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【手続補正書】
【提出日】平成16年6月17日(2004.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
工業的にテレフタル酸を製造する方法は各種知られており、そのひとつとして、テレフタル酸ジメチル（以下、ＤＭＴと略記することがある。）を出発原料とするＨ２ＯによるＤＭＴ加水分解法が知られている（特開昭５５−１４１４３３号公報、ＤＥ−２９１６１９７、特開平０８−２３１４６４号公報など）。またＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）ポリマーをアルカリ加水分解してさらに中和し精製してＴＡを得る方法（特願平９−５２４２１８号明細書）が提案されている。上記ＤＭＴ加水分解法で製造したテレフタル酸中には、未反応物であるＤＭＴおよび反応中間体であるテレフタル酸モノメチル（以下、ＭＭＴと略記することがある。）が不純物として含有されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、テレフタル酸ジメチル（ＤＭＴ）を加水分解することによってテレフタル酸（ＴＡ）を得る製法において、反応系内に反応開始当初からＴＡを存在させることを特徴とする高純度テレフタル酸の製造方法に関する。本発明によれば、ＤＭＴの加水分解法で生成する生成物ＴＡをＤＭＴとＨ２Ｏの反応開始当初から反応系に存在させ、酸性雰囲気下反応させ、加水分解反応を促進することで、効率よく高純度のＴＡを製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＦ−κＢのデコイを含有するＮＦ−κＢに起因する疾患の治療剤または予防剤であって、該ＮＦ−κＢのデコイは、
配列番号１に記載された配列の５’末端から８〜１７番目で表される第一配列およびその相補体を含む核酸
であり、
該ＮＦ−κＢに起因する疾患が炎症性疾患または自己免疫疾患である、
治療剤または予防剤。
【請求項２】
前記炎症性疾患は、炎症、急性腎不全、慢性腎不全および動脈硬化からなる群より選択される炎症性疾患である、請求項１に記載の治療剤または予防剤。
【請求項３】
前記自己免疫疾患は、リウマチ、多発性硬化症および橋本甲状腺炎からなる群より選択される自己免疫疾患である、請求項１に記載の治療剤または予防剤。
【請求項４】
塗布剤である、請求項１に記載の治療剤または予防剤。
【請求項５】
前記ＮＦ−κＢのデコイは、配列番号１に記載された配列の５’末端から８〜１７番目で表される第一配列およびその相補体を含む核酸である、請求項１に記載の治療剤または予防剤。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
【化１】
2003128584.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、同一又は異なっていてもよく、それぞれ、水素原子又は置換されてもよいアルキル基を示す）で表される化合物及びこれらの塩よりなる群から選択されるいずれか少なくとも１つの化合物とソルビン酸またはその塩を、ソルビン酸またはその塩１重量部に対して、化合物（Ｉ）またはその塩を１〜１０００重量部の割合で含有することを特徴とする水性外用組成物。
【請求項２】
上記化合物（Ｉ）が、カフェイン、ペントキシフィリン、テオフィリン、ジプロフィリン、テオブロミンまたはプロキシフィリンである請求項１に記載の水性外用組成物。
【請求項３】
粘膜に適用されるものである請求項１又は２に記載の水性外用組成物。
【請求項４】
ソルビン酸またはその塩を含有する水性組成物に、式（Ｉ）
【化２】
2003128584.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、同一又は異なっていてもよく、それぞれ、水素原子又は置換されてもよいアルキル基を示す）で表される化合物及びこれらの塩よりなる群から選択されるいずれか少なくとも１つの化合物を配合することによって、ソルビン酸またはその塩の分解を抑制する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス管の内部に滞留するドレンをシールポットへ排出する、ガス管からのドレン排出設備であって、ガス管に接続されるドレン排出管の他端がドレン排出ポンプの入側に接続され、該ドレン排出ポンプの吐出側がシールポット入側へと接続され、かつシールポット入側とガス管とがガス戻し管により連通されてなることを特徴とするガス管からのドレン排出設備。
【請求項２】
ガス管の内部に滞留するドレンをシールポットへ排出する、ガス管からのドレン排出設備であって、ガス管の複数の位置にそれぞれ接続されたドレン排出管のそれぞれに排出バルブを介してヘッダ管が接続され、該ヘッダ管の下流側にドレン排出ポンプ入側が接続され、該ドレン排出ポンプの吐出側がシールポット入側へと接続され、かつ、該シールポット入側とガス管とがガス戻し管により接続されてなることを特徴とするガス管からのドレン排出設備。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
これら複数個のドレン排出管２をヘッダ管12に合流させヘッダ管12の下流側にドレン排出ポンプ13を設ける。ドレン排出ポンプの吐出側にドレン管16を介してシールポット３を設けドレン排出ポンプ13から吐出されるドレンをシールポット３へ送る。シールポット３の入側のドレン管16とガス配管１との間にはドレン排出ポンプからのドレンが逆流しないレベルにガス戻し管15を設ける。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
各々の機器機能を説明する。複数設けられたドレン排出口1aは、オリフィス10や流量調節弁11によりガス管１内のガス圧が場所によって異なるのでガス圧がほぼ等しい箇所のみのドレン排出口のドレン排出バルブ８を開放しドレンを排出する。配管圧損や流量調節弁・オリフィス等によるガス圧力が異なる複数箇所の排出バルブ８を同時に開放するとヘッダ管12を介して高圧側から低圧側にドレンが流れてしまいドレンを排出することができない。ドレン排出ポンプ13により、シールポット３の入口レベルがガス管１のドレン排出口1aのレベルより高い、あるいは遠方にある場合でもドレン排出ができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】                                                                    １    ガス管
1a    ドレン排出口
２    ドレン排出管
３    シールポット
４    オーバーフロー管
５    ドレンピット
６    ドレンタンク
７    水中ポンプ
８    排出バルブ
10    オリフィス
11    流量調節弁
12    ヘッダ管
13    ドレン排出ポンプ
14    ホース
15    ガス戻し管
16    ドレン管
17    電動弁
18    カップリング
