Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界計測による生存心筋診断装置であって、
被験者の胸部上の複数の座標における非接触磁気計測により前記複数の座標に対応する複数の磁界時系列データを取得し、かつ前記複数の磁界時系列データに基づいて前記胸部上の磁界分布時系列データを生成する磁界分布計測手段と、
前記生成された磁界分布時系列データに基づいて前記被験者の心筋内の電流密度分布の時系列データを生成する第１の演算手段と、
別途供給された前記被験者の胸部断層画像データを加工して解剖学的画像を示すデータを生成する第２の演算手段と、
前記第１の演算手段により生成されたデータが示す前記心筋内の電流密度分布の画像を、前記第２の演算手段により生成されたデータが示す前記解剖学的画像に重ね合わせて表示する表示処理を行なう表示手段とを備え、これにより、異常な電流密度分布を示す心筋障害部位または生理学的に生存している心筋部位を３次元的に同定することができ、
前記第１の演算手段により生成されたデータが示す心筋内の電流密度と、心筋障害電流との関係を判断するための情報を含むデータベースをさらに備える、磁界計測による生存心筋診断装置。
【請求項２】
磁界計測による生存心筋診断装置であって、
被験者の胸部上の複数の座標における非接触磁気計測により前記複数の座標に対応する複数の磁界時系列データを取得し、かつ前記複数の磁界時系列データに基づいて前記胸部上の磁界分布時系列データを生成する磁界分布計測手段と、
前記生成された磁界分布時系列データに基づいて前記被験者の心筋内の電流密度分布の時系列データを生成する演算手段と、
前記演算手段により生成されたデータに基づいて、前記被験者の心臓の洞房結節からヒス束−プルキンエ繊維系への刺激伝播経路を示す画像と、心筋内の電流密度分布を示す画像とを重ね合わせて表示する表示処理を行なう表示手段とを備え、これにより、異常な電流密度分布を示す心筋障害部位または生理学的に生存している心筋部位を３次元的に同定することができる、磁界計測による生存心筋診断装置。
【請求項３】
前記演算手段は、解剖学的要因または機能的要因に基づいて、左心室および右心室を任意の複数の領域に分割して各領域ごとの心筋内の電流密度分布の時系列データを生成し、これにより左心室および右心室における心筋障害部位を３次元的に同定することができる、請求項２に記載の磁界計測による生存心筋診断装置。
【請求項４】
前記演算手段により生成されたデータが示す心筋内の電流密度と、心筋障害電流との関係を判断するための情報を含むデータベースをさらに備える、請求項２に記載の磁界計測による生存心筋診断装置。
【請求項５】
磁界計測による生存心筋分析方法であって、
被験者の胸部上の複数の座標における非接触磁気計測により取得された前記複数の座標に対応する複数の磁界時系列データに基づいて生成された前記胸部上の磁界分布時系列データに基づいて、前記被験者の心筋内の電流密度分布の時系列データである第１のデータを生成するステップと、
別途供給された前記被験者の胸部断層画像データを加工して解剖学的画像を示す第２のデータを生成するステップと、
前記第１のデータが示す前記心筋内の電流密度分布の画像を、前記第２のデータが示す前記解剖学的画像に重ね合わせて表示することにより、異常な電流密度分布を示す心筋障害部位または生理学的に生存している心筋部位を３次元的に同定することを可能にするステップとを備える、磁界計測による生存心筋分析方法。
【請求項６】
前記第１のデータを生成するステップは、解剖学的要因または機能的要因に基づいて、左心室および右心室を任意の複数の領域に分割して各領域ごとの心筋内の電流密度分布の時系列データを生成し、これにより左心室および右心室における心筋障害部位を３次元的に同定することができる、請求項５に記載の磁界計測による生存心筋分析方法。
【請求項７】
磁界計測による生存心筋分析方法であって、
被験者の胸部上の複数の座標における非接触磁気計測により取得された前記複数の座標に対応する複数の磁界時系列データに基づいて生成された前記胸部上の磁界分布時系列データに基づいて、前記被験者の心筋内の電流密度分布の時系列データである第１のデータを生成するステップと、
別途供給された前記被験者の胸部断層画像データを加工して解剖学的画像を示す第２のデータを生成するステップと、
前記第１のデータが示す前記心筋内の電流密度分布の画像を、前記第２のデータが示す前記解剖学的画像に重ね合わせて表示することにより、異常な電流密度分布を示す心筋障害部位または生理学的に生存している心筋部位を３次元的に同定することを可能にするステップと、
前記第１のデータが示す心筋内の電流密度と、心筋障害電流との関係を示す情報に基づいて、前記３次元的に同定された部位が心筋障害部位か生存心筋部位かを判断するステップとを備える、磁界計測による生存心筋分析方法。
【請求項８】
磁界計測による生存心筋分析方法であって、
被験者の胸部上の複数の座標における非接触磁気計測により取得された前記複数の座標に対応する複数の磁界時系列データに基づいて生成された前記胸部上の磁界分布時系列データに基づいて、前記被験者の心筋内の電流密度分布の時系列データを生成するステップと、
前記生成されたデータに基づいて、前記被験者の心臓の洞房結節からヒス束−プルキンエ繊維系への刺激伝播経路を示す画像と、心筋内の電流密度分布を示す画像とを重ね合わせて表示することにより、異常な電流密度分布を示す心筋障害部位または生理学的に生存している心筋部位を３次元的に同定することを可能にするステップとを備える、磁界計測による生存心筋分析方法。
【請求項９】
前記データを生成するステップは、解剖学的要因または機能的要因に基づいて、左心室および右心室を任意の複数の領域に分割して各領域ごとの心筋内の電流密度分布の時系列データを生成し、これにより左心室および右心室における心筋障害部位を３次元的に同定することができる、請求項８に記載の磁界計測による生存心筋分析方法。
【請求項１０】
前記データが示す心筋内の電流密度と、心筋障害電流との関係を示す情報に基づいて、前記３次元的に同定された部位が心筋障害部位か生存心筋部位かを判断するステップをさらに備える、請求項８に記載の磁界計測による生存心筋分析方法。
【請求項１１】
前記心筋内の電流密度分布は、ＳＡＭ（Synthetic Aperture Magnetometry）法またはＭＵＳＩＣ（Multiple Signal Classification）法を用いて求められる、請求項５に記載の磁界計測による生存心筋分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の効果】
