Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直列接続される磁気抵抗効果を利用する複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端に接続され、第１方向に延びるビット線と、前記ビット線に接続される読み出し回路とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項２】
前記複数のメモリセルの磁化状態が同じ場合であっても、前記複数のメモリセルの抵抗値は、互いに異なっていることを特徴とする請求項１に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項３】
前記複数のメモリセルは、半導体基板上に積み重ねられることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項４】
磁気抵抗効果を利用する複数のメモリセルを有し、かつ、前記複数のメモリセルの抵抗値が互いに異なる磁気ランダムアクセスメモリの読み出し方法において、前記複数のメモリセルが直列された状態で、前記複数のメモリセルに読み出し電流を流すステップと、前記読み出し電流又は前記読み出し電流から生成される読み出し電位をアナログ／デジタル変換するステップと、前記アナログ／デジタル変換により得られたデータに基づいて前記複数のメモリセルのデータ値を判断するステップとを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの読み出し方法。
【請求項５】
磁気抵抗効果を利用する複数のメモリセルを有し、かつ、前記複数のメモリセルの抵抗値が互いに異なる磁気ランダムアクセスメモリの読み出し方法において、前記複数のメモリセルが並列された状態で、前記複数のメモリセルに読み出し電流を流すステップと、前記読み出し電流又は前記読み出し電流から生成される読み出し電位をアナログ／デジタル変換するステップと、前記アナログ／デジタル変換により得られたデータに基づいて前記複数のメモリセルのデータ値を判断するステップとを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの読み出し方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗(Magneto Resistive)効果を利用する磁気ランダムアクセスメモリ(ＭＲＡＭ：Magnetic Random Access Memory)に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
近年、新たな原理によりデータを記憶するメモリが数多く提案されているが、そのうちの一つに、トンネル磁気抵抗（Tunneling Magneto Resistive: 以後、ＴＭＲと表記する。）効果を利用する磁気ランダムアクセスメモリがある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
(1)   磁気ランダムアクセスメモリ  
本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、互いに直列接続される磁気抵抗効果を利用する複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端に接続され、第１方向に延びるビット線と、前記ビット線に接続される読み出し回路とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、互いに並列接続される磁気抵抗効果を利用する複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端に接続され、第１方向に延びるビット線と、前記ビット線に接続される読み出し回路とを備え、前記複数のメモリセルの磁化状態が同じ場合であっても、前記複数のメモリセルの抵抗値は、互いに異なっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
(2)   読み出し方法  
本発明の磁気ランダムアクセスメモリの読み出し方法は、磁気抵抗効果を利用する複数のメモリセルを有し、かつ、前記複数のメモリセルの抵抗値が互いに異なる磁気ランダムアクセスメモリに適用される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
(3)   読み出し回路  
本発明の磁気ランダムアクセスメモリの読み出し回路は、磁気抵抗効果を利用する互いに直列又は並列接続された複数のメモリセルを有する磁気ランダムアクセスメモリに適用される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月5日(2005.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
磁化方向が固定された固着層と、スピン偏極した電子の注入によって磁化方向が変化する記録層と、前記固着層と前記記録層との間に配置されたトンネル絶縁層とを有するトンネル磁気抵抗効果素子の少なくとも２つが、差動検出可能なように積層されていることを特徴とする、磁気記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
文献８：R. Scheuerlein et al., "A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell", 2000 IEEE International Solid-State Circuits Conference
上記文献８で提案されたアーキテクチャは、図８に示す構成を有している。図８を参照して、２つの素子選択用トランジスタ２０６ａ、２０６ｂと２つの強磁性トンネル接合素子２０１ａ、２０１ｂとが１ビットとされ、常に２つの強磁性トンネル接合素子２０１ａ、２０１ｂの一方は平行に、他方は反平行になるように書込みが行なわれ、その記憶状態が差動検出法で読出される。つまり２つの強磁性トンネル接合素子２０１ａ、２０１ｂの一方の出力信号に対する他方の出力信号の差により記憶状態が判定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この方式では差動検出法でデータを読出しているため、ＴＭＲ効果に伴う抵抗変化｜Ｒａｐ−Ｒｐ｜の全体を用いて記憶状態の判定がなされていることになる。よって、出力信号の大きさを図７に示すアーキテクチャの場合の２倍以上と大きくでき、Ｓ／Ｎ比を改善することが可能となる。しかし、２素子で１ビットを構成するため、１ビット当りのセルサイズが大きくなり、大容量のＭＲＡＭを実現するにあたって問題となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気記憶装置は、磁化方向が固定された固着層と、スピン偏極した電子の注入によって磁化方向が変化する記録層と、固着層と記録層との間に配置されたトンネル絶縁層とを有するトンネル磁気抵抗効果素子の少なくとも２つが、差動検出可能なように積層されていることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の磁気記憶装置によれば、スピン偏極した電子の注入によって記録層の磁化方向を変化させることができるため、外部磁場により磁化方向を変化させる場合よりも反磁界が小さく、素子サイズが小さくなっても少ない消費電力で磁化方向を変化させることができる。また積層された２つのトンネル磁気抵抗効果素子だけで差動検出可能であるため、メモリセルにトランジスタは不要となり、微細なセル面積を実現することができる。また差動検出により記憶データを読出すことができるため、十分なＳ／Ｎ比を得ることができる。よって、十分なＳ／Ｎ比と微細なセル面積と低消費電力とを実現できる磁気記憶装置を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、本実施の形態の磁気記憶装置の読出し動作について説明する。
