【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタンをベースとする混合金属生成物を形成する方法であって、ハロゲン化チタン及び少なくとも１種の金属ハロゲン化物の混合物を還元剤と組み合わせて、チタンと、該少なくとも１種の金属ハロゲン化物の該少なくとも１種の金属に対応する少なくとも１種の金属とを含んでなる混合金属生成物を生成することを含み；その際、
該少なくとも１種の金属ハロゲン化物の該少なくとも１種の金属が、Al、B、Ba、Be、Ca、Ce、Co、Cs、Dy、Er、Fe、Gd、Hf、Ho、La、Mg、Mo、Nb、Nd、Ni、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、V、W、Y、Yb及びZrからなる群から選択され；
該混合金属生成物が少なくとも99.95%純粋であり；そして、
該混合金属生成物が、該少なくとも１種の金属を0.05%より多く含んでなる、方法。
【請求項２】
混合金属生成物が少なくとも１種の金属を0.1%より多く含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
混合金属生成物が少なくとも１種の金属を0.5%より多く含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１種の金属がただ１種の金属だけである、請求項１記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１種の金属が２種の金属である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１種の金属がZrを含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１種の金属がHfを含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項８】
混合金属生成物を形成する方法であって、該方法が、ベース金属及び少なくとも１種の他の金属の混合物を含んでなる混合金属生成物を電解析出させることを含み、該ベース金属がTi又はZrであり、該少なくとも１種の他の金属が、Al、B、Ba、Be、Ca、Ce、Co、Cs、Dy、Er、Fe、Gd、Hf、Ho、La、Mg、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、V、W、Y、Yb、Ti及びZrからなる群から選択され；その際、
該混合金属生成物が少なくとも99.95%純粋であり；そして、
該混合金属生成物が、該少なくとも１種の他の金属を0.05%より多く含んでなる、方法。
【請求項９】
混合金属生成物が少なくとも１種の他の金属を0.1%より多く含んでなる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
混合金属生成物が少なくとも１種の他の金属を0.5%より多く含んでなる、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１種の他の金属が１種の他の金属だけである、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１種の他の金属が２種の他の金属である、請求項８記載の方法。
【請求項１３】
ベース金属がTiであり、少なくとも１種の金属がZrを含んでなる、請求項８記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも１種の金属がHfを含んでなる、請求項８記載の方法。
【請求項１５】
ベース金属がZrであり、少なくとも１種の金属がTiを含んでなる、請求項８記載の方法。
【請求項１６】
混合金属生成物を形成する方法であって、
ベース金属及び少なくとも１種の他の金属の混合物を、ヨウ素ガス及び熱せられた基板を伴う反応装置中に提供し；該ベース金属がTiまたはArであり、該少なくとも１種の他の金属が、Al、B、Ba、Be、Ca、Ce、Co、Cs、Dy、Er、Fe、Gd、Hf、Ho、La、Mg、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、V、W、Y、Yb、Ti及びZrからなる群から選択され；
該ベース金属及び該少なくとも１種の他の金属を該ヨウ素ガスと反応させて、ベース金属のヨウ化物及び該少なくとも１種の他の金属のヨウ化物を形成し；
該ベース金属のヨウ化物及び該少なくとも１種の他の金属の該ヨウ化物を、該熱せられた基板へと移し、該基板からの熱を利用して該ヨウ化物を分解しベース金属及び該少なくとも１種の他の金属を含んでなる混合金属生成物を生成し；その際、
該混合金属生成物が少なくとも99.95%純粋であり；そして、
該混合金属生成物が、該少なくとも１種の他の金属を0.05%より多く含んでなる、方法。
【請求項１７】
混合金属生成物が少なくとも１種の他の金属を0.1%より多く含んでなる、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
混合金属生成物が少なくとも１種の他の金属を0.5%より多く含んでなる、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１種の他の金属が１種の他の金属だけである、請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも１種の他の金属が２種の他の金属である、請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
ベース金属がTiであり、少なくとも１種の金属がZrを含んでなる、請求項１６記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも１種の金属がHfを含んでなる、請求項１６記載の方法。
【請求項２３】
ベース金属がZrを含んでなり、少なくとも１種の金属がTiを含んでなる、請求項１６記載の方法。
