Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月10日(2004.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体に対して光学ピックアップによりデータの記録を行う光記録装置における光記録方法であって、
光記録装置に光記録媒体が挿入されたら、上記光記録媒体上のＯＰＣ（ＯｐｔｉｍｕｍＰｏｗｅｒ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ）のために使用できる試し書き領域ＰＣＡ（Ｐｏｗｅｒ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ａｒｅａ）を探し、その場所で光学ピックアップを待機させ、
データの記録操作入力を受け付けると、その待機場所でＯＰＣ動作を行い、最適パワーが得られたら、上記光記録媒体上のデータ記録エリアに光学ピックアップを移動させて、上記光学ピックアップによりデータを上記光記録媒体上のデータ記録エリアに記録することを特徴とする光記録方法。
【請求項２】
上記光記録媒体上のデータ記録エリアに移動させた光学ピックアップにより、実記録データを上記データ記録エリアで記録してＲ−ＯＰＣ（Ｒｕｎｎｉｎｇ Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｃｏｎｔｏｒｏｌ）の基準値を取得し、取得した基準値に基づいてＲ−ＯＰＣを実行しながらデータの記録を行うことを特徴とする請求項１記載の光記録方法。
【請求項３】
光記録媒体に対して光学ピックアップによりデータの記録を行う光記録装置であって、
光記録媒体が挿入されたら、上記光記録媒体上のＯＰＣ（Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｐｏｗｅｒ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ）のために使用できる試し書き領域ＰＣＡ（Ｐｏｗｅｒ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ａｒｅａ）を探し、その場所で光学ピックアップを待機させ、データの記録操作入力を受け付けると、その待機場所でＯＰＣ動作を行い、最適パワーが得られたら、上記光記録媒体上のデータ記録エリアに光学ピックアップを移動させて、上記光学ピックアップによりデータを上記光記録媒体上のデータ記録エリアに記録する制御を行う制御手段を備えることを特徴とする光記録装置。
【請求項４】
上記制御手段は、上記光記録媒体上のデータ記録エリアに移動させた光学ピックアップにより、実記録データを上記データ記録エリアで記録してＲ−ＯＰＣ（Ｒｕｎｎｉｎｇ Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｃｏｎｔｏｒｏｌ）の基準値を取得し、取得した基準値に基づいてＲ−ＯＰＣを実行しながらデータの記録を行うことを特徴とする請求項３記載の光記録装置。
【請求項５】
撮像手段を備え、上記撮像手段により得られるビデオ信号を光記録媒体に記録することを特徴とする請求項４記載の光記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の一主面上に、磁性粉末が結合剤中に分散されてなる磁性層を有する磁気記録媒体であって、
上記磁性層側に、磁性層用研磨材が設けられてなり、当該磁性層用研磨材は、モース硬度が６以上の非磁性顔料の表面が、カーボンにより被覆されてなるものであり、
上記カーボンの被覆量は、上記非磁性顔料に対して３〜２０重量％であり、
上記磁性層用研磨材の添加量は、磁性粉末を１００重量部としたときに、３〜１５重量部であるものとしたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、下層非記録層が形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
上記磁性層に分散する磁性粉末の平均長軸長は、０．０２μｍ〜０．３μｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
上記磁性層用研磨材は、非磁性顔料の表面が、カーボンによりメカノケミカルに被覆されているものであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項３に記載の半導体光変調装置であって、
前記第１導電型サブクラッド層の、前記ダブルヘテロ接合構造側とは反対側の面に第１電極を設け、および前記面と同一の面の側に、前記第１導電型クラッド層と電気的に接続する第２電極を設けてあること
を特徴とする半導体光変調装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、このような半導体光変調装置において、好ましくは、ダブルヘテロ接合構造に対して逆バイアス電圧が印加されるとき、第１導電型サブクラッド層から第２導電型クラッド層に注入される第１導電型キャリアを、第２導電型クラッド層内の第２導電型キャリアと結合させることにより、第１導電型キャリアが、この第２導電型クラッド層を通って光導波層へ達することがないように、第２導電型クラッド層の不純物濃度および、この層の厚さの双方またはいずれか一方が決められているのがよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、第１導電型サブクラッド層が、ダブルヘテロ接合構造を介在させて下地上に設けてあるような半導体光変調装置においては、第１導電型サブクラッド層の、ダブルヘテロ接合構造側とは反対側の面に第１電極を設け、およびこの面と同一の面の側に第１導電型クラッド層と電気的に接続する第２電極を設けてあるのがよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、下地上に、第１導電型クラッド層、光導波層および第２導電型クラッド層からなるダブルヘテロ接合構造を具え、さらに第１導電型層および第２導電型層からなり、かつ第２導電型層が第２導電型クラッド層と電気的に結合しているホモ接合層を具えるような半導体光変調装置がよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
