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【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを処理液に浸漬して処理するウェハ処理装置であって、
ウェハを処理液中に完全に浸漬し得る深さを有する処理槽と、
ウェハホルダにより保持された１または複数のウェハを、該１または複数のウェハの重心の直下から外れた軸を中心として回転するウェハ回転部材により回転させるウェハ回転手段と、
前記処理槽に超音波を誘導する超音波誘導手段と、
を備え、
前記ウェハ回転部材は、前記軸と略平行な少なくとも１本の棒状部材を含み、各棒状部材は、前記軸を中心として回転することを特徴とするウェハ処理装置。
【請求項２】
前記の各棒状部材の径は、該棒状部材が前記軸を中心として回転することにより仮想的に形成される円筒の径よりも十分に小さいことを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項３】
前記の各棒状部材は、ウェハの外周部と係合する溝を有することを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項４】
前記溝は、Ｖ型であることを特徴とする請求項３に記載のウェハ処理装置。
【請求項５】
前記の各棒状部材を前記軸の方向に切断した断面は、略正弦波状の形状を有することを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項６】
前記の各棒状部材を前記軸の方向に切断した断面は、略全波整流波状の形状を有することを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項７】
前記ウェハ回転手段は、前記処理槽の外部に配された駆動力発生手段と、前記駆動力発生手段が発生した駆動力を前記ウェハ回転部材に伝達して前記ウェハ回転部材を回転させるための駆動力伝達手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項８】
処理すべきウェハ側と前記駆動力伝達手段側とに前記処理槽を分離する分離部材をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載のウェハ処理装置。
【請求項９】
前記駆動力伝達手段は、前記駆動力発生手段が発生した駆動力をクランク機構により伝達することを特徴とする請求項７に記載のウェハ処理装置。
【請求項１０】
前記処理槽は、オーバーフロー層を含む循環機構を有することを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項１１】
前記超音波誘導手段は、超音波槽と、超音波源とを有し、前記処理槽は、前記超音波槽に入れられた超音波伝達媒体を介して超音波を伝達されることを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項１２】
前記超音波源と処理すべきウェハとの相対的な位置関係を変動させるための駆動手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項１３】
前記駆動手段は、前記超音波源を前記超音波槽内で移動させることを特徴とする請求項１２に記載のウェハ処理装置。
【請求項１４】
前記処理槽及び前記ウェハ回転手段の構成部材のうち少なくとも処理液と接触する部分は、石英またはプラスチックで構成されていることを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項１５】
前記処理槽及び前記ウェハ回転手段の構成部材のうち少なくとも処理液と接触する部分は、弗素樹脂、塩化ビニール、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１に記載のウェハ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基体の製造方法であって、
第１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を形成する工程と、
非多孔質層を挟むようにして第１の基体と別途用意した第２の基体とを貼り合わせる工程と、
貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、
多孔質層が表出した第２の基体をエッチング液中に完全に浸漬した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして第２の基体表面を表出させるエッチング工程と、
を含み、前記エッチング工程において、第２の基体を回転させることを特徴とする半導体基体の製造方法。
【請求項２】
半導体基体の製造方法であって、
第１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を形成する工程と、
非多孔質層を挟むようにして第１の基体と別途用意した第２の基体とを貼り合わせる工程と、
貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、
多孔質層が表出した第２の基体をエッチング液中に完全に浸漬した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして第２の基体表面を表出させるエッチング工程と、
を含み、前記エッチング工程において、第２の基体を回転させると共に上下動させることを特徴とする半導体基体の製造方法。
【請求項３】
半導体基体の製造方法であって、
第１の基体の表面に形成された多孔質層上に非多孔質層を形成する工程と、
非多孔質層を挟むようにして第１の基体と別途用意した第２の基体とを貼り合わせる工程と、
貼り合わせてなる基体より第１の基体を除去して第２の基体上に多孔質層を表出させる除去工程と、
多孔質層が表出した第２の基体をエッチング液中に完全に浸漬した状態で超音波を供給して多孔質層をエッチングして第２の基体表面を表出させるエッチング工程と、
を含み、前記エッチング工程において、超音波源の位置を変化させることを特徴とする半導体基体の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング工程において使用するエッチング液は、
（ａ）弗酸、
（ｂ）弗酸にアルコールおよび過酸化水素水の少なくとも一方を添加した混合液、
（ｃ）バッファード弗酸、
（ｄ）バッファード弗酸にアルコールおよび過酸化水素水の少なくとも一方を添加した混合液、
