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【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に、マトリクス状に設けられた複数の画素電極と、対応する前記画素電極に接続されるように形成された薄膜トランジスタと、を備え、
前記第１基板上の前記複数の画素電極と、該第１基板に対向配置された第２基板上の共通電極との間に挟持された液晶層を画素電極毎に駆動して表示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
前記薄膜トランジスタとして、能動層に低温で形成された多結晶シリコン層を用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタを用い、
前記第１及び第２基板間に挟持される前記液晶層の各液晶分子の初期配向を前記画素電極に対してほぼ垂直方向となるように制御し、
前記液晶層に用いる液晶材料として、側鎖にフッ素を備える分子構造を備えた液晶分子を選択すると共に、
前記画素電極を反射材料で構成し反射層として機能させることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第２基板上の前記共通電極には、前記画素電極と対向する所定対応領域内に前記液晶の配向を制御するための電極不在部を配向制御窓として設け、液晶分子の配向を垂直配向から変化させながら、各画素電極領域内に傾斜方角の異なる複数の配向領域を作成することを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第１基板では、
該第１基板上に形成された薄膜トランジスタ及びその電極配線を覆うように平坦化層間絶縁膜が形成され、
前記平坦化層間絶縁膜上に、少なくとも前記薄膜トランジスタの形成領域を覆うよう前記複数の画素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶表示装置において、
前記液晶層に用いられる液晶材料は、負の誘電異方性を備え、
前記液晶層の垂直配向は、ラビング工程を施すことなく、前記共通電極及び前記画素電極をそれぞれ覆うように形成された垂直配向膜と、前記共通電極に設けられた前記配向制御窓と、前記複数の画素電極にそれぞれ印加される電圧によって制御されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
第１基板上に、マトリクス状に設けられた複数の画素電極と、対応する前記画素電極に接続されるように形成された薄膜トランジスタと、を備え、
前記第１基板上の前記複数の画素電極と、該第１基板に対向配置された第２基板上の共通電極との間に挟持された液晶層を画素電極毎に駆動して表示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
前記第１及び第２基板間に挟持される前記液晶層の各液晶分子の初期配向を前記画素電極に対してほぼ垂直方向となるように制御し、
前記液晶層に用いる液晶材料として、側鎖にフッ素を備える分子構造を備えた液晶分子を選択すると共に、
前記画素電極は反射材料で構成され、反射層としての機能を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
光源からの光を所定の偏光を透過させる第１の偏光板と、
この第１の偏光板を透過した光を斜め方向から受け入れ、反射させる液晶表示装置と、
液晶表示装置からの反射光から第１の偏光板とは直交する方向の偏光を透過させる第２の偏光板と、
を有し、第２の偏光板の透過光をスクリーンに投射するプロジェクタ装置であって、
上記液晶表示装置として、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置を使用することを特徴とするプロジェクタ装置。
【請求項７】
ほぼ４５°方向から入射する光源からの光から所定方向の偏光を透過し、これと直交する方向の偏光を反射する偏光ビームスプリッタと、
偏光ビームスプリッタを透過した偏光を反射し、偏光ビームスプリッタに再度入射させるミラーと、
偏光ビームスプリッタで反射された光を反射し、偏光ビームスプリッタに再度入射させる液晶表示装置と、
を有し、
液晶表示装置で反射し、偏光ビームスプリッタを透過した光をスクリーンに投射するプロジェクタ装置であって、
上記液晶表示装置として、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置を使用することを特徴とするプロジェクタ装置。
【請求項８】
光源からの光の偏光を透過させる第１の偏光板と、
前記第１の偏光板を透過した光量を制御する液晶表示装置と、
前記液晶表示装置によって光量が制御された光を前記第１の偏光板に直交する方向の偏光として透過させる第２の偏光板と、
を有し、
第２の偏光板の透過光をスクリーンに投射するプロジェクタ装置であって、
上記液晶表示装置として、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置を使用することを特徴とするプロジェクタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本実施形態では、上述のような負の誘電異方性を有するフッ素系液晶分子を含有する液晶材料を用い、かつ垂直配向膜２８を用いることにより、液晶分子の初期配向を垂直方向に制御するＤＡＰ（deformation of vertically aligned phase）型の配向制御を行って
いる。ＤＡＰ型は、電圧制御複屈折（ＥＣＢ：electrically controlled birefringence
）方式の一種であり、液晶分子の長軸と短軸における屈折率の差、つまり複屈折現象を利用して、液晶層へ入射した光の透過率を制御するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
「トｎ・ｄと電圧−透過率特性との関係」
