【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とを有する薄膜トランジスタを用いた半導体装置であって、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記第１の電極に、一定の電圧が印加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタと、液晶セルとを有する半導体装置であって、
前記薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とを有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記液晶セルは、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられた液晶とを有し、
前記薄膜トランジスタによって、前記画素電極へのビデオ信号の入力が制御されており、
前記第１の電極に、一定の電圧が印加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記薄膜トランジスタがｎチャネル型ＴＦＴのとき、前記一定の電圧とは、前記薄膜トランジスタの閾値の電圧よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記薄膜トランジスタがｐチャネル型ＴＦＴのとき、前記一定の電圧とは、前記薄膜トランジスタの閾値の電圧よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタと、ＯＬＥＤとを有する半導体装置であって、
前記第１及び第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とを有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記ＯＬＥＤは、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極の間に設けられた有機発光層とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタによって、前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第２の電極へのビデオ信号の入力が制御されており、
前記第２の電極に入力されたビデオ信号によって前記第２の薄膜トランジスタのドレイン電流が制御されており、
前記ドレイン電流は前記第３の電極に入力されており、
前記第１の薄膜トランジスタの前記第１の電極に、一定の電圧が印加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタと、ＯＬＥＤとを有する半導体装置であって、
前記第１及び第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とを有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記ＯＬＥＤは、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極の間に設けられた有機発光層とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタによって、前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第２の電極へのビデオ信号の入力が制御されており、
前記第２の電極に入力されたビデオ信号によって前記第２の薄膜トランジスタのドレイン電流が制御されており、
前記ドレイン電流は前記第３の電極に入力されており、
前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第１の電極と前記第２の電極は、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有する半導体装置であって、
前記第１と第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第１の電極と前記第２の電極は、互いに電気的に接続されており、
前記第１の薄膜トランジスタの前記第１の電極に、一定の電圧が印加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有する半導体装置であって、
前記第１と第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第１の電極と前記第２の電極は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されており、
前記第１の薄膜トランジスタの前記第１の電極に、一定の電圧が印加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とをそれぞれ有する第１と第２の薄膜トランジスタと、
前記第２の電極を覆って、前記第２の絶縁膜上に形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された配線と、
を有する半導体装置であって、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記配線は、前記第１及び前記第２の絶縁膜に形成された第２のコンタクトホールを介して、前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第１の電極に接し、なおかつ、前記第３の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールを介して前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第２の電極に接しており、
前記第１の薄膜トランジスタの前記第１の電極に、一定の電圧が印加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の薄膜トランジスタ及び液晶セルを有する画素部と、第２の薄膜トランジスタを有する駆動回路とを含む半導体装置であって、
前記第１と第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記液晶セルは、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられた液晶とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタによって、前記駆動回路において生成されたビデオ信号の前記画素電極への入力が制御されており、
前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第１の電極と前記第２の電極は、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
第１の薄膜トランジスタ及び液晶セルを有する画素部と、第２の薄膜トランジスタを有する駆動回路とを含む半導体装置であって、
前記第１と第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記液晶セルは、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に設けられた液晶とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタによって、前記駆動回路において生成されたビデオ信号の前記画素電極への入力が制御されており、
