Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月5日(2005.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記成分の混合物を含む、100℃で少なくとも6.5 mm2/s (cSt)の動粘度を有する２サイクル潤滑油組成物：
(a) 約300〜1500のMnを有するポリブテンポリマー 3〜50質量％；
(b) 380℃までの沸点を有する通常液体の脂肪族炭化水素溶媒 2〜45質量％；
(c) (1)ホウ素化窒素含有潤滑油分散剤と、(2) (i)ジアルキルジチオリン酸亜鉛、(ii)式(RX)2P(:X)XHの酸ホスフェート(式中、RはHまたはC3〜C20のヒドロカルビルであり、Rの少なくとも1個はヒドロカルビルであり、XはOまたはSであり得る)、(iii) (ii)の酸ホスフェートのアミン塩(該アミンは、第1級または第2級のC3〜C20脂肪族または芳香族アミンである)、および(iv)式P(OX')3のホスファイト(式中、X'はHまたはヒドロカルビルであり、X'の少なくとも1個はヒドロカルビルであり、該ヒドロカルビルはC1〜C20の脂肪族、芳香族またはアルキル芳香族ヒドロカルビル基である)からなる群から選ばれるリン化合物との反応生成物である燃焼改良添加剤 0.1〜10.0質量％；
(d) 潤滑粘度の鉱油または合成油 20〜94.9質量%；および、
(e) 2サイクル潤滑油添加剤用の添加剤パッケージであって、そのような添加剤がその正常な付帯機能を与え且つ前記２サイクル潤滑油組成物が２サイクル潤滑油組成物の工業規格を満たすのを可能にする量で存在する添加剤パッケージ 0〜20質量％。
【請求項２】
下記成分の混合物を含み、100℃で少なくとも6.5 mm2/s (cSt)の動粘度を有する、２サイクルエンジンおよび3〜25馬力の小４サイクルエンジンの潤滑に適する潤滑油組成物：
(a) 約300〜1500のMnを有するポリブテンポリマー 3〜50質量％；
(b) 380℃までの沸点を有する通常液体の脂肪族炭化水素溶媒 2〜15質量％；
(c) (1)ホウ素化窒素含有潤滑油分散剤と、(2) (i)ジアルキルジチオリン酸亜鉛、(ii)式(RX)2P(:X)XHの酸ホスフェート(式中、RはHまたはC3〜C20のヒドロカルビルであり、Rの少なくとも1個はヒドロカルビルであり、XはOまたはSであり得る)、(iii) (ii)の酸ホスフェートのアミン塩(該アミンは、第1級または第2級のC3〜C20脂肪族または芳香族アミンである)、および(iv)式P(OX')3のホスファイト(式中、X'はHまたはヒドロカルビルであり、X'の少なくとも1個はヒドロカルビルであり、該ヒドロカルビルはC1〜C20の脂肪族、芳香族またはアルキル芳香族ヒドロカルビル基である)からなる群から選ばれるリン化合物との反応生成物である燃焼改良添加剤 0.1〜10質量％；
(d) 潤滑粘度の鉱油または合成油 20〜94.9質量%；および、
(e) 2サイクル潤滑油添加剤用の添加剤パッケージであって、そのような添加剤がその正常な付帯機能を与え且つ前記２サイクル潤滑油組成物が２サイクル潤滑油組成物の工業規格を満たすのを可能にする量で存在する添加剤パッケージ 0〜20質量％。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月8日(2004.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に被膜を施すための水性研磨組成物であって、
（ａ）薄膜形成ポリマーと、
（ｂ）イオン性シリコーン系界面活性剤と、
を含み、前記被膜が防汚性である研磨組成物。
【請求項２】
前記基材が床、壁および浴室面からなる群より選択される請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項３】
前記基材が床面である請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項４】
前記イオン性シリコーン系界面活性剤がアニオン性シリコーン界面活性剤である請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項５】
前記アニオン性シリコーン系界面活性剤がカルボン酸塩、ホスホン酸塩、リン酸塩、硫酸塩およびスルホン酸塩からなる群より選択される塩基性塩を含有する請求項４に記載の研磨組成物。
【請求項６】
前記アニオン性シリコーン系界面活性剤がカルボン酸塩を含有する請求項４に記載の研磨組成物。
【請求項７】
前記カルボン酸塩がフタル酸塩である請求項６に記載の研磨組成物。
【請求項８】
前記研磨組成物が約０．０１重量パーセントから約５重量パーセントの前記イオン性シリコーン系界面活性剤を含有する請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項９】
前記研磨組成物が約０．１重量パーセントから約２重量パーセントの前記イオン性シリコーン系界面活性剤を含有する請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項１０】
前記イオン性シリコーン系界面活性剤が約１０，０００未満の平均分子量を有する請求項１に記載の研磨組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーを含むラテックスと、
ヒドロキシ基２、３または４個および分子量約７５〜約１２００を有する液体ポリオール約１重量％〜約１０重量％と、 
膨張剤とを含む、水性防火遮断層組成物。
【請求項２】
ポリマーを含むラテックスと；
ヒドロキシ基２、３または４個および分子量約７５〜約１２００を有するポリオールと；
式Ｍ２Ｏ：ＸＳｉＯ２（式中、Ｍは、アルカリ金属である）によって表される顆粒状アルカリ金属ケイ酸塩、
ホウ酸および第Ｉ族ならびに第ＩＩ族元素のホウ酸塩からなる群から選択される少なくとも１種のオキシホウ素化合物、及び
前記アルカリ金属ケイ酸塩に結合した水、
を含み、
重量比Ｘが約１．５〜約４の範囲であり、
ホウ素とＭとのモル比が約０．２〜約０．９であり、
その水が、顆粒の全重量に対して約５％〜約１５％である組成物を包含する膨張剤と；
を含む、水性防火遮断層組成物。
【請求項３】
ラテックス約２５重量％〜約７５重量％と、
ポリオール約１重量％〜約１０重量％と、
膨張剤約２重量％〜約４０重量％とを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
ポリマーを含むラテックスと；
ヒドロキシ基２、３または４個を有するポリオールと；
式Ｍ２Ｏ：ＸＳｉＯ２（式中、Ｍは、アルカリ金属である）によって表される顆粒状アルカリ金属ケイ酸塩、
