Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハを収納するカセットの蓋を対面させる開口部を開閉すると共に前記蓋を保持し得る遮蔽ドアと、前記蓋を保持した状態で前記蓋及び遮蔽ドアの着脱を行なうべく前記遮蔽ドアを進退させると共に昇降させる駆動機構と、を備えたカセット蓋着脱装置であって、
前記開口部の領域に、ウェーハの主面と略直交する方向に投光する反射型の光センサを設け、
前記反射型の光センサは、前記開口部の上縁部側に配置された上側光センサと、前記開口部の下縁部側に配置された下側光センサと、を含み、
前記上側光センサ及び下側光センサは、各々の光軸がウェーハの主面に沿う方向において離隔する位置に配置されている、
ことを特徴とするカセット蓋着脱装置。
【請求項２】
前記反射型の光センサは、光の透過を許容する導電性の樹脂カバーにより覆われている、
ことを特徴とする請求項１に記載のカセット蓋着脱装置。
【請求項３】
前記反射型の光センサによる検出タイミングは、前記駆動機構により前記蓋及び遮蔽ドアが昇降動作を行なう前に、設定されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のカセット蓋着脱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のカセット蓋着脱装置は、ウェーハを収納するカセットの蓋を対面させる開口部を開閉すると共に蓋を保持し得る遮蔽ドアと、蓋を保持した状態で蓋及び遮蔽ドアの着脱を行なうべく遮蔽ドアを進退させると共に昇降させる駆動機構とを備えたカセット蓋着脱装置であって、上記開口部の領域に、ウェーハの主面と略直交する方向に投光する反射型の光センサを設け、反射型の光センサは、開口部の上縁部側に配置された上側光センサと、開口部の下縁部側に配置された下側光センサと、を含み、上側光センサ及び下側光センサは、各々の光軸がウェーハの主面に沿う方向において離隔する位置に配置されている、ことを特徴としている。
【０００８】
この構成によれば、駆動機構が蓋を保持した状態にある遮蔽ドアを後退させて、蓋及び遮蔽ドアを離脱させる行程において、カセット内に収納されたウェーハが、例えば蓋に密着して引っ張り出されると、反射型の光センサが、所定の収納位置から飛び出したウェーハを検出する。特に、反射型の光センサで検出するため、ウェーハが不透明体又は透明体のいずれであっても、ウェーハが光路上にあれば確実に検出される。また、反射型の光センサによる投光は、ウェーハの外周縁ではなく平坦な主面に対して行なわれるため、より高精度な検出が行なえる。
このように、ウェーハの位置ずれが検出されることで、移送ロボットその他の移動体等が、飛び出したウェーハに衝突するのを未然に防止でき、ウェーハの破損等を防止できる。
また、上側光センサと下側光センサとでそれぞれセンシングを行なうことで、より高精度な検出が行なえる。特に、カセットに収納された複数のウェーハのうち、主に上側半分のウェーハを上側光センサに検出させ、主に下側半分のウェーハを下側光センサに検出させることができる。したがって、検出距離も略半分の領域となり、より高精度で安定した検出が可能となる。
さらに、上側光センサの光軸と下側光センサの光軸とがお互いにずれた位置にあるため、相互の干渉が防止され、高精度な検出が行なえる。特に、光センサとして相互干渉防止機能の無いものを用いる場合に好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄板形状による複数の二次電池セルを端子板により接続して形成された二次電池ユニットと、
前記二次電池ユニットの電力を外部機器に供給可能に、前記二次電池ユニットを保持する外装ケースとを有し、
前記二次電池セルは、
１つの端面に、長手方向に順次並んで正極端子及び負極端子が設けられ、
前記二次電池ユニットは、
前記正極端子及び負極端子が同一の側に位置するように、複数の前記二次電池セルをそれぞれ積層して複数組の二次電池セルが形成され、
前記正極端子及び負極端子が同一の側に位置するように、前記長手方向に、前記複数組の二次電池セルが順次並んで配置され、
前記同一の側に位置する各二次電池セルの前記正極端子及び負極端子を、前記端子板により接続して形成され、
前記端子板は、
表側面と裏側面とに形成されたランドに、それぞれ前記二次電池セルの正極端子及び負極端子を接続し、前記ランド間の配線パターンにより、前記複数の二次電池セルを直並列に接続する
ことを特徴とするバッテリパック。
【請求項２】
前記各組において、前記二次電池セルは、
同一面が向き合うように積層されて保持された
ことを特徴とする請求項１に記載のバッテリパック。
【請求項３】
前記二次電池セルは、
前記長手方向に、正極端子及び負極端子が偏って設けられた
ことを特徴とする請求項１に記載のバッテリパック。
【請求項４】
前記端子板は、
金属板材による配線パターンの両面を絶縁シートによりそれぞれ覆い、ほぼ２つ折りにして形成された
ことを特徴とする請求項１に記載のバッテリパック。
【請求項５】
前記端子板は、
前記二次電池セルの充放電を制御する充放電制御回路を搭載した配線基板が積層されて接続され、
前記配線基板を介して、前記二次電池セルの電力を前記外部機器に出力する
ことを特徴とする請求項１に記載のバッテリパック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
二次電池ユニット３は、このバッテリパック１に適用される薄板形状による二次電池セル６Ａ〜６Ｆを後述する端子板により接続して形成されたアッセンブリ品である。上ケース４は、樹脂材料を射出成形して形成され、二次電池ユニット３の厚みの厚い側について、下ケース２を覆って二次電池ユニット３を保持する。また上ケース５は、金属板材をプレス加工して作成され、二次電池ユニット３の厚みの薄い側について、下ケース２を覆って二次電池ユニット３を保持する。かくするにつき、バッテリパック１においては、このように厚みの厚い側については樹脂製の上ケース４により下ケース２を覆い、厚みの薄い側については金属板材による上ケース５により下ケース２を覆うことにより、全体の厚みを極力薄くするようになされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
