(57)【要約】  画素電極の端部や角部における垂直配向型液晶層の配向規制が良好な液晶表示装置を提供すること。  画素電極１７と対向電極３３を対向させて垂直配向型液晶層４０を挟持してなる液晶表示装置であって、画素電極１７には配向規制手段としてスリット形状の開口部１８が、対向電極３３には配向規制手段として線状突起３４ａ〜３４ｃがそれぞれ設けられると共に、線状突起３４ｃは、電極間に電圧が印加されたときに画素電極１７の角部１７ｅ辺縁に生成される斜め電界５９によって液晶層４０が配向規制される位置よりも内側位置で液晶層４０を配向規制するように配置されている。
2008035471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と対向電極を対向させて垂直配向型液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、前記画素電極には第１配向規制手段が、前記対向電極には第２配向規制手段がそれぞれ設けられると共に、前記第２配向規制手段は、前記画素電極の端部辺縁又は角部辺縁よりも内側位置で前記液晶層を配向規制するように配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２配向規制手段は前記画素電極の端部又は角部に一部重なるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２配向規制手段と前記画素電極の端部又は角部との重なり幅が４μｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２配向規制手段は前記画素電極の端部辺縁又は角部辺縁に沿うように設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１配向規制手段は前記画素電極に形成されたスリット状の開口部であり、前記第２配向規制手段は前記対向電極上に形成された線状の突起部であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示品位に優れた垂直配向モードの液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータやテレビなどの家電製品の表示部として、液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置には、２枚のガラス基板のシール材で区画された領域内に液晶が封入された液晶パネルが使われている。【０００３】
このような液晶表示装置としては、負の誘電率異方性を有する液晶層を、一対の相互に対向するガラス基板間に配置して液晶分子を垂直に配向させるとともに、液晶層に電圧を印加した時に、液晶分子のガラス基板に対する傾斜方向を複数の方向に規制する垂直配向モードの液晶表示装置が実用化されている。【０００４】
この垂直配向モードの液晶表示装置では、非駆動状態である電圧を印加しない状態において、液晶分子が一対の相互に対向するガラス基板面に対して垂直に配向するため、光は、その偏光面をほとんど変化することなく液晶層内を通過する。このため、垂直配向モードの液晶表示装置では、ガラス基板の上下に偏光板をクロスニコルに配置することにより、電圧を印加しない状態においてほぼ完全な黒色表示が可能になり、高コントラストな画像が得られる。【０００５】
このような垂直配向モードの液晶表示装置においても、従来のＴＮモードの液晶表示装置と同様の視野角依存性の問題があるが、これを解決する方法が提案されている。表示における視野角特性を良くするためには、垂直方向に配向される液晶分子を、１画素内において、垂直方向に対してそれぞれ異なる方向に傾斜する複数の領域を作ることが有効であることから、このような領域を作るために、配向膜に突起部を設けたり、電極に開口部を設けたりすることが行われている。【０００６】
図６に示すように、電極５１，５２間に印加電圧がかかると負の誘電率異方性を有する垂直配向型の液晶分子５３は、電界方向５４に対して垂直の状態を取ろうとする。この場合、液晶分子の方位角方向を規制するものがなければ、図示されるように方位角方向はランダムになる。一方、図７に示すような突起部５５や開口部５７があれば方位角方向が決定される。この場合、電圧印加時には突起部５５及び開口部５７近傍の液晶分子５３が他の領域に先行して倒れ始め、その後、他の領域に伝播するようにして配向の方位角方向が規制されていく。尚、符号５８は電圧印加時の等電位線を示しており、符号５９は斜め電界（フリンジフィールド）を示している。【０００７】
次にこのような配向規制手段の具体的な適用例について説明する。図８に示されるアレイ基板には、互いに直交するゲートバスライン１１とソースバスライン１２が格子状に配列され、ゲートバスライン１１とソースバスライン１２とで区画される各画素領域に画素電極５１が配置される。この場合、画素電極５１には、斜め方向に延びるスリット形状の開口部５７が開口形成されている。この開口部５７は、上述したように電圧印加時に斜め電界（フリンジフィールド）を発生させて液晶分子を配向規制し視野角特性を向上させるためのものである。図示されるように所定の角度に傾斜した開口部５７が一つの画素電極５１内で上下対称形となるように配置されている。【０００８】
