Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有利に透明な、場合により既に１つ又は複数の反射層で被覆された基板を有し、この基板の表面上に光により書き込み可能な情報層、場合により１つ又は複数の反射層及び場合により保護層又は他の基板又はカバー層が設けられていて、青色光又は赤色光、有利にレーザー光により書き込み及び読み出すことができ、前記の情報層は吸光性化合物と場合により結合剤とを含有する光学データ記録媒体において、吸光性化合物として少なくとも１種の複素環式アゾ色素を使用することを特徴とする、光学データ記録媒体。
【請求項２】
吸収極大λｍａｘ２が４２０〜６５０ｎｍの範囲内にある複素環式アゾ色素の、ライトワンス型光学データ記録媒体の情報層中での使用。
【請求項３】
データ記録媒体を青色レーザー光で書き込み及び読み出しする、ライトワンス型光学データ記録媒体の情報層中での複素環式アゾ色素の使用。
【請求項４】
有利に透明な、場合により既に１つの反射層で被覆された基板を、場合により適当な結合剤及び添加剤及び場合により適当な溶剤と組み合わせた複素環式アゾ色素で被覆し、場合により反射層、他の中間層及び場合により保護層又は他の基板又はカバー層を設けることを特徴とする、請求項１記載の光学データ記録媒体の製造方法。
【請求項５】
青色光又は赤色光、特に青色光、特に青色レーザー光で書き込まれた、請求項１記載の光学データ記録媒体。
【請求項６】
次の式（Ｘ）、（ＸＩ）又は（ＸＩＩ）
【化１】
2004523396.tif 000001
［式中、
Ｘ５はＣ−Ｒ１２又はＮを表し、
Ｒ１１は水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、Ｃ５〜Ｃ６−シクロアルコキシ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシ、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルチオ、モノ−又はビス−Ｃ１〜Ｃ４−アルキルアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル−Ｎ−Ｃ６〜Ｃ１０−アリールアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル−Ｎ−Ｃ５〜Ｃ６−シクロアルキルアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル−Ｎ−Ｃ７〜Ｃ１２−アラルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ４−アルカノイルアミノ、Ｃ６〜Ｃ１０−アロイルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ、ピペラジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ１２は水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、シアノ、ニトロ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表すか、又はＸ６がＣ−Ｒ１２を表すか又はＸ５がＣ−Ｒ１２を表す場合には、
Ｒ１１；Ｒ１２は一緒に−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成し、
Ｘ３はＯ又はＳを表し、
Ｘ４はＣＨ又はＮを表し、
ＮＲ６Ｒ７はモノ−又はビス−Ｃ１〜Ｃ４−アルキルアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル−Ｎ−Ｃ６〜Ｃ１０−アリールアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル−Ｎ−Ｃ５〜Ｃ６−シクロアルキルアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ４アルキル−Ｎ−Ｃ７〜Ｃ１２−アラルキルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ、ピペラジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ８は、水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、クロロ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、ビス−Ｃ１〜Ｃ４−ジアルキルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｘ５及びＸ６は相互に無関係にＣ−Ｒ１２又はＮを表し、
Ｒ１３は水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ５〜Ｃ６−シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ１２−アラルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールを表す］の複素環式アゾ色素。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  難水溶性有機材料と臭化物源とを含む組成物からイオン性臭化物含有触媒材料を除去・リサイクルする方法であって、上記組成物を臭化物イオンを含有する酸性水溶液と接触させ、もって臭化物源を再生し、臭化物源を水性液体で抽出する工程を含む方法。
【請求項２】  前記有機材料がジアリールカーボネートである、請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記臭化物含有触媒材料がアルカリ金属臭化物、オニウム臭化物、ホスホニウム臭化物、スルホニウム臭化物、テトラアルキルアンモニウム臭化物又はヘキサアルキルグアニジニウム臭化物である、請求項２記載の方法。
【請求項４】  前記触媒材料がさらに原子番号４４以上の８族、９族又は１０族金属の化合物１種以上を含有する、請求項２記載の方法。
【請求項５】  前記触媒材料がさらに１種以上の金属化合物を無機助触媒として含有する、請求項２記載の方法。
【請求項６】  前記酸性溶液が臭化水素溶液である、請求項２記載の方法。
【請求項７】  前記酸性水溶液が当初存在する臭化物源に対して１０モル％以上過剰の酸を含有する、請求項２記載の方法。
【請求項８】  前記水性抽出液が酸性水溶液又は水である、請求項２記載の方法。
【請求項９】  臭化ナトリウム又はテトラアルキルアンモニウム臭化物又はヘキサアルキルグアニジニウム臭化物とジフェニルカーボネートとフェノールとを含んでなる組成物から臭化ナトリウム又はテトラアルキルアンモニウム臭化物又はヘキサアルキルグアニジニウム臭化物を除去・リサイクルする方法であって、上記組成物を臭化水素水溶液と接触させ、もって臭化ナトリウム又はテトラアルキルアンモニウム臭化物又はヘキサアルキルグアニジニウム臭化物を再生し、臭化物源を水で抽出する工程を含む方法。
