(57)【要約】  耐久性の高いタッチパネルを提供する。本発明のタッチパネル１は、変形可能な可撓性パネル１０を有しており、表示装置２０の下部電極膜２７表面に、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを含有する透明電極膜１９が露出している。このような透明電極膜１９はＩＴＯ薄膜のような従来のものに比べて耐磨耗性が高いので、下部電極膜２７が繰り返し押圧されても、透明電極膜１９に白濁化やクラックが生じない。従って、本発明のタッチパネル１は耐久性が高い。
2008117698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の表示パネルと、前記表示パネルの表面上に配置された下部電極膜とを有する表示装置と、
可撓性フィルムと、前記可撓性フィルム表面上に配置された上部電極膜とを有する可撓性パネルとを有し、
前記表示装置の前記下部電極膜側の面上には、複数のスペーサが配置され、前記可撓性パネルは、前記上部電極膜が配置された側の面を前記下部電極膜に向けた状態で、前記スペーサ上に配置され、
前記可撓性パネルを押圧すると、前記下部電極膜と前記上部電極膜とが導通するように構成されたタッチパネルであって、
前記上部電極膜と、前記下部電極膜のいずれか一方又は両方は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを含有する透明電極膜を有し、前記透明電極膜が前記上部電極膜表面と前記下部電極膜表面のいずれか一方又は両方に露出するタッチパネル。
【請求項２】
前記下部電極膜はＩＴＯを含有する補助電極膜を有し、
前記補助電極膜は、前記透明電極膜と前記表示パネルの間に位置する請求項１記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記表示装置は反射防止層を有し、
前記反射防止層は、前記表示パネルと前記下部電極膜との間に配置された請求項１記載のタッチパネル。
【請求項４】
第一の基板の表面上に、表面に透明電極膜が露出する第一の電極膜を形成して第一のパネルを作成し、
第二の基板の表面上に第二の電極膜が形成された第二のパネルと、前記第一のパネルとを、前記第一、第二の電極膜が対向するよう貼り合せるタッチパネルの製造方法であって、
Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加されたターゲットを、前記第一の基板が配置された真空槽内でスパッタリングして前記透明電極膜を形成するタッチパネルの製造方法。
【請求項５】
ＩＴＯとＺｎＯのいずれか一方又は両方をからなる透明導電材料を主成分とするターゲットを、前記第一の基板が配置された真空槽内でスパッタリングし、前記第一の基板表面上に補助電極膜を形成した後、
前記補助電極膜の表面に前記透明電極膜を形成し、前記補助電極膜と前記透明電極膜とを有する前記第一の電極膜を形成する請求項４記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６】
前記補助電極膜の形成した後、前記補助電極膜を形成した前記真空槽内で、前記透明電極膜を形成する請求項５記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項７】
前記第一の基板を前記真空槽内で移動させ、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加された前記ターゲットと対面する位置を、複数回通過させて、前記透明電極膜を形成する請求項４記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項８】
前記第一の基板が配置された真空槽内部に、酸化ガスと窒化ガスのいずれか一方又は両方をプラズマ化しながら、
前記真空槽内で、第一の金属ターゲットをスパッタリングし、前記第一の基板表面上に第一の透明膜を形成した後、
前記第一の基板を前記真空槽内に配置したまま、前記真空槽内部で、酸化ガスと窒化ガスのいずれか一方又は両方をプラズマ化しながら、
前記第一の金属ターゲットと異なる種類の金属を主成分とする第二のターゲットをスパッタリングし、第一の透明膜の表面上に第二の透明膜を形成して反射防止層を形成した後、
