(57)【要約】  式（１）、（２）、（３）または（４）で表されるオリゴアニリン化合物は、低極性溶媒に対しても高い溶解性を示し、ＯＬＥＤ素子に適用した場合に、低駆動電圧等の優れた素子特性の実現を可能にする、電荷輸送性物質として好適なものである。2008032617.tif 000013（式中、Ｒ1〜Ｒ20は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン基を示し、ｍ、ｎ、ｌおよびｋは、それぞれ１≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１≦ｌ≦２０、１≦ｋ≦２０を満足する整数であり、Ｘは、フッ化アリール基を示す。）
2008032617.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）、（２）、（３）または（４）で表されることを特徴とするオリゴアニリン化合物。
【化１】
2008032617.tif 000011
（式中、Ｒ1〜Ｒ20は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン基を示し、ｍ、ｎ、ｌおよびｋは、それぞれ１≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１≦ｌ≦２０、１≦ｋ≦２０を満足する整数であり、Ｘは、フッ化アリール基を示す。）
【請求項２】
式（１）、（２）、（３）または（４）で表される化合物中に存在する１級および／または２級アミノ基が、式（１）、（２）、（３）または（４）で表される化合物中のフッ化アリール基に分子間で付加してなるオリゴアニリン化合物。
【化２】
2008032617.tif 000012
（式中、Ｒ1〜Ｒ20は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン基を示し、ｍ、ｎ、ｌおよびｋは、それぞれ１≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１≦ｌ≦２０、１≦ｋ≦２０を満足する整数であり、Ｘは、フッ化アリール基を示す。）
【請求項３】
前記Ｘが、フッ化ビフェニル基、フッ化フェニル基、フッ化ビナフチル基またはフッ化ナフチル基である請求項１または２記載のオリゴアニリン化合物。
【請求項４】
前記Ｘが、パーフルオロビフェニル由来の基、パーフルオロベンゼン由来の基、パーフルオロビナフチル由来の基またはパーフルオロナフタレン由来の基である請求項１または２記載のオリゴアニリン化合物。
【請求項５】
請求項１または２記載のオリゴアニリン化合物を含む電荷輸送性ワニス。
【請求項６】
請求項１または２記載のオリゴアニリン化合物を含む電荷輸送性薄膜。
【請求項７】
請求項５記載の電荷輸送性ワニスから作製される電荷輸送性薄膜。
【請求項８】
請求項６または７記載の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項６または７記載の電荷輸送性薄膜を備える太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オリゴアニリン化合物およびその利用に関し、さらに詳述すると、フッ化アリール基を含むオリゴアニリン化合物、およびこの化合物の電荷輸送性物質としての利用に関する。この利用としては、当該化合物を含むワニス、このワニスを用いてなる電化輸送性薄膜、およびこの電荷輸送性薄膜を用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略す）素子等がある。
【背景技術】
【０００２】
低分子有機ＥＬ（以下、ＯＬＥＤと略す）素子では、正孔注入層として銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）層を設けることによって、駆動電圧の低下や発光効率向上等の初期特性向上、さらには寿命特性向上を実現し得ることが報告されている（非特許文献１：アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）、米国、１９９６年、６９巻、ｐ．２１６０−２１６２）。
一方、高分子発光材料を用いた有機ＥＬ（以下、ＰＬＥＤと略す）素子では、ポリアニリン系材料（特許文献１：特開平３−２７３０８７号公報、非特許文献２：ネイチャー（Ｎａｔｕｒｅ）、英国、１９９２年、第３５７巻、ｐ．４７７−４７９）や、ポリチオフェン系材料（非特許文献３：アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）、米国、１９９８年、７２巻、ｐ．２６６０−２６６２）からなる薄膜を正孔輸送層として用いることで、ＯＬＥＤ素子と同様の効果が得られることが報告されている。【０００３】
近年、高溶解性の低分子オリゴアニリン系材料やオリゴチオフェン系材料を利用し、有機溶媒に完全溶解させた均一系溶液からなる電荷輸送性ワニスが見出され、このワニスから得られる正孔注入層を有機ＥＬ素子中に挿入することで、下地基板の平坦化効果や、優れたＥＬ素子特性が得られることが報告されている（特許文献２：特開２００２−１５１２７２号公報、特許文献３：国際公開第２００５／０４３９６２号パンフレット）。
当該低分子オリゴマー化合物は、それ自体の粘度が低いため、通常の有機溶媒を使用した場合、成膜操作におけるプロセスマージンが狭く、スピンコート、インクジェット塗布、スプレー塗布等の種々の塗布方式や、種々の焼成条件を用いる場合、高い均一性を有する成膜を行うことは困難である。しかし、各種添加溶媒を用いることで、粘度や、沸点、蒸気圧の調整が可能となり、種々の塗布方式に対応して高い均一性を有する成膜面を得ることが可能になった（特許文献４：国際公開第２００４／０４３１１７号パンフレット、特許文献５：国際公開第２００５／１０７３３５号パンフレット）。【０００４】
