(57)【要約】  本発明の半導体用フィルムは、接着層と、第１粘着層と、第２粘着層とがこの順に貼着してなり、前記第２粘着層の外周部が前記第１粘着層の外周縁を越えて存在し、前記接着層の第１粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層し、前記第２粘着層の前記外周部にウエハーリングを貼着して該半導体用ウエハーを切断する際に用いる半導体用フィルムであって、前記第１粘着層の前記接着層に対する接着力Ａ１（ｃＮ／２５ｍｍ）が、前記第２粘着層の前記ウエハーリングに対する接着力Ａ２（ｃＮ／２５ｍｍ）よりも低いことを特徴とする。本発明の半導体装置は、上記に記載の半導体用フィルムを用いて製造されたことを特徴とする。
2008047610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着層と、第１粘着層と、第２粘着層とがこの順に貼着してなり、
前記第２粘着層の外周部が前記第１粘着層の外周縁を越えて存在し、
前記接着層の第１粘着層と反対側の面に半導体用ウエハーを積層し、前記第２粘着層の前記外周部にウエハーリングを貼着して該半導体用ウエハーを切断する際に用いる半導体用フィルムであって、
前記第１粘着層の前記接着層に対する接着力Ａ１（ｃＮ／２５ｍｍ）が、前記第２粘着層の前記ウエハーリングに対する接着力Ａ２（ｃＮ／２５ｍｍ）よりも低いことを特徴とする半導体用フィルム。
【請求項２】
接着力Ａ１と、接着力Ａ２との比（Ａ２／Ａ１）が１．２〜１００である請求の範囲第１項に記載の半導体用フィルム。
【請求項３】
前記接着力Ａ１が、１０〜８０ｃＮ／２５ｍｍである請求の範囲第１項に記載の半導体用フィルム。
【請求項４】
前記接着力Ａ２が、１００〜１，０００ｃＮ／２５ｍｍである請求の範囲第１項に記載の半導体用フィルム。
【請求項５】
前記接着層の前記半導体用ウエハーに対する接着力Ａ３（ｃＮ／２５ｍｍ）が、接着力Ａ１よりも大きいものである請求の範囲第１項に記載の半導体用フィルム。
【請求項６】
前記接着層は、離型フィルムを有するものである請求の範囲第１項に記載の半導体用フィルム。
【請求項７】
請求の範囲第１項に記載の半導体用フィルムを第１基材フィルム上に形成する半導体用フィルムの製造方法であって、
前記第１基材フィルムと前記接着層とが積層された接着層中間体と、前記第１粘着層とを、前記接着層と、前記第１粘着層とが隣接するように積層して第１積層体を得る工程と、
前記積層体に対して、前記第１基材フィルムを残して、前記接着層および前記第１粘着層の有効領域の外周を除去する工程と、
第２基材フィルムに前記第２粘着層が積層された第２粘着層中間体の第２粘着層と、前記第１粘着層とが隣接するように積層する工程とを有していることを特徴とする半導体用フィルムの製造方法。
【請求項８】
請求の範囲第１項に記載の半導体用フィルムを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用フィルム、半導体用フィルムの製造方法および半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに粘着シートを貼付し、半導体ウエハーの周囲をウエハーリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハーを個々の半導体素子に切断分離（個片化）した後、エキスパンディング工程、個片化した半導体素子のピックアップを行い、次いで、この半導体素子を金属リードフレームあるいは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。【０００３】
ピックアップされた半導体素子は、ダイボンディング工程で液状エポキシ接着剤等の液状ダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造される。【０００４】
しかし、多段に半導体素子を重ねる必要から半導体ウエハーの薄型化が進んでおり、従来のダイボンディング材である樹脂ペーストを用いて適量の接着剤を塗布することが困難であった。すなわち、半導体素子から樹脂ペーストがはみ出したり、樹脂ペーストが硬化した後に半導体素子が反ったりして、パッケージに組込む時の信頼性が低下する場合があった。また、樹脂ペーストの塗布工程は繁雑でもあり、プロセスを簡略化するためにも、改善・改良が要求されている。【０００５】
この問題の解決のため、液状ダイアタッチ材の代わりに、フィルム状接着剤をダイアタッチ材として使用することが提案され、一部では、既に使用されている（例えば、特許文献１：特開２００２−３５３２５２号公報、特許文献２：特開２００２−２９４１７７号公報参照）。さらに、工程の短縮の理由から粘着シートとフィルム状のダイアタッチ材とが一体となっている粘接着フィルムも一部では使用されている。
【発明の開示】
【０００６】
本発明の目的は、上述したような粘着シートとフィルム状のダイアタッチ材とが一体となっている粘接着フィルムでは、半導体ウエハーに貼着が予定される部分と、ウエハーリングに貼着が予定される部分とでは要求される機能が異なるため、これら異なる要求の双方を満足することが可能な半導体用フィルムを提供することにある。
【０００７】
上記目的を達成するために、下記（１）〜（７）に記載の本発明は、
（１）接着層と、第１粘着層と、第２粘着層とがこの順に貼着してなり、前記第２粘着層の外周部が前記第１粘着層の外周縁を越えて存在し、前記接着層の第１粘着層と反対側の面に半導体用ウエハーを積層し、前記第２粘着層の前記外周部にウエハーリングを貼着して該半導体用ウエハーを切断する際に用いる半導体用フィルムであって、前記第１粘着層の前記接着層に対する接着力Ａ１（ｃＮ／２５ｍｍ）が、前記第２粘着層の前記ウエハーリングに対する接着力Ａ２（ｃＮ／２５ｍｍ）よりも低いことを特徴とする半導体用フィルム。
（２）接着力Ａ１と、接着力Ａ２との比（Ａ２／Ａ１）が１．２〜１００である上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（３）接着力Ａ１が、１０〜８０ｃＮ／２５ｍｍである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（４）接着力Ａ２が、１００〜１，０００ｃＮ／２５ｍｍである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（５）前記接着層の前記半導体用ウエハーに対する接着力Ａ３（ｃＮ／２５ｍｍ）が、接着力Ａ１よりも大きいものである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（６）前記接着層は、離型フィルムを有するものである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（７）上記（１）に記載の半導体用フィルムを第１基材フィルム上に形成する半導体用フィルムの製造方法であって、前記第１基材フィルムと前記接着層とが積層された接着層中間体と、前記第１粘着層とを、前記接着層と、前記第１粘着層とが隣接するように積層して第１積層体を得る工程と、前記積層体に対して、前記第１基材フィルムを残して、前記接着層および前記第１粘着層の有効領域の外周を除去する工程と、第２基材フィルムに前記第２粘着層が積層された第２粘着層中間体の第２粘着層と、前記第１粘着層とが隣接するように積層する工程とを有していることを特徴とする半導体用フィルムの製造方法。
