【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内の支持体層上に基板を保持する方法であって：
前記基板を前記支持体層から所定の距離に位置決めするステップと；
プレート電荷誘起プラズマを前記処理チャンバ内に誘起するステップと；
前記基板を前記支持体層上に下げるステップと；
所定時間前記プラズマを維持するステップと；
を含む、方法。
【請求項２】
前記処理チャンバ内に反応性ガスを導入するステップと、
前記反応性ガスからの材料を前記基板上に堆積するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プラズマは、不活性ガスから構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記不活性ガスは、窒素、水素、アルゴン、ヘリウム及びこれらの混合物から成る群から選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ガスの圧力は、約２００ミリトルから約１トルまでの範囲内にある、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記プラズマの電力は、約１００ワットから約１０００ワットの範囲内にある、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマの出力密度は、基板面積の平方センチメートル当たり約０．０２ワットから、基板面積の平方センチメートル当たり約０．５ワットの範囲内である、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマの出力密度は、チャンバ容積の立方センチメートル当たり約０．４ワットから、チャンバ容積の立方センチメートル当たり約４ワットの範囲内である、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記基板は、ガラスで作られている、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板は、セラミックで作られている、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記支持体層は、誘電体である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記誘電体は、陽極処理されたアルミニウムである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電体は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記支持体層の上にコーティングを堆積する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記コーティングは、シリコン窒化物、シリコン酸化物及びこれらの混合物から成る群から選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
基板が静電的に本質的に平らに保持されるサセプタシステムを含む処理チャンバであって、
誘電体で構成された支持体層を有する基板支持体と、
前記支持体層表面に対して中間高さ及び処理高さに位置決め可能な少なくとも１つの昇降要素と、
少なくとも１つの前記昇降要素を前記支持体層に対して動かす移動手段であって、基板をどの高さにも維持するように操作可能であり、かつコントローラからのコマンドを受信する移動手段と、
前記基板が少なくとも中間の位置にある間に処理チャンバ内にプレート電荷誘起プラズマを発生する手段と、
を含む、処理チャンバ。
【請求項１７】
前記誘電体は、陽極処理されたアルミニウムである、請求項１６に記載の処理チャンバ。
【請求項１８】
前記誘電体は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）である、請求項１６に記載の処理チャンバ。
【請求項１９】
前記支持体層の上に配置されたコーティングをさらに含む、請求項１６に記載の処理チャンバ。
【請求項２０】
前記コーティングは、シリコン窒化物、シリコン酸化物及びこれらの混合物から成る群から選択される、請求項１９に記載の処理チャンバ。
【請求項２１】
処理チャンバ内で基板を処理する方法であって：
前記基板を支持体層から所定の距離に位置決めするステップと；
前記処理チャンバ内でプラズマを始動するステップと；
前記基板が前記支持体層と係合する点まで前記基板を下げるステップと；
前記プラズマを所定時間維持するステップと；
前記基板上に薄膜を堆積あるいは成長させるステップと；
を含む方法。
【請求項２２】
処理チャンバ内の基板支持体において静電電荷を生成するステップであって、前記基板支持体は、誘電材を含む支持層を有する、前記ステップと；
基板を実質的に平坦かつ静電的に保持する為に帯電された基板支持体を使用するステップと；
前記基板で、フレームを使用せずに全面堆積処理を実施するステップであって、前記基板は前記帯電された基板支持体によって保持される、前記ステップと；
を備える、方法。
【請求項２３】
前記基板支持体内で静電電荷を生成するステップは、前記支持層に面する基板の表面および前記基板に面する前記支持層の表面に反対電荷を誘起するように、前記チャンバ内でプラズマを形成する工程を含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
