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【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の基板間に液晶を封入して成る液晶装置において、
一方の前記基板の対向面上に設けられ、Ｘ方向に沿って延びる複数の走査電極と、
他方の前記基板の対向面上に設けられ、走査電極と略直交するＹ方向に沿って延びる複数の信号電極と、
を備え、
前記各信号電極は、前記走査電極とともに画素を形成し且つ互いに所定距離だけ離間してＹ方向に一列に配列された複数のピクセル領域と、隣り合うピクセル領域同士を接続する複数の配線領域とから成り、前記各ピクセル領域は少なくとも１つ分以上の画素を形成し、
隣り合う信号電極同士は、一方側の信号電極のピクセル領域間の隙間に他方側の信号電極の１つのピクセル領域が入り込むように並列されることにより、２つの異なる信号電極のピクセル領域が交互に配置される一列のピクセル群を形成し、
前記各走査電極は、隣り合う２つの信号電極のピクセル領域とＹ方向で対向するように延びるとともに、前記信号電極の配線領域と重ならないように延びていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
複数の信号電極はＸ方向に配列され、Ｘ方向で隣り合うピクセル領域同士の間には２本の配線領域が延びていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記２本の配線領域は、Ｘ方向で隣り合う前記ピクセル領域がそれぞれ属する各信号配線と隣り合う２つの信号電極の配線領域に対応していることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
複数の信号電極はＸ方向に配列され、Ｘ方向で隣り合うピクセル領域同士は、２本の配線領域を配置できる間隔をもって離間していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
４つのピクセル領域によって囲まれる隙間領域内では、異なる２つの信号電極の配線領域が延びており、
前記隙間領域は、Ｘ方向で隣り合うピクセル領域同士の間隔に対応する面積を有していることを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記走査電極は、前記隙間領域内の配線領域と重ならないように延びていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記信号電極の各ピクセル領域は２つ分の画素を形成していることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記信号電極の各ピクセル領域は１つ分の画素を形成していることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項９】
一対の基板が対向配置されて成る液晶装置において、
一方の前記基板の内側には走査電極が設けられ、
他方の前記基板の内側には信号電極が設けられ、
前記信号電極は、画素を形成するためのピクセル領域と、それ以外の配線領域とを有し、
隣り合う２本の前記信号電極のそれぞれの前記ピクセル領域は、１本の前記走査電極と重なる領域において、信号電極の延在方向に一列に配列され、
前記走査電極は、前記配線領域と重ならないように配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載された液晶装置を表示部として備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
一対の基板が対向配置されて成る電気光学装置において、
一方の前記基板の対向面上に設けられ、Ｘ方向に沿って延びる複数の走査電極と、
他方の前記基板の対向面上に設けられ、走査電極と略直交するＹ方向に沿って延びる複数の信号電極と、
を備え、
前記各信号電極は、前記走査電極とともに画素を形成し且つ互いに所定距離だけ離間してＹ方向に一列に配列された複数のピクセル領域と、隣り合うピクセル領域同士を接続する複数の配線領域とから成り、前記各ピクセル領域は少なくとも１つ分以上の画素を形成し、
隣り合う信号電極同士は、一方側の信号電極のピクセル領域間の隙間に他方側の信号電極の１つのピクセル領域が入り込むように並列されることにより、２つの異なる信号電極のピクセル領域が交互に配置される一列のピクセル群を形成し、
前記各走査電極は、隣り合う２つの信号電極のピクセル領域とＹ方向で対向するように延びるとともに、前記信号電極の配線領域と重ならないように延びていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
複数の信号電極はＸ方向に配列され、Ｘ方向で隣り合うピクセル領域同士の間には２本の配線領域が延びていることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
一対の基板が対向配置されて成る電気光学装置において、
一方の前記基板の内側には走査電極が設けられ、
他方の前記基板の内側には信号電極が設けられ、
前記信号電極は、画素を形成するためのピクセル領域と、それ以外の配線領域とを有し、
隣り合う２本の前記信号電極のそれぞれの前記ピクセル領域は、１本の前記走査電極と重なる領域において、信号電極の延在方向に一列に配列され、
前記走査電極は、前記配線領域と重ならないように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
互いに隣り合うピクセル領域同士の間には、２本の配線領域が延びていることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置され、画素電極形成領域、該画素電極形成領域を囲むダミー画素電極形成領域及び該ダミー画素電極形成領域とを有する第２基板と、
前記第２基板の前記画素電極形成領域に配置されたスイッチング素子と、
前記第２基板の前記画素電極形成領域に配置され、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、
前記第２基板の前記ダミー画素電極形成領域に配置されたダミースイッチング素子と、
前記第２基板の前記ダミー画素電極形成領域に配置され、前記ダミースイッチング素子に電気的に接続されたダミー画素電極と、
前記第１基板上に、前記画素電極及び前記ダミー画素電極に対応して配置された第１電極と、
前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された電気光学材料と、
前記ダミー画素電極、該ダミー画素電極と対向配置された前記第１電極、及びこれらダミー画素電極と第１電極との間に挟持された前記電気光学材料とからなるダミー画素が形成されたダミー画素領域を、囲むように配置された遮光膜と、
