【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の導電型のドーパントを有する半導体基板と、
前記半導体基板の表面から当該半導体基板中に所定の深さ延びる溝と、
前記第１の導電型と反対の第２の導電型のドーパントを有し、前記半導体基板の表面から当該半導体基板中に延び、前記溝の所定の深さよりも浅い第１の深さでウェル接合を形成するドープされたウェルと、
前記第１の導電型のドーパントを有し、前記半導体基板の表面から当該半導体基板中に延び、第２の深さでソース接合を形成するドープされたソース領域と、
前記ドープされたウェルの内側に形成された第２の導電型のドーパントを有し、前記ソース接合よりも深く前記ドープされたウェルよりも浅い深さで厚手部接合を形成するドープされた厚手部領域であって、前記半導体基板の表面下のある深さにおいてピーク濃度を生じる領域を有する厚手部領域と、
を含む電界効果トランジスタ。
【請求項２】  電圧がトランジスタに印加されたときピーク電界効果が前記半導体の前記溝から離隔するように、前記第２の深さでウェル接合に対して前記厚手部接合の位置が調整されている、請求項１の電界効果トランジスタ。
【請求項３】  前記ドープされたウエルがほぼ平坦な底をもっている、請求項１の電界効果トランジスタ。
【請求項４】  前記溝が丸められた上方隅部および下方隅部をもっている、請求項１の電界効果トランジスタ。
【請求項５】  前記ドープされた厚手部領域のピーク濃度の領域が前記ドープされたウェルとほぼ接合する位置で第２の導電型のドーパントを注入して形成されている、請求項１の電界効果トランジスタ。
【請求項６】  前記溝には誘電体材料が並んで置かれるとともに当該溝が導電体材料でほぼ充たされ、前記溝をほぼ充たす前記導電体材料は前記基板の表面に対して窪んでいる、請求項１の電界効果トランジスタ。
【請求項７】  前記トランジスタを囲む端構造を含んだ、請求項１の電界効果トランジスタ。
【請求項８】  前記端構造は前記基板の第２のドープされた領域内に延びる前記第２の導電型のドーパントを有するドープされた領域を含み、前記端のドープされた領域と前記基板の第２のドープされた領域との間にＰＮ接合を形成する、請求項７の電界効果トランジスタ。
【請求項９】  前記端構造が溝を含む、請求項７の電界効果トランジスタ。
【請求項１０】  前記端構造が前記トランジスタを囲む複数の同心状の成端溝を含む、請求項７の電界効果トランジスタ。
【請求項１１】  前記溝が前記トランジスタの溝とほぼ同じ深さに延びている、請求項９の電界効果トランジスタ。
【請求項１２】  前記厚手部領域と前記ドープされたウェルとの間に形成された前記接合部が急峻な接合であり、これによって電圧がトランジスタに印加されたときに、ピーク電界効果の位置が前記溝から離れ前記急峻な接合に移動する、請求項１の電界効果トランジスタ。
【請求項１３】  前記急峻な接合が二重注入プロセスで形成される、請求項１２の電界効果トランジスタ。
【請求項１４】  前記第２の導電型のドーパントを有し前記溝の深さよりも深く基板内に延びる深くドープされた領域をさらに有する、請求項１の電界効果トランジスタ。
【請求項１５】  前記深くドープされた領域が前記基板とＰＮ接合ダイオードを形成する、請求項１４の電界効果トランジスタ。
【請求項１６】  第１の導電型のドーパントを有する半導体基板を提供し、
前記半導体基板の第１の表面から当該半導体基板内の第１の深さに延びる複数の溝を形成し、
前記複数の溝の各々にゲート誘電体材料を並べ、
誘電体の並べられた溝の各々を導電体材料でほぼ充たし、
前記基板に前記第１の導電型と反対の第２の導電型のドーパントを有するドープされたウェルを前記複数の溝の前記第１の深さよりも浅い第２の深さまで形成し、
前記ドープされたウェルの内側に前記第２の深さよりも浅い第３の深さまで延びた、前記第１の導電型のドーパントを有するソース領域を形成し、
前記ドープされたウェルの内側に、前記第２の導電型のドーパントを有し、前記ソース領域の第３の深さよりも下で前記ドープされたウェルの前記第２の深さよりも上の第４の深さに前記ドープされたウェルと接合を形成する厚手部を形成し、
電圧がトランジスタに印加されたときに、ピーク電界効果が前記溝の近傍から前記厚手部に向かって移動するように前記厚手部のドーパントプロファイルを調整する、溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１７】  前記厚手部のドーパントプロファイルを調整する前記ステップは、ほぼ前記第４の深さの位置で前記厚手部においてドーパントのピーク濃度が形成する、請求項１６の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１８】  前記第２の導電型のドーパントを有し、前記溝の前記第１の深さよりも深い第４の深さに基板中に延びた深くドープされた領域を形成するステップを更に含む、請求項１６の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１９】  深くドープされた領域を形成する前記ステップは、トランジスタの破壊電圧を改善するための前記基板とのＰＮ接合ダイオードを形成する、請求項１８の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２０】  厚手部を形成する前記ステップは、二重注入プロセスである、請求項１６の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２１】  前記二重注入プロセスは、
前記厚手部の第１のドープされた部分を形成するために、第１のエネルギーレベルと第１の線量で前記第１の導電型のドーパントの第１注入と、
前記厚手部の第２のドープされた部分を形成するために、第２のエネルギーレベルと第２の線量で前記第１の導電型のドーパントの第２注入と、を含む、請求項２０の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２２】  前記第１注入がほぼ前記第４の深さに行われる、請求項２１の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２３】  前記第１のエネルギーレベルは前記第２のエネルギーレベルよりも高い、請求項２１の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２４】  前記第１の線量は前記第２の線量よりも高い、請求項２３の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２５】  厚手部を形成する前記ステップは、前記半導体基板の前記表面に連続ドーパントソースの使用を含む、請求項１６の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２６】  複数の溝を形成する前記ステップは、長手軸に沿って平行に延びた複数の溝をパターニングしそしてエッチングするステップを含む、請求項１６の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２７】  前記基板の表面に隣接する溝との間で接続領域を形成するステップを更に含む、請求項２６の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２８】  接続領域を形成する前記ステップは、ソース接続領域と厚手部接続領域とを交互に形成するステップを含む、請求項２７の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２９】  接続領域を形成する前記ステップは、厚手部接続領域を囲む梯子状のソース接続領域を形成するステップを含む、請求項２７の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項３０】  厚手部接続領域を囲む梯子状のソース接続領域を形成する前記ステップは、
前記厚手部接続領域を覆うために前記半導体基板の表面にパターン化されたソース阻止マスクを形成し、
前記梯子状のソース接続領域を形成するために前記第１の導電型のドーパントを注入する、ステップを含む、請求項２９の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項３１】  厚手部接続領域を囲む梯子状のソース接続領域を形成する前記ステップは、前記厚手部接続領域を露出するためのパターン化された誘電体層を前記半導体基板の表面に形成するステップを含む、請求項２９の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項３２】  前記ソース領域が前記厚手部の前に形成される、請求項１６の溝型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項３３】  半導体基板を提供する前記ステップは、
前記基板の第１の表面とは反対の第２の表面にドレイン接続領域を形成し、
前記ドレイン接続領域の上にほぼ一様にドープされたエピタキシャル層を形成する、ステップを含む、請求項１６の溝型電界効果トランジスタの製造方法。