Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
化石資源を原料とする発泡ポリエチレン、ポリスチレンの代替として、ＷＯ９９／２１９１５号パンフレットにおいて、ポリ乳酸を主たる原料とする発泡成形体が提案されている。この発泡成形体は非石油資源である澱粉を出発原料としており、地球資源保護、環境保全の見地からみて非常に望ましいものであると言える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、特開２０００―１７０３７号公報に開示されているように、このような増粘方法は恒温恒湿条件下で樹脂水分を１００ｐｐｍから１０，０００ｐｐｍに１〜２日掛けて調整し、２０℃〜６０℃の温度で長期間（４０℃の場合２日以上）熱処理するため、後工程に多大な時間を要し、生産性が著しく低いという欠点を有していた。また、非水系で発泡ガスを分散媒としても用いるため、余剰の発泡ガスの回収が必要であったり、樹脂組成物と分散媒の比重差が大きく、樹脂組成物が分散し難いという欠点も有していた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に用いるポリイソシアネート化合物としては、芳香族、脂肪族系のポリイソシアネートがある。例えば、芳香族ポリイソシアネートとしてはトリレン、ジフェニルメタン、ナフチレン、トリフェニルメタンを骨格とするポリイソシアネート化合物がある。また、脂環族ポリイソシアネートとしては、イソホロン、水素化ジフェニルメタンを骨格とするポリイソシアネート化合物がある。また、脂肪族ポリイソシアネートとしてはヘキサメチレン、リジンを骨格とするポリイソシアネート化合物がある。これらはいずれも使用可能であるが、汎用性、ハンドリング性等からトリレン、ジフェニルメタン系のポリイソシアネート類が好ましく、特に好ましくはジフェニルメタン系ポリイソシアネートが使用される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のポリ乳酸系樹脂組成物は、ポリ乳酸系樹脂にイソシアネート化合物を添加したもので潜在架橋増粘性を有するが、イソシアネート化合物としては、イソシアネート基が２．０当量／モル以上のポリイソシアネート類を用いることが好ましい。また、イソシアネート化合物の添加量は樹脂に対して０．５〜５重量％であることが好ましく、さら好ましくは１〜３重量％である。本発明の潜在架橋増粘性を有するポリ乳酸系樹脂組成物は、例えばポリ乳酸系樹脂にイソシアネート化合物を溶融混練して得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
当該潜在架橋増粘性樹脂組成物には未反応イソシアネート基が樹脂組成物に対して特定の比率で残留していることが必須である。その必要残留率はポリ乳酸系樹脂組成物の赤外線吸収スペクトル（ＩＲスペクトル）の特定波数のピーク強度（吸光度）比で定義される。即ち、本発明のポリ乳酸系樹脂組成物はＩＲスペクトルの２９９５ｃｍ−１のピーク強度に対する２２７５ｃｍ−１のピーク強度の比（以後、残留イソシアネート基指数と称する。）が、０．１〜１．０の範囲にあることが必要である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この残留イソシアネート基指数が０．１未満であるとポリ乳酸系樹脂組成物の含浸時における架橋が不十分で良好な発泡が得られない。一方、残留イソシアネート基指数が１．０を超えると架橋が進みすぎて発泡性を著しく損なう。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（実施例２）
製造例２におけるイソシアネート化合物「ミリオネートＭＲ２００」の添加量を１．０％とした以外は実施例１と同様にしてイソブタン含浸ポリ乳酸系樹脂組成物粒子Ｂを得た。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
表１の実施例１〜３はいずれも残留イソシアネート基指数が０．１以上あり、従来法である参考例と同等の発泡倍率を示しており、発泡性に関しても全く問題ない。一方、比較例１および２はイソシアネートの添加量を加減して混練直後の残留イソシアネート基指数を各々０．１未満、１．０超にしたものであるが、いずれもほとんど発泡しなかった。比
較例３は混練後に熟成（増粘）し、残留イソシアネート基指数を０．１未満になった樹脂粒子を水のある系で含浸したものであるが、参考例１（非水系含浸）並みの発泡性が得られない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  糸長手方向に、交絡部が５〜１５０個／ｍ、及び、毛羽及び／又はループが５０〜１０００個／ｍ、のうちの少なくとも一方を満たしている請求項１に記載の流体複合加工糸。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図２は、本発明の流体複合加工糸に含まれる繊度差を設けた熱可塑性マルチフィラメント糸の糸長手方向の繊度変化を示すグラフの一例であり、計測器工業製のイーブネステスター「ＫＥＴ８０−Ｃ」で糸長手方向の糸の質量変動を測定し、得られたもののチャートである。
本発明で用いる熱可塑性マルチフィラメント糸は、質量変動の平均値を示す中間色染色部に該当するチャート部分：ｂを介して、質量変動の平均値よりも大きい濃色染色部に該当するチャート部分：ａの前後に質量変動の平均値よりも小さい淡色染色部に該当するチャート部分：ｃが存在していることを示す特徴のあるチャート形態を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の流体複合加工糸は、流体処理を施されているために、交絡部及び、毛羽及び／又はループを形成しており、ふくらみ感やソフト感を有し、梳毛調の風合を発現させることも可能である。特に糸長手方向に、交絡部が５〜１５０個／ｍ、及び、毛羽及び／又はループが５０〜１０００個／ｍ、のうちの少なくとも一方を満たしていると、より好ましいふくらみ感やソフト感を併せ持つ流体複合加工糸を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（実施例３）
