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【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に貼り付けられているものであって、微小なタイル形状の素子からなる微小タイル状素子と、
前記微小タイル状素子と前記基板とを電気的に接続する配線の通り道となる部位であって、該微小タイル状素子の上面及び側面の一部を少なくとも含む部位に設けられた絶縁物と、
少なくとも前記絶縁物の上面を横断するように設けられた配線とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁物は、前記基板における前記配線の通り道となる部位であって、前記微小タイル状素子の側面付近にも設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁物は、樹脂、ガラス、セラミックのいずれかからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁物は、酸化シリコンからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記微小タイル状素子は、面発光レーザ、発光ダイオード、フォトダイオード、フォトトランジスタ、高電子移動度トランジスタ、ヘテロバイポーラトランジスタ、インダクター、キャパシター及び抵抗のうちの少なくとも一つを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記微小タイル状素子は、面発光レーザを有し、
前記配線は、前記面発光レーザのアノード電極又はカソード電極と前記基板に設けられている電極又は素子とを電気的に接続するものであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項８】
基板に微小タイル状素子を貼り付け、
前記微小タイル状素子の側面の所望箇所を横断するように該絶縁物を形成し、
前記絶縁物の上を横断するように、導電体膜からなる配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記配線は、前記微小タイル状素子の上面に設けられた電極と前記基板に設けられた電極とを接続するように形成されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁物は、液状体の絶縁材料を前記所望箇所に塗布し、その後硬化させることで形成することを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁物は、液滴吐出方式を用いて形成することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記配線は、液滴吐出方式を用いて形成することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記微小タイル状素子は、エピタキシャルリフトオフ法を用いて前記基板に接着することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記微小タイル状素子は、
エッチングによって除去することが可能な層である犠牲層を最下層に有する半導体基板に、半導体素子を形成し、
前記半導体基板の表面に、少なくとも前記犠牲層に到達する深さをもつ溝である分離溝を形成し、
前記半導体基板の表面に、フィルムを貼り付け、
前記分離溝と前記フィルムで囲まれた空間にエッチング液を注入して、前記犠牲層をエッチングすることで、前記半導体素子を前記半導体基板から切り離すことで形成し、
前記基板への微小タイル状素子の貼り付けは、
前記半導体基板から切り離された前記半導体素子を前記フィルムに貼り付けた状態でハンドリングして、前記基板の所望位置に接着することで行うことを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
基板と、
前記基板上に形成され側面が順テーパー状のタイル部と、該タイル部上に形成された柱状部と、を有する微小タイル状素子と、
前記タイル部の上面に形成され、側面が順テーパー状の絶縁層と、
前記タイル部の上面に形成された第１電極と、
前記柱状部の上面および前記絶縁層の上面に形成された第２電極と、
前記タイル部の側面の上と、前記第１電極の上面の一部と、に形成された第１の絶縁物と、
前記タイル部の側面の上と、前記絶縁層の側面の上と、前記第２電極の上面の一部と、に形成された第２の絶縁物と、
前記基板上の一部と、前記第１の絶縁物の上面と、前記第１電極の上面の一部と、に形成された第１配線と、
前記基板上の一部と、前記第２の絶縁物の上面と、前記第２電極の上面の一部と、に形成された第２配線と、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入力信号とＲＦ電気信号とに応答して出力として変調された光信号を生成する、光基板上に形成されたマッハ−ツェンダ電気光学変調器であって、
前記光基板の表面に沿って配置された入力光導波路スプリッタを有し、前記光入力信号は、前記スプリッタに結合して、前記スプリッタのブランチから一対の光導波路アームに沿って伝搬し、さらに、
前記入力光導波路スプリッタを越えて前記光基板の表面に沿って配置された出力光導波路再結合器を有し、前記出力光導波路再結合器は一対の光導波路アームと少なくとも１つの出力光ポートとを有し、前記一対の光導波路アームは、前記入力光導波路スプリッタから延びる前記一対の光導波路アームと結合して、第１及び第２導波路を形成するものであり、さらに、
前記第１導波路の第１所定長さ（Ｌ１）をカバーするよう配置されたＲＦ電極を有し、前記ＲＦ電極は、前記ＲＦ電極の位置を前記第１導波路から第２導波路へシフトさせる遷移領域を含むよう形成され、前記ＲＦ電極は、さらに第２導波路の第２所定長さ（Ｌ２）をカバーするよう配置されており、さらに、
前記第２導波路の前記第１所定長さと前記第１導波路の前記第２所定長さとをカバーするよう配置された接地電極を有し、
前記光基板材料は、前記ＲＦ電極が前記第２導波路をカバーするよう配置された領域に反転領域を有するよう形成されていることを特徴とする変調器。
【請求項２】
前記光基板はリチウムナイオバイトを含むことを特徴とする請求項１に記載の変調器。
【請求項３】
前記第１導波路と前記第２導波路の前記第１所定長さに電気光学的に誘起される位相シフトは、前記光信号のチャープを実質的にキャンセルするように、前記第１導波路と前記第２導波路の前記第２所定長さに電気光学的に誘起される位相シフトに等しいことを特徴とする請求項１に記載の変調器。
