Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局から送信される信号を受信してハンドオーバー先の候補となる基地局を周期的に検出する機能を備えた移動無線端末において、
過去にハンドオーバーをした基地局のうち、最新の所定数を更新記憶する記憶手段と、
ハンドオーバー先の基地局が前記記憶手段に記憶されているか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によってハンドオーバー先の基地局が前記記憶手段に記憶されていると判定された場合、前記ハンドオーバー先の候補となる基地局の検出周期を長くする周期変更手段と
を具備することを特徴とする移動無線端末。
【請求項２】
基地局から送信される信号を受信してハンドオーバー先の候補となる基地局を周期的に検出する機能を備えた移動無線端末において、
過去にハンドオーバーをした基地局のうち、最新の所定数を更新記憶する記憶手段と、
ハンドオーバー先の基地局が前記記憶手段に記憶されているか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によってハンドオーバー先の基地局が前記記憶手段に記憶されていないと判定された場合、前記ハンドオーバー先の候補となる基地局の検出周期を短くする周期変更手段と
を具備することを特徴とする移動無線端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の移動無線端末は、
基地局から送信される信号を受信してハンドオーバー先の候補となる基地局を周期的に検出する機能を備えた移動無線端末において、
過去にハンドオーバーをした基地局のうち、最新の所定数を更新記憶する記憶手段と、
ハンドオーバー先の基地局が前記記憶手段に記憶されているか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によってハンドオーバー先の基地局が前記記憶手段に記憶されていると判定された場合、前記ハンドオーバー先の候補となる基地局の検出周期を長くする周期変更手段と
を備えたものである。
また、本発明の移動無線端末は、
基地局から送信される信号を受信してハンドオーバー先の候補となる基地局を周期的に検出する機能を備えた移動無線端末において、
過去にハンドオーバーをした基地局のうち、最新の所定数を更新記憶する記憶手段と、
ハンドオーバー先の基地局が前記記憶手段に記憶されているか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によってハンドオーバー先の基地局が前記記憶手段に記憶されていないと判定された場合、前記ハンドオーバー先の候補となる基地局の検出周期を短くする周期変更手段と
を備えてものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アドレス変換装置、アドレス変換システム、及びＳＩＰサーバ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のプロトコルに従う第一の網と第二のプロトコルに従う第二の網とに接続されたアドレス変換装置であって、
送受信部と、制御部と、記憶部を有し、
該記憶部には、
上記第一の網に接続された移動端末の上記第一のプロトコルにおける在圏網でのアドレスと上記第一のプロトコルにおけるホーム網でのアドレスの対応情報と、
上記移動端末の第一のプロトコルにおけるホーム網でのアドレスと、上記第二のプロトコルにおけるホーム網でのアドレスの変換情報とが記憶されており、
上記制御部は、
上記第二の網に接続された他の端末から送受信部を介して受信したパケットの上記第二のプロトコルのアドレスを上記変換情報に基づいて上記第一のプロトコルのアドレスに変換し、
上記変換された第一のプロトコルのアドレスを上記ホーム網のアドレスとする上記移動端末の上記在圏網のアドレスを上記対応情報に基づいて決定し、
上記決定された在圏網のアドレスを宛先として上記送受信部を介して上記移動端末に送信することを特徴とするアドレス変換装置。
【請求項２】
請求項１記載のアドレス変換装置であって、
上記制御部は、
上記移動端末から上記送受信部を介して上記アドレスの対応情報を受信した際に、上記アドレスの変換情報を作成することを特徴とするアドレス変換装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のアドレス変換装置であって、
上記第一のプロトコルはIPv6であり、上記第二のプロトコルはIPv4であることを特徴とするアドレス変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のアドレス変換装置であって、
上記ホーム網のアドレスはMobile IPのホームアドレスであって、上記在圏網のアドレスはMobile IPの気付アドレスであることを特徴とするアドレス変換装置。
【請求項５】
第一のプロトコルに従う第一の網に接続された第一の端末および第一のＳＩＰサーバおよび第一のＤＮＳサーバと、第二のプロトコルに従う第二の網に接続された第二の端末および第二のＳＩＰサーバおよび第二のＤＮＳサーバと、上記第一の網と第二の網に接続されたサーバとを備えたアドレス変換システムであって、
上記第一のＳＩＰサーバは、
上記第一の端末が上記第一のＳＩＰサーバが収容する網から移動した際に、上記第一の端末から、該第一の端末の識別子と該第一の端末の移動先のドメイン名との対応情報を受信する送受信部と、
上記対応情報を記憶する記憶部と、
上記第二の端末から上記第二のＳＩＰサーバ、上記サーバを介して上記第一の端末への接続要求を受信した際に、上記第一の端末が上記第一のＳＩＰサーバの収容する網から移動しているか否かを判定する制御部とを有し、
上記制御部での判定の結果、上記第一の端末が移動していた場合は、上記対応情報を上記サーバを介して上記第二のＳＩＰサーバに送信し、
上記第二のＳＩＰサーバは、
上記第二の端末から上記第一の端末への上記接続要求を受信し、該接続要求の宛先アドレスの解決要求を上記第二のＤＮＳサーバを介して上記第一のＤＮＳサーバに送信し、解決したアドレスを宛先として上記第一のＳＩＰサーバに上記接続要求を送信する送受信部を有し、