（ｅ）弗酸・硝酸・酢酸の混合液、
のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。
【請求項５】
前記除去工程では、第１の基体をその裏面側から研削、研磨またはエッチングすることにより多孔質層を表出させることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。
【請求項６】
前記除去工程では、第１の基体と第２の基体とを、多孔質層を境にして２分することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。
【請求項７】
前記非多孔質層は、単結晶シリコン層であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。
【請求項８】
前記非多孔質層は、単結晶シリコン層とその上に形成された酸化シリコン層であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。
【請求項９】
前記非多孔質層は、化合物半導体層であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の基体は、シリコン基体であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の基体は、第１の基体と貼り合わせる側の面に酸化シリコン膜を形成したシリコン基体であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の基体は、光透過性の基体であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体基体の製造方法。
【請求項１３】
半導体基体の製造方法であって、
多孔質層が表出した基体をエッチング液中に浸漬して多孔質層を除去するエッチング工程を含み、
前記エッチング工程において、前記基体を回転させることを特徴とする半導体基体の製造方法。
【請求項１４】
半導体基体の製造方法であって、
多孔質層が表出した基体をエッチング液中に浸漬した状態で超音波を供給して多孔質層を除去するエッチング工程を含み、
前記エッチング工程において、前記基体を回転させることを特徴とする半導体基体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月27日(2004.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端にペレットを吸着保持するノズルと、
前記ノズルを保持するとともに上下方向に移動可能なアームと、
前記アームに取り付けられ前記ノズルに推力を与えるリニアモータと、
前記リニアモータに電流を供給する電源と、
前記電源に接続され前記アームの加速度に応じて前記リニアモータに供給される電流を変化させるように制御する電流制御部と、
を備えたことを特徴とするペレットボンディング装置。
【請求項２】
前記電流制御部は、前記アームの一方向への加速度が大の場合に、前記一方向への加速度が小の場合よりも前記リニアモータに供給する電流を増加させることを特徴とする請求項１記載のペレットボンディング装置。
【請求項３】
前記アームは一定のサイクルで移動し、このサイクル間の電流の積算値は所定値以下となっていることを特徴とする請求項１または２記載のペレットボンディング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、先端にペレットを吸着保持するノズルと、前記ノズルを保持するとともに上下方向に移動可能なアームと、前記アームに取り付けられ前記ノズルに推力を与えるリニアモータと、前記リニアモータに電流を供給する電源と、前記電源に接続され前記アームの加速度に応じて前記リニアモータに供給される電流を変化させるように制御する電流制御部とを備えたことを特徴とするペレットボンディング装置を提供する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、アームの上下方向への加速度に応じてリニアモータに供給される電流を変化させるように制御するので、アームの昇降移動に対応した１サイクル当たりの平均電流を抑えつつ、リニアモータに対して一時的に定格電流を越える電流を供給することができる。このため、アームの昇降移動に伴って一時的に生じる、定格電流では押圧しきれないノズルの振動を効果的に抑制することができ、リニアモータの定格を変更しなくともペレットのボンディングスピードを向上させることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここで、図３（ａ）に対応するアーム８の加速度ａの時間変化を図３（ｂ）に示す。なお図３（ｂ）においては、アーム８の下方への加速度を正、上方への加速度を負としている。図３（ｂ）に示すように、アーム８に対しては、ｔ＝０〜ｔ１およびｔ５〜Ｔの各期間に下方へ正の加速度が加えられ、ｔ１〜ｔ２およびｔ４〜ｔ５の各期間に下方へ負の加速度が加えられる。また、定速下降から停止に至るｔ＝ｔ３の時点でもアーム８に対して下方へ負の加速度が加えられる。このため、アーム８に対して相対的に移動可能なノズル１には、ｔ＝０〜ｔ１およびｔ５〜Ｔの各期間に上方への推力が加えられ、ｔ１〜ｔ２およびｔ４〜ｔ５の各期間に下方への推力が加えられる。つまり、ノズル１は慣性により、０〜ｔ１およびｔ５〜Ｔの各期間においては、アーム８に対して上方向に移動しようとし、ｔ１〜ｔ２およびｔ４〜ｔ５の各期間においては、アーム８に対して下方向に移動しようとする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このように本実施の形態によれば、移送ヘッド１０の昇降移動に伴うアーム８の上下方向への加速度が常時発生しているものではないことに着目し、移送ヘッド１０の昇降移動に伴うアーム８の上下方向への加速度に応じてボイスコイルモータ２に供給される電流を変化させるように制御するので、アーム８を上下方向に往復移動させる１サイクル当たりの平均電流を抑えつつ、ボイスコイルモータ２に対して一時的に定格電流Ｉ０を越える電流を供給することができる。このため、移送ヘッド１０の昇降移動に伴って一時的に生じる、定格電流Ｉ０では押圧しきれない大きな加速度によるノズル１の振動を効果的に抑えることができ、ボイスコイルモータ２の定格を変更しなくともペレット９のボンディングスピードを向上させることができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、リニアモータの定格を変更しなくとも、ノズルに生じる振動を効果的に抑制してペレットのボンディングスピードを向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月12日(2004.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザービームをレーザービームの長手方向または前記長手方向と直交する方向に分割する手段と、