【請求項４】
前記第１導波路と前記第２導波路の前記第１所定長さに電気光学的に誘起される位相シフトは、光出力信号内に所定量のチャープを導入するよう、前記第１導波路と前記第２導波路の前記第２所定長さに電気光学的に誘起される位相シフトに等しくないことを特徴とする請求項１に記載の変調器。
【請求項５】
前記接地電極は光基板の表面をカバーする接地プレーンとして形成され、前記変調器はさらに、前記接地プレーンとＲＦ電極との間の絶縁を維持する絶縁領域をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の変調器。
【請求項６】
光入力信号とＲＦ電気信号とに応答して出力として変調された光信号を生成する、光基板上に形成されたマッハ−ツェンダ電気光学変調器であって、
前記光基板の表面に沿って配置された入力光導波路スプリッタを有し、前記光入力信号は、前記スプリッタに結合して、前記スプリッタのブランチから一対の光導波路のアームに沿って伝搬し、さらに、
前記入力光導波路スプリッタを越えて前記光基板の表面に沿って配置された出力光導波路再結合器を有し、前記出力光導波路再結合器は一対の光導波路アームと少なくとも１つの出力光ポートとを有し、前記一対の光導波路アームは、前記入力光導波路スプリッタから延びる前記一対の光導波路アームと結合して、第１及び第２導波路を形成するものであり、さらに、
前記第１導波路と前記第２導波路とのカバーの間に配置された電極遷移領域で、前記第１導波路と前記第２導波路とのある長さを交互にカバーするよう配置されたＲＦ電極と、
前記第１導波路と前記第２導波路を交互に覆う前記ＲＦ電極とは反対に配置された接地電極とを有し、前記光基板材料は、前記ＲＦ電極が前記第２導波路をカバーするよう配置されている各領域に反転領域を示すよう形成されていることを特徴とする変調器
【請求項７】
前記光基板はリチウムナイオバイトを含むことを特徴とする請求項６に記載の変調器。
【請求項８】
前記ＲＦ電極によりカバーされる第１導波路の各セクションに電気光学的に誘導される位相シフトは、光出力信号内にあるチャープをキャンセルするように、前記ＲＦ電極によりカバーされる第２導波路の各セクションに電気光学的に誘導される位相シフトに等しいことを特徴とする請求項６に記載の変調器。
【請求項９】
前記ＲＦ電極によりカバーされる第１導波路の各セクションに電気光学的に誘導される位相シフトは、光出力信号内に所定量のチャープを導入するように、前記ＲＦ電極によりカバーされる第２導波路の各セクションに電気光学的に誘導される位相シフトに等しいことを特徴とする請求項６に記載の変調器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図６には、撮像素子３の部分断面図を示す。撮影レンズ１は図の左側に位置し、撮像レンズ１を射出した光束は、撮像素子３の入射面側に『１画素』ごとに設けられたマイクロレンズ４ｍｎに入射する。実際にはマイクロレンズの後方にはカラーフィルターや配線が配置されているが、ここでは図示していない。マイクロレンズ４ｍｎに入射した光束は、所定の屈折を受けて光電変換部３ｍｎａ，３ｍｎｂに到達する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
各マイクロレンズ４のパワーは、撮像素子３の画素内の各光電変換部３ｍｎａ，３ｍｎｂを撮像レンズ１の射出瞳に投影するように設定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
次に、焦点調節状態の検出を行う際の絞り羽根の動作を説明する。この場合、カム板６の回転によって２枚の絞り羽根２３，２６のみを撮影光路内に突出させるために、図１０に示した開放の状態からカム板６を時計回り方向に回転させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
なお、上記各実施形態では、焦点調節状態の検出時に絞り２において２つの光通過口を形成する場合について説明したが、３つ以上の光通過口を形成するようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2002350718.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2002350718.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2002350718.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の像を撮像する３枚レンズ構成の単焦点レンズであって、物体側より順に、少なくとも一面を非球面とされた弱いパワーの第１レンズと、像面側を凸面形状とされた正の屈折力を有する第２レンズと、少なくとも一面を非球面とされた弱いパワーの第３レンズを配列してなることを特徴とする単焦点レンズ。
【請求項２】
前記第１レンズと前記第２レンズの間に絞りを配設したことを特徴とする請求項１記載の単焦点レンズ。
【請求項３】
前記第１レンズおよび第３レンズはプラスチック材よりなることを特徴とする請求項１または２記載の単焦点レンズ。
【請求項４】
以下の条件式（１）〜（３）を満足することを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項記載の単焦点レンズ。
｜ｆ´／ｆ´１｜＜0.5    ………  （１）
0.5＜ｆ´／ｆ´２＜2.0    ………  （２）
｜ｆ´／ｆ´３｜＜0.5    ………  （３）
ただし、
ｆ´  ：レンズ系全体の焦点距離
ｆ´１：第１レンズの焦点距離
ｆ´２：第２レンズの焦点距離
ｆ´３：第３レンズの焦点距離
【請求項５】
前記第１レンズは、物体側に凹面を向けたメニスカス形状とされていることを特徴とする請求項１から４のうちいずれか１項記載の単焦点レンズ。
【請求項６】
以下の条件式（４）および（５）を満足することを特徴とする請求項１から５のうちいずれか１項記載の単焦点レンズ。
1.65＞Ｎｄ２        ………  （４）
50＜νｄ２          ………  （５）
ただし、
Ｎｄ２：第２レンズのｄ線における屈折率
νｄ２：第２レンズのｄ線におけるアッベ数