19    ドレン回収缶
20    ピット
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月11日(2005.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式（１）：
【化１】
2000281645.tif 000001
［式（１）中、
Ａ１ないしＡ３は、同一であっても異なっていてもよく、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなるハロゲン原子、ＣＮ、ＣＦ３、ならびに炭素数１ないし３のアルキル基からなるグループから選択され；
Ａ４は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩから選択されるハロゲン原子であり；そして
ｍは、１ないし１０の整数である］
で表される構造を有する化合物。
【請求項２】
式（１）において、Ａ１がＣＮであり、Ａ２がＢｒであり、Ａ３がＣＦ３であり、Ａ４がＣｌであり、そしてｍが５である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の化合物と高分子化合物又は標識物質との結合体。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の化合物と高分子化合物を結合させることにより抗原を作製し、当該抗原を用いることにより、以下の式（２）：
【化２】
2000281645.tif 000002
で表される構造を有する化合物に反応性を示す抗体を製造することを特徴とする、式（２）で表される構造を有する化合物に反応性を示す抗体又は抗原と結合可能なそのフラグメントの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の結合体を抗原として用いることにより製造された、式（２）の化合物に反応性を示す抗体又は抗原と結合可能なそのフラグメント。
【請求項６】
モノクローナル抗体である、請求項５に記載の抗体又は抗原と結合可能なそのフラグメント。
【請求項７】
モノクローナル抗体４２Ｅ１−１−１である、請求項５若しくは６に記載の抗体又は抗原と結合可能なそのフラグメント。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれか１項に記載の抗体を産生するハイブリドーマ。
【請求項９】
寄託番号ＦＥＲＭ  Ｐ−１７３１１で寄託されている、請求項８に記載のハイブリドーマ。
【請求項１０】
請求項５ないし７のいずれか１項に記載の抗体又は抗原と結合可能なそのフラグメントを用いることを特徴とする、式（２）で表される化合物の免疫学的測定方法。
【請求項１１】
さらに、請求項１若しくは２に記載の化合物、又は請求項３に記載の結合体を用いることを含む、請求項１０に記載の免疫学的測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、４−ブロモ−２−（４−クロロフェニル）−１−エトキシメチル−５−トリフルオロメチルピロール−３−カルボニトリル（以下、本明細書中「クロルフェナピル」と言う）のハプテン化合物、抗原、抗体及び抗原と結合可能なそのフラグメントに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本発明はさらに、前記抗原、抗体及び抗原と結合可能なそのフラグメントを用いた免疫学的測定方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、クロルフェナピルに反応する新規な抗体若しくは抗原と結合可能なそのフラグメント、及びその作製方法を提供することを目的とする。尚、本明細書において抗体の「フラグメント」とは、抗原と結合可能な抗体の一部分、例えばＦａｂ断片等を意味する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、さらに、クロルフェナピルハプテンと高分子化合物との結合体を提供することを目的とする。
本発明は、さらにまた、前記抗体又は抗原と結合可能なそのフラグメントを産生するハイブリドーマを提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
尚、表２に示すキレート試薬において、略した表示は以下のとおりである。ＮＴＡ（ニトリロ三酢酸）、ビスムチオール（２）（但しローマ数字）（Ｃ８Ｈ５ＫＮ２Ｓ３）、
クペロン（ニトロソフェニルヒドロキシルアミンＮＨ４塩）、
ＥＤＴＰ（エチレンジアミン四プロピオン酸Ｎａ塩）、
ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸Ｎａ塩）
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多ビット情報を記録する不揮発性メモリにおいて、
半導体基板表面に形成された第１及び第２のソース・ドレイン領域と、その間のチャネル領域上に形成された第１の絶縁層、非導電性のトラップゲート、第２の絶縁層、及びコントロールゲートとを有し、
前記トラップゲート内に局所的に電荷をトラップする第１の状態と、
前記トラップゲート全体に電荷を注入する第２の状態とを有することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の状態は、前記第１及び第２のソース・ドレイン領域それぞれの近傍の第１及び第２のトラップゲート領域に、局所的に電荷をトラップする２つの状態を含むことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の状態への書き込みには、前記第１及び第２のソース・ドレイン領域間に所定の電圧を印加して、前記チャネル領域に発生させたホットエレクトロンを注入することで行われ、
前記第２の状態への書き込みには、前記半導体基板と前記コントロールゲート間に所定の電圧を印加して、電荷をトンネル注入することで行われることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記半導体基板と前記コントロールゲート間に所定の消去電圧を印加して、前記トラップゲート全体または前記トラップゲートの局所領域に存在する電荷を引き抜くことで、消去動作が行われることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項５】
請求項１または２において、
順番に電圧が異なる第１の読み出し電圧、第２の読み出し電圧及び第３の読み出し電圧とを有し、
前記第２の読み出し電圧が前記コントロールゲートに印加されて、前記第２の状態か否かが読み出され、
前記第１または第３の読み出し電圧が前記コントロールゲートに印加されて、前記第１の状態か否かが読み出されることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項６】
請求項２において、
順番に電圧が異なる第１の読み出し電圧、第２の読み出し電圧及び第３の読み出し電圧とを有し、
前記第２の読み出し電圧が前記コントロールゲートに印加されて、前記第２の状態か否かが読み出され、