このように種々の溶媒添加を行っても固体の析出が起こらず、均一溶液性を維持できるのは、当該低分子オリゴマー化合物の高い溶解性、非凝集性に由来している。このため、塗布型電荷輸送性物質における溶解特性は非常に重要である。
最近、インクジェット塗布装置の溶剤耐性や、絶縁膜、隔壁などの基板上の構造物における耐溶剤特性などの問題から、特に低極性溶媒を使用した電荷輸送性ワニスによる塗布が望まれている。【０００５】
【非特許文献１】アプライド・フィジックス・レターズ、米国、１９９６年、６９巻、ｐ．２１６０−２１６２
【非特許文献２】ネイチャー、英国、１９９２年、第３５７巻、ｐ．４７７−４７９
【非特許文献３】アプライド・フィジックス・レターズ、米国、１９９８年、７２巻、ｐ．２６６０−２６６２
【特許文献１】特開平３−２７３０８７号公報
【特許文献２】特開２００２−１５１２７２号公報
【特許文献３】国際公開第２００５／０４３９６２号パンフレット
【特許文献４】国際公開第２００４／０４３１１７号パンフレット
【特許文献５】国際公開第２００５／１０７３３５号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、低極性溶媒に対しても高い溶解性を示し、ＯＬＥＤ素子に適用した場合に、低駆動電圧等の優れた素子特性の実現を可能にする、電荷輸送性物質として好適なオリゴアニリン化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、下記式（１）〜（４）で示されるフッ化アリール基を含むオリゴアニリン化合物が、低極性溶媒に対しても高溶解性を示し、電荷受容性物質と組み合わせて使用することで高電荷輸送性を示すとともに、ＯＬＥＤ素子の正孔注入層として用いた場合に、素子の駆動電圧を低減し得ることを見出し、本発明を完成した。【０００８】
すなわち、本発明は、
１．  式（１）、（２）、（３）または（４）で表されることを特徴とするオリゴアニリン化合物、
【化１】
2008032617.tif 000003
（式中、Ｒ1〜Ｒ20は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン基を示し、ｍ、ｎ、ｌおよびｋは、それぞれ１≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１≦ｌ≦２０、１≦ｋ≦２０を満足する整数であり、Ｘは、フッ化アリール基を示す。）
２．  式（１）、（２）、（３）または（４）で表される化合物中に存在する１級および／または２級アミノ基が、式（１）、（２）、（３）または（４）で表される化合物中のフッ化アリール基に分子間で付加してなるオリゴアニリン化合物、
【化２】
2008032617.tif 000004
（式中、Ｒ1〜Ｒ20は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン基を示し、ｍ、ｎ、ｌおよびｋは、それぞれ１≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１≦ｌ≦２０、１≦ｋ≦２０を満足する整数であり、Ｘは、フッ化アリール基を示す。）
３．  前記Ｘが、フッ化ビフェニル基、フッ化フェニル基、フッ化ビナフチル基またはフッ化ナフチル基である１または２のオリゴアニリン化合物、
４．  前記Ｘが、パーフルオロビフェニル由来の基、パーフルオロベンゼン由来の基、パーフルオロビナフチル由来の基またはパーフルオロナフタレン由来の基である１または２のオリゴアニリン化合物、
５．  １または２のオリゴアニリン化合物を含む電荷輸送性ワニス、
６．  １または２のオリゴアニリン化合物を含む電荷輸送性薄膜、
７．  ５の電荷輸送性ワニスから作製される電荷輸送性薄膜、
８．  ６または７の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子、
９．  ６または７の電荷輸送性薄膜を備える太陽電池
を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のフッ化アリール基を含むオリゴアニリン化合物は、低極性溶媒をはじめとした各種有機溶媒に対して高溶解性を示す。このため、このオリゴアニリン化合物と電荷受容性物質とを含む電荷輸送性物質に対し、低極性溶媒を一部または全量使用して低極性有機溶媒系の電荷輸送性ワニスを調製することができる。
この低極性有機溶媒系の電荷輸送性ワニスを使用することで、溶剤耐性が問題となるインクジェット塗布装置を用いることができ、また、基板上に絶縁膜や隔壁などの耐溶剤性が問題となる構造物が存在する場合でも、問題なく高平坦性を有する非晶質固体薄膜を作製することができる。
また、得られた薄膜は、高電荷輸送性を示すため、正孔注入層または正孔輸送層として使用することで、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下させることができる。
さらに、薄膜の高平坦性、高電荷輸送性を利用して、太陽電池の正孔輸送層、燃料電池用電極、コンデンサ電極保護膜、帯電防止膜へ応用することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
式（１）、（２）、（３）および式（４）で表されるオリゴアニリン化合物において、Ｒ1〜Ｒ20は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン基を示す。【００１１】
