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【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材、透明電極、発光層を含む一層以上の有機化合物層及び背面電極を有する発光素子において、前記発光層が燐光発光性化合物を含有し、前記有機化合物層の少なくとも一層が、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で湿式製膜法により成膜された層であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】  前記有機化合物層の少なくとも一層が、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で湿式製膜法により塗布及び乾燥された層であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】  前記有機化合物層の少なくとも一層が、酸素濃度50ppm以下の雰囲気下で湿式製膜法により塗布及び乾燥された層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】  前記有機化合物層の少なくとも一層が、酸素濃度30ppm以下の雰囲気下で湿式製膜法により塗布及び乾燥された層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項５】  前記燐光発光性化合物は、オルトメタル化錯体又はポルフィリン錯体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】  基材、透明電極、発光層を含む一層以上の有機化合物層及び背面電極を有する発光素子を製造する方法において、前記発光層が燐光発光性化合物を含有し、前記有機化合物層の少なくとも一層を、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で湿式製膜法により製膜することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項７】  前記有機化合物層の少なくとも一層を、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で湿式製膜法により塗布及び乾燥することを特徴とする請求項６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】  前記有機化合物層の少なくとも一層を、酸素濃度50ppm以下の雰囲気下で湿式製膜法により塗布及び乾燥することを特徴とする請求項６又は７に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】  前記有機化合物層の少なくとも一層を、酸素濃度30ppm以下の雰囲気下で湿式製膜法により製膜又は乾燥することを特徴とする請求項６又は７に記載の発光素子の製造方法。
【請求項10】  前記燐光発光性化合物が、オルトメタル化錯体又はポルフィリン錯体であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材上に透明電極、発光層を含む一層以上の有機化合物層及び背面電極を積層してなる発光積層体、並びに前記有機化合物層を封止し外部の空気を遮断する封止部材を有する発光素子において、前記発光層が燐光発光性化合物を含有し、前記封止部材が酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で前記発光積層体に設置された部材であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】  前記封止部材が酸素濃度50ppm以下の雰囲気下で前記発光積層体に設置された部材であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】  前記燐光発光性化合物が、オルトメタル化錯体又はポルフィリン錯体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】  基材上に透明電極、発光層を含む一層以上の有機化合物層及び背面電極を積層してなる発光積層体、並びに前記有機化合物層を封止し外部の空気を遮断する封止部材を有する発光素子を製造する方法において、前記発光層が燐光発光性化合物を含有し、前記封止部材を酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で前記発光積層体に設置することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項５】  前記封止部材を酸素濃度50ppm以下の雰囲気下で前記発光積層体に設置することを特徴とする請求項４に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】  前記燐光発光性化合物は、オルトメタル化錯体又はポルフィリン錯体であることを特徴とする請求項４又は５に記載の発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月12日(2004.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面に形成されたメモリ素子と、前記メモリ素子の上部に形成され、アルミニウムを主成分とする第１導電膜からなる複数層の第１配線と、絶縁膜を介して前記第１配線の上部に形成され、銅を主成分とする第２導電膜からなる第２配線と、前記複数層の第１配線のうちの最上層の第１配線の一部によって構成され、前記第２配線の一端部が電気的に接続されたボンディングパッドと、前記第２配線の一部によって構成されたバンプ電極接続部と、前記バンプ電極接続部上に形成された半田を含むバンプ電極とを有する半導体チップを具備する半導体装置であって、
前記バンプ電極接続部の膜厚は、前記ボンディングパッドの膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記第２導電膜の抵抗値は、前記第１導電膜の抵抗値よりも一桁以上小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、前記第２導電膜は、メッキ法で形成された銅膜を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、前記バンプ電極は、Ｓｎ（錫）を主成分とする半田材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、前記半田材料は、９０％以上のＳｎ（錫）を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４記載の半導体装置において、前記第２導電膜は、銅膜とその上部に形成されたＮｉ（ニッケル）膜との積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、前記バンプ電極接続部を構成する前記第２導電膜の膜厚は、前記複数層の