Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つ以上の情報記録面を持つ光ディスクにおいて，該情報記録面上には螺旋状でディスク一回転分からなる情報トラックを複数有し，前記情報トラックは前記光ディスクの半径方向にウオブルされ、前記ウオブルの位相は隣接トラック間でほぼ揃っており、該複数のトラック上に複数個の情報記録単位が配置され，該光ディスクの半径方向に少なくとも５ミクロンの範囲内に位置するすべての情報トラック上に配置される任意の２つの情報記録単位の先頭が周方向にずれて配置されていることを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
請求項１記載の光ディスクにおいて上記情報記録単位の先頭は，５ミクロン以上周方向に離れて配置されていることを特徴とする光ディスク。
【請求項３】
少なくとも一つ以上の情報記録面を持つ光ディスクにおいて，該情報記録面上に螺旋状でディスク一回転分からなる情報トラックを少なくとも複数有し，該複数のトラック上に複数個の情報記録単位が配置され，該情報記録単位の長さの整数倍は該光ディスクのトラックのディスク一回転の分の長さとは少なくとも５ミクロン以上異なることを特徴とする光ディスク。
【請求項４】
上記情報記録単位の整数(Ｎ)倍の長さと上記トラックの整数（Ｍ）倍の長さが一致するような２つの整数Ｎ，Ｍの組み合わせのうち最小の組み合わせをｎ，ｍとするときｍは５より大きいことを特徴とする請求項３に記載の光ディスク。
【請求項５】
少なくとも一つ以上の情報記録面を持ち，該情報記録面上に溝部または溝間部もしくはその両者からなる螺旋状でディスク一回転分からなる複数のトラックを持つ光ディスクにおいて，該トラックは半径方向にウォブルされて形成されており，該ウォブルの長さの整数倍が一トラックの長さに一致するような整数ｊが存在し，トラック上に配置される情報記録単位の長さが，該ウォブルの周期のｋ倍であり,ｊとｋの最小公倍数をＬとするときＬはｊの５倍以上であることを特徴とする光ディスク。
【請求項６】
少なくとも一つ以上の情報記録面を持つ光ディスクにおいて，該情報記録面上に螺旋状でディスク一回転分からなる情報トラックを少なくとも複数有し，前記情報トラックは前記光ディスクの半径方向にウオブルされ、前記ウオブルの位相は隣接トラック間でほぼ揃っており、該トラック上には複数の位置識別情報を有し，半径方向に５ミクロンの範囲内に位置するすべてのトラック上に配置される任意の２つの位置識別情報の先頭は，少なくとも５ミクロン以上周方向に離れていることを特徴とする光ディスク。
【請求項７】
少なくとも一つ以上の情報記録面を持ち，該情報記録面上に溝部または溝間部もしくはその両者からなる螺旋状でディスク一回転分からなる複数のトラックを持つ光ディスクにおいて，該トラックは半径方向にウォブルされて形成されており，該トラック上に配置される位置識別情報が、隣接トラックの位置識別情報とはウォブルの周期の整数倍分だけ周方向に隔たって形成されていることを特徴とする光ディスク。
【請求項８】
複数の情報トラックを有する光ディスクにおいて，
前記情報トラックは前記光ディスクの半径方向にウオブルされ、前記情報トラックは複数の情報記録単位を有し、前記情報記録単位はウオブル周期に同期し、
前記光ディスクの半径方向に５ミクロンの範囲内に位置するすべての情報トラックに配置される任意の２つの情報記録単位の先頭が周方向にずれて配置されていることを特徴とする光ディスク。
【請求項９】
前記情報記録単位の先頭は，５ミクロン以上周方向に離れて配置されていることを特徴とする請求項８記載の光ディスク。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートに入力信号が供給され、電流通路の一端に負荷を介して電源が供給され、第１の電流量を有する第１のＭＯＳＦＥＴと、
ゲートに前記入力信号が供給され、電流通路の一端が前記第１のＭＯＳＦＥＴの電流通路の一端に接続され、前記第１の電流量より少ない電流量を有する第２のＭＯＳＦＥＴと、
ゲートに前記入力信号が供給され、電流通路の一端が前記第１のＭＯＳＦＥＴの電流通路の一端に接続され、前記第１の電流量より少ない第３の電流量を有する第３のＭＯＳＦＥＴと、
コレクタが前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続され、ベースに前記第２のＭＯＳＦＥＴを流れる電流により発生する電圧が供給され、初期電源投入時に前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を制御する第１のトランジスタと、
コレクタが前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続され、ベースに前記第３のＭＯＳＦＥＴを流れる電流により発生する電圧が供給され、前記負荷の異常時に前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を制御する第２のトランジスタと、
前記入力信号が入力されてから一定時間、前記第３のＭＯＳＦＥＴを流れる電流により発生する電圧が前記第２のトランジスタに供給されることを遮断するタイマと
を具備することを特徴とする半導体保護回路。
【請求項２】
前記第２、第３のＭＯＳＦＥＴは前記第１のＭＯＳＦＥＴのセル数より少ないセル数により構成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体保護回路。
【請求項３】
ゲートに入力信号が供給され、電流通路の一端に負荷を介して電源が供給され、第１の電流量を有する第１のＭＯＳＦＥＴと、
ゲートに入力信号が供給され、電流通路の一端に前記第１のＭＯＳＦＥＴの電流通路の一端が接続され、前記第１の電流量より少ない第２の電流量を有する第２のＭＯＳＦＥＴと、
前記第２のＭＯＳＦＥＴの電流通路の他端に接続された第１の抵抗と、
前記第２のＭＯＳＦＥＴの電流通路の他端に一端が接続された第２の抵抗と、
前記電源電圧が基準電圧以上のとき第１の論理レベルの信号を出力し、前記電源電圧が前記基準電圧以下のとき第２の論理レベルの信号を出力する比較回路と、
前記入力信号が供給され、前記比較回路から前記第１の論理レベルの信号が供給されたとき第１の論理レベルの信号を出力し、前記比較回路から前記第２の論理レベルの信号が供給されたとき第２の論理レベルの信号を出力するフリップフロップ回路と、
前記第２の抵抗の他端に電流通路の一端が接続され、前記フリップフロップ回路の出力信号が第１の論理レベルのとき導通し、第２の論理レベルのとき非導通とされる第３のＭＯＳＦＥＴと、
コレクタが前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続され、ベースに前記第１、第２の抵抗に発生する電圧が供給され、前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を制御するトランジスタと
