【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス基板、電気光学装置、及び電子機器、並びにこれらの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に形成された導電膜を酸化し該導電膜の少なくとも表層に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】  請求項１において、
前記第１の絶縁膜が前記導電膜を陽極酸化することで形成されることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】  請求項１または２において、
前記第２の絶縁膜が前記第１の絶縁膜上に塗布液を塗布して形成されることを特徴とするアクティブ基板の製造方法。
【請求項４】  請求項３において、
前記塗布液がＳｉ−Ｎ結合を有する高分子を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】  請求項３において、
前記塗布液がシロキサン結合を基本構造とするポリマーを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】  請求項３ないし５のいずれかにおいて、
前記第２の絶縁膜上に蒸着により第３の絶縁膜を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】  請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記第２の絶縁膜上に半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項８】  基板上に形成された導電膜上に塗布液を塗布して第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に蒸着により第３の絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板の製造方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】  請求項９に記載の電気光学装置の製造方法を用いることを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１１】  基板上に形成された導電膜と、
前記導電膜の表層に形成された前記導電膜の酸化膜と、
前記酸化膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項１２】  請求項１１において、
前記絶縁膜が塗布膜であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項１３】  請求項１１または１２に記載のアクティブマトリクス基板を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】  請求項１３に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス基板、電気光学装置、及び電子機器、並びにこれらの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板上に形成された導電膜を酸化し該導電膜の少なくとも表層に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この方法によれば、導電膜の表層に複数の絶縁膜を形成したので、導電膜自身の膜厚による段差や、パターニング工程において削られた下地絶縁膜による段差等を平坦化することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明においては、前記第１の絶縁膜が前記導電膜を陽極酸化することで形成されるものとすることができる。また、本発明においては、前記第２の絶縁膜上に蒸着により第３の絶縁膜を形成するものとすることができる。
これらの方法によれば、導電膜との間又は第２の絶縁膜上に形成される膜との間で良好な界面特性が得られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明においては、前記第２の絶縁膜が前記第１の絶縁膜上に塗布液を塗布して形成されるものとすることができる。ここで、前記塗布液はＳｉ−Ｎ結合を有する高分子を含むことが好ましい。また、前記塗布液はシロキサン結合を基本構造とするポリマーを含むことが好ましい。
この方法によれば、導電膜上においてゲート絶縁膜の膜厚の均一性が高まる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明においては、前記第２の絶縁膜上に半導体膜を形成する工程を含むものとすることができる。
この方法によれば、電気的特性に優れたトランジスタを製造することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板上に形成された導電膜上に塗布液を塗布して第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上に蒸着により第３の絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上述した本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法を用いることを特徴とする。また、本発明の電子機器の製造方法は、上述した本発明の電気光学装置の製造方法を用いることを特徴とする。
この構成によれば、電気的特性に優れたアクティブマトリクス基板及び電子機器を提供することができる。
この方法によれば、導電膜の表層に複数の絶縁膜を形成したので、導電膜自身の膜厚による段差や、パターニング工程において削られた下地絶縁膜による段差等を平坦化することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のアクティブマトリクス基板は、基板上に形成された導電膜と、前記導電膜の表層に形成された前記導電膜の酸化膜と、前記酸化膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、を含むことを特徴とする。ここで、前記絶縁膜は塗布膜であることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置は、上述した本発明のアクティブマトリクス基板を有することを特徴とする。また、本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を有することを特徴とする。
