(57)【要約】  本発明は、転写性及び密着性に優れ、かつ過酷な環境下で長期間にわたり使用あるいは保存された後でも、優れた耐久性（離型性、中抜け故障耐性、ひび割れ耐性）を有する中間転写体とそれを備えた画像形成装置を提供する。この中間転写体は、基材上に、基材側から第１の無機化合物層と第２の無機化合物層とを有し、該第１の無機化合物層に対する第２の無機化合物層の膜厚比が１．０以上、５．０以下であり、該第１の無機化合物層の炭素含有量が０．５原子数％以上、１０原子数％以下で、該第２の無機化合物層の炭素含有量が０．１原子数％未満であることを特徴とする。
2008105338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、基材側から第１の無機化合物層と第２の無機化合物層とを有し、
該第１の無機化合物層に対する第２の無機化合物層の膜厚比が１．０以上、５．０以下であり、
該第１の無機化合物層の炭素含有量が０．５原子数％以上、１０原子数％以下で、該第２の無機化合物層の炭素含有量が０．１原子数％未満であることを特徴とする中間転写体。
【請求項２】
前記第１の無機化合物層の膜厚が、２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の中間転写体。
【請求項３】
前記第２の無機化合物層の膜厚が、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求の範囲第１項または第２項に記載の中間転写体。
【請求項４】
前記第１の無機化合物層に対する第２の無機化合物層の膜厚比が、１．５以上、２．５以下であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載の中間転写体。
【請求項５】
前記第１の無機化合物層または前記第２の無機化合物層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＺｎから選ばれる少なくとも１種の原子を含む無機化合物から構成されていることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載の中間転写体。
【請求項６】
前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＺｎから選ばれる少なくとも１種の原子を含む無機化合物から構成されていることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載の中間転写体。
【請求項７】
前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層を構成する無機化合物が、いずれも酸化ケイ素であり、かつ前記第１の無機化合物層の平均膜密度が１．８０ｇ／ｃｍ3以上、２．１５ｇ／ｃｍ3未満で、前記第２の無機化合物層の平均膜密度が２．１０ｇ／ｃｍ3以上、２．３０ｇ／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第６項のいずれか１項に記載の中間転写体。
【請求項８】
前記第１の無機化合物層または前記第２の無機化合物層は、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、励起した該ガスに基材を晒すことにより、無機化合物薄膜を形成する大気圧プラズマＣＶＤ法により形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか１項に記載の中間転写体。
【請求項９】
前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層は、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、励起した該ガスに基材を晒すことにより、無機化合物薄膜を形成する大気圧プラズマＣＶＤ法により形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか１項に記載の中間転写体。
【請求項１０】
像担持体の表面を現像してトナー画像を形成し、該トナー画像を中間転写体に転写した後、転写紙に更に転写する画像形成装置において、該中間転写体が請求の範囲第１項乃至第９項のいずれか１項に記載の中間転写体であることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子複写機、レーザビームプリンタ、ファクシミリ等の電子写真装置や静電記録装置において、カラー画像のための各色毎のトナー画像を合成して転写するための中間転写体及び中間転写体を備えた画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体（以下、単に感光体とも云う）上のトナー像を記録材に転写する方式として、中間転写体を用いた画像形成方式が知られており、この方式は電子写真感光体から記録材にトナー像を転写する工程内に、もう一つの転写工程を入れ、電子写真感光体から中間転写体に一次転写した後、中間転写体の一次転写像を記録材に二次転写することで最終画像を得る。この方式は、色分解された原稿画像をブラック、シアン、マゼンタ、イエロー等のトナーによる減色混合を用いて再現する、いわゆるフルカラー画像形成装置における各色トナー像の多重転写方式として採用されることが多い。【０００３】
しかし、この中間転写体を用いた多重転写方式では、一次転写及び二次転写の二度の転写が入ることと、四色のトナーを転写体上で重ね合わせるため、トナー画像の転写不良に伴う画像不良が発生しやすい。【０００４】
一般にトナーの転写不良に対しては、トナー表面をシリカ等の外添剤で表面処理することにより転写効率を向上させられることが知られている。しかし、現像装置内でのトナーの攪拌部材から受けるストレスや、現像ローラ上にトナー層を形成するための規制ブレードから受けるストレス、感光体と現像ローラとの間で受けるストレス等で、トナー表面からシリカが離脱したり、トナー内部に埋没したりするため、十分な転写効率を得られないという問題がある。【０００５】
中間転写体の二次転写効率を高めるために、中間転写体表面に無機化合物薄膜（例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等）を被覆させることにより、トナー画像の剥離性を向上させ記録紙等への転写効率向上を図るものが提案されている（例えば、特許文献１、２参照。）。【０００６】
特許文献１、２においては、中間転写体からのトナーの離型性を向上させるために、中間転写体表面に酸化ケイ素や酸化アルミニウムの層を形成している。しかし、この方法で作製した中間転写体を実際の画像形成装置において耐久試験を行ったところ、繰り返しの屈曲動作により表面層から酸化物層が剥離するという問題点、また、酸化ケイ素や酸化アルミニウム等を真空蒸着やスパッタリングにより形成するため真空装置等の大がかりな設備を必要とするという問題点があった。【０００７】
上記課題を踏まえ、中間転写体の二次転写性を高める方法として、無機化合物薄膜（例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等）を大気圧プラズマ処理方法により形成する方法があり、この方法により無機化合物薄膜を形成する場合、優れた耐久性（例えば、基材との薄膜密着性、表面薄膜の硬度）を達成する観点から、第１層（密着層）と第２層（表面層、硬質膜）の２層からなる構成を採る場合がある。この積層構成では、第１層目に応力緩和機能を付与させるために、補助ガス（例えば、窒素ガス、水素ガス等）の反応条件として、原料による薄膜形成を完結させない条件とすることにより、形成される薄膜中の炭素含有量を一定量とする制御を行っている。【０００８】
また、中間転写体表面に無機コーティング層を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。特許文献３に提案されている方法では、無機コーティング層に添加されるコロイダルシリカの量を多く添加すればトナーの離型性が向上し、転写効率が良くなると分かっているが、耐久試験における屈曲動作の繰り返しにより、無機コーティング層にひび割れが発生するため、一定量以上の添加ができない。そのため、十分な離型性を発揮できず、転写効率も一定以上に高めることができないという問題を抱えていた。
【特許文献１】特開平９−２１２００４号公報
【特許文献２】特開２００１−３４７５９３号公報
【特許文献３】特開２０００−２０６８０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、転写性及び密着性に優れ、かつ過酷な環境下で長期間にわたり使用あるいは保存された後でも、優れた耐久性（離型性、中抜け故障耐性、ひび割れ耐性）を有する中間転写体とそれを備えた画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。【００１１】
１．基材上に、基材側から第１の無機化合物層と第２の無機化合物層とを有し、
該第１の無機化合物層に対する第２の無機化合物層の膜厚比が１．０以上、５．０以下であり、
該第１の無機化合物層の炭素含有量が０．５原子数％以上、１０原子数％以下で、該第２の無機化合物層の炭素含有量が０．１原子数％未満であることを特徴とする中間転写体。【００１２】
２．前記第１の無機化合物層の膜厚が、２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であることを特徴とする前記１に記載の中間転写体。【００１３】
