【手続補正書】
【提出日】平成16年8月10日(2004.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書
【発明の名称】  強誘電性液晶パネル
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１と第２の基板の上にそれぞれ透明電極を設け、その上に五酸化タンタルの絶縁膜を形成し、さらにその上に無機酸化珪素の蒸着配向膜を形成し、これら第１と第２の基板の膜形成面を向き合わせて周辺をシールで接合し、強誘電性液晶を封入してなる強誘電性液晶パネルにおいて、
五酸化タンタルの絶縁膜は全周がシール部に達しているとともに、注入孔部において外向きに張り出しているシール形状によって囲まれる領域にも形成してあり、
その上に無機酸化珪素の蒸着配向膜を、五酸化タンタルの絶縁膜より一回り小さな輪郭で形成してあることを特徴とする強誘電性液晶パネル。
【請求項２】  請求項１に記載の強誘電性液晶パネルにおいて、
無機酸化珪素の蒸着配向膜は、輪郭が五酸化タンタルの絶縁膜より５００〜１５００μｍ小さいことを特徴とする強誘電性液晶パネル。
【請求項３】  第１と第２の基板の上にそれぞれ透明電極を設け、その上に五酸化タンタルの絶縁膜を形成し、さらにその上に無機酸化珪素の蒸着配向膜を形成し、これら第１と第２の基板の膜形成面を向き合わせて周辺をシールで接合し、強誘電性液晶を封入してなる強誘電性液晶パネルにおいて、
スペーサとして液晶パネルの全領域にシリカビーズを撒き、これに加えて表示画素部の外側の周辺画素領域にシリカビーズより球径の大きなプラスチックビーズを撒いたことを特徴とする強誘電性液晶パネル。
【請求項４】  請求項３に記載の強誘電性液晶パネルにおいて、
プラスチックビーズは球径がシリカビーズより０．２〜０．３μｍ大きいことを特徴とする強誘電性液晶パネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、強誘電性液晶パネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の強誘電性液晶パネルを図１１を用いて説明する。まず第１の基板１１上に透明導電膜を設け、パターニングを行って透明電極１３を形成する。透明電極１３上に短い縦縞状に示したのはブラックマトリクス２９であり、この上に絶縁膜１４を形成する。その後、斜め蒸着法により配向用の酸化珪素（ＳｉＯ）膜であるＳｉＯ斜め蒸着膜１５を形成す
る。このとき、蒸着角度は７゜である。
【０００３】
同様に、第２の基板１２上に透明電極１３をパターニング形成し、絶縁膜１４とＳｉＯ斜め蒸着膜１５を形成する。次に、熱硬化型接着剤を用いて第１のシール１８を第１の基板１１の周辺画素領域１６の外周に形成する。また、第２の基板１２の面上にシリカビーズ１９をギャップ材として散布する。
【０００４】
次に第１の基板１１と第２の基板１２を、基板周辺に設けたアライメントマーク（図示せず）を基準に貼り合わせて空セルを作る。このとき、第１のシール１８は、熱硬化型接着剤を使用し、硬化させるために１．０〜２．０ｋｇ／ｃｍ２の圧力を掛けながら、１２０℃〜１６０℃の温度で、１〜２時間、炉の中で焼成する。
【０００５】
次に、空セルの第１のシール１８に設けた注入孔周辺に液晶を付ける。このとき、強誘電性液晶は一般的には常温では高粘性であるため、空セル内に入って行かない。  強誘電性液晶を真空中でＩｓｏ温度（等方相温度）以上に熱した後、セル内に注入して注入孔を封孔材３５で封孔し、液晶パネルとする。
【０００６】
この方法では、第１の基板１１と第２の基板１２の間にシリカビーズ１９を挟んで所定ギャップを得ることから、第１の基板１１と第２の基板１２に外部から圧力を掛けても、内側向きに押し潰されることはなく、かなり剛性のあるセルが得られる。しかし、強誘電性液晶２４を入れるには、前記したように液晶を高温で低粘性にし体積が膨張した時に注入する。その後、封孔すると、室温では液晶体積に７％〜１１％程度の収縮を生じ、セルが剛体で内部方向には変形しないため、収縮した部分に真空部もしくは低蒸気圧の揮発部が生じる。
