Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出射する直線偏光のレーザ光を対物レンズにより集光して光記録装置へ導き、光記録媒体からの反射光を光検出器で受光する光ヘッド装置において、
前記レーザ光は波長が異なる、光ヘッド装置において用いられる２つのレーザ光であり、光源と対物レンズとの間に前記レーザ光の位相状態を制御する広帯域位相差板が設置されており、
前記広帯域位相差板は、２枚の位相差板がそれぞれの光軸を交差するように重ねられていて、前記レーザ光が第１に入射する前記位相差板のリタデーション値が第２に入射する前記位相差板のリタデーション値より大きく、前記２つのリタデーション値の比が１．８〜２．２であり、
前記広帯域位相差板に入射する前記レーザ光の偏光方向と一方の位相差板の進相軸方向とが１０〜２０度の角度をなし、前記偏光方向と他方の位相差板の進相軸方向とが７０〜８０度の角度をなし、
かつ、用いられる前記２つのレーザ光それぞれの波長に対して、楕円率角が最も大きくなる、２枚の位相差板の光軸である進相軸方向の関係が決定されていることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項２】
光源から出射する直線偏光のレーザ光を対物レンズにより集光して光記録装置へ導き、光記録媒体からの反射光を光検出器で受光する光ヘッド装置において、
前記レーザ光は波長が異なる、光ヘッド装置において用いられる２つのレーザ光であり、光源と対物レンズとの間に前記レーザ光の位相状態を制御する広帯域位相差板が設置されており、
前記広帯域位相差板は、２枚の位相差板がそれぞれの光軸を交差するように重ねられていて、前記２つのレーザ光が第１に入射する前記位相差板のリタデーション値が第２に入射する位相差板のリタデーション値より大きく、前記２つのリタデーション値の比が１．８〜２．２であり、
前記広帯域位相差板に入射する前記レーザ光の直線偏光の偏光方向と前記２枚の位相差板のぞれぞれの進相軸とのなす角度を、入射する位相差板の順にそれぞれθ1およびθ2とするとき、θ1とθ2が、０度＜ａ≦５度において、以下の（５ａ）または（５ｂ）の関係を満たすことを特徴とする光ヘッド装置。
（θ1、θ2）＝（１５＋ａ、７５−ａ）・・（５ａ）
（θ1、θ2）＝（７５−ａ、１５＋ａ）・・（５ｂ）
【請求項３】
前記広帯域位相差板が前記２つのレーザ光の光学的性質を変化させる少なくとも１つの光学素子と一体化されている請求項１または２に記載の光ヘッド装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、光源から出射する直線偏光のレーザ光を対物レンズにより集光して光記録装置へ導き、光記録媒体からの反射光を光検出器で受光する光ヘッド装置において、前記レーザ光は波長が異なる、光ヘッド装置において用いられる２つのレーザ光であり、光源と対物レンズとの間に前記レーザ光の位相状態を制御する広帯域位相差板が設置されており、前記広帯域位相差板は、２枚の位相差板がそれぞれの光軸を交差するように重ねられていて、前記レーザ光が第１に入射する前記位相差板のリタデーション値が第２に入射する前記位相差板のリタデーション値より大きく、前記２つのリタデーション値の比が１．８〜２．２であり、前記広帯域位相差板に入射する前記レーザ光の偏光方向と一方の位相差板の進相軸方向とが１０〜２０度の角度をなし、前記偏光方向と他方の位相差板の進相軸方向とが７０〜８０度の角度をなし、
かつ、用いられる前記２つのレーザ光それぞれの波長に対して、楕円率角が最も大きくなる、２枚の位相差板の光軸である進相軸方向の関係が決定されていることを特徴とする光ヘッド装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、光源から出射する直線偏光のレーザ光を対物レンズにより集光して光記録装置へ導き、光記録媒体からの反射光を光検出器で受光する光ヘッド装置において、前記レーザ光は波長が異なる、光ヘッド装置において用いられる２つのレーザ光であり、光源と対物レンズとの間に前記レーザ光の位相状態を制御する広帯域位相差板が設置されており、前記広帯域位相差板は、２枚の位相差板がそれぞれの光軸を交差するように重ねられていて、前記２つのレーザ光が第１に入射する前記位相差板のリタデーション値が第２に入射する位相差板のリタデーション値より大きく、前記２つのリタデーション値の比が１．８〜２．２であり、前記広帯域位相差板に入射する前記レーザ光の直線偏光の偏光方向と前記２枚の位相差板のぞれぞれの進相軸とのなす角度を、入射する位相差板の順にそれぞれθ1およびθ2とするとき、θ1とθ2が、０度＜ａ≦５度において、以下の（５ａ）または（５ｂ）の関係を満たすことを特徴とする光ヘッド装置を提供する。
（θ1、θ2）＝（１５＋ａ、７５−ａ）・・（５ａ）
（θ1、θ2）＝（７５−ａ、１５＋ａ）・・（５ｂ）
また、前記広帯域位相差板が前記２つのレーザ光の光学的性質を変化させる少なくとも１つの光学素子と一体化されている光ヘッド装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、図１（ｂ）に示すように、例えば反応ガスにフッ素系のガス等を用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等により、上記ソース層４および第１のゲート層３を貫通してドリフト層２に達する例えば深さが５μｍ〜７μｍとなるトレンチ（溝）５を形成する。そしてその後、図２（ａ）に示すように、このトレンチ５の側壁部および底部に、原料ガスに例えばＳｉＨ4およびＣ3Ｈ8等を、またＮ型不純物として例えばリンまたは窒素等を用いたＣＶＤ等によるエピタキシャル成長により、例えば膜厚が１μｍ程度となるチャネル層（Ｎ型の炭化珪素層）６を形成する。ここで、このチャネル層６および上記ドリフト層２は、基板１およびソース層４よりも不純物濃度が低くなるように形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、樹脂１５は、半導体チップ３の中央部に設けるようにしてもよい。これにより、突出電極１３を介して半導体パッケージＰＫ１と半導体パッケージＰＫ２とを電気的に接続した場合においても、突出電極１３から離れた位置に樹脂１５を配置することが可能となる。このため、樹脂１５の伸び縮みの影響が突出電極１３に及ぶことを抑制することが可能となり、温度サイクルなどでの耐久性を向上させることが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
