(57)【要約】  アクセス装置から不揮発性記憶装置にアクセスするときに、不揮発性記憶装置又はアクセス装置は、不揮発性記憶装置の温度Ｔを検出もしくは算出する。不揮発性記憶装置の温度適応型制御部は、温度Ｔに基づいて不揮発性メモリへのアクセス速度を制御する。そして不揮発性記憶装置の温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋを超えないようにする。これにより不揮発性記憶装置を取り出したときにも火傷の危険性が無く、且つ高速で読み書きのできる不揮発性記憶システムとすることができる。
2008093606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からのアクセス指示に応じて、データの読み出し及び書き込みを行う不揮発性記憶装置であって、
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリにデータを読み書きするメモリコントローラと、を具備し、
前記メモリコントローラは、前記データの読み出しもしくは書き込み時の前記不揮発性記憶装置の動作条件に応じて、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを制御するアクセスレート制御部を有する不揮発性記憶装置。
【請求項２】
前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、
前記アクセスレート制御部は、
前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度検出部が検出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度検出部が検出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３】
前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度検出部が検出した温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うものである請求項２記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４】
前記温度検出部は、温度センサを含む請求項２記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５】
前記アクセスレート制御部は、
前記不揮発性記憶装置の状態を示すステータス情報を生成して、前記ステータス情報を外部に通知するステータス情報生成部を有する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６】
前記ステータス情報は、前記不揮発性記憶装置の温度を示す情報である請求項５記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７】
前記ステータス情報は、前記不揮発性記憶装置の温度が、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度より高いことを示す警告情報である請求項５記載の不揮発性記憶装置。
【請求項８】
前記ステータス情報は、前記アクセスレートの制御が行われているか否かを示すアクセスレート制御実施情報である請求項５記載の不揮発性記憶装置。
【請求項９】
前記ステータス情報は、前記不揮発性記憶装置の温度が、アクセスの開始から前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度に達するまでの時間を示す読み書き許容時間である請求項５記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１０】
前記ステータス情報は、前記不揮発性記憶装置の温度が、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度に達するまでに、前記不揮発性記憶装置に読み書きできるデータサイズを示す読み書き許容サイズである請求項５記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１１】
前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、
前記アクセスレート制御部は、
前記不揮発性記憶装置の温度をアクセスレート及び前記アクセスレートで前記不揮発性装置にデータの読み書きを行う時間を変数として前記不揮発性装置の温度を算出する温度算出部と、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度検出部が検出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度算出部が算出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１２】
前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度算出部が検出した温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うものである請求項１１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１３】
前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置にアクセスする際のデータサイズであり、
前記アクセスレート制御部は、
前記データサイズを基にして、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を前記不揮発性記憶装置が超えないようにアクセスレートを決定し、前記アクセスレートを外部に通知するデータサイズ適応型のアクセスレート制御部である請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１４】
前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、
前記アクセスレート制御部は、
外部より与えられた前記不揮発性記憶装置の温度を保持する温度保持部と、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度保持部が保持している温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度保持部に保持している温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１５】
前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度保持部が保持している温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うものである請求項１４記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１６】
前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、
前記アクセスレート制御部は、
外部より与えられた前記不揮発性記憶装置の温度をアクセス開始時の周囲温度とし、該周囲温度とアクセス時間に基づいて不揮発性記憶装置の温度を算出する温度算出部と、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度算出部が算出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度算出部が算出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備する請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１７】
前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度算出部が算出した温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うものである請求項１６記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１８】
アクセス装置と、前記アクセス装置からのアクセス指示に応じて、データの読み出し及び書き込みを行う不揮発性記憶装置と、を具備する不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性記憶装置は、
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリにデータを読み書きするメモリコントローラと、を具備し、
前記メモリコントローラは、前記データの読み出しもしくは書き込み時の前記不揮発性記憶装置の動作条件に応じて、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを制御するアクセスレート制御部を有する不揮発性記憶システム。
【請求項１９】
前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、
前記アクセスレート制御部は、
前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度検出部が検出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度検出部が検出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備する請求項１８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２０】
前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度検出部が検出した温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行う温度適応型制御部と、を具備する請求項１９記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２１】
前記温度検出部は、温度センサを含む請求項１８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２２】
前記アクセスレート制御部は、前記不揮発性記憶装置の状態を示すステータス情報を生成して、前記ステータス情報を前記アクセス装置に通知するステータス情報生成部を有する請求項１８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２３】
前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、
前記アクセスレート制御部は、
前記不揮発性記憶装置の温度をアクセスレート及び前記アクセスレートで前記不揮発性装置にデータの読み書きを行う時間を変数として前記不揮発性装置の温度を算出する温度算出部と、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度算出部が算出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度算出部が算出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備する請求項１８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２４】
前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度算出部が検出した温度が前記閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うものである請求項２３記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２５】
前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置にアクセスする際のデータサイズであり、
前記アクセスレート制御部は、
前記データサイズを基にして、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を前記不揮発性記憶装置が超えないようにアクセスレートを決定し、前記アクセスレートを前記アクセス装置に通知するデータサイズ適応型アクセスレート制御部であり、
前記アクセス装置は、前記不揮発性記憶装置より得られるアクセスレートで前記不揮発性記憶装置にアクセスする請求項１８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２６】
前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、
前記アクセスレート制御部は、
前記アクセス装置より与えられた前記不揮発性記憶装置の温度を保持する温度保持部と、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度保持部が保持している温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度保持部に保持している温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備する請求項１８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２７】
前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度保持部が保持している温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うものである請求項２６記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２８】
前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、
前記アクセスレート制御部は、
前記アクセス装置より与えられた前記不揮発性記憶装置の温度をアクセス開始時の周囲温度とし、該周囲温度とアクセス時間に基づいて不揮発性記憶装置の温度を算出する温度算出部と、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度算出部が算出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度算出部が算出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備する請求項１８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２９】
前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度算出部が算出した温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うものである請求項２８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３０】
前記アクセス装置は、前記アクセス装置内の温度センサが検出した温度の値を読み出して、前記アクセス装置が温度センサを備えていることを示すフラグと共に前記不揮発性記憶装置に前記アクセス装置内の温度情報として供給する温度情報出力部を有する請求項１８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３１】
前記温度情報出力部は、前記アクセス装置内の温度センサが検出した温度を前記不揮発性記憶装置の温度及び周囲温度のいずれか一方であることを示すフラグと共に前記不揮発性記憶装置に供給する請求項３０記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３２】
アクセス装置と、
前記アクセス装置と接続し、前記アクセス装置からのアクセス指示に応じて、データの読み出し及び書き込みを行う不揮発性記憶装置と、を具備する不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性記憶装置は、
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリにデータを読み書きするメモリコントローラと、を具備し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性記憶装置の温度上昇速度、前記不揮発性記憶装置の温度が上昇して収束していく温度である飽和温度を含む温度パラメータを保持し、該温度パラメータを前記アクセス装置へ出力するレジスタ部を含むものであり、
前記アクセス装置は、
前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、
前記不揮発性記憶装置から取得した温度パラメータと前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度とを用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレート毎にデータ転送に伴う前記不揮発性記憶装置の温度変化を算出し、前記温度変化を前記不揮発性記憶装置の温度が前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を超えないアクセスレートにより前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセスレート制御部と、具備する不揮発性記憶システム。
【請求項３３】
アクセス装置と、
前記アクセス装置と接続し、前記アクセス装置からのアクセス指示に応じて、データの読み出し及び書き込みを行う不揮発性記憶装置と、を具備する不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性記憶装置は、
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記アクセス装置からの指示に応じて、前記不揮発性メモリにデータを読み書きするメモリコントローラと、を具備するものであり、
前記アクセス装置は、
前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、
前記不揮発性記憶装置の温度上昇速度、前記不揮発性記憶装置の温度が上昇して収束していく温度である飽和温度を含む温度パラメータを保持する温度パラメータ保持部と、
前記温度パラメータ保持部に保持された温度パラメータと前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度とを用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレート毎にデータ転送に伴う前記不揮発性記憶装置の温度変化を算出し、前記温度変化を前記不揮発性記憶装置の温度が前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を超えないアクセスレートにより前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセスレート制御部と、具備する不揮発性記憶システム。
