Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のポリアミドを構成するジカルボン酸単位は、炭素数６〜１８の飽和脂肪族ジカルボン酸から主としてなり、例えば、アジピン酸、２−メチルアジピン酸、トリメチルアジピン酸、ピメリン酸、２，２−ジメチルグルタル酸、２，２−ジエチルコハク酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、オクタデカン二酸などから誘導される単位が挙げられる。これらの単位は１種類のものであってもよいし、２種以上であってもよい。これらの中でも炭素数９〜１２のものが好ましく、特にアゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸から誘導される単位が好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
溶融重合において、反応の進行に伴って、生成するオリゴアミドまたはポリアミドの分子量が高くなると、反応生成物の融点が高くなったり、反応生成物の溶融粘度が高くなったりするため、反応混合物が固化しやすくなる。従って、反応温度は、反応の進行に合わせて昇温するように制御し、反応混合物の固化を防ぐように設定することが望ましい。また、反応混合物を十分に攪拌し、反応系中を常に均一な溶融系に保持することが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
なお、実施例および比較例に用いた各Ａ成分、Ｂ成分、Ｃ成分、Ｄ成分、及びｃ成分の具体的物質は以下の通りである。
（Ａ）ＰＡＳ樹脂
ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）
Ａ１：呉羽化学工業（株）製フォートロンＫＰＳ（３１０℃、ズリ速度１２００ｓｅｃ-1における粘度が１４０Ｐａ・ｓ）
（Ｂ）環状オレフィン系樹脂
Ｂ１：ＴＯＰＡＳ６０１７（ドイツＴｉｃｏｎａ社製、ノルボルネンとエチレンの付加共重合体、ＭＦＲ（２６０℃、２．１６ｋｇｆ）１．０、Ｔｇ１７４℃）
Ｂ２：アペルＡＰＬ６０１５Ｔ（三井化学（株）製、テトラシクロドデセンとエチレンの付加共重合体、ＭＦＲ（２６０℃、２．１６ｋｇｆ）７．０、Ｔｇ１４５℃）
Ｂ３：ゼオノア１６００Ｒ（日本ゼオン（株）製、ノルボルネン系環状オレフィンの開環重合体の水素添加物、ＭＦＲ（２８０℃、２．１６ｋｇｆ）７．０、Ｔｇ１６３℃）
（Ｃ）グラフト変性環状オレフィン系樹脂
Ｃ１：環状オレフイン系樹脂ＴＯＰＡＳ６０１７の１００重童部に対し、グラフト変性用官能基含有化合物として無水マレイン酸５重量部、およびラジカル発生剤として２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（商品名パーヘキシン２５Ｂ（日本油脂（株）製））０．４重量部をあらかじめ混合し、これを３０ｍｍ二軸押出機を用い、シリンダー温度２００℃にて、溶融混練してグラフト反応を行って得た。
Ｃ２：グラフト変性用官能基含有化合物として、無水マレイン酸５重量部の代りにグリシジルメタクリレート２重量部を用いる以外はＣ１と全く同じ方法で得た。
Ｃ３：グラフト変性用官能基含有化合物として、無水マレイン酸５重量部の代りに無水マレイン酸０．５重量部を用いる以外は、Ｃｌと全く同じ方法で得た。
Ｃ４：グラフト変性用官能基含有化合物として、無水マレイン酸５重量部の代りに無水マレイン酸０．２重量部用いる以外はＣ１と全く同じ方法で得た。
Ｃ５：環状オレフィン系樹脂アペルＡＰＬ６０１５Ｔの１００重量部に対し、グラフト変性用官能基含有化合物としてビニルトリエトキシシラン３重量部、およびラジカル発生剤としてα，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼン（商品名パーブチルＰ（日本油脂（株）製））０．４重量部をあらかじめ混合し、これを３０ｍｍ二軸押出機を用い、シリンダー温度２００℃にて、溶融混練してグラフト反応を行うことにより得た。
Ｃ６；環状オレフィン系樹脂として、ゼオノア１６００Ｒの１００重量部、グラフト変性用官能基含有化合物として、無水マレイン酸１重量部を用いる以外は、Ｃｌと全く同じ方法で得た。
Ｃ７：グラフト変性用官能基含有化合物として、無水マレイン酸５重量部の代りにマレイン酸２重量部用いる以外はＣ１と全く同じ方法で得た。
Ｃ８：グラフト変性用官能基含有化合物として、無水マレイン酸５重量部の代りにマレイン酸ジメチル１．５重量部用いる以外はＣ１と全く同じ方法で得た。
（Ｄ）他の相溶化剤
Ｄ１：三井化学（株）製  タフマーＭＰ０６２０（無水マレイン酸変性ポリオレフィン）
Ｄ２：日本油脂（株）製  モディパーＡ４３００（ＥＧＭＡ-g-p（ＢＡ-stat-ＭＭＡ））
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め脱硫処理が施されたメタン発酵ガスを、１気圧を超える圧に加圧した吸収塔の塔底に供給し、塔頂から吸収水を供給して、吸収塔内でメタン発酵ガスと吸収水とを向流接触させて、メタン発酵ガス中の二酸化炭素等の不要ガス成分を吸収水に吸収させ、吸収塔の上部より精製メタンガスを取り出すことを特徴とするメタン発酵ガスの精製方法。
【請求項２】
吸収塔内で予め脱硫処理が施されたメタン発酵ガスと吸収水とを向流接触させて、メタン発酵ガス中の二酸化炭素等の不要ガス成分を吸収水に吸収させた後、吸収塔の塔底から吸収処理後の吸収水を、前記吸収塔内より低い圧力のフラッシュ装置に導入してフラッシュさせるか、前記吸収塔内より低い圧力の放散塔の塔頂に導入し、塔底から空気または精製メタンガスを供給して向流接触させ、前記吸収処理後の吸収水中の溶解ガスを放散除去する請求項１記載のメタン発酵ガスの精製方法。
【請求項３】
フラッシュ装置または放散塔から排出された溶解ガスを除去した放散処理後の吸収水を、昇圧して吸収塔に戻し吸収水として循環使用する請求項２記載のメタン発酵ガスの精製方法。
【請求項４】
吸収塔および放散塔のいずれか一方または両方が、塔内にガス逆流防止板で仕切られた複数の充填層を備えた充填塔である請求項１〜３のいずれかに記載のメタン発酵ガスの精製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、予め脱硫処理が施されたメタン発酵ガスを、１気圧を超える圧に加圧した吸収塔の塔底に供給し、塔頂から吸収水を供給して、吸収塔内でメタン発酵ガスと吸収水とを向流接触させて、メタン発酵ガス中の二酸化炭素等の不要ガス成分を吸収水に吸収させ、吸収塔の上部より精製メタンガスを取り出すことを特徴とするメタン発酵ガスの精製方法である。吸収塔における加圧は１気圧を超える圧、好ましくは３気圧以上とする。
