Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月30日(2003.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入札者に対して複合品目のオークションを行うため、少なくとも１つの複合品目とそれを構成する数レベルのサブアッセンブリとを定義するステップと、
各複合品目とそのサブアッセンブリとの間の関係に基づき、各複合品目とそのサブアッセンブリの階層を構築するステップと、
を有する、分散コンピューティング環境においてオークションの複合品目構造を管理する方法。
【請求項２】
入札者に、当該サーバコンピュータ上の各複合品目とそのサブアッセンブリの前記階層にアクセスさせ、各複合品目とそのサブアッセンブリとの間の前記関係を閲覧させるステップと、
入札者から、各複合品目とそのサブアッセンブリの競争入札を受信するステップと、
各複合品目とそのサブアッセンブリの少なくとも１つの落札を選択するステップと、
をさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの複合品目とそのサブアッセンブリとを定義する前記ステップは、さらに各品目およびサブアッセンブリに関する説明情報を入力するステップを有する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
各複合品目とそのサブアッセンブリの階層を構築する前記ステップは、
第１複合品目を特定してそれを第１親とするステップと、
前記第１親のサブアッセンブリがあればそれを特定して第１レベル子孫とするステップと、
前記第１レベル子孫のサブアッセンブリがあればそれを特定して第２レベル子孫とするステップと、
前記第１親の別のサブアッセンブリがあればそれを特定して前記第１レベル子孫の兄弟とするステップと、
複合品目およびサブアッセンブリが全て特定されるまで前記各ステップを繰り返すステップと、
を有する、請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記特定する各ステップは、各子孫レベルが字下げレベルによって示されたアウトラインフォーマットを用い、各子孫のレベルを提示することによって各複合品目とそのサブアッセンブリとの間の関係を提示する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
各複合品目とそのサブアッセンブリの階層を構築する前記ステップはさらに、
各品目およびそのサブアッセンブリをそれらの子孫と比較するステップと、
前記子孫がその祖先と同一であれば、当該子孫を前記階層から削除するステップと、
を有する、請求項４記載の方法。
【請求項７】
入札者に各複合品目とそのサブアッセンブリの階層構造にアクセスさせる前記ステップは、
前記入札者に各複合品目とそのサブアッセンブリの前記階層を提示して各複合品目とそのサブアッセンブリとの間の関係を示すステップと、
前記入札者から複合品目とそのサブアッセンブリの入札を受け付けるステップと、
入札の残り時間および入札状況を表示するステップと、
を有する、請求項２記載の方法。
【請求項８】
前記競争入札を受け付ける前記ステップは、
入札数量を受け付けるステップと、
入札金額を受け付けるステップと、
を有する、請求項２記載の方法。
【請求項９】
前記落札者を選択する前記ステップはさらに、
各サブアッセンブリの各落札者からの入札金額を計算するステップと、
各落札者からの各複合品目の合計入札金額を計算するステップと、
各落札者からの各複合品目の合計入札金額を評価して前記オークションの落札を決定するステップと、
をさらに有する、請求項２記載の方法。
【請求項１０】
サーバコンピュータと、
前記サーバコンピュータに論理接続し、各前記複合品目とそのサブアッセンブリとの定義の動作ができるオーサリングクライアントと、
前記サーバコンピュータに存在し、各複合品目とそのサブアッセンブリとの間の関係に基づいて、各定義された複合品目とそのサブアッセンブリの階層構造を構築する動作ができるソフトウエアモジュールと、
を備える、各複合項目がいくつかのサブアッセンブリからなる、少なくとも１つの複合品目とその複合品目とを有するオークションを支援可能なコンピュータシステム。
【請求項１１】
前記サーバコンピュータに論理接続し、各複合品目とそのサブアッセンブリとについて前記ソフトウエアモジュールから各落札者情報を提示する動作ができ、各落札者から前記ソフトウエアモジュールに各複合品目とそのサブアッセンブリとを運ぶ動作ができる、１つ以上の入札クライアントをさらに備える請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記ソフトウエアモジュールは、
各複合品目のサブアッセンブリをグループ化してフォーマットして入札できるようにするステップと、
１つ以上の入札クライアントから与えられた各複合品目とそのサブアッセンブリの入札を受け取るステップと、
各複合品目とそのサブアッセンブリの落札者を選択するステップと、
の動作ができる、請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記サーバに存在する前記ソフトウエアモジュールは、
第１品目を特定してそれを第１親とするステップと、
前記第１親の第１サブアッセンブリがあればそれを特定して第１レベル子孫とするステップと、
前記第１レベル子孫の第２サブアッセンブリがあればそれを特定して第２レベル子孫とするステップと、
前記第１親の第３サブアッセンブリがあればそれを特定して前記第１レベル子孫の兄弟とするステップと、
特定すべき品目およびサブアッセンブリを全て特定するまで前記各ステップを繰り返すステップと、
によって各複合品目およびそのサブアッセンブリの階層を構築する動作ができる、請求項１１記載のシステム。
【請求項１４】
前記サーバに存在する前記ソフトウエアモジュールは、
各複合品目およびそのサブアッセンブリをそれらの子孫と比較するステップと、
前記子孫の１つがその祖先の１つと同一であれば、当該子孫を前記階層から削除するステップと、
の動作がさらにできる、請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
前記特定する各ステップは、各子孫レベルが字下げレベルによって示されたアウトラインフォーマットを用い、各子孫のレベルを提示することによって各複合品目とそのサブアッセンブリとの間の関係を提示する、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記ソフトウエアモジュールは、１以上の入札クライアントによってグラフィカルユーザインタフェースを表示する動作がさらにでき、前記グラフィカルユーザインタフェースは、
各複合品目とそのサブアッセンブリとの階層を提示して前記複合品目と前記サブアッセンブリとの間の関係を示すステップと、
前記複合品目とサブアッセンブリの入札を受け付けるステップと、
入札の残り時間および入札状況を表示するステップと、
を有する、請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
