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【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されるデジタル信号のデジタル値に応じたパルス幅のパルス幅変調信号を出力するパルス幅変調信号出力回路と、
入力デジタル信号から、少なくとも前記パルス幅変調信号出力回路で発生する歪成分に対応する補正成分を生成する補正成分生成回路と、
前記パルス幅変調信号出力回路の前段側に設けられ、前記補正成分生成回路で生成された前記補正成分を、前記入力デジタル信号から減算する減算回路と、
前記入力デジタル信号の位相特性を、前記パルス幅変調信号出力回路において前記歪成分と前記補正成分との位相差が逆相となるように補正する位相補正回路と、
を備えるＤ／Ａ変換器。
【請求項２】
請求項１に記載のＤ／Ａ変換器において、
前記パルス幅変調信号出力回路の前段側に設けられ、前記入力デジタル信号のビット数よりも少ないビット数のデジタル信号を出力する回路を備える
ことを特徴とするＤ／Ａ変換器。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のＤ／Ａ変換器において、
前記補正成分生成回路は、前記パルス幅変調信号出力回路で発生する、Ｄ／Ａ変換されて得られるべき再生信号の２次高調波歪を除去するためのものであって、
前記位相補正回路は、前記入力デジタル信号を、１サンプル分遅延させる遅延回路からなる
ことを特徴とするＤ／Ａ変換器。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載のＤ／Ａ変換器において、
前記補正成分生成回路は、前記パルス幅変調信号出力回路で発生する、複数の次数の高調波歪成分に対応する補正成分を生成する複数の高調波補正成分生成回路を備え、
前記位相補正回路は、前記パルス幅変調信号出力回路で発生する前記高調波歪成分と前記高調波補正成分生成回路の出力との位相差がそれぞれ逆相となるように補正する複数の高調波位相補正回路を備える
ことを特徴とするＤ／Ａ変換器。
【請求項５】
入力されるデジタル信号のデジタル値に応じたパルス幅のパルス幅変調信号を出力するパルス幅変調信号出力回路と、
前記パルス幅変調信号出力回路の出力側に設けられ、複数個のスイッチング素子を備えて構成される増幅回路と、
入力デジタル信号から、少なくとも、前記増幅回路において、前記パルス幅変調信号による前記複数個のスイッチング素子のスイッチングで発生する歪成分に対応する補正成分を生成する補正成分生成回路と、
前記パルス幅変調信号出力回路の前段側に設けられ、前記補正成分生成回路で生成された前記補正成分を、前記入力デジタル信号から減算する減算回路と、
前記入力デジタル信号の位相特性を、前記パルス幅変調信号出力回路において前記歪成分と前記補正成分との位相差が逆相となるように補正する位相補正回路と、
を備えることを特徴とするデジタル信号処理装置。
【請求項６】
入力されるデジタル信号のデジタル値に応じたパルス幅のパルス幅変調信号を出力するパルス幅変調信号出力回路で発生する歪成分に対応する補正成分を生成し、当該補正成分を前記パルス幅変調信号出力回路の前段において、入力デジタル信号から減算しておくと共に、
前記入力デジタル信号の位相特性を、前記パルス幅変調信号出力回路において前記歪成分と前記補正成分との位相差が逆相となるように補正しておく
ことを特徴とするデジタル信号処理方法。
【請求項７】
入力されるデジタル信号のデジタル値に応じたパルス幅のパルス幅変調信号によって、出力増幅回路を構成する複数個のスイッチング素子を駆動するデジタル信号処理方法において、
入力デジタル信号から、少なくとも、前記増幅回路において、前記パルス幅変調信号による前記複数個のスイッチング素子のスイッチングで発生する歪成分に対応する補正成分を生成し、当該補正成分を前記信号処理回路の前段において、入力デジタル信号から減算しておくと共に、
前記入力デジタル信号の位相特性を、前記パルス幅変調信号出力回路において前記歪成分と前記補正成分との位相差が逆相となるように補正しておく
ことを特徴とするデジタル信号処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
したがって、前記（２）式および前記（３）式から、Ｐ２の位相特性をもつ２次歪成分と、Ｐ３の位相特性をもつ補正成分との位相差は、規格化周波数ｆによらず、Ｐ２−Ｐ３＝πとなる。このため、上述の図１、図２の実施の形態による方式２よれば、ＰＷＭ回路５において、２次歪は完全にキャンセルされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003133959.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質問器の結合回路をＩＣタグの並列共振回路からなる結合回路と結合し、前記質問器からマイクロ波信号をＩＣタグに送出し、その応答信号を受信してＩＣタグを識別する移動体識別装置において、
前記質問器の結合回路は、結合線路と、前記結合線路の先端に形成されるλｇ／４インピーダンス変成器と、前記λｇ／４インピーダンス変成器の先端に形成される並列共振回路からなる結合器共振部とにより構成され、前記ＩＣタグに対して所定の距離に近付いたときに前記ＩＣタグの結合回路に電磁誘導結合してマイクロ波信号の送受信を可能としたことを特徴とする移動体識別装置。
【請求項２】
前記質問器の結合回路の結合線路及びλｇ／４インピーダンス変成器をマイクロストリップラインを用いて構成したことを特徴とする請求項１記載の移動体識別装置。
【請求項３】
前記質問器の結合回路の結合線路及びλｇ／４インピーダンス変成器を同軸線路を用いて構成したことを特徴とする請求項１記載の移動体識別装置。
【請求項４】
前記結合器共振部は、先端部に凹部が形成された円筒状誘電体と、前記円筒状誘電体の外周に巻回されるコイルと、前記コイルに並列に接続されて並列共振回路を構成するコンデンサとを備え、前記凹部の近傍あるいは凹部内にＩＣタグが挿入されたときに該ＩＣタグの結合回路と電磁誘導結合することを特徴とする請求項１、２、又は３記載の移動体識別装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、質問器の結合回路をＩＣタグの並列共振回路からなる結合回路と結合し、前記質問器からマイクロ波信号をＩＣタグに送出し、その応答信号を受信してＩＣタグを識別する移動体識別装置において、
