Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月26日(2004.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
回転駆動される定着ローラと、この定着ローラに所定圧力をもって当接された加圧ローラとを有する定着装置を備えた画像形成装置において、定着ローラは中空円筒状の芯金金属基体の周面に電気絶縁層と発熱層とを積層する表面発熱型の加熱定着ローラであって、芯金金属基体と電気絶縁層との間には空隙を有する空隙層を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、前記のような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、回転駆動される定着ローラと、この定着ローラに所定圧力をもって当接された加圧ローラとを有する定着装置を備えた画像形成装置において、定着ローラは中空円筒状の芯金金属基体の周面に電気絶縁層と発熱層とを積層する表面発熱型の加熱定着ローラであって、芯金金属基体と電気絶縁層との間には空隙を有する空隙層を備えたことを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【発明の効果】
この発明は、上記のようであって、請求項１に記載の発明は、回転駆動される定着ローラと、この定着ローラに所定圧力をもって当接された加圧ローラとを有する定着装置を備えた画像形成装置において、定着ローラは中空円筒状の芯金金属基体の周面に電気絶縁層と発熱層とを積層する表面発熱型の加熱ローラであって、芯金金属基体と電気絶縁層との間には空隙を有する空隙層を備えたので、昇温時に膨脹する電気絶縁層中の水分を空隙層を介して逃がすことによって電気絶縁層の破壊を防止することができるという効果がある。また、電気絶縁層に直接通孔を開けることなく水分を逃がすことができるので、沿面距離を考慮する必要がないうえ、絶縁耐圧性を十分に確保することができるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月4日(2004.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータの回転に従って回転するエンコーダの出力パルスをカウントすることによって前記モータによって搬送される印刷媒体の位置を検出する位置カウンタと、
前記印刷媒体の送り量の目標値と、前記位置カウンタによって検出された前記印刷媒体の前回の停止位置とに基づいて前記送り量の修正された目標値を演算し、前記修正された目標値を前記位置カウンタのカウント値に設定する目標制御量修正演算部と、
前記位置カウンタのカウント値が零を含む所定の範囲の値となるように前記モータを制御する位置制御部と、
を備えたことを特徴とするプリンタ用モータの制御装置。
【請求項２】
前記印刷媒体は紙であり、前記モータは紙送りモータであることを特徴とする請求項１記載のプリンタ用モータの制御装置。
【請求項３】
前記位置制御部はＰＩＤ制御することを特徴とする請求項１または２記載のプリンタ用モータの制御装置。
【請求項４】
前記位置カウンタは前記モータの正転および逆転に応じてカウントアップおよびカウントダウンするカウンタであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のプリンタ用モータの制御装置。
【請求項５】
モータによって搬送される印刷媒体の位置を検出する位置検出部と、
前記モータの今回の起動時の前記印刷媒体の送り量の目標値および前記モータの前回の起動時の前記送り量の目標値ならびに前記モータの今回の起動直前の前記位置検出部の検出位置とに基づいて、前記印刷媒体の修正された目標位置を演算する目標位置修正演算部と、
前記修正された目標位置と、前記位置検出部の検出位置との位置偏差に基づいて前記モータを制御する位置制御部と、
を備えていることを特徴とするプリンタ用モータの制御装置。
【請求項６】
前記目標位置修正演算部は、
前回の起動時の制御量の目標値と、前記モータの今回の起動直前の前記位置検出部の検出値とに基づいて前回の起動後の前記送り量の誤差を演算する誤差演算部と、
今回の起動時の前記送り量の目標値と前記誤差との和である修正された目標位置を演算する加算器と、
を備えていることを特徴とする請求項５記載のプリンタ用モータの制御装置。
【請求項７】
前記位置検出部は、前記モータの回転に従って回転するエンコーダの出力パルスをカウントする位置カウンタであり、
前記目標位置修正演算部は、前記位置カウンタのカウント値をリセットするリセット信号を発生するリセット信号発生部を更に備えていることを特徴とする請求項６記載のプリンタ用モータの制御装置。
【請求項８】
前記印刷媒体は紙であり、前記モータは紙送りモータであることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載のプリンタ用モータの制御装置。
【請求項９】
前記位置制御部はＰＩＤ制御することを特徴とする請求項５乃至８記載のプリンタ用モータの制御装置。
【請求項１０】
モータの回転に従って回転するエンコーダの出力パルスをカウントすることによって前記モータによって搬送される印刷媒体の位置を位置カウンタによって検出するステップと、
前記印刷媒体の送り量の目標値と、前記位置カウンタによって検出された前記印刷媒体の前回の停止位置とに基づいて前記送り量の修正された目標値を演算し、前記修正された目標値を前記位置カウンタのカウント値に設定するステップと、
前記位置カウンタのカウント値が零を含む所定の範囲の値となるように前記モータを制御するステップと、
を備えたことを特徴とするプリンタ用モータの制御方法。
【請求項１１】
前記印刷媒体は紙であり、前記モータは紙送りモータであることを特徴とする請求項１０記載のプリンタ用モータの制御方法。
【請求項１２】
前記制御するステップはＰＩＤ制御することを特徴とする請求項１０または１１記載のプリンタ用モ−タの制御方法。
【請求項１３】
前記位置カウンタは前記モータの正転および逆転に応じてカウントアップおよびカウントダウンするカウンタであることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載のプリンタ用モータの制御方法。
【請求項１４】
モータによって搬送される印刷媒体の位置を検出するステップと、
前記モータの今回の起動時の前記印刷媒体の送り量の目標値および前記モータの前回の起動時の前記送り量の目標値ならびに前記モータの今回の起動直前の前記印刷媒体の検出位置に基づいて、前記印刷媒体の修正された目標位置を演算するステップと、
前記修正された目標位置と、前記印刷媒体の検出位置との位置偏差に基づいて前記モータを制御するステップと、
を備えていることを特徴とするプリンタ用モータの制御方法。
【請求項１５】
前記修正された目標位置を演算するステップは、
前回の起動時の送り量の目標値と、前記モータの今回の起動直前の前記印刷媒体の検出値とに基づいて前回の起動後の前記送り量の誤差を演算するステップと、
今回の起動時の前記送り量の目標値と前記誤差との和である修正された目標位置を演算するステップと、
