【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に液体試料を供給する方法であって、
開口端を有する溝付きのピンツールを、前記基板に供給される液体試料を収容する試料リザーバに浸漬し、それによって前記ピンツール中に、ある体積の液体試料を吸い上げ、
前記液体試料を受け取るターゲット位置上に前記ピンツールが位置するように、前記ピンツールを前記試料リザーバから前記基板上方の上昇位置へ移動させ、
前記溝付きのピンツールを予め定められた速度で前記基板へ降下させた後、この前記基板に向かう前記ピンツールの移動を停止させ、それによって前記溝付きのピンツールから前記基板のターゲット位置に向けて前記液体試料を放出させ、前記基板上に供給される前記液体試料の体積を前記降下の速度により調節する、基板に液体試料を供給する方法。
【請求項２】
前記基板に向かう前記溝付きのピンツールの移動の停止は、実質的に前記ピンツールの前記開口端が前記基板に接触した時に起こる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記溝付きのピンツールの開口端は、前記基板上のターゲット位置に堆積した材料の周囲に、その材料のいかなる部分にも接触することなく、嵌まるようになっている、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記溝付きのピンツールは、前記基板上のターゲット位置の材料の周囲に嵌まるキャビティを形成する横方向溝を備える、実質的に円筒状の先端を有する、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記溝付きのピンツールは、約７５μｍよりも大きい幅のキャビティを形成する横方向溝を備える、実質的に円筒状の先端を有する、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記円筒状の先端のキャビティの幅は、約１００μｍから約３００μｍである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記円筒状の先端のキャビティの幅は、約３０μｍから約１００μｍである、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記円筒状の先端のキャビティの高さは、約１００μｍより大きい、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記ピンツールを浸漬する工程は、前記先端を前記リザーバ中に浸漬し、それによって前記溝に前記液体が吸い込まれる、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ピンツールを浸漬する工程は、前記試料流体のレベルが少なくとも前記先端の溝の高さと等しくなるように、前記先端を前記リザーバに浸漬し、前記ピンツールが前記ピンツールの溝と等しい深さまで浸されたときに、浸漬を停止する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板上の正規位置を決定するためのパターン認識により前記溝付きのピンツールを位置決めし、前記溝付きのピンツールを前記決定された位置に移動する、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記溝付きのピンツールの移動は、前記基板の適当な位置を示す前記基板上の方向マークの識別を含む、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記降下の速度を、前記液体試料の既知の組成に応じて得変更する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
第１の液体試料が供給された後に、液体槽中で前記溝付きのピンツールを洗浄し、
前記溝付きのピンツールを前記液体試料に浸漬する前に乾燥させる、
請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記洗浄及び乾燥は、前記第１の液体試料が供給された後、第２の液体試料が供給される前に行われる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記乾燥は、前記溝付きのピンツールに空気流を流す、請求項１４又は請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記液体槽は超音波槽を含む、請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記試料は質量分析のためのマトリクス材料を含む、請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載方法。
【請求項１９】
前記円筒状の先端のキャビティの幅は、約１００μｍから約５００μｍである、請求項５に記載の方法。
