【手続補正書】
【提出日】平成16年8月24日(2004.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  化学的選択性吸収剤膜を形成する方法であって、
基体上に、少なくとも２個のシリコンヒドライド基を含む第１の前駆体分子と、少なくとも２個の炭素−炭素多重結合を含む第２の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む組成物を置く工程と
該組成物にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分なタイプ及び量の光に、該組成物の少なくとも一部を露光させる工程と、
を備え、こうして該組成物が化学的選択性吸収剤膜になる、化学的選択性吸収剤膜の形成方法。
【請求項２】  前記触媒は、白金（ＩＩ）ビス（β−ジケトネート）から成る群より選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記第２の前駆体分子は、モノマー、オリゴマー、ポリマー及び架橋剤から成る群より選択される請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記第２の前駆体分子は、ポリマー鎖にビニル基ペンダントを有するポリマーである請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記ポリマーは、ポリマー鎖にビニル基ペンダントを有するポリシロキサンである請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記ポリマーは、ＯＶ２２５、ＯＶ１７、ＯＶ２７５及びビニル置換基を有するポリジメチルシロキサンの群から選択されるポリシロキサンである請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記第２の前駆体分子は、各末端に炭素−炭素多重結合を有するポリマーである請求項３に記載の方法。
【請求項８】  前記ポリマーは、各末端にビニル基を有するポリシロキサンである請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記ポリマーは、各末端にビニル基を有するポリジメチルシロキサンである請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  前記第２の前駆体分子は、各末端に炭素−炭素多重結合を有するポリ（カルボシロキサン）である請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記カルボシロキサンポリマーは、各末端に炭素−炭素多重結合を有するように調製されたＢＳＰ３、ＵＲ３、ＣＳＰＨ及びＣＳＭＥの群より選択される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  前記第２の前駆体分子は、モノマーである請求項３に記載の方法。
【請求項１３】  前記第２の前駆体分子は、２個のビニルシロキシ基を有する分子、２個のビニルシラン基を有する分子、２個のビニルジメチルシロキシ基を有する分子、２個のビニルメチルフェニルシロキシ基を有する分子を含む群より選択される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記第２の前駆体分子は、２個のアリル基を有する有機分子である請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  前記第２の前駆体分子は、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンである請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  前記第２の前駆体分子は、２個以上の炭素−炭素多重結合を有する架橋剤である請求項３に記載の方法。
【請求項１７】  前記架橋剤は、２個以上のビニルシロキシ基を有する分子、２個以上のビニルシラン基を有する分子、２個以上のビニルジメチルシロキシ基を有する分子、２個以上のビニルメチルフェニルシロキシ基を有する分子を含む群より選択される請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記第１の前駆体分子は、モノマー、オリゴマー、ポリマー、及び架橋剤からなる群より選択される請求項１に記載の方法。
【請求項１９】  前記第１の前駆体分子はポリマーである請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  前記第１の前駆体分子は、ポリマー鎖に沿ってシリコンヒドライド基を有するポリマーである請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記ポリマーは、ポリマー鎖に沿ってシリコンヒドライド基を有するポリシロキサンである請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】  前記ポリマーは、ポリ（ヒドロメチル）（ジメチル）シロキサンコポリマー及びポリ（ヒドロメチル）シロキサンの群より選択されるポリシロキサンである請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  前記第１の前駆体分子は、各末端にシリコンヒドライド基を有するポリマーである請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】  前記ポリマーは、各末端にシリコンヒドライド基を有するポリシロキサンである請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  前記ポリマーは、各末端にシリコンヒドライド基を有するポリジメチルシロキサンである請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】  前記ポリマーは、各末端にシリコンヒドライド基を有するポリ（カルボシロキサン）である請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】  前記ポリマーは、各末端にシリコンヒドライド基を有するように調製されたＢＳＰ３、ＵＲ３、ＣＳＰＨ、及びＣＳＭＥの群から選択される請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】  前記第１の前駆体分子は、オリゴマーである請求項１８に記載の方法。
