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【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の容器をユニット化するためのキャリアであって、複数の容器に貼付される前に応力をかけられていない状態を持ち、各々が最大直径を有する複数の隣接する容器に貼付された後に応力をかけられた状態を持つキャリアにおいて、
長手方向の行と横断方向の列とをなして揃えられた複数の細長い開口を有する可撓性プラスチックシートからなり、該細長い開口がキャリアの長手方向に向けられ、応力をかけられていない状態において、隣接する各々の細長い開口の間の長手方向ピッチを有し、該長手方向ピッチが複数の隣接する容器の相互間の距離より大きい第一の長さを有する可撓性プラスチックシート、
該シートにおいて細長い開口の隣接する長手方向の行の間に位置決めされた複数の逃がし穴、および
キャリアが容器に貼付された後の応力をかけられた状態にあるときの隣接する各々の細長い開口の間の容器ピッチで、容器の最大直径にほぼ等しく、第一の長さより短い第二の長さを有する容器ピッチからなることを特徴とするキャリア。
【請求項２】
細長い開口が幅より約４〜６倍大きい長さを有することを特徴とする請求項１に記載のキャリア。
【請求項３】
逃がし穴の長手方向末端が、隣接する細長い開口の端部と長手方向において重なり合うことを特徴とする請求項１に記載のキャリア。
【請求項４】
約２５．４ｍｍ（１インチ）の直径範囲内の直径を有する複数の容器について一定の長手方向ピッチが保たれることを特徴とする請求項１に記載のキャリア。
【請求項５】
複数の容器が各々約５．０ｍｍ（０．２００インチ）の直径範囲内の直径を有することを特徴とする請求項１に記載のキャリア。
【請求項６】
複数容器をパッケージ化するためのシステムであって、
複数のジョー対を備えたドラムを有する貼付機を提供する段階で、閉位置における前記ジョー対の間の横方向距離は、前記ドラムの調整可能なハブを通じて前記ドラムの周囲まわりで調整可能である段階、
横並びで揃えられた複数の細長い開口を有する可撓性プラスチックシートから作られたキャリアを貼付機に通す段階で、該細長い開口がキャリアの長手方向に向けられ、隣接する各々の細長い開口の中心間の長手方向ピッチを有し、該長手方向ピッチが第一の長さを有する段階、
各々、第一の長さより短い第二の長さを有し、貼付機によって互いに第一の長さ分の間隔をあけた最大直径を有する複数の容器の各々を貼付機に通す段階、および、
キャリアを複数の容器にわたって位置決めし、それによって、細長い開口が各々容器の一つとかみ合わされ、隣接する容器の中心間に第二の長さに等しい容器ピッチを有するパッケージが形成されるようにする段階からなることを特徴とするシステム。
【請求項７】
前記第一の長さが約７６．２ｍｍ（３．０インチ）である請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
第二の長さが約６６．０ｍｍ（２．６インチ）である請求項６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク吐出ドライバヘッドと一体化させた分散型プロセッサを有する処理ドライバヘッドを備え、前記分散型プロセッサは、インク滴を選択的に印刷して印刷アーチファクトを訂正する訂正方式により予めプログラムされることを特徴とするプリントヘッド。
【請求項２】
前記訂正方式は、前記プリントヘッドのインク滴配置の系統誤差を訂正することを特徴とする請求項１記載のプリントヘッド。
【請求項３】
ある種のインクジェットプリントヘッドの製造中に生成された一般的な訂正方式をさらに備えることを特徴とする請求項１記載のプリントヘッド。
【請求項４】
前記訂正方式は、プリントヘッド製造時またはプリントヘッド動作時の少なくとも一方において生成されることを特徴とする請求項１記載のプリントヘッド。
【請求項５】
インクジェットプリントヘッドの系統印刷誤差を訂正する方法であって、
前記プリントヘッドに関連する系統誤差を測定するステップと、
前記系統誤差を記録および記憶するステップと、
前記系統誤差を訂正するための訂正方式を生成するステップと、
印刷動作中に前記訂正方式を前記プリントヘッドに適用して、インク滴を選択的に印刷し、前記系統誤差によりもたらされる印刷アーチファクトを訂正するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記訂正方式は、プリンタの正常動作中に前記インク滴を計略的にずらすよう前記プリントヘッドに指令することによって整列インク滴誤差を訂正する補償動作として生成されることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記プリントヘッドに関連する系統誤差を測定するステップは、前記プリントヘッドの奇数列／偶数列の整列オフセットを測定するステップを含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記訂正方式を生成するステップは、整列プロットを印刷するステップと、前記整列プロットを調査して主要インク滴の精確な整列を測定するステップと、前記精確な整列をメモリデバイスに記憶するステップとを含み、前記整列プロットを調査するステップは、整列センサにより前記プロットを自動で調査するステップと、ユーザにより前記プロットを手動で調査するステップの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項９】
印刷動作に先立って前記系統誤差を読み出し、前記精確な整列データを使用して、前記系統誤差を補償するために故意にずらしたインク滴を印刷動作中に吐出するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記訂正方式を生成するステップは、小滴を発射するステップと、前記小滴を浮遊中に調査して主要インク滴の精確な整列を測定するステップと、前記精確な整列をメモリデバイスに記憶するステップと、を含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月16日(2004.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