【請求項１０】  さらに、真空ストリッピングで有機液体からフェノールの約７５〜９０重量％を除去する予備工程を含む、請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４５】
組み込みの度合いおよび架橋の程度が逆浸透に適した膜を構成するように選択される請求項４４に記載の多孔質の高分子膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６３】
前記高分子膜が逆浸透膜である、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の多孔質の高分子膜、または請求項３５〜５６のいずれか１項に記載の方法で形成された多孔質の高分子膜、または請求項５７〜６１のいずれか１項に記載の方法で改質された多孔質の高分子膜。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
反応性改質剤が、膜を形成する前または形成中に、高分子膜形成材料に組み込まれる場合、それは、表面活性な多孔質の高分子膜に結合した前駆体が単一相の混合物として作用するような量で、膜形成材料と結合されるようにすることが好ましい。その後、膜は、好ましくは当該分野において公知の方法により製造される。最も好ましくは、それは、中空繊維の膜またはフラット・シート膜に形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
多くのポリマーは、電気の不良導体であり、その結果、電子ビームがそれを横切って走査されると、電荷は急速にサンプルの表面に堆積する。得られる電場はそれから、入射電子ビームと相互作用して、画像のゆがみを引き起こす。この問題は、サンプルを導電層（通常、金）で被覆することによって、克服され得る。金は、スパッタリングにより付着させられ、典型的なフィルムの厚さは２０ｎｍである。スパッタリングは、イオンを生成すること、それらをターゲットに向けて加速すること、原子またはクラスターを形成することを含み、形成された原子またはクラスターはそれから膜基体に付着する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
破断伸びは、引張試験機による伸びの測定値であり、標線間距離の伸びを元の標線間距離で割ることにより与えられる。破断伸びは、百分率の数値として与えられ、これに対し歪は分数（フラクション）として示される。
【数２】
2004523338.tif 000001
（式中、ｌ１＝標線間距離（ｍｍ）およびｌ０＝元の標線間距離（ｍｍ））
【数３】
2004523338.tif 000002
破断伸びは、高分子繊維の弾性の尺度であり、それはヤング率または弾性率としても表すことができる。
【数４】
2004523338.tif 000003
これは、歪が応力に比例する領域において、生じる歪に対する加えられる応力（または荷重）の比である。このモジュラスは、主にスティフネス（または剛性）の尺度である。明らかに、ポリマーが劣化するにともなって、破断伸びは減少するであろう。したがって、これら２つの試験は、ポリマー劣化の優れた尺度である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
浸透性は、水の濾過用途に関する中空繊維の膜の性能または効率を支配する主たる因子であり、膜を通過する流量率（flow）または流量（flux）である。流量または透過速度は、単位面積および単位時間あたりの、膜を通過する体積として定義される。流量を説明する式は次の通りである。
【数５】
2004523338.tif 000004
式中、Ｑは通過した量であり、Ａは膜の面積であり、Δｔはサンプリング時間である。浸透性は、ガントレズ（登録商標）の添加が膜の性能に与える影響を考慮する際の重要なパラメータである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
【表４】
2004523338.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  作動に応答して選択的にインクを噴出する複数の液滴発生器を有するインクジェットプリントヘッドであって、
それぞれが駆動電流源に接続されるように構成され、前記プリントヘッド上に配置された第１および第２の液滴発生器と、
周期的アドレス信号ならびに第１および第２の周期的イネーブル信号に接続されるように構成され、前記第１の周期的イネーブル信号および前記周期的アドレス信号に応答して、駆動電流に応答して作動するように前記第１の液滴発生器をイネーブルにし、及び、前記第２の周期的イネーブル信号および前記周期的アドレス信号に応答して、駆動電流に応答して作動するように前記第２の液滴発生器をイネーブルにするための制御装置
備えたインクジェットプリントヘッド。
【請求項２】  前記制御装置は、前記第１および第２の液滴発生器の１つのみを同時にイネーブルにするよう構成される、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッド。
【請求項３】  前記制御装置は、駆動電流が前記第１の液滴発生器に供給される前に、前記アドレス信号および前記第１のイネーブル信号が前記制御装置に供給されるように構成され、前記制御装置は、駆動電流が前記第２の液滴発生器に供給される前に、前記第２のイネーブル信号が前記制御装置に供給されるように構成される、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッド。
【請求項４】  前記制御装置は、前記アドレス信号および前記第１のイネーブル信号がアクティブになった後、ある期間だけ前記第１の液滴発生器をイネーブルにするように構成される、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッド。
【請求項５】  前記制御装置は、前記アドレス信号および前記第２のイネーブル信号がアクティブになった後、ある期間だけ前記第２の液滴発生器をイネーブルにするように構成される、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッド。
【請求項６】  前記駆動電流は、第１および第２の駆動電流源によって供給され、該第１の駆動電流源は、前記第１の液滴発生器に接続され、該第２の駆動電流源は、前記第２の液滴発生器に接続される、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッド。
【請求項７】  前記制御装置は、第１および第２の制御装置であり、該第１の制御装置は、前記第１の液滴発生器に関連付けられ、該第２の制御装置は、前記第２の液滴発生器に関連付けられる、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッド。
【請求項８】  カートリッジ本体をさらに備え、前記インクジェットプリントヘッドは、該カートリッジ本体に取り付けられる、請求項１に記載のインクジェットプリントヘッド。
【請求項９】  インクジェットプリントヘッドを動作させるための方法であって、
複数のアドレス接点のそれぞれにアドレス信号の周期的パターンを供給することと、