を備えていることを特徴とする請求項１４記載のプリンタ用モータの制御方法。
【請求項１６】
モータの回転に従って回転するエンコーダの出力パルスをカウントすることによって前記モータによって搬送される印刷媒体の位置を位置カウンタによって検出する手順と、
前記印刷媒体の送り量の目標値と、前記位置カウンタによって検出された前記印刷媒体の前回の停止位置とに基づいて前記送り量の修正された目標値を演算し、前記修正された目標値を前記位置カウンタのカウント値に設定する手順と、
前記位置カウンタのカウント値が零を含む所定の範囲の値となるように前記モータを制御する手順と、
を備えたことを特徴とするコンピュータによってプリンタ用モータを制御するプリンタ用モータの制御プログラムを記録した記録媒体。
【請求項１７】
モータによって搬送される印刷媒体の位置を検出する手順と、
前記モータの今回の起動時の前記印刷媒体の送り量の目標値および前記モータの前回の起動時の前記送り量の目標値ならびに前記モータの今回の起動直前の前記印刷媒体の検出位置に基づいて、前記印刷媒体の修正された目標位置を演算する手順と、
前記修正された目標位置と、前記印刷媒体の検出位置との位置偏差に基づいて前記モータを制御する手順と、
を備えていることを特徴とするコンピュータによってプリンタ用モータを制御するプリンタ用モータの制御プログラムを記録した記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱素子を取り付けた配線基板と、この配線基板を収納した第１の筐体と、この第１の筐体の表面に取り付けられたキーボードと、表示装置を収納した第２の筐体とを備え、前記第１の筐体にヒンジを介して軸回転可能に前記第２の筐体が取り付けられた電子装置において、前記第１の筐体の内部には、前記発熱素子に柔軟熱伝導部材を介して熱的に接続された放熱部材と、前記第１の筐体の内部にこもった熱を外部に放熱するファンとを設け、前記放熱部材の内部には、冷却液が流れる流路が形成され、この流路に接続されたチューブにはポンプが接続されてなり、このポンプによって前記冷却液が前記放熱部材に強制的に循環されることを特徴とする電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】分散システムにおける属性データの一致化方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが記憶装置と演算装置とを有する複数の構成要素からなり、前記複数の構成要素それぞれが、前記構成要素の属性を示す共通した種類の属性データを前記記憶装置に格納している分散システムにおける、いずれか一つの前記構成要素による前記属性データの一致化方法であって、
少なくとも一つの他の前記構成要素から、当該構成要素が有する前記属性データを受け取り、
前記他の構成要素から受け取った前記属性データ内容に基づいて、前記演算装置を用いて、当該構成要素自身が保持すべき属性データの内容を決定し、
前記記憶装置に格納している前記属性データ内容を、決定した前記属性データ内容に修正し、
前記他の構成要素に、決定した前記属性データ内容を通知する
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項２】
請求項１に記載の属性データの一致化方法において、
前記属性データ内容の修正において、前記決定した属性データ内容と、自構成要素が有する属性データ内容とを比較して、修正の必要性を判断する
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項３】
請求項１に記載の属性データの一致化方法において、
前記属性データ内容の決定は、一定期間内に前記他の構成要素から受け取った属性データを用いて行う
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項４】
請求項１に記載の属性データの一致化方法において、
前記属性データ内容の決定は、所定数の前記他の構成要素から受け取った属性データを用いて行う
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項５】
請求項１に記載の属性データの一致化方法において、
前記他の構成要素への決定した前記属性データ内容の通知は、前記決定に際して、前記少なくとも一つの他の前記構成要素から受け取った前記属性データの内容が、すべて同一で無かった場合に行う
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項６】
請求項１に記載の属性データの一致化方法において、
いずれか一つの前記構成要素は、
前記属性データの内容の決定において、
複数の前記構成要素から受け取った前記属性データ内容に基づいた多数決方式により行う
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項７】
請求項６に記載の属性データの一致化方法において、
前記複数の構成要素それぞれにデータ更新時の要因に基づいた重要度を定義しておき、
前記属性データの内容を決定する処理は、前記重要度を利用した多数決方式により行う
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項８】
請求項１に記載の属性データの一致化方法において、
当該構成要素による属性データの修正は、前記属性データのいずれかへの読み出しアクセスがあった際に行う
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項９】
請求項１に記載の属性データの一致化方法において、
当該構成要素による属性データの修正は、周期的に行う
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の属性データの一致化方法において、
当該構成要素による属性データの修正は、予め設定された時刻に行う
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項１１】
請求項６に記載の属性データの一致化方法において、
前記重要度は、前記構成要素の有するデータに対する更新回数を元に設定し、この重要度を重みとして属性データ間の一致化時の多数決方式に流用する。
【請求項１２】
請求項６に記載の属性データの一致化方法において、
前記重要度は、前記構成要素が有するデータの更新イベントに基づいて設定する
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項１３】
請求項６に記載の属性データの一致化方法において、
前記重要度は、前記構成要素の有するデータ更新時刻に応じて設定する
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の属性データの一致化方法において、
当該構成要素による属性データの修正方法を、所定の周期で繰り返し実行する
ことを特徴とする属性データの一致化方法。
【請求項１５】
商品についての広告方法であって、
同一種類の複数の商品それぞれが、記憶装置と演算装置とを有し、
前記商品それぞれが、前記商品の値段を示す値段データを前記記憶装置に格納しており、
