Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、本発明者が行った実験について説明する。
本発明者は、温度検知装置１５のハウジング２１の有無及びハウジング２１を構成する材料による相違について検討を行った。
準備したサンプルは次の通りである。
・サンプル１  ハウジング２１なし（サーモパイル式温度センサユニット２２のみ）
・サンプル２  第一ハウジング部材２１ａ：樹脂、  第二ハウジング部材２１ｂ：樹脂
・サンプル３  第一ハウジング部材２１ａ：樹脂、  第二ハウジング部材２１ｂ：アルミ
・サンプル４  第一ハウジング部材２１ａ：アルミ、第二ハウジング部材２１ｂ：アルミ
そして、図６に示すように、ＣＡＮ３４の側面にサーミスタ３９ａを、また、基板２３の底面にサーミスタ３９ｂを配置し、定着ロール１１，１２の昇温プロセス及び定着温度維持プロセスにおけるＣＡＮ３４と基板２３（≒ＳＴＥＭ３２）との温度差、及び、ドリフト量すなわちサーモパイル式温度センサユニット２２による測定値及び定着ロール１１，１２の実際の表面温度との差を観測した。尚、定着ロール１１，１２の表面温度は、定着ロール１１，１２表面にサーミスタを接触配置して測定した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度が少なくとも事前に確立された指標限界値を超えていないことを確認できるようにする、監視すべき媒体の温度を監視する電子装置において、
前記温度が指標限界値またはそのような指標限界値のうちの１つに達したときに電荷流回路（１８）を閉じることのできる導電接触手段（２）と、
前記接触手段（２）が閉じるときに電荷流回路（１８）に接続され、温度がその指標限界値またはそのような指標限界値のうちの１つに達しないかぎり電荷を蓄積し、前記接触手段（２）によって電荷流回路が閉じられたときに電荷が前記電荷流回路（１８）を流れるようにし、電荷流回路（１８）が再び開いた場合に電荷流回路（１８）が閉じる前の充電状態に戻らない電荷蓄積手段（４）と、
前記蓄積手段（４）の充電状態を判定できるようにする読取り手段（６）とを含むことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
電子温度監視装置を実装する方法において、
電荷蓄積手段（４）に電荷を注入することによってデータを書き込むステップと、
媒体の温度が少なくとも１つの事前に確立された指標限界値に達していないことを確認するために温度変化を監視する必要のある媒体内に電子装置（１）を配置するステップと、
電荷蓄積手段（４）に書き込まれたデータを、監視すべき媒体内に装置（１）がまだある間に非破壊的に読み取り、前記監視すべき媒体の温度が所定の瞬間に、事前に確立された指標限界値またはそのような指標限界値のうちの１つに達しているかどうかを判定し、温度がその指標限界値またはそのような指標限界値のうちの１つに達していない場合に、接触手段（２）が閉じず、電荷蓄積手段（４）の充電状態が変化していないことを知り、一方、温度がその指標限界値またはそのような指標限界値のうちの１つに達している場合に、接触手段（２）が閉じて、電荷蓄積手段（４）の充電状態が変化されていることを知り、電荷蓄積手段のこの変化された充電状態が、監視中の媒体の温度が達した指標値よりも大きな値または小さな値に戻り、接触手段（２）が再び開いた場合でも維持されるステップと、
温度の監視を継続または停止するステップと、必要に応じて、
電子温度監視装置（１）を再プログラミングして再び使用することを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）回転運動を直線運動へ、又は、直線運動を回転運動へ変換する変換機構から成る直動装置を潤滑する装置であって、
（ｂ）供給した潤滑油を回収するタンクと、前記変換機構にタンクから潤滑油を供給する供給路とを有することを特徴とする成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項２】
前記変換機構は、螺旋状の溝を備えるねじ軸と、該ねじ軸の螺旋状の溝と同ピッチの螺旋状の溝を備えるねじナットと、前記ねじ軸の螺旋状の溝とねじナットの螺旋状の溝との間に介在し、前記ねじ軸とねじナットとの間で動力を伝達する動力伝達部材とから成る請求項１に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項３】
前記ねじナットの外方に配設されたナットカバー部材を有し、該ナットカバー部材はねじナットを取り付けるナット支持部材に取り付けられている請求項２に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項４】
前記ねじ軸を支持するねじ軸支持部材を有し、該ねじ軸支持部材にはナットカバー部材の下方にまで延在するオイルパンが取り付けられている請求項３に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項５】
前記ねじ軸を覆うねじ軸カバー部材を有する請求項２に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項６】
前記ねじナットはナット支持部材に回転不能に取り付けられている請求項２に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項７】
前記変換機構とタンクとの間に配設された回収路を有する請求項１に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項８】
前記潤滑油を冷却する冷却装置を有する請求項１に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項９】
前記潤滑油中の鉄粉を計測する鉄粉量計測器を有する請求項１に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項１０】
前記鉄粉量計測器の計測値に基づいて成形機を制御する制御手段を有する請求項９に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記鉄粉量に基づいて前記ねじの寿命を計算する請求項１０に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項１２】
前記制御手段は、前記鉄粉量が所定の数値を超えた時に前記潤滑油又はねじの交換を促す警告を発する請求項１０に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項１３】
前記供給路には、前記タンクより潤滑油を供給する潤滑油供給ポンプを含む請求項１に記載の成形機用直動装置の潤滑装置。
【請求項１４】
回転運動を直線運動へ、又は、直線運動を回転運動へ変換する変換機構から成る直動装置へタンクから供給路を通して潤滑油を供給し、供給した潤滑油をタンクへ回収することを特徴とする成形機用直動装置の潤滑方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
そのために、本発明の成形機用直動装置の潤滑装置においては、回転運動を直線運動へ、又は、直線運動を回転運動へ変換する変換機構から成る直動装置を潤滑する装置であって、供給した潤滑油を回収するタンクと、前記変換機構にタンクから潤滑油を供給する供給路とを有する。