３．前記第２の無機化合物層の膜厚が、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする前記１または２に記載の中間転写体。【００１４】
４．前記第１の無機化合物層に対する第２の無機化合物層の膜厚比が、１．５以上、２．５以下であることを特徴とする前記１乃至３のいずれか１項に記載の中間転写体。【００１５】
５．前記第１の無機化合物層または前記第２の無機化合物層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＺｎから選ばれる少なくとも１種の原子を含む無機化合物から構成されていることを特徴とする前記１乃至４のいずれか１項に記載の中間転写体。【００１６】
６．前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＺｎから選ばれる少なくとも１種の原子を含む無機化合物から構成されていることを特徴とする前記１乃至４のいずれか１項に記載の中間転写体。【００１７】
７．前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層を構成する無機化合物が、いずれも酸化ケイ素であり、かつ前記第１の無機化合物層の平均膜密度が１．８０ｇ／ｃｍ3以上、２．１５ｇ／ｃｍ3未満で、前記第２の無機化合物層の平均膜密度が２．１０ｇ／ｃｍ3以上、２．３０ｇ／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求の範囲１乃至６のいずれか１項に記載の中間転写体。【００１８】
８．前記第１の無機化合物層または前記第２の無機化合物層は、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、励起した該ガスに基材を晒すことにより、無機化合物薄膜を形成する大気圧プラズマＣＶＤ法により形成されていることを特徴とする前記１乃至７のいずれか１項に記載の中間転写体。【００１９】
９．前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層は、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、励起した該ガスに基材を晒すことにより、無機化合物薄膜を形成する大気圧プラズマＣＶＤ法により形成されていることを特徴とする前記１乃至７のいずれか１項に記載の中間転写体。【００２０】
１０．像担持体の表面を現像してトナー画像を形成し、該トナー画像を中間転写体に転写した後、転写紙に更に転写する画像形成装置において、該中間転写体が前記１乃至９のいずれか１項に記載の中間転写体であることを特徴とする画像形成装置。
【発明の効果】
【００２１】
本発明により、転写性及び密着性に優れ、かつ過酷な環境下で長期間にわたり使用あるいは保存された後でも、優れた耐久性（離型性、中抜け故障耐性、ひび割れ耐性）を有する中間転写体とそれを備えた画像形成装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】カラー画像形成装置の構成の一例を示す断面構成図である。
【図２】本発明の中間転写体の層構成の一例を示す断面図である。
【図３】中間転写体の製造に適用可能な大気圧プラズマ処理装置の一例を示す概略図である。
【図４】中間転写体の製造に適用可能な大気圧プラズマ処理装置の他の一例を示す概略図である。
【図５】大気圧プラズマＣＶＤ装置における薄膜形成領域の構成の一例を示す模式図である。
【図６】ロール電極の一例を示す斜視図である。
【図７】固定電極の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００２３】
１  カラー画像形成装置
２  中間転写体の製造装置
３  大気圧プラズマＣＶＤ装置
４  大気圧プラズマ装置
１７  中間転写体ユニット
２０  ロール電極
２１  固定電極
２３  放電空間
２４  混合ガス供給装置
２５  第１の電源
２６  第２の電源
４１  薄膜形成領域
１１７  二次転写ローラ
１７０  中間転写ベルト
１７５  基材
１７６  第１の無機化合物層
１７７  第２の無機化合物層
２０１  従動ローラ
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。【００２５】
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、基材上に、基材側から第１の無機化合物層と第２の無機化合物層とを有し、該第１の無機化合物層に対する第２の無機化合物層の膜厚比（第２の無機化合物層の膜厚／第１の無機化合物層の膜厚）が１．０以上、５．０以下であり、該第１の無機化合物層の炭素含有量が０．５原子数％以上、１０原子数％以下で、該第２の無機化合物層の炭素含有量が０．１原子数％未満であることを特徴とする中間転写体により、転写性及び密着性に優れ、かつ過酷な環境下で長期間にわたり使用あるいは保存された後でも、優れた耐久性（離型性、中抜け故障耐性、ひび割れ耐性）を有する中間転写体を実現することができた。【００２６】
すなわち、中間転写体を構成する基材上に、高炭素含有量で低密度の第１の無機化合物層（密着層、応力緩和層）と、低炭素含有量で高密度の第２の無機化合物層（表面層、硬化膜層）とを、所定の膜厚比で有する中間転写体により、第１層を形成する際に層中に残留している低分子量の副生成物（シロキサン系化合物などが主であり表面エネルギーの低下能が大きい化合物）が、第２層（表面層である場合が多い）に拡散して、ブリードアウトを起こし、表面エネルギーの低下を引き起こすことを防止し、優れた転写性、表面硬度、ひび割れ耐性を維持すると共に、表面エネルギーの低下に起因する中抜け故障を防止するものである。【００２７】
以下、本発明の中間転写体の詳細について説明する。【００２８】
本発明の中間転写体は、電子写真方式の複写機、プリンタ、ファクシミリ等の画像形成装置に好適に用いられ、感光体の表面に担持されたトナー画像をその表面に一次転写され、転写されたトナー画像を保持し、保持したトナー画像を記録紙等の被転写物の表面に二次転写するものであれば良く、ベルト状の転写体でも、ドラム状の転写体でも良い。【００２９】
はじめに、本発明の中間転写体を装備する画像形成装置の構成について、タンデム型フルカラー複写機を一例として説明する。【００３０】
図１は、カラー画像形成装置の構成の一例を示す断面構成図である。【００３１】
このカラー画像形成装置１は、タンデム型フルカラー複写機と称せられるもので、主には、自動原稿送り装置１３と、原稿画像読み取り装置１４と、複数の露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋと、複数組の画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋと、中間転写体ユニット１７と、給紙手段１５及び定着手段１２４とから構成されている。【００３２】
カラー画像形成装置１の本体１２の上部には、自動原稿送り装置１３と原稿画像読み取り装置１４が配置されており、自動原稿送り装置１３により搬送される原稿ｄの画像が原稿画像読み取り装置１４の光学系により反射及び結像され、ラインイメージセンサＣＣＤにより読み込まれる。【００３３】
ラインイメージセンサＣＣＤにより読み取られた原稿画像を光電変換されたアナログ信号は、画像処理部（不図示）において、アナログ処理、Ａ／Ｄ変換、シェーディング補正、画像圧縮処理等を行った後、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋに各色毎のデジタル画像データとして送信され、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋにより対応する第１の像担持体としてのドラム状の感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに各色の画像データの潜像を形成する。【００３４】
画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは垂直方向に縦列配置されており、感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの左側に、ローラ１７１、１７２、１７３、１７４を巻回して回動可能に張架された半導電性でエンドレスベルト状の第２の像担持体である本発明の中間転写体１７０が配置されている。この中間転写体１７０は、駆動装置（不図示）により回転駆動されるローラ１７１を介し矢印方向に駆動されている。【００３５】
イエロー色の画像を形成する画像形成部１０Ｙは、感光体１１Ｙの周囲に配置された帯電手段１２Ｙ、露光手段１３Ｙ、現像手段１４Ｙ、一次転写手段としての一次転写ローラ１５Ｙ、クリーニング手段１６Ｙを有する。【００３６】
マゼンタ色の画像を形成する画像形成部１０Ｍは、感光体１１Ｍ、帯電手段１２Ｍ、露光手段１３Ｍ、現像手段１４Ｍ、一次転写手段としての一次転写ローラ１５Ｍ、クリーニング手段１６Ｍを有する。【００３７】
シアン色の画像を形成する画像形成部１０Ｃは、感光体１１Ｃ、帯電手段１２Ｃ、露光手段１３Ｃ、現像手段１４Ｃ、一次転写手段としての一次転写ローラ１５Ｃ、クリーニング手段１６Ｃを有する。【００３８】
黒色画像を形成する画像形成部１０Ｋは、感光体１１Ｋ、帯電手段１２Ｋ、露光手段１３Ｋ、現像手段１４Ｋ、一次転写手段としての一次転写ローラ１５Ｋ、クリーニング手段１６Ｋを有する。【００３９】
トナー補給手段１４１Ｙ、１４１Ｍ、１４１Ｃ、１４１Ｋは、現像装置１４Ｙ、１４Ｍ、１４Ｃ、１４Ｋにそれぞれトナーを補給する。【００４０】
