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【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高出力方向性結合器であって、
スルーアームと、少なくとも１つの結合アームとを形成するための機械的に画定された間隙を有する基板であって、該スルーアームと、該少なくとも１つの結合アームとが各々、上部の面と底部の面と縁部とを有することからなる、基板と、
前記スルーアームと前記少なくとも１つの結合アームとをカプセル化する導電層であって、前記スルーアームと前記少なくとも１つの結合アームとの両方の前記上部の面と前記底部の面と前記縁部とに沿って延在することからなる、導電層
とを備える、高出力方向性結合器。
【請求項２】
前記結合器の外部接地を形成するために、前記カプセル化された前記スルーアームと前記カプセル化された前記少なくとも１つの結合アームとを取り囲む金属パッケージを更に含む、請求項１に記載の結合器。
【請求項３】
前記導電層は、銅層を含む、請求項１に記載の結合器。
【請求項４】
前記スルーアームと、前記少なくとも１つの結合アームとが、該スルーアームと該結合アームとの間に延在する前記基板の、少なくとも１つの絶縁性を有する支柱によって相互接続される、請求項１に記載の結合器。
【請求項５】
前記少なくとも１つの支柱は、互いに隔置された第１及び第２の支柱を含み、
前記第１の支柱は、前記スルーアームの一端の近くから延在し、
前記第２の支柱は、前記結合アームの一端の近くから延在することからなる、請求項４に記載の結合器。
【請求項６】
前記少なくとも１つの結合アームは、二重方向性結合器を形成するために、第１及び第２の結合アームを含む、請求項４に記載の結合器。
【請求項７】
前記少なくとも１つの支柱は、第１及び第２の支柱を含み、
前記第１の支柱は、前記第１の結合アームと前記スルーアームとを相互接続し、
前記第２の支柱は、前記第２の結合アームと前記スルーアームとを相互接続することからなる、請求項６に記載の結合器。
【請求項８】
前記基板は、前記第１の支柱と前記第２の支柱との間に延在する少なくとも１つの補強支柱を更に備える、請求項７に記載の結合器。
【請求項９】
前記基板は、誘電体材料から形成される、請求項１に記載の結合器。
【請求項１０】
前記基板は、前記誘電体材料から形成されたプリント回路基板である、請求項９に記載の結合器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
該幅の狭い支柱40は、アーム20,30を相互接続する働きを有するものとなる。支柱40が存在することになる誘電体10の上部100及び底部110から導電層50をエッチングにより完全に除去して、非導電性の誘電体材料10だけが残るようにする。代替的には、（図１Ｃに示すように）中央導体を形成した後に、幅の狭い支柱40の上部100、底部110、及び縁部120から導電層50をエッチングにより除去することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力部及び出力部と、ハイブリッド回路と、位相器と、これらを接続する導波管形線路群を備えたバトラーマトリクス形給電回路から構成したアンテナ給電回路において、
導波管形線路群は上下２段に構成され、
位相器とハイブリッド回路は上下導波管の間に細隙を設けることで、上面から下面導波管へ、または下面から上面導波管への経路において構成することを特徴とするアンテナ給電回路。
【請求項２】
請求項１に記載のアンテナ給電回路において、
上下導波管の間に導波管の長手方向に直交する方向に細隙を設け、位相器では該細隙を１本、ハイブリッド回路では該細隙を２本、設置することで構成したことを特徴とするアンテナ給電回路。
【請求項３】
入力部及び出力部と、ハイブリッド回路と、位相器と、これらを接続する導波管形線路群を備えたバトラーマトリクス形給電回路から構成したアンテナ給電回路において、
導波管形線路群は上下２段に構成され、
位相器は上面から下面導波管へ、または下面から上面導波管への経路において構成することを特徴とするアンテナ給電回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１面では、上下２段の導波管形線路群を有し、上下導波管の間に細隙を設けることで、上面から下面導波管へ、または下面から上面への経路においてハイブリッド回路、位相器を構成したバトラーマトリクス形給電回路を用いたアンテナ給電回路、または、本構成のアンテナ給電回路において、上下導波管の間に導波管の長手方向に直交する方向に細隙を設け、ハイブリッド回路では該細隙を２本、位相器では該細隙を１本、設置することで構成したことを特徴とするアンテナ給電回路である。
本発明の第２面では、入力部及び出力部と、ハイブリッド回路と、位相器と、これらを接続する導波管形線路群を備えたバトラーマトリクス形給電回路から構成したアンテナ給電回路において、導波管形線路群は上下２段に構成され、位相器は上面から下面導波管へ、または下面から上面導波管への経路において構成することを特徴とするアンテナ給電回路である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の効果】
本発明によれば、定電流で充放電するコンデンサの端子間電圧を三角波信号として出力するＰＷＭ制御に用いる発振回路において、コンデンサを第1コンデンサと、スイッチを介した第２コンデンサとの並列回路で構成し、第１コンデンサの容量を第２コンデンサの容量より小さく設定するとともに、発振信号の電圧振幅の最小値と最大値間に閾値電圧を設定し、端子間電圧が閾値電圧以上のとき、スイッチをＯＦＦ制御して、第1コンデンサのみを充放電し、このときの発振信号を用いてＰＷＭ制御の最大オン・デューティ比を決定するようにしているので、発振信号の周波数が高くなり、発振信号の振幅が大きくなっても、最大オン・デューティ比が低くなるのを低減することができる。また、発振回路を半導体集積回路で構成する場合、外付けコンデンサ用端子を従来よりも１個増やすだけで、第１コンデンサの容量と第２コンデンサの容量を調整することにより最大オン・デューティ比を外部調整できる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2003188693.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003188693.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を備える第１部品が実装される第１部品実装位置、及び接合電極が形成された複数の電極を備える第２部品が実装される第２部品実装位置の夫々において、複数の電極を備える回路形成体に、上記第１部品及び上記第２部品を上記夫々の実装位置に実装して、上記第１部品及び上記第２部品の混載実装を行う部品混載実装方法において、
