(57)【要約】  画素回路（１０）のそれぞれを構成するトランジスタはＮチャンネル型トランジスタであり、画素回路（１０）のそれぞれは、電流発光素子（Ｄ１）に電流を流す電流経路に挿入されたイネーブルスイッチ（Ｑ４）と、保持コンデンサ（Ｃ１）の端子のうち書込みスイッチ（Ｑ２）が接続された端子の反対側の端子の電圧変動を抑制する補助コンデンサ（Ｃ２）とを備え、ドライバトランジスタ（Ｑ１）のソースと低電圧側電源線（２５）との間に電流発光素子（Ｄ１）が接続されるとともに、ドライバトランジスタ（Ｑ１）のドレインと高電圧側電源線（２４）との間にイネーブルスイッチ（Ｑ４）を接続し、ドライバトランジスタ（Ｑ１）のドレインと所定の電源線（２６）との間に補助コンデンサ（Ｃ２）を接続した画像表示装置である。
2008152793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流発光素子と、前記電流発光素子に電流を流すドライバトランジスタと、前記ドライバトランジスタの流す電流量を決める電圧を保持する保持コンデンサと、画像信号に応じた電圧を前記保持コンデンサに書込む書込みスイッチとを有する画素回路を複数配列した画像表示装置であって、
前記画素回路のそれぞれを構成するトランジスタはＮチャンネル型トランジスタであり、前記画素回路のそれぞれは、前記電流発光素子に電流を流す電流経路に挿入されたイネーブルスイッチと、前記保持コンデンサの端子のうち前記書込みスイッチが接続された端子の反対側の端子の電圧変動を抑制する補助コンデンサとをさらに備え、
前記ドライバトランジスタのソースと低電圧側電源線との間に前記電流発光素子が接続されるとともに前記ドライバトランジスタのドレインと高電圧側電源線との間に前記イネーブルスイッチを接続し、前記ドライバトランジスタのドレインと所定の電源線との間に前記補助コンデンサを接続した画像表示装置。
【請求項２】
前記画素回路のそれぞれは、前記ドライバトランジスタのソースと前記保持コンデンサの一方の端子との間に接続された分離スイッチと、前記ドライバトランジスタのゲートと前記ドライバトランジスタのドレインとの間に接続されたゲート・ドレイン接続スイッチを備えた請求項１に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電流発光素子を用いたアクティブマトリクス型の画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
自ら発光する有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を多数配列した有機ＥＬ表示装置は、バックライトが不要で視野角にも制限がないため、次世代の画像表示装置として期待されている。【０００３】
有機ＥＬ素子は、流す電流量によって輝度を制御する電流発光素子である。有機ＥＬ素子を駆動する方式としては、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は画素回路が単純であるものの大型かつ高精細のディスプレイの実現が困難である。このため、近年は、電流発光素子を駆動するドライバトランジスタを有機ＥＬ素子毎に備えた画素回路を配列したアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の開発が盛んに行われている。【０００４】
ドライバトランジスタおよびその周辺回路は、一般に薄膜トランジスタを用いて形成される。また、薄膜トランジスタにはポリシリコンを用いたものとアモルファスシリコンを用いたものとがある。アモルファスシリコン薄膜トランジスタは移動度が小さくしきい値電圧の経時変化が大きいという弱点があるものの、移動度の均一性がよく、大型化が容易かつ安価であるために大型の有機ＥＬ表示装置に適している。また、アモルファスシリコン薄膜トランジスタの弱点であるしきい値電圧の経時変化を画素回路の工夫により克服する方法についても検討されている。例えば特許文献１には、薄膜トランジスタのしきい値電圧が変化した場合であっても、発光素子に流す電流量はしきい値電圧の影響を受けず、安定した画像表示が可能な画素回路を備えた有機ＥＬ表示装置が開示されている。【０００５】
また、特許文献２には、さらに進んだ補償機能として、有機ＥＬ素子の劣化を補償し、ディスプレイのさらなる長寿命化を実現するための補償回路が開示されている。【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の画素回路は、Ｐチャンネル型トランジスタを用いて構成されている。一方、大型の画像表示装置用のアモルファスシリコン薄膜トランジスタとしては、Ｎチャンネル型トランジスタのみが実用化されていることから、Ｎチャンネル型トランジスタのみを用いた画像回路を構成することが必要である。さらに、有機ＥＬの製造の容易性から、ドライバトランジスタのソースに有機ＥＬ素子のアノードを接続し、各画像回路の有機ＥＬ素子のカソードを共通電極に接続できる回路構成が望ましい。さらには、有機ＥＬの発光時に流れる電流と電源線の電気抵抗による電圧降下から発生する発光輝度の不均一を抑制するために、ソース接地動作の画素補償回路が求められている。【０００７】
さらに特許文献２に記載の、有機ＥＬの劣化を補償する回路についても、Ｐチャンネル型トランジスタを用いたソース接地の回路構成であり、Ｎ型チャンネルトランジスタしか選択肢のないアモルファスシリコントランジスタを用いて実現することは不可能である。
【特許文献１】特表２００２−５１４３２０号公報
【特許文献２】特開２００６−３０９１０４号公報
【発明の開示】
【０００８】
