【手続補正書】
【提出日】平成16年5月24日(2004.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
一軸対称性の破壊された構造を形成する少なくとも１つの磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
前記基板と前記ｂｃｃ−ｄ層とのあいだに配置された（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートを提供する少なくとも１つの層
とを含んでなる磁性体構造。
【請求項２】
前記基板が単結晶である請求項１記載の磁性体構造。
【請求項３】
前記基板の表面が非晶質または多結晶である請求項１記載の磁性体構造。
【請求項４】
ＮｉＰ、ＣｒｘＴａｌ−ｘ、ＣｒｘＮｂｌ−ｘ、ＦｅｘＴａｌ−ｘ、またはＦｅｘＮｂｌ−ｘ、かつ５５＜ｘ＜７５の合金から形成された前記基板上に非晶質層をさらに含む請求項１記載の磁性体構造。
【請求項５】
前記非晶質層を形成し、次いで、前記非晶質層の表面を酸化させる請求項４記載の磁性体構造。
【請求項６】
前記六方晶原子テンプレートを提供する前記層がｆｃｃ−ｄまたはｈｃｐの結晶材料から形成される請求項１記載の磁性体構造。
【請求項７】
前記六方晶原子テンプレートを提供する層が磁性である請求項１記載の磁性体構造。
【請求項８】
前記ｂｃｃ−ｄ層が、前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレート上でエピタキシャル成長し、かつ（１１０）結晶質のテクスチャを有し、また前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートの少なくとも１つの結晶粒子がその上に２以上４以下の優勢な（１１０）配向バリアントをエピタキシャル成長させる請求項１記載の磁性体構造。
【請求項９】
（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートを提供する第２の層をさらに含み、前記第２の層が磁性である請求項１記載の磁性体構造。
【請求項１０】
第２の非磁性ｂｃｃ−ｄ層をさらに含む請求項１記載の磁性体構造。
【請求項１１】
第２の磁性ｂｃｃ−ｄ層をさらに含む請求項１記載の磁性体構造。
【請求項１２】
第２のｂｃｃ−ｄ層をさらに含み、第２のｂｃｃ−ｄ層の結晶配向が前記ｂｃｃ−ｄ層によってエピタキシャルに決定される請求項１記載の磁性体構造。
【請求項１３】
第２のｂｃｃ−ｄ層と、
（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートを提供する第２の層をさらに含み、（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートを提供する前記第２の層が前記ｂｃｃ−ｄ層のあいだに配置される請求項１記載の磁性体構造。
【請求項１４】
第２の磁性ｂｃｃ−ｄ層、および、
前記ｂｃｃ−ｄ層間に少なくとも１つの酸化層
とをさらに含む請求項１記載の磁性体構造。
【請求項１５】
第２および第３の非磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
第４の磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
前記第２のｂｃｃ−ｄ層と前記第３のｂｃｃ−ｄ層とのあいだに少なくとも１つの酸化層とをさらに含み、前記第２および第３のｂｃｃ−ｄ層が前記第１および第４のｂｃｃ−ｄ層のあいだに配置される請求項１記載の磁性体構造。
【請求項１６】
第２の磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
前記ｂｃｃ−ｄ層間に第２の（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレート層と、
前記ｂｃｃ−ｄ層間に少なくとも１つの酸化層
とをさらに含む請求項１記載の磁性体構造。
【請求項１７】
一軸対称性の破壊された構造を形成する前記ｂｃｃ−ｄ層が、ＦｅまたはＦｅＣｏあるいはＦｅまたはＦｅＣｏの合金から構成される請求項１記載の磁性体構造。
【請求項１８】
一軸対称性の破壊された構造を形成する前記ｂｃｃ−ｄ層が、１以上の元素Ａｌ、Ｂ、Ｃｒ、Ｃ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖ、Ｓｉ、ＴａおよびＴｉを含むＦｅまたはＦｅＣｏの合金から構成される請求項１記載の磁性体構造。
【請求項１９】
前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートを形成する層材料が、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、ｆｃｃ−Ｃｏ、ｆｃｃ−ＣｏＣｒ、Ｉｒ、Ｎｉ、ＮｉＦｅ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、ｈｃｐ−Ｃｏ、Ｇｄ、ＲｅＲｕ、Ｔｂ、Ｔｉ、または少なくとも１つの元素と組合せたこれらの材料のうちの１種の合金から構成される請求項１記載の磁性体構造。
【請求項２０】
第２の磁性ｂｃｃ−ｄ層をさらに含み、ｂｃｃ−ｄ層が異符号の磁気異方性エネルギー密度定数を有する請求項１記載の磁性体構造。
【請求項２１】
カップリング層と、
