Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射による結晶とアモルファスの相転移現象を利用した光記録媒体において、
溝を形成した基板上に反射放熱層、第１の保護層、記録層、第２の保護層をこの順序で積層した構成とし、該第２の保護層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物よりなり、該記録層はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主たる構成元素とし、該反射放熱層はＡｇ合金よりなる記録媒体であって、該第２の保護層上に接着層とカバー層を構成し、該第１保護層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物層とＡl２Ｏ３層の２層からなり、該Ａl２Ｏ３層が該反射放熱層側に位置することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の光記録媒体において、
前記第１保護層のＡl２Ｏ３層の膜厚が、該第１保護層のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物層の膜厚の１／５以上、１／２以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２記載の光記録媒体において、
前記第１保護層のAl２Ｏ３層の膜厚が、前記反射放熱層の膜厚の０．２０以上、０．８０以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載の光記録媒体において、
前記カバー層にハードコートを形成したことを特徴とする光記録媒体。
【請求項５】
請求項４記載の光記録媒体において、
前記ハードコートの膜厚が１μｍ以上、５μｍ未満である事を特徴とする光記録媒体。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載の光記録媒体において、
前記基板の溝形状におけるグルーブの幅の平均がトラックピッチの０．３以上、０．５以下であることを特徴とする光記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項６記載の発明では、請求項１乃至５の何れかに記載の光記録媒体において、前記基板の溝形状におけるグルーブの幅の平均がトラックピッチの０．３以上、０．５以下である、という構成を採っている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
請求項６記載の発明によれば、請求項１乃至５の何れかに記載の光記録媒体において、前記基板の溝形状におけるグルーブの幅の平均がトラックピッチの０．３以上、０．５以下である構成としたので、このような光記録媒体において、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主たる構成元素とした相変化記録層で高速、高密度記録が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を形成した薄膜磁気ヘッドであって、磁気ディスクに記録された信号を読取る際に利用される第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子の近傍であって、前記薄膜磁気ヘッドの浮上面に端部を露出して形成された第２の磁気抵抗効果素子を備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を形成した薄膜磁気ヘッドであって、基板上に第１の磁気抵抗効果素子と、第２の磁気抵抗効果素子とを近接させて備えてなり、前記第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とが形成された面に対して直交する前記基板の一面をスライダ面となすことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１の磁気抵抗効果素子と前記第２の磁気抵抗効果素子とが、各々電極に挟まれて形成された磁気抵抗効果膜を備えてなることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
２組の前記電極と前記磁気抵抗効果膜とが各々幾何学的に同一形状をなすことを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第１の磁気抵抗効果素子が、下部シールド膜と上部シールド膜とに挟まれて形成された第１の磁気抵抗効果膜を備えてなることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第１の磁気抵抗効果素子が磁気記録媒体からの磁気信号を再生する手段として用いられ、前記第２の磁気抵抗効果素子が前記スライダ面の研磨加工量を計測する手段として用いられてなることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記基板がＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣまたはＳｉＣ等からなる非磁性体であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を形成した薄膜磁気ヘッドであって、基板上に第１の磁気抵抗効果素子と、該第１の磁気抵抗効果素子の磁気抵抗を検出するための第１の接続用端子と、前記第１の磁気抵抗効果素子に近接して設けられた第２の磁気抵抗効果素子と、該第２の磁気抵抗効果素子の抵抗を検出するための第２の接続用端子とを備えてなることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、無作為に３０個の薄膜磁気ヘッドを抽出した場合に、磁気記録媒体と対向する面である浮上面の形状を表わすクラウンのばらつき３σが１．４ｎｍ以下であり、キャンバーのばらつき３σが１．０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、磁気記録媒体と対向する面である浮上面とほぼ直角方向の前記磁気抵抗効果素子の端部から浮上面までの距離の寸法ばらつき３σが、無作為に１０個の薄膜磁気ヘッドを抽出した場合に０．０２６μｍ以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果素子の抵抗ばらつき３σと抵抗の平均値との比が、無作為に１０個の薄膜磁気ヘッドを抽出した場合に０．１１以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、磁気記録媒体と対向する面である浮上面の形状を表わすクラウンの寸法ばらつき３σが１．４ｎｍ以下であり、前記浮上面とほぼ直角方向の前記磁気抵抗効果素子の端部から前記浮上面までの距離の寸法ばらつき３σが０．０２６μｍ以下であるように、前記浮上面と前記磁気抵抗効果素子とが形成されてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、磁気記録媒体と対向する面である浮上面の形状を表わすクラウンの寸法ばらつき３σが１．４ｎｍ以下であり、前記磁気抵抗効果素子の抵抗ばらつき３σと抵抗の平均値との比が０．１１以下であるように前記浮上面と前記磁気抵抗効果素子とが形成されてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