上記第一のＳＩＰサーバから上記対応情報を受信した場合は、上記対応情報内の上記第一の端末の移動先のドメイン名を指定した宛先アドレスの解決要求を上記第二のＤＮＳサーバを介して上記第一のＤＮＳサーバに送信し、解決したアドレスを宛先として上記接続要求を上記第一の端末の移動先へ再送信することを特徴とするアドレス変換システム。
【請求項６】
請求項５記載のアドレス変換システムであって、
上記第一のプロトコルはＩＰｖ６であり、上記第二のプロトコルはＩＰｖ４であることを特徴とするアドレス変換システム。
【請求項７】
請求項５記載のアドレス変換システムであって、
上記第一の端末の識別子は、ＳＩＰにおける上記第一の端末の識別子であることを特徴とするアドアレス変換システム。
【請求項８】
請求項５記載のアドレス変換システムであって、
上記サーバは、ＭｏｂｉｌｅＩＰにおける上記第一の端末のホームエージェントであることを特徴とするアドレス変換システム。
【請求項９】
第一および第二の端末と、該第二の端末に接続された他のＳＩＰサーバとに接続されたＳＩＰサーバであって、
上記第一の端末が上記ＳＩＰサーバが収容する網から移動した際に、上記第一の端末から該第一の端末の識別子と移動先のドメイン名の対応情報を受信する送受信部と、
上記対応情報を記憶する記憶部とを有し、
上記第二の端末から上記他のＳＩＰサーバを介して上記第一の端末への接続要求を受信した際には、上記対応情報を上記他のＳＩＰサーバに送信することを特徴とするＳＩＰサーバ。
【請求項１０】
請求項９記載のＳＩＰサーバであって、
上記第一の端末の識別子は、ＳＩＰにおける上記第一の端末の識別子であることを特徴とするＳＩＰサーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プロトコル変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のプロトコルに従う第一の網と第二のプロトコルに従う第二の網とに接続され、さらに上記第二の網をホーム網とする端末と、該端末の位置情報を管理する上記第二の網内のサーバに接続されたプロトコル変換装置であって、
上記端末が上記第二の網から上記第一の網に移動した際に、上記端末から上記サーバに対して送信された上記第一のプロトコルに従う位置登録要求を受信する受信部と、
上記位置登録要求を上記第二のプロトコルに従う位置登録要求に変換する制御部と、
上記変換された位置登録要求を上記サーバに送信する送信部とを備えたプロトコル変換装置。
【請求項２】
請求項１記載のプロトコル変換装置であって、
上記第二の網内の他の端末から上記第一の網内の第一の端末に送信されたパケットを受信し、該パケットに含まれるアドレス情報を上記第二のプロトコルから上記第一のプロトコルに変換することを特徴とするプロトコル変換装置。
【請求項３】
請求項１記載のプロトコル変換装置であって、
上記第二の網の送信元から送信されたカプセル化されたパケットを受信し、上記パケットをデカプセル化し、該パケットのカプセルヘッダおよび元のヘッダ内のアドレス情報を上記第二のプロトコルから上記第一のプロトコルに変換し、上記アドレス情報が変換されたパケットを再カプセル化して送信することを特徴とするプロトコル変換装置。
【請求項４】
請求項１記載のプロトコル変換装置であって、
さらに外部装置に接続されており、
上記位置登録要求を受信した際に、該位置登録要求内の情報から特定プロトコルの情報を作成し、上記外部装置に該特定プロトコルの情報を送信することを特徴とするプロトコル変換装置。
【請求項５】
請求項１記載のプロトコル変換装置であって、
上記端末と上記サーバはＭｏｂｉｌｅＩＰに準拠しており、
上記位置登録要求はＭｏｂｉｌｅＩＰの位置登録要求であることを特徴とするプロトコル変換装置。
【請求項６】
請求項１記載のプロトコル変換装置であって、
上記第一のプロトコルがＩＰｖ６であり、上記第二のプロトコルがＩＰｖ４であることを特徴とするプロトコル変換装置。
【請求項７】
請求項１記載のプロトコル変換装置であって、
上記第一のプロトコルがＩＰｖ４であり、上記第二のプロトコルがＩＰｖ６であることを特徴とするプロトコル変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と該本体にヒンジ部を介して開閉自在に支承された蓋体とを備え、かつ光源を有する発光インジケータを備えるとともに、前記本体に設けられた基板と前記蓋体に設けられた基板とをフレキシブル配線基板により互いに接続して成る折畳み式携帯情報端末であって、
前記フレキシブル配線基板の前記ヒンジ部に収容される部位に設けられ、前記フレキシブル基板から供給される電力によって発光動作する光源と、
前記ヒンジ部を構成するとともに、前記光源からの光を外部に通過させて前記ヒンジ部の側方端面を発光させるヒンジユニットと、
を備えて成ることを特徴とする折畳み式携帯情報端末。
【請求項２】
前記フレキシブル配線基板の前記ヒンジ部に収容される部位を前記光源とともに収容し、前記光源からの光を内部を進行させて前記ヒンジユニットに到達させる導光パイプを備えたことを特徴とする請求項１記載の折畳み式携帯情報端末。
【請求項３】
前記導光パイプは、該導光パイプを割り開くためのスリットを有していることを特徴とする請求項２記載の折畳み式携帯情報端末。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月30日(2004.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示手段を制御する表示コントローラにおいて、前記表示手段に供給される表示データを格納するためのディスプレイメモリを前記複数の表示手段に対して共通に設けるとともに、該ディスプレイメモリに格納されている表示データを前記複数の表示手段のいずれに供給するかを切り換え可能としたことを特徴とする表示コントローラ。
【請求項２】
複数の表示手段を備えた電気機器において、前記複数の表示手段を制御する手段として請求項１に記載の表示コントローラを設けたことを特徴とする電気機器。
【請求項３】
第１の筐体及び第２の筐体を有し、第１の筐体と第２の筐体とを相対的に回動可能な状態で連結することによって折り畳み可能とした携帯型の電話機において、
前記第１または第２の筐体の当電話機が折り畳まれている状態では外部に露出しない面に、第１または第２の筐体の当電話機が折り畳まれている状態でも外部に露出する面にそれぞれ設けられた第１、第２の表示手段と、
