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【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
毎秒２，０００パルスを超えるパルス繰返し率で作動することができる超高速繰返し率ガス放電モジュール式レーザであって、
Ａ）（１）レーザガス、
（２）放電領域を形成する２つの細長い電極、
（３）毎秒４，０００パルス又はそれ以上の範囲の繰返し率で作動する時に、各パルスに続いて、前記放電領域から次のパルスの前に生成された実質的に全ての放電生成イオンを取り除くために、該放電領域において前記レーザガスの十分なガス速度を生み出すための接線型(tangential type)ファン、及び
（４）少なくとも１６ｋｗの熱エネルギを前記レーザガスから取り除くことができる熱交換器システム、
を包含するレーザチャンバモジュールと、
Ｂ）約５ｍＪの範囲の正確に制御されたパルスエネルギにより毎秒約４，０００パルスの繰返し率でレーザパルスを生成するのに十分な電気パルスを前記電極に供給するように構成されたパルスパワーシステムと、
Ｃ）ラインナローイング光学構成要素を含む第１の光学器械モジュールと、
Ｄ）出力カプラを含む第２の光学器械モジュールと、
を含み、
該出力カプラ及びラインナローイングモジュールは、共振空洞と、前記レーザチャンバモジュールを通るレーザビーム経路とを形成し、該チャンバモジュールから分離してレーザに取り付けられ、
Ｅ）ビーム経路パージシステムと、
Ｆ）前記チャンバモジュールと前記ラインナローイングモジュールとの間で、前記パージシステムに真空品質の実質的に酸素のないビーム経路をもたらすための第１の簡単密封ベローズシールユニットと、
Ｇ）前記チャンバモジュールと前記出力カプラとの間で、前記パージシステムに真空品質の実質的に酸素のないビーム経路をもたらすための第２の簡単密封ベローズシールユニットと、
を更に含み、
前記簡単密封ベローズシールは、前記チャンバモジュールの迅速な交換のために素早くかつ簡単に取り外すことができる、
ことを特徴とするレーザ。
【請求項２】
前記簡単密封ベローズシールは、特別の工具を使用せずに手で取外し及び交換できるよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載のモジュール式レーザ。
【請求項３】
前記ビーム経路の前記チャンバモジュールと前記第１の光学構成要素モジュールとの間に配置された熱分断式開口を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のモジュール式レーザ。
【請求項４】
前記熱分断式開口は、前記第１の簡単密封ベローズシールユニットを構成する一部分であることを特徴とする請求項３に記載のモジュール式レーザ。
【請求項５】
出力ビームを形成するパルスレーザビームを生成するよう構成され、また、該出力ビームの波長及び帯域幅をモニタするための波長計モジュールを含むことを特徴とする請求項１に記載のモジュール式レーザ。
【請求項６】
前記出力カプラと前記波長計モジュールとの間で、前記パージシステムに真空品質の実質的に酸素のないビーム経路をもたらすための第３の簡単密封ベローズシールを更に含むことを特徴とする請求項５に記載のモジュール式レーザ。
【請求項７】
前記ビーム経路パージシステムは、窒素パージ供給装置を含むことを特徴とする請求項１に記載のモジュール式レーザ。
【請求項８】
前記ビーム経路パージシステムは、ヘリウムパージ供給装置を含み、パージシステムは、前記ラインナローイングモジュールをヘリウムでパージするよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載のモジュール式レーザ。
【請求項９】
前記パージシステムは、窒素パージ供給装置及びヘリウムパージ供給装置を含み、該ヘリウムパージ供給装置は、少なくとも前記ラインナローイングモジュールをヘリウムでパージするよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載のモジュール式レーザ。
【請求項１０】
前記ビーム経路又は前記出力ビーム内のレーザビーム吸収物質を検出するためのパージガス汚染検出器を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のモジュール式レーザ。
【請求項１１】
前記汚染検出器は、レーザパルス放射の前記物質による吸収から生じた圧力波を検出するためのエレクトレット音響検波器を含むことを特徴とする請求項１０に記載のモジュール式レーザ。
【請求項１２】
前記レーザビーム測定及び制御システムが、エタロンユニットと、フォトダイオードアレーと、プログラム可能論理装置と、該エタロンユニットからのレーザ光を該フォトダイオードアレー上に集束させるための光学器械とを含み、
該プログラム可能論理装置は、前記フォトダイオードアレーからのデータを解析して、エタロン縞の該フォトダイオードアレー上の位置を判断するようにプログラムされていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１３】
前記測定及び制御システムはまた、前記プログラム可能論理装置によって捜し出された縞データから波長及び帯域幅を計算するようプログラムされたマイクロプロセッサを含むことを特徴とする請求項１２に記載のレーザ。
【請求項１４】
前記プログラム可能論理装置は、前記縞の測定に基づいて波長及び帯域幅を計算するアルゴリズムを用いてプログラムされていることを特徴とする請求項１２に記載のレーザ。
【請求項１５】
前記プログラム可能論理装置は、４，０００分の１秒よりも速く波長及び帯域幅の計算を行うよう構成されていることを特徴とする請求項１４に記載のレーザ。
【請求項１６】
前記エタロンユニットは、回折拡散要素を含むことを特徴とする請求項１５に記載のレーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−キャリア素子（１；１０）を有し、
−このキャリア素子（１；１０）上に配置された光電素子（３；１３）を有し、この光電素子（３；１３）は、ワイヤーボンディング（４ａ，４ｂ；１４ａ，１４ｂ）を介してこのキャリア素子（１；１０）内の導体に接続されていて、
−このキャリア素子（１；１０）上の閉鎖的なダム（２；１２）を有し、このダム（２；１２）は、光電素子（３；１３）を有し、
−このダムの領域内に配置された封止体を有し、この封止体は、この光電素子  （３；１３）を封止し、かつ２つの封止材（５，６；１５，１６）を含む光電素子配置において、−ダムの内部領域は、光電素子（３；１３）の上の縁まで第１封止材（５；１５）で充填されていて、
−この光電素子（３；１３）の上のダムの内部領域は、少なくとも窓領域内で透明な第２封止材（６；１６）で充填されていることを特徴とする光電素子配置。
【請求項２】