貼り合わせ体は山または谷が連続している方向に曲げられている請求項１〜３のいずれか１項に記載の車両用の内装材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記車両において、さらに、内装材が、鉄道車両における屋根構体、側構体の少なくとも１つの内装パネルであり、波板の山または谷が連続する方向が鉄道車両の構体の胴まわり方向に向くように取付けられ、山または谷が連続する方向に湾曲またはおよび屈曲している構成では、鉄道車両の屋根構体、側構体、妻構体などにおける内装意匠の設計による湾曲形状や屈曲形状を生かして、山または谷が連続する方向を湾曲や屈曲の向きと直交するように設定することで、内装材の山および谷が繰り返す方向の曲げ剛性および座屈強度も高めることができ、従って、その方向の支持強度、被支持強度も増大し、化粧材支持構造および組立てのさらなる簡略化が図れる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
このように、金属製の波板４と金属製板５や金属製の内装用板５ａとを貼り合わせた上記のように支持強度および被支持強度、面外局部荷重に対する強度が増大し、しかも、簡単な構造の内装材１を複数の骨材７や内装支持部材８に亘る１枚ものとして通しで当てがい取付けることができるので、継ぎ目が少なく体裁のよい、また継ぎ目による強度や剛性の低下のない優れた内装ができる。しかも、前記支持強度、被支持強度、面外局部荷重に対する強度の高さから骨材７や内装支持部材８への取付け箇所は少なくて良く、車体の剛性上必要な骨材７があってもそれへの取付けを省略したり、骨材７が必要取付け箇所になかったり少なかったりして内装支持部材８を設けるにしてもその必要数を削減することができ、内装材１などを取付けのための構造および組み立てが簡単になるので車両コストの低減が図れる。内装材１は途中に屋根構体の軒桁などの骨７があってもそれに取付けなくてよいし、中間に内装支持部材８が従来あったような場合でもそれを省略することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
天井パネル２１の両側部分をなす内装材１および側構体の内装パネルである内装材のそれぞれは、波板４の山４ａまたは谷４ｂが連続する方向が鉄道車両の構体の胴まわり方向に向くように取付けられ、内装材１は山４ａまたは谷４ｂが連続する方向に湾曲し、内装材２は山４ａまたは谷４ｂが連続する方向にまたはおよび屈曲していることにより、鉄道車両３の屋根構体、側構体などにおける内装意匠の設計による湾曲形状や屈曲形状を生かして、山４ａまたは谷４ｂが連続する方向を湾曲や屈曲の向きと直交するように設定することで、内装材１の山４ａおよび谷４ｂが繰り返す方向の曲げ剛性、座屈強度および面外局部荷重に対する強度も高めることができ、従って、その方向の支持強度、被支持強度も増大し、化粧材支持構造および組立てのさらなる簡略化が図れる。図示しないが妻構体、仕切り構体にも同様に適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
４−メチル−１−ペンテン系樹脂を構成する、４−メチル−１−ペンテン以外のα−オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの、炭素数２〜２０のα−オレフィンが挙げられ、これらの１種以上を用いることができるが、これらの中でも炭素数１０〜２０のα−オレフィンが好ましく、特に、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセンあるいは１−エイコセンが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
離型性層を構成する、４−メチル−１−ペンテン系樹脂および必要に応じて配合される各種添加剤の混合は、混合機あるいは混練機を用いるなどの公知の方法で、必要に応じて行うことができる。このとき用いられる混合機としては、たとえば、Ｖブレンダー、リボンブレンダー、ヘンシェルミキサー、タンブラーブレンダーなどが挙げられる。また、混練機としては、例えば、単軸押出機、複軸押出機、ニーダー、バンバリーミキサー等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を採用した両軸受リールは、図１及び図２に示すように、ベイトキャスト用のロープロフィール型のリールである。この両軸受リールは、マグネシウム合金製のリール本体１と、リール本体１の側方に配置されたスプール回転用のハンドル組立体２と、リール本体１の内部に回転自在かつ着脱自在に装着された糸巻き用のスプール４とを備えている。ハンドル組立体２のリール本体１側には、ドラグ調整用のスタードラグ３が設けられている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
金属膜層１３は、たとえばアルミニウムをターゲットにしてスパッタリング法によりハーフに飛ばして膜厚を調整して下地膜層１２の隠蔽割合をたとえは８０％〜５％の間で変化させ、半透明のミラー効果を有する金属膜となるように形成されている。具体的には、アルミニウムの場合、７００オングストローム以上の膜厚では、下地膜層１２がほぼ隠蔽されて下地膜層１２の意匠は隠れてしまう。そこで、たとえば６００〜５０オングストロームの膜厚にすると、膜厚に応じた半透明な金属膜になり、下地膜層１２の意匠が見えながら金属的なミラー効果を有する鏡面になる。膜厚の調整は成膜時間を調整することで行える。成膜時間を短くすれば膜厚は薄くなり逆に長くすれば膜厚は厚くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月6日(2004.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図４に示す第２の実施の形態は、原水採取口５の代わりに凝集沈殿設備２の上流側に凝集沈殿原水採取口１０を設け、この原水採取口１０に原水の相対蛍光強度を測定する蛍光分析計１１を接続したものであり、他は図１乃至図３に示す第１の実施の形態と略同一である。図４において、図１乃至図３に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図４において、凝集沈殿原水採取口１０にて採取された凝集沈殿設備２への原水（被処理水）は、蛍光分析計１１へ送られる。蛍光分析計１１では、原水の相対蛍光強度が常時測定され、測定値ＦＬ２として活性炭注入率演算装置８に常時出力される。活性炭注入率演算装置８には、相対蛍光強度とトリハロメタン生成能の関係式、活性炭注入率と相対蛍光強度の残存率（ＦＬｒ）の関係式、及び上記関係式を用いたトリハロメタン生成能の制御目標値（ＦＬｃｏ）が設定されており、ＦＬ２をＦＬｃｏ以下にするのに必要な活性炭注入率（Ｄｒｍ２）を演算し、活性炭注入制御装置９に出力するようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月24日(2004.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属からなる転動体とその軌道を備えた転動部材を有する転動装置において、その転動部材の少なくとも一方の表面に、当該金属成分とリン化合物，イオウ化合物，ハロゲン化合物又は有機金属化合物の単体またはそれら化合物の組み合せたものとの化合物反応膜層を形成し、且つ有機リン化合物，有機イオウ化合物，有機ハロゲン化合物又は有機金属化合物の少なくともいずれかが極圧成分として添加された潤滑剤を前記転動部材の金属接触面間に存在せしめたことを特徴とする表面処理転動部材を有する転動装置。