第２の磁性ｂｃｃ−ｄ層
とをさらに含み、カップリング層材料がｂｃｃ−ｄ層と反強磁性結合する請求項１記載の磁性体構造。
【請求項２２】
第２の磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
磁性ｂｃｃ−ｄ層間に配置される第３のｂｃｃ−ｄ層
とをさらに含む請求項１記載の磁性体構造。
【請求項２３】
第２の磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
第２の（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレート層
とをさらに含み、前記第２の（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートが前記ｂｃｃ−ｄ層のあいだに配置される請求項１記載の磁性体構造。
【請求項２４】
少なくとも１つの磁性ｈｃｐＣｏ合金層をさらに含む請求項１記載の磁性体構造。
【請求項２５】
少なくとも１つの磁性ｈｃｐＣｏ合金層をさらに含み、前記ｈｃｐＣｏ合金が（１０１１）結晶質のテクスチャを有する請求項１記載の磁性体構造。
【請求項２６】
前記基板が（１１１）結晶質のテクスチャ加工を施した単結晶であり、
前記単結晶の表面が、前記基板のバルクと少なくとも１つの前記ｂｃｃ−ｄ層とのあいだに配置された（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートを提供する層を提供する請求項１記載の磁性体構造。
【請求項２７】
基板と、
一軸対称性の破壊された構造を形成する少なくとも１つの磁性ｂｃｃ−ｄ層と、
前記基板と前記ｂｃｃ−ｄ層とのあいだに配置された（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートを提供する少なくとも１つの層
とを含んでなる、磁性体構造を組み込んだ磁気デバイス。
【請求項２８】
デバイスが磁気データ保存システムである請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項２９】
デバイスがデータ保存磁気記録変換器である請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項３０】
デバイスが、異方性磁気抵抗センサ、スピンバルブ磁気抵抗センサ、磁気トンネルジャンクション磁気抵抗センサ、およびデータ保存磁気再生変換器のうちの少なくとも１つである請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項３１】
デバイスが、データ保存磁気記録媒体、有向性軟磁性層を組み込んだデータ保存磁気記録媒体、および有向性硬磁性層を組み込んでいるデータ保存磁気記録媒体のうちの少なくとも１つである請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項３２】
デバイスがデータ保存磁気ランダムアクセスメモリーである請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項３３】
デバイスが、物品監視タグ、物品識別タグ、磁気弾性物品タグ、磁気弾性複数調波発生性物品タグ、非リニア応答性複数調波発生性物品タグのうちの少なくとも１つである請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項３４】
デバイスが、電子回路誘導構成要素および電子回路誘導変圧器構成要素のうちの少なくとも１つである請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項３５】
デバイスが信号合成電子回路構成要素である請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項３６】
デバイスがフラックスゲート磁気センサである請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項３７】
デバイスが、電子スピントランスポートデジタル論理回路構成要素および電子スピントランスポートアナログ回路構成要素のうちの少なくとも１つである請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項３８】
少なくとも１つの硬磁性層をさらに含み、
一軸対称性の破壊された構造を形成する少なくとも１つの前記磁性ｂｃｃ−ｄ層が、前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートと少なくとも１つの硬磁性層とのあいだに配置される請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項３９】
少なくとも１つの硬磁性層をさらに含み、
少なくとも１つの前記硬磁性層が、前記基板と少なくとも１つの前記ｂｃｃ−ｄ層とのあいだに配置される請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項４０】
少なくとも１つの硬磁性記録層をさらに含み、
一軸対称性の破壊された構造を形成する少なくとも１つの前記磁性ｂｃｃ−ｄ層が、前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートと少なくとも１つの硬磁性記録層とのあいだに配置され、軟磁性キーパー層として機能する請求項２７記載の磁気デバイス。