ここで、一次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、図示しない制御手段により画像の種類に応じて選択的に作動され、それぞれ対応する感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに中間転写体１７０を押圧し、感光体上の画像を転写する。【００４１】
このようにして、画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋにより感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋ上に形成された各色の画像は、一次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋにより、回動する中間転写体１７０上に逐次転写されて、合成されたカラー画像が形成される。【００４２】
即ち、中間転写体は、感光体の表面に担持されたトナー画像をその表面に一次転写され、転写されたトナー画像を保持する。【００４３】
また、給紙カセット１５１内に収容された記録媒体である記録紙Ｐは、給紙手段１５により給紙され、次いで複数の中間ローラ１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、１２２Ｄ、レジストローラ１２３を経て、二次転写手段としての二次転写ローラ１１７まで搬送され、二次転写ローラ１１７により中間転写体上の合成されたトナー画像が記録紙Ｐ上に一括転写される。即ち、中間転写体上に保持したトナー画像を、被転写物の表面に二次転写する。【００４４】
ここで、二次転写手段６は、ここを記録紙Ｐが通過して二次転写を行なう時にのみ、記録紙Ｐを中間転写体１７０に圧接させる。【００４５】
カラー画像が転写された記録紙Ｐは、定着装置１２４により定着処理され、排紙ローラ１２５に挟持されて機外の排紙トレイ１２６上に載置される。【００４６】
一方、二次転写ローラ１１７により記録紙Ｐにカラー画像を転写した後、記録紙Ｐを曲率分離した中間転写体１７０は、クリーニング手段８により残留トナーが除去される。【００４７】
ここで、中間転写体は前述したような回転するドラム状の中間転写ドラムに置き換えても良い。【００４８】
次に、中間転写体１７０に接する一次転写手段としての一次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋと、二次転写ローラ１１７の構成について説明する。【００４９】
一次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋや二次転写ローラ６は、例えば、外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ（エチレンテトラフルオロエチレン共重合体）、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１×１０5〜１×１０9Ω・ｃｍ程度のソリッド状態または発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。【００５０】
二次転写ローラ６は、一次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋと異なり、記録紙Ｐが無い状態ではトナーが接する可能性があるため、二次転写ローラ６の表面に半導電性のフッ素樹脂やウレタン樹脂等の離型性の良いものを被覆することが好ましく、ステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴムや樹脂材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりした半導電性材料を、厚さが０．０５〜０．５ｍｍ程度被覆して形成される。【００５１】
以下に、上述した中間転写体１７０を例に取り本発明の中間転写体について説明する。【００５２】
図２は、本発明の中間転写体の層構成の一例を示す断面図である。【００５３】
本発明における中間転写体１７０は、基材１７５の表面に、基材１７５側から第１の無機化合物層１７６と第２の無機化合物層１７７とを有し、第１の無機化合物層１７６と第２の無機化合物層１７７の膜厚比（１７６：１７７）が１．０：１．０〜１．０：５．０の範囲にあり、第１の無機化合物層１７６の炭素含有量が０．５原子数％以上、１０原子数％以下で、平均膜密度が１．８０ｇ／ｃｍ3以上、２．１５ｇ／ｃｍ3未満の高炭素含有量で低密度の層であり、第２の無機化合物層１７７は、炭素含有量が０．１原子数％未満で、平均膜密度が２．１０ｇ／ｃｍ3以上、２．３０ｇ／ｃｍ3以下の低炭素含有量で高密度の層である。【００５４】
このような構成とすることにより、トナーとの離型性に優れ、転写効率の良い中間転写体１７０を得ることができ、且つ繰り返しの耐久使用においても、低分子量の副生成物の表面へのブリードアウトを抑制し、中抜け故障の発生を低減することができ、長期間にわたり、優れた転写性能を維持することができる。【００５５】
本発明の中間転写体においては、上述のように、第１の無機化合物層の炭素含有量が０．５原子数％以上、１０原子数％以下で、該第２の無機化合物層の炭素含有量が０．１原子数％未満であることを特徴とする。【００５６】
本発明に係る第１の無機化合物層（密着層）の炭素含有量が０．５原子数％未満になると基材との膜付き特性が低下し、剥離しやすくなり、また、１０原子数％以上になると、第１の無機化合物層中での低分子量の副生成物等の移動を起こしやすくなり、長期間にわたり保存した際の安定性が低下する。【００５７】
また、本発明に係る第２の無機化合物層においては、炭素含有量が０．１原子数％未満であり、炭素原子を全く含有しないことが特に好ましい。第２の無機化合物層の炭素含有量が０．１原子数％以上になると、薄膜強度の低下による耐久性の劣化や低分子量の副生成物の表面へのブリードアウト抑制機能が低下し、下層に地位している第１の無機化合物層からの低分子量の副生成物の拡散を防止する効果が低下する。【００５８】
本発明でいう炭素含有率を示す原子数濃度とは、下記のＸＰＳ法によって算出されるもので、以下に定義される。【００５９】
原子数濃度％（ａｔｏｍｉｃ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）＝炭素原子の個数／全原子の個数×１００
ＸＰＳ表面分析装置は、本発明では、ＶＧサイエンティフィックス社製ＥＳＣＡＬＡＢ−２００Ｒを用いた。具体的には、Ｘ線アノードにはＭｇを用い、出力６００Ｗ（加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流４０ｍＡ）で測定した。エネルギー分解能は、清浄なＡｇ３ｄ５／２ピークの半値幅で規定したとき、１．５ｅＶ〜１．７ｅＶとなるように設定した。【００６０】
測定としては、先ず、結合エネルギー０ｅＶ〜１１００ｅＶの範囲を、データ取り込み間隔１．０ｅＶで測定し、いかなる元素が検出されるかを求めた。【００６１】
次に、検出された、エッチングイオン種を除く全ての元素について、データの取り込み間隔を０．２ｅＶとして、その最大強度を与える光電子ピークについてナロースキャンをおこない、各元素のスペクトルを測定した。【００６２】
得られたスペクトルは、測定装置、あるいは、コンピュータの違いによる含有率算出結果の違いを生じせしめなくするために、ＶＡＭＡＳ−ＳＣＡ−ＪＡＰＡＮ製のＣＯＭＭＯＮ  ＤＡＴＡ  ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ  ＳＹＳＴＥＭ  （Ｖｅｒ．２．３以降が好ましい）上に転送した後、同ソフトで処理をおこない、各分析ターゲットの元素（炭素、酸素、ケイ素、チタン等）の含有率の値を原子数濃度（ａｔｏｍｉｃ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ：ａｔ％）として求めた。【００６３】
定量処理をおこなう前に、各元素についてＣｏｕｎｔ  Ｓｃａｌｅのキャリブレーションをおこない、５ポイントのスムージング処理をおこなった。定量処理では、バックグラウンドを除去したピークエリア強度（ｃｐｓ＊ｅＶ）を用いた。バックグラウンド処理には、Ｓｈｉｒｌｅｙによる方法を用いた。このＳｈｉｒｌｅｙ法については、Ｄ．Ａ．Ｓｈｉｒｌｅｙ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．，Ｂ５，４７０９（１９７２）を参考にすることができる。【００６４】
また、本発明の中間転写体においては、第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層を構成する無機化合物が、いずれも酸化ケイ素であり、かつ第１の無機化合物層の平均膜密度が１．８０ｇ／ｃｍ3以上、２．１５ｇ／ｃｍ3未満で、第２の無機化合物層の平均膜密度が２．１０ｇ／ｃｍ3以上、２．３０ｇ／ｃｍ3以下であることが好ましい。【００６５】
本発明に係る第２の無機化合物層の平均膜密度が２．１０ｇ／ｃｍ3未満になると、バリア機能が低下し、下層に地位している第１の無機化合物層からの低分子量の副生成物の拡散を防止する効果が低下する。【００６６】
本発明で規定する各無機化合物層の膜密度は、公知の分析手段を用いて求めることができるが、本発明においては、Ｘ線反射率法により求めた値を用いている。【００６７】
Ｘ線反射率法の概要は、例えば、Ｘ線回折ハンドブック  １５１ページ（理学電機株式会社編  ２０００年  国際文献印刷社）や化学工業１９９９年１月Ｎｏ．２２を参照して行うことができる。【００６８】