第１配線の間に形成された層間絶縁膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、前記第１配線と前記第２配線との間に介在する前記絶縁膜は、無機パッシベーション膜とその上部に形成されたポリイミド樹脂膜との積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、前記バンプ電極接続部を構成する前記第２導電膜の膜厚は、前記無機パッシベーション膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置において、前記バンプ電極接続部を構成する前記第２導電膜の膜厚は、前記ポリイミド樹脂膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置において、前記バンプ電極接続部の直径は、前記バンプ電極の直径よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、前記バンプ電極接続部の直径は、前記バンプ電極の直径よりも５０μｍ以上大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置において、前記バンプ電極は、前記メモリ素子の上部に配置され、前記ボンディングパッドは、前記メモリ素子が形成されていない領域に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体装置において、前記バンプ電極は、実質的にＰｂを含んでいないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップは、前記バンプ電極を介して配線基板に実装されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１記載の半導体装置において、前記第２配線は、前記バンプ電極接続部を構成する部分を除き、最上層保護膜で被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置において、前記最上層保護膜は、ポリイミド樹脂膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
以下の工程を有する半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体ウエハの主面の複数のチップ領域にメモリ素子を形成する工程、
（ｂ）前記メモリ素子の上部にアルミニウムを主成分とする第１導電膜からなる複数層の第１配線を形成する工程、
（ｃ）前記第１配線の上部に絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜の一部を除去し、前記複数層の第１配線のうちの最上層の第１配線の一部を露出することによって、ボンディングパッドを形成する工程、
（ｄ）前記絶縁膜の上部に、前記第１配線よりも厚い膜厚を有し、かつ銅を含む第２導電膜からなる第２配線を形成し、前記第２配線と前記ボンディングパッドとを電気的に接続する工程、
（ｅ）前記第２配線の上部に最上層保護膜を形成した後、前記最上層保護膜の一部を除去し、前記第２配線の一部を露出することによって、バンプ電極接続部を形成する工程、
（ｆ）前記バンプ電極接続部上に半田を含むバンプ電極を形成する工程、
（ｇ）前記半導体ウエハを前記複数のチップ領域毎に個片化して半導体チップを形成する工程。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法において、前記第２導電膜をメッキ法によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法において、前記バンプ電極は、前記メモリ素子の上部に配置され、前記ボンディングパッドは、前記メモリ素子が形成されていない領域に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｇ）工程の後、前記半導体チップを前記バンプ電極を介して配線基板に実装する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図７は、図６の一部を拡大して示す断面図である。シリコンチップ１Ａの主面には、ＳＲＡＭのメモリセルあるいは周辺回路を構成するｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐが形成されている。メモリセルを構成するｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐは、０．２μｍ以下の最小加工寸法、例えば０．１８μｍ以下の最小加工寸法で形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させながら該基板の表面側中央部に酸溶液を連続的に供給しつつ、
前記基板の周縁部に酸化剤溶液を連続的または間欠的に供給することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２】
前記基板の裏面側に酸化剤溶液と酸溶液とを同時または交互に供給することを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。
【請求項３】
前記酸溶液は、塩酸、ふっ酸、硫酸、クエン酸及び蓚酸の少なくとも１種を含み、前記酸化剤溶液は、オゾン、過酸化水素、硝酸及び次亜塩素酸塩の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の基板洗浄方法。
【請求項４】
基板を保持して回転させる基板保持部と、
該基板保持部で保持される基板の表面側中央部上方に位置するように配置したセンタノズルと、
前記基板保持部で保持される基板の上方に位置して基板の周縁部から中央部方向及び／または基板平面に対して鉛直方向に移動自在に配置したエッジノズルとを有することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項５】
前記エッジノズルは、エッジノズルから出る液の基板平面に対する角度、及び／またはエッジノズルから出る液の向きを基板平面に投影した線の延長線と該延長線が基板外周と交わる点における該基板の接線とがなす角度を自由に変えられることを特徴とする請求項４記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
表面に回路が形成され、該回路上に銅が成膜された基板の洗浄方法において、
該基板を回転させ、回路が形成されている該基板表面の周縁部に酸化剤溶液を供給して該基板周縁部に付着した銅を酸化させるとともに、回路が形成されている該基板表面の中央部に酸溶液を供給して、回路状に成膜された銅表面の酸化膜を除去しつつ該基板周縁部に付着した銅膜を除去することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項７】
表面に回路が形成され、該回路上に銅が成膜された基板の洗浄方法において、
