【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記被剥離層に第２の基板を第１の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第１の基板と前記第２の基板とで挟み、
前記被剥離層と前記第１の基板とを分離し、
前記被剥離層に第３の基板を第２の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第２の基板と前記第３の基板とで挟み、
前記被剥離層と前記第２の基板とを分離し、前記第２の接着材と前記第３の基板とを分離して、前記第２の接着材を前記被剥離層の支持体とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の接着材を溶媒で溶かして除去し、前記被剥離層と前記第２の基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第２の接着材は、前記第３の基板との密着性よりも前記被剥離層との密着性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、前記第１の接着材は光硬化性を有する接着材であり、光を照射して前記被剥離層と前記第２の基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項４において、前記第２の接着材は光硬化性を有する接着材であり、光を照射して前記第２の接着材と前記第３の基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の基板と前記第２の基板は、ガラス基板、石英基板、または金属基板であり、前記第３の基板は、プラスチック基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第３の基板は、表面にＡｌＮXＯY膜が形成されたプラスチックフィルムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第２の接着材及び前記被剥離層の膜厚は０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１の基板上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記被剥離層に第２の基板を第１の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第１の基板と前記第２の基板とで挟み、
前記被剥離層と前記第１の基板とを分離し、
前記被剥離層に第３の基板を第２の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第２の基板と前記第３の基板とで挟み、
前記被剥離層と前記第３の基板とを分離し、前記被剥離層と前記第２の基板とを分離して、前記第１の接着材及び前記第２の接着材を前記被剥離層の支持体とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記第１の接着材は、前記第２の基板との密着性よりも前記被剥離層との密着性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、前記第２の接着材は光硬化性を有する接着材であり、光を照射して前記第２の接着材と前記第３の基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一において、前記第１の接着材は光硬化性を有する接着材であり、光を照射して前記第１の接着材と前記第２の基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一において、前記第１の基板は、ガラス基板、または石英基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一において、前記第２の基板は、表面にＡｌＮXＯY膜が形成されたプラスチックフィルムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一において、前記第３の基板は、表面にＡｌＮXＯY膜が形成されたプラスチックフィルムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
第１の基板上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記被剥離層に第２の基板を第１の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第１の基板と前記第２の基板とで挟み、
前記被剥離層と前記第１の基板とを分離し、
前記被剥離層に第３の基板を第２の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第２の基板と前記第３の基板とで挟み、
前記被剥離層と前記第２の基板とを分離して、前記第２の接着材及び前記第３の基板を前記被剥離層の支持体とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記第１の基板及び前記第２の基板は、前記第３の基板よりも剛性が高い材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、前記第１の接着材は溶媒で溶かして除去し、前記被剥離層と前記第２の基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６または請求項１７において、前記第１の接着材は光硬化性を有する接着材であり、光を照射して前記被剥離層と前記第２の基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
第１の基板上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記被剥離層に第２の基板を第１の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第１の基板と前記第２の基板とで挟み、
前記被剥離層と前記第１の基板とを分離し、
前記被剥離層に保護膜が形成された第３の基板を第２の接着材で接着させ、前記被剥離層を前記第２の基板と前記第３の基板とで挟み、
前記被剥離層と前記第２の基板とを分離し、前記第２の接着材と前記第３の基板とを分離して、前記第２の接着材および保護膜を前記被剥離層の支持体とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項２０において、前記保護膜は窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、図１では、プロセスの簡略化を図るため、第１の基板１０に接して第１の材料層１１を形成した例を示したが、第１の基板１０と第１の材料層１１との間にバッファ層となる絶縁層や金属層を設け、第１の基板１０との密着性を向上させてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
以上の工程で図３（Ｇ）に示すように、第２の接着材３６及び第３の基板３７を支持体とする被剥離層３３を備えた半導体装置を作製することができる。なお、第２の接着材３６と被剥離層３３との間には第２の材料層３２である酸化物層がある。こうして得られる半導体装置は、第２の材料層３２がスパッタ法で成膜され、第２の材料層３２中に微量の希ガス元素を含ませているため、半導体装置全体としてフレキシブルなものとすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
次いで、上記レジストからなるマスクを用い、選択的に第２のドーピング処理と同程度のドーズ量でドーピングを行って、ゲート電極３０５の一部と重なる第２の不純物領域３１１を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
次に、断面構造について図６（Ｂ）を用いて説明する。接着材５００上に接して下地絶縁膜５０１が設けられ、下地絶縁膜５０１の上方には画素部５０２、ゲート側駆動回路５０３が形成されており、画素部５０２は電流制御用ＴＦＴ５１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極５１２を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路５０３はｎチャネル型ＴＦＴ５１３とｐチャネル型ＴＦＴ５１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。