【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の両面に導体回路と層間絶縁層とが積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、
前記ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が配設されていることを特徴とするＩＣチップ実装用基板。
【請求項２】
前記光信号伝送用光路は、空隙により構成されている請求項１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項３】
前記光信号伝送用光路は、樹脂組成物および空隙により構成されている請求項１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項４】
前記光信号伝送用光路は、空隙とその周囲の導体層とにより構成されている請求項１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項５】
前記光信号伝送用光路は、樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とにより構成されている請求項１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項６】
前記光学素子の実装位置は、ＩＣチップ実装用基板の表面である請求項１〜５のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項７】
前記光学素子は、受光素子および／または発光素子である請求項６に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項８】
前記ＩＣチップ実装用基板の表面には、電子部品が実装されている請求項１〜７のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項９】
前記光信号伝送用光路の端部には、マイクロレンズが配設されている請求項１〜８のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１０】
前記光信号伝送用光路の断面の径は、１００〜５００μｍである請求項１〜９のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１１】
前記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続され、前記層間絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されている請求項１〜１０のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１２】
（ａ）基板の両面に導体回路と層間絶縁層とを順次積層形成し、多層配線板とする多層配線板製造工程と、
（ｂ）前記多層配線板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
（ｃ）前記（ｂ）の工程で形成した貫通孔に連通した開口を有するソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と
を含むことを特徴とするＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（ｂ）の工程で形成した貫通孔の壁面を粗化面にする粗化面形成工程を含む請求項１２に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項１４】
前記（ｂ）の工程で形成した貫通孔の壁面に導体層を形成する導体層形成工程を含む請求項１２または１３に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項１５】
前記（ｂ）の工程で形成した貫通孔内に未硬化の樹脂組成物を充填する樹脂組成物充填工程を含む請求項１２〜１４のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項１６】
前記（ｃ）の工程で形成した開口の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程を含む請求項１２〜１５のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項１７】
ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、
前記ＩＣチップ実装用基板には、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されていることを特徴とする光通信用デバイス。
【請求項１８】
ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、
前記多層プリント配線板は、基板と導体回路とを含んで構成されており、
前記多層プリント配線板には、少なくとも基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されていることを特徴とする光通信用デバイス。
【請求項１９】
ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、
前記ＩＣチップ実装用基板には、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されており、
前記多層プリント配線板は、基板と導体回路とを含んで構成されており、
前記多層プリント配線板には、少なくとも基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されていることを特徴とする光通信用デバイス。
【請求項２０】
前記光信号伝送用光路は、空隙により構成されている請求項１７〜１９のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
【請求項２１】
前記光信号伝送用光路は、樹脂組成物および空隙により構成されている請求項１７〜１９のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
【請求項２２】
前記光信号伝送用光路は、空隙とその周囲の導体層とにより構成されている請求項１７〜１９のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
【請求項２３】
前記光信号伝送用光路は、樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とにより構成されている請求項１７〜１９のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
【請求項２４】
前記光信号伝送用光路の端部には、マイクロレンズが配設されている請求項１７〜２３のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
【請求項２５】
前記光信号伝送用光路の断面の径は、１００〜５００μｍである請求項１７〜２４のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
【請求項２６】
前記ＩＣチップ実装用基板には、光学素子が実装されており、
前記光学素子の実装位置は、ＩＣチップ実装用基板の表面である請求項１７〜２５のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
【請求項２７】
前記光学素子は、受光素子および／または発光素子である請求項２６に記載の光通信用デバイス。
【請求項２８】
前記ＩＣチップ実装用基板は、導体回路、層間絶縁層および前記層間絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するバイアホールを含んで構成されている請求項１７〜２７のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板には、受光素子や発光素子等の光学素子が実装されている。
上記受光素子としては、例えば、ＰＤ（フォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等が挙げられる。
これらは、上記ＩＣチップ実装用基板の構成や、要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
上記受光素子の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ等が挙げられる。
これらのなかでは、受光感度に優れる点からＩｎＧａＡｓが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８５】
次に、第四の本発明の光通信用デバイスについて説明する。
第四の本発明の光通信用デバイスは、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、
上記多層プリント配線板は、基板と導体回路とを含んで構成されており、
前記多層プリント配線板には、少なくとも基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されていること特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１５】
多層プリント配線板３００は、基板３０１の両面に導体回路３０４と層間絶縁層３０２とが積層形成され、基板３０１を挟んだ導体回路同士、および、層間絶縁層３０２を挟んだ導体回路同士は、それぞれ、スルーホール３０９およびバイアホール３０７により電気的に接続されている。
また、多層プリント配線板３００には、基板３０１と層間絶縁層３０２とソルダーレジスト層３１４とを貫通する光信号伝送用光路３６１が形成されており、この光信号伝送用光路３６１を介して、光導波路３１９（３１９ａ、３１９ｂ）と受光素子３３８や発光素子３３９との間で光信号の伝送を行うことができるように構成されている。さらに、この光信号伝送用光路３６１は、その壁面の一部に導体層３６１ｂが形成され、その内部の一部に樹脂組成物３６１ａが充填されている。
多層プリント配線板３００では、光導波路３１９が、基板３０１を挟んでＩＣチップ実装用基板３２０と反対側の最外層の層間絶縁層３０２上に形成されており、光導波路３１９は光路変換ミラー３１９（３１９ａ、３１９ｂ）を備えている。
図４に示す光通信用デバイス３５０では、受光素子および発光素子が多層プリント配線板と対向する側の面に実装されることとなる。