【手続補正書】
【提出日】平成15年9月5日(2003.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電気力により駆動されるＭＥＭＳ装置であって、
平面状表面（１２）を形成する超小形電子基板（１０）と、
前記基板（１０）の表面上に層を形成する基板電極（２０）と、
前記基板電極（２０）を電気的に絶縁する絶縁体（３０）と、
前記基板電極（２０）に上重ねされ、かつ電極層（４０）と偏倚層（６０）、
下重ねされた前記基板（１０）に取付けられている固定部分（７０）、および前記基板電極（２０）に対して可動の遠位部分（１００）を有する位置的に偏倚された可動複合体（５０）と、
前記可動複合体（５０）に取付けられている少なくとも１つの複合体接点（２７，２３）をそれぞれ有する第１および第２の接点組（２２，２３および２６，２７）と、を含んで成り、
前記各接点組（２２，２３および２６，２７）は、前記可動複合体（５０）の遠位部分（１００）が前記基板（１０）に引きつけられた場合に電気的に接続されることを特徴とするＭＥＭＳ装置。
【請求項２】
前記接点組のうちの１つの接点組（２２，２３）は、静電気力が前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）に印加されないときに該可動複合体が偏倚位置をとる場合、前記可動複合体（５０）の遠位部分（１００）により近く位置することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３】
前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）の遠位部分（１００）は、前記超小形電子基板（１０）に対して位置的に偏倚されていることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項４】
前記第１の接点組（２２，２３）内の少なくとも１つの接点（２２，２３）は、それぞれの表面から突出する接点と、それぞれの表面と略面一の接点と、略滑らかな表面を有する接点と、略粗い表面を有する接点とから成る群から選択される１つの接点を含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項５】
前記第２の接点組（２６，２７）内の少なくとも１つの接点（２６，２７）は、それぞれの表面から突出する接点と、それぞれの表面と略面一の接点と、略滑らかな表面を有する接点と、略粗い表面を有する接点とから成る群から選択される１つの接点を含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項６】
前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）は、該可動複合体の遠位部分（１００）が前記超小形電子基板（１０）に引付けられた場合に、該基板（１０）の表面にほぼ従うことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項７】
前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）の前記電極層（４０）および前記偏倚層（６０）は、１つ以上の略可撓性の材料から形成されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項８】
前記第１の接点組（２２，２３）は、前記第２の接点組（２６，２７）に比して、前記位置的に偏倚された可動複合体の遠位部分（１００）により近位に位置することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項９】
前記第２の接点組（２６，２７）は、前記第１の接点組（２２，２３）に比して、前記位置的に偏倚された可動複合体の固定部分（７０）により近位に位置することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１０】
前記第１の接点組（２２，２３）は、前記第２の接点組（２６，２７）が接続解除される前に電気的に接続解除されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１１】
前記第２の接点組（２６，２７）は、少なくとも２つの接点組の配列を含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１２】
前記第２の接点組（２６，２７）は、前記複合体の遠位部分（１００）が前記基板（１０）から分離すると、前記第２の接点組内のすべての接点を略同時に電気的に接続解除するように配置されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１３】
前記第２の接点組（２６，２７）は、少なくとも２つの接点組の線形配列を含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１４】
前記第１の接点組（２２，２３）は、単一の接点組を含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１５】
前記第１の接点組（２２，２３）は、前記第２の接点組（２６，２７）に電気的に並列接続されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１６】
前記第２の接点組（２６，２７）の電気抵抗は、前記第１の接点組（２２，２３）の電気抵抗に比してより大きいことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１７】
各接点組は、前記基板（１０）に取付けられている少なくとも１つの基板接点（２２，２６）を有することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１８】
前記第１の接点組および前記第２の接点組のうちの少なくとも１つは、前記基板（１０）に取付けられている一対の接点（２２，２６）と、前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）に取付けられている１つの接点（２３，２７）を含んで成り、これにより、前記基板（１０）に取付けられている前記一対の接点を電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項１９】
前記第１および前記第２の接点組（２２，２３および２６，２７）は、少なくとも１つの共通の接点を共有することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２０】
前記１つの共通の接点は、前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）に取付けられていることを特徴とする請求項１８に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２１】
前記第２の接点組（２６，２７）内の前記接点が、電気的に直列接続されている請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２２】
前記第２の接点組（２６，２７）内の各接点は、電気的に並列接続されていることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２３】
前記接点組のうちの少なくとも一つの接点組は、前記基板電極（２０）から電気的に絶縁されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２４】
前記偏倚層（６０）は、前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）の遠位部分（１００）が略カールして前記基板（１０）から遠ざかることを強制することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２５】
前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）の偏倚層（６０）および電極層（４０）が異なる熱膨張係数を有して、前記可動複合体（５０）がカールすることを強制することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２６】
