【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に高分子溶液をコーティングする方法であって、
密閉ハウジング内に基板を装着し、
制御ガスの溶剤蒸気濃度を約４２％から約８０％の間となるように制御し、
流入口を通じて前記ハウジング内に前記制御ガスを導入し、
前記ハウジング内の前記基板の表面上に前記高分子溶液を送り出し、
前記基板を回転させ、
流出口を通じて、前記ハウジングから、制御ガスと、制御ガス中に浮遊する粒子状汚染物と溶剤蒸気とを排出する、方法。
【請求項２】
前記基板は、上面と、中心と、外縁とを有するウエハであり、
前記高分子溶液の送出しでは、フォトレジストのリボンを送り出し、このリボンは、所定の幅を有するとともに、前記基板の上面全体を螺旋状のパターンで覆い、前記フォトレジストは、一定の送出し速度である所定の速度で送出しスロットから送り出され、前記基板が所定の回転速度で回転した状態で、送出しヘッドが所定の径方向速度で移動し、回転する前記基板に対して径方向に移動する前記送出しヘッドの動きは、一定の接線速度である所定の接線速度を有している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
フォトレジストの前記リボンは、前記ウエハの外縁から始まりウエハの中心で終わる螺旋状のパターンで送り出される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
フォトレジストの前記リボンは、前記ウエハの中心から始まりウエハの外縁で終わる螺旋状のパターンで送り出される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記フォトレジストリボンの幅は、ウエハの直径の約１／１０〜１／３である、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記基板は、上面と、中心と、所定の直径と、外縁とを有するウエハであり、
密閉ハウジング内への基板の装着では、ウエハをチャック上に装着し、ウエハの上面を水平に位置合わせするとともに上向きとし、
前記高分子溶液の送出しにおいては、
前記送出しヘッドを前記ウエハの外縁近傍で且つウエハの上面の上側に位置決めし、前記送出しヘッドは、送出しスロットからフォトレジストを送り出すように構成され、前記送出しスロットは、第１の端部及び第２の端部によって境界付けられる長さを有し、前記送出しヘッドは、前記送出しスロットがウエハに対して径方向に位置合わせされた状態で位置決めされ、前記送出しスロットの前記第１の端部は、ウエハの外縁近傍に配置され、送出しスロットの前記第２の端部は、ウエハの外縁の外側に配置され、
ウエハをその中心を回転軸として回転させ、この場合、ウエハを所定の回転速度で回転させた状態で、前記送出しヘッドを所定の径方向速度で移動させ、回転するウエハに対して径方向に移動する前記送出しヘッドの動きは、一定の接線速度である所定の接線速度を有しており、
前記送出しスロットからフォトレジストのリボンを送り出し、このリボンは、前記送出しスロットの長さとほぼ等しい幅を有し、前記フォトレジストは、一定の送出し速度である所定の速度で送出しスロットから送り出され、
前記送出しスロットからフォトレジストを送り出している間、前記送出しスロットをウエハに対して径方向に位置合わせしたまま、フォトレジストがウエハの上面全体を覆うまで、前記送出しヘッドをウエハの外縁からウエハの中心に向って径方向内側に移動させる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記送出しスロットの長さは、半導体ウエハの直径の約１／１０〜１／３である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記送出しスロットをウエハに対して径方向に位置合わせしたままにしておくことは、更に、前記送出しスロットをウエハの上面から上側に所定距離だけ一様に離間させた状態で維持することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記送出しスロットをウエハに対して径方向に位置合わせしたままにしておくことは、更に、前記送出しスロットとウエハの上面との間の距離を測定することと、その距離を維持するために前記送出しスロットの位置を調整することとを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記送出しスロットをウエハに対して径方向に位置合わせしたままにしておくことは、更に、光センサを用いて、前記送出しスロットとウエハの上面との間の距離を測定することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記フォトレジストリボンは、ウエハの上面全体を覆う螺旋状のパターンでウエハ上にコーティングされる、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
前記送出しヘッドを退去させるステップと、
ウエハを高速で回転させるステップと、
を備えている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板は、上面と、中心と、所定の直径と、外縁とを有するウエハであり、