前記第一の基板を前記真空槽内に配置したまま、当該真空槽内で、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加された前記ターゲットをスパッタリングして、前記透明電極膜を形成する請求項４記載のタッチパネルの製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はタッチパネルの技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、タッチパネルはＡＴＭや、自動販売機や、携帯情報端末、携帯ゲーム機、電子案内表示板、カーナビゲーション、携帯電話等に広く用いられている。
タッチパネルは一般に、表面にＩＴＯ薄膜等の透明電極膜が形成された２枚のパネルを、透明電極膜同士を対向した状態で貼り合わせて作成される。２枚のパネルのうち、少なくとも一方のパネルは可撓性を有しており、可撓性パネルを押圧すると、押圧した場所で透明電極膜同士が導通する。このようなタッチパネルにはマトリックス方式と呼ばれるものと、抵抗膜方式と呼ばれるものがある。【０００３】
いずれの方式のものも、透明電極膜同士を直接又は間接的に接触させることで、導通させるから、同じ場所を繰り返し押圧すると、摩擦によって透明電極膜に白濁化やクラックが生じることがある。特に、可撓性パネルで押圧される側のパネルの、透明電極に対する対応が求められている。
【特許文献１】特開２００３−１５１３６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、耐久性の高いタッチパネルを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために本発明は、板状の表示パネルと、前記表示パネルの表面上に配置された下部電極膜とを有する表示装置と、可撓性フィルムと、前記可撓性フィルム表面上に配置された上部電極膜とを有する可撓性パネルとを有し、前記表示装置の前記下部電極膜側の面上には、複数のスペーサが配置され、前記可撓性パネルは、前記上部電極膜が配置された側の面を前記下部電極膜に向けた状態で、前記スペーサ上に配置され、前記可撓性パネルを押圧すると、前記下部電極膜と前記上部電極膜とが導通するように構成されたタッチパネルであって、前記上部電極膜と、前記下部電極膜のいずれか一方又は両方は、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを含有する透明電極膜を有し、前記透明電極膜が前記上部電極膜表面と前記下部電極膜表面のいずれか一方又は両方に露出するタッチパネルである。
本発明はタッチパネルであって、前記下部電極膜はＩＴＯを含有する補助電極膜を有し、前記補助電極膜は、前記透明電極膜と前記表示パネルの間に位置するタッチパネルである。
本発明はタッチパネルであって、前記表示装置は反射防止層を有し、前記反射防止層は、前記表示パネルと前記下部電極膜との間に配置されたタッチパネルである。
本発明は、第一の基板の表面上に、表面に透明電極膜が露出する第一の電極膜を形成して第一のパネルを作成し、第二の基板の表面上に第二の電極膜が形成された第二のパネルと、前記第一のパネルとを、前記第一、第二の電極膜が対向するよう貼り合せるタッチパネルの製造方法であって、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加されたターゲットを、前記第一の基板が配置された真空槽内でスパッタリングして前記透明電極膜を形成するタッチパネルの製造方法である。
本発明は、タッチパネルの製造方法であって、ＩＴＯとＺｎＯのいずれか一方又は両方をからなる透明導電材料を主成分とするターゲットを、前記第一の基板が配置された真空槽内でスパッタリングし、前記第一の基板表面上に補助電極膜を形成した後、前記補助電極膜の表面に前記透明電極膜を形成し、前記補助電極膜と前記透明電極膜とを有する前記第一の電極膜を形成する請求項４記載のタッチパネルの製造方法である。
本発明はタッチパネルの製造方法であって、前記補助電極膜の形成した後、前記補助電極膜を形成した前記真空槽内で、前記透明電極膜を形成するタッチパネルの製造方法である。
本発明はタッチパネルの製造方法であって、前記第一の基板を前記真空槽内で移動させ、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加された前記ターゲットと対面する位置を、複数回通過させて、前記透明電極膜を形成するタッチパネルの製造方法である。
