内に配置され、突き出た複数の直立離隔電極を有する中央部を含み、前記プルーフ・マスの第１面から突き出た前記電極のそれぞれは、前記第１カバー板の前記表面から突き出た前記離隔電極間に形成された隙間に位置合せされており、前記プルーフ・マスの第２面から突き出た前記電極のそれぞれは、前記第２カバー板の前記表面から突き出た前記離隔電極間に形成された隙間に位置合せされており、該第１および第２表面のそれぞれはさらに、
前記環状接合領域から前記中央部を懸架する一体環状懸架部材を含む、
プルーフ・マスと、
を備えた３層式物理力センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナライトを定性的および定量的に検出する方法であって、サンプル内のアナライト検出の際に細長い移動ベース（１４）を用い、該移動ベース内には磁気的に標識されたアナライトを結合するための領域が存在し、
サンプルを移動ベース（１４）に吸収させる段階と、
サンプルが移動ベース（１４）内で前記領域へと拡散する段階と、
を含む方法において、
該細長い移動ベース（１４）をコイル（１０．１）に関連して配置し、磁気的に標識されたアナライトの含有量と相関するインダクタンスの変化を検出する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記コイル（１０．１）は無定位に設置された一対のコイル（１０）の内の一つであり、サンプル内に磁気的に標識されたアナライトが存在する状態で、一次ドライバコイル（１１）に供給された交流電流が該一対のコイル（１０）に電圧を誘導する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記サンプルの移動ベース（１４）として多孔質ストリップを用いる請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記サンプルの移動ベース（１４）としてプレートもしくは好適には管状の毛細管を用いる請求項１または２記載の方法。
【請求項５】
アナライトを定性的および定量的に検出するための装置であって、移動ベース（１４）に吸収された磁気的に標識されたアナライトをコイル装置（１０．１）を用いて検出する装置であり、
一次コイル装置（１１）と、
該コイル装置（１１）に交流電流を供給する装置（１２）と、
該一次コイル装置（１１）に関連して配置された、少なくとも２つの二次コイル（１０．１、１０．２）からなる無定位のコイル対（１０）を含む二次コイル装置と、
前記コイル対（１０）の均衡状態を観測する装置（１３）と、
を備え、
二次コイルの少なくとも一つ（１０．１）は移動ベース（１４）をそれと連結して緊密に受容するような形状になされていることを特徴とする装置。
【請求項６】
前記コイル装置（１０．１、１０．２、１１）の一つまたはいくつかは実質的に平坦な構造になされている請求項５記載の装置。
【請求項７】
サンプルの移動ベース（１４）として、プレートもしくは好適には管状の毛細管を用いるようになされている請求項５または６記載の装置。
【請求項８】
サンプルの移動ベース（１４）として、多孔質ストリップを用いるようになされている請求項５または６記載の装置。
【請求項９】
干渉周波数を除外するためのロックイン増幅器（１５）を備え、前記ロックイン増幅器（１５）の基準信号は前記一次コイル装置（１１）の交流電流供給装置（１２）からとられる請求項５乃至８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記一次側および二次側（１０、１１）のコイル（１０．１、１０．２、１１）は同一の電位に接地されている請求項５乃至９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記移動ベース（１４）は一次側および二次側（１０、１１）のコイル（１０．１、１０．２、１１）と同一の電位に接地されている請求項５乃至１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
測定信号をデジタル化するための装置（２４）を備えることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
測定信号から少なくとも干渉周波数を除去するフィルタ回路装置（２７）を備える請求項５乃至１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
請求項１記載の方法を実施するための移動ベース（１４）であって、細長い形状であり、その内部には磁気的に標識されたアナライトを結合するための領域が存在する移動ベース（１４）において、該細長い移動ベース（１４）がコイル（１０．１）に関連して配置されたときのインダクタンスの変化によって、磁気的に標識されたアナライトの含有量が検出されることを特徴とする移動ベース（１４）。