配線基板８においては、コネクタ３Ａと、これら二次電池セル６Ａ及び６Ｄ、６Ｂ及び６Ｅ、６Ｃ及び６Ｆの充放電を制御する充放電制御回路２０が配置される。すなわち充放電制御回路２０は、各二次電池セル６Ａ及び６Ｄ、６Ｂ及び６Ｅ、６Ｃ及び６Ｆの端子間電圧の監視により、二次電池セル６Ａ及び６Ｄ、６Ｂ及び６Ｅ、６Ｃ及び６Ｆの過充電、過放電を防止し、さらには充放電電流の監視により充放電を停止制御する。また図示しないサーミスタにより二次電池セル６Ａ〜６Ｆの温度を監視し、異常な放電を防止する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
温度制御部品９は、サーモスタット９Ａ、９Ｂ、温度ヒューズ９Ｃの直列回路により構成され（図１）、充放電制御回路２０とコネクタ３Ａとの間に配置され、これによりバッテリパック１の事故を防止する。かくするにつき温度制御部品９は、これらサーモスタット９Ａ、９Ｂ、温度ヒューズ９Ｃの直列回路が端子板７と二次電池セル６Ａ〜６Ｆの正極端子及び負極端子との間の隙間に配置されるようになされ、これによりこのバッテリパック１では、微小な内部空間を有効に利用して温度制御部品９を配置し、これによっても一段と小型かつ薄型に形成できるようになされている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
バッテリパック１は、別途、コネクタ３Ａ、充放電制御回路２０が配線基板８に実装され、この配線基板８に形成されたスリットに対して、二次電池セル６Ａ〜６Ｆを接続してなる端子板７の突起１７及び１８が差し込まれて半田付けされ、これにより二次電池セル６Ａ〜６Ｆが充放電制御回路２０に接続される。また同様にして、別工程によりアッセンブリされてなるサーモスタット９Ａ、９Ｂ、温度ヒューズ９Ｃの直列回路が、端子板７側より配線基板８に接続され、これにより充放電制御回路２０とコネクタ３Ａとの間の充放電経路が形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003197166.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の正極板と帯状の負極板とをセパレータを介して巻回した発電要素を備え、電槽に収納して構成される電池において、
前記電槽が上部の大きい円錐台形状であることを特徴とする単電池。
【請求項２】
帯状の正極板と、帯状の負極板とをセパレータを介して巻回した発電要素を、２つ以上のセル室を備えた電槽に収納して構成される組電池において、
前記セル室が上部の大きい円錐台形状であることを特徴とする組電池。
【請求項３】
請求項１に記載の単電池を複数組み合わせたことを特徴とする組電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【問題を解決するための手段】
上記課題を解決するためになした第１の発明は、帯状の正極板と帯状の負極板とをセパレータを介して巻回した発電要素を備え、電槽に収納して構成される電池において、前記電槽が上部の大きい円錐台形状であることを特徴とする単電池ある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【問題を解決するための手段】
第２の発明は、帯状の正極板と、帯状の負極板とをセパレータを介して巻回した発電要素を、２つ以上のセル室を備えた電槽に収納して構成される組電池において、前記セル室が上部の大きい円錐台形状であることを特徴とする組電池である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明における単電池の実施の形態の一例を図４に示す。図４（Ａ）は単電池４０の側面図、図４（Ｂ）はその上面図である。電槽１６は上部の方が大きい円錐台形であり、その大きい方の一端面に正極端子１と負極端子２とが設けられる。図５は本発明による単電池の電槽断面図である。本発明においては単電池４０が円錐台形であればよいので、単電池電槽の内部は図５（Ａ）に示すような円錐台形の空間を備えることもできるし、図５（Ｂ）に示すような円筒状の空間を備えることもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明における単電池の実施の形態の一例を図４に示す。図４（Ａ）は単電池４０の側面図、図４（Ｂ）はその上面図である。電槽１６は上部の方が大きい円錐台形であり、その大きい方の一端面に正極端子１と負極端子２とが設けられる。図５は本発明による単電池の電槽断面図である。本発明においては単電池４０が円錐台形であればよいので、単電池電槽の内部は図５（Ａ）に示すような円錐台形の空間を備えることもできるし、図５（Ｂ）に示すような円筒状の空間を備えることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月12日(2004.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に静止誘導電器本体を収納したタンクと、このタンク内に充填した絶縁媒体とを備え、前記タンクが基礎に支持されている静止誘導電器において、前記基礎に、改造時にタンクを覆う防音建屋を支持する支持用構造物を予め設けておくことを特徴とする静止誘導電器。
【請求項２】
内部に静止誘導電器本体を収納したタンクと、このタンク内に充填した絶縁媒体と、前記タンクに連結され前記絶縁媒体を冷却する冷却器とを備え、前記タンクが基礎に支持されている静止誘導電器において、前記タンクと冷却器との対向面の各々に、改造時に塞ぎ板を接続する支持用構造物を予め設けておくことを特徴とする静止誘導電器。
【請求項３】
前記タンクを包囲する防音建屋を基礎に支持し、前記冷却器とこれに対向する前記防音建屋の外面との各々に、前記塞ぎ板を接続する支持用構造物を予め設けておくことを特徴とする請求項２記載の静止誘導電器。
【請求項４】