次に、負の誘電異方性の液晶を垂直配向させたノーマリブラックモードの液晶表示装置のトｎ・ｄと電圧−透過率特性との関係について図６を参照して説明する。但し、透過率は反射率として表わす。まず、図２の画素電極２６としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等を用いた透過型の液晶表示装置の場合には、トｎ・ｄが０．３５の場合、その電圧−透過率特性は良好である。具体的には、液晶層への印加電圧１Ｖ〜２Ｖ付近で透過率（図３では反射率）は０から０．４７程度まで上昇し、電圧２〜６Ｖの範囲において透過率はほぼそのまま維持される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に、マトリクス状に設けられた光反射材料からなる複数の画素電極と、対応する前記画素電極に接続されるように形成された薄膜トランジスタ及びその電極配線と、を備え、
前記第１基板上の前記複数の画素電極と、該第１基板に対向配置された第２基板上の共通電極との間に挟持された液晶層を画素電極毎に駆動して表示を行う反射型液晶表示装置であって、
前記薄膜トランジスタとして、能動層に多結晶シリコン層を利用した多結晶シリコン薄膜トランジスタを用い、
前記第１及び第２基板間に挟持される前記液晶層の各液晶分子の初期配向を前記画素電極に対してほぼ垂直方向となるように制御し、
さらに、前記液晶層の複屈折Δｎと前記液晶層の厚さｄとの積Δｎ・ｄを０．３０以下とすることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の反射型液晶表示装置において、
前記液晶層に用いる液晶材料として、側鎖にフッ素を備える分子構造を備えた液晶分子を少なくとも一種類選択することを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の反射型液晶表示装置において、
前記第２基板上の前記共通電極には、前記画素電極と対向する所定対応領域内に前記液晶の配向を制御するための電極不在部を配向制御窓として設け、液晶分子の配向を垂直配向から変化させながら、各画素電極領域内に傾斜方角の異なる複数の配向領域を作成することを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２のいずれかに記載の反射型液晶表示装置において、
前記第１基板では、
該第１基板上に形成された薄膜トランジスタ及びその電極配線を覆うように平坦化層間絶縁膜が形成され、
前記平坦化層間絶縁膜上に、少なくとも前記薄膜トランジスタの形成領域を覆うよう前記複数の画素電極が形成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載の反射型液晶表示装置において、
前記液晶層に用いられる液晶材料は、負の誘電異方性を備え、
前記液晶層の垂直配向は、ラビング工程を施すことなく、前記共通電極及び前記画素電極をそれぞれ覆うように形成された垂直配向膜と、前記共通電極に設けられた前記配向制御窓と、前記複数の画素電極にそれぞれ印加される電圧によって制御されることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の反射型液晶表示装置において、
前記多結晶シリコン層は低温で形成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
まず、この発明は、第１基板上に、マトリクス状に設けられた光反射材料からなる複数の画素電極と、対応する前記画素電極に接続されるように形成された薄膜トランジスタ及びその電極配線と、を備え、前記第１基板上の前記複数の画素電極と、該第１基板に対向配置された第２基板上の共通電極との間に挟持された液晶層を画素電極毎に駆動して表示を行う反射型液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタとして、能動層に多結晶シリコン層を利用した多結晶シリコン薄膜トランジスタを用い、前記第１及び第２基板間に挟持される前記液晶層の各液晶分子の初期配向を前記画素電極に対してほぼ垂直方向となるように制御し、さらに、前記液晶層の複屈折Δｎと前記液晶層の厚さｄとの積Δｎ・ｄを０．３０以下とすることを特徴とする。また、画素電極としては、Ａｌ反射材料を用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本実施形態では、上述のような負の誘電異方性を有するフッ素系液晶分子を含有する液晶材料を用い、かつ垂直配向膜２８を用いることにより、液晶分子の初期配向を垂直方向に制御するＤＡＰ（deformation of vertically aligned phase）型の配向制御を
行っている。ＤＡＰ型は、電圧制御複屈折（ＥＣＢ：electrically controlled birefringence）方式の一種であり、液晶分子の長軸と短軸における屈折率の差、つまり複屈折現
象を利用して、液晶層へ入射した光の透過率を制御するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
「Δｎ・ｄと電圧−透過率特性との関係」
次に、負の誘電異方性の液晶を垂直配向させたノーマリブラックモードの液晶表示装置のΔｎ・ｄと電圧−透過率特性との関係について図３を参照して説明する。但し、透過率は反射率として表わす。まず、図２の画素電極２６としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等を用いた透過型の液晶表示装置の場合には、Δｎ・ｄが０．３５の場合、その電圧−透過率特性は良好である。具体的には、液晶層への印加電圧１Ｖ〜２Ｖ付近で透過率（図３では反射率）は０から０．４７程度まで上昇し、電圧２〜６Ｖの範囲において透過率はほぼそのまま維持される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明においては、駆動回路を同一基板上に内蔵可能であってかつ低電圧駆動可能な低温多結晶シリコンＴＦＴを液晶駆動用の素子として用い、液晶として負の誘電異方性のものを用い、かつ画素電極に反射材料を用いた反射型の液晶表示装置の場合に、Δｎ・ｄの値を０．３０以下とすることで、良好な電圧−透過率特性が得られ、液晶層を確実に駆動することが可能となる。