なお、上述した実施形態では、半導体パッケージＰＫ２を半導体パッケージＰＫ１上に実装するために、キャリア基板１のランド２ｂ上にフラックス７を供給するとともに、キャリア基板１１のランド１２上に突出電極１３を設ける方法について説明したが、キャリア基板１のランド２ｂ上に突出電極１３を設けるとともに、キャリア基板１１のランド１２上にフラックス７を供給するようにしてもよい。フラックス７の代わりにはんだペーストを用いても良い。また、上述した実施形態では、ディスペンサなどを用いることにより、半導体チップ３上にペースト状の樹脂１５を供給する方法について説明したが、半導体チップ３上にシート状の樹脂１５を供給するようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、半導体チップ２３上には、半導体チップ２３の少なくとも一部が露出するように樹脂３８が配置され、半導体パッケージＰＫ１２は樹脂３８を介して半導体チップ２３に固着されている。
これにより、異種パッケージを積層した場合においても、突出電極３６を介して接続されたキャリア基板２１、３１間に隙間を残したままの状態で、キャリア基板２１、３１間に樹脂３８を設けることが可能となる。このため、サイズまたは種類の異なる半導体チップ２３、３３ａ、３３ｂを実装する際の省スペース化を図ることが可能となるとともに、積層された半導体パッケージＰＫ１１、ＰＫ１２の２次実装時の位置ずれを防止しつつ、半導体パッケージＰＫ１１、ＰＫ１２間の剥離を抑止することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
一方、半導体パッケージＰＫ２２には半導体チップ５１が設けられ、半導体チップ５１には、電極パッド５２が設けられるとともに、電極パッド５２が露出するようにして、絶縁膜５３が設けられている。そして、半導体チップ５１上には、電極パッド５２が露出するようにして応力緩和層５４が形成され、電極パッド５２上には、応力緩和層５４上に延伸された再配置配線５５が形成されている。そして、再配置配線５５上にはソルダレジスト膜５６が形成され、ソルダレジスト膜５６には、応力緩和層５４上において再配置配線５５を露出させる開口部５７が形成されている。そして、開口部５７を介して露出された再配置配線５５上には、半導体パッケージＰＫ２２が半導体チップ４３上に保持されるように、半導体チップ５１をキャリア基板４１上にフェースダウン実装するための突出電極５８が設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
これにより、半導体パッケージＰＫ２１上にＷ−ＣＳＰ（ウェハレベル−チップサイズパッケージ）を積層した場合においても、突出電極５８を介して接合されたキャリア基板４１と半導体チップ５１との間に隙間を残したままの状態で、キャリア基板４１と半導体チップ５１との間に樹脂５９を設けることが可能となる。このため、半導体チップ４３、５１の種類またはサイズが異なる場合においても、半導体チップ４３、５１間にキャリア基板を介在させることなく、半導体チップ４３上に半導体チップ５１を３次元実装することが可能となるとともに、積層された半導体パッケージＰＫ２１、ＰＫ２２の２次実装時の位置ずれを防止しつつ、半導体パッケージＰＫ２１、ＰＫ２２間の剥離を抑止することが可能となる。この結果、３次元実装された半導体チップ４３、５１の信頼性の劣化を抑制しつつ、半導体チップ４３、５１積層時の高さの増大を抑制することが可能となり、半導体チップ４３、５１実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】  シャンプー、リンスの薬剤や薬品や洗剤などの容器の一部や部分的やその他として、さまざまな、容器を透明にしたもの、又、その他の容器の一部や部分的や全体的やその他として、さまざまな、容器を透明にして、内容量の残量をわかるようにした。又、さまざまな、容器の中身などのじょうたいや色や形状や具合などやその他としても、わかるようにした。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】  本発明は、シャンプーやリンスの薬剤や薬品や洗剤などの容器や、その他の容器、すなわち、産業用や家庭用や工業用や商業用や医療用や美容用や化粧用やペット用などや、そのほかの目的にもちいられるものに使用されている薬剤や洗剤や薬品などや、その他のもののはいった容器や、産業用や家庭用や商業用や工業用などとして、とりだし容器や散布機や散布器や家電製品や電器製品や電気製品や電機製品などや、その他や精密機械やその他などに関連などしている工業製品や、日用品やその他産業製品やの家庭用製品や商業製品や工業製品などやその他の容器に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】  従来の、シャンプーやリンスの薬剤や薬品や洗剤などの容器や、その他の目的の容器、すなわち産業用や家庭用や工業用や商業用や医療用や美容用や化粧用やペット用などのものやそのほかの目的にもちいられているものに使用されている、液状や粉末状などの薬剤や洗剤や薬品などの、容器やとりだし容器や散布機や散布器やその他の容器について、不透明や全て透明や半透明やあまり透明でないものなどがある。そして、容器やその他の容器などの内容量や残量や中身などのじょうたいや色や形状や具合やその他などがわからなかった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】  以上に述べた従来の液状や粉末状やその他のじょうたいのものなどの、薬剤や薬品や洗剤などのものについて、それらのはいった容器のことについてや、シャンプーやリンスの薬品や薬剤や洗剤などの容器についてや、その他のにたような容器や、その他の取り出し容器や散布器や散布機やその他の容器などについてのほか、上記の他に、産業用や家庭用や工業用や商業用や美容用や化粧用や食品用やペット用やそのほかの目的にもちいられる容器などで、薬品や薬剤や洗剤などのはいった容器やその他の容器やとりだし容器や散布機や散布器やその他の容器などについては、透明な部分がないものやあまり透明でないものがあり、内容量や残量の確認や中身などのじょうたいや色や形状や具合やその他などの確認ができなかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】  本発明は、このような従来の構成が有していた問題を解決しようとするものであり、シャンプーやリンスの薬剤や薬品や洗剤などの容器や、産業用や家庭用や工業用や商業用や美容用や化粧用やペット用やその他のものや、そのほかの目的のためのもののため、薬剤や薬品や洗剤や、その他のものなどがはいった容器やとりだし容器や散布機や散布器やその他の容器の、内容量や残量や容器の中身などのじょうたいや色や形状や具合やその他などを、確認ができるように実現することを目的などとするものである。