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【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣパッケージに備わる複数の端子に対応するように基板上に形成された複数の端子上にハンダを印刷する際に用いるマスクであって、ハンダを通過させる開口を有し、該開口は前記基板上の端子よりも大きいことを特徴とするマスク。
【請求項２】
請求項１において、前記基板にはハンダ・リフロー処理が施されることを特徴とするマスク。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記複数の基板側端子のうちの少なくとも一対の間には導電領域が形成され、
前記開口は当該一対の基板側端子の一方と前記導電領域とにまたがる大きさを有することを特徴とするマスク。
【請求項４】
請求項３において、前記導電領域は前記基板側端子から延びる配線であることを特徴とするマスク。
【請求項５】
ＩＣパッケージに備わる複数の端子に対応するように基板上に形成された複数の基板側端子の個々の上にマスクの開口を通してハンダを
供給する工程を有する配線基板の製造方法において、
前記ハンダは前記基板側端子の個々に対して当該基板側端子よりも広い領域に
供給される
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、前記基板上に供給されたハンダを溶融させるハンダ・リフロー工程をさらに有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記基板側端子のうちの少なくとも一対の間には導電領域が形成され、
前記ハンダを供給する工程では、前記ハンダは１つの前記基板側端子の全部を覆い、且つ、前記導電領域の幅方向の一部又は全部を覆うように前記基板上に供給される
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記導電領域は前記基板側端子から延びる配線であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項５から請求項８のいずれか１つに記載した配線基板の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項５から請求項８のいずれか１つに記載した配線基板の製造方法を実施する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載した電気光学装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載した電気光学装置の製造方法を実施する工程を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載した電子機器の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式ＢａxＳｒ1-xＲｕＯ3（式中、０＜ｘ＜０．３）で表わされ、結晶構造がペロブスカイト型結晶構造を有し、該ペロブスカイト型結晶構造が、擬似立方晶であるとして求めた格子定数が3.930〜3.999Åであるペロブスカイト結晶構造であるバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウムにより形成されたバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極。
【請求項２】
電極の形成が、ＣＳＤ法を適用して実施されることを特徴とする請求項１記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極の製造方法。
【請求項３】
電極の形成が、ＭＯＣＶＤ法、スパッタリング法または蒸着法を適用して実施されることを特徴とする請求項１記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極の製造方法。
【請求項４】
圧電体素子において、該圧電体素子が下部電極および上部電極に挟持された圧電体を含む圧電体素子であって、該下部電極および上部電極が請求項1記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極であることを特徴とする圧電体素子。
【請求項５】
請求項４記載の圧電体素子において、下部電極および上部電極が、請求項２または３記載の電極の製造方法により形成されたものであり、圧電体が、ＣＳＤ法により成膜された、ペロブスカイト型結晶構造を有する、組成式Pb1-xLax(ZryTi1-y)Ｏ3（式中、０≦x＜１、０≦ｙ≦１）で表される（ランタン含有）チタン酸ジルコニウム酸鉛から構成された圧電体であることを特徴とする圧電体素子。
【請求項６】
薄膜キャパシタにおいて、該薄膜キャパシタが下部電極および上部電極に挟持された誘電体を含む薄膜キャパシタであって、該下部電極および上部電極が請求項１記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極であることを特徴とする薄膜キャパシタ。
【請求項７】
請求項６記載の薄膜キャパシタにおいて、下部電極および上部電極が、請求項２または３記載の電極の製造方法により形成されたものであり、誘電体が、ＣＳＤ法により形成された、ペロブスカイト型結晶構造を有する、組成式Pb1-xLax(ZryTi1-y)Ｏ3（式中、０≦x＜１、０≦ｙ≦１）で表される（ランタン含有）チタン酸ジルコニウム酸鉛から構成された誘電体であることを特徴とする薄膜キャパシタ。
【請求項８】
少なくとも、圧力室が形成された圧力室基板と、該圧力室の一方の面に設けられた振動板と、該振動板の該圧力室に対応する位置に設けられ該圧力室に体積変化を及ぼすことができるように構成された圧電体素子と、を備えたインクジェット式記録ヘッドにおいて、該圧電体素子が、請求項５記載の圧電体素子であることを特徴とするインクジェット式記録ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）本発明は、組成式ＢａxＳｒ1-xＲｕＯ3（式中、０＜ｘ＜０．