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【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インクジェットプリントカートリッジを製造する方法において、
それぞれが別個の供給インクを保持し、それぞれが出口ポートを有する複数の区画室を有しているカートリッジ本体を設けることであって、該カートリッジ本体は、出口ポートからプリントヘッド取付領域に延び、隔離されているインク流路をさらに含み、
前記カートリッジ本体を用いて複数のカートリッジ構成のうちの１つを選択し、前記複数のカートリッジ構成は、前記各インクが前記各出口ポートから前記プリントヘッド取付領域を通るときに互いから隔離されたままである第１の構成と、前記複数の区画室の２つ以上からの前記各インクが前記対応する各出口ポートから前記プリントヘッド取付領域を通るときに混合される第２の構成とを含み、
前記選択したカートリッジ構成をベースにして、前記インク流路と前記プリントヘッド取付領域との間のインク流路構成を完成し、該インク流路構成は、前記第１の構成においてはそれぞれのインク流路が前記プリントヘッド取付領域における他のインク流路から隔離されたままであるかを決定し、前記第２の構成においてはあるインク流路が前記プリントヘッド取付領域におけるその他のインク流路のうちの１つまたは２つ以上のインク流路と合流できるかを決定するものであり、
インクジェットプリントヘッドを前記プリントヘッド取付領域に取付けること、
を含む方法。
【請求項２】  前記プリントヘッドは複数のノズルアレイを含んでおり、前記第１の構成において、
インク流路構成を完成する前記ステップは、前記プリントヘッド取付領域において構造を設けることであって、前記隔離されたインク流路のそれぞれから対応するノズルアレイへと延びている隔離された流路を設けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記カートリッジ本体は、区画室本体構造と、前記各インク流路を規定する別個のノーズピース構造とを含み、各構成は、互いに異なるノーズピース構造によって規定され、前記インク流路構成を完成する前記ステップは、前記異なるノーズピース構造のうちの選択した１つを前記区画室本体構造に取付けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  インクジェットプリントカートリッジを製造する方法において、
それぞれが供給インクを保持し、それぞれが共通のポケット領域に通じる出口ポートを有する複数の区画室を有しているカートリッジ本体構造を設けることであって、前記出口ポートのそれぞれは、当該出口ポートのうちの他のものから間隔を置いて分離されたポケット領域で終わり、
流動体状の接着剤を、前記ポケット領域のうちの少なくともいくつかをつなぐ仕切り構造を設けるように選択したパターンで前記共通のポケット領域内に塗布し、
前記ポケット領域の上方にノズルアレイパターンを有するプリントヘッド構造を取付けて、前記プリントヘッド構造の表面が前記接着剤パターンと接触するようにし、
前記接着剤が硬化して略固体状態になるようにし、それによって前記プリントヘッドを前記本体に接合し、前記仕切り構造によって前記出口ポートのうちの少なくとも２つからのインク同士の間でインクが混合できるようにすること、
を含む方法。
【請求項５】  前記複数の区画室は少なくとも３つの区画室を含み、前記区画室のうちの２つにおける前記供給インクは同じカラーのインクであって、第３の区画室における前記供給インクは異なるカラーのインクであり、前記仕切り構造によって、前記同じカラーのインクを保持する前記区画室同士の間でインクが混合できる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記カートリッジ本体構造は、前記複数の区画室および前記ポケット領域を規定するノーズピース構造を規定するカートリッジ本体と、前記ポケット領域と前記区画室の各出口ポートとを接続する複数のインクチャネルとを含み、前記それぞれのインクチャネルは他のインクチャネルから隔離されている、請求項４に記載の方法。
【請求項７】  前記接着剤を塗布する前記パターンを選択して、特定のインク混合構成を決定するステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】  前記接着剤は熱硬化性接着剤であり、前記接着剤が硬化して固体状態になることができるようにする前記ステップは、プリントヘッド構造に熱を加えることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】  それぞれが供給インクを保持し、それぞれが共通のポケット領域に通じる出口ポートを有する複数の区画室を有しているカートリッジ本体構造であって、前記出口ポートのそれぞれは、該出口ポートのうちの他のものから間隔を置いて分離されたポケット領域で終わっているカートリッジ本体構造と、
ノズルアレイパターンを有し、前記ポケット領域の上方に取付けられているプリントヘッド構造と、
該プリントヘッド構造とプレナムを規定する本体表面との間に取付けられ、前記カートリッジ本体と前記プリントヘッドとの間のインクシールを行い、前記ポケット領域のうちの少なくとも２つをつないで少なくとも２つの対応するインク区画室内に保持されるインク同士が混合できるようにする仕切り構造を提供するガスケット構造と、
を備えている、インクジェットプリントカートリッジ。
【請求項１０】  前記複数の区画室は少なくとも３つの区画室を含み、前記区画室のうちの２つにおける前記供給インクは同じカラーのインクであって、第３の区画室における前記供給インクは異なるカラーのインクであり、前記ガスケット構造によって、前記同じカラーのインクを保持する前記区画室同士の間でインクが混合できるようになっている、請求項９に記載のカートリッジ。
【請求項１１】  前記カートリッジ本体構造は、前記複数の区画室および前記ポケット領域を規定するノーズピース構造を規定するカートリッジ本体と、前記ポケット領域と前記区画室のそれぞれの出口ポートとを接続する複数のインクチャネルとを含み、前記それぞれのインクチャネルは他のインクチャネルから隔離されている、請求項９に記載のカートリッジ。
【請求項１２】  前記ガスケット構造は接着剤材料によって規定されている、請求項９に記載のカートリッジ。