【請求項２４】
ジルコニウムをベースとする混合金属生成物を形成する方法であって、
ハロゲン化ジルコニウム及び少なくとも１種の他の金属ハロゲン化物の混合物を還元剤と組み合わせて、ジルコニウムと、該少なくとも１種の他の金属ハロゲン化物の該少なくとも１種の金属に対応する少なくとも１種の他の金属とを含んでなる混合金属生成物を生成し；
その際、該混合金属生成物が少なくとも99.95%純粋であり；そして、
該混合金属生成物が、該少なくとも１種の金属を0.05%より多く含んでなる、方法。
【請求項２５】
混合金属生成物が少なくとも１種の他の金属を0.1%より多く含んでなる、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
混合金属生成物が少なくとも１種の他の金属を0.5%より多く含んでなる、請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１種の他の金属が１種の他の金属だけである、請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
少なくとも１種の他の金属が２種の他の金属である、請求項２４記載の方法。
【請求項２９】
少なくとも１種の金属がTiを含んでなる、請求項２４記載の方法。
【請求項３０】
少なくとも１種の金属がHfを含んでなる、請求項２４記載の方法。
【請求項３１】
混合金属インゴットを形成する方法であって：
ベース金属のハロゲン化物及び１種又はそれより多い他の金属のハロゲン化物を還元剤と組み合わせて、混合金属生成物を生成し；その際、該ベース金属はZr及びTiから選択され、該１種又はそれより多い他の金属のハロゲン化物は、該ベース金属とは異なる金属を含んでなり、Al、B、Ba、Be、Ca、Ce、Co、Cs、Dy、Er、Fe、Gd、Hf、Ho、La、Mg、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、V、W、Y、Yb、Ti及びZrのハロゲン化物からなる群から選択され、
該混合金属生成物を融解して、溶融混合金属生成物を形成し；そして、
該溶融混合金属生成物を冷却して、混合金属インゴットとすること（その際、該インゴットは、ベース金属及び１種又はそれより多い他の金属を含んでなり；該１種又はそれより多い他の金属は、該１種又はそれより多い他の金属ハロゲン化物の該１種又はそれより多い他の金属に対応し；該ベース金属は該インゴットの大部分の元素であり；該インゴットは少なくとも99.95%の純度の該ベース金属及び該１種又はそれより多い他の金属を有する）を含んでなる、方法。
【請求項３２】
ベース金属のハロゲン化物がベース金属の塩化物であり、他の金属ハロゲン化物が金属塩化物である、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
インゴットが少なくとも99.995%の純度のベース金属及び１種又はそれより多い他の金属を有する、請求項３１記載の方法。
【請求項３４】
インゴットが少なくとも99.9995%の純度のベース金属及び１種又はそれより多い他の金属を有する、請求項３１記載の方法。
【請求項３５】
ベース金属がチタンであり、１種又はそれより多い他の金属がジルコニウムを含んでなる、請求項３１記載の方法。
【請求項３６】
１種又はそれより多い他の金属がただ１種の他の金属であり、ジルコニウムからなる、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
更に、インゴットからスパッタリングターゲットを形成することを含んでなる、請求項３１記載の方法。
【請求項３８】
ベース金属がZrであり、１種又はそれより多い他の金属がチタンを含んでなる、請求項３１記載の方法。
【請求項３９】
１種又はそれより多い他の金属ががただ１種の他の金属であり、チタンからなる、請求項３８記載の方法。
【請求項４０】
還元剤が、ナトリウム金属及びマグネシウム金属からなる群から選択される、請求項３１記載の方法。
【請求項４１】
混合金属インゴットを形成する方法であって：
ベース金属及び少なくとも１種の他の金属の混合物を電解析出させ（該析出させた混合物は混合金属生成物である）；
該混合金属生成物を融解させて、溶融混合金属材料を形成し；そして、
該溶融混合金属材料を冷却して混合金属インゴットとすること（該インゴットは該ベース金属及び該少なくとも１種の他の金属を含んでなり；該ベース金属は該インゴットの大部分の元素であり；該インゴットは少なくとも99.95%の純度のベース金属及び該少なくとも１種の他の金属を有する）を含んでなる、方法。
【請求項４２】
析出させた少なくとも１種の他の金属が、ベース金属の二価陽イオンから元素状態への転化についての還元電位の±0.7ボルト以内の析出還元電位を有する、請求項４１記載の方法。
【請求項４３】
ベース金属がTiであり、析出させた少なくとも１種の他の金属にZrが含まれる、請求項４１記載の方法。
【請求項４４】
析出させた少なくとも１種の他の金属がただ１種の他の金属であり、Zrからなる、請求項４３記載の方法。
【請求項４５】
更に、ベース金属のハロゲン化物及び金属ハロゲン化物の混合物を還元剤と組み合わせて、混合金属供給原料を生成すること（該金属ハロゲン化物は少なくとも１種の他の金属である）を含んでなり；そして、
その際、電解析出が、該混合金属供給原料をアノードとして利用し、ベース金属及び該少なくとも１種の他の金属を、アノードから、その上に該ベース金属及び少なくとも１種の他の金属が混合金属生成物として析出されるカソードへと移すことを含んでなる、請求項４１記載の方法。
【請求項４６】
ベース金属がZrであり、析出させた少なくとも１種の他の金属にTiが含まれる、請求項４１記載の方法。
【請求項４７】
析出させた少なくとも１種の他の金属がただ１種の他の金属であり、Tiからなる、請求項４６記載の方法。
【請求項４８】
混合金属インゴットを形成する方法であって：
ベース金属及び少なくとも１種の他の金属の混合物を、ヨウ素ガス及び熱せられた基板を伴う反応装置内に供給し；