図５に示した装置を用い、熱可塑性高配向未延伸マルチフィラメント糸４としてカチオン可染ポリエステル高配向未延伸マルチフィラメント糸（複屈折率４８×１０-3、セミダル１２２ｄｔｅｘ、３６フィラメント）を用いて、フィードローラー間（２３〜２４）の延伸倍率１．５０倍、ピンヒータ６の温度２３０℃、ピンヒータ６への糸接触／非接触時間のランダム変動値０．２５〜０．５０秒／０．０６〜０．１０秒、続いてこのカチオン可染ポリエステルポリエステル高配向未延伸マルチフィラメント糸４と他のフィラメント糸５としてカチオン可染ポリエステルマルチフィラメント糸（セミダル５６ｄｔｅｘ、２４フィラメント）をフィードローラー２４に引揃え導入し、ガイド２５を介して、加工速度２００ｍ／分（デリベリーローラー換算）、仮撚施撚体２７の回転数（仮撚方向：Ｚ）２４００Ｔ／ｍ、上部熱板ヒータ２６の温度１６０℃、下部熱板ヒータ２９の温度１８０℃、上部ヒータ２６と仮撚施撚体２７間の仮撚加撚張力０．１ｃＮ、仮撚後の熱セット時の緩和率１２％で、その後エア交絡ノズル１２のエア圧力０．４ＭＰａ、流体複合時のオーバーフィード率を５％で流体複合加工し、引き取りローラー３１から巻取装置３２にて巻取りを行った。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッディング液を含浸せしめ、絞液した繊維材料に、湿潤状態で、反応性染料を含む氷を乗せ、前記氷の融解に伴って、氷に含まれる反応性染料がぼかし模様調に繊維材料に移行し、移行したぼかし模様を固着処理することを特徴とするぼかし模様挿し色染色方法。
【請求項２】
前記氷は、氷粒である請求項１記載の染色方法。
【請求項３】
前記固着処理は、空気に触れない状態で行われる請求項１または２記載の染色方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、反応性染料のパッドバッチ染色の常法に従ってパッディング液（１）を含浸せしめた繊維材料（２）を絞液後、湿潤状態で反応染料を含む氷（３）を乗せ、その氷の融解等に伴って、氷に含まれる反応性染料が放射状等のぼかし模様調に繊維材料に移行にともない、常法による固着処理を行うことを特徴とする新規な放射状等ぼかし模様挿し色染色方法である。
本発明において、パッディング液（１）に常法の処方に加え界面活性剤（４）、あるいはさらに糊剤（５）を加えることができ、繊維材料（２）が木綿、麻等のセルロ−ス系繊維、またレ−ヨン、 キュプラ等の再生繊維であることができ、氷（３）の処方に界面活性剤（６）、あるいはさらに糊剤（７）を加えることができる。また、界面活性剤（４）は非イオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、非イオン・アニオン界面活性剤等であることができ、糊剤（５）はアルギン酸ソ−ダ等であることができ、 界面活性剤（６）は非イオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、非イオン・アニオン界面活性剤等、糊剤（７）はアルギン酸ソ−ダ等であることができる。
本発明は全く新しい染色の方法に関するものであり、また反応性染料のパッドバッチ染色方法を応用したものである。すなわち繊維材料を反応性染料、界面活性剤、糊剤、さらに反応性染料によるパッドバッチ染色の常法で使われるアルカリ剤、尿素、硫酸ナトリウム等からなるパッディング液に浸漬し、絞液した後、直ちに湿潤状態の当該染色布の上に、上記パッディング液と同様な、あるいは異なった染料、界面活性剤、糊剤他で作成した氷粒を乗せ空気に触れないようにプラスチック製フィルムで包み、室温で７−１６時間ほど滞留した後、湯煎、水洗、ソ−ピングを行うことによる単色あるいは多色の放射状のぼかし模様を挿し色する染色方法である。作成した氷は２４時間以内の使用が望ましい。それ以上の時間経過の後の使用では染色濃度が低下する場合がある。また非イオン界面活性剤、非イオン・アニオン界面活性剤は使用量が多くなれば放射状の模様を作成する確率が高くなるが、一方染色濃度は低下する。アニオン界面活性剤にはこの様なデメリットは見られない。なお放射状のぼかし模様に染色できる理由としては界面活性剤と、あるいはさらに糊剤、本発明ではアルギン酸ソ−ダの染料等に対する繊維材料への浸透力の付加によるものと思われる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、もちろん本発明はこれによって限定されるものではない。なお、文中の部は質量基準である。また、吸水度は、ＪＩＳ  Ｐ  ８１４０に基づく。
＜実施例１＞
インク受理層（表面層及び裏面層として形成（図１の（２）の形態））として、針葉樹晒クラフトパルプ（ＮＢＫＰ）を５０質量％、広葉樹晒クラフトパルプ５０質量％からなるパルプスラリーをカナディアンスタンダードフリーネス（ＣＳＦ）４５０ｃｃに調整したものを使用した。他の層（中間層として形成）としてＮＢＫＰ２５質量％、ＬＢＫＰ２５質量％、上物古紙パルプ５０質量％からなるパルプスラリーをＣＳＦ４００ｃｃに調整したものを使用した。表面層及び裏面層原料にロジンサイズ剤（ＡＬ−１７０、日本ＰＭＣ（株）製）を０．５部、硫酸バンド１部、中間層原料に硫酸バンド１部を添加し、ｐＨ５．０に調整して円網多層抄紙機にて抄き合わせ、３層構造の吸水性紙原紙を作製した。この吸水性紙原紙の表面層及び裏面層の坪量は各々６０ｇ／ｍ2、中間層の坪量は２５０ｇ／ｍ2で、表面層の吸水度（３０秒）は２４０ｇ／ｍ2、原紙全体の吸水度（２分）は８２０ｇ／ｍ2であった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月24日(2004.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【実施例】
つぎに本発明の実施例を比較例とともに以下に説明する。
それぞれ清浄化のための前処理を施して長さ３２００ｍｍに切断したＳＴＳ３５に相当する鋼管からなる外管（外径１１．０ｍｍ、内径６．２ｍｍ、肉厚２．４ｍｍ）と、長さ３２００ｍｍのＳＵＳ３０４からなるステンレス鋼管の内管（外径４．７ｍｍ、内径３．７ｍｍ、肉厚０．５ｍｍ）とをもって、前記外管の内部に前記内管を緩やかに内挿せしめた。ついで図２に示すように、固定したダイスにより矢印方向に示す一方側への一体絞りによる伸管加工を１回行って全体に亘り縮径せしめ、その後に矯正加工して外径７．０ｍｍ、内径２．５ｍｍ、肉厚２．２５ｍｍの二重金属管からなる噴射管材を得、しかる後に３００ｍｍの長さ
に切断したものを２０本準備した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月16日(2004.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このため本発明は、一端部に軸支部及び他端部に軸部が設けられると共に所要の間隔をおいて相対する一対のリンクプレート相互を連結した合成樹脂からなる多数の単位部材相互を、一方の単位部材における軸支部に他方の単位部材における軸部を挿嵌して所要の角度で屈曲可能に連結したケーブルチェーンにおいて、隣接する各単位部材は互いに異なる合成樹脂からなることを特徴としている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