前記値段データを、前記複数の商品のうちの少なくとも１つが、他の商品の値段データを受け取り、前記受け取った値段データおよび前記有している値段データに基づいて、前記演算装置を用いて前記複数の商品間で一致すべき値段データの内容である値段を決定し、
決定された値段に基づいて、前記複数の商品のそれぞれで値段データを一致させ、
前記一致させられた値段データを、前記商品の販売者装置へ送信し、
前記商品の販売者装置からネットワークを介して前記商品の顧客となり得る者の顧客装置に、前記一致させられた値段データを含む広告情報を送信することを特徴とする広告方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一のメモリモジュールにおけるエラー訂正専用のビット数が、コンピュータシステムによってサポートされるチップキル訂正アルゴリズムの実行に必要なビット数より少ないと判定された場合に、該コンピュータシステムの単一のメモリモジュールにおいてメモリオペレーションを実行する方法であって、
連続するデータビットを結合して、前記メモリモジュールのデータ幅の２倍のワードにするステップと、
前記ワードに対して前記チップキル訂正アルゴリズムを実行することによって、エラー訂正コードを生成するステップと、
前記ワードの一部と前記エラー訂正コードの一部を第１のメモリロケーションに書き込み、前記ワードの残りの部分と前記エラー訂正コードの残りの部分を連続するメモリロケーションに書き込むステップ
を含む、方法。
【請求項２】
１クロックサイクル以内でダブルワードメモリオペレーションを実行するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項３】
メモリコントローラと、
データバスと、
前記データバスにより前記メモリコントローラに電気的に結合され、かつ、少なくとも１つのメモリデバイスを有する少なくとも１つのメモリモジュール
からなる、メモリ構成であって、
前記メモリコントローラが、コンピュータシステムの単一のメモリモジュールにおけるエラー訂正専用のビット数が、前記コンピュータシステムによってサポートされるチップキル訂正アルゴリズムの実行に必要なビット数より少ない場合に、
連続するデータビットを結合して、前記メモリモジュールのデータ幅の２倍のワードにし、
前記ワードに対して前記チップキル訂正アルゴリズムを実行することによって、エラー訂正コードを生成し、
前記ワードの一部と前記エラー訂正コードの一部を第１のメモリロケーションに書き込み、前記ワードの残りの部分と前記エラー訂正コードの残りの部分を連続するメモリロケーションに書き込む
という動作が可能であることからなる、メモリ構成。
【請求項４】
ダブルワードメモリオペレーションが１クロックサイクル以内で実行される、請求項３のメモリ構成。
【請求項５】
単一のメモリモジュールにおけるエラー訂正専用のビット数が、コンピュータシステムによってサポートされるチップキル訂正アルゴリズムの実行に必要なビット数より少ないと判定された場合に、該コンピュータシステムの単一のメモリモジュールにおいてメモリオペレーションを実行するための方法であって、
ダブルワードメモリオペレーションを単一のメモリモジュールで実行するステップと、
前記コンピュータシステムによってサポートされる所望のチップキルアルゴリズムを実行するために、前記ダブルワードメモリオペレーションによって提供される追加のエラー訂正ビットを使用するステップと、
ダブルワードメモリオペレーションの実施が望まれているか否かを決定するステップ
を含み、
前記ダブルワードメモリオペレーションの実施が望まれているか否かを決定するステップが、ダブルワードメモリオペレーションを実行する前記ステップの前に実行されることからなる、方法。
【請求項６】
コンピュータシステムのユーザが前記チップキルアルゴリズムの実行を望んでいるか否かを判定するステップを更に含む、請求項５の方法。
【請求項７】
前記単一のメモリモジュールが、該単一のメモリモジュールのメモリデバイスに対してチップキルアルゴリズムを実行するために必要な数のエラー訂正ビットを有しているか否か、を判定するステップを更に含む、請求項６の方法。
【請求項８】
チップキルアルゴリズムを実行するために前記コンピュータシステムによって必要とされるビットの数が、前記単一のメモリモジュールにおいて使用可能なエラー訂正ビットの数の２倍以下であるか否かを判定するステップを更に含む、請求項６の方法。
【請求項９】
前記コンピュータシステムが、シングルワードメモリの実施とダブルワードメモリの実施とを切り替える能力を有する、請求項５の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のネットワークを介して接続された、複数の端末と、情報配信サーバとを有し、前記情報配信サーバから前記端末へ時間経過に伴って変化する所定の情報を配信する情報配信システムであって、
前記端末は、
前記情報の配信要求を受け付ける配信要求受付部と、
前記情報の配信要求を受け付けたことに基づいて、前記情報配信サーバとの間の通信路を前記第１のネットワーク上に確立して維持する端末側通信路維持部と、
前記端末側通信路維持部により維持されている前記通信路を介して前記情報配信サーバから送信される前記情報を受信する情報受信部と、
前記情報を表示する情報表示部と
を有し、
前記情報配信サーバは、
前記情報の配信要求を受け付けた前記端末との間の前記通信路を前記第１のネットワーク上に確立して維持するサーバ側通信路維持部と、
前記情報を入力する情報入力部と、
前記情報を入力したことに基づいて、前記情報を前記サーバ側通信路維持部により維持されている前記通信路を介して前記端末に送信する情報送信部と
を有することを特徴とする情報配信システム。
【請求項２】
前記情報入力部は、時間経過に伴って変化した新たな情報を入力し、
前記情報送信部は、前記新たな情報を前記サーバ側通信路維持部により維持されている前記通信路を介して前記端末に送信する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報配信システム。
【請求項３】
前記情報入力部は、第２のネットワークを介して前記情報を入力することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報配信システム。
【請求項４】
前記新たな情報を外部から専用回線を介して受信する情報中継端末を更に備え、
前記情報中継端末は、前記新たな情報を受信した場合に、第２のネットワークを介して、前記新たな情報を前記情報配信サーバの前記情報入力部へ直ちに送信することを特徴とする請求項１に記載の情報配信システム。
【請求項５】
前記第１のネットワークには、所定のページを提供するウェブサーバが接続され、
前記ウェブサーバは、所定の処理を実行するためのプログラムと対応付けられているページを有し、
前記端末は、前記ウェブサーバから前記ページ及び前記プログラムを読み込むページ読込部と、前記ページに対応付けられている前記プログラムを実行するプログラム実行部とを有し、
前記端末側通信路維持部、前記情報受信部、又は前記情報表示部の少なくとも一つは、前記プログラム実行部が前記プログラムを実行することにより構成される
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の情報配信システム。
