【手続補正書】
【提出日】平成17年4月6日(2005.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ所定の機能を有する複数のセルが配置されて成る半導体集積回路であって、
上記セルにおける縁辺部の配線は、互いに隣接配置されたセルとの境界から離れた位置にレイアウトされ、
上記配線は、絶縁膜中に形成された溝に導電膜が埋め込まれて形成されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
上記セルにおける縁辺部の内部にセル間を接続するセル間配線が形成され、
上記セル間配線の配線幅は、上記セルの縁辺部の配線の配線幅よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
上記セルは、上記セルにおける縁辺部に配置された広幅配線と、上記広幅配線よりも線幅が狭い狭幅配線とを含み、
上記広幅配線とそれに隣接配置された上記狭幅配線との配線間隔は、上記狭幅配線の最小配列ピッチよりも広く設定されて成ることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項４】
上記互いに隣接配置されたセルの上記配線間は、それらの間を橋絡可能な橋絡部を含む請求項１乃至３の何れか１項記載の半導体集積回路。
【請求項５】
上記配線は、それぞれ銅を含む配線であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載の半導体集積回路。
【請求項６】
それぞれ所定の機能を有するセルが第１方向及び上記第１方向に直交する第２方向に複数配置されて成る半導体集積回路であって、
上記セルにおける縁辺部に、電源配線が上記第１方向に延在して配置され、
上記セルにおける縁辺部の電源配線は、上記第２方向に互いに隣接配置されたセルとの境界から上記第２方向に離れた位置にレイアウトされ、
上記電源配線は、絶縁膜中に形成された溝に導電膜が埋め込まれて形成されており、
上記電源配線は、それぞれ銅を含む配線であり、
上記電源配線は同電位であることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項７】
上記セルは、上記セルにおける縁辺部に配置された広幅配線と、上記広幅配線よりも線幅が狭い狭幅配線とを含み、
上記広幅配線とそれに隣接配置された上記狭幅配線との配線間隔は、上記狭幅配線の最小配列ピッチよりも広く設定されて成ることを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路。
【請求項８】
上記互いに隣接配置されたセルの上記配線間はそれらの間を橋絡可能な橋絡部を含む請求項６又は７記載の半導体集積回路。
【請求項９】
複数のセルが配置された半導体集積回路であって、
上記複数のセルは、それぞれそのセルの縁辺部に配線を有し、
上記配線は、互いに隣接配置されたセルとの境界から離れた位置にレイアウトされており、
上記隣接配置されたセルにおける上記配線は同電位であることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１０】
上記複数のセルは、それぞれ上記縁辺部の内部にセル間を接続するセル間配線を有し、
上記セル間配線の配線幅は、上記セルの縁辺部の配線の配線幅よりも大きいことを特徴とする請求項９記載の半導体集積回路。
【請求項１１】
上記配線と上記セル間配線との配線間隔は、上記セル間配線の最小配列ピッチよりも広く設定されていることを特徴とする請求項１０記載の半導体集積回路。
【請求項１２】
上記互いに隣接配置されたセルの上記配線は、それらの間を橋絡可能な橋絡部を含む請求項９乃至１１の何れか１項記載の半導体集積回路。
【請求項１３】
上記配線は、絶縁膜内に形成された溝内に埋め込まれて形成されていることを特徴とする請求項９乃至１２の何れか１項記載の半導体集積回路。
【請求項１４】
上記配線は、それぞれ銅を含む配線であることを特徴とする請求項９乃至１３の何れか１項記載の半導体集積回路。
【請求項１５】
第１セル及び第２セルが第２方向において互いに隣接するように配置された半導体集積回路装置であって、
上記第１セルは、上記第１セルの縁辺部に配置され、上記第２方向と直交する第１方向に延在し、且つ、上記第１及び第２セルの境界から離れた位置に配置された第１配線を有し、
上記第２セルは、上記第２セルの縁辺部に配置され、上記第１方向に延在し、且つ、上記境界から離れた位置に配置された第２配線を有し、
上記第１及び第２配線は、絶縁膜内に形成された溝内に埋め込まれて形成されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１６】
上記第１及び第２セルは、それぞれ上記第１及び第２セルの縁辺部よりも内側に内部配線を有し、
上記第１及び第２配線の幅は、それぞれ上記内部配線の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１５記載の半導体集積回路。
【請求項１７】
上記半導体集積回路は更に、上記第１及び第２配線接続する橋絡部が配置されていることを特徴とする請求項１５又は１６記載の半導体集積回路。
【請求項１８】
上記第１及び第２配線は、それぞれ銅を含む配線であることを特徴とする請求項１５乃至１７の何れか１項記載の半導体集積回路。
【請求項１９】
第１セルと、
第２セルと、
上記第１及び第２セルと第２方向において隣接して配置された第３セルを有し、
上記第１セルは、上記第１セルの縁辺部に配置され、上記第２方向と直交する第１方向に延在し、且つ、上記第１及び第３セルの境界である第１境界から離れた位置に配置された第１配線を有し、
上記第２セルは、上記第２セルの縁辺部に配置され、上記第１方向に延在し、且つ、上記第２及び第３セルの境界である第２境界から離れた位置に配置された第２配線を有し、
上記第３セルは、上記第３セルの上記第１境界側の縁辺部に配置され、上記第１方向に延在し、且つ、上記第１境界から離れた位置に配置された第３配線を有し、
上記第３セルは、上記第３セルの上記第２境界側の縁辺部に配置され、上記第１方向に延在し、且つ、上記第２境界から離れた位置に配置された第４配線を有し、
上記第１及び第３配線に供給される電圧の絶対値は、上記第２及び第４配線に供給される電圧の絶対値と異なることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２０】
上記第１及び第３配線に供給される電圧の絶対値は等しく、
上記第２及び第４配線に供給される電圧の絶対値は互いに等しいことを特徴とする請求項１９記載の半導体集積回路。
【請求項２１】
上記第１及び第３配線に供給される電圧の絶対値は、上記第２及び第４配線に供給される電圧の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項１９又は２０記載の半導体集積回路。
【請求項２２】
上記第１、第２及び第３セルは、それぞれ上記第１、第２及び第３セルの縁辺部よりも内側に内部配線を有し、
上記第１、第２及び第３配線の幅は、それぞれ上記内部配線の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１９乃至２１の何れか１項記載の半導体集積回路。
【請求項２３】
上記半導体集積回路は更に、上記第１及び第３配線接続する第１橋絡部が配置されていることを特徴とする請求項１９乃至２２の何れか１項記載の半導体集積回路。
【請求項２４】
上記半導体集積回路は更に、上記第２及び第４配線接続する第２橋絡部が配置されていることを特徴とする請求項１９乃至２３の何れか１項記載の半導体集積回路。
【請求項２５】
上記第１、第２及び第３配線は、絶縁膜内に形成された溝内に埋め込まれて形成されていることを特徴とする請求項１９乃至２４の何れか１項記載の半導体集積回路。
【請求項２６】
上記第１、第２及び第３配線は、それぞれ銅を含む配線であることを特徴とする請求項１９乃至２５の何れか１項記載の半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路