を具備することを特徴とする半導体保護回路。
【請求項４】
前記第２のＭＯＳＦＥＴは前記第１のＭＯＳＦＥＴのセル数より少ないセル数により構成されたことを特徴とする請求項３記載の半導体保護回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（初期点灯時）
図示せぬ制御回路からハイレベルの入力信号ＩＮが供給されると、抵抗Ｒ１及びＲ２を介してＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３のゲートに供給され、ＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３はオンされる。ＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３にはセル数に応じた電流が流れ、突入電流の殆どはＭＯＳＦＥＴＭ１に流れる。ＭＯＳＦＥＴＭ２を介して抵抗Ｒ３に流れる電流が例えば１ｍＡに達すると、トランジスタＱ１のベースに０．７Ｖの電圧が供給される。このため、トランジスタＱ１がオンされ、ＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３のゲート電圧が低下する。したがって、ＭＯＳＦＥＴＭ１に流れる突入電流が約１Ａに制限される。このように、ＭＯＳＦＥＴＭ２のセル数及び抵抗Ｒ３の抵抗値により、図３に示すように、突入電流に対する電流制限値ＩＳ１が規定され、この電流制限値ＩＳ１に応じて突入電流が制限される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月22日(2004.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のユーザで使用するシェアードチャネルと、既知信号を含む制御チャネルとを多重する多重手段と、
前記多重手段によって多重されたチャネルを、前記シェアードチャネルを割り当てられたユーザに対して、ダイバーシチアンテナを用いて送信ダイバーシチにて送信する送信ダイバーシチ手段と、
を具備することを特徴とする無線送信装置。
【請求項２】
ダイバーシチアンテナと、
複数のユーザで使用するシェアードチャネルと、前記シェアードチャネルに付随する付随チャネルとを多重する多重手段と、
送信ダイバーシチ用のウェイトを算出する算出手段と、
前記多重手段によって多重された信号に対して、前記算出手段によって算出されたウェイトを用いて重み付けを行い、重み付けされた信号を前記ダイバーシチアンテナに供給する重み付け手段と、
前記重み付けされた信号を、前記シェアードチャネルを割り当てられたユーザに対して、送信ダイバーシチにて送信する送信ダイバーシチ手段と、
を具備することを特徴とする無線送信装置。
【請求項３】
前記算出手段は、
既知信号に基づき通信端末によって決定されるフィードバック情報を用いて、送信ダイバーシチ用のウェイトを算出する、
ことを特徴とする請求項２記載の無線送信装置。
【請求項４】
前記フィードバック情報は、少なくとも位相情報または位相・振幅情報を含む、ことを特徴とする請求項３記載の無線送信装置。
【請求項５】
ダイバーシチアンテナと、
複数のユーザで使用するシェアードチャネル、前記シェアードチャネルに付随する付随チャネル、及び既知信号を含むチャネルを多重する多重手段と、
送信ダイバーシチ用のウェイトを算出する算出手段と、
前記多重手段によって多重された信号に対して、前記算出手段によって算出されたウェイトを用いて重み付けを行い、重み付けされた信号を前記ダイバーシチアンテナに供給する重み付け手段と、
前記重み付けされた信号を、前記シェアードチャネルを割り当てられたユーザに対して、送信ダイバーシチにて送信する送信ダイバーシチ手段と、
を具備することを特徴とする無線送信装置。
【請求項６】
前記算出手段は、
通信端末からの上り回線信号に基づいて送信ダイバーシチ用のウェイトを算出する、
ことを特徴とする無線送信装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の無線送信装置を具備することを特徴とする基地局装置。
【請求項８】
複数のユーザで使用するシェアードチャネルと、既知信号を含む制御チャネルとを多重する工程と、
前記多重工程で多重したチャネルを、前記シェアードチャネルを割り当てられたユーザに対して、ダイバーシチアンテナを用いて送信ダイバーシチにて送信する工程と、
を具備することを特徴とする無線送信方法。
【請求項９】
複数のユーザで使用するシェアードチャネルと、前記シェアードチャネルに付随する付随チャネルとを多重する工程と、
送信ダイバーシチ用のウェイトを算出する工程と、
前記多重工程で多重した信号に対して、前記算出工程で算出したウェイトを用いて重み付けを行い、重み付けした信号をダイバーシチアンテナに供給する工程と、
前記重み付けされた信号を、前記シェアードチャネルを割り当てられたユーザに対して、送信ダイバーシチにて送信する工程と、
を具備することを特徴とする無線送信方法。
【請求項１０】
複数のユーザで使用するシェアードチャネル、前記シェアードチャネルに付随する付随チャネル、及び既知信号を含むチャネルを多重する工程と、
送信ダイバーシチ用のウェイトを算出する工程と、
前記多重工程で多重した信号に対して、前記算出工程で算出したウェイトを用いて重み付けを行い、重み付けした信号をダイバーシチアンテナに供給する工程と、
前記重み付けされた信号を、前記シェアードチャネルを割り当てられたユーザに対して、送信ダイバーシチにて送信する工程と、
を具備することを特徴とする無線送信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体に搭載され、光を受光し、対象となる被写体または写景のイメージを表す出力信号を生成するイメージセンサと、
前記筐体に搭載され、該イメージセンサに接続されて該イメージセンサからの出力信号を処理する処理回路と、
前記筐体に搭載されるメモリと、
前記筐体に搭載され、前記処理回路に接続されて、複数のイメージに対応する複数の画像ファイルを順次に生成し、複数の画像モードのうち選択された１つにしたがって前記画像ファイルを前記メモリに記憶する制御回路であって、それぞれの画像ファイルが生成された後に各画像ファイルに対応する所定の減少数値に基づいて、残り撮影可能枚数を決定するものである制御回路と、
前記筐体に搭載され、前記残り撮影可能枚数をユーザに表示する手段と
を含んでなるディジタルスチルカメラ。
【請求項２】
前記表示する手段は、前記残り撮影可能枚数の視覚表現を提供するディスプレイを含むものである請求項１に記載のディジタルスチルカメラ。
【請求項３】
前記所定の減少数値は、前記画像ファイルのサイズに対応するものである請求項１に記載のディジタルスチルカメラ。
【請求項４】