前記サーバに存在する前記ソフトウエアモジュールは、
各入札者からの各サブアッセンブリの入札金額を計算するステップと、
各入札者からの各複合品目の合計入札金額を計算するステップと、
各入札者からの各複合項目の前記合計入札金額を評価して前記オークションの落札者を決定するステップと、
の動作がさらにできる請求項１１記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成15年11月7日(2003.11.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレスクリーンに２次元像を表示する表示装置であって、
ａ．電子手段で駆動されかつレーザーイルミネーションによって照明される、第１像平面に配置される光変調器であって、行イメージを形成する直線配列ピクセルを形成する光変調器と、
ｂ．第２像平面に配置される波面変調器であって、該行イメージの幅を横切って位相を空間的に変化させ、それによって位相変調された波面が形成される波面変調器と、
ｃ．該電子手段によって駆動される投影・走査光学系であって、該ディスプレスクリーンに２次元像が形成されかつさらに該位相変調された波面がレーザースペックルを低減させるように、該行イメージを該ディスプレスクリーン上に投影すると共に該ディスプレスクリーンを通して該行イメージを走査する投影・走査光学系から成る２次元像表示装置。
【請求項２】
該光変調器が回折光弁配列を含む、請求項１の装置。
【請求項３】
該回折光弁配列が格子光弁を含む、請求項２の装置。
【請求項４】
該第２像平面が該第１像平面と該投影・走査光学系との間に光学的に配置される、請求項３の装置。
【請求項５】
該光変調器が反射光弁配列を含む、請求項１の装置。
【請求項６】
該光変調器が透過光弁配列を含む、請求項１の装置。
【請求項７】
該波面変調器が回折素子を含む、請求項１の装置。
【請求項８】
該波面変調器が反射素子を含む、請求項１の装置。
【請求項９】
該波面変調器が回折格子を含む、請求項１の装置。
【請求項１０】
該回折格子が２ピッチ回折格子を含む、請求項９の装置。
【請求項１１】
該投影・走査光学系が投影レンズ及び走査鏡を含みかつさらに、該投影レンズ、該走査鏡及び該回折格子が光学処理量を最適化させるように構成される、請求項９の装置。
【請求項１２】
ディスプレスクリーンに２次元像を表示する表示装置であって、
ａ．電子手段で制御されてレーザー出力を与えるレーザー源と、
ｂ．焦点ライン上のレーザー出力を円柱状に集中させる第１光学系であって、該焦点ラインが焦点幅を有しかつ第１像平面に配置される第１光学系と、
ｃ．該電子手段によって変調される光弁配列であって、第１像平面に配置されかつ行イメージを形成するピクセルの直線配列を発生させるように構成される光弁配列と、
ｄ．第２像平面において該焦点幅を有する該焦点ラインを円柱状に集中させる第２光学系と、
ｅ．該第２像平面に配置される波面変調器であって、位相変調された波面が行イメージ幅を横切って形成されるように該焦点幅を横切る空間位相を変調する波面変調器と、
ｆ．電子手段によって駆動される第３光学系であって、
該ディスプレスクリーンに該２次元像が形成されかつさらに該位相変調された波面がレーザースペックルを低減させるように、該行イメージを該ディスプレスクリーン上に投影すると共に該ディスプレスクリーンを通して該行イメージを走査する２次元像表示装置。
【請求項１３】
該光弁配列が回折光弁配列を含む、請求項１２の装置。
【請求項１４】
該回折光弁配列が光弁から成りかつさらに該第３光学系が回折された光と反射された光との結合から回折された部分を分離する手段を含み、該回折された部分が該回折された光の一部分である、請求項１３の装置。
【請求項１５】
該回折された部分がプラス１回折オーダー及びマイナス１回折オーダーから成る、請求項１４の装置。
【請求項１６】
該回折された光が該行イメージを形成する、請求項１５の装置。
【請求項１７】
該光弁配列が反射性光弁配列から成る、請求項１２の装置。
【請求項１８】
該光弁配列が透過性光弁配列から成る、請求項１２の装置。
【請求項１９】
ディスプレスクリーンに２次元像を表示する表示装置であって、
ａ．電子手段で制御されてレーザー出力を与えるレーザー源と、
ｂ．焦点ライン上のレーザー出力を円柱状に集中させる第１光学系であって、該焦点ラインが焦点幅を有しかつ第１像平面に配置される第１光学系と、
ｃ．焦点ラインによって照明されかつ該電子手段によって変調される第１像平面に配置される格子光弁であって、回折された光とピクセルの直線配列に配列された反射された光との結合を発生させ、ピクセルの該直線配列の回折された部分が行イメージを形成する格子光弁と、
ｄ．該回折された光と該反射された光との結合から該回折された部分を分離する第２光学系であって、第２像平面に該行イメージを造る第２光学系と、
ｅ．該第２像平面に配置されると共に行イメージ幅を横切って空間位相を変調し、それによって位相変調された行イメージが形成される波面変調器と、
ｆ．該位相変調された行イメージを投影し、それによって投影された行イメージが形成される投影レンズと、
ｇ．該電子手段によって駆動される走査鏡アッセンブリであって、該ディスプレスクリーンに２次元像が形成されかつさらに該位相変調された波面がレーザースペックルを低減させるように、該ディスプレスクリーンを通して該投影された行イメージを走査する走査鏡アッセンブリとから成る２次元像表示装置。
【請求項２０】
レーザー照明されたディスプレシステムのレーザースペックルを低減させる方法であって、
ａ．ある幅を有するライン上のレーザー出力に焦点を合わせ、
ｂ．ピクセルの直線配列を発生させるために該ラインに沿って該レーザー出力を変調し、ピクセルの該直線配列が行イメージ幅を有する行イメージを形成するようにさせ、
ｃ．位相変調された波面が形成されるように該行イメージの幅を横切って空間位相を変調し、
ｄ．ディスプレスクリーン上に該行イメージを投影し、
ｅ．該ディスプレスクリーンに２次元像が形成されかつさらに該位相変調された波面がレーザースペックルを低減させるように、該ディスプレスクリーンを通して該行イメージを走査することから成るレーザースペックル低減方法。
【請求項２１】
放散面上のある領域を照明する装置であって、
レーザーイルミネーションによって照明されかつ第１像平面に配置される波面変調器であって、該レーザーイルミネーションは該波面変調器においてラインイルミネーション幅を有するラインイルミネーションを形成し、該波面変調器は該ラインイルミネーション幅を横切って位相を空間的に変化させ、それによって位相変調された波面が形成される波面変調器と、
電子手段によって駆動される投影・走査光学系であって、該ラインイルミネーションを該放散面上に投影し、該領域が照明されかつさらに該位相変調された波面がレーザースペックルを低減させるように該放散面を通して該ラインイルミネーションを走査する投影・走査光学系とから成る放散面領域照明装置。
【請求項２２】
レーザースペックルを低減させる方法であって、
