【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】  明細書
【発明の名称】  弾性表面波フィルタとこれを用いた通信機器
【特許請求の範囲】
【請求項１】  圧電基板と、この圧電基板上に設けた一波長（λ）内に四本の櫛電極を有する少なくとも二つのインターディジタルトランスデューサ電極とを備え、少なくとも一つのインターディジタルトランスデューサ電極において、前記四本の櫛電極は、一方の引き出し電極から二本、もう一方の引き出し電極から二本、それぞれ隣り合って延伸されたものであり、同じ引き出し電極から延伸された二本の櫛電極のうち、もう一つのインターディジタルトランスデューサ電極に近い方の櫛電極の線幅を他方の櫛電極の線幅より太くした弾性表面波フィルタ。
【請求項２】  同一引き出し電極から延伸された櫛電極のうち、細い櫛電極の線幅をＬ１、太い櫛電極の線幅をＬ２としたとき、Ｌ２／Ｌ１を、３．０以上５．０未満にした請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３】  圧電基板と、この圧電基板上に設けた一波長（λ）内に四本の櫛電極を有する少なくとも二つのインターディジタルトランスデューサ電極とを備え、少なくとも一つのインターディジタルトランスデューサ電極において、前記四本の櫛電極は、一方の引き出し電極から二本、もう一方の引き出し電極から二本、それぞれ隣り合って延伸されたものであり、前記同一引き出し電極から延伸された隣り合う櫛電極の線幅を異ならせ、前記同一引き出し電極から延伸された隣り合う櫛電極の間の距離をγ、前記同一引き出し電極から延伸された二本の櫛電極と交差する両側の櫛電極との距離の１／２をそれぞれα、βとすると、γ＞α＋βの関係を満たす構成とした弾性表面波フィルタ。
【請求項４】  一つのインターディジタルトランスデューサ電極において、異なった線幅の櫛電極対を少なくとも二対有しこれらを逆方向に配置した請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項５】  インターディジタルトランスデューサ電極の内、入力用インターディジタルトランスデューサ電極と出力用インターディジタルトランスデューサ電極とは線幅比率が異なる構成とした請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項６】  入力インターディジタルトランスデューサ電極と出力インターディジタルトランスデューサ電極とは櫛電極の中心間距離が異なる構成とした請求項５に記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項７】  入力インターディジタルトランスデューサ電極あるいは出力インターディジタルトランスデューサ電極の少なくとも一方において櫛電極の中心間距離が二種類以上存在する構成とした請求項６に記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項８】  櫛電極のメタライゼーションレシオが０．４〜０．７である請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項９】  櫛電極の主成分はアルミニウムあるいはアルミニウム合金であり、かつ櫛電極膜厚ｈと弾性表面波の波長λとの膜厚比率（ｈ／λ）が０．００５〜０．０３５である請求項１から請求項８のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１０】  圧電基板は２８°〜４２°回転Ｙカットの水晶基板である請求項１から請求項９のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項１１】  ミキサーと、このミキサーの出力側にその入力側を接続した請求項１から請求項１０のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタと、この弾性表面波フィルタの出力側にその入力側を接続したアンプとを備えた通信機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は無線通信機器の高周波回路などに使用される弾性表面波フィルタの低挿入損失化、高性能化に関するものであり、特に一方向性電極を利用したトランスバーサル型の弾性表面波フィルタとこれを用いた通信機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤＭＡ用のＩＦフィルタのように比較的広帯域でかつ通過帯域内の位相特性の平坦性が重要な場合は、トランスバーサル型の弾性表面波フィルタが使用されている。一方でよく知られているようにトランスバーサル型の弾性表面波フィルタは、挿入損失が大きいので一方向性電極を利用したトランスバーサル型の弾性表面波フィルタが期待され、検討されている。