前記制御回路は、各画像ファイルサイズに対応する前記所定の減少数値を得るために、ルックアップテーブルを使用するものである請求項３に記載のディジタルスチルカメラ。
【請求項５】
前記制御回路は、そのそれぞれが前記複数の画像モードの１つに対応するルックアップテーブルを複数個使用するものである請求項１に記載のディジタルスチルカメラ。
【請求項６】
前記メモリの残りの容量が所定の最大画像ファイルサイズの画像ファイルを記憶するのに不十分であると前記制御回路が決定した場合には、前記制御回路は、前記残り撮影可能枚数がゼロであることを前記表示する手段に表示させるものである請求項１に記載のディジタルスチルカメラ。
【請求項７】
前記制御回路は、前記複数の画像ファイルの生成において前記処理回路からの出力を圧縮するものである請求項１に記載のディジタルスチルカメラ。
【請求項８】
前記複数の画像モードは、複数の画像解像度を含むものである請求項１に記載のディジタルスチルカメラ。
【請求項９】
前記複数の画像モードは、複数のデータ圧縮レベルを含むものである請求項１に記載のディジタルスチルカメラ。
【請求項１０】
前記複数の画像モードは、複数の画像解像度から選択されたある画像解像度と複数のデータ圧縮レベルから選択されたあるデータ圧縮レベルとの、予め設定された複数の組合せを含むものである請求項１に記載のディジタルスチルカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＰＵの消費電力を低減させるスリープモードを設定可能なＣＰＵを有する撮像装置において、
前記スリープモードを解除させる起動プログラムデータを格納したＲＡＭと、それ以外のプログラムデータが格納されているＲＡＭとが異なって設けられていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
ＣＰＵの消費電力を低減させるスリープモードを設定可能なＣＰＵを有する撮像装置において、
前記スリープモードを解除させる起動プログラムデータを格納したＲＡＭが、前記ＣＰＵに内蔵されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
カメラ本体と、
光学像を電気信号に変換する撮像素子と、
前記撮像素子を制御するためのＣＰＵと、を有し、
前記コントローラは、共通の第１のバスを介して、第１のメモリおよび第２のメモリとの間で、データの読み込みおよびデータの引き込みの少なくとも一方が可能であり、
前記カメラ本体は、前記第１のメモリを着脱可能な構成を有し、
更に、前記第１のメモリが前記カメラ本体から外されることを検出し、検出信号を出力するセンサを有し、
前記ＣＰＵは、その消費電力を低減させるスリープモードを設定可能となっており、
前記スリープモードを解除させる起動プログラムデータを格納したＲＡＭと、それ以外のプログラムデータが格納されているＲＡＭとが異なって設けられていることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
カメラ本体と、
光学像を電気信号に変換する撮像素子と、
前記撮像素子を制御するためのＣＰＵと、を有し、
前記コントローラは、共通の第１のバスを介して、第１のメモリおよび第２のメモリとの間で、データの読み込みおよびデータの引き込みの少なくとも一方が可能であり、
前記カメラ本体は、前記第１のメモリを着脱可能な構成を有し、
更に、前記第１のメモリが前記カメラ本体から外されることを検出し、検出信号を出力するセンサを有し、
前記ＣＰＵは、その消費電力を低減させるスリープモードを設定可能となっており、
前記スリープモードを解除させる起動プログラムデータを格納したＲＡＭが、前記ＣＰＵに内蔵されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
カメラ本体と、
光学撮像を電気信号に変換する撮像素子と、
前記撮像素子を制御するためのコントローラと、を有し、
前記コントローラは、複数のメモリとの間で、データの読み込みおよびデータの書き込みの少なくとも一方が可能であり、
前記複数のメモリの中で、最も消費電力の小さいメモリに、スリープモードを解除させる起動プログラムデータが格納されていることを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法及び熱処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプ光源の輻射により被処理物を加熱する熱処理方法であって、前記ランプ光源の１回当たりの発光時間は０．１〜２０秒であり、前記ランプ光源の輻射を複数回繰り返すことを特徴とする熱処理方法。
【請求項２】
ランプ光源の輻射により被処理物を加熱する熱処理方法であって、被照射領域の最高温度の保持時間が０．５〜５秒であるように前記ランプ光源の輻射をパルス状に繰り返すことを特徴とする熱処理方法。
【請求項３】
被処理物を冷媒で満たされた処理室内に保持すると共に、ランプ光源の輻射により被処理物を加熱する熱処理方法であって、前記ランプ光源の１回当たりの輻射は０．１〜２０秒の期間保持され、前記ランプ光源の輻射を複数回繰り返すことを特徴とする熱処理方法。
【請求項４】
被処理物を冷媒で満たされた処理室内に保持すると共に、ランプ光源の輻射により被処理物を加熱する熱処理方法であって、被処理物の最高温度の保持時間が０．５〜５秒であるように前記ランプ光源の輻射を複数回繰り返すことを特徴とする熱処理方法。
【請求項５】
被処理物を冷媒で満たされた処理室内に保持すると共に、ランプ光源の輻射により被処理物を加熱する熱処理方法であって、前記冷媒の供給量を減少させると共に、前記ランプ光源を点灯させ、前記ランプ光源の１回当たりの輻射は０．１〜２０秒の期間保持し、前記ランプ光源を消灯させると共に、前記冷媒の供給量を増加させる処理を１サイクルとして、当該処理を複数回繰り返すことを特徴とする熱処理方法。
【請求項６】
被処理物を冷媒で満たされた処理室内に保持すると共に、ランプ光源の輻射により被処理物を加熱する熱処理方法であって、前記冷媒の供給量を減少させると共に、前記ランプ光源を点灯させ、被処理物の最高温度の保持時間が０．５〜５秒保持した後、前記ランプ光源を消灯させ、同時に前記冷媒の供給量を増加させる処理を１サイクルとして、当該処理を複数回繰り返すことを特徴とする熱処理方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記ランプ光源は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、高圧水銀ランプ、高圧ナトリウムランプ又はエキシマランプのいずれか一であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項８】
