【手続補正書】
【提出日】平成16年3月31日(2004.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１３族または１５族の不純物元素を含有した非晶質珪素膜を形成し、
加熱処理を行い前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行うことを有し、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気中には、前記不純物元素を含む化合物ガスが含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
１３族または１５族の不純物元素を含有した非晶質珪素膜に対して該非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持し、
加熱処理を行い前記非晶質珪素膜の全部または少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い前記珪素膜中から前記触媒元素を除去または低減することを有し、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気中には、前記不純物元素を含む化合物ガスが含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質珪素膜に対して１３族または１５族の不純物元素を添加し、
前記非晶質珪素膜に対して該非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持し、
加熱処理を行い前記非晶質珪素膜の全部または少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い前記珪素膜中から前記触媒元素を除去または低減することを有し、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気中には、前記不純物元素を含む化合物ガスが含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
１３族または１５族の不純物元素を含有した非晶質珪素膜に対して前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持し、
加熱処理を行って前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成し、
前記１３族または１５族の不純物元素を含む化合物ガスおよびハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行って前記結晶性珪素膜中から前記触媒元素を除去または低減し、
前記結晶性珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記結晶性珪素膜にN型を付与する不純物を導入して不純物領域を形成し、
前記ゲイト電極の側面に接してサイドウォールを形成し、
前記ゲイト電極および前記サイドウォールをマスクとして、前記結晶性珪素膜に前記不純物と同じ導電型付与する不純物を導入してソース領域、ドレイン領域およびLDD領域を形成し、
前記ゲイト電極、前記ソース領域および前記ドレイン領域表面にシリサイドを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
１３族または１５族の不純物元素を含有した非晶質珪素膜に対して前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持し、
加熱処理を行って前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成し、
前記１３族または１５族の不純物元素を含む化合物ガスおよびハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行って前記結晶性珪素膜中から前記触媒元素を除去または低減し、
前記結晶性珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記結晶性珪素膜にN型を付与する不純物を導入して不純物領域を形成し、
前記ゲイト電極の側面に接してサイドウォールを形成し、
前記ゲイト電極および前記サイドウォールをマスクとして、前記結晶性珪素膜に前記不純物と同じ導電型付与する不純物を導入してソース領域、ドレイン領域およびLDD領域を形成し、
前記ゲイト電極、前記ソース領域および前記ドレイン領域表面にコバルトシリサイドを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
１３族または１５族の不純物元素を含有した非晶質珪素膜に対して前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持し、
加熱処理を行って前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成し、
前記１３族または１５族の不純物元素を含む化合物ガスおよびハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行って前記結晶性珪素膜中から前記触媒元素を除去または低減し、
前記結晶性珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記結晶性珪素膜にN型を付与する不純物を導入して不純物領域を形成し、
前記ゲイト電極の側面に接してサイドウォールを形成し、
前記ゲイト電極および前記サイドウォールをマスクとして、前記結晶性珪素膜に前記不純物と同じ導電型を呈せしめる不純物を導入してソース領域、ドレイン領域およびLDD領域を形成し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域表面にチタン、コバルト、タングステン、タンタルまたはモリブデンのシリサイドを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記ゲイト電極をシリコンで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２乃至請求項７のいずれか一項において、
前記触媒元素として、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種の元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２乃至請求項８のいずれか一項において、
前記非晶質珪素膜の珪素の結晶化を助長する触媒元素の濃度は１×１０17atom/cm3以下であり、前記ハロゲン元素が１×１０15〜１×１０20atom/cm3であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気中には、ＨＣｌ、ＨＦ、ＮＦ3、ＨＢｒ、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＢＦ3、Ｆ2、Ｂｒ2等のハロゲン元素を含む化合物から選ばれた一種または複数種のガスが存在していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記１３族または１５族の不純物元素として、B、Ａｌ、Ｇａ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記１３族または１５族の不純物元素として、B、Ａｌ、Ｇａ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた元素を用い、前記１３族または１５族の不純物元素を含む化合物ガスとしては、Ｂ2Ｈ6、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＡｌＣｌ3、ＧａＣｌ3、ＰＨ3、ＰＦ3、ＰＣｌ3、ＡｓＨ3、ＡｓＦ3、ＡｓＣｌ3、ＳｂＨ3、ＳｂＣｌ3から選ばれたガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
１３族または１５族の不純物元素を含有した非晶質珪素膜を形成し、
加熱処理を行い前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行うことを有し、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気中には、前記不純物元素を含む化合物ガスが含まれていることを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項１４】
