【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気メモリセル、メモリデバイス及びその製造方法、並びに磁気メモリデバイス
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長い磁性かつ導電性の要素と、
前記要素に磁界を印加するための磁界発生デバイスと、
前記要素を横切って生じるホール電圧の検知を可能とするためのコンタクトとを備え、
前記要素は、磁区を内部に誘導可能であると共に、その磁区壁をピン止めするための第１のピン止め部と第２のピン止め部とを有するように構成され、それによって、前記磁区壁が、前記磁界発生デバイスによって発生された磁界に依存する前記第1のピン止め部と前記第2のピン止め部とのうち少なくとも一方にピン止め可能であるようにし、電流が前記要素を流れる際に、前記ホール電圧の第１および第２の異なる値が前記磁区壁のピン止め位置に依存して発生されるようにしたことを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記要素が、磁性材料からなる少なくとも１つの略平坦な層から成り、その平坦に対して横に延びる磁化の容易軸を前記略平坦な層が備えることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気メモリセルにおいて、
磁性材料からなる前記層の各々が、非磁性かつ導電性の材料からなる層の間に堆積されることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項４】
請求項２に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記要素が、プラチナからなる層の間にコバルトからなる層を挟んだ積層体から成ることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項５】
請求項２に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記要素が、τ-Mn0.6-XNiXAl0.4(X＜０．０８)の層から成ることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか1項に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記要素が、誘導される磁区を受け入れるために、低減される保磁力の領域を有することを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項７】
請求項６に記載の磁気メモリセルにおいて、
低減される保磁力の領域がイオン照射によって形成されることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか1項に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記要素が、前記第１および第２のピン止め部の一方を形成するために、エッジ切れ目を有することを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項９】
請求項８に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記要素が、テーパ状エッジを備えた部分と、略円形表面を備えた形状部とから成り、前記エッジ切れ目が前記部分の間で生じるようにすることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項１０】
請求項９に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記テーパ部が局部的なイオン照射を受けて、前記磁区の形成を促進することを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか1項に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記要素がイオン照射されていることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか1項に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記要素が基板上に構成され、前記磁界発生デバイスが、前記要素の周囲の前記基板を覆う導電性ストライプから成ることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか1項に記載の磁気メモリセルにおいて、
電流パルスを前記要素に印加して前記ホール電圧を発生させるためのパルス発生器を備えることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか1項に記載の磁気メモリセルのアレイを含んでいることを特徴とするメモリデバイス。
【請求項１５】
細長い磁性かつ導電性の要素を基板上に形成し、
前記要素に磁界を印加するために磁界発生デバイスを前記基板上に形成し、
前記要素を横切って発生されるホール電圧の検知を可能とするコンタクトを製造する工程を備えるメモリデバイスの製造方法であって、
磁区を内部に誘導可能であると共に、その磁区壁をピン止めするための第１のピン止め部と第２のピン止め部とを有するように前記要素を構成し、それによって、前記磁区壁が、前記磁界発生デバイスによって発生された磁界に依存して前記第1のピン止め部と第２のピン止め部との少なくとも一方にピン止め可能であり、電流が前記要素を流れる際に、前記ホール電圧の第１および第２の異なる値が前記磁区壁のピン止め位置に依存して発生されることを特徴とするメモリデバイスの製造方法。
【請求項１６】
メモリデバイスであって、
略平坦な磁性かつ導電性からなり前記平坦に対して略垂直に延びる磁化の容易軸を有するメモリノードと、前記メモリノードの磁化状態の関数として異常ホール効果電圧を検知する電極とを備えていることを特徴とするメモリデバイス。
【請求項１７】
請求項１に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記コンタクトによって検出された前記ホール電圧が、異常ホール効果による電圧であることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項１８】
請求項１７に記載の磁気メモリセルにおいて、
前記コンタクトが、前記要素の前記第１および第２のピン止め部の間の部分で異常ホール電圧を検出することを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項１９】
メモリセルを有する磁気メモリデバイスであって、
前記メモリセルのそれぞれが、磁界発生デバイスと、
磁区を内部で誘導可能であるように構成され、前記磁区の磁区壁をピン止め可能な第１および第２のピン止め部と、前記第１および第２のピン止め部の間で位置決めされたノードとを有し、前記磁区壁が、前記磁界発生デバイスによって発生された磁界に依存して前記第１および第２のピン止め部のうち少なくとも一方にピン止め可能であるようにし、前記磁区壁がピン止めされる場所に依存して前記ノードの磁化状態が変化されるようにした磁性要素と、
前記ノードの前記磁化状態を検出する検出器要素とを備えていることを特徴とする磁気メモリデバイス。
【請求項２０】
請求項１９に記載の磁気メモリデバイスにおいて、
前記磁性要素に電流パルスを印加するパルス発生器をさらに備えていることを特徴とする磁気メモリデバイス。
【請求項２１】
請求項２０に記載の磁気メモリデバイスにおいて、
前記検出器要素が、前記電流パルスによるホール電圧を検出することによって前記ノードの前記磁化状態を検出することを特徴とする磁気メモリデバイス。
【請求項２２】
請求項２１に記載の磁気メモリデバイスにおいて、
前記ホール電圧が異常ホール効果により生じていることを特徴とする磁気メモリデバイス。
【請求項２３】
請求項２２に記載の磁気メモリデバイスにおいて、
前記磁性要素が、磁性材料からなる少なくとも１つの略平坦な層から成り、その平坦に対して横に延びる磁化の容易軸を前記略平坦な層が備えることを特徴とする磁気メモリデバイス。
【請求項２４】
請求項２３に記載の磁気メモリデバイスにおいて、
磁性材料からなる前記略平坦な層のそれぞれが、非磁性かつ弾性導電材の層の間に堆積されていることを特徴とする磁気メモリデバイス。
【請求項２５】
請求項２２に記載の磁気メモリデバイスにおいて、
前記磁性要素が、誘導される前記磁区を受け入れるために、低減された保磁力の領域を有することを特徴とする磁気メモリデバイス。
【請求項２６】
請求項２２に記載の磁気メモリデバイスにおいて、
前記磁性要素が、前記第１および第２のピン止め部の一方からなるために、エッジ切れ目を備えていることを特徴とする磁気メモリデバイス。
【請求項２７】
請求項２５に記載の磁気メモリデバイスにおいて、
前記ノードが略円形表面を有し、前記磁性要素がテーパ状エッジを備えた部分を有し、前記ノードと前記部分との間にエッジ切れ目が生じるようにしたことを特徴とする磁気メモリデバイス。
【請求項２８】
請求項２２に記載の磁気メモリデバイスにおいて、
前記磁性要素が基板上に構成され、磁界発生デバイスが、前記磁性要素の周囲の前記基板の上に横たわる導電性ストライプからなることを特徴とする磁気メモリデバイス。