薄膜形成技術により基板上に再生素子を形成し、基板を切断することによりスライダを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、前記基板上に、前記再生素子を構成する第１の磁気抵抗効果素子と、第２の磁気抵抗効果素子を形成し、前記第１と第２の磁気抵抗効果素子を含むように前記基板を切断して前記スライダを形成し、  前記スライダの、前記第１と第２の磁気抵抗効果素子が形成された面に対して直行する面を、前記第２の磁気抵抗効果素子の測定した抵抗値を用いて研磨することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、基板上に第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とを形成する工程と、前記第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とを含むようにしてスライダに切断する工程と、該スライダの磁気記録媒体と対向する面と反対の面を弾性体を介して研磨装置に装着して、前記第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子に直交する面を研磨する工程とを備えてなり、前記スライダ毎に研磨を行なうことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記研磨工程において、前記第２の磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出して、該抵抗値または該抵抗値から換算した第２の磁気抵抗効果素子の高さ寸法が所定の値に達したとき、前記研磨工程が終了することを特徴とする請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
誘導型磁気変換素子及び磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、基板上に第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とを形成する工程と、前記第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とを含むようにしてスライダに切断する工程と、少なくともひとつ以上のスライダの磁気記録媒体と対向する面と反対の面を弾性体を介して研磨装置に装着して、前記第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子に直交する面を研磨する工程とを備えてなり、前記スライダ毎に形成された第２の磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出して、該抵抗値または該抵抗値から換算した第２の磁気抵抗効果素子の高さ寸法が所定の値に達したとき、前記研磨工程が終了することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記研磨工程において、前記第２の磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出して、該抵抗値または該抵抗値から換算した第２の磁気抵抗効果素子の高さ寸法が所定の値に達したとき、前記スライダの研磨面と前記研磨装置の研磨盤表面とを非接触状態にして研磨を終了させることを特徴とする請求項１４乃至１７の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記研磨工程において、前記第２の磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出して、該抵抗値または該抵抗値から換算した第２の磁気抵抗効果素子の高さ寸法が所定の値に達したとき、当該のスライダのみ研磨を終了させることを特徴とする請求項１４乃至１７の何れかにに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状記録媒体が収納された回転自在のインナ−ロータと、そのインナ−ロータの回転によってピックアップ挿入口を内側から開閉するシャッタとが備えられたディスクカートリッジの前記ディスク状記録媒体を記録及び／又は再生するディスクドライブ装置であって、
前記ディスクカートリッジに対して相対的にスライド駆動されて、前記インナ−ロータの前記ディスクカートリッジ内でのロックの解除と、前記インナ−ロータの回転駆動とを順次行うラック部材を備えた
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項２】
前記ディスクカートリッジに設けられて、前記インナーロータをロックするロック部材のロック解除を、前記ラック部材に設けられて、前記インナ−ロータの外周ギアを回転駆動するラックの刃先で行うように構成された
ことを特徴とする請求項１に記載のディスクドライブ装置。
【請求項３】
前記ラックの刃先に対する前記ロック部材の接触端面がラックのピッチより長く構成されている
ことを特徴とする請求項２に記載のディスクドライブ装置。
【請求項４】
前記ディスクカートリッジに設けられて、前記インナーロータをロックするロック部材のロック解除を行うラックと、前記インナーロータを回転駆動開始して該インナーロータの外周ギヤに前記ラックを噛合するシャッター開閉開始用凸部とが前記ラック部材に設けられている
とする請求項１に記載のディスクドライブ装置。
【請求項５】
ディスク状記録媒体が収納された回転自在のインナ−ロータと、そのインナ−ロータの回転によってピックアップ挿入口を内側から開閉するシャッタとが備えられたディスクカートリッジの前記ディスク状記録媒体を記録及び／又は再生するディスクドライブ装置であって、
前記ディスクカートリッジに対して相対的にスライド駆動されラック部材によって前記インナーロータのロック解除と、該インナーロータの回転駆動による前記シャッターの開放とが順次行われるように構成された
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
なお、図１４の（Ａ）は、ラック部材７１の他方の側面（ディスクカートリッジ１側とは反対側の面）７１ｃを後述するカートリッジホルダ６４等で形成したスライド基準部６５で受け止める。そして、ディスクカートリッジ１の他方の側面１ｄを板ばねやコイルばね等の側圧ばね６６によってｊ方向から押圧して、その反力によってラック部材７１の一方の側面７１ｃをディスクカートリッジ１の基準面３３に矢印ｋ方向から弾性的に押圧するように構成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗固体記憶装置を検査する方法であって、
使用時に少なくとも１つのECC符号化データブロックを記憶するよう構成された一組の磁気抵抗記憶セルにアクセスし、
該アクセスされた一組の記憶セルが、使用時に少なくとも１つのECC符号化データブロックを記憶するのに適しているか否かを判定する、
という各ステップを含む方法。
【請求項２】