【０００７】
さらに、第１の基板１１と第２の基板１２上に形成したＳｉＯ斜め蒸着膜１５は、ポーラス（多孔質）な構造をしているため、空気中の水分を非常に吸収しやすい。このため、液晶を注入して封孔した後にパネルを耐湿試験（６５℃／９０％）などの信頼性試験に投入すると、数日で大きな泡状の気泡が発生する。これは、ＳｉＯ斜め蒸着膜１５に付着した水分が原因と考えられる。
【０００８】
このため、通常、パネル化を行う前に第１の基板１１と第２の基板１２に形成されたＳｉＯ斜め蒸着膜１５を空気中で焼成する。焼成温度は、３５０℃以上が好ましく、これでＳｉＯ表面のカラムに付着した水分は除去される。焼成温度が４００℃もしくはそれ以上であると、よりＳｉＯＸ化され、耐湿試験では長期間の良好な信頼性評価結果を得る。
【０００９】
しかし、実際は、高温で蒸着膜を焼成すると透明電極１３の抵抗値が上がるため、完成パネルでの駆動能力が問題になり、この方法は適切な条件を見出さなければならない。
【００１０】
実験の結果、３５０℃−６時間程度が最適で、それ以上の温度と時間では透明電極１３の抵抗値が１０Ω／□から３００Ω／□まで上がってしまい、駆動回路側に負担が掛かる。
【００１１】
前記したような蒸着配向膜の焼成工程を経た基板を用いたセルも、通常雰囲気で２４時間程度保管した後に、強誘電性液晶を注入すると、やはり大きな気泡が発生する。セル化後、窒素デシケータ雰囲気（ＬＬ％）で２４時間保管しても、程度の差はあれ気泡が発生する。
【００１２】
このように焼成して保管したパネルを液晶注入前に加熱空焼きし、信頼性試験に投入した場合、やはり、水分を原因とする大きな気泡が発生してしまう。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の強誘電性液晶パネルで、配向処理膜としてＳｉＯ斜め蒸着を使用したセルでは、ＳｉＯ斜め蒸着膜表面のカラムによる水分吸着やセル内に封じ込まれた液晶自身の体積収縮により、大きな気泡や、液晶の層構造に沿って出る微小気泡が発生してしまう。このため、配向膜に完全に酸化したＳｉＯ２膜を形成して使用したりする。しかし、この膜は水分吸着の気泡発生は解決するが、もう一つの液晶自身の体積の収縮に関しては解決策にならない。
【００１４】
また、ＳｉＯ２膜は、強誘電性液晶を配向させる条件が非常に難しく、たとえ適正な条件が得られたとしても、液晶の種類をそれ程変更できないなどの難しさがある。
【００１５】
実際、強誘電性液晶もしくは強誘電性液晶パネルの開発の歴史において、強誘電性液晶を基板上に並べるための配向処理膜には、ＳｉＯ斜め蒸着膜が評価用として使用され研究がなされてきた。このため、このＳｉＯ斜め蒸着膜に合った液晶化合物が多いと言う事情があり、望まれる特性の強誘電性液晶パネルを得たい場合、ＳｉＯ斜め蒸着膜を使うことによりある程度の目標達成は可能である。
【００１６】
しかし実際、気泡発生の問題がなかなか解決せず、ＳｉＯ斜め蒸着での配向処理膜を使用した製品化は難しいとされている。そこで、多くの強誘電性液晶パネル技術者は、製品化を行うに当たり、ポリイミドやポリビニルアルコールなどに代表される有機配向膜を使用しているが、メモリー性を長期安定化する研究や配向信頼性において、かなりの難点がある。
【００１７】
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記の問題点を解決して、液晶の体積収縮により発生する真空部もしくは低蒸気圧部をなくすことが可能な強誘電性液晶パネルを提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明の強誘電性液晶パネルの特徴は、ＳｉＯ斜め蒸着膜を用いた強誘電性液晶パネルにおいて、ＳｉＯ斜め蒸着膜の輪郭を注入孔近傍の形状も含めてシールのパターンと完全に一致させることと、シールを二重シール構造にし、その隙間に強誘電性液晶を入れること、あるいは、その隙間にシリコーンオイルを入れることと、基板間にギャップ材のシリカビーズを挟むのに加えて、周辺画素領域にプラスチックビーズを散布することであって、これにより、特性が向上し、かつ、より信頼性の高い強誘電性液晶パネルの製造が可能になる。
