Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理方法、プログラム及び記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像を外部出力する画像処理装置であって、
前記入力画像に対して所定の電子透かし情報が付加されていた場合に、当該電子透かし情報に基づいた所定の処理を前記入力画像に対して施す処理手段と、
前記処理手段での処理後の画像を外部出力する出力手段とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記入力画像を複数に分割する分割手段を備え、
前記処理手段は、前記分割手段で得られた複数の分割画像のそれぞれについて、対象分割画像に対して所定の電子透かし情報が付加されていた場合に、当該電子透かし情報に基づいた所定の処理を分割画像に対して施し、
前記出力手段は、前記処理手段での処理後の複数の分割画像を合成して外部出力することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
更に、入力画像に施す画像処理の種類を電子透かし情報の種類に対応して記憶する記憶手段を有することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記所定の処理は、入力画像にノイズを付加する処理又は入力画像に所定の画像を付加する処理の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
入力画像を外部出力するための画像処理方法であって、
前記入力画像に対して電子透かし情報が付加されていた場合、当該電子透かし情報に基づいた所定の処理を前記入力画像に対して施して外部出力する処理ステップを含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項６】
前記処理ステップは、
前記入力画像から電子透かし情報を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより前記入力画像から電子透かし情報が検出された場合に、当該電子透かし情報の一部又は全ての情報に対応する所定の処理を決定し、当該所定の処理を前記入力画像に対して施して外部出力する出力ステップとを含むことを特徴とする請求項５記載の画像処理方法。
【請求項７】
前記処理ステップは、
前記入力画像を複数の画像に分割する分割ステップと、
前記分割ステップにより得られた複数の分割画像のそれぞれについて、対象分割画像から電子透かし情報を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより電子透かし情報が検出された分割画像について、当該電子透かし情報の一部又は全ての情報に対応する所定の処理を決定し、当該所定の処理を前記分割画像に対して施す処理ステップと、
前記複数の分割画像を再配置して外部出力する出力ステップとを含むことを特徴とする請求項５記載の画像処理方法。
【請求項８】
請求項１〜４の何れか１項に記載の画像処理装置の機能をコンピュータに実現させるためのプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、紙上に印刷された画像をスキャナ等により読み取り、当該読取画像から不可視の電子透かし情報を検出した場合、当該読取画像をディジタル化したものに対して、電子透かし情報に応じた処理を施すための装置或いはシステムに用いられる、画像処理装置、画像処理方法、それを実施するためのプログラムを記憶したコンピュータ読出可能な記憶媒体、及び当該プログラムに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、本発明は、上記の欠点を除去するために成されたもので、画像の著作権等を確実に保護できる、画像処理装置、画像処理方法、それを実施するためのプログラムを記憶したコンピュータ読出可能な記憶媒体、及び当該プログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
斯かる目的下において、第１の発明に係る画像処理装置は、入力画像を外部出力する画像処理装置であって、前記入力画像に対して所定の電子透かし情報が付加されていた場合に、当該電子透かし情報に基づいた所定の処理を前記入力画像に対して施す処理手段と、前記処理手段での処理後の画像を外部出力する出力手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第２の発明に係る画像処理方法は、入力画像を外部出力するための画像処理方法であって、前記入力画像に対して電子透かし情報が付加されていた場合、当該電子透かし情報に基づいた所定の処理を前記入力画像に対して施して外部出力する処理ステップを含むことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第３の発明に係るプログラムは、第１の発明に係る画像処理装置の機能をコンピュータに実現させるためのものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第４の発明に係る記憶媒体は、第３の発明に係るプログラムを格納したことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月22日(2004.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
従って、正方形のディザマトリックスにおいて、該ディザマトリックスの一辺の画素数に一致する階調、すなわち画素サイズ８×８のディザマトリックスの場合は、第８階調目の“２８”までは、該ディザマトリックスの対角画素上に並ぶようにすれば、先に説明した例と同様の効果が得られる。第９階調目以上の閾値については適宜配置して決定するのは上記の例と同様である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、上記ディザマトリックスを作成する装置の一例を図９に示し、その動作処理手順について図１０のフローチャートに従って説明することとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図９は、一般的な情報処理装置（例えばパーソナルコンピュータ等）のブロック構成図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