３）で表わされ、結晶構造がペロブスカイト型結晶構造を有し、該ペロブスカイト型結晶構造が、擬似立方晶であるとして求めた格子定数が3.930〜3.999Åであるペロブスカイト結晶構造であるバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウムにより形成されたバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（２）本発明はさらに、電極の形成が、ＣＳＤ法を適用して実施されることを特徴とする前記（１）記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極の製造方法に関するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（３）本発明はさらに、電極の形成が、ＭＯＣＶＤ法、スパッタリング法または蒸着法を適用して実施されることを特徴とする前記（１）記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極の製造方法に関するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（４）本発明はさらに、圧電体素子において、該圧電体素子が下部電極および上部電極に挟持された圧電体を含む圧電体素子であって、該下部電極および上部電極が前記（１）記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極であることを特徴とする圧電体素子に関するものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（５）本発明はさらに、前記（４）記載の圧電体素子において、下部電極および上部電極が、前記（２）または（３）記載の電極の製造方法により形成されたものであり、圧電体が、ＣＳＤ法により成膜された、ペロブスカイト型結晶構造を有する、組成式Pb1-xLax(ZryTi1-y)Ｏ3（式中、０≦x＜１、０≦ｙ≦１）で表される（ランタン含有）チタン酸ジルコニウム酸鉛から構成された圧電体であることを特徴とする圧電体素子に関するものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（６）本発明はさらに、薄膜キャパシタにおいて、該薄膜キャパシタが下部電極および上部電極に挟持された誘電体を含む薄膜キャパシタであって、該下部電極および上部電極が前記（１）記載のバリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム電極であることを特徴とする薄膜キャパシタに関するものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（７）本発明はさらに、前記（６）記載の薄膜キャパシタにおいて、下部電極および上部電極が、前記（２）または（３）記載の電極の製造方法により形成されたものであり、誘電体が、ＣＳＤ法により形成された、ペロブスカイト型結晶構造を有する、組成式Pb1-xLax(ZryTi1-y)Ｏ3（式中、０≦x＜１、０≦ｙ≦１）で表される（ランタン含有）チタン酸ジルコニウム酸鉛から構成された誘電体であることを特徴とする薄膜キャパシタに関するものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（８）本発明はさらに、少なくとも、圧力室が形成された圧力室基板と、該圧力室の一方の面に設けられた振動板と、該振動板の該圧力室に対応する位置に設けられ該圧力室に体積変化を及ぼすことができるように構成された圧電体素子と、を備えたインクジェット式記録ヘッドにおいて、該圧電体素子が、前記（５）記載の圧電体素子であることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドに関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入射光量に応じた信号電荷を発生する光電変換部と、
複数のカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に形成された平坦化層と、
前記カラーフィルタが隣接する領域上に配された、前記平坦化層の表面の凹凸が０．２μｍ以下であることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】  前記平坦化層の膜厚が、１．０μｍ以上である請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】  入射光量に応じた信号電荷を発生する光電変換部と、
複数のカラーフィルタと、
前記入射光を、前記カラーフィルタの分光特性が同一の領域を通過させる形状である、前記光電変換部に入射光を集光する集光レンズと、
を有する固体撮像素子。
【請求項４】  前記集光レンズは、
前記入射光を、前記カラーフィルタの膜厚が同一の領域を通過させる形状である請求項３記載の固体撮像素子。
【請求項５】  前記集光レンズは、
画素径をＬとしたとき、前記画素の両端から内側に０．１Ｌから０．２５Ｌの位置で、前記入射光の最も外側の光路と、前記カラーフィルタの前記集光レンズとの対向面とを一致させる形状である請求項３記載の固体撮像素子。
【請求項６】  前記光電変換部と前記カラーフィルタ間に形成される配線層を有し、
前記配線層は、前記入射光の最も外側の光路と交差しないように配置された配線を有する請求項３記載の固体撮像素子。
【請求項７】  前記集光レンズは、
カラーフィルタの機能を有する請求項１乃至６のいずれか１項記載の固体撮像素子。
【請求項８】  前記カラーフィルタが、分割露光により形成された請求項１乃至７のいずれか１項記載の固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明の固体撮像素子は、入射光量に応じた信号電荷を発生する光電変換部と、
複数のカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に形成された平坦化層と、
前記カラーフィルタが隣接する領域上に配された、前記平坦化層の表面の凹凸が０．２μｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このとき、前記平坦化層の膜厚が、１．０μｍ以上であることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、前記カラーフィルタが、分割露光により形成されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置及び固体撮像装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  寄生容量から成る容量素子を備えた半導体集積回路装置であって、
前記容量素子を構成する、同一のマスクを用いて形成される少なくとも２つの第１の素子と、
前記第１の素子を結ぶ直線を挟んで対称な位置に、前記第１の素子と異なるマスクを用いて形成される、前記第１の素子と対をなす第２の素子と、
を有する半導体集積回路装置。
【請求項２】  請求項１に記載の半導体集積回路装置を含む固体撮像装置において、
