Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月28日(2003.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットにメッセージを送信するシステムであって、
送信者によって操作され、通信ネットワークを介して目的の受信者にメッセージを送信する送信ワークステーションと、
受信者によって操作され、通信ネットワークを介して送信者からのメッセージを受信する受信ワークステーションと、
アプリケーションサーバで実行可能なアプリケーションプログラムの形態の挿入手段であって、メッセージの送信に応答し、多数の異なるコードのうちの少なくとも一つのコードを前記送信メッセージに挿入する挿入手段と、
多数の異なるコードのうちの所望のコードを前記送信メッセージに対して選択する少なくとも一つの格納された選択ルールを有する決定リポジトリと、
前記挿入されたコードを受信ワークステーションにおいて表示する表示装置と、
情報のリポジトリにアクセスするための挿入可能なコードの動作を検出する検出装置とを具え、
前記所望の選択可能なコードを、情報のリポジトリにアクセスするために受信者により動作可能なコードとする、ターゲットにメッセージを送信するシステム。
【請求項２】
前記決定リポジトリは、前記送信メッセージに挿入される所望の一つのコードまたは複数のコードを選択するための、当該決定レポジトリに格納された多数の異なる選択ルールを有する選択ルールデータベースを含む、請求項１に記載のターゲットにメッセージを送信するシステム。
【請求項３】
前記決定リポジトリは、メッセージについて許可された受信者の情報を格納したレジスタを含む、請求項２に記載のターゲットにメッセージを送信するシステム。
【請求項４】
前記決定リポジトリは、メッセージについて許可された送信者の情報を格納したレジスタも含む、請求項３に記載のターゲットにメッセージを送信するシステム。
【請求項５】
前記選択ルールのデータベースに格納された選択ルールのうちの第１のルールは、前記メッセージの受信者が許可された受信者である場合に、前記メッセージの受信者に対応してリンクした好適なコードを、メッセージに挿入するための所望のコードとして選択するものとし、
前記選択ルールのデータベースに格納された選択ルールのうちの第２のルールは、前記メッセージの受信者が許可された受信者でなく、前記送信者が許可された送信者である場合に、前記メッセージの送信者に対応してリンクした好適なコードを、メッセージに挿入するための所望のコードとして選択するものとする、請求項４に記載のターゲットにメッセージを送信するシステム。
【請求項６】
前記システムのユーザによって操作可能な構成装置を含み、
当該構成装置は、前記許可された受信者のレジスタから受信者情報を追加し及び削除するために操作可能であり、
前記許可された送信者のレジスタから送信者情報を追加し及び削除するために操作可能であり、
前記挿入可能なコードのレジスタからコードを追加し及び削除するために操作可能である、請求項５に記載のターゲットにメッセージを送信するシステム。
【請求項７】
前記送信者によって目的の受信者に送信されたメッセージをｅメールメッセージとし、
前記通信ネットワークをインターネットとし、
前記情報のリポジトリをインターネットにおけるワールドワイドウェブのウェブサイトとする、請求項６に記載のターゲットにメッセージを送信するシステム。
【請求項８】
ターゲットにメッセージの送信を行う方法であって、
アプリケーションサーバで実行可能なアプリケーションプログラムによって、多数の異なるコードのうちの少なくとも一つのコードであって、決定レポジトリに格納された少なくとも一つの選択ルールに従って選択される多数の異なるコードのうちの少なくとも一つのコードを、送信者によって目的の受信者に送信されるメッセージに挿入するステップと、
通信ネットワークを介して目的の受信者に前記メッセージを送信するステップと、
前記通信ネットワークを介して送信者からメッセージを受信するステップと、
前記挿入されたコードを受信ワークステーションにおいて表示するステップとを有し、
さらに、情報のリポジトリにアクセスするために前記受信者によって所望の挿入されたコードを動作させるステップを含み、
さらに、前記情報のリポジトリにアクセスするための挿入可能なコードの動作を検出するステップを含む、ターゲットにメッセージの送信を行う方法。
【請求項９】
前記決定リポジトリに選択ルールデータベースを含み、当該選択ルールデータベースは、前記送信メッセージに挿入される所望の一つのコードまたは複数のコードを選択するための、当該選択ルールデータベースに格納された多数の異なる選択ルールを有する、請求項８に記載のターゲットにメッセージの送信を行う方法。
【請求項１０】
前記メッセージについて許可された受信者の情報を格納したレジスタを前記決定リポジトリに含む、請求項９に記載のターゲットにメッセージの送信を行う方法。
【請求項１１】
前記メッセージについて許可された送信者の情報を格納したレジスタを前記決定リポジトリに含む、請求項１０に記載のターゲットにメッセージの送信を行う方法。
【請求項１２】
前記メッセージの受信者が許可された受信者である場合に、前記メッセージの受信者に対応してリンクした好適なコードを、メッセージに挿入するための所望のコードとして選択し、
前記メッセージの受信者が許可された受信者でなく、前記送信者が許可された送信者である場合に、前記メッセージの送信者に対応してリンクした好適なコードを、メッセージに挿入するための所望のコードとして選択する、請求項１１に記載のターゲットにメッセージの送信を行う方法。
【請求項１３】
さらに、前記決定レポジトリを構成するステップを含み、
前記決定リポジトリは、許可された受信者のレジスタから受信者情報を追加し及び削除することにより構成され、
許可された送信者のレジスタから送信者情報を追加し及び削除することにより構成される、請求項１２に記載のターゲットにメッセージの送信を行う方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を提供する工程と、
同時両面圧延ビードプロセスを使用して、前記基板の両面に情報層を作製する工程と、を含む方法。
【請求項２】
前記同時両面圧延ビードプロセスが、
底部スタンパと前記基板との間に分散するように、フォトポリマの第１のビードを位置決めする工程と、
上部スタンパと前記基板との間に分散するように、フォトポリマの第２のビードを位置決めする工程と、
前記上部スタンパの上にローラを通過させて、前記フォトポリマのビードを分散させる工程と、
前記フォトポリマを硬化させる工程と、
前記スタンパから前記基板を引き剥がす工程と、を含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の構成要素を備えた製品の構成方法であって、
・各構成要素に対して、上記構成要素に対する複数の選択肢にてなるグループに関連した情報を提供することと、
・異なる複数の構成要素からの複数の選択肢間の互換性に関するルールを定義することと、
・上記ルールを有向非循環グラフ（ＤＡＧ）に表現することとを含み、
・−構成要素を選定することと、
−この構成要素に対する複数の選択肢にてなるグループから１つの選択肢を選択することと、