また、液晶材料として、上述の化学式（１）〜（６）に示すような側鎖にフッ素を有する液晶分子を配合すれば、上記Δｎ・ｄ＝０．３０以下という条件を容易に満たすことができ、多結晶シリコンＴＦＴに適した低電圧駆動により、液晶層を十分駆動することが可能となる。従って、明るく低消費電力のかつ高精細な反射型液晶表示装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月19日(2004.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板表面に光反射面を有し前記透明基板の前記光反射面背面に接着面を有してなり、外部からの紫外線を前記透明基板を透過して前記接着面に照射するミラーと、可動の支持部にて前記ミラーを接着支持する支持手段と、前記透明基板の前記接着面及び前記支持部の間に配置される紫外線硬化型接着剤とを具備し、前記透明基板内を透過した前記外部からの紫外線の照射により、前記紫外線硬化型接着剤を硬化して、前記支持部に前記ミラーを接着する事を特徴とする光反射装置。
【請求項２】
面積が不規則且つ配置が不規則なパターンを有するマスクを介し透明基板表面に反射部材を蒸着して、反射領域及び透過領域とが混在して成る光反射面を有するミラーを形成する工程と、
前記透明基板の前記光反射面背面の接着面及び、可動の支持部にて前記ミラーを支持する支持手段の前記支持部を、紫外線硬化型接着剤を介して対向配置する工程と、
前記光反射面から前記透明基板を透過して前記接着面に外部からの光を照射し前記紫外線硬化型接着剤を硬化する工程とを具備し、前記支持部に前記ミラーを接着する光反射装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１の基板と第２の基板の間に液晶が封入され、前記第１の基板または／および前記第２の基板の外側面には、偏光板が設けられてなり、前記偏光板を抜けた偏光を前記液晶にて変調することにより表示を行う液晶表示装置において、
前記第１の基板となる一方の支持基板の対向面側に行列状に配列された複数の薄膜トランジスタおよびその電極配線と、
これら薄膜トランジスタおよびその電極配線を覆う表面が平坦化された絶縁膜と、
該絶縁膜上に形成され前記絶縁膜に開けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに接続された液晶駆動用の画素電極と、
これら画素電極上に形成された垂直配向膜と、
前記第２の基板となる他方の支持基板の対向面に形成された液晶駆動用の共通電極と、
該共通電極中の前記画素電極に対向する領域内に設けられた電極不在部である配向制御窓と、
前記薄膜トランジスタのみに対向する遮光膜と、前記共通電極上に形成された垂直配向膜と、を有し、
前記液晶は、負の誘電率異方性を有し、その初期配向方向は前記基板の法線方向、あるいは、法線方向から１ーの範囲内にされていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
対向配置された第１の基板と第２の基板の間に液晶が封入され、前記第１の基板または／および前記第２の基板の外側面には、偏光板が設けられてなり、前記偏光板を抜けた偏光を前記液晶にて変調することにより表示を行う液晶表示装置において、
前記第１の基板となる一方の支持基板の対向面側に行列状に配列された複数の薄膜トランジスタおよびその電極配線と、
これら薄膜トランジスタおよびその電極配線を覆う表面が平坦化された絶縁膜と、
該絶縁膜上に形成され前記絶縁膜に開けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに接続された液晶駆動用の画素電極と、
これら画素電極上に形成された垂直配向膜と、
前記第２の基板となる他方の支持基板の対向面に形成された液晶駆動用の共通電極と、
該共通電極中の前記画素電極に対向する領域内に設けられた電極不在部である配向制御窓と、
前記画素電極間の領域に対向し、かつ、前記画素電極間の領域よりも小さい遮光膜と、
前記共通電極上に形成された垂直配向膜と、を有し、
前記液晶は、負の誘電率異方性を有し、その初期配向方向は前記基板の法線方向、あるいは、法線方向から１ーの範囲内にされていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタは、能動層として多結晶半導体層を用いていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記他方の支持基板の対向面上には、カラーフィルター層が設けられ、前記共通電極は、前記カラーフィルター層上に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記カラーフィルター層上には保護膜が形成され、前記共通電極は前記保護膜上に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記垂直配向膜にはラビング処理が施されていないことを特
徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２の基板は、少なくとも前記画素電極および前記画素電極間に対応する領域が透光性であり、前記画素電極間に対応する領域の少なくとも一部は、前記液晶と前記偏光板とにより遮光されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜は、厚みが１・壕ネ上であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
対向配置された第１の基板と第２の基板の間に液晶が封入される液晶表示装置において、
前記第１の基板となる一方の支持基板上に、マトリクス状に形成された複数の画素電極と、
対応する前記画素電極に接続されるように形成された薄膜トランジスタと、
前記画素電極間の領域に対向する領域に形成され、少なくとも対応する前記薄膜トランジスタの形成領域外において前記画素電極間の幅よりも狭い幅を有する遮光膜と、
前記第２の基板となる他方の支持基板上に形成された共通電極と、を有し、
少なくとも前記画素電極の端部の一部が遮光されておらず、
