Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械フレーム（１０）によって支持された揺動工具アッセンブリ（１９）が機械フレーム（１０）に伝達する振動を減少するための装置であって、前記工具は第１軸線に沿って揺動する、装置において、
前記フレームに取り付けられたリニア摺動手段（２２）、
前記摺動手段に取り付けられた重り（２０）、
前記重りに連結されており、第１駆動信号に応じて前記重りを前記摺動手段上で前記第１軸線に沿って揺動させるように構成された駆動手段（２６）、及び
前記第１駆動信号を提供する駆動回路（６６）であって、前記揺動工具アッセンブリの加速度と比例した第１入力及び前記揺動工具アッセンブリの速度と正比例する第２入力を受け取り、前記揺動工具によって前記フレームに発生された振動が減少するように前記重りを揺動するように前記駆動信号が前記第１及び第２の入力に従って変化するように構成されている、駆動回路を有し、
前記揺動工具アッセンブリは、第２駆動信号に応じてボイスコイルアッセンブリ（３０）によって揺動され、前記駆動回路の第１入力は、前記第２駆動信号に従って変化する、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、前記揺動工具アッセンブリの質量は、前記重り及びこの重りに連結されており及びかくしてこの重りとともに移動する任意の構成要素を含む重りアッセンブリの質量よりも小さい、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置において、前記揺動工具アッセンブリは、周波数ｆ1で揺動し、質量Ｍ1、加速度Ａ1、速度Ｖ1を有し、Ｍ1＊Ａ1によって与えられる力ＦA1、ｋ1＊Ｖ1（ここで、ｋ1は定数であり、これはシステム機構の関数である）によって与えられる力ＦV1、及び組み合わせ力Ｆ1＝ＦA1＋ＦV1を発生し、前記重りアッセンブリは、周波数ｆ2で揺動し、質量Ｍ2、加速度Ａ2、速度Ｖ2を有し、Ｍ2＊Ａ2によって与えられる力ＦA2、ｋ2＊Ｖ2（ここで、ｋ2は定数である）によって与えられる力ＦV2、及び組み合わせ力Ｆ2＝ＦＡ2＋ＦV2を発生し、前記駆動回路は、前記重りアッセンブリを、ｆ1がｆ2に等しく、Ｆ2が−Ｆ1に等しいように駆動するように構成されている、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置において、前記重りが前記リニアスライドのいずれかの端部に移動しないようにするセンタリング手段を更に含む、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置において、前記センタリング手段は、前記重りの位置に従って変化する出力（７２）を発生するように構成された位置センサ（７０）を含み、前記駆動回路は、前記重りが前記リニアスライドのいずれかの端部に移動しないように、前記位置出力を受け取って前記第１駆動信号を提供するように構成されている、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置において、前記機械フレームに取り付けられた加速度計（１１０）、及び前記フレームの振動レベルに従って変化する出力を前記加速度計が発生するように前記加速度計に接続されたインターフェース回路を更に含む、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置において、前記リニア摺動手段は前記重りとともに移動し、前記機械フレームに取り付けられたエアベアリング（２４）によって支持されている、装置。
【請求項８】
機械フレーム（１０）によって支持された、第１軸線に沿って揺動する質量がＭ1の工具アッセンブリ（１９）によって機械フレーム（１０）に伝達される振動を減少する方法において、
前記揺動工具アッセンブリの速度Ｖ1を検出する工程、
前記揺動工具アッセンブリの加速度Ａ1を検出する工程、
質量がＭ2の重りアッセンブリ（２９）を、前記第１軸線に沿って、前記重りアッセンブリが−（（Ｍ1＊Ａ1）＋（ｋ＊Ｖ1））（ここで、ｋは、定数であり、これはシステム機構の関数である）とほぼ等しい力を発生するように、前記揺動工具により前記フレームに発生された振動を減少するように揺動する工程、
前記フレームの振動を検出する工程、及び
前記反力アッセンブリの揺動を調節し、前記検出された振動を減少する工程を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月10日(2004.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリップの走向方向（２）において垂直な二重ロ−ラ（３，４）の後方に設けられた絞りローラ（５）を使用して、前記絞りローラが長手方向で作用する引張応力を発生させる様式の、熱間圧延機から走出する幅広の金属ストリップ（１）、特に鋼ストリップあるいは板材（１）を制御の下で矯正しかつ冷却するための方法において、
金属ストリップ（１）または板材を前矯正機（７）と噴射冷却装置（８）との間で、引張応力を制御することにより、一定の引張応力の下におくこと、
および、この噴射冷却装置（８）内において、金属ストリップまたは板材を相前後して続く絞りローラ対（５ａ）間で冷却し、付加的に引張応力を制御することを特徴とする方法。
【請求項２】
金属ストリップ（１）あるいは板材の走行進捗に伴い、各々直後および直前の担持する絞りローラ（５）に対して速度を切換えることにより引張応力を制御することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
ある中心間距離をとって絞りローラ（５）を固定し、その際二つのローラ（５ａ）間で、中心間距離に依存して冷却ユニット（９）を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
幅が最大でかつ冷却強度が高い場合には、中心間距離を最小の厚みにストリップ（１）あるいは板材に関して得られる特有な形状の半分の長さに調整することを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
垂直方向の二重ローラ対（３，４）とストリップ走行方向で続く絞りローラ対（５ａ）とを備え、これらのローラ対間で各々冷却装置が設けられている様式の、熱間圧延機から走出する幅広の金属ストリップ（１）、特に鋼ストリップ（１）あるいは板材を制御の下で矯正しかつ冷却するための装置において、
その間で制御可能な引張応力が発生可能である、冷却ユニット（９）を備えた絞りローラ対（５ａ）の前方に、前矯正機（７）が設けられていることを特徴とする装置。
【請求項６】
冷却ユニット９が各々高い冷却強度あるいは中間の冷却強度に達せられるように構成されていることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項７】
金属ストリップ（１）の出側（１８）内において、冷却ユニット（９）が精密に調節可能な冷却部材（１９）を備えていることを特徴とする請求項５または６に記載の装置。
【請求項８】
冷却ユニット（９）が、高い冷却効率および／または中程度の冷却効率能力に関して、所定の製品の多様性が得られるように構成されていることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一つに記載の装置。
【請求項９】