以上説明してきたことから明らかなように、本発明の透析液調製装置を採用すれば、エアーフィルターや攪拌ポンプを必要とせず、また送液ポンプも減らすことができるので、コスト的に有利である。また、大きな溶解タンクを必要としないので装置全体の小型化が可能である。さらに送液ポンプを１つしか使用していないので、動作音を大幅に低減することができる。また、調製後に濃度異常が見出された場合であっても、透析液の濃度調整が容易にできるので、透析液を無駄に破棄しないで済む。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月25日(2005.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
このような芯材２の構成する材料としては、例えば、Ｎｉ−Ｔｉ合金等の超弾性合金、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｏ合金、スレンレス鋼、ピアノ線等の各種金属材料などが挙げられる。なお、芯材２の近位部３と移行部４と遠位部５は、同一材料により一体に形成されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
螺刻を有し、該螺刻にしたがってテーブルを移動させるためのボールネジと、
所定の温度において検出ヘッド面が該ボールネジの一端の端面との間に、基準となる距離の隙間をもって近接して配置される近接センサとを備える工作機械であって、
該近接センサは、該隙間の距離を測定して、該基準となる距離と比較することにより該ボールネジ長さの伸び量を測定することを特徴とする工作機械。
【請求項２】
請求項１において、
前記隙間の測定は該端面の位置に応じて生じる該渦電流の変化を該近接センサが検出し電気信号に変換することにより測定することを特徴とする工作機械。
【請求項３】
請求項２において、
温度に対する該近接センサの電気信号の変化量を予め把握し、前記測定において変換された電気信号に基づいて該変化量の補正をすることにより、環境温度の変化による該近接センサの出力電圧の変化の影響を除去した前記伸び量を測定することを特徴とする工作機械。
【請求項４】
請求項２乃至３において、
該渦電流は該近接センサの内部に備えられたコイルを流れる高周波電流によって生じる高周波磁界に応じて発生することを特徴とする工作機械。
【請求項５】
請求項１乃至４において、さらに、
該ボールネジの該螺刻にしたがって移動するテーブルと、
該テーブルをボールネジの方向に移動させるサーボモータとを備え、
前記伸び量に応じて該サーボモータの回転量に補正を加える工作機械。
【請求項６】
請求項２乃至５において、さらに、
該近接センサが前記基準となる距離の隙間を保った条件の下で、該テーブルの任意の位置と該サーボモータの任意の回転量とが一対一に対応する初期対応関係を備え、
該補正は該伸び量に対応する回転量を該初期対応関係における回転量に付加または削減することで補正をおこなうことを特徴とする工作機械。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月22日(2005.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成に使用される消耗品としてトナーを収納する消耗品収納室，静電潜像を形成するための感光ドラム，この感光ドラムを帯電させる帯電ローラ，前記感光ドラムにトナーを付着させて前記静電潜像を現像する現像ローラを有するカートリッジが交換可能に装填され、前記消耗品によって記録紙にプリントを行う画像形成装置において、
前記消耗品の推定使用量を調べて、前記推定使用量が所定値以上になった場合に、前記消耗品がなくなったことを表す情報を、メモリに書き込む情報書き込み手段と、
前記カートリッジが装置本体に装填されたときに、前記メモリ内の前記情報の有無をチェックするチェック手段と、
前記情報書き込み手段によって前記情報が前記メモリに書き込まれた後も、前記カートリッジが装置本体から取り出されるまではプリント動作を許容するとともに、前記カートリッジが取り出された後、再度装置本体に装填されたときに、前記チェック手段によるチェックを行い、前記情報が有る場合には、プリント動作を禁止する制御手段とが設けられていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
画像形成に使用される消耗品としてトナーを収納する消耗品収納室，静電潜像を形成するための感光ドラム，この感光ドラムを帯電させる帯電ローラ，前記感光ドラムにトナーを付着させて前記静電潜像を現像する現像ローラを有するカートリッジが交換可能に装填され、前記消耗品によって記録紙にプリントを行う画像形成装置において、
前記消耗品の推定使用量をメモリに書き込む情報書き込み手段と、
前記メモリ内の情報を調べて前記推定使用量が所定値に達しているかどうかをチェックするチェック手段と、
前記推定使用量が所定値に達した後も、前記カートリッジが装置本体から取り出されるまではプリント動作を許容するとともに、前記カートリッジが取り出された後、再度装置本体に装填されたときに、前記チェック手段によるチェックを行い、前記推定使用量が所定値に達している場合にはプリント動作を禁止する制御手段とが設けられていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
前記メモリは、前記装置本体に設けられており、前記情報は、カートリッジＩＤに関連付けて格納されることを特徴とする請求項１又は２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記メモリは、前記カートリッジに設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記メモリは、カートリッジ本体から取り外し可能であることを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記メモリは、カートリッジ本体から分離可能であることを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記情報は、暗号化されて前記メモリへ書き込まれることを特徴とする請求項１〜６いずれか記載の画像形成装置。
【請求項８】
消耗品が収納されたカートリッジが交換可能に装填され、前記カートリッジ内に収納された消耗品によって記録紙にプリントを行う画像形成装置において、
前記消耗品の推定使用量を調べて、前記推定使用量が所定値以上になった場合に、前記消耗品がなくなったことを表す情報を、メモリに書き込む情報書き込み手段と、
前記カートリッジが装置本体に装填されたときに、前記メモリ内の前記情報の有無をチェックするチェック手段と、
前記情報書き込み手段によって前記情報が前記メモリに書き込まれた後も、前記カートリッジが装置本体から取り出されるまではプリント動作を許容するとともに、前記カートリッジが取り出された後、再度装置本体に装填されたときに、前記チェック手段によるチェックを行い、前記情報が有る場合には、プリント動作を禁止する制御手段とが設けられていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