【請求項２０】
前記方向マークは、方向の識別及び／又は複数の前記基板中での基板を識別のための、記号、電子タグ、又は基板の物理的変形である、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
基板上のターゲット位置に１つ以上のピンツールから液体試料を供給するためのシステムであって、
それぞれピンツールに対する処理を実行し、前記ピンツールは前記液体試料が吸い込まれる溝を有する下側先端を備えている、複数の処理ステーションと、
前記溝付きのピンツールを処理ステーションから処理ステーションに搬送する、搬送システムと、
前記溝付きのピンツールに前記液体試料が装填される装填ステーションに、前記溝付きのピンツールを移動させることにより、前記溝付きのピンツールに装填を行い、前記液体試料を受け取るターゲット位置上に前記ピンツールが位置するように、前記ピンツールを前記基板上方の上昇位置へ移動させ、予め定められた速度で前記基板に向けて溝付きのピンツールを降下させ、この基板に向かう溝付きのピンツールの移動を停止することで、前記液体試料を供給し、それによって前記溝付きのピンツールから前記基板のターゲット位置に向けて前記液体試料を放出させる、制御システムと
を備える、システム。
【請求項２２】
前記溝付きのピンツールは、前記基板上のターゲット位置に堆積した材料の周囲に、その材料のいかなる部分にも接触することなく、嵌まるようになっている開口端を、それぞれ有する１つ以上の溝付きのピンを備え、
前記溝付きのピンツールは、前記基板上に供給される液体試料を収容する試料リザーバに浸漬され、それによって前記溝付きのピンツールの溝付きのピン中にある体積の液体試料が吸い上げられるようになっている、
請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記制御システムは、実質的に前記溝付きのピンツールの開口端が前記基板に接触した時に、前記基板に向かう前記溝付きのピンツールの移動を停止させる、請求項２１又は請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記溝付きのピンツールの開口端は、前記基板の前記ターゲット位置の材料の周囲に、その材料のいかなる部分にも接触することなく、嵌まるようになっている、請求項２１から請求項２３のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項２５】
前記溝付きのピンツールは、前記基板上の前記ターゲット位置の材料の周囲に嵌まるキャビティを形成する横方向溝を備える、実質的に円筒状の先端を有する、請求項２１から請求項２３のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項２６】
前記溝付きのピンツールは、約１００μｍよりも大きい幅のキャビティを形成する横方向溝を有する、実質的に円筒状の先端を有する、請求項２１から請求項２３のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項２７】
前記円筒状の先端のキャビティの幅は、約３００μｍである、請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
前記円筒状の先端のキャビティの高さは、約１００μｍより大きい、請求項２６に記載のシステム。
【請求項２９】
前記制御システムは、前記装填ステーションの試料収容リザーバ中にピンツールの先端を浸漬することにより、前記溝付きのピンツールへの装填を行い、かつ前記制御システムは、実質的に前記ピンツールが前記ピンツールの溝と等しい深さまで浸されると、浸漬を停止する、請求項２１から請求項２８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項３０】
前記制御システムは、前記基板上に位置する正規位置を決定するためにパターン認識技術を使用して、前記溝付きのピンツールを前記上昇位置に移動させる、請求項２１から請求項２９のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項３１】
前記制御システムは、前記基板の適当な位置を示す基板上の方向マークを識別することにより、前記溝付きのピンツールを前記上昇位置に移動させる、請求項２１から請求項２９のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項３２】
前記制御システムは、予め定められた降下速度で溝付きのピンツールを移動させることにより、前記溝付きのピンツールを降下させる、請求項２１又は請求項２２に記載のシステム。
【請求項３３】
前記制御システムは、前記降下速度を変化させることにより、前記基板に供給される液体試料の体積を変化させる、請求項３２に記載のシステム。
【請求項３４】
前記制御システムは、既知の液体試料の組成に応じて降下速度を変える、請求項３２に記載のシステム。
