【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田実装される表面実装部品と、
前記表面実装部品が搭載される第１の配線基板と、
前記表面実装部品と前記第１の配線基板とを接続する半田接続部と、
前記表面実装部品および前記半田接続部を覆い、絶縁性の弾性樹脂によって形成された封止部とを有し、
前記弾性樹脂が、１５０℃以上の温度において１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の弾性率の樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記弾性樹脂が、２５℃の温度において１ＭＰａ以上の弾性率の樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半田実装される表面実装部品と、
前記表面実装部品が搭載される第１の配線基板と、
前記表面実装部品と前記第１の配線基板とを接続する半田接続部と、
前記表面実装部品および前記半田接続部を覆い、絶縁性の弾性樹脂であるシリコーン樹脂によって形成された封止部とを有し、
前記シリコーン樹脂は１５０℃以上の温度において１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の弾性率を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２記載の半導体装置であって、前記弾性樹脂が、シリコーン樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置であって、前記弾性樹脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
主面に表面電極が形成された表面実装部品である半導体チップと、
両端に接続端子が形成された表面実装部品であるチップ部品と、
前記半導体チップと前記チップ部品とが搭載される第１の配線基板であるモジュール基板と、
前記チップ部品と前記配線基板とを接続する半田接続部と、
前記半導体チップ、前記チップ部品および前記半田接続部を覆い、絶縁性の弾性樹脂であるシリコーン樹脂によって形成された封止部とを有し、
前記シリコーン樹脂は１５０℃以上の温度において１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の弾性率を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
主面に表面電極が形成された表面実装部品である半導体チップと、
両端に接続端子が形成された表面実装部品であるチップ部品と、
前記半導体チップと前記チップ部品とが搭載される第１の配線基板であるモジュール基板と、
前記チップ部品と前記モジュール基板とを接続する半田接続部と、
前記半導体チップ、前記チップ部品および前記半田接続部を覆い、１５０℃以上の温度において弾性率が１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下であるとともに２５℃の温度において弾性率が２００ＭＰａ以上の絶縁性の樹脂によって形成された封止部とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置であって、前記絶縁性の樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６，７または８記載の半導体装置であって、前記チップ部品が、表面に金めっき層、Ｓｎめっき層またはＰｂ−Ｓｎ系半田めっき層が形成された基板側端子に半田実装されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置であって、前記半導体チップの表面電極が、表面に金めっき層、Ｓｎめっき層またはＰｂ−Ｓｎ系半田めっき層が形成された基板側端子と金線によってワイヤボンディングされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置であって、前記半導体チップの主面と前記配線基板のチップ支持側の面とが対向して配置され、前記半導体チップの表面電極と、表面に金めっき層、Ｓｎめっき層またはＰｂ−Ｓｎ系半田めっき層が形成された基板側端子とが、金バンプもしくは半田バンプによって接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０記載の半導体装置であって、前記半導体チップと前記チップ部品とが長方形の前記モジュール基板に搭載され、前記金線のワイヤループが、前記モジュール基板の長手方向と平行な方向に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
半田接続によって表面実装部品を配線基板に搭載する工程と、
前記半田接続によって形成された半田接続部と前記表面実装部品とを、１５０℃以上の温度において弾性率が１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の絶縁性の弾性樹脂によって覆って樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法であって、前記弾性樹脂として、２５℃の温度において弾性率が１ＭＰａ以上の樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法であって、前記弾性樹脂として、２５℃の温度において弾性率が２００ＭＰａ以上の樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３または１４記載の半導体装置の製造方法であって、前記弾性樹脂として、シリコーン樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３，１４または１５記載の半導体装置の製造方法であって、前記弾性樹脂として、エポキシ樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１３，１４または１５記載の半導体装置の製造方法であって、前記表面実装部品であるチップ部品を、前記配線基板における表面に金めっき層、Ｓｎめっき層またはＰｂ−Ｓｎ系半田めっき層が形成された基板側端子に半田実装することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法であって、前記表面実装部品である半導体チップの表面電極と、前記配線基板における表面に金めっき層、Ｓｎめっき層またはＰｂ−Ｓｎ系半田めっき層が形成された基板側端子とを金線によってワイヤボンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの主面と前記配線基板のチップ支持側の面とを対向して配置し、前記半導体チップの表面電極と、表面に金めっき層、Ｓｎめっき層またはＰｂ−Ｓｎ系半田めっき層が形成された基板側端子とを、金バンプもしくは半田バンプによって接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップと前記チップ部品とを前記配線基板である長方形の前記モジュール基板に搭載し、その後、前記半導体チップの前記表面電極と前記基板側端子とを前記金線によってワイヤボンディングする際に、前記モジュール基板の長手方向と平行な方向に前記金線のワイヤループを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
