【手続補正書】
【提出日】平成16年5月12日(2004.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】        明細書
【発明の名称】  処理方法及び処理装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】  異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理方法であって、
複数の被処理体を処理する第１の処理部での該処理の条件を第１の処理条件に設定する工程と、
上記第１の処理条件に設定する工程の後、上記被処理体のうち第１の被処理体を上記第１の処理部で上記第１の処理条件で処理する工程と、
上記被処理体を処理する第２の処理部での該処理の条件を上記第１の処理条件とは異なる第２の処理条件に設定する工程と、
上記第２の処理条件に設定する工程の後、上記被処理体のうち第２の被処理体を上記第２の処理部で上記第２の処理条件で処理する工程と、
上記第１の処理条件で処理する工程の後であって、かつ上記第２の処理条件で処理する工程の途中で、上記第１の処理部での処理の条件を上記第２の処理条件に変更し設定する工程と、
上記第２の処理条件に変更し設定する工程の後、上記被処理体のうち第３の被処理体を上記第１の処理部で上記第２の処理条件で処理する工程と、を有することを特徴とする処理方法。
【請求項２】  請求項１記載の処理方法において、
上記第２の処理条件に設定する工程は、上記第１の処理条件で処理する工程の途中で行うことを特徴とする処理方法。
【請求項３】  請求項１記載の処理方法において、
上記第１の処理条件で処理する工程は、上記第１の被処理体を第１のロットに含まれる被処理体として処理する工程を有し、
上記第２の処理条件で処理する工程及び変更設定された第２の処理条件で処理する工程は、上記第２及び第３の被処理体を、第１のロットの次に処理される第２のロットに含まれる被処理体としてそれぞれ処理する工程を有することを特徴とする方法。
【請求項４】  請求項１記の処理方法において、
上記第１の処理条件に設定する工程の前に、上記第２の処理条件に設定する工程の後から上記第２の処理条件で処理する工程を開始するまでに要する時間を記憶する工程と、
遅くとも上記第２の処理条件に変更し設定する工程を行う前に上記第２の処理条件で処理する工程を開始できるように、記憶された上記時間に基づき上記第２の処理条件に設定する工程を有することを特徴とする処理方法。
【請求項５】  請求項１記載の処理方法において、
上記第１の処理条件に設定する工程は、上記第１の処理条件として第１の温度条件を設定する工程を有すると共に、上記第１の処理条件で処理する工程は、上記第１の温度条件で被処理体を熱処理する工程を有し、
上記第２の処理条件に設定する工程は、上記第２の処理条件として第２の温度条件を設定する工程を有すると共に、上記第２の処理条件で処理する工程及び変更設定された第２の処理条件で処理する工程は、上記第２の温度条件で上記被処理体を熱処理する工程を有することを特徴とする処理方法。
【請求項６】  異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理方法であって、
先に処理される被処理体の処理条件に設定される第１の処理部と、次に処理される被処理体の処理条件に設定される少なくとも１つの第２の処理部とを用意すると共に、第１の処理部及び第２の処理部の処理条件を変更可能にし、
先に処理される上記被処理体を上記第１の処理部に搬送して処理している間、上記第２の処理部を、次に処理される上記被処理体の処理条件に設定して待機させ、
上記第１の処理部での処理が終了した後、次に処理される上記被処理体を上記第２の処理部に搬送して処理し、
上記第２の処理部での処理の間、上記第１の処理部を、上記第２の処理部と同様の処理条件に変更し、処理条件の変更された第１の処理部に次に処理される上記被処理体を搬送して、処理を施し、
上記第２の処理部での処理が終了した後、第２の処理部を、更に次に処理される上記被処理体の処理条件に変更して待機させ、
以下同様に、上記第１の処理部と第２の処理部の処理条件を、次に処理される上記被処理体の処理条件に変更して、複数の被処理体の処理を連続して行うことを特徴とする処理方法。
【請求項７】  請求項６記載の処理方法において、
上記第１の処理部を複数の処理ユニットにて形成し、各処理ユニットを順次、次に処理される被処理体の処理条件に変更させると共に、変更された処理ユニットに順次、次に処理される被処理体を搬送して処理を行うことを特徴とする処理方法。
【請求項８】  請求項６又は７記載の処理方法において、
上記第１の処理部及び第２の処理部は、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理部であることを特徴とする処理方法。
【請求項９】  異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理装置であって、
少なくとも第１の処理条件及び該第１の処理条件とは異なる第２の処理条件で複数の被処理体を処理可能な第１の処理部と、
少なくとも上記第２の処理条件で上記の被処理体を処理可能な第２の処理部と、
上記被処理体のうち第２の被処理体を上記第２の処理部で処理している途中であって上記第１の処理部で上記第１の処理条件で上記被処理体のうち第１の被処理体の処理が終了した後、上記第１の処理部の処理条件を上記第２の処理条件に設定変更し、該第１の処理部で上記第２の処理条件で上記被処理体のうち第３の被処理体を処理させるように制御する制御手段とを具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１０】  請求項９記載の処理装置において、
上記第１の被処理体は第１のロットに含まれ、上記第２及び第３の被処理体は上記第１のロットの次に処理される第２のロットに含まれることを特徴とする処理装置。
【請求項１１】  請求項９又は１０記載の処理装置において、
上記第１の処理部は、上記第１及び第２の処理条件をそれぞれ第１、第２の温度条件として上記被処理体に対し熱処理する第１の熱処理装置を具備し、
上記第２の処理部は、上記第２の処理条件を上記第２の温度条件として上記被処理体に対し熱処理する第２の熱処理装置を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１２】  請求項１１記載の処理装置において、
上記第１の熱処理装置と上記第２熱処理装置とが上下方向に配置され、
少なくとも上記第１の熱処理装置と上記第２の熱処理装置との間で被処理体を搬送する搬送装置を更に具備し、
上記制御手段は、上記第１又は第２のうち下側に配置された熱処理装置から上記被処理体を順次搬送していくように制御可能に形成されることを特徴とする処理装置。
【請求項１３】  異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理装置であって、
被処理体の搬入・搬出部と、
それぞれ上記被処理体の異なる処理条件に設定可能な第１の処理部及び少なくとも１つの第２の処理部とからなる処理部と、
上記搬入・搬出部と処理部との間で上記被処理体を受け渡して搬送する搬送手段と、
先に処理される上記被処理体が上記第１の処理部にて処理されている間、上記第２の処理部を次に処理される被処理体の処理条件に設定し、第１の処理部での被処理体の処理が終了した後、被処理体を第２の処理部に搬送する指令を上記搬送手段に送ると共に、第１の処理部の処理条件を次に処理される被処理体の処理条件に変更設定する制御手段と、
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１４】  請求項１３記載の処理装置において、
上記第１の処理部が複数の処理ユニットを具備し、上記制御手段が各処理ユニットを順次変更設定可能に制御する制御手段であることを特徴とする処理装置。
【請求項１５】  請求項１３又は１４記載の処理装置において、
上記第１の処理部及び第２の処理部を、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理装置にて形成してなることを特徴とする処理装置。
【請求項１６】  請求項１５記載の処理装置において、
上記第１及び第２の処理部は、被処理体を載置する載置台と、
上記載置台を加熱する加熱手段と、
上記載置台を冷却する冷却手段と、
上記載置台の温度を検出する温度検出手段と、
上記温度検出手段からの検出信号、あるいは、予め設定された被処理体の処理開始又は処理終了の信号に基づいて上記加熱手段又は冷却手段を制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
この発明は、処理方法及び処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）ガラス基板や半導体ウエハ等の複数の被処理体を異なる処理条件で連続して処理する処理方法及び処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＬＣＤ製造においては、被処理体であるＬＣＤガラス基板（以下にＬＣＤ基板という）に、半導体ウエハの製造プロセスと同様に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成している。