前記第１または第２の表示手段に供給される表示データを格納するためのメモリであって、前記第１及び第２の表示手段に対して共通に設けられたディスプレイメモリと、
前記ディスプレイメモリに格納されている表示データを、当電話機が折り畳まれていない状態では前記第１の表示手段に供給し、一方、当電話機が折り畳まれている状態では前記第２の表示手段に供給する切り換え手段と、
を備えたことを特徴とする電話機。
【請求項４】
前記第１、第２の表示手段が共に薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型の液晶パネルであることを特徴とする請求項２に記載の電話機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明では、複数の表示手段を制御する表示コントローラにおいて、前記表示手段に供給される表示データを格納するためのディスプレイメモリを前記複数の表示手段に対して共通に設けるとともに、該ディスプレイメモリに格納されている表示データを前記複数の表示手段のいずれに供給するかを切り換え可能としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アルカリ蓄電池用ニッケル極およびこのニッケル極を用いたアルカリ蓄電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性多孔体よりなる基板に水酸化ニッケルを主体とする活物質を充填してなるニッケル極において、前記水酸化ニッケルを主体とする活物質表面に、水酸化コバルト、水酸化ニッケル、ならびに、Ｙ，Ａｌ，Ｍｎおよびランタノイド元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の水酸化物の固溶体よりなる被覆層が形成されていることを特徴とするアルカリ蓄電池用ニッケル極。
【請求項２】
前記固溶体よりなる被覆層中の、前記水酸化コバルトの含有量が前記被覆層の全質量に対して、１〜７０質量％である請求項１記載のニッケル極。
【請求項３】
請求項１記載のニッケル極を用いたアルカリ蓄電池。
【請求項４】
請求項２記載のニッケル極を用いたアルカリ蓄電池。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はかかる課題を解消し、ニッケル・カドミウム電池などのアルカリ蓄電池に組み込んだ際に、高温充電特性に優れていると同時に、常温における急速充電特性および高率放電特性の低下が抑制される、アルカリ蓄電池用ニッケル極を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【発明の実施の形態】
ついで、本発明の実施の形態を以下に説明する。
１．正極の作製
（１）マンガン酸リチウムとコバルト酸リチウムとを用いた正極
ＬｉＭｎ2Ｏ4で表されるマンガン酸リチウムと、ＬｉＣｏＯ2で表されるコバルト酸リチウムとを所定の質量比となるように混合し、これらに適量の炭素導電剤とグラファイトとを添加・混合した混合粉末を混合装置（例えば、ホソカワミクロン製メカノフュージョン装置（ＡＭ−１５Ｆ））内に充填した。これを、毎分１５００回の回転数（１５００ｒｐｍ）で１０分間作動させて、圧縮・衝撃・剪断作用を起こさせて混合して混合正極活物質とした。この混合により、マンガン酸リチウムに対してコバルト酸リチウムが電気的に接触した状態となる。ついで、この混合正極活物質にフッ素樹脂系結着剤を一定の割合で混合して正極合剤とした。ついで、この正極合剤をアルミ箔からなる正極集電体の両面に塗着し、乾燥した後、所定の厚みに圧延して正極板とした。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。図１に、本発明の一例である円筒形リチウム二次電池の断面図を模式的に示す。
〔正極の作製〕
出発原料としては、リチウム源には炭酸リチウム（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）を用い、コバルト源には四酸化三コバルトをチタン（Ｔｉ）で複合化した（Ｃｏ0.999Ｔｉ0.001 ）3 Ｏ4 を用いた。この四酸化三コバルトをチタンで複合化したものは、酸溶液に溶解したコバルトとチタンとを複合水酸化物として沈殿させ、３００℃で仮焼することで得た。次に、上記炭酸リチウムと四酸化三コバルトをチタンで複合化したものとを、Ｌｉ／（Ｃｏ＋Ｔｉ）のモル比が１になるように秤量後、更に正極活物質の総量に対するフッ素の量が０．０１質量％となるようにＭｇＦ2 を加えて、これらを混合した。次いで、この混合物を空気雰囲気下で焼成し、フッ素とマグネシウムとを含む六方晶系のＬｉＣｏ0.999 Ｔｉ0.001 Ｏ2 の焼成体を得た後、これを乳鉢で平均粒径１０μｍまで粉砕して正極活物質とした。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次に、上記正極活物質としてのフッ素とマグネシウムを含有するＬｉＣｏ0.999 Ｔｉ0.001 Ｏ2 粉末を８５質量部と、導電剤としての炭素粉末を１０質量部、結着剤としてのポリフッ化ビニリデン粉末を５質量部とを混合し、これをＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）溶液と混合してスラリーを調製した。次いで、このスラリーを厚さ２０μｍの集電体（アルミニウム製）の両面にドクターブレード法により塗布して活物質層を形成した後、圧縮ローラーを用いて１７０μｍに圧縮して、短辺の長さが５５ｍｍで、長辺の長さが５００ｍｍの正極１を作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月2日(2004.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の一実施例のコイン形非水電解液二次電池を示す縦断面図である。
【図２】
同電池に用いた正極板を示す図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は縦
断面図である。
【図３】
同電池に用いた負極板を示す図であって、（ａ）はその平面図であり、（ｂ）
はその縦断面図である。
【図４】
同電池に用いたセパレータを示す平面図である。
【符号の説明】
