【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理手段と、前記膜の厚みを測定する測定手段とを備える基板処理装置において、
前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定手段と、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記測定手段を有し、且つ前記基板の位置を調整する位置調整手段を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記位置調整手段及び前記処理手段の間において前記基板を搬送する搬送手段を備えることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板は識別標識を有し、前記測定手段は前記識別標識を識別する識別手段を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理手段と、前記膜の厚みを測定する測定手段とを備える基板処理装置において、
前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記測定手段を有し、且つ前記基板の位置を調整する位置調整手段を備えることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記位置調整手段及び前記処理手段の間において前記基板を搬送する搬送手段を備えることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板は識別標識を有し、前記測定手段は前記識別標識を識別する識別手段を備えることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理手段と、前記膜の厚みを測定する測定手段とを備える基板処理装置において、
前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定手段と、前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定手段と、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
前記測定手段を有し、且つ前記基板の位置を調整する位置調整手段を備えることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板は識別標識を有し、前記測定手段は前記識別標識を識別する識別手段を備えることを特徴とする請求項９又は１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法において、
前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定工程と、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法において、
前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法において、
前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定工程と、前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定工程と、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定モジュールと、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定モジュールを有することを特徴とするプログラム。
【請求項１６】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定モジュールを有することを特徴とするプログラム。
【請求項１７】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定モジュールと、前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定モジュールと、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定モジュールとを有することを特徴とするプログラム。
【請求項１８】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータが読み取り可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定モジュールと、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定モジュールを有することを特徴とする記憶媒体。
【請求項１９】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータが読み取り可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定モジュールを有することを特徴とする記憶媒体。
【請求項２０】
表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータが読み取り可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定モジュールと、前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定モジュールと、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び記憶媒体に関し、特に、基板の膜厚を測定する基板処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的は、基板の歩留まりの悪化を防止すると共に、コストを削減できる基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び記憶媒体を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上記目的を達成するために、請求項１４記載の基板処理方法は、表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法において、前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定工程と、前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定工程と、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定工程とを有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項１５記載のプログラムは、表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定モジュールと、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定モジュールを有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項１６記載のプログラムは、表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定モジュールを有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項１７記載のプログラムは、表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定モジュールと、前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定モジュールと、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定モジュールとを有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項１８記載の記憶媒体は、表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータが読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定モジュールと、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定モジュールを有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項１９記載の記憶媒体は、表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータが読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定モジュールを有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項２０記載の記憶媒体は、表面に膜が形成された基板の当該膜に所望の処理を施す処理工程と、前記膜の厚みを測定する測定工程とを有する基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータが読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、前記所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて前記所望の処理における処理条件を設定する処理条件設定モジュールと、前記所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて前記所望の処理を再度施すか否かを判定する判定モジュールと、前記所望の処理を再度施す際における処理条件を設定する再処理条件設定モジュールとを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、請求項１記載の基板処理装置、請求項１２記載の基板処理方法、請求項１５記載のプログラム及び請求項１８記載の記憶媒体によれば、所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて所望の処理を再度施すか否かを判定し、所望の処理を再度施す際における処理条件を設定するので、所望の処理が不適切に行われた基板に、適切な所望の処理を再度施すことができ、当該基板を廃棄する必要をなくすことができる。その結果、基板の歩留まりの悪化を防止できると共に、コストを削減できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
請求項５記載の基板処理装置、請求項１３記載の基板処理方法、請求項１６記載のプログラム及び請求項１９記載の記憶媒体によれば、所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて所望の処理における処理条件を設定するので、基板の膜に所望の処理が不適切に行われるのを防止することができ、廃棄する基板の数を減少できる。その結果、基板の歩留まりの悪化を防止できると共に、コストを削減できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
請求項９記載の基板処理装置、請求項１４記載の基板処理方法、請求項１７記載のプログラム及び請求項２０記載の記憶媒体によれば、所望の処理を施す前の膜の厚みに基づいて所望の処理における処理条件を設定し、所望の処理を施した後の膜の厚みに基づいて所望の処理を再度施すか否かを判定し、所望の処理を再度施す際における処理条件を設定するので、基板の膜に所望の処理が不適切に行われるのを防止することができ、廃棄する基板の数を減少できると共に、所望の処理が不適切に行われた基板に、適切な所望の処理を再度施すことができ、当該基板を廃棄する必要をなくすことができる。その結果、基板の歩留まりの悪化を確実に防止できると共に、コストをより削減できる。