前記分割されたレーザービームを再結合させる手段と、
前記分割された方向に直角な方向に対して斜めにレーザービームを走査する手段と、
を有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項２】
レーザービームをレーザービームの長手方向または前記長手方向と直交する方向に分割する手段と、
前記分割されたレーザービームを再結合させる手段と、
前記分割された方向に直角な方向に対して所定の角度θ（θ≠0°）を有した方向にレーザービームを走査する手段と、
を有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記レーザービームを再結合させる手段はシリンドリカルレンズであり、前記シリンドリカルレンズによってレーザービームは平行光線に加工されることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記レーザービーム内には、前記分割する手段によって分割された方向に周期的に変化した強度分布が存在することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記レーザービームを分割する手段は、シリンドリカルレンズ群であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項６】
線状のレーザービームを形成する手段と、
前記レーザービームの幅方向に対して、斜めにレーザービームを走査する手段と、
を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
線状のレーザービームを形成する手段と、
前記レーザービームの幅方向に対して所定の角度θ（θ≠0°）を有した方向にレーザービームを走査する手段と、
を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、前記レーザービーム内には、レーザービームの長手方向に周期的に変化した強度分布が存在することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、前記線状のレーザービームを形成する手段は、前記レーザービームを長手方向に分割するシリンドリカルレンズ群と、前記長手方向に分割されたレーザービームを収束するシリンドリカルレンズと、前記レーザービームを長手方向と直交する方向に分割するシリンドリカルレンズ群と、前記長手方向と直交する方向に分割されたレーザービームを収束するシリンドリカルレンズと、前記収束されたレーザービームを被照射領域に照射するシリンドリカルレンズとを有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記長手方向に分割されたレーザービームを収束するシリンドリカルレンズまたは前記長手方向と直交する方向に分割されたレーザービームを収束するシリンドリカルレンズによって、レーザービームは平行光線に加工されることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１１】
請求項２または請求項７において、前記角度θは、0.01≦｜tan θ｜≦0.3を満たす範囲から選択されることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記レーザービームを走査する手段は、被照射物が配置されるステージを移動させる手段であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記レーザービームはパルス発振型であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記レーザービームのパルスは、被照射領域において、隣合うレーザービームのパルスと一部が重なるように照射されることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１５】
長手方向において周期的に変化した強度分布を有した線状のパルス発振型のレーザービームを照射する方法であって、
前記線状のレーザービームの幅方向に対して所定の角度θ（θ≠0°）を有した方向にレーザービームを走査して、レーザービームのパルスの被照射領域が隣合うレーザービームのパルスの被照射領域と一部で重なるように、レーザービームを照射することを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記角度θは、周期的な強度分布のピークが重ならない範囲から選択されることを特徴とするレーザー照射方法。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６において、
前記角度θは、0.01≦｜tan θ｜≦0.3を満たす範囲から選択されることを特徴とするレーザー照射方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月25日(2004.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム系半導体の製造方法において、
ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系半導体層を有機金属化合物気相成長法を用いて成長させる最中、あるいは、該窒化ガリウム系半導体層の成長直後の高温状態において、該窒化ガリウム系半導体層に赤外線を照射する工程を含む、
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
【請求項２】
窒化ガリウム系半導体の製造方法において、
ウエハー上に、有機金属化合物気相成長法を用いて加熱条件下で、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系半導体層を成長させる工程と、
該成長工程の後、該窒化ガリウム系半導体層に赤外線を照射しつつ該ウエハーを冷却する工程と、
を含むことを特徴とする窒化ガリウム系半導体の製造方法。
【請求項３】