そして取付け部２１・２３相互間にはカバー部材２５が一体成形されている。該カバー部材２５は単位部材３・３´の合成樹脂に対して合成樹脂を非融着状態で一体成形してなる。ポリアミド樹脂（強化繊維含有の場合も含む）の単位部材３・３´にカバー部材２５を一体成形する場合には、該カバー部材２５の樹脂としてはポリエステル系樹脂、オレフィン系樹脂が、又単位部材３・３´がフッ化エチレン系樹脂の場合にはポリアセタール系樹脂を除くスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニール系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリプロピレン系樹脂及びポリエチレン系樹脂の場合にはスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニール系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、アクリロニトリルエチレンスチレンの場合にはオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニール系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアセタール系樹脂の場合にはポリアセタール系樹脂を除いたスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニール系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、オレフィン系樹脂が適している。更に、単位部材３・３´に対してカバー部材２５を非融着状態で成形する方法としては、単位部材３・３´を形成する合成樹脂に対して低融点でカバー部材２５を成形すればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月5日(2004.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  取付金物
２  爪
３ａ，３ｂ  挟持片
４  ボルト孔
５  ねじ孔
６  化粧パネル
７  掛合溝
８  ボルト
９  クランプ
１０  孔
１１  支持片
１１ａ  取付け部
１１ｂ  ストッパー
１３  パッド
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月4日(2004.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料の燃焼を行うバーナと、このバーナ燃焼の給排気を行う燃焼ファンと、燃焼ファンのファン風量を制御するファン風量制御部と、排気ガス中のＣＯ濃度を検出するＣＯセンサと、ＣＯセンサで検出されるＣＯ濃度が予め与えられる危険濃度に達したときに燃焼停止を行うＣＯ安全装置とを備え、前記ファン風量制御部には燃焼熱量とファン風量との関係を示すファン風量制御データが与えられ、ファン風量制御部は燃焼熱量に応じてファン風量を可変制御する構成とした燃焼装置において、前記ファン風量制御部には通常運転用のファン風量制御データとファン風量を順次増加側にシフトした複数の風量アップ用のファン風量制御データとが与えられており、燃焼運転中にＣＯ濃度が危険濃度に達して燃焼停止された後にリセットして燃焼運転を再開する燃焼停止の解除の際には燃焼停止前に使用されていたファン風量制御データよりも風量をアップ側にシフトさせた風量アップ用のファン風量制御データを選択指定して燃焼運転を再開させる燃焼再起動風量制御データ指定部が設けられている燃焼装置。
【請求項２】
各ＣＯ濃度毎にＣＯの危険状態に到達する危険到達時間が与えられ、ＣＯ安全装置には、単位時間ｔ毎に該単位時間とその単位時間中に検出されるＣＯ濃度に対応する危険到達時間との比（ｔ／Ｔ）を停止定数ＥＲとして求めるＥＲ演算部と、停止定数が算出される毎に順次停止定数の値を積算するＴＲ演算部と、この停止定数の積算値が予め与えられる危険ＣＯ濃度の値に達したときに燃焼停止を行うＣＯ安全動作部とが備えられている請求項１記載の燃焼装置。
【請求項３】
燃焼火炎を検出するフレームロッドが設けられ、また、燃焼運転時のファン風量制御データを切り替えるファン風量制御データ切り替え制御部が設けられ、ファン風量制御データ切り替え制御部にはＣＯ濃度が高くなるにつれてファン風量制御データを風量アップ側に切り替える基本機能の他に、フレームロッド電流が予め設定される上側しきい値を上側に越えたときにファン風量制御データを風量アップ側に切り替えフレームロッド電流が予め設定される下側しきい値を下側に越えたときにファン風量制御データを風量ダウン側に切り替える機能と、フレームロッド電流の上昇変化量が予め設定されている基準時間内で上昇変化基準値を越えたときにファン風量制御データを風量アップ側に切り替える機能と、フレームロッド電流の下降変化量が予め設定されている基準時間内で下降変化基準値を越えたときにファン風量制御データを風量ダウン側に切り替える機能と、フレームロッド電流の下降変化量が前記フレームロッド電流の上昇変化量を判断する基準時間よりも時間幅が狭い微小設定時間内で予め設定されている下降変化基準値を越えたときにはファン風量制御データを風量アップ側に切り替える機能との１つ以上の付加機能が備えられており、燃焼熱量制御範囲内の指定値以下の低燃焼能力範囲内の燃焼運転時には前記基本機能と付加機能の組み合わせによってファン風量制御データを切り替え制御する構成とした請求項１又は請求項２記載の燃焼装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、次のような手段を講じている。すなわち、第１の発明は、燃料の燃焼を行うバーナと、このバーナ燃焼の給排気を行う燃焼ファンと、燃焼ファンのファン風量を制御するファン風量制御部と、排気ガス中のＣＯ濃度を検出するＣＯセンサと、ＣＯセンサで検出されるＣＯ濃度が予め与えられる危険濃度に達したときに燃焼停止を行うＣＯ安全装置とを備え、前記ファン風量制御部には燃焼熱量とファン風量との関係を示すファン風量制御データが与えられ、ファン風量制御部は燃焼熱量に応じてファン風量を可変制御する構成とした燃焼装置において、前記ファン風量制御部には通常運転用のファン風量制御データとファン風量を順次増加側にシフトした複数の風量アップ用のファン風量制御データとが与えられており、燃焼運転中にＣＯ濃度が危険濃度に達して燃焼停止された後にリセットして燃焼運転を再開する燃焼停止の解除の際には燃焼停止前に使用されていたファン風量制御データよりも風量をアップ側にシフトさせた風量アップ用のファン風量制御データを選択指定して燃焼運転を再開させる燃焼再起動風量制御データ指定部が設けられている構成をもって課題を解決する手段としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月5日(2004.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽エネルギーを変換して熱エネルギーに変える吸熱板と太陽エネルギーを変換して電気エネルギーに変える太陽電池とを一体として構成したことを特徴とする太陽エネルギー収集装置。
【請求項２】
太陽電池を吸熱板に密着して取り付けたことを特徴とする請求項１記載の太陽エネルギー収集装置。
【請求項３】
太陽電池と吸熱板との間に熱絶縁のための空間を設けたことを特徴とする請求項１記載の太陽エネルギー収集装置。
【請求項４】
