(57)【要約】本発明は、下記一般式（１），（２），（５）で表される芳香族アミン誘導体、並びに、陰極と陽極間に有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層に、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として用いることによって、発光効率が高く、長寿命な青色発光が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する新規な芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供する。2008035517.tif 000062［式中、Ａｒ１〜Ａｒ１６は、核炭素数６〜５０のアリール基、Ｌ１〜Ｌ６は、核炭素数６〜５０のアリーレン基、Ｌ１１，Ｌ１３は、単結合または核炭素数６〜５０のアリーレン基、ならびにＬ１２は下記一般式（６）で表される基を示す］2008035517.tif 000063  ｛式中、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、置換基を示す｝
2008035517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
【化１】
2008035517.tif 000055
［式中、Ａｒ1〜Ａｒ5は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。
Ｌ1〜Ｌ3は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。
ただし、Ｌ1〜Ｌ3のうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０縮合芳香族環を含むアリーレン基を示す。］
【請求項２】
下記一般式（２）で表される芳香族アミン誘導体。
【化２】
2008035517.tif 000056
［式中、Ａｒ6〜Ａｒ10は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。
Ｌ3〜Ｌ6は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。
ただし、Ｌ3〜Ｌ6のうち少なくとも一つが置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０縮合芳香族環基を示す。］
【請求項３】
前記一般式（２）において、Ｌ3〜Ｌ6のうち少なくとも一つが、置換もしくは無置換のナフタレンを含有する基であることを特徴とする請求項２記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項４】
前記の置換もしくは無置換のナフタレンを含有する基が、下記一般式（３）および（４）で表される請求項３記載の芳香族アミン誘導体。
【化３】
2008035517.tif 000057
［式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換基を示し、ｎは０〜６の整数である。
Ｌ7〜Ｌ10は単結合または、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。］
【請求項５】
下記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体。
【化４】
2008035517.tif 000058
［式中、Ａｒ11〜Ａｒ16は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。
Ｌ11及びＬ13は、それぞれ独立に、単結合または、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。
Ｌ12は下記一般式（６）で表される。
【化５】
2008035517.tif 000059
｛式中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、置換基を示す。｝
Ｌ11及びＬ13のうち少なくとも一つが下記一般式（７）で表されるナフチレン誘導体である。
【化６】
2008035517.tif 000060
｛Ｒ2は置換基を示し、ｎは０〜６の整数である。
Ｌ9及びＬ10は、それぞれ独立に、単結合または、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。｝］
【請求項６】
下記一般式（８）で表される請求項５記載の芳香族アミン誘導体。
【化７】
2008035517.tif 000061
［式中、Ａｒ17〜Ａｒ22は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。
Ｒ5〜Ｒ8は置換基を示す。］
【請求項７】
有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項８】
有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔注入材料または正孔輸送材料である請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項９】
陽極と陰極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を単独または混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記有機薄膜層が正孔輸送帯域及び/または正孔注入帯域を有し、請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体が、正孔注入帯域及び/または正孔輸送帯域に用いられている請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記有機薄膜層が正孔輸送層及び/または正孔注入層を有し、請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体が、正孔注入層及び/または正孔輸送層に用いられている請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
青色系発光である請求項９〜１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下ＥＬと略すことがある）素子に関し、特に、芳香族アミン誘導体を正孔輸送帯域材料及び/または正孔注入帯域材料として用いることで、低電圧で駆動でき、長寿命で、高発光効率であり、さらに製造コストが安価な有機ＥＬ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記することがある）は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ等による積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙｋｅ，アプライドフィジックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ），５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇ等は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送性発光層の二層型、または正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。【０００３】
従来、有機ＥＬ素子に用いられる正孔輸送材料として、特許文献１記載の芳香族ジアミン誘導体や、特許文献２記載の芳香族縮合環ジアミン誘導体が知られていた。これらの芳香族アミン誘導体を改良したものとして、特許文献３には下記一般式（Ａ）、また特許文献４には下記一般式（Ｂ）で表される芳香族トリアミン化合物が開示されている。また、特許文献５には下記一般式（Ｃ）で表されるナフチレンアミン化合物が開示されている。また、特許文献６や特許文献７に開示されているような、芳香族アミンの４量体が高耐熱性材料として知られている。【０００４】
【化１】
2008035517.tif 000003
【０００５】
一般式（Ａ）において、Ｂ1及びＢ2は置換もしくは無置換のビフェニレン基である。
また、特許文献８には、下記一般式（Ｄ）、特許文献９には下記化合物（Ｅ）のテトラアミン化合物、特許文献１０には下記化合物（Ｆ）、特許文献１１には下記化合物（Ｇ）および（Ｈ）のナフタレン含有テトラアミン化合物が開示されている。【０００６】
【化２】
2008035517.tif 000004
【０００７】
しかし、これらの化合物を正孔輸送層に用いた素子では寿命、駆動電圧、発光効率が十分でなく、さらなる低電圧駆動、高効率化、長寿命化が求められていた。【０００８】
【特許文献１】米国特許第４，７２０，４３２号明細書
【特許文献２】米国特許第５，０６１，５６９号明細書
【特許文献３】特許第３５６５８７０号明細書
【特許文献４】特許第３２２０８６７号明細書
【特許文献５】特開２００３−１３３０７６号公報
【特許文献６】特許第３１９４６５７号明細書
【特許文献７】特許第３１８０８０２号明細書
【特許文献８】特許第３２２０９５０号明細書
【特許文献９】特開２０００−１５６２９０号公報
【特許文献１０】特開２００１−２２６３３１号公報
