Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  焼結結晶質セラミック接合材料によって互いに接合された複数の研磨粒子を含み、接合材料が、接合材料の総金属酸化物含量に基づいて、理論酸化物基準で少なくとも５０重量パーセントの結晶質Ａｌ２Ｏ３を含み、研磨粒子の平均粒度が少なくとも５マイクロメートルである凝集体砥粒。
【請求項２】  接合材料および焼結セラミックアルファアルミナベース研磨粒子が実質的に同一組成を有する請求項１に記載の凝集体砥粒。
【請求項３】  焼結結晶質セラミック接合材料によって互いに接合された複数の多結晶質研磨粒子を含み、接合材料が、接合材料の総金属酸化物含量に基づいて、理論酸化物基準で少なくとも５０重量パーセントの結晶質Ａｌ２Ｏ３を含み、研磨粒子が理論密度の少なくとも８５％の密度を有し、凝集体砥粒が少なくとも１０パーセントの多孔度値を有する凝集体砥粒。
【請求項４】  結晶質セラミック金属酸化物接合材料を介して互いに接合された複数の焼結多結晶質研磨粒子を含み、接合材料が、接合材料の総金属酸化物含量に基づいて、理論酸化物基準で少なくとも５０重量パーセントのＡｌ２Ｏ３を含み、結晶質研磨粒子が１０マイクロメートル未満の平均サイズを有する結晶を含み、最大研磨粒子の少なくとも３つが実質的に同一体積を有する凝集体砥粒。
【請求項５】  結晶質セラミック金属酸化物接合材料を介して互いに接合された複数の焼結結晶質研磨粒子を含み、接合材料が、接合材料の総金属酸化物含量に基づいて、理論酸化物基準で少なくとも５０重量パーセントのＡｌ２Ｏ３を含み、結晶質研磨粒子が１０マイクロメートル未満の平均サイズを有する結晶を含み、最大研磨粒子の少なくとも３つのサイズが２０マイクロメートルを超える凝集体砥粒。
【請求項６】  結晶質セラミック金属酸化物接合材料を介して互いに接合された複数の焼結結晶質研磨粒子を含み、凝集体砥粒が、凝集体砥粒の総金属酸化物含量に基づいて、理論酸化物基準で少なくとも８５重量パーセントのＡｌ２Ｏ３を含み、最大研磨粒子の少なくとも３つのサイズが２０マイクロメートルを超える凝集体砥粒。
【請求項７】  結晶質セラミック金属酸化物接合材料を介して互いに接合された複数の焼結多結晶質研磨粒子を含み、接合材料が、接合材料の総金属酸化物含量に基づいて、理論酸化物基準で少なくとも５０重量パーセントのＡｌ２Ｏ３を含み、凝集体砥粒が１０〜約６０パーセントの範囲の多孔度値を有する凝集体砥粒。
【請求項８】  バインダー材料と、該バインダー材料により研磨物品内に固定された請求項１〜７のいずれかに記載の複数の凝集体砥粒とを含む研磨物品。
【請求項９】  複数の少なくとも１種の研磨粒子又は研磨粒子前駆体と前駆体接合剤とを、粒子が互いに凝集するように接触させる工程；及び
凝集した粒子を、凝集した粒子から請求項１〜７のいずれか記載の凝集体砥粒に変換するのに十分な温度及び時間加熱する工程；
を包含する凝集体砥粒の製造方法。
【請求項１０】  乾燥ベーマイトベース前駆体粒子を、液体の存在下で複数の前駆体粒子が互いに凝集するように接触させる工程；
凝集した前駆体粒子を乾燥させる工程；
乾燥し、凝集した前駆体粒子を焼成して、多孔性凝集前駆体粒子を得る工程；
多孔性凝集前駆体粒子を、液体及び少なくとも１種の金属酸化物または金属酸化物前駆体を含む組成物に含浸する工程；及び
含浸させた凝集前駆体粒子を、請求項１〜７のいずれか記載の凝集体砥粒に変換するのに十分な温度及び時間加熱する工程；
を包含する凝集体砥粒の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    
【請求項１】  治療標的に結合するタンパク質を含んでなる修飾型治療用タンパク質であって、前記タンパク質が治療標的への該タンパク質の結合を阻害する化合物で修飾されてなり、前記修飾型タンパク質が該タンパク質に対する免疫応答を低減するのに効果的であり、かつ治療標的への結合により治療効果をもたらすのに効果的である、修飾型治療用タンパク質。
【請求項２】 タンパク質が、治療標的に結合する抗体結合部位（antibody combining site ）を含む抗体である、請求項１記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項３】  化合物が抗体の抗体結合部位に結合されてなる請求項２記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項４】  化合物がさらに抗体に連結されてなる請求項３記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項５】  化合物がペプチドである請求項３記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項６】  ペプチドと結合した修飾型抗体の親和性が、非修飾型抗体の親和性より少なくとも４倍低い、請求項５記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項７】  抗体がアグリコシル化（aglycosylated ）抗体である請求項６記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項８】  抗体の鎖の１つのみが、抗体結合部位に結合する、該鎖に連結されたペプチドを有してなる、請求項７記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項９】  修飾型抗体が、標的に対する非修飾型抗体の親和性より少なくとも１００倍低い標的に対する親和性を有するものである、請求項８記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項１０】  化合物が、可逆的に抗体結合部位に結合されてなり、それにより、標的に結合する抗体の量が、化合物が抗体結合部位から置換されるにつれて増加する、請求項３記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項１１】  抗体結合部位に結合された化合物が、さらに抗体に連結されてなる、請求項１０記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項１２】  化合物がペプチドである請求項１１記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項１３】  抗体のＦｃ部分がアグリコシル化されてなる請求項１２記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項１４】  Ｆｃレセプターへの抗体の結合が本質的に排除されてなる請求項１２記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項１５】  抗体が非ヒト抗体である請求項１１記載の修飾型治療用タンパク質。
【請求項１６】  抗体がキメラ抗体である請求項１１記載の修飾型治療用タンパク質。 