太陽電池の表面に選択吸収膜を形成したことを特徴とする請求項２記載の太陽エネルギー収集装置。
【請求項５】
吸熱板の表面に選択吸収膜を形成したことを特徴とする請求項３記載の太陽エネルギー収集装置。
【請求項６】
太陽電池の前面に可視光を通過させ赤外線を反射する選択フィルターを設けたことを特徴とする請求項２記載の太陽エネルギー収集装置。
【請求項７】
吸熱板と太陽電池とからなる部分を透明の窓をもつ密閉容器に入れて、密閉容器内を真空にしたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の太陽エネルギー収集装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月16日(2004.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路パターンが形成されたマスクを製造する第１ラインと、マスクを用い露光装置により半導体ウェハに集積回路パターンを転写する第２ラインとが分かれており、
（ａ）前記第１ラインにおいて、マスクを特定する名称とマスクの製造進捗日時または完成予想日時を項目としてデータベースを構築する工程、
（ｂ）前記マスクが用いられる半導体ウェハロットの製造進捗を示すデータを、所定時刻、所定時間間隔または前記第１ラインからの要求時に第２ラインから前記第１ラインへ送る工程、
（ｃ）半導体ウェハへの集積回路パターンの転写工程の進捗と、その転写工程に用いられる前記マスクを前記第１ラインにおいて製造するのに必要な工数とに合わせて、前記第１ラインにおいて前記マスクの製造を開始する工程、
（ｄ）前記マスクの製造進捗または完成予想日時を示すデータを、所定時または前記第２ラインからの要求時に前記第１ラインから前記第２ラインへ送る工程、
（ｅ）完成した前記マスクを前記第１ラインから前記第２ラインへ送る工程、
（ｆ）前記マスクに形成された集積回路パターンを半導体ウェハに転写する工程、
を含み、前記（ｂ）工程および前記（ｄ）工程におけるデータ送付は、所定のセキュリティ機能を有する通信回線を介したオンライン送付であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
集積回路パターンが形成されたマスクを製造する第１ラインで製造された前記マスクを用い、露光装置により半導体ウェハに前記集積回路パターンを第２ラインで転写する半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記第２ラインで前記マスクが用いられる半導体ウェハロットの製造進捗を示す第１データを、所定時刻、所定時間間隔または前記第１ラインからの要求時に前記第２ラインから前記第１ラインへ送付する工程と、
前記第１データに基づき前記第１ラインで製造されている前記マスクの製造進捗または完成予想日時を示す第２データを、所定時または要求により前記第２ラインにて入手する工程と、
前記第２ラインにて前記マスクに形成された集積回路パターンを前記半導体ウェハに転写する工程とを有し、
前記第１データの送付および前記第２データの入手には所定のセキュリティ機能を有する通信回線を介してオンラインで行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月6日(2005.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
相変化型光ディスクへの記録動作を説明する。図５に示すように、光ディスク１１にユーザーデータ（プリ情報以外のユーザーなどが後から記録する画像情報などのデータをいう）を記録する際には、情報記録装置においてこのグルーブトラック１２のウォブリング周波数を抽出することにより、光ディスク１１を所定の回転速度で回転制御する。同時に、ランドプリピット１４を検出することにより、予めプリ情報を取得し、それに基づいて記録用光ビーム（Ｂ）の最適出力などが設定される。また、ランドプリピット１４を検出することによりユーザーデータを記録すべき光ディスク１１上の位置を示すアドレス情報などが取得され、このアドレス情報に基づいてユーザーデータが対応する位置に記録される。なお、光ディスク１１に記録されるユーザーデータはグルーブトラック１２の中心線上に反射率の異なる記録マーク部として記録される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、露光したフォトレジスト原盤を現像装置に装着し、これを現像して潜像部分を除去し、現像された記録原盤を得る。
図１０に示すように、原盤において、グルーブトラック１２の側面から連続する曲面により画定される側面を有するランドプリピットを形成するとともに、ランドプリピットの側面に対向するグルーブトラック１２の側面によって、グルーブトラック１２を狭窄する曲面として形成する。このようにして、ランドプリピット１４の側面は、ランドプリピットの非存在区間におけるグルーブトラック１２の側面の平均曲率半径より小なる平均曲率半径を有することになる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
２以上の記録媒体が積層された光学的情報記録用媒体であって、少なくとも１つの記録媒体が、少なくとも、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属を主成分とする半透明放熱層、第３誘電体層、及び半透明反射層をこの順に有し、且つ透過率が２０％以上の光記録媒体であり、該光記録媒体に他の光記録媒体が積層されてなることを特徴とする光学的情報記録用媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
２以上の記録媒体が積層された光学的情報記録用媒体であって、少なくとも、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属を主成分とする半透明放熱層、第３誘電体層、及び半透明反射層をこの順に有し、且つ透過率が２０％以上の光記録媒体が、入射光側に近接して設けられていることを特徴とする請求項２記載の光学的情報記録用媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、記録媒体の多層化に用い得る光学的情報記録用媒体、特に光透過性が求められる記録媒体ユニットとしての用途が期待される光学的情報記録用媒体を提供するものであり、その要旨は、少なくとも、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属を主成分とする半透明放熱層、第３誘電体層、及び半透明反射層をこの順に有することを特徴とする光学的情報記録用媒体に存する。