【請求項１３】  カラーが単一の用途またはカラーが多数の用途に用いることが可能な多数のインク槽を有する万能なインクジェットカートリッジ本体であって、前記本体は、接着剤パターンで塗布される接着剤材料を用いることによってプリントヘッドに取付けるプリントヘッド取付領域を含み、前記それぞれのインク槽と前記プリントヘッドとの間のインク流のルーティングは、前記接着剤パターンによって完成し、カラーが単一の用途の場合、前記接着剤パターンによって、前記プリントヘッドの上流のヘッド取付領域で前記多数のインク槽におけるすべての槽のインクを混合することが可能であり、カラーが多数の用途の場合、前記接着剤パターンは、前記インク槽におけるインクを隔離して前記プリントヘッドの各異なるノズルアレイ部分に向け、それによって、カラーが単一のまたはカラーが多数のカートリッジの用途に用いることが可能となっている、万能なインクジェットカートリッジ本体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月15日(2003.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属塩粒子上に吸着された免疫刺激剤を含むアジュバント組成物であって、上記金属塩粒子が実質的に他の抗原を含有せず、かつ、上記免疫刺激剤がキラヤ・サポナリア・モリナ（Ｑｕｉｌａｊａ  Ｓａｐｏｎａｒｉａ  Ｍｏｌｉｎａ）の樹皮由来のサポニンでない、前記アジュバント組成物。
【請求項２】
前記金属塩粒子が、アルミニウム、亜鉛、カルシウム、セリウム、クロム、鉄又はベリリウムの塩である、請求項１に記載のアジュバント組成物。
【請求項３】
前記金属塩が、ホスフェート又はヒドロキシドである、請求項１又は２に記載のアジュバント組成物。
【請求項４】
前記金属塩が、水酸化アルミニウム又はリン酸アルミニウムである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のアジュバント組成物。
【請求項５】
前記免疫刺激剤がモノホスホリル・リピドＡ又はその誘導体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のアジュバント組成物。
【請求項６】
前記モノホスホリル・リピドＡの誘導体が、３−脱−Ｏ−アシル化モノホスポリル・リピドＡである、請求項５に記載のアジュバント組成物。
【請求項７】
前記免疫刺激剤がＣｐＧを含むオリゴヌクレオチドである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のアジュバント組成物。
【請求項８】
ワクチン製剤の製造方法であって、ａ）金属塩粒子上に吸着された免疫刺激剤を含むアジュバント組成物と、ｂ）抗原を混合することを含み、ここで、上記金属塩粒子が、他の抗原を実質的に含まないことを特徴とする、前記方法。
【請求項９】
前記抗原が金属塩粒子に吸着される、請求項８に記載のワクチン製剤の製造方法。
【請求項１０】
前記抗原が、ヒト免疫不全ウイルス、水疱瘡ウイルス、単純ヘルペス１型ウイルス、単純ヘルペス２型ウイルス、ヒト・サイトメガロウイルス、デング熱ウイルス、Ａ型肝炎、Ｂ型肝炎、Ｃ型肝炎又はＥ型肝炎ウイルス、呼吸器合胞体ウイルス、ヒト・パピローマ・ウイルス、インフルエンザ・ウイルス、Ｈｉｂ、髄膜炎ウイルス、サルモネラ、ナイセリア、ボレリア、クラミジア、ボルデテラ、プラスモディウム又はトキソプラズマ、ＩｇＥペプチド、Ｄｅｒｐ１、花粉関連抗原；又は腫瘍関連抗原（ＴＡＡ）、ＭＡＧＥ、ＢＡＧＥ、ＧＡＧＥ、ＭＵＣ−１、Ｈｅｒ−２ｎｅｕ、ＬｎＲＨ（ＧｎＲＨ）、ＣＥＡ、ＰＳＡ、ＫＳＡ、又はＰＲＡＭＥ由来の抗原を含む群から選ばれる、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記抗原が、ＨＰＶ６、ＨＰＶ１１、ＨＰＶ１６又はＨＰＶ１８由来である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記抗原が、Ｌ１粒子又はキャプソマー（ｃａｐｓｏｍｅｒ）である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
抗原をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のアジュバント組成物を含むワクチン製剤。
【請求項１４】
請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法により製造されたワクチン製剤。
【請求項１５】
金属塩粒子上に吸着されたサポニンを含むワクチンであって、ここで、上記ワクチンは抗原を含み、上記金属塩粒子は他の抗原を実質的に含まないことを特徴とする前記ワクチン製剤。
【請求項１６】
前記サポニンが、ＱＳ２１である、請求項１５に記載のワクチン製剤。
【請求項１７】
２つの主要な複合体集団、第１複合体であって（ａ）金属塩粒子上に吸着された免疫刺激剤を含み、上記金属塩粒子が抗原を実質的に含有しないことを特徴とするもの；及び第２複合体であって（ｂ）金属塩粒子上に吸着された抗原を含むもの、
を含むワクチン製剤。
【請求項１８】
２つの主要な複合体集団、第１複合体であって（ａ）金属塩粒子上に吸着された免疫刺激剤を含み、上記金属塩粒子が抗原を実質的に含有しないことを特徴とするもの；及び第２複合体であって（ｂ）金属塩粒子上に吸着された抗原を含み、上記金属塩粒子がモノホスホリル・リピドＡ又はその誘導体を実質的に含有しないことを特徴とするもの、を含むワクチン製剤。
【請求項１９】
前記第１複合体及び第２複合体中に存在する金属塩が同一である、請求項１７又は１８に記載のワクチン製剤。
【請求項２０】
前記第２複合体が、複数のサブ複合体を含み、各サブ複合体が、金属粒子上に吸着された異なる抗原を含む、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載のワクチン製剤。
【請求項２１】
前記金属塩が、アルミニウム、亜鉛、カルシウム、セリウム、クロム、鉄又はベリリウムの塩である、請求項１５〜２０のいずれか１項に記載のワクチン製剤。
【請求項２２】
前記金属塩が、ホスフェート又はヒドロキシドである、請求項２１に記載のワクチン製剤。
【請求項２３】
前記金属塩が、水酸化アルミニウム又はリン酸アルミニウムである、請求項２２に記載のワクチン製剤。
【請求項２４】
前記免疫刺激剤が、３−脱−Ｏ−アシル化モノホスホリル・リピドＡである、請求項１３〜１４、及び１７〜２３のいずれか１項に記載のワクチン製剤。
【請求項２５】
前記免疫刺激剤がＣｐＧである、請求項１３〜２０のいずれか１項に記載のワクチン製剤。
【請求項２６】
前記抗原が、ヒト免疫不全ウイルス、水疱瘡ウイルス、単純ヘルペス１型ウイルス、単純ヘルペス２型ウイルス、ヒト・サイトメガロウイルス、デング熱ウイルス、Ａ型肝炎、Ｂ型肝炎、Ｃ型肝炎又はＥ型肝炎ウイルス、呼吸器合胞体ウイルス、ヒト・パピローマ・ウイルス、インフルエンザ・ウイルス、Ｈｉｂ、髄膜炎ウイルス、サルモネラ、ナイセリア、ボレリア、クラミジア、ボルデテラ、プラスモディウム又はトキソプラズマ、ｓｔａｎｗｏｒｔｈ  デカペプチド、Ｄｅｒ  ｐ１、花粉関連抗原；又は癌関連抗原、ＭＡＧＥ、ＢＡＧＥ、ＧＡＧＥ、ＭＵＣ−１、Ｈｅｒ−２ｎｅｕ、ＬｎＲＨ（ＧｎＲＨ）、ＣＥＡ、ＰＳＡ、チロシナーゼ、Ｓｕｒｖｉｖｉｎ、ＫＳＡ、又はＰＲＡＭＥを含む群から選ばれる、請求項１３〜２３のいずれか１項に記載のワクチン製剤。
【請求項２７】
前記抗原が、ＨＰＶ６、ＨＰＶ１１、ＨＰＶ１６又はＨＰＶ１８由来である、請求項２６に記載のワクチン製剤。
【請求項２８】
前記抗原が、Ｌ１粒子又はキャプソマー（ｃａｐｓｏｍｅｒ）である、請求項２７に記載のワクチン製剤。
【請求項２９】
