Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
胴部と、咬合側タイウィング部と、歯肉側タイウィング部と、を有する第１本体と、
胴部と、咬合側タイウィング部と、歯肉側タイウィング部と、を有する第２本体と、
該第１本体と該第２本体との間に配置されるキャビティと、
アーチワイヤスロットにアーチワイヤを保持するために、少なくとも部分的に該キャビティ内に配置されるラッチと、を具備し、
該第１本体と該第２本体とが互いに隣接して配置され、それにより該第１本体の該咬合側タイウィング部と該第２本体の該咬合側タイウィング部とが単一咬合側タイウィングを構成し、該第１本体の該歯肉側タイウィング部と該第２本体の該歯肉側タイウィング部とが単一歯肉側タイウィングを構成する、
歯科矯正ブラケット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
ブラケット１０を図１に示すように組立てる時、第２本体１４を突起４８、５０により第１本体１２に連結する。任意に、第１本体１２および第２本体１４をシリーズ３０４ステンレス鋼等の金属材料から製造する場合、突起４８、５０を、第２本体１４に溶接しても蝋付けしてもよい。舌側突起５２は、ラッチ５６の舌側または歯に面する部分とアーチワイヤスロット（後述する）の頬唇側との間に収納されて、ラッチ５６を第１キャビティ５４内で保持するように作用する。必須ではないが好ましくは、舌側突起５２は、第２本体１４に溶接又は蝋付けされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ブラケット１０ｃは、第１ラッチ５６ｃを収納する第１キャビティ５４ｃを有する。図示するように、ラッチ５６ｃの正面または頬唇側は、ブラケット１０ｃ内に埋没されるので、関連するタイウィングの正面から外側に突出しない。ラッチ５６ｃをキャビティ５４ｃ内に保持するのを助けるために、一対のフランジ８０ｃがキャビティ５４ｃに亙って延在する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリガーマトリクス部と電流制限マトリクス部を有するマトリクス型超伝導障害電流制限器であって、
前記トリガーマトリクス部と前記電流制限マトリクス部は互いに電気的に直列に接続され、かつ電気的に導電性の超伝導と非超伝導の材料から作られた素子から構成され、
前記トリガーマトリクス部は、１列×ｎ行のマトリクスに配列されたｎ個（ただし、ｎ≧１）のトリガー要素を有し、ｎ個の前記トリガー要素は互いに電気的に並列に接続され、各トリガー要素は、複数の非超伝導素子と電気的に並列に接続された少なくとも１個の非誘導的に配置された超伝導素子を備え、
前記電流制限マトリクス部は、ｍ列×ｎ行のマトリクスに配列されたｍ×ｎ個（ただし、ｍ≧１）の電流制限要素を有し、ｎ個の前記電流制限要素は互いに電気的に並列に接続されて１個の電流制限モジュールを構成し、ｍ個の前記電流制限モジュールは互いに電気的に直列に接続され、各前記電流制限要素は、少なくとも１個の非超伝導素子と電気的に並列に接続された少なくとも１個の非誘導的に配置され超伝導素子を有するマトリクス型超伝導障害電流制限器。
【請求項２】
棒、バー、管、２本巻きのソレノイドコイル、または他の無誘導型の形態の超伝導素子を有する、請求項１記載の障害電流制限器。
【請求項３】
前記非超伝導素子は電気的に導電性の材料で作られたコイルであり、かつ螺旋状に巻かれたソレノイドコイル、レーストラックコイル、または鞍型コイルの形態で配置されている、請求項２記載の障害電流制限器。
【請求項４】
各トリガー要素中にある非超伝導素子の数は「１＋ｍ」個であり、各非超伝動素子は前記トリガー要素の前記超伝導素子、および前記電流制限マトリクスの前記電流制限要素中の同じ行番号ｎを持つｍ個の前記超伝導素子のまわりに物理的に巻かれている、請求項３記載の障害電流制限器。
【請求項５】
１個の非超伝導の誘導性または抵抗性の素子が前記電流制限マトリクス部全体と電気的に並列に接続され、かつ前記電流制限要素中の前記超伝導素子と電気的に並列に接続された付加的な非超伝導素子を有し、または有さない、請求項３記載の障害電流制限器。
【請求項６】
前記装置の一部は、金属または非金属のクライオスタット内に配置され、液体、ガス、または２相冷却剤によって、または冷凍機またはその両者の組み合わせによって冷却される、請求項３記載の障害電流制限器。
【請求項７】
ｎは１よりも大きい、請求項１記載の障害電流制限器。
【請求項８】
ｍは１よりも大きい、請求項１記載の障害電流制限器。
【請求項９】
超伝導および非超伝導の電気的に導電性の材料が組み込まれている障害電流制限装置であって、トリガーマトリクス部と電流制限マトリクス部を有し、
前記両マトリクス中の行の数「ｎ」は、両マトリクス中の行数で除算された最大正常動作電流レベルが、障害電流制限器マトリクス中で使用されるそれぞれの超伝導素子の臨界電流レベルを越えないように、前記最大正常動作電流レベルによって主として決定され、
前記電流制限マトリクス中の列「ｍ」の数は、前記トリガーマトリクス部のインピーダンスの合計と、超伝導素子がその非超伝導抵抗状態に遷移した後の前記電流制限マトリクス部のインピーダンスの合計との和が、それが接続される特定の電気回路網の最小電流制限インピーダンス要件以上であるように、前記特定の電気回路網の電流制限インピーダンス要件によって主として決定される障害電流制限装置。
【請求項１０】
正常動作条件下においては、電流は、前記障害電流制限装置内の非誘導的に配置された前記超伝導素子だけを通過し、したがって、超伝導材料のゼロ電気抵抗性により装置両端に電圧降下またはＩ2Ｒ損失を生成せず、障害が生じた場合には、電気回路網中のサージ電流は前記超伝導素子の臨界電流レベルを越えて、超伝導状態から通常の抵抗状態への遷移を引き起こし、それによって、トリガーマトリクス要素中の前記超伝導素子と前記誘導子グループの間、および電流制限マトリクス要素中の前記超伝導素子と前記誘導子の間に電流共有機構を生成し、かつ前記装置中に前記超伝導素子の臨界磁界レベルを越える磁界を生成して、超伝導素子が超伝導状態から通常の抵抗状態へ遷移することをさらに促進する、請求項９記載の障害電流制限装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月26日(2003.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
派生的な回路設計を生成するための方法であって、
（ａ）オリジナルの回路設計を選択するステップであって、該オリジナルの回路設計は、１つ以上のプログラム可能なファブリックを含む、ステップと、
（ｂ）該回路設計上でフロントエンド許容性テストを実行するステップと、
（ｃ）チップレイアウトをプラニングするステップと、
（ｄ）派生的な回路設計を生成するために、該少なくとも１つ以上のプログラム可能ファブリックをプログラムするステップと、
