(57)【要約】ビアホールに充填する導電体ペースト組成物であって、平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％とを含み、塩素の含有量が２０〜２０００ｐｐｍであるビアホール充填用導電体ペースト組成物を提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、
一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％と、を備え、
塩素の含有量が２０〜２０００ｐｐｍである
ビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項２】
前記導電体粒子が、
（１）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの粒子、
（２）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金粒子、
（３）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの金属で被覆された粒子、および、
（４）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被覆された粒子の
（１）ないし（４）から選ばれる少なくとも一つの粒子である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項３】
前記導電体粒子が、表面酸素濃度が１．０重量％以下の銅を含む
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項４】
前記エポキシ化合物が、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項５】
前記エポキシ化合物が、ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項６】
前記エポキシ化合物が、重量平均分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマーを含む
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項７】
前記エポキシ化合物が、
ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂９０〜２０重量％と、
Ｃ８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ樹脂１０〜８０重量％とで構成される樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項８】
前記エポキシ化合物が、
ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；９０〜１９重量％と、
炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及び炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つの樹脂；９〜８０重量％と、
重量平均分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマー；１〜３０重量％とで構成される樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項９】
ペースト組成物の粘度特性において、
温度：２５℃、１［１／ｓｅｃ］における粘度（Ａ）と、２［１／ｓｅｃ］における粘度（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）が、１以下である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項１０】
絶縁基材内に開けられたビアホール中に、導電性樹脂組成物が充填され、かつ前記絶縁基材表面の上下電極層が電気的に接続されているプリント基板であって、
前記導電性樹脂組成物が、
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、
一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％と、
２０〜２０００ｐｐｍの塩素と、を含み、
前記導電性樹脂組成物が前記ビアホール中において硬化されていることを特徴とする
プリント基板。
【請求項１１】
前記ビアホールの孔径が、１５０μｍ以下である
請求項１０に記載のプリント基板。
【請求項１２】
プリント基板の製造に用いられるプリプレグにあらかじめビアホールを形成するステップと、
前記ビアホールに、
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子３０〜７０体積％と、
一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂７０〜３０体積％と、
２０〜２０００ｐｐｍの塩素と、を含む導電体ペースト組成物を充填するステップと、
前記プリプレグの上下層に銅箔を挟んで加熱加圧するステップと、
前記銅箔をエッチングすることにより電気回路を形成するステップと、
を備えた
プリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記ビアホールの孔径を、１５０μｍ以下に形成するステップをさらに備えた
請求項１２に記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はビアホール充填用導電体ペースト組成物と、それを用いた両面プリント基板および多層プリント基板並びにこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化に伴い、回路基板には高多層、高密度化が求められている。ＩＣ間や部品間を最短距離で結合できる基板の層間の接続方式としてインナビアホール接続によって、高密度化が図れることが知られている。一般のガラスエポキシ多層基板に用いられるようなスルーホール接続においては、スルーホールにメッキすることで接続を行うため、必要な層間のみの接続は困難であり、また基板最上層に電極のランドを有する構成のため、その部分に表面実装部品の電極ランドを構成することができないことからこれらの制約により実装密度を上げることは難しい。これらを解決する方法としてスルーホールでなく、基板の半分までの孔を開けスルーホールを減らす方法や、スルーホールに導電体ペーストを充填し更にメッキする工程にて基板最上層の孔を塞ぎ、実装密度を向上させる方法などが行われているが、製造工程が複雑になる。【０００３】
これに対して、インナビアホール接続では、必要な各層間のみの接続が可能であり、さらに基板最上層にもスルーホールがなく実装性も優れている。この接続方式を樹脂基板（例えば、ガラスエポキシ基板）に適用した例では、両面基板では低粘度の溶剤型銀ペーストをスルーホールに印刷法を用いて埋め込み、乾燥硬化させ導通をとる基板がある。しかし、その接続抵抗率は１０ｍΩ・ｃｍ程度と高く、またヒートサイクル等の耐熱衝撃における信頼性が乏しい。また導電体ペーストのスルーホールへの埋め込み性を高めるためペーストの低粘度化手段としては、導電体粒子量を少なく用いたり、低沸点の溶剤あるいは反応性希釈剤を添加したりする方法が行われていた。【０００４】
しかし、導電体粒子の添加量を減らすことは、フィラー同士の接触点が少なくなりビアホール接続抵抗率が大きくなり、またヒートサイクル等の熱応力が発生する試験では信頼性が確保できない。また、低沸点の溶剤または反応性希釈剤を添加する方法では、熱プレスの硬化中にこれら成分の揮発による重量減少が大きく、この揮発成分のために基材に膨れが生じたり、または配線銅箔との接着力が弱くなったりする。そこで、導電体粒子を高濃度で含有しつつリノールダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹脂を主成分とすることにより、無溶剤で低粘度、高導電性、耐熱衝撃導電接続信頼性の導電体ペーストを実現したものがある。【０００５】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。【０００６】
しかし、上記従来の例ではリノールダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹脂を主成分としており、樹脂の架橋密度が低くなるため低粘度で熱衝撃には強いものの、吸水率が高く高湿度試験において導電接続信頼性が不足する。また、リノールダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹脂はエポキシ樹脂の中では接着強度も低レベルにあるため、これを主成分に用いた導電体ペーストをビアホールに使用した場合、配線銅箔との接着力が不十分である。【０００７】
一般にエポキシ樹脂の吸水率を低減し接着強度を高めるには、架橋密度がより高められるエポキシ当量が低い、例えばビスフェノール型エポキシ樹脂などを配合する手段が知られている。しかし、吸水率を低減し接着強度を高められるこれら低エポキシ当量の樹脂は、リノールダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹脂などに比較し高粘度である。よって、ビアホール充填ができない導電体ペーストとなる。【０００８】
また、インナビアホール内に導電性を担う導電体粒子の存在比率が大きければ、導体抵抗が低減できる。そのため、導電性ペーストには出来るだけ多くの導電性粒子を含有させることが有効である。しかしながら、固体の導電性粒子と液状のバインダとの混合であるので、ペースト化可能な混合比の限度があり、また粘度が高すぎるとビアへの充填性が損なわれる。特に、インナビアホールの径が小さくなるほど、導電性粒子の密度の影響を受けやすい。よって、インナビアホールの導通性が大きく影響される。【０００９】
一方、ビアホール内の導通抵抗を下げるために、導電体ペースト中に塩素を含有することにより、導電体ペースト中に含有される導電性粒子の表面を還元していたが、塩素の含有量が過剰になると、プリント基板の絶縁性が低下する。【００１０】