【００１９】
【００２０】
〔作用〕
これにより、耐湿試験で有機シールから浸入する水分は、外側シールと内側シールの二重シール部分で吸収され、表示画素部への水分の吸着を防ぎ、水分による大きな気泡発生を防げると共に、表示画素部周辺にプラスチックビーズを撒くことで、液晶の層配列と体積収縮に起因する微小気泡の発生を防ぐことが可能になる。このように、本発明によって特性が向上し、しかもより信頼性の高い強誘電性液晶パネルとその製造が可能になる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の最適の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）は本発明の実施形態である強誘電性液晶パネルの断面図、図１（ｂ）はその平面図である。
【００２２】
まず、第１の基板１１上には、透明電極１３とその上に短く縦縞状に描いたブラックマ
トリクス２９を備え、表示画素部１７と周辺画素領域１６を備え、さらに五酸化タンタル膜の絶縁膜１４とその一部であって注入孔部に張り出した注入孔部絶縁膜２０を備え、その上に絶縁膜１４より一回り小さめな輪郭のＳｉＯ斜め蒸着膜１５と、その一部であって注入孔部に張り出し、注入孔部絶縁膜２０より一回り小さめな輪郭の注入孔部ＳｉＯ斜め蒸着膜２１を備え、一方、第２の基板１２上にも、透明電極１３と、ブラックマトリクス２９と、五酸化タンタルの絶縁膜１４およびその一部であって注入孔部に張り出した注入孔部絶縁膜２０を備え、その上に絶縁膜１４および注入孔部絶縁膜２０より一回り小さめな輪郭のＳｉＯ斜め蒸着膜１５および注入孔部ＳｉＯ斜め蒸着膜２１を備え、ギャップ材として液晶パネル内全面にシリカビーズ１９を備え、外周に第１のシール１８を備え、強誘電性液晶２４を挟持する。図１１の従来の強誘電性液晶パネルの絶縁膜１４およびＳｉＯ斜め蒸着膜１５の輪郭が、第１のシール１８の注入孔近傍でも直線であるのに対し、図１の実施形態は、上記のように絶縁膜１４およびＳｉＯ斜め蒸着膜１５に、シール１８の注入孔部に張り出した部分をそれぞれ設けた点が異なる。
【００２３】
図２（ａ）は、本発明の別の実施形態である強誘電性液晶パネルの断面図、図２（ｂ）はその平面図である。
【００２４】
図２の実施形態は先の図１の実施形態の構造を全て備えているが、次の点で先の実施形態と異なる。それは、基板上にシリカビーズ１９を撒くのに加えて、周辺画素領域１６にプラスチックビーズ２３を散布することである。
【００２５】
図３（ａ）は、本発明のさらに別の実施形態である強誘電性液晶パネルの断面図、図３（ｂ）はその平面図である。図３の実施形態は先の図１、図２の実施形態の構造を全て備えているが、次の点で先の実施形態と異なる。それは、基板外周の第１のシール１８に加えて、その内側に第２のシール２２を設けたことである。
【００２６】
図４は、図１〜３の強誘電性液晶パネルに共通な構造を示す分解斜視図である。
【００２７】
第２の基板１２上には透明電極１３を備えて、表示画素部１７と周辺画素領域１６を構成し、さらに五酸化タンタル膜の絶縁膜１４とその一部であって注入孔部に張り出した注入孔部絶縁膜２０を備え、その上にこれらより一回り小さめなＳｉＯ斜め蒸着膜１５とその一部であって注入孔部に張り出した注入孔部ＳｉＯ斜め蒸着膜２１を備えている。図示は省くが、第１の基板１１上にも同様に製膜してあり、外周の第１のシール１８で両基板を接合する。図４には描かなかったが、図１〜図３に見るように、ギャップ材として液晶パネル内全面にシリカビーズ１９を備え、さらに図２の実施形態においては周辺画素領域１６にプラスチックスペーサ２３を配置し、図３の実施形態においては第１のシール１８の内側に第２のシール２２を備えて、強誘電性液晶２４を封入する。
