【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  反射防止面とその上に付着させた厚さ約１００オングストローム未満の防汚コーティング層とを有する基材を含む反射防止物品であって；ここで前記防汚コーティング層は次式：
【化１】
2001512170.tif 000001
のフッ素化シランを含有するコーティング組成物を適用することで生成するフッ素化シロキサンを含み、式中：Ｒfは１つ以上のヘテロ原子を任意に含む過フッ素化基であり；Ｒ1は１つ以上のヘテロ原子で置換されるかまたは官能基で置換されるかした、約２〜約１６個の炭素原子を含有する二価のアルキレン基、アリーレン基、またはそれらの混合物であり；Ｒ2は低級アルキル基であり；Ｘはハロゲン、低級アルコキシ基、またはアシルオキシ基であり；ｘは０または１である反射防止物品。
【請求項２】  反射防止面とその上に付着させた防汚コーティング層とを有する基材を含む反射防止物品であり、前記防汚コーティング層がほぼ単分子層の厚さのフッ素化シロキサンのベース膜と、その上に吸着した、前記反射防止物品の反射防止特性を実質的に減少させることのない量のオリゴマーフッ素化シロキサン材料とを含み、前記フッ素化シロキサンが、次式：
【化２】
2001512170.tif 000002
のフッ素化シランを含有するコーティング組成物を適用することで形成され、式中：Ｒfは任意に１つ以上のヘテロ原子を含む過フッ素化基であり；Ｒ1は１つ以上のヘテロ原子で置換されるかまたは官能基で置換されるかした、約２〜約１６個の炭素原子を含有する二価のアルキレン基、アリーレン基、またはそれらの混合物であり；Ｒ2は低級アルキル基であり；Ｘはハロゲン、低級アルコキシ基、またはアシルオキシ基であり；ｘは０または１である反射防止物品。
【請求項３】  前記防汚コーティング層が、ほぼ単分子層の厚さのフッ素化シロキサンのベース膜と、その上に吸着した、前記反射防止物品の反射防止特性を有意に減少させることのない量のオリゴマーフッ素化シロキサン材料とを含む請求項１または２に記載の反射防止物品。
【請求項４】  前記反射防止面が１種類以上の金属酸化物を有する金属酸化物被膜を含む請求項１または２に記載の反射防止物品。
【請求項５】  前記反射防止面がスパッタコーティングした金属酸化物被膜を含む請求項４に記載の反射防止物品。
【請求項６】  前記防汚コーティング層の厚さが少なくとも約２０オングストロームである請求項５に記載の反射防止物品。
【請求項７】  第１面の反射防止性と、前記防汚コーティング層のない同じ物品の反射防止性との差が約０．２％未満である請求項１または２に記載の反射防止物品。
【請求項８】  反射防止面とその上に付着させた防汚コーティング層とを有する基材を含む反射防止物品であって、前記防汚コーティング層は、約厚さ１００オングストローム未満であり、ほぼ単分子層の厚さのフッ素化シロキサンのベース膜とその上に吸着した、前記反射防止物品の反射防止特性を有意に減少させることのない量のオリゴマーフッ素化シロキサン材料とを含む反射防止物品。
【請求項９】  反射防止面を有する基材に防汚コーティング層を適用する方法であって、前記方法が前記反射防止面をフッ素化シランを含有するコーティング組成物で処理することを含み、後の処理は行わず、ここで前記フッ素化シランが次式：
【化３】
2001512170.tif 000003
を有し、式中：Ｒfは任意に１つ以上のヘテロ原子を含む過フッ素化基であり；Ｒ1は１つ以上のヘテロ原子で置換されるかまたは官能基で置換されるかした、約２〜約１６個の炭素原子を含有する二価のアルキレン基、アリーレン基、またはそれらの混合物であり；Ｒ2は低級アルキル基であり；Ｘはハロゲン、低級アルコキシ基、またはアシルオキシ基であり；ｘは０または１である方法。
【請求項１０】  形成された前記防汚コーティング層が、ほぼ単分子層の厚さのフッ素化シロキサンのベース膜とその上に吸着した、オリゴマーフッ素化シロキサン材料とを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記反射防止基材がフッ素化シランを含有するコーティング組成物で３０分未満処理される請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  反射防止面を有する基材に防汚コーティング層を適用する方法であって、前記方法が前記反射防止面を約０．５重量％未満のフッ素化シランを含有するコーティング組成物で３０分未満処理することから本質的になり、ここで前記フッ素化シランが次式：
【化４】
2001512170.tif 000004
