(57)【要約】  本発明の課題は、ＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させることなくＳＤＲＡＭの動作設定を行うことができるメモリ制御装置及びメモリ制御方法を提供することである。  ＳＤＲＡＭ（２００）の動作設定を切替えるための切替信号を発生する切替信号発生部（１８）と、この切替信号発生部（１８）から切替信号が出力されることで、切替用設定値（１７）を用いてＳＤＲＡＭ（２００）の動作設定を切替える切替制御部（１６）と、動作設定の切替開始時から切替完了時までの期間、ＳＤＲＡＭ（２００）に対するアクセス要求を受付けないようにするアクセス制御部（１４）とを設ける。これにより、ＳＤＲＡＭ（２００）の動作設定を変更する際にＳＤＲＡＭ（２００）に対するアクセスを故意に停止させる必要がなく、ＳＤＲＡＭ（２００）に対するアクセス状況に影響されることなくＳＤＲＡＭ（２００）の動作設定を変更することが可能となる。
2008126172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える制御を行う切替制御部と、
前記切替制御部に供給する切替信号を発生する切替信号発生部と、
前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求を受付けるアクセス制御部とを備え、
前記切替制御部は、前記切替信号発生部からの切替信号を受けると前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替え、
前記アクセス制御部は、前記切替制御部による前記ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え開始時から完了時までの期間、前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求の受付けを停止するメモリ制御装置。
【請求項２】
複数の切替え用の設定値を有し、
前記切替制御部は、切替え用の設定値を指定する切替情報に従って前記複数の切替え用の設定値のうちの１つを選択し、選択した切替え用の設定値を用いて前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える請求項１に記載のメモリ制御装置。
【請求項３】
ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え処理を実行するための切替信号を発生するステップと、  前記切替信号の発生に伴い、切替え用の設定値を用いて前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替えるステップと、
前記ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え開始時から完了時までの期間、前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求の受付を停止するステップと、
を備えるメモリ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）の動作設定を切替えるメモリ制御装置及びメモリ制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は、従来のＳＤＲＡＭを制御するメモリ制御装置の概略構成を示すブロック図である。同図において、メモリ制御装置１００は、ＳＤＲＡＭ２００の動作設定を切替えるための設定情報を保持する設定部１０１と、設定部１０１が保持している設定情報の変更を示すバスマスタ３００からの指示信号を検出する設定変更検出部１０２と、設定変更検出部１０２が検出した指示信号に従って、設定部１０１が保持している設定情報を変更する設定制御部１０３とから構成されている。メモリ制御装置１００は、一般に複数のバスマスタ３００に接続され、ＳＤＲＡＭ２００に対し、バスマスタ毎に最適な動作設定を行う（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
【特許文献１】特開平１１−５３２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のメモリ制御装置においては、あるバスマスタの動作設定を変更する場合、該当するバスマスタのＳＤＲＡＭ２００に対するアクセスを故意に停止させ、変更すると言ったソフトウェアを組む必要があった。【０００５】
本発明は、係る事情に鑑みてなされたものであり、ＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させることなくＳＤＲＡＭの動作設定を変更することで、ＳＤＲＡＭに対するアクセス状況に影響されることなくＳＤＲＡＭの動作設定を変更することができるメモリ制御装置及びメモリ制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のメモリ制御装置は、ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える制御を行う切替制御部と、前記切替制御部に供給する切替信号を発生する切替信号発生部と、前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求を受付けるアクセス制御部とを備え、前記切替制御部は、前記切替信号発生部からの切替信号を受けると切替え用の設定値を用いて前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替え、前記アクセス制御部は、前記切替制御部による前記ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え開始時から完了時までの期間、前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求の受付けを停止する。【０００７】
