【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3が、下記一般式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）及び（ｊ）でそれぞれ表される基からなる群より選ばれる１種の基である、請求項２に記載した有機電界発光素子。
【化２】
1999176577.tif 000001
【化３】
1999176577.tif 000002
【化４】
1999176577.tif 000003
〔但し、前記一般式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）及び（ｊ）において、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は、それぞれ独立に同一若しくは異なる基であって、水素原子、アルキル基、単環芳香族基、ビフェニル基、ターフェニル基、縮合多環芳香族基、ヘテロ芳香族基、１級、２級又は３級アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシル基およびチオエーテル基からなる群より選ばれる１種の基である。〕
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記Ａｒ1 、Ａｒ2 及びＡｒ3 が、下記一般式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）及び（ｊ）でそれぞれ表される基からなる群より選ばれる１種の基である、請求項９に記載したテトラアミン誘導体。
【化６】
1999176577.tif 000004
【化７】
1999176577.tif 000005
【化８】
1999176577.tif 000006
〔但し、前記一般式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）及び（ｊ）において、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は、それぞれ独立に同一若しくは異なる基であって、水素原子、アルキル基、単環芳香族基、ビフェニル基、ターフェニル基、縮合多環芳香族基、ヘテロ芳香族基、１級、２級又は３級アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシル基およびチオエーテル基からなる群より選ばれる１種の基である。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明の有機電界発光素子及びテトラアミン誘導体において、前記一般式（１）における前記Ａｒ1、Ａｒ2、及びＡｒ3が、下記一般式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）及び（ｊ）でそれぞれ表される基からなる群より選ばれる１種の基であることが望ましい。
【化１４】
1999176577.tif 000007
【化１５】
1999176577.tif 000008
〔但し、前記一般式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）及び（ｊ）において、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は、それぞれ独立に同一若しくは異なる基であって、水素原子、アルキル基、単環芳香族基、ビフェニル基、ターフェニル基、縮合多環芳香族基、ヘテロ芳香族基、１級、２級又は３級アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシル基およびチオエーテル基からなる群より選ばれる１種の基である。なお、これらの各官能基は、置換基を有していてもよい。〕
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に前記一般式（１）におけるＲ1、Ｒ2、及びＲ3を具体的に説明する。前記Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、それぞれ独立に同一若しくは異なる基であって、水素原子、アルキル基、単環芳香族基、ビフェニル基、ターフェニル基、縮合多環芳香族基及びヘテロ芳香族基からなる群より選ばれる基である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
前記一般式（１）で表されるテトラアミン誘導体は、下記一般式（２）で表されるアミンのハロゲン化誘導体と下記一般式（３）で表されるアミンとを、遷移金属或いはその錯化合物からなる触媒存在下、合成反応中に生じるハロゲン化水素を中和するのに十分な量のアルカリ塩を加え、溶媒中或いは無溶媒下で、不活性ガス雰囲気中、１２０〜２５０℃で縮合反応させることによって得られる（例えば、Synthesis,３８３−３８５（１９８７）、第７２回日本化学会学会春季年会予稿集II、１３１３頁参照）。このとき、アルカリ塩の解離を促進することを目的として、相間移動触媒を加えてもよい。
【化２１】
1999176577.tif 000009
〔但し、前記一般式（３）において、Ａｒnは前記Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3からなる群より選ばれる１種の基であり、Ｒnは前記Ｒ1、Ｒ2及びＲ3から選ばれる１種の基である。〕
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
なお、前記構造式（Ａ）で表される化合物（以下、化合物Ａとする。）は、前記一般式（１）におけるＲ1、Ｒ2及びＲ3がそれぞれフェニル基、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3がそれぞれナフチル基〔前記一般式（ａ）においてＲ4、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7がそれぞれ水素原子〕の化合物であり、
前記構造式（Ｂ）で表される化合物（以下、化合物Ｂとする。）は、前記一般式（１）におけるＲ1、Ｒ2及びＲ3がそれぞれフェニル基、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3がそれぞれ前記一般式（ａ）で表される化合物（但し、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ水素原子であり、Ｒ7はメチル基である）の化合物であり、
前記構造式（Ｃ）で表される化合物〔以下、化合物Ｃとする。〕は、前記一般式（１）におけるＲ1、Ｒ2及びＲ3がそれぞれフェニル基、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3がそれぞれアントリル基〔前記一般式（ｃ）においてＲ11及びＲ12がそれぞれ水素原子〕の化合物である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、特に、正孔輸送層６や第２正孔輸送層１１が本発明のテトラアミン誘導体からなる層であることが望ましいが、これらの正孔輸送層を前記テトラアミン誘導体のみで形成してもよく、或いは、前記テトラアミン誘導体と他の正孔輸送材料（例えば、芳香族アミン類）との共蒸着によって形成してもよい。さらに、これらの正孔輸送層において、正孔輸送性能を向上させるために、複数種の正孔輸送材料を積層した正孔輸送層を形成してもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
同様に、７．７６ｇ（３５．４ｍｍｏｌ）の１−ナフチル−フェニルアミンの代わりに、９．５３ｇ（３５．４ｍｍｏｌ）の１−アントリル−フェニルアミンを用いた以外は、上述した化合物Ａの調製方法と同様に、前記構造式（Ｃ）で表される化合物Ｃを調製した。