【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入する第１の工程と、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を部分的に結晶化させた第１の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して第２の結晶質半導体膜を形成する第３の工程とを有し、
前記第１の結晶質半導体膜のＴＦＴの活性層となる領域は、９２〜９９％が結晶化していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入する第１の工程と、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を部分的に結晶化させた第１の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して第２の結晶質半導体膜を形成する第３の工程とを有し、
前記第２の工程により形成された前記第１の結晶質半導体膜は、ＴＦＴの活性層となる領域に於いて９２〜９９％が結晶化し、前記第３の工程により形成された前記第２の結晶質半導体膜は、前記ＴＦＴの活性層となる領域に於いて９９％以上結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入する第１の工程と、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を部分的に結晶化させた第１の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して第２の結晶質半導体膜を形成する第３の工程とを有し、
前記第１の結晶質半導体膜のＴＦＴの活性層となる領域は、９４〜９９％が結晶化していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入する第１の工程と、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を部分的に結晶化させた第１の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して第２の結晶質半導体膜を形成する第３の工程とを有し、
前記第２の工程により形成された前記第１の結晶質半導体膜は、ＴＦＴの活性層となる領域に於いて９４〜９９％が結晶化し、前記第３の工程により形成された前記第２の結晶質半導体膜は、前記ＴＦＴの活性層となる領域に於いて９９％以上結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入する第１の工程と、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を部分的に結晶化させた第１の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して第２の結晶質半導体膜を形成する第３の工程とを有し、
前記第１の結晶質半導体膜のＴＦＴの活性層となる領域のうち非晶質領域の総面積は前記ＴＦＴの活性層となる領域の面積に対して１〜８％とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入する第１の工程と、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を部分的に結晶化させた第１の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して第２の結晶質半導体膜を形成する第３の工程とを有し、
前記第２の工程により形成された前記第１の結晶質半導体膜は、ＴＦＴの活性層となる領域のうち非晶質領域の総面積が、前記ＴＦＴの活性層となる領域の面積に対して１〜８％とし、前記第３の工程により形成された前記第２の結晶質半導体膜は、前記ＴＦＴの活性層となる領域に於いて非晶質領域が１％以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入する第１の工程と、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を部分的に結晶化させた第１の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して第２の結晶質半導体膜を形成する第３の工程とを有し、
前記第１の結晶質半導体膜のＴＦＴの活性層となる領域のうち非晶質領域の総面積は、前記ＴＦＴの活性層となる領域の面積に対して１〜６％であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入する第１の工程と、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を部分的に結晶化させた第１の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して第２の結晶質半導体膜を形成する第３の工程とを有し、
前記第２の工程により形成された前記第１の結晶質半導体膜は、ＴＦＴの活性層となる領域のうち非晶質領域の総面積が前記ＴＦＴの活性層となる領域の面積に対して１〜６％とし、前記第３の工程により形成された前記第２の結晶質半導体膜は、前記ＴＦＴの活性層となる領域に於いて非晶質領域が１％以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入する第１の工程と、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を部分的に結晶化させ、複数の非晶質領域を持つ第１の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して第２の結晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
を有し、
前記第１の結晶質半導体膜のＴＦＴの活性層となる領域に於いて、前記複数の非晶質領域の各々の面積は１０μｍ2以下であり、かつ、前記複数の非晶質領域のうち、少なくとも１つの非晶質領域の面積は０．３μｍ2以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に於いて、前記金属元素は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一項に於いて、前記金属元素は、８族、１Ｂ族、３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族元素から選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に於いて、前記半導体装置は、液晶表示装置、またはイメージセンサであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一項に於いて、前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレイヤー、電子書籍、または携帯型情報端末であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入させ、
加熱処理により、ＴＦＴの活性層となる領域の９２〜９９％を結晶化させた第１の結晶質半導体膜を形成させ、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して形成させた第２の結晶質半導体膜をＴＦＴの活性層としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入させ、
加熱処理により、ＴＦＴの活性層となる領域の９４〜９９％を結晶化させた第１の結晶質半導体膜を形成させ、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して形成させた第２の結晶質半導体膜をＴＦＴの活性層としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入させ、
加熱処理により、ＴＦＴの活性層となる領域のうち非晶質領域の総面積が前記ＴＦＴの活性層となる領域の面積に対して１〜８％である第１の結晶質半導体膜を形成させ、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して形成させた第２の結晶質半導体膜をＴＦＴの活性層としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入させ、
加熱処理により、ＴＦＴの活性層となる領域のうち非晶質領域の総面積が前記ＴＦＴの活性層となる領域の面積に対して１〜６％である第１の結晶質半導体膜を形成させ、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して形成させた第２の結晶質半導体膜をＴＦＴの活性層としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入させ、
加熱処理により、ＴＦＴの活性層となる領域に於いて、非晶質領域の各々の面積は１０μｍ2以下であり、かつ、少なくとも１つの非晶質領域の面積は０．３μｍ2以上である第１の結晶質半導体膜を形成させ、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザビームを照射して形成させた第２の結晶質半導体膜をＴＦＴの活性層としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１４乃至１８のいずれか一項に於いて、前記金属元素は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数種類の元素でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１４乃至１８のいずれか一項に於いて、前記金属元素は、８族、１Ｂ族、３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族元素から選ばれた一種または複数種類の元素でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１４乃至２０のいずれか一項に於いて、前記半導体装置は、液晶表示装置、またはイメージセンサであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１４乃至２０のいずれか一項に於いて、前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレイヤー、電子書籍、または携帯型情報端末であることを特徴とする半導体装置。