前記質問器の結合回路は、結合線路と、前記結合線路の先端に形成されるλｇ／４インピーダンス変成器と、前記λｇ／４インピーダンス変成器の先端に形成される並列共振回路からなる結合器共振部とにより構成され、前記ＩＣタグに対して所定の距離に近付いたときに前記ＩＣタグの結合回路に電磁誘導結合してマイクロ波信号の送受信を可能としたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記のように質問器の結合回路及び応答器の結合回路を並列共振回路にて構成し、両者を近付けた場合に電磁誘導結合するように構成したことにより、ＩＣタグの面積が使用するマイクロ波の波長に比較して十分に小さく、例えば約１／１０λ以下でアンテナの放射電磁界による十分な結合ができない場合であっても、質問器とＩＣタグとの間を電磁誘導結合によって確実に結合でき、ＩＣタグのＩＤ等を読み取って移動体を識別することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月13日(2004.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記出力駆動回路は、
前記第２の電源電圧を動作電源電圧として受け、前記第２のラッチ回路の出力信号をバッファ処理するバッファ回路と、
前記バッファ回路の出力信号に従って選択的に導通し、導通時、前記主出力ノードを前期第２の電源電圧と極性の異なる電圧レベルに駆動する第２の出力トランジスタとを備える、請求項２記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
好ましくは、この出力駆動回路は、第２の電源電圧を動作電源電圧として受け、第２のラッチ回路の出力信号をバッファ処理するバッファ回路と、このバッファ回路の出力信号に従って選択的に導通し、導通時、主出力ノードを第２の電源電圧と極性の異なる電圧レベルに駆動する第２の出力トランジスタとを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
また、出力駆動回路として、第２のラッチ回路の出力信号をバッファ処理する回路と、このバッファ回路の出力信号に従って主出力ノードを駆動する第２の出力トランジスタとで構成することにより、簡易な回路構成で、第１の電源電圧供給遮断時に、確実に主出力ノードを出力ハイインピーダンス状態に設定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号、特に周波数が変調された信号、を復調するための回路配列であって、変調された信号が入力に加えられるリミッタに、出力から復調信号を取り出すことができる復調器が続けられている回路配列であり、
前記復調器と前記リミッタとの出力が、出力が低域フィルタを介して前記リミッタの入力に接続されているミキサの、それぞれの入力に接続されていることを特徴とする回路配列。
【請求項２】
前記リミッタからの前記出力が、遅延装置を介して前記ミキサの１つの入力に接続されていることを特徴とする請求項１記載の回路配列。
【請求項３】
前記低域フィルタの限界周波数が、復調される信号の周波数帯域よりも下にあることを特徴とする請求項１または請求項２記載の回路配列。
【請求項４】
復調される信号が、帯域通過型フィルタを介して適合されうる中間周波数信号であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回路配列。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の受信装置では、短絡検出手段により、周波数変換装置に電源電圧を供給する電源供給線が短絡しているかどうかの検出を行い、電源供給線が短絡している時は、電源供給制御手段の制御により、電源供給手段から周波数変換装置に対して電源電圧の供給を行わないようにしているため、電源供給線の短絡に伴う受信装置の故障を防止することができる。
また、ユーザが受信装置を設置する際、電源供給線が短絡していないかどうか検査したり、或いは業者に頼んで検査して貰うなどの煩わしい作業が不要になる。また業者に頼んだ際にかかる検査費用などを削減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられているゲート部を備え、
前記ゲート部は、絶縁膜、前記絶縁膜の上に形成された強誘電体膜、および前記強誘電体膜の上に形成された導体からなるゲート電極を備え、
前記絶縁膜が、Ｇｄ酸化物、Ｇｄ窒化物、およびＧｄケイ酸化物のうち少なくとも１種類を主成分とする、不揮発性半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁膜が、Ｇｄ窒化物およびＧｄケイ酸化物のうち少なくとも１種類を主成分とする、請求項１に記載の不揮発性半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁膜と前記強誘電体膜とが面接触しており、
前記強誘電体膜と前記ゲート電極とが面接触している、
請求項１に記載の不揮発性半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁膜と前記強誘電体膜とが面接触しており、
前記強誘電体膜と前記ゲート電極とが面接触している、
請求項２に記載の不揮発性半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁膜と前記強誘電体膜との間に浮遊電極が挟まれている、請求項１に記載の不揮発性半導体装置。
【請求項６】
前記強誘電体膜と前記ゲート電極との間に第２絶縁膜が挟まれている、請求項５に記載の不揮発性半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
通常、Ｓｉ基板上に直接に強誘電体層を形成すると元素の拡散などの問題が生じる。そこで、拡散抑止層を兼ねたゲート絶縁膜（Insulator)をＳｉ基板と強誘電体層との間に介在させたＭＦＩＳ構造や、ＭＦＩＳ構造における強誘電体層とゲート絶縁膜との間に浮遊電極を介在させたＭＦＭＩＳ構造を取ることが多い。その他、本願に関連する先行文献として、以下の文献を挙げることができる。
特開平７−０９４６８１号公報
特開平９−２１３８１８号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、ソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられているゲート部を備え、ゲート部（１０）は、絶縁膜、前記絶縁膜の上に形成された強誘電体膜、および前記強誘電体膜の上に形成された導体からなるゲート電極を備え、
