Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写材を搬送するための搬送手段と、
前記搬送手段により搬送された被転写材の種類を識別する被転写材識別手段と、
前記識別に基づき、レーザ光の走査ライン密度を変更するための走査ライン密度変更手段と、
前記変更された走査ライン密度に基づきレーザ光の発振パルス数を変調制御するためのパルス数変調制御手段と、
前記被転写材の種類に従い、変更された走査ライン密度により潜像形成するための潜像形成手段と、
前記形成された潜像に基づき現像するための現像手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記走査ライン密度は、透明なフィルムが被転写材である場合は２５０Ｌｉｎｅｓ／ｉｎｃｈ以上であることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
被転写材を搬送するための搬送手段と、
前記搬送手段により搬送された被転写材の種類を識別する被転写材識別手段と、
前記識別に従い、潜像形成のためのレーザ光の発振パルス振幅を変調制御するための振幅変調制御手段と、
前記振幅変調されたレーザ光の照射に基づき、多値に帯電した潜像を形成するための潜像形成手段と、
前記形成された潜像に基づき現像するための現像手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】
被転写材を搬送するための搬送手段と、
前記搬送手段により搬送された被転写材の種類を識別する被転写材識別手段と、
前記識別に従い、濃度データ変換のためのしきい値を算出するしきい値算出手段と、
前記算出されたしきい値と、原画像の濃度データとを比較し、前記原画像の濃度データを変換した変換画像を形成するための濃度レベル変換手段と、
前記変換された濃度データに従いレーザ光の発振パルス幅を変調制御するためのパルス幅変調制御手段と、
前記パルス幅変調されたレーザ光の照射に基づき潜像形成するための潜像形成手段と、
前記形成された潜像に基づき現像するための現像手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
被転写材を搬送するための搬送工程と、
前記搬送工程により搬送された被転写材の種類を識別する被転写材識別工程と、
前記識別に基づき、レーザ光の走査ライン密度を変更するための走査ライン密度変更工程と、
前記変更された走査ライン密度に基づきレーザ光の発振パルス数を変調制御するためのパルス数変調制御工程と、
前記被転写材の種類に従い、変更された走査ライン密度により潜像形成するための潜像形成工程と、
前記形成された潜像に基づき現像するための現像工程と、
を備えることを特徴とする画像形成方法。
【請求項６】
前記走査ライン密度は、透明なフィルムが被転写材である場合は２５０Ｌｉｎｅｓ／ｉｎｃｈ以上であることを特徴とする請求項５記載の画像形成方法。
【請求項７】
被転写材を搬送するための搬送工程と、
前記搬送工程により搬送された被転写材の種類を識別する被転写材識別工程と、
前記識別に従い、潜像形成のためのレーザ光の発振パルス振幅を変調制御するための振幅変調制御工程と、
前記振幅変調されたレーザ光の照射に基づき、多値に帯電した潜像を形成するための潜像形成工程と、
前記形成された潜像に基づき現像するための現像工程と、
を備えることを特徴とする画像形成方法。
【請求項８】
被転写材を搬送するための搬送工程と、
前記搬送工程により搬送された被転写材の種類を識別する被転写材識別工程と、
前記識別に従い、濃度データ変換のためのしきい値を算出するしきい値算出工程と、
前記算出されたしきい値と、原画像の濃度データとを比較し、前記原画像の濃度データを変換した変換画像を形成するための濃度レベル変換工程と、
前記変換された濃度データに従いレーザ光の発振パルス幅を変調制御するためのパルス幅変調制御工程と、
前記パルス幅変調されたレーザ光の照射に基づき潜像形成するための潜像形成工程と、
前記形成された潜像に基づき現像するための現像工程と、
を備えることを特徴とする画像形成方法。
【請求項９】
被記録媒体の種類を識別する識別手段と、
前記識別手段による識別結果に従って、前記被記録媒体に像形成を行なう際の記録を制御する制御手段とを有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
前記識別手段は、被記録媒体がＯＨＰであるか普通紙であるか識別することを特徴とする請求項９記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記記録の制御とは、像形成を行なう際の走査線の密度の制御であることを特徴とする請求項９記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記制御手段は、前記像形成を行なう際のレーザーの発信パルスを制御することを特徴とするに請求項１１記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記識別手段により前記被記録媒体がＯＨＰであると識別された場合、前記制御手段は、像形成された像によりＯＨＰが回折格子とならない記録密度で像形成を行なうことを特徴とする請求項１０記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記回折格子とならない記録密度とは、２５０線／ｉｎｃｈ以上であることを特徴とする請求項１３項記載の画像形成装置。
【請求項１５】
前記制御手段は、前記像形成を行う際、現像トナーの厚みを制御すること特徴とする請求項９記載の画像形成装置。
【請求項１６】
前記制御手段は、像形成する際に、形成される原画像の濃度レベルを離散化することを特徴とする請求項９記載の画像処理装置。
【請求項１７】
被記録媒体の種類を識別する識別工程と、
前記識別工程による識別結果に従って、前記被記録媒体に像形成を行なう際の記録を制御する制御工程とを有することを特徴とする画像形成方法。
【請求項１８】
前記識別工程は、被記録媒体がＯＨＰであるか普通紙であるか識別することを特徴とする請求項１７記載の画像形成方法。
【請求項１９】
前記記録の制御とは、像形成を行なう際の走査線の密度の制御であることを特徴とする請求項１７記載の画像形成方法。
【請求項２０】
前記制御工程は、前記像形成を行なう際のレーザーの発信パルスを制御することを特徴とする請求項１９記載の画像形成方法。
【請求項２１】
前記識別工程により前記被記録媒体がＯＨＰであると識別された場合、前記制御工程は、像形成された像によりＯＨＰが回折格子とならない記録密度で像形成を行うことを特徴とする請求項１９記載の画像形成方法。
【請求項２２】
