Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク管理コンピュータ又は他のコンピュータからの遠隔制御コマンドに応答可能であり、かつ、電力を管理可能な少なくとも１つの目標ネットワーク・コンピュータを含むコンピュータ・ネットワークにおいて、遠隔制御コマンドを安全にブロードキャストする方法において、
電力管理のための遠隔制御コマンドを生成するステップと、
前記遠隔制御コマンドのデジタル署名を作成するステップと、
前記デジタル署名を前記遠隔制御コマンドに添付して、ブロードキャスト・メッセージを作成するステップと、
前記ブロードキャスト・メッセージを少なくとも１つの目標ネットワーク・コンピュータに送信するステップと、
前記ブロードキャスト・メッセージが認証された場合にのみ、前記目標ネットワーク・コンピュータにおいて、前記遠隔制御コマンドに応答して、電力管理用のハードウエア又はソフトウエアの状態を変更するステップと
からなることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記遠隔制御コマンドのデジタル署名を作成するステップは、
前記遠隔制御コマンド上で一方向ハッシュ・ファンクションを実行し、署名ハッシュ値を生成するステップと、
秘密キーを用いて前記署名ハッシュ値を暗号化するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、該方法はさらに、前記目標ネットワーク・コンピュータにおいて、
前記秘密キーに対応する公開キーを用いて、前記ブロードキャスト・メッセージの前記署名ハッシュ値の部分を解読するステップと、
前記ブロードキャスト・メッセージの前記遠隔制御コマンドの部分に対して一方向ハッシュ・ファンクションを実行し、確認ハッシュ値を生成するステップと、
前記解読した署名ハッシュ値を、前記確認ハッシュ値と比較するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、該方法はさらに、前記目標ネットワーク・コンピュータにおいて、
前記署名ハッシュ値と前記確認ハッシュ値が同一である場合にのみ、前記遠隔制御コマンドを実行するステップ
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月29日(2005.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク接続を介して第２の文書処理装置と通信する第１の文書処理装置を有し、前記第１及び第２の文書処理装置が、それぞれ第1及び第２のジョブセットが入っている第1及び第２のキューとそれぞれ通信するネットワーク印刷システムにおける、画面ディスプレイを有すると共にジョブ分散コントローラと通信して前記第1及び第２のキューに関して1つまたはそれ以上のジョブの配置を管理するためのユーザインターフェースであって：
現在前記第１のキューの一部にあるジョブの第1の数を示すための、画面ディスプレイ上に表示可能な第1の起動可能な画像領域と；
現在前記第２のキューの一部にあるジョブの第２の数を示すための、画面ディスプレイ上に表示可能な第２の起動可能な画像領域と；
を具有し、
前記ジョブ分散コントローラが前記第１及び第２の起動可能な画像領域に対するユーザ操作に応答して、前記第１のジョブセットの一部を前記第１のキューの一部から前記第２のキューの一部へ移動させるか、または前記第２のジョブセットの一部を前記第２のキューの一部から前記第１のキューの一部へ移動させ、
前記第１のキューは第１及び第２のサブキューを含み、前記第２のキューは第３及び第４のサブキューを含み、
現在前記第２のサブキューにあるジョブの第３の数を示すための、画面ディスプレイ上に表示可能な第３の起動可能な画像領域と；
現在前記第４のサブキューにあるジョブの第４の数を示すための、画面ディスプレイ上に表示可能な第４の起動可能な画像領域と；
を更に具有し、
前記第1の起動可能な画像領域は前記第１のサブキューに対応し、前記第２の起動可能な画像領域は前記第３のサブキューに対応する；
ユーザインターフェース。
【請求項２】
第３のジョブセットが前記第２のサブキューにあり、前記第３のジョブセットが前記第２のサブキューから前記第４のサブキューへ転送されることなく、前記第１のジョブセットの一部が前記第１のサブキューから前記第３のサブキューへ転送される、
請求項１に記載のユーザインターフェース。
【請求項３】
前記第１及び第３の起動可能な画像領域が第１の外観をとって構成され、一方前記第２及び第４の起動可能な画像領域が第２の外観をとって構成され、前記第１の外観は前記第２の外観に対して区別されうる、
請求項１に記載のユーザインターフェース。
【請求項４】
前記第１及び第３の起動可能な画像領域が第１の色であり、前記第２及び第４の起動可能な画像領域が第２の色である、
請求項３に記載のユーザインターフェース。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２中のステップＳ４からＳ６のループ中にホストコンピユータからのコマンドを受信した際のコマンド受信割り込み処理（ＣＭＤ＿Ｒｅｃｅｉｖｅ）は、図５に示すように、まず、ステップＳ３１でホストコンピュータから送られてきたコマンドから、読み書き込みを行うアドレス（以下、ｌｂａ（論理ブロックアドレス）と記す）とブロック数（以下、ｌｅｎｇｔｈ（データの長さ）と記す）を設定する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
1999175381.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像信号の書き込みを受ける複数の画素が行列配置されている画素マトリクス部と、
複数のゲート線を介して、ゲート線選択信号を前記画素マトリクス部に順次供給して、前記画像信号の書き込みを受ける画素を行単位で選択するゲート駆動回路と、
複数のソース線と介して前記画像信号を前記画素マトリクス部に供給する手段と、前記複数のソース線をプリチャージする手段とを有するソース駆動回路と、
を有し、
前記画素マトリクス部と、前記ゲート駆動回路と、前記ソース駆動回路とは、絶縁表面を有する同一の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタを用いて形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
画像信号の書き込みを受ける複数の画素が行列配置されている画素マトリクス部と、
複数のゲート線を介して、ゲート線選択信号を前記画素マトリクス部に順次供給して、前記画像信号の書き込みを受ける画素を行単位で選択するゲート駆動回路と、
複数のソース線と介して前記画像信号を前記画素マトリクス部に供給する手段と、水平帰線期間内において、前記複数のソース線をプリチャージする手段とを有するソース駆動回路と、