前記液晶表示装置は、電圧無印加時に黒色に表示されるノーマリブラック型であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極に形成された垂直配向膜をさらに有し、
前記液晶が負の誘電率異方性を有する垂直配向型であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
画素内において、斜め方向電界領域ならびに／または無電界領域が存在し、
前記斜め方向電界領域ならびに／または前記無電界領域によって、液晶の配向制御方向が分割されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記共通電極は、前記画素電極に対向する領域内に設けられた電極不在部である配向制御窓を有し、
前記配向制御窓によって前記斜め方向電界領域ならびに／または前記無電界領域を生じさせることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記遮光膜は、さらに前記薄膜トランジスタの形成領域に対向した領域に形成されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
特に、前記第２の基板は、少なくとも前記画素電極および前記画素電極間に対応する領域が透光性であり、前記画素電極間に対応する領域の少なくとも一部は、前記液晶と前記偏光板とにより遮光される構成である。これにより、第１の基板と第２の基板の貼り合わせのずれを考慮して画素電極間よりも遮光膜を大きく形成する必要が無くなり、有効表示領域が拡大され、開口率が上昇する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記制御機は、前記居室親機の在不在を監視することにより、前記居室親機から送出されてくる警報信号が住人が在室であれば真の警報、不在であれば誤報であると判断する機能を有し、誤報の場合、前記生活情報盤に警告信号を送出することにより生活情報盤にて警告音を発報させることを特徴とする請求項１記載のシルバー集合住宅システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリに記憶された共用データをアクセスするためのコンピュータ化された方法において、
空間的な順序付けで配列された複数のポートにメモリを割り当て、
これら複数のポートの各々において複数のデータ項目を時間的に順序付けし、ここで各データ項目は複数のデータ項目の時間的な順序付けを指示する時間スタンプ値を含んでおり、そして
複数のデータ項目の各々をそれぞれ識別する空間座標と時間座標を使用して複数のスレッドにより複数のデータ項目にアクセスする、
各段階を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
複数のデータ項目は異なるデータサイズを有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
特定のスレッドと関連した各アクセスは最小単位アクセスである請求項１に記載の方法。
【請求項４】
特定のポートを切り離す請求項１に記載の方法。
【請求項５】
特定のスレッドはそれに関連した仮想時間ウインドウを有し、この仮想時間ウインドウは、その特定のスレッドが発生したデータ項目に関連した時間スタンプ値の範囲を定めている請求項１に記載の方法。
【請求項６】
特定のスレッドが仮想時間を有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
複数のスレッドの仮想時間と複数のポートにおける未消費のデータ項目の時間スタンプ値とを使ってグローバルな仮想時間を決定する段階を更に含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
グローバルな仮想時間よりも少ない時間スタンプ値を有するデータ項目をガーベジ収集する段階を更に含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
特定のスレッドの仮想時間を実時間と同期する段階を更に含む請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
仮想時間のチックと実時間の間隔との間の関係を明らかにする段階を更に含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
仮想時間と実時間との間の関係に対して特定スレッドの仮想時間が実時間に実質的に等しくなるまで特定のスレッドの実行を保留する段階を更に含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
特定のポートを特定のスレッドに接続して特定のスレッドが特定のポートのデータ項目をアクセスできるようにする段階を更に含んだ請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
データ項目の部分集合がビデオストリームのデジタル化したフレームである請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
特定のデータ項目が所定回数消費されたとしてマークされたときその特定データをガーベジ収集する段階を更に含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
複数のデータ項目を仮の順序付けで発生させる請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
特定のポートと特定のスレッドとが複数の接続を有する請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月5日(2005.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに平行に形成された複数のデータ選択線，前記複数のデータ選択線と交差し、互いに平行に配列された複数のデータ転送線，および前記複数のデータ転送線と前記複数のデータ選択線の交差部に配置され、電気的に書き換え可能なメモリセルを備える複数のメモリセルユニットと、