−上記選択された選択肢が他の構成要素からの他の選定された選択肢との互換性を有するか否かについて上記ＤＡＧをチェックすることと
を繰り返すことにより、上記製品を反復的に構成することを含む方法。
【請求項２】
上記反復的に構成することは、各構成要素について１つの選択肢が選定された時点であって、かつ上記複数の構成要素に係る選定された複数の選択肢が互換性を有する時点において終了される請求項１記載の製品の構成方法。
【請求項３】
上記選択肢を選択するステップは、上記選択肢の選択以前に、
・上記ＤＡＧを使用して、上記構成要素のうちの少なくとも１つの構成要素について、上記構成要素に対する選択肢にてなるサブセットを、上記サブセットにおける選択肢の各々が他の構成要素からの選定された選択肢との互換性を有するように決定することと、
・この情報をユーザに提供することとを含む請求項１乃至２のうちのいずれかの請求項に記載の製品の構成方法。
【請求項４】
上記構成要素と選択肢とを選定するステップはさらに、上記構成要素の各々について、
・上記ＤＡＧを使用して、上記構成要素のどの選択肢が他の構成要素の各々の少なくとも１つの選定された選択肢との互換性を有するかをチェックすることと、
・ユーザにこの情報を提供することと、
・上記ユーザが、上記他の構成要素の各々に対する選定された選択肢のうちの少なくとも１つとの互換性を備えた選択肢のうちの１つを選択できるようにすることとを含む請求項１乃至３のうちのいずれかの請求項に記載の製品の構成方法。
【請求項５】
上記ルールを上記ＤＡＧにおいて表現するステップは、上記ルールを、
・少なくとも１つの終端ノードと、
・−複数の可能な互いに素な結果を有する数式、及び、
−上記式の可能な結果の個数に対応する多数のポインタを備えた複数のノードとを備えたグラフにおいて表現することを含み、
・上記ノードのうちの少なくとも１つのノードのポインタは他のノードを示し、
・上記ノードのうちの少なくとも１つのノードのポインタは少なくとも１つの終端ノードのうちの１つを示し、
・上記ノードのうちの少なくとも１つのノードは最上位置のノードであり、１つ又は複数のパスはこの最上位置のノードから上記少なくとも１つの終端ノードのうちの１つへ上記ノードのうちの１つ又は複数のノードとそのポインタとを介して画成され、各ノードは少なくとも１つのパスの一部である先行するいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項６】
上記ルールを上記ＤＡＧにおいて表現するステップは、複数のノードを備えたＤＡＧにおいて上記ルールを表現することを含み、上記複数のノードの数式は、各ノードについて、実際のノードの式が上記実際のノードのポインタによって示された任意のノードの式より低位であるように所定の順序付けに従って配列される請求項４乃至５のうちのいずれかの請求項に記載の製品の構成方法。
【請求項７】
上記ルールを上記ＤＡＧにおいて表現するステップは、
・各ルールを論理式として表現することと、
・各論理式から、上記式に対する可能な解にてなるセットを表現する部分的なＤＡＧを構成することと、
・上記論理式の各々を表現する上記部分的なＤＡＧから全てのルールを表現するＤＡＧを構成することとを含む請求項４乃至６のうちのいずれかの請求項に記載の製品の構成方法。
【請求項８】
上記選択肢が互換的であるか否かについて上記ＤＡＧをチェックするステップは、最上位置のノードから終端ノードまでのパスに関して上記ＤＡＧを検索することを含み、上記検索は、
・実際のノードとして上記最上位置のノードから開始することと、
・上記実際のノードが終端ノードになるまで、
−上記実際のノードにおける数式を評価して、その結果を他の構成要素から選定された選択肢に照らして決定し、
−上記結果を表現するノードのポインタを選択し、
−上記選択されたポインタによって示されるノードを実際のノードとして選択することを反復することと、
・上記選定された選択肢に関する情報を提供することと、
・上記パスに関する情報は上記選定が互換的であることを表現することとを含む請求項５記載の製品の構成方法。
【請求項９】
上記製品を反復的に構成するステップは、さらに、
・構成要素と選択肢の各対について、上記対の状態に係る分類を提供することと、
・複数の結果にてなるリストのうちの１つに、ブロックされた状態、選択可能な状態、ユーザが選択した状態、システムが選択した状態、又は強制状態を含む分類を採用することと、
・他の構成要素に対する選択肢の選定を考慮するまでもなく、上記構成要素に上記選択肢を選定することができない場合は、ブロックされた状態の分類を提供することと、
・上記構成要素に対する選択肢が他の構成要素の選定された選択肢との互換性を有する場合は、選択可能な状態の分類を提供することと、
・上記構成要素に上記選択肢が既に選定されている場合は、ユーザが選択した状態の分類を提供することと、
・上記選択肢が、他の構成要素の選定された選択肢との互換性を有する上記構成要素にとって唯一の選択肢であり、かつ上記選択肢がユーザによってまだ選定されていない場合は、システムが選択した状態の分類を提供することと、
・上記構成要素に上記選択肢を選定可能であるが、これが他の構成要素の選定された他の選択肢の幾つかとの互換性を持たない場合は、強制状態の分類を提供することと、
・上記分類に関する情報をユーザに提供することを含む先行するいずれかの請求項に記載の製品の構成方法。
【請求項１０】
コンピュータ上で実行されると、先行するいずれかの請求項に記載の方法に係る全てのステップを実行するように適応化されたコンピュータプログラムコード手段を備えたコンピュータプログラム。
【請求項１１】
コンピュータが読み取り可能な媒体上に具現された請求項１０記載のコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項１０記載のコンピュータプログラムを備えたコンピュータが読み取り可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年2月3日(2003.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実行ユニットと、
前記実行ユニットに結合され、安全なメモリ区分への任意のアクセスを監視する安全な区分実施ロジックであって、区分エントリ・ポイントへの、または前記安全な区分内の別の位置から前記安全な区分内の位置への命令以外の命令の実行がトラップされる安全な区分実施ロジックと、
前記実行ユニットに結合された暗号ロジックと
を備えるプロセッサ。
【請求項２】
複数の安全な区分レジスタをさらに備える請求項１に記載のプロセッサ。
【請求項３】
安全な区分レジスタが区分エントリ・ポイント・レジスタを含む請求項２に記載のプロセッサ。
【請求項４】
暗号ロジックに結合されたアドレス変換バッファをさらに備え、安全な区分実施ロジックが実行ユニットとアドレス変換バッファとの間に結合された請求項３に記載のプロセッサ。
【請求項５】
第１のメモリと、
前記第１のメモリに結合され、仮想メモリ位置の区分を確立し、その区分へのアクセスを監視する安全な区分実施ロジックを含むプロセッサであって、区分エントリ・ポイントへの、または前記区分内の別の位置から前記区分内の位置への命令以外の命令の実行がトラップされるプロセッサと
を備えるコンピュータ・システム。
【請求項６】
プロセッサがさらに暗号ロジックを含む請求項５に記載のコンピュータ・システム。
【請求項７】
