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【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ・セルであって、
第１のトンネル接合と、
前記第１のトンネル接合に直列の第２のトンネル接合と、を有し、
前記第１のトンネル接合を、第１の抵抗状態から第２の抵抗状態に変化させることができ、前記第１のトンネル接合は、前記第２のトンネル接合とは異なる抵抗−電圧特性を有する、メモリ・セル。
【請求項２】
前記第１のトンネル接合の抵抗は、前記メモリ・セルの両端に電圧が生じたときに前記第２のトンネル接合の抵抗よりも緩やかに減少する、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項３】
前記第１のトンネル接合が、
２つの磁性層と、
前記磁性層の間に配置された絶縁体と、
を有する、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項４】
前記第２のトンネル接合が前記第１のトンネル接合に直列の絶縁体を有する、請求項３に記載のメモリ・セル。
【請求項５】
前記第２のトンネル接合が２つの導体を有し、該２つの導体は前記絶縁体の両側にそれぞれ配置される、請求項４に記載のメモリ・セル。
【請求項６】
前記第２のトンネル接合は、前記第１のトンネル接合の前記磁性層のうちの１つを共用する、請求項４に記載のメモリ・セル。
【請求項７】
前記第２のトンネル接合が導体を有し、前記絶縁体は該導体と前記共有される磁性層との間に配置される、請求項６に記載のメモリ・セル。
【請求項８】
前記磁性層が強磁性体である、請求項３に記載のメモリ・セル。
【請求項９】
メモリ・セルであって、
２つの強磁性層と、該２つの強磁性層の間に配置された絶縁体と、を含む第１のトンネル接合と、
絶縁体と、該絶縁体に隣接する少なくとも１つの導体と、を含む第２のトンネル接合と、を有し、
前記第２のトンネル接合は前記第１のトンネル接合に直列である、メモリ・セル。
【請求項１０】
前記第１のトンネル接合の抵抗は、前記メモリ・セルの両端に電圧が生じたときに前記第２のトンネル接合の抵抗よりも緩やかに減少する、請求項９に記載のメモリ・セル。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
このように、以上示した水素関連工程で水素が多量に発生し、または、高温水素雰囲気が用いられ、キャパシタ１２２が形成された集積回路が水素雰囲気に曝され、水素がキャパシタ１２２に拡散し、酸化物の誘電体膜１１１を還元する。一方、以上のように形成された酸化物等の薄膜に水素が多く含まれており、その水素は、その後の約４００°Ｃでの熱処理中にキャパシタ１２２に拡散し、キャパシタ１２２の酸化物誘電体膜１１１を還元する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
水素劣化される金属酸化物は、例えば、バリウム・ストロンチウム・チタン酸塩（ＢＳＴ）、バリウム・ストロンチウム・ニオブ酸塩ＢＳＮ）、ＡＢＯ３型ペロブスカイト及び層状ペロブスカイト構造の材料を含む。特に、ＳＢＴのような層状ペロブスカイト結晶構造の強誘電体材料にとって、この問題は深刻である。構造が複雑、かつ、水素還元による性能低下を生じやすいため、フォーミングガス・アニール（ＦＧＡ）後の強誘電体特性の残留分極は大変低く、漏れ電流の増加も生じさせる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図７に示すように、水素バリア層１３として、Ｌａ２Ｏ３膜を形成し強誘電体キャパシタ２２を覆い、膜厚は３０ｎｍとする。Ｌａ２Ｏ３膜の形成方法は、Ｌａ２Ｏ３セラミックターゲットを用い、Ａｒと酸素（Ｏ２）の混合ガス雰囲気中での反応性スパッタ法により、基板温度は２００°Ｃで成膜する。その後、形成されたＬａ２Ｏ３膜の安定化のために、拡散炉を用いて、酸素雰囲気中で５００°Ｃ、３０分の熱処理を行なう。
水素バリア膜が３０ｎｍ〜５０ｎｍぐらいで水素拡散バリア効果が良く、これより薄くなると、水素拡散バリア性が悪くなり、強誘電体が還元される恐れがある。これ以上厚くなると、水素バリア膜に対する加工が難くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
このように作製した強誘電体メモリセルの電気特性を公知のソーヤタワー回路を用いて測定した。ヒステリシスループの形状は良好で、印加電圧３Ｖで残留分極２Ｐｒは１５μＣ／ｃｍ２、抗電界Ｅｃは３０ｋＶ／ｃｍの値が得られており、強誘電体キャパシタとして十分な動作が確認された。また、印加電圧３Ｖでのリーク電流の値は、５×１０−８Ａ／ｃｍ２であり、強誘電体キャパシタとして十分な特性が確認された。
次に、公知の疲労特性の測定を行った。具体的には、電圧３Ｖ、周波数１ＭＨｚの矩形パルスを上記の強誘電体キャパシタに印加して繰り返し分極反転を行った場合の、繰り返し分極反転回数に対する残留分極値２Ｐｒの変化の測定である。この結果、１０１２サイクルの分極反転後も残留分極値２Ｐｒに全く変化は見られず、不揮発性メモリとして良好な特性を示した。
以上の特性は、上記のキャパシタおよびメモリ素子の製造プロセスにおいて、キャパシタ２２を形成したあとに、キャパシタ２２は後続の水素関連する工程で水素の影響を殆ど受けていないと同時に、ＦＧＡ処理を行った後にも特性が殆ど変化しておらず、水素によるキャパシタ２２への拡散、並びにキャパシタの強誘電体膜の電気特性の劣化が発生しておらず、希土類金属の酸化膜であるＬａ２Ｏ３膜が水素バリア層として十分に機能していることを示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、希土類金属の酸化物を水素バリア層に用いることによって、キャパシタとキャパシタ以外のメモリ素子を製造する時に、高誘電体薄膜や強誘電体薄膜を、ＦＧＡ処理や、その他のプロセスに起因する水素による劣化を完全に防止することができ、高性能かつ安定に動作するメモリ素子が得られる。
また、希土類金属の酸化物からなる水素バリア層は、６００°Ｃ以下の比較的低温で形成することができ、キャパシタと接触する薄膜のコンタクト特性などに悪影響を及ぼすことがない。
また、希土類金属の酸化物からなる水素バリア層は従来のＡｌ２Ｏ３より加工しやすいので、従来の微細加工技術により容易に希望の微細パターンを微細加工ができ、高集積化にも適しており、実用上、極めて有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光検出素子のアレイを含む能動イメージセンシング素子構造と、