図１を参照して、読出し時には、所定のトランジスタ５がオンされて、そのオン状態のトランジスタ５に接続されたワード線３が選択される。これにより、選択されたワード線３に接続されたトンネル磁気抵抗効果素子１ａ、１ｂの各々にワード線３からトンネル電流が流される。その際の各トンネル電流あるいは各負荷電圧がビット線２ａ、２ｂとトランジスタ８ａ、８ｂとを経由してアンプ４に入力される。そして、２つのトンネル磁気抵抗効果素子１ａ、１ｂの一方のトンネル電流あるいは負荷電圧に対して他方のトンネル電流あるいは負荷電圧が高いか、低いかにより差動方式で記憶状態が判定される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本実施の形態では、差動方式で記憶状態を読出しているため、ＴＭＲ効果に伴う抵抗変化｜Ｒａｐ−Ｒｐ｜の全体を用いて記憶状態の判定がなされることになる。よって、図７に示すアーキテクチャの場合と比較して信号電圧は２倍以上大きくなる。さらに、メモリセルＭＣには素子選択用トランジスタは含まれていないため、そのトランジスタによるノイズの影響を受けない。このため、図７に示すアーキテクチャの場合と比較して、Ｓ／Ｎ比は１０倍以上大きくなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本実施の形態の読出し動作も実施の形態１と同様に行なわれる。まず、図６を参照して、読出し時には、所定のトランジスタ５がオンされて、そのオン状態のトランジスタ５に接続されたワード線３が選択される。これにより、選択されたワード線３に接続されたトンネル磁気抵抗効果素子１ａ、１ｂの各々にワード線３からトンネル電流が流される。その際の各トンネル電流あるいは各負荷電圧がビット線２ａ、２ｂとトランジスタ８ａ、８ｂとを経由してアンプ４に入力される。そして、２つのトンネル磁気抵抗効果素子１ａ、１ｂの一方のトンネル電流あるいは負荷電圧に対して他方のトンネル電流あるいは負荷電圧が高いか、低いかにより差動方式で記憶状態が判定される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
本実施の形態では、差動方式で記憶状態を読出しているため、実施の形態１と同様、ＴＭＲ効果に伴う抵抗変化の全体を用いて記憶状態の判定がなされることになる。よって、図７に示すアーキテクチャの場合と比較して信号電圧は２倍以上大きくなる。さらに、メモリセルＭＣには素子選択用トランジスタは含まれていないため、そのトランジスタによるノイズの影響を受けない。このため、図７に示すアーキテクチャの場合と比較して、Ｓ／Ｎ比は１０倍以上大きくなる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の磁気記憶装置によれば、スピン偏極した電子の注入によって記録層の磁化方向を変化させることができるため、外部磁場により磁化方向を変化させる場合よりも反磁界が小さく、素子サイズが小さくなっても少ない消費電力で磁化方向を変化させることができる。また積層された２つのトンネル磁気抵抗効果素子だけで差動検出可能であるため、メモリセルにトランジスタは不要となり、微細なセル面積を実現することができる。また差動検出により記憶データを読出すことができるため、十分なＳ／Ｎ比を得ることができる。よって、十分なＳ／Ｎ比と微細なセル面積との双方を満たす磁気記憶装置を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月2日(2005.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電素子のアレイを備える、曲線歪曲を補正するイメージセンサアレイであって、
前記光電素子は曲線歪曲を補償する不均一パターンに分布し、かつイメージセンサアレイの特定の領域によって画定されており、前記特定の領域の一部は非直角な角を持つ、イメージセンサアレイ。
【請求項２】
前記光電素子の前記定の領域の一部が前記曲線歪曲の曲率に相当する曲線セグメントによって画定されている、請求項１に記載のイメージセンサアレイ。
【請求項３】
前記光電素子の前記特定の領域の一部が多角形領域を形成する直線セグメントによって画定されている、請求項１に記載のイメージセンサアレイ。
【請求項４】
前記曲線歪曲の前記曲率に相当する縁を持つ細長構造をさらに含む、請求項１から３のいずれかに記載にイメージセンサアレイ。
【請求項５】
前記細長構造の縁が前記曲線歪曲の曲率を近似する複数の直線セグメントによって画定されている、請求項４に記載のイメージセンサアレイ。
【請求項６】
曲線歪曲を補正するために設計されたイメージセンサアレイの製造方法であって、
前記イメージセンサアレイの構造を画定する直線セグメントを含む前記イメージセンサアレイの原合成レイアウトを生成することと、
前記曲線歪曲の前記曲率に相当する曲線セグメントに前記直線セグメントを歪めることを含む、前記原合成レイアウトを変形された合成レイアウトに変換することと、
前記変形された合成レイアウトを使用して、前記イメージセンサアレイの構造を形成し、前記イメージセンサアレイを製造することを含む、
イメージセンサアレイの製造方法。
【請求項７】
前記原合成レイアウトを前記変形された合成レイアウトに変換することが、前記構造の前記曲線セグメントを、前記曲線セグメントの方向を近似する置換直線セグメントに変換することを含む、請求項６に記載のイメージセンサアレイの製造方法。
【請求項８】
前記構造の前記曲線セグメントを置換直線セグメントに変換することが、前記曲線セグメントのうちの一部を、前記変換された曲線セグメントに沿う方向の単一の直線のセグメントに変換することを含む、請求項７に記載のイメージセンサアレイの製造方法。
【請求項９】
前記曲線セグメントのうちの一部を単一の直線セグメントに変換することが、前記イメージセンサアレイの光電素子を画定する前記曲線セグメントを、多角形領域を形成する直線セグメントのセットに変換することを含み、前記多角形領域の一部は非直角な角を持つ、請求項８に記載のイメージセンサアレイの製造方法。
【請求項１０】
