Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
施設の予約情報を管理する管理装置と、通信線を介して前記管理装置に接続され、当該施設を利用するための鍵を収納する鍵箱とにより構成される鍵箱管理システムであって、
前記管理装置は、
施設の予約情報を入力する入力手段と、
入力された予約情報に固有のＩＤ番号を付与し、該ＩＤ番号、前記予約情報及び前記施設に対応する鍵箱とを対応づけて記憶保持する予約情報格納手段と、
前記予約情報格納手段に格納された予約情報の中から一定期間分の予約情報とＩＤ番号を予約をした前記施設の鍵箱に送信する予約情報送出手段と、により構成され、
前記鍵箱は、
前記管理装置の予約情報送出手段からから送信された予約情報とＩＤ番号を記録する予約情報記録手段と、
前記ＩＤ番号を入力するＩＤ番号入力手段と、
前記入力されたＩＤ番号と前記予約情報記憶手段に記憶されたＩＤ番号の比較の結果、及び、ＩＤ番号が入力された日時に基づいて、前記鍵箱の施錠の解除を管理する施錠解除手段と、により構成される、
ことを特徴とする鍵箱管理システム。
【請求項２】
前記施錠解除手段は、
入力された前記ＩＤ番号に対応するＩＤ番号が前記予約情報記憶手段に記憶されていない場合、当該入力されたＩＤ番号を前記管理装置に送信する問い合わせ手段と、
前記管理装置からの当該問い合わせに対応する確認結果に応じて前記鍵箱の施錠の解除を管理する手段と、を含み、
前記管理装置は、前記鍵箱の前記問い合わせ手段から前記ＩＤ番号を受信し、当該受信したＩＤ番号に対応する予約情報が前記予約情報格納手段に記録保持しているかを確認し、当該確認結果を前記鍵箱に送信する手段を更に有する、
ことを特徴とする請求項１記載の鍵箱管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】鍵箱管理システム
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重量％でＣ０．０１〜０．１５％、Ｓｉ１％以下、Ｍｎ１％以下、Ｎｉ５０〜６０％、Ｃｒ１５〜２０％、Ｍｏ＋１／２Ｗが２〜５％、Ａｌ１．６〜３％、Ｔｉ１．５〜３．５％、Ｎｂ＋Ｔａが０．３〜２．０％を含有し、残部が実質的Ｆｅからなり、かつ各元素が原子％で下記関係式を満たすことを特徴とするエンジンバルブ用耐熱合金。
５．５≦[Ａｌ]＋[Ｔｉ]＋[Ｎｂ]＋[Ｔａ]≦８
０．４５≦[Ａｌ]／([Ａｌ]＋[Ｔｉ]＋[Ｎｂ]＋[Ｔａ])≦０．７
１９≦[Ｃｒ]＋[Ｍｏ]＋[Ｗ]≦２３
［  ］は原子％を表す。
【請求項２】
重量％でＦｅが１６％以上含有することを特徴とする請求項１に記載のエンジンバルブ用耐熱合金。
【請求項３】
重量％でＢ０．０１５％以下、Ｍｇ０．０２％以下、Ｃａ０．０２％以下の一種または二種以上を含有することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のエンジンバルブ用耐熱合金。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラウンと、バンドと、クラウンとバンドとの間にある複数枚の羽根から構成されるポ
ンプ水車ランナにおいて、ランナ外周側クラウン側の羽根付け根Ｏｃとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｏｃ−０とランナ外周側バンド側の羽根付け根Ｏｂとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｏｂ−０の成す角度θｏと、ランナ外周側クラウン側の羽根付け根Ｏｃとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｏｃ−０とランナ内周側クラウン側の羽根付け根Ｉｃとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｉｃ−０とが成す角度θｃとランナ外周側バンド側の羽根付け根
Ｏｂとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｏｂ−０とランナ内周側バンド側の羽根付け根Ｉｂとランナの回転中心０とを結ぶ直線Ｉｂ−０とが成す角度θｂの関係がθｃ＞θｂ＋θｏとなることを特徴とするポンプ水車ランナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明のポンプ水車ランナは、上記目的を達成するために、クラウンとバンドとクラウンとバンドとの間にある複数枚の羽根から構成されるポンプ水車ランナにおいて、次のような構成としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
即ち、ランナ外周側クラウン側の羽根付け根Ｏｃとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｏｃ−０とランナ外周側バンド側の羽根付け根Ｏｂとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｏｂ−０の成す角度θｏと、ランナ外周側クラウン側の羽根付け根Ｏｃとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｏｃ−０とランナ内周側クラウン側の羽根付け根Ｉｃとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｉｃ−０とが成す角度θｃとランナ外周側バンド側の羽根付け根Ｏｂとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｏｂ−０とランナ内周側バンド側の羽根付け根Ｉｂとランナの回転中心０とを結ぶ直線Ｉｂ−０とが成す角度θｂの関係がθｃ＞θｂ＋θｏとなることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のポンプ水車ランナはクラウンとバンドおよびクラウンとバンドとの間の複数枚
の羽根で構成され、ランナ外周側クラウン側の羽根付け根と回転中心を結ぶ直線とランナ
内周側クラウン側の羽根付け根と回転中心を結ぶ直線とが成す角度θｃと、ランナ外周側バンド側の羽根付け根と回転中心を結ぶ直線とランナ内周側バンド側の羽根付け根と回転中心とを結ぶ直線とが成す角度θｂ、及びランナ外周側クラウン側の羽根付け根Ｏｃと回転中心０を結ぶ直線Ｏｃ−０とランナ外周側バンド側の羽根付け根Ｏｂと回転中心０を結ぶ直線Ｏｂ−０の成す角度θｏとの関係が、θｃ＞θｂ＋θｏとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図２は揚水運転時流入側すなわちポンプ入口からポンプ水車ランナを見た場合の羽根の形状を表している。回転軸を０とし、Ｏｂ，Ｏｃ，Ｉｂ，Ｉｃは図１と同じ位置を示す。