前記メモリセルユニットが複数個前記データ選択線方向に配置されたメモリセルアレイブロックと、
前記複数のメモリセルユニットの一端に共通に接続され、前記複数のデータ選択線方向に配列された複数の第一のソース線と、
前記複数の第一のソース線と電気的に接続され、前記複数のデータ選択線方向に配置された複数の第ニのソース線
とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記複数の第一のソース線と前記複数のデータ選択線方向に配置された複数の第ニのソース線は、前記第一のソース線上方において接続されることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記複数の第一のソース線と前記複数のデータ選択線方向に配置された複数の第ニのソース線は、前記メモリセル上方において接続されることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
電源配線と、
前記電源配線と前記第二のソース線との間に配置された第一のトランジスタ
とを更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３の内、いずれか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記電源配線は、チップ片側にのみ形成された電源配線パッドに接続されていることを特徴とする請求項４記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記メモリセルアレイブロックが複数個のデータ転送線方向に形成されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのデータ選択線方向に配置されたデータ選択線制御回路と、
前記メモリセルアレイのデータ転送線方向に配置されたセンスアンプ回路
とを備え、前記第一のトランジスタは、前記データ選択線制御回路のデータ転送線方向で、且つ前記センスアンプ回路のデータ制御線方向において、メモリセルアレイの角方向に選択的に配置されることを特徴とする請求項４記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
前記第二のソース線は、前記メモリセルユニットの周期の整数倍で形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３の内、いずれか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
前記第二のソース線の幅をｚとし、前記半導体基板から前記第二のソース線までの高さをｙとすると、ｚ／２＜ｙとなるようにｚを形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３の内、いずれか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
前記第二のソース線は、前記データ転送線方向および前記データ選択線方向に対して、斜め方向に延伸し配置されることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記第二のソース線は、前記メモリセルアレイブロック内の複数のメモリセルについて、二つ以上のメモリセルを被覆し、実質的に一定の被覆率となるように形成されていることを特徴とする請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月7日(2005.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリー端子の電極ポストに嵌装される中央孔を有し、保護油が含浸されてバッテリー端子金具の下方に位置される可撓性の環状の保護シートであって、その環状の一箇所に半径方向に切断切れ目を設けて、上記電極ポストに半径方向から嵌装可能にしたことを特徴とするバッテリー端子用保護シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バッテリー端子用保護シート
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は電極ポストからバッテリーケースに流れるリーク電流を阻止するためのバッテリー端子用保護シートに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、消費先への電気供給を遮断させずにバッテリー端子用保護シートを交換することのできる構造のバッテリー端子用保護シートを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月13日(2005.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源から放出された電子線を試料上に走査する手段と、
前記電子線を試料上へ集束させるための対物レンズと、
前記電子線走査によって発生した二次電子あるいは反射電子を検出するための検出手段と、
前記対物レンズと試料との間に電位差を供給する手段と、
前記電位差供給手段に周期的な電圧変動を与えて光軸調整をする手段を備えることを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子線装置において、
前記光軸を調整するためのアライナを備えることを特徴とする電子線装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電子線装置において、
前記対物レンズと試料との間に前記電子線を減速させる減速手段を備えることを特徴とする電子線装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電子線装置において、
前記減速手段に周期的な電圧変動を与える手段を備えることを特徴とする電子線装置。
【請求項５】
電子源から放出された電子線を試料上に集束する集束レンズ手段と、
前記試料上に前記電子線を走査する手段と、
前記試料と前記集束レンズの間で前記電子線を減速する減速手段を有し、