本発明の他の要旨は、２以上の記録媒体が積層された光学的情報記録用媒体であって、少なくとも１つの記録媒体が、少なくとも、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属を主成分とする半透明放熱層、第３誘電体層、及び半透明反射層をこの順に有し、且つ透過率が２０％以上の光記録媒体であり、該光記録媒体に他の光記録媒体が積層されてなることを特徴とする光学的情報記録用媒体に存する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の好適な態様としては、上記光学的情報記録用媒体において、半透明放熱層が銀を主成分とする材料からなり、又その膜厚が２〜５０ｎｍであること、第２誘電体層の膜厚が３０ｎｍ以下であること、第３誘電体層の膜厚をｄ、屈折率をｎ、使用レーザー波長をλとしたとき［λ／（８ｎ）］＜ｄ＜［λ／（２ｎ）］であり、かつ、半透明反射層が金属を主成分とする材料であること、及び記録層が、相変化型記録層であることを挙げることが出来る。
更に、２以上の記録媒体が積層された光学的情報記録用媒体において、少なくとも、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属を主成分とする半透明放熱層、第３誘電体層、及び半透明反射層をこの順に有し、且つ透過率が２０％以上の光記録媒体が、入射光側に近接して設けられること、及び光記録媒体の半透明放熱層及び半透明反射層は、銀を主成分とする金属材料からなり、且つ半透明反射層の膜厚は半透明放熱層の膜厚以下とすることも好適な態様として挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月16日(2005.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録部を有する磁気ヘッドにおいて、
下部第１磁性膜と下部第２磁性膜と、上部第１磁性膜と上部第２磁性膜を有し、
前記下部第２磁性膜と前記上部第１磁性膜の間にギャップ膜を有し、
前記ギャップ膜の浮上面と反対側の端部に絶縁層を有し、
前記下部第２磁性膜と前記ギャップ膜と前記上部第１磁性膜を有する積層体は、前記下部第１磁性膜と前記上部第２磁性膜の間に位置して、浮上面側の磁極先端部を構成し、
前記上部第１磁性膜の浮上面と反対側の端部の一部に、前記絶縁層の端部上面と面する突出部を有し、
前記上部第２磁性膜の浮上面側の端部は、前記積層体の浮上面より後方に位置し、
前記上部第１磁性膜の浮上面と反対側の端部の前記突出部以外の他の端部である第１の端部と、前記ギャップ膜及び前記下部第２磁性膜の浮上面と反対側の端部である第２及び第３の端部は前記絶縁層の浮上面側の端面に面しており、前記第１、第２、第３の端部は、浮上面から同一の深さ位置にあることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、
前記絶縁層の浮上面側の端部における膜厚は、前記下部第２磁性膜と前記ギャップ膜の膜厚の総和より大きく、前記積層体の膜厚の総和より小さいことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、
前記上部第１磁性膜の前記ギャップ膜と対向する面の面積より、前記上部第１磁性膜の上部面の面積の方が大きく、前記上部第１磁性膜と前記上部第２磁性膜は、前記上部第１磁性膜の上部平坦面と前記突出部の上部面を介して磁気的に接続されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項４】
記録部を有する磁気ヘッドにおいて、
下部第１磁性膜と下部第２磁性膜と、上部第１磁性膜と上部第２磁性膜を有し、
前記下部第２磁性膜と前記上部第１磁性膜の間にギャップ膜を有し、
前記下部第１磁性膜と前記第２上部磁性膜の間に、前記下部第１磁性膜側から、第１コイルと第２コイルを有し、
前記ギャップ膜の浮上面と反対側の端部であって前記第２コイルの下方に絶縁部を有し、
前記下部第２磁性膜と前記ギャップ膜と前記上部第１磁性膜を有する積層体は、前記下部第１磁性膜と前記上部第２磁性膜の間に位置して、浮上面側の磁極先端部を構成し、
前記上部第１磁性膜の浮上面と反対側の端部の一部に、前記絶縁部の端部上面と面する突出部を有し、
前記上部第２磁性膜の浮上面側の端部は、前記積層体の浮上面より後方に位置し、
前記上部第１磁性膜の浮上面と反対側の端部の前記突出部以外の他の端部である第１の端部と、前記ギャップ膜及び前記下部第２磁性膜の浮上面と反対側の端部である第２及び第３の端部は前記絶縁部の浮上面側の端面に面しており、
前記下部第１磁性膜の、前記第２の端部深さに相当する位置より深い位置を基点とした後方領域に、浮上面側における膜厚よりも小さい膜厚を有する薄膜部分を有し、
前記薄膜部分上における前記絶縁部の膜厚よりも、前記ギャップ膜の浮上面と反対側の端部に面した前記絶縁部の膜厚の方が薄いことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気ヘッドにおいて、
前記下部第１磁性膜の薄膜部分は、浮上面側に降下斜面部を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
基板１１上には下部第１磁性膜１２１が形成されている。下部第１磁性膜１２１には先端側部分を残して下方へ落ち込む降下斜面部１２ａが形成されている。降下斜面部１２ａの後方側には、下部第１磁性膜１２１の上に絶縁層１３０が形成されている。絶縁層１３０上には第１導体コイル層１５１が形成される。この第１導体コイル層１５１上と下部第１磁性膜１２１の先端部分上にスロートハイト＝０の位置を規定する絶縁層１３１が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
そして、下部第１磁性膜１２１の先端部の上には、下部第２磁性膜１２２、ギャップ膜１４、続いて上部第１磁性膜１７１が連続して形成されている。この時、上部第１磁性膜１７１の一部は絶縁層１３１の上にも形成されている。絶縁層１３１の上には、第２導体コイル層１５２が形成されている。その上に第２導体コイル層１５２を覆うように、第３絶縁層１３２が形成されている。そして、第１上部磁性膜の後端部に接続し、第３絶縁層１３２上に、上部第２磁性膜１７２が形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