【請求項３４】
前記レジスタ部の温度パラメータには更に、アクセスがなされていないときの前記不揮発性記憶装置の温度降下速度を含んでおり、
前記アクセスレート制御部は、
前記温度情報、及び前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度を用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレートに対して、前記不揮発性記憶装置の温度が前記第１の閾値温度に達すればデータ転送を停止し、かつ前記不揮発性記憶装置の温度がデータ転送を再開するための基準となる温度である第２の閾値温度まで下がればデータ転送を再開する場合の前記不揮発性記憶装置の温度変化から前記連続アクセス可能時間を決定し、決定したアクセス可能時間に基づいて前記不揮発性メモリにアクセスする請求項３２記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３５】
前記アクセスレート制御部は、前記データの書き込み又は読み出しを行うためのクロック周波数を変更することでアクセスレートを制御する請求項３２記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３６】
前記アクセスレート制御部は、所定単位のデータを転送する期間について、その期間と期間の間隔を変更することでアクセスレートを制御する請求項３２記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３７】
前記アクセス装置は、
動画データの圧縮データを生成するためのコーデック部をさらに具備し、
前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのデータ転送速度を変更することでアクセスレートを決定する請求項３２記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３８】
前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのビットレートを変更することでアクセスレートを決定する請求項３７載の不揮発性記憶システム。
【請求項３９】
前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのフレームレートを変更することでアクセスレートを決定する請求項３７記載の不揮発性記憶システム。
【請求項４０】
前記不揮発性記憶装置にデータを書き込み、前記不揮発性記憶装置からデータを読み出すアクセス装置であって、
前記アクセス装置に関する情報を表示する表示部と、
前記不揮発性記憶装置から通知された前記不揮発性記憶装置の状態を示すステータス情報を表示する制御部と、を具備するアクセス装置。
【請求項４１】
前記不揮発性記憶装置にデータを書き込み、前記不揮発性記憶装置からデータを読み出すアクセス装置であって、
前記不揮発性記憶装置を冷却する冷却部と、
前記不揮発性記憶装置から通知された前記不揮発性記憶装置の状態を示すステータス情報に基づいて前記冷却部を駆動する制御部と、を具備するアクセス装置。
【請求項４２】
前記制御部は、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記不揮発性記憶装置から通知された前記ステータス情報である前記不揮発性記憶装置の温度と前記第１の閾値温度及び前記第２の閾値温度とを比較し、該温度が前記第１の閾値温度より高いときは前記冷却部を駆動し、前記第２の閾値温度より低いときは前記冷却部を停止するものである請求項４１記載のアクセス装置。
【請求項４３】
前記制御部は、
前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を超えていることを示す警告情報が通知されたときに、所定の時間だけ前記冷却部を駆動するものである請求項４１記載のアクセス装置。
【請求項４４】
前記制御部は、
ステータス情報として前記アクセスレート制御情報が通知され、かつ前記アクセスレート制御情報が、アクセスレートが低下していることを示しているときに、所定の時間だけ前記冷却部を駆動するものである請求項４１記載のアクセス装置。
【請求項４５】
前記制御部は、
データの読み書きを行う時間についての閾値時間を保持しており、前記ステータス情報として読み書き許容時間が通知され、かつ通知された読み書き許容時間が前記閾値時間よりも短いときに、所定の時間だけ前記冷却部を駆動するものである請求項４１記載のアクセス装置。
【請求項４６】
前記制御部は、
読み書きするデータサイズについての閾値サイズを保持しており、前記ステータス情報として読み書き許容サイズが通知され、かつ通知された読み書き許容サイズが前記閾値サイズよりも小さいときに、所定の時間だけ前記冷却部を駆動するものである請求項４１記載のアクセス装置。
【請求項４７】
不揮発性記憶装置と接続し、前記不揮発性記憶装置にデータの読み出し及び書き込みを行うアクセス装置であって、
前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、
前記不揮発性記憶装置から取得した温度パラメータと前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度とを用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレート毎にデータ転送に伴う前記不揮発性記憶装置の温度変化を算出し、前記温度変化を前記不揮発性記憶装置の温度が前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を超えないアクセスレートにより前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセスレート制御部と、具備するアクセス装置。
【請求項４８】
不揮発性記憶装置と接続し、前記不揮発性記憶装置にデータの読み出し及び書き込みを行うアクセス装置であって、
前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、
前記不揮発性記憶装置の温度上昇速度、前記不揮発性記憶装置の温度が上昇して収束していく温度である飽和温度を含む温度パラメータを保持する温度パラメータ保持部と、
前記温度パラメータ保持部に保持された温度パラメータと前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度とを用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレート毎にデータ転送に伴う前記不揮発性記憶装置の温度変化を算出し、前記温度変化を前記不揮発性記憶装置の温度が前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を超えないアクセスレートにより前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセスレート制御部と、具備するアクセス装置。
【請求項４９】
前記不揮発性記憶装置より取得する温度パラメータは更に、アクセスがなされていないときの前記不揮発性記憶装置の温度降下速度を含んでおり、
前記アクセスレート制御部は、
前記温度情報、及び前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度を用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレートに対して、前記不揮発性記憶装置の温度が前記第１の閾値温度に達すればデータ転送を停止し、かつ前記不揮発性記憶装置の温度がデータ転送を再開するための基準となる温度である第２の閾値温度まで下がればデータ転送を再開する場合の前記不揮発性記憶装置の温度変化から前記連続アクセス可能時間を決定し、決定したアクセス可能時間に基づいて前記不揮発性メモリにアクセスする請求項４７記載のアクセス装置。
【請求項５０】
前記アクセスレート制御部は、前記データの書き込み又は読み出しを行うためのクロック周波数を変更することでアクセスレートを制御する請求項４７記載のアクセス装置。
【請求項５１】
前記アクセスレート制御部は、所定単位のデータを転送する期間について、その期間と期間の間隔を変更することでアクセスレートを制御する請求項４７記載のアクセス装置。
【請求項５２】
動画データの圧縮データを生成するためのコーデック部をさらに具備し、
前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのデータ転送速度を変更することでアクセスレートを決定する請求項４７記載のアクセス装置。
【請求項５３】
前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのビットレートを変更することでアクセスレートを決定する請求項５２載のアクセス装置。
【請求項５４】
前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのフレームレートを変更することでアクセスレートを決定する請求項５２記載のアクセス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性メモリを備えた半導体メモリカード等の不揮発性記憶装置と、不揮発性記憶装置にアクセスするアクセス装置、及びこれらを含む不揮発性記憶システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
書き換え可能な不揮発性メモリを備える不揮発性記憶装置は、半導体メモリカードを中心にその需要が広まっている。半導体メモリカードは、光ディスクやテープメディアなどと比較して高価格なものではある。しかし半導体メモリカードは、小型・軽量・耐震性・取り扱いの簡便さ等のメリットが大きいので、デジタルスチルカメラや携帯電話など、ポータブル機器の記録媒体としてその需要が広まっており、最近では民生用動画記録機器や放送局向けのプロ用動画記録機器の記録媒体としても利用されるようになってきた。加えて、ポータブル機器だけではなくデジタルテレビやＤＶＤレコーダ等の据え置き機器にも半導体メモリカード用のスロットが標準装備されている。これによってデジタルスチルカメラで撮影した静止画のデジタルテレビでの閲覧や、民生用動画記録機器で撮影した動画のＤＶＤレコーダへのダビングができるようになっている。【０００３】
この半導体メモリカードは、不揮発性の主記憶メモリとしてフラッシュメモリを備え、それを制御するメモリコントローラを有している。メモリコントローラは、デジタルスチルカメラ本体等、アクセス装置からのデータの読み書き指示に応じて、フラッシュメモリに対するデータの読み書き制御を行うものである。【０００４】
近年、静止画や動画等のＡＶコンテンツの高品質化、即ち１コンテンツあたりのデータサイズの大容量化に対応するために、半導体メモリカードの大容量化のニーズが高まっている。それに伴い、半導体メモリカードに記録したＡＶコンテンツを、ハードディスクレコーダやパーソナルコンピュータに内蔵されたハードディスクやＤＶＤレコーダ等の記録媒体にダビングする際、半導体メモリカードからより高速にデータを読み出せる性能が求められている。また、ハードディスク等の記録媒体に記録されたＡＶコンテンツを半導体メモリカードにダビングする際、半導体メモリカードに対してより高速にデータを書き込める性能が求められている。つまり、記録したデータを記録媒体間で高速にダビングすることによって、ユーザの待ち時間を短くすることが今後重要となる。【０００５】
半導体メモリカードにおけるデータの高速な読み書きを制御するための先行技術として、特許文献１に示されるようなフラッシュメモリの並列アクセスに関する技術や、特許文献２に示されるような半導体メモリカードとアクセス装置を接続するバスの高速化に関する技術などがある。【０００６】
ところが一般的に、高速でデータを読み書きすると、ホスト装置や半導体メモリカードの表面温度が非常に高くなり、その結果、ユーザが半導体メモリカードをホスト装置から取り出す際に、火傷をする危険性がある。このような発熱を検知した制御の先行技術として特許文献３がある。この技術は、ＭＰＵの温度とコネクタの蓋の開閉状況を検知してＭＰＵの動作クロックを切替えて温度上昇を防止するものである。
【特許文献１】特表２０００−５１０６３４号公報
【特許文献２】特開２００３−２２３６２３号公報
【特許文献３】特開平９−２３７１２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、あまり高速でデータを読み書きすると、主にフラッシュメモリの発熱によって半導体メモリカードの表面温度が非常に高くなり、その結果、ユーザが半導体メモリカードをアクセス装置から取り出す際に、火傷をする危険性がある。【０００８】
又上述した特許文献３に開示された技術では、コネクタの蓋の開閉状況だけで動作クロックを切替えるようになっている。このため、蓋のないコネクタに半導体メモリカード等の不揮発性記憶装置を挿入して高速に読み書きを行うと、ＭＰＵの動作クロックを適切に切替えることができず、発熱を抑制することができない。また、不揮発性記憶装置のアクセスレートと温度変化との関係を考慮していないため、最適なアクセスレートを設定できない。更に、一般的に動画記録を行う場合には、記録が途中で止まってしまうことは許されないが、特許文献３に開示された技術では温度変化との関係を考慮した適切なアクセスレートを設定できないため、発熱によって記録が停止してしまう可能性がある。【０００９】
そこで本発明は上記問題点に鑑み、発熱を抑制することで火傷の危険性を無くし、且つ高速でデータを読み書きできる不揮発性記憶装置、ホスト装置、及び不揮発性記憶システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この課題を解決するために、本発明の不揮発性記憶装置は、外部からのアクセス指示に応じて、データの読み出し及び書き込みを行う不揮発性記憶装置であって、データを記憶する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリにデータを読み書きするメモリコントローラと、を具備し、前記メモリコントローラは、前記データの読み出しもしくは書き込み時の前記不揮発性記憶装置の動作条件に応じて、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを制御するアクセスレート制御部を有するものである。【００１１】
ここで前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、前記アクセスレート制御部は、前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度検出部が検出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度検出部が検出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備するようにしてもよい。【００１２】
ここで前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度検出部が検出した温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うようにしてもよい。【００１３】
ここで前記温度検出部は、温度センサを含むようにしてもよい。【００１４】
ここで前記アクセスレート制御部は、前記不揮発性記憶装置の状態を示すステータス情報を生成して、前記ステータス情報を外部に通知するステータス情報生成部を有するようにしてもよい。【００１５】
ここで前記ステータス情報は、前記不揮発性記憶装置の温度を示す情報としてもよい。【００１６】
ここで前記ステータス情報は、前記不揮発性記憶装置の温度が、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度より高いことを示す警告情報としてもよい。【００１７】
ここで前記ステータス情報は、前記アクセスレートの制御が行われているか否かを示すアクセスレート制御実施情報としてもよい。【００１８】
ここで前記ステータス情報は、前記不揮発性記憶装置の温度が、アクセスの開始から前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度に達するまでの時間を示す読み書き許容時間としてもよい。【００１９】
ここで前記ステータス情報は、前記不揮発性記憶装置の温度が、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度に達するまでに、前記不揮発性記憶装置に読み書きできるデータサイズを示す読み書き許容サイズとしてもよい。【００２０】
ここで前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、前記アクセスレート制御部は、前記不揮発性記憶装置の温度をアクセスレート及び前記アクセスレートで前記不揮発性装置にデータの読み書きを行う時間を変数として前記不揮発性装置の温度を算出する温度算出部と、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度検出部が検出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度算出部が算出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備するようにしてもよい。【００２１】
ここで前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度算出部が検出した温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うようにしてもよい。【００２２】
ここで前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置にアクセスする際のデータサイズであり、前記アクセスレート制御部は、前記データサイズを基にして、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を前記不揮発性記憶装置が超えないようにアクセスレートを決定し、前記アクセスレートを外部に通知するデータサイズ適応型のアクセスレート制御部としてもよい。【００２３】
ここで前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、前記アクセスレート制御部は、外部より与えられた前記不揮発性記憶装置の温度を保持する温度保持部と、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度保持部が保持している温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度保持部に保持している温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備するようにしてもよい。【００２４】