使用時に情報が回復不能となり又は訂正誤りが発生する確率が、許容可能な確率よりも大きいか否かを判定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記一組の記憶セルにアクセスすることから１つ又は２つ以上の障害セルを判定し、該障害セルにより使用時に影響を受けることになるECC符号化データブロック内のシンボルを判定する、という各ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記一組の記憶セルにアクセスすることから１つ又は２つ以上の障害セルを判定し、該識別された障害セルの位置を判定し、該位置における障害セルにより使用時に影響を受けることになるECC符号化データの１つ又は２つ以上のシンボルを判定する、という各ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
使用時に該ECC符号化データブロックを誤り訂正復号化することにより確実に訂正することができる障害シンボルよりも多くの障害シンボルがECC符号化データブロック内に存在するか否かを判定するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記一組の記憶セルの各々毎にパラメータ値を取得し、
各パラメータ値を１つ又は２つ以上の範囲と比較し、
該パラメータ値が１つ又は２つ以上の障害範囲内にある場合に前記一組の記憶セルの中の１つ又は２つ以上の障害セルを物理的な障害により影響を受けているものとして識別する、
という各ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
論理ビット値が導出可能である記憶セルを識別するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記識別された障害セルに基づいて障害カウントを形成し、該障害カウントをしきい値と比較する、という各ステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記識別された障害セルを使用して障害シンボルを判定するステップを含み、前記障害カウントが該障害シンボルに基づくものである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記しきい値が、前記アクセスされた一組の記憶セルに記憶されるべきECC符号化データブロックを誤り訂正復号化することにより使用時に信頼性をもって訂正することができる障害シンボルの総数以下である障害シンボル数を表すものである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記しきい値が、前記ECC符号化データブロックを誤り訂正復号化することにより信頼性をもって訂正することができる障害シンボルの最大数の約50〜95％の範囲となるよう設定される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記一組の記憶セルに検査データを書き込み、
該一組の記憶セルから該検査データを読み出し、
前記書き込まれた検査データを前記読み出された検査データと比較して、前記一組の記憶セルの中の１つ又は２つ以上の障害セルを物理的な障害による影響を受けているものとして識別する、
という各ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記識別された障害セルに基づいて障害カウントを形成し、該障害カウントをしきい値と比較する、という各ステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記識別された障害セルを使用して障害シンボルを判定するステップを含み、前記障害カウントが該障害シンボルに基づくものである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記しきい値が、前記アクセスされた一組の記憶セルに記憶されるべきECC符号化データブロックを誤り訂正復号化することにより使用時に信頼性をもって訂正することができる障害シンボルの総数以下である障害シンボルの数を表すものである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記しきい値が、前記ECC符号化データブロックを誤り訂正復号化することにより訂正することができる障害シンボルの最大数の約50〜95％の範囲となるよう設定される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
磁気抵抗固体記憶装置を制御する方法であって、
使用時に少なくとも１つのECC符号化データブロックを記憶するよう構成された一組の磁気抵抗記憶セルにアクセスし、
該一組の記憶セルにアクセスすることにより取得されたパラメータ値を１つ又は２つ以上の範囲と比較し、
該アクセスされた一組の記憶セル中の障害セルを識別し、
該識別された障害セルに基づいて障害カウントを形成し、
該障害カウントをしきい値と比較し、
前記アクセスされた一組の記憶セルが、使用時に少なくとも１つのECC符号化データブロックを記憶するのに適しているか否かを判定する、
という各ステップを含む方法。
【請求項１８】
磁気抵抗固体記憶装置を制御する方法であって、
使用時に少なくとも１つのECC符号化データブロックを記憶するよう構成された一組の磁気抵抗記憶セルにアクセスし、
該アクセスされた一組の記憶セルに検査データを書き込み、
該アクセスされた記憶セルから該検査データを読み出し、
前記書き込まれた検査データを前記読み出された検査データと比較して、前記アクセスされた一組の記憶セル中の障害セルを識別し、
該識別された障害セルに基づいて障害カウントを形成し、
該障害カウントをしきい値と比較し、
前記アクセスされた一組の記憶セルが、使用時に少なくとも１つのECC符号化データブロックを記憶するのに適しているか否かを判定する、
という各ステップを含む方法。
【請求項１９】
磁気抵抗固体記憶装置を制御する方法であって、
使用時に少なくとも１つのECC符号化データブロックを記憶するよう構成された一組の磁気抵抗記憶セルにアクセスし、
該一組の記憶セルにアクセスすることにより取得されたパラメータ値を１つ又は２つ以上の範囲と比較することにより、該アクセスされた一組の記憶セル中の障害セルを識別し、
該アクセスされた一組の記憶セル内の検査データについて書き込み・読み出し・比較処理を実行することにより、該アクセスされた一組の記憶セル中の障害セルを識別し、
該識別された障害セルに基づいて障害カウントを形成し、
該障害カウントをしきい値と比較し、
前記アクセスされた一組の記憶セルが、使用時に少なくとも１つのECC符号化データブロックを記憶するのに適しているか否かを判定する、
という各ステップを含む方法。
【請求項２０】
磁気抵抗固体記憶装置であって、
複数の磁気抵抗記憶セルの少なくとも１つのアレイと、
使用時に特定の単位のオリジナル情報からECC符号化データブロックを形成するECC符号化ユニットと、
該ECC符号化データブロックを前記一組の記憶セルに記憶するよう構成されたコントローラと、
前記一組の記憶セルにアクセスして、該アクセスされた一組の記憶セルが使用時に前記ECC符号化データブロックを記憶するのに適している否かを判定するよう構成された検査ユニットと