第１封止材（５；１５）は、ワイヤーボンディング（４ａ，４ｂ；１４ａ，１４ｂ）の熱膨張率（αBD）とキャリア素子（１；１０）の熱膨張率（αTE）とにほぼ合わせられている熱膨張率（αVM1 ）を呈することを特徴とする請求項１に記載の光電素子配置。
【請求項３】
第１封止材（５；１５）の表面が、硬化された状態で大きな凹凸を有することを特徴とする請求項１に記載の光電素子配置。
【請求項４】
第１封止材（５；１５）は、黒いエポキシ充填材であることを特徴とする請求項１に記載の光電素子配置。
【請求項５】
第１封止材（５；１５）及びダム（２；１２）の材料は、同一の母材から成り、粘性だけが異なることを特徴とする請求項１に記載の光電素子配置。
【請求項６】
第２封止材（６；１６）は、第１封止材（５；１５）及び光電素子配置（３；１３）の上のダムの内部領域を完全に充填することを特徴とする請求項１に記載の光電素子配置。
【請求項７】
光電素子（３；１３）は、フォト素子又はオプトＡＳＩＣとして構成されていて、この光電素子（３；１３）のビーム感知面が、キャリア素子（１；１０）から離れて指向されていることを特徴とする請求項１に記載の光電素子配置。
【請求項８】
ガラス板（１９）が、フォト素子又はオプトＡＳＩＣのビーム感知面上に直に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の光電素子配置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
Emerson & Cuming社によって型名Amicon 50300 HT で市販されているような  充填されたエポキシ樹脂の形態をした公知の黒いエポキシ充填材が、適切なダムの材料として設けられ得る。その代わりに、製品名FP 4451 で市販されるDexter Hysol社のエポキシ充填材を使用してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
水槽状のダムの内部領域内に配置された封止体が２つの異なる封止材５，６から構成される点が、本発明に対して重要である。この封止体は、光電素子３を封入する。この場合、この例では、ダムの内部領域が、光電素子３のほぼ上の縁まで第１封止材５で充填されている。したがってこの第１封止材５は、この例では素子３の高さｈ1 にほぼ相当する高さを有する。基本的には、第１封止材５の高さを例えばより低くしてもよい。しかしながら、ダムの内部領域が特に最大で光電素子３の上の縁まで第１封止材で充填されていて、したがって光電素子３のビームに感知するか又は場合によってはビームを放出する面が第１封止材５によってほとんど覆われていないことを保証しなければならない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２ｃ中に示された引続く処理ステップでは、第１封止材１５がダムの内部領域内で配量針５０によって好ましくは最大で光電素子の上の縁まで注入される。上述したようにこの実施の形態では、ダム１２と同一の母材から成る第１封止材１５が選択される。そのため、例えば充填された黒いエポキシ樹脂又はエポキシ充填材が使用され得る。次いで、ダム１２と第１封止材１５の双方が、適切な焼結処理によって硬化される。図２ｄで中に示されている以下の方法ステップでは、最初に説明した実施の形態とは違って、追加のガラス板１９が、光電素子１３又はオプトＡＳＩＣのビーム感知面上に配置される。このことは、図２ｄ中に示されたように透明な第２封止材で充填する前に実施される；しかしその代わりに、ダムの内部領域の残りを透明な第２封止材で充填した直後にガラス板１９を光電素子１３の表面に押し付けることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月2日(2005.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に透明な材料内に分散配置されているＵＶ放射線散乱材料の粒子を備えているＵＶ反射器において、前記ＵＶ放射線散乱材料は、前記実質的に透明な材料の屈折率とは異なる屈折率を有しており、前記屈折率は、５５５ｎｍの波長を有する光で測定されるようになっており、
前記散乱材料が、テルル化鉛、セレン化鉛、硫化鉛、ゲルマニウム、リン化ガリウム、シリコン、ひ化インジウム、ひ化ガリウム、ひ化アルミニウム、ルチル、リン化ホウ素、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、テルル化亜鉛、臭ヨウ化タリウム、方解石、炭化珪素、硫化カドミニウムランタン、チタン酸ストロンチウム、タリウムクロロブロマイド、ダイヤモンド、ファビュライト、セレン化亜鉛、セレン化カドミウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、酸化ゲルマニウム、塩化銀、酸化ハフニウム、ヨウ化リチウム、ジルコン、酸化イットリウム、一酸化シリコン、サファイア、ヨウ化セシウム、ランタンフリントガラス、臭化セシウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化マグネシウム、重フリントガラス、三ふっ化ランタン、シリカ、ふっ化リチウム、ふっ化マグネシウム、ふっ化カリウム、ふっ化ナトリウム、及びそれらの混合物から成るグループから選択されることを特徴とする、ＵＶ反射器。
【請求項２】
前記ＵＶ放射線散乱材料の前記屈折率は、前記実質的に透明な材料の屈折率より小さいことを特徴とする、請求項１に記載のＵＶ反射器。
【請求項３】
前記ＵＶ放射線散乱材料は、ふっ化リチウム、ふっ化マグネシウム、ふっ化カリウム、ふっ化ナトリウム、及びそれらの混合物から成るグループから選択されることを特徴とする、請求項２に記載のＵＶ反射器。
【請求項４】
前記ＵＶ放射線散乱材料は、その粒子集団の９５％を上回る粒子が、前記実質的に透明な材料内のＵＶ放射線の最大波長の約半分より小さい粒子直径を有しており、前記波長の約１０分の１未満の平均粒子直径を有している粒状の誘電体材料であることを特徴とする、請求項１ないし３に記載のＵＶ反射器。
【請求項５】
少なくとも１つのＵＶＬＥＤをベースにした光源において、
ＵＶ放射線を放出するＬＥＤと、
前記請求項１ないし４のいずれかの請求項に記載されたＵＶ反射器と、
前記ＵＶ放射線を受け取り、前記ＵＶ放射線を可視光線に変換するように配置されている、前記ＵＶ放射線で励起される少なくとも１つの蛍光体の粒子と、を備えており、
前記蛍光体の前記粒子と前記ＵＶ放射線散乱材料が、前記モールド成形又は鋳造成形材料の少なくとも一部に分散配置されていることを特徴とする光源。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月3日(2003.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分離トレンチ（５０）を有するトレンチキャパシタを製造する方法であって、
半導体基板（１０）内に配置されるトレンチキャパシタ（２０、３０）を提供する工程を包含し、該トレンチキャパシタは、
