Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の筐体と第２の筐体とを、これらの筐体内間を連通する開口部を備えたヒンジ部により回動自在に連結してなる折り畳み型電子機器において、
前記第１の筐体内に収容される第１の回路と前記第２の筐体内に収容される第２の回路との間を接続するフレキシブル基板と、
長手方向に沿ってスリットが形成されたチューブとを具備し、
前記フレキシブル基板は、第１および第２の帯状部とこれらの帯状部をクランク状に接続する中間部とを一体に形成してなり、
前記中間部を前記チューブの内部空間に収容するとともに、前記第１および第２の帯状部を前記スリットを通して前記チューブの外側へとそれぞれ引出し、前記第１および第２の帯状部の先端を前記開口部を通してそれぞれ第１および第２の筐体内に延在させて前記第１および第２の回路に接続したことを特徴とする折り畳み型電子機器。
【請求項２】
第１の筐体と第２の筐体とを、これらの筐体内間を連通する開口部を備えたヒンジ部により回動自在に連結してなる折り畳み型電子機器において、
前記第１の筐体内に収容される第１の回路と前記第２の筐体内に収容される第２の回路との間を接続するフレキシブル基板と、
長手方向に沿ってスリットが形成されたチューブとを具備し、
前記フレキシブル基板は、前記ヒンジ部に収容される中間部とこの中間部と接続し前記開口部を通る第１および第２の帯状部とを一体に形成してなり、
前記中間部を前記チューブの内部空間に収容するとともに、前記第１および第２の帯状部をそれぞれ第１および第２の筐体内に延在させて前記第１および第２の回路に接続したことを特徴とする折り畳み型電子機器。
【請求項３】
前記第１および第２の帯状部を前記チューブの外面に巻き付けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の折り畳み型電子機器。
【請求項４】
前記第１の帯状部および第２の帯状部の前記チューブへの巻き数を相互に異ならせたことを特徴とする請求項３に記載の折り畳み型電子機器。
【請求項５】
前記チューブにケーブルを挿通させたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の折り畳み型電子機器。
【請求項６】
前記ケーブルを前記チューブより径が小さい第２のチューブに収容させたことを特徴とする請求項５に記載の折り畳み型電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ロール状緩衝部の外径が大きくなると、ヒンジ部３０を大型化しなければならず、折り畳み型電子機器全体のサイズが増大してしまう。また、折り畳み動作に伴って、フレキシブル基板４０がケース内壁にこすれ易くなるため、フレキシブル基板４０が劣化し易くなってしまう恐れがあった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するために第１の本発明は、第１の筐体と第２の筐体とを、これらの筐体内間を連通する開口部を備えたヒンジ部により回動自在に連結してなる折り畳み型電子機器において、前記第１の筐体内に収容される第１の回路と前記第２の筐体内に収容される第２の回路との間を接続するフレキシブル基板と、長手方向に沿ってスリットが形成されたチューブとを具備し、前記フレキシブル基板は、第１および第２の帯状部とこれらの帯状部をクランク状に接続する中間部とを一体に形成してなり、前記中間部を前記チューブの内部空間に収容するとともに、前記第１および第２の帯状部を前記スリットを通して前記チューブの外側へとそれぞれ引出し、前記第１および第２の帯状部の先端を前記開口部を通してそれぞれ第１および第２の筐体内に延在させて前記第１および第２の回路に接続した。
また前記の目的を達成するために第２の本発明は、第１の筐体と第２の筐体とを、これらの筐体内間を連通する開口部を備えたヒンジ部により回動自在に連結してなる折り畳み型電子機器において、前記第１の筐体内に収容される第１の回路と前記第２の筐体内に収容される第２の回路との間を接続するフレキシブル基板と、長手方向に沿ってスリットが形成されたチューブとを具備し、前記フレキシブル基板は、前記ヒンジ部に収容される中間部とこの中間部と接続し前記開口部を通る第１および第２の帯状部とを一体に形成してなり、前記中間部を前記チューブの内部空間に収容するとともに、前記第１および第２の帯状部をそれぞれ第１および第２の筐体内に延在させて前記第１および第２の回路に接続した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
従ってこの発明によれば、フレキシブル基板は中間部を軸として巻き回された状態で使用されるが、中間部はチューブにより規制されて一定以上には拡がることが阻止される。このため、中間部によって帯状部の巻き径が押し拡げられることがなく、フレキシブル基板全体での外径が小さくされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、フレキシブル基板を、その中間部をチューブの内部空間に収容するとともに、前記第１および第２の帯状部を前記スリットを通して前記チューブの外側へとそれぞれ引出し、前記第１および第２の帯状部の先端を開口部を通してそれぞれ第１および第２の筐体内に延在させて前記第１および第２の回路に接続している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
従ってこの発明によれば、中間部がチューブにより規制されて一定以上には拡がることが阻止されるので、中間部によって帯状部の巻き径が押し拡げられることがなく、フレキシブル基板全体での外径が小さくされる。この結果、フレキシブル基板を巻き回してなるロール状緩衝部の外径を小さく抑え、これにより機器の小型化および機器の信頼性の向上を図った折り畳み型電子機器を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路上の入出力パッドと基板実装用の外部端子との間に電気抵抗体を設けた半導体装置。
【請求項２】
半導体集積回路上の入出力パッドと実装用の端子との間を所望の抵抗値を持つ金属からなるボンディングワイヤで配線した半導体装置。
【請求項３】
