【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物と、Ｖ族元素を含む水素化物または有機金属化合物を原料ガスとして用いた、窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置において、原料ガスを混合する領域と基板を装着する領域があり、該原料ガスを混合する領域と、該基板を装着する領域との間に第１の加熱部があり、該基板を装着する領域に第２の加熱部を有することを特徴とする窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置。
【請求項２】
ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物と、Ｖ族元素を含む水素化物または有機金属化合物を原料ガスとして用いた、窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置において、原料ガスを混合する領域と基板を装着する領域があり、該原料ガスを混合する領域と、該基板を装着する領域との間に第１の加熱部があり、該基板を装着する領域に第２の加熱部があり、該第１の加熱部の設定温度が該第２の加熱部の設定温度より低いことを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置。
【請求項３】
ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物と、Ｖ族元素を含む水素化物または有機金属化合物を原料ガスとして用いた、窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置において、原料ガスを混合する領域と基板を装着する領域があり、該原料ガスを混合する領域と、該基板を装着する領域との間に第１の加熱部があり、該基板を装着する領域に第２の加熱部があり、該第１の加熱部の設定温度が該第２の加熱部の基板温度より低いことを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置。
【請求項４】
前記第１の加熱部には加熱管と第１の加熱体があり、前記第２の加熱部には加熱管に続くリアクタと第２の加熱体があり、前記第１の加熱体と前記第２の加熱体は供給される原料ガスに対して同じ側に存在することを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置。
【請求項５】
前記第１の加熱部には加熱管と第１の加熱体があり、前記第１の加熱体は前記加熱管の周囲を取り囲むように存在することを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置。
【請求項６】
前記第１の加熱部には加熱管と第１の加熱体があり、前記第１の加熱体は前記加熱管の内管側に存在することを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置。
【請求項７】
請求項１に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置を用いた窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、第１の加熱部の設定温度を１００〜５００℃とすることを特徴とした窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置を用いて作製したことを特徴とする窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決する手段】
上記課題を解決するために、本発明では、基板に対して原料ガス流の上流側の位置で、原料ガスが混合されている状態の位置に、原料ガスの気相温度を制御するための第１の加熱部を有し、且つ、半導体を成長させる基板のみを加熱することを目的とする第２の加熱部を有する有機金属気相成長装置を用いた。すなわち、本発明の請求項１に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置は、ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物と、Ｖ族元素を含む水素化物または有機金属化合物を原料ガスとして用いた、窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置において、原料ガスを混合する領域と基板を装着する領域があり、該原料ガスを混合する領域と、該基板を装着する領域との間に第１の加熱部があり、該基板を装着する領域に第２の加熱部を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の請求項２に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置は、請求項１に記載の発明において、ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物と、Ｖ族元素を含む水素化物または有機金属化合物を原料ガスとして用いた、窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置において、原料ガスを混合する領域と、基板を装着する領域があり、該原料ガスを混合する領域と、該基板を装着する領域との間に第１の加熱部があり、該基板を装着する領域に第２の加熱部があり、該第１の加熱部の設定温度が該第２の加熱部の設定温度より低いことを特徴とする。また、本発明の請求項３に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置は、請求項１に記載の発明において、ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物と、Ｖ族元素を含む水素化物または有機金属化合物を原料ガスとして用いた、窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置において、原料ガスを混合する領域と、基板を装着する領域があり、該原料ガスを混合する領域と、該基板を装着する領域との間に第１の加熱部があり、該基板を装着する領域に第２の加熱部があり、該第１の加熱部の設定温度が該第２の加熱部の基板温度より低いことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の請求項４に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置は、請求項１に記載の発明において、前記第１の加熱部には加熱管と第１の加熱体があり、前記第２の加熱部には加熱管に続くリアクタと第２の加熱体があり、第１の加熱体と第２の加熱体は供給される原料ガスに対して同じ側に存在することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項５に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置は、請求項１に記載の発明において、前記第１の加熱部には加熱管と第１の加熱体があり、前記第１の加熱体は前記加熱管の周囲を取り囲むように存在することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項６に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置は、請求項１に記載の発明において、前記第１の加熱部には加熱管と第１の加熱体があり、前記第１の加熱体は前記加熱管の内管側に存在することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項７に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、請求項１に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置を用いた窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、第１の加熱部の設定温度を１００〜５００℃とすることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の請求項８に記載の窒化ガリウム系化合物半導体装置は、請求項１に記載の窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長装置を用いて作製したことを特徴とする。