【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）導電層が形成された下地上に、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）導電層が形成された下地上に、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、
前記第１絶縁膜の堆積膜厚は５０〜２００ｎｍ程度、前記第２絶縁膜の堆積膜厚は２００〜２０００ｎｍ程度、前記ハードマスクの堆積膜厚は５０〜２００ｎｍ程度であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）導電層が形成された下地上に、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、
前記第１絶縁膜の堆積膜厚は２００〜３０００ｎｍ程度、前記第２絶縁膜の堆積膜厚は１００〜５００ｎｍ程度、前記ハードマスクの堆積膜厚は５０〜２００ｎｍ程度であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）導電層が形成された下地上に、接着層、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜と前記接着層にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜および前記接着層へ転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、前記接着層は５０ｎｍ以下の厚さのシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）導電層が形成された下地に水素アニール処理を施した後、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）導電層が形成された下地に水素アニール処理を施した後、接着層、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜と前記接着層にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜および前記接着層へ転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、前記接着層は５０ｎｍ以下の厚さのシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
（ａ）導電層が形成された下地上に、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、前記ハードマスクは金属膜または金属化合物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
（ａ）導電層が形成された下地上に、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクおよび前記第２絶縁膜の上部へ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜の下部へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、前記ハードマスクはシリコン窒化膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
（ａ）導電層が形成された下地上に、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程と、（ｇ）基板の全面にバリアメタル層および銅膜を順次堆積する工程と、（ｈ）前記第２絶縁膜の上部が露出するまで、前記バリアメタル層および前記銅膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
（ａ）導電層が形成された下地上に、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程と、（ｇ）基板の全面にバリアメタル層および銅膜を順次堆積する工程と、（ｈ）前記第２絶縁膜の上部が露出するまで、前記バリアメタル層および前記銅膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、
前記第１絶縁膜の堆積膜厚は５０〜２００ｎｍ程度、前記第２絶縁膜の堆積膜厚は２００〜２０００ｎｍ程度、前記ハードマスクの堆積膜厚は５０〜２００ｎｍ程度であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
（ａ）導電層が形成された下地上に、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程と、（ｇ）基板の全面にバリアメタル層および銅膜を順次堆積する工程と、（ｈ）前記第２絶縁膜の上部が露出するまで、前記バリアメタル層および前記銅膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、
前記第１絶縁膜の堆積膜厚は２００〜３０００ｎｍ程度、前記第２絶縁膜の堆積膜厚は１００〜５００ｎｍ程度、前記ハードマスクの堆積膜厚は５０〜２００ｎｍ程度であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
（ａ）導電層が形成された下地上に、接着層、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜と前記接着層にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜および前記接着層へ転写する工程と、（ｇ）基板の全面にバリアメタル層および銅膜を順次堆積する工程と、（ｈ）前記第２絶縁膜の上部が露出するまで、前記バリアメタル層および前記銅膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、前記接着層は５０ｎｍ以下の厚さのシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
（ａ）導電層が形成された下地に水素アニール処理を施した後、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程と、（ｇ）基板の全面にバリアメタル層および銅膜を順次堆積する工程と、（ｈ）前記第２絶縁膜の上部が露出するまで、前記バリアメタル層および前記銅膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）導電層が形成された下地に水素アニール処理を施した後、接着層、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜と前記接着層にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜と前記接着層へ転写する工程と、（ｇ）基板の全面にバリアメタル層および銅膜を順次堆積する工程と、（ｈ）前記第２絶縁膜の上部が露出するまで、前記バリアメタル層および前記銅膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、前記接着層は５０ｎｍ以下の厚さのシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