不揮発性メモリをさらに備え、安全な区分ロジックがさらに、不揮発性メモリ中に安全なメモリ位置区分を確立する請求項６に記載のコンピュータ・システム。
【請求項８】
不揮発性メモリが検証実施命令を記憶し、プロセッサがさらに、検証実施命令の信憑性を検証するためのブートストラップ・セキュリティ・ロジックを含む請求項６に記載のコンピュータ・システム。
【請求項９】
プロセッサがさらに、区分エントリ・ポイントを第１のメモリに記憶するための区分エントリ・ポイント・レジスタを含む請求項６に記載のコンピュータ・システム。
【請求項１０】
命令を実行する前に前記命令を調べることと、
前記命令が仮想メモリ中の位置区分内の位置への未許可アクセスであるときは、前記命令を実行しないと決定することと、
前記命令が区分エントリ・ポイントへの、または前記区分内の別の位置から仮想メモリ中の前記位置区分内の位置への命令であるときは、前記命令の実行を許可することとを含む命令処理方法。
【請求項１１】
命令を実行しないとする前記決定がさらに、トラップ・ハンドラにトラップすることを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
命令が区分内の位置にあるデータに作用するものであり、命令が区分内に記憶されていないときは、命令は未許可アクセスである請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
命令が区分外の位置からの分岐であり、分岐が区分内の位置への分岐であり、分岐が区分エントリ・ポイントへの分岐でないときは、命令は未許可アクセスである請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
命令が区分エントリ・ポイントに記憶されておらず、前に実行された命令が区分の開始の直前の命令であったときもまた、命令は未許可アクセスである請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
命令が区分内のある位置から区分内の別の位置に分岐するときは、命令を実行すること、および
命令が区分外の位置から区分エントリ・ポイントに分岐するときは、命令を実行することをさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
メモリ中の安全な区分へのアクセスを監視するステップであって、前記安全な区分の区分エントリ・ポイントへの、または前記安全な区分内の別の位置から前記安全な区分内の位置へのアクセス以外のアクセスがトラップされるアクセスを監視することと、
前記アクセスが許可された場合は、暗号化された命令を前記安全な区分からプロセッサに読み込むことと、
前記読み込んだ命令を暗号化解除することと、
前記暗号化解除した命令を実行することを含む命令処理方法。
【請求項１７】
暗号化解除した命令を実行することが、
命令が安全な区分からデータを読み取る命令であるかどうかを決定すること、および
命令が安全な区分からデータを読み取る命令である場合は、安全な区分からデータを読み取って、読み取ったデータを暗号化解除することを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
暗号化解除した命令を実行することが、
命令が安全な区分中の位置にデータを書き込む命令であるかどうかを決定すること、および
命令が安全な区分中にデータを書き込む命令である場合は、データを暗号化して、安全な区分中の位置にデータを書き込むことを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
命令が安全な区分からデータを読み取る命令であるかどうかの前記決定が、データの仮想アドレスを安全な区分の境界と比較することを含む請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記区分エントリ・ポイントが、前記安全なメモリ区分にアクセスする前記命令の信憑性を検証する検証ルーチンを備える請求項１に記載のプロセッサ。
【請求項２１】
前記安全な区分実施ロジックが、適切な読み取り／書き込み許可なしに前記安全なメモリ区分中のデータに操作することを試みるいかなる命令をもさらにトラップする請求項１に記載のプロセッサ。
【請求項２２】
前記安全な区分実施ロジックによってトラップされた命令を管理するトラップ・ハンドラをさらに備える請求項２１に記載のプロセッサ。
【請求項２３】
前記暗号ロジックが、前記安全なメモリ区分に記憶されるべき情報を暗号化し、前記安全なメモリ区分から読み出される情報を暗号化解除する請求項１に記載のプロセッサ。
【請求項２４】
前記暗号ロジックが、プロセッサ・キー・ストレージに記憶されているプロセッサ・キーを使用する請求項２３に記載のプロセッサ。
【請求項２５】
前記区分エントリ・ポイントが、前記区分にアクセスする前記命令の信憑性を検証する検証ルーチンの開始を備える請求項５に記載のコンピュータ・システム。
【請求項２６】
前記安全な区分実施ロジックが、適切な読み取り／書き込み許可なしに前記区分中のデータ上で動作することを試みるいかなる命令をもさらにトラップする請求項５に記載のコンピュータ・システム。
【請求項２７】
前記暗号ロジックが、前記区分に記憶されるべき情報を暗号化し、前記区分から読み出される情報を暗号化解除する請求項６に記載のコンピュータ・システム。
【請求項２８】
前記区分に記憶されるべき情報を暗号化するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項２９】
前記区分から読み出される情報を暗号化解除するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月16日(2003.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流をキャリーする（carrying）ための入力領域と、電流をキャリーするための出力領域と、クーロン封鎖レジーム（Coulomb blockade regime）で作動するように配列されかつ入力および出力領域を分離する三次元的に制限された（confined）量子領域とを有し、それにより電子が量子領域を通るトンネリング（tunnelling）によって入力領域から出力領域にだけ通過できるスピン・フィルタと、
入力および出力領域におけるゼーマン分流（Zeeman splitting）がフェルミ・エネルギ（Fermi energy）よりも少なく、それにより、作動時にスピン・フィルタが一つの支配的なスピン極性（spin polarity）のトンネル電流（tunnelling current）を出力するようにスピン・フィルタにゼーマン分流を発生するためのゼーマン分流手段と
から構成される、スピン・フィルタ装置。
【請求項２】
ゼーマン分流手段は量子領域に直流磁界を適用するための手段により構成される、請求項１に記載のスピン・フィルタ装置。
【請求項３】
トンネル電流の支配的なスピン極性を制御するための制御手段によりさらに構成される、請求項１または２に記載のスピン・フィルタ装置。
【請求項４】
量子領域はゲートを有し、制御手段は量子ドット（quantum dot）が少なくとも一つのゲート電圧と入力および出力領域間の電圧とを制御するための手段により構成される、請求項３に記載のスピン・フィルタ装置。