ａ．あるラインイルミネーション幅を有するラインイルミネーションにレーザー出力の焦点を合わせ、
ｂ．位相変調された波面が発生されるように該ラインイルミネーション幅を横切って空間位相を変調し、
ｃ．放散面上に該ラインイルミネーションを投影し、
ｄ．ある領域が照明されかつさらに該位相変調された波面でレーザースペックルが低減されるように、該放散面を通して該ラインイルミネーションを走査することから成るレーザースペックル低減方法。」
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月26日(2003.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置内の誤差の特徴的なスクリーン・パラメータを有するスクリーン上に画像を生成するように動作可能な表示装置と、
ビデオ画像またはその一部を表す画素情報を記憶する画像メモリと、
スクリーン位置を定義するスクリーン・パラメータの一つを前記表示装置から受け取るように構成されたビデオプロセッサ・モジュールとからなる、ビデオ画像を表示するための画像表示システムであって、
前記ビデオプロセッサ・モジュールは前記スクリーン位置を使って前記スクリーン・パラメータに対応する画像メモリをアドレス指定する、画像表示システム。
【請求項２】
前記画素情報は前記スクリーン位置を照射するように前記表示装置の照射源を駆動するために使用される、請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項３】
前記ビデオプロセッサ・モジュール内に時間的にインクリメントされるアドレス・ポインタを更に含む、請求項２に記載の画像表示システム。
【請求項４】
前記ビデオプロセッサ・モジュールは、前記スクリーン位置を取得するために前記アドレス・ポインタによってアドレス指定可能な各スクリーン・パラメータを表す修正係数データテーブルを有する特徴付けモジュールを更に含む、請求項３に記載の画像表示システム。
【請求項５】
前記表示装置は陰極線管表示装置である、請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項６】
前記表示装置は複数の照射源を有する、請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項７】
前記陰極線管表示装置は、選択されたスクリーン位置で前記スクリーンに投射する照射ビームと、前記選択されたスクリーン位置の関数である陰極線管パラメータを感知するセンサとを含む、請求項５に記載の画像表示システム。
【請求項８】
前記センサは、前記陰極線管表示装置内の電流を感知するヨーク電流センサである、請求項７に記載の画像表示システム。
【請求項９】
前記修正係数データテーブルは、前記照射源が前記スクリーン位置を照射するであろう将来時間を表す時間値を取得するために前記アドレス・ポインタによってアドレス指定可能である、請求項４に記載の画像表示システム。
【請求項１０】
前記ビデオプロセッサ・モジュールはカウンタ・モジュールと、前記時間値を前記カウンタ・モジュールにロードするように構成された制御論理とを更に含んでいる、請求項９に記載の画像表示システム。
【請求項１１】
前記カウンタ・モジュールは前記時間値からカウントダウンして、いつ修正された画像信号が前記ビデオプロセッサ・モジュールによって生成されるかを示すように構成されている、請求項１０に記載の画像表示システム。
【請求項１２】
前記画像メモリは、前記陰極線管の偏向ヨークの最大垂直歪みに関するスクリーンの一部分を照射するために十分な量の画素情報を記憶する、請求項５に記載の画像表示システム。
【請求項１３】
前記スクリーン位置に隣接する複数の画素を操作することによって前記スクリーン位置に対応する併合画素に関する情報を生成するように動作可能な解像度向上モジュールを更に含む、請求項１に記載の画像表示システム。
【請求項１４】
操作は、前記複数の画素に対して一次補間を実行することを含む、請求項１３に記載の画像表示システム。
【請求項１５】
操作は、前記複数の画素に対して二次補間を実行することを含む、請求項１３に記載の画像表示システム。
【請求項１６】
表示装置内の誤差の特徴的なパラメータを有する表示装置によって位置合わせされた画像を生成する方法であって、
少なくとも１ラインのビデオデータをメモリに格納するステップと、
前記表示装置の前記パラメータの一つをスクリーン位置に写像するステップと、
ビデオデータを有する前記メモリから前記スクリーン位置に対応する一つ以上の画素を検索するステップと、
前記検索された一つ以上の画素を使って、修正されたビデオ画像信号を生成するステップと、
前記修正されたビデオ画像信号を前記表示装置に送信するステップと、
前記修正されたビデオ信号を使って前記位置合わせされた画像を生成するステップとを含む、前記方法。
【請求項１７】
前記パラメータを写像するステップは、
前記スクリーン位置をアドレス指定する時間を表す時間値を検索するために修正係数データテーブルを索引指示するステップと、
前記スクリーン位置に対応する修正済みビデオ画像信号を生成する時間にまでカウントダウンするように構成されたカウンタに前記時間値をロードするステップとを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記一つ以上の画素を検索するステップは、
前記スクリーン位置に隣接する複数の画素を検索するステップと、
前記複数の画素の組合せを表す併合画素を生成するステップとを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
アドレス指定可能なスクリーン位置を定義する情報を表示装置から受け取るステップと、
前記アドレス指定可能なスクリーン位置に対応する画素情報を画像メモリから検索するステップと、
前記画素情報を使用して前記アドレス指定可能なスクリーン位置を照射する、前記表示装置内の照射源を駆動するステップとを含む、ビデオ画像を表示する方法。
【請求項２０】
前記照射源は前記アドレス指定可能なスクリーン位置に照射ビームを投射し、
前記方法は前記画素情報を使って修正済みビデオ画像を生成するように電圧信号を変調するステップと、
前記照射ビームの非線形特性に関連する時間に前記修正済みビデオ信号を送信するステップとを更に含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の方法を実行するためのコンピュータ読取り可能な命令を有するコンピュータ読取り可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影スクリーンの作製方法であって、
再生ガラスを供給するステップと、
前記再生ガラスを熱源に供給するステップと、
前記熱源によって前記再生ガラスを微小球に再形成するステップと、
前記再形成されたガラス微小球を選別して、所定のサイズ範囲以外のガラス微小球を除去するステップと、
関連する光吸収部分を有する基板を設けるステップと、