【０００３】
上記フォトリソグラフィー技術では、被処理体であるＬＣＤ基板は、一般に、洗浄処理が施された後、脱水ベーク処理が施され、次いでアドヒージョン（疎水化）処理が施され、その後、冷却処理された後、ＬＣＤ基板は、塗布装置に搬送されてレジスト塗布が行われる。レジスト塗布されたＬＣＤ基板は、次に、熱処理ユニットに搬送されて、熱処理（プリベーク処理）されて、レジスト中の水分が蒸発される。次に、ＬＣＤ基板は、露光装置へ搬送されて露光処理された後、現像装置に搬送されて現像処理された後、熱処理装置に搬送されて、熱処理（ポストベーク処理）される、という一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
【０００４】
また、上記フォトリソグラフィー技術の処理工程において、ＬＣＤ基板の表面に異なる種類のレジスト膜や絶縁膜等が塗布される場合があるため、塗布装置に異なる種類の処理液供給ノズルを配設して、目的に応じて所定の処理液供給ノズルから例えばレジスト膜用あるいは絶縁膜（平坦化膜）用等の処理液をＬＣＤ基板に供給して薄膜を形成している。
【０００５】
この場合、処理液の種類や膜厚等の違いによって塗布後の熱処理の温度条件が異なるため、異なる温度条件の下で熱処理を行う必要がある。したがって、例えば、先に処理するロットのＬＣＤ基板の処理が終了した後、次に処理するロットのＬＣＤ基板の処理を行う場合、２台の熱処理装置を準備しておくか、あるいは、１台の熱処理装置の温度を切り換えてロット毎の処理を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、２台の熱処理装置を準備することは、装置全体が大型になると共に、設備費が嵩むという問題があった。特に、近年、大型化の傾向にあるＬＣＤ基板の製造工程においては装置全体が著しく大型化する。これに対して、１台の熱処理装置を切り換えて使用する方法では、装置の小型化が図れるが、処理温度を切り換えて処理に供せる温度に設定するまで多くの時間を要し、処理能力が著しく低下するという問題があった。
【０００７】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、装置の小型化を維持することができると共に、異なる種類の処理条件においても複数の被処理体を連続して処理できるようにした処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決する手段】
上記課題を解決するために、この発明の処理方法は、異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理方法であって、  複数の被処理体を処理する第１の処理部での該処理の条件を第１の処理条件に設定する工程と、  記第１の処理条件に設定する工程の後、上記被処理体のうち第１の被処理体を上記第１の処理部で上記第１の処理条件で処理する工程と、  上記被処理体を処理する第２の処理部での該処理の条件を上記第１の処理条件とは異なる第２の処理条件に設定する工程と、  上記第２の処理条件に設定する工程の後、上記被処理体のうち第２の被処理体を上記第２の処理部で上記第２の処理条件で処理する工程と、  上記第１の処理条件で処理する工程の後であって、かつ上記第２の処理条件で処理する工程の途中で、上記第１の処理部での処理の条件を上記第２の処理条件に変更し設定する工程と、  上記第２の処理条件に変更し設定する工程の後、上記被処理体のうち第３の被処理体を上記第１の処理部で上記第２の処理条件で処理する工程と、を有することを特徴とする（請求項１）。
【０００９】
この発明において、上記第２の処理条件に設定する工程は、上記第１の処理条件で処理する工程の途中で行うこともできる（請求項２）。
【００１０】
また、上記第１の処理条件で処理する工程は、上記第１の被処理体を第１のロットに含まれる被処理体として処理する工程を有し、  上記第２の処理条件で処理する工程及び変更設定された第２の処理条件で処理する工程は、上記第２及び第３の被処理体を、第１のロットの次に処理される第２のロットに含まれる被処理体としてそれぞれ処理する工程を有する（請求項３）。
【００１１】
また、上記第１の処理条件に設定する工程の前に、上記第２の処理条件に設定する工程の後から上記第２の処理条件で処理する工程を開始するまでに要する時間を記憶する工程と、  遅くとも上記第２の処理条件に変更し設定する工程を行う前に上記第２の処理条件で処理する工程を開始できるように、記憶された上記時間に基づき上記第２の処理条件に設定する工程を有するようにしてもよい（請求項４）。
【００１２】
また、上記第１の処理条件に設定する工程は、上記第１の処理条件として第１の温度条件を設定する工程を有すると共に、上記第１の処理条件で処理する工程は、上記第１の温度条件で被処理体を熱処理する工程を有し、  上記第２の処理条件に設定する工程は、上記第２の処理条件として第２の温度条件を設定する工程を有すると共に、上記第２の処理条件で処理する工程及び変更設定された第２の処理条件で処理する工程は、上記第２の温度条件で上記被処理体を熱処理する工程を有するようにしてもよい（請求項５）。
【００１３】
また、この発明の処理方法は、異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理方法であって、  先に処理される被処理体の処理条件に設定される第１の処理部と、次に処理される被処理体の処理条件に設定される少なくとも１つの第２の処理部とを用意すると共に、第１の処理部及び第２の処理部の処理条件を変更可能にし、  先に処理される上記被処理体を上記第１の処理部に搬送して処理している間、上記第２の処理部を、次に処理される上記被処理体の処理条件に設定して待機させ、  上記第１の処理部での処理が終了した後、次に処理される上記被処理体を上記第２の処理部に搬送して処理し、  上記第２の処理部での処理の間、上記第１の処理部を、上記第２の処理部と同様の処理条件に変更し、処理条件の変更された第１の処理部に次に処理される上記被処理体を搬送して、処理を施し、  上記第２の処理部での処理が終了した後、第２の処理部を、更に次に処理される上記被処理体の処理条件に変更して待機させ、  以下同様に、上記第１の処理部と第２の処理部の処理条件を、次に処理される上記被処理体の処理条件に変更して、複数の被処理体の処理を連続して行うことを特徴とする（請求項６）。
【００１４】
この発明において、上記第１の処理部を複数の処理ユニットにて形成し、各処理ユニットを順次、次に処理される被処理体の処理条件に変更させると共に、変更された処理ユニットに順次、次に処理される被処理体を搬送して処理を行うようにする方が好ましい（請求項７）。
【００１５】
また、上記第１の処理部及び第２の処理部を、例えば、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理部とすることができる（請求項８）。
【００１６】
また、この発明の処理装置は、請求項１〜８記載の処理方法を具現化するもので、請求項９記載の処理装置は、  異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理装置であって、  少なくとも第１の処理条件及び該第一の処理条件とは異なる第２の処理条件で複数の被処理体を処理可能な第１の処理部と、  少なくとも上記第２の処理条件で上記の被処理体を処理可能な第２の処理部と、  上記被処理体のうち第２の被処理体を上記第２の処理部で処理している途中であって上記第１の処理部で上記第１の処理条件で上記被処理体のうち第１の被処理体の処理が終了した後、上記第１の処理部の処理条件を上記第２の処理条件に設定変更し、該第１の処理部で上記第２の処理条件で上記被処理体のうち第３の被処理体を処理させるように制御する制御手段とを具備することを特徴とする。
【００１７】
この発明において、上記第１の被処理体は第１のロットに含まれ、上記第２及び第３の被処理体は上記第１のロットの次に処理される第２のロットに含まれる（請求項１０）。
【００１８】
また、上記第１の処理部は、上記第１及び第２の処理条件をそれぞれ第１、第２の温度条件として上記被処理体に対し熱処理する第１の熱処理装置を具備し、 上記第２の処理部は、上記第２の処理条件を上記第２の温度条件として上記被処理体に対し熱処理する第２の熱処理装置を具備することができる（請求項１１）。この場合、上記第１の熱処理装置と上記第２熱処理装置とが上下方向に配置され、  少なくとも上記第１の熱処理装置と上記第２の熱処理装置との間で被処理体を搬送する搬送装置を更に具備し、  上記制御手段は、上記第１又は第２のうち下側に配置された熱処理装置から上記被処理体を順次搬送していくように制御可能に形成する方が好ましい（請求項１２）。
【００１９】
