(57)【要約】  本発明は、スパッタリング時のアーキングの発生を抑制したＡｌ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。本発明は、Ｎｉ及びＢを含有し、Ａｌ３Ｎｉ化合物が析出しているＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットにおいて、前記Ａｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対して、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合が２％以上であり、前記Ａｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径が２０μｍ以下であることを特徴とするものである。
2008117706.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ及びＢを含有し、Ａｌ３Ｎｉ化合物が析出しているＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットにおいて、
前記Ａｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対して、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合が２％以上であり、
前記Ａｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径が２０μｍ以下であることを特徴とするＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット。
【請求項２】
請求項１に記載のＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により形成されたＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲットに関し、特に、スパッタリング時のアーキング現象を抑制できるＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶パネルなどの配線材料として、アルミニウム（以下、Ａｌとする）系合金膜が着目されている。このＡｌ系合金膜は、耐熱性や低抵抗性などの特性を備えた材料で、そのなかでもアルミニウムにニッケル（以下、Ｎｉとする）を含有したＡｌ−Ｎｉ系合金は、耐熱性、低抵抗性に優れたものとして知られている（特許文献１〜３参照）。
【特許文献１】特開２００３−０８９８６４号公報
【特許文献２】特開２００４−２１４６０６号公報
【特許文献３】国際公開第２００６／１１７９５４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この配線材料として用いられるＡｌ系合金膜は、通常、スパッタリングにより形成される。このスパッタリングにより成膜する際、いわゆるアーキングやスプラッシュと呼ばれる現象が生じることが知られているが、このＡｌ系合金膜を成膜する場合、スパッタリング時にアーキングの発生が多いことが指摘されている。特に、鋳造法により製造したＡｌ系合金スパッタリングターゲットを用いると、アーキング現象が多く発生する場合が認められている。【０００４】
この鋳造法により製造したＡｌ系合金スパッタリングターゲットは、比較的大きな結晶粒径を有する組織構造であること、また、ターゲットに添加された添加元素による生成化合物が酸化されて酸化物を形成しやすいことなどの性質があり、これらの要因によりアーキングが発生するものと考えられている。【０００５】
このＡｌ（アルミニウム）−Ｎｉ（ニッケル）−Ｂ（ホウ素）系合金スパッタリングターゲットは、従来から知られている鋳造法により製造することは可能である。しかし、如何なるターゲット組織構造がアーキングの発生を十分に抑制できるのか、また、そのようなＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットをどのような製造条件により実現できるかについては、具体的な提案をした先行技術はない。【０００６】
本発明は、以上のような事情を背景になされたものであり、アーキングの発生を抑制したＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決すべく、本発明は、Ｎｉ及びＢを含有し、Ａｌ３Ｎｉ化合物が析出しているＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットにおいて、前記Ａｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対して、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合が２％以上であり、前記Ａｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径が２０μｍ以下であることを特徴とする。尚、本発明におけるＡｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対するＢ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合とは、ターゲット表面或いは断面を走査型電子顕微鏡によって観察した際に特定されるＡｌ３Ｎｉ化合物の全個数に対し、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の個数の割合を百分率で表したものである。【０００８】
