【手続補正書】
【提出日】平成16年1月6日(2004.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームに伴う粒子の輸送を抑止するシステムであって、
このイオンビーム（１６）の経路（２０）に対して、前記イオンビーム（１６）中に存在する粒子（６６）を前記イオンビーム（１６）の前記経路（２０）からそらすように作用する電界（２８）を発生するための電界発生器（１２、１４）を備えていることを特徴とするシステム。
【請求項２】
荷電された前記粒子（６６）の前記イオンビーム（１６）中への再進入を抑止するために、前記電界発生器（１２、１４）と結合して作動する粒子収容システム（４４、４６）をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電界発生器（１２、１４）は、お互いに離間して配置された第１電極（１２）と第２電極（１４）とを備え、前記イオンビーム（１６）の前記経路（２０）は、前記第１電極（１２）と前記第２電極（１４）との間に存在する領域を貫通することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記電界（２８）は、重力とほぼ同一方向であってかつ前記イオンビーム（１６）を横断する方向に発生され、重力と前記電界（２８）との協働によって、荷電された前記粒子（６６）を前記イオンビーム（１６）から引き出すことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
イオンビームに伴う粒子の輸送を抑止するシステムであって、
電界（２８）を発生するための第１電極（１２）と第２電極（１４）とを備え、
前記電界は、前記第１電極と前記第２電極との間に、前記イオンビーム（１６）の移動の経路（２０）を横断する方向に発生され、
前記イオンビーム（１６）中に存在する粒子（６６）は、前記電界（２８）の領域内において前記イオンビームに一致する極性に荷電され、前記電界（２８）は、荷電された前記粒子（６６）を前記イオンビーム（１６）の前記経路（２０）からそらすことを特徴とするシステム。
【請求項６】
荷電された前記粒子（６６）の前記イオンビーム（１６）への再進入を抑止するために、前記第１電極（１２）と前記第２電極（２）の少なくとも１つに結合して作動する粒子収容システム（４４、４６）をさらに備えていることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記粒子収容システム（４４、４６）は、前記第１電極（１２）および前記第２電極（２）のそれぞれに結合して作動する複数の捕捉部材（４４、４６）を備えていることを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記電界（２８）は重力とほぼ同一方向であり、重力と前記電界（２８）との協働によって、荷電された前記粒子（６６）を前記イオンビーム（１６）から引き出すことを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
前記電界（２８）はプラズマ（５６）の前記電界（２８）内への下流方向の移動を抑止し、それによって前記イオンビーム（１６）内の前記粒子（６６）の荷電を促進する環境を形成することを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１電極（１２）および前記第２電極（１４）のそれぞれは、移動の前記経路（２０）にほぼ平行に延在するほぼ半円筒形の側壁部分（３０、３２）を備え、それぞれの前期側壁部分（３０、３２）はお互いに離間して配置され、前記イオンビームはそれらの間を通過することを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項１１】
前記粒子収容システム（４４、４６）は、それぞれの前記側壁部分（３０、３２）に結合して作動する複数の捕捉部材（４４、４６）を備え、複数の前記捕捉部材は、それぞれの前記側壁部分（３０、３２）の内面から、ほぼ上流方向かつ半径方向内向きに延在することを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１、第２電極（１２、１４）に対して下流側に配置され、前記イオンビームを所望の大きさに加速するための加速電極（６０）をさらに備えていることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項１３】
注入ステーション（２１６）に配置された基板を処理するイオンを放出するイオン源（１０４）と、
適切な質量のイオンを注入軌道に偏向する分析磁石システム（２１２）と、
この分析磁石システム（２１２）から偏向したイオンの流れに伴う粒子の輸送を抑止する粒子除去システム（２０２）と、
前記注入ステーション（２１６）に支持され、前記粒子除去システム（２０２）からのイオンを使用して処理される基板とを備え、
前記粒子除去システムは、電界を発生するための電界発生器（２５０、２５２）を備え、前記電界は、前記偏向されたイオンからなるイオンビーム中に存在する粒子を、前記イオンビームの移動の方向からそらすように作用し、
前記基板における粒子汚染が軽減されることを特徴とするイオン注入システム。
【請求項１４】
前記電界発生器（２５０、２５２）は、前記電界を発生するための第１電極（２５０）と第２電極（２５２）とを備え、前記電界は、前記第１電極と前記第２電極との間に、前記イオンビームの前記移動の方向を横断する方向に発生することを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
荷電された前記粒子の前記イオンビームへの再進入を抑止するために、前記第１電極（２５０）および前記第２電極（２５２）の少なくとも１つに結合して作動する粒子収容システム（２５４、２５６）をさらに備えていることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記粒子収容システム（２５４、２５６）は、前記第１電極（２５０）および前記第２電極（２５２）のそれぞれに結合して作動する複数の捕捉部材（２５４、２５６）を備えていることを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
荷電された前記粒子の前記イオンビームへの再進入を抑止するために、前記電界発生器（２５０、２５２）に結合して作動する粒子収容システム（２５４、２５６）をさらに備えていることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１８】
前記電界は重力とほぼ同一方向であり、重力と前記電界との協働によって、荷電された前記粒子を前記イオンビームの前記移動の方向からそらすことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１９】