前記タンクと反対側の前記冷却器に、改造時に風洞を接続する支持用構造物を予め設けておくことを特徴とする請求項２記載の静止誘導電器。
【請求項５】
内部に静止誘導電器本体を収納したタンクと、このタンク内に充填した絶縁媒体とを備え、前記タンクが基礎に支持されている静止誘導電器において、前記タンクの外面にタンクステーを設け、該タンクステーに支持部を予め設け、この支持部に改造時にタンクを覆うよう防音建屋を支持する支持用構造物を設けることを特徴とする静止誘導電器。
【請求項６】
内部に静止誘導電器本体を収納しタンクカバーを有するタンクと、このタンク内に充填した絶縁媒体とを備え、前記タンクが基礎に支持されている静止誘導電器において、前記基礎及びタンクカバーに、改造時にタンクを覆う防音建屋を支持する支持用構造物を予め設けておくことを特徴とする静止誘導電器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
安定器本体と;
安定器の４側面を覆う安定器側面カバーと;
安定器本体の両端面を覆う一対の端部カバーと少なくとも一つの端部カバーよりも凹んだ位置に形成される端子台と;
を具備していることを特徴とする安定器。
【請求項２】
安定器本体と、安定器の４側面を覆う安定器側面カバーと、安定器本体の両端部を覆う一対の端部カバーと、端部カバーに形成した端子台と、からなる安定器と;
安定器の上面を固定し少なくとも安定器の端子台を覆う略コの字型の安定器取りつけ金具と;
を具備していることを特徴とする安定器取り付け装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の安定器は、安定器本体と;安定器の４側面を覆う安定器側面カバーと;安定器本体の両端面を覆う一対の端部カバーと少なくとも一つの端部カバーから凹んだ位置に形成される端子台と;を具備している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項１の発明によれば、端子台を安定器端部カバーよりも凹んだ位置に形成しているため、安定器本体の大きさを大きくすることなく、端子台へのほこりや水分の付着を抑制することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項２の安定器取り付け装置は、安定器本体と、安定器の４側面を覆う安定器側面カバーと、安定器本体の両端部を覆う一対の端部カバーと、端部カバーに形成した端子台と、からなる安定器と;安定器の上面を固定し少なくとも安定器の端子台を覆う略コの字型の安定器取りつけ金具と;を具備している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
安定器取りつけ金具は、端子台を覆う上面カバーを有した略この字形状に形成され、上面カバーで安定器の上面を固定している。この種の屋内用安定器を、天井裏などに設置する場合、安定器を１０ｍｍほど取り付け面より高くした位置に設置することが要求される。この安定器取りつけ金具によって、安定器を適当な高さに浮かせて設置することが可能であり、また端子台にほこりや水分が付着することを抑制している。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
安定器取り付けカバー５は、上面板５１が安定器の端子台を含んで覆う大きさを有していればよく、側面板５２の大きさは、特に規定しない。また側面板５２は、上面板５１を支えて保持できれば良いので、側面板に替えて、支持棒のような棒状の形状でもよく、さらに上面板５１の両辺を差さえなくとも、角を保持するように４つの板によって保持してもかまわない。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、端子台を安定器端部カバーよりも凹んだ位置に形成しているため、安定器本体の大きさを大きくすることなく、端子台へのほこりや水分の付着を抑制することができ、安全性が確保される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
請求項２の発明によれば、簡単な構成で,端子台にほこりや水分の付着を抑制できる安定器取り付け装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月2日(2004.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体膜、該半導体膜を覆うゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を備える薄膜トランジスタの製造方法において、
基板上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜のパターニングを行う工程と、前記パターニングされた半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記半導体膜のソース・ドレイン領域に不純物をドーピングする工程と、該ドーピング工程の後に続く工程の中で、温度３００℃から４５０℃、圧力１．０ＭＰａから２．０ＭＰａの条件下であって、かつ水蒸気を含む雰囲気中においてアニール処理、および前記不純物の活性化を行う工程と、前記薄膜トランジスタを覆う第１層間絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記半導体膜は、基板上にアモルファスシリコン膜を成膜した後、当該アモルファスシリコン膜を結晶化させたものであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記半導体膜の結晶化に、レーザー光を照射するレーザーアニール法を用いることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記半導体膜の結晶化に、固相成長法を用いることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜の形成は、化学気相堆積法によりシリコン酸化膜を堆積することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記ゲート電極を形成する工程において、導電薄膜材料にドープトシリコン又はシリサイド膜、あるいは、金属系のアルミニウム、クロム、タンタルの内の少なくとも一つの金属又はその合金のいずれかを用い、ゲート電極、容量配線、走査配線を同時形成したことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記アニールおよび不純物の活性化を行う工程を経た後、前記第１の層間絶縁膜の形成を行うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記第１の層間絶縁膜を形成する工程を経た後、前記アニールおよび不純物の活性化を行うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記第１層間絶縁膜が酸化シリコン膜、あるいはシリケートガラス膜のいずれかであることを特徴とする請求項１、７、８に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに該当する薄膜トランジスタの製造方法を用い、スイッチング用の薄膜トランジスタを製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に規定する半導体装置の製造方法を用いて作製された半導体装置を含むことを特徴とする電気光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、基板上に形成された半導体膜、該半導体膜を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を備える薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜のパターニングを行う工程と、前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の表面にゲート電極を形成する工程と、前記半導体膜に不純物を導入してソース・ドレイン領域を形成し、その後、高圧水蒸気アニール処理を行う工程と、第１層間絶縁膜の形成を行うことを特徴とする。前記高圧アニール処理は、不純物の活性化と同時に半導体膜の欠陥の低減、さらにはゲート絶縁膜の改質を一挙に図ることができる。また、前記ゲート電極の形成工程では、同時に容量配線、走査配線を行なってもよい。更には、第１層間絶縁膜の形成を、前記高圧水蒸気アニールの後に行ってもよいし、高圧水蒸気アニールの前に行なってもよい。特に後者は、層間絶縁膜が酸化シリコン膜である場合、その改質も同時に図ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
これにより、本発明を適用した薄膜トランジスタでは、半導体膜、酸化膜とその界面において欠陥が低減され、電荷のトラップが防がれることから、高いオン特性と鋭い立ち上がり特性を有し、しきい値電圧が安定したＴＦＴが製造可能となる。また、注入された不純物イオンが活性化されることによって、ＴＦＴ導電部のシート抵抗を十分に低くすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また本発明は、低温度の処理を適用することによって安価な大型の汎用ガラス基板を用いても、反りや縮みといった問題を生じることなく処理が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
置換炭素は、単結晶シリコン中の不純物として存在する場合、酸素析出核形成中心を形成させる触媒能を有する。従って、このような理由および他の理由のために、単結晶シリコンの出発材料は、低濃度の炭素を有することが好ましい。すなわち、単結晶シリコンは、約５×１０１６原子／ｃｍ３未満であり、好ましくは約１×１０１６原子／ｃｍ３未満であり、より好ましくは約５×１０１５原子／ｃｍ３未満の炭素濃度を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
真性点欠陥（空孔およびシリコン自己格子間原子）は、温度に依存する拡散速度で単結晶シリコン中を拡散し得る。従って、真性点欠陥の濃度特性は、温度を関数とする真性点欠陥の拡散係数および再結合速度の関数である。例えば、真性点欠陥は、急速熱アニーリング工程においてウエハがアニーリング処理される温度の近傍温度で比較的移動し得るが、７００℃もの温度では、本質的に、任意の商業的に実用的な時間で移動し得ない。これまでに得られた実験的証拠により、空孔の有効拡散速度は、約７００℃未満の温度で、そしておそらくは、８００℃または９００℃あるいは１０００℃さえもの温度ほどに高い温度でかなり遅いことが示唆される。空孔は、任意の商業的に実用的な時間で移動しないと見なすことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
驚くべきことに、一般的には約１０−４ｃｍ２／秒である自己格子間原子の比較的大きな移動性のために、そしてより小さい程度に、空孔の移動性のために、比較的大きな距離、すなわち、約５ｃｍ〜約１０ｃｍまたはそれ以上の距離にわたって、自己格子間原子を、結晶表面に位置するシンク（sinks）に対して、または結晶内に位置する空孔優勢領域に対して半径方向に拡散させることによって、格子間原子および空孔を抑制できることが見出された。充分な時間が初期濃度の真性点欠陥を半径方向に拡散させることが可能であるならば、半径方向の拡散は、自己格子間原子および空孔の濃度を抑制するために効果的に使用することができる。一般に、拡散時間は、自己格子間原子および空孔の初期濃度における半径方向の変化に依存する。半径方向の変化が小さいほど、拡散時間は短い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