前記回折格子とならない記録密度とは、２５０線／ｉｎｃｈ以上であることを特徴とする請求項２１記載の画像形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コルゲート状に曲げられたフィンの山部及び／又は谷部にチューブ導入溝およびこのチューブ導入溝の奥部に連なるチューブ嵌合溝からなるチューブ嵌込み溝を形成し、このチューブ嵌込み溝の前記チューブ嵌合溝に前記チューブ導入溝を通じてチューブを嵌め込み、前記チューブ嵌合溝に前記チューブ導入溝を通じて前記チューブを嵌め込んだ時に、前記チューブ導入溝の少なくとも奥部をほぼ塞いで前記チューブと接触するフラップを前記フィンに設けたことを特徴とする熱交換器。
【請求項２】
前記チューブ導入溝に相当する起立部の切り込み部の両側に一対のフラップが前記折り込み部を軸として開閉自在に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱交換器。
【請求項３】
前記フラップの折り込み部の上端が前記コルゲートフィンの水平部に連なっていることを特徴とする請求項１または２に記載の熱交換器。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の熱交換器を用いたことを特徴とする冷凍サイクル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明によれば、チューブ嵌合溝にチューブを嵌め込んだ時に、チューブ導入溝の少なくとも奥部をほぼ塞いでチューブと接触するフラップをフィンに設けることにより、フィンとチューブとの接触面積を大きくすることができるため伝熱面積が拡大し熱交換効率を向上させることができる。
また、フィンがコルゲート状に形成されているから、フィンとフラップとの連続部の強度を高くすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この場合において、前記チューブ導入溝に相当する起立部の切り込み部の両側に一対のフラップが前記折り込み部を軸として開閉自在に形成されていてもよい。また、前記フラップの折り込み部の上端が前記コルゲートフィンの水平部に連なっていてもよい。請求項１ないし３のいずれかに記載の熱交換器を用いた冷凍サイクルであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、チューブ嵌合溝にチューブ導入溝を通じてチューブを嵌め込んだ時に、チューブ導入溝の少なくとも奥部をほぼ塞いでチューブと接触するフラップをフィンに設けることにより、フィンとチューブとの接触面積が増大し、従来の拡管方式による熱交換器と同程度の伝熱面積を得ることができ熱交換効率が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外輪相当部材と、この外輪相当部材の内側にこの外輪相当部材と同心に配置された内輪相当部材と、この外輪相当部材の内周面と内輪相当部材の外周面とのうちの一方の周面に形成された、円周方向に亙る凹凸であるカム面と、上記外輪相当部材の内周面と内輪相当部材の外周面とのうちの他方の周面に形成された円筒面と、この円筒面と上記カム面との間の円筒状隙間内に設けられた複数本のローラと、このカム面を形成された部材に対する回転を不能として上記円筒状隙間内に支持され、上記複数本のローラを保持する保持器と、この保持器と上記各ローラとの間に設けられ、これら各ローラを円周方向に関して同じ方向に押圧するばねとを備えたローラクラッチに於いて、上記カム面に形成された複数の凹部の深さを、上記各ローラの外径の０．１〜０．２５倍とした事を特徴とするローラクラッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のローラクラッチは、前述した従来のローラクラッチと同様、例えば図１〜３或は図４に示す様に、外輪相当部材である外輪２、２ａと、この外輪２、２ａの内側にこの外輪２、２ａと同心に配置された内輪相当部材とを有する。尚、この内輪相当部材は、図４に示す様に内輪１３そのものである場合以外に、図１〜３に示す様に軸６である場合も含む。又、上記外輪２、２ａの内周面と軸６又は内輪１３の外周面とのうちの一方の周面に形成された、円周方向に亙る凹凸であるカム面７、７ａと、上記外輪２、２ａの内周面と軸６又は内輪１３の外周面とのうちの他方の周面に形成された円筒面とを有する。又、この円筒面と上記カム面７、７ａとの間の円筒状隙間１２内に設けた複数本のローラ３、３と、このカム面７、７ａを形成した部材、即ち、図１〜３の構造では外輪２、図４に示した構造では内輪１３に対する回転を不能として上記円筒状隙間１２内に支持され、上記複数本のローラ３、３を保持する保持器５を備える。更に、この保持器５と上記各ローラ３、３との間に設けられ、これら各ローラ３、３を円周方向に関して同じ方向に押圧するばね４、４とを備える。
特に、本発明のローラクラッチに於いては、上記カム面７、７ａに形成された複数の凹部８、８ａの深さＨ8 を、上記各ローラ３、３の外径Ｄ3 の０．１〜０．２５倍（０．２５Ｄ3 ≧Ｈ8 ≧０．１Ｄ3 ）としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更に、次の(1) 〜(4) の様な条件の１又は２以上を満たす事も、前述した課題を解決する為には有効である。
(1) 上記外輪２、２ａの内周面と上記軸６又は内輪１３の外周面とのうちの少なくとも一方の周面の表層部に、硬度がHv５５０以上であり、深さが０．２０mm以上である浸炭層又は浸炭窒化層を形成する。尚、この様な条件は、上記浸炭層又は浸炭窒化層を形成する外輪２又は内輪１３の板厚が０．５mm以上であるローラクラッチに適用した場合に有効である。又、上記した条件を満たす浸炭層或は浸炭窒化層を設けるのは、上記外輪２、２ａの内周面と上記軸６又は内輪１３の外周面とのうちの一方の周面でも、或る程度効果を得られる。但し、両周面ともに、上記浸炭層或は浸炭窒化層を設ければ、より優れた作用・効果を得られる。
(2) 外輪２、２ａの内周面と軸６又は内輪１３の外周面とのうちの少なくとも一方の周面に、硬度がHv５５０以上、深さが０．２０mm以上である浸炭層又は浸炭窒化層を形成する事に加え、当該周面を有する部材の芯部の硬度をHv３００以上とする。
(3) 外輪２、２ａの内周面と軸６又は内輪１３の外周面とのうちの少なくとも一方の周面に、硬度がHv５５０以上、深さが０．２０mm以上である浸炭層又は浸炭窒化層を形成する事に加え、外輪２、２ａの内周面と軸６又は内輪１３の外周面と各ローラ３、３の転動面とのうちの少なくとも何れかの面を、ハードショット・ピーニング、バレル、サンドブラスト、タンブラーのうちから選択される何れかの加工を施す事により、当該面を加工硬化させ、この面の表面から０〜５０μｍの範囲である表層部の硬度をHv８３０〜９６０、圧縮残留応力を−５０〜−１１０kgf/mm2 、平均波長を２５μｍとする。
