Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月8日(2004.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記第２回転部材は前記弾性部材が収容される窓孔を有し、
前記第２隙間係合部は、前記弾性部材の回転方向片側と前記窓孔の回転方向端との間に配置されている、請求項３に記載のダンパー機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ここで、図２において左右方向に対向して配置された１対の窓部を第１窓部５１といい、図２において上下方向に対向して配置された１対の窓部を第２窓部５２ということにする。第１窓部５１と第２窓部５２は同一形状であるので、それらの形状について一括して説明する。図６に示すように、各窓部５１，５２は、軸方向に貫通した孔と、その孔の縁に沿って形成された支持部とからなる。支持部は外周側支持部５５と内周側支持部５６と回転方向支持部５７とから構成されている。平面視で、外周側支持部５５は概ね円周方向に沿った形状に湾曲しており、内周側支持部５６はほぼ直線状に延びている。また、回転方向支持部５７は、概ね半径方向に直線状に延びており、窓部５１，５２の円周方向中心とクラッチディスク組立体１の中心Ｏとを通る直線に平行である。外周側支持部５５及び内周側支持部５６は他のプレート部分から軸方向に起こされた部分である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
弾性連結機構４は複数の弾性部材組立体（３０，３１）から構成されている。この実施形態では４つの弾性部材組立体（３０，３１）が用いられている。各弾性部材組立体（３０，３１）は窓孔５３，５４及び窓部５１，５２内に配置されている。弾性部材組立体（３０，３１）は、第１窓孔５３及び第１窓部５１内に配置された第１弾性部材組立体３０と、第２窓孔５４及び第２窓部５２内に配置された第２弾性部材組立体３１との２種類から構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この捩じり特性正側において微小捩じり振動がクラッチディスク組立体１に入力された場合に、中間回転部材８０の爪部８１ｃは常に第２コイルスプリング３６によって第１窓孔５３の回転方向Ｒ１側の回転方向支持部６５に押し付けられている。したがって、中間回転部材８０はフランジ８に対して相対回転することができず、微少振動入力時であってもコイルスプリング３３，３６の弾性力は常に中間回転部材８０を介して第２摩擦発生部７１に作用している。つまり、入力回転部材２と出力回転部材３とが相対回転するときは、捩じり特性正側では常に第２摩擦発生部７１が作動し、高ヒステリシストルクを発生している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
捩じり角度がθ２になると、第１窓孔５３の回転方向Ｒ２側の回転方向支持部６５が第１コイルスプリング３３の回転方向Ｒ２側端に当接する。これ以降は、２個の第１コイルスプリング３３が２個の第２コイルスプリング３６に並列に圧縮される。この結果、高剛性・高ヒステリシストルクの捩じり特性が得られる。
次に、図１１の捩じり特性線図を参照して、具体的にクラッチディスク組立体１に各種捩り振動が入力された時の捩り特性について説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月9日(2004.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多気筒エンジンから延出する複数の排気管を集合させた自動２輪車の排気構造において、エンジン前方から下方へ回り込み１本に集合するとともに車体中央に配置される集合管と、集合管に接続され上方に立ち上がってリヤフォークと交差し、再び左右に分岐される分岐管と、これらの分岐管に接続され、車体の左右に配置されるマフラーとを備えたことを特徴とする自動２輪車の排気構造。
【請求項２】
前記集合管と分岐管、及びこの分岐管と前記マフラーはそれぞれ分割可能であることを特徴とする請求項１記載の自動２輪車の排気構造。
【請求項３】
前記分岐管は、前記集合管に接続される単一パイプ部と左右に分岐する枝管にて構成され、当該単一パイプに触媒を備えることを特徴とする請求項１記載の自動２輪車の排気構造。
【請求項４】
前記枝管は、前記リヤフォークの上部から枝分かれすることを特徴とする請求項３記載の自動２輪車の排気構造。
【請求項５】
前記触媒は側面視で前記リヤフォークと重なる位置に配置されることを特徴とする請求項３記載の自動２輪車の排気構造。
【請求項６】
前記マフラーは前記枝管の枝分かれ部より車体前後方向に延びて前記シートの下側に配置されることを特徴とする請求項４記載の自動２輪車の排気構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本願発明は、多気筒エンジンから延出する複数の排気管を集合させた自動２輪車の排気構造において、エンジン前方から下方へ回り込み１本に集合するとともに車体中央に配置される集合管と、集合管に接続され上方に立ち上がってリヤフォークと交差し、再び左右に分岐される分岐管と、この分岐管に接続され、車体の左右に配置されるマフラーとを備えたことを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明の効果】
複数の排気管を１本の集合管にまとめるとともに、この集合管をエンジン下方及びエンジン後方の車体中央部に配置した。したがって、マスの集中を図ることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、集合管を上方に立ち上げてリヤフォーク上方にて左右へ分離させて車体左右に配置した一対のマフラーへ接続させたので、重量配分において左右のバランスのとれた完成車を実現でき、かつ外観もすっきりしたものになる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図１及び図２に示すように、排気構造を構成する各部は、各排気管１２、これらを隣り合う２本づつ集合する第１集合管１３、２本の第１集合管１３をさらに１本に集合する第２集合管１４、この第２集合管１４へ接続した後左右２本に枝分かれする分岐管１５、この分岐管１５の各枝分かれ部へ接続するマフラー１６からなる。なお図１に示すように、マフラーの外観部全体はマフラーカバー１７で覆われ、全く別形状のマフラーであるかのような印象を与えるようになっている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