を含む装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の磁気抵抗固体記憶装置を備えた機器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記憶セルを有する固体記憶装置に格納されたＥＣＣ符号化データを誤り訂正復号化するための方法であって、
１組の記憶セルからパラメータ値を取得するステップと、
前記取得したパラメータ値を使用して、格納されたＥＣＣ符号化データのブロックを生成するステップと、
前記取得したパラメータ値を使用して、前記格納されたＥＣＣ符号化データのブロックの消去情報を作成するステップと、及び
前記消去情報を基準として、前記格納されたＥＣＣ符号化データのブロックを誤り訂正復号化するステップとからなる、方法。
【請求項２】
前記１組の記憶セルを読み取るステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記取得したパラメータ値を基準として論理値を生成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記取得したパラメータ値を範囲と比較するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記装置が、磁気抵抗固体記憶装置である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記取得したパラメータ値が、前記１組の記憶セルのそれぞれに対する抵抗値または時間値を含み、前記取得したパラメータ値が、センス電流から得られる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記作成するステップが、前記取得したパラメータ値を範囲と比較して、前記記憶セルの中の物理的障害を推測するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記生成するステップが、前記符号化データのブロックの複数のシンボルの論理値を生成するステップを含み、前記作成するステップが、１つまたは複数の前記シンボルを消去として識別するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記パラメータ値から論理値を得ることができない場合に、前記消去情報が、前記符号化データのブロック内の１つまたは複数のシンボルを識別する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記パラメータ値から得られた論理値が信頼できないと考えられる場合に、前記消去情報が、前記符号化データのブロック内の１つまたは複数のシンボルを識別する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記復号化するステップが、前記消去情報を基準として、前記符号化データのブロック内のゼロまたはそれよりも多くの誤りの場所を識別するステップと、それぞれの識別した誤りを、計算された正しい値と置き換えるステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記復号化するステップが、前記消去情報を使用して、前記符号化データのブロック内のゼロまたはそれよりも多くの障害のあるシンボルの場所を識別するステップと、識別したそれぞれの障害のあるシンボルを、計算された正しい値と置き換えるステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
訂正した符号化データを前記記憶セルに書き戻すステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記書き戻すステップが、前記消去情報を基準として、訂正した符号化データを前記記憶セルに選択的に書き戻すステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記書き戻すステップが、訂正した符号化データを、物理的障害による影響を受けたと判定された記憶セルに選択的に書き戻さないステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
オリジナル情報の論理単位を符号化してＥＣＣ符号化データのブロックを作成するステップと、及び
前記ＥＣＣ符号化データのブロックを前記記憶セルのアレイに格納するステップとをさらに含み、
前記復号化するステップが、前記ＥＣＣ符号化データの格納されたブロックから前記オリジナル情報の論理単位を回復することを試みる、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
記憶セルの少なくとも１つのアレイと、
１組の前記記憶セルからパラメータ値を取得し、前記取得したパラメータ値を使用して格納されたＥＣＣ符号化データのブロックを生成するためのアレイコントローラであって、前記取得したパラメータ値を使用して、前記格納されたＥＣＣ符号化データのブロックの消去情報を作成することを含む、アレイコントローラと、及び
前記消去情報を基準として、前記格納されたＥＣＣ符号化データのブロックを復号化するためのＥＣＣ復号化ユニットとを含む、固体記憶装置。
【請求項１８】
前記固体記憶装置が磁気抵抗固体記憶装置である、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
磁気抵抗記憶セルの少なくとも１つのアレイと、
オリジナル情報を受け取り、ＥＣＣ符号化データのブロックを作成するためのＥＣＣ符号化ユニットと、
前記ＥＣＣ符号化データのブロックを前記記憶セルのアレイに格納するためのコントローラと、
１組の前記記憶セルからパラメータ値を取得し、その取得したパラメータ値を使用して、格納されたＥＣＣ符号化データのブロックを生成するためのアレイコントローラであって、前記取得したパラメータ値を使用して、前記格納されたＥＣＣ符号化データのブロックの消去情報を作成することを含む、アレイコントローラと、及び
前記消去情報を基準として、前記格納されたＥＣＣ符号化データのブロックを復号化するためのＥＣＣ復号化ユニットとを含む、磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項２０】
請求項１９による磁気抵抗記憶装置を組み込む、機器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光デバイスの一部となる構造体の上に有機層を形成させるのに適した昇華性有機材料の取扱い方法であって、
a)当該昇華性有機材料を用意し、
b)熱伝導性非昇華性材料を用意し、そして
c)該昇華性有機材料と該熱伝導性非昇華性材料とを所定の割合で含む混合物を形成する
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
該昇華性有機材料と該熱伝導性非昇華性材料を粉末形態で用意する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
有機発光デバイスの一部となる構造体の上に有機層を形成させるのに適した昇華性有機材料の取扱い方法であって、
a)当該昇華性有機材料を粉末形態で用意し、
b)熱伝導性非昇華性材料を粉末形態で用意し、
