Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】流体静圧軸受けの特性測定装置、流体静圧軸受けの特性測定方法、及び位置決め装置の動特性を求める方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定物である流体静圧軸受けが載置される固定ベースと；
前記流体静圧軸受けの所定方向の一側に配置された所定質量を有する移動体と；
前記移動体を前記所定方向に案内する案内機構と；
前記移動体に取り付けられ該移動体に作用する前記所定方向の力を計測する第１のセンサと；
前記移動体を前記所定方向に駆動するアクチュエータと；
前記アクチュエータに、前記移動体の前記所定方向の位置を制御するための第１の駆動信号及び前記移動体に微振動を与えるための第２の駆動信号を与える制御装置と；
前記移動体の位置に関連する物理量を計測する第２のセンサと；
前記第１及び第２のセンサの出力より得られる前記移動体に作用する力と前記流体静圧軸受けと前記移動体との間の隙間寸法との関係に基づいて前記流体静圧軸受けの静特性を演算する第１の演算装置と；
前記移動体が微振動する際の前記第１及び第２のセンサの出力に基づいて前記流体静圧軸受けの動特性を演算する第２の演算装置とを有する流体静圧軸受けの特性測定装置。
【請求項２】
前記移動体の質量をｍ、前記流体静圧軸受けの剛性をＫとして、前記移動体の振動数が、
０≦√（Ｋ／ｍ）／（２π）≦１０００  （０Ｈｚはスクイーズを測定できることを示す）
となる条件を満たすことを特徴とする請求項１に記載の流体静圧軸受けの特性測定装置。
【請求項３】
流体静圧軸受けを用いた位置決め装置の動特性を求める方法であって、
請求項１又は２に記載の特性測定装置を用いて流体静圧軸受けの伝達関数を測定する工程と；
前記測定した伝達関数をカーブフィットし、さらに線形近似を行ない前記流体静圧軸受けの線形要素近似モデルを求める工程と；
前記求めた前記流体静圧軸受けの線形要素近似モデルを、前記位置決め装置のモデルに適用してシミュレーションする工程とを含む前記位置決め装置の動特性を求める方法。
【請求項４】
ガイド面との間に隙間を形成する流体静圧軸受けと；
前記ガイド面側から前記隙間に振動を与えるアクチュエータと；
前記隙間と前記振動とに基づいて、前記流体静圧軸受けの特性を演算する演算装置とを備えたことを特徴とする流体静圧軸受けの特性測定装置。
【請求項５】
前記アクチュエータは、前記ガイド面と前記流体静圧軸受けとの間の前記隙間を調整することを特徴とする請求項４に記載の流体静圧軸受けの特性測定装置。
【請求項６】
ガイド面との間に隙間を形成する流体静圧軸受けと；
前記流体静圧軸受けとは非接触で、前記隙間に振動を与えるアクチュエータと；
前記隙間と前記振動とに基づいて、前記流体静圧軸受けの特性を演算する演算装置とを備えたことを特徴とする流体静圧軸受けの特性測定装置。
【請求項７】
前記アクチュエータは、前記ガイド面側から前記隙間に振動を与えることを特徴とする請求項６に記載の流体静圧軸受けの特性測定装置。
【請求項８】
ガイド面との間に隙間を形成する流体静圧軸受けの特性測定方法において、
アクチュエータを用いて、前記ガイド面側から前記隙間に振動を与えるステップと；
前記隙間と前記振動とに基づいて、前記流体静圧軸受けの特性を演算するステップとを含むことを特徴とする流体静圧軸受けの特性測定方法。
【請求項９】
前記アクチュエータは、前記ガイド面と前記流体静圧軸受けとの間の前記隙間を調整することを特徴とする請求項８に記載の流体静圧軸受けの特性測定方法。
【請求項１０】
ガイド面との間に隙間を形成する流体静圧軸受けの特性測定方法において、
前記流体静圧軸受けとは非接触のアクチュエータにより、前記隙間に振動を与えるステップと；
前記隙間と前記振動とに基づいて、前記流体静圧軸受けの特性を演算するステップとを含むことを特徴とする流体静圧軸受けの特性測定方法。
【請求項１１】
前記アクチュエータは、前記ガイド面側から前記隙間に振動を与えることを特徴とする請求項１０に記載の流体静圧軸受けの特性測定方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
これによれば、請求項１又は２に記載の特性測定装置を用いて、流体静圧軸受けの伝達関数を上記の如くして測定し、この測定した伝達関数をカーブフィットし、さらに線形近似を行うことにより流体静圧軸受けの線形要素近似モデルを求める。そして、これを前記位置決め装置のモデルに適用してシミュレーションを行う。これにより、シミュレーションにより流体静圧軸受けを用いた位置決め装置の動特性を正確に求めることが可能になる。
請求項４記載の発明は、ガイド面（５４）との間に隙間を形成する流体静圧軸受け（１２）と；ガイド面（５４）側から前記隙間に振動を与えるアクチュエータ（２２）と；前記隙間と前記振動とに基づいて、流体静圧軸受け（１２）の特性を演算する演算装置（８０Ｃ）とを有する。
請求項５記載の発明は、アクチュエータが（２２）ガイド面（５４）と流体静圧軸受け（１２）との間の前記隙間を調整している。
請求項６記載の発明は、ガイド面（５４）との間に隙間を形成する流体静圧軸受け（１２）と；流体静圧軸受け（１２）とは非接触で、前記隙間に振動を与えるアクチュエータ（２２）と；前記隙間と前記振動とに基づいて、流体静圧軸受け（１２）の特性を演算する演算装置（８０Ｃ）とを有する。
請求項７記載の発明は、アクチュエータ（２２）がガイド面（５４）側から前記隙間に振動を与えている。
請求項８記載の発明は、ガイド面（５４）との間に隙間を形成する流体静圧軸受け（１２）の特性測定方法であって、アクチュエータ（２２）を用いて、ガイド面（５４）側から前記隙間に振動を与えるステップと；前記隙間と前記振動とに基づいて、流体静圧軸受け（１２）の特性を演算するステップとを含んでいる。
請求項９記載の発明は、アクチュエータ（２２）がガイド面（５４）と流体静圧軸受け（１２）との間の前記隙間を調整している。
請求項１０記載の発明は、ガイド面（５４）との間に隙間を形成する流体静圧軸受け（１２）の特性測定方法であって、流体静圧軸受け（１２）とは非接触のアクチュエータ（２２）により、前記隙間に振動を与えるステップと；前記隙間と前記振動とに基づいて、流体静圧軸受け（１２）の特性を演算するステップとを含んでいる。
請求項１１記載の発明は、アクチュエータ（２２）がガイド面（５４）側から前記隙間に振動を与えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
また、請求項３に記載の発明によれば、シミュレーションにより流体静圧軸受けを用いた位置決め装置の動特性を正確に求めることができ、これによりシミュレーションにより、位置決め装置の動特性を評価したり、あるいは所望の特性の位置決め装置を容易に設計したりできるようになる。
請求項４〜１１に記載の各発明によれば、流体静圧軸受けの特性を正確に測定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素ごとに設けられた画素電極と、前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記画素電極よりも下層に形成され、前記画素電極同士の隙間を遮蔽するように設けられた遮光膜とが同一基板上に形成され、