【００２８】
図１の液晶パネルの製造方法を、図５〜８を用いて説明する。なお、これらの図には製造工程で用いる大型の基板を示し、これは個々の液晶パネルとなる領域を複数個（図では４個）含むものであるが、この大型基板にも、便宜上、それらが含む個別の第１、第２の基板と同じく１１、１２の符号を付けることにする。まず、図５中の第２の基板１２に見るように、基板上に透明電極１３を形成する。他方の第１の基板１１についても同様である。その後、先の図１〜図３に示すように、クロムなどのメタルを用いてブラックマトリクス２９を形成する。
【００２９】
次に、上下の透明電極１３同士のショートを防止するために、図６の中段に描いた第２の基板１２に見るような所定パターンの絶縁膜１４を、スパッタリング法で、第１の基板１１と第２の基板１２に形成する。このとき、絶縁膜１４の材料として五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を用いる。これとは別の無機膜としてＳｉＯ２やＭｇＯなどがあるが、比誘
電率が一番大きな五酸化タンタルを用いることが好ましい。
【００３０】
スパッタリング法で絶縁膜１４を形成するには、図５に第２の基板１２を例に示すように、第１の基板１１と第２の基板１２をそれぞれ基板落とし込み載物台３４に入れ、絶縁膜用メタルマスク２５を基板上に密着もしくは５００μｍ程度の隙間をおいてセットする。この時、絶縁膜用メタルマスク２５のアライメントについては、メタルマスクの四隅についているアライメント雌穴３２を、基板落とし込み載物台３４のアライメントピン３１に嵌めて位置合わせを行う。
【００３１】
ここで、絶縁膜用メタルマスク２５は、厚さ０．３ｍｍのＳＵＳ３０４等を用いて作製し、その穴あき部は、透明電極１３がパターニングされている画素周辺領域１６の大きさより縦横の外形が約１ｍｍ程度小さな長方形とする。
【００３２】
さらに、図５に示すように、この絶縁膜メタルマスク２５の穴あき部には、先の図１〜図３の各（ｂ）図に示す注入孔部絶縁膜２０に対応する切り込み部として、絶縁膜注入孔切り込み部２７を追加してある。通常、強誘電性液晶パネルでは、液晶の注入不良を防ぐために、第１のシール１８の注入孔部の形状が、周辺シールの輪郭の直線部より、若干、外側に張り出していて、強誘電性液晶パネルを切断するときのスクライブ線上に載っている。
【００３３】
従って、第１のシール１８のこのわずかな張り出し部分に囲まれた領域にも注入孔部絶縁膜２０を形成するために、絶縁膜メタルマスク２５に絶縁膜注入孔切り込み部２７を追加して膜形成する。
【００３４】
このように作られた絶縁膜用メタルマスク２５を用い、図５の画素周辺領域１６を含む基板上に、図６に見るような絶縁膜１４を１００〜１６０ｎｍの範囲の厚さで形成する。このとき、膜厚が１００ｎｍ未満であると上下の透明電極１３のショート欠陥が起きやすく、また１６０ｎｍ以上と膜厚が厚いＴａ２Ｏ５膜では比誘電率が大きくなって、液晶駆動時に電圧降下を起こし正常な液晶駆動が難しくなる。
【００３５】
次に、図６の下段に示すように、強誘電性液晶の配向制御膜としてＳｉＯ斜め蒸着膜１５を、第２の基板１２上に、エレクロトンビーム蒸着法か昇華法を用いて、蒸着角度５゜〜７゜で形成する。他方の第１の基板１１についても同様である。このとき用いるＳｉＯ斜め蒸着用メタルマスク２６の穴あき部輪郭は、絶縁膜用メタルマスク２５の穴あき部より５００μｍ〜１５００μｍ程度小さく設計し、メタルマスク材質は厚さ０．３〜０．５ｍｍのＳＵＳ３０４で作製する。
【００３６】
また、絶縁膜１４上への位置合わせを正確にするために、第１の基板１１と第２の基板１２をそれぞれ基板落とし込み載物台３４にセットし、周辺のアライメントピン３１にＳｉＯ斜め蒸着用メタルマスク２６の四隅に設けたアライメント雌穴３２を嵌めて、第１の基板１１と第２の基板１２上にそれぞれ形成された絶縁膜１４上に、ＳｉＯ斜め蒸着膜１５を形成する。