本発明の他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記変換機構は、螺旋状の溝を備えるねじ軸と、該ねじ軸の螺旋状の溝と同ピッチの螺旋状の溝を備えるねじナットと、前記ねじ軸の螺旋状の溝とねじナットの螺旋状の溝との間に介在し、前記ねじ軸とねじナットとの間で動力を伝達する動力伝達部材とから成る。
本発明の更に他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記ねじナットの外方に配設されたナットカバー部材を有し、該ナットカバー部材はねじナットを取り付けるナット支持部材に取り付けられている。
本発明の更に他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記ねじ軸を支持するねじ軸支持部材を有し、該ねじ軸支持部材にはナットカバー部材の下方にまで延在するオイルパンが取り付けられている。
本発明の更に他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記ねじ軸を覆うねじ軸カバー部材を有する。
本発明の更に他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記ねじナットはナット支持部材に回転不能に取り付けられている。
本発明の更に他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記変換機構とタンクとの間に配設された回収路を有する。
本発明の更に他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記潤滑油を冷却する冷却装置を有する。
本発明の更に他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記潤滑油中の鉄粉を計測する鉄粉量計測器を有する。
本発明の更に他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記鉄粉量計測器の計測値に基づいて成形機を制御する制御手段を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の更に他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記制御手段は、前記鉄粉量に基づいて前記ねじの寿命を計算する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の更に他の成形機用直動装置の潤滑装置においては、さらに、前記供給路には、前記タンクより潤滑油を供給する潤滑油供給ポンプを含む。
本発明の成形機用直動装置の潤滑方法においては、回転運動を直線運動へ、又は、直線運動を回転運動へ変換する変換機構から成る直動装置へタンクから供給路を通して潤滑油を供給し、供給した潤滑油をタンクへ回収する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、成形機用直動装置の潤滑装置においては、回転運動を直線運動へ、又は、直線運動を回転運動へ変換する変換機構から成る直動装置を潤滑する装置であって、供給した潤滑油を回収するタンクと、前記変換機構にタンクから潤滑油を供給する供給路とを有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱したガスにより加熱処理を行う処理室と、当該処理室に対応して設けられたガス加熱手段と、予備加熱室と、冷却室を有する熱処理装置であって、
前記冷却室の導入口はガス供給手段に接続され、
前記冷却室の排出口は前記ガス加熱手段の導入口に接続され、
前記ガス加熱手段の排出口は前記処理室の導入口に接続され、
前記処理室の排出口は前記予備加熱室の導入口に接続されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
加熱したガスにより加熱処理を行う処理室と、当該処理室に対応して設けられたガス加熱手段と、予備加熱室と、冷却室を有する熱処理装置であって、
前記冷却室の導入口はガス供給手段に接続され、
前記冷却室の排出口は熱交換器を介して前記ガス加熱手段の導入口に接続され、
前記ガス加熱手段の排出口は前記処理室の導入口に接続され、
前記処理室の排出口は前記熱交換器に接続され、
前記熱交換器の排出口は前記予備加熱室の導入口に接続されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
加熱したガスにより加熱処理を行うｎ個（ｎ＞２）の処理室と、当該ｎ個の処理室に対応して設けられたガス加熱手段と、予備加熱室と、冷却室を有する熱処理装置であって、
前記冷却室の導入口はガス供給手段に接続され、
前記冷却室の排出口は熱交換器を介して第１のガス加熱手段の導入口に接続され、
第ｍ（１≦ｍ≦（ｎ−１））の処理室の導入口は第ｍのガス加熱手段の排出口に接続され、
第ｎの処理室の導入口は第ｎのガス加熱手段の排出口に接続され、
前記第ｎの処理室の排出口は前記熱交換器に接続され、
前記熱交換器の排出口は前記予備加熱室の導入口に接続されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
加熱処理を行うｎ個（ｎ＞２）の処理室と、予備加熱室と、冷却室を備え、各処理室に対応して設けられたガス加熱手段により加熱されたガスを熱源として基板を加熱する熱処理装置であって、
前記冷却室の導入口はガス供給手段に接続され、
前記冷却室の排出口は熱交換器を介して第１のガス加熱手段の導入口に接続され、
第ｍ（１≦ｍ≦（ｎ−１））の処理室の導入口は第ｍのガス加熱手段の排出口に接続され、
第ｎの処理室の導入口は第ｎのガス加熱手段の排出口に接続され、
前記第ｎの処理室の排出口は前記熱交換器に接続され、
前記熱交換器の排出口は前記予備加熱室の導入口に接続されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、前記第ｍの処理室の排出口は、第ｍ＋１のガス加熱手段の導入口に接続され、
前記第ｍ＋１のガス加熱手段の排出口は、第ｍ＋１の処理室の導入口に接続されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記ガスは、窒素または希ガスであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記ガスは、還元性ガスであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記ガスは、酸化性ガスであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記処理室は、石英又はセラミックで形成されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記処理室は、基板を保持するための基板保持手段と、前記基板に加熱されたガスを吹き付けるシャワー板とを有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記冷却室の排出口から排出されるガスの温度は、前記ガス供給手段から当該冷却室に供給されるガスの温度よりも高いことを特徴とする熱処理装置。