自己格子間原子の拡散量は、商業的に実用的なプロセスに関して、インゴットが凝固温度（約１４１０℃）から、シリコンの自己格子間原子が不動化する温度にまで冷却されるときの冷却速度を制御することによって制御される。シリコンの自己格子間原子は、シリコンの凝固温度（すなわち、約１４１０℃）付近の温度で極端に移動し得るようである。しかし、この移動性は、単結晶シリコンインゴットの温度が低下すると減少する。一般に、自己格子間原子の拡散速度は、それらが、約７００℃未満の温度で、そしておそらくは、８００℃、９００℃、１０００℃、または１０５０℃さえもの温度ほどに高い温度で、商業的に実用的な時間で本質的に移動し得ない程度に遅い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
次に、図３３を参照して、軸位置が肩から約６００ｍｍ〜約７３０ｍｍの範囲にあるインゴットの一部を示す。約６４０ｍｍ〜約６６５ｍｍの範囲の軸位置に関して、軸対称領域の幅は、インゴットの半径にほぼ等しい。さらに、軸対称領域の幅がインゴットの半径にほぼ等しいインゴットのセグメントの長さは、図３２のインゴットについて観測されるものよりも長くなっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
従って、図３０、図３１、図３２および図３３を組み合わせて見た場合、これらの図は、１０５０℃への冷却時間の欠陥を含まない軸対称領域の幅および長さに対する効果を明らかにしている。一般に、結晶の引き上げ速度の連続的な低下によって、結晶の一部の冷却時間に基づいて低下させるには大きすぎる格子間物の初期濃度が導かれ、結果的に、凝集した格子間欠陥を含有する領域が生じる。軸対称領域の長さが大きくなることは、より大きな範囲の引き上げ速度（すなわち、格子間原子の初期濃度）を、欠陥を含まないそのような材料に関して得ることができることを意味する。冷却時間の増大は、格子間原子のより大きな初期濃度を可能にする。なぜなら、半径方向の拡散に充分な時間が達成され、その濃度を格子間原子欠陥の凝集に必要とされる臨界濃度よりも低く抑えることができるからである。言い換えれば、冷却時間が長くなる場合には、幾分遅い引き上げ速度（および、従って、格子間原子のより高い初期濃度）によっても、依然として最大の軸対称領域６０が得られる。従って、冷却時間を長くすると、最大の軸対称領域の直径に必要とされる条件について種々の引き上げ速度に対する許容度が大きくなり、プロセス制御に対する制限が少なくなる。結果として、インゴットのより大きな長さ部分にわたる軸対称領域についてのプロセスが一層容易になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体搬送ガイドに取り付けられ、前記媒体搬送ガイドに案内される媒体に光を照射し、前記媒体からの光を検知する媒体検知センサの取り付け構造において、
前記媒体搬送ガイドを光透過性とし、前記媒体搬送ガイドの媒体と対向する面と反対側の面に前記媒体検知センサを設け、
前記媒体からの光を検知する前記媒体検知センサの光入射部と前記媒体搬送ガイドとの間に、前記光入射部へ光を導く貫通穴が形成された遮光部材を設けたことを特徴とする媒体検知センサの取り付け構造。
【請求項２】
前記媒体搬送ガイドの前記媒体と対向する面で、前記媒体検知センサが設けられる部分に、前記媒体方向に突出する突出部を形成したことを特徴とする請求項１記載の媒体検知センサの取り付け構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記媒体からの光を検知する媒体検知センサの光入射部と前記媒体搬送ガイドとの間に、前記光入射部へ光を導く貫通穴が形成された遮光部材を設けた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項２記載の発明は、前記媒体搬送ガイドの前記媒体と対向する面で、前記媒体検知センサが設けられる部分に、前記媒体方向に突出する突出部を形成したことを特徴とする請求項１記載の媒体検知センサの取り付け構造である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、前記媒体からの光を検知する媒体検知センサの光入射部と前記媒体搬送ガイドとの間に、前記光入射部へ光を導く貫通穴が形成された遮光部材を設けたことにより、光透過性の媒体搬送ガイドを介して光入射部に入る外乱光の影響を少なくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
請求項２記載の発明によれば、前記媒体搬送ガイドの前記媒体と対向する面で、前記媒体検知センサが設けられる部分に、前記媒体方向に突出する突出部を形成したことにより、突出部に搬送される媒体が接触し、光が出入りする媒体搬送ガイドの突出部表面に付着したごみを除去する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈曲形の蛍光ランプと；  この蛍光ランプを支持するホルダと；  一端側に口金が他端側にホルダがそれぞれ取付けられるとともに、一端から他端に向かう方向に対して平行方向に分割された複数の分割体により構成されたカバー体と；  蛍光ランプを点灯させる点灯回路を構成する複数の電子部品が回路基板に実装され、カバー体内に収容された点灯回路と；  この点灯回路の複数の電子部品のうちの少なくとも一部およびカバー体内面にそれぞれ接触するように一部の分割体内側に充填された熱伝導性物質と；  を具備していることを特徴とする電球形蛍光ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の電球形蛍光ランプは、屈曲形の蛍光ランプと；この蛍光ランプを支持するホルダと；一端側に口金が他端側にホルダがそれぞれ取付けられるとともに、一端から他端に向かう方向に対して平行方向に分割された複数の分割体により構成されたカバー体と；蛍光ランプを点灯させる点灯回路を構成する複数の電子部品が回路基板に実装され、カバー体内に収容された点灯回路と；この点灯回路の複数の電子部品のうちの少なくとも一部およびカバー体内面にそれぞれ接触するように一部の分割体の内側に充填された熱伝導性物質と；を具備していることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
