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【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  特に太陽電池用の電極を備え、厚さが多くとも５００ｎｍのモリブデンＭｏに基づいた導電層を含んで成ることを特徴とする、特にガラス製の透明基材。
【請求項２】  モリブデンに基づいた層が、少なくとも２０ｎｍの厚さであることを特徴とする、請求項１に記載の基材。
【請求項３】  特にアルカリ金属に対してバリヤーとして働く、少なくとも１つのバリヤー層を備え、該バリヤー層が前記基材と前記電極の間に挿入されていることを特徴とする、請求項１又は請求項２の何れか１項に記載の基材。
【請求項４】  該バリヤー層が、以下の化合物、即ち、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム又は酸窒化アルミニウム、酸化ケイ素又は酸炭化ケイ素のうちの少なくとも１つから選択された誘電材料に基づくことを特徴とする、請求項３に記載の基材。
【請求項５】  該バリヤー層が、少なくとも２０ｎｍ及び多くとも３００ｎｍの厚さであることを特徴とする、請求項３又は請求項４の何れか１項に記載の基材。
【請求項６】  該電極が、モリブデンに基づいた層とは異なる、少なくとも１つの補足（complementary）導電層を含んで成ることを特徴とする、請求項１〜５の何れか１項に記載の基材。
【請求項７】  該補足導電層、又は、少なくとも２つある場合にはそれらのうちの少なくとも１つが、少なくとも１０ｎｍ及び多くとも３００ｎｍの厚さであることを特徴とする、請求項６に記載の基材。
【請求項８】  該電極が、金属又は金属合金に基づいた少なくとも１つの補足導電層Ｍを含んで成り、特には以下の金属又は合金、即ち、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、鋼のうちの１つから選択されたことを特徴とする、請求項６又は請求項７の何れか１項に記載の基材。
【請求項９】  該電極が、モリブデンに基づいた導電層Ｍｏの下に、金属又は金属合金に基づいた少なくとも１つの補足導電層Ｍを含んで成ることを特徴とする、請求項６〜８の何れか１項に記載の基材。
【請求項１０】  該電極が、以下の金属、即ち、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｈｆのうちの少なくとも１つの窒化物に基づいた、少なくとも１つの補足導電層Ｍ’Ｎを含んで成り、前記窒化物が、窒素に関して、亜化学量論的（substoichiometric）、化学量論的（stoichiometric）、又は、過化学量論的（superstoichiometric）であることを特徴とする、請求項６〜９の何れか１項に記載の基材。
【請求項１１】  該層Ｍ’Ｎが、モリブデンに基づいた層Ｍｏの下、及び／又は、上にあることを特徴とする、請求項１０に記載の基材。
【請求項１２】  該層Ｍ’Ｎが、層ＭとＭｏに基づいた層との間に配置されたことを特徴とする、請求項８及び請求項１０に記載の基材。
【請求項１３】  該電極が、以下の順序の層、即ち、Ｍ／Ｍｏ／Ｍ’Ｎ、Ｍ／Ｍ’Ｎ／Ｍｏ、Ｍ／Ｍｏ、Ｍ’Ｎ／Ｍｏ、Ｍｏ／Ｍ’Ｎのうちの１つを含んで成ることを特徴とする、請求項８及び／又は請求項１０に記載の基材。
【請求項１４】  該電極の導電層厚さの合計が、６００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜１３の何れか１項に記載の基材。
【請求項１５】  該電極が、２Ω／□以下の表面抵抗（resistance per square）Ｒ□を有することを特徴とする、請求項１〜１４の何れか１項に記載の基材。
【請求項１６】  該バリヤー層が、光学的な目的のために多層コーティングの一部を形成し、該多層コーティングが異なる屈折率を有する誘電材料のうちの少なくとも２つの層から成ることを特徴とする、請求項３に記載の基材。
【請求項１７】  該多層コーティングが、１．９〜２．３の高屈折率を有する層と、１．４〜１．７の低屈折率を有する層の交互配列を、特にはＳｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２、又は、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４の順序で含んで成ることを特徴とする、請求項１６に記載の基材。
【請求項１８】  光学コーティングの組成が、反射における該基材の測色学的応答（colorimetric response）を、特にはマイナスのａ＊とｂ＊の値で青緑に、又は、わずかにプラスのａ＊値とマイナスのｂ＊値でピンクに、少なくとも部分的に調節することを特徴とする、請求項１６又は請求項１７に記載の基材。
【請求項１９】  窒化物層Ｍ’Ｎの窒素の化学量論的量が、反射における該基材の測色学的応答を、特にはマイナスのａ＊とｂ＊の値で青緑に、又は、プラスのａ＊値とマイナスのｂ＊値でピンクに、少なくとも部分的に調節することを特徴とする、請求項１０に記載の基材。
【請求項２０】  可視光領域において吸収性の、特にはＴｉＮから作製され、好ましくは厚さが２〜１５ｎｍである薄層が、反射における該基材の測色学的応答を、特にはマイナスのａ＊とｂ＊の値で青緑に、又は、わずかにプラスのａ＊値とマイナスのｂ＊値でピンクに、少なくとも部分的に調節するために、該バリヤー層と該電極の間に挿入されたことを特徴とする、請求項３に記載の基材。
【請求項２１】  該電極の上部に黄銅鉱の吸収剤層を含んで成ることを特徴とする、請求項１〜２０の何れか１項に記載の基材。
【請求項２２】  太陽電池電極としての、請求項１〜２０の何れか１項に記載の該基材の使用。
【請求項２３】  太陽電池を作製するための請求項２１に記載の該基材の使用。
【請求項２４】  請求項２１に記載の該基材を含んで成ることを特徴とする、太陽電池。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
最初の２つの解決法のうち、少なくとも１つに代わるものとして、又は、それに関連した、第３の解決法は、可視光領域において吸収性の薄層を電極の下に、特にはそれをバリヤー層と電極の間に入れることによって、配置することにある。例えば、これはＴｉＮタイプの金属窒化物層であってもよく、好ましくは、２〜１５ｎｍの範囲内にある厚さを有する。したがって、該タイプの一連の層、即ち、ガラス／バリヤー層（Ｓｉ３Ｎ４／薄い吸収剤層（ＴｉＮ／ＳｉＯ２／Ｍｏなど）など）を有することが可能であり、つまり、この場合には、吸収剤層はＳｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２光学コーティングの“中間に”存在する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像のパッチを符号化する方法であって、
前記パッチから得たデータを用いて少なくとも1つのデータ・ベクトルを定義するステップと、
非直交性の1組の基本関数を適用することによって、前記少なくとも１つのデータ・ベクトルを符号化し、前記パッチを表す値を有する複数の算出された係数を含むソース・ベクトルを生成するステップと、