さらに、前記のように吸収塔内で予め脱硫処理が施されたメタン発酵ガスと吸収水とを向流接触させて、メタン発酵ガス中の二酸化炭素等の不要ガス成分を吸収水に吸収させた後、吸収塔の塔底から吸収処理後の吸収水を、前記吸収塔内より低い圧力のフラッシュ装置に導入してフラッシュさせるか、前記吸収塔内より低い圧力の放散塔の塔頂に導入し、塔底から空気または精製メタンガスを供給して向流接触させ、前記吸収処理後の吸収水中の溶解ガスを放散除去するメタン発酵ガスの精製方法である。
上述のメタン発酵ガスの精製方法では、フラッシュ装置または放散塔から排出された溶解ガスを除去した放散処理後の吸収水は、昇圧して吸収塔に戻し吸収水として循環使用することが望ましい。
そして、本発明で用いる吸収塔および放散塔としては、そのいずれか一方または両方が、塔内にガス逆流防止板で仕切られた複数の充填層を備えた形式の充填塔であることが望ましい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【作用】
本発明では、メタン発酵工程から排出されるメタンガスを主成分とし二酸化炭素（ＣＯ２）等を含むメタン発酵ガスを、予め脱硫処理を施してから１気圧を超える圧に加圧した吸収塔の塔底に供給し、加圧により減少した吸収水を塔頂から潅液させてＣＯ２を吸収し、同時に吸収水由来の窒素の放散量を減少させることにより、精製メタンガス中に含まれてくる二酸化炭素と窒素の含有量を低減させ、結果として精製されたメタンガスのカロリーアップを図っている。
また、予め脱硫処理が施されたメタン発酵ガスを、１気圧を超える圧に加圧した充填塔を用いて、加圧下で吸収処理することで、吸収水が減少することにより、使用する吸収塔の塔径を小さくすることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉経後の被験体において閉経後エストロゲン減少により生じる身体的状態を処置するための方法であって、該方法は、該被験体において、約５ｐｇ／ｍｌと約１５ｐｇ／ｍｌとの間の血清エストラジオールレベルを生じるために有効である量のエストロゲンを、該被験体へ投与する工程を包含する、方法。
【請求項２】
閉経後の被験体において、閉経後のエストロゲン減少から生じる身体的状態を処置するための組成物であって、該被験体において５ｐｇ／ｍｌと１５ｐｇ／ｍｌとの間の血清エストラジオールレベルを生じるために有効である量の該エストロゲンを含み、該身体的状態が、閉経後エストロゲン減少、閉経後骨粗しょう症に起因する骨粗しょう症性骨折の危険性上昇および骨密度減少からなる群から選択される、組成物であって、ここで、該組成物は、該量のエストロゲンを経皮的に投与するためのものであり、そして該量が１日当たり２５μｇ、好ましくは１日当たり２０μｇ未満、そしてさらに好ましくは１日当たり１５μｇ以下である、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨＤＡＣ阻害活性を有する化合物またはその薬学上許容される塩を有効成分として含有してなる骨芽細胞分化誘導促進剤。
【請求項２】
前記化合物が更に破骨細胞分化誘導抑制活性を有する請求項１記載の骨芽細胞分化誘導促進剤。
【請求項３】
前記化合物がトリコスタチンＡ、バルプロ酸、FK-228、Suberanilohydroxamic acid（SAHA)、MS−275、Pyroxamide(NSC-696085)、M-232、4-（3,4-ジメトキシスルホニルアミノ）桂皮酸Ｎ−ヒドロキシアミド、Scriptaid、Spiruchostatin A、Spiruchostatin B、CHAP-1、Apicidin、TrapoxinA、TrapoxinB、WF-27082B、Oxamflatin、CBHA、Depudecin、ブタン酸ナトリウム、4-フェニルブタン酸ナトリウム又はVX-563である請求項１又は２に記載の骨芽細胞分化誘導促進剤。
【請求項４】
関節および／または骨破壊を伴う疾患の予防剤又は治療剤である、請求項１〜３のいずれかに記載の骨芽細胞分化誘導促進剤。
【請求項５】
以下の工程（１）及び（２）：
（１）被験化合物の存在下にＨＤＡＣ活性を測定する工程、
（２）（１）により測定されたＨＤＡＣ活性と、被験化合物非存在下におけるＨＤＡＣ活性とを比較することによって得られる被験化合物のＨＤＡＣ阻害活性に基づき、被験化合物の骨芽細胞分化誘導促進活性を評価する工程、
を含む骨芽細胞分化誘導促進活性の評価方法。
【請求項６】
更に以下の工程：
（３）（１）により測定された被験化合物のＨＤＡＣ活性と、被験化合物非存在下におけるＨＤＡＣ活性とを比較することによって得られる被験化合物のＨＤＡＣ阻害活性に基づき、被験化合物の破骨細胞分化抑制活性を評価する工程、
を含む請求項５記載の評価方法。
【請求項７】
請求項５に記載の評価方法により評価された骨芽細胞分化誘導促進活性、及び／または請求項６に記載の評価方法により評価された破骨細胞分化誘導抑制活性に基づいて、骨芽細胞分化誘導促進活性と破骨細胞分化誘導抑制活性を併せ持つ化合物を選別する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペットボトル３等のドリンク用ボトルの後口部６に着脱自在で、ボトルの口部６の内側へ挿入する底蓋９付きの内頭部５を有して、水など医薬品、医薬部外品など１９と混ぜ合わせることによりジュース、お茶、コーヒー等の各種飲料及び医薬品、医薬部外品などになる飲料及び医薬品、医薬部外品などの素１０をその内頭部５の中に詰め込んだキャップ本体１と、そのキャップ本体１に対し変位可能に組み付けられて、キャップ本体１に対し変位させることによりキャップ本体１における上記の底蓋９を開いて内頭部５に詰め込んだ上記の飲料及び医薬品、医薬部外品などの素１０を内頭部５からボトル内へ落下可能にしたキャップ副体２とから成るペットボトル等ドリンクボトルのキャップ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月9日(2004.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
