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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜上に半導体素子が形成された半導体装置であって、
前記絶縁膜が前記所定領域内に間隙をおいて形成され、
前記間隙の位置する前記半導体基板主面に、前記半導体基板とは反対導電型の半導体層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜によって規定されたセル領域にパワーＭＩＳＦＥＴが形成され、前記絶縁膜上に半導体素子が形成されている半導体装置であって、
前記絶縁膜が前記所定領域内に間隙をおいて形成され、
前記間隙の位置する前記半導体基板主面に、前記半導体基板とは反対導電型の半導体層が形成され、
前記間隙の間に位置する前記絶縁膜上に前記半導体素子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体層の拡散深さと、前記パワーＭＩＳＦＥＴのチャネル形成領域の拡散深さとが略等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れかにおいて、
前記半導体素子は、保護素子となるダイオードまたは抵抗の何れか一方であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れかにおいて、
前記半導体層が、前記半導体層上の前記間隙に隣接する絶縁膜下の前記半導体基板主面に、横方向拡散していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜上に半導体素子が形成された半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板主面に、前記絶縁膜を前記所定領域内に間隙をおいて形成する工程と、
前記間隙の位置する前記半導体基板主面に、前記半導体基板とは反対導電型の半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板主面の所定領域に形成された絶縁膜によって規定されたセル領域にパワーＭＩＳＦＥＴが形成され、前記絶縁膜上に半導体素子が形成されている半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板主面に、前記絶縁膜を前記所定領域内に間隙をおいて形成する工程と、
前記間隙の位置する前記半導体基板主面に、前記半導体基板とは反対導電型の半導体層を形成する工程と、
前記間隙の間に位置する前記絶縁膜上に前記半導体素子を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記半導体層と前記パワーＭＩＳＦＥＴのチャネル形成領域とを同一工程にて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８の何れかにおいて、
前記半導体素子は、保護素子となるダイオードまたは抵抗の何れか一方であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９の何れかにおいて、
前記半導体層を、横方向の拡散によって前記半導体層上の前記間隙に隣接する絶縁膜下の前記半導体基板主面に延在させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
第１領域と、前記第１領域とは異なる第２領域とを有する第１導電型の半導体基板と、
前記第１領域に形成されたパワーＭＩＳＦＥＴと、
前記第２領域に、間隙をおいて形成された絶縁膜と、
前記間隙によって規定される前記半導体基板内の領域に形成された前記第１導電型とは異なる第２導電型の半導体層とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
第１導電型の半導体基板の第１領域においてパワーＭＩＳＦＥＴを形成する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の前記第１領域とは異なる第２領域に、間隙をおいて絶縁膜を形成する工程と、
前記間隙によって規定される前記半導体基板内の領域に、前記第１導電型とは異なる第２導電型の半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
このように、本発明では、フィールド絶縁膜３形成後にｐ型層１８を形成するため、他の素子の形成工程を利用してｐ型層１８を形成することができるので工程数の削減が可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（実施の形態２）
図１９は本発明の他の実施の形態の半導体装置の等価回路図であり、図２０はチップ平面レイアウトを示し、図２１は、図２０中の破線図示部分を拡大して示し、図２２は、図２１中のｃ‐ｃ線に沿った縦断面を示している。なお、図２１中では、理解を助けるためにソース電極或いはゲートパッドとなる金属配線層を省略してある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
このｐ型層１８は、その間隔Ｌが狭い程高耐圧化するので、その間隔Ｌを狭く形成するのが望ましいので、ｐ型層１８は横方向拡散によってフィールド絶縁膜３の下部に延在させてある。理想的には、フィールド絶縁膜３の下にてｐ型層１８が横方向拡散で互いに接続されているのが望ましい。
なお、このような半導体装置の製造方法については既述のダイオード及び抵抗を備えた半導体装置の製造方法を適用することができる。
このように、本発明では、フィールド絶縁膜３形成後にｐ型層１８を形成するため、他の素子の形成工程を利用してｐ型層１８を形成することができるので工程数の削減が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月2日(2005.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上端の開口を排水管路の通気口として、屋上階から上方へ突設され、かつ、屋上階の上面側に施工された防水シートを連続させて上方へ立ち上げるように外周に巻き付ける通気筒部、の上端側に対して、取り付けられるベントキャップであって、
前記通気口の通気を確保して、前記通気口の上方を覆う上カバー部と、