ハロゲン原子としては、塩素、臭素、フッ素、ヨウ素原子が挙げられる。
一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；ビシクロヘキシル基等のビシクロアルキル基；ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、イソプロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、１または２または３−ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；フェニル基、キシリル基、トリル基、ビフェニル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルシクロヘキシル基等のアラルキル基等が挙げられる。
なお、これらの一価炭化水素基の水素原子の一部または全部は、水酸基、ハロゲン原子、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、スルホン基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基、アルキル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等で置換されていてもよい。【００１２】
オルガノオキシ基としては、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基等が挙げられ、これらのアルキル基、アルケニル基、アリール基としては、上記一価炭化水素基で例示した基と同様のものが挙げられる。
オルガノアミノ基としては、フェニルアミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、ラウリルアミノ基等のアルキルアミノ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基、ジヘプチルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ジノニルアミノ基、ジデシルアミノ基等のジアルキルアミノ基；シクロヘキシルアミノ基、モルホリノ基等が挙げられる。【００１３】
オルガノシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリヘキシルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基等が挙げられる。
オルガノチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基等のアルキルチオ基が挙げられる。【００１４】
アシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
リン酸エステル基としては、−Ｐ（Ｏ）（ＯＱ1）（ＯＱ2）が挙げられる。
エステル基としては、−Ｃ（Ｏ）ＯＱ1、−ＯＣ（Ｏ）Ｑ1が挙げられる。
チオエステル基としては、−Ｃ（Ｓ）ＯＱ1、−ＯＣ（Ｓ）Ｑ1が挙げられる。
アミド基としては、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＱ1、−ＮＨＣ（Ｏ）Ｑ1、−Ｃ（Ｏ）ＮＱ1Ｑ2、−ＮＱ1Ｃ（Ｏ）Ｑ2、が挙げられる。
ここで、上記Ｑ1およびＱ2は、アルキル基、アルケニル基またはアリール基を示し、これらについては、上記一価炭化水素基で例示した基と同様のものが挙げられる。【００１５】
上記一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基およびアミド基等における炭素数は、特に限定されるものではないが、一般に炭素数１〜２０、好ましくは１〜８である。
上述の各置換基の中でも、フッ素原子、スルホン基、置換または非置換のオルガノオキシ基、アルキル基、オルガノシリル基がより好ましい。
なお、非置換とは水素原子が結合していることを意味する。また、以上の置換基において、置換基同士が連結されて環状である部分を含んでいてもよい。【００１６】
上記Ｘは、フッ化アリール基である。このアリール基としては特に限定されないが、ビフェニル、フェニル、ビナフチル、ナフチル、アントラセン、ナフタセン、ターフェニル、テトラフェニル、ピリジル、ビピリジル、チオフェン、ビチオフェン、ピロール、ビピロール、フラン、ビフラン、カルバゾール、フェナントロリン、ピレン、キノリン、イソキノリン、ピリダジン、ピリミジン、プリン、アクリジン、ピラジン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ピラゾール、イソキサゾール、イソチアゾール、インダゾール、ベンゾイソキサゾール、ベンゾイソチアゾール、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール等が挙げられる。中でも、ビフェニル、フェニル、ビナフチル、ナフチル基が好適である。【００１７】
これらのアリール基は、環上の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されていればよく、フッ素原子で置換されていない水素原子についてはその他の置換基で置換されていてもよいが、オリゴアニリン化合物の低極性溶媒に対する溶解性を向上するためには、環上の全ての水素原子がフッ素原子で置換されている方がよいため、パーフルオロアリール由来の基であることが好ましい。したがって、パーフルオロビフェニル由来の基、パーフルオロベンゼン由来の基、パーフルオロビナフチル由来の基またはパーフルオロナフタレン由来の基が最適である。
