(57)【要約】  放射線検出装置を提供する。  半導体基板１は、ＳｉＣの結晶である。半導体基板１の一方の面には、所要の面積を有しＸ線の入射面としての金属膜２を形成してある。半導体基板１の他方の面の中央部には、円形状の電極３を形成し、電極３を囲むように半導体基板１の外周付近に環状の電極４を形成してある。金属膜２及び環状の電極４には、所定の直流電圧Ｖｄ（例えば、−１００Ｖ〜−１０００Ｖ程度）を印加する。電極３は、接地レベルの電圧を印加してある。金属膜２に入射したＸ線（γ線）により半導体基板１内で電子・正孔の対が生成される。生成された電子は電極３に集められ出力端子から電気信号として取り出される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した放射線により生成される電荷に基づいて放射線を検出する放射線検出装置において、
高純度かつ半絶縁性を有する半導体基板と、
該半導体基板の一面に放射線を入射させるための入射面と、
該半導体基板の他面に電荷を取り出す電極と
を備えることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
前記半導体基板は、
抵抗率が１×１０6 Ωｃｍ以上１×１０14 Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記半導体基板は、
ドナー準位又はアクセプタ準位に寄与する不純物の濃度が１×１０16ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記半導体基板は、
深い準位に寄与する不純物の濃度が１×１０15ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項３に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記半導体基板は、
板厚が０．３ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記半導体基板は、
シリコンカーバイド、ガリウム砒素、テルル化カドミウム、ダイヤモンド又はヨウ化水銀などのシリコンよりエネルギーギャップが広い半導体であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記電極の周囲に該電極から離隔して電圧印加用の環状電極を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の放射線検出装置。
【請求項８】
前記電極を適長離隔して複数備え、
各電極の周囲に該電極から離隔して電圧印加用の環状電極を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の放射線検出装置。
【請求項９】
前記電極及び環状電極は、
前記入射面に対応した位置に設けてあることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の放射線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、放射線検出装置に関し、特に検出媒体として半導体素子を用いた放射線検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン（Ｓｉ）半導体基板の一方にＰ型半導体結晶を形成し、他方にはＮ型半導体結晶を形成し、Ｐ型半導体結晶とＮ型半導体結晶の外側に金属電極を形成し、両電極間に電圧を印加し、Ｓｉ半導体基板全体を空乏層化し、入射した放射線により空乏層領域で生成された電荷を測定することで放射線検出を行う放射線検出器が開示されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−１２０５４９号公報
【図面の簡単な説明】
【０００３】
【図１】実施の形態１の放射線検出装置の要部斜視図である。
【図２】実施の形態１の放射線検出装置の要部断面図である。
【図３】半導体基板に含まれる不純物濃度の例を示す説明図である。
【図４】実施の形態２の放射線検出装置の要部断面図である。
【図５】実施の形態３の放射線検出装置の要部平面図である。
【図６】実施の形態４の放射線検出装置の要部平面図である。
【図７】実施の形態５の放射線検出装置の要部断面図である。
【符号の説明】
【０００４】
１  半導体基板
２  金属膜（電極）
３，４  電極
５  電極
２１  Ｐ層（カソード）
２２  Ｎ層（アノード）
２３  Ｐ層
２４、２５、２６  電極
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
実施の形態１
図１は実施の形態１の放射線検出装置１００の要部斜視図であり、図２は実施の形態１の放射線検出装置１００の要部断面図である。図１において、１はＸ線、γ線、α線等の放射線検出素子としての半導体基板である。半導体基板１は、シリコンカーバイド（以下、「ＳｉＣ」という。）の結晶である。半導体基板１は、所要の口径（例えば、２〜３ｉｎｃｈ）のウェハ又はウェハから切り出された板状であって、その平面形状は円形である。なお、平面形状は円形に限定されるものではなく、矩形状など所要の形状とすることができる。【０００６】