を有し、
前記画素マトリクス部と、前記ゲート駆動回路と、前記ソース駆動回路とは、絶縁表面を有する同一の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタを用いて形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
画像信号の書き込みを受ける複数の画素が行列配置されている画素マトリクス部と、
複数のゲート線を介して、ゲート線選択信号を前記画素マトリクス部に順次供給して、前記画像信号の書き込みを受ける画素を行単位で選択するゲート駆動回路と、
複数のソース線と介して前記画像信号を前記画素マトリクス部に供給する手段と、垂直帰線期間内において、前記複数のソース線をプリチャージする手段とを有するソース駆動回路と、
を有し、
前記画素マトリクス部と、前記ゲート駆動回路と、前記ソース駆動回路とは、絶縁表面を有する同一の基板上に複数の薄膜トランジスタを用いて形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記ソース駆動回路は、プリチャージ制御信号線と、各々が複数の入力部をもつ複数の論理素子とを有し、
前記プリチャージ制御信号線は、前記複数の論理素子それぞれにおいて前記複数の入力部のうちの一つに接続し、ソース線のプリチャージを選択するプリチャージ制御信号の伝達を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２において、
前記ソース駆動回路は、プリチャージ制御信号線と、各々が複数の入力部をもつ複数の論理素子とを有し、
前記プリチャージ制御信号線は、前記複数の論理素子それぞれにおいて前記複数の入力部のうちの一つに接続し、水平帰線期間内にソース線のプリチャージを選択するプリチャージ制御信号の伝達を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３において、
前記ソース駆動回路は、プリチャージ制御信号線と、各々が複数の入力部をもつ複数の論理素子とを有し、
前記プリチャージ制御信号線は、前記複数の論理素子それぞれにおいて前記複数の入力部のうちの一つに接続し、垂直帰線期間内にソース線のプリチャージを選択するプリチャージ制御信号の伝達を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体装置は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置である。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体装置は、アクティブマトリクス型のＥＬ表示装置である。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体装置は、プラズマディスプレイである。
【請求項１０】
画像信号の書き込みを受ける複数の画素が行列配置されている画素マトリクス部と、ゲート駆動回路と、ソース駆動回路とを有し、
前記画素マトリクス部と、前記ゲート駆動回路と、前記ソース駆動回路とは、絶縁表面を有する同一の基板上に複数の薄膜トランジスタを用いて形成され、
前記ゲート駆動回路が、複数のゲート線を介してゲート線選択信号を前記画素マトリクス部に順次供給して、前記画像信号の書き込みを受ける画素を行単位で選択し、前記ソース駆動回路が、複数のソース線と介して前記画像信号を前記画素マトリクス部に供給して、点順次方式で画素に書き込みを行う第１の動作と、
前記ゲート駆動回路が、前記複数のゲート線を介してゲート線選択信号を前記画素マトリクス部に供給して、前記複数の画素全てを前記画像信号の書き込みを受けない状態とし、前記ソース駆動回路が、前記複数のソース線をプリチャージする第２の動作とを、繰り返すことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記第２の動作を、水平帰線期間内に行うことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記第２の動作を、垂直帰線期間内に行うことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
従来、２アーム方式の搬送用ロボット装置としては、例えば、図１０乃至図１３に示される装置が提言されている。
すなわち、図１０乃至図１３において、８０は固定の枠体、８１は、固定の枠体８０に対して適宜の駆動機により軸芯Ｏ１のまわりに旋回される水平旋回台、８２は水平旋回台８１の軸芯Ｏ１と平行な第１支点Ｐ１のまわりで回転自在に支持された第１のアームで、この第１のアーム８２は旋回台８１に取付けられた適宜の駆動機により適宜に回転駆動される。
８３は第１のアーム８２に対して第１支点Ｐ１に平行な第２支点Ｑ１のまわりで回転自在に支持された第２のアーム、８４は第２のアーム８３に対して第２支点Ｑ１に平行な第３支点Ｒ１のまわりで回転自在に支持されたハンド部材、８５は、第１支点Ｐ１を軸芯として旋回台８１に固定された第１の回転伝達部材、
８６は、第２支点Ｑ１を軸芯として第２のアーム８３に固定された第２の回転伝達部材、８７は、第２支点Ｑ１を軸芯として第１のアーム８２に固定された第３の回転伝達部材、８８は、第３支点Ｒ１を軸芯としてハンド部材８４に固定された第４の回転伝達部材、
８９および９０は、第１の回転伝達部材８５と第２の回転伝達部材８６および第３の回転伝達部材８７と第４の回転伝達部材８８との間に夫々配設された第１および第２の連結具である。なお、第１および第２の支点の間隔Ｓと、第２および第３の支点の間隔Ｓとが同一で、かつ第１の回転伝達部材８５と第２の回転伝達部材８６および第４の回転伝達部材８８と第３の回転伝達部材８７との半径比が夫々２：１に形成されている。
勿論、第１乃至第４の回転伝達部材８５乃至８８は、チェーンスプロケットあるいはプーリーが適宜に用いられ、これらに応じて第１および第２の連結具８９，９０はチェーンあるいは歯付ベルト等が適宜に用いられる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
今、第１の回転伝達部材８５は固定状態にあり、このときに第２支点Ｑ１がＱ１１の位置まで角度θだけ反時計方向に移動すれば、第１および第２の回転伝達部材８５，８６間に配設された第１の連結具８９のうち、Ｙ１方向のものは第１の回転伝達部材８５に巻きつき、Ｙ２方向のものは第１の回転伝達部材８５から巻戻された状態となる。
すなわち、図１２において第１の連結具８９はａ１およびａ２の方向に移動する。これにより第２の回転伝達部材８６は第２支点Ｑ１を中心として時計方向に回動される。