前記第１または第３の読み出し電圧が前記コントロールゲートに印加されて、前記第１の状態か否かが読み出され、
更に、前記第１の状態か否かの読み出しにおいて、前記第１のソース・ドレイン領域に第２のソース・ドレイン領域より高い電圧を印加して、前記第２のトラップゲート領域についての前記第１の状態か否かが読み出され、前記第２のソース・ドレイン領域に第１のソース・ドレイン領域より高い電圧を印加して、前記第１のトラップゲート領域についての前記第１の状態か否かが読み出されることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項７】
多ビット情報を記録する不揮発性メモリにおいて、
半導体基板表面に形成された第１及び第２のソース・ドレイン領域と、その間のチャネル領域上に形成された第１の絶縁層、非導電性のトラップゲート、第２の絶縁層、及びコントロールゲートとを有し、
前記トラップゲート内であって前記第１のソース・ドレイン領域の近傍の第１のトラップゲート領域に、電荷をトラップする第１の状態と、
前記トラップゲート内であって前記第２のソース・ドレイン領域の近傍の第２のトラップゲート領域に、電荷をトラップする第２の状態と、
前記トラップゲート全体に電荷を注入する第３の状態とを有することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１または第２の状態への書き込みには、前記第１及び第２のソース・ドレイン領域間に所定の電圧を印加して、前記チャネル領域に発生させたホットエレクトロンを前記トラップゲートに注入することで行われ、
前記第３の状態への書き込みには、前記半導体基板と前記コントロールゲート間に所定の電圧を印加して、前記半導体基板から前記トラップゲート全体に電荷をトンネル注入することで行われることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項９】
請求項８において、
前記半導体基板と前記コントロールゲート間に所定の消去電圧を印加して、前記トラップゲート全体または前記トラップゲートの局所領域に存在する電荷を引き抜くことで、消去動作が行われることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１０】
請求項７において、
順番に電圧が異なる第１の読み出し電圧、第２の読み出し電圧及び第３の読み出し電圧とを有し、
前記第２の読み出し電圧が前記コントロールゲートに印加されて、前記第３の状態か否かが読み出され、
前記第１または第３の読み出し電圧が前記コントロールゲートに印加されて、前記第１または第２の状態か否かが読み出されることを特徴とする不揮発性メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１７０℃で０．１−１００，０００ｍＰａｓの溶融粘度、８０Ｊ／ｇ未満のＤＳＣ融解熱、１３０℃より高いＤＳＣ融点、および３以下の分子量分布Ｍw／Ｍnを有するポリオレフィンワックス。
【請求項２】
メタロセン化合物Ａおよび助触媒Ｂを含み、メタロセン化合物Ａがｒａｃ／ｍｅｓｏ比率＜０．５のｒａｃ形およびｍｅｓｏ形の混合物として使用される触媒の存在下において、１７０℃で０．１−１００，０００ｍＰａｓの溶融粘度、８０Ｊ／ｇ未満のＤＳＣ融解熱、１３０℃より高いＤＳＣ融点、および３以下の分子量分布Ｍw／Ｍnを有するポリオレフィンワックスを製造する方法。
【請求項３】
請求項１に記載のポリオレフィンワックスを含むホットメルト組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月13日(2004.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
広い視野を画角の範囲で分割して撮像して得た複数の画像を繋ぎ合わせて合成し、広い視野を再現するパノラマ画像を得るパノラマ撮影方法であって、
前記画像に対する撮影待機状態である取込まれる被写体像の動画表示中に、直前に撮像した画像の端部領域を該被写体像の端部に重畳表示して位置合わせを可能とするとともに、
第１のキー操作を行なうことにより、最初に撮像した画像の端部領域も同時に、取り込まれる被写体像の反対側端部に重畳表示して位置合わせを可能とし、且つパノラマ撮影する最後の画像の被写体像の両端部に重畳表示する隣接する２つの撮像済み画像の端部領域の少なくとも一方の幅を第２のキー操作により調節して、それら２つの撮像済み画像と前記最後の画像の被写体像との位置合わせを可能とすることにより、３６０°パノラマ撮影を可能とすることを特徴とするパノラマ撮影方法。
【請求項２】
前記重畳表示は、隣接する撮像済み画像の端部領域を被写体像の端部に透過表示してなされることを特徴とする請求項１記載のパノラマ撮影方法。
【請求項３】
広い視野を画角の範囲で分割して撮像して広い視野を再現するパノラマ画像を得るパノラマ撮影モードを有する撮像装置であって、
パノラマ撮影モードで、前記画像に対する撮影待機状態である取込まれる被写体像の動画表示中に、直前に撮像された画像の端部の所定領域を該被写体像の端部に重畳合成する第1の画像合成手段と、
この第1の画像合成手段によって直前に撮像した画像の端部の所定領域が重畳表示された被写体像に、最初に撮像された画像の端部の所定領域を該被写体像の反対側端部に重畳合成する第２の画像合成手段と、
前記第１及び第２の画像合成手段によって前記被写体像の両側に重畳合成される隣接する２つの撮像済み画像の端部領域の少なくとも一方の幅の変更を指示する重畳幅変更指示手段を備え、
前記第１又は第２の画像合成手段はこの重畳幅変更指示手段によって指示された撮像済み画像の端部領域の幅を変更して前記被写体像に重畳合成することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
最初に撮像した画像と前記被写体像の位置合わせ開始を指示する位置合わせ開始指示手段を備え、
取り込まれる被写体像の動画表示中に、前記位置合わせ開始指示手段による指示があると、前記第１及び第２の画像合成手段によって両端部に前記２つの撮像済み画像の端部領域がそれぞれ重畳合成された被写体像の動画表示を行うことを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
前記重畳合成された画像を１画像ファイルとして保存記録する保存記録手段を備えたことを特徴とする請求項３項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記被写体像に重畳合成される領域幅を検出して重畳領域情報とする重畳領域情報検出手段と、
撮像画像と前記重畳領域情報検出手段が撮像時に取得する重畳領域情報を保存記録する保存記録手段と、
を備えたことを特徴とする請求項３乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
パノラマ撮影された画像の再生時に、前記保存記録手段に保存記録されている重畳領域情報に基づいて再生画像を繋ぎ合わせて合成し、パノラマ画像を得るパノラマ画像合成手段と、
