Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月16日(2004.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子写真画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真画像形成装置において、
転写後に、感光ドラムに残留するトナーを除去するクリーナブレードと、
前記クリーナブレードによって、前記感光ドラムから除去されたトナーを収容する廃トナー容器と、
光源から発せられ、前記廃トナー容器を貫通する光を検知するセンサと、
前記センサの出力によって前記廃トナー容器内のトナーの量を検知する検知手段であって、前記センサ出力が一定の場合に、前記光源の出力を所定の値で変調して出力し、前記センサの出力が変調した値でない場合には前記センサの故障と判断し前記装置の動作を停止する、また、前記センサの出力が変調した値の場合には前記センサが正常と判断し前記廃トナー容器が装着されていないと確定する検知手段と、
前記検知手段の検知結果を報知する報知手段と、
を有することを特徴とする電子写真画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばプリンタ或いは複写機などとされる電子写真方式の画像形成装置に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
従って、本発明の主な目的は、廃トナーの満杯検知を正確に検知できる電子写真画像形成装置を提供することである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の他の目的は、廃トナー容器を有効に使用できる電子写真画像形成装置を提供することである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の更なる目的は、廃トナー容器の有無、廃トナーの満杯、センサ系の故障の区別が可能な電子写真画像形成装置を提供することである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は本発明に係る電子写真画像形成装置にて達成される。要約すれば、本発明は、電子写真画像形成装置において、
転写後に、感光ドラムに残留するトナーを除去するクリーナブレードと、
前記クリーナブレードによって、前記感光ドラムから除去されたトナーを収容する廃トナー容器と、
光源から発せられ、前記廃トナー容器を貫通する光を検知するセンサと、
前記センサの出力によって前記廃トナー容器内のトナーの量を検知する検知手段であって、前記センサ出力が一定の場合に、前記光源の出力を所定の値で変調して出力し、前記センサの出力が変調した値でない場合には前記センサの故障と判断し前記装置の動作を停止する、また、前記センサの出力が変調した値の場合には前記センサが正常と判断し前記廃トナー容器が装着されていないと確定する検知手段と、
前記検知手段の検知結果を報知する報知手段と、
を有することを特徴とする電子写真画像形成装置である。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電子写真画像形成装置を図面に則して更に詳しく説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月12日(2004.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微分干渉観察機能を有する光学顕微鏡において、
微分干渉光学系を構成するポラライザおよびアナライザを前記光学顕微鏡の光路に対して挿脱する第１の駆動手段と、
前記微分干渉光学系を構成するノマルスキープリズムを前記顕微鏡の光路に対して挿脱するとともに、該ノマルスキープリズムを前記光路の光軸に直角方向に微小移動させるリターディション調整を行う第２の駆動手段と、
これら第１及び第２の駆動手段を駆動制御する制御手段とを具備したことを特徴とする光学顕微鏡。
【請求項２】
前記制御手段は、前記リターディションの調整位置を記憶する記憶手段を有し、この憶手段に記憶された前記リターディションの調整位置に前記ノマルスキープリズムを前記光路の光軸に直角方向に微小移動させることを特徴とする請求項１記載の光学顕微鏡。
【請求項３】
前記記憶手段は、前記リターディション調整後の前記ノマルスキープリズムの位置データが記憶されることを特徴とする請求項２記載の光学顕微鏡。
【請求項４】
前記位置データは、前記第２の駆動手段により駆動制御された前記ノマルスキープリズムの移動量を検出してものであることを特徴とする請求項２記載の光学顕微鏡。
【請求項５】
前記記憶手段は、観察する標本の種類又は対物レンズの種類に応じた複数のリターディション調整位置が記憶されることを特徴とする請求項２記載の光学顕微鏡。
【請求項６】
前記記憶手段は、作業者毎に応じたリターディション調整位置を記憶することを特徴とする請求項２記載の光学顕微鏡。
【請求項７】
前記制御手段は、半導体ウエハや液晶基板のの製造工程を管理する製造工程管理コンピュータに通信回線で接続され、該製造工程管理コンピュータに保存された検査レシピにの情報に基づき、第２の駆動手段に対して前記リターディション調整を行うことを特徴とする請求項１記載の光学顕微鏡。
【請求項８】
前記第２の駆動手段は、シリンダ本体に移動自在に設けられたシリンダ軸の先端に前記ノマルスキープリズムを保持したブロックを取り付け、該ブロックに前記ノマルスキープリズムを前記光路の光軸に直角方向に移動可能に設け、該ノマルスキープリズムにステッピングモータの回転軸をネジ部を介して取り付けたことを特徴とする請求項１記載の光学顕微鏡。
【請求項９】