第１の外部電極（３４１）および第２の内部電極（３４３）および該第１と該第２の電極との間に配置される誘電体（３４２）を有する下部（３４）と、
該トレンチの側壁上にカラー分離（３１、３２）を有する上部（３５）とを有し、その結果、シリコン層（１２）は、該カラー分離（３１、３２）の上のトレンチキャパシタを覆い、硬質マスク（４０）は、該シリコン層（１２）を覆い、
該方法は、
該シリコン層（１２）の表面が到達されるように、該ハードマスク（４０）を開ける工程であって、
第１の工程において、該カラー分離（２２、３１）が到達されるまで、塩素または臭素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングする工程と、
第２の工程において、シリコンフッ化物および酸素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングを引き続き実行する工程と
を包含する、工程を包含する、方法。
【請求項２】
前記第１の工程の前記エッチングガスは、塩化水素ガスと、およびヘリウムおよび酸素ガスのうち少なくとも１つとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エッチングガスは、前記第１の工程中、臭化水素ガスと、ヘリウムおよび酸素ガスのうち少なくとも１つとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチングガスは、前記第２の工程中、アルゴンガスをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
前記エッチングガスは、前記第２の工程中、ＣＦ４ガスをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第１の工程中に、酸化物分離から生成される副生物が検出される場合に前記第１のエッチング工程が終了され、第２のエッチング工程が開始されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
干渉法を用いる測定または光学発光分光法を用いる測定から得られる信号に応答して、前記第１のエッチング工程が終了され、前記第２のエッチング工程が開始されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
予め決定された期間中に前記第１の工程を実行した後、前記第２のエッチング工程が開始されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
前記ハードマスク（４０）は、ホウケイ酸塩ガラスを含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記ハードマスク（４０）は、シリコン酸化物を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記カラー分離（２２、３１）は、シリコン酸化物を含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体基板（１０）は、近接して配置されるカラー分離（２１、２２、３１、３２）を有する少なくとも２つのキャパシタ（２０、３０）を含むことと、前記ハードマスク（４０）は、該少なくとも２つのトレンチキャパシタ（２０、３０）に相対的に配置され、その結果、前記第２のエッチング工程中に、互いに直面している該カラー分離の部分（２２、３１）はエッチングされることと、該第２のエッチング工程中に、互いに直面していない該カラー分離の部分（２１、３２）は維持されることとを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この目的は、半導体基板内に配置されるトレンチキャパシタであって、該トレンチキャパシタは、第１の外部電極および第２の内部電極ならびに第１電極と第２電極との間に配置される誘電体を有する下部と、トレンチの側壁にカラー分離を有する上部とを含むトレンチキャパシタを提供する工程を含む、分離トレンチを有するトレンチキャパシタを製造する方法によって解決される。それによって、シリコン層はカラー分離上のトレンチキャパシタを覆い、ハードマスクはシリコン層を覆う。本方法は、シリコン層の表面が到達されるようにハードマスクを開ける工程をさらに含み、第１の工程において、カラー分離が到達されるまで、塩素および臭素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングし、第２の工程において、シリコンフッ化物を含むエッチングガスを用いてドライエッチングを引き続いて実行する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１に描かれる断面は、この製造段階でほぼ完成された２つのキャパシタ２０、３０を有するシリコン基板１０を示す。キャパシタは、シャロートレンチキャパシタであり、ＤＲＡＭデバイス上に数百万個が規則的に配置される。キャパシタ２０、３０は、共に寄せ集められている。キャパシタ３０は、詳細に説明され、キャパシタ２０は対応する構造を有する。キャパシタ３０は、下部３４および上部３５を有する。下部３４は、電荷を格納する格納ノードである。下部３４は、基板内の第１の電極３４１、トレンチの壁に配置される誘電体層３４２およびトレンチの下部３４を満たす内部電極３４３を有する。誘電体材料３４２は、シリコン窒化物である。トレンチキャパシタ３０の上部３５は、基板１０から内部電極３３を分離するカラー酸化物３１、３２を有する。キャパシタ３０の右端の近くに、メモリセル用のアクセストランジスタが後に形成される。記述された構造は、もう１つのキャパシタ２０に反映される。キャパシタ２０、３０の両方は、間に活性な領域を有さないが、キャパシタ２０の左側およびキャパシタ３０の右側に互いに近く配置される。２つのキャパシタを互いから分離するように、シャロー分離トレンチ５０が、基板およびキャパシタ２０、３０にドライエッチング処理によって形成されなければならない。エッチング処理は、キャパシタの内部電極、カラー酸化物およびキャパシタ間のバルクシリコンの単結晶シリコンを同時にエッチングする必要がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004528730.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの化学エッチング形状を備えるポリイミド基板を有するフレキシブル回路であって、かかるエッチング形状が、所定の傾き角を有する側壁を有し、前記ポリイミドが、化学エッチング剤に暴露される時に５０容量％未満、膨張する、フレキシブル回路。
【請求項２】
所定の傾きの側壁を有する少なくとも第１および第２の化学エッチング形状を含むポリイミド基板を有し、前記第１の形状の前記側壁の前記所定の傾きが、前記第２の形状の前記側壁の前記所定の傾きと異なっている、請求項１に記載のフレキシブル回路。
【請求項３】