本発明はタッチパネルの製造方法であって、前記第一の基板が配置された真空槽内部に、酸化ガスと窒化ガスのいずれか一方又は両方をプラズマ化しながら、前記真空槽内で、第一の金属ターゲットをスパッタリングし、前記第一の基板表面上に第一の透明膜を形成した後、前記第一の基板を前記真空槽内に配置したまま、前記真空槽内部で、酸化ガスと窒化ガスのいずれか一方又は両方をプラズマ化しながら、前記第一の金属ターゲットと異なる種類の金属を主成分とする第二のターゲットをスパッタリングし、第一の透明膜の表面上に第二の透明膜を形成して反射防止層を形成した後、前記第一の基板を前記真空槽内に配置したまま、当該真空槽内で、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加された前記ターゲットをスパッタリングして、前記透明電極膜を形成するタッチパネルの製造方法である。
【発明の効果】
【０００６】
Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを含有する透明電極膜は、ＩＴＯ等従来の透明電極膜に比べて耐磨耗性が高く、繰り返し押圧しても破損しない。Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを含有する透明電極膜は、ＩＴＯと比較して透明性、電気的特性が劣らない。保護膜形成等、補強のための表面処理が不要なので、透明性、電気的特性が損なわれず、しかも、製造コストが安くなる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明第一例のタッチパネルを説明するための断面図
【図２】本発明に用いる製造装置を説明するための断面図
【図３】本発明第二例のタッチパネルを説明するための断面図
【図４】摺動試験機を説明するための模式的な断面図
【図５】本発明第三例のタッチパネルを説明するための断面図
【図６】本発明第四例のタッチパネルを説明するための断面図
【符号の説明】
【０００８】
１、８１、８２……タッチパネル    １０……可撓性パネル    １１……可撓性フィルム    １５……反射防止層    １７……上部電極膜    １８……補助電極膜    １９……透明電極膜    ２０……表示装置    ２１……表示パネル    ２７……下部電極膜
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１の符号１は本発明のタッチパネルの一例を示しており、タッチパネル１は、表示装置２０と、可撓性パネル１０とを有している。
表示装置２０は、ＬＣＤやＰＤＰ等の板状の表示パネル２１を有しており、表示パネル２１の表面又は裏面のうち、いずれか一方を表示面２４として、該表示面２４に図形や文字等の画像情報が表示されるように構成されている。【００１０】
表示面２４上には、反射防止層１５と、下部電極膜２７が配置されている。
ここでは、反射防止層１５は透明な基板２２表面に形成され、下部電極膜２７は反射防止層１５表面に形成されており、基板２２の反射防止層１５と反対側の面が表示面２４に貼付されることで、反射防止層１５と下部電極膜２７は表示面２４上に記載した順番に積層されているが、反射防止層１５を直接表示面２４に設けてもよい。更に、反射防止層１５を設けず、下部電極膜２７を直接表示面２４に配置してもよいし、下部電極膜２７を基板２２表面に配置してもよい。【００１１】
可撓性パネル１０は、樹脂フィルム等の可撓性フィルム１１と、可撓性フィルム１１表面上に形成された上部電極膜１７とを有している。表示装置２０の下部電極膜２７が配置された側の面には、複数のスペーサ２９が間隔をあけて配置されている。
可撓性パネル１０は、上部電極膜１７が形成された面が、下部電極膜２７に向けられて、スペーサ２９上に乗せられており、従って、下部電極膜２７と上部電極膜１７はスペーサ２９の高さだけ離間して対向している。【００１２】
可撓性フィルム１１と、反射防止層１５と、上部電極膜１７と、下部電極膜２７と、基板２２はそれぞれ透明であり、上述したように、表示面２４に表示される画像情報を、可撓性パネル１０側から観察することができる。
反射防止層１５は、例えば、屈折率の異なる透明膜１２〜１４が複数（ここでは３層）積層されて構成されている。【００１３】
各透明膜１２〜１４の屈折率及び膜厚は、太陽光や照明光等の外光が、可撓性フィルム１１を透過し、下部電極膜２７表面で反射した表面反射光に対し、各透明膜１２〜１４表面で反射した界面反射光の位相がずれ、表面反射光が界面反射光で減衰されるように設計されている。従って、本発明の表示パネル２１の表示する画像を鮮明に観察できる。【００１４】
上部電極膜１７の材質及び膜厚は、可撓性フィルム１１と一緒に変形可能なものにされており、可撓性フィルム１１が曲がると、上部電極膜１７が一緒に変形し、可撓性パネル１０全体が変形可能になっている。【００１５】