【００３７】
ＳｉＯ斜め蒸着用メタルマスク２６の蒸着マスク注入孔切り込み部２８は、絶縁膜用メタルマスク２５に形成されている絶縁膜注入孔部切り込み部２７より１ｍｍ程度内側に小さく設計、製作される。
【００３８】
図７に、第１の基板１１と第２の基板１２それぞれの斜視図を示す。対向する２枚の基板に一定の隙間を保たせるために、一方の基板（図７では第２の基板１２）上に、ガラスでビース状に作成したギャップ材であるシリカビーズ１９を、湿式もしくは乾式スペーサ
ー散布機などを用いて、５００個／ｍｍ２〜１０００個／ｍｍ２程度の密度で一様に撒く。
【００３９】
強誘電性液晶パネルのセルギャップは、１．３μｍ〜１．９μｍであるため、シリカビーズを用いないと均一ギャップが得られない。プラスチックビーズでは、ビーズ自身の耐荷重性が低いため、１０００〜４０００個／ｍｍ２程度の密度で散布しても所定のセルギャップは得られない。
【００４０】
次に、他方の基板（図７では第１の基板１１）の画素周辺領域１６（図４参照）のエッジ部に、熱硬化型接着剤（三井東圧化学製商品名ＸＮ−７０１）もしくはＵＶ硬化型接着剤（協立化学製商品名Ａ−７０６Ａ）を、第１のシール１８としてスクリーン印刷法やディスペンサー法など（図示せず）を用いて塗布する。
【００４１】
図７のＡ−Ａ’断面を図８に示す。第１の基板１１上の絶縁膜１４のエッジとその上層のＳｉＯ斜め蒸着膜１５のエッジは、前述のように各膜の輪郭が若干違うため、段差が形成されている。第１のシール１８は、セルギャップ形成のため加圧されたときに、絶縁膜１４のエッジを全て覆った上に多少内側にはみ出して、ＳｉＯ斜め蒸着膜１５のエッジに３００μｍ〜８００μｍ程度の幅が載るように設計する。
【００４２】
加圧後に、ＳｉＯ斜め蒸着膜１５のエッジに載る第１のシール１８の幅が、決して、第１のシール１８の幅全体の１／２以上にならないように設計する。もし、シール幅の１／２以上が載ってしまうと、ＳｉＯ斜め蒸着膜１５と五酸化タンタルの絶縁膜１４との密着力が悪いためにこの二つの膜の間で界面剥離してしまう。
【００４３】
次に、第１の基板１１と第２の基板１２の膜形成面同士を向き合わせ、あらかじめ基板にパターニングで形成されているアライメントマーク（図示ぜす）を用いて精度良く重ね合わせた後、第１のシール１８を硬化させる。
【００４４】
第１のシール１８の材料が熱硬化型接着剤の場合は、ホットプレスで約１．５〜２．０ｋｇ／ｃｍ２の加圧をしながら温度１５０〜１６０℃の炉に２時間入れて硬化させる。また、紫外線硬化型接着剤の場合は、１．５〜２．０ｋｇ／ｃｍ２程度の圧力で加圧しながら、波長３６５ｎｍの紫外線（可視光硬化型接着剤は、波長４００ｎｍ以上）を約３０００ｍＪ〜４０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで照射して硬化させる。
【００４５】
次に、接合した第１の基板１１と第２の基板１２とをスクライブ装置などを用いて切断した後、真空加熱注入法や二穴注入法などを用いて強誘電性液晶を注入する。その後、太鼓状になった液晶パネルを封孔冶具（図示せず）等にセットして加圧する。次に、強誘電性液晶のＩｓｏ温度より２〜３℃高めに設定した炉内に１時間以上入れる。その後、封孔冶具を炉外に取り出しＵＶ封孔剤などを用いて封孔し、封孔材を液晶パネル内に、若干、入り込ませるために液晶パネルに掛かった加圧を弱くし、再び、炉内に入れる。その後、数分待った後に、炉外に出し、ＵＶ封孔剤を硬化させ液晶パネルとする。
【００４６】
次に、図２の液晶パネルの製造方法を図５〜図９によって示すが、多くの工程が先の図１の液晶パネルと共通するので、その部分は説明を省略し、図２の液晶パネルに特有の工程について重点的に説明する。初めの部分の工程で図１の液晶パネルと共通するのは、第１の基板１１と第２の基板１２上の透明電極１３の形成（図５）、その上のブラックマトリクス２９の形成、その上の絶縁膜１４の形成（図６上段、中段）、その上のＳｉＯ斜め蒸着膜１５の形成（図６下段）、そして図７の下段の図に見られるような、第２の基板１２へのシリカビーズ１９の散布である。
