(57)【要約】視野角の低下を抑えつつ発光効率を高めるために，背面基板のセル領域を区画する隔壁の下部から頂部に至るまで蛍光体層を形成し，さらに隔壁の頂部付近に二次電子放出係数が高いＭｇＯなどからなる保護層を形成する。隔壁の頂部近傍での二次電子放出量を増やして放電規模を大きくして発光効率を高め，蛍光体層を隔壁の側面の下部から頂部に至るまで形成しているので，セル領域全体にわたり高い発光輝度を実現できる。
2008038360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板と背面基板との間に放電ガスを封入した放電空間を有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいて，
前面基板上には，表示電極群と，当該表示電極上の誘電体層と，誘電体層を被覆する二次電子放出係数の高い材料からなる第１の保護層とが形成され，
背面基板上には，アドレス電極群と，当該アドレス電極の少なくとも両側に配置された隔壁と，前記アドレス電極上に加えて前記隔壁の側面の下部から頂部に至る蛍光体層と，前記アドレス電極上及び前記隔壁の側面の下部領域上の蛍光体は被覆せず，前記隔壁の側面頂部近傍の前記蛍光体層を被覆する前記材料からなる第２の保護層とが形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１において，
前記第２の保護層は，前記隔壁の頂部上から側面の頂部近傍までを被覆することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
請求項１において，
前記第２の保護層は，前記隔壁の頂部上には形成されず，当該隔壁の側面の頂部近傍にのみ形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記材料は，ＭｇＯ，ＭｇＦ，ＳｒＯのいずれかを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前面基板と背面基板との間に放電ガスを封入した放電空間を有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルの製造方法において，
前面基板上に表示電極群と，その上の誘電体層と，誘電体層を被覆する二次電子放出係数の高い材料からなる第１の保護層とを形成する工程と，
背面基板上にアドレス電極群と，当該アドレス電極の両側に配置された隔壁と，前記アドレス電極上に加えて前記隔壁の側面の下部から頂部に至る蛍光体層とを形成する工程と，
さらに，当該背面基板を前記材料の蒸着源に対して斜めに傾けて前記側壁の一方の側面が前記蒸着源に露出した状態に保持してながら蒸着を行い，前記隔壁の側面の下部領域を除いて頂部近傍の蛍光体層を被覆するように前記材料からなる第２の保護層を形成する工程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項５において，
前記蒸着工程において，前記背面基板を第１の方向に傾けて前記隔壁の一方の側面の頂部近傍に前記第２の保護層を形成し，さらに，前記背面基板を前記第１の方向と反対の第２の方向に傾けて前記隔壁の他方の側面の頂部近傍に前記第２の保護層を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関し，特に，視野角を広くしつつ発光効率を向上させたプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在商品化されているＰＤＰは，ＡＣ駆動方式，面放電型である。面放電型ＰＤＰでは，前面基板に表示電極対を設け，背面基板にアドレス電極と放電空間を区画する隔壁とカラー表示のための蛍光体層とを設ける。蛍光体層を表示電極対からパネルの厚さ方向に遠ざけて配置することで，放電時のイオン衝撃による蛍光体の特性劣化を低減することができる。従って，面放電型ＰＤＰは，ＸおよびＹの表示電極を前面基板と背面基板とに別々に配置する対向放電型に比べて，長寿命化に適している。【０００３】