該基板を回転させ、回路が形成されている該基板表面の中央部に供給され該基板表面全体に拡がった酸溶液により、該基板周縁部の上面及び端面に成膜され酸化された銅膜を溶解除去することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項８】
前記酸溶液は、非酸化性の酸であることを特徴とする請求項６または７に記載の基板洗浄方法。
【請求項９】
前記非酸化性の酸は、塩酸、ふっ酸、硫酸、クエン酸及び蓚酸の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項８に記載の基板洗浄方法。
【請求項１０】
前記酸化剤溶液は、オゾン、過酸化水素、硝酸及び次亜鉛素酸の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項６に記載の基板洗浄方法。
【請求項１１】
前記基板の回路が形成された面と反対側の基板裏面側に酸溶液を供給することを特徴とする請求項６または７に記載の基板洗浄方法。
【請求項１２】
表面に回路が形成され、該回路上に銅が成膜された基板を保持して回転させる基板保持部と、
該基板保持部で保持される該基板の回路が形成されている基板表面の中央部に酸溶液を供給するセンタノズルと、
前記基板の該基板表面の周縁部に酸化剤溶液を供給するエッジノズルを有することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項１３】
めっき処理及びそれに付帯する処理を同一設備内で行って基板の表面に金属膜付けを行うめっき装置であって、
前記設備内に、基板を収納するカセットを載置するカセットステージと、基板の表面にめっきを施すめっき処理ユニットと、めっき後の基板を少なくとも酸溶液で洗浄する第１の洗浄装置と、めっき後の基板を純水で洗浄する第２の洗浄装置と、基板を搬送する搬送装置とが備えられ、
前記第１の洗浄装置は、該基板を保持して回転させる基板保持部と、該基板保持部で保持される該基板の回路が形成されている基板表面の中央部に酸溶液を供給するセンタノズルと、前記基板の該基板表面の周縁部に酸化剤溶液を供給するエッジノズルを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項１４】
基板表面の周縁部に成膜された金属を除去する基板洗浄方法において、
基板を該基板の軸心回りに回転させ、
基板表面の周縁部のみに酸化剤溶液を供給しながら、基板表面の中央部に非酸化性の酸溶液を該酸溶液が基板の軸心回りの回転に伴って基板表面の中央部から外周部に拡がるように供給することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１５】
基板表面の周縁部に成膜された金属を除去する基板洗浄方法において、
基板を該基板の軸心回りに回転させ、
基板表面の周縁部のみに酸化剤溶液をエッジノズルから供給し、
基板表面の中央部に非酸化性の酸溶液を該酸溶液が基板の軸心回りの回転に伴って基板表面の中央部から外周部に拡がるようセンタノズルから供給することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１６】
基板表面に金属を成膜し、基板表面の周縁部に成膜された金属を除去する基板処理方法において、
基板をめっき処理ユニットに搬送し、該めっき処理ユニットで基板表面に金属をめっきし、
めっき後の基板をめっき処理ユニットから洗浄装置に搬送し、該洗浄装置で基板を該基板の軸心回りに回転させつつ、基板表面の周縁部のみに酸化剤溶液を供給し、基板表面の中央部に非酸化性の酸溶液を該酸溶液が基板の軸心回りの回転に伴って基板表面の中央部から外周部に拡がるように供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
基板表面の周縁部に成膜された金属を除去する基板洗浄装置において、
基板を保持して該基板の軸心回りに回転させる基板保持部と、
基板表面の周縁部のみに酸化剤溶液を供給するエッジノズルと、
基板表面の中央部に非酸化性の酸溶液を該酸溶液が基板の軸心回りの回転に伴って基板表面の中央部から外周部に拡がるよう供給するセンタノズルとを有することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項１８】
基板表面に金属を成膜し、基板表面の周縁部に成膜された金属を除去するめっき装置において、
基板表面に金属をめっきするめっき処理ユニットと、
基板を保持して該基板の軸心回りに回転させる基板保持部、基板表面の周縁部のみに酸化剤溶液を供給するエッジノズル、及び基板表面の中央部に非酸化性の酸溶液を該酸溶液が基板の軸心回りの回転に伴って基板表面の中央部から外周部に拡がるよう供給するセンタノズルを有する洗浄装置と、
めっき後の基板をめっき処理ユニットから洗浄装置に搬送する搬送装置とを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項１９】
基板表面に金属を成膜し、基板表面の周縁部に成膜された金属を除去するめっき装置において、
仕切壁によって仕切られ、独自に給排気可能なめっき空間と清浄空間とを有し、前記清浄空間は、大気圧よりも低く、かつ前記めっき空間よりも高い圧力に設定されることを特徴とするめっき装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画面上に縮小動画像を表示し、コンピュータ支援により、前記縮小動画を階層構造状に構成することによって編集を行う動画像編集方法において、映像付随情報を入力し、該映像付随情報と関連づけられた情報アイコンを生成し、前記縮小動画像によって代表された画像と前記映像付随情報とを関連づけし、前記情報アイコンを記縮小動画像と共に前記画面上に表示したことを特徴とする動画像編集方法。
【請求項２】
請求項１記載の動画像編集方法において、前記画面上に表示される前記代表静止画像は、階層構造で構成されることによって編集され、前記映像付随情報を、情報の種類に応じた複数の情報項目タグを選択して指定することによって、前記映像付随情報と前記情報項目タグとを関連づけし、前記情報項目タグに対応した前記情報アイコンを前記画面上に表示することによって、前記縮小動画像と該縮小動画像に関連する各種映像付随情報とを関連づけしたことを特徴とする動画像編集方法。
【請求項３】
画面上に縮小動画像を表示し、コンピュータ支援により、前記縮小動画を階層構造状に構成することによって編集を行う動画像編集装置において、映像付随情報を入力し、該映像付随情報と関連づけられた情報アイコンを生成する情報アイコン生成手段と、前記縮小動画像によって代表された画像と前記映像付随情報とを関連づけする関連づけ手段を有し、該関連づけ手段によって関連づけられた前記情報アイコンを、前記縮小動画像と共に表示したことを特徴とする動画像編集装置。
【請求項４】
請求項３記載の動画像編集装置において、前記画面上に表示される前記代表静止画像は、階層構造で構成されることによって編集される制御手段と、前記映像付随情報を、情報の種類に応じた複数の情報項目タグを選択して指定することによって、前記映像付随情報と前記情報項目タグとを関連づけする関連づけ手段を有し、前記情報項目タグに対応した前記情報アイコンを前記画面上に表示することによって、前記縮小動画像と該縮小動画像に関連する各種映像付随情報とを関連づけすることを特徴とする動画像編集装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声入出力手段と、