【請求項２】
前記化合物反応膜層の深さが３０〜６００ｎｍである請求項１記載の転動装置。
【請求項３】
前記潤滑剤への極圧成分の配合量は、リン、イオウ、ハロゲンの各濃度として、１０〜５０００ｐｐｍである請求項１記載の転動装置。
【請求項４】
前記化合物反応膜層はリンと酸素とを含む層であり、前記極圧成分は有機リン化合物からなり、その前記潤滑剤への配合量は、リンの濃度として、１０〜１００００ｐｐｍである請求項２記載の転動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本のチューブが連通状態に接続された中空ヘッダーを有し、該ヘッダーに冷媒出口部が設けられた凝縮器本体と、
受液器と、
受液器を凝縮器本体に保持せしめる受液器保持部材と、
が備えられ、
前記受液器は冷媒入口部をその端面内に備え、
前記受液器保持部材は、その内部に冷媒通路孔を有して、該通路孔の一端を前記凝縮器本体ヘッダーの冷媒出口部と連通させるように同ヘッダーに取り付けられると共に、前記通路孔の他端を前記受液器の冷媒入口部と連通させるように締結部材にて受液器の上記端面にフランジ結合されてなることを特徴とする受液器一体型凝縮器。
【請求項２】
受液器の前記冷媒入口部と、受液器保持部材の冷媒通路孔の前記他端部分とが入れ子状に嵌合されている請求項１に記載の受液器一体型凝縮器。
【請求項３】
ヘッダーの上側側面に冷媒入口側ユニオンが連通接続されると共に、ヘッダーの下端部の側面に、冷媒出口孔が形成され、冷媒入口側ユニオンからヘッダー内に流入したガス冷媒がチューブ群を蛇行状に流通して凝縮され、冷媒が前記冷媒出口孔を通じて送り出されるようになされている請求項１または２に記載の受液器一体型凝縮器。
【請求項４】
受液器は、上下方向に長い円筒状のタンクを備え、該タンク下端面は、受液器保持部材とフランジ結合される平坦なフランジ結合面に形成されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の受液器一体型凝縮器。
【請求項５】
受液器のフランジ結合面内には、タンクの底壁軸芯部において、円形孔による冷媒入口部が形成されている請求項４に記載の受液器一体型凝縮器。
【請求項６】
受液器のフランジ結合面内には、冷媒入口部と隣り合って、フランジ結合のためのねじ込み孔が形成されている請求項４または５に記載の受液器一体型凝縮器。
【請求項７】
受液器の冷媒出口部がタンクの下端面以外の部分に設けられている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の受液器一体型凝縮器。
【請求項８】
受液器保持部材は、凝縮器ヘッダーの外周面に周方向に沿って適合状態に当接される内面円弧状のろう付け用当接部と、該当接部から側方に突出されたフランジ本体部とを一体に備えており、該フランジ本体部はその上面が平坦なフランジ結合面に形成されている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の受液器一体型凝縮器。
【請求項９】
受液器は下端がフランジ本体部に、上端がヘッダー設けられたステーに固定されている請求項８に記載の受液器一体型凝縮器。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の受液器一体型凝縮器を備えたカーエアコン。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のクランプ単体を背中合せにした鋼管クランプの両クランプ単体に設けたボルトのねじさらいを行う整備装置であり、鋼管クランプを定位置に固定する固定手段と、両クランプ単体のボルトに対して各々進退動し、そのナットを強制回転させる第１及び第２のナットドライバーと、両クランプ単体のボルトに対して油を塗布する塗油手段とを有し、固定手段の開放後に鋼管クランプを自動的に排出するようにした鋼管クランプの整備装置。
【請求項２】
一対のクランプ単体を背中合せにした鋼管クランプの両クランプ単体に設けたボルトのねじさらいを行う整備装置であり、鋼管クランプを定位置に固定する固定手段と、供給側から投入された鋼管クランプを支持して前記固定手段に搬送する搬送機構と、前記固定手段で固定された両クランプ単体のボルトに対して各々進退動し、そのナットを強制回転させる第１及び第２のナットドライバーと、両クランプ単体のボルトに対して油を塗布する塗油手段とを有し、固定手段の開放後に鋼管クランプを自動的に排出するようにした鋼管クランプの整備装置。
【請求項３】
上記固定手段の下流側に、固定手段の開放後に排出された鋼管クランプを二方向に振分けるための振り分けシュートを設けた請求項１又は２に記載の鋼管クランプの整備装置。
【請求項４】
上記固定手段の近傍位置に、この固定手段で固定された両クランプ単体の開閉翼における二又部内に対して進退する金型を設けた請求項１乃至３の何れかに記載の鋼管クランプの整備装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記のような課題を解決するため、請求項１の発明は、一対のクランプ単体を背中合せにした鋼管クランプの両クランプ単体に設けたボルトのねじさらいを行う整備装置であり、鋼管クランプを定位置に固定する固定手段と、両クランプ単体のボルトに対して各々進退動し、そのナットを強制回転させる第１及び第２のナットドライバーと、両クランプ単体のボルトに対して油を塗布する塗油手段とを有し、固定手段の開放後に鋼管クランプを自動的に排出するようにした構成を採用したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２の発明は、一対のクランプ単体を背中合せにした鋼管クランプの両クランプ単体に設けたボルトのねじさらいを行う整備装置であり、鋼管クランプを定位置に固定する固定手段と、供給側から投入された鋼管クランプを支持して前記固定手段に搬送する搬送機構と、前記固定手段で固定された両クランプ単体のボルトに対して各々進退動し、そのナットを強制回転させる第１及び第２のナットドライバーと、両クランプ単体のボルトに対して油を塗布する塗油手段とを有し、固定手段の開放後に鋼管クランプを自動的に排出するようにした構成を採用したものである。
