(57)【要約】  本発明の積層体（１０）は、繊維基材で構成されるコア部（１）を内蔵する樹脂層（２）と、前記樹脂層の片面に接合される金属層（３）とを有する積層体であって、前記繊維基材の厚さが２５μｍ以下であり、前記金属層が前記樹脂層に形成されるビアホールに対応する開口部（３１）を有する。また、本発明の基板の製造方法は、上記に記載の積層体にレーザー（９）照射して前記樹脂層にビアホール（２３）を形成する工程と、前記ビアホール形成後に、前記積層体から前記金属層を除去する工程と、を有する。また、本発明の基板（１００）は、上記に記載の製造方法で得られる。また、本発明の半導体装置（１２）は、上記に記載の基板に、半導体素子（１２１）を搭載してなる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維基材で構成されるコア部を内蔵する樹脂層と、
前記樹脂層の少なくとも片面に接合される金属層とを有する積層体であって、
前記繊維基材の厚さが２５μｍ以下であり、
前記金属層が前記樹脂層に形成されるビアホールに対応する開口部を有することを特徴とする積層体。
【請求項２】
前記繊維基材は、ガラス繊維基材である請求の範囲第１項に記載の積層体。
【請求項３】
前記金属層を構成する金属は、銅および銅系合金の少なくとも一方である請求の範囲第１項に記載の積層体。
【請求項４】
前記樹脂層は、シアネート樹脂を含む樹脂組成物で構成されている請求の範囲第１項に記載の積層体。
【請求項５】
前記樹脂層の厚さ方向に対して、前記繊維基材が偏在しているものである請求の範囲第１項に記載の積層体。
【請求項６】
前記樹脂層は、前記繊維基材で構成されるコア部の一方の面側に形成される第１樹脂層および他方の面側に形成される第２樹脂層とを有し、
前記第１樹脂層は、その厚さが５〜１５μｍであり、前記第２樹脂層は、その厚さが１５〜５０μｍである請求の範囲第５項に記載の積層体。
【請求項７】
前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物とが異なるものである請求の範囲第６項に記載の積層体。
【請求項８】
請求の範囲第１項に記載の積層体に、レーザー照射して前記樹脂層にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール形成後に、前記積層体から前記金属層を除去する工程と、を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項９】
前記ビアホールは、その開口径が、前記金属層側で、５５〜８５μｍであり、前記金属層の反対側で、３５〜６５μｍである請求の範囲第８項に記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
請求の範囲第８項に記載の製造方法で得られることを特徴とする基板。
【請求項１１】
コア基板と、該コア基板の少なくとも一方の面側に形成された回路配線部と、該回路配線部上に設けられた樹脂層とを備える基板であって、
前記樹脂層は、繊維基材で構成されるコア部と、該コア部の一方の面側に形成される第１樹脂層と、前記コア部の他方の面側に形成された第２樹脂層とを有し、
前記繊維基材の厚さが２５μｍ以下であり、
かつ、前記第２樹脂層の一部に、前記回路配線部を埋め込むように設けられていることを特徴とする基板。
【請求項１２】
前記第１樹脂層の厚さをＢ２［μｍ］、前記第２樹脂層の厚さをＢ１［μｍ］とし、前記回路配線部の厚さをｔ１［μｍ］およびその残銅率をＳ［％］とし、前記回路配線部の前記第２樹脂層側の端面から前記コア部までの前記第２樹脂層の厚さをｔ２［μｍ］としたとき、Ｂ２＜Ｂ１であり、かつＢ１＝ｔ２＋ｔ１×（１−Ｓ／１００）である関係を満足する請求の範囲第１１項に記載の基板。
【請求項１３】
請求の範囲第１０項に記載の基板に、半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体、基板の製造方法、基板および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、高速化に伴い、多層プリント配線板の高密度実装・高密度配線化が推進され、パターンの細線化やスルーホールの小径化が要求されている。これらの要求に対応するために、ビルドアップ方式の多層プリント配線板が用いられている。【０００３】
このビルドアップ方式の多層プリント配線板のコアとなる内層板はガラス繊維基材を用いたリジッドの両面板または多層板を用いることが多く、絶縁樹脂層のビルドアップは、樹脂をコーティングする方式、フィルム状の樹脂を重ねる方式、樹脂付き銅箔方式等で積み重ね形成されていた。【０００４】
その場合、ビルドアップした絶縁樹脂層には繊維基材を内蔵しないのが通常である。しかし、このような構造のビルドアップ方式の多層プリント配線板は、次のような欠点も有していることが判明した。繊維基材を内蔵しないビルドアップ層は、レジンクラックが生じやすい。さらに、熱衝撃時に樹脂の熱伸縮によりレジンクラックが生じやすい。【０００５】
そこで、繊維基材を内蔵するビルドアップ層が検討されている。しかし、繊維基材を内蔵するビルドアップ層では、レーザービアを加工する際に、基材表面や穴壁面にスミアが発生することで回路欠損が生じていた。そこで、繊維基材を内蔵するビルドアップ層のレーザー加工性を改善するために、基材として有機基材を用いる手法が提案されている（例えば、特許文献１：特開平１１−３３０７０７号公報参照）。
しかし、このような有機基材を用いる方法では、基材としての剛性が低く、薄型化が困難となる場合があった。
【発明の開示】
【０００６】
このような問題を改善するために、本発明者らは非常に薄いガラス繊維基材を用いたビルドアップ層の開発に成功し、レーザー加工性の改善をある程度向上することができた。しかし、薄いガラス繊維基材を用いてもスミアの発生を完全に抑制するには至らなかった。本発明の目的は、２５μｍ以下の繊維基材を用いた樹脂層をレーザー加工する際のスミアの発生を十分に抑制し、レーザー加工性をより向上させることにある。
【０００７】
上記目的を達成するために、下記（１）〜（１３）に記載の本発明は、