各第１集合管１３のうち排気下流側となる単一パイプ部２０の周囲には吸音材等を収容した公知の消音構造部２１が設けられる。第２集合管１４のうち１本にまとまった排気下流側となる単一パイプ２２は上方へ向かって屈曲し、ほぼ車体中心上を上方へ延出して、上端の差込口２３を分岐管１５の排気上流側となる単一パイプ部２４の下端に形成されたソケット部２５へ嵌合接続する（図２）。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、分岐管１５の単一パイプ部２４を車体中心上にて上下方向へ配設し、枝管２６を左右へ外開き状に設け、それぞれの後端を左右一対で配置されたマフラー１６へ接続させたので、リヤフォーク５と緩衝器７の双方と干渉をさけながら、左右対称配置ができる。その結果、排気構造全体が車体中心に対して左右対称となり、重量配分において左右のバランスのとれた完成車を実現でき、かつ外観もすっきりしたものになる。しかも、左右のマフラー１６の容量を平均化でき、かつコンパクト化できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調理器の外郭の少なくとも左右の側面を形成するカバー部材と，底面を形成する底面部材とを備えた本体部を具備し，前記底面部材に前記本体部を支持する脚部が設けられた調理器において，前記脚部が，前記本体部の外部に露出した，前記カバー部材の側面の下端部の一部又は全部を覆う保護部と一体に形成されてなることを特徴とする調理器。
【請求項２】
前記保護部に下向きの突出部が設けられてなる請求項１に記載の調理器。
【請求項３】
前記本体部の側面又は背面の一方又は両方に通気口を有し，前記保護部が，前記本体部を上方から見て前記通気口のある方向に前記本体部から突出するよう設けられてなる請求項１又は２のいずれかに記載の調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月15日(2004.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
又、上記ころ軸受１にアキシアル荷重が加わると、このアキシアル荷重に基づいて上記各円筒ころ５に、これら各円筒ころ５の回転中心軸を傾けようとする力、所謂チルト（tilt）モーメントが加わる。即ち、例えば図１２に示す様にアキシアル荷重Ｆａが加わると、同図に矢印α、αで示す様な力が、上記各円筒ころ５の軸方向両端面でこれら各円筒ころ５の径方向反対寄り部分に、互いに逆向きに加わる。この様な逆向きの力は、同じく図１２に矢印βで示す様に、上記各円筒ころ５の回転中心軸を傾斜させる力（チルトモーメント）となって、これら各円筒ころ５に加わる。勿論、この図１２に示すアキシアル荷重Ｆａと逆方向のアキシアル荷重が加わった場合には、上記各円筒ころ５に上記チルトモーメントが、上記矢印βと逆方向（反時計方向）に加わる。この様なチルトモーメントは、上記各円筒ころ５をチルト（傾け）させて、これら各円筒ころ５の端面の外周縁を、上記鍔部の側面や外輪軌道及び内輪軌道と当接し易くする為、これら鍔部の側面や両軌道面にエッジロードを生じさせて、これら両軌道面の耐久性を低下させる可能性を高くする。
本発明のころ軸受は、この様な不都合を解消すべく発明したものである。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
尚、この凹曲面の曲率中心Ｏ11a 及び曲率半径ｒ11a を、図１に示す様に、上記各ころ５ａの曲率中心Ｏ5a及び曲率半径ｒ5aと同じにしても良い。但し、支承するアキシアル荷重や潤滑剤の取り込み易さや、上記各曲面同士の接触状態をより点接触且つ転がり接触に近くする等を考慮して、例えばこの凹曲面の曲率半径ｒ11a を上記球状凸面の曲率半径ｒ5aよりも僅かに大きくする事も好ましい。この場合、上記各内側面１１ａ、１１ａを構成する凹曲面の曲率中心が一致しなくても（各内側面１１ａ、１１ａが単一球面上に存在しなくても）良い。又、上記図３は、内輪２の外向鍔部８ａ、８ａのみを示しているが、勿論、外輪３及び鍔輪４に設けた各内向鍔部１０ａ、１０ａの内側面１１ａ、１１ａも、図１に示す様に、上記球状凸面の曲率中心Ｏ5aを含み上記各ころ５ａの中心軸Ｘに直交する仮想平面Ｙ上にその曲率中心Ｏ11a を有し、その曲率半径ｒ11a が上記球状凸面の曲率半径ｒ5aとほぼ同じである凹曲面とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
しかも、上記各ころ５ａの球状凸面と外向、内向各鍔部８ａ、１０ａの内側面１１ａ、１１ａの凹曲面との各当接部には、アキシアル荷重及びラジアル荷重に基づく力が、この当接部の法線方向（中心Ｏ5a、Ｏ11a に向かう方向）に加わる。そして、これら各荷重に基づいて上記各当接部の法線方向に加わる力は、上記各ころ５ａの中心に向けて作用する。そして、これら各ころ５ａ毎に反対側２個所位置に存在する力が、互いに打ち消し合う。この為、これら各ころ５ａを変位させる力が作用しない。例えば、これら各ころ５ａに加わるチルトモーメントに関しても、大幅に低減（ほぼ０に）できて、これら各ころ５ａの回転中心と前記内輪２及び外輪３の中心軸とが不一致になりにくくできる。この為、上記外向、内向各鍔部８ａ、１０ａの内側面１１ａ、１１ａや内輪軌道７及び外輪軌道９にエッジロードを生じにくくできる。この結果、上記当接部でのアキシアル負荷能力（この当接部でかじりや焼き付き等の損傷を生じる事なく、より大きなアキシアル荷重を支承し得る能力）を向上できると共に、他の転がり軸受と組み合わせて使用する必要がなくなる事による回転支持部分の小型、簡素化、更には、この小型、簡素化によるコストの低廉化を図れる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次に、図９は、本発明の実施の形態の第７例を示している。本例の場合も、上述の図８に示した実施の形態の第６例と同様に、保持器を有しない総ころ軸受１ｂに本発明を適用している。又、本例の場合、前述の図６に示した実施の形態の第４例と同様に、外輪の両端部のうちの一端部（左端部）にのみ鍔部を設けたＮＦ型の総ころ軸受１ｂとしている。勿論、この様な本例の場合も、各ころ５ａの軸方向両端面で外向、内向各鍔部８ａ、１０ａの内側面１１ａ、１１ａと係合する部分を球状凸面とすると共に、これら各内側面１１ａ、１１ａを凹曲面としている。