Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月7日(2005.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦度を保って基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構の搬送路の途中に前記基板の搬送方向と交差する方向に設けられた画像取り込み位置となるライン状の間隙と、
前記ライン状の間隙に支持された前記基板の表面にライン照明光を照射する第１の照明光学系と、
前記第１の照明光学系によりライン状に照射された前記基板表面からの光を撮像するラインセンサカメラと、
を具備したことを特徴とする画像取り込み装置。
【請求項２】
前記搬送機構の搬送路を挟んで前記第１の照明光学系と反対側に設けられ、前記間隙を通して前記搬送機構により搬送される前記基板の裏面よりライン照明光を照射する第２の照明光学系を備えたことを特徴とする請求項１記載の画像取り込み装置。
【請求項３】
前記第１の照明光学系と前記ラインセンサカメラは、前記画像取り込み位置における前記基板の表面に対する入射角度θ1と画像取り込み角度θ2がθ1=θ2となる干渉関係と、θ1＋α＝θ2となる回折関係になるように可変されることを特徴とする請求項１記載の画像取り込み装置。
【請求項４】
前記第２の照明光学系と前記ラインセンサカメラは、前記画像取り込み位置における前記基板裏面に対する入射角度が前記ラインセンサカメラの画像取り込み角度と等しくなるように設定されることを特徴とする請求項２記載の画像取り込み装置。
【請求項５】
前記ラインセンサカメラは、前記搬送機構により前記基板を一方向に搬送中に前記基板の表面に対する前記第１の照明光学系の入射角度θ1と前記ラインセンサカメラの画像取り込み角度θ2がθ1=θ2の干渉関係に設定された状態で前記基板表面の干渉画像を取得し、前記搬送機構により前記基板を他方向に搬送中に前記基板に対する前記第１の照明光学系の入射角度θ1と前記ラインセンサカメラの画像取り込み角度θ2がθ1＋α＝θ2の回折関係に設定された状態で前記基板表面の回折画像を取得することを特徴とする請求項３記載の画像取り込み装置。
【請求項６】
平坦度を保って基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構の搬送路の途中に前記基板の搬送方向と交差する方向に設けられた画像取り込み位置となるライン状の間隙と、
前記ライン状の間隙に支持された前記基板の表面にライン照明光を照射する反射用照明光学系と、
前記搬送機構の搬送路を挟んで前記反射用照明光学系と反対側に設けられ、前記間隙を通して前記搬送機構により搬送される前記基板の裏面よりライン照明光を照射する透過用照明光学系と、
前記反射用照明光学系又は前記透過用照明光学系によりライン状に照射された前記基板表面からの反射光又は前記基板を透過した透過光を撮像するラインセンサカメラと、
前記ラインセンサカメラで撮像された画像データから前記基板の干渉画像と回折画像と透過画像に画像処理する画像処理部と、
を具備したことを特徴とする画像取り込み装置。
【請求項７】
前記搬送機構は、前記基板の搬送方向を切り替え、この搬送機構の搬送方向の切り替えに応じて前記ラインセンサカメラの画像取り込み角度に対する前記反射照明光学系と透過照明光学系の前記基板に対する入射角度を変えて、前記基板の往路又は復路において前記ラインセンサカメラにより干渉画像、回折画像、透過画像の少なくとも１つの画像データを取り込むことを特徴とする請求項６記載の画像取り込み装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の画像取り込み装置は、平坦度を保って基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構の搬送路の途中に前記基板の搬送方向と交差する方向に設けられた画像取り込み位置となるライン状の間隙と、前記ライン状の間隙に支持された前記基板の表面にライン照明光を照射する第１の照明光学系と、前記第１の照明光学系によりライン状に照射された前記基板表面からの光を撮像するラインセンサカメラとを具備したことを特徴とする。
また、本発明の画像取り込み装置は、平坦度を保って基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構の搬送路の途中に前記基板の搬送方向と交差する方向に設けられた画像取り込み位置となるライン状の間隙と、前記ライン状の間隙に支持された前記基板の表面にライン照明光を照射する反射用照明光学系と、前記搬送機構の搬送路を挟んで前記反射用照明光学系と反対側に設けられ、前記間隙を通して前記搬送機構により搬送される前記基板の裏面よりライン照明光を照射する透過用照明光学系と、前記反射用照明光学系又は前記透過用照明光学系によりライン状に照射された前記基板表面からの反射光又は前記基板を透過した透過光を撮像するラインセンサカメラと、前記ラインセンサカメラで撮像された画像データから前記基板の干渉画像と回折画像と透過画像に画像処理する画像処理部とを具備したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子財布装置及び決済処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の決済処理装置との間で、現金の出入金に相当する情報を送受信して電子決済処理を行う電子財布装置であって、
前記決済処理装置との間で、前記現金の出入金に相当する情報を出入金情報として送受信する出入金情報管理部と、
前記出入金情報に付随する情報を付随情報として前記決済処理装置より受信する付随情報管理部と、
所定の場合に、前記付随情報管理部により受信された前記付随情報を出力する付随情報出力部とを有することを特徴とする電子財布装置。
【請求項２】
前記出入金情報管理部は、商品又はサービスの代金について前記決済処理装置との間で前記出入金情報を送受信し、
前記付随情報管理部は、前記付随情報として、前記商品又はサービスに関する情報を前記決済処理装置より受信することを特徴とする請求項１に記載の電子財布装置。
【請求項３】
前記出入金情報管理部は、商品又はサービスの代金について前記決済処理装置との間で前記出入金情報を送受信し、
前記付随情報管理部は、前記付随情報として、前記商品又はサービスを提供する店舗に関する情報を前記決済処理装置より受信することを特徴とする請求項１に記載の電子財布装置。
【請求項４】
所定の電子財布装置との間で、現金の出入金に相当する情報を送受信して電子決済処理を行う決済処理装置であって、