【特許文献１１】特開１９９９−２３６３６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、前記の従来技術の問題点を解決するためなされたもので、芳香族アミン誘導体からなる有機ＥＬ素子用材料を用いることで、長寿命を維持しつつ、駆動電圧の低下及び発光効率の向上を同時に満足する有機ＥＬ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）、（２）及び（５）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体からなる有機ＥＬ素子用材料を用いると、長寿命を維持しつつ、駆動電圧が低く、発光効率が高い有機ＥＬ素子を製造できることを見出し、本発明を完成したものである。【００１１】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）、（２）及び（５）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。
下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。【００１２】
【化３】
2008035517.tif 000005
【００１３】
［式中、Ａｒ1〜Ａｒ5は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。
Ｌ1〜Ｌ3は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。
ただし、Ｌ1〜Ｌ3のうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０縮合芳香族環を含むアリーレン基を示す。］
下記一般式（２）で表される芳香族アミン誘導体。【００１４】
【化４】
2008035517.tif 000006
【００１５】
［式中、Ａｒ6〜Ａｒ10は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。
Ｌ3〜Ｌ6は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。
ただし、Ｌ3〜Ｌ6のうち少なくとも一つが置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０縮合芳香族環基を示す。］
下記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体。【００１６】
【化５】
2008035517.tif 000007
【００１７】
［式中、Ａｒ11〜Ａｒ16は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。
Ｌ11及びＬ13は、それぞれ独立に、単結合または、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。
Ｌ12は下記一般式（６）で表される。【００１８】
【化６】
2008035517.tif 000008
【００１９】
｛式中、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、置換基を示す。｝
Ｌ11及びＬ13のうち少なくとも一つが下記一般式（７）で表されるナフチレン誘導体である。【００２０】
【化７】
2008035517.tif 000009
【００２１】
｛Ｒ2は置換基を示し、ｎは０〜６の整数である。
Ｌ9及びＬ10は、それぞれ独立に、単結合または、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。｝］【００２２】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が前記一般式（１）、（２）及び（５）のいずれかの芳香族アミン誘導体を単独または混合物の成分として含有する。
【発明の効果】
【００２３】
上記一般式（１）、（２）及び（５）のいずれかで表される有機ＥＬ素子用材料を有機薄膜層のいずれかに、好ましくは正孔輸送帯域及び／又は正孔注入帯域、より好ましくは正孔輸送帯域及び／又は正孔注入帯域に用いると、低い駆動電圧で、発光効率の高い、長寿命な青色発光が得られる有機ＥＬ素子を作製することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明は、下記一般式（１）、（２）及び（５）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。
下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。【００２５】
【化８】
2008035517.tif 000010
【００２６】
一般式（１）において、Ａｒ1〜Ａｒ5は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。Ｌ1〜Ｌ3は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。ただし、Ｌ1〜Ｌ3のうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０縮合芳香族環を含むアリーレン基を示す。
下記一般式（２）で表される芳香族アミン誘導体。【００２７】
【化９】
2008035517.tif 000011
【００２８】
一般式（２）において、Ａｒ6〜Ａｒ10は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。Ｌ3〜Ｌ6は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。ただし、Ｌ3〜Ｌ6のうち少なくとも一つが置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０縮合芳香族環基を示す。
置換もしくは無置換のアリール基として好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオレニル基等が挙げられる。【００２９】
核炭素数６〜６０のアリーレン基として好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、クォーターフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントリレン基、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、等が挙げられる。好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、クリセニレン基等が挙げられる。【００３０】
置換または無置換の縮合芳香族環として上記アリーレン基の中で縮合芳香族環である、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントリレン基、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基等が挙げられる。好ましくは、ナフチレン基、フェナントリレン基、クリセニレン基、ピレニレン基である。【００３１】
前記一般式（２）において、Ｌ3〜Ｌ6のうち少なくとも一つが、置換もしくは無置換のナフタレンを含有する基である芳香族アミン誘導体が好ましく、さらに好ましくは、下記一般式（３）および（４）で表される芳香族アミン誘導体である。【００３２】
【化１０】
2008035517.tif 000012
【００３３】
式（３）及び（４）において、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換基を示し、ｎは０〜６の整数である。Ｌ7〜Ｌ10は単結合または、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。これらの具体例は上述した通りである。【００３４】
Ａｒ1〜Ａｒ5およびＬ3〜Ｌ6の置換基として好ましくは、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１２、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチ��スルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含むものであり具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル等が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる。）等が挙げられる。これらの置換基は更に置換されても良い。また置換基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっていても良い。また、可能な場合には互いに連結して環を形成していても良い。【００３５】
上記一般式（１）又は（２）で表されるトリアミン系の芳香族アミン誘導体は、ジアリールアミノ基を置換基として有していてもよく、好ましくは下記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体である。【００３６】
【化１１】
2008035517.tif 000013
【００３７】