前記基板と光学的に接触し、前記光吸収部分に埋め込まれる微小球を生成するために効果的な条件下で、前記ガラス微小球を前記光吸収部分に塗布するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記ガラス微小球の平均屈折率が、約１．５０〜約１．５７である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
再生ガラスを供給する前記ステップは、予め選択された範囲内の屈折率を有する再生ガラスを供給するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
再形成されたガラス微小球に関して許容可能なサイズ範囲を選択するステップと、
前記再生ガラスがガラス微小球に再形成された後、再形成された再生ガラスを冷却するステップと、
次に冷却された微小球を選別して、許容可能なサイズ範囲以外の微小球を除去するステップと、をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
選別後、前記ガラス微小球は、作製されたもののように、ファセット欠陥を呈するものが約５％未満である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記工程は、前記再生ガラスを再形成して、作製されたもののように、コレットまたはファセットを実質的に含まないガラス微小球を形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
直径約１５０μｍ未満の平均粒径を有し、前記再生ガラスにおけるファセットを実質的に低減し、前記再生ガラスの少なくとも一部をガラス微小球に再形成するのに十分な条件下で、再形成用炉の炎に供給された再生ガラスから構成されるガラス微小球の単層と、
基板と、
前記微小球の実質的な部分が、前記基板と光学的に接触し、不透明マトリックスに埋め込まれるように位置決めされた不透明マトリックスと、を具備する投影スクリーン。
【請求項８】
前記投影スクリーンは、後方投影スクリーンおよび平均屈折率約１．５のガラスビードを具備する請求項７に記載の投影スクリーン。
【請求項９】
前記投影スクリーンは、後方投影スクリーンおよび屈折率約１．６〜約１．８の少なくとも一部のガラスビードを具備する請求項７に記載の投影スクリーン。
【請求項１０】
前記ガラスビードの平均直径が約３５μｍを超え、約１５０μｍ未満である請求項７に記載の投影スクリーン。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４００ナノメートルより小さいリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じることができる減衰埋込み位相シフトフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法であって、ＭｚＳｉＯｘＮｙの一般式の（式中、ＭがＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族の遷移金属の群、およびそれらの組合せから選択される）化合物の少なくとも１つの層を基板上に、
（ａ）ガス群からのイオンによってＭおよびＳｉのターゲット混合物、合金または化合物からイオンビーム蒸着法によって、および、
（ｂ）ガス群を含む補助供給源からの二次イオンビームによって前記基板を衝撃させ、補助供給源のガスからの衝撃ガスイオンとターゲットから前記基板上に蒸着された材料との化学結合によって前記層が形成されることによって、
蒸着させる工程、を含み、
ｘが０．００〜２．００の範囲であり、
ｙが０．００〜２．００の範囲であり、および
ｚが０．００〜２．００の範囲である、
複合イオンビーム蒸着法。
【請求項２】
４００ナノメートルより小さいリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じることができる減衰埋込み位相シフトフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法であって、ＭｚＡｌＯｘＮｙの一般式の（式中、ＭがＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族の遷移金属の群、およびそれらの組合せから選択される）化合物の少なくとも１つの層を基板上に、
（ａ）ガス群からのイオンによってＭおよびＡｌのターゲット混合物、合金または化合物からイオンビーム蒸着法によって、および、
（ｂ）ガス群を含む補助供給源からの二次イオンビームによって前記基板を衝撃させ、補助供給源のガスからの衝撃ガスイオンとターゲットから前記基板上に蒸着された材料との化学結合によって前記層が形成されることによって、
蒸着させる工程、を含み、
ｘが０．００〜２．００の範囲であり、
ｙが０．００〜２．００の範囲であり、および
ｚが０．００〜２．００の範囲である、
複合イオンビーム蒸着法。
【請求項３】
前記選択されたリソグラフィ波長が、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、および３６５ｎｍからなる群から選択される、請求項１に記載されたように作製されたフォトマスクブランク。
【請求項４】
前記選択されたリソグラフィ波長が、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、および３６５ｎｍからなる群から選択される、請求項２に記載されたように作製されたフォトマスクブランク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【表１】
2004529386.tif 000001
本発明の好適な実施の態様は次のとおりである。
１．４００ナノメートルより小さいリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じることができる減衰埋込み位相シフトフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法であって、ＭｚＳｉＯｘＮｙの一般式の（式中、ＭがＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族の遷移金属の群、およびそれらの組合せから選択される）化合物の少なくとも１つの層を基板上に、
（ａ）ガス群からのイオンによってＭおよびＳｉのターゲット混合物、合金または化合物からイオンビーム蒸着法によって、および、
（ｂ）ガス群を含む補助供給源からの二次イオンビームによって前記基板を衝撃させ、補助供給源のガスからの衝撃ガスイオンとターゲットから前記基板上に蒸着された材料との化学結合によって前記層が形成されることによって、
蒸着させる工程、を含み、
ｘが約０．００〜約２．００の範囲であり、
ｙが約０．００〜約２．００の範囲であり、および
ｚが約０．００〜約２．００の範囲である、
複合イオンビーム蒸着法。
