【手続補正書】
【提出日】平成15年10月22日(2003.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス、ガラス−セラミック、又はプラスチックタイプの透明又は半透明の基材上に、少なくとも部分的に結晶化した酸化チタンを含む光触媒コーティングを、スパッタリングによって堆積させる方法であって、前記スパッタリングを、少なくとも2Paの堆積圧力Pで行うことを特徴とする、光触媒コーティングをスパッタリングによって堆積させる方法。
【請求項２】
前記酸化チタンが少なくとも部分的にアナターゼ型に結晶化していることを特徴とする、請求項１に記載の堆積方法。
【請求項３】
前記堆積圧力Pが最大で6.67Paであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の堆積方法。
【請求項４】
前記スパッタリングを、少なくとも100℃の温度に加熱した基材に行うことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の堆積方法。
【請求項５】
前記基材を、スパッタリングの前及び／又はスパッタリングの間、及び／又はスパッタリングの少なくとも一部の間に、加熱することを特徴とする、請求項4に記載の堆積方法。
【請求項６】
前記基材の温度が、スパッタリングの間に150〜350℃であることを特徴とする、請求項4又は5に記載の堆積方法。
【請求項７】
スパッタリングを周囲温度で行うことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の堆積方法。
【請求項８】
コーティングの堆積に続いて、アニーリングタイプの熱処理を行うことを特徴とする、請求項７に記載の堆積方法。
【請求項９】
前記コーティングの屈折率が2を超えることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の堆積方法。
【請求項１０】
前記コーティングが酸化チタン微結晶を含有し、この微結晶のサイズが50nm又はそれ未満であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の堆積方法。
【請求項１１】
前記コーティングのRMS粗さが、少なくとも2nmであることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の堆積方法。
【請求項１２】
前記コーティングの幾何学的厚さが150nm未満であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の堆積方法。
【請求項１３】
前記スパッタリングを、本質的に金属のターゲットから反応性の様式で行うか、又はセラミックターゲットから非反応性の様式で行うことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の堆積方法。
【請求項１４】
スパッタされるターゲットが、金属でドープされていることを特徴とする、請求項13に記載の堆積方法。
【請求項１５】
スパッタリング技術又は熱分解タイプの熱による分解を伴う技術又はゾル−ゲルによって、少なくとも1つの薄層を堆積させるステップの後で及び／又はその前に行うことを特徴とする、請求項１〜１４のいずれかに記載の堆積方法。
【請求項１６】
熱分解による少なくとも1つの薄層の堆積が先行し、この薄層のRMS粗さが少なくとも5nmであることを特徴とする、請求項15に記載の堆積方法。
【請求項１７】
少なくとも部分的に結晶化した酸化チタンを含む光触媒コーティングであって、請求項の１〜１６のいずれかにより得られる大触媒コーティングを、その一方の面の少なくとも一部の上に有する、ガラス、ガラス−セラミック、又はプラスチック基材タイプの透明又は半透明基材。
【請求項１８】
前記酸化チタンが少なくとも部分的にアナターゼ型に結晶化していることを特徴とする、請求項１７に記載の透明又は半透明基材。
【請求項１９】
スパッタリングによって得られる少なくとも部分的に結晶化した酸化チタンを含み、かつRMS粗さが少なくとも2nmである光触媒コーティングを、その一方の面の少なくとも一部の上に有する、ガラス、ガラス−セラミック、又はプラスチック基材タイプの透明又は半透明基材。
【請求項２０】