金属ストリップ（１）あるいは板材の終端部（１ａ）における直前の担持する絞りローラ（５）あるいは矯正ローラ（２３）と、金属ストリップ（１）の始端部における絞りローラ（５）あるいは矯正ローラ（２４）との間で、同様に引張応力（６）が発生可能であることを特徴とする請求項５〜８のいずれか一つに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月13日(2004.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単層のカーボンナノチューブを選択された方位に空間的に整列配置する方法であって、
反応基をナノチューブに固着する段階と、
ナノチューブを構造と連結させるためにナノチューブに固着された反応基を
構造に固着された反応部位と結合する段階とを含む方法。
【請求項２】
前記反応部位が固着される前記構造は、基板であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
単層のカーボンナノチューブを変形する方法であって、
分散剤を単層のカーボンナノチューブに付着する段階と、前記分散剤は、水溶液において前記ナノチューブを他のナノチューブから効果的に分散させ、
反応基を含む化合物を前記分散剤に固着する段階とを含み、前記反応基が、該反応基を反応部位に露出する際、構造に固着される該反応部位と結合し得、前記化合物が、ビオシチン、ビオチン−ＰＥＯ−アミン、ＰＥＯ−ヨードアセチル−ビオチン、及びスルホ−ＮＨＳ−ビオチンからなる群から選択される、方法。
【請求項４】
選択的に方位づけられた単層のカーボンナノチューブの構造を形成する方法であって、
少なくとも一つのチャネルを基板上に形成する段階と、
少なくとも一つのチャネルに沿って整列配置したナノチューブ材を形成するために、単層のカーボンナノチューブを少なくとも一つのチャネルに堆積する段階と、
単層のカーボンナノチューブ材のファイバを形成するために、チャネル内に整列された前記単層のカーボンナノチューブ材を前記基板から除去する段階と
を備え、
チャネル内に整列された前記単層のカーボンナノチューブ材を前記基板から除去する前記段階が、前記整列された単層のカーボンナノチューブ材から前記基板を溶解する段階を含む、方法。
【請求項５】
それ自体に固着された反応基を含む単層のカーボンナノチューブ含む構造であって、前記反応基は、反応部位と結合されて前記ナノチューブを前記反応部位と連結し、
前記反応部位が、基板上の選択された空間のパターンに配置され、
前記基板が、少なくとも１つのチャネルを含み、前記反応部位が、前記チャネル内に配置される、構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の実施に使用される適切な分散剤は、水溶液において疎水性合成物を囲んで適切に溶解し得る天然または合成の可溶化剤又は他の組成物でありえる。典型的な分散剤は、制限なく、約１３．２以下の親水性・疎水性均衡値を有する洗浄剤、オクチル−フェノキシポリエトキシエタノール（通常、ノニデットＰ−４０即ちＮＰ−４０として言及）、ポリオキシエチレン・ソルビトール・エステル（例えば、ＴＷＥＥＮ（登録商標）及びＥＭＡＳＯＬ（商標）系列の洗浄剤）、ポロキサマー（例えば、８０対２７のａ対ｂの比率及び７６８０乃至９５１０の範囲の分子量を有し、ＨＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ａ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｂ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ａＨとして定義される、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）系列の洗浄剤及びポロキサマー１８８）、臭化アンモニウム及び塩化アンモニウム（例えば、臭化セチルトリメチルアンモニウム、臭化テトラデシルアンモニウム及び塩化ドデシルピリミジニウム）のよな高い界面活性剤活性を有する自然合成洗浄剤、デオキシコール酸塩及びデオキシコール酸塩タイプの洗浄剤（例えば、タウロコール酸）、サポゲニングリコシド（例えば、サポニン）及びシクロデクストリン（例えば、α−、β−又はγ−シクロデクストリン）のような天然の乳化剤、尿素及びグアニジンのようなカオトロピック塩、及びスルホン酸（例えば、１−ヘプタン−スルホン酸及び１−オクタン−スルホン酸）のようなイオン対合剤を含むが、上記のものに限定されない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性ポリマーを熱顆粒化するための装置であって：
ａ）円筒形のボディからなるダイであって、複数の押出し孔を備えた複数の小さいプレートを外表面に含み、また穿孔された前記小さいプレートに対応し且つこれに接続されて前記円筒形ボディの内部に配置された、高熱伝導率を有する材料でライニングされた複数の溶融ポリマー供給ダクトを含むダイと；
ｂ）切断された顆粒を冷却および除去するために使用され、ダイに対して噴霧およびスプレーされたサーモスタット調節液の液滴ジェットを形成する、一組のスプレーノズルを有する切断チャンバ；
ｃ）回転シャフトに緊密に束縛された切断プレートを有する切断システムであって、前記切断プレートが一組のナイフを支持し、該ナイフの切断プロファイルが当該切断システムに面した前記ダイの表面に関して放射状であるようになっている切断システムと；
から実質的になり、ダイのボディがサーモスタット調節されて、前記ポリマーの軟化点の近傍以上の温度に維持されることを特徴とする装置。
【請求項２】
溶融ポリマーの供給ダクトが40 W/mKよりも高い熱伝導率を有する金属でライニングされる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
供給ダクトが、孔の数が１以上である穿孔された小さいプレートを通して前記顆粒化すべきポリマーを引抜く、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
孔が0.2 mmよりも大きい直径を有する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
押出し孔が、溶融ポリマーの各供給ダクトに対応させてダイ上に直接配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
熱可塑性ポリマーが、ポリスチレン（PS）、高衝撃ポリスチレン（HIPS）、ポリエチレン（PE）、ポリプロピレン、関連のPS／PE（またはHIPS／PE）アロイ、SAN、ABS、ポリメチルメタクリレート、ビスフェノールA由来のポリカーボネート、関連のアロイ、スチレン-ブタジエン共重合体、一般には熱可塑性ゴムから選択される、請求項１〜５の何れか１項に記載の装置。
【請求項７】
熱可塑性ポリマーがそのまま押出されるか、またはC3-C6脂肪族炭化水素、フレオン、二酸化炭素、水、メチルアルコール、イソプロピルアルコールから選択される発泡剤もしくはこれら発泡剤の組合せを1〜10質量％の量で添加して押出される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
サーモスタット調節液が、水、およびグリセリン、鉱油、またはシリコーン油から選択され、一以上のスプレーノズルによって液滴およびミクロ液滴の形態で前記ダイに対して噴霧およびスプレーされる、請求項１〜７の何れか１項に記載の装置。
【請求項９】
サーモスタット調節液が、10℃からポリマーの軟化点までの温度に維持される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
