【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】寸法、パルス長がスケーラブルであり、及び／又は、電界もスケーラブルである特性を有する強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項２】寸法がスケーラブルな特性を有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項３】パルス長がスケーラブルな特性を有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項４】電界がスケーラブルな特性を有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項５】寸法がスケーラブルな特性及びパルス長がスケーラブルな特性を有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項６】寸法がスケーラブルな特性及び電界がスケーラブルな特性を有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項７】パルス長がスケーラブルな特性及び電界がスケーラブルな特性を有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項８】寸法、パルス長がスケーラブルであり、及び、電界もスケーラブルである特性を有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項９】約２０ナノメートルから約１５０ナノメートルまでの厚さを有する、請求項１記載のＰＺＴ材料。
【請求項１０】強誘電性の動作電圧が２ボルト未満である、請求項１記載のＰＺＴ材料。
【請求項１１】Ｔｙｐｅ１の特性のうち少なくとも１つを有する、請求項１記載のＰＺＴ材料。
【請求項１２】前記Ｔｙｐｅ１の特性のうち少なくとも１つは、２０μＣ／ｃｍ２を超える強誘電分極Ｐｓｗを含む、請求項１１記載のＰＺＴ材料。
【請求項１３】前記Ｔｙｐｅ１の特性のうち少なくとも１つは、材料の強誘電体操作電圧において平方センチメートルにつき１０−５アンペア未満の漏れ電流密度Ｊを含む、請求項１１記載のＰＺＴ材料。
【請求項１４】ｎが０．５を超える値であるＪ−ｎｌｏｇ（時間）により規定される誘電体の弛緩を含む前記Ｔｙｐｅ１の特性のうち少なくとも１つを有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項１５】前記Ｔｙｐｅ１の特性のうち少なくとも１つは、１０１０の分極反転サイクル後の値が元の値より低く、その差が元の値の１０％未満であるＰｓｗにより規定されるサイクル疲労を含む、請求項１１記載のＰＺＴ材料。
【請求項１６】Ｔｙｐｅ１の特性のうち少なくとも２つを有する、請求項１１記載のＰＺＴ材料。
【請求項１７】Ｔｙｐｅ１の特性のうち少なくとも３つを有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項１８】Ｔｙｐｅ１の特性の全てを有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項１９】Ｔｙｐｅ２の特性のうち少なくとも１つを有する、請求項１記載のＰＺＴ材料。
【請求項２０】前記Ｔｙｐｅ２の特性のうち少なくとも１つは、強誘電分極Ｐｓｗを含む、請求項１９記載のＰＺＴ材料。
【請求項２１】前記Ｔｙｐｅ２の特性のうち少なくとも１つは、抗電界Ｅｃを含む、請求項１９記載のＰＺＴ材料。
【請求項２２】前記Ｔｙｐｅ２の特性のうち少なくとも１つは、漏れ電流密度Ｊを含む、請求項１９記載のＰＺＴ材料。
【請求項２３】Ｔｙｐｅ２の特性のうち少なくとも１つを有する強誘電体ＰＺＴ材料であり、Ｔｙｐｅ２の特性は保持力（retention）を含む、ＰＺＴ材料。
【請求項２４】Ｔｙｐｅ２の特性のうち少なくとも１つを有する強誘電体ＰＺＴ材料であり、Ｔｙｐｅ２の特性は強誘電分極の反転疲労を含む、ＰＺＴ材料。
【請求項２５】Ｔｙｐｅ２の特性のうち少なくとも２つを有する、請求項１９記載のＰＺＴ材料。
【請求項２６】Ｔｙｐｅ２の特性のうち少なくとも３つを有する、請求項１９記載のＰＺＴ材料。
【請求項２７】Ｔｙｐｅ２の特性のうち少なくとも４つを有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項２８】Ｔｙｐｅ２の特性の全てを有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項２９】（１）寸法、パルス長がスケーラブルであり、及び／又は、電界もスケーラブルである特性；  （２）Ｔｙｐｅ１の特性のうち少なくとも１つ；  及び（３）Ｔｙｐｅ２の特性のうち少なくとも１つを有する、強誘電体ＰＺＴ材料。