前記遮光膜は、電極層と、該電極層上に形成された可視光を吸収する光吸収層を少なくとも１層有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、前記光吸収層は、真性もしくは実質的に真性な非晶質シリコン膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１において、前記光吸収層は、ＰＩＮ接合を有する非晶質シリコン膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１において、前記光吸収層は、真性もしくは実質的に真性な非晶質シリコンゲルマニウム膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
複数の画素ごとに設けられた画素電極と、各前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記画素電極よりも下層に形成され、前記画素電極同士の隙間を遮蔽するように設けられた遮光膜とが同一基板上に形成され、
前記遮光膜は、電極層と、該電極層上に形成された顔料、カーボン又はグラファイトが分散された絶縁膜とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
複数の画素ごとに設けられた画素電極と、前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記画素電極よりも下層に形成され、前記画素電極同士の隙間を遮蔽するように設けられた遮光膜とが同一基板上に形成され、
前記遮光膜は、電極層と、該電極層上に形成された顔料、カーボン又はグラファイトが分散された絶縁膜とを有し、
前記遮光膜と前記画素電極が重なってリング状の容量が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、前記絶縁膜は樹脂膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
複数の画素ごとに設けられた画素電極と、前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記画素電極よりも下層に形成され、前記画素電極同士の隙間を遮蔽するように設けられた遮光膜とが同一基板上に形成され、
前記遮光膜は、電極層と、該電極層上に形成された黒色の樹脂膜とを有し、
前記遮光膜と前記画素電極が重なってリング状の容量が形成されていることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月7日(2004.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機樹脂に上下が挟まれた導電層を有する液晶表示装置において、
前記導電層の上には無機層が設けられ、
前記導電層の下の有機樹脂は表面が平坦化され、
前記導電層と前記無機層は概略同一形状を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
表面が平坦な有機樹脂の上に形成された、ブラックマトリクスと画素電極とから構成される蓄積容量を有する液晶表示装置において、
前記ブラックマトリクスと画素電極との間に複数の絶縁膜が配設され、
前記複数の絶縁膜の前記ブラックマトリクスに接する層は、無機層からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
表面が平坦な有機樹脂からなる層間絶縁膜の上に形成された、ブラックマトリクスと画素電極とから構成される蓄積容量を有する液晶表示装置において、
前記ブラックマトリクスと画素電極との間に複数の絶縁膜が配設され、
前記複数の絶縁膜の前記ブラックマトリクスに接する層は、無機層からなり、
前記無機層は前記ブラックマトリクスと概略同一形状にパターニングされていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記無機層は酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、前記複数の絶縁膜の最も表面に近い層は平坦化された有機樹脂層であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記有機樹脂はポリイミドまたはアクリルからなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板の上に薄膜トランジスタを形成する第１の工程と、
前記薄膜トランジスタの上に有機樹脂からなる層を形成する第２の工程と、
前記有機樹脂からなる層の上に導電層を形成する第３の工程と、
前記導電層の上に少なくとも１層の無機層を形成する第４の工程と、
平坦化された有機樹脂層を設ける第５の工程とを有し、
前記第４の工程と前記第５の工程の間に少なくとも１回のパターニング工程を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板の上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタを覆って第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜の上に表面が平坦な有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜の上にブラックマトリクスを形成する工程と、
前記ブラックマトリクスの上に無機層を形成する工程と、
前記ブラックマトリクスと前記無機層とを概略同一形状にパターニングする工程と、
該工程の後に、有機樹脂からなる第３の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタのドレイン領域と電気的に接続している画素電極を形成する工程とを有し、
前記画素電極と前記パターニングされたブラックマトリクスとが蓄積容量を形成していることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板の上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタを覆って第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜の上に表面が平坦な有機樹脂からなる第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜の上にブラックマトリクスを形成する工程と、
前記ブラックマトリクスをパターニングする工程と、
前記パターニングされたブラックマトリクスを陽極酸化する工程と、
該工程の後に、有機樹脂からなる第３の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタのドレイン領域と電気的に接続している画素電極を形成する工程とを有し、
