【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスを含む２種以上のガスを個別に導入し、これらのガスを被処理基板に向けて噴射するためのガス噴射ヘッドにおいて、
前記２種以上のガスを個別に導く少なくとも２つのガス通路と、
前記各ガス通路内を流れるガスの温度を個別に制御または維持する少なくとも２つの温度制御機構とを有することを特徴とするガス噴射ヘッド。
【請求項２】
前記原料ガスを含む２種以上のガスは、それぞれ異なる２種以上の有機金属原料を個別に含むことを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッド。
【請求項３】
前記原料ガスを含む２種以上のガスの内の一つは、酸化ガス、Ｎ２ガスまたは不活性ガスを少なくとも一部に含む高温ガスであることを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッド。
【請求項４】
前記原料ガスを含む２種以上のガスの内の一つは、還元ガス、Ｎ２ガスまたは不活性ガスを少なくとも一部に含む高温ガスであることを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッド。
【請求項５】
前記原料ガスを含む２種以上のガスの内の一つを、該原料ガスの気化温度以上で且つ分解温度以下に調整して導入することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッド。
【請求項６】
前記少なくとも２つの温度制御機構は、前記２種以上のガスが前記少なくとも２つのガス通路に沿って個別に流れる時に、該２種以上のガスの温度を互いに関係なく個別に制御または維持することで、前記２種以上のガスの温度をそれぞれ最適な温度に設定することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッド。
【請求項７】
前記２種以上のガスは、前記少なくとも２つのガス通路内を互いに混合することなく流れ、前記少なくとも２つのガス流路から被処理基板に向けて噴射された時に互いに混合することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッド。
【請求項８】
前記２種以上のガスの内の一つのガスを前記少なくとも２つのガス通路の内の一つの通路に供給する第１のガス供給流路と、前記２種以上のガスの内の他のガスを前記少なくとも２つのガス通路の内の他の通路に供給する第２のガス供給流路を更に有することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッド。
【請求項９】
前記少なくとも２つのガス通路の内の一つの通路は第１の構造で、他の通路は前記第１の構造に隣接する第２の構造で区画され、前記少なくとも２つの温度制御機構の内の一つの機構は、前記第１の構造の内部に設けられて第１の加熱流体または冷却媒体が流れる第１流路を有し、他の機構は、前記第２の構造の内部に設けられて第２の加熱流体または冷却媒体が流れる第２流路を有することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッド。
【請求項１０】
原料ガスを含む２種以上のガスを個別に導入し、これらのガスを被処理基板に向けて噴射するためのガス噴射ヘッドであって、前記２種以上のガスを個別に導く少なくとも２つのガス通路と、前記各ガス通路内を流れるガスの温度を個別に制御または維持する少なくとも２つの温度制御機構とを有するガス噴射ヘッドを備えた成膜室と、
前記ガス噴射ヘッドに２種以上のガスを供給するガス供給源と、
前記成膜室内に前記ガス噴射ヘッドに対向して配置された基板保持台とを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項１１】
基板を処理する成膜室と、
前記成膜室の内部に配置され、基板を保持して加熱する基板保持台と、
前記成膜室内にガスを導入するガス導入装置とを有し、
前記ガス導入装置は、原料ガスを含む２種以上のガスを個別に導入し、これらのガスを被処理基板に向けて噴射するためのガス噴射ヘッドを備え、
このガス噴射ヘッドは、
前記２種以上のガスを個別に導く少なくとも２つのガス通路と、
前記各ガス通路内を流れるガスの温度を個別に制御または維持する少なくとも２つの温度制御機構とを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項１２】
前記少なくとも２つの温度制御機構は、前記２種以上のガスが前記少なくとも２つのガス通路に沿って個別に流れる時に、該２種以上のガスの温度を互いに関係なく個別に制御または維持することで、前記２種以上のガスの温度をそれぞれ最適な温度に設定することを特徴とする請求項１０または１１に記載の成膜装置。
【請求項１３】
前記２種以上のガスは、前記少なくとも２つのガス通路内を互いに混合することなく流れ、前記少なくとも２つのガス流路から被処理基板に向けて噴射された時に互いに混合することを特徴とする請求項１０または１１に記載の成膜装置。
【請求項１４】
前記２種以上のガスの内の一つのガスを前記少なくとも２つのガス通路の内の一つの通路に供給する第１のガス供給流路と、前記２種以上のガスの内の他のガスを前記少なくとも２つのガス通路の内の他の通路に供給する第２のガス供給流路を更に有することを特徴とする請求項１０または１１に記載の成膜装置。
【請求項１５】
前記少なくとも２つのガス通路の内の一つの通路は第１の構造で、他の通路は前記第１の構造に隣接する第２の構造で区画され、前記少なくとも２つの温度制御機構の内の一つの機構は、前記第１の構造の内部に設けられて第１の加熱流体または冷却媒体が流れる第１流路を有し、他の機構は、前記第２の構造の内部に設けられて第２の加熱流体または冷却媒体が流れる第２流路を有することを特徴とする請求項１０または１１に記載の成膜装置。
【請求項１６】
原料ガスを含む２種以上のガスをガス噴射ヘッドより被処理基板に向けて噴射して成膜を行う成膜方法において、