【０００３】
以下、従来の一方向性電極を利用したトランスバーサル型の弾性表面波フィルタについて説明する。
【０００４】
図２２（ａ）は従来の一方向性電極を利用したトランスバーサル型の弾性表面波フィルタのインターディジタルトランスデューサ電極（以下ＩＤＴ電極とする）の上面図であり、図２２（ｂ）に図２２（ａ）の黒枠で囲んだ部分の拡大図を示す。
【０００５】
図２２に示すタイプの一方向性電極はＥＷＣ−ＳＰＵＤＴ（Electrode With Controlled Single Phase Unidirectional Transducer）と呼ばれるものの一つであり、基本的な構成として波長λの１／４幅のλ／４幅櫛電極１００ａを一本と波長λの１／８幅のλ／８幅櫛電極１００ｂ二本による合計三本の櫛電極１００ａ，１００ｂによる基本単位が一波長内に構成されている。ＥＷＣ−ＳＰＵＤＴは弾性表面波の励起中心に対して反射器による反射中心が非対称な関係にあることから伝搬方向性が生じる。図２２に示した構成では、膜厚や櫛電極１００ａ，１００ｂの対数の設定により比較的強い方向性が得られ図２２の櫛電極配置のＩＤＴ電極では図面右方向に向かって方向性が付くことになる。
【０００６】
また、図２１に示すような通信機器の送受信回路において、ミキサー８３の出力側に上記構成を有する弾性表面波フィルタを用いていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成によると十分な方向性は得られるものの、一方で弾性表面波の励起効率が悪いため挿入損失が思いのほか良くならないという問題を有していた。
【０００８】
そこで本発明は、さらに低挿入損失でかつ優れた通過帯域内特性を持つ弾性表面波フィルタとこれを用いた通信機器を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板と、この圧電基板上に設けた一波長内に四本の櫛電極を有する少なくとも二つのＩＤＴ電極とを備え、少なくとも一つのＩＤＴ電極において、前記四本の櫛電極は、一方の引き出し電極から二本、もう一方の引き出し電極から二本、それぞれ隣り合って延伸されたものであり、同じ引き出し電極から延伸された二本の櫛電極のうち、もう一つのインターディジタルトランスデューサ電極に近い方の櫛電極の線幅を他方の櫛電極の線幅より太くしたものであり、従来技術に示した一方向性電極と同様にＥＷＣ−ＳＰＵＤＴの一種と考えることができ、弾性表面波の伝搬方向性が生じる原理は同じであり、上記目標を達成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、圧電基板と、この圧電基板上に設けた一波長内に四本の櫛電極を有する少なくとも二つのＩＤＴ電極とを備え、少なくとも一つのＩＤＴ電極において、四本の櫛電極は、一方の引き出し電極から二本、もう一方の引き出し電極から二本、それぞれ隣り合って延伸されたものであり、同じ引き出し電極から延伸された二本の櫛電極のうち、もう一つのインターディジタルトランスデューサ電極に近い方の櫛電極の線幅を他方の櫛電極の線幅より太くした弾性表面波フィルタであり、十分な一方向性を有するとともに弾性表面波の励振効率に優れた低挿入損失のものである。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、同一引き出し電極から延伸された櫛電極のうち、細い櫛電極の線幅をＬ１、太い櫛電極の線幅をＬ２としたとき、Ｌ２／Ｌ１を、３．０以上５．０未満にした弾性表面波フィルタであり、十分な一方向性を有するとともに弾性表面波の励振効率に優れた低挿入損失のものである。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、同一引き出し電極から延伸された隣り合う櫛電極の間の距離をγ、前記同一引き出し電極から延伸された二本の櫛電極と交差する両側の櫛電極との距離の１／２をそれぞれα、βとすると、γ＞α＋βの関係を満たす構成とした弾性表面波フィルタであり、通過帯域内のリップルが小さく、通過帯域外減衰量の大きなものである。