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の単焦点レンズは、物体の像を撮像する３枚レンズ構成の単焦点レンズであって、物体側より順に、少なくとも一面を非球面とされた弱いパワーの第１レンズと、像面側を凸面形状とされた正の屈折力を有する第２レンズと、少なくとも一面を非球面とされた弱いパワーの第３レンズを配列してなることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学アレイ、それを用いた光学装置、及びＬＥＤヘッド


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々の光軸に対して垂直方向に配列された複数の横シリンドリカルレンズ部と、少なくとも一列の縦シリンドリカルレンズ部とを有するシリンドリカルレンズを、仕切枠の上下に各レンズアレイのレンズの焦点距離に応じた間隔で配置したことを特徴とする光学アレイ。
【請求項２】
前記シリンドリカルレンズアレイは、それぞれ縦シリンドリカルレンズ部、横シリンドリカルレンズ部毎に同一の焦点距離のレンズを有する請求項１記載の光学アレイ。
【請求項３】
前記シリンドリカルレンズアレイは、縦シリンドリカルレンズ部と横シリンドリカルレンズ部を別のレンズにより構成した請求項１記載の光学アレイ。
【請求項４】
前記シリンドリカルレンズアレイは、縦シリンドリカルレンズ部と横シリンドリカルレンズ部を一体に構成した請求項１記載の光学アレイ。
【請求項５】
前記シリンドリカルレンズアレイは、縦シリンドリカルレンズ部を一列で構成した請求項１記載の光学アレイ。
【請求項６】
前記シリンドリカルレンズアレイは、縦シリンドリカルレンズ部を複数列で構成した請求項１記載の光学アレイ。
【請求項７】
前記シリンドリカルレンズアレイは、横シリンドリカルレンズ部の焦点距離と縦シリンドリカルレンズ部の焦点距離を等しく構成した請求項１記載の光学アレイ。
【請求項８】
前記シリンドリカルレンズアレイは、縦シリンドリカルレンズ部の焦点距離が横シリンドリカルレンズ部の焦点距離の３倍である請求項１記載の光学アレイ。
【請求項９】
横方向に複数形成された発光素子アレイと前記請求項１の光学アレイにより形成した光学装置。
【請求項１０】
横方向に複数形成された受光素子アレイと前記請求項１の光学アレイにより形成した光学装置。
【請求項１１】
横方向に複数形成されたＬＥＤアレイと、
各々の光軸に対して垂直方向に配列された複数の横シリンドリカルレンズ部と、少なくとも一列の縦シリンドリカルレンズ部とを有するシリンドリカルレンズを、仕切枠の上下に各レンズアレイのレンズの焦点距離に応じた間隔で配置した光学アレイとから構成されるＬＥＤヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の外部結合をおこなうための光外部結合装置において、受信した光の偏光状態を第１の方法で変換する第１の偏光変換器と、受信した光の偏光状態を第２の方法で変換する第２の偏光変換器と、光を受信し、該受信した光の一部分を外部結合し、該外部結合された一部分の比率が、該受信した光の偏光状態に実質的に依存するようにした偏光依存性結合装置とを有し、前記偏光依存性結合装置が、前記第１の偏光変換器と前記第２の偏光変換器間に配置され、前記光外部結合装置が、相異なる方向に伝搬する光を相異なる側から受信し、前記第１の偏光変換器と前記第２の偏光変換器の特性が、前記偏光依存性結合装置が相異なる方向に相異なる偏光状態で伝搬する前記光を受信するように構成されている光外部結合装置。
【請求項２】
前記第１の偏光変換器が、第１の回転角度偏光状態を回転するように構成され、前記第２の偏光変換器が、第２の回転角度偏光状態を回転するように構成されている請求項１に記載の光外部結合装置。
【請求項３】
前記第１と第２の回転角度が、ほぼ４５度である請求項２に記載の光外部結合装置。
【請求項４】
前記偏光依存性結合装置が、偏光依存性ビームスプリッタである請求項１から３のいずれかに記載の光外部結合装置。
【請求項５】
前記偏光依存性結合装置が、第１の偏光状態の光ビームを実質的に完全に透過するとともに前記第１の偏光状態に直交する偏光状態の光を最大限外部結合するように構成されている請求項１から４のいずれかに記載の光外部結合装置。
【請求項６】
前記偏光依存性結合装置が、入射する光を第１の偏光状態の第１部分と前記第１の偏光状態に対してほぼ９０度異なる第２の偏光状態にある第２の部分に分割するように構成されている請求項１から４のいずれかに記載の光外部結合装置。
【請求項７】
前記偏光依存性結合装置が、所定の第１の外部結合比を備えた二つの部分に前記第１の部分を分割するか、所定の第２の外部結合比を備えた二つの部分に前記第２の部分を分割するかの少なくともいずれか一方をおこなうように構成されている請求項６に記載の光外部結合装置。
【請求項８】
前記第１あるいは第２の結合比の少なくとも一方が、１００％よりも十分に小さく、好ましくは１０−３０％の範囲にある請求項７に記載の光外部結合装置。
【請求項９】
前記偏光依存性結合装置が、前記第１の偏光状態にある入射光の一部分を透過するとともに前記第２の偏光状態にある入射光の１００％よりも十分に小さい一部分のみを外部結合し、前記第２の偏光状態にある前記入射光のその他の部分が、前記第１の偏光状態にある前記入射光の前記一部分と同様に透過されるように構成されている請求項７に記載の光外部結合装置。
【請求項１０】
前記外部結合比が、前記入射光の方向に依存する請求項７に記載の光外部結合装置。
【請求項１１】
光が二つの端点間で共振する光空洞において、前記空洞内からの光を方向依存性外部結合する請求項１から１０のいずれかに記載の前記光外部結合装置を含む光空洞。
【請求項１２】
波長同調レーザ光源において、レーザ媒体と、波長依存性フィルタと、請求項１に記載の前記光外部結合装置とを備え、前記光外部結合装置が、前記波長依存性フィルタに隣接して配置され、前記波長依存性フィルタから戻ってくる光の第１の部分が外部結合されるとともに前記波長依存性フィルタに向かって進む光の第２の部分が外部結合され、前記第１の部分が、前記第２の部分よりも圧倒的に大きくなるようにされている波長同調レーザ光源。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月10日(2005.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力光ビームの強度を減衰させる為の光減衰器であって、前記入力光ビームを所定の範囲の散乱方向へ散乱光として散乱させる為の散乱素子と、前記散乱光の一部を出力光ビームとして捕集する為に前記散乱方向の前記範囲内に配置された光捕集素子を具備し、前記入力光ビームを基準とした前記出力光ビームの減衰量が、前記散乱方向の前記範囲を基準とした前記散乱光の前記捕集された部分に依存し、前記減衰量を制御する為に前記散乱素子が可変散乱角度分布を持つことを特徴とする光減衰器。
