【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) 配線基板上に表面実装形の電子部品および半導体ペレットを配置する工程；
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットと前記配線基板との間および前記電子部品と前記配線基板との間に配置された接続用半田を一括リフローによって加熱溶融する工程；
(c) 前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程；
(d) 前記半導体ペレットのボンディングパッドと前記配線基板の基板側端子とを金属製のワイヤによって接続する工程。
【請求項２】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) 配線基板上に表面実装形の電子部品および半導体ペレットを配置する工程；
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットと前記配線基板との間および前記電子部品と前記配線基板との間に配置された接続用半田を一括リフローによって加熱溶融し、この加熱溶融中に前記加圧の量を変化させる工程；
(c) 前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程；
(d) 前記半導体ペレットのボンディングパッドと前記配線基板の基板側端子とを金属製のワイヤによって接続する工程。
【請求項３】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) 配線基板上に表面実装形の電子部品および半導体ペレットを配置する工程；
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットと前記配線基板との間および前記電子部品と前記配線基板との間に配置された接続用半田をリフローによって加熱溶融する工程；
(c) 前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程；
(d) 前記加熱溶融によって飛散した半田異物を吸引して前記配線基板上から前記半田異物を除去する工程。
【請求項４】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) 端子に接続用半田が形成された配線基板上に表面実装形の電子部品および半導体ペレットを配置する工程；
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットおよび前記電子部品の前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融する工程；
(c) 前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程。
【請求項５】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) 端子に接続用半田が形成された配線基板上に表面実装形の電子部品および半導体ペレットを配置する工程；
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットおよび前記電子部品の前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融し、この加熱溶融中に前記加圧の量を変化させる工程；
(c) 前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程。
【請求項６】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) 端子に接続用半田が形成された配線基板上に表面実装形の電子部品および半導体ペレットを配置する工程；
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットおよび前記電子部品の前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融する工程；
(c) 前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程；
(d) 前記加熱溶融によって飛散した半田異物を吸引して前記配線基板上から前記半田異物を除去する工程。
【請求項７】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) 端子に接続用半田が形成された配線基板上に表面実装形の電子部品および半導体ペレットを配置する工程；
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットおよび前記電子部品の前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融し、この加熱溶融中に前記加圧の量を変化させる工程；
(c) 前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程；
(d) 前記加熱溶融によって飛散した半田異物を吸引して前記配線基板上から前記半田異物を除去する工程。
【請求項８】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) 端子に接続用半田が形成された配線基板上に表面実装形の電子部品および半導体ペレットを配置する工程；
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットおよび前記電子部品の前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融し、この加熱溶融中に前記加圧の量を変化させる工程；
(c) 前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程；
(d) 前記加熱溶融によって飛散した半田異物を吸引して前記配線基板上から前記半田異物を除去する工程。
【請求項９】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) 端子に接続用半田が形成された複数の配線基板を有する多数個取り基板を半田溶融可能な加熱部に配置する工程；
(b) 前記加熱部において前記多数個取り基板の複数の前記配線基板上に、表面実装形の電子部品および複数の半導体ペレットを配置する工程；
(c) 前記加熱部において、前記複数の半導体ペレットをペレット毎に１つのピン部材によってそれぞれの半導体ペレットの上方から前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットと前記配線基板との間および前記電子部品と前記配線基板との間に配置された前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融する工程；
(d) 前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程；
(e) 前記多数個取り基板をそれぞれの前記配線基板に分割する工程。
【請求項１０】
請求項１において、前記加熱部において、前記加熱溶融中および前記冷却中に、前記半導体ペレットは前記配線基板に対して加圧し、前記電子部品は加圧しない半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１において、前記配線基板は第１の平坦面と第２の平坦面を有しており、前記第２の平坦面は、前記第１の平坦面より前記配線基板の裏面に近い位置にあり、前記電子部品を前記配線基板の前記第１の平坦面に配置し、前記半導体ペレットを前記配線基板の前記第２の平坦面に配置する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記配線基板の前記第２の平坦面が形成する中空部に前記半導体ペレットを配置する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１において、前記（b)工程において前記半導体ペレットの下面側のヒートブロックによって前記接続用半田を加熱溶融する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項２において、前記（b)工程において前記半導体ペレットの下面側のヒートブロックによって前記接続用半田を加熱溶融する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３において、前記(a) 工程において前記半導体ペレットを前記配線基板の主面に形成された凹部に配置する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４において、前記(a) 工程において前記半導体ペレットを前記配線基板の主面に形成された凹部に配置する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項９において、前記(c) 工程の後、前記半導体ペレットのボンディングパッドと前記配線基板の基板側端子とを金属製のワイヤによって接続する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項９において、前記（b)工程において前記半導体ペレットの下面側のヒートブロックによって前記接続用半田を加熱溶融する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７において、前記(a) 工程において前記半導体ペレットを前記配線基板の主面に形成された凹部に配置する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８において、前記(a) 工程において前記半導体ペレットを前記配線基板の主面に形成された凹部に配置する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項３において、前記(d) 工程の後、前記半導体ペレットのボンディングパッドと前記配線基板の基板側端子とを金属製のワイヤによって接続する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１において、前記（b)工程において前記半導体ペレットの下面側のヒートブロックによって前記接続用半田を加熱溶融する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２３】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) １つの半導体集積回路装置に対応した配線基板上に表面実装形の電子部品および複数の半導体ペレットを配置する工程；
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記複数の半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記複数の半導体ペレットそれぞれと前記配線基板との間および前記電子部品と前記配線基板との間に配置された接続用半田を一括リフローによって加熱溶融する工程；
(c) 前記加熱部において前記複数の半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記複数の半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記複数の半導体ペレットとを半田接続する工程。