【手続補正書】
【提出日】平成15年10月16日(2003.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程を特徴とする、マグネシウム、チタン、ハロゲンおよび電子ドナーを含むオレフィン重合触媒成分の製造法、
（ｉ）アルコキシ部分を含むチタン不含マグネシウム化合物（ａ）（ここで、チタン不含マグネシウム化合物は、マグネシウムに結合したハロゲンおよびアルコキシドを含む化合物または複合体、マグネシウムジハライドおよびアルコールを含む複合体、および複合体でないマグネシウムジアルコキシドから成る群から選択される）を、該アルコキシ部分によるそのハロゲンの置換によって電子ドナーを形成し得るハロゲン化合物（ｂ）と反応させて中間体（ａｂ）を得る工程、および
（ii）該中間体（ａｂ）をチタンハライド（ｃ）と反応させる工程、または
（ｉ）’ アルコキシ部分を含むチタン不含マグネシウム化合物（ａ）（ここで、チタン不含マグネシウム化合物は、マグネシウムに結合したハロゲンおよびアルコキシドを含む化合物または複合体、およびマグネシウムジハライドおよびアルコールを含む複合体から成る群から選択される）を、チタンハライド（ｃ）と反応させて中間体（ａｃ）を得る工程、および
（ii）’該中間体（ａｃ）を該アルコキシ部分によるそのハロゲンの置換によって電子ドナーを形成し得るハロゲン化合物（ｂ）と反応させる工程、
ここで上記工程の少なくとも１つは溶液中で実施される。
【請求項２】
工程（ｉ）、（ii）、（ｉ）’および（ii）’ の全てが溶液中で行われることを特徴とする請求項1記載の方法。
【請求項３】
工程（ii）または工程（ii）’の反応生成物が沈殿によって回収されることを特徴とする請求項1または２記載の方法。
【請求項４】
該化合物（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を本質的に化学量論量で接触させる、または、該チタン不含マグネシウム化合物（ａ）に対して化学量論的過剰の、好ましくは化学量論的に５〜２０倍過剰の該チタンハライド（ｃ）が使用されることを特徴とする請求項1、２または３記載の方法。
【請求項５】
該マグネシウムジハライドがマグネシウムジクロライドＭｇＣｌ2であることを特徴とする請求項1〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
該ハロゲン化合物（ｂ）が有機酸ハライド、好ましくはフタル酸ジクロライドＰｈ（ＣＯＣｌ）2［ここで、Ｐｈはｏ−フェニレンである］であり、それによって、それから形成される電子ドナーが、対応して、有機酸エステル、好ましくは、フタル酸ジエステルＰｈ（ＣＯＯＲ）2［ここで、ＲはＣ1〜Ｃ20アルキルまたはＣ7〜Ｃ27 アラルキルである］、より好ましくはジ−Ｃ6〜Ｃ16アルキルフタレート、最も好ましくはジオクチルフタレートであることを特徴とする請求項1〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
該チタンハライド（ｃ）がチタンテトラハライド、好ましくはチタンテトラクロライドＴｉＣｌ4であることを特徴とする請求項1〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
（ｉ）該チタン不含マグネシウム化合物（ａ）としての、マグネシウムに結合したハロゲンおよびアルコキシドを含む該化合物または複合体を、該ハロゲン化合物（ｂ）と反応させて中間体（ａｂ）を得る工程、および
（ii）該中間体（ａｂ）を該チタンハライド（ｃ）と反応させる工程、または、
（ｉ）’ 該チタン不含マグネシウム化合物（ａ）としての、該マグネシウムジハライドと該マグネシウムジアルコキシドとの該複合体を、該チタンハライド（ｃ）と反応させさせて中間体（ａｃ）を得る工程、および
（ii）’該中間体（ａｃ）を該ハロゲン化合物（ｂ）と反応させる工程
を特徴とする請求項1〜７のいずれか１項記載の方法、
【請求項９】
該チタン不含マグネシウム化合物（ａ）としての、マグネシウムに結合したハロゲンおよびアルコキシドを含む該化合物または複合体が、マグネシウムジハライドとマグネシウムジアルコキシドとの複合体、より好ましくは、マグネシウムジクロライド−ジマグネシウムジアルコキシド複合体ＭｇＣｌ2・［Ｍｇ（ＯＲ）2］2［ここで、ＲはＣ1〜Ｃ20アルキルまたはＣ7〜Ｃ27アラルキル、最も好ましくはＣ6〜Ｃ16アルキルである］であり、該複合体が、好ましくは、マグネシウムジクロライドＭｇＣｌ2をアルコールＲＯＨと反応させて中間体を得、そして得られた中間体をジアルキルマグネシウムＭｇＲ”’2［ここで、Ｒ”’はＲに関して定義した通りである］と反応させることにより製造されることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