このパノラマ画像合成手段により合成されたパノラマ画像を表示する表示制御手段を備えたこと、を特徴とする請求項３乃至６のいずれか1項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記被写体像に重畳合成される領域幅を検出して重畳領域情報とする重畳領域情報検出手段と、
前記重畳領域情報検出手段が撮像時に取得した重畳領域情報を撮像画像と共に記憶する記憶手段と、パノラマ撮影時における最後の画像の撮像後に、前記記憶手段に記憶されている複数の撮像済み画像を該記憶手段に記憶されているそれぞれの撮像済み画像の重複領域情報に基づいて繋ぎ合わせて合成し、パノラマ画像を得るパノラマ画像合成手段と、
このパノラマ画像合成手段によって合成されたパノラマ画像を保存記録する保存記録手段と、を備えたことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか1項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、第３の発明の撮像装置は、広い視野を画角の範囲で分割して撮像して広い視野を再現するパノラマ画像を得るパノラマ撮影モードを有する撮像装置であって、パノラマ撮影モードで、前記画像に対する撮影待機状態である取込まれる被写体像の動画表示中に、直前に撮像された画像の端部の所定領域を該被写体像の端部に重畳合成する第1の画像合成手段と、この第1の画像合成手段によって直前に撮像した画像の端部の所定領域が重畳表示された被写体像に、最初に撮像された画像の端部の所定領域を該被写体像の反対側端部に重畳合成する第２の画像合成手段と、前記第１及び第２の画像合成手段によって前記被写体像の両側に重畳合成される隣接する２つの撮像済み画像の端部領域の少なくとも一方の幅の変更を指示する重畳幅変更指示手段を備え、前記第１又は第２の画像合成手段はこの重畳幅変更指示手段によって指示された撮像済み画像の端部領域の幅を変更して前記被写体像に重畳合成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、第５の発明は上記第３の発明の撮像装置において、前記重畳合成された画像を１画像ファイルとして保存記録する保存記録手段を備えたことをすることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
【発明の効果】
以上説明したように、第１の発明のパノラマ撮影方法及び第３の発明の撮像装置によれば、３６０°パノラマ撮影時に最後の画像候補である被写体像（スルー画像）の両端に隣接する撮像済み画像（直前に撮像した画像と最初に撮像した画像）の端部領域を重畳させた状態で、キー操作などにより直前に撮像した画像または最初に撮像した画像との位置調整を可能にしたので、ズレのない３６０°パノラマ画像を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
また、第５の発明の撮像装置によれば、前記重畳合成された画像を１画像ファイルとして保存記録するので、上記第３、第４の発明の効果に加え、合成された３６０°パノラマ画像を１画像ファイルとして保存記録することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｋ行を有する画像を圧縮する装置であって、該Ｋは正の整数であり、
前記画像について、Ｎ行からなるウィンドウを、垂直方向に重なるように順次供給する手段であって、該Ｎは正の整数であり、１＜Ｎ＜＜Ｋであり、かつＮはＫから独立している、手段と、
垂直高域フィルタおよび垂直低域フィルタを有するサブバンド分解フィルタの第１のステージであって、前記供給されるＮ行ウィンドウのそれぞれに対して、垂直高域フィルタリングおよび垂直低域フィルタリングを実行する第１のステージと、
を備える装置。
【請求項２】
前記供給する手段は、前記Ｎ行ウィンドウをバッファする画像バッファを備えており、
該Ｎ行ウィンドウのそれぞれは、前に供給されたＮ行ウィンドウからの１行を少なくとも保持する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記Ｎは、フィルタ長の約２倍である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
さらに、Ｍ個のサブバンド分解フィルタの付加縦続ステージを備え、
該付加縦続ステージのそれぞれは、複数のサブバンドを生成するよう垂直高域フィルタおよび垂直低域フィルタを有しており、
該付加縦続ステージのそれぞれは、さらに、前の付加縦続ステージによって生成された最低サブバンドのＮ行ウィンドウに対して、垂直高域フィルタリングおよび垂直低域フィルタリングを実行する、
請求項１に記載の装置。
【請求項５】
さらに、前記付加縦続ステージによって生成される変換係数からビットストリームを生成する符号器を備え、該符号器は、
該変換係数のビットプレーンを生成し、
前記ビットプレーンを異なるサブシーケンスに分解し、
記述されるビットあたりの歪み減少量が減っていくように、前記サブシーケンスを順序付け、
前記順序付けられたサブシーケンスを符号化し、
前記サブシーケンスを順序通りビットストリームに配置する、よう構成される、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
さらに、前記付加縦続ステージによって生成される変換係数からビットストリームを生成する符号器を備え、該符号器は、４分木分解およびビットプレーン符号化の組み合わせを用いる、
請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記ビットストリームは、
変換係数のブロックに対して４分木分解を実行して、該ブロックのそれぞれを複数のサブブロックに分解し、有効な係数を含むサブブロックを識別し、該有効な係数を含むサブブロックのすべてをビットプレーン符号化し、有効でない係数を持つブロックに対して、追加の４分木分解を実行する、
ことにより生成される、
請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第１のステージは、複数のサブバンドを生成し、
前記複数のサブバンドのそれぞれは、一度にＳ行生成され、該Ｓは正の整数であり、かつＳ＜Ｎであり、
前記複数のサブバンドのうちの１つのサブバンドは、さらに分解され、該複数のサブバンドのうちの他のサブバンドは、一度にＰ行符号化され、該Ｐは正の整数であり、かつＰ＞Ｓである、
請求項１に記載の装置。
【請求項９】
さらに、複数のエントロピー符号器を備え、
該複数のエントロピー符号器のそれぞれは、前記他のサブバンドのそれぞれに対応しており、
前記複数のエントロピー符号器のそれぞれは、該対応するサブバンドの前記Ｐ行が利用可能となると直ちに、該対応するサブバンドを符号化する、
請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
それぞれの符号器は、複数のブロックとして、前記サブバンドのＰ行を符号化し、該複数のブロックは、互いに独立に符号化される、
請求項８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
