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【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）（１）０から約３０重量％の少なくとも１つの有機溶媒、（２）第１の極性を有する約０．１から１０重量％の少なくとも１つの水溶性イオン表面活性剤、及び（３）約０．０１から２０重量％の少なくとも１つの両性イオン表面活性剤を含んで成るベヒクルと、
（ｂ）前記第１の極性とは反対の第２の極性をもつ官能基の結合した顔料を含む、約１から２０重量％の少なくとも１つの化学的に変更を施された水溶性巨大分子発色団と、
（ｃ）残部の水と、
を含んで成る、インクジェットインク。
【請求項２】
前記少なくとも１つの有機溶媒が、脂肪族アルコール、芳香族アルコール、ジオール、グリコールエーテル、ポリ（グリコール）エーテル、カプロラクタム、ホルムアミド、アセトアミド及び長鎖アルコールから成る群から選択される、請求項１に記載のインクジェットインク。
【請求項３】
前記少なくとも１つの有機溶媒が、３０個またはそれ以下の炭素からなる第一級脂肪族アルコール、３０個またはそれ以下の炭素からなる第一級芳香族アルコール、３０個またはそれ以下の炭素からなる第二級脂肪族アルコール、３０個またはそれ以下の炭素からなる第二級芳香族アルコール、３０個またはそれ以下の炭素からなる１，２−アルコール、３０個またはそれ以下の炭素からなる１，３−アルコール、３０個またはそれ以下の炭素からなる１，ω−アルコール、エチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテル、ポリ（エチレングリコール）アルキルエーテル、ポリ（エチレングリコール）アルキルエーテルの比較的高い同族体、ポリ（プロピレングリコール）アルキルエーテル、ポリ（プロピレングリコール）アルキルエーテルの比較的高い同族体、Ｎ−アルキルカプロラクタム、未置換カプロラクタム、置換ホルムアミド、未置換ホルムアミド、置換アセトアミド及び未置換アセトアミドから成る群から選択される、請求項２に記載のインクジェットインク。
【請求項４】
前記巨大分子発色団がアニオン性であり、前記少なくとも１つのイオン性水溶性界面活性剤がカチオン性であり且つ以下の式
【化１】
1999172175.tif 000001
【化２】
1999172175.tif 000002
【化３】
1999172175.tif 000003
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は以下の式で表わされるアルキル基である。
Ｒ1＝−（ＣＨ2）nＣＨ3
Ｒ2＝−（ＣＨ2）mＣＨ3
Ｒ3＝−（ＣＨ2）lＣＨ3
Ｒ4＝−（ＣＨ2）kＣＨ3
ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、０から２５の範囲内の独立した整数であり、ｐは６から２５の範囲である〕で表わされる、請求項１に記載のインクジェットインク。
【請求項５】
前記カチオン性の界面活性剤が、対イオンがそこに結合しており、前記対イオンが、ハライド、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩、スルホン酸塩、四フッ化ホウ素酸塩、メタンスルホン酸塩、亜リン酸塩、ホスホン酸塩、メチルベンゼンスルホン酸塩、ヘキサフッ化ホスホン酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩、ホスフィン、フェノラート、タングステン酸塩、モリブデン酸塩及びケイ酸塩イオンから成る群から選択される、請求項４に記載のインクジェットインク。
【請求項６】
前記巨大分子発色団がカチオン性であり、前記少なくとも１つのイオン性水溶性界面活性剤がアニオン性であり且つ以下の式
【化４】
1999172175.tif 000004
【化５】
1999172175.tif 000005
【化６】
1999172175.tif 000006
〔式中、Ｒ1及びＲ2は以下の式で表わされるアルキル基である。
Ｒ1＝−（ＣＨ2）nＣＨ3
Ｒ2＝−（ＣＨ2）mＣＨ3
ｍ及びｎは、個々独立して、１０から２５の範囲内の整数である〕で表わされる、請求項１に記載のインクジェットインク。
【請求項７】
前記アニオン性の界面活性剤が対イオンを有し、前記対イオンがアンモニウムイオンから成る群から選択される、請求項６に記載のインクジェットインク。
【請求項８】
前記両性イオン表面活性剤が、（ａ）Ｒ−Ｎ+（ＣＨ3）2Ｏ-〔式中、Ｒは８から２５個の炭素原子の鎖長を有する置換もしくは未置換アルキル基である〕で表わされるアミンオキシド、及び（ｂ）以下の式
【化７】
1999172175.tif 000007
〔式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、１０から２３個の炭素原子を含み、且つＲ1、Ｒ2及びＲ3は、アルキル、アルケニル、アルキン、アリール、アレーンから成る群から選択される〕で表わされるベタインから成る群から選択される、請求項１に記載のインクジェットインク。
【請求項９】
前記顔料が、ブラック、シアン、黄色及びマゼンタ顔料から成る群から選択される、請求項１に記載のインクジェットインク。
【請求項１０】
請求項１記載のインクジェットインクを用いて媒体上にプリントするステップを包含する、インクジェットプリント方法。
【請求項１１】
（ａ）請求項１記載の巨大分子発色団を生成させること、及び
（ｂ）約１から２０重量％の前記巨大分子発色団を、請求項１記載の前記ベヒクル及び水と混合すること、
を包含する、インクジェットインクの耐水性を高める方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）全細孔容積が０．１０〜０．３０ｃｃ／ｇであり、かつ（Ｂ）粒状物の寸法が平均長さまたは平均直径にして１〜２０ｍｍであり、さらに（Ｃ）示差熱分析法で求めた融解熱量（△Ｈ）から算出される結晶化度が５０％以上であることを特徴とするポリアミド粒状物。
【請求項２】
ポリアミドの数平均分子量が１００００以上であることを特徴とする請求項１記載のポリアミド粒状物。
【請求項３】
ポリアミドがポリヘキサメチレンアジパミドである請求項１又は２記載のポリアミド粒状物。
【請求項４】
ジアミンとジカルボン酸からなる微粒状固体塩を得た後、該微粒状固体塩から多孔質固体塩を作成し、この多孔質固体塩を用いて常に固体状態で重縮合することを特徴とする請求項１又は２記載のポリアミド粒状物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明は、