光電変換素子への入射光量に応じて発生した信号電荷を、該光電変換素子の後段に接続される前記容量素子に蓄積して信号電圧として取り出すことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】  前記第１の素子を含むパターンは複数の領域に分割され、該領域毎に露光されることで所望のパターンが形成される請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】  前記複数の領域の境界は、
前記容量素子を含まない位置である請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】  入射光を電荷に変換する光電変換部と、
該光電変換部の電荷に応じた電圧を出力するための増幅トランジスタと、
該増幅トランジスタの入力部となるフローティングディフュージョン部と、
前記光電変換部から前記フローティングディフュージョン部へ前記電荷を転送するための転送トランジスタと、
を含む固体撮像装置であって、
前記フローティングディフュージョン部と前記増幅トランジスタのゲート電極とが第１のコンタクトを介して接続され、
前記増幅トランジスタの主電極領域の一方に第２のコンタクトが接続され、
前記第１のコンタクトと前記第２のコンタクトとを結ぶ直線を挟んで、前記転送トランジスタのゲート電極と前記増幅トランジスタのゲート電極とが反対側に配されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】  前記第１のコンタクト及び第２のコンタクトを含むパターンは複数の領域に分割され、該領域毎に露光されることで所望のパターンが形成される請求項５記載の固体撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は寄生容量を利用する半導体集積回路装置及び固体撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記したような従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものであり、製造時の素子の位置ずれによる素子間の容量が変化し難い構成を備えた半導体集積回路装置及び固体撮像装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
一方、本発明の固体撮像装置は、上記半導体集積回路装置を含む固体撮像装置において、
光電変換素子への入射光量に応じて発生した信号電荷を、該光電変換素子の後段に接続される前記容量素子に蓄積して信号電圧として取り出すことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ここで、前記第１の素子を含むパターンは複数の領域に分割され、該領域毎に露光されることで所望のパターンが形成されていてもよく、
前記複数の領域の境界は、
前記容量素子を含まない位置であってもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
または、本発明の固体撮像装置は、入射光を電荷に変換する光電変換部と、
該光電変換部の電荷に応じた電圧を出力するための増幅トランジスタと、
該増幅トランジスタの入力部となるフローティングディフュージョン部と、
前記光電変換部から前記フローティングディフュージョン部へ前記電荷を転送するための転送トランジスタと、
を含む固体撮像装置であって、
前記フローティングディフュージョン部と前記増幅トランジスタのゲート電極とが第１のコンタクトを介して接続され、
前記増幅トランジスタの主電極領域の一方に第２のコンタクトが接続され、
前記第１のコンタクトと前記第２のコンタクトとを結ぶ直線を挟んで、前記転送トランジスタのゲート電極と前記増幅トランジスタのゲート電極とが反対側に配されていることを特徴とする。
ここで、前記第１のコンタクト及び第２のコンタクトを含むパターンは複数の領域に分割され、該領域毎に露光されることで所望のパターンが形成されてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記のような半導体集積回路装置及び固体撮像装置では、容量素子を構成する第１の素子と対をなす第２の素子を、第１の素子を結ぶ直線を挟んで対称な位置に形成することで、第１の素子と第２の素子の位置関係がずれても２対の素子間の距離の和は維持されるため、２対の素子間の寄生容量の変化が相殺される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１導電型の第１シリコンゲルマニウム膜と、
前記第１シリコンゲルマニウム膜上に形成された第１導電型の第２シリコンゲルマニウム膜と、
前記第２シリコンゲルマニウム膜上に形成された第１導電型のシリコン膜と、
前記シリコン膜の上面側に形成された前記第１導電型と逆の第２導電型の半導体領域と、
を有し、
前記第２シリコンゲルマニウム膜の厚み方向のゲルマニウム濃度分布が、前記第１シリコンゲルマニウム膜との界面から前記シリコン膜との界面に向かって徐々に減少していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
相対的に高い不純物濃度を有する第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１導電型の第１シリコンゲルマニウム膜と、
前記第１シリコンゲルマニウム膜上に形成された第１導電型の第２シリコンゲルマニウム膜と、
前記第２シリコンゲルマニウム膜上に形成され、相対的に低い不純物濃度を有する第１導電型のシリコン膜と、
前記シリコン膜の上面側に形成され、相対的に高い不純物濃度を有する前記第１導電型と逆の第２導電型の半導体領域と、
を有し、
前記第１シリコンゲルマニウム膜の厚み方向のゲルマニウム濃度分布が一定であり、前記第２シリコンゲルマニウム膜の厚み方向のゲルマニウム濃度分布が、前記第１シリコンゲルマニウム膜との界面から前記シリコン膜との界面に向かって徐々に減少し、
前記半導体基板、前記第１シリコンゲルマニウム膜、前記第２シリコンゲルマニウム膜、前記シリコン膜、および前記半導体領域によってダイオードが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
相対的に高い不純物濃度を有する第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、相対的に高い不純物濃度を有する第１導電型の第１シリコンゲルマニウム膜と、
前記第１シリコンゲルマニウム膜上に形成された第１導電型の第２シリコンゲルマニウム膜と、
前記第２シリコンゲルマニウム膜上に形成され、相対的に低い不純物濃度を有する第１導電型のシリコン膜と、
前記シリコン膜の上面側に形成され、相対的に高い不純物濃度を有する前記第１導電型と逆の第２導電型の半導体領域と、
を有し、
前記第１シリコンゲルマニウム膜の厚み方向のゲルマニウム濃度分布が一定であり、前記第２シリコンゲルマニウム膜の厚み方向のゲルマニウム濃度分布が、前記第１シリコンゲルマニウム膜との界面から前記シリコン膜との界面に向かって徐々に減少し、