ここで前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度保持部が保持している温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うようにしてもよい。【００２５】
ここで前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、前記アクセスレート制御部は、外部より与えられた前記不揮発性記憶装置の温度をアクセス開始時の周囲温度とし、該周囲温度とアクセス時間に基づいて不揮発性記憶装置の温度を算出する温度算出部と、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度算出部が算出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度算出部が算出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備するようにしてもよい。【００２６】
ここで前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度算出部が算出した温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うようにしてもよい。【００２７】
この課題を解決するために、本発明の不揮発性記憶システムは、アクセス装置と、前記アクセス装置からのアクセス指示に応じて、データの読み出し及び書き込みを行う不揮発性記憶装置と、を具備する不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性記憶装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリにデータを読み書きするメモリコントローラと、を具備し、前記メモリコントローラは、前記データの読み出しもしくは書き込み時の前記不揮発性記憶装置の動作条件に応じて、データの読み出し又は書き込みのアクセスレートを制御するアクセスレート制御部を有するものである。【００２８】
ここで前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、前記アクセスレート制御部は、前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度検出部が検出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度検出部が検出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備するようにしてもよい。【００２９】
ここで前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度検出部が検出した温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行う温度適応型制御部と、を具備するようにしてもよい。【００３０】
ここで前記温度検出部は、温度センサを含むようにしてもよい。【００３１】
ここで前記アクセスレート制御部は、前記不揮発性記憶装置の状態を示すステータス情報を生成して、前記ステータス情報を前記アクセス装置に通知するステータス情報生成部を有するようにしてもよい。【００３２】
ここで前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、前記アクセスレート制御部は、前記不揮発性記憶装置の温度をアクセスレート及び前記アクセスレートで前記不揮発性装置にデータの読み書きを行う時間を変数として前記不揮発性装置の温度を算出する温度算出部と、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度算出部が算出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度算出部が算出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備するようにしてもよい。【００３３】
ここで前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度算出部が検出した温度が前記閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うようにしてもよい。【００３４】
ここで前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置にアクセスする際のデータサイズであり、前記アクセスレート制御部は、前記データサイズを基にして、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を前記不揮発性記憶装置が超えないようにアクセスレートを決定し、前記アクセスレートを前記アクセス装置に通知するデータサイズ適応型アクセスレート制御部であり、前記アクセス装置は、前記不揮発性記憶装置より得られるアクセスレートで前記不揮発性記憶装置にアクセスするようにしてもよい。【００３５】
ここで前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、前記アクセスレート制御部は、前記アクセス装置より与えられた前記不揮発性記憶装置の温度を保持する温度保持部と、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度保持部が保持している温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度保持部に保持している温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備するようにしてもよい。【００３６】
ここで前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度保持部が保持している温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うようにしてもよい。【００３７】
ここで前記動作条件は、前記不揮発性記憶装置の温度であり、前記アクセスレート制御部は、前記アクセス装置より与えられた前記不揮発性記憶装置の温度をアクセス開始時の周囲温度とし、該周囲温度とアクセス時間に基づいて不揮発性記憶装置の温度を算出する温度算出部と、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記温度算出部が算出した温度が前記第１の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスを停止し、前記温度算出部が算出した温度が前記第２の閾値温度よりも低くなったときにアクセスを再開する温度適応型制御部と、を具備するようにしてもよい。【００３８】
ここで前記アクセスレート制御部の温度適応型制御部は、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す第３の閾値温度を保持し、前記温度算出部が算出した温度が前記第３の閾値温度よりも高くなったときに、アクセスレートを低下させるアクセスレートの制御を行うようにしてもよい。【００３９】
ここで前記アクセス装置は、前記アクセス装置内の温度センサが検出した温度の値を読み出して、前記アクセス装置が温度センサを備えていることを示すフラグと共に前記不揮発性記憶装置に前記アクセス装置内の温度情報として供給する温度情報出力部を有するようにしてもよい。【００４０】
ここで前記温度情報出力部は、前記アクセス装置内の温度センサが検出した温度を前記不揮発性記憶装置の温度及び周囲温度のいずれか一方であることを示すフラグと共に前記不揮発性記憶装置に供給するようにしてもよい。【００４１】
この課題を解決するために、本発明の不揮発性記憶システムは、アクセス装置と、前記アクセス装置と接続し、前記アクセス装置からのアクセス指示に応じて、データの読み出し及び書き込みを行う不揮発性記憶装置と、を具備する不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性記憶装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリにデータを読み書きするメモリコントローラと、を具備し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性記憶装置の温度上昇速度、前記不揮発性記憶装置の温度が上昇して収束していく温度である飽和温度を含む温度パラメータを保持し、該温度パラメータを前記アクセス装置へ出力するレジスタ部を含むものであり、前記アクセス装置は、前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、前記不揮発性記憶装置から取得した温度パラメータと前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度とを用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレート毎にデータ転送に伴う前記不揮発性記憶装置の温度変化を算出し、前記温度変化を前記不揮発性記憶装置の温度が前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を超えないアクセスレートにより前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセスレート制御部と、具備するものである。【００４２】
この課題を解決するために、本発明の不揮発性記憶システムは、アクセス装置と、前記アクセス装置と接続し、前記アクセス装置からのアクセス指示に応じて、データの読み出し及び書き込みを行う不揮発性記憶装置と、を具備する不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性記憶装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、前記アクセス装置からの指示に応じて、前記不揮発性メモリにデータを読み書きするメモリコントローラと、を具備するものであり、前記アクセス装置は、前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、前記不揮発性記憶装置の温度上昇速度、前記不揮発性記憶装置の温度が上昇して収束していく温度である飽和温度を含む温度パラメータを保持する温度パラメータ保持部と、前記温度パラメータ保持部に保持された温度パラメータと前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度とを用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレート毎にデータ転送に伴う前記不揮発性記憶装置の温度変化を算出し、前記温度変化を前記不揮発性記憶装置の温度が前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を超えないアクセスレートにより前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセスレート制御部と、具備するものである。【００４３】
ここで前記レジスタ部の温度パラメータには更に、アクセスがなされていないときの前記不揮発性記憶装置の温度降下速度を含んでおり、前記アクセスレート制御部は、前記温度情報、及び前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度を用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレートに対して、前記不揮発性記憶装置の温度が前記第１の閾値温度に達すればデータ転送を停止し、かつ前記不揮発性記憶装置の温度がデータ転送を再開するための基準となる温度である第２の閾値温度まで下がればデータ転送を再開する場合の前記不揮発性記憶装置の温度変化から前記連続アクセス可能時間を決定し、決定したアクセス可能時間に基づいて前記不揮発性メモリにアクセスするようにしてもよい。【００４４】
ここで前記アクセスレート制御部は、前記データの書き込み又は読み出しを行うためのクロック周波数を変更することでアクセスレートを制御するようにしてもよい。【００４５】
ここで前記アクセスレート制御部は、所定単位のデータを転送する期間について、その期間と期間の間隔を変更することでアクセスレートを制御するようにしてもよい。【００４６】
ここで前記アクセス装置は、動画データの圧縮データを生成するためのコーデック部をさらに具備し、前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのデータ転送速度を変更することでアクセスレートを決定するようにしてもよい。【００４７】
ここで前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのビットレートを変更することでアクセスレートを決定するようにしてもよい。【００４８】
ここで前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのフレームレートを変更することでアクセスレートを決定するようにしてもよい。【００４９】
この課題を解決するために、本発明のアクセス装置は、前記不揮発性記憶装置にデータを書き込み、前記不揮発性記憶装置からデータを読み出すアクセス装置であって、前記アクセス装置に関する情報を表示する表示部と、前記不揮発性記憶装置から通知された前記不揮発性記憶装置の状態を示すステータス情報を表示する制御部と、を具備するものである。【００５０】
この課題を解決するために、本発明のアクセス装置は、前記不揮発性記憶装置にデータを書き込み、前記不揮発性記憶装置からデータを読み出すアクセス装置であって、前記不揮発性記憶装置を冷却する冷却部と、前記不揮発性記憶装置から通知された前記不揮発性記憶装置の状態を示すステータス情報に基づいて前記冷却部を駆動する制御部と、を具備するものである。【００５１】
ここで前記制御部は、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度及び前記第１の閾値温度よりも低い安全温度である第２の閾値温度を保持し、前記不揮発性記憶装置から通知された前記ステータス情報である前記不揮発性記憶装置の温度と前記第１の閾値温度及び前記第２の閾値温度とを比較し、該温度が前記第１の閾値温度より高いときは前記冷却部を駆動し、前記第２の閾値温度より低いときは前記冷却部を停止するようにしてもよい。【００５２】
ここで前記制御部は、前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を超えていることを示す警告情報が通知されたときに、所定の時間だけ前記冷却部を駆動するようにしてもよい。【００５３】
ここで前記制御部は、ステータス情報として前記アクセスレート制御情報が通知され、かつ前記アクセスレート制御情報が、アクセスレートが低下していることを示しているときに、所定の時間だけ前記冷却部を駆動するようにしてもよい。【００５４】
ここで前記制御部は、データの読み書きを行う時間についての閾値時間を保持しており、前記ステータス情報として読み書き許容時間が通知され、かつ通知された読み書き許容時間が前記閾値時間よりも短いときに、所定の時間だけ前記冷却部を駆動するようにしてもよい。【００５５】
ここで前記制御部は、読み書きするデータサイズについての閾値サイズを保持しており、前記ステータス情報として読み書き許容サイズが通知され、かつ通知された読み書き許容サイズが前記閾値サイズよりも小さいときに、所定の時間だけ前記冷却部を駆動するようにしてもよい。【００５６】
この課題を解決するために、本発明のアクセス装置は、不揮発性記憶装置と接続し、前記不揮発性記憶装置にデータの読み出し及び書き込みを行うアクセス装置であって、前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、前記不揮発性記憶装置から取得した温度パラメータと前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度とを用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレート毎にデータ転送に伴う前記不揮発性記憶装置の温度変化を算出し、前記温度変化を前記不揮発性記憶装置の温度が前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を超えないアクセスレートにより前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセスレート制御部と、具備するものである。【００５７】
この課題を解決するために、本発明のアクセス装置は、不揮発性記憶装置と接続し、前記不揮発性記憶装置にデータの読み出し及び書き込みを行うアクセス装置であって、前記不揮発性記憶装置の温度を検出する温度検出部と、前記不揮発性記憶装置の温度上昇速度、前記不揮発性記憶装置の温度が上昇して収束していく温度である飽和温度を含む温度パラメータを保持する温度パラメータ保持部と、前記温度パラメータ保持部に保持された温度パラメータと前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度とを用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレート毎にデータ転送に伴う前記不揮発性記憶装置の温度変化を算出し、前記温度変化を前記不揮発性記憶装置の温度が前記不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度の下限である第１の閾値温度を超えないアクセスレートにより前記不揮発性記憶装置にアクセスするアクセスレート制御部と、具備するものである。【００５８】
ここで前記不揮発性記憶装置より取得する温度パラメータは更に、アクセスがなされていないときの前記不揮発性記憶装置の温度降下速度を含んでおり、前記アクセスレート制御部は、前記温度情報、及び前記温度検出部が検出した前記不揮発性記憶装置の温度を用いて、前記アクセス装置が備えるアクセスレートに対して、前記不揮発性記憶装置の温度が前記第１の閾値温度に達すればデータ転送を停止し、かつ前記不揮発性記憶装置の温度がデータ転送を再開するための基準となる温度である第２の閾値温度まで下がればデータ転送を再開する場合の前記不揮発性記憶装置の温度変化から前記連続アクセス可能時間を決定し、決定したアクセス可能時間に基づいて前記不揮発性メモリにアクセスするようにしてもよい。【００５９】
ここで前記アクセスレート制御部は、前記データの書き込み又は読み出しを行うためのクロック周波数を変更することでアクセスレートを制御するようにしてもよい。【００６０】
ここで前記アクセスレート制御部は、所定単位のデータを転送する期間について、その期間と期間の間隔を変更することでアクセスレートを制御するようにしてもよい。【００６１】
