Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月25日(2004.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーコードで印字された情報を読取る読取り手段と、この読取り手段で前記バーコードの複数から読取った情報を蓄積する情報蓄積手段と、この情報蓄積手段に蓄積された情報を作業者の送信指令により外部機器へ送信する通信手段とを備えたケーブルレスバーコードリーダ。
【請求項２】
バーコードで印字された情報を読取る読取り手段と、この読取り手段で前記バーコードの複数から読取った情報を蓄積する情報蓄積手段と、この情報蓄積手段の蓄積情報量が所定の量となったか否かを判断し前記蓄積情報量が所定の量となった場合に前記読取り手段による読取りを休止させる情報管理手段と、作業者の送信指令により前記蓄積情報を外部機器へ送信する通信手段と、この通信手段による送信後に前記情報蓄積手段の送信した前記蓄積情報を消去する消去手段とを備えたケーブルレスバーコードリーダ。
【請求項３】
情報管理手段の読み取り休止情報を入力して作業者に報知する報知手段を有する請求項２記載のケーブルレスバーコードリーダ。
【請求項４】
前記通信手段が無線通信手段である請求項１、請求項２または請求項３記載のケーブルレスバーコードリーダ。
【請求項５】
前記通信手段が赤外線通信手段である請求項１、請求項２または請求項３記載のケーブルレスバーコードリーダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４記載のケーブルレスバーコードリーダは、請求項１、請求項２または請求項３において、通信手段を無線通信手段としたものである。
請求項４記載のケーブルレスバーコードリーダによれば、請求項１、請求項２または請求項３と同様な効果のほか、一般的に無線通信は光通信に比べ通信可能範囲が広いので、作業者が外部機器との通信可能範囲に収まるようにケーブルレスバーコードリーダを持っていく必要がほとんどなくなるため、作業者の利便性が飛躍的に向上でき、作業者の享受する利点は非常に大なるものである。
請求項５記載のケーブルレスバーコードリーダは、請求項１、請求項２または請求項３において、通信手段を赤外線通信手段としたものである。
請求項５記載のケーブルレスバーコードリーダによれば、請求項１、請求項２または請求項３と同様な効果がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項３記載のケーブルレスバーコードリーダによれば、請求項２と同様な効果のほか、報知手段により作業者がケーブルレスバーコードリーダの読取り休止が故障によるものかどうかを区別できるため、作業者の利便性がさらに向上し作業者が享受する利点は非常に大なるものである。
請求項４記載のケーブルレスバーコードリーダによれば、請求項１、請求項２または請求項３と同様な効果のほか、一般的に無線通信は光通信に比べ通信可能範囲が広いので、作業者が外部機器との通信可能範囲に収まるようにケーブルレスバーコードリーダを持っていく必要がほとんどなくなるため、作業者の利便性が飛躍的に向上でき、作業者の享受する利点は非常に大なるものである。
請求項５記載のケーブルレスバーコードリーダによれば、請求項１、請求項２または請求項３と同様な効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月26日(2004.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ソフトウエア資源配布方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してサーバからクライアントにソフトウエア資源を配布するシステムにおいて、
前記クライアント側がソフトウエア資源の受信指示を行う期限を過ぎても前記クライアント側で受信指示が完了していないソフトウエア資源について、自動的に前記クライアント側から前記サーバ側に対して受信指示を行い、
前記サーバは、前記ソフトウエア資源の配布処理を実行することを特徴とするソフトウエア配布方法。
【請求項２】
請求項１のソフトウエア資源配布方法であって、
前記期限を過ぎてもクライアント側で受信指示が完了していないソフトウエア資源についての情報をクライアント側からサーバ側に通知することにより、サーバ側からの配布指示により自動的にクライアントがソフトウエア資源を受信する処理に切替えてソフトウエア資源の配布処理を実行することを特徴とするソフトウエア配布方法。
【請求項３】
請求項１のソフトウエア資源配布方法であって、
前記期限を過ぎても受信指示が完了していないソフトウエア資源について受信可能なソフトウエア資源のリストから自動的に削除し、削除したソフトウエア配布資源についての配布結果をサーバ側へ通知することを特徴とするソフトウエア資源配布方法。
【請求項４】
請求項１のソフトウエア資源配布方法であって、
前記期限が切れる前にクライアント画面上に期限が切れるソフトウエア資源であることを示すメッセージを出力し、クライアントユーザに注意を促すことを特徴とするソフトウエア資源配布方法。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれか１項記載のソフトウエア資源配布方法であって、
前記期限を過ぎてもクライアント側で受信指示が完了していないソフトウエア資源について、自動的にソフトウエア資源の配布あるいは削除処理を実行する場合に、クライアント画面上にメッセージを表示し、クライアントユーザが強制処理をキャンセルできることを特徴とするソフトウエア資源配布方法。
【請求項６】
請求項５のソフトウエア資源配布方法であって、
クライアントユーザが強制処理をキャンセルした場合に、期限を一定時間あるいは任意の時間延長することを特徴とするソフトウエア資源配布方法。
【請求項７】
請求項６のソフトウエア資源配布方法であって、
クライアントユーザが強制処理をキャンセルできる回数の上限を設け、クライアントユーザが指示したキャンセル回数が前記回数に達した場合は、次の期限になるとクライアントユーザに通知することなく強制的に処理を行うことを特徴とするソフトウエア資源配布方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート積載手段と、該シート積載手段に積載されたシートをピックアップし給送するシート給送手段と、該シート給送手段から給送されるシートを搬送する一定の搬送速度のシート搬送手段とを有する給紙装置、及び該給紙装置から搬送されるシートに画像を記録する画像記録装置を備え、前記シート搬送手段による搬送時間及び休止時間を前記画像記録装置におけるシート搬送速度に応じて可変制御する制御手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