【請求項１２】
加熱処理を行う処理室と、予備加熱室と、冷却室を備え、ガス加熱手段により加熱されたガスを熱源として基板を加熱する熱処理方法であって、
ガス供給手段から供給されるガスを前記冷却室に供給し、当該冷却室から排出されるガスを熱交換器を介して前記ガス加熱手段に供給し、
前記ガス加熱手段により加熱したガスを前記処理室に供給し、当該処理室に配置された基板を加熱し、
前記処理室に供給したガスを前記熱交換器に供給し、前記ガス供給手段から供給されるガスを加熱するための熱源として用い、
前記熱交換器から排出されるガスを前記予備加熱室に供給することを特徴とする熱処理方法。
【請求項１３】
加熱処理を行うｎ個（ｎ＞２）の処理室と、予備加熱室と、冷却室を備え、ｎ個のガス加熱手段により加熱されたガスを熱源として基板を加熱する熱処理方法であって、
ガス供給手段から供給されるガスを前記冷却室に供給し、当該冷却室から排出されるガスを熱交換器を介して第１のガス加熱手段に供給し、
第ｍ（１≦ｍ≦（ｎ−１））のガス加熱手段により加熱したガスを第ｍの処理室に供給し、
前記第ｍの処理室に供給したガスを第ｍ＋１のガス加熱手段により加熱して第ｍ＋１の処理室に供給し、前記ｎ個の処理室に配置された基板を加熱し、
第ｎの処理室に供給したガスを前記熱交換器に供給し、前記ガス供給手段から供給されるガスを加熱するための熱源として用い、
前記熱交換器から排出されるガスを前記予備加熱室に供給することを特徴とする熱処理方法。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３において、前記ガスとして、窒素または希ガスを用いること特徴とする熱処理方法。
【請求項１５】
請求項１２または請求項１３において、前記ガスとして、還元性ガスを用いることを特徴とする熱処理方法。
【請求項１６】
請求項１２または請求項１３において、前記ガスとして、酸化性ガスを用いることを特徴とする熱処理方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１６のいずれか一において、前記冷却室の排出口から排出されるガスの温度は、前記ガス供給手段から当該冷却室に供給されるガスの温度よりも高いことを特徴とする熱処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月7日(2004.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
熱伝導樹脂組成物における各成分の含有量は、熱伝導樹脂組成物全体を１００質量部としたとき、前記の絶縁性樹脂を５〜３０質量部、好ましくは７〜１５質量部、更に好ましくは９〜１１質量部とし、無機フィラーを７０〜９５質量部、好ましくは８５〜９３質量部、更に好ましくは８９〜９１質量部とするのが適当である。これにより、熱伝導樹脂組成物の硬化体である熱伝導性電気絶縁部材の熱伝導性を良好なものとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス基板上のデバイス間のクロストークを低減するためのパッケージであって、
第１のデバイスと第２のデバイスを分離するようにも構成された、前記第１のデバイスの上方に位置するように構成されたキャップと、
前記キャップの表面上に位置し、前記第１と第２のデバイス間のクロストークを実質的に低減するように構成された障壁材料の層とを含むパッケージ。
【請求項２】
キャップが空洞を含み、前記空洞が前記第１のデバイスと前記第２のデバイスを分離するように構成された請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記空洞が第１の空洞であり、前記キャップが、前記第２のデバイスの上方に位置するように構成された第２の空洞をさらに含む請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】
集積デバイスであって、
デバイス基板上に位置する第１および第２のデバイスと、
前記第１および第２のデバイスを分離する、第１のデバイスの上方に位置するキャップと、
前記キャップの表面上に位置する障壁材料の層を含む集積デバイス。
【請求項５】
前記キャップが空洞を含み、前記空洞が前記第１および第２のデバイスを分離する請求項４に記載の集積デバイス。
【請求項６】
前記空洞が第１の空洞であり、前記キャップが、第２のデバイスの上方に位置する第２の空洞をさらに含み、ここで、第１および第２の空洞が、キャップの下部表面内に位置し、キャップの上部表面上に位置する第３のデバイスをさらに含む請求項５に記載の集積デバイス。
【請求項７】
空洞が実質的に真空に維持される請求項５に記載の集積デバイス。
【請求項８】
集積デバイスを製造する方法であって、
デバイス基板上に第１および第２のデバイスを作るステップと、
第１のデバイスの上方に、前記第１および第２のデバイスを分離するキャップを配置するステップと、
キャップの表面上に障壁材料の層を形成するステップとを含む方法。
【請求項９】
キャップの配置が、内部に位置する空洞を有するキャップを前記第１のデバイスの上方に位置することを含み、前記空洞が、前記第１および第２のデバイスを分離する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャップおよび前記第１および第２のデバイスを封止性材料で包封するステップをさらに含む請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月15日(2004.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
一方、トランクが閉じられると、トランク開閉機構であるラッチのフォークが回動することにより作動片２８が矢印Ｂ方向に押圧されて移動し、これに連動して連動棒１６が移動して可動接点２４を押圧して移動させ、その結果、可動接点２４が固定接点２２から離れて互いに非接触となる。これにより、各ターミナル部２２ａ，２６ａ間の導通が遮断されてルームランプが消灯する。
なお、トランクが開けられると、作動片２８に対する押圧が解除されることで、作動片２８および可動接点２４がそれら自体の弾性により図１に示す状態に復帰する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１組の導体を磁気的にパターニングする方法であって、
磁気のパターンを磁性材料(12)に施すステップと、
前記磁気のパターンにしたがって選択的に集合する物質(50)を前記磁性材料(12)上に堆積させるステップと、
前記物質(50)が前記導体のパターンを制御するようにして、前記導体を形成するステップと、
からなる方法。
【請求項２】