半導体基板１の一方の面には、所要の面積を有しＸ線の入射面としての金属膜２（電極を兼ねる）を形成してある。金属膜２の材質は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）であるが、これに限定されるものでなく、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ等の金属でもよい。【０００７】
半導体基板１の他方の面の中央部には、円形状の電極３を形成し、電極３を囲むように半導体基板１の外周付近に環状の電極４を形成してある。すなわち、電極３と環状の電極４は、金属膜２の位置に対応して配置されている。電極３、４の材質は、金属膜２と同等である。図２に示すように、金属膜２及び環状の電極４には、所定の直流電圧Ｖｄ（例えば、−１００Ｖ〜−１０００Ｖ程度）を印加する。電極３は、接地レベルの電圧を印加してある。なお、金属膜２と電極４とに印加する電圧は異なってもよい。【０００８】
Ｘ線（γ線）は物質中の束縛電子との間で、例えば、光電効果、粒子（電子）によるＸ線の散乱であるコンプトン散乱、電子陽電子対生成などの相互作用を起こす。これにより、エネルギーを受け取った束縛電子は物質中を動き、それに伴って電子又は正孔が生成され、この電子又は正孔を電流として取り出すことでＸ線（γ線）の検出を行うことができる。【０００９】
金属膜２に入射したＸ線（γ線）は、半導体基板１内で電子・正孔の対を生成する。金属膜２と電極４に所定の電圧Ｖｄを印加した場合、半導体基板１内では、外周付近から中央部に向かうに従い電位差が大きくなるように電位勾配が生じる。これにより、生成された電子１０は電極３に集められる。電極３で集められた電子１０（電荷）は、出力端子Ｓから電気信号として取り出され、増幅器（不図示）へ出力される。増幅器（不図示）は、入力された電気信号を増幅することにより、生成された電子の数に応じた電圧を多重波高分析器（不図示）へ出力し、Ｘ線のエネルギー分布を解析することができる。【００１０】
半導体基板１の厚みは、例えば、約０．３７ｍｍであるが、これに限定されるものでななく、検出するＸ線（γ線）のエネルギーに応じて、０．３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内の厚みにすることができる。半導体基板１の厚みが０．３ｍｍより薄い場合には、高エネルギーのＸ線が透過し易くなりＸ線の検出精度が低下する。また、厚みが１０ｍｍを超える場合には、高エネルギーのＸ線の検出効率に変化がなく、装置のコストが高くなる。従って、半導体基板１の厚みは、検出するＸ線に応じて、０．３ｍｍ以上１０ｍｍ以下にすることが好ましい。【００１１】
半導体基板１は高純度であり半絶縁性を有し、抵抗率は１×１０6 Ωｃｍ以上１×１０14 Ωｃｍ以下である。抵抗率が１×１０6 Ωｃｍよりも小さい場合、半導体基板１に電圧を印加したときに、漏れ電流を小さく抑えることができない。特に、雰囲気温度が室温程度の場合の漏れ電流が大きくなり、Ｘ線検出精度が低下する。抵抗率を１×１０6 Ωｃｍ以上にすることにより、金属膜２及び電極４に印加する電圧の絶対値を大きくしても、漏れ電流を小さく抑えることができるため、半導体基板１の厚みを厚くすることができ、検出できるＸ線(γ線)のスペクトラムを拡げることができ、様々な種類のＸ線検出に適用することができる。抵抗率が１×１０14 Ωｃｍを超える場合には、半絶縁性ではなく完全な絶縁性となる。従って、好ましくは半導体基板１の抵抗率は１×１０6 Ωｃｍ〜１×１０12 Ωｃｍの範囲がよい。【００１２】
図３は半導体基板１に含まれる不純物濃度の例を示す説明図である。高純度の半導体基板（ＳｉＣ）１に含まれる不純物の濃度は、例えば、二次イオン質量分析計により測定することができる。図３に示すように、例えば、アクセプタ準位に寄与するＢ（ホウ素）の濃度は、３．０×１０15ｃｍ-3である。また、ドナー準位に寄与するＮ（窒素）の濃度は、５．０×１０15ｃｍ-3である。【００１３】
また、深い準位（例えば、バンドギャップの真ん中に形成されるエネルギー準位）に寄与するＴｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｕ（銅）の濃度は、それぞれ１．０×１０14ｃｍ-3、５．０×１０13ｃｍ-3、５．０×１０13ｃｍ-3、２．０×１０14ｃｍ-3、３．０×１０14ｃｍ-3である。なお、不純物である元素及びその濃度は一例であって、これに限定されるものではない。【００１４】
