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【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コネクタ本体の両側に複数のバネ接点が設けられ、この両側一対のバネ接点はそれぞれ電気的に接続しており、
コネクタ本体は、フレームの穴に非固定状態で入れて保持し且つバネ接点を設けた方向に移動可能であり、
前記バネ接点は、前記コネクタ本体の両側に対向する位置の導電体と所定の接触圧で接触していることを特徴とするコネクタ実装構造。
【請求項２】
更に、コネクタ本体にレバーを設けると共に当該レバーに２箇所の鉤部を設け、一方でフレームの穴の側面に前記レバーの鉤部と鉤部の間に入れ込む突起部を形成し、この突起部の幅よりも鉤部と鉤部との間隔が大きく、当該差をもってコネクタ本体の移動量を規制することを特徴とする請求項１に記載のコネクタ実装構造。
【請求項３】
コネクタ本体の両側に複数のバネ接点が設けられ、この両側一対のバネ接点はそれぞれ電気的に接続しており、
コネクタ本体は、フレームの穴に位置し且つバネ接点を設けた方向に移動可能に保持されており、
前記バネ接点は、前記コネクタ本体の両側に対向する位置の導電体と所定の接触圧で接触していることを特徴とするコネクタ実装構造。
【請求項４】
所定の配線パターンが形成されている電気光学パネルと、
電気光学パネルを重ねて固定するフレームと、
電気光学パネルの反対側に配置され、所定の配線パターンが形成されている回路基板と、
コネクタ本体の上下にはコネクタ本体からバネ端子が突出し、フレームに設けた穴に位置し且つバネ端子を設けた方向に移動可能に保持され、バネ端子が電気光学パネルの配線パターンと回路基板の配線パターンとに接触してこれらを電気的に接続するコネクタと、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一つに記載した構造のコネクタ実装構造を有する電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明によるコネクタ実装構造は、コネクタ本体の両側に複数のバネ接点が設けられ、この両側一対のバネ接点はそれぞれ電気的に接続しており、コネクタ本体は、フレームの穴に非固定状態で入れて保持し且つバネ接点を設けた方向に移動可能であり、前記バネ接点は、前記コネクタ本体の両側に対向する位置の導電体と所定の接触圧で接触していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明では、フレームの穴に非固定状態で入れて保持することでコネクタ本体がバネ接点を設けた方向に移動可能であるから、その両側の弾性体接点の導電体に対する接触圧がバランスする。これにより、実装した機器に衝撃等が加わってもコネクタの接続に不具合が生じないから、接続信頼性を高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明によるコネクタ実装構造は、上記構成において、更に、コネクタ本体にレバーを設けると共に当該レバーに２箇所の鉤部を設け、一方でフレームの穴の側面に前記レバーの鉤部と鉤部の間に入れ込む突起部を形成し、この突起部の幅よりも鉤部と鉤部との間隔が大きく、当該差をもってコネクタ本体の移動量を規制することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
突起部をレバーの鉤部と鉤部との間に入れ込むことでコネクタ本体を遊びを持たせて保持すると共に、突起部の幅よりも鉤部と鉤部との間隔を大きくすることで移動量を規制する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明によるコネクタ実装構造は、コネクタ本体の両側に複数のバネ接点が設けられ、この両側一対のバネ接点はそれぞれ電気的に接続しており、コネクタ本体は、フレームの穴に位置し且つバネ接点を設けた方向に移動可能に保持されており、前記バネ接点は、前記コネクタ本体の両側に対向する位置の導電体と所定の接触圧で接触していることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明においても、実装した機器に衝撃等が加わってもコネクタの接続に不具合が生じないから、接続信頼性を高めることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明による電気光学装置は、所定の配線パターンが形成されている電気光学パネルと、電気光学パネルを重ねて固定するフレームと、電気光学パネルの反対側に配置され、所定の配線パターンが形成されている回路基板と、コネクタ本体の上下にはコネクタ本体からバネ端子が突出し、フレームに設けた穴に位置し且つバネ端子を設けた方向に移動可能に保持され、バネ端子が電気光学パネルの配線パターンと回路基板の配線パターンとに接触してこれらを電気的に接続するコネクタと、を備えたことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
バネ端子が電気光学パネルの配線パターンと回路基板の配線パターンとの間に存在し、コネクタ本体がバネ端子を設けた方向に移動可能に保持されるから、両配線パターンに対する接触圧がバランスする。これにより、コネクタによる接触不良等が抑制され、コネクタの接続信頼性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法であって、ＣＢＤ法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させてバッファ層を形成する際に、第１の設定時間のあいだその水溶液を第１の温度に保持する第１の工程と、第２の設定時間のあいだその水溶液を第１の温度よりも高い第２の温度に上昇させる第２の工程と、第３の設定時間のあいだその水溶液を第２の温度に保持させる第３の工程とをとるようにしたことを特徴とする化合物薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
第１の工程ないし第３の工程のあいだ水溶液を攪伴するようにしたことを特徴とする請求項１の記載による化合物薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