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、一つのＩＤＴ電極において異なった線幅の櫛電極対を少なくとも二対有し、これらを逆方向に配置した請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタであり、弾性表面波の一方向性を制御することができ、不十分な方向性あるいは過度の方向性等による通過帯域内のリップルを制御し、より優れたフィルタ特性を得られるものである。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、ＩＤＴ電極の内、入力用ＩＤＴ電極と出力用ＩＤＴ電極とは線幅比率が異なる構成とした請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタであり、弾性表面波の一方向性を制御することができ、不十分な方向性あるいは過度の方向性等による通過帯域内のリップルを制御し、より優れたフィルタ特性を得られるものである。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、入力ＩＤＴ電極と出力ＩＤＴ電極とは櫛電極の中心間距離が異なる構成とした請求項５に記載の弾性表面波フィルタであり、弾性表面波の一方向性を制御することができ、不十分な方向性あるいは過度の方向性等による通過帯域内のリップルを制御し、より優れたフィルタ特性を得られるものである。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、入力ＩＤＴ電極あるいは出力ＩＤＴ電極の少なくとも一方において櫛電極の中心間距離が二種類以上存在する構成とした請求項６に記載の弾性表面波フィルタであり、弾性表面波の一方向性を制御することができ、不十分な方向性あるいは過度の方向性等による通過帯域内のリップルを制御し、より優れたフィルタ特性を得られるものである。
【００１７】
請求項８に記載の発明は、櫛電極のメタライゼーションレシオが０．４５〜０．６５である請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタであり、弾性表面波の一方向性を制御することができ、不十分な方向性あるいは過度の方向性等による通過帯域内のリップルを制御し、より優れたフィルタ特性を得られるものである。
【００１８】
請求項９に記載の発明は、櫛電極の主成分はアルミニウムを主成分とする金属であり、かつ櫛電極膜厚ｈと弾性表面波の波長λとの膜厚比率（ｈ／λ）が０．００５〜０．０３５である請求項１から請求項８のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタであり、弾性表面波の一方向性を制御することができ、不十分な方向性あるいは過度の方向性等による通過帯域内のリップルを制御し、より優れたフィルタ特性を得られるものである。
【００１９】
請求項１０に記載の発明は、圧電基板は２８°〜４２°回転Ｙカットの水晶基板である請求項１から請求項９のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタであり、要求される使用温度範囲で最適な温度特性を有する弾性表面波フィルタが得られる。
【００２０】
請求項１１に記載の発明は、ミキサーと、このミキサーの出力側にその入力側を接続した請求項１から請求項１０のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタと、この弾性表面波フィルタの出力側にその入力側を接続したアンプとを備えた通信機器であり、アンプの素子因数の低減あるいはアンプでの消費電力の低減が可能となる等、性能、コストに優れたものである。
【００２１】
以下本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は本発明による弾性表面波フィルタの上面図であり、圧電基板１１の上に入力ＩＤＴ電極１６、出力ＩＤＴ電極１７を有し、入、出力ＩＤＴ電極１６，１７はそれぞれ互いに交差する櫛電極対１２ａ，１２ｂおよび１３ａ，１３ｂとこれらを接続する引き出し電極１４ａ，１４ｂおよび１５ａ，１５ｂにより構成されている。また、櫛電極対１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂは、交差部において異なった線幅を有する二本の櫛電極で構成されている。さらに入、出力ＩＤＴ電極１６，１７はアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いて形成されたものである。
【００２３】