潜水中のダイバーの水深位置を検出する水深センサと、前記ダイバーの潜水時間を計測する計時手段とを備えて前記ダイバーの活動状況を監視する監視手段と、前記該監視手段の監視結果に基づいて利用者の安全を確保するための安全情報を求める安全情報導出手段と、前記安全情報導出手段が求めた前記安全情報を前記ダイバーに報知する報知手段とを有するダイバーの個別安全情報報知装置において、
前記個別安全情報報知装置は、ダイバーの腕に装着して使用され、前記安全情報導出手段に対して前記安全情報を求める際の個別条件を入力可能な個別条件入力手段を有していることを特徴とするダイバーズ用の個別安全情報報知装置。
【請求項２】
請求項１において、前記安全情報には、ダイバーが安全に浮上するための浮上速度の情報が含まれており、前記ダイバーの年齢が高いものほど、時間をよりかけて浮上しないと浮上警告違反である旨の警告が発せられることを特徴とするダイバーズ用の個別安全情報報知装置。
【請求項３】
請求項１において、前記安全情報には、ダイバーの無減圧潜水可能時間の情報が含まれており、前記ダイバーの年齢が高いものほど、前記無減圧潜水可能時間が短く設定されていることを特徴とするダイバーズ用の個別安全情報報知装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明では、潜水中のダイバーの水深位置を検出する水深センサと、前記ダイバーの潜水時間を計測する計時手段とを備えて前記ダイバーの活動状況を監視する監視手段と、前記該監視手段の監視結果に基づいて利用者の安全を確保するための安全情報を求める安全情報導出手段と、前記安全情報導出手段が求めた前記安全情報を前記ダイバーに報知する報知手段とを有するダイバーの個別安全情報報知装置において、前記個別安全情報報知装置は、ダイバーの腕に装着して使用され、前記安全情報導出手段に対して前記安全情報を求める際の個別条件を入力可能な個別条件入力手段を有していることを特徴とする。
また、本発明では、前記安全情報には、ダイバーが安全に浮上するための浮上速度の情報が含まれており、前記ダイバーの年齢が高いものほど、時間をよりかけて浮上しないと浮上警告違反である旨の警告が発せられることしていることを特徴とする。
さらに、本発明では、前記安全情報には、ダイバーの無減圧潜水可能時間の情報が含まれており、前記ダイバーの年齢が高いものほど、前記無減圧潜水可能時間が短く設定されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記制御部３ｂはログ記録部５ａとともにログ記録装置５を構成しており、このログ記録部５ａには操作端末機３から指令信号が出力される毎に、これをその時の操作時間とともに記録するとともに、これらに続いて燃料充填装置２、伝票印字装置３ｆおよびコンピュータ４との通信情報を記録するように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （メタ）アクリル酸エステルの重合を防止する方法において、（メタ）アクリル酸エステルに含まれる酸を５０ｐｐｍ以下に低減させ、かつＮ−オキシル化合物を共存させることを特徴とする（メタ）アクリル酸エステルの重合防止方法。
【請求項２】  （メタ）アクリル酸エステルの重合を防止する方法において、（メタ）アクリル酸エステルに含まれる水分を１００ｐｐｍ以下に低減させ、かつＮ−オキシル化合物を共存させることを特徴とする（メタ）アクリル酸エステルの重合防止方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、（メタ）アクリル酸エステルの重合を防止する方法において、（メタ）アクリル酸エステルに含まれる酸を５０ｐｐｍ以下に低減させ、かつＮ−オキシル化合物を共存させることを特徴とする（メタ）アクリル酸エステルの重合防止方法である。酸を予め低減させる方法としては、塩基を（メタ）アクリル酸エステルに添加する方法が好ましい。
また、本発明は（メタ）アクリル酸エステルの重合を防止する方法において、（メタ）アクリル酸エステルに含まれる水分を１００ｐｐｍ以下に低減させ、かつＮ−オキシル化合物を共存させることを特徴とする（メタ）アクリル酸エステルの重合防止方法である。水分を予め低減させる方法としては、水と共沸組成を形成する溶媒を用いて共沸脱水することにより水分を低減させる方法が好ましい。また、Ｎ−オキシル化合物としては、式（１）で表されるＮ−オキシル化合物が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記構造式Ａ、ＢまたはＣで表される化合物。
2004083463.tif 000001
【請求項２】  請求項１記載の化合物を含有する組成物。
【請求項３】  請求項１記載の化合物を含有する血糖降下剤。
【請求項４】  請求項１記載の化合物を含有する抗炎症剤。
【請求項５】  請求項１記載の化合物を含むセンダングサ属植物エキス画分。
【請求項６】  請求項１記載の化合物を含むセンダングサ属植物エキス画分を含有する組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
脱フルオロアルコキシ化の後、酸を加えｐＨ調整を行う工程をさらに含む請求項２乃至５の何れかに記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（ＸはＩ，Ｂｒ，Ｃｌからなる群より選択される一種を示す。）
で表される１−ハロゲノ−３−フルオロ−４−（トリフルオロメトキシ）ベンゼン及びその類縁前駆体と、金属アルコキシド：
（ＲＯ）nＭ
（Ｍはリチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、アルミニウムからなる群より選択される一種を示す。ｎは正の整数を表し、Ｍの種類に対応する価数である。）
との反応により行われる（２）の製造方法。
（４）  脱フルオロアルコキシ化に用いられる式（ＩＩ）の化合物の量ａ  ｍｏｌ及び金属アルコキシドの量ｂ  ｍｏｌが、（ｎｘｂ）／ａ＝１〜３の条件を充たす（３）の製造方法。
（５）  脱フルオロアルコキシ化の反応温度が７０℃以上９０℃以下である（２）〜（４）の製造方法。
（６）  脱フルオロアルコキシ化の後、酸を加えｐＨ調整を行う工程をさらに含む（２）〜（５）記載の製造方法。
（７）  ｐＨ調整が−１０℃以上１０℃以下の温度で行われる（６）の製造方法。