このタッチパネル１の使用者は、表示パネル２１の画像情報を観察し、その画像情報に基づき位置を選択し、選択した位置で可撓性パネル１０を押圧する。可撓性パネル１０は押圧された場所が湾曲し、その押圧場所で、上部電極膜１７が下部電極膜２７に接触する。
上部電極膜１７と下部電極膜２７はそれぞれ分析装置に接続されており、タッチパネル１が抵抗膜方式の場合は、押圧した位置に応じた値の電圧値から押圧位置が分かり、マトリックス方式の場合は、押圧によって導通した配線の位置から押圧位置が分かる。【００１６】
下部電極膜２７の表面には、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを含有する透明電極膜１９が露出している。この透明電極膜１９は、導電性と透明性を有しており、しかも、ＩＴＯを主成分とする従来の透明電極膜に比べて耐摩擦性に優れているので、繰り返し押圧されても下部電極膜２７が破損しない。【００１７】
図１に示すように、透明電極膜１９の表示パネル２１側の面に、他の透明電極膜（例えばＩＴＯ膜）を補助電極膜１８として配置した積層膜で下部電極膜２７を構成してもよいし、図３に示すように、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを含有する透明電極膜１９の単層膜で下部電極膜２７を構成してもよい、【００１８】
以上は、下部電極膜２７に透明電極膜１９を設ける場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。図５、６の符号８１、８２は本発明第三、第四例のタッチパネルを示しており、図１のタッチパネル１と同じ部材には同じ符号を付して説明する。【００１９】
図５、６のタッチパネル８１、８２は、上部電極膜１７が透明電極膜１９を有している。ここでは、上部電極膜１７と、可撓性フィルム１１の間に反射防止層１５が配置されているが、反射防止層１５を設けず、上部電極膜１７を可撓性フィルム１１表面に直接配置してもよい。【００２０】
図５のタッチパネル８１は上部電極膜１７が、透明電極膜１９の他に補助電極膜１８を有しており、図６のタッチパネル８２は上部電極膜１７が透明電極膜１９で構成されている。いずれの場合も、上部電極膜１７表面に透明電極膜１９が露出しており、上部電極膜１７が下部電極膜２７に繰り返し押し付けられても、上部電極膜１７が破損しないようになっている。
透明電極膜１９は、上部電極膜１７と下部電極膜２７のいずれか一方だけではなく、両方の表面に露出するように配置してもよい。
上部電極膜１７と下部電極膜２７のいずれか一方又は両方を、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを含有する透明電極膜で構成してもよいが、そのような透明電極膜は、ＩＴＯやＺｎＯに比べて電気抵抗が高い。
従って、上部電極膜１７又は／及び下部電極膜２７は、ＩＴＯとＺｎＯのいずれか一方又は両方からなる透明導電材料を主成分とする補助電極膜と、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを含有する透明電極膜の二層構造とする方が、全体の電気抵抗が下がる。【００２１】
次に、タッチパネル１の製造工程を説明する。
図２の符号５０はタッチパネル１のうち、上述した表示装置２０や、可撓性パネル１０の製造に用いられる製造装置を示している。
この製造装置５０は、真空槽５１と、真空槽５１内部に配置された基板ホルダ５２とを有している。
ここでは、基板ホルダ５２は柱状であって、不図示の回転手段に接続されており、回転手段の動力が伝達されると、中心軸線を中心として回転するように構成されている。【００２２】
基板ホルダ５２は、側面に１又は２枚以上の処理対象物を保持可能に構成されており、基板ホルダ５２が回転すると、各処理対象物も一緒に回転し、処理対象物は基板ホルダ５２の中心軸線を中心とする円周上を移動する。【００２３】
基板ホルダ５２の周囲には複数枚のターゲット６１〜６４が、基板ホルダ５２と、イオンガン５５が基板ホルダ５２の回転方向に沿って並べられており、基板ホルダ５２が回転すると、処理対象物は、各ターゲット６１〜６４と対面する位置と、イオンガン５５と対面する位置を順番に通過する。【００２４】
各ターゲット６１〜６４は電源６６〜６９に接続されている。真空槽５１には真空排気系５９とガス供給系５７が接続されており、真空排気系５９で真空槽５１内部を真空排気し、ガス供給系５７からスパッタガスを供給しながら、ターゲット６１〜６４に電圧を印加すると、ターゲット６１〜６４の表面がスパッタリングされてスパッタ粒子が放出され、処理対象物は、ターゲット６１〜６４と対面する位置を通過するときに、表面にスパッタ粒子が到達する。【００２５】
