【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書
【発明の名称】  低抵抗ポリマーマトリクスヒューズ装置および方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ヒューズ要素（element）層、および
前記ヒューズ要素層に対向する面（side）上に伸び、且つそれに結合された第１および第２の中間絶縁層、
を含む低抵抗ヒューズであって；前記ヒューズ要素層が前記第１の中間絶縁層上に形成され、且つ前記第２の絶縁層が前記ヒューズ要素層に積層された（laminated）ヒューズ。
【請求項２】  前記ヒューズ要素層が可融性リンクを包含し、前記第１および第２の中間層のうちの少なくとも１つが前記可融性リンクの上にある開口部を含む請求項１記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項３】  前記ヒューズ要素層が薄いフィルムフォイルを含む請求項１記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項４】  前記ヒューズ要素層が約１〜約２０ミクロンの厚みを有する請求項３記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項５】  前記ヒューズ要素層が約３〜約９ミクロンの厚みを有する請求項３記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項６】  前記第１および第２の中間絶縁層のそれぞれに積層された第１および第２外絶縁層を更に含む請求項１記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項７】  前記第１および第２外絶縁層のうちの１つおよび前記第１および第２の中間絶縁層のうちの少なくとも１つが液晶ポリマーまたはポリイミド物質を含む請求項６記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項８】  低抵抗ヒューズの加工方法であって；
第１の中間絶縁層を与え、、
第１の中間絶縁層をヒューズ要素層でメタライズし、
ヒューズ要素層から第１および第２接触パッド間に伸びる可融性リンクを形成し、且つ
ヒューズ要素層上で第２の中間絶縁層を第１の中間絶縁層に結合する
ことを含む方法。
【請求項９】  第１の中間絶縁層および第２の中間絶縁層のうちの少なくとも１つに開口部を形成することを更に含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】  第１および第２外中間絶縁層の各々に第１および第２外絶縁層を積層することを更に含む請求項９記載の方法であって、第１および第２外絶縁層のうちの少なくとも１つがポリイミドまたは液晶ポリマーを含む方法。
【請求項１１】  第１の中間層のメタライズが、前記ヒューズ要素層を形成するために銅フォイルを電着し、前記ヒューズ要素層を形成するために金属フォイルをスパッターし、第１の中間層をめっきし、または第１の中間層をスクリーン印刷することのうちの少なくとも１つを含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】  第１の中間絶縁層へのヒューズ要素層の前記積層が第１の中間絶縁層への１ミクロン〜２０ミクロンの薄フォイルヒューズ要素層の積層を含む請求項１０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本出願は、米国特許仮出願第６０／３４８，０９８号（２０００年１月１０日出願）の利益を主張する。
【０００２】
（発明の背景）
本発明は全般に、ヒューズに、特にフォイルヒューズ要素を用いるヒューズに関する。
【０００３】
ヒューズは、電気回路に対する費用の掛かる損害を防止するための過電流防護装置として広範に用いられている。典型的には、ヒューズ端子または接点は、電源と電気的構成部分または電気回路中に配置された構成部分の組合せとの間の電気的接続を生成する。１つまたはそれ以上の可融性リンクまたは素子、あるいはヒューズ要素アセンブリーは、ヒューズを流れる電流が予定閾値を超えると、可融性素子が溶融し、崩壊し、断絶し、またはその他の方法でヒューズと関連した回路を開放して、電気的構成部分損害を防止するよう、ヒューズ端子または接点間を接続する。
【０００４】
近年の電子装置の急増により、融合技術に対する必要性が増大した。例えば慣用的ヒューズは、ガラスシリンダーまたは管に包まれ、且つ管内で空気中に吊るされたワイヤヒューズ要素（あるいは打抜きおよび／または造形金属ヒューズ要素）を含む。ヒューズ要素は、電気回路との接続のために管に取り付けられた導電性面冠間に伸びる。しかしながら、電子用途において印刷回路板とともに用いられる場合、ヒューズは典型的には非常に小さくなければならず、溶融製品の製造および組み立て経費を増大するこれらの種類のヒューズに関して製造および据付けを難しくする。
【０００５】
その他の種類のヒューズは、電子用途のためのヒューズ要素を生成するための高温有機誘電性基板（例えばＦＲ−４、フェノール系またはその他のポリマーベースの物質）上での付着メタライズを含む。ヒューズ要素は、蒸着され、スクリーン印刷され、電気鍍金され、または既知の技法を用いて基板に適用され得るし、且つヒューズ要素幾何学は、メタライズ層を化学エッチングまたはレーザートリミングしてヒューズ要素を生成することにより変更され得る。しかしながら過電流状態中は、これらの種類のヒューズは、ヒューズ要素から基板に熱を伝導して、それによりヒューズの電流定格出力を増大するだけでなくヒューズの電気抵抗も増大する傾向があり、これが低電圧電子回路に望ましくない影響を及ぼし得る。更にヒューズ要素が誘電性基板にぴったり近接するか、または誘電性基板上に直接蒸着される場合、炭素トラッキングが起こり得る。炭素トラッキングはヒューズを完全に除去させないし、またはヒューズが意図された場合、回路を開放しない。
【０００６】
更にその他のヒューズは、厚いフィルム導電性物質、例えば導電性インクを伴うセラミック基板を用いて、電気回路との接続のための造形ヒューズ要素および導電性パッドを形成する。しかしながらプリント厚および幾何学を制御できないことは、融合装置における非許容可能変化をもたらし得る。更に、ヒューズ要素を形成する導電性物質は、典型的には高温で燃焼され、そこで高温セラミック基板が用いられねばならない。しかしながらこれらの基板は、過電流状態で熱が下がると機能して、ヒューズ要素から熱を抜き去り、且つヒューズの電気抵抗を増大する傾向がある。