前記画素電極と前記パターニングされたブラックマトリクスとが蓄積容量を形成していることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７または請求項８において、前記無機層は酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素からなることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月2日(2004.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネル
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に表示部とセンサ部と、
を有し、
前記表示部は、
マトリクス状の画素電極と、
前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子と、
を有し、
前記センサ部は、
光電変換素子と、
前記光電変換素子に接続された第２のアクティブ素子と、
を有し、
前記センサ部を囲って前記基板を底部とする溝部が設けられ、且つ、前記溝部には光吸収物が埋め込まれていることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネル。
【請求項２】
請求項１において、
前記溝部の幅は、０．０１μｍ以上であることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネル。
【請求項３】
請求項１において、
前記溝部の幅は、１０μｍ〜５ｃｍであることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネル。
【請求項４】
請求項１において、
前記溝部の幅は、１００μｍ〜３ｃｍであることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネル。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記光吸収物は、顔料またはカーボン系材料が分散された有機樹脂材料からなることを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネル。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板の一方の面に設けられた遮光物と、
前記第２の基板の他方の面に設けられた光吸収物と、
を有することを特徴とするイメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネル。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月21日(2004.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及びその作製方法並びに表示装置を用いた電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状の画素電極と、前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子を有する画素マトリクスを有する表示部と、光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第２のアクティブ素子を有するセンサ部とが同一基板上に設けられ、
前記光電変換素子は、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第２の電極とを有し、
前記センサ部には、前記第２の電極上に保護膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
絶縁膜上に設けられたマトリクス状の画素電極と、前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子を有する画素マトリクスを有する表示部と、光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第２のアクティブ素子を有するセンサ部とが同一基板上に設けられ、
前記光電変換素子は、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第２の電極とを有し、
前記センサ部には、前記第２の電極上に保護膜が設けられており、
前記保護膜は、前記表示部の前記絶縁膜と同一の膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記保護膜は、樹脂膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１または２において、前記保護膜は、無機絶縁材料からなる膜と、前記無機絶縁材料からなる膜上に形成された樹脂膜とからなることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３または４において、前記樹脂膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルのいずれか一であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子は、それぞれＴＦＴであることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６において、前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子は、それぞれトップゲイト型であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項６において、前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子は、それぞれボトムゲイト型であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記画素電極の配列と、前記光電変換素子の配列とが同じであることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の表示装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１０において、前記電子機器は、ノート型パソコン、テレビ電話、携帯情報端末機のいずれか一であることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
マトリクス状の画素電極と、前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子を有する画素マトリクスを有する表示部と、光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第２のアクティブ素子を有するセンサ部とが同一の基板上に設けられた表示装置の作製方法であって、