イオンガン５５はイオンビームを放出する放出口が基板ホルダ５２の側面に向けられている。真空槽５１内部を真空排気し、ガス供給系５７から反応ガスを供給しながら、イオンガン５５からイオンビームを放出すると、反応ガスがプラズマ化し、処理対象物は放出口と対面する位置を通過するときに、反応ガスのプラズマに曝される。【００２６】
ターゲット６１〜６４のスパッタリングと、反応ガスのプラズマ化と、基板ホルダ５２の回転を同時に行うと、処理対象物の表面にスパッタ粒子が到達して原子層が形成され、その原子層は反応ガスのプラズマに曝されて、原子層と反応ガスの反応生成物の薄膜が形成される（メタモード）。
ターゲット６１〜６４のスパッタリングと、反応ガスのプラズマ化とを続けながら、基板ホルダ５２を回転させ、原子層を形成する工程と、原子層をプラズマに曝す工程とを交互に複数回ずつ繰り返せば、反応生成物が成長する。【００２７】
１回の回転で数個のスパッタ粒子が積み重なるように基板ホルダ５２を高速回転させると、薄い原子層が反応ガスのプラズマに曝されることになるので、原子層の反応が早く、従来のスパッタリング装置に比べて成膜速度が速い。
また、処理対象物を静止させて成膜を行う場合に比べて、ターゲット６１〜６４からの熱に長時間処理対象物が曝されないので、樹脂フィルムのような処理対象物にも成膜可能である。【００２８】
次に、この製造装置５０を用いてタッチパネル１を製造する工程について説明する。
真空槽５１内部を真空排気し、真空雰囲気を形成した後、該真空雰囲気を維持しながら、処理対象物である基板２２（第一の基板）を搬入し、基板ホルダ５２に保持させる。図２は基板ホルダ５２に複数枚の基板２２を取り付けた状態を示している。【００２９】
ターゲット６１〜６４としては、複数種類の金属ターゲット６１、６２と、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加された透明導電材料のターゲット６３と、ＩＴＯを主成分とする他の透明導電材料ターゲット６４とを予め配置しておく。尚、金属ターゲット６１、６２は金属（ケイ素も含む）を主成分とするターゲットである。【００３０】
真空排気を続けながら、ガス供給系５７から、ＡｒやＫｒ等のスパッタガスと、化学構造中に酸素原子を含有する酸化ガス（反応ガス）を供給し、基板ホルダ５２を回転させながら、酸化ガスのプラズマ化し、一の金属ターゲット６１をスパッタリングすると、基板２２表面に金属の原子層が形成された後、その原子層が酸化ガスのプラズマと反応し、反応生成物の膜（透明膜１２）が形成される。
酸化ガスのプラズマ化と、金属ターゲット６１のスパッタリングを続けながら、基板ホルダ５２の回転を続けると、基板２２は金属ターゲット６１と対面する位置と、酸化ガスのプラズマに曝される位置とを交互に複数回ずつ通過する。
基板２２の表面上には、金属の原子層が形成される工程と、原子層が酸化ガスのプラズマと反応する工程（酸化）とが交互に複数回ずつ繰り返されることになり、透明膜１２が成長する。
透明膜１２が所定膜厚に達したら、上記金属ターゲット６１のスパッタリングを停止する。その金属ターゲット６１とは、異なる種類の金属を主成分とする他の金属ターゲット６２をスパッタリングし、先に形成された透明膜１２の表面上に、異なる種類の透明膜１３、１４を１層以上成膜し、基板２２表面に透明膜１２〜１４の積層膜からなる反射防止層１５を形成する。【００３１】
金属ターゲット６１、６２のスパッタリングを停止し、かつイオンガン５５を停止した状態で、真空排気と、酸化ガス及びスパッタガスの供給を続けながら、ＩＴＯを主成分とするターゲット６３をスパッタリングし、補助電極膜１８を形成する。
該ターゲット６３をスパッタリングしながら、基板ホルダ５２の回転により、基板２２を真空槽５１内を移動させて、ターゲット６３を対面する位置を複数回通過させると、補助電極膜１８が成長する。
補助電極膜１８が所定膜厚に成長したら、ターゲット６３のスパッタリングを停止し、基板２２を真空槽５１内に配置したまま、透明電極膜１９を形成する。透明電極膜１９は、例えば、イオンガン５５を停止した状態で、真空排気と、酸化ガス及びスパッタガスの供給をしながら、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加されたターゲット６４をスパッタリングする。