ホウ酸および第Ｉ族ならびに第ＩＩ族元素のホウ酸塩からなる群から選択される少なくとも１種のオキシホウ素化合物、及び
前記アルカリ金属ケイ酸塩に結合した水、
を含み、
重量比Ｘが約１．５〜約４の範囲であり、
ホウ素とＭとのモル比が約０．２〜約０．９であり、
水が、顆粒の全重量に対して約５％〜約１５％である組成物を包含する膨張剤と；
を含む、水性防火遮断層組成物。
【請求項５】
アクリレート−酢酸ビニル−エチレンターポリマーを含むラテックスと、
ヒドロキシ基２、３または４個を有するポリオールと、
膨張剤とを含む、水性防火遮断層組成物。
【請求項６】
ａ）アクリレート−酢酸ビニル−エチレンターポリマーを含むラテックス４０重量％〜４５重量％と；
ｂ）分子量約１００〜約５００を有するポリエチレングリコール１重量％〜３重量％と；
ｃ）式Ｍ２Ｏ：ＸＳｉＯ２（式中、Ｍは、アルカリ金属である）によって表される顆粒状アルカリ金属ケイ酸塩、
ホウ酸および第Ｉ族ならびに第ＩＩ族元素のホウ酸塩からなる群から選択される少なくとも１種のオキシホウ素化合物、及び
前記アルカリ金属ケイ酸塩に結合した水、
を含み、
重量比Ｘが約１．５〜約４の範囲であり、
ホウ素とＭとのモル比が約０．２〜約０．９であり、
その水が、顆粒の全重量に対して約５％〜約１５％である組成物を包含する膨張剤１５重量％〜２５重量％と；
ｄ）ホウ酸亜鉛１８重量％〜２７重量％と；
を含む、水性防火遮断層組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月24日(2003.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．水性キャリヤーと、
ｂ．着色剤と、
ｃ．ポリマーバインダであって、約−２０℃〜約２５℃の範囲のガラス転移温度と、約２５０ｎｍ〜約４００ｎｍの範囲の平均粒子直径と、該バインダの約１重量％〜約１０重量％の範囲の酸成分とを有するポリマーバインダと、を含むインク。
【請求項２】
前記バインダの前記ガラス転移温度が約−１２℃〜約０℃の範囲であり、前記バインダの前記平均粒子直径が約２５０ｎｍ〜約３５０ｎｍの範囲であり、前記バインダの前記酸成分が該バインダの約１重量％〜約３重量％の範囲である、請求項１に記載のインク。
【請求項３】
前記着色剤が、顔料・分散剤混合物及び自己分散した顔料の一つ以上である、請求項２に記載のインク。
【請求項４】
前記着色剤が該インクの約０．５重量％〜約７重量％の範囲であり、前記バインダが該インクの約０．１重量％〜約１０重量％の範囲である、請求項３に記載のインク。
【請求項５】
前記着色剤が前記自己分散した顔料及び前記顔料・分散剤混合物であり、前記着色剤が該インクの約１重量％〜約５重量％の範囲であり、かつ、前記バインダが該インクの約０．５重量％である、請求項４に記載のインク。
【請求項６】
前記着色剤が前記顔料・分散剤混合物であり、前記着色剤が該インクの約１重量％〜約５重量％の範囲であり、かつ、前記バインダが該インクの約３重量％である、請求項４に記載のインク。
【請求項７】
前記バインダの前記ガラス転移温度が約−１２℃〜約０℃の範囲であり、前記バインダの前記平均粒子直径が約２５０ｎｍ〜約３５０ｎｍの範囲であり、前記バインダの前記酸成分が約１．３％である、請求項１に記載のインク。
【請求項８】
前記着色剤が、顔料・分散剤混合物及び自己分散した顔料の一つ以上である、請求項７に記載のインク。
【請求項９】
前記着色剤が該インクの約０．５重量％〜約７重量％の範囲であり、前記バインダが該インクの約０．１重量％〜約１０重量％の範囲である、請求項８に記載のインク。
【請求項１０】
前記着色剤が前記自己分散した顔料及び前記顔料・分散剤混合物であり、前記着色剤が該インクの約１重量％〜約５重量％の範囲であり、かつ、前記バインダが該インクの約０．５重量％である、請求項９に記載のインク。
【請求項１１】
前記着色剤が前記顔料・分散剤混合物であり、前記着色剤が該インクの約１重量％〜約５重量％の範囲であり、かつ、前記バインダが該インクの約３重量％である、請求項９に記載のインク。
【請求項１２】
前記バインダの前記ガラス転移温度が約−１２℃〜約０℃の範囲であり、前記バインダの前記平均粒子直径が約２５０ｎｍ〜約３５０ｎｍの範囲であり、前記バインダの前記酸成分が該バインダの約４重量％〜約１０重量％である、請求項１に記載のインク。
【請求項１３】
前記着色剤が、顔料・分散剤混合物及び自己分散した顔料の一つ以上である、請求項１２に記載のインク。
【請求項１４】
前記着色剤が該インクの約０．５重量％〜約７重量％の範囲であり、前記バインダが該インクの約０．１重量％〜約１０重量％の範囲である、請求項１３に記載のインク。
【請求項１５】
前記着色剤が前記自己分散した顔料であり、前記着色剤が該インクの約１重量％〜約５重量％の範囲であり、かつ、前記バインダが該インクの約０．５重量％〜約３重量％の範囲である、請求項１４に記載のインク。
【請求項１６】
前記バインダが多数の大きな粒子と多数の小さな粒子の混合物を更に含み、前記バインダ混合物が２００ｎｍより大きな平均粒子直径を有し、かつ、前記バインダ混合物が単峰形である、請求項１に記載のインク。
【請求項１７】
ａ．水性キャリヤーと、
ｂ．着色剤と、
ｃ．アクリレート、メタクリレート、置換されたスチレン、スチレン、フルオロメタクリレート、ビニルアクリレート、ビニルアセテート、アクリルアミド、置換されたアクリルアミド、メタクリルアミド及び置換されたメタクリルアミドから成る群から選択される本質的に一つ以上のモノマーと、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、ビニルスルホン酸及び無水メタクリル酸、無水マレイン酸、ソディアムビニルスルホネート又はアクリロアミドプロパンスルホネートから誘導される酸、或いは、これらの組合せから成る群から選択される酸成分と、から成るポリマーバインダであって、前記酸成分が該バインダの約１重量％〜約３重量％で存在し、該バインダが、約−２０℃〜約２５℃の範囲のガラス転移温度と、約１３０ｎｍ〜約４５０ｎｍの範囲の平均粒子直径とを有するポリマーバインダと、を含むインク。
【請求項１８】
前記モノマーがアルキルアクリレート及びアルキルメタクリレートの一つ以上から選択される、請求項１７に記載のインク。
【請求項１９】
前記モノマーが、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、ブチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート及びブチルメタクリレートの一つ以上から選択される、請求項１８に記載のインク。