請求項１において、前記シート搬送手段は、一定回転速度の搬送モータと、該搬送モータにクラッチを介して連結されたタイミングローラとを有し、該クラッチのオン、オフにより該タイミングローラによるシート搬送時間及び休止時間が取られることを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
請求項２において、前記タイミングローラのシート搬送方向下流に、前記搬送モータにより駆動される搬送ローラが配設されていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、前記シート搬送手段は、前記画像記録装置のシート搬送速度が速いときは、搬送時間を長く、かつ休止時間を短くし、該画像記録装置のシート搬送速度が遅いときは、搬送時間を短く、且つ給紙時間を長くされることを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
請求項４において、前記シート搬送手段の搬送速度は、前記画像記録装置のシート搬送速度の最大速度に等しくされていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
請求項４において、前記シート搬送手段の搬送速度は、前記画像記録装置のシート搬送速度の中間速度に等しくされていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
請求項１において、前記シート給送手段は、給紙モータと、該給紙モータにより駆動されるソレノイドと、前記ソレノイドを介して前記給紙モータの駆動が伝達されシートをピックアップする給紙ローラとを有し、前記ソレノイドをオン、オフすることで前記給紙ローラによるシートのピックアップの始動を制御することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が下記式（１）
【化１】
1999338173.tif 000001
（式中、Ｘは式中のベンゼン環と結合して置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基または置換もしくは無置換の複素環基を形成するのに必要な基を示し、Ｂは同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ原子、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基及び置換もしくは無置換のアルコキシ基を示し、Ｒ１及びＲ２は同一または異なって、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基及び置換もしくは無置換の、Ｒ１とＲ２が結合して式中の窒素原子を環内に含む環状アミノ基を形成するための基を示し、Ｚ１は酸素原子及び硫黄原子を示し、ｋ１は０または１を示し、Ａは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルケニレン基、
【化２】
1999338173.tif 000002
から選ばれる何れかを示し、Ｒ３は置換もしくは無置換のアルキレン基を示し、ｋ２は０または１を示す。）で示される有機基を有するアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
アゾ顔料が、式（１）で示される有機基が結合基を介して結合してもよい、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環または複素環と結合している構造を有する請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項３】
アゾ顔料が下記式（２）
【化３】
1999338173.tif 000003
（式中、Ａｒは結合基を介して結合していてもよい、置換もしくは無置換のアリール基及び置換もしくは無置換の複素環基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、Ｃｐはフェノール性水酸基を有するカプラー残基を示し、該Ｃｐの少なくともひとつは式（１）で示される有機基である。）
で示される請求項２記載の電子写真感光体。
【請求項４】
ｎが２以上である請求項３記載の電子写真感光体。
【請求項５】
アゾ顔料が下記（ａ）または（ｂ）
（ａ）Ａのアルキレン基及びアルケニレン基が−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−及び−ＣＨ＝ＣＨ−であり、Ｒ３が−ＣＨ２−であり、Ｂの全てが水素原子である。
（ｂ）Ａが
【化４】
1999338173.tif 000004
であり、Ｚ１が酸素原子である。
の条件を満足する請求項１乃至４のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項６】
Ｒ１が水素原子である請求項１乃至５のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項７】
Ｒ２が置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基及び置換もしくは無置換のアリール基である請求項６記載の電子写真感光体。
【請求項８】
Ｒ２が置換もしくは無置換のアリール基である請求項７記載の電子写真感光体。
【請求項９】
Ｒ２が置換もしくは無置換のフェニル基である請求項８記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の電子写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくともひとつの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれかに記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項１２】
支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が下記式（１）
【化５】
1999338173.tif 000005