各光検出素子の上にそれぞれ配置されたカラーフィルタのアレイを構成するカラーフィルタアレイであって、光が、可視波長範囲の放射に対して実質的に透過性であるそれぞれの光透過経路を介して、各カラーフィルタからそれぞれの光検出素子まで進む、カラーフィルタアレイと、及び
前記カラーフィルタアレイと前記能動イメージセンシング素子構造との間の各光透過経路に配置された底部反射防止皮膜とを含み、
前記底部反射防止皮膜が約２００ｎｍ未満の厚さを有する、イメージセンサシステム。
【請求項２】
前記底部反射防止皮膜が、染色有機フィルム形成材料からなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記底部反射防止皮膜が、光吸収ポリマーフィルム形成材料からなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記底部反射防止皮膜が、前記カラーフィルタアレイの１つ又は複数の色の光透過特性を改善するように選択された厚さを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記底部反射防止皮膜が、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの波長範囲の放射に対し、実質的に透過性である、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記カラーフィルタアレイが、複数の着色されたフォトレジスト構造からなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記底部反射防止皮膜が、前記カラーフィルタアレイよりも実質的に速いプラズマエッチング速度を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記能動イメージセンシング素子構造が、相補形金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）イメージセンサからなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記底部反射防止皮膜が約６０ｎｍ未満の厚さを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記底部反射防止皮膜が、カラーフィルタアレイ材料の直ぐ下の領域のみに存在する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記カラーフィルタアレイが、底部反射防止皮膜材料の直ぐ上に形成される、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子がパッケージの内部に配置されている半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子の温度制御を行うペルチェモジュールを有し、このペルチェモジュールは、冷却側を半導体レーザ素子側に向け、また、発熱側をパッケージの底壁に当接させた姿勢でパッケージの内部に配設されている構成と成しており、パッケージの底壁内部にはペルチェモジュールの当接領域から底壁面に沿って外部に伸びるヒートパイプが埋設されており、ペルチェモジュールの発熱側から発生した熱がヒートパイプを通って外部に排熱される構成を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
パッケージの外部に引き出されたヒートパイプには放熱フィンが取り付けられていることを特徴とした請求項１記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
半導体レーザ素子がパッケージの内部に配置されている半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子の温度制御を行うペルチェモジュールを有し、このペルチェモジュールは、冷却側を半導体レーザ素子側に向け、また、発熱側をパッケージの底壁に当接させた姿勢でパッケージの内部に配設されている構成と成しており、パッケージの底壁は少なくともペルチェモジュールの当接領域がパッケージの他の部位よりも熱伝導率の高い材料によって形成されていることを特徴とした半導体レーザモジュール。
【請求項４】
パッケージの底壁の少なくともペルチェモジュールの当接領域を構成する熱伝導率の高い材料は、パッケージの内部から底面に向かう方向の熱伝導の方向性を持つカーボンコンポジット材であることを特徴とした請求項３記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
半導体レーザ素子がパッケージの内部に配置されている半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子の温度制御を行うペルチェモジュールを有し、このペルチェモジュールは、冷却側を半導体レーザ素子側に向け、また、発熱側をパッケージの底壁に当接させた姿勢でパッケージの内部に配設されている構成と成しており、パッケージの底壁はパッケージの他の部位よりも熱伝導率の高い材料によって形成され、このパッケージの底壁は外部に張り出した放熱用拡張部を有しており、ペルチェモジュールの発熱側から発生した熱はパッケージの底壁のペルチェモジュール当接部分から放熱用拡張部に伝熱されて外部に排熱される構成を有していることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項６】
パッケージの底壁の放熱用拡張部には放熱フィンが取り付けられていることを特徴とした請求項５記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
パッケージの底壁を構成する材料は、パッケージのペルチェモジュール当接領域から放熱用拡張部に向かう方向の熱伝導の方向性を持つカーボンコンポジット材であることを特徴とした請求項５又は請求項６記載の半導体レーザモジュール。
【請求項８】
パッケージの底壁からパッケージ内部への放熱を防止する断熱部材がパッケージの内部の底壁面上にペルチェモジュール当接領域を避けて配設されていることを特徴とした請求項１乃至請求項７の何れか１つに記載の半導体レーザモジュール。
【請求項９】