小振幅の差動信号を送信するトランシーバより送信されたデータを受信するレシーバ入力端に入力されたデータを入力とし、所定の出力に変換する差動入出力回路からなるシステムにおいて、
前記レシーバ入力端の開放時に、正常接続された状態と異なる電圧になるように、前記レシーバ入力端またはそれに相当する部分をバイアスするバイアス手段と、
前記レシーバ入力端またはそれに相当する部分の電圧を所定の電圧と比較する比較手段と、
前記レシーバ入力端が開放されたどうかを検出する検出手段と、前記検出手段により検出された結果に基づき、差動入出力回路を所定の出力状態に制御する制御手段と
からなることを特徴とする保護装置。
【請求項２】
差動入出力回路に供給される差動信号が伝送される入力端を有し前記入力端への入力線の着脱が可能な装置に適用される保護装置であって、
前記入力線が接続されていないときにおける前記入力端の電圧を、前記入力線が接続されたときに前記入力端に発生する電圧とは異なる電圧に設定する回路と、
前記入力端の電圧を所定の電圧と比較する比較器とを有し、
前記差動入出力回路の出力の状態を前記比較された結果に基づき所定の状態に固定すること
を特徴とする保護装置。
【請求項３】
差動入出力回路に供給される差動信号が伝送される入力端を有し前記入力端への入力線の着脱が可能な装置に適用される保護装置であって、
前記入力線が接続されていないときにおける前記入力端の電圧を、前記入力線が接続されたときに前記入力端に発生する電圧とは異なる電圧に設定する回路と、
前記入力端の電圧を検出するためのノードと、
前記ノードにおける電圧を所定の電圧と比較する比較器とを有し、
前記差動入出力回路の出力の状態を前記比較された結果に基づき所定の状態に固定すること
を特徴とする保護装置。
【請求項４】
差動信号が伝送される入力端を有し前記入力端への入力線の着脱が可能な装置に適用される保護装置であって、
前記入力線が接続されていないときにおける前記入力端の電圧を、前記入力線が接続されたときに前記入力端に発生する電圧とは異なる電圧に設定するバイアス回路と、
前記入力端の電圧の変化を差動入出力回路の入力端子部に伝える伝送回路と、
前記差動入出力回路の前記入力端子部の電圧を所定の電圧と比較する比較器とを有し、
前記差動入出力回路の出力の状態を前記比較された結果に基づき所定の状態に固定すること
を特徴とする保護装置。
【請求項５】
前記レシーバ入力端の少なくとも一方の入力端と抵抗を介してバイアス電圧源と接続したバイアス手段を有することを特徴とする請求項１に記載の保護装置。
【請求項６】
小振幅の差動信号により送信されたデータの予め設定された上限電圧より高い電圧にバイアスするバイアス手段と、前記予め設定された上限電圧と前記バイアス電圧間の電圧で前記レシーバ入力端またはそれに相当する部分の電圧を比較する比較手段を有することを特徴とする請求項１に記載の保護装置。
【請求項７】
前記レシーバ入力端の少なくとも一方の入力端に電流源を接続したバイアス手段を有することを特徴とする請求項１に記載の保護装置。
【請求項８】
前記レシーバ入力端と差動入出力回路の間に電流電圧変換回路を設け、この電流電圧変換回路の出力で前記レシーバ入力端の開放を検出できるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の保護装置。
【請求項９】
前記トランシーバと前記レシーバをケーブルで接続し、終端抵抗を前記トランシーバの出力間に設けたことを特徴とする請求項１に記載の保護装置。
【請求項１０】
前記トランシーバと前記レシーバをケーブルで接続し、終端抵抗をケーブルの信号ライン間に設けたことを特徴とする請求項１に記載の保護装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するために、この発明の保護装置では、小振幅の差動信号を送信するトランシーバより送信されたデータを受信するレシーバ入力端に入力されたデータを入力とし、所定の出力に変換する差動入出力回路からなるシステムにおいて、前記レシーバ入力端の開放時に、正常接続された状態と異なる電圧になるように、前記レシーバ入力端またはそれに相当する部分をバイアスするバイアス手段と、前記レシーバ入力端またはそれに相当する部分の電圧を所定の電圧と比較する比較手段と、前記レシーバ入力端が開放されたどうかを検出する検出手段と、前記検出手段により検出された結果に基づき、差動入出力回路を所定の出力状態に制御する制御手段とからなることを特徴とする。また、差動入出力回路に供給される差動信号が伝送される入力端を有し前記入力端への入力線の着脱が可能な装置に適用される保護装置であって、前記入力線が接続されていないときにおける前記入力端の電圧を、前記入力線が接続されたときに前記入力端に発生する電圧とは異なる電圧に設定する回路と、前記入力端の電圧を所定の電圧と比較する比較器とを有し、前記差動入出力回路の出力の状態を前記比較された結果に基づき所定の状態に固定することを特徴とする。また、差動入出力回路に供給される差動信号が伝送される入力端を有し前記入力端への入力線の着脱が可能な装置に適用される保護装置であって、前記入力線が接続されていないときにおける前記入力端の電圧を、前記入力線が接続されたときに前記入力端に発生する電圧とは異なる電圧に設定する回路と、前記入力端の電圧を検出するためのノードと、前記ノードにおける電圧を所定の電圧と比較する比較器とを有し、前記差動入出力回路の出力の状態を前記比較された結果に基づき所定の状態に固定することを特徴とする。また、差動信号が伝送される入力端を有し前記入力端への入力線の着脱が可能な装置に適用される保護装置であって、前記入力線が接続されていないときにおける前記入力端の電圧を、前記入力線が接続されたときに前記入力端に発生する電圧とは異なる電圧に設定するバイアス回路と、前記入力端の電圧の変化を差動入出力回路の入力端子部に伝える伝送回路と、前記差動入出力回路の前記入力端子部の電圧を所定の電圧と比較する比較器とを有し、前記差動入出力回路の出力の状態を前記比較された結果に基づき所定の状態に固定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記により、小振幅の差動信号を送受信する、いわゆるＬＶＤＳの規格を利用し、レシーバ側の入力端が開放されたときに規格外となるようにバイアスし、レシーバ入力端の電圧がＬＶＤＳ規格内か規格外かを検出することで、レシーバの入力端が開放かどうかを検出し、開放の場合にレーザーが非発光となるよう出力制御を行う。これにより、保守作業時にケーブルを外した場合でもレーザーは直ちに非発光となるので、レーザー光による重大な事故の発生を防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に形成された金属膜の少なくとも一部を除去する半導体装置の製造方法において、前記金属膜を酸化する酸化性物質と、前記金属膜の金属酸化物を水溶性化する物質と水を混合した研磨液を一定期間以上保管したのち前記研磨液を用いて、前記金属膜表面を機械的に摩擦して除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