このホモ接合層は、例えばｐｎ接合素子（ダイオード）とする。ダイオードは第１導電型層と第２導電型層を有している。ここで、第１導電型をｎ型および第２導電型をｐ型としてもよいし、第１導電型をｐ型、および第２導電型をｎ型としてもよい。つまり、この半導体光変調装置では、従来のダブルヘテロ接合構造を有する半導体光変調装置の第２導電型クラッド層と、ホモ接合層の第２導電型層とを電気的に結合させている。これにより、ホモ接合層の第１導電型層を、既に説明した第１導電型サブクラッド層と実質的に同じ役割を担う層として動作させることができる。これにより、上述した第１導電型サブクラッド層と同じ作用効果が得られる。また、万が一、この半導体光変調装置に、順方向の過大な電気的サージが印加されることがあった場合、ダメージを受けるのは、安価なダイオード等のホモ接合層の方であり、高価な光変調器（ダブルヘテロ接合構造）のダメージを回避することができる。このため、この半導体光変調装置を光通信システムに用いたりする場合に、保守コストを低く抑えることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
また、この実施の形態の半導体光変調装置においては、第１導電型サブクラッド層が、ダブルヘテロ接合構造を介在させて下地上に設けてあるような構造としてもよい。この場合、図１（Ｂ）に示すように、例えば第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型とすると、ｎ+ −ＩｎＰ基板１１上に、第１導電型クラッド層１９としてのｎ−ＩｎＰクラッド層、光導波層１７としてのアンドープＩｎＧａＡｓＰ層、第２導電型クラッド層１５としてのｐ−ＩｎＰクラッド層、第１導電型サブクラッド層１３としてのｎ−ＩｎＰサブクラッド層が順次積層され、このｎ−ＩｎＰサブクラッド層１３の上にｎ++−ＩｎＧａＡｓオーミックコンタクト層２１が設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
熱平衡時（図２（Ａ）参照。）においては、ビルトイン電圧が光導波層１７に印加されている。よって外部からの入射光（ｈν）はわずかに吸収され、他の光は透過する。吸収された光は光導波層１７内で、電子とホール（正孔）に分離して、電子はｎ型クラッド層１９へ拡散し、ホールはｐ型クラッド層１５の方へ拡散していく。ところがホールは、ｐ型クラッド層１５とｎ型サブクラッド層１３との間に生じているエネルギー障壁によって、ｎ型サブクラッド層１３側への移動を阻止される。この結果、光導波層１７内の価電子帯にホールが蓄積されて、光吸収はほとんどなくなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
図３（Ａ）を参照すると、通常の電界吸収型の半導体光変調装置の動作領域であるダブルヘテロ接合構造に逆バイアス電圧が印加されるような電圧の領域では、ｎ型サブクラッド層１３とｐ型クラッド層１５とのホモ接合部のビルトイン電圧ｖａの分だけ、逆バイアス側にブレイクダウン電圧がずれている。また、図３（Ｂ）を参照すると、やはりこの電圧領域内ではホモ接合部のビルトイン電圧分ｖａだけ、所望の光吸収が得られる電圧が逆バイアス側にずれている。しかし、このビルトイン電圧ｖａは０．７Ｖ程度であるので、従来の半導体光変調装置とほぼ同様の電界吸収効果が得られていると言える。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
この実施の形態の半導体光変調装置においては、ｎ型サブクラッド層１３とｐ型第１ブロック層３１ａとでｎ−ｐホモ接合が形成され、このｐ型第１ブロック層３１ａとｎ型クラッド層１９とで、ｐ−ｎホモ接合が形成される。このため、電圧をダブルヘテロ接合構造に対して逆方向バイアスに印加させた場合、もしくは順方向バイアスに印加させた場合のどちらの場合においても、上記のホモ接合のどちらか一方のホモ接合のエネルギー障壁を高くすることができるために、メサ形状部分２０の両側からリークする電流を阻止することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
また、第１の実施の形態において、電気的絶縁層の底面は第２導電型クラッド層内にあるが、これに限らず、光の閉じこめ効果と電界の狭窄という効果が得られれば、ダブルヘテロ接合構造内のどの層内にあってもよい。また、メサ形状部分を埋め込む電気的絶縁層には、第２導電型半導体層や、ｉ層（真性導電層）や、半絶縁半導体層を用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
カラーフィルターから発生する水分量が多い場合には、液晶注入工程の前処理で行われる脱ガスが不十分となり、液晶注入工程において、液晶中に気泡が発生するなどの注入不良が起こりやすくなる。したがって、注入不良を抑制するためには、発生水分量が４．０ｐｐｍ以下であることが好ましく、３．０ｐｐｍ以下であればより好ましい。１．９ｐｐｍ以下であればさらに好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ここで、カラーフィルターから発生する窒素量は、カラーフィルターの窒素吸収性を表している。窒素吸収量が大きいカラーフィルターは、液晶注入工程において、液晶から発生する窒素を吸収し気泡の発生を抑えるため、注入不良を起こしにくい。したがって、注入不良を抑制するためには、発生窒素量は、０．２ｐｐｍ以上であることが好ましく、０．３ｐｐｍ以上であればより好ましい。０．７ｐｐｍ以上であればさらに好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号送信用ポートを結合する光学アセンブリであって、それぞれ、光学コアと、主部及び第１の端部を備え、各光学コアの直径が前記主部に沿ってほぼ一定で、前記第１の端部において拡大しており、前記拡大された直径が前記ほぼ一定の直径より大きく、前記第１の端部が並べて配置されている、ほぼ平行な熱膨張コア（ＴＥＣ）ファイバからなるアレイと、第１と第２の逆方向に光を伝搬するように配列された光学素子のアレイが含まれており、前記光学素子アレイは、第１の面が前記第１と第２の方向に対して垂直をなし、前記ＴＥＣファイバの第１の端部が前記第１の面において前記光学素子アレイと光を伝達するように係合し、前記光学素子の少なくとも一部が、偏光に依存しており、前記光学素子アレイが前記第１と第２の方向に伝搬する光のウォーク・オフに対して非可逆性であり、前記光学素子アレイに、前記ＴＥＣファイバの１つから入力される光ビームを第１と第２の偏光成分に分割するように配置された偏光ウォーク・オフ素子が含まれており、前記光学素子アレイに、前記光学素子アレイを通っている間に、前記第１と第２の偏光成分を別個に集束させる集束素子がさらに含まれる、光学アセンブリ。