前記第２の駆動手段は、前記ノマルスキープリズムを直線方向に移動可能に設けたブロックにステッピングモータを設け、該ステッピングモータの回転軸にネジ部を介して前記ノマルスキープリズムを取り付けたことを特徴とする請求項１記載の光学顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の光学顕微鏡は、微分干渉観察機能を有する光学顕微鏡において、微分干渉光学系を構成するポラライザ及びアナライザを前記光学顕微鏡の光路に対して挿脱する第１の駆動手段と、前記微分干渉光学系を構成するノマルスキープリズムを前記顕微鏡の光路に対して挿脱するとともに、このノマルスキープリズムを前記光路の光軸に直角方向に微小移動させるリターディション調整を行う第２の駆動手段と、これら第１及び第２の駆動手段を駆動制御する制御手段とを具備したことを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
結果、本この発明の光学顕微鏡によれば、微分干渉観察光学系を構成するポラライザおよびアナライザを始め、ノマルスキープリズムを、制御手段により駆動制御される第１および第２の駆動手段により、顕微鏡の光路に対して自動的に挿脱できるとともに、さらにノマルスキープリズムについて、リターディション調整をも行うようにできるので、パーディクルが原因する製品の品質低下を回避できるとともに、これらポラライザ、アナライザ、ノマルスキープリズムの光路へのセットのための作業時間も、リターディション調整を含めて短縮でき、製品の検査時間を大幅に縮めることができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、他の請求項に係る本発明によれば、ノマルスキープリズムのリターディション調整後の位置データを記憶しておき、この位置データをリターディション調整の際に利用するようにしたので、繰り返してリターディション調整位置を再現することができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、他の請求項に係る本発明によれば、記憶手段は、複数種類の観察対象に関する位置データを記憶し、又は対物レンズの種類毎に位置データを記憶しているので、リターディション調整位置の自動化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティング・システムに属する第１のアプリケーションについてデバッギングを実施する方法であって、
(a) 第１のアプリケーションの実行時間中に、第１のコードのブロックを動的に翻訳し、翻訳されたコードのブロックを生成するステップと、
(b) 翻訳されたコードのブロック内にデバッギング・コードを置くステップと、
を含む上記方法。
【請求項２】
ステップ(b)のデバッギング・コードが、条件付きブレークポイントを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ステップ(a)で、第１のアプリケーションの実行中、第１のコードのブロックが第１のアプリケーションによって最初に呼び出されるときに、翻訳されたコードのブロックが作られる、請求項２記載の方法。
【請求項４】
ステップ(a)で、第１のアプリケーションの実行中、デバッガが翻訳されたコードのブロック内にデバッギング・コードを置く準備ができているときに、翻訳されたコードのブロックが作られる、請求項２記載の方法。
【請求項５】
さらに、ステップ(a)と同時に実施されるステップであって、
(c) 翻訳されたオブジェクトコードを生成するために、第１のアプリケーションの実行時間中に第１のアプリケーションのオブジェクトコードを動的に翻訳するステップ、
を含み、ステップ(a)で作られる翻訳されたコードのブロックは、翻訳されたオブジェクトコード内に含まれる、
請求項２記載の方法。
【請求項６】
さらに、(c)前記翻訳されたコードのブロックを実行するステップを含む、請求項１記載の方法
【請求項７】
コンピューティング・システムに属する第１のアプリケーションについてデバッギングを実施する方法であって、
(a) 翻訳されたコードを生成するために、第１のアプリケーションの実行時間中にアプリケーションを翻訳するステップと、
(b) 翻訳されたコード内にデバッギング・コードを置くステップと、
を含み、動的翻訳は、翻訳されたコードのブロックを生成するために第１のコードのブロックを翻訳することを含み、翻訳されたコードのブロックは、翻訳されたコード内に含まれる、上記方法。
【請求項８】
ステップ(b)のデバッギング・コードはブレーク命令を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
ステップ(a)で、第１のアプリケーションの実行中、第１のコードのブロックが第１のアプリケーションによって最初に呼び出されるときに、翻訳されたコードのブロックが作られる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
さらに、(c) 翻訳されたコードを事項するステップを含む、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月26日(2004.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる電位を有するｎ個（ｎ＞１）のノードのそれぞれにｎ個のスイッチ要素の各一端を接続し、該ｎ個のスイッチ要素の各他端を一つの電圧出力ノードに接続して構成する多段階電圧発生回路において、
前記ｎ個のスイッチ要素のオンオフを制御する制御手段を備え、
該制御手段は、
任意の一つのスイッチ要素のオン期間と、該一つのスイッチ要素以外の他の一つのスイッチ要素若しくは他の複数のスイッチ要素のオン期間とをオーバラップさせる制御モードを有することを特徴とする多段階電圧発生回路。
【請求項２】
一端が異なる電位を有する複数のノードのそれぞれに接続され、他端が一つの電圧出力ノードに接続されている複数のスイッチ要素を有する多段階電圧発生回路において、
前記複数のスイッチ要素の内、２以上のスイッチを同時にオンに制御する制御手段
を有することを特徴とする多段階電圧発生回路。
【請求項３】
要求される電圧を電力出力ノードから出力する多段階電圧発生回路において、
一端が異なる電位を有する複数のノードのそれぞれに接続され、他端が一つの電力出力ノードに接続されており、同時にオンとなる複数のスイッチ要素