(4) 外輪２、２ａの内周面と軸６又は内輪１３の外周面とのうちの少なくとも一方の周面に、硬度がHv５５０以上、深さが０．２０mm以上である浸炭層又は浸炭窒化層を形成し、当該周面を有する部材の芯部の硬度をHv３００以上とする事に加え、外輪２、２ａの内周面と軸６又は内輪１３の外周面と各ローラ３、３の転動面とのうちの少なくとも何れかの面を、ハードショット・ピーニング、バレル、サンドブラスト、タンブラーのうちから選択される何れかの加工を施す事により、当該面を加工硬化させ、この面の表面から０〜５０μｍの範囲である表層部の硬度をHv８３０〜９６０、圧縮残留応力を−５０〜−１１０kgf/mm2 、平均波長を２５μｍとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【作用】
上述の様に構成する本発明のローラクラッチ１、１ａが、外輪２、２ａと軸６又は内輪１３との間で、一方向の回転運動のみ伝達する作用は、前述した従来のローラクラッチの場合と同様である。
特に、本発明のローラクラッチ１、１ａの場合には、カム面７、７ａに形成した複数の凹部８、８ａの深さＨ8 を、各ローラ３、３の外径Ｄ3 の０．１倍以上としている為、上記各ローラ３、３が円筒状隙間１２のうちの幅が狭くなっている部分に食い込みにくくなる。即ち、この構成により、上記各ローラ３、３を円筒状隙間１２のうちの幅が狭くなっている部分に食い込ませる為に要する荷重が極端に大きくなる。この結果、上記外輪２、２ａと軸６又は内輪１３との間で伝達するトルクが大きく、しかもローラクラッチが急激にオーバラン状態から噛み合い状態になる様な場合でも、上記各ローラ３、３が円筒状隙間１２のうちの幅が狭くなっている部分に食い込む事がなくなる。この結果、外輪２、２ａと軸６又は内輪１３とが両方向の回転伝達を行なう状態に結合される事を防止して、一方向クラッチとしての機能を確保できる。尚、上記各ローラ３、３の外径Ｄ3 に対する上記複数の凹部８、８ａの深さＨ8 の最大値は、保持器５やばね４、４の設置空間を確保する面から、設計的に規制する。この様な面から設計上は、上限値を上記外径Ｄ3 の０．２５倍に規制する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月30日(2004.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
幅寄せ部１４は、記録材料Ａを、搬送方向と直交する方向（以下、幅方向とする）に位置合わせすることにより、下流の画像露光部１６における主走査方向の記録材料Ａの位置合わせ、いわゆるサイドレジストを取って、搬送ローラ対４４によって記録材料Ａを下流の画像露光部１６に搬送する部位である。
幅寄せ部１４におけるサイドレジストの方法には特に限定はなく、例えば、記録材料Ａの幅方向の１端面と当接して位置決めを行うレジスト板と、記録材料Ａを幅方向に押動して端面をレジスト板に当接させる押動手段とを用いる方法、前記レジスト板と、記録材料Ａの搬送方向を幅方向で規制して同様にレジスト板に当接させる、記録材料Ａの幅方向のサイズに応じて移動可能なガイド板等とを用いる方法等、公知の方法が各種例示される。
なお、サイドレジスト（すなわち露光）は、記録材料Ａの幅方向の中心を基準とするいわゆるセンター基準でも、記録材料Ａの幅方向の端部を基準とするいわゆる端面基準であってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
熱現像（加熱媒体８２）の加熱源となる第１ヒータ８６および第２ヒータ８８は、内ドラム８４の内部に固定されている。
ここで、図３に示されるように、第１ヒータ８６は、加熱媒体８２と無端ベルト７０とによる記録材料Ａの挟持搬送開始位置（以下、搬入位置とする）に対応して配置される。また、この第１ヒータ８６は、熱容量が低く、熱現像時には所定出力で発熱し、それ以外は所定温度を保つように、制御される。
一方、第２ヒータ８８は、内ドラム８４の内部の第１ヒータ８６よりも搬送方向下流の記録材料Ａの挟持搬送領域のほぼ全域に配置され、好ましくは挟持搬送領域よりも下流まで延在して配置され、特に好ましくは内ドラム８４の内部の第１ヒータ８６以外のほぼ全域に対応して配置される。この第２ヒータ８８は、熱容量が高く、所定温度を保つように制御される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０  （画像）形成装置
１２  （記録材料）供給部
１４  幅寄せ部
１６  （画像）露光部
１８  熱現像部
２０  マガジン
２２，２４  装填部
２６，２８  吸盤
３０，３２  供給ローラ対
３４，３６，４４，６０，６２，６４，６６  搬送ローラ対
３８，４０，４２  搬送ガイド
４６  露光ユニット
４８  副走査搬送手段
５０  光源
５２  露光制御装置
５３  データ処理部
５４  ポリゴンミラー
５６  ｆθレンズ
５８  立ち下げミラー
６８  加熱ドラム
７０  無端ベルト
７２  剥離爪
７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄ  支持ローラ
７６  導入ローラ対
８０  トレイ
８２  加熱媒体
８４  内ドラム
８６  第１ヒータ
８８  第２ヒータ
Ａ  記録材料
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月6日(2005.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
熱可塑性樹脂フィルムを溶融製膜する際に、フィルム巾方向に配置したライン状の電極を用いて冷却ロール上で帯電固定することで、フィルム構成分子鎖の電場配向を利用して分子内分極方向をフィルム幅方向に固定し、更にロールから剥離される直前に静電除去したフィルムを、ドライヤーを配置したロ−ル間を連続的にフィルムの流れ方向に一定の張力を掛けて熱処理する場合において、ロール間隔ＬMDとフィルム幅ＬTDとがＬMD／ＬTD ＞ １．０となる条件で、かつ、その線膨張率が上昇する温度以上、そのガラス転移点未満の温度で熱可塑性樹脂フィルムを熱処理することによって、面内の屈折率楕円体の長軸方向を９０°変換することを特徴とする光学補償フィルムの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体カートリッジを含むマガジンを受けとるキャビティを有するオートチェンジャ・システムであって、前記マガジンは、前記媒体カートリッジが前記マガジンに出入りできるように変位する移動止め機構を含み、前記キャビティ内で結合され第１と第２の位置を有する可動アームとを含み、該アームの位置が、前記キャビティが前記マガジンを受けとるときおよび前記マガジンが前記キャビティ内に配置されている間に前記移動止め機構の変位を制御する、オートチェンジャ。
【請求項２】
前記可動アームが、前記キャビティ内で摺動または回転して前記第１と第２の位置になる、請求項１に記載のオートチェンジャ。
【請求項３】
前記マガジンに旋回式に結合されたハンドルをさらに含み、前記ハンドルが、前記移動止め機構と前記アームとの間で相互作用するように位置決めされた、請求項１に記載のオートチェンジャ。
【請求項４】