パッケージの底壁内部にはペルチェモジュールの当接領域から底壁面に沿って外部に伸びるヒートパイプが埋設されていることを特徴とした請求項３乃至請求項８の何れか１つに記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１０】
ヒートパイプに代えて、ペルチェモジュールの発熱側から発生した熱を外部に導く方向の熱伝導の方向性を持つカーボンコンポジット材から成る部材がパッケージの底壁内部に埋設されていることを特徴とした請求項１又は請求項２又は請求項９記載の半導体レーザモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決するための手段としている。すなわち、第１の発明は、半導体レーザ素子がパッケージの内部に配置されている半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子の温度制御を行うペルチェモジュールを有し、このペルチェモジュールは、冷却側を半導体レーザ素子側に向け、また、発熱側をパッケージの底壁に当接させた姿勢でパッケージの内部に配設されている構成と成しており、パッケージの底壁内部にはペルチェモジュールの当接領域から底壁面に沿って外部に伸びるヒートパイプが埋設されており、ペルチェモジュールの発熱側から発生した熱がヒートパイプを通って外部に排熱される構成を備えたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第３の発明は、半導体レーザ素子がパッケージの内部に配置されている半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子の温度制御を行うペルチェモジュールを有し、このペルチェモジュールは、冷却側を半導体レーザ素子側に向け、また、発熱側をパッケージの底壁に当接させた姿勢でパッケージの内部に配設されている構成と成しており、パッケージの底壁は少なくともペルチェモジュールの当接領域がパッケージの他の部位よりも熱伝導率の高い材料によって形成されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第５の発明は、半導体レーザ素子がパッケージの内部に配置されている半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子の温度制御を行うペルチェモジュールを有し、このペルチェモジュールは、冷却側を半導体レーザ素子側に向け、また、発熱側をパッケージの底壁に当接させた姿勢でパッケージの内部に配設されている構成と成しており、パッケージの底壁はパッケージの他の部位よりも熱伝導率の高い材料によって形成され、このパッケージの底壁は外部に張り出した放熱用拡張部を有しており、ペルチェモジュールの発熱側から発生した熱はパッケージの底壁のペルチェモジュール当接部分から放熱用拡張部に伝熱されて外部に排熱される構成を有していることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜トランジスタにより駆動される表示装置であって、前記薄膜トランジスタが前記基板上に形成された多結晶シリコン膜よりなり、該多結晶シリコン膜の結晶粒が該シリコン膜面内で特定の方向に成長することにより、成長方向に長くそれにほぼ直角の方向に短くなっており、前記薄膜トランジスタのソース、ドレインの配置方向が、前記結晶粒の長手方向とほぼ一致しており、前記薄膜トランジスタが該シリコン膜面内で、少なくとも１個以上の薄膜トランジスタが含まれるブロックに区分けされており、表示画素アレイの周辺に少なくとも１つの前記ブロックが存在し、前記ブロックに含まれる複数の薄膜トランジスタのソース、ドレインの配置方向が、同一ブロック内部において前記シリコン膜面内でみた水平方向もしくは垂直方向にそろっており、前記水平方向または垂直方向にそろった薄膜トランジスタが含まれる２種のブロックが、水平方向もしくは垂直方向の同一直線上でみて混在していることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記ブロックは、表示画素部の薄膜トランジスタを駆動するためのバッファ回路、サンプリングスイッチ回路、プリチャージ回路、シフトレジスタ回路、デコーダ回路、クロック波形整形回路、デジタルアナログコンバータ回路、電源変換回路、レベルシフト回路、タイミング制御回路、増幅回路、メモリ、プロセッサ、ゲートアレイ、通信回路から選ばれる少なくとも１つの表示画素アレイ部周辺の回路を含むことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記ブロックは、表示画素アレイ内部の画素駆動回路もしくは画素メモリもしくは画素インバータ回路を含むことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項４】
基板上に形成された薄膜トランジスタにより駆動される表示装置であって、前記薄膜トランジスタが前記基板上に形成された多結晶シリコン膜よりなり、該多結晶シリコン膜の結晶粒が該シリコン膜面内で特定の方向に成長することにより、成長方向に長くそれにほぼ直角の方向に短くなっており、前記薄膜トランジスタのソース、ドレインの配置方向が、前記結晶粒の長手方向とほぼ一致しており、前記薄膜トランジスタが該シリコン膜面内で、少なくとも１つ以上の薄膜トランジスタが含まれる長方形のブロックに区分けされており、前記表示装置の少なくとも１つの隅および表示画素アレイの周辺の一部に少なくとも１つの前記ブロックがあり、前記ブロックに含まれる複数の薄膜トランジスタのソース、ドレインの配置方向が、同一ブロック内部において前記シリコン膜面内でみた水平方向もしくは垂直方向にそろっていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
前記ブロックは、表示画素部の薄膜トランジスタを駆動するためのバッファ回路、サンプリングスイッチ回路、プリチャージ回路、シフトレジスタ回路、デコーダ回路、クロック波形整形回路、デジタルアナログコンバータ回路、電源変換回路、レベルシフト回路、タイミング制御回路、増幅回路、メモリ、プロセッサ、ゲートアレイ、通信回路から選ばれる少なくとも１つの表示画素アレイ部周辺の回路を含むことを特徴とする請求項４記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記ブロックは、表示画素アレイ内部の画素駆動回路もしくは画素メモリもしくは画素インバータ回路を含むことを特徴とする請求項４記載の画像表示装置。