１  コイン形非水電解液二次電池
２、５  芯体
２ａ、２ｂ、５ａ、５ｂ  円形領域
２ｃ  接続領域
３ａ、３ｂ  正極合剤層
４ａ、４ｂ  正極板
６ａ、６ｂ  負極板
７  セパレータ
８  正極缶
９  ガスケット
１０  負極缶
１１  絶縁テープ
１２ａ、１２ｂ  ニッケルスポンジ
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月2日(2004.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
３．電解液の調整
（１）本発明のエチレンカーボネート（ＥＣ）とジエチルカーボネート（ＤＥＣ）とを添加した電解液
エチレンカーボネート（ＥＣ）とジエチルカーボネート（ＤＥＣ）とを重量比で３：７に混合した混合溶媒に電解質塩として１モル／リットルの六フッ化リン酸リチウム（ＬｉＰＦ6）を溶解させた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態ではコイン型非水電解質二次電池について説明したが、コイン型電池に限定されることなく薄型電池にも適用可能である。この薄型電池は、図８（ａ）に斜視図、図８（ｂ）に断面概要図を示すように、負極活物質を保持してなる発泡状金属からなる２層の負極板１２と、正極活物質を含む２層の正極板１１とが交互にセパレータ１３を介して積層され、ヒートシール性樹脂製の枠体１８で固着された外装体１６、１７内に収納され、その封口部から正極端子１０と負極端子２０とが導出されてなるものである。２層の負極板１２が、直接抵抗溶接された負極集電体１４によって互いに電気的に接続されたことを特徴とする。この正極板１１と負極板１２との間には電解液が注入されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば共同聴視システムにおいて、同軸ケーブルを伝送されることによって周波数特性に変位が生じている高周波信号の周波数特性を改善するイコライザ（等化器）に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図２は、従来使用されていたイコライザ回路を示したものである。従来のイコライザ回路は、Ｔ型抵抗減衰器２を含んでいる。このＴ型抵抗減衰器２は、入力端子４と出力端子６との間に直列に接続された第１及び第２の抵抗器、例えば抵抗器８、１０を有している。これら抵抗器８、１０の相互接続点と、基準電位点、例えば接地電位点との間に第３の抵抗器、例えば抵抗器１２が接続されている。これら抵抗器８、１０、１２は、例えば同じ値の抵抗値を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の１実施形態のイコライザの回路図である。
【図２】
図１のイコライザ及び従来のイコライザを広帯域化したときの周波数特性図である。
【図３】
従来のイコライザの回路図である。
【図４】
図３のイコライザの周波数特性図である。
【符号の説明】
２  Ｔ型抵抗減衰器
８  １０  １２  抵抗器
１４  直列共振回路
２０  並列共振回路
２６  ２８  コンデンサ（容量手段）
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は上記問題点に着目し、封止用ガラスの細り現象が生じない圧電発振器及びその製造方法の提供を目的とする。また、レーザ照射によって除去された錘により、音叉型圧電振動片の電極が短絡することのない、圧電発振器及びその製造方法の提供を目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  配線及びヒューズを含む配線構造を備えてなる半導体装置であって、
前記ヒューズは、形状的な腐食遅延構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記腐食遅延構造は、前記ヒューズの所定部位に形成された蛇行状構造であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記蛇行状構造は多層に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記腐食遅延構造は、前記ヒューズの所定部位に形成された分岐構造であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記分岐構造は、多層に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】  前記腐食遅延構造は、前記ヒューズの所定部位に形成された幅広構造及び／又は厚膜構造であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】  前記配線が少なくとも銅を含有する材料からなるものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】  配線を所定形状に形成する工程と、
切断部位と高電圧印加側との間の所定部位が蛇行状構造となるヒューズを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】  前記蛇行状構造を多層に形成することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  配線を所定形状に形成する工程と、
切断部位と高電圧印加側との間の所定部位が幅広構造及び／又は厚膜構造となるヒューズを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  少なくとも銅を含有する配線と、ヒューズとを有する配線構造を備えてなる半導体装置であって、
前記ヒューズは、耐腐食材料から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】  前記耐腐食材料がアルミニウムを含有する金属又は多結晶シリコンであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】  少なくとも銅を含有する配線を所定形状に形成する工程と、