請求項３の発明は、上記固定手段の下流側に、固定手段の開放後に排出された鋼管クランプを二方向に振分けるための振り分けシュートを設けた構成を採用したものである。
請求項４の発明は、上記固定手段の近傍位置に、この固定手段で固定された両クランプ単体の開閉翼における二又部内に対して進入する金型を設けた構成を採用したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によると、搬送機構に対して鋼管クランプを一定の姿勢で供給するのみで、鋼管クランプのボルトに対するねじさらいが自動的に行えることになり、鋼管クランプに対する整備の大幅な省力化と能率向上により、整備コストの低減が可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入口と出口とを有する計測管路と、該計測管路に粉体を導入する粉体導入手段と、該粉体導入手段の出口で、その出口のほぼ全周に設けられたスリットよりその軸心に向かって噴出する計測気体の薄層高速気流によって、該出口から供給されるバルク状粉体柱の終端面を薄層状に剪断して剥離し、その際に生ずる粉体粒子を該計測気体中に分散して懸濁し、それを前記計測管路に搬送流入させる分散手段と、該計測管路の該入口と出口における圧力差を測定する手段、とからなることを特徴とする粉体質量流量計測装置。
【請求項２】  計測管路内における計測気体の流量のレイノルズ数が、２３００以上であることを特徴とする請求項１記載の粉体質量流量計側装置。
【請求項３】  前記粉体質量流量計測装置が流量設定手段を含み、該粉体質量流量計測装置が、該粉体質量流量計測装置の出力を、その設定値に一致させる制御機能を有する粉体供給装置を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の粉体質量流量計測装置。
【請求項４】  前記粉体供給装置が、粉体ホッパーと、スロートおよびノズルからなるインジェクタ、とを含むことを特徴とする請求項３記載の粉体質量流量計測装置。
【請求項５】  インジェクタスロートの入口にノズルを設け、スロートの出口に気体吹込口を設けた静電粉体塗装用インジェクタにおいて、ノズルの制御弁と気体吹込用の制御弁とが、逆動作をなす様に互いに連結され、それら制御弁の上流で定流量弁出口に連結されていることを特徴とする粉体供給装置を含むことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の粉体質量流量計測装置。
【請求項６】  塗料粉体を、粉体塗料供給装置によって、静電粉体塗装装置へと供給することを特徴とする請求項５記載の粉体質量流量計測装置。
【請求項７】  請求項１〜６の何れか１項に記載の粉体質量流量計測装置、または、粉体塗料供給装置によって塗料粉体を供給されることを特徴とする静電粉体塗装装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車載電子機器に接続可能な移動通信端末において、
移動通信網との間で無線通信を行う第１の無線インタフェースと、
前記車載電子機器との間で無線通信を行う第２の無線インタフェースと、
前記車載電子機器に対する接続を制御する接続制御部と
を具備し、
前記接続制御部は、前記車載電子機器からのページング信号が検出された場合に、当該車載電子機器との間の接続手順を開始し、かつこの接続手順の終了後に自己の通信モードをハンズフリーモードに設定することを特徴とする移動通信端末。
【請求項２】
前記第２のインタフェースは、Bluetooth（登録商標）無線回路により構成されることを特徴とする請求項１記載の移動通信端末。
【請求項３】
前記移動通信網からの着呼が前記第１の無線インタフェースにより受信された場合に、この受信された着呼を前記第２の無線インタフェースを介して前記車載電子機器に転送する手段を備える情報転送制御部を、さらに具備することを特徴とする請求項１又は２記載の移動通信端末。
【請求項４】
前記情報転送制御部は、前記車載電子機器からの発呼が前記第２の無線インタフェースにより受信された場合に、この受信された発呼を前記第１の無線インタフェースを介して前記移動通信網へ転送する手段を、さらに備えることを特徴とする請求項３記載の移動通信端末。
【請求項５】
前記接続制御部は、前記接続手順中に車載電子機器へ第２の無線インタフェースを介して認証コードを送信することを特徴とする請求項１記載の移動通信端末。
【請求項６】
前記接続制御部は、接続確認のために前記車載電子機器から定期的に出力される信号が予め定められた期間に受信されない場合に、前記車載電子機器との間の接続を開放すると共に、自身の通信モードを単独通信モードに設定することを特徴とする請求項１記載の移動通信端末。
【請求項７】
移動通信端末に接続可能な車載電子機器において、
前記移動通信端末と無線通信を行う無線インタフェースと、
前記移動通信端末への接続を制御する接続制御部と
を具備し、
前記接続制御部は、前記無線インタフェースを介してページング信号を定期的に送信し、当該ページング信号の送信に対する応答信号が前記移動通信端末から受信された場合に当該移動通信端末との間の接続を確立することを特徴とする車載電子機器。
【請求項８】
前記接続制御部は、接続の存在を確認するために前記移動通信端末により使用されるパケットを前記無線インタフェースを介して定期的に送信することを特徴とする請求項７記載の車載電子機器。
【請求項９】
着呼を受信すると共に発呼を送信するための情報転送制御部を、さらに具備することを特徴とする請求項７記載の車載電子機器。
【請求項１０】
前記移動通信端末からの通話信号を出力するスピーカと、
ユーザの通話音声を入力するためのマイクロホンと
を、さらに具備することを特徴とする請求項９記載の車載電子機器。
【請求項１１】
前記車載電子機器は、音楽再生機能とこの機能により再生される音楽を出力するスピーカとを有するカーオーディオ装置であることを特徴とする請求項９記載の車載電子機器。
【請求項１２】
前記車載電子機器は、ＧＰＳを使用して車両の位置を測定するための測定機能と地図情報を表示するためのディスプレイとを備えるカーナビゲーション装置であることを特徴とする請求項９記載の車載電子機器。
【請求項１３】
オーディオ信号を再生するオーディオ再生部と、
このオーディオ再生部により再生されるオーディオ信号を出力するために使用するスピーカと
を、さらに具備することを特徴とする請求項１２記載の車載電子機器。
【請求項１４】
前記情報転送制御部が着呼を受信した場合に、音楽を抑圧するミュート制御部を、さらに具備することを特徴とする請求項１１記載の車載電子機器。
【請求項１５】
前記情報転送制御部が着呼を受信した場合に、オーディオ信号を抑圧するミュート制御部を、さらに具備することを特徴とする請求項１３記載の車載電子機器。
【請求項１６】
