【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  積層エレクトロクロミック素子内の陰極層としての使用に適したエレクトロクロミックポリマーの合成方法であって、
（ａ）第１量の３，４−ジメトキシチオフェンおよび第２量の２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオールを準備する工程と、
（ｂ）前記第１量および第２量を十分量のトルエンに溶解させ、実質的にすべての前記第１量および第２量が前記トルエンに溶解した溶液を形成する工程と、
（ｃ）前記溶液を少なくとも８時間にわたって還流させる工程であって、
（ｉ）前記溶液が沸騰し、
（ｉｉ）前記トルエンが蒸発し、凝縮して前記溶液に戻り、
（ｉｉｉ）前記第１量および第２量が反応し、［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］を形成する、工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  積層エレクトロクロミック素子内の陽極層としての使用に適したエレクトロクロミックポリマーの合成方法であって、
（ａ）第１の中間試薬を製造する工程であって、
（ｉ）第１量の３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＯＴ）、第２量のｎ−ブチルリチウム、および前記第１量と第２量とを実質的に溶解するのに十分な第３量の冷却したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を準備すること、
（ｉｉ）前記第１量と第２量とを前記冷却したＴＨＦに導入して第１の溶液を形成すること、
（ｉｉｉ）前記第１量と第２量とを前記冷却したＴＨＦ中にグリニャール試薬を生成するのに十分な時間にわたって保持すること、および
（ｉｖ）前記グリニャール試薬を、前記第１の中間試薬を含む臭素化合物を生成するのに十分な量の臭化マグネシウムジエチルエーテラートで処理すること
によって第１の中間試薬を製造する工程と、
（ｂ）第２の中間試薬を製造する工程であって、
（ｉ）第４量のジブロモカルバゾール、第５量の水素化リチウム、および前記第４量と第５量とを実質的に溶解するのに十分な第６量のジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を準備すること、
（ｉｉ）前記第４量と第５量とをＤＭＦに導入して第２の溶液を形成すること、
（ｉｉｉ）前記第２の溶液を室温未満に冷却すること、および
（ｉｖ）前記ジブロモカルバゾールをメチル化して、前記第２の中間試薬を含むメチル化ジブロモカルバゾール中間生成物を生成すること
によって第２の中間試薬を製造する工程と、
（ｃ）触媒の存在下で前記第１の中間試薬と第２の中間試薬とを混合し、［３，６−ビス（２−（３，４−エチレンジオキシチオフェン））−Ｎ−メチルカルバゾール］を生成する工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】  陰極ポリマー層を含むエレクトロクロミック素子で有用な対電極の作製方法であって、
（ａ）実質的に透明な非導電性基板と導電性材料とを準備する工程と、
（ｂ）前記導電性材料のパターン化層を前記非導電性基板上に堆積させる工程であって、前記パターン化層は、約２５パーセントを超えて前記透明非導電性基板の透過率を低下させない工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】  陰極ポリマー層を含むエレクトロクロミック素子で有用な対電極であって、
（ａ）実質的に透明で実質的に非導電性の基板と、
（ｂ）前記基板上にパターン化層状に堆積される導電性材料であって、前記パターン化層は、透過率の低下が約２５パーセントを超えないように前記透明非導電性基板の透過率を低下させる導電性材料と
を含むことを特徴とする対電極。
【請求項５】  積層エレクトロクロミック素子であって、
（ａ）透明電極を含む第１の層と、
（ｂ）ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］を含む陰極ポリマー層と、
（ｃ）固体電解質を含む電解質層と、
（ｄ）ポリ［３，６−ビス（２−（３，４エチレンジオキシチオフェン））−Ｎ−メチルカルバゾール］を含む陽極ポリマー層と、
（ｅ）透明電極を含む別の電極層と
を含むことを特徴とする積層エレクトロクロミック素子。
【請求項６】  積層エレクトロクロミック素子であって
（ａ）透明電極層と、
（ｂ）ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］−［１，４］ジオキセピン］を含むエレクトロクロミック陰極ポリマー層と、