また、請求項１３記載の処理装置は、異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理装置であって、  被処理体の搬入・搬出部と、  それぞれ上記被処理体の異なる処理条件に設定可能な第１の処理部及び少なくとも１つの第２の処理部とからなる処理部と、  上記搬入・搬出部と処理部との間で上記被処理体を受け渡して搬送する搬送手段と、  先に処理される上記被処理体が上記第１の処理部にて処理されている間、上記第２の処理部を次に処理される被処理体の処理条件に設定し、第１の処理部での被処理体の処理が終了した後、被処理体を第２の処理部に搬送する指令を上記搬送手段に送ると共に、第１の処理部の処理条件を次に処理される被処理体の処理条件に変更設定する制御手段と、を具備することを特徴とする。
【００２０】
この発明において、上記第１の処理部が複数の処理ユニットを具備し、上記制御手段が各処理ユニットを順次変更設定可能に制御する制御手段である方が好ましい（請求項１４）。
【００２１】
また、上記第１の処理部及び第２の処理部を、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理装置にて形成することができる（請求項１５）。この場合、上記第１及び第２の処理部は、被処理体を載置する載置台と、上記載置台を加熱する加熱手段と、上記載置台を冷却する冷却手段と、上記載置台の温度を検出する温度検出手段と、上記温度検出手段からの検出信号、あるいは、予め設定された被処理体の処理開始又は処理終了の信号に基づいて上記加熱手段又は冷却手段を制御する制御手段と、を具備する方が好ましい（請求項１６）。
【００２２】
請求項１〜４，６，９，１０，１３記載の発明によれば、先に処理される被処理体を第１の処理部に搬送して処理している間、第２の処理部を、次に処理される被処理体の処理条件に設定して待機させ、第１の処理部での処理が終了した後、次に処理される被処理体を第２の処理部に搬送して処理することができる。また、第２の処理部での処理の間、第１の処理部を、第２の処理部と同様の処理条件に変更し、処理条件の変更された第１の処理部に次に処理される被処理体を搬送して、処理を施すことができる。更に、第２の処理部での処理が終了した後、第２の処理部を、更に次に処理される被処理体の処理条件に変更して待機させ、以下同様に、第１の処理部と第２の処理部の処理条件を、次に処理される被処理体の処理条件に変更して、複数の被処理体の処理を連続して行うことができる。したがって、異なる処理条件の複数の被処理体を連続して処理することができる。よって、第２の処理部が少なくとも１つ存在するのみで、異なる処理条件の複数の被処理体を連続して処理することができる。
【００２３】
請求項７，１４記載の発明によれば、第１の処理部を複数の処理ユニットにて形成し、各処理ユニットを順次、次に処理される被処理体の処理条件に変更させると共に、変更された処理ユニットに順次、次に処理される被処理体を搬送して処理を行うことができるので、実際に処理される被処理体の複数を同時に処理することができ、更に処理効率の向上を図ることができる。
【００２４】
請求項５，８，１１，１２，１５，１６記載の発明によれば、第１の処理部及び第２の処理部を、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理部とすることで、異なる熱処理条件の複数の被処理体を連続して熱処理することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】
図１は、この発明に係る処理装置を組み込んだＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理システムを示す斜視図、図２は、レジスト塗布現像処理システムの概略平面図である。
【００２７】
上記レジスト塗布現像処理システム１００は、被処理体である複数のＬＣＤガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収容するカセットＣを載置するカセットステーション１（搬入・搬出部）と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション２（処理部）と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション３（インターフェイス部）とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１及びインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１及び図２において、レジスト塗布現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、水平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とし、垂直面上においてＸ，Ｙ方向と直交する方向をＺ方向とする。
【００２８】
カセットステーション１は、カセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入・搬出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入・搬出が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配設方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによってカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入・搬出が行われるようになっている。
【００２９】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３及び第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）、ｉ線ＵＶ照射ユニット２５（ｉ−ＵＶ）及び第３の熱的処理ユニット２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット２２（ｅ−ＵＶ）が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット２２（ｅ−ＵＶ）はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット２５（ｉ−ＵＶ）は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００３０】
上記スクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）は、その中で基板Ｇが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理及び乾燥処理を行うようになっている。上記現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）も、その中で基板Ｇが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、及び乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）及び現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口及び搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット２５（ｉ−ＵＶ）への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００３１】
レジスト処理ユニット２３は、図３のその内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをスピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置２３ａ（ＣＴ）、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置２３ｂ（ＶＤ）、及びステージ５４に載置された基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置２３ｃ（ＥＲ）がその順に配置されている。
【００３２】
このように構成されるレジスト処理ユニット２３において、ガイドレール５５にガイドされて移動する一対の専用アーム５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基板Ｇの搬入口５７及び搬出口５８が設けられており、ガイドレール５５はこれら搬入口５７及び搬出口５８から外側に延びてサブアーム５６により基板Ｇの受け渡しが可能となっている。
【００３３】