画像入力手段と、
画像表示手段と、
画像及び音声を記録媒体に記録する記録手段と、
画像及び音声を圧縮符号化する符号化手段であって、複数の符号化条件から適用する１つの符号化条件を選択自在な符号化手段と、
画像及び音声を通信相手に送信し、当該通信相手から送信される画像及び音声を受信する送受信手段と、
当該画像入力手段による入力画像を通信相手にリアルタイムに送信する場合には、当該符号化手段に高圧縮率で当該入力画像を圧縮させ、当該画像入力手段による入力画像を当該記録手段により当該記録媒体に記録する場合には、当該符号化手段に低圧縮率で当該入力画像を圧縮させる制御手段
とを具備することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
画像入力手段による入力画像を通信相手にリアルタイムに送信する場合には、複数の符号化条件から適用する１つの符号化条件を選択自在な符号化手段に当該入力画像を高圧縮率で圧縮させ、
当該画像入力手段による入力画像を記録媒体に記録する場合には、当該符号化手段により低圧縮率で当該入力画像を圧縮させる
ことを特徴とする通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被写体を撮像するカラー画像入力手段と、
上記カラー画像入力手段により得られたカラー画像信号から三刺激値を算出する色推定手段と、上記色推定手段により得られた三刺激値の色に基づくカラー画像信号を出力するカラー画像出力手段とからなる色再現システムにおいて、
上記色推定手段は、
観察照明光の三刺激値を測定する照明光測定手段と、
上記照明光測定手段により得られた観察照明光の三刺激値と等しい三刺激値を与える仮想照明光スペクトルを算出する仮想照明光スペクトル算出手段と、
上記カラー画像信号から仮想照明光スペクトル下での上記被写体の三刺激値を算出する三刺激値算出手段と、
を具備することを特徴とする色再現システム。
【請求項２】
画像の分光反射率から三刺激値を算出する色推定手段と、上記色推定手段により得られた三刺激値の色に基づくカラー画像信号を出力するカラー画像出力手段とからなる色再現システムにおいて、
上記色推定手段は、
観察照明光の三刺激値を測定する照明光測定手段と、
上記照明光測定手段により得られた観察照明光の三刺激値と等しい三刺激値を与える仮想照明光スペクトルを算出する仮想照明光スペクトル算出手段と、
上記カラー画像信号から仮想照明光スペクトル下での上記被写体の三刺激値を算出する三刺激値算出手段と、
を具備することを特徴とする色再現システム。
【請求項３】  上記仮想照明光スペクトル算出手段は、予め設定された照明光スペクトル基底関数の線形和により仮想照明光スペクトルを算出することを特徴とする請求項１又は２に記載の色再現システム。
【請求項４】  被写体を撮像するカラー画像入力手段と、
上記カラー画像入力手段により得られたカラー画像信号から三刺激値を算出する色推定手段と、上記色推定手段により得られた三刺激値の色を出力するカラー画像出力手段とからなる色再現システムにおいて、
上記色推定手段は、
観察照明光の三刺激値を測定する照明光測定手段と、
カラー画像信号から予め定めた標準照明光スペクトルの下での被写体の三刺激値を算出する三刺激値算出手段と、
標準照明光スペクトル下での被写体の三刺激値の色の見えを観察照明光の下で与える三刺激値を算出する対応色算出手段と、
を具備することを特徴とする色再現システム。
【請求項５】  
上記照明光測定手段は、デジタルカメラからなり、
前記観察照明光の三刺激値は、上記デジタルカメラにより撮影された所定の複数の色を含む色票の撮影信号から推定されることを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の色再現システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、本発明は、画像の分光反射率から三刺激値を算出する色推定手段と、上記色推定手段により得られた三刺激値の色に基づくカラー画像信号を出力するカラー画像出力手段とからなる色再現システムにおいて、上記色推定手段は、観察照明光の三刺激値を測定する照明光測定手段と、上記照明光測定手段により得られた観察照明光の三刺激値と等しい三刺激値を与える仮想照明光スペクトルを算出する仮想照明光スペクトル算出手段と、上記カラー画像信号から仮想照明光スペクトル下での上記被写体の三刺激値を算出する三刺激値算出手段とを備える色再現システムを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
現行の放送方式によるテレビジョンシステムに対して約２倍の垂直解像度の画像を扱う高品位テレビジョンシステムが提案され、実際にこの垂直解像度の不足が改善された電子スチルカメラが開発されてきている。この電子スチルカメラは、たとえば、垂直方向の画素数を約２倍とし、４回のフィールド走査読出し全画素の情報を読み出すインターライントランスファ方式の撮像素子を適用している。この撮像素子を用いた電子スチルカメラの一例が特許掲載公報第2660594 号にある。この電子スチルカメラでは、上述したように画素数の多い撮像デバイスを使用し、撮像信号を再生した際にその画像に生じるフリッカ等による画質劣化のない画像について記載されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ハウジングと、このハウジングの内側に第一の転がり軸受を介して回転のみ自在に支持された合成樹脂製のナット部材と、このナット部材に設けられた多条の雌ねじ部と、上記ハウジングに固定された正転逆転自在な電動モータと、上記ナット部材の内側に、軸方向に亙る変位のみ自在に挿通された出力軸部材と、この出力軸部材の途中に設けられ、上記多条の雌ねじ部と直接螺合する多条の雄ねじ部と、上記電動モータの駆動軸と上記ナット部材との間に設けられて、この駆動軸のトルクを増大して上記ナット部材に伝達する減速機と、上記出力軸部材の周囲で上記ナット部材から軸方向にずれた位置に、この出力軸部材に対する回転を自在として支持された間筒と、この間筒と上記ハウジングとの間に設けられ、この間筒に加わるスラスト荷重を支承しつつこの間筒の回転を許容する第二の転がり軸受と、少なくとも上記間筒の一部と上記ナット部材の一部との間で軸方向に亙り挟持されたスラストプレートと、上記間筒の外周面と上記ハウジングの内周面との間に設けられて、上記スラスト荷重に基づいて上記間筒が回転しようとする際にロックする一方向クラッチとを備える電動式リニアアクチュエータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