【請求項２】
前記光学素子に、前記光学素子アレイの前記第１の面に対向する側に配置されて、前記光学素子アレイを通って前記第１の方向に伝搬する光が反射されて、前記第２の方向に伝搬するようにする、ミラーが含まれている、請求項１に記載の光学アセンブリ。
【請求項３】
前記光学素子に、前記ＴＥＣファイバ・アレイにおけるＴＥＣファイバ間のピッチにほぼ等しい離隔距離を有する側方ウォーク・オフ素子が含まれ、前記側方ウォーク・オフ素子が、前記ＴＥＣファイバ・アレイにおける前記ＴＥＣファイバの前記第１の端部と交差する平面とほぼアライメントのとれる離隔方向を備えており、このため、第１のＴＥＣファイバからの光が反射によって、前記光学素子アレイの前記第１の面に戻されると、前記第１の側方ウォーク・オフ素子によって、前記第１のＴＥＣファイバが隣接するＴＥＣファイバに光学的に結合される、請求項２に記載の光学アセンブリ。
【請求項４】
前記ＴＥＣファイバが、シリコン・ウェーハのグルーブ内において平行に固定される、請求項１から３のいずれかに記載の光学アセンブリ。
【請求項５】
前記グルーブが、フォトリソグラフ加工によって形成されたＶ字形部材である、請求項４に記載の光学アセンブリ。
【請求項６】
光信号を転送するための方法であって、並列熱膨張コア（ＴＥＣ）ファイバのアレイを形成するステップと、第１のＴＥＣファイバから順方向に光ビームを向け、光学素子のスタックに送り込むステップと、前記スタック内において、前記光ビームを空間的に偏光成分に分割するステップと、前記第１のＴＥＣファイバと前記第１のＴＥＣファイバに隣接した第２のＴＥＣファイバの間の距離にほぼ等しい距離だけ、前記スタック内において前記偏光成分のそれぞれを変位させるステップと、前記偏光成分を逆方向に反射し、前記スタックを通って、前記ＴＥＣファイバ・アレイに向かわせるステップと、前記スタックの伝搬中に、前記偏光成分のそれぞれを別個に集束させるステップと、前記偏光成分を再結合し、前記第２のＴＥＣファイバとアライメントがとれるようにするステップが含まれている、方法。
【請求項７】
前記偏光成分を別個に集束させる前記ステップに、前記集束を実行するためのマイクロレンズ・アレイと前記偏光成分の前記反射ステップを実行するためのミラーの間の距離にほぼ等しい焦点距離を定めることが含まれる、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月20日(2004.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から順に、全体として負の屈折力の前群と、全体として正の屈折力の後群とからなり、前記前群が物体側から順に正レンズのみからなる第１レンズ群と負レンズのみからなる第２レンズ群からなり、前記後群が物体側から順に全体として正の屈折力の第３レンズ群と、全体として負の屈折力の第４レンズ群と、全体として正の屈折力の第５レンズ群とよりなり、下記条件を満足する中望遠レンズ。
（１）    ０．３＜｜ｆF ／ｆR ｜＜１．５
（２）    ０．０５＜｜ｆR ／ｆ4 ｜＜０．８
（３）    ０．８＜｜ｆ5 ／ｆR ｜＜１．５
ただし、ｆF ，ｆR ，ｆ4 ，ｆ5 は夫々前群，後群、後群中の第４レンズ群および後群中の第５レンズ群の焦点距離である。
【請求項２】
下記条件（４），（５）を満足する請求項１の中望遠レンズ。
（４）    ０．８＜｜ｆ1 ／ｆF ｜＜５．０
（５）    ０．２＜｜ｆ2 ／ｆF ｜＜０．９
ただし、ｆF は前群の焦点距離、ｆ1 ，ｆ2 は夫々前群中の第１レンズ群および第２レンズ群の焦点距離である。
【請求項３】
前記後群中の第２レンズ群が物体側から順に、負レンズと正レンズの接合レンズよりなることを特徴とする請求項１又は２の中望遠レンズ。
【請求項４】
前記第２レンズ群が、物体側より順に、負のメニスカスレンズと両凹レンズの少なくとも２枚の負レンズを含むことを特徴とする請求項１、２又は３の中望遠レンズ。
【請求項５】
前記後群の最も像側のレンズが下記条件（６）を満足する正レンズであることを特徴とする請求項１、２、３又は４の中望遠レンズ。
（６）    −１．３＜ＳＦp ＜−０．５
ただし、ＳＦp は前記正レンズのシェーピングファクーである。
ここで、レンズのシェーピングファクターＳＦとは、対象となるレンズの物体側および像側の面の曲率半径を夫々ｒa，ｒbとした時下記の式にて求められる値である。
ＳＦ＝（ｒa＋ｒb）／（ｒa−ｒb）
【請求項６】
前記第３レンズ群が、物体側より順に、少なくとも１枚の正レンズを含むレンズ成分と物体側に凹面を向けた正のメニスカスレンズと物体側に凹面を向けた負のメニスカスレンズとを接合した接合レンズとを含むことを特徴とする請求項１、２、３、４又は５の中望遠レンズ。
【請求項７】
前記第４レンズ群が、物体側から順に、両凹レンズと両凸レンズとを接合した接合レンズよりなることを特徴とする請求項１、２、３、４、５又は６の中望遠レンズ。
【請求項８】
後群の最も像側の正レンズとこの最も像側の正レンズより物体側のレンズ群の間隔が広がるようにして無限遠物点から近距離物点へのフォーカシングを行ない、前記正レンズが下記条件（７）を満足することを特徴とする請求項５の中望遠レンズ。
（７）    ０．１＜｜ｆR ／ｆp ｜＜０．５５
ただし、ｆp は最も像側に配置された正レンズの焦点距離、ｆR は後群の焦点距離である。
【請求項９】
請求項１、２、３、４、５、６、７又は８に記載する中望遠レンズを用いた撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定した測定条件パラメータに従って光ビームを顕微鏡対物レンズで集光して細胞集団標本上を二次元走査し、上記光ビームによって励起された細胞からの光を検出器で検出し、検出器で検出した光電信号によって形成された走査画像データを取込み、上記走査画像データに対する画像処理によって上記細胞集団標本内の各細胞の細胞内成分量を測定して上記細胞集団内の個々の細胞の細胞データを得、上記細胞データを統計的データとして扱う走査型サイトメータにおいて、本測定以前に行なう仮測定に関し、
測定条件パラメータを設定する仮測定前初期設定手段と、
この仮測定前初期設定手段で得た測定条件パラメータに従って上記細胞集団標本上の本測定よりも広い範囲を高速に光ビームで二次元走査して上記細胞集団の統計的データを得る仮測定実行手段と、
この仮測定実行手段で得た統計的データに基づいて本測定に用いる測定条件パラメータを決定する決定手段とを有したことを特徴とする走査型サイトメータ。
【請求項２】
上記測定条件パラメータは上記検出器のゲインオフセットであり、