【請求項２０】
前記モノマーがブチルアクリレートとメチルメタクリレートとの組合せである、請求項１９に記載のインク。
【請求項２１】
前記バインダが約６６重量％〜約７２重量％のブチルアクリレートと、２７重量％〜約３３重量％のメチルメタクリレートを含む、請求項２０に記載のインク。
【請求項２２】
前記酸成分がアクリル酸及びメタクリル酸の一つ以上から選択される、請求項１７に記載のインク。
【請求項２３】
前記バインダの前記ガラス転移温度が約−１２℃〜約０℃の範囲であり、前記平均粒子直径が約２５０ｎｍ〜約３５０ｎｍの範囲であり、前記酸成分が前記バインダの約１．３重量％〜約２．５重量％の範囲である、請求項１７に記載のインク。
【請求項２４】
前記着色剤が、顔料・分散剤混合物及び自己分散した顔料の一つ以上である、請求項２３に記載のインク。
【請求項２５】
前記着色剤が該インクの約０．５重量％〜約７重量％の範囲であり、前記バインダが該インクの約０．１重量％〜約１０重量％の範囲である、請求項２４に記載のインク。
【請求項２６】
前記着色剤が前記自己分散した顔料及び前記顔料・分散剤混合物であり、前記着色剤が該インクの約１重量％〜約５重量％の範囲であり、かつ、前記バインダが該インクの約０．５重量％である、請求項２５に記載のインク。
【請求項２７】
前記着色剤が前記顔料・分散剤混合物であり、前記着色剤が該インクの約１重量％〜約５重量％の範囲であり、かつ、前記バインダが該インクの約３重量％である、請求項２５に記載のインク。
【請求項２８】
前記バインダが多数の大きな粒子と多数の小さな粒子の混合物を更に含み、前記バインダ混合物が２００ｎｍより大きな平均粒子直径を有し、かつ、前記バインダ混合物が単峰形である、請求項１８に記載のインク。
【請求項２９】
前記バインダが多数の大きな粒子と多数の小さな粒子の混合物を更に含み、更に、前記バインダ混合物が二峰形である、請求項１に記載のインク。
【請求項３０】
前記バインダが多数の大きな粒子と多数の小さな粒子の混合物を更に含み、更に、前記バインダ混合物が二峰形である、請求項１８に記載のインク。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）有機ホウ素と、
（ｂ）少なくとも１種の重合性モノマーと、
（ｃ）一般式：
【化１】
2004530737.tif 000001
（式中、Ｒ40は、ＣＨ2＝またはアルケニルであり、Ｚ1およびＺ2は、独立してＯ、Ｎ−Ｒ41またはＳであり、Ｒ41、Ｒ42およびＲ43は、独立してＨ、アルキル、アリールまたはシクロアルキルであり、Ｚ1およびＺ2が、Ｏである場合、Ｒ42およびＲ43は、独立してアルキル、アリールまたはシクロアルキルである）で表される可使時間増量剤と、
を含む重合性システム。
【請求項２】
Ｒ40が、ビニルである、請求項１に記載の重合性システム。
【請求項３】
（ａ）有機ホウ素と、
（ｂ）少なくとも１種の重合性モノマーと、
（ｃ）少なくとも２．５質量パーセントのイタコン酸、イタコン酸誘導体またはその組合わせと、
を含む重合性システム。
【請求項４】
脱錯化剤をさらに含む、請求項１に記載の重合性システム。
【請求項５】
（ａ）有機ホウ素を含む第１の要素と、
（ｂ）重合性モノマーを含む第２の要素であって、
前記第１の要素、または前記第２の要素の少なくとも１つが、一般式：
【化２】
2004530737.tif 000002
（式中、Ｒ40は、ＣＨ2＝またはアルケニルであり、Ｚ1およびＺ2は、独立してＯ、Ｎ−Ｒ41またはＳであり、Ｒ41、Ｒ42およびＲ43は、独立してＨ、アルキル、アリールまたはシクロアルキルであり、Ｚ1およびＺ2が、Ｏである場合、Ｒ42およびＲ43は、独立してアルキル、アリールまたはシクロアルキルである）
で表される作用寿命延長剤をさらに含む第２の要素と、
を含む、重合性システム。
【請求項６】
（ａ）有機ホウ素と、
（ｂ）アミン類、アミジン類、水酸化物、アルコキシド類およびその組合わせから選択される物質を含む錯化剤と、
（ｃ）少なくとも１種の重合性モノマーと、
（ｄ）一般式：
【化３】
2004530737.tif 000003
（式中、Ｒ40は、ＣＨ2＝またはアルケニルであり、Ｒ42は、Ｈまたはアルキルであり、Ｒ43は、Ｈであり、Ｚ1およびＺ2は、Ｏであり、並びに錯化剤中のアミン基、アミジン基、水酸化物基またはアルコキシド基に対する、可使時間増量剤中のアミン反応性基、アミジン反応性基、水酸化物反応性基またはアルコキシド反応性基の比率が３．０：１．０以上である）で表される可使時間増量剤と、
を含む、重合性システム。
【請求項７】
（ａ）有機ホウ素と、
（ｂ）少なくとも１種の重合性モノマーと、
（ｃ）一般式：
【化４】
2004530737.tif 000004
（式中、Ｒ44は、ＣＨ2＝またはアルケニルであり、Ｘは、ＳまたはＲ50が水素、アルキル、アリールまたはシクロアルキルであるＮ−Ｒ50である）で表される可使時間増量剤と、
を含む、重合性システム。
【請求項８】
（ａ）有機ホウ素と、
（ｂ）アミン類、アミジン類、水酸化物、アルコキシド類およびその組合わせから選択される物質を含む錯化剤、
（ｃ）少なくとも１種の重合性モノマーと、
（ｄ）一般式：
【化５】
2004530737.tif 000005
（式中、Ｒ44は、ＣＨ2＝またはアルケニルであり、Ｘは、Ｏであり、並びに錯化剤中のアミン基、アミジン基、水酸化物基またはアルコキシド基に対する、可使時間増量剤中の無水物基の比率が３．０：１．０以上である）で表される可使時間増量剤と、
を含む、重合性システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００１年８月１７日に申請した米国出願連番第０９／９３２，１５０「ポリエチレンテレフタレート製造における重合後の押出し機射出の方法」の一部継続出願であるが、それ自体が同時係属中で本発明の譲受人に譲渡された２０００年１０月１５日申請の米国出願連番０９／７３８，１５０、「連続的ポリエチレンテレフタレート生産における重合後射出方法」の一部継続出願である。本出願は同時に並行申請した出願連番第１０／０１７，６１２号、「縮合重合体生産における重合後射出の方法」に同じように関連している。これら係属中の出願は各々本出願の譲受人に譲渡されており、参照により全容が本明細書中に援用されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
各ミニインプラントが、被覆されたロッド型のものである、請求項１に記載の徐放装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
