Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成14年11月8日(2002.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トラッピング（ｔｒａｐｐｉｎｇ）を低減させたＩＩＩ族窒化物ベースの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）およびトランジスタの製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、
比抵抗が高い非伝導層（２０）と、
前記非伝導層（２０）上のバリア層（１８）と、
前記バリア層（１８）表面の一部を覆わないで、前記バリア層（１８）と接触しているソースコンタクト、ドレインコンタクト、ゲートコンタクト（１３、１４、１６）と、
高い割合のドナー電子（６８）を有し、前記コンタクト（１３、１４、１６）の間で前記バリア層（１８）表面に形成されている電子ソース層（２２）と、
を含むことを特徴とするＦＥＴ。
【請求項２】
前記バリア層（１８）がプラスに帯電した表面トラップ（６９）を持ち、前記ドナー電子（６８）が前記トラップ（６９）を中性化し、前記ドナー電子（６８）が前記トラップ（６９）より高いエネルギー状態を有することを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
【請求項３】
前記電子ソース層（２２）が、誘電性材料の層であることを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
【請求項４】
前記電子ソース層（２２）が、電子フィールド（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｆｉｅｌｄ）、電圧または温度の上昇によってひき起こされるストレスのもとで前記バリア層（１８）と安定な結合を有することを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
【請求項５】
前記バリア層（１８）の表面が、実質的に損傷がないことを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
【請求項６】
サファイアまたは炭化ケイ素の基板（１１）をさらに含み、当該基板（１１）は、前記非伝導層（２０）に隣接し、前記バリア層（１８）の反対側にあることを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
【請求項７】
前記非伝導層（２０）と前記基板（１１）との間にバッファ層（１２）をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のＦＥＴ。
【請求項８】
前記非伝導層（２０）および前記バリア層（１８）が、ＩＩＩ族窒化物半導体材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
【請求項９】
前記バリア層（３８）が、前記非伝導層（３４）より幅広のエネルギーバンドギャップを有しており、前記ＦＥＴが、前記バリア層（３８）と前記非伝導層（３４）との間に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）（４２）をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＦＥＴ。
【請求項１０】
表面上に電子ソース層（１０８）を有するトランジスタ（１０１）を製造する方法であって、
前記トランジスタをスパッタリングチャンバに配置するステップ（１２６）と、
前記スパッタリングチャンバ中で前記トランジスタ上の前記電子ソース層（１０８）をスパッタするステップ（１２８）と、
前記スパッタリングチャンバを冷却しガス抜きするステップ（１３０）と、
前記スパッタリングチャンバから前記トランジスタを取り出すステップ（１３０）と、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料中にバイアを形成するプロセスにおいて発生するエッチング残渣を除去する方法であって、該方法はエッチング残渣およびバイアに気体を適用する工程を含み、前記気体はＲＦ源によって励起され、かつ前記気体はフッ化炭素および酸素からなる方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ＲＦ源は、８０〜３５０ワットにおいて作動される方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記フッ化炭素はＣＦ４である方法。
【請求項４】
集積回路内にバイアを形成する工程において発生するエッチング残渣を除去する方法であって、
チャックを備えるチャンバを提供する工程と、
チャンバ内において集積回路をチャックに接触させて配置する工程と、
第一パワーレベルのＲＦパワーをチャンバに適用する工程と、
フッ化炭素ガスおよび酸素ガスからなる、マイクロウェーブによって励起された気体をチャンバ内に導入する工程とからなる方法。
【請求項５】
集積回路内にバイアを形成する工程において発生するエッチング残渣を除去する方法であって、
チャックを備えるチャンバを提供する工程と、
チャンバ内において集積回路をチャックの上に配置する工程と、
チャックをＲＦによって印加する工程と、
第一のマイクロウェーブによって励起された気体を、チャンバ内に導入する工程であって、前記気体はフッ素と炭素との第一化合物からなる第一気体と、酸素からなる第二気体とからなる工程と、
前記第一のマイクロウェーブによって励起されたガスをチャンバ内に導入した後、フッ素と炭素との第二化合物からなる第三気体、酸素からなる第四気体、および不活性ガスからなる第五気体からなり、第二のマイクロウェーブによって励起された気体をチャンバ内に導入する工程とからなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ワークピースにイオンを注入する方法であって，
イオンビームを発生する工程と，
イオンビームの非平行度の角度を測定する工程と，
第一の角度に向けられたワークピースについて第一の注入を実行する工程と，
第二の角度に向けられたワークピースについて第二の注入を実行する工程と，
第一および第二の角度が，基準の向きに関して反対の符号をもち，その角度の大きさが，非平行度の測定角度に等しいか，またはそれよりも大きい，ところの方法。
【請求項２】請求項１に記載の方法であって，
第一および第二の注入を実行する工程が，ワークピースに，実質的に等しいイオンドーズ量を与えるために制御される，ところの方法。