又、請求項２に記載した電動式リニアアクチュエータは、ハウジングと、このハウジングの内側に第一の転がり軸受を介して回転のみ自在に支持された合成樹脂製のナット部材と、このナット部材に設けられた多条の雌ねじ部と、上記ハウジングに固定された正転逆転自在な電動モータと、上記ナット部材の内側に、軸方向に亙る変位のみ自在に挿通された出力軸部材と、この出力軸部材の途中に設けられ、上記多条の雌ねじ部と直接螺合する多条の雄ねじ部と、上記電動モータの駆動軸と上記ナット部材との間に設けられて、この駆動軸のトルクを増大して上記ナット部材に伝達する減速機と、上記出力軸部材の周囲で上記ナット部材から軸方向にずれた位置に、この出力軸部材に対する回転を自在として支持された間筒と、この間筒と上記ハウジングとの間に設けられ、この間筒に加わるスラスト荷重を支承しつつこの間筒の回転を許容する第二の転がり軸受と、少なくとも上記間筒の一部と上記ナット部材の一部との間で軸方向に亙り挟持されたスラストプレートと、上記間筒の外周面と上記ハウジングの内周面との間に設けられて、上記スラスト荷重に基づいて上記間筒が回転しようとする際にロックする一方向クラッチとを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
又、上述した各例は、回転軸２をハウジング１の内側に回転のみを自在に支持すると共に、ナット部材２３（２３ａ）をこの回転軸２に対して軸方向に亙る変位のみを自在に支持し、出力軸部材の軸方向に亙る変位を自在とした構造に、本発明を適用した場合に就いて説明した。但し、本発明は、図７に、請求項２に対応する、本発明の実施の形態の第３例として示す様に、出力軸部材である、出力軸５１をハウジング１ａに対して軸方向に亙る変位のみを自在に支持すると共に、ナット部材５２を上記ハウジング１ａの内側に回転のみを自在に支持し、電動モータ７（図３参照）の出力を減速機９を介して上記ナット部材５２に伝達する構造でも実施できる。この場合には、このナット部材５２に対して軸方向に亙り変位自在な出力軸５１の先端部（図７の右端部）に相手部材を結合する事により、上記電動モータ７の回転に基づいて上記相手部材を変位させる事ができる。この場合、上記ナット部材５２を合成樹脂製とすると共に、上記出力軸５１を鋼等の金属製とし、上記ナット部材５２に設けた多条の雌ねじ部２４と、上記出力軸５１に設けた多条の雄ねじ部２２とを螺合させる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置コントローラからのパルス列に応じてモータドライバがモータを駆動し、該モータの回転に応じてエンコーダがパルスを発生し、前記モータの回転量が制御されるモータ制御方法において、前記装置コントローラからのパルス列の出力停止中に、該装置コントローラが前記エンコーダからのパルスの発生の有無を監視することを特徴とするモータ制御方法。
【請求項２】
装置コントローラからのパルス列に応じてモータドライバがモータを駆動し、該モータの回転に応じてエンコーダがパルスを発生し、前記モータの回転量が制御される半導体製造装置の異常診断方法において、前記装置コントローラからのパルス列の出力停止中に、該装置コントローラが前記エンコーダからのパルスの発生の有無を監視し、該パルスが発生した場合は、異常信号を発生することを特徴とする半導体製造装置の異常診断方法。
【請求項３】
モータを駆動する為のパルス列を制御する装置コントローラと、該装置コントローラからのパルス列に応じて前記モータの回転を制御するモータドライバと、前記モータの回転に応じてパルスを発生させるエンコーダとを有する半導体製造装置において、前記装置コントローラが、前記モータの動作中、停止中を判断する判断部と、該判断部が前記モータの停止中と判断した時に前記エンコーダから発生されるパルスの発生の有無を監視するパルス監視手段とを有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
モータを駆動する為のパルス列を制御する装置コントローラと、該装置コントローラからのパルス列に応じて前記モータの回転を制御するモータドライバと、前記モータの回転に応じてパルスを発生させるエンコーダとを有する半導体製造装置において、前記装置コントローラが、前記モータの動作中、停止中を判断する判断部と、該判断部が前記モータの停止中と判断した時に前記エンコーダから発生されるパルスの発生の有無を監視し、該パルスが発生した場合は異常信号を発生することを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月16日(2004.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項７または８記載の装置において、前記画像処理する手段が点または線そのものの画像情報および前記点または線の外側画像情報を用い、前記ある部位で低振幅な信号のみを平滑化する非線形フィルタ処理する手段であることを特徴とする電子画像補正装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の取り込み画像をもつ撮像システムにおけるひずみを補正する方法であって、
運動推定技法を使用して上記第１および第２の取り込み画像の中のひずみをモデル化し、１組の非線形方程式を形成するステップと、
上記記非線形方程式系を解き、１組の補正パラメータを生成するステップと、
上記補正パラメータを使用して、上記取り込み画像の一方または両方からひずみを取り除くステップと、
を含む方法。
【請求項２】
上記ひずみは、幾何学的レンズひずみである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記幾何学的レンズひずみに対して使用されるモデルは、以下の変換式：
xg = x / {1+κ7 (x2 + y2)}
yg = y / {1+κ7 (x2 + y2)}
によって与えられ、ここで、(x,y)は、補正されたピクセル位置であり、(xg,yg)は、ひずんだピクセル位置であり、κ7は、ひずみ率である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記ひずみは、照度変化によって生じる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記照度変化に対して使用されるモデルは、線形モデルである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記照度変化に対して使用されるモデルは、口径食モデルである、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
上記非線形方程式系を解く方法は、多変数の非線形最適化方法である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記非線形方程式系を解くステップが、
最初の解決パラメータ組を選択し、上記非線形方程式系を解決パラメータ組を中心に線形化し、上記線形方程式系を解いて、更新された解決パラメータ組を取得するステップを、制限されたステップ数についてまたは所定の収束の基準が満たされるまで繰り返す、ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記非線形方程式系は、幾何学的レンズひずみの補正を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