【請求項１７】  治療標的に対する抗体結合部位を有する修飾型治療用抗体であって、前記修飾型抗体が抗体結合部位に可逆的に結合した化合物を有してなり、それにより、前記標的が、抗体結合部位について競合し、かつ抗体結合部位から該化合物と置換され、前記化合物が治療標的への抗体の結合を阻害するものであり、前記修飾型抗体が初期に非修飾型抗体より少ない量で標的に結合するものであり、抗体が標的に結合するようになるにつれ、化合物が抗体結合部位から置換された結果として、標的への前記結合が増加する、修飾型治療用抗体。
【請求項１８】  請求項１〜１６いずれか記載の修飾型治療用タンパク質または請求項１７記載の修飾型治療用抗体を含有してなる、医薬組成物。
【請求項１９】  治療における使用のための、請求項１〜１６いずれか記載の修飾型治療用タンパク質または請求項１７記載の修飾型治療用抗体。 
【請求項２０】  癌、慢性関節リウマチ、糖尿病、乾癬、多発性硬化症、全身性狼瘡、喘息、心筋梗塞、脳卒中および感染性疾患からなる群より選択される疾患の治療における使用のための請求項１〜１６いずれか記載の修飾型治療用タンパク質または請求項１７記載の修飾型治療用抗体。
【請求項２１】  哺乳動物の治療用医薬組成物の製造のための、請求項１〜１６いずれか記載の修飾型治療用タンパク質または請求項１７記載の修飾型治療用抗体の使用。
【請求項２２】  癌、慢性関節リウマチ、糖尿病、乾癬、多発性硬化症、全身性狼瘡、喘息、心筋梗塞、脳卒中、および感染性疾患からなる群より選択される疾患の治療用医薬の製造のための、請求項１〜１６いずれか記載の修飾型治療用タンパク質または請求項１７記載の修飾型治療用抗体の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水中に可溶性または可分散性であり且つ疎水性置換基を有する線状カチオン重合体と少なくとも１種の核酸とを含んでなる複合体。
【請求項２】  水溶液中に存在する適量の重合体を適量の核酸溶液と混合することを特徴とする、請求項１に記載の複合体の製造方法。
【請求項３】  薬剤としての使用のための請求項１に記載の複合体。
【請求項４】  請求項１に記載の複合体および別の添加剤を含有する組成物。
【請求項５】  請求項１に記載の複合体を含有する細胞。
【請求項６】  請求項５に記載の細胞および別の添加剤を含有する組成物。
【請求項７】  一般式
【化６】
2004510829.tif 000001
［式中、各個別［ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ］単位中で、
Ｒ1は水素、メチルまたはエチルを示し、そして
Ｒ2は炭素数１〜２２のアルキルを示し、
そしてここで
Ｒ3およびＲ4（末端基）は、互いに独立して、水素および炭素数１〜２４のアシルを示すか、或いは開始剤に依存する構造を有し、
ここで
Ｒ5（末端基）は停止反応に依存する置換基であり、
そしてここで平均重合度Ｐ＝（ｍ＋ｎ）は４５〜５２５０の範囲内であり、そしてｎ＝ａ×Ｐであり、０.００１＜ａ＜０.１であり、ここで単位ｍおよびｎは重合体内に無作為に分布されている］
の重合体。
【請求項８】  一般式
【化７】
2004510829.tif 000002
［式中、各個別［ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ］単位中で、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は水素またはヒドロキシルを示し、
そしてここで
Ｒ4およびＲ5（末端基）は、互いに独立して、水素または胆汁酸を示すか、或いは開始剤に依存する構造を有し、
ここで
Ｒ6（末端基）は停止反応に依存する置換基であり、
そしてここで平均重合度Ｐ＝（ｍ＋ｎ）は４５〜５２５０の範囲内であり、そしてｎ＝ａ×Ｐであり、０.００１＜ａ＜０.１であり、ここで単位ｍおよびｎは重合体内に無作為に分布されている］
の重合体。
【請求項９】  一般式
【化８】
2004510829.tif 000003
［式中、各個別［ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ］単位中で、
Ｒ1はＯＲ4またはＮＲ4Ｒ5を示し、
ここで
Ｒ4およびＲ5は、互いに独立して、水素または炭素数１〜２４のアルキルを示し、
そしてここで
Ｒ2およびＲ3（末端基）は互いに独立して主重合体鎖中の窒素原子上の置換基に相当するか、或いは開始剤に依存する構造を有し、
ここで
Ｒ6（末端基）は停止反応に依存する置換基であり、
そしてここで平均重合度Ｐ＝（ｍ＋ｎ）は４５〜５２５０の範囲内であり、そしてｎ＝ａ×Ｐであり、０.００１＜ａ＜０.１であり、ここで単位ｍおよびｎは重合体内に無作為に分布されている］
の重合体。
【請求項１０】  一般式
【化９】
2004510829.tif 000004
［式中、各個別［ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ］単位中で、
Ｒ1は炭素数１〜２４のアルキルを示し、
そしてここで
Ｒ2およびＲ3（末端基）は互いに独立して主重合体鎖中の窒素原子上の置換基に相当するか、或いは開始剤に依存する構造を有し、
ここで
Ｒ4（末端基）は停止反応に依存する置換基であり、
そしてここで平均重合度Ｐ＝（ｍ＋ｎ）は４５〜５２５０の範囲内であり、そしてｎ＝ａ×Ｐであり、０.００１＜ａ＜０.１であり、ここで単位ｍおよびｎは重合体内に無作為に分布されている］
の重合体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月7日(2004.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  前記リングは、間に前記リング（４）が装着される一対の板（３，３′）のうちの少なくとも１つの板（３，３′）と協働するようになっている、割り出すための起伏要素（６１，６１′）を担持していることにより、前記板に対する前記リングの角度的隙間が制限されることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１つに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月25日(2005.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フォーミングセクションと、抄紙機の方向に移動しかつ機械側表面および紙側表面を備えた少なくとも１つのフォーミング・ファブリックと、少なくとも１つの移動フォーミング・ファブリックの紙側表面上にストックジェットを供給するヘッドボックス・スライスを備えたヘッドボックスとを有する抄紙機でのシート特性を改善する方法において、
（ｉ）少なくとも１つの移動フォーミング・ファブリックの紙側表面上にストックジェットを放出する段階と、
（ｉｉ）紙側表面上にストックを支持している少なくとも１つのフォーミング・ファブリックの機械側表面を、抄紙機の方向に連続的に移動させる段階とを有し、
