【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子の欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子の欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射して前記欠陥部を絶縁化することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射して前記欠陥部を絶縁化することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子の欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することによりレーザー照射前よりも逆方向電流を小さくすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することによりレーザー照射前よりも逆方向電流を小さくすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
陽極と、前記陽極に接する有機化合物層と、前記有機化合物層に接する陰極からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子の欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
陽極と、前記陽極に接する有機化合物層と、前記有機化合物層に接する陰極からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
陽極と、前記陽極に接する有機化合物層と、前記有機化合物層に接する陰極からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子の欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射して、前記欠陥部を絶縁化することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
陽極と、前記陽極に接する有機化合物層と、前記有機化合物層に接する陰極からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射して、前記欠陥部を絶縁化することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
陽極と、前記陽極に接する有機化合物層と、前記有機化合物層に接する陰極からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子の欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することにより、レーザー照射前よりも逆方向電流を小さくすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
陽極と、前記陽極に接する有機化合物層と、前記有機化合物層に接する陰極からなる発光素子を有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することにより、レーザー照射前よりも逆方向電流を小さくすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記有機化合物層は発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層または電子注入層を有し、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記欠陥部の位置を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記有機化合物層は発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層または電子注入層を有し、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出し、
前記欠陥部の位置を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記有機化合物層は発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層または電子注入層を有し、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記欠陥部の位置を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射して前記欠陥部を絶縁化することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記有機化合物層は発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層または電子注入層を有し、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部の位置を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射して前記欠陥部を絶縁化することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記有機化合物層は発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層または電子注入層を有し、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記欠陥部の位置を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することによりレーザー照射前よりも逆方向電流を小さくすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、
前記有機化合物層は発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層または電子注入層を有し、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部の位置を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することによりレーザー照射前よりも逆方向電流を小さくすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】
発光素子と薄膜トランジスタを有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子の欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２０】
発光素子と薄膜トランジスタを有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２１】
発光素子と薄膜トランジスタを有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子の欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射して前記欠陥部を絶縁化することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２２】
発光素子と薄膜トランジスタを有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射して前記欠陥部を絶縁化することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２３】
発光素子と薄膜トランジスタを有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子の欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することによりレーザー照射前よりも逆方向電流を小さくすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２４】
発光素子と薄膜トランジスタを有する発光装置において、
前記発光素子に逆バイアスを印加し、
前記発光素子における発光箇所を検出することにより欠陥部を特定し、
前記欠陥部にレーザーを照射することによりレーザー照射前よりも逆方向電流を小さくすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１乃至請求項２４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記逆バイアスは、１〜１５Ｖの範囲で印加されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２６】
発光素子の有機化合物層を成膜する第１の成膜室と、
前記発光素子の対向電極を成膜する第２の成膜室と、
前記発光素子に逆バイアスを印加して、前記発光素子の発光箇所を検出する第１の処理室と、
前記発光素子にレーザーを照射する第２の処理室と、発光装置を封止する第３の処理室と、
を有することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２７】
請求項２６に記載の薄膜形成装置において、
前記第１の成膜室とは、蒸着法により成膜を行う成膜室、または塗布法により成膜を行う成膜室であることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２８】
請求項２６または請求項２７に記載の薄膜形成装置において、
前記第１の処理室は、前記発光素子に１〜１５Ｖの範囲で逆バイアスを印加する手段と、前記発光箇所を検出する手段とを有することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２９】
請求項２６乃至請求項２８のいずれか一項において、
前記第１の処理室で発光箇所を検出し、
前記発光箇所に前記第２の処理室でレーザーを照射し、
第３の処理室で前記発光装置を封止することを特徴とする発光装置の作製方法。