（８）上記（１）に記載の半導体用フィルムを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１図は、半導体用フィルムの一例を示す断面図である。
【図２】第２図は、半導体用フィルムの一例を示す断面図である。
【図３】第３図は、半導体用フィルムの製造工程を示す断面図である。
【図４】第４図は、半導体用フィルムの製造工程を示す断面図である。
【図５】第５図は、半導体用フィルムの他の製造工程を示す断面図である。
【図６】第６図は、半導体素子の製造工程を示す模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の半導体用フィルム、および半導体装置について詳細に説明する。【００１０】
本発明の半導体用フィルムは、接着層と、第１粘着層と、第２粘着層とがこの順に貼着してなり、前記第２粘着層の外周部が前記第１粘着層の外周縁を越えて存在し、前記接着層の第１粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層し、前記第２粘着層の前記外周部にウエハーリングを貼着して該半導体用ウエハーを切断する際に用いる半導体用フィルムであって、前記第１粘着層の前記接着層に対する接着力Ａ１（ｃＮ／２５ｍｍ）が、前記第２粘着層の前記ウエハーリングに対する接着力Ａ２（ｃＮ／２５ｍｍ）よりも低いことを特徴とする。【００１１】
本発明の半導体装置は、上記に記載の半導体用フィルムを用いて製造されたことを特徴とする。【００１２】
まず、半導体用フィルムについて説明する。【００１３】
半導体用フィルム１０は、第１粘着層１と、第２粘着層２と、接着層３とを有している。第１図に示すように、半導体用フィルム１０は、接着層３と、第１粘着層１と、第２粘着層２とがこの順に貼着されている。第２粘着層２の外周部２１は、第１粘着層１の外周縁１１を越えて存在している。第２粘着層２の下側（第１図中の下側）には、第２基材フィルム（支持フィルム）４が設けられている。【００１４】
以下、各部材について説明する。【００１５】
第１粘着層１は、従来よりこの種の用途に用いられてきた粘着剤を用いることができる。具体的には、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第１樹脂組成物で構成されている。【００１６】
前記アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルとそれらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合しても良い。これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルから選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、被着体との密着性や粘着性の制御が容易になる。【００１７】
前記第１樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加しても良い。また、接着強度およびシェア強度を高める目的でロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加しても良い。【００１８】
第１粘着層１の接着層３に対する接着力Ａ１は、後述する第２粘着層２のウエハーリングに対する接着力Ａ２よりも低いものとなる。具体的に、このような接着力Ａ１は、前述したアクリル系樹脂等の種類、モノマー等の種類、含有量等で調整することができる。【００１９】
例えば、前記アクリル系樹脂１００重量部に対して、アクリレートモノマー１〜５０重量部と、イソシアネート化合物０．１〜１０重量部とを配合する場合が挙げられる。【００２０】
ここで接着力Ａ１（接着力Ａ２も同様）は、例えば粘着フィルムを２５ｍｍ幅で短冊状に切断し、２３℃（室温）で粘着フィルムに貼り付け、２３℃（室温）で粘着フィルムを剥離角１８０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（粘着フィルムの引っ張り速度は、３００ｍｍ／ｍｉｎ）。【００２１】
また、前記接着力Ａ１は、上述したアクリル系樹脂等の種類による調整以外に、放射線重合性重合開始剤を配合して紫外線等を照射することにより、モノマー（例えばアクリレートモノマー、イソシアネート）等を重合させることにより接着力を低下させる方法を使用することができる。【００２２】
この接着力Ａ１は、特に限定されないが、１０〜８０ｃＮ／２５ｍｍであることが好ましく、特に３０〜６０ｃＮ／２５ｍｍであることが好ましい。接着力が前記範囲内であると、特にダイシング性、ピックアップ性に優れる。【００２３】
第１粘着層１の厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍが好ましく、特に３〜２０μｍが好ましい。厚さが前記下限値未満であると充分な粘着力を確保するのが難しくなる場合があり、前記上限値を超えてもあまり特性に影響が無く、利点も得られない。厚さが前記範囲内であると、特にダイシング性、ピックアップ性に優れる。【００２４】
第２粘着層２は、前述した第１粘着層１よりも粘着性が高いものとなる。すなわち、第１粘着層１の接着層３に対する接着力Ａ１（ｃＮ／２５ｍｍ）が、第２粘着層２のウエハーリングに対する接着力Ａ２（ｃＮ／２５ｍｍ）よりも低いことを特徴とする。これにより、半導体ウエハー切断時の作業性と、切断後の個片化した半導体ウエハー（半導体素子）のピックアップ性との両立が可能となる。特に、厚さ２００μｍ以下のような薄い半導体素子に対しても良好なピックアップ性を示すことができる。【００２５】
第２粘着層２は、前述した第１粘着層１と同様のものを用いることができる。具体的には、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第２樹脂組成物で構成されている。【００２６】
前記アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合しても良い。これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルの中から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、被着体との密着性や粘着性の制御が容易になる。【００２７】
前記第２樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加しても良い。また、接着強度およびシェア強度を高める目的でロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加しても良い。【００２８】
半導体用フィルム１０は、半導体用ウエハーを切断する際に第２粘着層２の外周部であって、第１粘着層１が積層されていない部分２１にウエハーリングを貼着して用いるが、この第２粘着層２のウエハーリングに対する接着力Ａ２（ｃＮ／２５ｍｍ）は、特に限定されないが、１００〜１，０００ｃＮ／２５ｍｍが好ましく、特に４００〜８００ｃＮ／２５ｍｍが好ましい。接着力Ａ２が前記範囲内であると、エキスパンディング時に粘着シートから半導体素子等が脱落等するのが低減され、さらにウエハーリングとの充分な接着力が得られる。【００２９】