前記電気抵抗体は、半導体集積回路上の入出力パッドと基板実装用の外部端子を接続する複数本の金属線のうち、一部あるいは全ての金属線の線径を小さくし電気抵抗を大きくした請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ボンディングワイヤは螺旋状の形状である請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ボンディングワイヤは蛇行しており、前記入出力パッドと前記前記実装用の端子との間の距離の2倍以上の長さを有する請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ボンディングワイヤの材料は金である請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ボンディングワイヤは銀の芯材に金メッキを施したものである請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ボンディングワイヤは銀と白金の合金の芯材に金メッキを施したものである請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記電気抵抗体は、半導体集積回路上の入出力パッドと基板実装用の外部端子を接続する金属膜からなる配線である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記金属膜からなる配線の、一部あるいは全部の本数の配線幅を短くすることあるいは配線長を長くすることの一方あるいは両方により、電気抵抗を大きくした請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記金属膜からなる配線の、一部あるいは全部の電気配線の長さが、ボンディングパッドから外部端子までの長さの1.5倍以上である請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記基板実装用の外部端子は、ウェハレベルパッケージにおける外部接続端子である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記金属膜は純銅あるいは銅合金である請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記金属膜は純アルミニウムあるいはアルミニウム合金である請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記金属膜は導電性樹脂である請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記金属膜は金である請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記金属膜は無電解めっきにより生成されている請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記金属膜は電解めっきにより生成されている請求項９に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィンとフィンの間に基材を介在させ、拡散接合にて界面がなくなり、フィンと基台を一体接合してなることを特徴とするヒートシンク。
【請求項２】
フィンのフィン基台に切欠溝を設けると共に、フィン本体の下部に該切欠溝に係合する係合部を設け、フィン基台とフィン本体を一体的に設けてなることを特徴とする請求項１記載のヒートシンク。
【請求項３】
フィン及び基材の材質を銅とすることを特徴とする請求項１又は２記載のヒートシンク。
【請求項４】
フィン基台及び基材を銅とし、フィン本体をアルミニュームとすることを特徴とする請求項２記載のヒートシンク。
【請求項５】
フィンの上部に連動鉄部を設け、電磁石のＯＮ・ＯＦＦにより、各フィンを揺動させてなることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載のヒートシンク。
【請求項６】
基台に、複数の球体を拡散接合にて一体接合してなるフィンを突設したことを特徴とするヒートシンク。
【請求項７】
フィンを櫛状に形成してなることを特徴とする請求項１、２、３、４、５又は６記載のヒートシンク。
【請求項８】
フィンを棒状に形成してなることを特徴とする請求項１、２、３、４、５又は６記載のヒートシンク。
【請求項９】
フィンをＬ字形に形成してなり、平板状の基台に拡散接合にて一体接合してなることを特徴とするヒートシンク。
【請求項１０】
フィンをコの字形に形成してなり、平板状の基台に拡散接合にて一体接合してなることを特徴とするヒートシンク。
【請求項１１】
フィンの厚みを０．０１ｍｍから１ｍｍの範囲内とすることを特徴とする請求項７、８、９又は１０記載のヒートシンク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための手段として、フィンとフィンの間に基材を介在させ、拡散接合にて界面がなくなり、フィンと基台を一体接合してなること。フィンのフィン基台に切欠溝を設けると共に、フィン本体の下部に該切欠溝に係合する係合部を設け、フィン基台とフィン本体を一体的に設けてなること。フィン及び基材の材質を銅とすること。フィン基台及び基材を銅とし、フィン本体をアルミニュームとすること。フィンの上部に連動鉄部を設け、電磁石のＯＮ・ＯＦＦにより、各フィンを揺動させてなること。基台に、複数の球体を拡散接合にて一体接合してなるフィンを突設したこと。フィンを櫛状に形成してなること。フィンを棒状に形成してなること。フィンをＬ字形に形成してなり、平板状の基台に拡散接合にて一体接合してなること。フィンをコの字形に形成してなり、平板状の基台に拡散接合にて一体接合してなること。フィンの厚みを０．０１ｍｍから１ｍｍの範囲内とすることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第５実施例のヒートシンクを説明する。
ヒートシンク５１は、フィン５２−−−をＬ字形に形成してなり、平板状の基台５３Ａに拡散接合にて一体接合してなるものである。
第６実施例のヒートシンクを説明する。
ヒートシンク６１は、フィン６２−−−をコの字形に形成してなり、平板状の基台６３Ａに拡散接合にて一体接合してなるものである。
上記ヒートシンク５１及びヒートシンク６１の拡散接合方法は、基台５３Ａ（６３Ａ）を下方の黒鉛電極ＫＤ２（ＫＤ４）に載置した後、上方の黒鉛電極ＫＤ１（ＫＤ３）を下方に移動させ、フィン５２−−−（６２−−−）と基台５３Ａ（６３Ａ）を当接加圧して加工するものである。
前記実施例における各ヒートシンクの使用例としてはフィンの上面にファンを設置し、基台の下面にＣＰＵやペルチェ素子（ヒート面）を設置して使用する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の効果】
１）、フィンと基材の接合を拡散接合にて行うことにより接合面の界面がなくなり、同材  でも異材であっても確実に一体化して接合でき、熱伝導効率（放熱効率）のよいヒート  シンクを提供できる。
２）、フィンの厚みが０．０１ｍｍから１ｍｍの範囲内のもので接合して使用できるため  ヒートシンク全体の大きさも小型化できる。
３）、フィンを櫛状（板状）や棒状等、任意に設定できると共に、フィンの取付数も多く  でき、多目的に使用できる。
４）、密着度が高いため変形しにくい。
５）、必要に応じてフィンを扇形に折曲し、使用できる。
６）、カシメによる方法に比べ、安価にできる。
７）、材質として、銅やアルミニューム等、密着性を低下させず異材の組み合せも可能で  ある。
８）、フィン本体とフィン基台を異材にすることにより用途に合せた使用ができる。
９）、フィンの上部に連動鉄部を設けることにより電磁石のＯＮ・ＯＦＦにて、フィンを  揺動させることができ、フィン間の空気の流動を促進させ、放熱効果を上げることがで  きる。
１０）、複数の球体にてフィンを構成することにより表面積を確保でき、放熱性を高める  。