一般式（５）において、Ａｒ11〜Ａｒ16は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。Ｌ11及びＬ13は、それぞれ独立に、単結合または、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。Ｌ12は下記一般式（６）で表される。【００３８】
【化１２】
2008035517.tif 000014
【００３９】
式（６）において、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、置換基を示す。
Ｌ11及びＬ13のうち少なくとも一つが下記一般式（７）で表されるナフチレン誘導体である。【００４０】
【化１３】
2008035517.tif 000015
【００４１】
式（７）において、Ｒ2は置換基を示し、ｎは０〜６の整数である。Ｌ9及びＬ10は、それぞれ独立に、単結合または、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリーレン基を示す。
Ａｒ11〜Ａｒ16及びＬ9〜Ｌ13の具体例は上述したものと同じである。
さらに、一般式（５）で表される誘導体は、下記一般式（８）の構造の芳香族アミン誘導体であると好ましい。【００４２】
【化１４】
2008035517.tif 000016
【００４３】
式（８）において、Ａｒ17〜Ａｒ22は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基を示す。Ｒ5〜Ｒ8は置換基を示す。
Ａｒ17〜Ａｒ22及びＲ5〜Ｒ8の具体例は上述した通りである。【００４４】
一般式（１）、（２）及び（５）で表される化合物を以下に例示するが、本発明の化合物はこれらの例示に限定するものではない。【００４５】
【化１５】
2008035517.tif 000017
【００４６】
【化１６】
2008035517.tif 000018
【００４７】
【化１７】
2008035517.tif 000019
【００４８】
【化１８】
2008035517.tif 000020
【００４９】
【化１９】
2008035517.tif 000021
【００５０】
本発明の芳香族アミン誘導体は有機エレクトロルミネッセンス素子用材料であると好ましい。  本発明の芳香族アミン誘導体は有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔注入材料または正孔輸送材料であると好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が前記一般式（１）、（２）及び（５）のいずれかの芳香族アミン誘導体を単独または混合物の成分として含有する。
本発明の有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層が正孔輸送帯域及び/または正孔注入帯域を有し、前記いずれかの芳香族アミン誘導体が、正孔注入帯域及び/または正孔輸送帯域に用いられていることが好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層が正孔輸送層及び/または正孔注入層を有し、前記いずれかの芳香族アミン誘導体が、正孔注入層及び/または正孔輸送層に用いられていることが好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子は、青色系発光であることが好ましい。【００５１】
（１）有機ＥＬ素子の構成
以下に本発明に用いられる有機ＥＬ素子の代表的な構成例を示す。もちろん          、本発明はこれに限定されるものではない。
(1) 陽極／発光層／陰極
(2) 陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
(3) 陽極／発光層／電子輸送層／陰極
(4) 陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
(5) 陽極／正孔輸送層／発光層／付着改善層／陰極
(6) 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
(7) 陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
(8) 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
(9) 陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
(10) 陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
(11) 陽極／無機半導体層／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
(12) 陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
(13) 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
(14) 陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
(15) 陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／絶縁層／陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常(4)、(6)、(7)、(8)、(12)、(13)、(15)の構成が好ましく用いられる。【００５２】
本発明の有機ＥＬ素子用材料は、上記のどの有機層に用いられてもよいが、これらの構成要素の中の正孔輸送帯域及び/または正孔注入帯域に含有されていることが好ましい。特に好ましくは正孔輸送層に含有されている場合である。【００５３】
（２）透光性基板
本発明の有機ＥＬ素子は透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で、平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。【００５４】
（３）陽極
有機薄膜ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層または発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛合金（ＩＺＯ）、金、銀、白金、銅、ランタノイド等が適用できる。
これらの材料は単独で用いることもできるが、これら材料同士の合金や、その他の元素を添加した材料も適宜選択して用いることができる。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。【００５５】
（４）発光層
有機ＥＬ素子の発光層は以下の機能を併せ持つものである。すなわち、
(1) 注入機能；電界印加時に陽極または正孔注入層より正孔を注入することができ、                  陰極または電子注入層より電子を注入することができる機能
(2) 輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
(3) 発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
がある。但し、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。
ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。【００５６】
発光層に用いられる材料は、長寿命な発光材料として公知のものを用いることが可能であるが、一般式（Ｉ）で示される材料を発光材料として用いることができる。【００５７】
【化２０】
2008035517.tif 000022
【００５８】
式中、Ａｒは核炭素数６〜５０の芳香族環もしくは核原子数５〜５０の複素芳香族環である。
具体的には、フェニル環、ナフチル環、アントラセン環、ビフェニレン環、アズレン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、アセフェナンスリレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ベンズアントラセン環、ナフタセン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、テトラフェニレン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、コロネン環、トリナフチレン環、ピロール環、インドール環、カルバゾール環、イミダゾール環、ベンズイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、キノキサリン環、キノリン環、ピリミジン環、トリアジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、チアンスレン環、フラン環、ベンゾフラン環、ピラゾール環、ピラジン環、ピリダジン環、インドリジン環、キナゾリン環、フェナントロリン環、シロール環、ベンゾシロール環等が挙げられる。
好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ベンズアントラセン環、ペリレン環が挙げられる。【００５９】
Ｘは置換基である。