上記非線形方程式系は、照度変化の補正を含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置の駆動方法および固体撮像装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  受光量に応じた電荷を光電変換部で蓄積し、電荷転送部で転送して電荷電圧変換部を介してソースフォロワ回路から信号を取り出した後、前記電荷電圧変換部に転送された電荷をリセットゲートを介してリセットドレインに排出する固体撮像装置の駆動方法において、前記ソースフォロワ回路から信号を取り出していない期間中、前記ソースフォロワ回路におけるＭＯＳトランジスタのゲート−ドレイン間電圧を、前記信号の取り出し期間中より低く設定しておく
ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【請求項２】  前記ソースフォロワ回路から信号を取り出していない期間中、前記リセットゲートを閉じておくことで、前記ゲート−ドレイン間電圧を、前記信号の取り出し期間中より低く設定する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の駆動方法。
【請求項３】  前記ソースフォロワ回路から信号を取り出していない期間中、前記ソースフォロワ回路におけるＭＯＳトランジスタのドレインに印加する電圧を、前記信号の取り出し期間中より低く設定しておくことで、前記ゲート−ドレイン間電圧を、前記信号の取り出し期間中より低く設定する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の駆動方法。
【請求項４】  受光量に応じた電荷を光電変換部で蓄積し、電荷転送部で転送して電荷電圧変換部を介してソースフォロワ回路から信号を取り出した後、前記電荷電圧変換部に転送された電荷をリセットゲートを介してリセットドレインに排出する固体撮像装置の駆動方法において、前記ソースフォロワ回路から信号を取り出していない期間中、前記ソースフォロワ回路におけるＭＯＳトランジスタをリニア領域で動作させる
ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【請求項５】  前記ソースフォロワ回路から信号を取り出していない期間中、前記リセットゲートを閉じておくことで、前記ソースフォロワ回路におけるＭＯＳトランジスタをリニア領域で動作させる
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置の駆動方法。
【請求項６】  前記ソースフォロワ回路から信号を取り出していない期間中、前記ソースフォロワ回路におけるＭＯＳトランジスタのドレインに印加する電圧を、前記信号の取り出し期間中より低く設定しておくことで、前記ＭＯＳトランジスタをリニア領域で動作させる
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置の駆動方法。
【請求項７】 受光量に応じた電荷を蓄積する光電変換部と、
前記光電変換部で蓄積され電荷転送部で転送された電荷を信号に変換する電荷電圧変換部と、
前記電荷電圧変換部で変換された信号を取り出すソースフォロワ回路と、
前記電荷電圧変換部に転送された電荷をリセットゲートを介して排出するリセットドレインとを有する固体撮像装置において、
前記ソースフォロワ回路から信号を取り出していない期間中、前記ソースフォロワ回路におけるＭＯＳトランジスタのゲート−ドレイン間電圧が、前記信号の取り出し期間中より低く設定されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ソースフォロワ回路から信号電圧を取り出す固体撮像装置の駆動方法および固体撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明はこのような問題を解決するために成された固体撮像装置の駆動方法である。すなわち、本発明は、受光量に応じた電荷を光電変換部で蓄積し、電荷転送部で転送して電荷電圧変換部を介してソースフォロワ回路から信号を取り出した後、電荷電圧変換部に転送された電荷をリセットゲートを介してリセットドレインに排出する固体撮像装置の駆動方法において、ソースフォロワ回路から信号を取り出していない期間中、ソースフォロワ回路におけるＭＯＳトランジスタのゲート−ドレイン間電圧を、信号の取り出し期間中より低く設定しておくものである。
また、本発明は、受光量に応じた電荷を蓄積する光電変換部と、光電変換部で蓄積され電荷転送部で転送された電荷を信号に変換する電荷電圧変換部と、電荷電圧変換部で変換された信号を取り出すソースフォロワ回路と、電荷電圧変換部に転送された電荷をリセットゲートを介して排出するリセットドレインとを有する固体撮像装置において、ソースフォロワ回路から信号を取り出していない期間中、ソースフォロワ回路におけるＭＯＳトランジスタのゲート−ドレイン間電圧が、信号の取り出し期間中より低く設定されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テレビカメラ及びレンズを搭載した遠隔操作用雲台本体と遠隔操作部とを公衆電話回線モデムと自動回線接続装置を介して接続する遠隔操作雲台システムにおいて、前記自動回線接続装置は地震検出信号入力部に地震検出信号が入力したときには所定の電話番号にダイアルして雲台制御用の電話回線を確保することを特徴とする遠隔操作雲台システム。
【請求項２】
テレビカメラ及びレンズを搭載した遠隔操作用雲台本体と遠隔操作部とを公衆電話回線モデムと自動回線接続装置を介して接続する遠隔操作雲台システムにおいて、前記自動回線接続装置は、地震検出信号入力部と、前記公衆電話回線モデムを制御するモデム制御回路と、前記遠隔操作部の操作信号及びモデム制御回路の制御信号を切換える切換回路とを備え、前記地震検出信号入力部に地震検出信号が入力したときに前記切換回路を前記モデム制御回路側に切換え、所定の電話番号にダイアルして雲台制御用の電話回線を確保することを特徴とする遠隔操作雲台システム。
【請求項３】
前記自動回線接続装置は、前記地震検出信号が入力したときに、前記遠隔操作部が運用中でないことを確認した後に、前記切換回路を前記モデム制御回路側に切換え、前記所定の電話番号にダイアルして雲台制御用の前記電話回線を確保することを特徴とする請求項２に記載の遠隔操作雲台システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係る遠隔操作雲台システムは、テレビカメラ及びレンズを搭載した遠隔操作用雲台本体と遠隔操作部とを公衆電話回線モデムと自動回線接続装置を介して接続する遠隔操作雲台システムにおいて、前記自動回線接続装置は地震検出信号入力部に地震検出信号が入力したときには所定の電話番号にダイアルして雲台制御用の電話回線を確保することを特徴とする。
