【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）ウエハに対して化学機械研磨処理を施す工程、（ｂ）前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、（ｃ）前記洗浄処理を行うための洗浄処理室の後段に２以上の枚葉式の乾燥室を設け、その各々の乾燥室内において前記洗浄処理の施されたウエハに対して並列的に乾燥処理を施す工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、砥粒フリー研磨処理の後、有砥粒研磨処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記砥粒フリー研磨処理は、銅からなる主導体膜を研磨する工程であり、前記有砥粒研磨処理は、導電性バリア膜を研磨する工程であり、これらの工程を有する前記化学機械研磨処理によって埋込み配線を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、第１、第２洗浄処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１洗浄処理はアルカリ洗浄処理であり、前記第２洗浄処理は酸洗浄処理であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理の時間が、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、薬液を用いたブラシ洗浄処理の後、純水を用いたブラシ洗浄処理を行う工程を有し、前記薬液を用いたブラシ洗浄時間は、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）ウエハに対して化学機械研磨処理を施す工程、（ｂ）前記化学機械研磨処理後のウエハを湿潤状態に維持して待機させる工程、（ｃ）前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、（ｄ）前記洗浄処理を行うための洗浄処理室の後段に２以上の枚葉式の乾燥室を設け、その各々の乾燥室内において前記洗浄処理の施されたウエハに対して並列的に乾燥処理を施す工程。
【請求項９】
請求項８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、砥粒フリー研磨処理の後、有砥粒研磨処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記砥粒フリー研磨処理は、銅からなる主導体膜を研磨する工程であり、前記有砥粒研磨処理は、導電性バリア膜を研磨する工程であり、これらの工程を有する前記化学機械研磨処理によって埋込み配線を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｂ）工程は、前記ウエハを純水中に浸漬または前記ウエハに対して純水を吹き付けた状態で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｂ）工程は、前記洗浄処理の前段に設けられたローダ内で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｂ）工程は、前記化学機械研磨処理の後段に設けられたアンローダ内で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｃ）工程の洗浄処理は、第１、第２洗浄処理を有し、前記（ｂ）工程は、前記第１洗浄処理と第２洗浄処理との間に行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、第１、第２洗浄処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１洗浄処理はアルカリ洗浄処理であり、前記第２洗浄処理は酸洗浄処理であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理の時間が、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、薬液を用いたブラシ洗浄処理の後、純水を用いたブラシ洗浄処理を行う工程を有し、前記薬液を用いたブラシ洗浄時間は、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）ウエハに対して化学機械研磨処理を施す工程、（ｂ）前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、（ｃ）前記化学機械研磨処理後のウエハを湿潤状態に維持して待機させる工程、（ｄ）前記洗浄処理を行うための洗浄処理室の後段に１台の枚葉式の乾燥室を設け、その乾燥室内において前記洗浄処理の施されたウエハに対して乾燥処理を施す工程。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、砥粒フリー研磨処理の後、有砥粒研磨処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記砥粒フリー研磨処理は、銅からなる主導体膜を研磨する工程であり、前記有砥粒研磨処理は、導電性バリア膜を研磨する工程であり、これらの工程を有する前記化学機械研磨処理によって埋込み配線を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、第１、第２洗浄処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１洗浄処理はアルカリ洗浄処理であり、前記第２洗浄処理は酸洗浄処理であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｃ）工程は、前記ウエハを純水中に浸漬させた状態またはウエハに純水を吹き付けた状態で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｃ）工程は、前記洗浄処理の前段に設けられたローダ内で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項２４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｃ）工程は、前記化学機械研磨処理の後段に設けられたアンローダ内で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項２４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｂ）工程の洗浄処理は、第１、第２洗浄処理を有し、前記（ｃ）工程は、前記第１洗浄処理と第２洗浄処理との間に行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｃ）工程は、前記洗浄処理を行う洗浄室内において、前記ウエハに対してブラシによる機械的な洗浄を施すことなく、水洗処理を施すことで行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２９】
（ａ）ウエハに対して化学機械研磨処理を施す工程、（ｂ）前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、（ｃ）前記洗浄処理後のウエハに対して乾燥処理を施す工程を有し、
前記洗浄処理と乾燥処理とを同一の枚葉式の洗浄乾燥室内で行い、その洗浄乾燥室を２以上設けたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３０】
（ａ）ウエハに対して化学機械研磨処理を施す工程、（ｂ）前記化学機械研磨処理後のウエハを湿潤状態に維持して待機させる工程、（ｃ）前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、（ｄ）前記洗浄処理後のウエハに対して乾燥処理を施す工程を有し、
前記洗浄処理と乾燥処理とを同一の枚葉式の洗浄乾燥室内で行い、その洗浄乾燥室を２以上設けたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３１】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）ウエハの主面上に絶縁膜を堆積する工程、（ｂ）前記絶縁膜に配線形成用の開口部を形成する工程、（ｃ）前記絶縁膜上に、前記配線形成用の開口部を埋め込むように、導体膜を堆積する工程、（ｄ）前記ウエハに対して化学機械研磨処理を施すことにより、前記配線形成用の開口部内に前記導体膜からなる埋込み配線を形成する工程、（ｅ）前記化学機械研磨処理後のウエハを湿潤状態に維持して待機させる工程、（ｆ）前記化学機械研磨処理後のウエハに対して洗浄処理を施す工程、（ｇ）前記洗浄処理を行うための洗浄処理室の後段に２以上の枚葉式の乾燥室を設け、その各々の乾燥室内において並列的にウエハに対して乾燥処理を施す工程。
【請求項３２】
請求項３１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｃ）は、導電性バリア膜を堆積した後、その上に銅からなる主導体膜を堆積することで導体膜を堆積する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３３】
請求項３２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程は、前記銅からなる主導体膜を研磨することを主目的とした砥粒フリー研磨処理の後、前記導電性バリア膜を研磨することを主目的とした有砥粒研磨処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３４】
請求項３１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｅ）工程は、前記ウエハを純水中に浸漬させた状態またはウエハに純水を吹き付けた状態で行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３５】
請求項３１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、第１、第２洗浄処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３６】
請求項３５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１洗浄処理はアルカリ洗浄処理であり、前記第２洗浄処理は酸洗浄処理であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３７】
請求項３１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理の時間が、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３８】
請求項３１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、薬液を用いたブラシ洗浄処理の後、純水を用いたブラシ洗浄処理を行う工程を有し、前記薬液を用いたブラシ洗浄時間は、前記乾燥処理の時間よりも短いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。