前記原料ガスを含む２種以上のガスを個別に温度制御または維持した状態でガス噴射ヘッドより噴射することを特徴とする成膜方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、原料ガスを含む２種以上のガスを個別に導入し、これらのガスを被処理基板に向けて噴射するためのガス噴射ヘッドにおいて、前記２種以上のガスを個別に導く少なくとも２つのガス通路と、前記各ガス通路内を流れるガスの温度を個別に制御または維持する少なくとも２つの温度制御機構とを有することを特徴とするガス噴射ヘッドである。これにより、原料ガスを含む２種類以上のガスを、互いに制約を受けることなく個別に温度制御し成膜等の処理に最適な温度に設定してガス噴射ヘッドから被処理基板に向けて噴射することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４に記載の発明は、前記原料ガスを含む２種以上のガスの内の一つは、還元ガス、Ｎ２ガスまたは不活性ガスを少なくとも一部に含む高温ガスであることを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッドである。これにより、例えば銅等の金属膜を還元雰囲気で成膜するに際し、ガス噴射ヘッドから噴射された原料ガスを還元ガス、Ｎ２ガスまたは不活性ガスを少なくとも一部に含む高温ガスで加熱して、この混合ガスの温度を、例えば成膜に最適な温度に近づけるようにすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５に記載の発明は、前記原料ガスを含む２種以上のガスの内の一つを、該原料ガスの気化温度以上で且つ分解温度以下に調整して導入することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッドである。
請求項６に記載の発明は、前記少なくとも２つの温度制御機構は、前記２種以上のガスが前記少なくとも２つのガス通路に沿って個別に流れる時に、該２種以上のガスの温度を互いに関係なく個別に制御または維持することで、前記２種以上のガスの温度をそれぞれ最適な温度に設定することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッドである。
請求項７に記載の発明は、前記２種以上のガスは、前記少なくとも２つのガス通路内を互いに混合することなく流れ、前記少なくとも２つのガス流路から被処理基板に向けて噴射された時に互いに混合することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッドである。
請求項８に記載の発明は、前記２種以上のガスの内の一つのガスを前記少なくとも２つのガス通路の内の一つの通路に供給する第１のガス供給流路と、前記２種以上のガスの内の他のガスを前記少なくとも２つのガス通路の内の他の通路に供給する第２のガス供給流路を更に有することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッドである。
請求項９に記載の発明は、前記少なくとも２つのガス通路の内の一つの通路は第１の構造で、他の通路は前記第１の構造に隣接する第２の構造で区画され、前記少なくとも２つの温度制御機構の内の一つの機構は、前記第１の構造の内部に設けられて第１の加熱流体または冷却媒体が流れる第１流路を有し、他の機構は、前記第２の構造の内部に設けられて第２の加熱流体または冷却媒体が流れる第２流路を有することを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘッドである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、原料ガスを含む２種以上のガスを個別に導入し、これらのガスを被処理基板に向けて噴射するためのガス噴射ヘッドであって、前記２種以上のガスを個別に導く少なくとも２つのガス通路と、前記各ガス通路内を流れるガスの温度を個別に制御または維持する少なくとも２つの温度制御機構とを有するガス噴射ヘッドを備えた成膜室と、前記ガス噴射ヘッドに２種以上のガスを供給するガス供給源と、前記成膜室内に前記ガス噴射ヘッドに対向して配置された基板保持台とを有することを特徴とする成膜装置である。
請求項１１に記載の発明は、基板を処理する成膜室と、前記成膜室の内部に配置され、基板を保持して加熱する基板保持台と、前記成膜室内にガスを導入するガス導入装置とを有し、前記ガス導入装置は、原料ガスを含む２種以上のガスを個別に導入し、これらのガスを被処理基板に向けて噴射するためのガス噴射ヘッドを備え、このガス噴射ヘッドは、前記２種以上のガスを個別に導く少なくとも２つのガス通路と、前記各ガス通路内を流れるガスの温度を個別に制御または維持する少なくとも２つの温度制御機構とを有することを特徴とする成膜装置である。
請求項１２に記載の発明は、前記少なくとも２つの温度制御機構は、前記２種以上のガスが前記少なくとも２つのガス通路に沿って個別に流れる時に、該２種以上のガスの温度を互いに関係なく個別に制御または維持することで、前記２種以上のガスの温度をそれぞれ最適な温度に設定することを特徴とする請求項１０または１１に記載の成膜装置である。
請求項１３に記載の発明は、前記２種以上のガスは、前記少なくとも２つのガス通路内を互いに混合することなく流れ、前記少なくとも２つのガス流路から被処理基板に向けて噴射された時に互いに混合することを特徴とする請求項１０または１１に記載の成膜装置である。
請求項１４に記載の発明は、前記２種以上のガスの内の一つのガスを前記少なくとも２つのガス通路の内の一つの通路に供給する第１のガス供給流路と、前記２種以上のガスの内の他のガスを前記少なくとも２つのガス通路の内の他の通路に供給する第２のガス供給流路を更に有することを特徴とする請求項１０または１１に記載の成膜装置である。
請求項１５に記載の発明は、前記少なくとも２つのガス通路の内の一つの通路は第１の構造で、他の通路は前記第１の構造に隣接する第２の構造で区画され、前記少なくとも２つの温度制御機構の内の一つの機構は、前記第１の構造の内部に設けられて第１の加熱流体または冷却媒体が流れる第１流路を有し、他の機構は、前記第２の構造の内部に設けられて第２の加熱流体または冷却媒体が流れる第２流路を有することを特徴とする請求項１０または１１に記載の成膜装置である。
請求項１６に記載の発明は、原料ガスを含む２種以上のガスをガス噴射ヘッドより被処理基板に向けて噴射して成膜を行う成膜方法において、前記原料ガスを含む２種以上のガスを個別に温度制御または維持した状態でガス噴射ヘッドより噴射することを特徴とする成膜方法である。