【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒、下記の構造Ｉを有する１種以上のジアリールカーボネート、及び１種以上のジヒドロキシ芳香族化合物を含む混合物を加熱することを含んでなる、ポリカーボネートの製造方法であって、前記触媒が１種以上のアルカリ土類金属イオン又はアルカリ金属イオン源と、１種以上の第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物又はこれらの混合物とを含み、前記アルカリ土類金属イオン又はアルカリ金属イオン源が使用するジヒドロキシ芳香族化合物１モル当たり約１０-5〜約１０-8モルのアルカリ土類金属イオン又はアルカリ金属イオンが混合物中に存在するような量で存在しており、前記第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物又はこれらの混合物が使用するジヒドロキシ芳香族化合物１モル当たり約２．５×１０-3〜約１×１０-6モルの量で存在している、方法。
【化１】
2005514466.tif 000001
（式中、Ｒ1及びＲ2は独立にＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20芳香族基であり、Ｒ3及びＲ4は各々独立にハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20芳香族基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルコキシ基、Ｃ4〜Ｃ20アリールオキシ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキルチオ基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキルチオ基、Ｃ4〜Ｃ20アリールチオ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキルスルフィニル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキルスルフィニル基、Ｃ4〜Ｃ20アリールスルフィニル基、Ｃ1〜Ｃ20アルキルスルホニル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキルスルホニル基、Ｃ4〜Ｃ20アリールスルホニル基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシカルボニル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルコキシカルボニル基、Ｃ4〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基、Ｃ2〜Ｃ60アルキルアミノ基、Ｃ6〜Ｃ60シクロアルキルアミノ基、Ｃ5〜Ｃ60アリールアミノ基、Ｃ1〜Ｃ40アルキルアミノカルボニル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルキルアミノカルボニル基、Ｃ4〜Ｃ40アリールアミノカルボニル基及びＣ1〜Ｃ20アシルアミノ基であり、ｂ及びｃは独立に０〜４の整数である。）
【請求項２】
前記ジヒドロキシ芳香族化合物が、下記の構造IIを有するビスフェノール、下記の構造IIIを有するジヒドロキシベンゼン、並びに下記の構造IV及びＶを有するジヒドロキシナフタレンからなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【化２】
2005514466.tif 000002
（式中、Ｒ5〜Ｒ12は独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ6〜Ｃ20アリール基であり、Ｗは結合、酸素原子、硫黄原子、ＳＯ2基、Ｃ6〜Ｃ20芳香族基、Ｃ6〜Ｃ20脂環式基、又は以下の基である。）
【化３】
2005514466.tif 000003
（式中、Ｒ13及びＲ14は独立に水素原子、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であり、或いはＲ13とＲ14が一緒にＣ4〜Ｃ20脂環式環を形成するもので、Ｃ4〜Ｃ20脂環式環は適宜１以上のＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ6〜Ｃ20アリール基、Ｃ5〜Ｃ21アラルキル基、Ｃ5〜Ｃ20シクロアルキル基又はこれらの組合せで置換されていてもよい。）
【化４】
2005514466.tif 000004
（式中、Ｒ15は各々独立にハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であり、ｄは０〜４の整数である。）
【化５】
2005514466.tif 000005
（式中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18及びＲ19は各々独立にハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であり、ｅ及びｆは０〜３の整数であり、ｇは０〜４の整数であり、ｈは０〜２の整数である。）
【請求項３】
前記第四級アンモニウム化合物が下記の構造VIを有する、請求項１記載の方法。
【化６】
2005514466.tif 000006
（式中、Ｒ20〜Ｒ23は独立にＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であり、Ｘ-は有機又は無機陰イオンである。）
【請求項４】
前記ホスホニウム化合物が下記の構造VIIを有する、請求項１記載の方法。
【化７】
2005514466.tif 000007
（式中、Ｒ24〜Ｒ27は独立にＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基又はＣ4〜Ｃ20アリール基であり、Ｘ-は有機又は無機陰イオンである。）
【請求項５】
前記アルカリ土類金属イオン又はアルカリ金属イオン源が、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物又はこれらの混合物である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記混合物が約１００〜約３４０℃の範囲内の温度に加熱される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ジアリールカーボネートＩがビス−メチルサリチルカーボネートである、請求項１記載の方法。
【請求項８】
ビスフェノールIIが、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｓｅｃ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン及び４，４′−ジヒドロキシジフェニルエーテルからなる群から選択される、請求項２記載の方法。
【請求項９】
水酸化ナトリウムと第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物とを含む触媒の存在下で、約１４０〜約２４０℃の範囲内の温度及び約０．０１〜約７６０ｍｍＨｇの範囲内の圧力でビスフェノールＡと約０．８〜約１．１０モル当量のビス−メチルサリチルカーボネートとの混合物を加熱することを含んでなる、ビスフェノールＡポリカーボネートの製造方法であって、前記水酸化ナトリウムが原料ビスフェノールＡ１モル当たり水酸化ナトリウム約１×１０-5〜約１×１０-8モルの範囲内の量で存在しており、前記第四級アンモニウム化合物又は第四級ホスホニウム化合物が原料ビスフェノールＡ１モル当たり約２．５×１０-3〜約２．５×１０-6モルの量で存在している、方法。
【請求項１０】
水酸化ナトリウムと第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物とを含む触媒の存在下で、約１４０〜約２４０℃の範囲内の温度及び約０．０１〜約７６０ｍｍＨｇの範囲内の圧力でビスフェノールＡと、ビスフェノールＡのモル数を基準にして約０．８〜約１．１０モル当量のビス−メチルサリチルカーボネートと、使用するビスフェノールＡのモル数を基準にして約０．１〜１０モル％の単官能性フェノール類との混合物を加熱することを含んでなる、ビスフェノールＡポリカーボネートの製造方法であって、前記水酸化ナトリウムが原料ビスフェノールＡ１モル当たり水酸化ナトリウム約１×１０-5〜約１×１０-8モルの範囲内の量で存在しており、前記第四級アンモニウム化合物又は第四級ホスホニウム化合物が原料ビスフェノールＡ１モル当たり約２．５×１０-3〜約２．５×１０-6モルの量で存在している、方法。