（１）繊維基材で構成されるコア部を内蔵する樹脂層と、前記樹脂層の少なくとも片面に接合される金属層とを有する積層体であって、前記繊維基材の厚さが２５μｍ以下であり、前記金属層が前記樹脂層に形成されるビアホールに対応する開口部を有することを特徴とする積層体。
（２）前記繊維基材は、ガラス繊維基材である上記（１）に記載の積層体。
（３）前記金属層を構成する金属は、銅および銅系合金の少なくとも一方である上記（１）に記載の積層体。
（４）前記樹脂層は、シアネート樹脂を含む樹脂組成物で構成されている上記（１）に記載の積層体。
（５）前記樹脂層の厚さ方向に対して、前記繊維基材が偏在しているものである上記（１）に記載の積層体。
（６）前記樹脂層は、前記繊維基材で構成されるコア部の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層とを有し、前記第１樹脂層は、その厚さが５〜１５μｍであり、前記第２樹脂層は、その厚さが１５〜５０μｍである上記（５）に記載の積層体。
（７）前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物とが異なるものである上記（６）に記載の積層体。
（８）上記（１）に記載の積層体に、レーザー照射して前記樹脂層にビアホールを形成する工程と、前記ビアホール形成後に、前記積層体から前記金属層を除去する工程と、を有することを特徴とする基板の製造方法。
（９）前記ビアホールは、その開口径が、前記金属層側で、５５〜８５μｍであり、前記金属層の反対側で、３５〜６５μｍである上記（８）に記載の基板の製造方法。
（１０）上記（８）に記載の製造方法で得られることを特徴とする基板。
（１１）コア基板と、該コア基板の少なくとも一方の面側に形成された回路配線部と、該回路配線部上に設けられた樹脂層とを備える基板であって、前記樹脂層は、繊維基材で構成されるコア部と、該コア部の一方の面側に形成される第１樹脂層と、前記コア部の他方の面側に形成された第２樹脂層とを有し、前記繊維基材の厚さが２５μｍ以下であり、かつ、前記第２樹脂層の一部に、前記回路配線部を埋め込むように設けられていることを特徴とする基板。
（１２）前記第１樹脂層の厚さをＢ２［μｍ］、前記第２樹脂層の厚さをＢ１［μｍ］とし、前記回路配線部の厚さをｔ１［μｍ］およびその残銅率をＳ［％］とし、前記回路配線部の前記第２樹脂層側の端面から前記コア部までの前記第２樹脂層の厚さをｔ２［μｍ］としたとき、Ｂ２＜Ｂ１であり、かつＢ１＝ｔ２＋ｔ１×（１−Ｓ／１００）である関係を満足する上記（１１）に記載の基板。
（１３）上記（１０）に記載の基板に、半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、積層体の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、積層体の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、樹脂層を回路配線に埋め込んだ状態を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、樹脂層を製造する工程を示す模式図である。
【図５】図５は、積層体を製造する工程を示す模式図である。
【図６】図６は、積層体を製造する工程を示す模式図である。
【図７】図７は、基板を製造する工程を示す模式図である。
【図８】図８は、基板を製造する工程を示す模式図である。
【図９】図９は、半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の積層体、基板の製造方法、基板および半導体装置について説明する。
本発明の積層体は、繊維基材で構成されるコア部を内蔵する樹脂層と、前記樹脂層の片面に接合される金属層とを有する積層体であって、前記繊維基材の厚さが２５μｍ以下であり、前記金属層が前記樹脂層に形成されるビアホールに対応する開口部を有することを特徴とする。
また、本発明の基板の製造方法は、上記に記載の積層体にレーザー照射して前記樹脂層にビアホールを形成する工程と、前記ビアホール形成後に、前記積層体から前記金属層を除去する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の基板は、上記に記載の製造方法で得られることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の基板に、半導体素子を搭載してなることを特徴とする。【００１０】
（積層体）
まず、積層体について説明する。
図１に示すように、積層体１０は、繊維基材で構成されるコア部１を内蔵する樹脂層２と、樹脂層２の片面に接合される金属層３とを有する。
樹脂層２は、コア部１の一方の面側に形成される第１樹脂層２１と、他方の面側に形成される第２樹脂層２２とで構成されている。
金属層３は、第１樹脂層２１に接するように接合されている。
また、金属層３には、後に樹脂層２に形成されるビアホールに対応する開口部３１が形成されている。【００１１】
（コア部）
コア部１を構成する繊維基材の厚さは、２５μｍ以下であることを特徴とする。これにより、レーザー加工性を向上することができるのに加えて、樹脂層２を薄くすることができる。
また、厚さが２５μｍ以下の繊維基材を樹脂層２のコア部１として用いることは困難であった。本発明では、後述するような方法により厚さが２５μｍ以下の繊維基材でも樹脂層２のコア部１に内蔵させることが可能となったものであり、それによって生じた新たな課題を解決しようとするものである。【００１２】
前記繊維基材としては、例えばガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、樹脂層２の剛性に優れ、樹脂層２を薄くすることができる。さらに、樹脂層２の熱膨張係数も小さくすることができ、それによって樹脂層２を用いて作製した基板の反りの発生を低減することができる。【００１３】
このようなガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えばＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス等が挙げられる。これらの中でもＴガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の熱膨張係数を小さくすることができ、それによって樹脂層２の熱膨張係数を小さくすることができる。【００１４】
前記繊維基材の厚さは、２５μｍ以下であるが、より好ましくは３〜２０μｍであり、特に１０〜１８μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、樹脂層２の剛性とレーザー加工性とのバランスに優れる。【００１５】
コア部１の位置は、特に限定されないが、樹脂層２の厚さ方向に対して偏在していることが好ましい。これにより、回路パターンに応じて樹脂量を調整することが可能となる。さらに、最適な樹脂量を調整することにより厚さを薄くすることもできる。
ここで、コア部１が樹脂層２の厚さ方向に対して偏在している状態を図２に基づいて説明する。図２（ａ）、（ｂ）は、コア部１が樹脂層２に対して偏在している状態を模式的に示す断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、樹脂層２の厚さ方向の中心線Ａ−Ａに対して、コア部１の中心がずれて配置されていることを意味する。図２（ａ）では、コア部１の下側（図２中下側）の面が、樹脂層２の下側（図２中下側）の面とほぼ一致するようになっている。図２（ｂ）では、コア部１が中心線Ａ−Ａと、樹脂層２の下側（図２中下側）の面との間に配置されている。なお、コア部１が中心線Ａ−Ａに一部重なるようになっていても良い。例えば、繊維基材を樹脂層２の上側に偏在させると、樹脂層２の下側に設けられる金属層に与える衝撃を低減できるような強度で加工でき、レーザー加工性を向上することができる。【００１６】
（樹脂層）
コア部１は、樹脂層２に内蔵されている。この樹脂層２は、例えば熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されることが好ましい。これにより、耐熱性を向上することができる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、特に、シアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。これにより、樹脂層２の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、樹脂層２の電気特性（低誘電率、低誘電正接）等にも優れる。【００１７】
前記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度増加による耐熱性向上と、樹脂組成物等の難燃性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、樹脂層２を薄膜化（厚さ３５μｍ以下）した場合であっても、樹脂層２に優れた剛性を付与することができる。特に加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも特に優れる。【００１８】
前記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。【００１９】
【化１】
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【００２０】
前記式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、樹脂層２の成形性が低下する場合がある。【００２１】
前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜４，５００が好ましく、特に６００〜３，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層２を作製した場合にタック性が生じ、樹脂層２同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が前記上限値を超えると反応が速くなりすぎ、基板（特に回路基板）とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。
前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
ＧＰＣ測定は、例えば装置：東ソー製  ＨＬＣ−８２００ＧＰＣを用い、カラムとしてＴＳＫ＝ＧＥＬ  ポリスチレンを用い、溶剤としてＴＨＦ(テトラハイドロフラン)を用いて測定することができる。【００２２】
前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５〜５０重量％が好ましく、特に２０〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると樹脂層２を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えると樹脂層２の強度が低下する場合がある。【００２３】
また、前記樹脂組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。これにより、樹脂層２を薄膜化（厚さ３５μｍ以下）にしても強度に優れることができる。さらに、樹脂層２の低熱膨張化を向上することもできる。
前記無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。【００２４】
前記無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０１〜５．０μｍが好ましく、特に０．２〜２．０μｍが好ましい。無機充填材の粒径が前記下限値未満であるとワニスの粘度が高くなるため、樹脂層２作製時の作業性に影響を与える場合がある。また、前記上限値を超えると、ワニス中で無機充填剤の沈降等の現象が起こる場合がある。
この平均粒子径は、例えば粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定することができる。【００２５】
