【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、該活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、発光光源を構成する面発光レーザダイオード素子と、前記発光光源に一端を光学的にカップリングされた光ファイバ伝送路と、前記光ファイバ伝送路の他端に光学的にカップリングさせた受光ユニットとを備え、前記発光光源を設置した場所Ａと前記受光ユニットを設置した場所Ｂとの間において、前記光ファイバ伝送路の方向変換を、前記光ファイバ伝送路そのものを、局所的な角度が形成されないように屈曲させることで行うことを特徴とする光送受信システム。
【請求項２】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項１記載の光送受信システム。
【請求項３】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項１または２記載の光送受信システム。
【請求項４】
レーザチップと該レーザチップと接続される光送受信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップであり、該面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に一端を光学的にカップリングされた光ファイバ伝送路と、前記光ファイバ伝送路の他端に光学的にカップリングさせた受光ユニットとを備え、前記発光光源を設置した場所Ａと前記受光ユニットを設置した場所Ｂとの間において、前記光ファイバ伝送路の方向変換を、前記光ファイバ伝送路そのものを、局所的な角度が形成されないように屈曲させることで行うことを特徴とする光送受信システム。
【請求項５】
活性層と、該活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、発光光源を構成する面発光レーザダイオード素子と、前記発光光源に一端を光学的にカップリングされた光ファイバ伝送路と、前記光ファイバ伝送路の他端に光学的にカップリングさせた受光ユニットとを備え、前記発光光源を設けた建物内のＡ地点と前記受光ユニットを設けた建物内のＢ地点との間に反射部材を設け、前記光ファイバ伝送路の方向変換を、前記反射部材で行うことを特徴とする光送受信システム。
【請求項６】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項５記載の光送受信システム。
【請求項７】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項５または６記載の光送受信システム。
【請求項８】
レーザチップと該レーザチップと接続される光送受信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップであり、該面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に一端を光学的にカップリングされた光ファイバ伝送路と、前記光ファイバ伝送路の他端に光学的にカップリングさせた受光ユニットとを備え、前記発光光源を設けた建物内のＡ地点と前記受光ユニットを設けた建物内のＢ地点との間に反射部材を設け、前記光ファイバ伝送路の方向変換を、前記反射部材で行うことを特徴とする光送受信システム。
【請求項９】
装置内部における通信を行う光送受信システムであって、装置と、前記装置内に設けられ、光信号を形成するレーザ発光光源と、前記装置内に設けられ、前記光信号を受光する受光ユニットと、前記レーザ発光光源および受光ユニットのそれぞれの発光素子部および受光素子部をカバーするカバー部材とを備え、前記レーザ発光光源は、活性層と、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、発光光源を構成する面発光レーザダイオード素子よりなることを特徴とする光送受信システム。
【請求項１０】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項９記載の光送受信システム。
【請求項１１】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項９または１０記載の光送受信システム。
【請求項１２】
前記装置は、電子写真原理を用いた記録装置であることを特徴とする請求項９〜１１のうち、いずれか一項記載の光送受信システム。
【請求項１３】
装置内部における通信を行う光送受信システムであって、装置と、前記装置内に設けられ、光信号を形成するレーザ発光光源と、前記装置内に設けられ、前記光信号を受光する受光ユニットと、前記レーザ発光光源および受光ユニットのそれぞれの発光素子部および受光素子部をカバーするカバー部材とを備え、前記レーザ発光光源は、面発光型半導体レーザ素子チップであるとともに、レーザの発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップであることを特徴とする光送受信システム。
【請求項１４】
レーザ素子と、該レーザ素子に結合され、前記レーザ素子で形成されたレーザビームを受光する第１の光ファイバと、前記第１の光ファイバに結合され、前記第１の光ファイバ中の光信号を伝送する第２の光ファイバと、前記第２の光ファイバに結合され、前記第２の光ファイバ中の光を受光する第３の光ファイバと、前記第３の光ファイバに結合され、前記第３の光ファイバ中の光を受光する受光素子とよりなる光送受信システムにおいて、前記レーザ素子は、活性層と、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって，前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、発光光源を構成する面発光レーザダイオード素子よりなることを特徴とする光送受信システム。
【請求項１５】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項１４記載の光送受信システム。
【請求項１６】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項１４または１５記載の光送受信システム。
【請求項１７】
レーザ素子と、該レーザ素子に結合され、前記レーザ素子で形成されたレーザビームを受光する第１の光ファイバと、前記第１の光ファイバに結合され、前記第１の光ファイバ中の光信号を伝送する第２の光ファイバと、前記第２の光ファイバに結合され、前記第２の光ファイバ中の光を受光する第３の光ファイバと、前記第３の光ファイバに結合され、前記第３の光ファイバ中の光を受光する受光素子とよりなる光送受信システムにおいて、前記レーザ素子は、発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップであることを特徴とする光送受信システム。
【請求項１８】