第３の工程のあいだ水溶液のｐＨが高くなるように調整することを特徴とする請求項１の記載による化合物薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法であって、ＣＢＤ法により光吸収層を水溶液に浸して微粒子を堆積させてバッファ層を形成する際に、その水済液のｐＨを低から高に変化させながら内部で膜質の異なるバッファ層を形成させるようにしたことを特徴とする化合物薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】
裏電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池において、バッファ層がｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなり、光吸収層の外方へ向って微粒子のサイズが徐々にまたは段階的に大きくなる構造を有していることを特徴とする化合物薄膜太陽電池。
【請求項６】
裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池において、バッファ層がｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなり、バッファ層の下側ほどｐＨの低い層が形成され、その上側ほどｐＨの高い層が形成されていることを特徴とする化合物薄膜太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】  そして、その際、特に本発明では、第１の設定時間のあいだその水溶液を第１の温度に保持する第１の工程と、第２の設定時間のあいだその水溶液を第１の温度よりも高い第２の温度に上昇させる第２の工程と、第３の設定時間のあいだその水溶液を第２の温度に保持させる第３の工程とをとることにより、水溶液の温度を低から高に変化させながら堆積される微粒子のサイズが中から大に変化するようにしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】  そして、その際、特に本発明では、ｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなり、光吸収層の外方へ向って微粒子のサイズが徐々にまたは段階的に大きくなる構造のバッファ層を設けるようにしている。また、その際、特に本発明では、ｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなり、下側ほどｐＨの低い層が形成され、上側ほどｐＨの高い層が形成されている構造のバッファ層を設けるようにしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】  また、本発明は、裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池にあって、ｎ型半導体材料の微粒子の堆積層からなるバッファ層を設け、その際、特に、光吸収層の外方へ向って微粒子のサイズが徐々にまたは段階的に大きくなる構造のバッファ層、または下側ほどｐＨの低い層が形成され、上側ほどｐＨの高い層が形成されている構造のバッファ層を設けるようにしたもので、バンドギャップが小さくて短波長側の光を透過しにくいＩｎＳ系材料によるバッファ層を用いても光の透過率が良くなり、また光吸収層との密着性および透明電極との整合性が良くなるという利点を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体発光装置及びその製造方法、ＬＥＤヘッド、電子写真プリンタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体に第２導電型の不純物を拡散して形成される複数の発光部を有する半導体発光装置において、
所望の発光出力を得るのに十分な拡散深さを有する第２導電型の不純物が拡散された１以上の拡散領域を分離し、複数の発光部を形成するための複数の分離溝を備えることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光装置において、
複数の分離溝を形成する前にあらかじめ形成される拡散領域は、１つの拡散領域からなることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体発光装置において、
複数の分離溝の深さは、拡散領域より深いことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体発光装置において、
複数の分離溝を形成する前にあらかじめ形成される拡散領域は、形成すべき複数の発光部のそれぞれに分離し形成されることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体発光装置において、
複数の分離溝の深さは、拡散領域より深いことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体発光装置において、
複数の分離溝の深さは、拡散領域より浅いことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項７】
第１導電型の半導体に第２導電型の不純物を拡散し形成される複数の発光部を有する半導体発光装置の製造方法において、
所望の発光出力を得るのに十分な拡散深さを有する１つ以上の拡散領域を形成する拡散領域形成工程と、
拡散領域形成工程で形成された１つ以上の拡散領域を、形成すべき複数の発光部に対応して分離するための複数の分離溝を形成する分離溝形成工程とを含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
第１導電型の半導体に第２導電型の不純物を拡散して形成される拡散領域を有する半導体発光装置において、
前記拡散領域を分離し、複数の発光部を形成する溝を有し、
前記溝は、拡散領域を含んで設けられることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項９】
請求項１又は請求項８の半導体発光装置を備えたことを特徴とするＬＥＤヘッド。
【請求項１０】