前記半導体基板、前記第１シリコンゲルマニウム膜、前記第２シリコンゲルマニウム膜、前記シリコン膜、および前記半導体領域によってダイオードが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
相対的に高い不純物濃度を有する第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、相対的に高い不純物濃度を有する第１導電型の第１シリコンゲルマニウム膜と、
前記第１シリコンゲルマニウム膜上に形成され、相対的に低い不純物濃度を有する第１導電型の第２シリコンゲルマニウム膜と、
前記第２シリコンゲルマニウム膜上に形成され、相対的に低い不純物濃度を有する第１導電型のシリコン膜と、
前記シリコン膜の上面側に形成され、相対的に高い不純物濃度を有する前記第１導電型と逆の第２導電型の半導体領域と、
前記半導体領域上に形成された第１電極と、
前記半導体基板の前記第１シリコンゲルマニウム膜が形成された面と逆側の面上に形成された第２電極と、
を有し、
前記第１シリコンゲルマニウム膜の厚み方向のゲルマニウム濃度分布が一定であり、前記第２シリコンゲルマニウム膜の厚み方向のゲルマニウム濃度分布が、前記第１シリコンゲルマニウム膜との界面から前記シリコン膜との界面に向かって徐々に減少し、
前記第１電極と前記第２電極との間にダイオードが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１導電型の半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に第１導電型の第１シリコンゲルマニウム膜をエピタキシャル成長させる工程と、
前記第１シリコンゲルマニウム膜上に第１導電型の第２シリコンゲルマニウム膜をエピタキシャル成長させる工程と、
前記第２シリコンゲルマニウム膜上に第１導電型のシリコン膜をエピタキシャル成長させる工程と、
前記シリコン膜の上面側から前記シリコン膜内に前記第１導電型と逆の第２導電型の半導体領域を形成する工程と、
を有し、
前記第２シリコンゲルマニウム膜の厚み方向のゲルマニウム濃度分布が、前記第１シリコンゲルマニウム膜との界面から前記シリコン膜との界面に向かって徐々に減少していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、入射光を光電変換し得られた電気信号を増幅する増幅型単位画素を一次元状または二次元状に配列した感光領域と前記単位画素を駆動する走査回路および出力アンプ回路を有する撮像チップと、前記撮像チップから出力される信号を信号処理し、所望の信号に変換するデジタル信号処理チップいわゆるＤＳＰチップからなるチップセットであって、前記ＤＳＰチップにタイミング発生回路を備え、又前記ＤＳＰチップのトランジスタはＣＭＯＳで構成されたものであり、かつ前記撮像チップのトランジスタは同一導電型のトランジスタで構成されていることを特徴とする撮像装置チップセット。
【請求項２】
前記撮像チップのトランジスタはｎＭＯＳで構成されていることを特徴とする請求項１記載の撮像装置チップセット。
【請求項３】
前記撮像チップのトランジスタは前記ＣＭＯＳの最小寸法より大きい最小寸法設計基準で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の撮像装置チップセット。
【請求項４】
前記チップセットにおける前記撮像チップの走査回路およびタイミング発生回路と出力アンプ回路について、一部または全部がダイナミック回路により設計されていることを特徴とする請求項１記載の撮像装置チップセット。
【請求項５】
前記チップセットにおける前記撮像チップの走査回路およびタイミング発生回路と出力アンプ回路について、一部または全部がダイナミック回路により設計され、ダイナミック回路のＭＯＳトランジスタ部分の酸化膜を厚くして高耐圧化されていることを特徴とする請求項１または請求項４項記載の撮像装置チップセット。
【請求項６】
前記チップセットにおける前記撮像チップの前記トランジスタが半導体基板を侵食しないように形成された絶縁膜とイオン注入層からなる素子分離領域を持つことを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載の撮像装置チップセット。
【請求項７】
前記チップセットにおける前記撮像チップの増幅型単位画素が埋め込み型フォトダイオードを有することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項６記載の撮像装置チップセット。
【請求項８】
前記走査回路に供給するタイミングパルスを発生するタイミング発生回路がＤＳＰチップ側に搭載されていることを特徴とする請求項１または請求項４または請求項５記載の撮像装置チップセット。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の撮像装置チップセットを組み込んでいること特徴とする画像ピックアップシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明の請求項１記載の撮像装置チップセットは、半導体基板上に、入射光を光電変換し得られた電気信号を増幅する増幅型単位画素を一次元状または二次元状に配列した感光領域と前記単位画素を駆動する走査回路および出力アンプ回路を有する撮像チップと、前記撮像チップから出力される信号を信号処理し、所望の信号に変換するデジタル信号処理チップいわゆるＤＳＰチップからなるチップセットであって、前記ＤＳＰチップにタイミング発生回路を備え、又前記ＤＳＰチップのトランジスタはＣＭＯＳで構成されたものであり、かつ前記撮像チップのトランジスタは同一導電型のトランジスタで構成されていることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以上のような組成を有する急冷合金薄帯は、例えば、ストリップキャスト法により厚みが６０μｍ〜３００μｍのものとして作製される。ストリップキャスト法は、回転するロールに合金溶湯を直接注いで薄帯を作製する方法であり、このような比較的厚みのある薄帯を作製するのに適している。ストリップキャスト法により作製された厚みが６０μｍ〜３００μｍの急冷合金薄帯は、非晶質であるか、または硬磁性相と軟磁性相が１５０ｎｍ以下の平均結晶粒径からなる微細結晶質から構成されるため、ランダムな方向に粉砕されやすい性状を有するので、粗粉砕や機械的加工による球形化処理に都合がよい。なお、急冷合金薄帯の作製に際しては、その非晶質性を高めることで固有保磁力（ＨｃＪ）を２０ｋＡ／ｍ以下とすることにより、粗粉砕時や機械的加工による球形化処理時に起こりうる、装置などから発生する磁場による着磁に起因した粒子の磁気的凝集を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