【請求項１５】
前記移動ベース（１４）としてプレートもしくは好適には管状の毛細管を用いるようになされている請求項１４記載の移動ベース（１４）。
【請求項１６】
前記移動ベース（１４）として、多孔質ストリップを用いるようになされている請求項１４記載の移動ベース（１４）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ミクロ流体装置を備え、強化された光検出を行うミクロ流体システムであって、前記ミクロ流体装置が、
第１平面内で平坦な本体構造、
第１平面に平行な第１チャネルセグメント、
第１端部と第２端部とを有する検出チャネルセグメントであって、検出チャネルセグメントの第１端部は、第１チャネルセグメントに流動連通し、検出チャネルセグメントは、第１平面にほぼ直交した方向を有する前記検出チャネルセグメント、および
検出チャネルセグメントに対し知覚可能に配され、かつ検出チャネルセグメントの縦軸にほぼ沿った検出経路を得るように方向付けられた検出システム
を備えた前記ミクロ流体システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
第１平面内で平坦な本体構造、
第１平面にほぼ直交する第２平面内に配置された第１検出チャネルセグメント、および
第１検出チャネルセグメントに対し知覚可能に配置された光検出器であって、第２平面にほぼ平行な検出経路に沿って検出チャネルセグメントに光を送り、該検出チャネルセグメントから光を受けるように方向付けられた前記光検出器
を備えた、強化された光検出のためのミクロ流体システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
平坦な本体構造であって、その中に配置された第１チャネル及び検出チャネルセグメントを備え、第１チャネルは、平坦な本体構造の主平面内に配置され、検出チャネルは、本体構造の主平面にほぼ直交して配置される前記本体構造、および
検出チャネルセグメントに対し知覚可能に配された光検出器であって、検出チャネルセグメントの端部を通して検出チャネルセグメントに平行な方向にて光エネルギーを送出および／または受信するように配置された前記光検出器
を備えたミクロ流体システム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３３】
前記方向付けるステップと検出するステップが、光信号を試料物質を通して送り、試料物質を透過した光量を検出することを含む、請求項３２に記載の方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３４】
試料物質を透過した光信号量から、試料物質により吸収された光信号量を求めるステップをさらに含む、請求項３２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
繊維性ウェブをコーティング顔料含有コーティングカラーで被覆し、その少なくとも１％がシュウ酸カルシウムから構成されてなり、かつ前記被覆繊維性ウェブをカレンダー処理する、カレンダー処理した被覆繊維性ウェブを製造する方法において、オンラインカレンダー処理により前記被覆ウェブをカレンダー処理することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
オンラインカレンダー処理によりカレンダー処理され、かつ３０〜５０％のグロスを有するシルク紙の顔料としてシュウ酸カルシウムを使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリの充電状態と無関係にテスト下の鉛酸バッテリの利用可能なエネルギを予測する方法であって、
テスト下で前記バッテリの内部抵抗を決定するステップと、
テスト下で前記バッテリの開放回路電圧（ＯＣＶ）および温度（Ｔ）を測定するステップと、
前記バッテリが、少なくとも１つのバッテリ充電および放電に応答して、１つの充電状態から過充電状態へまたは過充電状態から充電状態へと遷移する、電圧および電流点（ＶｇａｓおよびＩｇａｓ）を計算するステップと、該計算するステップは、
正および負の各方向に、バッテリに電流（Ｉ）のランプを供給するステップと、
印加された電流（Ｉ）に電圧応答（Ｖ）をモニタリングするステップと、
勾配の最大点を決定するステップと、を含み、
バッテリパラメータの関数として、利用可能なエネルギ予測のアルゴリズムを展開するステップと、
テストの下で前記バッテリの利用可能なエネルギを予測するために、前記アルゴリズムに対するテストの下で前記バッテリパラメータの取得した値を適用するステップと、を含み、
正電流ランプ上の勾配のＶｇａｓおよびＩｇａｓの前記最大点は、充電から過充電への遷移におけるＶｕｐおよびＩｕｐであり、負電流ランプ上の勾配のＶｇａｓおよびＩｇａｓの前記最大点は、過充電から充電への遷移におけるＶｄｎおよびＩｄｎであり、