【００４７】
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【００５７】
【００５８】
それに続くのが図２の実施形態に特有の工程である。図９に示すように散布マスク３３を用いて、温度により強誘電性液晶の体積が収縮、膨張するのに対するクッション材として、球径がシリカビーズ１９より０．２μｍ〜０．３μｍ程度大きなプラスチックビーズ２３を、５００〜１０００個／ｍｍ２の密度で第２の基板１２の画素周辺領域１６に一様に散布する。
【００５９】
以後の工程は、先の図１の実施形態における第２の基板１２へのシリカビーズ１９の散布後の工程と同じである。すなわち第１の基板１１への第１のシール１８の塗布（図７上段、図８）、第１の基板１１と第２の基板１２の重ね合わせと第１のシール１８の硬化による両基板の接合、接合した両基板の切断、強誘電性液晶の注入、加圧矯正、封孔剤塗布と炉内加熱による注入孔の封孔であり、これによって図２の液晶パネルが完成する。
【００６０】
【００６１】
【００６２】
【００６３】
【００６４】
【００６５】
【００６６】
次に、図３の液晶パネルの製造方法を図５〜図１０によって示すが、多くの工程が先の図２の液晶パネルと共通するので、その部分は説明を省略し、図３の液晶パネルに特有の工程について重点的に説明する。初めの部分の工程で図２の液晶パネルと共通するのは、第１の基板１１と第２の基板１２上の透明電極１３の形成（図５）、その上のブラックマトリクス２９の形成、その上の絶縁膜１４の形成（図６上段、中段）、その上のＳｉＯ斜め蒸着膜１５の形成（図６下段）、第２の基板１２へのシリカビーズ１９の散布（図７下段）、そして図９に見られるような、第２の基板１２の周辺画素領域１６への、散布マスク３３を用いたプラスチックビーズ２３の散布である。
【００６７】
【００６８】
【００６９】
【００７０】
【００７１】
【００７２】
【００７３】
【００７４】
【００７５】
【００７６】
【００７７】
【００７８】
【００７９】
それに続くのが図３の実施形態に特有の工程である。先の図１、図２の液晶パネルと同様に、図３の液晶パネルにおいても、図１０に示すように、第１の基板１１の画素周辺領域１６（図３（ｂ）参照）のエッジ部に熱硬化型接着剤（三井東圧化学製商品名ＸＮ−７０１）もしくはＵＶ硬化型接着剤（協立化学製商品名Ａ−７０６Ａ）を第１シール１８としてスクリーン印刷法やディスペンサー法など（図示せず）を用いて塗布するが、この時、同時に、第１のシール１８の内側に第２のシール２２を形成する。
【００８０】
第１のシールと第２のシールの隙間は、液晶パネル完成時（加圧硬化後）に、約１ｍｍ〜２ｍｍ程度隙間が空いているように設計し、かつ第２のシール２２が表示画素部１７（図３（ｂ）参照）に入らないようにする。
【００８１】
以後の工程は、先の図１および図２の実施形態における第１の基板１１への第１のシール１８の塗布（図７上、図８）後の工程と同じである。すなわち、第１の基板１１と第２の基板１２の重ね合わせと第１のシール１８および第２のシール２２の硬化による両基板の接合、接合した両基板の切断、強誘電性液晶の注入、加圧矯正、封孔剤塗布と炉内加熱による注入孔の封孔であり、これによって図３の液晶パネルが完成する。
【００８２】
【００８３】
【００８４】
【００８５】
【００８６】