（式中、Ｘは式中のベンゼン環と結合して置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基または置換もしくは無置換の複素環基を形成するのに必要な基を示し、Ｂは同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ原子、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基及び置換もしくは無置換のアルコキシ基を示し、Ｒ１及びＲ２は同一または異なって、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基及び置換もしくは無置換の、Ｒ１とＲ２が結合して式中の窒素原子を環内に含む環状アミノ基を形成するための基を示し、Ｚ１は酸素原子及び硫黄原子を示し、ｋ１は０または１を示し、Ａは置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルケニレン基、
【化６】
1999338173.tif 000006
から選ばれる何れかを示し、Ｒ３は置換もしくは無置換のアルキレン基を示し、ｋ２は０または１を示す。但し、ｋ１とｋ２とが同時に０であることはない。）で示される有機基を有するアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【化７】
1999338173.tif 000007
から選ばれる何れかを示し、Ｒ３は置換もしくは無置換のアルキレン基を示し、ｋ２は０または１を示す。）で示される有機基を有するアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）環状脂肪族炭化水素骨格構造を含み、酸の作用により分解してアルカリ可溶性となる重合体、
（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｃ）分子内に含窒素塩基性基と酸性基とを含む化合物、及び
（Ｄ）フッソ系及び／又はシリコン系界面活性剤、
を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項２】
更に（Ｅ）酸の作用により分解しうる基を有し、アルカリ溶解性が酸の作用により増大する分子量が2000以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有することを特徴とする請求項１記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項３】
露光光源として、220nm 以下の波長の遠紫外光を使用することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物により膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月16日(2005.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源から出力されたレーザ光を光学的記録媒体に照射し、情報信号を記録再生する光学的記録再生装置において、
上記レーザ光源の出力値を検出するレーザ光検出手段と、
上記レーザ光検出手段によって検出された出力値と上記レーザ光源の出力目標値とを比較し、上記レーザ光源の出力値が上記出力目標値に一致するように上記レーザ光源を制御するレーザ出力制御手段と、
上記レーザ光の発光をパルス発光又は連続発光に切り換える発光切換手段と、
記録時には、パルス発光を選択するように上記発光切換手段を制御するとともに該記録時のレーザ出力目標値を得るための目標電流値を設定し、再生時には、連続発光を選択するように上記発光切換手段を制御するとともに該再生時のレーザ出力目標値を得るための目標電流値を設定し、記録から再生に移行する前にレーザ出力値が上記レーザ光源に許容される出力最大値を超えないような出力値を得る目標電流値を設定する目標電流値設定制御手段と
を備えることを特徴とする光学的記録再生装置。
【請求項２】
上記目標電流値設定制御手段は、記録から再生に移行する前の目標電流値として０を設定することを特徴とする請求項１記載の光学的記録再生装置。
【請求項３】
上記目標電流値設定制御手段は、記録から再生に移行後の所定期間、パルス発光を継続して選択するように上記発光切換手段を制御するとともに再生時のレーザ出力目標値を得るための目標電流値を設定し、上記所定期間経過後、レーザ出力値が上記レーザ光源に許容される出力最大値を超えないような出力値を得る目標電流値を設定することを特徴とする請求項１記載の光学的記録再生装置。
【請求項４】
パワー制御手段とパルス発生手段により発光パワーが制御されパルス発光か連続発光かが選択される発光手段から発光されるレーザ光によって記録媒体に対するデータの記録および記録媒体からのデータの再生を行う記録再生方法において、
上記記録媒体に記録されたデータを読み出す場合には、上記発光手段の発光パワーを制御する上記パワー制御手段に再生時パワー目標値を設定するとともに上記発光手段から出射されるレーザ光が連続発光されるように上記パルス発生手段を設定し、
上記記録媒体にデータを書き込む場合には、上記発光手段の発光パワーが上記再生時パワー目標値よりも大きい記録時パワーになるように上記パワー制御手段に記録時パワー目標値を設定するとともに上記レーザ光がパルス発光されるように上記パルス発生手段を設定し、
上記記録媒体へのデータの書き込み状態から上記記録媒体からのデータの読出し状態への切り換えを行う場合には、上記パワー制御手段に再生パワー目標値を設定し、第１の所定時間経過後に上記パワー制御手段に発光パワーの急激な増大を抑制するための抑制用目標値を設定し、第２の所定時間経過後にレーザ光が連続発光されるように上記パルス発生手段を設定し、その後上記パワー制御手段に上記再生時パワー目標値を設定することを特徴とする記録再生方法。
【請求項５】
上記抑制用目標値は、０であることを特徴とする請求項４記載の記録再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明にかかる光学的記録再生装置は、レーザ光源の出力値を検出するレーザ光検出手段と、レーザ光検出手段によって検出された出力値とレーザ光源の出力目標値とを比較し、レーザ光源の出力値が出力目標値に一致するようにレーザ光源を制御するレーザ出力制御手段と、レーザ光の発光をパルス発光又は連続発光に切り換える発光切換手段と、記録時には、パルス発光を選択するように発光切換手段を制御するとともに該記録時のレーザ出力目標値を得るための目標電流値を設定し、再生時には、連続発光を選択するように発光切換手段を制御するとともに該再生時のレーザ出力目標値を得るための目標電流値を設定し、記録から再生に移行する前にレーザ出力値がレーザ光源に許容される出力最大値を超えないような出力値を得る目標電流値を設定する目標電流値設定制御手段とを備える。