上記回路形成体の上記第１部品実装位置において上記各電極に接合材を供給した後、上記接合材を介在させて上記各電極に上記第１部品の上記各電極を接合し、
上記回路形成体の上記第２部品実装位置において上記電極のクリーニング処理を行い、
上記第２実装位置において上記各電極に上記第２部品の上記各接合電極を接合し、
上記第１部品及び上記第２部品を上記回路形成体に実装することを特徴とする部品混載実装方法。
【請求項２】
上記クリーニング処理は、プラズマによる上記電極表面の洗浄処理である請求項１に記載の部品混載実装方法。
【請求項３】
複数の電極を備える第１部品が実装される第１部品実装位置、及び接合電極が形成された複数の電極を備える第２部品が実装される第２部品実装位置の夫々において、複数の電極を備える回路形成体に、上記第１部品及び上記第２部品を上記夫々の実装位置に実装して、上記第１部品及び上記第２部品の混載実装を行う部品混載実装方法において、
上記回路形成体の上記第２部品実装位置において上記各電極を覆うように保護部材を剥離可能に被着させ、
その後、上記回路形成体の上記第１部品実装位置において上記各電極に接合材を供給した後、上記接合材を介在させて上記各電極に上記第１部品の上記各電極を接合し、
上記第２実装位置において上記保護部材を上記各電極より剥離して、上記各電極に上記第２部品の上記各接合電極を接合し、
上記接合材及び上記各接合電極を加熱して溶融固化させることにより上記夫々の接合を維持して、上記第１部品及び上記第２部品を上記回路形成体に実装することを特徴とする部品混載実装方法。
【請求項４】
上記保護部材は、上記第２部品実装位置における上記各電極を覆って保護可能かつ剥離可能に被着可能な材料により構成されるフィルム状の部材である請求項３に記載の部品混載実装方法。
【請求項５】
複数の電極を備える第１部品が実装される第１部品実装位置、及び接合電極が形成された複数の電極を備える第２部品が実装される第２部品実装位置の夫々において、複数の電極を備える回路形成体に、上記第１部品及び上記第２部品を上記夫々の実装位置に実装して、上記第１部品及び上記第２部品の混載実装を行う部品混載実装方法において、
上記回路形成体の上記第２部品実装位置において導電性粒子が分布された絶縁性の樹脂シート若しくは樹脂ペーストを、上記各電極を覆うように被着させ、
その後、上記回路形成体の上記第１部品実装位置において上記各電極に接合材を供給した後、上記接合材を介在させて上記各電極に上記第１部品の上記各電極を接合し、
上記第２実装位置において上記各電極に上記第２部品の上記各接合電極を、上記導電性粒子を介在させて接合し、
上記接合材及び上記樹脂シート又は上記樹脂ペーストを加熱して、上記接合材を溶融固化させるとともに、上記樹脂シート又は上記樹脂ペーストを熱硬化させて、夫々の接合を維持することにより、上記第１部品及び上記第２部品を上記回路形成体に実装することを特徴とする部品混載実装方法。
【請求項６】
上記接合電極は、金属材料で形成されたバンプ、又は導電性樹脂で形成されたバンプである請求項５に記載の部品混載実装方法。
【請求項７】
上記接合電極は、半田バンプである請求項１から４のいずれか１つに記載の部品混載実装方法。
【請求項８】
上記第１部品はチップ部品又はリード付部品であり、上記第２部品はベアＩＣチップである請求項１から７のいずれか１つに記載の部品混載実装方法。
【請求項９】
上記接合材は、半田である請求項１から８のいずれか１つに記載の部品混載実装方法。
【請求項１０】
１枚の回路形成体上に、半田材料により接合される第１部品と突起電極を有するベアＩＣチップとを混載して実装する部品混載実装方法であって、
上記回路形成体上の上記ベアＩＣチップが実装される電極を覆うように剥離可能な保護部材を被着させた状態で、上記回路形成体上の上記第１部品が実装される電極に半田材料を供給して上記第１部品を実装し、
その後、上記保護部材を上記回路形成体上の上記電極から剥離して上記ベアＩＣチップを実装する部品混載実装方法。
【請求項１１】
上記第１部品はチップ部品又はリード付部品である請求項１０に記載の部品混載実装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は、凹面を有したそれぞれ集光位置が異なる第１のミラーと第２のミラーによって分割された後、前記半導体膜の表面で合成されることによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は、集光位置が異なる第１のミラー群と第２のミラー群に分けられた凹面を有する複数のミラーによって分割された後、前記半導体膜の表面で合成されることによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は、凹面を有したそれぞれ集光位置が異なる第１のミラーと第２のミラーによって分割された後、前記半導体膜の表面で合成されることによって形成され、
前記第１のミラーは、前記第１のミラーと前記第２のミラーから成る２つのミラーと前記半導体膜との間に集光位置があり、前記第２のミラーは前記半導体膜を基準として前記２つのミラーの反対側に集光位置があることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は、集光位置が異なる第１のミラー群と第２のミラー群に分けられた凹面を有する複数のミラーによって分割された後、前記半導体膜の表面で合成されることによって形成され、
前記第１のミラー群は、前記複数のミラーと前記半導体膜との間に集光位置があり、前記第２のミラー群は、前記半導体膜を基準として前記複数のミラーの反対側に集光位置があることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は、凹面を有したそれぞれ集光位置が異なる第１のミラーと第２のミラーによって分割された後、前記半導体膜の表面で合成されることによって形成され、
前記第１のミラーが受けるレーザ光のエネルギー量は、前記第２のミラーが受けるレーザ光のエネルギー量と等しいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は、集光位置が異なる第１のミラー群と第２のミラー群に分けられた凹面を有する複数のミラーによって分割された後、前記半導体膜の表面で合成されることによって形成され、
