【手続補正書】
【提出日】平成16年4月16日(2004.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｋｒ，Ａｒ，Ｎｅから選ばれた１種以上の不活性ガスとＦ2 ガスとの混合ガスからなるレーザガスを収納するレーザチャンバであって、内面の２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのうちの所望の波長の光に対する反射率を５０％以下にするとともに、該内面の最表面をフッ化物で構成したレーザチャンバと、
該レーザチャンバを挟んで設けられた一対の反射鏡からなる光共振器であって、出力側の反射鏡の反射率を９０％以上とした光共振器と、
該レーザチャンバ内の該レーザガスを連続的に励起するためのマイクロ波導入手段を有することを特徴とする連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項２】
該レーザチャンバ内面表面の構造はステンレスの表面にＦｅＦ2 の層が形成されたもの、または金属上にニッケルを鍍金さらにその表面にＮｉＦ2の層が形成されたもの、またはアルミニウム合金上にＡｌＦ3とＭｇＦ2の層が形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項３】
該チャンバ内にレーザガスを連続的に供給するための手段を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項４】
前記レーザガスがＫｒ／Ｎｅ／Ｆ2からなり、Ｋｒが１〜６％（原子％：以下同じ）であり、Ｆ2が１〜６％であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項５】
前記レーザガスがＡｒ／Ｎｅ／Ｆ2からなり、Ａｒが１〜６ ％、Ｆ2が１〜６％であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項６】
前記レーザガスがＮｅ／Ｆ2からなり、Ｆ2が１〜６％であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項７】
前記レーザガスを前記レーザチャンバの両端側から導入し、レーザチャンバの中央部から排出することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項８】
前記マイクロ波の周波数は、１ＧＨｚ〜５０ＧＨｚであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項９】
前記マイクロ波導入手段は導波管であって、該導波管の内部が真空となっていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項１０】
前記レーザチャンバの光路垂直断面が楕円形であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項１１】
前記楕円形は、その短径方向がマイクロ波導入方向であることを特徴とする請求項１０記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項１２】
前記レーザチャンバには磁場を印加することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項１３】
前記磁場を印加する手段が、鉄バナジューム系磁石又はＮｂ・Ｆｅ・Ｂ磁石であることを特徴とする請求項１２記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項１４】
前記レーザガスのガス圧を数１０Ｔｏｒｒ〜１ａｔｍとしたことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項１５】
前記レーザチャンバの外周をジャケット状の冷却装置で覆い、該レーザチャンバの温度を制御するための冷却手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項１６】
前記マイクロ波の導入手段の内部とレーザチャンバ内とは絶縁板により隔離され、該絶縁板のレーザチャンバ側の最表面にはフッ化物の薄膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項１７】
前記マイクロ波導入手段には複数のスロットが形成されこれらスロットからマイクロ波がレーザチャンバに導入されることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項１８】
前記スロット同士の間隔は、前記マイクロ波導入手段内のマイクロ波の波長と等しく、各スロットからは位相が揃ったマイクロ波が放出されることを特徴とする請求項１７記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項１９】
前記マイクロ波導入手段のマイクロ波放出部は前記レーザチャンバの長さ方向に広げられたテーパー形状を有していることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項２０】
前記マイクロ波導入手段のマイクロ波放出部は前記レーザチャンバの軸方向の電界を有するマイクロ波を放出するギャップを有することを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項２１】
内面を、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのうちの所望の波長の光に対する反射率を50％以下にするとともに、該内面の最表面をフッ化物で構成したレーザチャンバ内に、Ｋｒ，Ａｒ，Ｎｅから選ばれた１種以上の不活性ガスとＦ2ガスとの混合ガスからなるレーザガスを連続的に供給し、
該レーザチャンバ内にマイクロ波を導入することによりレーザガスを連続的に励起し、
出力側の反射鏡の反射率が９０％以上である一対の反射鏡により該励起されたレーザガスから発せられた光を共振させることにより連続発光させることを特徴とする連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項２２】
前記レーザガスがＫｒ／Ｎｅ／Ｆ2からなり、Ｋｒが１〜６％であり、Ｆ2が０．１〜６％であることを特徴とする請求項２１記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項２３】
前記レーザガスがＡｒ／Ｎｅ／Ｆ2からなり、Ａｒが１〜６％、Ｆ2が０．１〜６％であることを特徴とする請求項２１記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項２４】
前記レーザガスがＮｅ／Ｆ2からなり、Ｎｅが９４〜９９％、Ｆ2が０．１〜６％であることを特徴とする請求項２１記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項２５】