【請求項３】請求項１に記載の方法であって，
非平行度の角度が約5度よりも小さい，ところの方法。
【請求項４】請求項１に記載の方法であって，
非平行度の角度がイオンビームの発散角度の半分である，ところの方法。
【請求項５】請求項１に記載の方法であって，
非平行度の角度がイオンビームの集束角度の半分である，ところの方法。
【請求項６】請求項１に記載の方法であって，さらに
平行化装置を利用して，イオンビームを発生させる工程を含む，ところの方法。
【請求項７】請求項１に記載の方法であって，さらに
平行化装置を利用しないで，イオンビームを発生させる工程を含む，ところの方法。
【請求項８】請求項１に記載の方法であって，
基準の向きがワークピースにおけるイオンビームの向きである，ところの方法
【請求項９】請求項１に記載の方法であって，
基準の向きがワークピースにおけるイオンビームの向きに対して，選択された注入角度である，ところの方法。
【請求項１０】請求項１に記載の方法であって，
第一および第二の角度の大きさが等しい，ところの方法。
【請求項１１】半導体ウエハにイオンを注入する装置であって，
イオンビームを発生する手段と，
イオンビームの非平行度を測定する手段と，
ウエハを第一の角度に傾斜させる手段と，
第一の注入を第一の角度で実行する手段と，
ウエハを第二の角度に傾斜させる手段と，
第二の注入を第二の角度で実行する手段と，
第一および第二の角度が，基準の向きに関して反対の符号をもち，その角度の大きさが，非平行度の測定角度に等しいか，またはそれよりも大きい，ところの装置。
【請求項１２】請求項１１に記載の装置であって，
前記測定するシステムが，可動なイオンプロファイラーおよび一つ以上のビーム検出器を含む，ところの装置。
【請求項１３】請求項１１に記載の装置であって，さらに
イオンビームを平行化するイオン光学要素を含む，ところの装置。
【請求項１４】請求項１１に記載の装置であって，さらに
第一および第二の角度の大きさが等しい，ところの装置。
【請求項１５】請求項１に記載の方法であって，
第一の注入を実行する工程が，ワークピースを第一の角度に傾斜することを含み，第二の注入を実行する工程が，ワークピースを第二の角度に傾斜することを含む，ところの方法。
【請求項１６】請求項１に記載の方法であって，
ワークピースが半導体ウエハである，ところの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体ウェーハ研磨機において、
半導体ウェーハを取り外し可能に保持するためのウェーハ受入表面を有する回転式ウェーハキャリアと、
研磨パッドの外周に沿って配置され、半径方向内側に向けて前記研磨パッドの半径の一部に亘って延びている研磨パッド材料を備えている研磨パッドであって、前記研磨パッド材料は、中心領域に研磨パッド材料が無く且つ前記研磨パッドの直径に関して対称となっている、研磨パッドと、
前記ウェーハ受入表面と実質的に平行に向けられ、前記半導体ウェーハに対して部分的にオーバラップした位置に前記研磨パッドを可動的に位置決めするよう構成されている回転式研磨パッドキャリアであって、前記研磨パッドの一部が、前記半導体ウェーハの表面の一部に対して接触し回転するようになっている、回転式研磨パッドキャリアと、
前記ウェーハキャリア上の前記半導体ウェーハの表面と実質的に同一平面となるよう配置されたパッドドレッシング表面を有し、回転し且つ前記研磨パッドと接触するようになっている、回転式パッドドレッシング・アッセッンブリと、を備えていることを特徴とする半導体ウェーハ研磨機。
【請求項２】  前記回転式研磨パッドキャリアは、前記研磨パッドを、前記半導体ウェーハに対して、直線的半径方向に動かすよう構成された割出し機構を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の研磨機。
【請求項３】  前記研磨パッドキャリアは、スピンドルに取り外し可能に取り付けられている研磨パッドキャリア・ヘッドを更に備えていることを特徴とする、請求項２に記載の研磨機。
【請求項４】  前記研磨パッドキャリアは、前記割出し機構及び前記スピンドルと接続されているスピンドル駆動装置アッセンブリを更に備えており、前記スピンドル駆動装置アッセンブリは、前記スピンドルを回転し、前記研磨パッドを前記半導体ウェーハに対して動かすよう構成されていることを特徴とする、請求項３に記載の研磨機。
【請求項５】  前記回転式ウェーハキャリアの前記ウェーハ受入表面は、真空及び加圧流体の内の１つを受け入れるための複数の流体オリフィスを備えており、前記半導体ウェーハは、前記ウェーハ受入表面に取り外し可能に取り付けられるようになっていることを特徴とする、請求項１に記載の研磨機。
【請求項６】  前記割出し機構は、前記研磨パッドを、前記半導体ウェーハの表面及び前記パッドドレッシング表面と部分的にオーバラップする複数の位置へ、前記研磨パッドの前記半導体ウェーハの表面と接触するパッド部分が前記パッドドレッシング表面と接触するパッド部分よりも大きい第１位置と、前記研磨パッドの前記パッドドレッシング表面を覆うパッド部分が前記半導体ウェーハ表面を覆うパッド部分よりも大きい第２位置との間で、動かすよう構成されていることを特徴とする、請求項４に記載の研磨機。
【請求項７】  前記研磨パッド材料は、固定研磨剤研磨パッド材料を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の研磨機。
【請求項８】  前記研磨パッド材料は、環状表面を有していることを特徴とする、請求項７に記載の研磨機。
【請求項９】  前記研磨パッド材料は、無研磨剤研磨パッド材料を含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の研磨機。
【請求項１０】  前記研磨パッド材料は、環状表面を有していることを特徴とする、請求項９に記載の研磨機。
【請求項１１】  半導体ウェーハを制御された状態で領域研磨する方法において、
半導体ウェーハを回転式ウェーハキャリアのウェーハ受入表面上に載置して、前記半導体ウェーハを回転する段階と、
回転している研磨パッドキャリア上に取り付けられている研磨パッドを、前記回転している半導体ウェーハに対し部分的にオーバラップする位置に動かす段階であって、前記研磨パッドは、前記研磨パッドの外周に沿って配置され、半径方向内側に向けて前記研磨パッドの半径の一部に亘って延びている研磨パッド材料を備えており、前記研磨パッド材料は、中心領域に研磨パッド材料が無く且つ前記研磨パッドの直径に関して対称となっている、そのような段階と、
前記部分的にオーバラップしている半導体ウェーハと研磨パッドの間に第１圧力を維持する段階と、から成ることを特徴とする方法。
