(57)【要約】  スパイラルコイルを有する受電コイルと、整流器と、２次電池、前記２次電池から直流電圧が供給されて動作する電子デバイスを具備する非接触型受電装置において、前記２次電池とスパイラルコイルの間、および前記電子デバイスと前記スパイラルコイルの間の少なくとも１箇所に配置された複合磁性体を有し、前記複合磁性体は絶縁層を介して２層以上の磁性薄帯を有すると共に、前記スパイラルコイル側に配置された第１の磁性薄帯の比透磁率をμd、厚さをtd、第１の磁性薄帯以外の第２以降の磁性薄帯の平均の比透磁率μu、総厚をtuとしたときに、μd・td≦６０[ｍｍ]、μu・tu≧１００[ｍｍ]であることを特徴とする。上記構成によれば、１次コイル（給電側コイル）のインダクタンス変動量の抑制の最適化を図りながら、裏面のシールド性確保を実現できる非接触型充電器用の受電装置およびそれを用いた電子機器を提供できる。
2009025279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパイラルコイルを有する受電コイルと、前記受電コイルに発生した交流電圧を整流する整流器と、前記整流器で整流された直流電圧が充電される２次電池、前記２次電池から直流電圧が供給されて動作する電子デバイスを具備する非接触型受電装置において、
前記２次電池とスパイラルコイルの間、および前記電子デバイスと前記スパイラルコイルの間の少なくとも１箇所に配置された複合磁性体を有し、
前記複合磁性体は絶縁層を介して少なくとも２層以上の磁性薄帯を有すると共に、
前記スパイラルコイル側に配置された第１の磁性薄帯の比透磁率をμｄ、厚さをｔｄ、第１の磁性薄帯以外の第２以降の磁性薄帯の平均の比透磁率μu、総厚をｔuとしたときに、μｄ・ｔｄ≦６０[ｍｍ]、μu・ｔu≧１００  [ｍｍ]
であることを特徴とする非接触型受電装置。
【請求項２】
前記複合磁性体において（μu・ｔu）／（μｄ・ｔｄ）≧１０であることを特徴とする請求項１記載の受電装置。
【請求項３】
前記複合磁性体において、第１の磁性薄帯の面積が、第２以降の磁性薄帯の面積より大きいことを特徴とする請求項１または請求項２記載のいずれか１項に記載の非接触型受電装置。
【請求項４】
前記複合磁性体の絶縁層が磁性粉末を含有した樹脂からなることを特徴とした請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の非接触型受電装置。
【請求項５】
前記複合磁性体において、前記第１の磁性薄帯と第２以降の磁性薄帯の距離が３０μｍ以上であること特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の非接触型受電装置。
【請求項６】
前記複合磁性体の総厚が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の非接触型受電装置。
【請求項７】
前記２次電池がＬｉイオン２次電池であることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の非接触型受電装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の非接触型受電装置を具備したことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項８記載の電子機器を非接触型給電装置に設置することにより充電を可能とする充電システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、ビデオカメラ等の各種電子機器において非接触型充電を可能とする非接触型受電装置およびそれを用いた電子機器並びに充電システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯用通信機器の発展は目覚ましいものがあり、とりわけ携帯電話機の小型軽薄化が進められている。また、携帯電話以外にもビデオカメラ（ハンディカメラ等）、コードレス電話機、ラップトップパソコン（ノート型パソコン）などの各種電子機器も小型軽薄化が進められている。【０００３】
これら電子機器は、電子機器本体に２次電池を搭載することにより、コンセントに繋がなくても使用できるようになり、携帯性、利便性が大幅に向上している。現在のところ、この２次電池には容量に限界があり、数日〜数週間に１回は充電を行わなければならなかった。【０００４】
充電方法には、接触型充電方式と非接触型充電方式がある。接触型充電方式は、受電装置の電極と給電装置の電極を直接接触させることにより充電を行う方式である。接触型充電方式は、その装置構造が単純であることから従来から一般的に用いられてきた。【０００５】
しかしながら、近年の電子機器の小型軽薄化に伴い各種電子機器の重量が軽くなり、受電装置の電極と給電装置の電極の接触圧が不足し、充電不良を起こすと言った問題が生じていた。また、２次電池は熱に弱く電池の温度上昇を防ぐために過放電・過充電を起こさないように回路設計を行わねばならなかった。このような問題に対処するために非接触型充電方式が検討されるようになっている。【０００６】
非接触型充電方式は、受電装置と給電装置の両方にコイルを設けることにより電磁誘導を利用した充電方式である。非接触型であることから電極同士の接触圧を考慮する必要は無い。また、接触圧を考慮しなくてよいので、電極同士の接触状態に左右されず安定した充電電圧を供給することができる。【０００７】
従来の非接触型充電方式は、電動歯ブラシや電気シェーバーと言った低消費電力で充電時間の長いものに使われていた。当時の２次電池はニッケル水素が主流であったため充電時間が８時間程度長くかかるものが多かった。近年、新規な２次電池としてＬｉイオン２次電池などの高容量密度電池の出現により、携帯電話やパソコン等の比較的大消費電力量で高速充電を必要とする電子機器についても非接触充電方式が検討されるようになってきている。【０００８】
