【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
５０℃ないし３００℃の範囲内の温度下において前記エッチング工程を行う
ことを特徴とする請求項１３ないし請求項２１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】  次に、図３０に示したように、下部磁極１０７上に、絶縁材料、例えばアルミナよりなる記録ギャップ層１０８を形成する。次に、記録ギャップ層１０８上に、高精度のフォトリソグラフィ処理により、フォトレジスト膜１０９を所定のパターンとなるように形成する。次に、フォトレジスト膜１０９上に、電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジスト膜１０９および薄膜コイル１１０を覆うように、高精度のフォトリソグラフィによりフォトレジストを所定のパターンとなるように形成したのち、このフォトレジストに対して例えば２５０℃の温度で加熱処理を施す。この加熱処理により、薄膜コイル１１０の各巻線間を絶縁させるためのフォトレジスト膜１１１が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】  上部磁極を形成する方法としては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用いて上部磁極１１２を形成する場合には、まず、エイペックス部を含む下地上に、全体に、例えばスパッタリングにより、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を形成する。次に、電極膜上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成したのち、このフォトレジスト膜に対してフォトリソグラフィ処理を施してパターニングすることにより、めっき処理を行うためのフレームパターン（外枠）を形成する。このフレームパターンは、上部磁極１１２の平面形状に対応する開口パターンを有するものである。次に、このフレームパターンをマスクとして用いると共に先工程において形成した電極膜をシード層として用いて、電解めっき法により、フレームパターンの開口パターン中に、例えばパーマロイよりなる上部磁極１１２を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】  また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、エッチング工程を反応性イオンエッチングにより行うようにしてもよい。このような場合には、塩素および三塩化ボロンのうちの少なくとも１を含むガス雰囲気中、かつ５０℃ないし３００℃の範囲内の温度下においてエッチング工程を行うようにするのが好適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】  ポールチップ部１２ｃ等を形成するためのＲＩＥによるエッチング処理を行う際には、特に、例えば、塩素（Ｃｌ2）、三塩化ボロン（ＢＣｌ3）、塩化水素（ＨＣｌ）、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、六フッ化硫黄（ＳＦ6 ）および三臭化ボロン（ＢＢｒ3 ）のうちの少なくとも１種に水素（Ｈ2 ）、酸素（Ｏ2 ）、窒素（Ｎ2 ）およびアルゴン（Ａｒ）などを添加したものを含むエッチングガスを用いると共に、加工温度を５０℃〜３００℃の範囲内となるようにするのが好適である。このようなガス雰囲気中および温度下においてＲＩＥによるエッチング処理を行うことにより、特に、窒化鉄よりなるポールチップ前駆層１１２に対するエッチング処理の化学反応が促進されるため、ポールチップ部１２ｃおよび磁路接続部１２ｄの形成に要する時間をより短縮することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】  特に、記録ギャップ層１１および下部磁極９をＲＩＥによりエッチングする際には、例えば、塩素と三塩化ボロンとの混合ガスをエッチングガスとして用いると共に、加工温度を１００℃〜２００℃の範囲内となるようにするのが好適である。このようなガス雰囲気中および温度下においてＲＩＥによるエッチング処理を行うことにより、エッチング処理を高精度に制御しながら実施することができると共に、エッチング処理に要する時間をより短縮することができる。このエッチング処理により、ポールチップ部１２ａおよび磁路接続部１２ｂのそれぞれ自体もエッチングされ、その膜厚はさらに減少することとなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】  次に、薄膜コイル１４（コイル接続部１４ｓを含む）の各巻線間およびその周辺に、加熱時に流動性を示す材料、例えばフォトレジストなどの有機絶縁材料を高精度のフォトリソグラフィ処理により所定のパターンとなるように形成する。次に、このフォトレジスト膜に対して、例えば２００℃〜２５０℃の範囲内における温度で加熱処理を施す。この加熱処理により、図６に示したように、フォトレジストが流動して薄膜コイル１４等の各巻線間を隙間なく埋めつくし、薄膜コイル１４等の各巻線間を絶縁化するための絶縁膜１５が形成される。絶縁膜１５を形成する際には、絶縁膜１５が薄膜コイル１４およびコイル接続部１４ｓの双方の上面を覆わないようにしてもよいし（図６参照）、または覆うようにしてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】  本実施の形態では、記録ギャップ層１１を形成したのち、非磁性層パターン１０の上方における平坦な記録ギャップ層１１上に、高精度のフォトリソグラフィ処理を用いて、加熱時に流動性を示す材料、例えばフォトレジストなどの有機絶縁材料を約０．５〜１．０μｍの厚みで形成する。次に、このフォトレジスト膜に対して、例えば２００℃〜２５０℃の範囲内における温度で加熱処理を施す。この加熱処理により、図１９に示したように、非磁性層パターン２１が形成される。非磁性層パターン２１の端縁部近傍は、その端縁部に近づくにつれて落ち込むような丸みを帯びた斜面をなすようになる。非磁性層パターン２１を形成する際には、例えば、その最前端の位置が非磁性層パターン１０の最前端の位置よりも後退するようにし、非磁性層パターン１０と非磁性層パターン２１とにより段差が形成されるようにする。ここで、非磁性層パターン２１が、本発明における「第２の非磁性層パターン」の一具体例に対応する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】  図２８に示したように、上部磁極２２は、例えば、それぞれ別個に形成された上部ポールチップ２２ａｃ、磁路接続部２２ｂ，２２ｄおよびおよび上部ヨーク２２ｅによって構成されている。上部磁極２２を構成する上記の各部位は、上記第１の実施の形態における上部磁極１２を構成する各部位（上部ポールチップ１２ａｃ、磁路接続部１２ｂ，１２ｄおよびおよび上部ヨーク１２ｅ）とほぼ同様の構造的特徴を有するものである。上部ヨーク２２ｅは、ヨーク部２２ｅ(1) および接続部２２ｅ(2) を含んでいる。ポールチップ部２２ａは、先端部２２ａ(1) 、中間部２２ａ(2) および後端部２２ａ(3) を含み、ポールチップ２２ｃは、先端部２２ｃ(1) 、中間部２２ｃ(2) および後端部２２ｃ(3) を含んでいる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６４】  また、請求項２２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、５０℃ないし３００℃の範囲内の温度下においてエッチング工程を行うようにしたので、エッチング処理に要する時間を短縮することができるという効果を奏する。