前記絶縁膜が、Ｇｄ酸化物、Ｇｄ窒化物、およびＧｄケイ酸化物のうち少なくとも１種類を主成分とする、不揮発性半導体装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記絶縁膜が、Ｇｄ窒化物およびＧｄケイ酸化物のうち少なくとも１種類を主成分とすることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記絶縁膜と前記強誘電体膜とが面接触しており、前記強誘電体膜と前記ゲート電極とが面接触していることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記絶縁膜と前記強誘電体膜とが面接触しており、前記強誘電体膜と前記ゲート電極とが面接触していることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記絶縁膜と前記強誘電体膜との間に浮遊電極が挟まれていることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記強誘電体膜と前記ゲート電極との間に第２絶縁膜が挟まれていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月27日(2005.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め定められた基板上に形成された第１の半導体装置と；
該第１の半導体装置の上に形成されたパッシベーション層と；
該パッシベーション層の上に形成された監視装置と；
を含む集積化装置。
【請求項２】
前記第１の半導体装置は能動装置である、請求項１に記載の集積化装置。
【請求項３】
前記予め定められた基板はＧａＡｓ基板である、請求項１に記載の集積化装置。
【請求項４】
前記予め定められた基板はＩｎＰ基板である、請求項１に記載の集積化装置。
【請求項５】
前記能動装置は増幅器である、請求項２に記載の集積化装置。
【請求項６】
前記第１の半導体装置は発光装置である、請求項１に記載の集積化装置。
【請求項７】
前記発光装置はレーザーである、請求項６に記載の集積化装置。
【請求項８】
前記レーザーは垂直共振器形面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）である、請求項７に記載の集積化装置。
【請求項９】
前記監視装置は光送信装置である、請求項１に記載の集積化装置。
【請求項１０】
前記監視装置は光受信装置である、請求項１に記載の集積化装置。
【請求項１１】
前記光送信装置はホトダイオードである、請求項９に記載の集積化装置。
【請求項１２】
前記光受信装置は光検出器である、請求項１０に記載の集積化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ピッチに適合する貫通導体を有する支持基板と、
前記支持基板上方に形成されたキャパシタと、
前記支持体上方に形成され、前記貫通導体を、一部前記キャパシタを介して、上方に導出すると共に、分岐を有し、第２ピッチの配線を形成する配線層と、
前記配線層上方に配置され、第２ピッチに適合する端子を有し、前記第１ピッチよりも狭い前記配線層に前記端子を介して接続された複数の半導体素子と、を有する半導体装置。
【請求項２】
前記支持基板が、側壁に絶縁膜を形成した貫通孔を有するＳｉ基板であり、前記貫通導体が前記貫通孔を埋める金属導体である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記キャパシタが、電源配線間に接続されたデカップリングキャパシタであり、前記配線層が前記デカップリングキャパシタと前記半導体素子との間で分岐を有する請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記貫通導体が第１の信号配線を含み、
前記配線層が第１の信号配線を、ほぼ垂直に導出する第２の信号配線を含み、前記キャパシタが前記第２の信号配線を含む領域で欠所を有する電極を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
さらに、前記支持基板上に配置され、１０ｐｐｍ／℃以下の面内方向熱膨張率を有し、前記配線層、前記キャパシタを絶縁する絶縁層を有する請求項1〜４のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記キャパシタが、Ｂａ、Ｓｒ、Ｔｉの内少なくとも一つを含む酸化物層のキャパシタ誘電体層と、前記キャパシタ誘電体層を挟んで配置され、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄまたはこれらの酸化物を少なくとも一部に含む１対のキャパシタ電極とを有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
さらに、第１ピッチの配線を有し、前記貫通導体の下面に接続された回路基板を有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２ピッチは、前記第１ピッチより狭い請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
（ａ）支持基板に第１のピッチで貫通孔を形成する工程と、
（ｂ）前記貫通孔側壁に絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁膜を形成した貫通孔内に貫通導体を充填する工程と、
（ｄ）前記支持基板上に前記貫通導体の少なくとも一部に接続されたキャパシタと前記貫通導体または前記キャパシタに接続され、前記第１ピッチよりも狭い第２のピッチを有する配線を形成する工程と、
（ｅ）前記配線上に、前記第２のピッチに適合する端子を有する複数の半導体素子を接続する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記支持基板がＳｉ基板であり、
前記工程（ａ）が、Ｓｉ基板両面を熱酸化して酸化シリコン膜を形成し、一方の酸化シリコン膜からシリコン基板を貫通し、他方の酸化シリコン膜に達する貫通孔を形成し、
前記工程（ｂ）が貫通孔側壁を熱酸化し、