前記基板上に、前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子を形成し、
前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子を覆う第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして、前記第２のアクティブ素子に接続する第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に光電変換層を形成し、
前記光電変換層上に透明導電膜からなる第２の電極を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の電極上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
マトリクス状の画素電極と、前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子を有する画素マトリクスを有する表示部と、光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第２のアクティブ素子を有するセンサ部とが同一の基板上に設けられた表示装置の作製方法であって、
前記基板上に、前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子を形成し、
前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子とを少なくとも覆う第１の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして、前記第１のアクティブ素子を遮光する遮光膜と前記第２のアクティブ素子に接続する第１の電極とを形成し、
前記第１の電極上に光電変換層を形成し、
前記光電変換層上に透明導電膜からなる第２の電極を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記遮光膜、及び前記第２の電極上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、前記第２の絶縁膜によって前記第２のアクティブ素子を保護することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、前記第２の絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、前記第２の絶縁膜は、無機絶縁材料からなる膜と、前記無機絶縁材料からなる膜上に形成された樹脂膜とからなることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６において、前記樹脂膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルのいずれか一であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のスイッチ動作でストロボ装置の主コンデンサへの充電を開始させると共に、赤目緩和用光源を点灯させる制御手段を有するカメラシステムにおいて、
前記制御手段は、前記主コンデンサの充電電圧を検出する電圧検出手段で検出した前記主コンデンサの充電電圧が充電完了前の所定の電圧レベルになると、前記赤目緩和用光源を点灯させることを特徴とするカメラシステム。
【請求項２】
第１のスイッチ動作でストロボ装置の主コンデンサへの充電を開始させると共に、赤目緩和用光源を点灯させる制御手段を有するカメラシステムにおいて、
前記制御手段は、電源電池の電圧を検出する電圧検出手段で検出した前記電源電池の電圧が前記主コンデンサの充電完了前での所定の電圧レベルになると、前記赤目緩和用光源を点灯させることを特徴とするカメラシステム。
【請求項３】
請求項１または２において、前記制御手段は、前記第１のスイッチ動作のオンで、点灯している前記赤目緩和用光源を消灯させるための計時手段を動作させることを特徴とするカメラシステム。
【請求項４】
請求項３において、前記計時手段は、少なくとも赤目緩和に必要な時間を計時するものであることを特徴とするカメラシステム。
【請求項５】
請求項１、２、３または４において、前記赤目緩和用光源がプリ照射光源によるものであることを特徴とするカメラシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本出願に係る発明の目的は、赤目緩和のためのプリ照射を迅速に実行してシャッタチャンスを逃すことのないカメラシステムを提供しようとするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図１において、１は電源であるところの電池、２は電源バックアップ用のコンデンサー、３はダイオード、４はカメラ全体の制御を行う制御装置（ＣＰＵ）、５は電池電圧を検出する電池電圧検出回路である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第１ストロークスイッチ（ＳＷ１）１１がオンされたと判断すると、ＳＴＥＰ１０３へ進み、ここで、電池電圧検出回路５により電源電池１にカメラ動作に必要な電圧があるか否かを所定の電圧と比較して判断する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図４は以上の動作を時系列的に示すタイミングチャートで、同図に示すように、ストロボのメインコンデンサーの電圧が第１の所定電圧よりも高い時（充電完了信号検出前）に赤目緩和用光源であるランプ７を点灯させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
以降は第１の実施の形態と同じであり、タイミングチャートは図５に示すように、充電が開始されると電源電池の電圧は急激に降下するが徐々に復帰し始め、充電の途中ではあるが、電源電池の電圧のレベルがレベル１に達すると赤目緩和用のランプ７を点灯する。すなわち、ランプ７の点灯から充電が完了するまでの時間Ｔ２’の分だけ、赤目緩和動作を行う時にレリーズタイムラグが削減でき、且つ赤目緩和の効果も得られる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999095291.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1999095291.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロータマグネットに対向配置されるとともに互いに接合され、駆動コイル巻回用ボビンが取り付けられる一対のステータヨークと、これらステータヨークを支持する支持部材とを有するマグネット駆動装置において、前記両ステータヨークの接合部は前記ボビンによって当接状態に保持されており、