本発明に有用な測定方法の具体例を以下に示す。【００６９】
測定装置としては、マックサイエンス社製ＭＸＰ２１を用いて行う。Ｘ線源のターゲットには銅を用い、４２ｋＶ、５００ｍＡで作動させる。インシデントモノクロメータには多層膜パラボラミラーを用いる。入射スリットは０．０５ｍｍ×５ｍｍ、受光スリットは０．０３ｍｍ×２０ｍｍを用いる。２θ／θスキャン方式で０から５°をステップ幅０．００５°、１ステップ１０秒のＦＴ法にて測定を行う。得られた反射率曲線に対し、マックサイエンス社製Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｐｒｏｇｒａｍ  Ｖｅｒ．１を用いてカーブフィティングを行い、実測値とフッティングカーブの残差平方和が最小になるように各パラメータを求める。各パラメータから各層の厚さ及び平均膜密度を求めることができる。【００７０】
以上のように、本発明の中間転写体においては、第１の無機化合物層の炭素含有量が０．５原子数％以上、１０原子数％以下で、該第２の無機化合物層の炭素含有量が０．１原子数％未満であること、あるいは第１の無機化合物層の平均膜密度が１．８０ｇ／ｃｍ3以上、２．１５ｇ／ｃｍ3未満で、前記第２の無機化合物層の平均膜密度が２．１０ｇ／ｃｍ3以上、２．３０ｇ／ｃｍ3以下であることを特徴とするが、本発明に係る第１層あるいは第２層は、必要に応じて２層以上からなる積層構造をとってもよい。例えば、第１層を２層から構成し、基材側の第１層Ａの炭素含有量を９．５原子数％とし、第２層に接する側の第１層Ｂを０．７原子数％とする構成が挙げられる。また、第２層を２層から構成し、第１層に接する側の第２層Ａの膜密度を２．１５ｇ／ｃｍ3とし、表面側の第２層Ｂの膜密度を２．２０ｇ／ｃｍ3とする構成が挙げられる。この様な第１層あるいは第２層を２層以上からなる積層構造とすることにより、薄膜形成時の製膜速度を高めることができ、高品位の薄膜を形成することができる。【００７１】
また、本発明の中間転写体においては、第１層と第２層の間に中間層を設ける構成を採ることができる。例えば、炭素含有量が０．３原子数％の中間層を、第１層と第２層の間に設けることにより、第１層と第２層の膜物性の不連続で急激な変化を緩和すことができる。なお、本願発明においては、上記の様な多層構成を用いても、本発明の目的効果を損なうものではない。【００７２】
本発明の中間転写体においては、第１の無機化合物層に対する第２の無機化合物層の膜厚比（第２の無機化合物層の膜厚／第１の無機化合物層の膜厚）が１．０以上、５．０以下であることを特徴とし、好ましく、１．５以上、２．５以下である。【００７３】
第１の無機化合物層に対する第２の無機化合物層の膜厚比が１．０未満になると、即ち、第２の無機化合物層に対し相対的に第１の無機化合物層が厚くなると、第１の無機化合物層中での未反応原料の含有層が増大し、かつ第２の無機化合物層が薄膜となるため、ブリードアウトの抑制効果が低下する。一方、第１の無機化合物層に対する第２の無機化合物層の膜厚比が５．０を越えると、即ち、第２の無機化合物層に対し相対的に第１の無機化合物層が薄くなると、第１の無機化合物層の応力緩和層としての機能が低下し、基材との密着性の低下や、ひび割れ故障等を引き起こしやすくなる。【００７４】
第１の無機化合物層の膜厚としては、２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であることが好ましく、また、第２の無機化合物層の膜厚は、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることが、本発明の目的効果を発揮する観点から好ましい。【００７５】
次いで、本発明の中間転写体の各構成要素について説明する。【００７６】
（基材）
本発明の中間転写体に適用可能な基材としては、樹脂材料に導電剤を分散させてなるベルトを好ましく用いることができる。ベルトに用いる樹脂としては、特に制限はないが、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニリデン、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体、ポリアミド及びポリフェニレンサルファイド等のいわゆるエンジニアリングプラスチック材料を用いることができる。また、導電剤としては、カーボンブラックを使用することができる。カーボンブラックとしては、特に制限なく使用することができ、中性カーボンブラックを使用しても構わない。導電剤の使用量は、使用する導電剤の種類によっても異なるが、中間転写体の体積抵抗値および表面抵抗値が所定の範囲になるように添加すれば良く、通常、樹脂材料１００質量部に対して４〜４０質量部添加されている。本発明に用いられる基材は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイやＴダイにより押しだして急冷することにより製造することができる。【００７７】
（第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層）
次に、上記基材上に、本発明に係る第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層を形成する。【００７８】
本発明における第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層に用いられる無機化合物としては、無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物及びそれらの複合物が挙げられる。【００７９】
本発明における第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層の形成に用いられる無機酸化物としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ベリリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。【００８０】
本発明においては、第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層から選ばれる少なくとも１層が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＺｎから選ばれる少なくとも１種の原子を含む無機化合物から構成されていることが好ましく、更には、第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層の全ての層が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＺｎから選ばれる少なくとも１種の原子を含む無機化合物から構成されていることが好ましい。従って、それぞれの層を構成する無機化合物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムであることが好ましく、特に、第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層を構成する無機化合物のいずれもが酸化ケイ素であることが好ましい。【００８１】
また、本発明に係る第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層は、１種類の無機化合物で構成されていて、２種類以上の化合物で構成されていてもよい。【００８２】
本発明において、第１の無機化合物層を基材上に形成する前に、基材表面にコロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗面化処理、薬品処理などの表面処理を施してもよい。【００８３】
次いで、本発明に係る第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層の形成方法について説明する。【００８４】
本発明の中間転写体において、第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層の形成方法としては、特に制限はなく、例えば、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマＣＶＤ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。ウェットプロセスは、無機化合物の微粒子を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。【００８５】
本発明の中間転写体においては、特に、第１の無機化合物層または第２の無機化合物層が、大気圧もしくはその近傍の圧力下で、対向する電極間に形成した放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、該放電空間に高周波電界を印加することにより該ガスを励起し、励起した該ガスに基材を晒すことにより、無機化合物薄膜を形成する大気圧プラズマＣＶＤ法により形成されていることが好ましく、更には第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層が、上記大気圧プラズマＣＶＤ法により形成されていることが、本発明の目的効果をより発揮できる観点から好ましい。【００８６】
この大気圧プラズマＣＶＤ法は、減圧チャンバー等が不要で、高速製膜ができ生産性の高い製膜方法である。また、大気圧プラズマＣＶＤ法で形成される膜は、均一かつ表面の平滑性を有し、更に内部応力も非常に少ない膜を比較的容易に形成することが可能となる。【００８７】