【請求項７】
基板上に形成された多結晶シリコン膜よりなる薄膜トランジスタにより駆動される画像表示装置の製造方法であって、前記基板上にアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、該アモルファスシリコン膜を結晶化して多結晶シリコン膜を形成するための、２回以上行うレーザ光照射工程における、基板面内で水平方向もしくは垂直方向に、レーザ光もしくは基板を走査する１回目のレーザ照射工程と、前記走査方向とは直角の方向に、レーザ光もしくは基板を走査する２回目のレーザ照射工程と、前記多結晶シリコン膜上に薄膜トランジスタを形成する工程を有し、前記２回のレーザ光照射工程のなかで、どちらか１方でのみレーザ光が照射される基板領域が、少なくとも１カ所以上あることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
基板上に形成された多結晶シリコン膜よりなる薄膜トランジスタにより駆動される画像表示装置の製造方法であって、前記基板上にアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、該アモルファスシリコン膜を結晶化して多結晶シリコン膜を形成するためのレーザ光を照射しながら、基板面内で水平方向もしくは垂直方向に、レーザ光もしくは基板を走査するレーザ照射工程と、前記多結晶シリコン膜により薄膜トランジスタを形成する工程を有し、前記レーザ光照射工程が１回であることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に積層された半導体膜と、上記半導体膜上に積層されたシリサイド膜とを有する半導体装置であって、
上記半導体基板上に積層される同一導電型の半導体膜のうちの少なくとも１つは、上記半導体基板の面に沿う方向で２つ以上の濃度差を有し接続されており、
上記シリサイド膜の未形成領域は、上記濃度差のある領域上にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記半導体膜は、２つ以上の濃度差を有する第１の導電型の半導体膜と、上記第１の導電型と異なる第２の導電型の半導体膜とを有し、
上記第１の導電型の半導体膜の低濃度領域が、上記第２の導電型の半導体膜と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記半導体膜は、２つ以上の濃度差を有する第１の導電型の半導体膜と、上記第１の導電型と異なる第２の導電型の半導体膜と、不純物がドープされていないノンドープ半導体膜とを有し、
上記ノンドープ半導体膜は、上記半導体基板の面に沿う方向で、上記第１の導電型の半導体膜の低濃度領域と、上記第２の導電型の半導体膜とに挟まれて接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記半導体膜は、２つ以上の濃度差を有する第１の導電型の半導体膜と、２つ以上の濃度差を有する上記第１の導電型と異なる第２の導電型の半導体膜とを有し、
上記第１の導電型の半導体膜の低濃度領域と、第２の導電型の半導体膜の低濃度領域とが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記半導体基板の表面に形成される絶縁膜と、
上記半導体基板内に、同一導電型の半導体膜の下部領域を挟むようにして形成される拡散層とを有し、
上記半導体膜がゲート、上記絶縁膜がゲート絶縁膜、上記拡散層がソース及びドレインとなるトランジスタを含むことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記第１の導電型の半導体膜がゲート、上記絶縁膜がゲート絶縁膜、上記第１の導電型の半導体膜の下部領域を挟むように形成された拡散層がソース及びドレインとなる第１のＭＯＳトランジスタと、
上記第２の導電型の半導体膜がゲート、上記絶縁膜がゲート絶縁膜、上記第２の導電型の半導体膜の下部領域を挟むように形成された拡散層がソース及びドレインとなる第２のＭＯＳトランジスタとを有するＣＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
異なる２つの導電型の半導体膜が接合されて半導体基板上に積層されるゲート半導体膜と、上記ゲート半導体膜上に積層されるシリサイド膜とを有する半導体装置であって、
上記シリサイド膜は、少なくとも上記ゲート半導体膜の接合部上に形成され、且つ、同一導電型の半導体膜のうちの少なくとも１つは、２つ以上の濃度差を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体基板上に、半導体膜を形成する第１の工程と、
上記半導体膜の一部領域を覆う第１のマスク層を形成する第２の工程と、
上記第１のマスク層をマスクとして、上記半導体膜に第１の導電型の第１の不純物を注入し、上記半導体膜内に第１の導電型の半導体膜を形成する第３の工程と、
上記第１のマスク層を除去する第４の工程と、
上記第１の導電型の半導体膜と、上記第１の導電型の半導体膜と異なる半導体膜との境界領域を含むように、上記第１の導電型の半導体膜の一部領域と、上記第１の導電型の半導体膜と異なる半導体膜とを覆う第２のマスク層を形成する第５の工程と、
上記第２のマスク層をマスクとして、上記半導体膜に、上記第１の不純物よりも質量の重い元素から成る上記第１の導電型と同一導電型の第２の不純物を注入し、高濃度の第１の導電型の半導体膜と、低濃度の第１の導電型の半導体膜を形成する第６の工程と、
上記第２のマスク層を除去する第７の工程と、
上記半導体膜上にシリサイドを形成する第８の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体基板上に、異なる２つの導電型の半導体膜が接合したゲート半導体膜を形成した後、さらに上記ゲート半導体膜上にシリサイド膜を形成して半導体装置を製造するに際して、
上記ゲート半導体膜のうち、少なくとも１つの同一導電型の半導体膜に、軽元素の不純物イオンを注入し、上記同一導電型の半導体膜内に低濃度領域を形成する第１の工程と、
上記同一導電型の半導体膜のうち、上記異なる２つの導電型の半導体膜の接合部よりも低濃度領域側に、上記軽元素よりも質量の重い重元素の不純物イオンを注入し、上記同一導電型の半導体膜内に高濃度領域を形成する第２の工程と、