（ｉ）’該マグネシウムジクロライド−ジマグネシウムジアルコキシド複合体ＭｇＣｌ2・［Ｍｇ（ＯＲ）2］2（ａ）［ここで、ＲはＣ1〜Ｃ20アルキルまたはＣ7〜Ｃ27アラルキル、好ましくはＣ6〜Ｃ16アルキルである］を、該チタンテトラクロライドＴｉＣｌ4である該チタンハライド（ｃ）と反応させて中間体（ａｃ）を得る工程、および
（ii）’該中間体（ａｃ）を、該フタル酸ジクロライドＰｈ（ＣＯＣｌ）2［ここで、Ｐｈはｏ−フェニレンである］である該ハロゲン化合物（ｂ）と反応させる工程
を特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
（ｉ）該マグネシウムジハライドと該アルコールとの該複合体および該複合体でないマグネシウムジアルコキシドから選択される該チタン不含マグネシウム化合物（ａ）を該ハロゲン化合物（ｂ）と反応させて、該マグネシウムジハライドと該電子ドナーとの複合体である中間体（ａｂ）を得る工程、および
（ii）該マグネシウムジハライドと該電子ドナーとの複合体である該中間体（ａｂ）を該チタンハライド（ｃ）と反応させる工程
を特徴とする請求項1〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
該マグネシウムジハライドと該アルコールとの該複合体が、マグネシウムジクロライド−アルコール複合体ＭｇＣｌ2・（ＲＯＨ）m［ここで、ＲはＣ1〜Ｃ20アルキルまたはＣ7〜Ｃ27アラルキル、好ましくはＣ6〜Ｃ16アルキルであり、ｍは１〜６である］であること、および、該複合体でないマグネシウムアルコキシドがマグネシウムジアルコキシドＭｇ（ＯＲ）2［ここで、ＲはＣ1〜Ｃ20アルキルまたはＣ7〜Ｃ27アラルキル、好ましくはＣ6〜Ｃ16アルキルである］であり、好ましくは、マグネシウムジアルキルとアルコールＲＯＨとを反応させることによって製造されることを特徴とする請求項1１記載の方法。
【請求項１３】
（ｉ）’該マグネシウムジハライドと該アルコールとの該複合体である該チタン不含マグネシウム化合物（ａ）を該チタンハライド（ｃ）と反応させて、中間体（ａｃ）を得る工程、および
（ii）’該中間体を該ハロゲン化合物（ｂ）と反応させる工程
を特徴とする請求項1〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
該マグネシウムジハライドと該アルコール化合物との該複合体がマグネシウムジクロライド−アルコール複合体ＭｇＣｌ2・（ＲＯＨ）m［ここで、ＲはＣ1〜Ｃ20アルキルまたはＣ7〜Ｃ27アラルキル、好ましくはＣ6〜Ｃ16アルキルであり、ｍは１〜６である］であることを特徴とする請求項1３記載の方法。
【請求項１５】
（ｉ）’該マグネシウムジクロライド−アルコール複合体ＭｇＣｌ2・（ＲＯＨ）m［ここで、ＲはＣ1〜Ｃ20アルキルまたはＣ7〜Ｃ27アラルキル、好ましくはＣ6〜Ｃ16アルキルであり、ｍは１〜６である］である該チタン不含マグネシウム化合物（ａ）を、該チタンテトラクロライドＴｉＣｌ4である該チタンハライド（ｃ）と反応させて中間体（ａｃ）を得る工程、および
（ii）’該中間体（ａｃ）を、該フタル酸ジクロライドＰｈ（ＣＯＣｌ）2［ここで、Ｐｈはｏ−フェニレンである］である該ハロゲン化合物（ｂ）と反応させる工程
を特徴とする請求項1４記載の方法。
【請求項１６】
工程（ii）において、該中間体（ａｂ）が好ましくは滴下により該チタンハライド（ｃ）に加えられ、該チタンハライド（ｃ）が液状であり、好ましくは高温、最も好ましくは７５〜１５０℃であることを特徴とする請求項８〜１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
（iii）工程（ii）または（ii）’で得られた反応生成物を該チタンハライド（ｃ）でさらに処理し、および／またはトルエンもしくはその他の芳香族炭化水素または該芳香族炭化水素と同じ溶解度パラメーターを有する有機液体で洗浄し、好ましくは繰り返し洗浄する工程