非接触型充電器の一例として、特開平１１−２６５８１４号公報（特許文献１）または特開２０００−２３３９３号公報（特許文献２）が挙げられ、いずれもフェライトコアを磁芯としその周りにコイルを巻回することにより小型化を実現している。また、特開平９−１９０９３８号公報（特許文献３）では、フェライト粉やアモルファス粉を混合した樹脂基板にコイル等を実装することにより、小型・薄型化を実現している。【０００９】
しかしながら、フェライトは薄く加工すると脆くなるため耐衝撃性に弱く、機器の落下等で受電システムに不具合が生じるなどの問題があった。また、機器の薄型化に対応して受電部分を薄型化するために、コイルに金属粉ペーストを印刷して形成された平面コイルを採用するなどのことが行われている。平面コイルと磁性シートを用いて結合を強化する構造の一例として、実開昭５８−８０７５３号公報（特許文献４）、特開平４−１２２００７号公報（特許文献５）または特開平８−１４８３６０号公報（特許文献６）が提案されている。これらの提案では、磁性体（磁性シート）は１次、２次コイル間の結合を強めるためのコア材として使用されている。【００１０】
一方で、送電速度が大きくなるとトランス間の結合だけでなく、その周辺部品の発熱による障害が生じる。つまり、平面コイルを使用する場合、平面コイルを通る磁束が、機器内部の基板等に鎖交するため、電磁誘導により発生する渦電流で装置内が発熱するため、大きな電力を送信できず充電時間が長くかかるなどの問題があった。このため、磁性体（磁性シート）は裏面に対するシールド材としても使用されていた。シールド効果を得るためには、磁性体(磁性シート)は透磁率が大きく、面積および厚さが大きいほど有効とされていた。【００１１】
また、送信速度を大きくするためには、送電電力を大きくする必要があるが、金属体に対して送電を続けると金属体内で発生する渦電流により金属体が発熱するため、例えば送電（給電）装置のコイルを１次コイル、受電装置側のコイルを２次コイルとしたとき、１次コイルをＲＦ−ＩＤタグのアンテナとして使用し上部に２次コイルが有る場合と無い場合をＲＦ信号により判断する安全システムを持たせる必要がある。しかしながら、この場合、磁性体（磁性シート）と送電側のコイルとの位置関係により、１次コイルのインダクタンスが大きく変化すると、１次コイル側で送電のために設けられた共振回路の共鳴周波数が変化し十分な共振が得られず上記アンテナとして機能しない不具合が発生していた。
【特許文献１】特開平１１−２６５８１４号公報
【特許文献２】特開２０００−２３３９３号公報
【特許文献３】特開平９−１９０９３８号公報
【特許文献４】実開昭５８−８０７５３号公報
【特許文献５】特開平４−１２２００７号公報
【特許文献６】特開平８−１４８３６０号公報
【００１２】
発明の開示
上記のように従来の非接触型充電器の受電装置は、送電効率向上のための結合強化、発熱抑制のためのシールド性向上のために、２次コイルの1次コイルとの反対の面に高透磁率および大体積の磁性体（磁性シート）を配置すると、１次コイルのインダクタンスの変動が大きくなり、該磁性体と１次コイルの相対位置関係によっては共振回路が十分効果的な共振条件からずれてしまう問題が発生していた。【００１３】
本発明は、このような課題を解決するためのものであり、共振性を向上させ、かつ発熱を抑制することを可能とする受電装置を提供するものである。このため、本発明の受電装置を用いた電子機器並びに充電システムは送電電力を大きくすることが可能となり、充電時間の短縮が可能となる。【００１４】
本発明の非接触型受電装置は、スパイラルコイルを有する受電コイルと、前記受電コイルに発生した交流電圧を整流する整流器と、前記整流器で整流された直流電圧が充電される２次電池、前記２次電池から直流電圧が供給されて動作する電子デバイスを具備する非接触型受電装置において、前記２次電池とスパイラルコイルの間、および前記電子デバイスと前記スパイラルコイルの間の少なくとも１箇所に配置された複合磁性体を有し、前記複合磁性体は絶縁層を介して少なくとも２層以上の磁性薄帯を有すると共に、前記スパイラルコイル側に配置された第１の磁性薄帯の比透磁率をμｄ、厚さをｔｄ、第１の磁性薄帯以外の第２以降の磁性薄帯の平均の比透磁率μu、総厚をｔuとしたときに、μｄ・ｔｄ≦６０[ｍｍ]、μu・ｔu≧１００  [ｍｍ]であることを特徴とするものである。【００１５】
また、前記複合磁性体は（μu・ｔu）／（μｄ・td）≧１０であることが好ましい。また、前記複合磁性体において、第１の磁性薄帯の面積が、第２以降の磁性薄帯の面積より大きいことが好ましい。また、前記複合磁性体の絶縁層が磁性粉末を含有した樹脂からなることが好ましい。また、前記複合磁性体において、前記第１の磁性薄帯と第２以降の磁性薄帯の距離が３０μｍ以上であることが好ましい。また、前記複合磁性体の総厚が０．３ｍｍ以下であることが好ましい。また、前記２次電池がＬｉイオン２次電池であることが好ましい。【００１６】
また、本発明の非接触型受電装置は電子機器に好適である。また、本発明の電子機器を非接触型給電装置に設置することにより充電を可能とする充電システムをも提供するものである。【００１７】
[発明の効果]