前記フォーミング・ファブリックに対する最初の固定支持要素が、該フォーミング・ファブリックの機械側表面と接触し、
少なくとも１つの脱水ボックスは、多孔質支持面が設けられ、該多孔質支持面は、前記フォーミング・ファブリックに対する複数の支持要素を含み、該脱水ボックスは、前記最初の固定支持要素の支持手段を有し、
フォーミング・ファブリックの機械側表面と接触する最後の固定支持要素が、前記最初の固定支持要素および少なくとも１つのフォーミング・ファブリックの機械側表面と協働して基準面を定める方法であって、
前記複数の支持要素の全ては、前記フォーミング・ファブリックに対する垂直方向に移動可能であり、
垂直方向に調節可能な少なくとも１つの前記支持要素の前記基準面に対する垂直位置を変えることにより、少なくとも１つの位置でのストックの攪拌の規模および強度の両方を調節し、それにより、少なくとも１つの前記支持要素が、フォーミング・ファブリックの機械側表面との接触と、該機械側表面からの離脱とからなる群から選択される位置へと垂直方向に移動されることを特徴とする方法。
【請求項２】  前記最初の固定支持要素が、前記ヘッドボックス・スライスに隣接していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記最初の固定支持要素が、前記ヘッドボックス・スライスに隣接していないことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記多孔質支持面は、連続する複数の脱水ボックスにより支持されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】  前記脱水ボックスとして、第１の脱水ボックスと第２の脱水ボックスとを備え、
前記第１の脱水ボックスに機械方向の前記最後の固定支持要素が固定され、
前記第２の脱水ボックスの機械方向の前記最初の固定支持要素は、前記第１の脱水ボックスの最後の前記固定支持要素の機械方向の直後に続いて配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】  前記抄紙機は、
単一のフォーミング・ファブリックを備えた開放面抄紙機と、
２つの重畳フォーミング・ファブリックを有し、ヘッドボックス・スライスに隣接するフォーミングセクションの少なくとも一部が、開放面を備えた１つのフォーミング・ファブリックを有しているハイブリッドギャップフォーマ抄紙機と、
ヘッドボックス・スライスに隣接するフォーミングセクションの少なくとも一部が、開放面を備えた１つのフォーミング・ファブリックを有している構成の２つの重畳フォーミング・ファブリックを有するハイブリッドギャップフォーマ抄紙機と、
紙側表面および機械側表面を備えた２つのフォーミング・ファブリックを有するツインファブリック抄紙機であって、ストックのジェットが２つのファブリックの少なくとも一方の紙側表面に供給され、かつ、少なくとも１つのフォーミング・ファブリックの機械側表面と接触している少なくとも複数の支持要素が移動可能である構成のツインファブリック抄紙機と、
からなる群から選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】  フォーミングセクションと、抄紙機の方向に移動しかつ機械側表面および紙側表面を備えた少なくとも１つのフォーミング・ファブリックと、少なくとも１つの移動フォーミング・ファブリックの紙側表面上にストックジェットを供給するヘッドボックス・スライスを備えたヘッドボックスとを有する抄紙機でのシート特性を改善する装置において、
前記少なくとも１つのフォーミング・ファブリックの機械側表面と接触する最初の固定支持要素と、
多孔質支持面が設けられていると共に、前記最初の固定支持要素の支持手段を有し、該多孔質支持面が前記フォーミング・ファブリックに対する複数の支持要素を含む、少なくとも１つの脱水ボックスと、
少なくとも１つの動くフォーミング・ファブリックの機械側表面と接触する最後の固定支持要素と、を有し、
前記最後の固定支持要素は、前記最初の固定支持要素および少なくとも１つのフォーミング・ファブリックの機械側表面と協働して基準面を定める装置であって、
前記複数の支持要素の全ては、前記フォーミング・ファブリックに対する垂直方向に移動可能であり、
垂直方向に移動可能な前記複数の支持要素の独立制御型垂直調節手段が、前記少なくとも１つの脱水ボックスに設けられていることを特徴とする装置。
【請求項８】  前記最初の固定支持要素が、前記ヘッドボックス・スライスに隣接していないことを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項９】  前記最初の固定支持要素は、前記ヘッドボックス・スライスに隣接していないことを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項１０】  前記最初の固定支持要素は、前記フォーミングセクションの隣接する前記脱水ボックスにより支持されることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】  前記脱水ボックスとして、機械方向に並んでいる第１の脱水ボックス及び第２の脱水ボックスを備え、
前記第１の脱水ボックスに機械方向の前記最後の固定支持要素が固定され、
前記第２の脱水ボックスの機械方向の前記最初の固定支持要素は、前記第１の脱水ボックスの最後の前記固定支持要素の機械方向の直後に続いて配置されていることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】  前記フォーミングセクションを有する抄紙機は、
単一のフォーミング・ファブリックを備えた開放面抄紙機と、
２つの重畳フォーミング・ファブリックを有し、ヘッドボックス・スライスに隣接するフォーミングセクションの少なくとも一部が、開放面を備えた１つのフォーミング・ファブリックを有しているハイブリッドギャップフォーマ抄紙機と、
ヘッドボックス・スライスに隣接するフォーミングセクションの少なくとも一部が、開放面を備えた１つのフォーミング・ファブリックを有している構成の２つの重畳フォーミング・ファブリックを有するハイブリッドギャップフォーマ抄紙機と、
紙側表面および機械側表面を備えた２つのフォーミング・ファブリックを有するツインファブリック抄紙機であって、ストックのジェットが２つのファブリックの少なくとも一方の紙側表面に供給され、かつ、少なくとも１つのフォーミング・ファブリックの機械側表面と接触している少なくとも複数の支持要素が移動可能である構成のツインファブリック抄紙機と、
からなる群から選択されることを特徴とする請求項７記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性組成物中に使用される、ハロゲン非含有の、難燃剤組成物であって、前記難燃剤組成物は、少なくとも
ａ）１０ないし９０質量％の、式（Ｉ）及び／または式（ＩＩ）
【化１】
