【手続補正書】
【提出日】平成16年7月5日(2004.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス素子が処理されるプロセス領域と、
前記プロセス領域と接して前記プロセス領域との間で前記マイクロエレクトロニクス素子を移送し合う移送領域と、
前記移送領域から前記プロセス領域へのパーチクルの流動が減少するように前記プロセス領域の空気圧を前記移送領域の空気圧よりも高く維持する空気調節手段と、
を備えることを特徴とするマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項２】
前記プロセス領域および移送領域はクリーンルーム内にあることを特徴とする請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項３】
前記空気調節手段は、
前記プロセス領域および前記移送領域に空気を供給する空気供給装置と、
前記移送領域から空気を排出する空気排出装置と、
を有することを特徴とする請求項１に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項４】
前記プロセス領域にのみ空気を供給する別途の空気供給装置をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項５】
前記空気供給装置は、前記プロセス領域の空気圧が前記移送領域の空気圧より高く維持されるように前記プロセス領域および前記移送領域への空気の供給量を調節して供給することを特徴とする請求項３または４に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項６】
前記空気排出装置は強制的な排出装置であることを特徴とする請求項３に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項７】
前記クリーンルームから前記プロセス領域へのパーチクルの流動が減少するように前記プロセス領域の空気圧を前記プロセス領域外部の前記クリーンルームの空気圧より高く維持する手段をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項８】
前記クリーンルームから前記移送領域へのパーチクルの流動が減少するように前記移送領域の空気圧を前記プロセス領域外部の前記クリーンルームの空気圧より高く維持する手段をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項９】
サービス領域と、
前記サービス領域に連結される作業領域と、
前記作業領域とマイクロエレクトロニクス素子を移送し合う移送領域と、
前記移送領域と連結され、マイクロエレクトロニクス素子が処理されるプロセス領域と、
前記移送領域から前記プロセス領域へのパーチクルの流動が減少するように前記移送領域の空気圧と比較して前記プロセス領域の空気圧を高く維持する空気調節手段と、
を備えることを特徴とするマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項１０】
前記移送領域および前記プロセス領域は前記サービス領域内にあることを特徴とする請求項９に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項１１】
前記空気調節手段は、
前記プロセス領域および前記移送領域に空気を供給する空気供給装置と、
前記移送領域から空気を排出する空気排出装置と、
を有することを特徴とする請求項９に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項１２】
前記プロセス領域にのみ空気を供給する別途の空気供給装置をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項１３】
前記作業領域から前記移送領域へのパーチクルの流動が減少するように前記移送領域の空気圧を前記作業領域の空気圧より高く維持する手段をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項１４】
前記サービス領域から前記プロセス領域へのパーチクルの流動が減少するように前記プロセス領域の空気圧を前記サービス領域の空気圧より高く維持する手段をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項１５】
前記作業領域の空気圧を前記サービス領域の空気圧より高く維持する手段をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項１６】
前記空気排出装置は強制排出装置であることを特徴とする請求項１１に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項１７】
前記空気排出装置は、前記移送領域内の空気を前記作業領域内に強制排出することを特徴とする請求項１６に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項１８】
前記作業領域および前記サービス領域の上側に連結される上部プレナムと、
前記作業領域および前記サービス領域の下側に連結され、前記上部プレナムからの空気が前記作業領域およびサービス領域を経て流入する下部プレナムと、
前記サービス領域の空気圧と比較して前記作業領域の空気圧を高く維持し、前記サービス領域における前記上部プレナムから前記下部プレナムへの空気流動と比較して、前記作業領域における前記上部プレナムから前記下部プレナムへの空気流動量がさらに多くなるように誘導する手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項１９】
前記移送領域から前記下部プレナムに空気を直接排出するための経路をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項２０】
上部プレナムと下部プレナム間に設けられる作業領域およびサービス領域と、
前記作業領域からウェーハを移送されるウェーハ移送領域と、