（８）  水相のｐＨが０以上２以下に調整される（６）又は（７）の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月14日(2004.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体に膏体層を設けてなる外用貼付剤において、該膏体層を形成する膏体組成物が、下記式（Ｉ）で表される化合物、分子内にカルボン酸基を有する非ステロイド系消炎鎮痛薬、ｌ−メントール及び非水性基剤を含有し、かつ式（Ｉ）で表される化合物を膏体組成物全体に対して２〜６質量％含有することを特徴とする外用貼付剤。
【化１】
2004083462.tif 000001
（式中、Ｒ及びＲ’は、水素原子、アルキル基またはアルキルカルボニル基を示し、ｎは１〜６００の数を示す）
【請求項２】
式（Ｉ）で表される化合物が、外用貼付剤の皮膚貼付の際の皮膚障害抑制作用と膏体組成物中の分子内にカルボン酸基を有する非ステロイド系消炎鎮痛薬とｌ−メントールのエステル化抑制作用を有するものである請求項第１項記載の外用貼付剤。
【請求項３】
分子内にカルボン酸基を有する非ステロイド系消炎鎮痛薬がインドメタシンである請求項第１項または第２項記載の外用貼付剤。
【請求項４】
非水性基剤がゴム系粘着剤である請求項第１項ないし第３項の何れかの項記載の外用貼付剤。
【請求項５】
ゴム系粘着剤のエラストマーが、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン・ブタジエンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、天然ゴム及びイソプレンゴムから選ばれた１種または２種以上である請求項第４項記載の外用貼付剤。
【請求項６】
分子内にカルボン酸基を有する非ステロイド系消炎鎮痛薬及びｌ−メントールを含有する外用貼付剤に、下記式（Ｉ）で表される化合物を含有させることを特徴とする外用貼付剤中の薬物のエステル化抑制方法。
【化２】
2004083462.tif 000002
（式中、Ｒ及びＲ’は、水素原子、アルキル基またはアルキルカルボニル基を示し、ｎは１〜６００の数を示す）
【請求項７】
分子内にカルボン酸基を有する非ステロイド系消炎鎮痛薬がインドメタシンである請求項第６項記載のエステル化抑制方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
触媒（Ｂ）の存在下、低級脂肪族カルボン酸と低級オレフィンとから低級脂肪族カルボン酸エステルを製造する方法において、原料中のハロゲン類の濃度が２０ｐｐｍ以下であることを特徴とする低級脂肪族カルボン酸エステルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ハロゲン類の濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の低級脂肪族カルボン酸エステルの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
原料中に実質的にハロゲン類を含まないことを特徴とする請求項１に記載の低級脂肪族カルボン酸エステルの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明は例えば以下の事項からなる。
［１］  触媒（Ｂ）の存在下、低級脂肪族カルボン酸と低級オレフィンとから低級脂肪族カルボン酸エステルを製造する方法において、原料中のハロゲン類の濃度が２０ｐｐｍ以下であることを特徴とする低級脂肪族カルボン酸エステルの製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［２］  ハロゲン類の濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする［１］に記載の低級脂肪族カルボン酸エステルの製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［３］  原料中に実質的にハロゲン類を含まないことを特徴とする［１］に記載の低級脂肪族カルボン酸エステルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月23日(2005.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造式７、１３または１４を有する化合物。
2004083442.tif 000001
【請求項２】
請求項１記載の化合物を含有する組成物。
【請求項３】
請求項１記載の化合物を含有する抗酸化剤。
【請求項４】
請求項１記載の化合物を含有する日焼け防止剤。
【請求項５】
請求項１記載の化合物を含むセンダングサ属植物エキス画分を含有する組成物。
【請求項６】
請求項１記載の化合物を含むセンダングサ属植物エキス画分を含有する抗酸化剤。
【請求項７】
請求項１記載の化合物を含むセンダングサ属植物エキス画分を含有するシミ、ソバカス防止クリーム。
【請求項８】
請求項１記載の化合物含有量を指標とする品質評価法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月9日(2004.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個のフリーの水酸基が存在するアシル化ポリグリセリンを含有し、ウォッシュオフ形態で使用できることを特徴とする、油性汚れ用のクレンジング化粧料。
【請求項２】
アシル化ポリグリセリンの含有量が、０．５〜２０重量％であることを特徴とする、請求項１に記載のクレンジング化粧料。
【請求項３】
アシル化ポリグリセリンに於けるポリグリセリンが、ジグリセリン又はトリグリセリンであり、アシル基がデカノイル基、ラウロイル基、ミリストイル基又はパルミトイル基であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のクレンジング化粧料。
【請求項４】