複数のイネーブル接点のそれぞれにイネーブル信号の周期的パターンを供給することと、
複数の駆動電流接点のそれぞれに駆動電流を選択的に供給すること
とを含み、
複数の液滴発生器が、前記アドレス信号の周期的パターンの供給、前記イネーブル信号の周期的パターンの供給、および前記駆動電流を選択的に供給することに基づいて選択的に作動して、プリント媒体に選択的にインクを噴出することからなる方法。
【請求項１０】  前記イネーブル信号の周期的パターンは、前記アドレス信号の周期的パターンのアドレス信号の各周期的パターンに関連した周期より短い周期を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記複数の液滴発生器は、液滴発生器のグループをなすように配置され、液滴発生器の各グループは、共通の駆動電流源に接続され、液滴発生器の各グループ内の個々の液滴発生器は、液滴発生器の対をなすように配置され、液滴発生器の各対は、前記複数のアドレス接点の１つのアドレス接点に接続される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  前記液滴発生器の対における個々の液滴発生器のそれぞれは、前記イネーブル信号の周期的パターンの異なるイネーブル信号に応答する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記イネーブル信号の周期的パターンは、一対の周期的イネーブル信号であり、前記複数のイネーブル接点は、一対のイネーブル接点である、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】  作動に応答して選択的にインクを噴出する複数の液滴発生器を有するインクジェットプリントヘッドであって、
駆動電流源に接続されるように構成された一対の駆動電流接点と、
アドレス信号源に接続されるように構成されたアドレス接点と、
第１および第２のイネーブル信号源に接続されるように構成された第１および第２のイネーブル接点と、
前記アドレス信号がアクティブになり、前記一対の駆動電流接点に駆動電流が与えらたことに基づいて作動されるように構成された第１および第２の液滴発生器であって、該第１の液滴発生器は、前記第１のイネーブル信号の作動に応答するように構成され、該第２の液滴発生器は、前記第２のイネーブル信号の作動に応答するように構成される、第１および第２の液滴発生器
を備えるインクジェットプリントヘッド。
【請求項１５】  前記第１の液滴発生器と第２の液滴発生器は、前記アドレス信号がアクティブになり、前記駆動電流源がアクティブになると、順次作動するように構成される、請求項１４に記載のインクジェットプリントヘッド。
【請求項１６】  前記第１の液滴発生器は、駆動電流が供給される前に、前記アドレス信号および前記第１のイネーブル信号が前記第１の液滴発生器に供給されるように構成され、前記第２の液滴発生器は、駆動電流が供給される前に、前記第２のイネーブル信号が前記第２の液滴発生器に供給されるように構成される、請求項１４に記載のインクジェットプリントヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記支持テーブル（Ｐ）は、前記位置決め装置（Ｃ）の経路の近くの水平な軸線を有するヒンジ結合された２つの部分（Ｐ２）によって構成され、前記位置決め装置（Ｃ）は、前記支持テーブルの前記２つの部分の間をスライドし、前記支持テーブルの前記２つの部分は、本が前記テーブル上を移動させられる全期間の間、水平位置に保たれ、前記ブレードによって化粧裁ち操作が行われた後、前記２つの部分は、裁ちくずを重力の働きに基づいて、または吹き飛ばすことによって除去するために下方に回転させられることを特徴とする、請求項４，６，７，８に記載の、本の化粧裁ち装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
本を前記支持テーブル上に移動させる搬送ベルト（Ｎ）の前部が３つのローラ（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３）の周りをスライドし、これらのうちの上方の２つのローラ（Ｇ１，Ｇ２）は前記搬送ベルトの端部を前記支持テーブルに近づけ、または前記支持テーブルから遠ざけるように移動し、前記搬送ベルトの端部は、本を前記テーブル上に移動させるために前記支持テーブルの近くに動かされ、その後、前記本の、背とは反対側の縁の裁ちくずを、前記支持テーブルと前記搬送ベルトの端部の間に落とすために、前記支持テーブルから離されることを特徴とする、請求項４，６，１０に記載の、本の化粧裁ち機械。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記ブレードのユニットの少なくとも２つのガイドピン（Ｐｇａ，Ｐｇｐ）を備えており、該ピンは１つまたは２つ以上のモータ（Ｍｏ）によって回転させられることを特徴とする、請求項４，６，９，１０，１１，１２，１３に記載の、本の化粧裁ち機械。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この新規な化粧裁ち機械は、切断刃が、弧を描く運動と非周回的な回転を含む複合された運動をするように、異なる構成のロッドに取り付けられた、背に隣接する縁を化粧裁ちするブレードを有している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に境界面を構成する支持用弾性材料の支持ベースと、境界面の上に位置し、ベース材料より軟質の材料の圧縮性の層と、を有し、
支持ベースの厚さが、境界面が使用者の上半身のための第１の支持面と下半身のための第２の支持面との間に横方向に延びる凹状の溝部を構成するように、長手方向に沿って変化し、前記圧縮性の層は境界面の形状にほぼ従っている、マットレス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）  二次元又は多次元のＭＲ画像を再生するための第１のＭＲデータを得るため、対象物の変化の周期の一部分において第１のＭＲシーケンスを生成し、
ｂ）  対象物を検査するために必要とする第２のＭＲデータセットの一部を得るため、周期の残りの部分において第２のＭＲシーケンスを生成し、
ｃ）  第２のＭＲデータセットについて更なるＭＲデータを取得するため、前記第２のシーケンスのパラメータを変化させて更なる複数の周期において少なくともステップｂ）を反復し、
ｄ）  ステップｂ）を反復している間に２次元又は多次元の画像を再生し、
ｅ）  最後に第２のＭＲデータセットを評価する、
ステップを含む周期的に変化する対象物の検査のためのＭＲ方法。
【請求項２】
前記ＭＲ画像は表示されることを特徴とする請求項１に記載のＭＲ方法。
【請求項３】
前記ＭＲ画像は２次元のネガティブ画像として使用されることを特徴とする請求項１に記載のＭＲ方法。
【請求項４】
３次元ＭＲ画像が第２ＭＲデータセットから再生されることを特徴とする請求項１に記載のＭＲ方法。
【請求項５】
ＭＲスペクトルが前記ＭＲデータセットから導出されることを特徴とする請求項１に記載のＭＲ方法。
【請求項６】