ＡＣ駆動，面放電型ＰＤＰでは，背面基板に発光色の異なる蛍光体を区分けするストライプ状または格子状の隔壁が設けられ，前面基板に表示電極を被覆する誘電体層とＭｇＯなどの保護層とが設けられ，保護層と隔壁頂部が接する構造になっている。この背面基板側の隔壁もガラスなどの絶縁物であり誘電体の一種であるので，表示電極に印加された電圧により放電空間に形成される電界の一部は隔壁へも向かう。このため，放電により生じた電荷の一部は隔壁に衝突する。【０００４】
一方，表示電極上の誘電体層を被覆するＭｇＯなどの保護層は，放電イオンの衝撃から誘電体層を保護する機能に加えて，放電イオンが衝突することにより二次電子を多く放出して放電を成長させる機能を有する。しかし，ガラス材料などから形成される隔壁はＭｇＯに比較すると二次電子放出係数が低く，隔壁に衝突したイオンによる二次電子放出量はＭｇＯの保護層に比べはるかに少ない。このため，表示期間の放電は，背面基板側の隔壁によって阻害されて放電規模が小さくなり，ＰＤＰの発光効率を下げる原因の1つになる。【０００５】
これに対して背面基板側の構造物にも保護層を設け，放電イオンの衝突による二次電子放出量を増大させて発光効率を上げた構造が提案されている（特許文献１）。この特許文献１の一つの実施の形態によれば，背面基板の蛍光体層全面を保護層であるＭｇＯで被覆して二次電子放出量を増大させている。また，別の実施の形態によれば，背面基板の表面と隔壁の側面下部領域とに蛍光体層を形成し，隔壁の側面上部領域には蛍光体層を形成せずにＭｇＯの保護層だけを形成し，蛍光体層を保護層で被覆しないようにしている。保護層が蛍光体層を被覆しないようにすることで，ＭｇＯの形成プロセスにより蛍光体層が劣化するのを防止している。
【特許文献１】特開２００２−１１００４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら，上記特許文献１の一つの実施の形態では，蛍光体層全面を保護層で被覆しているため，確かに隔壁上部のＭｇＯ保護層の存在により二次電子放出量が増大して放電規模が拡大するが，放電ガスの電離に伴って発生する紫外線が保護層で吸収され蛍光体層に達する紫外線の量が減り，逆に発光効率が上がらないという課題が存在する。【０００７】
また，別の実施の形態のように，隔壁の側面の上部にのみＭｇＯ保護層を形成し，蛍光体層は隔壁の側面の下部領域と背面基板上のアドレス電極上に形成する場合は，ＭｇＯ保護層による紫外線吸収の課題は解決されるものの，蛍光体層が隔壁の側面の上部領域に形成されていないため，隔壁に挟まれたセル空間の隔壁の側面上部に対応する両端部では発光量が低下し，視野角の低下を招くという課題を有する。【０００８】
そこで，本発明の目的は，視野角を広くし発光効率を向上させたＰＤＰを提供することにある。【０００９】
また，本発明の別の目的は，視野角の低下を抑えつつ二次電子放出量の増大により発光規模を拡大させたＰＤＰを提供することにある。【００１０】
さらに，本発明の別の目的は，上記ＰＤＰの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために，本発明の第１の側面によれば，前面基板と背面基板との間に放電ガスを封入した放電空間を有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいて，前面基板上には，表示電極群と，当該表示電極上の誘電体層と，誘電体層を被覆する二次電子放出係数の高い材料からなる第１の保護層とが形成され，背面基板上には，アドレス電極群と，当該アドレス電極の両側に配置された隔壁と，前記アドレス電極の上側に形成されるとともに前記隔壁の側面の下部から頂部に至る蛍光体層と，前記アドレス電極上及び前記隔壁の側面の下部領域上の蛍光体は被覆せず，前記隔壁の側面頂部近傍の前記蛍光体層を被覆する前記材料からなる第２の保護層とが形成されていることを特徴とする。【００１２】
上記の第１の側面によれば，蛍光体層を隔壁の側面下部から頂部に至るように形成することで視野角の低下を抑えることができ，隔壁の側面の下部領域を除いて頂部近傍で蛍光体層を被覆する第２の保護層を形成することで，第２の保護層からの二次電子放出により放電規模を拡大することができる。第２の保護層が蛍光体層の一部を被覆するため紫外線が一部保護層で吸収されるが，それでも隔壁の頂部近傍の蛍光体層に紫外線が達して発光するので，視野角の低下を抑制することができる。【００１３】