徐放性支持材が、ポリエステル、ポリアミノ酸、シリコン、エチレンビニルアセテートコポリマー、ポリグリセロールセバシン酸及びポリビニルアルコールから成る群から選択される生体適合性材料から形成される支持マトリックス又はロッドの形態をとる、請求項１に記載の徐放装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に従う各徐放性ミニペレットは、好ましくは被覆されたロッド(covered rod)様の形状である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
そのような多数のミニペレット系は、有効であるために必要とされる閾値の血漿レベルに達し、且つ長期間に及んでそれらの血液レベルを維持することが困難であったような疾患にこれまで利用不可能であった医薬として活性な成分を用いて、長期間に及ぶ疾患の処置を可能にする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月11日(2003.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシリコン層を設け、このシリコン層に非有機物反射防止層を設け、そしてこの非有機物反射防止層にレジストマスクを設ける半導体装置の製造方法において、
前記レジストマスクを用いて前記非有機物反射防止層をパターンニングし、
前記シリコン層をパターンニングし、
前記レジストマスクを除去し、そして
低濃度のフッ化水素酸を含む、高圧下で１００℃を超える温度に達する水溶液を用いて前記非有機物反射防止層を除去する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記フッ化水素酸の濃度は多くとも約０.１Ｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記フッ化水素酸の濃度は少なくとも約０.００１Ｍであることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記水溶液を高くても約１３０℃の温度で用いることを特徴とする請求項１、２又は３いずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記非有機物反射防止層は窒化シリコン又は酸窒化シリコンの層として設けられることを特徴とする請求項１乃至４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
シリコンを多く含む窒化シリコンの層を前記シリコン層として設けることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
シリコンを多く含む酸窒化シリコンの層を前記シリコン層として設けることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記非有機物反射防止層をエッチングしている間、前記シリコン層を酸化しない状態に保つように前記水溶液を取り扱うことを特徴とする請求項１乃至７いずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記水溶液を排出して前記水溶液に溶解した酸素を除去することを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
不活性ガスと交換することにより前記水溶液に溶解した酸素を除去することを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
還元剤を前記水溶液に添加することを特徴とする請求項８，９又は１０いずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板に誘電体材料を最上部層として設けて、この最上部層に対して前記非有機物反射防止層を選択的にエッチングできるようにすることを特徴とする請求項１乃至１１いずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
多結晶シリコン又はアモルファスシリコンの層を前記シリコン層として設けることを特徴とする請求項１乃至１２いずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記シリコン層をパターンニングする前に前記レジストマスクを除去することを特徴とする請求項１乃至１３いずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記非有機物反射防止層を単一ウエハ・プロセスによりエッチングすることを特徴とする請求項１乃至１４いずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５いずれか記載の前記非有機物反射防止層を除去する工程を実行する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月10日(2004.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
装着者の耳に適用される聴音装置における分離可能な電気的接続の形成を磁気による機械的結合を形成することによって実施する方法において、前記機械的結合の形成を前記電気的接続の形成から分離するようにしてなることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】  請求項１乃至請求項２２のいずれかに記載の方法を実行するように適合されていることを特徴とする請求項２３又は請求項２４記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月8日(2005.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御信号を生成するための制御信号ジェネレータと、
強誘電性コンポーネントを含む第一のインピーダンスエレメントと、
該制御信号ジェネレータおよび該第一のインピーダンスエレメントとの間に結合された制御線および、
該第一のインピーダンスエレメントに結合される第二のインピーダンスエレメントであって、該第一および第二のインピーダンスエレメントは、該第一のインピーダンスエレメントまたは該第二のインピーダンスエレメントのどちらかに印加される電磁的信号の位相をシフトすることによりベースバンド信号のＤＣオフセットを修正するよう構成される、該第二のインピーダンスエレメントであって、ここでＤＣオフセットは、ダイレクトダウンコンバージョン受信機の通常動作の間に適応に修正され、かつ、別のキャリブレーションモードは必要でない、該第二のインピーダンスエレメントとを含む、ダイレクトダウンコンバージョン受信機によって生成されたベースバンド信号のＤＣオフセットを修正するためのチューナブル電磁的信号位相シフタ。