（１）  （Ａ）全細孔容積が０．１０〜０．３０ｃｃ／ｇであり、かつ（Ｂ）粒状物の寸法が平均長さまたは平均直径にして１〜２０ｍｍであり、さらに（Ｃ）示差熱分析法で求めた融解熱量（△Ｈ）から算出される結晶化度が５０％以上であることを特徴とするポリアミド粒状物、
（２）  ポリアミドの数平均分子量が１００００以上であることを特徴とする（１）記載のポリアミド粒状物、
（３）  ポリアミドがポリヘキサメチレンアジパミドである（１）又は（２）記載のポリアミド粒状物、
（４）  ジアミンとジカルボン酸からなる微粒状固体塩を得た後、該微粒状固体塩から多孔質固体塩を作成し、この多孔質固体塩を用いて常に固体状態で重縮合することを特徴とする（１）又は（２）記載のポリアミド粒状物の製造方法、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
シール材中のフッ素系熱可塑性エラストマー層の体積分率が約0.1〜0.9である請求項１記載の炭酸ガス用シール材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
フッ素ゴムおよびフッ素系熱可塑性エラストマーを用いての成形は、圧縮成形機、射出成形機などを用いて、約150〜220℃、約100〜1500Kgf/cm2、約1〜20分間のプレス加硫および約180〜230℃、約1〜24時間のオーブン加硫(二次加硫)によって行われる。その際、これら両成分よりなるシール材中、フッ素系熱可塑性エラストマー層が体積分率で約0.1〜0.9、好ましくは約0.3〜0.7を占めるような割合で用いられる。フッ素系熱可塑性エラストマーによる表面層の形成は、少くとも密封摺動部分の内のCO2接触面について行われ、その全表面にわたって形成させた場合には、体積分率は密封摺動部５の厚さの割合ともなり、またCO2透過量を更に低減させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
更に、フッ素ガスとフッ素系熱可塑性エラストマー層の体積分率を変えることにより、目的とするCO2透過性を有する密封装置を得ることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  炭化または金属ダスティングによる高温腐食に対する鉄、ニッケルおよびクロムを含有する高温合金の保護を高める方法において、
(a) 一種以上の周期律表の第VIII族、第IB族、第IV族および第Ｖ族の金属およびそれらの混合物からなる群から選択された金属の薄い層を０．０１〜１０μｍの範囲の厚さで、保護する表面に析出させ、
(b) 少なくとも８００℃の温度で不活性ガス雰囲気下で、前記の処理された表面をアニーリングして、前記高温合金の表面上に前記析出された金属の均一な分布を得る、
段階を排他的に含む上記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被覆ガスタービンエンジン部品上の第１コーティングであって、クロムと、アルミニウムと、イットリウム及び希土類元素並びに反応性元素から成るグループから選択した元素と、ニッケル及びコバルト並びに鉄から成るグループから選択した元素と、から実質的に成る前記第１コーティングと、前記第１コーティング上の化学蒸着外向成長のアルミ化物拡散オーバコーティングとを具備することを特徴とする超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項２】
前記アルミ化物拡散オーバコーティングは、コーティングシステムの
耐酸化性を向上させるのに有効なトランプ不純物の濃度を低下させる化学蒸着状況下で形成されることを特徴とする請求項１に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項３】
前記アルミ化物拡散オーバコーティングは、前記第１コーティングと比べて低濃度である少なくとも元素Ｓと元素Ｐの内の一方を有することを特徴とする請求項２に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項４】
前記アルミ化物拡散オーバコーティングは、重量で２０ｐｐｍ以下の硫黄濃度を含むことを特徴とする請求項３に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項５】
前記アルミ化物拡散オーバコーティングは、重量で２０ｐｐｍ以下のリン濃度を含むことを特徴とする請求項２に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項６】
前記アルミ化物拡散オーバコーティングは、白金を含有することを特徴とする請求項１に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項７】
前記アルミ化物拡散オーバコーティングは、アルカリ元素又はアルカリ性土類元素を含有することを特徴とする請求項１に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項８】
前記反応性元素は、ＨｆとＺｒとＳｉとから成るグループから選択したことを特徴とする請求項１に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項９】
クロムと、アルミニウムと、イットリウム及び希土類元素並びに反応性元素から成るグループから選択した元素と、ニッケル及びコバルト並びに鉄から成るグループから選択した元素と、で実質的に構成する第１コーティングを基材上に設け、前記第１コーティング上に外向成長のアルミ化物拡散オーバコーティングを形成する化学蒸着状況下で前記第１コーティングをアルミメッキすることから成ることを特徴とする超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項１０】
前記化学蒸着状況は、耐酸化性を向上させるのに有効な前記オーバコーティング中のトランプ不純物の濃度を低下させる効果があることを特徴とする請求項９に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項１１】
少なくとも元素Ｓと元素Ｐの内の一方の濃度を低下させることを含むことを特徴とする請求項１０に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項１２】
