【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に、前記薄膜トランジスタのドレイン電極の一部を露呈する開孔部を有する層間絶縁膜と、
前記開孔部を埋め込む様に形成された導電性材料を分散させた有機樹脂膜または無機膜と、
前記層間絶縁膜及び前記有機樹脂膜または前記無機膜上に接して形成されたアルミニウムを主成分とする材料でなる画素電極とを有し、
前記層間絶縁膜の上面と前記有機樹脂膜または無機膜の上面は同一平面をなすことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に、前記薄膜トランジスタのドレイン電極の一部を露呈する開孔部を有する層間絶縁膜と、
前記開孔部を埋め込む様に形成された導電性材料を分散させた有機樹脂膜または無機膜と、
前記有機樹脂膜または前記無機膜上に接して形成されたアルミニウムを主成分とする材料でなる画素電極とを有し、
前記有機樹脂膜または前記無機膜は、前記画素電極と同一形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記層間絶縁膜は、単層または積層で設けられた有機樹脂膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極を覆う窒化珪素膜と、
前記窒化珪素膜上に形成された第１の金属膜と、
前記第１の金属膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、
前記窒化珪素膜、前記第２の層間絶縁膜及び前記第３の層間絶縁膜に設けられた前記ドレイン電極の一部を露呈する開孔部と、
前記開孔部を埋め込む様に形成された導電性材料を分散させた有機樹脂膜または無機膜と、
前記第３の層間絶縁膜及び前記有機樹脂膜または前記無機膜上に接して形成されたアルミニウムを主成分とする材料でなる画素電極とを有し、
前記第１の金属膜は、前記窒化珪素膜を誘電体として前記ドレイン電極との間で補助容量を形成し、
前記第３の層間絶縁膜の上面と前記有機樹脂膜または前記無機膜の上面は同一平面をなすことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極を覆う窒化珪素膜と、
前記窒化珪素膜上に形成された第１の金属膜と、
前記第１の金属膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、
前記窒化珪素膜、前記第２の層間絶縁膜及び前記第３の層間絶縁膜に設けられた前記ドレイン電極の一部を露呈する開孔部と、
前記開孔部を埋め込む様に形成された導電性材料を分散させた有機樹脂膜または無機膜と、
前記有機樹脂膜または前記無機膜上に接して形成されたアルミニウムを主成分とする材料でなる画素電極とを有し、
前記第１の金属膜は、前記窒化珪素膜を誘電体として前記ドレイン電極との間で補助容量を形成し、
前記有機樹脂膜または無機膜は、前記画素電極と同一形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の層間絶縁膜は、単層または積層で設けられた有機樹脂膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記導電性材料とはカーボン系材料、酸化亜鉛、アルミニウムフレーク、又はニッケルフレークであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記カーボン系材料は、グラファイトであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記導電性材料の粒径は、前記開孔部の開孔幅の１／２以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記開孔部の断面形状はテーパー状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記半導体装置は、ビデオカメラ、スチルカメラ、リア型プロジェクター、フロント型プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、又は携帯情報端末に利用されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記半導体装置は、液晶表示装置に利用されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記半導体装置は、ＥＬ表示装置に利用されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記薄膜トランジスタのドレイン電極の一部を露呈するように開孔部を形成し、
前記層間絶縁膜及び前記開孔部を覆って導電性材料を分散させた有機樹脂膜または無機膜をスピンコート法により形成し、
前記有機樹脂膜または前記無機膜をエッチング又は研磨し、前記開孔部のみを前記有機樹脂膜または前記無機膜で充填し、
前記層間絶縁膜及び前記有機樹脂膜または前記無機膜上に接して画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記エッチングまたは研磨は、前記層間絶縁膜と前記有機樹脂膜または前記無機膜の上面が同一平面になるように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜上にドレイン電極を形成し、
前記ドレイン電極上に窒化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜上に第１の金属膜を形成し、
前記第１の金属膜上に第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜上に第３の層間絶縁膜を形成し、
前記窒化珪素膜、前記第２の層間絶縁膜及び第３の層間絶縁膜に前記ドレイン電極の一部が露呈するように開孔部を形成し、
前記第３の層間絶縁膜及び前記開孔部を覆って導電性材料を分散させた有機樹脂膜または無機膜をスピンコート法により形成し、
前記有機樹脂膜または前記無機膜をエッチング又は研磨し、前記開孔部のみを前記有機樹脂膜または前記無機膜で充填し、
前記第３の層間絶縁膜及び前記有機樹脂膜または前記無機膜上に接して画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記エッチングまたは研磨は、前記第３の層間絶縁膜と前記有機樹脂膜または前記無機膜の上面が同一平面になるように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記薄膜トランジスタのドレイン電極の一部を露呈するように開孔部を形成し、
前記層間絶縁膜及び前記開孔部を覆って導電性材料を分散させた有機樹脂膜または無機膜をスピンコート法により形成し、
前記層間絶縁膜上に接して画素電極を形成し、
前記画素電極をマスクとして前記有機樹脂膜または前記無機膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜上にドレイン電極を形成し、
前記ドレイン電極上に窒化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜上に第１の金属膜を形成し、
前記第１の金属膜上に第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜上に第３の層間絶縁膜を形成し、
前記窒化珪素膜、前記第２及び第３の層間絶縁膜に前記ドレイン電極の一部が露呈するように開孔部を形成し、
前記第３の層間絶縁膜及び前記開孔部を覆って導電性材料を分散させた有機樹脂膜または無機膜をスピンコート法により形成し、
前記第３の層間絶縁膜上に接して画素電極を形成し、
前記画素電極をマスクとして前記有機樹脂膜または前記無機膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１４乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記導電性材料とはカーボン系材料、酸化亜鉛、アルミニウムフレーク、またはニッケルフレークであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項２０において、
前記カーボン系材料は、グラファイトであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
そして、上記工程によってゲイト電極２１６、２１７が確定する。なお、画素マトリクス回路ではゲイト電極の形成と同時に１ライン毎に各ゲイト電極を接続するゲイト線も形成されている。（図３（Ａ））
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
埋め込み導電層２４０としては、本実施例ではグラファイトを分散させたアクリル膜を使用する。また、分散媒中に分散するグラファイトはフレーク状になっているので開孔部２３８、２３９の内部にまで十分に入り込む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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