前記工程（ｃ）が、他方の酸化シリコン膜裏面上にシード層を形成し、貫通孔底面の酸化シリコン膜を除去してシード層を露出し、貫通孔内に前記シード層をシードとしてメッキ層を形成する、請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の１観点によれば、第１ピッチに適合する貫通導体を有する支持基板と、前記支持基板上方に形成されたキャパシタと、前記支持体上方に形成され、前記貫通導体を、一部前記キャパシタを介して、上方に導出すると共に、分岐を有し、前記第１ピッチよりも狭い第２ピッチの配線を形成する配線層と、前記配線層上方に配置され、第２ピッチに適合する端子を有し、前記配線層に前記端子を介して接続された複数の半導体素子と、を有する半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の他の観点によれば、（ａ）支持基板に第１のピッチで貫通孔を形成する工程と、（ｂ）前記貫通孔側壁に絶縁膜を形成する工程と、（ｃ）前記絶縁膜を形成した貫通孔内に貫通導体を充填する工程と、（ｄ）前記支持基板上に前記貫通導体の少なくとも一部に接続されたキャパシタと前記貫通導体または前記キャパシタに接続され、前記第１ピッチよりも狭い第２のピッチを有する配線を形成する工程と、（ｅ）前記配線上に、前記第２のピッチに適合する端子を有する複数の半導体素子を接続する工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図１１に示した構造は、図２６に示した従来のチャネルストップ構造に対応する構造である。Ｎ-形シリコン基板５０の上面内には、主接合を構成するＰ形不純物導入領域５２と、Ｎ+形不純物導入領域１５２に対応するＮ+形不純物導入領域５３とが形成されている。Ｐ形不純物導入領域５２とＮ+形不純物導入領域５３とは、互いに５０μｍの距離を離して形成されている。Ｎ+形不純物導入領域５３の不純物濃度は５Ｅ１３ｃｍ-3である。Ｎ-形シリコン基板５０の上面上には、Ｐ形不純物導入領域５２に接触する電極５４と、Ｎ+形不純物導入領域５３に接触する電極５５とが形成されており、両電極間にはシリコン酸化膜５１が形成されている。また、Ｎ-形シリコン基板５０の裏面には、電極５６が形成されている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図１４に示した構造は、本実施の形態１に係るチャネルストップ構造に対応する構造である。Ｎ+形不純物導入領域５３が形成されている部分のＮ-形シリコン基板５０の上面内に、図６に示したトレンチ５、シリコン酸化膜６、ポリシリコン膜７にそれぞれ対応する、トレンチ８０、シリコン酸化膜８１、ポリシリコン膜８２が形成されている。また、図１１に示した電極５５の代わりに、シリコン酸化膜５１上に延在してフィールドプレートを構成する電極６０が形成されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図１１〜１４に示した各構造について、Ｎ-形シリコン基板５０の表面の電荷量ＱSSを３段階（０，−１Ｅ１１，−１Ｅ１２）に変化させて、各状態での耐圧ＶＣＥＳをそれぞれ測定した。図１１〜１４には、シミュレーションの結果も併せて示している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月14日(2005.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板をフレキシブルケーブルによって一連に接続した状態で相互に積層するとともに、各基板において少なくとも互いに対向する面にそれぞれ半導体チップを実装し、かつこれら半導体チップの相互間を接着保持させたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
最外層に配置した基板に、マザー基板に実装するための外部接続端子を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記外部接続端子は、前記基板から外部に延在するリードであることを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記外部接続端子は、前記マザー基板に設けたソケットに着脱可能に装着されるコネクタピンであることを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記外部接続端子は、前記マザー基板に対して表面実装するためのバンプであることを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記バンプを設けた基板に、該バンプに生じるひずみを緩和するためのダミー部材を設けたことを特徴とする請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記複数の基板をマザー基板に立設する態様で実装するための外部接続端子を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
互いに離隔した位置に配置される基板の端部にそれぞれ前記外部接続端子を設けたことを特徴とする請求項７に記載の半導体モジュール。
【請求項９】
前記外部接続端子は、前記基板から外部に延在するリードであることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
前記外部接続端子は、前記マザー基板に設けたコネクタに着脱可能に装着されるコネクタ端子であることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体モジュール。
【請求項１１】
前記コネクタ端子を設けた基板の端部を、他の基板の端部よりも突出させたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体モジュール。
【請求項１２】
前記半導体チップは外部リードによって前記基板に実装したものであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の半導体モジュール。
【請求項１３】
前記半導体チップは前記基板に表面実装したものであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の半導体モジュール。
【請求項１４】
前記半導体チップは前記基板にベアチップ実装したものであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の半導体モジュール。
【請求項１５】
複数の基板をフレキシブルケーブルによって一連に接続した状態で相互に積層するとともに、各基板にそれぞれ半導体チップを実装したことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項１６】
最外層に配置した基板に、マザー基板に実装するための外部接続端子を設けたことを特徴とする請求項１５に記載の半導体モジュール。
【請求項１７】
前記外部接続端子は、前記基板から外部に延在するリードであることを特徴とする請求項１６に記載の半導体モジュール。