そして、本発明は、上記したＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により形成されたＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金膜に関する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】四端子法による抵抗値測定素子の概略図。
【図２】実施例１のターゲット表面のＳＥＭ観察写真の概略図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明における最良の実施形態について説明するが、本発明は下記実施形態に限定されるものではない。【００１１】
本発明のＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットは、Ｎｉ及びＢを含有し、Ａｌ３Ｎｉ化合物が析出しており、ターゲット中のＡｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対して、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合が２％以上であり、前記Ａｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径が２０μｍ以下であることを特徴とする。Ａｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金においては、Ａｌ相中に金属間化合物であるＡｌ３Ｎｉが析出する性質があるが、このＡｌ相中に析出するＡｌ３Ｎｉ化合物の中で、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉが所定量存在していると、アーキングの発生が抑制されることを見出したのである。【００１２】
添加元素としてＮｉ及びＢを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金の場合、ターゲットのＡｌ相中には、Ａｌ３Ｎｉ化合物とＢ含有粒子（例えば、ＡｌＢ２粒子）とが生成される。Ａｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットを鋳造法により製造すると、所定条件下においては、Ａｌ相中に生成されたＢ含有粒子を核としてＡｌ３Ｎｉ化合物の成長が生じ、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物が形成されることになる。このＢ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物はターゲットのＡｌ相中に微細に析出する傾向があり、このＢ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物がＡｌ相中に所定量存在すると、ターゲット全体の組織微細化が進行して、アーキングの発生が抑制されるものと推測している。【００１３】
そして、本発明のＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットはＢの内包率が高く組織が微細なため、スパッタリングの際のアーキング現象が抑制される結果、安定したスパッタリングが可能となり、さらにＢが均一に分散したＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金膜を成膜することができる。また、Ｂが均一に分散したＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金膜であると、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極との直接接合を行った際に、その接合抵抗を低くすることが可能となる。【００１４】
本発明において、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物とは、Ｂ含有粒子がＡｌ３Ｎｉ化合物の中心部分に生成しているような（取り込まれた）状態をいい、Ａｌ３Ｎｉ化合物の周辺部分にＢ含有粒子が生成している状態や、或いはＢ含有粒子がＡｌ３Ｎｉ化合物に接した状態で生成している状態を含む。つまり、その形態にかかわらず、Ｂ含有粒子がＡｌ３Ｎｉ化合物（粒子）とが何らかの形で接触した状態を示すものである。【００１５】
さらに、本発明に係るＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットは、ターゲット中のＡｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対して、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合が２％以上であり、前記Ａｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径が２０μｍ以下である。Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合が２％未満であると、アーキング現象の抑制効果が小さくなる。ターゲット中のＡｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対するＢ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合は、その上限値に制限はないが、鋳造法における製造条件の制約から、実用的には１０％以下、製造コストを考慮すると、６％以下が好ましい。尚、本発明におけるＡｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対するＢ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合とは、ターゲット表面或いは断面を走査型電子顕微鏡によって観察した際に特定されるＡｌ３Ｎｉ化合物の全個数に対し、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の個数の割合を百分率で表したものである。【００１６】