本発明の画像表示装置は、電流発光素子と、電流発光素子に電流を流すドライバトランジスタと、ドライバトランジスタの流す電流量を決める電圧を保持する保持コンデンサと、画像信号に応じた電圧を保持コンデンサに書込む書込みスイッチとを有する画素回路を複数配列している。各画素回路を構成するトランジスタは、Ｎチャンネル型トランジスタである。各画素回路は、電流発光素子に電流を流す電流経路に挿入されたイネーブルスイッチと、保持コンデンサの端子のうち書込みスイッチが接続された端子の反対側の端子の電圧変動を抑制する補助コンデンサとを備えている。ドライバトランジスタのソースと低電圧側電源線との間に電流発光素子が接続される。ドライバトランジスタのドレインと高電圧側電源線との間にイネーブルスイッチを接続する。ドライバトランジスタのドレインと所定の電源線との間に補助コンデンサを接続する。この構成により、ドライバトランジスタのソースに電流発光素子を接続するとともに電流発光素子の特性劣化を補償する画素回路をＮチャンネル型トランジスタのみを用いて構成した画像表示装置を提供することができる。
【０００９】
好ましくは各画素回路は、ドライバトランジスタのソースと保持コンデンサの一方の端子との間に接続された分離スイッチと、ドライバトランジスタのゲートとドライバトランジスタのドレインとの間に接続されたゲート・ドレイン接続スイッチを備える。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態における画素回路の回路図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態における画素回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図４】図４は、本発明の実施の形態における画像表示装置のしきい値検出期間における動作を説明するための図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態における画像表示装置の書込み期間における動作を説明するための図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態における画像表示装置の発光期間における動作を説明するための図である。
【符号の説明】
【００１１】
１０    画素回路
１１    走査線駆動回路
１２    データ線駆動回路
１４    電源線駆動回路
２０    データ線
２４    高電圧側電源線
２５    低電圧側電源線
２６    参照電圧線
４１    走査線
４２    リセット線
４３    イネーブル線
４４    マージ線
Ｄ１    有機ＥＬ素子
Ｃ１    保持コンデンサ
Ｃ２    補助コンデンサ
Ｑ１    ドライバトランジスタ
Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５    トランジスタ
ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５    スイッチ
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態におけるアクティブマトリクス型の画像表示装置について、図面を用いて説明する。なおここでは画像表示装置として、薄膜トランジスタを用いて有機ＥＬ素子を発光させるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置について説明するが、本発明は、流す電流量によって輝度を制御する発光素子を用いたアクティブマトリクス型の画像表示装置全般に適用可能である。【００１３】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。【００１４】
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素回路１０と、走査線駆動回路１１と、データ線駆動回路１２と、電源線駆動回路１４とを備えている。走査線駆動回路１１は、画素回路１０に走査信号Ｓｃｎ、リセット信号Ｒｓｔ、イネーブル信号Ｅｎｂｌ、マージ信号Ｍｒｇを供給する。データ線駆動回路１２は、画素回路１０に画像信号に対応したデータ信号Ｄａｔａを供給する。電源線駆動回路１４は、画素回路１０に電力を供給する。本実施の形態においては、画素回路１０がｎ行ｍ列のマトリクス状に配列されているものとして説明する。【００１５】
走査線駆動回路１１は、図１において行方向に配列された画素回路１０に共通に接続された走査線４１に、それぞれ独立に走査信号Ｓｃｎを供給する。走査線駆動回路１１は、同じく行方向に配列された画素回路１０に共通に接続されたリセット線４２に、それぞれ独立にリセット信号Ｒｓｔを供給する。走査線駆動回路１１は、同じく行方向に配列された画素回路１０に共通に接続されたイネーブル線４３に、それぞれ独立にイネーブル信号Ｅｎｂｌを供給する。走査線駆動回路１１は、同じく行方向に配列された画素回路１０に共通に接続されたマージ線４４に、それぞれ独立にマージ信号Ｍｒｇを供給する。またデータ線駆動回路１２は、図１において列方向に配列された画素回路１０に共通に接続されたデータ線２０にそれぞれ独立にデータ信号Ｄａｔａを供給する。本実施の形態においては、走査線４１、リセット線４２、イネーブル線４３、マージ線４４の数はそれぞれｎ本、データ線２０の数はｍ本である。【００１６】
電源線駆動回路１４は、すべての画素回路１０に共通に接続された高電圧側電源線２４と低電圧側電源線２５に電力を供給する。また、所定の電源線としてすべての画素回路１０に共通に接続された参照電圧線２６に参照電圧を供給する。【００１７】
図２は、本発明の実施の形態における画素回路１０の回路図である。【００１８】