前記電子財布装置との間で、前記現金の出入金に相当する情報を出入金情報として送受信する出入金情報管理部と、
前記出入金情報に付随する情報を付随情報として前記電子財布装置に対して送信する付随情報管理部とを有することを特徴とする決済処理装置。
【請求項５】
前記出入金情報管理部は、商品又はサービスの代金について前記電子財布装置との間で前記出入金情報を送受信し、
前記付随情報管理部は、前記付随情報として、前記商品又はサービスに関する情報を前記電子財布装置に対して送信することを特徴とする請求項４に記載の決済処理装置。
【請求項６】
前記出入金情報管理部は、商品又はサービスの代金について前記決済処理装置との間で前記出入金情報を送受信し、
前記付随情報管理部は、前記付随情報として、前記商品又はサービスを提供する店舗に関する情報を前記電子財布装置に対して送信することを特徴とする請求項４に記載の決済処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  仮想３次元空間内を移動する様子を表示画面に表示する画像表示装置であって、
前記仮想３次元空間内に背景を表示するための３次元情報である背景オブジェクトと、前記背景オブジェクトに貼付ける連続した背景の模様を構成する画像情報である複数種類の背景テクスチャとを記憶した背景オブジェクト情報記憶手段と、
前記背景オブジェクト情報記憶手段から読み出した背景オブジェクトを前記仮想３次元空間内の第１配置位置に配置し、前記背景オブジェクトを前記第１配置位置から第２配置位置へ繰り返し移動させる移動配置手段と、
前記背景オブジェクトが前記第１配置位置から前記第２配置位置へ移動されるたびに、前記背景オブジェクトに貼付ける背景テクスチャを順次更新するテクスチャ更新手段と、
前記背景テクスチャが貼付けられた背景オブジェクトが移動する前記仮想３次元空間内の様子を示す表示画像を生成する表示画像生成手段と、
前記表示画像を表示画面に表示する表示手段と
を備えたことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】  請求項１に記載の画像表示装置において、
前記背景オブジェクトは、複数のポリゴンで構成されており、前記複数種類の背景テクスチャは、前記各ポリゴンにそれぞれ貼付けられる模様の画像情報であり、
前記表示画面に表示される全背景を構成するように前記複数種類の背景テクスチャを配置するとともに、前記背景テクスチャと前記背景オブジェクトのポリゴンとを関連付けるマップデータを記憶するマップデータ記憶手段を備え、
前記テクスチャ更新手段は、前記背景オブジェクトが前記第１配置位置から前記第２配置位置へ移動されるたびに、前記背景オブジェクトに対応するように設定されたマップデータ上の特定領域を前記背景テクスチャごとに順次移動させて、前記移動された特定領域に含まれる背景テクスチャを前記背景オブジェクトの各ポリゴンにそれぞれ貼付けることにより、背景オブジェクトに貼付ける背景テクスチャを順次更新する
ことを特徴とする画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
半導体記憶装置５０２は、さらに、コラム選択線ＣＳＬ０〜ＣＳＬ２５５およびスペアコラム選択線ＳＣＳＬによって指定されるビット線対を外部とのデータ授受のために選択するマルチプレクサ１８と、端子から与えられた信号ＤＱを受けてマルチプレクサ１８に伝達する入力回路２２と、メモリセルアレイ１６からマルチプレクサ１８を介して読出されるデータを端子に信号ＤＱとして出力する出力回路５２０とを含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
ところで、信号φ３のパルス幅がＴＷ２の場合でも信号ＦＣＡがＬレベルであれば、信号φ３のパルス幅がＴＷ１の場合には、信号ＦＣＡは必ずＬレベルとなる。したがって、パルス幅をテストモードにおいてＴＷ１からＴＷ２に延ばしてもヒューズが未切断の場合や、完全に切断された場合に誤った信号を出力することはない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ電気的書き換え可能なメモリセルを有し、あるバンクでのデータ書き換えと他のバンクでのデータ読み出しの同時実行を可能とした複数のバンクと、
前記複数のバンクに共通に配設された書き込み用データ線と、
前記複数のバンクに共通に配設された読み出し用データ線と、
前記書き込み用データ線に接続された書き込み回路と、
前記読み出し用データ線に接続された読み出し回路と、
データ書き換えを行うバンクを指定するための外部アドレスと内部アドレスの間の複数種の変換を行うアドレス変換機能を備えたバンクアドレスデコーダと、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記複数のバンクは、記憶容量の異なる少なくとも二種のセルブロックにより構成され、
各セルブロックは、ワード線及びビット線をそれぞれ選択するロウアドレスデコーダ及びカラムアドレスデコーダを有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記各バンク毎に設けられて、前記バンクアドレスデコーダの出力により指定されて各バンクがデータ書き換えモードにあるかデータ読み出しモードにあるかに応じて、前記書き込み用データ線と前記読み出し用データ線とを切り換えて各バンク内のデータ線に接続するデータ線切り換え回路を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記複数のバンクに共通に配設された書き込み用アドレス信号線と、
前記複数のバンクに共通に配設された読み出し用アドレス信号線と、
前記各バンク毎に設けられて、前記バンクアドレスデコーダの出力により指定されて各バンクがデータ書き換えモードにあるかデータ読み出しモードにあるかに応じて、前記書き込み用アドレス信号線と前記読み出し用アドレス信号線とを切り換えて各バンク内のアドレス信号線に接続するアドレス信号線切り換え回路と、
を有する
ことを特徴とする請求項３記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記バンクアドレスデコーダは、
データ書き換えを行うバンクを指定するための外部アドレス信号を入力するアドレス入力ゲートと、
入力された外部アドレス信号を、バンク切り換え信号に基づいて内部アドレス信号に変換するためのアドレス変換回路と、
このアドレス変換回路で変換された内部アドレス信号を保持するアドレスラッチと、