前記化学エッチング形状の少なくとも１つが、少なくとも１つの側壁を有し、各側壁が、少なくとも２つの異なる所定の傾きを有する、請求項１に記載のフレキシブル回路。
【請求項４】
フレキシブル回路を、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、および水酸化セシウムからなる群から選択されたエッチング溶液中に置く工程を含む、かかるエッチング形状が所定の傾き角を有する側壁を有する、請求項１に記載のフレキシブル回路、の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月1日(2004.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コンピュータ・システムの構成設定を含む第２の信号の１）メモリ中のロケーション、および２）メモリ中での長さを定義する第１の信号を生成するステップであって、第１の信号がクロス・プラットフォーム符号化を有するステップと、
第１の信号を、アプリケーション・プログラムによってアクセスできるように格納し、かつ第２信号を、電源オンまたはリセットの何れかにコンピュータ・システム加えるステップとを含む方法。
【請求項２】  第１のコンピュータ・システムについてのシステムの構成設定を表す第２の信号の１）メモリ中のロケーション、および２）メモリ中での長さを定義する第１の信号を生成するステップであって、第１の信号がクロス・プラットフォーム符号化を有するステップと、
第１の信号を第２のコンピュータ・システムに送信するステップとを含む方法。
【請求項３】  第１のコンピュータ・システム上で、第２の信号の１）メモリ中のロケーション、および２）メモリ中での長さを定義する第１の信号を受信するステップであって、第２の信号が、第２のコンピュータ・システムについてのシステムの構成設定を定義し、第２のコンピュータ・システムがメモリを含み、第１の信号がクロス・プラットフォーム符号化を有するステップと、
第１のコンピュータ・システムが、第１の信号を加えてシステムの構成設定を読み取るステップとを含む方法。
【請求項４】  命令を格納している機械可読メモリを備え、この命令が、コンピュータ・システムにおけるプロセッサによって実行されたとき、
コンピュータ・システムの構成設定を含む第２の信号の１）メモリ中のロケーション、および２）メモリ中での長さを定義する、クロス・プラットフォーム符号化を有する第１の信号を生成し、および
第１の信号を、アプリケーション・プログラムがアクセスできるように格納し、かつ第２信号を、電源オンまたはリセットの何れかにコンピュータ・システム加える記録媒体。
【請求項５】  命令を格納している機械可読メモリを備え、この命令が、プロセッサによって実行されたとき、
第１のコンピュータ・システムについてのシステムの構成設定を定義する第２の信号の１）メモリ中のロケーション、および２）メモリ中での長さを定義する、クロス・プラットフォーム符号化を有する第１の信号を生成し、および
第１の信号を第２のコンピュータ・システムに送信する記録媒体。
【請求項６】  命令を格納している機械可読メモリを備え、この命令が、プロセッサによって実行されたとき、
第１のコンピュータ・システムが、第２の信号の１）メモリ中のロケーション、および２）メモリ中での長さを定義する第１の信号を受信し、第２の信号が、第２のコンピュータ・システムについてのシステムの構成設定を定義し、第２のコンピュータ・システムがメモリを含み、第１の信号がクロス・プラットフォーム符号化を有すること、および
構成設定の値を第２のコンピュータ・システムに送信する記録媒体。
【請求項７】  コンピュータ・システムであって、
プロセッサと、
命令を格納している機械可読媒体とを備え、この命令が、プロセッサによって実行されたとき、
コンピュータ・システムの構成設定を含む第２の信号の１）メモリ中のロケーション、および２）メモリ中での長さを定義する、クロス・プラットフォーム符号化を有する第１の信号を生成し、および
第１の信号を、アプリケーション・プログラムが第１の信号にアクセスできるように格納し、かつ第２信号を、電源オンまたはリセットの何れかにコンピュータ・システムに加えるコンピュータ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成14年10月11日(2002.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料におけるアクセプタおよびドナー種のパッシベーションをその成長の間および成長後に防止または低減する方法であって、
成長温度の反応装置（１０）内で前記半導体材料（３０、５０）を成長させることと、
前記半導体材料が前記反応装置（１０）にある間に、前記半導体材料（３０、５０）上にパッシベーションバリア層（３２）を堆積することと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記パッシベーションバリア層（３２、５２）は、有機金属化学的気相蒸着法、プラズマ化学的気相蒸着法、ホットフィラメント化学的気相蒸着法または物理的気相蒸着法によって堆積されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パッシベーションバリア層（３２、５２）は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＭｇＯｘ、ＭｇＮｘ、ＺｎＯ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘまたはそれらの合金を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記パッシベーションバリア層（３２、５２）は、少なくとも２つの層を備え、各々の前記層は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＭｇＯｘ、ＺｎＯ、ＳｉＮｘ、ＭｇＮｘ、ＳｉＯｘまたはそれらの合金から作られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記パッシベーションバリア層（３２、５２）は、ゲッタリング層であり、前記ゲッタリング層が、前記半導体材料（３０、５０）内に捕らえられた水素を化学的に結合し、前記半導体材料（３０、５０）内への水素の拡散を遮断することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ゲッタリング層（３２、５２）は、水素原子よりも高い結合エネルギーを有し、水素とアクセプタまたはドナー材料との間より高い結合エネルギーを有する成分を含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記反応装置（１０）は、前記パッシベーションバリア層（３２、５２）の形成後に雰囲気ガスを含み、前記雰囲気ガスは、非反応性ガス（２９）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記反応装置（１０）は、前記パッシベーションバリア層の形成後に雰囲気ガスを含み、前記雰囲気ガスは、反応性ガスであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