【請求項６】
過去の前記情報を記憶する情報データベースと、
前記過去の情報に基づいて、所定の提示情報を生成する提示情報生成装置と
を更に備え、
前記端末は、前記提示情報の生成要求を受け付ける生成要求部を更に備え、
前記ウェブサーバは、前記生成要求を受信したことに基づいて、前記提示情報生成装置に所定の提示情報を生成させると共に、生成された前記提示情報を受信する処理中継部と、前記端末に前記提示情報を送信する提示情報送信部とを有する
ことを特徴とする請求項５に記載の情報配信システム。
【請求項７】
前記端末の前記配信要求受付部は、ユーザからの入力に基づいた前記情報の配信要求を受け付けることを特徴とする請求項１に記載の情報配信システム。
【請求項８】
時間経過に伴って変化する情報を第１のネットワークを介して複数の端末に配信する情報配信サーバであって、
前記情報を入力する情報入力部と、
配信要求があった前記端末との間の通信路を前記第１のネットワーク上に確立して維持するサーバ側通信路維持部と、
前記情報入力部が情報を入力したことに基づいて、前記情報を前記サーバ側通信路維持部により維持されている前記通信路を介して前記端末へ送信する情報送信部と
を有することを特徴とする情報配信サーバ。
【請求項９】
前記情報入力部は、時間経過に伴って変化した新たな情報を入力し、
前記情報送信部は、前記新たな情報を前記サーバ側通信路維持部により維持されている前記通信路を介して前記端末に送信する
ことを特徴とする請求項８に記載の情報配信サーバ。
【請求項１０】
前記情報入力部は、第２のネットワークを介して情報を入力することを特徴とする請求項８又は９に記載の情報配信サーバ。
【請求項１１】
第１のネットワークを介して配信された時間経過に伴って変化する所定の情報を表示する端末であって、
前記情報の配信要求を受け付ける配信要求受付部と、
前記配信要求に基づいて、前記情報を配信する情報配信サーバとの間の通信路を前記第１のネットワーク上に確立して維持する端末側通信路維持部と、
前記端末側通信路維持部により維持された前記通信路を介して前記情報配信サーバから送信される前記情報を受信する情報受信部と、
前記情報を表示する情報表示部と
を有することを特徴とする端末。
【請求項１２】
前記通信路が遮断されているか否かを検出する回線状況検出部と、
前記回線状況検出部により前記通信路が遮断されていると検出されたことに基づいて、前記通信路が遮断されていることを表示させる遮断表示制御部と
をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の端末。
【請求項１３】
コンピュータに、時間経過に伴って変化する所定の情報をネットワークを介して複数の端末へ配信させるプログラムが記憶された記録媒体であって、
前記複数の端末との間の通信路を前記ネットワーク上に確立して維持させる通信路維持プログラムと、
前記情報を入力させる情報入力プログラムと、
前記情報を入力したことに基づいて、当該情報を前記通信路維持プログラムにより維持された前記通信路を介して複数の前記端末に送信させる情報送信プログラムと
を有することを特徴とする記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色領域、緑色領域及び青色領域の各色領域毎に偏光状態を変調させることにより投射すべき映像を形成する３枚の反射型の画像形成部材と、
これらの画像形成部材を照明するための光を発する光源と、
前記画像形成部材により形成された映像をスクリーン上に投射する投射レンズ系と、
前記光源から前記画像形成部材へ向けた入射光路と前記画像形成部材から前記投射レンズ系へ向けた出射光路とが重複する入出射光路上に前記光源からの光のうちのＰ偏光又はＳ偏光の何れか一方の偏光成分を反射させ他方の偏光成分を略９０°異なる方向に透過させる偏光ビームスプリッタと、
この偏光ビームスプリッタと３枚の前記画像形成部材との間の光路上に、赤色光の長波長域と緑色光よりも短波長域とを分離する赤用ダイクロイック膜と、青色光の短波長域と緑色光よりも長波長域とを分離する青用ダイクロイック膜とを備えて、前記光源からの光のうちで前記偏光ビームスプリッタにより分離された一方の偏光成分の光を赤色領域と緑色領域と青色領域とに色分離して対応する前記画像形成部材に導く機能と、分離され前記画像形成部材により偏光状態が変調されて再び入射する各領域の光を色合成して前記偏光ビームスプリッタを介して前記投射レンズ系に導く機能とを兼用する色分離・色合成素子として配設され、前記赤用ダイクロイック膜は赤色光のＳ偏光又はＰ偏光の何れか一方の偏光成分の最大反射率が他方の偏光成分の最大反射率の８０％以上であり、前記青用ダイクロイック膜は青色光のＳ偏光又はＰ偏光の何れか一方の偏光成分の最大反射率が他方の偏光成分の最大反射率の８０％以上であるダイクロイックプリズムと、
を備えることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項２】
赤色領域、緑色領域及び青色領域の各色領域毎に偏光状態を変調させることにより投射すべき映像を形成する３枚の反射型の画像形成部材と、
これらの画像形成部材を照明するための光を発する光源と、
前記画像形成部材により形成された映像をスクリーン上に投射する投射レンズ系と、
前記光源から前記画像形成部材へ向けた入射光路と前記画像形成部材から前記投射レンズ系へ向けた出射光路とが重複する入出射光路上に前記光源からの光のうちのＰ偏光又はＳ偏光の何れか一方の偏光成分を反射させ他方の偏光成分を略９０°異なる方向に透過させる偏光ビームスプリッタと、
この偏光ビームスプリッタと３枚の前記画像形成部材との間の光路上に、赤色光の長波長域と緑色光よりも短波長域とを分離する赤用ダイクロイック膜と、青色光の短波長域と緑色光よりも長波長域とを分離する青用ダイクロイック膜とを備えて、前記光源からの光のうちで前記偏光ビームスプリッタにより分離された一方の偏光成分の光を赤色領域と緑色領域と青色領域とに色分離して対応する前記画像形成部材に導く機能と、分離され前記画像形成部材により偏光状態が変調されて再び入射する各領域の光を色合成して前記偏光ビームスプリッタを介して前記投射レンズ系に導く機能とを兼用する色分離・色合成素子として配設され、前記赤用ダイクロイック膜において５５０ｎｍ≦λ≦７００ｎｍの波長域でＰ偏光の反射率が５０％となる波長をλ50P、Ｓ偏光の反射率が５０％となる波長をλ50Sとしたとき、１０ｎｍ≦｜λ50P−λ50S｜≦５０ｎｍであり、かつ、前記青用ダイクロイック膜において４００ｎｍ≦λ≦５５０ｎｍの波長域でＰ偏光の反射率が５０％となる波長をλ50P、Ｓ偏光の反射率が５０％となる波長をλ50Sとしたとき、１０ｎｍ≦｜λ50P−λ50S｜≦５０ｎｍであるダイクロイックプリズムと、
を備えることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項３】
前記ダイクロイックプリズムは、前記赤用ダイクロイック膜と前記青用ダイクロイック膜とが直交配置され、かつ、前記偏光ビームスプリッタの入射面とこれらのダイクロイック膜の入射面とがほぼ直交するように配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載のプロジェクタ。
