【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され被処理材を載置する基板電極、該基板電極に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源及び前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理室内に配置した被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記基板バイアス電源から出力された高周波電圧波形の正側あるいは負側の少なくともいずれか一方の電圧を時間的に傾斜を有して変動する電圧に平坦化するクリップ回路を有し、前記クリップ回路は相互に直列接続したダイオード及び直流電源部を備え、該直流電源部の電圧を調整して時間的に変動するクリップ電圧の傾斜を調整し、前記被処理材に発生する高周波電圧の電圧波形を正電圧側あるいは負電圧側で任意の電圧に平坦化する高周波電圧波形制御回路を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され被処理材を載置する基板電極、該基板電極に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源及び前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理室内に配置した被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ生成手段は真空処理室内に配置され該真空処理室内に高周波電力を供給し、てプラズマを生成するアンテナ及びアンテナバイアス電圧を前記アンテナに供給するためのアンテナバイアス電源を備え、
前記基板バイアス電源から出力された高周波電圧波形の正側あるいは負側の少なくともいずれか一方の電圧を時間的に傾斜を有して変動する電圧に平坦化するクリップ回路を有し、前記クリップ回路は相互に直列接続したダイオード及び直流電源部を備え、該直流電源部の電圧を調整して時間的に変動するクリップ電圧の傾斜を調整し、前記被処理材に発生する高周波電圧の電圧波形を正電圧側あるいは負電圧側で任意の電圧に平坦化する高周波電圧波形制御回路を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２の記載において、
基板バイアス電源はクリップ回路によりクリップされた電圧を静電吸着回路と直流的に遮断するためのコンデンサおよび静電吸着回路を介して被処理材に供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項２の記載において
前記基板バイアス電源の周波数は前記アンテナバイアス電源の周波数と同一周波数であり、位相は略逆位相であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２の記載において、
基板バイアス電源は所定のデューティ比でオンオフする時間変調高周波電源であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され被処理材を載置する基板電極、該基板電極に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源及び前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理室内に配置した被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記基板バイアス電源から出力された高周波電圧波形の正側あるいは負側の少なくともいずれか一方の電圧を時間的に傾斜を有して変動する電圧に平坦化するクリップ回路を有し、前記クリップ回路は相互に直列接続したダイオード及び直流電源部を備え、該直流電源部の電圧を調整して時間的に変動するクリップ電圧の傾斜を調整し、前記被処理材に発生する高周波電圧の電圧波形を正電圧側あるいは負電圧側で任意の電圧に平坦化することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され被処理材を載置する基板電極、該基板電極に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源及び前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理室内に配置した被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ生成手段は真空処理室内に配置され該真空処理室内に高周波電力を供給してプラズマを生成するアンテナ及びアンテナバイアス電圧を前記アンテナに供給するためのアンテナバイアス電源を備え、
前記基板バイアス電源から出力された高周波電圧波形の正側あるいは負側の少なくともいずれか一方の電圧を時間的に傾斜を有して変動する電圧に平坦化するクリップ回路を有し、前記クリップ回路は相互に直列接続したダイオード及び直流電源部を備え、該直流電源部の電圧を調整して時間的に変動するクリップ電圧の傾斜を調整し、前記被処理材に発生する高周波電圧の電圧波形を正電圧側あるいは負電圧側で任意の電圧に平坦化することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７の記載において、
基板バイアス電源はクリップ回路によりクリップされた電圧を静電吸着回路と直流的に遮断するためのコンデンサおよび静電吸着回路を介して被処理材に供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項７の記載において
前記基板バイアス電源の周波数は前記アンテナバイアス電源の周波数と同一周波数であり、位相は略逆位相であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】
請求項６または請求項７の記載において、
基板バイアス電源は所定のデューティ比でオンオフする時間変調高周波電源であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１１】
請求項６または請求項７の記載において、
前記被処理材を高アスベクト比でエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１２】
請求項６または請求項７の記載において、
前記被処理材を高選択比でエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１３】
請求項６または請求項７の記載において、
前記被処理材を高精度形状制御エッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１４】
請求項１１ないし請求項１３の何れか１つの記載において、
前記プラズマ処理は、半導体デバイス製造工程のディープトレンチ加工または、ホール加工、ＨＡＲＣ（Ｈｉｇｈ  Ａｓｐｅｃｔ  Ｒａｔｉｏ  Ｃｏｎｔａｃｔ）加工、ゲート材料（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＳｉＧｅ、メタル系材料およびダマシンゲートを含む）の加工、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）加工、配線材料（Ａｌ，ＴｉＮ、Ｗ系）加工、低誘電率材料（Ｓｉｌｋ、ＦＬＡＲＥ、ＦＳＧ、ＭＳＱ、ＳｉＯＣ，ＨＯＳＰ）の加工、あるいは配線接続部、積層チップのスーパーコネクト、マイクロマシン、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）の加工であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
真空処理室、該真空処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置、前記真空処理室内に配置され被処理材を載置する基板電極、該基板電極に基板バイアス電圧を供給する基板バイアス電源及び前記真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理室内に配置した被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記基板バイアス電源から出力された高周波電圧波形の正側あるいは負側の少なくともいずれか一方の電圧を時間的に傾斜を有して変動する電圧に平坦化するクリップ回路を有し、前記クリップ回路は相互に直列接続したダイオード及び直流電源部を備え、該直流電源部の電圧を調整して時間的に変動するクリップ電圧の傾斜を調整し、前記被処理材に発生する高周波電圧の電圧波形を正電圧側あるいは負電圧側で任意の電圧に平坦化する高周波電圧波形制御回路を有する。