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【手続補正書】
【提出日】平成16年8月11日(2004.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）Ｎｉ（０）、
ｂ）前記ａ）成分のＮｉ（０）1モル当たり４〜１０モルの式（Ｉ）
Ｐ（Ｘ１Ｒ１）（Ｘ２Ｒ２）（Ｘ３Ｒ３）          （Ｉ）
（式中、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３はそれぞれ酸素を表し、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、互いに独立に、同一のまたは異なる有機基を表す。）、
で表される化合物、および、
ｃ）前記ａ）成分のＮｉ（０）1モル当たり１〜４モルの式（ＩＩ）
【化１】
2004535929.tif 000001
（式中、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ２１、Ｘ２２およびＸ２３はそれぞれ酸素を表し、
Ｒ１１およびＲ１２は、同一のまたは異なる、個別の有機基または架橋された有機基を表し、
Ｒ２１およびＲ２２は、同一のまたは異なる、個別の有機基または架橋された有機基を表し、
Ｙは、架橋基を表す。）
で表される化合物、
を含み、
但し、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ、互いに独立に、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基またはｐ−トリル基を表すことを特徴とする、触媒として好適な組成物。
【請求項２】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３がそれぞれ、互いに独立に、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基またはｐ−トリル基を表し、かつ、化合物（Ｉ）におけるフェニル基の数が２個以下であり、化合物（Ｉ）におけるｏ−トリル基の数が２個以下であることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
使用される化合物（Ｉ）が、式
（ｏ−トリル−Ｏ−）ｗ（ｍ−トリル−Ｏ−）ｘ（ｐ−トリル−Ｏ−）ｙ（フェニル−Ｏ−）ｚＰ
（式中、ｗ、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ自然数を表し、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝３であり、ｗとｚはそれぞれ２以下である。）、
で表される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
Ｙが置換または非置換のピロカテコール、ビス(フェノール)またはビス（ナフトール）を表すことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
式
Ｎｉ（０）（化合物（Ｉ））ｘ（化合物（ＩＩ））
（式中、ｘは１または２を表す。）、
で表されるＮｉ（０）錯体を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、
ａ)Ｎｉ（０）を液状希釈剤の存在下で化合物（Ｉ）と反応させてＮｉ（０）と化合物（Ｉ）とを含む第１の組成物を製造する工程、および、
ｂ）前記第１の組成物を液状希釈剤の存在下で化合物（ＩＩ）と反応させて請求項１〜５のいずれかに記載の組成物を製造する工程、
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項７】
前記ａ）工程においてＮｉ（０）として金属ニッケルを使用することを特徴とする、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記ａ）工程においてＮｉ（０）１モル当たり４〜１０モルの化合物（Ｉ）を使用することを特徴とする、請求項６または７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記ａ）工程において使用される液状希釈剤が、式（Ｉ）で表される化合物、３−ペンテンニトリル、４−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、アジポニトリル、メチルグルタルニトリル、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、またはこれらの混合物であることを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ａ）工程における第１の組成物の製造を触媒の存在下に行なうことを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１１】
前記ａ）工程における第１の組成物の製造を均一触媒の存在下に行なうことを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１２】
前記ａ）工程における第１の組成物の製造を均一触媒としてのプロトン酸の存在下に行なうことを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１３】
前記ａ）工程における第１の組成物の製造を均一触媒としての塩化水素の存在下に行なうことを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１４】
前記ａ）工程における第１の組成物の製造を均一触媒としての式
（Ｒ１Ｘ１）（Ｒ２Ｘ２）ＰＣｌまたは（Ｒ１Ｘ１）ＰＣｌ２
（式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１およびＲ２は請求項１〜５のいずれかに示した意味を表す。）、
で表される化合物の存在下に行なうことを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１５】
触媒を前記ａ）工程とｂ）工程の間に除去することを特徴とする、請求項６〜１４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１６】
前記ｂ）工程においてＮｉ（０）１モル当たり１〜４モルの化合物（ＩＩ）を使用することを特徴とする、請求項６〜１５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１７】
前記ｂ）工程において使用される液状希釈剤が、式（Ｉ）で表される化合物、３−ペンテンニトリル、４−ペンテンニトリル、２−メチル−３−ブテンニトリル、アジポニトリル、メチルグルタルニトリル、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、またはこれらの混合物であることを特徴とする、請求項６〜１６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１８】
前記ａ）工程とｂ）工程において同一の液状希釈剤を使用することを特徴とする、請求項６〜１７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１９】
請求項１〜５のいずれかに記載の組成物の少なくとも１種を含む触媒の存在下で、１，３−ブタジエンを含有する炭化水素混合物へのシアン化水素付加によって非共役のＣ＝Ｃ結合とＣ＝Ｎ結合とを有するモノオレフィン性Ｃ５−モノニトリルの混合物を製造する方法。
