【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
コイルの構造としては、例えば、上部磁極や下部磁極または上部磁極と下部磁極との接続部を中心として２次元的に（一平面内に）巻かれた「スパイラル構造」や、上部磁極や下部磁極の周囲を巻回する「ヘリカル構造」などが知られている。これらのコイル構造を適用した例として、例えば、特開平５−２４２４２９では、対向配置された上部磁性コアおよび下部磁性コアを備える薄膜磁気ヘッドにおいて、下部縞状導電膜および上部縞状導電膜等により構成されたヘリカル状導体コイルが上部磁性コアの周囲を巻回する構造を開示している。また、実用新案第３０３３０４３号では、対向配置された第１コアおよび第２コアを備える薄膜磁気ヘッドにおいて、第１コアの周囲を右回り（または左回り）に巻回すると共に第２コアの周囲を左回り（または右回り）に巻回する複数のスパイラル状の薄膜コイル層が階層的に配設され、これらの薄膜コイル層が互いに連結された構造を開示している。また、特開平５−１０１３３７では、対向配置された下層薄膜磁気コアおよび上層薄膜磁気コアを備える薄膜磁気ヘッドにおいて、下層薄膜磁気コアの周囲を巻回するヘリカル状コイルと上層薄膜磁気コアの周囲を巻回するヘリカル状コイルとがスパイラル状コイルを介して連結された構造を開示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１〜図１２において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面構造を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面構造を示している。図１３〜図２０は主要な製造工程に対する斜視構造、図２１は薄膜コイル９、下部磁極１３および上部磁極１７の完成状態における平面構造、図２２は完成状態における薄膜コイル９の構造を１本の線状に簡略化して表したものである。ここで、図１３〜図２０において、図１３は図２，図１４は図４，図１５は図５，図１６は図６，図１７は図７，図１８は図８，図１９は図９，図２０は図１０に示した状態にそれぞれ対応している。上記した図２〜図１０の（Ａ）は、図１３〜図２０におけるＡ−Ａ線に沿った矢視断面に相当する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、図２および図１３に示したように、絶縁膜８上に、例えばフレームめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる複数のコイルパーツ９Ａ（例えば９Ａ１，９Ａ２，９Ａ３）を約１．０μｍ〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。このコイルパーツ９Ａは、後述する薄膜コイル９（図１０および図２０参照）の一部を構成することとなるものであり、例えば、図１３に示したように、矩形をなした帯状の平面形状を有するものである。コイルパーツ９Ａを形成する際には、後工程において形成される一連のコイルパーツ（９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ，９Ｅ）と接続され、最終的にこれらのコイルパーツの集合体として薄膜コイル９が形成されるように位置合わせをする。より具体的には、例えば、コイルパーツ９Ａの長手方向が、幅方向（図中のＸ軸方向）に対して傾くように配置する。なお、コイルパーツ９Ａの平面形状は、必ずしも矩形状に限らず、自由に変更可能である。また、コイルパーツ９Ａの配設個数は、下部磁極１３および後述する上部磁極１７（図８参照）に対する後述する薄膜コイル９の巻回数（巻き数）に応じて自由に変更可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、記録ギャップ層１４上に、高精度のフォトリソグラフィ処理により、加熱時に流動性を示す材料、例えばフォトレジストなどの有機絶縁材料を所定のパターンとなるように形成する。次に、このフォトレジスト膜に対して、約２００℃〜２５０℃の範囲内における温度で加熱処理を施す。この加熱処理により、図６および図１６に示したように絶縁膜１５が選択的に形成される。この絶縁膜１５は、主に、下部磁極１３と後工程において形成されるコイルパーツ９Ｃとの間を電気的に絶縁するものである。加熱時にフォトレジストが流動することにより、絶縁膜１５の端縁近傍は丸みを帯びた斜面をなす。絶縁膜１５を形成する際には、例えば、後工程において形成されるコイルパーツ９Ｃ（図７および図１７参照）の配設領域に対応するように位置合わせをすると共に、図１６に示したように、先工程において形成した接続ホール１１Ｈおよび開口部１４Ｋを覆わないようにする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、図２０に示したように、例えば電解めっき法により、接続ホール１８Ｈ中に例えば銅よりなるめっき膜を成長させることにより複数のコイルパーツ９Ｄを選択的に形成する。このコイルパーツ９Ｄは、例えば、図２１に示したように、先工程において形成されたコイルパーツ９Ｂと同様に、接続ホール１８Ｈの内部構造に対応して円柱状の構造をなすように形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
すなわち、薄膜磁気ヘッドの小型化を実現するためには、コイルの巻線間を緊密にして薄膜コイルを小型化する必要がある。しかしながら、ヘリカル構造を有する薄膜コイル９９を搭載した比較例としての薄膜磁気ヘッド（図２３参照）を製造する場合には、コイルの占める領域（占有領域）がスパイラル構造を有する場合よりも小さいという点において利点が得られる一方、コイル巻線間を緊密にすると各巻線間距離Ｄ１が小さくなるため、薄膜コイル９９の形成に際して高い形成精度が要求される。このような場合には、薄膜コイル９９の形成精度が十分でなかったり、または薄膜コイル９９の形成時において形成精度に微妙なずれが生じると、コイル巻線間の接触に起因して短絡等が生じ、薄膜磁気ヘッドの製造歩留りが低下する可能性がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
また、本実施の形態では、磁束の発生タイミングに起因するノイズ成分の発生の抑制に係る観点においても利点を有する。図２４は本実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造、図２５は本実施の形態の薄膜磁気ヘッドに対する他の比較例としての薄膜磁気ヘッドの構造をそれぞれ模式的に示したものである。図２５に示した薄膜コイル１０９（例えば巻き数６回）は、ヘリカル構造を有するものであり、下部磁極１３の周囲をその延在方向に沿って巻回する巻回単位Ｕ３Ａ，Ｕ３Ｂ，Ｕ３Ｃと、上部磁極１７の周囲をその延在方向に沿って巻回する巻回単位Ｕ４Ａ，Ｕ４Ｂ，Ｕ４Ｃとが連結された連続体をなしている。この薄膜コイル１０９では、電流を流した際の磁束の発生状態が不均等になる。すなわち、薄膜コイル１０９に電流を流すと、磁束の発生領域は巻回単位Ｕ３Ａ，Ｕ３Ｂ，Ｕ３Ｃ，Ｕ４Ｃ，Ｕ４Ｂ，Ｕ４Ａの順に移行し、下部磁極１３の領域（Ｕ３Ａ，Ｕ３Ｂ，Ｕ３Ｃ）において磁束が発生したのち、上部磁極１７の領域（Ｕ４Ａ，Ｕ４Ｂ，Ｕ４Ｃ）において磁束が発生することとなる。このような場合には、下部磁極１３と上部磁極１７とで磁束の発生タイミングが大きく異なってしまうため、不均一な磁壁の移動が生じ、ポップコーンノイズなどのライトアフターノイズが発生してしまう。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
これに対して、本実施の形態（図２４参照）では、薄膜コイル９の全ての部分が下部磁極１３および上部磁極１７に近接して周囲を巻回しているため、薄膜コイル９により発生した磁束Ｊが磁路構成部品に十分に収容され、磁路構成部品への磁束Ｊの収容効率が向上する。これにより、上部磁極１７の先端部１７Ａにおける磁束密度が増大し、安定した記録特性を確保することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
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【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
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