更に、下部第１磁性膜１２１上にスロートハイト＝０の位置より後端側（コイル中心位置側）に降下面部１２ａをウェットエッチング法、イオンミリング法、ドライエッチング法、またはリフトオフ法を用いて形成する（図５（ｂ））。次に、前記降下面部１２ａより後端側において、下部第１磁性膜１２１と後述導体コイル層１５間の絶縁を得るために樹脂系材、又はＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の非磁性の金属酸化膜による第１絶縁層１３０を被着形成する（図５（ｃ））。次に、磁界を誘導するためのＣｕやＡｕ等からなる導体膜をスパッタ法、またはめっき法で被着し、続いてウェットエッチング法、イオンミリング法またはリフトオフ法等を用いて導体コイル層１５１を形成する（図５（ｄ））。その後、前記導体コイル層１５１との絶縁を得る為、及びスロートハイト＝０の位置を規定する為に前記下部第１磁性膜１２１上に樹脂系材料、又はＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の非磁性の金属酸化膜による絶縁層１３１を被着形成する（図５（ｅ））。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、磁気ギャップ膜１４には、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ等のめっき法で形成可能な非磁性金属膜あるいはそれらの合金を用いることが望ましい。また上部第１磁性膜１７１は、Ｃｏ系アモルファスやＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ系等の磁性膜を用い、特に、高飽和磁束密度を有する材料を用いることが望ましい。また、上記下部第２磁性膜１２２、及び磁気ギャップ膜１４は、上記第２絶縁膜１３１の高さより低く抑え、上記上部第１磁性膜１７１は第２絶縁膜１３１に乗り上げる構造を持つことが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2002025009.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2002025009.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録済みデータのタイミングを較正する方法であって、
ａ）記憶媒体上のタイミングリファレンスを参照した時間に、該記憶媒体上の較正データシーケンスを記録するステップと、
ｂ）前記較正データシーケンスと前記タイミングリファレンスの間の第１のタイミングずれを測定するステップと、
ｃ）テストデータシーケンスを書き込むステップと、
ｄ）前記テストデータシーケンスと前記タイミングリファレンスの間の第２のタイミングずれを測定するステップと、
ｅ）前記タイミングリファレンスに対する、前記較正データシーケンスの前記第１のタイミングずれと、前記テストデータシーケンスの前記第２のタイミングずれを比較するステップと、を含む方法。
【請求項２】
ｆ）前記テストデータシーケンスの書き込みのタイミングを修正して、前記較正データシーケンスの前記第１のタイミングずれと前記テストデータシーケンスの前記第２のタイミングずれ間の差を低減するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
ｇ）前記タイミングリファレンスに対する、前記較正データシーケンスの前記第１のタイミングずれおよび前記テストデータシーケンスの前記第２のタイミングずれが、定義した許容差内で等しくなるまで、前記ステップｃ）、ｄ）、ｅ）、およびｆ）を反復的に繰り返すステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ｈ）前記タイミングリファレンスに対する、前記較正データシーケンスの前記第１のタイミングずれおよび前記テストデータシーケンスの前記第２のタイミングずれが、定義した許容差内で等しくなるのに必要な量だけ、テストデータシーケンスを書き込むプロセスのタイミングを、前記タイミングリファレンスに対して調整するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記記憶媒体は、ＤＶＤディスク、ＣＤディスク、光学補助磁気記憶ディスク、および磁気記憶ディスクのうちの１つからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記タイミングリファレンスが、ウォーブルクロックからなる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記較正データシーケンスは、第１の記録装置により記録され、前記テストデータシーケンスは、第１の記録装置および第２の記録装置のうちの一方により記録される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記較正データシーケンスは、記録媒体のデータゾーン、記録媒体のリードイン校正ゾーンおよび記録媒体のリードアウト校正ゾーンのうちの１つに記録されたデータシーケンスからなる請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記較正データシーケンスは、前記タイミングリファレンスと同じ周波数を有する一定トーンデータシーケンス、前記タイミングリファレンス周波数の高調波である周波数を有する一定トーンデータシーケンス、擬似ランダムデータシーケンス、および予め記録された情報を含むデータシーケンスのうちの１つからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ステップｃ）、ｄ）およびｅ）は、少なくとも２つの記録速度で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
書き込みプロセスのタイミングを較正するための装置であって、記録媒体と、該記録媒体上にマークされた一連の位置を含むタイミングリファレンスと、該記録媒体上に記録された較正データシーケンスと、データシーケンスおよび前記記録媒体上にマークされた前記位置を感知する記録装置と、前記記録装置がいつ前記データシーケンスおよび前記記録媒体上にマークされた前記位置を感知するかを測定する装置と、前記較正データシーケンスの感知と、前記記録媒体上にマークされた前記位置の１つの感知との間の第１のタイミングずれを測定するための第１のモジュールと、前記記録媒体上にマークされた前記位置の別のものの感知に応答して、前記記録装置を用いてテストデータシーケンスを書き込むための第２のモジュールと、前記テストデータシーケンスの感知と前記記録媒体上マークされた前記位置の前記別のものの感知との間の第２のタイミングずれを測定するための第３のモジュールと、前記テストデータシーケンスの感知と前記記録媒体上にマークされた前記位置の前記別のものの感知との間の第２のタイミングずれと、前記較正データシーケンスの感知と前記記録媒体上にマークされた前記位置の前記１つの感知との間で測定された第１のタイミングずれを比較するための第４のモジュールと、を備える、装置。
【請求項１２】
前記比較されたタイミングずれ間の時間差が、特定の値未満であるか否かを決定するための第５のモジュールをさらに備える請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記記録媒体上の前記タイミングリファレンス位置の１つの感知に応答して、前記第５のモジュールによって決定された前記時間差により決定される量だけ、前記書き込みプロセスのタイミングを変更するための第６のモジュールをさらに備える請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記書き込みプロセスは、ディスク記憶媒体に、データを記録することを含む請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記ディスク記憶媒体は、ＤＶＤディスク、ＣＤディスク、光学補助磁気記憶ディスク、および磁気記憶ディスクのうちの１つからなる請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記タイミングリファレンスが、ウォーブルクロックからなる請求項１１に記載の装置。