例えば、図６に示す如く、閾値“２８”を割り当てる際のマス目は１つのみになったが、その割り当てが完了したとき、割り当て禁止領域をリセットするようにしてもよい。勿論、既に割り当てた閾値の存在するマス目については、その値を変更しない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテンツから電子透かしとして挿入された情報を検出する電子透かし情報の検出方法であって、
前記コンテンツを、あらかじめ定めた特定フォーマットへ変換する第１のステップと、
変換された当該コンテンツから情報を検出する第２のステップとを有することを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子透かし情報の検出方法であって、
あらかじめ複数の前記特定フォーマットを定め、
前記変換した当該コンテンツから情報を検出できなかった場合に、前記第1ステップの特定フォーマット以外の他の特定フォーマットへ変換し、情報の検出を再度行う第３のステップとを有することを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項３】
請求項２記載の電子透かし情報の検出方法であって、
あらかじめ複数の前記特定フォーマットに優先度を設定し，優先度にしたがって，情報検出に成功するまで第１と第２のステップを繰り返すことを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項４】
請求項３記載の電子透かし情報の検出方法であって、
前記第２ステップにおいて、特定フォーマットに対する情報検出成功回数を記録し，情報検出成功回数にしたがって，複数の前記特定フォーマットの優先度を更新することを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項５】
請求項１記載の電子透かし情報の検出方法であって、入力された画像のフォーマット毎に前記特定フォーマットを定めることを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項６】
請求項１記載の電子透かし情報の検出方法に適応した電子透かし埋め込み方法であって、
電子透かし情報の検出過程で使用される特定フォーマットの情報を取得し、
現フォーマットから前記特定フォーマットへ変換されるときの変換則を取得し、
前記変換則が適用されても透かし情報が失われないように，透かし情報を埋め込むことを特徴とする電子透かし情報の埋め込み方法。
【請求項７】
コンテンツデータから電子透かし情報を検出する、電子透かし情報の検出方法であって、
少なくとも１ビットに相当する情報の検出を試行する予備処理と、
予備処理において，情報検出に成功した場合に，全透かし情報の読み出しを行う本処理を含むことを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項８】
請求項７に記載の電子透かし情報の検出方法であって、
前記予備処理において，前記コンテンツデータに対し、当該コンテンツデータに想定される少なくとも１種類のデータ変形に関する情報に基づいて、電子透かし情報の有無を判定することを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電子透かし情報の検出方法であって、
電子透かし情報の有無は，コンテンツデータに対して判定演算をおこない，その結果から判定され、
前記予備処理において，データ変形に関する情報をパラメータとして，判定演算に入力することを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子透かし情報の検出方法であって、
前記予備処理で電子透かし情報の有と判定されたときのパラメータを使用して，前記本処理において透かし情報の読み出しをおこなうことを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項１１】
請求項９記載の電子透かし情報の検出方法であって、
前記予備処理において，複数のデータ変形に対してそれぞれパラメータを用意し，
あるパラメータで電子透かし情報有りと判定されなかった場合に、他のパラメータで，判定演算を再度行うことを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の電子透かし情報の検出方法であって、
あらかじめ複数のデータ変形に対するパラメータに優先度を設定し，優先度にしたがってパラメータを適用し，情報検出に成功するまで判定演算を繰り返すことを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の電子透かし情報の検出方法であって、
前記パラメータに対し電子透かし情報有りと判定された回数を記録し，判定回数にしたがって，複数の前記パラメータの優先度を更新することを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項１４】
請求項９記載の電子透かし情報の検出方法であって、
入力されたコンテンツデータのフォーマット毎に前記パラメータを定めることを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【請求項１５】
請求項９記載の電子透かし情報の検出方法であって、
予備処理において，入力されたコンテンツデータを特定フォーマットに変換することを特徴とする電子透かし情報の検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を示した高電圧集積回路(ＨＶＩＣ)の図
【図２】本発明の第２実施形態を示した高電圧集積回路(ＨＶＩＣ)の図
【図３】本発明の第３実施形態を示した高電圧集積回路(ＨＶＩＣ)の図
【図４】本発明の第４実施形態を示した高電圧集積回路(ＨＶＩＣ)の図
【図５】本発明の第５実施形態を示した高電圧集積回路(ＨＶＩＣ)の図
【図６】従来の高電圧集積回路(ＨＶＩＣ)の図
【符号の説明】
１  ＨＶＩＣ用電源ＶＣＣ、２  パワー素子用電源ＨＶ、３  オフセット電源ＶＳ、４  フローティング電源ＶＢ、５  高耐圧ＭＯＳトランジスタ、６  ツェナーダイオード、７  駆動用インバータ、８  抵抗、９  抵抗、１０  ダイオード、１１  ダイオード、１２  抵抗、１３  定電流源、１４  コンデンサ、１５  ゲート容量
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて用いる受信装置であって、
受信信号の信号レベルを調整するゲイン調整手段と、該ゲイン調整手段で信号レベルを調整された信号を復号する復号回路とを具備し、