（ｃ）固体電解質を含む電解質層と、
（ｄ）対電極層と
を含むことを特徴とする積層エレクトロクロミック素子。
【請求項７】  前記透明電極層が、インジウムスズ酸化物を塗布したガラス基板を含むことを特徴とする請求項６に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項８】  前記固体電解質がゲル電解質を含み、前記ゲル電解質は、
（ａ）ポリマーマトリックスと、
（ｂ）溶媒担体と、
（ｃ）イオン供給源と
を含むことを特徴とする請求項６に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項９】  前記イオン供給源が、リチウム塩および過塩素酸テトラブチルアンモニウムの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項８に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項１０】  前記ポリマーマトリックスが、ポリ塩化ビニルおよびポリメチルメタクリレートの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項８に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項１１】  前記溶媒が、アセトニトリル、エチレンカーボネートおよびプロピレンカーボネートの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項８に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項１２】  前記対電極が、
（ａ）透明な非導電性基板と、
（ｂ）前記非導電性基板上にパターン化層状に堆積される導電性材料であって、前記パターン化層は、約２５パーセントを超えて前記透明電極層の透過率を低下させない導電性材料と
を含むことを特徴とする請求項６に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項１３】  前記導電性材料が金を含み、前記透明電極層と前記金との間に配置されるチタン−タングステン（ＴｉＷ）層をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項１４】  前記導電性材料が高導電性炭素を含むことを特徴とする請求項１２に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項１５】  前記透明電極層がインジウムスズ酸化物を含むことを特徴とする請求項１２に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項１６】  前記パターン化層が格子を含むことを特徴とする請求項１２に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項１７】  前記パターン化層は、透明電極層の表面の約２５パーセント未満を覆うことを特徴とする請求項１２に記載の積層エレクトロクロミック素子。
【請求項１８】  建築および構造用途に適したデュアルポリマーエレクトロクロミックウィンドウであって、
（ａ）構造ガラスパネルを含む第１の層と、
（ｂ）透明電極を含む第２の層と、
（ｃ）ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］の陰極ポリマー層を含む第３の層と、
（ｄ）透明固体電解質を含む第４の層と、
（ｅ）ポリ［３，６−ビス（２−（３，４−エチレンジオキシチオフェン））−Ｎ−メチルカルバゾール］の陽極ポリマー層を含む第５の層と、
（ｆ）透明電極を含む第６の層と、
（ｇ）構造ガラスパネルを含む第７の層と、
（ｈ）前記第２の層に接続した第１の電気リード線と、
（ｉ）前記第６の層に接続した第２の電気リード線と、を含み、
前記第１の電気リード線および第２の電気リード線は、電圧源に接続された場合に前記第２の層から第６の層へ電圧を印加し、前記電圧は第３の層と第５の層に色の変化を引き起こすことを特徴とするデュアルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
【請求項１９】  建築および構造用途に適したシングルポリマーエレクトロクロミックウィンドウであって、
（ａ）構造ガラスパネルを含む第１の層と、
（ｂ）透明電極を含む第２の層と、
（ｃ）ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］の陰極ポリマーを含む第３の層と、
（ｄ）透明固体電解質を含む第４の層と、
（ｅ）対電極を含む第５の層と、
（ｆ）構造ガラスパネルを含む第６の層と、
（ｈ）前記第２の層に接続した第１の電気リード線と、