前記構造の前記曲線セグメントを置換直線セグメントに変換することが、前記曲線セグメントのうちの一部を、前記変換された曲線セグメントに略追従する複数の直線セグメントに変換することを含む、請求項７から９のいずれかに記載のイメージセンサアレイの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の半導体層を縞状のパターンに加工し、周期を持った縦型の薄膜を形成する工程、上記縞状のパターンと交差する方向に少なくとも一辺を持つパターンにより、上記縦型の薄膜の一部分を除去する工程及び残された上記縦型の薄膜の所望の部分の両側にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする集積半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記集積半導体装置は、少なくとも２個のトランジスタを有し、該２個のトランジスタは、不活性領域を介して上記縦型の薄膜の長手方向に隣接し、上記複数の縦型の薄膜の内の所望の一つの薄膜が上記除去によって残された部分は、少なくとも上記隣接する２個のトランジスタがそれぞれ配置される領域に位置することを特徴とする請求項１記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記所望の一つの薄膜は、少なくとも上記２個のトランジスタがそれぞれ配置される領域の間で上記除去により除去されていることを特徴とする請求項２記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記所望の一つの薄膜は、上記２個のトランジスタがそれぞれ配置される領域の間も連続して存在していることを特徴とする請求項２記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記縞状のパターンは、光の干渉を利用して形成されたことを特徴とする請求項１から４のいずれか一に記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項６】
上記半導体層は、絶縁膜上に配置されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一に記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板上の半導体層を、周期を持った複数の縦型の薄膜に加工する工程、該複数の縦型の薄膜の長手方向の所望の部分を除去する工程及び残された上記縦型の薄膜の所望の部分の両側面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする集積半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記集積半導体装置は、少なくとも２個のトランジスタを有し、該２個のトランジスタは、不活性領域を介して上記縦型の薄膜の長手方向に隣接し、上記複数の縦型の薄膜の内の所望の一つの薄膜が上記除去によって残された部分は、少なくとも上記隣接する２個のトランジスタがそれぞれ配置される領域に位置することを特徴とする請求項７記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記所望の一つの薄膜は、少なくとも上記２個のトランジスタがそれぞれ配置される領域の間で上記除去により除去されていることを特徴とする請求項８記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記所望の一つの薄膜は、上記２個のトランジスタがそれぞれ配置される領域の間で連続していることを特徴とする請求項８記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
上記複数の縦型の薄膜は、光の干渉を利用して形成されたパターンを用いて形成されたことを特徴とする請求項７から１０のいずれか一に記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
上記半導体層は、絶縁膜上に配置されていることを特徴とする請求項７から１１のいずれか一に記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
チャネルを構成する縦型の薄膜を備えたトランジスタの少なくとも２個が、該縦型の薄膜の長手方向に、素子分離領域を介して隣接する構造を有する集積半導体装置の製造方法であって、基板上の半導体層を加工し、上記縦型の薄膜がその長手方向に連続した構造を形成する第１の工程、上記縦型の薄膜がその長手方向に連続した構造の少なくとも両端部の所望の範囲を除去する第２の工程及び上記縦型の薄膜の所望の２箇所の部分の両側に、それぞれゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第３の工程を有し、上記ゲート電極はそれぞれ異なる上記トランジスタに配置されていることを特徴とする集積半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
上記縦型の薄膜は、少なくとも上記２個のトランジスタがそれぞれ配置される領域の間で上記第２の工程の除去のときに除去されることを特徴とする請求項１３記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
上記縦型の薄膜は、上記２個のトランジスタの間が連続した構造であることを特徴とする請求項１３記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
基板上の絶縁膜上に配置された縦型の薄膜を有するトランジスタを少なくとも２個具備し、該２個のトランジスタは、不活性領域を介して上記縦型の薄膜の長手方向に隣接し、上記縦型の薄膜は、それぞれの所望の部分の両側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されて上記トランジスタのチャネルを構成し、上記２個のトランジスタの一方のチャネルを構成する縦型の薄膜の長手方向の延長上に、上記トランジスタの他方のチャネルを構成する縦型の薄膜が配置されていることを特徴とする集積半導体装置。
【請求項１７】
上記縦型の薄膜は、上記２個のトランジスタの間が連続した構造であることを特徴とする請求項１６記載の集積半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
周期を持って配置された縦型の薄膜が基板上の絶縁膜上に配置され、少なくとも２個のトランジスタが、不活性領域を介して上記縦型の薄膜の長手方向に隣接した構造を具備し、上記縦型の薄膜の内の所望の一つは、上記２個のトランジスタの一方の領域にあり、該所望の一つの縦型の薄膜の長手方向の延長上で、かつ、上記トランジスタの他方の領域の上に、さらに上記縦型の薄膜が配置されていることを特徴とする集積半導体装置。
【請求項１９】
上記所望の一つの縦型の薄膜と、上記他方のトランジスタの領域の上の縦型の薄膜は、その間が連続した縦型の薄膜であることを特徴とする請求項１８記載の集積半導体装置。
【請求項２０】