耐腐食材料からなるヒューズを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】  前記耐腐食材料は、アルミニウムを含有する金属又は多結晶シリコンであることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置及びそれを用いたウエハの処理搬送方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電気力を利用して真空処理室内の電極のウエハ積載面に保持されたウエハをプラズマ処理し、該処理の終了したウエハを前記真空処理室外へ搬送するプラズマ処理装置であって、
前記電極上に設けられた誘電膜と、
前記電極に冷媒を循環させて前記ウエハの温度制御を行う冷却装置と、
前記ウエハ積載面の中心から半径方向６０〜８０％の領域に設けられ前記電極及び前記誘電膜を貫通する３個以上の貫通孔と、
該貫通孔内を上下方向に可動な３個以上の棒状体と、
前記棒状体を同時に上下動させる手段を有し、
前記棒状体を上下動させる手段は、前記プラズマ処理の終了後、前記領域に設けられた前記３個以上の棒状体を上昇させることにより、前記ウエハに作用する残留吸着力に抗して前記ウエハを前記ウエハ積載面から引き剥がす押し上げ力を発生し得るように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
静電気力を利用して真空処理室内の電極のウエハ積載面に保持されたウエハをプラズマ処理し、該処理の終了したウエハを前記真空処理室外へ搬送するプラズマ処理装置であって、
前記電極上に設けられた誘電膜と、
前記電極に冷媒を循環させて前記ウエハの温度制御を行う冷却装置と、
前記ウエハ積載面の中心から半径方向６０〜８０％の領域に設けられ前記電極及び前記誘電膜を貫通する３個以上の貫通孔と、
該貫通孔内を上下方向に可動な３個以上の棒状体と、
前記棒状体を同時に上下動させる手段を有し、
前記棒状体を上下動させる手段は、ウエハの搬送時に前記領域に設けられた前記３個以上の棒状体を上昇動作させることにより、前記ウエハに作用する残留吸着力に抗して、前記ウエハを前記ウエハ積載面から引き剥がす押し上げ力を発生し得るように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置において、
前記ウエハ積載面は、１２インチウエハ用の積載面であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
静電気力を利用して真空処理室内の電極のウエハ積載面に保持されたウエハをプラズマ処理し、該処理の終了したウエハを前記真空処理室外へ搬送するプラズマ処理装置を用いたウエハの処理搬送方法であって、
前記プラズマ処理装置は、前記電極上に設けられた誘電膜と、前記電極に冷媒を循環させて前記ウエハの温度制御を行う冷却装置と、前記ウエハ積載面の中心から半径方向６０〜８０％の領域に設けられ前記電極及び前記誘電膜を貫通する３個以上の貫通孔と、該貫通孔内を上下方向に可動な３個以上の棒状体と、前記棒状体を上下動させる手段を有しており、
前記真空処理室内に処理ガスを導入してプラズマを生成し、
該真空処理室内に搬送されたウエハを静電吸着力で前記電極に保持して該ウエハの表面側をプラズマ処理すると共に、前記電極に冷媒を循環させて該ウエハの温度制御を行ない、前記ウエハの処理終了後、該ウエハの中心から半径方向６０〜８０％の領域に設けられた前記棒状体を上下動させる手段で前記３個以上の棒状体を稼動させて該ウエハの裏面を押し上げることにより、前記ウエハに作用する残留吸着力に抗して前記ウエハを前記積載面から引き剥がし、
該引き剥がしたウエハを前記真空処理室外へ搬送する、ことを特徴とするプラズマ処理装置を用いたウエハの処理搬送方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
発熱は、励磁コイル１２０の印加電圧に比例した磁界により、回転発熱体１０４に生じた渦電流が発熱体等価抵抗１２２に流れたときの損失ジュール熱により発生する。１０３はエンジン制御部であり、ＣＰＵ１３５にＡ／Ｄコンバータ１４１とＤ／Ａコンバータ１３４のインターフェースを接続している。励磁コイル１２０により加熱された回転発熱体１０４の温度を検出したサーミスタ１２３の検出電圧を、Ａ／Ｄコンバータ１４１で取り込み、所定の目標温度と比較し、電力制御信号をＤ／Ａコンバータ１３４を介して発振制御部１０２に出力して、メインスイッチ１１６のＯＮ時間を加減することにより、励磁電流を調整し発熱電力を制御し温調制御を行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
次に温調制御処理に移行し（１２０５）、サーミスタ温度と目標温度比較結果に基づく温調時電力制御値を前記最大電力設定値と比較し（１２０６）、温調時電力制御値が最大電力設定値未満となるＮＯの場合は、温調電力制御値を電力制御信号として出力し（１２０８）、最大電力設定値以上となるＹＥＳの場合は、最大電力設定値を電力制御信号として出力し（１２０７）、再び（１２０５）の処理に戻り（１２０６）〜（１２０８）の処理を繰り返し判定するソフト制御手段を講じたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月2日(2005.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた窒素を含む無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた発光素子と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた金属配線と、
前記金属配線上に設けられた樹脂と、
第２の基板と、を有し、
前記金属配線は前記発光素子を有する表示領域の外周部に設けられ、
前記第１の基板と前記第２の基板とは前記金属配線上に設けられた樹脂により固着されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた窒素を含む第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜に設けられた開口部と、
前記開口部の設けられた前記有機絶縁膜を覆った窒素を含む第２の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けれた発光素子と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた金属配線と、