前記電界はプラズマ（５６）の前記電界内への下流方向の移動を抑止し、それによって前記電界内における前記イオンビーム中に存在する前記粒子の荷電を促進する環境を形成し、また前記電界は、荷電された前記粒子を前記イオンビームの前記移動の方向からそらすことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項２０】
前記粒子除去システム（２０２）と前記注入ステーション（２１６）との間に配置され、前記イオンビームを所望のエネルギーレベルに加速するための加速電極（２６０）をさらに備えていることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項２１】
イオンビームに伴う粒子の輸送を抑止するシステムであって、
電界（２８）を発生する手段（１２、１４）を備え、前記イオンビーム（１６）中に存在する粒子（６６）は、前記電界内（２８）において前記イオンビーム（１６）に一致する極性に荷電され、その後、前記イオンビーム（１６）の移動方向からそらされることを特徴とするシステム。
【請求項２２】
前記粒子（６６）が前記イオンビーム（１６）から引き出された後の、前記粒子の前記イオンビーム（１６）中への再進入を抑止するための手段をさらに備えていることを特徴とする請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
イオンビームに伴う粒子の輸送を抑止する方法であって、
電界を発生するステップ（３１０）と、
前記イオンビーム中に存在する粒子を、前記電界の領域内において前記イオンビームに一致する極性に荷電するステップ（３３０）と、
荷電された前記粒子の少なくとも１つを前記イオンビーム（１６）の移動方向からそらすステップ（３４０）とを備えていることを特徴とする方法。
【請求項２４】
荷電された前記粒子の前記イオンビーム中への再進入を抑止するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
電界を発生する前記ステップは、重力とほぼ同一方向に電界を発生するステップを含み、重力と前記電界との協働によって、荷電された前記粒子を前記イオンビームから引き出すことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
プラズマが前記イオンビームと共に前記電界内へ下流方向に移動することを抑止するステップをさらに備え、それによって前記粒子を荷電する前記ステップを促進する環境を形成することを特徴とする請求項２３に記載のシステム。
【請求項２７】
前記粒子をそらす前記ステップの後に、前記イオンビームを加速するステップ（３７０）をさらに備えていることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
複数の前記捕捉部材は、導電性材料からなる伸長された薄板であることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項２９】
複数の前記捕捉部材は、荷電粒子の捕捉を容易にするために上流方向に傾斜していることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項３０】
複数の前記捕捉部材は、半径方向内向きに延在する湾曲した広がりを有し、下流方向の各捕捉部材は半径方向内向きに長さが延長されることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項３１】
複数の前記捕捉部材は、それぞれの前記側壁部分に結合され、イオンビームをほぼ囲むように、ぞれぞれの前記側壁部分の内面からほぼ上流方向かつ半径方向内向きに延在することを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【請求項３２】
前記第１電極および前記第２電極は、前記移動の経路にほぼ平行に延在するほぼ半円筒形の側壁部分をさらに備え、それぞれの前期側壁部分はお互いに離間して配置され、前記イオンビームはそれらの間を通過することを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【請求項３３】
複数の前記捕捉部材は、それぞれの前記側壁部分に結合して作動し、イオンビームをほぼ囲むように、それぞれの前記側壁部分の内面からほぼ上流方向かつ半径方向内向きに延在することを特徴とする請求項３２に記載のシステム。
【請求項３４】
複数の前記捕捉部材は、前記捕捉部材の間に複数の間隙を形成し、複数の前記間隙は、前記粒子の運動エネルギーを低減させ、かつ前記粒子を放電させるように作動することを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【請求項３５】
前記再進入を抑止するステップは、複数の前記捕捉部材に対して荷電された前記粒子を反跳させ、荷電された前記粒子から複数の前記捕捉部材へ接触によって運動エネルギーを伝達し、かつ荷電された前記粒子を中性電荷まで放電させるステップを含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項３６】
注入ステーションに配置された基板を処理するイオンを放出するように作動するイオン源と、
適切な質量のイオンを前記イオン源から注入軌道に偏向するように作動する質量分析システムと、
前記質量分析システムの下流に配置され、前記注入ステーションに向かって偏向されたイオンの流れに伴う汚染粒子の輸送を抑止する汚染粒子除去システムとを備え、
前記汚染粒子除去システムは、上流端と下流端とをそれぞれ有する電界発生器を備え、前記電界発生器は、前記上流端における強さが前記下流端における強さよりも弱い電界を発生し、
前記電界は、前記基板が支持された前記注入ステーションに関連するプラズマシースをほぼ消滅させ、前記注入ステーションは、前記汚染粒子除去システムの下流に配置され、前記粒子除去システムの前記電界発生器の前記下流端から射出される偏向されたイオンの流れによる処理を受けるように作動し、前記基板における粒子汚染が軽減されることを特徴とするイオン注入システム。
【請求項３７】
前記汚染粒子除去システムは、前記汚染粒子の再侵入を軽減する複数の捕捉部材をさらに備えていることを特徴とする請求項３６に記載のシステム。
【請求項３８】
複数の前記捕捉部材は、導電性を有して前記電界発生器の一対の電極に接続され、前記一対の電極は、前記電界を発生するように作動することを特徴とする請求項３７に記載のシステム。
【請求項３９】
複数の前記捕捉部材は、前記一対の電極から半径方向に延在し、前記各捕捉部材は下流端に向かってその長さが延長されることを特徴とする請求項３８に記載のシステム。
【請求項４０】
複数の前記捕捉部材は、前記汚染粒子を中性電荷にまで放電させるように作動することを特徴とする請求項３７に記載のシステム。