(57)【要約】式（Ｉ）で表される化合物及びこれを用いた潤滑剤ならびにこれを用いた磁気ディスク。Ａ−（ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２Ｏ−Ｂ−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ａ    （Ｉ）式中ｎは１〜４の実数であり、Ａは下記式（ａ）で表される基、Ｂは下記式（ｂ）で表される基である。ここで、ｐは１または２であり、ＲはＣ１〜４のフルオロアルキル基である。Ｒｆとしては例えば、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−や、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−を例示できる。ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ０〜５０の実数である。2008140121.tif 000013
2008140121.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）で表される化合物。
Ａ−（ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２Ｏ−Ｂ−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ａ    （Ｉ）
式中ｎは１〜４の整数であり、Ａは下記式（ａ）で表される基、Ｂは下記式（ｂ）で表される基である。ここで、ｐは１または２であり、ＲはＣ１〜４のフルオロアルキル基である。Ｒｆは、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ０〜５０の実数である。
2008140121.tif 000010
【請求項２】
ｎが１であり、ｐが１または２である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式（Ｉ）の化合物を含有する潤滑剤。
Ａ−（ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２Ｏ−Ｂ−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ａ    （Ｉ）
式中ｎは１〜４の整数であり、Ａは下記式（ａ）で表される基、Ｂは下記式（ｂ）で表される基である。ここで、ｐは１または２であり、ＲはＣ１〜４のフルオロアルキル基である。Ｒｆは、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ０〜５０の実数である。
2008140121.tif 000011
【請求項４】
ｎが１であり、ｐが１または２である請求項３に記載の潤滑剤。
【請求項５】
支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面にパーフルオロポリエーテル構造を有する化合物からなる潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が下記式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする磁気ディスク。
Ａ−（ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２Ｏ−Ｂ−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ａ    （Ｉ）
式中ｎは１〜４の整数であり、Ａは下記式（ａ）で表される基、Ｂは下記式（ｂ）で表される基である。ここで、ｐは１または２であり、ＲはＣ１〜４のフルオロアルキル基である。Ｒｆは、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ０〜５０の実数である。
2008140121.tif 000012
【請求項６】
ｎが１であり、ｐが１または２である請求項５に記載の磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分子主鎖中にシクロホスファゼン基と分子両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物、およびこれを含有する潤滑剤、ならびにこれを用いた磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクの記録密度の増大に伴い、記録媒体である磁気ディスクと情報の記録・再生を行うヘッドとの距離は殆ど接触するまで狭くなっている。磁気ディスク表面にはヘッドとの接触・摺動の際の摩耗抑制や、ディスク表面の汚染防止等の目的で、炭素保護膜や潤滑剤被膜が設けられている。
炭素保護膜は、一般にスパッタ法やＣＶＤ法で製膜される。ディスクの表面保護は、炭素保護膜と、この上層に位置する潤滑剤被膜の両者で担うことになるため、炭素保護膜と潤滑剤との相互作用が重要である。
潤滑剤としては一般に官能基を有するパーフルオロポリエーテルが用いられている。官能基としては、水酸基やアミノ基、さらにはシクロホスファゼン基などがある。具体的には、水酸基を有する潤滑剤としてＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ  ＺＴＥＴＲＡＯＬ、水酸基とシクロホスファゼン基の両方を有する松村石油研究所製のＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈなどがある。