１１）、フィンをＬ字形（コの字形）に形成することにより、上下方向より各フィンを直  接拡散接合にて、より確実に加工できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施例を示すヒートシンクの正面図。
【図２】  本発明の第１実施例を示すヒートシンクの側面図。
【図３】  本発明の第１実施例を示すヒートシンクの加工状態図。
【図４】  本発明の第２実施例を示すヒートシンクの正面図。
【図５】  本発明の第２実施例を示すヒートシンクのフィンの側面図。
【図６】  本発明の第３実施例を示すヒートシンクの要部の正面図。
【図７】  本発明の第４実施例を示すヒートシンクの正面図。
【図８】  本発明の第５実施例を示すヒートシンクの正面図。
【図９】  本発明の第６実施例を示すヒートシンクの正面図。
【符号の説明】
１−−−ヒートシンク
２−−−フィン
３−−−基材
３Ａ−−基台
Ｔ−−−厚み
Ｋ−−−切り込み


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図８】
2003258170.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図９】
2003258170.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、光電変換装置及びカメラ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１の半導体領域及び該第１の半導体領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域を有する半導体素子と、
前記半導体素子と隣接する素子との間に配された素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜上の一部に配された配線層と、
前記素子分離絶縁膜の前記配線層とは反対側に配された、前記第１の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第３の半導体領域と、を有する半導体装置において、
前記第３の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第４の半導体領域を有し、
該第４の半導体領域は、少なくとも前記配線層とで前記素子分離絶縁膜を挟む位置に設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１導電型の第１の半導体領域及び該第１の半導体領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域を有する光電変換素子と、
前記光電変換素子と隣接する素子との間に配された素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜上の一部に配された配線層と、
前記素子分離絶縁膜の前記配線層とは反対側に配された、前記第１の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第３の半導体領域と、を有する光電変換装置において、
前記第３の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第４の半導体領域を有し、
該第４の半導体領域は、少なくとも前記配線層とで前記素子分離絶縁膜を挟む位置に設けたことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光電変換装置において、前記配線層の少なくとも一部が、前記光電変換素子が信号を蓄積している期間の少なくとも一部で前記第３の半導体領域中の少数キャリア濃度を高める電圧印加動作を行っている光電変換装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の光電変換装置において、前記素子分離絶縁膜により前記第２の半導体領域と分離された、第２導電型の第２の半導体領域の濃度より高濃度の第５の半導体領域を有し、前記第５の半導体領域と前記第４の半導体領域との間に前記第１の半導体領域及び／又は第３の半導体領域が存在する光電変換装置。
【請求項５】
請求項４に記載の光電変換装置において、前記第５の半導体領域が前記光電変換素子の電荷を保持する機能を有している光電変換装置。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記第４の半導体領域が、前記配線層が前記素子分離絶縁膜を挟んで対向する領域を内包する形状であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項２から６のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記第４の半導体領域の一部が前記第２の半導体領域に近接又は接して形成されている光電変換装置。
【請求項８】
請求項７に記載の光電変換装置において、前記第４の半導体領域のうち前記第２の半導体領域に近接又は接した部分の表面からの深さが、前記素子分離絶縁膜の下に位置する、前記第３の半導体層よりも深く、もしくは第４の半導体層の前記近接又は接した部分以外の領域よりも深く形成されている光電変換装置。
【請求項９】
請求項２から８のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記光電変換素子が、前記第２の半導体領域の表面に第１導電型の半導体領域を形成した埋め込み型フォトダイオードである光電変換装置。
【請求項１０】
請求項２から９のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記素子分離絶縁膜は選択酸化分離により形成されている光電変換装置。
【請求項１１】
請求項２から９のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記素子分離絶縁膜はメサ分離により形成されている光電変換装置。
【請求項１２】
請求項２から９のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記素子分離絶縁膜はトレンチ分離により形成されている光電変換装置。
【請求項１３】
請求項２から１２のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記光電変換素子からの信号を増幅する増幅用のトランジスタを有していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１４】
請求項２から１３のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記光電変換装置が１次元、あるいは２次元のマトリックス状に配置されている光電変換装置。
【請求項１５】