本実施の形態における各画素回路１０は、電流発光素子である有機ＥＬ素子Ｄ１と、ドライバトランジスタＱ１と、保持コンデンサＣ１と、トランジスタＱ２と、トランジスタＱ３と、トランジスタＱ４と、トランジスタＱ５とを備えている。ドライバトランジスタＱ１は、有機ＥＬ素子Ｄ１に電流を流すことで有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させる。保持コンデンサＣ１は、ドライバトランジスタＱ１の流す電流量を決める電圧を保持する。トランジスタＱ２は、画像信号に応じた電圧を保持コンデンサＣ１に書込むための書込みスイッチである。トランジスタＱ３は、ドライバトランジスタＱ１のゲートとドレインとの間に接続されたゲート・ドレイン接続スイッチである。トランジスタＱ４は、有機ＥＬ素子Ｄ１に電流を流す電流経路に挿入されたイネーブルスイッチである。トランジスタＱ５は、保持コンデンサＣ１に電圧を書込むときに保持コンデンサＣ１とドライバトランジスタＱ１のソースとを切り離すための分離スイッチである。また、画素回路１０は、保持コンデンサＣ１の端子のうちトランジスタＱ２が接続された端子の反対側の端子の電圧変動を抑制する補助コンデンサＣ２をさらに備えている。この補助コンデンサＣ２は、ドライバトランジスタＱ１のしきい値電圧Ｖｔｈにデータ電圧Ｖｄａｔａを重畳するために用いられる。ここで、画素回路１０を構成するドライバトランジスタＱ１、トランジスタＱ２〜Ｑ５はすべてＮチャンネル薄膜トランジスタである。【００１９】
有機ＥＬ素子Ｄ１は、ドライバトランジスタＱ１のソースと低電圧側電源線２５との間に接続される。ドライバトランジスタＱ１のドレインと高電圧側電源線２４との間にイネーブルスイッチであるトランジスタＱ４が接続される。ドライバトランジスタＱ１のドレインと所定の電源線としての参照電圧線２６との間に補助コンデンサＣ２が接続される。すなわち、トランジスタＱ４のドレインは高電圧側電源線２４に接続され、トランジスタＱ４のソースはドライバトランジスタＱ１のドレインに接続されている。ドライバトランジスタＱ１のソースは有機ＥＬ素子Ｄ１のアノードに接続されている。有機ＥＬ素子Ｄ１のカソードは低電圧側電源線２５に接続されている。ここで高電圧側電源線２４に供給されている電圧は、例えば２０Ｖであり、低電圧側電源線２５に供給されている電圧は、例えば０Ｖである。なお、参照電圧は電圧が変動することなく一定であることが重要であり、電圧の値そのものは任意に設定することができる。従って、例えば高電圧側電源線２４または低電圧側電源線２５を参照電圧線２６として用いてもよい。【００２０】
ドライバトランジスタＱ１のゲートには保持コンデンサＣ１の一方の端子が接続される。また保持コンデンサＣ１のもう一方の端子は、トランジスタＱ５を介してドライバトランジスタＱ１のソースに接続されるとともに、トランジスタＱ２を介してデータ線２０に接続されている。ドライバトランジスタＱ１のゲートとドレインとの間にはトランジスタＱ３が接続されている。ドライバトランジスタＱ１のドレインと参照電圧線２６との間に補助コンデンサＣ２が接続されている。トランジスタＱ２のゲートは走査線４１に接続され、トランジスタＱ３のゲートはリセット線４２に接続され、トランジスタＱ４のゲートはイネーブル線４３に接続され、トランジスタＱ５のゲートはマージ線４４に接続されている。【００２１】
次に、本実施の形態における画素回路１０の動作について説明する。図３は、本発明の実施の形態における画素回路１０の動作を示すタイミングチャートである。本実施の形態においては、各画素回路１０は１フィールド期間内に、ドライバトランジスタＱ１のしきい値電圧Ｖｔｈを検出する動作、画像信号に対応したデータ信号Ｄａｔａを保持コンデンサＣ１に書込む動作、保持コンデンサＣ１に書込まれた電圧にもとづき有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させる動作を行う。便宜上、しきい値電圧Ｖｔｈを検出する期間をしきい値検出期間Ｔ１、データ信号Ｄａｔａを書込む期間を書込み期間Ｔ２、有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させる期間を発光期間Ｔ３として、以下に動作の詳細を説明する。なお、しきい値検出期間Ｔ１、書込み期間Ｔ２、発光期間Ｔ３は画素回路１０のそれぞれに対して定義されるものであり、すべての画素回路１０に対して上記３つの期間の位相を一致させる必要はない。本実施の形態においては、行方向に配列された画素回路１０に対しては上記３つの期間の位相を一致させ、列方向に配列された画素回路１０に対してはそれぞれの書込み期間Ｔ２が重ならないように上記３つの期間の位相をずらして駆動している。このように位相をずらして駆動することにより発光期間Ｔ３の時間を長く設定できるので、画像表示輝度を向上する上で望ましい。【００２２】
（しきい値検出期間Ｔ１）
図４は、本発明の実施の形態における画像表示装置のしきい値検出期間Ｔ１における動作を説明するための図である。なお図４には、説明のために、図２のトランジスタＱ２〜Ｑ５をそれぞれスイッチＳＷ２〜ＳＷ５で置き換えている。【００２３】
しきい値検出期間Ｔ１の最初の時刻ｔ１１では、リセット信号ＲｓｔをハイレベルにしてスイッチＳＷ３をオン状態とし、ドライバトランジスタＱ１のゲートを高電圧側電源線２４に接続する。するとドライバトランジスタＱ１はオン状態となり、電流が流れて保持コンデンサＣ１の両電極端にドライバトランジスタＱ１のしきい値電圧よりも十分大きい電圧が発生する。【００２４】
その直後の時刻ｔ１２において、イネーブル信号ＥｎｂｌをローレベルにしてスイッチＳＷ４をオフ状態とする。しかしドライバトランジスタＱ１はオン状態のままであるので、保持コンデンサＣ１の電荷を放電するとともに補助コンデンサＣ２を充電または放電する。これによりドライバトランジスタＱ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが減少し始める。そして、ドライバトランジスタＱ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓとしきい値電圧Ｖｔｈとが等しくなった時点でドライバトランジスタＱ１がオフ状態となる。従って、保持コンデンサＣ１の電圧ＶＣ１は、【００２５】
【数１】
2008152793.tif 000003
【００２６】
