【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に連結された少なくとも２つの支持部を伴ったフィラメント支持体を有するランプであって、前記フィラメント支持体は、２つの円錐が頂点において接合された形状の螺旋体を備えるランプ。
【請求項２】
前記ランプは、透明スリーブ、フィラメント、及び前記フィラメント支持体を備え、
前記フィラメント支持体は、前記フィラメントを前記透明スリーブから間隔を置くように配置される請求項１に記載のランプ。
【請求項３】
前記フィラメント支持体は、前記透明スリーブの内面にぴったり合う大きさの２つの端部と、前記フィラメントの外面にぴったり合う大きさで前記端部よりも小さい内部とを備える請求項２に記載のランプ。
【請求項４】
前記フィラメントは、ワイヤコイルを備え、
前記フィラメント支持体の内部は、前記ワイヤコイルの外面にぴったり合う請求項３に記載のランプ。
【請求項５】
前記フィラメント支持体は、側方から見ると文字「Ｈ」に似ている請求項１に記載のランプ。
【請求項６】
前記フィラメント支持体は、側方から見ると、文字「Ｘ」に似ている請求項１に記載のランプ。
【請求項７】
前記フィラメントは、前記フィラメント横方向端部の近傍の一対の膨張補償部の間に吊られており、
前記膨張補償部は、短絡せずに中央部のコイルよりさらに容易に圧縮可能である請求項３に記載のランプ。
【請求項８】
最大容量が、約１ｋＷを超える請求項３に記載のランプ。
【請求項９】
最大容量が、約３ｋＷを超える請求項８に記載のランプ。
【請求項１０】
最大容量が、約６ｋＷを超える請求項９に記載のランプ。
【請求項１１】
最大容量が、約１０ｋＷを超える請求項９に記載のランプ。
【請求項１２】
半導体加工装置用ランプであって、該ランプは、
透明スリーブ内に収容したフィラメントを備え、
前記フィラメントは、ワイヤコイルにより形成した中央部、及び、前記フィラメントの横方向端部の近傍に一対の膨張補償部を備え、
前記膨張補償部は、短絡せずに、前記中央部のコイルよりさらに容易に圧縮可能である半導体加工装置用ランプ。
【請求項１３】
単一の膨張補償部が存在する請求項１２に記載のランプ。
【請求項１４】
前記膨張補償部は、それぞれ、前記中央部のコイルより間隔が広いコイルを備える請求項１２に記載のランプ。
【請求項１５】
前記膨張補償部は、それぞれ、前記中央部のコイルより直径が大きいコイルを備える請求項１４に記載のランプ。
【請求項１６】
前記各膨張補償部のコイルの直径は、前記中央部のコイルの直径の約１．５倍を超える請求項１５に記載のランプ。
【請求項１７】
前記各膨張補償部のコイルの直径は、前記中央部のコイルの直径の約２倍を超える請求項１６に記載のランプ。
【請求項１８】
前記各膨張補償部のコイルの巻線間の間隔は、前記中央部のコイルの巻線間の間隔の約１．５倍を超える請求項１５に記載のランプ。
【請求項１９】
前記各膨張補償部のコイルの巻線間の間隔は、前記中央部のコイルの巻線間の間隔の約２倍を超える請求項１８に記載のランプ。
【請求項２０】
前記膨張補償部及び前記中央部のコイルは、一体化した金属ワイヤから形成される請求項１４に記載のランプ。
【請求項２１】
前記各膨張補償部の長さは、フィラメント軸線に沿い測定すると、前記中央部の長さの１０分の１未満である請求項１４に記載のランプ。
【請求項２２】
前記各膨張補償部は、少なくとも２．５巻きの巻線を含む請求項２１に記載のランプ。
【請求項２３】
相互に連結され、前記フィラメントを前記透明スリーブから間隔を置くように配置された少なくとも２つの支持部を有するフィラメント支持体をさらに備える請求項１５に記載のランプ。
【請求項２４】
前記フィラメント支持体は、前記透明スリーブの内面にぴったり合う大きさの２つの端部と、前記フィラメントの外面にぴったり合う大きさで前記端部よりも小さい内部とを備える請求項２３に記載のランプ。
【請求項２５】
前記フィラメントは、ワイヤコイルを含み、
前記フィラメント支持体の内部は、前記ワイヤコイルの外面にぴったり合う請求項２４に記載のランプ。
【請求項２６】
前記フィラメント支持体は、頂点で連結した２つの円錐状螺旋体を含む請求項２５に記載のランプ。
【請求項２７】
前記半導体加工装置内において対象物を約５００℃を超える温度に加熱可能な請求項１２に記載のランプ。
【請求項２８】
前記半導体加工装置内において対象物を約７００℃を超える温度に加熱可能な請求項２７に記載のランプ。
【請求項２９】
前記半導体加工装置内において対象物を約９００℃を超える温度に加熱可能な請求項２８に記載のランプ。