更に平均粒子径５．０μｍ以下の球状シリカ（特に球状溶融シリカ）が好ましく、特に平均粒子径０．０１〜２．０μｍの球状溶融シリカが好ましい。これにより、無機充填剤の充填性を向上させることができる。【００２６】
前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の２０〜７０重量％が好ましく、特に３０〜５０重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、樹脂層２を特に低熱膨張、低吸水とすることができる。【００２７】
前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を用いることが好ましい。前記エポキシ樹脂としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、樹脂層２の吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。【００２８】
前記アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式（ＩＩ）で示すことができる。【００２９】
【化２】
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【００３０】
前記式（ＩＩ）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜５が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原因となる場合がある。【００３１】
前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。【００３２】
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜２０，０００が好ましく、特に８００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層２にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると樹脂層２作製時、基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
ＧＰＣ測定は、例えば装置：東ソー製  ＨＬＣ−８２００ＧＰＣを用い、カラムとしてＴＳＫ＝ＧＥＬ  ポリスチレンを用い、溶剤としてＴＨＦ(テトラハイドロフラン)を用いて測定することができる。【００３３】
前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、フェノール樹脂を用いることが好ましい。前記フェノール樹脂としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でもアリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。【００３４】
前記アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えばキシリレン型フェノール樹脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂等が挙げられる。ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂は、例えば式（ＩＩＩ）で示すことができる。【００３５】
【化３】
2008093579.tif 000005
【００３６】
前記式（ＩＩＩ）で示されるビフェニルジメチレン型フェノール樹脂の繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１２が好ましく、特に２〜８が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であると耐熱性が低下する場合がある。また、前記上限値を超えると他の樹脂との相溶性が低下し、作業性が低下する場合がある。【００３７】
前述のシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）とアリールアルキレン型フェノール樹脂との組合せにより、架橋密度をコントロールし、金属と樹脂との密着性を向上することができる。【００３８】
前記フェノール樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張の特性が損なわれる場合がある。【００３９】
前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量４００〜１８，０００が好ましく、特に５００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層２にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると樹脂層２作製時、繊維基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。
前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。【００４０】
更に、前記シアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）と前記フェノール樹脂（アリールアルキレン型フェノール樹脂、特にビフェニルジメチレン型フェノール樹脂）と前記エポキシ樹脂（アリールアルキレン型エポキシ樹脂、特にビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂）との組合せを用いて基板（特に回路基板）を作製した場合、特に優れた寸法安定性を得ることが出来る。【００４１】