を有し、式中：Ｒfは任意に１つ以上のヘテロ原子を含む過フッ素化基であり；Ｒ1は１つ以上のヘテロ原子で置換されるかまたは官能基で置換されるかした、約２〜約１６個の炭素原子を含有する二価のアルキレン基、アリーレン基、またはそれらの混合物であり；Ｒ2は低級アルキル基であり；Ｘはハロゲン、低級アルコキシ基、またはアシルオキシ基であり；ｘは０または１である方法。
【請求項１３】  反射防止面を有する基材に防汚コーティング層を適用する方法であって、前記方法が、次式：
【化５】
2001512170.tif 000005
のフッ素化シランを含有するコーティング組成物に前記基材を浸漬することを含み、式中：Ｒfは任意に１つ以上のヘテロ原子を含む過フッ素化基であり；Ｒ1は１つ以上のヘテロ原子で置換されるかまたは官能基で置換されるかした、約２〜約１６個の炭素原子を含有する二価のアルキレン基、アリーレン基、またはそれらの混合物であり；Ｒ2は低級アルキル基であり；Ｘはハロゲン、低級アルコキシ基、またはアシルオキシ基であり；ｘは０または１であり；形成される前記防汚コーティング層が厚さ約１００オングストローム未満である方法。
【請求項１４】  反射防止面を有する基材に防汚コーティング層を適用する方法であって、前記方法が、次式：
【化６】
2001512170.tif 000006
のフッ素化シランを含有するコーティング組成物に前記基材を浸漬することを含み、式中：Ｒfは任意に１つ以上のヘテロ原子を含む過フッ素化基であり；Ｒ1は１つ以上のヘテロ原子で置換されるかまたは官能基で置換されるかした、約２〜約１６個の炭素原子を含有する二価のアルキレン基、アリーレン基、またはそれらの混合物であり；Ｒ2は低級アルキル基であり；Ｘはハロゲン、低級アルコキシ基、またはアシルオキシ基であり；ｘは０または１であり；前記防汚コーティング層が、ほぼ単分子層の厚さのフッ素化シロキサンのベース膜と、その上に吸着した、前記反射防止物品の反射防止特性を実質的に変化させることのない量のオリゴマーフッ素化シロキサン材料とを含む方法。
【請求項１５】  反射防止面を有する基材に防汚コーティング層を適用する方法であって、前記方法が、約０．５重量％未満のフッ素化シランを含有するコーティング組成物に前記基材を約５分未満浸漬することを含み、後の工程は行わず、ここで前記フッ素化シランが次式：
【化７】
2001512170.tif 000007
で表され、式中：Ｒfは任意に１つ以上のヘテロ原子を含む過フッ素化基であり；Ｒ1は１つ以上のヘテロ原子で置換されるかまたは官能基で置換されるかした、約２〜約１６個の炭素原子を含有する二価のアルキレン基、アリーレン基、またはそれらの混合物であり；Ｒ2は低級アルキル基であり；Ｘはハロゲン、低級アルコキシ基、またはアシルオキシ基であり；ｘは０または１であり；形成される前記防汚コーティング層は、厚さ約１００オングストローム未満であり、ほぼ単分子層の厚さのフッ素化シロキサンのベース膜と、その上に吸着した、前記反射防止物品の反射防止特性を実質的に変化させることのない量のオリゴマーフッ素化シロキサン材料とを含む方法。
【請求項１６】  形成された前記防汚コーティング層の厚さが約１００オングストローム未満である請求項９または１２〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】  前記処理工程が室温で行われる請求項９または１２〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】  前記フッ素化シランを含有する前記コーティング組成物が約２．０重量％未満の前記フッ素化シランを含有する請求項９または１２〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】  前記処理工程が、前記基材を前記フッ素化シランを含有する前記コーティング組成物に浸漬し、コーティングされた反射防止基材を取り出すことを含み、ここで前記コーティングされた基材が取り出されるときに実質的に自己非親和性となって現われる請求項９または１２〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】  前記反射防止面が１種類以上の金属酸化物を有する金属酸化物被膜を含む請求項９または１２〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】  前記反射防止面がスパッタコーティングした金属酸化物被膜を含む請求項９または１２〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】  請求項１３に記載の方法で作製した反射防止物品。
【請求項２３】  請求項１４に記載の方法で作製した反射防止物品。
【請求項２４】  請求項１５に記載の方法で作製した反射防止物品。