レーザ素子と、該レーザ素子に結合され、前記レーザ素子で形成されたレーザビームを受光する第１の光ファイバと、前記第１の光ファイバに結合され、前記第１の光ファイバ中の光信号を伝送する第２の光ファイバと、前記第２の光ファイバに結合され、前記第２の光ファイバ中の光を受光する第３の光ファイバと、前記第３の光ファイバに結合され、前記第３の光ファイバ中の光を受光する受光素子とよりなる光通信システムにおいて、前記レーザ素子は、活性層と、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって，前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、前記第１の光ファイバは１ｍｍ以上の長さを有することを特徴とする光通信システム。
【請求項１９】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項１８記載の光通信システム。
【請求項２０】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項１８または１９記載の光通信システム。
【請求項２１】
レーザ素子と、該レーザ素子に結合され、前記レーザ素子で形成されたレーザビームを受光する第１の光ファイバと、前記第１の光ファイバに結合され、前記第１の光ファイバ中の光信号を伝送する第２の光ファイバと、前記第２の光ファイバに結合され、前記第２の光ファイバ中の光を受光する第３の光ファイバと、前記第３の光ファイバに結合され、前記第３の光ファイバ中の光を受光する受光素子とよりなる光通信システムにおいて、前記レーザ素子は発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子であり、前記第１の光ファイバは１ｍｍ以上の長さを有することを特徴とする光通信システム。
【請求項２２】
レーザ素子と、該レーザ素子に結合された光伝送路とよりなる光通信システムにおいて、前記レーザ素子は、活性層と、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって，前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、前記光伝送路は、コアとクラッドとからなる光ファイバよりなり、前記コアの径をＤ，光ファイバの長さをＬとしたとき、関係１０５≦Ｌ／Ｄ≦１０９が成立することを特徴とする光通信システム。
【請求項２３】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項２２記載の光通信システム。
【請求項２４】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項２２または２３記載の光通信システム。
【請求項２５】
レーザチップと該レーザチップに結合された光伝送路とよりなる光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップであり、前記光伝送路は、コアとクラッドとからなる光ファイバよりなり、前記コアの径をＤ，光ファイバの長さをＬとしたとき、関係１０５≦Ｌ／Ｄ≦１０９が成立することを特徴とする光通信システム。
【請求項２６】
レーザ素子と、該レーザ素子が実装される実装基板と、前記レーザ素子に結合される光導波路とよりなる光通信システムにおいて、前記レーザ素子は、活性層と、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって，前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、発光光源を構成する面発光レーザダイオード素子とよりなり、前記レーザ素子と前記基板材料との間の線膨張係数の差が２×１０−６／Ｋ以内であることを特徴とする光通信システム。
【請求項２７】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項２６記載の光通信システム。
【請求項２８】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項２６または２７記載の光通信システム。
【請求項２９】
レーザ素子と、該レーザ素子が実装される実装基板と、前記レーザ素子に結合される光導波路とよりなる光通信システムにおいて、前記レーザ素子は、発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子であり、前記レーザ素子と前記基板材料との間の線膨張係数の差が２×１０−６／Ｋ以内であることを特徴とする光通信システム。
【請求項３０】
レーザ素子と、該レーザ素子に結合された光ファイバとよりなる光通信システムにおいて、前記レーザ素子は、活性層と、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって，前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、発光光源を構成する面発光レーザダイオード素子とよりなり、前記光ファイバは，前記レーザ素子の発光部の方向にファイバ軸方向が押圧状態にされて機械的に接続されていることを特徴とする光通信システム。
【請求項３１】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項３０記載の光通信システム。
【請求項３２】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項３０または３１記載の光通信システム。
【請求項３３】
レーザチップと該レーザチップに結合された光ファイバとよりなる光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップであり、前記光ファイバは，前記レーザチップの発光部の方向にファイバ軸方向が押圧状態にされて機械的に接続されていることを特徴とする光通信システム。
【請求項３４】
レーザ素子と、該レーザ素子に光学的に結合された光ファイバまたは光導波路とを備えた光通信システムにおいて、前記レーザ素子は、活性層と、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって，前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、発光光源を構成する面発光レーザダイオード素子とよりなり、前記光ファイバまたは光導波路のコア径をＸ，レーザダイオードの開口径をｄ，レーザダイオードの光放射角をθとすると，レーザダイオードから光ファイバまたは光導波路端までの光路長ｌが、関係ｄ＋２ｌｔａｎ（θ／２）≦Ｘを満たすことを特徴とする光通信システム。
【請求項３５】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項３４記載の光通信システム。