【請求項１８】
前記外部接続端子は、前記マザー基板に設けたソケットに着脱可能に装着されるコネクタピンであることを特徴とする請求項１６に記載の半導体モジュール。
【請求項１９】
前記外部接続端子は、前記マザー基板に対して表面実装するためのバンプであることを特徴とする請求項１６に記載の半導体モジュール。
【請求項２０】
前記バンプを設けた基板に、該バンプに生じるひずみを緩和するためのダミー部材を設けたことを特徴とする請求項１９に記載の半導体モジュール。
【請求項２１】
前記複数の基板をマザー基板に立設する態様で実装するための外部接続端子を設けたことを特徴とする請求項１５に記載の半導体モジュール。
【請求項２２】
互いに離隔した位置に配置される基板の端部にそれぞれ前記外部接続端子を設けたことを特徴とする請求項２１に記載の半導体モジュール。
【請求項２３】
前記外部接続端子は、前記基板から外部に延在するリードであることを特徴とする請求項２１または２２に記載の半導体モジュール。
【請求項２４】
前記外部接続端子は、前記マザー基板に設けたコネクタに着脱可能に装着されるコネクタ端子であることを特徴とする請求項２１または２２に記載の半導体モジュール。
【請求項２５】
前記コネクタ端子を設けた基板の端部を、他の基板の端部よりも突出させたことを特徴とする請求項２４に記載の半導体モジュール。
【請求項２６】
前記半導体チップは外部リードによって前記基板に実装したものであることを特徴とする請求項１５〜２５のいずれか一つに記載の半導体モジュール。
【請求項２７】
前記半導体チップは前記基板に表面実装したものであることを特徴とする請求項１５〜２５のいずれか一つに記載の半導体モジュール。
【請求項２８】
前記半導体チップは前記基板にベアチップ実装したものであることを特徴とする請求項１５〜２５のいずれか一つに記載の半導体モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャーシに取付けられたトラックに滑動可能に受容されている構成要素を固定したり選択的に解放したりする装置であって、
前記構成要素に取付けられた第１の部材、および、前記構成要素から離して設けられて長手軸を規定する弾力性腕を有し、前記第１の部材と前記弾力性腕との接合点が支点を形成しているようなレールと、
前記弾力性腕に設置され、前記構成要素を前記シャーシに固定するよう前記シャーシに解放可能に係合することができる係合構造、と
前記レールの前記弾力性腕に取付けられ、前記弾力性腕の長手軸に実質的に垂直であるレバーであって、当該レバーに加えられる力が前記弾力性腕を前記シャーシから解放させ、前記構成要素を前記シャーシの外に移動させるように構成されているようなレバーと、を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】
構成要素に取付けられた一対の案内レールであって、シャーシに取付けられた一対のトラックに受容されているような一対の案内レールを備え、前記構成要素をシャーシに固定したり選択的にそれから解放したりする案内レールシステムにおいて、
前記一対の案内レールの一方の案内レールが、
前記構成要素に取付けられた第１の部材と、前記構成要素から離して設けられた弾力性腕部材と、前記弾力性腕部材のための支点となる、前記第１の部材と前記弾力性腕部材との接合点と、前記弾力性腕部材に取付けられたレバーと、を備えている片持ち梁型腕、及び
前記支点と前記レバーとの間で前記片持ち梁型腕の前記弾力性腕部材に取付けられている保持タブであって、前記レバーに加わる外向きの力が当該保持タブを前記一対のトラックの一方から解放して前記構成要素を前記シャーシの外に移動させるように、前記構成要素を前記シャーシに固定するため前記一対のトラックの一方に解放可能に係合し得る保持タブ、
を備えていることを特徴とする案内レールシステム。
【請求項３】
構成要素をシャーシから解放して取り外す方法であって、
前記構成要素に取付けられた第１の部材と、前記構成要素から離して設けられ、タブで終端する弾力性腕と、前記弾力性腕に取付けられている保持タブとを具備する片持ち梁型腕を、一方の案内レールが有するよう構成された一対の案内レールを対向する側面に有する前記構成要素を準備するステップ、
前記構成要素の前記一対の案内レールを受容するように構成された一対のトラックを有する前記シャーシを提供するステップ、および
前記シャーシから離れるように前記タブに外向き引っ張り力を加えるステップであって、前記弾力性腕を撓ませて係合構造を前記シャーシから解放し、前記構成要素を前記シャーシから少なくとも部分的に滑り出させるのに十分な当該外向き引っ張り力を加えるステップ、
を備えていることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層と、
前記発光層に電界を印加するための一対の電極と、
表面に凹部を有する基板と、
を含み、
前記発光層は、前記基板の凹部内に配置されている、発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記一対の電極のうちいずれか一方の電極は、少なくとも一部が前記凹部上に配置され、前記発光層で発生した光を反射する機能を有する、発光装置。
【請求項３】
エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層と、
前記発光層に電界を印加するための一対の電極と、
前記一対の電極の間に配置され、前記発光層内に通電領域を形成するためのゲート電極と、
表面に凹部を有する基板と、
を含み、
前記発光層は、前記基板の凹部内に配置されている、発光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記一対の電極は、ドレイン電極及びソース電極であって、
前記ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極は、いずれも前記発光層の上方に形成されている、発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記基板は、前記発光層内で発生した光を反射する機能を有する、発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記発光層内で発生した光を反射する機能を有する誘電体多層膜を含み、
前記誘電体多層膜は、前記基板の凹部上に配置される、発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