【０００７】
多くの回路において、高ヒューズ抵抗は作動回路部品が機能するのに有害であり、且つある種の用途においては、電圧作用が、ヒューズ抵抗のために、作動回路部品を操作不可能にさせ得る。
【０００８】
【特許文献１】
米国特許第５９１４６４９号公報
【特許文献２】
米国特許第５９２９７４１号公報
【特許文献３】
米国特許第５６０６３０１号公報
【特許文献４】
米国特許第５２９６８３３号公報
【特許文献５】
国際公開第０１／６９９８８号公報
【特許文献６】
米国公開２００３／０４８６２０号公報
【特許文献７】
米国特許第５１６６６５６号公報
【０００９】
一局面において、低抵抗ヒューズが提供される。ヒューズは、ヒューズ要素層、ならびに前記のヒューズ要素層の対向面に伸びる、且つそれに結合された第１および第２の中間絶縁層を包含し、前記のヒューズ要素層は、前記の第１の中間絶縁層上に形成され、且つ前記の第２絶縁層は前記のヒューズ要素層に積層される。
【００１０】
別の局面では、低抵抗ヒューズの加工方法が提供される。当該方法は、第１の中間絶縁層を与え、、第１の中間絶縁層をヒューズ要素層でメタライズし、ヒューズ要素層から第１および第２接触パッド間に伸びる可融性リンクを形成し、且つヒューズ要素層の上を覆って第２の中間絶縁層を第１の中間絶縁層に結合することを含む。
【００１１】
別の局面では、低抵抗ヒューズが提供される。ヒューズは薄いフォイルヒューズ要素層を含む。第１および第２の中間絶縁層は、前記のヒューズ要素層の対向面に伸び、それに結合され、且つヒューズ要素層が前記の第１の中間絶縁層上に形成される。第２絶縁層は、前記のヒューズ要素層に積層され、第１外絶縁層が前記の第１の中間絶縁層に積層され、且つ第２外絶縁層が前記の第２の中間絶縁層に積層される。
【００１２】
別の局面では、低抵抗ヒューズが提供される。ヒューズは、第１および第２接触パッド、ならびに前記の第１および第２接触パッド間に伸びる可融性リンクを含む薄いフォイルヒューズ要素層を含む。第１および第２の中間絶縁層は、前記のヒューズ要素層の対向面に伸び、且つ前記の第１および第２の中間絶縁層のうちの少なくとも１つが、前記の可融性リンクの付近にそれを通る開口部を含む。第１外絶縁層は前記の第１の中間絶縁層を覆って伸び、第２外絶縁層は前記の第２の中間絶縁層を覆って伸びて、且つ前記の第１および第２外絶縁層のうちの少なくとも一方は、前記の第１および第２の中間絶縁層のうちの少なくとも一方の前記開口部を封入する。
【００１３】
更に別の局面では、低抵抗ヒューズが提供される。ヒューズは、第１および第２接触パッド、ならびに前記の第１および第２接触パッド間に伸びる可融性リンク中に形成された１ミクロン〜２０ミクロンの電着金属フォイルを含む薄いフォイルヒューズ要素層を含む。第１および第２の中間絶縁層は、前記のヒューズ要素層の対向面に伸び、且つ前記の第１および第２の中間絶縁層の各々が、前記の可融性リンクの付近にそれを通る開口部を含む。前記の第１および第２の中間絶縁層のうちの少なくとも一方はポリイミド物質を含み、第１外絶縁層は前記の第１の中間絶縁層を覆って伸び、第２外絶縁層は前記の第２の中間絶縁層を覆って伸びる。前記の第１および第２外絶縁層の各々は、前記の第１および第２の中間絶縁層のうちの少なくとも一方の前記開口部を封入し、前記の第１および第２外絶縁層のうちの少なくとも一方はポリイミド物質を含む。
【００１４】
図１は、本発明の例示的一態様によるフォイルヒューズ１０の斜視図である。下記の理由のために、ヒューズ１０は、顕著な性能利点を与え、ながら、慣用的ヒューズより低いコストで製造可能である、と考えられる。例えばヒューズ１０は、既知の匹敵するヒューズに関連した抵抗低減、ならびにヒューズが作動した後の絶縁増大を示す、と考えられる。これらの利点は、少なくとも一部は、可融性リンクの形成のための薄い金属フォイル物質およびポリマーフィルム上に取り付けられる接点終端の使用により達成される。本明細書中での説明のために、薄い金属フォイル物質は、厚さ約１〜約１００ミクロン、更に好ましくは約１〜約２０ミクロン、且つ特定の態様では約３〜約１２ミクロンの範囲であるとみなされる。
【００１５】
本発明の少なくとも１つのヒューズは、薄い金属フォイル物質で第２加工された場合に特に有益であることが判明しているが、しかしその他のメタライズ技法も有益であり得ると考えられる。例えばヒューズ要素を形成するために３〜５ミクロン未満のメタライズを要する低ヒューズ定格に関しては、当業界で既知の技法により薄いフィルム物質が用いられ、その例としてはスパッター金属フィルムが挙げられるが、これに限定されない。更に、本発明の局面は無電解金属めっき構築にも、ならびに厚いフィルムスクリーン印刷構築にも適用し得る、と理解される。したがってヒューズ１０は、例証のためにのみ記載されたものであって、本明細書中でのヒューズ１０の説明は本発明の局面をヒューズ１０の個別例に限定するよう意図されない。
【００１６】
ヒューズ１０は、以下で詳細に説明される層化構築物であり、且つハンダ接点１２（時としてはハンダバンプとも呼ばれる）間を電気的に伸びて、それと伝導関係であるフォイルヒューズ要素（図１に示されていない）を含有する。ハンダ接点１２は、使用に際して、端子、接点パッドまたは印刷回路板（示されていない）の回路終端と結合されて、ヒューズ１０を流れる、あるいは特にヒューズ要素を流れる電気回路を確立する。ヒューズ要素およびヒューズ１０の製造に用いられる特定の物質の特徴によって、ヒューズ１０を流れる電流が非許容可能限界に達すると、ヒューズ要素は溶融し、気化し、あるいは層でなければヒューズを通る電気回路を開放し、且つヒューズ１０に関連した回路中の電気部品に対する高価な損害を防止する。
【００１７】
例証的一態様では、ヒューズ１０は一般に、長方形であり、且つ小スペースを占めながら、印刷回路板にヒューズ１０を取り付ける表面に適した幅Ｗ、長さＬおよび高さＨを有する。例えば特定の一態様では、Ｌは約０．０６０インチであり、Ｗは約０．０３０インチであり、且つＨはＬまたはＷよりかなり小さく、ヒューズ１０の低プロフィールを保持する。以下で明らかになるように、Ｈは、ヒューズ１０を第２加工するために用いられる種々の層の併合厚とほぼ等しい。しかしながら、ヒューズ１０の実際の寸法は、本発明の範囲を逸脱しない限り、１インチより大きい寸法を含めて、本明細書中に記述された寸法からより大きいかまたはより小さい寸法に変更され得る、と認識される。
