(57)【要約】  プラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルと、プラズマディスプレイパネルとの間に熱伝導シートを介して配置したシャーシと、シャーシの背面に配置した小信号処理回路搭載基板と、温度センサと、温度センサを設置するとともに温度センサの周囲に遮蔽壁を有し小信号処理回路搭載基板の背面に配置した温度センサ設置器具と、前面枠と、複数の通気孔からなる通気部を有するバックカバーとを備え、温度センサをプラズマディスプレイパネルとバックカバーとの中間位置に配置するとともに、バックカバーと対向する位置に配置する。
2008102534.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルに対向する位置に配置するバックカバーと、
前記バックカバーと対向する位置に配置する温度センサと、
前記温度センサを設置する温度センサ設置器具と、
前面枠および前記バックカバーを有し、前記プラズマディスプレイパネルを収容する筐体とを備え、
前記温度センサ設置器具および前記温度センサは、前記プラズマディスプレイパネルと前記バックカバーとの中間位置に配置し、
前記プラズマディスプレイパネルと前記温度センサ設置器具との間に遮蔽物を配置したことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記プラズマディスプレイパネルの背面に、前記プラズマディスプレイパネルとの間に熱伝導シートを介して配置したシャーシと、
電極を駆動する駆動回路を搭載し前記シャーシの背面に配置した駆動回路搭載基板と、
駆動回路と比較して電圧値の低い信号を処理する小信号処理回路を搭載し前記シャーシの背面に配置した小信号処理回路搭載基板とを備え、
前記温度センサ設置器具は、前記小信号処理回路搭載基板および前記駆動回路搭載基板よりもバックカバーに近い位置に配置するとともに、前記駆動回路搭載基板に対しては前記小信号処理回路搭載基板よりもさらに離間した位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記温度センサ搭載器具は、前記温度センサの周囲に、前記プラズマディスプレイパネルで発生する熱を遮る遮蔽壁を有することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記温度センサ搭載器具は、前記温度センサの周囲を取り囲むように形成した遮蔽壁を有することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記温度センサ設置器具は、前記小信号処理回路搭載基板の背面に配置したことを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記温度センサ設置器具上にボス材を介して基板を配置するとともに、前記基板上に前記温度センサを搭載したことを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記ボス材は、アルミニウム、鉄の少なくともいずれか１つを含んで形成され、
前記基板は、前記ボス材より熱伝導率が低いことを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記駆動回路は、前記温度センサが検出した温度にもとづき表示画像の輝度を制御することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記駆動回路は、前記温度センサの検出した温度が第１所定温度以下の場合、輝度倍率を第1所定輝度倍率とし、
前記温度センサの検出した温度が第２所定温度の場合、輝度倍率を第２所定輝度倍率とし、
前記温度センサの検出した温度が第１所定温度を超える場合、輝度倍率を
Ｙ＝（Ｙ３−Ｙ１）（Ｔ−Ｔ２）／（Ｔ１−Ｔ２）＋Ｙ１
ただし、Ｙは輝度倍率、Ｔは温度センサの検出した温度、Ｔ１は第１所定温度、
Ｔ２は第２所定温度、Ｙ３は第1所定輝度倍率、Ｙ１は第２所定輝度倍率、
の数式に基づいて制御することを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記バックカバーに複数の通気孔を有する通気部をさらに設け、
前記複数の通気孔は、前記バックカバーの前記温度センサと対向する位置を中心として、所定直径以上離間した位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記バックカバーに複数の通気孔を有する通気部をさらに設け、
前記複数の通気孔は、前記バックカバーの前記温度センサと対向する位置を中心として、所定高さと所定幅を有する矩形の形状より離間した位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記温度センサは、前記温度センサと前記バックカバーとの間隔が第１所定間隔以上、第２所定間隔以下となる位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記温度センサは、前記プラズマディスプレイパネルの高さの２分の１の高さ以下で、前記プラズマディスプレイパネルに対向する位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。【０００３】
パネルを駆動する方法としては、サブフィールド法、すなわち、１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般に用いられている。【０００４】
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を各電極上に形成するとともに、書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（放電のための起爆剤＝励起粒子）を発生させる。書込み期間では、表示を行うべき放電セルに選択的に書込みパルス電圧を印加して書込み放電を発生させ壁電荷を形成する（以下、この動作を「書込み」とも記す）。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルス電圧を印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。【０００５】
このとき、放電セルでは、放電の発生回数に応じた熱が生じる。そのため、この熱によりパネル自体の温度が上昇する。また、表示画像が明るいほど放電の発生回数も増加するため、パネルの温度も大きく上昇する。また、このようなパネルにおいては、放電セルの温度に依存して放電特性が変化することが一般に知られており、パネルの温度が上がりすぎると放電が不安定となり、画像表示品質が劣化する恐れがある。【０００６】
そこで、パネルの温度に応じて生じる画像の表示品質の劣化を防止するための様々な方法が提案されている。【０００７】
例えば、シリコン系樹脂等からなる熱伝導シートを介してパネルにシャーシを取り付けることにより、パネルで発生した熱をシャーシに効率よく伝導して、パネルの温度上昇を抑える方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。【０００８】
また、パネルの温度を検出し、検出した温度に応じて様々な補正を施す方法が提案されている。例えば、パネルの温度を検出するパネル温度検出部を備え、パネル温度検出部からの温度情報に応じて書込みパルス周期を変化させ、書込みを安定させるように構成されたプラズマディスプレイ装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。【０００９】
あるいは、入力映像信号の平均輝度レベル（Ａｖｅｒａｇｅ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｌｅｖｅｌ：ＡＰＬ）とパネルの温度とを検出し、検出したＡＰＬおよび検出した温度に応じて表示画像の輝度を制御し、パネルの消費電力を制御してパネルの温度を制御する方法が開示されている（例えば、特許文献３参照）。【００１０】
しかしながら、パネルの温度はパネルの領域によって温度分布に偏りが生じるため表示領域全体が同一の温度になることはほとんどなく、また表示画像によってもパネルの温度は大きく変化する。その一方で、プラズマディスプレイ装置を構成する部品点数を削減することが強く求められており、温度センサの設置数を増加させることは難しい。【００１１】
そのような温度センサの設置数が制限されたプラズマディスプレイ装置では、パネル全体にわたってパネルの温度を正確に検出することは難しい。そして、近年のパネルの大画面化、プラズマディスプレイ装置の大型化により、パネルの温度を正確に検出することはより困難になってきている。【００１２】
また、近年では、画像の表示品質を高めるためにさらなる高輝度化が進められている。そして、放電電流を増大させて発光輝度を高めるように構成されたプラズマディスプレイ装置では、パネルの温度はさらに上昇しやすい。【００１３】
このように、近年におけるプラズマディスプレイ装置の大画面化、高輝度化の傾向により、パネルの温度を適正に保つことはさらに難しくなっている。【００１４】
しかしながら、高品位な画像を表示するためにパネルの温度を適切に制御することがますます重要になってきており、大画面化、高輝度化されたプラズマディスプレイ装置において、より簡易な構成でパネルの温度を適正に保つことが強く求められている。
【特許文献１】特開平１０−２５４３２号公報
【特許文献２】特開２００４−６１７０２号公報
【特許文献３】特開２０００−３０５５１４号公報
【発明の開示】
【００１５】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極と維持電極とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたパネルと、パネルに対向する位置に配置するバックカバーと、バックカバーと対向する位置に配置する温度センサと、温度センサを設置する温度センサ設置器具と、前面枠およびバックカバーを有し、パネルを収容する筐体とを備え、温度センサ設置器具および温度センサは、パネルと前記バックカバーとの中間位置に配置し、パネルと温度センサ設置器具との間に遮蔽物を配置したことを特徴とする。
【００１６】
これにより、温度センサは、プラズマディスプレイ装置の周囲温度の検出を、パネルに生じる局所的な温度変動による影響を低減して行うことが可能となる。
【００１７】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置における駆動回路は、温度センサが検出した温度にもとづき表示画像の輝度を調整してプラズマディスプレイ装置の消費電力を制御する構成としてもよい。
【００１８】
これにより、温度センサにおいて検出した温度にもとづきパネルの消費電力を制御できるので、比較的簡易な構成で、パネルにおいて想定される最高温度を、パネルの仕様の上限以下に抑えることが可能となり、パネルの温度を適正に保つことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は本発明の一実施の形態におけるパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図２は同パネルの電極配列図である。
【図３】図３は本発明の一実施の形態におけるサブフィールド構成を示す図である。
【図４】図４は本発明の一実施の形態におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【図５】図５は本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図６】図６は本発明の一実施の形態における走査電極駆動回路の回路図である。
【図７】図７は本発明の一実施の形態におけるデータ電極駆動回路の回路図である。
【図８Ａ】図８Ａは本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構造の一例を示す分解斜視図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構造の他の一例を示す分解斜視図である。
【図９】図９は図８Ａ、図８Ｂの９−９線から見た断面図である。
【図１０】図１０は本発明の一実施の形態における温度センサの検出温度と輝度倍率との関係を示す概略図である。
【図１１】図１１は本発明の一実施の形態における周囲温度、輝度倍率、想定される最大温度上昇、想定されるパネルの最高温度の関係を示す概略図である。
【符号の説明】
【００２０】
１    プラズマディスプレイ装置
２    前面枠
３    バックカバー
４    通気孔
５    通気部
１０    パネル
１１    熱伝導シート
１２    シャーシ
１３ａ    データ電極駆動回路搭載基板
１３ｂ    走査電極駆動回路搭載基板
１３ｃ    維持電極駆動回路搭載基板
１４    電源回路搭載基板
１５    小信号処理回路搭載基板
１６    温度センサ設置器具
１７    遮蔽壁
１８    チューナー搭載基板
１９    フレキシブルケーブル
２１    前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
４８    温度検出回路
４９    温度センサ
５０，６０    維持パルス発生回路
５１，５６    電力回収回路
５２，５７    クランプ回路
５３    初期化波形発生回路
５４    走査パルス発生回路
５５    書込みパルス発生回路
５８    書込みパルス出力回路
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ１１，Ｑ１２，Ｑ１３，Ｑ１４，Ｑ２１，Ｑ３１，Ｑ３２，Ｑ３３，Ｑ３４，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ    スイッチング素子
Ｃ１，Ｃ１０，Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１    コンデンサ
Ｌ１，Ｌ３１    インダクタ
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ１０，Ｄ２１，Ｄ３１，Ｄ３２    ダイオード
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。【００２２】
（実施の形態）
図１は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイパネル１０（以下、「パネル」と略記する）の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。【００２３】
また、保護層２６は、放電セルにおける放電開始電圧を下げるために、パネルの材料として使用実績があり、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）ガスを封入した場合に２次電子放出係数が大きく耐久性に優れたＭｇＯを主成分とする材料から形成されている。【００２４】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。【００２５】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。【００２６】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。【００２７】