【請求項２０】
請求項１〜５のいずれかに記載の組成物の少なくとも１種を含む触媒の存在下で、非共役のＣ＝Ｃ結合とＣ＝Ｎ結合とを有するモノオレフィン性Ｃ５−モノニトリル混合物へのシアン化水素付加によってジニトリルを製造する方法。
【請求項２１】
請求項１〜５のいずれかに記載の組成物の少なくとも１種を含む触媒の存在下で、非共役のＣ＝Ｃ結合とＣ＝Ｎ結合とを有するモノオレフィン性Ｃ５−モノニトリル混合物へのシアン化水素付加によってアジポニトリルを製造する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ａ）Ｎｉ（０）、
ｂ）上記ａ）成分のＮｉ（０）1モル当たり４〜１０モルの式（Ｉ）
Ｐ（Ｘ１Ｒ１）（Ｘ２Ｒ２）（Ｘ３Ｒ３）          （Ｉ）
（式中、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３はそれぞれ酸素を表し、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、互いに独立に、同一のまたは異なる有機基を表す。）、
で表される化合物、および、
ｃ）上記ａ）成分のＮｉ（０）1モル当たり１〜４モルの式（ＩＩ）
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月29日(2004.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両乗員保護システムで用いるためのガス発生器であって、第一端部と第二端部、および内壁と外壁を含むハウジング、
該ハウジングの前記第二端部の前記内壁内部に前記内壁により画定される推進剤カップ、
該推進剤カップ内部に形成され、前記内壁と同面連結する一体式ガス発生組成物であって、シリコーンおよび酸化剤を含む前記組成物、および前記第一端部内部に固定され、前記一体式ガス発生組成物の燃焼のために前記一体式ガス発生組成物と点火可能に連通しているイニシエータ、
を含む、前記ガス発生器。
【請求項２】
一体式ガス発生組成物が１５〜３０重量％のシリコーンおよび７０〜８５重量％の過塩素酸アンモニウムを含む、請求項１に記載のガス発生器。
【請求項３】
一体式ガス発生組成物が１５〜３０重量％のシリコーンおよび７０〜８５重量％の過塩素酸カリウムを含む、請求項１に記載のガス発生器。
【請求項４】
内壁と一体式ガス発生組成物との間に形成された自動発火材料をさらに含む、請求項１に記載のガス発生器。
【請求項５】
一体式ガス発生組成物がシリコーン、酸化剤、および燃料を含み、該シリコーンが１５〜３０重量％、該酸化剤が７０〜８５重量％である、請求項１に記載のガス発生器。
【請求項６】
車両乗員保護システムで用いるためのガス発生器であって、第一端部と第二端部、および内壁と外壁を含むハウジング、
該ハウジングの前記第二端部の前記内壁内部に前記内壁によって画定される推進剤カップ、
該推進剤カップ内部に形成され、前記内壁と同面連結する一体式ガス発生組成物であって、約２７重量％のシリコーンと約７３重量％の過塩素酸アンモニウムを含む前記組成物、および
前記第一端部内部に固定され、前記一体式ガス発生組成物の燃焼のために前記一体式ガス発生組成物と点火可能に連通しているイニシエータ、
を含む、前記ガス発生器。
【請求項７】
車両乗員保護システムに用いるためのガス発生器であって、第一端部と第二端部、および内壁と外壁を含むハウジング、
該ハウジングの前記第二端部の前記内壁内部に該内壁によって画定される推進剤カップ、
該推進剤カップ内部に形成され、前記内壁と同面連結する一体式ガス発生組成物であって、１５〜３０重量％のシリコーンおよび７０〜８５重量％の酸化剤を含む前記組成物、および
前記第一端部内部に固定され、前記一体式ガス発生組成物の燃焼のために前記一体式ガス発生組成物と点火可能に連通するイニシエータ、
を含む、前記ガス発生器。
【請求項８】
酸化剤が、金属ならびに非金属の硝酸塩、亜硝酸塩、過塩素酸塩、および塩素酸塩、ならびにそれらの混合物の群から選択される、請求項７に記載のガス発生器。
【請求項９】
前記推進剤カップが組み込まれた車両乗員保護システム用ガス発生器の組立て方法であって、未硬化シリコーンを前記推進剤カップに挿入し、それによって少なくとも１つのシリコーン表面を生成するステップ、
顆粒状酸化剤を前記少なくとも１つのシリコーン表面上に振りかけ、前記未硬化シリコーンと前記顆粒状酸化剤とを混合するステップ、および
少なくとも１つのガス発生成分と混合した前記シリコーンを硬化し、それにより一体式ガス発生組成物を前記推進剤カップ内に形成するステップ、
を含む、前記組立て方法。
【請求項１０】
硬化ステップに先立ち、表面を改変するための予備成形物を推進剤カップに挿入するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
硬化ステップが常温で少なくとも２４時間行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
硬化ステップが６５℃で約４時間行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
硬化ステップが１５０℃で約１５分行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
顆粒状燃料を少なくとも１つの表面に加えるステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
一体式ガス発生組成物が１５〜３０重量％のシリコーンおよび７０〜８５重量％の過塩素酸アンモニウムを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
請求項９の方法によって組み立てられたガス発生器。
【請求項１７】
請求項１〜８、または１６のいずれかに記載のガス発生器を備えた車両乗員保護システム。
【請求項１８】
請求項１〜８、または１６のいずれかに記載のガス発生器を備えたシートベルト用プリテンショナ組み立て物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月10日(2003.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
織布構成要素を少なくとも１つ有し、その中にスリット、ノッチ、または開口部を閉じることにより作成されたオフセット部を有し、約０．０２６０未満の有効織布使用率を有する、搭乗者用トップ装着型エアバッグクッション。
【請求項２】
前記エアバッグクッションが、約０．０２０未満の有効織布使用率を有する、請求項１に記載の搭乗者用トップ装着型エアバッグクッション。
【請求項３】
前記エアバッグクッションが、少なくとも２枚の織布パネルから作成される、請求項１に記載の搭乗者用トップ装着型エアバッグクッション。
【請求項４】
前記エアバッグクッションが、ほぼ直線状の継ぎ目で前記パネルを連結することにより作成される、請求項３に記載の搭乗者用トップ装着型エアバッグクッション。
【請求項５】
前記エアバッグクッションが、少なくとも９０％の織布使用率である、請求項４に記載の搭乗者用トップ装着型エアバッグクッション。
【請求項６】
前記エアバッグクッションが、従来のトップ装着型クッションより継ぎ目が全体で約５０％減少している、請求項１に記載の搭乗者用トップ装着型エアバッグクッション。
【請求項７】
乗り物拘束システムにおいて、請求項１に記載のエアバッグクッションを含む、改良技術。