大気圧プラズマＣＶＤ法による第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層（例えば、無機酸化物：ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等）の形成方法について、その具体的方法を以下に説明する。【００８８】
大気圧プラズマＣＶＤ法（以下、大気圧プラズマ法ともいう）とは、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電ガスを励起し、放電させ、原料ガス及び、または、反応性ガスを放電空間へ導入し、励起し、基材上に薄膜を形成する処理を指し、その方法については特開平１１−１３３２０５号、特開２０００−１８５３６２号、特開平１１−６１４０６号、特開２０００−１４７２０９号、特開２０００−１２１８０４号等に記載されている。この大気圧プラズマ法によって、高機能性の薄膜を生産性高く形成することができる。ここでいう大気圧もしくはその近傍とは、２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａの圧力を表し、好ましくは、９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが好ましい。【００８９】
次に、本発明に係る中間転写体の各無機化合物層を、大気圧プラズマＣＶＤ法により形成する場合の装置、方法及びそれに用いる各種ガスについて説明する。【００９０】
図３は、中間転写体の製造に適用可能な大気圧プラズマ処理装置の一例を示す概略図である。【００９１】
図３において、中間転写体の製造装置２（放電空間と薄膜堆積領域が略同一なダイレクト方式）は基材１７５上に第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層を形成するもので、エンドレスベルト状の中間転写体の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０と従動ローラ２０１、及び、基材１７５表面に第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層を形成する成膜装置である大気圧プラズマＣＶＤ装置３より構成されている。【００９２】
大気圧プラズマＣＶＤ装置３は、ロール電極２０の外周に沿って配列された少なくとも１式の固定電極２１と、固定電極２１とロール電極２０との対向領域で且つ放電が行われる放電空間２３と、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３に混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４と、放電空間２３等に空気の流入することを軽減する放電容器２９と、ロール電極２０に接続された第１の電源２６と、固定電極２１に接続された第２の電源２５と、使用済みの排ガスＧ′を排気する排気部２８とを有している。【００９３】
混合ガス供給装置２４（図３では、３つのステーションで表示）は、第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層のそれぞれを形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス、ヘリウムガス等の希ガス、更に原料ガスの分解を制御するガスを放電空間２３に供給する。【００９４】
ここで、原料ガスの分解を制御するガス（原料分解制御ガス）とは、分子構造中に、活性を有する元素を含むガスのことを表し、例えば、Ｈ、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｆ、Ｂ、Ｃｌ、Ｐ、Ｂｒ、Ｉ、Ａｓ、Ｓｅなどを含むガスが挙げられる。活性を有する元素を含むガスは、単独で用いても良く、また複数を混合して用いても良い。また、形成する薄膜の炭素含有量を制御する観点から、活性を有する元素を含むガスの分子構造中にＣを含むものでも、分子構造中にＣを含むガスと混合して用いても良い。【００９５】
また、従動ローラ２０１は張力付勢手段２０２により矢印方向に付勢され、基材１７５に所定の張力を掛けている。張力付勢手段２０２は基材１７５の掛け替え時等は張力の付勢を解除し、容易に基材１７５の掛け替え等を可能としている。【００９６】
第１の電源２６は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２５は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより放電ガスをプラズマ化して混合ガスＧに含まれる原料ガスに応じた膜（図２の場合、第１の無機化合物層１７６、第２の無機化合物層１７７が対応）が基材１７５の表面に堆積される。【００９７】
なお、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向下流側に位置する複数の固定電極と混合ガス供給装置で無機化合物層を積み重ねるように堆積し、無機化合物層の厚さを調整するようにしても良い。【００９８】
例えば、図２に例示した層構成では、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向最下流側に位置する固定電極と混合ガス供給装置で第１の無機化合物層１７６を形成し、より上流に位置する第２の固定電極と混合ガス供給装置で第２の無機化合物層１７７を形成することができる。このように連続して製膜することにより、生産性が上がるとともに、第１の無機化合物層１７６、第２の無機化合物層１７７の密着性を上げることができ、更に耐久性のある中間転写体を製造することができる。【００９９】
また、第１の無機化合物層１７６と基材１７５との接着性を向上させるために、第１の無機化合物層１７６を形成する固定電極と混合ガス供給装置の上流に、窒素、ヘリウム、アルゴンや酸素、水素などのガスを供給するガス供給装置と固定電極を設けてプラズマ処理を行い、基材１７５の表面を活性化させるようにしても良い。【０１００】
更に他の形態として、ロール電極及び固定電極の内、一方の電極をアースに接続して、他方の電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行うことができる観点から好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。【０１０１】
図４は、中間転写体の製造に適用可能な大気圧プラズマ処理装置の他の一例を示す概略図である。【０１０２】
中間転写体の第２の製造装置２ｂは、複数（図４では、２つ）の基材上に同時に第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層を、それぞれ形成するもので、主として、基材表面に無機化合物層を形成する複数の成膜装置２ｂ１及び２ｂ２より構成されている。【０１０３】
第２の製造装置２ｂ（ダイレクト方式の変形で、対向したロール電極間で放電と薄膜堆積を行う方式）は、第１の成膜装置２ｂ１と所定の間隙を隔てて略鏡像関係に配置された第２の成膜装置２ｂ２と、第１の成膜装置２ｂ１と第２の成膜装置２ｂ２との間に配置された少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３ｂに混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４ｂとを有している。【０１０４】
第１の成膜装置２ｂ１はエンドレスベルト状の中間転写体の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０ａと従動ローラ２０１と矢印方向に従動ローラ２０１を付勢する張力付勢手段２０２とロール電極２０ａに接続された第１の電源２５とを有し、第２の成膜装置２ｂ２はエンドレスベルト状の中間転写体の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０ｂと従動ローラ２０１と矢印方向に従動ローラ２０１を付勢する張力付勢手段２０２とロール電極２０ｂに接続された第２の電源２６とを有している。【０１０５】
また、第３の製造装置２ｂはロール電極２０ａとロール電極２０ｂとの対向領域に放電が行われる放電空間２３ｂを有している。【０１０６】
混合ガス供給装置２４ｂは無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物等の無機化合物層を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス、ヘリウムガス等の希ガス、更に原料ガスの分解を制御するガスを放電空間２３ｂに供給する。【０１０７】
第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３ｂに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化（励起）し、プラズマ化（励起）した混合ガスを第１の成膜装置２ｂ１の基材１７５及び第２の成膜装置２ｂ２の基材１７５の表面に晒し、プラズマ化（励起）した混合ガスに含まれる原料ガスに応じた膜（無機化合物層）が第１の成膜装置２ｂ１の基材１７５及び第２の成膜装置２ｂ２の基材１７５の表面に同時に堆積・形成される。【０１０８】
ここで、対向するロール電極２０ａとロール電極２０ｂとは所定の間隙を隔てて配置されている。【０１０９】