このような接着力Ａ２も、前述したアクリル系樹脂等の種類、モノマー等の種類、含有量等で調整することができる。例えば、前記アクリル系樹脂１００重量部に対して、ウレタンアクリレート１〜５０重量部と、イソシアネート化合物０．５〜１０重量部とを配合する場合が挙げられる。【００３０】
また、接着力Ａ１と、接着力Ａ２との比（Ａ２／Ａ１）は、特に限定されないが、１．２〜１００が好ましく、特に５〜３０が好ましい。比が前記範囲内であると、特にダイシング性、ピックアップ性に優れる。【００３１】
第２粘着層２の厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍが好ましく、特に３〜２０μｍが好ましい。厚さが前記下限値未満であると充分な粘着力を確保するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えても特に優れた効果が得られない。【００３２】
接着層３は、例えば熱硬化性樹脂、硬化剤等を含む第３樹脂組成物で構成されている。これにより、接着性と硬化後の耐熱性に優れる。【００３３】
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。【００３４】
前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第３樹脂組成物全体の３０〜６０重量％が好ましく、特に４０〜５０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化後の接着層３の弾性率を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えるとフィルム形成能を向上する効果が低下する場合がある。さらに、含有量が前記範囲内であると、基板と半導体素子との初期埋め込み性（基板の凹凸に対する初期の埋め込み性）をより向上できる。【００３５】
前記第３樹脂組成物は、さらに硬化剤（前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤）を含有することが好ましい。【００３６】
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンおよびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。【００３７】
前記硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、前記第３樹脂組成物全体の１５〜４０重量％が好ましく、特に２０〜３０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。【００３８】
また、前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量（たとえばフェノール樹脂であれば水酸基当量）の比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。【００３９】
前記第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、接着層３の硬化性を向上することができる。【００４０】
前記硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。【００４１】
前記イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−[２'−メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−ウンデシルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−エチル−４'メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。【００４２】
前記硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対して０．０１〜３０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。【００４３】
前記硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることが好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。【００４４】
前記第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、接着層３のフィルム形成能を向上することができる。【００４５】
前記熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着層３の初期密着性をより向上することができる。【００４６】
前記アクリル系樹脂は、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。【００４７】
また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等を持つ化合物（共重合モノマー成分）を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸エステル共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。【００４８】
前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル系樹脂全体の０．５〜４０重量％が好ましく、特に５〜３０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。【００４９】
前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、特に限定されないが、−２５〜１２０℃であることが好ましく、特に−２０〜６０℃がより好ましく、最も−１０〜５０℃が好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると接着層３の粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。【００５０】
前記熱可塑性樹脂（特にアクリル系樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に接着層３の製膜性を向上することができる。【００５１】
前記熱可塑性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第３樹脂組成物全体の１０〜３０重量％が好ましく、特に１５〜２５重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとフィルム形成能を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると初期密着性を向上する効果が低下する場合がある。【００５２】