前記導体を形成するステップは、前記物質(50)に保護されていない前記磁性材料(12)を除去するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁性材料(12)を除去するステップは、衝撃ドライエッチングを実施するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記磁性材料(12)を除去する前記ステップは、反応性ドライエッチングを実施するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記磁性材料(12)を除去する前記ステップは、ウエットエッチングを実施するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記磁性材料(12)を除去する前記ステップは、前記物質(50)の１組の薄い方の領域を溶解し、前記物質(50)に比較して前記磁性材料(12)を優先的に溶解するウェットエッチングを実施するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記パターンを施すステップは、前記磁気のパターンに対応するギャップパターンを有する磁気書込みヘッド(30)を用いて前記パターンを施すステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記磁性材料(12)は、プラスチック基板(14)上に保持される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記磁性材料(12)から前記物質(50)を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記磁性材料(12)は磁気フィルムである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記磁性材料(12)は束縛粒子磁性材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記物質(50)は、溶媒内に浮遊させた小さな磁性粒子を含む流体である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記物質(50)を堆積させるステップは、
前記流体内に浮遊させた磁性粒子が優先的に集合するように、前記流体を前記磁性材料(12)上に塗着するステップと、
前記磁性材料(12)から前記溶媒を蒸発させるステップと、
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記導体を形成するステップは、
前記物質(50)の一部を除去し、前記磁性材料(12)の１組の領域を前記パターンに従って露出させるステップと、
金属の層(80)を前記物質(50)および前記磁性材料(12)の上に堆積させるステップと、
前記物質(50)を除去することにより１組の金属線を形成するステップと、
前記金属線によって保護されていない前記磁性材料(12)を除去するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属の層(80)を物質(50)および前記磁性材料(12)の上に堆積させるステップは、金属の層(80)を前記物質(50)および前記磁性材料(12)の露出された領域の上に堆積させるステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記物質(50)を除去することにより１組の金属線を形成するステップは、前記物質(50)と、該物質(50)を覆う前記金属の層の領域とを優先的に除去することにより前記金属線を形成するステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月23日(2004.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の、光入射側とは反対側に設けられたn層（nは２以上の整数）の、情報を記録する記録膜とを有する情報記録媒体であって、
光がj層目（jは2以上n以下のｉ以外の整数）の記録膜に集光されている場合に、前記記録媒体の、光入射側から見て第i層目の透過率Ti（iは1以上n-1以下の整数）は、
【式４】
2003051137.tif 000001
を満たし、かつ前記第i層目の透過率は、前記第i層目の記録膜に光が集光した場合には変化することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
基板と、
前記基板の、光入射側とは反対側に、n層の記録膜が設けられ、
第ｉ層の透過率Tiは、第ｉ層目の記録膜に光が集光しない場合に、
【式６】
2003051137.tif 000002
を満たし、かつ、前記第ｉ層目の記録膜に光が集光する場合に、透過率が50%以下になることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】
前記媒体に、光の集光によって透過率が変化する非線形光学層が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記非線形光学層の、前記集光によって変化した透過率が、前記媒体が1周回転する間に元に戻ることを特徴とする請求項３記載の情報記録媒体。
【請求項５】
光入射側から、基板と、第1の記録膜と、第2の記録膜とを有し、
前記第1の記録膜と前記第2の記録膜との間に、光が集光されているときは反射率が透過率よりも大きく、かつ光が集光されていないときは透過率が反射率よりも大きい非線形膜を備えたことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項６】
基板と、第1の記録層を含む複数の記録層とを有し、
前記第１の記録層の透過率は、
前記第１の記録層よりも前記光入射側から遠い第２の記録層に光が集光されているときは、前記第２記録層を再生できる透過率であり、
前記第１の記録層に前記光が集光されているときは、前記第１の記録層を再生できる透過率となるように、
変化することを特徴とする光情報記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する発光素子を含む発光装置の修理方法であって、
前記陰極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加することを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項２】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する発光素子を含む発光装置の修理方法であって、
前記陰極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加することにより、
前記陽極と前記陰極とが電気的に短絡した部分に電流を流して、前記短絡した部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化させることを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項３】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する発光素子を含む発光装置の修理方法であって、
前記陰極はＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であり、