（ｉ）前記第５の層に接続した第２の電気リード線と、を含み、
前記第１の電気リード線および第２の電気リード線は、電圧源に接続された場合に前記第２の層から第５の層へ電圧を印加し、前記電圧は第３の層に色の変化を引き起こすことを特徴とするシングルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
【請求項２０】  画素化アドレス方式での使用に適したデジタルウィンドウであって、
（ａ）格子状フォーマットに配列された複数個の個別アドレス指定可能な画素を含むデジタルウィンドウであって、各画素は電圧を選択的に印加することによって透明状態と不透明状態との間で切換可能であり、各画素が陰極エレクトロクロミックポリマー層を有する積層エレクトロクロミック構造を含むデジタルウィンドウと、
（ｂ）各画素に個別に電圧を印加できるように各画素に接続された複数の導体と
を含むことを特徴とするデジタルウィンドウ。
【請求項２１】  表面プラズモン共鳴画像システムであって、
（ａ）フローセルと、
（ｂ）パターン化分析層と、
（ｃ）第１の光路に沿って前記分析層へ向けて光を送る光源と、
（ｄ）前記第１の光路内の、前記光を偏光させる第１の光学素子と、
（ｅ）前記第１の光路に配置されるデジタルウィンドウであって、前記デジタルウィンドウは格子状フォーマットに配列した複数個の個別アドレス指定可能な画素を含み、各画素は電圧を印加することによって透明状態と不透明状態との間で切換可能であり、各画素は陰極エレクトロクロミックポリマー層を有する積層エレクトロクロミック構造を含むことにより、前記デジタルウィンドウは、前記第１の光路に沿って伝わる前記光源からの光を、前記分析層に到達させるかどうかを選択的に制御することができるデジタルウィンドウと、
（ｆ）各画素に個別に選択的に電圧を印加できるように各画素に接続された複数の導体と、
（ｇ）前記導体と前記光源に電気的に接続された電源と、
（ｈ）前記第１の光路に沿って伝わる光がプリズムの中を通過するように、前記光路に前記分析層に隣接して配置されるプリズムと、
（ｉ）第２の光路に沿って配置される第２の光学素子であって、前記光学素子は、前記分析表面から伝わる光の焦点を合わせ、前記プリズムを通って焦点を合わせた前記光を通過させる光学素子と、
（ｊ）前記第２の光路に配置され、前記第２の光学素子が焦点を合わせた光を受け取る検出器と
を含むことを特徴とする、表面プラズモン共鳴画像システム。
【請求項２２】  多色ディスプレイであって、
（ａ）格子状フォーマットに配列された複数個の個別アドレス指定可能な画素であって、各画素は電圧を印加することによって透明状態と不透明状態との間で切換可能であり、各画素は陰極エレクトロクロミックポリマー層を含む積層エレクトロクロミック構造を含み、前記画素の少なくとも一部は、２つの異なる色の間で切換可能な陽極ポリマー層をさらに含む画素と、
（ｂ）各画素に選択的に個別に電圧を印加できるように各画素に接続された複数の導体と
を含むことを特徴とする多色ディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
本発明を実施する好ましい形態と関連させて本発明を説明したが、当分野の技術者であれば、特許請求の範囲に記載の範囲内で本発明に多数の変更を加えることができることを理解するであろう。したがって、本発明の範囲は、上記の説明によって何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲によって決定されるべきものである。
本発明の実施態様を以下に示す。
（１）  積層エレクトロクロミック素子内の陰極層としての使用に適したエレクトロクロミックポリマーの合成方法であって、
（ａ）第１量の３，４−ジメトキシチオフェンおよび第２量の２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオールを準備する工程と、
（ｂ）上記第１量および第２量を十分量のトルエンに溶解させ、実質的にすべての上記第１量および第２量が上記トルエンに溶解した溶液を形成する工程と、
（ｃ）上記溶液を少なくとも８時間にわたって還流させる工程であって、
（ｉ）上記溶液が沸騰し、
（ｉｉ）上記トルエンが蒸発し、凝縮して上記溶液に戻り、
（ｉｉｉ）上記第１量および第２量が反応し、［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］を形成する、工程と
を含むことを特徴とする方法。
（２）  上記溶液を加熱する工程が、約１１０℃の温度まで上記溶液を加熱する工程を含むことを特徴とする上記（１）に記載の方法。