前記抗原が、Ａ型肝炎抗原とＢ型肝炎抗原の併合物である、請求項２６に記載のワクチン製剤。
【請求項３０】
前記プラスモディウム抗原が、以下の群：ＲＴＳ，Ｓ、及びＴＲＡＰから選ばれる１以上の抗原である、請求項２６に記載のワクチン製剤。
【請求項３１】
医療における使用のための、請求項２６に記載のワクチン製剤。
【請求項３２】
ウイルス、バクテリア、寄生虫感染、アレルギー、又は癌予防又は治療に好適な、請求項２６に記載のワクチン製剤を含有する薬剤。
【請求項３３】
安全かつ有効な量の、請求項２６に記載のワクチン製剤を含む、病原体感染、又は癌、又はアレルギーを患った又はこれに罹り易い哺乳動物用医薬組成物。
【請求項３４】
２つの容器、第１の容器であって、金属塩上に吸着されたモノホスホリル・リピドＡ、又はその誘導体をもつもの；及び第２の容器であって金属塩上に吸着された抗原をもつもの、を含むキット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  製薬学的に許容される担体または希釈剤と、免疫活性成分とを含んでなる、免疫学的な組成物であって、
前記免疫活性成分は、
(i)以下を併用する、肺炎球菌表面付着性蛋白質A（PsaA）またはその抗原決定基、あるいはPsaAまたはその抗原決定基を発現するベクター、
(a)肺炎球菌表面蛋白質C（PspC）またはその抗原決定基、あるいは、
PspCまたはその抗原決定基を発現するベクター、または
(b)PspCまたはその抗原決定基、あるいはPspCまたはその抗原決定基を発現するベクター、および、肺炎球菌表面蛋白質A（PspA）またはその抗原決定基、あるいはPspAまたはその抗原決定基を発現するベクター、
(ii) PsaAまたはその抗原決定基およびPspCまたはその抗原決定基を一緒に発現するベクター、あるいはPsaAまたはその抗原決定基PsaA、PspAまたはその抗原決定基、およびPspCまたはその抗原決定基を一緒に発現するベクター。
【請求項２】PsaA、PspC、およびPspAまたはそれらの抗原決定基は、組換え技術によって産生される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】免疫活性成分がPsaAおよびPspCまたはそれらの抗原決定基である、請求項1に記載の組成物。
【請求項４】さらにアジュバントを含む、請求項3に記載の組成物。
【請求項５】前記アジュバントが、コレラ毒素のＢサブユニットまたはアルムである、請求項4に記載の組成物。
【請求項６】  動物に、請求項4、5のいずれか1つに記載の免疫学的な組成物を投与する段階を含んでなる、動物に免疫学的応答を誘発する方法。
【請求項７】  前記投与が、鼻腔内による、請求項6に記載の方法。
【請求項８】  宿主を、肺炎球菌感染に対して免疫する方法であって、免疫学的に有効量のPspAを、免疫学的に有効量のPspAとともに、宿主に同時投与することを含んでなる方法。
【請求項９】  前記投与が、鼻腔内による、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】  S. pneumoniaeの鼻咽頭内でのコロニー形成に対する防御免疫応答を誘発する目的で、肺炎球菌を保菌し易い宿主に対する鼻腔内投与用の免疫原性組成物であって、
(1)PspCおよびPsaAまたは(2)PspC、PsaA、およびPsaAのいずれか、あるいはそれらの免疫原生断片を含む、組成物。
【請求項１１】  肺炎球菌表面蛋白質型免疫原が、組換え技術によって産生された、請求項10に記載の免疫原性組成物。
【請求項１２】  さらにアジュバントを含むことを特徴とする請求項11に記載の組成物。
【請求項１３】  前記アジュバントは、コレラ毒素B（CTB）またはアルムであることを特徴とする請求項12に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月23日(2003.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フルベストラント、製剤の容積当たり３０重量％以下の医薬的に許容できるアルコール類、製剤の容積当たり少なくとも１重量％の、リシノレエートビヒクルに混和性の医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤、および少なくとも４５ｍｇ／ｍｌのフルベストラントの製剤を調製するのに十分な量のリシノレエートビヒクルを含む、筋肉内注射に適する医薬製剤。
【請求項２】
２５％ｗ／ｖ以下の医薬的に許容できるアルコール類を含有する、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項３】
２０％ｗ／ｖ以下の医薬的に許容できるアルコール類を含有する、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項４】
１５〜２５％ｗ／ｖの医薬的に許容できるアルコール類を含有する、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項５】
１７〜２３％ｗ／ｖの医薬的に許容できるアルコール類を含有する、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項６】
６０％ｗ／ｖ以下の医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤を含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項７】
５０％ｗ／ｖ以下の医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤を含有する、請求項６に記載の医薬製剤。
【請求項８】
４５％ｗ／ｖ以下の医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤を含有する、請求項６に記載の医薬製剤。
【請求項９】
４０％ｗ／ｖ以下の医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤を含有する、請求項６に記載の医薬製剤。
【請求項１０】
３５％ｗ／ｖ以下の医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤を含有する、請求項６に記載の医薬製剤。
【請求項１１】
３０％ｗ／ｖ以下の医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤を含有する、請求項６に記載の医薬製剤。
【請求項１２】
２５％ｗ／ｖ以下の医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤を含有する、請求項６に記載の医薬製剤。
【請求項１３】
１０〜２５％ｗ／ｖの医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤を含有する、請求項６に記載の医薬製剤。
【請求項１４】
