【手続補正書】
【提出日】平成16年7月9日(2004.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法及び集積回路の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜上にゲッタリング用の第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜を４５０〜７５０℃で加熱し、
当該加熱後の結晶性珪素膜において、前記開口部を有するマスクが設けられた領域を活性層として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の非晶質珪素膜上に開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部で露呈された第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜上にゲッタリング用の第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜を４５０〜７５０℃で加熱し、
当該加熱後の結晶性珪素膜において、前記開口部を有するマスクが設けられた領域を活性層として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜の加熱後、前記開口部で露呈された結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記半導体装置は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタを有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に第１の非晶質珪素膜を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜上にゲッタリング用の第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜を４５０〜７５０℃で加熱し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質珪素膜を除去して、結晶性珪素膜のパターンを形成し、
前記マスクを除去し、
前記結晶性珪素膜のパターン上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記結晶性珪素膜のパターンに不純物をドーピングして、不純物領域を形成し、
前記不純物領域を活性化することを特徴とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に第１の非晶質珪素膜を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜上に開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部で露呈された第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜上にゲッタリング用の第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜を４５０〜７５０℃で加熱し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質珪素膜を除去して、結晶性珪素膜のパターンを形成し、
前記マスクを除去し、
前記結晶性珪素膜のパターン上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記結晶性珪素膜のパターンに不純物をドーピングして、不純物領域を形成し、
前記不純物領域を活性化することを特徴とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、周期表の１５族に属する元素を非晶質珪素膜にドーピングすることによって、前記ゲッタリング用の第２の非晶質珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記周期表の１５族に属する元素は、リン、砒素またはアンチモンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、前記周期表の１５族に属する元素を非晶質珪素膜にドーピングすることによって前記第２の非晶質珪素膜に含有された当該周期表の１５族に属する元素の濃度は、１×１０19原子ｃｍ-3以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜の加熱後、前記第２の非晶質珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記結晶性珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度よりも高くなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記マスクは、酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化窒化珪素膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記珪素の結晶化を助長する金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＣｕまたはＡｕであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記半導体装置として液晶表示装置を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記半導体装置としてＥＬ表示装置を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記半導体装置としてフラットパネルディスプレイを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記半導体装置として情報処理端末を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記半導体装置としてナビゲーションシステムを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記半導体装置として携帯電話を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記半導体装置としてカメラを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜上にゲッタリング用の第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜を４５０〜７５０℃で加熱し、
当該加熱後の結晶性珪素膜において、前記開口部を有するマスクが設けられた領域を活性層として用いることを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項２１】
第１の非晶質珪素膜上に開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部で露呈された第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜上にゲッタリング用の第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜を４５０〜７５０℃で加熱し、
当該加熱後の結晶性珪素膜において、前記開口部を有するマスクが設けられた領域を活性層として用いることを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項２２】
請求項２０または請求項２１において、前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜の加熱後、前記開口部で露呈された結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項２３】
請求項２０乃至２２のいずれか一において、前記集積回路は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタを有していることを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項２４】
ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に第１の非晶質珪素膜を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜上にゲッタリング用の第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜を４５０〜７５０℃で加熱し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質珪素膜を除去して、結晶性珪素膜のパターンを形成し、
前記マスクを除去し、
前記結晶性珪素膜のパターン上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記結晶性珪素膜のパターンに不純物をドーピングして、不純物領域を形成し、
前記不純物領域を活性化することを特徴とすることを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項２５】
ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に第１の非晶質珪素膜を形成し、
前記第１の非晶質珪素膜上に開口部を有するマスクを形成し、
前記開口部で露呈された第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜上にゲッタリング用の第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜を４５０〜７５０℃で加熱
し、
前記開口部で露呈された結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質珪素膜を除去して、結晶性珪素膜のパターンを形成し、
前記マスクを除去し、
前記結晶性珪素膜のパターン上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記結晶性珪素膜のパターンに不純物をドーピングして、不純物領域を形成し、
前記不純物領域を活性化することを特徴とすることを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項２６】
請求項２０乃至２５のいずれか一において、周期表の１５族に属する元素を非晶質珪素膜にドーピングすることによって、前記ゲッタリング用の第２の非晶質珪素膜を形成することを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項２７】
請求項２６において、前記周期表の１５族に属する元素は、リン、砒素またはアンチモンであることを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項２８】
請求項２６または請求項２７において、前記周期表の１５族に属する元素を非晶質珪素膜にドーピングすることによって前記第２の非晶質珪素膜に含有された当該周期表の１５族に属する元素の濃度は、１×１０19原子ｃｍ-3以上であることを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項２９】
請求項２０乃至２８のいずれか一において、前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜の加熱後、前記第２の非晶質珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記結晶性珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度よりも高くなることを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項３０】
請求項２０乃至２９のいずれか一において、前記マスクは、酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化窒化珪素膜であることを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項３１】
請求項２０乃至３０のいずれか一において、前記珪素の結晶化を助長する金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＣｕまたはＡｕであることを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項３２】
請求項２０乃至３１のいずれか一において、前記集積回路としてＣＰＵを作製することを特徴とする集積回路の作製方法。
【請求項３３】
請求項２０乃至３１のいずれか一において、前記集積回路としてメモリを作製することを特徴とする集積回路の作製方法。