【請求項２９】  前記第１の前駆体分子は、各末端にシリコンヒドライド基を有するオリゴマーである請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】  前記第１の前駆体分子は、２個のＳｉ−Ｈ結合を有するモノマーである請求項１８に記載の方法。
【請求項３１】  前記モノマーは、ジフェニルシランである請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】  前記第１の前駆体分子は、２個以上のＳｉ−Ｈ結合を有する架橋剤である請求項１８に記載の方法。
【請求項３３】  前記第１の前駆体分子は、１，３−ジフェニル−１，１，３，３−テトラキス（ジメチルシロキシ）ジシロキサン、フェニル−トリス（ジメチルシロキシ）シラン及びメチル−トリス（ジメチルシロキシ）シランの群より選択される請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】  前記ヒドロシリル化反応は、重合を引き起こす請求項１に記載の方法。
【請求項３５】  前記ヒドロシリル化反応は、架橋を引き起こす請求項１に記載の方法。
【請求項３６】  前記ヒドロシリル化反応は、重合及び架橋を引き起こす請求項１に記載の方法。
【請求項３７】  前記組成物は、有効量のヒドロメチルジメチルシロキサン（２５％ヒドロメチル基）、ビニル末端ポリジメチルシロキサン及び白金（ＩＩ）ビス（アセチルアセトネート）を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３８】  ある化学種に暴露された場合に、その化学種を選択的に吸着する請求項１に記載の方法により調製された吸収剤膜。
【請求項３９】  請求項１に記載の方法により調製された化学センサ。
【請求項４０】  化学的選択性吸収剤膜を形成する方法であって、
基体を準備する工程と、
該基体を洗浄する工程と、
該基体の表面をカップリング剤と反応させ、ヒドロシリル化反応に関係することができる表面反応基を付加する工程と、
少なくとも２個のシリコンヒドライド基を有する第１の前駆体分子と、少なくとも２個の炭素−炭素多重結合を有する第２の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む組成物を基板上に置く工程と、
該組成物にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分なタイプ及び量の光に、該組成物の少なくとも一部を露光させる工程と、
を含み、こうして該組成物が化学的選択性吸収剤膜になる、化学的選択性吸収剤膜の形成方法。
【請求項４１】  前記カップリング剤は、前記表面にシリコンヒドライド又は炭素−炭素多重結合を付加する基から選択される請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】  前記カップリング剤は、トリアルコキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリクロロシラン、トリアルコキシビニルシラン、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、トリクロロビニルシラン、アルコキシジメチルシラン、クロロジメチルシラン、アルコキシジメチルビニルシラン及びクロロジメチルビニルシランの群より選択される請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】  前記ヒドロシリル化反応は、重合及び前記表面に対するグラフト化を引き起こす請求項４０に記載の方法。
【請求項４４】  前記ヒドロシリル化反応は、重合、架橋及びグラフト化を引き起こす請求項４０に記載の方法。
【請求項４５】  ある化学種に暴露された場合に、その化学種を選択的に吸着する請求項４０に記載の方法により調製された吸収剤膜。
【請求項４６】  請求項４０に記載の方法により調製された化学センサ。
【請求項４７】  化学的選択性吸収剤膜を形成する方法であって、
基板上に、少なくとも２個のシリコンヒドライド基を含む第１の前駆体分子と、少なくとも２個の炭素−炭素多重結合を含む第２の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む組成物を置く工程と、
該組成物にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分なタイプ及び量の光の所定パターンに該組成物を露光させる工程と、
未露光領域を残す工程と、
露光領域にヒドロシリル化反応を引き起こさせる十分な時間を与える工程と、
溶剤を用いて、該基板から該未露光領域を除去し、該基板上に露光組成物を残す工程と、
を含み、こうして該組成物が化学的選択性吸収剤膜になる、化学的選択性吸収剤膜の形成方法。