１２〜１８％ｗ／ｖの医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤を含有する、請求項６に記載の医薬製剤。
【請求項１５】
フルベストラント、製剤の容積当たり１５〜２５重量％の医薬的に許容できるアルコール類、製剤の容積当たり１０〜２５重量％の、リシノレエートビヒクルに混和性の医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤、および少なくとも４５ｍｇ／ｍｌのフルベストラントの製剤を調製するのに十分な量のリシノレエートビヒクルを含む、筋肉内注射に適する医薬製剤。
【請求項１６】
フルベストラント、製剤の容積当たり１７〜２３重量％の医薬的に許容できるアルコール類、製剤の容積当たり１２〜１８重量％の、リシノレエートビヒクルに混和性の医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤、および少なくとも４５ｍｇ／ｍｌのフルベストラントの製剤を調製するのに十分な量のリシノレエートビヒクルを含む、筋肉内注射に適する医薬製剤。
【請求項１７】
医薬的に許容できるアルコール類がエタノールとベンジルアルコールの混合物である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項１８】
医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤が、安息香酸ベンジル、オレイン酸エチル、ミリスチン酸イソプロピル、パルミチン酸イソプロピル、またはそのいずれかの混合物から選択される、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項１９】
医薬的に許容できる非水性エステル系溶剤が安息香酸ベンジルである、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項２０】
フルベストラント、製剤の容積当たり１５〜２５重量％の医薬的に許容できるアルコール類、製剤の容積当たり１０〜２５重量％の、リシノレエートビヒクル中の安息香酸ベンジル、および少なくとも４５ｍｇ／ｍｌのフルベストラントの製剤を調製するのに十分な量のリシノレエートビヒクルを含む、筋肉内注射に適する医薬製剤。
【請求項２１】
フルベストラント、製剤の容積当たり１７〜２３重量％の医薬的に許容できるアルコール類、製剤の容積当たり１２〜１８重量％の、リシノレエートビヒクル中の安息香酸ベンジル、および少なくとも４５ｍｇ／ｍｌのフルベストラントの製剤を調製するのに十分な量のリシノレエートビヒクルを含む、筋肉内注射に適する、請求項２０に記載の医薬製剤。
【請求項２２】
医薬的に許容できるアルコール類がエタノールおよびベンジルアルコールの混合物である、請求項２０または２１に記載の医薬製剤。
【請求項２３】
エタノールおよびベンジルアルコールが製剤の容積当たりほぼ等しい重量％で存在する、請求項２２記載の医薬製剤。
【請求項２４】
製剤の全容積が６ｍｌ以下であり、かつフルベストラント濃度が少なくとも４５ｍｇ／ｍｌである、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項２５】
製剤中のフルベストラントの全量が２５０ｍｇ以上であり、かつ製剤の全容積が６ｍｌ以下である、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項２６】
製剤中のフルベストラントの全量が２５０ｍｇであり、かつ製剤の全容積が５〜５．２５ｍｌである、請求項２５に記載の医薬製剤。
【請求項２７】
医薬的に許容できるアルコール類が製剤の容積当たり１０重量％のエタノール、製剤の容積当たり１０重量％のベンジルアルコールの混合物であり、製剤が製剤の容積当たり１５重量％の安息香酸ベンジルを含有し、リシノレエートビヒクルがヒマシ油である、請求項１〜２６のいずれか１項に記載の医薬製剤。
【請求項２８】
医療に使用するための、請求項１〜２７のいずれか１項に記載の筋肉内注射に適する医薬製剤。
【請求項２９】
良性または悪性の胸部疾患または生殖路疾患の処置のための請求項１〜２８のいずれか１項に記載の医薬製剤の調製におけるフルベストラントの使用。
【請求項３０】
請求項２７に記載の医薬製剤を含有する注射器またはバイアル。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  液体反応溶媒中での、一般式(II)
【化１】
2003519678.tif 000001
（式中、Ｒは、下記の定義のとおりである）のアルデヒドとＮ−tert−ブチルヒドロキシルアンモニウムアセテートとの反応を含む、一般式(Ｉ)
【化２】
2003519678.tif 000002
（式中、各Ｒは、独立してＳＯ3Ｈまたはその塩を表す）の化合物の製造方法。
【請求項２】  ＲがＳＯ3-Ｎａ+を表す請求項１記載の方法。
【請求項３】  アルデヒド(II)の当量につき１.２５〜２.５当量のＮ−tert−ブチルヒドロキシルアンモニウムアセテート(III)を用いる請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】  アルデヒド(II)の当量につき１.６〜２.０当量のＮ−tert−ブチルヒドロキシルアンモニウムアセテート(III)を用いる請求項３記載の方法。
【請求項５】  反応溶媒がアルコールからなる請求項１〜４のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】  反応溶媒がアルコールの混合物からなる請求項１〜４のいずれか一項
記載の方法。
【請求項７】  アルコールがメタノールである請求項５記載の方法。
【請求項８】  反応溶媒が１０体積％までの水を含む請求項５〜７のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】  反応溶媒が５体積％の水を含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】  反応混合物にイソプロパノールを添加することによって結晶化を実施することを特徴とする、生成物を結晶化によって単離する請求項１〜９のいずれか一項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス噴霧化によるＦｅＣｒＡｌ材料の製造方法であって、前記材料が、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）に加えて、モリブデン（Ｍｏ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）の１つ以上を微量割合で含み、然も、噴霧化される溶融体が０．０５〜０．５０重量パーセントのタンタル（Ｔａ）と、０．１０重量パーセント未満のチタン（Ｔｉ）とを含むことを特徴とする、前記方法。
【請求項２】
噴霧化ガスとして窒素ガス（Ｎ2）を使用し、噴霧化ガスに一定量の酸素ガス（Ｏ2）を加えることを特徴とする請求項１記載の方法であって、前記酸素ガスの量を、噴霧化粉体の窒素含量が０．０１〜０．０６重量パーセントであるとき、噴霧化粉体が０．０２〜０．１０重量パーセントの酸素（Ｏ）を含むような量にする、前記方法。