図２は、本発明の一実施の形態におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。なお、図１、図２に示したように、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとは互いに平行に対をなして形成されているために、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間に大きな電極間容量Ｃｐが存在する。また、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉとデータ電極Ｄｊとが交差した部分にも電極間容量が存在する。【００２８】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。それぞれのサブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。【００２９】
各サブフィールドにおいて、初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。加えて、放電遅れを小さくし書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（放電のための起爆剤＝励起粒子）を発生させるという働きを持つ。このときの初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作（以下、「全セル初期化動作」と略記する）と、直前のサブフィールドで維持放電を行った放電セルだけで選択的に初期化放電を発生させる初期化動作（以下、「選択初期化動作」と略記する）とがある。【００３０】
書込み期間では、後に続く維持期間において発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、輝度重みに比例した数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。このときの比例定数を「輝度倍率」と呼ぶ。【００３１】
図３は、本発明の一実施の形態におけるサブフィールド構成を示す図である。なお、図３は、サブフィールド法における１フィールド期間の駆動波形の概略を示したものであり、駆動電圧波形の詳細は後述する。【００３２】
本実施の形態では、１フィールドを１０のサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第１０ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ、例えば（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の輝度重みを持つものとする。そして、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第１０ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなり、放電セルで維持放電を生じさせないときの黒表示領域の輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなって、コントラストの高い画像表示が可能となる。また、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。【００３３】
しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。【００３４】
なお、本実施の形態では、輝度倍率を一定にするのでなく、後述する温度センサで検出する温度にもとづき変化させる構成としている。これにより、パネル１０における消費電力を制御してパネル１０の温度を適正に保つようにしている。この詳細については後述する。【００３５】
図４は、本発明の一実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図４には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち全セル初期化動作を行うサブフィールド（以下、「全セル初期化サブフィールド」と呼称する）と、選択初期化動作を行うサブフィールド（以下、「選択初期化サブフィールド」と呼称する）とを示しているが、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形もほぼ同様である。【００３６】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧（以下、「上りランプ波形電圧」と呼称する）を印加する。【００３７】
この上りランプ波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上部の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。【００３８】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧（以下、「下りランプ波形電圧」と呼称する）を印加する。この間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。【００３９】
なお、図４の第２ＳＦの初期化期間に示したように、初期化期間の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加してもよい。すなわち、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｉ３’から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を印加する。これにより前のサブフィールドの維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められる。また直前の維持放電によってデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部に十分な正の壁電圧が蓄積されている放電セルでは、この壁電圧の過剰な部分が放電され書込み動作に適した壁電圧に調整される。一方、前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように前半部を省略した初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して初期化放電を行う選択初期化動作となる。【００４０】
続く書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。【００４１】
そして、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（Ｖｅ２−Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅ２を、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態とすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。【００４２】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。【００４３】
続く維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。【００４４】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。【００４５】
続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電を継続して行う。【００４６】
そして、維持期間の最後には走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間にいわゆる細幅パルス状の電圧差を与えて、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を調整している。【００４７】
続くサブフィールドの動作は、維持期間の維持パルスの数を除いて上述の動作とほぼ同様であるため説明を省略する。以上が、本実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。【００４８】
なお、第１ＳＦ〜第１０ＳＦの輝度重みが（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の場合、輝度倍率が１倍であれば、各サブフィールドにおける維持パルス数は、（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）となり、輝度倍率が２倍のときには、輝度重みをそれぞれ２倍にした（２、４、６、１２、２２、３６、６０、８８、１２０、１６０）となり、輝度倍率が３倍のときには、同様に３倍にした（３、６、９、１８、３３、５４、９０、１３２、１８０、２４０）となる。そして、上述したように、本実施の形態では、後述する温度センサで検出する温度にもとづきこの輝度倍率を変化させ、１フィールド期間における維持パルスの総数を制御している。こうしてパネル１０における消費電力を制御してパネル１０の温度を適正に保つようにしている。【００４９】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図５は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５、温度検出回路４８および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。【００５０】
画像信号処理回路４１は、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路４２はサブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。【００５１】
温度検出回路４８は、温度を検出するために用いられる熱電対等の一般に知られた素子からなる温度センサ４９を有し、温度センサ４９で検出した温度とあらかじめ定めた第１所定温度とを比較して、その結果を表す信号を出力する。具体的には、検出した温度が第１所定温度未満かどうか、第１所定温度以上であれば第１所定温度よりもどれだけ大きいかを示す信号をタイミング発生回路４５に出力する。【００５２】
なお、本実施の形態では、この第１所定温度を４５℃に設定しているが、何らこの数値に限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづいて最適な値に設定することが望ましい。【００５３】
タイミング発生回路４５は水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよび温度検出回路４８からの出力をもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。そして、上述したように、本実施の形態においては、温度センサ４９において検出した温度にもとづいて輝度倍率を制御しており、それに応じたタイミング信号を走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４に出力する。これにより、１フィールド期間における維持パルスの総数を制御して消費電力を制御し、パネルの温度を適正に保つ制御を行う。【００５４】
走査電極駆動回路４３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する初期化波形電圧を発生するための初期化波形発生回路（図示せず）、維持期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する維持パルス電圧を発生するための維持パルス発生回路５０、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルス電圧を発生するための走査パルス発生回路（図示せず）を有し、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎをそれぞれ駆動する。維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路６０および電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２を発生するための回路を備え、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動する。【００５５】
ここで、各電極を駆動して放電セルに放電を発生させる各電極駆動回路においては、各電極に数十Ｖ（ボルト）から百数十Ｖといった高い電圧を印加し、かつ放電に必要な数十Ａ（アンペア）といった非常に大きな電流を流さなければならない。そのため、各電極駆動回路では非常に大きなジュール熱が発生する。また、パネル１０では各放電セルの発光・非発光を組み合わせて画像を表示するため、各放電セルにおける放電の発生も、表示画像の図柄に応じて異なる。したがって、発生する熱も、表示画像の図柄に応じて大きく変動する。【００５６】
一方、画像信号処理回路４１やタイミング発生回路４５で扱う信号は数Ｖからせいぜい十数Ｖであって、上述の駆動回路と比較して十分に低い（以下、これらの回路を総称して「小信号処理回路」と呼称する）。また、流さなければならない電流量も十分に小さく、かつ、表示画像の図柄によらずほぼ一定の動作をするため電流量の変動も比較的少ない。そのため、発生するジュール熱は十分に小さく、その変動量も少ない。【００５７】
次に、各電極駆動回路の詳細について説明する。まず、走査電極駆動回路４３の詳細とその動作について説明する。図６は、本発明の一実施の形態における走査電極駆動回路４３の回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路５０、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路５３、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路５４を備えている。【００５８】
維持パルス発生回路５０は、電力回収回路５１とクランプ回路５２とを備えている。電力回収回路５１は、電力回収用のコンデンサＣ１、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２、逆流防止用のダイオードＤ１、Ｄ２、共振用のインダクタＬ１を有している。なお、電力回収用のコンデンサＣ１は電極間容量Ｃｐに比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収回路５１の電源として働くように、電圧値Ｖｓの半分の約Ｖｓ／２に充電されている。クランプ回路５２は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子Ｑ３、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子Ｑ４を有している。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき維持パルス電圧Ｖｓを発生させる。【００５９】