前記支持部材は、前記両ステータヨークを前記接合部が圧接する方向に付勢する付勢部を有することを特徴とするマグネット駆動装置。
【請求項２】
前記ボビンに、このボビン内に挿入される前記接合部を互いに当接させる位置にガイドするガイド部を設けたことを特徴とする請求項１に記載のマグネット駆動装置。
【請求項３】
前記両ステータヨークは、前記支持部材により回動可能に支持されており、
前記付勢部は、前記両ステータヨークを前記接合部が圧接する回動方向に付勢することを特徴とする請求項１又は２に記載のマグネット駆動装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずかれかに記載のマグネット駆動装置を駆動源として備えたことを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載のマグネット駆動装置と、このマグネット駆動装置により駆動されて光通過用開口の面積を変化させる絞り手段とを有することを特徴とする光量調節装置。
【請求項６】
請求項１から３のいずれかに記載のマグネット駆動装置を備えたことを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
５は小絞り開口５ａと開放開口５ｂとを有し、絞り地板４に対して図中上下方向にスライド可能な光量変更板である。光量変更板５の上部には、左右方向に延びる長穴が形成されており、この長穴には、ロータマグネット２に一体回動可能に取り付けられた駆動アーム６の先端ピンが係合している。なお、絞り地板４には、駆動アーム６の回動範囲を上記駆動範囲Ｓｅ（規制位置１０，１１の間）内に規制するストッパー部（図示せず）が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
５は小絞り開口５ａと開放開口５ｂとを有し、絞り地板４に対して図中上下方向にスライド可能な光量変更板である。光量変更板５の上部には、左右方向に延びる長穴が形成されており、この長穴には、ロータマグネット２に一体回動可能に取り付けられた駆動アーム６の先端ピンが係合している。なお、絞り地板４には、駆動アーム６の回動範囲を上記駆動範囲Ｓｅ（規制位置１０，１１の間）内に規制するストッパー部（図示せず）が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
１１はミラー制御回路で、マイクロコンピュータ１の制御信号に従って、撮影光路に対して斜設されて撮影レンズからの入射像をファインダー１８に導いたり撮影光路から待避して上記入射像をフィルム面２０に投影させたりするミラー１７のアップ（待避）／ダウン（斜設）駆動を行う。
次に、このように構成されたカメラ（マイクロコンピュータ１）の動作について、図２のフローチャートを用いて説明する。まずｍ１では、ＲＡＭのクリア、内部回路の初期化等の設定を行う。次に、ｍ２に進んで、スイッチセンス回路４と通信を行い、各種スイッチ（ＳＷ１、ＦＥロックスイッチ等の）情報を受け取る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
こうして合焦状態が得られた後、ｓ１５に進んでＳＷ２がオンか否かを判別しし、オンのときにはｓ１６に進んで、シャッターユニット１５を動作させる。なお、ＳＷ２がオフのときにはｓ１７に進み、ＳＷ１がオンか否かを判別する。そして、ＳＷ１がオンのときはｓ２に戻り、オフのときはフローを終了する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1999095306.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリメチルメタクリレート系樹脂からなる芯と、ビニリデンフロライドとテトラフロロエチレンとヘキサフロロプロペンからなる３元共重合体であって、ビニリデンフロライド成分が４０〜６２モル％、テトラフロロエチレン成分が２８〜４０モル％、ヘキサフロロプロペン成分が８〜２２モル％の範囲にあり、ナトリウムＤ線で２０℃で測定した屈折率が１．３５０〜１．３８０の範囲にあり、２３℃におけるショアＤ硬度(ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０)の値が３５〜４５の範囲にあり、メルトフローインデックス（２３０℃、荷重３．８Ｋｇ、オリフィスの直径２ｍｍ、長さ８ｍｍ条件）が５ｇ／１０分〜１００ｇ／１０分の流動性を示す樹脂からなる鞘とを有する高ＮＡプラスチック光ファイバ裸線の外側に、１２０℃以上の融点を有しかつビカット軟化温度（ＡＳＴＭ  Ｄ１５２５）が１１０℃以上であるビニリデンフロライド系樹脂からなる保護層を２μｍ〜３００μｍの厚さに密着して被覆した高ＮＡプラスチック光ファイバ素線。
【請求項２】
ポリメチルメタクリレート系樹脂からなる芯と、ビニリデンフロライドとテトラフロロエチレンとヘキサフロロプロペンからなる３元共重合体であって、ビニリデンフロライド成分が４０〜６２モル％、テトラフロロエチレン成分が２８〜４０モル％、ヘキサフロロプロペン成分が８〜２２モル％の範囲にあり、ナトリウムＤ線で２０℃で測定した屈折率が１．３５０〜１．３８０の範囲にあり、２３℃におけるショアＤ硬度(ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０)の値が３５〜４５の範囲にあり、メルトフローインデックス（２３０℃、荷重３．８Ｋｇ、オリフィスの直径２ｍｍ、長さ８ｍｍ条件）が５ｇ／１０分〜１００ｇ／１０分の流動性を示す樹脂からなる鞘とを有する高ＮＡプラスチック光ファイバ裸線の外側に、ナイロン１２又は１１樹脂からなる保護層を２μｍ〜３００μｍの厚さに密着して被覆した高ＮＡプラスチック光ファイバ素線。
【請求項３】
上記保護層が黒色の光遮蔽樹脂からなる請求項１または２の高ＮＡプラスチック光ファイバ素線。
【請求項４】
ポリメチルメタクリレート系樹脂からなる芯と、ビニリデンフロライドとテトラフロロエチレンとヘキサフロロプロペンからなる３元共重合体であって、ビニリデンフロライド成分が４０〜６２モル％、テトラフロロエチレン成分が２８〜４０モル％、ヘキサフロロプロペン成分が８〜２２モル％の範囲にあり、ナトリウムＤ線で２０℃で測定した屈折率が１．３５０〜１．３８０の範囲にあり、２３℃におけるショアＤ硬度(ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０)の値が３５〜４５の範囲にあり、メルトフローインデックス（２３０℃、荷重３．８Ｋｇ、オリフィスの直径２ｍｍ、長さ８ｍｍ条件）が５ｇ／１０分〜１００ｇ／１０分の流動性を示す樹脂からなる鞘とを有する高ＮＡプラスチック光ファイバ裸線の外側に、ポリエチレンからなる被覆層を形成した高ＮＡプラスチック光ファイバケーブル。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかのプラスチック光ファイバ素線の外側に、熱可塑性樹脂からなる被覆層を形成した高ＮＡプラスチック光ファイバケーブル。
【請求項６】
上記熱可塑性樹脂がポリアミド系樹脂である請求項５のプラスチック光ファイバケーブル。