２．４００ナノメートルより小さいリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じることができる減衰埋込み位相シフトフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法であって、ＭｚＡｌＯｘＮｙの一般式の（式中、ＭがＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族の遷移金属の群、およびそれらの組合せから選択される）化合物の少なくとも１つの層を基板上に、
（ａ）ガス群からのイオンによってＭおよびＡｌのターゲット混合物、合金または化合物からイオンビーム蒸着法によって、および、
（ｂ）ガス群を含む補助供給源からの二次イオンビームによって前記基板を衝撃させ、補助供給源のガスからの衝撃ガスイオンとターゲットから前記基板上に蒸着された材料との化学結合によって前記層が形成されることによって、
蒸着させる工程、を含み、
ｘが約０．００〜約２．００の範囲であり、
ｙが約０．００〜約２．００の範囲であり、および
ｚが約０．００〜約２．００の範囲である、
複合イオンビーム蒸着法。
３．工程（ａ）の前記ガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ2、Ｏ2、ＣＯ2、Ｎ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、ＮＨ3、ＣＦ4、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、ＣＨ3、およびそれらのガスの組合せからなる群から選択される、上記１に記載の方法。
４．工程（ｂ）の前記ガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ2、Ｏ2、ＣＯ2、Ｎ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、ＮＨ3、ＣＦ4、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、ＣＨ3、およびそれらのガスの組合せからなる群から選択される、上記１に記載の方法。
５．工程（ａ）の前記ガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ2、Ｏ2、ＣＯ2、Ｎ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、ＮＨ3、ＣＦ4、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、ＣＨ3、およびそれらのガスの組合せからなる群から選択される、上記２に記載の方法。
６．工程（ｂ）の前記ガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ2、Ｏ2、ＣＯ2、Ｎ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、ＮＨ3、ＣＦ4、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、ＣＨ3、およびそれらのガスの組合せからなる群から選択される、上記２に記載の方法。
７．前記選択されたリソグラフィ波長が、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、および３６５ｎｍからなる群から選択される、上記１に記載されたように作製されたフォトマスクブランク。
８．前記選択されたリソグラフィ波長が、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、および３６５ｎｍからなる群から選択される、上記２に記載されたように作製されたフォトマスクブランク。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力縁または入力面および出力縁または出力面を具備し、前記入力縁または入力面は、光源を少なくとも部分的に包囲することができる少なくとも１つの成形ノッチまたはキャビティを有し、前記ノッチまたはキャビティは前記光源による対象の実質的に一様な照明を行うために形成された少なくとも２つの逆符号の曲線部分を有する、屈折物品。
【請求項２】
前記ノッチまたはキャビティは、それぞれが前記光源に対して凹面をなしている前記対象付近の第１の曲線部分と、前記光源に対して凸面をなしている前記対象からより遠い位置にある第２の曲線部分と、を有する２つの部品に分割されることができ、前記第２の曲線部分は、対象長さの単位当たりの光強度が前記第１の曲線部分とほぼ同一の光強度で前記対象を照明するように形成されている請求項１に記載の屈折物品。
【請求項３】
光源に光学的に結合し、前記光源によって対象領域の実質的に一様な照明を行うために形成された少なくとも２つの逆符号の曲線部分を有する出力縁または出力面を有する屈折物品であって、該屈折物品の前記光源と前記出力縁または出力面との間の内部に、屈折率ｎ1の媒質が満たされており、かつ前記対象領域は、前記屈折物品から屈折率ｎ2の媒質を介して光を受理し、ここで、ｎ2＜ｎ1である屈折物品。
【請求項４】
前記物品は、前記光源に対して凸面をなし、前記光源に対して凹面をなしている第２の曲線部分によって少なくとも部分的に包囲される第１の曲線部分を有し、前記第２の曲線部分は、対象面積の単位当たりの光強度が前記第１の曲線部分とほぼ同一の光強度で前記対象を照明するように形成されている請求項３に記載の屈折物品。
【請求項５】
前記光源は、１つ以上のを発光ダイオードを具備する請求項１〜４のいずれか１項に記載の屈折物品。
【請求項６】
前記光源として拡散体をさらに具備し、該拡散体は、長さを有し、かつ所望の光分散を達成するため、その拡散体の長さにそって変化する拡散率を有している請求項１〜５のいずれか１項に記載の屈折物品。
【請求項７】
光源を用いて対象を照射するための方法であって、前記光源からの光を前記光源によって前記対象の実質的に一様な照射を行うために形成された第１および第２の逆符号の曲線部分を有する縁または面を備えた屈折物品によって屈折することを含み、
ａ）前記縁または面が、光源を少なくとも部分的に包囲するノッチまたはキャビティをその縁または面に有するか、もしくは
ｂ）前記屈折物品が前記光源に光学的に結合しており、かつ
前記第２の曲線部分は、対象長さの単位当たりの光強度が前記第１の曲線部分とほぼ同一の光強度で前記対象を照射するように形成されている方法。
【請求項８】
光源および請求項１〜６のいずれか１項に記載の少なくとも１つの屈折物品を具備する照明型ディスプレイ。
【請求項９】
光源および請求項１〜６のいずれか１項に記載の少なくとも１つの屈折物品を具備する照明型ディスプレイを含む携帯電話、ポケットベル、個人用携帯情報端末、置時計、腕時計、計算機、スチルまたはビデオカメラ、ラップトップコンピュータまたは輸送車両。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度計（１１）用のプローブカバー（１０）において、
内面（１９）及び外面（１８）を画成する壁（１５、１７）を有する一の中空本体（１２）を有し、前記内面（１９）はチャンバ（２８）を画成し、前記外面（１８）は前記一の中空本体（１２）の一端（２２）に閉じたチップ（１４）を画成し、前記一の中空本体（１２）の他端（２４）に前記チャンバ（２８）と連通した開口部（２６）を画成し、前記閉じたチップ（１４）は、潤滑剤（３４）を受け入れるようになった潤滑ウェル（２０）を画成する、プローブカバー。