2004510863.tif 000001
（式中、
Ｒ1、Ｒ2は、水素原子、直鎖のまたは枝分かれした炭素原子数１ないし６のアルキル基、またはフェニル基を表し；
Ｒ3は、直鎖のまたは枝分かれした炭素原子数１ないし１０のアルキレン基、アリーレン基、アルキルアリーレン基、またはアリールアルキレン基を表し；
Ｍは、アルカリ土類金属、またはアルカリ金属、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅまたは１，３，５−トリアジン化合物を表し；
ｍは、１、２または３を表し；
ｎは、１または３を表し；
ｘは１または２を表す）で表されるホスフィネート化合物及び／またはそのポリマー、
ｂ）９０ないし１０質量％の、式（ＩＩＩ）
【化２】
2004510863.tif 000002
（式中、Ｔは、１，３，５−トリアジン化合物を表し；及び
ｎは、数平均縮合度の値であって、そして３よりも大きい。）で表される１，３，５−ト
リアジン化合物のポリ燐酸塩、及び
ｃ）０ないし３０質量％のオレフィンコポリマー
を含み、成分ａ）ないしｃ）の合計が１００％になる組成物。
【請求項２】
式中、前記１，３，５−トリアジン化合物のポリ燐酸塩中の前記１，３，５−トリアジン化合物がメラミンを表す請求項１記載の難燃剤組成物。
【請求項３】
以下の成分
ａ）９５ないし１０質量％のポリアミド、
ｂ）０ないし５０質量％のガラス繊維、
ｃ）５ないし４０質量％の、請求項１又は２に記載の難燃剤組成物、及び
ｄ）０ないし５０質量％の他の添加剤
を含み、成分ａ）ないしｄ）の合計が１００質量％になる難燃性ポリアミド組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ａ）溶融流量ＭＦＲI０．５〜１０ｇ／１０分を有するフラクションＡI２５〜７５質量％と、ＭＦＲII／ＭＦＲIが３０〜２０００となる溶融流量ＭＦＲIIを有するフラクションＡII７５〜２５質量％とを含む、結晶性ポリプロピレン成分であって、前記フラクションＡI及びＡIIが、それぞれ独立して、プロピレンホモポリマー、８質量％までのエチレンを含むプロピレンのランダムコポリマー及び８質量％までの少なくとも１種類のＣ4−Ｃ10のα−オレフィンを含むプロピレンのランダムコポリマーから成る群から選択される、前記結晶性ポリプロピレン成分２０〜９０質量％、及び
Ｂ）エチレンと、少なくとも１種類のＣ3−Ｃ10のα−オレフィンとのコポリマー成分であって、コポリマー成分が、１０〜７０質量％のエチレンを含み、室温でキシレンに可溶性であって、かつ４〜９ｄｌ／ｇの極限粘度数［η］を有する、前記コポリマー成分１０〜８０質量％、
を含むことを特徴とする、マスターバッチ組成物。
【請求項２】  前記コポリマー成分が少量のジエンを含む、請求項１記載のマスターバッチ組成物。
【請求項３】  前記フラクションＡI及びフラクションＡIIが、それぞれ、３０〜７０質量％の量で存在する、請求項１又は２記載のマスターバッチ組成物。
【請求項４】  前記フラクションＡI及びフラクションＡIIが、それぞれ、４５〜５５質量％の量で存在する、請求項３記載のマスターバッチ組成物。
【請求項５】  前記ＭＦＲII／ＭＦＲIの比が、４０〜２０００である、請求項１又は２記載のマスターバッチ組成物。
【請求項６】  前記ＭＦＲII／ＭＦＲIの比が、５０〜１０００である、請求項５記載のマスターバッチ組成物。
【請求項７】  前記ＭＦＲII／ＭＦＲIの比が、１００〜８００である、請求項１又は２記載のマスターバッチ組成物。
【請求項８】  前記コポリマー成分が、１５〜６０質量％のエチレンを含む、請求項１又は２記載のマスターバッチ組成物。
【請求項９】  前記コポリマー成分が、１５〜５０質量％のエチレンを含む、請求項１又は２記載のマスターバッチ組成物。
【請求項１０】  前記コポリマー成分が、５〜８ｄｌ／ｇの極限粘度数を有する、請求項１又は２記載のマスターバッチ組成物。
【請求項１１】  前記コポリマー成分が、５．５〜７ｄｌ／ｇの極限粘度数を有する、請求項１０記載のマスターバッチ組成物。
【請求項１２】  前記結晶性ポリプロピレン成分が、３０〜８０質量％の量で存在する、請求項１又は２記載のマスターバッチ組成物。
【請求項１３】  前記結晶性ポリプロピレン成分が、５０〜７０質量％の量で存在する、請求項１２記載のマスターバッチ組成物。
【請求項１４】  前記コポリマー成分が、７０〜２０質量％の量で存在する、請求項１又は２記載のマスターバッチ組成物。
【請求項１５】  前記コポリマー成分が、５０〜２０質量％の量で存在する、請求項１４記載のマスターバッチ組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成15年12月1日(2003.12.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
式（VI）中のＸがホスホネート基：−ＯＰ（Ｏ）Ｒ’’Ｒ’’’（Ｒ’’とＲ’’’はＺと同じ意味を有する）を表す請求項９に記載の組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
促進剤としてメチルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、アリルメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリアリルシアヌレート（ＴＡＣ）、トリアリルイソシアヌレート（ＴＡＩＣ）、トリアリルホスフェート、テトラアリロキシエタン、ジアリルジグリコールカーボネート、トリアリルトリメリテート、トリアリルシトレート、ジアリルアジペート、ジアリルテレフタレート、ジアリルオキサレート、ジアリルフマレート、エチレングリコールジメタクリレートおよび２−ヒドロキシエチルメタクリレートも適している。


【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
[ここで、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4で定義の基と同じ基の中から選択でき、さらに、ヒドロキシル基−ＯＨ、酸基、例えば−ＣＯＯＨ、−ＰＯ（ＯＨ）2または−ＳＯ3Ｈを表すことができ、互いに同一でも異なっていてもよく、式（VI）中のＸはメチレン、−ＣＨ2−、−（ＯＲ）（ＯＲ'）−、カルボニル−Ｃ（Ｏ）−、オキシ−Ｏ−および−ＣＨＺ−の中から選択される二価基を表し、Ｚはシアノ：−ＣＮ、アミノ：−ＮＭＲ'、アルコキシ：−ＯＲ、イミノイル−Ｎ＝ＣＲＲ'、カルボキシレート：−ＯＣ（Ｏ）−Ｒおよびアミド：−ＮＭＲ−Ｃ（Ｏ）Ｒ'基の中から選択される一価の残基を表し、ＲおよびＲ'は水素原子、１〜１０個の炭素原子を含む直鎖または分岐鎖のアルキル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、互いに同一でも異なっていてもよく、式（VI）中のＸはさらに、ホスホネート基：−ＯＰ（Ｏ）Ｒ’’Ｒ’’’（Ｒ’’とＲ’’’はＺと同じ意味を有する）を表すこともできる]