消耗品が収納されたカートリッジが交換可能に装填され、前記カートリッジ内に収納された消耗品によって記録紙にプリントを行う画像形成装置において、
前記消耗品の推定使用量をメモリに書き込む情報書き込み手段と、
前記メモリ内の情報を調べて前記推定使用量が所定値に達しているかどうかをチェックするチェック手段と、
前記推定使用量が所定値に達した後も、前記カートリッジが装置本体から取り出されるまではプリント動作を許容するとともに、前記カートリッジが取り出された後、再度装置本体に装填されたときに、前記チェック手段によるチェックを行い、前記推定使用量が所定値に達している場合にはプリント動作を禁止する制御手段とが設けられていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
前記メモリは、前記装置本体に設けられており、前記情報は、カートリッジＩＤに関連付けて格納されることを特徴とする請求項８又は９記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記メモリは、前記カートリッジに設けられていることを特徴とする請求項８又は９記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記メモリは、カートリッジ本体から取り外し可能であることを特徴とする請求項１１記載の画像形成装置。
【請求項１３】
前記メモリは、カートリッジ本体から分離可能であることを特徴とする請求項１１記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記情報は、暗号化されて前記メモリへ書き込まれることを特徴とする請求項８〜１３いずれか記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された第１及び第２の基板間に電気光学物質が挟持され、前記第１の基板には反射層が形成され、一つの画素内には透過部と、前記反射層に対応した反射部と、が個別に設けられ、前記一つの画素内に所定の色の淡色部と当該淡色部よりも光濃度が高い前記所定の色の濃色部とを有する着色層を備えた電気光学装置であって、
前記第１及び第２の基板のいずれかの基板には前記着色層が形成され、前記一つの画素と当該一つの画素に隣接する他の画素との間には、前記着色層の前記所定の色の前記淡色部と前記着色層の前記所定の色とは異なる色の前記濃色部との積層によって構成された遮光部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素間に設けられた遮光部は、前記着色層の前記所定の色の前記淡色部の上に前記着色層の前記所定の色とは異なる色の前記濃色部が積層して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素間で前記遮光部を構成する前記着色層の前記濃色部は、互いに色が異なる複数の前記濃色部の積層によって構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記一つの画素と当該一つの画素に隣接する他の画素には、所定の色の前記着色層の前記淡色部が前記画素間を介在させて連続して形成されてなり、前記着色層の前記淡色部上の前記画素間に前記所定の色とは異なる色の前記着色層の前記濃色部が選択的に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために本発明の電気光学装置は、対向して配置された第１及び第２の基板間に電気光学物質が挟持され、前記第１の基板には反射層が形成され、一つの画素内には透過部と、前記反射層に対応した反射部と、が個別に設けられ、前記一つの画素内に所定の色の淡色部と当該淡色部よりも光濃度が高い前記所定の色の濃色部とを有する着色層を備えた電気光学装置であって、前記第１及び第２の基板のいずれかの基板には前記着色層が形成され、前記一つの画素と当該一つの画素に隣接する他の画素との間には、前記着色層の前記所定の色の前記淡色部と前記着色層の前記所定の色とは異なる色の前記濃色部との積層によって構成された遮光部が設けられていることを特徴とする。
また、前記画素間に設けられた遮光部は、前記着色層の前記所定の色の前記淡色部の上に前記着色層の前記所定の色とは異なる色の前記濃色部が積層して形成されていることを特徴とする。
また、前記画素間で前記遮光部を構成する前記着色層の前記濃色部は、互いに色が異なる複数の前記濃色部の積層によって構成されていることを特徴とする。
また、前記一つの画素と当該一つの画素に隣接する他の画素には、所定の色の前記着色層の前記淡色部が前記画素間を介在させて連続して形成されてなり、前記着色層の前記淡色部上の前記画素間に前記所定の色とは異なる色の前記着色層の前記濃色部が選択的に設けられていることを特徴とする。
カラーフィルタ基板は、基板と、前記基板に配置され、且つ淡色部および前記淡色部よりも光濃度が高い濃色部を有する着色層と、前記基板上に配置され、且つ実質的に光が透過可能な透過部を有する反射層とを備え、前記濃色部は少なくとも前記透過部に平面的に重なるように配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月23日(2004.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号増幅のためのスイープされた波長のラマンポンプ源であって、
規定された波長に中心合わせされた、非常に短い光パルスを生成する光パルストレイン信号源と、
前記パルストレインに負の分散を加え、そして隣接するパルスを重なり合わせるのに十分な所定の長さに前記非常に短い光パルスのパルス幅を延伸する、前記光パルストレイン信号源の出力に結合された線形分散素子とを備えることを特徴とするポンプ源
【請求項２】
前記ポンプ源がさらに、前記線形分散素子の出力を整形して所定のゲインレベルを生成するゲイン平坦化フィルタを備えることを特徴とする請求項１に記載のポンプ源。
【請求項３】
前記線形分散素子が所定の長さの負の分散シフトファイバのセクションを備え、前記負の分散シフトファイバのセクションの長さが、前記非常に短いパルスに導入された延伸量に正比例することを特徴とする請求項１に記載のポンプ源。
【請求項４】
前記線形分散素子が、縦続接続されたファイバブラッグ格子を備えることを特徴とする請求項１に記載のポンプ源。
【請求項５】
前記光パルストレイン信号源が、モードロックされてドープされたファイバ・レーザを備えることを特徴とする請求項１に記載のポンプ源。
【請求項６】
前記光パルストレイン信号源が、前記非常に短いパルス・トレインの中心波長を所定の波長領域に移動させる、高度な非線形性の分散シフト・ファイバのセクションをさらに備えることを特徴とする請求項５に記載のポンプ源。