Ｆｏｍｂｌｉｎ  ＺＴＥＴＲＡＯＬは、分子両末端に位置する水酸基によりディスクへの良好な吸着性を示し、ディスクが高速回転しても飛散せず、潤滑剤被膜を維持することができる。しかし、このパーフルオロポリエーテル化合物は、ルイス酸への耐久性が低く、ヘッドの部材中のＡｌ２Ｏ３と反応して、主鎖の切断が起こる（例えば非特許文献１参照）。この切断が進行すると化合物は低分子化し、最終的には磁気ディスク上から揮発・失してしまうため、ヘッドとディスクの接触・摺動をともなう系では潤滑剤被膜を維持できなくなる。
一方、ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈは、ディスクへの吸着に寄与する水酸基が分子の片末端に、さらにルイス酸によるパーフルオロポリエーテル主鎖の切断を抑制するシクロホスファゼン基が他方の末端に存在するため、ディスクが高速回転しても飛散せず、また、ヘッドの部材中のＡｌ２Ｏ３による化合物の分解も抑制し、ディスク上で潤滑剤被膜を維持することができる。しかし、水酸基が１つであるため、潤滑剤の下地層である炭素保護膜の表面の極性が低下すると、水素結合により下地に吸着する潤滑剤分子の数が減少し、高速回転時に飛散してしまう可能性がある。
Ａ２０Ｈの吸着性を改良した化合物として、複数の水酸基が分子の片末端に、さらにシクロホスファゼン基が他方の末端に存在する直鎖パーフルオロポリエーテル化合物が公開されている（特許文献１）。Ａ２０ＨならびにＺＴＥＴＲＡＯＬ以上の吸着力を示すことが確認されているが、さらに高い吸着性と耐分解性の両立が求められている。
【非特許文献１】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、１９９２年、２５巻、ｐ．６７９１−６７９９
【特許文献１】ＷＯ２００６／００９０５７
【０００３】
本発明の課題は、ヘッドと接触しても分解しない安定した化合物で、かつディスク表面に対して良好な吸着性を示す化合物を提供することにある。
【発明の開示】
【０００４】
本発明は、以下の発明に係る。
（１）式（Ｉ）で表される化合物。
Ａ−（ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２Ｏ−Ｂ−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ａ    （Ｉ）
式中ｎは１〜４の整数であり、Ａは下記式（ａ）で表される基、Ｂは下記式（ｂ）で表される基である。ここで、ｐは１または２であり、ＲはＣ１〜４のフルオロアルキル基である。Ｒｆとしては例えば、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−や、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−を例示できる。ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ０〜５０の実数である。
【化１】
2008140121.tif 000003
【化２】
2008140121.tif 000004
（２）ｎが１であり、ｐが１または２である上記（１）に記載の化合物。
（３）式（Ｉ）の化合物を含有する潤滑剤。
（４）上記（２）に記載の化合物を含有する潤滑剤。
（５）支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面にパーフルオロポリエーテル構造を含有する化合物からなる潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層として式（Ｉ）で表される化合物を有する磁気ディスク。
（６）上記（５）に記載の磁気ディスクにおいて、該潤滑層として上記（２）で表される化合物を有する磁気ディスク。
［１］本発明の式（Ｉ）で表されるパーフルオロポリエーテルは、分子主鎖中にシクロホスファゼン基と分子両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物である。
［１−１］合成方法１
式（Ｉ）で表される本発明の、分子主鎖中にシクロホスファゼン基と分子両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテルおいて、ｎが１でありｐが１である化合物は、例えば以下の方法により合成される。４つのＲＣ６Ｈ４Ｏ−で表される基と２つの塩素を有するシクロホスファゼンと、直鎖パーフルオロポリエーテルにおいて、片末端に水酸基１つ、他方の末端に水酸基２つを有するパーフルオロポリエーテルを、金属ナトリウムとともに加熱攪拌する。反応温度は５０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃である。反応時間は。１０〜７０時間、好ましくは２０〜５０時間である。シクロホスファゼンに対して、パーフルオロポリエーテルを０．５〜３当量、金属ナトリウムを１〜４当量使用するのが好ましい。その後、例えば水洗およびカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、目的化合物である分子主鎖中にシクロホスファゼン基と分子両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物が得られる。
シクロホスファゼンの置換基におけるＲは、Ｃ１〜４のフルオロアルキル基であり、例えば、Ｃ１〜４のパーフルオロアルキル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基等を例示できる。Ｒの置換位置については、オルト位、メタ位、パラ位のいずれでも良い。
片末端に水酸基１つ、他方の末端に水酸基２つを有するパーフルオロポリエーテルとしては、例えばＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨや、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨを例示できる。ここでｘ、ｙは、それぞれ０〜５０の実数であり、好ましくは０〜３０、より好ましくは０〜２０である。ｚは１〜５０の実数であり、好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜２０である。いずれも分子量分布を持つ化合物である。