（ｅ）該派生的な回路設計上で検証分析を実行するステップと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記チップレイアウトは、前記フロントエンド許容性テストによって決定される境界を越えない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記派生的な回路設計上で検証分析を実行するステップの前に、クロッキングおよびタイミング分析を実行するステップをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記派生的な回路設計上で検証分析を実行するステップの前に、電力分析を実行するステップをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記オリジナル回路設計を付加された新規機能性のセット、および、新規機能性の該セットとインターフェイスする任意の機能性のみが、テストされる、または、検証される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
（ａ）から（ｅ）までは、第２の派生的な回路設計を生成するように繰り返され、派生的な回路設計は、前記オリジナルの回路設計の変わりに利用される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記チップレイアウトをプラニングするステップは、前記派生的な回路設計が、全ての適用可能なタイミング要件と整合することを保証するために、タイミング要件を分析するステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記派生的な回路設計上で検証分析を実行するステップの前に、前記チップレイアウトに基づくチップを組み立てるステップをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記オリジナルの回路設計は、１つ以上のプログラム可能でないファブリックをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
フロントエンド許容性テストを実行するステップは、
設計者の利用可能な経験上のデータおよび許容可能な程度のリスクを収集するステップ
を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
派生的な回路設計を生成するためのシステムであって、該システムは、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法を実装するための手段を備える、システム。
【請求項１２】
コンピュータ読み込み可能媒体を含むコンピュータプログラム製品であって、該コンピュータ読み込み可能媒体は、プロセッサによって実行される際に、該プロセッサに派生的な回路設計を生成するためのプロセスを実行させる命令を含み、該プロセスは、請求項１〜１０のいずれかの方法を含む、コンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠隔ホスト（１３２）とデジタルデータを通信する集積回路において、
前記遠隔ホストから前記デジタルデータを受取るワイヤレストランシーバ（１１０）、
前記ワイヤレストランシーバへ接続されており、前記デジタルデータに関してデータ処理操作を実施するベースバンドユニット（１０８）、
前記ベースバンドユニット（１０８）へ接続されており、前記デジタルデータを使用して形態特定を行うプログラム可能論理コンポーネント（１０６）、
を有していることを特徴とする集積回路。
【請求項２】
請求項１において、前記集積回路がＦＰＧＡであり、且つ前記デジタルデータがコンフィギュレーションビットストリームデータであることを特徴とする集積回路。
【請求項３】
請求項１において、ワイヤレストランシーバ（１１０）が無線周波数トランシーバであり、且つ前記ワイヤレストランシーバ（１１０）及び前記ベースバンドユニット（１０８）がブルトースプロトコルに準拠していることを特徴とする集積回路。
【請求項４】
請求項１において、前記ベースバンドユニット（１０８）及び前記ワイヤレストランシーバ（１１０）が更に前記遠隔ホストへ応答を送信することを特徴とする集積回路。
【請求項５】
請求項１において、前記集積回路が配線型接続を介してプログラマブルリードオンリーメモリへ接続されていないことを特徴とする集積回路。
【請求項６】
請求項１において、前記プログラム可能論理コンポーネント（１０６）が前記デジタルデータによってのみ形態特定可能であることを特徴とする集積回路。
【請求項７】
請求項１において、前記プログラム可能論理コンポーネント（１０６）が初期的に前記デジタルデータによって形態特定されることを特徴とする集積回路。
【請求項８】
請求項１において、前記集積回路が少なくとも１個のスレーブプログラム可能論理装置を形態特定するために前記少なくとも１個のスレーブプログラム可能論理装置へ前記デジタルデータを送給するマスター装置であることを特徴とする集積回路。
【請求項９】
遠隔ホスト（１３２）とプログラム可能論理装置との間のワイヤレス通信方法において、
前記ホスト（１３２）によって送信されたクエリーをターゲットプログラム可能論理装置（１３９）によって受け取り、
前記ホストによって送信された一組のデジタルデータを前記ターゲットプログラム可能論理装置（１３９）によって受け取り、
前記一組のデジタルデータの少なくとも一部を使用して前記ターゲット論理装置（１３９）を初期的に形態特定させる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９において、更に、
前記形態特定ステップのステータスを表す前記ターゲットプログラム可能論理装置（１３９）からの信号を前記ホスト（１３２）により受け取り、
前記ステータスを前記ホスト（１３２）により記録する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９において、更に、再形態特定用の要求を前記プログラム可能論理装置（１３９）により前記ホスト（１３２）へ送信するステップを有していることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月17日(2003.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電子回路（１３）が配置されている半導体本体（１）と、
導体配線（１５，１６）と、
静電放電を放出するための要素（３２）とを備え、
上記電子回路（１３）は、電子回路の入力段（１３）または出力段と接続されている、処理すべき信号（ＤＱ１）用の端子（１１）と、上記入力段（１３）または出力段と接続されている、印加電位（ＧＮＤ）用の端子（１２）とを有し、