請求項９のＬＥＤヘッドを露光装置の光源として備えたことを特徴とする電子写真プリンタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体発光装置として、複数の発光部をアレイ状に配置した発光素子アレイが知られている。発光部としてＬＥＤ（light emitting diode；発光ダイオード）を採用したものは、ＬＥＤアレイと呼ばれる。ＬＥＤアレイは、例えばＬＥＤヘッドとして、電子写真プリンタの露光装置の光源に使用されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、形成すべき複数の発光部の並び方向に、所望の拡散開口部を有する発光部３より広い範囲に渡り拡散を行い、十分な拡散深さを有する拡散領域を形成した後、所望の拡散開口部を有する複数の発光部を形成するように、隣合う２つの発光部間を分離して形成するための複数の分離溝を設けることで、複数の発光部の拡散開口部の面積を小さく、かつ、複数の発光部を高密度に形成することができる半導体発光装置及びその製造方法、ＬＥＤヘッド、電子写真プリンタを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項７に係る半導体発光装置の製造方法は、第１導電型の半導体に第２導電型の不純物を拡散し形成される複数の発光部を有する半導体発光装置の製造方法において、所望の発光出力を得るのに十分な拡散深さを有する１つ以上の拡散領域を形成する拡散領域形成工程と、拡散領域形成工程で形成された１つ以上の拡散領域を、形成すべき複数の発光部に対応して分離するための複数の分離溝を形成する分離溝形成工程とを含むことを特徴とするものである。
更に請求項８に係る半導体発光装置は第１導電型の半導体に第２導電型の不純物を拡散して形成される拡散領域を有する半導体発光装置において、
前記拡散領域を分離し、複数の発光部を形成する溝を有し、前記溝は、拡散領域を含んで設けられることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板の搬送方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベイ間搬送ラインによりＦＯＵＰ（カセット）を搬送するステップと、該搬送されたＦＯＵＰをベイストッカへ載置するステップとを備え、
ベイ内の複数の処理装置を用いて処理速度の異なる基板の処理を行うための基板の搬送方法であって、
ベイ内の搬送ラインによりＦＯＵＰ内の任意の基板を枚葉搬送するステップと、
前記ベイ内の搬送ラインの基板搬送面と相対する基板搬送面を有する他の搬送ラインにより前記ＦＯＵＰ内の任意の基板を枚葉搬送するステップと、
前記ベイ内の搬送ライン、他の搬送ラインの基板搬送面に沿って配置された複数の処理装置と、前記ベイ内の搬送ライン、他の搬送ラインとの間で前記基板を枚葉で受け渡し搬送するステップと、
前記ベイ内の基板の枚葉搬送を、前記基板の処理情報により前記搬送ラインと前記他の搬送ラインとを処理速度の速い基板と処理速度の遅い基板とに対応して使い分けて実施するステップと
を備える基板の搬送方法。
【請求項２】
ベイ間搬送ラインによりＦＯＵＰ（カセット）を搬送するステップと、該搬送されたＦＯＵＰをベイストッカへ載置するステップとを備え、
ベイ内の複数の処理装置を用いて処理速度の異なる基板の処理を行うための基板の搬送方法であって、
略水平面の基板搬送面を有するベイ内の搬送ラインによりＦＯＵＰ内の任意の基板を枚葉搬送するステップと、
前記搬送ラインの基板搬送面と上下方向に相対する基板搬送面を有する他の搬送ラインにより前記ＦＯＵＰ内の任意の基板を枚葉搬送するステップと、
前記ベイ内の搬送ライン、他の搬送ラインの基板搬送面に沿って配置された複数の処理装置と、前記ベイ内の搬送ライン、他の搬送ラインとの間で前記基板を枚葉で受け渡し搬送するステップと、
前記ベイ内の基板の枚葉搬送を、前記基板の処理情報により前記搬送ラインと前記他の搬送ラインとを処理速度の速い基板と処理速度の遅い基板とに対応して使い分けて実施するステップと
を備える基板の搬送方法。
【請求項３】
複数の処理装置と、複数のＦＯＵＰ（カセット）が載置し得るベイストッカと、前記各処理装置で処理される基板を枚葉で搬送する搬送ラインと前記基板を枚葉で並搬送する他の搬送ラインとで構成された枚葉搬送ラインとを有し、及び前記複数の処理装置を並設し、該並設された複数の処理装置に沿って前記枚葉搬送ラインが配設されてなるベイで前記基板を枚葉搬送する方法であって、
任意のＦＯＵＰ内の任意の基板を前記搬送ラインにより枚葉搬送するステップと、
任意のＦＯＵＰ内の任意の基板を前記他の搬送ラインにより枚葉搬送するステップと、
前記搬送ラインと前記処理装置との間で前記基板を枚葉で受け渡し搬送するステップと、
前記他の搬送ラインと前記処理装置との間で前記基板を枚葉で受け渡し搬送するステップと、
前記基板の枚葉搬送を、前記基板の処理情報により前記搬送ラインと前記他の搬送ラインとを処理速度の速い基板と処理速度の遅い基板とに対応して使い分けて前記ベイ内で実施するステップと
を備える基板の搬送方法。
【請求項４】
複数の処理装置と、複数のＦＯＵＰ（カセット）が載置し得るベイストッカと、基板を枚葉で搬送する枚葉搬送ラインとを有し、及び前記複数の処理装置を並設し、該並設された複数の処理装置に沿って前記枚葉搬送ラインが配設されてなるベイで、該ベイ外から前記ベイ内に枚葉搬送されてきた任意のＦＯＵＰ内の任意の基板を枚葉搬送する方法であって、
前記枚葉搬送ラインを構成する搬送ラインにより、前記任意のＦＯＵＰ内の任意の基板を枚葉搬送するステップと、
前記枚葉搬送ラインを前記搬送ラインと共に構成し該搬送ラインと並搬送可能に設けた他の搬送ラインにより、前記任意のＦＯＵＰ内の任意の基板を枚葉搬送するステップと、
前記搬送ラインと前記処理装置との間で前記基板を枚葉で受け渡し搬送するステップと、
前記他の搬送ラインと前記処理装置との間で前記基板を枚葉で受け渡し搬送するステップと、
前記基板の枚葉搬送を、前記基板の処理情報により前記搬送ラインと前記他の搬送ラインとを処理速度の速い基板と処理速度の遅い基板とに対応して使い分けて前記ベイ内で実施するステップと