上記仮測定前初期設定手段は、上記本測定の測定範囲の大きさを設定した上で上記細胞集団標本の中の任意の細胞もしくは細胞領域を選択し、選択した細胞もしくは細胞領域の輝度データから上記検出器のゲインオフセットの初期値を決定し、
上記決定手段は、上記仮測定実行手段により得た上記細胞集団の統計的データを基にある特定の細胞を選択し、選択した細胞の輝度データから上記検出器のゲインオフセットの最適値を決定することを特徴とする請求項１記載の走査型サイトメータ。
【請求項３】
上記測定条件パラメータは測定範囲であり、上記仮測定前初期設定手段は、上記測定範囲の大きさを設定し、上記決定手段は、上記仮測定実行手段により得た上記細胞集団の統計的データを基に最適な測定範囲を決定することを特徴とする請求項１記載の走査型サイトメータ。
【請求項４】
上記測定条件パラメータは測定範囲であり、
上記仮測定前初期設定手段は、上記測定範囲を分割した小区画の大きさを設定し、上記決定手段は、上記仮測定実行手段により得た上記細胞集団の上記小区画毎の統計的データを基に測定範囲を決定することを特徴とする請求項１記載の走査型サイトメータ。
【請求項５】
上記測定条件パラメータは上記検出器のゲインオフセットであり、
上記仮測定前初期設定手段は、上記細胞集団標本の中の任意の細胞もしくは細胞領域を選択し、選択した細胞もしくは細胞領域の輝度データから上記検出器のゲインオフセットの初期値を決定することを特徴とする請求項１記載の走査型サイトメータ。
【請求項６】
上記測定条件パラメータは上記検出器のゲインオフセットであり、
上記決定手段は、上記仮測定実行手段により得た上記細胞集団の統計的データを基にある特定の細胞を選択し、選択した細胞の輝度データから上記検出器のゲインオフセットの最適値を決定することを特徴とする請求項１記載の走査型サイトメータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このような構成とした結果、上記請求項１記載の発明の作用に加えて、測定条件パラメータとして測定範囲を適用しているため、最適な測定範囲を自動的に決定することができる。
請求項４記載の発明は、上記請求項１の発明において、上記測定条件パラメータは測定範囲であり、上記仮測定前初期設定手段は、上記測定範囲を分割した小区画の大きさを設定し、上記決定手段は、上記仮測定実行手段により得た上記細胞集団の上記小区画毎の統計的データを基に測定範囲を決定することを特徴とする。
請求項５記載の発明は、上記請求項１の発明において、上記測定条件パラメータは上記検出器のゲインオフセットであり、上記仮測定前初期設定手段は、上記細胞集団標本の中の任意の細胞もしくは細胞領域を選択し、選択した細胞もしくは細胞領域の輝度データから上記検出器のゲインオフセットの初期値を決定することを特徴とする。
請求項６記載の発明は、上記請求項１の発明において、上記測定条件パラメータは上記検出器のゲインオフセットであり、上記決定手段は、上記仮測定実行手段により得た上記細胞集団の統計的データを基にある特定の細胞を選択し、選択した細胞の輝度データから上記検出器のゲインオフセットの最適値を決定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロマトグラムに存在する試料ピーク系列の複数の試料ピークから、標準ピーク系列を参照して、一群の試料ピークを同定する方法において、
前記標準ピーク系列の一群の標準ピークから選択された第１、第２及び第３の標準ピークのそれぞれの固有保持時間にしたがって選定され、前記第１、第２及び第３の標準ピークの前記固有保持時間及び捕獲される第１、第２及び第３の候補試料ピークの支持時間から導出されるシフトパラメータ、拡張パラメータ及びひずみパラメータに沿って調節される一連の第１、第２、及び第３の保持時間ウインドウを決定し、
前記第１、第２及び第３の標準ピークの選択されたピークと、前記第１、第２及び第３の候補試料ピークの選択されたピークとの３以上の対を決定し、
前記３以上の対におけるそれぞれの標準ピークと前記候補試料ピークとの整合の質を決定し、前記標準ピークのそれぞれに最も良く整合した選択された候補試料ピークを確定し、
前記標準ピークに関連した識別子にしたがって、それぞれの標準ピークに最も良く整合する試料ピークの各々を同定識別することによって、前記一群の試料ピークの群から前記試料ピークを同定することを特徴とする方法。
【請求項２】
クロマトグラムに存在する試料ピーク系列の複数の試料ピークから、標準ピーク系列を参照して、一群の試料ピークを同定する方法において、
Ａ）前記標準ピーク系列の一群の標準ピークから第１の標準ピークを選択するステップと、
Ｂ）前記第１の標準ピークの保持時間に対応する第１の保持時間ウインドウを前記試料ピーク系列に適用し、前記第１の標準ピークに整合させるための一以上の第１の候補試料ピークを含む第１の組を捕獲するステップと、
Ｃ）前記第１の候補試料ピークの各々を順に選択し、前記第１の標準ピークの保持時間と前記第１の候補試料ピークの選択された一の保持時間との差に基づいて、それぞれのシフトパラメータを計算するステップとを有し、
前記シフトパラメータを計算するステップでは、前記第１の候補試料ピークの各々について、
１）前記標準ピーク系列の前記一群の標準ピークから第２の標準ピークを選択するステップと、
２）第２の標準ピークの保持時間にしたがって計算され、前記シフトパラメータの選択された一によって調節された時間に第２の保持時間ウインドウを設定し、前記試料ピーク系列に前記第２の保持時間ウインドウを適用して、前記第２の標準ピークに整合させるための一以上の第２の候補試料ピークを含む第２の組を捕獲するステップと、
３）前記第２の組の中で前記第２の候補試料ピークの各々を順に選択し、前記第２の標準ピークの前記保持時間と前記第２の候補試料ピークの選択された一の保持時間との差に基づいて、それぞれの拡張パラメータを計算するステップとを有し、
前記拡張パラメータを計算するステップは、前記第２の候補試料ピークの各々について、
i)  前記標準ピーク系列の前記一群の標準ピークから第３の標準ピークを選択するステップと、
ii)  前記第３の標準ピークの保持時間にしたがって計算され、前記シフトパラメータにより計算されたひずみパラメータと前記拡張パラメータによって調節された時間に第３の保持時間ウインドウを設定し、前記第３の標準ピークに整合する第３の候補試料ピークを含む第３の組を捕獲するステップと、
iii)  前記第１、第２、第３の候補ピークの組における前記候補試料ピークの選択された一つに対して、前記第１、第２、第３の標準ピークのそれぞれと選択された前記候補試料ピークとの複数の対を決定するステップと