前記第１のミラー群が受けるレーザ光のエネルギー量の和は、前記第２のミラー群が受けるレーザ光のエネルギー量の和と等しいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は、凹面を有したそれぞれ集光位置が異なる第１のミラーと第２のミラーによって分割された後、前記半導体膜の表面で合成されることによって形成され、
前記第１のミラーは、前記第１のミラーと前記第２のミラーから成る２つのミラーと前記半導体膜との間に集光位置があり、前記第２のミラーは前記半導体膜を基準として前記２つのミラーの反対側に集光位置があり、
前記第１のミラーが受けるレーザ光のエネルギー量と、前記第２のミラーが受けるレーザ光のエネルギー量は等しいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光は、集光位置が異なる第１のミラー群と第２のミラー群に分けられた凹面を有する複数のミラーによって分割された後、前記半導体膜の表面で合成されることによって形成され、
前記第１のミラー群は、前記複数のミラーと前記半導体膜との間に集光位置があり、前記第２のミラー群は、前記半導体膜を基準として前記複数のミラーの反対側に集光位置があり、
前記第１のミラー群が受けるレーザ光のエネルギー量の和と、前記第２のミラー群が受けるレーザ光のエネルギー量の和は等しいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記半導体膜は非晶質半導体膜であり、前記レーザ光を照射することによって前記非晶質半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記半導体膜は不純物元素が添加された半導体膜であり、前記レーザ光を照射することによって前記不純物元素を活性化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記半導体膜は、表面に結晶化を助長する金属元素が導入された非晶質珪素膜を熱処理して形成された結晶性珪素膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１、３、５又は７のいずれか一項において、前記第１のミラーおよび第２のミラーの曲率はそれぞれ異なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項２、４、６又は８のいずれか一項において、前記複数のミラーの曲率はそれぞれ異なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１、３、５又は７のいずれか一項において、前記第１のミラーおよび第２のミラーの曲率は、当該ミラーが照射面に近いほど小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項２、４、６又は８のいずれか一項において、前記複数のミラーの曲率は、当該ミラーが照射面に近いほど小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振の固体レーザであるＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから射出されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、前記レーザ光は、連続発振またはパルス発振の気体レーザであるエキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ2レーザから射出されることを特徴する半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、前記レーザ光は、金属レーザであるヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザから射出されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、前記半導体装置はパーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、携帯電話、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、カーステレオまたは電子書籍であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
この場合、ウエハ搬送体７７は、搬送基台７７ａと、この搬送基台７７ａに沿って前後に移動可能な、かつ筒状支持体７６の側面開口部７６ｃを通過可能な３本の主ウエハ搬送アーム７１とを備えている。これら主ウエハ搬送アーム７１は、搬送基台７７ａ内に内蔵された図示しないモータ及びベルト機構によりそれぞれ独立して進退移動し得るように構成されている。ウエハ搬送体７７は、筒状支持体７６の下部に配設された昇降用モータ７８ｂの駆動軸に装着される駆動プーリ７７ｂと、筒状支持体７６の上部に配設される従動プーリ７７ｃに掛け渡される駆動ベルト７７ｄに連結されており、昇降用モータ７８ｂの回転駆動によって駆動ベルト７７ｄを駆動させることによってウエハ搬送体７７が昇降するように構成されている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次に、上記洗浄処理システムにおけるウエハＷの洗浄処理工程について説明する。まず、所定枚数のウエハＷが収容されたキャリアＣを、ウエハＷの搬入出口からインターフェース部２４側となるようにして、載置台２１上の所定位置に載置する。窓部開閉機構２７により、窓部２６を開口すると共に搬入出口に蓋体が取り付けられている場合には、蓋体Ｃａを開蓋させてキャリアＣの内部とインターフェース部２４とを連通させ、更にマッピングセンサを用いてキャリアＣ内のウエハＷの収容状態を確認する。ウエハＷの収容状態に異常があった場合には処理を中断し、例えば、別のキャリアＣの処理作業に移行する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