本発明は、受電装置のスパイラルコイル（受電側スパイラルコイル：２次コイル）と２次電池の間、または整流器と前記スパイラルコイルの間の少なくとも一箇所以上に複数枚からなる磁性薄帯を具備する複合磁性体を配置することにより、給電側スパイラルコイル（１次コイル）から発生した磁束が回路基板や２次電池等へ鎖交することを防ぎ、誘導起電力（電磁誘導）に起因したノイズ、発熱を抑制しながら、２次コイルの有無による１次コイルのインダクタンス変動量を制御し、１次コイルが構成する共振回路の共振性を向上させ発振を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の受電装置の一実施例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の受電装置の他の一実施例を示す分解斜視図である。
【図３】本発明の受電装置に具備される複合磁性体の一実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の充電システムの一実施例を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は本発明の受電装置の一例を示す分解斜視図である。図２は本発明の受電装置の他の一例を示す分解斜視図である。図中、１は電子機器、２は受電装置、３は電子機器本体部、４は筐体、１１はスパイラルコイル、１２は整流器、１３は２次電池、１４は電子機器本体部の電子デバイス、１５は電子デバイスを搭載する回路基板、１６は複合磁性体である。また、図１はスパイラルコイル１１と２次電池１３の間に複合磁性体１６を配置した例、図２は電子デバイス１４とスパイラルコイル１１の間に複合磁性体１６を配置した例である。【００２０】
まず、本発明の受電装置は、スパイラルコイル、整流器、２次電池、電子デバイスを具備している。スパイラルコイルは、銅等の金属ワイヤを巻回したもの、金属粉ペーストを印刷・乾燥させた平面コイルなど特に限定されるものではない。また、スパイラルコイルの巻回形状は、円形、楕円、四角形、多角形など特に限定されるものではなく、巻回回数も要求特性に応じて制御すればよい。【００２１】
また、整流器は、トランジスタ、ダイオードなどの各種半導体素子が挙げられる。また、整流器の個数は任意であり、必要に応じ１個または２個以上の整流器を設けるものとする。なお、図１においては整流器１２を回路基板１５のアンテナ側に設けたがアンテナと反対の面に設けてもよい。また、整流器はＴＦＴ等の成膜技術で形成されたものであってもよい。【００２２】
また、２次電池１３は充放電が可能なものであり、平板型やボタン型等の種々の形状のものを使用することができる。また、電子デバイス１４は、抵抗素子、容量素子、インダクタンス素子、制御素子など回路を構成するための各種素子を示すものである。また、回路基板１５は、樹脂フィルムやセラミックス基板等の絶縁性基板上に、前記電子デバイスを実装し回路を設けるための基板である。【００２３】
複合磁性体１６は、絶縁層を介して少なくとも２層以上の磁性薄帯を有するものである。２層以上の磁性薄帯において、スパイラルコイル側の磁性薄帯を第１の磁性薄帯、第１の磁性薄帯以外のものを第２以降の磁性薄帯とする。また、第２以降の磁性薄帯は、第１の磁性薄帯側から順に第２の磁性薄帯、第３の磁性薄帯、とする。このため、磁性薄帯が２層の場合はスパイラルコイル側から第１の磁性薄帯と第２の磁性薄帯となり、磁性薄帯が３層の場合はスパイラルコイル側から第１、第２、第３、…の磁性薄帯となる。【００２４】
本発明において、複合磁性体を構成する第１の磁性薄帯の比透磁率をμｄ、厚さをtd（ｍｍ）、第２以降の磁性薄帯の平均の比透磁率をμu、総厚をｔu（ｍｍ）としたときにμｄ・td≦６０、μu・tu≧１００であることを特徴とするものである。また、第２以降の磁性薄帯の平均の比透磁率は第２以降の各磁性薄帯の比透磁率を測定し平均値を取ったものである。また、総厚tuは第２以降の磁性薄帯の厚さをそれぞれ測定し、合計した値である。（磁性薄帯の比透磁率×磁性薄帯の厚さ）は磁気回路でいう磁気抵抗を示すものである。【００２５】
本発明ではμd・td≦６０かつμu・tu≧１００としている。第１の磁性薄帯はスパイラルコイルに最も近い磁性薄帯となるため、充電する際に共振周波数に影響を与え易い。そのため、μd・td≦６０とすることにより、磁気抵抗を大きくし磁束が第１の磁性薄帯に集中するのを防ぎ第１の磁性薄帯での損失を抑制し、共振性が低下するのを防ぐことを可能とする。【００２６】
また、第２以降の磁性薄帯をμu・tu≧１００とすることにより磁気抵抗を小さくしシールド効果を向上させ、機器内部の基板等に発生する渦電流を抑制し、発熱を抑えることを可能とする。つまり、第１の磁性薄帯のみではシールド効果が不十分であり発熱を抑制できず、第２以降の磁性薄帯のみでは共振性が低下する。例えば、μu・tu≧１００の磁性薄帯を多層化するだけではシールド性は向上するものの共振性が低下するのである。そのため、本発明ではスパイラルコイル側にμd・td≦60からなる第１の磁性薄帯を設けたのである。【００２７】
また、（μu・tu）／（μd・td）≧１０となることが好ましい。前述のように第１の磁性薄帯は共振性の向上、第２以降の磁性薄帯はシールド性の向上に主として機能するものである。（μu・tu）／（μd・td）≧１０とすると、第１の磁性薄帯と第２以降の磁性薄帯の機能分担が明確になり、特性が向上する。【００２８】
なお、（μu・tu）／（μd・td）比の上限は特に限定されるものではないが７０以下が好ましい。（μu・tu）／（μd・td）比が７０を超えても効果は得られるが、μuまたはtuを極端に大きくするか、μdまたはtdを極端に小さくする必要があり、製造管理が難しくなる。【００２９】
また、複合磁性体において、第１の磁性薄帯の面積が、第２以降の磁性薄帯の面積より大きいことが好ましい。第２以降の磁性薄帯が複数枚ある場合は、その中で最も面積の大きなものを第２以降の磁性薄帯の面積とする。第１の磁性薄帯の面積＞第２以降の磁性薄帯の面積とすることにより、共振性が低下するのを防ぐことができる。【００３０】
