【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されて不純物濃度が前記半導体基板より低濃度に調整された真性半導体層と、前記真性半導体層上に形成されて一部の領域が前記半導体基板および前記真性半導体層との積層構造によってダイオードを構成する第２導電型の半導体層と、前記半導体層における残りの領域に形成されたトランジスタと、前記トランジスタの形成領域の下層に形成された絶縁体層とを備えた半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁体層は前記半導体基板および前記真性半導体層内に形成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁体層は前記真性半導体層内のみに形成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板および前記真性半導体層の材質がシリコンからなる請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁体層が酸化シリコンで形成されている請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記真性半導体層の不純物濃度が１×１０１２  ａｔｍｓ／ｃｍ３  から１×１０１３  ａｔｍｓ／ｃｍ３  である請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記トランジスタはバイポーラ型トランジスタであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記トランジスタはＭＩＳ型トランジスタであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
ダイオードとトランジスタとを含む半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
第１導電型の半導体基板上に不純物濃度が前記半導体基板より低濃度に調整された真性半導体層を積層する工程と、
前記真性半導体層上からダイオード形成領域を避けて所定の注入深さに層状に所定のイオンを注入する工程と、
前記半導体基板を高温熱処理して前記所定のイオンが注入された領域を絶縁体層に変化させる工程と、
前記真性半導体層上に第２導電型の半導体層を積層して前記半導体基板、前記真性半導体層および前記半導体層の積層構造で前記ダイオードを形成する工程と、
前記半導体層における前記ダイオード形成領域以外の領域に前記トランジスタを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記所定のイオンは高温熱処理によって前記真性半導体層または前記半導体基板の材料と反応することにより前記真性半導体層または前記半導体基板を絶縁体に変化させる種類が選択されている請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記所定のイオンは、前記絶縁体層が前記半導体基板および前記真性半導体層内に形成されるように注入深さが設定されている請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記所定のイオンは、前記絶縁体層が前記真性半導体層内のみに形成されるように注入深さが設定されている請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体基板の高温熱処理は不活性ガス雰囲気中で行う請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
不活性ガスはアルゴンまたは窒素からなる請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体基板および前記真性半導体層の材質がシリコンからなる請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁体層が酸化シリコンで形成されている請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記真性半導体層の不純物濃度が１×１０１２  ａｔｍｓ／ｃｍ３  から１×１０１３  ａｔｍｓ／ｃｍ３  である請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記トランジスタはバイポーラ型トランジスタであることを特徴とする請求項９ないし１７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記トランジスタはＭＩＳ型トランジスタであることを特徴とする請求項９ないし１７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
具体的に説明すると、第１の発明の半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板上に形成されて不純物濃度が半導体基板より低濃度に調整された真性半導体層と、真性半導体層上に形成されて一部の領域が半導体基板および真性半導体層との積層構造によってダイオードを構成する第２導電型の半導体層と、半導体層における残りの領域に形成されたトランジスタと、トランジスタの形成領域の下層に形成された絶縁体層とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この構成によれば、トランジスタの下層に絶縁体層を設けたことによって、トランジスタを電気的に半導体基板から分離することができる。その結果、トランジスタの特性に影響を与えることなく、ＰＩＮダイオードの特性向上を図ることができる。逆にＰＩＮダイオードの特性に影響を与えることなく、トランジスタの特性向上を図ることができる。したがって、トランジスタ性能の向上とＰＩＮダイオードの特性向上の両立を図ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
前記トランジスタはバイポーラ型トランジスタであることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記トランジスタはＭＩＳ型トランジスタであってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第２の発明の半導体装置の製造方法は、ダイオードとトランジスタとを含む半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であり、第１導電型の半導体基板上に不純物濃度が半導体基板より低濃度に調整された真性半導体層を積層する工程と、真性半導体層上からダイオード形成領域を避けて所定の注入深さに層状に所定のイオンを注入する工程と、半導体基板を高温熱処理して所定のイオンが注入された領域を絶縁体層に変化させる工程と、真性半導体層上に第２導電型の半導体層を積層して半導体基板、真性半導体層および半導体層の積層構造でダイオードを形成する工程と、半導体層におけるダイオード形成領域以外の領域にトランジスタを形成する工程とを含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この方法によれば、トランジスタの下層に絶縁体層を設けることによって、トランジスタを電気的に半導体基板から分離することができる。その結果、トランジスタの特性に影響を与えることなく、ＰＩＮダイオードの特性向上を図ることができる。逆にＰＩＮダイオードの特性に影響を与えることなく、トランジスタの特性向上を図ることができる。したがって、トランジスタ性能の向上とＰＩＮダイオードの特性向上の両立を図ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前記トランジスタはバイポーラ型トランジスタであることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
前記トランジスタはＭＩＳ型トランジスタであってもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】