【請求項３０】
最大容量が約１ｋＷを超える請求項１２に記載のランプ。
【請求項３１】
最大容量が約３ｋＷを超える請求項３０に記載のランプ。
【請求項３２】
最大容量が約６ｋＷを超える請求項３１に記載のランプ。
【請求項３３】
最大容量が約１０ｋＷを超える請求項３１に記載のランプ。
【請求項３４】
半導体加工装置内において使用する放射加熱ランプの寿命を延長する方法であって、該方法は、
前記ランプ内のフィラメントに電流を流すステップであって、前記フィラメントは、少なくとも３ｋＷの容量を有し、それにより、前記フィラメントは、高温になり膨張するステップと、
前記フィラメントが高温になり膨張することで、前記フィラメントの長さ方向の測定における少なくとも７０％を含む中央部を、横方向に膨張可能にするステップと、
前記フィラメントへの電流を止め、それにより冷却するステップと、
前記フィラメントを、冷却して収縮することを可能にするステップとを含む放射加熱ランプ寿命延長方法。
【請求項３５】
前記中央部は、前記フィラメントの長さの少なくとも８０％を含む請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記中央部は、前記フィラメントの長さの少なくとも９０％を含む請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
加熱及び冷却サイクルを少なくとも２０００回繰り返した後、前記フィラメントは、もとの長さの１０１．５％未満に戻る請求項３４に記載の方法。
【請求項３８】
加熱及び冷却サイクルを少なくとも２０００回繰り返した後、前記フィラメントは、もとの長さの１０１％未満に戻る請求項３４に記載の方法。
【請求項３９】
加熱及び冷却サイクルを少なくとも２０００回繰り返した後、前記フィラメントは、もとの長さの１００．５％未満に戻る請求項３４に記載の方法。
【請求項４０】
前記フィラメントが高温になると、前記フィラメントの膨張が、前記フィラメントのいずれか一方のまたは両方の端部近傍に配置した１つまたはそれ以上の緩衝領域の圧縮により吸収されることを可能にするステップと、
前記フィラメントが低温になると、前記フィラメントがほぼもとの大きさ及び位置に戻るように、前記緩衝領域が、前記フィラメントの中央部を再圧縮することを可能にするステップとをさらに備える請求項３４に記載の方法。
【請求項４１】
前記緩衝領域は、それぞれ、前記中央部のコイルより間隔が大きいコイルを含む請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記緩衝領域は、それぞれ、前記中央部のコイルより直径が大きいコイルを含む請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記各緩衝領域のコイルの直径は、前記中央部のコイルのの直径の約１．５倍を超える請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記各緩衝領域のコイルの直径は、前記中央部のコイルの直径の約２倍を超える請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記各緩衝領域コイルの巻線間の間隔は、前記中央部のコイルの巻線間の間隔の約１．５倍を超える請求項４２に記載の方法。
【請求項４６】
前記各緩衝領域コイルの巻線間の間隔は、前記中央部のコイルの巻線間の間隔の約２倍を超える請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記緩衝領域及び前記中央部のコイルは、一体化した金属ワイヤから形成する請求項４１に記載の方法。
【請求項４８】
前記各緩衝領域の長さは、フィラメント軸線に沿い測定すると、前記中央部の長さの１０分の１未満である請求項４１に記載の方法。
【請求項４９】
前記各緩衝領域は、少なくとも２．５巻きの巻線を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
前記ランプは、フィラメント支持体をさらに備え、該フィラメント支持体は、相互に連結されかつ、前記フィラメントを前記透明スリーブから間隔を置くように配置された少なくとも２つの支持部を有する請求項４０に記載の方法。
【請求項５１】
前記フィラメント支持体は、側方から見ると文字「Ｈ」に似ている請求項１２に記載のランプ。
【請求項５２】
前記フィランメント支持体は、側方から見ると文字「Ｘ」に似ている請求項１２に記載のランプ。