【手続補正書】
【提出日】平成16年3月5日(2004.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ヒステリシスを呈している電気的に分極可能な誘電記憶材料（１２）、特に強誘電性材料を含む不揮発性受動マトリックス記憶装置（１０）であって、前記記憶材料（１２）が、並列なアドレッシング電極の対応する第１の組と第２の組（１４、１５）の間の層に挟まれ、前記第１の組（１４）の電極が前記記憶装置のワード線（ＷＬ1からＷＬm）を構成し、前記第２の組（１５）の電極と実質的に直交する関係に置かれ、前記第２の組が、前記記憶装置のビット線（ＢＬ1からＢＬn）を構成し、蓄電器のような構造をした記憶セル（１３）が前記ワード線と前記ビット線の交点において前記記憶材料（１２）において定義され、前記記憶装置の前記記憶セル（１３）が受動マトリックス（１１）の構成要素を構成し、各前記記憶セル（１３）を前記ワード線（ＷＬ）と前記ビット線（ＢＬ）を通して、書き込み／読み取り操作のために選択的にアドレスすることができ、前記記憶セルへの書き込み操作が、前記記憶セルを定義している対応する前記ワード線（ＷＬ）および前記ビット線（ＢＬ）を通して前記記憶セルに適用される電圧により前記記憶セル内に好ましい分極状態を確立することによって実行され、前記電圧が、前記記憶セルにおける分極状態を決定するかあるいは前記記憶セルの分極状態を交互に切り換えることができ、読み取り操作が、強制電圧ＶCより大きい電圧を前記記憶セルに適用し、前記ビット線（ＢＬ）上の出力電流の少なくともひとつの電気パラメータを検知することにより実行される、不揮発性受動マトリックス記憶装置（１０）であって、前記ワード線（ＷＬ）が複数のセグメント（Ｓ）に分割され、当該各セグメントが前記マトリックス（１１）における隣接する複数の前記ビット線（ＢＬ）を有しまたそれらによって定義され、前記セグメント（Ｓ）に割り当てられた各前記ビット線（ＢＬ）を対応する感知手段（２６）に接続する手段（２５）が備えられ、そのことにより前記セグメント（Ｓ）上の前記ワード線（ＷＬ）に割り当てられた全ての前記記憶セル（１３）を前記セグメント（Ｓ）の対応する前記ビット線（ＢＬ）を通して読み出すために同時に接続することができ、各前記感知手段（２６）が当該感知手段に接続するビット線（ＢＬ）における電荷の流れを感知するように適合され、前記ビット線によって定義された前記記憶セル（１３）に記憶された論理値を決定することを特徴とする、不揮発性受動マトリックス記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
ヒステリシスを呈している電気的に分極可能な誘電記憶材料（１２）、特に強誘電性材料を含む不揮発性受動マトリックス記憶装置（１０）であって、前記記憶材料（１２）が、並列なアドレッシング電極の対応する第１の組と第２の組（１４、１５）の間の層に挟まれ、前記第１の組（１４）の電極が前記記憶装置（１０）のワード線（ＷＬ）を構成し、前記第２の組（１５）の電極と実質的に直交する関係に置かれ、前記第２の組が、前記記憶装置（１０）のビット線（ＢＬ1からＢＬn）を構成し、蓄電器のような構造をした記憶セル（１３）が前記ワード線と前記ビット線（ＢＬ）の交点において前記記憶材料（１２）において定義され、前記記憶装置（１０）の前記記憶セル（１３）が受動マトリックス（１１）の構成要素を構成し、各前記記憶セル（１３）を前記ワード線（ＷＬ）と前記ビット線（ＢＬ）を通して、書き込み／読み取り操作のために選択的にアドレスすることができ、前記記憶セルへの書き込み操作が、前記記憶セルを定義している対応する前記ワード線（ＷＬ）および前記ビット線（ＢＬ）を通して前記記憶セルに適用される電圧により前記記憶セル内に好ましい分極状態を確立することによって実行され、前記電圧が、前記記憶セルにおける分極状態を決定するかあるいは前記記憶セルの分極状態を交互に切り換えることができ、読み取り操作が、強制電圧ＶCより大きい切り換え電圧ＶSを前記記憶セルに適用し、前記ビット線（ＢＬ）上の出力電流の少なくともひとつの電気パラメータを検知することにより実行される不揮発性受動マトリックス記憶装置のための読み出し方法であって、当該方法が、全ての前記ワード線および前記ビット線のための電気タイミング順序を有するプロトコルに従った時間調整により全ての前記ワード線（ＷＬ）および全ての前記ビット線（ＢＬ）における電位を制御するステップと、前記プロトコルが読み取りサイクルを含むよう調整するステップと、前記読み取りサイクル間前記感知手段が前記ビット線における電位の流れを感知するよう調整するステップと、を含み、前記ワード線（ＷＬ）が複数のセグメント（Ｓ1からＳq）に分割され、当該各セグメントが前記マトリックス（１１）における隣接する複数の前記ビット線（ＢＬ）を有しまたそれらによって定義され、前記ワード線セグメント（Ｓ）内の各前記ビット線（ＢＬ）を対応する感知手段（２６）に接続し、前記プロトコルに従って、一時にひとつの前記ワード線（ＷＬ）を、前記セグメント（Ｓ）の当該ひとつのワード線の電位を前記読み取りサイクルの少なくともある時間切り換え電圧ＶSに設定することによって活性化し、その間前記セグメントの全ての前記ビット線をゼロ電位に保持し、前記読み取りサイクルの間に前記感知手段（２６）によって感知された前記個々の記憶セル（１３）に記憶された論理値を決定することを特徴とする、読み出し方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、不揮発性受動マトリックス記憶装置に関する。この記憶装置は、ヒステリシスを呈している、電気的に分極可能な誘電記憶材料、特に強誘電性材料、を含んでいる。この記憶材料は、並列なアドレッシング電極の対応する第１の組と第２の組の間の層に挟まれている。第１の組の電極は、記憶装置のワード線を構成し、第２の組の電極と実質的に直交する関係に置かれている。第２の組は、記憶装置のビット線を構成している。蓄電器のような構造をした記憶セルは、ワード線およびビット線の交点において記憶材料において定義される。記憶装置の記憶セルは、受動マトリックスの構成要素を構成し、各記憶セルは、ワード線とビット線を通して、書き込み／読み取り操作のために選択的にアドレスされることができる。記憶セルへの書き込み操作は、セルを特定する、対応するワード線およびビット線を通してセルに与えられる電圧によりセル内に好ましい分極状態を確立することによって、実行される。この電圧は、記憶セルにおける分極状態を決定するか、あるいは、記憶セルの分極状態を交互に切り換えることができる。読み取り操作は、強制電圧ＶCより大きい切り換え電圧ＶSを記憶セルに適用し、ビット線上の出力電流の少なくともひとつの電気パラメータを検知することにより、実行される。
また、本願発明はこの種のメモリデバイスを読み出すための方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
好ましい実施例の詳細について説明をする前に、受動マトリックス・メモリあるいはこのような記憶装置内の単一の記憶セルがどのように機能しているかをよりよく理解できるように、本発明の一般的な背景を説明する。この点に関し、図１を参照されたい。図１は、強誘電性材料の、典型的ないわゆる“ヒステリシス・ループ”を示している。強誘電性材料の極性Ｐは電位差Ｖに対して描かれている。極性値は、示される方向に従ってループに沿って変化する。図１に示されるようなヒステリシス・ループを持つ強誘電性材料は、電圧ＶSがいわゆる強制電圧ＶCを超えると、そのネット極性方向を変化させ（“切り換え”）、極性Ｐは、突然大きな陽性値＋Ｐrに変化する（ゼロ電圧における陰性極性から始まると仮定する）。この陽性極性＋Ｐrは、対応する陰性の電圧−ＶSが陰性の強制電圧−ＶCを超え、極性を再び陰性の極性に変化させるまで続く。このように、強誘電性材料を含む蓄電器を有する記憶装置は、外部から適用される電場がない場合に記憶効果を発揮し、分極反応を引き起こす電位差を強誘電性材料にわたって適用することにより、不揮発性データを記憶することが可能となる。従って、その方向（および規模）を好ましい状態に設定し、そのまま保つことができる。同様に、分極状態を決定することもできる。データの記憶および決定を以下にさらに詳しく説明する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004510283.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2004510283.tif 000002