このアドレスラッチに保持された内部アドレス信号をデコードするデコード回路と、
を有することを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記アドレス変換回路は、データ書き換えを行うバンクを指定するための外部アドレス信号の各ビット毎に設けられたビットデータの非反転転送または反転転送を行う転送回路と、
この転送回路による非反転転送または反転転送を、前記バンク切り換え信号と前記データ書き換えを行うバンクを指定するための外部アドレス信号の中の所定の下位ビットデータとの論理により選択する論理ゲート回路と、
を有することを特徴とする請求項５記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明において好ましくは、複数のバンクは、記憶容量の異なる少なくとも二種のセルブロックにより構成され、各セルブロックは、ワード線及びビット線をそれぞれ選択するロウアドレスデコーダ及びカラムアドレスデコーダを有するものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面中央に突起部を有する円板状の基板を用い、真空容器中において前記基板表面に膜形成を行うスパッタ装置であって、
前記基板裏面と密着する平坦面からなる基板受け部と、
前記基板受け部中央に設けられた、前記突起部が収容される凹部と、を有し、前記凹部には、前記突起部を固定支持する固定手段が配置されており、前記固定手段は前記突起部と協働して前記突起部を前記凹部に対して押し込む作用を呈することを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】
前記基板裏面中央の突起部は、基板裏面から離れるに従ってその径が大きくなる様な円錐の一部を構成する略円柱状の形状を有することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記固定手段は、ボールプランジャーからなることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記平坦面外周において、前記基板表面の外周を覆うマスクを支持するマスク受け部をさらに有し、前記マスク受け部は磁力により前記マスクを支持することを特徴とする請求項１乃至３何れかに記載の装置。
【請求項５】
裏面中央に略円柱状の突起部を有する円板状の基板を用い、真空容器中において基板表面に膜形成を行うスパッタ装置における前記基板のチャッキング方法であって、
前記突起部を円筒状の内面を有する凹部に挿入し、
前記凹部に配置された固定手段によって、前記突起部の軸心を前記凹部の軸心と一致させるように固定すると共に、前記固定手段と前記突起部とが協働することによって前記突起部を前記凹部に対する挿入方向に向けて付勢し、
前記基板裏面を前記凹部周囲に形成された平坦面に密着させることを特徴とするチャッキング方法。
【請求項６】
前記基板裏面中央の突起部は、基板裏面から離れるに従ってその径が大きくなる様な円錐の一部を構成する略円柱状の形状を有することを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記固定手段は、ボールプランジャーからなることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記基板裏面を前記平坦面に密着させた後、磁力により前記平坦面外周に前記基板表面の外周を覆うマスクを固定することを特徴とする請求項５乃至７何れかに記載の方法。
【請求項９】
ディスク状記録媒体の製造方法であって、
裏面中央部に略円柱状の突起部を有するディスク状の基板を用い、
前記突起部を、前記基板を保持する基板受け部に設けられた円筒状の内面を有する凹部に挿入し、
前記凹部に配置された固定手段によって、前記突起部の軸心を前記凹部の軸心と一致させるように固定すると共に、前記固定手段と前記突起部とが協働することによって前記突起部を前記凹部に対する挿入方向に向けて付勢し、
前記基板裏面を前記凹部周囲に形成された前記基板受け部である平坦面に密着させ、
前記基板およびマスクをターゲットと正対させ、
前記基板表面と前記ターゲットとの間にプラズマを発生させて前記ターゲットをスパッタすることにより前記基板表面に前記ターゲットの構成元素を主成分とする薄膜を形成することを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記基板裏面中央の突起部は、基板裏面から離れるに従ってその径が大きくなる様な円錐の一部を構成する略円柱状の形状を有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記固定手段は、ボールプランジャーからなることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記基板裏面を前記平坦面に密着させた後、磁力により前記平坦面外周に前記基板表面の外周を覆うマスクを固定することを特徴とする請求項９乃至１１何れかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも記録磁区の磁壁が移動する第１磁性層と、前記第１の磁性層及び第３の磁性層よりキュリー温度の低い第２磁性層と、周囲温度近傍の温度において第１の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が大きく、かつ垂直磁化膜からなる第３磁性層と、誘電体層と、放熱層とがこの順で積層されている磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体のアニール処理方法であって、前記第３の磁性層の隣り合う情報記録トラックの間の領域（トラック間領域）に高出力のレーザービームを膜面側から照射した後、前記放熱層を前記誘電体層上に積層することを特徴とする光磁気記録媒体のアニール処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のオリジナルの楽曲と、前記オリジナルの楽曲とは別に選択的に再生するためのボ−ナス楽曲と、のアナログオ−デイオ信号をＡ／Ｄ変換してデジタルデ−タ列を生成するステツプと、
デイスクの記録領域に、
前記１以上のオリジナルの楽曲と、前記オリジナルの楽曲とは別に選択的に再生するためのボ−ナス楽曲と、を管理するオ−デイオマネジヤ（ＡＭＧ）と、
前記１以上のオリジナル楽曲の構成要素である第１のオ−デイオタイトルであつて、複数のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）を含む第１のオ−デイオタイトルと、
