【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成されたSi薄膜と、前記Si薄膜をチャネルとするトランジスタとを持ち、前記Si薄膜は細長い形を持った短冊状結晶粒が複数個並んで構成された多結晶であり、前記多結晶は表面が粒界において窪んでおり、この窪んだ表面を持つ粒界が前記チャネル内の粒界の中で最も多いことを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項２】
前記Si薄膜表面の法線と前記絶縁体基板の法線とのなす角が、粒界において特に１〜４５度の範囲であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記Si薄膜の結晶粒界における平均膜厚が結晶粒内における平均膜厚より小さいことを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項４】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成されたSi薄膜と、前記Si薄膜の一部を用いて形成されたソースおよびドレインと、前記Si薄膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の形成されたゲートと、前記Si薄膜をチャネルとするトランジスタとを持ち、前記Si薄膜または前記ソースまたは前記ドレインまたは前記ゲート絶縁膜または前記ゲートのいずれかの表面凹凸（凸部頂点と凹部底辺との高低差）が、前記チャネル内において前記基板に平行なある一つの方向に沿った場合と、それに垂直な方向に沿った場合とで異なることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項５】
前記Si薄膜または前記ソースまたは前記ドレインまたは前記ゲート絶縁膜または前記ゲートのいずれかの表面凹凸（凸部頂点と凹部底辺との高低差）が、前記チャネル内においてチャネルの長さ方向（ソースとドレインを結ぶ方向）に沿った場合の値がチャネルの幅方向（前記長さ方向と垂直でSi薄膜表面に平行な方向）に沿った場合の値より小さいことを特徴とする請求項４記載の薄膜半導体装置。
【請求項６】
前記Si薄膜または前記ソースまたは前記ドレインまたは前記ゲート絶縁膜または前記ゲートのいずれかの表面凹凸（凸部頂点と凹部底辺との高低差）が、前記チャネル内においてチャネルの長さ方向（ソースとドレインを結ぶ方向）に沿った場合の値がチャネルの幅方向（前記長さ方向と垂直でSi薄膜表面に平行な方向）に沿った場合の値より大きいことを特徴とする請求項４記載の薄膜半導体装置。
【請求項７】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成されたSi薄膜と、前記Si薄膜の一部を用いて形成されたソースおよびドレインと、前記Si薄膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の形成されたゲートと、前記Si薄膜をチャネルとする複数のトランジスタと、前記ソース、前記ドレイン、前記ゲートに形成されたコンタクトと、前記コンタクトどうしを接続する配線とを持ち、前記複数のトランジスタ間に共通のある一つの方向（基板と平行な面内）があり、この共通な方向と前記短冊状結晶粒の長手方向が一致しており、かつ前記Si薄膜または前記ソースまたは前記ドレインまたは前記ゲート絶縁膜または前記ゲートのいずれかの表面凹凸（凸部頂点と凹部底辺との高低差）が、前記チャネル内において前記共通な方向に沿った場合の値が、それに垂直な方向に沿った場合の値より小さいことを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の共通の方向を持った前記複数のトランジスタからなる領域をすくなくともひとつ持つことで形成されたバッファ回路、シフトレジスタ、デコーダ、レベル変換、ドライバ回路またはデジタルアノログコンバータ回路などからなる信号回路を主として前記基板の周辺部に集積し、かつ画素駆動回路を同一基板上に形成してなることを特徴とした薄膜半導体装置。
【請求項９】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成されたSi薄膜と、前記Si薄膜をチャネルとするトランジスタとを持ち、前記Si薄膜は細長い形を持った短冊状結晶粒が複数個並んで構成された多結晶であり、前記短冊状結晶粒において基板垂直方向の結晶面方位のうち最も多い方位が<110>であり、かつ前記短冊状結晶粒の長手方向の結晶面方位のうち最も多い方位が<100>であることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１０】
前記短冊状結晶粒において、基板垂直方向の結晶面方位のうち最も多い方位が<100>であり、かつ長手方向の結晶面方位のうち最も多い方位が<100>であることを特徴とする請求項９記載の薄膜半導体装置。
【請求項１１】
前記短冊状結晶粒において、基板垂直方向の結晶面方位のうち最も多い方位が<100>であり、かつ長手方向の結晶面方位のうち最も多い方位が<110>であることを特徴とする請求項９記載の薄膜半導体装置。
【請求項１２】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成されたSi薄膜と、前記Si薄膜をチャネルとするトランジスタとを持ち、前記チャネル内において横断する粒界数が、前記基板に平行なある一つの方向に沿った場合と、それに垂直な方向に沿った場合とで異なることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１３】
前記チャネル内において、チャネルの長さ方向（ソースとドレインを結ぶ方向）に沿って横断する粒界数が、チャネルの幅方向（前記長さ方向と垂直でSi薄膜表面に平行な方向）に沿って横断する粒界数より小さいことを特徴とする請求項１２記載の薄膜半導体装置。
【請求項１４】
前記チャネル内において、チャネルの長さ方向（ソースとドレインを結ぶ方向）に沿って横断する粒界数が、チャネルの幅方向（前記長さ方向と垂直でSi薄膜表面に平行な方向）に沿って横断する粒界数より大きいことを特徴とする請求項１２記載の薄膜半導体装置。
【請求項１５】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成されたSi薄膜と、前記Si薄膜をチャネルとするトランジスタとを持ち、前記Si薄膜は細長い形を持った短冊状結晶粒が複数個並んで構成された多結晶であり、前記多結晶は表面が粒界において平坦であり、前記Si薄膜の結晶粒界における平均膜厚が結晶粒内における平均膜厚に比べ90〜110%の範囲にあることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１６】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成されたSi薄膜と、前記Si薄膜をチャネルとするトランジスタとを持ち、前記Si薄膜は細長い形を持った短冊状結晶粒が複数個互いに離れて存在しおり、前記短冊状結晶粒どうしの間は前記Si薄膜が存在せず、前記短冊状結晶粒は表面が一方向に沿って平坦、それと垂直方向に沿って上に凸であることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１７】
前期短冊状結晶粒と前記基板との接触角（短冊状結晶の端部表面の法線が基板法線となす角度）が10〜60度の範囲であることを特徴とする請求項１６記載の薄膜半導体装置。
【請求項１８】
請求項７の方向の揃ったトランジスタ群からなる領域を、画像表示装置の周辺回路部または画素部に少なくともひとつ持ち、その領域の長手方向が基板端部の横方向切断線または縦方向切断線のうちどちらかと一致していることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１９】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成されたSi薄膜と、前記Si薄膜をチャネルとするトランジスタとを持ち、前記Si薄膜は結晶粒が複数個並んで構成された多結晶であり、前記多結晶は表面が粒界において窪んでおり、この窪んだ表面を持つ粒界が前記チャネル内の粒界の中で最も多いことを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項２０】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成されたSi薄膜と、前記Si薄膜をチャネルとするトランジスタとを持ち、前記Si薄膜は細長い形を持った短冊状結晶粒が複数個並んで構成された多結晶であり、前記多結晶は表面に窪みを有することを特徴とする薄膜半導体装置。