【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  計測対象の基板上の極薄膜２層構造を、分光エリプソメータにより入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE (λi )とΔE (λi )を得るΨE ，ΔE スペクトル測定段階と、極薄膜２層構造の基板の（Ｎ0 （ｎ0 ,ｋ0 ））および各薄膜の材料（Ｍａｔ1，Ｍａｔ2）の考えられる光学定数に係る複素屈折率（Ｎ1 （ｎ1 ,ｋ1 ）），（Ｎ2 （ｎ2 ,ｋ2 ））、各層の膜厚（ｄ1 ,ｄ2 ）を利用し、いくつかのモデルをたてる第１ステップ、
前記各モデルごとに前記測定スペクトルとのフィッティングを行って平均二乗誤差（χ2 ）を得る第２ステップ、および
前記各モデルごとのフィッティングの結果、最低の平均二乗誤差（χ2 ）の 値をもつモデルまたは、あらかじめ設定した膜厚の最大、最小値の中に入っている平均二乗誤差（χ2 ）の値が最も低いモデルを選択し、そのモデルに係る各層の値（膜厚（ｄ1(best),ｄ2(best)）を含む）を得る第３ステップ
から成る解析第１段階と、
解析第１段階で得られた値を、新しいモデルの初期値として設定する第１ステップ、
前記設定された結果のいずれか一方の層の膜厚（ｄ1(best)またはｄ2(best)）を中心値として、そのまわりの複数点ごとに、もう一方の層の膜厚（ｄ2(best)またはｄ1(best)）において極小値計算方法（ＢＬＭＣ）を用いてフィッティングを行う第２ステップ、および
前記複数点ごとの極小値計算方法（ＢＬＭＣ）を用いて行ったフィッティングの結果から最低の平均二乗誤差（χ2 ）の値をもつモデルまたは、あらかじめ設定した膜厚、分散式パラメータ、入射角のそれぞれ最大、最小値の中に入っている平均二乗誤差（χ2 ）の値が最も低いモデルを選択する第３ステップ
から成る解析第２段階と、
解析第２段階で選択されたモデルに係る値を利用して最終的なフィッティングを行う第１ステップ、および
前記フィッティングで得られた結果の確認を行う第２ステップ
から成る解析第３段階と
から構成された分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法。
【請求項２】  請求項１記載の分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法において、
前記解析第２段階の第２ステップにおいて、極小値計算方法（ＢＬＭＣ）を用いてフィッティングを行う層は、２層構造中の材料において、光学定数がより分からない方の層とする分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法。
【請求項３】  請求項１または２記載の分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法において、
前記解析第２段階の第２ステップにおいて、光学定数がより分かっている方の層の膜厚（ｄ1(best)またはｄ2(best)）を中心値として、その中心値の±数１０％までの範囲の中で変化させた膜厚ごとに、もう一方の層について極小値計算方法（ＢＬＭＣ）を行う分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれか１つに記載の分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法において、
前記解析第１段階の第１ステップにおいて、１、２層どちらかの層が不均一または不連続、若しくはいくつかの材料が混ざり合っている場合、混合比（Vf1 ，Vf2 ）を利用し、有効媒質近似を用いてモデルをたてる分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれか１つに記載の分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法において、
前記解析第３段階の第１ステップにおいて、前記解析第２段階の第３ステップで選択したモデルの１、２層の光学定数を固定した１、２層目の膜厚のフィッティングまたは、モデルの１層の光学定数を固定した１、２層目の膜厚および２層目の光学定数のフィッティングを行う分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法。
【請求項６】  請求項１乃至５のいずれか１つに記載の分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法において、