【請求項１７】
前記較正データシーケンスは、第１の記録装置により記録され、前記テストデータシーケンスは、第１の記録装置および第２の記録装置のうちの一方により記録される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１８】
前記較正データシーケンスは、記録媒体のデータゾーン、記録媒体のリードイン校正ゾーンおよび記録媒体のリードアウト校正ゾーンのうちの１つに記録されたデータシーケンスからなる請求項１１に記載の装置。
【請求項１９】
前記較正データシーケンスは、前記タイミングリファレンスと同じ周波数を有する一定トーンデータシーケンス、前記タイミングリファレンス周波数の高調波である周波数を有する一定トーンデータシーケンス、擬似ランダムデータシーケンス、および予め記録された情報を含むデータシーケンスのうちの１つからなる、請求項１１に記載の装置。
【請求項２０】
前記記録済みデータのタイミング較正は、少なくとも２つの記録速度で行われる、請求項１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペーサ層を介して積層された複数の記録層を有する多層記録媒体に対して光ビ−ムを照射して情報の記録又は再生を行う装置におけるピックアップ装置であって、
前記多層記録媒体の何れかの前記記録層上に光ビ−ムを集光する対物レンズを含む照射光学系と、
前記多層記録媒体の記録層からの反射光を前記対物レンズを介して受光して光電変換をなす光検出器を含む検出光学系と、を備え、前記光検出器が、５０μｍ2以下の大きさの規格化ディテクタサイズを有することを特徴とするピックアップ装置。
【請求項２】
前記規格化ディテクタサイズは１０μｍ2〜５０μｍ2であることを特徴とする請求項１に記載のピックアップ装置。
【請求項３】
前記対物レンズの開口数が０．８５以上であることを特徴とする請求項１又は２項に記載のピックアップ装置。
【請求項４】
前記スペーサ層の厚みが１０μｍ〜３０μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のピックアップ装置。
【請求項５】
前記規格化ディテクタサイズをＤ、前記光検出器の受光面の面積をＢ、前記検出光学系の光学倍率をβとすると、Ｄ＝Ｂ／β2であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載のピックアップ装置。
【請求項６】
前記検出光学系の焦点距離をｆＣ、前記対物レンズの焦点距離をｆＯＢとすると、前記光学倍率βは、
β＝ｆＣ／ｆＯＢであることを特徴とする請求項５に記載のピックアップ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月14日(2004.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集束した荷電粒子ビームを照射するための荷電粒子ビーム光学系と、上記荷電粒子ビームの照射対象から発生する二次荷電粒子を検出するための検出器と、該検出器で得られた二次荷電粒子に基づいて荷電粒子像を形成する画像表示装置とを備えた荷電粒子ビーム装置において、
前記荷電粒子ビーム装置内を移動可能な接触型温度計測機構を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
前記荷電粒子ビームとしてＧａイオンビームを照射し対象試料を加工する荷電粒子ビーム装置であって、前記接触型温度計測機構が加工中の前記対象試料の温度を計測するものであることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
前記接触型温度計測機構が、小型熱電対からなることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
前記小型熱電対の先端部を、ビームアシストデポジションによって試料と固定させるためのガス源を備えることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（２）  前記荷電粒子ビームとしてＧａイオンビームを照射し対象試料を加工する荷電粒子ビーム装置であって、前記接触型温度計測機構が加工中の前記対象物の温度を計測するものであることを特徴とする前記（１）に記載の荷電粒子ビーム装置。
（３）  前記接触型温度計測機構が、小型熱電対からなることを特徴とする前記（１）または（２）に記載の荷電粒子ビーム装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリにおいて、
２Nの閾値電圧状態を保持する複数のセルトランジスタと、
前記セルトランジスタが接続される複数のビット線及びワード線と、
前記ビット線に接続され、前記セルトランジスタの閾値電圧状態を検出する読み出しバッファ回路とを有し、
前記読み出しバッファ回路は、前記検出された閾値電圧状態に従って、読み出しデータをラッチするラッチ回路と、前記ラッチ回路のラッチ状態を第１及び第２の状態に反転する第１及び第２のラッチ反転回路とを有し、
前記読み出しバッファ回路は、前記セルトランジスタが保持する第１のビットのデータを読み出す時、初期状態のラッチ回路を、検出された第１、２又は第３、４の閾値電圧状態に応じて、前記第１のラッチ反転回路で反転または非反転し、当該ラッチ状態を第１のデータとして出力し、更に、セルトランジスタが保持する下位の第２のビットのデータを読み出す時、前記第１のデータに対応するラッチ状態から、検出された第１又は第２の閾値電圧状態に応じて、前記第１のラッチ反転回路で反転または非反転し、続けて検出された第３又は第４の閾値電圧状態に応じて、前記第２のラッチ反転回路で反転または非反転し、当該ラッチ状態を第２のデータとして出力することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
請求項１において、
前記セルトランジスタは、電荷を蓄積するフローティングゲートと、前記ワード線に接続されるコントロールゲートとを有し、
前記第１のビットを読み出す時、前記ワード線に、前記第１及び第２の閾値電圧と前記第３及び第４の閾値電圧との間の第２基準電圧が印加され、
前記第２のビットを読み出す時、前記ワード線に、前記第１と第２の閾値電圧の間の第１基準電圧が印加され、続いて前記ワード線に前記第３と第４の閾値電圧の間の第３基準電圧が印加されることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項３】
請求項１において、
