【手続補正書】
【提出日】平成17年8月3日(2005.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜をパターニングして、前記結晶性半導体膜の端面と前記第1の絶縁膜の端面とを一致させ、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜をパターニングして、前記結晶性半導体膜の端面と前記第1の絶縁膜の端面とを一致させ、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜をパターニングして、前記結晶性半導体膜の端面と前記第1の絶縁膜の端面とを一致させ、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート配線を形成し、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを同じ形状にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にソース領域とドレイン領域とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の一部にリンのドーピングを行うことにより不純物領域を形成し、
加熱処理を施し、前記不純物領域に前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の一部にリンのドーピングを行うことによりソース領域とドレイン領域とを形成し、
加熱処理を施し、前記ソース領域と前記ドレイン領域とに前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の一部にリンのドーピングを行うことにより不純物領域を形成し、
前記不純物領域にボロンのドーピングを行うことによりソース領域とドレイン領域とを形成し、
加熱処理を施し、前記ソース領域と前記ドレイン領域とに前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第１の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを選択的に除去して、ソース領域となるべき領域とドレイン領域となるべき領域とを露呈させ、
前記ソース領域となるべき領域と前記ドレイン領域となるべき領域とにリンのドーピングを行うことにより不純物領域を形成し、  
加熱処理を施し、前記不純物領域に前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを選択的に除去して、ソース領域となるべき領域とドレイン領域となるべき領域とを露呈させ、
前記ソース領域となるべき領域と前記ドレイン領域となるべき領域とにリンのドーピングを行うことによりソース領域とドレイン領域とを形成し、
加熱処理を施し、前記ソース領域と前記ドレイン領域とに前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得た後、
前記結晶性半導体膜及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを選択的に除去して、ソース領域となるべき領域とドレイン領域となるべき領域とを露呈させ、
前記ソース領域となるべき領域と前記ドレイン領域となるべき領域とにリンのドーピングを行うことにより不純物領域を形成し、
前記不純物領域にボロンのドーピングを行うことによりソース領域とドレイン領域とを形成し、
加熱処理を施し、前記ソース領域と前記ドレイン領域とに前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して第１の結晶性半導体膜を得た後、
前記第１の結晶性半導体膜と前記第１の絶縁膜とをパターニングすることにより第２の結晶性半導体膜、第２の絶縁膜、第３の結晶性半導体膜及び第３の絶縁膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜、前記第２の絶縁膜、前記第３の結晶性半導体膜及び前記第３の絶縁膜上に第４の絶縁膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜及び前記第３の結晶性半導体膜のそれぞれ一部にリンのドーピングを行うことにより第１の不純物領域と第２の不純物領域とを形成し、
前記第２の結晶性半導体膜上及び前記第２の絶縁膜上にマスクを形成し、
前記第２の不純物領域にボロンのドーピングを行い、
加熱処理を施し、前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域とに前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面を有する下地膜の少なくとも一部に結晶化を助長する触媒元素を接させ、
前記下地膜上に非晶質を有する半導体膜と第1の絶縁膜とを大気にさらすことなく形成し、
前記第1の絶縁膜を介して赤外光または紫外光を照射することにより前記非晶質を有する半導体膜を結晶化して第１の結晶性半導体膜を得た後、
前記第１の結晶性半導体膜と前記第１の絶縁膜とを第２の結晶性半導体膜と第２の絶縁膜及び第３の結晶性半導体膜と第３の絶縁膜とにパターニングし、
前記第２の結晶性半導体膜と前記第２の絶縁膜及び前記第３の結晶性半導体膜と前記第３の絶縁膜上に第４の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜と前記第４の絶縁膜とを選択的に除去して、前記第２の結晶性半導体膜の第１のソース領域となるべき領域と第１のドレイン領域となるべき領域と前記第３の結晶性半導体膜の第２のソース領域となるべき領域と第２のドレイン領域となるべき領域とを露呈させ、
前記第１のソース領域となるべき領域と前記第１のドレイン領域となるべき領域と前記第２のソース領域となるべき領域と前記第２のドレイン領域となるべき領域とにリンのドーピングを行うことにより、前記第１のソース領域となるべき領域と前記第１のドレイン領域となるべき領域とに第１のソース領域と第１のドレイン領域とを形成し、
前記第２の結晶性半導体膜上及び前記第２の絶縁膜上にマスクを形成し、
前記第２のソース領域となるべき領域と前記第２のドレイン領域となるべき領域にボロンのドーピングを行うことにより第２のソース領域と第２のドレイン領域とを形成し、
加熱処理を施し、前記第１のソース領域と前記第１のドレイン領域と前記第２のソース領域と前記第２のドレイン領域とに前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
プラズマ酸化を用いることにより前記第１の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記非晶質を有する半導体膜を溶融させることなく前記非晶質を有する半導体膜を結晶化させることにより、前記結晶性半導体膜を得ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記触媒元素は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅから選ばれた少なくとも一つの元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。