その他の置換基の具体例としては、それぞれ独立して、水酸基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基、スルホン基等が挙げられる。【００１８】
ｍ、ｎ、ｌおよびｋは、フェニルアミノ基の繰り返し単位数を示しており、それぞれ１≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１≦ｌ≦２０、１≦ｋ≦２０を満足する整数であればよいが、ｍ、ｎ、ｌおよびｋのいずれも、２〜８が好ましく、３〜５がより好ましい。
また、式（２）においては、ｍ＋ｎ≦４０を満たすことが好ましく、４≦ｍ＋ｎ≦１６を満たすことが好ましく、６≦ｍ＋ｎ≦１０を満たすことがより好ましい。
式（３）においては、ｍ＋ｎ＋ｌ≦６０を満たすことが好ましく、６≦ｍ＋ｎ＋ｌ≦２４を満たすことが好ましく、９≦ｍ＋ｎ＋ｌ≦１５を満たすことがより好ましい。
式（４）においては、ｍ＋ｎ＋ｌ＋ｋ≦８０を満たすことが好ましく、８≦ｍ＋ｎ＋ｌ＋ｋ≦３２を満たすことが好ましく、１２≦ｍ＋ｎ＋ｌ＋ｋ≦２０を満たすことがより好ましい。
これらの範囲に調整することで、良好な電荷輸送性を発揮させつつ、各種溶媒に対する溶解性を確保することが容易になる。【００１９】
式（１）、（２）、（３）および（４）で表されるフッ化アリール基を含むオリゴアニリン化合物は、溶解性を高めるとともに、電荷輸送性を均一にするということを考慮すると、分子量分布のない、言い換えると分散度が１のオリゴアニリン化合物であることが好ましい。その分子量は、材料の揮発の抑制および電荷輸送性発現のために、下限として通常２００以上、好ましくは４００以上であり、また溶解性向上のために、上限として通常５０００以下、好ましくは２０００以下である。【００２０】
なお、式（１）〜（４）のオリゴアニリン化合物において、その中に存在する２級アミノ基および／または１級アミノ基が存在する場合にはこの１級アミノ基が、別のオリゴアニリン分子のフッ化アリール基に分子間で付加した構造となっていてもよい。【００２１】
上記式（１）〜（４）で表されるアリールスルホン酸化合物の製造方法としては、例えば、以下の方法を挙げることができる。
すなわち、下記オリゴアニリン化合物（５）または（６）のアミノ基に対し、上述の式（１）におけるフッ化アリール基Ｘを与える試薬を作用させる。反応の方法は、特に限定されるものではなく、例えば、一般的な求核置換反応を用いることができる。【００２２】
【化３】
2008032617.tif 000005
（Ｒ1〜Ｒ6は上記と同じ。）【００２３】
オリゴアニリン誘導体（５）または（６）のＮＨ基と反応させる（架橋）試薬としては、例えば、パーフルオロビフェニル、パーフルオロベンゼン、パーフルオロビナフチル、パーフルオロナフタレン等が挙げられる。
なお、フッ素原子を３個以上含む芳香族炭化水素化合物を用いると、当該化合物が架橋試薬として作用するため、フッ化アリール基で架橋された化合物を得ることもできる。ｑ（３≦ｑ）個以上のフッ素原子（架橋部）を有する試薬を用いて、式（５）の化合物を（ｑ−１）量化する際、試薬の使用量は、式（５）の化合物に対して１／（ｑ−１）倍モルが好適である。【００２４】
オリゴアニリン誘導体（５）または（６）と上記試薬とを反応させる場合、触媒を用いることもできる。触媒としては、例えば、リチウム、カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、ｔ−ブトキシリチウム、ｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、リチウム−ジイソプロピルアミド、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、リチウムヘキサメチルジシラジド、ナトリウムヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラジド、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、酸化バリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、イミダゾール等の塩基；塩酸、硫酸、五酸化二リン、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、二塩化エチルアルミニウム、塩化ジエチルアルミニウム等の脱水縮合剤などを用いることができ、中でも、水素化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムが好適である。これらの触媒の使用量は特に制限はないが、式（５）または式（６）の化合物に対して１．０〜１．５倍モル用いることが好ましい。【００２５】
反応溶媒は、非プロトン性極性有機溶媒が好ましく、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン等が好適である。中でもジオキサン、ＮＭＰが好適である。
反応温度は、通常、−５０℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、０〜１４０℃の範囲が好ましい。反応時間は、通常、０．１〜１００時間である。
反応終了後、反応溶媒の留去、固−液抽出あるいは液−液抽出による無機塩の除去、再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等によって、精製することができる。
なお、上記反応の結果、反応生成物に存在する２級アミノ基、および／または１級アミノ基が存在する場合にはこの１級アミノ基が、さらに、別の反応生成物のフッ化アリール基に分子間付加した化合物が得られる場合もある。【００２６】