又、安全上の問題をないものとすることも考慮した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  そして、本発明は上記目的を達成するために上記の容器やとりだし容器や散布機や散布器やその他の容器に、一部や部分的や全体的に透明な部分をつくり、そこに目的や用途などにおうじた透明になった部分や透明になった部分を利用したテザインなどをできるようにして、内容量や残量や形状や具合やその他を、確認できるようになった。又、上記についての、容器や取り出し容器や散布器や散布機やその他の容器の中身などやじょうたいや色や形状や具合やその他もわかるようにした。そして、一部や部分的や全体的などの透明な部分のおおきさや形については、目的や用途におうじて、自由な位置につくれるようにして、さまざまなおおきさと、形にできるようにする。又、方法としてもできるようにした。又、方法としても、利用や活用ができるようにした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】  上述のように本発明の容器やとりだし容器や散布機や散布器やその他の容器は、内容量の残量などを確認できるようになり、内容量や残量などをどのくらいあるのかなどがすぐわかるようになった。又、上記の容器やその他の容器の内容量や残量のじょたいや色や形状や具合やその他などがわかるようになった。そして、透明な部分がさまざまな、位置や大きさや形にできることもあり、意匠的としても新たなものとなり新たに消費者の購入意欲をおこすこともできることも、考慮した。。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  本発明は、シャンプーやリンスの薬品や薬剤や洗剤などでは、容器やとりだし容器などの内容量や残量を確認したり、じょうたいを確認しながら入浴をすることができるようにする。又、シャンプーやリンスの薬剤や薬品や洗剤などをお店などから購入するときなどに、その、容器や取り出し容器やその他の容器の中身などのじようたいや色や形状や具合などを確認したうえで購入をする。そして、その他の容器、すなわち、産業用や家庭用や工業用や商業用や医療用や美容用や化粧用やペット用やその他の目的のための、容器やとりだし容器や散布機や散布器やその他の容器などは、内容量のじょうたいや色や形状や具合やその他などを確認したり、内容量の残量などを確認をしたりできるようにする。又、購入したり使用したりすることに上記のようなことが、活用ができるようにする。又、上記の容器やその他の容器の中身の色がわかるようになるため、色彩を楽しみながら、私用することができるようにすることも考慮した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１０】  上述したように本発明のにシャンプーやリンスの薬剤や薬品や洗剤などの容器や取り出し容器やその他の容器や、その他の目的や用途の容器やとりだし容器や散布器や散布機やその他の容器の内容量が、不透明やあまり透明でないものや半透明のものなどについて、部分的や一部や全体的に、透明になり内容量の残量やじょうたいや形状や具合やその他や色などがわかるようになったり、又、透明になった部分を利用してテザインとして利用できるようになったり中身などのじょうたいや色や形状や具合やその他などが、わかるようになりあたらしく使いやすいものや、新しい感覚の容器やその他の容器のものが提供できるようになった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化チタンの表面が、カルボキシル基を有する親水性高分子により修飾された表面改質二酸化チタン微粒子であって、該親水性高分子のカルボキシル基と二酸化チタンがエステル結合で結合していることを特徴とする、ドラッグデリバリーシステムに用いるための表面改質二酸化チタン微粒子。
【請求項２】
前記二酸化チタンが、アナターゼ型、またはルチル型である、請求項１に記載の表面改質二酸化チタン微粒子。
【請求項３】
前記二酸化チタンの粒径が、２〜２００ｎｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載の表面改質二酸化チタン微粒子。
【請求項４】
前記二酸化チタンが、二酸化チタンと磁性材とからなる複合二酸化チタンであることを特徴とする、請求項１〜３何れか一項に記載の表面改質二酸化チタン微粒子。
【請求項５】
前記親水性高分子が、水溶性高分子であることを特徴とする、請求項１〜４何れか一項に記載の表面改質二酸化チタン微粒子。
【請求項６】
前記水溶性高分子が、ポリカルボン酸を含むことを特徴とする、請求項５に記載の表面改質二酸化チタン微粒子。
【請求項７】
前記水溶性高分子が、分子中に複数のカルボキシル基単位を有する共重合体を含むことを特徴とする、請求項５に記載の表面改質二酸化チタン微粒子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の表面改質二酸化チタン微粒子が、水系溶媒に分散していることを特徴とする、表面改質二酸化チタン微粒子の分散液。
【請求項９】
前記水系溶媒のｐＨが、３〜１３であることを特徴とする、請求項８に記載の表面改質二酸化チタン微粒子の分散液。
【請求項１０】
前記水系溶媒が、ｐＨ緩衝液であることを特徴とする、請求項９に記載の表面改質二酸化チタン微粒子の分散液。
【請求項１１】
前記水系溶媒が、生理食塩水であることを特徴とする、請求項９に記載の表面改質二酸化チタン微粒子の分散液。
【請求項１２】
体内の病変部に導入した後、紫外線等の光を照射して該病変部を破壊する光療法の補強剤として用いる、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の表面改質二酸化チタン微粒子の分散液。
【請求項１３】