少なくとも、上記異なる２つの導電型の半導体膜の接合部上にシリサイド膜を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第１の態様は、半導体基板上に積層された半導体膜と、上記半導体膜上に積層されたシリサイド膜とを有する半導体装置であって、上記半導体基板上に積層される同一導電型の半導体膜のうちの少なくとも１つは、上記半導体基板の面に沿う方向で２つ以上の濃度差を有し接続されており、上記シリサイド膜の未形成領域は、上記濃度差のある領域上にあることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体基板上に積層される同一導電型の半導体膜が、上記半導体基板の面に沿う方向で２つ以上の濃度差を有し接続されるようにし、且つ上記シリサイド膜の未形成領域を、上記濃度差のある領域上に形成するようにしたので、上記半導体膜上に形成されるシリサイドの未形成領域を、同一導電型の半導体膜上に形成することが可能になり、ゲート電極にＰＮ接合からなる寄生ダイオードが形成されることを防止できる。これにより、半導体膜上にシリサイドを形成したことによる悪影響を抑えながら、低コスト化、微細化を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ところで、前述の第１の従来例（図４（ａ）〜（ｄ）参照）においては、high-k膜であるＨｆＯ２  膜５１の形成時に、界面反応層であるＨｆＳｉｘＯｙ層５２が成長してしまうため、ゲート絶縁膜全体としての酸化膜換算膜厚（以下、ＥＯＴと称する）が増大してしまう。それに対して、真空一貫再酸化によって、界面反応層の付随的な成長を抑制し、それによりシリコン基板とhigh-k膜との界面における組成分布の変化を急峻にする方法（以下、第２の従来例と称する）が提案されている（渡部平司、第48回応用物理学関係連合講演会  講演予稿集 30p-YF-10、p.859、2001.3 ）。具体的には、第２の従来例においては、シリコンウェハ上に厚さ０．６ｎｍのケミカルオキサイドを形成した後、電子ビーム蒸着によりジルコニウム（Ｚｒ）薄膜を堆積し、その後、超高真空状態（１．３３×１０ー２Ｐａ程度）に減圧された酸素雰囲気中でシリコンウェハに対して酸化処理を行なってＺｒＯ２／ＳｉＯ２／Ｓｉ積層構造を作製する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨ヘッドに取り付けられた被研磨物を研磨パッドで研磨する化学機械研磨装置において、前記研磨パッドの上面より高い位置に位置する化学機械研磨装置の各構成部品の表面が、疎水処理されていることを特徴とする化学機械研磨装置。
【請求項２】
前記疎水処理は、各構成部品の表面にフッ素を含有する樹脂をコーティングすることによって行われていることを特徴とする請求項１記載の化学機械研磨装置。
【請求項３】
前記疎水処理は、各構成部品の表面にフッ素で終端処理された撥水フィルムを貼付することによって行われていることを特徴とする請求項１記載の化学機械研磨装置。
【請求項４】
前記疎水処理は、各構成部品の表面にフロロカーボン系の撥水塗料を塗布し、乾燥させた後に熱処理をしてフロロカーボン系ポリマーを形成することによって行われていることを特徴とする請求項１記載の化学機械研磨装置。
【請求項５】
前記被研磨物は、半導体ウエハであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の化学機械研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、研磨ヘッドに取り付けられた被研磨物を研磨パッドで研磨する化学機械研磨装置において、研磨パッドの上面より高い位置に位置する化学機械研磨装置の各構成部品の表面が、疎水処理されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の疎水処理は、各構成部品の表面にフッ素を含有する樹脂をコーティングすることによって行われていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の疎水処理は、各構成部品の表面にフッ素で終端処理された撥水フィルムを貼付することによって行われていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の疎水処理は、各構成部品の表面にフロロカーボン系の撥水塗料を塗布し、乾燥させた後に熱処理をしてフロロカーボン系ポリマーを形成することによって行われていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化された映像の符号化情報を元に、復号映像信号に施すフィルタの種類又は／及び、強度を決定するフィルタ決定部と、前記フィルタ決定部の決定したフィルタの種類又は／及び、強度に従って、復号映像信号にフィルタを施すフィルタリング部とを有する符号化映像復号化装置。
【請求項２】
前記符号化情報には、映像符号化単位であるブロックに関して他のブロックの復号映像信号を利用する旨の情報であるスキップ情報が含まれ、前記フィルタ決定部は、このスキップ情報に基づいてブロック単位に復号映像信号に施すフィルタの種類又は／及び、強度を決定する請求項１に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項３】
前記符号化情報には、映像符号化単位であるブロックに関しての直交変換情報が含まれ、前記フィルタ決定部は、この直交変換情報に基づいてブロック単位に復号映像信号に施すフィルタの種類又は／及び、強度を決定する請求項１に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項４】
前記直交変換情報に含まれる低周波成分が所定の量以上ある場合には、前記ブロックに対してブロックノイズ除去フィルタを施す請求項３に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項５】
前記符号化情報には、映像符号化単位であるブロックに関しての動きベクトル情報が含まれ、前記動きベクトル情報に基づいて、動きベクトルが所定の大きさ以上である場合には、前記ブロックに対してモスキートノイズ除去フィルタの強度を強める請求項１に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項６】
前記符号化情報には、映像符号化単位であるブロックに関しての動きベクトル情報が含まれ、前記動きベクトル情報に基づいて、動きベクトルが所定の大きさ以下である場合には、前記ブロックに対してブロックノイズ除去フィルタの強度を弱める請求項１に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項７】