ノズルが、ダイに対して直角および／または接線位置に配置され、または前記ナイフに固定される、請求項１〜９の何れか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記ノズルがブレードホルダディスクの背後に配置される、請求項１〜１０の何れか１項に記載の装置。
【請求項１２】
発泡性の熱可塑性ポリマーを顆粒化する場合、前記切断チャンバが0.1〜10 MPaの圧力で動作する、請求項１〜１１の何れか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記ナイフが1個以上である、請求項１〜１２の何れか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記ナイフがステップ形状であり、且つ前記ダイに対して放射状の切断エッジを備えている、請求項１〜１４の何れか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記熱可塑性ポリマーが発泡性である、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記水が、抗スチック剤を含む、請求項８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自溶炉などの冶金融解炉から得られるガスを処理する廃熱ボイラの容量を増大させるとともにダスト付着物を低減する方法において、
−前記廃熱ボイラに入るガスの量を増やし、
−前記融解炉の廃熱ボイラの放射チャンバに液体を加え、
−入ってくるガスの量に従って、対流チャンバの後ろにおいて前記廃熱ボイラにおけるガス温度が420OCを越えないように、前記液体流の量を制御することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、液体を自溶炉などの前記冶金融解炉の煙路シャフトにも加えることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、前記液体の一部を空気で置き換えることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の方法において、前記液体は水であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれかに記載の方法において、液体を少なくとも１つのノズルによって加えることを特徴とする方法。
【請求項６】
自溶炉などの冶金融解炉から得られるガスを処理する廃熱ボイラの容量を増大させるとともにダスト付着物を低減する装置において、前記廃熱ボイラに、少なくとも１つのノズルを設け、該ノズルは、
−前記廃熱ボイラの放射チャンバの最初の端部に液体を注入し、
−前記融解炉から前記放射チャンバに入って来るガス流に対して本質的に斜めの位置に配置されることを特徴とする装置。
【請求項７】
自溶炉などの冶金融解炉から得られるガスを処理する廃熱ボイラの容量を増大させるとともにダスト付着物を低減する請求項６に記載の装置において、前記融解炉の煙路シャフトの壁に、液体を加えるための少なくとも１つのノズルを設けることを特徴とする装置。
【請求項８】
自溶炉などの冶金融解炉から得られるガスを処理する廃熱ボイラの容量を増大させるとともにダスト付着物を低減する請求項６または７に記載の装置において、前記ノズルは液体を増大させ、該液体の一部は空気によって置き換えられることを特徴とする装置。
【請求項９】
自溶炉などの冶金融解炉から得られるガスを処理する廃熱ボイラの容量を増大させるとともにダスト付着物を低減する請求項６から８までのいずれかに記載の装置において、前記ノズルは液体を加え、該液体は水であることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月3日(2004.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レオメトリー的に評価される物質の容器と、
羽根部材と、
容器中の物質を通して羽根部材を回転させ軸方向に移動させる駆動手段と、
物質を通しての部材の通過に対する物質の軸方向抵抗力のみを表わすパラメータを観察記録する手段と、
観察記録されたパラメータから物質のレオメトリー評価を誘導する手段と、
を備えたレオメータ。
【請求項２】
パラメータは、物質を通した部材の通過の逆方向において観察記録される
ことを特徴とする請求項１に記載のレオメータ。
【請求項３】
形成手段は、部材の軸方向移動において成された仕事を計算する手段を含む
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のレオメータ。
【請求項４】
パラメータが観察記録されている時に部材による軸方向走行距離を計測する手段を含む
ことを特徴とする請求項３に記載のレオメータ。
【請求項５】
観察記録手段は、部材の移動に対する物質の抵抗に起因してかけられる力を検出する手段を含む
ことを特徴とする請求項１又は４に記載のレオメータ。
【請求項６】
力を検出する手段は、容器を通して伝達された軸方向力を検出するように配置されたロードセルを含む
ことを特徴とする請求項５に記載のレオメータ。
【請求項７】
容器が載置されるベースを有し、ロードセルは容器を通した軸方向力を検出するようにベースに対して載置されている
ことを特徴とする請求項６に記載のレオメータ。
【請求項８】
羽根部材を支持するスタンドを有し、力を検出する手段は部材を通して伝達された軸方向力を検出するようにスタンドに対して配置されている
ことを特徴とする請求項３乃至７のいずれか一項に記載のレオメータ。
【請求項９】
駆動手段は、羽根部材と容器のいずれかを駆動してそれらの間の相対的移動を実現するように配置された電気モータを有するとともに、観察記録手段はモータに取り込まれた電流を観察記録するように配置された電流検出手段を有する
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のレオメータ。
【請求項１０】
羽根部材は、一端に向かって配置された放射方向に延在する少なくとも１つの羽根を有する軸からなる
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のレオメータ。
【請求項１１】
各羽根は、軸から放射方向距離を増大しつつ軸方向に対して増大するピッチ角度を有するプロペラ輪郭を有する
ことを特徴とする請求項１０に記載のレオメータ。
【請求項１２】
駆動手段は、羽根を略ゼロスリップで駆動するように操作可能である
ことを特徴とする請求項１１に記載のレオメータ。
【請求項１３】
駆動手段は、羽根ピッチによって決定された方向に対して逆方向に羽根を駆動するように操作可能である
ことを特徴とする請求項１２に記載のレオメータ。
【請求項１４】
容器中に分析用物質を準備する段階と、
羽根部材を物質を通して回転させまた軸方向に駆動して物質を剪断する段階と、
物質中を通る部材に対する物質の軸方向抵抗力のみを示すパラメータを観察記録する段階と、
観察記録されたパラメータから物質のレオロジー評価を誘導する段階と、
を含む物質のレオメトリー分析法。
【請求項１５】
パラメータは、物質を通した部材の通過の逆方向において観察記録される
ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
部材の軸方向移動において成された仕事を計算する段階を含む
ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
パラメータが観察記録されている時に部材による軸方向走行距離を計測する段階を含む
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
観察記録段階は、部材の移動に対する物質の抵抗に起因してかけられる力を検出する段階を含む
ことを特徴とする請求項１４乃至１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
電気モータは部材を容器に対して移動させるように配置されるとともに、観察記録段階は部材が物質を通して通過する際にモータに取り込まれた電流を検出する段階を有する
ことを特徴とする請求項１４乃至１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
部材は軸から延在する少なくとも１つの羽根を有するとともに、軸から放射方向距離を増大しつつ軸方向に対して増大するピッチ角度を有する輪郭を有する
ことを特徴とする請求項１４乃至１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
羽根ピッチによって決定された方向に対して逆方向に羽根を駆動する段階を含む
ことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
羽根は、任意の軸方向速度及び回転速度において略ゼロスリップで物質を通過するようになされている
ことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
レオロジー評価は、一旦所定の力に達すると、観察記録されたパラメータから誘導される
ことを特徴とする請求項１４乃至２２のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
捕捉し処理を施した複数のデータ信号を表示するためのディスプレイ、
前記表示されたデータ信号の１つを選択するためのユーザー・インタフェース、および
前記ディスプレイに表示される複数の選択項目から成るツールバー
を有して成る電気信号を測定することができるオシロスコープ装置であって、
前記複数の選択項目が一般的な一連の選択項目から選定され、該一般的な一連の選択項目のうち前記選択されたデータ信号種別の特徴によって決定され、該選択されたデータ信号に適合する最も一般的な項目のみから成り、前記選択されたデータ信号が前記ツールバーの表示項目のデータ・ソースとして定義されることを特徴とする装置。    
【請求項２】
複数の受信または処理を施したデータ信号を表示するためのディスプレイ
前記ディスプレイに表示された前記表示データ信号の１つを選択するためのユーザー・インタフェース、および
前記ディスプレイに表示され、一般的な一連の選択項目から選定され、該一般的な一連の選択項目のうち前記選択されたデータ信号種別の特徴によって決定され、該選択されたデータ信号に適合する最も一般的な項目のみが表示され、前記選択されたデータ信号が前記表示項目のデータ・ソースとして定義されるポップアップ式状況依存ツールバー
を備えたオシロスコープ装置。
【請求項３】
前記状況依存ツールバーに表示される前記項目が、前記選択されたデータ信号に関連した特定の項目の従前の使用に基づいて決定されることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
電気信号を測定することができるオシロスコープで波形を観測する方法であって、
捕捉し処理を施した複数のデータ信号を表示するステップ、
前記ディスプレイに表示された前記データ信号の１つを選択するステップ、および
一般的な一連の選択項目から選定され、該一般的な一連の選択項目のうち前記選択したデータ信号種別の特徴によって決定され、該選択したデータ信号に適合する最も一般的な項目のみが表示され、前記選択したデータ信号が前記表示項目のソースとして定義される複数の選択項目から成るツールバーを表示するステップ
の各ステップを有して成ることを特徴とする方法。
【請求項５】
電気信号を測定することができるオシロスコープで波形を観測する方法であって、
複数のデータ信号を表示するステップ、
前記ディスプレイに表示された前記データ信号の１つを選択するステップ、および
一般的な一連の選択項目から選定され、該一般的な一連の選択項目のうち前記選択したデータ信号種別の特徴によって決定され、該選択したデータ信号に適合する最も一般的な項目のみが表示され、前記選択したデータ信号が前記表示項目のデータ・ソースとして定義される複数の選択項目から成るポップアップ式状況依存ツールバーを表示するステップ
の各ステップを有して成ることを特徴とする方法。
【請求項６】
電気信号を測定することができるオシロスコープ装置であって、
波形を捕捉するための捕捉ユニット、
前記波形を処理し、複数の測定値を得るためのプロセッサー、
前記波形、捕捉し処理を施した複数のデータ信号、および前記複数の測定値をディスプレイに表示するためのレンダラー、
前記ディスプレイに表示される複数の選択項目から成るツールバー、および
前記ディスプレイに表示された前記データ信号の１つを選択するためのユーザー・インタフェース
を備え、
前記複数の選択項目が一般的な一連の選択項目から選定され、該一般的な一連の選択項目のうち前記選択されたデータ信号種別の特徴によって決定され、該選択されたデータ信号に適合する最も一般的な項目のみから成り、前記選択されたデータ信号が前記ツールバーの表示項目のデータ・ソースとして定義されることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ含有酸化物と、少なくとも１種のII族金属含有酸化物との混合物からなる触媒系の存在下、前記触媒系から多面黒鉛系ナノファイバーを成長させる有効温度でＣＯとＨ2の混合物の少なくとも一部を反応させるステップを含む、多面黒鉛系ナノチューブの製造方法。
【請求項２】
前記Ｃｏ含有酸化物がＣｏ3Ｏ4−Ｃｏ2ＭｇＯ4−ＣｏＭｇＯ2である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記有効温度が３５０℃〜１０００℃である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記有効温度が５５０℃〜６７０℃である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＣＯとＨ2が、Ｃｏ含有酸化物と、少なくとも１種のII族金属含有酸化物との混合物からなる触媒系の存在下、前記触媒系から多面黒鉛系ナノファイバーを成長させる有効温度で反応するＣＨ4とＯ2の反応から得られる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＣＨ4とＯ2が、３５０℃〜１０００℃の温度で反応する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＣＨ4とＯ2が、４５０℃〜１０００℃の温度で反応する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ＣＯとＨ2の重量比が２０から１までである請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ＣＯとＨ2の重量比が１０から１までである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ナノファイバーの縦軸に対して実質的に平行で、連続の実質上黒鉛の板からなり、実質上非円筒状の多面管状構造を有し、黒鉛板間の距離が約０．３３５ｎｍ〜約０．４０ｎｍであり、結晶化度が約９５％より高い、実質的に結晶性の黒鉛系カーボン・ナノファイバー。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