【請求項２】
請求項１に記載のプローブカバー（１０）において、前記潤滑剤（３４）は、前記プローブカバー（１０）を患者の体腔に挿入するとき、前記潤滑ウェル（２０）から外に拡がって前記外面（１８）をコーティングする、プローブカバー。
【請求項３】
請求項１に記載のプローブカバーにおいて、潤滑剤を前記潤滑ウェル（２０）に入れておくことができる、プローブカバー。
【請求項４】
請求項１に記載のプローブカバー（１０）において、前記チャンバ（２８）は、温度計（１１）のプローブ（４８）を前記開口部（２６）を通して受け入れるようになっている、プローブカバー。
【請求項５】
請求項１に記載のプローブカバー（１０）において、前記一の中空本体（１２）は、熱伝導性材料から形成される、プローブカバー。
【請求項６】
請求項１に記載のプローブカバー（１０）において、前記一の中空本体（１２）は、プラスチック材料から形成される、プローブカバー。
【請求項７】
請求項１に記載のプローブカバー（１０）において、前記一の中空本体（１２）は厚壁（１７）、及びこの厚壁（１７）に対して厚さが小さい薄壁（１５）を含む、プローブカバー。
【請求項８】
請求項７に記載のプローブカバー（１０）において、前記薄壁の平均厚さは０．２５４ｍｍ（０．０１インチ）である、プローブカバー。
【請求項９】
請求項１に記載のプローブカバー（１０）において、前記潤滑ウェル（２０）は非突出輪郭を提供する、プローブカバー。
【請求項１０】
請求項１に記載のプローブカバー（１０）において、前記内面（１９）は盛り上がった押縁（３２）を画成し、この盛り上がった押縁（３２）により、空気を前記閉じたチップ（１４）から逃がすことができる、プローブカバー。
【請求項１１】
請求項１に記載のプローブカバー（１０）において、前記内面（１９）は溝を画成し、この溝により、空気を前記閉じたチップ（１４）から逃がすことができる、プローブカバー。
【請求項１２】
温度計（１１）用プローブカバー（１０）において、
閉じた先端チップ（１４）を画成する先端（２２）及び開口部（２６）を形成する基端（２４）を持つ一の中空本体（１２）を含み、前記開口部（２６）は前記一の中空本体の内側に形成されたチャンバ（２８）と連通し、前記閉じた先端チップ（１４）は、潤滑剤を受け入れるようになったウェル（２０）を画成する凸状形体を有する、プローブカバー。
【請求項１３】
温度計（１１）用プローブカバー（１０）において、
閉じたチップ（１４）を形成する先端（２２）及び開口部（２６）を画成する基端（２４）を持つ一の中空本体（１２）を含み、前記開口部（２６）は前記一の中空本体に亘って形成されたチャンバ（２８）と連通しており、前記閉じたチップ（１４）は潤滑剤（３４）を入れておくことができる潤滑ウェル（２０）を画成する、プローブカバー。
【請求項１４】
温度計（１１）と組み合わせたプローブカバー（１０）において、
一の中空本体（１２）を持つプローブカバー（１０）であって、前記一の中空本体（１２）は、内面（１９）及び外面（１７）を画成する壁（１５、１７）を持ち、前記内面（１９）はチャンバ（２６）を形成し、前記外面（１７）は前記一の中空本体（１２）の一端（２２）に閉じたチップ（１４）を画成し、前記一の中空本体（１２）の他端に前記チャンバ（２８）と連通した開口部（２６）を画成し、前記閉じたチップ（１４）に潤滑剤を入れておく、プローブカバー、及び
体温を検出するためのプローブ（４８）であって、当該プローブ（４８）を封入するために前記プローブカバー（１０）の前記チャンバ（２６）内に挿入できるプローブ（４８）を備える、プローブカバー。
【請求項１５】
請求項１４に記載の組み合わせにおいて、前記ウェル（２０）は全体に凸状形状を有する、組み合わせ。
【請求項１６】
請求項１４に記載の組み合わせにおいて、前記ウェル（２０）は潤滑剤（３４）を受け入れるような大きさ及び形状を備えている、組み合わせ。
【請求項１７】
請求項１４に記載の組み合わせにおいて、前記チャンバ（２６）は複数の戻り止め（３０）を画成する、組み合わせ。
【請求項１８】
請求項１７に記載の組み合わせにおいて、前記複数の戻り止め（３０）は前記温度計（１１）の前記プローブ（４８）と固定的に係合するようになっている、組み合わせ。
【請求項１９】
請求項１４に記載の組み合わせにおいて、前記一の中空本体（１２）は基端（２４）を更に画成し、前記一の中空本体（１２）は前記基端（２４）と隣接して形成されたフランジ（１６）を有する、組み合わせ。
【請求項２０】
請求項１４に記載の組み合わせにおいて、前記閉じたチップ（１４）は、前記一の中空本体（１２）の残りに対して小さい壁厚を有する、組み合わせ。
【請求項２１】
請求項１４に記載の組み合わせにおいて、前記プローブカバー（１０）は前記プローブ（４８）と締まり嵌めする、組み合わせ。
【請求項２２】
温度計を体腔に挿入するための方法において、
ａ）チャンバ（２８）を形成する内面（１９）、及びウェル（２０）を形成する閉じたチップ（１４）を一端に画成し且つ前記チャンバ（２８）と連通した開口部（２６）を他端に画成する外面（１７）を構成する壁（１５、１７）を含む一の中空本体（１２）を持つプローブカバー（１０）を提供する工程、
ｂ）プローブ（４８）を持つ温度計（１１）を提供する工程、
ｃ）前記プローブ（４８）が前記プローブカバー（１０）の内側に封入されるまで前記プローブ（４８）を前記プローブカバー（１０）の前記チャンバ（２８）内に挿入する工程、
ｄ）前記ウェル（２０）に潤滑剤（３４）を入れておく工程、
ｅ）前記プローブカバー（１０）を体腔に挿入する工程、及び
ｆ）温度を読み取る工程を含む、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法において、前記プローブカバー（１０）を体腔に挿入することにより前記入れておいた潤滑剤（３４）を前記ウェル（２０）から外に拡げ、前記プローブカバー（１０）を覆う、方法。
【請求項２４】
請求項２２に記載の方法において、前記プローブ（４８）を前記プローブカバー（１０）の前記チャンバ（２８）に挿入し、前記プローブ（４８）と前記プローブカバー（１０）との間を締まり嵌めする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光信号参照デバイスであって、本質的に非蛍光性の基材の規定領域に相応の照射後に蛍光を発する少なくとも１つの高分子層が塗布されており、少なくとも２つの前記高分子層がその厚さおよび組成の少なくともいずれかに関して異なることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
高分子層が１種以上の高分子を含んでなり、少なくとも１種の前記高分子が相応の照射後に蛍光を発することを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