第１の熱的処理ユニットセクション２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック３１，３２（ＴＢ）を有しており、熱的処理ユニットブロック３１（ＴＢ）はスクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）側に設けられ、熱的処理ユニットブロック３２（ＴＢ）はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック３１，３２（ＴＢ）の間に第１の搬送装置３３（搬送手段）が設けられている。熱的処理ユニットブロック３１（ＴＢ）は、図４の側面図に示すように、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット６１（ＰＡＳＳ）、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット６２，６３（ＤＨＰ）、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット６４（ＡＤ）の４段積層されて構成されている。
【００３４】
また、熱的処理ユニットブロック３２（ＴＢ）は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット６５（ＰＡＳＳ）、基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット６６，６７（ＣＯＬ）、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット６８（ＡＤ）の４段積層されて構成されている。
【００３５】
第１の搬送装置３３は、パスユニット６１（ＰＡＳＳ）を介してのスクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入・搬出、及びパスユニット６５（ＰＡＳＳ）を介してのレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行うように構成されている。
【００３６】
この場合、第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降台９２と、昇降台９２上に水平のθ方向に旋回可能に設けられたベース台９３と、ベース台９３上を前進後退可能に設けられ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを具備している。そして、昇降台９２の昇降は、モータ９５の駆動によって作動する図示しない昇降機構例えばボールねじ機構あるいはシリンダ機構等によって行われ、ベース台９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって駆動する移動機構（図示せず）によって行われる。第１の搬送装置３３はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック３１，３２（ＴＢ）のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００３７】
一方、第２の熱的処理ユニットセクション２７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された、この発明に係る処理方法（装置）を適用した２つの熱的処理ユニットブロック３４，３５（ＴＢ）を有しており、熱的処理ユニットブロック３４（ＴＢ）はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック３５（ＴＢ）は現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック３４，３５（ＴＢ）の間に、搬送手段である第２の搬送装置３６が設けられている。
【００３８】
この場合、熱的処理ユニットブロック３４（ＴＢ）は、図５の側面図に示すように、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット６９（ＰＡＳＳ）、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つの熱処理ユニットであるプリベークユニット７０ｃ（ＨＰ３），７０ｂ（ＨＰ２），７０ａ（ＨＰ１）と、１つの補助熱処理ユニットである補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）の５段積層されて構成されている。ここで、熱的処理ユニット３４（ＴＢ）に、３つのプリベークユニット７０ａ，７０ｂ，７０ｃ（ＨＰ１，ＨＰ２，ＨＰ３）と、１つの補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）を積層して設けた理由は、先に熱処理されるロットの基板Ｇをプリベークユニット７０ａ，７０ｂ，７０ｃ（ＨＰ１，ＨＰ２，ＨＰ３）（以下に第１，第２，第３のプリベークユニット７０ａ，７０ｂ，７０ｃという）で熱処理している間、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）を次に熱処理されるロットの基板Ｇの熱処理温度に設定して待機させておき、先に熱処理されるロットの基板Ｇの熱処理が終了した後、次に処理されるロットの基板Ｇを補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）で熱処理できるようにしたためである。
【００３９】
また、熱的処理ユニットブロック３５（ＴＢ）は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット７１（ＰＡＳＳ）、基板Ｇを冷却するクーリングユニット７２（ＣＯＬ）、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット７０ｅ，７０ｄ（ＨＰ５，ＨＰ４）の４段積層されて構成されている。
【００４０】
第２の搬送装置３６は、パスユニット６９（ＰＡＳＳ）を介してのレジスト処理ユニット２３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入・搬出、パスユニット７１（ＰＡＳＳ）を介しての現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）への基板Ｇの受け渡し、及び後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ４４（ＥＸＴ・ＣＯＬ）に対する基板Ｇの受け渡し及び受け取りを行うように構成されている。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しているので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。この第２の搬送装置３６は、熱的処理ユニットブロック３４，３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００４１】
上記のように構成される第２の熱的処理ユニットセクション２７において、プリベークユニット７０ａ〜７０ｅと、補助プリベークユニット７０ｓには、同様の構造を有する熱処理装置が配設されている。以下に、プリベークユニット７０ａを代表して、熱処理装置について詳細に説明する。
【００４２】
上記熱処理装置８０は、図７に示すように、第２の搬送装置３６によって搬送される基板Ｇを載置する載置台であるプレートＰと、このプレートＰの下部及び周囲を包囲する下部容器８１ａと、プレートＰの周囲及び上部を包囲する蓋体８１ｂとからなる処理容器８１とを具備している。
【００４３】
この場合、処理容器８１は、方形状の蓋体８１ｂ及び下部容器８１ａからなる例えば略方形筒形状に形成されており、蓋体８１ｂが下部容器８１ａの側壁の内側に入り込んで内部に密閉された空間を形成するように構成されている。蓋体８１ｂは、側部が支持アーム８２により支持されて図示しない昇降機構により昇降自在に構成されている。
【００４４】
蓋体８１ｂの中央には、排気管８３に接続された排気口８１ｃが設けられており、この排気口８１ｃの周囲には複数のガス供給孔８１ｄが例えば蓋体８１ｂの周辺方向に形成されている。また蓋体８１ｂの頂部は、内側から見ると、外側から中心部に向かって次第に高くなるように緩やかに傾斜しており、この傾斜部８１ｅの外縁部には複数のガス供給孔８１ｄが蓋体８１ｂの周辺方向に形成されている。また、蓋体８１ｂの頂部には、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスをパージガスとして供給するためのガス供給管８４が接続されている。
【００４５】
下部容器８１ａは内側に向かって突出する段部８１ｆが形成されており、この段部８１ｆの上には、例えばアルミニウムやセラミックスよりなる例えば方形板状のプレートＰが、当該プレートＰの周縁領域を段部８１ｆにより保持されるように設けられている。
【００４６】
このようなプレートＰの表面には、基板ＧをプレートＰから例えば０．１〜０．５ｍｍ浮上させた状態で保持するための、例えばセラミックスよりなる複数例えば３個のプロキシミティピン８５が突設されている。このように基板ＧをプレートＰから僅かに浮上させた状態で保持するのは、基板裏面のパーティクル汚染を防止するためである。また、プレートＰの裏面には、例えばニクロム線や焼結金属よりなる加熱手段をなすヒータＨが設けられており、このヒータＨによる加熱によってプレートＰが所定の温度に加熱されるようになっている。
