【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一主面上の所定位置にバンプを形成するバンプ形成方法であって、
上面の少なくとも一部が前記バンプを形成するためのバンプ材を加熱する加熱面とされた加熱手段上に、板状体の所定位置に前記半導体基板の一主面上の所定位置に前記バンプ材を位置決めするための穴が形成された位置決め部材を載置し、
次いで、前記穴にバンプ材を投入して該バンプ材の上端部を前記穴から突出させ、
次いで、前記半導体基板の前記一主面が前記バンプ材の上端部に接触するように前記位置決め部材上に半導体基板を載置し、
次いで、前記バンプ材を、前記加熱手段により加熱するとともに、このバンプ材を押圧手段により上方から前記半導体基板を介して押圧し、
前記バンプ材を前記半導体基板の一主面上の所定位置に接合することを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項２】
前記バンプ材を加熱・押圧する際に、超音波発振手段により該バンプ材に超音波を発振し、該バンプ材と前記半導体基板との間の接合強度を高めることを特徴とする請求項１記載のバンプ形成方法。
【請求項３】
半導体基板の一主面上の所定位置にバンプを形成するバンプ形成装置であって、
上面の少なくとも一部がバンプ材を加熱する加熱面とされた加熱手段と、
この加熱手段の上方に配置され、板状体の所定位置に前記半導体基板の一主面上の所定位置にバンプ材を位置決めするための穴が形成された位置決め部材と、
前記位置決め用の穴に投入され上端部が前記穴から突出するバンプ材を、前記位置決め部材上に配置された半導体基板を介して押圧する押圧手段と、
を備え、
前記押圧手段により前記バンプ材を前記半導体基板を介して所定の圧力で押圧した状態で、前記バンプ材を前記加熱手段により加熱し、前記バンプ材を前記半導体基板の一主面上の所定位置に接合することを特徴とするバンプ形成装置。
【請求項４】
前記加熱手段は板状体を有し、この板状体の一主面が前記バンプ材を加熱する加熱面とされ、かつその内部に加熱源が設けられていることを特徴とする請求項３記載のバンプ形成装置。
【請求項５】
前記バンプ材はバンプボールであり、前記位置決め部材の厚みは、前記バンプボールの最大径より薄くしてなることを特徴とする請求項３または４記載のバンプ形成装置。
【請求項６】
前記位置決め部材と、前記加熱手段とを対向配置し、
前記位置決め部材に第１の磁性体を、前記加熱手段に第２の磁性体を、それぞれ設け、これら第１の磁性体及び第２の磁性体により生じる反発力により前記位置決め部材と前記加熱手段との間隔を保持することを特徴とする請求項３、４または５記載のバンプ形成装置。
【請求項７】
前記バンプ材の静電気を除去する静電気除去手段を備えてなることを特徴とする請求項３ないし６のいずれか１項記載のバンプ形成装置。
【請求項８】
前記バンプ材に超音波を発振する超音波発振手段を備えてなることを特徴とする請求項３ないし７のいずれか１項記載のバンプ形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は次の様なバンプ形成方法及び装置を採用した。
すなわち、本発明の請求項１記載のバンプ形成方法は、半導体基板の一主面上の所定位置にバンプを形成するバンプ形成方法であって、上面の少なくとも一部が前記バンプを形成するためのバンプ材を加熱する加熱面とされた加熱手段上に、板状体の所定位置に前記半導体基板の一主面上の所定位置に前記バンプ材を位置決めするための穴が形成された位置決め部材を載置し、次いで、前記穴にバンプ材を投入して該バンプ材の上端部を前記穴から突出させ、次いで、前記半導体基板の前記一主面が前記バンプ材の上端部に接触するように前記位置決め部材上に半導体基板を載置し、次いで、前記バンプ材を、前記加熱手段により加熱するとともに、このバンプ材を押圧手段により上方から前記半導体基板を介して押圧し、前記バンプ材を前記半導体基板の一主面上の所定位置に接合することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２記載のバンプ形成方法は、請求項１記載のバンプ形成方法において、前記バンプ材を加熱・押圧する際に、超音波発振手段により該バンプ材に超音波を発振し、該バンプ材と前記半導体基板との間の接合強度を高めることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３記載のバンプ形成装置は、半導体基板の一主面上の所定位置にバンプを形成するバンプ形成装置であって、上面の少なくとも一部がバンプ材を加熱する加熱面とされた加熱手段と、この加熱手段の上方に配置され、板状体の所定位置に前記半導体基板の一主面上の所定位置にバンプ材を位置決めするための穴が形成された位置決め部材と、前記位置決め用の穴に投入され上端部が前記穴から突出するバンプ材を、前記位置決め部材上に配置された半導体基板を介して押圧する押圧手段と、を備え、前記押圧手段により前記バンプ材を前記半導体基板を介して所定の圧力で押圧した状態で、前記バンプ材を前記加熱手段により加熱し、前記バンプ材を前記半導体基板の一主面上の所定位置に接合することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４記載のバンプ形成装置は、請求項３記載のバンプ形成装置において、前記加熱手段は板状体を有し、この板状体の一主面が前記バンプ材を加熱する加熱面とされ、かつその内部に加熱源が設けられていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項５記載のバンプ形成装置は、請求項３または４記載のバンプ形成装置において、前記バンプ材はバンプボールであり、前記位置決め部材の厚みは、前記バンプボールの最大径より薄くしてなることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項６記載のバンプ形成装置は、請求項３、４または５記載のバンプ形成装置において、前記位置決め部材と、前記加熱手段とを対向配置し、前記位置決め部材に第１の磁性体を、前記加熱手段に第２の磁性体を、それぞれ設け、これら第１の磁性体及び第２の磁性体により生じる反発力により前記位置決め部材と前記加熱手段との間隔を保持することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明のバンプ形成方法によれば、上面の少なくとも一部が前記バンプを形成するためのバンプ材を加熱する加熱面とされた加熱手段上に、板状体の所定位置に前記半導体基板の一主面上の所定位置に前記バンプ材を位置決めするための穴が形成された位置決め部材を載置し、次いで、前記穴にバンプ材を投入して該バンプ材の上端部を前記穴から突出させ、次いで、前記半導体基板の前記一主面が前記バンプ材の上端部に接触するように前記位置決め部材上に半導体基板を載置し、次いで、前記バンプ材を、前記加熱手段により加熱するとともに、このバンプ材を押圧手段により上方から前記半導体基板を介して押圧し、前記バンプ材を前記半導体基板の一主面上の所定位置に接合するので、バンプ材の保持及び位置決めを容易に行うことができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本発明のバンプ形成装置によれば、上面の少なくとも一部がバンプ材を加熱する加熱面とされた加熱手段と、この加熱手段の上方に配置され、板状体の所定位置に前記半導体基板の一主面上の所定位置にバンプ材を位置決めするための穴が形成された位置決め部材と、前記位置決め用の穴に投入され上端部が前記穴から突出するバンプ材を、前記位置決め部材上に配置された半導体基板を介して押圧する押圧手段と、を備え、前記押圧手段により前記バンプ材を前記半導体基板を介して所定の圧力で押圧した状態で、前記バンプ材を前記加熱手段により加熱し、前記バンプ材を前記半導体基板の一主面上の所定位置に接合するので、バンプ材の保持及び位置決めを容易に行うことができ、バンプ形成工程の時間を短縮することができ、製造コストを低減することができる。