さらに、ランナ外周側クラウン側の羽根付け根Ｏｃとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｏｃ−０とランナ内周側クラウン側の羽根付け根Ｉｃとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｉｃ−０とが成す角度をθｃ、ランナ外周側バンド側の羽根付け根Ｏｂとランナの回転中心０を結ぶ直線Ｏｂ−０とランナ内周側バンド側の羽根付け根Ｉｂとランナの回転中心０とを結ぶ直線Ｉｂ−０とが成す角度をθｂと表している。また、直線Ｏｂ−０と直線Ｏｃ−０とが成す角度がθｏとなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１および図２で示されθｃ＞θｂ＋θｏとなる形状の羽根をもつポンプ水車ランナについて、θｃとθｂの間のポンプ入口先端すなわちＩｃとＩｂを結ぶ線は直線であっても、曲線であってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明のように巻角をθｃ＞θｂ＋θｏとすることにより、巻角θｃ＝θｂ＋θｏの場合に比べポンプ入口の羽根の角度γはクラウン側の羽根角度γｃを小さく、バンド側の羽根角度γｂを大きくすることが出来るため、程揚程運転時のバンド側のキャビテーションを犠牲にすることなく、高揚程運転時のクラウン側のキャビテーションを低減できる。また、羽根全体の巻角θを長くしないで済むので羽根全体の表面積を最小限にすることができ、羽根表面で生じる摩擦損失を最小限にすることが出来る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、θｃ＞θｂ＋θｏとすることで、揚水運転時にランナから流出する流れにより生じる静動翼干渉による振動の発生を低減することが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、上記小型水力発電機によれば、水道管内を流通する全ての水量を羽根車に作用させて回転子の回転エネルギーとして使用しているので、図５に示すように固定からの出力電圧は流量に比例して増大し、一定の安定した電圧を得ることができないばかりでなく、流量が多い水道管や水圧が高い水道管に接続した場合には、羽根車が必要以上に高速回転してこの羽根車や回転子の回転中心軸を支持している軸受が短期間で摩損する虞れがあった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、上記各バイパス通路Ｃにおける上記水流室10から逆止弁19に至る手前の通路部から上記仕切壁８の外周部を貫通して上記羽根車４に向かって角度を付けて開口した第２噴射口22が設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この第２噴射口22は、バイパス通路Ｃよりも小径で且つバイパス通路Ｃの長さ方向に対して直角或いは直角に近い角度でもって該バイパス通路Ｃから分岐させてあり、従って、該第２噴射口22内の水圧はバイパス通路Ｃ内を流通する水道水の流速に反比例して低下し、該第２噴射口22を流通する水の流速（量）が減少するように構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この状態にして水道管Ａに水道水を流通させると、水道水は流入口２から水流室10に流入して該水流室10内に充満したのち、メイン通路Ｂとバイパス通路Ｃとに分流し、メイン通路Ｂ側の第１噴射口17から噴射する水流によって羽根車４が回転し、羽根車４と一体の回転子５の回転によって固定子６のコイル6bに交流電圧が発生し、この交流電圧を変換器16によって直流に変換してリード線6b' を通じて外部に取り出し、電源として使用する。羽根車４の回転エネルギーに使用した水流はメイン通路Ｂの流通路14を通過して流出口３から下流側の水道管Ａに流出する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、水道管を流通する水の水量が多くてケーシング１内の水流室10内の水圧が上記逆止弁19を押圧しているスプリング20の圧力よりも高くなると、バイパス通路Ｃ、Ｃ側に流入する水道水は、図３に示すように、その圧力によって逆止弁19をスプリング20の力に抗して押し開き、各バイパス通路Ｃを流通して流出口３から水道管内に流出する。この場合も、メイン通路Ｂ側の第１噴射口17からは、水流室10の圧力に応じた噴射力でもって羽根車４に水道水を噴射すると共に、バイパス通路Ｃ、Ｃ側の第２噴射口22からも羽根車４に向かって水道水を噴射して羽根車４を回転させ、回転子５と固定子６とによって発電を行うが、第２噴射口22は、バイパス通路Ｃの長さ方向に対して直角、或いは、該バイパス通路Ｃから羽根車４に向かって流れ方向に傾斜させた状態でバイパス通路Ｃから分岐させているので、バイパス通路Ｃを流通する水道水の流速が高くなればなる程、該第２噴射口22内の水圧が低くなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
従って、ケーシング１の流入口２に流入する水道水の水量が多くて圧力が高くなるに従って、メイン通路Ｂ側の第１噴射口17から噴射する噴流圧が高くなる一方、バイパス通路Ｃ側においては第２噴射口22から噴射する噴流圧が低くなり、そのため、羽根車４を回転させる第１、第２噴射口17、22からの噴流圧の和が略一定となって流入口２に流入する水道水の流量に殆ど関係なく、図４に示すように羽根車４を略一定の回転速度でもって回転させて固定子６からは安定した略一定の出力電圧を得ることができるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
前記シリコーン樹脂（Ｋ）が、１官能性シロキシ基と４官能性シロキシ基とからなるシリコーン網状化合物（ＭＱ）、１官能性シロキシ基と２官能性シロキシ基と４官能性シロキシ基とからなるシリコーン網状化合物（ＭＤＱ）、１官能性シロキシ基と３官能性シロキシ基とからなるシリコーン網状化合物（ＭＴ）、１官能性シロキシ基と２官能性シロキシ基と３官能性シロキシ基とからなるシリコーン網状化合物（ＭＤＴ）、および１官能性シロキシ基と２官能性シロキシ基と３官能性シロキシ基と４官能性シロキシ基とからなるシリコーン網状化合物（ＭＤＴＱ）から選択されるシリコーン網状化合物であることを特徴とする請求項２５に記載の化粧料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
（Ｒ6）mＡｌ（ＯＲ7）nＨpＸ4q      ・・・（１１）
（式中、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に、炭素原子を通常１〜１５個、好ましくは１〜４個含む炭化水素基である。Ｘ4はハロゲン原子である。ｍは０＜ｍ≦３、ｎは０≦ｎ＜３
、ｐは０≦ｐ＜３、ｑは０≦ｑ＜３を満たす数であって、かつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＝３である。）
（Ｍ5）Ａｌ（Ｒ6）      ・・・（１２）
（式中、Ｍ5はＬｉ、ＮａまたはＫであり、Ｒ6は上記一般式（１１）のＲ6と同じもので
定義される。）
（重合）