特に、導電体ペースト中の塩素の含有率がプリプレグ中の塩素の含有率よりも高くなると、ビアホール内の導電体ペーストに含まれる塩素がプリプレグ内に侵入するために、プリント基板の絶縁性がさらに低下しやすくなる。
【特許文献１】特開平７−１７６８４６号公報
【発明の開示】
【００１１】
本発明は、小径のインナビアホール接続による電極層間の電気的接続ならびに高耐熱衝撃性、高耐湿性、高接続強度が得られる導電体ペースト組成物を作製するものである。また、このペーストを用いたインナビアホール接続を含んだ両面プリント基板から多層プリント基板を作製するものである。
【００１２】
また、本発明の導電体ペースト組成物は、ビアホールに充填する導電体ペースト組成物であって、（ａ）平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、（ｂ）一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％と、塩素２０〜２０００ｐｐｍと、を含むものである。
【００１３】
本発明のビアホール充填用導電体ペーストを用いた両面プリント基板とその形成方法およびそれを用いた多層基板によれば、スルーホールメッキ技術を用いることなく簡便に高信頼性の小径インナビアホールを備えた両面プリント基板を実現することができ、その多層化も容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は本発明の一実施の形態における両面プリント基板を示す構造断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは同実施の形態における両面プリント基板の形成方法の工程図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは同実施の形態における両面プリント基板の形成方法の工程図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは同実施の形態における両面プリント基板の形成方法の工程図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは同実施の形態における両面プリント基板の形成方法の工程図である。
【図３Ａ】図３Ａは同実施の形態における多層プリント基板の形成方法の工程図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは同実施の形態における多層プリント基板の形成方法の工程図である。
【図４Ａ】図４Ａは同実施の形態における多層プリント基板の他の形成方法の工程図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは同実施の形態における多層プリント基板の他の形成方法の工程図である。
【図５】図５は同実施の形態におけるプリント基板に用いた導電性粒子の構造図である。
【符号の説明】
【００１５】
１０１，２０１    積層基材
１０２，２０２    銅箔
１０３    導電体ビアホール
１０４    両面プリント基板
２０３    導電体ペースト
５０１    核
５０２    導電性材料
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施の形態１）
以下、本発明のビアホール充填用導電体ペーストを用いた両面プリント基板およびその形成方法ならびにそれを用いた多層プリント基板について図面に基づき詳細に説明する。【００１７】
図１は本発明の両面プリント基板の一実施の形態の構造断面図である。図１において、両面プリント基板１０４は積層基材１０１、銅箔１０２（配線パターンの銅箔）、導電体ペーストが硬化充填された孔径が１５０μｍ以下の小径の導電体ビアホール１０３とからなっている。本発明のポイントは、導電体ペースト組成物が低粘度であることで充填が容易であり、高含有量の導電体粒子が満たされた接続であることである。すなわち、低抵抗率・低熱膨張率であり、かつ導電体ペースト組成物中の樹脂が低吸水率・高接着強度・無溶剤で低揮発性であることであらゆる環境試験においても高い接続信頼性を有する小径のインナビアホール基板が作製される。なお、インナビアホール接続とは、両面、および多層プリント基板の各層間を任意の位置で接続する方法である。【００１８】
導電体ビアホール１０３を形成する導電体ペースト組成物中の導電体粒子は、導電体組成中に高濃度に含有される必要がある。その理由は、前述したように導電体粒子同士の接触確率を高めることによる接続ビアホールの低抵抗率化および熱または機械的応力による基板歪みが加わった際にも接続信頼性を保持する必要があるからである。導電体粒子を高濃度に分散させるためには、導電体粒子の平均粒径が０．２〜２０μｍの範囲で、その比表面積が小さい程よく、その値は０．０５〜１．５ｍ２／ｇが適正である。平均粒径が０．２μｍ未満であれば比表面積が１．５ｍ２／ｇを超え高濃度の分散は不可能になり、２０μｍを超えると１つのビアホールに充填される導電体ペースト中の導電体粒子個数が少なすぎて接続信頼性が低下する。また比表面積は０．０５ｍ２／ｇ未満では平均粒径を２０μｍ以下にすることが困難で、１．５ｍ２／ｇを超えると導電体粒子の高濃度の分散は不可能になるため好ましくない。またこの導電体ペースト組成物は、ビアホールへの充填性を高めるため、その粘度とＴＩ値は低いほどよく、ＴＩ値は１．０以下が適正である。なおＴＩ値とは、粘度が剪断速度依存性を持つペーストにおいて、異なる剪断速度における各粘度の相対比を表す。本発明においては、ＴＩ値は、温度：２５℃、１［１／ｓｅｃ］における粘度（Ａ）と、温度：２５℃、２［１／ｓｅｃ］における粘度（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）である。また、粘度測定は、東機産業（株）製、Ｅ型粘度計（ＤＶＵ−Ｅ型）を用いて２５℃でＲ＝１４ｍｍ、３°コーン、０．５ｒｐｍ（剪断速度１（１／ｓ）に相当）の条件で測定する。【００１９】
本発明において、塩素の含有率は、絶縁性を確保するためプリプレグ中の塩素の含有率よりも低いことが必要であり、２０〜２０００ｐｐｍが適正である。２０００ｐｐｍを超えると、プリント基板の絶縁性が低下し、また、２０ｐｐｍ未満ならばビアホールの接続抵抗値が大きくなるため、不適正である。【００２０】
２０００ｐｐｍを超える場合についてさらに詳細に説明する。この場合プリプレグ中の塩素の含有率よりも高くなり、ビアホール内に充填された導電体ペースト中の塩素がプリプレグに侵入してプリプレグ中の塩素濃度が高くなるおそれがあり、これによって基板の絶縁性が低下してマイグレーションが発生しやすくなる。また、ビアホール直上のランド上に半導体装置が実装される場合、ビアホール内の塩素が半導体装置に移行しやすくなり、半導体装置に対しての絶縁性が低下する。【００２１】
また導電体粒子の種類としては、金、白金、銀、パラジウム等の貴金属のもの、または銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム等の卑金属等ほとんどのものが使用可能で、これら２種以上を併用することも出来る。【００２２】
図５は本発明の一実施の形態におけるプリント基板に用いた導電性粒子の構造図である。図５において、核５０１は球形であり、導電性材料５０２は核５０１の表面を覆い導電性フィラーとしての役割を果たす。このように、純粋な金属だけでなく合金や金属または絶縁性の核に導電性の材料で覆ったものも使用可能である。また、導電体粒子の形状については上記平均粒径、比表面積を有するものであれば特に制限はない。【００２３】
特に銅粉末を導電体粒子として用いることは、マイグレーションの抑制、経済的供給と価格の安定性の面から望ましい。しかし、銅粉末は一般に酸化され易いため、ビアホール充填用として用いる場合には、銅粉末の酸化が導電性を阻害する。よって、銅粉末の酸素濃度は１．０重量％以下であることが好ましい。【００２４】
次に、導電体ビアホール１０３を形成する導電体ペースト２０３中の樹脂について説明する。接続信頼性の高いインナビアホール用の導電体組成物を形成するためには、樹脂としては無溶剤で低粘度・低吸水率・高接着強度の樹脂が基本的に必要である。この物性を得るため樹脂の組成としては、一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基、カルボキシル基がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂が用いられる。エポキシ化合物を必須成分とする理由は高接着強度を得るためである。このエポキシ化合物において、水酸基、アミノ基、カルボキシル基をエポキシ基の５モル％以下の低濃度にする理由は、これら水素結合力の高い官能基があるとたとえ樹脂粘度が低くても導電体ペースト粘度が高くなるためである。逆に、これら水素結合力の高い官能基がエポキシ基の５モル％以下の低濃度であれば樹脂粘度が高くても低粘度の導電体ペーストが得られる。なお、水酸基、アミノ基、カルボキシル基とエポキシ基の比は化学定量分析で確認できるが、簡易的に赤外分光分析における３５００ｃｍ−１近傍の吸光度（水酸基、アミノ基、カルボキシル基に起因）と９１０ｃｍ−１近傍の吸光度（エポキシ基に起因）の比でも確認できる。このエポキシ化合物において、エポキシ当量を１００〜３５０ｇ／ｅｑにする理由は、３５０ｇ／ｅｑ以上だと架橋密度が低すぎて吸水率が高く低接着強度になるためで、１００ｇ／ｅｑ未満だと架橋密度が高すぎて硬化収縮歪みが大きくなり接着強度低下を招くためである。エポキシ化合物が樹脂中に１０重量％以上含まれていれば低粘度・低吸水率・高接着強度の導電体ペースト組成物が得られる。エポキシ化合物以外の樹脂成分については無溶剤であれば特に制限はない。また、必要に応じエポキシ化合物を反応硬化させるためのエポキシ硬化剤も配合される。なお、導電体ペースト粘度は２０００Ｐａ・ｓ以下、ＴＩ値は１以下が望ましい。粘度が２０００Ｐａ・ｓ以上、ＴＩ値が１を超えるとビアホール充填作業が出来ないという不具合を生じる。また、本発明において樹脂を無溶剤にする理由は、溶剤が含まれていた場合、本導電体組成物はビアホールに充填された後加熱圧縮される時、揮発成分が揮散してビアホール充填構造物中にボイドが発生したり、またはプリプレグの剥離が生じたりして接続が不安定になるためである。【００２５】