iv)  i)からiii)のステップを、前記第３の保持時間ウインドウ内で複数の候補試料ピークに対して再帰的に行うステップと、
を含み、
４）１）から３）のステップを、前記第２の保持時間ウインドウ内に複数の候補試料ピークに対して再帰的に行うステップと、
を含み、
Ｄ）Ａ）からＣ）のステップを、前記第１の保持時間ウインドウ内に複数の候補試料ピークに対して再帰的に行うステップと、
Ｅ）試料のクロマトグラムにおける試料ピークの選択されたピークを、選択された試料ピーク及び対応する標準ピークのどれが最も整合する性質を提供するかを決定することにより、同定を行うステップ
とを有することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
戸時限開放中に、かご内乗客検出装置が乗客を検知しなくなると戸閉めを開始するエレベータ戸時限開放装置において、
戸開放時限満了前に上記かご内乗客検出装置が乗客を検知しなくなったときに乗客不在を、かご内ブザーを連続的に鳴動させることで報知する第１の報知手段と、
戸開放時限満了時に戸開放時限を更に延長する戸開延長手段と、
上記戸開放時限満了時に戸閉め開始をする旨を、かご内ブザーの断続的な鳴動と、かご内戸閉釦ランプの点灯と、かご内戸時限開放釦ランプの点滅とを行うことで報知する第２の報知手段と、
戸閉釦操作により上記第１の報知手段、上記戸開延長手段、上記第２の報知手段を解除し、戸閉する戸閉手段と、
戸時限開放釦操作により上記第１の報知手段、上記戸開延長手段および上記第２の報知手段を解除し、当初開放時限状態に戻す初期復帰手段と
を備えたことを特徴とするエレベータ戸時限開放装置。
【請求項２】
上記戸開延長手段は、当初の時限と異なる所定の時限を有することを特徴とする請求項１記載のエレベータ時限開放装置。
【請求項３】
上記各手段の動作を無効にする切換手段を備えたことを特徴とする請求項１または２記載のエレベータ戸時限開放装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明に係るエレベータ戸時限開放装置は、戸時限開放中に、かご内乗客検出装置が乗客を検知しなくなると戸閉めを開始するエレベータ戸時限開放装置において、戸開放時限満了前に上記かご内乗客検出装置が乗客を検知しなくなったときに乗客不在を、かご内ブザーを連続的に鳴動させることで報知する第１の報知手段と、戸開放時限満了時に戸開放時限を更に延長する戸開延長手段と、上記戸開放時限満了時に戸閉め開始をする旨を、かご内ブザーの断続的な鳴動と、かご内戸閉釦ランプの点灯と、かご内戸時限開放釦ランプの点滅とを行うことで報知する第２の報知手段と、戸閉釦操作により上記第１の報知手段、上記戸開延長手段、上記第２の報知手段を解除し、戸閉する戸閉手段と、戸時限開放釦操作により上記第１の報知手段、上記戸開延長手段および上記第２の報知手段を解除し、当初開放時限状態に戻す初期復帰手段とを備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２の発明に係るエレベータ戸時限開放装置は、請求項１の発明において、上記戸開延長手段は、当初の時限と異なる所定の時限を有するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３の発明に係るエレベータ戸時限開放装置は、請求項１または２の発明において、上記各手段の動作を無効にする切換手段を備えたものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、戸時限開放中に、かご内乗客検出装置が乗客を検知しなくなると戸閉めを開始するエレベータ戸時限開放装置において、戸開放時限満了前に上記かご内乗客検出装置が乗客を検知しなくなったときに乗客不在を、かご内ブザーを連続的に鳴動させることで報知する第１の報知手段と、戸開放時限満了時に戸開放時限を更に延長する戸開延長手段と、上記戸開放時限満了時に戸閉め開始をする旨を、かご内ブザーの断続的な鳴動と、かご内戸閉釦ランプの点灯と、かご内戸時限開放釦ランプの点滅とを行うことで報知する第２の報知手段と、戸閉釦操作により上記第１の報知手段、上記戸開延長手段、上記第２の報知手段を解除し、戸閉する戸閉手段と、戸時限開放釦操作により上記第１の報知手段、上記戸開延長手段および上記第２の報知手段を解除し、当初開放時限状態に戻す初期復帰手段とを備えたので、エレベータの運転効率を向上でき、特に荷物の搬出入作業等に有用であり、乗場階床分の乗客検出装置を不要にできるため、構成の簡略化、コストの低廉化が図れ、また、戸開放時限内に荷物や作業者が検出されなくなったことを確実に報知でき、しかも、戸閉釦ランプの点灯を見ることにより戸閉めが迫っていることを認識しながら、更なる戸開延長を行う場合、点滅している状態の戸時限開放釦を間違えることなく押すことができるという効果がある。 
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、請求項２の発明によれば、上記戸開延長手段は、当初の時限と異なる所定の時限を有するので、必要に応じて戸開放動作を継続させることができるという効果がある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに、請求項３の発明によれば、上記各手段の動作を無効にする切換手段を備えたので、所要時に当該戸時限開放装置による動作を確実に解除することができるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体に挿入または挿着して使用される器具と、
流動性の物質が密封された容器と、
前記器具と前記容器とを収納する包材とを有する包装体であって、
前記容器の一部または全部が、前記器具に重ならないよう前記容器の位置を規制する位置規制手段を有することを特徴とする包装体。
【請求項２】
生体に挿入または挿着して使用される器具と、
流動性の物質が密封された容器と、
前記器具と前記容器とを収納する包材とを有する包装体であって、
前記容器の前記流動性の物質が密封された部位が、前記器具に完全に重ならないよう前記容器の位置を規制する位置規制手段を有することを特徴とする包装体。
【請求項３】
前記位置規制手段は、前記包材の内部に突出した突出部により構成されている請求項１または２に記載の包装体。
【請求項４】
生体に挿入または挿着して使用される器具と、
流動性の物質が密封された容器と、
前記器具と前記容器とを収納する包材とを有する包装体であって、
前記容器が収納された部分の前記包材の厚さが、前記器具が収納された部分の前記包材の厚さよりも薄いことを特徴とする包装体。