【請求項１２】  前記研磨パッドを前記半導体ウェーハに対する第２の部分的にオーバラップする位置に動かす段階であって、前記研磨パッドは、移動の間前記半導体ウェーハと継続的に接触している、そのような段階を更に含んでいることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記研磨パッドを前記半導体ウェーハの半径に沿って前記半導体ウェーハの表面に対する第２の部分的にオーバラップする位置に動かす段階であって、前記研磨パッドは、移動の間前記半導体ウェーハと継続的に接触している、そのような段階を更に含んでいることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】  前記研磨パッドの一部が前記半導体ウェーハの表面の一部に接触している状態で、パッドドレッシング表面を前記研磨パッドの一部に対して回転させる段階であって、それにより前記研磨パッドは、各回転の間に修正され洗浄されることで継続的に再活性化されるようになっている段階を更に含んでいることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  前記研磨パッドを、前記複数の部分的にオーバラップする位置のそれぞれにおいて、所定の経路に亘って振動させることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】  半導体ウェーハを平坦化し研磨する方法において、
第１研磨パッドを中心軸周りに回転させる段階であって、前記研磨パッドは、前記第１研磨パッドの外周に沿って配置され、半径方向内側に向けて前記第１研磨パッドの半径の一部に亘って延びている研磨パッド材料を有しており、前記研磨パッド材料は、中心領域に研磨パッド材料が無く且つ前記第１研磨パッドの直径に関して対称となっている、そのような段階と、
前記第１研磨パッド上の前記研磨パッド材料の一部を、回転している半導体ウェーハの一部に対して、前記第１研磨パッドが前記半導体ウェーハと部分的にオーバラップするように押し付ける段階と、
前記第１研磨パッドと前記半導体ウェーハの間に第１圧力を維持する段階と、から成ることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月1日(2003.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上の表では以下のものと同様に、《モノ》は《単結晶》を、また《ポリ》は《多結晶》を表すために使用している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  底面と、柱状側部および柱状上面を有する柱状ペデスタルを含む上面とを有する第１の導電型の基板と、
柱状ペデスタルの底部で柱状ペデスタルの中央線の周りの第２の導電型のリング状拡散領域と、
リング状拡散領域と柱状上面を共に結合する柱状ペデスタルの上面にある第１の導電層と  を含むダイオード構成の柱状縦型接合電界効果デバイス（ＪＦＥＤ）  を備えるダイオード。
【請求項２】  アノード端子とカソード端子の間で一方通行の電気バルブを形成するダイオード・デバイスであって、
アノード端子として共に並列で結合されたアノードと、カソード端子として共に並列に結合されたカソードとを有する１つまたは複数のダイオード能動領域を備え、各ダイオード能動領域が、
上面と底面を有し、上面から柱状ペデスタルが延びる基板、
基板の上面と底面の間で柱状基板チャネルを形成する、基板内で柱状ペデスタルの底部にある拡散リング、および、
柱状ペデスタルと拡散リングを共に結合する導電層  をそれぞれが含む複数のダイオード接続型柱状縦型接合電界効果デバイスと、
各ダイオード能動領域を終端するために１つまたは複数のダイオード能動領域のそれぞれの周りにあるデバイス終端部とを含むダイオード・デバイス。
【請求項３】  第１の端子と第２の端子を有するダイオード・デバイスを製造する方法であって、
基板を用意し、複数の柱状基板ペデスタルを基板の上面に形成すること、
柱状基板ペデスタルの中央線の周りの底部に、拡散のリングを形成すること、および、
基板の上面に金属層を形成し、柱状基板ペデスタルと拡散のリングを共に接続することを含む方法。
【請求項４】  集積回路内で第１の端子と第２の端子を有するダイオード・デバイスを製造する方法であって、
集積回路の基板内にタブを形成すること、
複数の柱状ペデスタルをタブの上面に形成すること、
柱状ペデスタルの中央線の周りでその底部に拡散のリングを形成すること、および、
第１の金属接続を形成し、第１の端子として柱状ペデスタルと拡散のリングを共に接続することを含む方法。
【請求項５】  集積回路基板内のダイオードであって、
底部と、柱状側部および柱状上面を有する柱状ペデスタルを含む上面とを有する第１の導電型のタブと、
柱状ペデスタルの底部で柱状ペデスタルの中央線の周りにある第２の導電型のリング状拡散領域と、
リング状拡散領域と柱状上面を共に結合する柱状ペデスタルの上面にある第１の接続と  を含むダイオード構成の柱状縦型接合電界効果デバイス（ＪＦＥＤ）  を備えるダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月23日(2004.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  照明器具台座（１０，２１）と照明器具柄（１１，２０）と光源とを備えた居住空間用照明器具、特に卓上スタンドまたはフロアスタンドであって、光源が、照明器具柄内に配置されたソケット内に交換可能に固定されている形式のものにおいて、光源が１つの発光ダイオード（１２）であるか、または複数の発光ダイオードから成っていて、該発光ダイオードが、照明器具柄（１１，２０）内に配置されており、かつ照明器具柄端部に交換可能に被せ嵌められた発光体（１４，１５；１６；１７）を照光していることを特徴とする、居住空間用照明器具、特に卓上スタンドまたはフロアスタンド。
【請求項２】  発光体（１４，１５，１６）が棒形または球形であって、透明な材料、有利にはプラスチックから成っている、請求項１記載の居住空間用照明器具。