【請求項４】
前記ダイクロイックプリズムは、前記赤用ダイクロイック膜と前記青用ダイクロイック膜とが直交配置され、かつ、前記赤用ダイクロイック膜と前記青用ダイクロイック膜とに対してほぼ均等なシフト角度を持たせて入射光が入射されるように配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載のプロジェクタ。
【請求項５】
前記ダイクロイックプリズムは、前記赤用ダイクロイック膜と前記青用ダイクロイック膜とが直交配置され、かつ、前記赤用ダイクロイック膜と前記青用ダイクロイック膜との何れか一方の膜に対しては入射角４５°未満の所定の入射角の入射光が入射し、他方の膜に対しては入射角４５°以上の所定の入射角の入射光が入射されるように配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載のプロジェクタ。
【請求項６】
前記光源から前記偏光ビームスプリッタまでの入射光路上に、少なくとも一対のフライアイレンズ板を有する照明系を備えることを特徴とする請求項１ないし５の何れか一に記載のプロジェクタ。
【請求項７】
前記光源から前記偏光ビームスプリッタまでの入射光路上に、少なくとも１枚のフライアイレンズ板と、複数のシリンドリカルレンズを配列させてなり前記フライアイレンズ板の集光位置付近に配設された第１のレンチキュラと、この第１のレンチキュラの後段に配設されてそのシリンドリカルレンズの配列方向と直交する方向に複数のシリンドリカルレンズが配列された第２のレンチキュラとを有する照明系を備えることを特徴とする請求項１ないし５の何れか一に記載のプロジェクタ。
【請求項８】
前記第１のレンチキュラと前記第２のレンチキュラとの間の光路上に、ランダムな光束を一方の偏光成分のみに揃える偏光整列機能素子を有することを特徴とする請求項７記載のプロジェクタ。
【請求項９】
少なくとも１枚のフライアイレンズ板と、複数のシリンドリカルレンズを配列させてなり前記フライアイレンズ板の集光位置付近に配設された第１のレンチキュラと、この第１のレンチキュラの後段に配設されてそのシリンドリカルレンズの配列方向と直交する方向に複数のシリンドリカルレンズが配列された第２のレンチキュラとを有する照明系。
【請求項１０】
前記第１のレンチキュラと前記第２のレンチキュラとの間の光路上に、ランダムな光束を一方の偏光成分のみに揃える偏光整列機能素子を有することを特徴とする請求項９記載の照明系。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月18日(2004.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに
（Ｂ）下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）の少なくともいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及び
（Ｃ）下記（ａ）の溶媒を全溶剤に対して６０〜９０重量％含有する溶剤、
（ａ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート，３−メトキシプロピオン酸メチル，３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチルから選択される少なくとも１種の第１の溶媒、
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
2001142212.tif 000001
一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）中；
Ｒ1〜Ｒ5は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ1〜Ｒ5の内の２つは、結合して環を形成してもよい。
【請求項２】
（Ｂ）の樹脂が、更に下記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうちの少なくとも１種の基で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化２】
2001142212.tif 000002
一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）中；
Ｒ11は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基またはｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ12〜Ｒ16は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ12〜Ｒ14のうち少なくとも１つ、もしくはＲ15、Ｒ16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ17〜Ｒ21は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ17〜Ｒ21のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ19、Ｒ21のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ22〜Ｒ25は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または
脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ22〜Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。
【請求項３】
前記一般式（ｐＩ）〜（ｐＶＩ）で表される脂環式炭化水素構造を含む基が、下記一般式（ＩＩ）で表される基であることを特徴とする請求項２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化３】
2001142212.tif 000003
一般式（ＩＩ）中、Ｒ28は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ29〜Ｒ31は、同じでも異なっていてもよく、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、カルボキシ基あるいは、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基又はアシル基を表す。
ｐ、ｑ、ｒは、各々独立に、０又は１〜３の整数を表す。
【請求項４】
前記（Ｂ）の樹脂が、下記一般式（ａ）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化４】
2001142212.tif 000004
一般式（ａ）中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１から４の置換もしくは非置換のアルキル基を表す。Ｒ32〜Ｒ34は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又は水酸基を表す。Ｒ32〜Ｒ34のうち少なくとも１つは水酸基を表す。