絶縁膜上に形成された金属膜の少なくとも一部を除去する半導体装置の製造方法において、前記金属膜を酸化する酸化性物質と、前記金属膜の金属酸化物を水溶性化する物質と水を混合した状態で研磨液供給装置内に一定期間以上保管したのち、前記金属膜表面を機械的に摩擦する際に前記研磨液を研磨装置へ供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記一定期間は１週間であることを特徴とする請求項１乃至２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記研磨液は、前記金属膜に対する防食性物質もしくは界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１乃至２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記防食性物質はベンゾトリアゾールまたはその誘導体であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記界面活性剤はポリアクリル酸もしくはポリアクリル酸アンモニウム塩であることを特徴とする請求項４記載記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記酸化性物質は過酸化水素であることを特徴とする請求項１乃至２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記酸化物を水溶性化する物質は、有機酸もしくはその塩を含むことを特徴とする請求項１乃至２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記有機酸はリンゴ酸もしくはクエン酸であることを特徴とする請求項８記載の研磨方法。
【請求項１０】
前記金属膜は、銅もしくは銅を主成分とする合金もしくは銅化合物を含むことを特徴とする請求項１乃至２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
絶縁膜上に形成された金属膜の少なくとも一部を除去する半導体装置の製造方法において、過酸化水素水と、クエン酸もしくはリンゴ酸と、ベンゾトリアゾールを含んだ状態で１ヶ月以上保管された研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
絶縁膜上に形成された金属膜の少なくとも一部を除去する半導体装置の製造方法において、過酸化水素水と、クエン酸もしくはリンゴ酸と、ポリアクリル酸もしくはポリアクリル酸アンモニウムを含んだ状態で１ヶ月以上保管された研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
不純物ドープ層を有する基体を準備する工程と、
前記不純物ドープ層上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が形成された基体上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を酸化する酸化性物質と、金属酸化物を水溶性化する物質と水を含んだ状態で１ヶ月以上保管された研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦をかけることにより前記絶縁膜を露出させる工程と、
その後、前記基体を洗浄する工程と、洗浄された前記基体を乾燥する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
第１の配線層を有する基体を準備する工程と、
前記第１の配線層が露出される開口部を有する第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が形成された基体上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜酸化する酸化性物質と、金属酸化物を水溶性化する物質と水を含んだ状態で１ヶ月以上保管された研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦をかけることにより前記絶縁膜を露出させる工程と、
その後、前記基体を洗浄する工程と、洗浄された前記基体を乾燥する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
導電体層を有する基体を準備する工程と、
前記導電体層上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が形成された基体上に、窒化チタン膜と銅を主成分とする金属膜を含む積層膜を形成する工程と、
過酸化水素水と、クエン酸もしくはリンゴ酸と、ベンゾトリアゾールを含んだ状態で１ヶ月以上保管された研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦し前記絶縁膜上の金属膜を除去する工程と、その後、
前記基体を洗浄する工程と、
洗浄された前記基体を乾燥する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
導電体層を有する基体を準備する工程と、
前記導電体層上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が形成された基体上に、窒化チタン膜と銅を主成分とする金属膜を含む積層膜を形成する工程と、
過酸化水素水と、クエン酸もしくはリンゴ酸と、ポリアクリル酸もしくはポリアクリル酸アンモニウムを含んだ状態で１ヶ月以上保管された研磨液を用い、前記金属膜表面を機械的に摩擦し前記絶縁膜上の金属膜を除去する工程と、その後、
前記基体を洗浄する工程と、
洗浄された前記基体を乾燥する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月14日(2004.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】誤差拡散型画像処理システムおよび記録装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録装置に用いられ、多値階調画像を誤差拡散法により記録するための誤差拡散型画像処理システムにおいて、
元画像の注目画素の濃度に対応する入力データと、前記注目画素に対応させて設定されたしきい値とを比較して、２値化出力データを出力する２値化処理部と、
前記２値化出力データを前記元画像の画素に対応させて、前記補正済入力データとして記憶する出力データビットメモリと、前記注目画素における濃度レベルに応じて、前記出力データビットメモリにおける処理対象領域を選択する領域選択処理部と、前記出力データビットメモリに既に記憶され、前記処理対象領域に存在する前記補正済入力データの履歴をチェックしてその履歴情報を出力する領域チェック部とを含む均一化処理部と、
前記履歴情報の出力に基づいて前記２値化処理部を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする誤差拡散型画像処理システム。