また、複合磁性体を構成する絶縁層は、無機絶縁層、有機絶縁層など特に限定されるものではないが、好ましくは絶縁性樹脂を用いた有機絶縁層である。絶縁性樹脂は接着剤、フィルム、ゴムなど様々な形態で使用可能であり、磁性薄帯のサイズに合わせて設けることができる。【００３１】
また、絶縁層は絶縁フィルム、接着剤、ゴム等を組合せたものでもよく、接着剤付き絶縁フィルムなどがその一例である。また、絶縁性樹脂としては、例えば天然ゴム、ネオプレーンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、ハイパロン、その他の合成ゴム、ＰＶＣ樹脂、エチレン−酢酸ビニルコポリマー樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリブチレンナフタレート樹脂、ポリエステルエストラマー樹脂、フッ素樹脂その他の合成樹脂を用いることができる。絶縁層が無く、第１と第２の磁性薄帯が直接的に面接触していると機能（役割）分担する効果が十分得られない。つまり、第１と第２の磁性薄帯が直接面接触していると一つの磁性薄帯として機能してしまうのである。【００３２】
また、絶縁層は各磁性薄帯の絶縁性が保てれば良いので最外層については絶縁層があっても無くても良いが、最外層にも絶縁層を設けた方が周辺部材（回路基板、２次電池、スパイラルコイル）との絶縁性を維持できるので好ましい。図３に絶縁層の一例を示した。【００３３】
図３（ａ）は片面に絶縁層として接着剤層と絶縁フィルムを設けた例、図３（ｂ）は両面に絶縁層として接着剤層と絶縁フィルムを設けた例である。図中、５は絶縁フィルム、６は接着剤層、７は磁性薄帯である。この磁性薄帯と絶縁層との積層体を多層化することにより本実施例用の複合磁性体となる。【００３４】
また、複合磁性体の絶縁層が磁性粉末を含有した樹脂から成ることが好ましい。絶縁層に磁性粉末を含有させることによりシールド効果が上がり発熱を抑制できる。磁性粉末としては、フェライト粉、センダスト粉、アモルファス粉などが挙げられる。【００３５】
また、前記複合磁性体において、前記第１の磁性薄帯と第２以降の磁性薄帯の距離が３０μｍ以上であることが好ましい。第１の磁性薄帯と第２以降の磁性薄帯の距離とは第１の磁性薄帯と第２の磁性薄帯の層間絶縁する絶縁層の厚さとなる。このため、絶縁層の好ましい厚さは３０μｍ以上となる。【００３６】
前述のように第１の磁性薄帯と第２の磁性薄帯が面接触していると一つの磁性薄帯として機能してしまうため絶縁層を介して面接触を防ぐ必要がある。その一方で絶縁層の厚さがあまり薄いと層間絶縁効果が不十分となるおそれがあるので３０μｍ以上あった方が好ましい。【００３７】
なお、絶縁層の厚さ（第１の磁性薄帯と第２以降の磁性薄帯の距離）の上限は２００μｍ以下が好ましい。あまり絶縁層の厚さが厚いと第１の磁性薄帯と第２以降の磁性薄帯の距離が離れすぎ、機能分担効果が十分得られなくなる。また、複合磁性体の総厚も必要以上に厚くなり、薄型化が困難になる。複合磁性体の総厚は０．３ｍｍ以下であることが好ましい。【００３８】
また、複合磁性体を構成する磁性薄帯は、前述の比透磁率×厚さを満たすものであれば特に限定されるものではないが、好ましくはＣｏ系アモルファス合金、Ｆｅ系アモルファス合金、Ｆｅ系微細結晶合金、パーマロイが挙げられる。これら磁性材料は、いずれもロール急冷法（単ロールまたは双ロール）または圧延で作製できることから平均板厚１００μｍ以下の薄帯を得易い。また、後述するように比透磁率の調整も行い易い。【００３９】
また、Ｃｏ系アモルファス合金またはＦｅ系アモルファス合金としては、次の一般式を満たすものが好ましい。【００４０】
一般式：（Ｔ1-aＭa）100-bＸb  …（１）
（式中、ＴはＣｏおよびＦｅから選ばれる少なくとも1種以上の元素を、ＭはＮｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＲｅおよびＳｎから選ばれる少なくとも1種の元素を、ＸはＢ、Ｓｉ、ＣおよびＰから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、ａおよびｂは関係式：０≦ａ≦０．３；１０≦ｂ≦３５at％を満足する数である）が挙げられる。また、上記（１）式においてＴ元素中にＣｏとＦｅの両方を含んでいる場合、Ｃｏが多ければＣｏ系アモルファス、Ｆｅが多ければＦｅ系アモルファスと称するものとする。【００４１】
上記した（１）式において、Ｔ元素は磁束密度、磁歪値、鉄損等の要求される磁気特性に応じて組成比率を調整するものとする。Ｍ元素は熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御等のために添加される元素である。Ｍ元素の添加量はａの値として０．３以下とすることが好ましい。Ｍ元素の添加量があまり多すぎると相対的にＴ元素量が減少することから、アモルファス磁性合金薄帯の磁気特性が低下する。Ｍ元素の添加量を示すａの値は実用的には０．０１以上とすることが好ましい。ａの値は０．１５以下とすることがより好ましい。【００４２】
Ｘ元素はアモルファス合金を得るのに必須の元素である。特に、Ｂ（ホウ素）は磁性合金のアモルファス化に有効な元素である。Ｓｉ（けい素）はアモルファス相の形成を助成したり、また結晶化温度の上昇に有効な元素である。Ｘ元素の含有量があまり過多であると透磁率の低下や脆さが生じ、逆に過少であるとアモルファス化が困難になる。このようなことから、Ｘ元素の含有量は１０〜３５at％の範囲とすることが好ましい。Ｘ元素の含有量は１５〜２５at％の範囲とすることがさらに好ましい。【００４３】
また、Ｆｅ系微結晶磁性合金としては、次の一般式（２）を満たすものが好ましい。【００４４】