［１−２］合成方法２
また、式（Ｉ）で表される本発明の分子主鎖中にシクロホスファゼン基と分子両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテルおいて、ｎが４でありｐが１である化合物は、合成方法１に記載の方法において、片末端に水酸基１つと他方の末端に水酸基２つを有するパーフルオロポリエーテルを用いる以外に、両末端にそれぞれ水酸基１つを有するパーフルオロポリエーテルを加えて反応させることにより合成される。片末端に水酸基１つと他方の末端に水酸基２つを有するパーフルオロポリエーテルと、両末端にそれぞれ水酸基１つを有するパーフルオロポリエーテルの混合物における、両末端にそれぞれ水酸基１つを有するパーフルオロポリエーテルのモル濃度は、２０〜９９％、好ましくは、４０〜８０％、さらに好ましくは５０〜７０％である。
［１−３］合成方法３
また、式（Ｉ）で表される本発明の分子主鎖中にシクロホスファゼン基と分子両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテルおいて、ｎが４でありｐが２である化合物は、合成方法２に記載の方法において、片末端に水酸基１つと他方の末端に水酸基２つを有するパーフルオロポリエーテルを用いる代わりに、片末端に水酸基１つと他方の末端に水酸基３つを有するパーフルオロポリエーテルを用いることにより合成される。片末端に水酸基１つと他方の末端に水酸基３つを有するパーフルオロポリエーテルと、両末端にそれぞれ水酸基１つを有するパーフルオロポリエーテルの混合物における、両末端にそれぞれ水酸基１つを有するパーフルオロポリエーテルのモル濃度は、２０〜９９％、好ましくは、４０〜８０％、さらに好ましくは５０〜７０％である。
［１−４］使用方法
本発明の化合物を磁気ディスク表面に塗布するには、化合物を溶剤に希釈して塗布する方法が好ましい。溶剤としては、例えば３Ｍ製ＰＦ−５０６０、ＰＦ−５０８０、ＨＦＥ−７１００，ＨＦＥ−７２００、ＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ等が挙げられる。希釈後の化合物の濃度は１ｗｔ％以下、好ましくは０．００１〜０．１ｗｔ％である。
本発明の化合物を単独使用する以外にも、例えばＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ  ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、Ｚｄｏｌ  ＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと任意の比率で混合して使用することもできる。
［１−５］用途
本発明の化合物は、磁気ディスク装置内の磁気ディスクの摺動特性を向上させるための潤滑剤としての用途が挙げられる。また、本発明の化合物は、水酸基による極性部位との水素結合やダングリングボンド（未結合手）との共有結合形成、加えてシクロホスファゼン基により炭素の不飽和結合との相互作用を形成することを特徴とする。したがって、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する磁気ヘッドや光磁気記録装置や磁気テープ等や、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜、さらにはＳｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＳｉＯ２などの無機材料の表面保護膜としても応用できる。
［２］磁気ディスクについて
［２−１］磁気ディスクの構成
図１に本発明の磁気ディスクの断面の模式図を示す。
本発明の磁気ディスクは、まず支持体１上に少なくとも１層以上の記録層２、その上に保護層３、更にその上に本発明の化合物を含有する潤滑層４を最外層として有するという構成である。
支持体としてはアルミニウム合金、ガラス等セラミックス、ポリカーボネート等が挙げられる。
磁気ディスクの記録層である磁性層の構成材料としては鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を中心として、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、又はそれらの酸化物が挙げられる。これらはメッキ法、或いはスパッタ法等で形成される。
保護層はカーボン、ＳｉＣ，ＳｉＯ２等の材質が挙げられる。これらはスパッタ法、或いはＣＶＤ法で形成される。
［２−２］潤滑層の形成方法
現在潤滑層の厚さは３０Å以下であるため、粘性が２０℃で１００ｍＰａ・ｓ程度以上の潤滑剤をそのまま塗布したのでは膜厚が大きくなりすぎる恐れがある。そこで塗布の際は溶剤に溶解したものを用いる。本発明の化合物を潤滑剤として単独で使用する場合も、例えばＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ  ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、Ｚｄｏｌ  ＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと混合して使用する場合も、溶剤に溶解した方が必要な膜厚に制御しやすい。但し、濃度は塗布方法・条件、混合割合等により異なる。本発明の潤滑剤の膜厚は、５〜３０Åが好ましい。