高分子が、ポジ型感光性コーティング材およびネガ型感光性コーティング材のうち少なくともいずれかを含んでなることを特徴とする、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
感光性コーティング材が、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、ＰＭＭＡ、感光性ポリイミド、およびベンゾシクロブテンのうち少なくともいずれかを基剤とすることを特徴とする、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
高分子層が少なくとも１種の高分子のほかに蛍光物質を追加で含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項６】
蛍光物質が、有機染料および無機染料のうち少なくともいずれかを含んでなることを特徴とする、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
染料が、アゾ染料、トリフェニルメタン染料、ポルフィニン染料、金属染料、ランタニド染料、およびペリレン誘導体のうち少なくともいずれかを含んでなることを特徴とする、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
相応の照射後に規定領域で発生する蛍光の強度を、高分子層の層厚および組成の少なくともいずれかを選択することによって、または製造プロセス中の物理的処理法によって調節できることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項９】
高分子層の励起波長範囲を、高分子および追加蛍光物質の少なくともいずれかを選択す
ることによって調節できることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１０】
長時間にわたる相応の照射後に規定領域で生じる蛍光の退色挙動を、高分子の種類、量、および組成の少なくともいずれかを選択すること、追加蛍光物質の種類、量、および組成の少なくともいずれかを選択すること、ならびに製造プロセス中の物理的処理法のうち少なくともいずれかによって調節できることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１１】
少なくとも１つの規定領域の高分子層の最大厚さが、蛍光測定に用いられる検出システムの最小焦点深度より有意に小さいことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１２】
規定領域が形状およびサイズの少なくともいずれかにおいて異なることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１３】
規定領域が、数ナノメートル〜５ミリメートルの辺長を有する正方形および長方形の少なくともいずれか、または数ナノメートル〜５ミリメートルの直径を有する円形であることを特徴とする、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
規定領域が基材上にアレイ状に塗布されていることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１５】
基材が、本質的に非蛍光性の材料からなることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１６】
材料が、ガラス、蒸着ガラス、シリシウム、金属、およびプラスチックの少なくともいずれかを含んでなることを特徴とする、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
基材は、少なくとも１つの物質ライブラリーが固定化されているプローブアレイであることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１８】
細胞、組織切片、薬学的に活性な化合物、およびプラスミドの少なくともいずれかが基材システムまたは顕微鏡スライド上に固定化されていることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１９】
高分子層を基材に塗布することと、マイクロ技術法ならびにプリント技術法の少なくともいずれかにより高分子層を構造化することと、の少なくともいずれかを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１項に記載のデバイスの製造法。
【請求項２０】
マイクロ技術法が、フォトリソグラフィ法、ドライエッチングおよびイオン注入からなる群から選択されるか、プリント技術法が、スポッティング、オフセット印刷、ローリング、射出成形、および表面型押からなる群から選択されるかの少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項１９に記載のデバイスの製造法。
【請求項２１】
高分子層の厚さを、製造法のパラメータに応じて設定し得ることを特徴とする、請求項１９または２０に記載のデバイス製造法。
【請求項２２】
高分子層の厚さを、高分子の粘度、温度、大気湿度または循環速度に応じて、フォトリソグラフィ法の場合は、照射線量、現像プロセスおよび焼戻しプロセスに応じて設定し得
ることを特徴とする、請求項２１に記載のデバイス製造法。
【請求項２３】
相応の照射後に蛍光を発する領域の幾何学的形状が、マスクの相応の開口部によって決定されることを特徴とする、請求項１９〜２２のいずれか１項に記載のデバイス製造法。
【請求項２４】
高分子層の架橋結合の挙動を焼戻しプロトコルおよび照射プロトコルの少なくともいずれかによって調節できることを特徴とする、請求項１９〜２３のいずれか１項に記載のデバイス製造法。
【請求項２５】
デバイスと、本質的に非蛍光性の基材システムとを、接着、位置調整、および真空システムの少なくともいずれかにより結合させることを特徴とする、請求項１９〜２４のいずれか１項に記載のデバイス製造法。
【請求項２６】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載のデバイスの、較正のための使用。
【請求項２７】
蛍光検出システムを、それらの空間もしくは時間解像度、ならびにそれらの幾何学的特性、動的特性、経時変化に起因する特性の少なくともいずれか、の少なくともいずれかに関してオンライン較正するための、請求項２６に記載のデバイスの使用。
【請求項２８】
蛍光信号の参照、ならびに蛍光信号のシステム間、デバイス間、および試験間の少なくともいずれかの比較のための、請求項１〜１８のいずれか１項に記載のデバイスの使用。
【請求項２９】
蛍光信号が、プローブアレイを用いるタンパク質‐タンパク質相互作用研究、核酸‐核酸相互作用研究、ならびにタンパク質‐核酸相互作用研究の少なくともいずれか由来である、請求項２８のいずれか１項に記載のデバイスの使用。
【請求項３０】