その他の構成及び作用は、前述した第４例及び上述した第６例の場合と同様である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、図１０は、本発明の実施の形態の第８例を示している。前述の図１〜９に示した実施の形態の第１〜７例の場合が、単列のころ軸受１ａ、１ｂに本発明を適用しているのに対し、本例の場合は、多列（複列、二列）ころ軸受１８に本発明を適用している。即ち、円筒状の外輪１９の内周面に、それぞれが円筒形である、複列の外輪軌道９、９を形成している。又、この様な外輪１９の内周面の軸方向中央部で上記両外輪軌道９、９の間部分に、内向鍔部１０ｂを、全周に亙り形成している。又、この外輪１９の軸方向両端面に鍔輪４、４を設け、この外輪１９の内周面のうち上記外輪軌道９、９よりも直径方向内方に突出する部分を、内向鍔部１０ａ、１０ａとしている。又、上記外輪１９の内径側部分に１対の内輪２、２を、互いの軸方向端面を突き合わせた状態で配置している。これら各内輪２、２の外周面には、それぞれ円筒形の内輪軌道７、７を形成している。又、これら各内輪軌道７、７の互いに軸方向反対側の端部には、それぞれ外向鍔部８ａ、８ａを、全周に亙り形成している。そして、上記各外輪軌道９、９と上記各内輪軌道７、７との間に、それぞれ複数個ずつのころ５ａ、５ａを、保持器６、６により保持した状態で転動自在に設けている。そして、この状態で上記各ころ５ａ、５ａの軸方向両端面を、それぞれ上記外向、内向各鍔部８ａ、１０ａ、１０ｂの側面１１ａ、１１ａに対向させている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
特に、本例の場合、上記各ころ５ａ、５ａの軸方向両端面のうちの、上記各内輪２、２、外輪１９及び各鍔輪４、４に設けた上記外向、内向各鍔部８ａ、１０ａ、１０ｂの内側面１１ａ、１１ａと係合する面を、上記ころ５ａ、５ａの中心をその中心とした同一球面上に存在する球状凸面としている。一方、上記外向、内向各鍔部８ａ、１０ａ、１０ｂの内側面１１ａ、１１ａを、上記球状凸面の曲率中心を含み上記各ころ５ａ、５ａの中心軸に直交する仮想平面上にその曲率中心を有し、その曲率半径が上記球状凸面の曲率半径とほぼ同じである凹曲面としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スターリング冷凍機の端部に位置する冷熱部から冷熱を受けて空気にその冷熱を供給する低温側熱交換器であって、
内部に冷媒を含み、前記端部から前記冷熱を受ける中空の基板と、
前記基板上に設けられ、前記空気との熱交換を行うフィンと、
前記端部に対向するように前記基板に設けられ、前記端部が挿入されるように配置された筒状部とを備える、スターリング冷凍機用熱交換器。
【請求項２】
前記筒状部を構成する壁が中空であり、前記基板の内部と連通している、請求項１に記載のスターリング冷凍機用熱交換器。
【請求項３】
先端側ほど細くなるテーパ形状の前記端部に適合するように、前記筒状部は前記スターリング冷凍機に向かって広がるテーパ形状がついている、請求項１または２に記載のスターリング冷凍機用熱交換器。
【請求項４】
前記請求項１〜３のいずれかに記載の前記スターリング冷凍機用熱交換器を備え、前記スターリング冷凍機用熱交換器から冷熱を受けた空気を冷蔵庫内に導入する通路と、
前記スターリング冷凍機からの高熱を受けた空気を冷蔵庫外に排出する通路とを備えた、スターリング冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるわけではなく、その他種々の変更が可能である。例えば、上述の実施の形態においては、スライド体１１は、シフトドラム１２および定着具１３を挟む一対のスライドプレート１１ｂ、１１ｂが、連結棒１１ｃ、１１ｃを介して、支持プレート１１ａ、１１ａとともに一体となっているが、このスライド体１１、そしてベース体５を、図１０に示すように変更してもよい。すなわち、ベース体５において、中間体５ｃの第５プレート５ｉ、５ｉ間を幅広とするとともに第６プレート５ｊをなくし、第２ベース体５ｂを、シフトドラム１２および定着具１３を挟む一対のベースプレートＺ、Ｚとし、スライド体１１を、一対のベースプレートＺ、Ｚ上を、それぞれ第１ガイドレール７ａ、７ａに沿ってスライドするスライドプレート１１ｂ、１１ｂとしてもよい。このとき、ベースプレートＺには、取付孔Ｈ１が設けられており、第１の取付孔１１ｄに替えてこの取付孔Ｈ１と、ジャッキ１７のシリンダ１７ａ側に設けられた被取付孔Ｈ２とにピン（図示せず）を挿通することで、このジャッキ１７を用いて、緊張装置６を第１位置と第２位置との間を移動させることができる。したがって、この図１０に示す実施の形態においては、ネジジャッキ１８は不要となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信ノードから第１の状態の無線信号を、第１の中継ノードと第２の中継ノードに対して伝送し、
上記第１及び第２の中継ノードで受信した第１の状態の無線信号を第２の状態の無線信号に変換して受信ノードに対して伝送する
無線伝送方法。
【請求項２】
請求項１記載の無線伝送方法において、
上記送信ノードから第１の状態の無線信号を、所定単位毎に上記第１の中継ノードと上記第２の中継ノードに対して交互に伝送し、
上記第１の中継ノードが受信した上記第１の状態の無線信号を、上記第２の中継ノードが上記第１の状態の無線信号を受信するタイミングで、受信ノードに対して第２の状態の無線信号として伝送し、
上記第２の中継ノードが受信した上記第１の状態の無線信号を、上記第１の中継ノードが上記第１の状態の無線信号を受信するタイミングで、上記受信ノードに対して第２の状態の無線信号として伝送する
無線伝送方法。
【請求項３】
請求項１記載の無線伝送方法において、
上記第１の状態及び第２の状態の無線信号は、それぞれ第１の周波数及び第２の周波数の無線信号である
無線伝送方法。
【請求項４】
請求項１記載の無線伝送方法において、
上記第１の状態及び第２の状態の無線信号は、それぞれ第１の符号及び第２の符号で拡散された無線信号である
無線伝送方法。
【請求項５】
第１の状態の無線信号を送信する送信部と、
上記送信部から送信される第１の状態の無線信号の受信と、その受信した信号を第２の状態の無線信号として送信する第１及び第２の中継部と、
上記第１及び第２の中継部から送信される第２の状態の無線信号を受信する受信部とを備えた
無線伝送装置。
【請求項６】
請求項５記載の無線伝送装置において、
上記送信部は、所定単位時間で区切られた第１の状態の無線信号を送信し、
上記第１の中継部は、上記送信部から送信される第１の状態の無線信号の１単位時間の受信と、その受信した１単位時間の信号を第２の状態の無線信号として、別の１単位時間での送信とを周期的に行い、