【００１８】
本発明の少なくともいくつかの利点は、電気回路にヒューズ１０を接続するための図示されたハンダ接点１２以外の他のヒューズ終端を用いることにより達成され得る、ということも認識される。したがって例えば接点導線（即ちワイヤ終端）、ラップアラウンド終端、浸漬メタライズ終端、めっき終端、塔状化接点、ならびにその他の既知の接続機構が、ぜひ必要である場合かまたは望ましい場合、ハンダ接点１２に代わるものとして用いられ得る。
【００１９】
図２は、ヒューズ１０の第２加工に用いられる種々の層を示すヒューズ１０の分解組み立て斜視図である。特に、例示的一態様では、ヒューズ１０は本質的に５つの層から構築され、上部および下部中間絶縁層２２、２４間に挟まれたフォイルヒューズ２０を含有し、次にこれら２２、２４は上部および下部外絶縁層２６、２７間に挟まれる。
【００２０】
フォイルヒューズ要素層２０は、一態様では、既知の技法により下部中間層２４に適用される電着３〜５ミクロン厚銅フォイルである。例示的一態様では、フォイルは、コッパーボンドエクストラシンフォイルCopperBond（登録商標）Extra Thin Foil（Olin, Inc．から入手可能）であり、薄いヒューズ要素層２０は、長方形接点パッド３２、３４間に伸びる細い可融性リンク３０を有する大文字のＩの形状に形成される。可融性リンク３０は、可融性リンク３０を流れる電流が特定レベルに達すると開放するように寸法に合わせて作られる。例えば例示的一態様では、ヒューズが１アンペア未満で作動するよう、可融性リンク３０は幅約０．００３インチである。しかしながら、代替的態様では、種々の寸法の可融性リンクが用いられ、且つ薄いヒューズ要素層２０はその他の金属フォイル、例えばニッケル、亜鉛、スズ、アルミニウム、銀、それらの合金（例えば銅／スズ、銀／スズおよび銅／銀合金）ならびに銅フォイルの代わりのその他の導電性フォイル物質（これらに限定されない）から形成され得る、と理解される。代替的態様では、９ミクロンまたは１２ミクロン厚フォイル物質が用いられ、化学的にエッチングされて、可融性リンクの厚みを低減する。更に、既知のＭ−効果融着技法は、可融性リンクの作動を強化するためにさらなる態様で用いられ得る。
【００２１】
当業者に理解されるように、可融性リンクの性能（例えば短絡器性能および割込み電圧容量）は、用いられる物質の融解温度および可融性リンクの幾何学によっており、ならびに主としてそれにより確定され、且つ各々の変化により、異なる性能特徴を有する事実上非限定数の可融性リンクが得られる。更に１つより多い可融性リンクは、ヒューズ性能を更に変えるために平行して伸長し得る。このような態様では、多可融性リンクが単一ヒューズ要素層中の接点パッド間を平行に伸び得るし、あるいは垂直積重ね立体配置で互いに平行に伸びる可融性リンクを含む多ヒューズ要素層が用いられ得る。
【００２２】
所望のヒューズ要素定格を有するヒューズ要素層２０を製造するための、または選定物質から第２加工されたヒューズ要素定格を確定するための物質を選定するために、融着性能は主に３つのパラメター、例えばヒューズ要素幾何学、ヒューズ要素周囲の物質の熱伝導率、および融着金属の融解温度によっている、ということが確定された。これらのパラメターの各々は、ヒューズが作動する場合、アーク放電時間に直接比例し、且つ組合せに際して、これらのパラメターは各々、ヒューズの時間対電流特徴を確定する、ということが確定された。したがってヒューズ要素層のための物質、ヒューズ要素層周囲の物質、およびヒューズ要素層の幾何学の注意深い選択により、許容可能な低抵抗ヒューズが製造され得る。
【００２３】
ヒューズ要素２０の幾何学を先ず考えると、例証のために、例示的ヒューズ要素層の特徴が分析される。例えば図６は、例示的寸法を含有する相対的に簡単なヒューズ要素幾何学の平面図を示す。
【００２４】
図６を参照すると、大文字のＩの一般的形状のヒューズ要素層が絶縁層上に形成される。ヒューズ要素層の融着特徴は、ヒューズ要素層を形成するために用い荒れる金属の電気伝導率（ρ）、融合素子層の寸法局面（即ちヒューズ要素の長さおよび幅）およびヒューズ要素層の厚みにより支配される。例証的態様では、ヒューズ要素層２０は、１／ρ*ｃｍまたは約０．１６７７９Ω／□（ここで、□は「正方形」で表される考慮中のヒューズ要素部分の寸法比である）の面積抵抗（１ミクロン厚に関して測定される）を有することが既知である３ミクロン厚銅フォイルから形成される。
【００２５】
例えば図６に示されたヒューズ要素を考えると、ヒューズ要素は、第１セグメントに対応する寸法ｌ1およびｗ1、第２セグメントに対応するｌ2およびｗ2、ならびに三次セグメントに対応するｌ3およびｗ3で同定可能な３つの別個のセグメントを含む。セグメント中の正方形を合計することにより、ヒューズ要素そうの低効率は、むしろ直接的方法でほぼ確定され得る。したがって図６に示されたヒューズ要素に関しては：
正方形の数＝（ｌ1／ｗ1＋ｌ2／ｗ2＋ｌ3／ｗ3）                  （１）
＝（１０／２０＋３０／４＋１０／２０）
＝８．５□
ここで、ヒューズ要素層の電気抵抗（Ｒ）は、以下の関係にしたがって確定され得る：
ヒューズ要素Ｒ＝（面積抵抗）*（正方形数）／Ｔ                （２）
（式中、Ｔはヒューズ要素層の厚みである）。前記の例に引き続いて、且つ方程式（２）を適用して、以下であることが理解され得る：
ヒューズ要素抵抗＝（０．１６７７９Ω／□）*（８．５□）／３
＝０．０４７５Ω
もちろん、より複雑な幾何学のヒューズ要素抵抗は、同様の方式で同様に確定され得る。
【００２６】
ここで、ヒューズ要素層周囲の物質の熱伝導率を考えると、同様でない物質の亜容積間の熱流量（Ｈ）は以下の関係により支配される、と当業者は理解し得る：
△ｈ(m,n)〜(m+1,n)＝
｛２（θm,n−θ）＊Ｙn＊Ｚ＊Ｋm,n＊△ｔ｝／Ｘm,n    （３）
（式中、Ｋm,nは物質の第１亜容積の熱伝導率であり、Ｋm+1,nは物質の第２亜容積の熱伝導率であり、Ｚは問題の物質の厚みであり、θは選定参照点での亜容積ｍ、ｎの温度であり、Ｘm,nは参照点からの第１亜容積測定の第１座標位置であり、且つＹnは参照点からの第２座標位置測定値であり、ならびに△ｔは当該時間値である）。
【００２７】