本発明に係るオレフィン系ワックス（Ａ）は、上記メタロセン系触媒の存在下に、エチレンとジエンとを通常液相で共重合させるか、またはエチレンと炭素数３〜１２のα−オレフィンから選択される少なくとも１種のα−オレフィンと少なくとも１種のジエンとを共重合させることにより得られる。この際、一般に炭化水素溶媒が用いられるが、α−オレフィンを溶媒として用いてもよい。なお、ここで用いる各モノマーは、前述した通りで
ある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
水溶性または水膨潤性高分子（Ｇ）としては、たとえば、アラビアゴム、トラガカント、ガラクタン、キャロブガム、グアーガム、カラヤガム、カラギーナン、ペクチン、寒天、クインスシード（マルメロ）、デンプン（コメ、トウモロコシ、バレイショ、コムギ）、アルゲコロイド、トラガントガム、ローカストビーンガムなどの植物系高分子；キサンタンガム、デキストラン、サクシノグルカン、プルランなどの微生物系高分子；コラーゲン、カゼイン、アルブミン、ゼラチンなどの動物系高分子；カルボキシメチルデンプン、メチルヒドロキシプロピルデンプンなどのデンプン系高分子；メチルセルロース、エチルセルロース、メチルヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ニトロセルロース、セルロース硫酸ナトリウム、カルボキシメチルセルロースナトリウム、結晶セルロース、セルロース末などのセルロース系高分子；アルギン酸ナトリウム、アルギン酸プロピレングリコールエステルなどのアルギン酸系高分子；ポリビニルメチルエーテル、カルボキシビニルポリマーなどのビニル系高分子；ポリオキシエチレン系高分子；ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン共重合体系高分子；ポリアクリル酸ナトリウム、ポリエチルアクリレート、ポリアクリルアミドなどのアクリル系高分子；ポリエチレンイミン、カチオンポリマーなど他の合成水溶性高分子；ベントナイト、ケイ酸アルミニウムマグネシウム、モンモリロナイト、バイデライト、ノントロナイト、サポナイト、ヘクトライト、無水ケイ酸などの無機系水溶性高分子などが挙げられる。また、これらの水溶性高分子には、ポリビニルアルコールやポリビニルピロリドンなどの皮膜形成剤も含まれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
カチオン性界面活性剤としては、アルキルアミン塩、ポリアミンおよびアミノアルコール脂肪酸誘導体などのアミン塩、アルキル四級アンモニウム塩、芳香族四級アンモニウム塩、ピリジニウム塩、イミダゾリウム塩などが挙げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７３】
また、シリコーン樹脂（Ｋ）は、１官能性シロキシ基と４官能性シロキシ基とからなるシリコーン網状化合物（ＭＱ）、１官能性シロキシ基と２官能性シロキシ基と４官能性シロキシ基とからなるシリコーン網状化合物（ＭＤＱ）、１官能性シロキシ基と３官能性シロキシ基とからなるシリコーン網状化合物（ＭＴ）、１官能性シロキシ基と２官能性シロキシ基と３官能性シロキシ基とからなるシリコーン網状化合物（ＭＤＴ）、および１官能性シロキシ基と２官能性シロキシ基と３官能性シロキシ基と４官能性シロキシ基とからな
るシリコーン網状化合物（ＭＤＴＱ）から選択されるシリコーン網状化合物であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３６】
＜実施例１４＞
（油中水型メークアップ下地）
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４０】
＜実施例１５＞
（水中油型クリーム）
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
Ｒ１ａ−（Ｇ）ｅ                     （１−３）
Ｒ１ａ−Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｆ−Ｈ      （１−４）
〔Ｒ１ａは上記と同一の意味を示す。
ｃは１〜４の数であり、好ましくは１である。
ｄは１〜４の数であり、好ましくは１である。
Ｇは単糖残基、ｅは平均値１〜５、好ましくは１〜３、特に好ましくは１〜２の数を示す。
ｆは平均値２〜５の数を示す。〕
一般式（１−１）の化合物は、２−エチルヘキサノール、ｉｓｏ−ノナノール、ｉｓｏ−デカノールとエピハロヒドリンやグリシドール等のエポキシ化合物を、ＢＦ３等の酸触媒、又はアルミニウム触媒を用いて反応させて製造する方法が一般的である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のピクセルを有する撮像センサであって、
第一伝導度型の半導体物質と、
それぞれが基板内に形成された光検出器を有する少なくとも二個の隣接するピクセルと、
隣接するピクセル内に集積され、隣接するピクセルの間に共用される少なくとも１つの電気機能であって、フォトゲート接点、トランスファーゲート接点、横列選択ゲート接点及び出力ノード接点のいずれか１つである電気接点を含む電気機能と、
を備えた撮像センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】結晶性珪素膜の作製方法および半導体装置の作製方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に減圧熱ＣＶＤ法で非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜の一部の領域の表面にニッケル元素を接して保持させ、
加熱処理を施すことによって前記ニッケル元素が保持された領域から結晶成長させる際、
前記加熱処理は５３６℃〜５８５℃の範囲の温度で行われ、
前記結晶成長の速度は２μｍ／ｈｒ〜２０μｍ／ｈｒであることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上にプラズマＣＶＤ法で非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜の一部の領域の表面にニッケル元素を接して保持させ、
加熱処理を施すことによって前記ニッケル元素が保持された領域から結晶成長させる際、
前記加熱処理は５３６℃〜５５９℃の範囲の温度で行われ、
前記結晶成長の速度は２μｍ／ｈｒ〜７μｍ／ｈｒであることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記加熱処理時における自然核の発生率は、１μｍ2及び１時間当たり、１０-2個以下であることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記ニッケル元素はニッケルの濃度が１０ｐｐｍ以上の酢酸ニッケル塩溶液をスピンコート法により塗布して保持させることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に減圧熱ＣＶＤ法で非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜の一部の領域の表面にニッケル元素を接して保持させ、