マガジン内に媒体部品を固定する方法であって、前記媒体部品を前記マガジンの保持位置に配置するステップと、移動止め要素を前記媒体部品と係合させて、前記媒体部品を前記マガジン内に固定するための第１の力を加えるステップと、前記マガジンを、マガジンが格納されたときの前記移動止め要素の上に位置決めされた可動アームを含むオートチェンジャ・ライブラリの格納位置に配置するステップと、前記移動止め要素を前記アームの一部分と係合させて前記移動止め要素に拘束力を加えるステップと、を含む方法。
【請求項５】
前記マガジンを配置するステップの前に、前記マガジンの輸送ハンドルの一部分が前記移動止め機構の上にあるように位置決めされ、それにより、前記マガジンを配置したステップの後で、前記ハンドル部分が、前記アームと前記移動止め機構との間にあるようにするステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣカードの発行に必要なデータを管理するカード発行者サーバであって、
前記カード発行者サーバは、秘密鍵を有し、前記秘密鍵による署名をしたセキュリティドメインをネットワークを介し代理者サーバに送付するものであって、
前記ＩＣカードは、前記秘密鍵に対応する公開鍵を有し、前記セキュリティドメインの署名を前記公開鍵により復号し正当性を確認した後、前記セキュリティドメインを格納するものであって、
前記セキュリティドメインは、ＩＣカードに格納された後、前記発行者が定める条件に従いサービス提供者サーバから送付される前記アプリケーションを管理することを特徴とするカード発行者サーバ。
【請求項２】
請求項１記載のカード発行者サーバにおいて、
前記セキュリティドメインは、前記代理者サーバに続き前記サービス提供者に送付された後、前記ＩＣカードに格納されるものであることを特徴とするカード発行者サーバ。
【請求項３】
請求項１または２記載のカード発行者サーバにおいて、
前記カード発行者サーバからの前記代理者サーバへのセキュリティドメインの送付後は、前記カード発行者サーバと前記代理者サーバとはオフラインとなることを特徴とするカード発行者サーバ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のカード発行者サーバにおいて、
前記署名は、前記秘密鍵で暗号化した情報の付与であることを特徴とするカード発行者サーバ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のカード発行者サーバにおいて、
前記条件は、少なくとも前記アプリケーションの容量、搭載回数、個数、搭載可能な有効期間のいずれか一つであることを特徴とするカード発行者サーバ。
【請求項６】
ＩＣカードの発行に必要なデータを管理するカード発行者サーバから、代理認定証と前記カード発行者サーバの秘密鍵による署名をしたセキュリティドメインをネットワークを介し受信する代理者サーバであって、
前記代理者サーバは前記セキュリティドメインを前記サービス提供者に送付後、前記代理認定証を前記サービス提供者サーバに送付することにより前記ＩＣカードにアプリケーションの搭載を許可するものであって、
前記代理認定証と前記セキュリティドメインが前記サービス提供者に送付された後は、前記カード発行者サーバと前記代理者サーバとはオフラインとなることを特徴とする代理者サーバ。
【請求項７】
請求項６のいずれかに記載のカード発行者サーバにおいて
前記代理認定証は、代理者の公開鍵を前記カード発行者サーバの第２の秘密鍵で暗号化した情報であることを特徴とする代理者サーバ。
【請求項８】
ＩＣカードにアプリケーションの搭載を行うサービス提供者サーバであって、
前記サービス提供者サーバは、前記ＩＣカードの発行に必要なデータを管理するカード発行者サーバの秘密鍵による署名をしたセキュリティドメインを前記ＩＣカードに搭載するものであって、
前記ＩＣカードは、前記秘密鍵に対応する公開鍵を有し、前記セキュリティドメインの署名を前記公開鍵により復号し正当性を確認した後、前記セキュリティドメインを格納するものであって、
前記セキュリティドメインは、ＩＣカードに格納された後、前記発行者が定める条件に従いサービス提供者サーバから送付される前記アプリケーションを管理することを特徴とするサービス提供者サーバ。
【請求項９】
サービス提供者サーバから送付され、且つ、ＩＣカードの発行に必要なデータを管理するカード発行者サーバの秘密鍵により署名がなされたセキュリティドメインの認証を、前記ＩＣカードに格納された前記秘密鍵に対応する公開鍵にて前記署名を復号化することにより行い、
認証できた場合には前記セキュリティドメインを格納し、
前記セキュリティドメインは、ＩＣカードに格納された後、前記発行者が定める条件に従いサービス提供者サーバから送付される前記アプリケーションを管理することを特徴とするＩＣカード。
【請求項１０】
請求項９に記載のＩＣカードにおいて、
前記セキュリティドメインは、前記ＩＣカードの発行者が作成することを特徴とするＩＣカード。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のＩＣカードにおいて、
前記カード発行者が決める条件は、少なくとも前記アプリケーションの容量、搭載回数、個数、搭載可能な有効期間のいずれか一つであることを特徴とするＩＣカード。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月16日(2004.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
さらに、このような点に鑑み、図３（ｂ）に示すように、電槽蓋３０に設けた開口部３１と端子３２との間隙に嵌合物３５を加熱しながら挿入し、該嵌合物３５を蓋３０と端子３２とに溶着することによって間隙を密封して構成された電池が考案された。
しかしながら、該電池の構造では、加熱することによって他の部材へ悪影響を及ぼしやすく、さらに、加熱を要するために製造工程が複雑になるという問題があった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】質量分析装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
針電極が配置され放電により試料ガスのイオンを生成する第１の室と、前記第１の室で生成された前記イオンを質量分析部に取り込む第１の開口部と、前記試料ガスを導入する第２の開口部とを有し、前記針電極の先端と前記第１の開口部を結ぶ方向と、前記針電極の先端と前記第２の開口部の中心とを結ぶ方向のなす角度が９０度以下であり、前記第２の開口部からの前記試料ガスは前記針電極の先端の側から前記第１の室に導入され、前記第１の室への前記試料ガスの導入方向と、前記イオンを前記第２の開口部から引き出す方向とが異なることを特徴とする質量分析装置。
【請求項２】
請求項１に記載の質量分析装置において、前記第１の室の前記針電極の先端の反対側に形成された排出口を有し、前記第１の室に導入された前記試料ガスが前記排出口から排出されることを特徴とする質量分析装置。
【請求項３】