また、上述した課題を解決するために、本発明にかかる記録再生方法は、パワー制御手段とパルス発生手段により発光パワーが制御されるとともにパルス発光か連続発光かが選択される発光手段から発光されるレーザ光によって記録媒体に対するデータの記録および記録媒体からのデータの再生を行う記録再生方法において、記録媒体に記録されたデータを読み出す場合には、発光手段の発光パワーを制御するパワー制御手段に再生時パワー目標値を設定するとともに発光手段から出射されるレーザ光が連続発光されるようにパルス発生手段を設定し、記録媒体にデータを書き込む場合には、発光手段の発光パワーが再生時パワー目標値よりも大きい記録時パワーになるようにパワー制御手段に記録時パワー目標値を設定するとともにレーザ光がパルス発光されるようにパルス発生手段を設定し、記録媒体へのデータの書き込み状態から記録媒体からのデータの読出し状態への切り換えを行う場合には、パワー制御手段に再生パワー目標値を設定し、第１の所定時間経過後にパワー制御手段に発光パワーの急激な増大を抑制するための抑制用目標値を設定し、第２の所定時間経過後にレーザ光が連続発光されるようにパルス発生手段を設定し、その後パワー制御手段に再生時パワー目標値を設定する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ここで、前記第２磁性層（上層）の前記磁性粉中に含有されるＣｏは、前記Ｈｃ（Ｂ）及び前記σｓ（Ｂ）の向上、及び結晶粒径の低減に寄与し、磁気記録媒体の保存特性を示すΔσｓの低下を回避するのにも有効に作用するが、Ｃｏが３ａｔ．％未満ではこのような作用効果を充分に得られないことがある。また、Ｃｏが５０ａｔ．％を超えると、逆に保磁力Ｈｃ（Ｂ）が低下するようになる。従って、前記上層の前記磁性粉中に含有されるＣｏ量は、３ａｔ．％〜５０ａｔ．％、より好ましくは５〜４０ａｔ．％、更に好ましくは５〜３５ａｔ．％であることが好ましい。ここで、ａｔ．％は原子数の百分率である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５２】
図１４は、下記表２３に示すように、上層のＨｃ（Ｂ）を１３０ｋＡ／ｍと固定し、下層のσｓ（Ａ）を１１０Ａｍ2／ｋｇとし、上層のσｓ（Ｂ）を１２０Ａｍ2／ｋｇと固定し、さらに下層の厚みを２．５μｍ及び上層の厚みを０．５μｍと固定し、下層のＨｃ（Ａ）／上層のＨｃ（Ｂ）を変化させたときの電磁変換特性のグラフである。また、下記表２４にも結果を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月3日(2005.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
液吐出口に連通する圧力室を有する本体部と、前記圧力室に対応するように前記本体部に接合されたアクチュエータと、を有する液体噴射ヘッドにおいて、前記アクチュエータは、前記本体部に振動板、下部電極、圧電体および上部電極を順次積層した積層構造を有し、前記２つの電極のうちの少なくとも前記下部電極は、ＬａがドープされたＳｒおよびＴｉを含む単一配向結晶または単結晶の酸化物薄膜であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
液吐出口に連通する圧力室を有する本体部と、前記圧力室に対応するように前記本体部に接合されたアクチュエータと、を備えた液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記本体部に振動板を成膜する工程と、
前記振動板上にＬａがドープされたＳｒおよびＴｉを含む単一配向結晶または単結晶の酸化物薄膜である下部電極を成膜する工程と、
下部電極上にペロブスカイト型の酸化物圧電電歪薄膜を成膜する工程と、
ペロブスカイト型の酸化物圧電電歪薄膜上に上部電極を成膜する工程と、前記圧力室を形成する工程と、
を含むことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、液吐出口に連通する圧力室を有する本体部と、前記圧力室に対応するように前記本体部に接合されたアクチュエータと、を有する液体噴射ヘッドにおいて、前記アクチュエータは、前記本体部に振動板、下部電極、圧電体および上部電極を順次積層した積層構造を有し、前記２つの電極のうちの少なくとも前記下部電極は、ＬａがドープされたＳｒおよびＴｉを含む単一配向結晶または単結晶の酸化物薄膜であることを特徴とする液体噴射ヘッドでもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の液体噴射ヘッドの製造方法は、液吐出口に連通する圧力室を有する本体部と、前記圧力室に対応するように前記本体部に接合されたアクチュエータと、を備えた液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記本体部に振動板を成膜する工程と、前記振動板上にＬａがドープされたＳｒおよびＴｉを含む単一配向結晶または単結晶の酸化物薄膜である下部電極を成膜する工程と、下部電極上にペロブスカイト型の酸化物圧電電歪薄膜を成膜する工程と、ペロブスカイト型の酸化物圧電電歪薄膜上に上部電極を成膜する工程と、前記圧力室を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
さらに、基体（本体部）上に積層される振動板および圧電体と両電極を順次結晶配向の方位のそろった膜によって構成することで、液体噴射ヘッドの場合等には、各ノズル毎のアクチュエータの性能のばらつきが少なく、かつ密着強度の強いデバイスを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品（３１２）の光反射面（１４１）以上の面積を有する部品保持面（１４０）を有する部品保持部材（２０１）に対して投光する照明装置（１２０）と、
上記照明装置の照明による上記部品保持面を撮像する撮像装置（１０６）と、
上記撮像装置から供給される上記部品保持面の撮像情報における上記部品保持面の輝度に基づいて上記部品保持部材の良否を判断する制御装置（１５０）と、
を備えたことを特徴とする部品保持部材良否検出装置。
【請求項２】
上記制御装置は、上記部品保持面に上記部品を保持した状態において上記照明装置が投光したときに上記部品及び上記部品保持面からの反射による全体輝度に基づいて設定した設定値（６５２）を有し、部品非保持の状態における上記部品保持面における輝度が上記設定値以上となるとき上記部品保持部材を不良と判断する、請求項１記載の部品保持部材良否検出装置。
【請求項３】
上記制御装置は、上記部品保持面を分割してなる複数の区画（６１１）に関する領域情報を有し、それぞれの上記区画における輝度が上記設定値以上か否かを判断する、請求項２記載の部品保持部材良否検出装置。
【請求項４】