前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第１の電極と前記第２の電極は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
第１の薄膜トランジスタ、第２の薄膜トランジスタ及びＯＬＥＤを有する画素部と、第３の薄膜トランジスタを有する駆動回路とを含む半導体装置であって、
前記第１、第２及び第３の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記ＯＬＥＤは、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極の間に設けられた有機発光層とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタによって、前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第２の電極へのビデオ信号の入力が制御されており、
前記第２の電極に入力されたビデオ信号によって前記第２の薄膜トランジスタのドレイン電流が制御されており、
前記ドレイン電流は前記第３の電極に入力されており、
前記第２及び第３の薄膜トランジスタが有する前記第１の電極と前記第２の電極は、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
第１の薄膜トランジスタ、第２の薄膜トランジスタ及びＯＬＥＤを有する画素部と、第３の薄膜トランジスタを有する駆動回路とを含む半導体装置であって、
前記第１、第２及び第３の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接して形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接して形成された半導体膜と、前記半導体膜に接して形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接して形成された第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜が有するチャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記ＯＬＥＤは、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極の間に設けられた有機発光層とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタによって、前記第２の薄膜トランジスタが有する前記第２の電極へのビデオ信号の入力が制御されており、
前記第２の電極に入力されたビデオ信号によって前記第２の薄膜トランジスタのドレイン電流が制御されており、
前記ドレイン電流は前記第３の電極に入力されており、
前記第２及び第３の薄膜トランジスタが有する前記第１の電極と前記第２の電極は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３において、
前記第３の薄膜トランジスタにおいて、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に切り離したときに、前記第１の電極にグラウンドの電圧を印加したときの前記第３の薄膜トランジスタの閾値と、第２の電極にグラウンドの電圧を印加したときの前記第３の薄膜トランジスタの閾値がほぼ同じになることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項５乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記第２の薄膜トランジスタにおいて、前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に切り離したときに、前記第１の電極にグラウンドの電圧を印加したときの前記第２の薄膜トランジスタの閾値と、第２の電極にグラウンドの電圧を印加したときの前記第２の薄膜トランジスタの閾値がほぼ同じになることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項６または請求項１０乃至請求項１３のいずれか１項において、前記第１の薄膜トランジスタの前記第１の電極に、一定の電圧が印加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項５乃至請求項１６のいずれか１項において、
前記第１の薄膜トランジスタがｎチャネル型ＴＦＴのとき、前記第１の薄膜トランジスタの第１の電極に、前記第１の薄膜トランジスタの閾値の電圧よりも低い一定の電圧が印加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項５乃至請求項１６のいずれか１項において、
前記第１の薄膜トランジスタがｐチャネル型ＴＦＴのとき、前記第１の薄膜トランジスタの第１の電極に、前記第１の薄膜トランジスタの閾値の電圧よりも高い一定の電圧が印加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項５乃至請求項１８のいずれか１項において、
前記半導体膜は、チャネル形成領域を間に挟んで形成された不純物領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項５乃至請求項１８のいずれか１項において、
前記半導体膜は、チャネル形成領域に接する第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域に接する第２の不純物領域とを有しており、
前記第１の不純物領域における不純物濃度は、前記第２の不純物領域における不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の誘電率がほぼ同じであり、
前記第１の絶縁膜の前記第１の電極と重なっている部分における膜厚と、前記第２の絶縁膜の前記第２の電極と重なっている部分における膜厚がほぼ同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域と前記第１の電極とが重なっている部分における前記第１の絶縁膜の膜厚をｄ１とし、前記チャネル形成領域と前記第２の電極とが重なっている部分における前記第２の絶縁膜の膜厚をｄ２とすると、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．１、かつ｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．１を満たしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域と前記第１の電極とが重なっている部分における前記第１の絶縁膜の膜厚をｄ１とし、前記チャネル形成領域と前記第２の電極とが重なっている部分における前記第２の絶縁膜の膜厚をｄ２とすると、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．０５、かつ｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．０５を満たしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１乃至請求項２１のいずれか１項において、
前記第１の絶縁膜は、化学的機械研磨により平坦化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項２４において、
前記平坦化された第１の絶縁膜は、表面における凹凸の高低差が５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