透光性基板に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に導電膜を形成し、前記半導体膜に一導電型の不純物をドーピングして一導電型の半導体領域を形成し、前記透光性基板側からランプ光源からの輻射を断続的に複数回照射して前記一導電型の半導体領域を活性化し、
前記ランプ光源からの断続的な照射は０．１〜２０秒であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
透光性基板に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に光吸収性の第１導電膜を形成し、前記第１導電膜上に光反射性の第２導電膜を形成し、前記半導体膜に一導電型の不純物をドーピングして一導電型の半導体領域を形成し、前記透光性基板側からランプ光源からの輻射を断続的に複数回照射して前記一導電型の半導体領域を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
透光性基板の一主表面に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に金属元素を添加した後に結晶化させて結晶半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜の上方に、該結晶質半導体膜の一部と重畳する導電膜を形成し、前記結晶質半導体膜に一導電型の半導体領域を形成し、前記透光性基板の一主表面と反対側の面からランプ光源からの輻射を断続的に複数回照射し、
前記ランプ光源からの断続的な照射は０．１〜２０秒であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
透光性基板の一主表面に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に金属元素を添加した後に結晶化させて結晶半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜の上方に、該結晶質半導体膜の一部と重畳する導電膜を形成し、前記結晶質半導体膜にリンが添加された半導体領域を形成し、前記透光性基板の一主表面と反対側の面からランプ光源からの輻射を断続的に複数回照射し、
前記ランプ光源からの断続的な照射は０．１〜２０秒であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
透光性基板に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に光吸収性の第１導電膜を形成し、前記第１導電膜上に光反射性の第２導電膜を形成し、前記半導体膜に一導電型の不純物をドーピングして一導電型の半導体領域を形成し、処理室内の前記透光性基板に冷媒を供給し、前記透光性基板側からランプ光源からの輻射を断続的に複数回照射して前記一導電型の半導体領域を活性化し、前記ランプ光源からの断続的な照射は０．１〜２０秒であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
透光性基板に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に光吸収性の第１導電膜を形成し、前記第１導電膜上に光反射性の第２導電膜を形成し、前記半導体膜に一導電型の不純物をドーピングして一導電型の半導体領域を形成し、処理室内の前記透光性基板に冷媒を供給し、前記透光性基板側からランプ光源からの輻射を断続的に複数回照射して前記一導電型の半導体領域を活性化し、
前記ランプ光源からの断続的な照射は、前記ランプ光源を点灯させると共に、前記冷媒の供給量を減少させ、前記ランプ光源は１回当たりに０．１〜２０秒間点灯し、前記ランプ光源の点灯を遮断させると共に、前記冷媒の供給量を増加させる処理を１サイクルとすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０または請求項１１において、前記金属元素はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１４のいずれか一項において、前記ランプ光源は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、高圧水銀ランプ、高圧ナトリウムランプ又はエキシマランプのいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
二輪車における前輪側に架装されるフロントフォークと二輪車における車体との間に配在されると共にハウジング内にベーンで画成される両側の油室間をベーンの揺動で作動油が往復するときに所定の減衰作用をするロータリダンパにおいて、ベーンの基端部に固定状態に連結されてハウジング内から突出するシャフト内に油温補償機構を有してなることを特徴とするロータリダンパ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記した目的を達成するために、この発明によるロータリダンパの構成を、請求項1では、二輪車における前輪側に架装されるフロントフォークと二輪車における車体との間に配在されると共にハウジング内にベーンで画成される両側の油室間をベーンの揺動で作動油が往復するときに所定の減衰作用をするロータリダンパにおいて、ベーンの基端部に固定状態に連結されてハウジング内から突出するシャフト内に油温補償機構を有してなるとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月17日(2004.1.17)
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005069211.tif 000001
【図２】
2005069211.tif 000002
【図３】
2005069211.tif 000003
【図４】
2005069211.tif 000004
【図５】
2005069211.tif 000005
【図６】
2005069211.tif 000006
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
図１の１は外気の吸入口、３はエアーフィルターで、４のオゾン発生機で発生したオゾンと空気が混合し、２の排出口からエンジン内部（シリンダー）へ吸引される。
図２は、オゾン発生機の外観図であり、５はオゾン発生板を収納するケースである。
６は、オゾンガス通過のメッシュカバーで、図３はオゾン発生機の断面図である。
７は、電源部と発生版を繋ぐ高圧ケーブルである。
図４はオゾン発生板の上面図、図５は、下面図であり、図６はそのオゾン発生板の断面図である。
８は、プラスのタングステン電極、９はマイナス電極、１０・１１は、蒸着した接続部である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