上記輝度が上記設定値未満であるとき、上記制御装置は、上記撮像装置から供給される上記部品保持面の撮像情報内に上記部品に相当する画像を認識したときには、当該部品保持部材を不良と判断する、請求項２又は３のいずれかに記載の部品保持部材良否検出装置。
【請求項５】
上記制御装置は、上記部品保持面の撮像情報内に認識される上記部品の画像に関する情報を有し、該画像に関する情報は、当該部品保持部材にて保持する最小部品以下の大きさにてなる画像情報である、請求項４記載の部品保持部材良否検出装置。
【請求項６】
上記部品保持面に上記部品を保持した状態において上記部品及び上記部品保持面に対して上記照明装置が投光するときの最大光量を超える検査用光量にて、上記照明装置は上記部品保持部材に対して投光する、請求項１から５のいずれかに記載の部品保持部材良否検出装置。
【請求項７】
部品（３１２）の光反射面（１４１）以上の面積を有する部品保持面（１４０）を有する部品保持部材（２０１）に対して投光し、
上記照明された上記部品保持面を撮像し、
上記部品保持面の撮像情報における上記部品保持面の輝度に基づいて上記部品保持部材の良否を判断する、
ことを特徴とする部品保持部材良否検出方法。
【請求項８】
上記部品保持面に上記部品を保持した状態において上記部品保持部材へ投光したときに上記部品及び上記部品保持面からの反射による全体輝度に基づいて設定された設定値（６５２）を有し、部品非保持の状態における上記部品保持面における上記輝度が上記設定値以上となるとき上記部品保持部材を不良と判断する、請求項７記載の部品保持部材良否検出方法。
【請求項９】
上記部品保持面を分割してなる複数の区画（６１１）に関する領域情報を有するとき、上記区画毎に上記輝度が上記設定値以上か否かを判断する、請求項８記載の部品保持部材良否検出方法。
【請求項１０】
上記輝度が上記設定値未満であるとき、上記部品保持面の撮像情報内に上記部品に相当する画像を認識したときには、当該部品保持部材を不良と判断する、請求項８又は９のいずれかに記載の部品保持部材良否検出方法。
【請求項１１】
上記部品保持面の撮像情報内に認識される上記部品の画像に関する情報は、当該部品保持部材にて保持する最小部品以下の大きさにてなる画像情報である、請求項１０記載の部品保持部材良否検出方法。
【請求項１２】
上記部品保持面に上記部品を保持した状態において上記部品及び上記部品保持面に対して照明するときの最大光量を超える検査用光量にて上記部品保持部材に対して投光する、請求項７から１１のいずれかに記載の部品保持部材良否検出方法。
【請求項１３】
請求項１から６のいずれかに記載の部品保持部材良否検出装置（１００）と、
上記部品保持部材に保持される部品を供給する部品供給装置（３０５）と、
上記部品保持部材を有し、該部品保持部材に上記部品供給装置から上記部品を保持させて保持した部品を回路基板（３０１）へ実装する部品移載装置（２００）と、
を備えたことを特徴とする部品実装装置。
【請求項１４】
上記部品移載装置は、列状に配置された複数の上記部品保持部材を有し、該部品保持部材の部品保持面に対向して設置され上記部品保持部材良否検出装置に備わる上記照明装置及び撮像装置を保持する検出装置支持部材（１１７）と、上記部品保持部材に対して上記検出装置支持部材を上記部品保持部材の配列方向に沿って移動させる駆動装置（１１１、１１２、１１５、１１６）と、を有する、請求項１３記載の部品実装装置。
【請求項１５】
部品保持部材良否検出装置にて不良と判断された不良部品保持部材の部品保持面の洗浄を行う洗浄装置（３１１）をさらに備えた、請求項１３又は１４に記載の部品実装装置。
【請求項１６】
部品保持部材良否検出装置にて不良と判断された不良部品保持部材を上記部品移載装置から離脱させて保持し、上記部品移載装置に備わる上記部品保持部材を保持している保持部材交換装置（３１０）をさらに備える、請求項１３から１５のいずれかに記載の部品実装装置。
【請求項１７】
部品保持部材（２０１）にて部品（３１２）を保持し回路基板（３０１）に実装する部品実装動作を設定回数実行した後、次の上記部品実装動作が開始される前に、上記請求項７から１２のいずれかに記載の部品保持部材良否検出方法を実行して上記部品保持部材の良否を判断することを特徴とする部品実装方法。
【請求項１８】
上記部品保持部材良否検出方法により上記部品保持部材が不良と判断されたとき、該不良部品保持部材の部品保持面に対して輝度低減処理を施す、請求項１７記載の部品実装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記表面に硫酸バリウムを濃縮させたのは、この部分で特に多く硫酸鉛が析出することに対応させたものである。活物質中に硫酸バリウムを添加して活物質層を密にした場合には活物質全体が軟化し、かえって寿命特性を低下させるからである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（実施例１）
まず、正極板について以下のように作製した。厚さ１０ｍｍの鉛−１．２質量％錫−０．０８質量％カルシウム合金の圧延シートをエキスパンド加工して、エキスパンド格子体を作製した。次に、酸化度６０〜８０％酸化鉛を主体とする鉛粉に水と硫酸を加えて練合して正極活物質鉛ペーストを作製した。この鉛ペーストを前記格子体に片側約２ｍｍの厚さに塗着後、次いで活物質層表面に平均粒径０．２μｍの硫酸バリウム粉末（以下の本発明に使用）を散布して、片側７μｍの硫酸バリウム含有層を形成した。この硫酸バリウム含有層に厚さ０．０２５ｍｍのペースト紙を貼付して、熟成、乾燥、化成を行って正極板を作製した。なお、散布する硫酸バリウムの含有量は総量に対して１質量％とした。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
これらの構成によれば、負荷において反射された反射マイクロ波電力は、反射波電力検出手段において検出され、検出された反射マイクロ波電力に相当する信号の大きさが予め設定された充放電基準値を超えたときに充電が行われる。一方、上記信号の大きさが充放電基準値未満のときは放電され、それら充電および放電によって前記反射マイクロ波電力に相当する信号の大きさと前記充放電基準値との差が積分される。そして、その積分値に相当する大きさを有する積分信号の大きさが許容基準値を超えた場合には、マグネトロンへの電源供給を遮断する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１は、本願発明の第１実施形態に係るマイクロ波電力供給システムの構成を示す図である。このマイクロ波電力供給システムは、負荷Ｌに対してマイクロ波電力を供給するためのマグネトロン１と、マグネトロン１に直流高電圧の電力を供給するためのアノード電源部２と、マグネトロン１のフィラメント（図示略）を加熱するためのフィラメント電源部３と、マグネトロン１から供給されるマイクロ波と、負荷Ｌにおいて反射された反射波電力とを分離するためのサーキュレータ４と、サーキュレータ４に接続され、反射波電力を吸収するためのダミーロード５と、反射波電力を検出するための反射波電力検出器６と、負荷Ｌとのインピーダンス整合をとるための整合器７とによって概略構成されている。マグネトロン１から負荷Ｌに至る、サーキュレータ４、反射波電力検出器６、および整合器７の各装置間は、導波管８によって接続されている。なお、上記アノード電源部２は、特許請求の範囲に記載の「電源電力供給手段」として機能する。また、ダミーロード５は、同じく「マイクロ波吸収手段」として機能する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
