【手続補正書】
【提出日】平成15年12月3日(2003.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表８に示す化合物８−ａ〜８−ｓから選択されることを特徴とする化合物。
【請求項２】
２つの電気接触層の間に少なくとも１つの活性層を含む有機電子デバイスであって、少なくとも１つの活性層が表８に示す化合物８−ａ〜８−ｓから選択される化合物を少なくとも１つ含むことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項３】
放射極大が５７０から７００ｎｍの範囲である放射層を含み、放射層の少なくとも２０重量％が以下の第２式
ＩｒＬaＬbＬ’yＬ”z      （第２式）
（式中、
ｙは１であり、
ｚは０であり、
Ｌ’は二座配位子であるが、フェニルピリジン、フェニルピリミジンまたはフェニルキノリンではなく、
ＬaおよびＬbは互いに同一または異なり、ＬaおよびＬbの各々が以下の構造（ＸＩ）および構造（ＸＩＩ）
【化１】
2005516040.tif 000001
（式中、
Ｒ10〜Ｒ19のうちの少なくとも１つが、Ｆと、ＣnＦ2n+1と、ＯＣnＦ2n+1と、ＯＣＦ2Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））
【化２】
2005516040.tif 000002
（式中、
Ｒ21〜Ｒ30のうちの少なくとも１つが、Ｆと、ＣnＦ2n+1と、ＯＣnＦ2n+1と、ＯＣＦ2Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））から選択される構造を有する）を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項４】
放射極大が５７０から７００ｎｍの範囲である放射層を含み、放射層の少なくとも２０重量％が以下の第３式
ＩｒＬaＬbＬc      （第３式）
（式中、
Ｌa、ＬbおよびＬcは互いに同一または異なり、Ｌa、ＬbおよびＬcの各々が以下の構造（ＸＩ）および構造（ＸＩＩ）
【化３】
2005516040.tif 000003
（式中、
Ｒ10〜Ｒ19のうちの少なくとも１つが、Ｆと、ＣnＦ2n+1と、ＯＣnＦ2n+1と、ＯＣＦ2Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））
【化４】
2005516040.tif 000004
（式中、
Ｒ21〜Ｒ30のうちの少なくとも１つが、Ｆと、ＣnＦ2n+1と、ＯＣnＦ2n+1と、ＯＣＦ2Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））から選択される構造を有する）を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項５】
表９に示す化合物９−ａ〜９−ｌから選択されることを特徴とする化合物。
【請求項６】
放射極大が４５０から５００ｎｍの範囲である放射層を含み、放射層の少なくとも２０重量％が以下の第６式
ＩｒＬaＬbＬ’Ｌ”      （第６式）
（式中、
Ｌ’は、ホスフィンと、イソニトリルと、一酸化炭素と、から選択され、
Ｌ”は、Ｆと、Ｃｌと、Ｂｒと、Ｉと、から選択され、
ＬaおよびＬbは以下の構造（Ｉ）
【化５】
2005516040.tif 000005
（式中、
Ｒ1〜Ｒ8は独立して、アルキル基と、アルコキシ基と、ハロゲン基と、ニトロ基と、シアノ基と、フルオロ基と、フッ素化アルキル基と、フッ素化アルコキシ基と、から選択され、Ｒ1〜Ｒ8のうちの少なくとも１つが、Ｆと、ＣnＦ2n+1と、ＯＣnＦ2n+1と、ＯＣＦ2Ｘと、から選択され（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである）、ＡがＣである）を有する）を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項７】
Ｌ”がＣｌであり、Ｌ’が、トリフェニルホスフィンと、トリス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ホスフィンと、２，６−ジメチルフェニルイソシアニドと、３−トリフルオロメチルフェニルイソシアニドと、４−トルエンスルホニルメチルイソシアニドと、から選択されることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
化合物が表９に示す化合物９−ａ〜９−ｌから選択されることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
表１２に示す化合物１２−ａ〜１２−ｊから選択されることを特徴とする化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