ところで第１の回転伝達部材８５と第２の回転伝達部材８６とは半径比が２：１であるため、上記のごとく、第１のアーム８２が第１支点Ｐ１を中心として角度θだけ反時計方向に回動すれば、第２の回転伝達部材８６は第２支点Ｑ１１を中心として角度２θだけ時計方向に回動される。
この場合、第２の回転伝達部材８６は第２のアーム８３に固定されているため、第２の回転伝達部材８６と第２のアーム８３とは第２支点Ｑ１を中心として角度２θだけ時計方向に回動される。
すなわち、第１，第２および第３支点Ｐ１，Ｑ１，Ｒ１が一直線上に位置する状態で第１のアーム８２が第１支点Ｐ１を中心として反時計方向に角度θだけ回動されると、仮想的に第３支点はＲ１１の位置に回動されるが、この場合、上記のごとく、第２の回転伝達部材８６は第２支点Ｑ１１を中心として角度２θだけ時計方向に回動される。
このため、第３支点Ｒ１１は第２支点Ｑ１１を中心として角度２θだけ時計方向に回動されて、Ｒ１２の位置に回動される。
従って、上記のごとく第１のアーム８２が上記のごとく第１支点Ｐ１を中心として反時計方向に角度θだけ回動されたときの第３支点Ｒ１２の位置は、第１および第２のアーム８２，８３の回動前の第１および第３支点Ｐ１，Ｒ１を結ぶ直線状に位置している。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、第１および第２のアーム機構９１，９２のハンド部材８４Ａ，８４Ｂを夫々直線移動させるための回転駆動機は、水平旋回台８１に搭載されて、水平旋回台８１と共に旋回されるが、この回転用駆動機には固定の枠体８０側から給電用のケーブルが配線されるため、このケーブルの断線防止として旋回角度、すなわち旋回回数が制限されていた。
このため、初期設置状態に対して、水平旋回台８１の旋回中心Ｏ１に対する時計廻りおよび反時計廻りの旋回角度が許容値、例えば夫々５４０度以内となるように制限するための電気的監視装置が必要であり、装置が高価となる割りには、装置としての使い勝手が悪かった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】長繊維強化熱可塑性樹脂複合体の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強化用繊維を開繊含浸槽内に導入し、溶融した熱可塑性樹脂を含浸させたのち、開繊含浸槽の出口部であるダイスから引く抜いて得た熱可塑性樹脂が含浸された強化用繊維を、その表面温度が該熱可塑性樹脂の結晶化温度範囲内になるように冷却しながら、その温度範囲内で少なくとも２つ以上の賦形冷却スリットを通過させる強化用繊維含有率が１０〜８０重量％で平均直径が３mm以上およびその直径の平均偏差が０．１０以下である長繊維強化熱可塑性樹脂複合体の製造方法。
【請求項２】
前記複数の賦形冷却スリットを通過して賦形冷却する際、開繊含浸槽に最も近い側の賦形冷却スリットの径が開繊含浸槽から最も遠い側の賦形冷却スリットの径より大きい請求項１記載の長繊維強化熱可塑性樹脂複合体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強化用繊維で長手方向が強化され、しかも形状精度が著しく改善された長繊維強化熱可塑性樹脂複合体の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高度に機械的強度が強化され、形状精度に優れる複合体の製造方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、強化用繊維を開繊含浸槽内に導入し、溶融した熱可塑性樹脂を含浸させたのち、開繊含浸槽の出口部であるダイスから引く抜いて得た熱可塑性樹脂が含浸された強化用繊維（以下、含浸繊維という）を、その表面温度が該熱可塑性樹脂の結晶化温度範囲内になるように冷却しながら、その温度範囲内で少なくとも２つ以上の賦形冷却スリットを通過させる強化用繊維含有率が１０〜８０重量％で平均直径が３mm以上およびその直径の平均偏差が０．１０以下である長繊維強化熱可塑性樹脂複合体の製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の方法で製造される複合体は、強化用繊維が１０〜８０重量％の範囲で含有される。強化用繊維の含有率が１０重量％未満では、熱可塑性樹脂部が多くなり過ぎ、形状のコントロールが困難となり、表面が平滑で商品価値の高い製品が得られなくなる。一方、強化用繊維の含有率が８０重量％を越えると、含浸繊維がダイス出口で毛羽を発生しやすくなり、形状不安定となるため、外観が悪化するばかりでなく連続的に安定生産できなくなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の方法で製造される複合体は、長手方向に対して直角に切断した時の断面の平均直径が３mm以上の範囲のものである。断面の平均直径が３mm未満であると、含浸繊維を賦形しても形状精度が向上せず、商品価値が低い製品しか得られなくなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の方法で製造される複合体は、長手方向に対して直角に切断した時の断面直径の平均偏差が０．１０以下の範囲のものである。平均偏差が０．１０を越えると、得られる複合体は形状精度に乏しい。０．０５以下が好ましく、０．０２以下が特に好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の方法で製造される複合体は、トンネルハウス用支柱、自動車用サイドガード、プールの壁面手すりなどに有用である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】本発明の製造方法は、本発明の複合体を真円に極めて近く、しかも形状精度の非常に優れた状態で安定生産することのできる方法である。また、本発明の方法で製造される複合体は、真円に極めて近く、形状精度の非常に優れた複合体であり、実用的で商品価値の高いものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な支持体層と、その上に順次積層された、着色層、膨張層、そして粘着層とを含んでなることを特徴とする凹凸を有する装飾シート。
【請求項２】
前記膨張層が、パターン状に施されておりかつ１０〜５０重量％の熱膨張性マイクロカプセルを含有することを特徴とする請求項１に記載の装飾シート。
【請求項３】
前記支持体層が、その上の着色層とは反対側の面に、透明な樹脂組成物からなるクリヤー層をさらに有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の装飾シート。
【請求項４】
請求項１に記載の装飾シートを製造する方法であって、下記の工程：
透明な支持体層の上に着色層及び膨張層を順次積層して乾燥し、さらにその上に
粘着層をその粘着層の支持体層とは反対側の面に剥離紙を付けたままで貼付し、そして、前記粘着層をその下地の着色層等に圧着させた後、