このようにして構成された弾性表面波フィルタの櫛電極対１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの線幅の関係を詳細に示したのが図２（ａ），（ｂ）であり、図２（ｂ）は図２（ａ）において点線で囲んだ部分の拡大図である。
【００２４】
図２において線幅の細い櫛電極の線幅をＬ１、線幅の太い櫛電極の線幅をＬ２、その線幅比率をＬ２／Ｌ１としたとき、線幅比率と弾性表面波フィルタの挿入損失の関係を調べた結果が図３に示すグラフである。この実験は圧電基板１１として、２８°〜４２°回転Ｙカットの水晶基板を用い、簡単にするため入、出力ＩＤＴ電極１６，１７は同じ構成で図１に示すように伝搬方向が互いに向き合うように配置し、また櫛電極対１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂはそれぞれ２５対とし、２５対の線幅比率は同じものを用いた。
【００２５】
我々の実験において櫛電極対１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの電極膜厚に関わらず、弾性表面波の伝搬方向性は、線幅比率が３付近で最も大きくなることが確認された。しかしながら、弾性表面波フィルタの挿入損失は、全く意外なことに線幅比率が３より大きいところで最も小さいことが図３よりわかる。
【００２６】
線幅比率はかなり大きな値でも挿入損失の増加は大きくないが、大きすぎると、櫛電極対１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂにおいて細い方の櫛電極の幅が非常に小さくなり、製造工程上の課題が生じ量産に適していない。例えば中心周波数が１１１．９ＭＨｚで、線幅比率が７、メタライゼーションレシオ［半波長内の入、出力ＩＤＴ電極１６，１７の櫛電極対１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの電極指幅の総和／伝搬する弾性表面波の半波長：（Ｌ１＋Ｌ２）／（２／λ）］が０．５の時、櫛電極対１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの細い方の櫛電極の幅は０．８８μｍという小さな値になるのである。
【００２７】
従って弾性表面波の一方向性を制御し、不十分な方向性あるいは逆に過度の方向性等による通過帯域内群遅延偏差のリップルを制御し、より優れたフィルタ特性を得るためには、線幅比率を１．０より大きく、好ましくは３．０以上５．０未満の範囲にすることが必要である。参考までに付け加えると線幅比率が１のときは従来から一般的に用いられているλ／８電極幅の双方向電極となり、これと比較すると本発明の構成による低挿入損失化の効果が図３によりはっきり確認できる。
【００２８】
また、本発明においてはメタライゼーションレシオも弾性表面波フィルタの挿入損失に大きくかかわるファクターであり、図４にメタライゼーションレシオと挿入損失との関係を示す。櫛電極対１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの電極膜厚により若干異なるが、挿入損失を小さくするためには、メタライゼーションレシオは０．４〜０．７、好ましくは０．５〜０．６とすればよいことがわかる。
【００２９】
更に、入、出力ＩＤＴ電極１６，１７は、アルミニウムを主成分とする金属で形成したものであるが、入、出力ＩＤＴ電極１６，１７を構成する櫛電極の膜厚ｈと弾性表面波の波長λとの膜厚比率（ｈ／λ）を０．００５〜０．０３５とすることが望ましい。
【００３０】
以上本実施の形態のような構成にすることによって一方向性を制御し、低挿入損失でかつ通過帯域内特性の良い弾性表面波フィルタを得ることができる。
【００３１】
（実施の形態２）
図５は本実施の形態２における弾性表面波フィルタの上面図、図６は図５の要部拡大上面図であり、圧電基板２１の上に入力ＩＤＴ電極２６、出力ＩＤＴ電極２７を有し、入、出力ＩＤＴ電極２６，２７はそれぞれ互いに交差する櫛電極対２２ａ，２２ｂおよび２３ａ，２３ｂとこれらを接続する引き出し電極２４ａ，２４ｂおよび２５ａ，２５ｂより構成されている。また、櫛電極対２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂは、異なった線幅を有する二本の櫛電極でそれぞれ構成されている。
【００３２】
さらに入、出力ＩＤＴ電極２６，２７はアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いて形成されたものである。
【００３３】