（３）  上記第１量の３，４−ジメトキシチオフェンと第２量の２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオールとを準備する工程が、実質的に等モル量の３，４−ジメトキシチオフェンと２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオールとを準備する工程を含むことを特徴とする上記（１）に記載の方法。
（４）  上記溶液を還流する工程の前に、上記溶液に触媒を添加する工程をさらに含むことを特徴とする上記（１）に記載の方法。
（５）  触媒を添加する工程が、上記溶液にｐ−トルエンスルホン酸を添加する工程を含むことを特徴とする上記（４）に記載の方法。
（６）  上記溶液にｐ−トルエンスルホン酸を添加する工程が、上記トルエンに溶解している第１量の３，４−ジメトキシチオフェンのモル当量の１０パーセント未満となるｐ−トルエンスルホン酸の量を添加する工程を含むことを特徴とする上記（５）に記載の方法。
（７）  上記溶液に添加するｐ−トルエンスルホン酸の上記量が、上記トルエンに溶解している第１量の３，４−ジメトキシチオフェンのモル当量の実質的に１．５パーセントであることを特徴とする上記（５）に記載の方法。
（８）  上記凝縮トルエンからメタノール副生成物を除去するために、上記凝縮トルエンを上記溶液に戻す前に、上記凝縮トルエンに塩化カルシウムを加える工程をさらに含むことを特徴とする上記（１）に記載の方法。
（９）  積層エレクトロクロミック素子内の陽極層としての使用に適したエレクトロクロミックポリマーの合成方法であって、
（ａ）第１の中間試薬を製造する工程であって、
（ｉ）第１量の３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＥＤＯＴ）、第２量のｎ−ブチルリチウム、および上記第１量と第２量とを実質的に溶解するのに十分な第３量の冷却したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を準備すること、
（ｉｉ）上記第１量と第２量とを上記冷却したＴＨＦに導入して第１の溶液を形成すること、
（ｉｉｉ）上記第１量と第２量とを上記冷却したＴＨＦ中にグリニャール試薬を生成するのに十分な時間にわたって保持すること、および
（ｉｖ）上記グリニャール試薬を、上記第１の中間試薬を含む臭素化合物を生成するのに十分な量の臭化マグネシウムジエチルエーテラートで処理すること
によって第１の中間試薬を製造する工程と、
（ｂ）第２の中間試薬を製造する工程であって、
（ｉ）第４量のジブロモカルバゾール、第５量の水素化リチウム、および上記第４量と第５量とを実質的に溶解するのに十分な第６量のジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を準備すること、
（ｉｉ）上記第４量と第５量とをＤＭＦに導入して第２の溶液を形成すること、
（ｉｉｉ）上記第２の溶液を室温未満に冷却すること、および
（ｉｖ）上記ジブロモカルバゾールをメチル化して、上記第２の中間試薬を含むメチル化ジブロモカルバゾール中間生成物を生成すること
によって第２の中間試薬を製造する工程と、
（ｃ）触媒の存在下で上記第１の中間試薬と第２の中間試薬とを混合し、［３，６−ビス（２−（３，４−エチレンジオキシチオフェン））−Ｎ−メチルカルバゾール］を生成する工程とを含むことを特徴とする方法。
（１０）  上記ジブロモカルバゾールをメチル化する工程が、上記第２の溶液にヨウ化メチルを加える工程を含むことを特徴とする上記（９）に記載の方法。
（１１）  第３量の冷却したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を準備する工程が、温度０℃未満の上記第３量を準備する工程を含むことを特徴とする上記（９）に記載の方法。
（１２）  上記第１量と第２量とを上記冷却したＴＨＦ中にグリニャール試薬を生成するのに十分な時間にわたって保持する工程が、上記第１量と第２量とを上記冷却したＴＨＦ中に約１時間にわたって保持する工程を含むことを特徴とする上記（９）に記載の方法。
（１３）  上記第２の溶液をメチル化する工程が、上記第２の溶液の温度を実質的に２時間かけてゆっくり上昇させる工程を含むことを特徴とする上記（９）に記載の方法。
（１４）  上記第１の中間試薬と第２の中間試薬とを混合する前に、上記第２の中間試薬を精製する工程をさらに含むことを特徴とする上記（９）に記載の方法。
（１５）  上記第２の中間試薬を精製する工程が、上記第２の中間試薬を水で洗浄する工程と、上記第２の中間試薬をエーテルで洗浄する工程と、上記第２の中間試薬を硫酸ナトリウムで乾燥する工程とを含むことを特徴とする上記（１４）に記載の方法。
（１６）  上記第１の中間試薬と第２の中間試薬とを混合する工程が、上記第２の中間試薬を、上記第１の中間試薬とＴＨＦを含有する上記第１の溶液に加えて第３の溶液を形成する工程と、上記第３の溶液に触媒を加える工程と、上記第３の溶液を温度約５０℃で約１２時間にわたって保持する工程と、を含むことを特徴とする上記（９）に記載の方法。