反応装置において半導体材料（３０、５０）におけるアクセプタおよびドナー種のパッシベーションをその成長の間および成長後に防止する方法であって、
前記半導体材料（３０、５０）の成長のために、前記反応装置（１０）内に成長ソースガス（１６、２１ａ−ｃ、２６）を流すことと、
前記半導体の安定化に必要でない前記材料の成長ソースガス（１６、２６）のフローを停止することと、
パッシベーションバリア層ソースガス（１６、２１ａ−ｃ）を前記反応装置（１０）内に噴射して、前記半導体材料（３０、５０）上にパッシベーションバリア層を堆積し、前記パッシベーションバリア層（３２、５２）は、ゲッタリング層であり、前記ゲッタリング層が、前記半導体材料（３０、５０）内に捕らえられた水素を化学的に結合し、前記半導体材料（３０、５０）内への水素の拡散を遮断することと、
前記反応装置の冷却後に前記パッシベーションバリア層（３２、５２）を取り除いて、前記半導体材料（３０、５０）のさらに処理することと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項１０】
半導体材料の表面を保護する方法であって、
ＭＯＣＶＤ反応装置（１０）内で前記半導体材料（３０、５０）上に不活性パッシベーションバリア層（３２、５２）を堆積することと、
前記反応装置（１０）を冷却することと
を備えたことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｌｉ［Ｍ1(1-x)Ｍｎx］Ｏ2を有し、式中、０＜ｘ＜１であり、Ｍ1が１つ以上の金属元素を表すが、ただし、Ｍ1がクロム以外の金属元素であるリチウムイオン電池用カソード組成物であって、
リチウムイオン電池に混入されかつ３０ｍＡ／ｇの放電電流を用いて３０℃および１３０ｍＡｈ／ｇの最終容量で１００回の全充電−放電サイクルにかけられる時にスピネル結晶構造に相転移しないＯ３結晶構造を有する単一相の形状であることを特徴とする、カソード組成物。
【請求項２】
（ａ）アノード、
（ｂ）請求項１に記載の組成物を含むカソード、および
（ｃ）前記アノードと前記カソードとを隔てる電解質、
を含むリチウムイオン電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光モジュールであって、
前側発光ダイオードアレイ及び熱伝導性スプレッダと熱的に通じている後側を画定している発光ダイオード組立体と、
前記熱伝導性スプレッダと熱的に通じ、電気導体を前記前側発光ダイオードアレイと作動的に通じさせるための手段を構成している細長い熱伝導性コアと、
前記熱伝導性コアの周りに配置され、前記熱伝導性スプレッダと熱的に通じ、前記熱伝導性コアの縦軸に平行又は垂直の何れかの方向に延びている複数の付属品と、
を備えていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記前側発光ダイオードアレイを取り囲んでいるハウジングと、
前記前側発光ダイオードアレイに取り外し可能に取り付けられている光学系と、
を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
光モジュールであって、
前側発光ダイオードアレイ及び熱伝導性スプレッダと熱的に通じている後側を画定している発光ダイオード組立体と、
前記熱伝導性スプレッダと熱的に通じている複数の付属品と、
前記前側発光ダイオードアレイを取り囲んでいるハウジングと、
前記前側発光ダイオードアレイに取り外し可能に取り付けられている光学系とを備え、
前記光学系は、前記前側発光ダイオードアレイ内の発光ダイオードと対応する小型レンズを含むことを特徴とする光モジュール。
【請求項４】
前記ハウジングは、前記光学系と前記前側発光ダイオードアレイとの間の間隔を選択的に可変にするようになっていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記複数の付属品は、前記熱伝導性コアを取り囲むように前記熱伝導性コアに取り付けられているフィンを含むことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記発光ダイオード組立体は、成形された凹み内にそれぞれ配置されている複数のダイオードを含み、前記凹み及び前記発光ダイオードはレンズでカバーされていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記発光ダイオード組立体は、個々にパッケージされた発光ダイオード素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記個々にパッケージされた発光ダイオード素子は、前記熱伝導性スプレッダと熱的に通ずるように取り付けられていることを特徴とする請求項７に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記光モジュールは、40°Ｃ／Ｗより低い熱抵抗を有していることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記熱伝導性コア及び前記電気導体の外面の物理的大きさと形状は、ＭＲ型取付具及びＰＡＲ型取付具のセットから選択された取付具内に収容されるようになっていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１１】
前記前側発光ダイオードアレイは、飽和カラー光を選択的に発生し、前記飽和カラー光は狭い帯域の光を発生する発光ダイオードにより発生することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１２】
前記前側発光ダイオードアレイは、白光を選択的に発生することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１３】
前記前側発光ダイオードアレイは、種々の飽和したカラーＬＥＤからの混合に基づいて非飽和カラーを選択的に発生することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１４】
前記前側発光ダイオードアレイは、少なくとも50ルーメンの光を選択的に発生することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１５】
個々に給電可能なダイオードのセットを、前記前側発光ダイオードアレイ内に更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１６】
電気接続要素を通過させているボディによって支持されている発光面を含む発光ダイオード組立体において、前記ボディは、