前記遮光膜を囲むように配置された前記第1基板と第２基板とを接着するシール材と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記遮光膜は、前記第１基板上に配置された第１遮光膜と、第２基板上に配置された第２遮光膜とからなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２基板上には前記スイッチング素子に電気的に接続された複数の第２配線が配置され、
前記第１電極は、前記第２配線に交差した複数の第１配線からなり、
前記第１遮光膜は、前記第１配線と略平行に形成され、
前記第２遮光膜は、前記第２配線と略平行に形成されてなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２遮光膜は、金属層と該金属層を覆う絶縁膜からなることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１基板上には、前記ダミー画素領域を覆う第３遮光膜が配置されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第３遮光膜は、前記画素電極、該画素電極と対向配置された前記第１電極、及びこれら画素電極と第１電極との間に挟持された前記電気光学材料とからなる画素が形成された画素領域の外縁部をも覆うことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記ダミー画素電極は遮光性電極からなり、
前記第３遮光膜は、前記ダミー画素電極に対応する開口部を有することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記ダミー画素には信号が書き込まれることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
矩形状の第１基板上に、該第１基板の向かい合う二辺のそれぞれに沿って第１遮光膜を形成する工程と、
前記第１基板上に、前記第１遮光膜と略平行に複数の第１配線を形成する工程と、
矩形状の第２基板上に、複数の第２配線と、前記第２基板の向かい合う二辺のそれぞれに沿った前記第２配線と略平行な第２遮光膜と、を同時形成する工程と、
前記第２基板上に、前記第２配線と電気的に接続するスイッチング素子を形成する工程と、
前記第２基板上に、前記スイッチング素子に電気的に接続する画素電極を形成する工程と、
前記第１基板及び前記第２基板を、前記第１配線及び前記第２配線が互いに直交するように対向配置させ、前記第１基板及び前記第２基板を前記第１遮光膜及び第２遮光膜を囲うように形成したシール材により接着する工程と、
前記第１基板、前記第２基板及び前記シール材により形成された領域に液晶を注入する工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
一対の基板間に電気光学材料が狭持されてなる電気光学装置において、
一方の前記基板には、電気光学材料に電界を印加する画素電極およびダミー画素電極が設けられ、
前記ダミー画素電極は前記画素電極を囲むように配置されており、
他方の前記基板には、前記ダミー画素電極の周辺領域に対応した領域に第１遮光膜が設けられ、
一方の前記基板には、前記ダミー画素電極の周辺領域に第２遮光膜が設けられ、
他方の前記基板には、前記ダミー画素電極に重なるように第３遮光膜が設けられ、
前記第１遮光膜および前記第２遮光膜は、それらを組み合わせて前記ダミー画素電極の周辺領域を覆うように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
一対の基板間に電気光学材料が狭持されてなる電気光学装置において、
一方の前記基板には、電気光学材料に電界を印加する電極が設けられ、
他方の前記基板には、前記電極の周辺領域に対応した領域に第１遮光膜が設けられ、
一方の前記基板には、前記電極の周辺領域に第２遮光膜が設けられ、
前記第１遮光膜および前記第２遮光膜は、それらを組み合わせて前記電極の周辺領域を覆うように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気光学装置において、
一方の前記基板には、前記電極に接続される配線が設けられ、
他方の前記基板には、前記配線に交差するように第１電極が設けられ、
前記第１遮光膜は前記第１電極に沿って配置され、
前記第２遮光膜は前記配線に沿って配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
一対の基板間に、電気光学材料および前記電気光学材料を囲むシール材が狭持されてなる電気光学装置において、
一方の前記基板には、電気光学材料に電界を印加する画素電極およびダミー画素電極が設けられ、
前記ダミー画素電極は前記画素電極を囲むように配置されており、
他方の前記基板には、前記ダミー画素電極および前記シール材の間の周辺領域に対応した領域に第１遮光膜が設けられ、
一方の前記基板には、前記ダミー画素電極の前記周辺領域に第２遮光膜が設けられ、
他方の前記基板には、前記ダミー画素電極に重なるように第３遮光膜が設けられ、
前記第１遮光膜および前記第２遮光膜は、それらを組み合わせて前記ダミー画素電極の前記周辺領域を覆うように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
一対の基板間に、電気光学材料および前記電気光学材料を囲むシール材が狭持されてなる電気光学装置において、
一方の前記基板には、電気光学材料に電界を印加する電極が設けられ、
他方の前記基板には、前記電極および前記シール材の間の周辺領域に対応した領域に第１遮光膜が設けられ、
一方の前記基板には、前記電極の前記周辺領域に第２遮光膜が設けられ、
前記第１遮光膜および前記第２遮光膜は、それらを組み合わせて前記電極の前記周辺領域を覆うように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光膜または前記第２遮光膜の少なくとも一部が前記シール材に重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室と、
前記真空処理室内に設けられた上部・下部一対の平行平板電極を含むプラズマ生成手段と、
前記下部電極に設けられた試料載置面と、
前記真空処理室を減圧する減圧手段と、
前記真空処理室にエッチングガスを供給するガス導入手段と、
前記下部電極に接続され前記一対の電極間に４０ＭＨｚないし１５０ＭＨｚの高周波電力を印加する高周波電源と、
前記下部電極に接続されたバイアス電源と、
前記真空処理室の外側でかつ前記一対の電極に同心円状に配置された磁場形成手段とを備え、