ここで動画データの圧縮データを生成するためのコーデック部をさらに具備し、前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのデータ転送速度を変更することでアクセスレートを決定するようにしてもよい。【００６２】
ここで前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのビットレートを変更することでアクセスレートを決定するようにしてもよい。【００６３】
ここで前記アクセスレート制御部は、前記コーデック部により生成される圧縮データのフレームレートを変更することでアクセスレートを決定するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００６４】
本発明の不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶システムでは、不揮発性記憶装置内のアクセスレート制御部が、不揮発性記憶装置の温度又は読み書きの全データサイズに基づいてアクセスレートを制御したり、不揮発性記憶装置の冷却を行うことで、不揮発性メモリへの読み書き時の不揮発性記憶装置の温度上昇を、ユーザにとって火傷等の危険性の無いように抑制しながら高速なデータの読み書きが可能となる。【００６５】
本発明のアクセス装置では、アクセスレートの制御を行うことで、不揮発性メモリへの読み書きに伴って起こる不揮発性記憶装置の温度上昇を、ユーザにとって火傷等の危険性の無いように抑制しながら高速なデータの読み書きが可能となる。また動画記録を行う際にはビットレートやフレームレートを切替えてアクセスレートを制御するため、発熱による記録の停止を防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。
【図２】図２はバッファ１０２のメモリマップである。
【図３】図３は不揮発性メモリ１２０を示すブロック図である。
【図４】図４は不揮発性メモリ１２０の物理ブロックの構成図である。
【図５】図５はアクセス装置２００Ａのデータの書き込み動作を示すタイムチャートである。
【図６】図６はメモリコントローラ１１０Ａの書き込み動作を示すフローチャートである。
【図７】図７はアクセスレートを制御しない場合の不揮発性メモリ１２０への書き込みを示す高速アクセス時のタイムチャートである。
【図８】図８は不揮発性記憶装置１００Ａの温度変化を表すグラフである。
【図９】図９はアクセスレートを制御しない場合の不揮発性メモリ１２０への書き込みを示す低速アクセス時のタイムチャートである。
【図１０】図１０はアクセスレートを制御する場合の不揮発性メモリ１２０への書き込みを示すタイムチャートである。
【図１１】図１１は不揮発性記憶装置１００Ａの温度変化を表すグラフである。
【図１２】図１２は本発明の第２の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。
【図１３】図１３はアクセス装置２００Ｂのデータの書き込み動作を示すタイムチャートである。
【図１４】図１４はメモリコントローラ１１０Ｂの書き込み動作を示すフローチャートである。
【図１５】図１５は本発明の第３の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。
【図１６】図１６は本発明の第４の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。
【図１７】図１７はアクセス装置２００Ｄのデータの書き込み動作を示すタイムチャートである。
【図１８】図１８はメモリコントローラ１１０Ｄの書き込み動作を示すフローチャートである。
【図１９】図１９は本発明の第５の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。
【図２０】図２０は不揮発性記憶装置の温度変化を表すグラフである。
【図２１】図２１は本発明の第６の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。
【図２２】図２２は不揮発性記憶装置２００Ｅのアクセスレート制御時の温度変化を表すグラフである。
【図２３】図２３は不揮発性記憶装置２００Ｅの温度変化を表すグラフである。
【図２４】図２４は不揮発性記憶装置２００Ｅのアクセスレート制御時の温度変化を表すグラフである。
【図２５】図２５は本発明の第７の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。
【図２６Ａ】図２６Ａは本発明の第７の実施の形態における温度情報の構造図である。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは本発明の第７の実施の形態における温度情報の構造図である。
【図２７】図２７は本発明の第７の実施の形態におけるフラグの状態を示す図である。
【図２８】図２８は本発明の第８の実施の形態の不揮発性記憶システムを示すブロック図である。
【図２９】図２９は不揮発性記憶装置１００Ｈが保持する温度パラメータを示す図である。
【図３０】図３０はアクセス装置２００Ｈのアクセスレート制御を示すタイムチャートである。
【図３１】図３１はアクセス装置２００Ｈのアクセスレート制御を示すタイムチャートである。
【図３２】図３２は不揮発性記憶装置１００Ｈの温度変化を示すタイムチャートである。
【図３３】図３３はアクセス装置２００Ｈの不揮発性記憶装置１００Ｈへのアクセス動作を示すフローチャートである。
【図３４】図３４は本発明の第９の実施の形態の不揮発性記憶システムを示すブロック図である。
【図３５】図３５はアクセス装置２００Ｉの不揮発性記憶装置１００Ｉへのアクセス動作を示すフローチャートである。
【図３６】図３６は不揮発性記憶装置１００Ｉの温度変化を示すタイムチャートである。
【図３７】図３７は本発明の第１０の実施の形態の不揮発性記憶装置を示すブロック図である。
【図３８Ａ】図３８Ａはコーデック部２１７の備える動画記録モードを示す図である。
【図３８Ｂ】図３８Ｂはコーデック部２１７の備える動画記録モードを示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ，１００Ｇ，１００Ｈ  不揮発性記憶装置
１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃ，１１０Ｄ，１１０Ｅ，１１０Ｆ，１１０Ｇ，１１０Ｈ  メモリコントローラ
１０１  ホストインターフェース
１０２  バッファ
１０３  読み書き制御部
１０４  ＣＰＵ
１０５  アドレス管理部
１０６Ａ，１０６Ｂ，１０６Ｃ，１０６Ｅ，１０６Ｆ，１０６Ｇ，１１７  アクセスレート制御部
１１１，１１７  温度検出部
１１２  温度適応型制御部
１１３  ステータス情報生成部
１１４，１１６  温度算出部
１１５  温度保持部
１２０  不揮発性メモリ
１３０  モード切替スイッチ
２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｄ，２００Ｅ，２００Ｆ，２００Ｇ，２００Ｈ，２００Ｉ，２００Ｊ  アクセス装置
２０１  表示部
２０２，２０３，２０５，２０９  制御部
２０４  冷却部
２０６  温度出力部
２０７Ａ，２０７Ｂ  周囲温度出力部
２０８  温度情報出力部
２１１  システム制御部
２１２，２１７  コーデック部
２１３  ＲＯＭ及びＲＡＭ
２１４  表示部
２１５  ディスプレイ制御部
２１６Ｈ，２１６Ｉ．２１６Ｊ  不揮発性記憶装置制御部
２２１  記憶装置アクセス部
２２２  温度検出部
２２３，２２５  アクセスレート制御部
２２４  温度パラメータ保持部
３００〜３１５  フラッシュメモリ
３２０〜３２３  メモリバス
【発明を実施するための最良の形態】
【００６８】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。本実施の形態の不揮発性記憶システムは、図１に示すように不揮発性記憶装置１００Ａと、不揮発性記憶装置１００Ａが装着されるアクセス装置２００Ａとを含んで構成される。【００６９】
まず、アクセス装置２００Ａは、不揮発性記憶システムに関する情報を表示する表示部２０１と、制御部２０２を含む。制御部２０２は、不揮発性記憶装置１００Ａにアクセスしてデータを書き込んだり読み出したりすると共に、不揮発性記憶装置１００Ａから受信した情報のうち必要な情報を表示部２０１に表示するよう制御するものである。【００７０】
次に、不揮発性記憶装置１００Ａについて説明する。図１に示すように不揮発性記憶装置１００Ａは、メモリコントローラ１１０Ａと、フラッシュメモリ群である不揮発性メモリ１２０と、モード切替スイッチ１３０とを含む。モード切替スイッチ１３０は、後に説明するアクセスレート制御モードと非アクセスレート制御モードとを切り替える切替部である。【００７１】
メモリコントローラ１１０Ａは、アクセス装置２００Ａとの通信を行うホストインターフェース（ホストＩＦ）１０１と、バッファ１０２と、読み書き制御部１０３と、ＣＰＵ１０４と、アドレス管理部１０５と、アクセスレート制御部１０６Ａとを含む。【００７２】
バッファ１０２は例えば１６ｋバイトの容量を有するＲＡＭで構成され、アクセス装置２００Ａから転送されたデータ、あるいは不揮発性メモリ１２０から読み出されたデータを一時的に保持するものである。図２は、そのバッファ１０２を示すメモリマップである。バッファ１０２は、領域０〜７の８個の領域から構成され、各領域は２ｋバイトの容量を有する。ライトポインタＷＰは、アクセス装置２００Ａから転送されたデータの書き込み位置を示すものである。またリードポインタＲＰは、バッファ１０２からデータを読み出すときの読み出し位置を示すものである。【００７３】
読み書き制御部１０３は、アドレス管理部１０５が指定した物理アドレスに基づいて、バッファ１０２に一時的に保持されたデータを不揮発性メモリ１２０に書き込む。更に読み書き制御部１０３は、不揮発性メモリ１２０からデータを読み出し該データを一時的にバッファ１０２に保持する。【００７４】
ＣＰＵ１０４は、内部にプログラム用ＲＯＭや作業用のＲＡＭ等を含み、メモリコントローラ１１０Ａ全体を制御するものである。【００７５】
アドレス管理部１０５は、アクセス装置２００Ａのアクセスに伴って転送された論理アドレスを不揮発性メモリ１２０の物理アドレスに変換し、不揮発性メモリ１２０の記録状態等を管理するブロックである。尚、アドレス管理方法については一般的な技術を用いて実現できるので、説明を省略する。【００７６】
アクセスレート制御部１０６Ａは、温度検出部１１１、及び温度適応型制御部１１２を含む。温度検出部１１１はサーミスタ等の温度センサを含み、不揮発性記憶装置１００Ａの温度（以下、温度Ｔという）を検出するものである。【００７７】
温度適応型の温度適応型制御部１１２は、その内部のＲＯＭ等に第１，第２の閾値温度を記憶している。第１の閾値温度は、不揮発性記憶装置を取り扱う上で火傷などの危険性がある温度の下限を示す極限温度（以下、極限温度Ｔｒｉｓｋという）である。第２の閾値温度は第１の閾値温度より低く、火傷の危険性がなく、十分安全と判断できる安全温度（以下、安全温度Ｔｓａｆｅという）である。温度適応型制御部１１２は、アクセスレート制御モード又は非アクセスレート制御モードのいずれかのモードで働くようになっている。アクセスレート制御モードとは、温度センサで測定された温度Ｔと、極限温度Ｔｒｉｓｋ又は安全温度Ｔｓａｆｅとを比較し、その結果を基にしてデータ読み書きの中断やアクセスレートの変更などをするモードである。非アクセスレート制御モードとは、温度Ｔに関係なくアクセス装置２００Ａのアクセスレートに従ってデータを書き込み、データ読み書きの中断やアクセスレートの変更などをしないモードである。【００７８】
続いて、不揮発性メモリ１２０について説明する。図３は、不揮発性記憶装置１００Ａの不揮発性メモリ１２０を示すブロック図である。不揮発性メモリ１２０は１６個のフラッシュメモリ（ＦＭ）３００〜３１５を有しており、読み書き制御部１０３とは、メモリバス３２０〜３２３を用いて接続されている。【００７９】
図４は、フラッシュメモリ３００〜３１５の夫々に含まれる物理ブロックの構成図である。１つのフラッシュメモリは複数の物理ブロックを含んでおり、１つの物理ブロックは、書き込み単位であるページを１２８ページ分備えている。各ページは２０４８バイトのデータ領域と６４バイトの管理領域とを備えている。物理ブロックのデータ領域はアクセス装置２００Ａが転送したデータを記憶し、斜線で示した先頭ページの管理領域に、アクセス装置２００Ａが転送した論理アドレスに基づいてアドレス管理部１０５が生成した論理ブロック番号や物理管理情報を記録する。【００８０】
この構成された不揮発性記憶システムにおける、アクセス装置２００Ａから不揮発性記憶装置１００Ａへのデータ書き込みについて時系列で説明する。図５は、データの書き込み動作時の、アクセス装置２００Ａのデータ送信と受信を示すタイムチャートである。アクセス装置２００Ａは、不揮発性記憶装置１００Ａに対して、まず書き込みコマンドを送信する。次にアクセス装置２００Ａは、不揮発性記憶装置１００Ａに対して１６ｋバイト（クラスタ単位）単位で、順次データを転送する。しかしアクセス装置２００Ａは、不揮発性記憶装置１００Ａからのビジー情報を受信している間はデータの転送を中断する。このような処理を経てファイルデータの転送が終了すると、アクセス装置２００Ａは、不揮発性記憶装置１００Ａに対して転送終了コマンドを送信する。【００８１】
次に、データ書き込みの流れについて、非アクセスレート制御モードとアクセスレート制御モードとに分けて説明する。尚、本実施の形態においては、簡単のためデータ書き込みについてのみ説明し、データ読み出しについての説明は省略する。図６は、メモリコントローラ１１０Ａが行うデータ書き込みの制御を示すフローチャートである。また、本発明に直接関係のない内容や一般的な技術を用いて実現できる内容について、例えば不揮発性メモリ１２０に記憶されるシステム情報や、アドレス管理部１０５の詳細動作などについても、簡単のため説明を省略する。尚、データの書き込みにおいてアクセス装置２００Ａは、論理アドレス０から連続的に１６ｋバイト単位でデータを書き込むものとする。【００８２】
［非アクセスレート制御モードにおけるデータ書き込み動作］
まず、アクセスレートの制御をしない非アクセスレート制御モードにおける、データ書き込みの処理について説明する。図６において、電源投入時の初期化動作は従来のメモリコントローラと同様である。まず、アドレス管理部１０５が、フラッシュメモリ３００〜３１５の各物理ブロックの管理領域に記録された論理ブロック番号や物理管理情報に基づいて、論物変換テーブル等をアドレス管理部１０５内に構成する（Ｓ１００）。以降行われるアクセス装置２００Ａからのデータの書き込みにおいて、メモリコントローラ１１０Ａは該論物変換テーブル等を用いて物理アドレスを決定する。その後メモリコントローラ１１０Ａは、バッファ１０２に一時的に保持されたデータを、読み書き制御部１０３を介してフラッシュメモリ３００〜３１５に書き込む。【００８３】
Ｓ１００での初期化処理の後、メモリコントローラ１１０Ａはアクセス装置２００Ａからの書き込みを指示する書き込みコマンドを待つ（Ｓ１０１）。メモリコントローラ１１０Ａが、アクセス装置２００Ａから書き込みコマンドを受信すると、ＣＰＵ１０４は、書き込みコマンドの引数として転送される論理アドレスをアドレス管理部１０５に渡す。アドレス管理部１０５は、該論理アドレスに基づき物理ブロックを決定する。更にＣＰＵ１０４は、書き込みコマンドに後続して転送されるデータを、ライトポインタＷＰに従って、領域０から昇順にバッファ１０２に一時的に保持させる（Ｓ１０２）。【００８４】
バッファ１０２に２ｋバイト分のデータが保持された時点で、読み書き制御部１０３は、バッファ１０２に一時的に保持されたデータをリードポインタＲＰに従ってバッファ１０２から読み出し、不揮発性メモリ１２０に書き込む（Ｓ１０３）。このようなＳ１０２とＳ１０３の処理を、アクセス装置２００Ａから１６ｋバイト分のデータが転送されるまで繰り返す（Ｓ１０４）。尚、Ｓ１０２及びＳ１０３で行われる、アクセス装置２００Ａ、バッファ１０２、及び不揮発性メモリ１２０のデータ転送や書き込みのタイミングと、不揮発性メモリ１２０の温度上昇については後述する。【００８５】
Ｓ１０４の後、ＣＰＵ１０４は、モード切替スイッチ１３０の状態に応じて、アクセスレート制御モードか非アクセスレート制御モードかを判別する（Ｓ１０５）。ここで説明している非アクセスレート制御モードの場合は、処理がＳ１０９に移る。【００８６】
続いて、ＣＰＵ１０４はアクセス装置２００Ａから転送終了コマンドを受信したかどうかを判別する（Ｓ１０９）。転送終了コマンドを受信した場合は、ステップＳ１０１に移り、次のコマンドを待つ。一方、転送終了コマンドを受信しなかった場合は、ステップＳ１０２に移り、バッファ１０２に一時的に保持されたデータの不揮発性メモリ１２０への書き込み処理を継続する。以上が、非アクセスレート制御モードでのデータ書き込み処理の説明である。【００８７】
以下に、Ｓ１０２及びＳ１０３における、データ転送及び書き込みのタイミングと、不揮発性メモリ１２０の温度上昇について説明する。図７は、高速アクセスがなされている場合に、アクセスレートの制御をしないときの不揮発性メモリ１２０へのデータの書き込みを示すタイムチャートである。図７は、アクセス装置２００Ａからのデータの転送、バッファ１０２からのデータ読み出し、及び各フラッシュメモリ３００〜３１５に対するデータの書き込みを時系列で示している。本図で付された０から始まる番号は、アクセス装置２００Ａから転送されるデータに２ｋバイト単位で付したものである。以下、例えば番号０を付されたデータをデータ０とする。また、８単位、例えばデータ０からデータ７は、１６ｋバイトのデータを表している。【００８８】
まず、アクセス装置２００Ａからバッファ１０２にデータ０から順にデータが転送される。アクセス装置２００Ａは、バッファ１０２へのデータ０の転送が終わると、データ１の転送を始めるが、このとき読み書き制御部１０３はバッファ１０２よりデータ０を読み出し始めている。つまり図７では、データ１のアクセス装置２００Ａからバッファ１０２への転送と、データ０のバッファ１０２からの読み出しとが同時であることを示している。更に図７に示すように、読み書き制御部１０３はバッファ１０２から読み出されたデータ０をフラッシュメモリ３００に転送し、データ１をフラッシュメモリ３０１に転送する。このようにして書き込みデータは、データ０から順に、フラッシュメモリ３００〜３１５に転送される。【００８９】
フラッシュメモリ３００〜３１５への書き込みを示す時系列において、斜線を施していない転送期間Ｐｔ（約６７μＳ）は、読み書き制御部１０３がメモリバスを介して書き込みデータを不揮発性メモリ１２０内のＩ／Ｏレジスタ（図示せず）に転送する期間を示している。また、斜線を施している書き込み期間Ｐｐ（約２００μＳ）は、フラッシュメモリがＩ／Ｏレジスタに転送されたデータを物理ブロックのページに書き込む期間を示している。このとき図７に示すように、２ｋバイト毎に、フラッシュメモリ３００から順にフラッシュメモリ３１５までデータを書き込み、巡回的な書き込みを繰り返す。更に図７は、フラッシュメモリ３００〜３１５の全てが、休止することなくデータの書き込みを続けることを示している。【００９０】
このようにアクセス装置２００Ａから８ｋバイト分のデータが６７μＳで転送される場合、次の式（１）により、アクセスレートは約１２０Ｍバイト／Ｓとなる。