前記樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい。前記カップリング剤は、前記熱硬化性樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、繊維基材に対して熱硬化性樹脂等および無機充填材を均一に定着させ、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。
前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。【００４２】
前記カップリング剤の添加量は、前記無機充填材の表面積に依存するので特に限定されないが、無機充填材１００重量部に対して０．０５〜３重量部が好ましく、特に０．１〜２重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると無機充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低下する場合がある。【００４３】
前記樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を用いても良い。前記硬化促進剤としては公知の物を用いることが出来る。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。【００４４】
前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．０１〜５重量％が好ましく、特に０．０５〜２重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えると樹脂層２の保存性が低下する場合がある。【００４５】
前記樹脂組成物では、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂を併用しても良い。
また、前記樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、酸化防止剤等の上記成分以外の添加物を添加しても良い。【００４６】
樹脂層２は、特に限定されないが、コア部１の一方の面側に形成される第１樹脂層２１と、他方の面側に形成される第２樹脂層２２とを有することが好ましく、第１樹脂層２１を構成する第１樹脂組成物と、第２樹脂層２２を構成する第２樹脂組成物とが同じであっても異なっていても良い。
第１樹脂組成物と第２樹脂組成物とが、異なっている場合には各樹脂層に異なる機能を付与することもできる。
また、第１樹脂組成物と第２樹脂組成物とが、同じである場合には寸法安定性や基板の反りを低減するのに優れる。【００４７】
第１樹脂層２１の厚さは、特に限定されないが、５〜１５μｍが好ましく、特に８〜１０μｍが好ましい。また、第２樹脂層２２の厚さも、特に限定されないが、１５〜５０μｍが好ましく、特に２５〜３５μｍが好ましい。なお、これら樹脂層の厚さは、積層する相手方の回路の残銅率に応じて適宜調整することができる。【００４８】
また、一般に樹脂層２は、回路基板のビルドアップ層として用いられ、その際には相手方の回路配線を埋め込むように用いられる。
樹脂層２を回路配線に埋め込んだ状態を図３に示す。第１樹脂層２１の厚さをＢ２［μｍ］、第２樹脂層２２の厚さをＢ１［μｍ］とし、相手方の回路配線部４の厚さをｔ１［μｍ］およびその残銅率をＳ［％］とし、回路配線部４の上端面（図３中上側）４ａからコア部１までの厚さをｔ２［μｍ］としたとき、Ｂ２＜Ｂ１であり、かつＢ１＝ｔ２＋ｔ１×（１−Ｓ／１００）である関係を満たすことが好ましい。
ここで、ｔ２の厚さは、特に限定されないが、０〜１５μｍが好ましい。また、回路配線部４とコア部１との接触による回路配線部４での絶縁性の低下等が懸念される場合は、ｔ２を３〜１５μｍとすることが好ましい。一方、樹脂層２の厚さを薄くする場合には、ｔ２を０〜５μｍとすることが好ましく、さらに絶縁性と薄さを両立するためには、ｔ２を３〜５μｍとすることが好ましい。これにより、樹脂層２の一方の面側に回路配線部４への埋め込み性に優れ、かつ高い絶縁信頼性を付与することができる。【００４９】
なお、コア部１を内蔵する樹脂層２を製造する方法としては、例えば以下の方法を挙げることができる。
予め第１樹脂組成物をキャリアフィルムに塗布したキャリア材料５ａと、第２樹脂組成物をキャリアフィルムに塗布したキャリア材料５ｂとを製造し、このキャリア材料５ａ、５ｂを繊維基材１１にラミネートした後、キャリア材料５ａ、５ｂを剥離する方法により、厚さが２５μｍ以下の繊維基材１１に樹脂材料を担持することにより繊維基材１１で構成されるコア部１を内蔵する樹脂層２を得ることができる。【００５０】
ここで、予めキャリア材料５ａ、５ｂを製造し、このキャリア材料５ａ、５ｂを繊維基材１１にラミネートした後、キャリアフィルムを剥離する方法について、図４を用いて具体的に説明する。図４は、樹脂層２を製造する工程の一例を示す工程図である。
まず、第１樹脂組成物および第２樹脂組成物が塗布されたキャリア材料５ａおよび５ｂを用意する。
次に、真空ラミネート装置６を用いて、減圧下で繊維基材の両面からキャリア材料５ａおよび５ｂを重ね合わせてラミネートロール６１で接合する。減圧下で接合することにより、繊維基材１１の内部またはキャリア材料５ａ、５ｂの樹脂層と繊維基材１１との接合部位に非充填部分が存在しても、これを減圧ボイドあるいは実質的な真空ボイドとすることができる。ゆえに、最終的に得られる樹脂層２に発生するボイドを低減することができる。なぜなら、減圧ボイドまたは真空ボイドは、後述する加熱処理で消し去ることができるからである。このような減圧下で繊維基材１１とキャリア材料５ａ、５ｂとを接合する他の装置としては、例えば真空ボックス装置等を用いることができる。【００５１】
次に、繊維基材１１とキャリア材料５ａ、５ｂとを接合した後、熱風乾燥装置６２でキャリア材料に塗布された樹脂の溶融温度以上の温度で加熱処理する。これにより、前記減圧下での接合工程で発生していた減圧ボイド等をほぼ消し去ることができる。
前記加熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置等を用いて実施することができる。【００５２】