加熱処理を施すことによって前記ニッケル元素が保持された領域から結晶成長させる際、
前記加熱処理は５３６℃〜５８５℃の範囲の温度で行われ、
前記結晶成長の速度は２μｍ／ｈｒ〜２０μｍ／ｈｒであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上にプラズマＣＶＤ法で非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜の一部の領域の表面にニッケル元素を接して保持させ、
加熱処理を施すことによって前記ニッケル元素が保持された領域から結晶成長させる際、
前記加熱処理は５３６℃〜５５９℃の範囲の温度で行われ、
前記結晶成長の速度は２μｍ／ｈｒ〜７μｍ／ｈｒであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、前記加熱処理時における自然核の発生率は、１μｍ2及び１時間当たり、１０-2個以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、前記ニッケル元素はニッケルの濃度が１０ｐｐｍ以上の酢酸ニッケル塩溶液をスピンコート法により塗布して保持させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月5日(2004.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板上に形成された薄膜の上面側からランプ光源を用いた紫外光の照射を行うと同時に前記薄膜の下面側からランプ光源を用いた赤外光の照射を行うことを特徴とする薄膜の加熱処理方法。
【請求項２】
透光性を有する基板上に形成された薄膜の上面側からランプ光源を用いた紫外光の照射を行うと同時に前記薄膜の下面側からランプ光源を用いた赤外光の照射を行う薄膜の加熱処理方法であって、
前記紫外光及び前記赤外光を線状に加工して前記基板の一端から他端に向かって走査することを特徴とする薄膜の加熱処理方法。
【請求項３】
請求項２において、前記赤外光が照射される第１の領域は、前記紫外光が照射される第２の領域を含み、かつ、該第２の領域よりも広いことを特徴とする薄膜の加熱処理方法。
【請求項４】
透光性を有する基板上に形成された薄膜の上面側からランプ光源を用いた紫外光及び赤外光の照射を行うと同時に前記薄膜の下面側からランプ光源を用いた赤外光の照射を行う薄膜の加熱処理方法であって、
前記薄膜の上面側から照射される前記紫外光及び前記赤外光、並びに前記薄膜の下面側から照射される前記赤外光を線状に加工して前記基板の一端から他端に向かって走査することを特徴とする薄膜の加熱処理方法。
【請求項５】
請求項４において、前記薄膜の上面側から照射される赤外光は、前記薄膜の前記紫外光が照射される領域の直前または直後の領域に照射されることを特徴とする薄膜の加熱処理方法。
【請求項６】
透光性を有する基板上に形成された金属膜の上面側からランプ光源を用いた紫外光及び赤外光の照射を行うと同時に前記金属膜の下面側からランプ光源を用いた赤外光の照射を行う薄膜の加熱処理方法であって、
前記金属膜は、前記基板上に形成された半導体層、及び前記半導体層上にゲイト絶縁膜を介して形成されたゲイト電極上に形成され、
前記金属膜の上面側から照射される前記紫外光及び前記赤外光、並びに前記金属膜の下面側から照射される前記赤外光を線状に加工して前記基板の一端から他端に向かって走査することを特徴とする薄膜の加熱処理方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記薄膜の上面側から照射される前記紫外光および前記薄膜の下面側から照射される前記赤外光は、前記薄膜の同一部分を照射した状態で走査されることを特徴とする薄膜の加熱処理方法。
【請求項８】
請求項１乃至５において、前記薄膜は結晶性珪素膜であることを特徴とする薄膜の加熱処理方法。
【請求項９】
請求項１乃至５において、前記薄膜はアルミニウム、タンタルまたはタングステンを含む配線材料からなる薄膜であることを特徴とする薄膜の加熱処理方法。
【請求項１０】
被処理基板の上面側に配置された紫外光ランプと、
前記被処理基板の下面側に配置された赤外光ランプと、
を具備し、
前記紫外光ランプおよび前記赤外光ランプは前記被処理基板を挟み込む様に配置されており、
前記紫外光ランプおよび前記赤外光ランプは前記被処理基板と平行な方向に長手方向を持つ棒状または円筒形状を有していることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項１１】
被処理基板の上面側に配置された紫外光ランプおよび第１の赤外光ランプと、
前記被処理基板の下面側に配置された第２の赤外光ランプと、
を具備し、
前記紫外光ランプおよび前記第１の赤外光ランプと前記第２の赤外光ランプとは前記被処理基板を挟み込む様に配置されており、
前記紫外光ランプ、並びに前記第１及び第２の赤外光ランプは前記被処理基板と平行な方向に長手方向を持つ棒状または円筒形状を有していることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項１２】
被処理基板の上面側に並列して配置された紫外光ランプ、第１の赤外光ランプ、及び第２の赤外光ランプと、
前記被処理基板の下面側に配置された第３の赤外光ランプと、
を具備し、
前記紫外光ランプ、前記第１の赤外光ランプ、及び前記第２の赤外光ランプと前記第３の赤外光ランプとは前記被処理基板を挟み込む様に配置されており、
前記第１及び第２の赤外光ランプは前記紫外光ランプの前方及び後方に配置されており、
前記紫外光ランプおよび前記第１乃至第３の赤外光ランプは前記被処理基板と平行な方向に長手方向を持つ棒状または円筒形状を有していることを特徴とする加熱処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月8日(2004.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明光学系の耐久性向上方法とこれを用いた露光装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から射出されたパルス光を所定パターンの形成されたマスクに照明するための照明光学系を備え、前記照明されたマスクの所定パターンを感光基板に露光する露光装置において、
前記露光装置の本体は床面に配置されており、
前記光源は、前記照明光学系とは独立して、前記床面の下方に配置されており、
前記床面の下方であって且つ前記パルス光が前記光源から前記照明光学系に至るより前の該光源側に、前記パルス光を減光する減光手段を配置した、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記照明光学系は複数の光学要素を備えており、前記複数の光学要素の少なくとも一部は石英または蛍石であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記減光手段がＮＤフィルタから構成される請求項１または２記載の露光装置。
【請求項４】