該ゲイン調整手段は、前記復号回路により復号されたデータの誤り率を測定した結果に基づき、復号された信号の誤り率を最小にするように前記信号レベルを調整することを特徴とする受信装置。
【請求項２】
前記ゲイン調整手段は、前記復号回路の出力に基づいて、ある時刻に設定した上記ゲイン調整手段におけるゲイン値１において測定した誤り率１とその後の時刻に設定した上記ゲイン調整手段におけるゲイン値２において測定した誤り率２を比較し、誤り率が低くなった場合には、ゲイン値２のゲイン値１に対する割合と同一の値とゲイン値２とを乗算したものを次のゲイン値とし、誤り率が高くなった場合には、ゲイン値２のゲイン値１に対する割合の逆数と同一の値とゲイン値２とを乗算したものを次のゲイン値とすることを特徴とする請求項１記載の受信装置。
【請求項３】
上記ゲイン調整手段は、上記復号器への入力信号レベルの分布が一様になるように入力信号レベル調整を行うことを特徴とする請求項１記載の受信装置。
【請求項４】
上記復号器への各入力レベルの確率密度あるいは入力レベルの確率分布を測定し、ある入力レベルの確率密度が他の入力レベルの確率密度を基準としてある閾値以下の場合にはその入力レベルの確率密度が高くなるように入力信号レベル調整を行い、またある入力レベルの確率密度が他の入力レベルの確率密度を基準としてある閾値以上の場合にはその入力レベルの確率密度が低くなるように入力信号レベル調整を行うことを特徴とする請求項３記載の受信装置。
【請求項５】
復号器が複数の符号化方法の復号に対応している場合、符号化方法に依存せずに復号器への入力信号の統計的性質に基づいて入力信号レベル調整を行うことを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれかに記載の受信装置。
【請求項６】
入力信号レベル調整における利得値を通信中に周期的あるいは非周期的に更新可能なように利得値を復調器外部から入力することを特徴とする請求項１ないし５のうちいずれかに記載の受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
以上に示すように、本実施形態に係るデジタル放送受信装置によれば、フルサービス提供タスクがタスク状態を定期的に更新し、メインタスクがタスク状態に基づきフルサービス提供タスクの異常を検出し、異常発生時にはハードリセットが実行される。ハードリセット時には、電源投入時と同様に、フルサービスを提供するより前に、部分サービス提供タスクによって部分サービスが提供される。したがって、装置の異常状態を確実に解消するとともに、従来のデジタル放送受信装置よりも、部分サービスが提供されるまでの待ち時間を短縮することができる。特に、部分サービスに映像サービスを含めているので、異常発生時でも、ユーザは早期に番組を視聴することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガード期間を含んだＯＦＤＭ信号を伝送する伝送装置の受信装置において、受信した上記ＯＦＤＭ信号と該ＯＦＤＭ信号を有効シンボル遅延した信号との相関演算を行い、当該相関演算の結果得られる信号に基づき受信アンテナの方向調整用信号を生成し、該受信アンテナの方向調整を行うことを特徴とするＯＦＤＭ受信装置のアンテナ方向調整方法。
【請求項２】
ガード期間を含んだＯＦＤＭ信号を伝送する伝送装置の受信装置において、受信信号と該受信信号を有効シンボル遅延した信号との相関演算を行い、当該相関演算の結果得られる信号から上記受信信号のレベルを算出し、該受信信号レベルに基づき受信アンテナの方向調整用信号を生成し、該生成した方向調整用信号を用いて受信アンテナの方向調整を行うことを特徴とする受信装置のアンテナ方向調整方法。
【請求項３】
ガード期間を含んだＯＦＤＭ信号を伝送する伝送装置の受信装置において、受信信号と該受信信号を有効シンボル遅延した信号との相関演算結果に基づき上記受信信号のレベルを算出して出力する算出回路と、該算出した受信信号レベルに基づき受信アンテナの方向調整用信号を生成し出力する方向調整信号発生回路とを有し、該生成した方向調整用信号を用いて受信アンテナの方向調整を行うことを特徴とするＯＦＤＭ受信装置。
【請求項４】
ガード期間を含んだＯＦＤＭ信号を伝送する伝送装置において、受信側に、受信信号と該受信信号を有効シンボル遅延した信号との相関演算結果に基づき上記受信信号のレベルを算出して出力する算出回路と、上記受信信号レベル信号を出力する出力端子を有することを特徴とする伝送システムの復調装置。
【請求項５】
ガード期間を含んだＯＦＤＭ信号を伝送する伝送装置において、受信側に、受信信号と該受信信号を有効シンボル遅延した信号との相関演算を行い、該相関演算の結果に基づき上記受信信号のレベルを算出する復調装置から出力される上記受信信号レベルを入力する入力端子と、該受信信号レベルに基づき受信アンテナの方向調整用信号を生成し出力する方向調整信号発生回路と、該生成した方向調整信号を出力する出力端子を有することを特徴とする受信アンテナ調整用のアダプタ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線基地局装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ信号の送受信を行うアンテナ部と、送信ＲＦ信号及び受信ＲＦ信号を増幅する送受信増幅部と、ベースバンド信号を前記送信ＲＦ信号に変換し前記増幅された受信ＲＦ信号をベースバンド信号に変換する周波数変換部と、ベースバンド信号処理を行うベースバンド部とを備え、複数のＲＦ信号を送受信する無線基地局装置であって、
前記送受信増幅部と前記周波数変換部はおのおの複数個が配置され、
前記複数個の送受信増幅部の各送信増幅部は前記複数個の周波数変換部の各周波数変換部毎に個別に配置接続されて前記複数のＲＦ信号のうちの対応するＲＦ信号を増幅する構成としたことを特徴とする無線基地局装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月15日(2004.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の無線局を備え、各無線局間で無線通信を行う無線ネットワークのためのルーティング方法において、
自局からの信号を各隣接無線局が受信したときの信号強度を含む評価値の測定値を含む、隣接無線局からの信号に基づいて、自局を中心とした方位角毎の各隣接無線局から見た、信号強度を含む評価値を求めた後、各隣接無線局毎に最大の評価値を選択して各隣接無線局との親和度とし、当該親和度を含む隣接リンク状態テーブルを生成して第１の記憶手段に保存するステップと、