【請求項３】  照明器具柄内に複数の発光ダイオードが設けられていて、有利には各発光ダイオードに個別的な反射器が対応配置されており、反射器内で発光ダイオードがセンタリングされており、かつ蜂の巣状に配置された複数個の反射器が、照明器具柄内周に適合させられた外周部を備えた、一体的な体に統合されている、請求項１または２記載の居住空間用照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ストリーミング・メディア品質は、配信されるメディアの型式、ユーザーのインターネット接続の速度、ネットワーク条件、コンテンツをコード化するときのビットレート、使用するフォーマットに従って広範囲に変動する。一般に、ストリーミング・オーディオはＦＭの品質であるが、通常の帯域制限を与えると、ストリーミング・ビデオはＴＶの標準規格より劣っており、画面は小さく、解像度は低く、秒当たりのフレーム数は少ない。ストリーミング・メディアのソースは、ＶＨＳまたはベータ形式のテープ、音声カセット、ＤＡＴ、ＭＰＥＧビデオ、ＭＰ３音声、ＡＶＩ等を含む、任意の形式のメディアが可能である。ストリーミングの前に、コンテンツは最初にコード化されなければならないが、この過程では、必要に応じて、アナログからディジタル形式へのコンテンツの変換、ストリーミング・メディア・サーバーとプレーヤにより認識される形式のファイルの作成、実時間で与えられた限定帯域で配信可能なコンテンツの豊富度を最大化するためのファイルの圧縮、メディアを配信するビットレートの確立の４段階を実行する。高速接続のユーザーが可能な限り良好な体験を得られるように、かつ低速接続のユーザーもコンテンツをアクセス可能なように、コンテンツ所有者は通常複数レートでメディアをコード化する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
現在使用されている３つの主要なストリーミング・メディア・フォーマットは、リアルネットワークのリアルシステムＧ２（RealNetworks RealSystem G2（登録商標））、マイクロソフトのウィンドウズ・メディア・テクノロジ（「ＷＭＴ」）、及びアップルのクイックタイムである。リアルシステムＧ２は、音声、ビデオ、アニメーション、さらに静止画とテキストを含む全てのメディアを処理する。リアルシステムＧ２とクイックタイム（登録商標）は、コンテンツ・プロバイダがプレーヤのウィンドウ内でメディアを調時し位置決めすることを可能とするＸＭＬベースの言語のＳＭＩＬをサポートする。メディアを実時間で配信するため、リアルとクイックタイムはＲＴＳＰを使用する。ＷＭＴのアドバンスト・ストリーミング・フォーマットをストリームするためには、コンテンツ・プロバイダは通常マイクロソフトＮＴ４サーバーをインストールしなければならない。ＷＭＴはＳＭＩＬまたはＲＴＳＰをサポートしないが、ＨＴＭＬ＋Ｔｉｍｅと呼ぶ独自のプロトコルを有する。アップルのクイックタイムは最近ストリーミング・メディアをサービスする機能を追加した。クイックタイムはＶＲ、３Ｄ、Ｆｌａｓｈ、ＭＰ３を含む多数のフォーマットをサポート可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
通常、ＣＤＮは、コンテンツ配信基礎構造（infrastructure）、要求ルーティング機構、及び配信基礎構造の組み合わせとして実装される。コンテンツ配信基礎構造は、要求エンドユーザーにコンテンツの複製を配信するため戦略的な位置（例えば、インターネット網アクセスポイント、インターネット・ポップ等）に配置した一組の「代理の（surrogate）」配信元サーバーを通常含む。要求ルーティング機構は、ウェブ・コンテンツ配信に対しては特定のクライアントの応答時間を最小とするように、ストリーミング・メディア配信に対しては最高品質を提供するように、要求クライアントにコンテンツ配信基礎構造中のサーバーを割当てる。配信基礎構造は、配信元サーバーから代理の配信元サーバーへコンテンツを移動するオンデマンドまたはプッシュ式機構から構成される。効率的なＣＤＮは、特定の要求クライアントに最適な代理から頻繁にアクセスされるコンテンツをサービスする。通常のＣＤＮでは、単一のサービスプロバイダが要求ルータ、代理、及びコンテンツ・ディストリビュータを操作する。さらに、このサービスプロバイダはコンテンツ出版者とビジネス関係を設立し、その配信元サーバーサイトの代わりに動作して分散配信システムを提供する。ウェブ・コンテンツとメディア・ストリーミングを提供する公知の商用ＣＤＮサービスは、マサチューセッツ州ケンブリッジのアカマイ・テクノロジ社により提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
各セット・リフレクタ３０４と各エッジ・サーバー３０６はサブマネージャ・プログラム３０８も含むことが望ましい。従って、例えば、セット・リフレクタ３０４はサブマネージャ・プログラム３０８ａを含み、一方エッジ・サーバー３０６はサブマネージャ・プログラム３０８ｂを含む。サブマネージャは供給を手配するツールである。一般に、サブマネージャは同一マシン上で実行するサーバーを聞いていて、これは要求を使用して配信メッセージをリフレクタへ（階層上のより高位へ）送信して供給を開始する。サブマネージャは高利用度を保証するよう動作する。サブマネージャ単独でまたはクラスタで使用してもよく、クラスタは通常複数エッジ・サーバーを有するＣＤＮ領域内の設定である。クラスタで使用する時、サブマネージャは以下の「リーダー」アルゴリズムを実装する。
リーダー・アルゴリズム
１．全ての他のサブマネージャにローカル配信リストをアナウンスし、領域中の他のサブマネージャからのリストを聞き取る。
２．領域中の他のサブマネージャから受信したリストを共にマージする。
３．以下に従って何人か（例えば３人）のリーダーを選出する：
ＩＰアドレスにより応答のリストをソートする
特定期間（例えば、２０秒）聞かれなかったマシンを除去する
先頭の３人を取る
４．全てのリーダーは領域の供給をオンとするため配信メッセージを送信する。結果として、各領域に入来する３つの供給がある。
単独で使用する時、このリーダー・アルゴリズムは使用されない。代わりに、ローカル・サーバーにより要求された各ポートに単純な配信が行われる。クラスタで使用する時、リーダー選出アルゴリズムを使用して故障マシンを除去する。マシンが故障した場合、これはマシンのリストから消え去る。リーダーが故障した場合、リスト上のその後から来る全てのマシンが１段階昇進する。これは領域中の全てのサーバーへの良好なサービスを保証する助けとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バイアス電圧供給装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  変化するバイアス電圧をセキュリティ装置に供給するバイアス電圧供給装置であって、
交換可能な条件付きアクセス・カードを受け取る受け取りユニットと、
前記条件付きアクセス・カードが、前記セキュリティ装置に挿入されるのを感知し、前記条件付きアクセス・カードから出力される第１および第２の電圧信号に応答してイネーブル論理信号を論理ユニットに出力すると共に、前記条件付きアクセス・カードのバイアス電圧を識別し、前記バイアス電圧のリクエストをコントローラに出力する、カード・インタフェースと、