（１７）  上記触媒が、ニッケルを含むことを特徴とする上記（９）に記載の方法。
（１８）  陰極ポリマー層を含むエレクトロクロミック素子で有用な対電極の作製方法であって、
（ａ）実質的に透明な非導電性基板と導電性材料とを準備する工程と、
（ｂ）上記導電性材料のパターン化層を上記非導電性基板上に堆積させる工程であって、上記パターン化層は、約２５パーセントを超えて上記透明非導電性基板の透過率を低下させない工程と
を含むことを特徴とする方法。
（１９）  上記導電性材料が金を含み、金の上記パターン化層を堆積させる前に、上記実質的に透明な非導電性基板上にチタン−タングステン（ＴｉＷ）を含む層を堆積させる工程をさらに含むことを特徴とする上記（１８）に記載の方法。
（２０）  上記導電性材料が高導電性炭素を含み、高導電性炭素の上記パターン化層を堆積させる前に、上記実質的に透明な非導電性基板上に実質的に透明な電極を含む層を堆積させる工程をさらに含むことを特徴とする上記（１８）に記載の方法。
（２１）  上記実質的に透明な電極がインジウムスズ酸化物の層を含むことを特徴とする上記（２０）に記載の方法。
（２２）  上記パターン化層が格子を含むことを特徴とする上記（１８）に記載の方法。
（２３）  上記パターン化層は、上記実質的に透明な非導電性基板の表面の２５パーセント未満を覆うことを特徴とする上記（１８）に記載の方法。
（２４）  マスキング技術とスパッタリング技術とを用いて上記パターン化層を堆積させることを特徴とする上記（１８）に記載の方法。
（２５）  陰極ポリマー層を含むエレクトロクロミック素子で有用な対電極であって、
（ａ）実質的に透明で実質的に非導電性の基板と、
（ｂ）上記基板上にパターン化層状に堆積される導電性材料であって、上記パターン化層は、透過率の低下が約２５パーセントを超えないように上記透明非導電性基板の透過率を低下させる導電性材料とを含むことを特徴とする対電極。
（２６）  上記導電性材料が金を含み、上記基板と上記金との間に配置されるチタン−タングステン（ＴｉＷ）を含む層をさらに含むことを特徴とする上記（２５）に記載の対電極。
（２７）  上記導電性材料が高導電性炭素を含み、上記基板と上記高導電性炭素との間に配置された透明電極を含む層をさらに含むことを特徴とする上記（２５）に記載の対電極。
（２８）  上記透明電極がインジウムスズ酸化物を含むことを特徴とする上記（２７）に記載の対電極。
（２９）  上記パターン化層が格子を含むことを特徴とする上記（２５）に記載の対電極。
（３０）  上記パターン化層が上記基板の表面の２５パーセント未満を覆っていることを特徴とする上記（２５）に記載の対電極。
（３１）  積層エレクトロクロミック素子であって、
（ａ）透明電極を含む第１の層と、
（ｂ）ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］を含む陰極ポリマー層と、
（ｃ）固体電解質を含む電解質層と、
（ｄ）ポリ［３，６−ビス（２−（３，４エチレンジオキシチオフェン））−Ｎ−メチルカルバゾール］を含む陽極ポリマー層と、
（ｅ）透明電極を含む別の電極層と
を含むことを特徴とする積層エレクトロクロミック素子。
（３２）  各透明電極がインジウムスズ酸化物を塗布したガラス基板を含むことを特徴とする上記（３１）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（３３）  上記固体電解質がゲル電解質を含み、上記ゲル電解質は、
（ａ）ポリマーマトリックスと、
（ｂ）溶媒担体と、
（ｃ）イオン供給源と
を含むことを特徴とする上記（３１）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（３４）  イオン供給源がリチウム塩であることを特徴とする上記（３３）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（３５）  上記イオン供給源が過塩素酸テトラブチルアンモニウムを含むことを特徴とする上記（３３）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（３６）  上記ポリマーマトリックスがポリ塩化ビニルを含むことを特徴とする上記（３３）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（３７）  上記ポリマーマトリックスがポリメチルメタクリレートを含むことを特徴とする上記（３３）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（３８）  上記溶媒がアセトニトリルを含むことを特徴とする上記（３３）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（３９）  上記溶媒がエチレンカーボネートおよびプロピレンカーボネートの少なくとも１種を含むことを特徴とする上記（３３）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（４０）  積層エレクトロクロミック素子であって