前記ウェーハに対する露光工程が行われ、ウェーハ移送領域に連結されるウェーハステージ領域と、
前記ウェーハステージ領域における露光工程に適用されるレチクルを提供し、前記ウェーハ移送領域および前記ウェーハステージ領域に接するレチクルステージ領域と、
前記ウェーハ移送領域から前記ウェーハステージ領域へのパーチクルの流動が減少するように前記ウェーハ移送領域の空気圧と比較して前記ウェーハステージ領域の空気圧を高く維持する空気調節手段と、
を備えることを特徴とするマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項２１】
前記移送領域、前記ウェーハステージ領域および前記レチクルステージ領域は前記サービス領域内にあることを特徴とする請求項２０に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項２２】
前記空気調節手段は、
前記ウェーハステージ領域、前記レチクルステージ領域および前記ウェーハ移送領域に空気を供給する空気供給装置と、
前記ウェーハ移送領域から空気を排出する空気排出装置と、
を有することを特徴とする請求項２０に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項２３】
前記ウェーハプロセス領域にのみ空気を供給する別途の空気供給装置をさらに備えることを特徴とする請求項２０に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項２４】
前記作業領域から前記ウェーハ移送領域へのパーチクルの流動が減少するように前記ウェーハ移送領域の空気圧を前記作業領域の空気圧より高く維持する手段をさらに備えることを特徴とする請求項２０に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項２５】
前記空気排出装置は、前記移送領域内の空気を前記作業領域内に強制排出することを特徴とする請求項２２に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項２６】
前記ウェーハ移送領域から前記下部プレナムに空気を直接排出するための経路をさらに備えることを特徴とする請求項２２に記載のマイクロエレクトロニクス製造システム。
【請求項２７】
クリーンルーム内のマイクロエレクトロニクス素子がプロセスされるプロセス領域、前記プロセス領域と接して前記プロセス領域との間で前記マイクロエレクトロニクス素子を移送し合う前記クリーンルーム内の移送領域、および前記プロセス領域および前記移送領域内の空気圧を調節する空気調節手段を備えるマイクロエレクトロニクス製造システムにおけるマイクロエレクトロニクス素子の製造方法において、
前記空気調節手段を使用して前記移送領域の空気圧と比較して前記プロセス領域の空気圧を高く維持する段階と、
前記移送領域と比較して空気圧が高く維持された前記プロセス領域内で前記マイクロエレクトロニクス素子に対するプロセスを進める段階と、
を含むことを特徴とするマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項２８】
前記空気調節手段は、前記プロセス領域および前記移送領域に空気を差別して供給するための空気供給装置を有することを特徴とする請求項２７に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項２９】
前記プロセス領域にのみ空気を供給するための別途の空気供給装置をさらに備えることを特徴とする請求項２８に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項３０】
前記空気調節手段は、前記プロセス領域および前記移送領域から空気を差別して排出するための空気排出装置を有することを特徴とする請求項２７に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項３１】
前記クリーンルームから前記プロセス領域へのパーチクルの流動が減少するように前記プロセス領域の空気圧を前記プロセス領域外側のクリーンルームの空気圧より高く維持する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項３２】
前記クリーンルームから前記移送領域へのパーチクルの流動が減少するように前記移送領域の空気圧を前記移送領域外側のクリーンルームの空気圧より高く維持する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項３３】
上部プレナムと下部プレナム間に設けられるサービス領域および作業領域と、前記作業領域とマイクロエレクトロニクス素子を移送し合う移送領域と、前記移送領域と連結され、マイクロエレクトロニクス素子が処理されるプロセス領域と、移送領域および前記プロセス領域内の空気圧を調節する空気調節手段と、を備えるマイクロエレクトロニクス製造システムにおけるマイクロエレクトロニクス素子の製造方法において、
前記空気調節手段を使用して前記移送領域の空気圧と比較して前記プロセス領域の空気圧を高く維持する段階と、
前記移送領域と比較して空気圧が高く維持された前記プロセス領域内で前記マイクロエレクトロニクス素子に対するプロセスを進める段階と、
を含むことを特徴とするマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項３４】
前記移送領域および前記プロセス領域は前記サービス領域内にあることを特徴とする請求項３３に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項３５】
前記空気調節手段は、前記プロセス領域および前記移送領域に空気を差別して供給するための空気供給装置を有することを特徴とする請求項３３に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項３６】
前記プロセス領域にのみ空気を供給する別途の空気供給装置をさらに備えることを特徴とする請求項３５に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項３７】