８ｋバイト／６７μＳ≒１２０Ｍバイト／Ｓ  ・・・（１）【００９１】
このような状態での不揮発性記憶装置１００Ａの温度上昇について説明する。不揮発性記憶装置１００Ａにおける消費電力のうちの主なものは、フラッシュメモリ３００〜３１５への書き込み動作の転送期間Ｐｔ及び書き込み期間Ｐｐにおいて消費する電力である。図７のように、１６個のフラッシュメモリ３００〜３１５が定常的に同時に動作している場合、フラッシュメモリ３００〜３１５の電源電圧を３．３Ｖ、Ｐｔ及びＰｐでの消費電流を１０ｍＡとすると、不揮発性記憶装置１００Ａの定常的な消費電力Ｑは、次の式（２）により、約５２８ｍＷとなる。
３．３Ｖ×１０ｍＡ×１６＝５２８ｍＷ  ・・・（２）
尚、通常集積回路で実現されたメモリコントローラ１１０Ａの消費電力は、フラッシュメモリ３００〜３１５の消費電力より十分小さいので、簡単のため無視する。【００９２】
不揮発性メモリ３００〜３１５への書き込みにおいて、不揮発性記憶装置１００Ａの平均上昇温度△Ｔは、「電子機器の小型化・高速化に対応した熱対策と熱シミュレーション技術（１９９１）  著者：石塚勝ほか」から引用した式である式（３）によって近似的に求めることができる。但しＱは、式（２）によって求められた消費電力値、０．５２８Wである。Ｓは、不揮発性記憶装置１００Ａの表面積を示す。
△Ｔ＝｛Ｑ／（１．７８×Ｓ）｝0.8  ・・・（３）
ここで不揮発性記憶装置１００ＡがＳＤメモリカードである場合には、その表面積Ｓは、以下の式で求められる。
Ｓ≒｛（０．０３２×０．０２４）＋（０．０３２×０．００２１）
＋（０．０２４×０．００２１）｝×２
＝  １．７７×１０−３  ｍ２
この値Ｓを用いると（３）よりΔＴは約６０℃となる。【００９３】
ここで、不揮発性記憶装置１００Ａの周囲の温度（以下、周囲温度ＴＥという）を２５℃とすると、不揮発性記憶装置１００Ａの温度Ｔは周囲温度ＴＥと上昇温度△Ｔの和、即ち温度Ｔ＝８５℃にまで上昇することがわかる。尚、不揮発性記憶装置１００Ａをアクセス装置２００Ａの内部に装着して使用する場合は、周囲温度ＴＥはアクセス装置２００Ａ内における不揮発性記憶装置１００Ａの周囲の温度となるため、周囲温度ＴＥは必ずしも２５℃となるわけではない。即ち、周囲温度ＴＥはアクセス装置２００Ａの種類によって異なるが、ここでは不揮発性記憶装置１００Ａを製造する際の品質基準を用いた。【００９４】
ここで図８は、不揮発性記憶装置１００Ａの温度変化を表すグラフであり、前述した高速アクセス時の書き込み処理に対応する温度Ｔの時間特性は、図８の実線Ａで示すグラフとなる。書き込み開始時刻における温度Ｔは周囲温度ＴＥである２５℃である。その後温度Ｔは、データの書き込みによって、次第に周囲温度ＴＥに式（３）で算出した上昇温度ΔＴを加えた飽和温度、ここでは８５℃に漸近していく。飽和温度に対して約６３％の割合まで上昇する時間、即ち熱時定数は、不揮発性記憶装置１００Ａのアクセスの仕方や材質等によってさまざまであるが、例えばあるメモリカードに連続的にデータを書き込む場合、概ね２〜３分のオーダーである。【００９５】
次に図９を用いて、低速アクセス時について説明する。図９は、アクセスレートの制御をしない場合の不揮発性メモリ１２０へのデータの書き込みを示すタイムチャートであり、低速アクセスがなされている場合を示している。【００９６】
図９において、アクセス装置２００Ａから転送されるデータのアクセスレートは、高速アクセスの場合の半分の約６０Ｍバイト／Ｓとする。図９では、アクセス装置２００Ａからの転送及び、バッファ１０２からの読み出しのレートが、高速アクセスの場合と比べて約半分になっている。しかし、例えばフラッシュメモリ３００でのデータ０の転送期間Ｐｔは、高速アクセスの場合と同じく約６７μＳであり、データ０の書き込み期間は、約２００μＳである。図９は、このようにアクセスレートを半分にすると、各フラッシュメモリ３００〜３１５において書き込み休止期間が、書き込み期間とほぼ同じ割合で生じることを示している。尚、書き込み休止期間とはデータの転送も書き込みも行われない時間である。不揮発性メモリ１２０の電力消費値Ｑは、高速アクセス時の消費電力に対して約半分の２６４ｍＷとなる。不揮発性記憶装置をＳＤカードとすると、上昇温度△Ｔは次の式（４）に示すように約３５℃となる。
△Ｔ＝｛Ｑ／（１．７８×Ｓ）｝0.8  ≒３５℃  ・・・（４）
上記の上昇温度△Ｔに、周囲温度ＴＥの２５℃を加えることにより、飽和温度Ｔは６０℃になることがわかる。【００９７】
ここで極限温度Ｔｒｉｓｋを６０℃とすると、低速アクセス時の書き込み処理に対応する温度Ｔの時間特性は、図８の破線Ｂで示すグラフとなる。書き込み開始時刻における温度Ｔは周囲温度ＴＥである２５℃であり、その後温度Ｔは、書き込み処理によって消費した電力によって次第に飽和温度である６０℃に漸近していく。以上のことから、低速アクセスの場合は、永続的にデータを書き込み続けても、極限温度Ｔｒｉｓｋを超えることはなく、結果として火傷の危険性がないことがわかる。【００９８】
尚図７では、図の表記を簡便にするため、アクセス装置２００Ａ及びバッファ１０２から８ｋバイト分のデータが転送される期間と期間Ｐｔとを、ほぼ同一の時間として示しているが、これら期間は必ずしも同一の時間でなくてもよい。同様に図９においては、アクセス装置２００Ａ及びバッファ１０２から４ｋバイト分のデータが転送される期間と期間Ｐｔとを、ほぼ同一の時間として示しているが、これら期間は必ずしも同一の時間でなくてもよい。【００９９】
またアクセス装置２００Ａは、高速アクセスと低速アクセスとを選択することとしてもよい。例えば、デジタルスチルカメラの高速連写モードなどは高速アクセスとし、通常の撮影モードは低速アクセスとするように決定することができる。【０１００】
［アクセスレート制御モードにおけるデータ書き込み動作］
次に、アクセスレート制御モードにおけるデータ書き込み動作について、図６を用いて説明する。尚図６のＳ１００〜Ｓ１０４は、前述した非アクセスレート制御モードにおけるデータ書き込み動作と同様であるので、説明を省略する。【０１０１】
Ｓ１０４に続いて、ＣＰＵ１０４がモード切替スイッチ１３０の状態により、アクセスレート制御モードが選択されていると判断する（Ｓ１０５）。次に、温度適応型制御部１１２が、温度検出部１１１が検出した不揮発性記憶装置１００Ａの温度Ｔと極限温度Ｔｒｉｓｋとを比較する（Ｓ１０６）。【０１０２】
Ｓ１０６で、温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋより大きいと判断された場合、温度適応型制御部１１２が、読み書き制御部１０３のデータ書き込みを中断させ、アクセス装置２００Ａにビジー情報を送信する（Ｓ１０７）。温度適応型制御部１１２は、ビジー情報を送信しながら、温度Ｔが安全温度Ｔｓａｆｅを下回ったかどうかを判断する（Ｓ１０８）。Ｓ１０８で、温度Ｔが安全温度Ｔｓａｆｅを下回ったと判断されなければステップＳ１０７へ戻るので、Ｓ１０８で温度Ｔが安全温度Ｔｓａｆｅを下回るまでビジー情報が送信される。【０１０３】
Ｓ１０８で温度Ｔが安全温度Ｔｓａｆｅを下回ったと判断されれば、ＣＰＵ１０４は、メモリコントローラ１１０Ａがアクセス装置２００Ａからの転送終了コマンドを受信したかどうかを判別する（Ｓ１０９）。転送終了コマンドを受信した場合は、ステップＳ１０１に移り、次の読み書き指示を待つ。一方、転送終了コマンドを受信しなかった場合は、ステップＳ１０２に移り、バッファ１０２に一時的に保持されたデータの不揮発性メモリ１２０へのデータの書き込みを継続する。【０１０４】
次に図１０及び図１１を用いて、アクセスレート制御モードにおける、不揮発性記憶装置１００Ａの温度上昇について説明する。図１０は、前述したアクセスレート制御モードにおいて、高速アクセス時のデータの書き込みを示すタイムチャートである。図１０では時刻ｔｒでデータ転送を中断し、時刻ｔｓでデータ転送を再開している。また、図１１は、図１０の書き込み処理に対応する温度Ｔの時間特性を示すグラフである。図１１において、書き込み開始時刻ｔ０における温度Ｔは周囲温度ＴＥである２５℃に等しく、その後温度Ｔはデータ書き込みで消費した電力によって次第に飽和温度である８５℃に漸近していく。しかし、温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋを超えた時刻ｔｒで、図６におけるＳ１０７の処理により、アクセス装置２００Ａのデータ転送及び読み書き制御部１３０のデータ書き込みが中断されるため、温度Ｔが低下し始める。温度Ｔが安全温度Ｔｓａｆｅを下回った時刻ｔｓで、アクセス装置２００Ａのデータ転送及び読み書き制御部１３０の書き込みが再開され、再び温度Ｔが上昇し始める。【０１０５】
以上のように、本実施の形態に示す不揮発性記憶システムは、温度検出部１１１が検出した不揮発性記憶装置１００Ａの温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋを超えた時に、温度適応型制御部１１２が、読み書き制御部１０３の書き込み動作を中断させると共に、ビジー情報をアクセス装置２００Ａに送信しアクセス装置２００Ａのデータ転送を中断させる。更に温度Ｔが、安全温度Ｔｓａｆｅより低くなったときにデータ書き込みとデータ転送を再開する。これによりアクセスレートを制御することができ、高速のデータ書き込みにおいても、不揮発性記憶装置１００Ａの温度上昇によるユーザの火傷を回避することができる。【０１０６】
尚、温度適応型制御部１１２は、第３の閾値温度として極限温度Ｔｒｉｓｋよりも低い極限温度Ｔｒｉｓｋ２のデータを保持してもよい。この温度Ｔｒｉｓｋ２は、不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す温度であり、安全温度Ｔｓａｆｅより高い温度とする。温度適応型制御部１１２は、温度Ｔがこの極限温度Ｔｒｉｓｋ２を超えた時に読み書き制御部１０３のデータ書込みを高速アクセスから低速アクセスに切り替える。これと共に温度適応型制御部１１２は、アクセス装置２００Ａに対して低速アクセスへ切り替える指示を送信し、アクセス装置２００Ａのデータ転送を高速アクセスから低速アクセスに切り替えるようにしてもよい。また温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋ２より低くなったときにデータ書込みを低速アクセスから速高アクセスに切り替える。そして温度適応型制御部１１２は、アクセス装置２００Ａに対して速アクセスへ切り替える指示を送信し、アクセス装置２００Ａのデータ転送を低速アクセスから高速アクセスに切り替える。【０１０７】
尚、本実施の形態においては、データ書き込みについて説明したが、読み出し動作においても上記に説明したものと同様の処理を経て、アクセスレートの制御を行うことができる。尚、極限温度Ｔｒｉｓｋ及び安全温度Ｔｓａｆｅは、不揮発性記憶装置１００Ａの製造における品質基準により決められるものであり、様々な値をとることができる。また温度検出部１１１を、メモリコントローラ１１０Ａの外部に備えても上述した本実施の形態と同じ効果を得ることができる。【０１０８】
（第２の実施の形態）
図１２は、本発明の第２の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。本実施の形態の不揮発性記憶システムは、図１２に示すように不揮発性記憶装置１００Ｂと、不揮発性記憶装置１００Ｂが装着されるアクセス装置２００Ｂとを含んで構成される。【０１０９】
不揮発性記憶装置１００Ｂのメモリコントローラ１１０Ｂは、アクセスレート制御部１０６Ｂを含んでいる。更にアクセスレート制御部１０６Ｂは、ステータス情報生成部１１３を含んでいる。本実施の形態において、ステータス情報生成部１１３以外は、第１の実施の形態のものと同様であり、第１の実施の形態と同じ符号で示している。【０１１０】
一方アクセス装置２００Ｂは表示部２０１に加えて制御部２０３及び冷却部２０４を有している。制御部２０３は不揮発性記憶装置１００Ｂから与えられるステータス情報に基づいて不揮発性記憶装置１００Ｂに対するアクセスを制御すると共に、冷却部２０４を駆動するものである。冷却部２０４は、例えばファン等の空冷装置やペルチェ素子などの電気的冷却部等であって、不揮発性記憶装置１００Ｂを冷却するものである。【０１１１】
次に不揮発性記憶装置１００Ｂのアクセスレート制御部１０６Ｂ内のステータス情報生成部１１３について説明する。ステータス情報生成部１１３は、不揮発性記憶装置の状態を示すステータス情報を生成し、生成した情報をアクセス装置２００Ｂに送信するものである。ステータス情報とは、温度Ｔ、警告情報、アクセスレート制御実施情報、読み書き許容時間ｔｘ、読み書き許容サイズＳｘであり、後に詳細に説明する。ステータス情報生成部１１３は、その内部に、後述する式（５−１）〜式（５−４）を実行するプログラムを含むＲＯＭと演算器とを備えており、読み書き許容時間ｔｘを算出する。ステータス情報生成部１１３は、その内部に、式（５−１）〜式（５−４）に対応するテーブルを備えておき、該テーブルを参照することでも読み書き許容時間ｔｘを求めることができる。更にステータス情報生成部１１３は、その内部に、後述する式（６−１）及び式（６−２）を実行するプログラムを含むＲＯＭと演算器とを備えており、読み書き許容サイズＳｘを算出する。ステータス情報生成部１１３は、その内部に、式（６−１）及び式（６−２）に対応するテーブルを備えておき、該テーブルを参照することでも読み書き許容サイズＳｘを求めることができる。【０１１２】
次に、ステータス情報について説明する。ステータス情報のうち、温度Ｔは、温度検出部１１１が検出した不揮発性記憶装置１００Ｂの温度である。【０１１３】
警告情報は、例えば１ビットのフラグで構成される。このフラグは、不揮発性記憶装置１００Ｂの温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋより高温になっているかどうかを示す。【０１１４】
アクセスレート制御実施情報は、例えば１ビットのフラグで構成される。このフラグは、温度適応型制御部１１２が現在、アクセスレートの制御を実施しているか否かを示す。【０１１５】
読み書き許容時間ｔｘは、温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋに達するまでのデータ読み書きの許容時間である。読み書き許容時間ｔｘは、次の各式（５−１）〜（５−４）によって求められる。但し、Ｔは不揮発性記憶装置１００Ｂの温度、Ｒｗは書き込み時のアクセスレート、Ｒｒは読み出し時のアクセスレート、ｔはアクセスが行われる時間である。ＴＥは不揮発性記憶装置１００Ｂの周囲温度であり、本実施の形態では固定値で２５℃と置いている。
書き込みの場合
Ｔ＝Ｆｗ（Ｒｗ，ｔ）＋ＴＥ  ・・・（５−１）
ｔｘ＝Ｇｗ（Ｒｗ，Ｔ，Ｔｒｉｓｋ）  ・・・（５−２）
読み出しの場合
Ｔ＝Ｆｒ（Ｒｒ，ｔ）＋ＴＥ  ・・・（５−３）
ｔｘ＝Ｇｒ（Ｒｒ，Ｔ，Ｔｒｉｓｋ）  ・・・（５−４）
尚、アクセスレートＲｗ及びＲｒはいずれも、バッファ１０２のライトポインタＷＰ、あるいはリードポインタＲＰのインクリメント時間をカウンタ等で計数し、該計数値（時間）で２ｋバイトを除算して導いたものである。ＦｗとＦｒは、アクセスレートＲｗあるいはＲｒと時間ｔとを変数として、不揮発性記憶装置１００Ｂの平均の上昇温度△Ｔを一意に求める関数である。これらの関数は、不揮発性記憶措置１１０Ｂの製造時において、温度実験やシミュレーションによって近似計算式として導出することが可能であり、第１の実施の形態の図８で示したような積分特性となる。ＧｗとＧｒは、温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋに達する迄の時間、即ち読み書き許容時間ｔｘを一意に求める関数であり、夫々ＦｗとＦｒに基づいて求めることができる。【０１１６】
読み書き許容サイズＳｘは、温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋに達するまでのデータ読み書き許容サイズである。読み書き許容サイズＳｘは、次の式（６−１）及び式（６−２）によって求められる。但し、ｔｘは式（５−２）又は式（５−４）で求めた読み書き許容時間である。
書き込みの場合
Ｓｘ＝ｔｘ×Ｒｗ  ・・・（６−１）
読み出しの場合
Ｓｘ＝ｔｘ×Ｒｒ  ・・・（６−２）【０１１７】
以上のように構成された不揮発性記憶システムにおいて、アクセス装置２００Ｂから不揮発性記憶装置１００Ｂへのデータ書き込みについて時系列で説明する。図１３は、データの書き込み動作時の、アクセス装置２００Ｂのデータ送信と受信を示すタイムチャートである。アクセス装置２００Ｂは、不揮発性記憶装置１００Ｂに対して、まず書き込みコマンドを送信する。次にアクセス装置２００Ｂは、不揮発性記憶装置１００Ｂからのステータス情報ＳＴを受信する。ステータス情報を受信したアクセス装置２００Ｂは、不揮発性記憶装置１００Ｂに対して１６ｋバイト（クラスタ単位）のデータを転送する。データの転送を終えると、不揮発性記憶装置１００Ｂからのステータス情報を受信する。このようにアクセス装置２００Ｂは、１６ｋＢのデータの送信とステータス情報の受信を交互に行いながら、不揮発性記憶装置１００Ｂにファイルデータを転送する。アクセス装置２００Ｂは、不揮発性記憶装置１００Ｂからのビジー情報を受信している間、データの転送を中断する。このような処理を経てファイルデータの転送が終了すると、アクセス装置２００Ｂは、不揮発性記憶装置１００Ｂに対して転送終了コマンドを送信する。【０１１８】
次に、データ書き込みの流れについて説明する。図１４のステップＳ１００〜Ｓ１０９の非アクセスレート制御モード及びアクセスレート制御モードでの動作は、第１の実施の形態と同様であるので、説明は省略する。以下に、本図で新たに加わるステップＳ１２０について説明する。【０１１９】
図１４のステップＳ１０４の後、ステータス情報生成部１１３は、ステータス情報を生成して該ステータス情報をアクセス装置２００Ｂに通知する（Ｓ１２０）。アクセス装置２００Ｂの制御部２０３は、表示部２０１に通知されたステータス情報を表示させ、またステータス情報に応じて冷却部２０４を動作させて不揮発性記憶装置１００Ｂを冷却する。以下この処理について詳細に説明する。【０１２０】
上述したステータス情報のうち、少なくとも１つがアクセス装置２００Ｂに通知されると、アクセス装置２００Ｂは通知されたステータス情報に基づいて、以下の（１）〜（５）に示す動作を行う。【０１２１】
（１）ステータス情報生成部１１３が、ステータス情報として温度Ｔをアクセス装置２００Ｂに通知すると、アクセス装置の制御部２０３は表示部２０１に温度Ｔを表示させる。制御部２０３は、その内部に極限温度Ｔｒｉｓｋ及びＴｓａｆｅを記憶したＲＯＭを備えている。そして通知された温度Ｔと温度ＴｒｉｓｋとＴｓａｆｅとを比較し、該温度がＴｒｉｓｋより高いときは冷却部を駆動し、Ｔｓａｆｅより低いときは冷却部を停止する。【０１２２】
（２）ステータス情報生成部１１３が、ステータス情報として警告情報をアクセス装置２００Ｂに通知すると、アクセス装置の制御部２０３は表示部２０１に警告情報を表示する。また制御部２０３は、警告情報を受信したときに、ある一定時間だけ冷却部２０４を駆動させる。【０１２３】
（３）ステータス情報生成部１１３が、ステータス情報としてアクセスレート制御実施情報をアクセス装置２００Ｂに通知すると、アクセス装置の制御部２０３はアクセスレート制御の実施状態を表示部２０１に表示する。また制御部２０３は、アクセスレート制御実施情報を受信して、現在のアクセスレートが低下しているときに、ある一定時間だけ冷却部２０４を駆動させる。【０１２４】