（ａ）透明電極層と、
（ｂ）ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］−［１，４］ジオキセピン］を含むエレクトロクロミック陰極ポリマー層と、
（ｃ）固体電解質を含む電解質層と、
（ｄ）対電極層と
を含むことを特徴とする積層エレクトロクロミック素子。
（４１）  上記透明電極層が、インジウムスズ酸化物を塗布したガラス基板を含むことを特徴とする上記（４０）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（４２）  上記固体電解質がゲル電解質を含み、上記ゲル電解質は、
（ａ）ポリマーマトリックスと、
（ｂ）溶媒担体と、
（ｃ）イオン供給源と
を含むことを特徴とする上記（４０）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（４３）  上記イオン供給源が、リチウム塩および過塩素酸テトラブチルアンモニウムの少なくとも１種を含むことを特徴とする上記（４２）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（４４）  上記ポリマーマトリックスが、ポリ塩化ビニルおよびポリメチルメタクリレートの少なくとも１種を含むことを特徴とする上記（４２）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（４５）  上記溶媒が、アセトニトリル、エチレンカーボネートおよびプロピレンカーボネートの少なくとも１種を含むことを特徴とする上記（４２）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（４６）  上記対電極が、
（ａ）透明な非導電性基板と、
（ｂ）上記非導電性基板上にパターン化層状に堆積される導電性材料であって、上記パターン化層は、約２５パーセントを超えて上記透明電極層の透過率を低下させない導電性材料と
を含むことを特徴とする上記（４０）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（４７）  上記導電性材料が金を含み、上記透明電極層と上記金との間に配置されるチタン−タングステン（ＴｉＷ）層をさらに含むことを特徴とする上記（４６）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（４８）  上記導電性材料が高導電性炭素を含むことを特徴とする上記（４６）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（４９）  上記透明電極層がインジウムスズ酸化物を含むことを特徴とする上記（４６）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（５０）  上記パターン化層が格子を含むことを特徴とする上記（４６）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（５１）  上記パターン化層は、透明電極層の表面の約２５パーセント未満を覆うことを特徴とする上記（４６）に記載の積層エレクトロクロミック素子。
（５２）  建築および構造用途に適したデュアルポリマーエレクトロクロミックウィンドウであって、
（ａ）構造ガラスパネルを含む第１の層と、
（ｂ）透明電極を含む第２の層と、
（ｃ）ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］の陰極ポリマー層を含む第３の層と、
（ｄ）透明固体電解質を含む第４の層と、
（ｅ）ポリ［３，６−ビス（２−（３，４−エチレンジオキシチオフェン））−Ｎ−メチルカルバゾール］の陽極ポリマー層を含む第５の層と、
（ｆ）透明電極を含む第６の層と、
（ｇ）構造ガラスパネルを含む第７の層と、
（ｈ）上記第２の層に接続した第１の電気リード線と、
（ｉ）上記第６の層に接続した第２の電気リード線と、を含み、
上記第１の電気リード線および第２の電気リード線は、電圧源に接続された場合に上記第２の層から第６の層へ電圧を印加し、上記電圧は第３の層と第５の層に色の変化を引き起こすことを特徴とするデュアルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