前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加することにより、前記陽極又は前記陰極の少なくとも一つが前記有機化合物層に陥入して前記陽極と前記陰極とが電気的に短絡した部分に電流を流すことを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記陽極と前記陰極とが電気的に接した部分に前記電流を流して発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化することを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記陰極はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも一つを含有する合金であることを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記陰極はＭｇを含有する合金であることを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記陰極は前記Ｍｇの含有量が１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上であることを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記陰極はＡｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金であることを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記陰極はＡｌＭｇ、ＭｇＡｇ、又はＭｇＡｇＡｌであることを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記逆バイアスの電圧を一定期間毎に複数回印加することを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記逆バイアスの電圧を印加する際に前記逆バイアスの電圧を前記有機化合物層にアバランシュ電流が流れ始める電圧の±１５％以内に納まるまで徐々に高くすることを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記発光素子はマトリクス状に配置され、前記発光素子のそれぞれに接続された薄膜トランジスタを有することを特徴とする発光装置の修理方法。
【請求項１３】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する発光素子を含む発光装置の作製方法であって、
ＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下である陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する発光素子を含む発光装置の作製方法であって、
ＬｉまたはＮａの含有量がそれぞれ１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下である陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加することにより、前記陽極と前記陰極とが電気的に短絡した部分に電流を流して、前記短絡した部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する発光素子を含む発光装置の作製方法であって、
Ａｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金からなる陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極に挟まれた有機化合物層とを有する発光素子を含む発光装置の作製方法であって、
Ａｌ又はＡｇの少なくとも一つと、Ｍｇとを含む合金からなる陰極を形成した後、前記陽極と前記陰極の間に逆バイアスの電圧を印加することにより、前記陽極と前記陰極とが電気的に短絡した部分に電流を流して、前記短絡した部分を発熱させ、前記発熱した部分を高抵抗化または絶縁化させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
認証のためにメッセージを処理する方法において、
前記メッセージが圧縮関数の１入力ブロック内に収まるときに、鍵および前記メッセージを入力として使用して、前記圧縮関数の単一の反復を実行するステップと、
前記メッセージが前記圧縮関数の１入力ブロック内に収まらないときに、前記メッセージを処理するために、鍵つきハッシュ関数内にネストされたハッシュ関数を使用するステップとを有することを特徴とする、認証のためにメッセージを処理する方法。
【請求項２】
前記使用するステップは、
前記メッセージの第１部分および第２部分を提供するステップと、
前記第１部分を入力として使用してハッシュ関数を実行して結果を得るステップと、
前記第２部分および前記結果を入力として使用して鍵つきハッシュ関数を実行するステップとを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ハッシュ関数は反復ハッシュ関数Ｆであり、前記鍵つきハッシュ関数は鍵つき圧縮関数ｆであることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ハッシュ関数は反復ハッシュ関数Ｆであり、前記鍵つきハッシュ関数は反復ハッシュ関数Ｆであることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記圧縮関数の結果を用いてメッセージ認証コードを生成するステップと、
前記メッセージ認証コードを用いて前記メッセージを認証するために、前記メッセージとともに前記メッセージ認証コードを送信するステップとをさらに有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記圧縮関数の結果を用いてメッセージ認証コードを生成するステップと、
前記メッセージ認証コードを、前記メッセージとともに受信された受信メッセージ認証コードと比較するステップとをさらに有し、
前記メッセージ認証コードと前記受信メッセージ認証コードが一致した場合に前記メッセージは真正であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
認証のためにメッセージを処理する方法において、
前記メッセージの第１部分および第２部分を提供するステップと、
結果を得るために、前記第１部分を入力として使用してハッシュ関数を実行するステップと、
前記第２部分および前記結果を入力として使用して鍵つきハッシュ関数を実行するステップとを有することを特徴とする、認証のためにメッセージを処理する方法。
【請求項８】
前記メッセージが圧縮関数の１入力ブロック内に収まるかどうかを判断するステップと、
前記メッセージが圧縮関数の１入力ブロック内に収まらないときに、前記提供するステップ、前記ハッシュ関数を実行するステップおよび前記鍵つきハッシュ関数を実行するステップを実行するステップとを有することを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
メッセージが圧縮関数の１入力ブロック内に収まるときに、鍵および前記メッセージを入力として使用して、前記圧縮関数の単一の反復を実行し、前記メッセージが前記圧縮関数の１入力ブロック内に収まらないときに、前記メッセージを処理するために、鍵つきハッシュ関数内にネストされたハッシュ関数を使用するように構成された処理回路を有することを特徴とするメッセージ認証システム。
【請求項１０】