前記病変部がガン組織であることを特徴とする、請求項１２に記載の表面改質二酸化チタン微粒子の分散液。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月19日(2004.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄筋コンクリートからなる建物の梁や壁の型枠内にスリーブを固定するスリーブ固定具であって、柔軟性を有する合成樹脂からなり、鉄筋に装着しうる断面略Ｃ字状のクリップ部と、このクリップ部の側方に張り出され、垂直部および該垂直部の側面に設けられた水平部からなるアーム部と、このアーム部に連続して設けられスリーブを前記鉄筋およびアーム部とそれぞれ直交する略水平方向に保持する略Ｃ字状のスリーブ保持部とを有し、前記スリーブ保持部の外周面にアーム部に連続する補強リブが形成されていることを特徴とするスリーブ固定具。
【請求項２】
前記クリップ部の相対する開口端縁部には、互いに拡幅方向に折り返されたガイドリップ部が形成されていることを特徴とする請求項１記載のスリーブ固定具。
【請求項３】
前記スリーブ保持部の相対する開口端縁部には、互いに拡幅方向に折り返されたフック部が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のスリーブ固定具。
【請求項４】
前記スリーブ保持部に保持されるスリーブの軸心を含み、かつクリップ部が装着される鉄筋の軸心に直交する仮想平面に対して、クリップ部がオフセットする位置に設けられていることを特徴とする請求項１、２又は３に記載のスリーブ固定具。
【請求項５】
型枠内に配筋される少なくとも一の鉄筋に請求項１記載のスリーブ固定具のクリップ部を装着し、このスリーブ固定具のスリーブ保持部にスリーブを取り付け、このスリーブの両開口端に型枠の相対する内面をそれぞれ当接させて型枠を固定した後、この型枠内にコンクリートを打設して、スリーブ及びスリーブ固定具をコンクリート内に埋設固定することを特徴とする貫通孔の施工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明のスリーブ固定具は、鉄筋コンクリートからなる建物の梁や壁の型枠内にスリーブを固定するスリーブ固定具であって、柔軟性を有する合成樹脂からなり、鉄筋に装着しうる断面略Ｃ字状のクリップ部と、このクリップ部の側方に張り出され、垂直部および該垂直部の側面に設けられた水平部からなるアーム部と、このアーム部に連続して設けられスリーブを前記鉄筋およびアーム部とそれぞれ直交する略水平方向に保持する略Ｃ字状のスリーブ保持部とを有し、前記スリーブ保持部の外周面にアーム部に連続する補強リブが形成されていることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】
本発明のスリーブ固定具は、クリップ部を介して鉄筋の任意の位置に装着することができ、また、管径の異なるスリーブでもスリーブ保持部に簡単に嵌め込むことができるので、スリーブの位置決めが極めて容易になる。さらに、クリップ部とスリーブ保持部との間にアーム部が設けられ、鉄筋とスリーブとがこのアーム部の長さだけ離れて保持されるので、鉄筋に対するコンクリートのかぶり厚さを適正に確保することができる。また、合成樹脂からなるので鉄筋の腐食には影響を及ぼすことがない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射Ｘ線の強度に応じて発光するシンチレータと、このシンチレータと光学的に結合される受光面との対向面を基板上に等間隔に位置づけられた多チャンネルの光電変換素子と、前記シンチレータを前記光電変換素子のチャンネル毎に分離する隔壁板と、を具備したＸ線検出素子アレイと、
このＸ線検出素子アレイのＸ線入射面側に配置されたチャンネル方向コリメータ板アレイと、
前記チャンネル方向コリメータ板を保持する放射状の溝が設けられ、この溝端部に前記隔壁板の一部を係合させて前記コリメータ板と前記光電変換素子のチャンネルとの位置決めを行なう保持部材と、
を備えたこと特徴とするＣＴ装置用Ｘ線検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】   少なくとも第１および第２の管状中空部材を連結してなる投光管と、
この投光管の第１の管状中空部材内の光軸上に光源を位置させるように該第１の管状中空部材に設けられ、前記光源からの光を前記第１の管状中空部材より前記第２の管状中空部材を介して出射させる光源支持部材と、
前記第１および第２の管状中空部材の間に介在される断熱部材と、
前記第２の管状中空部材に設けられ、少なくとも前記第１の管状中空部材の周囲を空気層を介して囲むように配置されたカバー部材と、
を具備したことを特徴とする光源装置。
【請求項２】   前記光源支持部材の周囲を空気層を介して囲むように、さらにカバー部材を配置したことを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】  光源から発せられた照明光を、光路上に配置された光学素子を介して顕微鏡に導く光源装置において、
前記顕微鏡に着脱可能で、前記光源が発する照明光を前記顕微鏡に導く光路を有した中空部材と、
前記光源を保持し、前記中空部材に対して着脱可能な光源支持部と、
前記中空部材に対して間隙部を形成し、前記中空部材を覆うように設けられたカバー部材と、
を備えたことを特徴とする光源装置。
【請求項４】  光源から発せられた照明光を、光路上に配置された光学素子を介して顕微鏡に導く光源装置において、
前記光源を保持する光源支持部と、
前記光源支持部を着脱可能に保持する第1の中空部材と、
前記第1の中空部材に連結され、前記光源からの照明光を前記顕微鏡に導く光路を有した第２の中空部材と、
前記第1の中空部材と前記第2の中空部材との間で挟持される断熱部材と、
を備えたことを特徴とする光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  物体側から順に、全体として負のパワーを持つ第１レンズ群と、絞りと、全体として正のパワーを持つ第２レンズ群とからなり、前記第１レンズ群は、少なくとも１つの正レンズを含み全体として負のパワーを持つ第１−１レンズ群と、少なくとも１つの負レンズを含み全体として正のパワーを持つ第１−２レンズ群で構成され、以下の条件式を満足することを特徴とするバックフォーカスの長い広角レンズ。
（１）  １．５＜Ｄ／ｆ＜５．０
（２）  −１０．０＜ｆ12／ｆ11＜−２．８
ただし、Ｄ：無限遠物体にフォーカス時の第１レンズ群の最も像側の面と第２レンズ群の最も物体側の面との距離、ｆ：全系のｄ線の焦点距離、ｆ11：第１−１レンズ群のｄ線の焦点距離、ｆ12：第１−２レンズ群のｄ線の焦点距離、である。