前記金属配線上に設けられた樹脂と、
第２の基板と、を有し、
前記金属配線は前記発光素子を有する表示領域の外周部に設けられ、
前記第２の無機絶縁膜に側面を覆われた前記有機絶縁膜の開口部に、前記金属配線の上表面が配置され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは前記金属配線上に設けられた樹脂により固着されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた窒素を含む第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜に設けられた開口部と、
前記開口部の設けられた前記有機絶縁膜を覆った窒素を含む第２の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた発光素子と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた複数の金属配線と、
前記複数の金属配線上に設けられた樹脂と、
第２の基板と、を有し、
前記複数の金属配線は前記発光素子を有する表示領域の外周部に設けられ、
前記第２の無機絶縁膜に側面を覆われた前記有機絶縁膜の複数の開口部に前記複数の金属配線の上表面が配置され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは前記複数の金属配線上に設けられた樹脂により固着されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた窒素を含む第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に設けられた開口部と、
前記開口部の設けられた前記有機絶縁膜を覆った窒素を含む第２の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた発光素子と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた金属配線と、
前記金属配線上に設けられた樹脂と、
第２の基板と、を有し、
前記金属配線は前記発光素子を有する表示領域の外周部に設けられ、
前記第２の無機絶縁膜に側面を覆われた前記有機絶縁膜の開口部に、前記金属配線の上表面及び側面が配置され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは前記金属配線上に設けられた樹脂により固着されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた窒素を含む第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜に設けられた開口部と、
前記開口部の設けられた前記有機絶縁膜を覆った窒素を含む第２の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた発光素子と、
前記第１の無機絶縁膜上に設けられた複数の金属配線と、
前記複数の金属配線上に設けられた樹脂と、
第２の基板と、を有し、
前記複数の金属配線は前記発光素子を有する表示領域の外周部に設けられ、
前記第２の無機絶縁膜に側面を覆われた前記有機絶縁膜の複数の開口部に前記複数の金属配線の上表面及び側面が配置され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは前記複数の金属配線上に設けられた樹脂により固着されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記無機絶縁膜は、含有する酸素濃度が１０原子％以下、かつ、水素濃度が１０原子％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記発光素子上に窒素を含む無機絶縁膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記金属配線には凹部が設けられ、前記凹部と前記樹脂とが接していることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記金属配線はチタン、アルミニウム、窒化チタンの積層構造でなり、前記アルミニウムの側端面は酸化アルミニウムであることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に有するテレビ受像器、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、音響再生装置、デジタルカメラ又は携帯電話。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極、及び有機化合物層を有する表示装置であって、
前記陽極と前記陰極との間に前記有機化合物層を有し、
前記有機化合物層は、発光層および電子輸送層を有し、
前記電子輸送層は、電子輸送性材料を含み、前記電子輸送層の一部は電子伝達領域であり、
前記電子伝達領域は、さらにドナー性分子を含み、
前記電子輸送層の一部である前記電子伝達領域は、前記陰極と接して形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
絶縁表面上に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆って形成された絶縁層と、
前記第１の電極上に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成された第２の電極とを有する表示装置であって、
前記ＴＦＴは、ソース領域およびドレイン領域を有し、
前記第１の電極は、前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続され、
前記有機化合物層は、発光層および電子輸送層を有し、
前記電子輸送層は、電子輸送性材料を含み、前記電子輸送層の一部は電子伝達領域であり、
前記電子伝達領域は、さらにドナー性分子を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極であり、