前記ボ−ナス楽曲が設けられた場合にはそのボ−ナス楽曲の構成要素である第２のオ−デイオタイトルであつて、複数のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）を含む第２のオ−デイオタイトルと、
再生時にユ−ザが前記ボ−ナス楽曲にアクセスするために供給するデ−タと比較されるデ−タであつてこの供給されたデ−タと同一の場合に、前記ボ−ナス楽曲を再生することを許容すると共に前記ボ−ナス楽曲が存在しない場合にはそれを示すデ−タとして利用されるインタラクテイブデ−タと、
スチルピクチヤセツト（ＳＰＳ）と、
第２のオ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）とを有し、
前記オ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）が、実デ−タとしてオ−デイオデ−タを有する第１のパツクのみにより構成された第１のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）と、前記第１のパツク、及び実デ−タとして前記オ−デイオデ−タに関するリアルタイムインフオメ−シヨンデ−タを有する第２のパツクにより構成された第２のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）の２種類で構成され、
さらに、前記スチルピクチヤセツト（ＳＰＳ）が前記オ−デイオデ−タに関するスチルピクチヤデ−タを含む第３のパツクを有し、
前記第２のオ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）が前記第１、第２のオ−デイオタイトルの頭出しを行うためのデ−タが格納されたＴＯＣテ−ブル（ＳＡＰＰ）を有してなる、
デ−タ構造にフオ−マツト化されて、記録するステツプと、
からなるエンコ−ド方法。
【請求項２】
請求項１に記載のエンコ−ド方法により記録された信号の再生装置であつて、
前記オリジナル楽曲のオ−デイオデ−タを無条件に再生する再生手段と、
前記ボ−ナス楽曲にアクセスするためのインタラクテイブデ−タが供給された場合に、前記ボ−ナス楽曲のオ−デイオデ−タを再生許可する再生許可手段と、
前記記録されたスチルピクチヤデ−タを分離してデコ−ドするスチルピクチヤ・デコ−ド手段と、
前記再生時に少なくとも前記第２のオ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）のＴＯＣテ−ブル（ＳＡＰＰ）に従つて前記第１、第２のオ−デイオタイトルを頭出し制御する手段と、
前記スチルピクチヤ・デコ−ド手段で取り出されたスチルピクチヤデ−タを、前記オリジナル楽曲またはボ−ナス楽曲のオ−デイオデ−タと同期制御して出力する出力手段とを、
有する再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
１）１以上のオリジナルの楽曲と、前記オリジナルの楽曲とは別に選択的に再生するためのボ−ナス楽曲と、のアナログオ−デイオ信号をＡ／Ｄ変換してデジタルデ−タ列を生成するステツプと、
デイスクの記録領域に、
前記１以上のオリジナルの楽曲と、前記オリジナルの楽曲とは別に選択的に再生するためのボ−ナス楽曲と、を管理するオ−デイオマネジヤ（ＡＭＧ）と、
前記１以上のオリジナル楽曲の構成要素である第１のオ−デイオタイトルであつて、複数のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）を含む第１のオ−デイオタイトルと、
前記ボ−ナス楽曲が設けられた場合にはそのボ−ナス楽曲の構成要素である第２のオ−デイオタイトルであつて、複数のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）を含む第２のオ−デイオタイトルと、
再生時にユ−ザが前記ボ−ナス楽曲にアクセスするために供給するデ−タと比較されるデ−タであつてこの供給されたデ−タと同一の場合に、前記ボ−ナス楽曲を再生することを許容すると共に前記ボ−ナス楽曲が存在しない場合にはそれを示すデ−タとして利用されるインタラクテイブデ−タと、
スチルピクチヤセツト（ＳＰＳ）と、
第２のオ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）とを有し、
前記オ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）が、実デ−タとしてオ−デイオデ−タを有する第１のパツクのみにより構成された第１のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）と、前記第１のパツク、及び実デ−タとして前記オ−デイオデ−タに関するリアルタイムインフオメ−シヨンデ−タを有する第２のパツクにより構成された第２のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）の２種類で構成され、
さらに、前記スチルピクチヤセツト（ＳＰＳ）が前記オ−デイオデ−タに関するスチルピクチヤデ−タを含む第３のパツクを有し、
前記第２のオ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）が前記第１、第２のオ−デイオタイトルの頭出しを行うためのデ−タが格納されたＴＯＣテ−ブル（ＳＡＰＰ）を有してなる、
デ−タ構造にフオ−マツト化されて、記録するステツプと、
からなるエンコ−ド方法。
２）請求項１に記載のエンコ−ド方法により記録された信号の再生装置であつて、
前記オリジナル楽曲のオ−デイオデ−タを無条件に再生する再生手段と、
前記ボ−ナス楽曲にアクセスするためのインタラクテイブデ−タが供給された場合に、前記ボ−ナス楽曲のオ−デイオデ−タを再生許可する再生許可手段と、
前記記録されたスチルピクチヤデ−タを分離してデコ−ドするスチルピクチヤ・デコ−ド手段と、
前記再生時に少なくとも前記第２のオ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）のＴＯＣテ−ブル（ＳＡＰＰ）に従つて前記第１、第２のオ−デイオタイトルを頭出し制御する手段と、
前記スチルピクチヤ・デコ−ド手段で取り出されたスチルピクチヤデ−タを、前記オリジナル楽曲またはボ−ナス楽曲のオ−デイオデ−タと同期制御して出力する出力手段とを、
有する再生装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】歴史又は地理の学習のためのシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歴史の学習のためのシステムであって、