【請求項７】
前記ポンプ源が、前記スイープされた波長の源の繰り返しレートを増加させる、前記線形分散素子の出力に結合された非平衡干渉計をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のポンプ源。
【請求項８】
前記非平衡干渉計が、前記干渉計の第１のアームに沿って配置された遅延素子を有するマッハツェンダー干渉計を備えることを特徴とする請求項７に記載のポンプ源。
【請求項９】
前記遅延素子が、所望の量の遅延を導入するのに十分な長さの単一モード・ファイバのセクションを備えることを特徴とする請求項８に記載のポンプ源。
【請求項１０】
前記ポンプ源が、前記線形分散素子の出力を超えて配置された出力パワー増幅器をさらに備え、前記出力パワー増幅器が、ラマン増幅プロセスでの使用のために出力パワーを増大することを特徴とする請求項１に記載のポンプ源。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクの記録マークの配置あるいは配置密度を少なくとも変調することによって、視認可能な情報を光ディスク上に記録・表示する方法であって、該視認情報は光ディスクの記録内容を表すインデックス情報あるいは光ディスクの識別情報を少なくとも含み、
前記光ディスクは、追記型光ディスクであり、
前記光ディスクは、記録再生に用いる光を９０％以上透過し、記録再生に用いる光以外の波長の可視光に対しては吸収を有するフィルタ層を記録層よりも光再生側に有し、前記フィルタ層は前記吸収の吸収率が少なくとも50％以上になる波長域を350nm以上650nm以下の領域に少なくとも有することを特徴とする光ディスクへの視認情報記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月12日(2005.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録時の線速度を変化させながら相変化光ディスクに情報を記録またはオーバライトする記録方法において，
記録に用いる光パルスは，消去パワーに少なくともファーストパルス，マルチパルス，ラストパルスを重畳したものからなり，
前記ファーストパルスのパワー値，マルチパルスのパワー値，及びラストパルスのパワー値はそれぞれ，前記消去パワーの値よりも大であって，
前記マルチパルスはクロック周期に高パワーと低パワーが周期的に繰り返すものであって，
前記ファーストパルス及びラストパルスの幅を記録時のクロック単位で表した値をそれぞれFP及びLPとした時，
記録時の線速度が大きくなるに従って，前記FP値を小さくし，前記LP値を同じか大きくし，
異なる２つの線速度，線速度１及び線速度２で適正化した光パルスの各パラメータを用いて，前記線速度１と線速度２の間の線速度３で記録に用いる光パルスの各パラメータとして，前記線速度１及び線速度２の各パラメータを線速度３の比率で内挿したものを用いることによって，
種々の線速度に対応した条件で記録をおこなうことを特徴とする記録方法。
【請求項２】
推奨記録条件を記録するための媒体情報記録領域を備え，線速度を変えて、記録可能な相変化材料を記録層に有する記録媒体において，
記録に用いる光パルスは，消去パワーに少なくともファーストパルス，マルチパルス，ラストパルスを重畳したものからなり，
前記ファーストパルスのパワー値，マルチパルスのパワー値，及びラストパルスのパワー値はそれぞれ，前記消去パワーの値よりも大であって，
前記マルチパルスはクロック周期に高パワーと低パワーが周期的に繰り返すものであって，
前記ファーストパルス及びラストパルスの幅を記録時のクロック単位で表した値をそれぞれFP及びLPとした時，
記録時の線速度が大きくなるに従って，前記FP値を小さくし，前記LP値を同じか大きくし，
異なる２つの線速度，線速度１及び線速度２で適正化した光パルスの各パラメータを用いて，前記線速度１と線速度２の間の線速度３で記録に用いる光パルスの各パラメータとして，前記線速度１及び線速度２の各パラメータを線速度３の比率で内挿したものを用いることによって，
種々の線速度に対応して適正な条件で記録をおこなうことが可能であり，
少なくとも前記線速度１に適正化した光パルスの各パラメータ値，及び前記線速度２に適正化した光パルスの各パラメータ値を媒体情報記録領域に記録してあることを特徴とする記録媒体。
【請求項３】
記録時の線速度を変化させながら相変化光ディスクに情報を記録可能な記録装置であって，
記録に用いる光パルスは，消去パワーに少なくともファーストパルス，マルチパルス，ラストパルスを重畳したものからなり，
前記ファーストパルスのパワー値，マルチパルスのパワー値，及びラストパルスのパワー値はそれぞれ，前記消去パワーの値よりも大であって，
前記マルチパルスはクロック周期に高パワーと低パワーが周期的に繰り返すものであって，
前記ファーストパルス及びラストパルスの幅を記録時のクロック単位で表した値をそれぞれFP及びLPとした時，
記録時の線速度が大きくなるに従って，前記FP値を小さくし，前記LP値を同じか大きくしたものであり，
記録媒体をローディングしたときに，前記媒体情報記録領域に記憶された前記線速度１及び線速度２に適正化した光パルスの各パラメータ値を再生する機能，
前記記録媒体から再生した，前記線速度１及び線速度２に適正化した光パルスの各パラメータ値に基づいて，前記線速度１及び線速度２においてテスト記録を実施して各々のパラメータ値を補正する記録条件補正機能，
前記線速度１及び線速度２の間の線速度３に対して，前記記録条件補正機能で補正した前記線速度１の光パルスの各パラメータと，前記記録条件補正機能で補正した前記線速度２の光パルスの各パラメータとを，線速度３の比率で内挿した光パルスの各パラメータを用いて情報を記録する機能，
とを有し，種々の線速度に対応した条件で記録をおこなうことを特徴とする記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月24日(2005.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１方向に沿って複数形成されたワード線と、
前記第１方向に直交する第２方向に沿って複数形成されたビット線と、
第１抵抗値と、該第１抵抗値よりも小さい第２抵抗値とのいずれかを有する磁気抵抗素子を含む第１メモリセルと、
前記第１、第２抵抗値の間の抵抗値を有する磁気抵抗素子を含む第２メモリセルと、
前記ワード線と前記ビット線との交点に配置された前記第１、第２メモリセルを有するメモリセルアレイと、
前記ワード線を選択する行デコーダと、
前記行デコーダによって選択された前記ワード線に第１書き込み電流を供給する行ドライバと、
前記ビット線を選択する列デコーダと、
前記列デコーダによって選択された前記ビット線に第２書き込み電流を供給する列ドライバと、