【００４７】
上記のように構成される処理容器８１の内部は、蓋体８１ｂを閉じたときに、プレートＰの上下に２つの区画された空間が形成され、つまりプレートＰと蓋体８１ｂとで囲まれた領域は加熱処理室Ｓ１、プレートＰと下部容器８１ａとで囲まれた領域は冷却室Ｓ２となっている。
【００４８】
冷却室Ｓ２内には、プレートＰの裏面側に、例えば空気や窒素ガスなどの冷却ガスを吹き付けるための複数のノズル部８６ａが設けられており、各ノズル部８６ａには、下部容器８１ａの外側に設けられたマニホールドＭで分岐された冷却ガス流路をなす冷却ガス供給管８６ｂの分岐端側が接続されている。また、マニホルドＭは、冷却ガス供給主管８６ｃを介して冷却ガス供給源８７に接続されている。この場合、冷却ガス供給主管８６ｃには、冷却ガス供給源８７側から順に、流量調整可能な第１の開閉弁Ｖ１、冷却モジュールをなすペルチェ素子を具備する冷却装置８８及び流量調整可能な第２の開閉弁Ｖ２が介設されている。そして、上記ノズル部８６ａ、冷却装置８８及び冷却ガス供給源８７等によって冷却手段が構成されている。
【００４９】
また、下部容器８１ａには、第２の搬送装置３６によって搬送される基板Ｇをプロキシミティピン８５上に受け渡す際に、基板Ｇを昇降させるための、複数例えば３本の昇降ピン８９ａが冷却室Ｓ２及びプレートＰを貫通するように設けられており、これら昇降ピン８９ａは処理容器８１の外側に設けられた昇降機構８９ｂにより昇降可能に構成されている。また、下部容器８１ａには、昇降ピン８９ａをヒータＨの配線などに妨げられることなく昇降させるためのガイド部材８９ｃが設けられており、側壁の適宜位置には複数の冷却ガスの排気口８１ｇが設けられている。
【００５０】
上記加熱処理室Ｓ１には、ガス供給管８４により、ガス供給孔８１ｄを介して供給された不活性ガスよりなるパージガスにより図中点線で示す熱雰囲気の気流が発生するようになっている。また、冷却室Ｓ２内では、冷却ガス供給管８６ｂによりノズル部８６ａを介してプレートＰの裏面側に冷却ガスが吹き付けられて、プレートＰが所定温度に冷却され、当該プレートＰの温度調整が行われるようになっている。
【００５１】
また、上記プレートＰには、温度検出手段である例えば熱電対からなる温度センサＴＳが埋設されており、この温度センサＴＳによって検出された温度検出信号が制御手段例えば中央演算処理装置２００（以下にＣＰＵ２００という）に伝達され、ＣＰＵ２００からの制御信号が、ヒータＨと第１及び第２の開閉弁Ｖ１，Ｖ２に伝達されるようになっている。また、ＣＰＵ２００は、上記カセットステーション１（搬入・搬出部）に配設されてカセットＣ内の基板Ｇの有無を検出するセンサ（図示せず）からの検出信号を受けて処理される基板Ｇのロット単位の開始及び終了の情報が入力され、記憶されており、ＣＰＵ２００からの制御信号に基づいて第２の搬送装置３６が駆動制御されるようになっている。
【００５２】
したがって、温度センサＴＳによって検出された温度検出信号と、カセットステーション１（搬入・搬出部）側のセンサからの信号に基づいてＣＰＵ２００からの制御信号によって、ヒータＨと第１及び第２の開閉弁Ｖ１，Ｖ２と第２の搬送装置３６を制御することにより、プレートＰの温度を、先に熱処理されるロットの基板Ｇの処理温度と、次に熱処理されるロットの基板Ｇの処理温度とに切換設定することができ、基板Ｇを所定の熱処理ユニットすなわち第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃか、補助熱処理ユニットすなわち補助プリベークユニット７０ｓに搬送して熱処理することができる。
【００５３】
上記のように構成される熱処理装置８０を、プリベークユニット７０ａ〜７０ｃと、補助プリベークユニット７０ｓに配設することによって、異なる種類の熱処理が施されるロット毎の基板Ｇを連続して熱処理することができる。例えば、先に熱処理されるロットの基板Ｇの熱処理温度条件が、レジスト膜形成のプリベーク温度に最適な温度例えば１００℃で、次に熱処理されるロットの基板Ｇの熱処理温度条件が、絶縁膜（平坦化膜）形成のプリベーク温度に最適な温度例えば８０℃である場合、以下に示すような処理方法によって連続処理することができる。
【００５４】
なお、上記実施形態では、熱処理装置８０の加熱手段にヒータＨを用い、冷却手段に冷却ガスを用いる場合について説明したが、必ずしもこのような構造に限定されるものではない。例えば、プレートＰに設けられた流通路内に高温度の熱媒体を流通する加熱手段、同じくプレートＰに設けられた流通路内に低温度の熱媒体を流通する冷却手段としてもよい。
【００５５】
次に、上記処理方法について、図８を参照して説明する。まず、第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）のプレートＰを、先に処理されるロットの基板Ｇの熱処理温度例えば１００℃に設定し、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）のプレートＰを、次に熱処理されるロットの基板Ｇの熱処理温度例えば８０℃に設定する（図８（ａ）参照）。この状態で、第２の搬送装置３６が基板Ｇを順次上方側から第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）のプレートＰ上に搬送（搬入）し、プレートＰに受け渡して、基板Ｇの熱処理が行われる。熱処理が終了した基板Ｇは、再び第２の搬送装置３６によって第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）から取り出されて、次の処理部に搬送される。
【００５６】
このようにして、第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）での熱処理が行われて行き、ロットの最後の基板Ｇが第３のプリベークユニット７０ｃ（ＨＰ３）に搬入されて熱処理され、次に処理されるロットの最初の基板Ｇは、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）に搬入されて、８０℃の温度で熱処理される（図８（ｂ）参照）。この間、先に処理されるロットの最後から３番目の基板Ｇが第２の搬送装置３６によって第１のプリベークユニット７０ａ（ＨＰ１）から取り出される、つまり第１のプリベークユニット７０ａで先に処理される最後の基板Ｇが取り出されると、ＣＰＵ２００からの制御信号に基づいて、ヒータＨの加熱温度が低温側に制御されると共に、第１及び第２の開閉弁Ｖ１，Ｖ２が開放して冷却ガスがプレートＰに供給されて、第１のプリベークユニット７０ａのプレートＰの温度が１００℃から８０℃に切り換えられる（図８（ｂ）参照）。この状態で、次に処理されるロットの第２番目の基板Ｇが、第２の搬送装置３６によって第１のプリベークユニット７０ａ（ＨＰ１）に搬入されて、８０℃の温度で熱処理される。
【００５７】
次に、先に処理されるロットの最後から第２番目の基板Ｇが第２のプリベークユニット７０ｂ（ＨＰ２）から取り出されると、上述と同様に、第２のプリベークユニット７０ｂ（ＨＰ２）のプレートＰの温度が１００℃から８０℃に切り換えられる（図８（ｃ）参照）。この状態で、次に処理されるロットの第３番目の基板Ｇが、第２の搬送装置３６によって第２のプリベークユニット７０ｂ（ＨＰ２）に搬入されて、８０℃の温度で熱処理される。
【００５８】
次に、先に処理されるロットの最後の基板Ｇが第３のプリベークユニット７０ｃ（ＨＰ３）から取り出されると、上述と同様に、第３のプリベークユニット７０ｃ（ＨＰ３）のプレートＰの温度が１００℃から８０℃に切り換えられる（図８（ｄ）参照）。この状態で、次に処理されるロットの第４番目の基板Ｇが、第２の搬送装置３６によって第３のプリベークユニット７０ｃ（ＨＰ３）に搬入されて、８０℃の温度で熱処理される。この状態では、第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）の全てにおいて次に処理されるロットの第２番目〜第４番目の基板Ｇが８０℃の温度で熱処理され、第５番目以降の基板Ｇは、順次、第１〜第３プリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）に搬入されて熱処理される。この間、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）は、次に処理されるロットの最初の基板Ｇが、第２の搬送装置３６によって取り出された後、ＣＰＵ２００からの制御信号に基づいて、ヒータＨの加熱温度が高温側に制御されると共に、第１及び第２の開閉弁Ｖ１，Ｖ２が閉止して冷却ガスの供給が停止されて、プレートＰの温度が例えば８０℃から１００℃に切り換えられて、更に次に処理されるロットの基板Ｇの処理に備える（図８（ｅ），（ｆ）参照）。
【００５９】