前記第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。【００５３】
前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。【００５４】
前記シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。【００５５】
前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対して０．０１〜１０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。【００５６】
接着層３の厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍが好ましく、特に５〜７０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。【００５７】
このようにして得られた接着層３の第１粘着層１に対する接着力Ａ１（ｃＮ／２５ｍｍ）は、特に限定されないが、接着層３の半導体用ウエハーに対する接着力Ａ３（ｃＮ／２５ｍｍ）よりも小さいことが好ましい。これにより、半導体用ウエハーを個片化した際に安定してピックアップを行うことができる。【００５８】
接着力Ａ３（ｃＮ／２５ｍｍ）は、具体的には５０〜５００（ｃＮ／２５ｍｍ）が好ましく、特に８０〜２００（ｃＮ／２５ｍｍ）が好ましい。接着力Ａ３が前記範囲内であると、特にダイシング時のチップ飛びを防止することができる。【００５９】
また、接着層３の第１粘着層１に対する接着力Ａ１（ｃＮ／２５ｍｍ）は、特に限定されないが、第１粘着層１の第２粘着層２に対する接着力Ａ４（ｃＮ／２５ｍｍ）よりも小さいことが好ましい。これにより、半導体用ウエハーを個片化した際に安定してピックアップを行うことができる。【００６０】
接着力Ａ４（ｃＮ／２５ｍｍ）は、具体的には１００〜１，０００（ｃＮ／２５ｍｍ）が好ましく、特に３００〜６００（ｃＮ／２５ｍｍ）が好ましい。接着力Ａ４が前記範囲内であると、特にダイシング性やピックアップ性に優れる。【００６１】
第２基材フィルム（支持フィルム）４は、この基材上に設けられた各層（第２粘着層２、第１粘着層１および接着層３）を支持する機能を有するものである。【００６２】
第２基材フィルム４としては、特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等の一般的な熱可塑性樹脂で構成されるフィルムの他、さらにこれらの混合物で構成されるフィルム、さらにこれらを積層したフィルム等を用いることができる。【００６３】
これらの中でもポリプロピレン樹脂を３０〜７０重量部と、ポリスチレンブロックとビニルイソプレンとからなるブロック共重合体３０〜７０重量部との混合物で構成されるシートを用いることが好ましい。さらに好ましくは、ポリプロピレン樹脂が４０〜６０重量部と、ポリスチレンブロックとビニルイソプレンとからなるブロック共重合体４０〜６０重量部との混合物を用いることである。【００６４】
また、第２粘着層２との密着性を上げるために、これらシートの表面にコロナ処理を行ってもよい。【００６５】
また、第２基材フィルム４の厚さは、特に限定されないが、３０〜３００μｍが好ましく、特に５０〜２００μｍが好ましい。前記下限値以上であるとダイシング作業の安定性をより向上することができ、前記上限値以下であることでピックアップ性をより向上することできる。【００６６】
このように半導体用フィルム１０では、接着力の異なる二種類の粘着層を有し、その粘着剤層上には、剥離可能な接着層３を有しているので、接着層３が貼り付けられる部分の粘着層（第１粘着層１）は弱接着性で剥離性にすぐれ、ウエハーリングが貼り付けられる部分には、ウエハーリング固定用の強接着性の粘着層（第２粘着層２）が形成されるようになる。【００６７】
なお、上述の実施形態以外に、第２図に示すような接着層３が、接着部３１と離型フィルム３２とで構成されるものであっても良い。【００６８】
次に、第１図で示される半導体用フィルム１０の製造方法（本発明の半導体用フィルムの製造方法）について説明する。【００６９】
以下で説明する半導体用フィルム１０の製造方法は、第１基材フィルム４ｂ上に半導体用フィルム１０を形成するものであり、第１基材フィルム４ｂと接着層３とが積層された接着層中間体６２と、第１粘着層１とを、接着層３と第１粘着層１とが隣接するように積層して第１積層体６４を得る工程（第１の工程）と、第１積層体６４に対して、第１基材フィルム４ｂを残して、接着層３および第１粘着層１の有効領域の外周を除去する工程（第２の工程）と、第２基材フィルム４と第２粘着層２とが積層された第２粘着層中間体６３の第２粘着層２と、第１粘着層１とが隣接するように積層する工程（第３の工程）とを有する。【００７０】
以下、各工程について詳述する。【００７１】
［１］  第１積層体形成工程（第１の工程）
まず、第１基材フィルム４ｂと接着層３とが積層された接着層中間体６２と、第１粘着層１とを、接着層３と第１粘着層１とが隣接するように積層して第１積層体６４を得る。【００７２】
［１−１］  より詳述すると、本工程では、まず、第３図（ａ）に示すような、第１基材フィルム４ｂと接着層３とが積層された接着層中間体６２を用意する。【００７３】
この接着層中間体６２は、第１基材フィルム上４ｂに、接着層３の構成材料である前記第３樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させて接着層３を形成することにより得ることができる。【００７４】
なお、第１基材フィルム４ｂとしては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等があげられる。また、第１基材フィルム４ｂは、半導体用フィルム１０の使用時に剥がされるために、表面を離型処理を施されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をフィルム表面にコーティングする処理や、フィルム表面に細かい凹凸をつける処理等があげられる。前記離型剤としてはシリコーン系、アルキッド系、フッ素系等があげられる。【００７５】
また、溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。【００７６】
第１基材フィルム４ｂ上への液状材料の塗布または散布は、例えば、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等の装置を用いて行われる。【００７７】
［１−２］  次いで、第１粘着層１を用意する。【００７８】
この第１粘着層１は、前述した第１樹脂組成物で構成され、従来からこの種の用途に用いられてきた粘着剤で構成されているが、このような第１粘着層１は、例えば、次のようにして作製することができる。【００７９】
すなわち、前記第１樹脂組成物を、溶剤によりワニス化し、第３基材フィルム４ａに塗布または散布した後、溶剤を揮発させることにより、第３基材フィルム４ａに積層された第１粘着層１を形成して第１粘着層中間体６１とし（第３図（ｂ））、この第１粘着層１を第１粘着層中間体６１から剥離することにより得ることができる。【００８０】