【請求項８】
エアバッグクッションの成形法において、主要パネルの織布中にスリット、ノッチまたは開口部を少なくとも１つ切り取り、前記スリット、ノッチまたは開口部を継ぎ目で閉じてオフセット部を作る段階を含む、改良技術。
【請求項９】
請求項８に記載の方法により形成される、エアバッグクッション。
【請求項１０】
織布構成要素を少なくとも１つ有し、スリット、ノッチまたは開口部を閉じることにより作成されたオフセット部を有し、が約８．０またはそれ未満の有効織布重量率を有する、搭乗者用トップ装着型エアバッグクッション。
【請求項１１】
前記エアバッグクッションが、従来のトップ装着型クッションよりも織布使用が約４０％減少している、請求項１０に記載の搭乗者用トップ装着型エアバッグクッション。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の液滴を高速に処理する方法であって、
ａ）実質的に穴のない面に複数の液滴を分配するステップと、
ｂ）少なくとも所定の最小期間、少なくとも一部は表面張力により前記面に付着した前記液滴を前記面に懸垂させておくような、遅延線を経由して前記面を移動させるステップと、
を含む複数の液滴を高速に処理する方法。
【請求項２】
複数の液滴を高速に処理する方法であって、
ａ）移動している面に複数の液滴を分配するステップと、
ｂ）各液滴の位置を追跡するステップと、
を含む複数の液滴を高速に処理する方法。
【請求項３】
複数の液滴を高速に処理する方法であって、
ａ）各液滴を分配器に懸垂させるステップと、
ｂ）各液滴が表面張力によりプローブ上に付着するように、各液滴を、プローブを有する移動している面と瞬間的に接触させるステップと、
ｃ）各液滴を噴霧させるようにプローブを振動させるために、交流電流を前記プローブに加えるステップと、
ｄ）各液滴の特性を分析するステップと、
を含む複数の液滴を高速に処理する方法。
【請求項４】
複数の液滴を高速に処理する方法であって、
ａ）移動するコンベアに組み込まれた、出口通路のある、囲まれた空間に各液滴を懸垂させるステップと、
ｂ）前記液滴の膨張により前記出口通路から前記液滴が噴霧を形成して噴出するように、前記囲まれた空間中の各液滴を加熱するステップと、
ｃ）質量分析法により噴霧された霧の特性を分析するステップと、
を含む複数の液滴を高速に処理する方法。
【請求項５】
複数の液滴を高速に処理する方法であって、
ａ）移動している面に薄膜を巻きつけるステップと、
ｂ）各液滴を前記薄膜に懸垂させるステップと、
ｃ）混合、希釈、濃縮、加熱、冷却、湿潤、ろ過、及び分析からなる操作グループの内の少なくとも１つの操作を各液滴に対して実行するステップと、
を含む複数の液滴を高速に処理する方法。
【請求項６】
複数の液滴を高速に処理するシステムであって、
ａ）実質的に穴のない移動可能な面と、
ｂ）各液滴を前記移動可能な面に分配する分配装置と、
ｃ）少なくとも所定の時間、少なくとも一部は表面張力により前記面に付着した前記各液滴を前記面に懸垂させておくように、前記面を移動させる遅延線と、
を具備する複数の液滴を高速に処理するシステム。
【請求項７】
複数の液滴を高速に処理するシステムであって、
ａ）移動する面と、
ｂ）前記移動している面の上に各液滴を分配する分配器と、
ｃ）各液滴を追跡する追跡装置と、
を具備する複数の液滴を高速に処理するシステム。
【請求項８】
複数の液滴を高速に処理するシステムであって、
ａ）移動する面と、
ｂ）前記移動する面に巻き付けられた薄膜と、
ｃ）前記薄膜に各液滴を分配する、分配装置と、
ｃ）混合、希釈、濃縮、加熱、冷却、湿潤、ろ過、及び分析からなる操作グループの内の少なくとも１つの操作を各液滴に対して実行する手段
を具備する複数の液滴を高速に処理するシステム。
【請求項９】
複数の液滴を高速に処理する方法であって、
ａ）、実質的に穴の無い面に前記複数の液滴を分配するステップと、
ｂ）重力に抗して働く力の大部分が失われないような、少なくとも一定の期間各液滴を表面に懸垂させておく遅延線を経由して前記面を移動させるステップと、
を具備する複数の液滴を高速に処理する方法。
【請求項１０】
複数の液滴を高速に処理するシステムであって、
ａ）実質的に孔のない移動可能な面と、
ｂ）前記面の上に各液滴を分配する分配器と、
ｃ）重力に抗して働く力の大部分が失われないような期間各液滴を表面に懸垂させておく遅延線と、
を具備する複数の液滴を高速に処理するシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＯｘを含むガスを処理する方法であって、
該方法は、塩基性材料を含んでなる固体吸収材を使用してガスからＮＯｘを除去し、
ここで、前記固体吸収材が、直列に少なくとも二つの基材に配置されてなり、
ＮＯｘ特異性反応物の作用により前記吸収材を間欠的に再生し、
前記ＮＯｘ特異性反応物が少なくとも前記二つの基材の間の点で検出され、それによってＮＯｘ特異性反応物の滑り抜けを実質的に阻止した時に、ＮＯｘ特異性反応物の作用を停止することを含んでなる、方法。
【請求項２】
再生の終わりに、前記吸収材が、再生開始時に存在するニトロキシ塩の含有量の５〜５０％を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記吸収材が、ＮＯｘの滑り抜けが起こるニトロキシ塩含有量の５〜５０％を含む時に、再生が開始される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
吸収および／または再生の時間が１秒間〜１０分間の範囲内である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記吸収材が、ＮＯｘをＮＯｘ特異性反応物と反応させるための触媒を含んでなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ＮＯｘをＮＯｘ特異性反応物と反応させるための触媒が前記吸収材の上流に配置されてなり、必要に応じて別個の担体上に配置されてなる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＮＯｘを前記ＮＯｘ特異性反応物と反応させるための触媒が、鉄／ゼオライト、Ｖ２Ｏ５／ＴｉＯ２および／または貴金属のような選択的接触還元（ＳＣＲ）触媒である、請求項５または６に記載の方法。  
【請求項８】
触媒作用によりＮＯをＮＯ２に酸化する上流の工程を包含する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ＮＯｘ特異性反応物除去と、ＮＯｘ除去と、および／または表面上または多孔質フィルター上に粒子状物質を補足することとを含んでなる前記固体吸収剤の上流における工程をさらに包含する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＮＯｘ特異性反応物が、ＮＯｘ特異性反応物の前駆物質からその場で形成される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記出発ガスが、リーンバーンの、特にディーゼルの、内燃機関の排気である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＮＯｘ特異性反応物がアンモニアであり、
前記ＮＯｘ特異性反応物の前駆物質が尿素である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