前記バイアス電圧のリクエストを前記カード・インタフェースから受け取り、前記バイアス電圧の選択信号を前記論理ユニットに出力する前記コントローラと、
前記コントローラからの前記選択信号に基づいて前記論理ユニットから制御信号を受信し、前記カード・インタフェースから前記イネーブル論理信号を受信し、切り換えられた電圧を前記セキュリティ装置に供給するスイッチと、からなる前記バイアス電圧供給装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ケーブル・テレビジョンのセットトップ・ボックスに於けるセキュリティ装置にＶｃｃ電圧を供給する方法であって、セキュリティ装置内で交換可能な条件付きアクセス・カードを受け取るステップと、セキュリティ装置内で条件付きアクセス・カードの交換を感知するステップと、セキュリティ装置内で条件付きアクセス・カードのバイアス電圧の変化を識別するステップと、カード・インタフェースからイネーブル信号を供給するステップと、コントローラからバイアス電圧の選択信号を供給するステップと、論理ユニット内でイネーブル信号と選択信号を組み合わせるステップと、コントローラからの選択信号に基づいて切り換えられる電圧をセキュリティ装置内の受け取りユニットに供給するステップとからなる。
特許請求の範囲に記載された事項と実施例との対応関係を、図面で使われている参照符号で示すと次の通りである。
（請求項１）  変化するバイアス電圧をセキュリティ装置に供給するバイアス電圧供給装置であって、
交換可能な条件付きアクセス・カード（２２）を受け取る受け取りユニット（１８）と、
前記条件付きアクセス・カードが、前記セキュリティ装置に挿入されるのを感知し、前記条件付きアクセス・カードから出力される第１および第２の電圧信号に応答してイネーブル論理信号（ＶＣＣ  ＥＮ）を論理ユニット（１４）に出力すると共に、前記条件付きアクセス・カードのバイアス電圧を識別し、前記バイアス電圧のリクエストをコントローラに出力する、カード・インタフェース（２０）と、
前記バイアス電圧のリクエストを前記カード・インタフェースから受け取り、前記バイアス電圧の選択信号（ＶＣＣ  ＢＩＡＳ）を前記論理ユニットに出力する前記コントローラ（１２）と、
前記コントローラからの前記選択信号に基づいて前記論理ユニットから制御信号を受信し、前記カード・インタフェースから前記イネーブル論理信号を受信し、切り換えられた電圧を前記セキュリティ装置に供給するスイッチ（１６）と、からなる前記バイアス電圧供給装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月14日(2003.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに請求項２に記載された評価ユニットには、互いに続く自動車に属する２つのセンサ信号を評価することで自動車の相対間隔が簡単に算出できる間隔測定ユニットが含まれる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
特に好ましい実施形態として、請求項３に記載された超音波センサのセンサ信号はその信号の強さも評価される。いろいろな形式の自動車はいろいろな超音波の反射強さをもっているので、自動車形式認識ユニットでいろいろな形式の自動車が認識できる。したがって、例えば、停車している自動車がオートバイか乗用車かトラックかが有利に認識でき、必要ならば異なった危険の可能性が表示されて、異なった処置が要求される。さらに例えば、目的を満足する自動車形式認識装置が使用できる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４による別の形態で、センサ信号を介して自動車のカウントが実施できる台数カウントユニットを評価ユニットに簡単に組み込むことができる。
前記１つのユニットの前記評価装置は公知の方法で評価電子装置にコンパクトに一体化することができ、適当なプログラム化可能性を備える場合、具体的な組込み状態に簡単に適合させることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５に記載の特徴で、超音波センサはトンネルの天井に配置し、その場合、機能的に結合された一列の超音波センサは走行方向の走行車線に、好ましくは１つのみの走行車線および故障駐車場所にそれぞれ配置することを提案している。停車している自動車の簡単な認識機能のために、異なる走行方向の２つの走行車線をその上方に取り付けられた一列のみの超音波センサで監視することは考えられる。しかし基本的に検知能力の優れた監視は１つの走行方向の個々の走行車線に超音波センサ列を配置することによって与えられる。それでもって特に、走行方向認識も可能となり、場合によっては逆走する運転手がすぐに検知できる。最適な配置としてはセンサ間隔を約１０ｍ以下とし、超音波は１秒で約５０回発射し受信する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
センサ信号は、特にセンサ信号の強さも評価するときは、電子評価のため通常の方法でデジタル化しなければならない。請求項６によれば、超音波センサに取り付ける目的に応じたＡ／Ｄ変換器を準備し、連続したバスシステムを介してデジタル化した信号を評価ユニットに導く。いずれの超音波センサから定まったセンサ信号がきているのかを確認するために、センサ認識信号を測定値信号とともに評価ユニットに公知の方法で送る必要がある。そのため簡単な装備技術で２案内システムが使用され、これを介して超音波センサおよびＡ／Ｄ変換器の電圧供給も実施できる。特に低圧領域の電圧供給しか必要ないので、トンネル操作の安全に対する危険がさらに遠のく。これに代って、または追加して、超音波センサから評価装置まで信号伝達を無線で行うこともできる。そのため、実状に応じて設備支出がさらに少なくなり、また、火災の際にケーブルが破壊されるかもしれない場合にも、欠点のない信号伝達が確実に形成される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