【請求項２】
前記入力光ビームを実質的に平行な光ビームとして前記散乱素子へ供給する為の光分配装置を更に含む請求項１に記載の光減衰器。
【請求項３】
前記散乱素子が光散乱特性を持つ粒子を有し、前記減衰量の波長依存性を最少化するように該粒子の粒子サイズ及び分布を選択したことを特徴とする請求項１又は２に記載の光減衰器。
【請求項４】
少なくとも前記散乱方向範囲において、遮蔽外被を更に含む請求項１から３のいずれかに記載の光減衰器。
【請求項５】
前記散乱素子がくさび型の形状を有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の光減衰器。
【請求項６】
前記散乱素子の実効厚が光路中において変えられることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の光減衰器。
【請求項７】
前記減衰量を変化させる為に、前記散乱素子を移動させる為の機構を更に含む請求項１から６のいずれかに記載の光減衰器。
【請求項８】
前記散乱素子が、勾配を有する散乱粒子密度あるいは可変表面散乱角度分布の少なくともいずれか一方を備えたことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の光減衰器。
【請求項９】
入力光ビームの強度を所定の減衰量で減衰させる為の方法であって、（ａ）前記入力光ビームをある範囲の散乱方向への散乱光として散乱させるステップと、（ｂ）前記減衰量を制御する為に、前記散乱方向の角度分布を変化させるステップと、（ｃ）前記散乱光の一部を出力光ビームとして捕集するステップとを含む光減衰方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列に配置された第一及び第二の母指区分と、該第一及び第二の母指区分の間に位置し、前記母指区分を超えて延びる指区分とを有する実質的に平らな支持面と、
前記支持面から上方に延び、前記母指区分を含み、かつ前記母指区分間に延びる前記支持面の外縁の少なくとも一部に沿って位置する外壁と、
光ファイバケーブルの巻き取り程度を特徴付ける半径の、所定の限界内において、連続的な調整を可能とする巻き取り方式により光ファイバケーブルを収容及び展開するための、前記支持面の中心付近に位置する同心手段と、
を備えているケーブル収容・展開装置。
【請求項２】
前記同心手段が、
第一の直径を有する実質的に円形のガイドトラック壁であって、前記支持面に固定され、そこから垂直に延びるガイドトラック壁と、
前記支持面に固定され、そこから垂直に延びる実質的に円形の内壁であって、前記ガイドトラック壁に同心となるように配置され、前記ガイドトラック壁の前記第一の直径よりも大きい第二の直径を有する内壁とを備えている、請求項１に記載のケーブル収容・展開装置。
【請求項３】
前記外壁によって前記底面に接合されている上部フランジをさらに備えており、これによって前記上部フランジ及び前記第一の母指区分はケーブル用の入口ポートを画定し、前記上部フランジ及び前記第二の母指区分はケーブル用の出口ポートを画定している、請求項２に記載のケーブル収容・展開装置。
【請求項４】
前記内壁は、入口スロットを画定している隣接する区分の第一の対と、出口スロットを形成している隣接する区分の第二の対とを含む複数の区分を備えている、請求項３に記載のケーブル収容・展開装置。
【請求項５】
前記入口スロット及び前記出口スロットは、前記内壁の直径方向に対して傾斜している、請求項４に記載のケーブル収容・展開装置。
【請求項６】
前記ガイドトラック壁は、ケーブルの動きを抑制するための手段を備えている、請求項１に記載のケーブル収容・展開装置。
【請求項７】
前記ケーブルの動きを抑制するための手段は、前記ガイドトラック壁の上部に位置し、前記ガイドトラック壁の外周から放射状に延びる保持タブを備えている、請求項６に記載のケーブル収容・展開装置。
【請求項８】
前記実質的に平らな支持面は、前記ガイドトラック壁に同心となるように配置され、前記第一の直径よりも小さい直径を有する実質的に円形の開口であって、キャニスターを積重ねポストに積重ね可能にする円形の開口を備えている、請求項１に記載のケーブル収容・展開装置。
【請求項９】
ケーブルをキャニスターにルーティングするための入口ポート手段と、
前記キャニスターに収容されているケーブルの最小折れ曲がり半径を制定し、前記ケーブルにかかる変形歪力を緩和するためのリール手段と、
前記キャニスターの中へ収容すると共に、前記キャニスターから展開される光ファイバケーブルの長さを連続的に変えることを可能にする蓄積手段と、
前記ケーブルを前記キャニスターからルーティングするための出口ポート手段と、
を備えている、ケーブル収容・展開キャニスター。
【請求項１０】
（ｉ）前記入口ポート手段は、第一の母指区分と、上部フランジと、外壁の第一の側辺部とによって画定されており、
（ｉｉ）前記出口ポートは、第二の母指区分と、上部フランジと、前記外壁の第二の側辺部とによって画定されている、請求項９に記載のケーブル収容・展開キャニスター。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学部材（１）の周りに位置された少なくとも３つの関節点（４ａ）を有し、各関節点で、関節点（４ａ）から離れた側で外の基部構造体（３）に接続され板ばね状の少なくとも１つの曲げ部材を有する１つの支持装置（２）が夫々に働き、そして、この支持装置（２）は、互いに間隔を置いて光軸に平行に配置された板ばね状で、光学部材（１）への正接方向に延びている２つの曲げ部材（７、９，１１）と、これらの間に配置されたアダプター（８）とを有している、光学部材（１）を半導体リソグラフィーにおける投影レンズ内のミラーまたはレンズに取り付けるための装置。
【請求項２】
前記複数の曲げ部材（７、９、１１）は、夫々に、堅い関節部（１２、１３、１４、１５、１７）によって、前記関節点（４ａ）、接続部（６）、前記アダプター（８）、などの隣接した部品に接続されている、請求項１の装置。
【請求項３】
前記アダプター（８）には、光学軸に平行な方向のアダプター（８）の長さを変える調節装置（１６）が設けられている、請求項１または２の装置。
【請求項４】
前記調節装置は、平行四辺形部材（８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ）を有し、これのアパ−チャの角度（α）は、調節装置（１６）によって調節され得る、請求項３の装置。
【請求項５】