心臓又は冠状動脈の検査のための請求項１に記載のＭＲ方法であって、前記第２のシーケンスが生成され、生成されたＭＲ信号が心臓サイクルにおけるＲデフレクションの各発生直前に受信される請求項１に記載のＭＲ方法。
【請求項７】
均一で安定した磁界を発生する磁石と、
ＲＦ磁気パルスを発生するためのＲＦ送波器と、
ＭＲ信号を受信する受信器と、
時間的、空間的に異なる変化を呈する勾配を持つ傾斜磁界を発生する発生器と、
受信したＭＲ信号を処理する評価ユニットと、
検査される対象物の周期的変化の周期を決定する装置と、
ＲＦ送波器、受信器、発生器及び評価ユニットを制御し、下記のステップ
ａ）  二次元のＭＲ画像を再生するための第１のＭＲデータを得るため、対象物の変化の周期の一部分において第１のＭＲシーケンスを生成し、
ｂ）  対象物を検査するために必要とする第２のＭＲデータセットの一部を得るため、周期の残りの部分において第２のＭＲシーケンスを生成し、
ｃ）  第２のＭＲデータセットについて更なるＭＲデータを取得するため、前記第２のシーケンスのパラメータを変化させて更なる複数の周期において少なくともステップｂ）を反復し、
ｄ）  最後に第２のＭＲデータセットを評価するステップ、
を実行するようにプログラムされた制御ユニットを含むことを特徴とする請求項１の方法を実行するＭＲ装置。
【請求項８】
ａ）  二次元のＭＲ画像を再生するための第１のＭＲデータを得るため、対象物の変化の周期の一部分において第１のＭＲシーケンスを生成し、
ｂ）  対象物を検査するために必要とする第２のＭＲデータセットの一部を得るため、周期の残りの部分において第２のＭＲシーケンスを生成し、
ｃ）  第２のＭＲデータセットについて更なるＭＲデータを取得するため、前記第２のシーケンスのパラメータを変化させて更なる複数の周期において少なくともステップｂ）を反復し、
ｄ）  最後に第２のＭＲデータセットを評価するステップ、
が実行される方法で請求項１に記載の方法を実施するためのＭＲ装置を制御するための制御ユニットのためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
片手で持つことのできるハウジングと、
駆動可能であり、剥皮装置の動作時に、動作方向と略平行に、人の皮膚の上で動かすことのできる剥皮工具と、
上記剥皮工具を駆動させる駆動手段と、を有し、
上記剥皮工具は、ピボット軸についてピボット可能であり、特定のピボット角度範囲内でピボット可能であるよう取付けられる剥皮装置。
【請求項２】
上記ピボット軸は、上記動作方向に対し略垂直である請求項１記載の装置。
【請求項３】
上記剥皮工具は、略板状の剥皮手段支持体を有し、
上記略板状の剥皮手段支持体には、剥皮手段が接続される請求項１記載の装置。
【請求項４】
上記剥皮手段は、上記剥皮手段支持体から着脱可能に設計される請求項３記載の装置。
【請求項５】
上記剥皮工具は、剥皮ヘッドの一部を形成し、
上記剥皮ヘッドは、上記剥皮装置の基部に着脱可能に接続され、
上記剥皮ヘッドには、駆動部が具備され、
上記駆動部は、上記剥皮ヘッドを上記剥皮装置の基部から外したとき、上記剥皮装置の上記基部に収容される駆動部から外されることが可能である請求項１記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
ディーゼルエンジンの排出ガス中に存在する粒子の除去のための請求項15ないし22のいずれか１項に記載のセパレータの使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置の構成要素の製造方法であって、液晶ポリマーコーティングを前記構成要素の表面に提供する工程を備え、前記液晶ポリマーは前記構成要素の最も外側の表面を形成することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記液晶ポリマーは、前記構成要素の表面にプラズマ溶射されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記構成要素は、少なくともプラズマチャンバー壁、チャンバーライナー、ガス供給板、ガスリング、ペデスタル、静電チャック及びフォーカスリングのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記構成要素は、アルミナ製のセラミック部分を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記液晶ポリマーは、予め形成されたシートであって、前記方法は、前記予め形成されたシートを前記構成要素の表面のカバーとして適用する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記液晶ポリマーコーティングを成膜する前に、前記構成要素の表面に、表面をラフ化する処理を施す工程を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記構成要素は、陽極酸化された又は陽極酸化されていないアルミニウム製又はアルミニウム合金製の金属部分を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
半導体処理装置の構成要素であって、その外側表面に液晶ポリマーコーティングを備えることを特徴とする構成要素。
【請求項９】
前記基板が、アルミニウム又はアルミニウム合金を備えることを特徴とする請求項８に記載の構成要素。
【請求項１０】
前記基板がアルミナを備えることを特徴とする請求項８に記載に記載の構成要素。
【請求項１１】
前記基板が陽極酸化された、又は、陽極酸化されていない表面を含むことを特徴とする請求項９に記載の構成要素。
【請求項１２】
前記液晶ポリマーが、プラズマ溶射コーティングを備えることを特徴とする請求項８に記載の構成要素。
【請求項１３】
前記構成要素は、少なくともプラズマチャンバー壁、チャンバーライナー、ガス供給板、ガスリング、ペデスタル、静電チャック及びフォーカスリングのいずれかであることを特徴とする請求項８に記載の構成要素。
【請求項１４】
前記液晶ポリマーが、基板表面を覆う予め形成されたシートを備えることを特徴とする請求項８に記載の構成要素。
【請求項１５】
前記構成要素が、プラズマ溶射コーティングと接触するラフな表面を備えることを特徴とする請求項１２に記載の構成要素。
【請求項１６】
前記液晶ポリマーが充填物を含むことを特徴とする請求項８に記載の構成要素。
【請求項１７】
請求項８に記載の構成要素を少なくとも一つ備えるプラズマチャンバー。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプラズマチャンバー内において半導体基板を処理する方法であって、基板が前記チャンバー内に搬送され、前記基板の露出表面がプラズマにより処理されることを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記基板の前記表面はプラズマによりエッチングされることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記プラズマは高密度プラズマであることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板を前記反応室内の基板支持部上に位置決めする工程と、