前記第１コーティングは、白金層を前記第１コーティング中に事前拡散せずにアルミナイジング前に白金で被覆することを特徴とする請求項９に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【請求項１３】
前記白金層は、水酸化物水性メッキ液から前記基材上にメッキすることを特徴とする請求項９に記載の超合金のアルミ化物拡散コーティングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
建築物の躯体を構成するＨ形鋼に於ける上下フランジの端面間を断熱する断熱工法に於いて、覆部と嵌合部を有する発泡体を用意し、該発泡体の嵌合部をＨ形鋼の上下フランジ間に押し込んで該発泡体の弾性によって嵌合させると共に、該覆部でＨ形鋼の上下フランジの各端面間を覆うことを特徴とするＨ形鋼の断熱工法。
【請求項２】
建築物の躯体を構成するＨ形鋼に於ける上下フランジの端面間を断熱する断熱構造に於いて、覆部と嵌合部を有する発泡体の該嵌合部がＨ形鋼の上下フランジ間に該発泡体の弾性によって嵌合されると共に、Ｈ形鋼の上下フランジの各端面間が該覆部で覆われていることを特徴とするＨ形鋼の断熱構造。
【請求項３】
建築物の躯体を構成するＨ形鋼に於ける上下フランジの端面間を断熱するための発泡体に於いて、Ｈ形鋼の上下フランジの各端面間を覆う覆部と、Ｈ形鋼の上下フランジ間に該発泡体の弾性によって嵌合される嵌合部が一体的に設けられ、前記覆部のフランジ端面への接触間寸法は上フランジの上面と下フランジの下面間の寸法と等しいか又は該寸法より若干大きくされ、前記嵌合部のフランジへの接触間寸法は上フランジの下面と下フランジの上面間の寸法よりも若干大きくされていることを特徴とする断熱用の発泡体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係るＨ形鋼の断熱工法は、建築物の躯体を構成するＨ形鋼に於ける上下フランジの端面間を断熱する断熱工法に於いて、覆部と嵌合部を有する発泡体を用意し、該発泡体の嵌合部をＨ形鋼の上下フランジ間に押し込んで該発泡体の弾性によって嵌合させると共に、該覆部でＨ形鋼の上下フランジの各端面間を覆うことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記Ｈ形鋼の断熱工法では、発泡体に形成された嵌合部をＨ形鋼の上下フランジの間に押し込んで該発泡体の弾性によって嵌合させることで、該発泡体をＨ形鋼に取り付けることが出来る。このとき、発泡体に形成された覆部によってＨ形鋼の上下フランジの端面間を覆うことが出来る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明に係るＨ形鋼の断熱構造は、建築物の躯体を構成するＨ形鋼に於ける上下フランジの端面間を断熱する断熱構造に於いて、覆部と嵌合部を有する発泡体の該嵌合部がＨ形鋼の上下フランジ間に該発泡体の弾性によって嵌合されると共に、Ｈ形鋼の上下フランジの各端面間が該覆部で覆われているものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記Ｈ形鋼の断熱構造では、Ｈ形鋼の上下フランジ間に発泡体の弾性によって該発泡体を保持すると共に該Ｈ形鋼の側面に於ける露出部位を発泡体によって覆うことで、Ｈ形鋼に断熱性を付与することが出来る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明に係る断熱用の発泡体は、建築物の躯体を構成するＨ形鋼に於ける上下フランジの端面間を断熱するための発泡体に於いて、Ｈ形鋼の上下フランジの各端面間を覆う覆部と、Ｈ形鋼の上下フランジ間に該発泡体の弾性によって嵌合される嵌合部が一体的に設けられ、前記覆部のフランジ端面への接触間寸法は上フランジの上面と下フランジの下面間の寸法と等しいか又は該寸法より若干大きくされ、前記嵌合部のフランジへの接触間寸法は上フランジの下面と下フランジの上面間の寸法よりも若干大きくされているものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記断熱用の発泡体では、覆部と嵌合部が一体的に形成され、嵌合部の寸法が上フランジの下面と下フランジの上面との間の寸法よりも若干大きく形成されるため、該嵌合部を上下フランジ間に押し込むことで該発泡体の弾性によって保持することが出来、且つ覆部の寸法が上フランジの上面と下フランジの下面の間の寸法と等しいか或いは若干大きく形成されるため、嵌合部を上下フランジ間に嵌合させたとき覆部の端部が上下フランジの端面に対向する。このため、Ｈ形鋼の側面に於ける露出部位を覆って断熱性を付与することが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月8日(2004.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
バリア層が約５０Å〜約１５０Åの厚さを有する、請求項１に記載の積層型キャパシタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
付加的な拡散バリアが約１００Å〜約５００Åの厚さを有する、請求項２０に記載の積層型キャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光の発振源、
該発振源から照射されたレーザー光を組み合わせによってレーザー光を線状にする複数のレンズ、
及び前記線状レーザー光の被照射体と前記複数のレンズから出射される線状レーザー光を集光し前記レーザー光被照射体に最近接の集光レンズとの間に設けた光拡散板を備えたことを特徴とするレーザー光照射装置。
【請求項２】
前記線状レーザー光の長軸方向の端部を遮断するスリットが前記集光レンズと前記レーザー光被照射体との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のレーザー光照射装置。
【請求項３】
レーザー光の発振源、
該発振源から照射されたレーザー光を組み合わせによってレーザー光を線状にする複数のレンズ、
及び前記線状レーザー光の被照射体と、前記複数のレンズから出射される線状レーザー光を集光し前記レーザー光被照射体に最近接の集光レンズとの間に、前記線状レーザー光の長軸方向の端部を遮断するスリットを備えたことを特徴とするレーザー光照射装置。
【請求項４】
前記スリットの開口部の大きさが可変であることを特徴とする請求項２または３に記載のレーザー光照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣウェハー上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する工程と、