これらの構成によれば、電気的特性に優れたアクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器を提供することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ところで、上述のゲート絶縁膜３２は、ゲート電極の表面を覆う絶縁膜３２ｂと、この上に積層された絶縁膜３２ａとの２層構造からなる。
絶縁膜３２ａは、この絶縁膜の原料やその前駆体、或いは、熱処理により絶縁膜に転化可能な材料を溶剤に溶かしたものを塗布液として用い、これを基板上に塗布することで形成されている。一方、絶縁膜３２ｂはＣＶＤ法又はスパッタ法により絶縁膜３２ａの上に形成されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この後、ゲート電極の上に塗布法により絶縁膜３２ａを形成し（ステップＳ７；絶縁膜３２ａの形成工程）、続いて、この絶縁膜３２ａの上に蒸着法により絶縁膜３２ｂを形成する（ステップＳ８；絶縁膜３２ｂの形成工程）。そして、このようにして形成されたゲート絶縁膜３２の上に半導体膜をパターン形成する（ステップＳ９；半導体膜の形成工程）ことで、トランジスタが製造される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
導電膜３３０のパターニングが終了すると、図５（ａ）に示すように、このゲート電極３３１を覆うように基板上にシリコン酸化膜３２ａを形成する（絶縁膜３２ａの形成工程）。この絶縁膜３２ａは、ポリシラザンをキシレンに混合した塗布液を基板上にスピンコートした後、熱処理することにより形成される。この際、塗布液の物性（粘度や表面張力）やスピンコートの条件については、前述のパターニング工程で予め決定されたものを用いる。例えば、キシレン中にポリシラザンを１５％混合した塗布液を回転数１５００ｒｐｍでスピンコートし、処理温度を１００℃として５分間、プリベークを行なう。この後更に、処理温度を３５０℃としてWET O2雰囲気下で２６０分間、熱処理を行なう。
これにより、ゲート電極上に膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ２膜が形成される。このように熱処理をWET O2雰囲気下で行なうことで、分極の原因となる絶縁膜中の窒素成分を少なくすることができる。尚、ここではゲート電極として膜厚２００ｎｍのＣｒを用いており、ゲート電極のパターニングは下地絶縁膜１１に対してエッチング性を有しない方法で行っているので、ゲート電極の段差はゲート電極材料自身の膜厚（例えば２００ｎｍ）となる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁膜３２ａの上に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により、シリコン酸化膜からなる絶縁膜３２ｂを形成する（絶縁膜３２ｂの形成工程）。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、図５（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、ゲート絶縁膜３２の上に真性ａ−Ｓｉ膜３１１及びｎ＋  ａ−Ｓｉ膜３５を連続形成し、パターニングにより、チャネル部，ソース部，ドレイン部を形成する（半導体膜の形成工程）。尚、絶縁膜３２ｂとａ−Ｓｉ膜３１１を連続的に形成することにより、より優れたゲート絶縁膜と半導体の界面特性を得ることができる。
次に、図５（ｄ）に示すように、半導体膜３１１，３５及びゲート絶縁膜３２を覆うように、Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ、Ｔｉ，Ｗ、Ｃｕ，Ｃｒ等の金属或いはこれらの金属を含む合金からなる導電膜を形成し、パターニングにより、ソース電極３４１及び中間導電膜３４２を形成する。
以上の工程により、トランジスタ３０が製造される。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本実施形態は、ゲート絶縁膜を、ゲート電極の陽極酸化膜と塗布膜としての酸化絶縁膜との２層構造としたものであり、上記第１実施形態とは図３，図４の工程まで共通である。このため、これ以降の工程について説明する。なお、図６は、図４の一方のゲート電極３３１のみを取り出して異なる縮尺で示している。
導電膜３３０のパターニングが終了すると、図６（ａ）に示すように、ゲート電極３３１の表面に陽極酸化膜（絶縁膜）３２ｃを形成する（絶縁膜３２ｃの形成工程）。この陽極酸化は、ゲート電極３３１が形成された基板をクエン酸溶液に浸漬した状態で、ゲート電極３３１の端子に電圧を印加して電流を流すことで行なわれる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、図６（ｂ）に示すように、絶縁膜３２ｃを覆うように、基板全面にシリコン酸化膜３２ａを形成する（絶縁膜３２ａの形成工程）。この絶縁膜３２ａは、ポリシラザンをキシレンに混合した塗布液を基板上にスピンコートした後、熱処理することにより形成される。この際、塗布液の物性（粘度や表面張力）やスピンコートの条件については、前工程であるゲート電極形成用導電膜のパターニング工程で予め決定されたものを用いる。例えば、キシレン中にポリシラザンを２０％混合した塗布液を回転数１０００ｒｐｍでスピンコートし、処理温度を１００℃として５分間、プリベークを行なう。この後更に、処理温度を３５０℃としてWET O2雰囲気下で３６０分間、熱処理を行なう。これにより、ゲート電極上で膜厚１５０ｎｍのＳｉＯ３膜が形成される。尚、ここではゲート電極として例えば膜厚４００ｎｍのＴａを用いており、前記陽極酸化膜を含めたゲート電極の段差は例えば４５０ｎｍとなった。
以上により、ゲート絶縁膜３２が陽極酸化膜３２ｃと塗布膜としての絶縁膜３２ａとの積層膜として形成される。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上記実施形態では、ゲート絶縁膜３２を塗布膜である絶縁膜３２ａと蒸着膜である絶縁膜３２ｂとの積層膜、或いは、陽極酸化膜である絶縁膜３２ｃと塗布膜である絶縁膜３２ａとの２層構造としたが、これを３層以上の多層膜とすることもできる。例えば、塗布膜としての絶縁膜３２ａの前後に陽極酸化膜及び蒸着膜を設けることで、半導体膜とゲート電極との双方に対して良好な界面特性が得られる。勿論、絶縁膜３２ａのみで良好な界面特性が得られる場合には、ゲート絶縁膜３２を絶縁膜３２ａのみの単層構造とすることも可能である。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１・・・液晶装置（電気光学装置）、１０Ａ…基板、３０・・・薄膜トランジスタ、３２・・・ゲート絶縁膜、３２ａ・・・絶縁膜、３２ｂ・・・絶縁膜、３２ｃ・・・絶縁膜、３１１，３１２…半導体膜、３３１，３３２・・・ゲート電極、１２００・・・電子機器