上記所望の一つの縦型の薄膜と、上記他方のトランジスタの領域の上の縦型の薄膜は、それぞれの所望の部分の両側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されて上記一方及び他方のトランジスタのチャネルをそれぞれ構成することを特徴とする請求項１８又は１９記載の集積半導体装置。
【請求項２１】
半導体基板上に絶縁膜を介して形成された半導体層を第１方向に延在する縞状のパターンに加工し、前記第１方向と交わる第２方向に一定の周期を持った縦型の薄膜を形成する工程と、半導体層の一部を除去して第１活性領域と第２活性領域とを形成する工程と、前記第１活性領域の前記半導体層と前記第２活性領域の前記半導体層の前記第２方向と交わるそれぞれの両側面にゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする集積半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の集積半導体装置の製造方法において、前記縦型の薄膜を形成する工程は、露光波長よりも狭いピッチで縞状に加工されたレジストをマスクに加工する工程であることを特徴とする集積半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２１記載の集積半導体装置の製造方法において、前記半導体層の一部を除去することによって素子分離領域を形成することを特徴とする集積半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された素子形成領域と、この素子形成領域の側面に形成されたトレンチ側壁酸化膜と、このトレンチ側壁酸化膜と接するように形成された素子分離領域とを有する半導体装置において、
前記素子形成領域のトレンチ側壁酸化膜と接する縁部に不純物が高濃度に導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
（イ）半導体基板表面に熱酸化膜および窒化膜を順に堆積する工程と、
（口）素子分離領域を開口したバターンでエッチングを行い、半導体基板に所望の深さのトレンチを形成する工程と、
（ハ）前記エッチングにより露出した半導体基板表面に熱酸化膜を形成する工程と、
（二）素子作製領域縁部の前記窒化膜をエッチングにより除去する工程と、
（ホ）前記素子作製領域縁部に不純物を導入する工程と、
（へ）前記トレンチに酸化膜を充填し、素子作製領域のこれを研磨により除去してから、同領域の窒化膜をエッチングする工程と
を具備し、前記素子作製領域の縁部にのみ、前記工程（ホ）において導入した不純物を存在させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記工程（ホ）は、前記工程（ハ）より後に行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２において、前記工程（ホ）で導入される不純物は、第３族原子あるいは第５族原子であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２において、前記工程（ホ）の不純物導入は、イオン注入法で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、素子作成領域縁部で電界集中が起きても寄生トランジスタの抑制可能なトレンチ素子分離構造を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決すべくなされたもので、素子形成領域のトレンチ側壁酸化膜と接する縁部に不純物が導入されている半導体装置およびその製造方法を提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体基板に形成された素子形成領域と、この素子形成領域の側面に形成されたトレンチ側壁酸化膜と、このトレンチ側壁酸化膜と接するように形成された素子分離領域とを有する半導体装置において、前記素子形成領域のトレンチ側壁酸化膜と接する周囲部分に不純物が導入されていることを特徴とする。  
また、本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ素子分離構造を有する半導体装置の製造方法において、（イ）半導体基板表面に熱酸化膜および窒化膜を順に堆積する工程と、（口）素子分離領域を開口したバターンでエッチングを行い、半導体基板に所望の深さのトレンチを形成する工程と、（ハ）前記エッチングにより露出した半導体基板表面に熱酸化膜を形成する工程と、（二）素子作製領域縁部の前記窒化膜をエッチングにより除去する工程と、（ホ）前記素子作製領域縁部に不純物を導入する工程と、（へ）前記トレンチに酸化膜を充填し、素子作製領域のこれを研磨により除去してから、同領域の窒化膜をエッチングする工程とを具備し、前記素子作製領域の縁部にのみ、前記工程（ホ）において導入した不純物を存在させることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
本発明の半導体装置は、素子形成領域のトレンチ側壁酸化膜と接する周囲部分に不純物が導入されているので、素子作製領域縁部で電界集中が起きても寄生トランジスタを抑制可能である。  
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、トレンチ側壁に熱酸化膜を形成した後に補償不純物導入を行なっているので、素子作製領域の縁部にのみに不純物濃度の高いトレンチ素子分離構造が得られ、素子作製領域縁部の不純物濃度を高くできるので、不純物が外方拡散しても、また、素子分離領域の素子作製領域との境界部分の窪みにより、素子作製領域縁部で電界集中が起きても寄生トランジスタを抑制可能である。それ故、リーク電流の少ない半導体装置を製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを含むＴＦＴを備え、
前記半導体層は、前記絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる複数のチャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記複数のゲート電極のうち、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔は、前記低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを含むＴＦＴを備え、