上記導体配線（１５，１６）は、上記端子（１１，１２）の１つにそれぞれ割り当てられており、半導体本体（１）の外側へ延び、割り当てられている端子（１１，１２）とそれぞれ接続されており、
静電放電を放出するための上記要素（３２）は、処理すべき信号（ＤＱ１）用の端子（１１）に存在する静電放電を、印加電位（ＧＮＤ）に放出できる半導体部品において、
印加電位（１２）用の端子に割り当てられている導体配線（１６）と接続されており、半導体本体（１）の外側へ延びる他の導体配線（３）が備えられており、
静電充電を放出するための上記要素（３２）は、半導体本体（１）の外側に配置されており、一方では上記他の導体配線（３）と、他方では処理すべき信号（ＤＱ１）用の端子（１１）に割り当てられている導体配線（１５）と、それぞれ半導体本体（１）の外側で接続されていることを特徴とする、半導体部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この目的は、次のような半導体部品により達成される。
すなわち、この半導体部品は、電子回路が配置されている半導体本体と、導体配線と、静電放電を放出するための要素とを備え、上記電子回路は、電子回路の入力段または出力段と接続されている、処理すべき信号用の端子と、上記入力段または出力段と接続されている、印加電位用の端子とを有し、上記各導体配線は、上記端子の１つに割り当てられており、半導体本体の外側へ延び、割り当てられている端子とそれぞれ接続されており、静電放電を放出するための上記要素は、処理すべき信号用の端子に存在する静電放電を、印加電位に放出でき、印加電位用の端子に割り当てられている導体配線と接続されており、半導体本体の外側へ延びる他の導体配線がさらに備えられており、静電充電を放出するための上記要素は、半導体本体の外側に配置されており、一方では上記他の導体配線と、他方では処理すべき信号用の端子に割り当てられている導体配線と、ぞれぞれ半導体本体の外側において接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体製造プロセスチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって、
誘電体材料で構成されて開口部を取り巻くシールドであって、少なくとも上記シールドの外側部分が上記ワークピースの周囲を取り巻く、前記シールドと、
抵抗率が０．１Ω−ｃｍ以下の半導体材料で構成された導電性カラーであって、少なくとも上記導電性カラーの外側部分が上記ワークピースの周囲を取り巻き、且つ上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわる、前記導電性カラーと、
を備えた、プロセスキット。
【請求項２】  上記導電性カラーは、抵抗率が０．０３Ω−ｃｍ以下である、請求項１に記載のプロセスキット。
【請求項３】  上記導電性カラーは、抵抗率が０．００８から０．０１２Ω−ｃｍの範囲である、請求項１に記載のプロセスキット。
【請求項４】  上記導電性カラーは、抵抗率を０．１Ω−ｃｍ以下とするに充分な濃度のドーパントを有する半導体材料で構成される、請求項１に記載のプロセスキット。
【請求項５】  上記導電性カラーは、ドープされたシリコンで構成される、請求項１に記載のプロセスキット。
【請求項６】  上記誘電体シールドは、上記導電性カラーに面する前面を有し、
上記導電性カラーは、上記誘電体シールドの上記前面を完全にカバーする、請求項１に記載のプロセスキット。
【請求項７】  上記誘電体シールドは、半径方向内側の部分と、半径方向外側の部分で構成され、
上記導電性カラーは、上記誘電体シールドの上記半径方向内側の部分の上に横たわる、請求項１に記載のプロセスキット。
【請求項８】  上記導電性カラーは、その半径方向の巾が少なくとも５．７ｍｍである、請求項１に記載のプロセスキット。
【請求項９】  上記導電性カラーは、上記ワークピースエリアの周囲を越えて半径方向に少なくとも４ｍｍ延びる、請求項１に記載のプロセスキット。
【請求項１０】  上記導電性カラーは、上記ワークピースエリアの周囲を越えて半径方向に少なくとも８ｍｍ延びる、請求項１に記載のプロセスキット。
【請求項１１】  上記導電性カラーは、その厚みが少なくとも０．７ｍｍである、請求項１８に記載のプロセスキット。
【請求項１２】  上記導電性カラーは、その厚みが少なくとも１．８ｍｍである、請求項１に記載のプロセスキット。
【請求項１３】  上記導電性カラーは、その厚みが、ＲＦ電流に対して実質的なインピーダンスを課するに充分なほどの大きさである、請求項１に記載のプロセスキット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月5日(2004.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持ビームおよびジンバルを含む支持ビーム組立体と、
ジンバルに連結され、スライダを装脱可能に固定するソケットと、
スライダがソケットに固定されたとき、スライダに対して装脱可能に連結されるようになされる電気的相互連結装置とを含むスライダ・テスター用のヘッド吊持組立体。
【請求項２】
電気的相互連結装置がスライダを導電体に電気的に接続する可撓電気接点を含み、この電気的な接続は、スライダがソケットに固定されたときに遠隔回路とスライダとの間で信号をやり取りさせる請求項１に記載された装置。
【請求項３】
ソケットがクランプ・バーおよび接点領域を含み、クランプ・バーはスライダを接点領域に押付ける請求項１に記載された装置。
【請求項４】
スライダのクランプ止めまたは取外しのためにクランプ・バーを調整するように構成されたビームばねをソケットが含んでいる請求項３に記載された装置。
【請求項５】
ビームばねの個々のビームが第一の端部と第二の端部との間をこれら端部間の長手方向軸線に平行に延在する請求項４に記載された装置。
【請求項６】
ビームばねの個々のビームの第一の群は第一の端部が固定した部材に連結され、第二の端部がシャトル・バーに連結されており、ビームばねの個々のビームの第二の群は第一の端部がローター部に連結され、第二の端部がシャトル・バーに連結されている請求項５に記載された装置。
【請求項７】
ビームばねの個々のビームが中央部分から第一の端部および第二の端部へ向かって傾斜するように、個々のビームの、その長手方向軸線に直角でソケット頂面に平行な方向の第一の端部および第二の端部における幅が、個々のビームの中央部分の幅よりも広い請求項５に記載された装置。
【請求項８】
ソケットが超小型電子機械式システム（ＭＥＭＳ）である請求項１に記載された装置。
【請求項９】
ソケットがシリコンで形成されている請求項１に記載された装置。
【請求項１０】
ソケットが硬い保護被覆を含む請求項１に記載された装置。
【請求項１１】
被覆が窒化シリコン化合物である請求項１０に記載された装置。