【請求項２】  物体側から順に、全体として負のパワーを持つ第１レンズ群と、絞りと、全体として正のパワーを持つ第２レンズ群とからなり、前記第１レンズ群は、少なくとも１つの正レンズを含み全体として負のパワーを持つ第１−１レンズ群と、少なくとも１つの負レンズを含み全体として正のパワーを持つ第１−２レンズ群で構成され、無限遠から近距離にフォーカスを行う際、前記第１−２レンズ群を物体側から像側へ光軸方向に移動させることによりフォーカシングを行うことを特徴とするバックフォーカスの長い広角レンズ。
【請求項３】  以下の条件式を満足することを特徴とする請求項２記載のバックフォーカスの長い広角レンズ。
（２）  −１０．０＜ｆ12／ｆ11＜−２．８
ただし、ｆ11：第１−１レンズ群のｄ線の焦点距離、ｆ12：第１−２レンズ群のｄ線の焦点距離、である。
【請求項４】  以下の条件式を満足することを特徴とする請求項３記載のバックフォーカスの長い広角レンズ。
（１）  １．５＜Ｄ／ｆ＜５．０
ただし、Ｄ：無限遠物体にフォーカス時の第１レンズ群の最も像側の面と第２レンズ群の最も物体側の面との距離、ｆ：全系のｄ線の焦点距離、である。
【請求項５】  以下の条件式を満足することを特徴とする請求項１から４の何れか１項記載のバックフォーカスの長い広角レンズ。
（１２）０．６＜（Ｒ2f＋Ｒ2b）／（Ｒ2f−Ｒ2b）＜５．０
ただし、Ｒ2f：第１−２群の最も物体側にある面の曲率半径、Ｒ2b：第１−２群の最も像側にある面の曲率半径、である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
実施例１
（支持体の作製）
これらの共重合ポリエステルを準備し、各々１５０℃で真空乾燥した後、１台または、積層する場合は３台の押出機を用いて２８５℃で溶融押出し、積層する場合は３層各層が表１に示す素材からなるようにＴダイ内で層状に接合し、冷却ドラム上で急冷固化させ、積層未延伸フィルムを得た。この時、各素材の押出量を調整し各層の延伸後の厚さが表１に示す厚さとなるようにした。次いで８５℃でタテ方向に３．５倍延伸し、更に９５℃でヨコ方向に３．５倍延伸した後、表１に示す温度で熱固定して二軸延伸ポリエステル支持体を得た。さらに、ＰＥＴ、ＰＥＮ支持体を準備した。また、特開平１０−２０７００８号、実施例１の支持体を記載の方法に従って作製した。作製した支持体の内容は表１に記載の通りである。なお、積層構成を有する支持体は乳剤層を塗布する側からｄ１，ｄ２，ｄ３とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カセッテ型放射線画像読取装置と放射線画像撮像システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射された放射線の強度に応じて２次元的に配列された複数の検出素子で画像データを生成して読み取りを行う撮像パネルと、
前記画像データに基づいて診断用の画像処理が施された表示信号を生成する制御手段と、
前記撮像パネルの後面側に設けられ、前記制御手段で生成された表示信号に基づいて放射線画像を表示する表示手段と、
前記画像データを出力する手段とを有する
ことを特徴とするカセッテ型放射線画像読取装置。
【請求項２】
前記画像データを記憶する記憶手段を有し、
前記制御手段では、前記記憶手段から読み出した画像データに基づいて表示信号を生成する
ことを特徴とする請求項１記載のカセッテ型放射線画像読取装置。
【請求項３】
前記記憶手段には、放射線画像の撮影に関する情報データも記憶するものとし、
前記制御手段では、前記情報データも用いて表示信号を生成する
ことを特徴とする請求項２に記載のカセッテ型放射線画像読取装置。
【請求項４】
前記制御手段では、前記記憶手段の使用状態やカセッテ型放射線画像読取装置の動作状態も示す表示信号を生成する
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のカセッテ型放射線画像読取装置。
【請求項５】
照射された放射線の強度に応じて２次元的に配列された複数の検出素子で画像データを生成して読み取りを行う撮像パネルと、前記画像データに基づいて診断用の画像処理が施された表示信号を生成する制御手段と、前記撮像パネルの後面側に設けられ、前記制御手段で生成された表示信号に基づいて放射線画像を表示する表示手段とを有するカセッテ型放射線画像読取装置と、
前記カセッテ型放射線画像読取装置から前記画像データを読み出すデータ読み出し回路と、読み出された画像データを記憶するフレームメモリとを有するコントローラと、
を有することを特徴とする放射線画像撮像システム。
【請求項６】  
前記カセッテ型放射線画像読取装置は、前記画像データを記憶する記憶手段を有し、
前記データ読み出し回路は、前記記憶手段に記憶された画像データを読み出すことを特徴とする請求項５記載の放射線画像撮像システム。
【請求項７】
前記データ読み出し回路は、通信ケーブルを介してカセッテ型放射線画像読取装置から前記画像データを読み出すことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の放射線画像撮像システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、カセッテ型放射線画像読取装置と放射線画像撮像システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そこで、この発明では、効率良く所望の放射線画像を得ることができるカセッテ型放射線画像読取装置と放射線画像撮像システムを提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るカセッテ型放射線画像読取装置は、照射された放射線の強度に応じて２次元的に配列された複数の検出素子で画像データを生成して読み取りを行う撮像パネルと、前記画像データに基づいて診断用の画像処理が施された表示信号を生成する制御手段と、前記撮像パネルの後面側に設けられ、前記制御手段で生成された表示信号に基づいて放射線画像を表示する表示手段と、前記画像データを出力する手段とを有するものである。また、放射線画像撮像システムは、照射された放射線の強度に応じて２次元的に配列された複数の検出素子で画像データを生成して読み取りを行う撮像パネルと、前記画像データに基づいて診断用の画像処理が施された表示信号を生成する制御手段と、前記撮像パネルの後面側に設けられ、前記制御手段で生成された表示信号に基づいて放射線画像を表示する表示手段とを有するカセッテ型放射線画像読取装置と、前記カセッテ型放射線画像読取装置から前記画像データを読み出すデータ読み出し回路と、読み出された画像データを記憶するフレームメモリとを有するコントローラとを有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