溶解工程（ＳＴ４）
次に、図１のステップＳＴ４に示すように、多結晶珪素膜１３に高エネルギーを与えて溶解させる。例えばエネルギー源としてレーザ光を照射する。具体的には、例えばＸｅＣｌパルスエキシマレーザ光（波長３０８ｎｍ、パスル幅３０ｎｓｅｃ）を用い、エネルギー密度は０．４Ｊ／ｃｍ2程度から１．５Ｊ／ｃｍ2でレーザ照射を行う。これにより、酸化珪素膜１２に設けられた孔１２１の底部の多結晶珪素膜１３を非溶融状態に保持しながら、その他の部分の多結晶珪素膜１３をほぼ完全に溶融状態にすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
先ず、図３のＳＴ５に示すように、略単結晶状態の珪素膜１３１を含む珪素膜をパターニングして、薄膜トランジスタT用の半導体領域（半導体膜）１３２を形成する。例えば、略単結晶状態の珪素膜１３１内で孔１２１を含まない領域を、薄膜トランジスタＴのチャネル形成領域１３４に割り当てる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、ステップＳ２で押下された選択スイッチ７０ｃの発光手段を点灯させる。ここで、各選択スイッチ７０ｃは発光ダイオード（ＬＥＤ）等による発光手段を備えており、この発光手段によってスイッチのオン／オフをユーザに示すことができるようにしている。図４にハートマークで示したように、２つの入力ｃｈをペアにすることも行われるが、この場合でも同時に選択できるのは１つだけである。ただし、ペアの一方が選択された場合には、他方の発光手段を点滅させ、そのことを示すとよい。
次に、ステップＳ３で表示器１０に表示している表示画面の種類を確認し、入力ｃｈ設定画面であれば、ステップＳ４でカーソル４１をオンされた選択スイッチ７０ｃに対応するｉチャンネルのパラメータに移動する。このとき、タブ３１の切り換えが必要であれば、これも行う。ステップＳ３でパラメータ設定画面であれば、画面をｉチャンネルのパラメータを編集する画面に変更し、表示内容もｉチャンネルのパラメータに変更する。その他の画面、例えばＭＩＤＩやタイムコード等の設定画面であれば、表示を切り換えることなくそのまま終了する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2004289413.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と出力端子との間の信号経路に第１のダイオードを接続し、前記第１のダイオードの入力端子側に第２のダイオードの一端を接続し、前記第２のダイオードの他端に第１の抵抗を接続して終端し、前記第１のダイオードの出力端子側に第３のダイオードの一端を接続し、前記第３のダイオードの他端に第２の抵抗を接続して終端することを特徴とする高周波スイッチ。
【請求項２】
一つの入力端子と複数の出力端子の各々との間の信号経路に複数の第１のダイオードの各々を接続し、前記第１のダイオードの入力端子側に第２のダイオードの一端を接続し、前記第２のダイオードの他端に第１の抵抗を接続して終端し、前記第１のダイオードの各々の出力端子側に複数の第３のダイオードの各々の一端を接続し、前記複数の第３のダイオードの各々の他端に第２の抵抗をそれぞれ接続して終端することを特徴とする高周波スイッチ。
【請求項３】
前記第１の抵抗及び前記第２の抵抗はそれぞれ５０Ωであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無線通信を行うための動作磁界を発生するアンテナ部と、
前記アンテナ部を介して無線通信媒体との間で無線通信を行う通信手段と、
前記アンテナ部を収容する筐体と、を備え、
前記筐体は、前記アンテナ部による無線通信可能な通信エリアの周辺に動作磁界を遮蔽するシールド材を備えたことを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】  前記シールド材は、平板状に形成され、前記アンテナ部が発生する動作磁界における周波数での表皮効果による浸透の深さより大きな厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項３】  前記シールド材の厚さは、シールド材の抵抗率をρ、動作磁界における各周波数をω、真空中の透磁率をμ０、シールド材の比透磁率をμｒ、浸透の深さをδとしたとき、
δ＝（２×ρ／（ω×μ０×μｒ））１／２
より大きいことを特徴とする請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項４】  無線通信を行うための動作磁界を発生するアンテナ部と、
前記アンテナ部を介して無線通信媒体との間で無線通信を行う通信手段と、
前記アンテナ部を収容する筐体と、を備え、
前記筐体は、前記アンテナ部による無線通信可能な通信エリアより無線通信媒体を所持する利用者の通過方向上流側に配置され動作磁界を遮蔽するシールド材を備えたことを特徴とする無線通信装置。
【請求項５】  前記シールド材は、平板状に形成され、前記アンテナ部によって規定される平面に対して平行に配置されたことを特徴とする請求項４に記載の無線通信装置。
【請求項６】  前記シールド材は、平板状に形成され、前記アンテナ部によって規定される平面に対して垂直に配置されたことを特徴とする請求項４に記載の無線通信装置。
【請求項７】  無線通信を行うための動作磁界を発生するアンテナ部と、
前記アンテナ部を介して無線通信媒体との間で無線通信を行う通信手段と、
前記アンテナ部を収容する筐体と、を備え、
前記筐体は、無線通信媒体を所持する利用者の通過方向に沿った側面に配置され動作磁界を遮蔽する平板状に形成されたシールド材を備えたことを特徴とする無線通信装置。
【請求項８】  無線通信を行うための動作磁界を発生するアンテナ部と、
前記アンテナ部を介して無線通信媒体との間で無線通信を行う通信手段と、
前記アンテナ部を収容する筐体と、を備え、
前記筐体は、前記アンテナ部による無線通信可能な通信エリアの周辺に塗装され動作磁界を遮蔽するシールド材を備えたことを特徴とする無線通信装置。