そして、このような難溶性カリウム化合物としては、例えば、過塩素酸カリウム（ＫＣｌＯ４）、酒石酸水素カリウム（ＫＨＣ４Ｈ４Ｏ６）、ヘキサクロロ白金酸カリウム（Ｋ２（ＰｔＣｌ６））、及びヘキサニトロコバルト酸カリウムＫ３〔Ｃｏ（ＮＯ２）６〕を使用することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
（実施例２〜４）
カリウムの添加形態として、ＫＣｌＯ４に代えて、ＫＨＣ４Ｈ４Ｏ６（実施例２）、Ｋ２（ＰｔＣｌ６）（実施例３）、Ｋ３〔Ｃｏ（ＮＯ２）６〕（実施例４）を使用した積層型バリスタを作製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
【表１】
2004111914.tif 000001
この表１から明らかなように、比較例１〜１２のバリスタは、素原料中に易溶性カリウム化合物を添加しているので、バリスタ電圧Ｖ１ｍＡのバラツキは２０％を超え、また、絶縁抵抗ＩＲのバラツキも２００％を超えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
具体的には、実施例２１では分散剤としてポリカルボン酸アンモニウム塩を使用し、実施例２２では分散剤としてポリカルボン酸ナトリウム塩を使用し、比較例２１では分散剤としてポリスルホン酸アンモニウム塩、比較例２２ではポリスルホン酸ナトリウム塩を使用した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係るバリスタの製造方法は、主成分である酸化亜鉛に、副成分として少なくともカリウムを含有した化合物（好ましくはプラセオジムを含有した化合物及びコバルトを含有した化合物をさらに含む）を添加し、得られた混合物を湿式粉砕する混合粉砕工程を含むバリスタの製造方法において、前記カリウムは、水温２５℃下、水溶液１００ｇに対するカリウムの溶解量が３ｇ以下の難溶性カリウム化合物、具体的にはＫＣｌＯ４、ＫＨＣ４Ｈ４Ｏ６、Ｋ２（ＰｔＣｌ６）、及びＫ３〔Ｃｏ（ＮＯ２）６〕の形態で添加するので、湿式の混合粉砕工程において、カリウムが一次スラリー中へ流出したり溶解することがなく、得られる原料組成物（原料粉末）の組成ずれを起こすことがない。また、一次スラリーのｐＨが変動してその粘度が上昇することもなく、混合・粉砕力の低下や分散性の低下を抑制することができる。しかも、乾燥処理において、カリウムの再結晶化による凝集や偏析を抑制することができるので、低電圧で駆動可能な信頼性に優れたバリスタを製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
プリント配線板等に使用される多層回路基板の内部には、３次元での電気的接続を実現する目的で、所定の配線層の表面に配置された導電体配線（以下、「層面配線」あるいは「回路パターン」と略称することがある）、所定の配線層内を貫通する導電体配線（以下、「層内配線」と略称することがある）、および所定の配線層間を接続する導電体配線（以下、「層間配線」と略称することがある）が形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図１は、本発明の第１実施形態に係る多層回路基板の製造方法を示す。図１（ａ）は多層回路基板を熱圧着によって製造する前の状態を示している。この図では、低融点の熱可塑性液晶ポリマーフィルムＡと、このフィルムＡよりも高融点の２つの熱可塑性液晶ポリマーフィルムＢ，Ｃを用い、これら高融点のフィルムＢ，Ｃには、それぞれ回路パターンＤとマイクロビアＥが形成されている。このマイクロビアＥ内には、前記した高融点のフィルムＢ，Ｃに必要に応じて形成された回路パターンＤに接触して、この回路パターンＤを外部に導出させるための導電ペーストや半田などの導電体Ｆが充填されている。また、前記低融点のフィルムＡの厚みは、積層後に回路パターンＤの高さと実質的に同一となるように設定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【表６】
2004111942.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、
一方向に延在し前記一方向に交差する他方向に並設され、かつ電子源を有する複数本の陰極配線と、表示領域内で前記陰極配線と非接触で交差し、かつ前記他方向に延在し前記一方向に並設されて前記電子源からの電子を前記前面基板側に放出させる複数本の帯状電極素子を平行配列した制御電極を内面に有して前記前面基板と所定の間隔をもって対向する背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で前記表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持するための枠体とを有する表示装置であって、
前記陰極配線は延在する一端側を前記表示領域外でかつ前記枠体より内側で終端させ、この終端と前記陽極間に該陽極より低電位の電極からなる遮蔽体を介挿させたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記遮蔽体が前記電子通過孔の無い帯状電極素子と同一形状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記遮蔽体が前記電子通過孔を有する帯状電極素子と同一形状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、
一方向に延在し前記一方向に交差する他方向に並設され、かつ電子源を有する複数本の陰極配線と、表示領域内で前記陰極配線と非接触で交差し、かつ前記他方向に延在し前記一方向に並設されて前記電子源からの電子を前記前面基板側に放出させる複数本の帯状電極素子を平行配列した制御電極を内面に有して前記前面基板と所定の間隔をもって対向する背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で前記表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持するための枠体とを有する表示装置であって、
前記陰極配線は延在する一端側を前記表示領域外でかつ前記枠体より内側で終端させ、この終端と前記陽極間に前記枠体と略同じ高さを有する別の枠体を介挿させたことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、