同図中、１０は所定面上に物体像を形成するレンズＬ１〜Ｌ４を有する対物レンズ、Ｐは像反転光学系であり、三角プリズムＰ１とダハプリズムＰ２よりなっている。Ｌｅは正の屈折力の接眼レンズである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
該対物レンズ１０からの光束は三角プリズムＰ１の入射面Ｐ１ａに入射し、面Ｐ１ｂで該入射面Ｐ１ａと同一平面上の面Ｐ１ｃ方向に反射し、該面Ｐ１ｃで全反射して射出面Ｐ１ｄから射出する。該射出面Ｐ１ｄからの光束はファインダー視野枠５ａ，５ｂ等を示した表示用部材５を介してダハプリズムＰ２の入射面Ｐ２ａに入射し、面Ｐ２ｂで全反射してダハ面Ｐ２ｃに入射し、観察視野の垂直方向に折り返されて反射し、入射面Ｐ２ａと同一平面上の面Ｐ２ｄで反射して面Ｐ２ｂと同一平面上の射出面Ｐ２ｅから射出し、接眼レンズＬｅを介してアイポイントＥに導光される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態をあらわす図であり、同図において１１は第１の反射手段たるダハミラー、１２は透過プリズム体、１３は反射プリズム体、１４は視野マスク（視野枠）、１５は対物凹レンズ、１６は対物凸レンズ、１７は接眼レンズを示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
８°＜α＜３０°・・・（２）
また対物レンズ系の結像面から接眼方向にいくにしたがって光束の幅は太くなるのでプリズム体１２，１３を最小限の大きさで構成しようとすると、前記透過プリズム体１２の物体側の面１２ｃと反射プリズム体１３の第１の反射面１３ｂとのなす角βは鋭角であることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
対物レンズ系からの光束が、プリズム体１に入射面１ａから入射し、反射面１ｂで全反射した後、反射後の光軸と略垂直の射出面１ｃから射出する。そしてこの射出面１ｃと略平行の入射面２ａ面からプリズム体２に入り、このプリズム体２のダハ面２ｂによって入射方向の光軸と反射方向の光軸とが所定の角度α’となるよう反射され、前出の入射面２ａで今度は全反射することによって前記プリズム体１に光束が入射する時の光軸と略平行にプリズム体２の射出面２ｃから射出され、接眼レンズ（不図示）を介して物体像が観察される。このように本例では、反射面１ｂ、ダハ面２ｂそして全反射面（入射面）２ａによって像反転が行なわれ、対物レンズ系による物体像を正立正像で観察できるようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配線されたゲート線と信号線との交点に画素トランジスタを用いて画素を形成してなる液晶表示装置において、
前記画素トランジスタの下層側に導電性の遮光層を形成するとともに、前記遮光層を該画素トランジスタのゲート線に電気的に接続してなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記遮光層には１水平走査期間毎に前記ゲート線を介して順に正の電圧が印加される
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記遮光層はタングステンシリサイドからなる
ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
マトリクス状に配線されたゲート線と信号線との交点に画素トランジスタを用いて画素を形成し、前記画素トランジスタの下層側に導電性の遮光層を形成するとともに、前記遮光層を該画素トランジスタのゲート線に電気的に接続してなる液晶表示装置の駆動方法であって、
前記遮光層に対して１水平走査期間毎に前記ゲート線を介して正の電圧を順に印加する
ことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この実施例は以上の構成であり、図の鎖線枠で示す被検査対象導管範囲Ａ毎にそれぞれ構成され、それぞれにおいて、コントローラ１７より自動開閉弁１４に開弁信号を発し、検査用ガスａを分岐導管３に導入する。所定の上限圧力（供給用ガバナの閉塞圧力より高い圧力であって、ガス消費に支障のない高い圧力）Ｐ1まで上昇すると、外部出力付き圧力測定装置１６がコントローラ１７にその旨を発信して、自動開閉弁１４が閉じられる。自動開閉弁１４が閉じられて分岐導管３に漏れのある場合及びガス消費のある場合には圧力が低下するが、所定の圧力Ｐ2まで低下すると、外部出力付き圧力測定装置１６がコントローラ１７にその旨を発信して、自動開閉弁１４が再度開かれ、検査用ガスａが分岐導管３に導入される。以下、その繰り返しが行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月17日(2005.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光手段と受光手段を持ち、かかる発光手段と受光手段の間に被検レンズを挿入することにより、該被検レンズの透過率を測定する光学系を有したレンズメータにおいて、
該透過率に用いる前記発光手段に紫外光ＬＥＤを用い、前記被検レンズの紫外光領域の前記透過率を算出する算出手段と、該算出手段による前記透過率を表示する表示手段を有したことを特徴とするレンズメータ。
【請求項２】
前記紫外光ＬＥＤの波長が、紫外光領域の上限領域である３５０〜４００ｎｍであり、かかる波長を有する該紫外光ＬＥＤからの光の前記透過率を算出して表示する請求項１記載のレンズメータ。
【請求項３】
レンズメータ本体のレンズ受下方において、前記被検レンズを挿入できるように空間が設けられており、この空間に挿入配置された該被検レンズを対象として前記透過率を測定する請求項１又は２に記載のレンズメータ。
【請求項４】
前記紫外光ＬＥＤからなる光源と、該光源から投射されて前記被検レンズを透過せしめられた測定光束を受光する光電変換素子とを含んで構成された、前記透過率を測定する光学系を、該被検レンズの光学特性を測定する光学系とは別に設けた請求項１乃至３の何れか一項に記載のレンズメータ。
【請求項５】