再生速度操作信号に基づいて、フィルタの種類又は／及び、強度を決定するフィルタ決定部と、前記フィルタ決定部の決定したフィルタの種類又は／及び、強度に従って、復号映像信号にフィルタを施すフィルタリング部とを有する符号化映像復号化装置。
【請求項８】
前記フィルタの強度は、映像の再生速度の変化があった場合に、時間の経過とともに変化する請求項７記載の符号化映像復号化装置。
【請求項９】
前記フィルタの強度は、再生速度操作信号に基づいて映像の再生速度の変化があった場合に、時間の経過とともに変化する請求項７記載の符号化映像復号化装置。
【請求項１０】
符号化された映像の画面構成単位であるフレームに関しての符号化情報の変化に基づいて、フレーム復号映像信号に施すフィルタの種類又は／及び、強度を決定するフィルタ決定部と、前記フィルタ決定部の決定したフィルタの種類又は／及び、強度に従って、復号映像信号にフィルタを施すフィルタリング部とを有する符号化映像復号化装置。
【請求項１１】
前記符号化情報の変化は、画面構成単位であるフレームにおける全て、あるいは、一部のブロックの量子化情報の変化である請求項１０に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項１２】
前記フィルタは、ブロックノイズ除去フィルタであり、前記フィルタ決定部は、この量子化情報に基づいた量子化値の変化が小さくなるものである場合に、フレーム単位にブロックノイズ除去フィルタの強度を小さくすることを決定する請求項１１に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項１３】
前記符号化情報の変化は、画面構成単位であるフレームにおける全て、あるいは、一部のブロックの動きベクトル情報である請求項１０に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項１４】
前記フィルタは、ブロックノイズ除去フィルタであり、前記フィルタ決定部は、この動きベクトル情報に基づいた動きベクトルの値の変化が小さくなるものである場合に、フレーム単位にブロックノイズ除去フィルタの強度を小さくすることを決定する請求項１３に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項１５】
前記符号化情報の変化は、画面構成単位であるフレームにおける全て、あるいは、一部のブロックのイントラブロック情報である請求項１０に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項１６】
前記フィルタは、ブロックノイズ除去フィルタであり、前記フィルタ決定部は、このイントラブロック情報に基づいたイントラブロック数の変化が小さくなるものである場合に、フレーム単位にブロックノイズ除去フィルタの強度を小さくすることを決定する請求項１５に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項１７】
前記フィルタは、モスキートノイズ除去フィルタ、ブロックノイズ除去フィルタ、ガウスフィルタのいずれか一又は二以上である請求項１、７、１０のいずれか一に記載の符号化映像復号化装置。
【請求項１８】
再生速度操作信号に基づいて、フィルタの種類又は／及び、強度を決定するフィルタ決定ステップと、フィルタ決定ステップにおいて決定したフィルタの種類又は／及び、強度に従って、復号映像信号にフィルタを施すフィルタリングステップとを計算機に実行させるための符号化映像復号化プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月6日(2005.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化画像を復号化する際に、参照画像から生成した予測画像を用いて復号化するか、又は前記予測画像を用いないで復号化する画像復号化方法であって、
前記符号化画像を復号化して復号化画像を復元する復号化ステップと、
前記復号化ステップで得られた復号化画像を画素間フィルタを用いてフィルタリングするフィルタリングステップと、
前記フィルタリングステップで得られたフィルタ済みの復号化画像を記憶する記憶ステップとを有し、
前記復号化ステップで得られた復号化画像が前記予測画像を用いないで復号化される場合は、当該復号化画像を、前記予測画像を用いて復号化される復号化画像よりも平滑度が高いフィルタを用いてフィルタリングすることが可能なことを特徴とする画像復号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところが、データ呼がアクティブである間は、ＭＳ１１８は第１の作用中のＭＳＣ１１０に登録を行わない。図１に点線で示されているとおり、アンカーＭＳＣ１０６は第１の作用中のＭＳＣ１１０のＮｏ．７共通線信号方式（ＳＳ７）アドレス及び第１の作用中のＭＳＣ１１０に音声呼を伝達するためのベアラパスを有していない可能性がある。（ＳＳ７アドレスとは、他のネットワーク要素にシグナリングメッセージを送信するためにＭＳＣによって用いられるアドレスのことである。）従って、ＭＳ１１８は、ＢＳＣ１１２及びＢＴＳ１１３を経由して第１の作用中のＭＳＣ１１０と通信することができず、音声呼を受信できない。さらに別のＨＨＯが第二の作用中のＭＳＣ１１４に対して発生するとこの問題は継続する。前述の場合と同様に、アンカーＭＳＣ１０６は第二の作用中のＭＳＣ１１４のＳＳ７アドレス、並びにＢＳＣ１１６及びＢＴＳ１１７を経由して第二の作用中のＭＳＣ１１４に音声呼を伝達するためのベアラパスを有していない可能性がある。現在、非特許文献１（以下ＡＮＳＩ−４１と呼ぶ）の第５条６項に、移動体着信音声呼の伝達事例の大半において前述の問題を克服できるメッセージングが規定されている。しかし、このメッセージングは複雑で、全てのＭＳＣに適用できない可能性がある。ＡＮＳＩ−４１の写しはワールドウェブサイトのwww.tiaonline.org から直接取得できるほか、米国通信工業会（Telecommunications Industry Association, 1300 Pennsylvania Ave., Suite
350, Washington, D.C. 20004 USA）に問い合わせることで入手できる。