【請求項９】  無線通信を行うための動作磁界を発生するアンテナ部と、
前記アンテナ部を介して無線通信媒体との間で無線通信を行う通信手段と、
前記アンテナ部を収容する凹部を有する筐体と、を備え、
前記筐体における前記凹部の周辺は、動作磁界を遮蔽するシールド材を含有する部材によって形成されたことを特徴とする無線通信装置。
【請求項１０】  無線通信を行うための動作磁界を発生するアンテナ部と、
前記アンテナ部を介して無線通信媒体との間で無線通信を行う通信手段と、
前記通信手段による通信結果に基づいて改札処理を行う改札手段と、
前記改札手段による改札処理に基づいて無線通信媒体を所持する利用者の通過を阻止する場合に、通路を閉鎖するドア機構と、
前記アンテナ部を収容する筐体と、を備え、
前記筐体は、前記アンテナ部による無線通信可能な通信エリアの周辺に動作磁界を遮蔽するシールド材を備えたことを特徴とする改札機。
【請求項１１】  無線通信を行うための磁界を発生するアンテナ部と、
前記アンテナ部を介して無線通信媒体との間で無線通信を行う通信手段と、
前記通信手段による通信結果に基づいて、当該無線通信媒体を所持する利用者の通過の可否を処理する判定手段と、
前記判定手段による判定に基づいて、当該判定結果に応じた通過の可否を利用者に知らしめる出力手段と、
前記アンテナ部が設置された筐体と、を備え、
前記筐体は、前記アンテナ部による無線通信可能な通信エリアの周辺に磁界を遮蔽するシールド材を備えたことを特徴とする通行判定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、例えば図３に示すように、改札機においては、主ローブ（磁界Ｍ１）によって構成された通信可能エリア２より手前側に、サイドローブ（磁界Ｍ３）によって構成された通信可能エリア１が存在している。この場合、無線通信媒体３をアンテナ部１にかざす際に、無線通信媒体３が矢印Ａで示したような軌跡で通信可能エリア２を通過することにより、通常は正常動作となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
すなわち、図６の（ａ）に示すように、まず、図２に示したアンテナ部１の上面に磁界Ｍ１によって構成された通信可能エリアに無線通信媒体３Ｂが進入した場合には、無線通信装置４０が無線通信媒体３ＢのＩＤを検出し、無線通信装置４０と無線通信媒体３Ｂとの間で相互認証が行われる。認証が成立すると、無線通信装置４０は、無線通信媒体３Ｂからデータを読み取り、そして、無線通信媒体３Ｂにデータを書き込み、無線通信処理が終了となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このような場合には、図６の（ｂ）に示すように、まず、図２に示したアンテナ部１の上面に磁界Ｍ１によって構成された通信可能エリアに通信を意図している無線通信媒体３Ｂが進入すると、無線通信装置４０が無線通信媒体３ＢのＩＤを検出し、無線通信装置４０と無線通信媒体３Ｂとの間で相互認証が行われる。認証が成立すると、無線通信装置４０は、無線通信媒体３Ｂからデータを読み取り、そして、無線通信媒体３Ｂにデータを書き込み、無線通信処理が終了となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１のガスを使用して光を発生させるエレメントを有する第１のチャンバと、
放射された光を使用してリソグラフィプロセスを行いかつ第２のガスを有する第２のチャンバと、
少なくとも第１のガスを貯蔵装置へ圧送するポンプと、
ガスを貯蔵装置からリサイクル装置へ案内する制御装置とが設けられていることを特徴とする、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
第１のガスを使用して光を発生させる光源チャンバと、
第２のガスを有するリソグラフィ光学系チャンバと、
前記光源チャンバを前記光学系チャンバに接続するための手段と、
第１又は第２のガスのうちの少なくとも一方を貯蔵装置へ圧送するための手段と、
第１又は第２のガスのうちの少なくとも一方を、貯蔵装置に貯蔵された後にリサイクル装置へ案内するための手段とが設けられていることを特徴とする、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月4日(2004.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  放射線ソースにより放出される放射線から、放射線の投影ビームを形成する放射線システムと、
−  該投影ビームをパターン化するために投影ビームが照射されるパターニング手段を保持するように構成された支持構造と、
−  基板を保持するように構成された基板テーブルと、
−  パターニング手段の照射部分を基板の目標部分に結像するように構成、配列された投影システムと、
−  照射中に形成された二次電子が、シールドされる対象物に入射するのを防ぐよう電磁界を作り出すシールド手段と該シールド手段は、
−  対象物に近接した電極と、
−  電極に相対して対象物に電圧を印加するために、対象物および／または電極に接続した電圧ソースとにより構成されるリソグラフィ投影装置において、
放射線ソースはパルス方式にて高低状態間を稼動するようにされていることを特徴とし、また、リソグラフィ投影装置は、電極に対応して対象物に反復的な負電位を与える時間的に変化する電圧を、放射線ソースと同期して、対象物および／または電極に供給する同期手段を備えていることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
時間的に変化する電圧は、照射中に形成された実質的に全ての二次電子を対象物から遷移するに十分な時間にわたって、電極に対応して対象物に反復的な負電位を与えることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
負電位は、０．０１マイクロ秒と１０マイクロ秒の間のある時間、より好ましくは０．１マイクロ秒間、印加されることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