を有することを特徴とする多段階電圧発生回路。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１に記載の多段階電圧発生回路を備えたことを特徴とする液晶表示装置の表示電圧発生回路。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１に記載の多段階電圧発生回路を備えたことを特徴とする擬似正弦波発生回路。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１に記載の多段階電圧発生回路を備えたことを特徴とするディジタル−アナログ変換器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、異なる電位を有するｎ個（ｎ＞１）のノードのそれぞれにｎ個のスイッチ要素の各一端を接続し、該ｎ個のスイッチ要素の各他端を一つの電圧出力ノードに接続して構成する多段階電圧発生回路において、前記ｎ個のスイッチ要素のオンオフを制御する制御手段を備え、該制御手段は、任意の一つのスイッチ要素のオン期間と、該一つのスイッチ要素以外の他の一つのスイッチ要素若しくは他の複数のスイッチ要素のオン期間とをオーバラップさせる制御モードを有する、という特徴的な事項を備えることによって達成できる。
また上記目的は、一端が異なる電位を有する複数のノードのそれぞれに接続され、他端が一つの電圧出力ノードに接続されている複数のスイッチ要素を有する多段階電圧発生回路において、前記複数のスイッチ要素の内、該電圧に対応する２以上のスイッチを同時にオンに制御する制御手段を有する、という特徴的な事項を備えることによって達成できる。
また上記目的は、要求される電圧を電力出力ノードから出力する多段階電圧発生回路において、一端が異なる電位を有する複数のノードのそれぞれに接続され、他端が一つの電力出力ノードに接続されており、同時にオンとなる複数のスイッチ要素を有する、という特徴的な事項を備えることによって達成できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、サーモグラフィもしくはフォトサーモグラフィ画像形成層、およびオーバーコート層を含んでなる熱処理性画像形成要素であって、前記オーバーコート層が、
（Ａ）５０〜９０重量％の、式（Ｉ）：
【化１】
1998157305.tif 000001
（前記式中、ｎは少くとも３〜６００の範囲内の整数である）
により表されるポリ（ケイ酸）；並びに
（Ｂ）１０〜５０重量％の、
（ｉ）水溶性ヒドロキシル含有ポリマー；および
（ii）式（II）：
【化２】
1998157305.tif 000002
（前記式中、
Ｒは水素、または置換もしくは非置換の炭素数１〜８のアルキル基、または置換もしくは非置換の炭素数５〜８のシクロアルキル、または置換もしくは非置換のアリール基であり；
ｘは２〜３０モル％を表し；
ｙは５０〜９８モル％を表し；そして
ｚは０〜１０モル％を表す）
により表される水溶性ポリビニルアセタール、
の混合物を、
含む熱処理性画像形成要素。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（前記式中、Ｒ，ｘ，ｙおよびｚは先に定義したとおりである）
により表される水溶性ポリビニルアセタールの混合物、
をも含む。
特に断らない限り、重量％は乾燥オーバーコート層の重量に基づく。
水溶性ヒドロキシル含有ポリマーの例は、アクリルアミドポリマー、水溶性セルロース誘導体、ヒドロキシルエチルセルロース、水溶性セルロースアセテートおよびポリ（ビニルアルコール）である。部分加水分解ポリ（ビニルアルコール）が好ましい。ポリ（ケイ酸）および水溶性ヒドロキシル含有ポリマーもしくはモノマーを含むオーバーコート組成物は、例えば、米国特許第４，７４１，９９２号に記載されており、その開示は引用することにより全体として本明細書に包含する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
フォトサーモグラフィ要素の像様露光後、要素を単に熱処理温度まで全体的に加熱することにより、得られた潜像を現像する。この全体的加熱には、単にフォトサーモグラフィ要素を現像画像が形成されるまで、例えば、約０．５〜約６０秒間約９０℃〜１８０℃の範囲内の温度まで加熱することが含まれる。熱処理温度を増減することにより、処理時間を増減することが可能である。好ましい熱処理温度は約１００℃〜約１３０℃の範囲内である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
Ｃ１はポリビニルピロリジノンであり、
Ｃ２はポリ（２−アミノエチルメタクリレート塩酸塩）であり、
Ｃ３はポリ（２−アミノエチルメタクリレート塩酸塩−コ−２−ヒドロキシエチルメタクリレート）、９０／１０モル比であり、
Ｃ４はポリ（プロピレングリコールモノメタクリレート）である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
前記要素が、支持体の前記画像形成層と反対面上にバッキング層を含む本発明の熱処理性画像形成要素。前記バッキング層は好ましくはバインダーおよびバインダー中に分散したマット剤を含む。
前記画像形成層が、
（ａ）写真用ハロゲン化銀、
（ｂ）（ｉ）有機銀塩酸化剤を、
（ii）前記有機銀塩酸化剤のための還元剤と共に含む画像形成性組合せ物、並びに
（ｃ）トーニング剤
を含んでなる本発明の熱処理性画像形成要素。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイヤ（３）およびリム（１）を有する組立体中に取り付けられるようになっており、さらに、前記リム（１）に対して半径方向外側に取り付けられるようになった安全用インサート（２，３０，６０）において、前記安全用インサートが、前記タイヤの空気が抜けたときに前記タイヤのクラウンの半径方向支持を構成する半径方向外面（５，３４，６２）を持ち、前記安全用インサートに支持された状態のころがり半径が、走行中振動を発生させるために最小半径と最大半径の間で変化し、前記タイヤとリムの組立体の回転周期に等しい周期を持つ振動を発生させるために前記ころがり半径が前記最大半径と前記最小半径の間で実質的に正弦曲線的に変化することを特徴とする安全用インサート（２，３０，６０）。