この構成によれば、動作設定を切替える切替制御部に対して任意のタイミングで切替信号を発生する切替信号発生部を備えるので、ＳＤＲＡＭの動作設定を変更する際にＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させる必要もない。【０００８】
また、本発明のメモリ制御装置は、複数の切替え用の設定値を有し、前記切替制御部は、切替え用の設定値を指定する切替情報に従って前記複数の切替え用の設定値のうちの１つを選択し、選択した切替え用の設定値を用いて前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える。【０００９】
この構成によれば、ＳＤＲＡＭの動作設定を変更するための切替え用の設定値を複数有し、切替情報に従って切替え用の設定値を選択し、選択した切替え用の設定値を用いてＳＤＲＡＭの動作設定を切替えるので、複数の設定値を容易に切替えることができる。【００１０】
また、本発明のメモリ制御方法は、ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え処理を実行するための切替信号を発生するステップと、前記切替信号の発生に伴い、切替え用の設定値を用いて前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替えるステップと、前記ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え開始時から完了時までの期間、前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求の受付けを停止するステップと、を備える。【００１１】
この方法によれば、動作設定を切替える処理に対して、任意のタイミングで切替信号を発生するので、ＳＤＲＡＭの動作設定を変更する際にＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させる必要がない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、ＳＤＲＡＭの動作設定を行うメモリ制御装置において、ＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させることなくＳＤＲＡＭの動作設定を変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１に係るメモリ制御装置の概略構成を示すブロック図
【図２】本発明の実施の形態１に係るメモリ制御装置の切替制御部の概略構成を示すブロック図
【図３】本発明の実施の形態１に係るメモリ制御装置の動作を説明するためのフローチャート
【図４】本発明の実施の形態２に係るメモリ制御装置の切替制御部の概略構成を示すブロック図
【図５】従来のメモリ制御装置の概略構成を示すブロック図
【符号の説明】
【００１４】
１０、１０Ｂ  メモリ制御装置
１１  コマンドＦＩＦＯ部
１２  データバッファ部
１３  タイミング調整部
１４  アクセス制御部
１５  設定レジスタ部
１６、１６Ｂ  切替制御部
１７、２４  切替用設定値
１８  切替信号発生部
１９、２３  設定値変更制御部
２０  現設定情報部
２１  切替情報
２２  比較部
２００  ＳＤＲＡＭ
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。【００１６】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係るメモリ制御装置の概略構成を示すブロック図である。同図において、本実施の形態のメモリ制御装置１０は、ＳＤＲＡＭ２００に対するアクセスコマンドを蓄積しているコマンドＦＩＦＯ（First In First Out）部１１と、ＳＤＲＡＭ２００とのデータのやり取りを行うデータバッファ部１２と、ＳＤＲＡＭ２００に対してアクセスを制御するアクセス制御部１４と、データバッファ部１２とアクセス制御部１４の動作タイミングを設定するタイミング調整部１３と、タイミング調整部１３とアクセス制御部１４の動作状態を決定する設定レジスタ部１５と、アクセス制御部１４と設定レジスタ部１５とを動作させる切替制御部１６と、切替制御部１６で使用される切替用設定値１７と、切替制御部１６に与える切替信号を発生する切替信号発生部１８とを備えている。切替用設定値１７は、予めメモリ制御装置１０内のメモリ（図示略）に記憶されている。【００１７】
図２は切替制御部１６の概略構成を示すブロック図である。同図において、切替制御部１６は、切替要求である切替信号発生部１８からの切替信号に従い、切替用設定値１７を用いて設定値の変更を行う設定値変更制御部１９を有する。設定値変更制御部１９は、切替信号発生部１８からの切替信号を受けると、ウェイト制御を行ってアクセス制御部１４への通知を停止させた状態で、切替用設定値１７を用いて設定レジスタ部１５の内容を変更する。設定レジスタ部１５への変更が完了した時点でウェイト制御を停止する。この制御によりＳＤＲＡＭ２００に対するアクセスを故意に停止させることなく設定値を変更することができる。【００１８】