補助電極膜１８表面には、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加された透明電極膜１９が形成される。
ターゲット６４をスパッタリングしながら、基板ホルダ５２の回転により、基板２２を真空槽５１内を移動させ、ターゲット６４を対面する位置を複数回通過させると、透明電極膜１９が成長する。
透明電極膜１９が所定膜厚まで成長し、透明電極膜１９と補助電極膜１８とを有する下部電極膜２７が形成されたら、基板２２を、真空槽５１から取り出す。下部電極膜２７が形成された基板２２を、表示パネル２１に貼付すれば、表示装置２０（第一のパネル）が得られる。【００３２】
基板２２に変え、処理対象物として表示パネル２１の透明基板を用い、反射防止層１５と、下部電極膜２７を透明基板に直接形成してから、表示パネル２１を組み立て、表示面２４に直接反射防止層１５（又は下部電極膜２７）が形成された表示装置２０を作成してもよい。
第二の基板（可撓性フィルム１１）の表面上に、第二の電極（上部電極膜１７）が形成された第二のパネル（可撓性パネル１０）を用意し、表示装置２０と、可撓性パネル１０とを、上部電極膜１７と下部電極膜２７がスペーサ２９を挟んで対向するように貼り合せれば、タッチパネル１が得られる。
以上は、基板２２を第一の基板とし、基板２２表面上に透明電極膜１９を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、可撓性フィルム１１を第一の基板とし、可撓性フィルム１１表面上に透明電極膜１９を形成し、第一のパネルとして、図５、６に示したような可撓性パネル１０を作成してもよい。
更に、第一、第二の基板（基板２２と可撓性フィルム１１）の両方の表面上に、透明電極膜１９を形成してもよい。【００３３】
酸化ガスは、化学構造中に酸素原子を含有するものであれば特に限定されず、例えばＯ2、Ｏ3、Ｈ2Ｏを単独又は２種類以上同時に用いることができる。
透明膜１２〜１４の成膜に用いる反応ガスは、酸化ガスに限定されず、化学構造中に窒素原子を含有する窒化ガスを用いることもできる。窒化ガスとしては、Ｎ2、ＮＨ3のいずれか一方又は両方を用いることができる。【００３４】
例えば、透明膜１２〜１４の主成分は、金属ターゲットがＳｉターゲット、反応ガスが酸化ガスの場合はＳｉＯ2であり、窒化ガスの場合はＳｉＮである。また、金属ターゲットがＺｒターゲットで反応ガスが酸化ガスの場合はＺｒＯであり、反応ガスが窒化ガスの場合はＺｒＮである。ＳｉＯ2と、ＳｉＮと、ＺｒＯと、ＺｒＮは互いに屈折率が異なる。【００３５】
更に、金属ターゲット６１、６２の種類を変えずに、反応ガスの種類を変えることで、屈折率が異なる透明膜１２〜１４を積層してもよい。
金属ターゲット６１、６２の種類もＳｉとＺｒに限定されず、Ｓｉと、Ｚｒと、Ｔｉと、Ｓｂと、Ｚｎと、Ｎｂと、Ｔａとからなる群より選択される少なくとも一種類の金属材料を主成分とするものを用い、それら金属の窒化物又は酸化物からなる透明膜１２〜１４を成膜することもできる。【００３６】
透明導電材料のターゲット６３、６４も特に限定されない。例えば、補助電極膜１８の形成には、ＩＴＯと、ＺｎＯのいずれか一方又は両方からなる透明導電材料を主成分とするターゲット６４を用いることができる。
透明導電材料のターゲット６３、６４をスパッタリングする順番や種類も特に限定されないが、最後にＩｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加されたターゲット６４をスパッタリングし、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加された透明電極膜１９を、可撓性パネル１０の表面に露出させる。【００３７】
ターゲット６３中のＴｉの含有量は特に限定されないが、０．１原子％以上３０原子％以下のものを用い、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを０．１原子％以上３０原子％を含む透明電極膜１９を成膜することが望ましい。【００３８】
透明膜１２〜１４を形成する工程から、透明電極膜１９を形成する工程まで、基板２２を真空槽５１から取り出さず、それらの工程を全て同じ真空槽５１内で連続して行えば、反射防止層１５や電極膜が汚染されない。
以上は、スパッタリング法により、透明膜１２〜１４、透明電極膜１９、及び補助電極膜１８を成膜する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。【００３９】