【請求項３】
溶融体の組成を、噴霧化後に得られる粉体が重量パーセントで以下の組成を有するような組成にすることを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
Ｆｅ  バランス量，
Ｃｒ  １５〜２５，
Ａｌ  ３〜７，
Ｍｏ  ０〜５，
Ｙ  ０．０５〜０．６０，
Ｚｒ  ０．０１〜０．３０，
Ｈｆ  ０．０５〜０．５０，
Ｔａ  ０．０５〜０．５０，
Ｔｉ  ０〜０．１０，
Ｃ  ０．０１〜０．０５，
Ｎ  ０．０１〜０．０６，
Ｏ  ０．０２〜０．１０，
Ｓｉ  ０．１０〜０．７０，
Ｍｎ  ０．０５〜０．５０，
Ｐ  ０〜０．８，
Ｓ  ０〜０．００５
【請求項４】
溶融体の組成を、噴霧化後に得られる粉体が重量パーセントでおおよそ以下の組成を有するような組成にすることを特徴とする、請求項３記載の方法。
Ｆｅ  バランス量，
Ｃｒ  ２１，
Ａｌ  ４．７，
Ｍｏ  ３，
Ｙ  ０．２，
Ｚｒ  ０．１，
Ｈｆ  ０．２，
Ｔａ  ０．２，
Ｔｉ  ０．０５未満，
Ｃ  ０．０３，
Ｎ  ０．０４，
Ｏ  ０．０６，
Ｓｉ  ０．４，
Ｍｎ  ０．１５，
Ｐ  ０．０２未満，
Ｓ  ０．００１未満
【請求項５】
式（（３×Ｙ＋Ｔａ）×Ｏ）＋（（２×Ｚｒ＋Ｈｆ）×（Ｎ＋Ｃ））の値（式中、元素は溶融体中の重量パーセントで表わされている）が０．０４を超え且つ０．３５未満であることを特徴とする、請求項１、２、３又は４の方法。
【請求項６】
ガス噴霧化によって製造される粉体冶金ＦｅＣｒＡｌ合金からなる高温材料であって、その材料が鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）に加えて、モリブデン（Ｍｏ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）の１つ以上を微量割合で含み、然も、その材料が０．０５〜０．５０重量パーセントのタンタル（Ｔａ）と、０．１０重量パーセント未満のチタン（Ｔｉ）とを含むことを特徴とする、前記高温材料。
【請求項７】
ガス噴霧化によって得られる粉体が重量パーセントで以下の組成を有することを特徴とする、請求項６記載の高温材料。
Ｆｅ  バランス量，
Ｃｒ  １５〜２５，
Ａｌ  ３〜７，
Ｍｏ  ０〜５，
Ｙ  ０．０５〜０．６０，
Ｚｒ  ０．０１〜０．３０，
Ｈｆ  ０．０５〜０．５０，
Ｔａ  ０．０５〜０．５０，
Ｔｉ  ０〜０．１０，
Ｃ  ０．０１〜０．０５，
Ｎ  ０．０１〜０．０６，
Ｏ  ０．０２〜０．１０，
Ｓｉ  ０．１０〜０．７０，
Ｍｎ  ０．０５〜０．５０，
Ｐ  ０〜０．０８，
Ｓ  ０〜０．００５
【請求項８】
ガス噴霧化によって得られる粉体が重量パーセントでおおよそ以下の組成を有することを特徴とする、請求項７記載の高温材料。
Ｆｅ  バランス量，
Ｃｒ  ２１，
Ａｌ  ４．７，
Ｍｏ  ３，
Ｙ  ０．２，
Ｚｒ  ０．１，
Ｈｆ  ０．２，
Ｔａ  ０．２，
Ｔｉ  ０．０５未満，
Ｃ  ０．０３，
Ｎ  ０．０４，
Ｏ  ０．０６，
Ｓｉ  ０．４，
Ｍｎ  ０．１５，
Ｐ  ０．０２未満，
Ｓ  ０．００１未満
【請求項９】
式（（３×Ｙ＋Ｔａ）×Ｏ）＋（（２×Ｚｒ＋Ｈｆ）×（Ｎ＋Ｃ））の値（式中、元素は溶融体中の重量パーセントで表わされている）が０．０４を超え且つ０．３５未満であることを特徴とする、請求項６、７又は８の高温材料。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ入口およびチャンバ出口を備え、前記チャンバ入口が吸込ノズルと流体的に接続された、吸気流からの汚染物質の分離を助成するサイクロン気流チャンバと、
吸気流ダクトおよび排気流プレナムを備え、前記吸気流ダクトが前記チャンバ出口と直接連絡した排気フィルタハウジングと、
吸気入口および吸気出口を備え、前記吸気入口が前記吸気流ダクトと連絡して、前記吸気出口が前記排気流プレナムと連絡した気流吸込源と、
前記吸気流から汚染物質を濾過するため、前記吸込源の上流で前記サイクロン気流チャンバに取り付けられた一次フィルタアセンブリと、
を備える、真空掃除機。
【請求項２】
前記一次フィルタアセンブリは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）濾過材によるフィルタエレメントを含む、請求項１記載の真空掃除機。
【請求項３】
前記チャンバ入口は、前記サイクロン気流チャンバの外周から概ね径方向内方に前記吸気流を誘導し、
前記チャンバ入口は、前記チャンバ内部で接線方向に沿って前記吸気流を誘導する、前記気流チャンバ内に少なくとも部分的に配置されたダイバータを含む、請求項１記載の真空掃除機。
【請求項４】
前記排気フィルタハウジング内に配置された排気フィルタをさらに含み、
前記排気フィルタは、前記排気フィルタハウジングプレナムの径方向外方に配置され、それにより、前記吸込源からの排気が前記プレナムから前記排気フィルタを通って径方向外方に通過する、請求項１記載の真空掃除機。
【請求項５】
前記排気フィルタは、高性能微粒子除去（ＨＥＰＡ）濾過材を含む、請求項４記載の真空掃除機。
【請求項６】
前記排気フィルタハウジングは、形状が円筒形であり、前記サイクロン気流チャンバ下に配置されている、請求項４記載の真空掃除機。
【請求項７】
前記吸気流ダクトは、前記排気フィルタハウジングを通って中心に延び、
前記排気フィルタハウジングプレナムは、前記吸気流ダクトを囲む環状チャンバの範囲を定める、請求項１記載の真空掃除機。
【請求項８】
前記サイクロン気流チャンバは、前記吸気流から分離されたごみを保持する集塵容器、および、前記集塵容器に脱着可能に固定されたカバーによって範囲を定められ、
前記カバーは、前記集塵容器を当該真空掃除機に脱着可能に固定するためのラッチ機構を備える、請求項１記載の真空掃除機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アプリケータ内の物体のマイクロ波処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アプリケータが、該アプリケータ内に配置された誘電体インピーダンス適合手段を備え、該誘電体インピーダンス適合手段は、一方で、処理対象である物体に対して補足的な形状を有し、他方で、尖った断面を含む少なくとも一つの突出端を有しており、前記突出端は、マイクロ波の放射にさらされ、