前記偏倚層（６０）は、少なくとも２つの重合体フィルムを含んで成り、前記重合体フィルムのうちの少なくとも一つは、前記電極層（４０）と異なる熱膨張係数を有して、位置的に偏倚された可動複合体（５０）がカールするのを強制することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２７】
前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）の前記遠位部分（１００）は、前記基板電極（２０）と前記可動複合体（５０）の電極層（４０）との間にいかなる静電気力も形成されていない場合にカールして、前記基板（１０）の上面（３２）により形成されている平面から出ることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２８】
前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）の接点（２３，２７）のうちの少なくとも一つは、前記可動複合体（５０）の電極層（４０）から電気的に絶縁されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２９】
さらに、電気エネルギー源（１３５）と、前記第１および前記第２の接点組（２２，２３および２６，２７）に電気的に接続されている切換え可能装置（１３７）とを含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３０】
超小形電子基板（１０）と、下重ねされた基板に取付けられている固定部分（７０）および可動遠位部分（１００）を有する位置的に偏倚された可動複合体（５０）と、この可動複合体（５０）および前記基板上に位置する接点を有する第１および第２の接点組（２２，２３および２６，２７）とを有するＭＥＭＳ装置を使用する方法であって、
前記基板へ向かって前記可動複合体の遠位部分を動かすステップと、
前記第１および第２の接点組の接点を電気的に接続するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３１】
さらに、前記電気的に接続するステップの後に、前記第１の接点組内の接点の接続と前記第２の接点組内の接点の接続を順次解除するステップを含むことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記ＭＥＭＳ装置は、さらに、前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）内に位置する電極層（４０）と、前記超小形電子基板（１０）内に位置する基板電極（２０）とを有し、前記可動複合体（５０）は、前記基板電極（２０）と該可動複合体（５０）の前記電極層（４０）との間に形成される静電気力に応答して可動であり、前記基板電極（２０）と、前記可動複合体（５０）の前記電極層（４０）との間に静電気力を選択的に発生させるステップを含むことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）を動かすステップは、前記可動複合体（５０）のカールを解除して、該可動複合体（５０）を前記基板（１０）に略平行に位置させるステップを含むことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
前記接点を順次に接続解除するステップは、前記基板（１０）から前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）を分離するステップを含むことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
前記基板（１０）から前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）を分離するステップは、略枢転による変位で前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）を動かして、該複合体（５０）を前記基板から遠ざけることを含むことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）を前記基板（１０）から分離する前記ステップは、前
記位置的に偏倚された可動複合体（５０）を動かして前記基板（１０）から遠ざけることにより、前記固定部分（７０）から最も離れた前記遠位部分（１００）を前記基板から分離させ、次いで、前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）の残りを前記基板から分離することを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
前記第１の接点組および前記第２の接点組（２２，２３および２６，２７）内の接点を順次に接続解除するステップは、前記第１の接点組（２２，２３）の接点を電気的に接続解除し、次いで、前記第２の接点組（２６，２７）を電気的に接続解除することを含むことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
【請求項３８】
前記第１および第２の接点組（２２，２３および２６，２７）内の接点を順次に接続解除するステップは、前記第２の接点組内の複数の接点を同時モードで接続解除することを含むことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
【請求項３９】
前記第１および第２の接点組（２２，２３および２６，２７）内の接点を順次に接続解除するステップは、前記第１の接点組内の単一の接点対を接続解除することを含むことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
【請求項４０】
前記第１および第２の接点組（２２，２３および２６，２７）内の接点を順次に接続解除するステップは、前記第１の接点組（２２，２３）内の接点を接続解除し、次いで、前記第２の接点組（２６，２７）内のすべての接点を同時モードで接続解除することを含むことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
【請求項４１】
前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）を前記基板（１０）から分離するステップは、前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）をカールさせて前記基板（１０）から遠ざけることを含むことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項４２】
前記位置的に偏倚された可動複合体（５０）をカールさせて前記基板（１０）から遠ざけるステップは、さらに、前記第１の接点組（２２，２３）内の接点を順次に接続解除し、次いで、前記第２の接点組（２６，２７）内の接点を接続解除することを含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
電気的スイッチおよびリレーを操作するために静電気力を使用するマイクロ機械加工ＭＥＭＳ静電式装置が、形成された。電気的接続を形成および解除するために、下重ねに位置する基板から分離された比較的剛性のカンチレバー部材を使用する様々なＭＥＭＳリレーおよびスイッチが開発された。通常、これらのＭＥＭＳ装置内のカンチレバーの自由端に位置する接点は、電気的接続が選択的に確立されることが可能であるように、カンチレバーが反ると動く。それ自体として、上記接点がこれらのＭＥＭＳ装置内で接続されると、カンチレバーの大部分は、下重ねに位置する基板から分離されたままである。例えば、Ｂｕｃｋらの米国特許第５，３６７，１３６号、第５，２５８，５９１号および第５，２６８，６９６号と、Ｉｃｈｉｙａらの米国特許第５，５４４，００１号、Ｋａｓａｎｏらの米国特許第５，２７８，３６８号、Ｙａｏらの米国特許第５，５７８，９７６号およびＡｌｌｅｎらの米国特許第４，７３７，６６０号は、このクラスのマイクロ工学によるスイッチおよびリレー装置の代表的なものである。