例えば、維持パルス波形を立ち上げる際には、スイッチング素子Ｑ１をオンにして電極間容量ＣｐとインダクタＬ１とを共振させ、電力回収用のコンデンサＣ１からスイッチング素子Ｑ１、ダイオードＤ１、インダクタＬ１を通して走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電力を供給する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電圧がＶｓに近づいた時点で、スイッチング素子Ｑ３をオンにして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプする。【００６０】
逆に、維持パルス波形を立ち下げる際には、スイッチング素子Ｑ２をオンにして電極間容量ＣｐとインダクタＬ１とを共振させ、電極間容量ＣｐからインダクタＬ１、ダイオードＤ２、スイッチング素子Ｑ２を通して電力回収用のコンデンサＣ１に電力を回収する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電圧が０（Ｖ）に近づいた時点で、スイッチング素子Ｑ４をオンにして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを０（Ｖ）にクランプする。【００６１】
初期化波形発生回路５３は、スイッチング素子Ｑ１１とコンデンサＣ１０と抵抗Ｒ１０とを有し電圧Ｖｉ２までランプ状に緩やかに上昇する上りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路、スイッチング素子Ｑ１４とコンデンサＣ１１と抵抗Ｒ１１とを有し所定の初期化電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに低下する下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路、スイッチング素子Ｑ１２を用いた分離回路およびスイッチング素子Ｑ１３を用いた分離回路を備えている。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき上述した初期化波形を発生させる。なお、図６には、ミラー積分回路のそれぞれの入力端子を入力端子ＩＮａ、入力端子ＩＮｂとして示している。【００６２】
そして、例えば、初期化波形における上りランプ波形電圧を発生させる場合には、入力端子ＩＮａに所定の電圧（例えば、１５（Ｖ））を印加して、入力端子ＩＮａを「Ｈｉ」にする。すると、抵抗Ｒ１０からコンデンサＣ１０に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１１のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に上昇し始める。【００６３】
また、全セル初期化動作および選択初期化動作の初期化波形における下りランプ波形電圧を発生させる場合には、入力端子ＩＮｂに所定の電圧（例えば、１５（Ｖ））を印加して、入力端子ＩＮｂを「Ｈｉ」にする。すると、抵抗Ｒ１１からコンデンサＣ１１に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１４のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に下降し始める。【００６４】
走査パルス発生回路５４は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに走査パルス電圧を出力するスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎと、スイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎの低電圧側を電圧Ｖａにクランプするためのスイッチング素子Ｑ２１と、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎを重畳した電圧Ｖｃをスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎの高電圧側に印加するためのダイオードＤ２１およびコンデンサＣ２１とを備えている。そしてスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎのそれぞれは、電圧Ｖｃを出力するためのスイッチング素子ＱＨ１〜ＱＨｎと電圧Ｖａを出力するためのスイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎとを備えている。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルス電圧Ｖａを順次発生させる。なお、走査パルス発生回路５４は、初期化期間では初期化波形発生回路５３の電圧波形を、維持期間では維持パルス発生回路５０の電圧波形をそのまま出力する。【００６５】
そして、上述したように、走査電極駆動回路４３では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動して初期化放電、書込み放電、維持放電を発生させるため、非常に大きな電流を流さなければならず、そのため、大きなジュール熱が発生する。また、維持放電の発生は表示画像の図柄に応じて異なるため、発生する熱も、表示画像の図柄に応じて大きく変動する。【００６６】
なお、本実施の形態では、初期化波形発生回路５３に、実用的であり比較的構成が簡易なＦＥＴを用いたミラー積分回路を採用しているが、何らこの構成に限定されるものではなく、上りランプ波形電圧および下りランプ波形電圧を発生することができる回路であればどのような回路であってもよい。【００６７】
また、ここには図示していないが、維持電極駆動回路４４の維持パルス発生回路は維持パルス発生回路５０と同様の構成であり、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動するときの電力を回収して再利用するための電力回収回路と、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子と、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子とを有し、維持パルス電圧Ｖｓを発生させる。【００６８】
そして、維持電極駆動回路４４においても、維持電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動して維持放電を発生させるための非常に大きな電流を流さなければならず、そのため大きなジュール熱が発生し、発生する熱は、表示画像の図柄に応じて大きく変動する。【００６９】
次に、データ電極駆動回路４２の詳細とその動作について説明する。図７は、本発明の一実施の形態におけるデータ電極駆動回路４２の回路図である。データ電極駆動回路４２は、書込みパルス発生回路５５と、書込みパルス出力回路５８とを有する。【００７０】
書込みパルス発生回路５５は、電力回収回路５６とクランプ回路５７とを備え、電力回収回路５６は、電力回収用のコンデンサＣ３１と、スイッチング素子Ｑ３１、Ｑ３２と、逆流防止用のダイオードＤ３１、Ｄ３２と、共振用のインダクタＬ３１とを有し、クランプ回路５７は、スイッチング素子Ｑ３３、Ｑ３４を有する。そして、データ電極Ｄｋの電極容量と共振用のインダクタＬ３１とを共振させてデータ電極Ｄｋに供給された電力を電力回収用のコンデンサＣ３１に回収して書込みパルスを発生するとともに、発生させた書込みパルスを書込みパルス出力回路５８に出力する。【００７１】
書込みパルス出力回路５８は、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに書込みパルスを出力するスイッチ部ＯＵＴ１〜ＯＵＴｍを備えている。スイッチ部ＯＵＴ１〜ＯＵＴｍのそれぞれは、書込みパルス発生回路５５から出力される書込みパルスをデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに出力するためのスイッチング素子ＱＨ１〜ＱＨｍと、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを接地するためのスイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｍとを有している。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号および画像信号処理回路４１から出力される画像データにもとづきそれらスイッチング素子を切換えて、書込みパルス発生回路５５から出力される書込みパルスを印加すべきデータ電極に出力する。【００７２】
そして、上述したように、データ電極駆動回路４２では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動して書込み放電を発生させるため、非常に大きな放電電流を流さなければならず、そのため大きなジュール熱が発生する。また、書込み放電の発生は表示画像の図柄に応じて異なるため、発生する熱も、表示画像の図柄に応じて大きく変動する。【００７３】
次に、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の構造について、図面を用いて説明する。なお、本実施の形態では、温度センサ４９を用いて温度の測定を行っているが、この温度センサ４９は、パネル１０の温度を測定することを目的としたものではなく、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度を測定することを目的としたものである。そして、本実施の形態では、この検出温度にもとづき輝度倍率を制御して消費電力を制御することで、比較的簡易な構成で、パネル１０に生じる局所的な温度変動に左右されることなくパネル１０の温度を適正に保ち、高品位な画像を表示することを実現している。このように、本実施の形態は、表示画像により大きく変動するパネル１０の発生熱や駆動回路の発生熱による影響をできるだけ低減し、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度を安定して検出できるように構成したことを特徴とするものである。なお、以下では、この特徴を実現するための構成について主に説明を行うものとする。【００７４】
図８Ａは、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の構造の一例を示す分解斜視図である。そして、図８Ｂは、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の構造の他の一例を示す分解斜視図である。図９は、図８Ａ、図８Ｂの９−９線から見た断面図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０と、熱伝導シート１１と、シャーシ１２と、データ電極駆動回路４２を搭載したプリント基板であるデータ電極駆動回路搭載基板１３ａ、走査電極駆動回路４３を搭載したプリント基板である走査電極駆動回路搭載基板１３ｂ、維持電極駆動回路４４を搭載したプリント基板である維持電極駆動回路搭載基板１３ｃ、電源回路を搭載したプリント基板である電源回路搭載基板１４、タイミング発生回路４５や画像信号処理回路４１等の小信号処理回路を搭載したプリント基板である小信号処理回路搭載基板１５等からなるプリント基板群と、温度センサ設置器具１６と、チューナー搭載基板１８と、パネル１０および上述した各部材を収容する前面枠２およびバックカバー３を有する筐体とを備える。なお、以下の説明では、前面枠２側を前面とし、バックカバー３側を背面とする。【００７５】
熱伝導シート１１は、粘着性を有する一般に知られたシリコン系樹脂等からなり、パネル１０の背面板３１とシャーシ１２との間を介在するように挿入配置してパネル１０の背面板３１とシャーシ１２とを接着する。そして、パネル１０で発生した熱を背面板３１からシャーシ１２に伝導する。【００７６】
シャーシ１２は、軽くて剛性が高くかつ熱伝導性のよい金属として知られるアルミを主成分とする材料からなり、熱伝導シート１１を介して接着されたパネル１０を保持するとともに、熱伝導シート１１を介して伝導されるパネル１０で発生した熱を放熱する。また、シャーシ１２の背面には、プリント基板群を取り付けたりバックカバー３を固定したりするためのボス部（図示せず）を、ダイカストによる一体成型等により形成している。なお、シャーシ１２およびボス部は、例えばアルミニウム平板に固定ピンを固定して構成してもよい。【００７７】
データ電極駆動回路搭載基板１３ａ、走査電極駆動回路搭載基板１３ｂ、維持電極駆動回路搭載基板１３ｃ、電源回路搭載基板１４、小信号処理回路搭載基板１５等からなるプリント基板群は、シャーシ１２上のボス部にボス材１２１を介して固定されている。なお、ボス材１２１は、アルミニウム、鉄の少なくともいずれか１つを含んで形成され、プリント基板群を構成する基板は、ボス材１２１より熱伝導率が低いものである。そして、プリント基板群の一部は、パネル１０の非表示領域に引き出された引き出し部（図示せず）に、シャーシ１２の四辺の縁部を越えて延びる複数のフレキシブルケーブル（ＦＰＣ）１９によって電気的に接続されている。【００７８】
具体的には、パネル１０のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍとデータ電極駆動回路搭載基板１３ａとをデータ電極Ｄ１〜Ｄｍの引き出し部に接続されたＦＰＣ１９を介して接続する。これによりデータ電極駆動回路４２からデータ電極Ｄ１〜Ｄｍへの駆動電圧の印加が可能になる。同様に、パネル１０の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと走査電極駆動回路搭載基板１３ｂとを走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの引き出し部に接続されたＦＰＣ１９を介して接続する。これにより走査電極駆動回路４３から走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎへの駆動電圧の印加が可能になる。同様に、パネル１０の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎと維持電極駆動回路搭載基板１３ｃとを維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎの引き出し部に接続されたＦＰＣ１９を介して接続する。これにより維持電極駆動回路４４から維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎへの駆動電圧の印加が可能になる。このようにして、各駆動回路搭載基板で発生される駆動電圧をパネル１０の各電極に印加する。そして、各駆動回路搭載基板においては、放電電流にともなう大電流が発生し、それにともなう大きな熱が発生する。【００７９】
温度センサ設置器具１６は、シャーシ１２上のボス部にボス材１２２を介して固定されている。そして、本実施の形態では、ボス材１２２をボス材１２１よりも長く形成し、小信号処理回路搭載基板１５や各駆動回路搭載基板等からなるプリント基板群よりもバックカバー３に近い位置に温度センサ設置器具１６が配置されるように構成している。こうして、温度センサ設置器具１６をパネル１０から離間した位置に配置し、パネル１０から温度センサ設置器具１６への熱伝導量を低減している。また、温度センサ設置器具１６の背面には、プリント基板を取り付けるためのボス部（図示せず）を形成している。【００８０】