下地層に対する潤滑剤の吸着を促進させるために、熱処理や紫外線処理を行うことができる。熱処理については、６０〜１５０℃、好ましくは８０〜１５０℃である。紫外線処理では、１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を用いるのが好ましい。
［２−３］応用
本発明の磁気ディスクは、ディスクを格納し、情報の記録・再生・消去を行うためのヘッドやディスクを回転するためのモーター等が装備されている磁気ディスクドライブとそのドライブを制御するための制御系からなる磁気ディスク装置に応用できる。
本発明の磁気ディスク、およびそれを応用した磁気ディスク装置の用途としては電子計算機、ワードプロセッサー等の外部メモリーが挙げられる。またナビゲーションシステム、ゲーム、携帯電話、ＰＨＳ等の各種機器、及びビルの防犯、発電所等の管理・制御システムの内部・外部記録装置等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
図１は本発明の磁気ディスクの構成を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【０００６】
１  支持体、２  記録層、３  保護層、４  潤滑層
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、実施例および試験例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等に限定されるものではない。
【実施例１】
【０００８】
Ａ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２Ｏ−Ｂ−ＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ａ（化合物１）の合成
Ａは下記式（ａ）で表される基でありｐは１、Ｂは下記式（ｂ）で表される基であり、Ｒはｍ−ＣＦ３である。Ｒｆは−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−である。
2008140121.tif 000005
2008140121.tif 000006
アルゴン雰囲気下、ジイソプロピルエーテル（６７０ｇ）、トリフルオロメチルフェノール（１７０ｇ）および金属ナトリウム（２０ｇ）を室温で３０時間攪拌した後、室温でシクロトリホスホニトリルクロライド（５０ｇ）を添加した。反応混合物を４０℃で３０時間攪拌した後、水洗、脱水し、トリフルオロメチルフェノキシ基が置換したシクロトリホスホニトリル、１２０ｇを得た。この化合物（２５ｇ）をジトリフルオロメチルベンゼン（１２０ｇ）に溶解させ、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端に二つの水酸基を有するパーフルオロポリエーテル（平均分子量２０００）６０ｇと金属ナトリウム（１．５ｇ）を加えて、７０℃で２４時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、続いてカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、目的化合物１を４ｇ得た。
化合物１は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１．７５ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物１の同定結果を示す。１９Ｆ−ＮＭＲについては、化合物１をそのまま分析に用いた。１Ｈ−ＮＭＲでは、化合物１に無水トリフルオロ酢酸を加えて、水酸基をエステルに変成した試料について分析を行った。
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏを−８９．１ｐｐｍとする）
δ＝−５２．１〜−５５．４ｐｐｍ
〔４３Ｆ，−ＣＦ２Ｏ−〕
δ＝−６４．１ｐｐｍ
〔１２Ｆ，−ＣＨ２Ｏ−［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）４］−ＯＣＨ２−〕
δ＝−７８．０ｐｐｍ、−８０．０ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ〕
δ＝−７８．７ｐｐｍ、−８０．７ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＣＦ２ＣＨ２Ｏ−［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）４］−ＯＣＨ２ＣＦ２−〕
δ＝−８９．１〜−９０．７ｐｐｍ
〔４０Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕
ｘ＝９．８        ｙ＝１０．８
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：パーフルオロヘキサン、基準物質：Ｄ２Ｏ）：
δ＝３．３８〜３．８３ｐｐｍ
〔８Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＣＯＣＦ３）ＣＨ２ＯＣＯＣＦ３〕，
δ＝３．６５〜３．８０ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２Ｏ−［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）４］−ＯＣＨ２ＣＦ２−〕，
δ＝４．３５〜４．４６ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＣＯＣＦ３）ＣＨ２ＯＣＯＣＦ３〕，
δ＝５．２６〜５．３６ｐｐｍ
〔２Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＣＯＣＦ３）ＣＨ２ＯＣＯＣＦ３〕，