【請求項２】
前記半径方向外面（５，６２）の半径が最小半径と最大半径の間で実質的に正弦曲線的に変化することを特徴とする請求項１に記載の安全用インサート（２，６０）。
【請求項３】
前記半径方向外面（５，６２）が、該外面の１／４未満である最大半径を持つ円筒形の領域を持つことを特徴とする請求項２に記載の安全用インサート（２，６０）。
【請求項４】
前記安全用インサートの前記半径方向外面（５，６２）が、前記タイヤとリムの組立体の回転軸に対して偏心した中心軸を持つ円筒形であることを特徴とする請求項１記載の安全用インサート（２，６０）。
【請求項５】
前記安全用インサートに支持された状態のころがり半径の変化が、前記インサートの半径方向剛性の円周方向変化によって得られることを特徴とする請求項１に記載の安全用インサート（３０）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月5日(2004.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
塑性変形が容易であり、かつ一端が閉塞された金属製胴部と、該胴部の他端に連続する肩部および口頸部と、胴部内壁面に、金属接着性熱可塑性樹脂からなる球状微粒子ディスパージョンをスプレーコートし、次いで該粒子を加熱・融着させて形成された金属接着性熱可塑性樹脂層を有する樹脂被膜と、を備えることを特徴とする金属製押出チューブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
金属接着性熱可塑性樹脂の球状微粒子は、均一粒径で高い球状性を有していることが好ましい。
図７は金属接着性熱可塑性樹脂層の形成に好適な接着性熱可塑性樹脂で形成された均一粒子径の球状微粒子の顕微鏡写真であって、何れの粒子も球形又は稍細長い球形（楕球形）であること及びその粒径が高度に均一であることを示している。即ち、図７に表示されている粒子の中には格段に小径の粒子は僅かしか見受けらない。しかも、稜又は頂点等の尖鋭な部分又は屈曲部分が全く見受けられない。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ここで、このような球状微粒子ディスパージョンを用いた樹脂被膜９形成工程を含む押出チューブの好ましい製造方法に付いて、図面を参照して説明する。
図３は、ディスパージョンを押出チューブ内壁面に塗布するための装置の概念構造図であり、図３において１ａは加工対象のアルミニウムチューブであって、一端が開放された胴部３の他端には肩部５及び口頸部７が連続して形成されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、本発明に係る金属製押出チューブの更なる別態様を示す図である。図示されるように、本態様の押出チューブ１は、第一の態様と同様の構造を有しており、同様の部分には同様の符号が付されている。そして、特に図２（Ｂ）に示されるように、この押出チューブ１の胴部３内壁面に形成される樹脂被膜９は、下塗り層としての熱硬化性樹脂層５１と、該熱硬化製樹脂層５１の表面に形成される上塗り層としての金属接着性熱可塑性樹脂層５３とからなる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
その表面に第２回の被膜として非改質の低密度ポリエチエレン［ＭＩ(190℃;2.16kgf)２５g／10min;密度０.９１５g／cc］を上記と同一操作で上塗りして総括膜厚約３２μmとし、次いで、ホルダー(３１)に収容された侭でアルミニウムチューブ(１)を溶着炉内へ移した。溶着炉内で溶着温度１５０〜１５５℃で、３〜５分間加熱し、塗布による低密度ポリエチレン微粒子層を溶融して下塗り層（２１）に十分に融合させて上塗り層(平均膜厚１７μm)を得た。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
ホルダー(３１)をその長軸の周囲に回転（１７５０rpm）させながら、スプレーガンノズル(３３)の先端からアルミニウムチューブ(１)の内壁面に対して略４５度の方向へ、エポキシ・フェノール系塗料［エポキシ成分含有量２３重量％;フェノール成分含有量１０重量％;商品名AON302T-100（田中ケミカル社製）］を噴射（０.４〜１.０５g／min）し、かつスプレーガンノズル(３１)をアルミニウムチューブ(１)の出口側へ移動させた（線速度２７０〜３４０mm／sec）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数容器の運搬に用いるプラスチック製の容器運搬具であって、前記容器運搬具は、単層プラスチック材料からなる把手部（４０）と、
この把手部（４０）の結合部（３０）において、自由に懸垂する一対の容器係合部（２４、２６）を含み、
前記各容器係合部（２４、２６）は組み合わされる容器を入れる複数の開口（３４）を有し、
前記容器係合部の一方（２６）は前記把手部（４０）と一体に形成され、前記容器係合部の他方（２４）は前記結合部（３０）において前記把手部（４０）に結合されることを特徴とする容器運搬具。
【請求項２】
前記各容器係合部（２４、２６）は外側マージン（３８）を有すると共に、前記容器係合部（２４、２６）の前記開口内（３４）に保持された容器を解放するための各前記外側マージン（３８）上にジッパーストリップ（４４）を更に有している請求項１に記載の容器運搬具。
【請求項３】
前記容器係合部（２４、２６）の各々の前記ジッパーストリップ（４４）が構造的に異なっている請求項２に記載の容器運搬具。
【請求項４】
前記把手部（４０）はその両面に印刷が施されている請求項１に記載の容器運搬具。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月24日(2004.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
オレフィン系樹脂のシート基材にアクリル系樹脂の保護シートを積層してなる化粧シートにおいて、上記保護シートが、２５℃における破断点伸度が１００％以上のアクリル系熱可塑性エラストマーのシートであることを特徴とする化粧シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