一般式：Ｆｅ100-c-d-e-f-g-hＡcＤdＥeＳｉfＢgＺh  …（２）
（式中、ＡはＣｕおよびＡｕから選ばれる少なくとも1種の元素を、ＤはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏおよび希土類元素から選ばれる少なくとも1種の元素を、ＥはＭｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎおよび白金族元素から選ばれる少なくとも1種の元素を、ＺはＣ、ＮおよびＰから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇおよびｈは０．０１≦ｃ≦８at％、０．０１≦ｄ≦１０at％、０≦ｅ≦１０at％、１０≦ｆ≦２５at％、３≦ｇ≦１２at％、１５≦ｆ＋ｇ＋ｈ≦３５at％を満足する数である）で実質的に表される組成を有するＦｅ基合金からなり、かつ面積比で組織の２０％以上が粒径５０ｎｍ以下の微結晶粒から成る合金が挙げられる。【００４５】
上記した（２）式において、Ａ元素は耐食性を高め、結晶粒の粗大化を防ぐと共に、鉄損や透磁率等の磁気特性を改善する元素である。Ａ元素の含有量があまり少ないと結晶粒の粗大化抑制効果等を十分に得ることができず、逆にあまり多すぎると磁気特性が劣化する。従って、Ａ元素の含有量は０．０１〜８at％の範囲とすることが好ましい。Ｄ元素は結晶粒径の均一化や磁歪の低減等に有効な元素である。Ｄ元素の含有量は０．０１〜１０at％の範囲とすることが好ましい。【００４６】
Ｅ元素は軟磁気特性や耐食性の改善に有効な元素である。Ｅ元素の含有量は１０at％以下とすることが好ましい。ＳｉおよびＢは薄帯製造時における合金のアモルファス化を助成する元素である。Ｓｉの含有量は１０〜２５at％の範囲、Ｂの含有量は３〜１２at％の範囲とすることが好ましい。なお、ＳｉおよびＢ以外のアモルファス化助成元素としてＺ元素を含んでいてもよい。その場合、Ｓｉ、ＢおよびＺ元素の合計含有量は１５〜３５at％の範囲とすることが好ましい。微結晶構造は、特に粒径が５〜３０nmの結晶粒を合金中に面積比で５０〜９０％の範囲で存在させた形態とすることが好ましい。【００４７】
磁性薄帯として用いるアモルファス磁性合金薄帯は、例えばロール急冷法（溶湯急冷法）により作製される。具体的には、所定の組成比に調整した合金素材を溶融状態から急冷することにより作製される。微結晶磁性合金薄帯は、例えば液体急冷法によりアモルファス合金薄帯を作製した後、その結晶化温度に対して−５０〜＋１２０℃の範囲の温度で１分〜５時間の熱処埋を行い、微結晶粒を析出させる方法により得ることができる。あるいは、液体急冷法の急冷速度を制御して微結晶粒を直接析出させる方法によっても、微結晶磁性合金薄帯を得ることができる。【００４８】
ロール急冷法を用いる場合、溶湯の射出速度やロールの回転速度を調製することにより薄帯の厚さを調製できる。また、パーマロイについては所定の組成の合金溶湯から板材を作製し、その後、圧延を行うことにより薄帯を製造することができる。【００４９】
また、比透磁率の調製には熱処理や分割が効果的である。例えば、Ｃｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯（２０μｍ厚）の場合、急冷状態では１３５ｋＨｚでの比透磁率は３０００程度であるが、３５０℃×３０分熱処理することで１００００に、４４０℃×６０分熱処理することで５００００にすることができる。また、例えば４４０℃×６０分熱処理したものを分割することで１０００〜５００００で変化させることができる。ここでは、同一材料での透磁率と熱処理、分割について示したが、材料の異なる磁性体を組み合わせてもよく、例えばケイ素鋼板では１５００、５０Ｎｉパーマロイで３０００、８０Ｎｉパーマロイで１５０００、Ｆｅ系アモルファスで５０００程度の透磁率は調整可能である。【００５０】
本発明の非接触型受電装置は２層以上の磁性薄帯を有する複合磁性体を前記２次電池と前記スパイラルコイルの間、および前記電子デバイスと前記スパイラルコイルの間の少なくとも１箇所に配置されている。前記２次電池とスパイラルコイルの間、および前記電子デバイスと前記スパイラルコイルの間に配置とは２次電池／複合磁性体／スパイラルコイル、電子デバイス／複合磁性体／スパイラルコイルの位置関係が維持されている状態を示すものである。そのため、図１に示した２次電池／複合磁性体／スパイラルコイルのように各構成が直接積層された構造に限定されるものではない。例えば、図２のように電子デバイス／回路基板／複合磁性体／２次電池／スパイラルコイルの順に配置された構造は、前記電子デバイスと前記スパイラルコイルの間に複合磁性体が配置された構造に含まれる。つまり、回路基板等の他の構成が間に配置された構造を除外するものではなく、実質的に前記電子デバイスと前記スパイラルコイルの間に配置されているものは本発明に含まれるものである。前記２次電池と前記スパイラルコイルの間についても同様である。【００５１】
以上のような非接触型受電装置は様々な電子機器に搭載可能である。電子機器としては、携帯電話、携帯型オーディオ機器、デジタルカメラ、ハンディカメラ（動画録画用カメラ）、コードレス電話機、ノート型パソコン（ラップトップ型パソコン）、携帯型ゲーム機などが挙げられる。これら電子機器は２次電池により起動できるためコードレスで使用可能な携帯型電子機器である。【００５２】
また、図４に非接触型受電装置を用いた充電システムの一例を示した。図中、２０は充電システム、１は受電装置、１１は受電装置側スパイラルコイル（２次コイル）、１３は２次電池、１６は複合磁性体、３０は給電装置、３１は給電装置側スパイラルコイル（１次コイル）、３２は１次コイル用磁心である。【００５３】