アシル化ポリグリセリンが、ジグリセリンモノデカン酸エステル、ジグリセリンモノラウリン酸エステル、ジグリセリンモノミリスチン酸エステル、トリグリセリンジデカン酸エステル、トリグリセリンジラウリン酸エステル、トリグリセリンジミリスチン酸エステル及びトリグリセリンジパルミチン酸エステルから選択される１種乃至は２種以上であることを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載のクレンジング化粧料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この様な状況に鑑みて、本発明者らは充分なクレンジング機能を有しながら、ウォッシュオフ形態で使用できるクレンジング料を求めて、鋭意研究努力を重ねた結果、アシル化ポリグリセリンを含有する化粧料にその様な特性を見出し、発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、以下に示す技術に関するものである。
（１）少なくとも１個のフリーの水酸基が存在するアシル化ポリグリセリンを含有し、ウォッシュオフ形態で使用できることを特徴とする、油性汚れ用のクレンジング化粧料。
（２）アシル化ポリグリセリンの含有量が、０．５〜２０重量％であることを特徴とする、（１）に記載のクレンジング化粧料。
（３）アシル化ポリグリセリンに於けるポリグリセリンが、ジグリセリン又はトリグリセリンであり、アシル基がデカノイル基、ラウロイル基、ミリストイル基又はパルミトイル基であることを特徴とする、（１）又は（２）に記載のクレンジング化粧料。
（４）アシル化ポリグリセリンが、ジグリセリンモノデカン酸エステル、ジグリセリンモノラウリン酸エステル、ジグリセリンモノミリスチン酸エステル、トリグリセリンジデカン酸エステル、トリグリセリンジラウリン酸エステル、トリグリセリンジミリスチン酸エステル及びトリグリセリンジパルミチン酸エステルから選択される１種乃至は２種以上であることを特徴とする、（１）〜（３）の何れか１項に記載のクレンジング化粧料。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ・ケーブル内の摂動を検出する方法であって、
前記光ファイバ・ケーブル内の伝送光のパワー・レベルを測定するステップと、
実測パワー・レベルをしきい値パワー・レベルと比較するステップと、
前記実測パワー・レベルがしきい値パワー・レベル外である場合に警告を発生するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記光ファイバ・ケーブル内の前記伝送光の前記パワー・レベルを測定するステップは、光をディジタル表現に変換することを含むことを特徴とする、請求項１に記載の光ファイバ・ケーブル内の摂動を検出する方法。
【請求項３】
前記光ファイバ・ケーブル内の前記伝送光の前記パワー・レベルを測定するステップは、ベースライン・パワー・レベルに対する前記伝送光の前記パワー・レベルを測定することを含むことを特徴とする、請求項１に記載の光ファイバ・ケーブル内の摂動を検出する方法。
【請求項４】
前記実測パワー・レベルをある時間にわたって表示するステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の光ファイバ・ケーブル内の摂動を検出する方法。
【請求項５】
プロンプトを出し、ユーザ定義しきい値を入力することをユーザに求めるステップと、前記実測パワー・レベルをユーザ定義しきい値と比較するステップとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の光ファイバ・ケーブル内の摂動を検出する方法。
【請求項６】
光ファイバ通信システムであって、
光送信元と、
光送信宛先と、
前記光送信元と前記光送信宛先との間で光を送るためにそれらの間に結合された光ファイバ・ケーブルと、
前記光ファイバ・ケーブル内の摂動を同定するために前記光ファイバ・ケーブルに結合された警告システムとを備えることを特徴とする、光ファイバ通信システム。
【請求項７】
前記警告システムは、前記光ファイバ・ケーブル内の光の光パワーを測定するために前記光ファイバ・ケーブルに結合された光パワー・メータと、実測光パワーがしきい値外である場合に警告信号を発生するために前記光パワー・メータに結合された警告回路とを備えることを特徴とする、請求項６に記載の光ファイバ通信システム。
【請求項８】
さらに、前記実測光パワーをある時間にわたって表示するディスプレイを含むことを特徴とする、請求項７に記載の光ファイバ通信システム。
【請求項９】
前記警告回路は、
電流・周波数変換器に結合されたクロック入力とディジタル表現を与えるための出力とを有するカウンタと、
所定の間隔でディジタル表現を読み取りディジタル表現を平均パワー値に変換するためにカウンタに操作可能に結合されたマイクロプロセッサと、
各ディジタル表現ごとに対応する平均パワー値を有する参照テーブルが記憶されたメモリとを含むことを特徴とする、請求項７に記載の光ファイバ通信システム。
【請求項１０】
前記光パワー・メータが、伝送光を受け取り、該伝送光のエネルギーに比例する電流を発生する、動作時に光ファイバ・ケーブルに結合されるエネルギー・電流変換器と、
前記電流を受け取り、該電流に比例する電圧を発生するためにエネルギー・電流変換器に結合された電圧変換器と、
前記電圧を、該電圧の振幅に比例する周波数を有するパルス列に変換するために、前記電圧変換器に結合された電流・周波数変換器とを含むことを特徴とする、請求項７に記載の光ファイバ通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
暗号化装置であって、
複数の接触ポイントにおいて、１つまたは複数の所定の方法において使用禁止にされる少なくとも１つの暗号化機能と、
上記接触ポイントのそれぞれを使用可能状態に維持するため規則的な再構成を必要とする接触ポイント・ゲートを形成する動的状態使用可能化論理手段と、
を備える暗号化装置。
【請求項２】
暗号化方法であって、
複数の接触ポイントにおいて、１つまたは複数の所定の方法において使用禁止にされる少なくとも１つの暗号化機能を提供するステップと、
上記接触ポイントのそれぞれを使用可能状態に維持するため規則的な再構成を必要とする接触ポイント・ゲートを形成する動的状態使用可能化論理手段を提供するステップと、
を含む暗号化方法。
【請求項３】
暗号化装置であって、
複数の接触ポイントにおいて、１つまたは複数の所定の方法において使用禁止にされる少なくとも１つの暗号化機能であって、該暗号化機能のそれぞれは該暗号化機能の範囲内の複数の接触ポイントによって制御される、前記暗号化機能と、
上記接触ポイントの各々を使用可能状態に維持するため規則的な再構成を必要とする接触ポイント・ゲートを形成する動的状態使用可能化論理手段と、
を備える暗号化装置。
【請求項４】