抽出部に取り込まれたアレルゲン物質よりキャリア液中にアレルゲンタンパク質を抽出する抽出ステップと、
前記アレルゲンタンパク質を含む抽出キャリア液を、前記アレルゲンタンパク質と特異的に反応する認識物質が流去しない状態で保持されてなる反応部に導入し、前記アレルゲンタンパク質と前記認識物質とを反応させて認識物質−アレルゲンタンパク質複合体を生成させる複合体生成ステップと、
を備えるアレルゲンタンパク質検出前処理工程を有するアレルゲンタンパク質の検出方法であって、
前記複合体生成ステップにおける前記抽出キャリア液の導入方法が、前記アレルゲンタンパク質を含む抽出キャリア液を前記反応部に２回以上循環して流入させる方法である
ことを特徴とするアレルゲンタンパク質の検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
抽出部に取り込まれたアレルゲン物質よりキャリア液中にアレルゲンタンパク質を抽出する抽出ステップと、
前記アレルゲンタンパク質を含む抽出キャリア液を、前記アレルゲンタンパク質と特異的に反応する認識物質が流去しない状態で保持されてなる反応部に導入し、前記アレルゲンタンパク質と前記認識物質とを反応させて認識物質−アレルゲンタンパク質複合体を生成させる複合体生成ステップと、
を備えるアレルゲンタンパク質検出前処理工程を有するアレルゲンタンパク質の検出方法であって、
前記抽出部と前記反応部との間でキャリア液を循環させることにより、アレルゲンタンパク質の抽出と、アレルゲンタンパク質と認識物質との反応とを同一のキャリア液で２回以上繰り返して行う
ことを特徴とするアレルゲンタンパク質の検出方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
抽出部に取り込まれたアレルゲン物質よりキャリア液中にアレルゲンタンパク質を抽出する抽出ステップと、
前記アレルゲンタンパク質を含む抽出キャリア液と、予め含有量がわかっている標識物質付きアレルゲンタンパク質を含むキャリア液とを混合して混合キャリア液となす混合ステップと、
前記アレルゲンタンパク質と特異的に反応する認識物質であり、予め量がわかっている前記認識物質が流去しない状態で固定されている反応部に、前記混合キャリア液を導入し、前記認識物質に対して前記アレルゲンタンパク質と前記標識物質付きアレルゲンタンパク質とを競合的に反応させて、認識物質−アレルゲンタンパク質複合体と認識物質−標識物質付きアレルゲンタンパク質複合体とを生成する複合体生成ステップと、
を備えるアレルゲンタンパク質検出前処理工程を有するアレルゲンタンパク質の検出方法であって、
前記複合体生成ステップにおける前記混合キャリア液の導入方法が、前記混合キャリア
液を前記反応部に２回以上循環して流入させる方法である
ことを特徴とするアレルゲンタンパク質の検出方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するためのアレルゲンタンパク質の検出方法にかかる第一の発明は、抽出部に取り込まれたアレルゲン物質よりキャリア液中にアレルゲンタンパク質を抽出する抽出ステップと、前記アレルゲンタンパク質を含む抽出キャリア液を、前記アレルゲンタンパク質と特異的に反応する認識物質が流去しない状態で保持されてなる反応部に導入し、前記アレルゲンタンパク質と前記認識物質とを反応させて認識物質−アレルゲンタンパク質複合体を生成させる複合体生成ステップと、を備えるアレルゲンタンパク質検出前処理工程を有するアレルゲンタンパク質の検出方法であって、前記複合体生成ステップにおける前記抽出キャリア液の導入方法が、前記アレルゲンタンパク質を含む抽出キャリア液を前記反応部に２回以上循環して流入させる方法であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記課題を解決するためのアレルゲンタンパク質の検出方法にかかる第二の発明は、抽出部に取り込まれたアレルゲン物質よりキャリア液中にアレルゲンタンパク質を抽出する抽出ステップと、前記アレルゲンタンパク質を含む抽出キャリア液を、前記アレルゲンタンパク質と特異的に反応する認識物質が流去しない状態で保持されてなる反応部に導入し、前記アレルゲンタンパク質と前記認識物質とを反応させて認識物質−アレルゲンタンパク質複合体を生成させる複合体生成ステップと、を備えるアレルゲンタンパク質検出前処理工程を有するアレルゲンタンパク質の検出方法であって、前記抽出部と前記反応部との間でキャリア液を循環させることにより、アレルゲンタンパク質の抽出と、アレルゲンタンパク質と認識物質との反応とを同一のキャリア液で２回以上繰り返して行うことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記課題を解決するためのアレルゲンタンパク質の検出方法にかかる第三の発明は、抽出部に取り込まれたアレルゲン物質よりキャリア液中にアレルゲンタンパク質を抽出する抽出ステップと、前記アレルゲンタンパク質を含む抽出キャリア液と、予め含有量がわかっている標識物質付きアレルゲンタンパク質を含むキャリア液とを混合して混合キャリア液となす混合ステップと、前記アレルゲンタンパク質と特異的に反応する認識物質であり、予め量がわかっている前記認識物質が流去しない状態で固定されている反応部に、前記混合キャリア液を導入し、前記認識物質に対して前記アレルゲンタンパク質と前記標識物質付きアレルゲンタンパク質とを競合的に反応させて、認識物質−アレルゲンタンパク質複合体と認識物質−標識物質付きアレルゲンタンパク質複合体とを生成する複合体生成ステップと、を備えるアレルゲンタンパク質検出前処理工程を有するアレルゲンタンパク質の検出方法であって、前記複合体生成ステップにおける前記混合キャリア液の導入方法が、前記混合キャリア液を前記反応部に２回以上循環して流入させる方法であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
産業廃棄物や一般廃棄物などのごみを焼却する竪型ごみ焼却炉において、
炉内に開口されたごみ投入口の先端下方の中段までの炉壁を、ごみ投入口側が垂直となり下方が狭められた偏心円錐形に構築するとともに、該偏心円錐形部下端から焼却灰排出口に至る下方の炉壁を末広がり状に構築したことを特徴とする竪型ごみ焼却炉。
【請求項２】
前記ごみ投入口の先端に、ごみを中心部方向に投入するための案内部を設けたことを特徴とする請求項１記載の竪型ごみ焼却炉
【請求項３】
請求項１又は２記載の竪型ごみ焼却炉を用いて、シュレッダーダストや医療系廃棄物を含む産業廃棄物などの高発熱量廃棄物を燃焼制御する方法であって、