【請求項４１】
少なくとも１つの前記硬磁性記録層が基板に対して垂直な好ましい磁場配向を有する請求項４０記載の磁気デバイス。
【請求項４２】
対称性破壊処理機構と、
一軸対称性の破壊された構造を形成する少なくとも１つの磁性ｂｃｃ−ｄ層を、前記ｂｃｃ−ｄ層に（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートを提供する少なくとも１つの層を有する基板上に蒸着するための手段
とを含む、磁性体構造を形成する装置。
【請求項４３】
前記対称性破壊処理機構が、前記基板に沿って方向付けられる少なくとも１つの印加磁界であり、蒸着の際に選択された入射角で前記ｂｃｃ−ｄ層の物質を前記基板へ供給する手段である請求項４２記載の装置。
【請求項４４】
前記基板がディスクであり、前記ディスクの内部記録径よりも小さい径のロッド型スパッタリングターゲットと、
前記ロッド型スパッタリングターゲットを取り巻くシールドおよび永久磁石構造と、
前記ロッド型スパッタリングターゲットと前記シールドとのあいだのガス経路と、
前記ロッド型スパッタリングターゲットの一方の端部付近のガス出口
とを含み、装置が真空蒸着される物質を前記ロッド型スパッタリングターゲットの端部表面付近から入射角で、前記ディスクに対して概ねラジアル方向で対称的に供給する請求項４２記載の装置。
【請求項４５】
前記対称性破壊処理機構が、前記ロッド型スパッタリングターゲットおよび前記ディスクを、真空蒸着される前記物質を前記ディスクに対して１５〜７５度のあいだの入射角で供給するように配置することを含む請求項４４記載の装置。
【請求項４６】
前記対称性破壊処理機構が前記基板に沿って方向付けられる印加磁界を含む請求項４２記載の装置。
【請求項４７】
（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートを提供すること、および、
一軸対称性の破壊された構造を形成する少なくとも１つの磁性ｂｃｃ−ｄ層を提供すること
を含んでなる、磁性体構造の製造方法。
【請求項４８】
少なくとも１つの対称性破壊機構を用いながらｂｃｃ−ｄ層が前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレート上に蒸着される請求項４７記載の方法。
【請求項４９】
少なくとも１つの対称性破壊機構を用いて、前記ｂｃｃ−ｄ層が、前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレート上でエピタキシャル成長し、得られた前記ｂｃｃ−ｄ層が（１１０）結晶質のテクスチャを有し、また前記の（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートの少なくとも１つの結晶粒子がその上で２以上４以下の優勢な（１１０）配向バリアントをエピタキシャル成長させる請求項４７記載の方法。
【請求項５０】
少なくとも１つの前記の優勢な（１１０）配向バリアントが、前記テクスチャの平面中で、テンプレート平面中の前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートの＜１１０＞方向に対して約＋５．２６または−５．２６度の＜１１１＞結晶方向を有する請求項４９記載の方法。
【請求項５１】
前記対称性破壊機構が、１５〜７５度のあいだの入射角での前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレート上への前記ｂｃｃ−ｄ層の蒸着である請求項４８記載の方法。
【請求項５２】
前記入射角が、前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートの＜１１０＞方向に沿って概ね方向付けられる請求項５１記載の方法。
【請求項５３】
前記対称性破壊機構が、前記テンプレートに印加された磁界における、前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレート上への前記ｂｃｃ−ｄ層の蒸着である請求項４８記載の方法。
【請求項５４】
前記印加磁場が、前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートの＜１１２＞方向に沿って概ね方向付けられる請求項５３記載の方法。
【請求項５５】
前記印加磁場が、前記（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートの＜１１１＞方向に沿って概ね方向付けられる請求項５３記載の方法。
【請求項５６】
前記印加磁場の大きさが１０Ｏｅ以上である請求項５３記載の方法。
【請求項５７】
第２のｂｃｃ−ｄ層を提供することをさらに含む請求項４７記載の方法。
【請求項５８】
前記ｂｃｃ−ｄ層が異符号の磁気異方性エネルギー密度定数を有する請求項５７記載の方法。
【請求項５９】
前記ｂｃｃ−ｄ層が同符号の磁気異方性エネルギー密度定数を有する請求項５７記載の方法。
【請求項６０】
ｂｃｃ−ｄ層のあいだに少なくとも１つの酸化層を提供して電気絶縁境界を形成することをさらに含む請求項５７、５８または５９記載の方法。
【請求項６１】
前記ｂｃｃ−ｄ層のあいだに少なくとも１つの第２の（１１１）テクスチャ加工を施した六方晶原子テンプレートを提供することをさらに含む請求項５７記載の方法。