密閉ハウジング内への基板の装着では、ウエハをチャック上に装着し、
前記高分子溶液の送出しにおいては、
前記送出しヘッドを前記ウエハの中心で且つウエハの上面の上側に位置決めし、前記送出しヘッドは、送出しスロットからフォトレジストを送り出すように構成され、前記送出しスロットは、第１の端部及び第２の端部によって境界付けられる長さを有し、前記送出しヘッドは、前記送出しスロットがウエハに対して径方向に位置合わせされた状態で位置決めされ、前記送出しスロットの前記第１の端部は、ウエハの中心に配置され、送出しスロットの前記第２の端部は、ウエハの中心とウエハの外縁との間に配置され、
ウエハをその中心を回転軸として回転させ、この場合、ウエハを所定の回転速度で回転させた状態で、前記送出しヘッドを所定の径方向速度で移動させ、回転するウエハに対して径方向に移動する前記送出しヘッドの動きは、一定の接線速度である所定の接線速度を有しており、
前記送出しスロットからフォトレジストのリボンを送り出し、このリボンは、前記送出しスロットの長さとほぼ等しい幅を有し、前記フォトレジストは、一定の送出し速度である所定の速度で送出しスロットから送り出され、
前記送出しスロットからフォトレジストを送り出している間、前記送出しスロットをウエハに対して径方向に位置合わせしたまま、フォトレジストがウエハの上面全体を覆うまで、前記送出しヘッドをウエハの外縁へ向けて径方向外側に移動させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
溶剤蒸気濃度を制御することは、溶剤蒸気を含む前記第１のガス及び前記第２のガスを、電気的に制御される弁が取り付けられた管路に沿って前記ハウジングに流すことを含んでおり、前記弁は、前記ハウジング内へのガス流量と、前記ハウジング内へ流れる前記制御ガスの組成とを制御する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
溶剤蒸気濃度を制御することは、溶剤蒸気を含む前記第１のガス及び前記第２のガスを、電気的に制御される弁が取り付けられた管路に沿って前記ハウジングに流すことを含んでおり、前記弁は、前記ハウジング内へのガス流量と、前記ハウジング内へ流れる前記制御ガスの組成とを制御する、請求項２に記載の方法。
【請求項１６】
溶剤蒸気濃度を制御することは、溶剤蒸気を含む前記第１のガス及び前記第２のガスを、電気的に制御される弁が取り付けられた管路に沿って前記ハウジングに流すことを含んでおり、前記弁は、前記ハウジング内へのガス流量と、前記ハウジング内へ流れる前記制御ガスの組成とを制御する、請求項６に記載の方法。
【請求項１７】
溶剤蒸気濃度を制御することは、溶剤蒸気を含む前記第１のガス及び前記第２のガスを、電気的に制御される弁が取り付けられた管路に沿って前記ハウジングに流すことを含んでおり、前記弁は、前記ハウジング内へのガス流量と、前記ハウジング内へ流れる前記制御ガスの組成とを制御する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記制御ガスは、空気、窒素及び希ガスから成るグループから選択される少なくとも１つの種を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記制御ガスは、空気、窒素及び希ガスから成るグループから選択される少なくとも１つの種を含んでいる、請求項２に記載の方法。
【請求項２０】
前記制御ガスは、空気、窒素及び希ガスから成るグループから選択される少なくとも１つの種を含んでいる、請求項６に記載の方法。
【請求項２１】
前記制御ガスは、空気、窒素及び希ガスから成るグループから選択される少なくとも１つの種を含んでいる、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記高分子溶液は、フォトレジストポリマーを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記高分子溶液は、フォトレジストポリマーを含んでいる、請求項２に記載の方法。
【請求項２４】
前記高分子溶液は、フォトレジストポリマーを含んでいる、請求項６に記載の方法。
【請求項２５】
前記高分子溶液は、フォトレジストポリマーを含んでいる、請求項１３に記載の方法。
【請求項２６】
コーティングされた基板上に、溶剤を含まない湿度の高いガスを流す、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
コーティングされた基板上に、溶剤を含まない湿度の高いガスを流す、請求項２に記載の方法。
【請求項２８】
コーティングされた基板上に、溶剤を含まない湿度の高いガスを流す、請求項６に記載の方法。
【請求項２９】
コーティングされた基板上に、溶剤を含まない湿度の高いガスを流す、請求項１３に記載の方法。
【請求項３０】
湿度の高い前記ガスの湿度は、温度・湿度コントローラによって制御される、請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
湿度の高い前記ガスの湿度は、４０％〜４５％の範囲の相対湿度を有するように制御される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
湿度の高い前記ガスの温度は、温度・湿度コントローラによって制御される、請求項１に記載の方法。