具体的には、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のカルボキシル基、置換または無置換のスチリル基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等である。【００６０】
Ｘの置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。
好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。【００６１】
Ｘの置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。【００６２】
Ｘの置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。【００６３】
Ｘの置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基は−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。【００６４】
Ｘの置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアラルキル基の例としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、 ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。【００６５】
Ｘの置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基は−ＯＹ’と表され、Ｙ’の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。【００６６】
Ｘの置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基は−ＳＹ”と表され、Ｙ”の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。【００６７】
Ｘの置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のカルボキシル基は−ＣＯＯＺと表され、Ｚの例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。【００６８】
Ｘの置換または無置換のスチリル基の例としては、２−フェニル−１−ビニル基、２，２−ジフェニル−１−ビニル基、１，２，２−トリフェニル−１−ビニル基等が挙げられる。【００６９】
Ｘのハロゲン基の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。【００７０】
一般式（Ｉ）において、ｍは１〜５の整数、ｎは０〜６の整数である。ｍは１〜２、ｎは０〜４が好ましい。なおｍ≧２の時、（ ）内のArはそれぞれ同じでも異なっていても良い。またｎ≧２の時、（ ）内のＸはそれぞれ同じでも異なっていても良い。【００７１】
発光層に使用できるホスト材料としては、下記（ｉ）〜（ｉｘ）で表される化合物が好ましい。
下記一般式（ｉ）で表される非対称アントラセン。【００７２】
【化２１】
2008035517.tif 000023
【００７３】
（式中、Ａｒは置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合芳香族基である。
Ａｒ’は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。
Ｘは、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。
ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０〜４の整数である。
ｎは１〜３の整数である。また、ｎが２以上の場合は、［  ］内は、同じでも異なっていてもよい。）
下記一般式（ｉｉ）で表される非対称モノアントラセン誘導体。【００７４】
【化２２】
2008035517.tif 000024
【００７５】
（式中、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基であり、ｍ及びｎは、それぞれ１〜４の整数である。ただし、ｍ＝ｎ＝１でかつＡｒ1とＡｒ2のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、Ａｒ1とＡｒ2は同一ではなく、ｍ又はｎが２〜４の整数の場合にはｍとｎは異なる整数である。
Ｒ1〜Ｒ10は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。）
下記一般式(iii) で表される非対称ピレン誘導体。【００７６】
【化２３】
2008035517.tif 000025
【００７７】
［式中、Ａｒ及びＡｒ’は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。
Ｌ及びＬ’は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
また、Ｌ又はＡｒは、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ’又はＡｒ’は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｎ＋ｔが偶数の時、Ａｒ，Ａｒ’，Ｌ，Ｌ’は下記(1) 又は(2) を満たす。
(1) Ａｒ≠Ａｒ’及び／又はＬ≠Ｌ’（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
(2) Ａｒ＝Ａｒ’かつＬ＝Ｌ’の時
(2-1) ｍ≠ｓ及び／又はｎ≠ｔ、又は
(2-2) ｍ＝ｓかつｎ＝ｔの時、
(2-2-1) Ｌ及びＬ’、又はピレンが、それぞれＡｒ及びＡｒ’上の異なる結合位置に結合しているか、
(2-2-2) Ｌ及びＬ’、又はピレンが、Ａｒ及びＡｒ’上の同じ結合位置で結合している場合、
Ｌ及びＬ’又はＡｒ及びＡｒ’のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。］
下記一般式(iv)で表される非対称アントラセン誘導体。【００７８】
【化２４】
2008035517.tif 000026
【００７９】
（式中、Ａ1及びＡ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環基である。
Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基である。
Ｒ1〜Ｒ10は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基である。
Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、一般式（１）において、中心のアントラセンの９位及び１０位に、該アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。）【００８０】
発光層に用いられる材料として、さらに好ましくは以下に示されるアントラセン誘導体が挙げられる。
Ａ１ −Ｌ−Ａ２ ・・・（ＩＩ）
（式中、Ａ１ 及びＡ２ は、それぞれ置換若しくは無置換のモノフェニルアントリル基又は置換若しくは無置換のジフェニルアルアントリル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、Ｌは単結合又は二価の連結基を示す。）【００８１】
他にも一般式（ＩＩＩ）に示されるアントラセン誘導体が挙げられる。
Ａ３ −Ａｎ−Ａ４ ・・・（ＩＩＩ）
（式中、Ａｎは置換若しくは無置換の二価のアントラセン残基を示し、Ａ３ 及びＡ４ は、それぞれ置換若しくは無置換の一価の縮合芳香族環基又は置換若しくは無置換の炭素数１２以上の非縮合環系アリール基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよい。）【００８２】
一般式（ＩＩ）で表されるアントラセン誘導体としては、例えば一般式（ＩＩ−ａ）で表されるアントラセン誘導体、【００８３】
【化２５】
2008035517.tif 000027
【００８４】
（式中、Ｒ1〜Ｒ10は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，置換しても良いアリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アルケニル基，アリールアミノ基又は置換しても良い複素環式基を示し、ａ及びｂは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ1同士又はＲ2同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ１  同士またはＲ２  同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ3とＲ4，Ｒ5とＲ6，Ｒ7とＲ8，Ｒ9とＲ10がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ1は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）
又は、下記一般式（ＩＩ−ｂ）【００８５】
【化２６】
2008035517.tif 000028
【００８６】