前記解析第３段階の第２ステップにおいて、フィッティングで得られた結果が、あらかじめ設定した膜厚と分散式パラメータでそれぞれの最大、最小値の間に入っているか否かを確認し、
入っていない場合は前記解析第１段階の第１ステップに戻り、新しいモデルをたてて前記解析第１段階の第２ステップ以降を行う分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法。
【請求項７】  計測対象の基板上の極薄膜２層構造を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE (λi )とΔE (λi )を得るΨE ，ΔE スペクトル測定段階と、
１，２層どちらかの層が不均一または不連続、いくつかの材料が混ざり合っている場合、有効媒質近似を用いてモデルをたて、極薄膜２層構造の基板の（Ｎ0 （ｎ0 ,ｋ0 ））および各薄膜の材料（Ｍａｔ1 ，Ｍａｔ2 ）の考えられる複素屈折率（Ｎ1 （ｎ1 ,ｋ1 ）），（Ｎ2 （ｎ2 ,ｋ2 ））、混合比（Vf1 ，Vf2 ）、各層の膜厚（ｄ1 ,ｄ2 ）を利用し、いくつかのモデルをたてる第１ステップ、
前記各モデルごとに前記測定スペクトルとのフィッティングを行う第２ステップ、および
前記各モデルごとのフィッティングの結果、最低の平均二乗誤差（χ2 ）の 値をもつモデルまたはあらかじめ設定した膜厚と混合比のそれぞれの最大、最小値の中に入っている平均二乗誤差（χ2 ）の値の最も低いモデルに係る各層の値（膜厚（ｄ1(best),ｄ2(best)），混合比Vf(best)を含む）を得る第３ステップ
から成る解析第１段階と、
前記解析第１段階の第３ステップで得られた膜厚・混合比の値を新しいモデルの初期値とし、未知の分散式が入っている方の層の前記解析第１段階の第３ステップで得られた膜厚の値を基に、予想される範囲内にある膜厚（（ｄ1 ±ｍΔｄ1 ）または（ｄ2 ±ｍΔｄ2 ））を設定し、もう一方の層の膜厚についても、前記解析第１段階で得られた膜厚の値を中心として、そのまわりの複数点（（ｄ2 ±ｍΔｄ2 ）または（ｄ1 ±ｍΔｄ1 ））を設定し、また、前記解析第１段階の第３ステップで得られた混合比の値を中心値として、そのまわりの複数点（Vf±ｍΔVf）を設定する第１ステップ、
混合比に係る複数点（Vf±ｍΔVf）と未知の分散式が入っている層のもう一方の層の膜厚に係る複数点（（ｄ2 ±ｍΔｄ2 ）または（ｄ1 ±ｍΔｄ1 ））との組み合わせのなかで、それぞれ未知分散式が入っている層について極小値計算方法（ＢＬＭＣ）を用いてフィッティングを行う第２ステップ、および
混合比と未知の分散式が入っている層のもう一方の層の膜厚との組み合わせごとに得られた結果の中から、最低の平均二乗誤差（χ2 ）の値またはあらかじめ設定した膜厚、分散式パラメータ、混合比、入射角のそれぞれ最大、最小値の間に入っている最低の平均二乗誤差（χ2 ）の値を持つ組み合わせのモデルを選択する第３ステップ
から成る解析第２段階と、
前記解析第２段階の第３ステップで選択されたモデルに係る値を基に、両膜厚、混合比および、分散式のフィッティングまたは、両膜厚、混合比のフィッティングを行う第１ステップ、および
前記フィッティングで得られた結果の確認を行う第２ステップ
から成る解析第３段階と
から構成された分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
偏光変化量は、光が通る体積、（位相角（β）×ビーム径の面積）で表すことができる。ビーム径が一定とすると偏光変化量は次のようになる。
偏光変化量∝膜厚（ｄ）×（複素屈折率Ｎ）×φ
ここにおいて、φは入射角である。膜厚（ｄ）が薄く、Ｎが低ければ、位相角（β）の変化が小さくなり、ｄとＮの間に相関関係が強くなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明で利用する超薄膜および薄膜計測方法で用いる極小値計算法（ＢＬＭＣ）は、
極小値計算法（ＢＬＭＣ）による分光エリプソメータを用いた計測対象の基板表面の超薄膜および薄膜計測方法において、
計測対象の基板表面の薄膜を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE (λi )とΔE (λi )を得るΨE ，ΔE スペクトル測定ステップと、
前記基板の（Ｎ0 （ｎ0 ,ｋ0 ）），基板上の薄膜の（ｄ,Ｎ（ｎ,ｋ））を分散式を用いて仮定し、さらに予想される範囲内にある複数の膜厚（ｄ±ｍΔｄ）および予想される範囲内にある複数の入射角（φ±ｍΔφ）を設定するステップと、
前記入射角と膜厚の組み合わせにもとづいて、分散式（ＤＳＰ）のパラメータ（εs ,ωt ）のフィッティングを行うステップと、