請求項１に記載の質量分析装置において、前記針電極の側面が絶縁体で被覆されていることを特徴とする質量分析装置。
【請求項４】
請求項１に記載の質量分析装置において、前記針電極の側面が金属でメッキされていることを特徴とする質量分析装置。
【請求項５】
請求項１に記載の質量分析装置において、前記第１の室の筒が絶縁物により構成され、前記針電極の先端と前記筒との距離が、前記針電極の先端と前記第１の開口部の距離より長いことを特徴とする質量分析装置。
【請求項６】
針電極が配置され放電により試料ガスのイオンを生成し、第１の開口部を具備する第１の室と、前記試料ガスが導入される第２の室と、前記第１の室で生成された前記イオンを前記第２の室を経由して質量分析部に取り込む第２の開口部と、前記第１の室に導入される前記試料ガスの流量を制御する流量制御器とを有し、前記試料ガスは前記第２の室から前記第１の開口部を通して前記第１の室に導入され、前記第１の開口部を通過する前記イオンの方向と、前記第１の開口部を通過する前記試料ガスの方向とが反対方向であることを特徴とする質量分析装置。
【請求項７】
請求項６に記載の質量分析装置において、前記第１の室の前記針電極の先端の反対側に形成された排出口を有し、前記第１の室に導入された前記試料ガスが前記排出口から排出されることを特徴とする質量分析装置。
【請求項８】
請求項６に記載の質量分析装置において、前記針電極の側面が絶縁体で被覆されていることを特徴とする質量分析装置。
【請求項９】
請求項６に記載の質量分析装置において、前記針電極の側面が金属でメッキされていることを特徴とする質量分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月22日(2005.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コインホッパ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個のコインをバラ積み状態で貯留するためのタンク（Ｔ）と、前記タンク（Ｔ）の内底に水平かつ回転自在に配設されてコインを一個ずつ放出するためのディスク（３２）と、前記ディスク（３２）の回転中心に起立固定されているコイン撹拌用の弾性棒（５１）と、糸巻き形であって前記弾性棒（５１）の中央に外装され其の上端が当該弾性棒（５１）に固定されているコイン撹拌用の螺旋スプリング（５３）と、を備えていることを特徴としたコインホッパ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、複数個のコインをバラ積み状態で貯留するためのタンク（Ｔ）と、前記タンク（Ｔ）の内底に水平かつ回転自在に配設されてコインを一個ずつ放出するためのディスク（３２）と、前記ディスク（３２）の回転中心に起立固定されているコイン撹拌用の弾性棒（５１）と、糸巻き形であって、前記弾性棒（５１）の中央に外装され其の上端が当該弾性棒（５１）に固定されているコイン撹拌用の螺旋スプリング（５３）と、を備えていることを特徴としたコインホッパである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【実施例１】
このホッパはコイン払い出し用のホッパＨと其の上のコイン貯留用のタンクＴとに大きく分解できる（図５を参照）。
「ホッパ」コイン払い出し用のホッパＨは矩形の少し高い台板１１上に形成されている。この台板１１の各サイドには角リング形のサイド板１２がそれぞれ起立して固定されている。そして此等一対のサイド板１２と台板１１の一端部には矩形のフロント板１３が起立固定されている。このフロント板１３の上縁部ならびに其の両端部はそれぞれ内向きに屈曲されてフック部１５が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
かくしてタンクＴの底開口６２はディスク３２を囲み、このタンクＴは予め設定された位置に安定される。タンクＴが設定された位置に安定されると、摘みネジ７５はホッパＨ基板１７のネジ孔に螺着され得る。この結果、タンクＴは図１のようにホッパＨに固定される。
上述した実施例はディスク３２が回転されるとコインが貫通孔３３内に落ち込んで基板１７の上に平らに重なる。平らに重なった一番下のコインは突起３５によって基板１７の上面をスライド自在に移動される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力部および操作の案内表示部からなる顧客操作部と、
取引明細票を発行する明細票発行機構と、
取引カードを読み書きするカード取扱機構と、
媒体を媒体取り入れ口および媒体収納部相互間で搬送する媒体搬送機構とからなる自動取引装置において、
前記媒体搬送機構は搬送速度の切り換え手段を備え、該切り換え手段は、自動取引装置を操作する顧客の交代期間が所定期間より短い場合は前記媒体搬送速度を第１の搬送速度に設定し、顧客の交代期間が前記所定期間より長い場合は前記媒体搬送速度を第１の搬送速度より遅い第２の搬送速度に設定することを特徴とする自動取引装置。
【請求項２】
入力部および操作の案内表示部からなる顧客操作部と、
取引明細票を発行する明細票発行機構と、
取引カードを読み書きするカード取扱機構と、
媒体を媒体取り入れ口および媒体収納部相互間で搬送する媒体搬送機構とからなる自動取引装置において、
前記媒体搬送機構は搬送速度の切り換え手段を備え、該切り換え手段は、取引開始曜日および時刻に応じた搬送速度を設定した速度テーブルを備え、該テーブルにしたがって搬送速度を切り換えることを特徴とする自動取引装置。
【請求項３】 
入力部および操作の案内表示部からなる顧客操作部と、
取引明細票を発行する明細票発行機構と、
取引カードを読み書きするカード取扱機構と、
媒体を媒体取り入れ口および媒体収納部相互間で搬送する媒体搬送機構とからなる自動取引装置において、
前記媒体搬送機構は搬送速度の切り換え手段を備え、該切り換え手段は、搬送する媒体の枚数および媒体の硬さの少なくとも一方に応じた搬送速度を設定した速度テーブルを備え、該テーブルにしたがって搬送速度を切り換えることを特徴とする自動取引装置。
【請求項４】 
入力部および操作の案内表示部を具備する顧客操作部と、
取引明細票を発行する明細票発行機構と、
取引カードを読み書きするカード取扱機構と、
紙幣を入出金する紙幣入出金機構とを有する自動取引装置において、
前記紙幣入出金機構を搬送する紙幣の搬送速度を、取引時間によって変更する制御部を有することを特徴とする自動取引装置。
【請求項５】 
請求項４記載の自動取引装置において、
前記紙幣の搬送速度を設定する速度設定画面を表示する係員操作部を有し、
前記制御部は、前記係員操作部によって設定された紙幣の搬送速度に応じて紙幣を搬送制御することを特徴とする自動取引装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体レーザ装置及び受光集積ユニット