前記磁場形成手段は、前記下部電極の上面において、前記試料載置面の外側で該試料載置面の中央部よりも大きい磁場強度を形成し得ることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１において、前記磁場形成手段は、前記下部電極に対する高さ方向の位置を調整可能に構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれかにおいて、
前記一対の電極の間隔を１５ｍｍないし１００ｍｍとしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源と、この直流電源電圧を高周波の交流電圧に変換するインバータ回路と、このインバータ回路の出力電圧を昇圧する高電圧変圧器と、この高電圧変圧器の出力を整流する高電圧整流回路とを備え、この高電圧整流回路の出力電圧である直流の高電圧をＸ線管に印加するインバータ式Ｘ線高電圧装置において、上記インバータ回路の出力の二端子のうち、少なくともどちらか一方にシート状の導体を電気的に接続し、それより延長された前記シート状の導体を上記高電圧変圧器の一次巻線とすることを特徴とするインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項２】
上記インバータ回路のスイッチング素子を直接的，あるいは熱伝導率の高い固定板を介して間接的に上記高電圧変圧器を収納する容器の外壁面に装着することを特徴とする請求項１に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記インバータ回路のスイッチング素子を直接的，あるいは熱伝導率の高い固定板を介して間接的に上記高電圧変圧器を収納する容器の外壁面に装着することによって、前記インバータ回路と高電圧変圧器間の配線距離を短縮できる。これによって、さらにインバータ回路と高電圧変圧器間の配線のインダクタンス成分は小さくなるので前記電磁ノイズ対策の軽減に一層の効果を発揮するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域がホール輸送層と電子輸送層とにそれぞれ独立に存在する有機物質の積層体を２種有し、これらの積層体が、共通の材料層からなる前記ホール輸送層と共通の材料層からなる前記電子輸送層とを有しており、２色の発光色を呈することを特徴とする電界発光素子。
【請求項２】
前記発光領域が有機化合物からなり、この発光領域を含む有機物質からなる前記積層体を２種有し、これらの積層体の１種において、ホール輸送性有機材料中で電子−ホールの再結合による青色発光が得られる、請求項１に記載した電界発光素子。
【請求項３】
ホール輸送層中で前記再結合を起こすためのホールブロック層を有する、請求項２に記載した電界発光素子。
【請求項４】
前記ホールブロック層は、蛍光収率の低い非発光性の材料からなる、請求項３に記載した電界発光素子。
【請求項５】
前記ホールブロック層がホール輸送層と電子輸送層との間に設けられている、請求項３に記載した電界発光素子。
【請求項６】
前記ホールブロック層の最高占有分子軌道レベルが、前記ホールブロック層の両側に接して積層された各有機層のそれぞれの最高占有分子軌道レベルのうちエネルギー的に低い方の最高占有分子軌道レベル以下にある、請求項３に記載した電界発光素子。
【請求項７】
前記ホールブロック層の最低非占有分子軌道レベルが、前記ホールブロック層の両側に接して積層された各有機層のそれぞれの最低非占有分子軌道レベルのうちエネルギー的に低い方の最低非占有分子軌道レベル以上にあり、かつエネルギー的に高い方の最低非占有分子軌道レベル以下にある、請求項３に記載した電界発光素子。
【請求項８】
前記発光領域が短波長発光用のホール輸送性材料からなり、前記ホールブロック層がフェナントロリン誘導体からなっている、請求項３に記載した電界発光素子。
【請求項９】
前記発光領域が有機化合物からなり、この発光領域を含む有機物質からなる前記積層体を２種有し、これらの積層体の１種において、電子輸送性有機材料中で電子−ホールの再結合による緑色発光が得られる、請求項１に記載した電界発光素子。
【請求項１０】
光学的に透明な基体上に、透明電極、有機層及び金属電極が順次積層されている、請求項１に記載した電界発光素子。
【請求項１１】
同一基体上で、前記透明電極、前記有機層及び前記金属電極がマトリクスパターンを形成している有機電界発光素子として構成されている、請求項１０に記載した電界発光素子。
【請求項１２】
カラーディスプレイ用の素子として構成されている、請求項１１に記載した電界発光素子。
【請求項１３】
発光領域がホール輸送層と電子輸送層とにそれぞれ独立に存在する有機物質の積層体を２種有し、これらの積層体が、共通の材料層からなる前記ホール輸送層と共通の材料層からなる前記電子輸送層とを有しており、２色の発光色を呈することを特徴とする電界発光素子を製造するに際し、
共通の基体上において、２種の前記積層体に共通の第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上において、２種の前記積層体を含む領域上に共通のホール輸送層形成  材料を成膜して各ホール輸送層を形成する工程と、
前記各ホール輸送層を含む領域上において、２種の前記積層体を含む領域上に共通の  電子輸送層形成材料を成膜して各電子輸送層を形成する工程と、
前記各電子輸送層上に、２種の前記積層体のそれぞれの第２電極を前記第１電極に対  向して形成する工程と
を有する、電界発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記発光領域を有機化合物で形成し、この発光領域を含む有機物質からなる前記積層体を２種形成し、これらの積層体の１種において、ホール輸送性有機材料中で電子−ホールの再結合による青色発光を得る、請求項１３に記載した電界発光素子の製造方法。
【請求項１５】
