【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた第１の配向制御層と、前記第１の配向制御層上に設けられた第１の電極層と、前記第１の電極層上に設けられた第２の配向制御層と、前記第２の配向制御層上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第２の電極層と、を有する圧電素子。
【請求項２】
基板上に第１の配向制御層をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する工程と、前記第１の配向制御層上に第１の電極層をスパッタ法を用いて形成する工程と、前記第１の電極層上に第２の配向制御層をスパッタ法を用いて形成する工程と、前記第２の配向制御層上に圧電体層をスパッタ法を用いて形成する工程と、前記圧電体層上に第２の電極層をスパッタ法を用いて形成する工程と、を有する圧電素子の製造方法。
【請求項３】
基板上に第１の配向制御層を形成する工程と、前記第１の配向制御層上に第１の電極層を形成する工程と、前記第１の電極層上に第２の配向制御層を形成する工程と、前記第２の配向制御層上に圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に第２の電極層を形成する工程と、前記第２の電極層上に振動層を形成する工程と、前記振動層上にインクを吐出するための圧力室を接合する工程と、前記基板及び前記第１の配向制御層を除去する工程と、を有するインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項４】
基板の一面に振動層を形成する工程と、前記振動層上に第１の配向制御層を形成する工程と、前記第１の配向制御層上に第１の電極層を形成する工程と、前記第１の電極層上に第２の配向制御層を形成する工程と、前記第２の配向制御層上に圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に第２の電極層を形成する工程と、前記基板をエッチングして圧力室を形成する工程と、を有するインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１の電極層、前記第２の配向制御層、前記圧電体層、および前記第２の電極層をスパッタ法を用いて形成し、前記第１の配向制御層をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する請求項３または４に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項６】
一方の面にインクを吐出するための圧力室が形成された圧力室基板と、前記圧力室基板の他方の面上に設けられた振動層と、前記振動層上に設けられた第１の配向制御層と、前記第１の配向制御層上に設けられた第１の電極層と、前記第１の電極層上に設けられた第２の配向制御層と、前記第２の配向制御層上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第２の電極層と、を有するインクジェットヘッド。
【請求項７】
請求項６に記載のインクジェットヘッドと、前記インクジェットヘッドと記録媒体との相対位置を変化させる移動手段とを有するインクジェット式記録装置。
【請求項８】
前記第１の配向制御層がＮａＣｌ型結晶構造の（１００）に優先配向した酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化チタンの群から選ばれた１種以上である請求項１に記載の圧電素子。
【請求項９】
前記第１の配向制御層がＮａＣｌ型結晶構造の（１００）に優先配向した酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化チタンの群から選ばれた１種以上である請求項６に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１０】
前記第２の配向制御層がペロブスカイト型結晶構造の（００１）または（１００）に優先配向したチタン酸鉛に、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ランタン、ニオブ、マンガン、亜鉛、アルミニウムの群から選ばれた１種以上を、０を超え２５モル％以下添加したものであり、かつ化学量論組成と比較して鉛量が５超え３０モル％以下過剰である請求項１に記載の圧電素子。
【請求項１１】
前記第２の配向制御層がペロブスカイト型結晶構造の（００１）または（１００）に優先配向したチタン酸鉛に、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ランタン、ニオブ、マンガン、亜鉛、アルミニウムの群から選ばれた１種以上を、０を超え２５モル％以下添加したものであり、かつ化学量論組成と比較して鉛量が５を超え３０モル％以下過剰である請求項６に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１２】
前記圧電体層が、（００１）または（１００）に優先配向したペロブスカイト型結晶構造のチタン酸ジルコン酸鉛である請求項１に記載の圧電素子。
【請求項１３】
前記圧電体層が、（００１）または（１００）に優先配向したペロブスカイト型結晶構造のチタン酸ジルコン酸鉛である請求項６に記載のインクジェットヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的を達成するために本発明の請求項１の圧電素子は、基板と、前記基板上に設けられた第１の配向制御層と、前記第１の配向制御層上に設けられた第１の電極層と、前記第１の電極層上に設けられた第２の配向制御層と、前記第２の配向制御層上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第２の電極層とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項２の圧電素子の製造方法は、基板上に第１の配向制御層をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する工程と、前記第１の配向制御層上に第１の電極層をスパッタ法を用いて形成する工程と、前記第１の電極層上に第２の配向制御層をスパッタ法を用いて形成する工程と、前記第２の配向制御層上に圧電体層をスパッタ法を用いて形成する工程と、前記圧電体層上に第２の電極層をスパッタ法を用いて形成する工程とを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、請求項３のインクジェットヘッドの製造方法は、基板上に第１の配向制御層を形成する工程と、前記第１の配向制御層上に第１の電極層を形成する工程と、前記第１の電極層上に第２の配向制御層を形成する工程と、前記第２の配向制御層上に圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に第２の電極層を形成する工程と、前記第２の電極層上に振動層を形成する工程と、前記振動層上にインクを吐出するための圧力室を接合する工程と、前記基板及び前記第１の配向制御層を除去する工程とを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、請求項４のインクジェットヘッドの製造方法は、基板の一面に振動層を形成する工程と、前記振動層上に第１の配向制御層を形成する工程と、前記第１の配向制御層上に第１の電極層を形成する工程と、前記第１の電極層上に第２の配向制御層を形成する工程と、前記第２の配向制御層上に圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に第２の電極層を形成する工程と、前記基板をエッチングして圧力室を形成する工程とを有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、請求項６のインクジェットヘッドは、一方の面にインクを吐出するための圧力室が形成された圧力室基板と、前記圧力室基板の他方の面上に設けられた振動層と、前記振動層上に設けられた第１の配向制御層と、前記第１の配向制御層上に設けられた第１の電極層と、前記第１の電極層上に設けられた第２の配向制御層と、前記第２の配向制御層上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第２の電極層とを有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、請求項７のインクジェット式記録装置は、請求項６に記載のインクジェットヘッドと、前記インクジェットヘッドと記録媒体との相対位置を変化させる移動手段とを有する。