前記フィッティングにより得られた各ΨM (λi )とΔM (λi )の中から前記ΨE (λi )とΔE (λi )との差の最も少なくなる膜厚（ｄbest）と入射角（φbest）の組み合わせを設定したモデルのフィッティング結果（ＤＳＰbest）を選択するステップと、
前記選択するステップで選択された入射角（φbest）を確定値として、膜厚（ｄbest）と分散式（ＤＳＰbest）のフィッティングを行うステップで構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記目的を達成するために本発明による分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法は、
計測対象の基板上の極薄膜２層構造を、分光エリプソメータにより入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE (λi )とΔE (λi )を得るΨE ，ΔE スペクトル測定段階と、極薄膜２層構造の基板の（Ｎ0 （ｎ0 ,ｋ0 ））および各薄膜の材料（Ｍａｔ1，Ｍａｔ2）の考えられる光学定数に係る複素屈折率（Ｎ1 （ｎ1 ,ｋ1 ）），（Ｎ2 （ｎ2 ,ｋ2 ））、各層の膜厚（ｄ1 ,ｄ2 ）を利用し、いくつかのモデルをたてる第１ステップ、
前記各モデルごとに前記測定スペクトルとのフィッティングを行って平均二乗誤差（χ2 ）を得る第２ステップ、および
前記各モデルごとのフィッティングの結果、最低の平均二乗誤差（χ2 ）の 値をもつモデルまたは、あらかじめ設定した膜厚の最大、最小値の中に入っている平均二乗誤差（χ2 ）の値が最も低いモデルを選択し、そのモデルに係る各層の値（膜厚（ｄ1(best),ｄ2(best)）を含む）を得る第３ステップ
から成る解析第１段階と、
解析第１段階で得られた値を、新しいモデルの初期値として設定する第１ステップ、
前記設定された結果のいずれか一方の層の膜厚（ｄ1(best)またはｄ2(best)）を中心値として、そのまわりの複数点ごとに、もう一方の層の膜厚（ｄ2(best)またはｄ1(best)）において極小値計算方法（ＢＬＭＣ）を用いてフィッティングを行う第２ステップ、および
前記複数点ごとの極小値計算方法（ＢＬＭＣ）を用いて行ったフィッティングの結果から最低の平均二乗誤差（χ2 ）の値をもつモデルまたは、あらかじめ設定した膜厚、分散式パラメータ、入射角のそれぞれ最大、最小値の中に入っている平均二乗誤差（χ2 ）の値が最も低いモデルを選択する第３ステップ
から成る解析第２段階と、
解析第２段階で選択されたモデルに係る値を利用して最終的なフィッティングを行う第１ステップ、および
前記フィッティングで得られた結果の確認を行う第２ステップ
から成る解析第３段階と
から構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明による分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法は、
上述した分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法において、
前記解析第２段階の第２ステップにおいて、極小値計算方法（ＢＬＭＣ）を用いてフィッティングを行う層は、２層構造中の材料において、光学定数がより分からない方の層とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明による分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法は、
上述した分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法において、
前記解析第２段階の第２ステップにおいて、光学定数がより分かっている方の層の膜厚（ｄ1(best)またはｄ2(best)）を中心値として、その中心値の±数１０％までの範囲の中で変化させた膜厚ごとに、もう一方の層について極小値計算方法（ＢＬＭＣ）を行う分光エリプソメータを用いたものである。なお、解析第２段階の第３ステップをあわせて行う解析（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ ＢＬＭＣ）を用いたものである。
また、本発明による分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法は、
上述した分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法において、