【請求項５】
制御手段はゼーマン分流の方向を制御するように配列される、請求項３または４に記載のスピン・フィルタ装置。
【請求項６】
ゼーマン分流手段はスピン・フィルタに直流磁界を適用するための手段により構成され、制御手段は直流磁界の極性を制御することによりトンネル電流の支配的なスピン極性を制御するように設けられる、請求項１に記載のスピン・フィルタ装置。
【請求項７】
量子領域は磁性エレメントと協働される、請求項１〜６のいずれか一項に記載のスピン・フィルタ装置。
【請求項８】
量子領域は磁性エレメントと協働されそして制御手段は磁性エレメントの成極作用（polarisation）を制御するように配列される、請求項３〜７のいずれか一項に記載のスピン・フィルタ装置。
【請求項９】
磁性エレメントは量子領域内の磁性不純物（magnetic impurity）により構成される、請求項８に記載のスピン・フィルタ装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のスピン・フィルタ装置と、
スピン・フィルタ装置からスピン成極電流を受容しそしてスピン・フィルタ装置によって供給される電流のスピン成極作用に応じた成極作用を有する光子を発するように結合された光電子エミッタと
から構成される、光電子放出装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置と、所定の成極作用の光子を検出するための光電子検出手段とから構成される、スピン状態検出装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の装置により構成され、そこにおいて光電子放出装置はスピン・フィルタ装置からのスピン成極電流のスピン成極作用に応じて左または右回りに成極された光子を発するように適合されそして第１および第２の光電子検出器がそれぞれ左および右回りに成極された光子を検出するように設けられる、スピン状態検出装置。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のスピン・フィルタ装置と、スピン・フィルタ装置によって供給される電流の支配的なスピン成極作用を検出するための検出手段とから構成される、メモリ。
【請求項１４】
各々が電子流をキャリーするための入力領域と、電子流をキャリーするための出力領域と、クーロン封鎖レジームで作動するように配列されかつ入力および出力領域を分離する三次元的に制限された量子領域とを有し、それにより電子が量子領域を通るトンネリングによって入力領域から出力領域にだけ通過できる複数の二次元アレイのスピン・フィルタと、
スピン・フィルタにゼーマン分流を発生するための手段であって、量子領域並びに入力および出力領域は、作動時に、スピン・フィルタによって供給されるトンネル電流が主として一つのスピン極性であるように入力および出力領域におけるゼーマン分流がフェルミ・エネルギよりも小さくなるように形成されるゼーマン分流手段と、
フィルタを通るトンネル電流の支配的なスピン成極作用を制御するように個々のスピン・フィルタ内におけるゼーマン分流を制御するための制御手段と、
各スピン・フィルタを個々にアドレス指定する（addressing）ためのアドレス指定手段と、
アドレス指定されたスピン・フィルタによって供給される電流の支配的なスピン成極作用を検出するための読出し手段と
から構成される、メモリ。
【請求項１５】
読出し手段はスピン・フィルタからのスピン成極電流を受けそしてスピン・フィルタによって供給される電流のスピン成極作用に応じた成極作用を有する光子を発するように配列された光電子エミッタにより構成される、請求項１４に記載のメモリ。
【請求項１６】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のスピン・フィルタ装置と、
ゼーマン分流が一つの方向にあり、それによりトンネル電流の支配的なスピン成極作用がスピン・アップ状態（spin state up）およびスピン・ダウン状態（spin state down）の一方である第１のゼーマン分流状態とゼーマン分流が対向する方向にあり、それによりトンネル電流の支配的なスピン成極作用がスピン・アップ状態およびスピン・ダウン状態の他方である第２のゼーマン分流状態との間でスピン・フィルタを切り替えることができる切替え手段とから構成される、切替え装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
典型的には、アルカリ化学について、電解質は水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、及び水酸化カリウムなどの１つ又は複数のアルカリ水酸化物の水溶液を含む。本発明の実施態様においては、セパレータ４は２層の不織布ポリオレフィンを含んで成り、電解質はアルカリ溶液を含んで成る。ニッケル−金属水素化物系の更なる実施態様においては、アルカリ溶液は水酸化カリウムと水酸化リチウムの混合水酸化物である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ｂ】
2004523091.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004523091.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月24日(2005.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の文字表現を生成する文字生成システムであって、各々が少なくとも１つの固有の部分文字ユニットに関連付けられた複数の入力キーと、キーの作動時にキー入力信号を受信し、作動したキーの組合せに応じて固有の文字を生成する文字生成手段とを備える文字生成システム。
【請求項２】
各キーは、固有の部分文字ユニットに加えて、少なくとも１つの部首に関連付けられていることを特徴とする請求項１に記載の文字生成システム。
【請求項３】
部首は部分文字ユニットを含んでいることを特徴とする請求項２に記載の文字生成システム。
【請求項４】
少なくともいくつかのキーの部分文字ユニットは複数の部首を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の文字生成システム。
【請求項５】
選択された機能キーの作動と組み合わせて、それぞれのキーを作動させることにより、異なる部分文字ユニットまたは部首が生成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の文字生成システム。
【請求項６】
前記システムは、選択されたキーが作動したときに、部首、文字または部分文字の選択候補が表示されるディスプレイ・モニタを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の文字生成システム。
【請求項７】
複数のキーが作動したときに、ディスプレイの拡張ウィンドウが、作動したキーまたはキーの組合せに関連付けられた文字を表示することを特徴とする請求項６に記載の文字生成システム。
【請求項８】
表示される部首または文字は１つまたは複数の字画を有しており、これらの字画は、作動したキーまたはキーの組合せによって生成される字画または部首と組み合わされて、対照的な色で表示される完成した文字を構成することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の文字生成システム。