処理ガスを前記反応室へ導入する工程と、
前記処理ガスを活性化し前記基板の露出表面の近傍にプラズマを生成するために、ＲＦエネルギーを平面アンテナへ適用し、アンテナからのＲＦエネルギーを誘導的にカップリングする工程と、
前記露出基板表面をプラズマでエッチングする工程と
を更に備えることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記構成要素は、ガス供給板又はリングであって、前記方法は、前記ガス供給板又はリングにおける開口部を通して前記反応室へ前記処理ガスを導入する工程を更に備えることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板の前記表面は、ビードブラスト若しくはグリットブラストされたラフな表面であって、前記コーティングと機械的に定着されているか又は結合されていることを特徴とする請求項８に記載の構成要素。
【請求項２４】
前記基板の前記表面と前記コーティングとの間に、少なくとも１つの中間層を更に備えることを特徴とする請求項８に記載の構成要素。
【請求項２５】
前記基板は、ステンレス鋼、高融点金属、又は、重合体材料でできていることを特徴とする請求項８に記載の構成要素。
【請求項２６】
前記基板は、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ホウ素、及び、窒化ホウ素からなるグループの中から選択されたセラミック材料でできていることを特徴とする請求項８に記載の構成要素。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月22日(2003.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢＥＴ多孔度計で測定したとき２０〜５００オングストロームの平均細孔幅を有するメソ多孔性有機官能シリカと、この有機官能シリカと反応できる官能基を有する配位子との反応生成物を含む配位子であって、ここで前記有機官能シリカはケイ酸アルキルと有機官能シランから調製される、繋がれた配位子。
【請求項２】
前記ケイ酸アルキルは一般式Ｓｉ(ＯＲ)4 を有し、ここで、各Ｒは同一または異なり、そして１〜４個の炭素原子を有するアルキル基または置換アルキル基である、請求項１記載の繋がれた配位子。
【請求項３】
前記有機官能シランは一般式（Ｙ)aＳｉ((Ｚ)Ｘ)b を有し、ここで、
Ｙはハロゲンまたは１〜３個の炭素原子を有するアルコキシ基であり、
Ｚはアルキル、アリールまたはアルキル‐アリール基であって、任意に酸素、窒素、リンまたは硫黄から選択される少なくとも１種のヘテロ原子を含有し、
Ｘはハロゲン化物、ヒドロキシル、カルボニル、カルボキシル、無水物、カルベン、メタクリル、エポキシド、ビニル、ニトリル、メルカプト、アミン、イミン、アミドおよびイミドから選択される官能基であり、
ａ＝３または２、ｂ＝１または２、そしてａ＋ｂ＝４である、請求項１記載の繋がれた配位子。
【請求項４】
前記有機官能シランは有機官能シランを連結分子と反応させることによって調製され、この連結分子は前記有機官能シランと反応できる官能基および官能基含有配位子と反応できる官能基を含有し、またこの連結分子は、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル、アルコキシ、アルキル‐アリール、アリール、フェノキシまたはアニリドの化合物を含む群から選択され、前記化合物は、ハロゲン化物、ヒドロキシル、カルボニル、カルボキシル、無水物、カルベン、メタクリル、エポキシド、ビニル、ニトリル、メルカプト、イソシアネート、アミン、イミン、アミドおよびイミドから選択される官能基を含有する、請求項１記載の繋がれた配位子。
【請求項５】
前記有機官能シリカは、ケイ酸アルキルと、有機官能シランと、官能基含有配位子と反応できる官能基を持たないシランと、から調製される、請求項１記載の繋がれた配位子。
【請求項６】
前記有機官能シリカの官能基は、前記有機官能シリカと前記官能基含有配位子との反応が行われる前に化学変換によって変化する、請求項１記載の繋がれた配位子。
【請求項７】
官能基を有する前記配位子は、前記有機官能シリカと反応できる反応基を有するキラルまたは非キラルのモノ‐、ビ‐、トリ‐、またはテトラ‐歯状配位子である、請求項１記載の繋がれた配位子。
【請求項８】
ａ）  選択的に鋳型化合物の存在下でケイ酸アルキル、有機官能シランおよび水の反応によって有機官能シリカを生成させ、
ｂ）  存在する場合、前記鋳型化合物を除去し、そして
ｃ）  前記有機官能シリカと反応できる官能基を有する配位子と前記有機官能シリカを反応させる、
以上の工程を含む、繋がれた配位子を調製する方法。
【請求項９】
請求項１〜７いずれかに記載の繋がれた配位子と触媒的に活性な金属の供給源との反応生成物を含む担持された触媒。
【請求項１０】
前記触媒的に活性な金属はＳｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｇｅ、ＳｂおよびＳｎを含む群から選択される、請求項９記載の触媒。
【請求項１１】
ａ）  選択的に鋳型化合物の存在下でケイ酸アルキル、有機官能シランおよび水の反応によって有機官能シリカを生成させ、
ｂ）  存在する場合、前記鋳型化合物を除去し、
ｃ）  前記有機官能シリカと反応できる官能基を有する配位子と前記有機官能シリカを反応させて、繋がれた配位子を調製し、そして
ｄ）  金属化合物と前記繋がれた配位子との間の化学反応を実施する、
以上の工程を含む、担持された触媒の調製方法。
【請求項１２】
水素化反応、ジヒドロキシル化反応、加水分解反応、複分解反応、炭素‐炭素結合生成反応、ヒドロアミノ化反応、エポキシ化反応、アジリジン化反応、シクロ付加反応、ヘテロ‐ディールス‐アルダー反応、ヘテロ‐エン反応、クライゼン転位反応、カルボニル還元反応、シグマトロピー転位反応、π‐結合への求核剤の付加反応、カルボニル基への求核剤の付加反応、および開環反応のための、請求項１１記載の担持された触媒の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腫瘍の増殖または転移を調節する必要のある動物において、有効量のコンブレタスタチンＡ−４化合物またはコンブレスタチンＡ−１化合物との連続投与または同時投与と組み合わせて腫瘍の増殖または転移を調節するための医薬の製造における、少なくとも１つの有効量の抗癌剤の使用。
【請求項２】
腫瘍の増殖または転移を調節する必要のある動物において、少なくとも１つの有効量の抗癌剤の投与と組み合わせて腫瘍の増殖または転移を調節するための医薬の製造における、有効量のコンブレタスタチンＡ−４化合物またはコンブレスタチンＡ−１化合物の使用であって、ここで、該医薬は、時間依存性有効腫瘍濃度の該抗癌剤を提供するように、該腫瘍への血流を調節するのに十分な該抗癌剤の投与と関連した時間に投与される、使用。
【請求項３】
前記少なくとも１つの抗癌剤が、アルキル化剤、二官能性アルキル化剤、非ステロイドアロマターゼインヒビター、免疫療法剤、ニトロソ尿素化合物、代謝拮抗物質、抗腫瘍抗生物質、有糸分裂インヒビター、放射線、トポイソメラーゼＩインヒビター、および抗エストロゲンからなる群より選択される、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