本発明に係る電荷輸送性ワニスは、電荷輸送性物質として、式（１）〜（４）で表されるオリゴアニリン化合物、または式（１）、（２）、（３）または（４）で表される化合物中に存在する２級アミノ基、および／または１級アミノ基が存在する場合にはこの１級アミノ基が、式（１）、（２）、（３）または（４）で表される化合物中のフッ化アリール基に分子間で付加してなるオリゴアニリン化合物を含むものである。
ここで、電荷輸送性ワニスとは、電荷輸送機構の本体である本発明のオリゴアニリン化合物からなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質および電子もしくは正孔受容性ドーパント物質からなる電荷輸送性有機材料を少なくとも１種の溶媒に溶解または分散してなるものである。
なお、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性、電子輸送性、正孔および電子の両電荷輸送性のいずれかを意味する。本発明の電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ワニスを使用して得られる固体膜に電荷輸送性があるものでもよい。【００２７】
本発明の電荷輸送性ワニスの電荷輸送能等を向上させるために、必要に応じて用いられる電荷受容性ドーパント物質としては、正孔輸送性物質に対しては電子受容性ドーパント物質を、電子輸送性物質に対しては正孔受容性ドーパント物質を用いることができるが、いずれも高い電荷受容性を有することが好ましい。電荷受容性ドーパント物質の溶解性に関しては、ワニスに使用する少なくとも一種の溶媒に溶解するものであれば特に限定されない。【００２８】
電子受容性ドーパント物質の具体例としては、塩化水素、硫酸、硝酸、リン酸等の無機強酸；塩化アルミニウム（ＩＩＩ）（ＡｌＣｌ3）、四塩化チタン（ＩＶ）（ＴｉＣｌ4）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ3）、三フッ化ホウ素エーテル錯体（ＢＦ3・ＯＥｔ2）、塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ3）、塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ2）、五塩化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＣｌ5）、五フッ化砒素（Ｖ）（ＡｓＦ5）、五フッ化リン（ＰＦ5）、トリス（４−ブロモフェニル）アルミニウムヘキサクロロアンチモナート（ＴＢＰＡＨ）等のルイス酸；ベンゼンスルホン酸、トシル酸、カンファスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５−スルホサリチル酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号パンフレットに記載されている１，４−ベンゾジオキサンジスルホン酸誘導体、国際公開第２００６／０２５３４２号パンフレットに記載されているアリールスルホン酸誘導体、特開２００５−１０８８２８号公報に記載されているジノニルナフタレンスルホン酸誘導体等の有機強酸；７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）、ヨウ素等の有機または無機酸化剤を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。【００２９】
特に好ましい電子受容性ドーパント物質としては、５−スルホサリチル酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号パンフレットに記載されている１，４−ベンゾジオキサンジスルホン酸誘導体、特開２００５−１０８８２８号公報に記載されているジノニルナフタレンスルホン酸誘導体等の有機強酸である電子受容性ドーパント物質を挙げることができる。【００３０】
正孔受容性ドーパントの具体例としては、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ）、リチウムキノリノラート（Ｌｉｑ）、リチウムアセチルアセトナート（Ｌｉ（ａｃａｃ））等の金属錯体が挙げられるが、これに限定されるものではない。【００３１】
電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる溶媒としては、水；メタノール、ＤＭＦ、ＤＭＡｃ、ＮＭＰ、ＤＭＩ、ＤＭＳＯ、クロロホルム、ジクロロエタン、トルエン等の有機溶媒を用いることができる。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５〜１００質量％とすることができる。
本発明のオリゴアニリン化合物は、低極性溶媒に対しても高い溶解性を有するので、少なくともその一部にトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ジクロロエタン、クロロホルム、ジクロロメタン等の低極性溶媒を含む溶媒を用いてもよい。
なお、電荷輸送性ワニスは、上記溶媒に完全に溶解しているか、均一に分散している状態となっていることが好ましい。【００３２】
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、２０℃で１０〜２００ｍＰａ・ｓ、特に５０〜１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧で沸点５０〜３００℃、特に１５０〜２５０℃の高粘度有機溶媒を、少なくとも一種類含有することが好適である。