前記接続制御部は、前記移動通信端末から前記無線インタフェースを介して認証コード受信し、この受信された認証コードが車載電子機器に登録されていない場合に接続を拒絶することを特徴とする請求項７記載の車載電子機器。
【請求項１７】
前記接続制御部は、前記受信された認証コードが車載電子機器に登録されていない場合に、エンジンの始動を制限するために車両のエンジン制御回路へ制限信号を出力することを特徴とする請求項１６記載の車載電子機器。
【請求項１８】
前記カーオーディオ装置は、発呼操作が行われた場合に、前記音楽再生機能を使用して音楽が再生されているか否かを判定し、前記音楽が再生されていると判定された場合に、前記音楽再生機能により再生される音楽の出力を抑圧することを特徴とする請求項１１記載の車載電子機器。
【請求項１９】
前記オーディオ再生部は、発呼操作が行われた場合に、前記オーディオ信号が再生されているか否かを判定し、前記オーディオ信号の再生が行われていると判定された場合に、前記再生されたオーディオ信号の出力を抑圧することを特徴とする請求項１３記載の車載電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプ電流が低周波矩形波電流と高周波矩形波電流とからなり、該ランプ電流により高圧放電灯を点灯させる高圧放電灯点灯装置において、
該ランプ電流は、低周波矩形波電流の半周期の直後に高周波矩形波電流の1サイクルが重畳されたものからなり、該高周波矩形波電流は、前記低周波矩形波電流よりも大きい電流値であることを特徴とする高圧放電灯点灯装置。
【請求項２】
ランプ電流が低周波矩形波電流と高周波矩形波電流とからなり、該ランプ電流により前記高圧放電灯を点灯させる高圧放電灯点灯装置において、
該ランプ電流は、低周波矩形波電流の半周期の直後に高周波矩形波電流の１サイクルが重畳されたものからなり、該高周波矩形波電流は、該高周波矩形波電流の１サイクルの後半の半サイクル期間のみ低周波矩形波電流よりも大きい電流値であることを特徴とする高圧放電灯点灯装置。
【請求項３】
前記低周波矩形波電流の周波数を60〜500Hzの範囲から選択し、前記高周波矩形波電流の周波数を前記選択された低周波矩形波電流の周波数の5〜25倍までの範囲で選択して使用されることを特徴とする請求項１乃至２の何れかの項に記載の高圧放電灯点灯装置。
【請求項４】
前記低周波矩形波電流よりも大きい該高周波矩形波電流の電流値は、高圧放電灯の正常動作時のランプ電流値の１．２〜５倍とすることを特徴とする請求項１乃至３の何れかの項に記載の高圧放電灯点灯装置。
【請求項５】
直流電圧を交流ランプ電流に変換するブリッジ回路（３）、該ブリッジ回路に該直流電圧を供給する回路（２、９）及び該ブリッジ回路の交流ランプ電流における交互導通を制御する回路（８）とからなる高圧放電灯点灯装置において、
該制御回路（８）は、該交流ランプ電流が、低周波矩形電流と該低周波矩形電流の半周期の直後に重畳された１サイクルの高周波矩形波電流からなるよう、該ブリッジ回路（３）を制御し、
該直流電圧供給回路（２、９）は、該重畳された１サイクルの高周波矩形波電流の１サイクル期間又は該１サイクルの後半の半サイクル期間だけ、該交流ランプ電流の他の期間よりも大きい直流電圧を該ブリッジ（３）回路に供給していることを特徴とする高圧放電灯点灯装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に複数の不揮発性メモリセルと、周辺回路用の第１、第２の電界効果トランジスタとを有し、前記複数の不揮発性メモリセルの各々は、前記半導体基板に設けられたメモリセル用の一対の半導体領域と、前記メモリセル用の一対の半導体領域の間における前記半導体基板上に第１の絶縁膜を介して設けられた第１のゲート電極と、その第１のゲート電極上に第２の絶縁膜を介して設けられた第２のゲート電極とを有し、前記周辺回路用の第１、第２の電界効果トランジスタは、前記半導体基板に設けられた周辺回路用の一対の半導体領域と、前記周辺回路用の一対の半導体領域の間における前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられた前記第１のゲート電極と、その第１のゲート電極上に前記第２の絶縁膜を介して設けられた前記第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極を電気的に接続するように前記第２の絶縁膜に設けられた孔とを有し、前記第１の電界効果トランジスタにおいては、前記孔が、前記第１、第２のゲート電極の平面内において活性領域と平面的に重なる位置に設けられ、前記第２の電界効果トランジスタにおいては、前記孔が、前記第１、第２のゲート電極の平面内において分離領域と平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置において、前記第１の電界効果トランジスタのゲート長は、前記第２の電界効果トランジスタのゲート長よりも長いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体集積回路装置において、前記第１の電界効果トランジスタのゲート幅は、前記第２の電界効果トランジスタのゲート幅よりも長いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項１、２または３記載の半導体集積回路装置において、前記第１の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、前記第２の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜よりも厚いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、前記第１の電界効果トランジスタの駆動電圧は、前記第２の電界効果トランジスタの駆動電圧よりも高いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、前記第１の電界効果トランジスタは、入力回路、出力回路、入出力双方向回路、電源回路または昇圧回路を構成する電界効果トランジスタであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
