【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、第１電極、および発光体を間に挟んで形成された第２電極を有する表示装置において、
前記スイッチングＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、前記駆動ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであって、
前記第２電極の成膜前後における前記ｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１Ｖの範囲内であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１．７Ｖの範囲内であり、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
スイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、第１電極、発光体、および第２電極を有する表示装置において、
前記スイッチングＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、前記駆動ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであって、
前記第１電極は前記駆動ＴＦＴと電気的に接続されており、
前記第１電極上に前記発光体を介して形成される前記第２電極の成膜前後における前記ｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１Ｖの範囲内であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１．７Ｖの範囲内であり、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
スイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、第１電極、発光体、および第２電極を有する表示装置において、
前記スイッチングＴＦＴおよび前記駆動ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであって、
前記第１電極は前記駆動ＴＦＴと電気的に接続されており、
前記第１電極上に前記発光体を介して形成される前記第２電極の成膜前後における前記ｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１Ｖの範囲内であり、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
スイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、第１電極、発光体、および第２電極を有する表示装置において、
前記スイッチングＴＦＴおよび前記駆動ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであって、
前記第１電極は前記駆動ＴＦＴと電気的に接続されており、
前記第１電極上に前記発光体を介して形成される前記第２電極の成膜前後における前記ｐチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１．７Ｖの範囲内であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの立ち上がり電圧の変化は０〜−１．５Ｖであることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１、請求項２、または請求項４のいずれか一において、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの立ち上がり電圧の変化は０〜−１．２Ｖであることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
スイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、前記駆動ＴＦＴと電気的に接続された第１電極、前記第１電極上に形成された発光体、前記発光体上に電子ビーム蒸着法により形成された第２電極を有する表示装置の作製において、前記第２電極を形成する際に、電子線の電流値を制御することにより成膜速度を制御することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記蒸着材料として、金属成分とアルカリ金属又はアルカリ土類金属、若しくはその両者を含む成分とからなる多成分の合金若しくは化合物を用いることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
スイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、前記駆動ＴＦＴと電気的に接続された第１電極、および発光体を間に挟んで形成された第２電極を有する表示装置の作製において、
前記第２電極を形成する電子ビーム蒸着法により得られる膜の成膜速度を１ｎｍ／ｓｅｃ．以上とし、前記膜の成膜時間を４００ｓｅｃ．以下とすることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
スイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、前記駆動ＴＦＴと電気的に接続された第１電極、および発光体を間に挟んで形成された第２電極を有する表示装置の作製において、
前記第２電極を電子ビーム蒸着法により形成する際に電子ビームの発生源から発生する電子線による電流値を制御して、前記膜の成膜時間を４００ｓｅｃ．以下とすることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記スイッチングＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、前記駆動ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであって、
前記第１電極は前記駆動ＴＦＴと電気的に接続されており、
前記第１電極上に前記発光体を介して形成される前記第２電極の成膜前後における前記ｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１Ｖの範囲内であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１．７Ｖの範囲内であり、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９または請求項１０において、
前記スイッチングＴＦＴおよび、前記駆動ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであって、
前記第１電極は前記駆動ＴＦＴと電気的に接続されており、
前記第１電極上に前記発光体を介して形成される前記第２電極の成膜前後における前記ｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１Ｖの範囲内であり、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９または請求項１０において、
前記スイッチングＴＦＴおよび、前記駆動ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであって、
前記第１電極は前記駆動ＴＦＴと電気的に接続されており、
前記第１電極上に前記発光体を介して形成される前記第２電極の成膜前後における前記ｐチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１．７Ｖの範囲内であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１または請求項１２において、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの立ち上がり電圧の変化は０〜−１．５Ｖであることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１または請求項１３において、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの立ち上がり電圧の変化が０〜−１．２Ｖであることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１０において、
前記電子線による電流値を８００ｍＡ以上とすることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の他の構成は、スイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、第１電極、発光体、および第２電極を有する表示装置において、前記スイッチングＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、前記駆動ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであって、前記第１電極は前記駆動ＴＦＴと電気的に接続されており、前記第１電極上に前記発光体を介して形成される前記第２電極の成膜前後における前記ｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１Ｖの範囲内であり、前記ｐチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１．７Ｖの範囲内であり、前記ｎチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であり、前記ｐチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であることを特徴とする表示装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに本発明の別の構成は、スイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、第１電極、発光体、および第２電極を有する表示装置において、前記スイッチングＴＦＴおよび、前記駆動ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであって、前記第１電極は前記駆動ＴＦＴと電気的に接続されており、前記第１電極上に前記発光体を介して形成される前記第２電極の成膜前後における前記ｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１Ｖの範囲内であり、前記ｎチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であることを特徴とする表示装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに本発明の別の構成は、スイッチングＴＦＴ、駆動ＴＦＴ、第１電極、発光体、および第２電極を有する表示装置において、前記スイッチングＴＦＴおよび、前記駆動ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであって、前記第１電極は前記駆動ＴＦＴと電気的に接続されており、前記第１電極上に前記発光体を介して形成される前記第２電極の成膜前後における前記ｐチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧の変化は０〜−１．７Ｖの範囲内であり、前記ｐチャネル型ＴＦＴのＳ値の変化は０〜０．１Ｖ／ｄｅｃ．の範囲内であることを特徴とする表示装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
なお、成膜速度を高めるためには電子ビームの発生源である電子銃から発生する電子線による電流値を制御することにより、成膜表面が放射線による影響を受けない程度に第２電極１１２を形成することができる。なお、成膜時における成膜速度は蒸着材料の種類によって異なり、例えばＡｌを主成分とする材料を用いて２００ｎｍの膜厚で成膜する場合には、その成膜速度を概略１ｎｍ／ｓｅｃ．以上とすればよい。