上記のように除電用の純水をウエハＷ裏面に供給することにより、ウエハＷはマイナスの電荷を帯びるので反発作用によってウエハＷの表面側がマイナスに帯電されるのを抑制することができる。この際、ＣＰＵ６００から予め記憶されたレシピに基づく信号を開閉弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ4及びマスフローコントローラＭＦ1，ＭＦ2，ＭＦ3，ＭＦ4に伝達することにより除電用流体（純水）の帯電量が制御される。したがって、ウエハＷ表面に形成されたデバイスが破壊されるのを防止することができると共に、パーティクル等が再付着するのを防止することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
このようにして、洗浄処理が終了した後には、ノズル保持アーム６０８をカップ６７外に待機させ、ウエハＷを所定の回転数で回転させることにより、ウエハＷに付着した洗浄液を振り切るスピン乾燥を行う。この乾燥処理工程中においても、洗浄処理工程と同様に、管状ノズル６５ａを介して純水をウエハＷの裏面中心部に供給すると、除電用の純水は負帯電材である管状ノズル６５ａとの摩擦接触によってマイナスに帯電されて、ウエハＷ裏面側に噴射（供給）される。これにより、ウエハＷの表面側がマイナスに帯電されるのを更に抑制することができる。したがって、乾燥処理中においても、ウエハＷ表面に形成されたデバイスが破壊されるのを防止することができると共に、パーティクル等が再付着するのを防止することができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
上記のように構成される第四実施形態の除電用流体供給手段６５Ａによれば、洗浄処理工程において、上述したように、洗浄液である純水がウエハＷの表面に噴射（供給）され、発散されることで、ウエハＷ表面側が帯電されウエハＷ表面側にマイナスの残留電荷が蓄積される。この現象を防止するために、洗浄処理工程中に、開閉弁Ｖ5を開くと共にイオン生成手段６９を作動させると、Ｎ2ガス供給源６８ｃから供給されるＮ2ガスは、イオン生成手段６９によってマイナスイオン化されて、Ｎ2ガス供給ノズル６８ａからウエハＷの裏面中心部に噴射（供給）される。これにより、ウエハＷはマイナスの電荷を帯びるので反発作用によってウエハＷの表面側がマイナスに帯電されるのを抑制することができる。この際、ＣＰＵ６００から予め記憶されたレシピに基づく信号をコントローラ６９ａ及び開閉弁Ｖ5又はマスフローコントローラＭＦ5に伝達することにより除電用流体であるＮ2ガスの帯電量が制御される。したがって、ウエハＷ表面に形成されたデバイスが破壊されるのを防止することができると共に、パーティクル等の異物が付着するのを防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月27日(2004.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を基材中に埋設する工程と、
上記電子部品の電極を上記基材表面に露出させる工程とを備え、
上記露出工程において、上記電極を上記基材表面に露出させることを特徴とする電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項２】
上記電子部品を上記基材中に埋設する工程の前に、上記電子部品としての半導体素子の電極パッドに突起状電極を形成した後、
上記埋設工程において、上記突起状電極を一定の高さに揃えるかあるいは直接、上記半導体素子を基材に埋設し、
上記露出工程において、上記突起状電極を上記基材表面に露出させる請求項１に記載の電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項３】
上記露出工程の後、上記基材表面に露出した上記電極上に、メッキ又はイオンプレーティング又はスパッタリング又は蒸着により、回路パターン、金属薄膜コンデンサ、コイル、又は、抵抗を形成する請求項１又は２に記載の電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項４】
上記露出工程の後、上記基材表面に露出した電極上に半田ペースト又は導電性接着剤を印刷した後、高温炉又は高温ステージで加熱硬化することにより回路パターンを形成する請求項１又は２記載の電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項５】
上記埋設工程において、複数個の電子部品を一括して上記基材に埋設し、
上記露出工程の後、個片に切断する工程をさらに備える請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１つに記載の電子部品実装済み部品の製造方法により電子部品実装済み部品を製造した後、この電子部品実装済み部品の片面あるいは両面に、電子部品実装済み部品あるいは基材を複数枚、厚み方向に積層化し、積層化した表裏両面に保護シートを配置することにより多層積層電子部品実装済み部品を製造する多層積層電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１つに記載の電子部品実装済み部品の製造方法により製造された電子部品実装済み部品。
【請求項８】
基材と、
研磨加工、プラズマ放電加工のいずれかあるいは両方により、上記基材表面に電極が露出された状態で、上記基材中に埋設された電子部品とを備えることを特徴とする電子部品実装済み部品。
【請求項９】
上記基材表面に露出した上記電極上に、メッキ又はイオンプレーティング又はスパッタリング又は蒸着により形成された、回路パターン、金属薄膜コンデンサ、コイル、又は抵抗をさらに備えるようにした請求項８に記載の電子部品実装済み部品。
【請求項１０】
基材及び電子部品を供給する電子部品供給装置と、
上記電子部品及びその電極位置及び形状を認識する認識装置と、
上記電子部品を吸引した後、上下反転する上下反転装置と、
上記電子部品を上記基材上に搭載する電子部品搭載装置と、
上記電子部品を上記基材内に埋設する電子部品埋設装置と、
プラズマ放電加工・研磨加工のいずれかあるいは両方を用いて上記電子部品の上記電極を上記基材の表面に露出させる電極露出装置とを備えることを特徴とする電子部品実装済み部品の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第１態様によれば、電子部品を基材中に埋設する工程と、
上記電子部品の電極を上記基材表面に露出させる工程とを備え、
上記露出工程において、上記電極を上記基材表面に露出させることを特徴とする電子部品実装済み部品の製造方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第５態様によれば、上記埋設工程において、複数個の電子部品を一括して上記基材に埋設し、