【請求項５】
前記容器が収納された部分の前記包材の厚さが、前記器具が収納された部分の前記包材の厚さの４／５以下である請求項４に記載の包装体。
【請求項６】
前記包材は、前記器具および前記容器を収納可能な膨らみを有するシート材と平坦なシート材とを重ね、これらの縁部をシールしたものである請求項１ないし５のいずれかに記載の包装体。
【請求項７】
前記容器は、前記包材を開封しないで前記包材内で開封可能である請求項１ないし６のいずれかに記載の包装体。
【請求項８】
前記容器を収納する凹部を有し、
この凹部の形状は、前記容器の形状に対応している請求項１ないし７のいずれかに記載の包装体。
【請求項９】
前記器具は、長尺の器具であり、前記容器の周りを囲むように、前記包材内に設置される請求項１ないし８のいずれかに記載の包装体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に少なくとも２種類の異なる金属を逐次的にデポジットする少なくとも２つのセルを持つめっき装置の動作を監視する方法に於いて、
前記少なくとも２つのセルの内の１番目のセルに於ける第１の金属をデポジットする為の第１のめっき電流を、前記少なくとも２つのセルの内の２番目のセルに於ける第２の金属をデポジットする為の第２のめっき電流と比較し、その際前記第２の金属が第１の金属とは異なり、かつめっきが正常に作用しているとき前記第１の電流は前記第２の電流より小さくなり、
前記第２の電流が前記第１の電流より小さい場合、誤り信号を発生する工程を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法に於いて、前記誤り信号に応答して、前記めっき装置を停止する事を含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法に於いて、前記比較する工程の前に、前記第１及び第２の信号を条件付けて、同相分の差の影響を小さくする事を含む方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法に於いて、前記基板が集積回路のリードフレームである方法。
【請求項５】
集積回路のリードフレームにニッケルをデポジットする第１のめっきセル及び前記リードフレームにパラジウムをその後でデポジットする第２のめっきセルを持つめっき装置のめっき動作を監視する方法に於いて、
前記第１のめっきセルに第１の電流を印加してリードフレーム上にニッケル・デポジットを形成し、
前記第２のめっきセルに第２の電流を印加して、前記ニッケル・デポジット上にパラジウム・デポジットを形成し、前記めっき装置が正常に作用していれば、前記第２の電流は前記第１の電流より大きく、前記第１及び第２のめっき動作の間、前記第１の電流及び第２の電流を比較し、前記第２の電流が前記第１の電流より小さければ、誤り信号を発生する工程を含む方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法に於いて、前記誤り信号に応答して前記めっき装置を停止する事を含む方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法に於いて、前記第１及び第２の電流を反映する標本化信号を発生し、前記めっき動作の間に第１の電流及び第２の電流を比較する工程が、前記標本化信号を比較する事を含む方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法に於いて、前記比較する工程の前に、前記標本化信号を条件付ける事を含む方法。
【請求項９】
基板の上に第１の導電材料をデポジットする第１のセルと、前記基板の上に第２の導電材料をデポジットする第２のセルと、第１のめっき過程の間、前記第１のセルに第１電流を印加する電流発生器と、第２のめっき過程の間、前記第２のセルに第２の電流を印加する電流発生器とを有し、前記めっき装置の正常の動作中、前記第２の電流は前記第１の電流より大きく、更に、前記第１の電流の大きさを前記第２の電流の大きさと比較して、前記第２の電流が前記第１の電流より小さい時に出力を発生するように接続された比較器を有するめっき装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のめっき装置に於いて、前記第２の電流が前記第１の電流より小さい事を示す前記比較器からの出力に応答して、めっき装置を停止する回路を有するめっき装置。
【請求項１１】
請求項９に記載のめっき装置に於いて、前記比較器より前に、前記第１及び第２の電流を条件付ける信号条件付け回路を有するめっき装置。
【請求項１２】
請求項９に記載のめっき装置に於いて、前記基板が集積回路のリードフレームであるめっき装置。
【請求項１３】
請求項９に記載のめっき装置に於いて、前記第１の導電材料がニッケルであり、前記第２の導電材料がパラジウムであるめっき装置。
【請求項１４】
第１のめっきセルで集積回路のリードフレームにニッケルをデポジットすると共に、第２のめっきセルで前記集積回路のリードフレームにパラジウムをデポジットするめっき装置に於いて、前記第１のめっきセルに第１の電流を印加する第１の電流発生器と、前記第２のめっきセルに第２の電流を印加する第２の電流発生器とを有し、前記めっき装置が正常に作用していれば前記第２の電流は前記第１の電流より大きく、更に、前記第１の電流及び第２の電流を比較し、前記第２の電流が前記第１の電流より小さい場合、誤り信号を発生する比較器を有するめっき装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載のめっき装置に於いて、前記誤り信号に応答して、めっき装置を停止する回路を有す得るめっき装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載のめっき装置に於いて、前記第１及び第２の電流の夫々の大きさを示す標本化信号を発生する標本化信号発生器を有するめっき装置。
【請求項１７】
請求項１４に記載のめっき装置に於いて、前記標本化信号を条件付ける信号条件付け装置を有するめっき装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