前記酸化チタンが少なくとも部分的にアナターゼ型に結晶化していることを特徴とする、請求項１９に記載の透明又は半透明基材。
【請求項２１】
少なくとも部分的に結晶化した酸化チタンを含む光触媒コーティングを、その一方の面の少なくとも一部の上に有する、ガラス、ガラス−セラミック、又はプラスチック基材タイプの透明又は半透明基材であって、前記コーティングが、少なくとも2の高屈折率を有すること、及び前記コーティングが、交互に配列された高及び低屈折率層で作られている薄い「反射防止」層からなる多層の最終層を構成することを特徴とする、ガラス、ガラス−セラミック、又はプラスチック基材タイプの透明又は半透明基材。
【請求項２２】
前記酸化チタンが少なくとも部分的にアナターゼ型に結晶化していることを特徴とする、請求項２１に記載の基材。
【請求項２３】
前記光触媒コーティングの屈折率が、2.30又はそれよりも大きいことを特徴とする、請求項21又は22に記載の基材。
【請求項２４】
前記光触媒コーティングの光学的厚さが、200〜350nmであることを特徴とする、請求項21〜23のいずれかに記載の基材。
【請求項２５】
前記光触媒コーティングの光学的厚さが、50nm未満であることを特徴とする、請求項21〜23のいずれかに記載の基材。
【請求項２６】
前記光触媒コーティングの幾何学的厚さが、80〜120nmであることを特徴とする、請求項21〜23のいずれかに記載の基材。
【請求項２７】
前記光触媒コーティングを、請求項1〜16のいずれかに記載の方法に従ってスパッタリングによって堆積させたことを特徴とする、請求項21〜25のいずれか記載の基材。
【請求項２８】
前記光触媒コーティングが、50nm又はそれ未満のサイズを有する酸化チタン微結晶を含むことを特徴とする、請求項21〜27のいずれかに記載の基材。
【請求項２９】
反射防止用の多層が少なくとも3層、すなわち連続して、高屈折率の第一層と、低屈折率の第二層と、高屈折率の少なくとも1つの別の層と組み合わせることもまた組み合わせないこともできる前記光触媒コーティングとを有することを特徴とする、請求項21〜28のいずれかに記載の基材。
【請求項３０】
前記高屈折率層が、少なくとも1.9の屈折率を有することを特徴とする、請求項21〜29のいずれかに記載の基材。
【請求項３１】
前記高屈折率の第一層の光学的厚さが、48〜68nmであることを特徴とする、請求項29又は30に記載の基材。
【請求項３２】
前記高屈折率の第一層の幾何学的厚さが、20〜40nmであることを特徴とする、請求項29又は30に記載の基材。
【請求項３３】
前記低屈折率層が、1.40〜1.75の屈折率を有することを特徴とする、請求項21〜32のいずれかに記載の基材。
【請求項３４】
前記低屈折率層の光学的厚さが、20〜79nmであることを特徴とする、請求項21〜33のいずれかに記載の基材。
【請求項３５】
前記低屈折率層の幾何学的厚さが、12〜50nmであることを特徴とする、請求項21〜34のいずれかに記載の基材。
【請求項３６】
前記高屈折率層及び低屈折率層を、1.65を超え1.9未満の中間屈折率を有する層に置き換えていることを特徴とする、請求項29に記載の基材。
【請求項３７】
前記中間屈折率層が、オキシ窒化ケイ素及び／又はオキシ窒化アルミニウムに基づくこと、あるいは酸化ケイ素と、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化チタン、及び酸化亜鉛から選択される少なくとも1種類の別の酸化物との混合物に基づくことを特徴とする、請求項36に記載の基材。
【請求項３８】
前記中間屈折率層が、120〜150nmの光学的厚さを有することを特徴とする、請求項36又は37に記載の基材。
【請求項３９】
基材から外へ拡散しやすいアルカリ金属タイプの種を阻止するバリヤー層が、前記基材と反射防止用の多層との間に挿入されていることを特徴とする、請求項21〜38のいずれかに記載の基材。
【請求項４０】
前記バリヤー層が、酸化ケイ素に基づくことを特徴とする、請求項39に記載の基材。
【請求項４１】
請求項19〜39のいずれかに記載の少なくとも1つの基材を有することを特徴とする、グレージング。
【請求項４２】
前記多層側の光反射RLが最大で20％であることを特徴とする、請求項41に記載のグレージング。
【請求項４３】