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月2日(2003.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
シール装置５５０は、ワークピース取付部（例えば、取付部５０８）に取り付けることができるリング形状の支持部材５５２と、この支持部材５５２に取り付けられる第１シール部材５５４を含み、第１シール部材は、支持部材５５２に対して柔軟な第１部分５５６を有し、図８Ｄにおいて図示しかつ説明するように、ワークピースの裏面の一部分と係合するようになっている。シール装置５５０は、固定具（図示略）を用いる複数の取付タブ５６８に設けた穴５６６を介してワークピース取付部５０８上に取り付けることができる。これに関して、シール装置５５０は、ワークピース取付部５０８（例えば、取付固定具及び同等物を介して）から分離可能であり、その結果、取付部の修繕及び交換を容易にする。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ａ】
2004510306.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ｂ】
2004510306.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004510306.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月28日(2003.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、それらと密接に接触して配置されたプロトン交換膜と、
前記第１の電極と電気連絡して配置され、セル内の圧力変動に適合できる構造を有する導電性シートを含む圧力パッドと、
を備え、
前記シートはその中に配置された波形を含み、前記波形により当該電気化学セルを横切る方向の圧力変動に応じて前記圧力パッドに弾力性が付与される、
電気化学セル。
【請求項２】
さらに、波形に配置されたエラストマー部材を備える請求項１記載の電気化学セル。
【請求項３】
前記エラストマー部材は前記波形を横切って縫うように通される請求項２記載の電気化学セル。
【請求項４】
電気化学セル内の電極と流体接続して配置されると共に導電性波形部材を備える弾力的な圧力パッド。
【請求項５】
さらに、前記波形部材に配置されたエラストマー部材を備える請求項４記載の圧力パッド。
【請求項６】
前記エラストマー部材は、前記波形部材の隆起部分により形成される２つの隆起部分間に長手方向に延在するように配置される請求項５記載の圧力パッド。
【請求項７】
前記エラストマー部材は前記波形部材の前記隆起部分を横切って縫うように通される請求項５記載の圧力パッド。
【請求項８】
前記エラストマー部材は導電性である請求項５記載の圧力パッド。
【請求項９】
導電性部材に波形を配置する工程を含む弾力的な圧力パッドの製造方法。
【請求項１０】
さらに、前記波形にエラストマー部材を配置する工程を含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記波形にエラストマー部材を配置する工程は前記波形を横切って前記エラストマー部材を縫うように通す工程を含む請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月13日(2003.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＤＭＡ通信システムにおいて電力を節約し、且つ待機を延長するために、ＱＰＣＨページング指標ビットを処理する方法であって：
休眠条件を確認すること；及び
任意のときに休眠開始を始動し、斯くしてシンボル結合器におけるロール事象を強制するためにフィンガ・ロールの使用を除外することを含む方法。
【請求項２】
無線通信システムにおいて、特定の符号チャンネル上で指定時間に送信されたデータを処理する方法であって：
休眠を確認すること；及び
休眠期間の断片的な部分が４分の１ＰＮ列長以下であり、送信の前にデータを拡散するために使用されるＰＮ列の長さの非整数倍数の期間の休眠を実行することを含む方法。
【請求項３】
データが迅速なページング・チャンネル（ＱＰＣＨ）上で送信されるページング指標ビットに対応する、請求項２の方法。
【請求項４】
休眠が特定のＱＰＣＨスロット中の一対のページング指標ビットの間で実行される、請求項３の方法。
【請求項５】
データがページング・チャンネル（ＰＣＨ）上で送信されるページ・メッセージに対応する、請求項２の方法。
【請求項６】
データが同報チャンネル上で送信される同報メッセージに対応する、請求項２の方法。
【請求項７】
休眠期間がＰＮ列長の４分の１以下の時間増分の整数倍数として選択される、請求項２の方法。
【請求項８】
時間増分がＰＮ列をマスクするために使用されるマスクに基づいて選択される、請求項７の方法。
【請求項９】
時間増分がシンボルを記憶するために使用されるバッファの大きさに基づいて選択される、請求項７の方法。
【請求項１０】
時間増分が６４ＰＮチップの整数倍数として選択される、請求項７の方法。
【請求項１１】
時間増分が５１２ＰＮチップとして選択される、請求項１０の方法。
【請求項１２】
休眠を実行することは休眠期間の間、復調器及び復号器のハードウェアへのクロックを取り去ることを含む、請求項２の方法。
【請求項１３】
休眠を実行することは休眠期間の間、ＲＦ回路の選択されたものを不能にすることを含む、請求項２の方法。
【請求項１４】
休眠から立上がりの後、中断を生成することを更に含む、請求項２の方法。
【請求項１５】
立上がりでクロックが再可動されるとき、中断がハードウェアによって生成される、請求項１４の方法。
【請求項１６】
立上がりの後信号探索の終了に対応して中断が生成される、請求項１４の方法。
【請求項１７】
信号探索が休眠に入る前にプログラムされる、請求項１６の方法。
【請求項１８】
現在の時間と次の処理時間の間の時間期間が特定の閾値時間を越えれば、休眠時間が確認される、請求項２の方法。
【請求項１９】
通信システムがＣＤＭＡシステムである、請求項２の方法。
【請求項２０】
ＣＤＭＡシステムがＩＳ−９５またはｃｄｍａ２０００を実施する、請求項１９の方法。
【請求項２１】
休眠条件を確認し；及び
休眠期間の断片的な部分が４分の１ＰＮ列長以下であり、送信の前にデータを拡散するために使用されるＰＮ列の長さの非整数倍数である期間の休眠を始めるために、ディジタル情報を解釈することが可能なディジタル信号処理デバイス（ＤＳＰＤ）に伝送のため接続されたメモリ。
【請求項２２】
休眠条件を確認するために動作する第一のコントローラ；及び
休眠期間の断片的な部分がＰＮ列長の４分の１以下であり、送信の前にデータを拡散するために使用されるＰＮ列の長さの非整数倍数の期間の休眠を実行するために動作する休眠コントローラを含む無線通信システムにおける端末。
【請求項２３】