ホール輸送層中で前記再結合を起こすためのホールブロック層を形成する、請求項１４に記載した電界発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記ホールブロック層を、蛍光収率の低い非発光性の材料によって形成する、請求項１５に記載した電界発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記ホールブロック層をホール輸送層と電子輸送層との間に設ける、請求項１５に記載した電界発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記ホールブロック層の最高占有分子軌道レベルを、前記ホールブロック層の両側に接して積層された各有機層のそれぞれの最高占有分子軌道レベルのうちエネルギー的に低い方の最高占有分子軌道レベル以下とする、請求項１５に記載した電界発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記ホールブロック層の最低非占有分子軌道レベルを、前記ホールブロック層の両側に接して積層された各有機層のそれぞれの最低非占有分子軌道レベルのうちエネルギー的に低い方の最低非占有分子軌道レベル以上とし、かつエネルギー的に高い方の最低非占有分子軌道レベル以下とする、請求項１５に記載した電界発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記発光領域を短波長発光用のホール輸送性材料で形成し、前記ホールブロック層をフェナントロリン誘導体で形成する、請求項１５に記載した電界発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記発光領域を有機化合物で形成し、この発光領域を含む有機物質からなる前記積層体を２種形成し、これらの積層体の１種において、電子輸送性有機材料中で電子−ホールの再結合による緑色発光を得る、請求項１３に記載した電界発光素子の製造方法。
【請求項２２】
光学的に透明な基体上に、透明電極、有機層及び金属電極を順次積層する、請求項１３に記載した電界発光素子の製造方法。
【請求項２３】
同一基体上で、前記透明電極、前記有機層及び前記金属電極がマトリクスパターンを形成している有機電界発光素子を製造する、請求項２２に記載した電界発光素子の製造方法。
【請求項２４】
カラーディスプレイ用の素子を製造する、請求項２３に記載した電界発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一方、比較の為に、前述と同様の加工を施し、熱処理を行わなかった従来と同様のモリブデン材であって、結晶粒数が単位面積当たり、２０，０００〜４０，０００個／ｍｍ２（但し、表１には、平均値３０，０００個／ｍｍ２で示す）にしたφ０．８〜３．０ｍｍのモリブデン材にダイオードチップを挟み込み、ガラスにてモールドしたダイオードを得た。その比較のためのダイオード試料を測定した結果、逆方向電圧Ｖｒをかけた時の逆方向電流Ｉｒは、５〜１５０ｎＡのばらつきが発生した。下記表１にその一例を示した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の平面コイルにおいて、アスペクト比の大きいものが得られる理由としては次のことが考えられる。すなわち、スルーホールめっきにおいて、孔のアスペクト比が大きい場合は孔内の膜厚が外部の膜厚より小さくなり、この傾向はアスペクト比が大きいほど顕著になるが、本発明において、コイル導体パターンを光沢めっきにより形成する場合も、これと類似した現像が起り、最初の間はめっきが等方的に成長するが、膜厚が大きくなるに従って、溝部のアスペクトが大きくなり異方的な成長が行われ、頭部を形成することにより、次第にこの傾向が助長されてアスペクト比が益々増大する。
図３は、本発明の平面コイルの１例を示す平面図であって、この図においては、コイルパターンが円形スパイラル状に形成されているが、このコイルパターンの形状としては、これ以外に角形スパイラル状、折れ線状など従来の平面コイルで用いられている任意の形状をとることができる。
このようにして得た平面コイルは、薄型強磁性体コアに挟着して用いることもできる。この薄型強磁性体コアとしては、例えば厚さ１．２ｍｍのＮｉＺｎ系フェライトなどが用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質領域を有する基体から該多孔質領域を除去する多孔質領域の除去方法であって、
エッチング液に超音波を誘導しながら該エッチング液により多孔質領域を処理する第１工程と、
エッチング液に超音波を誘導することなく、又はエッチング液に前記第１工程において誘導する超音波よりも弱い超音波を誘導しながら該エッチング液により多孔質領域を処理する第２工程と、
基体に残存する多孔質領域を除去する第３工程と、
を含むことを特徴とする多孔質領域の除去方法。
【請求項２】
エッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際に、超音波源と該基体との相対的な位置関係を変化させることを特徴とする請求項１に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項３】
エッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際に、該基体をエッチング液中で揺動させることを特徴とする請求項２に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項４】
エッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際に、該基体を回転させることを特徴とする請求項２に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項５】
エッチング液に超音波を誘導しながら基体を処理する際に、該基体及び前記超音波源の少なくとも一方の位置を超音波の振動面に対して実質的に平行又は垂直な方向に変化させることを特徴とする請求項２に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項６】
エッチング液により基体を処理する際に、該基体を揺動又は回転させることを特徴とする請求項１に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項７】
エッチング液により基体を処理する際に、該エッチング液を循環させて該基体付近において該エッチング液の流れを形成することを特徴とする請求項１に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項８】
前記第１及び第２工程を同一のエッチング槽内に基体を浸して実行し、前記第１工程では、超音波源を動作させ、第２工程では、該超音波源の動作を停止させることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項９】
前記第１及び第２工程を同一のエッチング槽内に基体を浸して実行し、前記第１及び第２工程において連続的に超音波源を動作させ、かつ、前記第２工程では、超音波源と該基体との間に超音波の遮蔽板を挟むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項１０】
処理対象の基体は、単結晶Ｓｉからなることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項１１】
前記多孔質領域は、多孔質Ｓｉからなることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項１２】