上記ｐ型不純物として、少なくともＭｇあるいはＺｎを含む、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
【請求項４】
上記赤外線は、ＭｇとＨ、またはＺｎとＨとの原子結合が共鳴する波長近傍の赤外線である、
ことを特徴とする請求項３に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
【請求項５】
上記赤外線は、波長２７００cm-1〜４２００cm-1の赤外線である、
ことを特徴とする請求項３に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系半導体層を有機金属化合物気相成長法を用いて成長させる最中、あるいは、該窒化ガリウム系半導体層の成長直後の高温状態において、該窒化ガリウム系半導体層に赤外線を照射する工程を含む窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法であることを特徴としている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記のＭｇをドープしたＧａＮ膜のホール測定を行った結果、抵抗率１Ωｃｍ、キャリア濃度８×１０1 7ｃｍ- 3 のｐ型導電性を示した。比較のため、赤外線照射を行わない場合のＧａＮ膜を測定したところ、高抵抗（１０8 Ωｃｍ以上）であった。また、赤外線照射を行わずに、結晶成長し、その後に窒素雰囲気中において７００℃で熱処理したＧａＮ膜の場合は、抵抗率２Ωｃｍ、キャリア濃度３×1 7ｃｍ- 3 のｐ型特性であった。つまり、本発明を適用したサンプルの方がＭｇが活性化されて低抵抗になり、その活性化率も成長後に熱処理したＧａＮ膜と比較して２倍以上向上させることが可能となった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素の結晶化を助長する金属元素であるＮｉを用いて結晶化された結晶性珪素膜によって構成された活性層を有し、
前記活性層中には、チャネル領域とドレイン領域と低濃度不純物領域とが形成されており、
前記低濃度不純物領域は、前記チャネル領域と前記ドレイン領域との間に形成されており、かつ前記ドレイン領域よりも導電型を付与する不純物が低濃度にドーピングされており、前記低濃度不純物領域中における前記金属元素の濃度は、前記ドレイン領域中における前記金属元素の濃度の1/5以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項1において、前記ドレイン領域はＰ型を有し、前記低濃度不純物領域は前記ドレイン領域よりも弱いＰ型を有し、前記ドレイン領域には燐がドーピングされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項1又は請求項２において、前記結晶性珪素膜の代わりにSixGe1-x(0＜x＜1)で示される半導体膜が用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
珪素の結晶化を助長する金属元素であるＮｉを利用して、薄膜トランジスタに用いる結晶性珪素膜を作製する第１の工程と、
前記結晶性珪素膜の少なくともドレイン領域となるべき領域に燐元素のドーピングを行う第２の工程と、
加熱処理を施し前記ドレイン領域となるべき領域に、前記領域に隣接する前記結晶性珪素膜の領域に存在する前記金属元素をゲッタリングさせる第３の工程と、
前記領域に隣接する前記結晶性珪素膜の領域にドレイン領域よりも低濃度に導電型を付与する不純物をドーピングし、低濃度不純物領域を形成する第４の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記低濃度不純物領域における前記金属元素の濃度は、前記ドレイン領域における前記金属元素の濃度の1/5以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、前記低濃度不純物領域の形成は、前記ドレイン領域の形成と同時に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、前記ドレイン領域にドーピングする不純物としてＰ型を付与する不純物が選択されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月20日(2004.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶性半導体膜を形成する工程と、
前記結晶性半導体膜上にマスクを形成する工程と、
前記結晶性半導体膜に対して前記マスクを利用して窒素、燐、砒素、アンチモン、ビスマスから選ばれた元素を選択的にドーピングする工程と、
加熱処理を施し、前記金属元素を前記ドーピングされた領域にゲッタリングさせる工程と、
前記マスクを利用して前記ドーピングされた領域を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体膜の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶性半導体膜を形成する工程と、
前記結晶性半導体膜上にマスクを形成する工程と、
前記結晶性半導体膜に対して前記マスクを利用して窒素、燐、砒素、アンチモン、ビスマスから選ばれた元素を自己整合的にドーピングする工程と、
加熱処理を施し、前記金属元素を前記ドーピングされた領域にゲッタリングさせる工程と、
前記マスクをサイドエッチングする工程と、
前記サイドエッチングされたマスクを利用して、前記ドーピングされた領域と、ゲッタリングされた領域中の前記ドーピングされた領域に隣接する領域を、自己整合的にエッチングし除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記結晶性半導体膜の、マスクを利用して除去されなかった領域に素子の活性層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
半導体膜の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶性半導体膜を形成する工程と、
前記結晶性半導体膜の一部を覆うようにマスクを形成する工程と、
前記マスクに覆われた領域を第１の領域とし、前記マスクに覆われていない領域を第２の領域とし、
前記マスクを利用して第２の領域に窒素、燐、砒素、アンチモン、ビスマスから選ばれた元素を自己整合的にドーピングする工程と、
