【手続補正書】
【提出日】平成17年4月12日(2005.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板電位と第２の基板電位とを発生するためのバイアス発生回路と、
複数のＭＯＳトランジスタと、複数の第１電源配線と、複数の第２電源配線とを有する回路モジュールと、
それぞれ上記第１の基板電位の供給を制御する第１ＭＯＳトランジスタと上記第２の基板電位の供給を制御する第２ＭＯＳトランジスタとを含む基板バイアススイッチ回路と、
上記基板バイアススイッチ回路を制御するスイッチ制御回路とを有し、
上記複数の第１及び第２電源配線は第１方向に並べて配置され、
上記回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタの各々は、上記複数の第１電源配線のいずれか１本と、上記複数の第２電源配線のいずれか１本とにより電源電圧を供給され、
上記回路モジュールが配置される第１領域の少なくとも一辺に接する第２領域に、上記基板バイアススイッチ回路が配置され、
上記回路モジュールが第１状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記基板バイアススイッチ回路の上記第１ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第１の基板電位を上記回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタのウェルに供給し、上記回路モジュールが第２状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記基板バイアススイッチ回路の上記第２ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第２の基板電位を上記回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタのウェルに供給することにより、上記第１領域に配置された上記回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタの基板バイアスを上記第１領域外とは独立に制御する半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記第２領域は上記第１領域の外周を包囲するように形成された半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１において、
上記バイアス発生回路は、上記第１ＭＯＳトランジスタがオフ状態のときには上記第１の基板電位の出力を停止し、
上記バイアス発生回路は、上記第２ＭＯＳトランジスタがオフ状態のときには上記第２の基板電位の出力を停止する半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項１において、
上記第１の基板電位は上記回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタに逆バイアスを与える電位であり、上記第２の基板電位は上記回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタの基板バイアス０とする電位であるまたは、上記第１の基板電位は上記回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタに順バイアスを与える電位であり、上記第２の基板電位は上記回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタの基板バイアス０とする電位である、または、上記第１の基板電位は上記回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタに逆バイアスを与える電位であり、上記第２の基板電位は上記回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタの順バイアスを与える電位である半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１において、
上記スイッチ制御回路は、上記第１ＭＯＳトランジスタのオンオフを制御する第１制御信号と上記第２ＭＯＳトランジスタのオンオフを制御する第２制御信号を出力する主スイッチ制御回路と上記第１制御信号及び上記第２制御信号のレベルを制御する従スイッチ制御回路とを有し、
上記従スイッチ制御回路は上記第２領域に配置される半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項５において、
上記従スイッチ制御回路は、上記回路モジュールを構成するＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜厚よりも厚いゲート絶縁膜厚を有するＭＯＳトランジスタを含む半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項５において、
上記従スイッチ制御回路は、上記主スイッチ回路を構成するＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜厚よりも厚いゲート絶縁膜厚を有するＭＯＳトランジスタを含む半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項１において、
上記回路モジュールは、上記第１方向と交差する方向に並べて配置される複数の電源幹線をさらに有し、
上記複数の電源幹線は、上記第１及び第２の基板電位を供給する半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項１において、
上記回路モジュールは、複数の第１基板バイアス配線と、複数の第２基板バイアス配線とをさらに有し、
上記複数の第１基板バイアス配線の各々は、上記複数の第１電源配線に挟まれて配置され、
上記複数の第２基板バイアス配線の各々は、上記複数の第２電源配線に挟まれて配置される半導体集積回路装置。
【請求項１０】
第１の基板電位と第２の基板電位とを発生するためのバイアス発生回路と、
複数の第１電源配線と、複数の第２電源配線と、複数のＭＯＳトランジスタとで構成される第１回路モジュールと、
複数の第３電源配線と、複数の第４電源配線と、複数のＭＯＳトランジスタとで構成される第２回路モジュールと、
それぞれ上記第１の基板電位の供給を制御する第１ＭＯＳトランジスタと上記第２の基板電位の供給を制御する第２ＭＯＳトランジスタとを含む複数の第１基板バイアススイッチ回路と、
それぞれ上記第１の基板電位の供給を制御する第１ＭＯＳトランジスタと上記第２の基板電位の供給を制御する第２ＭＯＳトランジスタとを含む複数の第２基板バイアススイッチ回路と、
上記第１基板バイアススイッチ回路及び上記第２基板バイアススイッチ回路を制御するスイッチ制御回路とを有し、
上記複数の第１及び第２電源配線は第１方向に並べて配置され、
上記第１回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタの各々は、上記複数の第１電源配線のいずれか１本と、上記複数の第２電源配線のいずれか１本とにより電源電圧を供給され、
上記複数の第３及び第４電源配線は上記第１方向に並べて配置され、
上記第２回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタの各々は、上記複数の第３電源配線のいずれか１本と、上記複数の第４電源配線のいずれか１本とにより電源電圧を供給され、
上記第１回路モジュールが配置される第１領域の少なくとも一辺に接する第２領域に、上記複数の第１基板バイアススイッチ回路が配置され、
上記第２回路モジュールが配置される第３領域の少なくとも一辺に接する第４領域に、上記複数の第２基板バイアススイッチ回路が配置され、