せん妄の症状の改善を必要とする患者において、せん妄の症状を改善するための医薬の調製における、グルココルチコイドレセプターアンタゴニストの使用であって、ただし該患者は、せん妄の症状の改善を必要としないのであれば、該グルココルチコイドレセプターアンタゴニストで処置される必要がない、使用。
【請求項２】
請求項１に記載の使用であって、前記グルココルチコイドレセプターアンタゴニストは、ステロイド骨格を含み、該ステロイド骨格は、該ステロイド骨格の１１−β位置に少なくとも１つのフェニル含有部分を有する、使用。
【請求項３】
請求項２に記載の使用であって、前記ステロイド骨格の１１−β位置における前記フェニル含有部分は、ジメチルアミノフェニル部分である、使用。
【請求項４】
請求項３に記載の使用であって、前記グルココルチコイドレセプターアンタゴニストは、ミフェプリストンを含む、使用。
【請求項５】
請求項４に記載の使用であって、前記グルココルチコイドレセプターアンタゴニストは、ＲＵ００９およびＲＵ０４４からなる群より選択される、使用。
【請求項６】
請求項１に記載の使用であって、前記グルココルチコイドレセプターアンタゴニストは、１日あたり体重１ｋｇあたり約０．５〜約２０ｍｇの間の毎日の量で投与するために処方される、使用。
【請求項７】
請求項６に記載の使用であって、前記グルココルチコイドレセプターアンタゴニストは、１日あたり体重１ｋｇあたり約１〜約１０ｍｇの間の毎日の量で投与するために処方される、使用。
【請求項８】
請求項７に記載の使用であって、前記グルココルチコイドレセプターアンタゴニストは、１日あたり体重１ｋｇあたり約１〜約４ｍｇの間の毎日の量で投与するために処方される、使用。
【請求項９】
請求項１に記載の使用であって、前記投与が１日あたり１回である、使用。
【請求項１０】
請求項１に記載の使用であって、投与様式が経口である、使用。
【請求項１１】
請求項１に記載の使用であって、投与様式が、経皮適用によるか、霧状化させた懸濁物によるか、またはエアロゾルスプレーによる、使用。
【請求項１２】
せん妄の症状の改善を必要とする患者において、せん妄の症状を改善するための組成物であって、該組成物が、せん妄の症状を改善するに有効な量のグルココルチコイドレセプターアンタゴニストを含み、ただし該患者は、せん妄の症状の改善を必要としないのであれば、該グルココルチコイドレセプターアンタゴニストで処置される必要がない、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月11日(2004.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬学的に有効な量の抗ムスカリン剤、及び薬学的に有効な量のエストロゲンアゴニストを含有する医薬製剤。
【請求項２】
不安定又は過活動膀胱を治療するための、請求項１記載の医薬製剤。
【請求項３】
抗ムスカリン剤及びエストロゲンアゴニストを、同時的に、別々に、又は逐次的に投与するための、請求項１又は２に記載の医薬製剤。
【請求項４】
抗ムスカリン剤がトルテロジン若しくはトルテロジン関連化合物又はその薬学的に許容できる塩である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項５】
抗ムスカリン剤がトルテロジンである、請求項４に記載の医薬製剤。
【請求項６】
トルテロジンを一日あたり０．１〜１２ｍｇの量で投与するための、請求項５記載の医薬製剤。
【請求項７】
抗ムスカリン剤が０．１〜１２ｍｇの量で存在する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項８】
エストロゲンアゴニストを経口投与するための、請求項１〜７のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項９】
一日１回の経口投与のためのカプセル剤又は錠剤である、請求項８に記載の医薬製剤。
【請求項１０】
エストロゲンアゴニストを膣から投与するための、請求項１〜７のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項１１】
経皮製剤、好ましくは経皮パッチである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製剤。
【請求項１２】
トルテロジンの制御放出のための、請求項５〜１０のいずれか１項に記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望レートを満たすべく、パケットベースのトラフィックの流れを制御する方法であって、
リンク上にあるパケットベースのトラフィックのカレントレートを、移動平均として計算し；
前記算出したカレントレートと前記所望レートの間の総エラー数を計算し；
前記算出した総エラー数に応じて、パケットを流すことができるか否かを決定する方法。
【請求項２】
前記パケットを流すことができるか否かの決定において、前記総エラー数がエラー閾値未満である場合にはパケットの流れを許可し、前記総エラー数が前記エラー閾値よりも高い場合にはパケットの流れを許可しない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パケットを流すことができるか否かの決定において、前記総エラー数が、取得したトラフィックのレートが所望レート未満であることを示す場合にはパケットの流れを許可し、前記総エラー数が、取得したトラフィックのレートが所望レートよりも高いことを示す場合にはパケットの流れを許可しない、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記カレントレートの最小値を確立し、前記カレントレートが最小値未満である場合に前記カレントレートの値を調整する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記総エラー数の最小値を確立し、前記総エラー数が前記最小値未満である場合に前記総エラー数の値を調整する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
さらに、
前記カレントレート及び前記総エラー数の最小値を確立し；
前記カレントレートが前記カレントレートの前記最小値未満である場合に、前記カレントレートの値を調整し；
前記総エラー数が前記総エラー数の前記最小値未満である場合に、前記総エラー数を調整する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記カレントレートが重み付き移動平均として計算される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記カレントレートが次のとおり計算され：
Current_Rate＝Previous_Rate＋（Ｗａ・Ｃ−Ｗｂ・Previous_Rate）；
この場合、Ｃはビット数、Ｗａ及びＷｂは重量を表す、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記総エラー数が、
Current_Error＝Previous_Error＋（Current_Rate−Desired_Rate）
