【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置、携帯情報端末、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、コンピュータ、プロジェクター、ＴＶ、ナビゲーションシステム、音響再生機器、ゴーグル型ディスプレイ及びゲーム機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接してスピンコート法で形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記第１の絶縁膜及び前記配線を覆って形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接してスピンコート法で形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に接して形成された配線と、
前記配線上に接して形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接してスピンコート法で形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接してスピンコート法で形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成されたＥＬ層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接してスピンコート法で形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極及び前記第２の絶縁膜上に形成され、前記画素電極上の一部に開口を有する第３の絶縁膜と、
前記画素電極及び前記第３の絶縁膜上に形成されたＥＬ層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接して形成され、シロキサン構造を含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記第１の絶縁膜及び前記配線を覆って形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接して形成され、シロキサン構造を含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に接して形成された配線と、
前記配線上に接して形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接して形成され、シロキサン構造を含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接して形成され、シロキサン構造を含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成されたＥＬ層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接して形成され、シロキサン構造を含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極及び前記第２の絶縁膜上に形成され、前記画素電極上の一部に開口を有する第３の絶縁膜と、
前記画素電極及び前記第３の絶縁膜上に形成されたＥＬ層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に接してスピンコート法で形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記第１の絶縁膜及び前記配線を覆って形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に接してスピンコート法で形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に接して形成された配線と、
前記配線上に接して形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に接してスピンコート法で形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に接してスピンコート法で形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成されたＥＬ層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に接してスピンコート法で形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極及び前記第３の絶縁膜上に形成され、前記画素電極上の一部に開口を有する第４の絶縁膜と、
前記画素電極及び前記第４の絶縁膜上に形成されたＥＬ層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に接して形成され、シロキサン構造を含む第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記第１の絶縁膜及び前記配線を覆って形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に接して形成され、シロキサン構造を含む第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に接して形成された配線と、
前記配線上に接して形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に接して形成され、シロキサン構造を含む第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に接して形成され、シロキサン構造を含む第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成されたＥＬ層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成され、スルーホールを有する第１の絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記半導体膜に接続され、前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成された、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に接して形成され、シロキサン構造を含む第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極及び前記第３の絶縁膜上に形成され、前記画素電極上の一部に開口を有する第４の絶縁膜と、
前記画素電極及び前記第４の絶縁膜上に形成されたＥＬ層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２１】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜は無機ＳＯＧ材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項２２】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜と前記画素電極との間に、スピンコート法で形成されたもう１つの層間絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２３】
請求項６乃至１０のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜と前記画素電極との間に形成された、シロキサン構造を含むもう１つの層間絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２４】
請求項１１乃至１５のいずれか一項において、
前記第３の絶縁膜は無機ＳＯＧ材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項２５】
請求項１１乃至１５のいずれか一項において、
前記第３の絶縁膜と前記画素電極との間に、スピンコート法で形成されたもう１つの層間絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２６】
請求項１６乃至２０のいずれか一項において、
前記第３の絶縁膜と前記画素電極との間に形成された、シロキサン構造を含むもう１つの層間絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２７】
請求項１乃至１０、２１、２２及び２３のいずれか一項において、
前記パッシベーション膜の膜厚は、５０〜５００ｎｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項２８】
請求項１乃至１０、２１、２２及び２３のいずれか一項において、
前記パッシベーション膜の膜厚は、２００〜３００ｎｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項２９】
請求項１乃至１０、２１、２２、２３、２７及び２８のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜の膜厚は、０．１μｍ以上１．５μｍ未満であることを特徴とする表示装置。
【請求項３０】
請求項１１乃至２０、２４、２５及び２６のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜の膜厚は、５０〜５００ｎｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項３１】
請求項１１乃至２０、２４、２５及び２６のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜の膜厚は、２００〜３００ｎｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項３２】
請求項１１乃至２０、２４、２５、２６、３０及び３１のいずれか一項において、
前記第３の絶縁膜の膜厚は、０．１μｍ以上１．５μｍ未満であることを特徴とする表示装置。
【請求項３３】
請求項１乃至３２のいずれか一項において、
前記配線は、少なくともアルミニウム膜を含む膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項３４】
請求項１乃至３２のいずれか一項において、
前記配線は、第１のチタン膜、アルミニウム膜、第２のチタン膜からなる３層構造の積層膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項３５】
請求項１乃至３４のいずれか一項において、
前記画素電極は、酸化物導電膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項３６】
請求項１乃至３５に記載の前記表示装置を有する携帯情報端末、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、コンピュータ、プロジェクター、ＴＶ、ナビゲーションシステム、音響再生機器、ゴーグル型ディスプレイ、またはゲーム機器。