前記ＩＣウェハーのパッド電極上にバンプを形成する工程と、
前記バンプを被覆するフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、
前記ＩＣウェハーの前記バンプを形成した面にバックグラインド用テープを貼着するバックグラインド用テープ貼着工程と、
前記バックグラインド用テープを貼着していない前記ＩＣウェハーの他方の面を研削するバックグラインド工程と、
前記バックグラインド用テープを前記ＩＣウェハーから剥離するバックグラインド用テープ剥離工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記バンプは半田からなり、
前記フラックス塗布工程と前記バックグラインド用テープ貼着工程の間に、
前記半田を溶融させる工程を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記バンプは半田からなり、
前記フラックス塗布工程と前記バックグラインド用テープ貼着工程の間に、
前記半田を溶融させる工程と、前記フラックスを除去するフラックス洗浄工程と、前記バンプを被覆するようにＩＣ能動面保護膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ＩＣ能動面保護膜はフォトレジストである
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明における半導体装置の製造方法は、ＩＣウェハー上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する工程と、前記ＩＣウェハーのパッド電極上にバンプを形成する工程と、前記バンプを被覆するフラックスを塗布するフラックス塗布工程と、前記ＩＣウェハーの前記バンプを形成した面にバックグラインド用テープを貼着するバックグラインド用テープ貼着工程と、前記バックグラインド用テープを貼着していな
い前記ＩＣウェハーの他方の面を研削するバックグラインド工程と、
前記バックグラインド用テープを前記ＩＣウェハーから剥離するバックグラインド用テープ剥離工程とを有することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに本発明の半導体装置の製造方法は、前記バンプは半田からなり、前記フラックス塗布工程と前記バックグラインド用テープ貼着工程の間に、前記半田を溶融させる工程を有することを特徴とするものであり、またさらに本発明の半導体装置の製造方法は、前記バンプは半田からなり、前記フラックス塗布工程と前記バックグラインド用テープ貼着工程の間に、前記半田を溶融させる工程と、前記フラックスを除去するフラックス洗浄工程と、前記バンプを被覆するようにＩＣ能動面保護膜を形成する工程とを有することを特徴とするものであり、また本発明の半導体装置の製造方法は、前記ＩＣ能動面保護膜はフォトレジストであることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性のフッ化カルシウム（化学式：ＣａＦ2）からなる単結晶基板と、該単結晶基板上に形成された少なくとも硼素（元素記号：Ｂ）とリン（元素記号：Ｐ）とを構成元素として含む緩衝（バッファ）層と、前記単結晶基板上に前記緩衝層を介して形成された、一般式ＡｌαＧａβＩｎ1-α-βＮ1-γＭγ（０≦α，β≦１、０≦α＋β≦１、記号Ｍは窒素以外の第Ｖ族元素を表し、０≦γ＜１）で表記される窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム結晶層からなる活性層とを具備するIII族窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記緩衝層が、硼素（Ｂ）原子とリン（Ｐ）原子とからなるリン化硼素多量体結晶（ＢXＰY、但しＸ≧６及びＹ＝１または２）の含有量を１／２０以下とするＢＰ系III−Ｖ族化合物半導体結晶から構成されることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記緩衝層が、リン化硼素・インジウム結晶（ＢaＩｎ1-aＰ、但し０＜ａ＜０．６２）からなることを特徴とする請求項１または２に記載のIII族窒化物半導体素子。
【請求項４】
絶縁性のフッ化カルシウム（化学式：ＣａＦ2）からなる単結晶基板上に、少なくとも硼素（元素記号：Ｂ）とリン（元素記号：Ｐ）とを構成元素として含む緩衝（バッファ）層を形成し、その上に一般式ＡｌαＧａβＩｎ1-α-βＮ1-γＭγ（０≦α，β≦１、０≦α＋β≦１、記号Ｍは窒素以外の第Ｖ族元素を表し、０≦γ＜１）で表記される窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム結晶層からなる活性層を形成することを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記緩衝層を、硼素（Ｂ）原子とリン（Ｐ）原子とからなるリン化硼素多量体結晶（ＢXＰY、但しＸ≧６及びＹ＝１または２）の含有量を１／２０以下とするＢＰ系III−Ｖ族化合物半導体結晶から構成することを特徴とする請求項４に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記緩衝層の成膜温度を、約３００℃以上約５００℃以下とすることを特徴とする請求項４または５に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記緩衝層の厚さを、５００Å以下とすることを特徴とする請求項４乃至６の何れか１項に記載のIII族窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記緩衝層が、前記単結晶基板との界面近傍の領域に単結晶からなる層が配置され、その上方の領域に非晶質体を主体とする層が配置されたものからなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のIII族窒化物半導体素子。
【請求項９】
請求項８に記載のIII族窒化物半導体素子に、オーミック性電極材料からなるソース（ｓｏｕｒｃｅ）及びドレイン（ｄｒａｉｎ）電極と、ショットキ性電極材料からなるゲート電極を設けたＦＥＴ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月12日(2004.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