【請求項３０】請求項１〜２９のいずれか１つに記載の強誘電体ＰＺＴ材料を備える、キャパシター。
【請求項３１】約１０４から１０−２μｍ２までのキャパシター面積を有する、請求項３０に記載のキャパシター。
【請求項３２】ＰＺＴ材料が、イリジウム及び／又は白金を備える材料により形成される下部電極とイリジウム及び／又はイリジウムオキサイドを備える材料により形成される上部電極との間にあ、請求項３０に記載のキャパシター。
【請求項３３】スタックキャパシターを構成する請求項３０に記載のキャパシター。
【請求項３４】パルス長がスケーラブルである強誘電体と、
ＰＺＴ材料の励磁のために配置される電源及び関連回路であり、かかる励磁は、５ナノ秒から２００ナノ秒までの範囲の励磁（電圧）パルス長を特徴とする電源及び関連回路とを備える、
マイクロ電子装置構造。
【請求項３５】請求項１〜２９のいずれか１つに記載の強誘電体ＰＺＴ材料を備えたキャパシターを含む、ＦｅＲＡＭ装置。
【請求項３６】約１０４から１０−２μｍ２までのキャパシター面積を有する、請求項３５に記載のＦｅＲＡＭ装置。
【請求項３７】ＰＺＴ材料は、２ボルト未満の強誘電体動作電圧を有する、請求項３５に記載のＦｅＲＡＭ装置。
【請求項３８】基板上に強誘電体ＰＺＴフィルムを加工する方法であり、プラトー効果決定により決定されるＭＯＣＶＤ条件に基づき、リキッドデリバリーＭＯＣＶＤにより基板上にフィルムを形成するステップ及び請求項１〜２９のいずれか１つに記載の強誘電体ＰＺＴ材料を生産するステップを備える方法。
【請求項３９】請求３８に記載の方法であり、ＭＯＣＶＤ条件は、Ｐｂ（ｔｈｄ）２及びＰｂ（ｔｈｄ）２ｐｍｄｅｔａにより構成されるグループから選択される鉛の供給試薬の使用を含む方法。
【請求項４０】請求項３８に記載の方法であり、ＭＯＣＶＤ条件は、Ｚｒ（ｔｈｄ）４及びＺｒ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）２（ｔｈｄ）２により構成されるグループから選択されるジルコニウムの供給試薬の使用を含む方法。
【請求項４１】請求項３８に記載の方法であり、ＭＯＣＶＤ条件は、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）２（ｔｈｄ）２のチタンの供給試薬としての使用を含む方法。
【請求項４２】請求項３８に記載の方法であり、ＭＯＣＶＤ条件は、Ｐｂ（ｔｈｄ）２、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）２（ｔｈｄ）２及びＺｒ（ｔｈｄ）４の、それぞれ鉛、ジルコニウム及びチタンの供給試薬としての使用を含む方法。
【請求項４３】請求項３８に記載の方法であり、ＭＯＣＶＤ条件は、Ｐｂ（ｔｈｄ）２ｐｍｄｅｔａ、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）２（ｔｈｄ）２及びＺｒ（ｔｈｄ）４の、それぞれ鉛、ジルコニウム及びチタンの供給試薬としての使用を含む方法。
【請求項４４】請求項３８に記載の方法であり、ＭＯＣＶＤ条件は、Ｐｂ（ｔｈｄ）２ｐｍｄｅｔａ、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）２（ｔｈｄ）２及びＺｒ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）２（ｔｈｄ）２の、それぞれ鉛、ジルコニウム及びチタンの供給試薬としての使用を含む方法。
【請求項４５】請求項３８に記載の方法であり、テトラヒドロフラン、グライム溶媒、アルコール、炭化水素溶媒、ハイドロアリール溶媒、アミン、ポリアミン及びこれらのうち２つ又はそれ以上の混合物により構成されるグループから選択される１つ又は複数の溶媒の種を備える溶媒媒体においてリキッドデリバリーＭＯＣＶＤに供給試薬が提供される方法。
【請求項４６】請求項３８に記載の方法であり、テトラヒドロフラン、イソプロパノール及びテトラグライムを８：２：１の体積比で備える溶媒媒体においてリキッドデリバリーＭＯＣＶＤに供給試薬が提供される方法。
【請求項４７】請求項３８に記載の方法であり、オクタン、デカン及びポリアミンを５：４：１の体積比で備える溶媒媒体においてリキッドデリバリーＭＯＣＶＤに供給試薬が提供される方法。
【請求項４８】請求項３８に記載の方法であり、オクタン及びポリアミンを９：１の体積比で備える溶媒媒体においてリキッドデリバリーＭＯＣＶＤに供給試薬が提供される方法。
【請求項４９】請求項３８に記載の方法であり、テトラヒドロフランを備える溶媒媒体においてリキッドデリバリーＭＯＣＶＤに供給試薬が提供される方法。
【請求項５０】基板が貴金属を備える、請求項３８に記載の方法。
【請求項５１】基板がイリジウム、白金及びこれらの化合物により構成されるグループから選択される貴金属を備える、請求項３８に記載の方法。