となる。このようにして保持コンデンサＣ１には電圧Ｖｔｈが保持される。このとき有機ＥＬ素子Ｄ１に電流は流れていないので、ドライバトランジスタＱ１のソース電圧Ｖｓは有機ＥＬ素子Ｄ１のオフ電圧ＶＥｏｆｆに等しい。【００２７】
なお、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２の間では画像信号と関係なく有機ＥＬ素子Ｄ１が発光するため、この時間間隔はできるかぎり短く設定することが望ましく、本実施の形態においては１μｓ以下に設定している。【００２８】
（書込み期間Ｔ２）
図５は、本発明の実施の形態における画像表示装置の書込み期間Ｔ２における動作を説明するための図である。【００２９】
書込み期間Ｔ２の時刻ｔ２１において、マージ信号ＭｒｇをローレベルとしてスイッチＳＷ５をオフ状態とする。そして時刻ｔ２２において、走査信号ＳｃｎをハイレベルとしてスイッチＳＷ２をオン状態とする。するとこのときデータ線２０に供給されている画像信号に対応した電圧（−Ｖｄａｔａ）が、保持コンデンサＣ１の一方の端子に印加される。ここで注意すべき点は、保持コンデンサＣ１の一方の端子の電圧がオフ電圧ＶＥｏｆｆから電圧（−Ｖｄａｔａ）に変化した点であり、電圧の正味の変化は、−Ｖｄａｔａ−ＶＥｏｆｆである。そのため、保持コンデンサＣ１と補助コンデンサＣ２とにより電圧Ｖｄａｔａを容量分割した電圧だけ保持コンデンサＣ１の電圧ＶＣ１が増加して、【００３０】
【数２】
2008152793.tif 000004
【００３１】
となる。【００３２】
画素回路１０の書込み動作が終了した時刻ｔ２３において走査信号Ｓｃｎをローレベルに戻してスイッチＳＷ２をオフ状態とし、時刻ｔ２４においてリセット信号ＲｓｔをローレベルにしてスイッチＳＷ３をオフ状態とする。さらに時刻ｔ２５においてマージ信号ＭｒｇをハイレベルとしてスイッチＳＷ５をオン状態とする。これによりドライバトランジスタＱ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが保持コンデンサＣ１の電圧ＶＣ１と等しくなる。【００３３】
（発光期間Ｔ３）
図６は、本発明の実施の形態における画像表示装置の発光期間Ｔ３における動作を説明するための図である。【００３４】
時刻ｔ３１において、イネーブル信号ＥｎｂｌをハイレベルとしスイッチＳＷ４をオン状態とする。すると有機ＥＬ素子Ｄ１に電流が流れ、有機ＥＬ素子Ｄ１が画像信号に対応した輝度で発光する。このとき有機ＥＬ素子Ｄ１に流れる電流Ｉｐｘｌは、【００３５】
【数３】
2008152793.tif 000005
【００３６】
となる。なお、βはドライバトランジスタＱ１の移動度μ、ゲート絶縁膜容量Ｃｏｘ、チャンネル長Ｌ、チャンネル幅Ｗに依存して決まる係数であり、【００３７】
【数４】
2008152793.tif 000006
【００３８】
で表わされる。【００３９】
このように、有機ＥＬ素子Ｄ１に流れる電流Ｉｐｘｌにはしきい値電圧Ｖｔｈの項が含まれない。従って、ドライバトランジスタＱ１のしきい値電圧が経時変化により変動した場合であっても有機ＥＬ素子Ｄ１に流れる電流Ｉｐｘｌはその影響を受けることなく、画像信号に対応した輝度で有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させることができる。【００４０】
ところで有機ＥＬ素子は特性劣化することにより、そのオフ電圧ＶＥｏｆｆを上昇させ、単位電流密度あたりの発光強度である発光効率を低下させる。すなわち、劣化した有機ＥＬ素子にはより多くの電流を流さなければ、画像表示装置の輝度減少を防ぐことができない。本実施の形態によれば、有機ＥＬ素子に流れる電流は、有機ＥＬ素子のオフ電圧ＶＥｏｆｆに依存し、オフ電圧ＶＥｏｆｆが高くなるほど、電流値が増大する。すなわち、画像表示装置の輝度長寿命化に寄与する。【００４１】
また、保持コンデンサＣ１の電圧によって有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度が決まるため、保持コンデンサＣ１の電圧が想定外の変動を起こさないように駆動する必要がある。そのために、図３に示したシーケンスにもとづき各トランジスタを制御することで保持コンデンサＣ１の電圧を確実に制御することができる。【００４２】
以上に説明したように、本実施の形態によれば、ドライバトランジスタＱ１のソースに有機ＥＬ素子Ｄ１を接続し、有機ＥＬ素子Ｄ１のカソードを低電圧側電源線に共通に接続する画素回路１０を、Ｎチャンネル型トランジスタのみを用いて構成することができる。このように、本実施の形態における画素回路はアモルファスシリコン薄膜トランジスタを用いて大型の表示装置を構成する場合に最適であるが、もちろんポリシリコン薄膜トランジスタを用いる場合であっても望ましいものである。【００４３】
なお、本実施の形態においては、行方向に配列された画素回路１０に対してはしきい値検出期間Ｔ１、書込み期間Ｔ２、発光期間Ｔ３の３つの期間の位相を一致させ、列方向に配列された画素回路１０に対してはそれぞれの書込み期間Ｔ２が重ならないように上記３つの期間の位相をずらして駆動する構成について説明した。しかし本発明はこれに限定されるものではなく、例えば１フィールド期間をしきい値検出期間Ｔ１、書込み期間Ｔ２、発光期間Ｔ３を含む３つの期間に分割し、すべての画素回路１０を同期させて駆動してもよい。【００４４】
また、本実施の形態において示した電圧値等の各数値はあくまでも一例を示したものであり、これらの数値は有機ＥＬ素子の特性や画像表示装置の仕様等により適宜最適に設定することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の画像表示装置によれば、ドライバトランジスタのソースに電流発光素子を接続した画素回路を、Ｎチャンネル型トランジスタのみを用いて画素回路を構成することが可能となり、電流発光素子を用いたアクティブマトリクス型の画像表示装置として有用である。
【図１】
2008152793.tif 000007