図８において示されない対向電極５２の下には、線状突起部５５ａ〜５５ｃが形成されている。図示されるように所定の角度に傾斜した線状突起部５５ａ〜５５ｃが、一つの画素電極５１内で上下対称形を有すると共に、隣り合う開口部５７間のほぼ中央位置になるように配置されている。この突起部５５ａ〜５５ｃは、上述したように液晶分子を垂直方向に対して所定の傾斜方向となるように配向させて視野角特性を向上させるためのものである。【０００９】
一般的に、このような開口部５７と線状突起５５ａ〜５５ｃとの間に規定される液晶領域の幅は、用いられる垂直配向型液晶層、最低階調時の印加電圧や最高階調時の印加電圧などから、最適な幅に設定される。尚、本発明に関連する先行技術文献としては特開２００２−２２９０３８号公報が挙げられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図示される略長方形の画素電極５１は、その４つの角部５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｅのうちＴＦＴ１３が位置しない左上、右上、右下の角部５１ｂ，５１ｄ，５１ｅは面取りされた形状になっている。これは、ＴＦＴ１３が位置する左下の角部５１ｃの切欠面積と整合させて、画素電極５１と各バスライン１１，１２との寄生容量を合わせるためなどの観点から設けられているのであるが、開口部５７と線状突起５５ａ〜５５ｃとの間に規定される液晶領域の幅を最適な幅に設定した結果、右上の線状突起５５ｃと右下の線状突起５５ｃが、それぞれの角部５１ｄ，５１ｅの外側に配置されてしまう場合がある。【００１１】
図９は、図８のＣ−Ｃ断面を示している。この場合、画素電極の角部５１ｅ辺縁における等電位線５８の落ち込み位置、つまり角部５１ｅ辺縁に生成される斜め電界５９によって液晶分子５３が配向規制される位置が、線状突起５５ｃによる液晶分子５３の配向規制の位置よりも内側となっているため、この領域における液晶分子５３の方位角方向が定まらず、配向不良が発生していた。このような配向不良は液晶表示画面において輝度ムラとなって見えてしまい、表示品位を落とす原因となっていた。【００１２】
そこで、本発明が解決する課題は、画素電極の端部又は角部における垂直配向型液晶層の配向規制が良好な液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明に係る液晶表示装置は、画素電極と対向電極を対向させて垂直配向型液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、前記画素電極には第１配向規制手段が、前記対向電極には第２配向規制手段がそれぞれ設けられると共に、前記第２配向規制手段は、前記画素電極の端部辺縁又は角部辺縁よりも内側位置で前記液晶層を配向規制するように配置されていることを要旨とするものである。【００１４】
この場合、前記第２配向規制手段は前記画素電極の端部又は角部に一部重なるように配置されている構成にすると良い。また、前記第２配向規制手段と前記画素電極の端部又は角部との重なり幅が４μｍ以上である構成にすると良い。更に、前記第２配向規制手段は前記画素電極の端部辺縁又は角部辺縁に沿うように設けられている構成にすると良い。【００１５】
そして、前記第１配向規制手段は前記画素電極に形成されたスリット状の開口部であり、前記第２配向規制手段は前記対向電極上に形成された線状の突起部である構成にすると良い。
【発明の効果】
【００１６】
上記構成を有する液晶表示装置によれば、画素電極の端部辺縁又は角部辺縁よりも内側位置で液晶層を配向規制するように対向電極に配向規制手段が設けられているので、画素電極の端部又は角部における液晶層の配向規制が良好になる。【００１７】
この場合、前記第２配向規制手段は前記画素電極の端部又は角部に一部重なるように配置されている構成にすれば、対向電極に設けられた第２配向規制手段の全部を画素電極の端部内又は角部内に配置する場合よりも開口率が向上する。また、前記第２配向規制手段と前記画素電極の端部又は角部との重なり幅が４μｍ以上である構成にすれば、配向不良の発生が防止される。更に、前記第２配向規制手段は前記画素電極の端部辺縁又は角部辺縁に沿うように設けられている構成にすれば、画素電極の端部内又は角部内において配向規制される液晶領域を広くすることができる。【００１８】
そして、前記第１配向規制手段は前記画素電極に形成されたスリット状の開口部であり、前記第２配向規制手段は前記対向電極上に形成された線状の突起部である構成によれば、垂直配向型液晶層の配向規制手段として液晶表示装置に広く用いられている組み合わせである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態である液晶表示装置の１画素の概略を拡大して示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図４】図１における画素電極と線上突起部との重なり幅Ｗと液晶層の配向規制の関係を示した表である。
【図５】本発明の他の実施形態である液晶表示装置の１画素の概略を拡大して示す平面図である。
【図６】配向規制手段が設けられていない場合における電圧印加時の液晶分子の配向状態を模式的に示した図である。