半導体基板１に電圧を印加した場合、熱的に励起された電子・正孔がエネルギーギャップ（禁制帯幅又はバンドギャップともいい、ＳｉＣのエネルギーギャップは、約２．２〜３．２６ｅＶである）を超えて伝導帯に遷移し、これが漏れ電流となる。半導体基板１によりＸ線を検出する際には、この漏れ電流がＸ線検出のための回路系の雑音となり得る。他の漏れ電流は、半導体基板１内に存在する不純物がエネルギーギャップの中間に新たなエネルギー準位を生成して熱的に励起された電子・正孔の遷移を助けていることに起因する。しかし、本実施の形態の半導体基板１にあっては、エネルギーギャップが広く、かつ高純度、すなわち含有する不純物の濃度が図３の例に示すように極めて低いため、漏れ電流は１ｐＡ以下のオーダである。【００１５】
このように、雰囲気温度が室温であっても漏れ電流が１ｐＡ以下という極めて小さい値であることから、漏れ電流を少なくするために雰囲気温度を低温にするための冷却装置（例えば、液体Ｈｅ、液体窒素、ペルチェ素子等）は不要である。【００１６】
漏れ電流を少なく（１ｐＡ以下）にすることにより、雑音を非常に小さくすることができＸ線の検出精度を向上させることが可能である。【００１７】
また、金属膜２及び電極４に印加する電圧の絶対値を大きくすることで、半導体基板１内の電位勾配を大きくすることができ、電子・正孔の移動速度を大きくしてＸ線検出のエネルギー分解能を向上させることもできる。なお、エネルギー分解能は、どのエネルギーレベルのＸ線（γ線）であるかを高精度に検出することができる評価値であり、エネルギー分解能を半値全幅（ＦＷＨＭ：Full Width at Half Maximum）で表すと、ピーク値の半分の高さにおけるエネルギー幅に相当する。このＦＷＨＭが小さいほど分解能が優れていることを示す。【００１８】
本実施の形態の半導体基板１の不純物については、ドナー準位に寄与するＮ（窒素）及びアクセプタ準位に寄与するＢ（ホウ素）の濃度は、１×１０16ｃｍ-3以下であるが、１×１０15ｃｍ-3以下が好ましく、最も好ましいのは１×１０14ｃｍ-3以下である。ドナー準位に寄与するＮ（窒素）及びアクセプタ準位に寄与するＢ（ホウ素）の濃度を１×１０15ｃｍ-3以下にすることにより、漏れ電流を小さくすることができる。さらに、ドナー準位に寄与するＮ（窒素）及びアクセプタ準位に寄与するＢ（ホウ素）の濃度を１×１０14ｃｍ-3以下にすることにより、さらに漏れ電流を小さくすることができる。【００１９】
また、ドナー準位に寄与するＰ（リン）又はＡｓ（ヒ素）及びアクセプタ準位に寄与するＡｌ（アルミニウム）の濃度は、１×１０15ｃｍ-3以下であるが、１×１０14ｃｍ-3以下が好ましく、最も好ましいのは１×１０13ｃｍ-3以下である。ドナー準位に寄与するＰ（リン）又はＡｓ（ヒ素）及びアクセプタ準位に寄与するＡｌ（アルミニウム）の濃度を１×１０14ｃｍ-3以下にすることにより、漏れ電流を小さくすることができる。さらに、ドナー準位に寄与するＰ（リン）又はＡｓ（ヒ素）及びアクセプタ準位に寄与するＡｌ（アルミニウム）の濃度を１×１０13ｃｍ-3以下にすることにより、さらに漏れ電流を小さくすることができる。【００２０】
また、深い準位に寄与するＶ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｕ（銅）又はＴｉ（チタン）の濃度は、１×１０15ｃｍ-3以下であるが、１×１０14ｃｍ-3以下が好ましく、最も好ましいのは１×１０13ｃｍ-3以下である。【００２１】
不純物の濃度を上述の如くにするために、本実施の形態の半導体基板１にあっては、ドーパントとしてＮ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）などのドーピングを行わない。半導体基板１（ＳｉＣ）は、真性キャリア密度が小さく（例えば、１０-8ｃｍ-3程度）、室温でもキャリア密度が低いため深い準位に寄与する不純物をドーピングしなくても高抵抗率化ができる。また、本実施の形態では、ドーピングのためのプロセスが不要である。【００２２】
実施の形態２
図４は実施の形態２の放射線検出装置１１０の要部断面図である。実施の形態１の放射線検出装置１００との違いは、電極３と環状の電極４との間に、１又は複数の環状の電極５、…を形成してある点である。すなわち、環状の電極５、…は、電極３の周囲に環状の電極４と同心円状に配置してある。なお、実施の形態１と同等の箇所は同一符号を付して説明を省略する。【００２３】
電極５の材質は電極３、４と同等である。電極５には電圧を印加しない。電極５を適長の離隔寸法で配置することにより、半導体基板１内の半径方向の電位勾配を調整することができるとともに、電位勾配を均一にすることができる。これにより、半導体基板１内で生成された電子１０が電極３へ集まり易くすることができ、電荷収集効率をさらに向上させることができる。また、電圧勾配をさらに調整するために、電極５に電圧を印加してもよい。【００２４】
実施の形態３
図５は実施の形態３の放射線検出装置１２０の要部平面図である。実施の形態１、２との違いは、電子（電荷）を取り出す電極３を直線状に複数配置した点である。図５（ａ）に示すように、矩形状の半導体基板１の一方の面に矩形状の金属膜２を形成してある。金属膜２は、Ｘ線（γ線）の入射面として機能する。【００２５】