前記複数の算出された係数の部分集合を選択することによって、前記対応するソース・ベクトルを圧縮し、前記パッチを符号化するステップとを含む方法。
【請求項２】
符号化画像データを表示する方法であって、
前記符号化画像データを符号化するのに用いられた圧縮技術を識別することと、
前記識別された圧縮技術に応じて前記符号化画像データからソース・ベクトルを再構築することと、
前記再構築されたソース・ベクトルに非直交基本関数を適用することによって画像データを算出することと、
前記算出された画像データを表示することとを含む方法。
【請求項３】
さらにコンピュータデバイスに通信ネットワークを介して前記符号化画像データを送信する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記非直交性の１組の基本関数は、複数のベクトルによって定義され、少なくとも２つの前記ベクトルは、互いに直交しない、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記１組の基本関数は対応する１組の画像パッチを定義し、前記画像パッチは、非反復的な画像パッチを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記１組の基本関数は、２つの主軸内に形成される対応する１組の色空間を定義し、前記１組の色空間は、軸が互いに直交しない色空間を定義する少なくとも２つの対立色基本関数を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項７】
前記１組の基本関数は、対応する１組の色空間を定義し、前記１組の基本関数は寄与度の降順に並べられ、基本関数の第１群の少なくとも６０％は、均一色基本関数およびグレースケール輝度エッジ基本関数を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項８】
前記基本関数の少なくとも３０％は実質的にグレースケール輝度エッジ基本関数を定義する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項９】
前記非直交基本関数は、２つ以上のクラスを含み、前記パッチを符号化する前記ステップは、前記各クラスごとにソース・ベクトルを算出し、前記パッチを前記クラスのうちの１つに分類し、前記クラスに関連するソース・ベクトルを選択することを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１０】
第１のレベルの第１のパッチを選択することと、
第１組の非直交基本関数を用いて前記第１のパッチを符号化し符号化画像データを生成することと、
前記第１のパッチを細分することによって、前記第１のパッチを処理して２つ以上の第２のレベルパッチを生成することと、
第２組の非直交基本関数を用いて前記第２のレベルパッチを符号化することと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
各パッチが少なくとも１つのデータ・ベクトルを定義する、複数のパッチに分割された画像を符号化する装置であって、
前記少なくとも１つのデータ・ベクトルに非直交性の1組の基本関数を適用して、前記パッチを表す値を有する複数の算出された係数を含むソース・ベクトルを生成する計算システムと、
前記複数の算出された係数の部分集合を選択することによって前記ソース・ベクトルを圧縮し、それによって符号化ベクトルを生成する圧縮システムとを備える装置。
【請求項１２】
画像データを表示するする装置であって、
前記符号化画像データを符号化するのに用いられた圧縮技術を識別する識別システムと、
前記識別された圧縮技術に応じて前記画像データからソース・ベクトルを再構築する再構築システムと、
前記再構築されたソース・ベクトルに非直交基本関数を適用することによって画像データを算出する手段と、
前記算出された画像データを表示する表示システムとを備える装置。
【請求項１３】
前記非直交性の１組の基本関数は複数のベクトルによって定義され、少なくとも２つの前記ベクトルは互いに直交しない、請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記１組の基本関数は、対応する１組の画像パッチを定義し、前記画像パッチは、主として非反復画像パッチを含む、請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記１組の基本関数は、２つの主軸内に形成される対応する１組の色空間を定義し、前記１組の色空間は、軸が互いに直交しない色空間を定義する少なくとも２つの対立色基本関数を含む、請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記１組の基本関数は対応する１組の色空間を定義し、前記１組の基本関数は、寄与度の降順に並べられ、最も寄与度の高い基本関数を含む第1群の少なくとも６０％は、実質的に均一色基本関数およびグレースケール輝度エッジ基本関数を定義する、請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１７】
前記基本関数の少なくとも３０％は、実質的にグレースケール輝度エッジ基本関数を定義する、請求項１１又は１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システム内における移動局と基地局との間の通信のためにトラフィックチャンネルのパイロットチャンネルに対するトラフィックのパワー比を決定し、前記パイロットチャンネルに対するトラフィックのパワー比は、前記トラフィックチャンネルの通信に基づいて決定され、
前記トラフィックチャンネルに関連した専用制御チャンネルのデータフレーム伝送のデューティサイクルを決定し、前記専用制御チャンネルは前記トラフィックチャンネルの通信を維持するためのものであり、前記データフレーム伝送のデューティサイクルは、ある時間期間にわたって可能なフレーム伝送の数に基づいており、
前記パイロットチャンネルに対するトラフィックのパワー比を前記決定されたデューティサイクルに基づいて調節し、
前記決定されたパイロットチャンネルに対するトラフィックのパワー比にしたがって前記トラフィックチャンネルの通信を行い、前記調節されたパイロットチャンネルに対するトラフィックのパワー比にしたがって前記専用制御チャンネルの通信を行うステップを含んでいる通信システムにおける方法。
【請求項２】
通信システム内における移動局と基地局との間の通信のためにトラフィックチャンネルのパイロットチャンネルに対するトラフィックのパワー比を決定する手段と、
前記トラフィックチャンネルに関連した専用制御チャンネルのデータフレーム伝送のデューティサイクルを決定する手段と、
前記パイロットチャンネルに対するトラフィックのパワー比を前記決定されたデューティサイクルに基づいて調節する手段と、
前記決定されたパイロットチャンネルに対するトラフィックのパワー比にしたがって前記トラフィックチャンネルの通信を行い、前記調節されたパイロットチャンネルに対するトラフィックのパワー比にしたがって前記専用制御チャンネルの通信を行う手段とを備えており、