（ａ）半導体基板に分離領域および活性領域を形成する工程と、（ｂ）前記半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、（ｃ）前記第１の絶縁膜上に第１のゲート電極用の導体膜を形成する工程と、（ｄ）前記第１の導体膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、（ｅ）前記第２の絶縁膜において周辺回路用の電界効果トランジスタのゲート電極形成領域上に前記第１のゲート電極用の導体膜に達する孔を穿孔する工程と、（ｆ）前記第２の絶縁膜上に第２のゲート電極用の導体膜を形成する工程と、（ｇ）前記第１のゲート電極用の導体膜、第２の絶縁膜および第２のゲート電極用の導体膜をパターニングすることにより、不揮発性メモリセルの２層ゲート電極を形成する工程と、（ｈ）前記半導体基板に前記不揮発性メモリセルの一対の半導体領域を形成する工程と、（ｉ）前記第１のゲート電極用の導体膜、第２の絶縁膜および第２のゲート電極用の導体膜をパターニングすることにより、前記周辺回路用の第１、第２の電界効果トランジスタのゲート電極を形成する工程と、（ｊ）前記半導体基板に前記周辺回路用の第１の電界効果トランジスタの一対の半導体領域を形成する工程と、（ｋ）前記半導体基板に前記周辺回路用の第２の電界効果トランジスタの一対の半導体領域を形成する工程とを有し、前記第１の電界効果トランジスタにおいては、前記孔を、前記ゲート電極形成領域の平面内において活性領域と平面的に重なる位置に形成し、前記第２の電界効果トランジスタにおいては、前記孔を、前記ゲート電極形成領域の平面内において分離領域と平面的に重なる位置に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の電界効果トランジスタのゲート長は、前記第２の電界効果トランジスタのゲート長よりも長いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の電界効果トランジスタのゲート幅は、前記第２の電界効果トランジスタのゲート幅よりも長いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７、８または９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の絶縁膜は、相対的に厚い絶縁膜と相対的に薄い絶縁膜とを有し、前記第１の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、前記相対的に厚い絶縁膜で形成し、前記第２の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、前記相対的に薄い絶縁膜で形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の電界効果トランジスタの駆動電圧は、前記第２の電界効果トランジスタの駆動電圧よりも高いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７〜１０のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の電界効果トランジスタは、入力回路、出力回路、入出力双方向回路、電源回路または昇圧回路を構成する電界効果トランジスタであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
その後、全面にＣＶＤ法でSiO2膜１７を成膜する(図２(ｆ))。次いで、互いに隣接するＰ+型拡散領域１６の間の位置に、細長の開口２５が形成されたレジスト膜１８をSiO2膜１７の表面に形成する(図３(ｇ))。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001244462.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板と、
この半導体基板上に形成された絶縁膜と、
この絶縁膜に形成されたコンタクト孔を介して前記半導体基板に電気的に接続されるように、前記絶縁膜上に形成された配線とを有する半導体装置において、
前記コンタクト孔は、アスペクト比が３以上であり、深さ方向に上部Ａと下部Ｂに分けたとき、０．６≧Ａ／（Ａ＋Ｂ）≧０．２なる範囲で上部Ａが１°〜５°のテーパ角を持つ順テーパに加工されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記コンタクト孔の径は２５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  前記コンタクト孔の下部Ｂは前記半導体基板に対して略垂直な側壁を持つ
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】 半導体基板に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、アスペクト比が３以上であり且つ、深さ方向を上部Ａと下部Ｂに分けたとき、０．６≧Ａ／（Ａ＋Ｂ）≧０．２なる範囲で上部Ａが１°〜５°のテーパ角を持つ順テーパに加工されたコンタクト孔を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記コンタクト孔を介して前記半導体基板に電気的に接続されるように配線を形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  前記絶縁膜は、下部Ｂの第１の絶縁膜とこれとは異種材料からなる上部Ａの第２の絶縁膜との積層構造を有し、
前記コンタクト孔の形成工程は、前記第２の絶縁膜を順テーパを持つようにエッチングし、第１の絶縁膜を略垂直に又は等方的にエッチングするドライエッチング工程である
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の層間絶縁層に設けられた凹パターンにＣｕ配線が埋め込まれた半導体集積回路装置であって、
前記層間絶縁層を構成する少なくとも１層は低誘電率材料であり、前記凹パターンの側壁に設けられた絶縁膜を介してバリア層が形成され前記バリア層上に前記Ｃｕ配線が埋め込まれていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
基板上の層間絶縁層に設けられた凹パターンにＣｕ配線が埋め込まれた半導体集積回路装置であって、
前記層間絶縁層を構成する少なくとも１層は低誘電率材料であり、前記凹パターンの側壁に設けられた絶縁膜を介してバリア層が形成され前記バリア層上に前記Ｃｕ配線が埋め込まれており、前記絶縁膜がプラズマＣＶＤ法、高密度プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法で形成された酸化膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
基板上の層間絶縁層に設けられた凹パターンにＣｕ配線が埋め込まれた半導体集積回路装置であって、