前記多層側の光反射が、（L、a*、b*）比色系において、負のa*及びb*値を有する青色又は緑色であることを特徴とする、請求項41又は42に記載のグレージング。
【請求項４４】
少なくとも1つの別の機能性コーティング、あるいは第二の光触媒コーティングを更に有することを特徴とする、請求項41に記載のグレージング。
【請求項４５】
第１の面の、少なくとも部分的に結晶化した酸化チタンを含む光触媒コーティング、及び
少なくとも第２の面の、１又は複数の他の機能性コーティング、
を有する、グレージング。
【請求項４６】
単一グレージング、積層グレージング、又は２重グレージングタイプの多重グレージングであることを特徴とする、請求項４５に記載のグレージング。
【請求項４７】
前記酸化チタンが少なくとも部分的にアナターゼ型に結晶化していることを特徴とする、請求項４５又は４６に記載のグレージング。
【請求項４８】
前記１又は複数の他の機能性コーティングが、スパッタリング又は熱分解又はゾルゲル法によって堆積されるものであることを特徴とする、請求項４５〜４７のいずれかに記載のグレージング。
【請求項４９】
前記１又は複数の他の機能性コーティングが、汚れ防止、対太陽光保護、低放射率、加熱、疎水性、親水性、反射防止若しくは帯電防止コーティング、又は他の光触媒コーティングからなる群より選択される、請求項４５〜４８のいずれかに記載のグレージング。
【請求項５０】
前記１又は複数の他の機能性コーティングが、銀、ニッケル−クロム、窒化チタン又は窒化ジルコニウムの１又は複数の層を有する対太陽光保護又は低放射率多層コーティングを含む、請求項４９に記載のグレージング。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
従って本発明は、顕著な汚れ防止特性をもたらす非常に変わった特徴を有する真空堆積させた層を得るために、これらのコーティングを「熱間」堆積させ、また別法では周囲温度で堆積させ、続いて適切な熱処理、好ましくは堆積圧力を特に制御した状態で熱処理することを提案する。
尚、本発明の実施形態としては下記に挙げるものが考慮される：
（実施態様１） ガラス、ガラス−セラミック、又はプラスチックタイプの透明又は半透明の基材上に、少なくとも部分的に結晶化した酸化チタン、特にアナターゼ形の酸化チタンを含む光触媒コーティングを、スパッタリングによって堆積させる方法であって、前記スパッタリングを、少なくとも2Paの堆積圧力Pで行うことを特徴とする、光触媒コーティングをスパッタリングによって堆積させる方法。
（実施態様２） 前記堆積圧力Pが最大で6.67Pa、また特に少なくとも2.67Paであることを特徴とする、実施態様1に記載の堆積方法。
（実施態様３） 前記スパッタリングを、少なくとも100℃の温度に加熱した基材に行うことを特徴とする、実施態様１又は２に記載の堆積方法。
（実施態様４） 前記基材を、スパッタリングの前及び／又はスパッタリングの間、及び／又はスパッタリングの少なくとも一部の間に、加熱することを特徴とする、実施態様3に記載の方法。
（実施態様５） 前記基材の温度が、スパッタリングの間に150〜350℃、好ましくは少なくとも200℃、また特に210〜280℃であることを特徴とする、実施態様3又は4に記載の方法。
（実施態様６） スパッタリングを周囲温度で行い、コーティングの堆積に続いて任意選択で、アニーリングタイプの熱処理を行うことを特徴とする、実施態様1又は2に記載の方法。
（実施態様７） 前記コーティングの屈折率が2を超える、特に2.1を超える、好ましくは2.15〜2.35又は2.35〜2.50にあることを特徴とする、実施態様１〜６のいずれかに記載の方法。
（実施態様８） 前記コーティングが酸化チタン微結晶を含有し、この微結晶のサイズが50若しくは40nm又はそれ未満、好ましくは15〜30nm又は20〜40nmにあることを特徴とする、実施態様１〜７のいずれかに記載の方法。
（実施態様９） 前記コーティングのRMS粗さが、少なくとも2nm、特に最大で10nm、好ましくは2.5〜7nm又は2.8〜5nmであることを特徴とする、実施態様１〜８のいずれかに記載の堆積方法。
（実施態様１０） 前記コーティングの幾何学的厚さが150nm未満、特に80〜120nm又は10〜25nmであることを特徴とする、実施態様１〜９のいずれかに記載の堆積方法。