なお、第３基材フィルム４ａとしては、第１基材フィルム４ｂと同様のものが用いられる。また、溶剤としては、第３樹脂組成物を溶解する際に説明したのと同様のものが用いられる。さらに、第１樹脂組成物の塗布または散布は、第３樹脂組成物の塗布または散布で説明した装置と同様のものを用いて行われる。【００８１】
［１−３］  次いで、前記工程［１−１］で得られた接着層中間体６２と、前記工程[１−２]で得られた第１粘着層１とを、接着層中間体６２が備える接着層３と、第１粘着層１とが隣接するように積層して第１積層体６４を得る（第３図（ｃ））。【００８２】
なお、第１積層体６４は、前記工程［１−２］で説明した第１粘着層中間体６１が備える第１粘着層１を、接着層中間体６２が備える接着層３に隣接するように積層した後、第３基材フィルム４ａを剥離することによっても得ることができる。【００８３】
接着層３に第１粘着層１を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。【００８４】
また、第１粘着層１に隣接する第３基材フィルム４ａを剥がす方法としては、第１粘着層１の面に対して第３基材フィルム４ａを９０度以上１８０度以下の角度で剥離を行うことが好ましい。第３基材フィルム４ａを剥離する角度を前記範囲とすることで、第１粘着層１と第３基材フィルム４ａの界面以外での剥離を防止することができる。【００８５】
なお、第１積層体６４は、第１基材フィルム４ｂ上に、第３樹脂組成物および第１樹脂組成物をこの順で塗工して、接着層３および第１粘着層１を形成することによっても得ることができる。【００８６】
［２］  第２積層体形成工程（第２の工程）
次に、前記工程［１］で得られた第１積層体６４に対して、第１基材フィルム４ｂを残して、接着層３および第１粘着層１の有効領域の外周をリング状に除去された第２積層体５０を得る（第３図（ｄ））。【００８７】
ここで、有効領域とは、第１基材フィルム４ｂおよび第２基材フィルム４の平面視形状よりも小さく、後述する半導体装置の製造方法において、接着層３に半導体ウエハー７を積層する領域を指す。さらに、有効領域の外周とは、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリングの内径よりも小さい領域を指す。【００８８】
［２−１］  より詳述すると、本工程では、まず、第１基材フィルム４ｂを残して、接着層３および第１粘着層１の有効領域の外周をリング状に打ち抜く。【００８９】
この第１粘着層１の打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に半導体用フィルム１０を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。【００９０】
［２−２］  次いで、リング状に打ち抜いた接着層３および第１粘着層１を除去することにより、第２積層体５０を得ることができる。【００９１】
なお、本工程では、有効領域の外周をリング状（円形状）に打ち抜いたが、外周を打ち抜く形状は、後述する半導体装置の製造方法において、第２粘着層２の外周部２１をウエハーリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。また、本工程では、リング状に打ち抜いた外側には、接着層３および第１粘着層１が残存しているが、この外側の接着層３および第１粘着層１は、除去されていてもよい。【００９２】
［３］  半導体用フィルム形成工程（第３の工程）
次に、第２基材フィルム４と第２粘着層２とが積層された第２粘着層中間体６３の第２粘着層２と、第１粘着層１とが隣接するように積層して、第１基材フィルム４ｂ上に半導体用フィルム１０を形成する（第４図（ｂ））。【００９３】
［３−１］  より詳述すると、本工程では、まず、第４図（ａ）に示すような、第２基材フィルム４と第２粘着層２とが積層された第２粘着層中間体６３を用意する。【００９４】
この第２粘着層中間体６３は、第２基材フィルム上４に、第２粘着層２の構成材料である前記第２樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス化し、適当な厚みとなるように塗布または散布した後、溶剤を揮発させて第２粘着層２を形成することにより得ることができる。【００９５】
また、かかる方法の他、耐熱性保護シートを用意し、この耐熱保護シート上に前記ワニスを塗布または散布した後、溶剤を揮発させることにより、第２粘着層２を形成する。そして、さらに第２粘着層２上に第２基材フィルム４を積層した後、耐熱性保護シートを剥離することによっても第２粘着層中間体６３を製造することができる。【００９６】
［３−２］  次いで、前記工程[１−２]で得られた第２積層体５０と、前記工程［３−１］で得られた第２粘着層中間体６３とを、第２積層体５０が備える第１粘着層１と、第２粘着層中間体６３が備える第２粘着層２とが隣接するように積層することにより、半導体用フィルム１０を第１基材フィルム４ｂ上に形成する（第４図（ｂ））。【００９７】
第２粘着層２に第１粘着層１を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができ、中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。【００９８】
以上のような工程を経て、第１基材フィルム４ｂ上に半導体用フィルム１０を形成することができる。【００９９】
なお、本実施形態で製造された第１基材フィルム４ｂ上に形成された半導体用フィルム１０は、半導体用フィルム１０を用いた半導体装置の製造方法において、半導体用フィルム１０を第１基材フィルム４ｂから剥離した後に使用される。【０１００】
また、半導体用フィルム１０は、上記のような方法に限らず、例えば、以下のような方法によっても製造することができる。【０１０１】
すなわち、まず、前述した方法を用いて、第３基材フィルム４ａに第１粘着層１を貼着（積層）した第１粘着層中間体６１と、第１基材フィルム４ｂに接着層３を貼着（積層）した接着層中間体６２と、第２基材フィルム（支持フィルム）４に第２粘着層２を貼着（積層）した第２粘着層中間体６３を用意する（第５図（ａ））。【０１０２】
次に、前述した方法を用いて、第１粘着層中間体６１と接着層中間体６２とを、第１粘着層１と接着層３とが接する（隣接する）ように貼着（積層）した後、第３基材フィルム４ａを剥離することにより、第１積層体６４を得る（第５図（ｂ））。【０１０３】
次に、第１積層体６４に、第１粘着層１と、第２粘着層２とが接するようにして、第２粘着層中間体６３を貼着（積層）する（第５図（ｃ））。【０１０４】
次に、使用する際には、第５図（ｄ）に示すように、有効領域の外周の部分、すなわち、半導体用ウエハー７に接する部分の接着層３以外の部分をハーフカットして除去する（換言すれば、半導体用ウエハー７が接しない部分の接着層３および第１粘着層１の部分までを除去する）ことにより、半導体用フィルム１０を製造することができる。【０１０５】
次に、上述の半導体用フィルム１０を用いて半導体装置を製造する方法について説明する。【０１０６】
