【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反対側の面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板の表面上に形成される接地平面層と、
前記接地平面層上に配置され、フィルタ外面を画定する少なくとも１つの低温同時焼成セラミック層と、
ストリップラインまたはマイクロストリップとして形成され、前記フィルタ外面上に配置される複数の結合線路ミリ波長共振器と、
前記少なくとも１つの低温同時焼成セラミック層とは反対側の前記誘電体基板の表面上に配置される無線周波終端接点と、
前記少なくとも１つの低温同時焼成セラミック層、前記接地平面層、および前記誘電体基板を貫通する導電性ビアであって、その各々が、前記無線周波終端接点と結合線路共振器を相互接続する該導電性ビアとを含む表面実装用途向けミリ波フィルタ。
【請求項２】
前記接地平面層および前記少なくとも１つの低温同時焼成セラミック層とは反対側の前記誘電体基板の表面上に、前記無線周波終端接点から離して配置される下側接地平面層と、前記低温同時焼成セラミック層および前記誘電体基板を貫通し、前記下側接地平面層と係合する複数の分離ビアとをさらに含む、請求項１に記載のミリ波フィルタ。
【請求項３】
複数の低温同時焼成セラミック層と、および多層低温同時焼成セラミック基板を形成するためにその間に挿入された接地平面層と、前記フィルタ外面と前記誘電体基板の間の各セラミック層上に形成され、前記間に挿入された接地平面層によって分離される複数のミリ波長ストリップライン共振器と、前記セラミック層上に形成される前記共振器と前記フィルタ外面を相互接続する導電性ビアとをさらに含む、請求項１に記載のミリ波フィルタ。
【請求項４】
前記共振器が、２極平行結合ヘアピンフィルタを形成する、請求項３に記載のミリ波フィルタ。
【請求項５】
前記ヘアピン共振器が、約４分の１波長の長さである、請求項４に記載のミリ波フィルタ。
【請求項６】
前記フィルタ外面上方に配置され、所定の遮断周波数が生じるように、前記共振器から金属化内側面が離隔された誘電体カバーをさらに含む、請求項１に記載のミリ波フィルタ。
【請求項７】
前記誘電体カバーが、前記フィルタ外面上に形成した前記共振器から約０．３８１から約０．６３５ミリ（約１５から約２５ミル）離して配置される、請求項６に記載のミリ波フィルタ。
【請求項８】
前記フィルタ外面上に形成した前記共振器が、マイクロストリップとして形成した共振器を含む、請求項６に記載のミリ波フィルタ。
【請求項９】
前記誘電体基板が、セラミック材料から形成される、請求項１に記載のミリ波フィルタ。
【請求項１０】
前記誘電体基板が、酸化アルミニウムから形成される、請求項９に記載のミリ波フィルタ。
【請求項１１】
前記誘電体基板が、厚さ約０．２５４から約０．８８９ミリ（約１０から約３５ミル）に形成される、請求項９に記載のミリ波フィルタ。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの低温同時焼成セラミック層が、厚さ約０．１２７から約０．１７７８ミリ（約５から約７ミル）に形成される、請求項１に記載のミリ波フィルタ。
【請求項１３】
反対側の面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板の表面上に形成される接地平面層と、
前記接地平面層上に配置され、フィルタ外面を画定する少なくとも１つの低温同時焼成セラミック層と、
マイクロストリップとして形成され、前記フィルタ外面上に配置される複数の結合線路ミリ波長共振器と、
前記少なくとも１つの低温同時焼成セラミック層とは反対側の前記誘電体基板の表面上に配置される無線周波終端接点と、
前記少なくとも１つの低温同時焼成セラミック層、前記接地平面層、および前記誘電体基板を貫通する導電性ビアであって、その各々が、前記無線周波終端接点と結合線路共振器を相互接続する導電性ビアと、
前記低温同時焼成セラミック層とは反対側の前記誘電体基板の反対側の表面上に、前記無線周波終端接点から離して配置される下側接地平面層と、前記少なくとも１つの低温同時焼成セラミック層および前記誘電体基板を貫通し、前記下側接地平面層と係合する複数の分離ビアと、
前記フィルタ外面上方に配置され、所定の遮断周波数が生じるように、前記ミリ波長共振器から金属化内側面が離隔された誘電体カバーを含む表面実装用途向けミリ波フィルタ。
