【手続補正書】
【提出日】平成17年2月2日(2005.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）を架橋し、
ＵＨＭＷＰＥをアニールし、
ＵＨＭＷＰＥを機械加工してインプラントを形成し、
インプラントを磨耗試験して磨耗粒子を発生し、
磨耗粒子を採取し、かつ
粒子を0.05μｍ又はそれより小さな孔径を有するフィルターを用いて濾過する
工程からなる体内で使用するためのＵＨＭＷＰＥ医療用インプラントから磨耗粒子を単離する方法。
【請求項２】
アニールを、150℃以下で行う請求項1の方法。
【請求項３】
アニールを、約150℃より下、かつ約140℃より上で行う請求項1の方法。
【請求項４】
アニールを147℃で行う請求項1の方法。
【請求項５】
アニールを140℃で行う請求項1の方法。
【請求項６】
架橋が、0.10以上のトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である請求項2、3、4または5のいずれか1つでの方法。
【請求項７】
架橋が、約0.15より大きく、かつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である請求項2、3、4または5のいずれか1つでの方法。
【請求項８】
ＵＨＭＷＰＥを架橋し、
ＵＨＭＷＰＥをアニールし、かつ
ＵＨＭＷＰＥを機械加工してインプラントを形成する
工程からなり、0.2μm以下の直径を有する磨耗粒子の数を減少させる、減少した磨耗粒子の数を有する体内で使用するためのＵＨＭＷＰＥ医療用インプラントを製造する方法。
【請求項９】
機械加工を、架橋前に行う請求項1または8のいずれかでの方法。
【請求項１０】
架橋を、電磁気放射、エネルギー性の亜原子粒子、ガンマー線放射、電子線放射、X−線放射または化学的な架橋化合物を用いて行う請求項1または8のいずれかでの方法。
【請求項１１】
架橋を、ガンマー線放射を用いて行う請求項1または8のいずれかでの方法。
【請求項１２】
架橋を、放射線を使って、5より大きいが15以下のメガラド（M Rad）の線量で行う請求項1または8のいずれかでの方法。
【請求項１３】
架橋を、放射線を使って、5より大きいが10以下のメガラド（M Rad）の線量で行う請求項1または8のいずれかでの方法。
【請求項１４】
アニリングを、不活性環境または周囲環境で行う請求項1または8のいずれかでの方法。
【請求項１５】
磨耗試験を、関節シミュレータ上で行う請求項1または8のいずれかでの方法。
【請求項１６】
関節シミュレータが、股関節または膝関節を真似る請求項15の方法。
【請求項１７】
採取を、酸消化、塩基消化または酵素的消化を用いて行う請求項1または8のいずれかでの方法。
【請求項１８】
採取を、酸消化を用いて行う請求項1または8のいずれかでの方法。
【請求項１９】
インプラントが、約300オングストロームより大きいラメラの厚みを有する重合体構造を有する求項1または8のいずれかでの方法。
【請求項２０】
アニールを、150℃以下で行う請求項8の方法。
【請求項２１】
アニールを、約150℃より下、かつ約140℃より上で行う請求項8の方法。
【請求項２２】
アニールを、147℃で行う請求項8の方法。
【請求項２３】
アニールを140℃で行う請求項8の方法。
【請求項２４】
架橋が、0.10以上のトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するために十分である請求項２０〜２３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２５】
架橋が、約0.15より大きく、かつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するために十分である請求項２０〜２３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２６】
ＵＨＭＷＰＥ上で磨耗粒子の解析を行い、かつ
ＵＨＭＷＰＥを、股関節シミュレータの100万サイクルあたり最も低い粒子数を示す線量で架橋する
工程からなり、存在する粒子の数が0.05μm以下の孔径を有するフィルターを使って測定される、体内で使用するためのＵＨＭＷＰＥ医療用インプラントへのマクロファージ応答を減少させる方法。
【請求項２７】
患者にインプラントする前にＵＨＭＷＰＥを架橋することからなり、磨耗粒子の総容量および磨耗粒子の総数が、従来のＵＨＭＷＰＥと比べて減少されている、体内で使用するためのＵＨＭＷＰＥ医療用インプラントへのマクロファージ応答を減少させる方法。
【請求項２８】
架橋を、電磁気放射、エネルギー性の亜原子粒子、ガンマー線放射、電子線放射、X−線放射または化学的な架橋物質を用いて行う請求項２６または２７のいずれかでの方法。
【請求項２９】
架橋を、ガンマー線放射を用いて行う請求項２６または２７のいずれかでの方法。
【請求項３０】
架橋を、放射線を使って、5より大きいが15以下のメガラド（M Rad）の線量で行う請求項２６または２７のいずれかでの方法。
【請求項３１】
ＵＨＭＷＰＥを架橋し、
ＵＨＭＷＰＥをアニールし、
ＵＨＭＷＰＥを機械加工してインプラントを形成し、
インプラントを磨耗試験して磨耗粒子を発生し、
磨耗粒子を採取し、
粒子を0.05μｍ又はそれより小さな孔径を有するフィルターを用いて濾過し、
磨耗粒子の数を測定し、かつ
メガサイクルあたりに発生する約5×1012よりも少ない磨耗粒子を有するインプラントを提供する架橋線量を選択する
工程からなる、体内で使用するためのＵＨＭＷＰＥ医療用インプラントの骨溶解を減少させる方法。
【請求項３２】
磨耗粒子が、0.2μm以下の直径を有する請求項３１の方法。
【請求項３３】
ＵＨＭＷＰＥを架橋し、
ＵＨＭＷＰＥをアニールし、
ＵＨＭＷＰＥを機械加工してインプラントを形成し、
インプラントを磨耗試験して磨耗粒子を発生し、
磨耗粒子を採取し、
粒子を0.05μｍ又はそれより小さな孔径を有するフィルターを用いて濾過し、
全粒子表面積を測定し、かつ
約1.17ｍ2/メガサイクルより小さい全粒子表面積を有するインプラントを提供する架橋線量を選択する