上記第２の中継部は、上記送信部から送信される第１の状態の無線信号の１単位時間の受信と、その受信した１単位時間の信号を第２の状態の無線信号として、別の１単位時間での送信とを周期的に行うと共に、この送信と受信とのタイミングを上記第１の中継部と異なるタイミングとした
無線伝送装置。
【請求項７】
少なくとも第１，第２の中継ノードを備え、
第１の単位時間に上記第１の中継ノードで第１の状態の無線信号を受信する処理と、第２の単位時間に上記第２の中継ノードで第１の状態の無線信号を受信する処理を繰り返し行い、
第１の単位時間に上記第１の中継ノードが受信した信号を、第２の状態の無線信号として、受信期間以外の単位時間に送信する処理と、第２の単位時間に上記第２の中継ノードが受信した信号を、第２の状態の無線信号として、受信期間以外で上記第１の中継ノードが送信していない単位時間に送信する処理とを行う
無線中継方法。
【請求項８】
第１の単位時間に第１の状態の無線信号を受信する受信手段と、
該受信手段が受信した信号を一時記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された信号を第２の単位時間に第２の状態の無線信号として送信する送信手段と、
上記受信手段が受信するタイミングと上記送信手段が送信するタイミングを、上記受信手段が受信した第１の状態の無線信号に含まれる制御情報に基づいて設定する制御手段とを備えた
無線中継装置。
【請求項９】
請求項８記載の無線中継装置において、
所定の処理装置を接続するためのインターフェース手段を備え、
上記受信手段が受信した信号の上記処理装置への送出及び上記処理装置から供給それる信号の上記送信手段での送信処理を上記制御手段の制御により行う
無線中継装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
請求項７に記載した無線中継方法によると、第１の中継ノードと第２の中継ノードで交互に受信と送信を繰り返し行うことで、ほぼ連続的な第１の状態の無線信号の受信と、ほぼ連続的な第２の状態の無線信号の送信が行われ、高い伝送効率で中継処理できる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
請求項８に記載した無線中継装置によると、受信した制御情報で設定されたタイミングで、第１の状態の無線信号を受信して、第２の状態の無線信号として送信処理し、他の中継装置と同期して中継処理が可能になり、複数の中継装置を使用したシステムとする場合に好適な中継装置が得られる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
請求項９に記載した無線中継装置によると、請求項８に記載した発明において、所定の処理装置を接続するためのインターフェース手段を備えて、制御手段の制御により接続された装置から供給される信号の送信及び受信した信号の供給を行うことで、中継装置が送受信装置としても機能し、伝送処理が必要な装置間で随時適切に行えるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローカル・ネットワーク（３２）に接続されたネットワーク装置（３３）の構成に用いるコンピュータによる設定の実施方法であって、前記ローカル・ネットワーク（３２）に接続されたコンソール（３４）内で動作するモジュール（４１）によって実行されるステップであって、
（ａ）前記モジュール（４１）の起動に応答して使用されていないネットワーク・アドレスを獲得するステップと、
（ｂ）前記コンソール（３４）が前記ネットワーク装置（３３）からの要求を受け取ると、前記ネットワーク装置（３３）に前記コンソール（３４）のサブネットおよびゲートウェイ情報とともに前記ステップ（ａ）で獲得された使用されていないアドレスを含む応答を送るステップと、
（ｃ）前記ネットワーク装置（３３）へのネットワーク接続を確立するステップと、（ｄ）前記コンソール（３４）のモニターに前記ネットワーク装置（３３）のアドレス値（２４）、サブネット・マスク値（２５）およびゲートウェイ値（２６）を表示するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記ステップ（ａ）は、
（ａ．１）前記ローカル・ネットワーク（３２）を介してピング要求（４５）を送信するステップと、
（ａ．２）前記ローカル・ネットワーク（３２）を介してピング応答（４６）を受信するステップと
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップ（ｂ）において、前記要求はＢＯＯＴＰ要求（４７）であり、
前記応答はＢＯＯＴＰ応答（４８）である
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
（ｅ）ユーザーが前記コンソール（３４）を介して前記ネットワーク装置（３３）の前記アドレス値（２４）、前記サブネット・マスク値（２５）および前記ゲートウェイ値（２６）を受理、拒否または変更する機会を提供するステップ
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ステップ（ｄ）において、ワールド・ワイド・ウェブ・ブラウザ（４２）を起動し、これによって前記アドレス値（２４）、前記サブネット値（２５）および前記ゲートウェイ値（２６）が表示される
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記モジュール（４１）は、前記ワールド・ワイド・ウェブ（４２）のプラグイン・モジュール（４１）である
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
コンピュータにローカル・ネットワーク（３２）に接続されたネットワーク装置（３３）の構成を設定するプログラムを記録した記録媒体であって、
前記プログラムは、前記ローカル・ネットワーク（３２）に接続されたコンソール（３４）内で動作するモジュール（４１）によって実行され、
（ａ）前記モジュール（４１）の起動に応答して使用されていないネットワーク・アドレスを獲得するステップと、
（ｂ）前記コンソール（３４）が前記ネットワーク装置（３３）からの要求を受け取ると、前記ネットワーク装置（３３）に前記コンソール（３４）のサブネットおよびゲートウェイ情報とともに前記ステップ（ａ）で獲得された使用されていないアドレスを含む応答を送るステップと、