請求項２から１４のいずれか１項に記載の光電変換装置と、前記光電変換装置に画像を結像する光学系と、前記光電変換装置からの画像信号を記憶する手段とを有することを特徴とするカメラ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の半導体装置は、第１導電型の第１の半導体領域及び該第１の半導体領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域を有する半導体素子と、
前記半導体素子と隣接する素子との間に配された素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜上の一部に配された配線層と、
前記素子分離絶縁膜の前記配線層とは反対側に配された、前記第１の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第３の半導体領域と、を有する半導体装置において、
前記第３の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第４の半導体領域を有し、
該第４の半導体領域は、少なくとも前記配線層とで前記素子分離絶縁膜を挟む位置に設けたことを特徴とする半導体装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明の光電変換装置は、第１導電型の第１の半導体領域及び該第１の半導体領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域を有する光電変換素子と、
前記光電変換素子と隣接する素子との間に配された素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜上の一部に配された配線層と、
前記素子分離絶縁膜の前記配線層とは反対側に配された、前記第１の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第３の半導体領域と、を有する光電変換装置において、
前記第３の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第４の半導体領域を有し、
該第４の半導体領域は、少なくとも前記配線層とで前記素子分離絶縁膜を挟む位置に設けたことを特徴とする光電変換装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光素子、及び前記半導体光素子を冷却するための冷却素子を気密に収容する気密封止パッケージであって、
表面から突出するよう突出部が設けられ、当該突出部に前記冷却素子が熱的に接続されているベースと、
前記半導体光素子及び前記冷却素子を覆い、開口部が前記ベースに気密に取り付けられているカバーと、
を備えることを特徴とする気密封止パッケージ。
【請求項２】
前記ベースにはリードピンが気密に貫通しており、前記カバー内における前記リードピンの端部と前記半導体光素子の端子とがワイヤにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の気密封止パッケージ。
【請求項３】
前記半導体光素子は固体撮像素子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の気密封止パッケージ。
【請求項４】
前記突出部及び前記ベースは、銅又は銅を主成分とする合金により形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の気密封止パッケージ。
【請求項５】
前記カバーの開口部には第１のフランジが形成され、
前記ベースには、前記カバーの開口部内面に嵌合する嵌合部と、前記第１のフランジが当接する第２のフランジと、が形成されており、
前記第１のフランジと前記第２のフランジとが気密に接合されている、
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の気密封止パッケージ。
【請求項６】
前記第１のフランジと前記第２のフランジとはパルス駆動によるプラズマ溶接にて接合されていることを特徴とする請求項５に記載の気密封止パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基層上に設けられた半導体層と、金属電極とをコンタクトホールを介して接続する電極構造において、前記コンタクトホールの下方の前記絶縁基層上に設けられた電極抵抗低減用の金属層を具備してなることを特徴とする電極構造。
【請求項２】
前記金属層の厚さは、前記半導体層の厚さと同等以上であることを特徴とする請求項１記載の電極構造の製造方法。
【請求項３】
前記金属層は、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ、もしくはそれらの合金であることを特徴とする請求項２記載の電極構造の製造方法。
【請求項４】
絶縁基層上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記半導体層中に設けられたソース領域およびドレイン領域と、
前記ゲート電極、前記ソース領域および前記ドレイン領域上にわたって設けられた絶縁膜と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域上の前記絶縁膜を貫通して設けられたコンタクトホールと、
少なくとも前記コンタクトホール内に設けられ、前記ソース領域、前記ドレイン領域とそれぞれ接続するソース電極およびドレイン電極とを有する薄膜トランジスタであって、
前記ソース電極および前記ドレイン電極に対応して前記絶縁基層および前記ソース領域および前記ドレイン領域間にそれぞれ設けられた電極抵抗低減用の金属層を具備してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
絶縁基層上に設けられた半導体層と、金属電極とをコンタクトホールを介して接続する電極構造の製造方法において、
前記コンタクトホールの下方に位置する前記絶縁基層上に電極抵抗低減用の金属層を選択的に設ける工程と、
選択的に設けられた前記金属層および前記絶縁基層上に半導体層を設ける工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を設ける工程と、
前記絶縁膜に前記コンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内に、前記半導体層と接続される前記金属電極を設ける工程とを有することを特徴とする電極構造の製造方法。
【請求項６】
絶縁基層上の予め定められた位置に電極抵抗低減用の金属層を選択的に設ける工程と、
選択的に設けられた前記金属層および前記絶縁基層上に、半導体層を設ける工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を設ける工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を設ける工程と、
前記ゲート電極の両側の、少なくとも前記金属層上の前記半導体層中に不純物を導入し、ソース領域およびドレイン領域をそれぞれ形成する工程と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域上に絶縁膜を設ける工程と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域上の前記絶縁膜を貫通するコンタクトホールをそれぞれ設ける工程と、