工程からなる、体内で使用するためのＵＨＭＷＰＥ医療用インプラントの骨溶解を減少させる方法。
【請求項３４】
架橋を、電磁気放射、エネルギー性の亜原子粒子、ガンマー線放射、電子線放射、X−
線放射または化学的な架橋化合物を用いて行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項３５】
架橋を、ガンマー線放射を用いて行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項３６】
架橋を、放射線を使って、5より大きいが15以下のメガラド（M Rad）の線量で行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項３７】
架橋を、放射線を使って、5より大きいが10以下のメガラド（MRad）の線量で行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項３８】
アニリングを、不活性環境または周囲環境で行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項３９】
アニールを150℃以下で行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項４０】
アニールを、約150℃より下、かつ約140℃より上で行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項４１】
アニールを147℃で行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項４２】
アニールを140℃で行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項４３】
架橋が、0.10以上のトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項４４】
架橋が、約0.15より大きく、かつ約0.20よりも小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項４５】
磨耗試験を、関節シミュレータ上で行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項４６】
関節シミュレータが、股関節または膝関節を真似ている請求項４５の方法。
【請求項４７】
採取を、酸消化、塩基消化または酵素的消化を用いて行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項４８】
採取を、酸消化を用いて行う請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項４９】
インプラントが、約300オングストロームより大きいラメラの厚みを有する重合体構造
を有する請求項３１または３３のいずれかでの方法。
【請求項５０】
ＵＨＭＷＰＥを架橋し、
宿主内での使用をシミュレーションし、
0.05μmの孔径を有するフィルターを使って磨耗粒子について血清を試験する
工程からなり、従来のＵＨＭＷＰＥと比べて0.2μｍより小さな直径を有する磨耗粒子の数が減少されている、体内で使用するためのＵＨＭＷＰＥ医療用インプラントに対するマクロファージ応答を減少させる方法。
【請求項５１】
架橋を、電磁気放射、エネルギー性の亜原子粒子、ガンマー線放射、電子線放射、X−線放射または化学的な架橋物質を用いて行う請求項５０の方法。
【請求項５２】
架橋を、ガンマー線放射を用いて行う請求項５０の方法。
【請求項５３】
架橋を、放射線を使って、5より大きいが15以下のメガラド（MRad）の線量で行う請求項５０の方法。
【請求項５４】
架橋を、放射線を使って、5より大きいが10以下のメガラド（MRad）の線量で行う請求項５０の方法。
【請求項５５】
アニールを150℃以下で行う請求項５０の方法。
【請求項５６】
シミュレーションを、関節シミュレータ上で行う請求項５０の方法。
【請求項５７】
シミュレーションが、股関節または膝関節を真似ている請求項５６の方法。
【請求項５８】
磨耗耐性の試験で、メガサイクルあたり5×1012より少ない粒子数によって従来のＵＨＭＷＰＥの処理と比べて骨溶解の減少を示す、体内で使用するための架橋されたＵＨＭＷＰＥ医療インプラント。
【請求項５９】
ＵＨＭＷＰＥを架橋し、
ＵＨＭＷＰＥをアニールし、
ＵＨＭＷＰＥを機械加工してインプラントを形成し、
インプラントを磨耗試験して磨耗粒子を発生し、
磨耗粒子を採取し、
粒子を0.05μｍ又はそれより小さな孔径を有するフィルターを用いて濾過し、
磨耗粒子の数を決定し、かつ
メガサイクルあたりに発生する約5×1012よりも小さい磨耗粒子を有するインプラントを
提供する架橋線量を選択する
からなる工程で作られる粒子の減少された磨耗粒子数を有する、体内で使用するためのＵＨＭＷＰＥ医療用インプラント。
【請求項６０】
磨耗粒子が、0.2μｍ以下の直径を有する請求項５９のインプラント。
【請求項６１】
機械加工を、架橋前に行う請求項５９のインプラント。
【請求項６２】
架橋を、電磁気放射、エネルギー性の亜原子粒子、ガンマー線放射、電子線放射、X−線放射または化学的な架橋物質を用いて行う請求項５９のインプラント。
【請求項６３】
架橋を、ガンマー線放射を用いて行う請求項５９のインプラント。
【請求項６４】
架橋を、放射線を使って、5より大きいが15以下のメガラド（MRad）の線量で行う請求項５９のインプラント。
【請求項６５】
架橋を、放射線を使って、5より大きいが10以下のメガラド（MRad）の線量で行う請求項５９のインプラント。
【請求項６６】
アニールを150℃以下で行う請求項５９のインプラント。
【請求項６７】
アニールを、約150℃より下、かつ約140℃より上で行う請求項５９のインプラント。
【請求項６８】
アニールを147℃で行う請求項５９のインプラント。
【請求項６９】
アニールを140℃で行う請求項５９のインプラント。
【請求項７０】
架橋が、0.10以上のトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である請求項６６〜６９のいずれか１つでの方法。