図５（ｂ）に示すように、半導体基板１の他方の面の金属膜２に対応する範囲内に適長離隔して直線状に複数の電極３を形成してある。電極３の周囲には電極３を囲むように環状（矩形状）の電極４を形成してある。各電極３は環状の電極４で囲まれる構成となっている。金属膜２、電極４には所定の電圧Ｖｄが印加される。また、金属膜２と電極４とに印加する電圧は異なってもよい。【００２６】
これにより、１つの環状の電極４で囲まれる領域に入射したＸ線により生成された電子は、その電極４で囲まれた電極３に集められる。各電極３に接続した出力端子から電気信号を取り出すことにより、１次元の位置情報に対応させてＸ線エネルギー及びＸ線強度を検出することができる。【００２７】
図５の例では、環状（矩形状）の電極４の一部を隣接する電極４との間で共用する構成となっているが、これに限定されるものではなく、各電極３の周囲に形成される環状の電極４それぞれを分離するような構成にすることもできる。また、環状の電極４の形状は、図５の例に限定されるものではなく、円形など他の形状であってもよい。【００２８】
実施の形態４
図６は実施の形態４の放射線検出装置１３０の要部平面図である。実施の形態１〜３との違いは、電子（電荷）を取り出す電極３をマトリクス状に複数配置した点である。図６（ａ）に示すように、矩形状の半導体基板１の一方の面に矩形状の金属膜２を形成してある。金属膜２は、Ｘ線（γ線）の入射面として機能する。【００２９】
図６（ｂ）に示すように、半導体基板１の他方の面の金属膜２に対応する範囲内に適長離隔してマトリクス状に複数の電極３を形成してある。電極３の周囲には電極３を囲むように環状（矩形状）の電極４を形成してある。各電極３は環状の電極４で囲まれる構成となっている。金属膜２、電極４には所定の電圧Ｖｄが印加される。また、金属膜２と電極４とに印加する電圧は異なってもよい。【００３０】
これにより、１つの環状の電極４で囲まれる領域に入射したＸ線により生成された電子は、その電極４で囲まれた電極３に集められる。各電極３に接続した出力端子から電気信号を取り出すことにより、２次元の位置情報に対応させてＸ線エネルギー及びＸ線強度を検出することができる。【００３１】
図６の例では、環状（矩形状）の電極４の一部を隣接する電極４との間で共用する構成となっているが、これに限定されるものではなく、各電極３の周囲に形成される環状の電極４それぞれを分離するような構成にしてもよい。また、環状の電極４の形状は、図６の例に限定されるものではなく、円形、三角形など他の形状であってもよい。【００３２】
実施の形態５
図７は実施の形態５の放射線検出装置１４０の要部断面図である。実施の形態１との違いは、半導体基板１の一方の面にＸ線の入射面としてのＰ層（カソード）２１を形成し、半導体基板１の他方の面の中央部にＮ層（アノード）２２を形成し、Ｎ層２２の周囲に環状のＰ層２３を形成してある点である。【００３３】
Ｐ層２１、２３には、所定の電圧Ｖｄを印加するための電極２４、２６を形成してあり、Ｎ層２２には、半導体基板１内で生成された電子１０を取り出すための電極２５を形成してある。実施の形態５では、Ｐ層２１、２３、Ｎ層２２を形成するためのドーピングプロセスが必要となる。【００３４】
なお、実施の形態５においても、半導体基板１内の電位勾配を調整して均一にするために、実施の形態２の電極５の位置にＰ層を同心円状に形成することができる。また、実施の形態３、４において、半導体基板１の金属膜２に代えてＰ層（カソード）を形成し、半導体基板１の他方の面の電極３の位置にＮ層（アノード）を形成し、環状の電極４の位置に環状のＰ層を形成することもできる。【００３５】
以上説明したように、本実施の形態の放射線検出装置は、高純度かつ半絶縁性を有する半導体基板（例えば、ＳｉＣ）を用いることにより、漏れ電流を極めて小さい値にすることができ、また、漏れ電流を抑えつつ半導体基板に高い電圧を印加することができるため、雰囲気温度が室温程度であっても、Ｘ線検出精度、エネルギー分解能を実用的なレベルにまで向上させることができる。【００３６】
例えば、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｒなどの重金属から放出されるＸ線のエネルギーは高いが、本実施の形態の放射線検出装置にあっては、抵抗率が高く、漏れ電流も極めて小さいことから、半導体基板の厚みを所要の厚さにすることができ、上述の物質から放出される高いＸ線のエネルギーであっても、入射したＸ線を透過させることなく半導体基板内で吸収して十分な精度で検出することができる。さらに、本実施の形態の放射線検出装置は、液体Ｈｅ、液体窒素又はペルチェ素子等で冷却する必要もなく、装置を室温で動作可能にすることができ、小型化又は可搬性のある装置を実現でき、屋内のみならず屋外でのＸ線検出を容易にすることができる。【００３７】
また、本実施の形態は、Ｘ線の入射位置（１次元の位置情報及び２次元の位置情報など）とともに、Ｘ線のエネルギー及びＸ線の強度のすべてを同時に検出することができ、携帯型蛍光Ｘ線分析装置、医療用ＣＴ（Computer Tomography）装置、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線天体望遠鏡など、高エネルギーＸ線検出装置に幅広く応用することができる。さらに、ＳｉＣは耐放射線性に優れているため、α線の検出にも使用することができる。【００３８】