一方向に延在し前記一方向に交差する他方向に並設され、かつ電子源を有する複数本の陰極配線と、表示領域内で前記陰極配線と非接触で交差し、かつ前記他方向に延在し前記一方向に並設されて前記電子源からの電子を前記前面基板側に放出させる複数本の帯状電極素子を平行配列した制御電極を内面に有して前記前面基板と所定の間隔をもって対向する背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で前記表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持するための枠体とを有する表示装置であって、
前記陰極配線は延在する一端側を前記表示領域外でかつ前記枠体と重畳する位置で終端させたことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】コンデンサを充電するための昇圧用トランスと、該昇圧用トランスの一次巻線に接続されるスイッチング素子と、該スイッチング素子のオン、オフを制御し、前記コンデンサへの充電制御を行うための制御信号を出力する制御信号出力手段とを有するコンデンサ充電装置において、
前記昇圧用トランスの二次側の充電状態に応じた周期のモニタ信号を出力するモニタ信号出力手段と、前記モニタ信号の周期を計測し、該周期が所定時間よりも短くない場合は、前記制御信号出力手段に前記モニタ信号に応じて変化する周期の制御信号を出力させて前記スイッチング素子のオン、オフを制御する第１の充電制御を行い、前記モニタ信号の周期が前記所定時間よりも短い場合は、前記制御信号出力手段に固定の周期の制御信号を出力させて前記スイッチング素子のオン、オフを制御する第２の充電制御を行う充電制御手段とを有することを特徴とするコンデンサ充電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、コンデンサを充電するための昇圧用トランスと、該昇圧用トランスの一次巻線に接続されるスイッチング素子と、該スイッチング素子のオン、オフを制御し、前記コンデンサへの充電制御を行うための制御信号を出力する制御信号出力手段とを有するコンデンサ充電装置において、前記昇圧用トランスの二次側の充電状態に応じた周期のモニタ信号を出力するモニタ信号出力手段と、前記モニタ信号の周期を計測し、該周期が所定時間よりも短くない場合は、前記制御信号出力手段に前記モニタ信号に応じて変化する周期の制御信号を出力させて前記スイッチング素子のオン、オフを制御する第１の充電制御を行い、前記モニタ信号の周期が前記所定時間よりも短い場合は、前記制御信号出力手段に固定の周期の制御信号を出力させて前記スイッチング素子のオン、オフを制御する第２の充電制御を行う充電制御手段とを有するコンデンサ充電装置とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記モニタ信号の周期、つまりＬｏｗの期間の計時を終了すると、該Ｌｏｗの期間と予め定められた所定時間（充電制御のための制御信号１３の周期を固定してもその後の充電精度に殆ど影響のない時間）とを比較し、Ｌｏｗの期間の方が長い間（＃１０４のＮＯ）はステップ＃１０２へ戻り、以下同様の動作（＃１０２→＃１０３→＃１０４→＃１０２……）を繰り返す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記Ｌｏｗの期間が前記所定時間より短くなった後の充電の制御期間を、図２および図３にて、第２の充電制御を行う期間２１として示している。このように固定の周期の制御信号１３を出力して前記メインコンデンサ６への充電を行うことにより、制御回路１１にて計時等の動作、つまり上記ステップ＃１０３，＃１０４の動作をモニタ信号１４の各周期毎にする必要がなくなり、制御回路１１での負荷が軽くなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
充電動作を開始すると（＃２０１）、まず制御回路１１内の制御信号出力部より図６に示すようにＨｉの制御信号１３を第１の時間、出力し（＃２０２）、スイッチング素子３をその間、オンにする。スイッチング素子３がオンすると、このオンの間、昇圧用トランス４の一次巻線に一次電流が流れる（図６参照）。その後、前記制御信号１３が停止して前記スイッチング素子３がオンからオフに移行するようになると、前記昇圧トランス４の二次巻線に二次電流（フライバック電流）が発生（図６参照）し、ダイオード５を介してメインコンデンサ６への充電が開始される。この時、前記フライバック電流を検出するモニタ信号出力回路７からＬｏｗのモニタ信号１４が出力されるようになる。このモニタ信号１４は前記フライバック電流が所定値になるまで（比較器の基準電圧に達するまで）その出力がＬｏｗとなるものであり、制御回路１１内の第２の計時部はこのモニタ信号のＬｏｗの期間を第２の時間として計時する（＃２０３）。この計時されたＬｏｗの期間の周期、つまり第２の時間は不図示のメモリに記憶される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
さらに、図９に示すように、第２の計時部により計時された第２の時間に応じて、前記第３の時間をステップ的に変化させても構わない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
更に、前記第３の時間を、第２の計時部により計時された第２の時間が所定値以下の場合には、変化しない制御を行っても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記電気的絶縁基板としては、セラミック多層絶縁基板が好ましく、前記第１、第２の貫通導電体のそれぞれが前記電気的絶縁基板の前記裏面に設けられた金属バンプとすれば、ボールグリッドアレーを構成することができて便利である。また、ヒータを前記電気的絶縁基板に複数集積してヒータ配列とすれば、超小型高密度実装ヒータを実現できて有利である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例の説明において、以下で参照する図１−３に描かれたヒータの各部の寸法は、該説明の便宜のため、実際のヒータの寸法比を反映したものとはなっていない。
図１を参照して、前記第１、第２の従来技術についての新たな知見を説明する。
第１の従来技術の抵抗発熱体を有するヒータ１００では、セラミック基板１の熱伝導率が、ガラス基板のそれに比べて、１０倍から２０倍程度もあり、セラミック基板１のみではガラス基板にくらべ加熱にエネルギー、即ち電力と時間がかかる。そのため、抵抗発熱体１００は熱伝導率の小さいガラスグレーズ層２を抵抗発熱体層３とセラミック基板１との間に設けてヒータの熱効率を改善したものである。
また、抵抗発熱体層３を高速動作が可能な熱容量の小さい薄膜で製作する場合には、基板表面が十分平坦である必要があるが、ガラスグレーズ層２はセラミック基板１の表面の凹凸を覆い、表面の平坦化も同時に実現する効果をも奏する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