前記行デコーダと前記列デコーダによって選択された前記第１メモリセルから読み出したデータを増幅するセンスアンプと
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】  前記行ドライバは、前記第１メモリセルが配置される前記ワード線と、前記第２メモリセルが配置される前記ワード線との間で、異なる値の前記第１書き込み電流を供給する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】  前記センスアンプは、前記第１メモリセルから読み出したデータを、前記第２メモリセルから読み出したデータに対する大小によって判別する
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体記憶装置。
【請求項４】  前記第２メモリセルの磁気抵抗素子の抵抗値が、前記第１、第２抵抗値の間における所定の範囲内にあるか否かを判定する判定回路と、
前記判定回路における判定の結果、前記第２メモリセルの磁気抵抗素子の抵抗値が所定の範囲に無い場合、前記第２メモリセルに対するデータの再書き込みを命令する制御回路と
を更に備えることを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項５】  第１磁気抵抗素子を含むメモリセルに第１データを書き込み、第２磁気抵抗素子を含む参照セルに第２データを書き込むステップと、
ビット線をプリチャージするステップと、
前記メモリセル及び前記参照セルから前記ビット線に前記第１、第２データをそれぞれ読み出すステップと、
前記ビット線に読み出した前記第１データを、前記第２データを基準にして増幅するステップと
を具備し、前記第１データの書き込まれた前記メモリセルの前記第１磁気抵抗素子は、第１抵抗値と該第１抵抗値より小さい第２抵抗値とのいずれかを有し、
前記第２データの書き込まれた前記参照セルの前記第２磁気抵抗素子は、前記第１、第２抵抗値の間の抵抗値を有する
ことを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板に形成されたレジストに微細形状を形成する工程と、微細形状が形成されているレジストの表面に電鋳層を形成して金型を製作する工程と、前記金型を用いて微細形状物を製造する微細形状物の製造方法において、
前記基板に形成されたレジストに微細形状を形成する工程は、透明基板の一方の面にネガレジストを形成する工程と、前記透明基板の他方の面側から光を照射し、多値の階調を持ったグレイスケールマスクを介して前記ネガレジストを露光する工程と、該ネガレジストを現像し前記グレイスケールマスクの階調と相関を持った三次元微細形状を前記ネガレジスト上に形成する工程とを有することを特徴とする微細形状物の製造方法。
【請求項２】  前記透明基板の一方の面に前記グレイスケールマスクを形成する工程と、該グレイスケールマスクの表面に前記ネガレジストを塗布する工程とを有することを特徴とする請求項１記載の微細形状物の製造方法。
【請求項３】  前記透明基板の一方の面に前記ネガレジストを塗布する工程と、前記透明基板の他方の面にグレイスケールマスクを形成する工程とを有することを特徴とする請求項１記載の微細形状物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月5日(2004.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも一部分上を被覆した、前記基材を含む、熱転写ドナー要素であって、
（ａ）ジアゾ置換基および前記ジアゾ置換基に隣接した少なくとも１個の電子求引性基を有するジアゾ化合物；
（ｂ）非ジアゾ電磁線吸収剤；および
（ｃ）熱物質転写性材料、
を含み、前記ジアゾ化合物が２５０℃以下の分解温度を有する、熱転写ドナー要素。
【請求項２】
下記式
【化１】
1998036331.tif 000001
〔式中、Ｒ1 はＨ、（Ｃ1 〜Ｃ4 ）脂肪族基、または、
【化２】
1998036331.tif 000002
であり、ｐは２〜１０００であり、Ｒ2 はＨまたは有機基であり、そしてｍは２〜１０である。〕のジアゾ化合物。
【請求項３】
下記式
【化３】
1998036331.tif 000003
（式中、Ｒ3 およびＲ4 は、独立に、（Ｃ1 〜Ｃ15）アルキル基、（Ｃ7 〜Ｃ15）アルカリール基、（Ｃ7 〜Ｃ15）アラルキル基、（Ｃ6 〜Ｃ15）アリール基および（Ｃ5 〜Ｃ15）複素環式基からなる群より選ばれたものである。）
のジアゾ化合物。
【請求項４】
（ａ）請求項１記載の熱転写ドナー要素を画像受容要素と接触させる工程、および、
（ｂ）（ａ）の構造体を画像様に露光して、それにより、熱転写ドナー要素の熱物質転写性材料を画像受容要素に転写する工程、
を含む、画像を形成するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月7日(2004.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
実施例Ａ（アミン出発化合物の調製）
本実施例では、欧州特許発明明細書第０，０５８，３３５号によるアルキル鎖長が１０〜１３炭素原子でありかつ主鎖の平均長さが約１２炭素原子である同族体及び異性体混合物状態の芳香族ジアミンを使用した。
ジアミン７７６ｇ、ｔ−ブタノール７６３ｇ、酸化ルテニウム水和物７．７ｇを、３リットルの攪拌型オートクレーブへ導入した。オートクレーブを窒素で３回パージし、水素で１３８バールへ加圧した。内容物を攪拌しながら１８０℃へ加熱し、２７０〜２５９バールの圧力にて芳香族ジアミンを環水素化した。５時間反応を行った後、水素の注入を停止した。オートクレーブの圧力を開放し、触媒を分離した後、濾液をロータリーエバポレーターにて濃縮し、次いで粗製アミンを減圧下にて蒸留した。沸点が１３０〜１５２℃／０．１ミリバールのフラクションとして７３９ｇのジアミン混合物を得た（収率：９５％）。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
実施例１（本発明のジイソシアネートの調製）
本実施例では、アルキル鎖長が１０〜１３炭素原子でありかつ主鎖の平均長さが約１２炭素原子である同族体及び異性体混合物状態の実施例Ａのジアミンを使用した。
攪拌機、温度計、ガス注入ライン及び還流凝縮器を備えた４リットルの四っ口フラスコへ２リットルの乾燥クロロベンゼンを導入した。ホスゲン５００ｇを攪拌下かつ冷却下（−１０℃）にフラスコ内へ凝縮させた。次いで冷却下（−１０〜−５℃）に、クロロベンゼン３００ｇ中に溶解させたジアミン３７０ｇを滴下した。ホスゲンを導入しながら、温度を還流温度まで徐々に上げた。塩化水素の発生が止んだ後、窒素流にて過剰のホスゲンを除去し、減圧下に溶液を蒸発させた。ＮＣＯ含有量が１９．１％（理論値：２５．１％）の粗製イソシアネート混合物３４５ｇを得た。ＩＲ分光法によれば、該イソシアネート混合物には少量のビウレットが含まれていた。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