前記減光手段が前記光源の光軸と直交する方向に回転し、この回転中心が前記光軸に対して偏心している請求項１，２または３記載の露光装置。
【請求項５】
前記減光手段の光透過率が可変である請求項１，２，３または４記載の露光装置。
【請求項６】
前記減光手段の光透過率を制御する制御手段を、前記床面に設けたことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記光源がエキシマレーザである請求項１〜６いずれか記載の露光装置。
【請求項８】
マスク上の所定パターンを感光基板上に露光する露光装置に設けられ、光源から射出されたパルス光を所定パターンの形成されたマスクに照明するための照明光学系の耐久性向上方法であって、
前記露光装置の本体が配置されている床面の下方に、前記照明光学系とは独立して、前記光源を配置し、
前記床面の下方であって且つ前記パルス光が前記光源から前記照明光学系に至るより前の該光源側に、前記パルス光を減光する減光手段を配置する、ことを特徴とする耐久性向上方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的達成のため、一実施の形態を表す図１に対応付けて説明すると、本発明は、光源（２）から射出されたパルス光を所定パターンの形成されたマスク（８）に照明するための照明光学系（４）を備え、前記照明されたマスクの所定パターンを感光基板（１０）に露光する露光装置において、前記露光装置の本体は床面に配置されており、前記光源は、前記照明光学系とは独立して、前記床面の下方に配置されており、前記床面の下方であって且つ前記パルス光が前記光源から前記照明光学系に至るより前の該光源側に、前記パルス光を減光する減光手段（３）を配置したことを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、光源が照明光学系とは独立して配置され、減光手段が光源側に配置されているので、光源側から射出されたパルス光が減光されて照明光学系に入射する。このように減光手段を光源側に配置して、照明光学系の保護を図ることができる。そして、この減光は、感光基板を感光するのに必要且つ十分な光量になる程度まで可能であるから、パルス光が不必要な過剰エネルギを持たない。従って、このパルス光が照明光学系を構成する光学要素を照射するから、光学要素が過剰なエネルギのパルス光に照射されて劣化することはなく、光学要素の耐久性を向上させることができる。このため、レーザ光の照射による劣化が及ぶ範囲を光源近傍の一部に限定することが可能となるので、メンテナンスの行われる場所が限定され、装置のメンテナンス性を向上させることができる。
また、前記露光装置本体を床面に配置し、前記光源を前記床面の下方に配置することにより、床下に配置されている光源付近の光学要素のみのを交換する構成にすることができる。このため、光源近傍の比較的作業の容易な場所のみにおいてメンテナンスが行われるので、メンテナンス性の向上を図ることができ、また、光源は露光装置本体と床面で隔離されているため、露光装置本体が設置されている部屋の環境の清浄度をメンテナンスの実行により悪化させてしまうことはなく、有利である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記減光手段の光透過率を制御する制御手段を、前記床面に設けた構成が好ましい。これにより、光透過率を容易に制御することが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図２（ａ）に示すように、フィルタ装置３は、異なる光透過率を選択できるように複数の円盤状のＮＤフィルタ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆを備える。これらの複数のＮＤフィルタ３ａ〜３ｆは円盤状回転部材１３に等間隔に取り付けられている。この円盤状回転部材１３は回転軸１３ａを中心に回転手段（図示省略）により回転可能に構成され、図１に示す制御系１１からの信号に基づき図２（ａ）の矢印両方向に回転軸１３ａを中心に回転する。フィルタ装置３は、レーザ光源２の光軸ｐが例えば図２（ｂ）に示すようにＮＤフィルタ３ａを通るように設置される。そして、円盤状回転部材１３を光軸ｐがフィルタ３ａ〜３ｆのいずれかを通るように回転軸１３ａを中心に回転させることにより、任意のＮＤフィルタに切り替えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月20日(2004.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタ対を備え、該トランジスタ対に差動入力信号が入力される入力段差動回路と、
前記差動入力信号に基づく出力信号を出力する出力回路と、
前記入力段差動回路からの出力信号に基づいて、前記トランジスタ対に流れる電流が同一となるように制御する帰還信号を前記入力段差動回路に出力するとともに、前記出力回路を駆動する信号を出力する中間段差動回路と、
を備えることを特徴とする差動増幅回路。
【請求項２】
前記トランジスタ対からの電流と前記帰還信号とが供給されるカレントミラー回路を備えることを特徴とする請求項１記載の差動増幅回路。
【請求項３】
前記カレントミラー回路を構成するトランジスタを飽和状態となるまで動作可能としたことを特徴とする請求項２記載の差動増幅回路。
【請求項４】
前記中間段差動回路は、
前記入力段差動回路の出力信号が入力される入力トランジスタと、
前記入力トランジスタの出力電流に基づいて制御される差動回路と
を備えることを特徴とする請求項１、請求項２、又は請求項３記載の差動増幅回路。
【請求項５】
前記トランジスタ対を流れる電流は、コレクタ電流であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４記載の差動増幅回路。
【請求項６】
前記トランジスタ対からのコレクタ電流が供給されるカレントミラー回路を備え、
前記カレントミラー回路は、
前記帰還信号に基づいてベース電流が制御されるトランジスタを備えることを特徴とする請求項１記載の差動増幅回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項２では、前記入力段差動回路を構成するトランジスタ対からの電流と、
前記帰還信号とが供給されるカレントミラー回路が備えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項３では、前記カレントミラー回路を構成するトランジスタが飽和状態となるまで動作可能とされる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項４では、前記中間段差動回路には、前記入力段差動回路の出力信号が入力される入力トランジスタと、前記入力トランジスタの出力電流に基づいて制御される差動回路とが備えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項５では、前記トランジスタ対は、カレントミラー回路にコレクタ電流を供給する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項６では、前記トランジスタ対からのコレクタ電流が供給されるカレントミラー回路を備え、前記カレントミラー回路には、前記帰還信号に基づいてベース電流が制御されるトランジスタを備えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（作用）