前記減速手段の減速条件を周期的に変動させることによって該減速手段の光軸調整を行う手段を備えることを特徴とする電子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シールド掘進機を上下に２基を重ねて構成し、
上下の掘進機の掘削面によって全掘削面を分担し、
上下のシールド掘進機は前後方向にスライド自在であり、相互に自由に前進が可能なように、天井部及び壁面部にカバーが下部のシールド掘進機から張り出して形成された、
浅い土被りのシールド掘進機。
【請求項２】
シールド掘進機を上下に２基を重ねて構成し、
上部は前面開放型の掘進機で構成し、下部は前面密閉型の掘進機で構成し、
上下の掘進機の掘削面によって全掘削面を分担し、
上部のシールド掘進機の反力は下部のシールド掘進機の一部に取り、
下部のシールド掘進機の反力は後方に組み立てたセグメントに取って前進するように構成した、
浅い土被りのシールド掘進機。
【請求項３】
シールド掘進機を上下に２基を重ねて構成し、
地下水位予想線より上部は前面開放型の掘進機で構成し、
地下水位予想線より下部は前面密閉型の掘進機で構成し、
上部のシールド掘進機の反力は下部のシールド掘進機の一部に取り、下部のシールド掘進機の反力は後方に組み立てたセグメントに取って前進するように構成した、
浅い土被りのシールド掘進機。
【請求項４】
シールド掘進機を上下に２基を重ねて構成し、
上部はショベルとコンベアを組み合わせた前面開放型の掘進機で構成し、
下部はカッタが揺動する形式の前面密閉型の掘進機で構成し、
上下の掘進機の掘削面によって全掘削面を分担し、
上部のシールド掘進機の反力は下部のシールド掘進機の一部に取り、
下部のシールド掘進機の反力は後方に組み立てたセグメントに取って前進するように構成した、
浅い土被りのシールド掘進機。
【請求項５】
シールド掘進機を上下に２基を重ねて構成し、
上部はアースオーガーを並べた前面開放型の掘進機で構成し、
下部はカッタが揺動する形式の前面密閉型の掘進機で構成し、
上下の掘進機の掘削面によって全掘削面を分担し、
上部のシールド掘進機の反力は下部のシールド掘進機の一部に取り、
下部のシールド掘進機の反力は後方に組み立てたセグメントに取って前進するように構成した、
浅い土被りのシールド掘進機。
【請求項６】
上部シールド掘進機および下部シールド掘進機の断面形状が矩形である、請求項１または２記載の、浅い土被りのシールド掘進機。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第１２の発明は、相互に通信可能に接続された情報端末装置にアドレスを提供する放送受信装置で実行されるプログラムであって、情報端末装置で使用されるアドレスと当該アドレスの属性情報とを含んだ放送を受信するステップと、受信した放送に含まれているアドレスと属性情報とを記憶するステップと、放送受信装置の状態を管理するステップと、管理している状態と記憶した属性情報とに基づき、記憶したアドレスから送信対象のアドレスを抽出するステップと、抽出したアドレスを情報端末装置に送信するステップとを備える。
このような第１２の発明によれば、第９の発明に係る放送受信装置で実行されるプログラムを提供することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
情報端末装置２０は、例えば、ウェブブラウジング機能を備えた携帯電話である。情報端末装置２０は、インターネット３２を介してウェブサーバ４２に接続されている。情報端末装置２０には、放送受信装置１０から送信されたアドレス（例えば、ウェブサーバ４２から情報を取得する際に使用されるＵＲＬ）が表示される。情報端末装置２０のユーザは、例えば入力キーを用いて、画面に表示されたアドレスから一のアドレスを選択する。情報端末装置２０は、ユーザによって選択されたアドレスを用いて情報にアクセスする。例えば、アドレスがＵＲＬである場合、情報端末装置２０は、ユーザによって選択されたＵＲＬを用いてウェブサーバ４２にアクセスし、ウェブサーバ４２から情報を取得する。取得した情報は、情報端末装置２０の画面に表示される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の入力チャネルについて、処理する該入力チャネルの数の好みを備える複数の処理機能を実行する方法であって、
前記複数の入力チャネルを複数のバッチに分けることにより、各処理機能の前記好みに基づく入力チャネルのバッチサイズを求めるステップと、
前記バッチ毎に全ての入力チャネルについて各処理機能を実行することにより、前記バッチサイズまたは前記バッチサイズの倍数のバッチ毎に前記入力チャネルを処理するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記処理機能はキャッシュを備えるマイクロプロセッサ上で実行され、
前記方法が、
単一チャネルを処理するためのデータ必要量を求めるステップと、
前記キャッシュのサイズ、前記データ必要量、及び前記好みに基づいて、各バッチの処理中に前記キャッシュがオーバーフローするのを防ぐための所望のバッチサイズを求めるステップと、をさらに有し、
前記入力チャネルを処理するステップは、前記所望のバッチサイズのバッチ毎に前記入力チャネルを処理するよう適合される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記所望のバッチサイズを求めるステップは、前記処理機能の好みの最小公倍数を求めることを含む、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記入力チャネルを処理するステップは、前記処理機能が前記決定されたバッチサイズよりも小さい好みをもつ場合、全ての入力チャネルを前記バッチ毎に処理するよう、前記処理機能を複数回実行するステップをさらに含む、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記マイクロプロセッサがメモリを備え、前記方法が、連続する入力チャネルを処理することにより生成されるデータを続けて前記メモリに格納するステップをさらに含む、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