前記発光層は、光学レンズとして機能するように形成されている、発光装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、
前記発光層の上部に形成され、光学レンズとして機能するレンズ層を含む、発光装置。
【請求項９】
エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層と、
前記発光層に電界を印加するための一対の電極と、
基板と、
を含み、
前記発光層は、前記一対の電極に挟まれる状態で配置され、
前記一対の電極のうち少なくともいずれか一方の電極は、前記基板に対して凸面を有するように形成されている、発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記一対の電極のうちいずれか一方の電極は、前記発光層で発生した光を反射する機能を有する、発光装置。
【請求項１１】
請求項９または１０において、
前記凸面は、前記一対の電極のうちいずれか一方の電極の一部を凸形状とすることにより形成されている、発光装置。
【請求項１２】
請求項９または１０において、
前記凸面は、前記基板上に形成された凸形部材の上に前記一対の電極のうちいずれか一方の電極を配置することにより形成されている、発光装置。
【請求項１３】
請求項９または１０において、
前記凸面は、凸形状に形成された前記発光層の上に前記一対の電極のうちいずれか一方の電極を配置することにより形成されている、発光装置。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれかにおいて、
前記凸面が、前記発光層で発生した光を拡散する機能を有する、発光装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４に記載の発光装置を含む、電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の間に発光物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子の発光層に一般式（１）で表されるカルバゾール骨格を有する化合物と三重項発光材料を含むことを特徴とする発光素子。
【化１】
2003133075.tif 000001
（Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、あるいは隣接する置換基との間の環構造の中から選ばれる。但し、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは連結基Ｙであり、Ｙは単結合、アルキル鎖、アルキレン鎖、シクロアルキル鎖、アリール鎖、アミノ鎖、複素環鎖、シリル鎖、エーテル鎖、あるいはチオエーテル鎖のいずれかより単独または組み合わせたものより選ばれる。Ｒ９は水素、アルキル基、アリール基から選ばれる。ｎは２以上の自然数である。）
【請求項２】
Ｒ１〜Ｒ８がそれぞれ、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、複素環基、アミノ基、あるいは隣接する置換基との間の環構造であり、Ｙは単結合、アルキレン鎖、アリール鎖、アミノ鎖、あるいは複素環鎖のいずれかより単独または組み合わせたものより選ばれることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
カルバゾール骨格を有する化合物が下記一般式（２）であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【化２】
2003133075.tif 000002
（Ｒ１０〜Ｒ２３はそれぞれ、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、あるいは隣接する置換基との間の環構造の中から選ばれる。Ｒ２４およびＲ２５はそれぞれ、水素、アルキル基、アリール基から選ばれる。）
【請求項４】
三重項発光材料がイリジウム錯体または白金錯体であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、陽極と陰極の間に発光物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子の発光層に一般式（１）で表されるカルバゾール骨格を有する化合物と三重項発光材料を含むことを特徴とする発光素子である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月17日(2004.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
直流電源から供給される直流を交流に変換するインバータと、このインバータからの出力により点灯する放電灯の始動時に高電圧を印加するために、インバータと放電灯との間に設けられたイグナイタとを備え、インバータの交流極性切換直前に重畳電圧が付加されるようにインバータに電圧を供給する重畳電圧供給手段を設けたことを特徴とする放電灯点灯装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
以下、第１の従来例として、上述したような交流として矩形波を用いる放電灯点灯装置の従来例を説明する。
図４は、従来の放電灯点灯装置の構成を示す回路図であり、図５は、図４中のａ、ｃ、ｄ点での電圧波形及び放電灯に供給される電流波形を示す波形図であり、（イ）は直流電源からインバータに供給される電圧波形、（ロ）はインバータからイグナイタへのｃ点での交流波形、（ハ）はインバータからイグナイタへのｄ点での交流波形、（ニ）はイグナイタ経由で放電灯に供給される電流波形である。
これらの図において、１００は車両のバッテリーなどの直流電源であり、１０１は直流を交流矩形波に変換するインバータ、１０２は放電灯を始動点灯させるための電圧を発生するイグナイタ、１０３は始動点灯時はイグナイタ１０２より高電圧直流が供給され、絶縁破壊後は交流矩形波が供給される放電灯である。
ここで、直流電源１００とインバータ１０１との間（図４中ａ）においては、出力電圧Ｖ１である電圧Ｖａが発生し、インバータ１０１によって周期的に極性反転され、図４中ｃ点ではＶｃのような矩形波交流が発生し、図４中ｄ点ではＶｄに示すような矩形波交流が発生する。ここで、負荷である放電灯１０３を流れる電流ｉの極性反転時のゼロクロス時においての傾きはイグナイタ１０２のインダクタンス分等によって制限されるため、出力電圧にほぼ比例するような傾きを有することになり、すなわち、極性反転時のゼロポイントをクロスする際の電流の立上りの傾きが緩やかなものとなっていた。