【請求項４８】  前記触媒は、白金（ＩＩ）ビス（β−ジケトネート）からなる群より選択される請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】  前記第２の前駆体分子は、モノマー、オリゴマー、ポリマー及び架橋剤から成る群より選択される請求項４７に記載の方法。
【請求項５０】  ある化学種に暴露された場合に、その化学種を選択的に吸着する請求項４７に記載の方法により調製された吸収剤膜。
【請求項５１】  請求項５０に記載の方法により調製された化学センサ。
【請求項５２】  化学的選択性吸収剤膜を形成する方法であって、
基体を準備する工程と、
該基体を洗浄する工程と、
該基体の表面にカップリング剤を反応させて、ヒドロシリル化反応に関係することができる表面反応基を付加する工程と、
該基体上に、少なくとも２個のシリコンヒドライド基を含む第１の前駆体分子と、少なくとも２個の炭素−炭素多重結合を含む第２の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む組成物を置く工程と、
該組成物にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分なタイプ及び量の光の所定パターンに、該組成物を露光させる工程と、
未露光領域を残す工程と、
露光領域にヒドロシリル化反応を引き起こすに十分な時間を与える工程と、
溶剤を用いて、該基体から該未露光領域を除去し、該基体上に露光組成物を残す工程と、
を含み、こうして該組成物が化学的選択性吸収剤膜になる、化学的選択性吸収剤膜の形成方法。
【請求項５３】  前記カップリング剤は、前記表面にシリコンヒドライド又は炭素−炭素多重結合を付加する基から選択される請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】  前記カップリング剤は、トリアルコキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリクロロシラン、トリアルコキシビニルシラン、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、トリクロロビニルシラン、アルコキシジメチルシラン及びアルコキシジメチルビニルシランの群より選択される請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】  前記触媒は、白金（ＩＩ）ビス（β−ジケトネート）からなる群より選択される請求項５２に記載の方法。
【請求項５６】  前記第２の前駆体分子は、モノマー、オリゴマー、ポリマー及び架橋剤からなる銀より選択される請求項５２に記載の方法。
【請求項５７】  前記第２の前駆体分子は、２個のアリル基を有する有機分子である請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】  前記第２の前駆体分子は、２個以上の炭素−炭素多重結合を有する架橋剤である請求項５６に記載の方法。
【請求項５９】  前記架橋剤は、２個以上のビニルシロキシ基を有する分子、２個以上のビニルシラン基を有する分子、２個以上のビニルジメチルシロキシ基を有する分子、２個以上のビニルメチルフェニルシロキシ基を有する分子を含む群より選択される請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】  ある化学種に暴露された場合に、その化学種を選択的に吸着する請求項５２に記載の方法により調製された吸収剤膜。
【請求項６１】  請求項５２に記載の方法により調製された化学センサ。
【請求項６２】  単一基体上に化学的選択性吸収剤膜の個別領域（domain）数個を形成する方法であって、
基体を準備する工程と、
該基体を洗浄する工程と、
該基体の表面にカップリング剤を反応させて、ヒドロシリル化反応に関係することができる表面反応基を付加する工程と、
該基体上に、少なくとも２個のシリコンヒドライド基を含む第１の前駆体分子と、少なくとも２個の炭素−炭素多重結合を含む第２の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む第１の組成物を置く工程と、
該組成物にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分な量で、あるタイプの光の所定パターンに、該組成物を露光させる工程と、
未露光領域を残す工程と、
露光領域にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分な時間を与える工程と、
溶剤を用いて未露光組成物を該基体から除去し、該基体上に露光組成物を残す工程と、
該基体上に、少なくとも２個のシリコンヒドライド基を含む第１の前駆体分子と、少なくとも２個の炭素−炭素多重結合を含む第２の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む第２の組成物を置く工程と、
該第１の組成物とは異なる該基板上の異なる位置にて、該第２の組成物中にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分なタイプ及び量の光の所定パターンに、該組成物を露光させる工程と、
未露光領域を残す工程と、
露光領域内にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分な時間を与える工程と、
溶剤を用いて、未露光組成物を基体から除去し、露光組成物を基体上に残す工程と、
追加の異なる位置にて、追加の新しい組成物でプロセスを繰り返す工程と、
を含み、こうして該基体が異なる化学的選択性吸収剤膜の個別領域（domain）を含む、単一基体上に化学的選択性吸収剤膜の個別領域（domain）数個を形成する方法。