【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表層部が第１導電型の半導体からなる下地基板と、
前記下地基板の上に形成され、該下地基板の表層部よりも高抵抗の半導体からなる第１の層と、
前記第１の層の表面の一部の領域に形成され、前記第１導電型とは反対の第２導電型の不純物がドープされ、前記下地基板の表面までは達しない第１の不純物拡散領域と、
前記第１の不純物拡散領域から、面内方向にある間隔を隔てて前記第１の層内に配置され、前記下地基板の表面まで達する第１導電型の第２の不純物拡散領域と、
前記第１の不純物拡散領域と第２の不純物拡散領域との間に配置され、前記第１の層に形成された溝、及び該溝の内部の少なくとも一部の領域に配置された誘電体材料からなる第１の分離領域と
を有する半導体装置。
【請求項２】
さらに、前記第１の不純物拡散領域の表面の少なくとも一部の領域上に形成された反射防止膜を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
さらに、前記第１の不純物拡散領域と第２の不純物拡散領域とに、逆バイアス電圧を印加するための電極を有する請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の層が、前記下地基板側の第１の下層と、該第１の下層の上に形成された第１の上層とを含み、該第１の下層が第１導電型の半導体で形成され、その不純物濃度が、前記下地基板の表層部の第１導電型の不純物濃度よりも低い請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の分離領域が、前記第１の上層と第１の下層との界面よりも深い位置まで達している請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
さらに、前記第１の不純物拡散領域及び第２の不純物拡散領域から、面内方向にある間隔を隔てて、該第１の不純物拡散領域に隣り合うように前記第１の層内に配置され、第２導電型の不純物がドープされ、前記下地基板の表面まで達しない第３の不純物拡散領域と、
前記第１の不純物拡散領域と第３の不純物拡散領域との間の前記第１の層内に配置され、該第１の不純物拡散領域と第３の不純物拡散領域とを電気的に相互に分離する第２の分離領域と
を有し、
前記第１の分離領域が、前記第２の不純物拡散領域と第３の不純物拡散領域との間にも配置されている請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の分離領域が、第１導電型の不純物がドープされた領域により構成されている請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の分離領域が前記第１の分離領域に接触している請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の分離領域のうち前記第１の分離領域に接触する部分に、前記第２の分離領域形成の為の不純物注入とは別に、第１導電型の不純物が注入されている請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の分離領域が、前記第１の不純物拡散領域と第２の不純物拡散領域との隔たる方向に複数個配置されている請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の分離領域が、前記第２の不純物拡散領域から離れて配置されている請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の分離領域が、前記第１の層と前記下地基板との界面まで達しておらず、
さらに、前記第１の層のうち前記第１の分離領域の底に接する部分に、前記第１の不純物拡散領域の直下よりも、第１導電型の不純物濃度の高い高濃度領域が形成されており、該高濃度領域は前記第１の下層内に配置され、前記第１の上層まで達していない請求項４に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２の分離領域が、前記第１の層に形成された溝、及び該溝内の少なくとも一部に配置された誘電体材料を含む請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第１の分離領域が、前記第１の不純物拡散領域と前記第２の不純物拡散領域との間の領域から、前記第３の不純物拡散領域と前記第２の不純物拡散領域との間の領域まで連続して配置され、前記第２の分離領域が前記第１の分離領域の側面に突き当たっている請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第２の分離領域を構成する溝が前記第１の分離領域を構成する溝から分岐している請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第２の分離領域が、前記第２の不純物拡散領域まで達し、前記第１の分離領域が前記第２の分離領域の側面に突き当たっている請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１７】