上記露出工程の後、個片に切断する工程をさらに備える第１から４のいずれか１つの態様に記載の電子部品実装済み部品の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １組の格子面を定める周期的な原子配列を持つ単位格子を実質的に全体にわたって繰り返して有する複数の単結晶構成部材を選択し、
前記各構成部材に関する格子面の方向性を測定し、
前記格子面の組のうち少なくとも１つの面に沿って前記各構成部材を機械加工して、１対の接触面を定め、
前記各接触面に結合材料を塗布し、
係合する前記接触面の各々の組が、実質的に前記格子面の組の１つの共通する面に沿って合わされた方向性を有するように、前記構成部材をそれぞれその接触面において組立て、
前記結合材料が融解して構成部材を互いに溶着するまで、所定の温度プロファイルにしたがって前記構成部材を加熱する単結晶構造体の製造方法。
【請求項２】  前記構成部材は、パネルおよび構造部材のうちの１つである請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記結合材料の塗布は、共晶ボンディング材料を塗布する請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記パネルの仕上げ寸法より、やや大きい断面を有するリボン状材料を育成し、
前記リボン状材料を前記パネルの仕上げ寸法より長く切断し、
前記リボン状材料の側面を実質上平らに機械加工し、
前記リボン状材料をまとめて実質上仕上げ寸法に機械加工し、
前記リボンを研磨してパネルを形成する請求項２に記載の方法。
【請求項５】  前記構造部材の仕上げ寸法より大きい断面を有する棒状材料を育成し、
前記棒状材料を前記構造部材の仕上げ長さより長く切断し、
前記棒状材料を完成体の直径まで機械加工し、
前記棒状材料の１つの格子面に沿って基準平面を機械加工し、
前記基準平面に対してある角度を有し、１つのパネルの一部分を受け入れる大きさの１対の溝を、前記基準平面と同じ格子面に沿って機械加工する請求項２に記載の方法。
【請求項６】  前記構成部材の加熱は、
第１の所定の閾温度に達するまで、第１の所定変化率で温度を上昇させ、
所定時間の間第１の閾温度で融かし、
第２の所定の閾温度に達するまで、第２の所定変化率で温度を下降させる請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記第１の所定の閾温度は、１０００℃を超える請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記第１の所定の閾温度は、１８００℃を超える請求項６に記載の方法。
【請求項９】  前記格子面の方向の測定は、偏光器を使用することを備える請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  前記格子面の方向の測定は、ラウエＸ線画像を使用することを備える請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記格子面の方向の測定は、
既知の要素によって偏光器を調整し、
前記構成部材を偏光器上に置き、
前記構成部材によって略最大減衰が得られるまで前記構成部材を回転し、および
前記観察される減衰の挙動に基づいて前記構成部材の格子面の方向性を測定する請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  前記格子面の方向の測定は、さらに
前記構成部材の周に、減衰が観察された点を各々示す印を略９０°間隔で付け、
前記偏光器内において、印が付いた端面のひとつを下にするように前記構成部材を回転させて、前記４個の印のいずれか１つを最も上にし、
前記構成部材を両方向に略４５°ずつ回転させて、前記構成部材の前記端面における減衰の挙動を観察し、
前記観察される減衰の挙動に基づいて前記構成部材の格子面の方向性を測定する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記格子面の方向の測定は、さらに
前記印が付いた端面と同一の端面上で、前記構成部材を略９０°回転させ、
前記構成部材を両方向に略４５°ずつ回転させて、前記構成部材の前記端面における減衰の挙動を観察し、
前記観察される減衰の挙動に基づいて前記構成部材の格子面の方向性を測定する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記単結晶構成部材は、サファイヤより成る請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １組の格子面を定める周期的な原子配列を持つ単位格子を実質的に全体にわたって繰り返して有し、前記格子面の組の１つの面に実質的に沿った方向性を有する１対の第１接触面を各々含む複数の単結晶遮蔽部材と、
前記遮蔽部材の単位格子と実質的に同じ単位格子を、実質的に全体にわたって繰り返して有し、前記格子面の組の１つの面と同じ面に実質的に沿った方向性を有する１対の第２接触面を各々含む複数の単結晶構造部材とを備え、
前記複数の遮蔽部材と構造部材とは、それぞれその第１接触面および第２接触面において交互に結合され、その中にシリコン・ウエハを受ける大きさの包囲された領域を定めるシリコン・ウエハ保護用シールド。
【請求項２】  １組のミラー指数により定められる方向性を各々の面が有する１組の格子面を定める周期的な原子配列を持つ単位格子を実質的に全体にわたって繰り返して有し、前記ミラー指数の組の同一の１つの指数により実質的に定められる方向性を有する１対の第１接触面を各々含む複数の単結晶遮蔽部材と、
前記遮蔽部材の単位格子と実質的に同じ単位格子を実質的に全体にわたって繰り返して有し、前記ミラー指数の組の同じ１つの指数により実質的に定められる方向性を有する１対の第２接触面を各々含む複数の単結晶構造部材とを備え、
前記複数の遮蔽部材と構造部材とは、それぞれその第１接触面および第２接触面において交互に結合され、その中にシリコン・ウエハを受ける大きさの包囲された領域を定めるシリコン・ウエハ保護用シールド。
【請求項３】  前記遮蔽部材は、サファイアの板からなる請求項１又は２に記載のシールド。
【請求項４】  前記構造部材は、サファイアの棒状体からなる請求項１又は２に記載のシールド。
【請求項５】  １対の第１接触面を各々含む複数のサファイア単結晶遮蔽部材と、
１対の第２接触面を各々含む複数のサファイア単結晶構造部材とを備え、
