【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの構成部品または構成部品の一部（２６Ａ、２６Ｂ）を組み込んだ薄膜の製造法であって、
第一および第二の付加層（２２Ａ、２２Ｂ）を第一および第二の基板（２１Ａ、２１Ｂ）に形成し、各第一および第二の付加層の少なくとも一部は局部的に脆化可能であり、各基板および結合される脆化部分が、異なる材料からなり、および／または異なるミクロ構造を有する、準備ステップと、
脆化可能な各部分に脆い副層（２５Ａ、２５Ｂ）を生成する脆化ステップと、
前記付加層に、前記構成部品または前記構成部品の一部を補足する部分（２６Ａ、２６Ｂ）を形成する加工ステップと、
構成部品を補足する部分が向かい合うように、２個の基板を上下逆に組み立てる結合ステップと、
少なくとも前記構成部品または前記構成部品の一部を組み込んだ薄膜を最終的に得るために、脆化ステップと結合ステップとの間で一部を実施可能であり、前記脆化可能な部分が、前記脆い副層に沿って引き離される分離ステップとを含む、製造方法。
【請求項２】
処理ステップ時に、複数の構成部品または複数の構成部品の一部を形成し、脆化ステップ時に、将来の構成部品のみに面する脆い副層を生成し、分離ステップ時に、構成部品または構成部品の一部を個々に引き離すことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
分離ステップが、結合ステップの前に、脆い副層を引き離しゾーンに変換するステップを含むことを特徴とする、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
加工ステップ時に、複数の構成部品または構成部品の一部を形成し、分離ステップ時に、各構成部品または構成部品の一部を、薄膜の残りの部分から剥がしながら最終基板に個々に固定することを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
薄膜に対して横方向に基板の一つをカットすることにより、構成部品または構成部品の一部を個々に引き離すことを特徴とする、請求項２項から４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
貼り合わせまたは分子接着により、最終基板に薄膜の少なくとも一部を固定するステップを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
最終基板が、初期基板の材料とは異なる材料からなることを特徴とする、請求項４または６に記載の製造方法。
【請求項８】
最終基板が、加工ステップの熱条件または分離ステップの熱条件に適合しない材料からなることを特徴とする、請求項４または６または７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
最終基板が、プラスチック材料からなることを特徴とする、請求項７または８に記載の製造方法。
【請求項１０】
最終基板が、透明なプラスチック材料からなることを特徴とする、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
最終基板の軟化温度が、加工ステップの最大温度よりも低いことを特徴とする、請求項９または１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
最終基板がチップカードであることを特徴とする、請求項４または６から１１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
少なくとも一つの基板が、半導体材料、ガラス、または溶融シリカからなることを特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
少なくとも一つの基板が、アモルファス材料からなることを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１５】
分離可能な層の脆化可能な部分が、シリコン、ゲルマニウム、およびシリコンとゲルマニウムの合金からなるグループから選択される少なくとも一つの材料からなることを特徴とする、請求項１から１４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１６】
各付加層の脆化可能な部分がシリコンからなることを特徴とする、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
脆化可能な部分が、多結晶シリコンからなることを特徴とする、請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
脆化可能な部分が、堆積、次いで再結晶により形成されることを特徴とする、請求項１から１７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１９】
脆化可能な部分の厚みが、約５０ナノメータから１０００ナノメータであることを特徴とする、請求項１から１８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２０】
付加層が、脆化可能な部分と基板との連結部の役割をする副層（３、３’）を含むことを特徴とする、請求項１から１９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２１】
基板がガラスまたは溶融シリカからなり、脆化可能な部分がシリコンからなり、連結層（３、３’）が酸化シリコンからなることを特徴とする、請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２２】
付加層が、脆化可能な部分に、組成の観点から基板の性質と同じかまたは類似する性質をもつ追加層（２４Ａ、２４Ａ’）を含むことを特徴とする、請求項１から２１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２３】
基板が、ガラスまたは溶融シリカからなり、追加層が、酸化シリコンからなることを特徴とする、請求項２２に記載の製造方法。
【請求項２４】
追加層の厚みが、約３００ナノメータから１００００ナノメータであることを特徴とする、請求項２２または２３に記載の製造方法。
【請求項２５】
追加層の厚みが、脆化可能な副層の厚みより厚いことを特徴とする、請求項２２から２４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２６】
脆化ステップが、熱活性処理の実施を含むことを特徴とする、請求項１から２５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２７】
脆化ステップが、水素、ヘリウム、および希ガスからなるグループから選択された少なくとも一つのガス種の、脆化部分の深さでの導入を含むことを特徴とする、請求項２６に記載の製造方法。
【請求項２８】
脆化ステップが、脆化可能な部分の深さでの水素の導入を含むことを特徴とする、請求項２７に記載の製造方法。
【請求項２９】
分離ステップが、熱エネルギー供給を含むことを特徴とする、請求項１から２８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項３０】
前記熱供給が、少なくとも脆化可能な部分を、既に供給された熱収支より大きい熱収支に至らせる効果があることを特徴とする、請求項２９に記載の製造方法。
【請求項３１】
分離ステップが、機械エネルギー供給を含むことを特徴とする、請求項１から３０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項３２】
加工ステップが、光構成部品あるいは光−電気構成部品、またはカラーフィルタの製造を含むことを特徴とする、請求項１から３１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項３３】
加工ステップが、電子構成部品の製造を含むことを特徴とする、請求項１から３２のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項３４】
加工ステップが、機械センサ、化学センサ、または生物学センサの製造を含むことを特徴とする、請求項１から３３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項３５】
加工ステップが、フラットスクリーンに集積されるように構成された少なくとも一つのアクティブマトリクスと、該アクティブマトリクスのアドレッシング回路（２６Ａ、２６Ｂ）との製造を含むことを特徴とする、請求項１から３４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項３６】
加工ステップ後、さらに、構成部品または構成部品の一部を組み込んだ付加層に保護層を堆積する被覆ステップを含むことを特徴とする、請求項１から３５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項３７】
保護層がＳｉ３Ｎ４からなることを特徴とする、請求項３６に記載の製造方法。
【請求項３８】
請求項１から３７のいずれか一項に記載の製造方法のフラットスクリーン製造への適用。