【請求項１４】
複数の低温同時焼成セラミック層、および多層低温同時焼成セラミック基板を形成するためにその間に挿入された接地平面層と、前記フィルタ外面と前記誘電体基板の間の各セラミック層上に形成され、前記間に挿入された接地平面層によって分離される複数のミリ波長ストリップライン共振器と、前記セラミック層上に形成される前記共振器と前記フィルタ外面を相互接続する導電性ビアとをさらに含む、請求項１３に記載のミリ波フィルタ。
【請求項１５】
前記共振器が、２極ヘアピンフィルタを形成する、請求項１３に記載のミリ波フィルタ。
【請求項１６】
前記ヘアピン共振器が、約４分の１波長の長さである、請求項１５に記載のミリ波フィルタ。
【請求項１７】
前記誘電体カバーが、前記フィルタ外面上に形成した前記共振器から約０．３８１から約０．６３５ミリ（約１５から約２５ミル）離して配置される、請求項１６に記載のミリ波フィルタ。
【請求項１８】
反対側の面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板の表面上に形成される接地平面層と、
前記誘電体基板の表面上に配置され、複数の低温同時焼成セラミック層と、前記低温同時焼成セラミック層の間に配置される接地平面層とから形成される、フィルタ外面を画定する多層基板と、
ストリップラインまたはマイクロストリップとして形成され、前記フィルタ外面上に配置される複数の結合線路ミリ波長ヘアピン共振器と、
前記セラミック層上にストリップラインとして形成される複数の結合線路ミリ波長ヘアピン共振器と、
前記セラミック層の各層上に形成される前記ヘアピン共振器の少なくとも１つと前記フィルタ外面を相互接続する導電性ビアと、
前記多層基板とは反対側の前記誘電体基板の表面上に配置される無線周波終端接点と、
前記多層基板および前記誘電体基板を貫通する導電性ビアであって、その各々が、前記無線周波終端接点と少なくとも１つの結合線路ヘアピン共振器を相互接続する導電性ビアとを含む表面実装用途向けミリ波フィルタ。
【請求項１９】
各層およびフィルタ外面の前記ヘアピン共振器の各々が、２極ヘアピンフィルタを形成する、請求項１８に記載のミリ波フィルタ。
【請求項２０】
前記多層基板とは反対側の前記誘電体基板の反対側の表面上に、前記無線周波終端接点から離して配置される下側接地平面層と、前記基板および前記誘電体基板を貫通し、前記下側接地平面層と係合する複数の分離ビアとをさらに含む、請求項１８に記載のミリ波フィルタ。
【請求項２１】
前記ミリ波長ヘアピン共振器が、約４分の１波長の長さである、請求項１８に記載のミリ波フィルタ。
【請求項２２】
前記フィルタ外面上方に配置され、所定の遮断周波数が生じるように、前記ヘアピン共振器から金属化内側面が離隔された誘電体カバーをさらに含む、請求項１８に記載のミリ波フィルタ。
【請求項２３】
前記誘電体カバーが、前記フィルタ外面上に形成した前記共振器から約０．３８１から約０．６３５ミリ（約１５から約２５ミル）離して配置される、請求項２２に記載のミリ波フィルタ。
【請求項２４】
前記フィルタ外面上に形成した前記ヘアピン共振器が、マイクロストリップとして形成した共振器を含む、請求項２２に記載のミリ波フィルタ。
【請求項２５】
各セラミック層および前記フィルタ外面の前記結合線路ヘアピン共振器の各々が、２極ヘアピンフィルタを含む、請求項１８に記載のミリ波フィルタ。
【請求項２６】
複数の低温同時焼成セラミック層と少なくとも１つの接地平面層から形成され、フィルタ外面を画定する多層基板と、
ストリップラインまたはマイクロストリップとして形成され、前記多層基板内に垂直方向に積層される複数の結合線路ミリ波長共振器と、
前記共振器の少なくとも１つを相互接続する少なくとも１つの導電性ビアとを含む表面実装用途向けミリ波フィルタ。
【請求項２７】
前記フィルタ外面上に配置される結合線路ミリ波長共振器をさらに含む、請求項２６に記載のミリ波フィルタ。
【請求項２８】
前記低温同時焼成セラミック層の間に配置される接地平面層をさらに含む、請求項２６に記載のミリ波フィルタ。
【請求項２９】
前記多層基板が、無線周波終端接点を含み、前記少なくとも１つの導電性ビアが、無線周波終端接点と共振器を相互接続する、請求項２６に記載のミリ波フィルタ。
【請求項３０】
誘電体基板と、前記誘電体基板の表面上に形成される接地平面層とを含み、前記多層基板が、前記誘電体基板の表面上に配置される、請求項２６に記載のミリ波フィルタ。