前記誘電体インピーダンス適合手段は、加熱対象である前記物体の平均の誘電率にできる限り近い誘電率を有する誘電体材料により作製された部分であることを特徴とするアプリケータ内の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項２】  前記誘電体インピーダンス適合手段が、加熱対象である前記物体の断面の少なくとも一部に等しい底部を含む立体を有しており、前記立体の高さは、前記アプリケータを充填する場合の充填条件により制限されていることを特徴とする請求項１記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項３】  前記誘電体インピーダンス適合手段が、処理対象である前記物体に対し、空間における３次元の少なくとも一つの次元の方向に配置されたインタフェース用アダプタを形成する先端部を有していることを特徴とする請求項１または２記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項４】  前記誘電体インピーダンス適合手段が、円筒形の内部の空洞（９）、および、中間回転部（３）を有する外形を含む管状部（２）と、２つの端部（４）とを有しており、前記２つの端部（４）の各々は、前記中間回転部から離れるにつれて次第に細くなるような円錐台の形状を有し、かつ、伝搬用アダプタを形成する前記管状部（２）の端部の各々に結合され、さらに、前記誘電体インピーダンス適合手段は、インタフェース用アダプタを形成するような中空でない円錐形の部分（７、８）を有していることを特徴とする請求項２または３記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項５】  前記中間回転部（３）が、円筒形の外形を有していることを特徴とする請求項４記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項６】  前記中間回転部が、大きな底部または小さな底部にて結合される円錐台によって形成されることを特徴とする請求項４記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項７】  平行六面体の物体を加熱するために、前記マイクロ波処理装置が、柱状のアンテナ（２６）により伸長された少なくとも一つの導波管（２４）を備え、ここで、前記柱状のアンテナ（２６）は、少なくとも一つの物体（２０）における少なくとも一つの面の側部に配置され、さらに、前記誘電体インピーダンス適合手段は、少なくとも一つの前記アンテナに収容された柱状部（３０）を有していることを特徴とする請求項２および３記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項８】  誘電体の前記柱状部の自由面が、加熱対象である前記平行六面体の物体の対応する面に接触した状態で配置されることを特徴とする請求項７記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項９】  加熱対象である少なくとも一つの前記物体が、他の処理動作に対しても遂行可能な状態を維持すべきものである場合、前記誘電体インピーダンス適合手段と平行六面体の形状の前記物体（２０）の表面との間に、エアギャップ（２９）が提供され、ここで、該エアギャップ（２９）の値は、加熱対象である前記物体（２０）の誘電率の関数であり、かつ、前記誘電体インピーダンス適合手段の誘電率の関数であることを特徴とする請求項７記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項１０】  前記エアギャップ（２９）の値が、伝搬モードの整数の半波長の値より小さいかまたは等しいことを特徴とする請求項９記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項１１】  前記誘電体インピーダンス適合手段が、加熱対象である物体（５０）に対してくぼみ型（４８）を提供するような平行六面体の形状の中間部（４２）と、底部にて前記中間部（４２）の端部に結合される２つの柱状の先端部（４３、４４）とを具備しており、前記２つの柱状の先端部（４３、４４）の各々において、前記底部の反対側の部分に位置するリッジ（４５、４６）が、前記誘電体インピーダンス適合手段における電波の伝搬方向に関し該電波を横切る方向に配置され、ここで、前記２つの柱状の先端部（４３、４４）は、インタフェース用アダプタを形成することを特徴とする請求項２また３記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項１２】  加熱対象である前記物体における電波伝搬を助けるために、異なる誘電率を有する幾つかの誘電体材料が互いに結合され、これによって、誘電率の勾配が形成されることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項１３】  前記誘電体インピーダンス適合手段の誘電体の部分が、それぞれ異なる材料からなる複数の層によって形成される場合、中央部の層が、加熱対象である物体の誘電率に近い値の誘電率を有していることを特徴とする請求項１２記載の物体のマイクロ波処理装置。
【請求項１４】  前記マイクロ波処理装置が、アプリケータ（５１）内に配置されたコンベヤベルト（５２）を備え、該コンベヤベルト（５２）は、処理対象である前記物体に適合されるような誘電率を有する材料により作製され、ここで、前記コンベヤベルトは、インタフェース用アダプタの底部（６６、６８）により規定されるギャップ（７０）内で動かすことが可能であり、前記インタフェース用アダプタの前記底部（６６、６８）は、前記コンベヤベルトの上部および下部に配置され、かつ、マイクロ波による処理対象の前記物体、例えば食品用トレイ（５６）を受け入れるためのセル（５４）を有していることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の物体のマイクロ波処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
管状部２、および円錐形の部分７、８は、並行して配置される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
上記アダプタ（３、７および８）は、アプリケータ内で支持体（図示していない）上に配置される。さらに、この支持体は、インタフェース用アダプタがアプリケータ内で伝搬する電波の電界に対して平行になるように配置されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図３に示すアプリケータは、矩形の導波管４０を具備している。この導波管４０内には、平行六面体の形状の中間部４２と、２つの柱状の先端部４３、４４とを有するアダプタ４１が配置されている。上記２つの柱状の先端部４３、４４は、その底部にて上記中間部４２の２つの端部にそれぞれ結合される。さらに、上記２つの柱状の先端部の各々において、その底部の反対側の部分に位置するリッジ４５、４６が、上記導波管４０における電波の伝搬方向に関し上記電波を横切る方向に配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】前記関連付けと引き換えに前記情報データベースのオペレータから料金を要求するステップを有する、請求項２３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入装置のインプロセス電荷モニター及び制御システム（32）であって、