を備える基板の搬送方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着孔が設けられている吸着面において所定の電気部品を吸着することにより、前記電気部品の一部を一壁面として、外部と前記吸着孔とを連通する流通路が形成されるよう設けられた気体流通溝を有する電気部品の吸着保持ツールによってはんだバンプが設けられた半導体部品を吸着して搬送し、この電気部品と他の電極パッドとを前記はんだバンプにて電気的に接続する実装工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記はんだバンプを形成するはんだの融点以上に加熱された前記吸着保持ツールによって、前記半導体部品を吸着保持して搬送し、前記はんだバンプと前記電極パッドとを当接させる工程と、前記はんだバンプを前記電極パッドに当接させた後に前記吸着を停止することにより前記はんだバンプの温度を前記はんだバンプを構成するはんだの融点以上に上昇させ、前記はんだバンプと前記電極パッドとを接合させる工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ等の電子部品を、回路基板にマウントする吸着保持ツールを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はこれらの事情に基づいてなされたもので、コストが低価格で、小型で高速駆動が可能な吸着保持ツールを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、吸着孔が設けられている吸着面において所定の電気部品を吸着することにより、前記電気部品の一部を一壁面として、外部と前記吸着孔とを連通する流通路が形成されるよう設けられた気体流通溝を有する電気部品の吸着保持ツールによってはんだバンプが設けられた半導体部品を吸着して搬送し、この電気部品と他の電極パッドとを前記はんだバンプにて電気的に接続する実装工程を有する半導体装置の製造方法において、前記はんだバンプを形成するはんだの融点以上に加熱された前記吸着保持ツールによって、前記半導体部品を吸着保持して搬送し、前記はんだバンプと前記電極パッドとを当接させる工程と、前記はんだバンプを前記電極パッドに当接させた後に前記吸着を停止することにより前記はんだバンプの温度を前記はんだバンプを構成するはんだの融点以上に上昇させ、前記はんだバンプと前記電極パッドとを接合させる工程とを具備する半導体装置の製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【発明の効果】
本発明によれば、高速な実装を可能にする吸着保持ツールを用いることにより生産効率のよい半導体装置の生産ができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月25日(2004.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐチャンネル部のゲート電極とＮチャンネル部のゲート電極の幅に差異を有することを特徴とするＣ−ＭＯＳ薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ基板を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記差異が前記Ｐチャンネル部のゲート電極とＮチャンネル部のゲート電極の幅方向で等しいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記Ｐチャンネル部にＰ+ 半導体領域とＮ- ドーピング領域が存在することを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記Ｐチャンネル部を構成するＰ+ 半導体領域におけるＰ+ ドーピング原子の濃度が１０15ｃｍ- 2 程度、Ｎ- ドーピング領域におけるＮ- ドーピング原子の濃度が１０13ｃｍ- 2 程度であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記Ｐチャンネル部を構成するＰ+ 半導体領域に不純物としてＮ- ドーピング原子を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項６】
基板を有する表示装置において、
前記基板上にはＣ−ＭＯＳ薄膜トランジスタを有し、
前記Ｃ−ＭＯＳ薄膜トランジスタのＰチャンネル部のゲート電極とＮチャンネル部のゲート電極の幅が異なる表示装置。
【請求項７】
前記Ｐチャンネル部のゲート電極と、前記Ｎチャンネル部のゲート電極とはほぼ直線上に接続されていることを特徴とする請求項６の表示装置。
【請求項８】
前記Ｐチャンネル部のゲート電極の幅が、前記Ｎチャンネル部のゲート電極の幅よりも広いことを特徴とする請求項６の表示装置。
【請求項９】
前記Ｐチャンネル部のゲート電極と、前記Ｎチャンネル部のゲート電極とはほぼ直線上に接続されていることを特徴とする請求項８の表示装置。
【請求項１０】
前記Ｃ−ＭＯＳ薄膜トランジスタは、Ｃ−ＭＯＳポリシリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項６の表示装置。
【請求項１１】
前記Ｃ−ＭＯＳ薄膜トランジスタのＰチャンネル部のゲート電極とＮチャンネル部のゲート電極は、接続部のゲート線幅の差異が幅方向でそれぞれ等しいことを特徴とする請求項６の表示装置。
【請求項１２】
前記Ｐチャンネル部にＰ+ 半導体領域とＮ- ドーピング領域が存在することを特徴とする請求項６の表示装置。
【請求項１３】
前記Ｐチャンネル部を構成するＰ+ 半導体領域におけるＰ+ ドーピング原子の濃度が１０15ｃｍ- 2 程度、Ｎ- ドーピング領域におけるＮ- ドーピング原子の濃度が１０13ｃｍ- 2 程度であることを特徴とする請求項１２の表示装置。
【請求項１４】
前記Ｐチャンネル部を構成するＰ+ 半導体領域に不純物としてＮ- ドーピング原子を含むことを特徴とする請求項６の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
この半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、
このゲート電極層の両側の位置に形成されたソース領域、及びドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域の間のチャネル領域とを備え、
前記ゲート電極層は、多結晶シリコン層と、前記ゲート絶縁膜と前記多結晶シリコン層の間に形成され、電子濃度が１．０×１０２１個／ｃｍ３以上の金属層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属層は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、タリウム（Ｔｌ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、セレン（Ｓｅ）、及びテルル（Ｔｅ）から選択された金属元素を材料とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属層は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、タリウム（Ｔｌ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、セレン（Ｓｅ）、及びテルル（Ｔｅ）から選択された金属元素を材料とする合金層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、