（実施態様１１） 前記スパッタリングを、本質的に金属のターゲットから反応性の様式で行うか、又はセラミックターゲットから非反応性の様式で行うことを特徴とする、実施態様１〜１０のいずれかに記載の堆積方法。
（実施態様１２） スパッタされるターゲットを、金属、特にNb、Ta、Fe、Bi、Co、Ni、Cu、Ru、Ce、Mo、Alから選択される金属でドープすることを特徴とする、実施態様11に記載の堆積方法。
（実施態様１３） スパッタリング技術又は熱分解タイプの熱による分解を伴う技術又はゾル−ゲルによって、少なくとも1層の薄層、特に光学的、帯電防止、着色防止、反射防止、親水性、又は保護的機能を備えた薄層、あるいは光触媒コーティングの粗さを増すための薄層を堆積させるステップの後で及び／又はその前に行うことを特徴とする、実施態様１〜１２のいずれかに記載の堆積方法。
（実施態様１４） 熱分解、特にCVDによる少なくとも1層の薄層の堆積が先行し、この薄層のRMS粗さが少なくとも5nm、特に少なくとも10nmであることを特徴とする、実施態様13に記載の堆積方法。
（実施態様１５） 少なくとも一部が結晶化した酸化チタン、特にアナターゼ形の酸化チタンを含むコーティングであって、実施態様の１〜１４のいずれかにより得られるコーティングを、その一方の面の少なくとも一部の上に有する、ガラス、ガラス−セラミック、又はプラスチック基材タイプの透明又は半透明基材。
（実施態様１６） スパッタリングによって得られる少なくとも一部が結晶化した酸化チタン、特にアナターゼ形の酸化チタンを含み、かつRMS粗さが少なくとも2nm、特に少なくとも2.5〜2.8nm、また好ましくは最大で1nmである光触媒コーティングを、その一方の面の少なくとも一部の上に有する、ガラス、ガラス−セラミック、又はプラスチック基材タイプの透明又は半透明基材。
（実施態様１７） 少なくとも一部が結晶化した酸化チタン、特にアナターゼ形の酸化チタンを含む光触媒コーティングを、その一方の面の少なくとも一部の上に有する、ガラス−セラミック、又はプラスチック基材タイプの透明又は半透明基材であって、前記コーティングが、少なくとも2、特に少なくとも2.1、また最大で2.45又は2.35の高屈折率を有すること、及び前記コーティングが、一つおきに配列された高及び低屈折率層で作られている薄い「反射防止」層からなる多層の最終層を構成することを特徴とする、ガラス、ガラス−セラミック、又はプラスチック基材タイプの透明又は半透明基材。
（実施態様１８） 前記光触媒コーティングの屈折率が、2.30又はそれよりも大きい、特に2.35〜2.50、又は2.30若しくはそれ未満、特に2.15〜2.25であることを特徴とする、実施態様17に記載の基材。
（実施態様１９） 前記光触媒コーティングの光学的厚さが、200〜350nm、特に210〜310nmであることを特徴とする、実施態様17又は18に記載の基材。
（実施態様２０） 前記光触媒コーティングの光学的厚さが、50nm未満、特に25〜45nmであることを特徴とする、実施態様17又は18に記載の基材。
（実施態様２１） 前記光触媒コーティングの幾何学的厚さが、80〜120nm、好ましくは90〜110nm、又は10〜25nmであることを特徴とする、実施態様17及び18のいずれかに記載の基材。
（実施態様２２） 前記光触媒コーティングを、実施態様1〜14のいずれかに記載の方法に従ってスパッタリングによって堆積させたことを特徴とする、実施態様17〜20のいずれか記載の基材。
（実施態様２３） 前記光触媒コーティングが、50若しくは40nm又はそれ未満、特に15〜30nm、又は20〜40nmのサイズを有する酸化チタン微結晶、あるいは少なくとも30nm、特に30〜50nmのサイズを有する酸化チタン微結晶を含有することを特徴とする、実施態様17〜22のいずれかに記載の基材。
（実施態様２４） 反射防止用の多層が少なくとも3層、すなわち連続して、高屈折率を有する第一層と、低屈折率を有する第二層と、高屈折率を有する少なくとも1層の別の層と組み合わせることもまた組み合わせないこともできる光触媒コーティングとを有することを特徴とする、実施態様17〜23のいずれかに記載の基材。