高粘度有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジクリシジルエーテル、１，３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられる。
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５〜８０質量％であることが好ましい。【００３３】
さらに、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、焼成時に膜の平坦性を付与し得るその他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して１〜９０質量％、好ましくは１〜５０質量％の割合で混合することもできる。
このような溶媒としては、例えば、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチルカルビトール、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００３４】
以上で説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることで基材上に電荷輸送性薄膜を形成することができる。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられる。
溶媒の蒸発法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレートやオーブンを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で蒸発させればよい。これにより、均一な成膜面を有する薄膜を得ることが可能である。
焼成温度は、溶媒を蒸発させることができれば特に限定されないが、４０〜２５０℃で行うことが好ましい。この場合、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。【００３５】
電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子内で電荷注入層として用いる場合、５〜２００ｎｍであることが望ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。【００３６】
本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。【００３７】
正孔輸送性ワニスをＯＬＥＤ素子に使用する場合、以下の方法を挙げることができる。
陽極基板上に当該正孔輸送性ワニスを塗布し、上記の方法により蒸発、焼成を行い、電極上に正孔輸送性薄膜を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。【００３８】
正孔輸送層を形成する材料としては、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体（ＴＰＤ）、（α−ナフチルジフェニルアミン）ダイマー（α−ＮＰＤ）、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー（Ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ）等のトリアリールアミン類、４，４’，４”−トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のスターバーストアミン類、５，５”−ビス−｛４−［ビス（４−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−２，２’：５’，２”−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類を挙げることができる。【００３９】
発光層を形成する材料としては、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ3）、ビス（８−キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）および４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、電子輸送材料または正孔輸送材料と発光性ドーパントとを共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
電子輸送材料としては、Ａｌｑ3、ＢＡｌｑ、ＤＰＶＢｉ、（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）（ＰＢＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、シロール誘導体等が挙げられる。【００４０】
発光性ドーパントとしては、キナクリドン、ルブレン、クマリン５４０、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオナート）ユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＴＴＡ）3ｐｈｅｎ）等が挙げられる。【００４１】
キャリアブロック層を形成する材料としては、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ＢＣＰ等が挙げられる。
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2）、Ｌｉｑ、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。【００４２】