吸収および再生がリーン条件下で行われる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
内燃機関用の排気機構であって、
前記機構が、直列に少なくとも二つの基材に配置された固体ＮＯｘ吸収材と、
前記固体ＮＯｘ吸収材の上流にＮＯｘ特異性反応物またはＮＯｘ特異性反応物の前駆物質を注入するための手段と、
ＮＯｘ特異性反応物が少なくとも前記二つの基材の間の点で検出される手段と、
ＮＯｘ特異性反応物が前記少なくとも前記二つの基材の間の点で検出された時、ＮＯｘ特異性反応物の注入を停止する手段とを含んでなり、
それによって、固体ＮＯｘ吸収材に貯蔵されたＮＯｘがＮＯｘ特異性反応物により減少し、かつ、前記固体ＮＯｘ吸収材が間欠的に再生され、それによりＮＯｘ特異性反応物の滑り抜けが実質的に阻止される、排気機構。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月2日(2003.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＮ遷移（ＰＮ接合）を有する活性領域と、
活性領域のＮ形側に第１のＮ形不純物が添加された半導体層と、
活性領域のＰ形側に配置され、活性領域のＰ形側に第２のＮ形不純物が添加された半導体層に対して導電性の遷移（導電性の接合）を形成するトンネル接触構造体（トンネル接合）と、
第２のＮ形不純物が添加された半導体層に取り付けられた構造化された誘電体ミラーと、
誘電体ミラーが取り付けられていない点において第２のＮ形不純物が添加された半導体層と接触体を形成する接触体層と、
接触体層と第２のＮ形不純物が添加された半導体層との間の拡散障壁体と、
を有し、
誘電体ミラーが拡散障壁体と横方向に隣接しまたは誘電体ミラーが拡散障壁体と横方向に部分的に重なるようにした、
表面放射型の半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体レーザにおいて、拡散障壁体と第２の半導体層との間に接着増進剤を備えたことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項３】
請求項２記載の半導体レーザにおいて、接着増進剤がチタンの層から成ることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体レーザにおいて、拡散障壁体が白金の層から成ることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の半導体レーザにおいて、反射率を増大させるために誘電体ミラーと接触体層との間に金属被覆層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項６】
請求項５記載の半導体レーザにおいて、金属被覆層が拡散障壁体と接触体層との間を通して備えられたことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の半導体レーザにおいて、接触体層が十分に厚く取り付けられ熱シンクとして作用することを特徴とする半導体レーザ。
【請求項８】
請求項７記載の半導体レーザにおいて、接触体層の厚さが１０μｍ以上であることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項９】
ＰＮ遷移（ＰＮ接合）を有する活性領域と、活性領域のＮ形側に第１のＮ形不純物が添加された半導体層と、活性領域のＰ形側にトンネル接触構造体（トンネル接合）とを有し、前記トンネル接触体が活性領域のＰ形側の第２のＮ形不純物が添加された半導体層に対し導電性の遷移（導電性の接合）を形成する、半導体レーザの中に拡散障壁体を製造する処理工程であって、
第１の領域の中において拡散障壁体が第２のＮ形不純物が添加された半導体層に取り付けられ、および第２の領域の中において誘電体ミラーが第２のＮ形不純物が添加された半導体層に取り付けられ、しかもその取り付けは誘電体ミラーが拡散障壁体と横方向に隣接するようにまたは誘電体ミラーが拡散障壁体と横方向に部分的に重なるようになされ、
接触体層を少なくとも拡散障壁体の上に取り付けるようにする処理工程。
【請求項１０】
請求項９記載の処理工程において、拡散障壁体が取り付けられる前に誘電体ミラーが取り付けられることを特徴とする処理工程。
【請求項１１】
請求項９記載の処理工程において、拡散障壁体が取り付けられた後に誘電体ミラーが取り付けられることを特徴とする処理工程。
【請求項１２】
請求項１１記載の処理工程において、誘電体ミラーが拡散障壁体と重なるように誘電体ミラーが取り付けられることを特徴とする処理工程。
【請求項１３】
請求項９ないし請求項１２のいずれか１項に記載の処理工程において、第１の領域の中の拡散障壁体の前に接着増進剤が取り付けられることを特徴とする処理工程。
【請求項１４】
請求項９ないし請求項１３のいずれか１項に記載の処理工程において、接着増進剤としてチタンが用いられることを特徴とする処理工程。
【請求項１５】
請求項９ないし請求項１４のいずれか１項に記載の処理工程において、白金が拡散障壁体として用いられることを特徴とする処理工程。
【請求項１６】
請求項９ないし請求項１５のいずれか１項に記載の処理工程において、拡散障壁体および誘電体ミラーの表面の全体にわたって金属の接触体層が取り付けられることを特徴とする処理工程。
【請求項１７】
請求項９ないし請求項１６のいずれか１項に記載の処理工程において、接触体層が誘電体ミラーの上に取り付けられる前に金属被覆層が取り付けられることを特徴とする処理工程。
【請求項１８】
請求項９ないし請求項１６のいずれか１項に記載の処理工程において、誘電体ミラーおよび拡散障壁体の表面の全体に接触体層が取り付けられる前に金属被覆層が取り付けられることを特徴とする処理工程。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチメディア信号を記述する階層化ツリーを圧縮する方法であって、
該ツリーが、データタイプと呼ばれる少なくとも２つの明確な特徴を有するデータに関連付けることができる、ノードとリーフとを含み、
少なくとも幾つかの該リーフのために、該リーフがリンクされる該ノードの関数として、対応する該リーフのデータタイプに関連する、少なくとも２つの利用可能な圧縮コード化技術の中から特定の圧縮コード化技術を活性化するステップを含む方法。
【請求項２】
少なくとも１つのサブツリーを識別するステップと、該サブツリーに対して前記圧縮コード化技術の１つを割り当てるステップとを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記圧縮コード化技術に関連したタイプのデータをもつ前記サブツリーのリーフに対してのみ、該サブツリーに割り当てられた前記圧縮コード化技術を実行するステップを含み、前記サブツリーの他のリーフはどのような圧縮コード化も受けることはないものである請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記圧縮コード化技術のパラメータ記述を実行する請求項１から請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記ツリーの構造を圧縮するステップをさらに含む請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記ツリーがＭＰＥＧ７規格によるＢｉＭ（２進ＭＰＥＧ）タイプである請求項１から請求項５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