（実施態様２５） 前記高屈折率層が、少なくとも1.9、特に1.9〜2.3又は1.9〜2.2の屈折率を有し、例えば酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、又は窒化ケイ素に基づき、あるいはこれら化合物の少なくとも2種類の混合物に基づくことを特徴とする、実施態様17〜24のいずれかに記載の基材。
（実施態様２６） 前記高屈折率の第一層の光学的厚さが、48〜68nm、特に53〜63nm又は20〜48nmにあることを特徴とする、実施態様24又は25に記載の基材。
（実施態様２７） 前記高屈折率の第一層の幾何学的厚さが、20〜40nm、又は25〜35nm、又は10〜20nmであることを特徴とする、実施態様24及び25のいずれかに記載の基材。
（実施態様２８） 前記低屈折率層が、1.40〜1.75、特に1.45〜1.55の屈折率を有し、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、又はこの2種類の混合物に基づくことを特徴とする、実施態様17〜27のいずれかに記載の基材。
（実施態様２９） 前記低屈折率層の光学的厚さが、20〜79nmであることを特徴とする、実施態様12〜17のいずれかに記載の基材。
（実施態様３０） 前記低屈折率層の幾何学的厚さが、12〜50nm、特に15〜30nmであることを特徴とする、実施態様17〜29のいずれかに記載の基材。
（実施態様３１） 前記高屈折率層及び低屈折率層を、1.65を超え1.9未満、特に1.75〜1.85の中間屈折率を有する層に置き換えていることを特徴とする、実施態様24に記載の基材。
（実施態様３２） 前記中間屈折率層が、オキシ窒化ケイ素及び／又はオキシ窒化アルミニウムに基づくこと、あるいは酸化ケイ素と、酸化スズ、酸化ジルコニウム、酸化チタン、及び酸化亜鉛から選択される少なくとも1種類の別の酸化物との混合物に基づくことを特徴とする、実施態様31に記載の基材。
（実施態様３３） 前記中間屈折率層が、好ましくは65〜80nm、特に68〜76nmの幾何学的厚さと、120〜150nm、特に125〜135nmの光学的厚さを有することを特徴とする、実施態様31又は32に記載の基材。
（実施態様３４） 基材から外へ拡散しやすいアルカリ金属タイプの種を阻止するバリヤー層を、前記基材と反射防止用の多層との間に挿入することを特徴とする、実施態様17〜33のいずれかに記載の基材。
（実施態様３５） 前記バリヤー層が、Al、C、又はNを含有することができる酸化ケイ素であって、特に少なくとも50nm、例えば60若しくは80nm〜200nmの厚さを有する酸化ケイ素に基づくことを特徴とする、実施態様34に記載の基材。
（実施態様３６） 実施態様16〜34のいずれかに記載の少なくとも1つの基材を有することを特徴とする、グレージング、特に単一グレージング、合せグレージング、又は二重グレージングタイプの多重グレージング。
（実施態様３７） 前記多層側の光反射RLが最大で20％、特に最大で18％であることを特徴とする、実施態様36に記載のグレージング。
（実施態様３８） 前記多層側の光反射が、（L、a*、b*）比色系において、絶対値で好ましくは3又は2.5未満の、負のa*及びb*値を有する青色又は緑色であることを特徴とする、実施態様36又は37に記載のグレージング。
（実施態様３９） 少なくとも1層の別の機能性コーティング、特に汚れ防止、太陽光保護、低放射率、加熱、疎水性、親水性、反射防止、又は帯電防止用のコーティング、あるいは第二の光触媒コーティングを更に有することを特徴とする、実施態様36に記載のグレージング。
（実施態様４０） 少なくとも部分的に結晶化した酸化チタン、特にアナターゼ形の酸化チタンを含む光触媒コーティングであって、製造方法に限定されない光触媒コーティングを有する第１の面、及び
汚れ防止、対太陽光保護、低放射率、加熱、疎水性、親水性、反射防止若しくは帯電防止コーティング、又は他の光触媒コーティングからなる１又は複数の機能性コーティング（スパッタリング又は熱分解又はゾルゲル法によって堆積させたもの）を有する少なくとも第２の面、
を有する、グレージングであって、特に前記機能性コーティングが、銀、又はニッケル−クロム、又は窒化チタン若しくは窒化ジルコニウムの１又は複数の層を有する対太陽光保護又は低放射率多層コーティングである、グレージング、特に単一グレージング、積層グレージング、及び２重グレージングタイプの多重グレージング。