（式中、Ｒ11〜Ｒ20は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アリールアミノ基又は置換しても良い複数環式基を示し、ｃ，ｄ，ｅ及びｆは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ11同士，Ｒ12同士，Ｒ16同士又はＲ17同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ11同士，Ｒ12同士，Ｒ16同士又はＲ17同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ13とＲ14，Ｒ18とＲ19がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ2は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）
で表されるアントラセン誘導体を好ましく挙げることができる。【００８７】
なお、ここで置換しても良いとは、置換又は無置換を意味する。
上記一般式（ＩＩ−ａ）及び（ＩＩ−ｂ）において、Ｒ1 〜Ｒ20 の内のアルキル基としては炭素数１〜６のものが、シクロアルキル基としては炭素数３〜６のものが、アリール基としては炭素数５〜１８のものが、アルコキシル基としては炭素数１〜６のものが、アリーロキシ基としては炭素数５〜１８のものが、アリールアミノ基としては炭素数５〜１６のアリール基で置換されたアミノ基が、複素環式基としてはトリアゾール基，オキサジアゾール基，キノキサリン基，フラニル基やチエニル基などが好ましく挙げられる。
また、Ｌ1 及びＬ2 の内の−Ｎ（Ｒ）−におけるＲで示されるアルキル基としては炭素数１〜６のものが、アリール基としては炭素数５〜１８のものが好ましい。
下記一般式(vii) で表されるスピロフルオレン誘導体。【００８８】
【化２７】
2008035517.tif 000029
【００８９】
（式中、Ａ5〜Ａ8は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニル基又は置換もしくは無置換のナフチル基である。）【００９０】
下記一般式(viii)で表される縮合環含有化合物。
【化２８】
2008035517.tif 000030
【００９１】
（式中、Ａ9〜Ａ14は前記と同じ、Ｒ21〜Ｒ23は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基又はハロゲン原子を示し、Ａ9〜Ａ14のうち少なくとも１つは３環以上の縮合芳香族環を有する基である。）【００９２】
下記一般式（ｉｘ）で表されるフルオレン化合物。
【化２９】
2008035517.tif 000031
【００９３】
（式中、Ｒ1及びＲ2は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ1同士、Ｒ2同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ1及びＲ2は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ3及びＲ4は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基又は置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ3同士、Ｒ4同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ3及びＲ4は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ1及びＡｒ2は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基又はベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、Ａｒ1及びＡｒ2は、同じであっても異なっていてもよい。ｎは、１乃至１０の整数を表す。）【００９４】
以上のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセンである。
また、ドーパントの発光材料としては、りん光発光性の化合物を用いることもできる。りん光発光性の化合物としては、ホスト材料にカルバゾール環を含む化合物が好ましい。ドーパントとしては三重項励起子から発光することのできる化合物であり、三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましい。
カルバゾール環を含む化合物からなるりん光発光に好適なホストは、その励起状態からりん光発光性化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発光させる機能を有する化合物である。ホスト化合物としては励起子エネルギーをりん光発光性化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。カルバゾール環以外に任意の複素環などを有していても良い。【００９５】
このようなホスト化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（N-ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。ホスト化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。【００９６】
【化３０】
2008035517.tif 000032
【００９７】
りん光発光性のドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−(２−チエニル)ピリジン誘導体、２−(1−ナフチル) ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有しても良い。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していても良い。
りん光発光性のドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％であり、１〜３０質量％が好ましい。りん光発光性化合物の含有量が０．１質量％未満では発光が微弱であり、その含有効果が十分に発揮されず、７０質量％を超える場合は、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下する。【００９８】
発光層にはさらに蛍光性化合物をドーパントとして少量添加し、発光性能を向上させることが可能である。このようなドーパントは、それぞれ長寿命な発光材料として公知のものを用いることが可能であるが、一般式（ＩＶ）で示される材料を発光材料のドーパント材料として用いることが望ましい。【００９９】
【化３１】
2008035517.tif 000033
【０１００】
式中、Ａｒ1〜Ａｒ3は置換または無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換または無置換のスチリル基である。【０１０１】
置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。
好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、３−フルオランテニル基等が挙げられる。【０１０２】
置換または無置換のスチリル基の例としては、２−フェニル−１−ビニル基、２，２−ジフェニル−１−ビニル基、１，２，２−トリフェニル−１−ビニル基等が挙げられる。
ｐは１〜４の整数である。
なおP≧２の時、（ ）内のＡｒ2、Ａｒ3はそれぞれ同じでも異なっていても良い。【０１０３】
また、発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有しても良い。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。【０１０４】
（５）正孔注入、輸送層
正孔注入、輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入、輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-4ｃｍ2／Ｖ・秒であれば好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子用材料を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の化合物単独で正孔注入、輸送層を形成しても良いし、他の材料と混合して用いても良い。
本発明の有機ＥＬ素子用材料と混合して正孔注入、輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、ＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。芳香族アミン誘導体として下記一般式で表される化合物が考えられる。【０１０５】
【化３２】
2008035517.tif 000034
【０１０６】
上式中、Ａｒ11〜Ａｒ13、Ａｒ21〜Ａｒ23、Ａｒ3〜Ａｒ8は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、または核原子数５〜５０の複素芳香族基。ａ〜ｃ、ｐ〜ｒはそれぞれ０〜３の整数。Ａｒ3とＡｒ4、Ａｒ5とＡｒ6、Ａｒ7とＡｒ8はそれぞれ互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成しても良い。【０１０７】