【請求項２】
前記第一の強誘電性コンポーネントは、第一の強誘電性キャパシタを含む、請求項１に記載の位相シフタ。
【請求項３】
前記第一の強誘電性キャパシタは、ギャップキャパシタを含む、請求項２記載の位相シフタ。
【請求項４】
前記第一の強誘電性キャパシタは、オーバーレイキャパシタを含む、請求項２に記載の位相シフタ。
【請求項５】
第二の強誘電性コンポーネントを含む第三のインピーダンスエレメントをさらに含む、請求項１に記載の位相シフタ。
【請求項６】
前記第一および第二の強誘電性コンポーネントは、第一および第二の強誘電性キャパシタを含む、請求項５に記載の位相シフタ。
【請求項７】
前記第一および第二の強誘電性キャパシタはギャップキャパシタを含む、請求項６に記載の位相シフタ。
【請求項８】
前記第一および第二の強誘電性キャパシタはオーバレイキャパシタを含む、請求項６に記載の位相シフタ。
【請求項９】
ワイヤレス通信デバイスのダイレクトダウンコンバージョン受信機によって生成されたベースバンド信号のＤＣを修正するためのシステムであって、
該システムは、
ローカル発振器信号を生成するために構成されるローカル発振器と、
該ローカル発振器とＲＦ信号入力とに結合され、該ＲＦ信号をベースバンド信号に直接的にダウンコンバートするように該ローカル発振器信号と該ＲＦ入力とをミックスするように構成されるミキサと、
ベースバンド信号のＤＣオフセットを検出するため、および、該ＤＣオフセットを示すＤＣオフセット信号を出力するために構成されるＤＣオフセット検出器と、
該ＤＣオフセット検出器に結合され、該ＤＣオフセット信号を受けるためおよび制御信号を出力するために構成されるフィードバックネットワークと、
第一の強誘電性コンポーネントを含む第一のインピーダンスエレメントと、該第一のインピーダンスエレメントに結合された第ニのインピーダンスエレメントとを含むチューナブル位相シフトフィルタを含み、
該チューナブル位相シフトフィルタは、該フィードバックネットワークに結合され、該ローカル発振器信号の位相をシフトするように該ローカル発振器と該ミキサの間に結合され、該制御信号を受けるようにおよび該制御信号に応答して該位相のシフトを変化するように構成され、
該フィードバックネットワークは、該ＤＣオフセット信号に応答して、該ローカル発振器信号の該位相をシフトすることによって該ＤＣオフセットを低減するように構成され、ＤＣオフセットは、ダイレクトダウンコンバージョン受信機の通常動作の間に適応に修正され、かつ、別のキャリブレーションモードは必要でない、システム。
【請求項１０】
前記フィードバックネットワークは反転演算増幅器を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記フィードバックネットワークは、状態機械を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
ワイヤレス通信デバイスのダイレクトダウンコンバージョン受信機によって生成されるベースバンド信号のＤＣオフセットを修正するための方法であって
直接的にダウンコンバートされたベースバンド信号を生成するためにＲＦ信号と位相シフトされたローカル発振器信号とをミックスするステップと、
該直接的にダウンコンバートされたベースバンド信号の中のＤＣオフセットを検出するステップと、
該検出されたＤＣオフセットを低減するために、チューナブル強誘電性コンポーネントを使用して、該位相シフトされるローカル発振器信号の位相シフトを調整するステップであって、該ＤＣオフセット軽減およびダウンコンバートされたベースバンド信号生成が同時に起こる、調整するステップ
とを含む、方法。
【請求項１３】
前記第一の強誘電性コンポーネント（５２）は、第一の強誘電性キャパシタを含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第一の強誘電性キャパシタ（５２）は、ギャップキャパシタを含む、請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
前記第一の強誘電性キャパシタ（５２）は、オーバーレイキャパシタを含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
第二の強誘電性コンポーネント（５４）を含む第三のインピーダンスエレメントをさらに含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１７】
前記第一および第二の強誘電性コンポーネント（５２、５４）は、第一および第二の強誘電性キャパシタを含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記第一および第二の強誘電性キャパシタ（５２、５４）はギャップキャパシタを含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記第一および第二の強誘電性キャパシタ（５２、５４）はオーバレイキャパシタを含む、請求項１７に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004530359.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
順に、アンテナ素子（１６）、第１誘電体層（１２）、第１及び第２結合スロット（２０、２１：３０、３１）が形成された接地平面（１４）、第２誘電体層（１１）、及び、それぞれの結合スロットに関連した第１及び第２供給線（２２、２３：３２、３３）を備える多層スロット結合アンテナ装置であって、該第１及び第２結合スロットは実質的に同じ方向にあり、第１及び第２供給線は、電力分割器（２５、２６、２７）を介して信号供給ポート（３５）に接続され、該供給線は、その各々が、該信号供給ポートから離れ、かつそれぞれのスロットに対して直角に交差する部分を有するよう構成され、前述の部分は、信号が前述の部分からアンテナ素子に逆位相で結合されるよう反対方向を向いており、そして、電力分割器は、使用中に、信号供給ポートに印可される信号が供給線間で実質的に等しく分割され、かつ、スロットにおける供給線の部分において信号間の位相が逆位相となるよう構成されたことを特徴とする多層スロット結合アンテナ装置。
【請求項２】
前記第１及び第２結合スロットが、互いに間隔をもってかつ共通の軸に沿って置かれた細長い孔（２０、２１）からなり、前記第１及び第２供給線（２２、２３）がそれぞれの孔に対して直角に置かれ、前記両供給線の自由端が前記共通の軸に対し反対側に置かれるようになった請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