端末内の選択された回路のクロックを休眠の期間の間不能にするように動作するクロック発生器を更に含む、請求項２２の受信器ユニット。
【請求項２４】
休眠からの立上がり後中断を提供するために動作する探索器要素を更に含む、請求項２２の受信器ユニット。
【請求項２５】
端末のシステム時間がリセットされるＰＮロール事象を提供するために動作する少なくとも一個のフィンガ・プロセッサを含む、請求項２２の受信器ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月7日(2003.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペクトルの紫外線領域において放射を検出する、室温での動作に適した高感度光検出器であって、
入射光子に応答して検出器電流を生じる化合物半導体フォトダイオードであって、１５ｆＦ以下のキャパシタンスを有し、そのなだれ降伏スレショルドよりも下にバイアスされており、ＩＩＩ−ＩＶ族の元素成分を含み、可視光子のエネルギよりも高い遷移エネルギを伴うバンドギャップを有する化合物半導体フォトダイオード（３８）と、
前記低キャパシタンス・フォトダイオードから信号を受け取り、結果的に高い相互インピーダンスを有し、前記高い相互インピーダンスを介して前記信号を増幅する高入力インピーダンス・インターフェース回路（２６）と、
を備えていることを特徴とする高感度光検出器。
【請求項２】
請求項１記載の光検出器において、前記フォトダイオード接合は第１の基板（３０）の上の第１のマイクロストラクチャ（２２）に一体化され、前記インターフェース回路は第２の基板（６６）の上の第２のマイクロストラクチャ（２６）に存在し、前記第１及び第２のマイクロストラクチャは薄層状に結合され、
前記第１及び第２のマイクロストラクチャは導電性の接点（２４）を介して通信することを特徴とする光検出器。
【請求項３】
請求項２記載の光検出器において、前記導電性の接点はインジウムを含むことを特徴とする光検出器。
【請求項４】
請求項１記載の光検出器において、前記バンドギャップは少なくとも２．７６電子ボルトであることを特徴とする光検出器。
【請求項５】
請求項１記載の光検出器において、前記バンドギャップは少なくとも３．４０電子ボルトであることを特徴とする光検出器。
【請求項６】
請求項１記載の光検出器において、前記バンドギャップは少なくとも６．１０電子ボルトであることを特徴とする光検出器。
【請求項７】
請求項１記載の光検出器において、前記フォトダイオードは、
ガリウム窒化物を含む検出器層（３２）と、
サファイアを含む基板層（３０）と、
を備えていることを特徴とする光検出器。
【請求項８】
請求項１記載の光検出器において、前記フォトダイオードは、
アルミニウム・インジウム・ガリウム窒化物を含む検出器層（３２）と、
サファイアを含む基板層（３０）と、
を備えていることを特徴とする光検出器。
【請求項９】
請求項１記載の光検出器において、前記フォトダイオードは、
インジウム・ガリウム窒化物を含む検出器層（３２）と、
サファイアを含む基板層（３０）と、
を備えていることを特徴とする光検出器。
【請求項１０】
請求項１記載の光検出器において、前記高入力インピーダンス・インターフェース回路は、入力において前記フォトダイオードから前記信号を受け取り前記信号を増幅し前記増幅された信号を出力において提供する第１のソース・フォロワ段（Ｑ２８）を更に備えていることを特徴とする光検出器。
【請求項１１】
請求項１０記載の光検出器において、前記高入力インピーダンス・インターフェース回路は、入力において前記第１のソース・フォロワ段の前記出力に容量結合されており前記容量結合された信号を増幅し前記増幅された信号を出力において提供する第２のソース・フォロワ段（Ｑ３０）を更に備えていることを特徴とする光検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月6日(2004.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光センサのためのＴＦＴアクティブマトリックスであって、
−基板、
−基板上に形成され、各々がゲート、ソースおよびドレインを有する複数のＴＦＴトランジスタの行列、
−基板上の段に配置され、各ＴＦＴトランジスタをゲートによって制御するための複数の制御用行線の群、
−各々がピクセルと称する領域を画定する複数の電極からなる行列を形成する特定のパターンを有する導電性の段、
−ＴＦＴトランジスタのソースに接続され、電極と外部の電子回路との間で、トランジスタを通じて電荷を転送させることを可能にする複数の列線の群、
−電極と列線との間の絶縁層であって、ピクセル電極をＴＦＴトランジスタのドレインと接続させるために各ピクセル上において局部的に開いている絶縁層、
−電磁放射線を電極によって収集された電荷に変換するためのピクセル電極に接続された感光性半導体層、
−ピクセル電極またはドレインとともに、キャパシタを形成する複数の蓄電用行線の群、および
−連続する蓄電用行線を電気的に接続し、ピクセルの行を制御する時に、ピクセルの行全体に亘る電荷の除去を、複数の平行な蓄電用行線に分散することを可能にする、ブリッジ状の接続を具備し、
蓄電用行線が、制御用行線の下の基板上に位置する段に設けてあり、蓄電用行線の段と制御用行線の段との間に薄絶縁体の段が配置されていることを特徴とするＴＦＴアクティブマトリックス。
【請求項２】
蓄電用行線が、制御用行線に対して平行であり、接続が列線に対して平行であることを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
【請求項３】
制御用行線と同じ段に形成され、ピクセル電極に電気的に接続された特定電極を具備し、蓄電用行線が、該特定電極とともにキャパシタを形成することを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
【請求項４】
接続が列線に対して平行であり、列線と同じ段に位置することを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
【請求項５】
接続が列線に対して平行であり、その数が等しいことを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
【請求項６】
接続が列線に対して平行であり、その数が少ないことを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
【請求項７】
１６本の列線毎に列線に対して平行な接続を有することを特徴とする請求項６に記載のマトリックス。
【請求項８】
基板上に配置された蓄電用行線の段、薄絶縁体の段および上部導電性段からなる３つの段の積重ねによって大容量領域が画定され、該積重ねが、蓄電用行線段のステップを上部導電性段から絶縁させるために、薄絶縁体段が単独で使用されることがない平面キャパシタを画定することを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