単一命令複数データ（ＳＩＭＤ）型に対応可能なマイクロプロセッサで用いられるよう適合された、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
入力チャネルについて処理機能を実行する方法であって、
前記処理機能のそれぞれは、処理する前記入力チャネルの数の好みを備えており、キャッシュを備えるマイクロプロセッサによって実行され、
前記方法は、
単一チャネルを処理するためのデータ必要量を求めるステップと、
複数の入力チャネルをバッチに分割することにより、各処理機能の前記好みに基づくバッチサイズを求めるステップと、
前記キャッシュのサイズ、前記データ必要量、及び前記バッチサイズに基づいて、各バッチの処理中に前記キャッシュがオーバーフローするのを防ぐための所望のバッチサイズを決定するステップと、
各入力チャネルについてバッチ毎に各処理機能を実行することにより、前記所望のバッチサイズのバッチ毎に各入力チャネルを処理するステップと、
を有する方法。
【請求項８】
入力チャネルを処理するデータ処理システムにおいて用いるソフトウェアツールであって、
前記システムは、処理する前記入力チャネルの数の好みを備える処理機能を有しており、
前記ソフトウェアツールは、
前記入力チャネルをバッチに分割することにより、各処理機能の前記好みに基づく入力チャネルのバッチサイズを求める手段と、
前記バッチサイズのバッチ毎に前記入力チャネルを処理できるように前記処理機能を配置する手段と、を有し、
前記処理機能のそれぞれは、同じ数の入力チャネルを確実に処理するように必要な回数だけ実行される、ソフトウェアツール。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の方法に従って動作する音声処理システム。
【請求項１０】
請求項８に記載のソフトウェアツールを備える音声処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
姓名の並びに沿ってその説明句を配置した名前画像を印刷して名前ラベルを作成する名前ラベル作成装置であって、
姓およびそれに沿って配置される姓説明句を有する姓段落の前記姓および前記姓説明句を入力する姓段落入力手段と、
名およびそれに沿って配置される名説明句を有する名段落の前記名および前記名説明句を入力する名段落入力手段と、
前記姓段落と前記名段落とを長手方向に直列に配置して前記名前画像を作成する画像作成手段と、
を備えたことを特徴とする名前ラベル作成装置。
【請求項２】
前記姓段落の情報および前記名段落の情報を有する名前情報を１以上登録可能な名前登録手段、をさらに備えたことを特徴とする、請求項１に記載の名前ラベル作成装置。
【請求項３】
姓名の並びに沿ってその説明句を配置した名前画像を印刷して名前ラベルを作成する名前ラベル作成方法であって、
姓およびそれに沿って配置される姓説明句を有する姓段落の前記姓および前記姓説明句を入力する姓段落入力工程と、
名およびそれに沿って配置される名説明句を有する名段落の前記名および前記名説明句を入力する名段落入力工程と、
前記姓段落と前記名段落とを長手方向に直列に配置して前記名前画像を作成する画像作成工程と、
を備えたことを特徴とする名前ラベル作成方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の名前ラベル作成装置の各手段の機能を実行可能なプログラムを記憶することを特徴とする記憶媒体。
【請求項５】
請求項３に記載の名前ラベル作成方法を実行可能なプログラムを記憶することを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明の名前ラベル作成方法は、姓名の並びに沿ってその説明句を配置した名前画像を印刷して名前ラベルを作成する名前ラベル作成方法であって、姓およびそれに沿って配置される姓説明句を有する姓段落の前記姓および前記姓説明句を入力する姓段落入力工程と、名およびそれに沿って配置される名説明句を有する名段落の前記名および前記名説明句を入力する名段落入力工程と、前記姓段落と前記名段落とを長手方向に直列に配置して前記名前画像を作成する画像作成工程と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この場合、姓段落の情報および名段落の情報を有する名前情報を１以上登録可能な名前登録手段、をさらに備えることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この名前ラベル作成装置では、姓段落の情報および名段落の情報を有する名前情報を１以上登録し、例えば登録されたうちの任意の１の名前情報を検索して、検索された名前情報に基づいて名前画像を作成すれば、複数登録されたうちの所望の名前情報を説明句を利用して検索でき、これにより、名前ラベルを容易に作成できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明の記憶媒体は、上記した名前ラベル作成装置の各手段の機能を実行可能なプログラムを記憶することを特徴とする。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明の他の記憶媒体は、上記した名前ラベル作成方法を実行可能なプログラムを記憶することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
姓および名の少なくとも一方に沿ってその振り仮名を配置した名前画像を印刷して名前ラベルを作成する名前ラベル作成装置であって、
前記振り仮名を入力仮名として入力する仮名入力手段と、
前記入力仮名をそのまま又は仮名漢字変換して、前記姓および名の少なくとも一方として格納する姓名入力手段と、
前記入力仮名を前記振り仮名として格納する振り仮名格納手段と、
格納された前記姓および名の少なくとも一方および前記振り仮名に基づいて、前記名前画像を作成する画像作成手段と、
を備えたことを特徴とする名前ラベル作成装置。
【請求項２】
前記振り仮名を修正する振り仮名修正手段をさらに備えたことを特徴とする、請求項１に記載の名前ラベル作成装置。