前記多孔質領域は、単結晶Ｓｉからなる基体を陽極化成してなることを特徴とする請求項１１に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項１３】
エッチング液として、
（ａ）弗酸
（ｂ）弗酸にアルコール及び過酸化水素水の少なくとも一方を添加した混合液、
（ｃ）バッファード弗酸、
（ｄ）バッファード弗酸にアルコール及び過酸化水素水の少なくとも一方を添加した混合液、
のいずれかを使用することを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の多孔質領域の除去方法。
【請求項１４】
半導体基体の製造方法であって、
第１の基体に多孔質層及び少なくとも１層の非多孔質層を形成する工程と、
第１の基体の非多孔質層側に第２の基体を貼り合せる工程と、
貼り合せた基体より第１の基体を除去して第２の基体上に多孔質層を表出させる工程と、
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の多孔質領域の除去方法を適用して、第２の基体上の多孔質層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体基体の製造方法。
【請求項１５】
多孔質領域を有する基体から該多孔質領域を除去する多孔質領域の除去装置であって、
エッチング液に超音波を誘導しながら該エッチング液により多孔質領域を処理する第１工程を実行する手段と、
エッチング液に超音波を誘導することなく、又はエッチング液に前記第１工程において誘導する超音波よりも弱い超音波を誘導しながら該エッチング液により多孔質領域を処理する第２工程を実行する手段と、
基体に残存する多孔質領域を除去する第３工程を実行する手段と、
を含むことを特徴とする多孔質領域の除去装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくともＣｕを含有するＡｌ合金による金属配線層を、Ｃｌ系エッチングガスを用いたエッチングにより所定のパターンとする金属配線の形成工程と、
Ｏ２ガスと、分子中にＳを含有するガスと、分子中にＨを含有するガスとの混合ガスを用いたアッシング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このように金属配線層１０５が腐食して孔食１２０が発生すると、金属配線の側壁部に荒れが生じ、更には、断線、エレクトロマイグレーション（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）耐性の劣化が起こり、配線歩留り、半導体装置の歩留りの劣化を招来する原因となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、少なくともＣｕを含有するＡｌ合金による金属配線層を形成し、これをＣｌ系エッチングガスを用いたエッチングにより所定のパターンにエッチングして金属配線を形成し、Ｏ２ガスと、分子中にＳを含有するガスと、分子中にＨを含有するガスとの混合ガスを用いてアッシングするものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置の製造方法は、少なくともＣｕを含有するＡｌ合金による金属配線層を形成し、これをＣｌ系エッチングガスを用いたエッチングにより所定のパターンにエッチングして金属配線を形成し、Ｏ２ガスと、分子中にＳを含有するガスと、分子中にＨを含有するガスとの混合ガスを用いてアッシングすることにより、金属配線が腐食されて孔食が生じることを効果的に回避し、高品質で、信頼性の高い半導体装置を製造するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  非晶質珪素からなる半導体膜に接して該非晶質珪素の結晶化を助長する触媒元素を含む溶液を塗布し、前記半導体膜に接して前記触媒元素を含む膜を形成し、
加熱処理を施し前記半導体膜を結晶化し、
前記加熱処理の後、前記触媒元素を含む膜を前記半導体膜の表面から除去し、
前記触媒元素を含む膜を除去した後、レーザー光または強光を照射することにより結晶性を助長し、
前記レーザー光または強光の照射により結晶性を助長した後、前記半導体膜に一導電型を付与する不純物を添加し、前記半導体膜に不純物領域を形成し、
前記触媒元素として、１４族から選ばれた一種または複数種類の元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】  非晶質珪素からなる半導体膜に接して該非晶質珪素の結晶化を助長する触媒元素を含む溶液を塗布し、前記半導体膜に接して前記触媒元素を含む膜を形成し、
加熱処理を施し前記半導体膜の一部を結晶化し、
前記加熱処理の後、前記触媒元素を含む膜を前記半導体膜の表面から除去し、
前記触媒元素を含む膜を除去した後、レーザー光または強光を照射することにより結晶性を助長し、
前記レーザー光または強光の照射により結晶性を助長した後、前記半導体膜に一導電型を付与する不純物を添加し、前記半導体膜に不純物領域を形成し、
前記触媒元素として、１４族から選ばれた一種または複数種類の元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】  非晶質珪素からなる半導体膜に接して該非晶質珪素の結晶化を助長する触媒元素を含む溶液を塗布し、前記半導体膜に接して前記触媒元素を含む膜を形成し、
加熱処理を施し前記半導体膜を結晶化し、
前記加熱処理の後、前記触媒元素を含む膜を前記半導体膜の表面から除去し、
前記触媒元素を含む膜を除去した後、レーザー光または強光を照射することにより結晶性を助長し、
前記レーザー光または強光の照射により結晶性を助長した後、前記半導体膜に一導電型を付与する不純物を添加し、前記半導体膜に不純物領域を形成し、
前記触媒元素を含む膜を除去した後、前記半導体膜をパターニングし、
前記触媒元素として、１４族から選ばれた一種または複数種類の元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】  絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質珪素からなる半導体膜を形成し、
前記非晶質珪素からなる半導体膜に接して該非晶質珪素の結晶化を助長する触媒元素を含む溶液を塗布し、前記半導体膜に接して前記触媒元素を含む膜を形成し、
加熱処理を施し前記半導体膜を結晶化し、
前記加熱処理の後、前記触媒元素を含む膜を前記半導体膜の表面から除去し、
前記触媒元素を含む膜を除去した後、レーザー光または強光を照射することにより結晶性を助長し、
前記レーザー光または強光の照射により結晶性を助長した後、前記半導体膜に一導電型を付与する不純物を添加し、前記半導体膜に不純物領域を形成し、