前記電子輸送層の一部である前記電子伝達領域は、前記第２の電極と接して形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１の電極は陰極であり、前記第２の電極は陽極であり、
前記電子輸送層の一部である前記電子伝達領域は、前記第１の電極と接して形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記有機化合物層は、正孔輸送層、前記発光層、前記電子輸送層、および前記電子伝達領域を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記電子伝達領域に３，３’，５，５’−テトラメチルベンジジンを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記表示装置は、ＴＶ放送受信用、または広告表示用に用いられることを特徴とする表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
図２（Ａ）において、基板２０１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。なお、ここでは、発光素子２１５の第１の電極２１１と電気的に接続され、発光素子２１５に供給される電流を制御する機能を有する電流制御用ＴＦＴ２２２と、電流制御用ＴＦＴ２２２のゲート電極に印加されるビデオ信号を制御するためのスイッチング用ＴＦＴ２２１を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２００】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ７０１、ｐチャネル型ＴＦＴ７０２を有する駆動回路７０５と、ｎチャネル型ＴＦＴからなるスイッチング用ＴＦＴ７０３、ｐチャネル型ＴＦＴからなる電流制御用ＴＦＴ７０４とを有する画素部７０６を同一基板上に形成することができる（図１２（Ｃ））。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
緑発光層１８ｃは、本実施形態ではホスト材料をＡｌｑ（8-hydroxy quinoline aluminum）、ドーパント材（発光色素）をキノクリドン（Ｑｄ）とから形成され、真空蒸着法（共蒸着）にて形成されている。このキノクリドン（Ｑｄ）よりなる発光色素は緑色発光する色素なので、緑発光層１８ｃにおいて緑色発光する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月13日(2004.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と、このＴＦＴによって駆動される、ＴＦＴに対応して配設された複数の有機ＥＬ素子とを有する有機アクティブＥＬ発光装置において、
ＴＦＴと有機ＥＬ素子の下部電極との間に、平坦化された層間絶縁膜が配設され、かつＴＦＴの端子と有機ＥＬ素子の下部電極とが、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続され、
有機ＥＬ素子が有機半導体層を含有することを特徴とする有機アクティブＥＬ発光装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子の対向電極が、透明である請求項１記載の有機アクティブＥＬ発光装置。
【請求項３】
その開口率（実際に発光する部分が画素中に占める割合）が、７５％以上である請求項１または２記載の有機アクティブＥＬ発光装置。
【請求項４】
基板上に、ＸＹマトリックス状に配設された複数の走査電極線および信号電極線と、この走査電極線および信号電極線の近傍に配設された電気スイッチとを有し、この電気スイッチが走査信号パルスおよび信号パルスでスイッチ動作を行うことにより、この電気スイッチに結合された単位画素中の有機ＥＬ素子が発光または発光停止して画像表示を行う有機アクティブＥＬ発光装置において、
電気スイッチが、発光画素を選択する薄膜トランジスター（第一のトランジスター）、および有機ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスター（第二のトランジスター）のそれぞれ一つ以上から形成されてなり、かつ
第一および第二のトランジスターと有機ＥＬ素子の下部電極との間に、平坦化された層間絶縁膜が配設され、さらに、第二のトランジスターのドレインと、有機ＥＬ素子の下部電極とが電気的に接続され、
有機ＥＬ素子が有機半導体層を含有することを特徴とする有機アクティブＥＬ発光装置。
【請求項５】
前記第一および第二のトランジスターの活性層が、ポリシリコンから形成されてなる請求項４記載の有機アクティブＥＬ発光装置。
【請求項６】
前記有機ＥＬ素子の対向電極が、透明である請求項４または５記載の有機アクティブＥＬ発光装置。
【請求項７】
前記有機ＥＬ素子の有機半導体層の導電率が１０−１０Ｓ／ｃｍ以上である請求項１〜６のいずれか一項記載の有機アクティブＥＬ発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、光ファイバ伝送路には中継器が挿入されることを特徴とする。
さらに、各ノード局のレベル制御手段による各波長のレベルを同一もしくは任意の設定されたレベルにする制御を遠隔的に操作するための監視制御手段を備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
回線設計において、許容できるクロストークペナルティを超えるような構成になった場合（隣接波長の方が高いレベルになっている場合）には、システムが成り立たない問題が発生する。そこで、この発明の実施形態では、そのような問題を解決するために、たとえばノード局１１では光ファイバ４に伝送されている波長から任意の波長λを任意の時間にＯ−ＡＤＭモジュール２１によりドロップする。このドロップしたレベルをレベル調整部ＡＴＴ６１でモニタし、トランスポンダ部３１のトランスポンダ送信部５１から出力される波長λのレベルを多重伝送路で他の波長と同一のレベルになるようにレベル調整部ＡＴＴ６１で調整する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直交する複数本のキャリア（搬送波）で情報符号を伝送する直交周波数分割多重変調方式伝送信号であるＯＦＤＭ信号を受信するダイバーシティ受信装置であって、複数のアンテナで受信した信号である複数のアンテナ信号に含まれるＯＦＤＭ信号を構成するキャリア信号の内、前記複数のアンテナ信号の同じ周波数のキャリア信号毎に、該キャリア信号のＣ／Ｎ値が最も高いアンテナ信号のキャリア信号を選択して復号する手段を備えたことを特徴とする直交周波数分割多重変調方式伝送信号のダイバーシティ受信装置。