（ｃ）前記ネットワーク装置（３３）へのネットワーク接続を確立するステップと、（ｄ）前記コンソール（３４）のモニターに前記ネットワーク装置（３３）のアドレス値（２４）、サブネット・マスク値（２５）およびゲートウェイ値（２６）を表示するステップと
を実行させる
コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項８】
前記ステップ（ａ）は、
（ａ．１）前記ローカル・ネットワーク（３２）を介してピング要求（４５）を送信するステップと、
（ａ．２）前記ローカル・ネットワーク（３２）を介してピング応答（４６）を受信するステップと
を含む
請求項７に記載の記録媒体。
【請求項９】
前記ステップ（ｂ）において、
前記要求はＢＯＯＴＰ要求（４７）であり、
前記応答はＢＯＯＴＰ応答（４８）である
請求項７に記載の記録媒体。
【請求項１０】
（ｅ）ユーザーが前記コンソール（３４）を介して前記ネットワーク装置（３３）の前記アドレス値（２４）、前記サブネット・マスク値（２５）および前記ゲートウェイ値（２６）を受理、拒否または変更する機会を提供するステップ
を含む請求項７に記載の記録媒体。
【請求項１１】
前記ステップ（ｄ）において、ワールド・ワイド・ウェブ・ブラウザ（４２）を起動し、これによって前記アドレス値（２４）、前記サブネット値（２５）および前記ゲートウェイ値（２６）が表示される
請求項７に記載の記録媒体。
【請求項１２】
前記モジュール（４１）は、前記ワールド・ワイド・ウェブ（４２）のプラグイン・モジュール（４１）である
請求項１１に記載の記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同相成分データと直交成分データの２つのディジタルデータの標本化周波数ｆs´を、標本化周波数ｆs（ｆs=4ｆs´）に標本化周波数変換した後、搬送波周波数ｆc（ ｆc =ｆs/4）で直交変調を行う直交変調器において、Ｄ／Ａ変換器を１つ有し、前記標本化周波数変換、及び直交変調をディジタル信号処理により実現したことを特徴とするディジタル直交変調器。
【請求項２】
請求項１記載のディジタル直交変調器において、動作周波数ｆs /2のディジタルフィルタと、標本化周波数ｆs/4から標本化周波数ｆs /2への２倍の標本化周波数変換を行う第１の標本化周波数変換手段と、標本化周波数ｆs /2から標本化周波数ｆsへの２倍の標本化周波数変換を行う第２の標本化周波数変換手段とを有し、該第１及び第２の標本化周波数変換手段を前記ディジタルフィルタを用いて行い、前記標本化周波数ｆs/4の同相成分データ及び直交成分データを標本化周波数ｆsへ標本化周波数変換したことを特徴とするディジタル直交変調器。
【請求項３】
請求項１記載のディジタル直交変調回路において、前記標本化周波数ｆs /4の同相成分データ及び直交成分データを標本化周波数ｆsへ標本化周波数変換する手段として、伝達関数
H(Z)＝１＋Ｚ-1＋Ｚ-2＋Ｚ-3
のディジタルフィルタを用いることを特徴とするディジタル直交変調器。
【請求項４】
請求項１記載のディジタル直交変調器において、前記標本化周波数ｆs /4の同相成分データ及び直交成分データを標本化周波数ｆsへ標本化周波数変換する手段として、伝達関数
H(Z)＝（１＋Ｚ-1＋Ｚ-2＋Ｚ-3）2
のディジタルフィルタを用いることを特徴とするディジタル直交変調器。
【請求項５】
アナログ直交振幅変調信号をディジタル変換した後、ディジタル信号処理によりディジタル直交検波信号を出力するディジタル直交復調器において、前記アナログ直交振幅変調信号の搬送周波数をｆＩＦ 、前記ディジタル変換の標本化周波数をｆs 、直交検波に用いる直交局部発振信号の周波数ｆＣとして、
ｆs ＝４・ ｆＩＦ
と、
ｆc ＝ ｆs ／４
との関係が成立する構成を有し、直交検波後に標本化周波数をｆsからｆs／４へ標本化周波数変換することを特徴とするディジタル直交復調器。
【請求項６】
請求項５記載のディジタル直交復調器において、前記標本化周波数変換を行う手段として、伝達関数H(Z)
H(Z)＝１＋Ｚ-1＋Ｚ-2＋Ｚ-3
のディジタルフィルタを用いることを特徴とするディジタル直交復調器。
【請求項７】
請求項５記載のディジタル直交復調器において、前記標本化周波数変換を行う手段として、伝達関数H(Z)
H(Z)＝（１＋Ｚ-1＋Ｚ-2＋Ｚ-3）2
のディジタルフィルタを用いることを特徴とするディジタル直交復調器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＣから少なくとも１００ＧＨｚで動作可能な装置のためのインターコネクトであって、
一対の導電性の金属突出部を有する底部接地面と、
前記金属突出部に取り付けられた薄膜回路と、
前記薄膜回路の端に略垂直に接触する中心導体と、
前記薄膜回路の上面に取り付けられた導電性材料の櫛形状弾性構造と、
を備えることを特徴とするインターコネクト。
【請求項２】
前記弾性構造の頂上に、前記底部接地面に並行して、上部接地面を備えることを特徴とするインターコネクト。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月15日(2004.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の金属層と第二の金属層とを備える第一の回路形成材料の、前記第一の金属層をエッチングして層間接続用の柱状パターンを形成し、該柱状パターンが形成された面に絶縁材料層を加圧してなる半導体チップ搭載用基板部材。
【請求項２】
第一の金属層と第二の金属層とを備える第一の回路形成材料の、前記第一の金属層をエッチングして層間接続用の柱状パターンを形成し、該柱状パターンが形成された面に対し、第三の金属層と第四の金属層とを備える第二の回路形成材料を、絶縁材料層を介して加圧接触させ、前記柱状パターンと前記第四の金属層を電気的に接続させてなる半導体チップ搭載用基板部材。
【請求項３】
前記第一の回路形成材料が、前記第一の金属層と前記第二の金属層の間に、前記第一の金属層と選択エッチング可能な第一の中間金属層をさらに備える、請求項１または２に記載の半導体チップ搭載用基板部材。
【請求項４】
前記第二の回路形成材料が、前記第三の金属層と前記第四の金属層の間に、前記第三の金属層と選択エッチング可能な第二の中間金属層をさらに備える、請求項２または３に記載の半導体チップ搭載用基板部材。
【請求項５】
前記絶縁材料層が熱硬化性樹脂である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体チップ搭載用基板部材。
【請求項６】