前記アルゴリズムを展開するステップは、パラメータＯＣＶ、Ｔ、ＩＲ、Ｖｕｐ、Ｉｕｐ、Ｖｄｎ、およびＩｄｎを用いるステップを含み、
前記バッテリパラメータの取得した値を適用するステップは、テスト下のバッテリの前記バッテリパラメータＯＣＶ、Ｔ、ＩＲ、Ｖｕｐ、Ｉｕｐ、Ｖｄｎ、およびＩｄｎの値を前記アルゴリズムに適用してテスト下のバッテリの利用可能なエネルギを予測するステップを含む、方法。
【請求項２】
前記アルゴリズムを展開するステップは、各パラメータＯＣＶ、Ｔ、ＩＲ、Ｖｕｐ、Ｉｕｐ、Ｖｄｎ、およびＩｄｎに対する重み係数を展開するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
数値の前記重み係数を展開するステップは、各パラメータに関連付けられた重み係数として数値を有する線形式を作るために、解析にＯＣＶ、Ｔ、ＩＲ、Ｖｕｐ、Ｉｕｐ、Ｖｄｎ、およびＩｄｎのデータを用いるステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記解析は、線形回帰を含み、作られた前記アルゴリズムは、数値セットオフ値を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記アルゴリズムの式は、
【数１】
2004530882.tif 000001
であり、ここで、各（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、および（ｆ）が数値である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記アルゴリズムは、
【数２】
2004530882.tif 000002
である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
タイムツーラン＝利用可能なエネルギ／放電速度×時間単位
の式によって予測された利用可能なエネルギに基づいて、テスト下でバッテリの放電に対するタイムツーランを決定するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
連続するタイムツーラン決定間にバッテリから放出された電流を差し引き、最後のタイムツーラン決定について利用可能なエネルギの再計算において前記差し引きの結果を使用することによって、電流がバッテリから放出される時間期間にわたってタイムツーランを決定するステップを繰り返すステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
井戸を掘削する掘削装置であって、
複数のモジュール式構造部材と、
一組のレールと、
複数のモジュール式構造部材の少なくとも一つを上方へ動かす少なくとも一つの油圧ジャッキと、
を有し、モジュール式構造部材は一組のレール上において第１の位置から第２の位置へと移動可能であり、複数のモジュール式構造部材の他の少なくとも一つが上方へ動かされたモジュール式構造部材の下に挿入され、モジュール式構造部材が互いに隣接して積み重なるようになっている掘削装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
井戸を掘削する掘削装置であって、
複数のモジュール式構造部材と、
モジュール式構造部材を第１の位置から第２の位置へ移送する手段と、
複数のモジュール式構造部材の少なくとも一つを上方へ動かす手段と、
を有し、複数のモジュール式構造部材の他の少なくとも一つが上方へ動かされたモジュール式構造部材の下に挿入され、モジュール式構造部材が第２の位置において互いに隣接して積み重なるようになっている掘削装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
井戸を掘削する構造体であって、
第１のフレームと、
前記第１のフレームを上方へ動かすために、前記第１のフレームへ離脱可能に装着される引上げ部材と、
第２のフレームと、
移動部材と、
を有し、第２のフレームが移動部材によって第１のフレームの下へ移動可能になっている構造体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図２Ｂをさらに参照すると、モジュール２００は自己作動ラッチ２１８も有する。自己作動ラッチ２１８は、上部フレーム２０４の四つの外側寄りのコーナー部上に配置された雌形接続部材２２０と、下部フレーム２０６の四つの外側寄りのコーナー部上に配置された雄形接続部材２２２とを有する。モジュール２００は積み重ね可能であるので、自己作動ラッチ２１８は、好ましくは、ＩＳＯ９０００準拠であり、積み重ねられた保管容器を縦に固定するのに使用されるラッチ機構を規制できる他の該当する規格へ合致する。一つの代表的なラッチ構造は、雄形接続部材として指状部材を使用でき、雌形接続部材として相補的にキー止めされたスロットを使用できる。指状部材にはキー止めされるスロット内の突出部すなわちリップと係合するフック掛け端部を設けることができる。いずれにしても、当業者であれば、任意の数のラッチ構造が適していることが分るであろう。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