として計算される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
所望レートを満たすべく、入力リンクと出力リンクの間のパケットベースのトラフィックの流れを制御するシステムであって、
前記入力リンクと前記出力リンクの間を接続するスイッチを備え、前記スイッチが、前記スイッチをオンにすると、前記入力リンクから前記出力リンクへのトラフィックの流れを許可し、前記スイッチをオフにすると、パケットの流れを許可せず；
前記スイッチを制御するべく接続したレートシェーピング論理をさらに備え、前記レートシェーピング論理が：
前記入力リンクと出力リンクのうちの一方上に流れるパケットベースのトラフィックのカレントレートを移動平均として計算する手段と；
前記算出したカレントレートと前記所望レートの間の総エラー数を計算する手段と；
前記算出した総エラー数に応じて、パケットを前記出力リンクに流すことができるか否かを決定する手段とを含む、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月3日(2004.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルのマトリックスを含むガロア拡大体線形変換器と；
多くの異なる機能を表す制御パターンを格納する複数の記憶面と；
前記機能を定義する前記マトリックスのセルを使用可能にするために前記機能を表す前記記憶面を選択する記憶面選出回路と；
前記機能を入力データへ割り当てるために使用可能にされたセルへ入力データを送る再構成可能入力回路と；
を備えることを特徴とする再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【請求項２】
請求項１記載の再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置において、
各前記セルは、排他的論理和論理回路と、該排他的論理和論理回路へ接続された出力を有する論理積論理回路と、入力データビットを受ける入力と、を含むことを特徴とする再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【請求項３】
請求項１記載の再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置において、
各前記記憶面は、各前記セルに結びつけられた記憶装置を含むことを特徴とする再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【請求項４】
請求項３記載の再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置において、
各前記記憶装置は、関連するセルと共に配置された複数の記憶ユニットを含み、一つの記憶ユニットは、各前記記憶面に対応することを特徴とする再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【請求項５】
請求項３記載の再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置において、
各前記記憶装置は、関連するセルと共に配置された多段レジスタを含み、一つの段は、各前記記憶面に対応することを特徴とする再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【請求項６】
請求項１記載の再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置において、
前記記憶面選出回路は、面選択レジスタを含むことを特徴とする再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【請求項７】
請求項１記載の再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置において、
前記再構成可能入力回路は、少なくとも第１入力レジスタと、該第１入力レジスタから前記使用可能にされたセルへ入力データを送信するスイッチング装置と、を含むことを特徴とする再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【請求項８】
請求項７記載の再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置において、
前記スイッチング装置は、一つが前記第１入力レジスタ内の入力データの各バイトと結びつけられた複数のスイッチング回路を含むことを特徴とする再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【請求項９】
請求項７記載の再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置において、
第２入力レジスタを有し、
前記スイッチング装置は、前記第１及び第２入力レジスタから前記使用可能にされたセルへ選択的に入力データを送信することを特徴とする再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【請求項１０】
請求項３記載の再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置において、
前記記憶装置はプログラム可能であることを特徴とする再構成可能入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【請求項１１】
請求項８記載の再構成可能な入力ガロア拡大体線形変換器装置において、
前記スイッチング回路は、前記入力レジスタからの入力を表すためのマルチプレクサを含むことを特徴とする再構成可能な入力ガロア拡大体線形変換器装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月12日(2004.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属バーと第２金属バーとを有する上部金属層を有する集積回路を設計する方法であって、
所望の角度を規定するステップであって、該所望の角度は基準バンプから第１バンプまでの線と、基準バンプから第２バンプまでの線との間に形成された角度であり、第１バンプと第２バンプとは第１金属バー上にあり、基準バンプは第２金属バー上にあるステップと、
第１金属バー、第１バンプ、および第２バンプを集積回路上に配置するために所望の角度を利用するステップと
を備える方法。
【請求項２】
第１金属バー、第１バンプ、および第２バンプを配置するために所望の角度を利用するステップが、第１バンプと第２バンプと基準バンプとの間に特定のバンプ構造を形成し、
前記方法が、上部金属層にわたってバンプ構造を反復するステップを更に備える
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１金属バー、第１バンプ、および第２バンプを配置するために所望の角度を利用するステップが、第１バンプと第２バンプと基準バンプとの間に特定のバンプ構造を形成し、
前記方法が、上部金属層の一部にわたってバンプ構造を反復するステップを更に備える
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