【請求項５】
更に（Ｄ）酸拡散抑制剤を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項６】
（Ａ）の化合物が、スルホニウム又はヨードニウムのスルホン酸塩化合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項７】
（Ａ）の化合物が、Ｎ−ヒドロキシイミドのスルホネート化合物又はジスルホニルジアゾメタン化合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項８】
露光光として、波長１５０ｎｍ〜２２０ｎｍの遠紫外線を用いることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりポジ型フォトレジスト膜を形成し、当該ポジ型フォトレジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月18日(2004.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
（Ｃ）溶剤、
を含有し、２５℃での粘度が２〜７センチポアズであることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項２】
塗布、乾燥後に形成された塗膜が、波長１９３ｎｍの光に対して４０〜７０％／３５０ｎｍの透過率を有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項３】
上記樹脂（Ａ）が下記一般式（Ｉ）及び（II）で表される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用により分解する基を有する樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
2001142215.tif 000001
（上記一般式（Ｉ）、（II）中：
Ｒ1は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｗは、単結合、又はアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基あるいはこれらの基を組み合わせた２価の基を表す。
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ，Ｒｅは、各々独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｍ、ｎは、各々独立に、０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎは２以上６以下である。
【請求項４】
上記（Ａ）樹脂が、下記一般式（III-a）〜（III-ｄ）で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項３に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化２】
2001142215.tif 000002
（上記式中：
Ｒ1は、上記と同意である。
Ｒ3〜Ｒ10は、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｒは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。
ｍは、１〜１０の整数を表す。
Ｘは、単結合、又は置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよい環状アルキレン基、置換基を有していてもよいアリーレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基あるいはこれらの基を組み合わさせた基であって、酸の作用により分解しない２価の基を表す。
Ｚは、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、アルキレン基あるいはこれらを組み合わせた２価の基を表す。
Ｒ11は、単結合、又はアルキレン基、アリーレン基、あるいはこれらを組み合わせた２価の基を表す。
Ｒ12は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい環状アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。
Ｒ13は、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた２価の基を表す。
Ｒ14は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい環状アルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。
Ａは、下記に示す官能基のいずれかを表す。）
【化３】
2001142215.tif 000003
【請求項５】
上記樹脂（Ａ）が下記一般式（IVａ）及び一般式（IVｂ）で表される繰り返し構造単位のうち少なくともいずれかと下記一般式（Ｖ）で表される繰り返し構造単位とを有し、かつ酸の作用により分解する基を有する重合体であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【化４】
2001142215.tif 000004
式（IVａ）中：
Ｒ15、Ｒ16は、各々独立に、水素原子、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ19、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ20、−ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ2−Ｒ20、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよい環状炭化水素基、又は下記−Ｙ基を表す。ここで、Ｒ19は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換されていてもよい環状炭化水素基又は下記−Ｙ基を表す。Ｒ20は、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換されていてもよい環状炭化水素基を表す。
Ｘは、酸素原子、硫黄原子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ2−又は−ＮＨＳＯ2ＮＨ−を表す。
Ａは、単結合又は２価の連結基を表す。
−Ｙ基：
【化５】
2001142215.tif 000005
（−Ｙ基中、Ｒ21〜Ｒ30は、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。ａ，ｂは１又は２を表す。）
式（IVｂ）中：