使用例
実施例２（サイズ剤用の水分散性ポリイソシアネートの調製）
実施例１の蒸留イソシアネート８５ｇを６０℃にて容器へ導入し、エチレングリコールモノメチルエーテルに基づく平均分子量が３５０ｇ／モルのポリエーテル１５ｇを攪拌混合した。イソシアネート含有量が２０．４％になるまで攪拌を続けた。
得られた生成物は、貯蔵安定なウォーターホワイト（無色透明）液体であり、水中への分散が容易なものであった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）：
【化１】
1998036365.tif 000001
〔式中、
Ｒ2、Ｒ4及びＲ6は、同一であるか又は異なり、それぞれ水素原子、１〜５個の炭素原子を有する直鎖若しくは側鎖のアルキル基、又は下記式：
【化２】
1998036365.tif 000002
（上記式中、Ａは、１〜３個の炭素原子を有し、場合により、メチル基又はヒドロキシル基により置換されていてもよい、直鎖の炭化水素鎖であり；
Ｒ8は、水素原子又は１〜５個の炭素原子を有するアルキル基である）
で示される基のいずれかの基であり；
Ｒ3及びＲ5は、同一であるか又は異なり、それぞれ水素原子、又は下記式：
【化３】
1998036365.tif 000003
で示される基のいずれかの基であり；
Ｒ1及びＲ7は、同一であるか又は異なり、それぞれ水素原子、又は下記式：
【化４】
1998036365.tif 000004
で示される基のいずれかの基であり；
ここで、置換基Ｒ2、Ｒ4及びＲ6の１又は２個の基が、−Ａ−ＣＯＯＲ8基（ここで、Ａ及びＲ8は、上記に定義したとおりである）を表す場合、Ｒ1〜Ｒ7のうち、残った置換基の少なくとも１種が、水素原子を表さないことを条件とする〕
で示されるジオスメチン酸、そのエステル、異性体が存在する場合にはその異性体、及び生理学的に許容し得る適切な塩基とのその塩。
【請求項２】
７−カルボキシメトキシ−５−ヒドロキシ−２−（３−ヒドロキシ−４−メトキシ−２−プロピルフェニル）−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オンである、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
７−カルボキシメトキシ−５−ヒドロキシ−２−（４−メトキシ−３−プロポキシフェニル）−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オンである、
請求項１記載の化合物。
【請求項４】
７−カルボキシメトキシ−５−ヒドロキシ−２−（２−アリル−３−ヒドロキシ−４−メトキシフェニル）−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オンである、請求項１記載の化合物。
【請求項５】
活性成分として請求項１〜４のいずれか１項記載の化合物を、１種類以上の製薬学的に適切な賦形剤とともに含有する、医薬組成物。
【請求項６】
慢性静脈不全及び過透過性及び／又は炎症を随伴する他の疾患の治療用の、請求項５記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月8日(2004.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック材料が、サイアロン粒子と０．２〜２０体積百分率の粒子間相を含み、該サイアロン相の少なくとも８０体積百分率が１．０より大きく１．５未満のＺ値を有するベータサイアロンＳｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Zであり、１５３０を越えるビッカース硬度ＨＶ１を有すること特徴とする耐熱合金の高速度機械加工用の焼結セラミック材料。
【請求項２】
１．２より大きいＺ値を有することを特徴とする請求項１記載の焼結セラミック材料。
【請求項３】
Ｚ値１．４を有することを特徴とする請求項１記載の焼結セラミック材料。
【請求項４】
前記サイアロン相がベータサイアロンであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の焼結セラミック材料。
【請求項５】
粒子間相の量が８〜１２体積百分率であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の焼結セラミック材料。
【請求項６】
ガス加圧焼結法を使用して、最終部品の焼結が１７００〜１８００℃で１０〜１５バールの窒素で１〜３時間行われることを特徴とする請求項１に記載の材料の焼結方法。
【請求項７】
請求項１記載の材料の切削工具を耐熱合金の被加工材に接触させ、前記切削工具と前記被加工材の少なくとも一方を移動させ、前記被加工材から材料を除去することを含む耐熱合金の高速度機械加工方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリブロックコポリマービヒクル、及び染料又は顔料を含み、該トリブロックコポリマーが下記別式を有するホットメルトインク組成物。
【化１】
1998036742.tif 000001
【請求項２】
トリブロックコポリマービヒクル、及び染料又は顔料を含み、該トリブロックコポリマーがポリエチレンオキサイドジステアレート又はポリアミドジステアレートであるホットメルトインク組成物。
【請求項３】
（ａ）自由面を伴う液体インクのプールを有する音響インクプリンタと、前記インクの自由面に集束音響放射を放射して要求に応じて個々のインク液滴を自由面から噴出する少なくとも１つの液滴エジェクタを具備するプリントヘッドと、を提供し、前記放射を有限胴部直径で焦点面に集束させ、前記インクがトリブロックコポリマーと、染料及び／又は顔料と、任意のインク添加物とを含み、
（ｂ）  前記インク液滴を像様のパターンに記録シート上へ噴出させる、
インク印刷方法。
【請求項４】
トリブロックコポリマービヒクル、及び染料又は顔料を含み、該トリブロックコポリマーが下記別式を有するホットメルトインク組成物。
【化２】
1998036742.tif 000002
【請求項５】
トリブロックコポリマービヒクル、及び染料又は顔料を含み、該トリブロックコポリマーが下記別式を有する音響ホットメルトインク組成物。
【化３】
1998036742.tif 000003
【請求項６】
トリブロックコポリマービヒクル、及び着色剤を含み、該トリブロックコポリマーが下記別式を有する音響ホットメルトインク組成物。
【化４】
1998036742.tif 000004
【請求項７】