この多結晶シリコン膜の所定領域に、固溶限度以上の量で金属材を導入する工程と、
前記多結晶シリコン膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極層の一部を構成し、且つ前記金属材の導入された多結晶シリコンゲート層を形成する工程と、
この多結晶シリコンゲート層の両側の位置に、ソース領域、及びドレイン領域を形成する工程と、
熱処理を行って、前記金属材を前記ゲート絶縁膜上に析出させ、前記多結晶シリコンゲート層との間に、前記金属材の析出層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、
この多結晶シリコン膜の第一の領域に、固溶限度以上の量で第一の金属材を導入する工程と、
前記多結晶シリコン膜の第二の領域に、固溶限度以上の量で第二の金属材を導入する工程と、
前記多結晶シリコン膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜上に、第一のゲート電極層の一部を構成し、且つ前記第一の金属材の導入された多結晶シリコンゲート層、及び第二のゲート電極層の一部を構成し、且つ前記第二の金属材の導入された多結晶シリコンゲート層を形成する工程と、
前記第一、及び第二の多結晶シリコンゲート層の両側に、各々、ソース領域、及びドレイン領域を形成する工程と、
熱処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に、前記第一、及び前記第二の金属材を析出させ、前記第一の多結晶シリコンゲート層との間に、第一の金属材の析出層を、且つ前記第一の多結晶シリコンゲート層との間に、第二の金属材の析出層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、本発明は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜の所定領域に、固溶限度以上の量で金属材を導入する工程と、前記多結晶シリコン膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極層の一部を構成し、且つ前記金属材の導入された多結晶シリコンゲート層を形成する工程と、この多結晶シリコンゲート層の両側の位置に、ソース領域、及びドレイン領域を形成する工程と、熱処理を行って、前記金属材を前記ゲート絶縁膜上に析出させ、前記多結晶シリコンゲート層との間に、前記金属材の析出層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、本発明は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に多結晶シリコン膜を形成する工程と、この多結晶シリコン膜の第一の領域に、固溶限度以上の量で第一の金属材を導入する工程と、前記多結晶シリコン膜の第二の領域に、固溶限度以上の量で第二の金属材を導入する工程と、前記多結晶シリコン膜をエッチングして、前記ゲート絶縁膜上に、第一のゲート電極層の一部を構成し、且つ前記第一の金属材の導入された多結晶シリコンゲート層、及び第二のゲート電極層の一部を構成し、且つ前記第二の金属材の導入された多結晶シリコンゲート層を形成する工程と、前記第一、及び第二の多結晶シリコンゲート層の両側に、各々、ソース領域、及びドレイン領域を形成する工程と、熱処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に、前記第一、及び前記第二の金属材を析出させ、前記第一の多結晶シリコンゲート層との間に、第一の金属材の析出層を、且つ前記第一の多結晶シリコンゲート層との間に、第二の金属材の析出層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）のうち少なくとも１種と、Ｎを含み、さらに、ＰまたはＡｓを含む窒化物半導体層において、
前記窒化物半導体層に含まれる、ＰまたはＡｓの原子分率は３０％以下であり、さらにＰまたはＡｓは少なくともＩＩＩ族のサイトに含まれることを特徴とする窒化物半導体層。
【請求項２】
（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）のうち少なくとも１種と、Ｎを含み、さらに、ＰまたはＡｓを含む窒化物半導体層において、
前記窒化物半導体層に含まれる、ＰまたはＡｓの原子分率は３０％以下であり、かつ前記窒化物導体層のｃ軸方向の格子定数は、前記窒化物半導体層からＰおよびＡｓを除いた半導体層のｃ軸方向の格子定数よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体層。
【請求項３】
請求項１または２の項に記載の窒化物半導体層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記窒化物半導体素子は、発光素子であることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記窒化物半導体層が発光層に含まれることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記窒化物半導体層がｎ型であることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記窒化物半導体層がｐ型であることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
少なくとも前記窒化物半導体層を含む多層膜構造または超格子構造を具備することを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】
前記窒化物半導体層がコンタクト層であることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】
前記窒化物半導体層が光ガイド層であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１１】