なお、ゼロクロス点とは、図５中Ａで示すような、波形が０軸と交差する点を意味する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
次に、第２の従来例として、交流として正弦波を用いる放電灯点灯装置の従来例を説明する。
図６は、従来の放電灯点灯装置の構成を示す回路図であり、図７（イ）、（ロ）は、図６中のＳＷ１０８、ＳＷ１０９の切替タイミングを示すタイミングチャートであり、図７（ハ）はイグナイタ経由で放電灯に供給される電圧波形である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る放電灯点灯装置は、直流電源から供給される直流を交流に変換するインバータと、このインバータからの出力により点灯する放電灯の始動時に高電圧を印加するために、インバータと放電灯との間に設けられたイグナイタとを備え、インバータの交流極性切換直前に重畳電圧が付加されるようにインバータに電圧を供給する重畳電圧供給手段を設けたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、Ｖ（ｅ）がインバータ５によって極性反転されると、図１中ｃ点での電圧と図１中ｄ点での電圧は、各々図２（ニ）に示されるＶ（ｃ）及び図２（ホ）に示されるＶ（ｄ）となる。
この図２（ニ）及び図２（ホ）において示されるように、極性反転時（各々矢印Ｑ及び矢印Ｒで示す箇所を一例として示す）にはインバータ５の出力電圧はパルスが重畳されて上昇することとなる。
このことにより、図２（ヘ）に示される電流ｉのゼロクロス傾きを急峻に（大きく）することができる。さらに、ゼロクロス傾きを急峻にすることにより、ランプでの放電が安定して継続するため、電流の瞬断や再点弧が発生せず、したがって不要輻射ノイズを低減することができる。
さらに、点灯時の電流を定格電流より少なくすると、極性切替時にランプでの放電が不安定になり、立ち消えが発生しやすくなるが、この実施の形態１の構成により、定格電流よりも少ない電流での点灯であっても極性切替時のランプでの放電を安定させることができ、立ち消えの発生を抑制することができ、立ち消えの発生を抑制しつつ、低電力点灯、すなわちランプの減光を可能にするものである。
なお、この実施の形態１においては、パルスの重畳をランプの極性切替の直前から重畳するようにしているが、電流のゼロクロスの瞬間にランプへの印加電圧が高くなっていれば本来の目的は達せられるので、例えば、パルスの重畳タイミングは、インバータ５の駆動波形生成回路と同期をとるようにしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
実施の形態２．
上記実施の形態１においては、パルス電圧を重畳するための回路について説明したが、該回路を、ランプの始動時に印加される待機電圧を発生するためのバイアス電源として使用することが可能である。すなわち、直流電源２とスイッチ手段４を用いて、スイッチ手段４をランプの始動時にオンさせればよく、点灯開始後はパルス重畳用として上述の実施の形態１と同様の動作が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月31日(2004.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
半導体スイッチング素子１２３のオン・オフ駆動を制御するＰＷＭ信号は、図５に示すようにＰＷＭユニットの構成要素であるタイマーユニット１２８ｃ、比較ユニット１２８ｄにおいて、スイッチング周期はタイマーユニット１２８ｃのタイマ周期レジスタＴＭｘＰＲに周期値を設定し、オン・オフ比率は比較ユニット１２８ｄのＴｘＣＭＰＲレジスタにその比較値を設定することで生成される。具体的には図に示すようにＴＭｘＰＲにカウント値として０ｈ〜ＦＦＦＦｈを設定すると、それがＰＷＭ信号の１サイクルとして定義される。ここで、オン・オフ期間をどのレベルで設定するかは比較値であるＴｘＣＭＰＲに同様にカウント値として０ｈ〜ＦＦＦＦｈの間での値を設定することによってなされる。この図においては周期をＴＭｘＰＲ＝１０として設定し、比較値ＴｘＣＭＰＲ＝５とした場合にはデューティ５０％のＰＷＭ信号が生成され、周期ＴＭｘＰＲ＝９、比較値ＴｘＣＭＰＲ＝１１とした場合には全期間オフ期間として設定されることを示す。
（この図では簡単のためタイマ周期値は小さい値としてあるが、実際には最大電力時の最大オン幅を最大周期：ＦＦＦＦｈとなるよう設定する）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶をエピタキシャル成長させる際、ＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の導電型をｎ型に制御する第１３（３Ｂ）族元素からなる第１のドーパントと、Ｔｅ元素との結合エネルギーが、Ｚｎ元素とＴｅ元素との結合エネルギーと同等またはそれ以上である第２（２Ａ）族元素からなる第２のドーパントとを、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶中に同時にドーピングすることを特徴とするＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記第２のドーパントは、原子個数でＺｎ空孔の濃度以上（〜１０１８ｃｍ−３以上）、かつ、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶中の濃度が１ａｔ％以下となるようにドーピングされることを特徴とする請求項１に記載のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記第１３（３Ｂ）族元素はＡｌ、Ｇａ、Ｉｎのうちの少なくとも一つを含み、前記第２（２Ａ）族元素はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａのうち少なくとも一つ含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法。
【請求項４】