透明膜１２〜１４、透明電極膜１９、及び補助電極膜１８のうち、少なくとも１つを蒸着法で成膜することができる。蒸着法としては、特に、蒸着ガスを真空槽内に供給し、該蒸着ガスを活性化させた状態で蒸着材料を蒸発させて成膜する活性反応蒸着法（ＡＲＥ：Ａｃｔｉｖａｔｅｄ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）が好ましい。【００４０】
蒸着ガスとしては、Ａｒ、Ｋｒ等の希ガスのみ、又は希ガスと反応ガスの両方を用いることができ、反応ガスとしては上述した酸化ガスと窒化ガスのいずれか一方又は両方を用いることができる。【００４１】
また、上部電極膜１７だけではなく、下部電極膜２７の表面にも、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉを含有する透明電極膜を露出させてもよく、この場合、タッチパネル１の耐久性がより高くなる。
【実施例】
【００４２】
＜実施例１＞
Ｓｉターゲットと、Ｚｒターゲットと、Ｓｉターゲットを記載した順番にスパッタリングし、樹脂フィルムからなる基板２２表面にＳｉＯ2膜、ＺｒＯ膜、ＳｉＯ2膜とを記載した順番に積層して反射防止層１５を形成した。【００４３】
次いで、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、ＳｎＯ2が１０重量％添加されたＩＴＯターゲットと、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、ＴｉＯ2が１重量％添加されたターゲットとを記載した順番にスパッタリングし、ＩＴＯを主成分とする補助電極膜１８と、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加された透明電極膜１９（膜厚１ｎｍ）を積層して下部電極膜２７を形成し、表示パネルを作成した。【００４４】
樹脂フィルムからなる可撓性フィルム１１の表面にＩＴＯ薄膜からなる上部電極膜１７を形成し可撓性パネル１０を作成した。上部電極膜１７と下部電極膜２７とを対向させ、両面テープを間に挟んで、可撓性パネル１０と表示パネルとを張り合わせて、実施例１の試験パネルを作成した。【００４５】
＜実施例２、３＞
透明電極膜１９の膜厚を、５ｎｍ、１０ｎｍに変えた以外は、実施例１と同じ条件で実施例２、３の試験パネルを作成した。【００４６】
＜実施例４＞
補助電極膜１８を形成せず、下部電極膜２７を透明電極膜１９単層で構成した以外は、実施例１と同じ条件で実施例４の試験パネルを作成した。【００４７】
＜比較例１＞
透明電極膜１９を形成せず、下部電極膜２７を補助電極膜１８だけで構成した以外は、実施例１と同じ条件で比較例１の試験パネルを作成した。【００４８】
上記実施例１〜４、比較例１の試験パネルを用いて下記に示す摺動特性試験を行った。【００４９】
＜摺動特性試験＞
図４の符号９０は摺動試験機を示しており、摺動試験機９０は台９１を有しており、台９１上にはボールベアリング９６が配置され、ボールベアリング９６上にステージ９８が乗せられている。
実施例１〜４、比較例１の試験パネルを、可撓性パネル１０を上方に向けた状態でステージ９８上に乗せる。【００５０】
ステージ９８上の振動子９４下端に樹脂製の振動子先端部９５を取り付けた。更に、振動子９４と、振動子先端部９５と、荷重９３との合計が、それぞれ２５０ｇｆ、５００ｇｆ、１０００ｇｆになるように、振動子９４上端に荷重９３を取り付けた。振動子先端部９５で可撓性パネル１０を押圧しながら、荷重２５０ｇｆで３０万回、荷重５００ｇｆで６万回と１０万回、荷重１０００ｇｆで５万回、振動子９４をそれぞれ往復移動させた。【００５１】
往復移動後の試験パネルについて、下部電極膜２７表面に傷が見られないものを○、部分的に傷が見られたものを△、摺動した部分全体に傷が見られたものを×として評価した。評価結果を下記表１に記載する。【００５２】
【表１】
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【００５３】
上記表１から明らかなように、下部電極膜２７の表面に、Ｉｎ2Ｏ3を主成分とし、Ｔｉが添加された透明電極膜１９を形成した実施例１〜４では、膜厚を変えても、全ての摺動条件で傷が見られなかった。以上のことから、表面に露出させる透明電極膜１９は膜厚等の制限を受けないことが分かる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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