該上カバー部と一体化されるとともに、上端を前記上カバー部の外周縁と略同一高さとして、前記防水シートにおける前記通気筒部への巻き付け部位を覆うシートカバー部と、
を備えて構成されるとともに、
前記防水シートにおける前記シートカバー部の下端の全周への当接時に、前記上カバー部の内周面側への通気を確保可能な、通気用流路が、配設されて構成されていることを特徴とするベントキャップ。
【請求項２】
前記シートカバー部が、上端を、前記上カバー部の外周縁の下端と連ならせるように連続させて、配設され、
前記シートカバー部の下端側に、内外周を貫通するように上方へ凹む通気用凹部が形成され、
該通気用凹部が、前記通気用流路を構成していることを特徴とする請求項１に記載のベントキャップ。
【請求項３】
前記シートカバー部が、上端を、前記上カバー部の外周縁の下端と連ならせるように連続させて、配設され、
前記シートカバー部の下端に、上下方向に貫通する通気用開口を備えて、内周側に突出する鍔部が、配設され、
前記通気用開口が、前記通気用流路を構成していることを特徴とする請求項１に記載のベントキャップ。
【請求項４】
前記シートカバー部の上端が、前記上カバー部の外周縁の下端の内周側に、配置されて、
前記シートカバー部の上端と前記上カバー部の外周縁の下端との間に、前記シートカバー部の上端と前記上カバー部の外周縁の下端とを連結して、上下方向を貫通する通気用開口を備えた連結板部が、配設され、
前記通気用開口が、前記通気用流路を構成していることを特徴とする請求項１に記載のベントキャップ。
【請求項５】
前記通気用凹部が、前記シートカバー部の下端側に、複数配設されていることを特徴とする請求項２に記載のベントキャップ。
【請求項６】
前記シートカバー部が、本体部と、前記シートカバー部の下端側に配設されて、前記本体部の外周面に対し、上下方向の取付位置を調整可能に、ねじ止めされるスカート部と、を備えて構成され、
前記スカート部の下端側に、上方へ凹む複数の前記通気用凹部が、形成されていることを特徴とする請求項５に記載のベントキャップ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、ブロック８９で表されるようなセンサを用いて、ブロック８５で表されるように相対湿度を測定することができ、又はブロック８７で表されるように相対湿度を所定値に設定することができる。例えば、湿度センサを必要としないで、本発明は、相対湿度についての一定の高い値、例えば１００％を用いることができ、これは、非常に控え目な校正を表している。これは、吸気マニホルド中にＥＧＲ凝縮を生じさせないで作動するための最善の保護又は誤差のマージンとなる。当然のことながら、ＥＧＲ冷却器及び（又は）チャージ空気冷却器をバイパスするかどうかの判定の際に湿度についてこれよりも低い記憶値を用いることができる。但し、かかる低い値は、結果的に或る特定の周囲及び作動条件下において幾分かの凝縮を生じさせがちである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、検出及び仮定により得られた値の組合せを、ＩＭＴ＿臨界方程式がＩＭＴ＿臨界値を決定した後、アルゴリズムにより制御装置２６内でのデータの処理に用いる。符号１２６で示すように、吸気マニホルド温度をＩＭＴ＿臨界予測と比較する。ＩＭＴ測定が計算により予測される吸気マニホルド温度臨界よりも高い場合、制御装置は、符号１３０で示すように排気ガス再循環をオンにする指令を出す。もしそうでなければ、エンジンを符号１３２で示すようにブーストモードに維持するのがよい。他の作動上の変化を比較に応答して制御装置２８により生じさせることができる。
本発明の実施形態を開示したが、これら実施形態は本発明の考えられる全ての形態を示すものではない。むしろ明細書中に用いた用語は、限定ではなく説明のための用語であり、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく種々の変更を行なうことができることは理解されよう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005042731.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005042731.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
又、図１４は、特許文献２に記載されたパーキング機構付ディスクブレーキを示している。この従来構造の第２例の場合、キャリパ４ａに結合固定したアンカ部材１２ａとピストン６ａとの間に、間隙調整機構１０ａとトグル機構２２とを、互いに直列に配置している。このトグル機構２２は、伸長に伴って上記ピストン６ａを、上記間隙調整機構１０ａを介してロータ１に向け押圧し、制動を行なわせる。この様なトグル機構２２は、互いに突き合わせた一対のリンク腕２３ａ、２３ｂのうちの一方（図１４の左方）のリンク腕２３ａにパーキングレバー２０ａの基端部を結合し、このパーキングレバー２０ａにより、上記一対のリンク腕２３ａ、２３ｂの反対側端部同士の距離を拡縮する様にしている。尚、上記パーキングレバー２０ａの基端部を上記リンク腕２３ａに対し結合している結合軸は、揺動及び図１４の上下方向に変位自在である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上述の様に本例のパーキング機構付ディスクブレーキの場合には、パーキングブレーキの作動初期段階では上記ピストン６ｂの変位量を多くし、同じく終期段階ではこのピストン６ｂを押圧する力を大きくする。しかも、こじりによる摩擦係合部を少なくして、パーキングブレーキの作動時に生じる摩擦損失を低く抑える事ができる。更に、前記パーキングレバー２０ｂと前記トグル機構２２ａとの２段構成の為、レバー比が高い。この為、前述した様に、上記パーキングレバー２０ｂが短くても、大きな制動力を安定して発生させる事ができ、上記パーキングケーブルのストロークを短くできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような従来の送風機の制御装置では、設定温度付近における送風機への低回転速度の出力要求に対しても、定格回転速度の１０％などの下限値で運転するようにしているため、この状態が継続すると、要求以上の出力を発生していることから、周囲温度が設定温度から低下し続けることになり、むだなエネルギーが消費されるという問題点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）成分：下記式（１）；
Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ  …（１）、
（式中、Ｒ１は、Ｈ原子若しくはＦ原子、又はＢ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子若しくはＴｉ原子を含む基、又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示し、ｎが２のとき、各Ｒ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、各Ｘは同一でも異なっていてもよい）、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、
（ｂ）成分：前記（ａ）成分を溶解可能な溶媒と、
（ｃ）成分：オニウム塩と、
を含むシリカ系被膜形成用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内輪と、外輪と、前記内輪と前記外輪との間に転動自在に配置された複数の転動体と、を有する転がり軸受装置であって、
円環形状に形成され、その基端部が前記内輪又は前記外輪に装着され、その先端部が前記外輪又は前記内輪に形成されたシール溝内に配置される密封装置を有し、
前記密封装置に無線タグを配置したことを特徴とする転がり軸受装置。
【請求項２】
前記密封装置の少なくとも外側面に、前記無線タグを配置したことを特徴とする請求項１に記載の転がり軸受装置。
【請求項３】
前記無線タグが、前記密封装置の円周方向にアンテナを配置していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の転がり軸受装置。
【請求項４】
前記密封装置の先端部が、前記シール溝に対して隙間をもって配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の転がり軸受装置。
【請求項５】
前記密封装置の先端部に、前記シール溝に対して隙間をもって配置されるリップを有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の転がり軸受装置。
【請求項６】
前記密封装置が、芯金を弾性部材で覆って形成され、前記無線タグが、前記芯金に固定された後に、その表面がエラストマを加硫接着した被膜により覆われていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の転がり軸受装置。
【請求項７】
内輪と、外輪と、前記内輪と前記外輪との間に転動自在に配置された複数の転動体と、を有する転がり軸受装置であって、
前記内輪とハブが一体的に形成され、そして前記外輪にエンドキャップが装着されており、該エンドキャップに無線タグが配置されていることを特徴とする転がり軸受装置。
【請求項８】
前記エンドキャップが、合成樹脂製であることを特徴とする請求項７に記載の転がり軸受装置。
【請求項９】
前記無線タグが、前記エンドキャップの内側に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の転がり軸受装置。
【請求項１０】
インサート成形により前記無線タグが前記エンドキャップに埋め込まれていることを特徴とする請求項８に記載の転がり軸受装置。
【請求項１１】
前記エンドキャップが金属製であり、当該エンドキャップの外側に前記無線タグが配置されており、前記エンドキャップと前記無線タグとの間に非金属部材が配置されていることを特徴とする請求項７に記載の転がり軸受装置。
【請求項１２】
内輪と、外輪と、前記内輪と前記外輪との間に転動自在に配置された複数の転動体と、前記外輪の端部を覆うように前記外輪に装着された、雨水や飛石等にさらされることをなくす部材と、を有する転がり軸受装置であって、
前記雨水や飛石等にさらされることをなくす部材に配置された無線タグを更に備えることを特徴とする転がり軸受装置。
【請求項１３】
前記無線タグがＩＣチップを実装した本体部を備え、当該本体部の表面が防湿されていることを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載の転がり軸受装置。
【請求項１４】
前記無線タグに製品情報が書き込まれていることを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載の転がり軸受装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前述した目的を達成するため、本発明に係る転がり軸受装置は、
内輪と、外輪と、前記内輪と前記外輪との間に転動自在に配置された複数の転動体と、を有する転がり軸受装置であって、
円環形状に形成され、その基端部が前記内輪又は前記外輪に装着され、その先端部が前記外輪又は前記内輪に形成されたシール溝内に配置される密封装置を有し、
前記密封装置に無線タグを配置したことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このように構成された転がり軸受装置においては、軸受名番やロット番号等の製品情報が書き込まれた無線タグが、密封装置に配置される。従って、従来のように、特殊な機械装置を用いて行なう刻印やレーザマーキング、分解等の付加作業、スペース面の不足や煩雑な番号管理、を行なうことなく、外部から無線タグに無線アクセスすることにより、軸受名番やロット番号等の製品情報を非接触で瞬時にして確認することができる。よって、製品情報を外部から非接触で読み取ることにより、製品の管理を簡便化することができる。また、無線タグは書き込み可能な情報容量が多いので、個別番号管理が可能になって、トレーサビリティーを向上させることができる。
また、本発明に係る転がり軸受装置は、前記密封装置の少なくとも外側面に、前記無線タグを配置したことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、前述した目的を達成するため、本発明に係る転がり軸受装置は、
内輪と、外輪と、前記内輪と前記外輪との間に転動自在に配置された複数の転動体と、を有する転がり軸受装置であって、