図６を見るとわかるように、入力ＩＤＴ電極２６において、引き出し電極２４ｂに接続される一対の櫛電極対２２ｂの細い櫛電極と線幅の太い櫛電極の線幅間の距離をγ、櫛電極対２２ｂの細い櫛電極と交差する引き出し電極２４ａに接続される櫛電極対２２ａの太い櫛電極との距離の１／２をα、櫛電極対２２ｂの太い櫛電極と交差する引き出し電極２４ａに接続される櫛電極対２２ａの細い櫛電極との距離の１／２をβとすると、γ＞α＋βとなっている。
【００３４】
また、実施の形態１と同様に、線幅比率を１．０より大きく、好ましくは３．０以上５．０未満の範囲にすることが必要である。
【００３５】
さらに、メタライゼーションレシオも０．４〜０．７、好ましくは０．５〜０．６とすればよい。
【００３６】
さらにまた、入、出力ＩＤＴ電極２６，２７は、アルミニウムを主成分とする金属で形成したものであるが、入、出力ＩＤＴ電極２６，２７を構成する櫛電極の膜厚ｈと弾性表面波の波長λとの膜厚比率（ｈ／λ）を０．００５〜０．０３５とすることが望ましい。
【００３７】
図７（ａ）は、線幅の異なる櫛電極対１００対からなる正規型電極で、膜厚比率０．０１５、線幅比率３、α＝β＝０．４１、γ＝２の時の弾性表面波フィルタの方向性が強い方の電機−機械変換特性を図７（ｂ）は同じく方向性が弱い方の電機−機械変換特性を示したものである。また参考のために図８（ａ）に、線幅比率の異なる櫛電極１００対からなる正規型電極で、膜厚比率０．０１５、線幅比率３、α＝β＝１、γ＝２の時の弾性表面波フィルタの方向性が強い方の電機−機械変換特性を、図８（ｂ）に同じく方向性が弱い方の電機−機械変換特性を示す。
【００３８】
図７と図８を比較するとわかるように、本実施の形態の方が対称性に優れているので、さらに通過帯域内偏差を小さく、通過帯域外減衰量を大きくすることができる。
【００３９】
また、参考のために図９に圧電基板２１として２８°〜４２°回転Ｙカットの水晶基板を用い、中心周波数が１１０ＭＨｚで、櫛電極対が１００対の場合の膜厚比率０．００５，０．０１０，０．０１５，０．０２０，０．０３０のそれぞれにおける、α＋β（＜γ）の最適値を示す。
【００４０】
（実施の形態３）
図１０は本実施の形態３における弾性表面波フィルタの上面図であり、図１１は同要部拡大上面図であり、圧電基板３１の上に入力ＩＤＴ電極３６、出力ＩＤＴ電極３７を有し、入、出力ＩＤＴ電極３６，３７はそれぞれ互いに交差する櫛電極対３２ａ，３２ｂおよび３３ａ，３３ｂとこれらを接続する引き出し電極３４ａ，３４ｂおよび３５ａ，３５ｂより構成されている。また、櫛電極対３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂは、それぞれ異なった線幅を有する二本の櫛電極で構成されているものと、同じ線幅を有する二本の櫛電極で構成されているものとが混在している。
【００４１】
さらに入、出力ＩＤＴ電極３６，３７はアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いて形成されたものである。
【００４２】
このようにして構成された弾性表面波フィルタの櫛電極対３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂの線幅の関係を詳細に示したのが図１１である。
【００４３】
図１１を見るとわかるように、入力ＩＤＴ電極３６において引き出し電極３４ａに接続される一対の櫛電極対３２ａの細い櫛電極と線幅の太い櫛電極の線幅間の距離をγ、櫛電極対３２ａの細い櫛電極と交差する引き出し電極３４ｂに接続される櫛電極対３２ｂの櫛電極との距離の１／２をα、櫛電極対３２ａの太い櫛電極と交差する引き出し電極３４ｂに接続される櫛電極対３２ｂの櫛電極との距離の１／２をβとすると、γ＞α＋βとなっている。さらにα＜βとなっている。
【００４４】
本実施の形態３においても、実施の形態１と同様に線幅比率を１．０より大きく、好ましくは３．０以上５．０未満の範囲にすることが必要である。
【００４５】
さらに、メタライゼーションレシオも０．４〜０．７、好ましくは０．５〜０．６とすればよい。
【００４６】
さらにまた、入、出力ＩＤＴ電極３６，３７は、アルミニウムを主成分とする金属で形成したものであるが、入、出力ＩＤＴ電極３６，３７を構成する櫛電極の膜厚ｈと弾性表面波の波長λとの膜厚比率（ｈ／λ）を０．００５〜０．０３５とすることが望ましい。
【００４７】
図１２（ａ）は線幅の異なる櫛電極対５０対と同じ線幅の櫛電極４０対からなり、膜厚比率０．０１５、線幅比率３、α＝０．１５、β＝０．６７、γ＝２の時の弾性表面波フィルタの方向性が強い方の電機−機械変換特性を、図１２（ｂ）は同じく方向性が弱い方の電機−機械変換特性を示す。