次に、上記構成のメモリ制御装置１０の動作を説明する。図３は切替制御部１６の動作を示すフローチャートである。同図において、まず切替信号が有るかどうか判定する（ステップＳ１０）。すなわち、切替信号発生部１８から切替信号が出力されたかどうか判定する。切替信号が有る場合、現在実行中のアクセスコマンドが終了するまで待機する（ステップＳ１１）。そして、現在実行中のアクセスコマンドが終了すると、ウェイト制御を行い、次のアクセスコマンドの実行を停止させる。【００１９】
次いで、切替用設定値１７を用いて設定レジスタ部１５に保持されている現在の設定値を変更する（ステップＳ１２）。すなわち、現在の設定値を切替用設定値１７に変更する。このようにして設定レジスタ部１５における設定値の変更が完了した後、コマンドＦＩＦＯ部１１に対するウェイト制御を解除して再びアクセスコマンドの実行を再開させる（ステップＳ１３）。以上が切替制御部１６の動作である。この切替制御部１６の動作と併行してアクセス制御部１４が、切替制御部１６によるＳＤＲＡＭ２００の動作設定の切替開始時から切替完了時までの期間、ＳＤＲＡＭ２００に対するアクセス要求を受付けないようにする。【００２０】
このように本実施の形態に係るメモリ制御装置１０によれば、ＳＤＲＡＭ２００の動作設定を切替えるための切替信号を発生する切替信号発生部１８と、この切替信号発生部１８から切替信号が出力されることでＳＤＲＡＭ２００の動作設定を切替える切替制御部１６と、動作設定の切替開始時から切替完了時までの期間、ＳＤＲＡＭ２００に対するアクセス要求を受付けないようにするアクセス制御部１４とを備えているので、ＳＤＲＡＭ２００の動作設定を変更する際にＳＤＲＡＭ２００に対するアクセスを故意に停止させる必要もない。【００２１】
（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２に係るメモリ制御装置の切替制御部の概略構成を示すブロック図である。同図において、本実施の形態のメモリ制御装置１０Ｂの切替制御部１６Ｂは、現在の設定値を示す設定情報を保持する現設定情報部２０と、切替情報２１と現設定情報部２０に保持されている設定情報とを比較する比較部２２と、比較部２２の比較において、切替情報２１が現設定情報部２０に保持されている設定情報と一致しない場合に、設定値を変更する制御を行う設定値変更制御部２３とを備えている。また、本実施の形態のメモリ制御装置１０Ｂは、ＳＤＲＡＭ２００のあらゆる状態に対応するため、複数の切替用設定値２４を有している。【００２２】
比較部２２に入力される切替情報２１は、設定値を指定する情報であり、切替信号により比較部２２に入力される。比較部２２は、切替情報２１が入力されることで、切替情報２１で指定された設定値と現設定情報部２０に保持されている現在の設定値とを比較する。指定された設定値と現在の設定値とが不一致の場合は、比較部２２は、設定値変更制御部２３に対して設定値変更要求と切替情報２１を通知する。設定値変更制御部２３は、比較部２２から設定値変更要求と切替情報２１の通知があると、変更要求に従って複数の切替用設定値２４のうちの１つを選択し、設定レジスタ部１５の内容を変更する。この処理によりＳＤＲＡＭ２００に対するアクセスを故意に停止させることなく設定値を変更することができる。【００２３】
以上のように構成されたメモリ制御装置１０Ｂについてその動作を説明する。まず、設定値変更制御部２３は、比較部２２から設定値変更要求と切替情報２１の通知があると、ウェイト制御を行い、アクセス制御部１４への通知を待機させる。そして、比較部２２からの変更要求に従って複数の切替用設定値２４のうち、切替情報２１で指定される切替用設定値２４を選択し、設定レジスタ部１５の内容を変更する。次いで、設定レジスタ部１５の内容を変更した時点でウェイト制御を停止する。【００２４】
このように本実施の形態に係るメモリ制御装置１０Ｂによれば、ＳＤＲＡＭ２００の動作設定を変更するための切替用設定値２４を複数有し、切替情報２１が与えられることで、該切替情報２１に対応する切替用設定値２４を設定値変更制御部２３にて選択し、設定レジスタ部１５の内容を変更するので、複数の設定値を容易に切替えることができる。        【００２５】
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明は、ＳＤＲＡＭの動作設定を変更する際にＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させることなくＳＤＲＡＭの動作設定を変更することができ、ＳＤＲＡＭに対するアクセス状況に影響されることなくＳＤＲＡＭの動作設定を変更することが可能となるといった効果を有し、ＳＤＲＡＭを制御するメモリ制御装置などへの適用が可能である。
【図１】
2008126172.tif 000003
【図２】
2008126172.tif 000004
【図３】
2008126172.tif 000005
【図４】
2008126172.tif 000006
【図５】
2008126172.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える制御を行う切替制御部と、
前記切替制御部に供給する切替信号を発生する切替信号発生部と、
前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求を受付けるアクセス制御部と、を備え、
前記切替制御部は、前記アクセス制御部が複数のアクセス要求を受付けているときに前記切替信号発生部から切替信号を受けた場合、実行している第１のアクセスコマンドが終了すると、次に実行予定の第２のアクセスコマンドの実行を停止させ、前記ＡＤＲＡＭの動作設定を切替えた後、前記第２のアクセスコマンドの実行を再開させることを特徴とするメモリ制御装置。
