【手続補正書】
【提出日】平成15年10月14日(2003.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体ウエハの堆積および酸化の内の１つのためにリアクタ（１）を加熱するための加熱システム（５）であって、該複数のウエハは、該リアクタ（１）の長手軸に平行である反応体ガスフローの方向に垂直に保持されることにより、堆積処理または酸化処理を可能にし、該加熱システム（５）は、該堆積または酸化処理中に該リアクタ内部の温度を変化させるように適応され、
該加熱システム（５）は、複数の加熱エレメントを含み、該加熱エレメントの各々は、各リアクタ領域に対応し、該各々の領域の加熱エレメントは、温度プロファイル対時間に従う温度挙動を実行するように適応され、該リアクタ（１）に１つ以上の反応体ガスを供給するためのガス入口（２）に近い領域（７）に対応する加熱エレメントは、該処理中に上昇する温度プロファイルに従う温度挙動を実行するように適応され、そして該リアクタ（１）から該反応体ガスを排気するためのガス出口（３）に近い領域に対応する加熱エレメントは、該処理中に降下する温度プロファイルに従う温度挙動を実行するように適応されることを特徴とする、リアクタ（１）を加熱するための加熱システム（５）。
【請求項２】
前記ガス出口（３）に近い領域に対応する少なくとも２つの加熱エレメントは、各処理開始温度と各処理終了温度との間の差が、前記ガス入口に近い領域よりも該ガス出口に近い領域のほうが大きい各温度プロファイルに従う温度挙動を実行するように適応されることを特徴とする、請求項１に記載の加熱システム（５）。
【請求項３】
前記加熱エレメントは、隣接する領域の前記温度プロファイルが前記処理中に互いに交差しないような温度プロファイルに従う温度挙動を実行するように適応されることを特徴とする、請求項１または２に記載の加熱システム（５）。
【請求項４】
前記加熱エレメントは、前記処理（５）と同じ終了温度を提供するように適応されることを特徴とする、請求項３に記載の加熱システム（５）。
【請求項５】
前記加熱システムは、少なくとも４つの加熱エレメントを含み、該加熱エレメントの各々は、各リアクタ領域に対応し、第１の加熱エレメントは、該リアクタ（１）に１つ以上の反応体ガスを供給するために、ガス入口（２）の近くに配置され、第２の加熱エレメントは、該第１の加熱エレメントと、該リアクタ（１）から該反応体ガスを排気するためのガス出口（３）との間に配置され、第３の加熱エレメントは、該第１の加熱エレメントと該ガス出口（３）との間に配置され、第４の加熱エレメントは、該第３の加熱エレメントと該ガス出口（３）との間に配置され、該第１の加熱エレメントは、前記堆積または酸化処理中に上昇する温度プロファイルに従う温度挙動を実行し、該第２の加熱エレメントは、該堆積または酸化処理中に一定に維持される温度プロファイルに従う温度挙動を実行し、そして該第３および第４の加熱エレメントの各々は、該堆積または酸化処理中に下降する温度プロファイルに従う温度挙動を実行することを特徴とする、請求項２〜４のいずれかに記載の加熱システム（５）。
【請求項６】
複数の半導体ウエハの堆積および酸化の内の１つのためのリアクタ（１）を加熱するための方法であって、該複数のウエハは、該リアクタ（１）の長手軸に平行である反応体ガスフローの方向に垂直に保持されることにより、堆積処理または酸化処理を可能にし、該リアクタは、複数のリアクタ領域を含み、該リアクタ領域の各々は、該堆積または酸化処理中に異なる温度プロファイル対時間に従って加熱され、
該リアクタ（１）に１つ以上の反応体ガスを供給するためのガス入口（２）に最も近い前記領域（７）の温度は、該処理中に増加され、そして該リアクタ（１）から該反応体ガスを排気するための該ガス出口（３）に近い領域の温度は、該処理中に減少されることを特徴とする、リアクタ（１）を加熱するための方法。
【請求項７】
ガス出口（３）に近い少なくとも２つの領域の前記温度は、前記処理開始温度と前記処理終了温度との間の差が、前記ガス入口により近い領域よりも該ガス出口により近い領域のほうが大きいように低減されることを特徴とする、請求項６に記載のリアクタ（１）を加熱するための方法。
【請求項８】
前記温度プロファイルは、隣接する領域の該温度プロファイルが前記処理中に互いに交差しないように存在することを特徴とする、請求項６または７に記載のリアクタ（１）を加熱するための方法。
【請求項９】
前記温度プロファイルは、前記処理の該終了温度が各領域において同じであるように存在することを特徴とする、請求項８に記載のリアクタ（１）を加熱するための方法。
【請求項１０】
前記加熱システムは、少なくとも４つの加熱エレメントを含み、該加熱エレメントの各々は、各リアクタ領域に対応し、第１の加熱エレメントは、該リアクタ（１）に１つ以上の反応体ガスを供給するためのガス入口（２）の近く配置され、第２の加熱エレメントは、該第１の加熱エレメントと、該リアクタ（１）から該反応体ガスを排気するためのガス出口（３）との間に配置され、第３の加熱エレメントは、該第１の加熱エレメントと該ガス出口（３）との間に配置され、第４の加熱エレメントは、該第３の加熱エレメントと該ガス出口（３）との間に配置され、該第１の加熱エレメントは、前記堆積または酸化処理中に上昇する温度プロファイルに従う温度挙動を実行し、該第２の加熱エレメントは、該堆積または酸化処理中に一定に維持される温度プロファイルに従う温度挙動を実行し、そして該第３および第４の加熱エレメントの各々は、該堆積または酸化処理中に下降する温度プロファイルに従う温度挙動を実行することを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載のリアクタ（１）を加熱するための方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】堆積または酸化リアクタを加熱するための加熱システムおよび方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、堆積および酸化の内の１つのためのリアクタを加熱するための加熱システムおよび方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
米国特許ＵＡ−Ａ−５  ７７５  ８８９は、半導体ウエハの高温処理のためのリアクタを開示する。このウエハは、リアクタの長手軸に平行な反応体ガスフロー方向に対して垂直に保持される。この加熱システムは、スリップ（ｓｌｉｐ）と呼ばれる結晶欠陥を避けるためにウエハ処理中に上昇および降下する温度プロファイルを実行する。この反応管が約１，１００℃に達したとき、酸化ガスが反応管に供給される。
国際特許出願ＷＯ００／３９８４０は、半導体ウエハのホウ素ドーピングのための垂直オーブンシステムを開示する。このウエハは垂直に構成される。このオーブンは、独立して加熱され得るいくつかの温度領域を含む。
堆積および酸化の内の１つのためのリアクタを加熱するための加熱システムおよび方法を提供することによって、堆積または酸化された層の厚さの平面内均一性が改善される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によると、上記目的は、請求項１の特徴に従う加熱システムによって達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、上記目的は、請求項６の特徴に従うリアクタを加熱するための方法によって達成される。