本発明のイリジウム錯体は、リン光性およびフォトルミネッセントであることが多く、ＯＬＥＤ以外の用途においても有用なものとなり得る。たとえば、イリジウムの有機金属錯体が酸素感受性インジケータ、バイオアッセイにおけるリン光インジケータ、触媒として用いられている。ビスシクロメタル化錯体を用いて第３の配位子が同一または異なるトリスシクロメタル化錯体を合成することが可能である。
本発明の好ましい態様は以下のとおりである。
１．  表８に示す化合物８−ａ〜８−ｓから選択されることを特徴とする化合物である。
２．  ２つの電気接触層の間に少なくとも１つの活性層を含む有機電子デバイスであって、少なくとも１つの活性層が表８に示す化合物８−ａ〜８−ｓから選択される化合物を少なくとも１つ含むことを特徴とする有機電子デバイス。
３．  活性層が発光層であることを特徴とする上記２．に記載のデバイス。
４．  活性層が電荷輸送層であることを特徴とする上記２．に記載のデバイス。
５．  放射極大が５７０から７００ｎｍの範囲である放射層を含み、放射層の少なくとも２０重量％が以下の第２式
ＩｒＬaＬbＬ’yＬ”z      （第２式）
（式中、
ｙは１であり、
ｚは０であり、
Ｌ’は二座配位子であるが、フェニルピリジン、フェニルピリミジンまたはフェニルキノリンではなく、
ＬaおよびＬbは互いに同一または異なり、ＬaおよびＬbの各々が構造式（ＸＩ）（式中、Ｒ10〜Ｒ19のうちの少なくとも１つが、Ｆと、ＣnＦ2n+1と、ＯＣnＦ2n+1と、ＯＣＦ2Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））、および構造式（ＸＩＩ）（式中、Ｒ21〜Ｒ30のうちの少なくとも１つが、Ｆと、ＣnＦ2n+1と、ＯＣnＦ2n+1と、ＯＣＦ2Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））から選択される構造を有する）を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする有機電子デバイス。
６．  放射極大が５７０から７００ｎｍの範囲である放射層を含み、放射層の少なくとも２０重量％が以下の第３式
ＩｒＬaＬbＬc      （第３式）
（式中、
Ｌa、ＬbおよびＬcは互いに同一または異なり、Ｌa、ＬbおよびＬcの各々が構造式（ＸＩ）（式中、Ｒ10〜Ｒ19のうちの少なくとも１つが、Ｆと、ＣnＦ2n+1と、ＯＣnＦ2n+1と、ＯＣＦ2Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））、および構造式（ＸＩＩ）（式中、Ｒ21〜Ｒ30のうちの少なくとも１つが、Ｆと、ＣnＦ2n+1と、ＯＣnＦ2n+1と、ＯＣＦ2Ｘと、から選択される（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである））から選択される構造を有する）を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする有機電子デバイス。
７．  表９に示す化合物９−ａ〜９−ｌから選択されることを特徴とする化合物。
８．  放射極大が４５０から５００ｎｍの範囲である放射層を含み、放射層の少なくとも２０重量％が以下の第６式
ＩｒＬaＬbＬ’Ｌ”      （第６式）
（式中、
Ｌ’は、ホスフィンと、イソニトリルと、一酸化炭素と、から選択され、
Ｌ”は、Ｆと、Ｃｌと、Ｂｒと、Ｉと、から選択され、
ＬaおよびＬbは構造式（Ｉ）（式中、Ｒ1〜Ｒ8は独立して、アルキル基と、アルコキシ基と、ハロゲン基と、ニトロ基と、シアノ基と、フルオロ基と、フッ素化アルキル基と、フッ素化アルコキシ基と、から選択され、Ｒ1〜Ｒ8のうちの少なくとも１つが、Ｆと、ＣnＦ2n+1と、ＯＣnＦ2n+1と、ＯＣＦ2Ｘと、から選択され（式中、ｎは１〜６の整数であり、ＸはＨ、ＣｌまたはＢｒである）、ＡがＣである）を有する）を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする有機電子デバイス。
９．  Ｌ”がＣｌであり、Ｌ’が、トリフェニルホスフィンと、トリス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ホスフィンと、２，６−ジメチルフェニルイソシアニドと、３−トリフルオロメチルフェニルイソシアニドと、４−トルエンスルホニルメチルイソシアニドと、から選択されることを特徴とする上記８．に記載のデバイス。
１０．  化合物が表９に示す化合物９−ａ〜９−ｌから選択されることを特徴とする上記８．に記載のデバイス。
１１．  表１２に示す化合物１２−ａ〜１２−ｊから選択されることを特徴とする化合物。