また、Ａｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径は２０μｍを超えると、アーキングが発生しやすくなる傾向となる。このＡｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径は、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物と、Ｂ含有粒子を内包しないＡｌ３Ｎｉ化合物との全てのＡｌ３Ｎｉ化合物より決定される。この平均粒径は、粒径が５μｍ以上のＡｌ３Ｎｉ化合物のものにより算出するものである。そして、Ａｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径は１６μｍ以下であることが望ましい。アーキング現象をより効果的に抑制できるからである。さらに、Ａｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径に下限値については特に制限はないが、鋳造法における製造条件の制約から、実用的には５μｍ以上、製造コストを考慮すると１３μｍ以上である。アーキング現象の効率的な抑制と製造条件の制約とを勘案すると、Ａｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径は６μｍ〜１６μｍであることがより好ましい。尚、Ａｌ３Ｎｉ化合物の粒径が５μｍ未満であると、アーキングへの影響があまり大きくないため、本発明では５μｍ以上の粒径のＡｌ３Ｎｉ化合物を対象としている。【００１７】
尚、本発明において、Ａｌ３Ｎｉ化合物、Ｂ含有粒子（例えば、ＡｌＢ２粒子）の特定及びその割合、それらの平均粒径は、製造されたターゲット表面或いはターゲット断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）及びエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）により観察して特定できる。より具体的には、倍率２００倍のＳＥＭ観察の視野（０．１９ｍｍ２）において、確認されるＡｌ３Ｎｉ化合物の析出物であってその径が５μｍ以上の個数を総て数える。そして、この観察を１０視野で行い、１０視野でカウントしたＡｌ３Ｎｉ化合物の中で、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の析出物の個数を数えて、その割合を算出する。また、平均粒径は、ＳＥＭ観察の視野内で確認されるＡｌ３Ｎｉ化合物の析出物であってその径が５μｍ以上のもの全てついて、その析出物の長軸径を測定し、その平均を算出する。【００１８】
上記した本発明のＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットは、所定組成のＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金を７５０℃以上の温度にて鋳造することにより実現可能である。但し、鋳型材質、鋳込み量などの条件にあわせて、鋳造温度を含む各製造条件を適宜調整し、上記した組織構造を有する本発明のＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットを製造する必要がある。【００１９】
上記した本発明のＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットは、Ｎｉ含有量が１．５ａｔ％以上であり、Ｂ含有量が０．８０ａｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、Ｎｉ含有量が１．５ａｔ％〜６．０ａｔ％である。そして、Ｂ含有量は０．１０ａｔ％以上、より好ましくは０．２０ａｔ％〜０．８０ａｔ％である。このような組成のＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットであると、液晶パネルなどの製造工程における各熱履歴に対する優れた耐熱特性を備えたＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金膜となるからである。尚、本発明のＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットは、低抵抗特性の観点より、Ａｌ自体を７５ａｔ％以上含有していることが望ましい。さらに、本発明に係るＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲットは、不可避不純物を含むことを妨げるものではなく、本願発明の効果を奏する限りにおいて、その他の添加元素を含有することができる。
【実施例】
【００２０】
続いて、本発明の実施例について説明する。本実施例では、各種組成のＡｌ−Ｎｉ系合金のスパッタリングターゲットを作製し、そのスパッタリング時のアーキングの発生について調査した。【００２１】