請求項２４において、
前記平坦化された第１の絶縁膜は、表面における凹凸の高低差が１ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
請求項２４乃至請求項２６のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域と前記第１の電極とが重なっている部分における前記平坦化された第１の絶縁膜の膜厚をｄ１とし、前記チャネル形成領域と前記第２の電極とが重なっている部分における前記第２の絶縁膜の膜厚をｄ２とすると、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．１、かつ｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．１を満たしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】
請求項２４乃至請求項２６のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域と前記第１の電極とが重なっている部分における前記平坦化された第１の絶縁膜の膜厚をｄ１とし、前記チャネル形成領域と前記第２の電極とが重なっている部分における前記第２の絶縁膜の膜厚をｄ２とすると、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．０５、かつ｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．０５を満たしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２９】
請求項１乃至請求項２８のいずれか１項に記載の半導体装置を用いることを特徴とする表示装置、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、画像再生装置、ゴーグル型ディスプレイ、ビデオカメラまたは携帯電話。
【請求項３０】
絶縁表面上に第１の電極及び第２の電極を形成し、
前記第１の電極及び第２の電極に接する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に接する第１の半導体膜及び第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜及び第２の半導体膜に接する第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングし、前記第１の電極の一部を露出させ、
前記第２の絶縁膜に接し、なおかつ前記第１の電極の一部と接する第３の電極と、前記第２の絶縁膜に接する第４の電極とを形成する工程を有し、
前記第１の電極と前記第３の電極は、前記第１の半導体膜を間にはさんで重なり合っており、
前記第２の電極と前記第４の電極は、前記第２の半導体膜を間にはさんで重なり合っていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
絶縁表面上に第１の電極及び第２の電極を形成し、
前記第１の電極及び第２の電極に接する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜を化学的機械研磨により平坦化し、
平坦化された前記第１の絶縁膜に接する第１の半導体膜及び第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜及び第２の半導体膜に接する第２の絶縁膜を形成し、
前記平坦化された第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングし、前記第１の電極の一部を露出させ、
前記第２の絶縁膜に接し、なおかつ前記第１の電極の一部と接する第３の電極と、前記第２の絶縁膜に接する第４の電極とを形成する工程を有し、
前記第１の電極と前記第３の電極は、前記第１の半導体膜を間にはさんで重なり合っており、
前記第２の電極と前記第４の電極は、前記第２の半導体膜を間にはさんで重なり合っていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
絶縁表面上に第１の電極及び第２の電極を形成し、
前記第１の電極及び第２の電極に接する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に接する第１の半導体膜及び第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜及び第２の半導体膜に接する第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に接する第３の電極及び第４の電極を形成し、
前記第３の電極及び第４の電極を覆って、前記第２の絶縁膜に接する第３の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングし、前記第１の電極の一部及び前記第３の電極の一部を露出させ、
前記第１の電極の一部及び前記第３の電極の一部に接する配線を形成する工程を有し、
前記第１の電極と前記第３の電極は、前記第１の半導体膜を間にはさんで重なり合っており、
前記第２の電極と前記第４の電極は、前記第２の半導体膜を間にはさんで重なり合っていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３３】
絶縁表面上に第１の電極及び第２の電極を形成し、
前記第１の電極及び第２の電極に接する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜を化学的機械研磨により平坦化し、
前記平坦化された第１の絶縁膜に接する第１の半導体膜及び第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜及び第２の半導体膜に接する第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に接する第３の電極及び第４の電極を形成し、
前記第３の電極及び第４の電極を覆って、前記第２の絶縁膜に接する第３の絶縁膜を形成し、
前記平坦化された第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜をエッチングし、前記第１の電極の一部及び前記第３の電極の一部を露出させ、
前記第１の電極の一部及び前記第３の電極の一部に接する配線を形成する工程を有し、
前記第１の電極と前記第３の電極は、前記第１の半導体膜を間にはさんで重なり合っており、
前記第２の電極と前記第４の電極は、前記第２の半導体膜を間にはさんで重なり合っていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３４】
請求項３０乃至請求項３３のいずれか１項において、
前記第１の半導体膜は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟んでいる不純物領域とを有しており、
前記第１の電極と前記第３の電極は、前記チャネル形成領域と重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３５】
請求項３０乃至請求項３４のいずれか１項において、
前記第２の半導体膜は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟んでいる不純物領域とを有しており、
前記第２の電極と前記第４の電極は、前記チャネル形成領域と重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。