前記層間絶縁層を構成する少なくとも１層は低誘電率材料であり、前記凹パターンの側壁に設けられた絶縁膜を介してバリア層が形成され前記バリア層上に前記Ｃｕ配線が埋め込まれており、前記絶縁膜の厚さが０．０１〜０．１μｍ程度であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
基板上の層間絶縁層に設けられた凹パターンにＣｕ配線が埋め込まれた半導体集積回路装置であって、
前記層間絶縁層を構成する少なくとも１層は低誘電率材料であり、前記凹パターンの側壁に設けられた絶縁膜を介してバリア層が形成され前記バリア層上に前記Ｃｕ配線が埋め込まれており、前記低誘電率材料は、有機ＳＯＧ膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
基板上の層間絶縁層に設けられた凹パターンにＣｕ配線を埋め込む半導体集積回路装置の製造方法であって、
（ａ）前記基板上に少なくとも１層が低誘電率材料で構成された前記層間絶縁層を形成する工程と、
（ｂ）前記層間絶縁層に前記凹パターンを形成する工程と、
（ｃ）前記凹パターンの側壁に絶縁膜を設ける工程と、
（ｄ）前記側壁が形成された前記凹パターンの内部にバリア層およびＣｕ膜を下層から順に埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ところで、Ｃｕ配線を埋め込む溝が形成される絶縁層には、エッチングストッパー膜およびＴＥＯＳ酸化膜が下層から順に堆積された積層膜が提案されている。ＴＥＯＳ酸化膜は、ＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate；Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5））ガスとオゾン（Ｏ3）ガスとを用いたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学的気相成長）法で成膜される。エッチングストッパー膜には、比誘電率が２〜３程度と相対的に低く、ＴＥＯＳ酸化膜に対してエッチング選択比がとれる低誘電率材料が採用され、なかでも熱に対して比較的安定であり、また湿度に対しても高い耐性を有する有機ＳＯＧ（Spin On Glass）膜が絶縁層を構成する材料として有望視されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
なお、有機ＳＯＧ膜を絶縁層に適用したダマシンプロセスに関しては、例えば株式会社プレスジャーナル発行「セミコンダクター・ワールド（Semiconductor World）」１９９８年２月号、Ｐ１０３〜Ｐ１０７などに記載されている。
また配線溝の側壁にサイドウォールを形成してダマシン配線を形成する方法については特開２０００−９１４２９号公報（特願平１０−２６０１１３号）、特開平９−３１２２９１号公報、特開平１１−５４６２１号公報、特開平９−２７５１３８号公報、特開平４−３２６５５３号公報、特開平１０−２８４６００号公報に記載がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
まず、図２に示すように、半導体素子が形成された半導体基板１上に第１絶縁層２を形成する。次いで、この第１絶縁層２の上層に、厚さ０．１μｍ程度の有機ＳＯＧ膜３ａおよび厚さ０．３μｍ程度のＴＥＯＳ酸化膜３ｂとを順次堆積して第２絶縁層３を構成する。有機ＳＯＧ膜３ａは、例えば塗布法によって成膜され、ＴＥＯＳ酸化膜３ｂは、例えばＴＥＯＳガスとＯ3ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法で成膜される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、図３に示すように、レジストパターンをマスクとしてＴＥＯＳ酸化膜３ｂをエッチングする。この際、有機ＳＯＧ膜３ａがエッチングストッパー膜として機能する。次いでこの有機ＳＯＧ膜３ａをエッチングすることにより、溝パターン４を形成する。溝パターン４の幅は、例えば０．５μｍ程度であり、その深さは、例えば約０．４μｍ程度である。この後、半導体基板１上に厚さ約０．０１〜０．１μｍ程度のＴＥＯＳ酸化膜５を堆積する。ＴＥＯＳ酸化膜５は、例えばＴＥＯＳガスとＯ3ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法で成膜される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、図９に示すように、半導体基板１上に第１有機ＳＯＧ膜１７ａ、第１ＴＥＯＳ酸化膜１７ｂ、第２有機ＳＯＧ膜１７ｃおよび第２ＴＥＯＳ酸化膜１７ｄを順次堆積する。第１有機ＳＯＧ膜１７ａおよび第２有機ＳＯＧ膜１７ｃは、例えば塗布法によって成膜され、第１ＴＥＯＳ酸化膜１７ｂおよび第２ＴＥＯＳ酸化膜１７ｄは、例えばＴＥＯＳガスとＯ3ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法で成膜される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、上記レジストパターン２３を除去した後、図１１に示すように、レジストパターン２４をマスクとして第２ＴＥＯＳ酸化膜１７ｄをエッチングする。この際、第２有機ＳＯＧ膜１７ｃがエッチングストッパー膜として機能する。次に、この第２有機ＳＯＧ膜１７ｃをエッチングすることにより、第２Ｃｕ配線ＭＬ2を埋め込む溝パターン１９を形成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この後、上記レジストパターン２４を除去した後、図１２に示すように、半導体基板１１上に厚さ０．０１〜０．１μｍ程度の第３ＴＥＯＳ酸化膜２０を堆積する。第３ＴＥＯＳ酸化膜２０は、例えばＴＥＯＳガスとＯ3ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法で成膜される。次いで、図１３に示すように、Ａｒガスを用いたスパッタエッチングによって、第２ＴＥＯＳ酸化膜１７ｄの上部、穴パターン１８の底部および溝パターン１９の底部の第３ＴＥＯＳ酸化膜２０を除去することにより、穴パターン１８および溝パターン１９の内部側壁に第３ＴＥＯＳ酸化膜２０を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱体を取り付けるベースプレートと、該ベースプレートに立設しベースプレートの熱を放熱するフィンとからなるヒートシンクにおいて、前記ベースプレートに立設のフィンの先端は隣接するいずれかのフィンと少なくともその一か所で連結していることを特徴とするヒートシンク。
【請求項２】