上記の目的を達成するために，本発明の第２の側面によれば，前面基板と背面基板との間に放電ガスを封入した放電空間を有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルの製造方法において，前面基板上に表示電極群とその上の誘電体層と誘電体層を被覆する二次電子放出係数の高い材料からなる第１の保護層とを形成する工程と，背面基板上にアドレス電極群と当該アドレス電極の両側に配置された隔壁と前記アドレス電極の上側に形成されるとともに前記隔壁の側面の下部から頂部に至る蛍光体層とを形成する工程と，さらに，当該背面基板を前記材料の蒸着源に対して斜めに傾けて前記側壁の一方の側面が前記蒸着源に露出した状態に保持してながら蒸着を行い，前記隔壁の側面の下部領域を除いて頂部近傍の蛍光体層を被覆するように前記材料からなる第２の保護層を形成する工程とを有することを特徴とする。【００１４】
上記の第２の側面によれば，隔壁側面の頂部近傍にのみ第２の保護層を蒸着することができるので，蛍光体層への紫外線の吸収を抑えつつ二次電子放出量を増加させたＰＤＰを形成することができる。
【発明の効果】
【００１５】
視野角の低下を抑えつつ二次電子放出量の増大により発光規模を拡大させて格好効率を向上したＰＤＰを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施の形態におけるＰＤＰの断面図である。
【図２】ＰＤＰの基本構造を示す斜視図である。
【図３】ＰＤＰの駆動回路の構成を示すブロック図である。
【図４】ＰＤＰの駆動シーケンスを示す図である。
【図５】ＰＤＰの駆動波形を示す図である。
【図６】第２の実施の形態におけるＰＤＰの断面図である。
【図７】本発明における製造方法を示す図である。
【図８】本実施の形態におけるセル内の視野角依存性を示す図である。
【図９】ＰＤＰの放電メカニズムを示す図である。
【符号の説明】
【００１７】
１    前面ガラス基板
２    表示電極Ｘ
２    表示電極Ｙ
３    誘電体層
４-１ 前面基板側保護層（第１の保護層）
４-２ 背面基板側保護層（第２の保護層）
４-３  二次電子
５    隔壁
６Ｒ  蛍光体Ｒ
６Ｇ  蛍光体Ｇ
６Ｂ  蛍光体Ｂ
７    下地反射層
８    アドレス電極
９    背面ガラス基板
１１  電子ビームによって昇華したＭｇＯ
１２  ハース（固体ＭｇＯを置く場所）
１３  ＭｇＯペレット
１４  電子ビーム
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下，図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し，本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず，特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。【００１９】
図２は，ＰＤＰの一般的構成を示す斜視図である。図２に示すＰＤＰは，カラー表示用のＡＣ駆動型の３電極面放電型ＰＤＰであり，前面基板１と背面基板９とが放電ガス空間を隔てて対向して設けられている。【００２０】
前面基板１の内側面には，水平方向に延びる複数の表示電極２Ｘと表示電極２Ｙとが平行に配置されている。隣接する表示電極２Ｘと表示電極２Ｙとの間がすべて表示ラインになる。このＰＤＰは，表示電極２Ｘと表示電極２Ｙとが等間隔に配置され，隣接する表示電極２Ｘと表示電極２Ｙとの間がすべて表示ラインになる，いわゆるＡＬＩＳ構造のＰＤＰである。ただし，一対の表示電極２Ｘと表示電極２Ｙとが放電が発生しない非放電ギャップを隔てて配置された構造のＰＤＰであっても，本発明を適用することができる。【００２１】