(i)イオンビーム（18）によって注入される位置へ複数のウエハ（W)が配置可能となり、さらに、隣接するウエハの間に配置されかつ前記ウエハの表面よりも幾分電気導電性が良い部分と、前記複数の各ウエハからほぼ等距離にある中心（31）と、前記中心からほぼ等距離に配置された第１、第２の開口（64,66）とを有するウエハ支持体（22）を含み、さらに、該ウエハ支持体には、前記第１、第２の開口（64,66）をそれぞれ通過する前記イオンビーム（18a、18b)の第１、第２の部分を受け入れて第１、第２の出力信号（44,42）を出力するための第１、第２の電荷モニター（40,38）が設けられており、さらに、
(i)  前記第１、第２の出力信号（44,42）と比較し、かつ前記第１、第２の電荷モニター（40,38）によって受取ったイオンビーム電流における差を示す第３出力信号（48）を出力する比較器（46）を含み、
前記ウエハ支持体（22）は、前記中心（31）を通る１つの軸線回りに回転する回転ディスクであり、前記軸線は、前記回転ディスク上の表面に垂直となり、さらに、前記第３出力信号（48）は、イオン注入装置の電荷中和システム（33）への入力として用いられることを特徴とするインプロセス電荷モニター及び制御システム。
【請求項２】
第１開口（64）は、第２開口（66）よりもウエハにより近接して配置されていることを特徴とする請求項１記載のインプロセス電荷モニター及び制御システム。
【請求項３】
第１開口（64）および第２開口（66）は、それぞれウエハ（W)からほぼ等距離に配置されていることを特徴とする請求項１記載のインプロセス電荷モニター及び制御システム。
【請求項４】
回転ディスク（22）はアルミニウムから作られ、かつ注入される前記ウエハ（W)はその表面に絶縁層を有していることを特徴とする請求項１記載のインプロセス電荷モニター及び制御システム。
【請求項５】
第３出力信号（48）は、イオン注入装置の線量制御システム（35）への入力として用いられることを特徴とする請求項１記載のインプロセス電荷モニター及び制御システム。
【請求項６】
回転ディスク（22）は、シリコン被膜されていることを特徴とする請求項１記載のインプロセス電荷モニター及び制御システム。
【請求項７】
イオン注入装置（10）であって
(i)  一般的に正に荷電されたイオンビーム（18）を出力するイオン源（12）と、
(ii)  前記イオンビームの正味正電荷を中和するために、低エネルギー電子を供給する電荷中和システム（33）と、
(iii)  (a) 複数のウエハ（W)をイオンビーム（18）によって注入される位置へ配置可能であり、隣接するウエハの間に配置されかつ前記ウエハの表面よりも幾分電気導電性が良い部分と、前記複数の各ウエハからほぼ等距離にある中心（31）と、前記中心からほぼ等距離に配置された第１、第２の開口（64,66）とを有するウエハ支持体（22）と、(b)  該第１、第２の開口（64,66）をそれぞれ通過する前記イオンビーム（18a、18b)の第１、第２の部分を受け入れて、受け入れられたイオンビーム電流の量を示す第１、第２の出力信号（44,42）を出力するための第１、第２の電荷モニター（40,38）と、(c)  前記第１、第２の出力信号（44,42）と比較し、かつ前記第１、第２の電荷モニター（40,38）によって受取ったイオンビーム電流における差を示す第３出力信号（48）を出力する比較器（46）とを含み、
前記第３出力信号は、低エネルギー電子の供給を制御するために前記電荷中和システム（33）への入力として用いられることを特徴とするイオン注入装置。
【請求項８】
第１開口（64）は、第２開口（66）よりもウエハにより近接して配置されていることを特徴とする請求項７記載のイオン注入装置。
【請求項９】
第１開口（64）および第２開口（66）は、それぞれウエハ（W)からほぼ等距離に配置されていることを特徴とする請求項７記載のイオン注入装置。
【請求項１０】
ウエハ支持体（22）は、中心（31）を通る１つの軸線回りに回転する回転ディスクであり、前記軸線は、前記回転ディスク上の表面に垂直となっていることを特徴とする請求項７記載のイオン注入装置。
【請求項１１】
回転ディスク（22）はアルミニウムから作られ、かつ注入される前記ウエハ（W)はその表面に絶縁層を有していることを特徴とする請求項１０記載のイオン注入装置。
【請求項１２】
回転ディスク（22）は、シリコン被膜されていることを特徴とする請求項１０記載のイオン注入装置。
【請求項１３】
注入されるウエハ上に蓄積する電荷を中和する方法であって、
(i)  イオン源を用いて一般的に正に荷電したイオンビームを用意し、
(ii)  イオンビームの正味の正電荷を中和するために低エネルギー電子を供給することによって、ウエハの表面に注入するために運ばれた前記イオンビームを中和する電荷中和システム（33）を設け、
(iii)  隣接するウエハの間に配置されかつ前記ウエハの表面よりも幾分電気導電性が良い部分と、前記中心（31）からほぼ等距離に配置された第１、第２の開口（64,66）とを有する回転支持体（22）の中心から等距離の周回りに複数のウエハを配置し、
(iv)  第１、第２の開口（64,66）を貫通する前記イオンビーム（18a、18b)の第１、第２の部分をモニターし、
(v)  前記イオンビームの第１、第２の部分において検出されたイオンビーム電流の量を示すそれぞれの第１、第２の出力信号（44,42）を出力し、
(vi)  前記第１、第２の出力信号（44,42）を比較し、そして、前記出力信号間の差を示す第３出力信号（48）を出力し、
(vii)  前記電荷中和システムによって生じた低エネルギー電子の供給を制御するために、前記第３出力信号（48）を前記電荷中和システム（33）に入力する、各ステップを含んでいることを特徴とする電荷中和方法。
【請求項１４】
回転ディスク（22）はアルミニウムから作られ、かつ注入される前記ウエハ（W)はその表面に絶縁層を有していることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
回転ディスク（22）は、シリコン被膜されていることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
第１開口（64）は、第２開口（66）よりもウエハにより近接して配置されていることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
第１開口（64）および第２開口（66）は、それぞれウエハ（W)からほぼ等距離に配置されていることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月11日(2003.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１の炭化ケイ素層および第２の炭化ケイ素層を有する半導体構造中の自己整合バイポーラ接合トランジスタを製造する方法であって、
底壁および対向する側壁を有するトレンチを、前記第２の炭化ケイ素層中に形成することと、