なお、ここではパネル１０から温度センサ４９への熱を遮る働きを温度センサ設置器具１６に持たせているため、温度センサ設置器具１６は、熱を遮る効果の高い材料で形成されていることが好ましいが、本実施の形態においては、何らこの材料を限定するものではなく、樹脂、金属等どのような材料で温度センサ設置器具１６を形成してもかまわない。【００８１】
なお、本実施の形態では、温度センサ設置器具１６を小信号処理回路搭載基板１５の背後に配置した構成としている。すなわち、パネル１０と温度センサ設置器具１６との間に遮蔽物としての小信号処理回路搭載基板１５を配置している。このような構成にすることで、発熱量が大きくかつその変動量も大きい各駆動回路搭載基板から温度センサ設置器具１６を離間させることができ、さらに、発熱量が少なくかつその変動量も小さい小信号処理回路搭載基板１５にパネル１０で発生した熱を遮蔽させる働きを持たせることができるからである。なお、遮蔽物として、小信号処理回路搭載基板１５を用いた例を示したが、遮蔽物は小信号処理回路搭載基板１５に限るものではない。例えばプリント基板などのように熱伝導率の低い樹脂や金属からなる板状のものであってもよい。このような構成により、パネル１０で発生した熱を温度センサ４９から遮蔽する働きを持たせられるため、パネル１０で発生する熱の影響をさらに低減した温度検出が可能となる。【００８２】
チューナー搭載基板１８は、アンテナ（図示せず）によって受信された放送信号等からテレビジョン信号を分離して取り出すためのチューナー回路（図示せず）を搭載しており、温度センサ設置器具１６上に形成されたボス部にボス材１６１を介して固定されている。そして、このチューナー搭載基板１８の背面側（バックカバー３側）に温度センサ４９を搭載する。前述したように、チューナー搭載基板１８の基板は、アルミニウム、鉄の少なくともいずれか１つを含んで形成されるボス材１６１より熱伝導率が低いものである。したがって、基板は、パネル１０から温度センサ４９への熱の伝導を遮る働きを有している。【００８３】
バックカバー３は、前面枠２とともにプラズマディスプレイ装置１の筐体を形成し、パネル１０および上述した各部材を収容する。また、バックカバー３はプラズマディスプレイ装置１の内部と外部との通気を行う複数の通気孔４からなる通気部５を有する。そして、温度センサ設置器具１６および温度センサ４９を、通気孔４と温度センサ４９とが対向しない位置に配置するものとする。また、温度センサ設置器具１６および温度センサ４９を、温度センサ４９の近傍に通気部５が位置するように、かつ温度センサ４９とバックカバー３との間隙に遮蔽物が挟まれないような位置に配置するものとする。【００８４】
すなわち、本実施の形態においては、温度センサ設置器具１６上にチューナー搭載基板１８を介して温度センサ４９を設置する。そして、温度センサ設置器具１６および温度センサ４９を、パネル１０に直接接触しない位置で、筐体内であって、かつ温度センサ４９とバックカバー３とが対向し、温度センサ４９とバックカバー３との間隙に遮蔽物を挟まない位置に配置する。このような構成にすることで、パネル１０から温度センサ４９への熱伝導量を低減し、温度センサ４９がプラズマディスプレイ装置１の周囲温度を精度よく検出できるようにしている。【００８５】
また、温度センサ設置器具１６および温度センサ４９の設置位置は、温度センサ４９がパネル１０の高さの２分の１の高さ以下でパネル１０に対向する位置に配置することが望ましい。パネル１０等によって加熱された空気は対流により上昇してプラズマディスプレイ装置１内の上方に滞留するため、温度センサ４９の設置位置の高さを低くすることで、その熱の影響を低減できるからである。【００８６】
なお、チューナー回路は使用する電圧が数Ｖと比較的低く、発生する熱も比較的小さい。また表示画像によらず常に一定の動作を行っているため、その温度変動も非常に小さい。そのため、このチューナー回路が温度センサ４９に与える影響は小さく、かつその影響も、温度センサ４９が検出する温度に対するオフセット値（以下、周囲温度に加算される温度を総称して「オフセット温度」と呼称する）とみなすことができる。したがって、温度センサ４９とチューナー回路とを同一基板（ここではチューナー搭載基板１８）に搭載しても実質的に問題とはならず、加えて、チューナー搭載基板１８の背面側に温度センサ４９を搭載することで、チューナー搭載基板１８にパネル１０で発生した熱を遮蔽させる働きを持たせることができる。【００８７】
また、温度センサ設置器具１６は、温度センサ４９の周囲を取り囲むように形成した遮蔽壁１７を有する。遮蔽壁１７は、パネル１０で発生した熱を遮る働きを有しており、これにより、温度センサ４９においては、パネル１０で発生した熱の影響をさらに低減することが可能となる。なお、遮蔽壁１７は温度センサ４９の周囲を囲むように形成することが望ましいが、加熱された空気は対流により上昇するため、その対流を遮るように温度センサ４９の下方にだけ遮蔽壁１７を設ける構成としても効果を得ることはできる。あるいは、温度センサ４９の両脇に遮蔽壁１７を設ける構成としてもよい。あるいは、必ずしも遮蔽壁１７を設けずともよく、遮蔽壁１７に代えて遮蔽壁１７と同様の働きをするものを温度センサ４９の周囲に配置する構成としてもよい。【００８８】
なお、本実施の形態では、バックカバー３に複数の通気孔４を有する通気部５を設けている。バックカバー３に設けられた通気部５は、温度センサ４９の近傍であって、かつ温度センサ４９と通気孔４とが対向しない位置に配置している。すなわち、図８Ａに示すように、通気孔４は、バックカバー３の温度センサ４９と対向する位置を中心として、所定直径７０以上離間した位置に配置している。なお所定直径７０は、例えば、２０ｍｍ以上が望ましい。なお、図８Ａに示すように、バックカバー３の温度センサ４９と対向する位置を中心として、左右に配置する構成としてもよい。また、図８Ｂに示すように、バックカバー３の温度センサ４９と対向する位置を中心として、左右、および上下に配置する構成としてもよい。すなわち、通気孔４は、バックカバー３の温度センサ４９と対向する位置を中心として、所定高さ７１と所定幅７２を有する矩形の形状より離間した位置に配置する構成としてもよい。所定高さ７１と所定幅７２は、例えば、それぞれ２０ｍｍ以上が望ましい。【００８９】
また、温度センサ４９とバックカバー３との間隔が第１所定間隔以上、第２所定間隔以下となる位置に配置している。ここで、第１所定間隔は例えば５ｍｍ±２ｍｍ、第２所定間隔は例えば１５ｍｍ±５ｍｍとなるように構成している。これは、次のような理由による。【００９０】
本発明者は、温度センサ４９が通気孔４に近すぎると、周囲温度の検出誤差が大きくなることを実験的に確認した。これは、通気孔４を介して流出入する空気が温度センサ４９に対してあたかも風のように振舞うため、温度センサ４９が通気孔４に近いほどその影響を強く受けるためと考えられる。また、温度センサ４９が通気孔４から遠すぎても、周囲温度の検出誤差が大きくなる。そして、上述した数値範囲に設定したときに、最も精度よくプラズマディスプレイ装置の周囲温度を検出することができることがわかった。したがって、これらのことから、本実施の形態では、温度センサ４９と通気孔４とを対向させない構成とし、温度センサ４９からバックカバー３までの間隔を上記数値範囲に設定した。しかし、何らこの構成や数値に限定されるものではなく、プラズマディスプレイ装置１の構成や温度センサ４９の性能、通気孔４の形状や位置等を考慮して最適に設定すればよい。【００９１】
次に、本実施の形態における温度センサ４９における検出温度と輝度倍率との関係について説明する。図１０は、本発明の一実施の形態における温度センサの検出温度Ｔと輝度倍率Ｙとの関係を示す概略図である。【００９２】
本実施の形態では、温度センサ４９で検出した温度と所定温度とを比較して、輝度倍率Ｙを制御している。具体的には、図１０に示すように、温度センサ４９で検出した温度が第１所定温度Ｔ１（本実施の形態では、４５℃）未満のときには、輝度倍率Ｙを３倍である第１所定輝度倍率Ｙ３にし、温度センサ４９で検出した温度が第１所定温度Ｔ１以上のときには、検出した温度が第２所定温度Ｔ２（本実施の形態では、６５℃）のときに輝度倍率が１倍である第２所定輝度倍率Ｙ１になるように、徐々に輝度倍率Ｙを小さくする。すなわち、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４からなる駆動回路は、温度センサ４９の検出した温度が第１所定温度Ｔ１以下の場合、輝度倍率Ｙを第1所定倍率Ｙ３とし、温度センサ４９の検出した温度が第２所定温度Ｔ２の場合、輝度倍率Ｙを第２所定倍率Ｙ１とし、温度センサ４９の検出した温度が第１所定温度Ｔ１を超える場合、輝度倍率Ｙを
Ｙ＝（Ｙ３−Ｙ１）（Ｔ−Ｔ２）／（Ｔ１−Ｔ２）＋Ｙ１
ただし、Ｙは輝度倍率、Ｔは温度センサの検出した温度、Ｔ１は第１所定温度、Ｔ２は第２所定温度、Ｙ３は第1所定倍率、Ｙ１は第２所定倍率、
の数式に基づいて制御する。【００９３】
このように、本実施の形態では、駆動回路は、温度センサ４９が検出した温度にもとづき表示画像の輝度を制御することで、パネル１０における消費電力を制御し、パネル１０の温度を調整している。これにより、パネル１０の温度を適正に保っている。これは、次のような理由による。【００９４】
パネル１０においては、画像を表示する際に発生する熱でパネル１０自体の温度が上昇する。そして、本発明者は、このときのパネル１０の温度は、パネル１０が駆動されていないときのパネル温度、すなわちプラズマディスプレイ装置１の周囲温度に、パネル１０を駆動することで発生した熱が加わった温度となることを見出した。すなわち、まったく同じ図柄の画像を表示したときでも、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度が変われば、それに応じてパネル１０の温度も変化することを確認した。【００９５】
また、パネル１０の温度上昇は表示画像および輝度倍率Ｙに依存している。したがって、パネル１０の温度が最も上昇する図柄の画像（例えば、輝度１００％のウインドウパタンでは、局所的ではあるが、輝度１００％の領域でパネル１０の温度は最も上昇する）を表示して、輝度倍率Ｙを変えながらこのときの温度上昇分を測定しておけば、周囲温度にこの温度上昇分の温度を加算することで、パネル１０において想定される最高温度を容易にかつ精度よく推定することができるようになる。【００９６】
そして、プラズマディスプレイ装置１においては、プラズマディスプレイ装置１をプラズマディスプレイ装置１における動作補償範囲の最大温度において動作させるときであっても、パネル１０の温度がパネル１０における動作補償範囲の最大温度を超えないようにしなければならない。【００９７】
図１１は、本発明の一実施の形態における周囲温度、輝度倍率Ｙ、想定される最大温度上昇、想定されるパネルの最高温度の関係を示す概略図である。【００９８】
本発明者が行った実験では、パネル１０の温度が最も上昇すると考えられるウインドウパタンを表示して輝度倍率Ｙを変化させたところ、周囲温度に対して、輝度倍率３倍では６０℃、輝度倍率２倍では５０℃、輝度倍率１倍では４０℃の温度上昇が確認された。したがって、各輝度倍率において、周囲温度に対して想定される温度上昇の最大は、６０℃、５０℃、４０℃であることがわかった。【００９９】
上述したように、例えば、プラズマディスプレイ装置１における動作補償範囲の最大温度が６０℃であり、パネル１０における動作補償範囲の最大温度が１００℃であれば、プラズマディスプレイ装置１を６０℃の環境下で使用するときに、パネル１０の温度が１００℃を超えないように、パネル１０の温度を制御しなければならない。【０１００】
すなわち、本実施の形態では、周囲温度が４０℃以下のときには輝度倍率Ｙを最大の３倍とする。また、周囲温度が５０℃のときには輝度倍率Ｙを２倍とする。そして、周囲温度がプラズマディスプレイ装置１における動作補償範囲の最大温度である６０℃のときには、輝度倍率Ｙを１倍とする。輝度倍率Ｙが３倍のときに想定される温度上昇の最大値は６０℃であり、輝度倍率Ｙが２倍のときに想定される温度上昇の最大値は５０℃であり、輝度倍率Ｙが１倍のときに想定される温度上昇の最大値は４０℃であるので、いずれの場合においても、パネル１０の動作補償範囲の最大温度を超えることはなく、動作補償範囲内で使用することが可能となる。【０１０１】
ただし、このような制御を実現するためには、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度をできるだけ精度よく検出することが重要である。そして、本実施の形態では、上述したような構成としているため、パネル１０で発生する熱等の影響を低減し、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度を精度よく検出することができる。【０１０２】
なお、上述したように、温度センサ４９で検出する温度には、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度に若干のオフセット温度が含まれる。そして、本実施の形態では、このオフセット温度を約５℃としている。したがって、第１所定温度Ｔ１を４０℃に５℃を加えた４５℃とし、第２所定温度Ｔ２を、プラズマディスプレイ装置１の動作保証温度の上限に５℃を加えた６５℃にしている。しかし、本実施の形態は、何らこれらの数値に限定されるものではなく、プラズマディスプレイ装置１の構成等を考慮して最適に設定すればよい。【０１０３】
以上説明したように、本実施の形態によれば、プラズマディスプレイ装置１を上述した構成とすることで、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度を、パネル１０で発生する熱の影響を低減して、精度よく検出することが可能となる。また、温度の検出に用いる温度センサが１つでよいため、比較的簡易に構成することが可能である。こうして検出した温度にもとづきパネル１０における消費電力を制御することで、大画面化、高輝度化されたプラズマディスプレイ装置においても、パネル１０に生じる局所的な温度変動に左右されることなくパネル１０の温度を適正に保つことができ、高品位な画像を表示することが可能となる。【０１０４】
なお、本実施の形態では、輝度倍率を制御して消費電力を制御する構成を説明したが、消費電力を制御する構成が何らこの構成に限定されるものではなく、例えばサブフィールド構成を制御して消費電力を制御する構成等、どのような構成であってもかまわない。上述した本実施の形態における周囲温度検出するための構成は、パネルの温度を調整するための構成に対して有効であり、様々な構成に利用することができる。【０１０５】
なお、上述した実験は表示電極対数１０８０の５０インチのパネルを使用して行ったものであり、上述した各数値はそのパネルにもとづき設定したものに過ぎない。本実施の形態は何らこれらの数値に限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様、構成等に合わせて、適宜最適な値に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明は、大画面化、高輝度化されたプラズマディスプレイ装置においても、比較的簡易な構成でパネルの温度を適正に保つことができ、高品位な画像表示を実現できるので、プラズマディスプレイ装置として有用である。
【図１】
2008102534.tif 000003
【図２】
2008102534.tif 000004
【図３】
2008102534.tif 000005
【図４】
2008102534.tif 000006
【図５】
2008102534.tif 000007
【図６】
2008102534.tif 000008
【図７】
2008102534.tif 000009