上記生成された隣接リンク状態テーブルを含む更新信号を送信して他の各無線局と交換することにより、各無線局毎の隣接リンク状態テーブルの情報を受信して、当該各無線局毎の隣接リンク状態テーブルの情報を含むグローバルリンク状態テーブルを生成して第２の記憶手段に保存するステップと、
上記グローバルリンク状態テーブルに基づいて、送信元無線局から目的無線局までのルートを選択して、パケット信号をルーティングするステップとを含むことを特徴とする無線ネットワークのためのルーティング方法。
【請求項２】
上記ルーティングするステップは、上記グローバルリンク状態テーブルに基づいて、送信元無線局から目的地無線局までのルートをすべて検索し、検索された各ルートを形成するリンクの中で最小の親和度を持つリンクを検索し、検索された各ルートが持つ最小の親和度を比較し、その中で最も高い親和度であるリンクを持つルートを選択することを特徴とする請求項１記載の無線ネットワークのためのルーティング方法。
【請求項３】
上記グローバルリンク状態テーブルは、各無線局毎に当該隣接リンク状態テーブルの情報の更新回数をさらに含み、
上記グローバルリンク状態テーブルを生成して第２の記憶手段に保存するステップは、更新信号を受信し、グローバルリンク状態テーブルの更新を行い、新たに更新信号を送信するとき、直接に無線通信可能な隣接無線局の更新回数を比較し、最も更新回数の低い値を持つ無線局に対してのみ更新信号を送信することを特徴とする請求項１又は２記載の無線ネットワークのためのルーティング方法。
【請求項４】
上記信号強度を含む評価値は、信号電力であることを特徴とする請求項１乃至３のうちのいずれか１つに記載の無線ネットワークのための制御方法。
【請求項５】
上記信号強度を含む評価値は、信号対雑音比であることを特徴とする請求項１乃至３のうちのいずれか１つに記載の無線ネットワークのための制御方法。
【請求項６】
上記信号強度を含む評価値は、信号対干渉雑音比であることを特徴とする請求項１乃至３のうちのいずれか１つに無線ネットワークのための制御方法。
【請求項７】
複数の無線局を備え、各無線局間で無線通信を行う無線ネットワークのためのルータ装置において、
自局からの信号を各隣接無線局が受信したときの信号強度を含む評価値の測定値を含む、隣接無線局からの信号に基づいて、自局を中心とした方位角毎の各隣接無線局から見た、信号強度を含む評価値を求めた後、各隣接無線局毎に最大の評価値を選択して各隣接無線局との親和度とし、当該親和度を含む隣接リンク状態テーブルを記憶する第１の記憶手段と、
上記生成された隣接リンク状態テーブルを含む更新信号を送信して他の各無線局と交換することにより、各無線局毎の隣接リンク状態テーブルの情報を受信して、当該各無線局毎の隣接リンク状態テーブルの情報を含むグローバルリンク状態テーブルを記憶する第２の記憶手段と、
上記グローバルリンク状態テーブルに基づいて、送信元無線局から目的無線局までのルートを選択して、パケット信号をルーティングするルーティング手段とを備えたことを特徴とする無線ネットワークのためのルータ装置。
【請求項８】
上記ルーティング手段は、上記グローバルリンク状態テーブルに基づいて、送信元無線局から目的地無線局までのルートをすべて検索し、検索された各ルートを形成するリンクの中で最小の親和度を持つリンクを検索し、検索された各ルートが持つ最小の親和度を比較し、その中で最も高い親和度であるリンクを持つルートを選択することを特徴とする請求項７記載の無線ネットワークのためのルータ装置。
【請求項９】
上記グローバルリンク状態テーブルは、各無線局毎に当該隣接リンク状態テーブルの情報の更新回数をさらに含み、
更新信号を受信し、グローバルリンク状態テーブルの更新を行い、新たに更新信号を送信するとき、直接に無線通信可能な隣接無線局の更新回数を比較し、最も更新回数の低い値を持つ無線局に対してのみ更新信号を送信する手段をさらに備えたことを特徴とする請求項７又は８記載の無線ネットワークのためのルータ装置。
【請求項１０】
上記信号強度を含む評価値は、信号電力であることを特徴とする請求項７乃至９のうちのいずれか１つに記載の無線ネットワークのためのルータ装置。
【請求項１１】
上記信号強度を含む評価値は、信号対雑音比であることを特徴とする請求項７乃至９のうちのいずれか１つに記載の無線ネットワークのためのルータ装置。
【請求項１２】
上記信号強度を含む評価値は、信号対干渉雑音比であるこを特徴とする請求項７乃至９のうちのいずれか１つに無線ネットワークのためのルータ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
セキュリティ通信処理部１１２は、通信装置１０７を用いて宅外ネットワーク５を介してファイアウォール２と通信する際に、暗号や認証を用いて情報セキュリティ上安全に通信する処理部である。
ＭＡＣアドレス入手処理部１１３は、通信対象である宅内機器３のＭＡＣアドレスを入手する処理部である。エアコンメーカの販売記録、ユーザ登録データベースなどから入手する。アドレスのディレクトリサービスなどを利用してもよい。
通信装置１０７を利用して宅外ネットワーク５経由で入手してもよいし、入力装置１０４を利用して人間が入力してもよい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
宅外ネットワークＩＰｖ６アドレス保持部１１４は、通信対象である宅内機器３を宅外ネットワーク５上で識別するための宅外ネットワークＩＰｖ６アドレスを保持している保持部である。
宅外機器１を宅外ネットワークＩＰｖ６アドレス生成処理部１１１、セキュリティ通信処理部１１２、ＭＡＣアドレス入手処理部１１３、および宅外ネットワークＩＰｖ６アドレス保持部１１４として機能させる為のプログラムは、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に記録され磁気ディスク１０３等に格納された後、メモリ１０２にロードされて実行されるものとする。なお前記プログラムを記録する記録媒体はＣＤ−ＲＯＭ以外の他の記録媒体でも良い。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図４は、本実施形態のファイアウォール２の概略構成を示した図である。
図４に示す様に本実施形態のファイアウォール２は、ＣＰＵ２０１と、記憶装置２０２と、通信装置２０３とを有している。
ＣＰＵ２０１は、ファイアウォール２全体の動作を制御する装置である。