【００４８】
また、図１３（ａ）は線幅の異なる櫛電極対５０対と同じ線幅の櫛電極対４０対からなり、膜厚比率０．０１５、線幅比率３、α＝β＝０．４１、γ＝２の時の弾性表面波フィルタの方向性が強い方の電機−機械変換特性を、図１３（ｂ）は同じく方向性が弱い方の電機−機械変換特性を示したものである。
【００４９】
図１２、図１３を比較するとわかるように、線幅の異なる櫛電極対と同じ線幅の櫛電極対が混在する場合は、α＜βとする方がより対称性に優れることとなり、通過帯域内偏差を小さく、通過帯域外減衰量を大きくすることができる。
【００５０】
また、参考のために図１４、図１５に圧電基板３１として２８°〜４２°回転Ｙカットの水晶基板を用い、中心周波数が１１０ＭＨｚで線幅の異なる櫛電極対５０対、同じ線幅の櫛電極対４０対からなる正規型電極の場合の膜厚比率０．００５，０．０１０，０．０１５，０．０２０，０．０３０のそれぞれの場合について、α，βの最適値を示す。この場合、α＜β，α＋β＜γの関係は成り立つようにする。
【００５１】
（実施の形態４）
図１６は本実施の形態４における弾性表面波フィルタの上面図であり、圧電基板５１上に櫛電極対５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂ，５５ａ，５５ｂ及び引き出し電極５６ａ，５６ｂ，５７ａ，５７ｂよりなる入、出力ＩＤＴ電極５８，５９を形成している。アルミニウムあるいはアルミニウム合金を主成分とする入、出力ＩＤＴ電極５８，５９の内部の櫛電極対５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂは、異なった線幅の櫛電極で形成し、入、出力ＩＤＴ電極５８，５９の両端部側の櫛電極対５４ａ，５４ｂ，５５ａ，５５ｂは同じ線幅の櫛電極で形成したものである。
【００５２】
このように入力ＩＤＴ電極５８と出力ＩＤＴ電極５９を異なる線幅比率を有する櫛電極対で形成することにより、一方向性を制御し低挿入損失でかつ通過帯域内特性の良いトランスバーサル型弾性表面波フィルタを得ることができる。
【００５３】
（実施の形態５）
図１７は本発明におけるＣＤＭＡ用ＩＦフィルタの特性を示す図である。挿入損失は中心周波数において８．１７ｄＢである。また比較のために従来のＥＷＣ−ＳＰＵＤＴによるＣＤＭＡ用ＩＦフィルタの特性を図１８に示す。挿入損失は中心周波数において１３．２３ｄＢである。従来のものと比べ本発明のＣＤＭＡ用ＩＦフィルタは挿入損失を５ｄＢ程度小さくすることができ挿入損失の低減に対して大きな効果があることがわかる。
【００５４】
（実施の形態６）
図１９は線幅比率が３で、一方向性を制御した弾性表面波フィルタの特性を示す図である。通過帯域内リップルは約０．３ｄＢと低挿入損失で通過帯域内特性に優れたものであることがわかる。また比較のため、線幅比率が３で一方向性を制御していない弾性表面波フィルタの特性を図２０に示す。通過帯域内リップルは１．０ｄＢである。一方向性を制御したものは、制御しないものに比べて通過帯域内リップルを約０．７ｄＢ小さくすることができ、通過帯域内特性に対して大きな効果を有することがわかる。
【００５５】
（実施の形態７）
図２１は本発明の弾性表面波フィルタを用いた通信機器の送受信回路図である。
【００５６】
本発明の弾性表面波フィルタは、送、受信ＩＦバンドパスフィルタとして利用できるが、特に受信回路のＩＦバンドパスフィルタとして利用されることが多いので、受信回路について説明する。
【００５７】
図２１に示された受信回路はスーパーへテロダイン回路であり、アンテナ８０で受信された受信波は、アンテナ共用器８６で分岐され、ＬＮＡ８１、ＲＦバンドパスフィルタ８２を通過後、ミキサー８３にて中間周波数へ変換される。本発明の弾性表面波フィルタ８４はミキサー８３の出力側に接続し、中間周波数を通過させるＩＦバンドパスフィルタとして使用される。本発明の弾性表面波フィルタ８４を使用することで、ＩＦアンプ８５の素子因数を減らすあるいはＩＦアンプ８５での消費電力を小さく抑えることができ、コスト、性能面で優れた通信機器を得ることができる。
【００５８】
この弾性表面波フィルタ８４は、入、出力端子の少なくとも一方を平衡型とすることにより、通過帯域外減衰量を安定して得られる。
【００５９】
【発明の効果】
以上のように本発明は、低挿入損失で優れた通過帯域内特性を持つ弾性表面波フィルタが提供できることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の一実施の形態における弾性表面波フィルタの上面図
【図２】