【図８Ａ】
2008102534.tif 000010
【図８Ｂ】
2008102534.tif 000011
【図９】
2008102534.tif 000012
【図１０】
2008102534.tif 000013
【図１１】
2008102534.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としては、サブフィールド法、すなわち、１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般に用いられている。
【０００４】
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を各電極上に形成するとともに、書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（放電のための起爆剤＝励起粒子）を発生させる。書込み期間では、表示を行うべき放電セルに選択的に書込みパルス電圧を印加して書込み放電を発生させ壁電荷を形成する（以下、この動作を「書込み」とも記す）。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルス電圧を印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
【０００５】
このとき、放電セルでは、放電の発生回数に応じた熱が生じる。そのため、この熱によりパネル自体の温度が上昇する。また、表示画像が明るいほど放電の発生回数も増加するため、パネルの温度も大きく上昇する。また、このようなパネルにおいては、放電セルの温度に依存して放電特性が変化することが一般に知られており、パネルの温度が上がりすぎると放電が不安定となり、画像表示品質が劣化する恐れがある。
【０００６】
そこで、パネルの温度に応じて生じる画像の表示品質の劣化を防止するための様々な方法が提案されている。
【０００７】
例えば、シリコン系樹脂等からなる熱伝導シートを介してパネルにシャーシを取り付けることにより、パネルで発生した熱をシャーシに効率よく伝導して、パネルの温度上昇を抑える方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
また、パネルの温度を検出し、検出した温度に応じて様々な補正を施す方法が提案されている。例えば、パネルの温度を検出するパネル温度検出部を備え、パネル温度検出部からの温度情報に応じて書込みパルス周期を変化させ、書込みを安定させるように構成されたプラズマディスプレイ装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
あるいは、入力映像信号の平均輝度レベル（Ａｖｅｒａｇｅ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｌｅｖｅｌ：ＡＰＬ）とパネルの温度とを検出し、検出したＡＰＬおよび検出した温度に応じて表示画像の輝度を制御し、パネルの消費電力を制御してパネルの温度を制御する方法が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【００１０】
しかしながら、パネルの温度はパネルの領域によって温度分布に偏りが生じるため表示領域全体が同一の温度になることはほとんどなく、また表示画像によってもパネルの温度は大きく変化する。その一方で、プラズマディスプレイ装置を構成する部品点数を削減することが強く求められており、温度センサの設置数を増加させることは難しい。
【００１１】
そのような温度センサの設置数が制限されたプラズマディスプレイ装置では、パネル全体にわたってパネルの温度を正確に検出することは難しい。そして、近年のパネルの大画面化、プラズマディスプレイ装置の大型化により、パネルの温度を正確に検出することはより困難になってきている。
【００１２】
また、近年では、画像の表示品質を高めるためにさらなる高輝度化が進められている。そして、放電電流を増大させて発光輝度を高めるように構成されたプラズマディスプレイ装置では、パネルの温度はさらに上昇しやすい。
【００１３】
このように、近年におけるプラズマディスプレイ装置の大画面化、高輝度化の傾向により、パネルの温度を適正に保つことはさらに難しくなっている。
【００１４】
しかしながら、高品位な画像を表示するためにパネルの温度を適切に制御することがますます重要になってきており、大画面化、高輝度化されたプラズマディスプレイ装置において、より簡易な構成でパネルの温度を適正に保つことが強く求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開平１０−２５４３２号公報
【特許文献２】特開２００４−６１７０２号公報
【特許文献３】特開２０００−３０５５１４号公報
【発明の概要】
【００１６】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極と維持電極とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたパネルと、パネルに対向する位置に配置するバックカバーと、バックカバーと対向する位置に配置する温度センサと、温度センサを設置する温度センサ設置器具と、前面枠およびバックカバーを有し、パネルを収容する筐体とを備え、温度センサ設置器具および温度センサは、パネルと前記バックカバーとの中間位置に配置し、パネルと温度センサ設置器具との間に遮蔽物を配置したことを特徴とする。
【００１７】
これにより、温度センサは、プラズマディスプレイ装置の周囲温度の検出を、パネルに生じる局所的な温度変動による影響を低減して行うことが可能となる。
【００１８】
また、本発明のプラズマディスプレイ装置における駆動回路は、温度センサが検出した温度にもとづき表示画像の輝度を調整してプラズマディスプレイ装置の消費電力を制御する構成としてもよい。
【００１９】
これにより、温度センサにおいて検出した温度にもとづきパネルの消費電力を制御できるので、比較的簡易な構成で、パネルにおいて想定される最高温度を、パネルの仕様の上限以下に抑えることが可能となり、パネルの温度を適正に保つことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態におけるパネルの構造を示す分解斜視図
【図２】同パネルの電極配列図
【図３】本発明の一実施の形態におけるサブフィールド構成を示す図
【図４】本発明の一実施の形態におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図５】本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図６】本発明の一実施の形態における走査電極駆動回路の回路図
【図７】本発明の一実施の形態におけるデータ電極駆動回路の回路図
【図８Ａ】本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構造の一例を示す分解斜視図
【図８Ｂ】本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構造の他の一例を示す分解斜視図
【図９】図８Ａ、図８Ｂの９−９線から見た断面図
【図１０】本発明の一実施の形態における温度センサの検出温度と輝度倍率との関係を示す概略図
【図１１】本発明の一実施の形態における周囲温度、輝度倍率、想定される最大温度上昇、想定されるパネルの最高温度の関係を示す概略図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００２２】
（実施の形態）
図１は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイパネル１０（以下、「パネル」と略記する）の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。
【００２３】
また、保護層２６は、放電セルにおける放電開始電圧を下げるために、パネルの材料として使用実績があり、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）ガスを封入した場合に２次電子放出係数が大きく耐久性に優れたＭｇＯを主成分とする材料から形成されている。
【００２４】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２５】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２６】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００２７】
図２は、本発明の一実施の形態におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。なお、図１、図２に示したように、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとは互いに平行に対をなして形成されているために、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間に大きな電極間容量Ｃｐが存在する。また、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉとデータ電極Ｄｊとが交差した部分にも電極間容量が存在する。
【００２８】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。それぞれのサブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【００２９】
各サブフィールドにおいて、初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。加えて、放電遅れを小さくし書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（放電のための起爆剤＝励起粒子）を発生させるという働きを持つ。このときの初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作（以下、「全セル初期化動作」と略記する）と、直前のサブフィールドで維持放電を行った放電セルだけで選択的に初期化放電を発生させる初期化動作（以下、「選択初期化動作」と略記する）とがある。
【００３０】
書込み期間では、後に続く維持期間において発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、輝度重みに比例した数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。このときの比例定数を「輝度倍率」と呼ぶ。
【００３１】
図３は、本発明の一実施の形態におけるサブフィールド構成を示す図である。なお、図３は、サブフィールド法における１フィールド期間の駆動波形の概略を示したものであり、駆動電圧波形の詳細は後述する。
【００３２】
本実施の形態では、１フィールドを１０のサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第１０ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ、例えば（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の輝度重みを持つものとする。そして、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第１０ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなり、放電セルで維持放電を生じさせないときの黒表示領域の輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなって、コントラストの高い画像表示が可能となる。また、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。
【００３３】
しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００３４】
なお、本実施の形態では、輝度倍率を一定にするのでなく、後述する温度センサで検出する温度にもとづき変化させる構成としている。これにより、パネル１０における消費電力を制御してパネル１０の温度を適正に保つようにしている。この詳細については後述する。
【００３５】
図４は、本発明の一実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図４には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち全セル初期化動作を行うサブフィールド（以下、「全セル初期化サブフィールド」と呼称する）と、選択初期化動作を行うサブフィールド（以下、「選択初期化サブフィールド」と呼称する）とを示しているが、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形もほぼ同様である。
【００３６】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧（以下、「上りランプ波形電圧」と呼称する）を印加する。
【００３７】
この上りランプ波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上部の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００３８】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧（以下、「下りランプ波形電圧」と呼称する）を印加する。この間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
【００３９】
なお、図４の第２ＳＦの初期化期間に示したように、初期化期間の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加してもよい。すなわち、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｉ３’から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を印加する。これにより前のサブフィールドの維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められる。また直前の維持放電によってデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部に十分な正の壁電圧が蓄積されている放電セルでは、この壁電圧の過剰な部分が放電され書込み動作に適した壁電圧に調整される。一方、前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように前半部を省略した初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して初期化放電を行う選択初期化動作となる。
【００４０】
続く書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。
【００４１】