記憶装置２０２は、ファイアウォール２全体の動作を制御するための各種処理プログラムやデータを記憶する装置である。通信装置２０３は、宅外ネットワーク５を介して宅外機器１との通信を行い、宅内ネットワーク６を介して宅内機器３との通信を行う装置である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、ファイアウォール２は、ＩＰｖ６アドレス変換処理部２１１と、セキュリティ通信処理部２１２と、宅内機器登録処理部２１３と、宅内ネットワーク防御処理部２１４と、宅内機器データベース２１５と、宅内ネットワークＩＰｖ６アドレス生成処理部２１６とを有している。
ＩＰｖ６アドレス変換処理部２１１は、宅外ネットワーク５を介して通信装置２０３が受信した、宅外機器１から宅内機器３へのメッセージの宛先ＩＰｖ６アドレスについて、プレフィクス部分を、宅内ネットワーク６を元に生成したプレフィクスに変換し、宅内ネットワーク６を介して通信装置２０３が受信した宅内機器３から宅外機器１へのメッセージの送信元ＩＰｖ６アドレスについてプレフィクス部分を宅外ネットワーク５を元に作成したプレフィクスに変換する処理部である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
次に、宅内ネットワークＩＰｖ６アドレス生成の処理をファイアウォール２が行なう場合を図７を用いて説明する。
まず、宅内機器３を新規に宅内ネットワーク６に接続する（ステップ２００１）。次に、ＭＡＣアドレス保持部３１１が保持している宅内機器３自身のＭＡＣアドレスを、通信装置３０３が宅内ネットワーク６を介してファイアウォール２に送信する（ステップ２００２）。ここで、送信する情報は、ＭＡＣアドレスの他、宅内機器３に対して操作、保守を行なう権限を持った宅外機器１の識別情報、宅内ネットワーク６上での通信において暗号や認証を用いる場合の鍵情報など、セキュリティ通信に必要な情報を含む場合がある。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、本実施形態によれば、ＰＣ４を宅内ネットワーク６とは異なるＰＣ用宅内ネットワーク７に接続し、ＰＣ４と宅内機器３との通信は常にファイアウォール２を経由して行なう。これにより、ＰＣ４と宅内機器３、または、宅外機器１と宅内機器３との通信が必ずファイアウォール２を経由するため、不正な処理を監視し、被害を未然に防ぐことができる。
また、本実施形態によれば、インターネットサービスプロバイダの変更などによるネットワークの変更が生じても、宅外ネットワーク５が変わるだけで、宅内ネットワーク６およびＰＣ用宅内ネットワーク７は変わらない。このため、ファイアウォール２のアドレス設定を変更するだけでよく、宅内機器３およびＰＣ４のアドレス設定を変更する必要がない。すなわち、宅内機器３のアドレスを設定しなおすことなくインターネットサービスプロバイダを変更することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月20日(2004.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その内側が排気される処理室と、この処理室の下方に配置され処理対象のウエハが載置される試料台と、前記処理室内に処理ガスが流出する複数の流出孔を有して前記処理室の上方に前記ウエハと対向して配置されたプレートと、前記処理室の上方に配置されそのプラズマに面する側に前記プレートが配置された部材とを有し、前記プレートに前記処理室内に電界を形成するための電力が供給されるとともに、前記ウエハと前記プレートとの間にプラズマが形成されるプラズマ処理装置であって、
前記プレートに配置された貫通孔を通過した前記処理室内からの光が透過する光伝送体を有する受光手段を備え、該受光手段が前記処理室の上方に配置された前記部材に取り付けられ、前記光伝送体の端面が前記プレート及び前記貫通孔の背面に接する又は微小な隙間を介して対向して配置されたプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、前記処理室上方に配置された部材が前記ウエハに平行して対向するように配置された平板状の部材であるプラズマ処理装置。
【請求項３】
真空容器と、この真空容器内側の下方に配置され処理対象のウエハが載置される試料台と、前記真空容器内側の上方に前記ウエハと対向して配置され前記真空容器内に電界を形成するための電力が供給されるプレートと、このプレートに配置され前記真空容器内に処理ガスが流出する複数の流出孔とを有し、前記プレートと前記ウエハの間にプラズマが形成されるプラズマ処理装置であって、
前記真空容器の上部に配置されその前記プラズマに接する側に前記プレートが設置される部材と、前記プレートを貫通する貫通孔を通過した前記真空容器内の光が透過する光伝送体を有して前記部材に取り付けられた受光手段とを備え、この受光手段が前記光伝送体の端面が前記プレート及び前記貫通孔の背面に接する又は微小な隙間を介して対向して配置されたプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置であって、前記真空容器の上部に配置される部材は前記ウエハに平行に対向して配置された平板状の部材であるプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載のプラズマ処理装置であって、前記真空容器の上部に配置される部材がこの真空容器に保持された部材であるプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記受光手段が前記部材にシールされて取り付けられたプラズマ処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴は、その内側が排気される処理室と、この処理室の下方に配置され処理対象のウエハが載置される試料台と、前記処理室内に処理ガスが流出する複数の流出孔を有して前記処理室の上方に前記ウエハと対向して配置されたプレートと、前記処理室の上方に配置されそのプラズマに面する側に前記プレートが配置された部材とを有し、前記プレートに前記処理室内に電界を形成するための電力が供給されるとともに、前記ウエハと前記プレートとの間にプラズマが形成されるプラズマ処理装置であって、前記プレートに配置された貫通孔を通過した前記処理室内からの光が透過する光伝送体を有する受光手段を備え、該受光手段が前記処理室の上方に配置された前記部材に取り付けられ、前記光伝送体の端面が前記プレート及び前記貫通孔の背面に接する又は微小な隙間を介して対向して配置されたプラズマ処理装置にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の特徴は、前記処理室上方に配置された部材が前記