【請求項２】
互いに直交する複数本のキャリア（搬送波）で情報符号を伝送する直交周波数分割多重変調方式伝送信号であるＯＦＤＭ信号を受信するダイバーシティ受信装置であって、
アンテナで受信した信号である複数のアンテナ信号を入力するアンテナ信号入力端子と、該アンテナ信号入力端子から入力されたアンテナ信号をベースバンドのＯＦＤＭ信号に変換してベースバンド信号として出力するダウンコンバータと、該ベースバンド信号を入力し、該ベースバンド信号に含まれるＯＦＤＭ信号を各キャリア信号に分解して復調し、キャリア信号列として出力するＯＦＤＭ信号復調回路と、前記アンテナ信号あるいは前記ベースバンド信号を入力し、入力された信号に含まれるＯＦＤＭ信号のＣ／Ｎ値を算出し、アンテナＣＮ信号として出力するＣＮ算出回路と、前記キャリア信号列を入力し、該アンテナ信号に含まれるＯＦＤＭ信号が伝播された伝送路の伝送路周波数応答特性を算出して、伝送路周波数特性信号列として出力する伝送路特性算出回路と、該アンテナＣＮ信号と伝送路特性周波数信号列を入力し、該アンテナ信号に含まれるＯＦＤＭ信号の各キャリア信号のＣ／Ｎ値を算出し、キャリアＣＮ信号列として出力するキャリアＣＮ算出回路とを、１つのブランチ回路部に有する複数のブランチ回路部と、
該複数のブランチ回路部の各ブランチ回路部のキャリアＣＮ算出回路から出力される複数のキャリアＣＮ信号列を入力し、同じ周波数のキャリアに対応するキャリアＣＮ信号が最も高いブランチの番号を選択し、選択ブランチ番号列として出力するブランチ選択回路部と、
前記複数のブランチ回路部の各ブランチ回路部から出力される複数のキャリア信号列と複数の伝送路周波数特性信号列と該ブランチ選択回路部から出力される選択ブランチ番号列を入力し、各番号のキャリア毎に、該選択ブランチ番号列が指定するブランチ回路部から出力されるキャリア信号列と伝送路周波数特性信号列の中の同じ番号のキャリアの信号を順次選択して復号し、復号符号列として出力するダイバーシティ復号回路部とを備えたことを特徴とする直交周波数分割多重変調方式伝送信号のダイバーシティ受信装置。
【請求項３】
互いに直交する複数本のキャリア（搬送波）で情報符号を伝送する直交周波数分割多重変調方式伝送信号であるＯＦＤＭ信号で、且つ該ＯＦＤＭ信号の情報符号で変調するキャリアをＤＢＰＳＫ，ＤＱＰＳＫ，８ＤＰＳＫ等の差動検波を用いる変調方式で変調されたＯＦＤＭ信号を受信するダイバーシティ受信装置であって、
アンテナで受信した信号である複数のアンテナ信号を入力するアンテナ信号入力端子と、該アンテナ信号入力端子から入力されたアンテナ信号をベースバンドのＯＦＤＭ信号に変換してベースバンド信号として出力するダウンコンバータと、該ベースバンド信号を入力し、該ベースバンド信号に含まれるＯＦＤＭ信号を各キャリア信号に分解して復調し、キャリア信号列として出力するＯＦＤＭ信号復調回路と、前記アンテナ信号あるいは前記ベースバンド信号を入力し、入力された信号に含まれるＯＦＤＭ信号のＣ／Ｎ値を算出し、アンテナＣＮ信号として出力するＣＮ算出回路と、前記アンテナＣＮ信号と前記キャリア信号列を入力し、前記アンテナ信号に含まれるＯＦＤＭ信号の各キャリア信号のＣ／Ｎ値を算出し、キャリアＣＮ信号列として出力するキャリアＣＮ算出回路とを、１つのブランチ回路部に有する複数のブランチ回路部と、
該複数のブランチ回路部の各ブランチ回路部のキャリアＣＮ算出回路から出力される複数のキャリアＣＮ信号列を入力し、同じ周波数のキャリアに対応するキャリアＣＮ信号が最も高いブランチの番号を選択し、選択ブランチ番号列として出力するブランチ選択回路部と、
前記各ブランチ回路部から出力される複数のキャリア信号列と該ブランチ選択回路部から出力される選択ブランチ番号列を入力し、該遅延検波のためにキャリア信号列をＯＦＤＭ信号の１シンボル期間遅延する遅延回路の後段で、各番号のキャリア毎に、前記選択ブランチ番号列が指定するブランチ回路部から出力されるキャリア信号列と、前記遅延回路から出力された遅延キャリア信号列の中の同じ番号のキャリアの信号を順次選択して差動復号し、復号符号列として出力するダイバーシティ復号回路部とを備えたことを特徴とする直交周波数分割多重変調方式伝送信号のダイバーシティ受信装置。
【請求項４】
互いに直交する複数本のキャリア（搬送波）で情報符号を伝送する直交周波数分割多重変調方式伝送信号であるＯＦＤＭ信号で、且つ該ＯＦＤＭ信号の情報符号で変調するキャリアをＤＢＰＳＫ，ＤＱＰＳＫ，８ＤＰＳＫ等の差動検波を用いる変調方式で変調されたＯＦＤＭ信号を受信するダイバーシティ受信装置であって、
アンテナで受信した信号である複数のアンテナ信号を入力するアンテナ信号入力端子と、該アンテナ信号入力端子から入力されたアンテナ信号をベースバンドのＯＦＤＭ信号に変換してベースバンド信号として出力するダウンコンバータと、該ベースバンド信号を入力し、該ベースバンド信号に含まれるＯＦＤＭ信号を各キャリア信号に分解して復調し、キャリア信号列として出力するＯＦＤＭ信号復調回路とを、１つのブランチ回路部に有する複数のブランチ回路部と、
該複数のブランチ回路部の各ブランチ回路部のＯＦＤＭ信号復調回路から出力される複数のキャリア信号列を入力し、同じ周波数のキャリアに対応するキャリア信号の振幅が最も高いブランチの番号を選択し、選択ブランチ番号列として出力するブランチ選択回路部と、
前記各ブランチ回路部から出力される複数のキャリア信号列と該ブランチ選択回路部から出力される選択ブランチ番号列を入力し、前記複数のキャリア信号列をＯＦＤＭ信号の１シンボル期間遅延する遅延回路の後段で、各番号のキャリア毎に、前記選択ブランチ番号列が指定するブランチ回路部から出力されるキャリア信号列と、前記遅延回路から出力された遅延キャリア信号列の中の同じ番号のキャリアの信号を順次選択して差動復号し、復号符号列として出力するダイバーシティ復号回路部とを備えたことを特徴とする直交周波数分割多重変調方式伝送信号のダイバーシティ受信装置。