【図２】
2008152793.tif 000008
【図３】
2008152793.tif 000009
【図４】
2008152793.tif 000010
【図５】
2008152793.tif 000011
【図６】
2008152793.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流発光素子と、前記電流発光素子に電流を流すドライバトランジスタと、前記ドライバトランジスタの流す電流量を決める電圧を保持する保持コンデンサと、画像信号に応じた電圧を前記保持コンデンサに書込む書込みスイッチとを有する画素回路を複数配列した画像表示装置であって、
前記画素回路のそれぞれを構成するトランジスタはＮチャンネル型トランジスタであり、前記画素回路のそれぞれは、前記電流発光素子に電流を流す電流経路に挿入されたイネーブルスイッチと、前記保持コンデンサの端子のうち前記書込みスイッチが接続された端子の反対側の端子の電圧変動を抑制する補助コンデンサとをさらに備え、
前記ドライバトランジスタのソースと低電圧側電源線との間に前記電流発光素子が接続されるとともに前記ドライバトランジスタのドレインと高電圧側電源線との間に前記イネーブルスイッチを接続し、前記ドライバトランジスタのドレインと所定の電源線との間に前記補助コンデンサを接続した画像表示装置。
【請求項２】
前記画素回路のそれぞれは、前記ドライバトランジスタのソースと前記保持コンデンサの一方の端子との間に接続された分離スイッチと、前記ドライバトランジスタのゲートと前記ドライバトランジスタのドレインとの間に接続されたゲート・ドレイン接続スイッチを備えた請求項１に記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電流発光素子を用いたアクティブマトリクス型の画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
自ら発光する有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を多数配列した有機ＥＬ表示装置は、バックライトが不要で視野角にも制限がないため、次世代の画像表示装置として期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、流す電流量によって輝度を制御する電流発光素子である。有機ＥＬ素子を駆動する方式としては、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は画素回路が単純であるものの大型かつ高精細のディスプレイの実現が困難である。このため、近年は、電流発光素子を駆動するドライバトランジスタを有機ＥＬ素子毎に備えた画素回路を配列したアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００４】
ドライバトランジスタおよびその周辺回路は、一般に薄膜トランジスタを用いて形成される。また、薄膜トランジスタにはポリシリコンを用いたものとアモルファスシリコンを用いたものとがある。アモルファスシリコン薄膜トランジスタは移動度が小さくしきい値電圧の経時変化が大きいという弱点があるものの、移動度の均一性がよく、大型化が容易かつ安価であるために大型の有機ＥＬ表示装置に適している。また、アモルファスシリコン薄膜トランジスタの弱点であるしきい値電圧の経時変化を画素回路の工夫により克服する方法についても検討されている。例えば特許文献１には、薄膜トランジスタのしきい値電圧が変化した場合であっても、発光素子に流す電流量はしきい値電圧の影響を受けず、安定した画像表示が可能な画素回路を備えた有機ＥＬ表示装置が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、さらに進んだ補償機能として、有機ＥＬ素子の劣化を補償し、ディスプレイのさらなる長寿命化を実現するための補償回路が開示されている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の画素回路は、Ｐチャンネル型トランジスタを用いて構成されている。一方、大型の画像表示装置用のアモルファスシリコン薄膜トランジスタとしては、Ｎチャンネル型トランジスタのみが実用化されていることから、Ｎチャンネル型トランジスタのみを用いた画像回路を構成することが必要である。さらに、有機ＥＬの製造の容易性から、ドライバトランジスタのソースに有機ＥＬ素子のアノードを接続し、各画像回路の有機ＥＬ素子のカソードを共通電極に接続できる回路構成が望ましい。さらには、有機ＥＬの発光時に流れる電流と電源線の電気抵抗による電圧降下から発生する発光輝度の不均一を抑制するために、ソース接地動作の画素補償回路が求められている。
【０００７】
さらに特許文献２に記載の、有機ＥＬの劣化を補償する回路についても、Ｐチャンネル型トランジスタを用いたソース接地の回路構成であり、Ｎ型チャンネルトランジスタしか選択肢のないアモルファスシリコントランジスタを用いて実現することは不可能である。
【特許文献１】特表２００２−５１４３２０号公報
【特許文献２】特開２００６−３０９１０４号公報
【発明の開示】
【０００８】
本発明の画像表示装置は、電流発光素子と、電流発光素子に電流を流すドライバトランジスタと、ドライバトランジスタの流す電流量を決める電圧を保持する保持コンデンサと、画像信号に応じた電圧を保持コンデンサに書込む書込みスイッチとを有する画素回路を複数配列している。各画素回路を構成するトランジスタは、Ｎチャンネル型トランジスタである。各画素回路は、電流発光素子に電流を流す電流経路に挿入されたイネーブルスイッチと、保持コンデンサの端子のうち書込みスイッチが接続された端子の反対側の端子の電圧変動を抑制する補助コンデンサとを備えている。ドライバトランジスタのソースと低電圧側電源線との間に電流発光素子が接続される。ドライバトランジスタのドレインと高電圧側電源線との間にイネーブルスイッチを接続する。ドライバトランジスタのドレインと所定の電源線との間に補助コンデンサを接続する。この構成により、ドライバトランジスタのソースに電流発光素子を接続するとともに電流発光素子の特性劣化を補償する画素回路をＮチャンネル型トランジスタのみを用いて構成した画像表示装置を提供することができる。