前記触媒元素として、１４族から選ばれた一種または複数種類の元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれか一において、前記触媒元素としてゲルマニウムを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】  請求項１乃至５のいずれか一において、前記触媒元素を含む溶液は、臭化ゲルマニウム、塩化ゲルマニウム、沃化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、硫化ゲルマニウム、ゲルマン、酢酸ゲルマニウム、トリス（2,4-ペンタンジオナト）ゲルマニウム過塩素酸塩、テトラメチルゲルマン、テトラエチルゲルマン、テトラフェニルゲルマン、ヘキサエチルゲルマニウムから選ばれた少なくとも１種類の化合物を溶解させた溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】  請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製した携帯電話、ビデオカメラ、モバイルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、またはプロジェクター。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の非晶質珪素膜を形成し、
加熱処理を施し、前記第１の非晶質珪素膜を結晶化させ第１の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の結晶性珪素膜上に第２の非晶質珪素膜を形成し、
レーザー光を照射することによって、前記第２の非晶質珪素膜を結晶化させ第２の結晶性珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の非晶質珪素膜を形成し、
加熱処理を施し、前記第１の非晶質珪素膜を結晶化させ第１の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の結晶性珪素膜の表面をエッチングした後、前記第１の結晶性珪素膜上に第２の非晶質珪素膜を形成し、
レーザー光を照射することによって、前記第２の非晶質珪素膜を結晶化させ第２の結晶性珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記エッチングのエッチャントとしてフッ酸を含むエッチャントを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に第１の非晶質珪素膜を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜中に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入した後、加熱処理を施し、前記第１の非晶質珪素膜を結晶化させ第１の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の結晶性珪素膜上に第２の非晶質珪素膜を形成し、
レーザー光を照射することによって、前記第２の非晶質珪素膜を結晶化させ第２の結晶性珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に第１の非晶質珪素膜を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜中に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入した後、加熱処理を施し、前記第１の非晶質珪素膜を結晶化させ第１の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の結晶性珪素膜の表面をエッチングした後、前記第１の結晶性珪素膜上に第２の非晶質珪素膜を形成し、
レーザー光を照射することによって、前記第２の非晶質珪素膜を結晶化させ第２の結晶性珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記エッチングのエッチャントとしてフッ酸を含むエッチャントを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、前記珪素の結晶化を助長する金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選ばれた一種類または複数種類の元素が利用されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求４乃至請求項６のいずれか一項において、前記珪素の結晶化を助長する金属元素としてＮｉが利用されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記第２の非晶質珪素膜の結晶化は、前記第１の結晶性珪素膜の表面を結晶成長の核としていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記レーザー光の照射と同時または段階的に、強光の照射、加熱から選ばれた１種または複数種類の方法を利用することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記レーザー光の照射エネルギー密度は、１００〜３００ｍＪ／ｃｍ2であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁基板上に、半導体薄膜からなる活性層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を有し、
前記活性層は、第１の結晶性珪素膜と、該第１の結晶性珪素膜上の第２の結晶性珪素膜とでなる積層構造を有しており、
前記第１の結晶性珪素膜は、加熱により結晶化された結晶構造を有し、
