【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
【請求項２】
１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
【請求項３】
１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
【請求項４】
１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
【請求項５】
前記楕円偏光は楕円率が零の直線偏光である、請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項６】
前記楕円偏光の楕円率を１／４波長板の方位角変化により調節する、請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項７】
前記改質領域を形成する工程後、
１／２波長板によりレーザ光の偏光を略９０°だけ回転させて、前記加工対象物にレーザ光を照射する工程を備える、請求項１〜６のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項８】
前記改質領域を形成する工程後、
前記加工対象物の厚さ方向を軸として、前記加工対象物を略９０°だけ回転させて、前記加工対象物にレーザ光を照射する工程を備える、請求項１〜６のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項９】
１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインに沿うようして、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する工程を備える、レーザ加工方法。
【請求項１０】
１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物において第１の方向に延在する複数の第１の切断予定ラインのそれぞれと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記第１の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による第１の改質領域を形成すると共に、１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物において前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数の第２の切断予定ラインのそれぞれと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記第２の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による第２の改質領域を形成し、前記第１及び前記第２の改質領域を切断の起点として前記第１及び前記第２の切断予定ラインに沿って前記加工対象物を複数のチップに分割する、レーザ加工方法。
【請求項１１】
前記第１の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による前記第１の改質領域を形成した後、前記第２の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による前記第２の改質領域を形成する、請求項１０記載のレーザ加工方法。
【請求項１２】
１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を半導体材料からなる加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
【請求項１３】
１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を半導体材料からなる加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物において第１の方向に延在する複数の第１の切断予定ラインのそれぞれと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記第１の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に第１の溶融処理領域を形成すると共に、１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物において前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数の第２の切断予定ラインのそれぞれと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記第２の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に第２の溶融処理領域を形成し、前記第１及び前記第２の溶融処理領域を切断の起点として前記第１及び前記第２の切断予定ラインに沿って前記加工対象物を複数のチップに分割する、レーザ加工方法。
【請求項１４】
前記楕円偏光は楕円率が零の直線偏光である、請求項１２又は１３に記載のレーザ加工方法。
【請求項１５】
パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を１以外の楕円率の楕円偏光に調節する楕円率調節手段と、
前記楕円率調節手段により調節されたパルスレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように調節する長軸調節手段と、
前記長軸調節手段により調節されたパルスレーザ光の集光点のピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上になるようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段と、
前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を相対的に移動させる移動手段と、
を備える、レーザ加工装置。
【請求項１６】
前記楕円率調節手段により調節されたパルスレーザ光の偏光を略９０°だけ回転調節する９０°回転調節手段を備える、請求項１５記載のレーザ加工装置。
【請求項１７】
前記加工対象物の厚さ方向を軸として前記加工対象物が載置される載置台を略９０°だけ回転させる回転手段を備える、請求項１５記載のレーザ加工装置。
【請求項１８】
パルス幅が１μｓ以下であってかつ直線偏光を有するパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光の直線偏光の向きが加工対象物の切断予定ラインと沿うように調節する直線偏光調節手段と、
前記直線偏光調節手段により調節されたパルスレーザ光の集光点のピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上になるようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段と、
前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を相対的に移動させる移動手段と、
を備える、レーザ加工装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（Ａ）加工対象物：パイレックス（登録商標）ガラスウェハ（厚さ７００μｍ、外径４インチ）
（Ｂ）レーザ
光源：半導体レーザ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
波長：１０６４ｎｍ
レーザ光スポット断面積：３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：出力＜１ｍＪ／パルス
レーザ光品質：ＴＥＭ００
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ
倍率：５０倍
ＮＡ：０．５５
レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）加工対象物が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒
加工対象物であるサンプル１，２の各々において、加工対象物の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を１パルスショットし、加工対象物の内部に多光子吸収によるクラック領域を形成した。サンプル１に直線偏光のパルスレーザ光を照射し、サンプル２に円偏光のパルスレーザ光を照射した。