【非特許文献１】ＴＩＡ／ＥＩＡ（米国電気通信工業会／米国電子工業会）による規格「セルラー式無線通信システム間オペレーション（Cellular Radiotelecommunications Intersystem Operation）（ANSI/TIA/EIA-41-D ）、１９９７年１２月、ワールドウェブサイト<http://www.tiaonline.org>
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空間分割多重化ビームライン（１０、４０）を介して光学的に相互接続された複数の処理装置（１３８、１４０、１４２、１４４）からなる蓄積プログラム制御システムで用いる方法であって、
複数の個別のコリメートビームを生じる前記空間分割多重化ビームラインのそれぞれの部分空間を同時に占有する個別のサブチャネル（１５０）上で前記複数の処理装置に対するメッセージを光学的に符号化するステップと、
前記包囲体内に前記空間分割多重化ビームラインに沿って配置され前記個別のサブチャネルのそれぞれと関連付けられたそれぞれの送信用プローブ（１４）で、単一の細長い包囲体（２２）に包含された前記個別のビームを送信するステップと、
前記包囲体内に前記空間分割多重化ビームラインに沿って配置され前記個別のサブチャネルのそれぞれと関連付けられたぞれぞれの受信用プローブ（１８）で、単一の細長い包囲体（２２）に包含された前記個別のビームを受信するステップと、
１またはそれ以上の前記ビームを復調して前記メッセージを再生するステップとからなることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記受信するステップは、前記個別のサブチャネルのそれぞれに対応する複数の受信用プローブを有するハブアレイ（３１０）で、複数の前記個別のビームを受信するステップからなることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記受信するステップは、前記個別のビームをサポートするのに必要な場所を最小にする螺旋構造に配置された複数の受信器（１６）によって、前記細長い包囲体内で個別のコリメートビームを受信するステップからなることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記送信するステップは、前記個別のサブチャネルのそれぞれに対応する複数の送信用プローブを有するハブアレイ（３１０）で、複数の前記個別のビームを送信するステップからなることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記送信するステップは、前記個別のビームをサポートするのに必要な場所を最小にする螺旋構造に配置された前記細長い包囲体内のコリメートビームを送信するステップからなることを特徴とする方法。
【請求項６】
空間分割多重化ビームライン（１０、４０）を介して光学的に相互接続された複数の処理装置（１３８、１４０、１４２、１４４）からなる蓄積プログラム制御システムで用いる装置であって、
前記空間分割多重化ビームラインのそれぞれの部分空間を同時に占有する個別のサブチャネル（１５０）上で前記複数の処理装置に対するメッセージを光学的に符号化するよう配置され構成された複数の送信用プローブ（１４）からなり、前記空間分割多重化ビームラインに沿って送信され、そして細長い包囲体（２２）内に包含された複数の個別のビームを生じ、さらに、
前記個別のビームを受信し復調して前記メッセージを再生するよう構成された、前記包囲体内に配置された複数の受信用プローブ（１８）とからなることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置において、前記送信用プローブが、前記細長い包囲体内に配置され、前記個別のビームをサポートするのに必要な場所を最小にする螺旋構造に個別のコリメートビームを生成することを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月2日(2004.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源に対する駆動回路であって、
第一と第二の入力を持つ差動回路；
前記差動回路の第一と第二の入力に加えられる差動データに従ってこの駆動回路の第一の出力と第二の出力の一方に加えるための変調電流を確立するように適合化された電流発生器回路；および
前記電流発生器回路のバイアス電流出力に結合された一つの入力と前記差動回路のベース端子に結合された一つの入力を持つ可変バイアス回路であって、この駆動回路の出力オーバーシュートを制御するように前記差動回路に加えるための可変バイアス電流を生成するよう動作する可変バイアス回路を備えることを特徴とする駆動回路。
【請求項２】
さらに、入力段、中間段および出力段から成り、前記入力段が前記差動回路から成り、前記出力段が前記駆動回路の第一と第二の出力から成る請求項１記載の駆動回路。
【請求項３】
前記中間段が、前記入力段の出力によって駆動され、前記出力段を駆動する上側部分と、前記差動データによって駆動される下側部分を持つプル−プッシュ段から成る請求項２記載の駆動回路。
【請求項４】
前記可変バイアス回路がこれによって生成される可変バイアス電流が前記変調電流の関数となるように構成される請求項１記載の駆動回路。
【請求項５】
前記電流発生器回路がこのバイアス電流出力の所に前記変調電流のスケーリングされたバージョンを生成し、前記可変バイアス回路が前記前記可変バイアス電流を生成するためにこの変調電流のスケーリングされたバージョンを処理するように構成される請求項１記載の駆動回路。
【請求項６】
前記差動回路が差動ペアとして構成された第一と第二のトランジスタから成り、前記差動回路の前記第一と第二の入力がそれぞれ前記第一と第二のトランジスタのベース端子に対応し、前記ベース電流が前記第一と第二のトランジスタの共通のエミッタ端子に加えられ、前記第一と第二のトランジスタの各々のコレクタ端子が、前記駆動回路の第一と第二の出力の特定の一つを前記変調電流をそれに加えるために選択する働きをする信号と関連づけられている請求項１記載の駆動回路。
【請求項７】
前記可変バイアス回路が前記駆動回路の第一の出力段トランジスタを特性化するように構成された第一のトランジスタを持つ第一の電流路と前記駆動回路の第二の出力段トランジスタを特性化するように構成された第二のトランジスタを持つ第二の電流路を提供するように構成され、前記可変バイアス回路が前記２つの電流路の一方に流れる電流が前記出力段の差動ベース−エミッタ電圧に従って変化するように構成され、前記第一と第二の電流路がこれらの間に実質的に固定された電流比を持つように構成される請求項１記載の駆動回路。