記圧縮コード化技術の１つが線形の量子化を実行する請求項１から請求項６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記圧縮コード化技術の１つが統計的圧縮アルゴリズムを実行する請求項１から請求項７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記アルゴリズムがGZipタイプである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記アルゴリズムが少なくとも２つのリーフのデータに対応するデータの集合に対して同時に実行されるものである請求項８及び請求項９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記ツリーがＸＭＬ（拡張マークアップ言語）タイプの文書の構造を示すものである請求項１から請求項１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記階層化ツリーをデコーディングする間に前記サブツリーをスキップできるようにする幾つかの情報を含む少なくとも１つのコーディングコンテキストを前記サブツリーに関連付けるステップをさらに含む請求項１から請求項１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記幾つかの情報が、
使用された圧縮コード化技術を示す１つの情報、及び／又は、
対応するサブツリーが圧縮されているかどうかを示す１つの情報、及び／又は、
対応するサブツリーがスキップ可能かどうかを示す１つの情報、及び／又は、
使用された圧縮コード化技術の少なくとも１つのパラメータが修正されているかどうかを示す１つの情報
を含むものである請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記圧縮コード化技術のそれぞれが、前記データタイプのうちの少なくとも１つに選択的に関連付けられている請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれかの方法に従って圧縮されたマルチメディア信号をデコーディングする方法。
【請求項１６】
前記信号によって送られたコード化コンテキストの情報に基づいて、現在のデコーディングコンテキストをリフレッシュするステップを実行する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記現在のコンテキストが少なくとも１つのデータタイプを定義し、該データタイプのデータを含むリーフに対して該データタイプに関連した圧縮デコーディング技術を実行するステップを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１から請求項１４のいずれかの方法によって生成された信号。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月12日(2004.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッセージがワイヤレスモバイル通信デバイスに送信される前に、エンコードメッセージをホストシステムで処理する方法であって、該方法は、
複数のメッセージ受信者にアドレス指定されたメッセージ発信者からの該エンコードメッセージをホストシステムにて受信するステップであって、該エンコードメッセージは、デジタル署名およびメッセージボディを含む、ステップと、
該メッセージ受信者のいずれかが、対応するワイヤレスモバイル通信デバイスを有するか否かを決定するステップと、
対応するワイヤレスモバイル通信デバイスを有するメッセージ受信者ごとに、
該エンコードメッセージのサイズを縮小するために、認証局面に関して該メッセージを改変するために、該メッセージを処理するステップであって、該エンコードメッセージを処理するステップは、該デジタル署名を検証し、かつ該エンコードメッセージにおいて該デジタル署名を再構成し、これにより、該メッセージボディは、該デジタル署名を用いることなく、該ワイヤレスモバイル通信デバイスに送信される、ステップと、
該処理されたメッセージを、該メッセージ受信者に対応するワイヤレスモバイル通信デバイスに送信するステップと、
該ワイヤレスモバイル通信デバイスに該デジタル署名検証状態の表示を送信するステップと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記エンコードメッセージは、証明書をさらに含み、かつ、前記認証局面は、該エンコードメッセージの証明書局面をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エンコードメッセージは、証明書取消しリストをさらに含み、かつ、前記認証局面は、該エンコードメッセージの証明書取消しリストの局面をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エンコードメッセージは、証明書をさらに含み、
前記処理するステップは、該エンコードメッセージにおける前記デジタル署名および前記証明書を再構成し、これにより、前記メッセージボディは、該デジタル署名および該証明書の前に、前記ワイヤレスモバイル通信デバイスに送信されるステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記デジタル署名は、前記証明書が送信されることが可能になる前に、前記ワイヤレスモバイル通信デバイスに送信される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記証明書は、前記ワイヤレスモバイル通信デバイスからのリクエストに応答するのみで該ワイヤレスモバイル通信デバイスに送信される、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月28日(2004.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む、半導体装置の絶縁破壊特性を向上させるために半導体装置と一体化されたMOSトレンチ構造：
半導体基板；
各並列トレンチが端部、側壁、および底部によって規定され、隣接するそれぞれ2つの並列トレンチが、半導体装置を含むメサによって分離され、かつメサがメサ幅を有する、半導体基板内に形成された非連続的な複数の並列トレンチ；
半導体基板内に形成され、端部、側壁、および底部によって規定され、並列トレンチを少なくとも部分的に囲み、かつ、並列トレンチ-周辺トレンチ間隔の分、並列トレンチの端部から離して配置された部分を有する、周辺トレンチ；
並列トレンチおよび周辺トレンチを裏打ちする誘電材料；ならびに
誘電体に裏打ちされたトレンチを実質的に満たす導電材料。
【請求項２】
並列トレンチ-周辺トレンチ間隔が、メサ幅の2分の1にほぼ等しい、請求項1記載のMOSトレンチ構造。
【請求項３】
半導体基板が以下を含む、請求項1記載のMOSトレンチ構造：
半導体接触層；および
半導体接触層の第1の主面上に形成され、半導体接触層のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有する、エピタキシャル成長した半導体層。
【請求項４】
半導体接触層の反対側の第2の主面上に形成された第1の金属接触層をさらに含む、請求項3記載のMOSトレンチ構造。
【請求項５】