【請求項７１】
架橋が、約0.15より大きく、かつ約0.20よりも小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である請求項６６〜６９のいずれか１つでの方法。
【請求項７２】
採取を、酸消化、塩基消化または酵素的消化を用いて行う請求項５９のインプラント。
【請求項７３】
採取を、酸消化を用いて行う請求項５９のインプラント。
【請求項７４】
インプラントが、約300オングストロームより大きいラメラの厚みを有する重合体構造
を有する請求項５９のインプラント。
【請求項７５】
メガサイクルあたり約5×1012よりも少ない磨耗粒子を発生する架橋されたＵＨＭＷＰＥからなる耐久表面、およびセラミックからなる支持面表面からなる人工総関節。
【請求項７６】
セラミックの支持面表面がジルコニアからなる請求項７５の人工関節。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
アニールは溶融段階で行われる。本発明の更なる様態では、アニールは不活性または周囲環境で行われる。アニールは150℃以下の温度で行われる。架橋は、0.10以上、または
約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。
本発明のほかの様態では、アニールは約150℃より下でかつ約140℃より上で行われ、架橋は0.10以上、または約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。
他の様態においては、アニールは147℃で行われる。架橋は0.10以上、または約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
架橋は、電磁気放射またはエネルギー性の亜原子粒子を用いて行われる。架橋は、ガンマー線放射、電子線放射、またはX−線放射を用いて行われる。
本発明のほかの様態では、架橋は化学的架橋を用いて行われる。放射線架橋は、5より大きいが15メガラド（MRad）以下の線量で、または5より大きいが10メガラド（MRad）以下の線量である。アニールは溶融段階で行われる。
本発明の更なる様態では、アニールは不活性または周囲環境で行われる。アニールは150℃以下で行われる。架橋は、0.10以上、または約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。
本発明のほかの様態では、アニールは約150℃より下でかつ約140℃より上で行われ、架橋は、0.10以上、または約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明のほかの様態では、アニールは、約150℃より下でかつ約140℃より上で行われ、架橋は0.10以上、または約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。
他の様態においては、アニールは147℃で行われる。架橋は、0.10以上、または約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。
本発明の他の様態において、アニールは140℃で行われる。架橋は0.10以上、または約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス‐ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。
本発明のほかの様態では、アニールは約141℃で、約142℃で、約143℃で、約144℃で、約145℃で、約146℃で、約147℃で、約148℃で、または約149℃で行われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
さらに、本発明の他の実施態様は、ＵＨＭＷＰＥを架橋し、宿主内での使用をシミュレーションし、0.05μmの孔径を有するフィルターを使って磨耗粒子について血清を試験する工程からなり、従来のＵＨＭＷＰＥと比べて0.2μｍより小さな直径を有する磨耗粒子の数が減少されている、体内で使用するためのＵＨＭＷＰＥ医療用インプラントに対するマクロファージ応答を減少させる方法である。
他の実施態様においては、フィルターは、0.04μｍの、0.03μｍの、0.02μｍの、あるいは0.01μｍの孔径を有している。
ある実施様態では、フィルターは、約0.19μm、約0.18μm、約0.17μm、約0.16μm、約0.15μm、約0.14μm、約0.13μm、約0.12μm、約0.11μm、約0.10μm、約0.09μm、約0.08μm、約0.07μm、または約0.06μmの孔径を含む、0.2μmより小さい孔径を有している。機械加工は架橋の前に行われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
架橋は、電磁気放射またはエネルギー性の亜原子を用いて行われる。架橋は、ガンマー線放射、電子線放射、またはX−線放射を用いて行われる。
本発明のほかの様態では、架橋は化学的架橋を用いて行われる。放射線による架橋は、5より大きいが15メガラド（MRad）以下の線量で、または5より大きいが10メガラド（MRad）以下の線量においてである。アニールは溶融段階で行われる。
本発明の更なる様態では、アニールは不活性または周囲環境で行われる。アニールは150℃以下の温度で行われる。架橋は、0.10以上、または約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。
本発明のほかの様態では、アニールは約150℃より下でかつ約140℃より上で行われ、架橋は0.10以上、または約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス−ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。
他の様態においては、アニールは147℃で行われる。架橋は、0.10以上、または約0.15より大きくかつ約0.20より小さいトランス‐ビニレン指数を有するインプラントを形成するためには十分である。