（４）ステータス情報生成部１１３が、ステータス情報として読み書き許容時間ｔｘを生成し、アクセス装置２００Ｂに通知する。この場合アクセス装置の制御部２０３は読み書き許容時間ｔｘを表示部２０１に表示する。また制御部２０３は、閾値となる時間（閾値時間）を予め記憶したＲＯＭを備えているので、読み書き許容時間ｔｘがその閾値となる時間よりも短いときに、ある一定時間だけ冷却部２０４を駆動する。例えば閾値時間を１分とすると、１クラスタのデータ転送毎に送られてくる読み書き許容時間ｔｘが１分以下となったときに、冷却部２０４を駆動する。この閾値時間は、不揮発性記憶装置１００Ｂの温度がＴｒｉｓｋを超えないように、アクセス装置２００Ｂが冷却部２０４の駆動を開始する時間である。【０１２５】
（５）ステータス情報生成部１１３が、ステータス情報として読み書き許容サイズＳｘを生成し、アクセス装置２００Ｂに通知する。この場合アクセス装置の制御部２０３は読み書き許容サイズＳｘを表示部２０１に表示する。また制御部２０３は、閾値となるデータサイズ（閾値サイズ）を予め記憶したＲＯＭを備えているので、読み書き許容サイズＳｘがその閾値となるデータサイズよりも小さいときに、ある一定時間だけ冷却部２０４を駆動する。例えば閾値データサイズを３２ｋＢとすると、１クラスタのデータ転送毎に送られてくる読み書き許容時間Ｓｘが３２ｋＢ以下となったときに、冷却部２０４を駆動する。この閾値サイズは、不揮発性記憶装置１００Ｂの温度がＴｒｉｓｋを超えないように、アクセス装置２００Ｂが冷却部２０４の駆動を開始するデータサイズである。【０１２６】
各ステータス情報は上述のように用いられるが、ステータス情報生成部１１３は、上記５種類のステータス情報のうち１種類だけを生成して、アクセス装置２００Ｂに通知してもよいし、複数種類のステータス情報を生成して、アクセス装置２００Ｂに通知してもよい。どのステータス情報を表示部２０１に表示するか、又はどのステータス情報によって冷却部２０４の駆動を決定するかは、アクセス装置２００Ｂの設計、あるいは設定によるものであって様々に変更が可能である。【０１２７】
（第３の実施の形態）
図１５は、本発明の第３の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。本実施の形態の不揮発性記憶システムは、不揮発性記憶装置１００Ｃとアクセス装置２００Ａとを含んで構成される。不揮発性記憶装置１００Ｃのメモリコントローラ１１０Ｃは、アクセスレート制御部１０６Ｃに、温度算出部１１４を含んでいる。温度算出部１１４は、サーミスタなどのセンサを用いるものではなく、第２の実施の形態で説明した式（５−１）及び式（５−３）に基づく近似計算により、不揮発性記憶装置１００Ｃの温度Ｔを求めるものである。本実施の形態において、アクセス装置２００Ａ及び不揮発性記憶装置１００Ｃは、温度算出部１１４以外は第１の実施の形態のものと同様であり、第１の実施の形態と同じ符号で示している。尚この近似計算においても、アクセス開始時の周囲温度ＴＥを固定値、例えば２５℃とする。【０１２８】
本実施の形態における不揮発性記憶システムは、第１の実施の形態の温度検出部１１１が温度算出部１１４に置き換えられただけのものである。よって、温度算出部１１４が算出した温度Ｔを用いて、第１の実施の形態で説明した不揮発性記憶システムと同様の動作を行うことができる。【０１２９】
この実施の形態においても温度適応型制御部１１２は、第３の閾値温度として極限温度Ｔｒｉｓｋよりも低い極限温度Ｔｒｉｓｋ２のデータを保持してもよい。この温度Ｔｒｉｓｋ２は、不揮発性記憶装置を取り扱う上で危険な温度に迫っていることを示す温度であり、安全温度Ｔｓａｆｅより高い温度とする。温度適応型制御部１１２は、温度Ｔがこの極限温度Ｔｒｉｓｋ２を超えた時に読み書き制御部１０３のデータ書込みを高速アクセスから低速アクセスに切り替える。これと共に温度適応型制御部１１２は、アクセス装置２００Ａに対して低速アクセスへ切り替える指示を送信し、アクセス装置２００Ａのデータ転送を高速アクセスから低速アクセスに切り替えるようにしてもよい。【０１３０】
本実施の形態では、温度算出部１１４が近似計算により温度Ｔを算出するようにしたので、不揮発性記憶装置１００Ｃにサーミスタなどの温度センサを実装する必要が無い。従って不揮発性記憶装置１００Ｃの小型化あるいはコスト面において有利になる。【０１３１】
（第４の実施の形態）
図１６は、本発明の第４の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。本実施の形態の不揮発性記憶システムは、不揮発性記憶装置１００Ｄとアクセス装置２００Ｄとを含んで構成される。不揮発性記憶装置１００Ｄのメモリコントローラ１１０Ｄは、データサイズ適応型のアクセスレート制御部１０７を含んでいる。アクセス装置２００Ｄは、表示部２０１と制御部２０５とを含んで構成される。【０１３２】
本実施の形態の不揮発性記憶システムにおいて、アクセスレート制御部１０７と制御部２０５だけが第１の実施の形態の不揮発性記憶システムと異なる。これらの制御部以外は、第１の実施の形態のものと同様であり、第１の実施の形態と同じ符号で示している。【０１３３】
アクセスレート制御部１０７は、アクセス装置２００Ｄが指定するデータサイズに基づいて、アクセス時に不揮発性記憶装置１００Ｄが第１の閾値温度Ｔｒｉｓｋを超えないアクセスレートを算出し、算出したアクセスレートをアクセスレート情報（ＡＲ）としてアクセス装置２００Ｄに通知するものである。【０１３４】
アクセス装置２００Ｄの制御部２０５は、表示部２０１を含むアクセス装置２００Ｄを制御する。更に制御部２０５は、不揮発性記憶装置１００Ｄに対して、転送するデータのサイズを送信し、不揮発性記憶装置１００Ｄからデータ転送のアクセスレートを受信する。そしてアクセス装置２００Ｄは、そのアクセスレートに従って不揮発性記憶装置１００Ｄにアクセスし、１６ｋバイト（クラスタ単位）毎でファイルデータを転送する。【０１３５】
以上のように構成された、本実施の形態における不揮発性記憶システムについて説明する。また、本実施の形態においては、簡単のためデータの書き込み動作のみについて説明し、読み出し動作の説明は省略する。【０１３６】
図１７は、アクセス装置２００Ｄのデータの書き込み動作を示すタイムチャートである。図１７においてアクセス装置２００Ｄが不揮発性記憶装置１００Ｄにデータの書き込む場合、まずアクセス装置２００Ｄは、書き込みコマンドと書き込むデータの総容量（以下、データサイズという）を不揮発性記憶装置１００Ｄに転送する。【０１３７】
図１７では、アクセス装置２００Ｄは１６ｋバイト単位のデータを、転送休止期間を挟んで次々と転送している。アクセス装置２００Ｄが１６ｋバイトのデータを転送する周期を転送周期Ｐａ、１６ｋバイトのデータを転送する時間を転送所要時間Ｐｄとして表している。尚、転送所要時間Ｐｄは、アクセス装置２００Ｄの性能によって決まる。アクセス装置２００Ｄは転送周期Ｐａと転送所要時間Ｐｄの比率を、不揮発性記憶装置１００Ｄから通知されるアクセスレート情報によって決める。【０１３８】
次に、転送周期Ｐａと転送所要時間Ｐｄの比率とアクセスレートの関係について説明する。アクセス装置２００Ｄとホストインターフェース１０１を接続する外部バスのビット幅を４ビット、アクセス装置２００Ｄの転送クロック周波数を２４０ＭＨｚとすると、次の式（７）により転送所要時間Ｐｄは約１３３μＳとなる。
Ｐｄ＝１６ｋＢ／（２４０ＭＨｚ×０．５Ｂ）≒１３３μＳ  ・・・（７）【０１３９】
尚、転送周期Ｐａが転送所要時間Ｐｄと等しい場合、即ち転送休止期間が無い場合には、次の式（８）によりアクセスレートＲｗは１２０ＭＢ／Ｓとなる。
Ｒｗ＝１６ｋＢ／Ｐａ＝１６ｋＢ／Ｐｄ＝１２０ＭＢ／Ｓ  ・・・（８）【０１４０】
不揮発性記憶装置１００Ｄから通知されるアクセスレートをＲｗとし、Ｐａ＝Ｐｄとなる時のアクセス装置２００Ｄの書き込み処理におけるアクセスレートをＲｍａｘであるとすると、次の式（９）が成り立つ。このときＲｍａｘは、１２０Ｍバイト／Ｓである。
Ｐｄ／Ｐａ＝Ｒｗ／Ｒｍａｘ  ・・・（９）【０１４１】
この式（９）で、Ｒｗを６０Ｍバイト／Ｓとすると、Ｐｄ＝Ｐａ／２となる。この場合、転送周期Ｐａは転送所要時間Ｐｄの２倍となる。【０１４２】
尚、制御部２０５は、式（９）とＲｗに基づいて決定した転送周期Ｐａと転送所要時間Ｐｄの比率に従って、カウンタ等を用いて転送所要時間Ｐｄと転送周期Ｐａに要する時間を管理すると共に、１６ｋバイト毎のデータの転送開始時刻を制御する。【０１４３】
次に図１８を用いて、メモリコントローラ１１０Ｄの書き込み制御について説明する。電源立ち上げ時の初期化動作においては、アドレス管理部１０５がフラッシュメモリ３００〜３１５内の物理ブロックの管理領域に記録された論理ブロック番号や物理管理情報に基づいて、論物変換テーブル等をアドレス管理部１０５内に構成する（Ｓ２００）。以降のアクセス装置２００Ｄからのデータの書き込みにおいて、メモリコントローラ１１０Ｄは該論物変換テーブル等を用いて物理アドレスを決定する。その後メモリコントローラ１１０Ｄは、バッファ１０２に一時的に保持されたデータを、読み書き制御部１０３を介してフラッシュメモリ３００〜３１５に書き込む。【０１４４】
Ｓ２００での初期化処理の後、メモリコントローラ１１０Ｄはアクセス装置２００Ｄからのデータの書込みを指示する書き込みコマンドを待つ（Ｓ２０１）。メモリコントローラ１１０Ｄが、アクセス装置２００Ｄから書き込みコマンドを受信すると、ＣＰＵ１０４は書き込みコマンドの引数として転送される論理アドレスをアドレス管理部１０５に渡す。アドレス管理部１０５は該論理アドレスに基づき物理ブロックを決定する。【０１４５】
更にＣＰＵ１０４は、書き込みコマンドに後続して転送されるデータサイズをアクセスレート制御部１０７に転送する。アクセスレート制御部１０７は、転送されたデータサイズと、式（１０−１）及び式（１０−２）に基づきアクセスレートを決定する（Ｓ２０２）。但し、Ｒｗは書き込み時のアクセスレート、Ｒｒは読み出し時のアクセスレート、Ｄｓはデータサイズである。
書き込みの場合
Ｒｗ＝Ｈｗ（Ｄｓ）  ・・・（１０−１）
読み出しの場合
Ｒｒ＝Ｈｒ（Ｄｓ）  ・・・（１０−２）
尚、ＨｗとＨｒは、データサイズＤｓを変数として、不揮発性記憶装置１００Ｄの温度Ｔが第１の閾値温度である極限温度Ｔｒｉｓｋを超えない範囲において、アクセスレートＲｗとＲｒが最も高速となる値を一意的に導く関数である。この関数は、不揮発性記憶装置１００Ｄの製造時において、温度実験やシミュレーションによって近似計算式として導出することが可能である。尚、アクセスレート制御部１０７内に、式（１０−１）及び式（１０−２）に対応するテーブルを備えておき、該テーブルを参照することによりアクセスレートＲｗもしくはＲｒを求めるようにしても構わない。【０１４６】
アクセスレート制御部１０７は、このように算出されたアクセスレートＲｗをアクセス装置２００Ｄに通知する（Ｓ２０３）。【０１４７】
アクセス装置２００Ｄは、通知されたアクセスレートに基づいて転送周期Ｐａと転送所要時間Ｐｄの比率を決定する。アクセス装置２００Ｄは、この比率に従ってデータを１６ｋバイト単位毎に不揮発性記憶装置１００Ｄに転送する。該データは、ライトポインタＷＰで示す領域からバッファ１０２に一時的に保持される（Ｓ２０４）。データがバッファ１０２に２ｋバイト分保持された時点で、読み書き制御部１０３はバッファ１０２に保持されたデータをリードポインタＲＰに従ってバッファ１０２から読み出し、不揮発性メモリ１２０へ書き込む（Ｓ２０５）。このようなＳ２０４とＳ２０５の処理を、アクセス装置２００Ｄから１６ｋバイト分のデータが転送されるまで繰り返す（Ｓ２０６）。尚、Ｓ２０４、Ｓ２０５で行われているデータ転送や書き込みのタイミングは、第１の実施の形態と同様である。【０１４８】
その後、ＣＰＵ１０４がアクセス装置２００Ｄから転送終了コマンドを受信したか否かを判断する（Ｓ２０７）。転送終了コマンドを受信した場合はＳ２０１に移り、次の読み書き指示を待つ。一方、ＣＰＵ１０４がアクセス装置２００Ｄから転送終了コマンドを受信しなかった場合はＳ２０４に移り、データは順次、バッファ１０２へ一時的に保持される。【０１４９】
以上のように、第４の実施の形態に示す不揮発性記憶システムでは、アクセス装置２００Ｄが指定するデータサイズに基づいて、アクセスレート制御部１０７がアクセスレートを決定する。アクセスレート制御部１０７は、このアクセスレートをアクセス装置２００Ｄに通知し、アクセス装置２００Ｄが該アクセスレートに従ってデータを書き込む。これにより温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋを超えない範囲において、最も高速のアクセスレートでデータを書き込むことができる。即ち、不揮発性記憶装置１００Ｄの温度上昇によるユーザの火傷を回避すると共に高速にデータを書き込むことが可能となる。【０１５０】
尚本実施の形態では、転送周期Ｐａと転送所要時間Ｐｄの比率の制御によりアクセスレートを制御したが、転送所要時間Ｐｄを制御することによりアクセスレートを制御するようにしても構わない。又データ転送は１６ｋＢの転送に限らず任意の単位とすることができる。【０１５１】
（第５の実施の形態）
図１９は、本発明の第５の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。本実施の形態の不揮発性記憶システムは、図１９に示すように不揮発性記憶装置１００Ｅと、不揮発性記憶装置１００Ｅが装着されるアクセス装置２００Ｅとを含んで構成される。本実施の形態の不揮発性記憶システムにおいて、アクセス装置２００Ｅは温度センサを含む温度出力部２０６を新たに設ける。温度出力部２０６は不揮発性記憶装置１００Ｅの間近に温度センサを配置し、温度センサが検出した不揮発性記憶装置１００Ｅの温度情報を、制御部２０２及び外部バスを介して不揮発性記憶装置１００Ｅに供給するものである。温度情報を出力するタイミングはリード及びライトコマンドを実行中に定期的に行うようにする。【０１５２】
一方、不揮発性記憶装置１００Ｅのメモリコントローラ１１０Ｅは、アクセスレート制御部１０６Ｅに、温度保持部１１５を含んでいる。温度保持部１１５は、サーミスタなどのセンサを用いるものではなく、アクセス装置２００Ｅから温度情報を受信して、不揮発性記憶装置１００Ａの温度Ｔとして保持するものである。本実施の形態において、温度保持部１１５と、アクセス装置２００Ｅに備えられた温度出力部２０６以外は、第１の実施の形態のものと同様であり、第１の実施の形態と同じ符号で示している。不揮発性記憶装置１００Ｅは、アクセス装置２００Ｅから供給された温度情報を、ホストインターフェース１０１を介して受信する。【０１５３】
以上のように、本実施の形態における不揮発性記憶システムは、温度検出部１１１が温度保持部１１５に置き換えられ、温度保持部１１５がアクセス装置２００Ｅから受信した温度情報を、不揮発性記憶装置１００Ｅの温度Ｔとして扱うことにより、第１の実施の形態で説明した不揮発性記憶システムと同様の動作を行うことができる。【０１５４】
即ち、不揮発性記憶装置１００Ｅの温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋを超えたときに、温度適応型制御部１１２が、読み書き制御部１０３の書き込み動作を中断させると共に、ビジー情報をアクセス装置２００Ｅに送信しアクセス装置２００Ｅのデータ転送を中断させる。更に温度Ｔが、安全温度Ｔｓａｆｅより低くなったときにデータ書き込みとデータ転送を再開する。これによりアクセスレートを制御することができ、高速のデータ書き込みにおいても、不揮発性記憶装置１００Ｅの温度上昇によるユーザの火傷を回避することができる。【０１５５】
アクセス装置２００Ｅは、例えば小型の充電池や乾電池で動作するオーディオプレーヤーの様に消費電力が小さいものから、大容量の充電池を備えて動画と音声を記録するムービー（カムコーダー）の様に消費電力が大きいもの、更には、ＡＣ電源で動作する家庭内のビデオレコーダーやテレビ、パーソナルコンピュータなど、様々な装置が考えられる。このうち電力が大きく、装置内の温度が高くなる装置に関しては、もともとその装置内に温度センサを備えている場合が多い。アクセス装置２００Ｅ内のサーミスタなどの温度センサが、不揮発性記憶装置の装着位置、例えばメモリカードのスロットや、もしくはその周辺に取り付けられている場合には、アクセス装置２００Ｅから不揮発性記憶装置１００Ｅに供給する温度情報を、不揮発性記憶装置１００Ｅの温度Ｔとしてもさしつかえない場合がある。この場合に、あらかじめ備えられている温度センサを温度出力部２０６の温度センサとしてもよい。こうすれば不揮発性記憶装置１００Ｅにサーミスタなどの温度センサを実装する必要が無く、不揮発性記憶装置１００Ｅの小型化、及び、コスト面において有利になる。【０１５６】
尚、温度適応型制御部１１２は、極限温度Ｔｒｉｓｋよりも低い第３の閾値温度である極限温度Ｔｒｉｓｋ２のデータを保持してもよい。温度適応型制御部１１２は、温度Ｔがこの極限温度Ｔｒｉｓｋ２を超えた時に読み書き制御部１０３のデータ書込みを高速アクセスから低速アクセスに切り替える。これと共に温度適応型制御部１１２は、アクセス装置２００Ｅに対して低速アクセスへ切り替える指示を送信し、アクセス装置２００Ｅのデータ転送を高速アクセスから低速アクセスに切り替えるようにしてもよい。【０１５７】
尚、極限温度Ｔｒｉｓｋ及び安全温度Ｔｓａｆｅは、不揮発性記憶装置１００Ｅの製造における品質基準により決められるものであり、様々な値をとることができる。【０１５８】
（第６の実施の形態）
前述した第１，第３の実施の形態では、不揮発性記憶装置１００Ａ，１００Ｃの周囲温度ＴＥを固定値としたが、実際には、不揮発性記憶装置に対応した様々な装置が考えられる。そのため不揮発性記憶装置の周囲温度はアクセス装置によって大きく異なる。【０１５９】
小型の充電池や乾電池で動作するオーディオプレーヤーの様に消費電力が小さいアクセス装置では、装置自体の温度上昇が非常に小さい。アクセス装置の消費電力が小さければ外気温から数℃程度しか上昇しない場合がある。このようなアクセス装置は、第１の実施の形態で説明したように不揮発性記憶装置の周囲温度ＴＥを２５℃固定として扱っても実使用上何ら問題ない。【０１６０】
一方アクセス装置には、大容量の充電池を備えて動画と音声を記録するムービー（カムコーダー）の様に消費電力が大きいもの、更には、ＡＣ電源で動作する家庭内のビデオレコーダーやテレビ、パーソナルコンピュータなどがある。このようなアクセス装置の中には、それ自体で３０℃から４０℃の熱を発生し、内部の温度が６０℃程度まで上昇するものもある。よって、不揮発性記憶装置の周囲温度ＴＥを２５℃の固定値と置いて、不揮発性記憶装置の温度Ｔを算出すると、実際の不揮発性記憶装置の温度との間に大変大きな乖離が発生し、結果的に所望のアクセスレート制御を行うことが出来ず、不揮発性記憶装置が高温となって、火傷の危険性が発生する恐れがある。【０１６１】
書き込み開始時刻における温度Ｔ（≒周囲温度ＴＥ）を第１の実施の形態で説明したように２５℃と置いた場合には、図８に示すように、その後温度Ｔは、データの書き込みによって次第に飽和温度である８５℃に漸近していく。ところが、書き込み開始時刻における温度Ｔ（≒周囲温度ＴＥ）が実際には４０℃だった場合には、図２０に示すように、第１の実施の形態で説明した条件下で高速アクセスにより書き込みを行ったときに、温度Ｔは、データの書き込みによって次第に飽和温度である約１００℃に漸近していくことになる。【０１６２】