上記のようにして、先に処理されるロットの基板Ｇを第１の処理部である第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）に搬送して熱処理している間、第２の処理部である補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）を、次に処理されるロットの基板Ｇの処理条件（８０℃）に設定して待機させ、第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）（第１の処理部）での処理が終了した後、次に処理されるロットの基板Ｇを補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）に搬送して処理することができる。また、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）での処理の間、プリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）（第１の処理部）を、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）と同様の処理条件（８０℃）に変更し、処理条件の変更された第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）（第１の処理部）に次に処理されるロットの基板Ｇを搬送して、処理を施すことができる。更に、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）での処理が終了した後、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）を、更に次に処理されるロットの基板Ｇの処理条件（例えば１００℃）に変更して待機させ、以下同様に、第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）（第１の処理部）と補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）の処理条件を、次に処理されるロットの基板Ｇの処理条件に変更して、複数の基板Ｇの熱処理を連続して行うことができる。したがって、異なる処理条件の複数のロットの基板Ｇを連続して処理することができる。よって、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）が１つ存在するのみで、異なる処理条件の複数のロットの基板Ｇを連続して熱処理することができる。
【００６０】
なお、上記説明では、第１〜第３のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）（第１の処理部）の温度設定と同時に、予め補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）の温度設定を行う場合について説明したが、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）の温度設定は、先に処理されるロットの基板Ｇがプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）（第１の処理部）で熱処理されている間に行うようにしてもよい。
【００６１】
なお、この場合、ある温度からある温度まで温度を変化させるのに必要な時間をまとめたテーブルを予め作成して記憶しておき、補助プリベークユニット７０ｓの温度設定のタイミングについて温度設定に必要な時間をテーブルより引き出して行うことができる。このとき、先に処理されるロットの最後の基板処理終了時間はＣＰＵ２００により算出できるので、この算出時間より温度設定に必要な時間より前に切り換えれば問題なく、この範囲内で補助プリベークユニット７０ｓの切換えタイミングをなるべく遅くすることにより、プリベークユニット７０ａ〜７０ｃと同様に補助プリベークユニット７０ｓも温度切換えのタイミングまで先に処理されるロットの処理に使用することも可能である。
【００６２】
また、上記実施形態では、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）が１つである場合について説明したが、補助プリベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）（第２の処理部）は少なくとも１つであれば、複数例えば２つであってもよい。
【００６３】
なお、例えばプリベークユニット７０ａ〜７０ｃの温度を先に処理する温度から次に処理する温度に切り換えるのに時間がかかる際には、温度の切換えが終了するまで補助プリベークユニット７０ｓのみで加熱処理を行い、プリベークユニット７０ａ〜７０ｃの温度の切換えが終了したら、順次プリベークユニット７０ａ〜７０ｃで加熱処理を行ってもよいのはいうまでもなく、スループットが低下しても連続して処理をすることが可能である。
【００６４】
上記第３の熱的処理ユニットセクション２８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック３７，３８（ＴＢ）を有しており、熱的処理ユニットブロック３７（ＴＢ）は現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）側に設けられ、熱的処理ユニットブロック３８（ＴＢ）はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック３７，３８（ＴＢ）の間に、搬送手段である第３の搬送装置３９が設けられている。熱的処理ユニットブロック３７（ＴＢ）は、図６の側面図に示すように、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット７３（ＰＡＳＳ）、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット７０ｈ，７０ｇ，７０ｆ（ＨＰ８，ＨＰ７，ＨＰ６）の４段積層されて構成されている。また、熱的処理ユニットブロック３８（ＴＢ）は、下から順にポストベークユニット７０ｉ（ＨＰ９）、基板Ｇの受け渡し及び冷却を行うパス・クーリングユニット７４（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット７０ｊ，７０ｋ（ＨＰ１０，ＨＰ１１）と、１つの補助ポストベークユニット７０ｓ（ＨＰＳ）の５段積層されて構成されている。
【００６５】
第３の搬送装置３９は、パスユニット７３（ＰＡＳＳ）を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット２５（ｉ−ＵＶ）からの基板Ｇを受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入・搬出、パス・クーリングユニット７４（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してのカセットステーション１への基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック３７，３８（ＴＢ）のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００６６】
このように構成することにより、第３の熱的処理ユニットセクション２８においても、上記第２の熱的処理ユニットセクション２７と同様に、異なる処理条件（温度条件）の複数のロットの基板Ｇを連続して熱処理することができる。
【００６７】
なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）及びエキシマＵＶ照射ユニット２２（ｅ−ＵＶ）への基板Ｇの搬入は、カセットステーション１の搬送装置１１によって行われる。また、スクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）の基板Ｇは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック３１（ＴＢ）のパスユニット６１（ＰＡＳＳ）に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第１の搬送装置３３により搬送される。また、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、第１の搬送装置３３により基板Ｇがパスユニット６５（ＰＡＳＳ）に受け渡された後、一対のサブアーム５６により搬入口５７から行われる。レジスト処理ユニット２３では、サブアーム５６により基板Ｇが搬出口５８を通って熱的処理ユニットブロック３４（ＴＢ）のパスユニット６９（ＰＡＳＳ）まで搬送され、そこで突出されたピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）への基板Ｇの搬入は、熱的処理ユニットブロック３５（ＴＢ）のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３において図示しないピンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させることにより、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。ｉ線ＵＶ照射ユニット２５（ｉ−ＵＶ）の基板Ｇは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック３７（ＴＢ）のパスユニット７３（ＰＡＳＳ）に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第３の搬送装置３９により搬送される。更に全ての処理が終了した後の基板Ｇは、熱的処理ユニットブロック３８（ＴＢ）のパス・クーリングユニット７４（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に搬送されてカセットステーションの搬送装置１１により搬出される。