(c) 前記ステップ(a) において前記記憶部に格納された情報が更新されていないと判断された際に、前記記憶部に格納された情報が前記別の記憶部に格納された情報と一致するか否かを判断するステップと、
(d) 前記ステップ(c) における前記記憶部に格納された情報と前記別の記憶部に格納された情報とが一致するか否かの判断に基づき、前記別の記憶部に格納された情報を前記記憶部に転送するステップと、
をさらに備える請求項１記載の情報管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る請求項１記載の情報管理方法は、携帯情報機器に属する情報の管理方法であって、(a) 前記携帯情報機器に設けられた記憶部に格納された情報が更新されたか否かを判断するステップと、(b) 前記ステップ(a) における前記記憶部に格納された情報が更新されたか否かの判断に基づき、前記記憶部に格納された情報を別の装置の別の記憶部にバックアップするステップとを備えている。
請求項２記載の情報管理方法は、(c) 前記ステップ(a) において前記記憶部に格納された情報が更新されていないと判断された際に、前記記憶部に格納された情報が前記別の記憶部に格納された情報と一致するか否かを判断するステップと、(d) 前記ステップ(c) における前記記憶部に格納された情報と前記別の記憶部に格納された情報とが一致するか否かの判断に基づき、前記別の記憶部に格納された情報を前記記憶部に転送するステップとをさらに備えている。
請求項３記載の情報管理方法は、(c) 前記記憶部に格納されたＩＤ情報が前記別の記憶部に登録されたＩＤ情報と一致するか否かを判断するステップをさらに備え、前記ステップ(a) は、前記記憶部に格納されたＩＤ情報が前記別の記憶部に登録されたＩＤ情報と一致するか否かの判断に基づき、その実行／非実行が制御される。
請求項４記載の情報管理方法は、(c) 前記携帯情報機器上でのパスワードの入力を要求するステップと、(d) 前記ステップ(c) の要求に応じて入力された入力パスワードが前記別の記憶部内の登録パスワードと一致するか否かを判断するステップとをさらに備え、前記ステップ(a) は、前記入力パスワードが前記別の記憶部内の登録パスワードと一致するか否かの判断に基づき、その実行／非実行が制御される。
請求項５記載の情報管理方法において、前記記憶部は前記記憶部に格納された情報が更新されたか否かを示す更新ビットを含み、前記ステップ(a) は、前記更新ビットを参照するステップを含む。
請求項６記載の情報管理方法において、前記別の記憶部は、各々がＩＤ情報を登録した複数のＩＤ情報登録部を含み、前記情報管理方法は、(c) 前記記憶部に格納されたＩＤ情報が、前記複数のＩＤ情報登録部に登録された複数のＩＤ情報の少なくとも一つに一致するか否かを判断するステップをさらに備え、前記ステップ(a) は、前記記憶部に格納されたＩＤ情報が前記複数のＩＤ情報の少なくとも一つに一致するか否かの判断に基づき、その実行／非実行が制御される。
請求項７記載の情報管理方法において、前記別の記憶部は、各々が登録パスワードを保持する複数のパスワード登録部をさらに含み、前記情報管理方法は、(d) 前記携帯情報機器上でのパスワードの入力を要求するステップと、(e) 前記ステップ(d) の要求に応じて入力された入力パスワードが、前記複数のパスワード情報登録部に保持された複数のパスワードの一つに一致するか否かを判断するステップをさらに備える。
請求項８記載の情報管理方法において、前記別の装置は前記携帯情報機器に電気的に接続され、前記携帯情報装置に備えられた電池を充電することが可能である。
この発明に係る請求項９記載の携帯情報機器システムは、充電池を有し、該充電池を動作電源として動作する携帯情報機器と、前記携帯情報機器に所定の状態で接続した時、前記充電池を充電可能な充電器とを備えており、前記携帯情報機器は、入力手段と、個人情報を格納する携帯情報機器用記憶部と、前記携帯情報機器用記憶部との間で情報の授受が可能な携帯情報機器用制御部とをさらに有し、前記充電器は、バックアップ情報及び照合用パスワードを格納する充電器用記憶部と、前記充電器用記憶部との間で情報の授受が可能な充電器用制御部とを有し、前記所定の状態で前記携帯情報機器と前記充電器とを接続すると、前記携帯情報機器用制御部と充電器用制御部との間で情報の授受が可能となり、前記携帯情報機器用制御部及び充電器用制御部の制御下で前記携帯情報機器用記憶部と充電器用記憶部との間における情報管理動作が自動的に実行され、前記情報管理動作は、(a) 前記入力手段から入力されるパスワードと前記照合用パスワードとの一致が認められるか否かを判定するステップと、(b) 前記ステップ(a)で一致が認められたと判定され、かつ前記個人情報の更新がなされている場合に、前記個人情報を前記バックアップ情報として前記充電器用記憶部に転送することによりバックアップ処理を行うステップと、(c) 前記ステップ(a)で一致が認められたと判定され、かつ前記個人情報の更新がなされておらず、しかも前記個人情報と前記バックアップ情報との内容が不一致の場合、前記バックアップ情報を前記個人情報として前記携帯情報機器用記憶部に転送することによりリストア処理を行うステップとを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月3日(2004.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡散符号によりスペクトラム拡散されたマルチパス信号を、複数の逆拡散手段により伝播遅延時間の異なる複数のパス信号に分離し、分離した各パス信号を復調し、復調した各パス信号の時間軸を合わせて合成するレイク受信手段を備えたスペクトラム拡散通信方式の移動通信端末において、
受信波の相互相関が小さくなるように配置された複数のアンテナと、
複数の前記アンテナで受信した信号を入力し、各受信信号の時間差が少なくとも前記拡散符号の１チップ時間以上になるように受信信号を遅延する遅延手段と、
該遅延手段から出力される各受信信号を合成する高周波合成手段とを備え、
該高周波合成手段の出力信号を前記レイク受信手段に入力し、
前記遅延手段が、前記受信信号を機械的振動である弾性表面波信号に変換して遅延させる弾性表面波フィルタであることを特徴とするスペクトラム拡散通信方式の移動通信端末。
【請求項２】