ウエハに平行して対向するように配置された平板状の部材であるプラズマ処理装置にある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のさらに他の特徴は、真空容器と、この真空容器内側の下方に配置され処理対象のウエハが載置される試料台と、前記真空容器内側の上方に前記ウエハと対向して配置され前記真空容器内に電界を形成するための電力が供給されるプレートと、このプレートに配置され前記真空容器内に処理ガスが流出する複数の流出孔とを有し、前記プレートと前記ウエハの間にプラズマが形成されるプラズマ処理装置であって、前記真空容器の上部に配置されその前記プラズマに接する側に前記プレートが設置される部材と、前記プレートを貫通する貫通孔を通過した前記真空容器内の光が透過する光伝送体を有して前記部材に取り付けられた受光手段とを備え、この受光手段が前記光伝送体の端面が前記プレート及び前記貫通孔の背面に接する又は微小な隙間を介して対向して配置されたプラズマ処理装置にある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のさらに他の特徴は、前記真空容器の上部に配置される部材が前記ウエハに平行に対向して配置された平板状の部材であるプラズマ処理装置にある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の他の特徴は、前記真空容器の上部に配置される部材がこの真空容器に保持された部材であるプラズマ処理装置にある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の他の特徴は、前記受光手段が前記部材にシールされて取り付けられたプラズマ処理装置にある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質半導体膜に金属元素を添加した後、前記非晶質半導体膜を熱処理により結晶化して第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体膜に、波長が３５０ｎｍ以上であり、エネルギー密度が７００ｍＪ／ｃｍ2乃至１８００ｍＪ／ｃｍ2のパルス発振するレーザ光を複数回照射して、第２の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質半導体膜に金属元素を添加した後、前記非晶質半導体膜を第１の熱処理により結晶化して第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体膜に、波長が３５０ｎｍ以上であり、エネルギー密度が７００ｍＪ／ｃｍ2乃至１８００ｍＪ／ｃｍ2のパルス発振するレーザ光を複数回照射して、第２の結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜に第２の熱処理を行って第３の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、前記熱処理は、ファーネスアニール法またはＲＴＡ法で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項３において、前記第２の結晶性半導体膜に不純物元素を添加した後に、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２において、前記第１の熱処理は、ファーネスアニール法またはＲＴＡ法で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２または請求項５において、前記第２の熱処理は、ファーネスアニール法、レーザアニール法、ＲＴＡ法のいずれかによって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２、５、６のいずれか一項において、前記第２の熱処理は、前記第２の半導体膜が溶融しない温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２、５、６、７のいずれか一項において、前記第３の結晶性半導体膜に不純物元素を添加した後に、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記レーザ光は、パルス発振の固体レーザまたは気体レーザまたは金属レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記レーザ光は、パルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種から発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記レーザ光は、非線形光学素子により高調波に変換されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記非晶質半導体膜は、珪素を含む膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記レーザ光のパルス幅は１００ｎｓ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、可撓性基板上に前記非晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、前記可撓性基板の表面にバリア層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４において、前記可撓性基板の表面及び裏面にバリア層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６において、前記バリア層は、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＮ膜、ＡｌＯ膜、炭素膜、ＳｉＮ膜のうちの単層または多層からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
そして、第１の試料および第２の試料に対し、出力２０Ｗ、周波数１ｋＨｚ、パルス幅１２０ｎｓのＹＬＦレーザを用い、第２高調波（５２７ｎｍ）に変換して、１パルス当たりのエネルギー密度を変え、オーバーラップ率を９８％としてレーザアニールを行った。エネルギー密度は、４６４、７０３、９５６、１２０９、１４７６、１７４３、１９９６、２１９３、２４１８、２６１５ｍＪ／ｃｍ2とした。なお、照射面におけるレーザ光の形状は１００μｍ×４０μｍ（共に１／ｅ2幅）の線状となり、オーバーラップ率は照射面におけるビームプロファイルの１／ｅ2幅と、基板の搬送速度（２ｍｍ／ｓ）から算出している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