【請求項１２】
ソケットが頑丈な導電被膜を含む請求項１に記載された装置。
【請求項１３】
導電被膜がタンタル、チタン、クローム、鉄、モリブデン、ニッケル、コバルトを含んで成る群から選ばれた金属で形成される請求項１２に記載された装置。
【請求項１４】
ソケットが、スライダの装着および取外し用の固定プレートにソケットをピン止めする位置決め要素を含む請求項１に記載された装置。
【請求項１５】
ソケットがジンバルに接着された隔離部材を含む請求項１に記載された装置。
【請求項１６】
支持ビームに連結され、ディスク面に対するスライダの高精度位置決めを行うマイクロアクチュエータをさらに含む請求項１に記載された装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載されたヘッド吊持組立体を使用したスライダ・テスター。
【請求項１８】
支持ビームおよびジンバルを含む支持ビーム組立体と、
ジンバルに連結され、ディスク面に対するスライダの高精度位置決めを行うマイクロアクチュエータと、
マイクロアクチュエータに連結され、スライダを装脱可能に固定するソケットと、
スライダがソケットに固定されたとき、スライダに対して装脱可能に連結されるようになされる電気的相互連結装置とを含むスライダ・テスター用のヘッド吊持組立体。
【請求項１９】
スライダを導電体に電気的に接続する可撓電気回路を電気的相互連結装置が含み、スライダがソケットに固定されたときに、この電気的接続が遠隔回路とスライダとの間で信号をやり取りする請求項１８に記載された装置。
【請求項２０】
ソケットがクランプ・バーおよび接触領域を含み、クランプ・バーがスライダを接触領域に押付ける請求項１８に記載された装置。
【請求項２１】
スライダをクランプしまたは取外すために、クランプ・バーを調整するように構成されたビームばねをソケットが含む請求項１８に記載された装置。
【請求項２２】
請求項１８に記載されたヘッド吊持組立体を使用したスライダ・テスター。
【請求項２３】
請求項１に記載されたヘッド吊持組立体を使用したスライダ・テスター。
【請求項２４】
（ａ）支持ビーム組立体を準備する段階、
（ｂ）電気的相互連結装置を準備する段階、
（ｃ）スライダを装脱可能に取付け、電気的相互連結装置をスライダに電気的に接続するように成されたソケットを準備する段階、
（ｄ）支持ビーム組立体にソケットを連結する段階、および
（ｅ）電気的相互連結装置がソケットに電気的に接続されるように電気的相互連結装置をヘッド吊持組立体に取付ける段階、
を含むスライダ・テスター用のヘッド吊持組立体の製造方法。
【請求項２５】
シリコンを深く反応エッチング（ＤＲＩＥ）する製造工程でソケットが形成される請求項２４に記載された方法。
【請求項２６】
ソケットがメッキによる製造工程で形成される請求項２４に記載された方法。
【請求項２７】
シリコンのモールド成形による製造工程でソケットが形成される請求項２４に記載された方法。
【請求項２８】
支持ビーム組立体と、
スライダを装脱可能に装着するとともに電気的相互連結装置をスライダに対して電気的に接続する手段とを含むスライダ・テスター用のヘッド吊持組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月25日(2003.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリトランジスタと、
半導体ボディ（２）または半導体層の上面に配置され、該半導体材料から誘電性材料によって分離されるゲート電極（２）と、
該半導体材料内に形成されるソース領域（３）およびドレイン領域（４）とを備え、該ゲート電極は、該ソース領域（３）と該ドレイン領域（４）との間の、該半導体材料内に形成されたトレンチに配置され、
ワード線（ＷＬｎ−１、ＷＬｎ、ＷＬｎ＋１）と、
ビット線（ＢＬｉ−１、ＷＬｉ、ＷＬｉ＋１）であって、互いに平行に、かつ、該ワード線（ＷＬｎ−１、ＷＬｎ、ＷＬｎ＋１）を横断して伸びる、ビット線とを備える、メモリセルであって、
少なくとも該ソース領域）（３と該ゲート電極（２）との間、および該ドレイン領域（４）と該ゲート電極（２）との間に、境界層（５、７）間にメモリ層（６）を含む層シーケンスが存在することと、
該メモリ層（６）は、非ドーピングシリコン、タンタル酸化物、ハフニウムシリケート、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物およびアルミニウム酸化物を含む群より選択される材料であることと、
各場合について、それぞれのビット線の部分として提供され、かつ帯状にパターニングされた導電層（８）が該ソース領域（３）および該ドレイン領域（４）の上に設けられることと
を特徴とする、メモリセル。
【請求項２】
前記ソース領域（３）および前記ドレイン領域（４）上の存在する前記導電層（８）は、ドーピングシリコン、タングステン、タングステンシリサイド、コバルト、コバルトシリサイド、チタンおよびチタンシリサイドを含む群からの、少なくとも１つの材料を有する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記境界層（５、７）は、酸化物である、請求項１または２に記載のメモリセル。
【請求項４】
前記ビット線（ＢＬｉ−１、ＷＬｉ、ＷＬｉ＋１）は、前記半導体材料内の帯状のドーピング領域を有する埋め込みビット線として形成され、かつ、該帯状にパターニングされた導電層（８）がメタライゼーションとして提供される、請求項１〜３の１つに記載のメモリセル。
【請求項５】
前記半導体材料の中の最も遠くに突き出して形成される前記トレンチの底面の部分に、または、該トレンチの底面の中央に位置し、かつ、該トレンチの該底面に対して垂直に、該半導体材料の中に２０ｎｍ伸びるチャネル領域の部分（２３）において、限界が５・１０１７ｃｍ−３〜５・１０１８ｃｍ−３によって決定される範囲に位置するドーパント濃度が設定され、各場合について、底面ドーピングまたはウェルドーピングとして該半導体材料に導入される、ｃｍ−３で測定されるドーパントの濃度、および１０１７ｃｍ−３の値からの商で乗算される、請求項１〜４の１つに記載のメモリセル。
【請求項６】
メモリとして提供され、
ここで、前記ゲート電極（２）は、各場合について、ワード線として提供された金属含有層、または層シーケンス（１９；３３、３４）と導通するように接続され、
メモリセルの前記ソース領域（３）および前記ドレイン領域（４）は、同時に、隣接し合うメモリセルのドレイン領域として、およびソース領域として提供される、請求項１〜５の１つに記載のメモリセルを含む構成。
【請求項７】
前記半導体材料上の前記メモリ層（６）を含む層シーケンスが、前記ゲート電極（２）と前記半導体材料との間、および前記ワード線と前記半導体材料との間の面全体に付与される、請求項６に記載の構成。
【請求項８】