負電位は０Ｖと−１０００Ｖの間であり、より好ましくは−１００Ｖであることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項５】
電圧ソースは対象物に連結を行っていることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項６】
電圧ソースは対象物に近接した電極に連結を行っていることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項７】
負電位は、放射線ソースの高位状態と同位相にて印加されることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項８】
負電位の印加と放射線ソースの高位状態間における位相差は任意であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項９】
反復的な負電位の後に、関連の正電位が続くことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１０】
正電圧は、０Ｖと＋１０００Ｖの間であり、より好ましくは＋１００Ｖであることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
時間的に変化する電圧は方形波の形状を有することを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１２】
時間的に変化する電圧は正弦波の形状を有することを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１３】
リソグラフィ投影装置は、電極において二次電子により作り出される電流を計測する計測手段を備えていることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１４】
−  放射線ソースにより放出される放射線から、放射線の投影ビームを形成する放射線システムを提供し、
− 該投影ビームをパターン化するために投影ビームが照射されるパターニング手段を保持するように構成された支持構造を提供し、
− 基板を保持するように構成された基板テーブルを提供し、
− パターニング手段の照射部分を基板の目標部分に結像するように構成、配列された投影システムを提供し、
− 照射中に形成された二次電子が、シールドされる対象物に入射するのを防ぐように電磁界を作り出すステップとからなる、リソグラフィ工程により集積構造を製造する方法において、
− 放射線ソースをパルス方式にて高低状態間を稼動させ、
− 放射線ソースと同期して、対象物および／または電極に、電極に対応して対象物に反復的な負電位を与える時間的に変化する電圧を印加することを特徴とする、リソグラフィ工程により集積構造を製造する方法。
【請求項１５】
電極に入射する二次電子量が計測されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが同一基板上に集積化され、
前記周辺駆動回路において、バッファ回路に設けられた薄膜トランジスタの島状半導体層はソース領域、浮島領域、ベース領域及びドレイン領域からなることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明に係るモータは、前記磁性材料層の先端が、前記永久磁石の周面から、前記ステータのコアに向けて突出していることを特徴とする。
この発明に係るモータによれば、コアに対向する周面側に位置する永久磁石の表面に出入りする磁束が、コアに向けて突出する磁性材料層の先端を通るように拘束されるため、永久磁石の周面に出入りする磁束だけではなく、永久磁石の表面に出入りする磁束であって、コアに向けて突出する磁性材料層の先端を通るように拘束される磁束もモータの動力として利用できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ステータ２は、浅底の略円筒状に形成されたベース部材（ステータ）１３と、ベース部材１３の内周面１３ａに固定された複数のコア１５と、各コア１５に巻き付けられた導線からなるコイル１７とを備えている。ベース部材１３は、磁性材料である鉄により形成されている。また、ベース部材１３の底壁部１４の中央部には、中心軸線Ａ１を中心とした穴１４ａが形成されており、この穴１４ａに軸受部４のスリーブ７が固定されるようになっている。
各コア１５は、複数のケイ素鋼板を中心軸線Ａ１方向に積層したものであり、ベース部材１３の内周面１３ａから半径方向内方に突出している。コイル１７は、図示しない電源と電気的に接続されており、コア１５およびコイル１７により交番磁界が形成できるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以上のように構成された記録媒体駆動装置５０において、ディスク型記録媒体４０を回転させる場合には、コア１５およびコイル１７において交番磁界を発生させ、この交番磁界を永久磁石２５に作用させてロータ３を回転させる。この際には、交番磁界が永久磁石２５の外周面２５ｃに出入りする磁束Φｂ、および永久磁石２５の表面２５ａおよび裏面２５ｂのうち、半径方向外側の周縁に出入りする磁束Φｃに作用する。
また、この際には、永久磁石２５の裏面２５ｂに出入りする磁束Φａ、Φｃが、鉄から形成されるベース部材１３に到達しないため、モータの動力の損失となるうず電流損や磁気ヒステリシス損からなる鉄損が発生しない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  モータ
２  ステータ
３  ロータ
５  軸体
１３  ベース部材（ステータ）
１５  コア
１７  コイル
１９ｂ  段部（固定部）
２５  永久磁石
２５ｂ  裏面（表面）
２５ｃ  外周面
２５ｄ  内周面
２７，２９  板状部材（磁性材料層）
３０  ディスク型記録媒体
４０  記録媒体駆動装置