前記窒化物半導体層がクラッド層であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１２】
第１の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層を含む、窒化物半導体素子の製造方法において、
第１の窒化物半導体層は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）のうち少なくとも１種と、Ｎを含み、さらに、ＰまたはＡｓを含み、窒化物半導体層に含まれる、ＰまたはＡｓの原子分率は３０％以下であり、
第２の窒化物半導体層は、第１の窒化物半導体層からＰおよびＡｓを除いた半導体層であり、
第１の窒化物半導体層の成長速度は第２の窒化物半導体層の成長速度よりも遅くすることによって第１の窒化物半導体層のＰまたはＡｓが少なくともＩＩＩ族のサイトに入ることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の半導体層は、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）のうち少なくとも１種と、Ｎを含み、さらに、ＰまたはＡｓを含む窒化物半導体層（以降、単に「ＰまたはＡｓを含む窒化物半導体」と言う）において、前記窒化物半導体層に含まれる、ＰまたはＡｓの原子分率は３０％以下であり、さらにＰまたはＡｓは少なくともＩＩＩ族のサイトに含まれることを特徴とする。さらに、このような窒化物半導体層（六方晶系）は、そのｃ軸方向の格子定数が前記窒化物半導体層からＰおよびＡｓを除いた半導体層（以降、「ＰまたはＡｓを含まない窒化物半導体層」と言う）のｃ軸方向の格子定数と比較して小さいくなることが、本発明者らの研究結果によって判明した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス製造プラントにおける複数の処理設備に対して、気体、液体、又は固体からなる同一種類の物質を供給する物質供給システムにおいて、
物質の供給ソースと、
供給ソースからの物質の複数の処理設備への供給を制御する制御装置であって、複数の処理設備で現在使用中の物質の総和が、供給ソースから供給可能な量を超えないように、処理設備での物質の供給開始時点を制御する制御装置と
からなることを特徴とする物質供給システム。
【請求項２】
請求項１記載の物質供給システムにおいて、複数の処理設備の少なくとも２つの処理設備は、物質の使用開始を要求するための使用要求信号、又は、使用要求信号及び使用の終了又は終了予告を通知するための使用終了信号を、制御装置に通知するよう構成されており、
制御装置は、少なくとも１つの処理設備が物質を使用中に、該物質に関する使用要求信号を他の処理設備から受け取ったとき、供給ソースからの物質の供給可能量を超えないと判定した場合に、該他の処理設備に物質の使用を可能するための使用許可信号を通知するよう構成されている
ことを特徴とする物質供給システム。
【請求項３】
半導体デバイス製造プラントにおける複数の処理設備に対して、気体、液体、又は固体からなる同一種類の物質を供給する物質供給システムにおいて、
物質の供給ソースと、
供給ソースからの物質の複数の処理設備への供給を制御する制御装置であって、複数の処理設備で同時に物質が使用されないように、処理設備での物質の使用開始時点を制御する制御装置と
からなることを特徴とする物質供給システム。
【請求項４】
請求項３に記載の物質供給システムにおいて、
複数の処理設備の内の少なくとも２つの処理設備は、物質の使用開始を要求するための使用要求信号及び使用の終了又は終了予告を通知するための使用終了信号を、制御装置に通知するよう構成されており、
制御装置は、少なくとも１つの処理設備が物質を現在使用中のときに、該物質の使用要求信号を他の処理設備から受け取ったときに、使用中の処理設備から使用終了信号を受け取るまで、使用要求信号を発した処理設備に対する物質使用を可能するための使用許可信号の通知を待機するよう構成されている
ことを特徴とする物質供給システム。
【請求項５】
請求項１〜４いずれかに記載の物質供給システムにおいて、
物質の供給ソースは、複数の水質グレードの純水を製造する純水製造装置であり、
制御装置は、処理設備への純水供給を、グレード毎に制御するよう構成されている
ことを特徴とする物質供給システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解コンデンサの封口に用いられる封口体であって、封口体を構成する弾性ゴム体の表面の少なくとも一部に気相成長法により形成された無機薄膜を設けた弾性ゴム体からなる電解コンデンサ用封口体。
【請求項２】
前記無機薄膜が、リード孔の内壁面と前記弾性ゴム体の外側及び内側の一方又は両方とに形成されることを特徴とする請求項１記載の電解コンデンサ用封口体。
【請求項３】
前記無機薄膜が、リード孔の内壁面を含む前記弾性ゴム体の表面の全域に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の電解コンデンサ用封口体。
【請求項４】
前記無機薄膜が、ダイヤモンドライクカーボン薄膜であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電解コンデンサ用封口体。
【請求項５】
前記ダイヤモンドライクカーボン薄膜が１０〜４０％の水素を含むことを特徴とする請求項４に記載の電解コンデンサ用封口体。
【請求項６】
前記無機薄膜が、窒化シリコン、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電解コンデンサ用封用口体。
【請求項７】
前記弾性ゴム体が、ブチルゴムであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電解コンデンサ用封口体。
【請求項８】
コンデンサ素子と該コンデンサ素子を収容する外装ケースと、前記外装ケースの開口部を封口する封口体と、前記封口体を貫通して前記外装ケースから外部に突出するリード線とからなる電解コンデンサにおいて、
前記外装ケースの開口部を封口する封口体が、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電解コンデンサ用封口体であることを特徴とする電解コンデンサ。
【請求項９】