該ベース金属及び該少なくとも１種の他の金属を該ヨウ素ガスと反応させて、ベース金属のヨウ化物及び該少なくとも１種の他の金属のヨウ化物を形成し；
該ベース金属のヨウ化物及び該少なくとも１種の他の金属の該ヨウ化物を、該熱せられた基板へと移し、該基板からの熱を利用して該ヨウ化物を分解し混合金属生成物を生成し（該混合金属生成物はベース金属及び該少なくとも１種の他の金属を含んでなる）；
該混合金属生成物を融解して、溶融混合金属材料を形成し；そして、
該溶融混合金属材料を冷却して混合金属インゴットとすること（該インゴットは該ベース金属及び該少なくとも１種の他の金属を含んでなり、該ベース金属は該インゴットの大部分の元素であり；該インゴットは少なくとも99.95%の純度の該ベース金属及び該少なくとも１種の他の金属を有する）を含んでなる、方法。
【請求項４９】
ベース金属がZr及びTiから選択され、少なくとも１種の他の金属が、Al、B、Ba、Be、Ca、Ce、Co、Cs、Dy、Er、Fe、Gd、Hf、Ho、La、Mg、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、V、W、Y、Yb、Ti及びZrからなる群から選択される、請求項４８記載の方法。
【請求項５０】
ベース金属がTiを含んでなり、少なくとも１種の他の金属がジルコニウムを含んでなる、請求項４８記載の方法。
【請求項５１】
更に、ベース金属のハロゲン化物及び金属ハロゲン化物の混合物を還元剤と組み合わせて混合物を生成することにより、ベース金属及び少なくとも１種の他の金属の混合物を形成すること（該金属ハロゲン化物は該少なくとも１種の他の金属を含んでなる）を含んでなる、請求項４８記載の方法。
【請求項５２】
更に、ベース金属及び少なくとも１種の他の金属の混合物を電解析出することにより、ベース金属及び少なくとも１種の他の金属の混合物を形成することを含んでなる、請求項４８記載の方法。
【請求項５３】
更に、ベース金属のハロゲン化物及び金属ハロゲン化物の混合物を還元剤と組み合わせて、混合金属供給原料を生成すること（該金属ハロゲン化物は少なくとも１種の他の金属を含んでなる）を含んでなり；そして、
その際、電解析出が、該混合金属供給原料をアノードとして利用し、ベース金属及び該少なくとも１種の他の金属を、アノードから、その上に該ベース金属及び少なくとも１種の他の金属がベース金属及び該少なくとも１種の他の金属の混合物として析出されるカソードへと移すことを含んでなる、請求項５２記載の方法。
【請求項５４】
ベース金属がZrであり、少なくとも１種の他の金属がチタンを含んでなる、請求項４８記載の方法。
【請求項５５】
Zrと、Ba、Be、Ca、Ce、Co、Cs、Dy、Er、Fe、Gd、Ho、La、Mg、Mn、Mo、Nd、Pr、Sc、Sm、Sr、V、W、Y及びYbからなる群から選択される１種又はそれより多くの元素とを含んでなり；Zrが該ターゲットの大部分の元素である、スパッタリングターゲット。
【請求項５６】
ターゲット内Zr濃度が少なくとも70%である、請求項５５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５７】
ターゲット内Zr濃度が少なくとも90%である、請求項５５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５８】
ターゲット内Zr濃度が少なくとも94%である、請求項５５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５９】
ターゲット内Zr濃度が少なくとも97%である、請求項５５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６０】
ターゲット内Zr濃度が98%未満である、請求項５５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６１】
ターゲットの非ジルコニウム金属含量が全体で、ターゲットの0.001%〜50%の範囲である、請求項５５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６２】
ターゲットの非ジルコニウム金属含量が全体で、ターゲットの0.001%〜10%の範囲である、請求項５５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６３】
ターゲットの非ジルコニウム金属含量が全体で、ターゲットの少なくとも0.01%である、請求項５５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６４】
更に、Al、B、Hf、Nb、Ni、Ta、Y及びTiからなる群から選択される１種又はそれより多い元素を含んでなる、請求項５５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６５】
重量基準で少なくとも99.95%の純度を有する材料から本質的になるスパッタリングターゲットであって、該材料がZr及びTiを含んでなり；該Zrが該ターゲットの大部分の元素であり、少なくとも55%の該ターゲット内濃度で存在する、ターゲット。
【請求項６６】
ターゲット内Zr濃度が少なくとも70%である、請求項６５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６７】
ターゲット内Zr濃度が98%未満である、請求項６５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６８】
Ti及びBを含んでなるスパッタリングターゲットであって；Tiが該ターゲットの大部分の元素であるターゲット。
【請求項６９】
ターゲット内Ti濃度が少なくとも70%である、請求項６８記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７０】
Ti及びBからなる、請求項６８記載のスパッタリングターゲット。