【請求項８】
前記可変バイアス回路がさらに：
前記駆動回路のそれぞれ第一と第二の出力段を特性化するように構成された第一と第二のトランジスタ；
各々が前記第一と第二のトランジスタの対応する一つの第一の端子と第一の電源電圧の間に結合された第一及び第二の電流デバイスであって、前記第一のトランジスタの第二と第三の端子が第二の電源電圧に結合され、前記第二のトランジスタの第二の端子が前記第二の電源電圧に結合され、前記第二のトランジスタの第三の端子が抵抗要素を介して前記第二の電源電圧に結合されている第一及び第二の電流デバイス；
それぞれ前記第一と第二のトランジスタの第一の端子に結合された第一と第二の入力を持つ差動増幅器；および
前記差動増幅器の出力端子に結合された入力端子を持つ第三の電流デバイスであって、前記抵抗要素を通じて電流を確立し、この結果として前記可変バイアス回路の出力電流が前記第一と第二のトランジスタの差動エミッタ−ベース電圧の関数として変化するようになっている第三の電流デバイスを備える請求項１記載の駆動回路。
【請求項９】
少なくとも一つの光源用の駆動回路を備える集積回路であって、
第一と第二の入力を持つ差動回路；
前記差動回路の第一と第二の入力に加えられる差動データに従って前記駆動回路の第一の出力と第二の出力の一方に加えるための変調電流を確立するように適合化された電流発生器回路；および
前記電流発生器回路のバイアス電流出力に結合された一つの入力と前記差動回路のバイアス端子に結合された一つの入力を持つ可変バイアス回路であって、この駆動回路の出力オーバーシュートを制御するために前記差動回路に加えるための可変バイアス電流を生成するよう動作する可変バイアス回路を備えることを特徴とする集積回路。
【請求項１０】
光源と、
前記光源に結合された駆動回路とを備える装置であって、前記駆動回路が：
第一と第二の入力を持つ差動回路；
前記差動回路の第一と第二の入力に加えられる差動データに従って前記駆動回路の第一の出力と第二の出力の一方に加えるための変調電流を確立するように適合化された電流発生器回路；および
前記電流発生器回路のバイアス電流出力に結合された一つの入力と前記差動回路のバイアス端子に結合された一つの入力を持つ可変バイアス回路であって、この駆動回路の出力オーバーシュートを制御するために前記差動回路に加えるための可変バイアス電流を生成するよう動作する可変バイアス回路を備えることを特徴とする集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号ポートと出力信号ポートとを有する被測定物の非線形性を特徴づける方法であって、
異なる負荷状態においてＲＦ信号によって前記被測定物を励起するステップと、
前記被測定物の前記入力信号ポート及び前記出力信号ポートにおける信号データを測定するステップと、
前記測定データが所定の品質判定基準に合っているかどうかを検証するステップと、
前記被測定物の前記非線形特性を特徴づけるために所定の数学的モデルのモデルパラメータを前記測定データから計算するステップと、
追加の測定データを集め、かつ、これらを前記モデルパラメータを利用して前記所定の数学的モデルから計算されたデータと比較することにより、前記所定の特徴づけモデルにおいて行なわれた仮定を検証するステップと、
を含み、
前記モデルパラメータを計算するステップが、前記特徴づけられたモデルにおける前記測定データを置き換え、かつ、方程式の過剰決定されたセットを解くステップを含み、
前記負荷状態は、
ａ）前記被測定物の前記出力信号ポートへの整合負荷の接続と、
ｂ）前記被測定物の前記出力信号ポートへの開放の接続と、
ｃ）前記被測定物の前記出力信号ポートへの短絡の接続と、
ｄ）複数の減衰器および複数の遅延器を介して、前記整合負荷または前記開放または前記短絡を接続するようにしたステップａからステップｃの繰返し、
により得られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２】
前記減衰器が、負荷不整合の所望の領域における前記被測定物の前記非線形特性を特徴づけるための測定データを集めるために選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記遅延器が、前記負荷不整合がスミスチャート線図における円に沿って実質的に均一に分散するように選択されることを特徴とする請求項２または請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記方程式のセットが、特異値分解を利用して最小二乗法により解かれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
測定データが所定の品質判定基準に合っているかどうかを検証する前記ステップが、前記方程式のセットが良好な状態にあるかどうかを検証するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記減衰器が、ほぼ負荷整合がとれている状況下で前記被測定物の前記非線形特性を特徴づけるために選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ＲＦまたはマイクロ波用の被測定物に接続される入力端子と、
信号により前記被測定物を励起するための信号源と、
複数の遅延器と、
複数の減衰器と、
整合負荷と、
開放負荷と、
短絡と、
前記被測定物に複数の負荷状態を提供するために、前記遅延器、前記減衰器、
前記負荷を選択的に組み合わせるスイッチ装置と、
前記複数の負荷状態で、前記被測定物の入力ポートおよび出力ポートにおいて信号データを測定する測定モジュールと、
前記測定データが所定の品質判定基準に合っているかどうかを検証し、前記被測定物の前記非線形特性を特徴づけるために所定の数学的モデルのモデルパラメータを前記測定データから計算し、追加の測定データを集め、かつ、これらを前記モデルパラメータを利用して前記所定の数学的モデルから計算されたデータと比較することにより、前記所定の特徴づけモデルにおいて行なわれた仮定を検証するための処理装置と、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項８】
前記複数の負荷状態が、スミスチャート線図における円に沿って実質的に均一に分散する複数の負荷不整合を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。