前記解析第１段階の第１ステップにおいて、１、２層どちらかの層が不均一または不連続、若しくはいくつかの材料が混ざり合っている場合、混合比（Vf1 ，Vf2 ）を利用し、有効媒質近似を用いてモデルをたてるものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明による分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法は、
上述した分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法において、
前記解析第３段階の第１ステップにおいて、前記解析第２段階の第３ステップで選択したモデルの１、２層の光学定数を固定した１、２層目の膜厚のフィッティングまたは、モデルの１層の光学定数を固定した１、２層目の膜厚および２層目の光学定数のフィッティングを行うものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明による分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法は、
上述した分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法において、
前記解析第３段階の第２ステップにおいて、フィッティングで得られた結果が、あらかじめ設定した膜厚と分散式パラメータでそれぞれの最大、最小値の間に入っているか否かを確認し、
入っていない場合は前記解析第１段階の第１ステップに戻り、新しいモデルをたてて前記解析第１段階の第２ステップ以降を行うものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明による分光エリプソメータを用いた極薄膜２層構造の解析方法は、
計測対象の基板上の極薄膜２層構造を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE (λi )とΔE (λi )を得るΨE ，ΔE スペクトル測定段階と、
１，２層どちらかの層が不均一または不連続、いくつかの材料が混ざり合っている場合、有効媒質近似を用いてモデルをたて、極薄膜２層構造の基板の（Ｎ0 （ｎ0 ,ｋ0 ））および各薄膜の材料（Ｍａｔ1 ，Ｍａｔ2 ）の考えられる複素屈折率（Ｎ1 （ｎ1 ,ｋ1 ）），（Ｎ2 （ｎ2 ,ｋ2 ））、混合比（Vf1 ，Vf2 ）、各層の膜厚（ｄ1 ,ｄ2 ）を利用し、いくつかのモデルをたてる第１ステップ、
前記各モデルごとに前記測定スペクトルとのフィッティングを行う第２ステップ、および
前記各モデルごとのフィッティングの結果、最低の平均二乗誤差（χ2 ）の 値をもつモデルまたはあらかじめ設定した膜厚と混合比のそれぞれの最大、最小値の中に入っている平均二乗誤差（χ2 ）の値の最も低いモデルに係る各層の値（膜厚（ｄ1(best),ｄ2(best)），混合比Vf(best)を含む）を得る第３ステップ
から成る解析第１段階と、
前記解析第１段階の第３ステップで得られた膜厚・混合比の値を新しいモデルの初期値とし、未知の分散式が入っている方の層の前記解析第１段階の第３ステップで得られた膜厚の値を基に、予想される範囲内にある膜厚（（ｄ1 ±ｍΔｄ1 ）または（ｄ2 ±ｍΔｄ2 ））を設定し、もう一方の層の膜厚についても、前記解析第１段階で得られた膜厚の値を中心として、そのまわりの複数点（（ｄ2 ±ｍΔｄ2 ）または（ｄ1 ±ｍΔｄ1 ））を設定し、また、前記解析第１段階の第３ステップで得られた混合比の値を中心値として、そのまわりの複数点（Vf±ｍΔVf）を設定する第１ステップ、
混合比に係る複数点（Vf±ｍΔVf）と未知の分散式が入っている層のもう一方の層の膜厚に係る複数点（（ｄ2 ±ｍΔｄ2 ）または（ｄ1 ±ｍΔｄ1 ））との組み合わせのなかで、それぞれ未知分散式が入っている層について極小値計算方法（ＢＬＭＣ）を用いてフィッティングを行う第２ステップ、および
混合比と未知の分散式が入っている層のもう一方の層の膜厚との組み合わせごとに得られた結果の中から、最低の平均二乗誤差（χ2 ）の値またはあらかじめ設定した膜厚、分散式パラメータ、混合比、入射角のそれぞれ最大、最小値の間に入っている最低の平均二乗誤差（χ2 ）の値を持つ組み合わせのモデルを選択する第３ステップ
から成る解析第２段階と、
前記解析第２段階の第３ステップで選択されたモデルに係る値を基に、両膜厚、混合比および、分散式のフィッティングまたは、両膜厚、混合比のフィッティングを行う第１ステップ、および
前記フィッティングで得られた結果の確認を行う第２ステップ
から成る解析第３段階と
から構成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（記号の定義）