得られた積層体の全体を加熱して前記膨張層を発泡させること
を含んでなることを特徴とする凹凸を有する装飾シートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路遮断器であって、電気絶縁性ハウジング、上記ハウジングに装着された固定電気接点、上記ハウジングに装着され且つ上記固定接点と係合・離脱するように動き得る可動電気接点、可動に装着されたラッチ面を有するラッチ、上記可動接点に結合され且つ上記ラッチ面で受けられる止めを有する接点開放機構、上記接点開放機構を接点開位置の方へバイアスし、上記止めの上記ラッチとの係合でそのような運動を防ぐばね、上記固定接点に接続され、上記可動接点が上記固定接点と係合するときに電流を伝導するためのバイメタル素子で、そこを通る電流の上記伝導により自己加熱すると選択した方向に曲る素子、上記バイメタル素子から上記ラッチまで延在する可動連結板で、電流過負荷で十分に曲る上記バイメタル素子が上記連結板を動かし、次にそれが上記ラッチを上記止めから相対的に動かし、それによって上記接点開放機構に上記可動接点を上記固定接点との係合から離脱させることによって上記回路遮断器を作動させる連結板、上記回路遮断器に取付けられたアーク検知回路およびアーク反応アクチュエータで、上記アーク反応アクチュエータは、上記ラッチを上記止めに対して動かすように位置し、上記アーク検知回路は、上記固定および可動電気接点に接続された回路にアークを検知すると、上記アーク反応アクチュエータを付勢させて上記ラッチを上記止めに対して動かし、上記回路遮断器を作動させる検知回路およびアクチュエータを含む回路遮断器。
【請求項２】
請求項１による回路遮断器に於いて、上記アーク反応アクチュエータがソレノイドを含む遮断器。
【請求項３】
請求項２による回路遮断器に於いて、上記ソレノイドが可動プランジャを有し、および更に二つの対向する端を有する回動可能作動レバーを含み、上記作動レバーの一つの対向する端が上記プランジャに隣接し且つ該プランジャと整列して配置してあり、および他の対向する端は、上記ソレノイドの付勢が上記プランジャに運動を上記作動レバーの上記一端に伝達させてそれを回動させ、次に上記連結板を動かして、上記回路遮断器を作動させるように上記連結板に連結してある遮断器。
【請求項４】
請求項２による回路遮断器に於いて、上記ソレノイドが可動プランジャを有し、そして更に上記ラッチに固定して取付けてある作動レバーであって、端が上記プランジャに隣接し且つ該プランジャと整列している作動レバーを含み、それで上記ソレノイドの付勢が上記プランジャに運動を上記作動レバーの上記端に伝達させて上記ラッチを動かし、上記回路遮断器を作動させる遮断器。
【請求項５】
請求項１による回路遮断器に於いて、上記アーク反応アクチュエータが圧電抵抗素子を含む遮断器。
【請求項６】
請求項５による回路遮断器に於いて、上記圧電抵抗素子が細長く、端が上記連結板に連結してあり、それで上記圧電抵抗素子の付勢が上記圧電抵抗素子の上記端を曲げて運動を上記連結板へ伝達し、上記回路遮断器を作動させる遮断器。
【請求項７】
請求項５による回路遮断器に於いて、上記圧電抵抗素子が細長く、自由端を有し、そして更に上記ラッチに固定して取付けてある作動レバーを含み、上記圧電抵抗素子の上記自由端は、上記作動レバーに結合してあり、それで上記圧電抵抗素子の付勢が上記圧電抵抗素子の上記自由端を曲げて運動を上記作動レバーへ伝達し、上記回路遮断器を作動させる遮断器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクに形成された回路用パターンと、フォトマスクのアライメントマークと、フォトマスクの識別用マークとが同一の感光性組成物減光体からなり、
（ａ）前記識別用マークを用いてフォトマスクを識別する工程と、
（ｂ）前記アライメントマークを用いてフォトマスクの合わせを行う工程と、
（ｃ）前記回路用パターンにより半導体ウエハ上にパターンを転写する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
フォトマスクに形成された回路用パターンと、フォトマスクのアライメントマークと、フォトマスクの識別用マークとが同一の感光性組成物減光体からなり、前記感光性組成物減光体が微粒子状物質とバインダーとを含み、
（ａ）前記識別用マークを用いてフォトマスクを識別する工程と、
（ｂ）前記アライメントマークを用いてフォトマスクの合わせを行う工程と、
（ｃ）前記回路用パターンにより半導体ウエハ上にパターンを転写する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記微粒子状物質は露光光を散乱するものであり、前記バインダーは吸光剤を含むレジストであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
フォトマスクに形成された回路用パターンと、フォトマスクのアライメントマークと、フォトマスクの識別用マークとが同一の感光性組成物からなり、前記感光性組成物が感光性樹脂と吸光剤とを含み、
（ａ）前記識別用マークを用いてフォトマスクを識別する工程と、
（ｂ）前記アライメントマークを用いてフォトマスクの合わせを行う工程と、
（ｃ）前記回路用パターンにより半導体ウエハ上にパターンを転写する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記フォトマスクの回路用パターンを転写するための露光光の波長は、前記フォトマスクの識別工程に際して前記識別用マークを検出するための光の波長と異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記回路用パターンを転写するための露光光の波長は、前記フォトマスクのアライメントに際して前記アライメントマークを検出するための光の波長および前記フォトマスクの識別に際して前記識別用マークを検出するための光の波長と異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
