【手続補正書】
【提出日】平成16年6月24日(2004.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１低誘電率材料を有する第１絶縁層を貫通する第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部を画成している側壁に障壁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の少なくとも一部と接触するようにこの絶縁層上に第１導電材料を設けるとともに前記第１開口部内に第１導電材料を設け、この第１導電材料をパターン化して第１導電パターンを形成する工程と、
前記第１絶縁層及び前記第１導電パターン上に設けられた第２絶縁層を貫通する第２開口部を形成する工程であって、前記第２絶縁層が第２低誘電率材料を含み、前記第１及び第２低誘電率材料が互いに異なり且つ選択的にエッチング可能な当該工程と、
前記第２開口部内に第２導電材料を設ける工程と
を有する金属化構造の製造方法。
【請求項２】  請求項１に記載の製造方法であって、前記第１絶縁層が有機材料を含む製造方法。
【請求項３】  請求項２に記載の製造方法であって、前記有機材料を、ポリイミド、スピンオンポリマー、フレア、ポリアリールエーテル、パリレン、ポリテトラフルオロエチレン、ベンゾシクロブテン及びシルクより成る群から選択する製造方法。
【請求項４】  請求項２に記載の製造方法であって、前記第１絶縁層がシルクを含む製造方法。
【請求項５】  請求項１に記載の製造方法であって、前記第１絶縁層が無機材料を含む製造方法。
【請求項６】  請求項５に記載の製造方法であって、前記無機材料を、フッ素化酸化シリコン、水素シルセスキオキサン及びナノグラスより成る群から選択する製造方法。
【請求項７】  請求項６に記載の製造方法であって、前記第１絶縁層がナノグラスを含む製造方法。
【請求項８】  請求項１に記載の製造方法であって、前記第１絶縁層を蒸着により約2000〜15000オングストロームの厚みに形成する製造方法。
【請求項９】  請求項８に記載の製造方法であって、前記第１絶縁層を蒸着により約6000〜10000オングストロームの厚みに形成する製造方法。
【請求項１０】  請求項１に記載の製造方法であって、前記第２絶縁層が有機材料を含む製造方法。
【請求項１１】  請求項10に記載の製造方法であって、前記有機材料を、ポリイミド、スピンオンポリマー、フレア、ポリアリールエーテル、パリレン、ポリテトラフルオロエチレン、ベンゾシクロブテン及びシルクより成る群から選択する製造方法。
【請求項１２】  請求項10に記載の製造方法であって、前記第２絶縁層がシルクを含む製造方法。
【請求項１３】  請求項１に記載の製造方法であって、前記第２絶縁層が無機材料を含む製造方法。
【請求項１４】  請求項13に記載の製造方法であって、前記無機材料を、フッ素化酸化シリコン、水素シルセスキオキサン及びナノグラスより成る群から選択する製造方法。
【請求項１５】  請求項13に記載の製造方法であって、前記第２絶縁層がナノグラスを含む製造方法。
【請求項１６】  請求項１に記載の製造方法であって、前記第２絶縁層を蒸着により約2000〜15000オングストロームの厚みに形成する製造方法。
【請求項１７】  請求項16に記載の製造方法であって、前記第２絶縁層を蒸着により約6000〜10000オングストロームの厚みに形成する製造方法。
【請求項１８】  請求項１に記載の製造方法であって、前記第２絶縁層に対して選択的である第１エッチング化学組成で前記第１絶縁層を選択的にエッチングすることにより、前記第１開口部を形成する工程を達成する製造方法。
【請求項１９】  請求項18に記載の製造方法であって、前記第１絶縁層に対して選択的である第２エッチング化学組成で前記第２絶縁層を前記第１絶縁層に対して選択的にエッチングすることにより、前記第２開口部を形成する工程を達成する製造方法。
【請求項２０】  請求項１に記載の製造方法であって、この製造方法が更に、前記第２導電材料を設ける工程の前に、前記第２開口部に障壁層を形成する工程を有する製造方法。
【請求項２１】  請求項１に記載の製造方法であって、前記金属化構造をサブトラクティブ金属化構造とする製造方法。
【請求項２２】  基板上にシルク絶縁層を形成する工程と、
前記シルク絶縁層内部に形成された第１開口部を画成する側壁に障壁層を設ける工程と、
前記第１開口部に第１導電材料を設ける工程と、
前記シルク絶縁層及び前記第１導電材料と接触するナノグラス絶縁層を形成する工程と、
前記ナノグラス絶縁層内部に第２開口部を形成し、この第２開口部を前記第１導電材料まで延在させる工程と、
前記第２開口部に第２導電材料を設ける工程と
を有する金属化構造の製造方法。
【請求項２３】  請求項22に記載の製造方法であって、前記シルク絶縁層を蒸着により約2000〜15000オングストロームの厚みに形成する製造方法。
【請求項２４】  請求項23に記載の製造方法であって、前記シルク絶縁層を蒸着により約6000〜10000オングストロームの厚みに形成する製造方法。
【請求項２５】  請求項22に記載の製造方法であって、前記ナノグラス絶縁層を蒸着により約2000〜15000オングストロームの厚みに形成する製造方法。
【請求項２６】  請求項25に記載の製造方法であって、前記ナノグラス絶縁層を蒸着により約6000〜10000オングストロームの厚みに形成する製造方法。
