【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部に形成された半導体層と、
前記絶縁膜及び前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の上部に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記開口部の深さは前記半導体層の厚さと概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の開口部に形成された、前記第１の開口部の深さと概略一致する厚さの半導体層と、
前記第１の絶縁膜及び前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された、前記半導体層の上部に第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の開口部に形成された、前記第２の開口部の深さと概略一致する厚さのゲート電極と、
前記ゲート電極及び第２の絶縁膜上に形成された層間絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部に形成されたゲート電極と、
前記絶縁膜及び前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の上部に形成された半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記開口部の深さは前記ゲート電極の厚さと概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の開口部に形成された、前記第１の開口部の深さと概略一致する厚さのゲート電極と、
前記第１の絶縁膜及び前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された、前記ゲート電極の上部に第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の開口部に形成された、前記第２の開口部の深さと概略一致する厚さの半導体層と、
前記半導体層及び前記第２の絶縁膜上に形成された層間絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３または請求項６において、
前記層間絶縁膜は第３の開口部を有し、
前記第３の開口部には当該開口部より前記半導体層に達するコンタクトホールを介して前記半導体層に電気的に接続された配線が形成されていることを特徴する半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第３の開口部の深さは前記配線の厚さと概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記配線は、前記第３の開口部の底面から前記第３の開口部外の前記層間絶縁膜の表面に連続して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の開口部に形成された、前記第１の開口部の深さと概略一致する厚さの半導体層と、
前記第１の絶縁膜及び前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された、前記半導体層の上部に第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の開口部に形成された、前記第２の開口部の深さと概略一致する厚さのゲート電極と、
前記ゲート電極及び第２の絶縁膜上に形成された、第３の開口部を有する層間絶縁膜と、
前記第３の開口部の底面から前記第３の開口部外の前記層間絶縁膜の表面に連続して形成され、なおかつ当該開口部より前記半導体層に達するコンタクトホールを介して前記半導体層の一部に電気的に接続された配線と、
前記層間絶縁膜と前記配線上に形成された、第４の開口部を有する第３の絶縁膜とを有し、
前記第４の開口部は、前記配線が前記第３の開口部外の前記層間絶縁膜の表面に形成されている位置の上部に少なくとも一部が形成され、
前記第４の開口部の底面の当該位置に相当するところには前記配線に達するコンタクトホールが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の開口部に形成された、前記第１の開口部の深さと概略一致する厚さのゲート電極と、
前記第１の絶縁膜及び前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された、前記ゲート電極の上部に第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の開口部に形成された、前記第２の開口部の深さと概略一致する厚さの半導体層と、
前記半導体層及び前記第２の絶縁膜上に形成された、第３の開口部を有する層間絶縁膜と、
前記第３の開口部の底面から前記第３の開口部外の前記層間絶縁膜の表面に連続して形成され、なおかつ当該開口部より前記半導体層に達するコンタクトホールを介して前記半導体層の一部に電気的に接続された配線と、
前記層間絶縁膜と前記配線上に形成された、第４の開口部を有する第３の絶縁膜とを有し、
前記第４の開口部は、前記配線が前記第３の開口部外の前記層間絶縁膜の表面に形成されている位置の上部に少なくとも一部が形成され、
前記第４の開口部の底面の当該位置に相当するところには前記配線に達するコンタクトホールが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
前記第３の開口部の深さは前記配線の厚さと概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の開口部に形成された、前記第１の開口部の深さと概略一致する厚さの半導体層と、
前記第１の絶縁膜及び前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された、前記半導体層の上部に第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の開口部に形成された、前記第２の開口部の深さと概略一致する厚さのゲート電極と、
前記ゲート電極及び第２の絶縁膜上に形成された、第３の開口部及び第４の開口部を有する層間絶縁膜と、
前記第３の開口部の底面から前記第３の開口部と前記第４の開口部の間の前記層間絶縁膜の表面を経由し前記第４の開口部の底面まで連続して形成され、なおかつ前記第３の開口部もしくは前記第４の開口部より前記半導体層に達するコンタクトホールを介して前記半導体層の一部に電気的に接続された配線と、
前記層間絶縁膜と前記配線上に形成された、第５の開口部を有する第３の絶縁膜とを有し、
前記第５の開口部は、前記配線が前記第３の開口部と前記第４の開口部の間の前記層間絶縁膜の表面上に形成されている位置の上部に少なくとも一部が形成されており、
前記第５の開口部の底面の当該位置に相当するところには前記配線に達するコンタクトホールが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の開口部に形成された、前記第１の開口部の深さと概略一致する厚さのゲート電極と、
前記第１の絶縁膜及び前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された、前記ゲート電極の上部に第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の開口部に形成された、前記第２の開口部の深さと概略一致する厚さの半導体層と、
前記半導体層及び前記第２の絶縁膜上に形成された、第３の開口部及び第４の開口部を有する層間絶縁膜と、
前記第３の開口部の底面から前記第３の開口部と前記第４の開口部の間の前記層間絶縁膜の表面を経由し前記第４の開口部の底面まで連続して形成され、なおかつ前記第３の開口部もしくは前記第４の開口部より前記半導体層に達するコンタクトホールを介して前記半導体層の一部に電気的に接続された配線と、
前記層間絶縁膜と前記配線上に形成された、第５の開口部を有する第３の絶縁膜とを有し、
前記第５の開口部は、前記配線が前記第３の開口部と前記第４の開口部の間の前記層間絶縁膜の表面上に形成されている位置の上部に少なくとも一部が形成されており、
前記第５の開口部の底面の当該位置に相当するところには前記配線に達するコンタクトホールが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４において、
前記第３の開口部の深さは前記配線の厚さと概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１、２、４、５のいずれか一項において、
前記開口部の深さは前記絶縁膜の厚さ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項３または請求項６において、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部の深さは、それぞれ前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜の厚さ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の開口部、前記第２の開口部及び前記第３の開口部の深さは、それぞれ前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、前記層間絶縁膜の厚さ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の開口部、前記第２の開口部、前記第３の開口部及び前記第４の開口部の深さは、それぞれ前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、前記層間絶縁膜、前記第３の絶縁膜の厚さ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１３乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記第１の開口部、前記第２の開口部及び前記第５の開口部の深さは、それぞれ前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、前記第３の絶縁膜の厚さ以下であり、
前記第３の開口部及び前記第４の開口部の深さは、同一であり、なおかつ前記層間絶縁膜の厚さ以下であることを特徴とする半導体装置。