発熱体を取り付けるベースプレートと、該ベースプレートの熱を放熱するフィンと、該フィンに風を送るファンとからなるヒートシンクにおいて、フィンの先端は隣接するいずれかのフィンと少なくともその一か所で連結され、該フィン相互を連結する連結部はフィン先端よりも高く構成され、前記ファンは前記連結部で動きが規制されるように装着されていることを特徴とするヒートシンク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本願の第２の発明は、発熱体を取り付けるベースプレートと、該ベースプレートの熱を放熱するフィンと、該フィンに風を送るファンとからなるヒートシンクにおいて、フィンの先端は隣接するいずれかのフィンと少なくともその一か所で連結され、該フィン相互を連結する連結部はフィン先端よりも高く構成され、前記ファンは前記連結部で動きが規制されるように装着されていることを特徴とするヒートシンクである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記実施形態に示す本発明のフィン２は、図１（イ）に示すようにベースプレート１に立設され、その先端は隣接するいずれかのフィンと少なくともその一か所で連結されている。図中９はその連結部で、図示した実施形態では連結部９は左右に一か所づつ設けられている。このように、フィン２の先端を隣接するフィン２と少なくともその一か所で連結することによりフィンを薄くしてもフィン相互の間隔が不規則になることがなく、強度も向上し、フィンとしての放熱性能も向上する。即ち、連結部９はフィン相互の間隔が不規則になるのを防止し、かつ、強度を落とさない程度の幅とすることで空気の流れを阻害することなく、連結部９を設けることで放熱効率が低下するようなこともない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月6日(2005.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記凹凸が２層以上からなる交叉した配列であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
５、Ｃｒなどのバリアメタル２をバンプ電極１と保護膜３の間にスパッタリングあるいは蒸着法によって被着させる。
６、半田あるいは金などのバンプ電極１を電解メッキ法を用いて形成させる。
バンプ電極１は、ボール状あるいは柱状などに形成させる。また、電極下層膜の凹凸段差の配列を、図６に示す平行に配列されるパターン、図７に示す格子状のパターン、あるいは図８に示す多層で形成される交叉したパターンに形成し、効果的にバンプ電極と半導体基板間の接触面積を増大させる。以上のような手法によって、バンプ電極下の保護膜開口部以外の領域に凹凸段差を形成させることで、バンプ電極と半導体装置基板間の接触面積が増大した機械的強度の高い半導体装置を製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
フィーダ２１のチップ用温度制御装置２６に対応した位置にはワーク押さえ上下動装置２７が設備されており、ワーク押さえ上下動装置２７はワーク押さえ２８を垂直方向に上下動させるように支持している。ワーク押さえ２８はキャリア治具１４の窓孔１５に対して大きめに相似した略正方形の枠形状に形成されており、チップ用温度制御装置２６と同心に配置された状態になっている。ワーク押さえ２８はフィーダ２１の上面との間でキャリア治具１４の窓孔１５の周りをクランピングするクランパを構成している。ワーク押さえ２８にはヒータ２９が内臓されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体上に、Ｓｉx （Ｇｅy Ｃ1-y ）1-x 層及びＳｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層（但し、０＜ｘ＜ｖ≦１，ｙ≦１，ｗ≦１）を順次堆積させたのち、前記Ｓｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層上に金属層を堆積させ、加熱処理により金属化合物層を形成する際に、前記Ｓｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層の厚さを、前記堆積させる金属層の膜厚により決定しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体上に、Ｓｉx （Ｇｅy Ｃ1-y ）1-x 層及びＳｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層（但し、０＜ｘ＜ｖ≦１，ｙ≦１，ｗ≦１）を順次堆積させたのち、前記Ｓｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層上に金属層を堆積させ、加熱処理により金属化合物層を形成する際に、前記Ｓｉx （Ｇｅy Ｃ1-y ）1-x 層の組成比を、前記堆積させる金属層の膜厚、及び、前記Ｓｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層の組成比及び膜厚によって決定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１（ａ）乃至（ｃ）参照  
（１）本発明は、半導体装置の製造方法において、半導体１上に、Ｓｉx （Ｇｅy Ｃ1-y ）1-x 層２及びＳｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層３（但し、０＜ｘ＜ｖ≦１，ｙ≦１，ｗ≦１）を順次堆積させたのち、Ｓｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層３上に金属層４を堆積させ、加熱処理により金属化合物層５，６を形成する際に、Ｓｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層３の厚さを、堆積させる金属層４の膜厚により決定しておくことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（２）また、本発明は、半導体装置の製造方法において、半導体１上に、Ｓｉx （Ｇｅy Ｃ1-y ）1-x 層２及びＳｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層３（但し、０＜ｘ＜ｖ≦１，ｙ≦１，ｗ≦１）を順次堆積させたのち、Ｓｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層３上に金属層４を堆積させ、加熱処理により金属化合物層５，６を形成する際に、Ｓｉx （Ｇｅy Ｃ1-y ）1-x 層２の組成比を、堆積させる金属層４の膜厚、及び、Ｓｉv （Ｇｅw Ｃ1-w ）1-v 層３の組成比及び膜厚によって決定することを特徴とする。