第６図（ａ）に示すように、図示しないダイサーテーブルの上に、半導体用フィルム１０を設置し、その中心部に半導体用ウエハー７の半導体素子の無い側の面を、接着層３の上に置き、軽く押圧し、半導体用ウエハー７を積層する。【０１０７】
次に、第２粘着層２の外周部２１をウエハーリングで固定する。そして、ブレードで半導体用ウエハー７を切断して半導体用ウエハー７を個片化する（第６図（ｂ））。この際、半導体用フィルム１０は、緩衝作用を有しており、半導体用ウエハー７を切断する際の割れ、欠け等を防止する。なお、半導体用フィルム１０に半導体用ウエハー７を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。【０１０８】
次に、半導体用フィルム１０を図示しないエキスパンド装置で伸ばして、個片化した半導体用ウエハ−７（半導体素子）を一定の間隔に開き（第６図（ｃ））、その後にピックアップして（第６図（ｄ））、基板に搭載して半導体装置を得る。【０１０９】
ここで、半導体用フィルム１０は、接着層３と、第１粘着層１と、第２粘着層２とを有しており、第１粘着層１の接着層３に対する接着力Ａ１（ｃＮ／２５ｍｍ）が、第２粘着層２のウエハーリングに対する接着力Ａ２（ｃＮ／２５ｍｍ）よりも低くなっている。ゆえに、半導体素子をピックアップする際に、接着層３と第１粘着層１との間で剥離を生じ、個片化した半導体素子には、接着層３が貼着されたままである。ゆえに、基板に搭載する際に、別途接着剤を使用することなく、半導体素子の搭載が可能となっている。【０１１０】
また、第１粘着層１の接着層３に対する接着力Ａ１（ｃＮ／２５ｍｍ）が小さいので、薄く、大型の半導体素子についても割れ等を生じることなくピックアップすることができる。
【実施例】
【０１１１】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
＜第１の製造方法＞
（実施例１）
１．第１粘着層の形成
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体（Ａ）１００重量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５重量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥した。その後、紫外線５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し第１粘着層を形成するフィルムを得た。【０１１２】
２．第２粘着層の形成
アクリル酸ブチル７０重量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体（Ｂ）１００重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥し、第２粘着層を形成するフィルムを得た。その後、基材としてｚ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。【０１１３】
３．接着層の形成
アクリル酸エステル共重合体（ブチルアクリレート−アクリロニトリル−エチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０ＨＤＲ、Ｔｇ：１０℃、重量平均分子量：３５０，０００）１９．９２重量％と、エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０（オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）１９．３２重量％と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）２９．０８重量％と、液状フェノール化合物（ＭＥＨ−８０００Ｈ、水酸基当量１４１ｇ／ＯＨ基、明和化成（株）製）２１．９１重量％と、固形フェノール樹脂（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）９．３６重量％と、イミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ、四国化成工業（株）製）０．１５重量％と、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業（株）製）０．２６重量％と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４９％の樹脂ワニスを得た。
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、基材フィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム（株）製、品番ＭＲＸ５０、厚さ５０μｍ）に塗布した後、９０℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着層を形成するフィルムを得た。【０１１４】
４．半導体用フィルムの製造
第１粘着層を形成するフィルムと、接着層を形成するフィルムとを第１粘着層と接着層とが接するようにラミネートした。次に、第２粘着層のポリエステルフィルムを剥離し、前記ラミネート後の第１粘着層側のポリエステルフィルムを剥離して、第１粘着層と、第２粘着層とが接するように貼り付けた。
その後、不要な粘着剤、接着剤を除去するため、金型を用いて接着層側に形成されているポリエチレンテレフタレートフィルムから接着剤層の界面まで切り込みを入れ、不要な接着剤を剥離・除去して半導体用フィルムを得た。【０１１５】
５．半導体装置の製造
この半導体用フィルムを５インチ２００μｍウエハーの裏面に４０℃で貼り付けし、半導体用フィルムが付いた半導体用ウエハーを得た。
その後、この半導体用ウエハーを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）した。次に、半導体用フィルムの裏面から突上げし、接着層と第１粘着層間で剥離し、接着層が設けられた半導体素子を得た。この半導体素子を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造（株）製：商品名：ＡＵＳ３０８）をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板（回路段差５〜１０μｍ）に、１３０℃、５Ｎ、１．０秒間圧着して、ダイボンディングし、１２０℃、１時間熱処理を行い、接着剤層を半硬化させた後、封止樹脂ＥＭＥ−Ｇ７６０で封止し、１７５℃で２時間熱処理を行い、封止樹脂を硬化させて１０個の半導体装置を得た。【０１１６】
（実施例２）
第１粘着層の配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体（Ａ）１００重量部と、ウレタンアクリレート４５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部とした。【０１１７】
（実施例３）
第１粘着層の配合において、トリレンジイソシアネートの配合量を増やし、全体の配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