c)該昇華性有機材料粉末と該熱伝導性非昇華性材料粉末とを所定の割合で含む混合物を形成し、そして
d)該混合物をダイに入れ、該ダイ内の該混合物に、該粉末混合物が団結して固形ペレットとなるように十分な圧力をかける
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
さらに該ペレットを該ダイから取り出すことを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法により得られたペレット。
【請求項６】
有機発光デバイスの一部となる構造体の上に有機材料から有機層を形成する方法であって、
a)昇華性有機材料と熱伝導性非昇華性材料とを所定の割合で含む混合物を、チャンバ内に配置された熱物理蒸着源に入れ、
b)該構造体を、該チャンバ内に、該蒸着源から一定の間隔を置いて配置し、
c)該チャンバを排気して減圧にし、そして
d)該蒸着源を加熱することにより該昇華性有機材料を気化させて該有機層を形成させる
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月5日(2004.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】偏光フィルム及び発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜、ＡｌXＮYで示される材料でなる膜、もしくはＡｌ2Ｏ3で示される材料でなる膜から選ばれた積層膜またはそれらの単層膜が表面に設けられていることを特徴とする偏光フィルム。
【請求項２】
請求項１において、前記ＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜は、窒素を２．５〜４７．５ａｔｍ％含むことを特徴とする偏光フィルム。
【請求項３】
請求項１または２において、前記ＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜、ＡｌXＮYで示される材料でなる膜、もしくはＡｌ2Ｏ3で示される材料でなる膜から選ばれた積層膜またはそれらの単層膜の合計の膜厚は、５０〜５００ｎｍであることを特徴とする偏光フィルム。
【請求項４】
陰極と、前記陰極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を有する発光装置であって、
前記発光装置に、ＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜の単層膜または積層膜が表面に設けられた円偏光板が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４において、前記円偏光板の一方の面または双方の面にＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜の単層膜または積層膜を有していることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項４において、前記円偏光板の一方の面にＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜の単層膜または積層膜を有し、他方の面に有する接着材によって前記発光装置に接着されていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
陰極と、前記陰極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を第１の基板と第２の基板との間に挟んだ発光装置であって、
前記第１の基板または前記第２の基板の一方に、ＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜、ＡｌXＮYで示される材料でなる膜、もしくはＡｌ2Ｏ3で示される材料でなる膜から選ばれた積層膜または単層膜が表面に設けられた円偏光板が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７において、前記円偏光板は、前記第１の基板または前記第２の基板の一方に接着材で固定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
プラスチック基板上にＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜と有機樹脂からなる膜とが積層され、
前記積層された前記ＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜と前記有機樹脂からなる膜上に、陰極と、前記陰極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子が形成され、
前記発光素子上に、ＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜の単層膜または積層膜が表面に設けられた円偏光板が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記有機樹脂からなる膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、もしくはエポキシ樹脂から選ばれた積層膜またはそれらの単層膜からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項４乃至１０のいずれか一において、前記ＡｌＮXＯYで示される層は、窒素を２．５〜４７．５ａｔｍ％含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
陰極と、前記陰極に接する有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層に接する陽極とを有する発光素子を有する発光装置であって、
前記発光装置に、ＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜が表面に設けられた円偏光板が設けられ、
前記ＡｌＮXＯYで示される材料でなる膜は、前記発光素子との距離が遠ざかるにつれ窒素の濃度が減少していることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項４乃至１２のいずれか一において、前記ＡｌＮXＯYで示される層の膜厚は、５０〜５００ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項４乃至１３のいずれか一に記載の発光装置を組み込んだカメラ。
【請求項１５】
請求項４乃至１３のいずれか一に記載の発光装置を組み込んだカーナビゲーション。
【請求項１６】
請求項４乃至１３のいずれか一に記載の発光装置を組み込んだパーソナルコンピュータ。
【請求項１７】
請求項４乃至１３のいずれか一に記載の発光装置を組み込んだ携帯情報端末。
【請求項１８】
請求項４乃至１３のいずれか一に記載の発光装置を組み込んだモバイルコンピュータ。
【請求項１９】
請求項４乃至１３のいずれか一に記載の発光装置を組み込んだ携帯電話。
【請求項２０】
