【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体記憶素子及びその寿命動作開始装置、並びに該半導体記憶素子を備えた情報記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に設けられた有機半導体からなる半導体回路部と、
前記半導体回路部に隣接して設けられた保護部とを備え、
当該保護部は所定手段により前記半導体回路部に達する亀裂が生じる部材で構成されていることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項２】
基板と、
前記基板の上に設けられた有機半導体からなる半導体回路部と、
前記半導体回路部に隣接して設けられ窓部を有する保護部と、
前記保護部の窓部を密封する、剥離自在な密封部材とを備えてなることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項３】
基板と、
前記基板の上に設けられた有機半導体からなる半導体回路部と、
前記半導体回路部に隣接して設けられた保護部と、
前記保護部に隣接して設けられた、性能劣化物質を含有する性能劣化部とを備え、
前記保護部は所定手段により前記半導体回路部に達する亀裂が生じる部材で構成されていることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項４】
前記所定手段は、前記保護部に細孔を形成する穿孔手段であることを特徴とする請求項１又は請求項３のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項５】
前記所定手段は、加熱手段であることを特徴とする請求項１又は請求項３のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項６】
前記所定手段は、加圧手段であることを特徴とする請求項１又は請求項３のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項７】
前記所定手段は、光照射手段であることを特徴とする請求項１又は請求項３のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項８】
基板と、
前記基板の上に設けられた、性能劣化物質を含有した有機半導体からなる半導体回路部と、
前記半導体回路部に隣接して設けられた保護部とを備え、
前記性能劣化物質は所定手段により活性化されることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項９】
基板と、
前記基板の上に設けられた、性能劣化物質を含有した有機半導体からなる半導体回路部と、
前記半導体回路部に隣接して設けられた、所定波長の光の照射により光透過性を有する膜とを備え、
前記性能劣化物質は所定手段により活性化されることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１０】
基板と、
前記基板の上に設けられた、性能劣化物質を含有した有機半導体からなる半導体回路部と、
前記半導体回路部に隣接して設けられ窓部を有する保護部と、
前記保護部の窓部を密封する、剥離自在な密封部材とを備えてなることを特徴とする半導体記憶素子。
【請求項１１】
前記性能劣化物質はカプセル内に封入されていることを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項１２】
前記所定手段は加圧手段であることを特徴とする請求項８及び請求項１１のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項１３】
前記所定手段は加熱手段であることを特徴とする請求項８及び請求項１１のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項１４】
前記所定手段は紫外線照射手段であること、を特徴とする請求項９及び請求項１１のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項１５】
前記所定手段は電子線照射手段であること、を特徴とする請求項９及び請求項１１のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項１６】
前記有機半導体の半導体回路部の劣化の開始は、前記密封部材を剥離して行うことを特徴とする請求項２及び請求項１０のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項１７】
前記半導体回路部は、当該半導体回路部に於ける所定の回路部位に対応した範囲の半導体回路部であることを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の半導体記憶素子。
【請求項１８】
前記所定回路部位はデータエリアであることを特徴とする請求項１７に記載の半導体記憶素子。
【請求項１９】
前記所定回路部位は管理情報エリアであることを特徴とする請求項１７に記載の半導体記憶素子。
【請求項２０】
前記所定回路部位は電源遮断スイッチであることを特徴とする請求項１７に記載の半導体記憶素子。
【請求項２１】
前記所定回路部位は暗号化キーの記録エリアであることを特徴とする請求項１７に記載の半導体記憶素子。
【請求項２２】
有機半導体を用いた半導体記憶素子の寿命時間内の動作を開始させる手段を備えた寿命動作開始装置であって、
前記動作を開始させる手段として、前記有機半導体の特性を劣化させるために前記有機半導体の所定の部位に対応して貼り付けてあるシールを剥がすシール剥離手段を備えることを特徴とする半導体記憶素子の寿命動作開始装置。
【請求項２３】
有機半導体を用いた半導体記憶素子の寿命時間内の動作を開始させる手段を備えた寿命動作開始装置であって、
前記動作を開始させる手段として、前記有機半導体を保護している保護部に亀裂を生じせしめるために、前記保護部に微細孔を穿つ穿孔手段と、前記保護部に熱を加える加熱手段と、前記保護部に圧力を加える加圧手段と、前記保護部に光を照射する光照射手段との少なくとも一つの手段と、
を備えることを特徴とする半導体記憶素子の寿命動作開始装置。
【請求項２４】
有機半導体を用いた半導体記憶素子の寿命時間内の動作を開始させる手段を備えた寿命動作開始装置であって、
前記動作を開始させる手段として、前記有機半導体に分散している性能劣化物質を活性化させるために、前記有機半導体の性能劣化物質に紫外線を照射する紫外線照射手段と、前記有機半導体の性能劣化物質に電子線を照射する電子線照射手段との少なくとも一つの手段を備えることを特徴とする半導体記憶素子の寿命動作開始装置。
【請求項２５】
請求項１〜２１のいずれか一項に記載の半導体記憶素子を備えた情報記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明の半導体記憶素子の第２寿命動作開始装置は上記課題を解決するために、有機半導体を用いた半導体記憶素子の寿命時間内の動作を開始させる手段を備えた寿命動作開始装置であって、前記動作を開始させる手段として、前記有機半導体を保護している保護部に亀裂を生じせしめるために、前記保護部に微細孔を穿つ穿孔手段と、前記保護部に熱を加える加熱手段と、前記保護部に圧力を加える加圧手段と、前記保護部に光を照射する光照射手段との少なくとも一つの手段と、を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本発明の半導体記憶素子の第２寿命動作開始装置によれば、有機半導体を保護している保護部に亀裂を生じせしめて有機半導体の劣化にトリガーをかける手段であって、微細な穴を開ける機構と、熱を加えて亀裂を生じさせる機構と、圧力を加えて亀裂を生じさせる機構と、光を照射して亀裂を生じさせる機構のいずれか一つ、或いは複数の機構を備える。保護部の形態、性能劣化物質の形態に応じて適用される。また、作用させる時間を制御する機構を備えることで、有機半導体の劣化速度を制御し、寿命時間を定めることができる。また、これらの機構を半導体記憶素子の記録装置に併設し、データ記録時にトリガーをかける構成を取ることも可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
また本発明の情報記録媒体は、上述の半導体記憶素子のいずれかを備えてなる。
本発明のこのような作用、及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。