【請求項５２】請求項３８に記載の方法であり、基板は、イリジウム層により重ねられるＴｉＡｌＮバリア層を備える方法。
【請求項５３】請求項３８に記載の方法であり、リキッドデリバリーＭＯＣＶＤは、前駆体の蒸気を形成する供給試薬の蒸発ステップ及びキャリヤガスにおいて前駆体の蒸気をＣＶＤ室へと流すステップを含む方法。
【請求項５４】請求項５３に記載の方法であり、キャリヤガスは、アルゴン、ヘリウム及びこれらの混合物により構成されるグループから選択される方法。
【請求項５５】Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ及びＯ２／Ｎ２Ｏにより構成されるグループから選択される少なくとも１つの種を含むオキサイド媒体をＣＶＤ室へと流すステップをさらに備える請求項３８に記載の方法。
【請求項５６】基板上で強誘電体ＰＺＴフィルムを製造する方法であって、同方法は、リキッドデリバリーＭＯＣＶＤによって該基板上で該フィルムを製造するステップを含み、かかる製造は、請求項１から２９のいずれか一つに記載の強誘電体ＰＺＴ材料を製造する核形成条件を含むＭＯＣＶＤ条件下で行われ、かかるＭＯＣＶＤ条件はプラトー効果決定によって決定される、方法。
【請求項５７】基板上で強誘電体ＰＺＴフィルムを製造する方法であって、同方法は、リキッドデリバリーＭＯＣＶＤによって該基板上で該フィルムを製造するステップを含み、かかる製造は、プラトー効果決定によって決定された温度、圧力、及び液体前駆体溶液Ａ／Ｂ比率を含むＭＯＣＶＤ条件下において行われ、かかるプラトー効果決定は、温度、圧力、及び液体前駆体溶液Ａ／Ｂ比各々の関数としてのＰＺＴフィルム中の強誘電分極、漏れ電流密度、及び原子百分率鉛（atomicpercent lead）の各々のプロットの相関実験的マトリックスから得られ、Ａ／Ｂ比とはＰｂの（Ｚｒ＋Ｔｉ）に対する比率である、方法。
【請求項５８】基板上で強誘電体ＰＺＴフィルムを製造する方法であって、同方法は、リキッドデリバリーＭＯＣＶＤによって該基板上で該フィルムを製造するステップを含み、かかる製造は、プラトー効果決定によって決定された温度、圧力、及び液体前駆体溶液Ａ／Ｂ比を含むＭＯＣＶＤ条件下において行われ、かかるプラトー効果決定は、温度、圧力、及び液体前駆体溶液Ａ／Ｂ比各々の機能としてのＰＺＴフィルム中の強誘電分極、漏れ電流密度、及び原子百分率鉛の各々のプロットの相関実験的マトリックスから得られ、Ａ／Ｂ比とはＰｂの（Ｚｒ＋Ｔｉ）に対する比率であり、前記強誘電体ＰＺＴフィルムは請求項１から２９のいずれか一つに記載の強誘電体ＰＺＴ材料を備える、方法。
【請求項５９】基板上で強誘電体ＰＺＴフィルムを製造する方法であって、同方法は、リキッドデリバリーＭＯＣＶＤによって該基板上で該フィルムを製造するステップを含み、かかる製造は、相互関係のある材料（CorrelativeMaterials）又は処理条件を含むＭＯＣＶＤ条件下において行われ、かかる製造によりＰＺＴ特性を有する強誘電体ＰＺＴフィルムを生み、前記相互関係のある材料又は処理条件及びＰＺＴ特性は以下のものを備える、方法。
【表１】
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【請求項６０】請求項１ないし２９のいずれか一つに記載の強誘電性ＰＺＴ材料を含んだ基板上にコンデンサを形成することを含む、該強誘電性ＰＺＴ材料が、液体運搬ＭＯＣＶＤによって、プラトー効果決定により定められるＭＯＣＶＤ条件に基づき堆積される、ＦｅＲＡＭ装置の製造方法。
【請求項６１】請求項１ないし２９のいずれか一つに記載の強誘電性ＰＺＴ材料を含んだ基板上にコンデンサを形成することを含む、該強誘電性ＰＺＴ材料が、液体運搬ＭＯＣＶＤによって、該強誘電性ＰＺＴ材料を生じるＭＯＣＶＤ条件に基づき堆積され、かつ該ＰＺＴ材料が２ボルト未満の強誘電性の動作電圧を有する、ＦｅＲＡＭ装置の製造方法。
【請求項６２】前記ＰＺＴフィルムが、約１０４ないし約１０−２μｍ２であるコンデンサ面積を画成する、請求項６０記載の方法。
【請求項６３】前記ＭＯＣＶＤ条件に、１．０２±２５％の溶液Ａ／Ｂ比、約１７５０ミリトール±２５％の成長圧力、及び約５７５℃±５％の成長温度が含まれる、請求項６０記載の方法。
【請求項６４】請求項１ないし２９のいずれか一つに記載の強誘電性ＰＺＴ材料を含んだ基板上にコンデンサを形成することを含む、該強誘電性ＰＺＴ材料が、液体運搬ＭＯＣＶＤによって、該強誘電性ＰＺＴ材料をもたらすＭＯＣＶＤ条件に基づき堆積され、該ＭＯＣＶＤ条件が、ＰＺＴ特性を有する該強誘電性ＰＺＴ材料を生じるべく、相互関係のある材料又は処理条件を備え、該相互関係のある材料又は処理条件及びＰＺＴ特性が以下を含む、ＦｅＲＡＭ装置の製造方法。
【表２】
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