一方、アノード電源部２の積算回路１１は、反射波電力検出器６に接続された基準値設定回路３１と、反射波電力検出器６から出力された、反射波電力に相当する電圧を充放電するための充放電回路３２と、充放電回路３２の出力を反転させるための反転回路３３と、反転回路３３の出力と許容基準電圧値とを比較するためのコンパレータ回路３４と、保護回路３５と、遮断回路１２に対して遮断信号を出力するための遮断信号出力回路３６とを備えている。なお、この充放電回路３２は、特許請求の範囲に記載の「充放電積分回路」として機能する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
印加電圧Ｖｍとアノード電流Ｉａとの積は、マグネトロン１に対する供給電力値として算出可能であるが、マイクロ波電力の出力効率は、進行波電力値を上記マグネトロン供給電力値で除算したことにより求められる。この場合、マイクロ波電力の出力効率が一定であれば、マグネトロン供給電力値から進行波電力値を求めることができる。アノード電流Ｉａは、印加電圧Ｖｍと図２に示すような関係にあるため、アノード電流Ｉａからマグネトロン供給電力値を得ることができる。したがって、アノード電流Ｉａに相当する電圧または印加電圧Ｖｍとアノード電流Ｉａとの積に相当する電圧を変化させることによって、負荷Ｌに向かって進行するマイクロ波電力（進行波電力）を制御することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
充放電回路３２において、充放電され積分された、反射波電力に相当する電圧は、反転回路３３においてその極性が反転され、コンパレータ回路３４において比較される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
コンパレータ回路３４では、上記積分値が一方の入力端子に入力され、他方の入力端子において抵抗Ｒ１０，Ｒ１１によって許容基準値が設定されている。そのため、充放電回路３２において積分された積分値が時間の経過とともに上昇していき、許容基準値を上回った場合（図３(b)のＺ点参照）、コンパレータ回路３４の出力端子から遮断指令信号が出力される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
反射波電力検出器６には、アノード電源部２内に設けられた電力値信号検出回路４３が接続されている。電力値信号検出回路４３は、反射波電力検出器６の出力を増幅した後、直線補正等するためのものである。なお、反射波電力検出器６の出力において増幅および直線補正等を必要としないのであれば、電力値信号検出回路４３を設けなくてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
これにより、スイッチング用トランジスタＴ１，Ｔ２のオン時間が短くされ、マグネトロン１に供給される供給電圧が小さくなるように制御される。そのため、マグネトロン１は、マイクロ波電力の発生が抑制され、その結果、ダミーロード５に向かう反射波電力も低下される。よって、上記各実施形態と同様に、ダミーロード５の損傷を防止するとともに、マグネトロン１の損傷を防止することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  マグネトロン
２  アノード電源部
４  サーキュレータ
５  ダミーロード
６  反射波電力検出器
７  整合器
８  導波管
１１  積算回路
１２  遮断回路
３１  基準値設定回路
３２  充放電回路
３３  反転回路
３４  コンパレータ回路
Ｌ  負荷
ＰＳ  商用電源
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に被エッチング膜を形成する工程と、
前記被エッチング膜の表面に所定の回路パターンを有する有機質膜を形成する工程と、
前記被エッチング膜をエッチング処理して、前記被エッチング膜に溝配線要素を形成する工程と、
前記基板に水蒸気とオゾンを含む処理ガスを供給して前記有機質膜を変性させる工程と、
前記基板を有機溶剤で処理することによって前記基板から前記変性した有機質膜を除去する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
基板の表面に低誘電率層間絶縁膜からなる被エッチング膜を形成する工程と、
前記被エッチング膜の表面に所定の回路パターンを有する有機質膜を形成する工程と、
前記被エッチング膜をエッチング処理して、前記被エッチング膜に溝配線要素を形成する工程と、
前記基板に水蒸気とオゾンを含む処理ガスを供給して前記有機質膜を変性させる工程と、
前記基板を水で処理することによって前記基板から前記変性した有機質膜を除去する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
前記被エッチング膜は、低誘電率層間絶縁膜であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記低誘電率層間絶縁膜は、多孔質であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記有機質膜はレジスト膜であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記有機質膜はレジスト膜と反射防止膜とからなる２層膜であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
密閉されたチャンバ内に前記基板を保持し、前記チャンバの内部を陽圧に保持して、前記処理ガスによる前記基板の処理が行われることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記処理ガスによって前記有機質膜を変性させる工程において、前記基板に付着したポリマー残渣を合わせて変性処理し、