前記第１及び第２結合スロットが、間隔をもってかつ互いに平行に置かれた細長い孔（３０、３１）からなり、前記第１及び第２供給線（３２、３３）が、それぞれの孔に対して直角に置かれ、前記両供給線の前記自由端が互いから離れる方向に向くようになった請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記第１及び第２結合スロットが、間隔をもってかつ互いに平行に置かれた細長い孔（３０、３１）からなり、前記第１及び第２供給線（３２、３３）は、それぞれの第１部分（４０、４１）がそれぞれの孔に対して直角に置かれ、それぞれの続く部分が前記それぞれの孔に対して平行に置かれるようになった請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記接地平面に形成された第３の又はそれ以上の結合スロット（４４）と、前記第３の又はそれ以上の結合スロットのそれぞれに関連し、少なくとも１つのさらに別の信号供給ポート（４６）に接続された第３の又はそれ以上の供給線（４４）とをさらに備える請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項６】
第３及び第４結合スロットと、それぞれに関連した第３及び第４供給線とを備え、前記第３及び第４供給線が、さらに別の電力分割器を介してさらに別の信号供給ポートに接続された請求項５に記載のアンテナ装置。
【請求項７】
前記アンテナ素子が長方形の形状であり、前記第１及び第２結合スロット（５０、５１）が互いに対向して前記長方形の素子の２つの縁の近くに置かれ、前記第３及び第４結合スロット（５２、５３）が互いに対向して前記長方形のアンテナ素子の他の２つの縁の近くに置かれ、前記供給線がそれぞれの結合スロットに対して直角に位置させられた部分を有する請求項６に記載のアンテナ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
多くの利点がこの種の構成からもたらされる。第１に、供給線の大部分が、接地されたメタライゼーション層によりアンテナパッチから分離されているため、装置からの放射線のスプリアス放射が削減される。さらに、例えば、異なる誘電率をもつ異なる誘電体材料を、接地平面１４の２つの側で用いることが可能であるため、誘電体の性能を、アンテナ装置の信号供給部分とアンテナ部分との両方について最適化することができる。スロットは、共振が生じないような寸法にされる。さらに、結合は、スロットを通る放射線によるもので、導線を通る電導によるものではないため、これらを収容するための貫通接触（「バイヤ」）及び穿孔された穴は省かれる。
ＦＲ２６６６６９２には、接地面の対称軸に関して対称に配置された互いに平行な二対のスロットを有する、多層マイクロ波スロット結合アンテナが開示されている。供給線は各スロットに対応させてあり、それぞれのスロットと９０°で交差している。動作時には、第１の周波数の第１の信号は一対のうちの一方の供給線を経て供給され、第２の信号はその同じ対の他方の供給線を経て供給される。そして後者は同じ周波数を有するが、位相が９０°シフトされている。第２の周波数の信号は、他の対のスロットに対応する供給線に印可することができる。
ＵＳ５８４４５２３には、誘電体損失が可変な熱可塑性エラストマーを誘電体層として用いたスロット結合アンテナの構成が開示されている。この誘電体層はマイクロストリップ供給線と、スロットを含む導電層との間にはさまれている。一つの構成では二つのスロットが設けられ、これらは単一のマイクロストリップフィードから給電されて、エネルギーをそれぞれの長方形のマイクロストリップ・パッチ・アンテナに結合する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第１の態様により、順に、アンテナ素子、第１誘電体層、第１及び第２結合スロットが形成された接地平面、第２誘電体層、及びそれぞれの結合スロットに関連した第１及び第２供給線を備える多層スロット結合アンテナ装置であって、該第１及び第２結合スロットが実質的に同じ方向にあり、第１及び第２供給線が、電力分割器を介して信号供給ポートに接続され、該供給線は、その各々が、該信号供給ポートから離れ、かつそれぞれのスロットに対して直角に交差する部分を有するよう構成され、前述の部分は、信号が前述の部分からアンテナ素子に逆位相で結合されるよう反対方向を向いており、そして、電力分割器は、使用中に、信号供給ポートに印可される信号が供給線間で実質的に等しく分割され、かつ、スロットにおける供給線の部分において信号間の位相が逆位相となるよう構成されたことを特徴とする多層スロット結合アンテナ装置が提供される。結合スロットが実質的に同じ方向にあり、そして供給線の前述の部分がそれぞれの結合スロットと直角に交差し、反対方向を向いているので、信号は供給線からアンテナ素子に逆位相、すなわちπラジアンの位相差で（すなわち、プッシュプル的に）結合される。さらに、電力分割器は、スロットの供給線の部分において生じる信号が確実に逆位相となるようしてあるので、二つの供給線からアンテナ素子への付加的な供給が生じることが確保される。その結果、アンテナの製造中に生じる、それぞれの結合スロットに対する二つの供給線の共通の横方向変位が、結合に対して反対方向の影響を与えることになり、これにより変位が生じてもその影響を減らすことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体電話装置の形態を構成する方法において、
移動体電話装置の現在の位置を獲得し、
移動体電話装置の現在の位置が前の位置の範囲内にあるか否かを決定し、その前の位置は前の位置の変化範囲内に設定されており、
現在の位置が前の位置の内部にない場合には、現在の位置が複数のセーブされた位置のいずれか１つの内部にあるか否かを決定し、
現在の位置が複数の保存された位置のいずれか１つの内部にない場合には、
前の位置の変化範囲をデフォルト位置に設定し、そのデフォルト位置は複数のセーブされた位置中に含まれていない１組の位置であり、
デフォルト形態が前に設定されている場合には、そのデフォルト位置に対応するデフォルト形態を移動体電話装置に適用し、
デフォルト形態が前に設定されていない場合には、移動体電話装置の現在の形態をそのデフォルト位置に対応しているデフォルト形態としてセーブする移動体電話装置の構成方法。
【請求項２】
さらに、現在の位置が複数のセーブされた位置の１つの内部にある場合には、前の位置変化範囲をセーブされている１つの位置に設定し、
セーブされている１つの位置に対応する形態を移動体電話装置に供給し、