また、このような樹脂層２を得る他の方法としては、厚さ２５μｍ以下の繊維基材１１を粘度の低い樹脂ワニスに浸漬し、乾燥して第１樹脂層２１を形成し、さらに、他の樹脂ワニスに浸漬して第２樹脂層２２を形成することにより、樹脂層２を得ることもできる。【００５３】
（金属層）
このようにして得られた樹脂層２の第１樹脂層２１の上側（図１中の上側）の面には、金属層３が設けられている。金属層３には、後に樹脂層２に形成されるビアホールに対応する開口部３１が形成されている。これにより、金属層３が保護層の役割を有し、レーザー照射によりビアホールを形成する際にレーザーの干渉波によって樹脂層２の表面が劣化されるのを防止することができる。【００５４】
金属層３の厚さは、特に限定されないが、５μｍ以下であることが好ましく、特に２〜４μｍであることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、最終的に基板を製造する際に金属層３を除去するのが容易となる。【００５５】
このような金属層３としては、例えば剥離可能な金属箔（例えばピーラブル銅箔）、電解めっきにより形成された金属層、無電解めっきにより形成された金属層等が挙げられる。これらの中でも剥離可能な金属箔（特にピーラブル銅箔）が好ましい。剥離可能な金属箔を用いると、めっきによる金属層の形成よりも短時間ででき、かつ金属層３の厚さ精度を向上することができる。【００５６】
金属層３を構成する金属としては、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金等が挙げられる。特に高周波用途として使用するのなら、アルミ、アルミ系合金等よりも電気伝導率の高い銅および銅系合金であることが好ましい。【００５７】
金属層３を樹脂層２に接合する方法としては、例えば真空プレス、ラミネート等が挙げられる。これらの中でも真空プレスによる接合方法が好ましい。これにより、金属層３と樹脂層２との密着強度を向上することができる。【００５８】
このようにして得られた積層体１０は、樹脂層２が繊維基材で構成されるコア部１を有しているのでレジンクラック等の発生が低減されているものであり、薄型化に適するものである。さらに、金属層３が樹脂層２に形成されるビアホールに対応する開口部３１を有しているのでビアホール形成する際のレーザー加工性にも優れているものである。【００５９】
（積層体の製造）
このような積層体１０の製造方法の一例について説明する。
まず、上述の方法により繊維基材で構成されるコア部１を内蔵する樹脂層２を用意する（図５（ａ））。
この樹脂層２の片面側に真空プレス法で金属箔を積層して金属層３を形成する（図５（ｂ））。この際に、樹脂層２と金属層３との密着性を向上させる為、樹脂層２の表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などを用いて粗化処理を行うことが好ましい。
また、樹脂層２に金属層３を形成するには、樹脂層２を構成する第１樹脂層２１および第２樹脂層２２の少なくとも一方に金属箔を形成したものをキャリア材料５ａまたは５ｂとして繊維基材１１の両側に重ね合わせてラミネートロール６１で接合させる方法でも良い。【００６０】
次に、金属層３の表面に、ドライフィルム７を貼り付ける（図５（ｃ））。ドライフィルム７は、感光性フィルムであり紫外線等の照射によって、選択的に現像液の可溶または不溶となるようなものである。本実施形態では、紫外線等の照射により現像液に不溶となるものを用いている。【００６１】
ドライフィルム７を貼り付けた後、開口部３１を形成する部分をマスク７１で覆い、紫外線７２を照射する（図６（ｄ））。これにより、紫外線７２が照射された部分は光硬化し、現像液に対して不溶となる。そして、ドライフィルム７を現像液にて処理して、紫外線７２が照射されていない部分（マスク７１で覆われた部分）を除去する。これにより、ドライフィルム７に開口部３１に相当する部分７３が形成される（図６（ｅ））。この部分７３では、金属層３が表面に露出している。この部分７３が形成されたドライフィルム７が次工程のエッチング処理ではマスクとして機能する。
次に、エッチング処理を行うことにより、表面が露出している金属層３の部分が除去され、開口部３１が形成される（図６（ｆ））。
そして、剥離液によりドライフィルム７（マスク）を除去して積層体１０を得ることができる（図６（ｇ））。【００６２】
（基板の製造方法）
次に、基板の製造方法の一例について説明する。
まず、両面に回路パターン８１が形成されたコア基板８を用意する（図７（ａ））。次に、積層体１０をコア基板８の回路パターン８１の上に積層する（図７（ｂ））。回路パターン８１上に積層体１０を積層する方法としては、例えば真空プレス、ラミネート等が挙げられる。これらの中でも真空プレスによる接合方法が好ましい。これにより、金属層３と樹脂層２との密着強度を向上することができる。
なお、コア基板８の表面は、積層体１０との密着性を向上させる為、コア基板８の表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などを用いて粗化処理を行うことが好ましい。【００６３】
次に、金属層３の開口部３１に、レーザー９を照射し、（図７（ｃ））ビアホール２３を形成する（図７（ｄ））。このような方法によれば、レーザー加工性に優れる。すなわち、ビアホール２３を形成する部分の上側の周囲には金属層３が設けられているので、ビアホール２３の周囲がレーザー９の干渉波等で損傷（ビアホールの開口部が必要以上に大きくなったりすること）することを防止することができる。さらに、スミア発生を低減することもできる。
ここで、使用するレーザー９は、例えばＣＯ２レーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等を用いることができる。
また、樹脂層２を貫通し、コア基板８の回路パターン８１に到達させられる様な条件にてレーザー９を照射することが好ましい。これにより、干渉波による影響をより低減できる。【００６４】