メッセージの第１部分および第２部分を提供し、結果を得るために、前記第１部分を入力として使用してハッシュ関数を実行し、前記第２部分および前記結果を入力として使用して鍵つきハッシュ関数を実行するように構成された処理回路を有することを特徴とするメッセージ認証システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学自由空間媒体を介して送信ペイロードデータビットストリームを送信する装置であって、
リード−ソロモン符号化を用いて光送信ペイロードデータビットストリームをコードワードへ符号化する手段と、
前記コードワードをセグメントのシーケンスに分割する手段と、
物理ページを蓄積する、ＳＤＲＡＭデバイスからなるバッファストアとを含み、
前記ＳＤＲＡＭデバイスの各々は、メモリセルのマトリクスと、読み出しレートと書き込みレートとを含むサイクルレートとを有し、前記ＳＤＲＡＭデバイスは前記サイクルレートで読み出し可能且つ書き込み可能であり、そして、
前記ＳＤＲＡＭデバイスのメモリセルのマトリクスの各々は、前記物理ページのうちの単一ページをその各々が包含する、定義されたメモリセルの繰り返しｘ−ｙ行列サブマトリクスを有し、前記装置はさらに、
第１のページ変更オーバヘッド動作を有する書き込み動作において、コードワードセグメントの連続するブロックを前記メモリセルのｘ−ｙサブマトリクスへインタリーブする手段と、
符号化されインタリーブされたデータビットストリームを生成するために、第２のページ変更オーバヘッド動作を有する読み出し動作において、コードワードセグメントを前記メモリセルのｘ−ｙサブマトリクスから読み出す手段と、
前記第１のページ変更オーバヘッド動作を前記第２のページ変更オーバヘッド動作へ実質的に再分配して前記書き込み動作と前記読み出し動作とのレートを等しくするために、前記メモリセルのサブマトリクスへの書き込み動作と前記メモリセルのサブマトリクスからの読み出し動作とを取り扱う手段と、
前記符号化されインタリーブされたデータビットストリームを前記光学自由空間媒体へ送信する手段とを含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
コードワードセグメントの前記ブロックのＫ個連続するエントリを前記メモリセルのサブマトリクスの各々へ書き込む手段と、
前記連続するエントリ数Ｋによって決定されたレートで前記読み出し動作においてページを変更する手段とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記書き込み動作と読み出し動作とを取り扱う手段は、
前記メモリセルのサブマトリクスの連続する列に、ＳＤＲＡＭページからなる連続する前記コードワードの対応するセグメントを書き込む手段と、
前記ページの１つで保持する前記列の数を、前記読み出しレートと前記書き込みレートとを実質的に等しくする間隔において物理ＳＤＲＡＭページ変更を保証する数に維持するために、読み出しに対する前記メモリセルのサブマトリクスのアドレスを再マッピングする手段とを含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
列による前記メモリセルのサブマトリクスへのエントリのために前記コードワードセグメントを受信する手段と、
前記第１と第２のページ変更オーバヘッド動作を等しくする行による前記エントリ数の完了に続き、前記物理ＳＤＲＡＭページ変更を生じさせる手段とをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記メモリセルのサブマトリクスの各々は正方であり、前記正方の各側の大きさは、前記物理ページの各々からなる前記コードワードの数の平方根に等しいことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項６】
シンチレーション効果を引き起こす前記媒体の状態を検出する手段と、
前記状態が検出されたときに前記符号化と前記インタリーブとを活動させる手段とをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項７】
遠隔に位置するレシーバをさらに含み、前記レシーバは前記符号化されインタリーブされたデータビットストリームをデインタリーブしデコードする手段を含むことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ＳＤＲＡＭデバイスは、２０００万ビットのオーダーのエラーバーストを修正するのに充分な大きさのメモリセルのストレージ容量を有することを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記リードソロモン符号は（２５５、２２３）フォーマットであることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
光学自由空間媒体を介して送信ペイロードデータビットストリームを送信する装置であって、
リード−ソロモン符号化を用いて光送信ペイロードデータビットストリームをコードワードへ符号化する手段と、
前記コードワードの各々をセグメントに分割する手段と、
メモリセルのマトリクスからなる、エントリ受信レートとエントリ送信レートとを有するＳＤＲＡＭバッファストアとを含み、
前記メモリセルのマトリクスは繰り返しｘ−ｙサブマトリクスを含み、そして前記繰り返しサブマトリクスの各々は、単一のＳＤＲＡＭ物理ページを含む前記複数のセグメントを受信するよう構成されており、前記装置はさらに、
連続する前記コードワードの対応するセグメントを前記メモリセルの前記繰り返しｘ−ｙサブマトリクスの各々へインタリーブするために、書き込み動作を生じさせる手段を含み、
前記書き込み動作は関連する第１のページ変更オーバヘッド動作を有するものであり、前記装置はさらに、
前記メモリセルの前記繰り返しｘ−ｙサブマトリクスの各々から読み出すために読み出し動作を生じさせる手段を含み、
前記読み出し動作は関連する第２のページ変更オーバヘッド動作を有し、そして、
前記メモリセルの前記繰り返しｘ−ｙサブマトリクスの各々へ書き込み動作及び前記繰り返しｘ−ｙサブマトリクスの各々からの読み出し動作は、前記書き込み動作からのページ変更オーバヘッド動作を前記読み込み動作に実質的に再分配し、これにより前記書き込み動作と前記読み込み動作のレートが等しくなるよう行われるものであり、前記装置はさらに、
前記インタリーブされたセグメントを前記光学自由空間媒体へ送信する手段を含むことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型基板上にｐ型電極を含む発光構造体を形成する段階と、
前記基板の下部面をエッチングする段階と、