【請求項９】
可電圧に対する保護装置を有することを特徴とする請求項１に記載のマトリックス。
【請求項１０】
請求項１に記載のマトリックスを有する、特にＸ線用の光センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月28日(2003.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印加磁場に応答して巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果を生成するため、データ記憶システムとともに使用するスピン・バルブ・センサで、
水平方向に長手方向が配向された感知電流（Ｉ）と、
休止状態にある場合に、感知電流の長手方向と整列する第１方向に磁化（Ｍ1）を有する第１強磁性自由層と、
休止状態にある場合に、第１方向との逆平行である第２方向に磁化（Ｍ2）を有する第２強磁性自由層と、
第１、第２強磁性自由層間のスペーサ層と、
空気軸受け表面（ＡＢＳ）の反対側で第１および第２強磁性自由層の上に配置され、第１および第２方向を横切る第３方向でＭ1およびＭ2の両方にバイアスを加えるバイアス磁場を生成し、それによってＭ1およびＭ2の休止バイアス状態を確立する永久磁石とを備え、
第１および第２強磁性自由層がその休止状態にある場合に、Ｍ1が、Ｍ2に第２方向でバイアスを加える第１減磁場を生成して、Ｍ2が、Ｍ1に第１方向でバイアスを加える第２減磁場を生成し、Ｍ1およびＭ2が、印加磁場に応答してその休止バイアス状態の周囲で回転し、それによってＭ1およびＭ2の回転の関数としてセンサにＧＭＲ効果を生成するスピン・バルブ・センサ。
【請求項２】
永久磁石と第１および第２強磁性自由層の間に絶縁層を含む、請求項１に記載のスピン・バルブ・センサ。
【請求項３】
下方向および上方向で構成されたグループから第３方向を選択する、請求項１に記載のスピン・バルブ・センサ。
【請求項４】
第１および第２強磁性自由層の第１および第２端部およびスペーサ層と接触した状態でそれぞれ配置された第１および第２接触層を含み、感知電流が、長手方向で第１接触層と第２接触層の間を流れる、請求項１に記載のスピン・バルブ・センサ。
【請求項５】
第１強磁性自由層および接触層の近傍の底部シールドと、
第２強磁性自由層および接触層の近傍の頂部シールドとを含み、
底部および頂部シールドがほぼ均一のシールド間隔を有する、請求項４に記載のスピン・バルブ・センサ。
【請求項６】
休止バイアス状態にある場合に、Ｍ1およびＭ2が、感知電流に対して約４５°である方向に配向される、請求項１に記載のスピン・バルブ・センサ。
【請求項７】
請求項１に記載のスピン・バルブ・センサを含むデータ記憶システム。
【請求項８】
印加磁場を感知する方法で、
（ａ）休止状態にある場合に、長手方向の感知電流（Ｉ）と整列する第１方向に磁化（Ｍ1）を有する第１強磁性自由層を設けるステップと、
（ｂ）休止状態にある場合に、第１方向に逆平行である第２方向に磁化（Ｍ2）を有する第２強磁性自由層を設けるステップと、
（ｃ）バイアス付与成分でバイアス磁場を第１および第２強磁性自由層に加え、それによってＭ1およびＭ2を、第１および第２方向を横切る第３方向に向かって回動し、休止バイアス状態を確立するステップとを含み、ここで、バイアス付与成分は、空気軸受け表面の反対側の第１および第２強磁性自由層の上に配置された永久磁石か、第１強磁性自由層に交換結合された第１反強磁性層および第２強磁性自由層に交換結合された第２反強磁性自由層であり、さらに、
（ｄ）印加磁場に応答して、Ｍ1およびＭ2がその休止バイアス状態の周囲で回転できるようにし、それによってＭ1およびＭ2の回転の関数としてＧＭＲ効果を生成するステップとを含む方法。
【請求項９】
印加磁場に応答して巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果を生成するため、データ記憶システムとともに使用するスピン・バルブ・センサで、
水平方向では長手方向に配向された感知電流（Ｉ）と、
休止状態にある場合に、感知電流の長手方向と整列する第１方向に磁化（Ｍ1）を有する第１強磁性自由層と、
休止状態にある場合に、第１方向の逆平行である第２方向に磁化（Ｍ2）を有する第２強磁性自由層と、
第１、第２強磁性自由層間のスペーサ層と、
第１強磁性自由層に交換結合された第１反強磁性層、および第２強磁性自由層に交換結合された第２反強磁性層を含むバイアス付与成分とを備え、第１および第２反強磁性層はそれぞれ、それぞれ第１および第２方向を横切る第３方向でＭ1およびＭ2にバイアスをかけるバイアス磁場を生成し、それによってＭ1およびＭ2の休止バイアス状態を確立し、
第１および第２強磁性自由層がその休止状態にある場合に、Ｍ1が、Ｍ2に第２方向でバイアスを加える第１減磁場を生成して、Ｍ2が、Ｍ1に第１方向でバイアスを加える第２減磁場を生成し、Ｍ1およびＭ2が、印加磁場に応答してその休止バイアス状態の周囲で回転し、それによってＭ1およびＭ2の回転の関数としてセンサにＧＭＲ効果を生成するスピン・バルブ・センサ。
【請求項１０】
下方向および上方向で構成されたグループから第３方向を選択する、請求項９に記載のスピン・バルブ・センサ。
【請求項１１】
第１および第２強磁性自由層の第１および第２端部およびスペーサ層と接触した状態でそれぞれ配置された第１および第２接触層を含み、感知電流が、長手方向で第１接触層と第２接触層の間を流れる、請求項１に記載のスピン・バルブ・センサ。
【請求項１２】
第１強磁性自由層および接触層の近傍の底部シールドと、
第２強磁性自由層および接触層の近傍の頂部シールドとを含み、
底部および頂部シールドがほぼ均一のシールド間隔を有する、請求項１１に記載のスピン・バルブ・センサ。
【請求項１３】
休止バイアス状態にある場合に、Ｍ1およびＭ2が、感知電流に対して約４５°である方向に配向される、請求項９に記載のスピン・バルブ・センサ。
【請求項１４】
請求項９に記載のスピン・バルブ・センサを含むデータ記憶システム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月11日(2003.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムにおけるデータ流のデータパケットを処理する方法であって、
パケット分析器においてデータ流から複数のデータパケットを受け、
複数のデータパケットを分析して、複数のデータパケットのうち各データパケットの少なくとも１つの対応部分がデータパケット間で如何に変化するかを突き止め、
少なくとも１つの対応部分が如何に変化するかを示すプロフィールデータを発生し、
パケット圧縮器がプロフィールデータに適したデータパケット圧縮方式を実行できるようにそのプロフィールデータをパケット圧縮器へ送るステップより成るデータパケットの処理方法。
【請求項２】
パケット圧縮器においてプロフィールデータを受け、