前記電解コンデンサの電解液として、スルホラン系の電解液を用いたことを特徴とする請求項８に記載の電解コンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2003282373.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2003282373.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
一般にＰＥＦＣは、上述のごとく各セルの間に挟んで燃料ガスや空気を遮断するセパレータを有し、またセパレータと高分子固体電解質膜間にガスケットを配置して積層する構成で、各ガスケット内でアノードに水素、カソードに酸素を供給接触させるようにガス流れを工夫している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明の特徴であるセパレータのガス通路部材を構成するフィン材料には、フィン形成が可能な金属、合金材料であればいずれの材料も採用でき、必要に応じて、その全面又は所要部に耐食性膜、導電性膜を成膜することもできる。好ましい材料としては、各種組成のステンレス鋼、耐食性合金鋼、等がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  セパレータ
２，３０  薄板材
３，４，５  ガス通路部材
６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ，２１，２２ａ，２２ｃ，２３，２６，２７  通路孔
８，９  シール材
１０  ＭＥＡ
１１  アノード膜
２０，２４  ガスケット
２２ｂ，２５ｂ  中央孔
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、走査電子顕微鏡などでは、いわゆる電子線透過型半導体電子線検出器が用いられている。この種の電子線検出器としては、たとえば特開平６−６８８３１号公報に開示された反射電子検出器がある。この反射電子検出器は、入射面をＮ+層で形成し、他方の面をＰ+層で形成し、その間をＩ層で形成してなる半導体検出器を有する。この半導体検出器には、電子ビームを通過させる通過穴が形成されており、Ｐ+層側から入射した電子が通過穴を通過し、試料で反射した電子を入射面であるＮ+層で検出するというものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
続いて、図１３（ａ）に示すように、温度７００℃〜８００℃の条件でのＣＶＤ法により膜厚５ｎｍ〜７ｎｍの酸化膜８ａを形成し、次に、酸化膜８ａ上に温度７００℃〜８００℃の条件でのＣＶＤ法により膜厚８ｎｍ〜１０ｎｍの窒化膜８ｂを形成し、さらに、窒化膜８ｂ上に温度９００℃〜１０００℃の条件でのウェット酸化により膜厚４ｎｍ〜７ｎｍの酸化膜８ｃを形成する。この３層がＯＮＯ膜８として、浮遊ゲートと制御ゲート間の絶縁膜及び制御ゲートとＳｉ基板１間の絶縁膜の一部となる。ここで、ＯＮＯ膜８作製の熱工程により、Ｐ型拡散層１１及びソース３、ドレイン４となるＮ型拡散層１３が拡散されて広がる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本例では、先ず図１１（ａ）〜（ｅ）、図１２（ａ）〜（ｅ）の各工程を経る。
続いて、図１５に示すように、温度７００℃〜９００℃の条件でのウェット酸化により、膜厚５ｎｍ〜７ｎｍの酸化膜８ｄを形成し、次に、酸化膜８ｄ上に温度７００℃〜８００℃の条件でのＣＶＤ法により膜厚８ｎｍ〜１０ｎｍの窒化膜８ｂを形成し、さらに、窒化膜８ｂ上に温度９００℃〜１０００℃の条件でのウェット酸化により膜厚４ｎｍ〜７ｎｍの酸化膜８ｃを形成する。この３層がＯＮＯ膜８ｅとして、浮遊ゲートと制御ゲート間の絶縁膜及び制御ゲートとＳｉ基板１間の絶縁膜の一部となる。ここで、ＯＮＯ膜８ｅ作製の熱工程により、Ｐ型拡散層１１及びＮ型拡散層１３が拡散されて広がる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
続いて、図１７（ｃ）に示すように、温度７００℃〜８００℃の条件でのＣＶＤ法により膜厚５ｎｍ〜７ｎｍの酸化膜８ａを形成し、次に、酸化膜８ａ上に温度７００℃〜８００℃の条件でのＣＶＤ法により膜厚８ｎｍ〜１０ｎｍの窒化膜８ｂを形成し、さらに、窒化膜８ｂ上に温度９００℃〜１０００℃の条件でのウェット酸化により膜厚４ｎｍ〜７ｎｍの酸化膜８ｃを形成する。この３層がＯＮＯ膜８として、浮遊ゲートと制御ゲート間の絶縁膜及び制御ゲートとＳｉ基板１間の絶縁膜の一部となる。ここで、ＯＮＯ膜８作製の熱工程により、Ｐ型拡散層１１及びＮ型拡散層１３が拡散されて広がる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
続いて、図２３（ｅ）に示すように、温度７００℃〜８００℃の条件でのＣＶＤ法により膜厚５ｎｍ〜７ｎｍの酸化膜２８ａを形成し、次に、酸化膜２８ａ上に温度７００℃〜８００℃の条件でのＣＶＤ法により膜厚８ｎｍ〜１０ｎｍの窒化膜２８ｂを形成し、さらに、窒化膜２８ｂ上に温度９００℃〜１０００℃の条件でのウェット酸化により膜厚４ｎｍ〜７ｎｍの酸化膜２８ｃを形成する。この３層がＯＮＯ膜２８として、浮遊ゲート２７ａ、４７ｂと制御ゲート２９間の絶縁膜及び制御ゲート２９とＳｉ基板２１間の絶縁膜の一部となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
続いて、図２４（ａ）に示すように、多結晶シリコン（ｐｏｌｙＳｉ）をＣＶＤ法にて膜厚１００ｎｍ〜２００ｎｍで積層し、また、その表層にタングステンシリサイド３０をＣＶＤ法にて膜厚１００〜１８０ｎｍで積層して、制御ゲート２９を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
篩部材７の揺動時においては、各縦桟７ａの長手方向中央部に設けられた突出部７ｅにより油圧ショベル機用バケット３内を前方側と後方側とに区画し、篩部材７の揺動に伴って油圧ショベル機用バケット３内の後方及び前方に溜められた土砂が他方へ流動して混ざり合うのを防止することにより篩落とし作業を効率的に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月26日(2005.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そして、オーバーフロー用の捨て水切材(20Ａ)においては、その略中央部を凹入することによって、排水用の凹溝(30)が設けられている。この凹溝(30)は、内側の浅溝部(31)と外側の深溝部(32)を連続させることで、パラペット本体(10)の厚み方向すなわち内外方向に沿って階段状に形成されており、その溝底の高さは、図２に示すように、住宅本体の外壁パネル(８)の下端部と同等の高さ若しくはそれよりも低い高さに設定されている。なお、本実施形態では、凹溝(30)おける浅溝部(31)の内外方向の幅は、深溝部(32)の内外方向の幅よりも大きくなっているが、これとは逆にしても良く、また浅溝部(31)や深溝部(32)を設けて階段状にすることなく、溝底をフラットにしても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流し台のガス台直上に設置されるレンジフードの取付構造であって、