前記基板のエッチングされた下部面上にｎ型電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記発光構造体を形成した後、前記基板の下部面をエッチングする前に、前記基板の下部面を機械的に研磨することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記発光構造体は発光ダイオード用の構造体であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記発光構造体はレーザダイオード用の構造体であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記下部面は乾式エッチングされることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記下部面は湿式エッチングされることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記乾式エッチングは電子サイクロトロン共鳴エッチング、ケミカルアシスティッドイオンビームエッチング、誘導結合プラズマエッチング及び反応性イオンエッチングのうちいずれか一つの方法で実施されることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記乾式エッチングにおいて、主要エッチングガスとしてＣｌ２、ＢＣｌ３又はＨＢｒガスを使用することを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記乾式エッチングにおいて、添加ガスとしてＡｒ又はＨ２ガスを使用することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記湿式エッチングにおいて、エッチング液としてＫＯＨ、ＮａＯＨ又はＨ３ＰＯ４溶液を使用することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記下部面はグラインディング又はラッピングで研磨されることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記ｎ型電極は０〜５００℃で熱処理されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記ｎ型電極は、Ｔｉ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｇｅ及びＡｇより成った群から選択された少なくともいずれか一つの物質を含む電極であることを特徴とする請求項１、２、または１２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記ｎ型基板はＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合物半導体基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記ｎ型化合物半導体基板はｎ型窒化ガリウム基板であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機過酸化物とシランカップリング剤と必要な安定剤を配合したＥＶＡ樹脂シートにエンボス模様を施してなる太陽電池封止用シートにおいて、前記エンボス模様を施したＥＶＡ樹脂シートとして、６５°Ｃにおける圧縮率１０％以上のものを用いたことを特徴とする太陽電池封止用シート。
【請求項２】
前記エンボス模様を施したＥＶＡ樹脂シートが、ＶＡ値（酢酸ビニル含有率）２７％以上であって、エンボス模様の深さが１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池封止用シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、有機過酸化物とシランカップリング剤と必要な安定剤を配合したＥＶＡ樹脂シートにエンボス模様を施してなる太陽電池封止用シートにおいて、前記エンボス模様を施したＥＶＡ樹脂シートとして、６５°Ｃにおける圧縮率１０％以上のものを用いたことを特徴とし、ラミネート時に生ずる中心部と周辺部での温度差があったとしても、ＥＶＡ樹脂に素子割れを生じさせない充分なクッション性が得られるように構成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、前記エンボス模様を施したＥＶＡ樹脂シートが、ＶＡ値（酢酸ビニル含有率）２７％以上であって、エンボス模様の深さが１００μｍ以上であることを特徴とし、６５°Ｃにおける圧縮率１０％以上というエンボス模様を施したＥＶＡ樹脂シートの特性をより効果的に発揮させることができるように構成した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【発明の効果】
以上の如く、本発明は、有機過酸化物とシランカップリング剤と必要な安定剤を配合したＥＶＡ樹脂シートにエンボス模様を施してなる太陽電池封止用シートにおいて、前記エンボス模様を施したＥＶＡ樹脂シートとして、６５°Ｃにおける圧縮率１０％以上のものを用いたことを特徴としているから、たとえ、ラミネート方式にて加熱し、シートの中心部と周辺部とで温度差が生じたとしても、ＥＶＡ樹脂の充分なクッション性のために周辺部においても太陽電池素子に与えるストレスが小さく、特に、低温でも素子割れのない太陽電池封止製品を得ることができるという優れた効果を奏するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、請求項２に記載の発明は、前記エンボス模様を施したＥＶＡ樹脂シートが、ＶＡ値（酢酸ビニル含有率）２７％以上であって、エンボス模様の深さが１００μｍ以上であることを特徴としているから、６５°Ｃにおける圧縮率１０％以上というエンボス模様を施したＥＶＡ樹脂シートの特性をより効果的に発揮させることができる。従って、太陽電池の封止製品が効率良く、迅速にして低コストにて得られるという優れた効果を奏するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来より、たとえばオーディオ装置の筐体においては、底板に用いられるシャーシにメカニカル部品を配置する際、メカニカル部品の動作安定性を維持するため等の目的で、シャーシとメカニカル部品との間にたとえばプラスチック製またはゴム製のホルダが介在される。図８は、シャーシおよびホルダの一例を示す斜視図であり、図９は、ホルダの外形図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のIX−IX方向を見た図である。これらの図に示すように、ホルダ４１は、シャーシ４２の内面に取り付けられ、ホルダ４１の内面に、図示しないメカニカル部品が搭載されて固定される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１は、本発明に係る板状部材の取付構造が適用される板状部材としてのホルダおよびシャーシの斜視図、図２は、図１に示すホルダの外形図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のII−II方向を見た図である。また、図３は、図１に示すシャーシの外形図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のIII−III方向を見た図である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