暗号化方法であって、
複数の接触ポイントにおいて、１つまたは複数の所定の方法において使用禁止にされる少なくとも１つの暗号機能を提供するステップであって、該暗号化機能のそれぞれは該暗号化機能の範囲内の複数の接触ポイントによって制御される、前記暗号化機能を提供するステップと、
上記接触ポイントの各々を使用可能状態に維持するため規則的な再構成を必要とする接触ポイント・ゲートを形成する動的状態使用可能化論理手段を提供するステップと、
を含む暗号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
効率的な多重ユーザ衛星ベース通信のための信号処理の方法であって、
アップリンク・パケットＣＤＭＡビームを地上局から衛星に伝送するステップであって、アップリンク・ビームが、異なる地上局からきて且つ異なる宛先を有する、複数のパケット信号を含んでいる、前記伝送するステップ、
符号の同期化を実施し、情報をパケットの形態で任意の時にチャンネルの最大データ・レートまでのレートで送り、且つ情報伝送の無い場合に最小量のデータだけ送って、符号の同期化を行うステップを備えている、信号処理の方法。
【請求項２】
入力パケットの全てを結合してビームにし、パケットの交換とＡＴＭの経路指定とを衛星内で実施して、同じ受信宛先ビームを有するパケットの全てが互いに結合されてダウンリンク・ビームになるステップを備えている、請求項１に記載の信号処理の方法。
【請求項３】
ＣＤＭＡ信号がアップリンクのために用いられ且つＴＤＭ信号がダウンリンクのために用いられる混成ＣＤＭＡ−ＴＤＭエア・インタフェースを生成し、そこでは、ＣＤＭＡビームがアップリンクにとって効率的で柔軟なアクセス・スキーム方法を提供し、ＴＤＭダウンリンク・ビームが強力で効率的な伝送を衛星から地上局にかけて提供する、ステップを含んでいる、請求項２に記載の信号処理の方法。
【請求項４】
衛星ベース通信のための信号処理の方法であって、
アップリンク・ビームをＣＤＭＡパケット・フォーマットで衛星に伝送するステップであって、前記アップリンク・ビームは異なる宛先を有する複数のパケット信号を含んでいる、前記伝送するステップ、
パケット信号を衛星内のＡＴＭ経路指定器の中で経路指定するステップであって、前記パッケット信号を結合してビームにして、同じ宛先ビームを有する全てのパケットが互いに結合される、前記経路指定するステップを備えている、衛星ベース通信のための信号処理の方法。
【請求項５】
アップリンク・ビームのために符号の同期化を確立するステップを備えている、請求項４に記載の衛星ベース通信のための信号処理の方法。
【請求項６】
全てのダウンリンク・パケットを結合して、パケットと共通の宛先を有するビームにするステップを備えている、請求項５に記載の衛星ベース通信のための信号処理の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの無線システム間のトラヒック干渉を緩和する方法であって、第一のシステムが静止衛星通信を行い、第二の衛星システムが非静止衛星通信を行い、上記二つのシステムが相互に相対運動をしていて、第一のシステムが、第二のシステムのチャネルと干渉を起こさない専用チャネルと、第二のシステムのチャネルと干渉を起こす共有チャネルを備え、
少なくとも第一のシステムのトラヒック統計を作成するステップ、
最初に、第一のシステムにおいて、専用チャネルに対するチャネル要求の割り当てを、前記専用チャネルへの加入が行われるまで行うステップ、
適応可能な干渉基準を決定するステップ、
共有帯域へのチャネル要求の割り当てを制限することで接続の遮断を最小にし、干渉が起こる確率が高い間、加入者へ割り当てるチャネル要求の数を制限することにより、前記専用チャネルへの加入が全て行われた後における共有帯域内でのチャネル割当を制限し、トラヒック統計および干渉基準に適合させるステップとを含む方法。
【請求項２】
二つの無線システム間のトラヒック干渉を緩和する方法であって、第一のシステムが静止衛星通信を行い、第二の衛星システムが非静止衛星通信を行い、上記二つのシステムが相互に相対運動をしていて、第一のシステムが、第二のシステムのチャネルと干渉を起こさない専用チャネルと、第二のシステムのチャネルと干渉を起こす共有チャネルを備え、
少なくとも第一のシステムのトラヒック統計を作成するステップと、
適用可能な干渉基準を確定するステップと、
上記トラヒック統計および干渉基準に基づいて、チャネル割当に対する制限を設定するステップと、
設定した制限に従ってチャネルを割り当てるステップとを含む方法。
【請求項３】
トラヒック統計を作成するステップが、
プロセスへのトラヒック・パターンと周波数計画の導入と、
プロセスへの干渉／ノイズ比の導入とを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
緩和の必要性を確立し、トラヒック・マスクを作成する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
チャネル割当が、最初に、専用チャネルへチャネルを割り当てる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
専用チャネルを持たず、トラヒック・マスクの容量を超えていない場合だけに、共有チャネルにチャネルを割り当てる請求項５に記載の方法。
【請求項７】
二つの無線システム間のトラヒック干渉を緩和する方法であって、発信および受信のターミナル間で衛星通信が行われ、衛星同志が相互に相対運動を当該方法が、
二つのシステムの中の少なくとも選択したシステムのトラヒック統計を作成するステップと、
全部の専用チャネルへの加入が行われるまで、専用チャネルに対して、最初に、二つのシステムの中の選択したシステムのチャネル要求を割り当てるステップ、
許容できる干渉基準を決定するステップと、
共有帯域へのチャネル要求の割り当てを制限することで接続の遮断を最小にし、干渉が起こる確率が高い間、加入者へ割り当てるチャネル要求の数を制限することにより、前記専用チャネルへの加入が全て行われた後における共有帯域内でのチャネル割り当てを制限し、トラヒック統計および干渉基準に適合させるステップとを含む方法。
【請求項８】
トラヒック統計を生成するステップが、
二つのシステムのトラヒック・パターンを決定するステップと、
二つのシステムの周波数割当計画を決定するステップと、