前記弾性表面波フィルタは、入力電極と出力電極との間隔によって前記受信信号の遅延時間が設定されてなることを特徴とする請求項１に記載のスペクトラム拡散通信方式の移動通信端末。
【請求項３】
前記レイク受信手段は、前記高周波合成手段から出力される合成受信信号を参照拡散符号を用いて逆拡散処理し、該逆拡散処理された合成受信信号の振幅が所定のしきい値を超えるパスのピークを、前記参照拡散符号の位相を制御して探索し、探索したピークの時間位置情報と振幅値とを求めて出力するパス探索手段と、
該パス探索手段から出力されるピークの振幅値が最大の最大ピークを求め、該最大ピークの時間位置情報に前記遅延手段の遅延に係る時間差を加味して、前記パス探索手段のピーク探索に係る時間窓を定めて前記パス探索手段に指示する時間窓指示手段とを備えてなることを特徴とする請求項１又は２に記載のスペクトラム拡散通信方式の移動通信端末。
【請求項４】
前記レイク受信手段から出力される合成された受信信号に基づいて回線品質を評価し、該評価に基づいて前記複数のアンテナで受信した信号のうち幾つかの受信信号を高周波合成する前に減衰させる回線制御手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のスペクトラム拡散通信方式の移動通信端末。
【請求項５】
前記複数のアンテナにより受信された受信信号をそれぞれ増幅する増幅手段を備え、該増幅手段の出力を前記弾性表面波フィルタに入力するようにしてなり、前記回線制御手段は、前記回線品質の評価に基づいて前記増幅手段の電源供給を制御することを特徴とする請求項４に記載のスペクトラム拡散通信方式の移動通信端末。
【請求項６】
前記回線制御手段は、前記回線品質の評価に基づいて前記レイク受信手段の電源をオン／オフ制御するものとし、前記レイク受信手段は、電源がオンされたとき新規なパスの捕捉を開始し、その結果を前記回線制御手段に通知するものとし、前記回線制御手段は新規なパスの捕捉に失敗したことを検出した場合は、当該レイク受信手段の電源をオフすることを特徴とする請求項５に記載のスペクトラム拡散通信方式の移動通信端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
しかしながら、高周波信号を遅延させる手段について具体的な開示がなされていない。数チップ遅らせるための遅延時間は、現行システムで数マイクロ秒必要である。高周波信号を遅らせるための一般的な遅延線を用いると、数マイクロ秒遅らせるには非常に長くなってしまうので、小型化が要求されている移動端末では問題となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月3日(2005.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＡＢ受信機、現在位置検出装置、及び表示装置を備えたＤＡＢ受信システムであって、ＤＡＢ受信機は領域定義情報と該領域の周波数情報を入手する手段、及び前記現在位置検出装置で検出した現在位置と前記ＤＡＢ受信機で入手した領域定義情報から現在位置が含まれる領域のＩＤ記号を検索する手段を有し、検索されたＩＤ記号の領域に存在する周波数情報を前記表示装置に表示する、ＤＡＢ受信システム。
【請求項２】
前記領域定義情報を、領域を直接緯度と経度で定義した領域定義情報データから得る、請求項１に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項３】
前記領域定義情報を、領域をトランスミッタグループで定義した領域定義情報データ及び前記トランスミッタの位置を緯度と経度で定義したトランスミッタ識別情報データベースから得る、請求項１に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項４】
前記周波数情報はアンサンブルとアンサンブルが提供される周波数である、請求項１に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項５】
前記周波数情報はアンサンブルとアンサンブルが提供するサービス、又はサービスとそのサービスが提供されるアンサンブルである、請求項１に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項６】
前記現在位置検出装置に代えて、前記ＤＡＢ受信機が受信したトランスミッタの位置からおおよその現在位置を検出する手段を有する、請求項１に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項７】
前記現在位置検出装置及び前記表示装置はナビゲーション装置に備えられた装置を用いる、請求項１項に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項８】
ＤＡＢ受信機、地図データが格納された記憶装置、及び表示装置を備えたＤＡＢ受信システムであって、ＤＡＢ受信機は領域定義情報と該領域の周波数情報を入手する手段、及び前記記憶装置から所望の領域の地図を読み出して前記表示手段に表示させる手段、及び前記読み出された領域の情報と前記領域定義情報から現在位置が含まれる領域のＩＤ記号を検索する手段を有し、検索されたＩＤ記号の領域に存在する周波数情報を前記表示装置に表示する、ＤＡＢ受信システム。
【請求項９】
前記領域定義情報を、領域を直接緯度と経度で定義した領域定義情報データから得る、請求項８に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項１０】
前記領域定義情報を、領域をトランスミッタグループで定義した領域定義情報データ及び前記トランスミッタの位置を緯度と経度で定義したトランスミッタ識別情報データベースから得る、請求項８に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項１１】
前記表示される周波数情報はアンサンブルとアンサンブルが提供される周波数である、請求項８に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項１２】
前記周波数情報はアンサンブルとアンサンブルが提供するサービス、又はサービスとそのサービスが提供されるアンサンブルである、請求項８に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項１３】
前記地図データが格納された記憶装置、及び前記表示装置はナビゲーション装置に備えられた装置を用いる、請求項８に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項１４】