また、本発明に係る遠隔操作雲台システムは、テレビカメラ及びレンズを搭載した遠隔操作用雲台本体と遠隔操作部とを公衆電話回線モデムと自動回線接続装置を介して接続する遠隔操作雲台システムにおいて、前記自動回線接続装置は、地震検出信号入力部と、前記公衆電話回線モデムを制御するモデム制御回路と、前記遠隔操作部の操作信号及びモデム制御回路の制御信号を切換える切換回路とを備え、前記地震検出信号入力部に地震検出信号が入力したときに前記切換回路を前記モデム制御回路側に切換え、所定の電話番号にダイアルして雲台制御用の電話回線を確保することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体像を形成するための結像光学系と、可変焦点手段と、前記結像光学系により形成された物体像を撮像するための撮像素子とを備え、前記可変焦点手段は、前記結像光学系とで合成される合成光学系の焦点距離を、残像が残る程度の速度で周期的に変化させることが可能であり、前記結像光学系は、前記可変焦点手段により前記合成光学系の焦点距離が変化しても、前記撮像素子の像面における像の大きさが実質的に変化しない特性を有していることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
被写体画像のモニター手段と、該モニター手段に接続されたカメラコントロール装置とを備え、複数の内視鏡を選択的に使用し得るようにした撮像装置において、前記カメラコントロール装置は、結像光学系と撮像素子とを備えた複数の電子内視鏡に接続可能であるか、結像光学系を備えた内視鏡に連結でき撮像素子を備えている複数のＴＶカメラに接続可能であるか、内視鏡に連結でき結像光学系と撮像素子とを備えている複数のＴＶカメラに接続可能であるか、前記電子内視鏡と前記二つのＴＶカメラのうち少なくとも二つに接続可能であるように構成されていて、前記結像光学系を備えている前記各内視鏡と前記結像光学系を備えている前記ＴＶカメラとは、各々の前記結像光学系の光路中に可変焦点手段を備えていて、前記可変焦点手段は、前記結像光学系とで合成される合成光学系の焦点距離を、残像が残る程度の速度で周期的に変化させることが可能であり、前記結像光学系は、前記可変焦点手段により前記合成光学系の焦点距離が変化しても、前記撮像素子の像面における像の大きさが実質的に変化しない特性を有していることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
被写体画像のモニター手段に接続されたカメラコントロール装置が複数の内視鏡装置を選択的に接続可能に構成されており、各々の内視鏡装置は物体像を形成する光学系と撮像素子とを含んでいるとともに前記光学系の瞳位置あるいはその近傍に可変焦点手段を備えており、前記可変焦点手段は前記光学系の焦点距離を残像が残る程度の速度で周期的に変化させることが可能となっていて、前記光学系は前記可変焦点手段との合成光学系の焦点距離が変化しても前記撮像素子の像面における像の大きさが実質的に変化しない特性を有していることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、請求項２に記載の発明によれば、被写体画像のモニター手段と、該モニター手段に接続されたカメラコントロール装置とを備え、複数の内視鏡を選択的に使用し得るようにした撮像装置において、前記カメラコントロール装置は、結像光学系と撮像素子とを備えた複数の電子内視鏡に接続可能であるか、結像光学系を備えた内視鏡に連結でき撮像素子を備えている複数のＴＶカメラに接続可能であるか、内視鏡に連結でき結像光学系と撮像素子とを備えている複数のＴＶカメラに接続可能であるか、前記電子内視鏡と前記二つのＴＶカメラのうち少なくとも二つに接続可能であるように構成されていて、前記結像光学系を備えている前記各内視鏡と前記結像光学系を備えている前記ＴＶカメラとは、各々の前記結像光学系の光路中に可変焦点手段を備えていて、前記可変焦点手段は、前記結像光学系とで合成される合成光学系の焦点距離を、残像が残る程度の速度で周期的に変化させることが可能であり、前記結像光学系は、前記可変焦点手段により前記合成光学系の焦点距離が変化しても、前記撮像素子の像面における像の大きさが実質的に変化しない特性を有していることを特徴としている。
更に、請求項３に記載の発明によれば、被写体画像のモニター手段に接続されたカメラコントロール装置が複数の内視鏡装置を選択的に接続可能に構成されており、各々の内視鏡装置は物体像を形成する光学系と撮像素子とを含んでいるとともに前記光学系の瞳位置あるいはその近傍に可変焦点手段を備えており、前記可変焦点手段は前記光学系の焦点距離を残像が残る程度の速度で周期的に変化させることが可能となっていて、前記光学系は前記可変焦点手段との合成光学系の焦点距離が変化しても前記撮像素子の像面における像の大きさが実質的に変化しない特性を有していることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 入射光を光電変換する光電変換素子と、
前記光電変換素子から光電変換出力を受け増幅して出力する増幅トランジスタと、
前記増幅トランジスタの入力部をリセットするリセットトランジスタと、
からなる単位画素を行方向および列方向に複数配置して形成された撮像装置において、
同じ行に配置された複数の前記画素の蓄積時間をそれぞれ独立に制御可能な制御手段を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】 前記制御手段は、前記画素からの出力を行毎に読み出す手段と、
同じ行に配置された複数の前記画素の前記リセットトランジスタをそれぞれ独立に制御する手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】 請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の撮像装置と、前記撮像装置に供給する電力の残量を検出する検出手段と、前記検出手段で検出された情報に基づいて前記撮像装置内の制御手段を制御する処理手段とを有する撮像システム。
【請求項４】 請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の撮像装置と、前記撮像装置内の複数の前記画素のそれぞれの露光量を検出する露光量検出手段と、前記露光量検出手段で検出された情報に基づいて前記撮像装置内の制御手段を制御する処理手段とを有する撮像システム。
【請求項５】 前記処理手段は露光量の多い画素の蓄積時間を短くし、露光量の少ない画素の蓄積時間を長くするように制御することを特徴とする請求項４に記載の撮像システム。
【請求項６】 請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の撮像装置と、撮像領域の被写体の動きを検出する動き検出手段と、前記動検出手段で検出された情報に基づいて前記撮像装置内の制御手段を制御する処理手段とを有する撮像システム。
【請求項７】 前記処理手段は動きが検出された画素の信号を読み出すように制御することを特徴とする請求項６に記載の撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記に示した課題を解決するためのもので、入射光を光電変換する光電変換素子と、前記光電変換素子から光電変換出力を受け増幅して出力する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタの入力部をリセットするリセットトランジスタと、からなる単位画素を行方向および列方向に複数配置して形成された撮像装置において、