炉内最下部に形成される灰層に送入する燃焼空気に、飽和水蒸気または過熱水蒸気あるいは排ガスを添加するとともに、該灰層上方に堆積するおき燃焼層に、飽和水蒸気または過熱水蒸気あるいは排ガスを送入することを特徴とする、竪型ごみ焼却炉における高発熱量廃棄物の燃焼制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項１に係る発明の竪型ごみ焼却炉は、産業廃棄物や一般廃棄物などのごみを焼却する竪型ごみ焼却炉において、炉内に開口されたごみ投入口の先端下方の中段までの炉壁を、ごみ投入口側が垂直となり下方が狭められた偏心円錐形に構築するとともに、該偏心円錐形部下端から焼却灰排出口に至る下方の炉壁を末広がり状に構築したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項２に係る発明の竪型ごみ焼却炉は、前記ごみ投入口の先端に、ごみを中心部方向に投入するための案内部を設けたものである。
請求項３に係る発明の竪型ごみ焼却炉における高発熱量廃棄物の燃焼制御方法は、請求項１又は２記載の竪型ごみ焼却炉を用いて、シュレッダーダストや医療系廃棄物を含む産業廃棄物などの高発熱量廃棄物を燃焼制御する方法であって、炉内最下部に形成される灰層に送入する燃焼空気に、飽和水蒸気または過熱水蒸気あるいは排ガスを添加するとともに、該灰層上方に堆積するおき燃焼層に、飽和水蒸気または過熱水蒸気あるいは排ガスを送入することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
以上述べたように、本発明によれば、炉内に開口されたごみ投入口の先端下方の中段までの炉壁を、ごみ投入口側が垂直となり下方が狭められた偏心円錐形に構築したことで、炉内のごみ層の偏りが防止でき、漏斗部の容積を有効に利用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の圧力容器と、
放熱部および吸熱部を有し、前記第１の圧力容器とともに閉塞空間を形成する第２の圧力容器と、
作動媒体を封入した前記第１および第２の圧力容器に組み付けられたシリンダと、
前記シリンダ内で往復運動するピストンと、
前記シリンダ内で前記ピストンに対し位相差をもって往復運動するディスプレーサと、
前記ピストンと前記ディスプレーサとの間に形成された圧縮空間と、
前記ディスプレーサに対して前記ピストンの反対側に形成された膨張空間と、
前記第２の圧力容器内であって前記圧縮空間と前記膨張空間とを連通する連通路に配置された再生器と、
前記第２の圧力容器内部の前記再生器の前記膨張空間側に配設された第１の熱交換器と、該再生器の圧縮空間側に配設された第２の熱交換器とを備え、
前記第２の圧力容器は、円筒部材と、該円筒部材の前記膨張空間側端部の内側に装着されたキャップ部材とを含み、
前記キャップ部材を、中央部が前記ディスプレーサ側に凹む凹状の板材で構成したスターリング機関。
【請求項２】
前記キャップ部材から前記円筒部材に冷熱を伝達する伝達部材をさらに備えた、請求項１に記載のスターリング機関。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光照射器と、複数の光検出器と、これら光照射器、光検出器に光学的に結合された光ファイバを有し、これら光ファイバは、これら光ファイバの先端が被検査体の体表に配列されて接触するように保持するためのプローブに接続され、該プローブを被検査体に装着して光によって生体内の代謝物質濃度の計測を行い、前記被検査体の形状を模擬し、前記プローブを仮に装着するための固定具を有することを特徴とする生体光計測装置。
【請求項２】
前記固定具の空間的な位置または形状が可変であることを特徴とする請求項１に記載の生体光計測装置。
【請求項３】
前記固定具は、樹脂材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載の生体光計測装置用固定具。
【請求項４】
前記固定具は空気圧により、もしくは機械的に外形形状を変えるものであることを特徴とする請求項１に記載の生体光計測装置用固定具。
【請求項５】
前記光ファイバは、前記生体光計測装置の本体側の第１の光ファイバ束と、前記プローブ側の第２の光ファイバ束とがコネクタにより接続されて構成されていることを特徴とする請求項１記載の生体光計測装置。
【請求項６】
前記コネクタは磁力により接続を保持して前記第１、第２の光ファイバ束の間の光結合を保つの磁石を有することを特徴とする請求項５記載の生体光計測装置。
【請求項７】
前記コネクタは、接続面の形状を非対称とする部材を具備することを特徴とする請求項５または６に記載の生体光計測装置。
【請求項８】
前記被検査体を着座させる固定部材を有し、
前記固定部材に脱着可能に装着され、前記光ファイバを保持するホルダを備えることを特徴とする請求項１記載の生体光計測装置。
【請求項９】
前記ホルダは前記光ファイバの方向と、その固定位置から先の長さを調節可能に固定することを特徴とする請求項８記載の生体光計測装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心に通し加工したボルト３に上部よりスプリング２を通し、さらに上部よりシャフト１を通す。これによりシャフト１が下がって戻る構造を持つ。
【請求項２】
方向台座の本体の長さ１１に対し、円形に抜き加工１２をする。また、上部から見てその中心に開口穴１３を開ける。そこに中心に通し加工したボルト３の上に突起１４を設けることにより３６０°使いやすい向きに固定することが出来る。
【請求項３】
元々ある台座にナットストッパーをねじ込み、とめたい位置の深さ調整をし、位置が決まったら第二のナット６で固定する。
【請求項４】
ロックレバー７の形状にしっかりとロックするための９と１０からなる突起を設けることにより、レバーピン８の穴の中心からの距離が９から１０に移行する時の距離が違う為、レバーを上下させる事により、９はレバーが上がった状態、１０は下がった状態となり、しっかりとロック、ロック解除が適切にすることが出来る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】ワンタッチで固定することが出来るナットストッパー
【技術分野】
【０００１】    本発明は一回のレバーを下げる運動で正確な軸を固定できるようにしたものである。
【背景技術】
【０００２】    従来、蝶ナットなど回転してねじ込みながらとめる為軸が綺麗に面に当たらずブレが生じていた。また蝶ナットが締めづらい場所にあったり、指先でまわしづらかった為、作業効率が悪かった。
【発明の開示】
【発明の効果】
【０００３】    このようにすれば１回のレバーを下げる運動で正確な軸に固定でき、今まで時間がかかっていた位置決めが迅速に出来る。また一回のレバーを上げる運動で簡単に軸の固定が解除出来るので、作業効率をあげるという効果をもたらした。