【請求項７】
自動車内の配線として使用する請求項６のプラスチック光ファイバケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】  【課題を解決するための手段】
本発明は第１に、ポリメチルメタクリレート系樹脂からなる芯と、ビニリデンフロライドとテトラフロロエチレンとヘキサフロロプロペンからなる３元共重合体であって、ビニリデンフロライド成分が４０〜６２モル％、テトラフロロエチレン成分が２８〜４０モル％、ヘキサフロロプロペン成分が８〜２２モル％の範囲にあり、ナトリウムＤ線で２０℃で測定した屈折率が１．３５０〜１．３８０の範囲にあり、２３℃におけるショアＤ硬度(ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０)の値が３５〜４５の範囲にあり、メルトフローインデックス（２３０℃、荷重３．８Ｋｇ、オリフィスの直径２ｍｍ、長さ８ｍｍ条件）が５ｇ／１０分〜１００ｇ／１０分の流動性を示す樹脂からなる鞘とを有する高ＮＡプラスチック光ファイバ裸線の外側に、１２０℃以上の融点を有しかつビカット軟化温度（ＡＳＴＭ  Ｄ１５２５）が１１０℃以上であるビニリデンフロライド系樹脂からなる保護層を２μｍ〜３００μｍの厚さに密着して被覆した高ＮＡプラスチック光ファイバ素線である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、第２の発明は、上記高ＮＡプラスチック光ファイバ裸線の外側に、ナイロン１２又は１１からなる保護層を２μｍ〜３００μｍの厚さに密着して被覆した高ＮＡプラスチック光ファイバ素線である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
またさらに、第３の発明は、上記素線において保護層樹脂が黒色の光遮蔽樹脂である高ＮＡプラスチック光ファイバ素線である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第４の発明は、上記裸線の外側に、ポリエチレンからなる被覆層を形成した高ＮＡプラスチック光ファイバケーブルである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第５の発明は、上記素線の外側に、熱可塑性樹脂からなる被覆層を形成した高ＮＡプラスチック光ファイバケーブルであり、第６の発明は該熱可塑性樹脂がポリアミド系樹脂からなる被覆層を形成した高ＮＡプラスチック光ファイバケーブルであり、第７の発明は該ポリアミド系樹脂被覆のケーブルを車載用配線に使用するものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
プラスチック光ファイバとしての使用に耐えるには、鞘樹脂が余り柔らか過ぎても実用化できない。柔らか過ぎる鞘樹脂は鞘がべたつき、裸線同士が融着してしまい、ボビンに巻き取ることができず、機械的な締付によって鞘が流れるなど、ファイバの信頼性が損なわれるためである。本発明において屈折率と透明性と硬度を満足する鞘樹脂は、ビニリデンフロライド成分が４０〜６２モル％、テトラフロロエチレン成分が２８〜４０モル％、ヘキサフロロプロペン成分が８〜２２モル％の範囲にあり、２３℃におけるショアＤ硬度（ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０）が３５〜４５の範囲にある樹脂である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリメチルメタクリレート系の芯樹脂からなる７本以上の芯繊維と、その各々の芯繊維の周りを、鞘樹脂としてビニリデンフロライドとテトラフロロエチレンとヘキサフロロプロペンからなる３元共重合体であって、ビニリデンフロライド成分が４０〜６２モル％、テトラフロロエチレン成分が２８〜４０モル％、ヘキサフロロプロペン成分が８〜２２モル％の範囲にあり、ナトリウムＤ線で２０℃で測定した屈折率が１．３５０〜１．３８０の範囲にあり、２３℃におけるショアＤ硬度（ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０）の値が３５〜４５の範囲にあり、メルトフローインデックス（２３０℃、荷重３．８Ｋｇ、オリフィスの直径２ｍｍ、長さ８ｍｍ条件）が５ｇ／１０分〜１００ｇ／分の流動性を示す樹脂でとり囲み、それらを一纏めになるように複合紡糸してなる多芯プラスチック光ファイバ裸線。
【請求項２】
請求項１の多芯プラスチック光ファイバ裸線の外側に、１２０℃以上の融点を有しかつビカット軟化温度（ＡＳＴＭ１５２５）が１１０℃以上であるビニリデンフロライド系樹脂からなる厚さ１０μｍ〜３００μｍの保護層を形成した多芯プラスチック光ファイバ素線。
【請求項３】
請求項１の多芯プラスチック光ファイバ裸線の外側に、熱可塑性樹脂からなる被覆層を形成してなる多芯プラスチック光ファイバケーブル。
【請求項４】
請求項２の多芯プラスチック光ファイバ素線の外側に、熱可塑性樹脂からなる被覆層を形成してなる多芯プラスチック光ファイバケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】  【課題を解決するための手段】
本発明は、ポリメチルメタクリレート系の芯樹脂からなる７本以上の芯繊維と、その各々の芯繊維の周りを、鞘樹脂としてビニリデンフロライドとテトラフロロエチレンとヘキサフロロプロペンからなる３元共重合体であって、ビニリデンフロライド成分が４０〜６２モル％、テトラフロロエチレン成分が２８〜４０モル％、ヘキサフロロプロペン成分が８〜２２モル％の範囲にあり、ナトリウムＤ線で２０℃で測定した屈折率が１．３５０〜１．３８０の範囲にあり、２３℃におけるショアＤ硬度（ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０）の値が３５〜４５の範囲にあり、メルトフローインデックス（２３０℃、荷重３．８Ｋｇ、オリフィスの直径２ｍｍ、長さ８ｍｍ条件）が５ｇ／１０分〜１００ｇ／分の流動性を示す樹脂でとり囲み、それらを一纏めになるように複合紡糸してなる多芯プラスチック光ファイバ裸線と、その外側に熱可塑性樹脂からなる被覆層を形成してなる多芯プラスチック光ファイバケーブルと、さらに上記多芯プラスチック光ファイバ裸線の外側に、１２０℃以上の融点を有しかつビカット軟化温度（ＡＳＴＭ１５２５）が１１０℃以上であるビニリデンフロライド系樹脂からなる厚さ１０μｍ〜３００μｍの保護層を形成した多芯プラスチック光ファイバ素線と、該素線の外側を熱可塑性樹脂で保護被覆してなるケーブルである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月22日(2004.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２種類以上の分子骨格の異なる赤外線吸収色素を、ポリエステル樹脂中に分散、含有させ、これを透明基材上にコーティングした構成からなる赤外線吸収フィルタであって、前記ポリエステル樹脂は比重が１．０５〜１．３５の範囲で、ガラス転移温度が４５℃以上であり、かつ、前記赤外線吸収色素の溶解度が１wt％以上であることを特徴とする赤外線吸収フィルタ。