薄膜抵抗層３の発熱部の直下で絶縁基板１の一部を介して配置される伝熱体１０は、伝熱特性が絶縁基板より格段に優れていれば良く、必ずしも導電体や金属である必要はない。伝熱体１０は窒化アルミ粉や窒化ボロン粉を混ぜた樹脂やセラミックであっても構わない。しかしながら、基板貫通導電体７，８と同様な材料が作業上、性能上好適である。伝熱体１０は絶縁基板１の裏面より埋め込まれ、伝熱体１０の上端と絶縁基板１の表面と距離Ｈ（＞０）だけ離れている。伝熱体１０の上端の形状は、平坦であることが伝熱特性の均一性および製造上の理由からもっとも合理的である。本発明の一実施例では、伝熱体１０  を作り込むため、絶縁基板１に裏面より穴を穿ち、穴の底部に厚さＨの部分を残留させるようにして、伝熱体１０を該穴に挿入固定する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ装置、レーザ照射方法、および半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振器から発振されたレーザ光の一部をサンプリングする光学系と、
前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成する手段と、
前記発振器が有する放電管内におけるガスの流量を調整する流量調整手段と、
前記電気信号に信号処理を施すことで前記レーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、該把握されたエネルギーの状態をもとに、前記レーザ光のエネルギーの変動を抑えるように、前記流量調整手段を制御して前記ガスの流量を調整する信号処理部と、
を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
発振器から発振されたレーザ光の一部をサンプリングする光学系と、
前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第１の電気信号を生成する手段と、
前記発振器が有する放電管内におけるガスの流量を調整する流量調整手段と、
前記放電管内の特定の位置における前記ガスの圧力を測定し、該圧力の値をデータとして含む第２の電気信号を生成する手段と、
前記第１の電気信号に信号処理を施すことで前記レーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、前記第２の電気信号に信号処理を施すことで前記特定の位置における前記ガスの圧力を把握し、前記把握されたエネルギーの状態及び前記ガスの圧力をもとに、前記レーザ光のエネルギーの変動を抑えるように、前記流量調整手段を制御して前記ガスの流量を調整する信号処理部と、
を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項３】
発振器から発振されたレーザ光の一部をサンプリングして、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記電気信号に信号処理を施すことで前記レーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、
該把握されたエネルギーの状態をもとに、前記レーザ光のエネルギーの変動を抑えるように、流量調整手段を制御して前記発振器が有する放電管内におけるガスの流量を調整することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
発振器から発振されたレーザ光の一部をサンプリングして、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第１の電気信号を生成し、
前記発振器が有する放電管内の特定の位置におけるガスの圧力を測定し、該圧力の値をデータとして含む第２の電気信号を生成し、
前記第１の電気信号に信号処理を施すことで前記レーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、
前記第２の電気信号に信号処理を施すことで前記特定の位置における前記ガスの圧力を把握し、
前記把握されたエネルギーの状態及び前記ガスの圧力をもとに、前記レーザ光のエネルギーの変動を抑えるように、流量調整手段を制御して前記ガスの流量を調整することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
発振器から発振されたレーザ光の一部をサンプリングして、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記電気信号に信号処理を施すことで前記レーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、
該把握されたエネルギーの状態をもとに、前記レーザ光のエネルギーの変動を抑えるように、流量調整手段を制御して前記発振器が有する放電管内におけるガスの流量を調整し、
半導体膜におけるビームスポットが走査方向において重なるように、前記ガスの流量を調整することで得られるレーザ光を前記半導体膜に対して照射することで、前記半導体膜の結晶性を高めることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
発振器から発振されたレーザ光の一部をサンプリングして、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第１の電気信号を生成し、
前記発振器が有する放電管内の特定の位置におけるガスの圧力を測定し、該圧力の値をデータとして含む第２の電気信号を生成し、
前記第１の電気信号に信号処理を施すことで前記レーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、
前記第２の電気信号に信号処理を施すことで前記特定の位置における前記ガスの圧力を把握し、
前記把握されたエネルギーの状態及び前記ガスの圧力をもとに、前記レーザ光のエネルギーの変動を抑えるように、流量調整手段を制御して前記ガスの流量を調整し、
半導体膜におけるビームスポットが走査方向において重なるように、前記ガスの流量を調整することで得られるレーザ光を前記半導体膜に対して照射することで、前記半導体膜の結晶性を高めることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成され、キャパシタ領域および周辺領域を有する半導体装置であって、前記周辺領域において、
前記半導体基板の上方に位置する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を貫通するように、その筒形状の底部を下に、開口側を上にして位置する、底部を有する筒状金属膜とを備え、
前記筒状金属膜の前記開口側は、その筒状金属膜が位置する貫通孔の壁面に延在する部分のみから形成されている、半導体装置。
【請求項２】