前記半導体層は、前記絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる複数のチャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域と、前記複数のチャネル形成領域と隣接する高濃度不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記複数のゲート電極のうち、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔は、前記半導体層の低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記高濃度不純物領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域と同じ不純物濃度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、前記高濃度不純物領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも不純物濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２において、前記高濃度不純物領域は、前記低濃度不純物領域より不純物濃度が高く、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも不純物濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一において、前記高濃度不純物領域の幅は、互いに隣り合うゲート電極との間隔と等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、複数のチャネル形成領域のうち、前記互いに隣り合う二つのチャネル形成領域の間隔は、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔と等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された第１のゲート電極及び第２のゲート電極とを含むＴＦＴを備え、
前記半導体層は、前記絶縁膜を間に挟んで第１のゲート電極と重なる第１のチャネル形成領域と、
前記絶縁膜を間に挟んで第２のゲート電極と重なる第２のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域と前記第２のチャネル形成領域との両方に隣接する高濃度不純物領域と、
前記第１のチャネル形成領域に接する第１の低濃度不純物領域と、該第１の低濃度不純物領域に接するドレイン領域と、
前記第２チャネル形成領域に接する第２の低濃度不純物領域と、該第２の低濃度不純物領域に接するソース領域とを有し、
第１ゲート電極と第２ゲート電極の間隔は、前記第１の低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、前記高濃度不純物領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域と同じ不純物濃度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８において、前記高濃度不純物領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも不純物濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８において、前記高濃度不純物領域は、前記低濃度不純物領域より不純物濃度が高く、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも不純物濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一において、前記高濃度不純物領域の幅は、前記第１の低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれか一において、前記高濃度不純物領域の幅は、前記第２の低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれか一において、前記第１の低濃度不純物領域の幅と前記第２の低濃度不純物領域の幅は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを含むＴＦＴを備え、
前記半導体層は、前記絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる複数のチャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域と、前記複数のチャネル形成領域と隣接する高濃度不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記複数のゲート電極のうち、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔は、前記低濃度不純物領域の幅と同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５において、前記高濃度不純物領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域と同じ不純物濃度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５において、前記高濃度不純物領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも不純物濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１５において、前記高濃度不純物領域は、前記低濃度不純物領域より不純物濃度が高く、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも不純物濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか一において、前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続する画素電極を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１８のいずれか一において、前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続する画素電極を備え、
前記絶縁表面と前記半導体層との間に形成された第１遮光層と、少なくとも一つの前記ゲート電極層上に延在する第２遮光層と、前記ゲート電極層と前記画素電極との間に形成された第３遮光層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項２０において、前記ゲート電極と前記第１乃至第３遮光層とが重畳していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項２１において、前記第２遮光層の厚さが１００〜１５０nmであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に上部電極と下部電極を上下に対向して配置するとともに，前記処理室内の磁場を調整する複数の磁石を配置し，少なくとも前記上部電極に高周波電力を供給して前記処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し，前記下部電極上に載置された前記被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において：