係止片８のボス部１０とホルダ１の裏面１ａとの間の所定間隔Ｈは、シャーシ２の板厚よりやや大とされ、シャーシ２が係止片８のボス部１０とホルダ１の裏面１ａとの間に挟み込まれて保持されるような間隔に設定されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ねじ螺入孔１３は、その断面積がねじ３１のねじ部の外径とほぼ同じ大きさになるように形成されている。ボス部１０の厚み方向の長さは、ねじ３１のねじ部の長さよりやや小とされている。これにより、ねじ３１がボス部１０に螺入されたとき、ねじ３１の先端がボス部１０から外部に突出することはなく、外観上好ましい形態とすることができる。また、ねじ３１の先端等で外部のものを損傷させることを防止することができる。なお、このねじ螺入孔１３は、ねじを締め込むことができるのであれば、貫通されていない凹部として構成されていてもよい。また、ねじ螺入孔１３の内面は、雌ねじが予め形成されていてもよい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このように、本実施形態では、ねじ３１を挿通させるためのねじ挿通孔６とボス部１０のねじ螺入孔１３とが所定の間隔を隔てて連通されており、シャーシ２がホルダ１の裏面１ａとボス部１０との間に保持された状態では、シャーシ２に形成された貫通孔２５と、ねじ挿通孔６およびねじ螺入孔１３とを連通させることができる。そのため、ねじ３１を上方からねじ挿通孔６および貫通孔２５に挿通すれば、ねじ３１をねじ螺入孔１３に螺入することができ、ねじ３１の頭部３２とボス部１０とによってシャーシ２を押え付けつつ、ホルダ１をシャーシ２に強固に取り付けることができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】図１に示すホルダの外形図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のII−II方向を見た図である。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】図１に示すシャーシの外形図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のIII−III方向を見た図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月12日(2004.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のユニットの基体領域から突出し、１０゜から１７０゜までの範囲にある交差角で交差する第１の平面状部分および第２の平面状部分とを有し、前記基本領域の基本パネルに略垂直の方向に突出して、前記基本領域に近い基礎端と前記基体領域から遠い先端とを有し、前記基礎端の寸法が前記先端の寸法より大きくなるように前記先端が先細になっている突起と、
第２のユニットの取り付け領域にあり、前記突起が挿入されて、前記第１の平面状部分および前記第２の平面状部分と係合する形状を有するレセプタクルとを特徴とするモジュール式システムの二つのユニットを整列させるシステム。
【請求項２】
前記第１の平面状部分と第２の平面状部分との間の交差角が略９０゜であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記レセプタクルは、取り付け領域のスロットであることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記突起の先端が前記レセプタクルにゆるく嵌まり、前記第１のユニットの基体パネルが前記第２のユニットの取付け面の少なくとも一部分と接触するまで前記突起が前記レセプタクルに十分に挿入されたとき、前記レセプタクルは前記突起の基礎端をしっかり保持することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１の平面状部分と前記第２の平面状部分との交差線が前記基体領域に略垂直な直線軸を形成し、前記レセプタクルは、前記第１のユニットの基体パネルが前記第２のユニットの取付け面の少なくとも一部分と接触するまで前記突起が前記レセプタクルに十分に挿入されたとき、前記第１のユニットあるいは前記第２のユニットが前記直線軸の周りを回転しないようにすることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記レセプタクルは、前記第１の平面状部分および前記第２の平面状部分と前記基礎端でしっかり係合するが、前記第１の平面状部分と前記第２の平面状部分との交差線とはしっかりした係合をしないことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１のユニットの基体領域の少なくとも一部分が剛い材料で構成され、前記突起は前記剛い材料の延長であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記第１のユニットがオンライン取替え可能であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記基体領域から突出する複数の前記突起、および前記取り付け領域に設置された複数の前記レセプタクルを更に備えていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第２のユニットがオンライン取替え可能であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１の平面状部分および前記第２の平面状部分が前記突起の折り曲げにより形成されていることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１のユニットが上面、下面、第１の側面、第２の側面、および前記上面、前記下面、前記第１の側面、前記第２の側面に垂直な前記基体パネルを備える長方形の箱の形状であることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第１のユニットが電源サブアセンブリで、前記第２のユニットがコンピュータアセンブリであることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１のユニットが前記剛い材料でできたハウジングを備え、前記ハウジングは前記上面、前記下面、前記第１の側面、および前記第２の側面を備え、前記突起が前記ハウジングの延長であることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
複数の電源サブアセンブリが前記コンピュータアセンブリに接続されていることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
前記剛い材料はシートメタルであることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記ハウジングは、前記基本領域に第１の上隅領域、第２の上隅領域、第１の下隅領域および第２の下隅領域を有し、前記突起が前記第１の上隅領域、第２の上隅領域、第１の下隅領域および第２の下隅領域の中から選択された領域の延長であることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
前記第１の上隅領域、第２の上隅領域、第１の下隅領域および第２の下隅領域の中から選択された領域の延長にある複数の前記突起と、取り付け領域にあり前記突起が挿入されて係合する複数のレセプタクルとを備えていることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。