許容できるＩ／Ｎ比を決定するステップとを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
チャネル割当を制御するために、トラヒック・マスクを作成する請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月19日(2004.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電気音響入力変換器（２）と、信号処理装置（３）と、電気音響出力変換器（５）とを有し、前記信号処理装置（３）は、信号変換器（４）、アンプ（６）、デジタル信号プロセッサ（７）及びメモリ手段（８）を有するプログラミング可能な補聴器において、
補聴器（１）は、耳鳴−療法のための機器として信号プロセッサ（７）を用いて信号を生成するように構成されており、ここで、前記信号プロセッサ（７）は、信号を変化させるための手段（１６）と、信号生成のための手段（９）としての信号源（１５）とを有し、該信号生成のための手段の信号（１３）は、デジタル化された可聴有効信号（１４）と結合させることができ、前記信号プロセッサ（７）は信号解析のための手段（１２）を有し、該信号解析のための手段（１２）は、デジタル化された可聴有効信号（１４）を解析し、該解析に依存して信号生成のための手段（９）を制御するように構成されていることを特徴とするプログラミング可能な補聴器。
【請求項２】
前記信号源（１５）は、フィードバック付きシフトレジスタ、又はメモリ素子から成り、該メモリ素子中には、デジタル化された信号が格納され、そして、読出可能に構成されていることを特徴とする請求項１記載の補聴器。
【請求項３】
信号生成のため、メモリ素子内にファイル、格納された計算規定、規則が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の補聴器。
【請求項４】
信号を変化させるための手段（１６）として、スペクトル成形部、時間的成形部（変調部）、レベルに影響を及ぼすための手段、又はそれらの手段の組合せ体が設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の補聴器。
【請求項５】
信号解析のための手段（１２）には、信号処理装置（３）の種々の個所への信号タップ（１８、１８′、１８″、１８′′′）が割り付け、対応付けられていることを特徴とする請求項１から４までのうちいずれか１項記載の補聴器。
【請求項６】
信号を変化させるための手段（１６）に耳鳴−療法のための外信号を供給する外部信号入力側（１９）が設けられていることを特徴とする請求項１から５までのうちいずれか１項記載の補聴器。
【請求項７】
耳鳴−療法のために時間に依存して信号を生成及び／又は変化させるようにメモリ素子（８）を介してプログラミング可能であることを特徴とする請求項１から６までのうちいずれか１項記載の補聴器。
【請求項８】
デジタル化された可聴有効信号（１４、１４′）と信号生成器の信号（１３）とを結合するための手段（１１）として、加算器、変調器等が設けられていることを特徴とする請求項１から７までのうちいずれか１項記載の補聴器。
【請求項９】
信号解析のための手段（１２）は、次のように構成されており、即ち、デジタル化された可聴有効信号の強度、スペクトル分布及び／又は時間構造の評価により信号生成のための手段（９）が可制御であり、ここで、可聴有効信号（１４）と、信号生成のための手段（９）の信号（１３）との間で逆方向の特性が達成可能であるように構成されてることを特徴とする請求項１から８までのうちいずれか１項記載の補聴器。
【請求項１０】
補聴器のメモリ素子中に、又は信号プロセッサ（７）のメモリ（８）中に種々の自然の、又は技術的に生成可能な信号が、耳鳴−療法のため格納可能であり、上記信号は、利用者により選択的に呼出可能であることを特徴とする請求項１から９までのうちいずれか１項記載の補聴器。
【請求項１１】
信号源（１５）を介して耳鳴−療法のための種々の信号が呼出可能であることを特徴とする請求項１から１０までのうちいずれか１項記載の補聴器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にメモリセル領域と周辺回路領域とを有する半導体装置において、
前記基板中に形成された一対の不純物拡散領域と、該基板表面に形成されたゲート電極とを含む転送トランジスタと、
該ゲート電極の上面および側面を覆う第１の絶縁膜と、
該第１の絶縁膜を覆って前記基板上に形成された第２の絶縁膜と、
該第２の絶縁膜を貫通して、前記一対の不純物拡散領域に達する一対のコンタクトホールと、
該一対のコンタクトホールの一方内に充填され、前記一対の不純物拡散領域の一方に接続された導電プラグと、
前記導電プラグを覆って該第２の絶縁膜上に形成され、前記一対のコンタクトホールの他方の上に第１の開口を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成され、前記第１の開口と前記一対のコンタクトホールの他方を介して前記一対の不純物拡散領域の他方に接続されたビット線と、
該ビット線の上面および側面を覆う第４の絶縁膜と、
前記ビット線の側面を覆う第４の絶縁膜に整合して前記第３の絶縁膜に形成された第２の開口と、
前記第２の開口を介して前記導電プラグと電気的に接続され、前記第３、第４の絶縁膜によって該ビット線から絶縁され、ビット線上方に延在して形成された蓄積電極と、
該蓄積電極表面に形成された誘電体膜と、
該誘電体膜表面に形成された対向電極と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記第２の絶縁膜が、エッチング特性の異なる２層以上の絶縁膜積層からなる下層とその上に形成された上層とを含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁膜積層が酸化膜とその上に形成された窒化膜とを含む請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜の上層が、エッチング特性の異なる２層以上の絶縁膜積層を含む請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記上層の絶縁膜積層がＢＰＳＧ層とその上に形成されたコンフォーマルな層を含む請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記コンフォーマルな層が窒化膜である請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記コンフォーマルな層が高温酸化膜である請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜が、前記ゲート電極の上面を覆う下層と、前記ゲート電極の側面を覆う上層とを含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の絶縁膜の下層が酸化膜と酸化窒化膜との積層であり、前記第１の絶縁膜の上層が酸化膜である請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第４の絶縁膜が前記ビット線の上面を覆う下層と前記ビット線の側面を覆う上層とを含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第４の絶縁膜の下層が酸化膜と酸化窒化膜との積層であり、前記第４の絶縁膜の上層が酸化膜である請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２の絶縁膜の上面が略平坦である請求項１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記メモリセル領域のコンタクトホールと同様のコンタクトホールが、前記周辺回路領域にも形成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記ビット線を複数備え、該ビット線とビット線との間隔が、前記一対のコンタクトホールの一方のホール径よりも狭い請求項１記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記ビット線が前記他のコンタクトホール内に充填された他の導電プラグと、前記第３の絶縁膜と他の導電プラグ上に形成された配線層とを含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記ビット線が前記他のコンタクトホール内面を覆い、前記第３の絶縁膜上に延在する導電層を含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項１７】
さらに、前記ビット線および第４の絶縁膜を覆って、前記基板上に形成され、ほぼ平坦な表面を有する第５の絶縁膜を有する請求項１記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第５の絶縁膜が、エッチング特性が異なる２層以上の絶縁膜積層を有する下層とその上に形成された上層とを含む請求項１７記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記第５の絶縁膜の絶縁膜積層が、コンフォーマルな酸化膜と窒化膜とを含む請求項１８記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記第４の絶縁膜が、前記ビット線上に形成され、エッチング特性の異なる２層以上の絶縁層の積層を有する請求項１８記載の半導体装置。
【請求項２１】
半導体基板上にメモリセル領域と周辺回路領域とを有する半導体装置の製造方法において、
前記基板上に、一対の不純物拡散領域と、ゲート電極とを含む転送トランジスタを形成する工程と、
該ゲート電極の上面および側面を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、
該第１の絶縁膜および前記転送トランジスタを覆う第２の絶縁膜を形成する工程と、
該第２の絶縁膜を貫通して、前記一対の不純物拡散領域の少なくとも一方に達するコンタクトホールを形成する工程と、
該コンタクトホール内に導電層を充填し、蓄積電極の接続用導電プラグを形成する工程と、
前記導電プラグを覆い、該第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜上にビット線を形成する工程と、
該ビット線の上面および側面を覆う第４の絶縁膜を形成する工程と、
前記第４の絶縁膜に整合させて前記導電プラグ上で前記第３の絶縁膜に開口を形成する工程と、
前記導電プラグと電気的に接続する蓄積電極を形成する工程と、
該蓄積電極表面に誘電体膜を形成する工程と、
該誘電体膜表面に対向電極を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第２の絶縁膜が前記第１の絶縁膜を覆って基板表面上に形成された下層絶縁膜とその上の上層絶縁膜を含む請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記下層絶縁膜が窒化シリコン膜を含む請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記コンタクトホールを形成する工程が前記下層絶縁膜をエッチングストッパとして利用する工程を含む請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第２の絶縁膜を形成する工程が前記上層絶縁膜を平坦化する工程を含む請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記下層絶縁膜が窒化シリコン膜を含み、前記上層絶縁膜が不純物添加酸化シリコン膜を含む請求項２５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記コンタクトホールを形成する工程が、前記メモリセル領域と前記周辺回路領域とに同時にコンタクトホールを形成する請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記第２の絶縁膜の下層絶縁膜を形成後、前記周辺回路領域の該第２の絶縁膜の下層絶縁膜を選択的に除去する工程を有する請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記転送トランジスタを形成する工程が、導電層上に反射防止膜を形成する工程と、その後に該導電層のパターニングを行う工程と、次いで、該反射防止膜を除去する工程とを有する請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記反射防止膜を除去する工程が、周辺回路領域の該反射防止膜を選択的に除去する工程を有する請求項２９記載の半導体装置の製造方法。