加熱処理を施し前記第１の領域から前記第２の領域に前記金属元素をゲッタリングさせる工程と、
前記マスクをサイドエッチングする工程と、
前記サイドエッチングされたマスクを用いて、前記第２の領域と、前記第１の領域の中の前記第２の領域に接している領域をエッチングして除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記結晶性半導体膜の前記エッチングされなかった第１の領域に半導体素子の活性層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記半導体膜の結晶化を助長する金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類のものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記半導体膜の結晶化を助長する金属元素として、Ｎｉを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記半導体膜は珪素膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記半導体膜は、ＳｉXＧｅ1-X（０＜Ｘ＜１）で示される化合物膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記ドーピングされる元素として燐が選択されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの周辺装置と少なくとも１つのクライアント装置との間の通信をサーバ装置が中継するクライアント／サーバ環境においてソフトウェアビューワ上に表示させるべきデータを解凍する方法であって、前記ソフトウェアビューワが、所定量(ビューサイズ)の解凍データを期待し、該方法が、前記クライアント装置及びサーバの少なくとも一方で実行されるソフトウェア及びファームウェアの少なくとも一方で実施され、更に該方法が、
(a)前記少なくとも１つの周辺装置からの第１の所定量の圧縮データを要求し、
(b)前記第１の所定量の圧縮データを入力バッファに格納し、
(c)該圧縮データを解凍し、該解凍データを出力バッファに格納し、
(d)該出力バッファに含まれるデータの量(格納量)を追跡し、
(e)該出力バッファに格納されているデータを前記ソフトウェアビューワへ送信し、
(f)該ソフトウェアビューワへ送信されたデータの量(送信量)を追跡し、
(g)該ソフトウェアビューワにより期待される残りのデータ量(必要量)を次式により決定し、
必要量＝(ビューサイズ)−(送信量)
(h)
(1)前記出力バッファに格納されている前記データ量(格納量)が前記ソフトウェアビューワにより期待される残りのデータ量(必要量)と少なくとも等しくなり、
又は、
(2)前記ステップ(a)での前記要求に応じて更なる圧縮データが得られなくなる
まで、上記ステップ(a)〜(g)を繰り返し、
(i)前記必要量と等しい量の解凍データが複数のデータパケットへとパッケージ化されて前記ソフトウェアビューワへ送信されるように切り捨て／埋め込み操作を開始し、このときヌルデータを選択的に使用して前記解凍データの補充を行って前記ソフトウェアビューワがビューサイズと等しいデータ量を受信することを確実にする、
という各ステップを有する、クライアント／サーバ環境においてソフトウェアビューワ上に表示させるべきデータを解凍する方法。
【請求項２】
圧縮データを要求する前記ステップが、前記入力バッファに格納された圧縮データの量が第２の所定値よりも小さい場合に実行される、請求項１に記載のソフトウェアビューワ上に表示させるべきデータを解凍する方法。
【請求項３】
前記出力バッファ中のデータを送信する前記ステップが、該出力バッファ中の解凍データの量(格納量)が少なくとも第３の所定値である場合に少なくとも実行される、請求項１に記載のソフトウェアビューワ上に表示させるべきデータを解凍する方法。
【請求項４】
圧縮データを要求する前記ステップが、圧縮データを解凍する前記ステップと同時に実行される、請求項１に記載のソフトウェアビューワ上に表示させるべきデータを解凍する方法。
【請求項５】
少なくとも１つのクライアント装置と少なくとも１つの周辺装置との間の通信を中継し、該周辺装置から圧縮データを受信し、解凍データをクライアント装置へ送信するサーバであって、該クライアント装置からのビューデータ要求に応じて、該クライアント装置により指定された所定量の解凍データ(ビューサイズ)と等しい解凍データを構成する複数のデータパケットを送信し、
圧縮データを格納する少なくとも１つの入力バッファと、
解凍データを格納する少なくとも１つの出力バッファと、
プロセッサであって、
共有されている前記周辺装置に第１の所定量の圧縮データの送信を要求するデータ要求機能と、
前記少なくとも１つの入力バッファに格納されたデータを解凍して該解凍データを前記少なくとも１つの出力バッファに格納するデータ解凍機能と、
前記クライアント装置に送信された解凍データの量(送信量)を追跡し、前記ビューサイズと前記送信量との差として残りのデータ量(必要量)を決定する、データ追跡機能と、
前記出力バッファ中の解凍データを前記クライアント装置へ送信するデータ送信機能と、
前記出力バッファに格納されているデータの埋め込み／切り捨てを行うデータ埋め込み／切り捨て機能とを提供するよう構成されたプロセッサと
を備えている、サーバ。
【請求項６】
前記入力バッファに格納されている圧縮データの量が第２の所定値よりも小さい場合に前記データ要求機能が開始される、請求項５に記載のサーバ。
【請求項７】
前記出力バッファに含まれる解凍データの量が少なくとも第３の所定値である場合及び前記格納量が前記必要量と等しい場合に前記データ送信機能が開始される、請求項５に記載のサーバ。
【請求項８】
前記データ要求機能が前記データ解凍機能と同時に実行される、請求項５に記載のサーバ。
【請求項９】
前記データ埋め込み／切り捨て機能が、
前記データ要求機能による要求に応じて利用できるデータが他になく、前記必要量が前記格納量よりも少ない場合、及び、
前記格納量が少なくとも前記必要量である場合
のうちの少なくとも一方の場合に開始される、請求項５に記載のサーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力ビットの全体セットのサブセットである第１の入力ビットセットに応答して、第１の係数、第２の係数、および第３の係数を出力するルックアップテーブルと、