集積回路のリードフレーム１２にニッケルをデポジットする第１のめっきセル１８及びその後でリードフレーム１２にパラジウムをデポジットする第２のめっきセル１９を持つ種類のめっき装置１０のめっき動作を監視する方法と回路１４を説明した。第１の電流３０が第１のめっきセル１８に印加されて、リードフレーム１２上にニッケル・デポジットを形成し、第２の電流３１が第２のめっきセル１９に印加されて、ニッケル・デポジット上にパラジウム・デポジットを形成する。めっき装置１０が正常に動作している場合、第２の電流３１が第１の電流３０より大きい。第１の電流３０及び第２の電流３１がめっき動作の間、比較器４４で比較され、第２の電流３１が第１の電流３０より小さければ、出力線５０に誤り信号が発生される。希望により、誤り信号に応答してめっき装置１０を停止する事が出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層系（Schichtsystem)を適用することによる部材の、好ましくは車両用部材、特に車輪の光沢被覆方法において、下記工程、すなわち、
- 表面を機械的に平滑化すること、
- 腐食防止用平滑化性下塗り塗料層を適用すること、
- 真空中でマグネトロンを用いて金属、金属合金または金属化合物からなる高光沢層をスパッタリングすること、
- 塗料からなる透明な、耐摩耗性の上塗り層を適用すること、
を特徴とする上記部材の光沢被覆方法。
【請求項２】
表面を機械的に平滑化した後に、クロム酸塩層を適用することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、高光沢層上に、上塗り層が化学蒸着（CVD)法で適用されることを特徴とする上記方法。
【請求項４】
請求項１、２または３に記載の方法において、高光沢層をスパッタリング適用する前に、真空中での前処理を、好ましくは、熱によりおよび／または不活性ガスまたは反応性ガスのプラズマ中でのエッチングにより実施することを特徴とする上記方法。
【請求項５】
請求項１、２または３に記載の方法において、高光沢層をスパッタリング適用する前に、真空中での前処理を、付着力付与層を適用することによって実施することを特徴とする上記方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法において、高光沢層を直流スパッタリングまたは不活性ガスまたは反応性ガスの雰囲気中でのパルス- マグネトロン・スパッタリングによって付着することを特徴とする上記方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法において、反応性ガスとしてガスまたはガス混合物、好ましくは、O2、N2または低分子量の炭化水素が導入されることを特徴とする上記方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法において、被覆されるべき部材を高光沢層のスパッタリング適用の間にマグネトロンのターゲットに関して移動せしめることを特徴とする上記方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法において、被覆されるべき部材の光沢が透明な上塗り層へのピグメントの添加によって調整されることを特徴とする上記方法。
【請求項１０】
その上に適用された層系を有する、金属または合金からなる、特に軽金属からなる被覆された部材において、
- 上記部材の機械的に平滑化された表面
- 腐食防止性の平滑な塗料層
- 金属、金属合金または金属化合物からなる高光沢層
- 塗料よりなる透明な、耐摩耗性の上塗り層とからなることを特徴とする上記被覆された部材。
【請求項１１】
請求項１０に記載の被覆された部材において、高光沢層の下に一つの付着力付与層が適用されていることを特徴とする上記被覆された部材。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の被覆された部材において、腐食防止性塗料層の下にクロム酸塩層が適用されることを特徴とする上記被覆された部材。
【請求項１３】
請求項１２に記載の被覆された部材において、クロム酸塩層と腐食防止性塗料層との間に一つの粉末塗料層が適用されることを特徴とする上記被覆された部材。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか１つに記載の被覆された部材において、腐食防止性塗料層が１００μｍないし５００μｍ、好ましくは３０μｍないし３００μｍの厚さを有する展延性に関して最適化された粉末焼付け塗料であることを特徴とする上記被覆された部材。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれか１つに記載の被覆された部材において、高光沢層が１０ｎｍないし５μｍ、好ましくは１００ｎｍないし５００ｎｍの厚さを有することを特徴とする上記被覆された部材。
【請求項１６】
請求項１０〜１５のいずれか１つに記載の被覆された部材において、高光沢層がチタン- アルミニウム- 窒素からなる化合物であることを特徴とする上記被覆された部材。
【請求項１７】
請求項１０〜１５のいずれか１つに記載の被覆された部材において、高光沢層がジルコニウム- アルミニウム- 窒素からなる化合物であることを特徴とする上記被覆された部材。
【請求項１８】
請求項１０〜１５のいずれか１つに記載の被覆された部材において、高光沢層がチタン─ジルコニウム─窒素からなる化合物であることを特徴とする上記被覆された部材。
【請求項１９】
請求項１０〜１８のいずれか１つに記載の被覆された部材において、上塗り層が０．５μｍないし２０μｍ、好ましくは２μｍないし５μｍの厚さを有する有機- 無機化合物、好ましくはオルモセル（Ormocer)であることを特徴とする上記被覆された部材。
【請求項２０】
請求項１０〜１８のいずれか１つに記載の被覆された部材において、上塗り塗料層が１μｍないし１００μｍ、好ましくは２０μｍないし３０μｍの厚さを有するアクリレートまたはポリウレタンまたはエポキシ樹脂を基材とした有機層であることを特徴とする上記被覆された部材。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、低含有量のトランス−脂肪酸を有し、結晶化が迅速である脂肪を製造する方法、およびその方法により得られる迅速に結晶化する脂肪に関する。a)パーム脂肪硬質ステアリンおよびb)牛脂および牛脂画分からなる群から選択された動物性脂肪からなる混合物をエステル交換する。このパーム脂肪硬質ステアリンは、溶媒−分画パーム脂肪硬質ステアリンである。この混合物は、脂肪の全重量を基準として、10〜90％の動物性脂肪および90〜10％のステアリンからなる。動物性脂肪とステアリンとの比率は、75：25から40：60である。このようにして製造された脂肪は、小麦粉およびデンプンのようなバインダーと組み合わせて、乾燥スープおよび乾燥ソースの工業的規模での製造のために使用するのに非常に適している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