【図７】配向規制手段としての線状突起部と開口部が設けられている場合における電圧印加時の液晶分子の配向状態を模式的に示した図である。
【図８】従来用いられてきた液晶表示装置の１画素の概略を拡大して示す平面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ線における断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態である液晶表示装置の１画素の概略を拡大して示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線における断面図である。【００２１】
この液晶表示装置１には、図２に示すように、一対の相互に対向するガラス基板（アレイ基板）１０とガラス基板（カラーフィルター基板）３０の間に、液晶層４０が設けられており、下側のガラス基板１０上には、画素電極１７がマトリクス状に形成されている。【００２２】
先ず、ガラス基板（アレイ基板）１０について説明する。図１に示すように、画素電極１７の周囲には、アルミニウム等からなるゲートバスライン１１とソースバスライン１２とが相互に直交するように形成されている。ゲートバスライン１１とソースバスライン１２とは、その交差部において、ソースバスライン１２が上側、ゲートバスライン１１が下側となるように交差しており、交差部においてゲートバスライン１１とソースバスライン１２は電気的に絶縁されている。【００２３】
画素電極１７を取り囲む横方向に延びる一対のゲートバスライン１１の下側と、縦方向に延びる一対のソースバスライン１２の左側との交差部には、ゲートバスライン１１の一部であるゲート電極１１ａに接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１３が形成されている。【００２４】
このゲートバスライン１１及びゲート電極１１ａは、同じ配線層（第１配線層）に形成されている。つまり、ゲートバスライン１１及びゲート電極１１ａは同一の導電膜をパターニングすることにより形成されたものである。そして、これらゲートバスライン１１及びゲート電極１１ａは、窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜１４に覆われている（図２参照）。【００２５】
ＴＦＴ１３位置のゲート絶縁膜１４の上には、アモルファスシリコン等からなる図示しない半導体層が、ゲート電極１１ａに重畳するように形成されている。そのゲート絶縁膜１４の上には、ＴＦＴ１３のソース電極１３ａ及びドレイン電極１３ｂが形成されている。ソース電極１３ａ及びドレイン電極１３ｂは、ゲート電極１１ａ上の半導体層の両側に相互に離隔して形成されている。ソース電極１３ａはソースバスライン１２に接続され、ドレイン電極１３ｂはコンタクトホール部１７ａを介して画素電極１７に接続されている。これらソースバスライン１２、ソース電極１３ａ及びドレイン電極１３ｂは、図２には示されないが、ゲート絶縁膜１４上の同じ配線層（第２の配線層）に形成されている。【００２６】
ＴＦＴ１３は、ゲートバスライン１１のゲート電極１１ａより供給される走査信号電圧によってオン／オフ制御される。また、ソースバスライン１２を介してソース電極１３ａより供給される表示信号電圧は、ドレイン電極１３ｂ及び画素電極１７のコンタクトホール部１７ａを介して画素電極１７に供給される。【００２７】
そして、ソースバスライン１２及びＴＦＴ１３は、ゲート絶縁膜１４の上に形成された層間絶縁膜１９に覆われている。この層間絶縁膜１９は感光性アクリル樹脂（感光性有機膜）材料からなり、ＴＦＴ１３や前述した第１及び第２配線層（ゲートバスライン１１，ソースバスライン１２等）と画素電極１７との間に配置されて、両導電体間を絶縁するものである（図２参照）。【００２８】
層間絶縁膜１９の上には、画素領域毎に、画素電極１７が形成されている。この画素電極１７は例えばＩＴＯ（indium-tin oxide：インジウム酸化スズ）材料等の透明導電体により形成される。【００２９】
図１に示す略長方形の画素電極１７は、その４つの角部１７ｂ〜１７ｅのうちＴＦＴ１３が位置しない左上、右上、右下の角部１７ｂ，１７ｄ，１７ｅは面取りされた形状になっている。また、画素電極１７には、斜め方向に延びるスリット形状の開口部１８が複数開口形成されている。この開口部１８は電圧印加時に斜め電界（フリンジフィールド）を発生させて液晶分子を配向規制し視野角特性を向上させるためのものである。この実施の形態では、図示されるように所定の角度に傾斜した複数の開口部１８が一つの画素電極１７内で上下対称形となるように配置されている。そして、図２に示すように画素電極１７の上側には下側配向膜２１が形成されている。下側配向膜２１には、例えばポリイミド樹脂が用いられている。【００３０】
このような構成のガラス基板（アレイ基板）１０の製造方法について説明する。まず、ガラス基板１０表面に、タングステン、チタン、アルミニウム、クロムなどからなる単層または多層の導体膜を形成する。この導体膜の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。そして、形成した導体膜を、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンのゲートバスライン１１、ゲート電極１１ａを得る。【００３１】