【請求項２７】  請求項22に記載の製造方法であって、第２の絶縁層に対して選択的である第１エッチング化学組成で前記シルク絶縁層を選択的にエッチングすることにより前記第１開口部の形成を達成する製造方法。
【請求項２８】  請求項27に記載の製造方法であって、第１の絶縁層に対して選択的である第２エッチング化学組成で前記ナノグラス絶縁層を選択的にエッチングすることにより前記第２開口部の形成を達成する製造方法。
【請求項２９】  請求項28に記載の選択方法であって、前記第１エッチング化学組成を酸素プラズマ化学組成とし、前記第２エッチング化学組成を塩素プラズマ化学組成とする製造方法。
【請求項３０】  半導体基板上に設けられた、4.0よりも低い第１誘電率を有する第１絶縁層であって、前記第１絶縁層内に形成された第１ビアに設けられた金属層を少なくとも一部に含む当該第１絶縁層と、
4.0よりも低い第２誘電率を有する第２絶縁層であって、この第２絶縁層が前記第１絶縁層上にこれと接触して設けられており、前記第２及び第１絶縁層が同様な応力レベル及び処理温度に耐えることができるようになっている第２絶縁層と、
前記第２絶縁層内に形成され且つ前記第１ビアまで延在している第２ビアと
を有する集積回路構造。
【請求項３１】  請求項30に記載の集積回路構造であって、前記第１絶縁層が有機材料を有する集積回路構造。
【請求項３２】  請求項31に記載の集積回路構造であって、前記有機材料が、ポリイミド、スピンオンポリマー、フレア、ポリアリールエーテル、パリレン、ポリテトラフルオロエチレン、ベンゾシクロブテン及びシルクより成る群から選択されている集積回路構造。
【請求項３３】  請求項32に記載の集積回路構造であって、前記第１絶縁層がシルクを有する集積回路構造。
【請求項３４】  請求項30に記載の集積回路構造であって、前記第１絶縁層が無機材料を有する集積回路構造。
【請求項３５】  請求項34に記載の集積回路構造であって、前記無機材料が、フッ素化酸化シリコン、水素シルセスキオキサン及びナノグラスより成る群から選択されている集積回路構造。
【請求項３６】  請求項30に記載の集積回路構造であって、前記第１絶縁層が約2000〜15000オングストロームの厚みを有する集積回路構造。
【請求項３７】  請求項31に記載の集積回路構造であって、前記第２絶縁層が有機材料を有する集積回路構造。
【請求項３８】  請求項37に記載の集積回路構造であって、前記有機材料の層が、ポリイミド、スピンオンポリマー、フレア、ポリアリールエーテル、パリレン、ポリテトラフルオロエチレン、ベンゾシクロブテン及びシルクより成る群から選択されている集積回路構造。
【請求項３９】  請求項30に記載の集積回路構造であって、前記第２絶縁層が無機材料を有する集積回路構造。
【請求項４０】  請求項39に記載の集積回路構造であって、前記無機材料が、フッ素化酸化シリコン、水素シルセスキオキサン及びナノグラスより成る群から選択されている集積回路構造。
【請求項４１】  請求項30に記載の集積回路構造であって、前記第２絶縁層が約2000〜15000オングストロームの厚みを有する集積回路構造。
【請求項４２】  請求項30に記載の集積回路構造であって、前記第１及び第２絶縁層が異なる材料より成り、相互に選択的にエッチングできるようになっている集積回路構造。
【請求項４３】  プロセッサと、
このプロセッサに結合された集積回路とを有する、プロセッサに基づいたシステムであって、前記プロセッサ及び集積回路の少なくとも１つがサブトラクティブ金属化構造を有し、このサブトラクティブ金属化構造が、第１低誘電率絶縁層と、この第１低誘電率絶縁層上に配置された第２低誘電率絶縁層とを有し、前記第１低誘電率絶縁層の内部には第１ビアが形成され、前記第２低誘電率絶縁層の内部には第２ビアが形成され、前記第１ビアまで延在している、プロセッサに基づいたシステム。
【請求項４４】  半導体基板上に配置されたサブトラクティブ金属化構造であって、このサブトラクティブ金属化構造が、
酸化シリコンの誘電率よりも低い誘電率を有する第１絶縁層であって、前記半導体基板上に設けられている少なくとも１つの第１絶縁層と、
この第１絶縁層に接触して配置されている、酸化シリコンよりも低い誘電率を有する少なくとも１つの第２絶縁層と、
この第２絶縁層上に配置されている少なくとも１つの第３絶縁層とを有し、前記第１、第２及び第３絶縁層が、同様な応力レベル及び処理温度に耐えることができるようになっているサブトラクティブ金属化構造。
【請求項４５】  請求項44に記載のサブトラクティブ金属化構造であって、このサブトラクティブ金属化構造が更に、前記第１、第２及び第３絶縁層の各々の内部に形成された少なくとも１つのビアを有するサブトラクティブ金属化構造。
【請求項４６】  請求項45のサブトラクティブ金属化構造であって、前記ビアが導電材料で満たされているサブトラクティブ金属化構造。
【請求項４７】  基板上に配置されたシルク絶縁層と、
このシルク絶縁層内部に形成された第１開口部内に配置された第１導電材料と、
前記シルク絶縁層と接触しているナノグラス絶縁層と、
前記ナノグラス絶縁層内部に形成された第２開口部内に配置された第２導電材料であって、前記第２開口部が前記第１導電材料まで延在している第２導電材料と
を有するサブトラクティブ金属化構造。
【請求項４８】  請求項47に記載のサブトラクティブ金属化構造であって、前記シルク絶縁層が約2000〜15000オングストロームの厚みを有するサブトラクティブ金属化構造。
【請求項４９】  請求項47に記載のサブトラクティブ金属化構造であって、前記ナノグラス絶縁層が約2000〜15000オングストロームの厚みを有するサブトラクティブ金属化構造。