方程式（３）は層化ヒューズ構築物の正確な熱流動特徴を確定するために非常に詳細に試験され得るが、しかしそれは、本明細書中では主に、ヒューズ内の熱流量が用いられる物質の熱伝導率に比例することを示すために提示される。いくつかの例示的な既知の物質の熱伝導率は以下の表に記述されており、且つヒューズ要素周囲のヒューズに用いられる絶縁層の伝導率を低減することにより、ヒューズ内の熱流量はかなり低減され得る、と理解され得る。特に注目すべきは、ヒューズ要素層より上および下の絶縁物質として本発明の例証的態様で用いられるポリイミドの有意に低い伝導率である。
基板熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）                                     １９
フォルステライト（２ＭｇＯ−ＳｉＯ2）                      ７
コーディエライト（２ＭｇＯ−２Ａｌ2Ｏ3−５ＳｉＯ2）        １．３
ステアタイト（２ＭｇＯ−ＳｉＯ2）                          ３
ポリイミド                                                 ０．１２
ＦＲ−４  エポキシ樹脂／ファイバーグラス                   ０．２９３積層
【００２８】
ここで、ヒューズ要素層の第２加工に用いられる融着金属の作業温度を考えると、所定時点でのヒューズ要素層の作業温度θは、以下の関係により支配される、と当業者は理解し得る：
θ＝｛１／（ｍ＊ｓ）｝＊∫ｉ2Ｒam（１＋αθ）ｄｔ          （４）
（式中、ｍはヒューズ要素層の質量であり、ｓはヒューズ要素を構成する物質の比熱であり、Ｒamは周囲温度θでのヒューズ要素層の抵抗であり、ｉはヒューズ要素層を流れる電流であり、且つαはヒューズ要素物質に関する抵抗温度係数である）。もちろん、ヒューズ要素層は、ヒューズ要素物質の融解温度までヒューズを通して回路を完了するために機能性である。一般的に用いられるヒューズ要素物質の例示的融点は、以下の表に記述されており、ヒューズ要素のより高い電流定格を可能にする銅の有意に高い融解温度のために、銅ヒューズ要素層が本発明に特に有益である、ということが注目される。
金属および金属合金融解温度（℃）
銅（Ｃｕ）                                              １０８４
亜鉛（Ｚｎ）                                              ４１９
アルミニウム（Ａｌ）                                      ６６０
銅／スズ（２０Ｃｕ／８０Ｓｎ）                            ５３０
銀／スズ（４０Ａｇ／６０Ｓｎ）                            ４５０
銅／銀（３０Ｃｕ／７０Ａｇ）                              ７８８
【００２９】
ここで、ヒューズ要素層のための物質の融解温度、ヒューズ要素層主意の物質の熱伝導率およびヒューズ要素層の抵抗率の併合作用を考慮すると、種々の性能特徴を有する許容可能な低抵抗ヒューズが製造され得る、ということは明らかであると思われる。
【００３０】
振り返って図２を参照すると、上部中間絶縁層２２はフォイルヒューズ要素層２０の上になり、且つフォイルヒューズ要素層２０のそれぞれの接点パッド３２、３４との電気的接続を促すためにそれを通して伸びる長方形終端開口部３６，３８または窓を含む。回路造形可融性リンク開口部４０は終端開口部３６、３８間を伸びて、フォイルヒューズ要素層２０の可融性リンク３０の上になる。
【００３１】
下部中間絶縁層２４はフォイルヒューズ要素層２０の下になり、フォイルヒューズ要素層２０の可融性リンク３０の下層にある円形造形ヒューズリンク開口部４２を含む。このようなものとして、可融性リンク３０がフォイルヒューズ要素２０の接点パッド３２、３４間を伸びる場合、可融性リンク３０が中間絶縁層２２、２４のいずれの表面とも接触しないよう、可融性リンク３０は、上部および下部中間絶縁層２２、２４中のそれぞれのヒューズリンク開口部４０、４２を横切って伸びる。言い換えれば、ヒューズ１が十分に第２加工された場合、可融性リンク３０はそれぞれの中間絶縁層２２、２４中のヒューズリンク開口部４０、４２によってエアポケット中に有効に吊るされる。
【００３２】
このようなものとして、ヒューズリンク開口部４０、４２は、慣用的ヒューズでは、ヒューズの電気抵抗増大に寄与する中間絶縁層２２、２４への熱伝達を防止する。したがってヒューズ１０は既知のヒューズより低抵抗で作動し、その結果、既知の匹敵するヒューズより低い回路摂動を有する。更にそして既知のヒューズとは違って、可融性リンク開口部４０、４２により作られるエアポケットは、アークトラッキングを阻止し、且つ可融性リンク３０を通る回路の完全掃去を促す。さらなる態様では、適正に造形されたエアポケットは、可融性リンクが作動し、ヒューズに対する内部の望ましくないガス蓄積および圧力を軽減する場合に、その中でのガスの通気を促し得る。したがって、開口部４０、４２は例示的態様では実質的に円形として示されているが、しかし、本発明の範囲および精神を逸脱しない限り、非円形開口部４０、４２も同様に用いられ得る。更に、中間絶縁層２２、２４中のヒューズリンク開口部として、非対称開口部が用いられ得る、ということが意図される。更に、ヒューズリンク開口部はしかしながら固体または気体で充填されて、前記の空気の代わりに、またはそれに加えて、アークトラッキングを阻止し得る、ということが意図される。
【００３３】
例証的態様では、上部および下部中間絶縁層は各々、誘電フィルム、例えば市販の、且つＫＡＰＴＯＮ（登録商標）の商標でデラウェア州ウィルミントンのデュポン社（E.I. du Pont de Nemours and Company）から販売されている０．００２インチ厚ポリイミドから第２加工される。しかしながら、代替的態様では、その他の適切な電気絶縁物質（ポリイミドおよび非ポリイミド）、例えばＣＩＲＬＥＸ（登録商標）非付着性ポリイミド貼り合せ物質、ＵＰＩＬＥＸ（登録商標）ポリイミド物質（Ube Industriesから市販されている）、ピロラックスPyrolux、ポリエチレンナフタレンジカルボキシレート（時としてＰＥＮと呼ばれる）、ジヴレックスZyvrex液晶高分子物質（Rogers Corporationから市販されている）等がＫＡＰＴＯＮ（登録商標）の代わりに用いられ得る、と理解される。
