【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ検査、ならびにプローブ検査における各種検査項目をデータ整理し、前記整理したデータの異常値を削除した後、前記異常値が削除されたデータのデータマイニングを行い、前記データマイニングの結果から決定されたウエハ検査項目からプローブ検査項目を予想し、前記予測されたプローブ検査項目、およびデータマイニングの結果から歩留まりを予測し、前記予想された歩留まりの予測値と実測値とを比較し、これらに相関があるか否かを判断し、相関がある場合には、ウエハ検査項目に対して歩留まりに与える影響度を抽出して最適化された歩留まり条件を決定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
同じ検査項目に属する製造条件をタグチメソッドにおける直交表に従って分流し、得られた試作条件によって半導体ウエハを試作し、前記試作によって得られた半導体ウエハのプローブ検査データを検証し、異常値を削除し、前記異常値を削除したプローブ検査データを要因分析して最適化された歩留まり条件を決定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ウエハ検査、ならびにプローブ検査における各種検査項目をデータ整理し、前記整理したデータの異常値を削除し、前記異常値が削除されたデータのデータマイニングを行い、前記データマイニングの結果から決定されたウエハ検査項目からプローブ検査項目を予想し、前記予測されたプローブ検査項目、およびデータマイニングの結果から歩留まりを予測し、前記予想された歩留まりの予測値と実測値とを比較し、これらに相関があるか否かを判断し、相関がある場合には、ウエハ検査項目に対して歩留まりに与える影響度を抽出して歩留まり条件の最適化を行い、前記最適化された歩留まり条件が、目標のスペックを満足しているか否かを判断し、前記歩留まり条件が目標のスペックを満足していない場合、同じ検査項目に属する製造条件をタグチメソッドにおける直交表に従って分流し、得られた試作条件によって半導体ウエハを試作し、前記試作によって得られた半導体ウエハのプローブ検査データを検証して異常値を削除し、前記異常値を削除したデータを要因分析して最適化された歩留まり条件を決定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ウエハ検査、ならびにプローブ検査の各種検査項目データを基本統計値、工程能力の計算を行い、各種検査項目におけるデータ整理を行い、前記整理したデータにおいて、測定ミス、および同一半導体ウエハ内の正規分布から外れるデータを異常値と見なし削除し、前記異常値が削除されたデータのデータマイニングを行い、前記データマイニングの結果から抽出された必要なウエハ検査項目からプローブ検査項目を予測し、前記予測されたプローブ検査項目、および前記データマイニングにおいて抽出された歩留まりに影響を及ぼすプローブ検査項目で、かつ当てはまりがよく予想されるプローブ検査項目から歩留まりの予測値を予想し、前記予想された歩留まりの予測値と実測値とを比較し、これらに相関があるか否かを判断し、相関がある場合には、ウエハ検査項目に対して歩留まりに与える影響度を抽出し、歩留まり条件の最適化を行い、前記最適化された歩留まり条件が、目標のスペックを満足しているか否かを判断し、前記歩留まり条件が目標のスペックを満足していない場合には、同じ検査項目に属する製造条件をタグチメソッドにおける直交表に従って分流し、得られた試作条件によって半導体ウエハを試作し、前記試作によって得られた半導体ウエハのプローブ検査データを検証し、相関を持たないデータの歩留まりを異常値と見なして削除し、前記異常値を削除したデータを要因分析して最適化された歩留まり条件を決定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体装置の製造方法であって、
ウエハ検査、ならびにプローブ検査における各種検査項目をデータ整理するステップと、
前記整理したデータの異常値を削除するステップと、
前記異常値が削除されたデータのデータマイニングを行うステップと、
前記データマイニングの結果から決定されたウエハ検査項目からプローブ検査項目を予想するステップと、
予測されたプローブ検査項目、およびデータマイニングの結果から歩留まりを予測するステップと、
前記予想された歩留まりの予測値と実測値とを比較し、これらに相関があるか否かを判断し、相関がある場合には、ウエハ検査項目に対して歩留まりに与える影響度を抽出し、歩留まり条件の最適化を行うステップと、
前記最適化された歩留まり条件を用いて半導体装置を製造するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体装置の製造方法であって、
製造条件をタグチメソッドにおける直交表に従って分流し、得られた試作条件により、半導体ウエハを試作するステップと、