（ａ）導電層が形成された下地上に、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクへ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程と、（ｇ）基板の全面にバリアメタル層および銅膜を順次堆積する工程と、（ｈ）前記第２絶縁膜の上部が露出するまで、前記バリアメタル層および前記銅膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、前記ハードマスクは金属膜または金属化合物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
（ａ）導電層が形成された下地上に、第１絶縁膜、前記第１絶縁膜よりもエッチング耐性の低い第２絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスク上に、レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）前記レジストパターンの存在下でエッチング処理を施し、前記レジストパターンのパターンを前記ハードマスクおよび前記第２絶縁膜の上部へ転写する工程と、（ｄ）前記レジストパターンを除去する工程と、（ｅ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜をエッチングストッパーとして用いて前記第２絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第２絶縁膜の下部へ選択的に転写する工程と、（ｆ）前記ハードマスクの存在下で前記第１絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記第１絶縁膜へ転写する工程と、（ｇ）基板の全面にバリアメタル層および銅膜を順次堆積する工程と、（ｈ）前記第２絶縁膜の上部が露出するまで、前記バリアメタル層および前記銅膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜よりも低い比誘電率を有する有機官能基を持つ絶縁膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であり、前記ハードマスクはシリコン窒化膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
（ａ）導電層が形成された下地上に、有機膜、絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスクに、レジストパターンを用いてエッチング処理を施し、前記ハードマスクへパターン形成する工程と、（ｃ）前記ハードマスクの存在下で前記有機膜をエッチングストッパー膜として用いて前記絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｄ）前記ハードマスクの存在下で前記有機膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記有機膜へ転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）で前記ハードマスクは実質的に除去されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記ハードマスクのパターンを有する溝が前記工程（ｃ）、（ｄ）で前記絶縁膜、前記有機膜に形成され、導電膜を前記溝内と前記絶縁膜上に形成した後研磨により前記絶縁膜上の前記導電膜を除去し、前記導電膜が前記溝に埋め込まれ、前記ハードマスクは前記研磨時に実質的に除去されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）で前記絶縁膜の上面は部分的に除去され、前記有機膜は前記絶縁膜より薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記有機膜は接着層を介して前記導電層上に堆積され、前記接着層は５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
（ａ）導電層が形成された下地上に、有機膜、絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスクに、レジストパターンを用いてエッチング処理を施し、前記ハードマスクへパターン形成する工程と、（ｃ）前記ハードマスクの存在下で前記有機膜をエッチングストッパー膜として用いて前記絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｄ）前記ハードマスクの存在下で前記有機膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記有機膜へ転写する工程と、（ｅ）前記ハードマスクを除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）で前記ハードマスクは実質的に除去され、前記工程（ｅ）と前記工程（ｄ）は同じ工程で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法において、前記ハードマスクのパターンを有する溝が前記工程（ｃ）、（ｄ）で前記絶縁膜、前記有機膜に形成され、導電膜を前記溝内と前記絶縁膜上に形成した後研磨により前記絶縁膜上の導電膜を除去し、前記導電膜が前記溝に埋め込まれ、前記ハードマスクは前記工程（ｅ）で除去されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法おいて、前記工程（ｂ）で前記絶縁膜の上面は部分的に除去されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法おいて、前記有機膜は接着層を介して前記導電層上に堆積され、前記接着層は５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
（ａ）導電層が形成された下地上に、厚さが５０ｎｍ以下である接着層を介して有機膜、絶縁膜、およびハードマスクを順次堆積する工程と、（ｂ）前記ハードマスクに、レジストパターンを用いてエッチング処理を施し、前記ハードマスクへパターン形成する工程と、（ｃ）前記ハードマスクの存在下で前記有機膜をエッチングストッパー膜として用いて前記絶縁膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記絶縁膜へ選択的に転写する工程と、（ｄ）前記ハードマスクの存在下で前記有機膜にエッチング処理を施し、前記ハードマスクのパターンを前記有機膜へ転写する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜はシリコン窒化膜よりも低い比誘電率を有する絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２７記載の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）で前記ハードマスクは実質的に除去されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
請求項２７記載の半導体装置の製造方法において、前記ハードマスクのパターンを有する溝が前記工程（ｃ）、（ｄ）で前記絶縁膜、前記有機膜に形成され、さらに、
（ｅ）導電膜を前記溝内と前記絶縁膜上に形成した後研磨により前記絶縁膜上の前記導電膜を除去し、前記導電膜が前記溝に埋め込まれる工程を含み、
前記ハードマスクは前記工程（ｅ）で除去されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
請求項２７記載の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）で前記絶縁膜の上面は部分的に除去されることを特徴とする半導体装置の製造方法。