【請求項９】
キーと機能キーとの結合によって作動されて表示される文字、部首または字画は、対照的な色で表示されることを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の文字生成システム。
【請求項１０】
キーの作動によって生成される文字は漢字であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の文字生成システム。
【請求項１１】
言語文字のような所定のグラフィカル・インディシャ表現を生成する入力装置であって、グラフィカル・インディシャの認識可能な部分を備える少なくとも１つの固有のユニットが関連付けされた複数の入力キーと、任意の所与のキーまたはキーの組合せの作動に対応する所定の表現を生成する生成手段とを備える入力装置。
【請求項１２】
各キーは、固有の文字ユニットに加えて、少なくとも１つの部首に関連付けられていることを特徴とする請求項１１に記載の入力装置。
【請求項１３】
部首は部分文字ユニットを含んでいることを特徴とする請求項１２に記載の入力装置。
【請求項１４】
少なくともいくつかのキーのユニットは複数の字画を備えることを特徴とする請求項１１から１３のいずれか一項に記載の文字生成システム。
【請求項１５】
選択された機能キーの作動と組み合わせて、それぞれのキーを作動させることにより、異なるユニットまたは部首が生成されることを特徴とする請求項１１から１４のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項１６】
前記システムは、選択されたキーが作動したときに、部首、文字または部分文字の選択候補が表示されるディスプレイ・モニタを含むことを特徴とする請求項１１から１５のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項１７】
複数のキーが作動したときに、ディスプレイの拡張ウィンドウが、作動したキーまたはキーの組合せに関連付けられた文字を表示することを特徴とする請求項１６に記載の入力装置。
【請求項１８】
表示される部首または文字は１つまたは複数の字画を有しており、これらの字画は、作動したキーまたはキーの組合せによって生成される字画または部首と組み合わされて、対照的な色で表示される完成した文字を構成することを特徴とする請求項１６または請求項１７による入力装置。
【請求項１９】
キーと機能キーとの結合によって作動させて表示される文字、部首または字画は、対照的な色で表示されることを特徴とする請求項１６から１８のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項２０】
キーの作動によって生成される文字は漢字であることを特徴とする請求項１１から１９のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項２１】
それぞれのキー作動またはキー作動の組合せは、１つの固有の文字を生成することを特徴とする請求項１１から２０のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項２２】
所定数の固有のグラフィカル・インディシャ表現を生成するために、テンキーが用いられることを特徴とする請求項１１から２１のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項２３】
生成されるインディシャ表現は言語文字を含んでいることを特徴とする請求項１１から２１のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項２４】
添付図面の参照により、以上において実質的に説明された入力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月3日(2003.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に離型組成物を有する天然または合成ゴム製品を製造するための雄型または浸漬型であって、前記離型組成物は
（１）少なくとも1種の疎水性モノマー及び
（２）少なくとも1種の親水性モノマーから形成された水系の高Ｔｇポリマーであって、少なくとも−１０℃のＴｇを有する水系のポリマーを含んでなることを特徴とする、雄型または浸漬型。
【請求項２】
前記水系のポリマーがエマルションポリマーを含んでなる、請求項1の雄型または浸漬型。
【請求項３】
前記水系のポリマーの粒径が０．０５〜１．５ミクロンである、請求項２の雄型または浸漬型。
【請求項４】
前記水系のポリマーの粒径が０．１５〜０．９ミクロンである、請求項３の雄型または浸漬型。
【請求項５】
前記疎水性モノマーがスチレンを含んでなる、請求項１の雄型または浸漬型。
【請求項６】
前記親水性モノマーが酸モノマーである、請求項１の雄型または浸漬型。
【請求項７】
前記離型組成物がさらに界面活性剤を含んでなる、請求項１の雄型または浸漬型。
【請求項８】
前記離型組成物がさらに微小球を含んでなる、請求項１の雄型または浸漬型。
【請求項９】
前記離型組成物がさらに分散剤を含んでなる、請求項１の雄型または浸漬型。
【請求項１０】
前記水系のポリマーがさらに架橋剤を含んでなる、請求項１の雄型または浸漬型。
【請求項１１】
前記離型組成物がさらにレオロジー改質剤を含んでなる、請求項１の雄型または浸漬型。
【請求項１２】
前記離型組成物がさらに凝固剤を含んでなる、請求項１の雄型または浸漬型。
【請求項１３】
前記高Ｔｇポリマーが
（ａ）２０〜３５質量％のメタクリル酸
（ｂ）６５〜８０質量％のスチレン及び
（ｃ）０．５〜１．５質量％の架橋剤
を含んでなる、請求項１の雄型または浸漬型。
【請求項１４】
前記離型組成物が珪素化合物を含まない、請求項１の雄型または浸漬型。
【請求項１５】
被覆組成物を有する成形された天然または合成ゴム製品を含む製品であって、前記被覆組成物は
（１）少なくとも1種の疎水性モノマー及び
（２）少なくとも1種の親水性モノマーから形成された水系の高Ｔｇポリマーであって、少なくとも−１０℃のＴｇを有する水系のポリマーを含んでなることを特徴とする、製品。
【請求項１６】
前記製品がパウダーフリーである、請求項１５の製品。
【請求項１７】
手袋を製造する方法であって、
（ａ）少なくとも１種の疎水性モノマー及び少なくとも１種の親水性モノマーから形成された少なくとも−１０℃のＴｇを有する水系のポリマーを含む離型組成物を含有する凝固剤溶液中に手袋浸漬型を浸漬し、被覆された浸漬型を製造し、
（ｂ）前記被覆された雄型を天然ゴムラテックス中に浸漬して、前記浸漬型を前記ラテックスで被覆し、
（ｃ）ラテックスを被覆した浸漬型を内面被覆組成物中に浸漬し、
（ｄ）ラテックスをオーブンで硬化し、
（ｅ）完成した手袋を浸漬型から除去する、前記方法。
【請求項１８】
（ａ）工程が
ａ１）水系のポリマー離型組成物中にセラミック製浸漬型を浸漬し、
ａ２）前記離型剤を被覆したセラミック製浸漬型を凝固剤溶液中に浸漬するという二つの別個の工程を含んでなる請求項１７の方法。
【請求項１９】
工程（ｂ）のラテックスを被覆された浸漬型が、工程（ｃ）の前に水中で浸出される、請求項１７の方法。
【請求項２０】