発明によるトンネル監視システムを使用して評価結果が大幅に自動化され、主観的に評価する必要がなく監視者が自由になり、請求項７にしたがって特定の評価結果に対して処置する際にも自動化される。評価ユニットに制御ユニットを接続することが提案され、特定の評価結果に依存して、トンネルの入口あるいはトンネル内に取り付けられ交通を案内および／または警告する表示装置がこれで自動的に制御される。そのため安全性が基本的に高まり、場合によっては個々に引き起こされる時間遅延をがまんする必要はない。このような装置は信号機、点滅機、サイレン、制御可能な文字を有する警告板、または他の周知の案内・警告システムおよびトンネル安全装置である。トンネル内またはラジオを介して放送も自動的にされて指示がされる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項８によれば発明のトンネル監視システムは道路および／または軌道トンネルに使用できる。簡単な構造によって簡単で安価な設備が現存のトンネルに対して既設の監視装置に可能であると同時に追加あるいは組み合わせることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  操作面を有する携帯通信装置のケースであって、
各ユーザ入力部材の操作のための窪みを備えた壊れやすい入力領域と、
前記壊れやすい入力領域から突出る保護構成と、を含み、
前記保護構成は、おおむね平らな面に正面を下にして置かれた場合に、前記壊れやすい入力領域が前記面との間に間隔をあけて置かれ、前記おおむね平らな面と前記操作面とが接触する際に受ける衝撃が、前記壊れやすい領域からほぼ消散されるように、接触面を区画する複数の接点を備えた外形を有することを特徴とするケース。
【請求項２】  請求項１に記載のケースにおいて、
前記保護構成が、比較的頑丈な領域の一部を形成することを特徴とするケース。
【請求項３】  請求項１または２に記載のケースにおいて、
前記壊れやすい入力領域と前記保護構成とが、別々のケース部材によって供給されることを特徴とするケース。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれかに記載のケースにおいて、
前記壊れやすい入力領域が、脆い材料から形成されることを特徴とするケース。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれかに記載のケースにおいて、
前記壊れやすい入力領域が、脆い表層を備えることを特徴とするケース。
【請求項６】  請求項５に記載のケースにおいて、
前記脆い表層は基板上に配置されていることを特徴とするケース。
【請求項７】  請求項１乃至６のいずれかに記載のケースにおいて、
前記保護構成が、前記壊れやすい入力領域を取り囲むベゼルを備えることを特徴とするケース。
【請求項８】  請求項７に記載のケースにおいて、
前記接点が面プロテクタによって供給され、
前記面プロテクタは、前記ベゼルを前記ケースの他の部材に接続する追加的機能を供給することを特徴とするケース。
【請求項９】  請求項１乃至８のいずれかに記載のケースにおいて、
前記接点が、衝撃を前記壊れやすい領域から逸らすように構成されることを特徴とするケース。
【請求項１０】  請求項１乃至９のいずれかに記載のケースにおいて、
前記接点が、前記操作面の周辺部に配置されることを特徴とするケース。
【請求項１１】  請求項１乃至１０のいずれかに記載のケースにおいて、
前記突起構成が、前記ケースのチン上に前記突起を備えることを特徴とするケース。
【請求項１２】  請求項１乃至１１のいずれかに記載のケースにおいて、
前記突起構成が、前記受話口に隣接した隆起部分を備えることを特徴とするケース。
【請求項１３】  請求項１に記載のケースを含むハンドセットであって、
静止位置において操作面から突出る外面を有し、前記静止位置の内側にある接触位置に向かって動くように構成された少なくとも１つのキーを含み、
前記操作面を下にしておおむね平らな面に置かれたときに、結果として起こる前記少なくとも１つのキーの動きが制限されるように、前記保護構成が、前記少なくとも１つのキーがある場所において接触面を区画することを特徴とするハンドセット。
【請求項１４】  請求項１３に記載のハンドセットにおいて、
前記接触位置が、前記キーの前記内面と、前記ハンドセットの操作面の座面との隣接点によって区画されることを特徴とするハンドセット。
【請求項１５】  請求項１４に記載のハンドセットにおいて、
前記座面は、前記ハンドセットの前記フロント面にある穴に位置するベアリングによって供給されることを特徴とするハンドセット。
【請求項１６】  請求項１５に記載のハンドセットにおいて、
前記ベアリングがルビーベアリングであることを特徴とするハンドセット。
【請求項１７】  請求項１３乃至１６のいずれかに記載のハンドセットにおいて、
前記少なくとも１つのキーが、キー列を備えていることを特徴とするハンドセット。
【請求項１８】  請求項１３乃至１７のいずれかに記載のハンドセットにおいて、
前記保護構成が、前記少なくとも１つのキーの傍に位置する一組の突起を備えることを特徴とするハンドセット。
【請求項１９】  請求項１３乃至１６のいずれかに記載のハンドセットにおいて、
前記少なくとも１つのキーが複数列のキーを備えており、また、
前記保護構成が、前記複数列のキーの各列の傍に位置する各一組の突起を含むことを特徴とするハンドセット。
【請求項２０】  請求項１３乃至１９のいずれかに記載のハンドセットにおいて、
前記少なくとも１つのキーが、外側及び内側のベアリングによって定められた方向に動く軸を有する別のキーであることを特徴とするハンドセット。
【請求項２１】  請求項１３乃至２０のいずれかに記載のハンドセットにおいて、
前記接触位置が、前記キーと前記外側の座面の隣接点によって区画されることを特徴とするハンドセット。
【請求項２２】  請求項１乃至１２のいずれかに記載のハンドセットであって、
静止位置において前記操作面から突出る外面を有し、前記静止位置の内側にある接触位置に向かって動くように構成された少なくとも１つのキーを含み、
前記動きの範囲が、前記少なくとも１つのキーの底面と前記操作面の座面の接触によって規定されることを特徴とするハンドセット。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月29日(2003.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化シリコンまたは窒化シリコンを含む層（２）を基板表面に配置した半導体基板（１）と、
上記層（２）のエッチングマスクとして用いるために、層（２）の表面（７）上に配置されたシリコンを含有したマスク層（３）とを備えた半導体構造であって、
上記マスク層（３）は、硫黄または炭素を含有した添加物質（８）を含んでおり、硫黄は硫化水素化合物に存在し、炭素はハイドロカーボン連鎖に存在し、これによって、マスク層（３）のエッチング耐性を向上させる、半導体構造。
【請求項２】
上記物質（８）は、マスク層（３）の成分の５０％までを占めることを特徴とする、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