半導体装置が、メサ上、ならびに、誘導体に裏打ちされ導電材料で満たされた並列トレンチおよび周辺トレンチ上に形成された第2の金属層をさらに含む、請求項4記載のMOSトレンチ構造。
【請求項６】
半導体装置の絶縁破壊特性を向上させるために半導体装置と一体化されたMOSトレンチ構造であって、以下を含むMOSトレンチ構造：
半導体接触層；
半導体接触層の第1の主面上に形成された、エピタキシャル成長した半導体層；
各並列トレンチが端壁、側壁、および底部によって規定され、隣接するそれぞれ2つの並列トレンチが、メサ幅を有するメサによって分離され、半導体装置が、隣接するそれぞれ2つの並列トレンチの間にゲートを有し、かつゲートにバイアスがかかって半導体装置の電源がオンになった時に電流が半導体装置内を垂直に流れるようにゲートが構成されている、エピタキシャル成長した半導体層内に形成された非連続的な複数の並列トレンチ；
エピタキシャル成長した半導体層内に形成され、側壁および底部によって規定され、並列トレンチを少なくとも部分的に囲み、かつ、並列トレンチ-周辺トレンチ間隔の分、並列トレンチの端部から離して配置された部分を有する、周辺トレンチ；
並列トレンチおよび周辺トレンチを裏打ちする誘電材料；ならびに
誘電体に裏打ちされたトレンチを実質的に満たす導電材料。
【請求項７】
半導体装置がショットキー障壁整流器であり、かつ第1および第2の金属接触層が、ショットキー障壁整流器用の陰極端子および陽極端子を含む、請求項5記載の構造。
【請求項８】
並列トレンチ-周辺トレンチ間隔が、メサ幅の2分の1にほぼ等しい、請求項6記載の構造。
【請求項９】
無線周波数電界効果トランジスタ（RF FET）の絶縁破壊特性を向上させるためにRF FETと一体化されたMOSトレンチ構造であって、以下を含むMOSトレンチ構造：
第1の導電型を有するドレイン接触層；
ドレイン接触層の第1の主面上に形成され、かつ、ドーピング濃度は低いがドレイン接触層と同じ導電型を有する、エピタキシャル成長した半導体層；
ドレイン接触層の反対側の第2の主面上に形成された、第1の金属接触層；
各並列トレンチが端部、側壁、および底部によって規定され、互いに隣接する並列トレンチが、RF FETを含むメサによって分離され、RF FETが、ゲート領域にバイアスがかかってRF FETの電源がオンになった時に電流がソース領域とドレイン接触層の間を垂直に流れるように構成されたゲート領域及びソース領域を有する、エピタキシャル成長した半導体層内に形成された非連続的な複数の並列トレンチ；
エピタキシャル成長した半導体層内に形成され、側壁および底部によって規定され、並列トレンチを少なくとも部分的に囲み、かつ、並列トレンチ-周辺トレンチ間隔の分、並列トレンチの端部から離して配置された部分を有する、周辺トレンチ；
並列トレンチおよび周辺トレンチを裏打ちする誘電材料；ならびに
誘電体に裏打ちされたトレンチを実質的に満たす導電材料。
【請求項１０】
RF FETが以下を含む、請求項9記載の構造：
メサ内のそれぞれ2つのウェル領域がギャップによって分離され、ソース領域が第1の導電型でありかつウェル領域内に形成され、ゲート領域が、ソース領域部分および各メサ内のギャップ部分上に形成された、メサの上部コーナーに形成された第2の導電型のウェル領域。
【請求項１１】
並列トレンチ-周辺トレンチ間隔が、メサ幅の2分の1にほぼ等しい、請求項9記載の構造。
【請求項１２】
半導体装置が、隣接する並列トレンチ間のメサ内に形成された整流器であり、オン状態でバイアスがかかった時に電流がメサ内に垂直に通れるように整流器が構成されている、請求項1記載の構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004535064.tif 000001
【図２】
2004535064.tif 000002
【図３】
2004535064.tif 000003
【図４】
2004535064.tif 000004
【図５Ａ】
2004535064.tif 000005
【図５Ｂ】
2004535064.tif 000006
【図６Ａ】
2004535064.tif 000007
【図６Ｂ】
2004535064.tif 000008
【図７】
2004535064.tif 000009
【図８】
2004535064.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１銅箔層が接合された絶縁体を含むプリント回路基板において光学層を一体化する方法であって、前記方法が、
プリント回路基板を用意する工程と、
ｎ２の屈折率を有する第１ポリマー材料から成る層を銅層上へ積層する工程と、
ｎ１の屈折率を有する第２ポリマー材料から成る層を前記第１ポリマー材料の層上へ積層し、ｎ１はｎ２より大きい、という工程と、
第１および第２ポリマー材料から成る層を貫いて溝を作る工程と、
前記溝を充填して第２ポリマー材料から成る残りの層を覆うように、第１ポリマー材料から成る上面層を積層する工程と、
プリプレッグ材料から成る層を前記上面層上へ積層する工程と、
第２銅箔層を前記プリプレッグ材料の上へ積層する工程と、
から成る方法。
【請求項２】
第１および第２ポリマー材料の熱膨張係数が、プリント回路基板の熱膨張の係数と実質的に同じであることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
第１ポリマー層が、PolyguideTM（登録商標）であることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項４】
積層用にプリント回路基板を用意する工程が、第１の銅箔層を粗面加工する工程を含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項５】
第１の銅箔層を粗面加工する工程が、機械的手段によって第１の銅箔層を粗面加工する工程を含むことを特徴とする請求項４の方法。
【請求項６】
第１の銅箔層を粗面加工する工程が、化学手段によって第１の銅箔層を粗面加工する工程を含むことを特徴とする請求項４の方法。
【請求項７】
積層用にプリント回路基板を用意する工程は、更に、第１の銅層上に複数個のマークを付ける工程を含み、これらのマークが溝の経路を限定することを特徴とする請求項４の方法。
【請求項８】
第１および第２ポリマー材料層に溝を作る工程が、レーザーで溝をレーザー焼灼法する工程を含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項９】
第１および第２ポリマー材料から成る層に溝を作る工程は、更に、
複数個のマークにレーザーの照準を合わせる工程と、
複数個のマークによって定められた経路に沿って第１および第２ポリマー材料から成る層を焼灼する工程と、
を含むことを特徴とする請求項７の方法。
【請求項１０】
第１銅箔層が接合された絶縁体を含むプリント回路基板において光学層を一体化する方法であって、前記方法が、
プリント回路基板を用意する工程と、
ｎ２の屈折率を有する第１ポリマー材料から成る層を前記銅層上へ積層する工程と、
ｎ１の屈折率を有する第２ポリマー材料から成る層を前記第１ポリマー材料の層上へ積層し、ｎ１はｎ２より大きい、という工程と、
第１および第２ポリマー材料から成る層を貫いて溝を作る工程と、
手段取付け用の開口の位置を確認する工程と、  開口の位置のところに第１および第２ポリマー材料から成る層に空隙を作る工程と、
前記溝および空隙を充填して第２ポリマー材料から成る残りの層を覆うように、第１ポリマー材料から成る上面層を積層する工程と、
プリプレッグ材料から成る層を前記上面層上へ積層する工程と、