プラズマを形成する工程は、ガスが前記基板に対し不活性である場合に前記チャンバにガスを導入すること；
前記チャンバ内のプラズマを形成する条件の下でガスを励起すること；
を含む、請求項２３記載の前記方法。
【請求項２５】
静電電荷を生成するステップは、前記支持層に面する前記基板面に正電荷、前記基板に面する前記支持層の表面に負電荷を生じさせる工程を含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
プラズマを形成する工程は、前記基板支持体の上方に前記基板を持ち上げることを含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２７】
プラズマを形成する工程は、前記基板と前記基板支持体間にプラズマを形成することを更に含む、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記静電電荷が生成された後、前記基板支持体上の基板を下げるステップを更に備える、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
処理チャンバ内の基板支持体であって、前記基板支持体は、誘電材を含む支持層を有し、前記基板支持体は、静電電荷を保持するように適合されている、前記基板支持体と；
プラズマを使用して静電電荷が前記基板支持体で生成される間、前記基板支持体の上方で基板を支持するように適合されたリフト要素であって、前記リフト要素は、前記基板を前記基板支持体に下げる、前記リフト要素と；
を備え、
前記基板支持体は、フレームが使用されない前記基板での全面堆積処理中に、前記基板を実質的に平坦かつ静電的に保持するように適合される、前記装置。
【請求項３０】
前記誘電材は、陽極処理されたアルミニウム又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を備える、請求項２９記載の装置。
【請求項３１】
前記支持層の最上部に配置されたコーティングを更に備える、請求項２９記載の装置。
【請求項３２】
前記コーティングは、窒化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン、これらの組合せから成る群から選択される、請求項３１記載の装置。
【請求項３３】
前記基板は、大型ガラス基板である、請求項２９記載の装置。
【請求項３４】
少なくとも２つの所定位置まで前記リフト要素を駆動するように、リフト要素を制御する為のコントローラと；
プラズマ生成容積を画成する為に前記基板が前記支持層から所定距離に存在するが前記支持層には接触しない、第１の位置と；
前記基板が前記支持層に接触して前記基板支持体によって支持されるように、前記リフト要素が後退される、第２の位置と；
を更に備える、請求項２９記載の装置。
【請求項３５】
前記第１の位置は、前記基板と前記支持層との間の間隔を定め、それは、プラズマが、前記基板の前記下面と前記支持層との間のプラズマ生成容積に入るのに十分に大きく、前記基板の縁の近くで安定したプラズマを維持するには十分に小さい、請求項３４記載の装置。
【請求項３６】
処理チャンバと；
支持層を有する基板支持体であって、前記支持層は、誘電材を含み、前記基板支持体は前記処理チャンバ内に配置される、前記基板支持体と；
前記基板支持胆の上方で基板を支持し、前記基板を前記基板支持体まで下げるように適合されたリフト要素と；
前記処理チャンバ内にガスを導入するように適合されたガス入口と；
前記ガスを励起するように適合された励起源と；
前記リフト要素を少なくとも２つの所定位置まで駆動する為に前記リフト要素を制御するように適合されたコントローラであって、前記少なくとも２つの所定位置は、プラズマ生成容積を画成する為に前記基板が前記支持層から所定距離に存在するが前記支持層には接触しない、第１の位置、  前記基板が前記支持層に接触して前記基板支持体によって支持されるように、前記リフト要素が後退される、第２の位置を含む、前記コントローラと；
励起ガスは、前記処理チャンバ内でプラズマを誘起するプレート電荷を形成し、プラズマを誘起するプレート電荷は、前記支持層に面する前記基板の下面を、前記基板に面する前記支持層の表面に、静電的に引き付けさせ、
前記リフト要素が前記第２の位置に存在するとき、フレームが使用されない前記基板の上面上の後の全面堆積処理中に、前記基板は前記基板支持体で実質的に平坦に静電的に保持される、前記システム。
【請求項３７】
前記誘電材は、陽極処理されたアルミニウム又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を備える、請求項３６記載のシステム。
【請求項３８】
前記支持層の最上部に配置されたコーティングを更に備える、請求項３６記載のシステム。
【請求項３９】
前記コーティングは、窒化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン、これらの組合せから成る群から選択される、請求項３８記載の装置。
【請求項４０】
前記基板は、大型ガラス基板である、請求項３６記載の装置。
【請求項４１】
前記第１の位置は、前記基板と前記支持層との間の間隔を定め、それは、プラズマが、前記基板の前記下面と前記支持層との間のプラズマ生成容積に入るのに十分に大きく、前記基板の縁の近くで安定したプラズマを維持するには十分に小さい、請求項３６記載の装置。