複数の装置領域が区画ラインによって区画形成された多数個取り基板を準備する工程と、
前記装置領域に半田接続によって表面実装部品を搭載する工程と、
前記半田接続によって形成された複数の前記装置領域の半田接続部と前記表面実装部品とを、絶縁性の弾性樹脂によって一括で覆って樹脂封止して前記多数個取り基板上に一括封止部を形成する工程と、
前記一括封止部の表面に、前記多数個取り基板の前記区画ラインに対応したその反対側の分割ラインに沿って切り込み部を形成する工程と、
前記多数個取り基板を前記分割ラインに沿って分割するとともに、前記一括封止部を前記切り込み部で分割して個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
複数の装置領域が区画ラインによって区画形成された多数個取り基板を準備する工程と、
前記装置領域に半田接続によって表面実装部品を搭載する工程と、
前記半田接続によって形成された複数の前記装置領域の半田接続部と前記表面実装部品とを、絶縁性の弾性樹脂によって一括で覆って樹脂封止して前記多数個取り基板上に一括封止部を形成する工程と、
前記一括封止部の表面に、レーザによって各装置領域ごとに認識マークを付す工程と、
前記多数個取り基板を前記区画ラインに対応したその反対側の分割ラインに沿って分割して個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２２または２３記載の半導体装置の製造方法であって、前記弾性樹脂としてシリコーン樹脂を用いた際に、レーザによって前記一括封止部の表面に、前記多数個取り基板の前記分割ラインに対応した溝部を形成する工程と、同一レーザを用いて前記一括封止部の表面に各装置領域ごとに認識マークを付す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
複数の装置領域が区画ラインによって区画形成された多数個取り基板を準備する工程と、
前記装置領域に半田接続によって表面実装部品を搭載する工程と、
前記半田接続によって形成された複数の前記装置領域の半田接続部と前記表面実装部品とを、絶縁性の弾性樹脂によって一括で覆うようにスキージを用いて印刷して前記多数個取り基板上に一括封止部を形成する工程と、
前記多数個取り基板を前記区画ラインに対応したその反対側の分割ラインに沿って分割して個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
複数の長方形の装置領域が区画ラインによって区画形成された多数個取り基板を準備する工程と、
前記装置領域に半田接続によって表面実装部品であるチップ部品および半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極と前記多数個取り基板の前記装置領域の基板側端子とを前記装置領域の長手方向と平行な方向に金線のワイヤループを形成してワイヤボンディングする工程と、
前記半田接続によって形成された複数の前記装置領域の半田接続部と前記表面実装部品とを、絶縁性の弾性樹脂によって一括で覆って樹脂封止して前記多数個取り基板上に一括封止部を形成する工程と、
前記多数個取り基板を前記装置領域の長手方向に沿い、かつ前記区画ラインに対応したその反対側の分割ラインで１次分割し、前記１次分割後、前記１次分割によって形成された１列個片群をその幅方向に平行な前記分割ラインに沿って２次分割して個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項２２，２３，２４，２５または２６記載の半導体装置の製造方法であって、前記弾性樹脂として、１５０℃以上の温度において弾性率が１ＭＰａ以上のシリコーン樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２５または２６記載の半導体装置の製造方法であって、前記弾性樹脂として、１５０℃以上の温度において弾性率が１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下であるとともに２５℃の温度において弾性率が２００ＭＰａ以上のエポキシ樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
請求項１記載の半導体装置であって、前記表面実装部品は第１の半田によって前記第１の配線基板に搭載され、前記半導体装置は第２の半田によって第２の配線基板に搭載可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３０】
請求項３記載の半導体装置であって、前記表面実装部品は第１の半田によって前記第１の配線基板に搭載され、前記半導体装置は第２の半田によって第２の配線基板に搭載可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３１】
請求項６記載の半導体装置であって、前記表面実装部品および半導体チップは、第１の半田によって前記第１の配線基板であるモジュール基板に搭載され、前記半導体装置は、第２の半田によって第２の配線基板に搭載可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３２】
請求項７記載の半導体装置であって、前記表面実装部品および半導体チップは、第１の半田によって前記第１の配線基板であるモジュール基板に搭載され、前記半導体装置は、第２の半田によって第２の配線基板に搭載可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３３】
第１の配線基板と、