（ａ）少なくとも１種の疎水性モノマー及び少なくとも１種の親水性モノマーから形成された水系の高Ｔｇポリマーであって、少なくとも−１０℃のＴｇを有する水系のポリマー及び
（ｂ）凝固剤
を含んでなる離型組成物。
【請求項２１】
前記凝固剤がカルシウム塩である、請求項２０の組成物。
【請求項２２】
さらに微粒子を含む、請求項２０の組成物。
【請求項２３】
さらにレオロジー改質剤を含む、請求項２０の組成物。
【請求項２４】
さらに界面活性剤を含む、請求項２０の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板に付着したゾル−ゲル法コーテイングを急速熱硬化するための装置であって、
支持構造、
支持構造に取り付けられ、かつ所定のパターンにＩＲ放射線を放射するように形成されたＩＲ熱源、と
ＩＲ放射線からの熱エネルギーがゾル−ゲル法コーテイングを十分に硬化するかまたは密度を高め、しかも、基板を不当に加熱して変形を起させないように、選択された距離でかつ選択された時間でコーテッド基板の不連続のセグメントをＩＲ放射線に順次暴露するように形成された移送アッセンブリとを含む装置。
【請求項２】  熱源を通ってコーテッド基板を移送させるように、移送アッセンブリが形成され、かつ約０．５〜約５０ｃｍ／秒の範囲の速度で、基板が移送させられる請求項１に記載の装置。
【請求項３】  ＩＲ源が、約４０〜約８０ワット／ｃｍの範囲の電力レベルでＩＲ放射線を放射する請求項１に記載の装置。
【請求項４】  さらに、加熱されたガス源に接続可能であり、ＩＲ熱源から離れた関係で支持構造に取り付けられかつ所定のパターンに加熱されたガス流を放出するように形成されたガスノズルを含む請求項１に記載の装置。
【請求項５】  移送アッセンブリが、ＩＲ熱源とガスノズルを通過してコーテッド基板を移送させ、かつ基板が、約０．５〜５０ｃｍ／秒の範囲の速度で移送させられる請求項４に記載の装置。
【請求項６】  ＩＲ熱源が、約４０〜約８０ワット／ｃｍの範囲の電力レベルでＩＲ放射線を放射する請求項４に記載の装置。
【請求項７】  ＩＲ熱源が、互いに対向関係に配置された２個のＩＲランプであり、コーテッド基板がそれらの間を両者から選択された距離で通過できるようにした請求項４に記載の装置。
【請求項８】  第１のガスノズルに対向関係に配置された第２のガスノズルをさらに含み、コーテッド基板がそれらの間を両者から選択された距離で通過できるようにした請求項４に記載の装置。
【請求項９】  基板が低溶融温度のプラスチック材料であり、このプラスチック材料が、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、とＣＲ−３９からなる群から選択された請求項４に記載の装置。
【請求項１０】  ガスノズルに接続された加熱されたガス源をさらに含む請求項４に記載の装置。
【請求項１１】  ガスが、空気、窒素、アルゴン、ヘリウム、とそれらを組み合わせたものから選択された請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】  加熱されたガス源が、加熱されたガス流に水蒸気またはその他の水の形態を注入させるように形成された請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】  加熱されたガス流の温度が約１００〜約５００℃の範囲であり、かつ加熱されたガス流の流量が約５０〜約１０，０００ｃｍ3／秒の範囲である請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】  基板に付着したゾル−ゲル法コーテイングを急速熱硬化するための方法であって、コーテッド基板の不連続のセグメントを選択された距離および選択された速度で、ＩＲ熱源に順次暴露し、このＩＲ熱源が所定のパターンにＩＲ放射線を放射し、かつこのＩＲ熱源からの熱エネルギーがゾル−ゲル法コーテイングを最適の物理的および光学的特性に十分に硬化または密度を高めること、しかも、基板を不当に加熱して変形を起させないことを含む方法。
【請求項１５】  請求項１４の方法で製造された製品。
【請求項１６】  コーテッド基板がＩＲ熱源を通って移動させられ、かつこの基板が約０．５〜約５０ｃｍ／秒の範囲の速度で移動させられる請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】  ＩＲ熱源が、約４０〜約８０ワット／ｃｍの範囲の電力レベルでＩＲ放射線をする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】  さらに、加熱されたガス源に接続可能なガスノズルを含み、かつ所定のパターンに加熱されたガス流を放出するように形成された請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】  請求項１８の方法で製造された製品。
【請求項２０】  この方法が、ゾル−ゲル法コーテイングの多層膜を有する製品を製造するよう反復実施される請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】  基板が低溶融温度のプラスチック材料であり、このプラスチック材料が、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、とＣＲ−３９からなる群から選択された請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】  加熱されたガスが、空気、窒素、アルゴン、ヘリウム、とそれらを組み合わせたものからなる群から選択された請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】  水蒸気またはその他の水の形態を加熱されたガス流に注入することにより、この硬化方法に水分を導入することをさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】  加熱されたガス流の温度が約１００〜約５００℃の範囲であり、かつ加熱されたガス流の流量が約５０〜約１０，０００ｃｍ3／秒の範囲である請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】  基板が、約０．５〜約５０ｃｍ／秒の範囲の速度でＩＲ熱源からのＩＲ放射線および加熱されたガス流に順次暴露される請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】  ＩＲ熱源が、約４０〜約８０ワット／ｃｍの範囲の電力レベルでＩＲ放射線を放射する請求項１８に記載の方法。
【請求項２７】  ゾル−ゲル法コーテイングが、光学コーテイングおよび／または耐磨耗性コーテイングを形成する請求項１８に記載の方法。
【請求項２８】  光学コーテイングが、反射防止膜を形成する多層光学スタックである請求項２７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗いシリカ、酸化カルシウムの源及び酸化マグネシウムの源、粉砕助剤、及び低温強度バインダーをボールミル中で混合して、第１の混合物を製造する第１工程；第１の混合物を凝集化ミキサー中で水と一緒にして、その少なくとも５０重量％が１〜３５mmの範囲に入る第２の混合物を製造する第２工程；及び第２の混合物を流動床反応器に供給し、そして加熱して合成シリケートを製造する反応を実行する第３工程を含む方法。