前記コンタクトホール内に前記ソース領域および前記ドレイン領域とそれぞれ接続するソース電極およびドレイン電極を設ける工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記半導体層を設けた後、前記半導体層に、レーザビームもしくは電子ビームによりアニール処理を施すことを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記コンタクトホールを設けるのに、ドライエッチング法を用いることを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明においては特許請求の範囲に記載するような構成をとる。  
すなわち、請求項１記載の電極構造は、絶縁基層上に設けられた半導体層と、金属電極とをコンタクトホールを介して接続する電極構造において、前記コンタクトホールの下方の前記絶縁基層上に設けられた電極抵抗低減用の金属層を具備してなることを特徴とする。  
また、請求項２記載の電極構造の製造方法は、請求項１記載の電極構造の製造方法において、前記金属層の厚さは、前記半導体層の厚さと同等以上であることを特徴とする。  
また、請求項３記載の電極構造の製造方法は、請求項２記載の電極構造の製造方法において、前記金属層は、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ、もしくはそれらの合金であることを特徴とする。  
また、請求項４記載の薄膜トランジスタは、絶縁基層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体層中に設けられたソース領域およびドレイン領域と、前記ゲート電極、前記ソース領域および前記ドレイン領域上にわたって設けられた絶縁膜と、前記ソース領域および前記ドレイン領域上の前記絶縁膜を貫通して設けられたコンタクトホールと、少なくとも前記コンタクトホール内に設けられ、前記ソース領域、前記ドレイン領域とそれぞれ接続するソース電極およびドレイン電極とを有する薄膜トランジスタであって、前記ソース電極および前記ドレイン電極に対応して前記絶縁基層および前記ソース領域および前記ドレイン領域間にそれぞれ設けられた電極抵抗低減用の金属層を具備してなることを特徴とする。  
また、請求項５記載の電極構造の製造方法は、絶縁基層上に設けられた半導体層と、金属電極とをコンタクトホールを介して接続する電極構造の製造方法において、前記コンタクトホールの下方に位置する前記絶縁基層上に電極抵抗低減用の金属層を選択的に設ける工程と、選択的に設けられた前記金属層および前記絶縁基層上に前記半導体層を設ける工程と、前記半導体層上に絶縁膜を設ける工程と、前記絶縁膜に前記コンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内に、前記半導体層と接続される前記金属電極を設ける工程とを有することを特徴とする。  
また、請求項６記載の薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基層上の予め定められた位置に電極抵抗低減用の金属層を選択的に設ける工程と、選択的に設けられた前記金属層および前記絶縁基層上に、半導体層を設ける工程と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を設ける工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を設ける工程と、前記ゲート電極の両側の、少なくとも前記金属層上の前記半導体層中に不純物を導入し、ソース領域およびドレイン領域をそれぞれ形成する工程と、前記ソース領域および前記ドレイン領域上に絶縁膜を設ける工程と、前記ソース領域および前記ドレイン領域上の前記絶縁膜を貫通するコンタクトホールをそれぞれ設ける工程と、前記コンタクトホール内に前記ソース領域および前記ドレイン領域とそれぞれ接続するソース電極およびドレイン電極を設ける工程とを有することを特徴とする。  
また、請求項７記載の薄膜トランジスタの製造方法は、請求項６記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体層を設けた後、前記半導体層に、レーザビームもしくは電子ビームによりアニール処理を施すことを特徴とする。  
さらに、請求項８記載の薄膜トランジスタの製造方法は、請求項６記載の薄膜トランジスタの製造方法において、前記コンタクトホールを設けるのに、ドライエッチング法を用いることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図５は、水の導電率を一定にしたときの電流−電位特性を示すグラフであり、水に浸した２本の電極の電位差を変化させ電流値を測定した結果である。ここでの電極間の距離は３ｍｍであり、水の導電率は４５μＳ／ｃｍである。図示の通り、電位差の値が大きくなるほど電極間を流れる電流が有する電流値は大きくなる傾向がある。また、このグラフでは、導電率を一定にしているが、この導電率を上昇させると電極間を流れる電流が有する電流値は大きくなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003258366.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも、窒化物半導体に含まれるＩＩＩ族元素に対するＡｌの組成比ｘ（ｘ＞０）を有する窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、
前記Ａｌ組成比ｘの窒化物半導体層の表面から第１の深さを有する複数の凹部からなる複数の凹凸部を形成する工程と、
前記複数の凹凸部を被覆するようにＡｌ組成比ｙ（ｙ≧０）を有する窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、を含み、
前記第１の深さは前記Ａｌ組成比ｘの窒化物半導体層の膜厚と同じかそれよりも深く、かつ、前記凹凸部の頂部におけるＡｌ組成比ｘが前記Ａｌ組成比ｙより大きくかつ前記凹凸部の底部におけるＡｌ組成比ｚ（ｚ≧０）よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体層の形成方法。
【請求項２】
基板上に、窒化物半導体に含まれるＩＩＩ族元素に対するＡｌの組成比ｘ（ｘ＞０）が窒化物半導体の成長方向に沿って変化させられるたＡｌ組成比ｘ（ｘ＞０）を有する窒化物半導体層を形成する工程と、
前記Ａｌ組成比ｘの窒化物半導体層の表面から第１の深さを有する複数の凹部からなる複数の凹凸部を形成する工程と、
前記複数の凹凸部を被覆するようにＡｌ組成比ｙ（ｙ≧０）を有する窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、を含み、
前記第１の深さは前記Ａｌ組成比ｘの窒化物半導体層よりも浅く、