前記第２の結晶性珪素膜は、レーザー光の照射により結晶化された結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、加熱により結晶化された結晶構造は、細い棒状結晶または偏平棒状結晶からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１２において、加熱により結晶化された結晶構造は、細い棒状結晶または偏平棒状結晶が間隔をおいて平行または概略平行に成長した結晶構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、前記半導体装置を用いたことを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、前記半導体装置を用いたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、前記半導体装置を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、前記半導体装置を用いたことを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１９】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、前記半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、前記半導体装置を用いたことを特徴とするビデオカメラ、電子スチルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、モバイルコンピュータ、携帯電話またはＰＨＳ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）第１の実施の形態
（１−１）第１の実施の形態の構成
図１は、第１の実施の形態に係るランダムアクセスメモリのメモリチップを示す断面図である。この実施の形態に係るメモリは、このメモリチップ１がパッケージに収納されて形成される。このメモリチップ１は、あらかじめシステム部の形成されたメモリ基板２上にデータセル部３を作成して形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
システム部２Ａは、入力回路１６の制御により論理１のデータを記録する場合、図４（Ａ）に示すように、行アドレスデコーダ１３及び列アドレスデコーダ１４により選択されたメモリチップの記録層７において、短い時間で大きな電流が流れるように所定の電圧を印加する。これによりシステム部２Ａは、ＧｅＳｂＴｅを所定温度以上に温度上昇させた後、急激に温度低下させ、記録層７を非晶質化する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、これとは逆に、システム部２Ａは、入力回路１６の制御により論理０のデータを記録する場合、図４（Ｂ）に示すように、行アドレスデコーダ１３及び列アドレスデコーダ１４により選択されたメモリチップの記録層７において、論理１のデータを記録する場合に比して小さな電流が長い時間流れるように所定の電圧を印加する。これによりＧｅＳｂＴｅを所定温度以上に温度上昇させた後、徐々に温度低下させ、記録層７を結晶化する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月26日(2004.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主表面側の絶縁膜によって区分されたシリコン領域表面にのみ第１の金属及びシリコンを主成分とするシリサイド膜が形成され、このシリサイド膜の表面又はこのシリサイド膜の表面及びその結晶粒界に第２の金属及び窒素を主成分とする窒化物膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記シリコン領域は、ＭＩＳトランジスタのゲート電極を構成するシリコン領域及びＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン拡散層を構成するシリコン領域の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
基板主表面側に絶縁膜によって区分されたシリコン領域を形成する工程と、このシリコン領域が形成された基板上に第１の金属及び第２の金属の混合膜を形成する工程と、熱処理により前記第１の金属及び第２の金属と前記シリコン領域のシリコンとを反応させて前記シリコン領域の表面にのみ第１のシリサイド膜を形成する工程と、この第１のシリサイド膜を窒化性の雰囲気で熱処理することにより第２のシリサイド膜並びにこの第２のシリサイド膜の表面又はこの第２のシリサイド膜の表面及びその結晶粒界に第２の金属及び窒素を主成分とする窒化物膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板主表面側に絶縁膜によって区分されたシリコン領域を形成する工程と、このシリコン領域表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、このシリコン酸化膜を形成した基板上に第１の金属及び第２の金属の混合膜を形成する工程と、熱処理により前記シリコン領域に形成されたシリコン酸化膜を前記第２の金属によって還元する工程と、熱処理により前記第１の金属と前記シリコン領域のシリコンとを反応させて前記シリコン領域の表面にのみシリサイド膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記シリコン領域表面に形成するシリコン酸化膜の膜厚を、前記混合膜の膜厚に該混合膜中の第２の金属の割合を乗じた値以下とすることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン領域表面に形成するシリコン酸化膜の膜厚を０．５ｎｍ以上とすることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板主表面側の第１の絶縁膜によって区分されたシリコン領域表面にのみ第１の金属及びシリコンを主成分とするシリサイド膜を、このシリサイド膜の表面又はこのシリサイド膜の表面及びその結晶粒界に第２の金属及び窒素を主成分とする窒化物膜を形成する工程と、この窒化物膜表面上に開口部を有する第２の絶縁膜を形成する工程と、前記開口部内にアモルファスシリコンを埋め込む工程と、少なくともこのアモルファスシリコン上にアルミニウムを形成する工程と、熱処理により前記アモルファスシリコンとアルミニウムとを置換して前記開口部内にアルミニウムを埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板主表面側に絶縁膜によって区分されたシリコン領域を形成する工程と、このシリコン領域が形成された基板上に直接的又は間接的に第１の金属及び第２の金属の混合膜を形成する工程と、熱処理により前記混合膜内の金属と前記シリコン領域内のシリコンとを反応させて前記シリコン領域の表面に選択的にシリサイド膜を形成する工程とを備え、