純粋な植物性または純粋な動物性脂肪混合物を使用する場合には、エステル交換によって、結晶化挙動を改善することができず、すなわち約３分間の冷却時間の後に再び始まる結晶化工程の遅延を招く。
しかしながら、驚くべきことに、著しい量でない動物性脂肪、例えば牛脂または牛脂画分を有する脂肪混合物が、エステル交換の後に、結晶化速度に有利な変化を示すことが見出された。これらのエステル交換された脂肪混合物の特徴は、最初の非常に迅速な結晶化にあり、上記した脂肪および脂肪混合物の場合には、約２分間の冷却時間の後に著しく減少するが実質的に完全に結晶化が中止しない。対応する動物性脂肪またはその画分の部分を含有する、エステル交換された脂肪混合物は、３分間の冷却時間の後でも依然として結晶化し、結晶加速度は１分当たり固形脂肪において約５％上昇する。この数分間以内の固形脂肪含有量における一定の上昇は、脂肪−バインダー結合体の連続製造工程において非常に重要である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
表4aおよびb に、最初の脂肪およびエステル交換した脂肪の脂肪酸組成（およびエステル交換により達成されたスリップポイントおよび溶融曲線の変化）をまとめる。
図７は、より高い百分率である55％のパーム脂肪硬質ステアリンを使用した場合にも、スリップポイントの上昇なしで（表4b）、比較脂肪を使用するよりも高い結晶化速度が達成されることを示している。
表4a：最初の脂肪およびエステル交換した脂肪混合物の脂肪酸組成
┌────────┬───┬─────────┬───────┐
│                │牛脂  │パーム脂肪        │エステル交換  │
│                │      │硬質ステアリン    │混合物        │
│                │      │(Revel A)         │(45:55)       │
├────────┼───┼─────────┼───────┤
│C 16:0          │26.2  │77.7              │60.0          │
├────────┼───┼─────────┼───────┤
│C 18:0          │23.4  │6.4               │13.6          │
├────────┼───┼─────────┼───────┤
│C 18:1          │34.8  │12.9              │20.0          │
├────────┼───┼─────────┼───────┤
│トランス−脂肪酸│ 5.8  │2.4               │ 2.5          │
└────────┴───┴─────────┴───────┘
表4b：最初の脂肪およびエステル交換した脂肪のスリップポイントおよび固形脂肪含有量（溶融曲線）の温度依存性
┌─────────┬────┬─────────┬───────┐
│                  │牛脂    │パーム脂肪        │エステル交換  │
│                  │        │硬質ステアリン    │混合物        │
│                  │        │(Revel A)         │(45:55)       │
├─────────┼────┼─────────┼───────┤
│スリップポイント  │45      │57                │49            │
│（℃）            │        │                  │              │
│固形脂肪含有量    │        │                  │              │
│（％）            │        │                  │              │
├─────────┼────┼─────────┼───────┤
│20℃              │51      │96                │85            │
├─────────┼────┼─────────┼───────┤
│25℃              │38      │94                │77            │
├─────────┼────┼─────────┼───────┤
│30℃              │26      │85                │66            │
├─────────┼────┼─────────┼───────┤
│35℃              │18      │76                │53            │
├─────────┼────┼─────────┼───────┤
│40℃              │10      │65                │40            │
└─────────┴────┴─────────┴───────┘
これで本発明を完全に記載した。ここに記載された本発明の目的または範囲の中で、当業者には多くの変更および変性が可能であることが明らかである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも下記の成分（Ａ），（Ｂ）を有することを特徴とするコーティング組成物
（Ａ）少なくとも一個以上の飽和炭化水素鎖（炭素数７以上）を有するシラン化合物および／またはその加水分解物
（Ｂ）エポキシ基を有するシラン化合物および／またはその加水分解物
【請求項２】
請求項１記載のコーティング組成物と下記成分を有することを特徴とするコーティング組成物。
（Ｃ）無機酸化物微粒子
（Ｄ）硬化触媒
【請求項３】
プラスチック基材上に請求項１または２記載のコーティング組成物の硬化層を有することを特徴とするプラスチック成形物。
【請求項４】
（Ａ）成分の飽和炭化水素鎖の炭素数が７〜３５であることを特徴とする請求項１記載のコーティング組成物。
【請求項５】
（Ａ）成分が塗膜固形分の０．２５〜５０重量％含有することを特徴とする請求項１または２または４記載のコーティング組成物。