【請求項２】
粗いシリカが、少なくとも９０重量％の、１００マイクロメートル〜１０００マイクロメートルの範囲のサイズの砂粒子からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
砂粒子のサイズ範囲が、１５０マイクロメートル〜６００マイクロメートルの範囲である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも８０重量％の粒子が２５０マイクロメートル以上の球換算直径を有し、残りは２５０マイクロメートルより小さいような分布を前記砂粒子が有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
酸化カルシウムの源が水和された酸化カルシウムを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
酸化マグネシウムの源が水和された酸化マグネシウムを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法
【請求項７】
酸化カルシウムの源又は酸化マグネシウムの源又は両方が、サイズにおいて２５マイクロメートル〜１００マイクロメートルの範囲の粒子からなる、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
酸化カルシウムの源又は酸化マグネシウムの源又は両方が、１００重量％の水和度を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
低温強度バインダーが、アルミン酸カルシウムセメント又は焼成マグネシアバインダーである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
反応物の少なくとも７５重量％が化学的転化を受ける、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
凝集化ミキサーがピンミルミキサーである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
流動床反応器がセラミック内面を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
セラミック及びガラスに基づく産業において、先駆的な物質として合成シリケートの使用が公知である。先行の方法により達成された恩恵は、合成シリケート錠剤、例えば米国シリアル番号０８／７０８，２４６、０９／００１，３３５及び関連する出願に記載された錠剤の製造により実現された。そのような方法は、パンペレタイザ（ｐａｎ  ｐｅｌｌｅｔｉｚｅｒ）バインダー物質、粗いシリカ、及び触媒を含む種々の装置及び物質を使用する。そのような方法は、その技術における進歩を示すが、それらはまだ問題及び限界を受けやすい。問題のいくつかは、パンペレタイザー及び他の装置の運転における過度の人力、及び、回転炉に基づく方法において必要とされる物質としてのバインダーの使用を含む。従来の方法は、原料の未反応物質、例えば水、酸化ケイ素、酸化カルシウム、及び酸化マグネシウム源、これらは次に反応されて所望される合成シリケートを生成する、の生成を含む。「グリーン」ペレットと命名されたそのような未反応物質は、反応の前に乾燥されなくても乾燥されてもよい。バインダーは、反応に先立つランプアップゾーン温度における回転炉の応力に付されるとき、グリーンペレットの分解を防ぐために必要とされる。加えて、触媒は、原料としてより粗いシリカが使用されたとき、完全で均質な反応を与えるために必要とされる。このように、そのような合成シリケートを製造するための、単位操作及び全体の方法における改善が必要とされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明のもう１つの目的は、ピンミルにおいて粗いシリカを使用することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、合成シリケートの製造方法である。該方法は、粗いシリカ、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、粉砕助剤（ｇｒｉｎｄｉｎｇ  ａｉｄ）及び、低温強度（ｃｏｌｄ  ｓｔｒｅｎｇｔｈ）バインダーをボールミルで一緒にし、次に凝集化及び反応を行い、合成シリケートを製造する。削減された人力、バインダー及び触媒物質費用において、特別な利点が、そのような方法により得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の１つの態様は、粗いシリカ、酸化カルシウム及び酸化マグネシウムの源、粉砕助剤及び、低温強度バインダーをボールミルで一緒にする第１の工程；第１工程の物質を凝集ミキサーにおいて水と一緒にする工程、及びミキサーにより製造された物質を反応させる第３の工程を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
粗いシリカは、少なくとも９０重量％の、好ましくは、約１００マイクロメートル〜１０００マイクロメートル、より好ましくは約１５０マイクロメートル〜約６００マイクロメートル、更により好ましくは約２５０マイクロメートル〜約６００マイクロメートルの範囲のサイズの粒子を含む。そのような砂は、沈殿されたシリカ又は自然砂、又は選鉱された砂（ｂｅｎｅｆｉｃｉａｔｅｄ  ｓａｎｄ）であり得、混入物もまた含み、当業者はそれを処理したい又は除去したいと望むかもしれないし、望まないかもしれない。そのような砂の粒子は、種々の粒子サイズ分布であり得る。例えば、分布は、粒子の少なくとも８０重量％が２５０マイクロメートルに等しいか又はより大きく、残りが２５０マイクロメートルより小さいことができる。そのような分布は、当業者による意図された用途に従って変化するだろう。粒子サイズ分布は、１モード、２モード、又は任意の他の種類の多モードであり得る。加えて、分布は上又は下を切除されたセットを有し得る。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア流体中の混濁した粒子を画定している顔料流体供給源と、
流体出口を備え、前記流体出口が前記顔料流体供給源と流体連通する第１の構成要素と、
前記第１の構成要素の前記流体出口と着脱自在に接続された流体入口を備え、前記流体入口にはフィルタが配設され、前記フィルタは複数の孔を備え、各孔の縁間寸法は少なくとも１５０μｍであり、かつ５００μｍ未満に形成され、前記フィルタは顔料流体を通過させるとともに顔料粒子の凝集とキャリア流体の蒸発とによる詰まりを防止している第２の構成要素と
を備えている顔料流体送出システム。
【請求項２】
前記各孔は前記縁間寸法が２００μｍに形成されている、請求項１に記載の顔料流体送出システム。
【請求項３】
前記フィルタの前記各孔は、深さ寸法を有し、前記深さ寸法が少なくとも５０μｍであり、かつ５００μｍ未満に形成されている、請求項１に記載の顔料流体送出システム。
【請求項４】
前記各孔は正方形状であり、前記縁間寸法は長さ寸法と幅寸法のうちのいずれか一方であり、前記長さ寸法および前記幅寸法は略等しくなっている、請求項３に記載の顔料流体送出システム。
【請求項５】