使用に適したエポキシ化合物としては、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が使用される。中でも、ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（化１）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（化２）、ビスフェノールＡＤ型（化３）、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂（化４）、アルキレンオキシド変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化５）、アルコキシ変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化６）等を使用することにより、低粘度で低吸水率かつ高接着強度が得られる。これらのビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂は単独でも任意の組み合わせで使用しても有効である。【００２６】
【化１】
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【００２７】
但し、ｎ≧０である。【００２８】
【化２】
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【００２９】
但し、ｎ≧０である。【００３０】
【化３】
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【００３１】
但し、ｎ≧０である。【００３２】
【化４】
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【００３３】
但し、ｎ≧０である。【００３４】
【化５】
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【００３５】
但し、Ｒ＝ＣｐＨ２ｐ＋１(ｐ≧１)、ｍ＋ｎ≧２である。【００３６】
【化６】
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【００３７】
但し、Ｒ＝ＣｐＨ２ｐ＋１(ｐ≧１)である。【００３８】
また、エポキシ化合物が、ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂９０〜２０重量％（Ａ群）と、Ｃ８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一方のエポキシ樹脂１０〜８０重量％（Ｂ群）とで構成される樹脂は、特に低粘度で低吸水率かつ高接着強度が得られ、かつ応力に対する緩和効果が大きいためビアホールの接続信頼性が高くなる。【００３９】
ここで、Ａ群に含まれる樹脂例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（化１）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（化２）、ビスフェノールＡＤ型（化３）、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂（化４）、アルキレンオキシド変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化５）、アルコキシ変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化６）等が使用できる。また、Ｂ群に含まれる樹脂例としては、リノールダイマー酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化７）、イソプレンカプロン酸ダイマーグリシジルエステル型エポキシ樹脂（化８）、バーサチック酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化９）、ラウリルグリシジルエーテル型エポキシ樹脂（化１０）等を使用することができる。これらＡ群Ｂ群の樹脂は単独でも任意の組み合わせで使用しても有効である。【００４０】
【化７】
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【００４１】
【化８】
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【００４２】
【化９】
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【００４３】
但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はいずれもアルキル基であり、その炭素数の合計は８である。【００４４】
【化１０】
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【００４５】
また、この他に使用に適したエポキシ化合物としては、平均分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマーがある。エポキシオリゴマーは、水酸基、アミノ基、及びカルボキシル基量がエポキシ基量に対して非常に少ないこと、および導電体ペーストにした場合樹脂分子量の増加に伴い粘度の剪断速度依存性（ＴＩ値）が小さくなることから、低粘度の導電体ペーストが得られる効果を有する。さらに、エポキシオリゴマーは、剥離接着強度を向上させる効果もある。【００４６】
また、エポキシ化合物が、ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂９０〜１９重量％（Ａ群）と、Ｃ８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂９〜８０重量％（Ｂ群）と、平均分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマー１〜３０重量％（Ｃ群）とで構成される樹脂は、特に低粘度で低吸水率かつ高接着強度が得られ、かつ応力に対する緩和効果が大きいためビアホールの接続信頼性が高くなる。【００４７】
ここで、Ａ群に含まれる樹脂例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（化１）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（化２）、ビスフェノールＡＤ型（化３）、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂（化４）、アルキレンオキシド変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化５）、アルコキシ変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化６）等が使用できる。また、Ｂ群に含まれる樹脂例としては、リノールダイマー酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化７）、イソプレンカプロン酸ダイマーグリシジルエステル型エポキシ樹脂（化８）、バーサチック酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化９）、ラウリルグリシジルエーテル型エポキシ樹脂（化１０）等を使用することができる。さらに、Ｃ群に含まれる樹脂例としては、エポキシ化不飽和脂肪酸変性物（化１１）、エポキシ化ポリブタジエン（化１２）、エポキシ化ポリスチレンブタジエン共重合体（化１３）等を使用することができる。これらＡ群Ｂ群Ｃ群の樹脂は単独でも任意の組み合わせで使用しても有効である。【００４８】
【化１１】
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【００４９】
但し、Ｒ１、Ｒ４はいずれも炭素数１〜１８のアルキル基であり、Ｒ２、Ｒ３はいずれも炭素数０〜８のアルキレン基であり、ｎ≧１である。【００５０】
【化１２】
2008132832.tif 000014
【００５１】
但し、Ｒ、Ｒ´はいずれも炭素数０〜８のアルキル基で、ｑ≧１、ｒ≧１、ｓ≧１、ｔ≧１である。【００５２】
【化１３】
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【００５３】
但し、Ｒ、Ｒ´はいずれも炭素数０〜８のアルキル基で、ｖ≧１、ｗ≧１、ｘ≧１、ｙ≧１、ｚ≧１である。【００５４】
また、導電体ペーストに、必要に応じてエポキシ化合物以外の樹脂を加えてもよい。使用に適した樹脂としては、例えば耐熱性向上を目的にイミド樹脂、フェノール樹脂などが挙げられ、銅箔との剥離接着強度向上を目的にポリオレフィン等のビニル重合体、アクリル樹脂、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン等が用いられる。これら樹脂は単独でも任意の組み合わせで使用しても有効である。【００５５】
また、導電体ペーストには必要に応じてエポキシ硬化剤が配合されてもよい。エポキシ硬化剤については、一液性組成物として一般的に使用されている硬化剤が使用可能である。例えばジシアンジアミド、カルボキシルヒドラジド等のアミン系硬化剤、ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール系硬化剤、３−（３，４−ジクロロフェニル）−１、１−ジメチル尿素等の尿素系硬化剤、無水メチルヘキサフタル酸、無水メチルナジック酸等の酸無水物系硬化剤、トリフェニルフォスフィン等のフォスフィン系硬化剤、及びヘキサフルオロアンチモン塩等のルイス酸などが用いられる。これらのうちでも、特に組成物の安定性および作業性の観点より、潜在性硬化剤が望ましい。ここで、潜在性硬化剤とは、室温では反応が停止状態にあり長時間特性が変わることなく保存可能で、所定の温度以上に加熱したときに粒子が溶融、分解または溶解し、封じ込められていた活性基が現れ、一斉に反応が開始され速やかに硬化する機能を有するものをいう。【００５６】