前記レーザガスを前記レーザチャンバの両端側から導入し、レーザチャンバの中央部から排出することを特徴とする請求項２１乃至２４のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項２６】
前記マイクロ波の周波数は、１ＧＨｚ〜５０ＧＨｚであることを特徴とする請求項２１乃至２５のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項２７】
前記マイクロ波導入手段は導波管であって、該導波管の内部が真空とすることを特徴とする請求項２１乃至２６のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項２８】
前記レーザチャンバの光路垂直断面が、楕円形であることを特徴とする請求項２１乃至２７のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項２９】
前記楕円形は、その短径方向がマイクロ波導入方向であることを特徴とする請求項２８記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項３０】
前記レーザチャンバには磁場を印加することを特徴とする請求項２１乃至２９のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項３１】
前記一対の反射鏡の間隔を１５ｃｍ以下としたことを特徴とする請求項２１乃至３０のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項３２】
前記レーザガスのガス圧を数１０Ｔｏｒｒ〜１ａｔｍとしたことを特徴とする請求項２１乃至３１のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項３３】
前記レーザチャンバの外周をジャケット状の冷却装置で覆い、該レーザチャンバの温度を制御することを特徴とする請求項２１乃至３２のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振方法。
【請求項３４】
Ｋｒ，Ａｒ，Ｎｅから選ばれた１種以上の不活性ガスとＦ2 ガスとの混合ガスからなるレーザガスを電磁波で励起することで光を発生させ、外部に設置した一対の反射鏡からなる光共振器によりレーザ光とするレーザチャンバにおいて、その内面を、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのうちの所望の波長の光に対する反射率を50％以下にするとともに、該内面の最表面をフッ化物で構成し、かつマイクロ波を導入するための絶縁体からなる窓が設けられていることを特徴とするレーザチャンバ。
【請求項３５】
前記絶縁体からなる窓は、焼嵌めにより設けてあることを特徴とする請求項３４記載のレーザチャンバ。
【請求項３６】
請求項１乃至２０のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置と、照明光学系、結像光学系、ウエハを保持するためのステージとを有することを特徴とするエキシマレーザ露光装置。
【請求項３７】
前記出力側の反射鏡の反射率を９５％以上にしたことを特徴とする請求項１乃至２０のいずれか１項記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項３８】
前記出力側の反射鏡の反射率を９９．５％以上にしたことを特徴とする請求項４２記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項３９】
前記出力側の反射鏡の反射率を９９．９５％、他方の反射率を１００％としたことを特徴とする請求項４３記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項４０】
前記レーザチャンバのレーザ光の光軸方向を横切るように前記レーザガスを流すことを特徴とする請求項１に記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項４１】
全反射プリズムによってレーザ共振器を構成し、該全反射プリズムの共振器内のビームの入射角をブリュースター角とし、該全反射プリズムとレーザチューブの間に出力光取り出し板を設けたことを特徴とする請求項３７記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項４２】
出力光取り出し板を共振器内のビーム毎に２個設け、一方をブリュースター角に設定したことを特徴とする請求項４１記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項４３】
片面または両面に高反射コートが施され、共振器内のビームの一方に接するように配置された出力ミラーを設けたことを特徴とする請求項４１記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【請求項４４】
前記全反射プリズムの全反射面にエバネセント波取り出しプリズムを波長程度隔てて設置したことを特徴とする請求項４１記載の連続発光エキシマレーザ発振装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の連続発光エキシマレーザ発振装置は、Ｋｒ，Ａｒ，Ｎｅから選ばれた１種以上の不活性ガスとＦ2 ガスとの混合ガスからなるレーザガスを収納するレーザチャンバであって、内面の２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのうちの所望の波長の光に対する反射率を５０％以下にするとともに、該内面の最表面をフッ化物で構成したレーザチャンバと、該レーザチャンバを挟んで設けられた一対の反射鏡からなる光共振器であって、出力側の反射鏡の反射率を９０％以上とした光共振器と、該レーザチャンバ内の該レーザガスを連続的に励起するためのマイクロ波導入手段を有することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の連続発光エキシマレーザ発振方法は、内面を、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのうちの所望の波長の光に対する反射率を５０％以下にするとともに、該内面の最表面をフッ化物で構成したレーザチャンバ内に、Ｋｒ，Ａｒ，Ｎｅから選ばれた１種以上の不活性ガスとＦ2ガスとの混合ガスからなるレーザガスを連続的に供給し、
該レーザチャンバ内にマイクロ波を導入することによりレーザガスを連続的に励起し、
出力側の反射鏡の反射率が９０％以上である一対の反射鏡により該励起されたレーザガスから発せられた光を共振させることにより連続発光させることを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】