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンク上に半導体レーザチップがマウントされてなる半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザチップがマウントされる面に溝が設けられ、この溝内に導電層が形成されたヒートシンクと、
前記ヒートシンクに設けられた前記溝内にその外形が収まるように、前記溝内の導電層上にマウントされた前記半導体レーザチップと、
を具備することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記ヒートシンクに設けられた前記溝内の一方の側面には前記導電層が形成されておらず、この側面に前記半導体レーザチップの側面が接触するように、前記半導体レーザチップがマウントされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記半導体レーザチップは、複数のレーザ素子を有する半導体レーザアレイであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記半導体レーザアレイは、複数のレーザ素子の各々を独立に駆動するために分離された複数の第１導電層を有し、前記ヒートシンクは前記溝内に分離された複数の第２導電層を有し、前記複数の第２導電層の各々に前記複数の第１導電層がそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記半導体レーザアレイは、同一の半導体基板上に活性領域が光導波路方向に平行となるように形成され、かつ電流駆動が独立に行えるように、前記レーザ素子間の半導体多層膜の一部を電流防止層に至るまで除去した分離溝を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記レーザ素子は、異なる発振波長を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記レーザ素子は、同一の発振波長を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
シリコン基板上に形成された集積回路と、
前記シリコン基板上に形成された受光素子と、
前記シリコン基板上に形成された光量モニタ用のフォトダイオードと、
半導体基板上に活性領域が光導波路方向に平行となるように形成され、かつ電流駆動が独立に行えるように、各々のレーザ素子間の半導体多層膜の一部を電流防止層に至るまで除去した分離溝を有する半導体レーザアレイと、
を具備することを特徴とする受光集積ユニット。
【請求項９】
ヒートシンク上に半導体レーザチップがマウントされてなる半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザチップがマウントされる面に第１の溝が設けられたヒートシンクと、
前記第１の溝の幅とほぼ同じ幅の第２の溝が設けられ、この第２の溝と前記第１の溝とが一致するように、前記ヒートシンク上にマウントされた半導体レーザチップと、
を具備することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記半導体レーザチップは複数のレーザ素子を有する半導体レーザアレイであり、前記第２の溝は前記複数のレーザ素子を電気的に各々のレーザ素子に分離する分離溝であることを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記ヒートシンクに設けられた前記第１の溝は、前記ヒートシンク上に分離されて形成された複数の導電層間に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート、ソース、及びドレインを有する電圧駆動型のパワーＭＯＳ電界効果トランジスタと、
前記パワーＭＯＳ電界効果トランジスタの前記ドレインと前記ソースとの間の電圧がその両端に供給される、直列接続された第１の抵抗及びツェナーダイオードと、
前記パワーＭＯＳ電界効果トランジスタの前記ゲートと前記ソースとの間の電圧がその両端に供給される第２の抵抗と、
前記パワーＭＯＳ電界効果トランジスタの前記ゲートと前記ソースとの間の電圧がその両端に供給される、直列接続された第３の抵抗及びゲート、ソース、ドレインを有するＭＯＳトランジスタとを具備し、
前記第１の抵抗と前記ツェナーダイオードとの接続点が前記ＭＯＳトランジスタのゲートに接続されていることを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上に形成され、ゲート、ソース、及びドレインを有する電圧駆動型のパワーＭＯＳ電界効果トランジスタと、
前記半導体基板上に形成され、前記パワーＭＯＳ電界効果トランジスタの前記ドレインと前記ソースとの間の電圧がその両端に供給される、直列接続された第１の抵抗及びツェナーダイオードと、
前記半導体基板上に形成され、前記パワーＭＯＳ電界効果トランジスタの前記ゲートと前記ソースとの間の電圧がその両端に供給される第２の抵抗と、
前記半導体基板上に形成され、前記パワーＭＯＳ電界効果トランジスタの前記ゲートと前記ソースとの間の電圧がその両端に供給される、直列接続された第３の抵抗及びゲート、ソース、ドレインを有するＭＯＳトランジスタとを具備し、
前記第１の抵抗と前記ツェナーダイオードとの接続点が前記ＭＯＳトランジスタのゲートに接続されていることを特徴とするパワー半導体装置。
【請求項３】
前記第３の抵抗は、前記第２の抵抗より抵抗値が小さいことを特徴とする請求項１または２に記載のパワー半導体装置。
【請求項４】
前記パワーＭＯＳ電界効果トランジスタの前記ゲートと前記ソースとの間の電圧がその両端に供給されるゲート保護用のダイオードをさらに具備することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載のパワー半導体装置。
【請求項５】
前記パワーＭＯＳ電界効果トランジスタは、前記半導体基板に対して垂直方向に、前記ドレインと前記ソースが配列された縦型のトランジスタであり、前記ＭＯＳトランジスタは、前記半導体基板に対して水平方向に、前記ドレインと前記ソースが配列された横型のトランジスタであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載のパワー半導体装置。
【請求項６】
前記ＭＯＳトランジスタのチャネルが形成される半導体層は、ポリシリコンで形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載のパワー半導体装置。
【請求項７】