【請求項２】
前記入力データが任意に設定された濃度レベル以上であるときには、前記処理対象領域に存在する前記補正済入力データの有無にかかわらず、前記領域選択処理部と前記領域チェック部の処理を行わずに、前記領域チェック部から前記補正済入力データの履歴がないとした信号を出力することを特徴とする請求項１に記載の誤差拡散型画像処理システム。
【請求項３】
前記制御手段は、前記処理対象領域に少なくとも１つの前記補正済入力データの履歴があるときには、前記２値化出力データの出力を中止し、前記処理対象領域に前記補正済入力データの履歴がないときには、前記２値化出力データの出力を行う制御手段であることを特徴とする請求項１または２に記載の誤差拡散型画像処理システム。
【請求項４】
前記記録装置は、熱転写カラープリンタ、昇華型カラープリンタ、またはインクジェットプリンタであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の誤差拡散型画像処理システム。
【請求項５】
前記熱転写カラープリンタ、前記昇華型カラープリンタ、または前記インクジェットプリンタで使用する色成分毎に、請求項１から４のいずれか一項に記載の誤差拡散型画像処理システムをそれぞれ備えることを特徴とする記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図４を再度参照すると、あご部材１０８，１１０が閉じると、第３および第４のピボット軸１２６，１２８が出力軸１８２とともに一直線上に位置するようになる。また、あご部材１０８，１１０が閉じると、ピボット軸１２４，１２２および１３４が一直線上に位置するようになる。リンクおよびそのピボット軸のこの組み合わせは、本発明に多くの利点を提供することが分かった。まず第１に、機械上の大きな利点として、開いた形のプラシ天リップ２０ｃ，２０ｔを望ましい閉じた形の直径まで圧縮する。さらに、あご部材１０８，１１０をかなり広く開き、それによって、あご状組立機構１０２が揺動されて、巻き付けステーションでフィルムスプール１０を取り出すことができる。また、キャッピングステーションには、完成品を取り出すためのクリアランスが設けられる。第２のあご部材１１０は、第１のあご部材１０８の前で、開いたプリフォームシェル２８のクリンピングされたリップ２０ｃと係合し、閉鎖中にプリフォームシェル２８を確実に位置決めする。また、第２のあご部材１１０は、プリフォームシェル２８の閉鎖中に回転して、あご状組立機構１０２、シェル２８間の相対運動を最小限にする。上記のように、あご部材１０８，１１０は、最も大きなフィルム巻き付けスプール１０を、そのスプール１０上で壊れることなく、開いたプリフォームシェル２８に閉じ込めるように形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
扁平率が溶接管直径の３〜１０％の範囲を外れ、或いは式（１）で与えられる数値が５〜１１の範囲を外れると、図２に示すように真円度が悪化する。また、溶接直後の管の断面は、溶接部が高温のため他の部分よりも強度が低いことから残留応力によって溶接部が屋根状に変形したいわゆるルーフィングと呼ばれる現象が生じ、溶接部を上側にした場合に縦長の断面形状になる。そのため、扁平方向としては溶接後の管を上下から圧下して横長形状とし、管断面全体及び溶接部近傍の形状を改善することが必要である。
溶接素管８を扁平加工すると、新たな残留応力が発生する。この残留応力は、それまでの加工履歴によって発生していた残留応力の影響をほぼ除去する。扁平加工で発生した残留応力は、溶接素管８を矯正ロール１１で真円形状に成形するときに発生する逆方向の残留応力で相殺される。そのため、矯正ロール１１を通過した溶接素管８は、成形後に溶接したままの状態に比較して残留応力が大幅に少なくなっている。したがって、溶接素管８を定寸切断しても、切断端面に口開き，口閉じ等の変形が発生することがなくなる。
扁平加工が真円度の向上に及ぼす影響は、製品溶接管の中央，先端，後端で異なる傾向を示す。すなわち、扁平量の増大に従って管端では必要な真円度が維持されるものの、管中央では過度に扁平化される虞れがある。このような場合、矯正ロール１１で溶接素管８の直径を絞る加工を施し、その圧下量を調節することにより管中央の真円度も確保される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
引き続き、溶接部から管底部までの距離が目標製品外径２５．４ｍｍよりも小さくなるように、オーバベンドロール９により溶接素管８を扁平加工した。オーバベンドロール９には、図４に示すカリバー半径ＲＢ＝１５．５ｍｍ，ロール底径Ｄ１＝６０ｍｍ，ロール胴径Ｄ２＝８２ｍｍのロール対を使用した。また、適正扁平量に対応したカリバーをもつオーバベンドロール９として、図５に示すようにカリバーの長半径ＲＢ１＝１６．０４ｍｍ，短半径ＲＢ２＝１１．０３ｍｍ，ロール底径Ｄ１＝６０ｍｍ，ロール胴径Ｄ２＝８２．４ｍｍのロール対を使用した。なお、図４のロールは、ロール合せ部で管と接触しない領域が生じる。図５のロールでは、総型でほぼ円周方向全体にわたって管表面に接触する。この点、図５のロールの方がロール合わせ部での局部的な折れ変形が生じないことから、図５のロールの方が好ましい。
扁平加工後の溶接素管８を引抜き装置１０で引き抜いた後、直径方向の絞り加工を加えない状態で矯正ロール１１により溶接素管８をほぼ真円形状に成形した。矯正ロール１１としては、図６に示すように直径ｄｃ＝２５．４ｍｍのギャップを形成する底径Ｄ３＝６０ｍｍのロール対を使用した。
成形後の溶接素管８を定寸切断し、直径２５．４ｍｍの製品溶接管を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
表面層（Ａ）の不透明度が６０〜１００％であり、裏面層の（Ｃ）の不透明度が５０％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の易剥離性積層フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
裏面層（Ｃ）は、その無機微細粉末の含有量が層間剥離性層（Ｂ）の無機微細粉末の含有量より少ない、または無機微細粉末を含んでいない熱可塑性樹脂一軸延伸フィルムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の易剥離性積層フィルム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
表面層（Ａ）が積層体構造であって、そのうち（Ｂ）層と接する層（Ａ１）の構成が無機微細粉末２〜３５重量％、および熱可塑性樹脂９８〜６５重量％含有する二軸延伸フィルムよりなる層であって、その無機微細粉末の含有量は層間剥離性層（Ｂ）のそれより８重量％以上少ない層であり、さらにその外側の層（Ａ２）は無機微細粉末含有量が０〜８０重量％、および熱可塑性樹脂１００〜２０重量％含有する熱可塑性樹脂一軸延伸フィルムであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の易剥離性積層フィルム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【作用】