【実施例２】
【０００９】
Ａ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２Ｏ−Ｂ−ＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ａ（化合物２）の合成
Ａは上記式（ａ）で表される基でありｐは１、Ｂは上記式（ｂ）で表される基であり、Ｒはｍ−ＣＦ３である。Ｒｆは−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。
アルゴン雰囲気下、ジイソプロピルエーテル（６７０ｇ）、トリフルオロメチルフェノール（１７０ｇ）および金属ナトリウム（２０ｇ）を室温で３０時間攪拌した後、室温でシクロトリホスホニトリルクロライド（５０ｇ）を添加した。反応混合物を４０℃で３０時間攪拌した後、水洗、脱水し、トリフルオロメチルフェノキシ基が置換したシクロトリホスホニトリル、１２０ｇを得た。この化合物（２５ｇ）をジトリフルオロメチルベンゼン（１２０ｇ）に溶解させ、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端に二つの水酸基を有するパーフルオロポリエーテル（平均分子量２０００）６０ｇと金属ナトリウム（１．５ｇ）を加えて、７０℃で２４時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、続いてカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、目的化合物２を３ｇ得た。
化合物２は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１．８ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物２の同定結果を示す。１９Ｆ−ＮＭＲについては、化合物２をそのまま分析に用いた。１Ｈ−ＮＭＲでは、化合物２に無水トリフルオロ酢酸を加えて、水酸基をエステルに変成した試料について分析を行った。
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏを−１２９．７ｐｐｍとする）
δ＝−６４．１ｐｐｍ
〔１２Ｆ，−ＣＨ２Ｏ−［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）４］−ＯＣＨ２−〕
δ＝−８３．７ｐｐｍ
〔８４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−８５．７ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ−［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）４］−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２−〕
δ＝−８６．４ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−１２４．４ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ−［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）４］−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２−〕
δ＝−１２７．５ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−１２９．７ｐｐｍ
〔４２Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
ｚ＝１０．５
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：パーフルオロヘキサン、基準物質：Ｄ２Ｏ）：
δ＝３．３８〜３．８３ｐｐｍ
〔８Ｈ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＣＯＣＦ３）ＣＨ２ＯＣＯＣＦ３〕，
δ＝３．６５〜３．８０ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ−［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）４］−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２−〕，
δ＝４．３５〜４．４６ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＣＯＣＦ３）ＣＨ２ＯＣＯＣＦ３〕，
δ＝５．２６〜５．３６ｐｐｍ
〔２Ｈ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＣＯＣＦ３）ＣＨ２ＯＣＯＣＦ３〕，
試験例１  ボンド率の測定
実施例１、２で合成した化合物１、２をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１、２の濃度は０．１重量％である。直径３．５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。その後１５０℃の恒温槽に１０分間この磁気ディスクを入れ、ディスク表面に対する潤滑剤の吸着を促進させる。この後、Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ（ＦＴ−ＩＲ）でディスク上の化合物の平均膜厚を測定する。この膜厚をｆÅとする。次に、このディスクをＶｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ中に１０分間浸漬し、速度１０ｍｍ／ｓで引き上げた後、室温下で静置して溶媒を揮発させる。この後、ディスク上に残った化合物の平均膜厚をＦＴ−ＩＲで測定する。この膜厚をｂÅとする。ディスクとの吸着性の強弱を示す指標として、一般に用いられているボンド率を採用した。ボンド率は、下記式で表される。