前記内輪とハブが一体的に形成され、そして前記外輪にエンドキャップが装着されており、該エンドキャップに無線タグが配置されていることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このようにすると、エンドキャップによる電波の吸収や反射がないため、無線タグの電波の受信状態を妨害せずに、安定したデータの読み込みを行なうことができる。
また、本発明に係る転がり軸受装置は、インサート成形により前記無線タグが前記エンドキャップに埋め込まれていることを特徴としている。
あるいは、本発明に係る転がり軸受装置は、前記エンドキャップが金属製であり、当該エンドキャップの外側に前記無線タグが配置されている場合、前記エンドキャップと前記無線タグとの間に非金属部材が配置されることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このようにすると、無線タグが雨水や飛石等にさらされることがなくなり、それにより、無線タグの信頼性を向上することができる。
よって、本発明に係る転がり軸受装置は、内輪と、外輪と、前記内輪と前記外輪との間に転動自在に配置された複数の転動体と、前記外輪の端部を覆うように前記外輪に装着された、雨水や飛石等にさらされることをなくす部材と、を有する転がり軸受装置であって、
前記雨水や飛石等にさらされることをなくす部材に配置された無線タグを更に備えることを特徴とする。
また、本発明に係る転がり軸受装置は、前記無線タグがＩＣチップを実装した本体部を備え、当該本体部の表面が防湿されていることを特徴とする。
また、本発明に係る転がり軸受装置は、前記無線タグに製品情報が書き込まれていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被包装物をシート状の包装材料により被覆し、該被包装物の周囲に空間部を形成した状態で、該空間部の周囲の少なくとも一部を貼着して貼着部を形成することにより前記被包装物を包装してなる包装体の開封装置であって、
前記包装体を挟持して所定の搬送経路に沿って搬送するよう回転駆動するローラ対と、
前記包装体の先端部における前記貼着部近傍の空間部を切断して開口部を形成し、前記被包装物を前記ローラ対により前記開口部からしごき出す手段とを備えたことを特徴とする開封装置。
【請求項２】  被包装物をシート状の包装材料により被覆し、該被包装物の周囲に空間部を形成した状態で、該空間部の周囲の少なくとも一部を貼着して貼着部を形成することにより前記被包装物を包装してなる包装体の開封装置であって、
前記包装体を挟持して所定の搬送経路に沿って搬送するよう回転駆動するローラ対と、
前記ローラ対に対して、該ローラ対を所定方向に回転駆動したときの前記包装体の搬送方向下流側に配設され、前記包装体の先端部における前記貼着部近傍の空間部を切断して開口部を形成する切断手段と、
前記ローラ対のニップ圧を前記包装体を挟持しての搬送および前記包装材料のみを挟持しての搬送を可能とするニップ圧に設定し、前記ローラ対を前記所定方向に回転駆動して前記包装体を前記所定の搬送経路に沿って搬送し、前記ローラ対が前記包装体の後端部を挟持したときに前記ローラ対を停止し、該停止後前記包装体に前記開口部を形成し、該開口部を形成後前記ローラ対を前記所定方向とは逆方向に回転駆動して、前記包装材料のみを前記ローラ対により挟持して搬送するよう、前記ローラ対および前記切断手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする開封装置。
【請求項３】  被包装物をシート状の包装材料により被覆し、該被包装物の周囲に空間部を形成した状態で、該空間部の周囲の少なくとも一部を貼着して貼着部を形成することにより前記被包装物を包装してなる包装体の開封装置であって、
前記包装体を挟持して所定の搬送経路に沿って搬送するよう回転駆動するローラ対と、
該ローラ対のニップ圧を変動させるニップ圧変動手段と、
前記ローラ対に対して、該ローラ対を所定方向に回転駆動したときの前記包装体の搬送方向下流側に配設され、前記包装体の先端部における前記貼着部近傍の空間部を切断して開口部を形成する切断手段と、
前記ローラ対のニップ圧を第１のニップ圧に設定し、前記ローラ対を前記所定方向に回転駆動して前記包装体を前記所定の搬送経路に沿って搬送し、前記ローラ対が前記包装体の後端部を挟持したときに前記ローラ対を停止し、該停止後前記包装体に前記開口部を形成し、該開口部を形成後前記ニップ圧を前記第１のニップ圧よりも高い第２のニップ圧に設定して前記ローラ対を前記所定方向とは逆方向に回転駆動して、前記包装材料のみを前記ローラ対により挟持して搬送するよう、前記ローラ対、前記ニップ圧変動手段および前記切断手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする開封装置。
【請求項４】  前記ローラ対を前記所定方向に回転駆動し、該ローラ対により前記包装体を挟持して前記所定の搬送経路に沿って搬送したときに、前記ローラ対が前記包装材料を介して前記被包装物に当接し、該被包装物が該空間部内においてしごかれて該空間部の後端部に移動したことを検出する移動検出手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記ローラ対のニップ圧を第１のニップ圧に設定して前記包装体を搬送する前に、前記ローラ対のニップ圧を前記第１のニップ圧よりも高い第３のニップ圧に設定して前記包装体を挟持して搬送し、前記移動検出手段により前記被包装物が前記空間部の後端部に移動したことが検出されたときに、前記ローラ対のニップ圧を前記第１のニップ圧に設定して前記包装体を搬送するよう、前記ローラ対、前記ニップ圧変動手段および前記移動検出手段を制御する手段であることを特徴とする請求項３記載の開封装置。
【請求項５】  前記ローラ対に対して、該ローラ対を前記所定方向に回転駆動したときの前記包装体の搬送方向上流側において、前記所定の搬送経路上に進出および退避可能に配設されたしごき部材をさらに備え、
前記制御手段は、前記ローラ対を前記第３のニップ圧に設定して前記包装体を搬送する前に、前記しごき部材を前記所定の搬送経路上に進出させ、前記移動検出手段により前記被包装物が前記空間部の後端部に移動したことが検出されたときに、前記しごき部材を前記所定の搬送経路から退避させるよう該しごき部材の駆動を制御する手段であることを特徴とする請求項４記載の開封装置。