また、電子輸送性ワニスをＯＬＥＤ素子に使用する場合、以下の方法を挙げることができる。
陰極基板上に当該電子輸送性ワニスを塗布して電子輸送性薄膜を作製し、これを真空蒸着装置内に導入し、上記と同様の材料を用いて電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層を形成した後、陽極材料をスパッタリング等の方法により成膜してＯＬＥＤ素子とする。【００４３】
本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、発光性電荷輸送性高分子層を形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を含むＰＬＥＤ素子を作製することができる。
具体的には、陽極基板上に、電荷輸送性ワニス（正孔輸送性ワニス）を塗布して上記の方法により正孔輸送性薄膜を作製し、その上部に発光性電荷輸送性高分子層を形成し、さらに陰極電極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
あるいは、陰極基板上に、電荷輸送性ワニス（電子輸送性ワニス）を塗布して上記の方法により電子輸送性薄膜を作製し、その上部に発光性電荷輸送性高分子層を形成し、さらにスパッタリング、蒸着、スピンコート等の方法により陽極電極を作製してＰＬＥＤ素子とする。【００４４】
使用する陰極および陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様の物質が使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
発光性電荷輸送性高分子層の形成法としては、発光性電荷輸送性高分子材料、またはこれに発光性ドーパントを加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層を形成してある電極基板に塗布した後、溶媒の蒸発により成膜する方法が挙げられる。
発光性電荷輸送性高分子材料としては、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等を挙げることができる。【００４５】
溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解または均一分散法としては攪拌、加熱攪拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが望ましい。
溶媒の蒸発法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法を挙げることができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。以下におけるＭＳスペクトルの測定装置は以下のとおりである。
［ＭＳスペクトル］
装置（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ）：Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｂｉｏｓｙｓｔｅｍｓ社製  Ｖｏｙａｇｅｒ−ＤＥTM  ＰＲＯ
装置（ＦＡＢ）：日本電子(株)製  ＪＭＳ−７００Ｔ【００４７】
［１］オリゴアニリン化合物の合成
［実施例１］
以下の反応式に従い、テトラアニリン（以下、ＴＡと略す）とパーフルオロビフェニル（以下、ＰＦＢと略す）とからビステトラアニリノオクタフルオロビフェニル（以下、ＢＴＡＯＦＢと略す）を合成した。なお、テトラアニリンは文献（シンセティック・メタルズ（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｓ）、１９９７年、８４巻、ｐ．１１９−１２０））に従って合成した。【００４８】
【化４】
2008032617.tif 000006
【００４９】
ＴＡ５．００ｇ、ＰＦＢ２．７３ｇ、および６０％水素化ナトリウム２．７４ｇに対し、窒素雰囲気下、脱水ジオキサン５００ｍｌを加えて超音波でこれらを懸濁させた。得られた紫色の懸濁液を窒素雰囲気下、８０℃まで昇温し、そのまま１５時間攪拌した。
放冷後、反応液を吸引濾過し、濾物をジオキサンで３回洗浄した後、さらに洗浄液がｐＨ７になるまで純水で洗浄した。合わせた濾液を濃縮し、純水１８０ｍＬを加え、超音波で分散した後、吸引濾過し、濾物を純水で２回洗浄した。洗浄後の濾物を減圧乾燥後、シリカゲル（シリカゲル１９０ｇ、留出溶媒：ジクロロエタン）を用いて精製した。留出液を減圧濃縮、乾固して緑黒色粉末１．４３ｇを得た。
得られた緑黒色粉末をＭＳスペクトル測定装置にて分析したところ、ＢＴＡＯＦＢおよび下記化合物由来のピークが得られた。
LDI-TOF-MS(positive): 1026 [M(BTAOFB)]+, 1686 [M(下記化合物)]+【００５０】
【化５】
2008032617.tif 000007
【００５１】
［比較例１］
フッ化アリール基を有しないオリゴアニリン化合物であるフェニルテトラアニリン（以下、ＰＴＡと略す）を以下の方法に従って合成した。すなわち、ブレティン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Bulletin of Chemical Society of Japan）、１９９４年、第６７巻、ｐ．１７４９−１７５２に記載されている方法を基に、以下の方法でＰＴＡを得た。【００５２】
【化６】
2008032617.tif 000008
【００５３】