上記物質（８）は、アルミニウム，ガリウム，インジウム，タリウムまたは硼素を、１ｃｍ3あたり１０19原子以上の濃度で含んでいることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体構造。
【請求項４】
上記物質（８）は、シリコンを含有したマスク層（３）に注入されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体構造。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のシリコンを含有するエッチングマスクを備えた半導体構造の層のエッチング方法であって、
酸化シリコンまたは窒化シリコンを含み、表面（７）を有する層（２）を基板（１）上に形成するステップと、
上記層（２）の表面（７）上にシリコンを含有したマスク層（３）を形成するステップと、
上記マスク層（３）をパターン化し、マスク構造（４）を形成するステップと、
上記層（２）を、ハイドロカーボン分子および／または硫化水素化合物を含んだフルオロハイドロカーボンを含有したエッチングガスを用いてエッチングするステップとを有し、エッチングマスク（３）によって表面（７）をエッチングガスから部分的に保護する方法。
【請求項６】
上記エッチングガスに含まれたハイドロカーボン分子、および／または、硫黄水素化合物を、エッチング工程の間、マスク層（３）中またはマスク層（３）上に蓄積することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
上記エッチングガスに含まれたハイドロカーボン原子および／または硫黄原子を、エッチング工程の間、マスク層（３）中またはマスク層（３）上に蓄積することを特徴とする、請求項５または６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
この目的は、半導体基板とマスク層とを備えた半導体構造によって達成される。この半導体基板の基板表面には、酸化シリコンまたは窒化シリコンを含む層が配置されている。また、マスク層は、上記層のエッチングマスクとして用いるために、上記層の表面上に配置された、シリコンを含有した層である。そして、この半導体構造では、マスク層が硫黄または炭素を含有した物質を添加して含んでいる。硫黄は硫化水素化合物に存在し、炭素はハイドロカーボン連鎖（Kohlenwasserstoffkette）に存在している。これにより、この半導体構造では、マスク層のエッチング耐性を向上させるようになっている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の物質は、１〜５００ｍＴｏｒｒの圧力および−２０℃〜２００℃の温度において固体であり、酸化分子または窒化分子としてガス状の成分を形成するものである。その利点は、所定の温度範囲内で、固形物質として、物質をマスク層に統合できる一方で、酸素を用いて、ガス状、および、それゆえ揮発性の形状に変化しうるという点にある。この結果、添加物質を、エッチングプロセスの間に除去できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月28日(2003.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶マトリックスに配置されている複数の記憶セル（Ｚ２）を備えているＭＲＡＭ構造であり、上記記憶セルの各々は、少なくとも１つのＭＴＪ層配列（４）、および、選択トランジスタ（５）を備えており、ＭＴＪ層配列（４）は、相互に間隔を開けて延びているワード線（ＷＬ）とビット線（ＢＬ）とに接してそれぞれ配置されており、選択トランジスタ（５）は、当該選択トランジスタのゲートにおいて、記憶セルを読み出すためのセレクト配線（ＳＬ１）と接続されており、記憶セル（Ｚ２）において、ＭＴＪ層配列（４）と選択トランジスタ（５）のドレインソース経路とがそれぞれ相互に並列に配置されており、上記セレクト配線（ＳＬ１）は、選択トランジスタ（５）のゲートを介して設けられており、ビット線に対して平行に延びているＭＲＡＭ構造であって、
上記ＭＴＪ層配列（４）は、ワード線（ＷＬ）とビット線（ＢＬ）との間にそれぞれ直線的に配置されていることを特徴とするＭＲＡＭ構造。
【請求項２】
上記記憶マトリックスにおいて、一連の記憶セルの選択トランジスタ（５）のソースドレイン経路は、別個の選択トランジスタ（７）に対して直列に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のＭＲＡＭ構造。
【請求項３】
上記選択トランジスタ(５)は、当該選択トランジスタのゲートにおいて、セレクト配線(ＳＬ１)と接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載のＭＲＡＭ構造。
【請求項４】
上記記憶セルの最小寸法は、４Ｆ2により規定されており、当該Ｆは、使用されるテクノロジーの「最小特徴寸法」であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＭＲＡＭ構造。
【請求項５】
上記第１セレクト配線（ＳＬ１）は、選択トランジスタ(５)のゲートの上方に設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のＭＲＡＭ構造。
【請求項６】
上記第１セレクト配線（ＳＬ１）、および上記ビット線は、相互に平行に設けられていることを特徴とする請求項４または５に記載のＭＲＡＭ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月7日(2003.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ヘッドセット（１）用耳掛けリング（２）であって、スピーカ（８）と場合によってはトランスデューサまたはマイクとを含み、耳掛けリング（２）がユーザの耳の外側を囲むようにユーザによって一方の耳に着用されるように配置され、前記耳掛けリング（３）はそのサイズが調節可能な態様に配置され、