【化３３】
2008035517.tif 000035
【０１０８】
上式中、Ａｒ1〜Ａｒ4は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、または核原子数５〜５０の複素芳香族基。Ｌは連結基であり、単結合、もしくは置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、または核原子数５〜５０の複素芳香族基。Ｘは０〜５の整数。Ａｒ2とＡｒ3は互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成しても良い。【０１０９】
具体例として例えば、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）等を挙げることができる。【０１１０】
正孔注入輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。【０１１１】
この他に特許−０３５７１９７７で開示されている下記一般式で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。【０１１２】
【化３４】
2008035517.tif 000036
【０１１３】
式中、Ｒ1、Ｒ2，Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換の複素環基のいずれかを示す。但し、Ｒ1、Ｒ2，Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は同じでも異なっていてもよい。また、Ｒ1とＲ2，Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6またはＲ1とＲ6，Ｒ2とＲ3、Ｒ4とＲ5が縮合環を形成していてもよい。
さらに、米国特許２００４−０１１３５４７で記載されている下記一般式の化合物も用いることができる。【０１１４】
【化３５】
2008035517.tif 000037
【０１１５】
Ｒ1〜Ｒ6は置換基であり、好ましくはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲンなどの電子吸引基である。【０１１６】
また発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
正孔注入、輸送層は上述した化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入、輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入、輸送層は正孔輸送帯域に本発明の化合物を含有していれば、上述した材料の一種または二種以上からなる一層で構成されてもよいし、または前記正孔注入、輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入、輸送層を積層したものであってもよい。【０１１７】
また有機半導体層は発光層への正孔注入または電子注入を助ける層であって、１０-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。【０１１８】
（６）電子注入・輸送層
電子注入層は発光層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体が好適である。
上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノールまたは８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げられる。
例えば発光材料の項で記載したＡｌｑを電子注入層として用いることができる。
一方オキサジアゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合物が挙げられる。【０１１９】
【化３６】
2008035517.tif 000038
【０１２０】
式中Ａｒ1，Ａｒ2，Ａｒ3，Ａｒ5，Ａｒ6，Ａｒ9はそれぞれ置換または無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。またＡｒ4，Ａｒ7，Ａｒ8は置換または無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。またアリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。
上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。【０１２１】
【化３７】
2008035517.tif 000039
【０１２２】
またその他含窒素複素環を有する化合物が電子輸送材料として好適であることが知られている。【０１２３】
さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる好ましい具体的な化合物として、下記一般式(４)で表される含窒素複素環誘導体。
ＨＡｒ-Ｌ-Ａｒ1-Ａｒ2        (４)
（式中、ＨＡｒは、置換基を有していても良い炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌは単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜４０のアリーレン基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜４０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ1は置換基を有していても良い炭素数６〜４０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ2は置換基を有していても良い炭素数６〜４０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜４０のヘテロアリール基である）
ＨＡｒは、【０１２４】
【化３８】
2008035517.tif 000040
【０１２５】
からなる群から選択され、Ｌが、【０１２６】
【化３９】
2008035517.tif 000041
【０１２７】
からなる群から選択され、Ａｒ2が、【０１２８】
【化４０】
2008035517.tif 000042
【０１２９】
からなる群から選択され、ＡＲ1が、下記一般式（２５）又は（２６）【０１３０】
【化４１】
2008035517.tif 000043
【０１３１】
(式中、Ｒ1〜Ｒ14は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜４０のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数６〜４０のアリール基又は炭素数３〜４０のヘテロアリール基であり、Ａｒ3は、置換基を有していてもよい炭素数６〜４０のアリール基又は炭素数３〜４０のヘテロアリール基である）からなる群から選択される。【０１３２】
この他、特開平９−３４４８記載の【０１３３】
【化４２】
2008035517.tif 000044
【０１３４】
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは未置換の脂肪族基、置換もしくは未置換の脂肪族環基、置換もしくは未置換の芳香族環基、置換もしくは未置換の複素環基を表し、Ｘ1、Ｘ2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子もしくはジシアノメチレン基を表す。）や、特開２０００−１７３７７４記載の【０１３５】
【化４３】
2008035517.tif 000045
【０１３６】
〔但し、前記一般式（１）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（２）で表わされるアリール基である。【０１３７】
【化４４】
2008035517.tif 000046
【０１３８】
（但し、前記一般式（２）において、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、或いはそれらの少なくとも１つが飽和または不飽和アルコキシル基、アルキル基、アミノ基又はアルキルアミノ基である。）〕
等で、前記素子構成条件を満たす有機化合物が挙げられる。
さらに、該含窒素複素環基もしくは含窒素複素環誘導体を含む高分子化合物であってもよい。【０１３９】
本発明の好ましい形態に、電子を輸送する領域または陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。【０１４０】
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、およびＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、ＲｂまたはＣｓであり、最も好ましのは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。【０１４１】