【請求項６】  前記ローラ対に対して、該ローラ対を前記所定方向に回転駆動したときの前記包装体の搬送方向上流側に配設され、前記包装体の先端部を検出する先端検出手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記先端検出手段により前記包装体の先端部が検出された後に、前記ローラ対の前記所定方向への回転駆動を開始するよう該ローラ対の駆動を制御する手段であることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項記載の開封装置。
【請求項７】  前記ローラ対に対して、該ローラ対を前記所定方向に回転駆動したときの前記包装体の搬送方向下流側に配設され、前記包装材料と分離された前記被包装物を整列させて収容する被包装物収容部をさらに備えたことを特徴とする請求項３から６のいずれか１項記載の開封装置。
【請求項８】  前記ローラ対に対して、該ローラ対を前記所定方向に回転駆動したときの前記包装体の搬送方向上流側に配設され、前記包装材料を収容する包装材料収容部をさらに備えたことを特徴とする請求項３から７のいずれか１項記載の開封装置。
【請求項９】  前記切断手段は、前記包装体の前記貼着部近傍の空間部を部分的に切断して開口部を形成する手段であることを特徴とする請求項３から８のいずれか１項記載の開封装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
次式：
【化３６】
2001261662.tif 000001
（式中、Ｒ2は前記と同じ）
で示される化合物を還元して次式：
【化３７】
2001261662.tif 000002
（式中、Ｒ2は前記と同じ）
で示される化合物とした後、メチルオキザレートを反応させて次式：
【化３８】
2001261662.tif 000003
で示される化合物となし、その後加水分解することを特徴とする一般式（Ｉ）で示される化合物〔但し、式中Ａは−Ｏ−、Ｒ2は前記と同じ、Ｒ1は次式：
【化３９】
2001261662.tif 000004
で示される基である。〕の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１〜図３を用いて本発明の実施の形態について説明する。有機ＥＬパネル１は、ガラス基板（透光性基板）２と、透明電極３と、絶縁層４と、有機層５と、背面電極６と、封止部材７と、フレキシブル回路基板８から主に構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
封止部材７は、例えばガラス材料からなる平板部材に収納部である凹部７ａを形成してなるものである。封止部材７は、凹部７ａを取り囲むように形成される支持部７ｂを、例えば紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を介しガラス基板２上に気密的に配設することで、封止部材７とガラス基板２とで有機ＥＬ素子９を収納する気密空間Ｓを構成する。封止部材７は、透明電極３の電極端子３ｃ及び背面電極６の電極端子６ａが外部に露出するようにガラス基板２よりも若干小さ目に構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図中、１０は、有機ＥＬ素子９を構成する透明電極３，絶縁層４，有機層５もしくは背面電極６の何れか材料が用いて形成され、四角形状の一対の指標部である。１１は、一対の指標部９によって指定される範囲内に塗布される樹脂系の防湿剤である。１２は、所定の間隔にてガラス基板１の一辺に列状に形成される有機ＥＬパネル１の電極端子３ｃ，６ａと、電極端子３ｃ，６ａの幅より狭い幅を有するとともに、電極端子３ｃ，６ａと同等の形成間隔にて形成されるフレキシブル回路基板８の接続端子８ｂとを電気的に接合する異方性導電膜（接続部材）である。尚、指標部１０は、防湿剤１１が塗布される領域を明確に判断するために、有機ＥＬ素子９を構成する色味のある材料で構成することが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004319407.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項９又は１０記載の基板処理装置において、
上記給気口及び排気口を、露光調整用気体の流れ方向に沿って複数に分割し、
分割された上記給気口の各給気口に、それぞれ切換手段を介して気体分子を含む露光調整用気体を供給し、
かつ、少なくとも露光調整用気体の流れ方向の両側部位の給気口に供給される気体分子の濃度を低く設定する、ことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、この発明の基板処理装置において、  上記給気口及び排気口を、露光調整用気体の流れ方向に沿って複数に分割し、  分割された上記給気口の各給気口に、それぞれ切換手段を介して気体分子を含む露光調整用気体を供給し、  かつ、少なくとも露光調整用気体の流れ方向の両側部位の給気口に供給される気体分子の濃度を低く設定する方が好ましい（請求項１１）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板に形成する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるドリフト層とを備える半導体装置において、
前記ドリフト層の外側に、前記ドリフト層とは逆極性であって、前記オフ状態で空乏となる低濃度層を備えることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
基板に形成する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるｎ型のドリフト層とを備える半導体装置において、
前記ドリフト層の側面に、マイナスの電荷を有する絶縁物を備えることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
基板に形成する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるｐ型のドリフト層とを備える半導体装置において、
前記ドリフト層の側面に、所定の固定電荷を有する絶縁物を備えることを特徴とする半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
