【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極を形成する工程と、
該第１の電極と対向して設置され、表面に触媒層を有する第２の電極を形成する工程と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置し、その少なくとも一部が多孔質な電子輸送層を形成する工程と、
該電子輸送層と接触する色素層を形成する工程と、
前記電子輸送層と前記第２の電極の表面に形成された触媒層に接して位置してなる正孔輸送層を形成する工程からなる光電変換素子の製造方法であって、
前記正孔輸送層を形成する工程は、正孔輸送材料と前記正孔輸送材料が結晶化する際に結晶サイズが増大するのを抑制する機能を有する結晶サイズ粗大化抑制物質とバインダーとを溶媒に添加した溶液を塗布法により、前記色素層上に塗布して形成するものであることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
【請求項２】
前記結晶サイズ粗大化抑制物質は、前記正孔輸送材料の金属原子に結合させることにより、前記正孔輸送材料が結晶化する際に、結晶サイズが増大するのを抑制する請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項３】
前記結晶サイズ粗大化抑制物質の前記正孔輸送層材料中の含有量は、１×１０-6〜１０重量％である請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項４】
前記結晶サイズ粗大化抑制物質は、硫化物である請求項１ないし３のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項５】
前記結晶サイズ粗大化抑制物質は、チオシアン酸イオンである請求項１ないし３のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項６】
前記結晶サイズ粗大化抑制物質は、チオール基である請求項１ないし３のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項７】
前記正孔輸送層は、主としてイオン伝導特性を有する物質で構成される請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項８】
前記イオン伝導特性を有する物質は、ハロゲン化金属化合物である請求項７に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項９】
前記ハロゲン化金属化合物は、ヨウ化金属化合物である請求項８に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１０】
前記正孔輸送層を形成する工程は、前記色素層を加熱しつつ、前記正孔輸送層材料を前記色素層上に塗布して形成するものである請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１１】
前記正孔輸送層を形成する工程は、前記正孔輸送層材料を前記色素層に塗布して形成する際の前記色素層の加熱温度が、５０〜１２０℃の温度である請求項１０に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１２】
前記バインダーは、可塑性樹脂である請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１３】
前記正孔輸送層は、可塑処理がなされている請求項１２に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１４】
前記バインダーは、シアノ化物である請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１５】
前記シアノ化物は、シアノエチル化物である請求項１４に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１６】
前記溶媒の沸点は、６０〜２００℃である請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１７】
前記溶媒は、有機溶媒である請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１８】
前記溶媒は、アセトニトリルである請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１９】
前記正孔輸送材料は、溶媒の重量に対して、０．０５〜２．５重量％添加されてなる溶液である請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項２０】
太陽電池である請求項１ないし１９のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（２０）の本発明により達成される。
（１）本発明における光電変換素子の製造方法は、
第1の第1の電極を形成する工程と、
該第１の電極と対向して設置され、表面に触媒層を有する第２の電極を形成する工程と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置し、その少なくとも一部が多孔質な電子輸送層を形成する工程と、
該電子輸送層と接触する色素層を形成する工程と、
前記電子輸送層と前記第２の電極の表面に形成された触媒層に接して位置してなる正孔輸送層を形成する工程からなる光電変換素子の製造方法であって、
前記正孔輸送層を形成する工程は、正孔輸送材料と前記正孔輸送材料が結晶化する際に結晶サイズが増大するのを抑制する機能を有する結晶サイズ粗大化抑制物質とバインダーとを溶媒に添加した溶液を塗布法により、前記色素層上に塗布して形成するものであることを特徴とする。
（２）（１）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記結晶サイズ粗大化抑制物質は、前記正孔輸送材料の金属原子に結合させることにより、前記正孔輸送材料が結晶化する際に、結晶サイズが増大するのを抑制することを特徴とする。
（３）（１）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記結晶サイズ粗大化抑制物質の前記正孔輸送層材料中の含有量は、１×１０-6〜１０重量％であることを特徴とする。
（４）（１）ないし（３）のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法であって、前記結晶サイズ粗大化抑制物質は、硫化物であることを特徴とする。
（５）（１）ないし（３）のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法であって、前記結晶サイズ粗大化抑制物質は、チオシアン酸イオンであることを特徴とする。
（６）（１）ないし（３）のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法であって、前記結晶サイズ粗大化抑制物質は、チオール基であることを特徴とする。
（７）（１）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記正孔輸送層は、主としてイオン伝導特性を有する物質で構成されることを特徴とする。
（８）（７）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記イオン伝導特性を有する物質は、ハロゲン化金属化合物であることを特徴とする。
（９）（８）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記ハロゲン化金属化合物は、ヨウ化金属化合物であることを特徴とする。
（１０）（１）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記正孔輸送層を形成する工程は、前記色素層を加熱しつつ、前記正孔輸送層材料を前記色素層上に塗布して形成するものであることを特徴とする。
（１１）（１０）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記正孔輸送層を形成する工程は、前記正孔輸送層材料を前記色素層に塗布して形成する際の前記色素層の加熱温度が、５０〜１２０℃の温度であることを特徴とする。
（１２）（１）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記バインダーは、可塑性樹脂であることを特徴とする。
（１３）（１２）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記正孔輸送層は、可塑処理がなされていることを特徴とする。
（１４）（１）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記バインダーは、シアノ化物であることを特徴とする。
（１５）（１４）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記シアノ化物は、シアノエチル化物であることを特徴とする。
（１６）（１）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記溶媒の沸点は、６０〜２００℃であることを特徴とする。
（１７）（１）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記溶媒は、有機溶媒であることを特徴とする。
（１８）（１）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記溶媒は、アセトニトリルであることを特徴とする。
（１９）（１）に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記正孔輸送材料は、溶媒の重量に対して、０．０５〜２．５重量％添加されてなる溶液であることを特徴とする。
（２０）（１）ないし（１９）のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換素子が太陽電池であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
また、この結晶サイズ粗大化抑制物質の正孔輸送層材料中の含有量としては、特に限定されないが、１×１０-6〜１０ｗｔ％（重量％）程度であるのが好ましく、１×１０-4〜１×１０-2ｗｔ％程度であるのがより好ましい。このような数値範囲内において、前記の効果がさらに顕著となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３３】
なお、アセトニトリル溶液中には、正孔輸送効率向上物質として、テトラプロピルアンモニウムヨーダイドを１×１０-3ｗｔ％となるように添加した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３５】
さらに、アセトニトリル溶液中には、結晶サイズ粗大化抑制物質として、チオシアン酸ナトリウム（ＮａＳＣＮ）を１×１０-3ｗｔ％となるように添加した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３７】
−７−  次いで、第１の電極と第２の電極６で狭持された光電変換素子を、キセノン光源で光アニールした。このときの温度は１１０℃、時間は１８０分間である。