本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土塁金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土塁金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2ＳｅおよびＮａ2Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ2、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2およびＢｅＦ2といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。【０１４２】
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土塁金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土塁金属のハロゲン化物等が挙げられる。【０１４３】
（７）陰極
陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
（８）絶縁層
有機ＥＬは超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもよい。【０１４４】
（９）有機ＥＬ素子の作製例
以上例示した材料および方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、および必要に応じて電子注入層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機ＥＬ素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を記載する。【０１４５】
まず適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次にこの陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０-7〜１０-3ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。【０１４６】
次に正孔注入層上に設ける正孔輸送層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。【０１４７】
次に正孔輸送層上に設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔輸送層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
次にこの発光層上に電子輸送層を設ける。正孔輸送層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔輸送層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。【０１４８】
最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
これまで記載してきた有機ＥＬ素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。【０１４９】
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。【０１５０】
なお有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
以下、本発明を実施例をもとに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
【実施例】
【０１５１】
合成実施例１  化合物１の合成【０１５２】
【化４５】
2008035517.tif 000047
【０１５３】
（１−１）トリフェニルアミン‐４，４'‐ビスボロン酸の合成
アルゴン雰囲気下、４，４'‐ジブロモトリフェニルアミン２０．１ｇの乾燥エチルエーテル４００ｍＬ溶液を−７８℃に冷却し、１．６Ｍノルマルブチルリチウムのヘキサン溶液９４ｍＬを滴下した。反応溶液を１０℃まで加温しながら2時間攪拌した。反応溶液を再び−７８℃まで冷却し、ホウ酸トリイソプロピル５６．４ｇの乾燥エーテル５０ｍＬ溶液を滴下した。反応溶液を室温で５時間攪拌した。１Ｎ塩酸２００ｍＬを加え、１時間攪拌後、水層を除去した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた個体をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、トリフェニルアミン−４，４’−ビスボロン酸１０．２ｇを得た。【０１５４】
（１−２）２−アニリノ−６−ブロモナフタレンの合成
アルゴン雰囲気下、６−ブロモ−２−ナフトール２２．３ｇ、アニリン１３．９ｇ、ヨウ素０．５００ｇを２００℃で８時間加熱攪拌した。室温まで冷却後、反応物をジクロロメタンに溶解させた。この溶液を１０％水酸化ナトリウム水溶液２００ｍＬで洗浄し、ジクロロメタンを減圧留去した。得られた個体をメタノールで洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２−アニリノ−６−ブロモナフタレン１６．１ｇを得た。
（１−３）２−ブロモ−６−(Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ)ナフタレンの合成
２−アニリノ−６−ブロモナフタレン１４．９ｇ、ヨードベンゼン１２．２ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム７．２ｇ、ヨウ化銅０．９５２ｇ、キシレン１００ｍＬ溶液中にＮ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン０．８８１ｇを加え、アルゴン雰囲気下２４時間加熱還流した。室温に冷却後、濾過し、不溶物を取り除き、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２−ブロモ−６−(Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ)ナフタレン１５．０ｇを得た。【０１５５】
（１−４）化合物１の合成
アルゴン気流下、２−ブロモ−６−(Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ)ナフタレン８．２３ｇ、トリフェニルアミン−４，４’−ビスボロン酸３．３３ｇ、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）４６２ｍｇ、トルエン６０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液３０ｍＬを仕込み、8時間加熱還流した。反応終了後、トルエンで抽出し、水層を除去した。有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別した後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、５．２３ｇの淡緑白色固体が得られた。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量８３１．３６に対し、ｍ／ｅ＝８３１であった。
合成実施例２  化合物２の合成【０１５６】
【化４６】
2008035517.tif 000048
【０１５７】
化合物１の合成においてヨードベンゼンの代わりに４−ヨードビフェニルを用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量９８３．４２に対し、ｍ／ｅ＝９８３であった。
合成実施例３  化合物３の合成【０１５８】
【化４７】
2008035517.tif 000049
【０１５９】
（３−１）２−ブロモ−６−[４−(Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ)フェニル]ナフタレンの合成
アルゴン気流下、２,６−ジブロモナフタレン２８．４ｇ、トリフェニルアミン−４−ボロン酸２８．９ｇ、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）２．３１ｇ、トルエン３００ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１５０ｍＬを仕込み、８時間加熱還流した。反応終了後、トルエンで抽出し、水層を除去した。有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別した後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、１０．２ｇの淡緑白色固体が得られた。【０１６０】
（３−２）化合物３の合成
２−ブロモ−６−[４−(Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ)フェニル]ナフタレン４．４９ｇ、アニリン０．４６５ｇ、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0) １８３ｍｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１．３５ｇのトルエン５０ｍＬ溶液にトリｔ−ブチルホスフィンの０．６６ｗｔ％トルエン溶液１１３μＬを加えて、５時間加熱還流した。室温に冷却後、セライト濾過した。濾液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し２．２６ｇの淡緑白色固体が得られた。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量８３１．３６に対し、ｍ／ｅ＝８３１であった。