前記上部電極は，略環状の複数の電極を略水平方向に所定間隔を開けて多重に配置することにより構成され；
前記複数の磁石は，前記処理室内において，前記各環状電極に対しそれぞれ略水平方向にわたる磁場を形成するように配置されていることを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記複数の磁石は，前記処理室内において，前記環状電極に対しそれぞれ略水平方向にわたり前記処理室の中心に向かう磁場を形成するように配置されていることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記複数の磁石は，前記処理室内において，前記環状電極に対しそれぞれ略水平方向にわたり前記処理室の外方に向かう磁場を形成するように配置されていることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記複数の磁石は，前記処理室外において，最内側の前記環状電極の環状部上方，隣接する前記環状電極間の間隙部上方，最外側の前記環状電極の外周部上方に，磁極方向が前記処理室内を向くように配置され，かつ相隣接する前記磁石の磁極方向が交互に反対となるように配置されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記複数の磁石は，前記処理室内において，最内側の前記環状電極の環状部，隣接する前記環状電極間の間隙部，最外側の前記環状電極の外周部に，磁極方向が略水平方向を向くように配置され，かつ相隣接する前記磁石の磁極方向が略同一方向になるように配置されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記上部電極の前記処理室側の形状は，前記複数の磁石により前記処理室内に形成される磁力線に沿った形状を有することを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
処理室内に上部電極と下部電極を上下に対向して配置するとともに，少なくとも前記上部電極に高周波電力を供給して前記処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し，前記下部電極上に載置された前記被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において：
前記上部電極は，内側電極と外側電極とに分割されており，
前記内側電極および前記外側電極に印加される高周波電力を制御可能な制御器を有し，
前記制御器は，前記内側電極に印加する高周波電極に対して，前記外側電極に印加する高周波電力が大きくなるよう制御することを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項８】
前記制御器は，プラズマ処理中に，前記内側電極および前記外側電極に印加される高周波電力を制御することを特徴とする，請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記内側電極に印加する高周波電極に対して，前記外側電極に印加する高周波電力が約２倍となるよう制御することを特徴とする，請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また，上記プラズマ処理装置は，請求項６に記載のように，上部電極の処理室側の形状を，複数の磁石により処理室内に形成される磁力線に沿った形状を有するように構成することができる。
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理室内に上部電極と下部電極を上下に対向して配置するとともに，少なくとも上部電極に高周波電力を供給して処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し，下部電極上に載置された被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置が提供される。そして，このプラズマ処理装置は，請求項７に記載のように，上部電極は，内側電極と外側電極とに分割されており，内側電極および外側電極に印加される高周波電力を制御可能な制御器を有し，制御器は，内側電極に印加する高周波電極に対して，外側電極に印加する高周波電力が大きくなるよう制御することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）全体のアーム絶対重量平均分子量が33,000〜100,000 の範囲である少なくとも２個のスチレン−イソプレンアームを含み、ポリスチレン含量が18〜30重量％の範囲であり、ポリスチレンブロックの重量平均分子量が11,000〜20,000の範囲である、直鎖または多アームスチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー；
（ｂ）重量平均分子量が33,000〜100,000の範囲であり、ポリスチレン含量が18〜30重量％の範囲であり、ポリスチレンブロックの重量平均分子量が11,000〜20,000の範囲である、スチレン−イソプレンジブロックコポリマー；および
（ｃ）重量平均分子量が20,000〜40,000の範囲であり、ポリスチレン含量が10〜25重量％の範囲であり、ポリスチレンブロックの重量平均分子量が4,000〜7,000の範囲であるスチレン−イソプレンジブロックコポリマー
を含み、（ａ）：（ｂ）の重量比が１：４〜１：１の範囲であり、（ａ＋ｂ）：（ｃ）の重量比が１：１〜１：４の範囲である、感圧性接着剤組成物。
【請求項２】
成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を、130〜200℃の範囲の温度で、均一な混合物が得られるまで混合することを含む、請求項１に記載の接着剤組成物の製造法。
【請求項３】
積層基板の少なくとも一つの表面の少なくとも一部を請求項１に記載の感圧性接着剤組成物で被覆した積層基板を含む、感圧性接着剤積層物。
【請求項４】
テープ、パッチまたは包帯の形状である、請求項３に記載の積層物。
【請求項５】
積層基板の少なくとも一つの表面の少なくとも一部を請求項１に記載の感圧性接着剤組成物で被覆することを含む、請求項３または４に記載の感圧性接着剤積層物の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
使用する漂白活性化剤が、N-アシル化アミン類、アミド類、ラクタム類、アシルオキシベンゼンスルホネート類、アシル化糖類、活性化カルボン酸エステル類、カルボン酸無水物類、ラクトン類、アシラール類、オキサミド類及び/ または第四級アンモニウム基を有していてもよいニトリル類である請求項１〜４のいずれか一つの方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