かつ、前記凹凸部の頂部におけるＡｌ組成比ｘ１（ｘ１＞０）が前記Ａｌ組成比ｙより大きくかつ前記凹凸部の底部におけるＡｌ組成比ｘ２（ｘ２≧０）よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体層の形成方法。
【請求項３】
前記Ａｌ組成比ｘ（ｘ＞０）の窒化物半導体層の成長方向に関してＡｌ組成比ｘが変化させられることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体層の形成方法。
【請求項４】
前記Ａｌ組成比ｘ（ｘ＞０）の窒化物半導体層はＡｌ組成比の異なる複数のサブ層からなることを特徴とする請求項２または３の項に記載の窒化物半導体層の形成方法。
【請求項５】
前記Ａｌ組成比ｘは０．０１以上０．５以下であり、前記Ａｌ組成比ｙは０以上０．３以下であり、そして前記Ａｌ組成比ｚまたはｘ２は０以上０．５未満であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかの項に記載の窒化物半導体層の形成方法。
【請求項６】
前記基板がＧａＮからなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかの項に記載の窒化物半導体層の形成方法。
【請求項７】
前記Ａｌ組成ｙ（ｙ≧０）の窒化物半導体層において前記凹部の上方領域に発生したクラックの密度は、前記凸部の上方領域に比べて小さいことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかの項に記載の窒化物半導体層の形成方法。
【請求項８】
基板上に、窒化物半導体に含まれるＩＩＩ族元素に対するＡｌの組成比ｘ（ｘ＞０）を有する窒化物半導体層と、
前記Ａｌ組成比ｘの窒化物半導体層の表面から第１の深さを有する複数の凹部からなる複数の凹凸部と、
前記複数の凹凸部を被覆するようにＡｌ組成比ｙ（ｙ≧０）を有する窒化物半導体層と、を含み、
前記第１の深さは前記Ａｌ組成比ｘの窒化物半導体層の膜厚と同じかそれよりも深く、
かつ、前記凹凸部の頂部におけるＡｌ組成比ｘが前記Ａｌ組成比ｙより大きくかつ前記凹凸部の底部におけるＡｌ組成比ｚ（ｚ≧０）よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体の構造。
【請求項９】
基板上に、窒化物半導体に含まれるＩＩＩ族元素に対するＡｌの組成比ｘ（ｘ＞０）が窒化物半導体の成長方向に沿って変化させられるたＡｌ組成比ｘ（ｘ＞０）を有する窒化物半導体層と、
前記Ａｌ組成比ｘの窒化物半導体層の表面から第１の深さを有する複数の凹部からなる複数の凹凸部と、
前記複数の凹凸部を被覆するＡｌ組成比ｙ（ｙ≧０）を有する窒化物半導体層と、を含み、
前記第１の深さは前記Ａｌ組成比ｘの窒化物半導体層よりも浅く、
かつ、前記凹凸部の頂部におけるＡｌ組成比ｘ１（ｘ１＞０）が前記Ａｌ組成比ｙより大きくかつ前記凹凸部の底部におけるＡｌ組成比ｘ２（ｘ２≧０）よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体の構造。
【請求項１０】
前記Ａｌ組成比ｘ（ｘ＞０）を有する窒化物半導体層のＡｌ組成比ｘは、成長方向に沿って変化していることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体の構造。
【請求項１１】
前記Ａｌ組成比Ｘ（Ｘ＞０）の窒化物半導体層はＡｌ組成比の異なる複数のサブ層からなることを特徴とする請求項９または１０の項に記載の窒化物半導体の構造。
【請求項１２】
前記Ａｌ組成比ｘは０．０１以上０．５以下であり、前記Ａｌ組成比ｙは０以上０．３以下であり、そして前記Ａｌ組成比ｚまたはｘ２は０以上０．５未満であることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかの項に記載の窒化物半導体の構造。
【請求項１３】
前記第１の深さは１μｍ以上かつ１０μｍ以下であることを特徴とする請求項８ないし１２のいずれかの項に記載の窒化物半導体の構造。
【請求項１４】
前記凹部の幅（ストライプ幅）は３μｍ以上１５μｍ以下で、前記凸部の幅（ストライプ幅）は５μｍ以上２５μｍ以下であることを特徴とする請求項８ないし１３のいずれかの項に記載の窒化物半導体の構造。
【請求項１５】
前記凸部の幅（ストライプ幅）が前記凹部の幅（ストライプ幅）よりも大きいことを特徴とする請求項８ないし１４のいずれかの項に記載の窒化物半導体の構造。
【請求項１６】
前記基板がＧａＮからなることを特徴とする請求項８ないし１５のいずれかの項に記載の窒化物半導体の構造。
【請求項１７】
前記Ａｌ組成ｙ（ｙ≧０）の窒化物半導体層において前記凹部の上方領域に発生したクラックの密度は、前記凹部の上方領域に比べて小さいことを特徴とする請求項８ないし１６のいずれかの項に記載の窒化物半導体の構造。
【請求項１８】
請求項８ないし１７のいずれかの項に記載された窒化物半導体の構造を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項１９】
前記窒化物半導体発光素子はレーザダイオードであり、その電流狭窄部分が前記凹部上方に対応する領域内に形成されていることを特徴とする請求項１８に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項２０】
前記窒化物半導体発光素子の電流狭窄部分またはリッジストライプ部は、前記凹部上方の中心部から少なくとも２μｍ以上離れた位置にあることを特徴とする請求項１９に記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード線の一方端に所定量の半田を結合させる半田結合工程と、
前記リード線の半田が結合された一方端を、少なくとも一対のＰ型熱電素子とＮ型熱電素子を電気的に直列に連結した熱電回路部の両端に設けられた端子部と接合するリード線接合工程が設けられていることを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記半田結合工程に、所定量の半田を加熱溶融する加熱溶融工程と、加熱された前記半田にリード線を挿入するリード線挿入工程と、前記半田が固化するまで冷却する冷却工程が設けられていることを特徴とする請求項１記載の熱電モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記半田結合工程が、前記リード線の一方端にシート状の半田を巻き付ける工程であることを特徴とする請求項１記載の熱電モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記半田結合工程において、前記リード線の一方端に結合させる半田量が０．１５〜０．４０ｍｍ３であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の熱電モジュールの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの方法でリード線を接合したことを特徴とする熱電モジュール。
【請求項６】