また、導電体ペーストには必要に応じて分散剤が配合されてもよい。分散剤については、一般に使用される分散剤が使用可能である。第一には、高級脂肪酸のエチレンオキシド、プロピレンオキシド付加エステル化物、ゾルビタンと脂肪酸のエステル化合物、ゾルビタン等の多価アルコールのエチレンオキシド、プロピレンオキシド付加エーテル化合物、アルキルベンゼンのエチレンオキシド、プロピレンオキシド付加物等の非イオン性分散剤、第二には、アルキルベンゼンスルフォン酸アルカリ塩、高級アルコール硫酸エステルアルカリ塩、リン酸エステル化合物、高級脂肪酸、高級脂肪酸のエチレンオキシド、プロピレンオキシド付加物のサルファートアルカリ塩等のアニオン系分散剤、第三には４級アンモニウム塩タイプのカチオン系分散剤が代表的に用いられる。ここにいう分散剤とは、ペースト中において金属粒子表面とバインダとして配合される有機樹脂との親和性を増すことによって、ペーストの低粘度化及び低ＴＩ値化を促進する効果を持つ。【００５７】
積層基材１０１としては、プレス時にその厚みがプリプレグより硬化後薄くなるものであれば制限はなく現在知られているほとんどの積層基材が使える。例えば、ガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布のいずれか一つとエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との複合材、またはガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布のいずれか一つとガラス転移温度が１８０℃以上の熱可塑性樹脂（例えば、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等）との複合材、あるいはフィルム材料を用いて絶縁材料を形成することができる。【００５８】
図２Ａ〜図２Ｄは本発明の両面基板の形成方法の工程図である。図２Ａにおいて、積層基材２０１はプリプレグである。このプリプレグに穴径１５０μｍ以下のスルーホールを開ける。一般にはドリルがよく使われるが、材料によってはレーザビームなど他の加工法をとることも可能である。そして、スルーホール内に導電体ペースト２０３が充填されている。図２Ｂは、図２Ａを銅箔２０２で挟んだ状態を示している。図２Ｃは、図２Ｂに加熱加圧を加えた後の状態を示している。また、図２Ｃは、プリプレグに開けたスルーホールに加熱加圧後に金属充填量が増えている状態を示している。プリプレグは圧縮されて厚みが薄くなり、且つ、樹脂が硬化している。導電体ペースト２０３は圧縮された状態になっている。この圧縮された状態の導電体ペーストが導電体ビアホール１０３である。導電体ビアホール１０３は、上下両面の電気的接続の役割を果たす。図２Ｄは表面の銅箔２０２を加工（エッチング等）して配線パターンを形成した後の状態を示している。加工後の銅箔１０２は回路導電体となる。実用に供せられるプリント基板はこの後、半田レジストを塗布したり、文字や記号を印刷したり、挿入部品用の穴を開けるなどの工程があるが、ここでは本質ではないので省略する。【００５９】
図３Ａ、Ｂは上記に述べた両面プリント基板の形成方法を繰り返し用いて多層プリント基板を作る工程を示している。図３Ａは芯になる両面プリント基板１０４の両側（上下面）に図２Ａのスルーホールに導電体ペーストを充填したものを配置し、更に銅箔２０２をおいた状態を示している。この状態で、上下面から加熱加圧すれば図３Ｂの多層プリント基板が作製され、すでにインナビアホール接続が出来上がっている。さらに、上下面の銅箔２０２をパターン状に加工すれば４層の多層プリント基板が完成する。以後、この工程を繰り返し、より層数の多い多層プリント基板を作ることが出来る。【００６０】
図３Ａ、Ｂの多層プリント基板の形成方法において、芯の両面プリント基板は本発明の両面プリント基板を用いたが、必ずしもその必要はなく、従来あるスルーホール両面プリント基板が使える。従って、新たに両面プリント基板を作成する設備を準備する必要もなく、コストを削減することができる。この場合、スルーホール（貫通孔）は前もって埋めておいたほうがよい。ここでスルーホール基板とは、樹脂基板のことをいう。なお、スルーホール基板は、樹脂基板ばかりでなくセラミックの基板等が使える。【００６１】
図４Ａ、Ｂは多層プリント基板の他の形成方法を示している。図４Ａにおいては、導電体ペースト２０３を充填した加熱加圧前の積層基材２０１を２枚の両面プリント基板１０４で挟んでいる。この状態で加熱加圧し、図４Ｂの４層の多層プリント基板を得ることが出来る。４層ばかりでなく、複数枚の両面プリント基板を用意し、前記の導電体粒子を充填した加熱加圧前の積層基材を各両面プリント基板の間に挟んで加熱加圧すればより多層の多層プリント基板を作製することが出来る。【００６２】
図４Ａ、Ｂの多層プリント基板の形成方法において、両面プリント基板は本発明の両面プリント基板を用いたが、必ずしもその必要はなく、従来あるスルーホール両面プリント基板が使える。また、スルーホール基板は、樹脂基板ばかりでなくセラミックの基板等が使える。【００６３】
次に、本発明の導電体ペースト組成物の塩素含有量に対するプリント配線板の特性について表を用いて説明する。【００６４】
表１は、ペースト中に含まれる加水分解性塩素量とビアホール径に対するビアホールの接続抵抗値と絶縁抵抗値を示したものである。【００６５】
【表１】
2008132832.tif 000016
【００６６】
表１に示すように、本発明におけるプリント配線板のビアホールに充填される導電体ペースト組成物の加水分解性塩素量が２０ｐｐｍ以上であれば、ビアホール径が１５０μｍ以下であっても接続抵抗値は１０ｍΩ／ビア以下であり、電気的導通性の良好な結果が得られた。【００６７】
また、導電体ペースト組成物の加水分解性塩素量がプリプレグ中の塩素の含有率よりも低いとき、すなわち２０００ｐｐｍ以下であれば、絶縁抵抗値においても良好な結果が得られた。【００６８】
そして、ガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布のいずれか一つとエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との複合材、またはガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布のいずれか一つとガラス転移温度が１８０℃以上の熱可塑性樹脂（例えば、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等）との複合材、あるいはフィルム材料を用いて絶縁材料を形成することができる。【００６９】
以上のように、本実施の形態１によれば、本発明の導電体ペースト組成物は、（ａ）平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、（ｂ）一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％と、塩素２０〜２０００ｐｐｍとを少なくとも含んでいるので、この導電体ペースト組成物を孔径１５０μｍ以下のビアホールに充填することにより、高信頼性のインナビアホールを備えた両面または多層のプリント基板を実現することができる。【００７０】
なお、本発明の実施の形態１では、ビアホールの孔径を１５０μｍ以下としたが、１５０μｍより大きい孔径であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明の導電体ペースト組成物は、高密度配線基板として高速伝送が可能な高周波回路用途や半導体パッケージなどの微細な配線パターン用途や小型・軽量化を必要とする携帯型電子機器用途などに必要な高い接続信頼性を有し、かつ安価なプリント配線基板の形成に有用である。
【図１】
2008132832.tif 000017
【図２Ａ】
2008132832.tif 000018
【図２Ｂ】
2008132832.tif 000019
【図２Ｃ】
2008132832.tif 000020
【図２Ｄ】
2008132832.tif 000021
【図３Ａ】
2008132832.tif 000022
【図３Ｂ】
2008132832.tif 000023
【図４Ａ】
2008132832.tif 000024
【図４Ｂ】
2008132832.tif 000025
【図５】
2008132832.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、
一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％と、を備え、
加水分解性塩素の含有量が２０〜２０００ｐｐｍである
ビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項２】
前記導電体粒子が、
（１）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの粒子、
（２）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金粒子、
（３）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの金属で被覆された粒子、および、
（４）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被覆された粒子の
（１）ないし（４）から選ばれる少なくとも一つの粒子である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項３】
前記導電体粒子が、表面酸素濃度が１．０重量％以下の銅を含む
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項４】
前記エポキシ化合物が、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項５】
前記エポキシ化合物が、ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項６】
前記エポキシ化合物が、重量平均分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマーを含む