Ｚ2は、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ3）−を表す。ここでＲ3は、水素原子、水酸基又は−ＯＳＯ2−Ｒ4を表す。Ｒ4は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。
式（Ｖ）中：
Ｒ17，Ｒ18は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｚは、結合した２つの炭素原子（Ｃ−Ｃ）を含み、置換基を有していてもよい脂環式構造を形成するための原子団を表す。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１に記載の光デジタイザであって、前記曲面ミラーは、楕円ミラー、楕円シリンダーミラー、双曲線ミラー、双曲線シリンダーミラーのいずれかであることを特徴とする光デジタイザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２の何れかに記載の光デジタイザであって、前記結像レンズは、水平方向の焦点深度を深くするために、凸シリンダーレンズと絞りと凸レンズとからなることを特徴とする光デジタイザ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体を形成し、
前記半導体の一部と重なる位置にレジストからなり、かつ前記基板の面積に対して１５％以下の面積となるマスクを形成し、
前記マスクを用い、加速電圧を８０ｋＶ以上とするドーピング法により前記半導体に不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に半導体を形成し、
前記半導体の一部と重なる位置にレジストからなり、かつ前記基板の面積に対して３５％以下の面積となるマスクを形成し、
前記マスクを熱処理し、
前記マスクを用い、加速電圧を８０ｋＶ以上とするドーピング法により前記半導体に不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に半導体を形成し、
前記半導体上に絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記半導体の一部と重なる位置にレジストからなり、かつ前記基板の面積に対して２０％以下の面積となる第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用い、加速電圧を６０ｋＶ以上とするドーピング法により前記半導体にｎ型の不純物元素を添加し、
前記第１のマスクを除去し、
前記半導体の一部と重なる位置にレジストからなり、かつ前記基板の面積に対して１５％以下の面積となる第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用い、加速電圧を８０ｋＶ以上とするドーピング法により前記半導体にｐ型の不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に半導体を形成し、
前記半導体上に絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記半導体の一部と重なる位置にレジストからなり、かつ前記基板の面積に対して４０％以下の面積となる第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを熱処理し、
前記第１のマスクを用い、加速電圧を６０ｋＶ以上とするドーピング法により前記半導体にｎ型の不純物元素を添加し、
前記第１のマスクを除去し、
前記半導体の一部と重なる位置にレジストからなり、かつ前記基板の面積に対して３５％以下の面積となる第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを熱処理し、
前記第２のマスクを用い、加速電圧を８０ｋＶ以上とするドーピング法により前記半導体にｐ型の不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に半導体を形成し、
前記半導体上に絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記半導体の一部と重なる位置にレジストからなり、かつ前記基板の面積に対して２０％以下の面積となる第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用い、電流密度を１５μＡ／ｃｍ２以上とし、かつ加速電圧を６０ｋＶ以上とするドーピング法により前記半導体にｎ型の不純物元素を添加し、
前記第１のマスクを除去し、
前記半導体の一部と重なる位置にレジストからなり、かつ前記基板の面積に対して１５％以下の面積となる第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用い、電流密度を１５μＡ／ｃｍ２以上とし、かつ加速電圧を８０ｋＶ以上とするドーピング法により前記半導体にｐ型の不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に半導体を形成し、
前記半導体上に絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記半導体の一部と重なる位置にレジストからなり、かつ前記基板の面積に対して４０％以下の面積となる第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを熱処理し、
前記第１のマスクを用い、電流密度を１５μＡ／ｃｍ２以上とし、かつ加速電圧を６０ｋＶ以上とするドーピング法により前記半導体にｎ型の不純物元素を添加し、
前記第１のマスクを除去し、
前記半導体の一部と重なる位置にレジストからなり、かつ前記基板の面積に対して３５％以下の面積となる第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを熱処理し、
前記第２のマスクを用い、電流密度を１５μＡ／ｃｍ２以上とし、かつ加速電圧を８０ｋＶ以上とするドーピング法により前記半導体にｐ型の不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上に、絶縁材料からなる第１の膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１の膜に凹部を形成する工程と、
（ｃ）前記凹部内を埋め込むように、前記第１の膜の上に金属からなる導電膜を堆積させる工程と、
（ｄ）前記基板表面に研磨布を接触させ、両者の接触面にスラリを供給して、前記凹部内に該導電膜の一部を残すように、前記導電膜を研磨する工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）で供給されていたスラリの供給を停止し、前記研磨布と基板との接触面に、有機化合物を含む第１の処理液を供給して、前記凹部内に残った前記導電膜の表面に、該第１の処理液を接触させ、該導電膜の表面に被覆層を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記被覆層を除去することなく、該被覆層及び前記第１の膜の上に、絶縁材料からなる第２の膜を形成する工程を有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記被覆層が、前記導電膜の金属原子を含む錯体からなる層、前記第１の処理液に含まれる有機化合物と前記導電膜を形成する金属とが反応して形成された被覆層、及び前記第１の処理液に含まれる有機化合物が前記導電膜の表面に吸着した吸着層からなる群より選択された１つの層である請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｅ）が、前記基板を前記第１の処理液中に浸漬させる工程を含む請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｄ）と工程（ｅ）との間に、