透明基板と感光性組成物減光体とを有するフォトマスクをストッカに保管する工程と、前記感光性組成物減光体で形成されているマークを読み取って前記フォトマスクのマスク識別を行う工程と、該フォトマスクを露光装置上の所定の露光部へ移送する工程と、前記フォトマスク上の感光性組成物減光体からなるアライメントマークの位置を検出して半導体ウエハとの位置合わせを行う工程と、前記露光装置にて該半導体ウエハに前記フォトマスクの所望のパターンを露光する工程と、前記露光を行った後、該フォトマスクを前記ストッカへ移送する工程とを有すること特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記感光性組成物減光体は、前記マスク識別を行う光と、前記アライメントマークを検出する光に対し、６０％以下の透過率であること特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８記載の半導体装置の製造方法において、前記露光を行った後、該フォトマスクを前記ストッカへ移送する工程の後、前記フォトマスクを今後も使用するか否かを判断する工程と、使用しないと判断した場合には前記感光性組成物減光体を剥離して透明基板に戻す工程と、前記フォトマスクを洗浄する工程と、該フォトマスクの透明基板上の異物検査を行う工程と、該透明基板上に感光性組成物減光体を被着する工程と、該感光性組成物減光体に所望のパターンを描画する工程と、現像を行って、前記感光性組成物減光体からなる回路パターンを有するフォトマスクを作製する工程と、該フォトマスクをストッカに移送し再度露光を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記フォトマスクの感光性組成物減光体は、少なくとも微粒子状物質とバインダーとを含み、前記透明基板がガラス基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、前記微粒子状物質は露光光を散乱するものであり、前記バインダーは吸光剤を含むレジストであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、前記フォトマスクの前記ガラス基板の一部に露光光の位相をほぼ反転させる位相シフタ構造を形成する工程と、前記位相シフタの上に前記微粒子状物質とバインダーとを少なくとも含む減光体パターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、前記感光性組成物減光体を透過する露光光が、前記感光性組成物減光体の形成されていない部分を透過する露光光に対し、その位相をほぼ反転させる位相シフタ構造となっているフォトマスクであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記微粒子状物質が無機物であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記微粒子状物質がカーボンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項７〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記感光性組成物減光体における光の透過率が、波長１５０ｎｍ以上、７５０ｎｍ以下の光において３０％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項２、１０〜１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記微粒子状物質の粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項２、１０〜１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記感光性組成物減光体における微粒子状物質の含量が、１０％以上、９９％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記フォトマスクの感光性組成物減光体が、波長２３０ｎｍ〜７５０ｎｍの光を吸収する吸光剤を含んだレジストであり、前記透明基板がガラス基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記フォトマスクの感光性組成物減光体が、波長３５０ｎｍ〜７５０ｎｍの光を吸収する吸光剤を含んだレジストであり、前記透明基板がガラス基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
ガラス基板と、波長１５０ｎｍ〜７５０ｎｍの光の透過率が６０％以下になる感光性組成物減光体とを有するフォトマスクを用いて半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工材の上にレジストパターンを形成したのち、オゾンを用いた等方性エッチングによって前記レジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして前記被加工材をエッチングする工程とを同一装置で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
被加工材の上にレジストパターンを形成したのち、オゾンを用いた等方性エッチングによって前記レジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして前記被加工材をエッチングする工程と、その後、オゾンを用いて前記被加工材に防食処理を施す工程とを同一装置で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
被加工材の上にレジストパターンを形成したのち、オゾンを用いた等方性エッチングによって前記レジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして前記被加工材をエッチングする工程とを同一装置で行う半導体装置の製造方法であって、
前記オゾンは、オゾン発生装置からガス供給ユニットを通して前記装置のチャンバ内に導入されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
被加工材の上にレジストパターンを形成したのち、オゾンを用いた等方性エッチングによって前記レジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして前記被加工材をエッチングする工程とを同一装置で行う半導体装置の製造方法であって、
前記オゾンは、前記装置のチャンバ内に導入された酸素にＵＶ光を照射することによって発生させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
被加工材の上にレジストパターンを形成したのち、オゾンを用いた等方性エッチングによって前記レジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして前記被加工材をエッチングする工程とを同一装置で行う半導体装置の製造方法であって、