【０００９】
好ましくは各画素回路は、ドライバトランジスタのソースと保持コンデンサの一方の端子との間に接続された分離スイッチと、ドライバトランジスタのゲートとドライバトランジスタのドレインとの間に接続されたゲート・ドレイン接続スイッチを備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態におけるアクティブマトリクス型の画像表示装置について、図面を用いて説明する。なおここでは画像表示装置として、薄膜トランジスタを用いて有機ＥＬ素子を発光させるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置について説明するが、本発明は、流す電流量によって輝度を制御する発光素子を用いたアクティブマトリクス型の画像表示装置全般に適用可能である。
【００１１】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。
【００１２】
本実施の形態における有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素回路１０と、走査線駆動回路１１と、データ線駆動回路１２と、電源線駆動回路１４とを備えている。走査線駆動回路１１は、画素回路１０に走査信号Ｓｃｎ、リセット信号Ｒｓｔ、イネーブル信号Ｅｎｂｌ、マージ信号Ｍｒｇを供給する。データ線駆動回路１２は、画素回路１０に画像信号に対応したデータ信号Ｄａｔａを供給する。電源線駆動回路１４は、画素回路１０に電力を供給する。本実施の形態においては、画素回路１０がｎ行ｍ列のマトリクス状に配列されているものとして説明する。
【００１３】
走査線駆動回路１１は、図１において行方向に配列された画素回路１０に共通に接続された走査線４１に、それぞれ独立に走査信号Ｓｃｎを供給する。走査線駆動回路１１は、同じく行方向に配列された画素回路１０に共通に接続されたリセット線４２に、それぞれ独立にリセット信号Ｒｓｔを供給する。走査線駆動回路１１は、同じく行方向に配列された画素回路１０に共通に接続されたイネーブル線４３に、それぞれ独立にイネーブル信号Ｅｎｂｌを供給する。走査線駆動回路１１は、同じく行方向に配列された画素回路１０に共通に接続されたマージ線４４に、それぞれ独立にマージ信号Ｍｒｇを供給する。またデータ線駆動回路１２は、図１において列方向に配列された画素回路１０に共通に接続されたデータ線２０にそれぞれ独立にデータ信号Ｄａｔａを供給する。本実施の形態においては、走査線４１、リセット線４２、イネーブル線４３、マージ線４４の数はそれぞれｎ本、データ線２０の数はｍ本である。
【００１４】
電源線駆動回路１４は、すべての画素回路１０に共通に接続された高電圧側電源線２４と低電圧側電源線２５に電力を供給する。また、所定の電源線としてすべての画素回路１０に共通に接続された参照電圧線２６に参照電圧を供給する。
【００１５】
図２は、本発明の実施の形態における画素回路１０の回路図である。
【００１６】
本実施の形態における各画素回路１０は、電流発光素子である有機ＥＬ素子Ｄ１と、ドライバトランジスタＱ１と、保持コンデンサＣ１と、トランジスタＱ２と、トランジスタＱ３と、トランジスタＱ４と、トランジスタＱ５とを備えている。ドライバトランジスタＱ１は、有機ＥＬ素子Ｄ１に電流を流すことで有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させる。保持コンデンサＣ１は、ドライバトランジスタＱ１の流す電流量を決める電圧を保持する。トランジスタＱ２は、画像信号に応じた電圧を保持コンデンサＣ１に書込むための書込みスイッチである。トランジスタＱ３は、ドライバトランジスタＱ１のゲートとドレインとの間に接続されたゲート・ドレイン接続スイッチである。トランジスタＱ４は、有機ＥＬ素子Ｄ１に電流を流す電流経路に挿入されたイネーブルスイッチである。トランジスタＱ５は、保持コンデンサＣ１に電圧を書込むときに保持コンデンサＣ１とドライバトランジスタＱ１のソースとを切り離すための分離スイッチである。また、画素回路１０は、保持コンデンサＣ１の端子のうちトランジスタＱ２が接続された端子の反対側の端子の電圧変動を抑制する補助コンデンサＣ２をさらに備えている。この補助コンデンサＣ２は、ドライバトランジスタＱ１のしきい値電圧Ｖｔｈにデータ電圧Ｖｄａｔａを重畳するために用いられる。ここで、画素回路１０を構成するドライバトランジスタＱ１、トランジスタＱ２〜Ｑ５はすべてＮチャンネル薄膜トランジスタである。
【００１７】
有機ＥＬ素子Ｄ１は、ドライバトランジスタＱ１のソースと低電圧側電源線２５との間に接続される。ドライバトランジスタＱ１のドレインと高電圧側電源線２４との間にイネーブルスイッチであるトランジスタＱ４が接続される。ドライバトランジスタＱ１のドレインと所定の電源線としての参照電圧線２６との間に補助コンデンサＣ２が接続される。すなわち、トランジスタＱ４のドレインは高電圧側電源線２４に接続され、トランジスタＱ４のソースはドライバトランジスタＱ１のドレインに接続されている。ドライバトランジスタＱ１のソースは有機ＥＬ素子Ｄ１のアノードに接続されている。有機ＥＬ素子Ｄ１のカソードは低電圧側電源線２５に接続されている。ここで高電圧側電源線２４に供給されている電圧は、例えば２０Ｖであり、低電圧側電源線２５に供給されている電圧は、例えば０Ｖである。なお、参照電圧は電圧が変動することなく一定であることが重要であり、電圧の値そのものは任意に設定することができる。従って、例えば高電圧側電源線２４または低電圧側電源線２５を参照電圧線２６として用いてもよい。