研磨された基板表面をアミンまたはアンモニアを含有する第２の処理液に晒す工程と、
前記第２の処理液に晒した後、有機酸で前記基板表面を洗浄する工程と
を有する請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の処理液に含まれる有機化合物が、ベンゼン環または複素環に、官能基としてメルカプト（ＳＨ）基、アミノ（ＮＨ２）基、メチル（ＣＨ３）基、カルボキシ（ＣＯＯＨ）基、水酸（ＯＨ）基、ニトロ（ＮＯ２）基、クロロ（Ｃｌ）基、ニトリロ（Ｎ）基、イミノ基の少なくとも１つの基が結合した有機化合物である請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電膜が、銅または銅を主成分とする合金である請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体基板の上に形成された絶縁材料からなる第１の膜と、
前記第１の膜に形成された凹部と、
前記凹部内に埋め込まれた金属からなる導電部材と、
前記導電部材の表面を覆い、銅の錯体からなる被覆層と、
前記第１の膜及び前記被覆層の上に形成された絶縁材料からなる第２の膜と
を有する半導体装置。
【請求項９】
半導体基板の上に形成された絶縁材料からなる第１の膜と、
前記第１の膜に形成された凹部と、
前記凹部内に埋め込まれた金属からなる導電部材と、
前記導電部材の表面を覆い、銅の腐食防止剤と銅との化合物からなる被覆層と、
前記第１の膜及び前記被覆層の上に形成された絶縁材料からなる第２の膜と
を有する半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、（ａ）基板上に、絶縁材料からなる第１の膜を形成する工程と、（ｂ）前記第１の膜に凹部を形成する工程と、（ｃ）前記凹部内を埋め込むように、前記第１の膜の上に金属からなる導電膜を堆積させる工程と、（ｄ）前記基板表面に研磨布を接触させ、両者の接触面にスラリを供給して、前記凹部内に該導電膜の一部を残すように、前記導電膜を研磨する工程と、（ｅ）前記工程（ｄ）で供給されていたスラリの供給を停止し、前記研磨布と基板との接触面に、有機化合物を含む第１の処理液を供給して、前記凹部内に残った前記導電膜の表面に、該第１の処理液を接触させ、該導電膜の表面に被覆層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】キャパシタ、半導体記憶装置及び方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の方向に沿って筒状に伸びるカーボン・ナノチューブより成る第１電極と、
前記カーボン・ナノチューブの筒状の壁面周囲に絶縁体を介して設けられる第２電極
を有し、前記第１電極が、所定の方向に沿って伸びる複数のカーボン・ナノチューブの束によって形成される
ことを特徴とするキャパシタ。
【請求項２】  請求項１記載のキャパシタにおいて、前記カーボン・ナノチューブの成長の起点となる箇所に、所定の元素を含むシード層が設けられていることを特徴とするキャパシタ。
【請求項３】  請求項１記載のキャパシタにおいて、前記第２電極が、前記第１電極を形成する筒状の前記カーボン・ナノチューブの内側の壁面に対向するよう設けられることを特徴とするキャパシタ。
【請求項４】  請求項１記載のキャパシタにより形成されるメモリ・セルを有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】  キャパシタ構造を作成する方法であって、
半導体基板上に導電層の少なくとも一部が露出した構造を形成する工程と、
前記導電層の露出した箇所に、所定の遷移金属元素を導入することによって、カーボン・ナノチューブの成長の起点となるシード層を形成する工程と、
前記シード層を起点として、所定の長さの筒状の形状を有するカーボン・ナノチューブを成長させることにより、第１のキャパシタ電極を形成する工程と、
前記カーボン・ナノチューブの筒状の壁面の周囲に絶縁層を設ける工程と、
前記絶縁層に導電層を設けることによって、第２のキャパシタ電極を形成する工程
より成ることを特徴とするキャパシタ構造を作成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体を成長させた後、アンモニアを０．１〜５ｖｏｌ％の割合で含む不活性ガス雰囲気下、９００〜１１００℃で、５〜１８０秒間、熱処理を行うことを特徴とするｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。
【請求項２】
気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体を成長させた後、アンモニアを０．１〜５ｖｏｌ％の割合で含む不活性ガス雰囲気下、６００〜８００℃で、５〜３０分間、熱処理を行う（ただし、８００℃で２０分間の熱処理を除く）ことを特徴とするｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。
【請求項３】
上記ｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体の成長が行われる結晶成長用雰囲気が、不活性ガスを７０〜９０ｖｏｌ％の割合で有することを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明は下記の特徴を有する。
（１）気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体を成長させた後、アンモニアを０．１〜５ｖｏｌ％の割合で含む不活性ガス雰囲気下、９００〜１１００℃で、５〜１８０秒間、熱処理を行うことを特徴とするｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。
（２）気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体を成長させた後、アンモニアを０．１〜５ｖｏｌ％の割合で含む不活性ガス雰囲気下、６００〜８００℃で、５〜３０分間、熱処理を行う（ただし、８００℃で２０分間の熱処理を除く）ことを特徴とするｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。
（３）上記ｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体の成長が行われる結晶成長用雰囲気が、不活性ガスを７０〜９０ｖｏｌ％の割合で有することを特徴とする、上記（１）または（２）に記載の製造方法。