前記空気調節手段は、前記プロセス領域および前記移送領域から空気を差別して排出するための空気排出装置を有することを特徴とする請求項３３に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項３８】
前記空気排出装置は、前記移送領域から空気を前記作業領域に強制排出する装置を有することを特徴とする請求項３７に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項３９】
前記空気排出装置は、前記移送領域から空気を前記下部プレナムに直接排出するための経路を有することを特徴とする請求項３７に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項４０】
前記作業領域から前記移送領域へのパーチクルの流動が減少するように前記移送領域の空気圧を前記作業領域の空気圧より高く維持する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項４１】
前記サービス領域から前記プロセス領域へのパーチクルの流動が減少するように前記プロセス領域の空気圧を前記サービス領域の空気圧より高く維持する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項４２】
前記作業領域の空気圧を前記サービス領域の空気圧より高く維持する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項４３】
前記サービス領域の空気圧と比較して前記作業領域の空気圧を高く維持しつつ、前記サービス領域における前記上部プレナムから前記下部プレナムへの空気流動と比較して、前記作業領域における前記上部プレナムから前記下部プレナムへの空気流動量がさらに多くなるように誘導する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項４４】
上部プレナムと下部プレナム間に設けられる作業領域およびサービス領域、前記作業領域からウェーハを移送されるウェーハ移送領域、前記ウェーハに対する露光工程が行われ、ウェーハ移送領域に連結されるウェーハステージ領域、前記ウェーハステージ領域における露光工程に適用されるレチクルを提供し、前記ウェーハ移送領域および前記ウェーハステージ領域に接するレチクルステージ領域、前記ウェーハ移送領域および前記ウェーハステージ領域の空気圧を調節可能な空気調節手段を備えるマイクロエレクトロニクス製造システムにおけるマイクロエレクトロニクス素子の製造方法において、
前記空気調節手段を使用して前記ウェーハ移送領域の空気圧と比較して前記ウェーハプロセス領域の空気圧を高く維持する段階と、
前記ウェーハ移送領域と比較して空気圧が高く維持された前記ウェーハプロセス領域内で前記マイクロエレクトロニクス素子に対するプロセスを進める段階と、
を含むマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項４５】
前記移送領域、前記ウェーハステージ領域および前記レチクルステージ領域は前記サービス領域内にあることを特徴とする請求項４４に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項４６】
前記空気調節手段は、前記ウェーハプロセス領域および前記ウェーハ移送領域に空気を差別して供給するための空気供給装置を有することを特徴とする請求項４４に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項４７】
前記空気調節手段は、前記ウェーハプロセス領域および前記ウェーハ移送領域から空気を差別して排出するための空気排出装置を有することを特徴とする請求項４４に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項４８】
前記空気排出装置は、前記ウェーハ移送領域から空気を前記作業領域に強制排出可能な装置を有することを特徴とする請求項４４に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項４９】
前記空気排出装置は、前記ウェーハ移送領域から空気を前記下部プレナムに直接排出するための経路を有することを特徴とする請求項４４に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項５０】
前記作業領域から前記ウェーハ移送領域へのパーチクルの流動が減少するように前記ウェーハ移送領域の空気圧を前記作業領域の空気圧より高く維持する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４４に記載のマイクロエレクトロニクス素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マイクロエレクトロニクス素子製造システムおよびマイクロエレクトロニクス素子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマイクロエレクトロニクス素子製造システムおよびマイクロエレクトロニクス素子の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的はこのような要求に従うマイクロエレクトロニクス素子製造システムおよびマイクロエレクトロニクス素子の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の目的は、マイクロエレクトロニクス装置の汚染を減らしうるマイクロエレクトロニクス素子製造システムおよびマイクロエレクトロニクス素子の製造方法を提供することにある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の目的は、マイクロエレクトロニクス素子の収率を向上させうるマイクロエレクトロニクス素子製造システムおよびマイクロエレクトロニクス素子の製造方法を提供することにある。