そして、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（Ｖｅ２−Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅ２を、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態とすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００４２】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。
【００４３】
続く維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。
【００４４】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００４５】
続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電を継続して行う。
【００４６】
そして、維持期間の最後には走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間にいわゆる細幅パルス状の電圧差を与えて、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を調整している。
【００４７】
続くサブフィールドの動作は、維持期間の維持パルスの数を除いて上述の動作とほぼ同様であるため説明を省略する。以上が、本実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００４８】
なお、第１ＳＦ〜第１０ＳＦの輝度重みが（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の場合、輝度倍率が１倍であれば、各サブフィールドにおける維持パルス数は、（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）となり、輝度倍率が２倍のときには、輝度重みをそれぞれ２倍にした（２、４、６、１２、２２、３６、６０、８８、１２０、１６０）となり、輝度倍率が３倍のときには、同様に３倍にした（３、６、９、１８、３３、５４、９０、１３２、１８０、２４０）となる。そして、上述したように、本実施の形態では、後述する温度センサで検出する温度にもとづきこの輝度倍率を変化させ、１フィールド期間における維持パルスの総数を制御している。こうしてパネル１０における消費電力を制御してパネル１０の温度を適正に保つようにしている。
【００４９】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図５は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５、温度検出回路４８および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００５０】
画像信号処理回路４１は、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路４２はサブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。
【００５１】
温度検出回路４８は、温度を検出するために用いられる熱電対等の一般に知られた素子からなる温度センサ４９を有し、温度センサ４９で検出した温度とあらかじめ定めた第１所定温度とを比較して、その結果を表す信号を出力する。具体的には、検出した温度が第１所定温度未満かどうか、第１所定温度以上であれば第１所定温度よりもどれだけ大きいかを示す信号をタイミング発生回路４５に出力する。
【００５２】
なお、本実施の形態では、この第１所定温度を４５℃に設定しているが、何らこの数値に限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづいて最適な値に設定することが望ましい。
【００５３】
タイミング発生回路４５は水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよび温度検出回路４８からの出力をもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。そして、上述したように、本実施の形態においては、温度センサ４９において検出した温度にもとづいて輝度倍率を制御しており、それに応じたタイミング信号を走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４に出力する。これにより、１フィールド期間における維持パルスの総数を制御して消費電力を制御し、パネルの温度を適正に保つ制御を行う。
【００５４】
走査電極駆動回路４３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する初期化波形電圧を発生するための初期化波形発生回路（図示せず）、維持期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する維持パルス電圧を発生するための維持パルス発生回路５０、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルス電圧を発生するための走査パルス発生回路（図示せず）を有し、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎをそれぞれ駆動する。維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路６０および電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２を発生するための回路を備え、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動する。
【００５５】
ここで、各電極を駆動して放電セルに放電を発生させる各電極駆動回路においては、各電極に数十Ｖ（ボルト）から百数十Ｖといった高い電圧を印加し、かつ放電に必要な数十Ａ（アンペア）といった非常に大きな電流を流さなければならない。そのため、各電極駆動回路では非常に大きなジュール熱が発生する。また、パネル１０では各放電セルの発光・非発光を組み合わせて画像を表示するため、各放電セルにおける放電の発生も、表示画像の図柄に応じて異なる。したがって、発生する熱も、表示画像の図柄に応じて大きく変動する。
【００５６】
一方、画像信号処理回路４１やタイミング発生回路４５で扱う信号は数Ｖからせいぜい十数Ｖであって、上述の駆動回路と比較して十分に低い（以下、これらの回路を総称して「小信号処理回路」と呼称する）。また、流さなければならない電流量も十分に小さく、かつ、表示画像の図柄によらずほぼ一定の動作をするため電流量の変動も比較的少ない。そのため、発生するジュール熱は十分に小さく、その変動量も少ない。
【００５７】
次に、各電極駆動回路の詳細について説明する。まず、走査電極駆動回路４３の詳細とその動作について説明する。図６は、本発明の一実施の形態における走査電極駆動回路４３の回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路５０、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路５３、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路５４を備えている。
【００５８】
維持パルス発生回路５０は、電力回収回路５１とクランプ回路５２とを備えている。電力回収回路５１は、電力回収用のコンデンサＣ１、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２、逆流防止用のダイオードＤ１、Ｄ２、共振用のインダクタＬ１を有している。なお、電力回収用のコンデンサＣ１は電極間容量Ｃｐに比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収回路５１の電源として働くように、電圧値Ｖｓの半分の約Ｖｓ／２に充電されている。クランプ回路５２は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子Ｑ３、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子Ｑ４を有している。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき維持パルス電圧Ｖｓを発生させる。
【００５９】
例えば、維持パルス波形を立ち上げる際には、スイッチング素子Ｑ１をオンにして電極間容量ＣｐとインダクタＬ１とを共振させ、電力回収用のコンデンサＣ１からスイッチング素子Ｑ１、ダイオードＤ１、インダクタＬ１を通して走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電力を供給する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電圧がＶｓに近づいた時点で、スイッチング素子Ｑ３をオンにして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプする。
【００６０】
逆に、維持パルス波形を立ち下げる際には、スイッチング素子Ｑ２をオンにして電極間容量ＣｐとインダクタＬ１とを共振させ、電極間容量ＣｐからインダクタＬ１、ダイオードＤ２、スイッチング素子Ｑ２を通して電力回収用のコンデンサＣ１に電力を回収する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電圧が０（Ｖ）に近づいた時点で、スイッチング素子Ｑ４をオンにして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを０（Ｖ）にクランプする。
【００６１】
初期化波形発生回路５３は、スイッチング素子Ｑ１１とコンデンサＣ１０と抵抗Ｒ１０とを有し電圧Ｖｉ２までランプ状に緩やかに上昇する上りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路、スイッチング素子Ｑ１４とコンデンサＣ１１と抵抗Ｒ１１とを有し所定の初期化電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに低下する下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路、スイッチング素子Ｑ１２を用いた分離回路およびスイッチング素子Ｑ１３を用いた分離回路を備えている。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき上述した初期化波形を発生させる。なお、図６には、ミラー積分回路のそれぞれの入力端子を入力端子ＩＮａ、入力端子ＩＮｂとして示している。
【００６２】
そして、例えば、初期化波形における上りランプ波形電圧を発生させる場合には、入力端子ＩＮａに所定の電圧（例えば、１５（Ｖ））を印加して、入力端子ＩＮａを「Ｈｉ」にする。すると、抵抗Ｒ１０からコンデンサＣ１０に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１１のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に上昇し始める。
【００６３】
また、全セル初期化動作および選択初期化動作の初期化波形における下りランプ波形電圧を発生させる場合には、入力端子ＩＮｂに所定の電圧（例えば、１５（Ｖ））を印加して、入力端子ＩＮｂを「Ｈｉ」にする。すると、抵抗Ｒ１１からコンデンサＣ１１に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１４のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に下降し始める。
【００６４】
走査パルス発生回路５４は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに走査パルス電圧を出力するスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎと、スイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎの低電圧側を電圧Ｖａにクランプするためのスイッチング素子Ｑ２１と、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎを重畳した電圧Ｖｃをスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎの高電圧側に印加するためのダイオードＤ２１およびコンデンサＣ２１とを備えている。そしてスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎのそれぞれは、電圧Ｖｃを出力するためのスイッチング素子ＱＨ１〜ＱＨｎと電圧Ｖａを出力するためのスイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎとを備えている。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルス電圧Ｖａを順次発生させる。なお、走査パルス発生回路５４は、初期化期間では初期化波形発生回路５３の電圧波形を、維持期間では維持パルス発生回路５０の電圧波形をそのまま出力する。
【００６５】
そして、上述したように、走査電極駆動回路４３では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動して初期化放電、書込み放電、維持放電を発生させるため、非常に大きな電流を流さなければならず、そのため、大きなジュール熱が発生する。また、維持放電の発生は表示画像の図柄に応じて異なるため、発生する熱も、表示画像の図柄に応じて大きく変動する。
【００６６】
なお、本実施の形態では、初期化波形発生回路５３に、実用的であり比較的構成が簡易なＦＥＴを用いたミラー積分回路を採用しているが、何らこの構成に限定されるものではなく、上りランプ波形電圧および下りランプ波形電圧を発生することができる回路であればどのような回路であってもよい。
【００６７】
また、ここには図示していないが、維持電極駆動回路４４の維持パルス発生回路は維持パルス発生回路５０と同様の構成であり、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動するときの電力を回収して再利用するための電力回収回路と、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子と、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子とを有し、維持パルス電圧Ｖｓを発生させる。
【００６８】
そして、維持電極駆動回路４４においても、維持電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動して維持放電を発生させるための非常に大きな電流を流さなければならず、そのため大きなジュール熱が発生し、発生する熱は、表示画像の図柄に応じて大きく変動する。
【００６９】
次に、データ電極駆動回路４２の詳細とその動作について説明する。図７は、本発明の一実施の形態におけるデータ電極駆動回路４２の回路図である。データ電極駆動回路４２は、書込みパルス発生回路５５と、書込みパルス出力回路５８とを有する。