前記流し台の前面にガス台に対面して設置される縦長の家具と、該家具の背面側を覆うように取付け可能な取付けパネルと、該取付けパネルの上方に設けられた取付け部に固定具を介して取付けられるレンジフードとであって、前記家具の背面を利用してレンジフードを取付けるべく構成されることを特徴とするレンジフードの取付構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このレンジフードは、従来より、ガス台上部壁面に取付けられるが、レンジフードが取付けられる壁面はタイルやモルタル等により形成されており、レンジフードの取付けに際し、予め壁面の所定筒所に穴加工が施された上で該穴にそれぞれ雌ネジ等を埋め込み、レンジフードの取付け穴を挿通したねじを前記雌ネジに螺着させて固定していた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明のレンジフードの取付構造は、対面カウンターを有する流し台のガス台直上に設置されるレンジフードの取付構造であって、前記流し台の前面にガス台に対面して設置される縦長の家具と、該家具の背面側を覆うように取付け可能な断熱材から成る取付けパネルと、該取付けパネルの上方に設けられた取付け部に固定具を介して取付けられるレンジフードとであって、前記家具の背面を利用してレンジフードを取付けるべく構成されることを特徴としている。
この特徴によれば、レンジフードが断熱材から成る取付けパネルの取付け部に固定具を介して工場などで予め取付けられてユニット化されるので、現地での取付け作業が容易となり、また、所定箇所に壁面が存在しない場合でも流し台の前面にガス台に対面して家具等を設置することにより、家具の背面を利用してレンジフードを取付けてもガス台からの熱の影響を受けないようにレンジフードを簡単に取付けることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図１は本発明のレンジフードが対面カウンター構造を有する流し台のガス台直上に取付けられた状態を示す斜視図、図２は家具の背面にレンジフードが取付けられた状態を示す部分斜視図、図３はパネルとレンジフードの取付け関係を示す説明図であり、図４はレンジフード背面の取付け部を示す斜視図である
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
そして、断熱材により構成されたパネル６ａの前面にはレンジフード１が取付けられる。この取付けに際し、レンジフード１の係止穴１６がパネル６ａに突設された係止部としてのねじ頭部１３に係止して位置決めされる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に棚５の背面側下方にパネル６ｂが、ねじ８を介して取付けられると、このパネル６ｂの上端に接合してユニット化されたパネル６ａの取付け穴１１にそれぞれ取付けねじ８を挿通させて棚５の背面に螺着することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
このように、レンジフード１が断熱材から成る取付けパネル６ａの取付け部７に取付けねじ８を介して工場などで予め取付けられてユニット化されるので、現地での取付け作業が容易となり、また、所定筒所に壁面が存在しない場合でも流し台３の前面にガス台４に対面して棚５等を設置することにより、棚５の背面を利用してレンジフード１を取付けてもガス台４からの熱の影響を受けることなくレンジフード１を簡単に取付けることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
以上、本発明の実施例を図面により説明してきたが、具体的な構成はこれら実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における変更や追加があっても本発明に含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電装基板を収納する上面が開放された電装基板収納ケースと、前記電装基板収納ケースを収容保持する上面が開放された電装品箱と、前記電装基板収納ケースの上面から被せられる電装品蓋とからなり、前記電装基板収納ケースと前記電装品箱に前記電装基板からのリード線を取り出すリード線取り出し部を設けてなる電装部において、
前記電装基板収納ケースの前記リード線取り出し部に、前記電装品箱の前記リード線取り出し部の開口縁を覆うフランジを形成してなることを特徴とする電装部。
【請求項２】
前記電装品箱の前記リード線取り出し部の開口縁を覆うフランジの先端に、前記電装品箱のリード線取り出し部に係止させる係止片を設けてなることを特徴とする請求項１記載の電装部。
【請求項３】
請求項１、２記載の電装部を備えた空気調和機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記問題点を解決するため、電装基板を収納する上面が開放された電装基板収納ケースと、前記電装基板収納ケースを収容保持する上面が開放された電装品箱と、前記電装基板収納ケースの上面から被せられる電装品蓋とからなり、前記電装基板収納ケースと前記電装品箱に前記電装基板からのリード線を取り出すリード線取り出し部を設けてなる電装部において、
前記電装基板収納ケースの前記リード線取り出し部に、前記電装品箱の前記リード線取り出し部の開口縁を覆うフランジを形成してなる構成とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記電装品箱の前記リード線取り出し部の開口縁を覆うフランジの先端に、前記電装品箱のリード線取り出し部に係止させる係止片を設けてなる構成とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記電装部を、空気調和機の室外機に備える構成とする。