第一の金属層と第二の金属層を備える第一の回路形成材料の、第一の金属層をエッチングして層間接続用の柱状パターンを形成する工程、
前記柱状パターンの形成された面と、第三の金属層と第四の金属層を備える第二の回路形成材料とを絶縁材料層を介して加圧接触させ、前記柱状パターンと前記第四の金属層を電気的に接続させる工程、および
前記第二、第三の金属層をエッチングし所定の配線パターンを形成する工程、
を備える半導体チップ搭載用基板の製造法。
【請求項７】
前記第一の回路形成材料が、前記第一の金属層と前記第二の金属層の間に、前記第一の金属層と選択エッチング可能な第一の中間金属層をさらに備える、請求項６に記載の半導体チップ搭載用基板の製造法。
【請求項８】
前記第二の回路形成材料が、前記第三の金属層と前記第四の金属層の間に、前記第三の金属層と選択エッチング可能な第二の中間金属層をさらに備える、請求項６または７に記載の半導体チップ搭載用基板の製造法。
【請求項９】
前記柱状パターンと前記第四の金属層を電気的に接続させる工程の後に、前記柱状パターンと前記第四の金属層間の低電気抵抗化処理を施す、請求項６〜８のいずれか１項に記載の半導体チップ搭載用基板の製造法。
【請求項１０】
前記低電気抵抗化処理が電圧印加である、請求項９に記載の半導体チップ搭載用基板の製造法。
【請求項１１】
前記低電気抵抗化処理が超音波印加である、請求項９に記載の半導体チップ搭載用基板の製造法。
【請求項１２】
前記柱状パターンと前記第四の金属層を電気的に接続させる工程の前に、接触させる金属の少なくとも一方を酸化・還元処理する、請求項６〜１１のいずれか１項に記載の半導体チップ搭載用基板の製造法。
【請求項１３】
前記絶縁材料層が熱硬化性樹脂である、請求項６〜１２のいずれか１項に記載の半導体チップ搭載用基板の製造法。
【請求項１４】
請求項６〜１３のいずれか１項に記載の方法によって製造される半導体チップ搭載用基板の第二の金属層をエッチングして形成される配線パターンを外部接続用端子とし、第三の金属層をエッチングして形成される配線パターンを半導体接続用端子とし、前記半導体接続用端子に半導体チップ端子を接続させた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月19日(2005.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一方向に延在する一対の長辺と前記第一方向と交わる第二方向に延在する一対の短辺とを有する長方形形状の表面と、前記表面の反対側に存在する裏面と、前記表面の前記一対の長辺の間の中央部であって、前記第一方向に沿って配列されている複数の外部端子とを夫々有し、夫々の前記裏面同志が向かい合うように積層されている第一半導体チップと第二半導体チップと、
前記第一半導体チップの前記表面に配置された第一部分と、前記第一部分から前記裏面方向に折れ曲がった第二部分と、前記第二部分から前記第一半導体チップの外側に向かって折れ曲がった第三部分とを夫々有し、前記第一半導体チップの前記表面の前記一対の長辺の一方と交わる複数の第一リードと、
前記第一半導体チップの前記表面に配置された第一部分と、前記第一部分から前記裏面方向に折れ曲がった第二部分と、前記第二部分から前記第一半導体チップの外側に向かって折れ曲がった第三部分とを夫々有し、前記第一半導体チップの前記表面の前記一対の長辺の他方と交わる複数の第二リードと、
前記第二半導体チップの前記表面に配置された第一部分と、前記第一部分から前記裏面方向に折れ曲がった第二部分と、前記第二部分から前記第二半導体チップの外側に向かって折れ曲がった第三部分とを夫々有し、前記第二半導体チップの前記表面の前記一対の長辺の一方と交わる複数の第三リードと、
前記第二半導体チップの前記表面に配置された第一部分と、前記第一部分から前記裏面方向に折れ曲がった第二部分と、前記第二部分から前記第二半導体チップの外側に向かって折れ曲がった第三部分とを夫々有し、前記第二半導体チップの前記表面の前記一対の長辺の他方と交わる複数の第四リードと、
前記第一リードと前記第二リードの前記第一部分の夫々を、前記第一半導体チップの前記複数の外部端子の内、夫々の外部端子に対応する外部端子に電気的に接続する第一ワイヤと、
前記第三リードと前記第四リードの前記第一部分の夫々を、前記第二半導体チップの前記複数の外部端子の内、夫々の外部端子に対応する外部端子に電気的に接続する第二ワイヤと、
前記第一半導体チップと、前記第二半導体チップと、前記第一ワイヤと、前記第二ワイヤと、前記第一から前記第四リードの夫々の一部分とを封止する樹脂とを有し、
前記第一リードと前記第四リードとは夫々の前記第三部分とで電気的に接続され、
前記第二リードと前記第三リードとは夫々の前記第三部分とで電気的に接続され、
前記第一リードと前記第四リードの前記第三部分は夫々、重なるように配置され、
前記第二リードと前記第三リードの前記第三部分は夫々、重なるように配置され、
前記第四リードの夫々の前記第三部分は、前記第一リードの夫々の前記第三部分よりも短く、
前記第三リードの夫々の前記第三部分は、前記第二リードの夫々の前記第三部分よりも短く、
前記第一リードの夫々の前記第三部分は、前記第四リードの前記第三部分の端部に向かって曲げられ、
前記第二リードの夫々の前記第三部分は、前記第三リードの前記第三部分の端部に向かって曲げられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第一リードと前記第二リードは、夫々の前記第三部分によって、実装基板に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
さらに、第一から第四の絶縁性フィルムを有し、前記第一から前記第四の前記絶縁性フィルムはそれぞれ、前記第一から前記第四リードの前記第一部分と、前記第一半導体チップと前記第二半導体チップとの間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第一から前記第四の前記絶縁性フィルムは、両面に接着層が形成された絶縁性フィルムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第三と第四リードの前記第三部分は夫々、前記第一と第二リードの前記第三部分の途中で切断されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第一半導体チップと前記第二半導体チップは同じ機能を有するメモリチップであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第一半導体チップおよび前記第二半導体チップには、ＤＲＡＭが構成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歪点が７５０℃以上であるガラス基板と、
