【手続補正書】
【提出日】平成17年1月18日(2005.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１及び第２の電極が配置された基板と、
前記第１及び第２の電極の各々に対応した第３及び第４の電極を有する光デバイスとを、
前記光デバイスの第３の電極と第４の電極が搭載される面が、当該光デバイスの前記第３及び第４の電極が配置された面と反対側の一の面から、各々、第１の高さ（ａｈ１）、第２の高さ（ａｈ２）の高さを有し、前記ａｈ１＞ａｈ２であり、且つ
前記第１の電極と第２の電極の各電極は、少なくともはんだの下地領域を有し、このはんだの下地領域上にはんだを有し、
前記第１の電極のはんだの下地領域の面積をａＳ１、前記第２の電極のはんだの下地領域の面積をａＳ２、前記第３の電極の面積をａＳ３、前記第４の電極の面積をａＳ４、前記第１の電極のはんだの下地領域上に設けられるはんだの体積をｖ１、前記第２の電極のはんだの下地領域上に設けられるはんだの体積をｖ２としたとき、ｖ１≠ｖ２であり、
且つ、当該はんだが溶融した後、ａｈ１＋ｖ１／ａＳ１とａｈ２＋ｖ２／ａＳ２がほぼ同じ値になるように、前記ａｈ１、ｖ１、ａＳ１、ａｈ２、ｖ２、及びａＳ２の各値を設定して準備する工程、
前記基板の第１の電極上に前記光デバイスの前記第３の電極が、又前記第４の電極上に前記第４の電極がのるように、前記基板と前記光デバイスとを位置決めし、はんだを溶融させて、前記基板に前記半導体素子をはんだ付けする工程を有することを特徴とする光デバイスの実装方法。
【請求項２】
前記基板の配置された前記第１の電極と第２の電極の各々に対応して形成されたはんだの体積（ｖ１、ｖ２）が、前記基板における前記第１及び第２の電極のはんだの下地領域の各面積（ａＳ１、ａＳ２）で各々除した値（ｖ１／ａＳ１、ｖ２／ａＳ２）が、ｖ２／ａＳ２＞ｖ１／ａＳ１なる関係を有するように準備されたことを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項３】
前記準備工程で、前記基板の第２の電極において、はんだが接して覆う領域の表面が、はんだの溶融によって初期のはんだの高さより高くする性質を有する材料領域を有し、前記第２の電極に準備されるはんだの面積は、当該はんだの下部のはんだの下地領域の面積より大きく形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項４】
前記準備工程で、前記基板の第２の電極において、はんだが接して覆う領域の表面が、はんだの溶融によって初期のはんだの高さより高くする性質を有する材料領域を有し、前記第２の電極に準備されるはんだの面積は、当該はんだの下部のはんだの下地領域の面積より大きく形成されたことを特徴とする請求項２に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項５】
前記準備工程で、前記基板の第１の電極において、はんだが接して覆う領域の表面が、はんだの溶融によって初期のはんだの高さより低くする性質を有する材料領域を有し、前記第１の電極に準備されるはんだの面積は、当該はんだの下部のはんだの下地領域の面積より小さく形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項６】
前記準備工程で、前記基板の第１の電極において、はんだが接して覆う領域の表面が、はんだの溶融によって初期のはんだの高さより低くする性質を有する材料領域を有し、前記第１の電極に準備されるはんだの面積は、当該はんだの下部のはんだの下地領域の面積より小さく形成されたことを特徴とする請求項２に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項７】
前記はんだの下地領域は、はんだ下地層とこの下部に配置される導体層とを有し、このはんだ下地層の上部に前記はんだ層を有することを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項８】
前記はんだの下地領域は、はんだ下地層とこの下部に配置される導体層とを有し、このはんだ下地層の上部に前記はんだ層を有することを特徴とする請求項２に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項９】
前記基板におけるはんだが接して覆う領域の表面が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド系有機高分子樹脂、クローム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の群から選ばれた少なくとも一者であることを特徴とする請求項３に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項１０】
前記基板におけるはんだが接して覆う領域の表面が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド系有機高分子樹脂、クローム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）の群から選ばれた少なくとも一者であることを特徴とする請求項４に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項１１】
