【手続補正書】
【提出日】平成16年7月27日(2004.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成されたゲイト電極と、
前記ゲイト電極を覆って形成された、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜と、
前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成されたポリシリコン膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成されたゲイト電極と、
前記ゲイト電極を覆って形成された、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜と、
前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成されたポリシリコン膜と、
前記ポリシリコン膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記ポリシリコン膜に接続された電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記絶縁膜は有機性樹脂膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、前記絶縁膜は、少なくとも有機性樹脂膜を含む積層膜で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または４において、前記有機性樹脂膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルのいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一において、前記電極はアルミニウムとチタンとの積層膜で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記ゲイト絶縁膜は、窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜とからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記ポリシリコン膜は低濃度不純物領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜はチャネル方向における前記ゲイト電極の両端部から１〜２０μｍの範囲で突出する様な形状にパターン形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜の幅は４〜４０μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜の膜厚は１０〜５００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜は前記ゲイト電極の熱伝導率の５０％以下の熱伝導率を有する材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜の熱伝導率は、１０〜２００Ｗｍ-1Ｋ-1であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜は前記ゲイト電極よりも導電率が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜の導電率は、１×１０4 〜２×１０5Ω-1ｃｍ-1であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜は前記ゲイト電極よりも耐熱性が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜は不純物が添加されていないシリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜は一導電性を有するシリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜はチタン、クロム、タンタルシリサイド、モリブデンシリサイド、タングステンシリサイドから選ばれた一種または複数種の材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか一において、前記ゲイト電極はアルミニウム若しくはアルミニウムを主成分とする材料、又は銅若しくは銅を主成分とする材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれか一に記載の半導体装置は、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、ロジック回路、イメージセンサのいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１乃至２０のいずれか一に記載の半導体装置は、ビデオカメラ、スチルカメラ、プロジェクター、ＴＶ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、携帯電話のいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極を覆って、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜を形成し、
前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜にレーザー光またはそれと同等の強度を持つ強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極を覆って、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜を形成し、
前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜上に結晶化を助長する金属元素を保持または添加し、
加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極を覆って、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜を形成し、
前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
前記アモルファスシリコン膜上に結晶化を助長する金属元素を保持または添加し、
加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化してポリシリコン膜を形成し、
前記ポリシリコン膜にレーザー光またはそれと同等の強度を持つ強光を照射し、前記ポリシリコン膜の結晶性を改善することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２３乃至２５のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜として前記ゲイト電極の熱伝導率の５０％以下の熱伝導率を有する材料を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２３乃至２５のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜の熱伝導率は１０〜２００Ｗｍ-1Ｋ-1であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項２３乃至２５のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜として不純物を添加しないシリコン膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２３乃至２５のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜として一導電性を有するシリコン膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項２３乃至２５のいずれか一において、前記ゲイト電極よりも熱伝導率が低い膜としてチタン、クロム、シリコン、タンタルシリサイド、モリブデンシリサイド、タングステンシリサイドから選ばれた一種または複数種の材料を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項２３乃至３０のいずれか一において、前記ゲイト電極としてアルミニウム若しくはアルミニウムを主成分とする材料、又は銅若しくは銅を主成分とする材料を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999097700.tif 000001