カチオン重合性官能基を有する単量体としては、上記カチオン重合性官能基を有するプレポリマーの単量体が利用できる。またチオール基を有する単量体としては、トリメチロールプロパントリチオグリコレート、ペンタエリスリトールテトラチオグリコレート等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電終了後逆方向に通電する鉛蓄電池の充電方法であって、逆方向に通電後の電池の単セル当りの開回路電圧が平衡状態の電圧値プラス７０ｍＶ以下に収まるように、前記逆方向の通電を行うことを特徴とするアンチモンを含まない鉛合金格子を用いた鉛蓄電池の充電方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、充電終了後に正極板の電位を平衡電位付近まで下げ、高い電位にさらされている時間を短くすることによって、格子界面における絶縁層の形成を抑えて電池の寿命を向上させる方法を提案するものであり、その要旨は、充電後に逆方向に通電することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】  
本発明鉛蓄電池の充電方法では、逆方向に通電後に電池の開回路電圧が平衡状態における電圧値よりも単セル当たり７０ｍＶ以上高くならないように逆方向に通電することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１に充電後逆方向に通電を行わなかった場合、及び行った場合の休止中の電池電圧の推移を、表１には充電終了後、及び逆方向に通電終了後５分目の電池電圧を示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【表１】  
（ａ）および（ｂ）では、充電終了後の休止中、長時間にわたって平衡状態での電圧よりも７０ｍＶ以上高い電位におかれるが、（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）では、電池電圧は逆方向に通電終了後すぐにほぼ平衡電圧に近い（平衡電圧よりも７０ｍＶ以上高くない）電位を示すことがわかる。図２に寿命試験中の容量推移を示す。従来のように充電後に放電を行わない場合（ａ）や放電を行っても平衡電圧よりも７０ｍＶ以上高い電圧におかれる場合（ｂ）には絶縁層が形成されやすく、約３００サイクルで寿命となった。              
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
電池電圧の推移を比較した図
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月8日(2005.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子障壁層と、III族元素及び窒素を含む２種類以上のＶ族元素によって形成された量子井戸層と、を有する活性領域を備えたIII−Ｖ族化合物半導体による量子井戸構造光半導体素子であって、
該量子障壁層は、III族元素、及び窒素を含む２種類以上のＶ族元素によって形成されている、量子井戸構造光半導体素子。
【請求項２】
前記III族元素はＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＴｌを含む群から選択され、前記Ｖ族元素は前記窒素以外にＡｓ、Ｐ及びＳｂを含む群から選択される請求項１に記載の量子井戸構造光半導体素子。
【請求項３】
前記量子井戸層の格子定数の値は、前記量子障壁層の格子定数の値より大きい、請求項１または２に記載の量子井戸構造光半導体素子。
【請求項４】
前記量子井戸層及び前記量子障壁層の結晶構造は歪みを有し、該量子井戸層の歪み応力と該量子障壁層の歪み応力とは、その方向が逆方向である、請求項１から３のいずれかに記載の量子井戸構造光半導体素子。
【請求項５】
前記量子井戸層に含まれる前記Ｖ族元素の組成は、前記量子障壁層に含まれる前記Ｖ族元素の組成に等しい、請求項１から４のいずれかに記載の量子井戸構造光半導体素子。
【請求項６】
前記活性領域の上下の少なくとも１方に、該活性領域からの光を伝搬する光導波路層がさらに設けられており、該光導波路層は、III族元素、及び窒素を含む２種類以上のＶ族元素によって形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の量子井戸構造光半導体素子。
【請求項７】
前記光導波路層のエネルギーギャップは、段階的にあるいは連続的に変化する請求項６に記載の量子井戸構造光半導体素子。
【請求項８】
前記量子井戸層及び前記量子障壁層からなる積層構造は、少なくとも前記量子井戸層及び前記量子障壁層を構成するＶ族元素が同じものであり、そのＶ族元素の原料の供給量を一定に保ったまま、ＩＩＩ族元素の原料の供給量を層毎に変えることによって結晶成長して形成されたものであることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の量子井戸構造光半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ある実施形態では、前記量子井戸層及び前記量子障壁層の結晶構造は歪みを有し、該量子井戸層の歪み応力と該量子障壁層の歪み応力とは、その方向が逆方向である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明による半導体レーザ素子の量子井戸構造１０６は、図１（ｂ）に示されるように、アンドープＧａ0.80Ｉｎ0.20Ｎ0.022Ａｓ0.978量子井戸活性層１０６ａと、アンドープＧａ0.98Ｉｎ0.02Ｎ0.024Ａｓ0.976量子障壁層１０６ｂと、による３周期の積層構造を有する。量子井戸活性層１０６ａは、ＧａＡｓ基板１００に対して１．０％の圧縮歪みを有し、約６ｎｍの厚さを持つ。量子井戸活性層１０６ａは、エネルギーギャップが約０．８８６ｅＶであり、格子定数が約５．７１０Åである。一方、量子障壁層１０６ｂは、ＧａＡｓ基板１００に対して０．２５％の引っ張り歪みを有し、約１２ｎｍの厚さを持つ。量子障壁層１０６ｂは、エネルギーギャップが約１．０３ｅＶであり、格子定数が５．６６７Åである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