前記基板から前記変性した有機質膜を除去する工程において、変性した前記ポリマー残渣を合わせて除去することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明によれば、基板の表面に被エッチング膜を形成する工程と、
前記被エッチング膜の表面に所定の回路パターンを有する有機質膜を形成する工程と、
前記被エッチング膜をエッチング処理して、前記被エッチング膜に溝配線要素を形成する工程と、
前記基板に水蒸気とオゾンを含む処理ガスを供給して前記有機質膜を変性させる工程と、
前記基板を有機溶剤で処理することによって前記基板から前記変性した有機質膜を除去する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明によれば、基板の表面に低誘電率層間絶縁膜からなる被エッチング膜を形成する工程と、
前記被エッチング膜の表面に所定の回路パターンを有する有機質膜を形成する工程と、
前記被エッチング膜をエッチング処理して、前記被エッチング膜に溝配線要素を形成する工程と、
前記基板に水蒸気とオゾンを含む処理ガスを供給して前記有機質膜を変性させる工程と、
前記基板を水で処理することによって前記基板から前記変性した有機質膜を除去する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような基板処理方法によれば、被エッチング膜にダメージを与えることなく、有機質膜のみを水または有機溶剤に溶解するように変性させることができるため、エッチング処理によって形成された溝配線要素の幅と形状を維持しながら、有機質膜を除去することができる。これにより、歩留まりおよび品質を向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
【発明の効果】
上述の通り、本発明によれば、層間絶縁膜等の被エッチング膜にダメージを与えることなく、レジスト膜等の有機質膜のみを水または有機溶剤に溶解するように変性させることができる。このため、エッチング処理によって形成された溝配線要素の幅と形状を維持しながら、有機質膜を除去することができ、歩留まりおよび品質を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シリコンウェーハのＨＦ洗浄方法及びＨＦ洗浄装置、シリコンのエッチング方法及び装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨＦを含む溶液にシリコンウェーハを浸漬してシリコンウェーハ表面を洗浄するシリコンウェーハのＨＦ洗浄方法において、
シリコンウェーハ表面に光が照射された状態を保ちつつ、シリコンウェーハをＨＦを含む溶液に浸漬すること
を特徴とするシリコンウェーハのＨＦ洗浄方法。
【請求項２】
光源を用いてシリコンウェーハ表面に光を照射すること
を特徴とする請求項１記載のシリコンウェーハのＨＦ洗浄方法。
【請求項３】
ＨＦを含む溶液を透明又は半透明の容器に貯留すると共に、透明又は半透明のウェーハキャリアでシリコンウェーハを保持し、前記容器内のＨＦを含む溶液に前記ウェーハキャリアを投入すること
を特徴とする請求項１記載のシリコンウェーハのＨＦ洗浄方法。
【請求項４】
ＨＦを含む溶液にシリコンウェーハを浸漬してシリコンウェーハ表面を洗浄するシリコンウェーハのＨＦ洗浄装置において、
シリコンウェーハ表面に光が照射された状態を保ちつつ、シリコンウェーハをＨＦを含む溶液に浸漬すること
を特徴とするシリコンウェーハのＨＦ洗浄装置。
【請求項５】
シリコンウェーハ表面に光を照射する光源を備えたこと
を特徴とする請求項４記載のシリコンウェーハのＨＦ洗浄装置。
【請求項６】
ＨＦを含む溶液を貯留する透明又は半透明の容器と、
前記容器内でシリコンウェーハを保持する透明又は半透明のウェーハキャリアとを備えたこと
を特徴とする請求項４記載のシリコンウェーハのＨＦ洗浄装置。
【請求項７】
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させ、
前記シリコン表面のうち前記物質が付着する部分でＨＦとシリコンを酸化反応させて電子ｅ−を生成し、前記電子ｅ−を水素イオンＨ＋と反応させること
を特徴とするシリコンのエッチング方法。
【請求項８】
シリコン表面の酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させる物質付着工程と、
シリコンに対する光を遮断した暗状態で、ＨＦを含む溶液にシリコンを浸漬するシリコン浸漬工程と、を含むこと
を特徴とするシリコンのエッチング方法。
【請求項９】
さらに前記シリコン浸漬工程において、明状態にし、局所的なシリコンの溶解反応を抑制すること
を特徴とする請求項８記載のシリコンのエッチング方法。
【請求項１０】
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させる手段と、
前記シリコン表面のうち前記物質が付着する部分でＨＦとシリコンを酸化反応させて電子ｅ−を生成し、前記電子ｅ−を水素イオンＨ＋と反応させる手段と、を有すること
を特徴とするシリコンのエッチング装置。
【請求項１１】
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させる物質付着手段と、
前記シリコンに対する光の照射と遮断を担う光照射・遮断手段と、
前記物質が表面に付着した前記シリコンに対する光を前記光照射・遮断手段を用いて遮断した暗状態で、当該シリコンをＨＦを含む溶液に浸漬させるシリコン浸漬手段と、を有すること
を特徴とするシリコンのエッチング装置。
【請求項１２】
さらに前記シリコン浸漬手段において、前記光照射・遮断手段を用いて明状態にすること
を特徴とする請求項１１記載のシリコンのエッチング装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハ表面をＨＦを含む溶液で洗浄する装置及び方法に関し、特に洗浄の際にシリコンウェーハ表面に形成されるピットを防止するものである。またシリコンのエッチング方法及び装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第４〜第６発明は、第１〜第３発明の方法の発明を、装置の発明に置換したものである。
また第７発明に係るシリコンのエッチング方法は、
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させ、
前記シリコン表面のうち前記物質が付着する部分でＨＦとシリコンを酸化反応させて電子ｅ−を生成し、前記電子ｅ−を水素イオンＨ＋と反応させること
を特徴とする。
第８発明に係るシリコンのエッチング方法は、