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項７】
前記エポキシ化合物が、
ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂９０〜２０重量％と、
Ｃ８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ樹脂１０〜８０重量％とで構成される樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項８】
前記エポキシ化合物が、
ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；９０〜１９重量％と、
炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及び炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つの樹脂；９〜８０重量％と、
重量平均分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマー；１〜３０重量％とで構成される樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項９】
ペースト組成物の粘度特性において、
温度：２５℃、１［１／ｓｅｃ］における粘度（Ａ）と、２［１／ｓｅｃ］における粘度（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）が、１以下である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項１０】
絶縁基材内に開けられたビアホール中に、導電性樹脂組成物が充填され、
かつ前記絶縁基材表面の上下電極層が電気的に接続されているプリント基板であって、
前記導電性樹脂組成物が、
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、
一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％と、
２０〜２０００ｐｐｍかつ前記絶縁基材中の含有量よりも低い加水分解性塩素と、を含み、
前記導電性樹脂組成物が前記ビアホール中において硬化されていることを特徴とするプリント基板。
【請求項１１】
（削除）
【請求項１２】
プリント基板の製造に用いられるプリプレグにあらかじめビアホールを形成するステップと、
前記ビアホールに、
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子３０〜７０体積％と、
一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂７０〜３０体積％と、
２０〜２０００ｐｐｍかつ前記プリプレグ中の含有量よりも低い塩素と、を含む導電体ペースト組成物を充填するステップと、
前記プリプレグの上下層に銅箔を挟んで加熱加圧するステップと、
前記銅箔をエッチングすることにより電気回路を形成するステップと、
を備えた
プリント基板の製造方法。
【請求項１３】
（削除）
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はビアホール充填用導電体ペースト組成物と、それを用いた両面プリント基板および多層プリント基板並びにこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化に伴い、回路基板には高多層、高密度化が求められている。ＩＣ間や部品間を最短距離で結合できる基板の層間の接続方式としてインナビアホール接続によって、高密度化が図れることが知られている。一般のガラスエポキシ多層基板に用いられるようなスルーホール接続においては、スルーホールにメッキすることで接続を行うため、必要な層間のみの接続は困難であり、また基板最上層に電極のランドを有する構成のため、その部分に表面実装部品の電極ランドを構成することができないことからこれらの制約により実装密度を上げることは難しい。これらを解決する方法としてスルーホールでなく、基板の半分までの孔を開けスルーホールを減らす方法や、スルーホールに導電体ペーストを充填し更にメッキする工程にて基板最上層の孔を塞ぎ、実装密度を向上させる方法などが行われているが、製造工程が複雑になる。
【０００３】
これに対して、インナビアホール接続では、必要な各層間のみの接続が可能であり、さらに基板最上層にもスルーホールがなく実装性も優れている。この接続方式を樹脂基板（例えば、ガラスエポキシ基板）に適用した例では、両面基板では低粘度の溶剤型銀ペーストをスルーホールに印刷法を用いて埋め込み、乾燥硬化させ導通をとる基板がある。しかし、その接続抵抗率は１０ｍΩ・ｃｍ程度と高く、またヒートサイクル等の耐熱衝撃における信頼性が乏しい。また導電体ペーストのスルーホールへの埋め込み性を高めるためペーストの低粘度化手段としては、導電体粒子量を少なく用いたり、低沸点の溶剤あるいは反応性希釈剤を添加したりする方法が行われていた。
【０００４】
しかし、導電体粒子の添加量を減らすことは、フィラー同士の接触点が少なくなりビアホール接続抵抗率が大きくなり、またヒートサイクル等の熱応力が発生する試験では信頼性が確保できない。また、低沸点の溶剤または反応性希釈剤を添加する方法では、熱プレスの硬化中にこれら成分の揮発による重量減少が大きく、この揮発成分のために基材に膨れが生じたり、または配線銅箔との接着力が弱くなったりする。そこで、導電体粒子を高濃度で含有しつつリノールダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹脂を主成分とすることにより、無溶剤で低粘度、高導電性、耐熱衝撃導電接続信頼性の導電体ペーストを実現したものがある。
【０００５】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００６】
しかし、上記従来の例ではリノールダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹脂を主成分としており、樹脂の架橋密度が低くなるため低粘度で熱衝撃には強いものの、吸水率が高く高湿度試験において導電接続信頼性が不足する。また、リノールダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹脂はエポキシ樹脂の中では接着強度も低レベルにあるため、これを主成分に用いた導電体ペーストをビアホールに使用した場合、配線銅箔との接着力が不十分である。
【０００７】
一般にエポキシ樹脂の吸水率を低減し接着強度を高めるには、架橋密度がより高められるエポキシ当量が低い、例えばビスフェノール型エポキシ樹脂などを配合する手段が知られている。しかし、吸水率を低減し接着強度を高められるこれら低エポキシ当量の樹脂は、リノールダイマー酸グリシジルエステルエポキシ樹脂などに比較し高粘度である。よって、ビアホール充填ができない導電体ペーストとなる。
【０００８】
また、インナビアホール内に導電性を担う導電体粒子の存在比率が大きければ、導体抵抗が低減できる。そのため、導電性ペーストには出来るだけ多くの導電性粒子を含有させることが有効である。しかしながら、固体の導電性粒子と液状のバインダとの混合であるので、ペースト化可能な混合比の限度があり、また粘度が高すぎるとビアへの充填性が損なわれる。特に、インナビアホールの径が小さくなるほど、導電性粒子の密度の影響を受けやすい。よって、インナビアホールの導通性が大きく影響される。
【０００９】
一方、ビアホール内の導通抵抗を下げるために、導電体ペースト中に塩素を含有することにより、導電体ペースト中に含有される導電性粒子の表面を還元していたが、塩素の含有量が過剰になると、プリント基板の絶縁性が低下する。
【００１０】
特に、導電体ペースト中の塩素の含有率がプリプレグ中の塩素の含有率よりも高くなると、ビアホール内の導電体ペーストに含まれる塩素がプリプレグ内に侵入するために、プリント基板の絶縁性がさらに低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平７−１７６８４６号公報
【発明の概要】
【００１２】
本発明は、小径のインナビアホール接続による電極層間の電気的接続ならびに高耐熱衝撃性、高耐湿性、高接続強度が得られる導電体ペースト組成物を作製するものである。また、このペーストを用いたインナビアホール接続を含んだ両面プリント基板から多層プリント基板を作製するものである。
【００１３】
また、本発明の導電体ペースト組成物は、ビアホールに充填する導電体ペースト組成物であって、（ａ）平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、（ｂ）一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％と、塩素２０〜２０００ｐｐｍと、を含むものである。
【００１４】
本発明のビアホール充填用導電体ペーストを用いた両面プリント基板とその形成方法およびそれを用いた多層基板によれば、スルーホールメッキ技術を用いることなく簡便に高信頼性の小径インナビアホールを備えた両面プリント基板を実現することができ、その多層化も容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態における両面プリント基板を示す構造断面図
【図２Ａ】同実施の形態における両面プリント基板の形成方法の工程図
【図２Ｂ】同実施の形態における両面プリント基板の形成方法の工程図
【図２Ｃ】同実施の形態における両面プリント基板の形成方法の工程図
【図２Ｄ】同実施の形態における両面プリント基板の形成方法の工程図
【図３Ａ】同実施の形態における多層プリント基板の形成方法の工程図
【図３Ｂ】同実施の形態における多層プリント基板の形成方法の工程図
【図４Ａ】同実施の形態における多層プリント基板の他の形成方法の工程図
【図４Ｂ】同実施の形態における多層プリント基板の他の形成方法の工程図