前記レジストパターンを細く加工する工程で、排ガス中の二酸化炭素濃度または一酸化炭素濃度をモニタリングすることによって前記レジストパターンの寸法シフト量を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、特開２０００−１８１０８２号公報には、フォトレジストをパターニングしたのち、レジストまたはレジストにより形成されたマスク材料を酸素プラズマ等による等方性エッチングを用いて処理することにより、先のパターニングよりも微細なパターニングを行う方法が記載されている。また、特開平８−７８４００号公報には、ポリシリコン上にレジストパターンを形成後にレジストパターンを等方性エッチングするとともにポリシリコンの一部も異方性エッチングしてレジストパターンをサイドエッチングし、その後、残りのポリシリコンをエッチングすることによりリソグラフィの解像限界より微細なパターンを形成する方法の開示がある。また、特開平５−１９０５０８号公報には、薄膜にレジストパターンを形成後に薄膜の一部をエッチングしたのち、レジストパターンをオゾンにさらしてサイドエッチングして細くなったレジストパターンを用いて残りの薄膜をエッチングする方法の開示がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この後、半導体基板１をフォトマスクと共に縮小投影露光装置にセットし、正確な位置合わせを行った後、たとえば紫外線（ｉ線）またはレーザ光線などを一定時間照射して露光波長の解像力の解像限界より余裕をもったパターン露光を行い、マスクパターンをフォトレジスト膜１０に焼き付ける。次いで、現像液を半導体基板１の表面に滴下させて表面張力を利用して盛り、所定の時間現像処理を行った後、純水でのリンス、回転乾燥を連続的に行う。これによって半導体基板１上に露光波長の解像力の解像限界より余裕をもったレジストパターンＲＰ１が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させるための基板を保持する基板保持具と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩＩＩ族原料を前記基板保持具に保持された基板に向かって吹き出すためのＩＩＩ族原料供給管と、該ＩＩＩ族原料供給管に沿って配置されたＶ族原料を吹き出すためのＶ族原料供給管とを有し、
前記ＩＩＩ族原料供給管は、前記基板保持具に保持された基板の中心軸線に沿った中心線方向ベクトル（基板表面から裏面への方向を正）と、ＩＩＩ族原料供給管のＩＩＩ族原料が吹出される方向に沿ったＩＩＩ族原料吹出し方向ベクトル（ＩＩＩ族原料が吹き出される方向を正）とのなす角度が０°〜４０°の範囲になるように配置されているとともに、
前記基板保持具に保持された基板表面の中心部分と、前記ＩＩＩ族原料供給管のＩＩＩ族原料吹出し部分との距離が５ｍｍ〜２００ｍｍの範囲になるように配置されていることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項２】
前記中心線方向ベクトルと、前記ＩＩＩ族原料吹出し方向ベクトルとのなす角度が５°〜１５°の範囲である、請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項３】
ドーピング用の原料を供給するドーピング原料供給管をさらに具備する、請求項１または２に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項４】
前記ドーピング原料供給管は、前記ドーピング原料供給管の原料吹出し部分と、前記基板保持具に保持された基板の中心部分との距離が、５ｍｍ〜２００ｍｍの範囲になるように配置されている、請求項３に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項５】
前記基板保持具の表面部分、前記ＩＩＩ族原料供給管及び前記Ｖ族原料供給管及び前記ドーピング原料供給管のそれぞれの原料吹出し部分が、ＰＢＮによりコーティングされた材質により構成されている、請求項３または４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項６】
前記基板保持具の表面部分、前記ＩＩＩ族原料供給管及び前記Ｖ族原料供給管及び前記ドーピング原料供給管のそれぞれの原料吹出し部分が、炭化シリコン（ＳｉＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、ボロン化窒素（ＢＮ）のいずれかによりコーティングされた材質により構成されている、請求項３または４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物化合物半導体製造装置。
【請求項７】
前記基板保持具の表面部分、前記ＩＩＩ族原料供給管及び前記Ｖ族原料供給管及び前記ドーピング原料供給管のそれぞれの原料吹出し部分が、炭化シリコン（ＳｉＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、ボロン化窒素（ＢＮ）のいずれかにより、内部まで浸透された材質により構成されている、請求項３または４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物化合物半導体製造装置。
【請求項８】
前記ＩＩＩ族原料供給管から吹出されるＩＩＩ族原料は、ＩＩＩ族元素のハロゲン化物、Ｖ族原料供給管から吹出されるＶ族原料は、ＮＨ3である、請求項１〜７のいずれかに記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置を用い、前記ＩＩＩ族原料供給管からＩＩＩ族元素のハロゲン化物を、前記Ｖ族原料供給管からＮＨ3を、それぞれ吹出させることにより製造されることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法。
【請求項１０】
前記基板保持具、前記ＩＩＩ族原料供給管、前記Ｖ族原料供給管、または前記ドーピング原料供給管に付着したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が加熱処理により除去される請求項６または７のいずれかに記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項１１】
前記Ｖ族原料供給管が前記ＩＩＩ族原料供給管を取り囲むように配置された請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。
【請求項１２】
前記ドーピング原料供給管が前記ＩＩＩ族原料供給管を取り囲むように配置されている請求項１１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項１３】
不活性ガスを供給する保護ガス供給管が、前記ＩＩＩ族原料供給管を取り囲むように該ＩＩＩ族原料供給管と同心状態で嵌合されている請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項１４】
前記ＩＩＩ族原料供給管を内部に同心状態で嵌合するように前記ドーピング原料供給管が配置され、さらに前記ドーピング原料供給管を内部に同心状態で嵌合するように、前記Ｖ族原料供給管が配置されている請求項３に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項１５】