前記平行四辺形部材を構成する複数の側壁（８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ）は、夫々に、堅い関節部（１２、１３、１４、１５、１７）によって互いに接続されている、請求項４の装置。
【請求項６】
アクチュエーター部材（２０）が、前記平行四辺形部材の側壁（８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ）の間で、夫々に働く請求項５の装置。
【請求項７】
更なる平行四辺形部材（２１）が、前記平行四辺形部材（８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ）の内側に配置され、この更なる平行四辺形部材には調節装置（２２）が設けられ、この調節装置は、前記平行四辺形部材の複数の側壁（８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ）間のアパーチャの角度αを変えるように夫々に働く請求項４の装置。
【請求項８】
前記光学部材の周りに配置された支持装置（２）の調節装置並びに／もしくはアクチュエーター部材（１６、２０）は、夫々に、個々にまたは共に調節可能である、請求項３乃至７のいずれか１の装置。
【請求項９】
３つの前記支持装置（２）が、前記光学部材の周りに配置されている、請求項１ないし８のいずれか１の装置。
【請求項１０】
前記支持装置（２）は、モノリシックなデザインを有する、請求項１乃至９のいずれか１の装置。
【請求項１１】
前記支持装置（２）を支持した基部構造体（３）は、セラミック構造体としてデザインされている、請求項１乃至１０のいずれか１の装置。
【請求項１２】
前記光学部材（１）が支持装置（２）によって接続された外の基部構造体（３）は、マニプレータ（２４）によって、光学システム（２６）の固定ハウジング構造体（２５）に接続され、これらマニプレータ（２４）は、ハウジング構造体（２５）で支持されている、請求項１の装置。
【請求項１３】
前記マニプレータ（２４）は、基部構造体（３）を軸方向に調節するために設けられている、請求項１２の装置。
【請求項１４】
前記ハウジング構造体（２５）には、これの周りに均等に配置されるように３つのマニプレータ（２４）が設けられている、請求項１３の装置。
【請求項１５】
前記ハウジング構造体（２５）には、光学システム（２６）での光学部材（１）の位置を決定するために、光学部材（１）上に配置された合わせ部材（３０）と共働するセンサー（２９）が設けられている、請求項１２の装置。
【請求項１６】
前記センサー（２９）は、ハウジング構造体（２５）の周りに配置された遠隔操作可能な距離測定センサーまたは距離測定干渉計としてデザインされている、請求項１５の装置。
【請求項１７】
前記合わせ部材（３０）は、光学部材（１）の、光学の活動域の外に配置された合わせ面としてデザインされている、請求項１５または１６の装置。
【請求項１８】
前記合わせ部材（３０）は、容量性センサー（２９）もしくは距離測定干渉計（２９）を使用する場合に、光学部材（１）上に蒸着されている、請求項１７の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テストを受ける装置ＤＵＴとしてディジタル回路をテストするための方法であって、
所定数のサンプリング・ポイントのそれぞれについて、前記ＤＵＴから受信する信号を期待される信号と比較することにより、観測されるディジタル信号の総数に対するエラー・ディジタル信号の比率を表すビット・エラー・レートＢＥＲを求める第一のステップと、
前記求められたＢＥＲ値がそのサンプリング・ポイントに関するしきいＢＥＲ値を超えるか否かを判定することによって、前記所定数のサンプリング・ポイントのそれぞれに関するテストを実行する第二のステップと、
前記第二のステップの前記テスト結果を解析して、前記ＤＵＴの状態に関するステートメントを生成する第三のステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第一のステップの前に、論理状態間における遷移特性を代表するサンプリング・ポイントとして、前記所定数のサンプリング・ポイントを選択する第四のステップが含まれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第四のステップに、以前の測定データを解析して、前記所定数のサンプリング・ポイントを選択する第五のステップが含まれることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第五のステップに、低ＢＥＲ値から高ＢＥＲ値への遷移におけるサンプリング・ポイントを選択する第六のステップが含まれることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第六のステップに、前記ＤＵＴの許容差に対処するため、前記選択されたサンプリング・ポイントを調整するステップが含まれることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第三のステップにおいて、前記求められたＢＥＲ値の１つがそのサンプリング・ポイントに関するしきいＢＥＲ値を超えると、前記ＤＵＴの状態がテストに不合格とみなされることを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第三のステップに、さらに、１つ以上のサンプリング・ポイントに関して求められた前記ＢＥＲ値を事前定義された評価係数で評価することにより、評価基準を適用するステップが含まれることを特徴とする、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の方法をデータ処理装置に実行させるためのプログラムを供給するデータ・キャリア。
【請求項９】
テストを受ける装置ＤＵＴとしてディジタル回路をテストするためのテスト装置であって、
所定数のサンプリング・ポイントのそれぞれについて、前記ＤＵＴから受信する信号を期待される信号と比較することにより、観測されるディジタル信号の総数に対するエラー・ディジタル信号の比率を表すビット・エラー・レートＢＥＲを求めるための処理装置と、
前記求められたＢＥＲ値がそのサンプリング・ポイントに関するしきいＢＥＲ値を超えるか否かを判定することによって、前記所定数のサンプリング・ポイントのそれぞれに関するテストを実行し、前記テスト結果を解析して前記ＤＵＴの状態に関するステートメントを生成する解析装置と、