まず、ターゲット製造条件について説明する。原料の溶解工程では、サイリスタ式高周波加熱装置（日本サーモニクス（株）製：公称出力５０ｋＷ、発振周波数３ｋＨｚ）を用いた。表１に示す実施例１の合金組成はＡｌ−５．０ａｔ％Ｎｉ−０．４ａｔ％Ｂであるため、この組成割合を考慮したアルミニウム、ニッケル、ホウ素の各原料を、予め空焼きしたアルミナ坩堝に投入し、サイリスタ式高周波加熱装置内に設置した。原料のアルミニウムは、インゴットより所定量を切り出したものを用い、ニッケル、ホウ素の原料はペレット状のものを用いた。そして、アルミナ坩堝を設置している空間を減圧することにより８Ｐａ（ピラニー真空計で計測）の真空状態にし、原料の溶解加熱を開始した。坩堝内の原料は１０００℃（１２７３Ｋ）まで昇温することで全溶解したが、さらに１２００℃（１４７３Ｋ）まで昇温を行った。１２００℃に到達した後、その温度で３０分間保持した。【００２２】
この温度保持後、５００００Ｐａまでアルゴンガスで加圧し、鋳造温度を８００℃（１０７３Ｋ）に調整して、ＳＵＳ製鋳型（厚み５０ｍｍ、縦長さ３２５ｍｍ、横長さ３５０ｍｍの鋳塊作製用）に注湯した。その後、自然冷却して鋳塊を得た。【００２３】
得られた鋳塊は、熱間圧延処理（圧下量２ｍｍ／パス、温度５００℃）を行った後、厚み１０ｍｍ、縦１６２５ｍｍ、横３５０ｍｍの大きさの圧延板とした。そして、この圧延板表面をフライス加工して、サイズはφ２０３．２ｍｍ×８ｍｍのターゲット材を製造した（実施例１）。尚、表１に記載した実施例２〜実施例８、比較例１及び比較例２、比較例６、比較例７のターゲットに関しては、基本的な製造工程は上記と同様で、その合金組成或いは鋳造温度を変えて製造した。【００２４】
また、表１に示す比較例３〜比較例４の別組成のターゲットについても、上記製造条件と基本的に同じ工程により製造を行った。但し、比較例４の場合は、組成割合を考慮して準備したアルミニウム（インゴット）、予め溶製したＮｉ−Ｃ合金（ペレット）を原料として、１６００℃溶解し、上記実施例１（Ａｌ−５．０ａｔ％Ｎｉ−０．４ａｔ％Ｂ）と同様な鋳造温度にてターゲットを作製した。また、比較例５の場合は、組成割合を考慮したアルミニウム（インゴット）、ニッケル（ペレット）、ネオジウム（ペレット）を原料として、１２００℃で溶解し、上記実施例１（Ａｌ−５．０ａｔ％Ｎｉ−０．４ａｔ％Ｂ）と同様の鋳造温度にてターゲットを作製した。【００２５】
そして、得られた各ターゲットは、次のようにしてスパッタリング時のアーキング発生頻度を調査した。ターゲット材は、銅製のバッキングプレートにボンディングし、マルチチャンバースパッタリング装置（トッキ（株）製：ＭＳＬ−４６４型）に装着した。そして、このアーキング測定は、スパッタリング中のアーク放電時の電圧降下によって、エネルギー変化が１０ｍＪ以上のものをアーキング発生１回としてカウントしたものである（測定装置：マイクロアークモニターＭＡＭ  Ｇｅｎｅｓｉｓ、（株）ランドマーク・テクノロジー製）。なお、アーキングの指標としては、アーキング発生回数をスパッタによるターゲット厚み方向の掘れた深さで割ったアーキング発生頻度（回/ｍｍ）を用いた。スパッタ条件は次のとおりである。出力４０００Ｗ、減圧度０．５Ｐａ、Ａｒ流量１００ｓｃｃｍ／ｍｉｎ、放電時間１０時間とした。測定結果を表２に示す。【００２６】
また、各ターゲットにより成膜したＡｌ−Ｎｉ系合金膜について透明電極であるＩＴＯとの接合抵抗についても測定を行った。ＩＴＯとの接合抵抗測定方法は次のようにして行った。【００２７】
各組成のターゲットを使用して、スパッタリング条件を投入電力３．０Ｗ／ｃｍ２、アルゴンガス流量１００ｃｃｍ、アルゴン圧力０．５Ｐａとして、マグネトロン・スパッタリング装置（トッキ社製：マルチチャンバータイプスパッタ装置ＭＳＬ４６４）を用い、厚み２０００ÅのＡｌ−Ｎｉ系合金膜をガラス基板上に形成した。【００２８】
そして、Ａｌ−Ｎｉ系合金膜表面にレジスト（ＯＦＰＲ８００：東京応化工業（株））を被覆し、２０μｍ幅回路形成用パターンフィルムを配置して露光処理をし、濃度２．３８％、液温２３℃のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含むアルカリ現像液（以下、ＴＭＡＨ現像液と略す）で現像処理をした。現像処理後、リン酸系混酸エッチング液（関東化学（株）社製：アルミ混酸エッチャント、組成（容量比）／リン酸：蓚酸：酢酸：水＝１６：１：２：１、液温３２℃）により回路形成を行い、ジメチルスルフォキシド（以下、ＤＭＳＯとする）剥離液によりレジストの除去を行って、２０μｍ幅回路を形成した。【００２９】
次に、２０μｍ幅回路を形成した基板を、純水洗浄、乾燥処理を行い、その表面にＳｉＮｘの絶縁層（厚み４２００Å）を形成した。この絶縁層の成膜は、スパッタリング装置を用い、投入電力ＲＦ３．０Ｗ／ｃｍ２、アルゴンガス流量９０ｃｃｍ、窒素ガス流量１０ｃｃｍ、圧力０．５Ｐａ、基板温度３００℃のスパッタ条件により行った。【００３０】
続いて、絶縁層表面にポジ型レジスト（東京応化工業（株）社製：ＴＦＲ−９７０）を被覆し、１０μｍ×１０μｍ角のコンタクトホール開口用パターンフィルムを配置して露光処理をし、ＴＭＡＨ現像液により現像処理をした。そして、ＣＦ４のドライエッチングガスを用いて、コンタクトホールを形成した。コンタクトホール形成条件は、ＣＦ４ガスの場合、ＣＦ４ガス流量５０ｃｃｍ、酸素ガス流量５ｃｃｍ、圧力４．０Ｐａ、出力１５０Ｗとした。コンタクトホール形成後、ＤＭＳＯ剥離液によりレジストの剥離を行った。レジストの剥離処理を行った各評価サンプルは、残存する剥離液を純水洗浄した後、乾燥処理を行った。【００３１】
続いて、このレジストの剥離処理が終了した各サンプルに対し、ＩＴＯターゲット（組成Ｉｎ２Ｏ３−１０wt％ＳｎＯ２）を用いて、コンタクトホール内及びその周囲にＩＴＯの透明電極層を形成した。透明電極層の形成は、スパッタリング（基板温度７０℃、投入電力１．８Ｗ／ｃｍ２、アルゴンガス流量８０ｃｃｍ、酸素ガス流量０．７ｃｃｍ、圧力０．３７Ｐａ）を行い、透明電極層となる厚み１０００ÅのＩＴＯ膜を形成した。【００３２】