前記ドーピング原料供給管に代えて保護ガス供給管が配置されている請求項１４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項１６】
前記ＩＩＩ族原料供給管の端部が、ＩＩＩ族原料の吹き出される先端側になるにつれて径が広くなっている請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【請求項１７】
前記Ｖ族原料供給管の端部の直径が前記基板の直径とほぼ等しい請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項５は、請求項３または４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置において、前記基板保持具の表面部分、前記ＩＩＩ族原料供給管及び前記Ｖ 族原料供給管及び前記ドーピング原料供給管のそれぞれの原料吹出し部分が、ＰＢＮによりコーティングされた材質により構成されているものである。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項６は、請求項３または４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物化合物半導体製造装置において、前記基板保持具の表面部分、前記ＩＩＩ族原料原供給管及 び前記Ｖ族原料供給管及び前記ドーピング原料供給管のそれぞれの原料吹出し部分が、炭化シリコン（ＳｉＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、ボロン化窒素（ＢＮ）のいずれかによりコーティングされた材質により構成されているものである。   
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
請求項７は、請求項３または４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物化合物半導体製造装置において、前記基板保持具の表面部分、前記ＩＩＩ族原料原供給管及 び前記Ｖ族原料供給管及び前記ドーピング原料供給管のそれぞれの原料吹出し部分が、炭化シリコン（ＳｉＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、ボロン化窒素（ＢＮ）のいずれかにより、内部まで浸透された材質により構成されているでものである。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
各原料供給管１３〜１５の先端部には、各原料を吹出す吹出ノズル１３ａ〜１５ａがそれぞれ設けられている。各吹出ノズル１３ａ〜１５ａは、それぞれカー ボン材（Ｃ）によって形成され、表面にはＰＢＮが２００ｎｍの膜厚でコーティングされている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの大きな壁（１１、１３）と二つの小さな壁（１２、１４）と底部（１５）とによって形成されたキャビティ（１６）と、正電極を形成する活性物質（１８ａ）で被覆された第一金属シート（１７ａ）と負電極を形成する活性物質（１８ｂ）で被覆された第二金属シート（１７ｂ）と一つ以上の多孔性絶縁セパレータ（１９ａ、１９ｂ）で形成された複合ストリップ（２）とを有する角柱状金属容器（１）を有し、前記複合ストリップ（２）は、前記キャビティ（１６）の中央に配置されている芯部（２０、２０ａ）に巻かれ、前記芯部（２０、２０ａ）は、上板（２１）と、ほぼ前記底部（１５）の寸法とほぼ一致する底板（２２）とを有する剛性のスプールによって形成されており、前記板（２１、２２）は、開口部（２８、２９）によって分離されている首部（２３、２４、２５）によって接合されており、前記正電極及び前記負電極は、前記角柱状金属容器（１）を閉鎖するための金属キャップ（３）を貫通している外部の正極端子及び外部の負極端子（６、７）へ接続手段（８、９）によって接続されている電池において、
前記首部（２３、２４、２５）の少なくとも一つは熱伝導性材料製でありかつ前記金属閉鎖キャップ（３）と接触していることを特徴とする電池。
【請求項２】
前記スプールは、絶縁材料製の横にある狭い二つの首部（２３、２５）と、熱伝導材料製の中央の首部（２４）とを有し、前記首部（２３、２５）と前記首部（２４）の間の前記開口（２８、２９）は、前記接続手段（８、９）によって占有されていることを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項３】
前記接続手段の一つ（８又は９）は前記中央の首部（２４）と合併されていることを特徴とする請求項２に記載の電池。
【請求項４】
前記金属キャップ（３）は前記スプールの上板（２１）と合併されていることを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項５】
前記材料は、高い熱貫流率を有し、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン及び鋼の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された、電荷蓄積層と制御ゲート層との積層構造を有する、少なくとも１つのメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、
ソース／ドレイン拡散層領域の一方がビット線またはソース線に接続され、他方が前記メモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備し、
前記選択ゲートトランジスタのゲート電極下で、この選択ゲートトランジスタのソース拡散層領域の形状とドレイン拡散層領域の形状とが非対称であり、
前記半導体基板とゲート絶縁膜との界面からの深さが等しい位置で、前記ビット線またはソース線に接続された拡散層領域と前記ゲート電極とが重なり合う距離が、前記メモリセルユニットに接続された拡散層領域と前記ゲート電極とが重なり合う距離よりも小さいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
半導体基板上に形成された、電荷蓄積層と制御ゲート層との積層構造を有する、少なくとも１つのメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、
ソース／ドレイン拡散層領域の一方がビット線またはソース線に接続され、他方が前記メモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備し、
前記選択ゲートトランジスタのゲート電極下で、この選択ゲートトランジスタのソース拡散層領域の形状とドレイン拡散層領域の形状とが非対称であり、
