【手続補正書】
【提出日】平成17年4月12日(2005.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超常磁性ナノ構造体を製造する方法であって、
ａ）両親媒性のブロック共重合体を含むブロック共重合体溶液を準備する工程と、
ｂ）シリコン含有化合物を含むゾルゲル前駆物質を準備する工程と、
ｃ）鉄の前駆物質を前記両親媒性ブロック共重合体溶液若しくは前記ゾルゲル前駆物質に加える工程と、
ｄ）前記ブロック共重合体溶液と前記ゾルゲル前駆物質とを混合し、混成の無機ナノ構造材料を作製する工程と、
ｅ）前記混成無機ナノ構造体材料から溶媒を取り除き、個々のナノ構造体材料を作製する工程と、
ｆ）前記ナノ構造体のそれぞれを焼成し、超常磁性ナノ構造体材料を作製する工程と、
を備える超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２】
前記両親媒性のブロック共重合体が、ポリ（イソプレン-ブロック-エチレンオキシド）ブロック共重合体、ポリ（エチレンプロピレン-ブロック-エチレンオキシド）ブロック共重合体、ポリ（ブタジエン-ブロック-エチレンオキシド）ブロック共重合体、ポリ（イソプレン-ブロック-エチレンオキシド-ブロック-イソプレン）ブロック共重合体、及びポリ（イソプレン-ブロック-エチレンオキシドブロック-メチルメタクリレート）ブロック共重合体からなる群から選択されることを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項３】
前記両親媒性ブロック共重合体は、ポリ（イソプレン-ブロック-ポリエチレンオキシド）ブロック共重合体であり、前記ポリ（イソプレン-ブロック-ポリエチレンオキシド）ブロック共重合体が、ポリイソプレン相及びポリエチレンオキシド相を有することを特徴とする請求項２記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項４】
前記混成無機ナノ構造体材料は、前記ポリエチレンオキシド相と前記ゾルゲル前駆物質とを２３ｖｏｌ％含むことを特徴とする請求項３記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項５】
前記ナノ構造体材料が、球状体であることを特徴とする請求項４記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項６】
前記混成無機ナノ構造体材料が、前記ポリエチレンオキシド相と前記ゾルゲル前駆物質とを２６−３５ｖｏｌ％含むことを特徴とする請求項３記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項７】
前記ナノ構造体材料のそれぞれが、円柱状体であることを特徴とする請求項６記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項８】
前記混成無機ナノ構造体材料が、前記ポリエチレンオキシド相とゾルゲル前駆物質とを４０−５５ｖｏｌ％含むことを特徴とする請求項３記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項９】
前記ナノ構造体のそれぞれが、薄膜状体であることを特徴とする請求項８記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記混成無機ナノ構造体材料が、前記ポリエチレンオキシド相と前記ゾルゲル前駆物質とを６０−６２ｖｏｌ％含むことを特徴とする請求項３記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記ナノ構造体のそれぞれが、メゾポーラス材料であることを特徴とする請求項１０記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項１２】
前記混成無機ナノ構造体材料が、前記ポリエチレンオキシド相と前記ゾルゲル前駆物質とを６５−７５ｖｏｌ％含むことを特徴とする請求項３記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項１３】
前記ナノ構造体のそれぞれが、メゾポーラス材料であることを特徴とする請求項１２記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記焼成工程が、少なくとも５５０℃で行われることを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項１５】
前記溶媒除去工程が、前記混成無機ナノ構造体材料のフィルムを成型することにより前記溶媒を蒸発させることを含むことを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項１６】
前記溶媒除去工程が、前記混成無機ナノ構造体材料にトルエンを加えることを含むことを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項１７】
前記鉄前駆物質が、前記ブロック共重合体溶液に加えられることを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項１８】
前記鉄前駆物質が、鉄アルコキシドであることを特徴とする請求項１７記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項１９】
前記鉄アルコキシドが、鉄エトキシドであることを特徴とする請求項１８記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２０】
前記鉄前駆物質が、鉄塩であることを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２１】
前記ゾルゲル前駆物質を準備する工程が、さらに、アルミニウム含有化合物を混合することを含んでいることを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２２】
前記アルミニウム含有化合物が、アルミニウムアルコキシド化合物であることを特徴とする請求項２１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２３】
前記アルミニウムアルコキシド化合物が、アルミニウム-トリ-ｓｅｃ-ブトキシドであることを特徴とする請求項２２記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２４】
前記シリコン含有化合物が、３-グリシドキシ-プロピルトリメトキシレンであることを特徴とする請求項２３記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２５】
ゾルゲル前駆物質に塩を加える工程をさらに備えることを特徴とする請求項２４記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２６】
前記塩が、塩化カルシウムであることを特徴とする請求項２５記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２７】
前記シリコン含有化合物が、３-グリシドキシ-プロピルトリメトキシレンであることを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２８】
前記シリコン含有化合物が、シリコンアルコキシドであることを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項２９】
前記シリコンアルコキシドが、テトラメトキシレン若しくはテトラエトキシレンであることを特徴とする請求項２８記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項３０】
前記超常磁性ナノ構造体材料が、超常磁性メゾポーラス材料であることを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項３１】
前記ブロック共重合体溶液を準備する工程が、非水溶性溶媒内に前記両親媒性ブロック共重合体を溶解することを含むことを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項３２】
前記非水溶性溶媒が、乾燥したテトラハイドロフラン及びクロロホルムを含有する溶液であることを特徴とする請求項３１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項３３】
前記シリコン含有化合物及び前記アルミニウム含有化合物が、９０：１０の比で存在することを特徴とする請求項２１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項３４】
前記ゾルゲル前駆物質を準備する工程が、水溶性の溶液中に前記シリコン含有化合物を混合することを含むことを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項３５】
前記ゾルゲル前駆物質に塩を加える工程をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項３６】
前記塩が、アルカリハロゲン化物塩若しくはアルカリ金属塩であることを特徴とする請求項３５記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項３７】
前記塩が、塩化セシウム若しくは塩化カルシウムであることを特徴とする請求項３６記載の超常磁性ナノ構造体の製造方法。
【請求項３８】
超常磁性を有する二酸化ケイ素ナノ構造体を含むことを特徴とする超常磁性ナノ構造体材料。
【請求項３９】
前記二酸化ケイ素のナノ構造体材料が、メゾポーラス材料であることを特徴とする請求項３８記載の超常磁性ナノ構造体材料。
【請求項４０】
前記二酸化ケイ素のナノ構造体材料が、球状、円柱状若しくは薄膜状の形状を有することを特徴とする請求項３８記載の超常磁性ナノ構造体材料。
【請求項４１】
前記二酸化ケイ素のナノ構造体材料が、アルミノケイ酸塩ナノ構造体材料であることを特徴とする請求項３８記載の超常磁性ナノ構造体材料。
【請求項４２】
前記アルミノケイ酸塩ナノ構造体材料が、メゾポーラス材料であることを特徴とする請求項４１記載の超常磁性ナノ構造体材料。
【請求項４３】
前記アルミノケイ酸塩ナノ構造体材料が、球状、円柱状、若しくは薄膜状の形状を有することを特徴とする請求項４１記載の超常磁性ナノ構造体材料。