前記第１の金属はＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＰｄのなかから選択された少なくとも一つの金属であり、前記第２の金属はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ及びＴａのなかから選択された少なくとも一つの金属であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月24日(2005.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】  請求項２１に記載の半導体デバイスにおいて、前記ポリシリコン層は、前記十分な窒素濃度の第１のピーク及び前記十分な窒素濃度の第２のピークのいずれの窒素濃度の約２０％よりも高い窒素濃度のピークを含まないこと、を特徴とする半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
又、上記バルブボディー７０の外側面に固定した取付基板７７、７７に、それぞれが第二の枢軸７８、７８を有する枢支ブラケット７９、７９を設けている。これら第二の枢軸７８、７８は、第一、第二の入力側ディスク１７、１８及び第一、第二の出力側ディスク２０、２１（図１２参照）の回転中心に対し平行で、第一、第二キャビティ３４、３５（図１２参照）の側方に対向する位置に設けている。そして、上記各第二の枢軸７８、７８は、図４に示す様な全体を略四角枠状に形成した揺動腕８０の長さ方向（図４の上下方向）両端部の幅方向（図４の左右方向）中央部を、揺動自在に枢支している。従って、上記揺動腕８０の幅方向両端部は、前記各駆動ロッド５１、５１の軸方向に関して互いに逆方向に同じ距離だけ変位する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
更に、図示の例の様に、歯車伝達機構８２を設けている為、前述の駆動シリンダ５３、５３への油圧供給回路が故障した場合でも、第一、第二各パワーローラ４５、４６の傾斜角度を互いに一致させる事ができる。この為、故障時にも、これら第一、第二各パワーローラ４５、４６の周面９ａ、９ａと各ディスク１７、１８、２０、２１の内側面２ａ、４ａとの当接部で著しい滑りが発生するのを防止して、トロイダル型無段変速機が損傷するのを防止できる。尚、本発明を実施する場合に、各トラニオン同士の傾斜角度を一致させる為の機構は、上記歯車伝達機構８２に限らず、前述の図１５〜１６に示した様な、ケーブルによるものであっても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内部が連続した構造体を備えて真空状態を保持して成る真空断熱体において、前記真空断熱体の対向する２面からなる面部分の厚さ方向が、前記真空断熱体の外周部分にあって外方向に向かうほど薄くなる端辺部分を鋭角形状として成る真空断熱体。
【請求項２】  端辺部分が、真空断熱体の厚さｄと端辺部分の長さＬ２との比Ｌ２／ｄを３.７以下とする形状を成すことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の真空断熱体。
【請求項３】  端辺部分、円弧または鈍角を備える直線の組み合わせから構成された非直線を成すものであることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３記載の真空断熱体。
【請求項４】  対向する２面から成る面部分が、その面を構成する最も短い辺の長さＬ１と、真空断熱体の厚さｄとの比Ｌ１／ｄが２０以上を成すものであることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３記載の真空断熱体。
【請求項５】  対向する２面から成る面部分と外方向が薄くなる形状を備える端辺部分を含んで構成され、しかも、真空断熱体の厚さｄと前記端辺部分の長さＬ２の比Ｌ２／ｄが２.０以上である端辺を含んで成る真空断熱体を外殻内に配設し、残りの空隙を独立した気泡を含んで成る多孔体が充填して成る断熱構造体。
【請求項６】  真空断熱体が、厚さｄと真空断熱体を配設した外殻内の断熱材厚さｄｔとの比ｄ／ｄｔが０.５〜０.７の構成を備えることを特徴とする請求項６に記載の断熱構造体。
【請求項７】  真空断熱体が、傾斜を備える端辺部分が断熱壁面内に位置して成ることを特徴とする請求項６または７に記載の断熱構造体。
【請求項８】  真空断熱体が、その端部に傾斜を備えること無しに直角を成す態様で構成された真空断熱体の端辺部分を壁面が交差する角部の外殻内に位置するように配設して成ることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の断熱構造体。
【請求項９】  真空断熱体が、対向する面を構成する短辺の長さＬ１と厚さｄとの比Ｌ１／ｄを２０以上とする形態を有して成ることを特徴とする請求項６から９のいずれかに記載の断熱構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明における第１の発明である真空断熱体は、内部が連続した構造体を備えて真空状態を保持して成る真空断熱体において、前記真空断熱体の対向する２面からなる面部分の厚さ方向が、前記真空断熱体の外周部分にあって外方向に向かうほど薄くなる端辺部分を鋭角形状として成るものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
【発明の効果】
本発明における第１の発明である真空断熱体は、内部が連続した構造体を備えて真空状態を保持して成る真空断熱体において、前記真空断熱体の対向する２面からなる面部分の厚さ方向が、前記真空断熱体の外周部分にあって外方向に向かうほど薄くなる端辺部分を鋭角形状として成るものであるから、主たる伝熱の経路である受熱面から対面に至る距離を延長して熱架橋による断熱性能の低下を抑制できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図１は、本発明の一実施形態に係るカメラの概略を示す外観斜視図である。
ここではコンパクトカメラを代表例にとり説明するが、本発明のカメラの形式は、特にコンパクトカメラに限定されるものではなく、例えば、一眼レフカメラでもよく、どのような形式のカメラであっても良い。また、例えば、フィルムカメラ（光学カメラ）でもよいし、デジタルカメラやハイブリッドカメラであってもよい。また、例えば、ＡＰＳカメラでも、レンズ付きフィルムでもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ところで、画像処理系では、スキャナ１２から出力されたＲ、ＧおよびＢの各出力信号は、データ処理部５８で処理されてデジタルの画像データとされ、プレスキャンデータはプレスキャンメモリ６０に、本スキャンデータは本スキャンメモリ６２にそれぞれ記憶される。なお、プレスキャンデータと本スキャンデータとは、解像度（画素密度）と信号レベルが異なる以外は、基本的に同じデータである。プレスキャンメモリ６０に記憶されたプレスキャンデータはプレスキャン画像処理部６４において、本スキャンメモリ６２に記憶された本スキャンデータは本スキャン画像処理部６６において、それぞれ処理される。