開口するビアホール２３の開口径（直径）は、特に限定されないが、ビアホール２３の上端側２３１が５５〜８５μｍであることが好ましく、特に６０〜７０μｍが好ましい。また、ビアホール２３の下端側２３２の開口径（直径）は、特に限定されないが、３５〜６５μｍであることが好ましく、特に５０〜６０μｍが好ましい。ビアホール２３の開口径が前記範囲内であると、特にビアホール２３内への導体の埋め込み性に優れる。【００６５】
レーザー９照射後に、金属層３をエッチングにより除去する（図８（ｅ））。次に、ビアホール２３内に柱状の導体２４を形成し、樹脂層２の表面には金属層３ａを形成する（図８（ｆ））。導体２４を形成する方法としては、例えば導電性ペーストを充填する方法、無電解めっきにより埋め込む方法、電解めっきにより埋め込む方法等があるが、電解めっきにより埋め込む方法だと、ビアホール２３内に導体２４が形成されるのと共に表層に金属層が形成される点で好ましい。【００６６】
そして、金属層に、エッチング処理等を施して回路パターンを形成し、回路パターンの所定の部位と、導体２４とを導通して多層配線板（基板）１００を得た（図８（ｇ））。多層配線基板１００は、いわゆる「１−２−１基板」と呼ばれている。本実施形態では、コア基板に１層の樹脂層（ビルドアップ層）が形成される場合について説明したが、２層以上の樹脂層が形成されても良い。２層以上の樹脂層を形成する場合、図７（ｂ）からの工程を繰り返すことにより、多層配線板を得ることができる。
このようにして得られた基板は、基板を構成する樹脂層の熱膨張係数が小さいため、基板全体としても熱膨張係数を小さくすることが可能となる。これにより、半導体素子等を搭載した際に生じる基板の反り等を低減することができる。【００６７】
次に、半導体装置について簡単に説明する。
図９に示すように、半導体装置１２は、半導体素子１２１と、上述した多層配線基板（１−２−１基板）１００とを有している。
半導体素子１２１は、多層配線基板１００の図中上側（片面側）に搭載されており、半導体素子１２１と多層配線基板１００とは、所定の端子同士が半田バンプ１３を通じて導通されている。
【実施例】
【００６８】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
（１）樹脂ワニスの調製
ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０、重量平均分子量約７００）（含有量が樹脂組成物全体の２３．９８重量％）、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２，０００）（含有量が樹脂組成物全体の１７．９８重量％）、フェノキシ樹脂／ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、ＹＸ−８１００Ｈ３０、重量平均分子量３０，０００）（含有量が樹脂組成物全体の５．９９重量％）、ビスフェノールＡとビスフェノールＦとの共重合体であるフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、ｊＥＲ４２７５、重量平均分子量６０，０００）（含有量が樹脂組成物全体の１１．９９重量％）
、イミダゾール化合物（四国化成工業株式社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール））（含有量が樹脂組成物全体の０．０６重量％）とをメチルイソブチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材／球状溶融シリカ（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−２５Ｒ、平均粒子径０．５μｍ）（含有量が樹脂組成物全体の４０重量％）とカップリング剤／エポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）（含有量が無機充填材１００重量部に対して０．５重量部）を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、樹脂ワニスを調製した。【００６９】
（２）キャリア材料の製造
キャリアフィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステル社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍ、幅４８０ｍ）を用い、上述の樹脂ワニスをコンマコーター装置で塗工し、１７０℃の乾燥装置で３分間乾燥させ、厚さ１１μｍ、幅４１０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材料５ａ（最終的に第１樹脂層を形成）を得た。
また、同様の方法で塗工する樹脂材料ワニスの量を調整して、厚さ４μｍ、幅３６０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材料５ｂ（最終的に第２樹脂層を形成）を得た。【００７０】
（３）樹脂層の製造
コア部の材料は、繊維基材であるガラス織布（株式会社日東紡製、クロスタイプ♯１０１５、幅３６０ｍｍ、厚さ１５μｍ、坪量１７ｇ／ｍ２）を用い、図４に示す真空ラミネート装置および熱風乾燥装置により樹脂層を製造した。
具体的には、ガラス織布の両面に前記キャリア材料５ａおよびキャリア材料５ｂがガラス織布の幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、７５０Ｔｏｒｒの減圧条件下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。
ここで、ガラス織布の幅方向寸法の内側領域においては、キャリア材料５ａおよびキャリア材料５ｂの樹脂層を繊維布の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス織布の幅方向寸法の外側領域においては、キャリア材料５ａおよびキャリア材料５ｂの樹脂層同士を接合した。
次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ３０μｍ（第１樹脂層：１１μｍ、繊維基材：１５μｍ、第２樹脂層：４μｍ）の樹脂層を得た。【００７１】
（４）積層体の製造