ｐ−フェニレンジアミン１２．９７７ｇを、トルエン２Ｌに溶解し、これに脱水縮合剤であるテトラ−ｎ−ブトキシチタン２４５．０５ｇを加え、７０℃で３０分間溶解した。その後、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン５３．３４６ｇを添加し、窒素雰囲気下、反応温度１００℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応液を濾過し、濾物をトルエン、エーテルで順次洗浄した後、乾燥して銀色結晶を得た。得られた結晶に対して２５質量部のジオキサン、０．２当量のヒドラジン一水和物を加え、反応系内を窒素置換した後、加熱還流して結晶を溶解した。得られた溶液に、トルエンを結晶に対して２５質量部加えて溶液を懸濁させ、加熱還流後、さらにジオキサンを１０質量部加えて加熱還流して結晶を溶解させ、得られた溶液を熱時濾過した。
濾液から析出した固体を再結晶し、窒素雰囲気下、トルエン−ジオキサン（１：１）、エーテルで順次洗浄した後に濾取し、得られた結晶を減圧下、６０℃で１０時間乾燥した。同様の再結晶操作をもう一度繰り返して白色結晶３９．６０gを得た（収率７５％）。【００５４】
上記実施例１および比較例１で得られたＢＴＡＯＦＢおよびＰＴＡの低極性有機溶媒に対する溶解性について検討した。
（１）トルエンに対する溶解性
ＢＴＡＯＦＢ １００ｍｇにトルエン１ｍＬを加え、５０℃まで昇温して攪拌すると溶解し、室温まで冷却しても固体の析出は見られなかった。
一方、ＰＴＡ １００ｍｇにトルエン１ｍＬを加え、５０℃で攪拌したところ固体が溶け残り、溶解しなかった。
（２）ジクロロエタンに対する溶解性
ＢＴＡＯＦＢ １００ｍｇにジクロロエタン１ｍＬを加え、５０℃まで昇温して攪拌すると溶解し、室温まで冷却しても固体の析出は見られなかった。
ＰＴＡ １００ｍｇにジクロロエタン１ｍＬを加え、５０℃で攪拌したところ固体が溶け残り、溶解しなかった。
以上の結果から、フッ化アリール基を含むＢＴＡＯＦＢは、それを含まないＰＴＡと比較して、トルエンやジクロロエタンのような低極性溶媒に対する溶解性に優れていることがわかる。【００５５】
［２］電荷輸送性ワニスおよび電荷輸送性薄膜の作製
［実施例２］
ＢＴＡＯＦＢ ７０ｍｇおよび５−スルホサリチル酸二水和物１３９ｍｇの混合物に対し、窒素雰囲気中でＤＭＡｃ １．３０ｍＬを加えて溶解し、４０℃まで加熱して融解させたシクロヘキサノール３．８６ｍＬを加え、室温まで放冷して緑色透明溶液を得た。得られた溶液を孔径０．２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを用いて濾過し、緑色透明の電荷輸送性ワニスを得た。なお、濾過の際、目詰まりは生じなかった。
４０分間オゾン洗浄を行ったＩＴＯ基板上に、得られたワニスをスピンコート法により塗布し、ホットプレート上２００℃で１時間焼成して電荷輸送性薄膜を形成した。得られた薄膜は均一な非晶質固体であった。【００５６】
［比較例２］
ＰＴＡ １００ｍｇおよび５−スルホサリチル酸二水和物２３０ｍｇの混合物に対し、ＤＭＡｃ １．８７ｍｌを加えて室温で攪拌してこれらを溶解した後、４０℃まで加熱して融解させたシクロヘキサノール５．５３ｍｌを加えて攪拌し、緑黒色溶液を得た。得られた溶液を、孔径０．２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを用いて濾過し、緑黒色の電荷輸送性ワニスを得た。なお、濾過の際、目詰まりは生じなかった。
４０分間オゾン洗浄を行ったＩＴＯ基板上に、得られたワニスをスピンコート法により塗布し、ホットプレート上２００℃で１時間焼成して電荷輸送性薄膜を形成した。得られた薄膜は均一な非晶質固体であった。【００５７】
実施例２および比較例２のワニスの固形分濃度、薄膜の膜厚およびイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）を表１に示す。
なお、膜厚およびイオン化ポテンシャルは理研計器(株)製  光電子分光装置  ＡＣ−２を使用して測定した。膜厚は、(株)小坂研究所製  サーフコーダＥＴ−４０００Ａを使用して測定した。【００５８】
【表１】
2008032617.tif 000009
【００５９】
［３］ＯＬＥＤ素子の作製
［実施例３］
実施例２と同様の方法によりＩＴＯ基板上に正孔輸送性薄膜を形成した後、この基板を真空蒸着装置内に導入し、α−ＮＰＤ、Ａｌｑ3、ＬｉＦ、Ａｌを順次蒸着し、ＯＬＥＤ素子を作製した。膜厚は、それぞれ３５ｎｍ、５０ｎｍ、０．５ｎｍ、１００ｎｍとし、それぞれ８×１０-4Ｐａ以下の圧力となってから蒸着操作を行った。蒸着レートは、α−ＮＰＤおよびＡｌｑ3では０．３５〜０．４０ｎｍ／ｓ、ＬｉＦでは０．０１５〜０．０２５ｎｍ／ｓ、Ａｌでは０．２〜０．４ｎｍ／ｓとした。蒸着操作間の移動操作は真空中で行った。【００６０】
［比較例３］ＯＬＥＤ素子の作製
比較例２と同様の方法によりＩＴＯ基板上に電荷輸送性薄膜を形成した後、実施例３と同様の方法で各膜を蒸着し、ＯＬＥＤ素子を作製した。
実施例３および比較例３で得られた素子特性を併せて表２に示す。
なお、ＯＬＥＤ素子の特性は、有機ＥＬ発光効率測定装置（ＥＬ１００３、プレサイスゲージ(株)製）を使用して測定した。【００６１】
【表２】
2008032617.tif 000010
【００６２】
表２に示されるように、実施例３のＯＬＥＤ特性は、比較例２のＯＬＥＤ特性と比較して駆動電圧が低く、正孔注入特性が高いことがわかる。また、電流効率に関してもほぼ同等であることがわかる。
【国際調査報告】
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