アクリル酸ブチル７０重量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体（Ｂ）１００重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）１０重量部とした。【０１１８】
（実施例４）
接着層の配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：８００，０００）１００重量部と、クレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）４０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）２０重量部、イミダゾール化合物（１Ｂ２ＭＺ、四国化成（株）製、融点５０℃、液状）３重量部と、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部とした。【０１１９】
（比較例１）
半導体用フィルムとして、第１粘着層を用いずに、接着層と第２粘着層とで半導体用フィルムを作製した以外は、実施例１と同様にした。
すなわち、半導体用フィルムの製造において、接着層を形成するフィルムと第２粘着層と接着層とが接するようにラミネートした。【０１２０】
（比較例２）
第２粘着層の配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体（Ａ）１００重量部と、ウレタンアクリレート４５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部とした。【０１２１】
各実施例および比較例で得られた半導体用フィルムおよび半導体装置について、次の評価を行った。得られた結果を表１に示す。
１．接着力の評価
接着力Ａ１〜Ａ４は、例えば第１粘着層（フィルム）を２５ｍｍ幅で短冊状に切断し、２３℃（室温）で第２粘着層（フィルム）に貼り付け、２３℃（室温）で第１粘着層（フィルム）を剥離角１８０°で引き剥がしたときの接着力を測定した（粘着フィルムの引っ張り速度は、３００ｍｍ／ｍｉｎ）。他の場合も、同様の方法で評価した。【０１２２】
２．ダイシング性
裏面を研磨処理して厚さ０．１０ｍｍとした半導体用ウエハー（直径８インチ）に、各実施例および比較例で得られた半導体用フィルムの接着層を４０℃で圧着した後、１０ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシングした。そして、粘着が弱いために半導体用フィルム上から剥離する半導体素子の個数を計測することにより評価した。各符号は、以下の通りである。なお、評価は、ｎ＝１０で行った。
◎：剥離した半導体素子が無かった。
○：剥離した半導体素子が１〜２個であった。
△：剥離した半導体素子が３〜４個であった。
×：剥離した半導体素子が５〜１０個であった。【０１２３】
３．エキスパンド時における半導体素子の脱落の有無
上述のダイシングしたサンプルを、ボンダー（ＡＳＭ社製ＡＤ８９８）に搭載し、９ｍｍ引き伸ばしを行い、半導体素子の脱落の有無を確認した。各符号は、以下の通りである。
◎：脱落した半導体素子が、２％以下であった。
○：脱落した半導体素子が、２％超え、３０％以下であった。
△：脱落した半導体素子が、３０％を超え、５０％以下であった。
×：脱落した半導体素子が、５０％を超えた。【０１２４】
４．ピックアップ性
上述のダイシングしたサンプルを、ボンダー（ＡＳＭ社製ＡＤ８９８）に搭載し、６ｍｍ引き伸ばしを行った。その後、ニードルによる突き上げ方式で半導体素子をピックアップした。ピックアップ時が可能な半導体素子の割合で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：９８％以上の半導体素子が、ピックアップ可能であった。
○：７０％以上〜９８％未満の半導体素子が、ピックアップ可能であった。
△：５０％以上〜７０％未満の半導体素子が、ピックアップ可能であった。
×：ピックアップ可能な半導体素子が、５０％未満であった。【０１２５】
５．初期埋め込み性
初期埋め込み性（回路充填性）は、各実施例および比較例で得られる樹脂封止前の半導体装置を、走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）により、有機基板上の回路段差内に半導体用接着フィルムが充填されている率を評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：充填率が、９０％以上、１００％であった。
○：充填率が、８０％以上、９０％未満であった。
△：充填率が、４０％以上、８０％未満であった。
×：充填率が、４０％未満であった。【０１２６】
【表１】
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【０１２７】
表１から明らかなように、実施例１〜４の半導体用フィルムを用いた場合、ダイシング性に優れていた。【０１２８】
また、実施例１〜４の半導体用フィルムを用いた場合、エキスパンド時の半導体素子の脱落もほとんど無いことが確認された。【０１２９】
また、実施例１〜４の半導体用フィルムは、その接着層が初期埋め込み性に優れていることも示された。【０１３０】
＜第２の製造方法＞
（実施例５）
１．第１粘着層の作製工程
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体（Ａ）１００重量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５重量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン社製）３重量部と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分２０％の樹脂ワニスを得た。コンマコーターを用いて上述のワニスを剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥した。その後、紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、第１粘着層１が第３基材フィルム４ａに積層された第１粘着層中間体６１が得られた。【０１３１】
２．第２粘着層中間体の作製工程
アクリル酸ブチル７０重量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体（Ｂ）１００重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン社製）３重量部と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分２０％の樹脂ワニスを得た。コンマコーターを用いて上述のワニスを剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥し、第２粘着層２を形成するフィルムを得た。その後、第２基材フィルム４として１００μｍのポリエチレンシートをラミネートし、ポリエステルフィルムを剥がすことにより、第２基材フィルム４上に第２粘着層２が積層された第２粘着層中間体６３が得られた。【０１３２】