前記複数の遮蔽部材と構造部材とは、それぞれその第１接触面および第２接触面において交互に結合され、その中にシリコン・ウエハを受ける大きさの包囲された領域を定めるシリコン・ウエハ保護用シールド。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上述のように本実施の形態１に係る半導体装置の製造方法では、図４に示す等方性エッチングを行う工程と、図６に示す異方性エッチングを行う工程との間に、図５に示す熱処理によってポリイミド膜５をイミド化する工程を実行している。そのため、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜４及びポリイミド膜５で構成されているパッシベーション膜７を備える半導体装置において、ポリイミド膜５を熱処理によってイミド化する際には、異方性を示すドライエッチングによって発生する堆積物９がポリイミド膜５及びシリコン窒化膜４の側壁には付着していない。その結果、上述の従来の半導体装置の製造方法とは異なり、シリコン窒化膜４からポリイミド膜５が剥がれること無く、ポリイミド膜５を熱処理でイミド化することができる。言い換えれば、ポリイミド膜５を熱処理でイミド化した場合に、ポリイミド膜５が等方性エッチングが行われるシリコン窒化膜４から剥がれることを防止することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本実施の形態１に係る半導体装置の製造方法では、ポリイミド膜５を熱処理によってイミド化した後に、シリコン酸化膜３に対して異方性エッチングを行っているため、ポリイミド膜５を熱処理によってイミド化した後に、異方性エッチングによって発生する堆積物９が、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜４及びポリイミド膜５の各膜の側壁に付着する。そのため、上述の従来の半導体装置の製造方法とは異なり、堆積物９が剥がれることは無い。言い換えれば、積層された各膜の側壁に異方性エッチングによって付着する堆積物９が剥がれることを防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、図１０に示すように、ポリイミド膜１５をマスクに用いて、パッシベーション膜１４に対して等方性エッチングを行い、パッシベーション膜１４を選択的に除去して、配線１２ａ，１２ｂ及び層間絶縁膜１３を部分的に露出させる。なお、このときに使用されるエッチング方法はドライエッチングであって、例えば反応性イオンエッチングである。そして、パッシベーション膜１４を等方性エッチングにて選択的に除去した後には、酸素プラズマを使用してアッシング処理を行って、パッシベーション膜１６に所定パターンが完成する。次に、図１１に示すように、熱処理によってポリイミド膜１５をイミド化する。具体的には、３００〜４５０℃程度で熱処理を行う。なお、当該熱処理は、ポリイミド膜１５で使用されている溶媒の気散、更にポリイミド膜１５が感光性を示す場合には感光剤の気散をも目的として行われている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上述のように本実施の形態２に係る半導体装置の製造方法では、図１０に示す等方性エッチングを行う工程と、図１２に示す異方性エッチングを行う工程との間に、図１１に示す熱処理によってポリイミド膜１５をイミド化する工程を実行している。そのため、パッシベーション膜１４とポリイミド膜１５とで構成されているパッシベーション膜１６と、当該パッシベーション膜１６の下に形成されている層間絶縁膜１３とを備える半導体装置においても、ポリイミド膜１５を熱処理によってイミド化する際には、異方性を示すドライエッチングによって発生する堆積物１９がポリイミド膜１５及びパッシベーション膜１４の側壁には付着していない。その結果、パッシベーション膜１４からポリイミド膜１５が剥がれること無く、ポリイミド膜１５を熱処理でイミド化することができる。言い換えれば、ポリイミド膜１５を熱処理でイミド化した場合に、ポリイミド膜１５が等方性エッチングが行われるパッシベーション膜１４から剥がれることを防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
文字情報および画像情報を表示可能な表示部が設けられた第１の筐体と、操作部が設けられた第２の筐体と、
前記第１の筐体を前記第２の筐体に所定角度を持たせて前記操作部の操作面に対して略水平方向に回転自在に連結する回転軸とを備え、
前記第２の筐体には、前記回転軸が垂直に設けられる軸受面を有する凹部が形成され、
前記軸受面は、前記第１の筐体と前記第２の筐体とが開状態の際には前記表示部の表示面と前記操作部の操作面とが成す角度が狭くなり、閉状態の際には前記表示部の表示面に背向する外面と前記操作部の操作面とが略一致するように、前記操作部の操作面に対して傾斜して形成されていることを特徴とする携帯端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記第１の筐体の前記表示部が設置される面に、各種操作を入力するコントロールキーを設けたことを特徴とする請求項１乃至４何れかに記載の携帯端末。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記コントロールキーは、前記表示部に表示される画面をスクロールさせる画面スクロールを行うコントロールボタンであることを特徴とする請求項５に記載の携帯端末。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着信報知時間を測定する手段と、
前記着信報知時間と設定時間とを比較する手段と、
前記着信報知時間が前記設定時間以内である着信の発信者番号を記憶する手段と、
前記発信者番号への発呼操作が行われた場合、ユーザに対して警告メッセージを通知する手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項２】
請求項１に記載の電話端末において、
前記発信者番号を電話帳及び／又は発信履歴から検索する手段と、
前記発信者番号が電話帳及び／又は発信履歴から検索されなかった場合、前記発信者番号を記憶する手段と、
前記発信者番号への発呼操作が行われた場合、ユーザに対して警告メッセージを通知する手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電話端末において、
前記発信者番号を記憶した旨を警告表示する手段を具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項４】