そして、このＩＴＯ膜表面にレジスト（ＯＦＰＲ８００：東京応化工業（株）社製）を被覆し、パターンフィルムを配置して露光処理をし、濃度２．３８％、液温２３℃のＴＭＡＨ現像液で現像処理をし、しゅう酸系混酸エッチング液（関東化学（株）社製ＩＴＯ０５Ｎ）により２０μｍ幅回路の形成を行った。ＩＴＯ膜回路形成後、剥離液（ＤＭＳＯ  １００ｗｔ％）によりレジストを除去した。【００３３】
以上のような手順により、コンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介してＡｌ−Ｎｉ系合金膜からなる回路と透明電極層とが直接接合された評価サンプルについて、そのコンタクト抵抗値を測定した。その測定結果を表２に示す。このコンタクト抵抗値の測定は、図１に示すような四端子法に基づき、評価サンプルである素子を大気中、２５０℃、３０分間のアニール処理後、各評価サンプルの抵抗値測定を行った。尚、この図１に示す四端子法は、熱処理後の評価サンプルの端子部分から連続通電（３ｍＡ）をして、その抵抗を測定するものである。【００３４】
また、ターゲット中のＡｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対するＢ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合と、Ａｌ３Ｎｉ化合物については次のように特定した。まず、作成した各ターゲットについて、その中央部分の表面を走査型電子顕微鏡にて倍率２００倍で観察した。図２に、実施例１の代表的なＳＥＭ観察結果の概略図を示す。【００３５】
図２に示す概略図中、符号１の斜線で示す部分がターゲットのＡｌ相である。また、符号２で示す白色の析出物がＡｌ３Ｎｉ粒子である。そして、符号３で示す析出物がＢ含有粒子（例えば、ＡｌＢ２粒子）である。さらに、Ｂ含有粒子を内部に含むか、Ｂ含有粒子と接した状態のＡｌ３Ｎｉを、Ｂ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉとして符号２’で示している。【００３６】
ターゲット中のＡｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対するＢ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合については、図２で示すようなＳＥＭ観察視野（０．１９ｍｍ２）の１０視野中に確認されたＡｌ３Ｎｉの析出物の個数をカウントし、そのうち符号２’で示すようなＢ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉの個数をカウントして、それらの個数から算出した。また、平均粒径については、析出物の長軸となる部分の長さを各析出物の粒径として、視野中に確認されたＡｌ３Ｎｉの析出物であって粒径５μｍ以上の全ての粒径を測定しその平均を算出した。また、Ｂ含有粒子は、ＳＥＭとＥＤＸで確認したところＡｌＢ２であった。そして、倍率２００倍のＳＥＭ観察で計測可能であった粒径１μｍ以上のものを対象として、Ｂ含有粒子を内包する粒径５μｍ以上のＡｌ３Ｎｉの個数をカウントした。
【００３７】
【表１】
2008117706.tif 000003
【００３８】
【表２】
2008117706.tif 000004
【００３９】
表１及び表２に、各実施例及び各比較例のデータを纏めて示した。表１における割合の欄は、ターゲット中のＡｌ３Ｎｉ化合物の全析出量に対するＢ含有粒子を内包するＡｌ３Ｎｉ化合物の割合値を示している。この表１及び表２より、割合が２．０％〜８．３％であり、Ａｌ３Ｎｉ化合物の平均粒径が１８．５μｍ〜５．７μｍであった各実施例のターゲットでは、アーキング現象が明らかに抑制されていることが判明した。比較例１及び２については、実施例１或いは２に比べると、アーキング頻度が低下していなかった。この理由は、Ａｌ３Ｎｉ化合物の粒径が大きいことに起因するものと推定され、比較例１では鋳造温度が低いため鋳造前に坩堝内で初晶Ａｌ３Ｎｉ（析出温度約７１０℃）が析出し、成長粗大化したことによるもので、また、比較例２では鋳造温度が高すぎるため凝固までに時間を要し、鋳造後に鋳型内で析出した初晶Ａｌ３Ｎｉが成長粗大化したことによるものと考えられる。【００４０】
成膜後のＩＴＯとの直接接合における接合抵抗値の結果では、実施例１〜３及び実施例６、７、比較例６、７の各合金組成のターゲットにより成膜したものが低接合抵抗値となり、特に実施例１〜３、６、７は非常に低い接合抵抗値であることが判明した。このアーキング現象及びＩＴＯとの直接接合における接合抵抗値の調査結果より、Ａｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金のスパッタリングターゲットでは、Ｎｉ含有量が１．５ａｔ％以上であることが好ましいことが判明した。以上のことから、実施例１〜８のスパッタリングターゲットで成膜した場合、膜中のＢも均一に分散されていることが予測された。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明によれば、アーキングの発生が抑制されるため、安定したスパッタリングが行えることができ、均一なＡｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金膜の成膜が可能となる。
【図１】
2008117706.tif 000005
【図２】
2008117706.tif 000006
【国際調査報告】
2008117706.tif 000007
2008117706.tif 000008