第２銅箔層を前記プリプレッグ材料の上へ積層する工程と、
手段取付け用開口の位置に開口を作る工程と、
とから成る方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月14日(2003.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
放送情報及びナビゲーション情報を有する１組のデジタル放送データ（６０）を含む記録媒体（８）へのアクセスを管理する装置において、
前記記録媒体（８）から読み出される放送情報と、該放送情報に関連するナビゲーション情報（５０）に含まれるデータを少なくとも含むデータ構造とを一時的に記憶するキャッシュメモリ（６）と、
前記キャッシュメモリ（６）内に存在する放送情報を管理する手段（２０）であって、前記キャッシュメモリ内に記憶された異なるデータ構造に含まれる情報に従って、前記放送情報とそれに関連する前記データ構造とを消去することができる手段と
を含むことを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
１組のデジタル放送データを含む記録媒体へのアクセス方法であって、前記１組のデジタル放送データが、好ましくは音声及び／又は映像である放送情報及びナビゲーション情報を有し、前記放送データが種々のトリックモードを対象とする方法において、
前記記録媒体（８）から読み出される放送情報と、該放送情報に関連するデータ構造（５０）とを、一時的にキャッシュメモリ（６）内に記憶する段階と、
前記キャッシュメモリ（６）内に記憶された異なるデータ構造（５０）に含まれる情報に従って、前記放送情報とそれに関連する前記データ構造とを消去する段階と
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そのために、本発明は、放送情報及びナビゲーション情報を有する１組のデジタル放送データを含む記録媒体へのアクセスを管理する装置において、
記録媒体から読み出される放送情報と、この放送情報に関連するナビゲーション情報に含まれるデータを少なくとも含むデータ構造とを一時的に記憶するキャッシュメモリと、
キャッシュメモリ（６）内に存在する放送情報を管理する手段（２０）であって、キャッシュメモリ内に記憶された異なるデータ構造に含まれる情報に従って、前記放送情報とそれに関連する前記データ構造とを消去することができる手段と
を含むことを特徴とする装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明によると、本方法は、
記録媒体（８）から読み出される放送情報と、該放送情報に関連するデータ構造（５０）とを、一時的にキャッシュメモリ（６）内に記憶する段階と、
キャッシュメモリ（６）内に記憶された異なるデータ構造（５０）に含まれる情報に従って、前記放送情報とそれに関連する前記データ構造とを消去する段階とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ハンドヘルド型携帯電話機であって、
横方向よりも縦方向に長いフロント面と、
側面に囲まれた上面を各々が有する多数のキーと、を含み、
前記各キーは、ユーザが触覚で操作を行うための上面を提供し、
前記複数のキーが縦方向の共有第１軸に沿って配置され、
前記複数のキーの少なくとも１つが頂点を有し、前記上面の区域内で前記第１軸上に並べられることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項２】  請求項１に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記キーの少なくとも１つのキーの前記区域内にある前記頂点が尖っていないことを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項３】  請求項１または２に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記キーの少なくとも１つのキーが、１つの側面に沿ってＶ字型の部分との間に境界を持つことを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれかに記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記キーの少なくとも１つのキーが、ほぼＶ字型の境界を持つとともに、一方の側面には第１頂点を、もう一方の側面には第２頂点を有しており、さらに、前記第１および第２頂点は、前記第１軸と位置合わせされることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれかに記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記複数のキーの各々が頂点を有し、前記上面の区域内において、前記第１軸上に並べられることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項６】  請求項１乃至５のいずれかに記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記複数のキーの各々が、同じ形に形成されることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項７】  請求項１乃至６のいずれかに記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記第１軸が前記フロント面の幅を２等分することを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項８】  請求項１乃至７のいずれかに記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記第１軸は、前記複数のキーの各々にとって反転対称の軸であることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項９】  請求項１乃至８のいずれかに記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記多数のキーが、横方向の列と縦方向の列とに配列されており、また、
各横列が、中央キーと、前記中央キーの左に左端キーと、前記中央キーの右に右端キーとを含むキーを備え、前記中央キーが前記複数のキーの１つであることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項１０】  請求項９に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