１３族または１５族の不純物元素を含有した非晶質珪素膜に対して該非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持し、
加熱処理を行い前記非晶質珪素膜の全部または少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い前記珪素膜中から前記触媒元素を除去または低減することを有し、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気中には、前記不純物元素を含む化合物ガスが含まれていることを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項１５】
非晶質珪素膜に対して１３族または１５族の不純物元素を添加し、
前記非晶質珪素膜に対して該非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持し、
加熱処理を行い前記非晶質珪素膜の全部または少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い前記珪素膜中から前記触媒元素を除去または低減することを有し、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気中には、前記不純物元素を含む化合物ガスが含まれていることを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項１６】
１３族または１５族の不純物元素を含有した非晶質珪素膜に対して前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持し、
加熱処理を行って前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成し、
前記１３族または１５族の不純物元素を含む化合物ガスおよびハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行って前記結晶性珪素膜中から前記触媒元素を除去または低減し、
前記結晶性珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記結晶性珪素膜にN型を付与する不純物を導入して不純物領域を形成し、
前記ゲイト電極の側面に接してサイドウォールを形成し、
前記ゲイト電極および前記サイドウォールをマスクとして、前記結晶性珪素膜に前記不純物と同じ導電型付与する不純物を導入してソース領域、ドレイン領域およびLDD領域を形成し、
前記ゲイト電極、前記ソース領域および前記ドレイン領域表面にシリサイドを形成することを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項１７】
１３族または１５族の不純物元素を含有した非晶質珪素膜に対して前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持し、
加熱処理を行って前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成し、
前記１３族または１５族の不純物元素を含む化合物ガスおよびハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行って前記結晶性珪素膜中から前記触媒元素を除去または低減し、
前記結晶性珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記結晶性珪素膜にN型を付与する不純物を導入して不純物領域を形成し、
前記ゲイト電極の側面に接してサイドウォールを形成し、
前記ゲイト電極および前記サイドウォールをマスクとして、前記結晶性珪素膜に前記不純物と同じ導電型付与する不純物を導入してソース領域、ドレイン領域およびLDD領域を形成し、
前記ゲイト電極、前記ソース領域および前記ドレイン領域表面にコバルトシリサイドを形成することを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項１８】
１３族または１５族の不純物元素を含有した非晶質珪素膜に対して前記非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持し、
加熱処理を行って前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜に変成し、
前記１３族または１５族の不純物元素を含む化合物ガスおよびハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行って前記結晶性珪素膜中から前記触媒元素を除去または低減し、
前記結晶性珪素膜上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記結晶性珪素膜にN型を付与する不純物を導入して不純物領域を形成し、
前記ゲイト電極の側面に接してサイドウォールを形成し、
前記ゲイト電極および前記サイドウォールをマスクとして、前記結晶性珪素膜に前記不純物と同じ導電型を呈せしめる不純物を導入してソース領域、ドレイン領域およびLDD領域を形成し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域表面にチタン、コバルト、タングステン、タンタルまたはモリブデンのシリサイドを形成することを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記ゲイト電極をシリコンで形成することを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項２０】
請求項１４乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記触媒元素として、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種の元素を用いることを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項２１】
請求項１４乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記非晶質珪素膜の珪素の結晶化を助長する触媒元素の濃度は１×１０17atom/cm3以下であり、前記ハロゲン元素が１×１０15〜１×１０20atom/cm3であることを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項２２】
請求項１３乃至請求項２１のいずれか一項において、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気中には、ＨＣｌ、ＨＦ、ＮＦ3、ＨＢｒ、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＢＦ3、Ｆ2、Ｂｒ2等のハロゲン元素を含む化合物から選ばれた一種または複数種のガスが存在していることを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項２３】
請求項１３乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記１３族または１５族の不純物元素として、B、Ａｌ、Ｇａ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた元素を用いることを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項２４】
請求項１３乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記１３族または１５族の不純物元素として、B、Ａｌ、Ｇａ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた元素を用い、前記１３族または１５族の不純物元素を含む化合物ガスとしては、Ｂ2Ｈ6、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＡｌＣｌ3、ＧａＣｌ3、ＰＨ3、ＰＦ3、ＰＣｌ3、ＡｓＨ3、ＡｓＦ3、ＡｓＣｌ3、ＳｂＨ3、ＳｂＣｌ3から選ばれたガスを用いることを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法および電子デバイスの作製方法