第１の数と第２の数と第３の数との加算結果を発生する加算器であって、前記第１の数は前記第１の係数から導出され、前記第２の数は、前記第２の係数と、前記入力ビットの全体セットのサブセットである第２の入力ビットセットの第１の変換値との積から導出され、前記第３の数は、前記第３の係数と、前記入力ビットの全体セットのサブセットである第３の入力ビットセットの第２の変換値の曲線当てはめ関数との積から導出される、加算器と、
を備えて成り、前記第１の変換値は、前記第２の入力ビットセットの２の補数である、関数計算機。
【請求項２】
入力ビットの全体セットのサブセットである第１の入力ビットセットに応答して、第１の係数、第２の係数、および第３の係数を出力するルックアップテーブルと、
第１の数と第２の数と第３の数との加算結果を発生する加算器であって、前記第１の数は前記第１の係数から導出され、前記第２の数は、前記第２の係数と、前記入力ビットの全体セットのサブセットである第２の入力ビットセットの第１の変換値との積から導出され、前記第３の数は、前記第３の係数と、前記入力ビットの全体セットのサブセットである第３の入力ビットセットの第２の変換値の曲線当てはめ関数との積から導出される、加算器と、
を備えて成り、前記第２の変換値は、前記第３の入力ビットセットの最上位ビットの反転である、関数計算機。
【請求項３】
入力ビットの全体セットのサブセットである第１の入力ビットセットに応答して、第１の係数、第２の係数、および第３の係数を出力するルックアップテーブルと、
第１の数と第２の数と第３の数との加算結果を発生する加算器であって、前記第１の数は前記第１の係数から導出され、前記第２の数は、前記第２の係数と、前記入力ビットの全体セットのサブセットである第２の入力ビットセットの第１の変換値との積から導出され、前記第３の数は、前記第３の係数と、前記入力ビットの全体セットのサブセットである第３の入力ビットセットの第２の変換値の曲線当てはめ関数との積から導出される、加算器と、
を備えて成り、前記第１の変換値は、前記第２の入力ビットセットの２の補数であり、前記第２の変換値は、前記第３の入力ビットセットの最上位ビットの反転であり、前記第２の入力ビットセットと前記第３の入力ビットセットとは同じビットである、関数計算機。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
車両、例えば自動車の特にディスクブレーキ用ディスクパッドに用いられている摩擦材は、繊維基材、摩擦調整材、及び結合材からなることはよく知られている（例えば特開平９−５９５９７号公報参照）。
しかしながら、ディスクパッドに上記摩擦材を用いた車両は、車両が水溜まりを通過したり、洗車したりすると、ロータとディスクパッドが水に濡れ、その結果車両停止間際に、低周波異音（ブー音）を発生し、さらに車体、サスペンションの振動を伴う場合が多い。これを低周波異音（ブー音）という。一般的にはその低周波異音（ブー音）はロータとディスクパッドが乾燥すると消滅する。この低周波異音（ブー音）は人に不快感もしくは不安感を与え、改善が求められていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、車両のブレーキのロータと摩擦材からなるディスクパッドが水に濡れたとしても、車両停止間際に低周波異音（ブー音）が実質上発生しないブレーキ用摩擦材を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のブレーキ用摩擦材は、特に自動車のディスクブレーキ、産業機械等の制動装置等に用いられて、ブレーキに水が浸入しても、停止間際に不快な低周波異音（ブー音）の発生が低減する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
どちらも有効な方法ではあるが、例えば軸継手による駆動伝達方法は、軸継手の嵌合が困難であり、スムーズな嵌合をなさしめるための機構が必要不可欠になってしまう。
また、例えばギア同士を噛合させる方法では、カートリッジ受部へプロセスカートリッジを押し込み装着する際に、ギアの歯先を損傷したり、ギア間距離が確保できず、スムーズな駆動伝達がなされないことがある。
特に、クリーナの廃棄オーガーについては、プロセスカートリッジの装着方向に開閉するシャッタを具備し、このシャッタの下流側で駆動伝達を行おうとすると、ギア径がシャッタ径により制限されるという不具合がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。
図２は本発明が適用された画像形成装置（本例ではタンデム型の画像形成装置）の実施の一形態を示す説明図である。
同図において、タンデム型の画像形成装置は、各色成分（本例ではイエロ（Ｙ），マゼンタ（Ｍ），シアン（Ｃ），ブラック（Ｋ））のプロセスカートリッジ２０（具体的には２０Ｙ，２０Ｍ，２０Ｃ，２０Ｋ）を具備し、各プロセスカートリッジ２０の一側方には廃トナー回収装置３０（具体的には３０Ｙ，３０Ｍ，３０Ｃ，３０Ｋ）を配設し、各プロセスカートリッジ２０のクリーナ２３（図３参照）からの廃トナーを前記廃トナー回収装置３０へと回収するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本実施の形態において、プロセスカートリッジ２０は、図２〜図４に示すように、感光体ドラム２１、感光体ドラム２１を帯電する帯電器２２、感光体ドラム２１上の残留トナーを清掃するクリーナ２３などを一体化したものであり、画像形成装置の装置本体３９に形成されたカートリッジ受部（図示せず）に着脱自在に押し込み装着されるものである。
そして、クリーナ２３の廃トナーダクト２９には廃トナー排出口２５を開閉するシャッタ２４が設けられており、スプリング２６にて常時廃トナー排出口２５を閉塞する方向に付勢されている。
更に、廃トナーダクト２９内には被回転体としての廃トナー搬送オーガー（廃棄オーガー）１５が配設されており、この廃棄オーガー１５の回転軸２７が廃トナーダクト２９の端部に回転自在に支承され、シャッタ２４の下流側にまで延びている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、係合凸部の係合ピン２８部分は、図１０に示すように、係合凹部のうち大径孔部５７の係合壁５１〜５４間に位置する溝部分に嵌合する。
このとき、係合凸部の係合ピン２８部分が係合壁５１〜５４の端面に衝合したとしても、廃棄オーガー１５の回転保持力がプロセスカートリッジ２０の押し込み操作力に比べて小さいため、前記係合凸部の係合ピン２８部分は、図９及び図１０に示すように、係合壁５１〜５４と干渉しない位置へと偏位回転し、係合壁５１〜５４間の溝に嵌合する。