前記被検レンズの光学特性を測定する光学系の投射光学系にハーフミラーを加えて、該光学特性を測定する光学系の光源と、前記紫外光ＬＥＤからなる光源とを切り換えることにより、該被検レンズの光学特定を測定する光学系と該被検レンズの前記透過率を測定する光学系とにおいて、該被検レンズを透過した測定光束の受光側の光学系を別に設けずに共用した請求項１乃至３の何れか一項に記載のレンズメータ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近視野光を生成する、あるいは近視野光を散乱させて検出するための微小開口を設けたプローブによって対象物との近視野相互作用を起こす近視野光プローブにおいて、
前記微小開口あるいは前記微小開口付近に、前記微小開口の大きさよりも微小な構造を形成したことを特徴とする近視野光プローブ。
【請求項２】
前記微小な構造を形成することにより、所定の光強度分布からなる光学特性分布を有することを特徴とする請求項１に記載の近視野光プローブ。
【請求項３】
前記微小な構造は、前記微小開口の内部且つ開口端近傍に形成された凹凸形状を有する溝構造からなることを特徴とする請求項２に記載の近視野光プローブ。
【請求項４】  
前記微小な構造は、前記微小開口の内部且つ開口端近傍に形成された材質の分布が所定の分布になるように配置されて形成された材質分布構造からなることを特徴とする請求項２に記載の近視野光プローブ。
【請求項５】
前記微小開口は、平面基板に貫通して形成された逆錐状の穴の底部であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の近視野光プローブ。
【請求項６】
前記微小開口は、先鋭化された光導波路の先端に形成されたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の近視野光プローブ。
【請求項７】
前記微小開口は、先鋭な突起が形成されたカンチレバーの前記突起部に形成されたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の近視野光プローブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の目的を達成するために、請求項１に係る近視野光プローブは、近視野光を生成する、あるいは近視野光を散乱させて検出するための微小開口を設けたプローブによって対象物との近視野相互作用を起こす近視野光プローブにおいて、前記微小開口あるいは前記微小開口付近に、前記微小開口の大きさよりも微小な構造を形成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また請求項２に係る近視野光プローブは、請求項１の発明において、前記微小な構造を形成することにより、所定の光強度分布からなる光学特性分布を有することを特徴とする。
この発明によれば、前記開口のサイズに関わらず光学特性分布を変化させることによって前記微小構造を形成することが可能となり、容易で安価に高分解能顕微鏡あるいは高密度記録情報処理装置のための近視野光プローブを実現できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また請求項３に係る近視野光プローブは、請求項２の発明において、前記微小な構造は、前記微小開口の内部且つ開口端近傍に形成された凹凸形状を有する溝構造からなることを特徴とする。
この発明によれば、光プローブの先端の形状を加工するだけの変更であるので
、製造工程を大きく変更することなく新しい効果が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また請求項４に係る近視野光プローブは、請求項２の発明において、前記微小な構造は、前記微小開口の内部且つ開口端近傍に形成された材質の分布が所定の分布になるように配置されて形成された材質分布構造からなることを特徴とする。
この発明によれば、前記開口内に注入する材質とその粒子サイズを選択、制御することが容易であり、望む分解能あるいは記録密度を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月24日(2005.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）一般式(I)
Ｍ（ＯＣＯＮＲＲ´）n                  (I)
（式中、ＭはＴｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＶから選択された遷移金属を表し、ＲおよびＲ´は、同一であるか、または異なるものであって、Ｃ1 〜Ｃ12脂肪族またはＣ18芳香族基を表し、ｎは金属の酸化状態を表す）
を有するVIA またはVA族の金属の錯体、および
ｂ）アルミノキサンからなる共触媒
から基本的になる触媒系の存在下で、少なくとも１種のα−オレフィンを重合させることを特徴とする、α−オレフィンの（共）重合体の製造方法。
【請求項２】
一般式(I) を有する触媒が、Ｔｉ［ＯＣＯＮ（ｉ−Ｐｒ）2 ］4 、
Ｚｒ［ＯＣＯＮ（ｉ−Ｐｒ）2 ］4 、Ｈｆ［ＯＣＯＮ（ｉ−Ｐｒ）2 ］4 、
Ｔｉ［ＯＣＯＮ（Ｅｔ）2 ］4 、Ｔｉ［ＯＣＯＮ（ｉ−Ｐｒ）2 ］3 、
Ｖ［ＯＣＯＮ（ｉ−Ｐｒ）2 ］3 である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
一般式(I)を有する触媒が無機固体担体上に担持されている、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
共触媒が、数平均分子量（Ｍｎ）が４００〜２０００であるメチルアルミノキサン（ＭＡＯ）である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
共触媒が、Ａｌ／Ｍのモル比が１００〜１０，０００になる様な量で使用される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
アルミノキサンがアルキルアルミニウムで置き換えられている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、α−オレフィンの（共）重合体の製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、ポリエチレンまたは主と してエチレンを基剤とする共重合体の製造方法に関する。
文献から、IV族の遷移金属の可溶性錯体を、一般的にアルミノキサンと呼ばれるアルミニウムの有機 オキシ誘導体と併用することにより、エチレン、および一般的にα−オレフィン、を重合できることが分かっている。