上記第１回路モジュールが第１状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の第１基板バイアススイッチ回路の上記第１ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第１の基板電位を上記第１回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタのウェルに供給し、上記第１回路モジュールが第２状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の基板バイアススイッチ回路の上記第２ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第２の基板電位を上記第１回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタのウェルに供給することにより、上記第１回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタの基板バイアスを制御し、
上記第２回路モジュールが第１状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の第２基板バイアススイッチ回路の上記第１ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第１の基板電位を上記第２回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタのウェルに供給し、上記第２回路モジュールが第２状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の第２基板バイアススイッチ回路の上記第２ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第２の基板電位を上記第２回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタのウェルに供給することにより、上記第２回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタの基板バイアスを制御する半導体集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
上記第２領域は上記第１領域の外周を包囲するように形成され、上記第４領域は上記第３領域の外周を包囲するように形成された半導体集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
上記第１の基板電位は上記第１回路モジュールまたは上記第２回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタに逆バイアスを与える電位であり、
上記第２の基板電位は上記第１回路モジュールまたは上記第２回路モジュールの複数のＭＯＳトランジスタの基板バイアス０とする電位である半導体集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１０において、
上記第１及び第２回路モジュールは、上記第１方向と交差する方向に並べて配置される複数の電源幹線をさらに有し、
上記複数の電源幹線は、上記第１及び第２の基板電位を供給する半導体集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１０において、
上記第１及び第２回路モジュールは、複数の第１基板バイアス配線と、複数の第２基板バイアス配線とをさらに有し、
上記第１回路モジュールの複数の第１基板バイアス配線の各々は、上記複数の第１電源配線に挟まれて配置され、
上記第１回路モジュールの複数の第２基板バイアス配線の各々は、上記複数の第２電源配線に挟まれて配置され、
上記第２回路モジュールの複数の第１基板バイアス配線の各々は、上記複数の第３電源配線に挟まれて配置され、
上記第２回路モジュールの複数の第２基板バイアス配線の各々は、上記複数の第４電源配線に挟まれて配置される半導体集積回路装置。
【請求項１５】
第１の基板電位と第２の基板電位と第３の基板電位を発生するためのバイアス発生回路と、
ＭＯＳトランジスタで構成される回路モジュールと、
それぞれ上記第１の基板電位の供給を制御する第１ＭＯＳトランジスタと上記第２の基板電位の供給を制御する第２ＭＯＳトランジスタと上記第３の基板電位の供給を制御する第３ＭＯＳトランジスタを含む複数の基板バイアススイッチ回路と、
上記基板バイアススイッチ回路を制御するスイッチ制御回路とを有し、
上記回路モジュールが第１状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の基板バイアススイッチ回路の上記第１ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第１の基板電位を上記回路モジュールのＭＯＳトランジスタのウェルに供給し、上記回路モジュールが第２状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の基板バイアススイッチ回路の上記第２ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第２の基板電位を上記回路モジュールのＭＯＳトランジスタのウェルに供給し、上記回路モジュールが第３状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の基板バイアススイッチ回路の上記第３ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第３の基板電位を上記回路モジュールのＭＯＳトランジスタのウェルに供給し、
上記第１の基板電位は上記回路モジュールのＭＯＳトランジスタに逆バイアスを与える電位であり、
上記第２の基板電位は上記回路モジュールのＭＯＳトランジスタの基板バイアス０とする電位であり、
上記第３の基板電位は上記回路モジュールのＭＯＳトランジスタに与える電位が可変である半導体集積回路装置。
【請求項１６】
第１の基板電位と第２の基板電位と第３の基板電位を発生するためのバイアス発生回路と、
ＭＯＳトランジスタで構成される回路モジュールと、
それぞれ上記第１の基板電位の供給を制御する第１ＭＯＳトランジスタと上記第２の基板電位の供給を制御する第２ＭＯＳトランジスタと上記第３の基板電位の供給を制御する第３ＭＯＳトランジスタを含む複数の基板バイアススイッチ回路と、
上記基板バイアススイッチ回路を制御するスイッチ制御回路とを有し、
上記回路モジュールが第１状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の基板バイアススイッチ回路の上記第１ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第１の基板電位を上記回路モジュールのＭＯＳトランジスタのウェルに供給し、上記回路モジュールが第２状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の基板バイアススイッチ回路の上記第２ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第２の基板電位を上記回路モジュールのＭＯＳトランジスタのウェルに供給し、上記回路モジュールが第３状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の基板バイアススイッチ回路の上記第３ＭＯＳトランジスタをオン状態として上記第３の基板電位を上記回路モジュールのＭＯＳトランジスタのウェルに供給し、
上記スイッチ制御回路は第１リクエスト信号を上記バイアス発生回路に送信し、上記バイアス発生回路の発生したバイアス信号が安定したことを示す第１アクノレッジ信号を受信し、
上記スイッチ制御回路は第２リクエスト信号を上記基板バイアススイッチ回路に送信し、上記基板バイアススイッチ回路の制御が完了したことを示す第２アクノレッジ信号を受信し、
上記スイッチ制御回路は、上記第１アクノレッジ信号及び上記第２アクノレッジ信号を受信し、上記回路モジュールの動作を開始させるための制御信号を上記回路モジュールに送信する半導体集積回路装置。