【００３４】
上部外絶縁層２６は上部中間層２２の上にあり、且つ上部中間絶縁層２２の終端開口部３６、３８と実質的に一致する長方形の終端開口部４６、４８を含む。上部外絶縁層２６の終端開口部４６、４８および上部中間絶縁層２２の終端開口部３６、３８は一緒に、薄いヒューズ要素接点パッド３２、３４の上のそれぞれのキャビティを形成する。開口部３６、３８、４６、４８がハンダ（図２に示されていない）で充填される場合、ハンダ接点パッド１２（図１に示されている）は、例えば印刷回路板上の外部回路との接続のためにヒューズ要素接点パッド３２、３４と導電性関係で形成される。連続表面５０は、上部中間絶縁層２２の可融性リンク開口部４０の上に来る上部外絶縁層２６の終端開口部４６、４８間に伸びて、それにより可融性リンク３０を封入し、適切に絶縁する。
【００３５】
さらなる態様では、上部外絶縁層２６および／または下部外絶縁層２８は、可融性リンク開口部４０、４２内の開口ヒューズの視覚的指示を促す半透明または透明物質から第２加工される。
【００３６】
下部外絶縁層２８は、下部中間絶縁層２４の下にあり、中実性であり、即ち開口部を有さない。したがって下部外絶縁層２４の連続中実表面は下部中間絶縁層２８の可融性リンク開口部４２真下で可融性リンク３０を適切に絶縁する。
【００３７】
例証的態様では、上部および下部外絶縁層は各々、誘電フィルム、例えば市販の、且つＫＡＰＴＯＮ（登録商標）の商標でデラウェア州ウィルミントンのデュポン社から販売されている０．００５インチ厚ポリイミドフィルムから第２加工される。しかしながら、代替的態様では、その他の適切な電気絶縁物質、例えばＣＩＲＬＥＸ（登録商標）非付着性ポリイミド貼り合せ物質、ピロラックスPyrolux、ポリエチレンナフタレンジカルボキシレート等が用いられ得る、と理解される。
【００３８】
ヒューズ１０を第２加工するために用いられる例示的製造方法を説明するために、ヒューズ１０の層は、以下の表にしたがって言及される：
プロセス層 図２層 図２レファレンス
１          上部外部絶縁層                          ２６
２          上部中間絶縁層                          ２２
３          フォイルヒューズ要素層                  ２０
４          下部中間絶縁層                          ２４
５          下部外部絶縁層                          ２８
【００３９】
これらの名称を用いて、図３は、ヒューズ１０の例示的製造方法６０のフローチャートである（図１および２に示されている）。フォイルヒューズ要素層２０（層３）は、既知の積層技法により下部中間層２４（層４）に積層される（６２）。フォイルヒューズ要素層２０（層３）は次に、既知の技法を、例えば塩化鉄（ＩＩＩ）溶液の使用（これに限定されない）を用いて、下部中間絶縁層２４（層４）上に所望の形状にエッチングされる（６４）。例示的一態様では、フォイルヒューズ要素層２０（層３）は、大文字Ｉ形造形フォイルヒューズ要素が既知のエッチング法にしたがって図２に関して前記されたように残存するよう、形成される。代替的態様では、可融性リンク３０および接点パッド３２、３４を形成するために、打抜き操作がエッチング操作の代わりに用いられる。
【００４０】
下部中間絶縁層（層４）からのフォイルヒューズ要素層（層３）の形成６４が完了した後、上部中間絶縁層２２（層２）は、過程６２から既知の積層技法により予備積層化フォイルヒューズ要素層２０（層３）および下部中間絶縁層（層４）に積層される（６６）。中間絶縁層２２、２４（層２および４）間に挟まれたフォイルヒューズ要素層２０（層３）を用いて、３層積層がそれにより形成される。
【００４１】
次に終端開口部３６、３８および可融性リンク開口部４０（すべて図２に示されている）が、既知のエッチング、押抜きまたは孔あけ法により、上部中間絶縁層２２（層２）中に形成される（６８）。可融性リンク開口部４２（図２に示されている）も、既知の方法により、例えばエッチング、押抜きおよび孔あけ（これらに限定されない）により、下部中間絶縁層２８中に形成される（６８）。したがってヒューズ要素層接点パッド３２、３４（図２に示されている）は、上部中間絶縁層２２（層２）中の終端開口部３６、３８を通して露呈される。可融性リンク３０（図２に示されている）は、それぞれの中間絶縁層２２、２４（層２および４）の可融性リンク開口部４０、４２内に露呈される。代替的態様では、可融性リンク操作４０および終端開口部３６、３８を形成するために、打抜き操作、孔あけおよび押抜き操作等がエッチング操作の代わりに用いられ得る。
【００４２】
中間絶縁層２２、２４（層２および４）中への開口部または窓を形成（６８）後、過程６６および６８から、外絶縁層２６、２８（層１および５）が３層組合せ（層２、３および４）に積層される（７０）。外絶縁層２６、２８（層１および５）は、当業界で既知の方法および技術を用いて、３層組合せに積層される。
【００４３】
外絶縁層２６、２８（層１および５）が積層されて（７０）、５層組合せを形成後、ヒューズ要素接点パッド３２、３４（図２に示されている）が、それぞれの終端開口部３６、３８および４６、４８を通して上部外絶縁層２６（層１）および上部中間絶縁層２２（層２）により露呈されるように、終端開口部４６、４８（図２に示されている）が形成される（７２）。次に、ヒューズ１０（図１および２に示されている）の操作特徴、例えば電圧または電流定格、ヒューズ分類コード等に関係するしるしで下部外絶縁層２８（層５）がマークされる（７４）。マーキング７４は、既知の方法により、例えばレーザーマーキング、化学エッチングまたはプラズマエッチングにより実施され得る。その他の既知の導電性接点パッド、例えばニッケル／金およびスズめっきパッド（これに限定されない）はハンダ接点１２の代わりに代替的態様において用いられ得る、と理解される。
【００４４】
次にハンダは、ヒューズ要素接点パッド３２、３４（図２に示されている）と導電連絡するハンダ接点１２（図１に示されている）を仕上げるために適用される。したがって電気的接続は、ハンダ接点１２が電圧印加回路のラインおよびロード電気接続に結合される場合、可融性リンク３０（図２に示されている）を通って確立され得る。
【００４５】