【図５】同実施の形態におけるプリント基板に用いた導電性粒子の構造図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（実施の形態１）
以下、本発明のビアホール充填用導電体ペーストを用いた両面プリント基板およびその形成方法ならびにそれを用いた多層プリント基板について図面に基づき詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明の両面プリント基板の一実施の形態の構造断面図である。図１において、両面プリント基板１０４は積層基材１０１、銅箔１０２（配線パターンの銅箔）、導電体ペーストが硬化充填された孔径が１５０μｍ以下の小径の導電体ビアホール１０３とからなっている。本発明のポイントは、導電体ペースト組成物が低粘度であることで充填が容易であり、高含有量の導電体粒子が満たされた接続であることである。すなわち、低抵抗率・低熱膨張率であり、かつ導電体ペースト組成物中の樹脂が低吸水率・高接着強度・無溶剤で低揮発性であることであらゆる環境試験においても高い接続信頼性を有する小径のインナビアホール基板が作製される。なお、インナビアホール接続とは、両面、および多層プリント基板の各層間を任意の位置で接続する方法である。
【００１８】
導電体ビアホール１０３を形成する導電体ペースト組成物中の導電体粒子は、導電体組成中に高濃度に含有される必要がある。その理由は、前述したように導電体粒子同士の接触確率を高めることによる接続ビアホールの低抵抗率化および熱または機械的応力による基板歪みが加わった際にも接続信頼性を保持する必要があるからである。導電体粒子を高濃度に分散させるためには、導電体粒子の平均粒径が０．２〜２０μｍの範囲で、その比表面積が小さい程よく、その値は０．０５〜１．５ｍ２／ｇが適正である。平均粒径が０．２μｍ未満であれば比表面積が１．５ｍ２／ｇを超え高濃度の分散は不可能になり、２０μｍを超えると１つのビアホールに充填される導電体ペースト中の導電体粒子個数が少なすぎて接続信頼性が低下する。また比表面積は０．０５ｍ２／ｇ未満では平均粒径を２０μｍ以下にすることが困難で、１．５ｍ２／ｇを超えると導電体粒子の高濃度の分散は不可能になるため好ましくない。またこの導電体ペースト組成物は、ビアホールへの充填性を高めるため、その粘度とＴＩ値は低いほどよく、ＴＩ値は１．０以下が適正である。なおＴＩ値とは、粘度が剪断速度依存性を持つペーストにおいて、異なる剪断速度における各粘度の相対比を表す。本発明においては、ＴＩ値は、温度：２５℃、１［１／ｓｅｃ］における粘度（Ａ）と、温度：２５℃、２［１／ｓｅｃ］における粘度（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）である。また、粘度測定は、東機産業（株）製、Ｅ型粘度計（ＤＶＵ−Ｅ型）を用いて２５℃でＲ＝１４ｍｍ、３°コーン、０．５ｒｐｍ（剪断速度１（１／ｓ）に相当）の条件で測定する。
【００１９】
本発明において、塩素の含有率は、絶縁性を確保するためプリプレグ中の塩素の含有率よりも低いことが必要であり、２０〜２０００ｐｐｍが適正である。２０００ｐｐｍを超えると、プリント基板の絶縁性が低下し、また、２０ｐｐｍ未満ならばビアホールの接続抵抗値が大きくなるため、不適正である。
【００２０】
２０００ｐｐｍを超える場合についてさらに詳細に説明する。この場合プリプレグ中の塩素の含有率よりも高くなり、ビアホール内に充填された導電体ペースト中の塩素がプリプレグに侵入してプリプレグ中の塩素濃度が高くなるおそれがあり、これによって基板の絶縁性が低下してマイグレーションが発生しやすくなる。また、ビアホール直上のランド上に半導体装置が実装される場合、ビアホール内の塩素が半導体装置に移行しやすくなり、半導体装置に対しての絶縁性が低下する。
【００２１】
また導電体粒子の種類としては、金、白金、銀、パラジウム等の貴金属のもの、または銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム等の卑金属等ほとんどのものが使用可能で、これら２種以上を併用することも出来る。
【００２２】
図５は本発明の一実施の形態におけるプリント基板に用いた導電性粒子の構造図である。図５において、核５０１は球形であり、導電性材料５０２は核５０１の表面を覆い導電性フィラーとしての役割を果たす。このように、純粋な金属だけでなく合金や金属または絶縁性の核に導電性の材料で覆ったものも使用可能である。また、導電体粒子の形状については上記平均粒径、比表面積を有するものであれば特に制限はない。
【００２３】
特に銅粉末を導電体粒子として用いることは、マイグレーションの抑制、経済的供給と価格の安定性の面から望ましい。しかし、銅粉末は一般に酸化され易いため、ビアホール充填用として用いる場合には、銅粉末の酸化が導電性を阻害する。よって、銅粉末の酸素濃度は１．０重量％以下であることが好ましい。
【００２４】
次に、導電体ビアホール１０３を形成する導電体ペースト２０３中の樹脂について説明する。接続信頼性の高いインナビアホール用の導電体組成物を形成するためには、樹脂としては無溶剤で低粘度・低吸水率・高接着強度の樹脂が基本的に必要である。この物性を得るため樹脂の組成としては、一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基、カルボキシル基がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂が用いられる。エポキシ化合物を必須成分とする理由は高接着強度を得るためである。このエポキシ化合物において、水酸基、アミノ基、カルボキシル基をエポキシ基の５モル％以下の低濃度にする理由は、これら水素結合力の高い官能基があるとたとえ樹脂粘度が低くても導電体ペースト粘度が高くなるためである。逆に、これら水素結合力の高い官能基がエポキシ基の５モル％以下の低濃度であれば樹脂粘度が高くても低粘度の導電体ペーストが得られる。なお、水酸基、アミノ基、カルボキシル基とエポキシ基の比は化学定量分析で確認できるが、簡易的に赤外分光分析における３５００ｃｍ−１近傍の吸光度（水酸基、アミノ基、カルボキシル基に起因）と９１０ｃｍ−１近傍の吸光度（エポキシ基に起因）の比でも確認できる。このエポキシ化合物において、エポキシ当量を１００〜３５０ｇ／ｅｑにする理由は、３５０ｇ／ｅｑ以上だと架橋密度が低すぎて吸水率が高く低接着強度になるためで、１００ｇ／ｅｑ未満だと架橋密度が高すぎて硬化収縮歪みが大きくなり接着強度低下を招くためである。エポキシ化合物が樹脂中に１０重量％以上含まれていれば低粘度・低吸水率・高接着強度の導電体ペースト組成物が得られる。エポキシ化合物以外の樹脂成分については無溶剤であれば特に制限はない。また、必要に応じエポキシ化合物を反応硬化させるためのエポキシ硬化剤も配合される。なお、導電体ペースト粘度は２０００Ｐａ・ｓ以下、ＴＩ値は１以下が望ましい。粘度が２０００Ｐａ・ｓ以上、ＴＩ値が１を超えるとビアホール充填作業が出来ないという不具合を生じる。また、本発明において樹脂を無溶剤にする理由は、溶剤が含まれていた場合、本導電体組成物はビアホールに充填された後加熱圧縮される時、揮発成分が揮散してビアホール充填構造物中にボイドが発生したり、またはプリプレグの剥離が生じたりして接続が不安定になるためである。
【００２５】
使用に適したエポキシ化合物としては、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が使用される。中でも、ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（化１）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（化２）、ビスフェノールＡＤ型（化３）、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂（化４）、アルキレンオキシド変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化５）、アルコキシ変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化６）等を使用することにより、低粘度で低吸水率かつ高接着強度が得られる。これらのビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂は単独でも任意の組み合わせで使用しても有効である。
【００２６】
【化１】
2008132832.tif 000027
【００２７】
但し、ｎ≧０である。
【００２８】
【化２】
2008132832.tif 000028
【００２９】
但し、ｎ≧０である。
【００３０】
【化３】
2008132832.tif 000029
【００３１】
但し、ｎ≧０である。
【００３２】
【化４】
2008132832.tif 000030
【００３３】
但し、ｎ≧０である。
【００３４】
【化５】
2008132832.tif 000031
【００３５】
但し、Ｒ＝ＣｐＨ２ｐ＋１(ｐ≧１)、ｍ＋ｎ≧２である。
【００３６】
【化６】
2008132832.tif 000032
【００３７】
但し、Ｒ＝ＣｐＨ２ｐ＋１(ｐ≧１)である。
【００３８】
また、エポキシ化合物が、ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂９０〜２０重量％（Ａ群）と、Ｃ８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一方のエポキシ樹脂１０〜８０重量％（Ｂ群）とで構成される樹脂は、特に低粘度で低吸水率かつ高接着強度が得られ、かつ応力に対する緩和効果が大きいためビアホールの接続信頼性が高くなる。
【００３９】