以上のように、消費電力が大きく、アクセス装置自体の発熱量が大きい場合は、周囲温度ＴＥを固定値として算出した不揮発性記憶装置１００Ａの温度Ｔと、実使用環境下での不揮発性記憶装置１００Ａの温度Ｔとの乖離が生じる。【０１６３】
図２１は、本発明の第６の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。本実施の形態の不揮発性記憶システムは、図１２に示すように不揮発性記憶装置１００Ｆと、不揮発性記憶装置１００Ｆが装着されるアクセス装置２００Ｆとを含んで構成される。本実施の形態において、不揮発性記憶装置１００Ｆの温度算出部１１６と、アクセス装置２００Ｆに備えられた周囲温度出力部２０７Ａ以外は、第１の実施の形態のものと同様であり、第１の実施の形態と同じ符号で示している。周囲温度出力部２０７Ａはサーミスタ等の温度センサを有し、不揮発性記憶装置１００Ｆの周囲温度ＴＥを測定して出力するものである。不揮発性記憶装置１００Ｆのメモリコントローラ１１０Ｆは、アクセスレート制御部１０６Ｆに温度算出部１１６を含んでいる。温度算出部１１６は、サーミスタなどのセンサを用いるものではなく、第２の実施の形態で説明した式（５−１）及び式（５−３）に基づく近似計算により、不揮発性記憶装置１００Ｆの温度Ｔを求めるものである。
Ｔ＝Ｆｗ（Ｒｗ，ｔ）＋ＴＥ  ・・・（５−１）
Ｔ＝Ｆｒ（Ｒｒ，ｔ）＋ＴＥ  ・・・（５−３）
ここで、Ｔは不揮発性記憶装置１００Ｆの温度、Ｒｗは書き込み時のアクセスレート、Ｒｒは読み出し時のアクセスレート、ｔはアクセスが行われる時間である。【０１６４】
アクセスレートＲｗ及びＲｒはいずれも、バッファ１０２のライトポインタＷＰ、あるいはリードポインタＲＰのインクリメント時間をカウンタ等で計数し、該計数値（時間）で２ｋバイトを除算して導いたものである。ＦｗとＦｒは、アクセスレートＲｗあるいはＲｒと時間ｔとを変数として不揮発性記憶装置１００Ｆの上昇温度△Ｔを一意的に求める関数である。これらの関数は、不揮発性記憶措置１００Ｆの製造時において、温度実験やシミュレーションによって近似計算式として導出することが可能であり、図８や図２０で示したような積分特性となる。【０１６５】
本実施の形態では、アクセス装置２００Ｆは周囲温度出力部２０７Ａによって不揮発性記憶装置１００Ｆの周囲温度ＴＥを検出し、制御部２０２及び外部バスを介して不揮発性記憶装置１００Ｆに供給する。【０１６６】
不揮発性記憶装置１００Ｆは、アクセス装置２００Ｆから供給された温度情報を、ホストインターフェース１０１を介して受信する。アクセスレート制御部１０６Ｆの温度算出部１１６は式（５−１），（５−３）の算出時に不揮発性記憶装置１００Ｆの周囲温度ＴＥとして採用する。【０１６７】
図２２は、図１０に示すようにアクセスレート制御モードにおいて、高速アクセス時にｔｒでデータ転送を中断し、時刻ｔｓでデータ転送を再開して書き込み処理を行う場合の温度Ｔの時間特性を示すグラフである。図２２において、書き込み開始時刻における温度Ｔは、アクセス装置２００Ｆの周囲温度出力部２０７Ａから供給される周囲温度ＴＥの値である。【０１６８】
その後温度Ｔはデータ書き込みで消費した電力によって次第に飽和温度に漸近していく。しかし、温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋを超えた時刻ｔｒで、アクセス装置２００Ｆはデータ転送を中断し、不揮発性記憶装置１００Ｆは読み書き制御部１０３によるデータ書き込みを中断する。このため温度Ｔが低下し始め、温度Ｔが安全温度Ｔｓａｆｅを下回った時刻ｔｓで、アクセス装置２００Ｆのデータ転送及び読み書き制御部１０３の書き込みが再開され、再び温度Ｔが上昇し始める。【０１６９】
尚、以上の説明はアクセス装置２００Ｆ内の温度が定常状態に達した後の説明である。しかし動作の開始時には、不揮発性記憶装置の周囲温度ＴＥが一定温度ではなく、アクセス装置２００Ｆの動作と共に温度が上昇する。従って図２３に示すように、高速アクセス時の不揮発性記憶装置１００Ｆの温度変化は、二点鎖線で示す周囲温度ＴＥ、即ちアクセス装置内の温度と、不揮発性記憶装置１００Ｆの上昇温度△Ｔとを足し合わせた曲線となり、不揮発性記憶装置１００Ｆのより正確な温度を導き出すことができる。従って例えば高速アクセス時にアクセスレート制御を行ったときには、同様に、図２４の実線で示すように不揮発性記憶装置１００Ｆの温度変化は、図２２の二点鎖線で示す周囲温度、即ちアクセス装置内の温度と、不揮発性記憶装置１００Ｆの上昇温度△Ｔとを足し合わせた曲線となり、より正確に不揮発性記憶装置１００Ｆの温度を制御することができる。【０１７０】
以上、述べてきたように第６の実施の形態によれば、不揮発性記憶装置１００Ｆの周囲温度を例えば２５℃の固定値ではなく、夫々のアクセス装置２００Ｆが動作時の装置内部温度を不揮発性記憶装置１００Ｆに供給し、この温度を不揮発性記憶装置１００Ｆの周囲温度ＴＥと置いて、不揮発性記憶装置１００Ｆの温度Ｔを算出する様にしたので、より正確な温度Ｔの算出が可能となる。【０１７１】
（変形例）
次に第６の実施の形態の変形例について説明する。この変形例で図２１において周囲温度出力部２０７Ａに代えて周囲温度出力部２０７Ｂを設けている。周囲温度出力部２０７Ｂはアクセス装置２００Ｆ内の温度上昇に関する情報を予め、例えば工場出荷時に保持しておいて、不揮発性記憶装置１００Ｆに供給するものである。【０１７２】
アクセス装置２００Ｆは消費電力や筐体の体積が異なり、これらの要因によって内部温度の上昇が異なる。そこで周囲温度出力部２０７Ｂは、アクセス装置２００Ｆが実動作時にどの程度まで温度が上昇するかを示す温度ＴＥの飽和値を例えば機種別にＲＯＭ（リード・オンリー・メモリ）やフラッシュメモリなどの不揮発性メモリ、もしくは、ハードワイヤードロジックで保持する。そしてアクセス時には、こうして保持されている温度情報を供給する。不揮発性記憶装置１００Ｆは、与えられた温度ＴＥをそのまま式（５−１），（５−３）に代入してアクセスの制御を行う。この場合にはアクセス装置に温度センサを用いることなく、同様の処理を行うことができる。【０１７３】
（第７の実施の形態）
次に第７の実施の形態について説明する。図２５は、本発明の第７の実施の形態における不揮発性記憶システムを示すブロック図である。本実施の形態の不揮発性記憶システムは、図２５に示すように不揮発性記憶装置１００Ｇと、不揮発性記憶装置１００Ｇが装着されるアクセス装置２００Ｇとを含んで構成される。この実施の形態は、サーミスタなどの温度センサがアクセス装置２００Ｇ内のどの位置に取り付けられているかに基づいて、不揮発性記憶装置１００Ｇの温度Ｔとして扱うのか、不揮発性記憶装置１００Ｇの周囲温度ＴＥとして扱うのかをアクセス装置２００Ｇが不揮発性記憶装置１００Ｇに指示するようにしたものである。【０１７４】
温度情報出力部２０８は、アクセス装置２００Ｇ内のサーミスタなどの温度センサが、不揮発性記憶装置の装着位置（例えばメモリカードのスロット）もしくはその周辺に取り付けられている場合には、アクセス装置２００Ｇから不揮発性記憶装置１００Ｇに供給する温度情報を、不揮発性記憶装置１００Ｇの温度Ｔとして扱うよう指示するフラグをセットして、温度情報と共に出力する。一方、温度センサが不揮発性記憶装置の装着位置から離れたところに取り付けられている場合には、温度情報出力部２０８はアクセス装置２００Ｇから不揮発性記憶装置１００Ｇに供給する温度情報を、不揮発性記憶装置１００Ｇの周囲温度ＴＥとして扱うよう指示するフラグをセットして、温度情報と共に出力する。【０１７５】
図２６Ａはアクセス装置２００Ｇから不揮発性記憶装置１００Ｇに供給する温度情報を示しており、図２６Ｂはフラグのデータ構造の一例を示している。ここでは温度情報に１バイトのデータ領域を割り当てている。尚、温度情報は回路（レジスタ等）削減のため１バイト未満で表現してもよいし、逆に広範な温度を取り扱える様に１バイトを超えるビットを割り当てて表現してもよい。またフラグは１ビットで構成されるＲフラグと、２ビットで構成されるＳフラグとから成り立っている。【０１７６】
次に図２７における各フラグの状態と、その動作について説明する。まずＳフラグのＳ０，Ｓ１が０、Ｒフラグが０、即ち状態Ａの場合には、アクセス装置２００Ｇが動作時にどの程度まで温度が上昇するかに関する情報を記憶していないことを示す。【０１７７】
また図２７の状態Ｂ、即ちＲフラグが１の場合には、アクセス装置２００Ｇ内に、アクセス装置２００Ｇが動作時にどの程度まで温度が上昇するかを示す温度ＴＥの飽和値を記憶していることを示す。この場合には前述した変形例のようにＴＥの飽和値を不揮発性記憶装置１００Ｇに送出し、この温度をＴＥとして温度を算出する。【０１７８】
次に図２７の状態Ｃ、即ちＳフラグのＳ０ビットが１、Ｒフラグが０の場合には、アクセス装置２００Ａ内にサーミスタなどの温度センサが内蔵されていることを示し、かつ、その温度センサが不揮発性記憶装置の装着位置から離れたところに取り付けられているため、供給する温度情報を不揮発性記憶装置１００Ｇの周囲温度ＴＥとして扱うよう指示している。【０１７９】
この場合には前述した第６の実施の形態で説明したように、不揮発性記憶装置１００Ｇは、アクセス装置２００Ｇから供給された温度情報を、ホストインターフェース１０１を介して受信する。そしてアクセスレート制御部１０６Ｇの温度検出部１１７は、この温度を不揮発性記憶装置１００Ｇの周囲温度ＴＥとして採用する。第２の実施の形態で説明した式（５−１）及び式（５−３）に基づく近似計算により、不揮発性記憶装置１００Ｇの温度Ｔを求める。その後の動作については第６の実施の形態と同様である。【０１８０】
図２７の状態Ｄ、即ちＳフラグのＳ１ビットが１、Ｒフラグが０の場合には、アクセス装置２００Ｇ内にサーミスタなどの温度センサが内蔵されていることを示し、かつ、その温度センサが不揮発性記憶装置の装着位置もしくはその周辺に取り付けられているため、供給する温度情報を、不揮発性記憶装置１００Ｇの温度Ｔとして扱うよう指示している。【０１８１】
この場合には、第５の実施の形態で説明したように、不揮発性記憶装置１００Ｇは、アクセス装置２００Ｇから供給された温度情報を、ホストインターフェース１０１を介して受信する。アクセスレート制御部１０６Ｇの温度検出部１１７は、この温度を不揮発性記憶装置１００Ｇの温度Ｔとして採用する。その後の動作については第５の実施の形態と同様である。【０１８２】
尚、フラグは回路（レジスタ等）削減のため３ビット未満で表現してもよいし、逆に他の情報を併せて伝送したり、温度センサに関する情報を分けて表現するために、３ビットを超えるビットを割り当てて表現してもよい。【０１８３】
（第８の実施の形態）
図２８は、本発明の第８の実施の形態に係る不揮発性記憶システムを示すブロック図である。本実施の形態の不揮発性記憶システムは、図２８に示すようにアクセス装置２００Ｈと、不揮発性記憶装置１００Ｈとを含んで構成される。【０１８４】
［アクセス装置］
アクセス装置２００Ｈは、システム制御部２１１、コーデック部２１２、ＲＯＭ／ＲＡＭ２１３、表示部２１４、ディスプレイ制御部２１５、及び不揮発性記憶装置制御部２１６を含んでいる。【０１８５】
システム制御部２１１は、アクセス装置２００Ｈ全体を制御するものであり、コーデック部２１２は、動画の圧縮データを生成するものである。ＲＯＭ／ＲＡＭ２１３は、システム制御部２１１が動作するためのプログラムを格納し、更にワーク領域として使用される。表示部２１４は、本不揮発性記憶システムに関する情報を表示するものであり、ディスプレイ制御部２１５は、表示部２１４への表示を制御するものである。不揮発性記憶装置制御部２１６Ｈは、不揮発性記憶装置１００Ｈへのアクセスを行うものであり、記憶装置アクセス部２２１、温度検出部２２２、アクセスレート制御部２２３、及び温度パラメータ保持部２２４を含んでいる。【０１８６】
記憶装置アクセス部２２１は、不揮発性記憶装置１００Ｈとの間で外部バスを介してデータの読み出し及び書き込みを行うものである。温度検出部２２２は温度センサを備えており、不揮発性記憶装置１００Ｈの温度Ｔを検出するものである。アクセスレート制御部２２３は、不揮発性記憶装置１００Ｈにデータを書き込み及び読み出すときのアクセスレートを温度パラメータに基づいて制御するものである。温度パラメータ保持部２２４は、
後に説明する不揮発性記憶装置１００Ｈの温度パラメータに代わって用いられる温度パラメータを保持している。【０１８７】
図２８において、その他映像・音声などの外部入出力端子や各種コネクタ等本発明のアクセス装置２００Ｈに必須でない構成要素は省略している。【０１８８】
［不揮発性記憶装置］
不揮発性記憶装置１００Ｈは、少なくとも１つの不揮発性メモリ１２０及びメモリコントローラ１１０Ｈを含んでいる。【０１８９】
不揮発性メモリ１２０は、第１の実施の形態と同様にユーザのデータを保持するものであり、例えばフラッシュメモリが用いられる。またメモリコントローラ１１０Ｈは、アクセス装置２００Ｈからのデータの読み出しや書き込み要求に基づいて、不揮発性メモリ１２０に対してデータの読み出しや書き込みを行うものである。【０１９０】
メモリコントローラ１１０Ｈは、ＣＰＵ１０４、レジスタ部１０８、ホストＩＦ１０１、バッファ１０２、及び読み書き制御部１０３を含む。【０１９１】
ＣＰＵ１０４は、メモリコントローラ１１０Ｈ全体を制御するものである。レジスタ部１０８は、後述する温度パラメータなどの不揮発性記憶装置１００Ｈの制御情報を保持するものである。ホストＩＦ１０１は、外部バスを介してアクセス装置２００Ｈとの間でデータの送受信を行うインターフェースである。尚、外部バスは、クロック用バスとコマンド及びデータ用バスを含んで構成されている。バッファ１０２は、アクセス装置２００Ｈとの送受信データを一時的に保持するためのものである。読み書き制御部１０３は、メモリバスを介して不揮発性メモリ１２０に対してデータの読み出し及び書き込みを行うものである。【０１９２】
アドレス管理部１０５は、アクセス装置２００Ａのアクセスに伴って転送された論理アドレスを不揮発性メモリ１２０の物理アドレスに変換し、不揮発性メモリ１２０の記録状態等を管理するブロックである。尚、アドレス管理方法については一般的な技術を用いて実現できるので、説明を省略する。【０１９３】
図２９は、メモリコントローラ１１０Ｈのレジスタ部１０８が保持する温度パラメータを示している。図２９に示す温度パラメータには、動作可能最高温度Ｔｍａｘ、温度上昇速度Ｔｕ、飽和温度Ｔｓ、及び温度降下速度Ｔｄが含まれる。【０１９４】
動作可能最高温度Ｔｍａｘは、不揮発性記憶装置１００Ｈへのアクセスにおいて許容される最高温度である。温度上昇速度Ｔｕは、あるアクセスレートでアクセスを行った場合の不揮発性記憶装置１００Ｈの温度上昇の速度であり、飽和温度Ｔｓは、その上昇した温度が収束していく温度である。温度降下速度Ｔｄは、データ転送を行わない場合の不揮発性記憶装置１００Ｈの温度降下の速度である。【０１９５】
温度パラメータには、複数のアクセスレートに対応した温度上昇速度Ｔｕ及び飽和温度Ｔｓが保持されており、図２９ではＮ通りのアクセスレートに対して、Ｎ通りの温度上昇速度Ｔｕ１〜Ｔｕｎ及びＮ通りの飽和温度Ｔｓ１〜Ｔｓｎが保持されている。【０１９６】
尚、アクセス装置２００Ｈの温度パラメータ保持部２２４は、不揮発性記憶装置のタイプごとに上述の温度パラメータを予め記憶しているものとする。これにより、不揮発性記憶装置が温度パラメータを保持していなければ、不揮発性記憶装置の温度パラメータに代えて、この温度パラメータを用いることができる。【０１９７】
［アクセスレートの制御方法］
図３０及び図３１を用いて、アクセス装置２００Ｈがアクセスレートを制御する方法について説明する。コマンド及びデータは、クロックの立ち上がりエッジに同期して、かつ所定の単位で転送される。たとえばコマンドは４バイト（Ｂｙｔｅｓ）単位、データは５１２バイト単位で転送される。これらコマンドやデータに開始フラグ、終了フラグやエラーを検出するためのＣＲＣ符号などを付加してもよい。【０１９８】
まず第１のアクセスレート制御方法について説明する。この方法は、アクセス装置２００Ｈがクロックの周波数を変更してアクセスレートを制御する。図３０はこの方法でのクロック用バスの波形と転送されるコマンド及びデータとの３つの異なった関係を示している。図３０の３つの場合（Ａ）〜（Ｃ）のうち、クロックの周期は（Ａ）の場合が最も短いので、（Ａ）のクロック周波数が最も高い。（Ｂ）、（Ｃ）の順にクロックの周期は長くなっているので、クロック周波数も（Ｂ）、（Ｃ）の順に低くなっていく。本図に示すように、クロック周波数の違いによって、クロックに同期して転送されるコマンドやデータの転送時間も異なっている。クロック周波数が高ければ、クロックに同期して転送されるコマンドやデータの転送時間が短くなるので、（Ａ）の場合は、（Ｂ）及び（Ｃ）の場合よりもアクセスレートが高く、より高速のアクセスが行われていることを示している。このようにクロックの周波数を変更することでアクセスレートを制御することが可能となる。【０１９９】
次に第２のアクセスレートの制御方法について説明する。この方法では、アクセス装置２００Ｈが、所定単位のコマンドやデータの転送間隔を変更してアクセスレートを制御する。図３１はこの方法でのクロック用バスの波形と転送されるコマンド及びデータとの関係を示している。（Ａ）〜（Ｃ）におけるクロック周波数は同一であるが、５１２バイトのデータの転送間隔が異なる。転送間隔は（Ａ）の場合が最も短く、（Ｂ）、（Ｃ）の順に長くなっていく。転送間隔が短いほど、所定単位のデータをより短時間で転送することができるので、（Ａ）の場合が最もアクセスレートが高く、最も高速のアクセスが行われていることになる。一方、（Ｂ）及び（Ｃ）の場合では、所定単位のコマンド及びデータの転送が一定の間隔を空けて行われるため、（Ａ）の場合と比べて低速のアクセスとなる。このようにデータ転送の間隔を変更することで、アクセスレートを制御することが可能となる。【０２００】
尚、図３０及び図３１で説明した２通りのアクセスレートの制御方法は、どちらか１つだけをアクセス装置２００Ｈに適用してもよいが、２つを組み合わせて適用してもよい。これら２つの制御方法を組み合わせ、クロック周波数を変化させると共にコマンド及びデータの転送間隔を変化させると、いずれか１つの制御方法だけを用いるよりもアクセスレートをより多様に変化させることができる。【０２０１】
［アクセスレートの設定］
次に、第１のアクセスレートの設定方法について説明する。図３２は、本実施の形態のアクセス装置２００Ｈが不揮発性記憶装置１００Ｈへアクセスするときの、不揮発性記憶装置１００Ｈの温度と時間との関係をアクセスレートごとにグラフで示している。図３２において、初期温度Ｔｉｎｉは、書き込みを開始したときにアクセス装置２００Ｈが検出した不揮発性記憶装置１００Ｈの温度Ｔである。最高温度Ｔｍａｘは、不揮発性記憶装置１００Ｈが動作可能な最高温度であって、これは不揮発性記憶装置１００Ｈのレジスタ部１０８から読み出した温度パラメータに含まれる。また、極限温度Ｔｒｉｓｋは、ユーザが不揮発性記憶装置１００Ｈを取り扱うときに火傷をしない温度の上限である。これはアクセス装置２００Ｈの仕様に応じて決まる。図中の曲線（１）、（２）、及び（３）は、夫々異なるアクセスレートでの温度上昇の様子を示しており、曲線（１）は最もアクセスレートが高い場合のものである。また、夫々のアクセスレートでの飽和温度は夫々Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３で表されている。【０２０２】