量子井戸活性層２０６ａは、ＧａＡｓ基板１００に対して０．２５％の圧縮歪みを有し、約７ｎｍの厚さを持つ。量子井戸活性層２０６ａは、エネルギー ギャップが約０．８８５ｅＶであり、格子定数が約５．６６７Åである。一方、量子障壁層２０６ｂは、ＧａＡｓ基板１００に対して０．１４％の引っ張り歪みを有し、約２２ｎｍの厚さを持つ。量子障壁層２０６ｂは、エネルギーギャップが約１．０３ｅＶであり、格子定数が５．６４５Åである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
量子井戸構造３０６は、アンドープＧａ0.80Ｉｎ0.20Ｎ0.022Ａｓ0.978量子井戸活性層３０６ａと、アンドープＧａ0.98Ｉｎ0.02Ｎ0.022Ａｓ0.978量子障壁層３０６ｂと、による３周期の積層構造を有する。量子井戸活性層３０６ａは、ＧａＡｓ基板３００に対して１．０％の圧縮歪みを有し、約６ｎｍの厚さを持つ。量子井戸活性層３０６ａは、エネルギーギャップが約０．８８６ｅＶであり、格子定数が約５．７１０Åである。一方、量子障壁層３０６ｂは、ＧａＡｓ基板３００に対して０．２５％の引っ張り歪みを有し、約１２ｎｍの厚さを持つ。量子障壁層１０６ｂは、エネルギーギャップが約１．０７ｅＶであり、格子定数が５．６３９Åである。 
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
量子井戸構造４０６は、アンドープＧａ0.85Ｉｎ0.15Ｎ0.026Ａｓ0.974量子井戸活性層４０６ａと、アンドープＧａ0.80Ｉｎ0.20Ｎ0.024Ａｓ0.976量子障壁層４０６ｂと、による２周期の積層構造を有する。量子井戸活性層４０６ａは、ＧａＡｓ基板３００に対して０．５％の圧縮歪みを有し、約５ｎｍの厚さを持つ。量子井戸活性層４０６ａは、エネルギーギャップが約０．８５５ｅＶであり、格子定数が約５．６８１Åである。一方、量子障壁層４０６ｂは、ＧａＡｓ基板３００に格子整合しており、約１２ｎｍの厚さを持つ。量子障壁層４０６ｂは、エネルギーギャップが約１．０３ｅＶであり、格子定数が５．６３２Åである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源と、
この直流電源からの直流電圧を高周波の交流電圧に変換するインバータ回路と、
このインバータ回路の出力電圧を昇圧する高電圧変圧器と、
この高電圧変圧器の出力電圧を整流する高電圧整流回路と、
この高電圧整流回路の出力電圧である直流の高電圧を印加してＸ線を放射するＸ線管と、
このＸ線管に印加される電圧（管電圧）を検出する管電圧検出器と、
この管電圧検出器によって検出された実際の管電圧を目標の管電圧に一致するように前記インバータ手段をフィードバック制御するフィードバック制御手段と、
このフィードバック制御手段によって前記インバータ手段を動作させる期間を設定するフィードバック制御期間設定手段と、
前記フィードバック制御手段を経由しないで前記インバータ手段を制御する非フィードバック制御手段と、
この非フィードバック制御手段によって前記インバータ手段を動作させる期間を設定する非フィードバック制御期間設定手段と、
透視時に、前記非フィードバック制御期間設定手段によって設定された非フィードバック制御期間の非フィードバック制御と前記フィードバック制御期間設定手段によって設定されたフィードバック制御期間のフィードバック制御とを所定周期繰り返して前記インバータ手段を動作するように制御する管電圧制御回路と、
を備えたことを特徴とするインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項２】
前記管電圧制御回路は、前記インバータ回路を形成する複数のスイッチング素子を制御するための制御信号の位相差が、前記非フィードバック制御期間の非フィードバック制御から前記フィードバック制御期間のフィードバック制御への切り替わる際に、前記非フィードバック制御へ移行前のフィードバック制御の位相差となるまでに前記制御信号の位相差を段階的に制御することを特徴とする請求項１に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項３】
前記非フィードバック制御期間設定手段又はフィードバック制御期間設定手段は、前記高電圧変圧器を形成する鉄心を含む騒音源からの騒音を抑制するための周波数を設定することを特徴とする請求項１、２の何れか一項に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月24日(2004.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の配線用窪みにめっき金属を充填するための基板めっき方法において、
基板上に初期膜を形成する無電解めっき工程と、
前記初期膜を給電層として電解めっきを行い前記窪みをめっき金属で充填する電解めっき工程とを行うことを特徴とする基板めっき方法。
【請求項２】
前記無電解めっきに使用するめっき液のｐＨ調整剤として、アルカリ金属を含まないものを使用することを特徴とする請求項１記載の基板めっき方法。
【請求項３】
前記電解めっきに使用する電解めっき液のＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏの濃度が１００〜１５０ｇ／ｌ、Ｈ２ＳＯ４の濃度が１００〜１５０ｇ／ｌであることを特徴とする請求項１又は２記載の基板めっき方法。
【請求項４】
半導体基板の配線用窪みにめっき金属を充填するための基板めっき装置において、
基板上に初期膜を無電解めっきで形成する無電解めっき槽と、
前記初期膜を給電層として電解めっきを行い前記窪みをめっき金属で充填する電解めっき槽と、
前記無電解めっき槽と前記電解めっき槽の間で基板を移送するハンドを備えた搬送ロボットを有することを特徴とする基板めっき装置。
【請求項５】
前記電解めっき後の基板の仕上げの洗浄と乾燥を行う水洗・乾燥装置を更に有することを特徴とする請求項４記載の基板めっき装置。