３．接着層中間体の作製工程
アクリル酸エステル共重合体（ブチルアクリレート−アクリロニトリル−エチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０ＨＤＲ、Ｔｇ：１０℃、重量平均分子量：３５０，０００）１９．９２重量％と、エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０（オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）１９．３２重量％と、ＮＣ６０００（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）２９．０８重量％と、液状フェノール化合物（ＭＥＨ−８０００Ｈ、水酸基当量１４１ｇ／ＯＨ基、明和化成（株）製）２１．９１重量％と、固形フェノール樹脂（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）９．３６重量％と、イミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ、四国化成工業（株）製）０．１５重量％と、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業（株）製）０．２６重量％と、をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４９％の樹脂ワニスを得た。
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、第１基材フィルム４ｂであるポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム（株）社製、品番ＭＲＸ５０、厚さ５０μｍ）に塗布した後、９０℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着層３が第１基材フィルム４ｂ上に積層された、接着層中間体６２を得た。【０１３３】
４．第１積層体の作製工程
次に、第１粘着層中間体６１の第１粘着層１と接着層中間体６２の接着層３を対向して、ロールラミネーターで、２５℃、０．１ＭＰａ、２０ｍｍ／ｍｉｎで貼り付けし、さらに第１粘着層１に隣接する第３基材フィルム４ａを、第１粘着層１の面に対して１５０℃の角度で剥離して、第１積層体６４を得た。【０１３４】
５．除去工程
ロール状の金型を用いて、第１積層体６４の接着層３と第１粘着層１とを半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ちぬき、不要部分を除去し、第２積層体５０を得た。【０１３５】
６．貼付工程
さらに、第２積層体５０における第１粘着層１と、第２粘着層中間体６３における第２粘着層２とを隣接するように、ロールラミネーターを用い、２５℃、０．１ＭＰａ、２０ｍｍ／ｍｉｎの条件で貼り付けることにより、第１基材フィルム４ｂ上に半導体用フィルム１０を得た。【０１３６】
７．半導体装置の製造
この半導体用フィルム１０を、第１基材フィルム４ｂから剥離した後、５インチ２００μｍウエハーの裏面に４０℃で貼り付けし、半導体用フィルムが付いた半導体用ウエハーを得た。【０１３７】
その後、この半導体用ウエハーを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）した。次に、半導体用フィルムの裏面から突上げし、接着層３と第１粘着層１間で剥離し、接着層３が設けられた半導体素子を得た。この半導体素子を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造（株）社製：商品名：ＡＵＳ３０８）をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板（回路段差５〜１０ｕｍ）に、１３０℃、５Ｎ、１．０秒間圧着して、ダイボンディングし、１２０℃、１時間熱処理を行い、接着剤層３を半硬化させた後、封止樹脂ＥＭＥ−Ｇ７６０で封止し、１７５℃で２時間熱処理を行い、封止樹脂を硬化させて１０個の半導体装置を得た。【０１３８】
得られた半導体用フィルムおよび半導体装置について、次の評価を行った。
１．接着力の評価
接着力Ａ１〜Ａ４は、例えば第１粘着層（フィルム）を２５ｍｍ幅で短冊状に切断し、２３℃（室温）で第２粘着層（フィルム）に貼り付け、２３℃（室温）で第１粘着層（フィルム）を剥離角１８０°で引き剥がしたときの接着力を測定した（粘着フィルムの引っ張り速度は、３００ｍｍ／ｍｉｎ）。他の場合も、同様の方法で評価した。その結果、Ａ１が５０ｃＮ／２５ｍｍ、Ａ２が７００ｃＮ／２５ｍｍ、Ａ３が２００ｃＮ／２５ｍｍ、Ａ４が６００ｃＮ／２５ｍｍ、Ａ２／Ａ１が１４となった。【０１３９】
２．ダイシング性
裏面を研磨処理して厚さ０．１０ｍｍとした半導体用ウエハー（直径８インチ）に、実施例５で得られた半導体用フィルムの接着層を４０℃で圧着した後、１０ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシングした。そして、粘着が弱いために半導体用フィルム上から剥離する半導体素子の個数を計測することにより評価した。その結果剥離した半導体素子は無かった。なお、評価は、ｎ＝１０で行った。【０１４０】
３．エキスパンド時にウエハーリングの脱落の有無
上述のダイシングしたサンプルを、ボンダー（ＡＳＭ社製ＡＤ８９８）に搭載し、９ｍｍ引き伸ばしを行い、ウエハーリングから半導体フィルムの脱落の有無を確認した。その結果、半導体フィルムは脱落しなかった。なお、評価は、ｎ＝１０で行った。【０１４１】
４．ピックアップ性
上述のダイシングしたサンプルを、ボンダー（ＡＳＭ社製ＡＤ８９８）に搭載し、６ｍｍ引き伸ばしを行った。その後、ニードルによる突き上げ方式で半導体素子をピックアップした。ピックアップ時が可能な半導体素子の割合で評価した。その結果、ピックアップできない半導体素子は無かった。【０１４２】
５．耐クラック性
耐クラック性は、得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。その結果、クラックが発生した半導体装置は無かった。【０１４３】
以上の結果から明らかなように、実施例５の半導体フィルムを用いた場合、ダイシング性、エキスパンド性、ピックアップ性、耐クラック性に優れていた。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明によると、上述したような粘着シートとフィルム状のダイアタッチ材とが一体となっている粘接着フィルムでは、半導体ウエハーに貼着が予定される部分と、ウエハーリングに貼着が予定される部分とで異なる要求を満足することが可能な半導体用フィルムおよびそれを用いた半導体装置を提供することができる。【０１４５】
また、接着力Ａ１と、接着力Ａ２との比（Ａ２／Ａ１）を特定の値とすることにより、ダイシング性とピックアップ性とのバランスに特に優れる。したがって、産業上の利用可能性を有する
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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