前記ポリシリコンは、絶縁膜の表面上に形成されていることを特徴とする請求項６に記載のパワー半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項７に記載のパワー半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板が載置されるサセプタと、前記サセプタの下方に配置されて前記サセプタに載置された前記被処理基板を加熱する加熱ユニットとを処理室内に備えており、前記サセプタと前記加熱ユニットとが相対的に回転された状態で前記被処理基板に処理が施される基板処理装置であって、少なくとも前記サセプタが前記処理室内にて昇降するように構成されており、前記処理室には前記被処理基板を少なくとも前記サセプタの一部に対して昇降させる被処理基板昇降装置が設置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記加熱ユニットを前記処理室内にて昇降するように構成し、前記被処理基板昇降装置が前記サセプタおよび前記加熱ユニットの昇降に連係して前記被処理基板を少なくとも前記サセプタの一部に対して昇降させるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記被処理基板を少なくとも前記サセプタの一部に対して昇降させる際には、前記サセプタと前記加熱ユニットとの距離を一定に保った状態で昇降させるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記サセプタは中央部材と周辺部材とを備えており、前記被処理基板昇降装置が前記サセプタの中央部材を昇降させるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記加熱ユニットのヒータは前記サセプタの中央部材に対応する中央ヒータ部材と、前記サセプタの周辺部材に対応する周辺ヒータ部材とを備えており、この中央ヒータ部材と周辺ヒータ部材とは出力を独立して制御され、サセプタの中央部材が昇降されている間は中央ヒータ部材の出力を増大させて制御してなるように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載の基板処理装置が使用される基板処理方法であって、前記サセプタの下降時に、前記被処理基板昇降装置が前記中央部材を上昇させてこの中央部材に前記被処理基板を載置し、次いで、前記中央部材の上昇を解除して前記被処理基板を前記周辺部材を含む前記サセプタに受渡し、前記サセプタの上昇時に、前記サセプタによって前記被処理基板が載置された状態で前記被処理基板に処理が施されることを特徴とする基板処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月20日(2004.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】強誘電体メモリ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された第１、第２のソース／ドレイン領域を有するＭＯＳトランジスタと、
前記ＭＯＳトランジスタの上方に強誘電体キャパシタの第１、第２電極を結ぶ線が前記第１、第２のソース／ドレイン領域間に形成されたチャネルに沿った方向になるように前記第１、第２電極が横方向に配置された強誘電体キャパシタと、
前記ＭＯＳトランジスタのゲートに接続された第１のコンタクトプラグならびに前記ＭＯＳトランジスタの第１、第２のソース／ドレイン領域にそれぞれ接続された第２、第３のコンタクトプラグと、
前記第１、第２のソース／ドレイン領域に接続された前記第２、第３のコンタクトプラグ上に夫々形成され、前記強誘電体キャパシタの第１、第２電極に接触する側面を夫々有する第１、第２の金属配線と、
を備えたことを特徴とする強誘電体メモリ。
【請求項２】
半導体基板上に形成された第１、第２のソース／ドレイン領域を有するＭＯＳトランジスタと、
前記ＭＯＳトランジスタを覆って形成された層間絶縁膜と、
前記ＭＯＳトランジスタの上方にその第１、第２電極を結ぶ線が前記第１、第２のソース／ドレイン領域間に形成されたチャネルに沿った方向になるように前記第１、第２電極が横向きに配置されたキャパシタと、
前記層間絶縁膜に埋設された第１、第２、第３のコンタクトプラグであって、前記第１のコンタクトプラグの一方の端部は前記ＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、前記第２、第３のコンタクトプラグの一方の端部は前記ＭＯＳトランジスタの第１、第２のソース／ドレイン領域にそれぞれ接続され、前記第１乃至第３のコンタクトプラグの他方の端部は前記層間絶縁膜の表面から露出される、第１、第２、第３のコンタクトプラグと、
前記第１、第２のソース／ドレイン領域に接続された前記第２、第３のコンタクトプラグ上に夫々形成され、前記キャパシタの第１、第２電極に接触する側面を夫々有する第１、第２の金属配線と、
を備えたことを特徴とする強誘電体メモリ。
【請求項３】
半導体基板上に並んで形成された複数の拡散領域と、
前記複数の拡散領域のうちの２つの隣接する拡散領域間において前記半導体基板の表面部に形成されたゲート絶縁膜を介してそれぞれ形成され、前記２つの隣接する拡散領域とともに複数のＭＯＳトランジスタを形成する複数のゲート電極と、
前記夫々のＭＯＳトランジスタの上方に横方向に配置された第１、第２電極をそれぞれ有する複数の強誘電体キャパシタと、
前記ＭＯＳトランジスタのゲートに接続された複数の第１のコンタクトプラグならびに前記ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域として動作する前記拡散領域にそれぞれ接続された複数の第２のコンタクトプラグとを含む複数のコンタクトプラグと、
夫々前記第２のコンタクトプラグに接続され、前記強誘電体キャパシタ夫々の第１電極に接触する一側面を有する第１の金属配線ならびにこの第１の金属配線と隣接して前記強誘電体キャパシタの第２電極に接触する一側面を有する第２の金属配線とを含む複数の金属配線と、
を備えたことを特徴とする強誘電体メモリ。
【請求項４】
半導体基板表面上に順次形成された複数の拡散領域と、
前記複数の拡散領域のうちの隣接する拡散領域間において前記半導体基板の表面部に形成されたゲート絶縁膜を介してそれぞれ形成され、前記複数の拡散領域とともに複数のＭＯＳトランジスタを形成する複数のゲート電極と、
前記ＭＯＳトランジスタを覆うように形成され且つ平らな表面を有する層間絶縁膜と、
半導体基板の表面に形成されたＭＯＳトランジスタの上方に夫々のチャネル長方向に沿って横方向に配置された第１、第２電極をそれぞれ有する複数の強誘電体キャパシタと、
前記層間絶縁膜中に埋設され、一方の端部が前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極ならびに前記ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域として動作する拡散領域に夫々接続され、他方の端部が前記層間絶縁膜の表面から露出した複数のコンタクトプラグと、
夫々前記ソース／ドレイン領域として動作する拡散領域に接続されたコンタクトプラグに接触し、前記強誘電体キャパシタの第１電極に接触する一側面を有する第１の金属配線ならびにこの第１の金属配線と隣接して前記強誘電体キャパシタの第２電極に接触する一側面を有する第２の金属配線とを含む複数の金属配線と、