【００１８】
ドライバトランジスタＱ１のゲートには保持コンデンサＣ１の一方の端子が接続される。また保持コンデンサＣ１のもう一方の端子は、トランジスタＱ５を介してドライバトランジスタＱ１のソースに接続されるとともに、トランジスタＱ２を介してデータ線２０に接続されている。ドライバトランジスタＱ１のゲートとドレインとの間にはトランジスタＱ３が接続されている。ドライバトランジスタＱ１のドレインと参照電圧線２６との間に補助コンデンサＣ２が接続されている。トランジスタＱ２のゲートは走査線４１に接続され、トランジスタＱ３のゲートはリセット線４２に接続され、トランジスタＱ４のゲートはイネーブル線４３に接続され、トランジスタＱ５のゲートはマージ線４４に接続されている。
【００１９】
次に、本実施の形態における画素回路１０の動作について説明する。図３は、本発明の実施の形態における画素回路１０の動作を示すタイミングチャートである。本実施の形態においては、各画素回路１０は１フィールド期間内に、ドライバトランジスタＱ１のしきい値電圧Ｖｔｈを検出する動作、画像信号に対応したデータ信号Ｄａｔａを保持コンデンサＣ１に書込む動作、保持コンデンサＣ１に書込まれた電圧にもとづき有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させる動作を行う。便宜上、しきい値電圧Ｖｔｈを検出する期間をしきい値検出期間Ｔ１、データ信号Ｄａｔａを書込む期間を書込み期間Ｔ２、有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させる期間を発光期間Ｔ３として、以下に動作の詳細を説明する。なお、しきい値検出期間Ｔ１、書込み期間Ｔ２、発光期間Ｔ３は画素回路１０のそれぞれに対して定義されるものであり、すべての画素回路１０に対して上記３つの期間の位相を一致させる必要はない。本実施の形態においては、行方向に配列された画素回路１０に対しては上記３つの期間の位相を一致させ、列方向に配列された画素回路１０に対してはそれぞれの書込み期間Ｔ２が重ならないように上記３つの期間の位相をずらして駆動している。このように位相をずらして駆動することにより発光期間Ｔ３の時間を長く設定できるので、画像表示輝度を向上する上で望ましい。
【００２０】
（しきい値検出期間Ｔ１）
図４は、本発明の実施の形態における画像表示装置のしきい値検出期間Ｔ１における動作を説明するための図である。なお図４には、説明のために、図２のトランジスタＱ２〜Ｑ５をそれぞれスイッチＳＷ２〜ＳＷ５で置き換えている。
【００２１】
しきい値検出期間Ｔ１の最初の時刻ｔ１１では、リセット信号ＲｓｔをハイレベルにしてスイッチＳＷ３をオン状態とし、ドライバトランジスタＱ１のゲートを高電圧側電源線２４に接続する。するとドライバトランジスタＱ１はオン状態となり、電流が流れて保持コンデンサＣ１の両電極端にドライバトランジスタＱ１のしきい値電圧よりも十分大きい電圧が発生する。
【００２２】
その直後の時刻ｔ１２において、イネーブル信号ＥｎｂｌをローレベルにしてスイッチＳＷ４をオフ状態とする。しかしドライバトランジスタＱ１はオン状態のままであるので、保持コンデンサＣ１の電荷を放電するとともに補助コンデンサＣ２を充電または放電する。これによりドライバトランジスタＱ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが減少し始める。そして、ドライバトランジスタＱ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓとしきい値電圧Ｖｔｈとが等しくなった時点でドライバトランジスタＱ１がオフ状態となる。従って、保持コンデンサＣ１の電圧ＶＣ１は、
【００２３】
【数１】
2008152793.tif 000013
【００２４】
となる。このようにして保持コンデンサＣ１には電圧Ｖｔｈが保持される。このとき有機ＥＬ素子Ｄ１に電流は流れていないので、ドライバトランジスタＱ１のソース電圧Ｖｓは有機ＥＬ素子Ｄ１のオフ電圧ＶＥｏｆｆに等しい。
【００２５】
なお、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２の間では画像信号と関係なく有機ＥＬ素子Ｄ１が発光するため、この時間間隔はできるかぎり短く設定することが望ましく、本実施の形態においては１μｓ以下に設定している。
【００２６】
（書込み期間Ｔ２）
図５は、本発明の実施の形態における画像表示装置の書込み期間Ｔ２における動作を説明するための図である。
【００２７】
書込み期間Ｔ２の時刻ｔ２１において、マージ信号ＭｒｇをローレベルとしてスイッチＳＷ５をオフ状態とする。そして時刻ｔ２２において、走査信号ＳｃｎをハイレベルとしてスイッチＳＷ２をオン状態とする。するとこのときデータ線２０に供給されている画像信号に対応した電圧（−Ｖｄａｔａ）が、保持コンデンサＣ１の一方の端子に印加される。ここで注意すべき点は、保持コンデンサＣ１の一方の端子の電圧がオフ電圧ＶＥｏｆｆから電圧（−Ｖｄａｔａ）に変化した点であり、電圧の正味の変化は、−Ｖｄａｔａ−ＶＥｏｆｆである。そのため、保持コンデンサＣ１と補助コンデンサＣ２とにより電圧Ｖｄａｔａを容量分割した電圧だけ保持コンデンサＣ１の電圧ＶＣ１が増加して、
【００２８】
【数２】
2008152793.tif 000014
【００２９】
となる。
【００３０】
画素回路１０の書込み動作が終了した時刻ｔ２３において走査信号Ｓｃｎをローレベルに戻してスイッチＳＷ２をオフ状態とし、時刻ｔ２４においてリセット信号ＲｓｔをローレベルにしてスイッチＳＷ３をオフ状態とする。さらに時刻ｔ２５においてマージ信号ＭｒｇをハイレベルとしてスイッチＳＷ５をオン状態とする。これによりドライバトランジスタＱ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが保持コンデンサＣ１の電圧ＶＣ１と等しくなる。
【００３１】