ヒューズ１０は今まで記載された方法により単独に製造され得るが、一方、例証的態様において、ヒューズ１０はシート形態で集合的に第２加工され、次に個々のヒューズ１０に分離されるかまたは単一化される（７８）。バッチ過程で生成される場合、種々の形状および寸法の可融性リンク３０は、エッチングおよび打抜き過程の的確な制御により同時に生成され得る。更に、ロールおよびロール積層法が連続加工過程に用いられて、多数のヒューズを最小時間で製造し得る。
【００４６】
更に、付加的層を含むヒューズは、前記の基本的方法から逸脱することなく第２加工され得る。したがって多重ヒューズ要素層および／または付加的絶縁層が利用されて、異なる性能特徴および種々のパッケージサイズを有するヒューズを第２加工し得る。
【００４７】
したがってヒューズは、高価でない既知の技術および方法を用いて、回分操作で、低コストの広範に利用可能な材料を用いて効率的に生成され得る。光化学的エッチング法は、ヒューズ１０の最終性能における変動を最小限にするために、均一の厚みおよび導電度を有する、非常に小型のヒューズに関してさえ、薄いヒューズ要素層２０の可融性リンク３０および接点パッド３２、３４のかなり的確な生成を可能にする。更に、ヒューズ要素層２０を生成するための薄い金属フォイル材料の使用は、それが既知の匹敵するヒューズに関連した非常に低抵抗のヒューズを構築することができるようにさせる。
【００４８】
図４は、ヒューズ１０と実質的に同様のフォイルヒューズ９０の第二の態様の分解組み立て斜視図である（図１〜３に関連して上に記載されている）が、但し、下部中間絶縁層２４は除く。特に、下部中間絶縁層２４における可融性リンク開口部４２（図２に示されている）は、ヒューズ９０には存在せず、且つ可融性リンク３０は、下部中間絶縁層２４の表面を直接横切って伸びる。この特定の構築物は、可融性リンク開口部４０が、可融性リンク３０から中間絶縁層２２、２４への熱伝達を阻害するかまたは少なくとも低減するという点で、中間温度でのヒューズ操作のために申し分ない。したがってヒューズ９０の抵抗はヒューズ操作中は低減され、且つ上部中間絶縁層４０における可融性リンク開口部４０はアークトラッキングを阻止し、且つヒューズを通しての回路の完全クリアリングを促す。
【００４９】
ヒューズ９０は、実質的に方法６０（図３に関連して前記）にしたがって構築されるが、但し、もちろん、下部中間絶縁層２４中の可融性リンク開口部４２（図２に示されている）は形成されない。
【００５０】
図５は、ヒューズ９０と実質的に同様のフォイルヒューズ１００の第三の態様の分解組み立て斜視図である（図４に関連して上記）が、但し、上部中間絶縁層２２の構築物は除く。特に、上部中間絶縁層２２における可融性リンク開口部４０（図２に示されている）はヒューズ１００には存在せず、且つ可融性リンク３０は、上部および下部中間絶縁層２２、２４の表面を直接横切って伸びる。
【００５１】
ヒューズ１００は、実質的に方法６０（図３に関連して前記）にしたがって構築されるが、但し、もちろん、中間絶縁層２２、２４中の可融性リンク開口部４０および４２（図２に示されている）は形成されない。
【００５２】
薄いセラミック基板は、ポリマーフィルムの代わりに前記の態様のいずれかにおいて用いられ得るが、しかしヒューズの適正操作を保証するためにヒューズ１００に関して特に得策である、と理解される。例えば低温同時焼成可能セラミック材料等が、本発明の代替的態様で用いられ得る。
【００５３】
可融性リンクを生成するための薄いメタライズフォイル材料上での前記のエッチングおよび打抜き法を用いて、種々の異質形造金属フォイルリンクが、特定の性能目的をかなえるために形成され得る。例えば図６〜１１は、複数のヒューズ要素幾何学を、ヒューズ１０（図１および２に示されている）およびヒューズ１００（図５に示されている）に用いられ得る例示的寸法とともに示す。しかしながら、本明細書中に記載され、例証されたヒューズリンク幾何学は、例証的目的だけのためであり、いかなる点においても、本発明の実施を任意の特定のフォイル形状または可融性リンク立体は位置に限定するよう意図されない、と認識される。
【００５４】
図１１は、ヒューズ１２０の第四の態様の分解組み立て斜視図である。前記のヒューズと同様に、ヒューズ１２０は、図１１に示された層化構築物の低抵抗ヒューズを提供する。特に、例示的態様では、ヒューズ１２０は、順次、上部および下部外絶縁層１２２、１２４間に挟まれる上部および下部中間絶縁層２２、２４の間に挟まれたフォイルヒューズ要素層２０を含めた５つの層から本質的に構築される。
【００５５】
前記の態様にしたがって、ヒューズ要素２０は、既知の技法により下部中間層２４に適用される電着３〜５ミクロン厚銅フォイルである。薄いヒューズ要素層２０は、長方形接点パッド３２、３４間に伸びる細い可融性リンク３０を有する大文字のＩの形状に形成され、可融性リンク３０を流れる電流が約７アンペア未満である場合に、開放するように寸法に合わせて作られる。しかしながら、種々の寸法の可融性リンクが用いられ、且つ薄いヒューズ要素層２０は、銅フォイルの代わりに種々の金属フォイル材料から形成され得る。
【００５６】
上部中間絶縁層２２はフォイルヒューズ要素層２０の上になり、且つそれを通して伸びる、且つフォイルヒューズ要素層２０の可融性リンク３０の上にくる円形造形可融性リンク開口部４０を含む。前記のヒューズ１０、９０および１００に対照して、ヒューズ１２０における上部中間絶縁層２２は終端開口部３６、３８（図２〜５に示されている）を包含せず、しかしむしろ可融性リンク開口部４０を除いて、すべての場合、中実である。
【００５７】
下部中間絶縁層２４はフォイルヒューズ要素層２０の下になり、フォイルヒューズ要素層２０の可融性リンク３０の下層にある円形造形ヒューズリンク開口部４２を含む。このようなものとして、可融性リンク３０がフォイルヒューズ要素２０の接点パッド３２、３４間を伸びる場合、可融性リンク３０が中間絶縁層２２、２４のいずれの表面とも接触しないよう、可融性リンク３０は、上部および下部中間絶縁層２２、２４中のそれぞれのヒューズリンク開口部４０、４２を横切って伸びる。言い換えれば、ヒューズ１０が十分に第２加工された場合、可融性リンク３０はそれぞれの中間絶縁層２２、２４中のヒューズリンク開口部４０、４２によってエアポケット中に有効に吊るされる。
【００５８】