前記発光面と熱的に通じ、前記電気接続要素を前記発光面内の発光ダイオードと電気的に接続させるための通路を提供している細長い熱伝導性コアと、
前記熱伝導性コアを取り囲み、前記発光ダイオード組立体と熱的に通じている複数の細長い熱伝導性アタッチメントと、
を含むことを特徴とする発光ダイオード組立体。
【請求項１７】
前記複数の熱伝導性アタッチメントは、前記熱伝導性コアに取り付けられているフィンを含むことを特徴とする請求項１６に記載の発光ダイオード組立体。
【請求項１８】
前記フィンは、前記熱伝導性コアの中心軸に平行に前記熱伝導性コアに取り付けられているアタッチメント縁を含むことを特徴とする請求項１７に記載の発光ダイオード組立体。
【請求項１９】
前記熱伝導性アタッチメントは、前記発光面とは反対側に取り付けられている細長いピラーを含むことを特徴とする請求項１６に記載の発光ダイオード組立体。
【請求項２０】
スポットモジュールプラットフォームに関連して使用するためのランプであって、
対面する前向き側及び後向き側を有するＬＥＤ組立体に配列された複数のＬＥＤ、を備え、
前記前向き側は前記ＬＥＤに給電された時に前記ＬＥＤから飽和又は非飽和カラーから選択されたカラー又は白の照明を選択的に発生するようになっており、
前記ＬＥＤ組立体の後向き側と熱的に接触する熱導電性ベースと、前記熱導電性ベースから前記ＬＥＤ組立体から遠ざかる方向に延びる導電性コアとを含み、前記ＬＥＤから熱を引き出すように配列されているヒートシンクと、
前記ヒートシンクと熱的に通じ、熱導電性コアと締まり嵌めされる複数の部材を含み、前記ヒートシンクからの熱を対流によって散逸させる熱散逸手段と、
を更に備えていることを特徴とするランプ。
【請求項２１】
前記ＬＥＤは、反射器のウェル内に配置されていることを特徴とする請求項２０に記載のランプ。
【請求項２２】
前記飽和カラー光は狭い帯域の光を発生する発光ダイオードにより発生することを特徴とする請求項２０に記載のランプ。
【請求項２３】
前記非飽和カラー光は種々の飽和カラー光を発生するＬＥＤの混合により生じることを特徴とする請求項２０に記載のランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
さらに、４つの選択信号、ＮＰＰＳＥＬ、ＮＰＤＳＥＬ、ＮＤＤＳＥＬ、およびＮＤＰＳＥＬは、バス多重装置１１とプログラムアクセス制御装置１２に入力され、データメモリ５のアクセスに関係するデータメモリ信号ＮＤＤＳＥＬとＮＤＰＳＥＬのみがデータアクセス制御装置１３に入力される。さらに、アクセス制御装置１２、１３にはそれぞれ信号ＮＰＲとＮＤＲが処理装置２から供給される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図５ａは、第１の実施の形態のプログラムアクセス制御装置１２を示している。この図で、アクセス制御装置１２は、反転入力を有した２つのＡＮＤゲート４５、４６を備えている。第１ゲート４５には選択信号ＮＤＤＳＥＬとＮＰＤＳＥＬが送られ、第２ゲート４６には選択信号ＮＤＰＳＥＬとＮＰＰＳＥＬが送られる。この２つのゲートは、その出力側が２つの入力０、１を有した多重装置４８の制御入力と入力１に接続したＯＲゲート４７に接続しており、多重装置の出力側は、処理装置２に入力される信号ＮＰＡを送り出し、多重装置の入力０は処理装置から信号ＮＰＲを受け取る。このため、以下の条件が満たされた場合（処理装置のプログラムへのアクセスが不可の場合）、信号ＮＰＡは１に設定される。そうでない場合は信号ＮＰＲと等しくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
信号ＮＰＭＡとＮＤＭＡが両方とも使用可能な場合は、図６に示す方法でアクセス制御装置１３を実行することができる。この図では、制御装置１３は、２つの入力０、１を有した２つの多重装置６１と６２を備えている。多重装置６１はその入力０で信号ＮＰＭＡを、その入力１で信号ＮＤＲを、その制御入力で信号ＮＤＰＳＥＬを受け取る。多重装置６１の出力は第２多重装置６２の入力１に接続しており、第２多重装置６２の入力０には信号ＮＤＭＡが、制御信号入力には信号ＮＤＤＳＥＬが与えられ、その出力は信号ＮＤＡを送出し、処理装置２に入力される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データベース（２）のデータの記憶を編成する方法であって、
前記データベースの結論セット（２０、２４、２６、２８、３０、４０、５０、６０）は、階層的構造体に配置され、
前記結論セットは、項目の数が第１レベルの位（レベル１）の選択された結論セットの閾値に達するまで、項目が該選択された結論セットに挿入されるように配置され、その後、前記選択された結論セットの内容が、下位の結論セットに移動され、これにより、前記選択された結論セットが空にされ、
そして、前記選択された結論セットからの前記内容の移動に続いて、更にその結論セットへの挿入を可能にする、方法。
【請求項２】
それぞれの結論セット（２０、２４、２６、２８、３０）は、０個、１個または２個のすぐ下位の結論セットを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
移動中、前記すぐ下位の結論セットのいずれにエントリを転送するかを選択するために、前記選択された結論セットの前記データは、探索基準と比較される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記データベースは、決定グラフを含み、前記探索基準は、事実上、前記決定グラフの延長である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記結論セットの階層的構造体は、層状の構造体に配置される、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記層状の構造体は、Ｌ個のレベルを備え、第１レベルから第（Ｌ−１）レベルまでの各結論セットは、それぞれ第２レベルから第Ｌレベルの２つのすぐ下位の結論セットを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
Ｎを１から（Ｌ−１）までのある整数とすると、第Ｎレベルの所定の結論セットが、所定の個数のエントリを有すると、該結論セットの内容は、そのすぐ下位の結論セットに移動される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
所定の値より上の階層的な位を有する結論セットは、使用に際して、高速メモリに記憶される、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記結論セット（４０、５０、６０）は、前記データベースの決定グラフの全体にわたって分散される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記決定グラフは、前記決定グラフの大部分にわたって、指定された結論セット間の距離を維持するように構築される、請求項１または９に記載の方法。