集積回路上に第１金属バー、第１バンプ、および第２バンプを配置する前に、所望の角度値を決定するステップを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第１金属バーと第２金属バーとを有する上部金属層を有する集積回路を設計する方法であって、
所望の角度を規定するステップであって、該所望の角度は基準バンプから第１バンプまでの線と、基準バンプから第２バンプまでの線との間に形成された角度であり、第１バンプと第２バンプとは第１金属バー上にあり、基準バンプは第２金属バー上にあるステップと、
第１金属バーおよび第２金属バーを集積回路上に配置するために所望の角度を利用するステップと、
を備える方法。
【請求項６】
集積回路上に第１金属バーおよび第２金属バーを配置するために所望の角度を利用するステップが、第１バンプと第２バンプと基準バンプとの間に特定のバンプ構造を形成し、
前記方法が、上部金属層にわたってバンプ構造を反復するステップを更に備える
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
集積回路上に第１金属バーおよび第２金属バーを配置するために所望の角度を利用するステップが、第１バンプと第２バンプと基準バンプとの間に特定のバンプ構造を形成し、
前記方法が、上部金属層の一部にわたってバンプ構造を反復するステップを更に備える
請求項５に記載の方法。
【請求項８】
第１金属バーが電圧源に動作可能に接続されるとともに、第２金属バーがアースに動作可能に接続される請求項５に記載の方法。
【請求項９】
集積回路上に第１金属バーおよび第２バンプを配置する前に、所望の角度値を決定するステップを更に備える、請求項１または５に記載の方法。
【請求項１０】
所望の角度値の決定は、所望のキャパシタンス、所望の抵抗、所望のインダクタンス、所望のバンプ電流の流れ、上部金属層上の所望のバンプ個数、所望の信号トラックの利用可能性からなる群から選択された少なくとも１つに依存する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記所望の角度値として６０°を利用する請求項１または５に記載の方法。
【請求項１２】
前記所望の角度値として９０°を利用する請求項１または５に記載の方法。
【請求項１３】
前記所望の角度値として１２０°を利用する請求項１または５に記載の方法。
【請求項１４】
前記所望の角度値として１５０°を利用する請求項１または５に記載の方法。
【請求項１５】
前記所望の角度値として１８０°を利用する請求項１または５に記載の方法。
【請求項１６】
前記利用ステップにおいて、前記第１金属バーおよび前記第２金属バーは、階段状パターンにより構成され、前記第１金属バーと前記第２金属バーとの間に所定の間隔を有してインターロックされることにより配置される請求項１４または１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤアレイを給電するＬＥＤ電源システムであって、
ＬＥＤアレイへの電流を検知し、検知電流信号を発生する電流検知手段と、
基準信号を発生する基準信号発生手段と、
前記検知電流信号を前記基準と比較し、帰還信号を発生する比較手段と、
前記帰還信号に応答してパルス幅変調を行い駆動信号を発生するパルス幅変調手段と、
前記駆動信号に応答して前記ＬＥＤアレイに電流を供給する電源手段とを具えることを特徴とするＬＥＤ電源システム。
【請求項２】
第１状態と第２状態を有する発信信号を発生する低周波数発振手段を更に具え、
前記電源手段は、前記発振信号に応答して、第１状態の間ＬＥＤアレイに電流を供給し、第２状態の間前記ＬＥＤアレイへの電流を阻止することを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ電源システム。
【請求項３】
前記発振信号の周波数は前記駆動信号の周波数より低いことを特徴とする請求項２記載のＬＥＤ電源システム。
【請求項４】
前記発振信号のデューティサイクルは約１０％であることを特徴とする請求項２記載のＬＥＤ電源システム。
【請求項５】
前記発振信号の周波数は約２００〜３００Ｈｚであることを特徴とする請求項２記載のＬＥＤ電源システム。
【請求項６】
前記パルス幅変調手段は、前記低周波数発振手段からの発振信号に応答し、第１状態の間前記駆動信号を前記電源手段に供給し、第２状態の間前記駆動信号を前記電源手段へ供給するのを阻止することを特徴とする請求項２記載のＬＥＤ電源システム。
【請求項７】
前記パルス幅変調手段は該パルス幅変調手段からの駆動信号を前記低周波数発振手段からの発振信号と同期させることを特徴とする請求項６記載のＬＥＤ電源システム。
【請求項８】
前記ＬＥＤアレイが動作不能であることを指示する手段を更に具えることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ電源システム。
【請求項９】
前記電源手段はバック・ブースト電源、ブースト電源、バック電源及びフライバックコンバータからなる群から選ばれた電源からなることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ電源システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリデバイスを製作する方法であって、該方法は、
基板（４１）を提供するステップと、該基板上にメモリセル（５００）を形成するステップとを包含し、該方法は、該基板上に該メモリセルを形成するプロセスを特徴とし、該方法は、液体前駆体を提供するステップであって、該液体前駆体は、ａ）セリウム、プラセオジミウム、ネオジミウム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群より選択された元素を含む液体前駆体と、ｂ）化学式Ａｍ−１（Ｂｉ１−ＸＬａｎＸ）２ＭｍＯ３ｍ＋３（ここで、Ａは、１つ以上のＡ−ｓｉｔｅ元素であり、Ｍは、１つ以上のＢ−ｓｉｔｅ元素であり、Ｏは酸素であり、ｍは、整数または分数であり、Ｌａｎは、ランタン、セリウム、プラセオジミウム、ネオジミウム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群より選択された材料の１つ以上を表し、かつ、０＜Ｘ＜１である）を有する層状超格子材料を作製するために適切な液体前駆体とからなる群から選択される、ステップと、
該基板上に層状超格子材料構造の薄膜を自発的に形成するために該液体前駆体を利用するステップと
を包含する方法であって、
該方法は、該基板上にメモリを完成させるステップをさらに包含する、方法。
【請求項２】
前記利用するステップは、前記基板上に前記前駆体を液体の形態で付与するステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記利用するステップは、前記基板上に前記前駆体を蒸気の形態で付与するステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記化学式は、（Ｂｉ１−ＸＬＡＮＸ）４Ｔｉ３Ｏ１２を含むことを特徴とする、請求項１〜３の１つに記載の方法。
【請求項５】
前記化学式は、（Ｂｉ１−ＸＬＡＮＸ）２Ｔａ１−ｙＮｂｙＯ９（ただし、Ａ＝Ｓｒ、Ｃａ、ＢａまたはＰｂであり、かつ、１≦ｙ≦０である）を含むことを特徴とする、請求項１〜３の１つに記載の方法。
【請求項６】
前記化学式は、（Ｂｉ１−ＸＬＡＮＸ）２Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１５を含むことを特徴とする、請求項１〜３の１つに記載の方法。
【請求項７】