シリコン表面の酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させる物質付着工程と、
シリコンに対する光を遮断した暗状態で、ＨＦを含む溶液にシリコンを浸漬するシリコン浸漬工程と、を含むこと
を特徴とする。
第９発明に係るシリコンのエッチング方法は、第８発明に係るシリコンのエッチング方法において、
さらに前記シリコン浸漬工程において、明状態にし、局所的なシリコンの溶解反応を抑制すること
を特徴とする。
第１０発明に係るシリコンのエッチング装置は、
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させる手段と、
前記シリコン表面のうち前記物質が付着する部分でＨＦとシリコンを酸化反応させて電子ｅ−を生成し、前記電子ｅ−を水素イオンＨ＋と反応させる手段と、を有すること
を特徴とする。
第１１発明に係るシリコンのエッチング装置は、
水素の標準電極電位よりも正電位である物質をシリコン表面に局所的に付着させる物質付着手段と、
前記シリコンに対する光の照射と遮断を担う光照射・遮断手段と、
前記物質が表面に付着した前記シリコンに対する光を前記光照射・遮断手段を用いて遮断した暗状態で、当該シリコンをＨＦを含む溶液に浸漬させるシリコン浸漬手段と、を有すること
を特徴とする。
第１２発明に係るシリコンのエッチング方法は、第１１発明に係るシリコンのエッチング方法において、
さらに前記シリコン浸漬手段において、前記光照射・遮断手段を用いて明状態にすること
を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月13日(2005.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成した結晶質半導体膜上に、シリコンをターゲットとするスパッタリング法で、酸素又は酸素と希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して酸化シリコン膜を形成し、窒素又は窒素と希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して窒化シリコン膜を形成し、６００〜８００℃の温度で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に形成した結晶質半導体膜上に、シリコンをターゲットとするスパッタリング法で、酸素又は酸素と希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して酸化シリコン膜を形成し、窒素又は窒素と希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して窒化シリコン膜を形成し、ランプ加熱により加熱の熱処理を６００〜８００℃の温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記窒化シリコン膜上に、金属をターゲットとして直流スパッタリング法で、導電膜を形成する段階を有し、前記結晶質半導体膜上に酸化シリコン膜を形成する段階から、前記導電膜を形成する段階までを、大気に晒すことなく連続的に行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に形成した結晶質半導体膜上に、シリコンをターゲットとするスパッタリング法で、酸素又は酸素と希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して酸化シリコン膜と、窒素又は窒素と希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して窒化シリコン膜とを順次堆積して積層体を形成し、前記積層体に６００〜８００℃の熱処理を行った後、前記積層体上にゲート電極を形成し、当該ゲート電極の位置を基準として前記結晶性半導体膜を島状にパターニングすることで、薄膜トランジスタのチャネル位置を確定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体膜を形成し、その上層側に、シリコンをターゲットとするスパッタリング法で、酸素又は酸素と希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して酸化シリコン膜と、窒素又は窒素と希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して窒化シリコン膜とを順次堆積して積層体を形成し、前記基板の歪み点以上の温度で前記積層体の熱処理を行い、前記積層体上にゲート電極を形成し、当該ゲート電極の位置を基準として前記結晶性半導体膜を島状にパターニングすることで、薄膜トランジスタのチャネル位置を確定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記熱処理を窒素雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記熱処理を１〜２４０秒行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記高周波電力の周波数を１０ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記窒素又は窒素と希ガスを含む雰囲気において、前記窒素に対する前記希ガスの割合を５０％以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
１５０℃にて１．７ＭＶ／ｃｍの電界強度を１時間印加するバイアス熱ストレス試験におけるフラットバンド電圧の変動値が０．５Ｖ以下である酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを含む絶縁性の積層体を、結晶性半導体膜とゲート電極との間に有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
１５０℃にて１．７ＭＶ／ｃｍの電界強度を１時間印加するバイアス熱ストレス試験におけるフラットバンド電圧の変動値が０．５Ｖ以下であり、フッ化水素アンモニウム(ＮＨ4ＨＦ2)を７．１３％とフッ化アンモニウム(ＮＨ4Ｆ)を１５．４％含む混合水溶液に対するエッチング速度が１００ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する酸化シリコン膜と、前記混合水溶液に対するエッチング速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化シリコン膜を含む絶縁性の積層体を、結晶性半導体膜とゲート電極との間に有していることを特徴とする半導体装置。