前記リード線を接合する際に用いる半田は、Ｓｎ／Ａｕ系半田、Ｓｎ／Ａｇ系半田、Ｓｎ／Ｓｂ系半田のいずれかであることを特徴とする請求項５に記載の熱電モジュール。
【請求項７】
前記リード線を接合する際に用いる半田材料の融点は、１８３〜２８０℃であることを特徴とする請求項５又は６に記載の熱電モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線基地局装置が担う無線ゾーン内の移動体通信端末と無線通信を行う無線基地局装置であって、
前記無線ゾーンを領域分割した複数のセクタ毎に設けられ、前記移動体通信端末と無線信号の送受信を行うアンテナ部と、
前記セクタ毎のアンテナ部には少なくとも１つは設けられ、前記アンテナ部が送信する前記無線信号に所定の処理を行う送信ユニットと、
前記アンテナ部毎に設けられ、前記アンテナ部が受信した前記無線信号に所定の処理を行う受信ユニットと、
２以上の前記送信ユニット及び受信ユニットを冷却する冷却部とを備えたことを特徴とする無線基地局装置。
【請求項２】
前記送信ユニットは、前記移動体通信端末に送信する無線信号をフィルタリングする送信フィルタを有し、 該送信フィルタの少なくとも一部は、超伝導素材で構成されることを特徴とする請求項１記載の無線基地局装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局部発振信号を発生する局部発振器と、前記局部発振信号の２分周信号を発生する第１分周器と、前記局部発振信号の４分周信号を発生する第２分周器とを有し、周波数混合によって２．４ＧＨｚ帯及び５ＧＨｚ帯の高周波信号とベースバンド信号との周波数変換を選択的に行う２周波数帯域共用コンバータユニットであって、前記２．４ＧＨｚ帯の高周波信号と前記ベースバンド信号との周波数変換は、前記局部発振信号の２分周信号を用いた周波数混合によって行い、前記５ＧＨｚ帯の高周波信号と前記ベースバンド信号との周波数変換は、それぞれ前記局部発振信号及び前記局部発振信号の４分周信号を用いた周波数混合によって行うことを特徴とする２周波数帯域共用コンバータユニット。
【請求項２】
前記２．４ＧＨｚ帯の高周波信号は、２．４１２乃至２．４７２ＧＨｚの周波数範囲の高周波信号であり、前記５ＧＨｚ帯の高周波信号は、５．１７乃至５．３２ＧＨｚの周波数範囲の高周波信号であることを特徴とする請求項１に記載の２周波数帯域共用コンバータユニット。
【請求項３】
前記局部発振信号は、４．１３６乃至４．９４４ＧＨｚの周波数範囲の信号であり、前記２分周信号は、２．０６８乃至２．４７２ＧＨｚの周波数範囲の信号であり、前記４分周信号は、１．０３４乃至１．２３６の周波数範囲の信号であることを特徴とする請求項１もしくは２に記載の２周波数帯域共用コンバータユニット。
【請求項４】
前記局部発振信号は、前記２．４ＧＨｚ帯の高周波信号の送受信時に４．８２４乃至４．９４４ＧＨｚの周波数範囲の信号を発生し、前記５ＧＨｚ帯の高周波信号の送受信時に４．１３６乃至４．２５６ＧＨｚの周波数範囲の信号を発生することを特徴とする請求項３に記載の２周波数帯域共用コンバータユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記手段における局部発振信号は、２．４ＧＨｚ帯の高周波信号の送受信時に４．８２４乃至４．９４４ＧＨｚの周波数範囲の信号であり、５ＧＨｚ帯の高周波信号の送受信時に４．１３６乃至４．２５６ＧＨｚの周波数範囲の信号であるように設定している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003258662.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体チップ領域の上方に第１金属膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１金属膜上に前記第１金属膜上のパッド部が開口した絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）超音波熱圧着法を用いて、前記パッド部上に第２金属よりなるボール部を接着する工程であって、
前記ボール部の一部が前記パッド部の底部まで達するように接着する工程と、
周波数が１１０ｋＨｚ以上の超音波を用いて接着する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ｃ）工程は、前記超音波を加えている期間に、前記パッド部にかかる加圧力を上昇させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体装置の製造方法は、前記（ｃ）工程の後、
（ｄ）前記ボール部を樹脂で覆うことにより封止する工程、
を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）半導体チップ領域の上方に第１金属膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１金属膜上に前記第１金属膜上のパッド部が開口した絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）超音波熱圧着法を用いて、前記パッド部上に第２金属よりなるボール部を接着する工程であって、
前記ボール部の一部が前記パッド部の底部まで達するように接着する工程と、
周波数が１１０ｋＨｚ以上の超音波を用いて接着する工程と、
（ｄ）前記ボール部を樹脂で覆うことにより封止する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、封止された半導体チップを複数準備し、前記複数の半導体チップの一部を高温下にさらし、その特性を検査する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）半導体チップ領域の上方に第１金属膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１金属膜上に前記第１金属膜上のパッド部が開口した絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１金属膜上に第２金属よりなるボール部を形成する工程であって、
前記ボール部の一部が前記第１金属膜の底部まで達するように接着する工程と、
前記第１金属膜と前記ボール部との接触領域の７０％以上の領域に前記第１金属膜と前記第２金属の合金層を形成することにより前記パッド部上に前記ボール部を接着する工程と、
（ｄ）前記ボール部を樹脂で覆うことにより封止する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、封止された半導体チップを複数準備し、前記複数の半導体チップの一部を高温下にさらし、その特性を検査する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）半導体チップ領域の上方に第１金属膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１金属膜上に前記第１金属膜上のパッド部が開口した絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１金属膜上に第２金属よりなるボール部を形成する工程であって、