前記ガラス基板の表面及び裏面に形成された絶縁性シリコン膜と、
前記絶縁性シリコン膜上に形成された単結晶シリコン薄膜を半導体膜とする薄膜トランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
歪点が７５０℃以上であるガラス基板と、
前記ガラス基板の外周面に形成された絶縁性シリコン膜と、
前記絶縁性シリコン膜上に形成された単結晶シリコン薄膜を半導体膜とする薄膜トランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記ガラス基板は結晶化ガラスであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記ガラス基板のガラス組成はＳｉＯ2が４５乃至５７％、Ａｌ2Ｏ3が２０乃至２７％、ＭｇＯが１１乃至１８％、ＴｉＯ2が９乃至１２％であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記ガラス基板のガラス組成はＳｉＯ2が６４乃至７５％、Ａｌ2Ｏ3が１６乃至２５％、ＭｇＯが３乃至１０％、ＺｎＯが０乃至７％、ＺｒＯ2が３乃至１０％であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記ガラス基板は結晶化ガラスに２．０乃至３．０×１０―6℃―1の熱膨張係数を有するガラスをコーティングしたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
歪点が７５０℃以上であるガラス基板の表面及び裏面に非晶質半導体薄膜を形成し、前記ガラス基板を加熱処理することにより前記非晶質半導体薄膜を熱酸化して熱酸化膜を形成する第１の工程と、
シリコン基板の外周面を熱酸化して熱酸化膜を形成し、前記シリコン基板に水素イオンを添加することにより水素で終端された水素打ち込み層を形成する第２の工程と、
前記第１の工程において熱酸化膜が形成された前記ガラス基板と、前記第２の工程において水素打ち込み層が形成された前記シリコン基板を接着し、接着した前記ガラス基板及び前記シリコン基板を加熱処理して前記シリコン基板に形成された水素打ち込み層で剥離することにより、前記ガラス基板に単結晶シリコン薄膜を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
歪点が７５０℃以上であるガラス基板の外周面に非晶質半導体薄膜を形成し、前記ガラス基板を加熱処理することにより前記非晶質半導体薄膜を熱酸化して熱酸化膜を形成する第１の工程と、
シリコン基板の外周面を熱酸化して熱酸化膜を形成し、前記シリコン基板に水素イオンを添加することにより水素で終端された水素打ち込み層を形成する第２の工程と、
前記第１の工程において熱酸化膜が形成された前記ガラス基板と、前記第２の工程において水素打ち込み層が形成された前記シリコン基板を接着し、接着した前記ガラス基板及び前記シリコン基板を加熱処理して前記シリコン基板に形成された水素打ち込み層で剥離することにより、前記ガラス基板に単結晶シリコン薄膜を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
歪点が７５０℃以上であるガラス基板の表面及び裏面に減圧熱ＣＶＤ法により絶縁性シリコン膜を形成する第１の工程と、
シリコン基板の外周面を熱酸化して熱酸化膜を形成し、前記シリコン基板に水素イオンを添加することにより水素で終端された水素打ち込み層を形成する第２の工程と、
前記第１の工程において絶縁性シリコン膜が形成された前記ガラス基板と、前記第２の工程において水素打ち込み層が形成された前記シリコン基板を接着し、接着した前記ガラス基板及び前記シリコン基板を加熱処理して前記シリコン基板に形成された水素打ち込み層で剥離することにより、前記ガラス基板に単結晶シリコン薄膜を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
歪点が７５０℃以上であるガラス基板の外周面に減圧熱ＣＶＤ法により絶縁性シリコン膜を形成する第１の工程と、
シリコン基板の外周面を熱酸化して熱酸化膜を形成し、前記シリコン基板に水素イオンを添加することにより水素で終端された水素打ち込み層を形成する第２の工程と、
前記第１の工程において絶縁性シリコン膜が形成された前記ガラス基板と、前記第２の工程において水素打ち込み層が形成された前記シリコン基板を接着し、接着した前記ガラス基板及び前記シリコン基板を加熱処理して前記シリコン基板に形成された水素打ち込み層で剥離することにより、前記ガラス基板に単結晶シリコン薄膜を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一項において、前記第３の工程の加熱処理により前記シリコン基板に形成された水素打ち込み層を水素脆化し、前記水素打ち込み層で剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一項において、前記ガラス基板は結晶化ガラスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２のいずれか一項において、前記ガラス基板のガラス組成がＳｉＯ2は４５乃至５７％、Ａｌ2Ｏ3は２０乃至２７％、ＭｇＯは１１乃至１８％、ＴｉＯ2は９乃至１２％であるものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項７乃至請求項１２のいずれか一項において、前記ガラス基板のガラス組成がＳｉＯ2は６４乃至７５％、Ａｌ2Ｏ3は１６乃至２５％、ＭｇＯは３乃至１０％、ＺｎＯは０乃至７％、ＺｒＯ2は３乃至１０％であるものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項７乃至請求項１２のいずれか一項において、前記ガラス基板は結晶化ガラスに２．０乃至３．０×１０―6℃―1の熱膨張係数を有するガラスをコーティングしたものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、例えば透過型ＬＣＤを作製する場合には結晶化ガラスには透光性が要求される。そのような場合には無アルカリの透明結晶化ガラスを用いると良い。例えば、結晶相が充填β―石英固溶体で、熱膨張係数が１．１〜３．