前記半導体材料内に存在するトレンチの側壁間の前記メモリ層（６）は、少なくとも１つのゲート電極（２）に配置され、および／または、隣接し合う２つのトレンチ間で中断される、請求項６に記載の構成。
【請求項９】
請求項１〜８の１つに記載のメモリセルまたはその構成を製造する方法であって、
第１の工程において、帯状の部分を形成するようにパターニングされた導電層（８）の膜が半導体ボディ（１）または半導体層上に製造され、ここで、該第１の工程の前に注入によって、あるいは、該第１の工程の後にドーパントを導電層（８）の材料から拡散させることによってドーピングされた、ソースおよびドレイン用の領域（１０；１１０）が形成され、
第２の工程において、該導電層の該帯状の部分間に、１つのトレンチ、または、互いに平行に伸びる複数のトレンチが製造され、これにより、該トレンチの側方に、該半導体材料の領域が、それぞれ、ソース領域（３）およびドレイン領域（４）のために残り、
第３の工程において、境界層（５）、メモリ層（６）および境界層（７）が重ねられて面全体に設けられ、
第４の工程において、それぞれのゲート電極（２）のために提供された導電性材料が該トレンチ（単数または複数）に導入され、かつ、少なくともワード線として提供される導体トラックを形成するようにパターニングされる、方法。
【請求項１０】
前記第１の工程において、導電層（８）として、ポリシリコン層（１４）および金属含有層（１５）を含む層シーケンスが設けられる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属含有層（１５）は、ＷＳｉ、ＷＮおよびＷを含む群より選択される材料からなる少なくとも１つの層膜を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
第１の工程において、帯状の部分に形成されるパターニング層（２５）の少なくとも１つの膜が半導体ボディ（１）または半導体層上に製造され、
第２の工程において、該パターニング層の該帯状の部分間に、１つのトレンチ（２８）、または互いに平行に伸びる複数のトレンチが製造され、これにより、該トレンチの側方に、該半導体材料の領域が、それぞれ、ソース領域（３）およびドレイン領域（４）のために残り、
第３の工程において、境界層（５）、メモリ層（６）および境界層（７）が重ねられて面全体に設けられ、
第４の工程において、それぞれのゲート電極（２）のために提供された導電性材料が該トレンチ（単数または複数）に導入され、
第５の工程において、該パターニング層の該帯状の部分が、導電層（８）の帯状の部分と置き換えられ、
第６の工程において、ワード線（３２）として提供される少なくとも１つの導体トラックが、トレンチに導入された導電性材料と電気的に接触し、かつ、該導電層の該帯状の部分から電気的に絶縁されて設けられ、
該第１の工程の前に注入（１１）によって、または前記第５の工程の後にドーパントを該導電層の材料から拡散（１１０）させることによってドーピングされた、ソースおよびドレイン用の領域が形成される、請求項１〜８の１つに記載のメモリセルまたはその構成を製造する方法。
【請求項１３】
シリコンの半導体ボディまたは半導体層が用いられ、
前記第５の工程において、シリサイド化された金属の少なくとも１つの膜が導電層として形成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
コバルトシリサイドの膜が前記第５の工程において形成される、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン太陽電池に裏面領域を組み込む方法であって、これは、
ａ）電池の背面にアルミニウムの層をデポジットし、
ｂ）７００及び１０００℃の間の温度にてアルミニウム層を焼結し、
ｃ）第Ｖ族元素の化合物の雰囲気に電池をさらし、９５０及び１０００℃の間の温度にて拡散させ、露出したｐ−型のシリコン表面を前記第Ｖ族元素でドープするステップからなり、ステップ（ｃ）がステップ（ｂ）と分離して実施されるシリコン太陽電池に裏面領域を組み込む方法。
【請求項２】
ステップ（ｂ）中の焼結温度が８５０及び１０００℃の間、望ましくは９００及び９６０℃である請求項１記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ｂ）中の焼結所要時間がわずか３０分、望ましくはわずか１０分の間である請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
第Ｖ族元素がリン又はヒ素である請求項１乃至３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
第Ｖ族の化合物がＰＯＣｌ３である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ｃ）のドーピングが９６０及び１０００℃の間の温度にて実施される請求項１乃至５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
露出したｐ−型シリコン表面が電池の表面に彫られた溝の中に存在する請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
シリコンが単結晶である請求項１乃至７の何れか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に酸化物層を形成するための方法であって、
この基板を反応室に配置しており、
この反応室は、
反応室に酸素分子を含む酸化媒体を供給するための供給手段と、
反応室への酸化媒体の供給を制御するための制御手段と、
反応室から排気ガスを除去するための排気装置と、
酸素分圧を測定するための検出部とを備えており、
上記検出部が排気ガス中の酸素分圧を測定する工程と、
上記酸化物層の形成中に、上記反応室への酸素分子の供給量を変えることによって、排気ガス中の酸素分圧を一定に保つ工程とを有することを特徴とする、基板に酸化物層を形成するための方法。
【請求項２】
上記酸化媒体が、さらに水蒸気を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記酸化媒体が、さらに触媒を含んでいる請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
上記酸化媒体を供給する際の酸素対水蒸気のモル比を一定とする工程を有している請求項２に記載の方法。
【請求項５】
上記酸化媒体を供給する際の酸素対水蒸気対触媒のモル比を一定とする工程を有している請求項２または４に記載の方法。
【請求項６】
上記酸化媒体が、さらに不活性ガスを含んでいる請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