【００７０】
書込みパルス発生回路５５は、電力回収回路５６とクランプ回路５７とを備え、電力回収回路５６は、電力回収用のコンデンサＣ３１と、スイッチング素子Ｑ３１、Ｑ３２と、逆流防止用のダイオードＤ３１、Ｄ３２と、共振用のインダクタＬ３１とを有し、クランプ回路５７は、スイッチング素子Ｑ３３、Ｑ３４を有する。そして、データ電極Ｄｋの電極容量と共振用のインダクタＬ３１とを共振させてデータ電極Ｄｋに供給された電力を電力回収用のコンデンサＣ３１に回収して書込みパルスを発生するとともに、発生させた書込みパルスを書込みパルス出力回路５８に出力する。
【００７１】
書込みパルス出力回路５８は、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに書込みパルスを出力するスイッチ部ＯＵＴ１〜ＯＵＴｍを備えている。スイッチ部ＯＵＴ１〜ＯＵＴｍのそれぞれは、書込みパルス発生回路５５から出力される書込みパルスをデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに出力するためのスイッチング素子ＱＨ１〜ＱＨｍと、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを接地するためのスイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｍとを有している。そして、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号および画像信号処理回路４１から出力される画像データにもとづきそれらスイッチング素子を切換えて、書込みパルス発生回路５５から出力される書込みパルスを印加すべきデータ電極に出力する。
【００７２】
そして、上述したように、データ電極駆動回路４２では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動して書込み放電を発生させるため、非常に大きな放電電流を流さなければならず、そのため大きなジュール熱が発生する。また、書込み放電の発生は表示画像の図柄に応じて異なるため、発生する熱も、表示画像の図柄に応じて大きく変動する。
【００７３】
次に、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の構造について、図面を用いて説明する。なお、本実施の形態では、温度センサ４９を用いて温度の測定を行っているが、この温度センサ４９は、パネル１０の温度を測定することを目的としたものではなく、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度を測定することを目的としたものである。そして、本実施の形態では、この検出温度にもとづき輝度倍率を制御して消費電力を制御することで、比較的簡易な構成で、パネル１０に生じる局所的な温度変動に左右されることなくパネル１０の温度を適正に保ち、高品位な画像を表示することを実現している。このように、本実施の形態は、表示画像により大きく変動するパネル１０の発生熱や駆動回路の発生熱による影響をできるだけ低減し、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度を安定して検出できるように構成したことを特徴とするものである。なお、以下では、この特徴を実現するための構成について主に説明を行うものとする。
【００７４】
図８Ａは、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の構造の一例を示す分解斜視図である。そして、図８Ｂは、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の構造の他の一例を示す分解斜視図である。図９は、図８Ａ、図８Ｂの９−９線から見た断面図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０と、熱伝導シート１１と、シャーシ１２と、データ電極駆動回路４２を搭載したプリント基板であるデータ電極駆動回路搭載基板１３ａ、走査電極駆動回路４３を搭載したプリント基板である走査電極駆動回路搭載基板１３ｂ、維持電極駆動回路４４を搭載したプリント基板である維持電極駆動回路搭載基板１３ｃ、電源回路を搭載したプリント基板である電源回路搭載基板１４、タイミング発生回路４５や画像信号処理回路４１等の小信号処理回路を搭載したプリント基板である小信号処理回路搭載基板１５等からなるプリント基板群と、温度センサ設置器具１６と、チューナー搭載基板１８と、パネル１０および上述した各部材を収容する前面枠２およびバックカバー３を有する筐体とを備える。なお、以下の説明では、前面枠２側を前面とし、バックカバー３側を背面とする。
【００７５】
熱伝導シート１１は、粘着性を有する一般に知られたシリコン系樹脂等からなり、パネル１０の背面板３１とシャーシ１２との間を介在するように挿入配置してパネル１０の背面板３１とシャーシ１２とを接着する。そして、パネル１０で発生した熱を背面板３１からシャーシ１２に伝導する。
【００７６】
シャーシ１２は、軽くて剛性が高くかつ熱伝導性のよい金属として知られるアルミを主成分とする材料からなり、熱伝導シート１１を介して接着されたパネル１０を保持するとともに、熱伝導シート１１を介して伝導されるパネル１０で発生した熱を放熱する。また、シャーシ１２の背面には、プリント基板群を取り付けたりバックカバー３を固定したりするためのボス部（図示せず）を、ダイカストによる一体成型等により形成している。なお、シャーシ１２およびボス部は、例えばアルミニウム平板に固定ピンを固定して構成してもよい。
【００７７】
データ電極駆動回路搭載基板１３ａ、走査電極駆動回路搭載基板１３ｂ、維持電極駆動回路搭載基板１３ｃ、電源回路搭載基板１４、小信号処理回路搭載基板１５等からなるプリント基板群は、シャーシ１２上のボス部にボス材１２１を介して固定されている。なお、ボス材１２１は、アルミニウム、鉄の少なくともいずれか１つを含んで形成され、プリント基板群を構成する基板は、ボス材１２１より熱伝導率が低いものである。そして、プリント基板群の一部は、パネル１０の非表示領域に引き出された引き出し部（図示せず）に、シャーシ１２の四辺の縁部を越えて延びる複数のフレキシブルケーブル（ＦＰＣ）１９によって電気的に接続されている。
【００７８】
具体的には、パネル１０のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍとデータ電極駆動回路搭載基板１３ａとをデータ電極Ｄ１〜Ｄｍの引き出し部に接続されたＦＰＣ１９を介して接続する。これによりデータ電極駆動回路４２からデータ電極Ｄ１〜Ｄｍへの駆動電圧の印加が可能になる。同様に、パネル１０の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと走査電極駆動回路搭載基板１３ｂとを走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの引き出し部に接続されたＦＰＣ１９を介して接続する。これにより走査電極駆動回路４３から走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎへの駆動電圧の印加が可能になる。同様に、パネル１０の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎと維持電極駆動回路搭載基板１３ｃとを維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎの引き出し部に接続されたＦＰＣ１９を介して接続する。これにより維持電極駆動回路４４から維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎへの駆動電圧の印加が可能になる。このようにして、各駆動回路搭載基板で発生される駆動電圧をパネル１０の各電極に印加する。そして、各駆動回路搭載基板においては、放電電流にともなう大電流が発生し、それにともなう大きな熱が発生する。
【００７９】
温度センサ設置器具１６は、シャーシ１２上のボス部にボス材１２２を介して固定されている。そして、本実施の形態では、ボス材１２２をボス材１２１よりも長く形成し、小信号処理回路搭載基板１５や各駆動回路搭載基板等からなるプリント基板群よりもバックカバー３に近い位置に温度センサ設置器具１６が配置されるように構成している。こうして、温度センサ設置器具１６をパネル１０から離間した位置に配置し、パネル１０から温度センサ設置器具１６への熱伝導量を低減している。また、温度センサ設置器具１６の背面には、プリント基板を取り付けるためのボス部（図示せず）を形成している。
【００８０】
なお、ここではパネル１０から温度センサ４９への熱を遮る働きを温度センサ設置器具１６に持たせているため、温度センサ設置器具１６は、熱を遮る効果の高い材料で形成されていることが好ましいが、本実施の形態においては、何らこの材料を限定するものではなく、樹脂、金属等どのような材料で温度センサ設置器具１６を形成してもかまわない。
【００８１】
なお、本実施の形態では、温度センサ設置器具１６を小信号処理回路搭載基板１５の背後に配置した構成としている。すなわち、パネル１０と温度センサ設置器具１６との間に遮蔽物としての小信号処理回路搭載基板１５を配置している。このような構成にすることで、発熱量が大きくかつその変動量も大きい各駆動回路搭載基板から温度センサ設置器具１６を離間させることができ、さらに、発熱量が少なくかつその変動量も小さい小信号処理回路搭載基板１５にパネル１０で発生した熱を遮蔽させる働きを持たせることができるからである。なお、遮蔽物として、小信号処理回路搭載基板１５を用いた例を示したが、遮蔽物は小信号処理回路搭載基板１５に限るものではない。例えばプリント基板などのように熱伝導率の低い樹脂や金属からなる板状のものであってもよい。このような構成により、パネル１０で発生した熱を温度センサ４９から遮蔽する働きを持たせられるため、パネル１０で発生する熱の影響をさらに低減した温度検出が可能となる。
【００８２】
チューナー搭載基板１８は、アンテナ（図示せず）によって受信された放送信号等からテレビジョン信号を分離して取り出すためのチューナー回路（図示せず）を搭載しており、温度センサ設置器具１６上に形成されたボス部にボス材１６１を介して固定されている。そして、このチューナー搭載基板１８の背面側（バックカバー３側）に温度センサ４９を搭載する。前述したように、チューナー搭載基板１８の基板は、アルミニウム、鉄の少なくともいずれか１つを含んで形成されるボス材１６１より熱伝導率が低いものである。したがって、基板は、パネル１０から温度センサ４９への熱の伝導を遮る働きを有している。
【００８３】
バックカバー３は、前面枠２とともにプラズマディスプレイ装置１の筐体を形成し、パネル１０および上述した各部材を収容する。また、バックカバー３はプラズマディスプレイ装置１の内部と外部との通気を行う複数の通気孔４からなる通気部５を有する。そして、温度センサ設置器具１６および温度センサ４９を、通気孔４と温度センサ４９とが対向しない位置に配置するものとする。また、温度センサ設置器具１６および温度センサ４９を、温度センサ４９の近傍に通気部５が位置するように、かつ温度センサ４９とバックカバー３との間隙に遮蔽物が挟まれないような位置に配置するものとする。
【００８４】
すなわち、本実施の形態においては、温度センサ設置器具１６上にチューナー搭載基板１８を介して温度センサ４９を設置する。そして、温度センサ設置器具１６および温度センサ４９を、パネル１０に直接接触しない位置で、筐体内であって、かつ温度センサ４９とバックカバー３とが対向し、温度センサ４９とバックカバー３との間隙に遮蔽物を挟まない位置に配置する。このような構成にすることで、パネル１０から温度センサ４９への熱伝導量を低減し、温度センサ４９がプラズマディスプレイ装置１の周囲温度を精度よく検出できるようにしている。
【００８５】
また、温度センサ設置器具１６および温度センサ４９の設置位置は、温度センサ４９がパネル１０の高さの２分の１の高さ以下でパネル１０に対向する位置に配置することが望ましい。パネル１０等によって加熱された空気は対流により上昇してプラズマディスプレイ装置１内の上方に滞留するため、温度センサ４９の設置位置の高さを低くすることで、その熱の影響を低減できるからである。
【００８６】
なお、チューナー回路は使用する電圧が数Ｖと比較的低く、発生する熱も比較的小さい。また表示画像によらず常に一定の動作を行っているため、その温度変動も非常に小さい。そのため、このチューナー回路が温度センサ４９に与える影響は小さく、かつその影響も、温度センサ４９が検出する温度に対するオフセット値（以下、周囲温度に加算される温度を総称して「オフセット温度」と呼称する）とみなすことができる。したがって、温度センサ４９とチューナー回路とを同一基板（ここではチューナー搭載基板１８）に搭載しても実質的に問題とはならず、加えて、チューナー搭載基板１８の背面側に温度センサ４９を搭載することで、チューナー搭載基板１８にパネル１０で発生した熱を遮蔽させる働きを持たせることができる。
【００８７】
また、温度センサ設置器具１６は、温度センサ４９の周囲を取り囲むように形成した遮蔽壁１７を有する。遮蔽壁１７は、パネル１０で発生した熱を遮る働きを有しており、これにより、温度センサ４９においては、パネル１０で発生した熱の影響をさらに低減することが可能となる。なお、遮蔽壁１７は温度センサ４９の周囲を囲むように形成することが望ましいが、加熱された空気は対流により上昇するため、その対流を遮るように温度センサ４９の下方にだけ遮蔽壁１７を設ける構成としても効果を得ることはできる。あるいは、温度センサ４９の両脇に遮蔽壁１７を設ける構成としてもよい。あるいは、必ずしも遮蔽壁１７を設けずともよく、遮蔽壁１７に代えて遮蔽壁１７と同様の働きをするものを温度センサ４９の周囲に配置する構成としてもよい。
【００８８】
なお、本実施の形態では、バックカバー３に複数の通気孔４を有する通気部５を設けている。バックカバー３に設けられた通気部５は、温度センサ４９の近傍であって、かつ温度センサ４９と通気孔４とが対向しない位置に配置している。すなわち、図８Ａに示すように、通気孔４は、バックカバー３の温度センサ４９と対向する位置を中心として、所定直径７０以上離間した位置に配置している。なお所定直径７０は、例えば、２０ｍｍ以上が望ましい。なお、図８Ａに示すように、バックカバー３の温度センサ４９と対向する位置を中心として、左右に配置する構成としてもよい。また、図８Ｂに示すように、バックカバー３の温度センサ４９と対向する位置を中心として、左右、および上下に配置する構成としてもよい。すなわち、通気孔４は、バックカバー３の温度センサ４９と対向する位置を中心として、所定高さ７１と所定幅７２を有する矩形の形状より離間した位置に配置する構成としてもよい。所定高さ７１と所定幅７２は、例えば、それぞれ２０ｍｍ以上が望ましい。
【００８９】
また、温度センサ４９とバックカバー３との間隔が第１所定間隔以上、第２所定間隔以下となる位置に配置している。ここで、第１所定間隔は例えば５ｍｍ±２ｍｍ、第２所定間隔は例えば１５ｍｍ±５ｍｍとなるように構成している。これは、次のような理由による。
【００９０】