レール３００はモジュール２００を掘削装置１００へ移送する案内部材を形成する。レール３００は、好ましくは、荷揚げ位置３０２から掘削装置通路１０２内へ延びるＩビームである。レール３００はサポート表面を形成する。このサポート表面はトロリーのような他の引上げ及び取扱い装置がモジュール２００を動かすことを可能にする。また、レール３００は変更可能であり、モジュール２００を独自に動かすプーリー、チェ―ン、ローラ又はベルトのような装置を取り付けることができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上述の実施形態の配置においては、モジュール２００のそれぞれには、装置の特定の機器、例えば、泥水タンク、泥水ポンプ、油圧パワーパック、ＢＯＰアキュムレータ及び監視端末が取付けられる。はしけのような移送手段がこれらのモジュールのそれぞれを海洋設備へ移送する。海洋設備のクレーンは、一連の引上げ装置において、モジュール２００のそれぞれを移送手段から最終的にレール３００の荷揚げ位置３０２まで動かす。それぞれのモジュール２００について、下記の連続する段階が実施される。トロリーがモジュール２００をレール３００に沿って掘削装置通路１０２内へと動かす。モジュール引上げパッド２１４が一旦ジャッキ４００と整合されると、結合ロッド４０６は、作動されたとき、その突出位置「Ｅ」まで伸びて、モジュール引上げパッド２１４と係合する。ここで、ジャッキ４００へ固定されたモジュール２００は位置「Ａ」から位置「Ｃ」まで引き上げられる。このモジュール２００が位置「Ｃ」で吊り下げられた状態で、他のモジュール２００は掘削装置通路１０２内へ摺動される。この二つのモジュールの雄形及び雌形のラッチ機構２１８が整合されるのを確認した後に、吊り下げられたモジュール２００は位置「Ｃ」から位置「Ｂ」まで降ろされる。吊り下げられたモジュール２００が位置「Ｂ」に達すると、雄形及び雌形のラッチ機構２１８は互いに係合する。二つのモジュール２００の安定性が一旦確認されると、結合ロッド４０６はその引込み位置「Ｒ」まで戻り、そして、位置「Ａ」まで戻る。その後、結合ロッド４０６は下方モジュールと係合し、両方のモジュールを引上げる。引上げ装置が位置「Ｃ」に達すると、上述の段階が引き続くモジュールについて繰返される。全てのモジュールが一旦所定の位置になると、必要な接続がなされ、別の装置が必要に応じて掘削装置へ装着可能になる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このように、掘削装置１００は、専用クレーンを必要とすることなく、最小の人力介入で建設できることが分るであろう。また、従来の掘削装置では海洋掘削作業架台の甲板を占有していた装置がここでは掘削装置１００自体内に収納されることも分るであろう。このように、掘削装置１００の比較的小さい「占有面積」は他の海洋作業用の有用な甲板空間を自由にする。更に、この小さい「占有面積」は掘削装置１００が多数の掘削作業架台の中に配置されることを可能にしている。また、掘削装置１００には、掘削装置１００の殆ど無人での組立を可能にするセンサ、ビデオカメラ、遠隔制御装置及び他のシステムが取付けられることが意図される。さらに、掘削装置１００のモジュール特性、持上げ機構及び装置のモジュール内への事前設置によって、掘削装置１００が従来技術の掘削装置よりもかなり短い時間で建設できる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一つの実施形態を示し説明してきたが、本発明の精神及び開示内容から逸脱することなく当業者によって変更できよう。ここで説明された実施形態は、単なる例であり、限定されるものではない。このシステム及び装置の多くの変形及び変更は可能であり、本発明の範囲内にある。したがって、保護の範囲は、ここで説明された実施形態に限定されず、特許請求範囲によってのみ限定され、その範囲は特許請求範囲の内容の全ての同等物を含むものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
高温と高圧をかけながら、水溶液中に、アルカリ性成分，特に水酸化ナトリウム又は炭酸ナトリウム又はこれらの混合物が存在する下で、サルファイトを用いて、リグノセルロース原料を脱リグニンする方法であって、パルプ化工程の開始時に、前記アルカリ性成分の第１の部分を前記水溶液に添加し、そして、前記アルカリ性成分の少なくとも一つの第２の部分を脱リグニンの開始時以降に前記水溶液に添加し、