【請求項３６】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項３４または３５記載の光通信システム。
【請求項３７】
レーザチップと、該レーザチップに光学的に結合された光ファイバまたは光導波路とを備えた光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップであり、前記光ファイバまたは光導波路のコア径をＸ，レ−ザダイオ−ドの開口径をｄ，レーザダイオードの光放射角をθとすると，レーザダイオードから光ファイバまたは光導波路端までの光路長ｌが、関係ｄ＋２ｌｔａｎ（θ／２）≦Ｘを満たすことを特徴とする光通信システム。
【請求項３８】
レーザ素子と、該レーザ素子に結合される光ファイバとよりなる光通信システムにおいて、前記レーザ素子は、活性層と、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって，前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、発光光源を構成する面発光レーザダイオード素子とよりなり、該面発光レーザダイオード素子中の光出射部に内接する円の直径をｄ，前記光ファイバのコア直径をＦとすると、関係０．５≦Ｆ／ｄ≦２が成立することを特徴とする光通信システム。
【請求項３９】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項３８記載の光通信システム。
【請求項４０】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項３８または３９記載の光通信システム。
【請求項４１】
レーザチップと、該レーザチップに結合される光ファイバとよりなる光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップであり、該面発光型半導体レーザ素子チップの光出射部に内接する円の直径をｄ，前記光ファイバのコア直径をＦとすると、関係０．５≦Ｆ／ｄ≦２が成立することを特徴とする光通信システム。
【請求項４２】
レーザ素子と、該レーザ素子に結合された光導波路とよりなる光通信システムにおいて、前記レーザ素子は、活性層と、前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡よりなる共振器構造とを備えた面発光レーザダイオード素子チップであって，前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で屈折率が小さい第１の材料層と屈折率が大きい第２の材料層とを周期的に繰り返した半導体分布ブラッグ反射鏡よりなり、前記第１の材料層と前記第２の材料層との間には、屈折率が前記第１の材料層と前記第２の材料層の間の値を有するヘテロスパイク緩衝層を、５ｎｍ以上で前記半導体分布ブラッグ反射鏡の設計反射波長をλ［μｍ］として、（５０λ−１５）［ｎｍ］以下の厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした構成を有し、発光光源を構成する面発光レーザダイオード素子とよりなり、前記面発光レーザダイオード素子チップの光射出部の面積をＳ（ｍｍ２），レーザ素子動作電圧をＶ（Ｖ）として、Ｖ／Ｓを１５０００〜３００００の範囲にしたことを特徴とする光通信システム。
【請求項４３】
前記活性層は、主たる元素がＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓからなる層、もしくはＧａ，Ｉｎ，Ａｓよりなる層よりなり、１．１〜１．７μｍの波長の光を発生することを特徴とする請求項４２記載の光通信システム。
【請求項４４】
前記第１の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記第２の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）で表される組成を有し、前記ヘテロスパイク緩衝層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）で表される組成を有することを特徴とする請求項４２または４３記載の光通信システム。
【請求項４５】
レーザチップと、該レーザチップに結合された光導波路とよりなる光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップであり、該面発光型半導体レーザ素子チップの光射出部の面積をＳ（ｍｍ２），レーザ素子動作電圧をＶ（Ｖ）として、Ｖ／Ｓを１５０００〜３００００の範囲にしたことを特徴とする光通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６５２】
【発明の効果】
請求項１〜４記載の本発明によれば、コンピュータ・ネットワークや長距離大容量通信の幹線系など、光ファイバ通信に適した１．１〜１．７μｍ帯域の波長において発振し、動作電圧，発振閾値電流等が低く、発熱が小さく、安定した発振を行うことができる面発光レーザダイオードが従来は存在しなかったが、本発明によれば、半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、上記波長域でレーザ発振し、動作電圧および発振閾値電流等を低減でき、レーザ素子の発熱も低減でき、安定した発振を行う面発光レーザダイオードが実現され、このような面発光レーザダイオードを使うことにより、低い費用で実用的な２地点間光送受信システムを実現することが可能になった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６５４】
請求項５〜８記載の本発明によれば、コンピュータ・ネットワーク，長距離大容量通信の幹線系など光ファイバ通信が期待されているレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光レーザダイオードおよびそれを用いた光送受信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な建物内（構内）光送受信システムが実現できた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６５６】
請求項９〜１３記載の本発明によれば、装置内部にレーザ発光光源の光信号を空間伝送する光送受信システムを設けたので、内部の信号授受をこの光送受信システムで行うことができ、装置内部で信号授受に使用する導線ケーブルを省略することが可能となった．従来ややもすると装置内部で信号授受に使用する導線ケーブルが複雑に入り組み、そのレイアウト上の処理が煩雑であったが、使用する導線ケーブルの数を減らすことができたので、煩雑さが解消できるのみならず、装置内部の各部品／ユニット等のレイアウトの自由度が増えた．またこの光送受信システムのレーザ発光光源および受光ユニットのそれぞれの発光素子部および受光素子部にそれらの素子をカバーするカバー部材を設けるようにしたので、発光素子部および受光素子部が装置内部を漂う異物などによって破損することが防止でき、この光送受信システムが安定して動作できるようになった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６５８】