前記第１の配線基板の表面に形成された複数の基板側端子と、
前記第１の配線基板の裏面に形成された複数の外部端子と、
前記第１の配線基板の前記基板側端子上に、第１の半田を介して搭載された表面実装部品および半導体チップと、
前記表面実装部品、半導体チップ、および第１の半田を覆う樹脂部を有し、
第２の配線基板に搭載可能な半導体装置であって、
前記第１の配線基板の前記複数の外部端子は、第２の半田を介して前記第２の配線基板に接続可能であり、
前記第２の半田の融点は前記第１の半田の融点よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３４】
請求項３３記載の半導体装置であって、前記樹脂部は１５０℃以上の温度において２００ＭＰａ以下の弾性率を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３５】
請求項３４記載の半導体装置であって、前記樹脂部は１５０℃以上の温度において１ＭＰａ以上の弾性率を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３６】
請求項３３記載の半導体装置であって、前記半導体装置は高周波電力装置を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３７】
請求項３３記載の半導体装置であって、前記樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３８】
請求項３３記載の半導体装置であって、前記第１の配線基板はセラミックからなることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
すなわち、本発明の半導体装置は、半田実装される表面実装部品と、前記表面実装部品が搭載される第１の配線基板と、前記表面実装部品と前記第１の配線基板とを接続する半田接続部と、前記表面実装部品および前記半田接続部を覆い、絶縁性の弾性樹脂によって形成された封止部とを有し、前記弾性樹脂が、１５０℃以上の温度において１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の弾性率の樹脂である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明の半導体装置は、半田実装される表面実装部品と、前記表面実装部品が搭載される第１の配線基板と、前記表面実装部品と前記第１の配線基板とを接続する半田接続部と、前記表面実装部品および前記半田接続部を覆い、絶縁性の弾性樹脂であるシリコーン樹脂によって形成された封止部とを有し、前記シリコーン樹脂は１５０℃以上の温度において１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の弾性率を有するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明の半導体装置は、主面に表面電極が形成された表面実装部品である半導体チップと、両端に接続端子が形成された表面実装部品であるチップ部品と、前記半導体チップと前記チップ部品とが搭載される第１の配線基板であるモジュール基板と、前記チップ部品と前記配線基板とを接続する半田接続部と、前記半導体チップ、前記チップ部品および前記半田接続部を覆い、絶縁性の弾性樹脂であるシリコーン樹脂によって形成された封止部とを有し、前記シリコーン樹脂は１５０℃以上の温度において１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の弾性率を有するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
さらに、本発明の半導体装置は、主面に表面電極が形成された表面実装部品である半導体チップと、両端に接続端子が形成された表面実装部品であるチップ部品と、前記半導体チップと前記チップ部品とが搭載される第１の配線基板であるモジュール基板と、前記チップ部品と前記モジュール基板とを接続する半田接続部と、前記半導体チップ、前記チップ部品および前記半田接続部を覆い、１５０℃以上の温度において弾性率が１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下であるとともに２５℃の温度において弾性率が２００ＭＰａ以上の絶縁性の樹脂によって形成された封止部とを有するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半田接続によって表面実装部品を配線基板に搭載する工程と、前記半田接続によって形成された半田接続部と前記表面実装部品とを、１５０℃以上の温度において弾性率が１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下の絶縁性の弾性樹脂によって覆って樹脂封止する工程とを有するものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の長方形の装置領域が区画ラインによって区画形成された多数個取り基板を準備する工程と、前記装置領域に半田接続によって表面実装部品であるチップ部品および半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの表面電極と前記多数個取り基板の前記装置領域の基板側端子とを前記装置領域の長手方向と平行な方向に金線のワイヤループを形成してワイヤボンディングする工程と、前記半田接続によって形成された複数の前記装置領域の半田接続部と前記表面実装部品とを、絶縁性の弾性樹脂によって一括で覆って樹脂封止して前記多数個取り基板上に一括封止部を形成する工程と、前記多数個取り基板を前記装置領域の長手方向に沿い、かつ前記区画ラインに対応したその反対側の分割ラインで１次分割し、前記１次分割後、前記１次分割によって形成された１列個片群をその幅方向に平行な前記分割ラインに沿って２次分割して個片化する工程とを有するものである。
また、本発明の半導体装置は、第１の配線基板と、前記第１の配線基板の表面に形成された複数の基板側端子と、前記第１の配線基板の裏面に形成された複数の外部端子と、前記第１の配線基板の前記基板側端子上に、第１の半田を介して搭載された表面実装部品および半導体チップと、前記表面実装部品、半導体チップ、および第１の半田を覆う樹脂部を有し、第２の配線基板に搭載可能な半導体装置であり、前記第１の配線基板の前記複数の外部端子は、第２の半田を介して前記第２の配線基板に接続可能であり、前記第２の半田の融点は前記第１の半田の融点よりも高いものである。