この状態において、回転軸２７側の係合凸部の係合ピン２８は、浮動駆動伝達ギア４３側の係合凹部のうち対向する一対の係合壁５１〜５４のうちの２つと接触係合することになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このようなトラブルを有効に解消する手法としては、図１２、図１３に示すような手法が挙げられる。
例えば図１２（ａ）（ｂ）に示すように、浮動駆動伝達ギア４３の係合壁５１〜５４のうち、対向する一方の係合壁（例えば５２，５３）の高さを他の係合壁（例えば５１，５４）よりもｄ（例えば３ｍｍ程度）だけ低く形成すればよい。
この態様によれば、クリーナ２３の回転軸２７の係合凸部（回転軸２７部分，係合ピン２８部分）は常に浮動駆動伝達ギア４３の係合凹部の入口部分に対し２点以下で当接することになり、３点以上で当接した際に生ずるかじり現象による不具合は解消される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、図１３に示すように、クリーナ２３の回転軸２７の係合凸部の構成として、係合ピン２８よりも先端側の回転軸２７部分２７ａの軸方向寸法ｋを長く設定するようにしてもよい。
この態様においても、回転軸２７部分が浮動駆動伝達ギア４３の係合凹部の小径孔部５６に対応した部位に導かれるまでは、係合ピン２８が浮動駆動伝達ギア４３の端面に到達しないため、係合凸部が３点以上で係合凹部の入口部分に当接することは起こり得ず、３点以上で当接した際に生ずるかじり現象による不具合は解消される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】  被回転体と浮動駆動伝達ギアとの係合時におけるトラブル例を示す説明図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）外周部を有する光学構成要素と、
（ｂ）前記光学構成要素の前記外周部を受ける内周部を有する光学内腔スリーブと、
（ｃ）前記光学構成要素の前記外周部と前記スリーブの前記内周部との間に挟まれると共に、共通の光学軸に沿って前記光学構成要素を前記スリーブに挿入する際に変形されて、前記光学構成要素と前記スリーブとの位置決めをする複数の変形可能なリッジと、を含む装置であって、
前記複数の変形可能なリッジのそれぞれが、約１ミリメートルから約３ミリメートルの範囲にある長さ方向の寸法を有し、
前記複数の変形可能なリッジのそれぞれが、約０．１ミリメートルから約０．５ミリメートルの範囲にある高さ寸法を有する、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
（ａ）外周部を有する光学構成要素を用意し、さらに前記光学構成要素の前記外周部を受ける内周部を有する光学内腔スリーブを用意することと、
（ｂ）前記光学構成要素の前記外周部と前記スリーブの前記内周部との間に複数の変形可能なリッジを挟むことであって、前記複数の変形可能なリッジのそれぞれが、約１ミリメートルから約３ミリメートルの範囲にある長さ方向の寸法を有する、複数の変形可能なリッジを挟むことと、
（ｃ）前記スリーブ内に前記光学構成要素を挿入することと、
（ｄ）前記リッジを変形させることと、
（ｅ）前記光学構成要素と前記スリーブとを共通の光学軸に沿って位置合わせすることと、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体燃料の燃焼度の評価方法であって、
所定の初期重量Ｗ０の試料を所定条件下で燃焼した後の該試料の重量Ｗを測定する工程と、
ΔＷ＝（Ｗ/Ｗ０）×１００より重量変化率ΔＷを求める工程と、
前記重量変化率ΔＷが所定値となるまでに要した時間Ｔを測定し、燃焼度として求める工程と、
を有することを特徴とする固体燃料の燃焼度の評価方法。
【請求項２】
前記燃焼度として、前記重量変化率ΔＷが５０％となるまでに要した時間Ｔ５０を用いることを特徴とする請求項１に記載の固体燃料の燃焼度の評価方法。
【請求項３】
固体燃料の燃焼度の評価方法であって、
所定の初期重量Ｗ０の試料を所定条件下で燃焼した後の該試料の重量Ｗを測定する工程と、
ΔＷ＝（Ｗ/Ｗ０）×１００より求まる重量変化率ΔＷを求める工程と、
前記重量変化率ΔＷが所定値Ｘ１となるまでに要する時間ＴＸ１を第一燃焼度として求める工程と、
前記重量変化率ΔＷが前記所定値Ｘ１よりも大きい所定値Ｘ２となるまでに要する時間ＴＸ２を第二燃焼度として求める工程と、
前記第一燃焼度時間ＴＸ１と前記第二燃焼度ＴＸ２を用いΔＴ＝ＴＸ２−ＴＸ１より求まるΔＴを燃焼度とする工程と、
を有することを特徴とする固体燃料の燃焼度の評価方法。
【請求項４】
前記固体燃料とは、木炭、おがくず炭、ビール粕炭化物のいずれかを含む炭化物であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の固体燃料の燃焼度の評価方法。
【請求項５】
固体燃料の燃焼度の評価装置であって、
所定の初期重量Ｗ０の試料を保持し所定条件下で燃焼させる燃焼室と、
前記所定条件下で燃焼時間Ｔと対応する前記試料の重量Ｗを測定する試料重量測定手段と、
ΔＷ＝（Ｗ/Ｗ０）×１００より求まる重量変化率ΔＷを求める重量変化率測定手段と、
前記重量変化率ΔＷが所定値となるまでに要する燃焼時間Ｔを燃焼度として出力するデータ処理手段と、
を有することを特徴とする固体燃料の燃焼度の評価装置。
【請求項６】
固体燃料の燃焼度の評価装置であって、
所定の初期重量Ｗ０の試料を保持し所定条件下で燃焼させる燃焼室と、
ΔＷ＝（Ｗ/Ｗ０）×１００より求まる重量変化率ΔＷを測定する試料重量測定手段と、
前記重量変化率ΔＷが所定値Ｘ１となるまでに要する燃焼時間ＴＸ１を第一燃焼度とし、前記重量変化率ΔＷが前記所定値Ｘ１よりも大きい所定値Ｘ２となるまでに要する燃焼時間ＴＸ２を第二燃焼度として出力するデータ処理手段と、
を有することを特徴とする固体燃料の燃焼度の評価装置。
【請求項７】
試料の燃焼温度を測定する試料燃焼温度測定手段を更に有することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の固体燃料の燃焼度の評価装置。
【請求項８】
前記試料の燃焼を補助する支燃ガスを供給する支燃ガス供給手段を更に有することを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の固体燃料の燃焼度の評価装置。
【請求項９】