使用する被覆用物質が、脂肪酸類、脂肪アルコール類、ポリアルキレングリコール類、非イオン性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤、ポリマー類、ワックス類及び/ またはシリコン類である請求項１〜５のいずれか一つの方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記漂白活性化剤及び粒状化助剤の他に、この粒状漂白活性化剤基材は、例えば保存期間及び漂白活性化性等の特性を強化する更に別の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤には、無機酸、有機酸、例えばモノ- またはポリ塩基性カルボン酸類、ヒドロキシカルボン酸類及び/ またはエーテルカルボン酸類、並びにこれらの塩、錯化剤、金属錯体及びケトン類が包含される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５乃至５０００ｍPas の粘度を有する溶液であって、下記成分を含有している蛍光増白剤液体調合物
（ａ）調合物の全量を基準にして、陰イオン蛍光増白剤を１０乃至２５重量％；
（ｂ）調合物の全量を基準にして、極性溶剤を１５乃至３５重量％；および
（ｃ）調合物の全量を基準にして、下記式の非イオン界面活性剤を４５乃至７５重量％
【化１】
1998152695.tif 000001
（式中、ｍは１、２、３または４であり、ｍが１の場合には、ＲはＣ8-Ｃ18アルキル残基またはＣ8-Ｃ18アルキルカルボキシ残基であり；ｍが２の場合には、Ｒは２個のヒドロキシ基が除去されたＣ2-Ｃ4 アルキレングリコール残基であり；ｍが３の場合には、Ｒは３個のヒドロキシ基が除去されたトリメチロールプロパンの残基であり；ｍが４の場合には、Ｒは４個のヒドロキシ基が除去されたペンタエリトリトール基の残基であり、R1は水素、メチルまたはエチルであり、そしてｎは１乃至４０の数である）。
【請求項２】
陰イオン蛍光増白剤が下記式のいずれかを有するものである請求項１に記載の調合物
【化２】
1998152695.tif 000002
（式中、R2とR3とは互いに独立的にＯＨ、ＮＨ2 、Ｏ−Ｃ1-Ｃ4 アルキル、Ｏ−アリール、ＮＨ−Ｃ1-Ｃ4 アルキル、Ｎ（Ｃ1-Ｃ4 アルキル）2 、Ｎ（Ｃ1-Ｃ4 アルキル）（Ｃ1-Ｃ4 ヒドロキシアルキル）、Ｎ（Ｃ1-Ｃ4 ヒドロキシアルキル）2、ＮＨ−アリール、モルホリノ、Ｓ−Ｃ1-Ｃ4 アルキル（アリール）、Ｃl またはＯＨであり；R4はＨ、ＳＯ3 Ｍ、Ｏ−Ｃ1-Ｃ4 アルキル、ＣＮ、Ｃl ，ＣＯＯ−Ｃ1-Ｃ4 アルキルまたはＣＯＮ（Ｃ1-Ｃ4 アルキル）2であり；ＭはＨ、Ｌi 、Ｎa 、Ｋ、Ｃa 、Ｍg 、アンモニウム、モノ−、ジ−、トリ−またはテトラ−Ｃ1-Ｃ4 アルキルアンモニム、モノ−、ジ−またはトリ−Ｃ1-Ｃ4ヒドロキシアルキルアンモニウム、またはＣ1-Ｃ4 アルキル基とＣ1-Ｃ4 ヒドロキシアルキル基との混合物によってジ−置換またはトリ−置換されたアンモニウムであり；そしてｐは０または１である）。
【請求項３】
調合物の成分（ａ）として、２種またはそれ以上の陰イオン蛍光増白剤の混合物を使用する請求項１または２に記載の合物。
【請求項４】
成分（ｂ）が水である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の調合物。
【請求項５】
水が、１種またはそれ以上の極性共溶剤と一緒に使用されている請求項４に記載の調合物。
【請求項６】
共溶剤の量が、調合物の全重量を基準にして、０乃至１５重量％である請求項５に記載の調合物。
【請求項７】
式（１）中のｍが１であり、そして式（１）の化合物がＣ8-Ｃ18アルキルモノアルコールの１モルにエチレンオキシドの３乃至２０モルを付加した重付加物である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の調合物。
【請求項８】
式（１）の化合物が下記式を有している請求項１乃至６のいずれか１項に記載の調合物
【化７】
1998152695.tif 000003
（式中、ｘとｙとはそれぞれ１乃至１０の整数である）。
【請求項９】
式（１）中のｍが３であり、そして該化合物がトリメチロールプロパンの１モルにエチレンオキシドの３乃至２０モルを付加した重付加物である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の調合物。
【請求項１０】
式（１）中のｍが４であり、そして該化合物がペンタエリトリトールの１モルにエチレンオキシドの４乃至２０モルを付加した重付加物である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の調合物。
【請求項１１】
式（１）の化合物の２つまたはそれ以上の混合物が、調合物の成分（ｃ）として使用されている請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の調合物。
【請求項１２】
調合物の流動特性を調整するのに有効な安定剤、泡防止剤、アルカリ剤、編織物柔軟剤、再汚染防止剤、酸化防止剤、助剤ビルダー、芳香剤からなる群より選択された１種またはそれ以上の助剤がさらに存在している請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の調合物。
【請求項１３】
陰イオン蛍光増白剤、溶剤および式（１）の化合物を任意所望の助剤と共に混合し、そして得られた混合物を均質化することよりなる請求項１記載の調合物の製造方法。
【請求項１４】
４０乃至１００℃の範囲の温度において工程が実施される請求項１３記載の製造方法。
【請求項１５】
洗剤組成物に所要量の式（１）の調合物を添加し、そして得られた混合物を均質化することよりなる洗剤の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月9日(2004.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項２記載の化合物において、下記一般式化２で示されることを特徴とするＮ−アシルピペラジン誘導体及びその塩。
【化２】
1998152487.tif 000001
（化２中、Ｒａはメチル基又はプレニル−ＣＨ２−基を意味し、Ｒ１はピリジルカルボニルオキシ低級アルキル基、ベンゾイルアミノ低級アルキル基又はベンジル基を意味する。Ｒ２、ｍ、及びｎは前記化１と同じである。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明化合物において、Ｒ３がアルケニル基であることが好適であり、さらには下記一般式化６で示される化合物であることが好適である。
【化６】
1998152487.tif 000002
（化６中、Ｒａはメチル基又はプレニル−ＣＨ２−基を意味し、Ｒ１はピリジルカルボニルオキシ低級アルキル基、ベンゾイルアミノ低級アルキル基又はベンジル基を意味する。Ｒ２、ｍ、及びｎは前記化５と同じである。）
なお、前記化５においてＲ３がアルケニル基である化合物において、ｎが１又は２であり、Ｒ２がイソブチル基又はメトキシ基であることが好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月13日(2005.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原板を収納する原板収納手段と前記原板を用いて所定の処理を施す処理装置との間で前記原板を搬送する搬送装置において、