蛍光顕微鏡検査によって評価可能な細胞局在実験および組織切片を、システム間、デバイス間、および試験間の少なくともいずれかについて比較するための、請求項１〜１８のいずれか１項に記載のデバイスの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局所的な磁界で動作可能な磁気風酸素検知装置であって、前記局所的な磁界内のブリッジに複数の熱素子が配置され、磁気風を生成しその結果として前記熱素子において誘起される熱効果を判定することによって周囲の混合気体における酸素濃度を測定し、前記風が前記気体中に存在する酸素の常磁性を局所的に弱める１対の加熱素子により生成される磁気風酸素検知装置において、
前記加熱素子の各々は、ブリッジに配置される２つの熱検知素子により包囲され、前記検知素子が周囲の気体とほぼ熱平衡状態にあるように動作させられるため、ゼロ点が背景気体の組成の変化に伴って変動しないことを特徴とする磁気風酸素検知装置。
【請求項２】
前記検知素子は、前記加熱素子から独立した電源を使用する請求項１記載の磁気風検知装置。
【請求項３】
前記加熱素子は、前記検知素子の出力を一定に維持するように可変的に給電される請求項１記載の磁気風検知装置。
【請求項４】
前記検知素子は、酸素レベルがゼロのときにゼロ読取り値を提供するように構成された自己ゼロ化ブリッジに配置される請求項１記載の磁気風検知装置。
【請求項５】
前記検知素子は、前記検知素子の位置が熱クリープ及び変位の影響を受けないままであるように、受動的に直接の周囲の気体の局所的な周囲温度とほぼ同じ温度であり、それにより前記ブリッジの長期安定性を向上する請求項１記載の磁気風検知装置。
【請求項６】
局所的な磁界で動作可能な磁気風酸素検知装置であって、前記局所的な磁界内のブリッジに複数の熱素子が配置され、磁気風を生成しその結果として前記熱素子において誘起される熱効果を判定することによって周囲の混合気体における酸素濃度を測定し、前記風が前記気体中に存在する酸素の常磁性を局所的に弱める１対の加熱素子により生成される磁気風酸素検知装置において、
前記加熱素子の各々は複数の熱検知素子と関連しており、全ての熱検知素子は、ほぼ隣接する気体の温度に受動的にあり、前記熱検知素子の位置が熱クリープ及び変位の影響を受けないままであるように、無視できる程度の電力損を有する検知回路を伴ってブリッジにおいて動作し、それにより前記ブリッジの長期安定性を向上する磁気風酸素検知装置。
【請求項７】
局所的な磁界及び前記局所的な磁界内のブリッジに配置される複数の熱素子を提供し、磁気風を生成しその結果として前記熱素子において誘起される熱効果を判定することによって周囲の混合気体における酸素濃度を測定する種類の磁気風酸素検知方法であって、前記風が前記気体中に存在する酸素の常磁性を局所的に弱める１つ以上の加熱素子を提供することにより生成される磁気風酸素検知方法において、
２つの熱検知素子により包囲される１対の加熱素子を提供することと、
ブリッジを成し、ゼロ点が背景気体の組成の変化に伴って変動するのを防止すべく前記検知素子がほぼ隣接する気体の温度にあるように無視できる電力損を有する検知回路を伴って動作する前記検知素子を配置することとから成ることを特徴とする磁気風酸素検知方法。
【請求項８】
前記検知素子から独立した電源を用いて前記加熱素子を駆動する過程を更に含む請求項７記載の磁気風検知方法。
【請求項９】
前記検知ブリッジの出力を一定にするようにフィードバックループにおいて前記加熱素子を駆動する過程を更に含む請求項７記載の磁気風検知方法。
【請求項１０】
磁気風を生成しその結果として熱素子において誘起される熱効果を判定することによって周囲の混合気体における酸素濃度を測定するように局所的な磁界に対して配置されるブリッジに複数の熱素子を配置する過程とこれを動作させる過程とから成り、前記風が前記気体中に存在する酸素の常磁性を局所的に弱める１対の加熱素子を駆動することにより生成される磁気風酸素検知方法において、
ブリッジを成すように構成され、検知回路を伴って動作させられる１対の検知素子を含む１組の熱検知素子を提供する過程から成り、
前記検知素子は、ほぼ一定の局所的な温度と熱平衡状態にあり、その結果、前記検知素子の位置が熱クリープ及び変位の影響を受けないままであり、それにより前記ブリッジの長期安定性を向上することを特徴とする磁気風酸素検知方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体中の分析物を検出するためのセンサ・アレイを形成する方法において、
基板上にマスクを配置する工程と、
マスクに開口を形成して基板の一部を露出させる工程と、
基板の露出した部分をエッチングして基板に空洞を形成する工程と、
上記空洞に粒子を挿入する工程とから成り、基板のマスクの下方にある部分をエッチングして、空洞の一部を覆うよう位置決めされた柔軟な突起を形成し、上記の柔軟な突起が実質的に空洞からの粒子の除去を阻止しすると共に使用中に粒子と分析物とが相互に作用するときに信号を生成するように構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
粒子を媒体に曝露して粒子を収縮させ、空洞に挿入する工程をさらに含み、空洞に挿入した後の粒子の膨潤により空洞内に粒子が実質的に収容される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
空洞に粒子を挿入することが、柔軟な突起を介して空洞へ粒子を引き込む空気流を使用する工程を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
底部開口が空洞内に形成されるまで基板をエッジングすることを更に含む請求項１乃至３に記載の方法。
【請求項５】
底部開口の幅は空洞の上部の幅より実質的に小さく粒子の幅より実質的に小さい請求項４に記載の方法。
【請求項６】
柔軟な突起は可撓性であり、下方に向かって曲って粒子が空洞内に入り込むように機能すると共に柔軟な突起は上方に折り返して実質的に粒子を空洞に収納する請求項１乃至５のいづれかに記載した方法。
【請求項７】
粒子はポリマー樹脂と結合したレセプター分子である請求項１乃至６のいづれかに記載した方法。
【請求項８】
少くとも１つの空洞を有する基板と、分析物との相互作用により信号を発生するように上記空洞内に設けた粒子と、上記空洞の一部の上面に設けられた柔軟な突起とから構成され、上記柔軟な突起は使用中粒子の偏位を実質的に禁止するように構成したことを特徴とする流体内の分析物を検地するセンサ・アレイ。
【請求項９】
底部開口は空洞内に形成した請求項８の記載のセンサ・アレイ。
【請求項１０】
底部開口の幅は空洞の上部の幅より実質的には小さく且つ粒子の幅より実質的に小さい請求項９に記載のセンサ・アレイ。
【請求項１１】
柔軟な突起は可撓性を示し、この突起は下方に曲って粒子を空洞内に導入すると共に上方に折り返って実質的に粒子を空洞内に収納する請求項８乃至１０のいづれかに記載のセンサ・アレイ。
【請求項１２】
粒子はポリマー樹脂と結合したレセプター分子である請求項８乃至１１のいづれかに記載のセンサ・アレイ。
【請求項１３】
基板の複数のチャンネルが設けられ、これらのチャンネルを介して空洞へそして空洞からと流体が流れるようにした請求項８乃至１２のいづれかに記載のセンサ・アレイ。