０×１０―6℃―1の結晶化ガラスとして、表２に示す様な結晶化ガラスがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本願発明の構成要件の第１は、以上の様な結晶化ガラスを基板として用いることである。勿論、適切な工夫（本願発明の様に絶縁膜で完全に保護する等）を施せばアルカリ系結晶化ガラス（Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系、Ｌｉ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系等）を用いることもできる。また、熱膨張係数が非常に小さい（またはゼロに近い）結晶化ガラスでも、２．０〜３．０×１０―6℃―1の熱膨張係数を有するガラスをコーティングして、半導体薄膜との熱膨張係数を有するガラスをコーティングして、半導体薄膜との熱膨張係数の差を緩和することも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月22日(2004.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本検出器Ｄ１においては、複数のカソード領域１ｋは個別に隔離されているので、検出器Ｄ１に放射線が入射すると、対応するカソード領域１ｋと絶縁膜２を介して容量結合しているカソード電極４から交流電流が出力され、ストライプの伸延方向に直交する方向、すなわちカソード電極４の整列方向の放射線入射位置検出を行うことができる。なお、カソード電極４の幾つかは、直流逆バイアス電圧印加用の電極としてカソード領域１ｋに接触していてもよい。また、検出器Ｄ１は以下のように改良してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（第２実施形態）図５、図６及び図７は、第２実施形態に係る半導体放射線検出器Ｄ２の平面図、Ａ−Ａ’矢印断面図及びＢ−Ｂ’矢印断面図をそれぞれ示す。本検出器Ｄ２は、第１実施形態の検出器Ｄ１と比較して、電極３が絶縁膜２の開口を介して隔離領域１ｉに接触している点のみが異なる。また、この接触は、図２４に示すようにＡｌ電極３’を介して間接的に電気的接続をしても良い。すなわち、隔離領域１ｉ上、その図面左方近接部１ｉｏ上、及び図面右方近接部１ｉｏ上をポリシリコン電極３で覆い、さらにポリシリコン電極３と隔離領域１ｉとを、ポリシリコン電極３上の絶縁膜３ｘに設けられたコンタクトホールを介してＡｌ電極３’で接続し、コンタクト抵抗の増加を抑制する。この場合、電極３は隔離領域１ｉと同電位となるが、第１実施形態と同様に隔離領域１ｉ近接部１ｉｏ部の電界集中を抑制する効果を有する。電極３には直流的に負電位が印加される。また、検出器Ｄ２は以下のように改良してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図８は、改良された半導体放射線検出器をストライプ状に配置された個々のカソード領域１ｋの伸延方向に垂直に切った縦断面図である。本検出器は、図４に示した検出器と比較して電極３の一部分が絶縁膜２の開口を通って隔離領域１ｉと接触して隔離領域１ｉと同電位となっている点のみが異なる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（第３実施形態）図９、図１０、図１１及び図１２は、第３実施形態に係る半導体放射線検出器Ｄ３の平面図、底面図、Ａ−Ａ’矢印断面図及びＢ−Ｂ’矢印断面図をそれぞれ示す。本検出器Ｄ３は、第１実施形態の検出器Ｄ１と比較して、裏面側のアノード領域１ａをストライプ状に整列した複数のアノード領域１ａ’として構成し、半導体基板１のアノード領域１ａ’表面を絶縁膜２’で被覆し、個々のアノード領域１ａ’に対応させて絶縁膜２’上にアノード電極５を設けた点のみが異なる。個々のアノード領域１ａ’の整列方向は、カソード領域１ｋの整列方向と直交しているか任意の角度を有している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
検出器Ｄ６に逆バイアスを印加した状態で放射線が半導体基板１内に入射すると、内部で発生した電子及び正孔がそれぞれ発生位置近傍のカソード領域１ｋ及びアノード領域１ａ内に流入する。それぞれのカソード領域１ｋは隔離領域１ｉで隔離された状態で２×２以上のマトリクス状に配置されているので、本検出器Ｄ６においても２次元の放射線位置検出を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ドッキング・ステーションおよび携帯型コンピュータの間で通風ポートを通して空気が流れることを可能にする前記携帯型コンピュータの前記通風ポートに前記ドッキング・ステーションを接続するための通風カプラと、
ファンと、
を備えている携帯型コンピュータ用のドッキング・ステーション。
【請求項２】  前記ファンが、前記携帯型コンピュータ内に強制的に空気を送り込む方向に回転するようになっていることを特徴とする、請求項１に記載のドッキング・ステーション。
【請求項３】  通風ポートを有する携帯型コンピュータと、
ドッキング・ステーションとを備えており、
前記ドッキング・ステーションおよび前記携帯型コンピュータの間で前記通風ポートを通して空気が流れることを可能にする前記携帯型コンピュータの前記通風ポートに前記ドッキング・ステーションを接続するための通風カプラと、
ファンと、
をさらに備えていることを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項４】  前記携帯型コンピュータの前記通風ポートが、前記携帯型コンピュータの外側面へのルーバ式開口部をさらに備えていることを特徴とする、請求項３に記載のコンピュータ・システム。
【請求項５】  通風ポートを有する携帯型コンピュータを冷却する方法であって、
前記携帯型コンピュータの前記通風ポートを、ファンを有する前記ドッキング・ステーションの通風カプラに接続するステップと、
前記携帯型コンピュータの内部空洞を介して空気を強制的に移動させるステップと、
前記空気を、前記ファンによって前記ドッキング・ステーションを通して移動させるステップと、
を含む方法。
【請求項６】  空気を強制的に移動させる前記ステップが、前記空気を前記携帯型コンピュータから前記ドッキング・ステーションに吸い込むことを特徴とする、請求項５に記載の携帯型コンピュータを冷却する方法。
【請求項７】  空気を強制的に移動させる前記ステップが、前記空気を前記ドッキング・ステーションから前記携帯型コンピュータに強制的に送り込むことを特徴とする、請求項５に記載の携帯型コンピュータを冷却する方法。