このようなものとして、ヒューズリンク開口部４０、４２は、慣用的ヒューズでは、ヒューズの電気抵抗増大に寄与する中間絶縁層２２、２４への熱伝達を防止する。したがってヒューズ１２０は既知のヒューズより低抵抗で作動し、その結果として、既知の匹敵するヒューズより低い回路摂動を有する。更にそして既知のヒューズとは違って、可融性リンク開口部４０、４２により作られるエアポケットは、アークトラッキングを阻止し、且つ可融性リンク３０を通る回路の完全掃去を促す。更に、エアポケットは、可融性リンクが作動し、ヒューズに対する内部の望ましくないガス蓄積および圧力を軽減する場合に、その中でのガスの通気を提供する。
【００５９】
前記のように、上部および下部中間絶縁層は各々、例証的態様における誘電フィルム、例えば市販の、且つＫＡＰＴＯＮ（登録商標）の商標でデラウェア州ウィルミントンのデュポン社から販売されている０．００２インチ厚ポリイミドから第２加工される。代替的態様では、その他の適切な電気絶縁物質、例えばＣＩＲＬＥＸ（登録商標）非付着性ポリイミド貼り合せ物質、ピロラックスPyrolux、ポリエチレンナフタレンジカルボキシレート（時としてＰＥＮと呼ばれる）、ジヴレックスZyvrex液晶高分子物質（Rogers Corporationから市販されている）等が用いられ得る。
【００６０】
上部外絶縁層２６は上部中間層２２の上にあり、且つ上部外絶縁層２６の上を伸びる連続表面５０を包含し、且つ上部中間絶縁層２２の可融性リンク開口部４０の上にあり、それにより可融性リンク３０を封入し、適切に絶縁する。特に、且つ図１１に示されているように、上部中間層１２２は、終端開口部４６、４８（図２〜５に示されている）を包含しない。
【００６１】
さらなる態様では、上部外絶縁層１２２および／または下部外絶縁層１２４は、可融性リンク開口部４０、４２内の開口ヒューズの視覚的指示を促す半透明または透明物質から第２加工される。
【００６２】
下部外絶縁層１２４は、下部中間絶縁層２４の下にあり、中実性であり、即ち開口部を有さない。したがって下部外絶縁層２４の連続中実表面は下部中間絶縁層２８の可融性リンク開口部４２真下で可融性リンク３０を適切に絶縁する。
【００６３】
例証的態様では、上部および下部外絶縁層は各々、誘電フィルム、例えば市販の、且つＫＡＰＴＯＮ（登録商標）の商標でデラウェア州ウィルミントンのデュポン社から販売されている０．００５インチ厚ポリイミドフィルムから第２加工される。しかしながら、代替的態様では、その他の適切な電気絶縁物質、例えばＣＩＲＬＥＸ（登録商標）非付着性ポリイミド貼り合せ物質、ピロラックスPyrolux、ポリエチレンナフタレンジカルボキシレート等が用いられ得る、と理解される。
【００６４】
ハンダバンプ終端を含む図２〜５に示したヒューズの前記態様と違って、上部外絶縁層１２２および下部外絶縁層１２４は各々、その各面に形成され、且つヒューズリンク接点パッド３２、３４の上および下に伸びる延長終端スロット１２６、１２８を含む。ヒューズの層が組立てられると、スロット１２６、１２８はその垂直面にメタライズされて、上部中間絶縁層および下部中間絶縁層２２、２４のメタライズ垂直面１３０、１３２、ならびにそれぞれ上部および下部外絶縁層１２２、１２４の外表面上に伸びるメタライズストリップ１３４、１３６と一緒に、ヒューズ１２０の各面端上に接点終端を形成する。したがってヒューズ１２０は、ヒューズ要素接点パッド３２、３４との電気的接続を確立しながら、印刷回路板に表面固定され得る。
【００６５】
ヒューズ１２０を第２加工するために用いられる例示的製造方法を説明するために、ヒューズ１２０の層は、以下の表にしたがって言及される：
プロセス層 図１１層 図１１レファレンス
１            上部外部絶縁層                      １２２
２            上部中間絶縁層                        ２２
３            フォイルヒューズ要素層                ２０
４            下部中間絶縁層                        ２４
５            下部外部絶縁層                      １２４
【００６６】
これらの名称を用いて、図１２は、ヒューズ１２０の例示的製造方法１５０のフローチャートである（図１０に示されている）。フォイルヒューズ要素層２０（層３）は、既知の積層技法により下部中間層２４（層４）に積層されて（１５２）、メタライズ構築物を形成する。フォイルヒューズ要素層２０（層３）は次に、既知の技法を、例えば塩化鉄（ＩＩＩ）溶液エッチング法の使用（これに限定されない）を用いて、下部中間絶縁層２４（層４）上に所望の形状に形成される（１５４）。例示的一態様では、フォイルヒューズ要素層２０（層３）は、大文字Ｉ形造形フォイルヒューズ要素が前記されたように残存するよう、形成される。代替的態様では、可融性リンク３０接点パッド３２、３４を形成するために、打抜き操作がエッチング操作の代わりに用いられる。種々の形状の可融性素子は、本発明のさらなるおよび／または代替的態様に、例えば図６〜１０に示されたもの（これらに限定されない）に用いられ得る、と理解される。さらなるおよび／または代替的態様では、ヒューズ要素層は、当業者が理解するように、スパッター法、めっき法、スクリーン印刷法等を用いてメタライズされ得る、ということが更に意図される。
【００６７】
下部中間絶縁層（層４）からのフォイルヒューズ要素層（層３）の形成（１５４）が完了した後、上部中間絶縁層２２（層２）は、過程１５２から既知の積層技法により予備積層化フォイルヒューズ要素層２０（層３）および下部中間絶縁層（層４）に積層される１５６。中間絶縁層２２、２４（層２および４）間に挟まれたフォイルヒューズ要素層２０（層３）を用いて、３層積層がそれにより形成される。
【００６８】
次に可融性リンク開口部４０（図１１に示されている）が、上部中間絶縁層２２（層２）中に形成され（１５８）、且つ可融性リンク開口部４２（図１１に示されている）が下部中間絶縁層２８に形成される（１５８）。可融性リンク３０（図１１に示されている）は、それぞれの中間絶縁層２２、２４（層２および４）の可融性リンク開口部４０、４２内に露呈される。例示的態様では、開口部４０が、既知のエッチング、押抜き、孔あけおよび打抜き操作により形成されて、可融性リンク開口部４０および４２を形成する。
【００６９】
中間絶縁層２２、２４（層２および４）中への開口部のエッチング（１５８）後、過程１５６および１５８から、外絶縁層１２２、１２４（層１および５）が３層組合せ（層２、３および４）に積層される（１６０）。外絶縁層１２２、１２４（層１および５）は、当業界で既知の方法および技術を用いて、３層組合せに積層される。
