【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面上に形成された第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層に形成された第１導電型ドレイン領域と、
前記ドレイン領域に形成された第２導電型ベース領域と、
前記ベース領域に形成された第１導電型ソース領域と、
少なくとも導電層及び絶縁層の一方が埋め込まれ、前記ベース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドレイン領域内に達するトレンチと、
前記ドレイン領域内部に形成された前記トレンチ部分の側壁周辺に形成され、前記ベース領域の不純物濃度より低濃度の第２導電型不純物拡散領域と、
前記ドレイン領域、前記ベース領域、及び前記ソース領域の表面の一部を被覆するように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板は、第１導電型であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板は、第２導電型であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面上に形成された第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層に形成された第１導電型ドレイン領域と、
前記ドレイン領域の表面領域に形成された第２導電型ベース領域と、
前記ベース領域の表面領域に形成された第１導電型ソース領域と、
少なくとも導電層及び絶縁層の一方が埋め込まれ、前記ベース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドレイン領域内に達する第１のトレンチと、
前記第１のトレンチの前記ドレイン領域内部に形成された前記第１のトレンチ部分の側壁周辺に形成され、前記ベース領域の不純物濃度より低濃度の第２導電型不純物拡散領域と、
前記ソース領域の表面もしくは前記ソース領域に隣接するベース領域部分の表面から前記ドレイン領域内に達する第２のトレンチと、
前記第２のトレンチの側壁及び底面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を被覆するように前記第２のトレンチに埋め込まれたゲート電極とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板は、第１導電型であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体基板は、第２導電型であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１のトレンチの前記ベース領域の表面からの深さは、前記第２のトレンチの前記ソース領域の表面もしくは前記ソース領域に隣接する前記ベース領域部分の表面からの深さより深いことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体基板は、第１導電型であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体基板は、第２導電型であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体基板と前記第１導電型半導体層との間には、この第１導電型半導体層の不純物濃度より高濃度の第１導電型半導体層からなるバッファ層が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
半導体基板の一方の表面上に第１導電型半導体層を形成する工程と、
前記第１導電型半導体層の第１導電型ドレイン領域の表面領域に第２導電型ベース領域を形成する工程と、
前記ベース領域の表面領域に第１導電型ソース領域を形成する工程と、
前記ベース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドレイン領域内に達するトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの前記ドレイン領域内部に形成された部分の側壁周辺に、前記ベース領域の不純物濃度より低濃度の第２導電型不純物拡散領域を形成する工程と、
前記トレンチ内に導電層又は絶縁層もしくは導電層及び絶縁層を埋め込む工程と、
前記ドレイン領域、前記ベース領域、及び前記ソース領域の表面の一部を被覆するようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを具備していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２導電型不純物拡散領域は第２導電型不純物のイオンを注入することによって形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体基板の一方の表面上に第１導電型半導体層を形成する工程と、
前記第１導電型半導体層の第１導電型ドレイン領域の表面領域に第２導電型ベース領域を形成する工程と、
前記ベース領域の表面領域に前記第１導電型ソース領域を形成する工程と、
前記ベース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドレイン領域内に達する第１のトレンチを形成する工程と、
前記第１のトレンチの前記ドレイン領域内部に形成された部分の側壁周辺に、前記ベース領域の不純物濃度より低濃度の第２導電型不純物拡散領域を形成する工程と、
前記第１のトレンチに導電層又は絶縁層もしくは導電層及び絶縁層を埋め込む工程と、
前記ソース領域の表面もしくはこのソース領域に隣接するベース領域部分の表面から前記ドレイン領域内に達する第２のトレンチを形成する工程と、