【請求項２】
請求項１記載の赤外吸収色素として、少なくともジイモニウム化合物、含フッ素フタロシアニン系化合物及び、ニッケル錯体系化合物のいずれかの色素を含有していることを特徴とする赤外線吸収フィルタ。
【請求項３】
請求項２記載の赤外線吸収色素の配合比がジイモニウム化合物１〜０．４重量部、含フッ素フタロシアニン系化合物０．５〜０．０１重量部、ニッケル錯体系化合物１〜０．４重量部である事を特徴とする赤外線吸収フィルタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに於いて前記透明基材がポリエステルフィルムであることを特徴とする赤外線吸収フィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、近赤外領域に急峻な吸収があり、可視領域の光透過性が高く、且つ、可視領域に特定波長の大きな吸収を持つことがなく、更に、加工性及び生産性の良好な近赤外線吸収フィルタを提供するものである。即ち本発明は、少なくとも２種類以上の分子骨格の異なる赤外線吸収色素を、ポリエステル樹脂中に分散、含有させ、これを透明基材上にコーティングした構成からなる赤外線吸収フィルタであって、前記ポリエステル樹脂は比重が１．０５〜１．３５の範囲で、ガラス転移温度が４５℃以上であり、かつ、前記赤外線吸収色素の溶解度が１wt％以上であることを特徴とする赤外線吸収フィルタである。また、赤外吸収色素として、少なくともジイモニウム化合物、含フッ素フタロシアニン系化合物及び、ニッケル錯体系化合物のいずれかを含有していることを特徴とする赤外線吸収フィルタである。それぞれの色素の配合比は、ジイモニウム化合物１〜０．４重量部、含フッ素フタロシアニン系化合物０．５〜０．０１重量部、ニッケル錯体系化合物１〜０．４重量部の赤外線吸収フィルタである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月8日(2004.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面の像を第２面に投影する投影光学系において、
前記第１面側から第２面側に向けて順に、２枚以上の正レンズを含む正屈折力の第１レンズ群と、２枚以上の負レンズを含む負屈折力の第２レンズ群と、３枚以上の正レンズを含む正屈折力の第３レンズ群と、２枚以上の負レンズを含む負屈折力の第４レンズ群と、連続した少なくとも６枚以上の正レンズを含む正屈折力の第５レンズ群とで構成され、
前記第４レンズ群と第５レンズ群とのいずれか一方に１面の非球面を有し、
前記第５レンズ群の内部に開口絞りを有し、
該開口絞りの直前において光束が発散している部分に負屈折力の第１の空気レンズを有し、該第１の空気レンズの前記第１面側のレンズ面の曲率半径が正であり、
前記開口絞りの後側において光束が収れんしている部分に負屈折力の第２の空気レンズを有することを特徴とする投影光学系。
【請求項２】
以下の条件を満たすことを特徴とする請求項１記載の投影光学系。
（１）０．１＜Ｄ／Ｌ＜０．３
（２）｜ＰA−ＰB｜×Ｌ＜１．０
（３）０．２＜｜ＰA｜×Ｌ＜２．０
（４）０．２＜｜ＰB｜×Ｌ＜２．０
（５）０．０１＜Ｙ／Ｌ＜０．０２
但し、Ｄ＝ｔａｎθ×ｆ5
θ＝ｓｉｎ-1［ＮＡ／ｎI］
ＮＡ：像側最大開口数
ｎI：最終レンズ面と前記第２面との間の空間を満たす媒質の屈折率
ｆ5：前記第５レンズ群の焦点距離
Ｌ：前記第１面から第２面までの距離
ＰA：前記第１の空気レンズの屈折力
ＰB：前記第２の空気レンズの屈折力
Ｙ：最大像高
である。
【請求項３】
以下の条件を満たすことを特徴とする請求項１又は２記載の投影光学系。
（６）ＮＡ＞０．６５
（７）０．０５＜ｆ2／ｆ4＜６
（８）０．０１＜ｆ5／Ｌ＜１．２
（９）−０．８＜ｆ4／Ｌ＜−０．００８
（１０）−０．５＜ｆ2／Ｌ＜−０．００５
但し、ＮＡ：像側最大開口数
ｆ2：前記第２レンズ群の焦点距離
ｆ4：前記第４レンズ群の焦点距離
ｆ5：前記第５レンズ群の焦点距離
Ｌ：前記第１面から第２面までの距離
である。
【請求項４】
前記（９）式に換えて、
−０．０７８＜ｆ4／Ｌ＜−０．００８
を満たすことを特徴とする請求項３記載の投影光学系。
【請求項５】
前記（９）式に換えて、
−０．８＜ｆ4／Ｌ＜−０．０４７
を満たすことを特徴とする請求項３記載の投影光学系。
【請求項６】
前記（９）式に換えて、
−０．０７８＜ｆ4／Ｌ＜−０．０４７
を満たすことを特徴とする請求項３記載の投影光学系。
【請求項７】
前記（１０）式に換えて、
−０．１６＜ｆ2／Ｌ＜−０．００５
を満たすことを特徴とする請求項３乃至６の何れか一項記載の投影光学系。
【請求項８】
前記（１０）式に換えて、
−０．５＜ｆ2／Ｌ＜−０．０７１
を満たすことを特徴とする請求項３乃至６の何れか一項記載の投影光学系。
【請求項９】
前記（１０）式に換えて、
−０．１６＜ｆ2／Ｌ＜−０．０７１
を満たすことを特徴とする請求項３乃至６の何れか一項記載の投影光学系。
【請求項１０】
前記第５レンズ群は、少なくとも１枚の負レンズを有していることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項記載の投影光学系。
【請求項１１】
前記第４レンズ群は、互いに向き合った凹面のレンズ面を少なくとも２組有していることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項記載の投影光学系。
【請求項１２】
前記第２レンズ群は、互いに向き合った凹面のレンズ面を少なくとも２組有していることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか一項記載の投影光学系。
【請求項１３】
前記第５レンズ群は、互いに向き合った凸面のレンズ面を少なくとも１組有していることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか一項記載の投影光学系。
【請求項１４】
前記第３レンズ群は、互いに向き合った凸面のレンズ面を少なくとも１組有していることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項記載の投影光学系。
【請求項１５】
前記第４レンズ群は前記１面の非球面を有していることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか一項記載の投影光学系。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月22日(2004.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】現像剤