【請求項１１】
結論セットからのデータの移動中、該データは、その具体的なデータの内容に基づいて、下位の結論セットに移動される、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
結論セットの前記内容は、一斉に移動される、請求項１、９、１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
データベースの結論セットが、階層的構造体に配置され、前記結論セットは、項目の数が第１レベルの位の選択された結論セットの閾値に達するまで、項目が該選択された結論セットに挿入されるように配置され、その後、前記選択された結論セットの内容が、下位の結論セットに移動され、これにより、前記選択された結論セットが空にされ、そして、前記選択された結論セットからの前記内容の移動に続いて、更にその結論セットへの挿入を可能にする、データベース。
【請求項１４】
前記結論セット（４０、５０、６０）は、決定グラフの全体にわたって分散される、請求項１３に記載のデータベース。
【請求項１５】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の方法をデータプロセッサに実施させるコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リアルタイム・スケジュールに従って命令のシークエンスを繰り返すコンピュータを故障回復中に初期化し、連続的に動作させる方法であって、
複数のオペレーショナル・プログラムのそれぞれを複数のランダム・アクセス・メモリ・ハードウェア・モジュールの対応するそれぞれにダウンロードすることによって、前記コンピュータを初期化するステップと、
前記複数のオペレーショナル・プログラムの１つをコントローラ・オペレーショナル・プログラムとして指定し、前記複数のオペレーショナル・プログラムの残りをオブザーバー・オペレーショナル・プログラムとして指定するステップと、
共通のプロセッサ上で、前記コントローラ・オペレーショナル・プログラムと前記オブザーバー・オペレーショナル・プログラムのそれぞれを連続的な順で実行するステップと、
前記コントローラ・オペレーショナル・プログラムを含む前記メモリ・ハードウェア・モジュールに記憶されたコントローラ・データと、前記オブザーバー・オペレーショナル・プログラムを含む前記メモリ・ハードウェア・モジュールのそれぞれに記憶された対応するオブザーバー・データとを比較するステップと、
前記コントローラ・データが損傷を受けているか否かを判定するステップであって、そのように判定された場合、
前記オブザーバー・オペレーショナル・プログラムの１つを新しいコントローラ・オペレーショナル・プログラムとして指定するステップと、
前記損傷を受けたデータが検出された前記メモリ・ハードウェア・モジュールであって、前記コントローラ・オペレーショナル・プログラムとして指定されたオペレーショナル・プログラムを以前は含んでいた前記メモリ・ハードウェア・モジュール内のデータを、もう１つのメモリ・ハードウェア・モジュールからの無傷のデータで上書きするステップと、
前記損傷を受けたデータが検出された前記メモリ・ハードウェア・モジュール内のデータを、新しいオブザーバー・オペレーショナル・プログラムに再指定するステップと、を含むステップと、
オペレーショナル・プログラムを実行する前記ステップ、データを比較する前記ステップ、及びデータが損傷を受けているか否かを判定する前記ステップを、前記コンピュータを連続的に動作させるために前記リアルタイム・スケジュールの反復内で繰り返すステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記コントローラ・データは、放射線イベントによって損傷を受ける、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記コントローラ・オペレーショナル・プログラムと前記オブザーバー・オペレーショナル・プログラムのそれぞれを連続的な順で実行する前記ステップは、各オペレーショナル・プログラムが専用ハードウェア・タイマーによって開始されるステップをさらに含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記コントローラ・オペレーショナル・プログラムを含む前記メモリ・ハードウェア・モジュールに記憶されたコントローラ・データと、前記オブザーバー・オペレーショナル・プログラムを含む前記メモリ・ハードウェア・モジュールのそれぞれに記憶された対応するオブザーバー・データとを比較する前記ステップはさらに、
前記メモリ・ハードウェア・モジュールのそれぞれに含まれているデータに関して多数決を実行するステップと、
前記多数決の結果と一致しない各メモリ・ハードウェア・モジュール内のデータをマーク付けするステップと、
前記コントローラ・オペレーショナル・プログラムを含んでいるメモリ・ハードウェア・モジュール内のデータが損傷を受けている場合にフラグをセットするステップと、
を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記損傷を受けたデータが検出された前記メモリ・ハードウェア・モジュール内のデータを無傷のデータで上書きする前記ステップはさらに、
複数の前記メモリ・ハードウェア・モジュールが損傷を受けたデータを含んでいるか否かを判定するステップであって、そのように判定された場合、
複数のメモリ・ハードウェア・モジュールが損傷を受けたデータを含んでいることを示すフラグをセットするステップと、
前記フラグがセットされていない場合、損傷を受けたデータを含んでいるメモリ・ハードウェア・モジュールのデータを上書するステップと、を含むステップを含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、複数のメモリ・ハードウェア・モジュールが損傷を受けていることを示す前記フラグがセットされている場合、該方法はさらに、
オペレーショナル・フライト・プログラムの１つのバージョンをクロス・チャネル・データ・リンクから前記メモリ・ハードウェア・モジュールのそれぞれにダウンロードするステップと、
前記メモリ・ハードウェア・モジュールのそれぞれに含まれているデータに関して多数決を実行するステップと、
前記多数決の結果と一致しない各メモリ・ハードウェア・モジュール内のデータを、損傷を受けているとマーク付けするステップと、