前記パイロットチャンネルに対するトラフィックのパワー比は、前記トラフィックチャンネルの通信に基づいて決定され、
前記専用制御チャンネルは前記トラフィックチャンネルの通信を維持するためのものであり、前記データフレーム伝送のデューティサイクルは、ある時間期間にわたって可能なフレーム伝送の数に基づいている通信システムにおける方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ上に金属ゲートを形成する方法であって、
基板の上にゲート酸化物を形成する過程を有し、
前記ゲート酸化物の上に第１金属層を形成する過程を有し、
前記第１金属層の少なくとも表面領域において、エッチング選択性を高くする過程を有し、
前記第１金属層上に、第２金属層を形成する過程を有し、
前記第２金属層をエッチングして金属ゲートを形成する過程を有し、前記エッチングは、前記第１金属層の前記表面領域上でストップする、方法。
【請求項２】
前記第１金属層はＴiＮを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記エッチング選択性を高くする過程は、前記第１金属層内に金属種を注入する過程を含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記第１金属層内に注入された前記金属種は、アルミニウムまたはタンタルを含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記アルミニウム又はタンタルは、前記第１金属層内に、20-40 E10イオン/ｃｍ2のドーズ量で注入される、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記アルミニウム又はタンタルは、前記第１金属層内に、1000eV未満で注入される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記注入は、100eVでなされる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記第２金属層はタングステンを含む、請求項４記載の方法。
【請求項９】
前記第２金属層のエッチングは、Ｃｌ2/ＳＦ６/Ｎ2工程を用いてなされる、請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造であって：
基板と；
該基板の上に形成された窒化ガリウム材料領域と；
前記基板の上に形成され、前記窒化ガリウム材料領域の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する熱発散層と；
前記半導体構造中に形成されたヒートシンクと；
を備える半導体構造。
【請求項２】
前記熱発散層は、前記基板と前記窒化ガリウム材料領域との間に形成される、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
前記熱発散層は、ＩＩＩ族窒化物、窒化アルミニウム及び炭化ケイ素からなる群の化合物を含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項４】
前記熱発散層は、傾斜組成遷移層の少なくとも一部分を含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項５】
前記傾斜組成遷移層はＡｌxＧａ(1-x)Ｎを含み、ｘは前記層の厚さの端から端まで変化する、請求項４に記載の半導体構造。
【請求項６】
前記熱発散層は、前記基板の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項７】
前記熱発散層は、前記窒化ガリウム材料領域と直接接触する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項８】
前記ヒートシンクは、前記半導体構造の裏側から延在する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項９】
前記ヒートシンクは、前記半導体構造の上側から延在する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１０】
前記ヒートシンクは、環境にさらされる表面を有する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１１】
前記ヒートシンクは、前記熱発散層と接触する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１２】
前記ヒートシンクは、バイア中に堆積した伝導性材料を含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１３】
前記ヒートシンクは、チャネルを含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１４】
前記基板は、シリコン基板を含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１５】
半導体構造の形成方法であって：
熱発散層を基板の上に形成することと；
窒化ガリウム材料領域を前記基板の上に形成することと；
ヒートシンクを前記半導体構造中に形成することと；
を含む方法において、
前記熱発散層は、前記窒化ガリウム材料領域の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する、方法。
【請求項１６】
前記基板は、シリコン基板を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
半導体構造を前記窒化ガリウム材料領域中に形成することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記半導体構造の表面から延在するバイアをエッチングすることと、伝導性材料を前記バイア内部に堆積させて、前記ヒートシンクを形成することとをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月7日(2005.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅金属回路を有する半導体基板のケミケルメカニカルポリッシングに使用され、ｐＨが５未満であり、かつ
（ａ）数平均分子量２０，０００〜１，５００，０００を有する重合性不飽和カルボン酸単量体を含む水溶性カルボン酸重合体と、
（ｂ）酸化剤１〜１５重量％と、
（ｃ）研磨粒子０〜３．０重量％と、
（ｄ）抑制剤５０〜５，０００ppmと、
（ｅ）錯化剤０〜３．０重量％と、
（ｆ）ゲル浸透クロマトグラフィで測定した数平均分子量が少なくとも５００，０００であり、少なくとも２５℃のガラス転移温度を有する重合体の有機重合体粒子０．１〜５．０重量％と、
を含むことを特徴とする水性研磨用組成物。
【請求項２】
水溶性カルボン酸重合体を０．０５〜２．０重量％含有し、有機重合体粒子が５〜５，０００nmの直径を有し、有機重合体粒子の重合体が数平均分子量５００，０００〜３，０００，０００と２５〜１３０℃のガラス転移温度を有する、請求項１記載の水性研磨用組成物。