ここで、Ａ群に含まれる樹脂例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（化１）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（化２）、ビスフェノールＡＤ型（化３）、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂（化４）、アルキレンオキシド変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化５）、アルコキシ変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化６）等が使用できる。また、Ｂ群に含まれる樹脂例としては、リノールダイマー酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化７）、イソプレンカプロン酸ダイマーグリシジルエステル型エポキシ樹脂（化８）、バーサチック酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化９）、ラウリルグリシジルエーテル型エポキシ樹脂（化１０）等を使用することができる。これらＡ群Ｂ群の樹脂は単独でも任意の組み合わせで使用しても有効である。
【００４０】
【化７】
2008132832.tif 000033
【００４１】
【化８】
2008132832.tif 000034
【００４２】
【化９】
2008132832.tif 000035
【００４３】
但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はいずれもアルキル基であり、その炭素数の合計は８である。
【００４４】
【化１０】
2008132832.tif 000036
【００４５】
また、この他に使用に適したエポキシ化合物としては、平均分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマーがある。エポキシオリゴマーは、水酸基、アミノ基、及びカルボキシル基量がエポキシ基量に対して非常に少ないこと、および導電体ペーストにした場合樹脂分子量の増加に伴い粘度の剪断速度依存性（ＴＩ値）が小さくなることから、低粘度の導電体ペーストが得られる効果を有する。さらに、エポキシオリゴマーは、剥離接着強度を向上させる効果もある。
【００４６】
また、エポキシ化合物が、ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂９０〜１９重量％（Ａ群）と、Ｃ８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂９〜８０重量％（Ｂ群）と、平均分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマー１〜３０重量％（Ｃ群）とで構成される樹脂は、特に低粘度で低吸水率かつ高接着強度が得られ、かつ応力に対する緩和効果が大きいためビアホールの接続信頼性が高くなる。
【００４７】
ここで、Ａ群に含まれる樹脂例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（化１）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（化２）、ビスフェノールＡＤ型（化３）、水添ビスフェノール型エポキシ樹脂（化４）、アルキレンオキシド変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化５）、アルコキシ変性ビスフェノール型エポキシ樹脂（化６）等が使用できる。また、Ｂ群に含まれる樹脂例としては、リノールダイマー酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化７）、イソプレンカプロン酸ダイマーグリシジルエステル型エポキシ樹脂（化８）、バーサチック酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂（化９）、ラウリルグリシジルエーテル型エポキシ樹脂（化１０）等を使用することができる。さらに、Ｃ群に含まれる樹脂例としては、エポキシ化不飽和脂肪酸変性物（化１１）、エポキシ化ポリブタジエン（化１２）、エポキシ化ポリスチレンブタジエン共重合体（化１３）等を使用することができる。これらＡ群Ｂ群Ｃ群の樹脂は単独でも任意の組み合わせで使用しても有効である。
【００４８】
【化１１】
2008132832.tif 000037
【００４９】
但し、Ｒ１、Ｒ４はいずれも炭素数１〜１８のアルキル基であり、Ｒ２、Ｒ３はいずれも炭素数０〜８のアルキレン基であり、ｎ≧１である。
【００５０】
【化１２】
2008132832.tif 000038
【００５１】
但し、Ｒ、Ｒ´はいずれも炭素数０〜８のアルキル基で、ｑ≧１、ｒ≧１、ｓ≧１、ｔ≧１である。
【００５２】
【化１３】
2008132832.tif 000039
【００５３】
但し、Ｒ、Ｒ´はいずれも炭素数０〜８のアルキル基で、ｖ≧１、ｗ≧１、ｘ≧１、ｙ≧１、ｚ≧１である。
【００５４】
また、導電体ペーストに、必要に応じてエポキシ化合物以外の樹脂を加えてもよい。使用に適した樹脂としては、例えば耐熱性向上を目的にイミド樹脂、フェノール樹脂などが挙げられ、銅箔との剥離接着強度向上を目的にポリオレフィン等のビニル重合体、アクリル樹脂、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン等が用いられる。これら樹脂は単独でも任意の組み合わせで使用しても有効である。
【００５５】
また、導電体ペーストには必要に応じてエポキシ硬化剤が配合されてもよい。エポキシ硬化剤については、一液性組成物として一般的に使用されている硬化剤が使用可能である。例えばジシアンジアミド、カルボキシルヒドラジド等のアミン系硬化剤、ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール系硬化剤、３−（３，４−ジクロロフェニル）−１、１−ジメチル尿素等の尿素系硬化剤、無水メチルヘキサフタル酸、無水メチルナジック酸等の酸無水物系硬化剤、トリフェニルフォスフィン等のフォスフィン系硬化剤、及びヘキサフルオロアンチモン塩等のルイス酸などが用いられる。これらのうちでも、特に組成物の安定性および作業性の観点より、潜在性硬化剤が望ましい。ここで、潜在性硬化剤とは、室温では反応が停止状態にあり長時間特性が変わることなく保存可能で、所定の温度以上に加熱したときに粒子が溶融、分解または溶解し、封じ込められていた活性基が現れ、一斉に反応が開始され速やかに硬化する機能を有するものをいう。
【００５６】
また、導電体ペーストには必要に応じて分散剤が配合されてもよい。分散剤については、一般に使用される分散剤が使用可能である。第一には、高級脂肪酸のエチレンオキシド、プロピレンオキシド付加エステル化物、ゾルビタンと脂肪酸のエステル化合物、ゾルビタン等の多価アルコールのエチレンオキシド、プロピレンオキシド付加エーテル化合物、アルキルベンゼンのエチレンオキシド、プロピレンオキシド付加物等の非イオン性分散剤、第二には、アルキルベンゼンスルフォン酸アルカリ塩、高級アルコール硫酸エステルアルカリ塩、リン酸エステル化合物、高級脂肪酸、高級脂肪酸のエチレンオキシド、プロピレンオキシド付加物のサルファートアルカリ塩等のアニオン系分散剤、第三には４級アンモニウム塩タイプのカチオン系分散剤が代表的に用いられる。ここにいう分散剤とは、ペースト中において金属粒子表面とバインダとして配合される有機樹脂との親和性を増すことによって、ペーストの低粘度化及び低ＴＩ値化を促進する効果を持つ。
【００５７】
積層基材１０１としては、プレス時にその厚みがプリプレグより硬化後薄くなるものであれば制限はなく現在知られているほとんどの積層基材が使える。例えば、ガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布のいずれか一つとエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との複合材、またはガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布のいずれか一つとガラス転移温度が１８０℃以上の熱可塑性樹脂（例えば、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等）との複合材、あるいはフィルム材料を用いて絶縁材料を形成することができる。
【００５８】
図２Ａ〜図２Ｄは本発明の両面基板の形成方法の工程図である。図２Ａにおいて、積層基材２０１はプリプレグである。このプリプレグに穴径１５０μｍ以下のスルーホールを開ける。一般にはドリルがよく使われるが、材料によってはレーザビームなど他の加工法をとることも可能である。そして、スルーホール内に導電体ペースト２０３が充填されている。図２Ｂは、図２Ａを銅箔２０２で挟んだ状態を示している。図２Ｃは、図２Ｂに加熱加圧を加えた後の状態を示している。また、図２Ｃは、プリプレグに開けたスルーホールに加熱加圧後に金属充填量が増えている状態を示している。プリプレグは圧縮されて厚みが薄くなり、且つ、樹脂が硬化している。導電体ペースト２０３は圧縮された状態になっている。この圧縮された状態の導電体ペーストが導電体ビアホール１０３である。導電体ビアホール１０３は、上下両面の電気的接続の役割を果たす。図２Ｄは表面の銅箔２０２を加工（エッチング等）して配線パターンを形成した後の状態を示している。加工後の銅箔１０２は回路導電体となる。実用に供せられるプリント基板はこの後、半田レジストを塗布したり、文字や記号を印刷したり、挿入部品用の穴を開けるなどの工程があるが、ここでは本質ではないので省略する。
【００５９】
図３Ａ、Ｂは上記に述べた両面プリント基板の形成方法を繰り返し用いて多層プリント基板を作る工程を示している。図３Ａは芯になる両面プリント基板１０４の両側（上下面）に図２Ａのスルーホールに導電体ペーストを充填したものを配置し、更に銅箔２０２をおいた状態を示している。この状態で、上下面から加熱加圧すれば図３Ｂの多層プリント基板が作製され、すでにインナビアホール接続が出来上がっている。さらに、上下面の銅箔２０２をパターン状に加工すれば４層の多層プリント基板が完成する。以後、この工程を繰り返し、より層数の多い多層プリント基板を作ることが出来る。
【００６０】
図３Ａ、Ｂの多層プリント基板の形成方法において、芯の両面プリント基板は本発明の両面プリント基板を用いたが、必ずしもその必要はなく、従来あるスルーホール両面プリント基板が使える。従って、新たに両面プリント基板を作成する設備を準備する必要もなく、コストを削減することができる。この場合、スルーホール（貫通孔）は前もって埋めておいたほうがよい。ここでスルーホール基板とは、樹脂基板のことをいう。なお、スルーホール基板は、樹脂基板ばかりでなくセラミックの基板等が使える。
