【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に設けられた、疑似単結晶領域を有する半導体層と、
前記疑似単結晶領域内に設けられた複数の薄膜トランジスタとを備える表示装置であって、
前記疑似単結晶領域は、半導体が前記基板に平行な方向に細長い帯状に成長した結晶を有し、
前記複数の薄膜トランジスタのうち、トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、それぞれの薄膜トランジスタのゲート長の方向が前記帯状に成長した結晶の長手方向に対して±２０度以内の傾きで配置されているとともに、それぞれの薄膜トランジスタのチャネル領域を前記帯状に成長した結晶の成長方向と平行に仮想的に延長した時にお互いに少なくとも一部が重畳し、それぞれの薄膜トランジスタを流れる電流の方向が互いに一致するように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】  前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタの半導体層は、平坦な表面の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】  前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、ゲート幅が異なることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】  前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、それぞれの薄膜トランジスタのチャネル領域を前記帯状に成長した結晶の成長方向と平行に仮想的に延長した時に一部が重畳し、少なくとも一部が重畳しないことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】  前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、それぞれの薄膜トランジスタのチャネル領域を前記帯状に成長した結晶の成長方向と平行に仮想的に延長した時にそれぞれの中心線が一致しないことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】  基板上に設けられた、疑似単結晶領域を有する半導体層と、
前記疑似単結晶領域内に設けられた複数の薄膜トランジスタとを備える表示装置であって、
前記疑似単結晶領域は、半導体が前記基板に平行な方向に細長い帯状に成長した結晶を有し、
前記複数の薄膜トランジスタのうち、トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、それぞれの薄膜トランジスタのゲート長の方向が前記帯状に成長した結晶の長手方向に対して±２０度以内の傾きで配置されているとともに、それぞれの薄膜トランジスタのチャネル領域を前記帯状に成長した結晶の成長方向と平行に仮想的に延長した時にお互いに少なくとも一部が重畳するように配置され、
前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタの半導体層は、平坦な表面の上に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】  基板上に設けられた、疑似単結晶領域を有する半導体層と、
前記疑似単結晶領域内に設けられた複数の薄膜トランジスタとを備える表示装置であって、
前記疑似単結晶領域は、半導体が前記基板に平行な方向に細長い帯状に成長した結晶を有し、
前記複数の薄膜トランジスタのうち、トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、それぞれの薄膜トランジスタのゲート長の方向が前記帯状に成長した結晶の長手方向に対して±２０度以内の傾きで配置されているとともに、それぞれの薄膜トランジスタのチャネル領域を前記帯状に成長した結晶の成長方向と平行に仮想的に延長した時にお互いに少なくとも一部が重畳するように配置され、
前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、ゲート幅が異なることを特徴とする表示装置。
【請求項８】  基板上に設けられた、疑似単結晶領域を有する半導体層と、
前記疑似単結晶領域内に設けられた複数の薄膜トランジスタとを備える表示装置であって、
前記疑似単結晶領域は、半導体が前記基板に平行な方向に細長い帯状に成長した結晶を有し、
前記複数の薄膜トランジスタのうち、トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、それぞれの薄膜トランジスタのゲート長の方向が前記帯状に成長した結晶の長手方向に対して±２０度以内の傾きで配置されているとともに、それぞれの薄膜トランジスタのチャネル領域を前記帯状に成長した結晶の成長方向と平行に仮想的に延長した時にお互いに少なくとも一部が重畳し、一部が重畳しないように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】  基板上に設けられた、疑似単結晶領域を有する半導体層と、
前記疑似単結晶領域内に設けられた複数の薄膜トランジスタとを備える表示装置であって、
前記疑似単結晶領域は、半導体が前記基板に平行な方向に細長い帯状に成長した結晶を有し、
前記複数の薄膜トランジスタのうち、トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、それぞれの薄膜トランジスタのゲート長の方向が前記帯状に成長した結晶の長手方向に対して±２０度以内の傾きで配置されているとともに、それぞれの薄膜トランジスタのチャネル領域を前記帯状に成長した結晶の成長方向と平行に仮想的に延長した時にお互いに少なくとも一部が重畳するように配置され、
前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、それぞれの薄膜トランジスタのチャネル領域を前記帯状に成長した結晶の成長方向と平行に仮想的に延長した時にそれぞれの中心線が一致しないことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】  前記重畳の割合が５０％以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】  前記重畳の割合が８０％以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】  前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、差動増幅回路を構成する差動対のトランジスタであることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】  前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、差動増幅回路を構成する能動負荷回路の一対のトランジスタであることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】  前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、差動増幅回路を構成する能動負荷回路の一対のトランジスタ、および、前記能動負荷回路の出力電圧が、ゲートに印加されるトランジスタであることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】  前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、カレントミラー回路を構成する一対のトランジスタであることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】  前記トランジスタの特性として、互いにばらつきの小さいものが求められる２つ以上の薄膜トランジスタは、互いに並列に接続され、等価的に１つのトランジスタを構成することを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。