各表示電極２Ｘ，２Ｙは，ＩＴＯ，ＳｎＯ２などからなる透明電極１０と，その上に形成された例えばＡｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒおよびそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）などからなる金属製のバス電極１１とから構成されている。表示電極２Ｘ，２Ｙは，Ａｇ，Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い，その他の金属については蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術とエッチング技術とを用いて，所定の本数，厚さ，幅および間隔で形成される。透明電極１０は，主に放電に寄与し，蛍光体の発光を前面基板１側から見ることができるように光透過性材料で形成される。バス電極１１は，放電時の電流を流すために低抵抗性であることが望ましい。【００２２】
表示電極２Ｘ，２Ｙの上には，表示電極２Ｘ，２Ｙを覆うように誘電体層３が形成されている。誘電体層３は，低融点ガラス粉体を主成分とするガラスペーストを，前面ガラス基板１上にスクリーン印刷法で塗布し，高温焼成することにより形成している。また，シート状の誘電体層を貼り付けて焼成する方法もある。さらに誘電体層３は，プラズマＣＶＤ法でＳｉＯ２膜を成膜することにより形成してもよい。【００２３】
誘電体層３の上には，放電により生じるイオンの衝突による衝撃から誘電体層３を保護するために保護膜４が形成されている。この保護膜４はイオンが衝突した際の二次電子放出係数の高い材料で形成されており，たとえばＭｇＯやＭｇＦが使用される。保護膜４は，電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような，当該分野で公知の薄膜形成プロセスによって形成される。【００２４】
背面基板９の内側面には，平面的に見て表示電極２Ｘ，２Ｙと交差する方向に複数のアドレス電極８が形成され，そのアドレス電極８を覆って誘電体層７が形成されている。アドレス電極８は，表示電極２Ｙとの交差部で発光セルを選択するためのアドレス放電を発生させるものであり，例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造で形成されている。アドレス電極８は，それ以外に，例えばＡｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒなどで形成することもできる。アドレス電極８も，表示電極２Ｘ，２Ｙと同様に，Ａｇ，Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い，その他の金属については蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより，所定の本数，厚さ，幅および間隔で形成される。誘電体層７は，前面基板１上の誘電体層３と同じ材料，同じ方法を用いて形成することができる。また，誘電体層７は必ずしも設けなくても良い。【００２５】
誘電体層７の上には，隣接するアドレス電極８の間にそれぞれ隔壁５が形成されている。本例の隔壁５の形状は，アドレス電極に平行なストライプ状であるが，アドレス電極と表示電極の交差位置のセル領域を囲む格子状の形状であっても良い。【００２６】
隔壁５は，サンドブラスト法，フォトエッチング法などにより形成される。例えば，サンドブラスト法では，低融点ガラス粉体，バインダー樹脂，溶媒などからなるガラスペーストを誘電体層７上に塗布して乾燥させた後，そのガラスペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹き付けて，マスクの開口部に露出したガラスペースト層を切削し，さらに焼成することにより隔壁５を形成する。また，感光体ペースト法では，切削粒子で切削することに代えて，ガラスペーストのバインダー樹脂に感光性樹脂を使用し，マスクを用いた露光および現像の後，焼成することにより形成する。【００２７】