所定の厚みを有するスペーサ層を、前記トレンチの前記底壁および側壁を含む前記第２の炭化ケイ素層上に共形的(conformally)に堆積することと、
前記側壁間の前記トレンチの前記底壁の一部から前記スペーサ層を異方性エッチングして、前記トレンチの前記底壁の一部を露出させ、前記スペーサ層の少なくとも一部を前記側壁上に残すことと、
前記底壁の前記露出部分の下方の領域にドーパントをドーピングして、前記底壁の下方にドープドウェル(doped well)領域を形成することと、
前記スペーサ層を除去することと、を備えていることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
第１導電型の第１の炭化ケイ素層と、前記第１の層上にエピタキシャル堆積され、前記第１導電型と反対の第２導電型の第２の炭化ケイ素層とを有する半導体構造中の自己整合バイポーラ接合トランジスタを製造する方法であって、
前記第２の炭化ケイ素層をエッチングして、前記第１の炭化ケイ素層と対向する第１の表面および対向する側壁を有する少なくとも１つのピラーと、前記ピラーに隣接する水平面とを形成することと、
所定の厚みを有するスペーサ層を、前記ピラーの前記第１の表面、前記対向する側壁、および前記ピラーに隣接する前記水平面上に形成することと、
前記ピラーに隣接する前記水平面から前記スペーサ層を異方性エッチングし、前記スペーサ層の少なくとも一部を前記ピラーの前記側壁上に残して、前記水平面を露出させることと、
前記水平面の前記露出部分の下方の前記第２の層の一部に、前記第１導電型のドーパントをドーピングして、前記第２の層内にドープドウェル領域を形成することと、
前記スペーサ層を除去することと、を備えていることを特徴とする方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
第１導電型の第１の炭化ケイ素層と、前記第１の層上にエピタキシャル堆積された、前記第１導電型と反対の第２導電型の第２の炭化ケイ素層と、前記第２の層上にエピタキシャル堆積された前記第１導電型の第３の炭化ケイ素層とを有する半導体構造中の自己整合バイポーラ接合トランジスタを製造する方法であって、
底壁および対向する側壁を有するトレンチを、前記第３の炭化ケイ素層中に形成することと、
所定の厚みを有するスペーサ層を、前記トレンチの前記底壁および側壁を含む前記第３の炭化ケイ素層上に堆積することと、
前記側壁間の前記トレンチの前記底壁の一部から前記スペーサ層を異方性エッチングし、前記スペーサ層の少なくとも一部を前記側壁に残して、前記トレンチの前記底壁の一部を露出させることと、
前記底壁の前記露出部分の下方の前記第２の層の一部に第１導電型のドーパントをドーピングして、前記第２の層内にドープドウェル領域を形成することと、
前記スペーサ層を除去することと、を備えていることを特徴とする方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
第１導電型の第１の炭化ケイ素層と、前記第１の層上にエピタキシャル堆積された、前記第１導電型と反対の第２導電型の第２の炭化ケイ素層と、前記第２の層上にエピタキシャル堆積された前記第１導電型の第３の炭化ケイ素層とを有する半導体構造中の自己整合バイポーラ接合トランジスタを製造する方法であって、
前記第３の炭化ケイ素層をエッチングして、最上壁および対向する側壁を有する少なくとも１つのピラーと、前記ピラーに隣接する水平面とを形成することと、
所定の厚みを有するスペーサ層を、前記ピラーの最上壁および側壁と前記ピラーに隣接する前記水平面とを含む構造上に形成することと、
前記ピラーに隣接する前記水平面から前記スペーサ層を異方性エッチングし、前記スペーサ層の少なくとも一部を前記ピラーの前記側壁上に残して、前記水平面を露出させることと、
前記水平面の前記露出部分の下方の前記第２の層の一部に、前記第１導電型のドーパントをドーピングして、前記第２の層内にドープドウェル領域を形成することと、
前記スペーサ層を除去することと、を備えていることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  長さ方向に２つの相対する終端部と中央部とをもつ光導波管と、電流を通電して駆動するために前記光導波管の長さ方向に沿って印加される接触層を形成する導電層領域とを有する、特に、分布帰還型半導体レーザ或いは半導体変調器のような電気光学装置であって、
前記接触層は、前記長さ方向に変化し前記中央部よりも前記終端部における領域において高い電気抵抗値となる電気抵抗をもち、
前記変化する電気抵抗は電力を大きくさせたり、或いは前記光導波管内部の利得を前記長さ方向に一定或いは均一にさせるように適合されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】  前記接触層は最大で前記２つの相対する終端部にまで前記光導波管にわたり伸長しており、かつ実質的に一定或いは均一な層厚をもっており、
前記接触層は接続領域において電気的な導通経路と接続されており、
前記接触層は前記導電層の平面において構成或いはパターンをもち、前記接続領域と前記光導波管の領域との間に電気抵抗を与え、
前記電気抵抗は前記相対する終端部に近接した閾値にある領域が前記中央部に位置する領域よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】  前記接触層の前記構成或いはパターンは前記相対する終端部から伸長する２つの相対する側辺を有し、
前記相対する側辺は前記長さ方向に対して鋭角を形成することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】  前記相対する側辺は凹形をしており、前記中央部へと向かう方向に湾曲していることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】  前記接続領域は、前記装置の前記長さ方向に平行な長さ方向をもっていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項６】  前記接触層の前記構成或いはパターンは、実質的には、２つの平行した辺と２つの傾斜した側辺とをもつ台形のそれに対応しており、
前記平行した辺の長い方は実質的に前記装置の前記光導波管に対応して位置しており、前記平行した辺の短い方は前記接続領域に位置していることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項７】  前記２つの傾斜した側辺は、前記平行した辺の前記長い方に対して鋭角をもって位置することを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】  前記接続領域は、前記中央部から離れた位置で細長い形をしていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項９】  前記接触層の前記細長い形の長さ方向の軸は実質的に前記装置の長さ方向の軸に平行であることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。