【請求項３５】
前記制御システムは、第１の液体試料を供給した後、液体槽中で前記溝付きのピンツールを洗浄し、前記液体試料に浸漬する前に前記溝付きのピンツールを乾燥させる、請求項２１から請求項３４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項３６】
前記制御システムは、前記第１の試料を供給した後に、第２の試料を供給する前に、洗浄及び乾燥を実行する、請求項３５に記載のシステム。
【請求項３７】
前記乾燥は、前記溝付きのピンツールに空気流を流す、請求項３５に記載のシステム。
【請求項３８】
前記液体槽は超音波槽を含む、請求項３５に記載のシステム。
【請求項３９】
基板のターゲット位置の材料の周囲にその材料のいかなる部分にも接触することなく嵌まるようになっている開口端を、それぞれ有する１以上の溝付きのピンを備え、
基板上に供給される液体試料を収容する試料リザーバに浸漬し、それによって前記溝付きのピン中に、ある体積の液体試料を吸い上げるようになっている、試料供給システムで使用されるピンツール。
【請求項４０】
前記ピンツールのピンは、約７５μｍよりも大きい幅のキャビティを形成する横方向溝を備える、実質的に円筒状の先端を有する、請求項３９に記載のピンツール。
【請求項４１】
前記円筒状の先端のキャビティの幅は約５００μｍに達する、請求項４０に記載のピンツール。
【請求項４２】
前記円筒状の先端のキャビティの高さは、約１００μｍより大きい、請求項３９から請求項４１のいずれか１項に記載のピンツール。
【請求項４３】
請求項３９から請求項４２のいずれか１項に記載のピンツールと、試料材料の堆積のためのターゲット部位を含む基板との組み合わせであり、ピンツールのピンのアレイが、基板上のターゲット部位のアレイと適合する、組み合わせ。
【請求項４４】
ピンツールと基板の組み合わせであって、
前記ピンツールは、溝が付けられた少なくとも１つのピンを備え、
前記基板は、フォトレジスト材料の供給とフォトリソグラフィ堆積とにより規定されるターゲット位置を備え、得られた前記基板上のターゲット位置のアレイは周囲の領域よりも疎水性が低く、
前記基板は、第１の材料の接触角が第２の材料の接触角に対して少なくとも約２０度異なる、２つの材料を含む、ピンツールと基板の組み合わせ。
【請求項４５】
前記第１の材料はポリテトラフルオロエチレン又はその誘導体、又はジメチルジクロロシラン（ＤＭＤＣＣＳ）であり、前記第２の材料は、ターゲット部位を形成するシリコン又は二酸化シリコンである、請求項４４に記載の組み合わせ。
【請求項４６】
表面にターゲット位置のアレイを備え、前記ターゲット位置は周囲の領域よりも疎水性が低い、基板と、
前記基板のターゲット位置に堆積された材料の周囲に嵌まるキャビィを形成する横方向溝を備える、実質的に円筒状の先端を有する、ピンツールと
を備える、組み合わせ。
【請求項４７】
前記ピンは、約７５μｍ、好適には１００μｍを上回る幅のキャビティを形成する横方向溝を備える、実質的に円筒状の先端を有する、請求項４６に記載の組み合わせ。
【請求項４８】
前記円筒状の先端のキャビティの幅は、約１００μｍから約３００μｍである、請求項４６に記載の組み合わせ。
【請求項４９】
前記ピンの前記円筒状の先端のキャビティの高さは、約１００μｍより大きい、請求項４６に記載の組み合わせ。
【請求項５０】
前記溝付きのピンツールは、前記基板上に供給される液体試料を含む試料リザーバ中に浸され、それによって前記溝付きのピン中に、ある体積の液体試料を吸い上げ、前記ピンツールが前記ターゲット位置の上方に位置するように基板上の上昇位置に移動され、かつ前記溝付きのピンツールが基板に向けて降下され、移動が停止すると前記溝付きのピンツールから前記基板のターゲット位置に向けて前記液体試料が放出される、請求項４６に記載の組み合わせ。
【請求項５１】
基板のターゲット部位にマトリクス材料及び試料を堆積させ、
試料の分析のために質量分析装置中に導入し、
前記サンプルを質量分析により分析する、
質量分析方法。
【請求項５２】
前記サンプルは、核酸又はたんぱく質を含む、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
基板の表面をフォトレジスト材料でコーティングして、前記表面上で凝固させ、
露光された表面から前記フォトレジスト材料を除去する波長の光線で、マスクを介して前記基板を露光し、
フォトレジストのパッドのアレイを前記表面に残し、前記フォトレジスト材料を現像液で洗い落とし、
得られた基板を焼成する、基板の調製方法。
【請求項５４】
前記基板は１９０〜２００℃で、５０〜７０分の間焼成される、請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
前記フォトレジストは、ジアゾナフトキノン感光剤及びフェノール樹脂を含む、請求項５３に記載の方法。
【請求項５６】
前記ツールのピンはテーパ状である、請求項３９に記載のピンツール。