請求項１２記載の本発明によれば、このような光送受信システムを電子写真原理を用いた記録装置に設けることにより、この装置内部で信号授受に使用する導線ケーブルを省略することが可能となった．また、このような記録装置は、装置内部で、トナーや紙粉が絶えず舞っていて、光送受信システムの発光素子部や受光素子部に悪影響を及ぼすが、本発明ではそれらの素子をカバーするカバー部材を設けるようにしたので、そのような悪影響を防止でき、この光送受信システムが安定して動作できるようになった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６５９】
請求項１４〜１７記載の本発明によれば、コンピュータ・ネットワーク、長距離大容量通信の幹線系など光ファイバ通信が期待されているレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光レーザダイオードおよびそれを用いた通信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な光通信システムが実現できた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６６１】
請求項１８〜２１記載の本発明によれば、コンピュータ・ネットワーク，長距離大容量通信の幹線系など光ファイバ通信が期待されているレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光レーザダイオードおよびそれを用いた通信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な光通信システムが実現できた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６６２】
さらに、従来、このようなレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の分野における実用的な光通信システムが無かったことにより、これに使用される面発光レーザダイオード素子チップ、もしくは当該チップを収容するモジュールパッケージから引き出される光ファイバケーブルのファイバケーブル長をどのようにすればよいのかという検討がされてこなかったが、本発明のようにこの長さを１ｍｍ以上とすることで当該パッケージのアセンブリ製作の生産性を著しく向上させることが可能となった。さらに当該チップを収容するモジュールパッケージから引き出される光ファイバに伝送用のファイバケーブルを接続して光通信システムを構築する際にも、上記のようにこの光ファイバの長さを１ｍｍ以上とすることでそれらの接続が容易にかつ確実に行えるようになり、信頼性の高い光通信システムが容易に構築できるようになった。請求項２２〜２５記載の本発明によれば、コンピュータ・ネットワーク，長距離大容量通信の幹線系など光ファイバ通信が期待されているレーザ発振波長が１．１〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光レーザダイオードおよびそれを用いた通信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な光通信システムが実現できた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６６４】
請求項２６〜２９記載の本発明によれば、コンピュータ・ネットワーク，長距離大容量通信の幹線系など光ファイバ通信が期待されているレーザ発振波長が１．１〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光レーザダイオードおよびそれを用いた通信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、低消費電力で、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な光通信システムが実現できた。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６６６】
請求項３０〜３３記載の本発明によれば、コンピュータ・ネットワーク，長距離大容量通信の幹線系など光ファイバ通信が期待されているレーザ発振波長が１．１〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光レーザダイオードおよびそれを用いた通信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な光通信システムが実現できた。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６６８】
請求項３４〜３７記載の本発明によれば、コンピュータ・ネットワーク，長距離大容量通信の幹線系など光ファイバ通信が期待されているレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光レーザダイオードおよびそれを用いた通信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な光通信システムが実現できた。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６７０】
請求項３８〜４１記載の本発明によれば、  コンピュータ・ネットワーク、長距離大容量通信の幹線系など光ファイバ通信が期待されているレーザ発振波長が１．１〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光レーザダイオードおよびそれを用いた光通信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な光通信システムが実現できた。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０６７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０６７２】
請求項４２〜４５記載の本発明によれば、コンピュータ・ネットワーク，長距離大容量通信の幹線系など光ファイバ通信が期待されているレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光レーザダイオードおよびそれを用いた通信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧，発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な光通信システムが実現できた。