【請求項２】
複数の切替え用の設定値を有し、
前記切替制御部は、切替え用の設定値を指定する切替情報に従って前記複数の切替え用の設定値のうちの１つを選択し、選択した切替え用の設定値を用いて前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える請求項１に記載のメモリ制御装置。
【請求項３】
ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求を受付ける受付ステップと、
前記ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え処理を実行するための切替信号を発生する信号発生ステップと、
前記受付ステップで複数のアクセス要求を受付けているときに、前記信号発生ステップで切替信号が発生した場合、実行している第１のアクセスコマンドが終了後に、次に実行予定の第２のアクセスコマンドの実行を停止させる停止ステップと、
前記停止ステップで前記第２のアクセスコマンドの実行を停止しているときに、前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える切替ステップと、
前記切替ステップで前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替えた後、前記第２のアクセスコマンドの実行を再開させる再開ステップと、
を備えたメモリ制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）の動作設定を切替えるメモリ制御装置及びメモリ制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は、従来のＳＤＲＡＭを制御するメモリ制御装置の概略構成を示すブロック図である。同図において、メモリ制御装置１００は、ＳＤＲＡＭ２００の動作設定を切替えるための設定情報を保持する設定部１０１と、設定部１０１が保持している設定情報の変更を示すバスマスタ３００からの指示信号を検出する設定変更検出部１０２と、設定変更検出部１０２が検出した指示信号に従って、設定部１０１が保持している設定情報を変更する設定制御部１０３とから構成されている。メモリ制御装置１００は、一般に複数のバスマスタ３００に接続され、ＳＤＲＡＭ２００に対し、バスマスタ毎に最適な動作設定を行う（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−５３２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のメモリ制御装置においては、あるバスマスタの動作設定を変更する場合、該当するバスマスタのＳＤＲＡＭ２００に対するアクセスを故意に停止させ、変更すると言ったソフトウェアを組む必要があった。
【０００５】
本発明は、係る事情に鑑みてなされたものであり、ＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させることなくＳＤＲＡＭの動作設定を変更することで、ＳＤＲＡＭに対するアクセス状況に影響されることなくＳＤＲＡＭの動作設定を変更することができるメモリ制御装置及びメモリ制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のメモリ制御装置は、ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える制御を行う切替制御部と、前記切替制御部に供給する切替信号を発生する切替信号発生部と、前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求を受付けるアクセス制御部とを備え、前記切替制御部は、前記切替信号発生部からの切替信号を受けると切替え用の設定値を用いて前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替え、前記アクセス制御部は、前記切替制御部による前記ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え開始時から完了時までの期間、前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求の受付けを停止する。
【０００７】
この構成によれば、動作設定を切替える切替制御部に対して任意のタイミングで切替信号を発生する切替信号発生部を備えるので、ＳＤＲＡＭの動作設定を変更する際にＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させる必要もない。
【０００８】
また、本発明のメモリ制御装置は、複数の切替え用の設定値を有し、前記切替制御部は、切替え用の設定値を指定する切替情報に従って前記複数の切替え用の設定値のうちの１つを選択し、選択した切替え用の設定値を用いて前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える。
【０００９】
この構成によれば、ＳＤＲＡＭの動作設定を変更するための切替え用の設定値を複数有し、切替情報に従って切替え用の設定値を選択し、選択した切替え用の設定値を用いてＳＤＲＡＭの動作設定を切替えるので、複数の設定値を容易に切替えることができる。
【００１０】