中間段差動回路３は入力段差動回路２の出力信号に基づいて動作し、出力回路４は中間段出力回路３の出力信号に基づいて動作する。入力段差動回路２を構成するトランジスタ対のコレクタ電流は、中間段差動回路３から出力される帰還信号ＦＳに基づいて同一値となる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
入力段差動回路のトランジスタ対は、カレントミラー回路からコレクタ電流がそれぞれ供給され、前記カレントミラー回路を構成するトランジスタは飽和状態で動作する。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
入力段差動回路のトランジスタ対は、中間段差動回路に同一の出力電流を出力して、そのコレクタ電流が同一とされる。
請求項４では、入力段差動回路の出力信号に基づいて、中間段差動回路を構成する入力トランジスタが動作し、その入力トランジスタの動作に基づいて差動回路を構成するトランジスタ対が動作し、そのトランジスタ対の出力電流に基づいて出力回路が駆動されるので、前記トランジスタ対の出力信号の電圧変化による前記入力段差動回路の出力信号の電圧変化が圧縮される。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
入力段差動回路を構成するトランジスタ対のコレクタ電圧には、カレントミラー回路による影響が及ばない。
前記入力段差動回路を構成するトランジスタ対のコレクタ電圧は、中間段差動回路により制御される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地上通信及び衛星通信の両方に対して同時に放射及び受信するための合成アンテナにおいて、
実質的に垂直な縦方向軸を有する円筒状絶縁性基板であって、その表面上にマウントされ前記垂直な縦方向軸に平行な方向を向いた複数の垂直方向ダイポールアンテナを支持する、円筒状絶縁性基板；
放物線軸及び放物線頂点が前記垂直な縦方向軸と一致するように、前記円筒状基板の一端にマウントされたパラボラ反射器アンテナ部材；
前記円筒状基板の前記一端に相対する前記円筒状基板のもう一方の端部にマウントされ、前記垂直な縦方向軸と一致する焦点軸を有する誘電体レンズ；及び
前記円筒状絶縁性基板内にあり、前記パラボラ反射器と前記誘電体レンズとの間に配置された、前記垂直な縦方向軸上に配置された信号供給器
を含む合成アンテナ。
【請求項２】
各垂直方向ダイポールアンテナは、アンテナ実効長を調整するよう制御できる複数のスイッチ可能なトラップを含む請求項１記載のアンテナ。
【請求項３】
前記垂直方向アンテナ間に配置された、前記円筒状基板の円筒状表面上にマウントされた光検出器モジュール；及び
前記光検出器モジュールに相対し、前記円筒状基板を囲む、可視光を阻止するための赤外フィルタ
を含む請求項１記載のアンテナ。
【請求項４】
ＲＦを前記垂直方向アンテナへ送信し、かつＲＦを前記垂直方向アンテナから送信するために接続された前面端ＲＦプロセッサを更に含む請求項１記載のアンテナ。
【請求項５】
前記誘電体レンズはマイクロ波周波数における無線信号の伝送において有効である請求項１記載のアンテナ。
【請求項６】
２つの相対する端部を結ぶ内部空胴を有する支持絶縁性基板；
前記支持絶縁性基板の外部表面上にマウントされた複数のダイポールアンテナ；
前記基板の一端における放物面アンテナ及び前記基板の相対する一端における合焦点デバイス；及び
空中の通信デバイス及び地上通信デバイスの両方とともに信号を伝送するための、前記空胴内の信号供給手段
を含む、空中の通信デバイス及び地上通信デバイスに応答し、かつ空中の通信デバイス及び地上通信デバイスから受信するための合成アンテナ。
【請求項７】
前記合成アンテナを構造的に支持するために接続されたＲＦ処理モジュールをさらに含む請求項６記載の合成アンテナ。
【請求項８】
前記合焦点デバイスは誘電体レンズを含む請求項６記載の合成アンテナ。
【請求項９】
前記絶縁性基板は前記放物面アンテナ及び前記合焦点デバイスとともに円筒型の形状を有し、前記放物面アンテナ及び前記合焦点デバイスは、前記円筒型の形状の相対する端部に位置する、請求項６記載の合成アンテナ。
【請求項１０】
前記放物面アンテナはパラボラ反射形状を有する請求項６記載の合成アンテナ。
【請求項１１】
前記ダイポールアンテナの各々は、長さ方向に分布した複数の制御よくスイッチ可能なトラップを有する請求項６記載の合成アンテナ。
【請求項１２】
前記ダイポールアンテナ間にマウントされた光検出器を更に含む請求項６記載の合成アンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、該第２導電型半導体層に接合する第２電極、該第２電極に接合するボンディングパッドが順次設けられている半導体発光素子であり、該素子内部に発した光が、該第２電極を通して外部に取り出されるような半導体発光素子において、該第２電極のシート抵抗が、部分的に異なっていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、該第１導電型半導体層に接合する第１電極が順次設けられ、さらに、該第１導電型半導体層上の第１電極の形成されていない部分に、少なくとも、第２導電型半導体層、該第２導電型半導体に接合する第２電極、該第２電極に接合するボンディングパッドが順次設けられている半導体発光素子であり、該素子内部に発した光が、該第２電極を通して外部に取り出されるような半導体発光素子において、該第２電極のシート抵抗が、部分的に異なっていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
上記第１電極と、ボンディングパッドとが、隣り合うように配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
上記第１電極、第２電極、ボンディングパッドが、順次一列に並べて配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形成される形態を有することを特徴とする、請求項１ないし４のいづれかに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、ボンディングパッドと直接接合していることを特徴とする、請求項１ないし５のいづれかに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形成され、かつ、格子状に配置される形態を有することを特徴とする、請求項１ないし６のいづれかに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形成され、かつ、ボンディングパッドから放射状に伸びる形態を有することを特徴とする、請求項１ないし６のいづれかに記載の半導体発光素子。