隔壁５で区切られた放電空間の側面および底面には，赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂが形成されている。蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは，蛍光体粉体とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁で区切られた放電空間内にスクリーン印刷またはディスペンサーを用いた方法などで塗布し，これを各色ごとに繰り返した後，焼成することにより形成する。【００２８】
蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは，蛍光体粉体と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料，いわゆるグリーンシート，を使用し，フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合，所定の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて，露光，現像を行い，これを各色ごとに繰り返すことで，対応する隔壁５間に各色の蛍光体層６を形成する。なお，蛍光体層６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは，アドレス電極８の上，即ち，誘電体層７が設けられる場合は誘電体層の上に，設けられない場合はアドレス電極の上に形成され，さらに隔壁の側壁上まで形成される。【００２９】
このＰＤＰは，前面基板と背面基板とを，表示電極２Ｘ，２Ｙとアドレス電極８とが交差するように対向配置し，周囲を封止し，隔壁５で囲まれた放電空間にＸｅとＮｅとを混合した放電ガスを充填することにより作製される。このＰＤＰでは，表示電極２Ｘ，２Ｙとアドレス電極８との交差部の放電空間が，表示の最小単位である１つのセル（単位発光領域）となる。１画素はＲ，Ｇ，Ｂの３つのセルで構成される。【００３０】
図３は，プラズマディスプレイモジュールの一例の全体構成を示すブロック図である。ＰＤＰは，維持放電を行う表示電極Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…と走査電極でもある表示電極Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…とが交互に配置されて表示ラインを構成し，表示電極Ｘおよび走査電極とこれらの電極に垂直に交差するアドレス電極Ａ１，Ａ２，Ａ３，…によりマトリクス状の表示セルが構成されている。また，それぞれの電極に電圧を印加するために，アドレス駆動回路１５，スキャンドライバ１６，Ｙ駆動回路１７，Ｘ駆動回路１８が対応する電極に接続されている。また，それらを制御するための制御回路１９を備えている。【００３１】
スキャンドライバ１６は，アドレス期間において，走査電極Ｙに順次走査パルスを印加して走査電極（表示ライン）を選択し，アドレス駆動回路１５に繋がれたアドレス電極Ａと選択された走査電極Ｙとの間で，セルの点灯／非点灯を選択するアドレス放電を生じさせる。また，Ｙ駆動回路１７およびＸ駆動回路１８は，表示期間において，アドレス放電により選択されたセルに対して各サブフィールドの重みに応じた数のサステイン放電を生じさせる。制御回路１９は，ＴＶチューナやコンピュータ等の外部装置から入力された画像データと同期信号や制御信号から，それぞれの駆動回路に適した制御信号を出力して所定の画像表示を制御する。【００３２】
図４は，図２のＰＤＰにおける階調駆動シーケンスの一例を示す図である。図４に示されるように，プラズマディスプレイ装置における階調駆動シーケンスは，１フィールド（フレーム）２０をそれぞれ所定の輝度の重みを有する複数のサブフィールド（サブフレーム）２１（ＳＦ１〜ＳＦｎ）で構成し，サブフィールドの組み合わせにより所定の階調表示を行うようになっている。具体的には，複数のサブフィールド，例えば，維持放電の回数の比が１：２：４：８：１６：３２：６４：１２８に設定されて２の巾乗の輝度の重みを有する８つのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８により，２５６階調の表示を行う。なお，サブフィールドの数および各サブフィールドの重みは様々な組み合わせが可能なのはいうまでもない。【００３３】