前記アンサンブルのＩＤ記号をラベルで表示する、請求項４、５、11、12のいずれか１項に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項１５】
前記サービスのＩＤ記号及び前記アンサンブルのＩＤ記号の少なくとも一方をラベルで表示する、請求項５又は12に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項１６】
前記表示されるアンサンブルとアンサンブルが提供される周波数の何れか一方を選択対象として指定する手段を有し、周波数が指定された場合、希望するサービスを提供する周波数を選択して設定し、アンサンブルが指定された場合、そのアンサンブルが提供される周波数のうち信号レベルが最大の周波数をサーチし選択して設定する手段を有する、請求項４又は11に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項１７】
アンサンブルが指定された場合、最初に受信可能な周波数を選択し設定する手段を有する、請求項16に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項１８】
前記表示されるサービスとアンサンブルの何れか一方を選択対象として指定する手段を有し、サービスが指定された場合、希望するサービスを提供するアンサンブルが提供される周波数のうち信号レベルが最大の周波数をサーチし選択して設定し、アンサンブルが指定された場合、そのアンサンブルが提供される周波数のうち信号レベルが最大の周波数をサーチし選択して設定する手段を有する、請求項５又は12に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項１９】
前記表示されるサービスとアンサンブルの何れか一方を選択対象として指定する手段を有し、サービスが指定された場合、希望するサービスを提供するアンサンブルが提供される周波数のうち初めに受信可能となる周波数をサーチし選択して設定し、アンサンブルが指定された場合、そのアンサンブルが提供される周波数のうち初めに受信可能となる周波数をサーチし選択して設定する手段を有する、請求項５又は12に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項２０】
各領域毎にその領域において提供される前記周波数情報を表示する、請求項１又は８に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項２１】
現在選択中のサービスの色を他と異ならせて表示する、請求項20に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項２２】
現在位置を含む領域を枠取り表示する、請求項１又は８に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項２３】
現在位置を含む領域に表示された情報の色を他と異ならせて表示する、請求項１又は８に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項２４】
カーソルのある領域又はカーソルをクリックした領域の情報のみを表示し、他の領域の情報を消去又は薄く表示する、請求項１又は８に記載のＤＡＢ受信システム。
【請求項２５】
複数のサービスが一つの周波数に対応して放送されるデジタルオーディオ放送を受信可能なＤＡＢ受信機において、
領域定義情報と該領域の周波数情報を入手する手段と、
前記領域定義情報から現在位置が含まれる領域に存在するアンサンブルを検索する手段と、
を備えたことを特徴とするＤＡＢ受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月3日(2005.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第２周波数変換部４２では、垂直偏波入力信号５２が増幅部６３で増幅されてミキサー６４に送られる。第２ローカル周波数Ｌ２は、第２ローカル周波数発生部６５からミキサー６４に送られる。垂直偏波入力信号（第１周波数帯域）５２は、たとえば１２．２５〜１２．７５ＧＨｚである。第２ローカル周波数Ｌ２は、１１．２ＧＨｚである。このように第１ローカル周波数Ｌ１と第２ローカル周波数Ｌ２は、異なる値に設定されている。
ミキサー６４は、垂直偏波入力信号５２と第２ローカル周波数Ｌ２に基づいて、垂直偏波帯域（ＩＦ周波数）６６を作成して増幅部６７に送る。増幅部６７はこの垂直偏波帯域６６をローパスフィルタ（ＬＰＦ）６８に送る。垂直偏波帯域６６としては、たとえば１０５０〜１５５０ＭＨｚである。
ハイパスフィルタ５８からの水平偏波帯域５６と、ローパスフィルタ６８からの垂直偏波帯域６６により、通信衛星を用いた放送における受信周波数帯域６９を得ることができる。この受信周波数帯域（受信偏波帯域）６９は、１０５０〜２０７２ＭＨｚであり、混合部４４から出力される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また図６のように調整ネジ５５Ｂと６５Ｂを基板２５０の一方側から調整できるようにすれば、基板２５０の両側から調整するのに比べて基板２５０がホルダー２４Ａに内蔵されている状態において、気密構造を実現するに当たって、調整ネジ５５Ｂ，６５Ｂが設定されている側の表面パターン２５２側に開閉蓋を設けて、この開閉蓋を閉じた気密構造にすればよいので、ホルダー２４Ａの防水性をより高めることができる。図５及び図６の基板２５０は、ホルダー２４Ａに対してサポート２８０により支持されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2000031853.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の素線を撚り合せてなる導体を絶縁被覆で覆った電線に、前記導体の外径より狭い間隔の２列の刃部を備えた一対の対向するフォーク板を押し当てて、前記刃部で絶縁被覆をカットするとともに刃部を素線に接触させることで導体とフォーク板とを導通する圧接形コネクタにおいて、この圧接形コネクタは、前記フォーク板を互いに平行で且つ間隔を次に示すｔに設定したものであることを特徴とする圧接形コネクタ。
【数１】