請求項４乃至１３のいずれか一に記載の発光装置を組み込んだ電子書籍。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式がＬｉｘＮｉｙＭｎ２−ｙＯ４（０≦ｘ≦１、０．４５≦ｙ≦０．６）である活物質を正極に備え、炭素系活物質を負極に備えた非水電解質電池であって、非水電解質中に窒素含有不飽和環状化合物を含むことを特徴とする非水電解質電池。
【請求項２】
一般式がＬｉｘＮｉｙＭｎ２−ｙＯ４（０≦ｘ≦１、０．４５≦ｙ≦０．６）である活物質のニッケルまたはマンガンの一部がコバルト、鉄、クローム、亜鉛、アルミニウムまたはバナジウムで置換された活物質を正極に備え、炭素系活物質を負極に備えた非水電解質電池であって、非水電解質中に窒素含有不飽和環状化合物を含むことを特徴とする非水電解質電池。
【請求項３】
窒素含有不飽和環状化合物がピリジンまたはピリジン置換体であることを特徴とする、請求項１または２記載の非水電解質電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記非水電解質二次電池において、電解質中に含まれる窒素含有不飽和環状化合物の濃度は０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
電解質中に含まれる窒素含有不飽和環状化合物の濃度を０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下とすることにより、ＬｉｘＮｉｙＭｎ２−ｙＯ４（０≦ｘ≦１、０．４５≦ｙ≦０．６）／炭素系非水電解質電池の負極において、初回充放電以降の充電電気量と放電容量との差を非常に小さくすることができ、その結果として充放電サイクルによる電池容量の低下を抑制することができる。併せて、電解質が窒素含有不飽和環状化合物を含むことによる、電池の初期容量低下および高率放電性能の低下を実用的な範囲に抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記非水電解質電池において、正極または負極の少なくとも一方の活物質粒子間に多孔性高分子電解質を備えたことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
正極または負極の少なくとも一方の活物質粒子間に多孔性高分子電解質を備えることにより、正極または負極活物質と電解液との接触面積が小さくなり、また正極または負極近傍の電解液量が大幅に減少するため、正極からのＭｎまたはＮｉの溶出、それらの負極への析出、および正極での電解液の分解を抑制することができる。さらに、高分子電解質が多孔性であるために、孔中の電解液を通ってイオンが速やかに拡散することができるため、高率充放電性能に優れた電池となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記非水電解質電池において、正極活物質層の厚さが、３ミクロン以上３００ミクロン以下であることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
正極活物質層の厚さを３ミクロン以上３００ミクロン以下とすることにより、良好な高率放電性能が得られることに加えて、実用的なエネルギー密度が得られる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記非水電解質電池において、正極活物質層の充填密度が、１．５ｇ／ｃｍ３以上３．３ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
正極活物質層の充填密度を１．５ｇ／ｃｍ３以上３．３ｇ／ｃｍ３以下とすることにより、良好な高率放電性能が得られることに加えて、実用的なエネルギー密度が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基板上に少なくとも第１電極、有機発光層、第２電極が順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、
上記第１電極は、透明導電膜と金属膜から構成された多層膜であり、上記金属膜は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種からなり、上記透明導電膜は、酸化インジウム錫、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
上記多層膜は、透明導電膜、金属膜、透明導電膜の順に積層された３層膜であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
上記光透過性の基板は、高分子ポリマー材料からなり、可撓性を有することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
光透過性の基板上に少なくとも第１電極、有機発光層、第２電極を順次積層する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
上記第１電極を多層膜とし、この多層膜を構成する各膜をスパッタ法により成膜することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
上記スパッタ法により各膜を成膜するに際し、メタルマスクを用いてパターニングすることを特徴とする請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
上記有機発光層及び第２電極を真空蒸着法により成膜することを特徴とする請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
光透過性の基板上に少なくとも第１電極、有機発光層、第２電極が順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリクス状に配列されてなり、
各有機エレクトロルミネッセンス素子の第１電極は、透明導電膜と金属膜から構成された多層膜であり、上記金属膜は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種からなり、上記透明導電膜は、酸化インジウム錫、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
上記多層膜は、透明導電膜、金属膜、透明導電膜の順に積層された３層膜であることを特徴とする請求項７記載の画像表示装置。
【請求項９】
上記光透過性の基板は、高分子ポリマー材料からなり、可撓性を有することを特徴とする請求項７記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、光透過性の基板上に少なくとも第１電極、有機発光層、第２電極が順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記第１電極は、透明導電膜と金属膜から構成された多層膜であり、上記金属膜は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種からなり、上記透明導電膜は、酸化インジウム錫、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、本発明の画像表示装置は、光透過性の基板上に少なくとも第１電極、有機発光層、第２電極が順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリクス状に配列されてなり、各有機エレクトロルミネッセンス素子の第１電極が、透明導電膜と金属膜から構成された多層膜であり、上記金属膜は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｐｔから選ばれる少なくとも１種からなり、上記透明導電膜は、酸化インジウム錫、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダー樹脂、Ａｇ粉末、およびＴｉ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂの群から選ばれる少なくとも１種の金属または金属の化合物を含有することを特徴とする感光性導電ペースト。