また、本発明のメモリ制御方法は、ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え処理を実行するための切替信号を発生するステップと、前記切替信号の発生に伴い、切替え用の設定値を用いて前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替えるステップと、前記ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え開始時から完了時までの期間、前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求の受付けを停止するステップと、を備える。
【００１１】
この方法によれば、動作設定を切替える処理に対して、任意のタイミングで切替信号を発生するので、ＳＤＲＡＭの動作設定を変更する際にＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させる必要がない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、ＳＤＲＡＭの動作設定を行うメモリ制御装置において、ＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させることなくＳＤＲＡＭの動作設定を変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１に係るメモリ制御装置の概略構成を示すブロック図
【図２】本発明の実施の形態１に係るメモリ制御装置の切替制御部の概略構成を示すブロック図
【図３】本発明の実施の形態１に係るメモリ制御装置の動作を説明するためのフローチャート
【図４】本発明の実施の形態２に係るメモリ制御装置の切替制御部の概略構成を示すブロック図
【図５】従来のメモリ制御装置の概略構成を示すブロック図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係るメモリ制御装置の概略構成を示すブロック図である。同図において、本実施の形態のメモリ制御装置１０は、ＳＤＲＡＭ２００に対するアクセスコマンドを蓄積しているコマンドＦＩＦＯ（First In First Out）部１１と、ＳＤＲＡＭ２００とのデータのやり取りを行うデータバッファ部１２と、ＳＤＲＡＭ２００に対してアクセスを制御するアクセス制御部１４と、データバッファ部１２とアクセス制御部１４の動作タイミングを設定するタイミング調整部１３と、タイミング調整部１３とアクセス制御部１４の動作状態を決定する設定レジスタ部１５と、アクセス制御部１４と設定レジスタ部１５とを動作させる切替制御部１６と、切替制御部１６で使用される切替用設定値１７と、切替制御部１６に与える切替信号を発生する切替信号発生部１８とを備えている。切替用設定値１７は、予めメモリ制御装置１０内のメモリ（図示略）に記憶されている。
【００１６】
図２は切替制御部１６の概略構成を示すブロック図である。同図において、切替制御部１６は、切替要求である切替信号発生部１８からの切替信号に従い、切替用設定値１７を用いて設定値の変更を行う設定値変更制御部１９を有する。設定値変更制御部１９は、切替信号発生部１８からの切替信号を受けると、ウェイト制御を行ってアクセス制御部１４への通知を停止させた状態で、切替用設定値１７を用いて設定レジスタ部１５の内容を変更する。設定レジスタ部１５への変更が完了した時点でウェイト制御を停止する。この制御によりＳＤＲＡＭ２００に対するアクセスを故意に停止させることなく設定値を変更することができる。
【００１７】
次に、上記構成のメモリ制御装置１０の動作を説明する。図３は切替制御部１６の動作を示すフローチャートである。同図において、まず切替信号が有るかどうか判定する（ステップＳ１０）。すなわち、切替信号発生部１８から切替信号が出力されたかどうか判定する。切替信号が有る場合、現在実行中のアクセスコマンドが終了するまで待機する（ステップＳ１１）。そして、現在実行中のアクセスコマンドが終了すると、ウェイト制御を行い、次のアクセスコマンドの実行を停止させる。
【００１８】
次いで、切替用設定値１７を用いて設定レジスタ部１５に保持されている現在の設定値を変更する（ステップＳ１２）。すなわち、現在の設定値を切替用設定値１７に変更する。このようにして設定レジスタ部１５における設定値の変更が完了した後、コマンドＦＩＦＯ部１１に対するウェイト制御を解除して再びアクセスコマンドの実行を再開させる（ステップＳ１３）。以上が切替制御部１６の動作である。この切替制御部１６の動作と併行してアクセス制御部１４が、切替制御部１６によるＳＤＲＡＭ２００の動作設定の切替開始時から切替完了時までの期間、ＳＤＲＡＭ２００に対するアクセス要求を受付けないようにする。
【００１９】
このように本実施の形態に係るメモリ制御装置１０によれば、ＳＤＲＡＭ２００の動作設定を切替えるための切替信号を発生する切替信号発生部１８と、この切替信号発生部１８から切替信号が出力されることでＳＤＲＡＭ２００の動作設定を切替える切替制御部１６と、動作設定の切替開始時から切替完了時までの期間、ＳＤＲＡＭ２００に対するアクセス要求を受付けないようにするアクセス制御部１４とを備えているので、ＳＤＲＡＭ２００の動作設定を変更する際にＳＤＲＡＭ２００に対するアクセスを故意に停止させる必要もない。
【００２０】