【請求項３】
有機重合体粒子の重合体がポリスチレンを含む、請求項２記載の水性研磨用組成物。
【請求項４】
ポリスチレンが、ジビニルベンゼンで架橋され、中空球体の形状である、請求項３記載の水性研磨用組成物。
【請求項５】
有機重合体粒子がポリメチルメタクリレートを含む、請求項２記載の水性研磨用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＲ（赤外線）制御可能な装置を制御するために第１の制御装置の有効制御範囲を拡張するための制御装置であって、
前記第１の制御装置から制御情報用の第１のデータ・セグメントを備える第１の制御信号を受信する受信機と、
前記第１の制御信号からＩＲ搬送周波数を抽出する手段と、
前記制御情報用の第２のデータ・セグメントを備え且つ前記ＩＲ搬送周波数を有するＲＦ信号を送信する手段と、から成り、
前記ＲＦ信号は、前記ＩＲ制御可能な装置を制御するために前記ＲＦ信号をＩＲ制御信号に変換する第２の制御装置で受信され、前記ＩＲ制御信号は、前記ＩＲ搬送周波数を有するＩＲ搬送波を備え且つ前記制御情報用のデータ・セグメントを備える、前記制御装置。
【請求項２】
前記ＩＲ搬送周波数は前記第１の制御信号の第１のデータ・セグメントの中に含まれ、前記受信機は、前記ＩＲ搬送周波数を指定する前記第１のデータ・セグメントの一部を抽出することにより前記ＩＲ搬送周波数を識別する、請求項１記載の制御装置。
【請求項３】
ＩＲ制御可能な装置を制御するために第１の制御装置の有効制御範囲を拡張するための制御装置であって、
前記第１の制御装置から、制御情報用のデータ・セグメントを備え且つＩＲ搬送周波数を有するＲＦ制御信号を受信するＲＦ受信機と、
前記ＩＲ制御可能な装置を制御するための第１のＩＲ制御信号を送信するＩＲ送信機と、を含み、
前記第１の制御装置により、前記ＩＲ搬送周波数が、前記ＩＲ搬送周波数を有する受信ＩＲ制御信号から抽出され、
前記第１のＩＲ制御信号が、前記制御情報用のデータ・セグメントを備え、且つ、前記ＩＲ搬送周波数を有する搬送波を備える、制御装置。
【請求項４】
ＩＲ制御可能な装置を制御するために第１の制御装置の有効制御範囲を拡張するための制御装置であって、
前記第１の制御装置から、ＩＲ搬送周波数を有し且つ制御情報用のデータ・セグメントを備える第１の制御信号を受信し、この第１の制御信号から前記ＩＲ搬送周波数を抽出する受信機と、
前記抽出されたＩＲ搬送周波数を受信し、前記ＩＲ制御可能な装置を制御するためのＩＲ制御信号を送信するＩＲ送信機と、を含み、
前記ＩＲ制御信号が、前記制御情報用のデータ・セグメントを備え、且つ、前記ＩＲ搬送周波数を有する搬送波を備える、制御装置。
【請求項５】
ＩＲ制御可能な装置を制御する制御装置であって、
ＩＲ搬送周波数を有し且つ制御情報用のデータ・セグメントを備える第１の制御信号を送信する送信機を含み、
前記第１の制御信号は、別の制御装置により受信され、この別の制御装置が、前記ＩＲ搬送周波数を抽出し、前記制御情報用のデータ・セグメントと前記抽出されたＩＲ搬送周波数を有する搬送波とを備えたＩＲ制御信号を生成するように構成されている、制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】制御装置
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月5日(2004.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
障害によってもたらされる電気回路内のエネルギの比較的急速な変化を散逸させるための上記電気回路内の保護システムであって、導電性材料のコイル及びコアからなるインダクタの形態の可変抵抗を備え、上記可変抵抗は、上記電気回路が正常に動作している時には比較的低インピーダンスを呈し、また上記電気回路上に障害が発生した時には比較的高いインピーダンスを呈し、上記高いインピーダンスＲは、上記コアの急速な磁化によって引き起こされることを特徴とする保護システム。
【請求項２】
上記可変抵抗は、導電性材料のコイル、及びコアからなるインダクタであり、上記電気回路上に障害が発生した時に上記コア内に比較的大きい渦電流が誘起され、それによって比較的高いインピーダンスがもたらされることを特徴とする請求項１に記載の保護システム。
【請求項３】
上記コアは、フェライト材料からなることを特徴とする請求項２に記載の保護システム。
【請求項４】
上記コアは、ニッケル箔からなることを特徴とする請求項２に記載の保護システム。
【請求項５】
上記インダクタは、駆動回路と駆動回路負荷との間に直列であることを特徴とする請求項２、３、または４に記載の保護システム。
【請求項６】
上記インダクタは、バイファイラー巻きされたコイルからなることを特徴とする請求項２、３、または４に記載の保護システム。
【請求項７】
上記回路の正常動作中には、上記バイファイラーコイルの第１のワイヤーは電流を上記負荷へ導き、上記バイファイラーコイルの第２のワイヤーは電流を負荷から導くようになっており、それによって上記インダクタのインピーダンスが低くなっていることを特徴とする請求項６に記載の保護システム。
【請求項８】
上記負荷内に障害が発生した時には、上記バイファイラーコイルの第１及び第２のワイヤーにまたがって同一方向の電圧が印加され、それによって比較的大きい渦電流が上記コア内に誘起されることを特徴とする請求項７に記載の保護システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
詳述すれば、障害によって生じた回路内のエネルギの比較的急速な変化を散逸させるために、電気回路内に保護（もしくは、安全）システムが設けられる。保護システムは、導電性材料のコイル及びコアからなるインダクタの形態の可変抵抗を備え、上記可変抵抗は、電気回路が正常に動作している時には比較的低いインピーダンスを呈し、また電気回路上に障害が発生した時には比較的高いインピーダンスを呈し、上記高いインピーダンスＲは、上記コアの急速な磁化によって引き起こされる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノ、ビス、およびオリゴマーホスフィノエチレンコハク酸付加物を含む組成物をシステムに添加することを含む、水系システムにおける腐食を防止する方法。
【請求項２】
反応生成物における前記ビス付加物のパーセントが、リンとして２０−８５モル％の範囲内の量である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記水系システムが、工業的な水系システム、および冷却水システムから選択される請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記水系システムにさらに、鉄金属腐食防止剤、イエローメタル腐食防止剤、スケール防止剤、分散剤、殺生物剤、および工業的な水系システム添加物の１つまたはそれ以上を効果的な量添加することを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
（ｉ）反応混合物を作るために、フマル酸のスラリー、または水中の溶液に次亜リン酸塩を加え；そして