【請求項６】
前記電解めっき槽は、内部に基板のめっき面の電場を調整するための開口を設けた遮蔽板を有することを特徴とする請求項４又は５記載の基板めっき装置。
【請求項７】
基板を受け渡す際の仮置きに用いられる仮置きステージを更に有することを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の基板めっき装置。
【請求項８】
基板の表面を活性化させる活性化処理槽と、該活性化された基板の表面に触媒を付与する触媒付与槽を更に有することを特徴とする請求項４乃至７のいずれかに記載の基板めっき装置。
【請求項９】
前記無電解めっきに使用するめっき液のｐＨ調整剤として、アルカリ金属を含まないものを使用することを特徴とする請求項４乃至８のいずれかに記載の基板めっき装置。
【請求項１０】
前記電解めっきに使用する電解めっき液のＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏの濃度が１００〜１５０ｇ／ｌ、Ｈ２ＳＯ４の濃度が１００〜１５０ｇ／ｌであることを特徴とする請求項４乃至９のいずれかに記載の基板めっき装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、半導体基板の配線用窪みにめっき金属を充填するための基板めっき方法において、基板上に初期膜を形成する無電解めっき工程と、前記初期膜を給電層として電解めっきを行い前記窪みをめっき金属で充填する電解めっき工程とを行うことを特徴とする基板めっき方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記無電解めっきに使用するめっき液のｐＨ調整剤として、アルカリ金属を含まないものを使用することを特徴とする請求項１記載の基板めっき方法である。
請求項３に記載の発明は、前記電解めっきに使用する電解めっき液のＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏの濃度が１００〜１５０ｇ／ｌ、Ｈ２ＳＯ４の濃度が１００〜１５０ｇ／ｌであることを特徴とする請求項１又は２記載の基板めっき方法である。
請求項４に記載の発明は、半導体基板の配線用窪みにめっき金属を充填するための基板めっき装置において、基板上に初期膜を無電解めっきで形成する無電解めっき槽と、前記初期膜を給電層として電解めっきを行い前記窪みをめっき金属で充填する電解めっき槽と、前記無電解めっき槽と前記電解めっき槽の間で基板を移送するハンドを備えた搬送ロボットを有することを特徴とする基板めっき装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
同一処理槽に、基板上に初期膜を無電解めっきで形成するための無電解めっき液を供給する無電解めっき液供給流路と、前記初期膜を給電層として電解めっきを行い前記窪みを充填する電解めっき液を供給する電解めっき液供給流路とを択一的に切り換え可能に設けるようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項５に記載の発明は、前記電解めっき後の基板の仕上げの洗浄と乾燥を行う水洗・乾燥装置を更に有することを特徴とする請求項４記載の基板めっき装置である。
請求項６に記載の発明は、前記電解めっき槽は、内部に基板のめっき面の電場を調整するための開口を設けた遮蔽板を有することを特徴とする請求項４又は５記載の基板めっき装置である。
請求項７に記載の発明は、基板を受け渡す際の仮置きに用いられる仮置きステージを更に有することを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の基板めっき装置である。
請求項８に記載の発明は、基板の表面を活性化させる活性化処理槽と、該活性化された基板の表面に触媒を付与する触媒付与槽を更に有することを特徴とする請求項４乃至７のいずれかに記載の基板めっき装置である。
請求項９に記載の発明は、前記無電解めっきに使用するめっき液のｐＨ調整剤として、アルカリ金属を含まないものを使用することを特徴とする請求項４乃至８のいずれかに記載の基板めっき装置である。これにより、基板の有害金属による汚染を防止しつつめっき処理がなされる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１０に記載の発明は、前記電解めっきに使用する電解めっき液のＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏの濃度が１００〜１５０ｇ／ｌ、Ｈ２ＳＯ４の濃度が１００〜１５０ｇ／ｌであることを特徴とする請求項４乃至９のいずれかに記載の基板めっき装置である。レベリング性の良い電解めっきを使用することで、ボイドのない充填が可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
各処理容器本体５０の上下には、上部ヘッダ５６と下部ヘッダ５７が取付けられ、これらの上部ヘッダ５６及び下部ヘッダ５７は処理室５２と多数の通孔５６ａ，５７ａを介してそれぞれ連通している。これによって、例えば、下部ヘッダ５７から上部ヘッダ５６に処理液を供給することにより、図３に示すように、基板の被めっき面に沿った平行流れを形成することができる。図４に示すように、処理槽１６〜２３の下側には貯液槽３１と循環ポンプ３２を有する処理液循環装置３３が設けられ、その供給配管３４及び戻り配管３５が下部ヘッダ５７及び上部ヘッダ５６に接続されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000058486.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素（元素記号：Ｓｉ）からなる立方晶の単結晶基板と、該単結晶基板上に形成された非晶質を主体とするリン化硼素系材料からなる低温緩衝層と、該低温緩衝層上に形成された、リン化硼素多量体（ＢαＰβ：６≦α≦１３、β＝１またはβ＝２）の割合を９５．０重量％以上９９．８重量％未満とし、リン化硼素単量体（組成式：ＢＰ）の割合を０．２重量％以上５．０重量％未満とするリン化硼素系結晶からなる緩衝層と、前記単結晶基板上に前記の低温緩衝層及び緩衝層を介して積層された、六方晶を主体としてなるIII族窒化物半導体結晶層とを具備する積層構造体から構成される化合物半導体素子。