（発光期間Ｔ３）
図６は、本発明の実施の形態における画像表示装置の発光期間Ｔ３における動作を説明するための図である。
【００３２】
時刻ｔ３１において、イネーブル信号ＥｎｂｌをハイレベルとしスイッチＳＷ４をオン状態とする。すると有機ＥＬ素子Ｄ１に電流が流れ、有機ＥＬ素子Ｄ１が画像信号に対応した輝度で発光する。このとき有機ＥＬ素子Ｄ１に流れる電流Ｉｐｘｌは、
【００３３】
【数３】
2008152793.tif 000015
【００３４】
となる。なお、βはドライバトランジスタＱ１の移動度μ、ゲート絶縁膜容量Ｃｏｘ、チャンネル長Ｌ、チャンネル幅Ｗに依存して決まる係数であり、
【００３５】
【数４】
2008152793.tif 000016
【００３６】
で表わされる。
【００３７】
このように、有機ＥＬ素子Ｄ１に流れる電流Ｉｐｘｌにはしきい値電圧Ｖｔｈの項が含まれない。従って、ドライバトランジスタＱ１のしきい値電圧が経時変化により変動した場合であっても有機ＥＬ素子Ｄ１に流れる電流Ｉｐｘｌはその影響を受けることなく、画像信号に対応した輝度で有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させることができる。
【００３８】
ところで有機ＥＬ素子は特性劣化することにより、そのオフ電圧ＶＥｏｆｆを上昇させ、単位電流密度あたりの発光強度である発光効率を低下させる。すなわち、劣化した有機ＥＬ素子にはより多くの電流を流さなければ、画像表示装置の輝度減少を防ぐことができない。本実施の形態によれば、有機ＥＬ素子に流れる電流は、有機ＥＬ素子のオフ電圧ＶＥｏｆｆに依存し、オフ電圧ＶＥｏｆｆが高くなるほど、電流値が増大する。すなわち、画像表示装置の輝度長寿命化に寄与する。
【００３９】
また、保持コンデンサＣ１の電圧によって有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度が決まるため、保持コンデンサＣ１の電圧が想定外の変動を起こさないように駆動する必要がある。そのために、図３に示したシーケンスにもとづき各トランジスタを制御することで保持コンデンサＣ１の電圧を確実に制御することができる。
【００４０】
以上に説明したように、本実施の形態によれば、ドライバトランジスタＱ１のソースに有機ＥＬ素子Ｄ１を接続し、有機ＥＬ素子Ｄ１のカソードを低電圧側電源線に共通に接続する画素回路１０を、Ｎチャンネル型トランジスタのみを用いて構成することができる。このように、本実施の形態における画素回路はアモルファスシリコン薄膜トランジスタを用いて大型の表示装置を構成する場合に最適であるが、もちろんポリシリコン薄膜トランジスタを用いる場合であっても望ましいものである。
【００４１】
なお、本実施の形態においては、行方向に配列された画素回路１０に対してはしきい値検出期間Ｔ１、書込み期間Ｔ２、発光期間Ｔ３の３つの期間の位相を一致させ、列方向に配列された画素回路１０に対してはそれぞれの書込み期間Ｔ２が重ならないように上記３つの期間の位相をずらして駆動する構成について説明した。しかし本発明はこれに限定されるものではなく、例えば１フィールド期間をしきい値検出期間Ｔ１、書込み期間Ｔ２、発光期間Ｔ３を含む３つの期間に分割し、すべての画素回路１０を同期させて駆動してもよい。
【００４２】
また、本実施の形態において示した電圧値等の各数値はあくまでも一例を示したものであり、これらの数値は有機ＥＬ素子の特性や画像表示装置の仕様等により適宜最適に設定することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の画像表示装置によれば、ドライバトランジスタのソースに電流発光素子を接続した画素回路を、Ｎチャンネル型トランジスタのみを用いて画素回路を構成することが可能となり、電流発光素子を用いたアクティブマトリクス型の画像表示装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態における有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図
【図２】本発明の実施の形態における画素回路の回路図
【図３】本発明の実施の形態における画素回路の動作を示すタイミングチャート
【図４】本発明の実施の形態における画像表示装置のしきい値検出期間における動作を説明するための図
【図５】本発明の実施の形態における画像表示装置の書込み期間における動作を説明するための図
【図６】本発明の実施の形態における画像表示装置の発光期間における動作を説明するための図
【符号の説明】
【００４５】
１０    画素回路
１１    走査線駆動回路
１２    データ線駆動回路
１４    電源線駆動回路
２０    データ線
２４    高電圧側電源線
２５    低電圧側電源線
２６    参照電圧線
４１    走査線
４２    リセット線
４３    イネーブル線
４４    マージ線
Ｄ１    有機ＥＬ素子
Ｃ１    保持コンデンサ
Ｃ２    補助コンデンサ
Ｑ１    ドライバトランジスタ
Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５    トランジスタ
ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５    スイッチ
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008152793.tif 000017
【図２】
2008152793.tif 000018
【図３】
2008152793.tif 000019
【図４】
2008152793.tif 000020
【図５】
2008152793.tif 000021
【図６】
2008152793.tif 000022
【国際調査報告】
2008152793.tif 000023
2008152793.tif 000024