デフォルト形態が前に設定されていない場合には、デフォルト位置に対応するデフォルト形態として移動体電話装置の現在の形態をセーブする請求項１記載の方法。
【請求項３】
移動体電話装置を構成する装置において、
移動体電話装置の現在の位置を獲得する手段と、
移動体電話装置の現在の位置が前の位置の変化範囲内に設定されている前の位置の内部にあるか否かを決定する手段と、
現在の位置が前の位置範囲の内部にない場合に、現在の位置がセーブされた複数の位置のいずれか１つの内部にあるか否かを決定する手段と、
現在の位置がセーブされた複数の位置のいずれの内部にもない場合に、
セーブされた複数の位置中に含まれていない１組の位置であるデフォルト位置に前の位置を設定する手段と、
デフォルト形態が前に設定されている場合に、そのデフォルト位置に対応するデフォルト形態を移動体電話装置に適用する手段と、
デフォルト形態が前に設定されていない場合に、移動体電話装置の現在の形態をそのデフォルト位置に対応するデフォルト形態としてセーブする手段とを具備している移動体電話装置を構成する装置。
【請求項４】
さらに、現在の位置がセーブされた複数の位置のいずれか１つの内部にある場合に、
前の位置の変化範囲を１つのセーブされた位置に対して設定する手段と、
その１つのセーブされた位置に対応する形態を移動体電話装置に適用する手段と、
デフォルト形態が前に設定されていない場合に、移動体電話装置の現在の形態をそのデフォルト位置に対応するデフォルト形態としてセーブする手段とを具備している請求項３記載のシステム。
【請求項５】
移動体電話装置を構成する装置において、
移動体電話装置の現在の位置を獲得するように構成されている位置決定装置と、
実行装置とを具備し、
この実行装置は、
移動体電話装置の現在の位置が前の位置の変化範囲内に設定されている前の位置の内部にあるか否かを決定し、
現在の位置が前の位置の内部にない場合には、現在の位置がセーブされた複数の位置のいずれ１つの内部にあるか否かを決定し、
現在の位置がセーブされた複数の位置のいずれの内部にもない場合には、セーブされた複数の位置中に含まれていない１組の位置であるデフォルト位置に前の位置の変化範囲を設定し、
デフォルト形態が前に設定されていれば、そのデフォルト位置に対応するデフォルト形態を移動体電話装置に適用し、デフォルト形態が前に設定されていなければ、移動体電話装置の現在の形態をそのデフォルト位置に対応するデフォルト形態としてセーブするように構成されている移動体電話装置を構成する装置。
【請求項６】
現在の位置がセーブされた位置内にある場合には、前記実行装置はさらに、
前の位置の変化範囲をセーブされた位置に設定し、
セーブされた位置に対応する形態を移動体電話装置に適用し、
デフォルト形態が前に設定されていない場合には、移動体電話装置の現在の形態をそのデフォルト位置に対応するデフォルト形態としてセーブするように構成されている請求項５記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合イメージを圧縮する方法であって、
複合イメージデータを複数のブロックになるように形成するステップと、
複数の前記ブロックの各々に対し複数のクラスからの１つを指定する分類データを、前記ブロックの優位な圧縮特性に基づいて取得するステップと、
複数の前記ブロックの各々に対し、該ブロックに対する前記分類データに基づいて選択された非可逆または可逆変換のいずれかから変換データを取得するステップと、
その変換データを１つのエントロピー符号器に送出するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記分類データを取得することは、そのブロックに関連するページ記述言語での情報に基づいて分類データを取得することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記分類データを取得するステップは、値が所定数より大きい絶対差分だけ異なる、走査線順での隣接するピクセルの数Ｃと、分類される前記ブロックにおけるピクセルの最小値と最大値との差Ｄと、少なくとも１つの閾値Ｔ１と、のパラメータに基づいて、前記ブロックを分類することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記変換データを取得するステップは、前記分類データに基づいて前記ブロックデータを前記可逆変換かまたは前記非可逆変換だけを通して送ることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記変換データを取得するステップは、前記ブロックデータを前記可逆変換と前記非可逆変換との両方を通して送ること、その後、前記分類データに基づいて前記変換データとしてこれらの変換のうちの１つから前記データを選択することと、を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
非可逆変換と前記可逆変換との間の変化を信号で知らせるために、特別なシンボルを前記エントロピー符号器のためのエントロピーテーブルに追加する請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記変換データを取得するステップは、前記変換のための前記分類データに基づいて、非可逆変換、第１の可逆変換または第２の可逆変換のうちの少なくとも１つから変換データを取得することを含み、
前記非可逆変換ブロックと前記第１の可逆変換ブロックと前記第２の可逆変換ブロックとの間の変化を信号で知らせるために、２つの特別なシンボルを前記エントロピー符号器のためのエントロピーテーブルに追加する請求項１記載の方法。
【請求項８】
複合イメージを圧縮するシステムであって、
複合イメージデータを複数のブロックになるように形成するブロック形成器と、
複数の前記ブロックの各々に対し複数のクラスからの１つを指定する分類データを、前記ブロックの優位な圧縮特性に基づいて取得する第１のコンポーネントと、
複数の前記ブロックの各々に対し、該ブロックの前記分類データに基づいて選択された非可逆または可逆変換のいずれかから変換データを取得する第２のコンポーネントと、
前記変換データを受取る単一エントロピー符号器と、
を具備するシステム。
【請求項９】
前記第１のコンポーネントは、前記ブロックの前記優位な圧縮特性に基づいて前記ブロックを分類する分類器を備える、請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
前記第２のコンポーネントは、前記ブロックを処理するために、少なくとも１つの非可逆変換コンポーネントと、第１の可逆変換コンポーネントと、第２の可逆変換コンポーネントと、を備える、請求項８記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のκ値を有し光信号を導く第１ファイバと、