また，各サブフィールドは，それぞれ表示領域における全てのセルの壁電荷を均一にする初期化過程（リセット期間２２），点灯セルを選択するアドレス過程（アドレス期間２３）および，選択されたセルを輝度（各サブフィールドの重み）に応じた回数だけ放電して点灯させる表示過程（維持放電期間２４）で構成される。そして，各サブフィールド毎にその輝度に応じてセルを点灯させ，例えば，８つのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８を表示制御することで１フィールドの表示制御を行う。【００３４】
次に，図５に駆動波形の一例を示す。図５（ａ）〜（ｅ）は，それぞれリセット期間２２から維持放電期間２４に至る期間において，表示電極Ｘ１，Ｙ１，Ｙ３，Ｙ２，アドレス電極Ａに印加する駆動波形を示している。尚，Ｘ,Ｙに付された数字は行数を示し，本波形は同じ数字を付した２電極間で放電する場合を示す。なお，Ｙ１，Ｙ３はＹの奇数行，Ｙ２は偶数行を代表する１例である。【００３５】
まず，図５（ａ）（ｂ）の電極Ｘ１，Ｙ１に，全セルに壁電荷を形成するためのＹ書き込み鈍波３２とＸ電圧２５が印加される。続いてセル内に形成された壁電荷を必要量残して消去するＹ補償鈍波３３とＸ補償電圧２６が印加される。【００３６】
次のアドレス期間２３において印加される電圧波形は，行方向の表示セルを決める放電を行なう奇数行の走査パルス３４と，本放電により電荷を形成するためのＸ電圧２７である。この走査パルス３４は，行毎にタイミングをずらして印加される。その後の維持放電期間２４には，第1のサステインパルス２８，３５，繰り返しサステインパルス２９，３０，３１，３６，３７，３８が印加される。【００３７】
図５（ｃ）は電極Ｙ３に印加される電圧波形であり，走査パルス３９のタイミングを除いて図５（ｂ）に示した電極Ｙ１に印加される電圧波形と同じである。今，電極Ｙ３のラインのセルが１つも点灯しないとすると，走査パルス３９は不要であり，間引くことができる。これにより，駆動時間を短縮できる。この時，全てのアドレス電極に電圧は印加されておらず，同様に間引くことができる。表示電極に印加されている電圧も一定値であるため，同様な時間短縮は容易である。【００３８】
図５（ｄ）の電極Ｙ２には，リセット期間２２において，全セルに電荷を形成するＹ書き込み鈍波４０が印加される。さらに続いてセル内に形成された電荷を必要量残して消去するＹ補償鈍波４１が印加される。【００３９】
次のアドレス期間２３において印加される電圧波形は，行方向の表示セルを決める放電を行なう偶数行のスキャンパルス４２である。このスキャンパルス４２も行毎にタイミングをずらして印加される。その後の表示期間２４には第1のサステインパルス４４，繰り返しサステインパルス４４，４５，放電回数の合わせパルス４６が印加される。【００４０】
図５（ｅ）のアドレス電極Ａにアドレス期間に印加される電圧波形は，列方向の表示するセルを決める放電を行なうアドレスパルス４７，４８である。尚，アドレスパルスは，行毎に印加されるスキャンパルスに同期して，走査電極とアドレス電極Ａの交点に位置する表示させたいセルに放電を起こすタイミングで印加される。【００４１】
以上の駆動波形に加え，表示期間２４の最後に壁電荷消去のための電圧波形を加えることもある。【００４２】
以上がＰＤＰの一般的な構造と駆動シーケンス及び駆動波形である。次に，本実施の形態における背面基板の隔壁に保護層を形成した構成について説明する。【００４３】
図１は，第１の実施の形態におけるＰＤＰの断面図を示している。前面ガラス基板１には透明電極材料からなる表示電極２と，それを被覆する誘電体層３と，誘電体層を被覆するＭｇＯ，ＭｇＦ，ＳｒＯのいずれかを含む二次電子放出係数が高い材料からなる第１の保護膜４-１が形成されている。これらの形成方法は前述の通りである。【００４４】