歴史の学習内容を構成する複数の単元又は項目の内容を提示する単元又は項目提供手段であって、それぞれが「文字、図表又は画像を含む複数個の場面」から成っている各単元又は項目を、「前記各場面を所定の順序でユーザー側に対して表示すること」により、ユーザーに提供するようにしている単元又は項目提供手段と、
前記のある場面が出力されているとき、その場面によりユーザーが学習しようとする歴史上のあるテーマと関連する場所又は施設の現在の状況を示す実写映像をリアルタイムに取り込むための実写映像取り込み手段と、
前記実写映像取り込み手段により取り込まれた実写映像をリアルタイムに表示するための実写映像表示手段であって、前記単元又は項目提供手段により表示される「前記テーマに関連する場所又は施設の、前記単元又は項目が対象とする当時の状況を示す画像」と「前記テーマに関連する場所又は施設の現在の状況を示す実写映像」とが共に一つの画面上に表示されるように、前記実写映像を表示するための実写映像表示手段と、
を備えたことを特徴とする歴史又は地理の学習のためのシステム。
【請求項２】
地理の学習のためのシステムであって、
地理の学習内容を構成する複数の単元又は項目の内容を提示する単元又は項目提供手段であって、それぞれが「文字、図表又は画像を含む複数個の場面」から成っている各単元又は項目を、「前記各場面を所定の順序でユーザー側に対して表示すること」により、ユーザーに提供するようにしている単元又は項目提供手段と、
前記のある場面が出力されているとき、その場面によりユーザーが学習しようとする地理上のあるテーマと関連する場所又は施設の現在の状況を示す実写映像をリアルタイムに取り込むための実写映像取り込み手段と、
前記実写映像取り込み手段により取り込まれた実写映像をリアルタイムに表示するための実写映像表示手段であって、前記単元又は項目提供手段により表示される「前記テーマを説明するための図表又は画像」と「前記テーマに関連する場所又は施設の現在の状況を示す実写映像」とが共に一つの画面の中で表示されるように、前記実写映像を表示するための実写映像表示手段と、
を備えたことを特徴とする歴史又は地理の学習のためのシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーケンスパターンをループ再生して楽音波形を繰り返し生成する自動演奏手段と、
前記自動演奏手段により生成された楽音波形の録音および該録音した楽音波形の再生を行う波形録音再生手段と、
前記波形録音再生手段への録音の開始を指示する録音指示手段とを備え、
前記波形録音再生手段は、前記自動演奏手段による楽音波形の生成中に前記録音指示手段による録音の開始が指示されたときに、該自動演奏手段により生成中の楽音波形を、該楽音波形の生成に同期してあらかじめ指定されたループ１周分もしくは複数周分、該自動演奏手段によりループ再生中のシーケンスパターンの先頭に対応する楽音波形位置の情報を含んで録音するものであることを特徴とする電子楽器。
【請求項２】
前記波形録音再生手段は、前記自動演奏手段により生成中の楽音波形を、あらかじめ指定されたループ１周分もしくは複数周分録音した時点で、録音を終了するものであることを特徴とする請求項１記載の電子楽器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の電子楽器は、シーケンスパターンをループ再生して楽音波形を繰り返し生成する自動演奏手段と、
前記自動演奏手段により生成された楽音波形の録音およびその録音した楽音波形の再生を行う波形録音再生手段と、
前記波形録音再生手段への録音の開始を指示する録音指示手段とを備え、
前記波形録音再生手段は、前記自動演奏手段による楽音波形の生成中に前記録音指示手段による録音の開始が指示されたときに、該自動演奏手段により生成中の楽音波形を、該楽音波形の生成に同期してあらかじめ指定されたループ１周分もしくは複数周分、該自動演奏手段によりループ再生中のシーケンスパターンの先頭に対応する楽音波形位置の情報を含んで録音するものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月17日(2004.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ジャック小２０Ｂとレギュレチングアッセンブリ４０との距離Ｄは、レギュレチングボタン４０Ｂを調整することにより可変され、この距離Ｄを調整することにより接近ｄ（＝鍵盤を非常に低速度で押し下げてハンマー３１を回動させたときの弦１に最接近するハンマー３１と弦１との最小距離）が調整される。すなわち、接近ｄを大きくする場合は、距離Ｄを小さくしてジャック２０がバット２６から脱進を開始する時期を早め、接近ｄを小さくする場合は、距離Ｄを大きくしてジャック２０がバット２６から脱進を開始する時期を遅くする。なお、接近ｄは通常２〜３ｍｍ程度に調整されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素の画像データに対してエッジ強調処理を行う画像処理装置であって、
同画像データの画像の大きさを検知する画像面積検知手段と、
同検知された画像の大きさに応じて同画像が大きいときに強調度を大きくしてエッジ強調するエッジ強調手段を具備することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
上記請求項１に記載の画像処理装置において、上記画像面積検知手段は、上記画像データの画素数に応じて画像の大きさを検知することを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
上記請求項１または請求項２のいずれかに記載の画像処理装置において、上記エッジ強調手段は、エッジ強調処理における係数を変更してエッジの強調度を変化させることを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
上記請求項１〜請求項３のいずれかに記載の画像処理装置において、上記エッジ強調手段は、エッジ強調処理をアンシャープマスクを利用して行うことを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
上記請求項４に記載の画像処理装置において、上記エッジ強調手段は、上記アンシャープマスクの実質的な大きさを変更してエッジの強調度を変化させることを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