【請求項９】
上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形成され、かつ、ボンディングパッドから樹枝状に伸びる形態を有することを特徴とする、請求項１ないし６のいづれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、シート抵抗の大きい部分の周囲を、シート抵抗の小さい部分が取り囲む形態を有することを特徴とする、請求項１ないし６のいづれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、一層以上の導電性膜と、該一層以上の導電性膜上に、部分的に一層以上の導電性膜を積層して構成されていることを特徴とする、請求項１ないし１０のいづれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、一層以上の導電性膜と、該一層以上の導電性膜下に、部分的に一層以上の導電性膜を挿入して構成されていることを特徴とする、請求項１ないし１０のいづれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、一層以上の導電性膜と、該一層以上の導電性膜下に、部分的に、絶縁体膜および一層以上の導電性膜を挿入して構成されていることを特徴とする、請求項１ないし１０のいづれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
上記第１導電性半導体層が、１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体で構成されており、さらに、上記第２導電型半導体層が１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体で構成されていることを特徴とする、請求項１ないし１３のいづれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
上記第２電極上に保護膜が設けられていることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
基板上に、少なくとも、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、該第２導電型半導体層に接合する第２電極、該第２電極に接合するボンディングパッドが順次設けられている半導体発光素子であり、
該素子内部に発した光が、該第２電極を通して外部に取り出されるような半導体発光素子において、
上記第１導電性半導体層が、１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体で構成され、上記第２導電型半導体層が１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体で構成され、さらに、該第１導電型がn型、該第２導電型がp型であって、
該第２電極の平均的なシート抵抗ρs、および、該第２電極への電流供給部である第２ボンディングパッドから該第２電極における最も離れた点までの距離Ｌとの間には、
ρs＜ρc＜（４Ｌ2)、ただしρc＝１×１０−３［Ωcm2］
の関係式が成立することを特徴とする半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、本発明の半導体発光素子において、上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形成され、かつ、格子状に配置される形態を有してもよく、あるいは、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形成され、かつ、ボンディングパッドから放射状に伸びる形態を有してもよく、またあるいは、周囲よりもシート抵抗の小さい部分が、線状に形成され、かつ、ボンディングパッドから樹枝状に伸びる形態を有してもよい。またさらに、上記シート抵抗が部分的に異なる第２電極は、シート抵抗の大きい部分の周囲を、シート抵抗の小さい部分が取り囲む形態を有していてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月10日(2004.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、膜の圧縮応力が１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下である第一層目の膜と、
上記第一層目の膜の上に成膜される第二層目の膜とを備えたことを特徴とする薄膜。
【請求項２】
反応室内の加熱装置に載置された基板を加熱し、上記加熱装置に高周波を印加可能にするとともに、上記基板に対して配置された高周波電極に高周波電力を供給することで上記反応室内にプラズマを発生させ、膜の圧縮応力が１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下である第一層目の膜を上記基板に成膜し、
その後、第二層目の膜を上記第一層目の膜の上に成膜することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項３】
上記第一層目の膜を成膜するときには、上記加熱装置には高周波を印加せずに上記高周波電極にのみ高周波を印加し、上記第二層目の膜を成膜するときには、上記加熱装置及び上記高周波電極に高周波を印加するようにした請求項１に記載の薄膜形成方法。
【請求項４】
上記加熱装置には２００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波を印加可能にするとともに、上記電極には２ＭＨｚ以上の高周波が印加されるようにした請求項２〜３のいずれかに記載の薄膜形成方法。
【請求項５】
上記第一層目の膜の膜厚が５００Å以上であるようにした請求項２〜４のいずれかにに記載の薄膜形成方法。
【請求項６】
反応ガス導入口と真空排気口を有する反応室と、
上記反応室内の基板を加熱する加熱装置と、
上記加熱装置に高周波を印加可能とする装置と、
上記基板に対して対向位置に配置されて高周波電力が供給される高周波電極とを備え、
膜の圧縮応力が１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下である第一層目の膜を上記基板に成膜し、その後、第二層目の膜を上記第一層目の膜の上に成膜するように制御することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項７】
上記膜の圧縮応力の制御は、上記反応室の圧力、ガスの流量、上記加熱装置に上記高周波を印加する高周波電力、上記電極の上記高周波電力を制御することにより行うようにした請求項６に記載の薄膜形成装置。
【請求項８】
上記第一層目の膜を成膜するときには、上記加熱装置には高周波を印加せずに上記高周波電極にのみ高周波を印加し、上記第二層目の膜を成膜するときには、上記加熱装置及び上記高周波電極に高周波を印加するようにした請求項６又は７に記載の薄膜形成装置。