次に、ゲート絶縁膜１４を形成する。このゲート絶縁膜１４は、たとえば窒化シリコンなどからなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成する。そして、このゲート絶縁膜１４上に、ＴＦＴ１３の図示しない半導体層やソースバスライン１２、ソース電極１３ａ、ドレイン電極１３ｂを形成する。【００３２】
ＴＦＴ１３の半導体層は、たとえばｎ＋型のアモルファスシリコンなどからなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成する。そして、ソースバスライン１２、ソース電極１３ａ、ドレイン電極１３ｂは、先のゲートバスラインと同様の方法で形成する。【００３３】
次に、感光性アクリル樹脂（感光性有機膜）材料からなる層間絶縁膜１９を形成する。そして、形成した層間絶縁膜１９に、コンタクトホールを形成する。このコンタクトホールは、フォトリソグラフィ法などを用いて形成する。そして、この層間絶縁膜１９の表面に、ＩＴＯ材料からなる透明導電膜をスパッタリング法などを用いて形成する。その後、形成したＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィ法などを用いて、所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンの画素電極１７とコンタクトホール部１７ａを得る。【００３４】
次に、画素電極１７を形成した後に、下側配向膜２１を形成する。円圧式印刷装置やインクジェット式印刷装置を用い、ポリイミドなどからなる液状の配向材を塗布する。その後、配向膜焼成装置などを用いて基板を加熱し、塗布した配向材を焼成する。これにより画素電極１７の上に、固体の下側配向膜２１を得る。以上の工程を経て、ガラス基板（アレイ基板）１０を得る。【００３５】
次に、ガラス基板（カラーフィルター基板）３０について説明する。図２に示すように、ガラス基板３０の下にはブラックマトリクス３１が形成されている。このブラックマトリクス３１により、ガラス基板１０のゲートバスライン１１、ソースバスライン１２及びＴＦＴ１３が形成された領域が遮光されるようになっている。また、ガラス基板３０の下には、画素毎に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のうちのいずれか１色の着色層３２が形成されている。この実施の形態では、水平方向に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の着色層３２が順番に繰り返し並び、垂直方向には同色の着色層３２が並んでいる。【００３６】
この着色層３２の下には、各画素共通の対向電極３３が形成されている。この対向電極３３も、ＩＴＯ材料等の透明導電体により形成されている。対向電極３３の下には、線状突起部３４ａ，３４ｂ，３４ｃが形成されている。図１に示すように、所定の角度に傾斜した線状突起部３４ａ〜３４ｃが一つの画素電極１７内で上下対称形となるように配置されている。この突起部３４ａ〜３４ｃは、液晶分子を垂直方向に対して所定の傾斜方向となるように配向させて視野角特性を向上させるためのものである。そして、図２に示すように対向電極３３の下には線状突起部３４ａ〜３４ｂを覆うように上側配向膜３６が形成されている。この上側配向膜３６には、例えばポリイミド樹脂が用いられている。【００３７】
このような構成のガラス基板（カラーフィルター基板）３０の製造方法について説明する。まず、ガラス基板３０の表面にＢＭレジスト（黒色着色剤を含有する感光性樹脂組成物）などを塗布する。次いで、塗布したＢＭレジストを、フォトリソグラフィ法などを用いて、所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンのブラックマトリクス３１を得る。【００３８】
次に、赤色、緑色、青色の各色の着色感材（感光性樹脂に所定の色の顔料を分散させた溶液）からなる着色インクを塗布し、フォトリソグラフィ法などを用いて、所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンの着色層３２を得る。そして、着色層３２の表面に、ＩＴＯ材料からなる透明導電膜をスパッタリング法などを用いて形成し、対向電極３３を得る。【００３９】
次に、対向電極３３の表面に、レジスト（感光性樹脂組成物）などを塗布する。塗布したレジストを、フォトリソグラフィ法などを用いて、所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンの線状突起部３４ａ〜３４ｃを得る。【００４０】
そして、線状突起部３４ａ〜３４ｃを形成した後に、上側配向膜３６を形成する。円圧式印刷装置やインクジェット式印刷装置を用い、ポリイミドなどからなる液状の配向材を塗布する。その後、配向膜焼成装置などを用いて基板を加熱し、塗布した配向材を焼成する。これにより対向電極３３の上に、固体の上側配向膜３６を得る。以上の工程を経て、ガラス基板（カラーフィルタ基板）３０を得る。【００４１】
