【手続補正書】
【提出日】平成17年8月23日(2005.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザから射出されたレーザビームの被照射面における第１のエネルギー密度の分布を、第１の手段により第２のエネルギー密度の分布とし、
第２の手段により、前記第２のエネルギー密度の分布を有するレーザビームの端部におけるエネルギー密度が徐々に減衰する領域を除去し、
前記減衰する領域を除去したレーザビームを、被照射面に対して相対的に移動しながら照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２】
レーザから射出されたレーザビームの断面形状を、第１の手段により第１の形状に変形し、
第２の手段により、前記第１の形状に変形されたレーザビームの端部におけるエネルギー密度が徐々に減衰する領域を除去し、
前記減衰する領域を除去したレーザビームを、被照射面に対して相対的に移動しながら照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第２の手段は、前記被照射面に近接されたスリットであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
請求項３において、前記スリットは、前記被照射面から１ｃｍ以内に設置されていることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
レーザから射出されたレーザビームの被照射面における第１のエネルギー密度の分布を、第１の手段により第２のエネルギー密度の分布とし、
第２の手段により、前記第２のエネルギー密度の分布を有するレーザビームの端部のエネルギー密度を均一にし、
前記エネルギー密度を均一にしたレーザビームを、被照射面に対して相対的に移動しながら照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
レーザから射出されたレーザビームの断面形状を、第１の手段により第１の形状に変形し、
第２の手段により、前記第１の形状に変形されたレーザビームの端部のエネルギー密度を均一にし、
前記エネルギー密度を均一にしたレーザビームを、被照射面に対して相対的に移動しながら照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、前記第２の手段は、前記第２のエネルギー密度の分布を有するレーザビームの端部に設置されたミラーであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第１の手段は、前記レーザビームの光軸と直交するように配置されたホモジナイザーであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第１の手段は、前記レーザビームの光軸と直交するように並列に配置され、前記レーザビームを配置方向に分割する複数のシリンドリカルレンズアレイであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第１の手段は、前記レーザビームの光軸と直交するように並列に配置され、前記レーザビームを配置方向に分割する複数のシリンドリカルレンズ群と、前記シリンドリカルレンズ群の透過側に配置され前記分割されたレーザビームを合成するレンズとであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第１の手段は、前記レーザビームの光軸と直交するように配置され、前記レーザビームを分割するフライアイレンズであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第１の手段は、前記レーザビームの光軸と直交するように配置され、前記レーザビームを分割するフライアイレンズと、前記フライアイレンズの透過側に配置され前記分割されたレーザビームを合成する球面レンズとであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記レーザビームの端部は、前記レーザビームの移動方向と平行な領域であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、前記レーザは、連続発振またはパルス発振の固体レーザまたは気体レーザであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、前記レーザは、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、又はＴｉ：サファイアレーザであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、前記レーザは、連続発振またはパルス発振のエキシマレーザ、Ａｒレーザ、またはＫｒレーザであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１７】
レーザから射出されたレーザビームの被照射面における第１のエネルギー密度の分布を、第１の手段により第２のエネルギー密度の分布とし、
第２の手段により、前記第２のエネルギー密度の分布を有するレーザビームの端部におけるエネルギー密度が徐々に減衰する領域を除去し、
前記減衰する領域を除去したレーザビームを、被照射面に対して相対的に移動しながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
レーザから射出されたレーザビームの断面形状を、第１の手段により第１の形状に変形し、
第２の手段により、前記第１の形状に変形されたレーザビームの端部におけるエネルギー密度が徐々に減衰する領域を除去し、
前記減衰する領域を除去したレーザビームを、被照射面に対して相対的に移動しながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１７又は請求項１８において、前記第２の手段は、前記被照射面に近接されたスリットであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、前記スリットは、前記被照射面から１ｃｍ以内に設置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
レーザから射出されたレーザビームの被照射面における第１のエネルギー密度の分布を、第１の手段により第２のエネルギー密度の分布とし、
第２の手段により、前記第２のエネルギー密度の分布を有するレーザビームの端部のエネルギー密度を均一にし、
前記エネルギー密度を均一にしたレーザビームを、被照射面に対して相対的に移動しながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
レーザから射出されたレーザビームの断面形状を、第１の手段により第１の形状に変形し、
第２の手段により、前記第１の形状に変形されたレーザビームの端部のエネルギー密度を均一にし、
前記エネルギー密度を均一にしたレーザビームを、被照射面に対して相対的に移動しながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項２１又は請求項２２において、前記第２の手段は、前記第２のエネルギー密度の分布を有するレーザビームの端部に設置されたミラーであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１７乃至請求項２３のいずれか一項において、前記第１の手段は、前記レーザビームの光軸と直交するように配置されたホモジナイザーであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１７乃至請求項２３のいずれか一項において、前記第１の手段は、前記レーザビームの光軸と直交するように並列に配置され、前記レーザビームを配置方向に分割する複数のシリンドリカルレンズであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１７乃至請求項２３のいずれか一項において、前記第１の手段は、前記レーザビームの光軸と直交するように並列に配置され、前記レーザビームを配置方向に分割する複数のシリンドリカルレンズ群と、前記シリンドリカルレンズ群の透過側に配置され前記分割されたレーザビームを合成するレンズとであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項１７乃至請求項２３のいずれか一項において、前記第１の手段は、前記レーザビームの光軸と直交するように配置され、前記レーザビームを分割するフライアイレンズであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項１７乃至請求項２３のいずれか一項において、前記第１の手段は、前記レーザビームの光軸と直交するように配置され、前記レーザビームを分割するフライアイレンズと、前記フライアイレンズの透過側に配置され前記分割されたレーザビームを合成する球面レンズとであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項１７乃至請求項２８のいずれか一項において、前記レーザビームの端部は、前記レーザビームの移動方向と平行な領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項１７乃至請求項２９のいずれか一項において、前記レーザは、連続発振またはパルス発振の固体レーザまたは気体レーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項１７乃至請求項３０のいずれか一項において、前記レーザは、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、又はＴｉ：サファイアレーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項１７乃至請求項３０のいずれか一項において、前記レーザは、連続発振またはパルス発振のエキシマレーザ、Ａｒレーザ、またはＫｒレーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３３】
請求項１７乃至請求項３２のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製された半導体装置であって、
前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末のいずれか一であることを特徴とする半導体装置。