基板に形成する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるドリフト層とを備える半導体装置の製造方法において、
前記ドリフト層の外側に、前記ドリフト層とは逆極性であって、前記オフ状態で空乏となる低濃度層を形成するステップ、
前記低濃度層の外側に、保護に必要な膜幅以上の絶縁物を形成するステップ、
モニターで測定する電荷量に基づき、前記絶縁物の幅をエッチングにより削減するステップ
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
基板に形成する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるドリフト層とを備える半導体装置の製造方法において、
前記ドリフト層の外側に、前記ドリフト層とは逆極性であって、前記オフ状態で空乏となる低濃度層を形成するステップ、
前記低濃度層の外側に、所定の幅の絶縁物を形成するステップ、
モニターで測定する電荷量に基づき、前記絶縁物の外側に電荷調整膜を堆積するステップ
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このような目的を達成する本発明は、次の通りである。
（１）基板に形成する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるドリフト層とを備える半導体装置において、前記ドリフト層の外側に、前記ドリフト層とは逆極性であって、前記オフ状態で空乏となる低濃度層を備えることを特徴とする半導体装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（１２）基板に形成する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるｎ型のドリフト層とを備える半導体装置において、前記ドリフト層の側面に、マイナスの電荷を有する絶縁物を備えることを特徴とする半導体装置。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（１３）基板に形成する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるｐ型のドリフト層とを備える半導体装置において、前記ドリフト層の側面に、所定の固定電荷を有する絶縁物を備えることを特徴とする半導体装置。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
（２８）基板に形成する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるドリフト層とを備える半導体装置の製造方法において、前記ドリフト層の外側に、前記ドリフト層とは逆極性であって、前記オフ状態で空乏となる低濃度層を形成するステップ、前記低濃度層の外側に、保護に必要な膜幅以上の絶縁物を形成するステップ、モニターで測定する電荷量に基づき、前記絶縁物の幅をエッチングにより削減するステップを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
（３０）基板に形成する第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成し、オン状態で導電しオフ状態で空乏となるドリフト層とを備える半導体装置の製造方法において、前記ドリフト層の外側に、前記ドリフト層とは逆極性であって、前記オフ状態で空乏となる低濃度層を形成するステップ、前記低濃度層の外側に、所定の幅の絶縁物を形成するステップ、モニターで測定する電荷量に基づき、前記絶縁物の外側に電荷調整膜を堆積するステップを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
配線基板６０は、リジッド基板であってもフレキシブル基板であってもよい。配線基板６０は、配線パターン６２を有する。配線パターン６２は、メッキ技術、露光技術などの周知技術を適用して形成することができる。光デバイス１は、配線基板６０に搭載されている。詳しくは、配線基板６０は、第２の半導体基板２０に対向してなり、電気的接続部４４と配線パターン６２とが電気的に接続されている。両者間に、ろう材（図３では外部端子５０）を介して接合してもよい。光デバイス１と配線基板６０との間に、アンダーフィル材（封止材）６４が設けられてもよい。なお、光デバイス１及び配線基板６０の電気的な接続形態は限定されず、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）等の異方性導電材料を使用してもよいし、絶縁樹脂の収縮力による接続形態を適用してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図４に示すように、第２の部分７６は、第２の穴８０を有し、第２の穴８０内に第１の部分７４を保持している。第１及び第２の穴７８，８０は、相互に連通した１つの貫通穴を構成する。第２の穴８０内に光デバイス１が配置されてもよい。第１の部分７４の外側と第２の部分７６の第２の穴８０の内側には、第１及び第２のネジ８２，８４が形成され、これらによって、第１及び第２の部分７４，７６が連結されている。そして、第１及び第２のネジ８２，８４によって、第１の部分７４は、第２の部分７６における第２の穴８０の軸方向に沿って位置調整可能になっている。こうして、レンズ７２の焦点を調整することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合体と化学結合しない状態で重合体中に存在するＳ原子とＳｉ原子が共に５×１０-5ｍｏｌ／ｋｇ以下であるメタクリル系重合体。
【請求項２】
請求項１に記載のメタクリル系重合体を芯鞘構造の芯部および／または鞘部に用いてなるプラスチック光ファイバ。
【請求項３】
請求項２に記載のプラスチック光ファイバ外周部に被覆層が形成されてなるプラスチック光ファイバケーブル。
【請求項４】
１種類あるいは２種類以上のメタクリル系単量体、分子量調節剤、及びラジカル重合開始剤を含む原料、又はさらに溶媒を含む原料を目開き０．１μｍ以下のフィルターを通した後、重合体含有率が３０〜７０質量％となるように連続的に塊状重合または溶液重合せしめて重合体組成物を得る重合工程と、