酸化媒体を供給する際に不活性ガスの割合を制御することによって、上記酸化分圧を一定に保つ工程を有している請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記反応室に二次供給を行い、この二次供給によってこの反応室に不活性ガスを供給する工程を有している請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
上記酸化剤を供給する際に、最小の割合の不活性ガスを供給する工程を有している請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
基板材料を酸化することによって、上記酸化物層を形成する工程を有している請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
上記基板はシリコンウェハーである請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
上記反応は炉の中で行われ、酸化物層の形成を高温で行う工程を有している請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
上記反応室内のガス圧の合計を測定するための検出部を備え、
上記反応室内の圧力の合計に排気ガス中の酸素濃度を乗じることによって、上記酸素分圧を算出する工程を有している請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月19日(2004.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
下記の工程
−基板上に電極の少なくとも１個のアレイの形成、
−該電極アレイ上および基板上における少なくともグリーン基礎下層およびその上のグリーン主層のデポジションであって、下層および主層の双方共が無機材料および有機結合剤の粉末混合物に基づいており、
−研磨性材料を用いるブラスチング：
・グリーンバリヤーリブの該アレイを形成するための該グリーン主層の一部を除去するためであって、該バリヤーリブは基部、頂部および底部を含み、また
・被覆全体で１個の孔もないように、限定はされないが、該グリーン基礎下層の除去を避けるため、
−有機結合剤の除去のためおよびバリヤーリブおよび該基礎下層の無機材料の硬化に適する条件下でのベーキング、
を含み、該グリーン基礎下層の組成および厚さが、該ブラスチングの条件下でこの下層の研磨速度が主層の研磨速度よりも低いように適応させることを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項記載のプラズマパネルタイルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月28日(2003.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱増強型マイクロ回路パッケージであって：
マイクロ回路装置空洞部（28）を持つマイクロ回路容器（20a）；
前記マイクロ回路装置空洞部（28）内に受け入れられたマイクロ回路装置（24）；及び
前記マイクロ回路容器（20a）が動作的に接続された小型電子機械的冷却モジュール（20）；
から構成され、
前記冷却モジュールが、蒸発器（40）、濃縮器（42）、及び内結合型冷却溶媒チャネル（44）を持つ毛細管ポンプ式ループ冷却回路（26）を、前記蒸発器（40）と前記濃縮器（42）との間の蒸気及び溶媒の通過並びに冷却溶媒の蒸発及び濃縮の目的で、含み；
前記蒸発器（40）は、使用の際、前記マイクロ回路装置の冷却のため前記マイクロ回路装置と動作的に関連され；
前記冷却モジュールは、前記濃縮器（42）を上部に持つシリコンベースと、前記シリコンベース（53）上に配され、かつ、前記蒸発器（40）及び前記内結合型冷却溶媒チャネル（44）を上部に持つ少なくとも一つの基材層（104）とで特徴づけられる；
ところの、熱増強型マイクロ回路パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載された熱増強型マイクロ回路パッケージであって、前記蒸発器（40）が、当該蒸発器（40）基材層（104）内に形成されているところの、熱増強型マイクロ回路パッケージ。
【請求項３】
請求項１に記載された熱増強型マイクロ回路パッケージであって、前記マイクロ回路容器（20a）が低温共熱型セラミックを形成されているところの、熱増強型マイクロ回路パッケージ。
【請求項４】
請求項１に記載された熱増強型マイクロ回路パッケージであって、冷却溶媒リザーバー（50）が動作的に前記蒸発器（40）に関連され、前記蒸発器内部にウィッキング構造を形成したところの、熱増強型マイクロ回路パッケージ。
【請求項５】
請求項１に記載された熱増強型マイクロ回路パッケージであて、冷却溶媒リザーバー（50）が動作的に、前記蒸発器（40）に関連され、前記蒸発器（40）内部にウィッキング構造（46）が形成され、前期蒸発器（40）及び前記濃縮器（42）が数個の溝を形成し、前記溝のそれぞれの高さ及び幅が約25乃至約150 μmなる寸法を持ち、前記冷却溶媒チャネルが、数個の蒸気ラインおよび数個の液体ラインとして形成されており、前記ラインが本質的に前記幅及び前記高さよりも大なる長さを持つところの、熱増強型マイクロ回路パッケージ。
【請求項６】
熱増強型ボールグリッドアレイパッケージであって：
ボールグリッドアレイ容器；
ボールグリッドアレイ；
マイクロ回路装置空洞部（28）；
前記マイクロ回路装置空洞部（28）内部に受け入れられたマイクロ回路装置；及び
前記ボールグリッドアレイ容器に動作的に関連された小型電子機械的暦約モジュール（20）；
で構成し、
前記ボールグリッドアレイ容器（20a）が動作的に接続された小型電子機械的冷却モジュール（20）；
から構成され、
前記冷却モジュール（20）が、蒸発器（40）、濃縮器（42）、及び内結合型冷却溶媒チャネル（44）を持つ毛細管ポンプ式ループ冷却回路（26）を、前記冷却モジュールが、前記蒸発器（40）と前記濃縮器（42）との間の上記及び溶媒の通過並びに冷却溶媒の蒸発及び濃縮の目的で、含み；
前記蒸発器（40）は、使用の際、前記装置の冷却のため、前記マイクロ回路装置と動作的に関連され；
前記冷却モジュールは、さらに、前記濃縮器（42）を上部に持つシリコンベースと、前記シリコンベース（53）上に配され、かつ、前記蒸発器（40）及び前記内結合型冷却溶媒チャネル（44）を上部に持つ少なくとも一つの基材層（104）とで特徴づけられる；
ところの、熱増強型ボールグリッドアレイパッケージ。
【請求項７】
請求項６に記載された熱増強型ボールグリッドアレイパッケージであって、前記マイクロ回路装置が絶縁ゲート型双極トランジスターとして形成されており、前記絶縁ゲート型双極トランジスターが前記ボールグリッドアレイにリボンボンドされたところの、熱増強型ボールグリッドアレイパッケージ。
【請求項８】