得られた樹脂層の片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、金属層としてピーラブル銅箔（厚さ１８μｍ）を真空プレスで金属層を積層した。
次に、この金属層の表面を粗化処理した後、感光性のドライフィルム（株式会社東京応化工業製、ＡＲ−３２０）を貼り付け、積層体の開口部に相当する部分をマスク部材で覆い、紫外線（株式会社小野測器製、コンパクト露光機ＥＶ−０８００）を照射した。これにより、ドライフィルムの紫外線照射された部分は光硬化し、未照射部分は未硬化のままであった。次に、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて、現像処理を行い、紫外線が未照射の部分のドライフィルムを除去した。次に、エッチング処理液で表面が露出している金属層を除去し、さらにドライフィルムも除去して積層体を得た。【００７２】
（５）基板の製造
両面に回路パターンが形成したコア基板（住友ベークライト株式会社製、品番４７８５ＧＳ）の両面に、上述の積層体を真空プレス法で積層した。次に、樹脂層部分にビアホールを形成するためにレーザー照射を行った。レーザー照射には、ＣＯ２レーザー(三菱電機株式会社製)を用い、加工条件をパルス幅５μｓ、基準エネルギー２．０ｍＪ、ショット数３ショットにて加工を行った。そして、開口部の上端側の開口径が６０μｍ〜７０μｍ、下端側の開口径が５０μｍ〜６０μｍのビアホールを得た。次に、金属層をエッチング処理により除去した。
エッチング処理した後に、層間接続の為に、ビアホールにフィルドビアめっきを行った。具体的には基板を硫酸銅液（奥野製薬工業株式会社製）に浸し、その両端に基板と平行にアノードを設置し、直流電流２０Ａを２時間流してビアホールに銅を埋め込むと共に、基板の表面に銅層を２５μｍ形成した。
同様の工程をもう一度繰り返して、１−２−１の基板を得た。【００７３】
（６）半導体装置の製造
得られた１−２−１基板に、半導体素子を搭載して半導体装置を得た。具体的には、基板の表面に半導体素子を、半田ボールを介して接合し、基板と半導体素子との間に封止樹脂組成物を注入してアンダーフィル部を形成することで、半導体装置を得た。【００７４】
（実施例２）
繊維基材の厚さを２０μｍとした以外は、実施例１と同様にした。【００７５】
（実施例３）
コア部の材料を有機不織布（株式会社クラレ製、品番ＭＢＢＫ６Ｃ、厚さ１５μｍ）に変えた以外は、実施例１と同様にした。【００７６】
（実施例４）
第１樹脂層の厚さを７．５μｍ、第２樹脂層の厚さを７．５μｍに変えた以外は、実施例１と同様にした。【００７７】
（実施例５）
樹脂ワニスにおいて、シアネート樹脂を用いずに、シアネート樹脂分をエポキシ樹脂にし、エポキシ樹脂含有量を樹脂組成物全体の４１．９６重量％に変えた以外は、実施例１と同様にした。【００７８】
（比較例１）
金属層を形成する工程を省いた以外は、実施例１と同様にした。【００７９】
（比較例２）
コア部の材料である繊維基材を用いなかった以外は、実施例１と同様にした。【００８０】
（比較例３）
繊維基材の厚さを５０μｍ（株式会社日東紡製、クロスタイプ♯１０８０、坪量４７ｇ／ｍ２）とした以外は、実施例１と同様にした。【００８１】
各実施例および比較例で得られた基板および半導体装置について、以下の評価を行った。評価内容を項目と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．レーザー加工性について
レーザー加工性について、ビアホール形成後のスミア残渣の有無について、ＳＥＭを用いて１０，０００倍にて観察した。各符号は、以下の通りである。
◎  ：スミア残渣が、ほとんど無し
○  ：ボトムにスミア残渣有り
△  ：基材表面や穴壁面にスミア残渣有り
×  ：開口不可【００８２】
２．基板の面方向の熱膨張係数
樹脂硬化物から４ｍｍ×２０ｍｍの評価用試料を採取した。
ＴＭＡ装置（ＴＭＡ）（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して測定して、熱膨張係数を測定した。α１は、ガラス転移温度以下の熱膨張係数とした。【００８３】
３．リフロー試験後の耐クラック性
得られた半導体装置を、条件：３０℃、６０％、１６８時間の前処理を行い、リフロー試験（ピーク温度２６０℃、３回実施）を行った後に、超音波探査装置でクラック（剥離）の観察を行った。結果を、「良品数／サンプル総数」で表示した。なお、評価はｎ＝４で行った。【００８４】
４．熱サイクル試験後の耐クラック性
熱サイクル試験（−５５℃（３０分）／１２５℃（３０分）で、５００サイクル）を行った後に、超音波探査装置でクラック（剥離）の観察を行った。結果を、「良品数／サンプル総数」で表示した。なお、評価はｎ＝４で行った。【００８５】
【表１】
2008093579.tif 000006
【００８６】
表１から明らかなように、実施例１〜５で得られた樹脂層は、スミアの残渣が少なく、レーザー加工性に優れていた。
また、実施例１〜４で得られた基板は、熱膨張係数が特に小さく、半導体素子を搭載した後の基板の反りが小さくなることが示唆された。
また、実施例１〜４で得られた半導体装置は、リフロー試験後および熱サイクル試験後の耐クラック性が特に優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明によれば、レーザー加工する際のスミアの発生を十分に抑制し、レーザー加工性をより向上させることができる。
また、前記樹脂層としてシアネート樹脂を用いた場合には、樹脂層の熱膨張係数を低くすることができ、それによって該樹脂層を用いて基板を作製した際の基板の反りが生じるのを低減することができる。したがって、産業上の利用可能性を有する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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2008093579.tif 000019
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