本発明者は、温度センサ４９が通気孔４に近すぎると、周囲温度の検出誤差が大きくなることを実験的に確認した。これは、通気孔４を介して流出入する空気が温度センサ４９に対してあたかも風のように振舞うため、温度センサ４９が通気孔４に近いほどその影響を強く受けるためと考えられる。また、温度センサ４９が通気孔４から遠すぎても、周囲温度の検出誤差が大きくなる。そして、上述した数値範囲に設定したときに、最も精度よくプラズマディスプレイ装置の周囲温度を検出することができることがわかった。したがって、これらのことから、本実施の形態では、温度センサ４９と通気孔４とを対向させない構成とし、温度センサ４９からバックカバー３までの間隔を上記数値範囲に設定した。しかし、何らこの構成や数値に限定されるものではなく、プラズマディスプレイ装置１の構成や温度センサ４９の性能、通気孔４の形状や位置等を考慮して最適に設定すればよい。
【００９１】
次に、本実施の形態における温度センサ４９における検出温度と輝度倍率との関係について説明する。図１０は、本発明の一実施の形態における温度センサの検出温度Ｔと輝度倍率Ｙとの関係を示す概略図である。
【００９２】
本実施の形態では、温度センサ４９で検出した温度と所定温度とを比較して、輝度倍率Ｙを制御している。具体的には、図１０に示すように、温度センサ４９で検出した温度が第１所定温度Ｔ１（本実施の形態では、４５℃）未満のときには、輝度倍率Ｙを３倍である第１所定輝度倍率Ｙ３にし、温度センサ４９で検出した温度が第１所定温度Ｔ１以上のときには、検出した温度が第２所定温度Ｔ２（本実施の形態では、６５℃）のときに輝度倍率が１倍である第２所定輝度倍率Ｙ１になるように、徐々に輝度倍率Ｙを小さくする。すなわち、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４からなる駆動回路は、温度センサ４９の検出した温度が第１所定温度Ｔ１以下の場合、輝度倍率Ｙを第1所定倍率Ｙ３とし、温度センサ４９の検出した温度が第２所定温度Ｔ２の場合、輝度倍率Ｙを第２所定倍率Ｙ１とし、温度センサ４９の検出した温度が第１所定温度Ｔ１を超える場合、輝度倍率Ｙを
Ｙ＝（Ｙ３−Ｙ１）（Ｔ−Ｔ２）／（Ｔ１−Ｔ２）＋Ｙ１
ただし、Ｙは輝度倍率、Ｔは温度センサの検出した温度、Ｔ１は第１所定温度、Ｔ２は第２所定温度、Ｙ３は第1所定倍率、Ｙ１は第２所定倍率、
の数式に基づいて制御する。
【００９３】
このように、本実施の形態では、駆動回路は、温度センサ４９が検出した温度にもとづき表示画像の輝度を制御することで、パネル１０における消費電力を制御し、パネル１０の温度を調整している。これにより、パネル１０の温度を適正に保っている。これは、次のような理由による。
【００９４】
パネル１０においては、画像を表示する際に発生する熱でパネル１０自体の温度が上昇する。そして、本発明者は、このときのパネル１０の温度は、パネル１０が駆動されていないときのパネル温度、すなわちプラズマディスプレイ装置１の周囲温度に、パネル１０を駆動することで発生した熱が加わった温度となることを見出した。すなわち、まったく同じ図柄の画像を表示したときでも、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度が変われば、それに応じてパネル１０の温度も変化することを確認した。
【００９５】
また、パネル１０の温度上昇は表示画像および輝度倍率Ｙに依存している。したがって、パネル１０の温度が最も上昇する図柄の画像（例えば、輝度１００％のウインドウパタンでは、局所的ではあるが、輝度１００％の領域でパネル１０の温度は最も上昇する）を表示して、輝度倍率Ｙを変えながらこのときの温度上昇分を測定しておけば、周囲温度にこの温度上昇分の温度を加算することで、パネル１０において想定される最高温度を容易にかつ精度よく推定することができるようになる。
【００９６】
そして、プラズマディスプレイ装置１においては、プラズマディスプレイ装置１をプラズマディスプレイ装置１における動作補償範囲の最大温度において動作させるときであっても、パネル１０の温度がパネル１０における動作補償範囲の最大温度を超えないようにしなければならない。
【００９７】
図１１は、本発明の一実施の形態における周囲温度、輝度倍率Ｙ、想定される最大温度上昇、想定されるパネルの最高温度の関係を示す概略図である。
【００９８】
本発明者が行った実験では、パネル１０の温度が最も上昇すると考えられるウインドウパタンを表示して輝度倍率Ｙを変化させたところ、周囲温度に対して、輝度倍率３倍では６０℃、輝度倍率２倍では５０℃、輝度倍率１倍では４０℃の温度上昇が確認された。したがって、各輝度倍率において、周囲温度に対して想定される温度上昇の最大は、６０℃、５０℃、４０℃であることがわかった。
【００９９】
上述したように、例えば、プラズマディスプレイ装置１における動作補償範囲の最大温度が６０℃であり、パネル１０における動作補償範囲の最大温度が１００℃であれば、プラズマディスプレイ装置１を６０℃の環境下で使用するときに、パネル１０の温度が１００℃を超えないように、パネル１０の温度を制御しなければならない。
【０１００】
すなわち、本実施の形態では、周囲温度が４０℃以下のときには輝度倍率Ｙを最大の３倍とする。また、周囲温度が５０℃のときには輝度倍率Ｙを２倍とする。そして、周囲温度がプラズマディスプレイ装置１における動作補償範囲の最大温度である６０℃のときには、輝度倍率Ｙを１倍とする。輝度倍率Ｙが３倍のときに想定される温度上昇の最大値は６０℃であり、輝度倍率Ｙが２倍のときに想定される温度上昇の最大値は５０℃であり、輝度倍率Ｙが１倍のときに想定される温度上昇の最大値は４０℃であるので、いずれの場合においても、パネル１０の動作補償範囲の最大温度を超えることはなく、動作補償範囲内で使用することが可能となる。
【０１０１】
ただし、このような制御を実現するためには、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度をできるだけ精度よく検出することが重要である。そして、本実施の形態では、上述したような構成としているため、パネル１０で発生する熱等の影響を低減し、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度を精度よく検出することができる。
【０１０２】
なお、上述したように、温度センサ４９で検出する温度には、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度に若干のオフセット温度が含まれる。そして、本実施の形態では、このオフセット温度を約５℃としている。したがって、第１所定温度Ｔ１を４０℃に５℃を加えた４５℃とし、第２所定温度Ｔ２を、プラズマディスプレイ装置１の動作保証温度の上限に５℃を加えた６５℃にしている。しかし、本実施の形態は、何らこれらの数値に限定されるものではなく、プラズマディスプレイ装置１の構成等を考慮して最適に設定すればよい。
【０１０３】
以上説明したように、本実施の形態によれば、プラズマディスプレイ装置１を上述した構成とすることで、プラズマディスプレイ装置１の周囲温度を、パネル１０で発生する熱の影響を低減して、精度よく検出することが可能となる。また、温度の検出に用いる温度センサが１つでよいため、比較的簡易に構成することが可能である。こうして検出した温度にもとづきパネル１０における消費電力を制御することで、大画面化、高輝度化されたプラズマディスプレイ装置においても、パネル１０に生じる局所的な温度変動に左右されることなくパネル１０の温度を適正に保つことができ、高品位な画像を表示することが可能となる。
【０１０４】
なお、本実施の形態では、輝度倍率を制御して消費電力を制御する構成を説明したが、消費電力を制御する構成が何らこの構成に限定されるものではなく、例えばサブフィールド構成を制御して消費電力を制御する構成等、どのような構成であってもかまわない。上述した本実施の形態における周囲温度検出するための構成は、パネルの温度を調整するための構成に対して有効であり、様々な構成に利用することができる。
【０１０５】
なお、上述した実験は表示電極対数１０８０の５０インチのパネルを使用して行ったものであり、上述した各数値はそのパネルにもとづき設定したものに過ぎない。本実施の形態は何らこれらの数値に限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様、構成等に合わせて、適宜最適な値に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明は、大画面化、高輝度化されたプラズマディスプレイ装置においても、比較的簡易な構成でパネルの温度を適正に保つことができ、高品位な画像表示を実現できるので、プラズマディスプレイ装置として有用である。
【符号の説明】
【０１０７】
１    プラズマディスプレイ装置
２    前面枠
３    バックカバー
４    通気孔
５    通気部
１０    パネル
１１    熱伝導シート
１２    シャーシ
１３ａ    データ電極駆動回路搭載基板
１３ｂ    走査電極駆動回路搭載基板
１３ｃ    維持電極駆動回路搭載基板
１４    電源回路搭載基板
１５    小信号処理回路搭載基板
１６    温度センサ設置器具
１７    遮蔽壁
１８    チューナー搭載基板
１９    フレキシブルケーブル
２１    前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
４８    温度検出回路
４９    温度センサ
５０，６０    維持パルス発生回路
５１，５６    電力回収回路
５２，５７    クランプ回路
５３    初期化波形発生回路
５４    走査パルス発生回路
５５    書込みパルス発生回路
５８    書込みパルス出力回路
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ１１，Ｑ１２，Ｑ１３，Ｑ１４，Ｑ２１，Ｑ３１，Ｑ３２，Ｑ３３，Ｑ３４，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ    スイッチング素子
Ｃ１，Ｃ１０，Ｃ１１，Ｃ２１，Ｃ３１    コンデンサ
Ｌ１，Ｌ３１    インダクタ
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ１０，Ｄ２１，Ｄ３１，Ｄ３２    ダイオード
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルに対向する位置に配置するバックカバーと、
前記バックカバーと対向する位置に配置する温度センサと、
前記温度センサを設置する温度センサ設置器具と、
前面枠および前記バックカバーを有し、前記プラズマディスプレイパネルを収容する筐体とを備え、
前記温度センサ設置器具および前記温度センサは、前記プラズマディスプレイパネルと前記バックカバーとの中間位置に配置し、
前記プラズマディスプレイパネルと前記温度センサ設置器具との間に遮蔽物を配置したことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記プラズマディスプレイパネルの背面に、前記プラズマディスプレイパネルとの間に熱伝導シートを介して配置したシャーシと、
電極を駆動する駆動回路を搭載し前記シャーシの背面に配置した駆動回路搭載基板と、
駆動回路と比較して電圧値の低い信号を処理する小信号処理回路を搭載し前記シャーシの背面に配置した小信号処理回路搭載基板とを備え、
前記温度センサ設置器具は、前記小信号処理回路搭載基板および前記駆動回路搭載基板よりもバックカバーに近い位置に配置するとともに、前記駆動回路搭載基板に対しては前記小信号処理回路搭載基板よりもさらに離間した位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記温度センサ搭載器具は、前記温度センサの周囲に、前記プラズマディスプレイパネルで発生する熱を遮る遮蔽壁を有することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記温度センサ搭載器具は、前記温度センサの周囲を取り囲むように形成した遮蔽壁を有することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記温度センサ設置器具は、前記小信号処理回路搭載基板の背面に配置したことを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記温度センサ設置器具上にボス材を介して基板を配置するとともに、前記基板上に前記温度センサを搭載したことを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記ボス材は、アルミニウム、鉄の少なくともいずれか１つを含んで形成され、
前記基板は、前記ボス材より熱伝導率が低いことを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記駆動回路は、前記温度センサが検出した温度にもとづき表示画像の輝度を制御することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記駆動回路は、前記温度センサの検出した温度が第１所定温度以下の場合、輝度倍率を第1所定輝度倍率とし、
前記温度センサの検出した温度が第２所定温度の場合、輝度倍率を第２所定輝度倍率とし、
前記温度センサの検出した温度が第１所定温度を超える場合、輝度倍率を
Ｙ＝（Ｙ３−Ｙ１）（Ｔ−Ｔ２）／（Ｔ１−Ｔ２）＋Ｙ１
ただし、Ｙは輝度倍率、Ｔは温度センサの検出した温度、Ｔ１は第１所定温度、
Ｔ２は第２所定温度、Ｙ３は第1所定輝度倍率、Ｙ１は第２所定輝度倍率、
の数式に基づいて制御することを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記バックカバーに複数の通気孔を有する通気部をさらに設け、
前記複数の通気孔は、前記バックカバーの前記温度センサと対向する位置を中心として、所定直径以上離間した位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記バックカバーに複数の通気孔を有する通気部をさらに設け、
前記複数の通気孔は、前記バックカバーの前記温度センサと対向する位置を中心として、所定高さと所定幅を有する矩形の形状より離間した位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記温度センサは、前記温度センサと前記バックカバーとの間隔が第１所定間隔以上、第２所定間隔以下となる位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記温度センサは、前記プラズマディスプレイパネルの高さの２分の１の高さ以下で、前記プラズマディスプレイパネルに対向する位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008102534.tif 000015
【図２】
2008102534.tif 000016
【図３】
2008102534.tif 000017
【図４】
2008102534.tif 000018
【図５】
2008102534.tif 000019
【図６】
2008102534.tif 000020
【図７】
2008102534.tif 000021
【図８Ａ】
2008102534.tif 000022
【図８Ｂ】
2008102534.tif 000023
【図９】
2008102534.tif 000024
【図１０】
2008102534.tif 000025
【図１１】
2008102534.tif 000026
【国際調査報告】
2008102534.tif 000027
2008102534.tif 000028
2008102534.tif 000029
2008102534.tif 000030