（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２に係るメモリ制御装置の切替制御部の概略構成を示すブロック図である。同図において、本実施の形態のメモリ制御装置１０Ｂの切替制御部１６Ｂは、現在の設定値を示す設定情報を保持する現設定情報部２０と、切替情報２１と現設定情報部２０に保持されている設定情報とを比較する比較部２２と、比較部２２の比較において、切替情報２１が現設定情報部２０に保持されている設定情報と一致しない場合に、設定値を変更する制御を行う設定値変更制御部２３とを備えている。また、本実施の形態のメモリ制御装置１０Ｂは、ＳＤＲＡＭ２００のあらゆる状態に対応するため、複数の切替用設定値２４を有している。
【００２１】
比較部２２に入力される切替情報２１は、設定値を指定する情報であり、切替信号により比較部２２に入力される。比較部２２は、切替情報２１が入力されることで、切替情報２１で指定された設定値と現設定情報部２０に保持されている現在の設定値とを比較する。指定された設定値と現在の設定値とが不一致の場合は、比較部２２は、設定値変更制御部２３に対して設定値変更要求と切替情報２１を通知する。設定値変更制御部２３は、比較部２２から設定値変更要求と切替情報２１の通知があると、変更要求に従って複数の切替用設定値２４のうちの１つを選択し、設定レジスタ部１５の内容を変更する。この処理によりＳＤＲＡＭ２００に対するアクセスを故意に停止させることなく設定値を変更することができる。
【００２２】
以上のように構成されたメモリ制御装置１０Ｂについてその動作を説明する。まず、設定値変更制御部２３は、比較部２２から設定値変更要求と切替情報２１の通知があると、ウェイト制御を行い、アクセス制御部１４への通知を待機させる。そして、比較部２２からの変更要求に従って複数の切替用設定値２４のうち、切替情報２１で指定される切替用設定値２４を選択し、設定レジスタ部１５の内容を変更する。次いで、設定レジスタ部１５の内容を変更した時点でウェイト制御を停止する。
【００２３】
このように本実施の形態に係るメモリ制御装置１０Ｂによれば、ＳＤＲＡＭ２００の動作設定を変更するための切替用設定値２４を複数有し、切替情報２１が与えられることで、該切替情報２１に対応する切替用設定値２４を設定値変更制御部２３にて選択し、設定レジスタ部１５の内容を変更するので、複数の設定値を容易に切替えることができる。
【００２４】
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明は、ＳＤＲＡＭの動作設定を変更する際にＳＤＲＡＭに対するアクセスを故意に停止させることなくＳＤＲＡＭの動作設定を変更することができ、ＳＤＲＡＭに対するアクセス状況に影響されることなくＳＤＲＡＭの動作設定を変更することが可能となるといった効果を有し、ＳＤＲＡＭを制御するメモリ制御装置などへの適用が可能である。
【符号の説明】
【００２６】
１０、１０Ｂ  メモリ制御装置
１１  コマンドＦＩＦＯ部
１２  データバッファ部
１３  タイミング調整部
１４  アクセス制御部
１５  設定レジスタ部
１６、１６Ｂ  切替制御部
１７、２４  切替用設定値
１８  切替信号発生部
１９、２３  設定値変更制御部
２０  現設定情報部
２１  切替情報
２２  比較部
２００  ＳＤＲＡＭ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える制御を行う切替制御部と、
前記切替制御部に供給する切替信号を発生する切替信号発生部と、
前記ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求を受付けるアクセス制御部と、を備え、
前記切替制御部は、前記アクセス制御部が複数のアクセス要求を受付けているときに前記切替信号発生部から切替信号を受けた場合、実行している第１のアクセスコマンドが終了すると、次に実行予定の第２のアクセスコマンドの実行を停止させ、前記ＡＤＲＡＭの動作設定を切替えた後、前記第２のアクセスコマンドの実行を再開させることを特徴とするメモリ制御装置。
【請求項２】
複数の切替え用の設定値を有し、
前記切替制御部は、切替え用の設定値を指定する切替情報に従って前記複数の切替え用の設定値のうちの１つを選択し、選択した切替え用の設定値を用いて前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える請求項１に記載のメモリ制御装置。
【請求項３】
ＳＤＲＡＭに対するアクセス要求を受付ける受付ステップと、
前記ＳＤＲＡＭの動作設定の切替え処理を実行するための切替信号を発生する信号発生ステップと、
前記受付ステップで複数のアクセス要求を受付けているときに、前記信号発生ステップで切替信号が発生した場合、実行している第１のアクセスコマンドが終了後に、次に実行予定の第２のアクセスコマンドの実行を停止させる停止ステップと、
前記停止ステップで前記第２のアクセスコマンドの実行を停止しているときに、前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替える切替ステップと、
前記切替ステップで前記ＳＤＲＡＭの動作設定を切替えた後、前記第２のアクセスコマンドの実行を再開させる再開ステップと、
を備えたメモリ制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
2008126172.tif 000010
【図４】
2008126172.tif 000011
【図５】
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【国際調査報告】
2008126172.tif 000013
2008126172.tif 000014
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