複数の前記メモリ・ハードウェア・モジュール内のデータが損傷を受けている場合、第２のフラグをセットするステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月6日(2004.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図８には、特に収縮の小さなフラットケーブルフィルム１０を製造するためのシステムが概略的に示されている。ローラ対８ａ、８ｂの間には第１のローラ間隙Ｓが形成される。絶縁層の一方を形成する予め製作されたプラスチックフィルム４ａは、間隙Ｓを通して矢印方向Ｐ２に垂直に引き抜かれる。同時に、非常に平坦な銅帯２は、ローラ８ｂのローラ表面を介して矢印方向Ｐ１に間隙Ｓに供給され、またこの間隙を通過する際に圧力を受けて（ローラ８ａが圧搾ローラとして働く）、プラスチックフィルム４ａの表面に押圧される。この際、ほぼ図９に示したような事前結合体が得られる。銅帯はプラスチックフィルムの長手方向延長部の坦持体として（織物のように）使用され、プラスチックフィルムの延びおよび収縮に対して対抗作用する。次に、事前結合体４ａ、２は、ローラ対９ａ、９ｂによって形成される別のローラ間隙Ｓ２を通過する。この際、押出機６のフラットフィルムノズル６１を用いて、熱可塑性プラスチック溶融物がローラ９ｂのローラ表面に直接押出しされ、このように押出しされた絶縁層３が間隙Ｓ２に供給され、この結果、この絶縁層は、間隙Ｓ２内において、付着する銅帯を有する側面のプラスチックフィルム４ａと結合される。この際、間隙Ｓ２内に十分な圧力が及ぼされる。外部絶縁層４ａ、３と内部にある導体２とを有するフラットケーブル１０としてこのように製造された結合部は、次に矢印方向Ｐ３に引き抜かれる。本方法によって、応力の小さな結合部が製造され、その断面は図１０に概略的に示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】  図８のＦＦの断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一の第１のマトリクスコネクタを備えたマトリクスコネクタアッセンブリであって、
ａ）各サブアッセンブリがカラム内に收装された複数の導電性要素を有し該導電性要素
の各々が係合接点部を有する複数の第１サブアッセンブリと、
ｂ）各シールドが第１サブアッセンブリの導電性要素のカラムと平行にかつ隣接して配
置された複数の第１型シールドと、
ｃ）各シールドが係合接点部を有しかつ少なくとも一の前記第１型シールドに電気的に
接続された複数の第２型シールドと、
ｄ）前記第１型シールド及び第２型シールドの各々が端縁を備え、少なくとも前記第１
型シールドの端縁または第２型シールドの端縁が、対応する型のシールドの端縁を
受入れる空隙を形成してなることと、
ｅ）前記端縁の前記空隙に隣接して少なくとも一の第１型スロットが形成され、前記空
隙と該第１型スロットとの間に第１ビームを形成して、前記第１型シールドと前記
第２型シールドとの電気的接続を確実ならしめた前記第１ビームと、
によって構成されたことを特徴とするマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項２】
前記第１のマトリクスコネクタが、前記複数の第１サブアッセンブリの少なくとも実質的部分を收容する絶縁性ハウジングを有する編成部をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項３】
前記第１のマトリクスコネクタの前記編成部が金属製であって、前記第１のサブアッセンブリを互いに平行に收容することを特徴とする請求項２に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項４】
各々の前記第１サブアッセンブリは、それぞれ、前記複数の導電性要素の周りにモールド成形された絶縁材料を有している、請求項１に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項５】
各々の前記第１のサブアッセンブリのそれぞれの導電性要素の係合接点部は、ピンを有していることを特徴とする請求項１に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項６】
前記端縁の前記空隙に隣接して前記第１のスロットから空隙の他方側に第２のスロットが形成され、前記空隙と前記第２のスロットとの間に前記第１型シールドと第２型シールドとの電気的接触を確実ならしめる第２のビームが形成されたことを特徴とする請求項１に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項７】
前記第１型シールド部材は、それぞれ、印刷回路板に対する電気的接続を形成するようになっている接点テールを備えていることを特徴とする請求項１に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項８】
前記複数の導電性要素の前記係合接点部を收容するキャップをさらに備えてなることを特徴とする請求項１に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項９】
前記キャップは、相手コネクタを間に受入れるようになっている複数の側壁を備えていることを特徴とする請求項８に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項１０】
請求項１に記載のマトリクスコネクタアッセンブリが第２のマトリクスコネクタをさらに備え、該第２のマトリクスコネクタは、
ａ）それぞれのサブアッセンブリがカラム内に各々係合接点部を有する複数の導電性要
素を備えた複数の第２のサブアッセンブリと、
ｂ）それぞれのシールドが係合接点部を有すると共に、第２のサブアッセンブリの導
電性要素のカラムに平行に隣接して配置された複数の第３型シールドと、
ｃ）前記第１のマトリクスコネクタが前記第２のマトリクスコネクタに係合した時、
前記第１のサブアッセンブリの導電性要素の係合接点部と第２のサブアッセンブリ
の導電性要素の係合接点部とが結合し、さらに前記第２型シールドの係合接点部と
第３型シールドの係合接点部とが結合すること、
に特徴とするマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項１１】
前記第２型シールド及び第３型シールドが平行に整列する平面部を備え該平面部の複数の点で一の第２型シールドが一の第３型シールドと電気的に接続されることを特徴とする請求項１０に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項１２】
前記第２のマトリクスコネクタが、前記複数のサブアッセンブリの少なくとも実質的部分を收容する絶縁性ハウジングを有する編成部をさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項１３】
前記第２のマトリクスコネクタは、前記編成部が金属製でかつ前記第２のサブアッセンブリを互いに平行に收容することを特徴とする請求項１２に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。
【請求項１４】
前記第２のマトリクスコネクタは、各々の前記第２のサブアッセンブリが導電性要素の周りに絶縁性材料をモールドしてなることを特徴とする請求項１０に記載のマトリクスコネクタアッセンブリ。