合成実施例４  化合物４の合成【０１６１】
【化４８】
2008035517.tif 000050
【０１６２】
（４−１）６−(Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ)ナフタレン−２−ボロン酸の合成
アルゴン雰囲気下、２−ブロモ−６−(Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ)ナフタレン３７．４ｇの乾燥エチルエーテル４００ｍＬ、乾燥トルエン１００ｍＬ溶液を−７８℃に冷却し、１．６Mノルマルブチルリチウムのヘキサン溶液６５ｍＬを滴下した。反応溶液を１０℃まで加温しながら2時間攪拌した。反応溶液を再び−７８℃まで冷却し、ホウ酸トリイソプロピル４７．０ｇの乾燥エーテル５０ｍＬ溶液を滴下した。反応溶液を室温で５時間攪拌した。１Ｎ塩酸２００ｍＬを加え、１時間攪拌後、水層を除去した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた個体をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、６−(Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ)ナフタレン−２−ボロン酸２５．２ｇを得た。【０１６３】
（４−２）化合物４の合成
アルゴン気流下、４，４’−ジブロモ−４’’−フェニルトリフェニルアミン４．７７ｇ、６−(Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ)ナフタレン−２−ボロン酸４．０７ｇ、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）２３１ｍｇ、トルエン４０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２０ｍＬを仕込み、８時間加熱還流した。反応終了後、トルエンで抽出し、水層を除去した。有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別した後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４．２３ｇの淡緑白色固体が得られた。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量９０７．３９に対し、ｍ／ｅ＝９０７であった。
合成実施例５  化合物５の合成【０１６４】
【化４９】
2008035517.tif 000051
【０１６５】
２−ブロモ−６−[４−(Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ)フェニル]ナフタレン８．２３ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン３．３６ｇ、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0) １８３ｍｇ、ｔ−ブトキシナトリウム２．６９ｇのトルエン５０ｍＬ溶液にトリｔ−ブチルホスフィンの０．６６ｗｔ％トルエン溶液１１３μＬを加えて、５時間加熱還流した。室温に冷却後、濾過した。不溶物をメタノール、水、メタノールで順次洗浄し、乾燥させた。得られた個体をトルエンで再結晶し、淡黄色結晶６．２３ｇを得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量９２２．４０に対し、ｍ／ｅ＝９２２であった。【０１６６】
実施例１
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に、前記透明電極を覆うようにして膜厚６０ｎｍの化合物１膜を抵抗加熱蒸着により成膜した。この化合物１膜は、正孔注入層として機能する。化合物１膜の成膜に続けてこの化合物１膜上に、膜厚２０ｎｍ下記構造のＨＴ−１を成膜した。このＨＴ−１膜上に膜厚４０ｎｍで９−（２−ナフチル）−１０−［４−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン（以下ＡＮ−１と略記する。）を成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ−１をＡＮ−１に対し重量比２：４０で蒸着した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。このＬｉＦ（膜厚１nｍ）を蒸着し、ＬｉＦ上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。【０１６７】
【化５０】
2008035517.tif 000052
【０１６８】
実施例２
実施例１における化合物１の代わりに化合物２を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
実施例３
実施例１における化合物１の代わりに化合物３を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
実施例４
実施例１における化合物１の代わりに化合物４を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
実施例５
実施例１における化合物１の代わりに化合物５を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
比較例１
実施例１における化合物１の代わりに化合物（Ａ）を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
比較例２
実施例１における化合物１の代わりに化合物（Ｂ）を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
比較例３
実施例１における化合物１の代わりに化合物（Ｃ）を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
比較例４
実施例１における化合物１の代わりに化合物（Ｄ）を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
比較例５
実施例１における化合物１の代わりに化合物（Ｅ）を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
比較例６
実施例１における化合物１の代わりに化合物（Ｆ）を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
比較例７
実施例１における化合物１の代わりに化合物（Ｇ）を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
比較例８
実施例１における化合物１の代わりに化合物（Ｈ）を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。
比較例９
実施例１における化合物１の代わりに化合物（Ｉ）を用いて、同様の有機ＥＬ素子を作製した。【０１６９】
【化５１】
2008035517.tif 000053
【０１７０】
実施例１〜５および、比較例１〜９の素子性能結果を下記表１に示す。【０１７１】
【表１】
2008035517.tif 000054
【０１７２】
実施例１〜４と比較例１〜３との比較により、本発明のフェニルナフチレンをリンカーに持つ化合物がビフェニレン、フェニレン、ナフチレンをリンカーに持つ化合物よりも低電圧で長寿命である。つまり、ジアミノナフタレン骨格のナフタレンとアミンの間にリンカーを挿入すると、特異的に低電圧化している。
また、実施例５と比較例４〜９とを比較すると、テトラアミン化合物においても、ナフチレンリンカーを持つ化合物が低電圧、長寿命である。特に化合物（Ｇ）と本発明の化合物では、中心骨格がフルオレンとビフェニルの違いであるが、本発明の化合物の方が劇的に長寿命化する。フルオレン化合物が蒸着時に分解するため短寿命化していると考えられるのに対し、本発明のテトラアミン化合物は、安定に蒸着することができるため、長寿命化すると考えられる。
さらに、リンカーが全てビフェニルの化合物（Ｅ）よりも本発明の化合物が低電圧である。化合物（Ｅ）の一部をナフチレンリンカーに変更することにより、平面性が向上し、陽極との密着性が向上するというナフチレンリンカーの特異的効果によって低電圧化していると考えられる。
以上のように、本発明の化合物を正孔注入材料に用いると、低電圧、高効率、かつ長寿命である。
【産業上の利用可能性】
【０１７３】
以上詳細に説明したように、本発明の芳香族アミン誘導体及び有機ＥＬ素子用材料を用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、長寿命な青色発光が得られ、実用性の高い有機ＥＬ素子として極めて有用である。このため、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として有用である。
【国際調査報告】
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