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着色材、鉄錯塩染料及びバインダー樹脂を含有し、１０μｍ以下の５０％体積平均粒径を有するトナー粒子と、２０ｎｍないし２μｍの一次粒子径を有する導電処理されたシリカ粒子と、５ないし２０ｎｍの一次粒子径を有する疎水化処理された無機酸化物とを含むことを特徴とする現像剤。
【請求項２】
前記疎水化処理された無機酸化物は、その添加量が現像剤全重量の０．１ないし１．０重量％であり、前記導電処理されたシリカ粒子は、その添加量が現像剤全重量の０．１ないし１．０重量％であり、その抵抗値が１０4 Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の現像剤。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月2日(2004.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）、（ａ−１）ヘキサフルオロプロピレン、（ａ−２）不飽和カルボン酸および／または不飽和カルボン酸無水物並びに（ａ−３）上記（ａ−１）成分および（ａ−２）成分と共重合可能な不飽和化合物との含フッ素共重合体、
（Ｂ）、１,２−キノンジアジド化合物、並びに
（Ｃ）、架橋性化合物からなることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【請求項２】
保護膜または層間絶縁膜形成用である請求項１に記載の感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
以下の工程を以下に記載順で含むことを特徴とする保護膜または層間絶縁膜の形成方法。
（１）請求項１に記載の感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）該塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）現像工程、および
（４）加熱工程。
【請求項４】
請求項３の方法により形成された保護膜または層間絶縁膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、感放射線性樹脂組成物に関する。さらに詳しくは、半導体集積回路、液晶ディスプレイ（以下、「ＬＣＤ」という）用薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という）回路などの回路製造用のマスクを作成するためのポジ型レジストとして好適な、さらには層間絶縁膜、カラーフィルタ用保護膜などの永久膜形成材料としても好適な感放射線性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜およびその形成法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の他の目的は、ＩＣ、ＬＣＤ用ＴＦＴ回路などの回路製造用や、ＬＣＤの層間絶縁膜、カラーフィルター保護膜、回路保護膜等で例示される永久膜を形成するためのものであって、耐熱性、基板との密着性、可視光領域における透明性、耐薬品性、絶縁性などに優れた永久膜を与え得る感放射線性樹脂組成物を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、上記感放射線性樹脂組成物から製造される保護膜および層間絶縁膜ならびにそれらの形成法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明らかになろう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明を解決するための手段】
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第１に、
（Ａ）、（ａ−１）ヘキサフルオロプロピレン、（ａ−２）不飽和カルボン酸および／または不飽和カルボン酸無水物並びに（ａ−３）上記（ａ−１）成分および（ａ−２）成分と共重合可能な不飽和化合物との含フッ素共重合体、
（Ｂ）、１,２−キノンジアジド化合物、
（Ｃ）、架橋性基を少なくとも１個含有する架橋性化合物、並びに
（Ｄ）、前記（Ａ）成分、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分を溶解している有機溶媒からなることを特徴とする感放射線性樹脂組成物によって達成される。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第２に、以下の工程を以下に記載順で含むことを特徴とする保護膜または層間絶縁膜の形成方法によって達成される。
（１）前記感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）該塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）現像工程、および
（４）加熱工程。
また、本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第３に、上記形成方法により形成された保護膜または層間絶縁膜によって達成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】感放射線性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜およびこれらの膜の形成法
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月14日(2004.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
レーザ出力部は、レーザ描画装置の電源がＯＮのときはレーザ光源から常時レーザビームを出力しており、高出力のレーザ描画装置では光学系の早期破損やメンテナンス時のレーザビーム出射を防止するために、非走査時にこのレーザビームの出射を阻止するための遮断機構を備えている。この遮断機構は、例えば幅がレーザビームの幅より長い平板状のシャッタ幕と、このシャッタ幕を開、閉位置に電磁的に付勢するためのソレノイドまたはバネなどを備えている。ソレノイドは電磁力によりシャッタ幕を一方向にのみ付勢しており、付勢方向周りにシャッタ幕が回転するため、レーザビームに対して常にシャッタ幕の平面が対向するように、シャッタ幕回転防止のガイドがシャッタ幕の両側面に設けられる。ガイドに形成されたガイド溝に沿ってシャッタ幕が開閉位置を移動することにより、レーザビームの遮断および通過を制御している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
シャッタ幕がガイド溝においてスムーズに移動できるようにするために、ガイド溝とシャッタ幕とはわずかなクリアランスを備えているが、このクリアランスのためにシャッタ幕が閉位置への移動時にガイド溝に引っ掛かり、レーザビームの遮断が十分行われず、シャッタ幕が正常に機能しないことがある。また、平板状のシャッタ幕の閉時に、反射した光がレーザ光源へ戻った場合、光量を一定に保つために設けられた光量モニタに悪影響をもたらすことがある。