横一列に並んだ各キーが近接していることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項１１】  請求項１０に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記近接するキーが前記フロント面の単一の穴から突き出ることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項１２】  請求項１１に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記単一の穴が、前記フロント面を提供するフロント面部材の穴であることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項１３】  請求項９乃至１２に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記横一列に並んだキーが組み合わせてＶ字型を形成することを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項１４】  請求項１０および１３に従属する時の請求項１３に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記近接するキーが単一のＶ字型の穴からフロント面に突き出ることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項１５】  請求項９乃至１４のいずれかに記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記横一列に並んだキーが近接しており、フロント面の一方の側面からもう一方の側面へと、フロント面全域に広がることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項１６】  請求項９に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
各左端キーが、前記第１軸に平行な第２軸と位置合わせされた上面の区域内に頂点を有することを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項１７】  請求項１６に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
各左端キーが、逆Ｖ字型をしたキーの上面に対して境界を持つことを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項１８】  請求項１６または１７に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
各左端キーは同じ形に形成されているが、各中央キーに対しては異なった形に形成されていることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項１９】  請求項９に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
各右端キーが、前記第１軸に平行な第３軸と位置合わせされた上面の区域内に頂点を有することを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項２０】  請求項１９に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
各右端キーが、逆Ｖ字型をしたキーの上面に対して境界を持つことを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項２１】  請求項１９または２０に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
各右端キーは同じ形に形成されているが、各中央キーと各左キーに対しては異なった形に形成されていることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項２２】  請求項９に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記多数のキーが、３×４の形で配列されており、また、
各横列が３つの近接したキーを有し、前記キーが前記フロント面の横方向に広がる１つの穴から突き出ることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項２３】  請求項２２に記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記単一の穴が、前記フロント面を提供するフロント面部材の穴であることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【請求項２４】 請求項１乃至２３のいずれかに記載のハンドヘルド型携帯電話機において、
前記第１軸が、前記多数のキーにとって、反転対称の軸であることを特徴とするハンドヘルド型携帯電話機。
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月27日(2003.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ通信線をわたり光通信信号を受信する光前置増幅器と、光通信信号を受信する前記光前置増幅器に機能的に接続され、単一チャネルを選択し、且つ、光前置増幅器により生成された雑音をフィルタ除去する帯域通過フィルタと、前記帯域通過フィルタから光通信信号を受信し且つ光通信信号を電気通信信号へ変換するＰＩＮ検出器と、電気通信信号を増幅する増幅器回路とを有する、光学的に増幅される受信機。
【請求項２】
前記帯域通過フィルタは、調整可能な帯域通過フィルタを含み、光前置増幅器をポンピングするレーザと、光前置増幅器をポンピングことによって使用されるレーザとインターフェースするレーザドライバとを有する、請求項１に記載の光学的に増幅される受信機。
【請求項３】
前記レーザドライバは、注入レーザダイオード、固定の電流を確立する電流源制御ループ回路、前記注入ダイオードと電流源制御ループ回路に接続された電圧切り換え器回路を有し、前記光前置増幅器は、単一波長の光通信線に接続され、前記光通信線をわたり受信される前記光通信信号は波長分割多重光通信信号を含む、請求項２に記載の光学的に増幅される受信機。
【請求項４】
波長分割多重光通信を分離するために前記前置増幅器と帯域通過フィルタに機能的に接続されたデマルチプレクサを有し、前記増幅器回路は電気通信信号を再整形する電気的に制限する増幅器を含み、前記増幅器回路は判断回路と電気通信信号をリタイミングするクロック再生回路を含む、請求項３に記載の光学的に増幅される受信機。
【請求項５】
光通信線をわたり光通信信号を受信する光前置増幅器と、光通信信号を受信する前記光前置増幅器に機能的に接続され、且つ、光前置増幅器により生成された雑音をフィルタ除去する帯域通過フィルタと、前光前置増幅器から前記光通信信号を受信し且つ光通信信号を電気通信信号へ変換するＰＩＮ検出器と、電気通信信号を増幅する増幅器回路と、集積化された受信機組立体として、前記光前置増幅器、ＰＩＮ検出器及び、増幅器回路を含むハウジング又は印刷されたカード組立体のいずれか１つとを有する、集積化された光学的に増幅される受信機。
【請求項６】
前記帯域通過フィルタは、調整可能な帯域通過フィルタを含み、光前置増幅器をポンピングするレーザと、光前置増幅器をポンピングことによって使用されるレーザとインターフェースするレーザドライバとを有する、請求項５に記載の光学的に増幅される受信機。
【請求項７】
前記レーザドライバは、更に、注入レーザダイオード、固定の電流を確立する電流源制御ループ回路、及び、前記注入ダイオードと電流源制御ループ回路に接続された電圧切り換え器回路を有し、前記光前置増幅器は、単一波長の光通信線に接続され、前記光通信線をわたり受信される前記光通信信号は波長分割多重光通信信号を含み、波長分割多重光通信を分離するために前記前置増幅器に機能的に接続されたデマルチプレクサを有し、前記増幅器回路は電気通信信号を再整形する電気的に制限する増幅器を含み、前記増幅器回路は判断回路と電気通信信号をリタイミングするクロック再生回路を含む、請求項５に記載の光学的に増幅される受信機。