トリブロックコポリマービヒクル、及び染料又は顔料を含み、該トリブロックコポリマーが式Ａ−Ｂ−Ａを有し、Ａ、Ｂ及びＡはモノマーセグメントを表し、Ａ−Ｂ−Ａトリブロックは、下記化合物、ポリオキシエチレン−ポリジメチルシロキサン、ポリオキシエチレン−ポリエチレン又はポリメチルアクリレート−ポリジメチルシロキサンであるホットメルトインク組成物。
【化５】
1998036742.tif 000005
【請求項８】
トリブロックコポリマービヒクル、及び染料又は顔料を含み、該ビヒクルが分子量Ｍｗが１，１３０ｇ／モルのポリ（エチレングリコール）−ジステアレート、分子量Ｍｗが１５３０ｇ／モルのポリ（エチレングリコール）−ジステアレート、分子量Ｍｗが７３０ｇ／モルのジェフアミン−ジステアレート、分子量Ｍｗが７６０ｇ／モルのジェフアミン−ジステアレート、分子量Ｍｗが９３０ｇ／モルのジェフアミン−ジステアレート、分子量Ｍｗが１１３０ｇ／モルのジェフアミン−ジステアレート、又は分子量Ｍｗが１４３０ｇ／モルのジェフアミン−ジステアレートであるホットメルトインク組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の着色剤と第一の水性媒質とから成る第一のインクジェット用インクと、第二の着色剤と第二の水性媒質とから成る第二のインクジェット用インクとを含むインクジェット印刷用のインクジェット用インクセットであって、前記第一の水性媒質は第一のポリマーを含有し、前記第二の水性媒質は第一と第二の水性媒質との間で接触が起こるとそれらの水相分離を誘発できる第二の種を含有し、前記第一及び第二のインクジェット用インクは、前記第一及び第二のインクジェット用インクがインクジェット用ペンから容易に噴出できるほど十分低い粘性を有する、インクジェット用インクセット。
【請求項２】
前記第一のポリマーが約３００〜２００００の範囲内の分子量を有する請求項１に記載のインクジェット用インクセット。
【請求項３】
前記第一のポリマーが、少なくとも約２００の平均分子量を有するポリエチレングリコール、少なくとも約２００の平均分子量を有するポリプロピレングリコール、ポリサッカリド、約４００００〜４０００００の範囲内の平均分子量を有するポリスクロース、約５００〜１００００の範囲内の平均分子量を有するエトキシル化グリセロール、約５００〜１００００の範囲内の平均分子量を有するプロポキシル化グリセロール、約１００００〜２０００００の範囲内の平均分子量を有するポリビニルアルコール、約２０００〜５０００００の範囲内の平均分子量を有するポリビニルピロリドン、約１０００〜１００００００の範囲内の平均分子量を有するポリアクリルアミド、約１０００〜５０００００の範囲内の平均分子量を有するポリアクリル酸、約１０００〜５００００の範囲内の平均分子量を有するポリエチレンイミン、及びそれらの誘導体から成る群から選択される、請求項１に記載のインクジェット用インクセット。
【請求項４】
前記第二の種が、前記第一のポリマーとは異なる第二のポリマー及び低分子量成分から成る群から選択される請求項１に記載のインクジェット用インクセット。
【請求項５】
前記第二のポリマーが、少なくとも約２００の平均分子量を有するポリエチレングリコール、少なくとも約２００の平均分子量を有するポリプロピレングリコール、ポリサッカリド、約４００００〜４０００００の範囲内の平均分子量を有するポリスクロース、約５００〜１００００の範囲内の平均分子量を有するエトキシル化グリセロール、約５００〜１００００の範囲内の平均分子量を有するプロポキシル化グリセロール、約１００００〜２０００００の範囲内の平均分子量を有するポリビニルアルコール、約２０００〜５０００００の範囲内の平均分子量を有するポリビニルピロリドン、約１０００〜１００００００の範囲内の平均分子量を有するポリアクリルアミド、約１０００〜５０００００の範囲内の平均分子量を有するポリアクリル酸、約１０００〜５００００の範囲内の平均分子量を有するポリエチレンイミン、及びそれらの誘導体から成る群から選択される、請求項４に記載のインクジェット用インクセット。
【請求項６】
前記低分子量成分が、リン酸塩、硫酸塩、プロピルアルコール、グリセロール、エチレングリコールモノブチルエーテル、グルコース、グリコール、及び塩化ナトリウムから成る群から選択される、請求項４に記載のインクジェット用インクセット。
【請求項７】
前記第一のポリマーがポリエチレングリコールであり、前記第二の種がエトキシル化グリセロール、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン、及び約１１０００〜１９０００の範囲内の平均分子量を有するデキストランから成る群から選択される、請求項１に記載のインクジェット用インクセット。
【請求項８】
前記第一のインクと前記第二のインクが、約２〜１５ｃＰの範囲内の粘度を有する請求項１に記載のインクジェット用インクセット。
【請求項９】
前記第一のインクジェット用インクがイエローのインクジェット用インクであり、前記第二のインクジェット用インクがシアンのインクジェット用インクであるインクジェット用インクセットであって、前記インクジェット用インクセットがさらに第三のマゼンタインクジェット用インクと第四のブラックインクジェット用インクを包含し、前記第三のマゼンタインクジェット用インクと前記第四のブラックインクジェット用インクが、それぞれ、第三の種と第四の種を含有して前記インクジェット用インクセットにおける任意のインク間で接触がある場合に水相分離を誘発するようにする、請求項１に記載のインクジェット用インクセット。
【請求項１０】
請求項１の少なくとも２つの異なったカラーインクをインクジェット用ペンから印刷媒体上に印刷する際のブリードを低減する方法であって、
（ａ）前記第一のインクジェット用インクを印刷するステップ、
（ｂ）前記第二のインクジェット用インクを印刷するステップ、
から成り、それによって、前記第二のインクが前記第一のインクジェット用インクに隣接して印刷される時に前記第一のインクと前記第二のインク間のブリードが低減されることを特徴とするブリード低減法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月16日(2004.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）：
【化１】
1998036696.tif 000001
（式中、
Ｂは、脂肪族架橋員であり、
（Ｒ)nは、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、ハロゲン及びスルホよりなる群からの同一又は異なるｎ個の基であり
ｎは、０、１又は２の数であり、
Ｒ1 、Ｒ1 ′、Ｒ2 及びＲ2 ′は、互いに独立して、それぞれ水素又は置換若しくは非置換Ｃ1 −Ｃ4 アルキルであり、
Ｘ1 及びＸ2 は、互いに独立して、それぞれハロゲン、３−カルボキシピリジン−１−イル又は３−カルバモイルピリジン−１−イルであり、