耳掛けリングは、第１の部分（３ａ）と第２の部分（３ｂ）とを有する閉じられたリングからなり、部分どうしを結合するために第１の部分のチャネルの中に第２の部分の自由端を入れることができ、耳掛けリングはさらに、耳掛けリングの上に装着されるように適合される軸支結合リンク（６）を含み、前記結合リンクは、スピーカ用ハウジングを保持するように適合されることを特徴とする、耳掛けリング。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明の目的は、以下によって達成される。耳掛けリングは、第１の部分および第２の部分を有する閉じられたリングからなり、部分どうしを結合するため第１の部分のチャネルの中に第２の部分の自由端を入れることができ、耳掛けリングは、耳掛けリングに装着するように適合される軸支結合リンクをさらに含み、前記結合リンクは、スピーカ用ハウジングを保持するように適合される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年1月16日(2003.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
通常のＬＭＳベースのエコーキャンセラの配置を図１に示す。これは、「送信」経路と「受信」経路に沿って伝送される２つの信号を含む。エコー・ソース信号はエコーキャンセラにＲＩＮとして入力し、ＲＯＵＴとして出てくる。送信経路入力、ＳＩＮは、ダブルトーク信号から構成され、（存在する場合には）エコー経路に沿って伝送された後のエコー・ソース信号も付加される。エコー経路を推測することにより、送信経路のエコーをキャンセルするための合成エコー信号が生成可能である。エコーをキャンセルされた信号はＳＯＵＴとして出てくる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  各ポートが、複数の異なる型式から選択された型式の光学トラフィック信号を受信／出力するよう構成されている、光学トラフィック信号を受信／出力するための複数の光学ポート（３０−１００）と、１つのポートで受信した信号を、１つ又は複数の他のポートへ選択的に交差接続するための切り換え手段（２０）とを備えているデジタル交差接続器（１０）において、 前記切り換え手段が３ステージのＣｌｏｓアーキテクチャ電気的切り換えマトリックスを備えており、各光学トラフィックポートが、そこで受信された光学トラフィック信号を、対応する第１の電気信号に変換するための手段と、前記第１の電気信号を、切り換えマトリクスによる１つ又は複数の他のトラフィックポートへの選択的交差接続のために、内部フレーム構造に変換するための手段と、前記ポートに交差接続された前記フレーム構造を有する電気信号を、前記トラフィックポートが形成されたトラフィックに対応する型式の第２の電気信号に変換するための手段と、前記電気信号を、前記ポートから出力するために、対応する光学トラフィック信号に変換するための手段を含んでおり、様々な異なる型式の光学トラフィック信号が、同じ電気切り換えマトリクスで交差接続されるようになっていることを特徴とする交差接続器。
【請求項２】  少なくとも１つの前記トラフィックポートは、光学データユニット（ＯＤＵ）を備えた光学トラフィック信号を受信／出力するためのものであり、前記内部フレーム構造はＯＤＵが交差接続されるの許容するように選択されることを特徴とする請求項１に記載の交差接続器。
【請求項３】  少なくとも１つの前記トラフィックポートは、同期デジタル・ハイアラーキ（ＳＤＨ）同期伝送モジュールＳＴＭ−Ｎを備えた光学トラフィック信号を受信／出力するためのものであり、前記内部フレーム構造は完全なＳＴＭ−Ｎが交差接続されるのを許容するように選択されることを特徴とする請求項１又は２に記載の交差接続器。
【請求項４】  前記内部フレーム構造は、ＩＴＵ−Ｔ推奨規格Ｇ．７０７に規定のＳＤＨ仮想コンテナＶＣ−３、ＶＣ−４及び／又は連結された仮想コンテナＶＣ−４−ｎｃ、但しｎ＝４、１６、６４又は２５６仮想容器の交差接続を許容するように選択されることを特徴とする上記請求項３に記載の交差接続器。
【請求項５】  少なくとも１のトラフィックポートは、光学キャリアＯＣ−Ｎから導き出されたＳＯＮＥＴ同期伝送信号ＳＴＳ−Ｎを備えた光学トラフィック信号を受信／出力するためのものであり、前記内部フレーム構造は、完全なＳＴＳ−Ｎを介在が意識されない状態で交差接続されるように選択されることを特徴とする上記請求項の何れかに記載の交差接続器。
【請求項６】  前記内部フレーム構造は、ＴｅｌｃｏｒｄｉａＧＲ２５３に規定のＳＯＮＥＴ同期伝送システムＳＴＳ−１ｓ、ＳＴＳ−ｎｃ、但しｎ＝３、１２、４８、１９２又は７６８、の交差接続を許容するように選択されることを特徴とする上記請求項５に記載の交差接続器。
【請求項７】  切換の完全性をチェックするための手段を、更に備えていることを特徴とする上記請求項の何れかに記載の交差接続器。
【請求項８】  切り換え中の信号を非侵襲的にモニターするための手段を、更に備えていることを特徴とする上記請求項の何れかに記載の交差接続器。
【請求項９】  切り換え中の信号を同期化し位置調整するための手段を、更に備えていることを特徴とする上記請求項の何れかに記載の交差接続器。
【請求項１０】  スイッチ保護手段（２０ａ）を、更に備えていることを特徴とする上記請求項の何れかに記載の交差接続器。
【請求項１１】  前記ポートの内の１つ又はそれ以上は、光学伝送モジュール（ＯＴＭ）を含む光学トラフィック信号を受信／出力するように構成されており、前記トラフィックポートは、ＯＴＭ信号から光学データ・ユニット（ＯＤＵ−ｋｓ）を抽出するための手段と、ＯＤＵを多重化及び多重分離するための手段を、更に備えていることを特徴とする上記請求項の何れかに記載の交差接続器。
【請求項１２】  一般多重プロトコル・ラベル切り換え（ＧＭＰＬＳ）、又は信号送信チャネルを使用する、自動経路設定を行うための手段を、更に備えていることを特徴とする上記請求項の何れかに記載の交差接続器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図1は本発明の好適実施例のブロック図を示す。本発明をGPRSシステムと関連して説明する。しかし、GPRSシステムは単に例示のために選ばれただけで、パケット交換接続及び／又は回線交換接続に対応する任意の通信システムに適用可能であることを理解すべきである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明では、GMLCは、どのプライバシーオプションが目標UEに有効かをHLRに問い合わせることも出来るであろう。新しい特徴はプライバシーチェックがMSC又はSGSNの代わりにGMLCによってなされるという事実である。HLRの加入者データがその動作を必要としなければ、GMLCは本明細書で述べるプライバシー要求を実行する必要はない。現在のMAP(移動通信応用部)仕様はHLRとGMLC間の加入者データの転送に対応していなくて、この新しいMAP機能は本発明の一部と考えられる。目標UEのプライバシーオプションが何であるかをGMLCがHLRでチェックできない場合は、本明細書で述べているようにGMLCは通常プライバシー要求を呼び出す。