前記少なくとも１つの抗癌剤が、シスプラチン、カルボプラチン、オキサリプラチン、放射線、ＣＰＴ−１１、パクリタキセル、５−フルオロウラシル、ロイコボリン、エポチロン、ゲムシタビン、ＵＦＴ、ハーセプチン、シトキサン、ダカルバキシン、イホスファミド、メクロレタミン、メルファラン、クロラムブシル、アナストロゾールおよびエキセムスタン、カルムスチン、ロムスチン、メトトレキセート、ゲムシタビン、シタラビン、フルダラビン、ブレオマイシン、ダクチノマイシン、ダウノルビシン、ドキソルビシン、イダルビシン、ドセタキセル、ビンブラスチン、ビンクリスチン、ビノレルビン、トポテカン、ルプロン、メガス、ロイコボリン、イレッサ、フラボピリドール、免疫療法剤、ＺＤ６４７４、ＳＵ６６６８、ならびにバルスポダールからなる群より選択される、請求項１に記載の使用。
【請求項５】
前記抗癌剤が、「ピーク腫瘍濃度剤」であり、前記医薬と同時に投与されるかまたは近い時間に投与される、請求項２に記載の使用。
【請求項６】
前記抗癌剤が、シトキサン、マイトマイシンＣ、シスプラチン、オキサリプラチン、およびカルボプラチンからなる群より選択される、請求項１または５に記載の使用。
【請求項７】
前記抗癌剤が、持続性曝露剤であり、前記医薬の投与後に投与される、請求項２に記載の使用。
【請求項８】
前記抗癌剤が、タキサン、エトポシド、リン酸エトポシド、イムノトキシン、およびエポチロンからなる群より選択される、請求項１または７に記載の使用。
【請求項９】
前記抗癌剤が、ＡＵＣ剤であり、該ＡＵＣ剤が、前記コンブレタスタチンＡ４化合物の投与前に投与される、請求項２に記載の使用。
【請求項１０】
前記抗癌剤が、アドリアマイシン、ＣＴＰ−１１、およびトポテカンからなる群より選択される、請求項１または９に記載の使用。
【請求項１１】
前記コンブレタスタチンＡ４化合物が、コンブレタスタチンＡ−４リン酸塩であり、前記抗癌剤がシスプラチンである、請求項６に記載の使用。
【請求項１２】
前記コンブレタスタチンＡ４化合物が、コンブレタスタチンＡ−４リン酸塩であり、前記抗癌剤がカルボプラチンである、請求項６に記載の使用。
【請求項１３】
前記コンブレタスタチンＡ４化合物が、コンブレタスタチンＡ−４リン酸塩であり、前記抗癌剤がＣＰＴ−１１である、請求項１０に記載の使用。
【請求項１４】
前記コンブレタスタチンＡ４化合物が、コンブレタスタチンＡ−４リン酸塩であり、前記抗癌剤がパクリタキセルである、請求項８に記載の使用。
【請求項１５】
前記コンブレタスタチンＡ−１化合物が、コンブレタスタチンＡ−１二リン酸塩であり、前記抗癌剤がシスプラチンである、請求項６に記載の使用。
【請求項１６】
前記コンブレタスタチンＡ−１化合物が、コンブレタスタチンＡ−１二リン酸塩であり、前記抗癌剤がカルボプラチンである、請求項６に記載の使用。
【請求項１７】
前記コンブレタスタチンＡ−１化合物が、コンブレタスタチンＡ−１二リン酸塩であり、前記免疫療法剤が、ＣＰＴ−１１である、請求項１０に記載の使用。
【請求項１８】
前記コンブレタスタチンＡ−１化合物が、コンブレタスタチンＡ−１二リン酸塩であり、前記免疫療法剤が、パクリタキセルである、請求項８に記載の使用。
【請求項１９】
腫瘍の増殖または転移を調節する必要のある動物において、腫瘍の増殖または転移を調節するための薬学的組成物であって、薬学的に受容可能なキャリア中に、有効量の少なくとも１つの抗癌剤およびコンブレタスタチンＡ−４化合物またはコンブレスタチンＡ−１化合物を含有する、薬学的組成物。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの抗癌剤が、シスプラチン、カルボプラチン、オキサリプラチン、放射線、ＣＰＴ−１１、パクリタキセル、５−フルオロウラシル、ロイコボリン、エポチロン、ゲムシタビン、ＵＦＴ、ハーセプチン、シトキサン、ダカルバキシン、イホスファミド、メクロレタミン、メルファラン、クロラムブシル、アナストロゾールおよびエキセムスタン、カルムスチン、ロムスチン、メトトレキセート、ゲムシタビン、シタラビン、マイトマイシンＣ、フルダラビン、ブレオマイシン、ダクチノマイシン、ダウノルビシン、ドキソルビシン、イダルビシン、ドセタキセル、ビンブラスチン、ビンクリスチン、ビノレルビン、トポテカン、ルプロン、メガス、ロイコボリン、イレッサ、フラボピリドール、免疫療法剤、ＺＤ６４７４、ＳＵ６６６８、ならびにバルスポダールからなる群より選択される、請求項１９に記載の薬学的組成物。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの抗癌剤が、シトキサン、マイトマイシンＣ、シスプラチン、オキサリプラチン、およびカルボプラチンからなる群より選択される、請求項２０に記載の薬学的組成物。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの抗癌剤が、タキサン、パクリタキセル、ドセタキセル、エトポシド、リン酸エトポシド、およびエポチロンからなる群より選択される、請求項２０に記載の薬学的組成物。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの抗癌剤が、アドリアマイシン、ＣＴＰ−１１、およびトポテカンからなる群より選択される、請求項２０に記載の薬学的組成物。
【請求項２４】
前記抗癌剤が、シスプラチンである、請求項２０に記載の薬学的組成物。
【請求項２５】
前記抗癌剤が、カルボプラチンである、請求項２０に記載の薬学的組成物。
【請求項２６】
前記抗癌剤が、ＣＰＴ−１１である、請求項２０に記載の薬学的組成物。
【請求項２７】
前記抗癌剤が、パクリタキセルである、請求項２０に記載の薬学的組成物。
【請求項２８】
前記コンブレスタチンＡ−４化合物が、コンブレスタチンＡ−４リン酸塩である、請求項２０〜２７に記載の薬学的組成物。
【請求項２９】
前記コンブレスタチンＡ−１化合物が、コンブレスタチンＡ−１二リン酸塩である、請求項２０〜２７に記載の薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  気管支又は胃腸の上皮中のムチン遺伝子の増大された発現により生じる疾患の治療及び／又は予防のための薬物の調製のための式(I)
【化１】
2004523512.tif 000001
のLTB4アンタゴニスト、その互変異性体又はこれらの医薬上許される塩の使用。
【請求項２】  病原性細菌の産物により誘発される杯細胞過形成の予防のための薬物の調製のための請求項１記載の式(I)の化合物、その互変異性体又はこれらの医薬上許される塩の使用。
【請求項３】  ムチン遺伝子の増大された発現又は杯細胞過形成がシュードモナス・アエルギノーサ及び／又はそれに由来する産物によりもたらされる請求項１又は２記載の使用。
【請求項４】  シュードモナス・アエルギノーサ毒素への暴露後の気管上皮中の杯細胞の数の増加を抑制するための薬物の調製のための請求項１〜３のいずれか記載の式(I)のLTB4アンタゴニストの使用。
【請求項５】  疾患が膵のう胞性繊維炎(CF)である請求項１〜４のいずれか記載の使用。