【請求項９】
上記加熱装置には２００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波を印加可能にするとともに、上記電極には２ＭＨｚ以上の高周波が印加されるようにした請求項６〜８のいずれかに記載の薄膜形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成している。
本発明の第１態様にかかる薄膜によれば、基板上に形成され、膜の圧縮応力が１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下である第一層目の膜と、
上記第一層目の膜の上に成膜される第二層目の膜とを備えるようにしている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第２態様にかかる薄膜形成方法によれば、反応室内の加熱装置に載置された基板を加熱し、上記加熱装置に高周波を印加可能にするとともに、上記基板に対して配置された高周波電極に高周波電力を供給することで上記反応室内にプラズマを発生させ、膜の圧縮応力が１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下である第一層目の膜を上記基板に成膜し、
その後、第二層目の膜を上記第一層目の膜の上に成膜するようにしている。
本発明の第３態様によれば、第２態様において、上記第一層目の膜を成膜するときには、上記加熱装置には高周波を印加せずに上記高周波電極にのみ高周波を印加し、上記第二層目の膜を成膜するときには、上記加熱装置及び上記高周波電極に高周波を印加するようにすることもできる。
本発明の第４態様によれば、第２〜３のいずれかの態様において、上記加熱装置には２００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波を印加可能にするとともに、上記電極には２ＭＨｚ以上の高周波が印加されるようにすることもできる。
本発明の第５態様によれば、第２〜４のいずれかの態様において、上記第一層目の膜の膜厚が５００Å以上であるようにすることもできる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第６態様によれば、反応ガス導入口と真空排気口を有する反応室と、
上記反応室内の基板を加熱する加熱装置と、
上記加熱装置に高周波を印加可能とする装置と、
上記基板に対して対向位置に配置されて高周波電力が供給される高周波電極とを備え、
膜の圧縮応力が１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下である第一層目の膜を上記基板に成膜し、その後、第二層目の膜を上記第一層目の膜の上に成膜するように制御するようにしている。
本発明の第７態様によれば、第６態様において、上記膜の圧縮応力の制御は、上記反応室の圧力、ガスの流量、上記加熱装置に上記高周波を印加する高周波電力、上記電極の上記高周波電力を制御することもできる。
本発明の第８態様によれば、第６又は７態様において、上記第一層目の膜を成膜するときには、上記加熱装置には高周波を印加せずに上記高周波電極にのみ高周波を印加し、上記第二層目の膜を成膜するときには、上記加熱装置及び上記高周波電極に高周波を印加することもできる。
本発明の第９態様によれば、第６〜８のいずれかの態様において、上記加熱装置には２００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波を印加可能にするとともに、上記電極には２ＭＨｚ以上の高周波が印加されるようにすることもできる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の効果】
例えばＳｉＮ膜の場合、従来使用される膜の圧縮応力は、通常２×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２程度である。膜の圧縮応力を増加させるに従い薄膜の損傷量が増加する傾向にあることが実験により明らかとなった。これは、膜中のＳｉ−Ｎ結合が増加するに従って、膜の圧縮応力は増加する傾向にあり、Ｎイオンの照射がそれだけ多くなり損傷量も多くなるからである。よって、逆に膜の圧縮応力を減少させることにより、損傷は低減できる。
本発明の上記態様によれば、第一層目に、通常使用される膜の圧縮応力である２×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２程度より小さい膜、すなわち、膜の圧縮応力が１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下である膜を成膜し、第二層目に通常の応力の膜を成膜することにより、第一層目の膜がイオン照射に対する障壁となり、第二層の膜の損傷を低減させることができる。
また、本発明の上記態様によれば、反応室内の加熱装置に載置された基板を加熱し、上記加熱装置に例えば２００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波を印加可能にするとともに、上記基板に対して配置された高周波電極に例えば２ＭＨｚ以上の高周波電力を供給することで上記反応室内にプラズマを発生させるプラズマＣＶＤ装置又は方法において、第一層目の膜の圧縮応力が１×１０９ｄｙｎ／ｃｍ２以下である膜を成膜することにより、損傷を低減した膜を成膜することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＭＩシールド包囲体であって、該包囲体内のソースから発生する電磁放射に対して該包囲体外の電気装置をシールドするためのＥＭＩシールド包囲体において、複数の導電性の壁を備え、これら壁は、該包囲体内からの電磁放射がこれら壁を通して放射できないように電気的に接続されており、該包囲体の上記壁の少なくとも１つは、非導電性プラスチックであって厚さＴを有しており、該包囲体の上記非導電性壁を通して延びて該包囲体内外への空気流を与える導波管減衰穴が成形されており、上記導波管減衰穴は、直径Ｄを有しており、上記導波管減衰穴は、該包囲体内から該穴を通して該包囲体外へと通過する電磁放射を減衰させ、上記導波管減衰穴によって与えられる減衰度は、３２×Ｔ／Ｄに比例していることを特徴とするＥＭＩシールド包囲体。
【請求項２】
Ｄは、３．２ないし５ｍｍ（０．１２５ないし０．２００インチ）の範囲であり、そしてＴは、６．２５ないし１２．５ｍｍ（０．２５ないし０．５０インチ）の範囲であり、これにより、上記導波管減衰穴は、５ギガヘルツまでの周波数の電磁放射を効果的に減衰する請求項１に記載のＥＭＩシールド包囲体。
【請求項３】
上記非導電性壁には、該包囲体の内側の該非導電性壁の少なくとも表面にメッキされた銅の層と、該銅の層の上にメッキされたニッケル層とを含む導電性被覆が施されている請求項１に記載のＥＭＩシールド包囲体。
【請求項４】
上記非導電性壁を少なくとも部分的にカバーする装飾プレートを更に備える請求項１に記載のＥＭＩシールド包囲体。