パケット圧縮器においてプロフィールデータに適したデータパケット圧縮方式を用いてデータ流のデータパケットを圧縮するステップをさらに含む請求項１の方法。
【請求項３】
プロフィールデータはネットワークリンクを介してパケット圧縮器へ送られる請求項２の方法。
【請求項４】
パケット圧縮解除器がプロフィールデータに適したデータパケット圧縮解除方式を実行できるようにプロフィールデータをパケット圧縮解除器へ送るステップをさらに含む請求項１、２または３の方法。
【請求項５】
パケット圧縮解除器においてプロフィールデータを受け、
パケット圧縮解除器においてプロフィールデータに適したデータパケット圧縮解除方式を用いてデータ流のデータパケットを圧縮解除するステップをさらに含む請求項４の方法。
【請求項６】
プロフィールデータはネットワークリンクを介してパケット圧縮解除器へ送られる請求項５の方法。
【請求項７】
プロフィールデータは無線インターフェイスを介してパケット圧縮解除器へ送られる請求項６の方法。
【請求項８】
プロフィールデータは、一連のビットとして符号化されデータパケットに付着されて、パケット圧縮解除器へ送られる請求項６または７の方法。
【請求項９】
プロフィールデータは、パケットの１またはそれ以上のフレームがパケット間で如何に変化するかを示す上記請求項のうち任意の請求項の方法。
【請求項１０】
１またはそれ以上のフレームはヘッダーフレームである請求項９の方法。
【請求項１１】
プロフィールデータは、各パケットの所定数ビット長の１またはそれ以上のサブセクションがパケット間で如何に変化するかを示す請求項１乃至１０のうちの任意の請求項の方法。
【請求項１２】
プロフィールデータは、少なくとも１つの対応部分はパケット間で変化しないか、線形変化するか、またはランダムに変化するかを示すのサブセクションがパケット間で如何に変化するかを示す上記請求項のうち任意の請求項の方法。
【請求項１３】
プロセッサー上で実行されると請求項１の方法を実行するコンピュータープログラム。
【請求項１４】
通信システムにおけるデータパケットの処理装置であって、
データ流の複数のデータパケットを受ける手段と、
複数のデータパケットを分析して、複数のデータパケットのうち各データパケットの少なくとも１つの対応部分がデータパケット間で如何に変化するかを突き止める手段と、
少なくとも１つの対応部分が如何に変化するかを示すプロフィールデータを発生する手段と、
パケット圧縮器がプロフィールデータに適したデータパケット圧縮方式を実行できるようにそのプロフィールデータをパケット圧縮器へ送る手段とより成るデータパケット処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  微粒子が、８５重量％を超えるアミロペクチン含有量（これを含む澱粉の少なくとも８０重量％は１０〜１０,０００kDaの範囲内の平均分子量を有する）を有し、そして澱粉の乾燥重量１ｇ当たり５０μg未満のアミノ酸窒素含有量を有する澱粉から本質的に構成されており、しかも澱粉分子間の共有化学架橋結合を有しない、哺乳類への非経口的投与に適し、そして生物学的活性物質を含有する微粒子。
【請求項２】  少なくとも１種のフィルム形成性の生体親和性および生物分解性ポリマーの放出制御性外皮を有する、請求項１に記載の微粒子。
【請求項３】  ポリマーが、アルファ−ヒドロキシ酸単位を含有するホモポリマーまたはコポリマーである、請求項２に記載の微粒子。
【請求項４】  アルファ−ヒドロキシ酸が乳酸、グリコール酸またはそれらの混合物である、請求項３に記載の微粒子。
【請求項５】  外皮が、ポリマーに加えて、少なくとも１種の放出調節性物質を含有する、請求項２〜４の何れか１項に記載の微粒子。
【請求項６】  ａ）８５重量％を超えるアミロペクチン含有量を有し、澱粉の少なくとも８０重量％が１０〜１０,０００kDaの範囲内となるように該アミロペクチンの分子量が低下されており、そして澱粉の乾燥重量１ｇ当たり５０μg未満のアミノ酸窒素含有量を有する澱粉を含む澱粉水溶液を調製し、この溶液の澱粉濃度が少なくとも２０重量％であり、
ｂ）生物学的活性物質と澱粉溶液とを、澱粉溶液中の該物質の溶液、エマルジョンまたは懸濁液の形態の組成物が形成されるような条件下で組み合わせ、
ｃ）段階ｂ）で得られた組成物を、二相水性系の形成能を有するポリマーの水溶液と混合し、これによって、該ポリマー溶液の外相中の内相として生物学的活性物質を含有する澱粉液滴のエマルジョンを形成し、
ｄ）段階ｃ）で得られた澱粉液滴を、澱粉の自然固化能によりゲル化させるかまたはゲル化を可能にして澱粉粒子にし、
ｅ）澱粉粒子を乾燥し、そして
ｆ）場合により、段階ｅ）で得られた乾燥澱粉粒子に生体親和性および生物分解性ポリマーの放出制御性外皮を施すことを含む、
非経口的に投与可能な、生物学的活性物質を含有する微粒子の製造方法。
【請求項７】  請求項６に記載の方法により得られる、請求項１〜５の何れか１項に
記載の微粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ８５重量％を超えるアミロペクチン含有量を有する澱粉（その少なくとも８０重量％は１０〜１０,０００kDaの範囲内の平均分子量を有する）から本質的に構成された微粒子中に埋め込まれた免疫学的活性物質を含むワクチン組成物。
【請求項２】  澱粉が、澱粉の乾燥重量１ｇ当たり５０μg未満のアミノ酸窒素含有量を有し、そして澱粉分子間の共有化学架橋結合が存在しない、請求項１に記載のワクチン組成物。
【請求項３】  アミロペクチンの分子量が、澱粉の少なくとも８０重量％が１００〜４０００kDa、２００〜１０００kDa、または３００〜６００kDaから選択される分子量の範囲内となるように低下されている、請求項１または２に記載のワクチン組成物。
【請求項４】  澱粉が、２５ＥＵ／ｇ未満のエンドトキシン含有量を有し、そして１ｇ当たり１００個未満の微生物を含有する、請求項１〜３の何れか１項に記載のワクチン組成物。
【請求項５】  澱粉が、２.５〜７０kDaまたは５〜４５kDaの範囲から選択される平均分子量を有する２〜１５重量％のアミロースも含有し、ここで、重量による％割合は澱粉の乾燥重量に基づいて計算される、請求項１〜４の何れか１項に記載のワクチン組成物。
【請求項６】  微粒子が、少なくとも１種のフィルム形成性の生体親和性および生物分解性ポリマーの放出制御性外皮を有する、請求項１〜５の何れか１項に記載のワクチン組成物。
【請求項７】  免疫学的活性物質が、ＮＭＤＡグルタメート受容体ワクチン、全細胞ワクチン、腫瘍抗原ワクチン、ペプチドワクチン、アレルゴイドワクチン、抗イディオタイプワクチン、樹状細胞に基づくワクチン、サブユニットおよび組み換えサブユニットワクチン、ＤＮＡワクチン、ウイルスベクター生ワクチン、細菌生ワクチンまたは自己抗原ワクチンから選択されるワクチンの少なくとも一つの種類に由来する、請求項１〜６の何れか１項に記載のワクチン組成物。
【請求項８】  請求項１〜７の何れか１項で定義した特性を有するワクチン組成物を投与することを含む、ヒトまたは非ヒト哺乳類において免疫応答を誘導する方法。