（ｉｉ）その反応混合物にフリーラジカル開始剤を投入することにより反応させる；
ことを含むモノ、ビス、およびオリゴマーホスフィノエチレンコハク酸付加物を含む組成物を調製する方法。
【請求項６】
前記反応混合物は、マレイン酸水溶液をフマル酸水系スラリーに変換することにより調製され、前記反応混合物は、フマル酸の濃度が３５から５０重量％である請求項５記載の方法。
【請求項７】
さらに、前記スラリーを中性化することを含む請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記反応混合物における次亜リン酸塩に対するフマル酸のモル比率が＞１．７５−３であり、前記次亜リン酸塩が、次亜リン酸または次亜リン酸の塩からなる群から選択される請求項５記載の方法。
【請求項９】
さらに、前記反応混合物を加熱することを含む請求項５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
Ｚがポリシロキサザンであることを特徴とする請求項１に記載のアルコキシシリル置換ケイ素重合体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月19日(2003.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｒhＸ2からなる第１の繰返し単位と第２の繰返し単位を有するポリマーにおいて、Ａｒhは、置換又は未置換ヘテロアリール基からなり、各Ｘは同じか又は異なる独立した置換又は未置換アリール又はヘテロアリール基からなり、第２の繰返し単位は第１の繰返し単位に隣接しており、ここで、ポリマーの幹の主要部の一部である各Ｘは、第２の繰返し単位に直接共役されていることを特徴とするポリマー。
【請求項２】
前記第２の繰り返し単位が、選択的に、置換されたフェニレン、フルオレン、ヘテロアリール及びトリアリールアミンから構成される群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載のポリマー。
【請求項３】
前記Ａｒhが２，４，６トリ置換ヘテロアリール基を有する請求項１又は２に記載のポリマー。
【請求項４】
前記Ａｒhが置換又は未置換窒素含有ヘテロアリール基を有する請求項１ないし３のいずれかに記載のポリマー。
【請求項５】
前記Ａｒhがトリアジン基を有する請求項１ないし３のいずれかに記載のポリマー。
【請求項６】
前記第１繰返し単位がＡｒhＸ3からなり、ここで各Ｘは請求項１で定義される請求項３ないし４のいずれかに記載のポリマー。
【請求項７】
前記ＡｒhＸ3が次式（１）で示される基本構造を有する請求項６に記載のポリマー。
【化１】
2004532314.tif 000001
【請求項８】
Ｘ及びＸ1が同じである請求項７に記載のポリマー。
【請求項９】
Ｘ2がＸ及びＸ1と異なる請求項７又は８に記載のポリマー。
【請求項１０】
Ｘ2がＸ及びＸ1と異なる請求項７又は８に記載のポリマー。
【請求項１１】
Ｘ2がハロゲン、シアノ、アルキル、アルコキシ、又は、置換若しくは未置換アリール、ヘテロアリール基からなる請求項７ないし１０のいずれかに記載のポリマー。
【請求項１２】
Ｘ及びＸ1が、独立して、置換又は未置換フェニル基からなる請求項７ないし１１のいずれかに記載のポリマー。
【請求項１３】
次式（２）で示される基本構造を有する第１繰返し単位を有する請求項１２に記載のポリマー。
【化２】
2004532314.tif 000002
【請求項１４】
次式（３）で示される基本構造を有する第１繰返し単位を有する請求項１３に記載のポリマー。
【化３】
2004532314.tif 000003
ここで、Ｒ”は、水素、分岐又は直鎖Ｃ１−２０アルキル又はアルコキシから選択される。
【請求項１５】
コポリマー、好ましくは、規則的代替コポリマーからなる請求項１ないし１４のいずれかに記載のポリマー。
【請求項１６】
ホモポリマーからなる請求項１ないし１４のいずれかに記載のポリマー。
【請求項１７】
光学装置に使用される請求項１ないし１６のいずれかに記載のポリマー。
【請求項１８】
３６０ｎｍから４９０ｎｍまでの波長を有する光を放射することができる請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
基板及び基板に支持された組成物からなる光学装置において、前記組成物が請求項１７に記載されるポリマーからなることを特徴とする光学装置。
【請求項２０】
（ａ）正電荷注入のための第１電荷注入層
（ｂ）負電荷注入のための第２電荷注入層
（ｃ）光を生じさせるために、第１及び第２電荷注入層からの正電荷及び負電荷を受領し結合させるための発光層、及び
（ｄ）第１電荷注入層及び発光層との間、又は第２電荷注入層と発光層との間に選択的に配置される１又は２以上の電荷輸送層であって、ここで、前記発光層及び／又は前記１又は２以上の輸送層は請求項１７に記載されるポリマーからなる
各層を有する光学装置。
【請求項２１】
前記発光層が請求項１７に記載されるポリマーからなる混合物から構成されることを特徴とする請求項２０に記載の光学装置。
【請求項２２】
電子冷光放射装置からなる請求項１９ないし２１のいずれかに記載の光学装置。
【請求項２３】
金属錯体触媒の存在下および請求項１ないし１８に記載のポリマーを形成するモノマーを重合するための条件下において、第１のモノマーと同じか又は異なる第２のモノマーに第１のモノマーを反応させる工程からなるポリマーの製造方法。
【請求項２４】
次の(ａ)及び（ｂ）からなる反応混合物において重合を行う請求項２３に記載のポリマーの製造方法。
（ａ）ボロン酸基、ボロンエステル基及びボラン基から選ばれる少なくとも２つの反応性ボロン誘導基を有する第１の芳香族モノマー、並びに、少なくとも２つのハロゲン配位基を有する第２の芳香族モノマー、又は
（ｂ）反応性ハロゲン配位基及びボロン酸基、ボロンエステル基、ボラン基から選ばれる反応性ボロン誘導体基を有する第１の芳香族モノマー、並びに１つの反応性ハロゲン配位基及びボロン酸基、ボロンエステル基及びボランから選ばれるボロン誘導体を有する第２の芳香族モノマーからなる反応混合物において重合することからなるポリマーを得るプロセスが記載されている。ここで、反応混合物は、芳香族モノマーの重合の触媒作用に適したパラジウム触媒の触媒量及び反応性ボロン誘導体配位基をＢＸ’3-アニオン基に変換するに十分な量の塩基からなり、Ｘ’はＦ及びＯＨからなる群から独立して選ばれる。
【請求項２５】
各ＸがＡｒ2Ｎ−を含まず、各Ａｒは置換又は未置換アリール又はヘテロアリール基からなることを特徴とする請求項１に記載のポリマー。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキル及び／又はアルケニルオリゴグリコシドエーテルカルボン酸を含有する界面活性剤混合物の製造方法であって、少なくとも１つのアルキル及び／又はアルケニルオリゴグリコシドの水溶液をアルカリの存在下でω−ハロカルボン酸、その塩又はエステルと反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
式（Ｉ）：
【化１】
2004532319.tif 000001