さらに、前記第１の層の表層部及び表面上に形成されたバイポーラトランジスタを有し、該バイポーラトランジスタは、前記第１の層内に形成されたコレクタ領域、該コレクタ領域と前記第１の層の上面との間に配置され、両者に接するベース領域と、該ベース領域の上に配置され、不純物がドープされた多結晶シリコンからなるエミッタとを含む請求項１〜１６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１８】
少なくとも表層部が第１導電型の半導体からなる下地基板と、
前記下地基板の上に形成され、該下地基板の表層部よりも高抵抗の半導体からなる第１の層と、
前記第１の層の表面の一部の領域に形成され、前記第１導電型とは反対の第２導電型の不純物がドープされ、前記下地基板の表面までは達しない第１の不純物拡散領域と、
前記第１の不純物拡散領域から、面内方向にある間隔を隔てて前記第１の層内に配置され、前記下地基板の表面まで達する第１導電型の第２の不純物拡散領域と、
前記第１の不純物拡散領域及び前記第２の不純物拡散領域が配置された領域を取り囲むように、前記第１の層に形成された溝と、
前記溝の内部の少なくとも一部の領域に配置された誘電体材料からなる部材と
を有する半導体装置。
【請求項１９】
少なくとも表層部が第１導電型の半導体からなる下地基板と、
前記下地基板の上に形成され、該下地基板の表層部よりも高抵抗の半導体からなる第１の層と、
前記第１の層の表面の一部の領域に形成され、前記第１導電型とは反対の第２導電型の不純物がドープされ、前記下地基板の表面までは達しないカソード領域と、
前記カソード領域から、面内方向にある間隔を隔てて前記第１の層内に配置され、前記カソード領域よりも深いかまたは同じ深さの第１導電型のアノード領域と、
前記カソード領域と前記アノード領域との間に配置され、前記第１の層に形成された溝、及び該溝の内部の少なくとも一部の領域に配置された誘電体材料からなる第１の分離領域と
を有する半導体装置。
【請求項２０】
少なくとも表層部が第１導電型の半導体からなる下地基板と、
前記下地基板の上に形成され、該下地基板の表層部よりも高抵抗の半導体からなる第１の層と、
前記第１の層の表面の一部の領域に形成され、前記第１導電型とは反対の第２導電型の不純物がドープされ、前記下地基板の表面までは達しないカソード領域と、
前記カソード領域から、面内方向にある間隔を隔てて前記第１の層内に配置され、前記下地基板の表面まで達する第１導電型のアノード領域と、
前記カソード領域及び前記アノード領域が配置された領域を取り囲むように、前記第１の層に形成された溝と、
前記溝の内部の少なくとも一部の領域に配置された誘電体材料からなる部材と
を有する半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第１の不純物拡散領域と下地基板との間に、高抵抗の第１の層が配置されている。このため、第１の不純物拡散領域と下地基板との間の寄生容量の低減を図ることができる。また、第１の分離領域を構成する溝内に誘電体材料が配置されているため、第１の不純物拡散領域と第２の不純物拡散領域との間の寄生容量の低減を図ることができる。
本発明の他の観点によると、少なくとも表層部が第１導電型の半導体からなる下地基板と、前記下地基板の上に形成され、該下地基板の表層部よりも高抵抗の半導体からなる第１の層と、前記第１の層の表面の一部の領域に形成され、前記第１導電型とは反対の第２導電型の不純物がドープされ、前記下地基板の表面までは達しないカソード領域と、前記カソード領域から、面内方向にある間隔を隔てて前記第１の層内に配置され、前記カソード領域よりも深いかまたは同じ深さの第１導電型のアノード領域と、前記カソード領域と前記アノード領域との間に配置され、前記第１の層に形成された溝、及び該溝の内部の少なくとも一部の領域に配置された誘電体材料からなる第１の分離領域とを有する半導体装置が提供される。
本発明のさらに他の観点によると、少なくとも表層部が第１導電型の半導体からなる下地基板と、前記下地基板の上に形成され、該下地基板の表層部よりも高抵抗の半導体からなる第１の層と、前記第１の層の表面の一部の領域に形成され、前記第１導電型とは反対の第２導電型の不純物がドープされ、前記下地基板の表面までは達しないカソード領域と、前記カソード領域から、面内方向にある間隔を隔てて前記第１の層内に配置され、前記下地基板の表面まで達する第１導電型のアノード領域と、前記カソード領域及び前記アノード領域が配置された領域を取り囲むように、前記第１の層に形成された溝と、前記溝の内部の少なくとも一部の領域に配置された誘電体材料からなる部材とを有する半導体装置が提供される。