充電の仕組みは、まず、給電装置３０の給電装置側スパイラルコイル３１に電源（図示しない）から交流電圧を印加し、給電装置側スパイラルコイル３１に磁束を生じさせる。給電装置側スパイラルコイル３１に発生させた磁束は、給電装置側スパイラルコイル３１と非接触で配置された受電装置側スパイラルコイル１１に伝達される。受電装置側スパイラルコイル１１では磁束を受けて電磁誘導で交流電圧が生じる。この交流電圧は整流器１２で整流される。整流器１２で整流された直流電圧は２次電池１３に充電される。このように充電システム２０では非接触で電力の伝送が行われる。【００５４】
本発明の受電装置は、所定の位置に複合磁性体を配置しているので共振性が向上し、１次コイルと２次コイルの十分な結合と１次コイルのインダクタンス変動量の抑制の最適化を図りながら、シールド効果を向上させることができる。このため、１次コイル（給電装置側コイル）からの磁束の伝達率が良いので充電効率が向上する。また、シールド効果も良好であるため充電中の発熱も抑制できる。【００５５】
前述のように携帯型電子機器は薄型化、小型化されている。そのため、受電システムや電子デバイス等を実装した回路基板をコンパクトに収納しなければならないが、本発明では充電中の発熱を抑制することにより電子デバイス等の回路部品への影響を防ぐことができる。本発明の受電装置であれば、複合磁性体と受電装置側スパイラルコイルの合計厚さを０．５ｍｍ以下と薄くすることも可能である。【００５６】
また、２次電池の中でもＬｉイオン２次電池は容量も大きいため電子機器の駆動電源として使用されている。しかしながら、Ｌｉイオン２次電池は熱に弱く必要以上に加熱されると電池内部で炭酸ガスが発生するおそれがある。本発明のようにシールド効果を向上させて発熱を抑制してあるので２次電池への悪影響を防ぐことができる。言い換えれば、Ｌｉイオン２次電池のように熱に弱い２次電池を搭載した受電装置に好適であると言える。【００５７】
（実施例）
（充電システム）
非接触型の充電システムとして携帯電話用の充電システムを用意した。給電装置はＡＣ電源からの電力を、制御回路を通して一定の電磁波に変換しその電磁波を送信する１次コイルが置き台の近傍に配置され、受電装置は携帯電話内のスパイラルコイルから成る２次コイルおよびそのコイルが受信した電磁波を整流する整流器を実装する回路基板および２次電池を具備する構造である。【００５８】
なお、１次コイルは銅ワイヤを外径４０ｍｍ、内径５ｍｍに巻回されたものである。磁性体は比透磁率（μ１）１００、厚さ（ｄ１）０．５ｍｍ、大きさ４５ｍｍ×４５ｍｍのものを設置した。受電システムは、銅ワイヤを外径３０ｍｍ、内径１０ｍｍに巻回された２次コイルを、磁性体は２次コイルを介して送電システムの反対側に設置され、２層以上の磁性薄帯を積層した複合磁性体から構成される。各実施例で使用した複合磁性体は以下の通りである。【００５９】
（実施例１）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を２００℃で３０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第１磁性薄帯を調製した。【００６０】
一方、飽和磁束密度Msが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を３５０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを厚さ１０μｍの接着層を介して接着して実施例１用の複合磁性体を調製した。【００６１】
（実施例２）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Msが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃で６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００６２】
一方、飽和磁束密度Msが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を２５０℃３０分熱処理したものを２０ｍｍ×２０ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを厚さ１０μｍの接着層を介して接着して実施例２用の複合磁性体を調製した。【００６３】
（実施例３）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Msが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００６４】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を３５０℃３０分熱処理したものを２０ｍｍ×２０ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを厚さ１０μｍの接着層を介して接着して実施例３用の複合磁性体を調製した。【００６５】
（実施例４）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Msが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００６６】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを２０ｍｍ×２０ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを厚さ１０μｍの接着層を介して接着して実施例４用の複合磁性体を調製した。【００６７】