（ａ）図１に示す弾性表面波フィルタの入力ＩＤＴの上面図
（ｂ）図２（ａ）の一部拡大上面図
【図３】
図１に示す弾性表面波フィルタの線幅比率と挿入損失の関係を示す特性曲線図
【図４】
図１に示す弾性表面波フィルタのメタライゼーションレシオと挿入損失の関係を示す特性曲線図
【図５】
本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの上面図
【図６】
図５の要部拡大上面図
【図７】
（ａ）本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの方向性が強い方の電機−機械変換特性図
（ｂ）本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの方向性が弱い方の電機−機械変換特性図
【図８】
（ａ）比較例の弾性表面波フィルタの方向性が強い方の電機−機械変換特性図
（ｂ）比較例の弾性表面波フィルタの方向性が弱い方の電機−機械変換特性図
【図９】
本発明の実施の形態２における線幅比率とα＋βの関係図
【図１０】
本発明の実施の形態３における弾性表面波フィルタの上面図
【図１１】
図１０の要部拡大上面図
【図１２】
（ａ）本発明の実施の形態３における弾性表面波フィルタの方向性が強い方の電機−機械変換特性図
（ｂ）本発明の実施の形態３における弾性表面波フィルタの方向性が弱い方の電機−機械変換特性図
【図１３】
（ａ）比較例の弾性表面波フィルタの方向性が強い方の電機−機械変換特性図
（ｂ）比較例の弾性表面波フィルタの方向性が弱い方の電機−機械変換特性図
【図１４】
本発明の実施の形態３における線幅比率とαの関係図
【図１５】
本発明の実施の形態３における線幅比率とβの関係図
【図１６】
本発明の実施の形態４に示す弾性表面波フィルタの上面図
【図１７】
本発明の一実施の形態におけるＣＤＭＡ用ＩＦフィルタとなる弾性表面波フィルタの特性曲線図
【図１８】
従来のＣＤＭＡ用ＩＦフィルタとなる弾性表面波フィルタの特性曲線図
【図１９】
本発明の実施の形態６におけるＣＤＭＡ用ＩＦフィルタとなる弾性表面波フィルタの特性曲線図
【図２０】
本発明の一実施の形態における一方向性を制御していないＣＤＭＡ用ＩＦフィルタとなる弾性表面波フィルタの特性曲線図
【図２１】
一般的な通信機器の送受信回路図
【図２２】
（ａ）従来の弾性表面波フィルタのＩＤＴ電極の上面図
（ｂ）（ａ）において黒丸で囲んだ部分の拡大上面図
【符号の説明】
１１  圧電基板
１２ａ  櫛電極対
１２ｂ  櫛電極対
１３ａ  櫛電極対
１３ｂ  櫛電極対
１４ａ  引き出し電極
１４ｂ  引き出し電極
１５ａ  引き出し電極
１５ｂ  引き出し電極
１６  入力ＩＤＴ電極
１７  出力ＩＤＴ電極
２１  圧電基板
２２ａ  櫛電極対
２２ｂ  櫛電極対
２３ａ  櫛電極対
２３ｂ  櫛電極対
２４ａ  引き出し電極
２４ｂ  引き出し電極
２５ａ  引き出し電極
２５ｂ  引き出し電極
２６  入力ＩＤＴ電極
２７  出力ＩＤＴ電極
３１  圧電基板
３２ａ  櫛電極対
３２ｂ  櫛電極対
３３ａ  櫛電極対
３３ｂ  櫛電極対
３４ａ  引き出し電極
３４ｂ  引き出し電極
３５ａ  引き出し電極
３５ｂ  引き出し電極
３６  入力ＩＤＴ電極
３７  出力ＩＤＴ電極
５１  圧電基板
５２ａ  櫛電極対
５２ｂ  櫛電極対
５３ａ  櫛電極対
５３ｂ  櫛電極対
５４ａ  櫛電極対
５４ｂ  櫛電極対
５５ａ  櫛電極対
５５ｂ  櫛電極対
５６ａ  引き出し電極
５６ｂ  引き出し電極
５７ａ  引き出し電極
５７ｂ  引き出し電極
５８  入力ＩＤＴ電極
５９  出力ＩＤＴ電極
８０  アンテナ
８１  ＬＮＡ
８２  ＰＦバンドパスフィルタ
８３  ミキサー
８４  弾性表面波フィルタ
８５  ＩＦアンプ
８６  アンテナ共用器
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2000091869.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2000091869.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2000091869.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2000091869.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2000091869.tif 000005