一方，背面ガラス基板９には，表示電極と交差する方向に延びる複数のアドレス電極８と，それを被覆する誘電体層７と，放電空間をセル配列に区画するストライプ状または格子状の隔壁５が形成されている。この隔壁５は，前述のとおり，ガラスペーストを使用したサンドブラスト法などにより形成される。そして，アドレス電極８の上の誘電体層７上と，隔壁５の側面上には，蛍光体層６が形成されている。この蛍光体層６は，前述のとおりＲＧＢを発光する蛍光体材料が別々に形成される。なお，誘電体層７が設けられない場合は，アドレス電極８の上に蛍光体層６が形成される。【００４５】
本実施の形態におけるＰＤＰのセル構造によれば，アドレス電極８の上に加えて，背面ガラス基板９の隔壁５の側面の下部領域から頂部に至るまで蛍光体層６を塗付し，隔壁５の側面の頂部近傍に蛍光体層６を覆うように二次電子放出係数が高いＭｇＯ，ＭｇＦ，ＳｒＯなどの材料からなる第２の保護層４-２を形成する。かかる構成にすることで，視野角が狭くなるのを抑制しつつ放電時の二次電子放出量を増大させて放電規模を大きくし，発光効率を高くすることができる。【００４６】
図８は，ＰＤＰの放電の広がりを示す図である。前面基板側の保護層４−１と背面基板の隔壁頂部の保護層４−２とが拡大して示されている。ＰＤＰの放電は，放電空間中に存在する荷電粒子（電子）が電場により移動し，放電ガスの気体分子４９に衝突してプラスイオン５０と電子５１に分離させる。このとき発生したプラスイオン５０が，電場により移動して陰極である走査電極（Ｙ電極）に衝突する。プラスイオンが陰極に衝突することにより，陰極のＹ電極を被覆する保護層４−１が二次電子を放出する。放出された二次電子がさらに気体分子４９に衝突してプラスイオン５０と電子５１に分離させる。この過程を繰り返すことでガス空間の電荷が増加して放電に至る。気体分子が電離するときに紫外線を放出し，この紫外線が蛍光体に衝突し蛍光体を励起して発光を誘発する。【００４７】
アドレス放電では，走査電極Ｙに負極性のパルスが印加され，アドレス電極８に正極性のパルスが印加されると，まず走査電極Ｙとアドレス電極８との間で放電が発生し，それにより発生した走査電極Ｙ上の壁電荷により走査電極Ｙと表示電極Ｘとの間でも放電が発生し，両電極Ｘ，Ｙの誘電体層上に正と負の壁電荷が蓄積される。この蓄積された壁電荷により，その後の維持放電パルス印加に応答して電極Ｘ，Ｙ間で維持放電が繰り返される。【００４８】
以上のとおり，放電規模を拡大するためには，放電空間中により多くの電子を放出することが大切であり，特に放電が集中する前面基板側の保護層４−１の近傍と，背面基板側の隔壁側面の頂部近傍とに，二次電子放出係数が高い物質が形成されていることが望ましい。【００４９】
そこで，本実施の形態では，背面ガラス基板９のセルを区画する隔壁５の側面において下部領域から頂部に至るまで，つまり隔壁側面の高さ方向いっぱいに，蛍光体層６を塗付し，隔壁５の側面の頂部近傍でのみ蛍光体層６を覆うように保護層４-２を成膜した。その結果，電圧を印加して気体分子をプラスイオンと電子に電離させることで放電を開始させると，発生したプラスイオンが電場により前面基板側の保護層４−１への衝突に加えて，背面ガラス基板の隔壁頂部の保護層４-２にも衝突し，衝突した保護層４-２からも二次電子４-３を放出して放電を成長させることが可能となる。【００５０】
しかも，本実施の形態では，蛍光体層６がアドレス電極８上の誘電体層７の上面と隔壁側面の下部領域から頂部に至るまで形成されるので，セル領域内で高い発光輝度を実現でき，視野角を広く保つことができる。つまり，隔壁の頂部近傍で蛍光体層６が保護膜４−２で被覆されるので，保護層４−２により紫外線が一部吸収されるものの，残りの紫外線は蛍光体層６に達して励起し発光に寄与するので，セル領域内における高い発光輝度領域を広くすることができる。そして，放電によるイオン衝撃の影響を受ける隔壁頂部近傍の蛍光体層６は，保護層４−２により保護されるので，蛍光体層６の寿命を長くする効果もある。【００５１】