【請求項６】  前記薬物が経口投与される請求項１〜５のいずれか記載の使用。
【請求項７】  前記薬物が式Ｉの化合物又はその医薬上許される塩5mg〜200mgを含む請求項１〜６のいずれか記載の使用。
【請求項８】  (A)  下記式(I)の化合物、その互変異性体又はこれらの医薬上許される塩を含有することを特徴とする、気管支又は胃腸の上皮中のムチン遺伝子の増大された発現により生じた疾患を治療するための医薬組成物。
【請求項９】  (A)  下記式(I)の化合物、その互変異性体又はこれらの医薬上許される塩を投与することを特徴とする、病原性細菌の産物により誘発される杯細胞の過形成により生じた疾患を治療するための医薬組成物。
【請求項１０】  疾患が膵のう胞性繊維炎(CF)である請求項８又は９記載の医薬組成物。
【請求項１１】  さらに、(B)  抗生物質、LTA4ヒドロラーゼインヒビター、5-リポキシゲナーゼインヒビター及び粘液クレアランスを増進する薬剤からなる群から選ばれる一種以上の有効成分を含有する請求項８〜１０のいずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１２】  前記有効成分(B)がアミノグルコシド抗生物質、デフェンシンの構造に由来又は関連する抗菌ペプチド、好中球エラスターゼの生成又は作用を抑制する薬剤からなる群から選ばれる請求項１１記載の医薬組成物。
【請求項１３】  前記有効成分(B)がアトレロイトン、ジロイトン、FK-706、CE 1037、EPI-HNE-4、α1-抗トリプシン、アンブロキソール、ゲンタマイシン、アミカシン、カナマイシン、ストレプトマイシン、ネオマイシン、ネチミシン、コリスチン、イセガナン及びトブラマイシンからなる群から選ばれる請求項１１又は１２記載の医薬組成物。
【請求項１４】  前記有効成分(B)が吸入可能な形態である請求項１１〜１３のいずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１５】  (A)対(B)の重量比が100:1から1:200までである請求項１１〜１４のいずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１６】  少なくとも２種の別々の単位投薬形態(A)及び(B)を含む医薬キットであって、
(A)その一種が式(I)の化合物、その互変異性体又はこれらの医薬上許される塩、及び必要により医薬上許される担体を含む組成物を含み、
(B)その一種が抗生物質、LTA4ヒドロラーゼインヒビター、5-リポキシゲナーゼインヒビター及び粘液クレアランスを増進する薬剤からなる群から選ばれた一種以上の付加的な有効成分、及び（C）必要により医薬上許される担体を含む組成物を含むことを特徴とする医薬キット。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月19日(2003.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
糖尿病の結果を除く血管疾患の治療のための治療薬の調製のための、ＨＭＧボックス結合分子の使用法。
【請求項２】
前記分子が、ｓＲＡＧＥは含まない、抗体または抗体フラグメント、阻害剤および４方向ＤＮＡを有するグループに属する、請求項１記載のＨＭＧボックス結合分子の使用法。
【請求項３】
糖尿病の結果を除く血管疾患治療のための治療薬調製のための、ｓＲＡＧＥを含まない、ＨＭＧボックスとの配列ホモロジーを有しかつレセプタの機能的ＨＭＧボックス結合ドメインに結合できるアンタゴニスト分子の使用法。
【請求項４】
糖尿病の結果を除く血管疾患が、血管形成の間に生じるアテローム性動脈硬化症および再狭窄を含む、請求項１〜３のうちいずれか１項またはそれ以上に記載の分子の使用法。
【請求項５】
前記分子がカテーテル、外科用器具または血管形成用ステントにより放出される、請求項１〜４のうちいずれか１項またはそれ以上に記載の分子の使用法。
【請求項６】
結合性組織再構築を促進する治療薬の調製のための、ＨＭＧボックス、ＨＭＧボックスファミリーに属する他の蛋白質のＨＭＧボックスドメインおよびＨＭＧファミリーの他の蛋白質に対応するＨＭＧＢ１フラグメントおよび／またはＨＭＧＢ１の使用法。
【請求項７】
傷および／または火傷および／または床ずれの治癒を誘導する治療薬調製のための、ＨＭＧボックス結合分子の使用法。
【請求項８】
前記分子が、抗体または抗体フラグメント、阻害剤および４方向ＤＮＡを有するグループに属する、請求項７記載のＨＭＧボックス結合分子の使用法。
【請求項９】
結合性組織再生成を遮断、遅延、または減少する治療薬の調製のための、ＨＭＧボックスと配列ホモロジーを有しかつレセプタの機能的ＨＭＧボックス結合ドメインに結合可能なアンタゴニスト分子の使用法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）のスピロラキシンを含む、ＰＰＡＲγ受容体の活性化に応答する症状の治療用医薬組成物、ただし、該症状は腫瘍、高脂血症、ヘリコバクター・ピロリによる症状ではない。
【化１】
2004523578.tif 000001
【請求項２】
ＰＰＡＲγ受容体の活性化に応答する症状が２型インスリン抵抗性真性糖尿病である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
式（Ｉ）のスピロラキシン
【化２】
2004523578.tif 000002
と、式（ＩＩ）の全トランスレチノイン酸
【化３】
2004523578.tif 000003
とからなる組み合わせ。
【請求項４】
有効成分として式（Ｉ）のスピロラキシン
【化４】
2004523578.tif 000004
が、式（ＩＩ）の全トランスレチノイン酸
【化５】
2004523578.tif 000005
および少なくとも１つの賦形剤および／または媒体と組合せて作用する医薬組成物。
【請求項５】
ＰＰＡＲγ受容体の活性化に応答する症状の治療用の請求項３に記載の組合せを含む医薬組成物。
【請求項６】
ＰＰＡＲγ受容体の活性化に応答する症状が、急性悪性血液疾患である、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
急性悪性血液疾患が、リンパ系白血病、骨髄球性白血病、単核球性白血病および巨核芽球性白血病からなる群から選択される請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
悪性血液疾患が急性前骨髄球性白血病である請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項９】
１または複数の既知の抗腫瘍薬と組合せた、請求項３に記載の組合せを含む医薬組成物。
【請求項１０】
抗腫瘍薬が、アルキル化剤、トポイソメラーゼ阻害剤、抗チューブリン剤、インターカラント、抗代謝薬、ビンカアルカロイドなどの天然物、エピポドフィロトキシン、抗生物質、酵素およびタキサンからなる群から選択される請求項９に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