更に他の形態として、ロール電極２０ａとロール電極２０ｂの内、一方のロール電極をアースに接続して、他方のロール電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行うことができる観点から好ましく、特に放電ガスに窒素ガス或いはアルゴンガス、ヘリウムガス等の希ガスを用いる場合に好ましい。【０１１０】
以下、基材上に無機化合物層を形成する大気圧プラズマＣＶＤ装置の薄膜形成領域の詳細について、説明する。【０１１１】
図５は、大気圧プラズマＣＶＤ装置における薄膜形成領域の構成の一例を示す模式図である。【０１１２】
図５は、図３に示した大気圧プラズマＣＶＤ装置の破線部の薄膜形成領域を抜き出したものである。【０１１３】
図５を参照して、第１の無機化合物層１７６の形成に好適に用いられる大気圧プラズマＣＶＤ装置の１例を説明する。【０１１４】
大気圧プラズマＣＶＤ装置３は、基材を着脱可能に巻架して回転駆動させる少なくとも１対のローラと、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極とを有し、前記１対の電極の内、一方の電極は前記１対のローラの内の一方のローラで、他方の電極は前記一方のローラに前記基材を介して対向する固定電極であり、前記一方のローラと前記固定電極との対向領域において発生するプラズマに、前記基材が晒されて前記無機化合物層を堆積・形成される中間転写体の製造装置であり、例えば放電ガスとして窒素を用いる場合に一方の電源により高電圧を掛け他方の電源により高周波を掛けることにより安定して放電を開始し且つ放電を継続するため好適に用いられる。【０１１５】
大気圧プラズマＣＶＤ装置３は前述したように混合ガス供給装置２４、固定電極２１、第１の電源２５、第１のフィルタ２５ａ、ロール電極２０、ロール電極を矢印方向に駆動回転させる駆動手段２０ａ、第２の電源２６、第２のフィルタ２６ａを有しており、放電空間２３でプラズマ放電を行わせて有機物を含む原料ガスと放電ガスを混合した混合ガスＧを励起させ、励起した混合ガスＧ１を基材表面１７５ａに晒し、その表面に炭素を含有した無機化合物層を堆積・形成するものである。【０１１６】
そして、固定電極２１に第１の電源２５から周波数ω1の第１の高周波電圧が印加され、ロール電極２０に第２の電源２６から周波数ω2の高周波電圧が印加されるようになっており、それにより、固定電極２１とロール電極２０との間に電界強度Ｖ1で周波数ω1と電界強度Ｖ2で周波数ω2とが重畳された電界が発生し、固定電極２１に電流Ｉ1が流れ、ロール電極２０に電流Ｉ2が流れ、電極間にプラズマが発生する。【０１１７】
ここで、周波数ω１と周波数ω２の関係、及び、電界強度Ｖ1と電界強度Ｖ2および放電ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶとの関係が、ω1＜ω2で、Ｖ1≧ＩＶ＞Ｖ2、または、Ｖ1＞ＩＶ≧Ｖ2を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ2以上となっている。【０１１８】
窒素ガスの放電を開始する電界強度ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍの為、少なくとも第１の電源２５から印可する電界強度Ｖ1は３．７ｋＶ／ｍｍ、またはそれ以上とし、第２の高周波電源６０から印可する電界強度Ｖ2は３．７ｋＶ／ｍｍ、またはそれ未満とすることが好ましい。【０１１９】
また、第１の大気圧プラズマＣＶＤ装置３に利用可能な第１の電源２５（高周波電源）としては、
印加電源記号    メーカー            周波数            製品名
Ａ１        神鋼電機            ３ｋＨｚ    ＳＰＧ３−４５００
Ａ２        神鋼電機            ５ｋＨｚ    ＳＰＧ５−４５００
Ａ３        春日電機          １５ｋＨｚ    ＡＧＩ−０２３
Ａ４        神鋼電機          ５０ｋＨｚ    ＳＰＧ５０−４５００
Ａ５        ハイデン研究所  １００ｋＨｚ＊  ＰＨＦ−６ｋ
Ａ６        パール工業      ２００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−２００ｋ
Ａ７        パール工業      ４００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−４００ｋ
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。【０１２０】
また、第２の電源２６（高周波電源）としては、
印加電源記号    メーカー            周波数            製品名
Ｂ１        パール工業      ８００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−８００ｋ
Ｂ２        パール工業          ２ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−２Ｍ
Ｂ３        パール工業  １３．５６ＭＨｚ    ＣＦ−５０００−１３Ｍ
Ｂ４        パール工業        ２７ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−２７Ｍ
Ｂ５        パール工業      １５０ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−１５０Ｍ
Ｂ６        パール工業  ２０〜９９．９ＭＨｚ  ＲＰ−２０００−２０／１００Ｍ等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。【０１２１】
なお、上記電源のうち、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。【０１２２】
本発明において、第１及び第２の電源から対向する電極間に供給する電力は、固定電極２１に１Ｗ／ｃｍ2以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、薄膜を形成する。固定電極２１に供給する電力の上限値としては、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ2である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ2である。なお、放電面積（ｃｍ2）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。【０１２３】
また、ロール電極２０にも、１Ｗ／ｃｍ2以上の電力（出力密度）を供給することにより、高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることが出来る。これにより、更なる均一高密度プラズマを生成出来、更なる製膜速度の向上と膜質の向上が両立出来る。好ましくは２Ｗ／ｃｍ2以上である。ロール電極２０に供給する電力の上限値は、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ2である。【０１２４】
ここで高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくともロール電極２０に供給する高周波は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。【０１２５】
また、固定電極２１と第１の電源２５との間には、第１フィルタ２５ａが設置されており、第１の電源２５から固定電極２１への電流を通過しやすくし、第２の電源２６からの電流をアースして、第２の電源２６から第１の電源２５への電流が通過しにくくなるようになっており、ロール電極２０と第２の電源２６との間には、第２フィルタ２６ａが設置されており、第２の電源２６からロール電極２０への電流を通過しやすくし、第１の電源２１からの電流をアースして、第１の電源２５から第２の電源２６への電流を通過しにくくするようになっている。【０１２６】
電極には前述したような強い電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことが出来る電極を採用することが好ましく、固定電極２１とロール電極２０には強い電界による放電に耐えるため少なくとも一方の電極表面には下記の誘電体が被覆されている。【０１２７】
以上の説明において、電極と電源の関係は、固定電極２１に第２の電源２６を接続して、ロール電極２０に第１の電源２５を接続しても良い。【０１２８】
更に他の形態として、固定電極２１とロール電極２０との内、一方の電極をアースに接続して、他方の電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。【０１２９】
図６は、ロール電極の一例を示す斜視図である。【０１３０】
ロール電極２０の構成について説明すると、図６の（ａ）において、ロール電極２０は、金属等の導電性母材２００ａ（以下、「電極母材」ともいう。）に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２００ｂ（以下、単に「誘電体」ともいう。）を被覆した組み合わせで構成されている。また、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化ケイ素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。【０１３１】