前記試料重量測定手段が、所定時間ごとに前記試料の重量減少を測定することを特徴とする請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載の固体燃料の燃焼度の評価装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１層以上のスパンボンド不織布層と、１層以上のメルトブローン不織布層とからなり、少なくとも片面の表面層がスパンボンド不織布層であり、地合指数が４１０以下かつ耐水度が９０ｍｍＡｑ以上である目付２０ｇ／ｍ２以下の不織布積層体を用いてなる生理用ナプキン個別包装用シート。
【請求項２】
前記不織布積層体の両表面層が、スパンボンド不織布層である請求項１に記載の生理用ナプキン個別包装用シート。
【請求項３】
前記不織布積層体を形成するメルトブローン不織布層が、ポリエチレン（Ａ）とポリエチレンワックス（Ｂ）とを含む樹脂組成物からなるものである請求項１または２に記載の生理用ナプキン個別包装用シート。
【請求項４】
前記不織布積層体が熱エンボス処理により融着され、融着面積が全積層面積の５〜３５％である請求項１〜３のいずれかに記載の生理用ナプキン個別包装用シート。
【請求項５】
スパンボンド不織布層とメルトブローン不織布層が、インライン方式で積層された前記不織布積層体からなる請求項１〜４のいずれかに記載の生理用ナプキン個別包装用シート。
【請求項６】
表面層のスパンボンド不織布層の表面に印刷が施されてなる請求項１〜５のいずれかに記載の生理用ナプキン個別包装用シート。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
湿式抄紙法にて抄紙した原布シートに、撥水剤及び水分散有機重合物を塗布して成る不織布に於いて、該不織布が少なくとも木材パルプ／（合成繊維と再生繊維の総量）比が６０／４０〜２８／７２の割合で含み、密度が０．３３〜０．５２ｇ／ｃｍ3であることを特徴とするオフセット印刷用不織布。
【請求項２】
該不織布のＪＩＳ−Ｌ−１０８５で規定されるガーレ剛直度が、ＭＤで４００ｍｇ以上であることを特徴とする請求項１記載のオフセット印刷用不織布。
【請求項３】
撥水剤が、パラフィンとアクリル酸エステル共重合体である請求項１または２記載のオフセット印刷用不織布。
【請求項４】
撥水剤を塗布し乾燥した後、水分散有機重合物を塗布した請求項１、２または３記載のオフセット印刷用不織布。
【請求項５】
水分散有機重合物を塗布した後の乾燥において、非接触式乾燥で含水率を１０〜４０％とし、粘着性を低減させた後、印刷性に適した平滑性を得る為に、シリンダードライヤーによる接着式乾燥を行った請求項１、２、３または４記載のオフセット印刷用不織布。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス繊維及び木材パルプを主成分とし、平均直径６μｍ以下の繊維を含有しない、湿式抄紙法で抄造された不織布の表面に高分子バインダー層を設けたガラス繊維シートにおいて、ガラス繊維の平均直径が７μｍ以上、木材パルプのカナダ標準濾水度が５００ｍｌ以上であり、不織布が撥水撥油剤と高分子バインダーを含有し、高分子バインダー層が高分子バインダーと顔料を主成分とすることを特徴とするガラス繊維シート。
【請求項２】
不織布が熱融着性繊維を含有することを特徴とする請求項１に記載のガラス繊維シート。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の画像形成装置は、搬送されるシートＰに対して画像を形成する画像形成部と、この画像形成部に搬送するシートＰをボトムプレート６上に積載すると共に、このボトムプレート６が上下動するシート積載トレイ１と、ボトムプレート６上に積載されたシートＰの上面から画像形成部に向けてシートＰを供給するシート引込部２と、シート積載トレイ１の上部に設けられてシートＰの有無を検出する第１のセンサ３と、シート積載トレイ１のボトムプレート６に設けられてシートＰの有無を検出する第２のセンサ４と、シート積載トレイ１におけるボトムプレート６の上下動を制御する制御部５とを備え、この制御部５は、シート積載トレイ１の装置セット時に第２のセンサ４によりシートＰが検出されない場合にはボトムプレート６の上昇を禁止することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
このようにして、正常位置まで上昇した用紙Ｐは、ナジャーロール３５により上面から引き上げられ、用紙捌き部であるフィードロール３６およびリタードロール３７によって１枚毎に捌かれて下流側に搬送される。その後、所定枚数搬送されると、ナジャーロール３５が下に落ち込み、用紙Ｐの引き上げに必要な圧力が得られなくなる。この状態を、フェイスコントロールセンサ５９がアーム６０の下動により認識し、制御部６９はリフトアップモータ５５を可動させて、リフトレバー５３によりボトムプレート３３を上昇させる。
この動作を繰り返して用紙Ｐが順に搬送され、最後の１枚が搬送を開始すると、直ぐにノーペーパーセンサ５６におけるセンサ状態が変化する。このノーペーパーセンサ５６における検知情報受けて、制御部６９は、同一サイズの用紙が存在する他の給紙トレイが存在する場合には、その他の給紙トレイによる供給に切換えるように指示し、その結果、ジョブの途中における給紙作業を円滑に継続でき、用紙の間隔を飛ばすことなく連続した用紙の供給が可能となる。また、同一サイズの用紙が存在する他の給紙トレイが存在しない場合には、最後の用紙Ｐに続く次の用紙に対して実施する予定である画像処理を、画像処理部にて即座に停止するように指示している。その結果、用紙が存在しない状態での感光体ドラム２５上のトナー付着が防止でき、転写装置３０でのトナー汚れを未然に防ぐことができる。また、制御部６９は、この検知情報を受けてコントロールパネルへ『用紙無し』表示も実施している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】窒化アルミニウムと焼結助剤とからなる焼結体において、粒界相結晶粒子が均一に分布し、かつ、焼結体の任意の切断面における粒界相結晶粒子の累積値７５％粒子径と窒化アルミニウム結晶粒子の累積値５０％粒子径との比が０．５〜１．５であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
【請求項２】混合前の窒化アルミニウム粉末の平均粒径と、窒化アルミニウム粉末と焼結助剤よりなる混合粉末の平均粒径との比が、１．１〜２の範囲になるように湿式混合してスラリーを得、次いで該スラリーを乾燥・成形してグリーン体を得、そして該グリーン体を非酸化雰囲気中で焼成することを特徴とする請求項１の窒化アルミニウム焼結体の製造方法。