（実施例５）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Msが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃で６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００６８】
一方、飽和磁束密度Msが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を２５０℃３０分熱処理したものを２５ｍｍ×２５ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを厚さ１０μｍの接着層を介して接着して実施例５用の複合磁性体を調製した。【００６９】
（実施例６）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃で６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの片面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼りつけ、もう片面に３０μｍの接着層を介して５０μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００７０】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を３５０℃３０分熱処理したものを２０ｍｍ×２０ｍｍに加工し、片面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼りつけ、もう片面に３０μｍの接着層を介して５０μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを厚さ１０μｍの接着層を介して接着して実施例６用の複合磁性体を調製した。【００７１】
（実施例７）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの片面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００７２】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を３５０℃３０分熱処理したものを２０ｍｍ×２０ｍｍに加工し、片面に厚さ１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを、樹脂を貼りつけていない面同士を、厚さ２０μｍの接着層を介して接着して実施例７用の複合磁性体を調製した。【００７３】
（実施例８）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに５ｍｍ×５ｍｍの小片に分割したものの両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００７４】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を３５０℃３０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工したものを２枚用意し、それぞれ片面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２、３磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２、３磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを、樹脂を貼りつけていない面同士を、厚さ１０μｍの接着層を介して接着して実施例８用の複合磁性体を調製した。【００７５】
（実施例９）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００７６】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を３５０℃３０分熱処理したものを２０ｍｍ×２０ｍｍに加工したものを２枚用意し、それぞれ片面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２、３磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２、３磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを、樹脂を貼りつけていない面同士を、厚さ１０μｍの接着層を介して接着して実施例９用の複合磁性体を調製した。【００７７】
（実施例１０）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００７８】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を３５０℃３０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを、厚さ１０μｍの接着層を介して接着して実施例１０用の複合磁性体を調製した。【００７９】
（実施例１１）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの両面にセンダストの扁平微粒子（平均粒径５μｍ）をシリコーン樹脂中に分散させたペーストを前記磁性体に塗布、硬化させ全厚さが５０μｍの小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００８０】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが３５μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を３５０℃３０分熱処理したものを２０ｍｍ×２０ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを、厚さ３０μｍの接着層を介して接着して実施例１１用の複合磁性体を調製した。【００８１】