前記筒状金属膜は、その金属の酸化物が導電性を有する金属の層、またはその金属の酸化物が導電性を有する金属から選ばれた複数の金属層、から構成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記筒状金属膜は、前記層間絶縁膜と接する下地金属膜と、その上に接して位置する電極金属膜との２層金属膜から構成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記キャパシタ領域においては、前記筒状金属膜の筒形状の内面および外面を被覆する誘電体膜と、さらにその誘電体膜を被覆する金属膜とが配置され、前記周辺領域においては、前記筒状金属膜は、その筒形状の外面が前記層間絶縁膜で覆われている、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記層間絶縁膜を貫通し、前記キャパシタ領域と前記周辺領域との間を遮るように延びるガードリングを備える、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記周辺領域における層間絶縁膜の上面が、前記ガードリングの上端より低くなるように、前記ガードリング上端と前記周辺領域における層間絶縁膜の上面との間に段差がある、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記層間絶縁膜の下に位置する下地層間絶縁膜を貫通して、前記筒状金属膜の底部と下方部とを導通するプラグ配線が、前記筒状金属膜の底部と接する上部接続部と、その上部接続部と異なる材質で構成され、その上部接続部から連続して下方に延びる下方接続部とを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体基板の裏面側に、前記筒状金属膜と同じ処理機会に形成された金属膜を有しない、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板に形成され、キャパシタ領域および周辺領域を有する半導体装置であって、
前記半導体基板の上方に、前記キャパシタ領域および周辺領域の両方にわたって位置する層間絶縁膜と、
前記キャパシタ領域および周辺領域において、それぞれ、前記層間絶縁膜を貫通するように、その筒形状の底部を下に、開口側を上にして位置する、底部を有する筒状の不純物含有半導体膜と、
前記層間絶縁膜を貫通し、前記キャパシタ領域と前記周辺領域との間を遮るように延びるガードリングとを備え、
前記周辺領域における層間絶縁膜の上面が、前記ガードリングの上端より低くなるように、前記ガードリング上端と前記周辺領域における層間絶縁膜の上面との間に段差がある、半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体装置がＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memory)であり、そのＤＲＡＭにおけるストレージノードが、前記筒状金属膜または不純物を含む筒状半導体膜によって形成される、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、図１の半導体装置の注目すべき部分の製造方法、すなわち筒状金属膜が層間絶縁膜の上面に延在する部分を形成しないようにする製造方法について説明する。層間絶縁膜７および絶縁膜５に対してエッチングにより、筒状金属膜を蒸着するための孔パターンを形成する(図２参照）。この孔パターンと、次に説明するガードリングの溝パターンとを併せて指す場合には、孔溝パターンと記す。次いで、基板全体を覆う、すなわち孔パターン内および層間絶縁膜７の上面を被覆する金属膜１１，１３を蒸着する。その後、レジスト９１またはシリコン酸化膜系塗布膜を塗る（図２）。その後、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)により、層間絶縁膜７が露出するレベルまで研磨することにより、図３に示す状態を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図２４を参照して、シリコン基板全面にシリコン窒化膜４６と、前記層間絶縁膜４２と同様の材質の層間絶縁膜４８を堆積する。さらに、導電性プラグ４４と接触するように、シリコン窒化膜４６と層間絶縁膜４８の所望の場所に、キャパシタ下部電極用の孔パターン５１と、ガードリング用溝パターン５２とを形成する。キャパシタ下部電極用の孔パターン５１はＤＲＡＭセル領域に設けられ、また、ガードリング用溝パターン５２は、ＤＲＡＭセル領域とＤＲＡＭ周辺回路領域との境界部に設けられる。なお、上記の層間絶縁膜４８が、実施の形態１〜６の層間絶縁膜７に該当する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術において、図９の構成のパワーモジュールでは、ワイヤボンディングを使用して回路の配線を行うため、ワイヤボンディングのループ高さが必要となり、また、ワイヤボンディングするパッドスペースが必要となるため、パワーモジュールの薄型化、小型化ができないという問題点があった。また、ワイヤボンディングによる製造工程では、１度のボンディングでは１本ずつしかボンディングできないため、製造工数が増加するという問題点があった。
また、特許文献１において、第１の支持体と第２の支持体によるサンドイッチ構造では、半導体チップとの接合に、例にあげられた導電性ボールを使用し、特に第１の支持体と第２の支持体は同一面積の支持体を使用するため高さ管理や電極間のブリッジ検査など、製造工程上の管理、検査項目が増えるという問題点があった。
そこで、本発明は小型化でインテリジェント化しても実装面積が小さく、かつアプリケーションとの接続方法の選択の幅が広く、製造工数が少ないパワーモジュールを提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
電極２、３は、電極３について図３に示すように、始めに第１の層となるクロム３ｂが成膜され、続いて第２の層となるニッケル３ａが成膜される。成膜は、金属を合成石英ガラス表面に蒸着させることにより形成される。好ましくは、イオンプレーティング法やスパッタリング法による蒸着であり、プラズマ空間でイオン化された金属をガラス表面に衝突させ強固な膜を形成することができる。この方法を用いることにより、電極と合成石英ガラスとの接着性を高めることができる。成膜の整形および網目状のパターンの形成は、第２の層を成膜後、エッチングにより不要部を除去することで行うことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１    放電容器
１ａ  角管
１ｂ  前後端壁板
１ｃ  チップ管
２    電極
３    電極
３ｂ  第１の層
３ａ  第２の層
４    電極保護部材