前記化学式は、Ａ（Ｂｉ１−ＸＬａｎＸ）４Ｔｉ４Ｏ１５（ただし、Ａ＝Ｓｒ、Ｃａ、ＢａまたはＰｂである）を含むことを特徴とする、請求項１〜３の１つに記載の方法。
【請求項８】
前記層状超格子材料は強誘電体であることを特徴とする、請求項１〜３の１つに記載のメモリデバイスを製作する方法。
【請求項９】
前記利用するステップは、前記基板に前記前駆体を付与するステップの後、前記層状超格子材料を形成するために該基板を処理するステップを包含する、請求項１〜３の１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記付与するステップおよび前記処理するステップは、金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を含むことを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理するステップは、５５０℃〜７５０℃の温度でのＲＴＰを包含することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記付与するステップは、ミスト堆積法を包含することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記付与するステップは、スピンオン堆積法を包含することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記利用するステップは、ＭＯＣＶＤを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
集積回路メモリを製作する方法であって、該方法は、基板（４１、５０２、５６１）を提供するステップと、該基板上に層状超格子材料薄膜（５７、５１１、５２４、５８２）を形成するステップと、該集積回路メモリ内に該層状超格子薄膜を備えるために、該基板上に該集積回路メモリを完成させるステップとを包含する方法であって、該方法は、該層格子材料のプロセスを特徴とし、該方法は、
薄膜に該層状超格子材料構造を形成するためにＭＯＣＶＤを利用するステップであって、該層状超格子材料構造は、Ａｍ−１（Ｂｉ１−ＸＬａｎＸ）２ＭｍＯ３ｍ＋３（ここで、Ａは、１つ以上のＡ−ｓｉｔｅ元素であり、Ｍは、１つ以上のＢ−ｓｉｔｅ元素であり、Ｏは酸素であり、ｍは、整数または分数であり、Ｌａｎは、ランタン、セリウム、プラセオジミウム、ネオジミウム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群より選択された材料の１つ以上を表し、かつ、０＜Ｘ＜１である）を有する、ステップを包含する、方法。
【請求項１６】
前記Ｂ−ｓｉｔｅ元素は、チタンである、請求項１５に記載の集積回路メモリを製作する、方法。
【請求項１７】
前記Ｂ−ｓｉｔｅ元素は、ランタンを含む、請求項１５に記載のメモリデバイスを製作する方法。
【請求項１８】
前記Ｌａｎは、ランタンを含む、請求項１５に記載のメモリデバイスを製作する方法。
【請求項１９】
前記Ｌａｎは、ネオジミウムを含む、請求項１５に記載のメモリデバイスを製作する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの再充電可能な薄膜エネルギー蓄積器と少なくとも１つの薄膜エネルギー変換器とを有する薄膜エネルギーシステムであって、エネルギー変換器は再充電可能なエネルギー蓄積器と導電するように接続されており、構造高は１μmから１mmまでの範囲にある薄膜エネルギーシステム。
【請求項２】
薄膜エネルギー変換器は少なくとも１つの光電セルを有する、請求項１記載の薄膜エネルギーシステム。
【請求項３】
光電セルは少なくとも１つの有機機能性ポリマーを有する、請求項１又は２記載の薄膜エネルギーシステム。
【請求項４】
フレキシブルである、請求項１ないし３のいずれか１項記載の薄膜エネルギーシステム。
【請求項５】
エネルギー変換器はエネルギー蓄積器に直接組み込まれている、請求項１ないし４のいずれか１項記載の薄膜エネルギーシステム。
【請求項６】
エネルギー変換器は共通の電極を介してエネルギー蓄積器に組み込まれている、請求項１ないし５のいずれか１項記載の薄膜エネルギーシステム。
【請求項７】
エネルギー変換器は接続層を介してエネルギー蓄積器に接続されている、請求項１ないし５のいずれか１項記載の薄膜エネルギーシステム。
【請求項８】
携帯式である、請求項１ないし７のいずれか１項記載の薄膜エネルギーシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月28日(2004.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＲＦ送信機電力制御システムであって、
発振器と、
第１入力として前記発振器の出力を受信し、制御入力を有し、アンテナに伝送するための出力信号を生成する電力増幅器と、
前記出力信号を表す信号を導き出すためのサンプリング装置と、
前記出力信号を表す信号と線形的に関連している出力成分を準備するために、前記出力信号を表す信号を自乗するための乗算器と、
第１入力として前記乗算器の前記線形出力成分を受信し、制御基準としての可変制御入力及び出力を有する可変利得増幅器と、
前記可変利得増幅器の前記出力を基準と比較し、差信号を生成するための比較器と、
前記差信号を積分し、前記電力増幅器に制御入力として前記積分した差信号を供給する積分器と、
を有するＲＦ送信機電力制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の体中でのフィラメントの配置における使用のために企図された外科手術器具であって、該器具が、第１末端にハンドルを有する剛性シャフトを備え、該シャフトの該第２末端が、第２末端に近接するアイを有して形成され、該アイが、該フィラメントを収容するように特定の寸法に合わされ、該シャフトが、他の末端に近接する部位で湾曲された、外科手術器具。
【請求項２】
前記シャフトが、収斂する、請求項１に記載の外科手術器具。
【請求項３】
前記アイが、前記シャフトの１側面に側方に開口するスロットを有して形成される、請求項１に記載の外科手術器具。
【請求項４】
前記アイが、横方向寸法よりも大きな軸方向寸法を有する、請求項１に記載の外科手術器具。
【請求項５】
前記スロットが、前記アイの前記軸方向寸法よりも小さな横方向寸法を有する、請求項４に記載の外科手術器具。
【請求項６】
前記第２末端に近接する部位が、シャフトの軸方向範囲の約１／４〜１／２を含む、請求項１に記載の外科手術器具。
【請求項７】
前記ハンドルが、互いに反対の関係で前記シャフトの第１末端から横方向に延びる１対のハンドル部材を備える、請求項１に記載の外科手術器具。
【請求項８】
前記ハンドル部材が、ほぼ三角形の形状を有する、請求項７に記載の外科手術器具。
【請求項９】
前記ハンドル部材を含む面が、前記第２末端に近接する前記シャフトの部位に対してほぼ垂直である、請求項７に記載の外科手術器具。
【請求項１０】
体の中に支持体を挿入するための外科手術器具であって、該外科手術器具は、シャフトおよび該シャフトの遠位末端のアイを備え；
ここで、該シャフトの該アイが膣壁内に配置されるように、該シャフトが、該体の第１の側を通して配置可能であり；そして、
該シャフトの該アイが、支持体と係合可能であり；そして、
該シャフトは、該体の外に該支持体の部分を引っ張りだすために、取り除かれ得；そして、
ここで、該シャフトの該アイが膣壁内に配置されるように、該シャフトが、該体の第２の側を介して配置可能である、
外科手術器具。