（実施例１２）
２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの片面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した第１磁性薄帯を調製した。【００８２】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を３５０℃３０分熱処理したものを２０ｍｍ×２０ｍｍに加工し、片面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを、樹脂を貼りつけていない面同士を、厚さ１０μｍの接着層を介して接着して実施例１２用の複合磁性体を調製した。【００８３】
（比較例１）
上記受電装置において、２次コイルに隣接する複合磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第１磁性薄帯を調製した。【００８４】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を３５０℃３０分熱処理したものを２０ｍｍ×２０ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを、厚さ１０μｍの接着層を介して接着して比較例１用の複合磁性体を調製した。【００８５】
（比較例２）
２次コイルに隣接する磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第１磁性薄帯を調製した。【００８６】
一方、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を２００℃で３０分熱処理したものを２０ｍｍ×２０ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けて第２磁性薄帯を調製した。さらに、上記第２磁性薄帯と前記第１磁性薄帯とを、厚さ１０μｍの接着層を介して接着して比較例２用の複合磁性体を調製した。【００８７】
（比較例３）
２次コイルに隣接する磁性体は、下記のように調製した。すなわち、飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４４０℃６０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、さらに３ｍｍ×３ｍｍの小片に分割したものの両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた小片を縦横３５ｍｍ×３５ｍｍに配列した単層の磁性薄帯を調製した。【００８８】
（比較例４）
飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４６０℃３０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼り付けた単層の磁性薄帯を調製した。【００８９】
（比較例５）
飽和磁束密度Ｍｓが０．５５、平均厚さｔが２０μｍのＣｏ７０Ｆｅ５Ｓｉ５Ｂ２０（原子比）のＣｏ系アモルファス薄帯を４６０℃３０分熱処理したものを３５ｍｍ×３５ｍｍに加工し、両面に１０μｍの接着層を介して２５μｍのポリカーボネート樹脂を貼りつけた磁性薄帯２枚を１０μｍの接着層を介して貼り付けて形成した磁性薄帯を用いた。【００９０】
上記各実施例および比較例に係る非接触型受電装置を用いた充電システムについて、使用した複合磁性体の構成および充電システムの共振性およびシールド性（発熱状態）を評価して下記表１に示す結果を得た。【００９１】
なお、送電電流は１Ａ、送電電力は１．５Ｗとした。シールド性の評価基準として、２次コイル、磁性デバイスの裏面にバッテリ-を配置し、送電を１時間行った際に、温度上昇が３５℃以上になる場合にはシールド性は×と評価し、３３℃以上３５℃未満の場合には△と評価し、３３℃未満になる場合は○と評価した。また、共振性の評価基準として、１次コイルがバッテリーに設置したＲＦ−ＩＤタグ信号を１００％受信できた場合は○と評価し、誤り率が５％未満であった場合を△と評価し、それ以上の誤り率であった場合を×と評価した。【００９２】
[表１]
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【００９３】
上記表１に示す結果から明らかなように、各実施例に係る受電装置は共振性およびシールド性が良好であった。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明は、受電装置のスパイラルコイル（受電側スパイラルコイル：２次コイル）と２次電池の間、または整流器と前記スパイラルコイルの間の少なくとも一箇所以上に複数枚からなる磁性薄帯を具備する複合磁性体を配置することにより、給電側スパイラルコイル（１次コイル）から発生した磁束が回路基板や２次電池等へ鎖交することを防ぎ、誘導起電力（電磁誘導）に起因したノイズ、発熱を抑制しながら、２次コイルの有無による１次コイルのインダクタンス変動量を制御し、１次コイルが構成する共振回路の共振性を向上させ発振を制御することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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