また、図６の（ｂ）に示すように、金属等の導電性母材２００Ａにライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２００Ｂを被覆した組み合わせでロール電極２０’を構成してもよい。ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。【０１３２】
金属等の導電性母材２００ａ、２００Ａとしては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工の観点からステンレスが好ましい。【０１３３】
尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材２００ａ、２００Ａは、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している（不図示）。【０１３４】
図７は、固定電極の一例を示す斜視図である。【０１３５】
図７の（ａ）において、角柱或いは角筒柱の固定電極２１及び２１ａ、２１ｂは上記記載のロール電極２０と同様に、金属等の導電性母材２１０ｃに対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２１０ｄを被覆した組み合わせで構成されている。また、図７の（ｂ）に示す様に、角柱或いは角筒柱型の固定電極２１’は金属等の導電性母材２１０Ａへライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２１０Ｂを被覆した組み合わせで構成してもよい。【０１３６】
以下に、中間転写体の製造方法の工程の内、基材１７５上に無機化合物層を堆積・形成する成膜工程の例を、図３、５を参照して説明する。【０１３７】
図３及び５において、ロール電極２０及び従動ローラ２０１に基材１７５を張架後、張力付勢手段２０２の作動により基材１７５に所定の張力を掛け、次いでロール電極２０を所定の回転数で回転駆動する。【０１３８】
混合ガス供給装置２４から混合ガスＧを生成し、放電空間２３に放出する。【０１３９】
第１の電源２５から周波数ω１の電圧を出力して固定電極２１に印加し、第２の電源２６から周波数ω２の電圧を出力してロール電極２０に印加し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生させる。【０１４０】
電界Ｖにより放電空間２３に放出された混合ガスＧを励起しプラズマ状態にする。そして、基材表面にプラズマ状態の混合ガスＧを晒し混合ガスＧ中の原料ガスにより無機酸化物層、無機窒化物層、無機炭化物層から選ばれる少なくとも１つの層の膜、即ち第１の無機化合物層１７６を基材１７５上に形成する。【０１４１】
この様にして形成される第１の無機化合物層の上に、同様にして、第２の無機化合物層１７７を設けることができる。【０１４２】
放電ガスとは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等及びそれらの混合物などが挙げられる。【０１４３】
原料ガスとしては、薄膜を形成する成分を含有するものであり、例えば、有機金属化合物、有機化合物が挙げられる。【０１４４】
例えば、ケイ素化合物として、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−ブトキシシラン、テトラｔ−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビス（トリメチルシリル）アセチレン、１，４−ビストリメチルシリル−１，３−ブタジイン、ジ−ｔ−ブチルシラン、１，３−ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、１−（トリメチルシリル）−１−プロピン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Ｍシリケート５１などが挙げられるがこれらに限定されない。【０１４５】
チタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどが挙げられるがこれらに限定されない。【０１４６】
アルミニウム化合物としては、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミニウムｓ−ブトキシド、アルミニウムｔ−ブトキシド、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテート、アルミニウムエトキシド、アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムIII２，４−ペンタンジオネート、ジメチルアルミニウムクロライドなどが挙げられるがこれらに限定されない。【０１４７】
亜鉛化合物としては、ジンクビス（ビス（トリメチルシリル）アミド）、ジンク２，４−ペンタンジオネート、ジンク２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネートなどが挙げられるがこれらに限定されない。【０１４８】
ジルコニウム化合物としては、ジルコニウムｔ−ブトキシド、ジルコニウムジイソプロポキシドビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）、ジルコニウムエトキシ、ジルコニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、ジルコニウムイソプロポキシド、ジルコニウム２−メチル−２−ブトキシド、ジルコニウムトリフルオロペンタンジオネートなどが挙げられるがこれらに限定されない。【０１４９】
また、これらの原料は、前記炭素含有量を有する無機化合物層を形成するものであれば、単独で用いても良いが、２種以上の成分を混合して使用するようにしても良い。【０１５０】
上記のような方法によって、基材表面に２層の無機化合物層、すなわち、第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層を、本発明で規定する条件で設けることにより、転写性が高く、クリーニング性及び耐久性、画質（中抜け故障）に優れた中間転写体を提供することができる。【０１５１】
各構成層において、本発明で規定する炭素含有量とするには、原料ガスの量と原料ガスの分解を制御する反応ガスの量とプラズマ放電処理装置の設定条件などで調節することができる。例えば、本発明に係る各構成層において、本発明で規定する炭素含有量とするには、原料ガスの量と原料ガスの分解を抑制する反応ガスの量やプラズマ放電処理装置の電源出力、印加する周波数などの条件を適宜選択することにより調整することができる。特に、大気圧プラズマ放電処理装置においては、同一原料で、かつ同一装置の連続した工程内で、反応ガス量などの部分的な製膜条件を変更するのみで、所望の構成層を短時間でかつ高い経済性で製膜することができ、好ましい。
【実施例】
【０１５２】
以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明の実施形態はこれに限定されるものではない。【０１５３】
実施例１
《中間転写体の作製》
［中間転写体１の作製］
〔基材の作製〕
下記の方法に従って、中間転写体用の基材を作製した。【０１５４】
ポリフェニレンサルファイド樹脂（Ｅ２１８０、東レ社製）          １００質量部
導電フィラー（ファーネス＃３０３０Ｂ、三菱化学社製）              １６質量部
グラフト共重合体（モディパーＡ４４００、日本油脂社製）              １質量部
滑材（モンタン酸カルシウム）                                    ０．２質量部
上記各原材料を単軸押出機に投入し、溶融混練させて樹脂混合物とした。次いで、単軸押出機の先端にスリット状でシームレスベルト形状の吐出口を有する環状ダイスを取り付け、混練された上記樹脂混合物を、シームレスベルト形状に押し出した。押し出されたシームレスベルト形状の樹脂混合物を、吐出先に設けた円筒状の冷却筒に外挿させて冷却して固化することにより、厚さ１２０μｍでシームレス円筒状の中間転写体用の基材を作製した。【０１５５】
〔各無機合物層の形成〕
上記作製した基材上に、図５に記載の大気圧プラズマ処理装置を用いて、下記の方法に従って、基材側から第１層（第１の無機化合物層）及び第２層（第２の無機化合物層）を順次形成して、中間転写体１を作製した。【０１５６】
（第１層の形成：第１の無機化合物層）
上記作製した基材上に、図５に記載の大気圧プラズマ処理装置を用いて、下記の膜形成条件により、厚さ８５ｎｍの第１の無機化合物層を形成した。大気圧プラズマ処理装置において、各電極を被覆する誘電体は対向する電極共にセラミック溶射加工によりアルミナを片肉で１ｍｍ被覆したものを使用した。また、各ロール電極の誘電体を被覆した金属母材は、水循環による加熱、冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、プラズマ放電中は５０℃の水を循環することにより、ロール電極表面の温度を一定に保ちながらプラズマ処理を行った。電極間隙は、０．５ｍｍに設定し、処理時間を調整することで各膜厚の調整を行った。【０１５７】
下記膜形成条件に従って形成した第１層目の前述のＸＰＳ法（ＶＧサイエンティフィック社製Ｘ線光電子分光分析測定器（ＥＳＣＡＬＡＢ  ２００Ｒ））により測定した炭素含有量は５．０原子数％であり、前述のＸ線反射率法（マックサイエンス社製ＭＸＰ２１）により測定した平均膜密度は１．８９ｇ／ｃｍ3であった。【０１５８】
〈第１層目の膜形成条件〉
放電ガス：窒素ガス（処理巾１ｃｍあたり３．５ｓｌｍ）
反応ガス：酸素ガスを全ガスに対し１．０体積％