上述の実施の形態１〜５において、ＳｉＣの結晶構造（ポリタイプ）は、特に限定されるものではなく、４Ｈ−ＳｉＣでもよく、あるいは、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ、１５Ｒ−ＳｉＣなどの結晶構造であってもよい。【００３９】
上述の実施の形態１〜５において、半導体基板１は、ＳｉＣに限定されるものではなく、高密度かつ半絶縁性を有するものであればガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ダイヤモンド、テルル化カドミウム又はヨウ化水銀（ＨｇＩ2 ）などのシリコンよりエネルギーギャップが広い半導体であってもよい。
【図１】
2009022378.tif 000003
【図２】
2009022378.tif 000004
【図３】
2009022378.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年4月27日(2009.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
該半導体基板の第１の面に沿って形成された金属膜と、
前記半導体基板の前記第１の面に対向する第２の面に形成された第１の電極と、
前記半導体基板の第２の面に前記第１の電極と離間して形成された第２の電極と
を含み、
前記半導体基板の抵抗率が１×１０6 Ωｃｍ以上１×１０14 Ωｃｍ以下であり、
前記半導体基板の不純物濃度が１×１０16ｃｍ-3以下であり、
前記金属膜及び前記第２の電極に第１の極性の電圧が印加され、
前記第１の電極が前記第２の電極と異なる極性を有する、放射線検出装置。
【請求項２】
前記第２の電極が前記第１の電極を囲むように形成された、請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記第２の電極が前記第１の電極の周囲に環状に形成された、請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記第２の電極が前記第１の電極の周囲に矩形状に形成された、請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記半導体基板の厚さが０．３ｍｍ以上１０ｍｍ以下である、請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記第１の極性の電圧が、−１０００Ｖ以上−１００Ｖ以下である、請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記第２の電極と前記第１の電極との複数が前記第１の電極を囲むように形成され、前記第１の極性の電圧が、−１０００Ｖ以上−１００Ｖ以下である、請求項１に記載の放射線検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
該半導体基板の第１の面に沿って形成された整流性接触用の金属膜と、
前記半導体基板の前記第１の面に対向する第２の面に形成されたオーム性接触用の第１の電極と、
前記半導体基板の第２の面に前記第１の電極と離間して形成された整流性接触用の第２の電極と
を含み、
前記半導体基板の抵抗率が１×１０6 Ωｃｍ以上１×１０14 Ωｃｍ以下であり、
前記半導体基板の不純物濃度が１×１０16ｃｍ-3以下であり、
前記金属膜及び前記第２の電極に第１の極性の電圧が印加され、
前記第１の電極が前記第２の電極と異なる極性を有する、放射線検出装置。
【請求項２】
前記第２の電極が前記第１の電極を囲むように形成された、請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記第２の電極が前記第１の電極の周囲に環状に形成された、請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記第２の電極が前記第１の電極の周囲に矩形状に形成された、請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記半導体基板の厚さが０．３ｍｍ以上１０ｍｍ以下である、請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記第１の極性の電圧が、−１０００Ｖ以上−１００Ｖ以下である、請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記第１の電極を前記第２の電極及び複数の他の第１の電極で囲むように形成され、前記第１の極性の電圧が、−１０００Ｖ以上−１００Ｖ以下である、請求項１に記載の放射線検出装置。
【国際調査報告】
2009022378.tif 000010
2009022378.tif 000011
2009022378.tif 000012
2009022378.tif 000013