このような構成のガラス基板（アレイ基板）１０とガラス基板（カラーフィルター基板）３０との間には、負の誘電率異方性を有する垂直配向型の液晶層４０が形成されている。また、ガラス基板１０の下側及びガラス基板３０の上側にはそれぞれ偏光板（図示せず）が配置されている。尚、これら一対の偏光板の透過軸は互いに略直交（クロスニコル）し、一方の偏光板の透過軸は表示面の水平方向に配置されており、上述したスリット形状の開口部１８および線状突起部３４ａ〜３４ｃの延設方向と略４５°を成すようになっている。【００４２】
ガラス基板（アレイ基板）１０とガラス基板（カラーフィルター基板）３０の貼り合わせの際には、いずれか一方の基板に、シールパターニング装置などを用いて、熱硬化型や紫外線硬化型のシール材とコモン転移材を塗布する。そして、液晶滴下装置などを用いて、基板の表示領域に液晶を滴下する。その後、減圧雰囲気下で基板同士を貼り合わせ、シール材を硬化させることで、液晶表示装置１を得る。【００４３】
次に図３について説明する。図３は図１のＢ−Ｂ線における断面図を示している。図示されるように電極３３，１７間に電圧が印加されたときに画素電極１７の角部１７ｅ辺縁に生成される斜め電界５９によって液晶分子５３が配向規制される位置よりも内側位置で液晶分子５３を配向規制するように対向電極３３に線状突起部３４ｃが設けられているので、図９の場合と比べて、画素電極１７の角部１７ｅにおける液晶層４０の配向規制が良好になっている。これは、角部１７ｅ内に設けられた開口部１８によって配向規制される液晶分子５３の方位角方向と、角部１７ｅ辺縁部に設けられた線状突起３４ｃによって配向規制される液晶分子５３の方位角方向が、角部１７ｅ辺縁部から発生する斜め電界５９の影響を受けずに一致するからである。【００４４】
この場合、図１に示されるように線状突起部３４ｃを角部１７ｅに一部重なるように配置すれば、線状突起３４ｃの全部を角部１７ｅ内に配置する場合よりも開口率が向上する。図４は、図１における角部１７ｅと線状突起部３４ｃの重なり幅Ｗ（μｍ）と表示画面からの配向観察結果との関係を示した表である。この表に示されるように、重なり幅Ｗが０（μｍ）のときは、上述したように配向不良が発生して×と評価されている。重なり幅Ｗが２（μｍ）のときは、若干の配向不良が発生しており、△と評価されている。そして、重なり幅Ｗが４（μｍ），６（μｍ），８（μｍ）のときには、配向不良が発生せず、透過率ロスがない良配向○と評価されており、重なり幅を４（μｍ）以上確保することで、液晶層４０の配向規制が良好になることがわかる。【００４５】
図５は図１の変形例を示している。図示されるように、画素電極１７の角部１７ｄ，１７ｅ内において配向規制される液晶領域を広くする場合や、配向規制力を向上させる場合は、線状突起３４ｃの端部からそれぞれ水平方向と垂直方向に延設された補助部３５を設けると良い。このように線状突起部３４ｃや補助部３５を角部１７ｄ，１７ｅ辺縁に沿うように設けることで、配向規制を良好にすることができる。【００４６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施できることは勿論である。例えば、上記実施の形態では、配向規制手段として、画素電極にスリット形状の開口部、対向電極に線状突起部を用いた構成について説明したが、逆の構成でも良く、更には両電極にスリット形状の開口部又は両電極に線状突起部を設けた構成にも、本発明を適用できる。
【図１】
2008035471.tif 000003
【図２】
2008035471.tif 000004
【図３】
2008035471.tif 000005
【図４】
2008035471.tif 000006
【図５】
2008035471.tif 000007
【図６】
2008035471.tif 000008
【図７】
2008035471.tif 000009
【図８】
2008035471.tif 000010
【図９】
2008035471.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と対向電極を対向させて垂直配向型液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、前記画素電極には第１配向規制手段が、前記対向電極には第２配向規制手段がそれぞれ設けられると共に、前記第２配向規制手段は、前記画素電極の端部辺縁又は角部辺縁よりも内側位置で前記液晶層を配向規制するように配置されていると共に、前記第２配向規制手段の一部が前記画素電極の端部又は角部に重なり幅４μｍ以上で重なっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２配向規制手段は前記画素電極の端部辺縁又は角部辺縁に沿うように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１配向規制手段は前記画素電極に形成されたスリット状の開口部であり、前記第２配向規制手段は前記対向電極上に形成された線状の突起部であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【国際調査報告】
2008035471.tif 000012
2008035471.tif 000013
2008035471.tif 000014
2008035471.tif 000015
2008035471.tif 000016
2008035471.tif 000017