少なくとも前記原板収納手段を包囲するチャンバーと、
前記原板収納手段の近傍に設けられ、前記チャンバー内において少なくとも前記原板収納手段の周辺部を排気する第１排気装置とを設けたことを特徴とする搬送装置。
【請求項２】
前記原板収納手段は、前記チャンバー内に複数並んで配置されており、
前記第１排気装置は、前記原板収納手段の配置方向に対して交差する方向の排気を行うことを特徴とする請求項１に記載の搬送装置。
【請求項３】
前記第１排気装置は、前記複数の原板収納手段のそれぞれに対応して複数設けられていることを特徴とする請求項２に記載の搬送装置。
【請求項４】
前記原板はパターンが形成されたレチクルであり、
前記処理装置は、前記レチクルのパターンの像を基板に露光する露光装置であることを特徴とする請求項１〜３に記載の搬送装置。
【請求項５】
前記露光装置は前記チャンバー内に配設されており、
前記チャンバー内における少なくとも前記露光装置の周辺部を排気する第２排気装置と、
前記第１排気装置の作動と前記第２排気装置の作動とを制御する制御装置とを備えたことを特徴とする請求項４に記載の搬送装置。
【請求項６】
原板を収納する原板収納手段と前記原板を用いて所定の処理を施す処理装置との間で前記原板を搬送する搬送装置において、
前記原板収納手段と前記処理装置とを包囲するチャンバーと、
前記原板収納手段の周辺部を排気する第１排気装置と、
前記処理装置の周辺部を排気する第２排気装置とを設けたことを特徴とする搬送装置。
【請求項７】
密閉可能なチャンバー内を排気する排気装置において、
前記チャンバー内に配置される複数の原板収納手段の位置に応じて配置された第１排気装置と、
前記チャンバー内に配置され、前記原板収納手段に収納された原板を用いて所定の処理を施す処理装置の周辺を排気する第２排気装置とを設けたことを特徴とする排気装置。
【請求項８】
前記複数の原板収納手段は、前記チャンバー内において所定方向に配列され、
前記第１排気装置は、前記複数の原板収納手段の配列方向である前記所定方向に対して交差する方向の排気を行うように配置されることを特徴とする請求項７に記載の排気装置。
【請求項９】
前記第２排気装置は、前記処理装置の周辺を排気するとともに、前記複数の原板収納手段の配列方向である前記所定方向の排気を行うように配置されることを特徴とする請求項８に記載の排気装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、原板は表面に所定パターンが形成されたレチクルであり、処理装置は、レチクルのパターンの像を基板に露光する露光装置である。この場合、露光装置もチャンバー内に配設し、チャンバー内において少なくとも露光装置の周辺部を排気する第２排気装置を設け、第１排気装置の作動と第２排気装置の作動とを制御する制御装置を備えるのが望ましい。これにより露光装置の周辺の塵、ほこり等も効率良く排気除去して、レチクル、ウエハ等への塵、ほこり等の付着問題の発生を抑えることができる。
本発明に係る排気装置は、密閉可能なチャンバー（１０）内を排気する排気装置であり、前記チャンバー内に配置される複数の原板収納手段（２０）の位置に応じて配置された第１排気装置（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ）と、前記チャンバー内に配置され、前記原板収納手段に収納された原板を用いて所定の処理を施す処理装置（４０）の周辺部を排気する第２排気装置（１９）とを有する。チャンバー内に複数の原板収納手段が配置された場合、処理装置の周辺部を排気する第２排気装置のみでは、原板収納手段の間にエアフローの淀みができてこの部分の排気が不完全になりやすいのであるが、第１排気装置を原板収納手段の位置に応じて配置することにより、この部分を効率よく排気できる。複数の原板収納手段がチャンバー内において所定方向に配列されている場合、第１排気装置は、複数の原板収納手段の配列方向である前記所定方向に対して交差する方向の排気を行うように配置することが好ましい。また、第２排気装置が、処理装置の周辺部を排気するとともに、前記複数の原板収納手段の配列方向である前記所定方向の排気を行うように配置されていることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、チャンバー内において少なくとも露光装置の周辺部を排気する第２排気装置を設け、第１排気装置の作動と第２排気装置の作動とを制御する制御装置を備えるのが望ましい。これにより露光装置の周辺の塵、ほこり等も効率良く排気除去して、レチクル、ウエハ等への塵、ほこり等の付着問題の発生を抑えることができる。
また、本発明に係る排気装置によれば、チャンバー内に配置される複数の原板収納手段の位置に応じて配置された第１排気装置を有するので、原板収納手段の間のエアフローの淀みを解消し、効率良い排気が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月24日(2004.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
計量導管（36）が、選別枠（４）およびビーターホイール（２）のためのドライブシャフト（７、８）に対して同軸的にハウジング（１）に配置されている、被粉砕材料を輸送する第一部分ガス流を選別枠（４）に導入するための側面導入開口部（１３）に接続されている請求項１５に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
第二ガス導管（25）が、第二部分ガス流をハウジング（１）の内側と選別枠（４）との間の空間に導入するためのハウジング（１）の上部導入開口部（１３）に接続されている請求項１５に記載の装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第三部分ガス流を輸送する主ガス導管23には、主ガス導管23のガス圧を調節するための調節弁34が、第一ガス導管24の分岐点と出口導管37を介して主ガス導管23に接続されているミル26の出口との間に配置されている。ミル26内で粉砕されそして乾燥された材料は、ミル26中に一緒に取り込まれる第一および第二部分ガス流によって、出口導管37を介して、主ガス導管23に取り込まれる。この主ガス導管では、三つの部分ガス流が再び一緒になって全ガス流を形成し、これは主ガス導管23で乾燥および粉砕された材料を分離器30に輸送する。分離器30では、粉砕された材料が、全ガス流から分離され、そして回転式供給装置31を介して分離器30の出口でさらに使用するために取り出される。さらに、分離器30は、全ガス流の出口導管を有しており、これはガス流源32に接続されている。図１中に破線で示した戻り導管35は、ガス流源32を冷却器33に接続しており、ここで導入された水分を洗浄された全ガス流から取り除くことができ、そしてこの全ガス流を循環に再び戻すことができる。当然のことながら、戻りを省略することができ、従って戻り導管35および冷却器33を省略することができる。この場合、一般に空気流である洗浄されたガス流は、大気中に放出される。