【００６８】
処理ユニットステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ，Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニット及び搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ，Ｂの間には、空間部４０が設けられている。そして、この空間部４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１は基板Ｇを保持可能に構成されており、搬送ラインＡ，Ｂとの間で基板Ｇが受け渡し可能となっている。
【００６９】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間での間で基板Ｇの搬入・搬出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ４４（ＥＸＴ・ＣＯＬ）とを有しており、タイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入・搬出が行われる。
【００７０】
このように構成されたレジスト塗布現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット２２（ｅ−ＵＶ）に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送機構１１により、基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット２２（ｅ−ＵＶ）の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理及び乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック３１（ＴＢ）のパスユニット６１（ＰＡＳＳ）に搬出される。
【００７１】
パスユニット６１（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック３１（ＴＢ）の脱水ベークユニット６２，６３（ＤＨＰ）のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック３２（ＴＢ）のクーリングユニット６６，６７（ＣＯＬ）のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック３１（ＴＢ）のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、及び熱的処理ユニットブロック３２（ＴＢ）のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）され、その後、クーリングユニット６６，６７（ＣＯＬ）のいずれかに搬送されて冷却され、更に熱的処理ユニットブロック３２（ＴＢ）のパスユニット６５（ＰＡＳＳ）に搬送される。この際に搬送処理は全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Ｇは、脱水ベーク及び冷却の後、直ちにパスユニット６５（ＰＡＳＳ）に搬送される。
【００７２】
その後、パスユニット６５（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、基板Ｇは、まずその中のレジスト塗布処理装置２３ａ（ＣＴ）に搬送され、そこで基板Ｇに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム５６により減圧乾燥装置２３ｂ（ＶＤ）に搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム５６により周縁レジスト除去装置２３ｃ（ＥＲ）に搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Ｇはサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置２３ａ（ＣＴ）の後に減圧乾燥装置２３ｂ（ＶＤ）を設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有功に防止することができるからである。
【００７３】
このようにして塗布処理が終了し、サブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック３４（ＴＢ）のパスユニット６９（ＰＡＳＳ）に受け渡される。パスユニット６９（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック３４（ＴＢ）のプリベークユニット７０ａ〜７０ｃ（ＨＰ１〜ＨＰ３）及び熱的処理ユニットブロック３５（ＴＢ）のプリベークユニット７０ｄ，７０ｅ（ＨＰ４，ＨＰ５）のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック３５（ＴＢ）のクーリングユニット７２（ＣＯＬ）に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、更に熱的処理ユニットブロック３５（ＴＢ）のパスユニット７１（ＰＡＳＳ）に搬送される。
【００７４】
その後、基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ４４（ＥＸＴ・ＣＯＬ）へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ４３（ＢＵＦ）上のバッファカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００７５】
露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ４４（ＥＸＴ・ＣＯＬ）に載置され、そこから再び処理ステーション２に搬入される。すなわち、基板Ｇは第２の搬送装置３６により、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック３５（ＴＢ）のパスユニット７１（ＰＡＳＳ）に搬送される。そして、パスユニット７１（ＰＡＳＳ）においてピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）からパスユニット７１（ＰＡＳＳ）まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Ｇが現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、及び乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
【００７６】
現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット２５（ｉ−ＵＶ）に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット２５（ｉ−ＵＶ）内の搬送機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック３７（ＴＢ）のパスユニット７３（ＰＡＳＳ）に搬出される。
【００７７】
パスユニット７３（ＰＡＳＳ）に配置された基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック３７（ＴＢ）のポストベークユニット７０ｆ〜７０ｈ（ＨＰ６〜ＨＰ８）及び熱的処理ユニットブロック３８（ＴＢ）のポストベークユニット７０ｉ〜７０ｋ（ＨＰ９〜ＨＰ１１）のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック３８（ＴＢ）のパス・クーリングユニット７４（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００７８】