を備えたことを特徴とする強誘電体メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月30日(2004.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置とＩＣカード


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号と電力を受信するアンテナに接続され且つ前記アンテナから受け取った電力から内部電圧を生成する電源回路と、
前記電源回路により生成される内部電圧により動作する内部回路とを有し、
前記電源回路は、
前記アンテナに接続する第１入力端子及び第２入力端子と、
前記内部回路に接続する第１出力端子及び第２出力端子と、
ソース・ドレイン経路（またはコレクタ・エミッタ経路）が前記第２入力端子と前記第２出力端子との間に接続する第１トランジスタと、
前記第２入力端子と前記第１トランジスタのゲート（またはベース）との間に接続する第１抵抗と、
ソース・ドレイン経路（またはコレクタ・エミッタ経路）が前記第１入力端子と前記第２出力端子との間に接続する第２トランジスタと、
前記第１入力端子と前記第２トランジスタのゲート（またはベース）との間に接続する第２抵抗と、
制御電圧に応じて前記第１抵抗及び前記第２抵抗に流れる電流を生成する電圧制御電流源と、
前記第１出力端子と前記第２出力端子との間の電圧に応じて前記制御信号を生成する電圧検出回路とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
交流電圧が印加される第１入力端子及び第２入力端子と、
内部回路に内部電圧を供給する第１出力端子及び第２出力端子と、
ソース・ドレイン経路（またはコレクタ・エミッタ経路）が前記第２入力端子と前記第２出力端子との間に接続する第１トランジスタと、
前記第２入力端子と前記第１トランジスタのゲート（またはベース）との間に接続する第１抵抗と、
ソース・ドレイン経路（またはコレクタ・エミッタ経路）が前記第１入力端子と前記第２出力端子との間に接続する第２トランジスタと、
前記第１入力端子と前記第２トランジスタのゲート（またはベース）との間に接続する第２抵抗と、
ソース・ドレイン経路（またはコレクタ・エミッタ経路）が前記第１入力端子と前記第２出力端子との間に接続する第２トランジスタと、
前記第１入力端子と前記第２トランジスタのゲート（またはベース）との間に接続する第２抵抗と、
制御電圧に応じて前記第１抵抗及び前記第２抵抗に流れる電流を生成する電圧制御電流源と、
前記第１出力端子と前記第２出力端子との間の電圧に応じて前記制御信号を生成する電圧検出回路とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記電源回路は、さらに、
ソース・ドレイン経路が前記第１入力端子と前記第１出力端子との間に接続され且つゲートが前記第２入力端子に接続する第３トランジスタと、
ソース・ドレイン経路が前記第２入力端子と前記第１出力端子との間に接続され且つゲートが前記第１入力端子に接続する第４トランジスタとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１トランジスタと前記第２トランジスタはＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１、２、４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電圧検出回路は、
前記第１出力端子と前記第２出力端子との間に直列に接続された第３抵抗及び第４抵抗を有し、
基準電圧と前記第３抵抗と前記第４抵抗との間の電圧とを比較し、前記制御電圧を出力する演算増幅回路とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１または３記載の半導体装置において、
前記電圧制御電流源は、ゲートに前記制御電圧が入力され且つソース・ドレイン経路が前記第１出力端子と前記第１抵抗及び前記第２抵抗との間に接続される第５トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１または３記載の半導体装置において、
前記電圧源は、さらに、
ソース・ドレイン経路が第５トランジスタのドレインと前記第１抵抗の一端との間に接続された第６トランジスタと、
ソース・ドレイン経路が前記第５トランジスタのドレインと前記第２抵抗の一端との間に接続された第７トランジスタとを有し、
前記電圧制御電流源は、ゲートに前記制御電圧が入力され且つソース・ドレイン経路が前記第１出力端子と第６トランジスタ及び第７トランジスタのドレインとの間に接続される前記第５トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１または２記載の半導体装置において、
前記第１トランジスタ及び第２トランジスタは同じ導電型ＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第１出力端子と第２出力端子との間に接続される容量素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とするＩＣカード。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的物質の状態を解析する分子蛍光解析方法であって、以下のことを具備する方法；
（１）試料標本中の標的物質に対して蛍光標識物質を付加することと、
（２）前記（１）の付加することと同時またはそれに続いて、前記試料標本に対してエバネッセント照明を行いながら、前記試料標本において生じる蛍光信号を複数の時点で継時的に検出することと、
（３）前記（２）の観察することにより得られた蛍光信号の変化を基に、前記標的物質の１分子当たりの挙動および／または状態の変化を解析し、それにより標的物質の状態を解析することと。
【請求項２】
前記試料標本がカバーガラス上に前記接着細胞を接着させることにより作成されること、前記顕微鏡が倒立顕微鏡であること、並びに前記エバネッセント照明を行うことが、前記カバーガラスの接着細胞の接着した面上にプリズムを配置し、前記プリズムにレーザ光を照射して前記カバーガラス内の境界面に前記レーザ光を全反射させることによって達成されることを特徴とする請求項１に記載の標的物質の状態を解析する方法。
【請求項３】
以下を具備する蛍光相関分析装置；
（１）レーザを照射するための光源と、
（２）前記光源と光路により連結され、前記光源より照射されたレーザを試料を支持するガラス板内の試料に近い境界面に全反射することによりエバネッセント波を形成し、検出の対象となる試料標本に対して前記エバネッセント波を照射するための照明系と、
（３）前記照明系により形成されたエバネッセント波により励起され生じた蛍光信号を検出するための光検出器。