［式中、Ｒ１は４〜２２個の炭素原子を有するアルキル及び／又はアルケニル基、Ｇは５又は６個の炭素原子を有する糖単位、ｐは１〜１０の数である］
に示されるアルキル及びアルケニルオリゴグリコシドを用いることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
モノクロロ酢酸ナトリウムを、ω−ハロカルボン酸、その塩又はエステルとして用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
アルキル及び／又はアルケニルオリゴグリコシドを、ω−ハロカルボン酸、その塩又はエステルと１：０．５〜１：３．５のモル比で反応させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
アルキル及び／又はアルケニルオリゴグリコシドを、ω−ハロカルボン酸、その塩又はエステルと１：１〜１：２のモル比で反応させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
アルカリとω−ハロカルボン酸、その塩又はエステルのモル比を、１：０．５〜１：１．５から選択することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
アルカリとω−ハロカルボン酸、その塩又はエステルのモル比を、１：１〜１：１．３から選択することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
反応を、５０〜１００℃の温度で行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
他の溶媒を添加しないことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１０】
水溶液が、活性物質含量に基づき７０重量％以下のアルキル及び／又はアルケニルオリゴグリコシドを含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも１つのアルキル及び／又はアルケニルオリゴグリコシドの水溶液とω−ハロカルボン酸、その塩又はエステルのアルカリ存在下での反応生成物を、残留水含量が5重量％以下まで乾燥させることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月6日(2005.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロース繊維；
熱可塑性バインダ；
無水マレイン酸官能基を有するカップリング剤；及び
カルボン酸のアルキルエステルを含む潤滑剤；
を含む、成形品を形成するための組成物。
【請求項２】
前記潤滑剤がカルボキシアミドワックスをさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記潤滑剤がステアリン酸亜鉛、ステアリン酸金属、および、カルボン酸金属を実質的に含まない、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
アルキルエステル及びアミドワックスをアルキルエステル：アミドワックス＝約３０：１〜約１：１の重量比で含む、セルロース含有複合材用の潤滑剤組成物。
【請求項５】
前記アルキルエステルが、以下の式１：
【化１】
2004532315.tif 000001
［式中、Ｒは独立して水素又は−Ｃ（Ｏ）Ｒ’であり、そして少なくとも１個のＲは−Ｃ（Ｏ）Ｒ’であり；
Ｒ’は水素、約３〜約１８個の炭素原子を有する不飽和若しくは飽和アルキル鎖、又は−Ｃ（Ｏ）−Ｘ−ＣＯＯＨであり；
Ｘは約３〜約１８個の炭素原子を有する不飽和又は飽和アルキル鎖である］
のアルキルエステルの混合物を含む、請求項４に記載の潤滑剤組成物。
【請求項６】
セルロース繊維；熱可塑性バインダ；無水マレイン酸官能基を有するカップリング剤；及び、カルボン酸のアルキルエステルを含む潤滑剤；を含む成形品形成のための組成物を準備する；および
前記組成物を成形品に成形する；
の工程を含む、物品の製造法。
【請求項７】
セルロース；
熱可塑性バインダ；
有機ポリマーの求電子官能基を含有するカップリング剤；及び
潤滑剤；
を含む、成形品を形成するための組成物。
【請求項８】
前記潤滑剤がカルボン酸のアルキルエステルを含み、且つカルボン酸金属を実質的に含まない、請求項７に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのポリマーと、少なくとも１つのカーボンブラックとを含んで成る導電性ポリマー組成物であって、該カーボンブラックが、１０〜２００ｍ２／ｇのＳＴＳＡ、１５〜２５０ｍｇ／ｇのＩ２Ｎｏ、１３０％以下の着色力、２０〜４５０ｃｃ／１００ｇのＤＢＰＡ、２０〜４００ｃｃ／１００ｇのＣＤＢＰ、０．４〜２．５のＩ２Ｎｏ／ＳＴＳＡ比、１４〜２５０ｎｍの平均粒子サイズ、及び、１．０％未満の揮発分（％）を有し、該カーボンブラックが該導電性ポリマー組成物の５〜４０ｗｔ％を成し、且つ、該導電性ポリマー組成物が室温で１００Ω・ｃｍよりも大きな体積抵抗率を有する、導電性ポリマー組成物。
【請求項２】
該カーボンブラックが該ポリマー組成物の１５〜３０ｗｔ％の量で存在する、請求項１に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項３】
該カーボンブラックが該ポリマー組成物の２５〜４０ｗｔ％の量で存在する、請求項１に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項４】
少なくとも１つのポリマーと、少なくとも１つのカーボンブラックとを含んで成る導電性ポリマー組成物であって、該カーボンブラックが、１０〜２００ｍ２／ｇのＳＴＳＡ、１５〜２５０ｍｇ／ｇのＩ２Ｎｏ、１３０％以下の着色力、２０〜４５０ｃｃ／１００ｇのＤＢＰＡ、２０〜４００ｃｃ／１００ｇのＣＤＢＰ、０．４〜２．５のＩ２Ｎｏ／ＳＴＳＡ比、１４〜２５０ｎｍの平均粒子サイズ、及び、１．０％未満の揮発分（％）を有し、該カーボンブラックが該導電性ポリマー組成物の５〜４０ｗｔ％を成す、導電性ポリマー組成物。
【請求項５】
該カーボンブラックが、２０〜１００ｍ２／ｇのＳＴＳＡ、２０〜１００ｍ２／ｇのＩ２Ｎｏ、５０〜３００ｃｃ／１００ｇのＤＢＰＡ、及び、４５〜２５０ｃｃ／１００ｇのＣＤＢＰを有する、請求項１又は４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項６】
該カーボンブラックが、２０〜７０ｍ２／ｇのＳＴＳＡ、２０〜７５ｍ２／ｇのＩ２Ｎｏ、１００〜２５０ｃｃ／１００ｇのＤＢＰＡ、及び、６０〜１７５ｃｃ／１００ｇのＣＤＢＰを有する、請求項１又は４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項７】
該導電性ポリマー組成物が室温で１００Ω・ｃｍよりも大きな体積抵抗率を有する、請求項４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項８】
該導電性ポリマー組成物が室温で１０００Ω・ｃｍよりも大きな体積抵抗率を有する、請求項１又は４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項９】