前記ゲート電極下で、前記ビット線またはソース線に接続された拡散層領域の最深部が、前記メモリセルユニットに接続された拡散層領域の最深部よりも浅いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記半導体基板とゲート絶縁膜との界面からの深さが等しい位置で、前記ビット線またはソース線に接続された拡散層領域の実効的な不純物濃度が、前記メモリセルユニットに接続された拡散層領域の実効不純物濃度よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記半導体基板とゲート絶縁膜との界面からの深さが等しい位置で、前記メモリセルユニットに接続された拡散層領域の実効的な不純物濃度が、前記メモリセルトランジスタのソース／ドレイン拡散層領域の実効的な不純物濃度と同じであることを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
半導体基板上に形成された、電荷蓄積層と制御ゲート層との積層構造を有する、少なくとも１つのメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、
ソース／ドレイン拡散層領域の一方がビット線またはソース線に接続され、他方が前記メモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備し、
前記半導体基板とゲート絶縁膜との界面からの深さが等しい位置で、前記選択ゲートトランジスタのソース拡散層領域とドレイン拡散層領域との間のチャネル領域に、不純物濃度が異なる領域があることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記半導体基板とゲート絶縁膜との界面からの深さが等しい位置で、前記ビット線またはソース線に接続された拡散層領域に接するチャネル領域の不純物濃度が、前記メモリセルユニットに接続された拡散層領域に接するチャネル領域の不純物濃度よりも濃いことを特徴とする請求項５に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
前記半導体基板とゲート絶縁膜との界面からの深さが等しい位置で、前記メモリセルユニットに接続された拡散層領域に接するチャネル領域の不純物濃度が、前記メモリセルトランジスタのソース／ドレイン拡散層領域に接するチャネル領域の不純物濃度と同じであることを特徴とする請求項５及び請求項６いずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
前記ビット線またはソース線を、前記拡散層領域に接続させるコンタクトが、前記選択ゲートトランジスタのゲート電極に対して、自己整合的に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７いずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
前記メモリセルトランジスタのゲート電極の側壁、及び前記選択ゲートトランジスタのゲート電極の前記メモリセルに対向する側には、第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜上に形成された第３の絶縁膜とが積層されており、前記選択ゲートトランジスタのゲート電極の、前記ビット線またはソース線を接続するためのコンタクトに対向する側には、前記第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜上に形成された前記第３の絶縁膜とが積層されている構造を有することを特徴とする請求項１乃至請求項８いずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
半導体基板上に、第１導電型のチャネル領域を有するメモリセルトランジスタ及び選択ゲートトランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記選択ゲートトランジスタのゲート電極の、前記メモリセルトランジスタに対向する側とは反対側に開口を持つマスクを形成する工程と、
前記マスクの開口を介して前記半導体基板に第１導電型の不純物を注入する工程と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板上に、第１導電型のチャネル領域を有するメモリセルトランジスタ及び選択ゲートトランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記メモリセルトランジスタ及び前記選択ゲートトランジスタのゲート電極の側壁に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記選択ゲートトランジスタのゲート電極の、前記メモリセルトランジスタに対向する側とは反対側に開口を持つマスクを形成する工程と、
前記マスクの開口を介して前記第２の絶縁膜を除去する工程と、
前記マスクの開口を介して前記半導体基板に第１導電型の不純物を注入する工程と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板上に、第１導電型のチャネル領域を有するメモリセルトランジスタ及び選択ゲートトランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記選択ゲートトランジスタのソース／ドレイン拡散層領域に、前記選択ゲートトランジスタのゲート電極に対して自己整合的にコンタクト孔を開口する工程と、
前記コンタクト孔を介して前記半導体基板に第１導電型の不純物を注入する工程と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１３】
前記不純物の注入は、前記選択ゲートトランジスタのゲート電極下のチャネル領域に不純物が注入されるように角度をつけて行われることを特徴とする請求項１０乃至請求項１２いずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体基板上に、第１導電型のチャネル領域を有するメモリセルトランジスタ及び選択ゲートトランジスタのゲート電極を、前記選択ゲートトランジスタのゲート電極間のスペースを、前記メモリセルのトランジスタのゲート電極と前記選択ゲートトランジスタのゲート電極間のスペースよりも広くして形成する工程と、
前記半導体基板に第１導電型の不純物を、前記メモリセルトランジスタのゲート電極と選択ゲートトランジスタのゲート電極との間には注入されず、前記選択ゲートトランジスタのゲート電極間に注入される角度で注入する工程と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。