1550nm波長で約100nm以上の第２のκ値を有し光信号を導く第１ファイバと、
1550nm波長で約60nm以上の第３のκ値を有し光信号を導くκ補償ファイバと、を含む光信号伝送線であって、
前記第１ファイバ、前記第２ファイバ及び前記κ補償ファイバが光接続されて全分散及び全分散スロープを有する前記光伝送線を画定し、前記第１のκ値、前記第２のκ値及び前記第３のκ値は、前記伝送線の前記全分散が1550nm波長で約-2.0ps/km-nm以上約2.0ps/km-nm以下の範囲内、前記伝送線の前記全分散スロープが1550nm波長で約-0.02ps/nm2-km
以上約0.02ps/nm2-km以下の範囲内であるようになされていることを特徴とする光信号伝
送線。
【請求項２】
前記第１ファイバの前記第１のκ値は1550nm波長で約60nm以下であることを特徴とする請求項１記載の光信号伝送線。
【請求項３】
前記第２ファイバの前記第２のκ値は1550nm波長で約200nm以上であることを特徴とす
る請求項２記載の光信号伝送線。
【請求項４】
前記κ補償ファイバの前記第３のκ値は1550nm波長で約70nm以上であることを特徴とする請求項３記載の光信号伝送線。
【請求項５】
前記第２ファイバの前記第２のκ値は1550nm波長で約300nm以上であることを特徴とす
る請求項４記載の光信号伝送線。
【請求項６】
前記κファイバの前記第３のκ値は1550nm波長で約75nmであることを特徴とする請求項５記載の光信号伝送線。
【請求項７】
前記第１ファイバは約50μm2以上の実効断面積を有することを特徴とする請求項４記載の光信号伝送線。
【請求項８】
前記第１ファイバは約60μm2以上の実効断面積を有することを特徴とする請求項７記載の光信号伝送線。
【請求項９】
前記第１ファイバが約65μm2以上の実効断面積を有することを特徴とする請求項８記載の光信号伝送線。
【請求項１０】
前記第１ファイバは正の分散を有することを特徴とする請求項７記載の光信号伝送線。
【請求項１１】
前記第２ファイバは負の分散を有することを特徴とする請求項10記載の光信号伝送線。
【請求項１２】
前記κ補償ファイバは正の分散を有することを特徴とする請求項11記載の光信号伝送線。
【請求項１３】
前記伝送線は全長を画定し、前記第１ファイバは前記全長の約72%から約82%の範囲内の長さを有することを特徴とする請求項12記載の光信号伝送システム。
【請求項１４】
前記第２ファイバは前記全長の約４%から約７%の範囲内の長さを有することを特徴とする請求項13記載の光信号伝送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナンスを生成する数ジェネレータと、
データ・バスを介して暗号化されたデータを送る前に、暗号化バス鍵を使用して、鍵配信データ・ブロックを含む記憶媒体からアクセスされるデータを暗号化する暗号化サブシステムとを有し、前記暗号化バス鍵が、［１］鍵配信データ・ブロックの一部、［２］前記暗号化サブシステムに割り当てられたデバイス鍵、および［３］数ジェネレータによって生成されたナンスに基づいて導出されるシステム。
【請求項２】
記憶デバイスが、記憶媒体から鍵配信データ・ブロックを読み取ること、
前記記憶デバイスが、媒体鍵を計算するために、少なくとも１つのデバイス鍵を使用して前記鍵配信データ・ブロックの少なくとも一部を処理すること、
前記記憶デバイスが、数ジェネレータによって生成されたナンスを取り出すこと、
前記記憶デバイスが、バス鍵を生成するために、１方向関数を使用して前記ナンスを前記媒体鍵と組み合わせること、
前記記憶デバイスが、記憶デバイスによって生成されたバス鍵を使用して記憶媒体から読み取られたデータを暗号化すること、
前記記憶デバイスが、暗号化されたデータをデータ・バスを介してホスト・デバイスに送ること
を含む方法。
【請求項３】
データおよび鍵配信データ・ブロックを含む記憶媒体にアクセスするとともに、処理ロジック、１方向関数、および暗号化ロジックを含む記憶デバイスであって、前記処理ロジックが媒体鍵を計算するために、前記記憶デバイスに割り当てられたデバイス鍵を使用して前記鍵配信データ・ブロックの一部を処理し、前記１方向関数がバス鍵を作るために前記媒体鍵を数ジェネレータによって生成されたナンスと組み合わせ、前記暗号化論理が暗号化されたデータをデータ・バスを介してホスト・デバイスに送る前に前記バス鍵を使用して記憶デバイスからアクセスされた前記データを暗号化する記憶デバイス。
を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも二つの突き合わされたリング状または円環状のディスク形シート状金属層(12)を有する電動機の組立部品であって、
前記シート状金属層(12)をそれぞれ多数のリング状または円環状のディスク形シート状金属セグメント(10)で形成し、
これらセグメントを中心軸線(M)周りに同心状に配置し、
二つのセグメントを連結ジョイント(14)の形成に基づいて互いに突き合わせると共に、
前記セグメントは半径方向に所定の最小断面積(A)を有するものとし、
突き合わせたシート状金属層(12)のシート状金属セグメント(10)を円周方向に互いに部分的に重ね合わせ、
突き合わせたシート状金属層(12)のシート状金属セグメント(10)を円周領域に沿って分布させた溶接部(20)によって連結し、
一つのシート状金属層(12)の二つのシート状金属セグメント(10)の連結ジョイント(14)間の溶接部(20)の数および、隣接するシート状金属層(12)の二つのシート状金属セグメント(10)の隣接する連結ジョイント(14'')間の溶接部(20)の数を、これら溶接部(20)の有効面積の総和が、前記シート状金属セグメント(10)の前記所定の最小断面積(A)に少なくともほぼ等しくなるように計算して求めることを特徴とする組立部品。
【請求項２】
請求項１記載の組立部品において、
前記円形のリング状または円形のシート状金属セグメント(10)の連結ジョイント(14)を基本的に半径方向に方向付けた電動機の組立部品。
【請求項３】
請求項１記載の組立部品において、
前記溶接部(20)を前記シート状金属セグメント(10)の外側および内側円周領域(16,18)に配置する電動機の組立部品。
【請求項４】
請求項１記載の組立部品において、
前記溶接部(20)の幾つかを前記シート状金属セグメント(10)の外側円周領域(18)に配置し、幾つかを内側円周領域(16)に配置する電動機の組立部品。
【請求項５】
請求項１記載の組立部品において、
前記溶接部(20)を基本的に円形または楕円形の形状とする電動機の組立部品。