を含むテスト装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージング・システムを組み立てる方法であって、ハウジング（５４）内に納まるようにした検出器であって、受け取った放射線からの信号を提供するためにその各々が放射線検出回路（７２、７４）を有している横列と縦列を形成したピクセルのアレイを有する検出器（２２）を組み立てる動作（１４２）と、前記検出器（２２）を組み立てた後に検出器（２２）を封止する動作（１４８）と、前記検出器（２２）を、取付ベース（１２４）及び外側カバー（８８）を備える一体構造を提供できるように適合したハウジング（１１２〜１２２）内に組み立てる動作（１５２）と、前記ハウジングを封止する動作（１６０）と、を含む方法。
【請求項２】
検出器を組み立てる前記動作が、蒸着チャンバ内でガラス基材（７６）にケイ素酸化物をコーティングする動作（１４２）と、ガラス基材（７６）上にフォトダイオード（７４）を付着させる動作（１４４）と、データを読み出すことができる導電性の読み出し線（６８、７０）を付着させる動作（１４６）と、前記ガラス基材上にヨウ化セシウムの薄膜を付着させる動作（１４８）と、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
イメージング・システム用の封止付き検出器であって、受け取った放射線からの信号を提供するためにその各々が放射線検出回路（７２、７４）を有している横列（５６）と縦列（５８）を形成したピクセルのアレイ（５４）を含む検出器（２２）と、前記検出器を受け入れるように構成されると共に、窪みをもつ胴体部（１１２）と該窪み内に納めた複数の要素とを有しているハウジング・アセンブリ（１１２〜１２２、８８）と、前記ハウジング・アセンブリの外部部分を囲繞している保護層（１３６）と、を備える封止付き検出器。
【請求項４】
前記保護層（１３６）がパリレン・コーティングである、請求項３に記載の検出器。
【請求項５】
前記検出器が、ケイ素酸化物をコーティングしたガラス基材（７６）と、前記ガラス基材上に付着させた複数のフォトダイオード（７４）と、前記複数のフォトダイオードからのデータを読み出すように構成した導電性読み出し線（６８、７０）と、前記ガラス基材（７６）上のヨウ化セシウム薄膜と、を備えている検出器アセンブリを含んでいる、請求項３に記載の検出器。
【請求項６】
放射線源（１２）と、前記放射線源を調節するための制御回路（２８）と、放射線源からの放射線を受け取り、これにより信号を発生させるための検出器（２２）であって、横列（５６）と縦列（５８）を形成するピクセル（５４）のアレイ、及び検出器の表面上をコーティングしている保護層（１３６）を有する検出器（２２）と、を備えるディジタル式イメージング・システム。
【請求項７】
前記検出器上の保護層（１３６）がパリレン・コーティングを含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ハウジングが、周辺壁を有する取付ベース（１１２）と、取付ベースを覆うようにすると共に、検出器（２２）がその内部に適合できるような窪みを生成して取付ベースに締着されるように構成したコールドプレート（１２８）と、を備えている、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
横列と縦列を形成しているピクセルのアレイを含んでいる放射線の検出手段（２２）と、前記検出手段を収容するための手段（１１２〜１２２）と、前記収容手段を封止するための手段（１３６）と、を備える封止付きイメージング・システム検出器。
【請求項１０】
前記封止手段（１３６）が前記検出手段をコーティングするための手段を備えている、請求項９に記載のイメージング・システム検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
割り出し管（９２）と差し込みヘッド部（１００）とを具備する制御棒駆動機構（５８）に、長手方向管（７２）と前記長手方向管から延出する少なくとも１枚のブレード（７０）とを具備する原子炉制御棒（５４）を結合する制御棒結合アセンブリ（１０２）において、
前記差し込みヘッド部を受け入れるように構成された差し込みソケット（１２４）と、
前記差し込みソケットから延出し、前記制御棒の前記長手方向管を長手方向に貫通するように構成された軸（１２０）と、
前記軸から延出し、前記差し込みソケットを回転させるように操作自在であるハンドル（１２２）とを具備する制御棒結合アセンブリ。
【請求項２】
前記軸（１２０）は前記ハンドル（１２２）に取り外し自在に装着されている請求項１記載の制御棒結合アセンブリ（１０２）。
【請求項３】
前記軸（１２０）は前記差し込みソケット（１２４）に取り外し自在に装着されている請求項１記載の制御棒結合アセンブリ（１０２）。
【請求項４】
前記ハンドル（１２２）は、ローラ機構（１３８）を具備する請求項１記載の制御棒結合アセンブリ（１０２）。
【請求項５】
前記ハンドル（１２２）は、プレート（１３４）と、少なくとも１つの開口（１３６）とを具備する請求項１記載の制御棒結合アセンブリ（１０２）。
【請求項６】
前記差し込みソケット（１２４）は、結合空洞（１５０）と係合開口（１６０）を規定する内側係合フランジ（１５６）とを更に具備し、前記結合空洞は前記係合開口を通して前記差し込みヘッド部（１００）を受け入れるように構成されており、且つ前記内側係合フランジは、前記差し込みソケットが回転するときに前記差し込みヘッド部に当接するように構成されている請求項１ないし請求項５のいずれか一項記載の制御棒結合アセンブリ（１０２）。
【請求項７】
前記制御棒結合アセンブリは、前記差し込みソケット（１２４）に結合する少なくとも１つの軸受け（１２８）を更に具備し、前記軸受けは前記軸（１２０）の周囲に配置される請求項１記載の制御棒結合アセンブリ（１０２）。
【請求項８】
少なくとも１枚のブレード（７０）と長手方向管（７２）とを具備する制御棒（５４）と、
第１の端部（９６）を有する割り出し管（９２）と前記第１の端部に固着され下面（１７２）を具備する差し込みヘッド（１００）とを具備する制御棒駆動機構（５８）と、
結合アセンブリ（１０２）とを具備し、前記結合アセンブリは、
前記差し込みヘッドを受け入れるような大きさに定められた差し込みソケット（１２４）と、
前記差し込みソケットから前記長手方向管を通って軸方向に延出する軸（１２０）と、
前記差し込みソケットから前記軸の遠位端部（１３２）から延出し、前記差し込みソケットを回転させるように操作自在であるハンドル（１２２）とを具備する制御棒装置（６０）。
【請求項９】