前記第２のトレンチの側壁及び底面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を被覆するように前記第２のトレンチにゲート電極を形成する工程とを具備していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１のトレンチの前記ベース領域の表面からの深さは、前記第２のトレンチの前記ソース領域の表面もしくは前記ソース領域に隣接する前記ベース領域部分の表面からの深さより深いことを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２導電型不純物拡散領域は第２導電型不純物のイオンを注入することによって形成されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ベース領域の一部に縦方向にベース領域の他の部分より不純物濃度の低い不純物拡散領域を形成することを特徴としている。この不純物拡散領域を形成することによりベース領域側に空乏層を伸ばして耐圧を向上させることができる。本発明では、ベース領域の一部にトレンチを形成し、その側壁及び底部にベース領域と同じ導電型の不純物をベース領域の不純物濃度より低濃度にイオン注入し、拡散して前記不純物拡散領域が形成される。
すなわち、本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の一方の表面上に形成された第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層に形成された第１導電型ドレイン領域と、前記ドレイン領域に形成された第２導電型ベース領域と、前記ベース領域に形成された第１導電型ソース領域と、少なくとも導電層及び絶縁層の一方が埋め込まれ、前記ベース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドレイン領域内に達するトレンチと、前記ドレイン領域内部に形成された前記トレンチ部分の側壁周辺に形成され、前記ベース領域の不純物濃度より低濃度の第２導電型不純物拡散領域と、前記ドレイン領域、前記ベース領域、及び前記ソース領域の表面の一部を被覆するように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備していることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の一方の表面上に形成された第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層に形成された第１導電型ドレイン領域と、前記ドレイン領域の表面領域に形成された第２導電型ベース領域と、前記ベース領域の表面領域に形成された第１導電型ソース領域と、少なくとも導電層及び絶縁層の一方が埋め込まれ、前記ベース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドレイン領域内に達する第１のトレンチと、前記第１のトレンチの前記ドレイン領域内部に形成された前記第１のトレンチ部分の側壁周辺に形成され、前記ベース領域の不純物濃度より低濃度の第２導電型不純物拡散領域と、前記ソース領域の表面もしくは前記ソース領域に隣接するベース領域部分の表面から前記ドレイン領域内に達する第２のトレンチと、前記第２のトレンチの側壁及び底面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を被覆するように前記第２のトレンチに埋め込まれたゲート電極とを具備していることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一方の表面上に第１導電型半導体層を形成する工程と、前記第１導電型半導体層の第１導電型ドレイン領域の表面領域に第２導電型ベース領域を形成する工程と、前記ベース領域の表面領域に第１導電型ソース領域を形成する工程と、前記ベース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドレイン領域内に達するトレンチを形成する工程と、前記トレンチの前記ドレイン領域内部に形成された部分の側壁周辺に、前記ベース領域の不純物濃度より低濃度の第２導電型不純物拡散領域を形成する工程と、前記トレンチ内に導電層又は絶縁層もしくは導電層及び絶縁層を埋め込む工程と、前記ドレイン領域、前記ベース領域、及び前記ソース領域の表面の一部を被覆するようにゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを具備していることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
半導体基板の一方の表面上に第１導電型半導体層を形成する工程と、前記第１導電型半導体層の第１導電型ドレイン領域の表面領域に第２導電型ベース領域を形成する工程と、前記ベース領域の表面領域に前記第１導電型ソース領域を形成する工程と、前記ベース領域の表面から前記ベース領域を貫通して前記ドレイン領域内に達する第１のトレンチを形成する工程と、前記第１のトレンチの前記ドレイン領域内部に形成された部分の側壁周辺に、前記ベース領域の不純物濃度より低濃度の第２導電型不純物拡散領域を形成する工程と、前記第１のトレンチに導電層又は絶縁層もしくは導電層及び絶縁層を埋め込む工程と、前記ソース領域の表面もしくはこのソース領域に隣接するベース領域部分の表面から前記ドレイン領域内に達する第２のトレンチを形成する工程と、前記第２のトレンチの側壁及び底面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を被覆するように前記第２のトレンチにゲート電極を形成する工程とを具備していることを特徴としている。