前記ＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶は、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＺｎＯＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＣｄＯＴｅ、ＣｄＺｎＯＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＺｎＳｅＴｅのいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れかに記載の製造方法により得られるｎ型ＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶であって、キャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上で、かつキャリア移動度が１３０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上であることを特徴とするＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶。
【請求項６】
抵抗が０．０５Ω・ｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
外部電源投入後、前記内部電源電位が所定の電位になるまで活性化信号を発生するパワーオン回路をさらに備え、
前記パワーオン回路は、少なくとも１つ備えられた前記第２の電圧降下回路の少なくとも１つに接続され、
前記パワーオン回路が接続された第２の電圧降下回路は、前記パワーオン回路から受ける前記活性化信号に応じて、前記外部電源ノードから前記内部電源ノードへ供給する電流量を増加させる、請求項６に記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
好ましくは、半導体記憶装置は、外部電源投入後、内部電源電位が所定の電位になるまで活性化信号を発生するパワーオン回路をさらに備え、パワーオン回路は、少なくとも１つ備えられた第２の電圧降下回路の少なくとも１つに接続され、パワーオン回路が接続された第２の電圧降下回路は、パワーオン回路から受ける活性化信号に応じて、外部電源ノードから内部電源ノードへ供給する電流量を増加させる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤボンダにおけるワイヤ挿通路の先端導出口から導出する銅線先端を加熱してボールを形成し、該ボールをＩＣチップ電極上に熱圧着する方法において、前記銅線がリン含有銅線であり、前記ボールの形成を開放型雰囲気制御構造内で行い、当該雰囲気制御構造内の雰囲気中の酸素含有量を０を超え２０％以下に制御することを特徴とする銅ボールの熱圧着方法。
【請求項２】
前記ボールを形成する雰囲気中の酸素含有量が１〜１５％であることを特徴とする請求項１記載の銅ボールの熱圧着方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者はここで鋭意検討の結果、ボールボンディング法により銅ボールの熱圧着を行う際、銅線としてリン含有銅線を用いて銅ボールを形成すると、ボール形成領域の雰囲気の酸素含有量が０を超え２０％以下であっても、又Ｈ2 ガスを含まなくても、銅ボールの圧着によるボール変形率及びＩＣチップ割れ抑制に対して優れた効果を有することを知見し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は下記を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）ワイヤボンダにおけるワイヤ挿通路の先端導出口から導出する銅線先端を加熱してボールを形成し、該ボールをＩＣチップ電極上に熱圧着する方法において、前記銅線がリン含有銅線であり、前記ボールの形成を開放型雰囲気制御構造内で行い、当該雰囲気制御構造内の雰囲気中の酸素含有量を０を超え２０％以下に制御することを特徴とする銅ボールの熱圧着方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ｂ．雰囲気調整装置
本発明の熱圧着方法に用いる雰囲気調整装置は完全密閉構造とすることができるが、前記例示のように上下が開放された簡素な構造のものでも良い。しかし可能な限り密閉構造に近づけることは流入する雰囲気ガスの量を節減出来て好ましい。一例として円筒状下部に電気トーチによるアーク放電に必要寸法の開放部を有する遮蔽板を取り付けたり、形成された銅ボールが通過出来る必要寸法の開放部を有する遮蔽板を円筒状上部に取り付けたりすることが有効である。ここで雰囲気調整用に用いる雰囲気ガスとしては、本発明の熱圧着方法では、Ｎ2 ガス、Ａｒガス、Ｈｅガスなどの不活性ガスが好ましく用いられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
(2) 雰囲気中のＯ2 含有量
銅ボールを形成する熱圧着方法においてリン含有銅線を用いて銅ボールを形成すると、ボールを形成する雰囲気中の酸素含有量を０を超え２０％以下としても（すなわち、大気中より酸素が少ないが酸素が含まれる雰囲気で）、圧着ボールの変形率は優れたものであり、この為銅ボールとＩＣチップ電極との接合性に優れていると共にＩＣチップ割れ防止に優れた効果を有するようになる。このように酸素含有量を０にすることが必須要件ではない為、ボール形成時に簡易な雰囲気制御装置を使用したり、高価な雰囲気ガスの使用量の削減を可能にする。前記酸素含有量が１〜１５％の時ＩＣチップ割れ防止に更に優れた効果を示す為好ましく用いられる。リン含有銅線を用いても大気中で銅ボールの形成を行うと銅ボールの変形率、ＩＣチップ割れの点で本発明の効果は得られない。この為本発明ではボールを形成する雰囲気中の酸素含有量を０を超え２０％以下とした。好ましくは１〜２０％であり、更に好ましくは１〜１５％である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（９）以上のことから簡易な雰囲気装置を用いて、流入するＮ2 ガス流量を抑制しても、雰囲気中の酸素含有量を０を超え２０％以下とし、更に銅線としてリン含有銅線を用いることにより本発明の課題を達成出来ることが判る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、酸素濃度が０を超え２０％以下であっても、すなわち、簡易な雰囲気制御装置を用いても、又高価な雰囲気ガスの使用量を削減しても、ワイヤボンディングあるいは銅バンプ形成おける銅ボール圧着による圧着銅ボール変形、ＩＣチップ割れなどの不都合をなくすことができ、実用的に極めて有意義な銅ボールの熱圧着方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  顔料塗工層のバインダーが３５重量％以上のブタジエン含有量、４０重量％以下のスチレン含有量および２０重量％以下のアクリロニトリル含有量を有するＳＢＲラテックスであり、該ＳＢＲラテックスの使用量が顔料１００重量部当たり８重量部以下である、請求項１に記載の印刷用嵩高塗工紙。