【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工作業を行うために少なくとも二つのレーザービームを材料に向けるステップを有する、材料の加工方法であって、
前記レーザービームは、異なる波長を有し、
最大波長を有するビームは、初めに、最高の材料除去率を得るために用いられ、
それより短い波長を有するビームは、加工作業を完了するために引き続いて用いられる、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、
前記最大波長を有するビームは、また、最大出力を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の方法であって、
前記最大波長を有するビームは、基本波または第二次高調波のレーザー周波数のパルスを有するパルス列を備え、
これより短い波長を有する前記ビームは、第三次、第四次または第五次高調波の周波数のパルスを有するパルス列を備える、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項２記載の方法であって、
前記最大出力のビームは、
基本波の周波数を近赤外線スペクトル域とし、第二次高調波の周波数を近赤外線可視域として、基本波または第二次高調波の波長で固体レーザーから生成され、
これより短い波長のビームは、第三次、第四次または第五次の高調波の周波数の生成により、紫外線域の波長で生成される、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１、２、３及び４のいずれか１項に記載の方法であって、
前記ビームは、３００ナノ秒よりも短いパルス幅を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１、２、３、４及び５のいずれか１項に記載の方法であって、
前記ビームは、各々、１ｋＨｚよりも大きいパルス繰返し周波数を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１、２、３、４、５及び６のいずれか１項に記載の方法であって、
ガルバノメーターおよび光学系が前記ビームを出力し、光学系は目標送出量とビームサイズを提供する、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１、２、３、４、５、６及び７のいずれか１項に記載の方法であって、
前記材料は、半導体材料のウェハである、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１、２、３、４、５、６、７及び８のいずれか１項に記載の方法であって、
前記材料は、半導体材料と誘電体とからなる複合材料である、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法であって、
前記最大波長のビームは、カットラインに沿って片側からバルク状半導体を除去するために用いられ、これより短い波長のビームは、カットラインに沿って反対側からより低量の誘電体を除去するために用いられることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９及び１０のいずれか１項に記載の方法であって、
前記材料は、半導体集積回路ダイであり、
加工は、ダイのエッジ周辺で、ダイを、ウェハまたはダイ配列からシンギュレーションするために行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０及び１１のいずれか１項に記載の方法であって、
機械視覚システムを用いて、切断前の材料の画像を撮像し、確認された基準にしたがってカットラインを決定するステップをさらに含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
レーザー加工装置であって、
それぞれ異なる波長を有する複数のレーザービームを生成するレーザービーム光源手段と、
レーザービームガイド手段と、
前記レーザービーム光源手段及び前記レーザービームガイド手段を、加工作業を行うために制御する制御手段と、
を備え、
前記レーザービームガイド手段は、
波長の異なる前記レーザービームについてそれぞれ一つずつの加工ヘッドと、
ガルバノメータスキャン手段と、
を備え、
前記制御手段は、
最大波長を有するレーザービーム用の第一の加工ヘッドが、最大の材料除去率を得るために最初に用いられ、これより短い波長を有するレーザービーム用の第二の加工ヘッドが次いで用いられるように、前記レーザービーム光源手段及び前記レーザービームガイド手段を制御して、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法における加工作業を完了させる手段を備える、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の装置であって、
前記最大波長を有するレーザービームが最大出力を有することを特徴とする、装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４記載の装置であって、
前記最大波長を有するレーザービームは、基本波または第二次高調波のレーザー周波数のパルスを有するパルス列を備え、
これより短い波長を有するビームは、第三次、第四次または第五次高調波の周波数のパルスを有するパルス列を備えることを特徴とする装置。
【請求項１６】
請求項１３記載の装置であって、
前記レーザービーム光源手段は、
基本波の周波数を近赤外線スペクトル域、第二次高調波の周波数を近赤外線可視域として最大出力のビームを生成するために設けられた固体レーザーを有し、 これより短い波長のビームは、第三次、第四次または第五次高調波の周波数を生成することにより、紫外線域の波長で生成されることを特徴とする装置。
【請求項１７】
請求項１３から１６までのいずれか１項に記載の装置であって、
前記ビームは、３００ナノ秒よりも短いパルス幅を有することを特徴とする装置。
【請求項１８】
請求項１３から１７までのいずれか１項に記載の装置であって、
前記ビームは、１ｋＨｚよりも大きいパルス繰返し周波数を有することを特徴とする装置。
【請求項１９】
請求項１３から１８までのいずれか１項に記載の装置であって、
ガルバノメーターおよび光学系はビームを出力し、
前記光学系は目標送出量とビームサイズとを提供する、
ことを特徴とする装置。
【請求項２０】
請求項１３から１９までのいずれか１項に記載の装置であって、
半導体材料のウェハを加工するために用いられることを特徴とする装置。
【請求項２１】
請求項１３から１９までのいずれか１項に記載の装置であって、
半導体材料と誘電体とからなる複合材料を加工するために用いられることを特徴とする装置。
【請求項２２】
請求項２１記載の装置であって、
最大波長のビームが、カットラインに沿って片側からバルク状半導体を除去するために使用され、これより短い波長のビームは、カットラインに沿って反対側からより低量の誘電体を除去するために使用されることを特徴とする装置。
【請求項２３】
請求項１３から２０までのいずれか１項に記載の装置であって、
ウェハまたはダイ配列からダイをシンギュレーションするために、半導体集積回路ダイのダイ端部周辺を加工するために用いられることを特徴とする装置。
【請求項２４】
請求項１３から２３までのいずれか１項に記載の装置であって、
切断前の材料の画像を撮影し、確認された基準に従ってカットラインを決定する機械視覚システムをさらに有する装置。
【請求項２５】
先行する、いずれかの請求項に記載の装置であって、
前記レーザービーム光源は、
赤外線または可視波長レーザーを有する第一のヘッドと、
ＵＶレーザーを有する第二のヘッドと、
を有し、
当該装置は、
ウェハを装填し、前記第一のヘッドから前記第二のヘッドに移動させる、ハンドリングロボットをさらに有する装置。
【請求項２６】
請求項１３から２５までのいずれか１項に記載の装置であって、
正確なビジョンおよびアライメントを可能とするようにデブリが確実に基準位置に落とさないガス吹き付けおよびデブリ除去システムであって、デブリを、加工前面から離してデブリ除去システムへ方向付けるガス吹き付けおよびデブリ除去システムをさらに備える装置。