1999329523.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（ｂ）において、芯線１１０がより線である場合に、（ａ）で示した脚片部１０３からある距離を隔てた脚片部１０４では、素線１１１が脚片部１０４にも接触しない場合がある。
このように、両方の脚片部１０３，１０４のどちらにも接触しないときには、導通するための芯線１１０の断面積が減少し、金属爪要素１００（図７参照）と芯線１１０との接触抵抗が増加するという不都合がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の請求項１は、複数本の素線を撚り合せてなる導体を絶縁被覆で覆った電線に、導体の外径より狭い間隔の２列の刃部を備えた一対の対向するフォーク板を押し当てて、刃部で絶縁被覆をカットするとともに刃部を素線に接触させることで導体とフォーク板とを導通する圧接形コネクタにおいて、圧接形コネクタのフォーク板を互いに平行で且つ間隔を次に示すｔに設定した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図２は図１の２矢視図でり、第１圧接部２のスロット部７は、開口側から順に、電線Ｃ１をガイドするための第１傾斜部７ａ，７ａと、絶縁被覆Ｅ１を剥がすためのエッジ部７ｂ，７ｂと、導体Ｄ１の素線を圧縮及び再配列させる第２傾斜部７ｃ，７ｃと、エッジ部７ｂ，７ｂの被覆剥離の効果を高めるために第１傾斜部７ａ，７ａ及び第２傾斜部７ｃ，７ｃの外側面に形成した面取り部７ｄ，７ｄと、導体Ｄ１に押し付けて圧接保持するための左・右刃部７Ｌ，７Ｒと、スロット部７に電線Ｃ１を押し込んだときに応力の集中を防ぐアール部７ｆとからなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
従って、素線Ｐ，Ｑの両方が刃部８Ｌに接触するためには、素線Ｐは、位置Ｓを位置Ｔから２θだけ時計回りの位置とすれば、位置Ｒから位置Ｓの間にあればよい。即ち、素線Ｐが範囲Ｘで接触すればよい。
これより、上記した素線Ｐ，Ｑが左刃部８Ｌに接触する条件は、導体Ｄ１の第１圧接部２から第２圧接部３に至る撚り角度をφ１とすると、
２θ≦φ１＜π−２θ……（１）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、素線Ｐ，Ｑの両方が刃部８Ｒに接触するためには、上記と同様にして、素線Ｐは、位置Ｖを位置Ｗから２θだけ時計回りの位置とすれば、位置Ｕから位置Ｖの間にあればよい。即ち、素線Ｐが範囲Ｙで接触すればよい。
従って、上記した素線Ｐ，Ｑが右刃部８Ｒに接触する条件は、導体Ｄ１の第１圧接部２から第２圧接部３に至る撚り角度をφ２とすると、
π＋２θ≦φ２＜２π−２θ……（２）
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ここで、
Ｍ＝θ／π
とすると、（５）式は、
Ｍ・ｐ≦ｔ＜（０．５−Ｍ）・ｐ……（８）
また、（６）式は、
（０．５＋Ｍ）・ｐ≦ｔ＜（１−Ｍ）・ｐ……（９）
上記した（８）式又は（９）式が、導体Ｄ１の複数の素線Ｐ，Ｑ（及び残りの素線）を第１・第２圧接部２，３のどちらか一方に接触するための条件である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図５は本発明に係る圧接形コネクタのＷＳ／ｄと素線切れ本数との関係を示すグラフであり、縦軸は導体の素線切れ本数、横軸は導体径に対する刃部間隔の比率であるＷＳ／ｄを表す。（符号は図１及び図４参照。）
ＷＳ／ｄが小さい、即ち導体Ｄ１（又は導体Ｄ２）の外径ｄに対して左・右刃部７Ｌ，７Ｒ（又は左・右刃部８Ｌ，８Ｒ）間の間隔ＷＳが小さいと、導体Ｄ１（又は導体Ｄ２）を左・右刃部７Ｌ，７Ｒ（又は左・右刃部８Ｌ，８Ｒ）間に無理に押し込むことになり、素線切れ本数が多くなる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ＷＳ／ｄを大きくする、即ち導体Ｄ１（又は導体Ｄ２）の外径ｄに対して左・右刃部７Ｌ，７Ｒ（又は左・右刃部８Ｌ，８Ｒ）間の間隔ＷＳを大きくするにつれて導体Ｄ１が左・右刃部７Ｌ，７Ｒ（又は左・右刃部８Ｌ，８Ｒ）間に比較的容易に入り込むようになって、素線切れ本数が少なくなり、ＷＳ／ｄの値が０．４以上では、素線切れはなくなる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999329523.tif 000002
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1999329523.tif 000003
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
1999329523.tif 000004
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
1999329523.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
プレス成型用の金型に層状にそれぞれ母層として粉末ａを２０ｍｍ、傾斜層としては粉末ｂ、粉末ｃ、粉末ｄの各粉末をこの順序に各々２ｍｍの高さに充填し、総充填厚みを約２６ｍｍにしたのち、プレス成型して成形体を作製した。さらに高純度アルゴン雰囲気中で１１００℃×３時間焼結し、５８０℃×３時間で熱処理して焼結磁石を作製した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
プレス成型用の金型に層状に母層として粉末ｅは２０ｍｍ、傾斜層として粉末ｆは２ｍｍの高さに充填し、総充填高さを約２２ｍｍにした後、プレス成型して成形体を作製した。さらに高純度アルゴン雰囲気中で１１００℃×３時間焼結し、５８０℃×３時間で熱処理して焼結磁石を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
プレス成型用の金型に層状に母層として粉末ｇは２０ｍｍ、傾斜層として粉末ｈは２ｍｍの高さに充填し、総充填高さを約２２ｍｍにした後、プレス成型して成形体を作製した。さらに高純度アルゴン雰囲気中で１１００℃×３時間焼結し、５８０℃×３時間で熱処理して焼結磁石を得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
プレス成型用の金型に層状に母層として合金Ａ粉末は２０ｍｍ、傾斜層として合金Ｂ粉末は２ｍｍの高さに充填し、総充填高さを約２２ｍｍにしたのち、プレス成型し、さらに高純度アルゴン雰囲気中で１０８０℃×３時間焼結し、６００℃×３時間で熱処理して焼結磁石を作製した。