多数の特許開示、例えばＥＰ−Ａ２３０３４９、ＥＰ−Ａ５６８３３６、ＥＰ−Ａ７１２８５２、ＥＰ−Ａ７５７０４５、ＪＰ−Ａ４５９７６９、ＷＯ９７／４７６１３及びＵＳ−Ａ５５９１８７５によれば、オレフィンの過酸化水素を用いるエポキシド化反応は、触媒としてチタン含有ゼオライトのスラリー中で行われる。この反応法では、温度調節はさほど難しくなく、従って、実施例で０〜８５℃の温度を使用しているが、−２０〜１５０℃の広い範囲の好適反応温度がこれらの文書に記載されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳動物において乾癬を処置するための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項２】
ヒトにおいて乾癬を処置するための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項３】
哺乳動物において乾癬を処置するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項４】
ヒトにおいて乾癬を処置するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項５】
哺乳動物において乾癬性損傷の重篤度を低減するための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項６】
哺乳動物において乾癬性損傷の重篤度を低減するための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項７】
ヒトにおいて乾癬性損傷の重篤度を低減するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項８】
ヒトにおいて乾癬性損傷の重篤度を低減するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項９】
ヒトにおいて乾癬と関連するケラチノサイトの過剰増殖の程度を最小限に抑えるための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項１０】
ヒトにおいて乾癬と関連するケラチノサイトの過剰増殖の程度を最小限に抑えるための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項１１】
ヒトにおいて乾癬と関連して過剰増殖したケラチノサイトの程度を低減するための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項１２】
ヒトにおいて乾癬と関連して過剰増殖したケラチノサイトの程度を低減するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項１３】
ヒトにおいて乾癬と関連する表皮過形成の程度を最小限に抑えるための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項１４】
ヒトにおいて乾癬と関連する表皮過形成の程度を最小限に抑えるための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項１５】
ヒトにおいて乾癬と関連する表皮過形成を逆転するための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項１６】
ヒトにおいて乾癬と関連する表皮過形成を逆転するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項１７】
ヒトにおいて乾癬に関連する錯角化を処置するための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項１８】
ヒトにおいて乾癬に関連する錯角化を処置するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項１９】
ヒトにおいて乾癬に関連する微小膿瘍を処置するための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項２０】
ヒトにおいて乾癬に関連する微小膿瘍を処置するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項２１】
ヒトにおいて乾癬に関連する乳頭間隆起を減少させるための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項２２】
ヒトにおいて乾癬に関連する乳頭間隆起を減少させるための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項２３】
ヒトにおいて炎症性皮膚疾患を処置するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項２４】
ヒトの真皮から表皮へのリンパ球の浸潤を防止するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項２５】
局所投与のための、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２６】
皮下投与のための、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２７】
筋肉内投与、鼻腔内投与、髄腔内投与、動脈内投与、静脈内投与、経腟投与、経皮投与、または経鼻投与のための、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２８】
哺乳動物において乾癬を処置するための医薬の製造における、ＶＥＧＦアンタゴニストの使用。
【請求項２９】
ヒトにおいて乾癬を処置するための医薬の製造における、ＶＥＧＦアンタゴニストの使用。
【請求項３０】
ヒトにおいて乾癬を処置するための医薬の製造における、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）の使用。
【請求項３１】
ヒトにおいて創傷治癒を増強するための組成物であって、ＶＥＧＦアンタゴニストを含有する、組成物。
【請求項３２】
ヒトにおいて創傷治癒を増強するための組成物であって、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）を含有する、組成物。
【請求項３３】
局所投与のための、請求項３１または３２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３４】
皮下投与のための、請求項３１または３２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３５】
筋肉内投与、鼻腔内投与、髄腔内投与、動脈内投与、静脈内投与、経腟投与、経皮投与、または経鼻投与のための、請求項３１または３２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項３６】
ヒトにおいて創傷治癒を増強するための医薬の製造における、ＶＥＧＦアンタゴニストの使用。
【請求項３７】
ヒトにおいて創傷治癒を増強するための医薬の製造における、ＶＥＧＦＲ１Ｒ２−ＦｃΔＣ１（ａ）の使用。