ボンド率（％）＝１００×ｂ／ｆ
また比較のため、直鎖パーフルオロポリエーテルのひとつの末端が、アリーロキシ基で置換されたシクロホスファゼン基であり、他方の末端が水酸基１つである化合物〔（株）松村石油研究所製モレスコホスファロールＡ２０Ｈ−２０００〕、および、直鎖パーフルオロポリエーテルのひとつの末端が、アリーロキシ基で置換されたシクロホスファゼン基であり、他方の末端が水酸基２つである化合物〔（株）松村石油研究所製ＡＤＯＨ−２０００〕、さらには両末端にそれぞれ２つの水酸基を有するパーフルオロポリエーテル（Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚｔｅｔｒａｏｌ−２０００Ｓ）を使用した。なおモレスコホスファロールＡ２０Ｈ−２０００を化合物３とし、ＡＤＯＨ−２０００を化合物４とし、Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚｔｅｔｒａｏｌを化合物５と記述する。
Ｒ１−ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（化合物３）
ここでＲ１は、（ｍ‐ＣＦ３Ｃ６Ｈ４Ｏ）５−Ｐ３Ｎ３−（ただし、−Ｐ３Ｎ３−は環状）であり、ｘは１０．５、ｙは１０．１である。
Ｒ１−ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（化合物４）
ここでＲ１は、（ｍ‐ＣＦ３Ｃ６Ｈ４Ｏ）５−Ｐ３Ｎ３−（ただし、−Ｐ３Ｎ３−は環状）であり、ｘは１０．７、ｙは１０．４である。
ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（化合物５）
ここでｘは１０．１、ｙは１０．９である。
これらの化合物のボンド率を測定した。結果を表１に示す。これらの結果から、本発明のシクロホスファゼン基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物１、２は、磁気ディスクと強い吸着力で結合した潤滑層を形成できるという効果が確認された。
【表１】
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試験例２  酸化アルミニウムに対する耐分解性の測定
実施例１、２で合成した化合物１、２に２０重量％のＡｌ２Ｏ３（ＭＰバイオメディカルズ製、ＩＣＮ  Ａｌｕｍｉｎａ  Ｂ，Ａｋｔ．Ｉ、平均粒子径；１００μｍ）を入れ、強く振とうしたのち超音波でさらに良く混合した試料を用いて、Ａｌ２Ｏ３の存在下における熱挙動の比較を熱分析装置（ＴＧ／ＴＤＡ）を使用して実施した。試験は、試料２０ｍｇをアルミ製容器に入れ、窒素雰囲気下、２５０℃の一定温度で加熱し、一定時間後の化合物の重量減少率を測定した。また比較のため、Ａｌ２Ｏ３を添加せずに、化合物１、２を２０ｍｇ使用し、同様の熱分析を行った。さらに比較として、化合物３〜５も用いた。
結果を表２に示す。表２から明らかなように、本発明の分子主鎖中にシクロホスファゼン基と分子両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物１、２は、同じくシクロホスファゼン基を有する化合物３および４と同様に、
Ａｌ２Ｏ３による重量減少の促進は見られず、耐分解性に優れることが確認された。なお、表１より、本発明の化合物１、２は、化合物３および４に比べて吸着性が高いことは明らかであり、耐分解性と吸着性を両立するにおいて、本発明の化合物が有効であることが確認できる。
【表２】
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【実施例３】
【００１０】
磁気ディスクの作製
実施例１、２で得られた化合物１、２をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１、２の濃度は０．１重量％である。直径３．５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。その後１５０℃で１０分間乾燥し、塗布された化合物の膜厚をＦＴ−ＩＲで測定した。
結果を表３に示す。これらの結果から、高い吸着性と分解抑制効果を両立する本発明の化合物を有する磁気ディスクを作製できることが確認された。
【表３】
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以上の結果より、分子主鎖中にシクロホスファゼン基と分子両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、高い吸着性と分解抑制効果を両立する効果が認められ、さらに、これらの化合物を有する磁気ディスクを作製できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００１１】
本発明の分子主鎖中にシクロホスファゼン基と分子両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、優れた吸着性と潤滑剤分解抑制という２つの課題を同時に解決する潤滑剤を提供する。また、本発明の化合物を潤滑剤として用いた磁気ディスクは高回転での連続回転にも耐える効果を有する。
【図１】
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【国際調査報告】
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