【手続補正書】
【提出日】平成16年5月21日(2004.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強磁性材料で、メモリ素子用の上部導体の少なくとも２つの側部をクラッディングするための方法であって、
ａ）前記メモリ素子上のコーティング層内に側壁を有するトレンチを形成するステップと、
ｂ）前記トレンチの前記側壁に沿って強磁性材料を堆積するステップと、
ｃ）前記トレンチの前記側壁に沿った前記強磁性材料間の前記トレンチ内に導体材料を堆積するステップであって、これにより前記強磁性材料のクラッディングが前記上部導体の２つの側部に形成されることからなる、ステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記上部導体の３つの側部の周囲に前記強磁性材料のクラッディングを形成するために、前記トレンチ内の前記導体材料上に強磁性材料を堆積するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項３】
トレンチの側壁に沿って強磁性材料を堆積する前記ステップが、前記トレンチの底部に強磁性材料を堆積するステップを含み、
さらに、前記トレンチの側壁に沿って強磁性材料を残しつつ、前記トレンチの底部の少なくとも一部から強磁性材料を除去するステップを含む、請求項１の方法。
【請求項４】
トレンチの底部の少なくとも一部から強磁性材料を除去する前記ステップが、前記強磁性材料をイオンエッチングすることにより、前記トレンチの側壁に沿って、前記強磁性のクラッディング材料を残すステップを含むことからなる、請求項３の方法。
【請求項５】
トレンチ内に導体材料を堆積する前記ステップが、前記コーティング層上に導体材料を堆積するステップを含み、
さらに、前記コーティング層上の前記導体材料を除去するために前記導体材料を研磨するステップを含む、請求項１の方法。
【請求項６】
導体材料を研磨する前記ステップが、化学機械処理を用いて研磨するステップを含む、請求項５の方法。
【請求項７】
導体材料を研磨する前記ステップが、前記コーティング層の上側表面の下の高さまで延在する窪みを、前記トレンチ内の前記導体材料内に形成するステップをさらに含むことからなる、請求項５の方法。
【請求項８】
前記コーティング層の上側表面の下の高さまで延在する窪みを、前記トレンチ内の前記導体材料内に形成するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項９】
窪みを導体材料内に形成する前記ステップが、前記導体材料をイオンエッチングするステップを含む、請求項８の方法。
【請求項１０】
窪みを導体材料内に形成する前記ステップが、湿式化学エッチングをするステップを含む、請求項８の方法。
【請求項１１】
前記強磁性材料は、高透磁率の磁性薄膜を備える、請求項１の方法。
【請求項１２】
磁気ＲＡＭ構造の上部導体の少なくとも２つの側部のまわりに強磁性クラッディングを形成するための方法であって、
ａ）磁気ＲＡＭ構造を設けるステップと、
ｂ）前記磁気ＲＡＭ構造上にコーティング層を堆積するステップと、
ｃ）前記磁気ＲＡＭ構造上の前記コーティング層内に側壁と底部とを有するトレンチを形成するステップと、
ｄ）前記トレンチの前記側壁に沿って強磁性クラッディング材料を堆積するステップと、
ｅ）前記トレンチの前記側壁に沿って前記強磁性クラッディング材料を残しつつ、前記磁気ＲＡＭ構造上の前記トレンチの前記底部から全ての強磁性クラッディング材料のうちの少なくとも一部を除去するステップと、
ｆ）前記磁気ＲＡＭ構造上の前記トレンチ内に導体材料を堆積するステップ
含む、方法。
【請求項１３】
強磁性クラッディング材料の層を前記導体材料の上に堆積するステップをさらに含む、請求項１２の方法。
【請求項１４】