該重合体組成物中の揮発物を分離除去する揮発物除去工程と、
揮発物除去後の重合体を、Ｆｅｄ．Ｓｔｄ．２０９Ｅのクラス分類でＭ５以下に維持された雰囲気のもとで、粒径０．５μｍ以上の異物数が千個／ｇ以下の純水または気体を用いて冷却し、造粒し、容器詰めをする重合体捕集工程とからなることを特徴とするメタクリル系重合体の製造方法。
【請求項５】
分子量調整材として、炭素数３〜８のアルキルメルカプタンを用いる請求項４に記載のメタクリル系重合体の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の製造方法で得られたメタクリル系重合体を芯材および／または鞘材として用い、加熱溶融紡糸することを特徴とするプラスチック光ファイバの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明は、上記メタクリル系重合体を芯鞘構造の芯部および／または鞘部に用いてなるプラスチック光ファイバに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また本発明は、１種類あるいは２種類以上のメタクリル系単量体、分子量調節剤、及びラジカル重合開始剤を含む原料、又はさらに溶媒を含む原料を目開き０．１μｍ以下のフィルターを通した後、重合体含有率が３０〜７０質量％となるように連続的に塊状重合または溶液重合せしめて重合体組成物を得る重合工程と、
該重合体組成物中の揮発物を分離除去する揮発物除去工程と、
揮発物除去後の重合体を、Ｆｅｄ．Ｓｔｄ．２０９Ｅのクラス分類でＭ５以下に維持された雰囲気のもとで、粒径０．５μｍ以上の異物数が千個／ｇ以下の純水または気体を用いて冷却し、造粒し、容器詰めをする重合体捕集工程とからなることを特徴とするメタクリル系重合体の製造方法に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また本発明は、上記の製造方法で得られたメタクリル系重合体を芯材および／または鞘材として用い、加熱溶融紡糸することを特徴とするプラスチック光ファイバの製造方法に関する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
このような方法により、重合体と化学結合しない状態で重合体中に残存しているメルカプタン類などに含まれるＳ原子の含有量を５×１０-5ｍｏｌ／ｋｇ以下にまで除去することが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
揮発物除去工程後、押し出し機の先端から取り出された重合体は、Ｆｅｄ．Ｓｔｄ．２０９Ｅのクラス分類でＭ５以下に維持された雰囲気のもとで、粒径０．５μｍ以上の異物数が千個／ｇ以下の純水または気体にて冷却し、次いで粉砕あるいは顆粒化し、容器詰めを行う。このような重合体捕集工程によれば、重合体中の５×１０-5ｍｏｌ／ｋｇ以下のＳｉ含有量を実質的に増加させることなく、重合体を捕集することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
このようにして得た、Ｓ原子含有量及びＳｉ原子含有量が共に５×１０-5ｍｏｌ／ｋｇ以下である重合体を芯材として、別途用意した鞘材と同時に複合紡糸ノズルに供給することで芯部の外周に鞘層が積層配置された芯鞘構造を持つ高い透光性能を有するプラスチック光ファイバを得ることができる。また、その際、屈折率の異なるｎ種類（ｎは２以上の整数）の重合体を芯材として芯部の中心から外周部に向かって屈折率が低くなるように同心円状にｎ層に積層配置し、その外周部を鞘材で被覆して鞘層を設けることにより多層プラスチック光ファイバを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】水中狭隘部移動システムおよび狭隘部移動装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作業機器を搭載し、水が満たされた狭隘部内を移動し得る狭隘部移動装置と、
前記狭隘部移動装置を出入りさせる開口部および前記狭隘部移動装置を保持する保持手段を有し、前記狭隘部移動装置に対する支援動作を行いつつ移動しうる支援装置とを備え、
所要時に前記支援装置における前記保持手段による保持を解除し、前記開口部を介して前記狭隘部移動装置を出入りさせるようにしたことを特徴とする水中狭隘部移動システム。
【請求項２】
請求項１記載の水中狭隘部移動システムにおいて、
前記支援装置は、遊泳機能を持つ推進機構を備えたことを特徴とする水中狭隘部移動システム。
【請求項３】
請求項１記載の水中狭隘部移動システムにおいて、
前記支援装置は、前記狭隘部移動装置を監視する監視カメラと、この監視カメラの視野を照明する照明器具とを備えたことを特徴とする水中狭隘部移動システム。
【請求項４】
請求項１記載の水中狭隘部移動システムにおいて、
前記支援装置は、前記狭隘部移動装置に結合されたケーブルの繰り出し、巻取りを行うケーブル巻取り機を有することを特徴とする水中狭隘部移動システム。
【請求項５】
請求項１記載の水中狭隘部移動システムにおいて、
前記支援装置は、前記監視カメラを出し入れするためのケーブルの繰り出し、巻取りを行うケーブル巻取り機を有することを特徴とする水中狭隘部移動システム。
【請求項６】
請求項１記載の水中狭隘部移動システムにおいて、
前記支援装置は、水中でのバランスを取るためのフロートを有することを特徴とする水中狭隘部移動システム。
【請求項７】
作業機器を搭載可能とし、水を含む狭隘部内を移動し得る狭隘部移動装置であって、
上下または左右移動用のスラスタと、
水平移動用のスラスタと、
構造物に接触しながら移動するための移動車輪と、
前記移動車輪による移動方向を変更、調整する変更手段と、
浮力を持つフロートと、
を備えたことを特徴とする狭隘部移動装置。
【請求項８】
作業機器を搭載可能とし、水を含む狭隘部内を移動し得る水中狭隘部移動装置であって、
同一駆動源で回転駆動される上下移動用のスラスタおよび移動車輪と、
水平移動用のスラスタと、
水平移動用の移動車輪と、
浮力を持つフロートと、
を備えたことを特徴とする狭隘部移動装置。
【請求項９】
請求項８記載の狭隘部移動装置において、