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】    本発明は、一回のレバーを下げる運動で正確な軸に固定できる。それを図面について説明すれば、中心に通し加工したボルト３に上部よりスプリング２を通し、さらに上部よりシャフト１を通す。１〜３で構成された内部本体をレバー方向台座４におとし込み、ロックレバー７をレバー方向台座４にピン８で固定する。第１ナット５でレバー方向台座４を使いやすい位置に固定する。そして元々ある台座にナットストッパーをねじ込み、とめたい位置の深さ調整をし、位置が決まったら第２ナット６でとめる。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】  シャフトの正面図、平面及び底面図を表す図である
【図２】  スプリングの正面図、平面図を表す図である
【図３】  中心に通し加工したボルトの断面図、平面図、底面図である
【図４】  レバー方向台座の正面図、側面図、平面図、底面図である
【図５】  第一、第二ナットの正面図、平面図である
【図６】  ロックレバーの正面図、左右側面図、平面図、底面図である
【図７】  レバーピンの正面図、平面図である
【図８】  ナットストッパーの展開図である
【図９】  ナットストッパーのロック解除時である
【図１０】  ナットストッパーのロック時である
【符号の説明】
【０００６】  １シャフト
２スプリング
３中心に通し加工したボルト
４レバー方向台座
５第１ナット
６第２ナット
７ロックレバー
８レバーピン
９ロックレバー７にある突起を構成するその１
１０ロックレバー７にある突起を構成するその２
１１本体の長さ
１２円形に抜き加工
１３開口穴
１４突起
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005069459.tif 000001
【図２】
2005069459.tif 000002
【図３】
2005069459.tif 000003
【図４】
2005069459.tif 000004
【図５】
2005069459.tif 000005
【図６】
2005069459.tif 000006
【図７】
2005069459.tif 000007
【図８】
2005069459.tif 000008
【図９】
2005069459.tif 000009
【図１０】
2005069459.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有底円筒状のピストン本体と、このピストン本体部の開口部に固定される蓋部材とで構成されるピストンにおいて、
前記ピストン本体の開口部が蓋部材の一端部の外周面に塑性変形によって固定され、前記ピストン本体の開口部の内周面に形成された段差部に、前記蓋部材の一端面が突き当たっていることを特徴とするピストン。
【請求項２】
有底円筒状のピストン本体と、このピストン本体部の開口部に固定される蓋部材とで構成されるピストンにおいて、
前記蓋部材の外周面に凹部が設けられ、その凹部に前記ピストン本体の開口部が塑性変形によって固定されていることを特徴とするピストン。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため本発明のフレキシブルチューブ用継手は、コルゲイト管の先端数山分の被覆体が取り除かれたフレキシブルチューブが挿入されるとともに、前記コルゲイト管がシール状態で接続されるように構成され、前記フレキシブルチューブの挿入部の内周に環状溝が形成され、この環状溝に、前記被覆体の外周面に圧接してシール可能なＯリングがはめ込まれ、前記環状溝は、内周側に向かうにつれて次第に幅が大きくなるテーパ状に形成されているようにしたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コルゲイト管の外周が樹脂製のチューブ状の被覆体によって覆われたフレキシブルチューブのための継手であって、
コルゲイト管の先端数山分の被覆体が取り除かれたフレキシブルチューブが挿入されるとともに、前記コルゲイト管がシール状態で接続されるように構成され、
前記フレキシブルチューブの挿入部の内周に環状溝が形成され、
この環状溝に、前記被覆体の外周面に圧接してシール可能なＯリングがはめ込まれ、
前記環状溝は、内周側に向かうにつれて次第に幅が大きくなるテーパ状に形成されていることを特徴とするフレキシブルチューブ用継手。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
即ち、上記舌片素片１９の容積を舌片１３ａの容積に比べて過剰にしている為、得られた舌片１３ａに欠肉が発生する事がない。又、過剰容積分はバリ２２として舌片１３ａの本体部分を加工する為の舌片加工用空間部２５外に連続する逃げ空間２６に逃がす為、上記舌片素片１９の大部分で、上記舌片加工用空間部２５内に留まった部分は、この舌片加工用空間部２５を構成する１対の金型２３ａ、２３ｂ同士の間で正規に押圧される。この結果、上記舌片１３ａの形状が不正規になったり、或は塑性加工後のスプリングバックの量が多くなる事を防止できる。尚、上記ばり２２は、上記ポケット１０と反対側に突出する為、このバリ２２が球面ころ３の一部と干渉する等して、自動調心ころ軸受の機能を損なう事はない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定軸に対して転がり軸受によって回転可能に支持された円筒状のハウジングの両端部の外径を、中央部の外径よりも大きくしたことを特徴とする転がり軸受装置。
【請求項２】
前記転がり軸受は、二つの玉軸受からなり、
前記円筒状のハウジングは、前記二つの玉軸受により前記固定軸に回転可能に支持されており、
前記円筒状のハウジングは、前記円筒状のハウジングの外径部にスイングアームを取り付けることができるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の転がり軸受装置。
【請求項３】
前記両端部の外表面と前記中央部の外表面との差Ｓは、３〜５０μｍであり、
前記両端部の軸方向長さＬ１は、前記円筒状のハウジングの軸方向の全幅Ｌの５〜２０％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の転がり軸受装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から発光された光束を偏向手段により移動物体に入射させ、該移動物体からの散乱光を光検出器で検出し、検出された信号に基づいて該移動物体の変位情報を検出する変位情報測定装置において、
該偏向手段は、移動物体に照射される光束を検出不感方向に集光させるように形成した回折格子を有することを特徴とする変位情報測定装置。
【請求項２】
前記回折格子は、同一双曲線形状の格子を測定検知方向に同一ピッチに格子を形成していることを特徴とする請求項１の変位情報測定装置。
【請求項３】
前記検出不感方向とは前記移動物体の変位方向と垂直な方向であることを特徴とする請求項１の変位情報測定装置。
【請求項４】
前記格子部の回折格子の双曲線形状は、
前記回折格子から前記移動物体の測定物面までの距離をＷＤとし、検出方向をＸ軸、検出不感方向をＹ軸とおいたとき、