前記カーボンブラックが、４６〜５６ｍ２／ｇのＳＴＳＡ、６０〜７０ｍｇ／ｇのＩ２Ｎｏ、７０％以下の着色力、１３７〜１４７ｃｃ／１００ｇのＤＢＰＡ、８５〜９５ｃｃ／１００ｇのＣＤＢＰ、１．２〜１．４のＩ２Ｎｏ／ＳＴＳＡ比、３７〜４７ｎｍの平均粒子サイズ、及び、１．０％未満の揮発分（％）を有し、該カーボンブラックが該ポリマー組成物の２５〜４０ｗｔ％の量で存在する、請求項４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項１０】
前記カーボンブラックが、３２〜４２ｍ２／ｇのＳＴＳＡ、３９〜４９ｍｇ／ｇのＩ２Ｎｏ、６０％以下の着色力、１１２〜１２２ｃｃ／１００ｇのＤＢＰＡ、７１〜８１ｃｃ／１００ｇのＣＤＢＰ、１．１〜１．３のＩ２Ｎｏ／ＳＴＳＡ比、４８〜５８ｎｍの平均粒子サイズ、及び、１．０％未満の揮発分（％）を有し、該カーボンブラックが該ポリマー組成物の２５〜４０ｗｔ％の量で存在する、請求項４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項１１】
前記カーボンブラックが、５５〜６５ｍ２／ｇのＳＴＳＡ、６３〜７３ｍｇ／ｇのＩ２Ｎｏ、９０％以下の着色力、１２１〜１３１ｃｃ／１００ｇのＤＢＰＡ、８５〜９５ｃｃ／１００ｇのＣＤＢＰ、１．０５〜１．２５のＩ２Ｎｏ／ＳＴＳＡ比、２６〜３６ｎｍの平均粒子サイズ、及び、１．０％未満の揮発分（％）を有し、該カーボンブラックが該ポリマー組成物の２５〜４０ｗｔ％の量で存在する、請求項４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項１２】
前記カーボンブラックが、６４〜７４ｍ２／ｇのＳＴＳＡ、７２〜８２ｍｇ／ｇのＩ２Ｎｏ、９０％以下の着色力、１８８〜１９８ｃｃ／１００ｇのＤＢＰＡ、１０１〜１１１ｃｃ／１００ｇのＣＤＢＰ、１．０５〜１．２５のＩ２Ｎｏ／ＳＴＳＡ比、３４〜４４ｎｍの平均粒子サイズ、及び、１．０％未満の揮発分（％）を有し、該カーボンブラックが該ポリマー組成物の２５〜４０ｗｔ％の量で存在する、請求項４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項１３】
該カーボンブラックが、少なくとも１つの有機基が結合されたカーボンブラックを含んで成る改質カーボンブラックである、請求項１又は４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項１４】
該カーボンブラックがバインダー樹脂で処理された、請求項１又は４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項１５】
該ポリマーが、ポリオレフィン、ハロゲン化ビニルポリマー、ハロゲン化ビニリデンポリマー、パーフルオロポリマー、スチレンポリマー、アミドポリマー、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンエーテル、ポリケトン、ポリアセタール、ビニルアルコールポリマー、ポリウレタン、又は、それらの組合せを含んで成る、請求項１又は４に記載の導電性ポリマー組成物。
【請求項１６】
請求項１、４、９、１０、１１又は１２に記載の導電性ポリマー組成物を含んで成る製品。
【請求項１７】
該製品が自動車の燃料系部品である、請求項１６に記載の製品。
【請求項１８】
該製品が静電塗装された、請求項１６に記載の製品。
【請求項１９】
請求項１又は４に記載の導電性ポリマー組成物を含んで成る製品を形成すること、及び、静電塗装によって前記製品の少なくとも一部をコーティングすることを含んで成る、製品を静電塗装する方法。
【請求項２０】
該製品がフィンガートラップ（finger trap）安全装置である、請求項１６に記載の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
場合によっては、上記水性合成樹脂分散物は、慣用の紫外線吸収添加剤を含んでいてもよい。しかし、本発明の被覆剤は、その代わりにガラス粉を使用するので、好ましくはこのような添加剤は含まない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
これらのガラス粉の粉砕微細度が重要である。これは、しばしばサイラス曲線（Cilas Kurve)によって測定される。好ましい平均粒度は、１〜２００μｍの範囲、特に好ましくは５〜５０μｍの範囲である。しかし、他のホウケイ酸塩ガラス粉が含まれている場合でも、該透明被覆剤は望ましい特性を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶媒体であって、これが、１種または２種以上の一般式Ｉ
【化１】
2004532344.tif 000001
で表される化合物および１種または２種以上の式ＩＩ
【化２】
2004532344.tif 000002
式中、
Ｒ１は、Ｈまたは１〜５個の炭素原子を有するアルキルであり、
Ｒ２は、１〜１２個の炭素原子を有するアルコキシであり、
Ｒ３は、２〜７個の炭素原子を有するアルケニルであり、
Ｒ４は、１〜１２個の炭素原子を有するアルキルであり、ここで、さらに、１つまたは２つの隣接していないＣＨ２基は、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−または−ＣＯＯ−により、Ｏ原子が互いに直接結合しないように置換されていることができ、
ｃは、０または１である、
で表される化合物を含むことを特徴とする、液晶媒体。
【請求項２】
さらに、１種または２種以上の式ＩＩＩ
【化３】
2004532344.tif 000003
式中、
Ｒ５およびＲ６は、１〜１２個の炭素原子を有するアルキルであり、ここで、さらに、１つまたは２つの隣接していないＣＨ２基は、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−または−ＣＯＯ−により置換されていることができ、
【化４】
2004532344.tif 000004
であり、
ａは、０または１である、
で表される化合物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の媒体。
【請求項３】
さらに、１種または２種以上の式ＩＶ
【化５】
2004532344.tif 000005
式中、
Ｒ５およびＲ６は、互いに独立して、式ＩＩＩにおいて定義した通りであり、
【化６】
2004532344.tif 000006
であり、
【化７】
2004532344.tif 000007
であり、
ｂは、０または１である、
で表される化合物を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の媒体。
【請求項４】
１種または２種以上の以下の式：
【化８】
2004532344.tif 000008
式中、ａｌｋｙｌは、Ｃ１−６アルキルであり、Ｒ５ａは、Ｈ、メチル、エチルまたはｎ−プロピルである、
から選択された化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の媒体。
【請求項５】
１種または２種以上の以下の式：