前記アルカリ性成分の第１の部分は、０重量％でもよい、
ことを特徴とする脱リグニン方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記力伝達要素が通糸タイプのしなやかなロープ状の要素（７４）であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一つに記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記アクチュエータ（１１）が織機（Ｍ）の上部構造（１０５）に対して固定された板（１１１，１１２）上に配置され、かつたて糸（４）に対してほぼ平行に配置されていることを特徴とする、請求項１２記載の装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記アクチュエータ（１）の近くにおいて織機（Ｍ）の上部構造（１０５）に固定された多孔板（５）と、ヘルド（３）の近くに配置された目板（６）とを備えていることと、ラック（２２；７２）とヘルド（３）の間で力を伝達するための前記要素（２４；７４）がそれぞれ、前記２枚の板にそれぞれ形成された穴（５ａ，６ａ）によって定められた経路に追従することを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか一つに記載の装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ｅは軸１１上に取付けられた隣接する２つのモジュール２の間の軸線Ｘ−Ｘ′に沿った間隔を示している。図１はこの間隔が必ずしも一定ではないことを示している。更に、全長にわたってスプラインを形成した軸１１の形状を考慮して、モジュール２は軸線Ｘ−Ｘ′に対して平行に配置可能である。これは間隔ｅの値を変化させることを可能にする。更に、理解されるように、軸１１にモジュール２を追加したり、軸からモジュールを除去することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
棒２４はその機能に適合した他の材料から作ることができる。例えば、補強プラスチック材料、鋼またはガラス繊維から作ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明の上記説明では、アクチュエータ１の軸１１，６１がよこ糸の方向Ｄに対してほぼ平行である。これは、力伝達要素２４または７４の可撓性の性質を使用することができるときには、必須ではない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属、セラミック、エナメル、又はガラスから成る基板上にセラミック層を形成する方法であって、
ａ）３ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲の粒径の粒子から成る酸化物、炭化物、窒化物、又は硫化物の粉末を、オキシカルボン酸と混合し、
ｂ）前記粉末を、少なくとも１つの溶媒と少なくとも１つの重合結合剤との混合物、又はモノマーとラディカルスタータ（radical starter）との組み合わせと混合し、
ｃ）前記ａ）及びｂ）における混合物は、３０容積％より大きいナノ粒子（nanoparticles）固体含有量を有し、さらに、前記ａ）及びｂ）における混合物を、浸漬コーティング、回転コーティング（spin coating）、液浸（immersion）、浸水（flooding）、吹付け塗装、スクリーン印刷、又はフィルムキャスティング（film casting）によって前記基板上に塗布し、乾燥し、凝固させて多孔質層にする
工程を備える方法。
【請求項２】
前記多孔質層は物質を充填するか、又は、処理パラメータの選択によって設定されるフラクタル（fractal）構造を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
焼成前における前記塗布された層の前記ナノ粒子の固体含有量が少なくとも３５容積％より大きく、そして特に好ましくは４０容積％より大きいことを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記セラミック層は可撓性を有し、損傷することなく９０°より大きい、好ましくは１２０°より大きい曲げに耐えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記多孔質層は理論密度近傍になるまで焼結されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記セラミック層は透明であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記多孔質層は、疎水性又は親水性を付与する防埃物質及び腐食防止物質、並びに細菌物質、香料、香水、吸入物質が充填されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記セラミック層の孔内の前記物質は、必要により前記セラミック層の表面に移動することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の多孔質セラミック層を腐食防止層及び摩擦層として使用する方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の多孔質セラミック層を自己洗浄又は洗浄容易な層として使用する方法。