前記試作によって得られた半導体ウエハのデータを検証し、異常値を削除するステップと、
前記異常値を削除したデータを要因分析して、製造条件の最適化を行うステップと、
前記決定された製造条件を用いて半導体装置を製造するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体装置の製造方法であって、
ウエハ検査、ならびにプローブ検査における各種検査項目をデータ整理するステップと、
前記整理したデータの異常値を削除するステップと、
前記異常値が削除されたデータのデータマイニングを行うステップと、
前記データマイニングの結果から決定されたウエハ検査項目からプローブ検査項目を予想するステップと、
予測されたプローブ検査項目、およびデータマイニングの結果から歩留まりを予測するステップと、
前記予想された歩留まりの予測値と実測値とを比較し、これらに相関があるか否かを判断し、相関がある場合には、ウエハ検査項目に対して歩留まりに与える影響度を抽出し、歩留まり条件の最適化を行うステップと
前記最適化された歩留まり条件が、目標のスペックを満足しているか否かの判断するステップと、
前記歩留まり条件が目標のスペックを満足していない場合、同じ検査項目に属する製造条件をタグチメソッドにおける直交表に従って分流し、得られた試作条件により、半導体ウエハを試作するステップと、
前記試作によって得られた半導体ウエハのプローブ検査データを検証し、異常値を削除するステップと、
前記異常値を削除したデータを要因分析して、製造条件を決定するステップと、
前記最適化された製造条件を用いて半導体装置を製造するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体装置の製造方法であって、
ウエハ検査、ならびにプローブ検査の各種検査項目データを基本統計値、工程能力の計算を行い、各種検査項目におけるデータ整理を行うステップと、
前記整理したデータにおいて、測定ミス、および同一半導体ウエハ内の正規分布から外れるデータを異常値と見なし削除するステップと、
前記異常値が削除されたデータのデータマイニングを行うステップと、
前記データマイニングの結果から抽出された必要なウエハ検査項目からプローブ検査項目を予測するステップと、
前記予測されたプローブ検査項目、および前記データマイニングにおいて抽出された歩留まりに影響を及ぼすプローブ検査項目で、かつ当てはまりがよく予想されるプローブ検査項目から歩留まりの予測値を予想するステップと、
前記予想された歩留まりの予測値と実測値とを比較し、これらに相関があるか否かを判断し、相関がある場合には、ウエハ検査項目に対して歩留まりに与える影響度を抽出し、歩留まり条件の最適化を行うステップと、
前記最適化された歩留まり条件が、目標のスペックを満足しているか否かを判断するステップと、
前記歩留まり条件が目標のスペックを満足している際には半導体装置の確認試作を行い、前記歩留まり条件が目標のスペックを満足していない場合には、同じ検査項目に属する製造条件をタグチメソッドにおける直交表に従って分流し、得られた試作条件により、半導体ウエハを試作するステップと、
前記試作によって得られた半導体ウエハのプローブ検査データを検証し、相関を持たないデータの歩留まりを異常値と見なして削除するステップと、
前記異常値を削除したデータを要因分析して、製造条件を決定するステップと、
前記最適化された製造条件を用いて半導体装置を製造するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５、７、８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記データマイニングを行うステップが、
多変量解析の１つである分散分析によって分散のあるパラメータのみを抽出し、ウエハ検査データの初期選別を行う第１ステップと、
プローブ検査項目とウエハ検査項目との間の相関行列を計算する第２ステップと、
プローブ検査毎に前記第１、第２ステップにおいて抽出されたパラメータに対してステップワイズ法を用いてプローブ検査項目を予測するのに必要なウエハ検査項目を抽出する第３ステップと、
プローブ検査項目の当てはまり具合と歩留まりに効くプローブ検査項目とをふまえて順位付けし、歩留まりに影響を及ぼすプローブ検査項目で、かつ当てはまりがよく予想されるプローブ検査項目を抽出する第４ステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
製造条件を直交表に従って分流し、得られた試作条件によって半導体ウエハを試作し、前記試作によって得られた半導体ウエハのデータを検証し、異常値を削除し、前記異常値を削除したデータを要因分析して製造条件を決定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。