前記上下移動用および水平移動用の移動車輪は、表面にブラシがらせん状に配置された円柱形状をした部材であり、前記ブラシのらせんの向きが互いに異なる一組の円柱形状の部材が、互いに平行に対向配置されて反対方向に回転する一対の回転軸にそれぞれ配置されるよう構成されており、この一組の円柱形状の部材を互いに反対方向に回転させることで回転軸と平行に走行駆動力を発生させるようにしたことを特徴とする狭隘部移動装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項７記載の発明は、作業機器を搭載可能とし、水を含む狭隘部内を移動し得る狭隘部移動装置であって、上下または左右移動用のスラスタと、  水平移動用のスラスタと、構造物に接触しながら移動するための移動車輪と、前記移動車輪による移動方向を変更、調整する変更手段と、浮力を持つフロートとを備えてなる狭隘部移動装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項８記載の発明は、作業機器を搭載可能とし、水を含む狭隘部内を移動し得る水中狭隘部移動装置であって、同一駆動源で回転駆動される上下移動用のスラスタおよび移動車輪と、水平移動用のスラスタと、水平移動用の移動車輪と、浮力を持つフロートとを備えたことを特徴とする狭隘部移動装置、を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項９記載の発明は、請求項８記載の狭隘部移動装置において、前記上下移動用および水平移動用の移動車輪は、表面にブラシがらせん状に配置された円柱形状をした部材であり、前記ブラシのらせんの向きが互いに異なる一組の円柱形状の部材が、互いに平行に対向配置されて反対方向に回転する一対の回転軸にそれぞれ配置されるよう構成されており、この一組の円柱形状の部材を互いに反対方向に回転させることで回転軸と平行に走行駆動力を発生させるようにした狭隘部移動装置、を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１４．５、８．５、８．０、７．２、６．７、６．２、５．２、４．６、４．４、４．２および３．６Åの結晶学的Ｄ間隔を有することならびに示差走査熱量測定により測定した結果１３５℃以上で融解することを特徴とする、（−）−６−クロロ−４−シクロプロピルエチニル−４−トリフルオロメチル−１,４−ジヒドロ−２Ｈ−３,１−ベンゾオキサジン−２−オンである結晶化合物。
【請求項２】
（１）（−）−６−クロロ−４−シクロプロピルエチニル−４−トリフルオロメチル−１,４−ジヒドロ−２Ｈ−３,１−ベンゾオキサジン−２−オンを、溶媒約３．０ｍＬから約１０．０ｍＬに対して１ｇ溶解する工程、
（２）該化合物の溶液を濾過して、すべての粒子状物質を除去する工程、
（３）該化合物の撹拌溶液に室温で約３０分から約１時間かけて逆溶媒を加え、該化合物を含有する溶液の飽和点に到達させる工程、
（４）該化合物の固体添加シード約２から約１０重量％を該溶液に加えて、スラリーを形成させる工程、
（５）該スラリーを粉砕して、スラリーの稠密度を減少させる工程、
（６）残りの逆溶媒を加えて約３０％から約５０％の所望の溶媒組成に到達させ、必要に応じて添加中に該スラリーを粉砕する工程、
（７）該スラリーを約５℃から約２０℃までゆっくり冷却する工程、
（８）上清濃度が平衡に達するまで、約２から約１６時間熟成させる工程、
（９）必要に応じて該スラリーを粉砕して、スラリーの稠密度を減少させる工程
（１０）該粉砕スラリーを濾過して、該結晶化合物の湿潤ケークを単離する工程
（１１）該湿潤ケークを該湿潤ケーク容積の約１から約２倍の最終結晶化溶媒組成で１回、ついで化合物１ｇ当たり約５から１０ｍＬの逆溶媒で２回洗浄する工程、
（１２）洗浄された湿潤ケークを真空下約４０℃から約９０℃で、約１時間から約３日間または乾燥減量が０．５重量％未満になるまで乾燥させる工程、を含む方法により得られる請求項１に記載の結晶化合物。
【請求項３】
（１）約１０重量％から約２０重量％の最終量の結晶化合物を逆溶媒に対する溶媒の所望のｖ／ｖ比率で２０℃で混合してヒールを形成する工程（溶媒はアセトニトリル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、エタノール、メタノールおよび２−プロパノールから成る群より選択され、所望の比率は実施例３から８に記載の表において定義されている）、
（２）溶媒と（−）−６−クロロ−４−シクロプロピルエチニル−４−トリフルオロメチル−１,４−ジヒドロ−２Ｈ−３,１−ベンゾオキサジン−２−オンとの溶液および逆溶媒を、逆溶媒に対する溶媒のｖ／ｖ比率を維持しながら一定速度で約６時間かけて同時に該ヒールに加える工程、
（３）添加中に該スラリーを粉砕して、スラリーの稠密度を減少させる工程、
（４）該スラリーを約３時間かけて約１０℃に冷却し、上清濃度が平衡に達するまでスラリーを熟成させる工程、
（５）該粉砕化スラリーを濾過して、結晶性化合物の湿潤ケークを単離する工程、
（６）該湿潤ケークを該湿潤ケーク容積の約１から約２倍の最終結晶化溶媒組成で１回、ついで化合物１ｇ当たり約５ｍＬから約１０ｍＬの水で２回洗浄する工程、
（７）洗浄された湿潤ケークを真空下約４０℃から約９０℃で、約１時間から約３日間または乾燥減量が０．５重量％未満になるまで乾燥させる工程、含む方法により得られる請求項１に記載の結晶化合物。
【請求項４】
用いる溶媒が（Ｃ１からＣ６）−アルコールであり、逆溶媒が水である請求項２または３のいずれかに記載の結晶化合物。
【請求項５】
用いるアルコール溶媒がメタノール、エタノールまたは２−プロパノールである請求項４に記載の結晶化合物。
【請求項６】
用いるアルコールが２−プロパノールである請求項５に記載の結晶化合物。
【請求項７】
化合物１ｇ当たりの全溶媒系容積が約１２ｍＬ／ｇから約２０ｍＬ／ｇであり、水に対する２−プロパノール（逆溶媒に対する溶媒）の容積体容積比率が約２５％から約３５％である、請求項６に記載の結晶化合物。
【請求項８】
用いるアルコールがエタノールであり、化合物１ｇ当たりの全溶媒系容積が約１２ｍＬ／ｇから約２０ｍＬ／ｇであり、水に対するエタノール（逆溶媒に対する溶媒）の容積対容積比率が約３０％から約４０％である、請求項５に記載の結晶化合物。
【請求項９】
用いるアルコールがメタノールであり、化合物１ｇ当たりの全溶媒系容積が約１２ｍＬ／ｇから約２０ｍＬ／ｇであり、水に対するメタノール（逆溶媒に対する溶媒）の容積対容積比率が約４０％から約５０％である、請求項５に記載の結晶化合物。