【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の下に設けられ、窒化シリコンよりも比誘電率が低く且つ前記第１の絶縁層のエッチング時にエッチング耐性を有する有機低誘電率材料からなる第２の絶縁層と、
を備えた、半導体装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁層が、主として酸化シリコンで構成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記有機低誘電率材料が、酸化シリコンよりも比誘電率が低い材料で構成されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記有機低誘電率材料が、ポリアリールエーテル、ポリ−ｐ−キシレン、ポリイミド及びポリナフタレンからなる群より選ばれた少なくとも１種で構成されている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の絶縁層に前記第２の絶縁層に達する溝が形成され、その溝の内部に配線層が埋め込まれている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の絶縁層の上に第３の絶縁層が形成され、前記第１及び第３の絶縁層を貫通して前記溝が形成され、前記第３の絶縁層及び前記配線層の上に第４の絶縁層が形成され、前記第３の絶縁層が、窒化シリコンよりも比誘電率が低く且つ前記第４の絶縁層のエッチング時にエッチング耐性を有する第２の有機低誘電率材料からなっている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第４の絶縁層が、主として酸化シリコンで構成されている、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の有機低誘電率材料が、酸化シリコンよりも比誘電率が低い材料で構成されている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の有機低誘電率材料が、ポリアリールエーテル、ポリ−ｐ−キシレン、ポリイミド及びポリナフタレンからなる群より選ばれた少なくとも１種で構成されている、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第４の絶縁層に前記配線層に達する接続孔が設けられ、その接続孔が導電材料により埋め込まれている、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第３の絶縁層及び前記配線層の上に第５の絶縁層が形成され、その第５の絶縁層の上に第６の絶縁層が形成され、前記第５の絶縁層が、窒化シリコンよりも比誘電率が低く且つ前記第６の絶縁層のエッチング時にエッチング耐性を有する第３の有機低誘電率材料からなり、且つ、前記第３の絶縁層が、前記第５の絶縁層のエッチング時にエッチング耐性を有する材料からなる、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第３及び第６の絶縁層が、いずれも、主として酸化シリコンで構成されている、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第３の有機低誘電率材料が、酸化シリコンよりも比誘電率が低い材料で構成されている、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第３の有機低誘電率材料が、ポリアリールエーテル、ポリ−ｐ−キシレン、ポリイミド及びポリナフタレンからなる群より選ばれた少なくとも１種で構成されている、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第５及び第６の絶縁層に前記配線層に達する接続孔が設けられ、その接続孔が導電材料により埋め込まれている、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第１の絶縁層の上に、酸化シリコンよりも比誘電率が低い第４の有機低誘電率材料からなる第７の絶縁層が設けられている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第４の有機低誘電率材料が、環状フッ素化合物とシロキサンの共重合体、ポリペンタフルオロスチレン、変性ポリテトラフルオロエチレン、ポリ−１，４−フルオロメチルベンゼン、フッ化ポリアリールエーテル、フッ化ポリイミド、ポリフッ化ナフタレン、ポリ−２，３，５，６−テトラフルオロ−ｐ−キシレン及びパークロロシクロアルキル系ポリマーからなる群より選ばれた少なくとも１種で構成されている、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第７の絶縁層の上に、主として酸化シリコンで構成された第８の絶縁層が設けられている、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記第１及び第８の絶縁層の厚みが、前記第７の絶縁層の厚みよりも小さい、請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記第１、第７及び第８の絶縁層に前記第２の絶縁層に達する溝が形成され、その溝の内部に配線層が埋め込まれている、請求項１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
複数の前記溝が、少なくとも所定箇所で並行して設けられている、請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記第２の絶縁層を構成する前記有機低誘電率材料が、酸化シリコンよりも比誘電率が低い材料で構成されている、請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記第２の絶縁層を構成する前記有機低誘電率材料が、ポリアリールエーテル、ポリ−ｐ−キシレン、ポリイミド及びポリナフタレンからなる群より選ばれた少なくとも１種で構成されている、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記第２の絶縁層の下に、主として酸化シリコンで構成された第９の絶縁層が設けられている、請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記第９の絶縁層の下に、酸化シリコンよりも比誘電率が低い第５の有機低誘電率材料からなる第１０の絶縁層が設けられている、請求項２４に記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記第５の有機低誘電率材料が、環状フッ素化合物とシロキサンの共重合体、ポリペンタフルオロスチレン、変性ポリテトラフルオロエチレン、ポリ−１，４−フルオロメチルベンゼン、フッ化ポリアリールエーテル、フッ化ポリイミド、ポリフッ化ナフタレン、ポリ−２，３，５，６−テトラフルオロ−ｐ−キシレン及びパークロロシクロアルキル系ポリマーからなる群より選ばれた少なくとも１種で構成されている、請求項２５に記載の半導体装置。
【請求項２７】
前記第１０の絶縁層の下に、主として酸化シリコンで構成された第１１の絶縁層が設けられている、請求項２５に記載の半導体装置。
【請求項２８】
前記第９及び第１１の絶縁層の厚みが、前記第１０の絶縁層の厚みよりも小さい、請求項２７に記載の半導体装置。
【請求項２９】
酸化シリコンよりも比誘電率が低い第１の有機低誘電率材料からなる第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の下に設けられ、酸化シリコンよりも比誘電率が低く且つ前記第１の絶縁層のエッチング時にエッチング耐性を有する第２の有機低誘電率材料からなる第２の絶縁層と、
を備えた、半導体装置。
【請求項３０】
下地層の上に、窒化シリコンよりも比誘電率が低い第１の有機低誘電率材料からなる第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層の上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層の上に、窒化シリコンよりも比誘電率が低い第２の有機低誘電率材料からなる第３の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２及び第３の絶縁層に前記第１の絶縁層に達する溝を形成する工程と、
前記溝内を配線材料で埋め込んだ後、前記溝内以外の部分の前記配線材料を除去して、前記溝内に前記配線材料からなる配線層を形成する工程と、
前記第３の絶縁層及び前記配線層の上に第４の絶縁層を形成する工程と、
前記第３の絶縁層をエッチングストッパーとして用いて、前記第４の絶縁層に前記配線層に達する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔を導電材料で埋め込む工程と、
を有する半導体装置の製造方法。