不揮発性記憶装置１００Ｈが保持する温度パラメータは、アクセス装置２００Ｈの備える固有の条件とは違う別の条件下でのものであるため、アクセス装置２００Ｈは、レジスタ部１０８の温度パラメータとアクセス装置２００Ｈの固有の条件から、関数を用いてデータの読み書き時間と温度の相関関係である曲線（１）〜（３）を算出する。このアクセス装置２００Ｈに固有の条件は、例えばアクセス装置２００Ｈの筐体の寸法や材質、不揮発性記憶装置１００Ｈを接続するコネクタ部の形状など、不揮発性記憶装置１００Ｈの温度上昇に関係する条件を含む。また、各曲線（１）〜（３）を求める関数は、アクセス装置２００Ｈの製造時において、温度実験やシミュレーションによって予め導いたものである。更に図３２では、３つのアクセスレートに対応する曲線（１）〜（３）を例として示したが、アクセス装置２００Ｈが導出する曲線は３つに限らない。アクセス装置２００Ｈは、アクセス装置２００Ｈが備えているアクセスレートのうち、温度パラメータと対応するもの全てについて温度上昇を示す曲線を導出する。あるいは、備えるアクセスレートのうちの低いレートから導出を始め、算出した飽和温度がＴｒｉｓｋを超えた時点で導出を終了してもよい【０２０３】
このようにして得られた曲線の中から、飽和温度が極限温度Ｔｒｉｓｋを超えることなく、かつ極限温度Ｔｒｉｓｋに最も近い曲線を選択する。そして、その曲線を作成するときに用いた温度パラメータに対応するアクセスレートを、不揮発性記憶装置１００Ｈに対するアクセスレートとして決定する。例えば図３２に場合には、曲線（３）を選択すれば飽和温度Ｔｓ３が極限温度Ｔｒｉｓｋを上回ることはない。従ってアクセス装置２００Ｈは、曲線（３）に対応するアクセスレートを選択してアクセスを行う。【０２０４】
次に第２のアクセスレートの決定方法について説明する。アクセス装置２００Ｈのデータ転送が短時間で完了する場合には、飽和温度が極限温度Ｔｒｉｓｋを超えるようなアクセスレートを選択することも可能である。つまり、飽和温度が極限温度Ｔｒｉｓｋを超えるようなアクセスレートでデータ転送を行っても、不揮発性記憶装置１００Ｈの周囲温度が極限温度Ｔｒｉｓｋに達する前にデータ転送が完了すればよい。【０２０５】
例えば図３２において、曲線（１）に対応するアクセスレートを選択しても、データ転送に必要な時間、つまり不揮発性記憶装置１００Ｈに連続的にアクセスする時間が時間ｔａ以下であれば、不揮発性記憶装置１００Ｈの周囲温度が極限温度Ｔｒｉｓｋを超えない。そこでアクセス装置２００Ｈは曲線（１）に対応するアクセスレートを選択する。同様に、連続的にアクセスする時間がｔｂ以下であれば、アクセス装置２００Ｈは曲線（２）を示すアクセスレートを選択する。データ転送に必要な時間は、転送されるデータのサイズとアクセスレートを基に算出する。このように、不揮発性記憶装置１００Ｈに連続的にアクセスする時間を考慮して不揮発性記憶装置１００Ｈの周囲温度が極限温度Ｔｒｉｓｋを超えない範囲で，できるだけ高速のアクセスレートを選択すると、データの転送は短時間で完了する。また、アクセス装置２００Ｈは表示部２１４を備えているので、選択したアクセスレートや温度パラメータを表示することも可能である。【０２０６】
［アクセス手順］
図３３は、本実施の形態のアクセス装置２００Ｈが不揮発性記憶装置１００Ｈへアクセスする場合の制御を示すフローチャートである。図３３においてアクセス装置２００Ｈは、まず不揮発性記憶装置１００Ｈの初期化を行い（Ｓ３００）、不揮発性記憶装置１００Ｈを読み書き可能な状態にする。不揮発性記憶装置１００Ｈに対するデータの読み書き要求が発生すると（Ｓ３０１）、温度検出部２２２は、温度センサにより不揮発性記憶装置１００Ｈの温度Ｔを検出する（Ｓ３０２）。次にアクセス装置２００Ｈは、不揮発性記憶装置１００Ｈが温度パラメータを保持しているかどうかを判断する（Ｓ３０３）。不揮発性記憶装置１００Ｈが温度パラメータを保持していれば、その温度パラメータを取得して、これをもとに不揮発性記憶装置１００Ｈの飽和温度を算出する（Ｓ３０４）。もし、不揮発性記憶装置１００Ｈが温度パラメータを保持していなければ、アクセス装置２００Ｈは温度パラメータ保持部２２４が保持する温度パラメータを用いて不揮発性記憶装置１００Ｈの飽和温度を算出する（Ｓ３０５）。Ｓ３０４又はＳ３０５の後、アクセス装置２００Ｈのアクセスレート制御部２２３は、これらの算出結果から、前述のようにアクセスレートを決定し、データ読み書きのアクセスレートとして設定する（Ｓ３０６）。【０２０７】
その後、設定されたアクセスレートで、記憶装置アクセス部２２１が不揮発性記憶装置１００Ｈに対してデータの読み出し又は書き込みを行う（Ｓ３０７）。Ｓ３０７の処理が始まると、温度検出部２２２は不揮発性記憶装置１００Ｈの温度Ｔを検出し、記憶装置アクセス部２２１はこの温度Ｔと第１の閾値温度である極限温度Ｔｒｉｓｋとを比較する（Ｓ３０８）。Ｓ３０６において温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋより低い場合には、データの読み出し及び書き込みが終了したかどうかを確認する（Ｓ３０９）。読み出し及び書き込みが終了していなければ、処理のフローはＳ３０７に戻って、データの読み書きを継続する。読み出し及び書き込みが終了していれば、処理のフローはＳ３０１に戻って、次の読み書き要求を待ち受ける。Ｓ３０８の処理において、温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋよりも高い場合には、データの読み出し及び書き込みを停止し、温度ＴがＴｒｉｓｋより低くなるのを待受ける。温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋよりも低くなれば、データの読み出し及び書き込みを再開し、処理はＳ３０９に進む。尚この実施の形態においては、アクセスレートは極限温度Ｔｒｉｓｋ以下となるように決定されるため、通常はステップＳ３０８において温度ＴがＴｒｉｓｋを超えることはない。以上のようにして、不揮発性記憶装置１００Ｈへのアクセスが行われる。【０２０８】
以上に説明したように、本実施の形態の不揮発性記憶システムでは、アクセス装置２００Ｈが不揮発性記憶装置１００Ｈの温度パラメータを用いてアクセスレートを選択し、データの読み出し及び書き込みを行う。これにより、ユーザが不揮発性記憶装置１００Ｈの取り扱いで火傷をする危険性が無く、且つ高速にデータを読み書きできる不揮発性記憶装置、アクセス装置、及び不揮発性記憶システムを提供することができる。【０２０９】
（第９の実施の形態）
図３４は、本発明の第９の実施の形態に係る不揮発性記憶システムを示すブロック図である。本実施の形態の不揮発性記憶システムは、図３４に示すようにアクセス装置２００Ｉと、不揮発性記憶装置１００Ｈとを含んで構成される。アクセス装置２００Ｉは、不揮発性記憶装置制御部２１６Ｉを備えている。アクセスレート制御部２２５は、不揮発性記憶装置１００Ｈとの間でデータの読み出し及び書き込みを行うときのアクセスレートを制御するものである。尚、図３４において、第８の実施の形態と同様の構成要素については図２８と同じ番号を付している。【０２１０】
図３５は、第９の実施の形態においてアクセス装置２００Ｉが不揮発性記憶装置１００Ｈへアクセスする場合の制御フローを示すフローチャートである。図３５においてＳ３００〜Ｓ３０５及びＳ３０９は、第８の実施の形態の図３２におけるＳ３００〜Ｓ３０５及びＳ３０９と同様の処理であるので、説明を省略する。【０２１１】
図３５において、Ｓ３０４又はＳ３０５に続いて、アクセスレート制御部２２５は、アクセス装置２００Ｉのアクセスレートと一致する、あるいはアクセス装置２００Ｉがアクセス可能な最大のアクセスレートを不揮発性記憶装置１００Ｈに対するアクセスレートとして設定する（Ｓ４００）。続いてアクセスレート制御部２２５は、Ｓ３０２で得た温度Ｔ、Ｓ３０４で得た飽和温度、及びＳ４００で設定したアクセスレートを用いて、後述する転送可能時間ｔｒｗを設定する（Ｓ４０１）。この後、設定したアクセスレートで転送可能時間ｔｒｗの間、記憶装置アクセス部２２１が不揮発性記憶装置１００Ｈよりデータの読み出し又はデータの書き込みを行う（Ｓ４０２）。温度検出部２２２は、不揮発性記憶装置１００Ｈの温度Ｔを検出して極限温度Ｔｒｉｓｋと比較するか、不揮発性記憶装置１００Ｈに連続的にアクセスする時間である転送時間ｔを計測して、転送時間ｔと不揮発性記憶装置１００Ｈに連続アクセスが可能な時間である転送可能時間ｔｒｗとを比較する（Ｓ４０３）。不揮発性記憶装置１００Ｈの温度Ｔが所定の極限温度Ｔｒｉｓｋより低い場合、あるいは転送時間ｔが転送可能時間ｔｒｗより短い場合には、Ｓ３０９に進み、転送終了コマンドがあったかどうかを判断する。不揮発性記憶装置１００Ｈの温度Ｔが所定の極限温度Ｔｒｉｓｋ以上の場合、あるいは転送時間ｔが転送可能時間ｔｒｗ以上の場合には、データの読み出し及び書き込みを中断し、温度が第２の閾値温度である安全温度Ｔｓａｆｅ以下になるまで待受ける（Ｓ４０４）。温度が所定の安全温度Ｔｓａｆｅ以下になれば、データの読み出し又は書き込みを再開し、処理はＳ３０９に進む。Ｓ３０９で読み出し又は書き込みが終了していなければ、処理のフローはＳ４０２に戻って、コマンドの送信及びデータの読み書きを継続する。読み出し又は書き込みが終了していれば、処理のフローはＳ３０１に戻って、次の読み書き要求を待ち受ける。【０２１２】
図３６は、本実施の形態のアクセス装置２００Ｉが不揮発性記憶装置１００Ｈへアクセスする場合の、不揮発性記憶装置１００Ｈの周囲温度Ｔと時間との関係をアクセスレートごとに示している。図３６において、初期温度Ｔｉｎｉ及び極限温度Ｔｒｉｓｋは、第８の実施の形態で説明したものと同様である。安全温度Ｔｓａｆｅは、極限温度Ｔｒｉｓｋよりも低く、アクセス装置２００Ｈの仕様に基づいて決まる第２の閾値温度である。この安全温度Ｔｓａｆｅは、不揮発性記憶装置１００Ｈの周囲温度が一旦極限温度Ｔｒｉｓｋまで上がってデータ転送が中断された後に、データ転送を再開するかしないかを判断するための基準となる。【０２１３】
図３６に示されるデータの読み書き時間と温度の相関関係を示す波型の曲線（１）、（２）、及び（３）は、夫々異なるアクセスレートの場合を示している。各曲線が示す温度上昇幅は、第８の実施の形態と同様に、図２９における各々のアクセスレートに対応する温度上昇速度Ｔｕとアクセス装置２００Ｉの固有の条件とを基に、温度実験やシミュレーションによって導かれた関数を用いて算出する。また、転送停止時の温度下降幅は図２９の温度降下速度Ｔｄと、アクセス装置２００Ｉの固有の条件とを基に算出する。まず、温度上昇速度Ｔｕを用いて初期温度Ｔｉｎｉから極限温度Ｔｒｉｓｋに達するまでの曲線を作成し、次に温度降下速度Ｔｄを用いて極限温度Ｔｒｉｓｋから安全温度Ｔｓａｆｅまでの曲線を作成する。続いて、安全温度Ｔｓａｆｅから極限温度Ｔｒｉｓｋに達するまでの曲線を作成し、先に述べた方法を繰り返して極限温度Ｔｒｉｓｋから安全温度Ｔｓａｆｅまでの曲線を作成する。この極限温度Ｔｒｉｓｋと安全温度Ｔｓａｆｅとの間の上昇と下降の曲線を繰り返して、波型の曲線を描く。【０２１４】
この曲線（１）〜（３）において、安全温度Ｔｓａｆｅから極限温度Ｔｒｉｓｋまでの周囲温度Ｔが上昇していく期間は不揮発性記憶装置１００Ｈへの連続アクセスが可能な時間であり、転送可能時間ｔｒｗと表している。本図では、曲線（１）〜（３）の転送可能時間ｔｒｗについて各々転送可能時間ｔｒｗ１〜ｔｒｗ３として表している。尚ここでは図３６に示すように、３つのアクセスレートに対応する曲線（１）〜（３）を例として示したが、アクセス装置２００Ｉは、実際には自らのアクセスレートと合致する、あるいは自らのアクセスレートを超えずかつ最も高い１つのアクセスレートを選択し、この選択されたアクセスレートに対応する曲線を導出する。【０２１５】
また、図３５のＳ４０３の判断においては、温度Ｔと極限温度Ｔｒｉｓｋとの比較、あるいは転送時間ｔと転送可能時間ｔｒｗとの比較を行うとした。しかし例えば、図３６の曲線（１）によると、不揮発性記憶装置１００Ｈに連続的にアクセスした時間が転送可能時間ｔｒｗを超えたとき、同時に温度Ｔも極限温度Ｔｒｉｓｋを超えるので、連続的にアクセスする時間が転送可能時間ｔｒｗを超えないようにデータの書き込み及び読出しを制御すれば、不揮発性記憶装置１００Ｈの温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋを超えることはない。【０２１６】
アクセス装置２００Ｉは、図３５のＳ４００でのアクセスレート設定においてアクセスレートを設定した後、図３６で表される曲線を基に転送可能時間ｔｒｗを算出している。例えばアクセス装置２００Ｉのアクセスレートに対応する曲線が曲線（１）であった場合、その転送可能時間ｔｒｗは、安全温度Ｔｓａｆｅから極限温度Ｔｒｉｓｋに至るｔｒｗ１が示す時間である。曲線（２）又は（３）であった場合には、転送可能時間ｔｒｗは各々ｔｒｗ２又はｔｒｗ３となる。また、アクセス装置２００Ｉは表示部２１４を備えており、選択したアクセスレートや温度パラメータ、転送可能時間を表示することも可能である。【０２１７】
尚、図３６の３種類の曲線は、３つの異なるアクセスレートについての温度変化を示す曲線として説明したが、同一のアクセスレートに対する３つの種類の異なる不揮発性記憶装置についても、図３６と同様に３種類の曲線が得られることがある。これは不揮発性記憶装置によって温度上昇幅が異なるためであって、これによって、同一のアクセスレートであっても転送可能時間ｔｒｗが異なることもありえる。【０２１８】
またこの実施の形態においても、アクセスレートは極限温度Ｔｒｉｓｋ以下となるように決定されるため、通常はステップＳ４０３，Ｓ４０４において温度ＴがＴｒｉｓｋを超えることはない。以上のようにして、不揮発性記憶装置１００Ｈへのアクセスが行われる。【０２１９】
以上に説明したように、アクセスレートと転送可能時間に基づいて間欠的に不揮発性記憶装置１００Ｈへのデータの読み出し及び書き込みを行うことで、不揮発性記憶装置１００Ｈの温度を極限温度Ｔｒｉｓｋ以下に保つ。こうすれば火傷の危険性が無く、且つ高速でデータを読み書きできる不揮発性記憶装置、ホスト装置、及び不揮発性記憶システムを提供することができる。【０２２０】
（第１０の実施の形態）
図３７は、本発明の第１０の実施の形態に係る不揮発性記憶システムを示すブロック図である。本実施の形態の不揮発性記憶システムは、アクセス装置２００Ｊと不揮発性記憶装置１００Ｊとを含んで構成される。図３７において、第８の実施の形態と同様の構成要素については、図２８と同じ番号を付している。【０２２１】
図３８Ａ，図３８Ｂは、アクセス装置２００Ｊが備える動画記録モードを示す図である。アクセス装置２００Ｊのコーデック部２１７は図３８Ａに示すように、ビットレートが８Ｍｂｐｓ〜２４ＭｂｐｓまでのＭ通りのモード、あるいは図３８Ｂに示すようにフレームレートが１５ｆｐｓ〜６０ｆｐｓまでのＭ通りのモードを備えている。【０２２２】
本実施の形態では、第８又は第９の実施の形態と同様にアクセスレートを設定した後に、コーデック部２１７が、決定したアクセスレートを満たすようなビットレートあるいはフレームレートを示すモードを図２８Ａ又は図３８Ｂから選択する。その後、選択されたモードに基づいてコーデック部２１７が生成した圧縮データを不揮発性記憶装置１００Ｊに書き込む。これ以外の動作は、第８又は第９の実施の形態と同様である。【０２２３】
ここで、コーデック部２１７は、例えばＭＰＥＧ２やＭＰＥＧ４などのアルゴリズムを用いて圧縮データを生成するものである。ビットレートの変更やフレームレートの変更は例えばデータの量子化ビット数やＩピクチャの間隔、ＰピクチャやＢピクチャの挿入枚数を変更することで可能である。【０２２４】
以上説明したように、アクセスレートに基づいて動画のビットレートやフレームレートを決定し不揮発性記憶装置１００Ｊへの書き込みを行うことで、不揮発性記憶装置１００Ｊの温度Ｔを極限温度Ｔｒｉｓｋ以下に保つことができる。これによって火傷の危険性が無く、且つ発熱により記録を停止することなく動画を記録できる不揮発性記憶装置、ホスト装置、及び不揮発性記憶システムを提供することができる。【０２２５】
尚、不揮発性記憶装置１００Ｊのアクセスレートと温度変化との関係が不揮発性記憶装置の種類ごとにほぼ一定である場合には、アクセス装置２００Ｈ、２００Ｉ、及び２００Ｊは使用される不揮発性記憶装置の種類ごとに不揮発性記憶装置の温度パラメータを保持しておけば、その温度パラメータ値に基づいてアクセスレート制御を行っても、本発明の効果を得ることが可能である。【０２２６】
また第１〜第１０の実施の形態において、温度センサを使用する場合、その種類は限定されるものではなく、接触・非接触、サーミスタや熱電対などさまざまなセンサが使用可能であることは言うまでもない。【０２２７】
更に、前述した第４の実施の形態の不揮発性記憶システムの特徴は、読み書きを行うデータのサイズが予めわかっている場合に、該サイズに基づいて温度Ｔが極限温度Ｔｒｉｓｋを超えないようなアクセスレートを決定した上でデータの読み書きが行われる点である。よって、第４の実施の形態の不揮発性記憶システムは、既に別の記録媒体に記録しているデータをダビング記録するような用途、即ち予め記録するデータのサイズがわかっている用途に適している。その他の実施の形態の不揮発性記憶システムは、動画などをリアルタイムに記録する用途、即ち予め記録するデータのサイズがわからない用途に適している。【０２２８】
尚、第２の実施の形態において、アクセス装置２００Ｂは冷却部２０４を含んでいるが、他の実施の形態に冷却部を含むようにしてもよい。又アクセス装置に表示部２０１が含まれない場合であっても本発明の効果を得ることは可能である。冷却部２０４が含まれていなくても、ユーザは表示部２０１に表示されたステータス情報から不揮発性記憶装置の状態を知ることができる。これによりユーザは、不揮発性記憶装置をその温度が上がり過ぎないように取り扱うことが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【０２２９】
本発明にかかる不揮発性記憶システムは、高速なデータ読み書きに起因した不揮発性メモリの発熱が、ユーザにとって危険なものとならないように対応する方法を提案したものである。これは、半導体メモリカードはいうまでもなく、半導体メモリカード等の不揮発性記憶装置を使用した静止画記録再生装置や動画記録再生装置、あるいは携帯電話においても有益である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６Ａ】
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【図２６Ｂ】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８Ａ】
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【図３８Ｂ】
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【国際調査報告】
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