【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)ウエハの主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程と、
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の第１の領域に対して、基板溝シフタを含み、位相誤差またはランダム欠陥を有する第１の位相シフトマスクパターンを紫外光により縮小投影露光する工程と、
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の上記第１の領域に対して、上記第１の位相シフトマスクパターンと同一のマスク基板上の同一の主面上に形成され、基板溝シフタを含み、位相誤差またはランダム欠陥を有する第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを紫外光により縮小投影露光する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記(c)及び(d)工程の露光はスキャンニング露光によって行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記第１及び第２の位相シフトマスクパターンはレベンソン方式によるものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記レベンソン方式によるマスクパターンはラインアンドスペースパターンを転写するためのものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記レベンソン方式によるマスクパターンは複数のホールパターンを転写するためのものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
(a)ウエハの主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程と、
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の第１の領域に対して、基板上薄膜溝シフタを含み、位相誤差またはランダム欠陥を有する第１の位相シフトマスクパターンを紫外光により縮小投影露光する工程と、
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の上記第１の領域に対して、上記第１の位相シフトマスクパターンと同一のマスク基板上の同一の主面上に形成され、基板上薄膜溝シフタを含み、位相誤差またはランダム欠陥を有する第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを紫外光により縮小投影露光する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記(c)及び(d)工程の露光はスキャンニング露光によって行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記第１及び第２の位相シフトマスクパターンはレベンソン方式によるものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記レベンソン方式によるマスクパターンはラインアンドスペースパターンを転写するためのものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記レベンソン方式によるマスクパターンは複数のホールパターンを転写するためのものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
(a)ウエハの主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程と、
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の第１の領域に対して、位相誤差またはランダム欠陥を有する第１の位相シフトマスクパターンを紫外光により縮小投影露光する工程と、
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の上記第１の領域に対して、上記第１の位相シフトマスクパターンと同一のマスク基板上の同一の主面上に形成され、位相誤差またはランダム欠陥を有する第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを紫外光により縮小投影露光する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
(a)ウエハの主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程と、
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の第１の領域に対して、微細庇型溝シフタを含み、位相誤差またはランダム欠陥を有する第１の位相シフトマスクパターンを紫外光により縮小投影露光する工程と、
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の上記第１の領域に対して、上記第１の位相シフトマスクパターンと同一のマスク基板上の同一の主面上に形成され、微細庇型溝シフタを含み、位相誤差またはランダム欠陥を有する第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを紫外光により縮小投影露光する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記第１及び第２の位相シフトマスクパターンに含まれる微細庇型溝シフタの庇長さは２０％以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
(a)ウエハの主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程と、
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の第１の領域に対して、位相誤差またはランダム欠陥を有する第１の位相シフトマスクパターンを紫外光により縮小投影露光する工程と、
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の上記第１の領域に対して、位相誤差またはランダム欠陥を有する第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを紫外光により縮小投影露光する工程と、
(e)上記工程(c)の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の第１の領域に対して、上記第１の位相シフトマスクパターンを、再度、紫外光により縮小投影露光する工程と、
(f)上記工程(d)の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の上記第１の領域に対して、上記第２の位相シフトマスクパターンを、再度、紫外光により縮小投影露光する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
(a)ウエハの主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程と、
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の第１の領域に対して、補助パターンを含み、位相誤差またはランダム欠陥を有する第１の位相シフトマスクパターンを紫外光により縮小投影露光する工程と、
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の上記第１の領域に対して、補助パターンを含み、位相誤差またはランダム欠陥を有する第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを紫外光により縮小投影露光する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
(a)ウエハの主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程と、
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の第１の領域に対して、溝シフタを含み、位相誤差またはランダム欠陥を有する第１の位相シフトマスクパターンを、紫外光を露光光として用いて、縮小投影することによってスキャンニング露光する工程と、
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の上記第１の領域に対して、溝シフタを含み、位相誤差またはランダム欠陥を有する第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを、紫外光を露光光として用いて、縮小投影することによってスキャンニング露光する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
(a)ウエハの主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程と、
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の第１の領域に対して、位相誤差またはランダム欠陥を有する第１の位相シフトマスクパターンを、紫外光を露光光として用いて、縮小投影することによってスキャンニング露光する工程と、
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の上記第１の領域に対して、位相誤差またはランダム欠陥を有する第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを、紫外光を露光光として用いて、縮小投影することによってスキャンニング露光する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
(a)ウエハの主面にフォトレジスト膜を形成する工程と、
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程と、
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の第１の領域に対して、複数のホールパターン及び補助パターンに囲まれたホールパターンを有する第１の位相シフトマスクパターンを、紫外光を露光光として用いて、縮小投影する工程と、
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記主面の上記第１の領域に対して、複数のホールパターン及び補助パターンに囲まれたホールパターンを有する第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを、紫外光を露光光として用いて、縮小投影露光する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記(c)及び(d)工程の露光はスキャンニング露光によって行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８または１９に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記第２の位相シフトマスクパターンは上記第１の位相シフトマスクパターンと同一のマスク基板上の同一の主面上に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。