【００６１】
図４Ａ、Ｂは多層プリント基板の他の形成方法を示している。図４Ａにおいては、導電体ペースト２０３を充填した加熱加圧前の積層基材２０１を２枚の両面プリント基板１０４で挟んでいる。この状態で加熱加圧し、図４Ｂの４層の多層プリント基板を得ることが出来る。４層ばかりでなく、複数枚の両面プリント基板を用意し、前記の導電体粒子を充填した加熱加圧前の積層基材を各両面プリント基板の間に挟んで加熱加圧すればより多層の多層プリント基板を作製することが出来る。
【００６２】
図４Ａ、Ｂの多層プリント基板の形成方法において、両面プリント基板は本発明の両面プリント基板を用いたが、必ずしもその必要はなく、従来あるスルーホール両面プリント基板が使える。また、スルーホール基板は、樹脂基板ばかりでなくセラミックの基板等が使える。
【００６３】
次に、本発明の導電体ペースト組成物の塩素含有量に対するプリント配線板の特性について表を用いて説明する。
【００６４】
表１は、ペースト中に含まれる加水分解性塩素量とビアホール径に対するビアホールの接続抵抗値と絶縁抵抗値を示したものである。
【００６５】
【表１】
2008132832.tif 000040
【００６６】
表１に示すように、本発明におけるプリント配線板のビアホールに充填される導電体ペースト組成物の加水分解性塩素量が２０ｐｐｍ以上であれば、ビアホール径が１５０μｍ以下であっても接続抵抗値は１０ｍΩ／ビア以下であり、電気的導通性の良好な結果が得られた。
【００６７】
また、導電体ペースト組成物の加水分解性塩素量がプリプレグ中の塩素の含有率よりも低いとき、すなわち２０００ｐｐｍ以下であれば、絶縁抵抗値においても良好な結果が得られた。
【００６８】
そして、ガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布のいずれか一つとエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との複合材、またはガラス織布、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布のいずれか一つとガラス転移温度が１８０℃以上の熱可塑性樹脂（例えば、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等）との複合材、あるいはフィルム材料を用いて絶縁材料を形成することができる。
【００６９】
以上のように、本実施の形態１によれば、本発明の導電体ペースト組成物は、（ａ）平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、（ｂ）一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％と、塩素２０〜２０００ｐｐｍとを少なくとも含んでいるので、この導電体ペースト組成物を孔径１５０μｍ以下のビアホールに充填することにより、高信頼性のインナビアホールを備えた両面または多層のプリント基板を実現することができる。
【００７０】
なお、本発明の実施の形態１では、ビアホールの孔径を１５０μｍ以下としたが、１５０μｍより大きい孔径であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明の導電体ペースト組成物は、高密度配線基板として高速伝送が可能な高周波回路用途や半導体パッケージなどの微細な配線パターン用途や小型・軽量化を必要とする携帯型電子機器用途などに必要な高い接続信頼性を有し、かつ安価なプリント配線基板の形成に有用である。
【符号の説明】
【００７２】
１０１，２０１    積層基材
１０２，２０２    銅箔
１０３    導電体ビアホール
１０４    両面プリント基板
２０３    導電体ペースト
５０１    核
５０２    導電性材料
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、
一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％と、を備え、
加水分解性塩素の含有量が２０〜２０００ｐｐｍである
ビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項２】
前記導電体粒子が、
（１）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの粒子、
（２）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金粒子、
（３）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの金属で被覆された粒子、および、
（４）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被覆された粒子の
（１）ないし（４）から選ばれる少なくとも一つの粒子である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項３】
前記導電体粒子が、表面酸素濃度が１．０重量％以下の銅を含む
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項４】
前記エポキシ化合物が、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂および脂環式エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項５】
前記エポキシ化合物が、ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項６】
前記エポキシ化合物が、重量平均分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマーを含む
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項７】
前記エポキシ化合物が、
ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂９０〜２０重量％と、
Ｃ８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びＣ８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つのエポキシ樹脂１０〜８０重量％とで構成される樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項８】
前記エポキシ化合物が、
ビスフェノールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；９０〜１９重量％と、
炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪族アルコールグリシジルエーテル型エポキシ樹脂及び炭素数（Ｃ）８以上の長鎖脂肪酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも一つの樹脂；９〜８０重量％と、
重量平均分子量６００〜１００００のエポキシオリゴマー；１〜３０重量％とで構成される樹脂である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項９】
ペースト組成物の粘度特性において、
温度：２５℃、１［１／ｓｅｃ］における粘度（Ａ）と、２［１／ｓｅｃ］における粘度（Ｂ）の比（Ａ／Ｂ）が、１以下である
請求項１に記載のビアホール充填用導電体ペースト組成物。
【請求項１０】
絶縁基材内に開けられたビアホール中に、導電性樹脂組成物が充填され、かつ前記絶縁基材表面の上下電極層が電気的に接続されているプリント基板であって、
前記導電性樹脂組成物が、
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子；３０〜７０体積％と、
一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂；７０〜３０体積％と、
２０〜２０００ｐｐｍかつ前記絶縁基材中の含有量よりも低い加水分解性塩素と、を含み、
前記導電性樹脂組成物が前記ビアホール中において硬化されていることを特徴とする
プリント基板。
【請求項１１】
プリント基板の製造に用いられるプリプレグにあらかじめビアホールを形成するステップと、
前記ビアホールに、
平均粒径が０．５〜２０μｍで、その比表面積が０．０５〜１．５ｍ２／ｇの導電体粒子３０〜７０体積％と、
一分子中に１つ以上のエポキシ基を有し、かつ水酸基、アミノ基及びカルボキシル基の合計量がエポキシ基の５モル％以下であり、エポキシ当量が１００〜３５０ｇ／ｅｑであるエポキシ化合物を１０重量％以上含む樹脂７０〜３０体積％と、
２０〜２０００ｐｐｍかつ前記プリプレグ中の含有量よりも低い塩素と、を含む導電体ペースト組成物を充填するステップと、
前記プリプレグの上下層に銅箔を挟んで加熱加圧するステップと、
前記銅箔をエッチングすることにより電気回路を形成するステップと、
を備えた
プリント基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008132832.tif 000041
【図２Ａ】
2008132832.tif 000042
【図２Ｂ】
2008132832.tif 000043
【図２Ｃ】
2008132832.tif 000044
【図２Ｄ】
2008132832.tif 000045
【図３Ａ】
2008132832.tif 000046
【図３Ｂ】
2008132832.tif 000047
【図４Ａ】
2008132832.tif 000048
【図４Ｂ】
2008132832.tif 000049
【図５】
2008132832.tif 000050
【国際調査報告】
2008132832.tif 000051
2008132832.tif 000052
2008132832.tif 000053
2008132832.tif 000054