次いで、得られた半導体膜に７０３ｍＪ／ｃｍ2より大きく、１７４３ｍＪ／ｃｍ2より小さいエネルギー密度でレーザ光を照射して、結晶性の向上を行う。また、レーザ光として、波長が３５０ｎｍ以上（好ましくは４００ｎｍ以上）である半導体膜に対する透過率が高い波長を用いる。また、レーザとして、固体レーザを用いるのが望ましいが、もちろん気体レーザや金属レーザを用いても良い。前記固体レーザとしては連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ等があり、前記気体レーザとしては連続発振またはパルス発振のＫｘＦエキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ2レーザ等があり、前記金属レーザとしてはヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザが挙げられる。また、上記各構成において、前記レーザ光は、非線形光学素子により高調波に変換されていることが望ましい。本実施例では、パルス幅１００ｎｓのＴｉ：サファイアレーザの第２高調波を用い、エネルギー密度を１２００ｍＪ／ｃｍ2として、半導体膜に照射する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
本実施例では、プラズマＣＶＤ法を用い、５０ｎｍの非晶質珪素膜を成膜し、この非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素を用いた熱結晶化法およびレーザ結晶化法を行う。金属元素としてニッケルを用い、溶液塗布法により非晶質珪素膜上に導入した後、５５０℃で５時間の熱処理を行って第１の結晶性珪素膜を得る。そして、出力１０Ｗの連続発振のＹＶＯ4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により第２高調波に変換したのち、光学系により線状ビームを形成して照射し、第２の結晶性珪素膜を得る。前記第１の結晶性珪素膜にレーザ光を照射して第２の結晶性珪素膜とすることで、結晶性が向上する。このとき、レーザ光の波長は３５０ｎｍ以上であって、エネルギー密度は７０３ｍＪ／ｃｍ2より大きく、１４７６ｍＪ／ｃｍ2より小さいエネルギー密度であるとする。このとき、レーザ光を５０〜９８％程度オーバーラップさせても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月24日(2004.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】疎水性多孔質シリカ材料及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
上記前駆体溶液中のＨＭＤＳＯが０、１０及び１５モル％（対ＴＥＯＳ１モル）の各添加量である場合において、焼成処理して得られる試料中の炭素原子の含有量比、即ち、
Ｃ／（Ｃ＋Ｏ＋Ｎ＋Ｓｉ）
（上記式において各元素記号はそれぞれ対応する原子の原子数を示す。）
は、それぞれ、０、１２及び２０ａｔｏｍ％にて含有されていることが分る。ここで、アンモニア塩化物に由来する窒素（Ｎ）原子はほとんど含有されていない。これは、加水分解時に必要なｐＨ調整剤たる硝酸や、界面活性剤として作用するアンモニア塩化物が、加熱処理によりほぼ完全に蒸発したことを示す。多孔質シリカ膜の膜構造の空隙は、このようなアンモニア塩化物が占有していた痕跡部分から生じるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板上に形成した絶縁膜に凹パターンを形成した後、前記凹パターンの内部を含む前記半導体基板の全面にバリアメタル層を形成し、さらに前記凹パターンを埋め込む銅膜を形成する工程と、
（ｂ）砥粒フリースラリを用いたＣＭＰ法で前記銅膜を研磨し、前記バリアメタル層で前記銅膜の研磨を止める工程と、
（ｃ）直前混合された砥粒フリースラリとシリカスラリとを用いたＣＭＰ法で前記銅膜の研磨残りを除去する工程と、
（ｄ）シリカスラリを用いたＣＭＰ法で前記凹パターン以外の領域の前記バリアメタル層を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上にタングステン膜または銅膜を主導体層とするプラグに接続して、銅膜を主導体層とするシングルダマシン配線を形成する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記プラグの上層に絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜の所定の領域に配線溝を形成する工程と、
（ｂ）前記配線溝の内部を含む前記半導体基板の全面にバリアメタル層を形成し、さらに前記配線溝を埋め込む銅膜を形成する工程と、
（ｃ）砥粒フリースラリを用いたＣＭＰ法で前記銅膜を研磨し、前記バリアメタル層で前記銅膜の研磨を止める工程と、
（ｄ）直前混合された砥粒フリースラリとシリカスラリとを用いたＣＭＰ法で前記銅膜の研磨残りを除去する工程と、
（ｅ）シリカスラリを用いたＣＭＰ法で前記配線溝以外の領域の前記バリアメタル層を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板上に銅膜を主導体層とするデュアルダマシン配線を形成する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板上に形成された絶縁膜の所定の領域に接続孔および配線溝を形成する工程と、
（ｂ）前記接続孔および配線溝の内部を含む前記半導体基板の全面にバリアメタル層を形成し、さらに前記接続孔および配線溝を埋め込む銅膜を形成する工程と、
（ｃ）砥粒フリースラリを用いたＣＭＰ法で前記銅膜を研磨し、前記バリアメタル層で前記銅膜の研磨を止める工程と、
（ｄ）直前混合された砥粒フリースラリとシリカスラリとを用いたＣＭＰ法で前記銅膜の研磨残りを除去する工程と、
（ｅ）シリカスラリを用いたＣＭＰ法で前記接続孔および配線溝以外の領域の前記バリアメタル層を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本実施の形態による半導体装置は、図３に示すように、半導体素子（ウェハ）１上に無電解Ｎｉめっき層２１及び無電解Ｃｕめっき層２２、２３により配線パターン（再配線）が形成され、配線パターンに対して外部接続端子としてはんだボール１１がＮｉめっき及びＡｕめっきを介して接続された構成を有する。本実施の形態による半導体装置は、配線パターンの製造工程において、電解Ｃｕめっき法の代わりに無電解Ｃｕめっき法を用いている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