【請求項３】
前記姓名の情報を修正する名前修正手段をさらに備えたことを特徴とする、請求項１または２に記載の名前ラベル作成装置。
【請求項４】
姓および名の少なくとも一方に沿ってその振り仮名を配置した名前画像を印刷して名前ラベルを作成する名前ラベル作成方法であって、
前記振り仮名を入力仮名として入力する仮名入力工程と、
前記入力仮名をそのまま又は仮名漢字変換して、前記姓および名の少なくとも一方として格納する姓名入力工程と、
前記入力仮名を前記振り仮名として格納する振り仮名格納工程と、
格納された前記姓および名の少なくとも一方および前記振り仮名に基づいて、前記名前画像を作成する画像作成工程と、
を備えたことを特徴とする名前ラベル作成方法。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかに記載の名前ラベル作成装置の各手段の機能を実行可能なプログラムを記憶することを特徴とする記憶媒体。
【請求項６】
請求項４に記載の名前ラベル作成方法を実行可能なプログラムを記憶することを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明の名前ラベル作成方法は、姓および名の少なくとも一方に沿ってその振り仮名を配置した名前画像を印刷して名前ラベルを作成する名前ラベル作成方法であって、前記振り仮名を入力仮名として入力する仮名入力工程と、前記入力仮名をそのまま又は仮名漢字変換して、前記姓および名の少なくとも一方として格納する姓名入力工程と、前記入力仮名を前記振り仮名として格納する振り仮名格納工程と、格納された前記姓および名の少なくとも一方および前記振り仮名に基づいて、前記名前画像を作成する画像作成工程と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明の記憶媒体は、上記した名前ラベル作成装置の各手段の機能を実行可能なプログラムを記憶することを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の他の記憶媒体は、上記した名前ラベル作成方法を実行可能なプログラムを記憶することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶媒体アクセス装置及び記憶媒体アクセス方法、アクセスプログラム、並びにリーダライタ付き携帯電話機
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の記憶媒体に対するアクセスプログラム及び当該アクセスプログラムの正当性を証明するプログラム認証コードを格納する格納手段と、
上記アクセスプログラムを実行することにより上記記憶媒体に対するアクセスを行うアクセス手段と、
上記プログラム認証コードを上記アクセス手段を介して上記記憶媒体に送信することにより、当該記憶媒体に対して上記アクセスプログラムの正当性を提示するプログラム正当性提示手段と
を具えることを特徴とする記憶媒体アクセス装置。
【請求項２】
上記プログラム認証コードは上記アクセスプログラム内に記入されている
ことを特徴とする請求項１に記載の記憶媒体アクセス装置。
【請求項３】
上記記憶媒体は非接触型ＩＣ（Integrated Circuit）カードである
ことを特徴とする請求項１に記載の記憶媒体アクセス装置。
【請求項４】
所定の記憶媒体に対するアクセスプログラム及び当該アクセスプログラムの正当性を証明するプログラム認証コードをプログラム保持手段から取得して格納手段に格納するプログラム取得ステップと、
上記アクセスプログラムを実行することにより上記記憶媒体に対してアクセスし、上記プログラム保持手段から取得した上記プログラム認証コードを上記記憶媒体に送信することにより、当該記憶媒体に対して上記アクセスプログラムの正当性を提示するプログラム正当性提示ステップと
を具えることを特徴とする記憶媒体アクセス方法。
【請求項５】
上記プログラム認証コードは上記アクセスプログラム内に記入されている
ことを特徴とする請求項４に記載の記憶媒体アクセス方法。
【請求項６】
上記記憶媒体は非接触型ＩＣ（Integrated Circuit）カードである
ことを特徴とする請求項４に記載の記憶媒体アクセス方法。
【請求項７】
所定の記憶媒体に対するアクセスを行うアクセスプログラムにおいて、
当該アクセスプログラムの正当性を証明するプログラム認証コードを上記記憶媒体に送信することにより、当該記憶媒体に対して当該アクセスプログラムの正当性を提示する
ことを特徴とするアクセスプログラム。
【請求項８】
上記プログラム認証コードは上記アクセスプログラム内に記入されている
ことを特徴とする請求項７に記載のアクセスプログラム。
【請求項９】
上記記憶媒体は非接触型ＩＣ（Integrated Circuit）カードである
ことを特徴とする請求項７に記載のアクセスプログラム。
【請求項１０】
リーダライタ付き携帯電話機であって、
所定の非接触型ＩＣ（Integrated Circuit）カードに対するアクセスプログラム及び当該アクセスプログラムの正当性を証明するプログラム認証コードを格納する格納手段と、
上記アクセスプログラムを実行することにより上記非接触型ＩＣカードに対するアクセスを行うアクセス手段と、
上記プログラム認証コードを上記アクセス手段を介して上記非接触型ＩＣカードに送信することにより、当該非接触型ＩＣカードに対して上記アクセスプログラムの正当性を提示するプログラム正当性提示手段と
を具えることを特徴とするリーダライタ付き携帯電話機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は記憶媒体アクセス装置及び記憶媒体アクセス方法、アクセスプログラム並びにリーダライタ付き携帯電話機に関し、例えば非接触型ＩＣ（Integrated Circuit）カードに対するアクセス装置に適用して好適なものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、記憶媒体に対する不正アクセスを防止し得る記憶媒体アクセス装置及び記憶媒体アクセス方法、アクセスプログラム並びにリーダライタ付き携帯電話機を提案しようとするものである。