同じ行に配置された複数の前記画素の蓄積時間をそれぞれ独立に制御可能な制御手段を有することを特徴とする撮像装置を提供する。
また本発明は、その制御手段が、前記画素からの出力を行毎に読み出す手段と、
同じ行に配置された複数の前記画素の前記リセットトランジスタをそれぞれ独立に制御する手段とを有することを特徴とする撮像装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ末端に酸化されていてもよいメチオニン残基を有するペプチドまたはその塩とα−ジケトン類を反応させた後、加水分解することを特徴とする該メチオニン残基の除去方法。
【請求項２】
Ｎ末端に酸化されていてもよいメチオニン残基を有するペプチドが遺伝子工学的に製造されたペプチドである請求項１記載の方法。
【請求項３】
遺伝子工学的に製造されたペプチドがＮ末端に酸化されていてもよいメチオニン残基が付加した成長ホルモン、ニューロトロフィン−３、ベータセルリン、副甲状腺ホルモンまたはインターロイキン−２である請求項２記載の方法。
【請求項４】
遷移金属イオンの存在下にα−ジケトン類を反応させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
塩基の存在下にα−ジケトン類を反応させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
遷移金属イオンおよび塩基の存在下にα−ジケトン類を反応させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
α−ジケトン類がグリオキシル酸またはその塩である請求項１記載の方法。
【請求項８】
遷移金属イオンが銅イオンである請求項４記載の方法。
【請求項９】
塩基がピリジンである請求項５記載の方法。
【請求項１０】
塩基を用いて加水分解することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
塩基がアミン類である請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
塩基がジアミン類またはチオもしくはセレノセミカルバジド類である請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
ジアミン類がｏ−フェニレンジアミンである請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
遺伝子工学的に製造され、Ｎ末端にメチオニンが付加したヒト成長ホルモン、ニューロトロフィン−３、ヒトベータセルリン、副甲状腺ホルモンおよびヒトインターロイキン−２から選ばれたペプチドまたはその塩とグリオキシル酸またはその塩とを硫酸銅およびピリジンの存在下に反応させた後、ｏ−フェニレンジアミンと反応させることを特徴とする該ペプチドまたはその塩の製造法。
【請求項１５】
式  CH3-S(O)m-(CH2)2-CO-CO-Ｘ［式中、ｍは０ないし２の整数を示し、Ｘはアミノ酸の数が２以上のペプチド鎖を示す。］で表される化合物またはその塩。
【請求項１６】
請求項１５記載の化合物を加水分解することを特徴とするペプチドまたはその塩の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
1998072463.tif 000001
〔式中、
Ｒ1は、水素、(Ｃ1−Ｃ8)−アルキル（１個または２個以上またはすべての水素は、弗素によって置換されていてもよい）であり、
Ｒ2は、弗素、塩素、臭素、水素、−Ｏ−(Ｃ1−Ｃ8)−アルキル、−Ｓ−(Ｃ1−Ｃ8)−アルキル（アルキル基において、１個または２個以上またはすべての水素は、弗素によって置換されている）であり、
Ｒ3は、−Ｏ−(Ｃ1−Ｃ8)−アルキル、−Ｓ−(Ｃ1−Ｃ8)−アルキル（アルキル基において、１個または２個以上またはすべての水素は、弗素によって置換されている）であり、または
Ｒ2およびＲ3は、一緒になって、式−Ｏ−(Ｃ1−Ｃ5)−アルキレン−Ｏ−（式中、アルキル基において、１個または２個またはすべての水素は、弗素によって置換されている）の基を形成していてもよい〕の４−アミノ−２−ウレイドピリミジン−５−カルボキサミドまたはその生理学的に許容し得る酸付加塩。
【請求項２】
Ｒ1が、（Ｃ1−Ｃ4)−アルキル（１個または２個以上またはすべての水素は、弗素によって置換されていてもよい）であり、
Ｒ2が、弗素、塩素、臭素、水素、−Ｏ−(Ｃ1−Ｃ4)−アルキル、−Ｓ−(Ｃ1−Ｃ4)−アルキル（アルキル基において、１個または２個以上またはすべての水素は、弗素によって置換されている）であり、
Ｒ3が、−Ｏ−(Ｃ1−Ｃ4)−アルキル、−Ｓ−(Ｃ1−Ｃ4)−アルキル（アルキル基において、１個または２個以上またはすべての水素は、弗素によって置換されている）であり、または
Ｒ2およびＲ3が、一緒になって、式−Ｏ−(Ｃ1−Ｃ5)−アルキレン−Ｏ−（アルキル基において、１個または２個以上またはすべての水素は、弗素によって置換されている）の基を形成していてもよい請求項１記載の式Ｉの化合物またはその生理学的に許容し得る酸付加塩。
【請求項３】
Ｒ1が、（Ｃ1−Ｃ4)−アルキル（１個または２個以上またはすべての水素は、弗素によって置換されていてもよい）であり、
Ｒ2が、水素、臭素であり、
Ｒ3が、−ＯＣＦ3である請求項１または２記載の式Ｉの化合物またはその生理学的に許容し得る酸付加塩。
【請求項４】
次の反応スキーム
【化２】
1998072463.tif 000002
によって、式IIの化合物を相当する酸クロライドに変換しそして補助塩基を添加しまたは添加することなしに適当な溶剤中において０℃〜２００℃の温度で、この化合物を式III（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、請求項１に記載の式Ｉに対して示した意義を有する）の化合物と反応させて式Ｉの化合物を得、場合によっては、得られた式Ｉの化合物を生理学的に許容し得る塩に変換するかまたは得られた塩を生理学的に許容し得る塩に変換することからなる請求項１〜３の何れか一項に記載の式Ｉの化合物の製法。
【請求項５】
次の反応スキーム
【化３】
1998072463.tif 000003
によって、式IV（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は請求項１に記載の式Ｉに対して示した意義を有する）の化合物を環化して式Ｉの化合物を得ることからなる請求項１〜３の何れか一項に記載の式Ｉの化合物の製法。
【請求項６】
請求項１〜３の何れか一項に記載の１種または２種以上の化合物を含有する医薬。
【請求項７】
請求項１〜３の何れか一項に記載の化合物を含有する脂質代謝疾患の治療用医薬。
【請求項８】
請求項１〜３の何れか一項に記載の化合物を含有する高脂血症の治療用医薬。