請求項６に記載された熱増強型ボールグリッドアレイパッケージであって、前記蒸発器（40）内部にウィッキング構造（46）が形成され、前期蒸発器（40）及び前記濃縮器（42）が数個の溝を形成し、前記溝のそれぞれの高さ及び幅が約25乃至約150 μmなる寸法を持ち、前記冷却溶媒チャネル（44）が、数個の蒸気ライン（47）および数個の液体ライン（48）として形成されており、前記ラインが本質的に前記幅及び前記高さよりも大なる長さを持つところの、熱増強型ボールグリッドアレイパッケージ。
【請求項９】
小型電子機械的冷却モジュール（20）の作製方法であって：
濃縮器（42）の形成を目的とした、シリコンウエハーに対するディープリアクティブ・イオン・エッチング及びその上に酸化被膜を配するステップであって、蒸発器（40）及び冷却チャネルを有する少なくとも一つのセラミック基材層（104）を形成し、及び、小型電子機械的冷却モジュール（20）をマイクロ回路容器に接する形で形作り形成することを目的として、少なくとも一つの前記セラミック基材層（104）を、前記シリコンウェハー及び前記酸化被膜に、固定することを、特徴とするところの、小型電子機械的冷却モジュールの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）フッ素及びバッファガスを含むレーザガスを通して電気放電によって生成された利得媒体を含み、
１）シードレーザサブシステムの第１の自然放射ラインの全て又は一部分に対応する所望の第１の狭い周波数範囲での第１の狭帯域レーザビーム、及び
２）シードレーザサブシステムの第２の自然放射ラインに対応する少なくとも１つの不要な波長範囲での第２のレーザビーム、
を生成するためのシードレーザサブシステムと、
Ｂ）フッ素及びバッファガスを含むレーザガスを通して電気放電によって生成された第２の利得媒体を含む第２のレーザサブシステムと、
Ｃ）前記第１の所望の狭帯域レーザビームを、狭帯域レーザシステム出力ビームまで増幅させるために前記第２の利得媒体の中に向けるための第１の光学手段と、
Ｄ）前記第２のレーザビームを前記第２の利得媒体の中に向けることにより、
１）前記不要な波長範囲にある利得ポテンシャルを前記第２の利得媒体から枯渇させ、  ２）前記レーザシステム出力ビームにおいて、不要な波長範囲の光強度を低減する、
ように構成された第２の光学手段と、
を含むことを特徴とする、注入シード方式Ｆ2レーザシステム。
【請求項２】
前記シードレーザサブシステムは、レーザガス圧力、バッファガス混合、Ｆ2分圧、レーザガス温度、放電電圧、及びパルスエネルギから成るレーザパラメータ群の１つ又はそれ以上を調節する中心線波長制御手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項３】
前記中心線制御手段は、レーザガス圧力を制御する手段を含むことを特徴とする請求項２に記載のレーザシステム。
【請求項４】
Ａ）１）ａ）各コアが一次巻線を有する幾つかのコアＮを形成する第１の複数の変圧器コアと、
ｂ）前記第１の複数のコアの全てを通過する少なくとも１つの第１の二次導体と、
を含む第１のパルス変圧器、及び
２）ａ）各コアが一次巻線を有する幾つかのコアＭを形成する第２の複数のコアと、
ｂ）前記第２の複数のコアの全てを通過する少なくとも１つの第２の二次導体と、
を含む第２のパルス変圧器、
を有するパルス変圧器システムと、
Ｂ）比較的長い持続時間の高電圧電気パルスを生成するための高電圧パルス電源と、
Ｃ）前記高電圧電気パルスを圧縮して比較的短い持続時間の圧縮された高電圧パルスを生成するための上流側電気パルス圧縮回路であって、
前記圧縮された高電圧パルスを、
１）前記第１の複数の変圧器コアの各々の前記一次巻線、及び
２）前記第２の複数の変圧器コアの各々の前記一次巻線、
に対して並列に印加し、前記第１の二次導体上の出力において非常に高電圧の第１のパルスを生成し、前記第２の二次導体上の出力において非常に高電圧の第２のパルスを生成するように構成された上流側回路と、
Ｄ）前記第１の非常に高電圧のパルスを前記第１の組の電極に印加して、前記第１の放電領域に放電を引き起こすための第１の下流側電気回路と、
Ｅ）前記第２の非常に高電圧のパルスを前記第２の組の電極に印加して、前記第２の放電領域に放電を引き起こすようにパルスを掛けるための第２の下流側電気回路と、
を有するパルス電力システムを更に含み、
前記第１のレーザサブシステムの出力ビームは、前記第２の放電領域で増幅され、前記第２の放電レーザサブシステムの出力において増幅されたレーザビームを生成する、
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項５】
Ｎは、Ｍに等しいことを特徴とする請求項４に記載のレーザシステム。
【請求項６】
Ｎは、Ｍに等しくないことを特徴とする請求項４に記載のレーザシステム。
【請求項７】
Ｎ及びＭは、それぞれ２３にほぼ等しいことを特徴とする請求項４に記載のレーザシステム。
【請求項８】
前記第１の二次導体は、単一導体であり、
前記第２の二次導体も、単一導体である、
ことを特徴とする請求項４に記載のレーザシステム。
【請求項９】
前記少なくとも１つの第１の二次導体は、複数の同軸導体であり、
前記少なくとも１つの第２の二次導体も、複数の同軸導体である、
ことを特徴とする請求項４に記載のレーザシステム。
【請求項１０】
前記非常に高電圧の第１のパルス及び非常に高電圧の第２のパルスの一方を他方に対して遅延させるパルス遅延手段を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のレーザシステム。
【請求項１１】
前記パルス遅延手段は、導電経路の延長部を含むことを特徴とする請求項１０に記載のレーザシステム。
【請求項１２】
前記遅延手段は、飽和可能な指示器上の調節可能なバイアスを含むことを特徴とする請求項１０に記載のレーザシステム。
【請求項１３】
調節可能な順方向バイアスで濾過された飽和可能インダクタを更に含むことを特徴とする請求項４に記載のレーザ。
【請求項１４】
Ａ）前記第２のレーザシステムは、電力増幅器として構成され、
Ｂ）前記第１の光学手段は、前記第２の利得媒体の中に第１の方向で注入される前記所望の第１の狭い波長範囲の前記第１の狭帯域レーザビームを作り出すために、前記所望の波長の光を不要な波長範囲の光から分離するように構成されたプリズムビーム分離器を含み、
Ｃ）前記第２の光学手段は、前記第１の方向と反対の第２の方向で前記第２の利得媒体の中に注入される第２のレーザビームを作り出すために、前記不要な波長範囲の光を前記所望の波長範囲の光から分離するように構成されたプリズムビーム分離器を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項１５】
前記シードレーザサブシステムは、前記第１の狭帯域ビーム及び前記第２の狭帯域ビームを生成するように構成された回折格子を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項１６】