【請求項２】
バインダー樹脂、Ａｇ粉末、およびＮｉ、Ｉｎ、Ｓｎの群から選ばれる少なくとも１種の金属または金属の化合物を含有することを特徴とする感光性導電ペースト。
【請求項３】
前記金属または金属の化合物が、粉末であることを特徴とする請求項１または２に記載の感光性導電ペースト。
【請求項４】
金属化合物が金属酸化物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の感光性導電ペースト。
【請求項５】
バインダー樹脂、Ａｇ粉末、およびＮｉ粉末またはＩＴＯ粉末を含有することを特徴とする感光性導電ペースト。
【請求項６】
Ｎｉ粉末またはＩＴＯ粉末の平均粒径が０．０１〜３０μｍであることを特徴とする請求項５に記載の感光性導電ペースト。
【請求項７】
導電ペーストを用いて形成した電極の比抵抗が１．６〜２０μΩ・ｃｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の感光性導電ペースト。
【請求項８】
導電ペーストを用いて形成した電極と、基板との接着強度が５００ｇｆ／ｍｍ２以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の感光性導電ペースト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明は以下の構成からなる。すなわち本発明は、バインダー樹脂、Ａｇ粉末、およびＴｉ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂの群から選ばれる少なくとも１種の金属または金属の化合物を含有することを特徴とする感光性導電ペーストである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
実施例２〜２０および実施例２２〜２７は、表１に示す項目について、実施例１の条件を変更して行ったほかは実施例１と同様にして行った。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
【表１】
2003115216.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一表面に電子源及び該電子源よりも高電位に規定される第一の導電体を備える第一の基板と、表面に前記第一の導電体と概略同電位に規定される第二の導電体を有する画像形成部材を備え、前記第一の基板の前記電子源を備える面に対して、前記画像形成部材を備える面が対向するように配置される第二の基板とを少なくとも有する真空容器と、前記真空容器内部に、前記第一の導電体と前記第二の導電体とを電気的に接続する、少なくとも一部が弾性体からなる導電性弾性構造とを少なくとも有する表示装置において、
前記導電性弾性構造は、前記第一の導電体の前記第二の基板への正射影領域と、前記第二の導電体の前記第一の基板への正射影領域とが重なる領域に内包されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第一の基板は、前記真空容器内につながるスルーホール端子を有し、該スルーホール端子を介して前記第一の導電体の電位が規定されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第一の基板は、前記第一の導電体の周囲に配置され、前記第一の導電体よりも低電位に規定される低圧配線を有していることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第一の基板は、前記第一の導電体と前記低圧配線との間に高抵抗膜を有していることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第一の導電体と前記導電性弾性構造のそれぞれが、中心軸において軸対称であり、かつ前記第一の導電体と前記導電性弾性構造のそれぞれの中心軸が略一致していることを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記真空容器の封止手段が前記導電性弾性構造の位置決め手段を兼ねていることを特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記導電性弾性構造は３本以上の複数本のばねからなる弾性部を備えていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の表示装置は、同一表面に電子源及び該電子源よりも高電位に規定される第一の導電体を備える第一の基板と、表面に前記第一の導電体と概略同電位に規定される第二の導電体を有する画像形成部材を備え、前記第一の基板の前記電子源を備える面に対して、前記画像形成部材を備える面が対向するように配置される第二の基板とを少なくとも有する真空容器と、前記真空容器内部に、前記第一の導電体と前記第二の導電体とを電気的に接続する、少なくとも一部が弾性体からなる導電性弾性構造とを少なくとも有する表示装置において、前記導電性弾性構造は、前記第一の導電体の前記第二の基板への正射影領域と、前記第二の導電体の前記第一の基板への正射影領域とが重なる領域に内包されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、前記第一の基板は、前記第一の導電体の周囲に配置され、前記第一の導電体よりも低電位に規定される低圧配線を有していることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、前記第一の基板は、前記第一の導電体と前記低圧配線との間に高抵抗膜を有していることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、前記真空容器の封止手段が前記導電性弾性構造の位置決め手段を兼ねていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、前記導電性弾性構造は３本以上の複数本のばねからなる弾性部を備えていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月20日(2004.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帳票画像を入力し入力画像から文字列画像を抽出して文字列認識を行い、前記認識された文字列の安定度を計算し、さらに前記文字列の固有度を計算し、前記安定度と前記固有度とにより抽出文字列の登録の優先度を求め、前記優先度に基づき帳票識別辞書を生成することを特徴とする帳票識別辞書生成方法。