前記はんだは金（Ａｕ）と錫（Ｓｎ）との合金であることを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項１２】
前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項１３】
前記第１の電極のはんだ下地領域と前記第３の電極の各面積、及び前記第２の電極のはんだ下地領域と前記第４の電極の各面積が、略同一であることを特徴とする請求項１に記載の光デバイスの実装方法。
【請求項１４】
光をディスク基板に照射して、情報の記録及び読み取りの少なくとも一者を行なわせる為の光源と、この光源の光出力の駆動回路とを有し、  前記光源が、
少なくとも第１及び第２の電極が配置された基板と、
前記第１及び第２の電極の各々に対応した第３及び第４の電極を有する光デバイスとを、
前記光デバイスの第３の電極と第４の電極が搭載される面が、当該光デバイスの前記第３及び第４の電極が配置された面と反対側の一の面から、各々、第１の高さ（ａｈ１）、第２の高さ（ａｈ２）の高さを有し、前記ａｈ１＞ａｈ２であり、且つ
前記第１の電極と第２の電極の各電極は、少なくともはんだの下地領域を有し、このはんだの下地領域上にはんだを有し、
前記第１の電極のはんだの下地領域の面積をａＳ１、前記第２の電極のはんだの下地領域の面積をａＳ２、前記第３の電極の面積をａＳ３、前記第４の電極の面積をａＳ４、前記第１の電極のはんだの下地領域上に設けられるはんだの体積をｖ１、前記第２の電極のはんだの下地領域上に設けられるはんだの体積をｖ２としたとき、ｖ１≠ｖ２であり、
且つ、当該はんだが溶融した後、ａｈ１＋ｖ１／ａＳ１とａｈ２＋ｖ２／ａＳ２がほぼ同じ値になるように、前記ａｈ１、ｖ１、ａＳ１、ａｈ２、ｖ２、及びａＳ２の各値を設定して準備する工程、
前記基板の第１の電極上に前記光デバイスの前記第３の電極が、又前記第４の電極上に前記第４の電極がのるように、前記基板と前記光デバイスとを位置決めし、はんだを溶融させて、前記基板に前記半導体素子をはんだ付けする工程を有する実装方法によって実装された光源であることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項１５】
前記光源が、所定基板に複数の半導体レーザ装置が搭載されてる構成を有し、且つ前記複数の半導体レーザ装置の内に、前記基板上の複数の電極に電気的に接続される複数の電極が、前記基板面に対向し且つ異なる水準の位置に形成された半導体レーザ装置を少なくとも一つ有し、前記半導体レーザ装置が、を有する光デバイスの実装方法になることを特徴とする請求項１４に記載の光ヘッド装置。
【請求項１６】
前記光源が、所定基板上に、複数の半導体レーザ装置、自動焦点検出用光検知器及びトラッキング用検出用光検知器がモノリシックに搭載され、且つ
前記複数の半導体レーザ装置の内に、前記基板上の複数の電極に電気的に接続される少なくとも第１及び第２の電極が、半導体レーザ装置の基板の一の面から相互に異なる高さに形成された半導体レーザ装置を少なくとも一つ有し、
前記半導体レーザ装置が
少なくとも第１及び第２の電極が配置された前記基板と、
前記第１及び第２の電極の各々に対応した第３及び第４の電極を有する半導体レーザ素子とを、
前記半導体レーザ素子の第３の電極と第４の電極が搭載される面が、当該半導体レーザ素子の前記第３及び第４の電極が配置された面と反対側の一の面から、各々、第１の高さ（ａｈ１）、第２の高さ（ａｈ２）の高さを有し、前記ａｈ１＞ａｈ２であり、且つ
前記第１の電極と第２の電極の各電極は、少なくともはんだの下地領域を有し、このはんだの下地領域上にはんだを有し、
前記第１の電極のはんだの下地領域の面積をａＳ１、前記第２の電極のはんだの下地領域の面積をａＳ２、前記第３の電極の面積をａＳ３、前記第４の電極の面積をａＳ４、前記第１の電極のはんだの下地領域上に設けられるはんだの体積をｖ１、前記第２の電極のはんだの下地領域上に設けられるはんだの体積をｖ２としたとき、ｖ１≠ｖ２であり、
且つ、当該はんだが溶融した後、ａｈ１＋ｖ１／ａＳ１とａｈ２＋ｖ２／ａＳ２がほぼ同じ値になるように、前記ａｈ１、ｖ１、ａＳ１、ａｈ２、ｖ２、及びａＳ２の各値を設定して準備する工程、
前記基板の第１の電極上に前記の前記第３の電極が、又前記第４の電極上に前記第４の電極がのるように、前記基板と前記半導体レーザ素子とを位置決めし、はんだを溶融させて、前記基板に前記半導体レーザ素子をはんだ付けする工程を有する実装方法によって実装された半導体レーザ装置であり、且つ
前記光源より前記ディスク基板に至る光源、ビームスプリッタ、対物レンズを経る光路が単一となされたことを特徴とする請求項１４に記載の光ヘッド装置。
【請求項１７】
前記基板が半導体基板であることを特徴とする請求項１６に記載の光ヘッド装置。
【請求項１８】
前記光源が、所定基板上に、複数の半導体レーザ装置、自動焦点検出用光検知器及びトラッキング用検出用光検知器、及び前記両検知器からの信号を増幅する増幅器とがモノリシックに搭載されていることを特徴とする請求項１６に記載の光ヘッド装置。
【請求項１９】
前記基板と前記半導体レーザ装置の間に高熱伝導率を有する材料層を有することを特徴とする請求項１６に記載の光ヘッド装置。
【請求項２０】
前記基板と前記半導体レーザ装置の間に応力緩和をなし得る材料層を有することを特徴とする請求項１６に記載の光ヘッド装置。