上記請求項４または請求項５のいずれかに記載の画像処理装置において、上記エッジ強調手段は、上記アンシャープマスクを利用する場合に周縁部の低数値マスク部分の演算を省略することを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】
上記請求項４〜請求項６のいずれかに記載の画像処理装置において、上記エッジ強調手段は、隣接する画素同士で画像データの差が大きい場合に上記アンシャープマスクの演算を行うことを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
上記請求項７に記載の画像処理装置において、上記エッジ強調手段は、隣接する画素同士での画像データの比較時に所定方向の画素とだけ比較することを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
上記請求項１〜請求項８のいずれかに記載の画像処理装置において、画像データが輝度に対応した複数の成分値で表される場合において、上記エッジ強調手段は、同成分値より輝度に対応する値を求めるとともに同値に基づいてエッジ強調のために上記各成分値に対する共通の増減値を求め、この増減値で同各成分値を増減せしめることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
上記請求項９に記載の画像処理装置において、上記上記エッジ強調手段は、上記画像データの成分値の重み付け加算値に基づいて上記輝度に対応する値を求めることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１１】
上記請求項９に記載の画像処理装置において、上記エッジ強調手段は、上記複数の成分値における全体の輝度への大なる貢献割合をもつ成分値を上記輝度に対応する値とすることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１２】
複数の画素の画像データに対してエッジ強調処理を行うにあたり、同画像データの画素数を検知し、同検知された画素数に応じて同画素数が大きいときに強調度を大きくしてエッジ強調することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】
コンピュータにて複数の画素の画像データを入力してエッジ強調処理を行う画像処理プログラムを記録した媒体であって、同画像データの画素数を検知し、同検知された画素数に応じて同画素数が大きいときに強調度を大きくしてエッジ強調することを特徴とする画像処理プログラムを記録した媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を複数の画素に分解して各画素の情報を表す画像データを入力し、各画素の輝度に相当する情報を色と見なして利用色数を検知する色数検知手段と、
この検知された利用色数の多少に基づいて画像の種類を判定する画像判定手段とを具備することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
上記請求項１に記載の画像処理装置において、画像データが輝度に対応した複数の成分値で表される場合において、上記色数検知手段は、同成分値の重みづけ積算により輝度を求めることを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
上記請求項１または請求項２のいずれかに記載の画像処理装置において、上記色数検知手段は、画像データからサンプリングした画素について色数を検知することを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
上記請求項１〜請求項３のいずれかに記載の画像処理装置において、上記画像判定手段は、利用色数が多い場合に自然画であると判定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
上記請求項４に記載の画像処理装置において、上記画像データが自然画であるときに輝度分布を拡大させる画像処理を行なうとともに非自然画であるときには輝度分布を拡大させないようにする画像処理手段を具備することを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
上記請求項４または請求項５のいずれかに記載の画像処理装置において、上記画像データが自然画であるときに彩度を強調させる画像処理を行なうとともに非自然画であるときには彩度を強調させないようにする画像処理手段を具備することを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】
上記請求項４〜請求項６のいずれかに記載の画像処理装置において、上記画像データが自然画であるときにエッジ強調させる画像処理を行なうとともに非自然画であるときにはエッジ強調させないようにする画像処理手段を具備することを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
上記請求項４〜請求項７のいずれかに記載の画像処理装置において、変換元の表色空間での格子点に変換先の表色空間での階調表色データを対応させたテーブルを備えつつ変換元の階調表色データを当該テーブルの格子点に対応した階調表色データに階調変換してから同テーブルを参照して対応する階調表色データを読み出して色変換するプレ階調変換手段と、上記テーブルの格子点間で補間演算にて対応する階調表色データに色変換可能であるとともにこの色変換の情報を保存する高速読込可能な記憶エリアを有して同記憶エリアに記憶されていない場合に補間演算で色変換させるキャッシュ利用の補間色変換手段とを有し、上記画像データが自然画であるときに同プレ階調変換手段を使用して色変換するし、同画像データが自然画でないときに同補間色変換手段を利用して色変換することを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
画像を複数の画素に分解して各画素の情報を表す画像データに対して所定の画像処理を行う画像処理方法であって、上記画像データを入力して各画素の輝度に相当する情報を色と見なして利用色数を検知して、この検知された利用色数の多少に基づいて画像の種類を判定することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
画像を複数の画素に分解して各画素の情報を表す画像データをコンピュータにて入力し、所定の画像処理を行う画像処理プログラムを記録した媒体であって、
上記画像データを入力して各画素の輝度に相当する情報を色と見なして利用色数を検知するステップと、