（５３）  上記第６の層と第７の層との間に配置される、不活性ガスを充填したギャップをさらに含むことを特徴とする上記（５２）に記載のデュアルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
（５４）  建築および構造用途に適したシングルポリマーエレクトロクロミックウィンドウであって、
（ａ）構造ガラスパネルを含む第１の層と、
（ｂ）透明電極を含む第２の層と、
（ｃ）ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］の陰極ポリマーを含む第３の層と、
（ｄ）透明固体電解質を含む第４の層と、
（ｅ）対電極を含む第５の層と、
（ｆ）構造ガラスパネルを含む第６の層と、
（ｈ）上記第２の層に接続した第１の電気リード線と、
（ｉ）上記第５の層に接続した第２の電気リード線と、を含み、
上記第１の電気リード線および第２の電気リード線は、電圧源に接続された場合に上記第２の層から第５の層へ電圧を印加し、上記電圧は第３の層に色の変化を引き起こすことを特徴とするシングルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
（５５）  上記陰極ポリマー層が、ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］を含むことを特徴とする上記（５４）に記載のシングルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
（５６）  上記第５の層と第６の層との間に配置される、不活性ガスを充填したギャップをさらに含むことを特徴とする上記（５４）に記載のシングルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
（５７）  上記対電極が、
（ａ）透明な非導電性基板と、
（ｂ）上記非導電性基板上にパターン化層状に堆積される導電性材料であって、上記パターン化層は、約２５パーセントを超えて上記透明非導電性基板の透過率を低下させない導電性材料と
を含むことを特徴とする上記（５４）に記載のシングルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
（５８）  上記導電性材料が金を含み、上記透明非導電性基板と上記金との間に配置されるチタン−タングステン（ＴｉＷ）層を含む層をさらに含むことを特徴とする上記（５７）に記載のシングルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
（５９）  上記導電性材料が高導電性炭素を含むことを特徴とする上記（５７）に記載のシングルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
（６０）  上記パターン化層が格子を含むことを特徴とする上記（５７）に記載のシングルポリマーエレクトロクロミックウィンドウ。
（６１）  画素化アドレス方式での使用に適したデジタルウィンドウであって、
（ａ）格子状フォーマットに配列された複数個の個別アドレス指定可能な画素を含むデジタルウィンドウであって、各画素は電圧を選択的に印加することによって透明状態と不透明状態との間で切換可能であり、各画素が陰極エレクトロクロミックポリマー層を有する積層エレクトロクロミック構造を含むデジタルウィンドウと、
（ｂ）各画素に個別に電圧を印加できるように各画素に接続された複数の導体と
を含むことを特徴とするデジタルウィンドウ。
（６２）  各画素は大きさが約５０ミクロン未満であることを特徴とする上記（６１）に記載のデジタルウィンドウ。
（６３）  各積層エレクトロクロミック構造が、
（ａ）透明電極と、
（ｂ）陰極ポリマー層と、
（ｃ）固体電解質を含む電解質層と、
（ｄ）陽極ポリマー層と、
（ｅ）別の透明電極と
を含むことを特徴とする上記（６１）に記載のデジタルウィンドウ。
（６４）  陰極ポリマー層が、ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］を含むことを特徴とする上記（６３）に記載のデジタルウィンドウ。
（６５）  陽極ポリマー層が、ポリ［３，６−ビス（２−（３，４−エチレンジオキシチオフェン））−Ｎ−メチルカルバゾール］を含むことを特徴とする上記（６３）に記載のデジタルウィンドウ。
（６６）  各積層エレクトロクロミック構造が、
（ａ）透明電極を含む第１の層と、
（ｂ）陰極ポリマー層を含む第２の層と、
（ｃ）固体電解質を含む第３の層と、
（ｄ）対電極を含む第４の層と
を含むことを特徴とする上記（６１）に記載のデジタルウィンドウ。
（６７）  陰極ポリマー層が、ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］を含むことを特徴とする上記（６６）に記載のデジタルウィンドウ。