流体出口を備え、前記流体出口が顔料流体供給源と流体連通する第１の構成要素と、
前記第１の構成要素の前記流体出口と着脱自在に接続された流体入口を備え、前記流体入口にはフィルタが配設され、前記フィルタは前記顔料流体供給源に合わせて互換性を有しており、前記流体入口と流体連通する流体出口を備えた第２の構成要素と、
前記第２の構成要素の前記流体出口と着脱自在に接続された流体入口を備え、この流体入口にはフィルタが配設され、このフィルタは前記顔料流体供給源に合わせて互換性を有している第３の構成要素と
を備え、
前記第２の構成要素のフィルタと前記第３の構成要素のフィルタとは複数の孔をそれぞれ備え、各孔の縁間寸法は少なくとも１５０μｍであり、かつ５００μｍ未満に形成されている、顔料流体送出システム。
【請求項６】
キャリア流体中の混濁した粒子を画定している前記顔料流体供給源と、
顔料流体供給源と接続するタワー部材と、
前記タワー部材に設けられ、複数の孔を備え、各孔の縁間寸法は少なくとも１５０μｍであり、かつ５００μｍ未満に形成され、前記孔は前記顔料流体供給源から顔料流体を通過させるとともに前記孔は顔料粒子の凝集とキャリア流体の蒸発とによる詰まりを防止しているスクリーンと
を備えている流体相互接続部。
【請求項７】
ハウジングを備え、
前記ハウジングは、キャリア流体中の混濁した粒子を画定している前記顔料流体供給源と、前記顔料流体供給源と着脱可能に接続された流体入口とを備え、前記流体入口にはフィルタが配設され、前記フィルタは複数の孔を備え、各孔の縁間寸法は少なくとも１５０μｍであり、かつ５００μｍ未満に形成され、前記フィルタは顔料流体を通過させるとともに顔料粒子の凝集とキャリア流体の蒸発とによる詰まりを防止しているプリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有利に透明な、場合により既に１つ又は複数の反射層で被覆された基板を有し、この基板表面上に光により書き込み可能な情報層、場合により１つ又は複数の反射層及び場合により保護層又は他の基板又はカバー層が設けられていて、青色光又は赤色光、有利にレーザー光で書き込み及び読み出すことができ、前記の情報層は吸光性化合物及び場合により結合剤を含有する光学データ記録媒体において、吸光性化合物として少なくとも１種のキサンテン色素を使用し、この色素は少なくとも２つのアニオン性の基を含有し、対イオンとして少なくとも１種のカチオンを有し、このカチオンは少なくとも６つのπ電子を有する少なくとも１つの共役π系を含有し、但し、カチオンはベンジルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、テトラフェニルホスホニウム、ブチルトリフェニルホスホニウム又はエチルトリフェニルホスホニウムではないことを特徴とする、光学データ記録媒体。
【請求項２】
次の式（Ｉ）
【化１】
2004523395.tif 000001
［式中、
Ｒ１〜Ｒ４は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ３〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ７−シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ１６−アラルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又は複素環式基を表し、これらは非イオン性の基又はアニオン性の基Ｘ−で置換されていてもよく、又は
ＮＲ１Ｒ２又はＮＲ３Ｒ４は相互に無関係に５員又は６員の、Ｎを介して結合した飽和環を表し、この環はさらにＮ又はＯを有することができかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、
Ｒ５〜Ｒ１０は相互に無関係に、水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキルチオ、シアノ又はニトロを表すか、又は
Ｒ１；Ｒ５、Ｒ２；Ｒ６、Ｒ３；Ｒ８又はＲ４；Ｒ９は相互に無関係に、２員又は３員の架橋を表し、この架橋はＮ又はＯを含有することができかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、
Ｒ１１は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ５〜Ｃ７−シクロアルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又は複素環式基を表し、これらは非イオン性の基又はアニオン性の基Ｘ−により置換されていてもよく、
Ｘ−は式−ＣＯＯ−、−ＳＯ３−又は−Ｏ−ＳＯ３−のアニオン性の基を表すか、又は式−ＰＯ３２−又は−Ｏ−ＰＯ３２−の二価のアニオン性の基の等価物を表し、
Ｍ＋はカチオン又はポリカチオンの等価物を表し、これは少なくとも６つのπ電子を有する少なくとも１つの共役π系を含有し、かつ
ｎは１〜３の整数を表し、
但し、Ｍ＋はベンジルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、テトラフェニルホスホニウム、ブチルトリフェニルホスホニウム又はエチルトリフェニルホスホニウムを表さない]のキサンテン色素。
【請求項３】
請求項２記載のキサンテン色素の製造方法において、Ｍ＋が請求項２に記載されたものとは異なる意味を有する式（Ｉ）のキサンテン色素を、次の式の塩
Ｍ＋Ｚ−
［式中、
Ｍ＋は請求項２に記載された意味を表す、及び
Ｚ-はアニオンを表す］と溶剤中で反応させることを特徴とする、キサンテン色素の製造方法。
【請求項４】
４２０〜６５０ｎｍの範囲内の吸収極大λｍａｘ２を有し、少なくとも２つのアニオン性の基を有し、かつ対イオンとして少なくとも１つのカチオンを有し、このカチオンは少なくとも６つのπ電子を有する少なくとも１つの共役π系を有するが、但し、このカチオンはベンジルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、テトラフェニルホスホニウム、ブチルトリフェニルホスホニウム又はエチルトリフェニルホスホニウムではないキサンテン色素の、ライトワンス型光学データ記録媒体の情報層中での使用。
【請求項５】
少なくとも２つのアニオン性の基を有し、かつ対イオンとして少なくとも１つのカチオンを有し、このカチオンは少なくとも６つのπ電子を有する少なくとも１つの共役π系を有するが、但し、このカチオンはベンジルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、テトラフェニルホスホニウム、ブチルトリフェニルホスホニウム又はエチルトリフェニルホスホニウムではないキサンテン色素の、青色又は赤色、特に赤色レーザー光で書き込まれかつ読み出されるライトワンス型光学データ記録媒体の情報層中での使用。
【請求項６】
有利に透明な、場合により既に１つの反射層で被覆された基板を、場合により適当な結合剤及び添加剤及び場合により適当な溶剤と組み合わせたキサンテン色素で被覆し、場合により反射層、他の中間層及び場合により保護層又は他の基板又はカバー層を設けることを特徴とする、請求項１記載の光学データ記録媒体の製造方法。
【請求項７】
青色光又は赤色光、特に赤色光、特に赤色レーザー光で書き込まれた、請求項１記載の光学データ記録媒体。