【００７０】
本発明の目的のために特に有益であり得る積層の一形態は、非流動性ポリイミドプレプレグ材料、例えばArlon Materials for Electronics of Bear, Delawareから入手可能なものを使用する。このような材料は、通し孔破損の確率を低減し、ならびにその他の積層結合剤より良好に離層を伴わずに熱サイクルに耐えるアクリル接着剤のものより低い膨張特性を有する。しかしながら、結合剤用件は製造中のヒューズの特性によって変わり得るし、したがってある種類のヒューズまたはヒューズ定格に適していない積層結合剤が、別の種類のヒューズまたはヒューズ定格には許容可能であり得る、と理解される。
【００７１】
外絶縁層２６、２８（図２〜５に示されている）と違って、外絶縁層１２２、１２４は、中間絶縁層と反対側のその外側表面上に銅フォイルでメタライズされる。例証的態様では、これは、ヒューズの適正な操作を危うくし得る接着剤を用いずに銅フォイルで積層されたポリイミドシートを含めたＣＩＲＬＥＸ（登録商標）ポリイミド技法で達成され得る。その他の導電性材料および合金はこの目的のために銅フォイルの代わりに用いられ得るし、更に、外絶縁層１２２、１２４は、代替的態様においてＣＩＲＬＥＸ（登録商標）材料の代わりにその他の方法および技術によりメタライズされ得る、ということが意図される。
【００７２】
外絶縁層２６、２８（層１および５）が積層されて１６０、５層組合せを形成後、スロット１２６、１２８に対応する凹みが端から端まで伸ばされたものが、過程１６０で形成された５層組合せ全体に形成される。種々の態様において、スロット１２６、１２８は、それらが形成される（１６４）場合、レーザー機械加工され、化学エッチングされ、プラズマエッチングされ、押抜きまたは孔あけされる。次に、エッチング法により外絶縁層１２２、１２４のメタライズ外表面上に、スロット終端ストリップ１３４、１２６（図１１に示されている）が形成され（１６６）、且つヒューズ要素層２０がエッチングされて（１６６）、終端スロット１２６、１２８内にヒューズ要素層接点パッド３２、３４（図１１に示されている）が露呈される。終端ストリップ１３４、１３６を形成するための層化組合せのエッチング１６６、ならびにヒューズ要素層接点パッド３２、３４を露呈するためのヒューズ要素層２０のエッチング後、めっき過程により終端スロット１２６、１２８がメタライズされて１６８、スロット１２６、１２８におけるメタライズ接点終端を完成する。
【００７３】
代替的態様では、円筒形通し孔を含めた塔状接点終端が、スロット１２６、１２８における前記の通し孔メタライズの代わりに用いられ得る。
【００７４】
一旦スロット１２６、１２８における接点終端が競合されれば、次に、ヒューズ１２０（図１１に示されている）の操作特徴、例えば電圧または電流定格、ヒューズ分類コード等に関係した指標を用いて、下部外絶縁層１２４（層５）がマークされる（１７０）。マーキング１７０は、既知の方法により、例えばレーザーマーキング、化学エッチングまたはプラズマエッチングにより実施され得る。
【００７５】
ヒューズ１２０は今まで記載してきた方法により単独で製造され得るが、しかし例証的態様では、ヒューズ１２０はシート形態で集合的に第２加工され、次に個々のヒューズ１２０に分離されるかまたは単一化される（１７２）。バッチ過程で生成される場合、種々の形状および寸法の可融性リンク３０（図１１に示されている）は、エッチングおよび打抜き過程の的確な制御により同時に生成され得る。更に、ロールおよびロール積層法が連続加工過程に用いられて、多数のヒューズを最小時間で製造し得る。更に、付加的ヒューズ要素層および／または絶縁層を用いて、高ヒューズ定格および物理的サイズを有するヒューズを与え、得る。
【００７６】
一旦製造が完了されると、接点終端が電圧印加回路のラインおよびロード電気接続に結合される場合、可融性リンク３０（図１１に示されている）を通して電気接続が確立され得る。
【００７７】
ヒューズ１２０は更に、中間絶縁層２２、２４における可融性リンク開口部４０、４２の一方または両方の排除により、図４および５に前記されたように修正され得る、と認識される。したがってヒューズ１２０の抵抗は、ヒューズ１２０の異なる用途および異なる操作温度に対して変更され得る。
【００７８】
さらなる態様では、外絶縁層１２２、１２４の一方または両方が半透明材料から第２加工されて、外部絶縁層１２２、１２４を通して局所ヒューズ状態表示を提供する。したがって可融性リンク３０が作動すると、ヒューズ１２０は取替えに関して容易に確認され、これは、多数のヒューズが電気システムに用いられる場合に特に有益であり得る。
【００７９】
前記の方法によれば、ヒューズはしたがって、高価でない既知の技術および方法を用いて回分操作で、低コストの広範に利用可能な材料を用いて効率的に生成され得る。光化学的エッチング法は、ヒューズ１０の最終性能における変動を最小限にするために、均一の厚みおよび導電度を有する、非常に小型のヒューズに関してさえ、薄いヒューズ要素層２０の可融性リンク３０および接点パッド３２、３４のかなり的確な生成を可能にする。更に、ヒューズ要素層２０を生成するための薄い金属フォイル材料の使用は、それが既知の匹敵するヒューズに関連した非常に低抵抗のヒューズを構築することができるようにさせる。
【００８０】
種々の特定の態様に関して本発明を説明してきたが、しかし、本発明は、特許請求の範囲に記載した精神および範囲内での修正を伴って実施され得る、と当業者は認識する。
【図面の簡単な説明】
【図１】
フォイルヒューズの斜視図である。
【図２】
図１に示したヒューズの分解組み立て斜視図である。
【図３】
図１および２に示したヒューズの製造方法の工程流れ図である。
【図４】
フォイルヒューズの第二の態様の分解組み立て斜視図である。
【図５】
フォイルヒューズの第三の態様の分解組み立て斜視図である。
【図６】
図１〜５に示したヒューズに関するヒューズ要素幾何学の平面図である。
【図７】
図１〜５に示したヒューズに関するヒューズ要素幾何学の平面図である。
【図８】
図１〜５に示したヒューズに関するヒューズ要素幾何学の平面図である。
【図９】
図１〜５に示したヒューズに関するヒューズ要素幾何学の平面図である。
【図１０】
図１〜５に示したヒューズに関するヒューズ要素幾何学の平面図である。
【図１１】
ヒューズの第四の態様の分解組み立て斜視図である。
【図１２】
図１１に示したヒューズの製造方法の工程流れ図である。