（６８）  上記対電極が、
（ａ）透明な非導電性基板と、
（ｂ）上記非導電性基板上にパターン化層状に堆積される導電性材料であって、上記パターン化層は、約２５パーセントを超えて上記透明非導電性基板の透過率を低下させない導電性材料と
を含むことを特徴とする上記（６６）に記載のデジタルウィンドウ。
（６９）  上記導電性材料が金を含み、上記透明非導電性基板と上記金との間に配置されるチタン−タングステン（ＴｉＷ）層を含む層をさらに含むことを特徴とする上記（６８）に記載のデジタルウィンドウ。
（７０）  上記導電性材料が高導電性炭素を含むことを特徴とする上記（６８）に記載のデジタルウィンドウ。
（７１）  上記パターン化層が格子を含むことを特徴とする上記（６８）に記載のデジタルウィンドウ。
（７２）  表面プラズモン共鳴画像システムであって、
（ａ）フローセルと、
（ｂ）パターン化分析層と、
（ｃ）第１の光路に沿って上記分析層へ向けて光を送る光源と、
（ｄ）上記第１の光路内の、上記光を偏光させる第１の光学素子と、
（ｅ）上記第１の光路に配置されるデジタルウィンドウであって、上記デジタルウィンドウは格子状フォーマットに配列した複数個の個別アドレス指定可能な画素を含み、各画素は電圧を印加することによって透明状態と不透明状態との間で切換可能であり、各画素は陰極エレクトロクロミックポリマー層を有する積層エレクトロクロミック構造を含むことにより、上記デジタルウィンドウは、上記第１の光路に沿って伝わる上記光源からの光を、上記分析層に到達させるかどうかを選択的に制御することができるデジタルウィンドウと、
（ｆ）各画素に個別に選択的に電圧を印加できるように各画素に接続された複数の導体と、
（ｇ）上記導体と上記光源に電気的に接続された電源と、
（ｈ）上記第１の光路に沿って伝わる光がプリズムの中を通過するように、上記光路に上記分析層に隣接して配置されるプリズムと、
（ｉ）第２の光路に沿って配置される第２の光学素子であって、上記光学素子は、上記分析表面から伝わる光の焦点を合わせ、上記プリズムを通って焦点を合わせた上記光を通過させる光学素子と、
（ｊ）上記第２の光路に配置され、上記第２の光学素子が焦点を合わせた光を受け取る検出器と
を含むことを特徴とする、表面プラズモン共鳴画像システム。
（７３）  上記デジタルウィンドウの各画素は、大きさが約５０ミクロン未満であることを特徴とする上記（７２）に記載の表面プラズモン共鳴画像システム。
（７４）  上記デジタルウィンドウの各積層エレクトロクロミック構造が、
（ａ）透明電極を含む第１の層と、
（ｂ）ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］の陰極ポリマーを含む第２の層と、
（ｃ）固体電解質を含む第３の層と、
（ｄ）ポリ［３，６−ビス（２−（３，４−エチレンジオキシチオフェン））−Ｎ−メチルカルバゾール］の陽極ポリマーを含む第４の層と、
（ｅ）透明電極を含む第５の層と
を含むことを特徴とする上記（７２）に記載の表面プラズモン共鳴画像システム。
（７５）  上記デジタルウィンドウの各積層エレクトロクロミック構造が、
（ａ）透明電極を含む第１の層と、
（ｂ）ポリ［３，３−ジメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−チエノ［３，４−ｂ］［１，４］ジオキセピン］の陰極ポリマーを含む第２の層と、
（ｃ）固体電解質を含む第３の層と、
（ｄ）対電極を含む第４の層と
を含むことを特徴とする上記（７２）に記載の表面プラズモン共鳴画像システム。
（７６）  上記対電極が、
（ａ）透明な非導電性基板と、
（ｂ）上記非導電性基板上にパターン状に堆積される導電性材料であって、上記パターン化層は、約２５パーセントを超えて上記透明非導電性基板の透過率を低下させない導電性材料と
を含むことを特徴とする上記（７５）に記載の表面プラズモン共鳴画像システム。
（７７）  上記導電性材料が金および高導電性炭素の１種を含むことを特徴とする上記（７５）に記載の表面プラズモン共鳴画像システム。
（７８）  多色ディスプレイであって、
（ａ）格子状フォーマットに配列された複数個の個別アドレス指定可能な画素であって、各画素は電圧を印加することによって透明状態と不透明状態との間で切換可能であり、各画素は陰極エレクトロクロミックポリマー層を含む積層エレクトロクロミック構造を含み、上記画素の少なくとも一部は、２つの異なる色の間で切換可能な陽極ポリマー層をさらに含む画素と、
（ｂ）各画素に選択的に個別に電圧を印加できるように各画素に接続された複数の導体と
を含むことを特徴とする多色ディスプレイ。
（７９）  上記陽極ポリマー層が、ポリ［３，６−ビス（２−（３，４−エチレンジオキシチオフェン））−Ｎ−メチルカルバゾール］を含むことを特徴とする上記（７８）に記載の多色ディスプレイ。