前記差し込みソケット（１２４）は、結合空洞（１５０）と係合開口（１６０）を規定する内側係合フランジ（１５６）とを具備し、前記結合空洞は、前記係合開口を通して前記差し込みヘッド部（１００）を受け入れるような大きさに定められ、且つ前記内側係合フランジは、前記差し込みソケットが回転するときに前記差し込みヘッド部に当接するように構成されている請求項８記載の制御棒装置（６０）。
【請求項１０】
前記ハンドル（１２２）は、前記内側係合フランジ（１５６）が前記差し込みヘッド部（１００）の前記下面（１７２）と完全に係合したときに前記少なくとも１枚のブレード（７０）とほぼ同一平面に位置する請求項９記載の制御棒装置（６０）。
【請求項１１】
前記制御棒駆動機構（５８）は、前記割り出し管（９２）の回転を防止するように前記割り出し管と係合する少なくとも１つの拘束装置（９４）を更に具備する請求項８記載の制御棒装置（６０）。
【請求項１２】
前記拘束装置（９４）は、前記割り出し管（９２）の回転を防止するように前記割り出し管の軸方向溝（１０４）に摺動自在に係合されるローラキー（１０６）を具備する請求項１１記載の制御棒装置（６０）。
【請求項１３】
前記制御棒結合アセンブリ（１０２）は、前記差し込みソケット（１２４）を回転自在に周囲から包囲する外側六角ナット（１２６）を更に具備する請求項８記載の制御棒装置（６０）。
【請求項１４】
前記少なくとも１枚のブレード（７０）はブレード厚み（８８）を有し、前記ハンドル（１２２）は前記ブレード厚み以下であるハンドル厚み（１４４）を有する請求項８ないし請求項１３のいずれか一項に記載の制御棒装置（６０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  
【従来の技術】
制御棒が偶発的にＣＲＤＭからはずれるのを防止するが、制御棒を回転させずに制御棒とＣＲＤＭとの結合を解除することができる結合アセンブリを提供することが望ましいであろう。また、原子炉の下方からＣＲＤＭの取り外し、回転又は保守を行わずに制御棒とＣＲＤＭとの結合を原子炉炉心の上方から解除できることが望ましいであろう。
【特許文献１】  特開平０９−２３６６８１号公報
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
なお、無指向性オブジェクトデータＤndr は、指向性オブジェクトデータＤdrと異なり、透明度情報Ｉtlm および透明度情報Ｉtlp と、方向情報Ｉdrm および方向情報Ｉdrp とに類する情報を有さなくとも良い。なぜなら、無指向性オブジェクトＯndr に関しては後景を視認する必要性がなく、描画装置Ｕrnd1は、無指向性オブジェクトＯndr を一定の透明度で描画すれば良いからである。以上の観点から、本実施形態では、無指向性オブジェクトＯndr の透明度（好ましくは「０」）はレンダリングプログラム２１に予め記述される。これにより、無指向性オブジェクトデータＤndr は不要な情報を持たなくてよくなるので、相対的に小さな記憶容量の記憶装置４をナビゲーション装置Ｕnvに使用することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、図１において、ＧＰＳ受信機５は、ＧＰＳ(Global Positioning System) に収容される人工衛星からの情報を受信する。さらに、ＧＰＳ受信機５は、受信情報を基礎としてナビゲーション装置Ｕnv、つまりユーザの現在位置を算出し、算出した現在位置を示す現在位置情報Ｉcpを生成する。生成された現在位置情報Ｉcpはプロセッサ１に送信される。自律航法センサ群６は、ジャイロコンパスおよび速度センサを含み、ナビゲーション装置Ｕnvが現在進んでいる方向および速度を検出し、検出した進行方向および速度を含む自律航法情報Ｉanを生成する。生成された自律航法情報Ｉanはプロセッサ１に送信される。入力装置７は、典型的には、リモートコントローラおよびボタンを含む。表示装置８は、典型的には、液晶ディスプレイからなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス流中の水素分圧を測定するためのマイクロ燃料電池センサ（１０）であって、
筐体（２）と、
該筐体２内に配置され、互いに間隔をおいて配置された第１及び第２のガス拡散電極（４−１、４−２）を含む検出素子と、
前記第１及び第２の電極の間に配置された酸性電解質を有する燃料電池スペーサ（５）と、
容積（Ｖ）を有する空洞（１７）により前記第１の電極から間隔を置いて配置され、前記第１の電極を前記ガス流から分離する、厚さ（Ｌ）と作用表面面積（Ａ）を有する第１のガス透過膜（１４）と、
前記第２の電極（４−２）を大気から分離する第２のガス透過膜（１２）と、
前記第１と第２の電極を接続する負荷抵抗（３７（Ｒ））と、を含み、
前記センサの応答時間（Ｔ）が、
Ｔ＝ａＲ＋ｂ（ＶＬ）／Ａ、ここで「ａ」及び「ｂ」は定数である、
によって求められる、
ことを特徴とするセンサ。
【請求項２】
前記第１の膜（１４）は、水素に対してより高い透過性を有し、かつ水素の分子の大きさよりも大きい分子の大きさを有するガスに対してはより低い透過性を有することを特徴とする、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記第２の膜（１２）を通しての酸素透過率は、前記第１の膜を通しての水素透過率より高く、それによって、前記第２の電極に供給される酸素は、水素との反応に必要な理論酸素量を上回ることを特徴とする、請求項２に記載のセンサ。
【請求項４】
前記第２の電極（４−２）に供給される酸素は、前記第２の膜（１２）を適切に選ぶことにより制御されることを特徴とする、請求項３に記載のセンサ。
【請求項５】
前記第１及び第２の膜（１４、１２）は、高分子材料で作られることを特徴とする、請求項４に記載のセンサ。
【請求項６】
水素分圧勾配が、前記第１の電極（４−１）と外部ガス流との間で維持されることを特徴とする、請求項４に記載のセンサ。
【請求項７】
ハウジング（２０）と、
該ハウジング内に配置されたマイクロ燃料電池センサ（１０）と、
カバー部材（３０）と、
を含む、ガス流中の水素分圧を測定するための装置であって、前記センサは、
互いに間隔をおいて配置された第１及び第２のガス拡散電極（４−１、４−２）を含む検出素子と、
前記第１及び第２の電極の間に配置された酸性電解質を有する燃料電池スペーサ（５）と、
容積（Ｖ）を有する空洞（１７）により前記第１の電極から間隔を置いて配置され、前記第１の電極を前記センサに入るガス流から分離する、厚さ（Ｌ）と作用表面面積（Ａ）を有する第１のガス透過膜（１４）と、
前記第２の電極（４−２）を大気から分離する第２のガス透過膜（１２）と、