この検知された利用色数の多少に基づいて画像の種類を判定するステップとを具備することを特徴とする画像処理プログラムを記録した媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１にかかる発明は、画像を複数の画素に分解して各画素の情報を表す画像データを入力し、各画素の輝度に相当する情報を色と見なして利用色数を検知する色数検知手段と、この検知された利用色数の多少に基づいて画像の種類を判定する画像判定手段とを具備する構成としてある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上述したようにして、複数の対応関係を備えて画素に応じて対応関係を変える手法は、実体のある装置に限定される必要はなく、その方法としても機能することは容易に理解できる。このため、請求項９にかかる発明は、画像を複数の画素に分解して各画素の情報を表す画像データに対して所定の画像処理を行う画像処理方法であって、上記画像データを入力して各画素の輝度に相当する情報を色と見なして利用色数を検知して、この検知された利用色数の多少に基づいて画像の種類を判定する構成としてある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
発明の思想の具現化例として画像処理装置のソフトウェアとなる場合には、かかるソフトウェアを記録した記録媒体上においても当然に存在し、利用されるといわざるをえない。その一例として、請求項１０にかかる発明は、画像を複数の画素に分解して各画素の情報を表す画像データをコンピュータにて入力し、所定の画像処理を行う画像処理プログラムを記録した媒体であって、上記画像データを入力して各画素の輝度に相当する情報を色と見なして利用色数を検知するステップと、この検知された利用色数の多少に基づいて画像の種類を判定するステップとを具備する構成としてある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月12日(2004.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセル選択用第１ＭＩＳＦＥＴと容量素子からなるメモリセルにワード線とデータ線が接続されており、周辺回路部に第２ＭＩＳＦＥＴが形成されている半導体集積回路装置の製造方法において、
（ａ）半導体基板上に前記第１ＭＩＳＦＥＴおよび前記第２ＭＩＳＦＥＴのゲート電極、ソース・ドレイン領域を形成する工程、
（ｂ）前記半導体基板の主面上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁膜を開口して前記第１ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域のすくなくとも一方を露出する第１接続孔および周辺回路部の前記第２ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域の少なくとも一方を露出する第２接続孔を前記第１絶縁膜に形成し、前記第１接続孔および前記第２接続孔に第１導電膜を埋め込み第１プラグおよび第２プラグを形成する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に第２絶縁膜を堆積した後に、前記第２絶縁膜上面を平坦化する工程、
（ｅ）前記第２絶縁膜に溝を形成して前記第１プラグまたは前記第２プラグ上面を露出するように配線溝を形成する工程、
（ｆ）前記配線溝内および前記第２絶縁膜上に第２導電膜を堆積し、前記第２絶縁膜上の前記第２導電膜を除去し前記配線溝内に前記第２導電膜を残すようにする工程、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程における平坦化工程は、機械化学研磨方法により平坦化を行うものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
メモリセル選択用第１ＭＩＳＦＥＴと容量素子からなるメモリセルにワード線とデータ線が接続されており、周辺回路部に第２ＭＩＳＦＥＴが形成されている半導体集積回路装置の製造方法において、
（ａ）半導体基板上に前記第１ＭＩＳＦＥＴおよび前記第２ＭＩＳＦＥＴのゲート電極、ソース・ドレイン領域を形成する工程、
（ｂ）前記半導体基板の主面上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁膜を開口して前記第１ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域のすくなくとも一方を露出する第１接続孔を前記第１絶縁膜に形成し、前記第１接続孔に第１導電膜を埋め込み第１プラグを形成する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜を開口して周辺回路部の前記第２ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域の少なくとも一方を露出する第２接続孔を前記第１絶縁膜に形成し、前記第２接続孔に第２導電膜を埋め込み第２プラグを形成する工程、
（ｅ）前記第１絶縁膜上に第２絶縁膜・第３絶縁膜を堆積した後に、前記第３絶縁膜上面を平坦化する工程、
（ｆ）前記第２・第３絶縁膜に溝を形成して前記第１プラグまたは前記第２プラグ上面を露出するように配線溝を形成する工程、
（ｇ）前記配線溝内および前記第３絶縁膜上に第３導電膜を堆積し、前記第３絶縁膜上の前記第３導電膜を除去し前記配線溝内に前記第３導電膜を残すようにする工程、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｅ）工程における前記第３絶縁膜の平坦化は、機械化学研磨方法により平坦化を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程における前記第１プラグは、ポリシリコンプラグであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程における前記第２プラグは、タングステンプラグであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｆ）工程における前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜であり、前記第３絶縁膜はシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程における前記第１絶縁膜を開口して周辺回路部の前記第２ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域の少なくとも一方を露出する第２接続孔を前記第１絶縁膜に形成し、前記第２接続孔に第２導電膜を埋め込み第２プラグを形成する前に、前記周辺回路部の前記第１絶縁膜をエッチングバックすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