前記ボール部の一部が前記第１金属膜の底部まで達するように接着する工程と、
前記第１金属膜と前記ボール部との接触領域の７０％以上の領域に前記第１金属膜と前記第２金属の合金層を形成することにより前記第１金属膜上にボール部を接着し、前記接触領域の径ｄとボール部の最大外周径Ｄがｄ≧０．８Ｄとなるよう成形する工程と、
（ｄ）前記ボール部を樹脂で覆うことにより封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
（ａ）半導体チップ領域の上方に第１金属膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１金属膜上に前記第１金属膜上のパッド部が開口した絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１金属膜上に第２金属よりなるボール部を形成する工程であって、
前記ボール部の一部が前記第１金属膜の底部まで達するように接着する工程と、
前記第１金属膜と前記ボール部との接触領域の７０％以上の領域に前記第１金属膜と前記第２金属の合金層を形成することにより前記第１金属膜上にボール部を接着し、前記接触領域の径ｄとボール部の最大外周径Ｄがｄ≧０．８Ｄとなるよう成形する工程と、
（ｄ）前記ボール部を樹脂で覆うことにより封止する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、封止された半導体チップを複数準備し、前記複数の半導体チップの一部を高温下にさらし、その特性を検査する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体からなる接地板と、前記接地板上に接地板と平行に所定の間隔を隔てて設けられた線状導体により構成される長辺部と短辺部からなる複数の格子（グリッド）と、前記線状導体に給電する給電手段とを具備し、前記格子を構成する短辺部の導体幅を長辺部より広く形成したことを特徴とするグリッドアレーアンテナ。
【請求項２】
導体からなる接地板と、前記接地板上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層上において線状導体により構成される長辺部と短辺部からなる複数の格子（グリッド）と、前記線状導体に給電する給電手段とを具備し、前記格子を構成する短辺部の導体幅を長辺部より広く形成したことを特徴とするグリッドアレーアンテナ。
【請求項３】
導体からなる接地板と、前記接地板上に接地板と平行に所定の間隔を隔てて設けられた線状導体により構成される長辺部と短辺部からなる複数の格子（グリッド）と、前記線状導体に給電する給電手段とを具備し、前記線状導体の短辺部は導体板あるいは導体網で形成され、前記長編部は導体棒あるいは導体線で形成されて前記短辺部に接続されていることを特徴とするグリッドアレーアンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
第１の発明に係るグリッドアレーアンテナは、導体からなる接地板と、前記接地板上に接地板と平行に所定の間隔を隔てて設けられた線状導体により構成される長辺部と短辺部からなる複数の格子（グリッド）と、前記線状導体に給電する給電手段とを具備し、前記格子を構成する短辺部の導体幅を長辺部より広く形成したことを特徴とする。
第２の発明に係るグリッドアレーアンテナは、導体からなる接地板と、前記接地板上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層上において線状導体により構成される長辺部と短辺部からなる複数の格子（グリッド）と、前記線状導体に給電する給電手段とを具備し、前記格子を構成する短辺部の導体幅を長辺部より広く形成したことを特徴とする。
第３の発明に係るグリッドアレーアンテナは、導体からなる接地板と、前記接地板上に接地板と平行に所定の間隔を隔てて設けられた線状導体により構成される長辺部と短辺部からなる複数の格子（グリッド）と、前記線状導体に給電する給電手段とを具備し、前記線状導体の短辺部は導体板あるいは導体網で形成され、前記長編部は導体棒あるいは導体線で形成されて前記短辺部に接続されていることを特徴とする。
上記の構成とすることにより、ＶＳＷＲが良好となる周波数帯域を広くすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
上記差分幅ΔＸを表す減少関数は、評価関数値ｆから計算される信号対干渉雑音電力比ＳＩＮＲに対して、次式で表され、
【数３】
2003258532.tif 000001
ここで、ΔＸ０は差分幅の初期値であり、γは所定の定数であることを特徴とする請求項１又は２記載のアレーアンテナの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記アレーアンテナの制御方法において、上記差分幅ΔＸを表す減少関数は、好ましくは、評価関数値ｆから計算される信号対干渉雑音電力比ＳＩＮＲに対して、次式で表され、
【数７】
ΔＸ＝ΔＸ０［１−｛ｌｏｇ１０（ＳＩＮＲ）｝／γ］
ここで、ΔＸ０は差分幅の初期値であり、γは所定の定数であることを特徴とする。さらに、とって代わって、上記アレーアンテナの制御方法において、上記差分幅ΔＸを表す減少関数は、好ましくは、評価関数値ｆから計算される信号対干渉雑音比ＳＩＮＲに対して、次式で表され、
【数８】
ΔＸ＝ΔＸ０（ＳＩＮＲ）−η
ここで、ΔＸ０は差分幅の初期値であり、ηは所定の定数であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月8日(2004.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
導体で空間を囲んだマイクロ波伝送路内に半導体素子を固定したマイクロ波回路の製造方法であって、
くり抜き孔および該くり抜き孔により２分割される部分をつなぐつなぎ部を持った誘電体基板又は金属板を作成する工程と、前記誘電体基板又は金属板に前記くり抜き孔にまたがるように前記半導体素子を半田付けする工程と、前記半導体素子が半田付けされた前記誘電体基板又は金属板を導体の筺体内に取り付ける工程と、該筺体内に取り付けられた前記誘電体基板又は金属板の前記つなぎ部を切除する工程と、を含むことを特徴とするマイクロ波回路の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項５にかかる発明は、導体で空間を囲んだマイクロ波伝送路内に半導体素子を固定したマイクロ波回路の製造方法であって、くり抜き孔および該くり抜き孔により２分割される部分をつなぐつなぎ部を持った誘電体基板又は金属板を作成する工程と、前記誘電体基板又は金属板に前記くり抜き孔にまたがるように前記半導体素子を半田付けする工程と、前記半導体素子が半田付けされた前記誘電体基板又は金属板を導体の筺体内に取り付ける工程と、該筺体内に取り付けられた前記誘電体基板又は金属板の前記つなぎ部を切除する工程と、を含むことを特徴とするマイクロ波回路の製造方法とした。