Ｚは、基：−ＣＨＸ−ＣＨ2 −Ｘ又は−ＣＸ＝ＣＨ2 であり、ここでＸは、ハロゲンであり、
Ｄは、ベンゼン又はナフタレン系列のジアゾ成分の基であり、そして
ｐ、ｑ及びｔは、互いに独立して、それぞれ０又は１の数である）で示される化合物。
【請求項２】
Ｘ1 が、クロロであり、そしてＸ2 が、クロロ又はフルオロである、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ1 及びＲ1 ′が、互いに独立して、それぞれ水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルでである、請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ2 及びＲ2 ′が、互いに独立して、それぞれ水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキル（これは、非置換であるか、又はヒドロキシルで置換されている）である、請求項１〜３のいずれか１項記載の化合物。
【請求項５】
Ｄが、フェニル基又はナフチル基（これらは、非置換であるか、又はスルホ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ若しくはハロゲン、又は式（２）若しくは（３）：
【化２】
1998036696.tif 000002
（式中、
Ｙは、ビニル、β−クロロエチル、β−スルファトエチル、β−チオスルファトエチル、β−アセトキシエチル、β−フェノキシエチル又はβ−ホスファトエチルであり、そして
Ｚは、請求項１と同義である）で示される反応性基で置換されている）である、請求項１〜４のいずれか１項記載の化合物。
【請求項６】
Ｂが、直鎖又は分岐のＣ2 −Ｃ12アルキレン（これは、非置換であるか、又はヒドロキシ、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ、スルファト若しくはスルホで置換されており、及び／又は−Ｏ−若しくは−ＮＲ3 （ここで、Ｒ3 は、水素又はＣ1 −Ｃ4 アルキルである）で１か所又は数か所で中断されている）である、請求項１〜５のいずれか１項記載の化合物。
【請求項７】
Ｂが、直鎖又は分岐のＣ2 −Ｃ6 アルキレンである、請求項１〜６のいずれか１項記載の化合物。
【請求項８】
式（１ａ）：
【化４】
1998036696.tif 000003
（式中、
Ｚは、基：−ＣＨＢｒ−ＣＨ2 Ｂｒ又は−ＣＢｒ＝ＣＨ2 であり、
（Ｒ)nは、スルホ、メチル及びメトキシよりなる群からの同一又は異なる０〜２個の基であり、
Ｘ1 は、クロロであり、
Ｒ1 ′は、水素、メチル又はエチルであり、
ｑは、０又は１であり、
Ｄは、式（８ａ）：
【化５】
1998036696.tif 000004
（式中、
（Ｒ′)vは、メチル、メトキシ及びスルホよりなる群からの同一又は異なるｖ個の基であり、
Ｙは、ビニル又はβ−スルファトエチルであり、
ｖは、０、１又は２の数であり、そして
ｓは、０又は１の数であり、ここで（ｖ＋ｓ）の合計は≧１である）で示される、請求項１記載の化合物。
【請求項９】
式（１ｂ）：
【化６】
1998036696.tif 000005
（式中、
Ｚは、基：−ＣＨＢｒ−ＣＨ2 Ｂｒ又は−ＣＢｒ＝ＣＨ2 であり、
（Ｒ)nは、スルホ、メチル及びメトキシよりなる群からの同一又は異なる０〜２個の基であり、
Ｘ1 は、クロロであり、
Ｘ2 は、クロロ又はフルオロであり、
Ｒ1 ′は、水素、メチル又はエチルであり、
Ｒ2 及びＲ2 ′は、互いに独立して、それぞれ水素、メチル、エチル、β−ヒドロキシエチルであり、
ｑは、０又は１であり、そして
Ｄは、式（８ａ）：
【化７】
1998036696.tif 000006
（式中、
（Ｒ′)vは、メチル、メトキシ及びスルホよりなる群からの同一又は異なるｖ個の基であり、
Ｙは、ビニル又はβ−スルファトエチルであり、
ｖは、０、１又は２の数であり、そして
ｓは、０又は１の数であり、ここで（ｖ＋ｓ）の合計は≧１である）で示される、請求項１記載の化合物。
【請求項１０】
請求項１記載の式（１）の化合物を製造するための方法であって、
それぞれの場合に、式（９ａ）、（９ｂ）、（１０ａ）、（１０ｂ）及び（１１ａ）：
【化８】
1998036696.tif 000007
の化合物約１モル当量、及び、もしｔが１の数であるならば、それぞれの場合に、式（１１ｂ）及び（１２）：
【化９】
1998036696.tif 000008
（上記式中、
Ｂ、Ｄ、（Ｒ)n、Ｒ1 、Ｒ1 ′、Ｒ2 、Ｒ2 ′、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｚ、ｐ、ｑ及びｔは、それぞれの場合に上記と同義である）の化合物の付加的な約１モル当量を、いかなる順序においてもよく、互いに反応させることを特徴とする方法。
【請求項１１】
ヒドロキシル基含有又は窒素含有繊維材料を染色又は捺染するための、請求項１〜１０のいずれか１項記載の式（１）の化合物を含む染料。
【請求項１２】
繊維材料が、セルロース性繊維材料、特に木綿を含む材料である、請求項１１記載の染料。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a) 平均分子量が3,000〜100,000である液晶性ポリアゾメチン又はそのコポリマーと、(b) 平均分子量が5,000〜100,000であるポリアミドと、(c) 平均径が１〜10μｍである繊維状無機充填材又は平均粒径が３〜10μｍである粉末状無機充填材とからなり、前記液晶性ポリアゾメチン又はそのコポリマーの含有量が10〜90重量％であり、前記ポリアミドの含有量が90〜10重量％であり、前記液晶性ポリアゾメチン又はそのコポリマー及び前記ポリアミドの合計100重量部に対する前記無機充填材の添加量が５〜15重量部であることを特徴とする複合材料。
【請求項２】
請求項１に記載の複合材料において、前記ポリアミドは脂肪族ポリアミド、芳香族ポリアミド及び半芳香族ポリアミドの１種又は２種以上であることを特徴とする複合材料。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の複合材料において、前記ポリアミドがナイロンであることを特徴とする複合材料。
【請求項４】
請求項１〜３に記載の複合材料において、前記無機充填材がガラス繊維、炭素繊維、チタン酸カリウム繊維、タルク、マイカ及びワラステナイトの少なくとも１種であることを特徴とする複合材料。
【請求項５】
請求項１〜４に記載の複合材料において、前記無機充填材の存在下で、前記液晶性ポリアゾメチン又はそのコポリマーと前記ポリアミドとを、両者のうちの高い方の融点以上でかつ低い方の分解温度未満の温度で、0.5〜60分間溶融混練することによって得られることを特徴とする複合材料。