原料ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を全ガスに対し０．０５体積％
低周波側電源電力：ハイデン研究所製インパルス高周波電源（ＰＨＦ−６ｋ）（１００ｋＨｚ）、１０Ｗ／ｃｍ2
高周波側電源電力：パール工業製広帯域高周波電源（ＲＰ−２０００−２０／１００Ｍ）（６０．０ＭＨｚ）、１０Ｗ／ｃｍ2
（第２層の形成）
上記第１層の形成において、同様の大気圧プラズマ装置を使用して、膜形成条件として、反応ガス中の酸素ガス濃度を全ガスに対し２１体積％に変更した以外は同様にして、上記第１層（密着層）上に、厚さが１７５ｎｍ、炭素含有量が０．１原子数％未満、平均膜密度が２．２１ｇ／ｃｍ3の第２層を形成して、中間転写体１を作製した。【０１５９】
［中間転写体２〜８の作製］
上記中間転写体１の作製において、第１層と第２層のそれぞれの厚さを、表１に記載のように変更した以外は同様にして、中間転写体２〜８を作製した。【０１６０】
［中間転写体９の作製］
上記中間転写体１の作製において、第１層（第１の無機化合物層）形成時の酸素ガス濃度を全ガスに対し１２体積％に変更した以外は同様にして、厚さが８５ｎｍ、炭素含有量が０．４原子数％、平均膜密度が２．０９ｇ／ｃｍ3の第１層を形成した以外は同様にして、中間転写体９を作製した。【０１６１】
［中間転写体１０の作製］
上記中間転写体１の作製において、第１層（第１の無機化合物層）形成時の酸素ガス濃度を全ガスに対し８．６体積％に変更した以外は同様にして、厚さが８５ｎｍ、炭素含有量が０．７原子数％、平均膜密度が２．０６ｇ／ｃｍ3の第１層を形成した以外は同様にして、中間転写体１０を作製した。【０１６２】
［中間転写体１１の作製］
上記中間転写体１の作製において、第１層（第１の無機化合物層）形成時の酸素ガス濃度を全ガスに対し２．３体積％に変更した以外は同様にして、厚さが８５ｎｍ、炭素含有量が３．０原子数％、平均膜密度が１．９４ｇ／ｃｍ3の第１層を形成した以外は同様にして、中間転写体１１を作製した。【０１６３】
［中間転写体１２の作製］
上記中間転写体１の作製において、第１層（第１の無機化合物層）形成時の酸素ガス濃度を全ガスに対し０．７体積％に変更した以外は同様にして、厚さが８５ｎｍ、炭素含有量が７．５原子数％、平均膜密度が１．８４ｇ／ｃｍ3の第１層を形成した以外は同様にして、中間転写体１２を作製した。【０１６４】
［中間転写体１３の作製］
上記中間転写体１の作製において、第１層（第１の無機化合物層）形成時の反応ガスを水素ガスに変更し濃度を全ガスに対し２．０体積％に変更した以外は同様にして、厚さが８５ｎｍ、炭素含有量が９．５原子数％、平均膜密度が１．８１ｇ／ｃｍ3の第１層を形成した以外は同様にして、中間転写体１３を作製した。【０１６５】
［中間転写体１４の作製］
上記中間転写体１の作製において、第１層（第１の無機化合物層）形成時の反応ガスを水素ガスに変更し水素ガス濃度を全ガスに対し１．０体積％に変更し、高周波側電源電力を３Ｗ／ｃｍ2にした以外は同様にして、厚さが８５ｎｍ、炭素含有量が１１．０原子数％、平均膜密度が１．６７ｇ／ｃｍ3の第１層を形成した以外は同様にして、中間転写体１４を作製した。【０１６６】
［中間転写体１５の作製］
上記中間転写体１の作製において、第２層（第２の無機化合物層）形成時の酸素ガス濃度を全ガスに対し１８体積％に変更した以外は同様にして、厚さが１７５ｎｍ、炭素含有量が０．２原子数％、平均膜密度が２．１３ｇ／ｃｍ3の第２層を形成した以外は同様にして、中間転写体１５を作製した。【０１６７】
【表１】
2008105338.tif 000003
【０１６８】
《中間転写体の評価》
上記作製した各中間転写体について、下記の方法に従って各特性評価を行った。【０１６９】
〔トナーの二次転写性の評価〕
トナーの二次転写性は、各中間転写体上に形成されたトナー像のトナー質量に対する記録紙上に転写されたトナー像のトナー質量の割合を表すトナー転写率により評価を行った。【０１７０】
プリンタ（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製のｍａｇｉｃｏｌｏｒ５４４０ＤＬ）を用い、内部の中間転写ベルトを外し、上記作製した各中間転写ベルトをそれぞれ装着した。【０１７１】
このプリンタに平均粒径が６．５μｍの重合トナーをセットし、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラック各色を最大トナー濃度でコニカミノルタＣＦペーパー（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製）へ、プリントを行った。プリント紙上へ転写されたトナー付着量およびベルト上の残留トナー量を光学（反射）濃度測定し、測定結果を予め求めた光学濃度とトナー量との関係式に従ってトナー量へ換算し、下式によりトナー転写率（％）を求め、下記の基準に従って二次転写性を評価した。【０１７２】
転写率（％）＝（テストプリント紙上へ転写されたトナー量／（テストプリント紙上へ転写されたトナー量＋ベルト上の残留トナー量））×１００
◎：転写率が９８％以上であった
○：転写率が９５％以上、９８％未満であった
△：転写率が９０％以上、９５％未満であった
×：転写率が９０％未満であった
〔基材密着性の評価〕
２３℃、５０％ＲＨの環境下で、各中間転写体を２４時間放置した後、各中間転写体表面に片刃のカミソリの刃を面に対して９０°の角度で切り込みを１ｍｍ間隔で縦横１１本入れ、１ｍｍ角の碁盤目を１００個作成した。次いで、ニチバン製セロハンテープを碁盤目上に貼り付け、テープの一端を手で持ち力強く引き剥がした。このとき、１００個の碁盤目で形成した薄膜が剥がれている面積の割合を目視で観察し、下記の基準に従って密着性を評価した。【０１７３】
◎：全く剥離が認められない
○：剥がれた面積が１％以上、５％未満であった
△：剥がれた面積が５％以上、１０％未満であった
×：剥がれた面積が１０％以上であった
〔耐久性の評価１：連続出力適性〕
上記トナーの二次転写性の評価と同様のプリンタを用いて、コニカミノルタＣＦペーパー（Ａ４）に各トナー色とも５％イメージ率のテストパターンで２３℃、５０％ＲＨの環境下で２０万枚プリントを行った後、１枚目と２０万枚目のプリントにおける画像品質の変化の有無を目視観察し、下記の基準に従って、耐久性の評価１を行った。【０１７４】
◎：１枚目及び２０万枚目のプリント共に画像に変化無く、問題となる画像の故障も認められない
○：１枚目のプリントでは問題となる画像の故障が認められず、２０万枚目のプリントでわずかに変化が認められるが、実用上許容される品質である
△：１枚目のプリントでは問題となる画像の故障が認められず、２０万枚目のプリントでは変化が認められるが、実用上許容される品質である
×：１枚目のプリントでは問題となる画像の故障が認められず、２０万枚目のプリントで明らかな故障が認められ、実用上問題となる品質である
〔耐久性の評価２：高温高湿耐性〕
上記トナーの二次転写性の評価と同様のプリンタで、各中間転写体を５０℃、９０％ＲＨの環境下で６ヶ月間放置した強制劣化処理を行った後に装填し、３５℃、８５％ＲＨ環境下でコニカミノルタＣＦペーパー（Ａ４）に各トナー色とも５％イメージ率のテストパターンでプリントを行い、出力したプリントでの中抜け故障の有無を目視観察し、下記の基準に従って、耐久性の評価２を行った。【０１７５】
◎：中抜け故障の発生は全く認められない
○：極弱い中抜け故障が一部で認められが、良好な品質である
△：弱い中抜け故障が一部で認められるが、実用上許容される品質である
×：明らかな中抜け故障が認められ、実用上問題となる品質である
以上により得られた結果を、表２に示す。【０１７６】
〔耐久性の評価３：高温低湿耐性〕
上記トナーの二次転写性の評価と同様のプリンタで、各中間転写体を５０℃、１５％ＲＨの環境下で６ヶ月間放置した強制劣化処理を行った後に装填し、３５℃、８５％ＲＨの環境下でコニカミノルタＣＦペーパー（Ａ４）に各トナー色とも５％イメージ率のテストパターンでプリントを行い、出力したプリントでの中抜け故障の有無を目視観察し、下記の基準に従って、耐久性の評価２を行った。【０１７７】
◎：中抜け故障の発生は全く認められない
○：極弱い中抜け故障が一部で認められが、良好な品質である
△：弱い中抜け故障が一部で認められるが、実用上許容される品質である
×：明らかな中抜け故障が認められ、実用上問題となる品質である
以上により得られた結果を、表２に示す。【０１７８】
【表２】
2008105338.tif 000004
【０１７９】
表２に記載の結果より明らかなように、本発明で規定する構成からなる中間転写体を用いたプリンタは、比較例に対し、トナーの二次転写性と連続出力時の耐久性及び高温高湿後の中抜け耐性に優れていることがわかる。【０１８０】
実施例２
実施例１に記載の中間転写体の作製において、第１層及び第２層の無機化合物層の構成材料として、酸化ケイ素膜に代えて、各原料を適宜選択して、酸化チタン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化亜鉛膜にそれぞれ変更して各中間転写体を作製し、実施例１に記載の方法と同様に評価を行った結果、本発明の中間転写体も表２に記載したのと同様に、比較例に対しては良好な結果を得ることができたが、実施例１に記載の中間転写体（酸化ケイ素膜）に比較すると、その効果はやや低い結果となった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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