【手続補正書】
【提出日】平成15年7月31日(2003.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第ＩＩＩ族窒化物デバイスのウェーハー前駆物質であって、炭化ケイ素基質表面に所定パターンの溝を含む前記炭化ケイ素基質；
前記炭化ケイ素基質上の緩衝層で、前記緩衝層が窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる；および
前記緩衝層内に生じる応力誘発破壊が前記緩衝構造内の他の場所ではなくて前記所定の領域に生じるように、前記緩衝層の結晶構造内に複数の所定応力除去領域を含む応力吸収構造
を含むウェーハー前駆物質。
【請求項２】
前記所定パターンが一辺当たり約２５０ミクロンの正方形を形成するグリッドおよび約２５０×５００ミクロンの矩形を形成するグリッドからなる群から選ばれる請求項１記載のウェーハー前駆物質。
【請求項３】
第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオードを含む請求項２記載の該ウェーハー前駆物質から形成されるオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項４】
前記ダイオードがｐ−ｎホモ接合、ｐ−ｎシングルおよびダブルヘテロ接合、ならびにｐ−ｎ量子接合ウェル構造からなる群から選ばれ、そして前記炭化ケイ素基質が３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、および１５Ｒポリタイプからなる群から選ばれるポリタイプを有する請求項３記載のオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項５】
前記第ＩＩＩ族窒化物活性層が窒化ガリウム及び窒化インジウムガリウムから選ばれる請求項３記載のオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項６】
第ＩＩＩ族窒化物デバイスのウェーハー前駆物質であって、緩衝物質の成長に対して抵抗性がある物質から形成される所定パターンの小さな応力吸収メサ構造を含む炭化ケイ素基質ウェーハーおよび前記基質の露出面に付着された緩衝層
を含むウェーハー前駆物質。
【請求項７】
緩衝物質の成長に対して抵抗性がある前記物質が二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素及び酸化アルミニウムからなる群から選ばれる請求項６記載のウェーハー前駆物質。
【請求項８】
前記緩衝層が窒化ガリウム及び窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる請求項６記載のウェーハー前駆物質。
【請求項９】
請求項６記載の該ウェーハー前駆物質から形成され、さらに第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオードを含むオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項１０】
前記ダイオードがｐ−ｎホモ接合、ｐ−ｎシングルおよびダブルヘテロ接合、ならびにｐ−ｎ量子接合ウェル構造からなる群から選ばれ、そして前記炭化ケイ素基質が３Ｃ，４Ｈ、６Ｈ、及び１５Ｒポリタイプからなる群から選ばれるポリタイプを有する請求項９記載のオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項１１】
前記第ＩＩＩ族窒化物活性層が窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる請求項９記載のオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項１２】
第ＩＩＩ族窒化物デバイスのウェーハー前駆物質であって、
炭化ケイ素基質ウェーハー；
前記炭化ケイ素基質上の窒化アルミニウムガリウム緩衝層；および
前記炭化ケイ素基質表面の窒化ガリウム及び窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる複数の分離した結晶部分で、前記分離した結晶部分が該ヘテロバリヤーを最小にするかまたは無くすのに十分な量及びサイズではあるが、前記炭化ケイ素基質に形成して出来たダイオードデバイスの機能に悪影響を与えるかまたは破壊すると思われる量よりは少ない量で存在する分離した結晶部分
を含むウェーハー前駆物質。
【請求項１３】
前記窒化アルミニウムガリウム緩衝層が約１０ないし１５パーセントの原子分率のアルミニウムを有する請求項１２記載のウェーハー前駆物質。
【請求項１４】
第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオードを含む請求項１２記載の該ウェーハー前駆物質から形成されるオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項１５】
前記ダイオードがｐ−ホモ接合、ｐ−ｎシングルおよびダブルヘテロ接合、ならびにｐ−ｎ量子接合ウェル構造からなる群から選ばれ、そして前記炭化ケイ素基質が３Ｃ、４Ｈ、６Ｈおよび１５Ｒポリタイプからなる群から選ばれるポリタイプを有する請求項１４記載のオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項１６】
前記第ＩＩＩ族窒化物活性層が窒化ガリウム及び窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる請求項１４記載のオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項１７】
発光ダイオードを含む請求項３、９または１４のいずれか１つの項記載のオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項１８】
請求項１７記載の発光ダイオードを包含するピクセル。
【請求項１９】
請求項１８記載の複数のピクセルを包含するディスプレー。
【請求項２０】
レーザーダイオードを含む請求項３、９または１４のいずれか１つの項記載のオプトエレクトロニックデバイス。
【請求項２１】
炭化ケイ素基質上に第ＩＩＩ族窒化物オプトエレクトロニックデバイスを生成させる方法であって、
該炭化ケイ素基質上に結晶を成長させるために別の方法で調製された炭化ケイ素基質表面に所定パターンの溝を形成させ；
該炭化ケイ素基質表面に該緩衝層が該パターンに従う特徴を示すように、該炭化ケイ素基質のパターン化された表面に窒化ガリウム及び窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝層を形成させ；そして
該緩衝層に第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスを形成させる
ことを含む方法。
【請求項２２】
該溝を形成させる工程が、該炭化ケイ素基質の表面をマスキングし、その後該マスクした表面をエッチングして該パターンを生成させることを含む請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスを形成させる工程が、窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる活性層を有するデバイスを形成させることを含む請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
炭化ケイ素基質に第ＩＩＩ族窒化物オプトエレクトロニックデバイスを生成させる方法であって、
該炭化ケイ素基質表面に緩衝物質の成長に対して抵抗性がある物質から所定パターンのメサ構造を形成させ；
該炭化ケイ素基質の露出面に緩衝層を形成させ；そして
該緩衝層に第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスを形成させる
ことを含む方法。
【請求項２５】
緩衝物質の成長に対して抵抗性がある前記物質が二酸化ケイ素、窒化ケイ素、および酸化アルミニウムからなる群から選ばれる請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記緩衝物質が窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスをを形成させる工程が、窒化ガリウム及び窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる活性層を有するデバイスを形成させることを含む請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
炭化ケイ素基質に第ＩＩＩ族窒化物オプトエレクトロニックデバイスを生成させる方法であって、
炭化ケイ素基質表面に窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる複数の分離した結晶部分を形成させ；
該分離した結晶部分を有する該炭化ケイ素基質表面に窒化アルミニウムガリウム緩衝を形成させ、この場合に該分離した結晶部分が該炭化ケイ素基質と該窒化アルミニウムガリウム緩衝層との間のヘテロバリヤーを最小にするかまたは無くし；そして
該緩衝層に第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスを形成させる
ことを含む方法。
【請求項２９】
該ヘテロバリヤーを最小にするかまたは無くすのに十分な量ではあるが、該炭化ケイ素基質に形成してできたダイオードデバイスの機能に悪影響を与えるかまたは破壊すると思われる量よりは少ない量の該分離した結晶部分を形成させることを含む請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
該分離した結晶部分を形成させる工程が、該ヘテロバリヤーを最小にするかまたは無くすのに十分なサイズではあるが、該炭化ケイ素基質に形成してできたダイオードデバイスの機能に悪影響を与えるかまたは破壊すると思われるサイズよりは小さいサイズの該部分を形成させることを含む請求項２８記載の方法。