着信報知時間を測定する手段と、
前記着信報知時間と設定時間とを比較する手段と、
前記着信報知時間が前記設定時間以内である着信の発信者番号を、着信履歴として記憶しない手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項５】
請求項４に記載の電話端末において、
前記発信者番号を電話帳及び／又は発信履歴から検索する手段と、
前記発信者番号が電話帳及び／又は発信履歴から検索されなかった場合、前記発信者番号を着信履歴として記憶しない手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項６】
着信報知回数をカウントする手段と、
前記着信報知回数と設定回数とを比較する手段と、
前記着信報知回数が前記設定回数以内である着信の発信者番号を記憶する手段と、
前記発信者番号への発呼操作が行われた場合、ユーザに対して警告メッセージを通知する手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項７】
請求項６に記載の電話端末において、
前記発信者番号を電話帳及び／又は発信履歴から検索する手段と、
前記発信者番号が電話帳及び／又は発信履歴から検索されなかった場合、前記発信者番号を記憶する手段と、
前記発信者番号への発呼操作が行われた場合、ユーザに対して警告メッセージを通知する手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の電話端末において、
前記発信者番号を記憶した旨を警告表示する手段を具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項９】
着信報知回数をカウントする手段と、
前記着信報知回数と設定回数とを比較する手段と、
前記着信報知回数が前記設定回数以内である着信の発信者番号を、着信履歴として記憶しない手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項１０】
請求項９に記載の電話端末において、
前記発信者番号を電話帳及び／又は発信履歴から検索する手段と、
前記発信者番号が電話帳及び／又は発信履歴から検索されなかった場合、前記発信者番号を着信履歴として記憶しない手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項１１】
着信報知時間を測定する手段と、
前記着信報知時間と設定時間とを比較する手段と、
前記着信報知時間が前記設定時間以内である着信の発信者番号と、前記着信報知時間が前記設定時間を超えている着信の発信者番号とを区別して着信履歴として記憶する手段と、
表示手段と、
前記表示手段に着信履歴を表示するとき、前記着信報知時間が前記設定時間以内である着信と、前記着信報知時間が前記設定時間を超えている着信とを区別して表示する手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項１２】
着信報知時間を測定する手段と、
前記着信報知時間と設定時間とを比較する手段と、
前記着信報知時間が前記設定時間以内でかつ電話帳及び／又は発信履歴に記憶されている着信の発信者番号と、前記着信報知時間が前記設定時間以内でかつ電話帳及び／又は発信履歴に記憶されていない着信の発信者番号と、前記着信報知時間が前記設定時間を超えている着信の発信者番号とを区別して着信履歴として記憶する手段と、
表示手段と、
前記表示手段に着信履歴を表示するとき、前記着信報知時間が前記設定時間以内でかつ電話帳及び／又は発信履歴に記憶されている着信と、前記着信報知時間が前記設定時間以内でかつ電話帳及び／又は発信履歴に記憶されていない着信と、前記着信報知時間が前記設定時間を超えている着信とを区別して表示する手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項１３】
着信報知回数を測定する手段と、
前記着信報知回数と設定時間とを比較する手段と、
前記着信報知回数が前記設定回数以内である着信の発信者番号と、前記着信報知回数が前記設定回数を超えている着信の発信者番号とを区別して着信履歴として記憶する手段と、
表示手段と、
前記表示手段に着信履歴を表示するとき、前記着信報知回数が前記設定回数以内である着信と、前記着信報知回数が前記設定回数を超えている着信とを区別して表示する手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【請求項１４】
着信報知回数を測定する手段と、
前記着信報知回数と設定回数とを比較する手段と、
前記着信報知回数が前記設定回数以内でかつ電話帳及び／又は発信履歴に記憶されている着信の発信者番号と、前記着信報知回数が前記設定回数以内でかつ電話帳及び／又は発信履歴に記憶されていない着信の発信者番号と、前記着信報知回数が前記設定回数を超えている着信の発信者番号とを区別して着信履歴として記憶する手段と、
表示手段と、
前記表示手段に着信履歴を表示するとき、前記着信報知回数が前記設定回数以内でかつ電話帳及び／又は発信履歴に記憶されている着信と、前記着信報知回数が前記設定回数以内でかつ電話帳及び／又は発信履歴に記憶されていない着信と、前記着信報知回数が前記設定回数を超えている着信とを区別して表示する手段とを具備したことを特徴とする電話端末。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データベース（１６０）、ユーザ端末（１０２）、カンファレンス確立サーバ及び前記ユーザ端末と前記サーバとの間の通信を容易にするための手段（１０４、１４２、１４６）を有するマルチメディア通信システム（１００）において、カンファレンスコールをスケジューリングするための方法であって、
カンファレンスコールの参加者の表示を含む、カンファレンスコールに対するリクエストを、前記サーバが受信するステップ（２０２）と、
前記カンファレンスコールの参加者のアベーラビリティを前記サーバが決定するステップ（２０４）と、
前記カンファレンスコールのカンファレンス時刻を、前記サーバが参加者に通知するステップ（２１０）と、
前記カンファレンスコールに対するアベーラビリティについての参加者からの確認を、前記サーバがリクエストするステップ（２１２）とからなり、
本方法は、前記カンファレンスコールに必要と見なされる少なくとも1人のクリティカルな参加者の表示を特徴とし、本方法はさらに、
前記カンファレンスコールに必要と見なされるクリティカルな資源として、所定の量の資源を、前記サーバが指定するステップ（２０６）と、