を特徴とする請求項８〜１６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項記載の方法によって製造されることを特徴とする、マグネシウム、チタン、ハロゲンおよび電子ドナーを含む触媒成分。
【請求項１９】
マグネシウムジハライド、好ましくはマグネシウムジクロライド、ハロゲン化合物のハロゲンをアルコキシ基によって置換することにより得られる電子ドナー、好ましくはフタル酸ジエステル、およびチタンハライド、好ましくはチタンテトラクロライドの単離された複合体であることを特徴とする請求項１８記載の触媒成分。
【請求項２０】
該複合体が、１６°〜１８°２θにピークを示す結晶高を含むＸ線パターン（Siemens D500装置、ＣｕＫα放射線波長１．５４１オングストローム、エフェクト４０ｋVおよび３５ｍA）を有することを特徴とする請求項１９記載の触媒成分。
【請求項２１】
該複合体が該成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の化学量論量を接触させることにより製造されることを特徴とする請求項１８、１９または２０記載の触媒成分。
【請求項２２】
該複合体が、５°〜１０°２θにピークを示すＸ線回折パターン（Siemens D500装置、ＣｕＫα放射線波長１．５４１オングストローム、エフェクト４０ｋVおよび３５ｍA）を有することを特徴とする請求項１８〜２１のいずれか１項記載の触媒成分。
【請求項２３】
触媒合成においてＴｉＣｌ3ＯＲ廃棄物が製造されないことを特徴とする請求項１８〜２２のいずれか１項記載の触媒成分。
【請求項２４】
請求項１８〜２３のいずれか１項記載の触媒成分をα−オレフィン、好ましくはプロペンの重合に使用する方法。
【請求項２５】
周期表（ＩＵＰＡＣ１９９０）の１、２または１３族に属する金属の有機金属化合物、好ましくはアルキルアルミニウム化合物を含む触媒成分がさらに使用される、請求項２４記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
工程（ｉ）、（ii）、（ｉ）’および（ii）’ の少なくとも１つ、最も好ましくは全てが溶液中で行われる。次いで、工程（ii）または（ii）’の反応生成物が、好ましくは沈殿によって回収される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
好ましくは、該ハロゲン化合物（ｂ）は、式Ｒ”（ＣＯＸ’）n［ここで、Ｒ”は１〜２０個の炭素原子を有するｎ価の有機基、好ましくはｎ価のベンゼン環であり、Ｘ’は、ハロゲン、好ましくは塩素であり、ｎはＲ”の原子価であり１〜６、好ましくは１、２、３または４、より好ましくは２である。］を有する有機酸ハライドである。最も好ましくは、該ハロゲン化合物はフタル酸ジクロライドＰｈ（ＣＯＣｌ）2［ここで、Ｐｈはｏ−フェニレンである］である。対応して、それから形成される電子ドナーは、好ましくは、式Ｒ”（ＣＯＯＲ）n［ここで、Ｒはｎ価のＣ1〜Ｃ20脂肪族基またはｎ価のＣ7〜Ｃ27 アリール脂肪族基であり、Ｒ”およびｎは上記と同じである］を有する有機酸エステルであり、より好ましくはフタル酸ジエステルＰｈ（ＣＯＯＲ）2［ここで、ＲはＣ1〜Ｃ20アルキルまたはＣ7〜Ｃ27 アラルキル、より好ましくはＣ6〜Ｃ16アルキルである］である。最も好ましくは、該電子ドナーはジオクチルフタレートである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
触媒の活性
全ての触媒複合体を、実験の項の記載に従って試験重合した。結果を表６に示す。結果は、全ての触媒複合体がほぼ同じ活性を有し、１．０〜１．５ｋｇＰＰ／ｇ触媒であることを示す。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
実施例８（第二の主要な実施態様）、９および１０（第三の主要な実施態様）
次の試薬を使用する。すなわち、ＭｇＣｌ2またはＭｇＲ2、２−エチルヘキサノール（ＥＨＡ）、フタロイルジクロライド（ＰＤＣ）およびＴｉＣｌ4であり、それらを１：２：１：１の分子比で添加する。第一の合成（実施例８）では、Ｍｇ−アルキルをアルコールと反応させ、次いでフタロイルジクロライド（ＰＤＣ）を添加し、最後にＴｉＣｌ4を添加する。次の２つの合成（実施例９および１０）では、Ｍｇ−アルキルがＭｇＣｌ2で置き換えられる。ＴｉＣｌ4またはフタロイルクロライドのいずれかが次の工程で添加され、続いて最後の試薬が添加される。合成の構成を表１６に示す。