前記読み出しバッファ回路のラッチ回路は、前記読み出しの前に初期状態にリセットされることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１のラッチ反転回路は、第１のセット信号に応答して活性化され、前記ラッチ回路の第１のノードをＨレベルまたはＬレベルの一方のレベルにして前記ラッチ回路を反転し、
前記第２のラッチ反転回路は、第２のセット信号に応答して活性化され、前記ラッチ回路の第２のノードをＨレベルまたはＬレベルの一方のレベルにして前記ラッチ回路を反転することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項５】
請求項１において、
前記複数のビット線は、第１のビット線群と第２のビット線群とを有し、
更に、前記読み出しバッファ回路は、前記第１のビット線群にそれぞれ接続される第１の読み出しバッファ回路群と、前記第２のビット線群にそれぞれ接続される第２の読み出しバッファ回路群とを有し、
前記第２の読み出しバッファ回路群から第１のデータを出力する時に並行して、前記第１の読み出しバッファ回路群が前記セルトランジスタから第２のビットを読み出してラッチし、
前記第１の読み出しバッファ回路群から第２のデータを出力する時に並行して、前記第２の読み出しバッファ回路群が前記セルトランジスタから第２のビットを読み出してラッチすることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項６】
不揮発性メモリにおいて、
２Nの閾値電圧状態を保持する複数のセルトランジスタと、
前記セルトランジスタが接続される複数のビット線及びワード線と、
前記ビット線に接続され、前記セルトランジスタの閾値電圧状態を検出する読み出しバッファ回路と、
第１のビット及びそれより下位の第２のビットのデータ入力に応答して、プログラムの有無を示すプログラムデータを出力するプログラム入力回路とを有し、
プログラム時に、前記読み出しバッファ回路は、前記プログラムデータをラッチして、ビット線を当該プログラムデータに応じた状態にし、更に、前記プログラム入力回路は、消去状態である第１の状態から第２の状態にプログラムする第１のサイクルと、第１の状態から第３の状態にプログラムする第２のサイクルと、第１の状態から第４の状態にプログラムする第３のサイクルにおいて、前記第１及び第２のビットの組合せに応じて、前記プログラムデータを出力することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項７】
請求項６において、
前記セルトランジスタは、電荷を蓄積するフローティングゲートと、前記ワード線に接続されるコントロールゲートとを有し、
前記プログラム時に、前記第１のサイクルにおいて、前記第２の状態にプログラムされるセルトランジスタに対して前記フローティングゲートに電荷の注入が行われ、前記第２のサイクルにおいて、前記第３の状態にプログラムされるセルトランジスタに対して前記フローティングゲートに電荷の注入が行われ、前記第３のサイクルにおいて、前記第４の状態にプログラムされるセルトランジスタに対して前記フローティングゲートに電荷の注入が行われることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項８】
請求項６において、
前記プログラム入力回路は、前記第１及び第２のビットのデータと、前記第１乃至第３のサイクルにおいて生成されるプログラムデータ制御信号との論理合成により、前記プログラムデータを生成することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項９】
請求項６において
前記プログラム入力回路は、前記第１及び第２のビットのデータをラッチするデータラッチ回路を有し、当該ラッチされた第１及び第２のデータと、前記第１乃至第３のサイクルにおいて生成される第１乃至第３のプログラムデータ制御信号との論理合成により、前記プログラムデータを生成することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１０】
不揮発性メモリ装置において、
２Nの閾値電圧状態を保持する複数のセルトランジスタと、前記セルトランジスタが接続される複数のビット線及びワード線と、前記ビット線に接続され、前記セルトランジスタの閾値電圧状態を検出する読み出しバッファ回路とを有する複数の不揮発性メモリと、
前記複数の不揮発性メモリに共通に設けられ、第１のビット及びそれより下位の第２のビットのデータ入力に応答して、プログラムの有無を示すプログラムデータを出力するプログラム入力回路とを有し、
プログラム時に、前記不揮発性メモリ内の読み出しバッファ回路は、前記プログラムデータをラッチして、ビット線を当該プログラムデータに応じた状態にし、
更に、前記プログラム入力回路は、消去状態である第１の状態から第２の状態にプログラムする第１のサイクルと、第１の状態から第３の状態にプログラムする第２のサイクルと、第１の状態から第４の状態にプログラムする第３のサイクルにおいて、前記第１及び第２のビットの組合せに応じて、前記プログラムデータを出力することを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被服の胸ポケットに入る大きさに形成され、複数の長尺棒状文具を並べて収納できるとともに、前記文具を入れるための開口部を有するケース本体と、
前記ケース本体の前面の上端縁から延在し、前記ケース本体の前面との間で前記胸ポケットの上端を挟み込むことができるように形成された舌片と、を有することを特徴とする文具ケース。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、胸ポケットに入れることができ、胸ポケットの汚れと損傷を防止できる文具ケースを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によれば、被服の胸ポケットに入る大きさに形成され、複数の長尺棒状文具を並べて収納できるとともに、前記文具を入れるための開口部を有するケース本体と、前記ケース本体の前面の上端縁から延在し、前記ケース本体の前面との間で前記胸ポケットの上端を挟み込むことができるように形成された舌片と、を有することを特徴とする文具ケースが提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御パルスを発生させ、該制御パルスをバイポーラトランジスタに供給し、該バイポーラトランジスタから出力信号を出力させ、該出力信号を微分し、それにより、短い一次パルスを発生させるようにした、短い電気パルスを発生させるための方法において、
前記バイポーラトランジスタのスナップオフ作用を利用して、前記バイポーラトランジスタをまず短時間のあいだ飽和状態に制御することによって前記バイポーラトランジスタの出力信号が急峻なカットオフエッジを有するようにし、それによって、トランジスタ入力信号の遮断の際に、トランジスタ入力信号のカットオフエッジが急峻になるようにすることを特徴とする、短い電気パルスを発生させるための方法。