【数１】
2000002510.tif 000001
の式により表されることを特徴とする請求項２の変位情報測定装置。
【請求項５】
前記移動物体が回折格子より成るスケールであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項の変位情報測定装置。
【請求項６】
前記回折格子は、ブレーズド型の回折格子であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項の変位情報測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明の変位情報測定装置は、光源から発光された光束を偏向手段により移動物体に入射させ、該移動物体からの散乱光を光検出器で検出し、検出された信号に基づいて該移動物体の変位情報を検出する変位情報測定装置において、
該偏向手段は、移動物体に照射される光束を検出不感方向に集光させるように形成した回折格子を有することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項２の発明は請求項１の発明において、前記回折格子は、同一双曲線形状の格子を測定検知方向に同一ピッチに格子を形成していることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項３の発明は請求項１の発明において、前記検出不感方向とは前記移動物体の変位方向と垂直な方向であることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項４の発明は請求項２の発明において、前記格子部の回折格子の双曲線形状は、前記回折格子から前記移動物体の測定物面までの距離をＷＤとし、検出方向をＸ軸、検出不感方向をＹ軸とおいたとき、
【数２】
2000002510.tif 000002
の式により表されることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項５の発明は請求項１から４のいずれか１項の発明において、前記移動物体が回折格子より成るスケールであることを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項６の発明は請求項１から５のいずれか１項の発明において、前記回折格子は、ブレーズド型の回折格子であることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回転レーザ装置及び建設機械制御装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
前記リレーレンズ４７ａは前記スキャン手段２９のスキャン中心に焦点を有し、前記リレーレンズ４７ｂは前記ペンタプリズム２６の出射口近くの回転中心に焦点を有する様に配置されている。リレーレンズ４７ａ，４７ｂによりペンタプリズム２６の近くにスキャン手段を配置したと同等の効果が得られる。スキャン手段とペンタプリズムの距離が長い場合には距離に応じてスキャン巾が広がり、かなり大きなペンタプリズムが必要となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、金属材料からなる画素電極と、
前記画素電極上に誘電体多層膜からなる反射層とを有し、
前記画素電極の表面は、凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
基板上に、金属材料からなる画素電極と、
前記画素電極上に誘電体多層膜からなる反射層とを有し、
前記画素電極の表面は、凹凸部が設けられており、
前記誘電体多層膜は、低屈折率性薄膜と、高屈折率性薄膜とが積層された構造を有し、
前記高屈折率性薄膜の屈折率の値は１．８〜６．０の範囲内にあり、
前記低屈折率性薄膜の屈折率の値は前記高屈折率性薄膜との比で０．７以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記低屈折率性薄膜の膜厚及び屈折率を各々ｄ1、ｎ1とする場合、低屈折率性薄膜の膜厚ｄ1は、４００ｎｍ≦λ1≦５００ｎｍ（ただしλ1＝４ｎ1ｄ1）を満たし、
且つ前記高屈折率性薄膜の膜厚及び屈折率を各々ｄ2、ｎ2とする場合、高屈折率性薄膜の膜厚ｄ2は、４５０ｎｍ≦λ2≦７００ｎｍ（ただしλ2＝４ｎ2ｄ2）を満たす様に調節されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記画素電極は、アルミニウム、アルミニウムを主成分とした材料、銀、または銀を主成分とした材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記画素電極は、層間絶縁膜上に接して設けられており、前記層間絶縁膜の表面には、凹凸部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、一対の基板間に液晶が封入され、一方の基板上にマトリクス状に配置された前記画素電極と、前記画素電極に接続されている薄膜トランジスタと、前記反射層とを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子に接続され、且つ、凹凸部を表面に有する画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の上面に誘電体層からなる誘電体多層膜を形成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記凹凸部を表面に有する画素電極を形成する工程は、凹凸部を表面に有する層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７において、前記凹凸部を表面に有する画素電極を形成する工程は、画素電極の表面をエッチングする工程であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７において、前記凹凸部を表面に有する画素電極を形成する工程は、画素電極を陽極酸化する工程であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７において、前記凹凸部を表面に有する画素電極を形成する工程は、加熱によって突起物を形成する工程であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか一において、前記誘電体多層膜を形成する工程は、スピンコートによる塗布工程であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項７乃至１１のいずれか一において、前記誘電体多層膜を形成する工程は、スパッタリング法または真空蒸着法による工程であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。