各層（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）が熱可塑性樹脂フィルムより構成されているため、耐水性に優れる。また、層間剥離性層（Ｂ）の肉厚が０．１〜１０μｍと薄いため、層間剥離時に（Ａ）層または（Ｃ）層に作用した応力が強度の弱いこの（Ｂ）層に伝幡し、集中してかかり、（Ｂ）層の層間剥離が容易に起きる。さらに（Ｂ）層は延伸配向されているので剥離面が均一となり、また、その肉厚が薄いことから剥離後に裏面層の持つ特徴（透明性、耐擦過性など）を有効に活用できる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
該感圧粘着剤の塗工量としては、固形分量で３〜４０ｇ／ｍ2 、好ましくは１０〜３０ｇ／ｍ2 の範囲である。
上記塗工・乾燥後の感圧粘着剤の肉厚は、アクリル系粘着剤の場合で１０〜５０μｍ、ゴム系粘着剤の場合で８０〜１５０μｍとするのが一般的である。この粘着剤の層間剥離強度は２００〜３０００ｇ／２０ｍｍ幅である。
積層フイルムと感圧粘着剤との接着力が小さい場合は、上記感圧粘着剤を塗工する前に積層フイルムの裏面にアンカーコート剤を塗布することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波振動子とその振動子へ動力を伝えるフレキシブルシャフトを、超音波媒体を充填したシース内に有する超音波プローブにおいて、
前記シースは先端側を手元側より柔らかく形成すると共に、先端から手元側に向かって連続的に堅さが変化する部分を有することを特徴とする超音波プローブ。
【請求項２】
前記シースの先端側を手元側より薄肉を形成するとともに、シース肉厚が連続的に変化する部分を有することを特徴とする請求項１に記載の超音波プローブ。
【請求項３】
前記シースは柔らかい素材と堅い素材とから成り、シース先端側は柔らかい素材の占める割合が高く、シース手元側は堅い素材の占める割合が高くなるように形成されるとともに、柔らかい素材と堅い素材の割合が連続的に変化する部分を有することを特徴とする請求項１に記載の超音波プローブ。
【請求項４】
前記シースは樹脂とフレックスもしくはブレードから形成され、フレックスもしくはブレードは先端側で粗に手元側で密に構成されているとともに、フレックスもしくはブレードの密度が連続的に変化する部分を有することを特徴とする請求項１に記載の超音波プローブ。
【請求項５】
前記シース先端側の柔らかい部分は、その他の部分と色が異なっていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の超音波プローブ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月17日(2004.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体に超音波を送受信して得たエコーデータより、注目組織を認識する認識手段と、
前記認識手段が認識した結果を、該エコーデータから生成される超音波断層像に、該超音波断層像とは異なる色相で重畳する重畳手段と、
を備える超音波画像診断装置において、前記重畳手段は、さらに、前記超音波断層像の階調を圧縮する圧縮手段を設けたことを特徴とする超音波画像診断装置。
【請求項２】
被検体に超音波を送受信して得た３次元エコーデータより、注目組織を認識する認識手段と、
前記認識手段が認識した結果を、該３次元エコーデータから生成される３次元画像に、該３次元画像とは異なる色相で重畳する重畳手段と、
を備える超音波画像診断装置において、前記重畳手段は、さらに、前記３次元画像の階調を圧縮する圧縮手段を設けたことを特徴とする超音波画像診断装置。
【請求項３】
被検体に超音波を送受信して得たエコーデータより、注目組織を認識する認識手段を設けた超音波画像診断装置において、
前記認識手段は、認識した該注目組織を計測する計測手段を備えたことを特徴とする超音波画像診断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
軸体の基端部にはモーター等の自転軸との連結部が設けられているために、この軸体を任意の駆動手段に固定させることができる。したがって、携帯可能なモーター、例えば電気ドリルの駆動部のチャックに把持させることによって軸体を任意の方向に向けて自転させることができる。
軸体には中央部を外側に膨出状に屈曲させた状態で複数の攪拌用線条の両端部が固定されているために、、ペイントを満たした容器内に攪拌用線条を浸漬させて軸体を自転させると、ペイントを水平方向に流動させることになる。また軸体の先端部には攪拌用プロペラが固定されているためにこのプロペラの回転に伴って、ペイントを垂直方向に流動させることができる。
したがって、この保持具は、ペイントを水平及び垂直方向に同時に流動させられるため、極めて強い攪拌作用を発揮する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この保持具を、日米共通サイズである筒内径約 3.8cm、長さ２３cmのローラ刷毛（乾燥状態における重量は７５ｇ）を使用して脱水テストを実施した。
ローラ刷毛をそのまま水に浸漬させて水を刷毛内に含浸させ、これを取り出して水の連続流下が収量した段階でその重量を計ったところ４２５ｇであった。
保持具を市販されている充電式携帯用ドリルの駆動部のチャックに取り付け、これを水を含浸させた前記ローラ刷毛の筒壁内に挿入して支持させてモーターを作動させると、ローラ刷毛はほぼ２，３００rpm で自転した。約１０秒後にモーターを止めローラ刷毛を外してその重量を計ったところ１００ｇとなった。したがって２５ｇの水が刷毛内に残留し、３２５ｇの水が脱水されたことになる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
いままでのニッケル系正極活物質はＬｉＮｉＯ２を基本として放電容量と寿命特性そして構造的安全性を向上させる目的でＮｉの一部をＣｏ、Ｍｎ等に置換したＬｉＮｉ１−ｘＭｘＯ２(０〈ｘ〈１)粉末を固状反応(ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｐｒｏｃｅｓｓ)、共沈法(ｃｏｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄｅ)、ポリマーキレーティングエージェント(ｐｏｌｙｍｅｒ ｃｈｅｌａｔｉｎｇ ａｇｅｎｔ)法等で合成する方法の開発及び研究がなされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ＬｉＮｉＯ２の場合、４．３Ｖ充電を基準に０．１Ｃ放電時、充放電容量は２００ｍＡｈ/ｇ以上で１．０Ｃ放電時初期放電容量が約１８０ｍＡｈ/ｇで高容量を示すが、充放電時六方晶系(ｈｅｘａｇｏｎａｌ)構造からモノクリニック(ｍｏｎｏｃｌｉｎｉｃ)構造に変化する構造の不安定により連続的な充放電の時容量が急激に減少し、寿命の特性が悪くなって実際の電池に使用するのが不可能で合成し難い短所がある。