【手続補正書】
【提出日】平成16年7月30日(2004.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
光電変換素子と第２のアクティブ素子とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられ、
前記センサ部は画素ごとに設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
光電変換素子と第２のアクティブ素子とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられ、
前記センサ部は画素ごとに設けられ、
前記光電変換素子は、下部電極と、前記下部電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された上部電極とを有していることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
光電変換素子と第２のアクティブ素子とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられ、
前記センサ部は画素ごとに設けられ、
前記光電変換素子は、下部電極と、前記下部電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された上部電極とを有し、
前記上部電極は、可視光に対して反射性を有し、
前記下部電極は、透明性を有する導電膜で形成されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続された第1のアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
光電変換素子と第2のアクティブ素子とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられ、
前記センサ部は画素ごとに設けられ、
前記光電変換素子は、下部電極と、前記下部電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された上部電極とを有し、
前記上部電極は、可視光に対して反射性を有し、
前記下部電極は、透明性を有する導電膜で形成され、前記第２のアクティブ素子の電極と接続され、
前記第１のアクティブ素子、前記第２のアクティブ素子、および前記上部電極上に絶縁膜が形成され、
前記画素電極は、前記絶縁膜上に存在し、前記絶縁膜を介して前記第１のアクティブ素子の配線に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１のアクティブ素子および前記第２のアクティブ素子の下方に、裏面からの入射光から前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子を保護する膜を有していることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１のアクティブ素子および前記第２のアクティブ素子は、それぞれＴＦＴであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続されたアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
光電変換素子とアクティブ素子群とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられ、
前記センサ部は画素ごとに設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続されたアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
光電変換素子とアクティブ素子群とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられ、
前記センサ部は画素ごとに設けられ、
前記光電変換素子は、下部電極と、前記下部電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された上部電極を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続されたアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
光電変換素子とアクティブ素子群とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられ、
前記センサ部は画素ごとに設けられ、
前記光電変換素子は、下部電極と、前記下部電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された上部電極を有し、
前記上部電極は、可視光に対して反射性を有し、
前記下部電極は、透明性を有する導電膜で形成されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、前記アクティブ素子群は、増幅トランジスタと、リセットトランジスタと、選択トランジスタとを有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記画素マトリクスと前記センサ部は同じ画素サイズを有していることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記画素電極は反射性を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記基板を透過した光を前記センサ部で受光することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記アクティブマトリクス型表示装置は、カメラまたは携帯電話であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１５】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
光電変換素子と第２のアクティブ素子とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられたアクティブマトリクス型表示装置の作製方法であって、
前記センサ部を画素ごとに設けることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の作製方法。
【請求項１６】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
透明性を有する導電膜で形成された下部電極、光電変換層、及び可視光に対して反射性を有する上部電極を有する光電変換素子と第２のアクティブ素子とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられたアクティブマトリクス型表示装置の作製方法であって、
前記第２のアクティブ素子と接続する前記下部電極を形成し、
前記下部電極上に前記光電変換層を形成し、
前記光電変換層上に前記上部電極を形成し、
前記センサ部を画素ごとに設けることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の作製方法。
【請求項１７】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続された第１のＴＦＴとを有する画素マトリクスと、
透明性を有する導電膜で形成された下部電極、光電変換層、及び可視光に対して反射性を有する上部電極を有する光電変換素子と第２のＴＦＴとを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられたアクティブマトリクス型表示装置の作製方法であって、
前記基板上に、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴを形成し、
前記第２のＴＦＴと接続する前記下部電極を形成し、
前記下部電極上に前記光電変換層を形成し、
前記光電変換層上に前記上部電極を形成し、
前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ、及び前記上部電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、前記絶縁膜を介して前記第１のアクティブ素子の配線に接続された前記画素電極を形成し、
前記センサ部を画素ごとに設けることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の作製方法。
【請求項１８】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続されたアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
光電変換素子とアクティブ素子群とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられたアクティブマトリクス型表示装置の作製方法であって、
前記センサ部を画素ごとに設けることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の作製方法。
【請求項１９】
マトリクス状に配置された画素電極と前記画素電極に接続されたアクティブ素子とを有する画素マトリクスと、
透明性を有する導電膜で形成された下部電極、光電変換層、及び可視光に対して反射性を有する上部電極を有する光電変換素子とアクティブ素子群とを有するセンサ部とが同一の基板上に設けられたアクティブマトリクス型表示装置の作製方法であって、
前記基板上に、前記アクティブ素子と前記アクティブ素子群とを形成し、
前記アクティブ素子群と接続する前記下部電極を形成し、
前記下部電極上に前記光電変換層を形成し、
前記光電変換層上に前記上部電極を形成し、
前記センサ部を画素ごとに設けることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１８または請求項１９において、前記アクティブ素子群として増幅トランジスタと、リセットトランジスタと、選択トランジスタとを形成することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の作製方法。