前記第１と第２の電極を接続する負荷抵抗（３７（Ｒ））と、
を含み、それによって、
前記センサの応答時間（Ｔ）が、等式
Ｔ＝ａＲ＋ｂ（ＶＬ）／Ａ、ここで「ａ」及び「ｂ」は定数である、
によって求められる、
ことを特徴とするセンサ。
【請求項８】
前記カバー部材（３０）は、
前記センサに対する電気接続を行うためのコネクタ（３８）と、
大気を受け入れるために、前記カバー部材（３０）と前記ハウジング（２０）のうちの１つに配置された第３のガス透過膜（３４）と、
を更に含むことを特徴とする、請求項７に記載のセンサ。
【請求項９】
前記第２の電極と前記第２の膜との間の空間（１８）には、大気から自然拡散により酸素が供給されることを特徴とする、請求項８に記載のセンサ。
【請求項１０】
ハウジング（２０）と、互いに間隔をおいて配置された第１及び第２のガス拡散電極（４−１、４−２）を含む検出素子と、それぞれ前記第１及び第２のガス拡散電極から間隔をおいて配置された第１及び第２のガス透過膜（１４、１２）とを含み、前記第１の膜（１４）は厚さ（Ｌ）と作用表面面積（Ａ）とを有しており、更に、前記第１の電極と前記第１の膜とを分離する、容積（Ｖ）を有する空洞（１７）と、前記第１と第２の電極を接続する負荷抵抗（３７（Ｒ））とを有するセンサにおいて、ガス流中の水素分圧を測定するための方法であって、該方法は、
「ａ」及び「ｂ」を定数とした場合、等式Ｔ＝ａＲ＋ｂ（ＶＬ）／Ａに従って前記センサの応答時間（Ｔ）を求めること、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
その上、既知の水素検出装置は、センサ応答時間に影響を与える特性を考慮していなかった。従って、ガス流中の水素含有量を解析し水素分圧を求めるための、迅速な応答時間を有する能率的なセンサへの必要性が存在する。
【特許文献１】米国特許５，６６７，６５３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある周波数範囲にわたって掃引する掃引局部発振器信号を発生するための局部発振源と、
入力信号を受信するように光学的に結合された第１の入力、及び、前記掃引局部発振器信号を受信するように、前記局部発振源に光学的に接続された第２の入力と、前記入力信号及び前記掃引局部発振器信号を含む組み合わせ光信号を出力するための出力を備えた光結合器と、
前記光結合器から前記組み合わせ光信号を受信するための入力と、前記組み合わせ光信号を表すヘテロダイン・ビート信号を送り出すための出力を備えたヘテロダイン受信機と、
前記局部発振源に光学的に接続されて、前記掃引局部発振器信号に応答し、測定局部発振器周波数掃引速度情報を発生するための相対周波数測定システムと、
前記光受信機からの前記ヘテロダイン・ビート信号、及び、前記相対周波数測定システムからの前記測定局部発振器周波数掃引速度情報を利用して、前記入力信号の光学パラメータを表した出力信号を発生するための信号プロセッサが含まれている光スペクトル解析システム。
【請求項２】
前記信号プロセッサに、
測定されたスペクトル情報を発生するためのスペクトル測定モジュールと、
前記測定局部発振器周波数掃引速度情報に応答して、前記測定されたスペクトル情報を補正するための掃引速度補正モジュールが含まれており、
前記測定されたスペクトル情報が、前記掃引局部発振器信号の周波数掃引速度が一様でない点を考慮して、補正されることを特徴とする請求項１に記載の光スペクトル解析システム。
【請求項３】
前記信号プロセッサに、
前記測定局部発振器周波数掃引速度情報に応答して、前記掃引局部発振器信号の周波数掃引速度が一様でない点を考慮して補正された局部発振器周波数情報を発生するための掃引速度補正モジュールと、
前記ヘテロダイン・ビート信号及び前記補正された局部発振器周波数情報に応答して、前記出力信号を発生するためのスペクトル測定モジュールが含まれることを特徴とする、請求項１に記載の光スペクトル解析システム。
【請求項４】
前記相対周波数測定システムに、
４５度スプライスに接続された第１および第２の偏波面保存ファイバと、
前記第２の偏波面保存ファイバの一端に光学的に接続されたビーム・スプリッタと、
前記ビーム・スプリッタに光学的に接続された少なくとも１つの光検波器とが含まれることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の光スペクトル解析システム。
【請求項５】
前記信号プロセッサに、
色分散の周波数依存性を、前記測定局部発振器周波数掃引速度情報に含まれる色分散によって誘発されるエラーを低減させるための遅延機能として利用する分散補正モジュールが含まれることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の光スペクトル解析システム。
【請求項６】
入力信号を用意するステップと、
ある周波数範囲にわたって掃引する掃引局部発振器信号を用意するステップと、
前記掃引局部発振器信号の周波数掃引速度を測定して、測定局部発振器周波数掃引速度情報を発生するステップと、
前記入力信号と前記掃引局部発振器信号を組み合わせて、組み合わせ光信号を生成するステップと、
前記組み合わせ光信号を検波して、ヘテロダイン・ビート信号を発生するステップと、
前記ヘテロダイン・ビート信号及び前記測定局部発振器周波数掃引速度情報から、前記入力信号の光学パラメータを表した出力信号を発生するステップとが含まれている、光スペクトル解析方法。
【請求項７】
ある周波数範囲にわたって掃引する掃引局部発振器信号を発生し、前記掃引局部発振器信号の周波数を表した絶対周波数情報を出力する局部発振源と、
入力信号を受信するように光学的に結合された第１の入力、及び、前記掃引局部発振器信号を受信するように、前記局部発振源に光学的に接続された第２の入力と、前記入力信号及び前記掃引局部発振器信号を含む組み合わせ光信号を出力するための出力を備えた光結合器と、
前記光結合器から前記組み合わせ光信号を受信するための入力と、前記組み合わせ光信号を表すヘテロダイン・ビート信号を送り出すための出力を備えたヘテロダイン受信機と、
前記局部発振源に光学的に接続されて、前記掃引局部発振器信号に応答し、測定局部発振器周波数掃引速度情報を発生するための相対周波数測定システムと、
前記局部発振源からの絶対周波数情報、前記光受信機からの前記ヘテロダイン・ビート信号、及び、前記相対周波数測定システムからの前記測定局部発振器周波数掃引速度情報を利用して、前記入力信号の光学パラメータを表した出力信号を発生するための信号プロセッサが含まれている光スペクトル解析システム。