【化９】
2004532344.tif 000009
式中、ａｌｋｙｌは、Ｃ１−６アルキルであり、Ｒは、Ｃ１−６アルキルまたはＣ１−６アルコキシであり、Ｌは、ＨまたはＦである、
から選択された化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の媒体。
【請求項６】
１種または２種以上の以下の式：
【化１０】
2004532344.tif 000010
【化１１】
2004532344.tif 000011
式中、Ｒ５およびＲ６は、請求項２において定義した通りであり、ａｌｋｙｌは、Ｃ１−６アルキルであり、Ｌは、ＨまたはＦであり、Ｘは、ＦまたはＣｌであり、ｄは、０または１である、
から選択された化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の媒体。
【請求項７】
本質的に、１〜４種の式Ｉで表される化合物、１〜６種の式ＩＩで表される化合物、１〜１０種の式ＩＩＩで表される化合物および１〜５種の式ＩＶで表される化合物からなることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の媒体。
【請求項８】
全体としての混合物中の式Ｉで表される化合物の比率が、５〜３５％であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の媒体。
【請求項９】
全体としての混合物中の式Ｉで表される化合物の比率が、９〜２５％であることを特徴とする、請求項８に記載の媒体。
【請求項１０】
全体としての混合物中の式ＩＩで表される化合物の比率が、５〜５０％であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の媒体。
【請求項１１】
全体としての混合物中の式ＩＩで表される化合物の比率が、１０〜３６％であることを特徴とする、請求項１０に記載の媒体。
【請求項１２】
本質的に、
５〜３５％の１種または２種以上の式Ｉで表される化合物、
５〜５０％の１種または２種以上の式ＩＩで表される化合物、
２５〜７０％の１種または２種以上の式ＩＩＩで表される化合物および
２〜２５％の１種または２種以上の式ＩＶで表される化合物
からなることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の媒体。
【請求項１３】
アクティブマトリックスアドレッシングを有する電気光学的ディスプレイであって、これが、誘電体として、請求項１〜１２のいずれかに記載の液晶媒体を含むことを特徴とする、前記電気光学的ディスプレイ。
【請求項１４】
ＥＣＢ、ＶＡ、ＤＡＰ、ＣＳＨ、ＩＰＳ、ＡＳＭまたはＰＡＬＣ効果に基づくことを特徴とする、請求項１３に記載の電気光学的ディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
J. RobertおよびF. Clerc (SID 80 Digest Techn. Papers (1980), 30), J. Duchene (Displays 7 (1986), 3)並びにH. Schad (SID 82 Digest Techn. Papers (1982), 244)による論文は、液晶相が、ＥＣＢ効果に基づく高度情報ディスプレイ素子に適合するために弾性定数Ｋ３／Ｋ１の比率についての高い値、光学異方性Δｎについての高い値および約−０．５〜約−５の誘電（ＤＣ）異方性Δεについての値を有しなければならないことを示した。ＥＣＢ効果に基づく電気光学的ディスプレイ素子は、スイッチオフ状態において、ホメオトロピックまたは垂直端配向、即ち電極表面にほぼ垂直な配向を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
ｂ）さらに、１種または２種以上の式ＩＶ：
【化６】
2004532344.tif 000012
式中、
Ｒ５およびＲ６は、互いに独立して、式ＩＩＩにおいて定義した通りであり、
【化７】
2004532344.tif 000013
であり、
【化８】
2004532344.tif 000014
であり、
ｂは、０または１である、
で表される化合物を含む媒体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
このタイプの液晶混合物の構成成分として適する最も重要な化合物は、式ＸＶ
Ｒ８−Ｌ−Ｇ−Ｅ−Ｒ９      ＸＶ
式中、
ＬおよびＥは、各々、１，４−二置換ベンゼンおよびシクロヘキサン環、４，４’−二置換ビフェニル、フェニルシクロヘキサンおよびシクロヘキシルシクロヘキサン系、２，５−二置換ピリミジンおよび１，３−ジオキサン環、２，６−二置換ナフタレン、ジおよびテトラヒドロナフタレン、キナゾリンおよびテトラヒドロキナゾリンにより形成される群からの炭素環式または複素環式環系であり、
Ｇは、
【化１９】
2004532344.tif 000015
またはＣ−Ｃ単結合であり、
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気中酸化性汚染物質を還元するために、組成物で被覆された大気と接触する表面を含んでなり、該組成物がマンガン系触媒と水溶性結合剤とを含んでなる還元剤を含んでなるものである、熱交換機。
【請求項２】
マンガン系触媒が、ＭｎＯ２またはその誘導体である、請求項１に記載の熱交換機。
【請求項３】
ＭｎＯ２の誘導体がクリプトメランである、請求項２に記載の熱交換機。
【請求項４】
水溶性結合剤がセルロース系結合剤である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱交換機。
【請求項５】
セルロース系結合剤が、エーテルまたはエステルまたは半合成セルロース系結合剤、好ましくはヒドロキシプロピル−またはメチルセルロースである、請求項４に記載の熱交換機。
【請求項６】
水溶性結合剤がビニルまたはアクリル系結合剤、好ましくはポリビニルアルコールまたはアンモニウムポリメタクリレートである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱交換機。
【請求項７】
組成物の熱伝導性を改良するために、遷移金属、好ましくは銀または銅の粒子をさらに包含する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の熱交換機。
【請求項８】
表面がアルミニウムまたはアルミニウム合金を含んでなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の熱交換機。
【請求項９】
熱交換機がラジエーターおよび／または冷却機であり、好ましくは自動車用である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の熱交換機。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の熱交換機を製造する方法であって、
表面を組成物で被覆する工程と、被覆された表面を組成物を硬化させるのに十分な時間加熱する工程とを含んでなり、前記加熱工程が被覆された表面を≦９０℃で加熱するものである、方法。