【００８７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明においては、第１の基板１１と第２の基板１２双方の透明電極１３上に、注入孔部まで張り出した絶縁膜１４と、同じく注入孔部まで張り出したＳｉＯ斜め蒸着膜１５を形成することによって、注入孔部近傍に絶縁膜１４とＳｉＯ斜め蒸着膜１５の端部による段差がなくなってフラットになり、これらの端部から注入孔までの微少な隙間も生じなくなり、その結果、注入終了後、液晶パネルに隙間なく強誘電性液晶２４が入り、パネルの温度が低温になった場合でも内部に微小な気泡がないために、その気泡が周辺画素領域１６や表示画素部１７に進行することがない。これにより、液晶の体積収縮により発生する真空部もしくは低蒸気圧部がなくなり、強誘電性液晶パネルの製品化が可能になる。
【００８８】
さらに第１の基板１１と第２の基板１２を貼り合わせて強誘電性液晶パネルを作る際、ギャップ材として用いるシリカビーズを全面に散布するとともに、表示画素部１７の外側の周辺画素領域１６のみにクッション材の役割でプラスチックビーズ２３を散布することにより、Ｉｓｏ温度で注入した強誘電性液晶パネルが、室温もしくはそれ以下の低温雰囲気に曝されても、強誘電性液晶２４自身の体積変化および液晶の層配列による微小のスクラッチ気泡を押さえられ、ＳｉＯ斜め蒸着膜１５使用の強誘電性液晶パネルの製品化が可能になる。
【００８９】
さらに、第１のシール１８の内側に第２のシール２２を備えることにより、耐湿試験などでシールを通り抜けて浸入する水分がＳｉＯ膜に吸着することによる大きな気泡の発生を抑えられることからも、ＳｉＯ斜め蒸着膜１５使用の表示品質のよい強誘電性液晶パネルの製品化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明による強誘電性液晶表示パネルの実施形態で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】
本発明による強誘電性液晶表示パネルの別の実施形態で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】
本発明による強誘電性液晶表示パネルのさらに別の実施形態で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図４】
図１〜図３の実施形態に共通する構造を示す分解斜視図である。
【図５】
本発明の強誘電性液晶表示パネルの製造方法における絶縁膜の形成方法を示す図面である。
【図６】
本発明の強誘電性液晶表示パネルの製造方法における絶縁膜およびＳｉＯ斜め蒸着膜の形成状態を示す図面である。
【図７】
本発明の強誘電性液晶表示パネルの製造方法における第１の基板と第２の基板の構成を示す斜視図である。
【図８】
本発明の強誘電性液晶表示パネルの第１のシール部と絶縁膜とＳｉＯ斜め蒸着膜を示す図面である。
【図９】
本発明の強誘電性液晶表示パネルの製造方法におけるプラスチックビーズ散布工程を示す図面である。
【図１０】
本発明の強誘電性液晶表示パネルの製造方法における第１および第２のシールを示す図面である。
【図１１】
従来の強誘電性液晶表示パネルで、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【符号の説明】
１１  第１の基板
１２  第２の基板
１３  透明電極
１４  絶縁膜
１５  ＳｉＯ斜め蒸着膜
１６  周辺画素領域
１７  表示画素部
１８  第１のシール
１９  シリカビーズ
２０  注入孔部絶縁膜
２１  注入孔部ＳｉＯ斜め蒸着膜
２２  第２のシール
２３  プラスチックビーズ
２４  強誘電性液晶
２５  絶縁膜用メタルマスク
２６  ＳｉＯ斜め蒸着用メタルマスク
２７  絶縁膜注入孔切り込み部
２８  蒸着マスク注入孔切り込み部
２９  ブラックマトリクス
３１  アライメントピン
３２  アライメント雌穴
３３  散布マスク
３４  基板落とし込み載物台
３５  封孔材
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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