【請求項２】
前記緩衝層は、立方晶結晶相と六方晶結晶相とが交互に積層してなる重層構造を内在する結晶層から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体素子。
【請求項３】
珪素からなる立方晶の単結晶基板上に、リン化硼素系材料からなる低温緩衝層を１５０℃以上７００℃以下の温度で形成し、その上に、リン化硼素多量体（ＢαＰβ：６≦α≦１３、β＝１またはβ＝２）の割合を９５．０重量％以上９９．８重量％未満とし、リン化硼素単量体の割合を０．２重量％以上５．０重量％未満とするリン化硼素系結晶からなる緩衝層を、硼素に対するリンの供給濃度比率を約１５０以下として形成し、その上に、六方晶を主体としてなるIII族窒化物半導体結晶層を積層することを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記低温緩衝層を２００℃以上５５０℃以下の温度で形成することを特徴とする請求項３記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
III族窒化物半導体結晶層がＧａＩｎＮ層を発光層とすることを特徴とする請求項１または２に記載の化合物半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両側の電解質層を除く少なくともひとつの電解質層が、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲の三次元連通性の孔を有する多孔質電解質であることを特徴とする複層電解質膜。
【請求項２】
少なくとも一方の面に、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲の三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層を形成した電解質膜を、前記多孔質電解質層が接するように電解質膜に配置して一体にすることを特徴とする、請求項１記載の複層電解質膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の複層電解質膜または請求項２記載の製造方法で得られた複層電解質膜を備えることを特徴とする固体高分子電解質型燃料電池。
【請求項４】
燃料もしくは酸化剤あるいはその両方が無加湿で供給されることを特徴とする請求項３記載の固体高分子電解質型燃料電池の運転方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
両側の電解質層を除く少なくともひとつの電解質層が、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲の三次元連通性の孔を有する多孔質電解質である複層電解質膜を形成して、この多孔質電解質層の孔に水を保持させることにより電解質膜の含水性の向上を図る。少なくとも一方に面に、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲の三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層を形成した電解質膜を、前記多孔質電解質層が接するように電解質膜に配置して一体にする、複層電解質膜の製造方法を提供する。
なお、以下では「三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層」における「三次元連通性の孔」は、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲にあるものとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この説明では、段階１で作製した三次元連通性の孔を有する多孔質電解質を備える電解質膜は片側にのみ多孔質電解質を備えているが両面に備えるものを用いることもできる。この場合、表面にも三次元連通性の孔を有する、４層からなる多孔質電解質を備える複層電解質膜が形成されることもある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
［比較例１］
市販のナフィオン１１２膜を精製水で３回洗浄してから３％濃度の過酸化水素水で１時間煮沸して精製水で回洗浄し、つぎに０．５Ｍの希硫酸１時間煮沸してプロトン型に置換した後、精製水で５回洗浄した。これを電解質膜Ｂとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
このようにして作製したガス拡散電極−電解質膜接合体Ｂをガス供給路が形成された金属製のセパレータで挟持して比較例１の固体高分子電解質型燃料電池Ｂを構成した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
実施例１および比較例１で作製した固体高分子電解質型燃料電池の電流−電圧特性を図６に示す。図６から明らかであるように、本発明の複層電解質膜Ａを備える固体高分子電解質型燃料電池Ａは、通常の電解質膜を備える比較例１の固体高分子電解質型燃料電池Ｂより電池電圧が高い。反応ガスを無加湿運転で作動しているにもかかわらず、本発明の複層電解質膜を備える固体高分子電解質型燃料電池は高出力である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【発明の効果】
本発明の複層電解質膜は、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲の三次元連通性の孔を有する多孔質電解質を形成することにより電解質の保水性が増大する。このために固体高分子電解質型燃料電池にこの複層電解質膜を用いた場合、無加湿の反応ガスで作動しても電解質膜の含水量の低減に起因する膜抵抗の増大を抑制することができ、もって固体高分子電解質型燃料電池の抵抗過電圧の低減による高出力化を達成できる。