【請求項２】
請求項１記載の帳票識別辞書生成方法であって、前記固有度を計算する際に、既存の帳票種に関する文字列も用いることを特徴とする帳票識別辞書生成方法。
【請求項３】
請求項１記載の帳票識別辞書生成方法であって、前記入力画像に対して摂動処理を行うことにより複数生成したサンプルデータを元に文字列画像の抽出および文字列認識を行うことを特徴とする帳票識別辞書生成方法。
【請求項４】
請求項１記載の帳票識別辞書生成方法であって、ユーザにより入力される文字列をも前記固有度および登録の優先度の計算の対象に含めることを特徴とする帳票識別辞書生成方法。
【請求項５】
登録対象帳票画像から帳票記載の文字列を抽出する文字列抽出部と、前記文字列抽出部により抽出された文字列の安定度を計算する安定度計算部と、前記文字列抽出部により抽出された文字列の固有度を計算する固有度計算部と、前記安定度と前記固有度とを基に抽出文字列の登録優先度を計算する優先順位計算部と、各抽出文字列の優先度を基に前記帳票識別辞書を生成する辞書生成部とを備え、前記辞書生成部により生成された帳票識別辞書と、処理対象帳票画像から抽出される画像特徴と帳票識別辞書とを照合することで前記処理対象帳票の種類を識別する帳票識別部と、前記帳票識別部の識別結果に基づいて帳票の処理を行う帳票処理部を持つことを特徴とする帳票処理システム。
【請求項６】
請求項５記載の帳票処理システムにおいて、前記辞書生成部に、登録対象の帳票の多値画像データからパラメータ値に応じて異なった二値画像を生成し、パラメータ値に応じて異なった回転角の回転画像を生成することで、１枚の帳票画像から複数の帳票サンプルデータを生成する帳票画像摂動部を備えたことを特徴とする帳票処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのレンズを備えている撮像アセンブリを提供するステップと、
撮像装置を提供するステップと、
前記撮像アセンブリを前記撮像装置に可動式に取り付けるステップと、
前記撮像装置に可動式に取り付けられたピッカ・アセンブリを提供するステップと、
少なくとも１つの媒体格納装置を前記ピッカ・アセンブリと接触させるステップと、
前記撮像アセンブリの少なくとも一部分を前記ピッカ・アセンブリと接触させることによって前記撮像アセンブリの焦点を調整するステップと、を有することを特徴とする撮像アセンブリの焦点を調整する方法。
【請求項２】
前記撮像アセンブリを前記撮像装置に可動式に取り付けるステップが、前記撮像アセンブリを前記撮像装置に摺動式に取り付けるステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ばねを提供するステップを更に有し、前記ばねは撮像アセンブリに第１の方向の力を加え、前記焦点を調整するステップは、前記第１の方向と逆の第２の方向に力を加えるステップを備えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記撮像アセンブリを提供するステップは、前記撮像アセンブリに少なくとも１つの光センサを提供するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記焦点を調整するステップは、前記撮像アセンブリを撮像装置に対して移動させるステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記焦点を調整するステップは、少なくとも１つの前記光センサに対して少なくとも１つの前記レンズを移動させるステップを備えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
媒体操作装置であって、
撮像装置と、
少なくとも１つのレンズを備え、前記撮像装置に取り付けられ、前記撮像装置に対して移動可能な撮像アセンブリと、
前記撮像装置に可動式に取り付けられた移動機構と、を備え、
前記媒体操作装置が、少なくとも１つの第１の動作状態と１つの第２の動作状態を有し、
前記第１の動作状態において、前記撮像アセンブリは、前記撮像装置に対して第１の位置にあり、前記移動機構が、前記撮像装置に対して第２の位置にあり、前記移動機構の少なくとも一部分が、前記撮像アセンブリの少なくとも一部分と接触しており、
前記第２の動作状態において、前記撮像アセンブリは、前記撮像装置に対して第３の位置にあり、前記移動機構が、前記撮像装置に対して第４の位置にある、ことを特徴とする媒体操作装置。
【請求項８】
前記第２の動作状態において、前記移動機構の少なくとも一部が前記撮像アセンブリの少なくとも一部と接触していないことを特徴とする請求項７に記載の媒体操作装置。
【請求項９】
前記撮像アセンブリは、更に少なくとも１つの光センサ備えていることを特徴とする請求項８に記載の媒体操作装置。
【請求項１０】
前記移動機構は、ピッカ・アセンブリであることを特徴とする請求項７に記載の媒体操作装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利用者が携帯している携帯端末から接続可能な認証番号を有する接続部と、操作の内容を表示する又は点字にて表された操作部と、制御部とを有し、前記携帯端末から前記認証番号が入力されたことに基づき、前記制御部は、前記接続部と前記携帯端末との交信を確立し、前記携帯端末からの操作を前記操作部の機能と略同機能にする制御を行なうことを特徴とする自動取引装置。
【請求項２】
利用者が保有する取引カードに予め記憶された利用者の保有する携帯端末の認証番号を読み取るカード取扱部と、前記カード取扱部から読み出された認証番号を認識する認識部と、前記認識部で認識した認識番号への交信を確立する確立部と、前記確立部での交信確立に基づき外部からの操作を可能にする制御部とを有することを特徴とする自動取引装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の自動取引装置において、音声ガイダンスにより過去の取引状況を案内する案内部を有することを特徴とした自動取引装置。
【請求項４】
請求項３記載の自動取引装置において、利用者が携帯端末より希望する件数、日付等を入力することにより、利用者が希望する情報を提供する提供部を有することを特徴とする自動取引装置。
【請求項５】
請求項３記載の自動取引装置において、過去の取引状況を案内する音声ガイダンスにより取引状況のデータを携帯端末に転送することを特徴とする自動取引装置。
【請求項６】
請求項１または２記載の自動取引装置において、携帯端末より入力するデータを音声変換する変換部を有することを特徴とする自動取引装置。
【請求項７】
請求項１または２記載の自動取引装置において、携帯端末より利用者が話す音声を受信して音声認識部で認識し、送信部を介して利用者に操作内容を確認することを特徴とする自動取引装置。
【請求項８】
利用者が携帯している携帯端末から操作可能な自動取引装置において、
前記携帯端末からの発信を受信する受信部と、利用者による操作を兼ねる表示部と、制御部とを有し、
前記制御部は、前記表示部に取引種別を示す複数のボタンと共に前記携帯端末により前記自動取引装置との取引開始をするための案内を表示し、前記受信部から前記携帯端末の情報を受信することを特徴とする自動取引装置。