メモリセル選択用第１ＭＩＳＦＥＴと容量素子からなるメモリセルにワード線とデータ線が接続されており、周辺回路部に第２ＭＩＳＦＥＴが形成されている半導体集積回路装置の製造方法において、
（ａ）半導体基板上に前記第１ＭＩＳＦＥＴおよび前記第２ＭＩＳＦＥＴのゲート電極、ソース・ドレイン領域を形成する工程、
（ｂ）前記半導体基板の主面上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁膜を開口して前記第１ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域のすくなくとも一方を露出する第１接続孔を前記第１絶縁膜に形成し、前記第１接続孔に第１導電膜を埋め込み第１プラグを形成する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に第２絶縁膜・第３絶縁膜を堆積した後に、前記第３絶縁膜上面を平坦化する工程、
（ｅ）前記第２・第３絶縁膜に溝を形成して前記第１プラグ上面を露出するように配線溝を形成する工程、
（ｆ）前記配線溝内および前記第３絶縁膜上に第３導電膜を堆積し、前記第３絶縁膜上の前記第３導電膜を除去し前記配線溝内に前記第３導電膜を残すようにする工程、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程における前記第１プラグは、ポリシリコンプラグであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程における前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜であり、前記第３絶縁膜はシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
なお、上記技術が記載された文献としては、たとえば、１９９４年度アイ・イー・ディー・エム予稿集（ＩＥＤＭ｀９４）、ｐ６３５がある。
またＩＣ内の信号配線と電力用の電源配線・ＧＮＤ配線等における信号配線は薄い配線層で形成してファインピッチパターンとし、電源配線は厚い配線層を用いることは特開昭５８−１８９４１号公報、特開昭６１−２９４８５３号公報および特開平５−２３４９９２号公報に開示がある。メモリアレイ部の信号配線はメモリアレイ部以外の部分の配線より厚さを小さくして寄生容量を減らす配線構造は特開昭６１−１２３１７０号公報に開示がある。メモリセルのビット線に埋め込み配線を用いる構造は特願平８−１３８３１５号（特開平９−１３５００５号公報）および特開平８−３１９５０号公報に開示がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ入力端子と、制御入力端子と、電流発生器に接続される電流入力端子と、エミッタが共に前記電流入力端子に結合される第１及び第２トランジスタを具えている電流スイッチと、動作電圧に接続され、且つそれぞれのベース及びコレクタが交差結合され、それぞれのコレクタが関連する前記第１及び第２トランジスタのベースにそれぞれ結合されると共にそれぞれのエミッタが第１基準電圧に接続される第３及び第４トランジスタを具えているフリップフロップとを具えているＤ／Ａコンバータのメモリセル用回路装置において、
前記第３及び第４トランジスタの各コレクタを前記第１及び第２トランジスタのそれぞれのベースと、電流源とに直接接続し、前記第１基準電圧の値を、第２基準電圧と前記動作電圧との間の電圧値で、前記第２基準電圧とは少なくとも第１差動電圧分だけ異なる電圧値とし、且つ前記データ入力端子及び前記制御入力端子を少なくとも１個の第１制御トランジスタに結合させ、該制御トランジスタのコレクタを少なくとも前記第３又は第４トランジスタのベースに直接接続したことを特徴とするＤ／Ａコンバータのメモリセル用回路装置。
【請求項２】
前記第３及び第４トランジスタのコレクタに接続される前記電流源を第５トランジスタのコレクタによって形成し、該第５トランジスタがいくつかのコレクタを具え、且つ前記第３及び第４トランジスタの導電形とは反対の導電形を有するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
第２制御トランジスタを設け、前記２つの制御トランジスタの各コレクタを前記第３及び第４トランジスタのそれぞれのベースに接続し、前記第３及び第４トランジスタのベースをこれらトランジスタのうちのそれぞれ他方のトランジスタのコレクタに直接接続し、前記第１及び第２制御トランジスタのエミッタを互いに結合すると共に第１抵抗を介して前記制御入力端子に結合させ、前記２つの制御トランジスタのうちの一方のトランジスタのベースを前記データ入力端子に結合させ、前記２つの制御トランジスタのうちの他方のトランジスタのベースを前記第１基準電圧に接続したことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記第３及び第４トランジスタのコレクタをそれぞれのダイオードを介して前記動作電圧に接続し、且つ前記動作電圧が前記第１基準電圧とはダイオードの順方向電圧分だけ異なるようにしたことを特徴とする請求項３に記載の回路装置。
【請求項５】
前記第５トランジスタのベースを前記動作電圧に接続したことを特徴とする請求項４に記載の回路装置。
【請求項６】
前記第４トランジスタのベースを前記第３トランジスタのコレクタに直接接続し、前記第３トランジスタのベースを第２抵抗を介して前記第４トランジスタのコレクタに接続すると共に前記制御トランジスタのコレクタに接続し、該制御トランジスタのエミッタを第３抵抗を介して前記データ入力端子に接続すると共にベースを第４抵抗を介して前記制御入力端子に接続したことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路装置。
【請求項７】
前記第５トランジスタが２つ以上のコレクタを具え、該第５トランジスタが少なくとも２つのメモリセル用の回路装置に共通となるようにしたことを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の回路装置。