例えば、Die Makromoleculare Chmie Rapid Communications, 12, 663-667 (1991)は、錯体Ｚｒ（ＣＨ2 Ｐｈ）4 がエチレンの重合において活性であることを記載しており、Die Makromoleculare Chmie Rapid Communications, 9(2), 51-55 (1988)は、化合物Ｔｉ（Ｏ−Ｂｕ）4 がプロピレンの重合における効果的な触媒であることを示している。しかし、これらの文献は、得られる重合体の分子量も、ＭＷＤ（分子量分布）も記載していない。
これに対して、米国特許第５，０７９，２０５号は、一般式Ｍ（ＯＲ）2 Ｘ2またはＭ（ＯＲ）Ｘ3 （式 中、Ｍは金属を表し、Ｒは様々に置換されたフェノキシ基を表し、Ｘはハロゲンを表す）を有する、ジルコニウムやハフニウムの様なIVA族の金属のアリールオキシド誘導体を、高分子量（Ｍｗ約３００，０００〜５００，０００）を有するポリエチレン製造用の触媒として記載している。IVAおよびVA族の遷移金属のＮ，Ｎ´−ジアルキルカルバミン酸塩の製造は、Chemische Berichte, 120, 955-964 (1987)およびJournal of the Chemical Society Dalton Transactions, 693-698 (1991)に記載されている。これらの錯体は、簡単で都合の良い合成方法により、遷移金属の塩化物を二酸化炭素および脂肪族アミンで処理することにより得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ここで本発明者は、上記のIVAおよびVA族の金属の錯体は、アルミニウムの有機酸化化合物と併用することにより、α−オレフィンを（共）重合させ、極めて高い分子量を有する、例えば重量平均分子量Ｍｗが１，０００，０００を超える重合体を与えることを発見した。
したがって、本発明は、
ａ）一般式(I)
Ｍ（ＯＣＯＮＲＲ´）n               (I)
（式中、ＭはＴｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＶから選択された遷移金属を表し、ＲおよびＲ´は、同一であるか、または異なるものであって、Ｃ1〜Ｃ12脂肪族またはＣ18芳香族基を表し、ｎは金属の酸化状態を表す）
を有するVIAまたはVA族の金属の錯体、および
ｂ）アルミノキサンからなる共触媒
から基本的になる触媒系の存在下で、少なくとも１種のα−オレフィンを重合させることを含んでなる、α−オレフィンの（共）重合体の製造方法に関する。
本発明に特に好適な、一般式(I)を有する触媒の代表例は、
Ｔｉ［ＯＣＯＮ（ｉ−Ｐｒ）2 ］4 、Ｚｒ［ＯＣＯＮ（ｉ−Ｐｒ）2 ］4 、
Ｈｆ［ＯＣＯＮ（ｉ−Ｐｒ）2 ］4 、Ｔｉ［ＯＣＯＮ（Ｅｔ）2 ］4 、
Ｔｉ［ＯＣＯＮ（ｉ−Ｐｒ）2 ］3 、Ｖ［ＯＣＯＮ（ｉ−Ｐｒ）2 ］3 、
である。
一般式(I)を有する触媒は、それ自体でも、あるいは好ましくはシリカ、アルミナおよび二塩化マグネシウムから選択された無機固体担体上に担持された形態で使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下地基板の上に第１の絶縁材料からなる第１の絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１の絶縁膜の上に、前記第１の絶縁材料とは異なる第２の絶縁材料からなる第２の絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜に、少なくとも該第１の絶縁膜の途中まで達する凹部を形成する工程と、
（ｄ）前記凹部内を埋め込むように、前記第２の絶縁膜の上に、導電材料からなる配線層を堆積させる工程と、
（ｅ）前記配線層を研磨して、前記凹部内に該配線層を残す工程と、
（ｆ）前記第１の絶縁膜が露出するまで前記配線層及び前記第２の絶縁膜を研磨する工程と
を有し、前記工程（ｅ）において、前記配線層の表面に現れるディッシングの最深部が、前記第２の絶縁膜の底面よりも高い状態で、研磨を終了する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｅ）において、前記配線層の研磨速度が前記第２の絶縁膜の研磨速度よりも速い条件で、前記配線層を研磨する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｆ）において、前記第２の絶縁膜の研磨速度が前記配線層の研磨速度よりも速い条件で、前記第１の絶縁膜が露出するまで前記配線層及び前記第２の絶縁膜を研磨する請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜の表面が疎水性である請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ａ）が、前記第１の絶縁膜を形成する前に、前記下地基板の上に、前記第１の絶縁膜よりも誘電率の低い有機絶縁材料または多孔質絶縁材料からなる第３の絶縁膜を形成する工程を含み、該第３の絶縁膜の上に前記第１の絶縁膜を形成し、
前記工程（ｃ）において、少なくとも前記第３の絶縁膜の途中まで達する前記凹部を形成する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁材料が、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、及びＳｉＯＣＨからなる群より選択された一つの材料である請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の絶縁材料が酸化シリコンである請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一観点によると、（ａ）下地基板の上に第１の絶縁材料からなる第１の絶縁膜を形成する工程と、（ｂ）前記第１の絶縁膜の上に、前記第１の絶縁材料とは異なる第２の絶縁材料からなる第２の絶縁膜を形成する工程と、（ｃ）前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜に、少なくとも該第１の絶縁膜の途中まで達する凹部を形成する工程と、（ｄ）前記凹部内を埋め込むように、前記第２の絶縁膜の上に、導電材料からなる配線層を堆積させる工程と、（ｅ）前記配線層を研磨して、前記凹部内に該配線層を残す工程と、（ｆ）前記第１の絶縁膜が露出するまで前記配線層及び前記第２の絶縁膜を研磨する工程とを有し、前記工程（ｅ）において、前記配線層の表面に現れるディッシングの最深部が、前記第２の絶縁膜の底面よりも高い状態で、研磨を終了する半導体装置の製造方法が提供される。