前記カンファレンスコールのために少なくとも所定の量のクリティカルな資源を前記サーバが予約するステップ（２１４）と、
前記カンファレンス時刻が近づいていることを、前記サーバが決定するステップ（４０４）と、
前記カンファレンス時刻に対する参加者及び資源のアベーラビリティを前記サーバが決定するステップ（４０６）と、
前記カンファレンス時刻が近づいていることの通知を前記サーバが参加者に送るステップ（４０８）と、
前記カンファレンスコールに対する確認を更新するためのリクエストを前記サーバが受信するステップ（４１０）と、
クリティカルな参加者またはクリティカルな資源がアベーラブルでない場合、前記カンファレンスコールをキャンセルするステップ（４１８）とを有する方法。
【請求項２】
確認についてのリクエストに対する応答に基づいて、前記カンファレンス時刻を前記サーバが調節するステップをさらに有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
カンファレンスコールに対する前記リクエストは、前記カンファレンスコールを規定するルールを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
参加者及び資源のアベーラビリティを決定する前記ステップは、参加者に関連づけられたカレンダーをチェックすることおよび移動体ユーザ端末がアベーラブルであるかどうかを決定すること（２０６）のうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
音声のユーザおよびマルチメディア通信を結合するマルチメディア通信システム（１００）において、カンファレンスコールをスケジューリングするための装置であって、
ユーザ端末（１０２）と、
カンファレンス確立サーバと、
前記ユーザ端末と前記サーバとの間の通信を容易にするための手段（１０４、１４２、１４６）とを有し、前記サーバは、
前記カンファレンスコールの参加者の表示を含む、カンファレンスコールに対するリクエストを受信し、
前記カンファレンスコールのカンファレンス時刻を参加者に通知し（２１０）、
前記カンファレンスコールに対するアベーラビリティについての参加者からの確認をリクエストする（２１２）ようにプログラムされ、前記サーバは、さらに、
前記カンファレンスコールに必要と見なされる、前記カンファレンスコールの少なくとも1人のクリティカルな参加者の表示を含み（２０４）、
前記カンファレンスコールに必要と見なされるクリティカルな資源として、所定の量の資源を指定し（２０６）、
前記カンファレンスコールのために少なくともクリティカルな資源を予約し（２１４）、
前記カンファレンス時刻が近づいていることを決定し（４０４）、
前記カンファレンス時刻に対する参加者及び資源のアベーラビリティを決定し（４０６）、
前記カンファレンス時刻が近づいていることの通知を参加者に送り（４０８）、
前記カンファレンスコールに対する確認を更新するためのリクエストを受信し（４１０）、
クリティカルな参加者またはクリティカルな資源がアベーラブルでない場合、前記カンファレンスコールをキャンセルする（４１８）ようにプログラムされることを特徴とする、カンファレンスコールをスケジューリングするための装置。
【請求項６】
前記サーバが、確認についてのリクエストに対する応答に基づいて前記カンファレンス時刻を調節する（２１０）ようにプログラムされることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項７】
カンファレンスコールに対する前記リクエストは、前記カンファレンスコールを規定するルールを含む（２１２）ことを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項８】
前記サーバは、参加者に関連づけられたカレンダーをチェックすることおよび移動体ユーザ端末がアベーラブルであるかどうかを決定すること（２０６）により、参加者のアベーラビリティを決定するようにプログラムされることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項９】
前記サーバは、カンファレンスブリッジおよびカンファレンス番号のうちの少なくとも一方を資源としてリザーブするようにプログラムされることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項１０】
前記サーバは、カンファレンスコールに関連する資料を、参加者に送るようにプログラムされる（４１６）ことを特徴とする請求項５記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
カンファレンス確立サーバが、カンファレンスコールに対して参加者および資源がアベーラブルである日時を決定する場合（２０６）、カンファレンスの参加者には、カンファレンスの日時およびカンファレンスコールをセットアップするために必要とされるいずれかの追加的な情報が通知される（２１０）。また、アベーラビリティのコンファメーション（確認）が、カンファレンス確立サーバによりリクエストされる（２１０）。好ましくは、カンファレンスの参加者への通知は、カンファレンス確立サーバにより自動的に生成された、テキストメッセージ、オーディオメッセージ、ビデオメッセージ、双方向マルチメディアセッション、またはこれらの組合せによりもたらされる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、玄関子機５１の位置検出部２５は、赤外受光部２４からの赤外受光信号が（＋）端子にそれぞれ入力され、この赤外受光信号の電圧レベルと（−）端子に予め入力されている基準電圧の電圧レベルとを比較し、来訪者の位置を検出するためのコンパレータ、ここでは、第１、第２のコンパレータＯＰ1、ＯＰ2を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ここで、住戸内の居住者が親機５２の通話部４５に入力した送話音声は、音声信号に信号処理された後、上述の第１の位置検出時における音声信号と同様な経路を介して玄関子機５１をなす音量変化部２０の音量切替回路３０に伝送された後、第２の音声ラインＬ3b上の抵抗Ｒ2bに送出され、この抵抗Ｒ2bを介して音圧レベルが減衰された音声信号は、スピーカ１４からの距離が上述の第１の位置よりも近い、一方、後述する第３の位置よりも遠い位置に居る来訪者にとって聞き易い最適な音量の受話音声、ここでは、音量ＶOLb（＜ＶOLa）の受話音声としてスピーカ１４から鳴動される。