前記第１の狭帯域ビーム及び前記第２の狭帯域ビームを生成するための少なくとも１つのリオフィルタを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項１７】
前記第１の狭帯域ビームは、第１の偏光を形成し、
前記第２の狭帯域ビームは、前記第１の偏光から約９０度回転した第２の偏光を形成し、
両方のビームは、前記第２の利得媒体の中に単一方向に注入され、前記利得媒体における増幅後に、偏光ビームスプリッタによって分離される、
ことを特徴とする請求項１６に記載のレーザシステム。
【請求項１８】
前記第２の光学手段はまた、第２のレーザビームにおける所望の波長範囲の光の強度を低減するように配置されたエタロンを含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004531068.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2004531068.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2004531068.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ほぼ平坦な物体を保持するための温度制御チャックであって、
物体支持面および裏面を有するチャック本体と、前記物体支持面は表面および裏面を有するほぼ平坦な物体を該物体の裏面で保持していることと、
前記平坦な物体の温度分布を測定するために前記物体支持面に分散している複数の温度感知部材と、
前記平坦な物体の裏面に面して該物体支持面に分散している複数の別個の温度作用要素と、前記各温度作用要素は前記物体の裏面の一部領域の温度に所望のように作用するように配置されていることとを備え、
前記温度作用要素は圧電部材であり、各圧電部材は個別に制御可能である温度制御チャック。
【請求項２】
前記温度作用圧電部材は前記平坦な物体の裏面に接触する請求項１に記載の温度制御チャック。
【請求項３】
複数の支持ピン部材が前記物体支持面に分散され、かつ前記平坦な物体の裏面に接触するように配置されている請求項１に記載の温度制御チャック。
【請求項４】
ほぼ平坦な物体を保持するための温度制御チャックであって、
物体支持面および裏面を有するチャック本体と、前記物体支持面は表面および裏面を有するほぼ平坦な物体を該物体の裏面で保持していることと、
前記平坦な物体の温度分布を測定するために前記物体支持面に分散している複数の温度感知部材と、
前記平坦な物体の裏面に面して該物体支持面に分散している複数の別個の温度作用要素と、前記各温度作用要素は前記物体の裏面の一部領域の温度に所望のように作用するように配置されていることとを備え、
前記温度作用要素は別個の光ファイバであり、該光ファイバは赤外線を照射されている温度制御チャック。
【請求項５】
前記温度作用光ファイバは前記物体の裏面から離間されている請求項４に記載の温度制御チャック。
【請求項６】
前記温度作用要素は複数の圧電部材をさらに有する請求項４に記載の温度制御チャック。
【請求項７】
ほぼ平坦な物体を保持するための温度制御チャックであって、
物体支持面および裏面を有するチャック本体と、前記物体支持面は表面および裏面を有するほぼ平坦な物体を該物体の裏面で保持していることと、
前記平坦な物体の温度分布を測定するために前記物体支持面に分散している複数の温度感知部材と、
前記平坦な物体の裏面に面して該物体支持面に分散している複数の別個の温度作用要素と、前記各温度作用要素は前記物体の裏面の一部領域の温度に所望のように作用するように配置されていることとを備え、
前記温度作用要素はヒートシンクピンと加熱素子とを有する温度制御チャック。
【請求項８】
ほぼ平坦な物体を保持するための温度制御チャックであって、
物体支持面および裏面を有するチャック本体と、前記物体支持面は表面および裏面を有するほぼ平坦な物体を該物体の裏面で保持していることと、
前記平坦な物体の温度分布を測定するために前記物体支持面に分散している複数の温度感知部材と、
前記平坦な物体の裏面に面して該物体支持面に分散している複数の別個の温度作用要素と、前記各温度作用要素は前記物体の裏面の一部領域の温度に所望のように作用するように配置されていることとを備え、
前記温度作用要素は前記平坦な物体の裏面の近くに選択的に移動可能である温度制御チャック。
【請求項９】
表面および裏面を有し、該裏面で保持されているほぼ平坦な物体の温度制御方法であって、
前記平坦な物体の裏面の一部領域の温度を感知する工程と、
前記温度感知工程において測定された温度に基づいて前記物体の温度分布を判定する工程と、
前記平坦な物体の裏面の前記一部領域の一部の温度を所望のように変更する工程とからなり、
前記平坦な物体の前記一部領域の温度は、前記平坦な物体の裏面にわたって分散している複数の温度感知部材のうちの温度感知部材によって測定され、
各温度感知部材は圧電部材である方法。
【請求項１０】
表面および裏面を有し、該裏面で保持されているほぼ平坦な物体の温度制御方法であって、
前記平坦な物体の裏面の一部領域の温度を感知する工程と、
前記温度感知工程において測定された温度に基づいて前記物体の温度分布を判定する工程と、
前記平坦な物体の裏面の前記一部領域の一部の温度を所望のように変更する工程とからなり、
前記平坦な物体の前記一部領域の温度は、前記平坦な物体の裏面にわたって分散している複数の温度感知部材のうちの温度感知部材によって測定され、
各温度作用要素は赤外光ファイバーである方法。
【請求項１１】
表面および裏面を有し、該裏面で保持されているほぼ平坦な物体の温度制御方法であって、
前記平坦な物体の裏面の一部領域の温度を感知する工程と、
前記温度感知工程において測定された温度に基づいて前記物体の温度分布を判定する工
程と、
前記平坦な物体の裏面の前記一部領域の一部の温度を所望のように変更する工程とからなり、
前記平坦な物体の前記一部領域の温度は、前記平坦な物体の裏面にわたって分散している複数の温度感知部材のうちの温度感知部材によって測定され、
各温度作用要素はヒートシンクピンである方法。
【請求項１２】
表面および裏面を有し、該裏面で保持されているほぼ平坦な物体の温度制御方法であって、
前記平坦な物体の裏面の一部領域の温度を感知する工程と、
前記温度感知工程において測定された温度に基づいて前記物体の温度分布を判定する工程と、
前記平坦な物体の裏面の前記一部領域の一部の温度を所望のように変更する工程とからなり、
前記平坦な物体の前記一部領域の温度は、前記平坦な物体の裏面にわたって分散している複数の温度感知部材のうちの温度感知部材によって測定され、
各温度作用要素は圧電部材である方法。
【請求項１３】
前記複数の温度作用要素は赤外光ファイバー、およびヒートシンクピンをさらに備える請求項１２に記載の方法。