Ｓｕｂ ： 基板（物理定数は既知，バルクとして取り扱い可能）
Ｍａｔ : 薄膜材料（物質の光学定数）
Ｍａｔij： j 番目のモデルのｉ 層目の材料（同上）
ｄi : i 層目の膜厚
ｄi(best): フィッティングによって得られたi 層目の膜厚
ｄij： j 番目のモデルのｉ 層目の膜厚
ｄij(best)： フィッティングで得たj 番目のモデルのｉ 層目の膜厚
X2 : 平均二乗誤差（χ2 ）の値
X2(j) : j 番目のモデルにおける平均二乗誤差（χ2 ）の値
Void : ｎ＝１，ｋ＝０の物質
Vf(ij) : j 番目のモデルのｉ 層目の混合比(Volume fraction)
Vf(ij)(best) : フィッティングで得られた j 番目のモデルのｉ 層目の混合比
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（解析第１段階ステップ１）
このステップで、基板の（Ｎ0 （ｎ0 ,ｋ0 ））および各薄膜の材料（Ｍａｔ1 ，Ｍａｔ2 ）の考えられる複素屈折率（Ｎ1 （ｎ1 ,ｋ1 ）），（Ｎ2 （ｎ2 ,ｋ2 ）），各層の膜厚（ｄ1 ,ｄ2 ）を利用し、いくつかのモデルをたてる。
この実施例では、下記各モデル(1) 〜モデル(4) を設定したものとする。
図３の３１が示す部分に前記各モデルを略図示してある。
モデル(1) は、基板（Ｓｕｂ）の上に第１層(Ｍａｔ1 の光学定数，膜厚ｄ11)と第２層（Ｍａｔ2 の光学定数，膜厚ｄ21）を形成したものである。
モデル(2) は、基板（Ｓｕｂ）の上に第１層(Ｍａｔ1 の光学定数，膜厚ｄ12)と第２層(Ｍａｔ2 の光学定数＋Ｖｏｉｄ、膜厚ｄ22)を形成したものである。なおＶｏｉｄとは屈折率１の空間である。
モデル(3) は、基板（Ｓｕｂ）の上に第１層(Ｍａｔ1 の光学定数，膜厚ｄ13)と第２層(Ｍａｔ2 の光学定数＋Ｍａｔ3 の光学定数、膜厚ｄ23)を形成したものである。なお、（Ｍａｔ2 ＋Ｍａｔ3 ）は、材料２と材料３をある比率で混合したものを意味する。
モデル(4) は、基板（Ｓｕｂ）の上に第１層（Ｍａｔ1 の光学定数，膜厚ｄ14）と第２層（Ｍａｔ2 の光学定数の基準にする量(Special reference) ＋Ｖｏｉｄ、膜厚ｄ24)を形成したものである。なお、基準にする量とは似たような試料を用いて得られた光学定数である。
ここで、モデル(2) 〜(4) の２層目で設定されている混合比からは、有効媒質近似論を用いて、均質膜としての光学定数を求めることができる。なお前記各モデルは、基板Ｓｕｂの材料の光学定数は既知、第１層の光学定数は、ほぼ既知で、第２層の光学定数および、第１層の膜厚ｄ1 、第２層の膜厚ｄ2 は、未知（不確か）であることを前提にして前述の４個のモデルをたててある。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図３の解析第１段階で、各薄膜の材料（SiO2 ， SiNx ）の考えられる複素屈折率（Ｎ1 （ｎ1 ,ｋ1 ）），（Ｎ2 （ｎ2 ,ｋ2 ））と膜厚（ｄ1 ,ｄ2 ）を利用し、モデルを準備する。この実施例では、下記各モデル(1) 〜モデル(4) を設定したものとする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明方法で使用するエリプソメータの構成を示す略図であり、測定の対象の試料 (サンプル) ４の一部を拡大して示してある。
【図２】
本発明による薄膜計測方法の実施形態を示す流れ図である。
【図３】
前記実施形態における解析第１段階を示す詳細説明図である。
【図４】
前記実施形態における解析第２段階を示す詳細説明図である。
【図５】
前記実施形態における解析第３段階を示す詳細説明図である。
【符号の説明】
１ Ｘｅランプ
２ 光ファイバ
３ 偏光子
４ サンプル
５ 光弾性変調器（ＰＥＭ）
６ 検光子
７ 光ファイバ
８ 分光器
９ データ取込部
３１ モデル複数組を準備する解析第１段階第１ステップ
３２ フィッティングを行う解析第１段階第２ステップ
３３ フィッティングの結果から、最低の平均二乗誤差（χ2 ）の値のモデルの結果を選択する解析第１段階第３ステップ
４１ ３３で得られた結果を新しいモデルの初期値として設定する解析第２段階第１ステップ
４２ 一方の層の膜厚複数点ごとに、もう一方の層についてＢＬＭＣを行う解析第２段階第２ステップ
４３ 前記フィッティング結果から最低の平均二乗誤差（χ2 ）の値のモデルを選択する解析第２段階第３ステップ
５１ 前記選択されたモデルの最終フィッティングを行う解析第３段階第１ステップ
５２ 結果の確認を行う解析第３段階第２ステップ
５３ 保存を行う解析第３段階第３ステップ