磁気ＲＡＭ構造上のトレンチの底部から全ての強磁性クラッディング材料を除去する前記ステップが、前記強磁性クラッディング材料をイオンエッチングすることにより、前記トレンチの側壁に沿って、強磁性クラッディング材料を残すステップを含むことからなる、請求項１２の方法。
【請求項１５】
前記コーティング層の上側表面の下の高さまで延在する窪みを、前記トレンチ内の前記導体材料内に形成するステップをさらに含む、請求項１２の方法。
【請求項１６】
窪みを導体材料内に形成する前記ステップが、前記導体材料をイオンエッチングするステップを含む、請求項１５の方法。
【請求項１７】
窪みを導体材料内に形成する前記ステップが、湿式化学エッチングをするステップを含む、請求項１５の方法。
【請求項１８】
トレンチ内に導体材料を堆積する前記ステップが、前記コーティング層上に導体材料を堆積するステップを含み、
さらに、前記コーティング層上の前記導体材料を除去するために前記導体材料を研磨するステップを含む、請求項１２の方法。
【請求項１９】
前記強磁性クラッディング材料は、高透磁率の磁性薄膜を備える、請求項１２の方法。
【請求項２０】
磁気ＲＡＭ構造の上部導体の上面部及び対向する側部のまわりに強磁性クラッディングを形成するための方法であって、
ａ）基板上に配置された前記磁気ＲＡＭ構造を設けるステップと、
ｂ）前記磁気ＲＡＭ構造及び前記基板上にコーティング層を堆積するステップと、
ｃ）前記磁気ＲＡＭ構造上の前記コーティング層内に側壁と底部とを有するトレンチを形成するステップと、
ｄ）前記コーティング層及び前記磁気ＲＡＭ構造上で、かつ前記トレンチの前記側壁に沿って強磁性クラッディング材料を堆積するステップと、
ｅ）前記トレンチの前記側壁に沿った前記強磁性クラッディング材料を残しつつ、前記磁気ＲＡＭ構造上の前記トレンチの前記底部から、及び前記コーティング層から前記強磁性クラッディング材料の少なくとも一部を除去するステップと、
ｆ）前記磁気ＲＡＭ構造上の前記トレンチ内、及び前記コーティング層上に導体材料を堆積するステップと、
ｇ）前記導体材料を研磨して、前記コーティング層の上と、前記トレンチの前記側壁に沿った前記強磁性クラッディング材料の上側部分の上とから全ての導体材料を除去するステップと、
ｈ）前記コーティング層、前記トレンチ内の前記導体材料、及び前記トレンチの前記側壁に沿った前記強磁性クラッディング材料の前記上側部分の上に強磁性クラッディング材料の層を堆積するステップと、
ｉ）前記トレンチ内の前記導体材料上の前記強磁性クラッディング材料の層の一部を残しつつ、前記コーティング層上の全ての強磁性クラッディング材料を除去するために、前記強磁性クラッディング材料の層を研磨するステップ
を含む、方法。
【請求項２１】
磁気ＲＡＭ構造上の前記トレンチの底部から、及び前記コーティング層から強磁性クラッディング材料を除去する前記ステップが、前記強磁性クラッディング材料をイオンエッチングすることにより、前記トレンチの側壁に沿って、強磁性クラッディング材料を残すステップを含むことからなる、請求項２０の方法。
【請求項２２】
導体材料を研磨する前記ステップが、前記コーティング層の上側表面の下の高さまで延在する窪みを、前記トレンチ内の前記導体材料内に形成するステップを含む、請求項２０の方法。
【請求項２３】
前記コーティング層の上側表面の下の高さまで延在する窪みを、前記トレンチ内の前記導体材料内に形成するステップをさらに含む、請求項２０の方法。
【請求項２４】
窪みを導体材料内に形成する前記ステップが、前記導体材料をイオンエッチングするステップを含む、請求項２３の方法。
【請求項２５】
窪みを導体材料内に形成する前記ステップが、湿式化学エッチングをするステップを含む、請求項２３の方法。
【請求項２６】
導体材料を研磨する前記ステップと、強磁性クラッディング材料の層を研磨する前記ステップが、化学機械処理を用いて研磨するステップを含む、請求項２０の方法。
【請求項２７】
前記強磁性クラッディング材料は、高透磁率の磁性薄膜を備える、請求項２０の方法。