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の多孔質セラミック層を薬物の搬送体として、好ましくは医療機器において使用する方法。
【請求項１２】
請求項１記載のセラミック層をセラミック基板上に配設してセラミックフィルタとして使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのエラストマーと、
親有機性クレー板状粒子と、
少なくとも１つの不揮発性親有機性剥脱剤と、を含み、
該親有機性クレー板状粒子は配向されてよく、
ホットメルト加工性感圧接着剤である、組成物。
【請求項２】
前記親有機性クレー板状粒子が、水和ケイ酸アルミニウム、カオリナイト、アタパルガイト、イライト、ベントナイト、ハロイサイト、バイデライト、ノントロナイト、ヘクトライト、ヘクタイト、サポナイト、モンモリロナイト、及びそれらの組合せの親有機性改質変種を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
少なくとも１つのエラストマーと、
少なくとも１つの親有機性クレーと、
少なくとも１つの不揮発性親有機性剥脱剤と、を含む成分を、無溶剤で何れかの順序で組み合わせる工程と、
親有機性クレー板状粒子を含むホットメルト加工性の感圧接着剤組成物を形成するために十分な温度で何れかの順序で前記成分を剪断混合する工程と、を含む方法。
【請求項４】
親有機性クレー板状粒子及び不揮発性親有機性剥脱剤を含む組成物を形成するために十分な温度で少なくとも１つの親有機性クレーと少なくとも１つの不揮発性親有機性剥脱剤とを剪断混合する工程と、
親有機性クレー板状粒子を含むホットメルト加工性の感圧接着剤組成物を形成するために十分な温度で前記組成物をエラストマーと混合する工程と、を含む無溶剤方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫酸と無水クロム酸をベースとする溶液を使用してプラスチック表面を化学的にエッチングする方法であって、
（ｉ）硫酸濃度が５００〜７６０ｇ／ｌの範囲であり、
（ｉｉ）無水クロム酸濃度が３０〜２００ｇ／ｌの範囲であり、
（ｉｉｉ）結果として生じる酸性度が少なくとも１３、多くとも１６であり、そして前記溶液が、０．１〜１００ｇ／ｌの範囲の濃度で酸化触媒を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記硫酸濃度が５００〜６００ｇ／ｌの範囲であり、前記無水クロム酸濃度が６０〜１５０ｇ／ｌの範囲である
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、
前記酸化触媒が０．１〜１ｇ／ｌの範囲の量で存在する
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、
前記酸化触媒が、五酸化バナジウム又は無水モリブデン酸である
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、
前記酸化触媒が溶液の形態で強鉱酸に添加される
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法において、
前記五酸化バナジウム又は前記無水モリブデン酸が硫酸に溶解した状態である
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載のプラスチックの表面を化学的にエッチングする方法において、
前記プラスチックが、ＡＢＳ、ポリプロピレン類、ポリアミド類、ＰＰＯ、ＡＢＳ／ＰＣおよびＰＰＥからなる群から選択される
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
硫酸と無水クロム酸をベースとする溶液であって、
（ｉ）硫酸の濃度が５００〜７６０ｇ／ｌの範囲であり、
（ｉｉ）無水クロム酸の濃度が３０〜２００ｇ／ｌの範囲であり、
（ｉｉｉ）結果として生じる酸性度が少なくとも１３、多くとも１６であり、前記溶液が、０．１〜１００ｇ／ｌの範囲の濃度で酸化触媒を含み
随意にフッ素界面活性剤を含む
ことを特徴とする溶液。