以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）、レジスト処理ユニット２３、及び現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）をその中で基板Ｇが略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、これらを処理の順に、基板Ｇの搬送ラインが２列となるように配置し、基板Ｇをこの平行な２列の搬送ラインＡ，Ｂに沿って流しながら一連の処理を行うようにしたので高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間の走行する大がかりな中央搬送装置及びそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができ、フットプリントを小さくすることができる。また、スクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）及び現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）では、基板Ｇを回転させずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し方式であるので、従来基板Ｇを回転させる際に多く発生していたミストを減少させることが可能となる。
【００７９】
また、スクラブ洗浄処理ユニット２１（ＳＣＲ）、レジスト処理ユニット２３、及び現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第１から第３の熱処理ユニットセクション２６，２７，２８を設け、しかもこれらを熱的処理ユニットを複数段積層した熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）で構成したので、その分さらにフットプリントを小さくすることができるとともに、熱的処理を基板Ｇの搬送を極力少なくして基板Ｇの処理の流れに沿って行うことができるようになるので、よりスループットを高めることができる。また、各熱的処理ユニットセクションにそれぞれ対応して各熱的処理ユニットセクション専用の第１から第３の搬送装置３３，３６，３９を設けたので、このことによってもスループットを高くすることができる。
【００８０】
以上が基本的な処理パターンであるが、本実施形態では、処理ステーション２において２列の搬送ラインＡ，Ｂの間に空間部４０が設けられており、この空間部４０を往復動可能にシャトル４１が設けられているので、上記基本的な処理パターンの他に種々のパターンの処理を行うことができ、処理の自由度が高い。
【００８１】
例えば、レジスト処理だけ行いたいという場合には、以下のような手順により可能である。まず、シャトル４１をカセットステーション１に隣接した位置まで移動させておき、次いで、搬送装置１１によりカセットＣの基板Ｇを一枚取り出してシャトル４１上に載置し、シャトル４１を第１の搬送装置３３に対応する位置まで移動させ、第１の搬送装置３３によりシャトル４１上の基板Ｇをアドヒージョン処理ユニット６４，６８（ＡＤ）のいずれかに搬送し、基板Ｇに対してアドヒージョン処理を行った後、基板Ｇをクーリングユニット６６（ＣＯＬ）または６７で冷却し、熱的処理ユニットブロック３２（ＴＢ）のパスユニット６５（ＰＡＳＳ）を経てレジスト処理ユニット２３へ搬入する。そして、レジスト処理ユニット２３において周縁レジスト除去装置２３ｃ（ＥＲ）によるレジスト除去処理が終了し、熱的処理ユニットブロック３４（ＴＢ）のパスユニット６９（ＰＡＳＳ）に基板Ｇを搬出し、第２の搬送装置３６によって基板Ｇをシャトル４１に載置し、カセットステーション１へ戻す。なお、アドヒージョン処理を行わない場合には、シャトル４１から基板Ｇを受け取った第１の搬送装置３３が直接パスユニット６５（ＰＡＳＳ）へ基板を搬送する。
【００８２】
また、現像処理のみを行いたい場合には、以下のような手順により可能である。まずカセットステーション１から基板Ｇを受け取ったシャトル４１を、第２の搬送装置３６に対応する位置まで移動させ、第２の搬送装置３６によりシャトル４１上の基板Ｇを熱的処理ユニットブロック３５（ＴＢ）のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３を経て現像処理ユニット２４（ＤＥＶ）へ搬入する。そして、現像処理及びｉ線ＵＶ照射ユニット２５（ｉ−ＵＶ）による脱色処理が終了して基板Ｇを熱的処理ユニットブロック３７（ＴＢ）のパスユニット７３（ＰＡＳＳ）に搬出し、第３の搬送装置３９によって基板Ｇをシャトル４１に載置し、カセットステーション１へ戻す。
【００８３】
なお、シャトル４１を使用しないときは、シャトル４１を空間部４０の端部に退避させておくことにより、空間部４０をメンテナンススペースとして用いることができる。
【００８４】
このようなシャトル４１は、従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は必要がなく、シャトル４１を設けても省スペース効果は維持される。
【００８５】
なお、上記実施形態では、被処理体がＬＣＤガラス基板である場合について説明したが、被処理体はＬＣＤガラス基板に限定されるものではなく、例えば半導体ウエハやＣＤ等においてもこの発明は同様に適用できるものである。
【００８６】
また、上記実施形態では、被処理体を加熱処理する場合について説明したが、必ずしも加熱処理に限定されるものではなく、冷却処理あるいは異なる処理雰囲気で処理を施す場合についてもこの発明は適用できるものである。
【００８７】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明は、上記のように構成されるので、以下のような優れた効果が得られる。
【００８８】
１）請求項１〜４，６，９，１０，１３記載の発明によれば、第１の処理部と少なくとも１つの第２の処理部の処理条件を、次に処理される被処理体の処理条件に変更して、複数の被処理体の処理を連続して行うことができるので、装置全体の小型化を維持することができると共に、異なる処理条件の複数の被処理体を連続して処理することができる。しかも、第２の処理部が少なくとも１つ存在するのみで、異なる処理条件の複数の被処理体を連続して処理することができる。
【００８９】
２）請求項７，１４記載の発明によれば、第１の処理部を複数の処理ユニットにて形成し、各処理ユニットを順次、次に処理される被処理体の処理条件に変更させると共に、変更された処理ユニットに順次、次に処理される被処理体を搬送して処理を行うことができるので、実際に処理される被処理体の複数を同時に処理することができ、上記１）に加えて更に処理効率の向上を図ることができる。
【００９０】
３）請求項５，８，１１，１２，１５，１６記載の発明によれば、第１の処理部及び第２の処理部を、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理部とすることで、異なる熱処理条件の複数の被処理体を連続して熱処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
この発明に係る処理装置を組み込んだＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理システムを示す斜視図である。
【図２】
上記レジスト塗布現像処理システムの概略平面図である。
【図３】
上記レジスト塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布現像装置のレジスト処理ユニットの内部を示す平面図である。
【図４】
上記レジスト塗布現像装置の第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図である。
【図５】
上記レジスト塗布現像装置の第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図である。
【図６】
上記レジスト塗布現像装置の第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図である。
【図７】
この発明に係る熱処理装置の要部を示す断面図である。
【図８】
この発明に係る処理方法の工程の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
１  カセットステーション（搬入・搬出部）
２  処理ステーション（処理部）
２３  レジスト処理ユニット
２４  現像処理ユニット
２６〜２８  第１〜第３の熱処理ユニットセクション
３６  第２の搬送装置（搬送手段）
３９  第３の搬送装置（搬送手段）
７０ａ〜７０ｃ  第１〜第３のプリベークユニット（熱処理ユニット、第１の処理部）
７０ｓ  補助プリベークユニット（補助熱処理ユニット、第２の処理部）
８０  熱処理装置
８６ａ  ノズル部
８７  冷却ガス供給源
８８  冷却装置
Ｇ  基板（被処理体）
Ｈ  ヒータ（加熱手段）
Ｐ  プレート（載置台）
ＴＳ  温度センサ（温度検出手段）
Ｖ１，Ｖ２  開閉弁
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
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