図９は，本実施の形態におけるセル中心距離と輝度との相関を示しており，輝度の視野角依存性を示したグラフ図である。実線が本実施の形態の発光強度比を示し，破線が前述の特許文献１の発光強度比を示す。グラフ図の下に示した断面図のとおり，前述の特許文献１では破線のように蛍光体層６Ｂを隔壁５の側面下部領域までしか形成せず側面頂部近傍まで蛍光体層を形成していない。そのため，セル中心位置から外側に離れていくと発光輝度が低下する。しかし，本実施の形態では，実線で示したとおり，隔壁５の側面の頂部近傍まで蛍光体層６Ａを塗布するため，セル中心位置から離れても発光輝度がほとんど低下しない。また，本実施の形態では，隔壁５の側面の頂部近傍の蛍光体層６のみ保護層４−２で覆っているため，放電により発生する紫外線が保護層４−２で吸収されて蛍光体層６に達しないようになるのを最小限に抑えることができる。したがって，保護層４−２を設けたことによる蛍光体の発光の低下を最小限に抑えることができる。以上のことから，本実施の形態では，視野角の低下や輝度低下を防ぎつつ，隔壁の頂部近傍での放電も改善することができる。【００５２】
次に本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について説明する。図７は，本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の説明図である。本実施の形態では，背面ガラス基板上の隔壁側面の頂部近傍にのみＭｇＯからなる保護層を形成する。このように部分的に保護層を形成するために，図７に示されるとおり，蒸着装置内で隔壁５を形成した背面ガラス基板９を蒸着源であるハース１２上に載せられたＭｇＯペレット１３に対して斜めに保持し，隔壁５の一方の側面のみが蒸着源に露出される状態で，ＭｇＯの蒸着を行う。【００５３】
蒸着装置では，電子ビーム１４をハース１２に載せてあるＭｇＯペレット１３に照射してペレット１３を昇華させ，昇華したＭｇＯを矢印１１の方向に飛ばす。そこで，本実施の形態では，背面ガラス基板９を傾斜させ且つ隔壁の一方の側面のみが蒸着源に向くような状態を維持して，背面ガラス基板９に蒸着装置を通過させる。これにより，傾斜した背面ガラス基板上の隔壁側面の片側の面にＭｇＯを成膜させる。このとき，隣接する隔壁５の陰になり隔壁側面の下部領域及びアドレス電極上にはＭｇＯは蒸着されない。さらに，傾斜方向を反対側に変えて再度ＭｇＯペレット上を通過させることで隔壁の逆側の側面頂部近傍にもＭｇＯを成膜する。以上のように，背面ガラス基板９の傾斜方向を変えて蒸着源であるＭｇＯペレット１３の上を往復させることで，隔壁５の両側面の頂部付近にのみＭｇＯを成膜することができる。しかも，背面ガラス基板９を所定の方向に傾けるだけで良いので，簡単に実現できる。この場合は，保護層４−２は，隔壁側面の頂部近傍から頂部上まで形成される。【００５４】
図６は，本発明における第２の実施の形態におけるＰＤＰの断面図である。第２の実施の形態では，背面ガラス基板９上の隔壁５頂部の保護層４−２以外は，図１に示した第１の実施の形態と同じである。図１の第１の実施の形態では，背面ガラス基板９の隔壁５の頂部近傍に保護層４−２を形成しているのに対して，図６の第２の実施の形態では，背面ガラス基板９の隔壁５の頂部を除く側面の頂部近傍でのみ蛍光体層６を被覆する保護層４−２を設けている。すなわち，隔壁５の頂部は前面基板側の保護層４−１と接するので，放電時の二次電子放出に寄与しない。そして，ＭｇＯからなる保護層は，それ自体が吸湿性があり，パネル封着後の放電特性劣化の原因になる。したがって，ＭｇＯの保護層は不要な隔壁の頂部には形成しないことが望ましい。【００５５】
第２の実施の形態の製造方法としては，隔壁５の頂部付近にＭｇＯを蒸着などで成膜した後に，隔壁の頂部上のＭｇＯを研磨する方法がある。これにより，隔壁の頂部近傍の蛍光体層６上にのみ保護層４−２を形成することができる。また，他の製造方法としては，隔壁の頂部をマスクで覆うと共に蛍光体層表面の隔壁頂部近傍を除いた部分をマスクで覆ってＭｇＯを成膜する方法でもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明によれば，視野角の低下を抑えつつ発光効率を高めたＰＤＰを提供することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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