無電解Ｃｕめっき層とポリイミド層３との密着性は、ポリイミド層３の上に無電解Ｎｉめっき層２１を形成してから、無電解Ｃｕめっき層を形成することにより、実用上十分な密着性となる。また、無電解Ｎｉめっき層２１を極力薄くするために、無電解Ｎｉめっき層２１の上に置換型の無電解Ｃｕめっき層２２を形成し、さらにその上に還元型の無電解Ｃｕめっき層２３を形成することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図４に示す製造工程において、まず、電極パッド２を除いて絶縁皮膜（ポリイミド層）３により覆われた半導体素子（ウェハ）１上に、パラジウム（Ｐｄ）２０を付与する。（ステップＳ２０：図４（ａ）参照）。より具体的には、半導体素子の表面をパラジウムを主とし、塩化物を含まない溶液に浸漬することにより、パラジウム２０を半導体素子の表面に分散した状態で付着させる。ここで、パラジウム溶液に浸漬する前に、半導体素子（ウェハ）の表面に露出したアルミニウム製の電極パッド２の表面の酸化膜を、硫酸酸性溶液により除去しておくことが好ましい。パラジウム２０は、無電解Ｎｉ層２１を形成する際に触媒として作用し、Ｎｉの析出を促進する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003115489.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状記録媒体が収納された回転自在のインナ−ロータと、そのインナ−ロータの回転によってピックアップ挿入口を内側から開閉するシャッタとが備えられたディスクカートリッジであって、
該ディスクカートリッジの側面に沿って形成され、ディスクドライブ装置側のラック部材が該ディスクカートリッジの側面に沿って相対的に移動される際に、該ラック部材のラックが相対的に挿入されて移動される凹溝と、
前記インナーロータの外周に形成されて、一部が前記凹溝内に露出され、前記凹溝内に相対的に挿入されて移動される前記ラックによって回転駆動される外周ギアとを有し、
該ディスクカートリッジの前記凹溝の両側の側面のうちの少なくとも一方の側面が前記ラックに対する前記外周ギアの噛合深さを規制する基準面に形成されている
ことを特徴とするディスクカートリッジ。
【請求項２】
ディスク状記録媒体が収納された回転自在のインナ−ロータと、そのインナ−ロータの回転によってピックアップ挿入口を内側から開閉するシャッタとが備えられたディスクカートリッジであって、前記インナーロータの外周に形成された外周ギアの一部が該ディスクカートリッジの側面に沿って形成された凹溝内に露出され、該ディスクカートリッジの前記凹溝の両側の側面のうちの少なくとも一方の側面が基準面に形成されているディスクカートリッジの前記ディスク状記録媒体を記録及び／又は再生するディスクドライブ装置であって、
前記ディスクカートリッジの側面に沿って相対的にスライド駆動されるラック部材に形成されて、前記凹溝内の前記外周ギアと噛合されて前記インナーロータを回転駆動するラックを有し、
前記ラック部材の前記ラックによって前記ディスクカートリッジの前記凹溝内の前記外周ギアを相対的に回転駆動する際に、該ラック部材を該ディスクカートリッジの前記基準面で案内することにより、前記ラックに対する前記外周ギアの噛合深さを規制するように構成されている
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項３】
前記ラック部材を前記ディスクカートリッジの前記基準面に弾性的に押圧する側圧ばねを備えた
ことを特徴とする請求項２に記載のディスクドライブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明のディスクカートリッジは、ディスク状記録媒体が収納された回転自在のインナ−ロータと、そのインナ−ロータの回転によってピックアップ挿入口を内側から開閉するシャッタとが備えられたディスクカートリッジであって、該ディスクカートリッジの側面に沿って形成され、ディスクドライブ装置側のラック部材が該ディスクカートリッジの側面に沿って相対的に移動される際に、該ラック部材のラックが相対的に挿入されて移動される凹溝と、前記インナーロータの外周に形成されて、一部が前記凹溝内に露出され、前記凹溝内に相対的に挿入されて移動される前記ラックによって回転駆動される外周ギアとを有し、該ディスクカートリッジの前記凹溝の両側の側面のうちの少なくとも一方の側面が前記ラックに対する前記外周ギアの噛合深さを規制する基準面に形成されているディスクカートリッジである。
また、上記の目的を達成するための本発明のディスクドライブ装置は、ディスク状記録媒体が収納された回転自在のインナ−ロータと、そのインナ−ロータの回転によってピックアップ挿入口を内側から開閉するシャッタとが備えられたディスクカートリッジであって、前記インナーロータの外周に形成された外周ギアの一部が該ディスクカートリッジの側面に沿って形成された凹溝内に露出され、該ディスクカートリッジの前記凹溝の両側の側面のうちの少なくとも一方の側面が基準面に形成されているディスクカートリッジの前記ディスク状記録媒体を記録及び／又は再生するディスクドライブ装置であって、前記ディスクカートリッジの側面に沿って相対的にスライド駆動されるラック部材に形成されて、前記凹溝内の前記外周ギアと噛合されて前記インナーロータを回転駆動するラックを有し、前記ラック部材の前記ラックによって前記ディスクカートリッジの前記凹溝内の前記外周ギアを相対的に回転駆動する際に、該ラック部材を該ディスクカートリッジの前記基準面で案内することにより、前記ラックに対する前記外周ギアの噛合深さを規制するように構成されているディスクドライブ装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
なお、図１４の（Ａ）は、ラック部材７１の他方の側面（ディスクカートリッジ１側とは反対側の面）７１ｃを後述するカートリッジホルダ６４等で形成したスライド基準部６５で受け止める。そして、ディスクカートリッジ１の他方の側面１ｄを板ばねやコイルばね等の側圧ばね６６によってｊ方向から押圧して、その反力によってラック部材７１の一方の側面７１ｃをディスクカートリッジ１の基準面３３に矢印ｋ方向から弾性的に押圧するように構成することができる。