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【手続補正書】
【提出日】平成17年4月12日(2005.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分が、酸化鉄の含有量が６０〜８５ｍｏｌ％、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、０を含まず）および残部が酸化マンガンから成り、さらに添加物として少なくともＣａ、Ｓｉ、Ｔａを含み、
測定磁界が１０００Ａ／ｍにおいて、１００℃での飽和磁束密度が４５０ｍＴ以上であり、数１で決まる２０℃での飽和磁束密度に対する１００℃での飽和磁束密度の変化率が１５％以下であることを特徴とする高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体。
【数１】
1999329822.tif 000001
【請求項２】
前記添加物を酸化物として、それぞれ０．２ｗｔ％以下含むことを特徴とする請求項１に記載の高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体。
【請求項３】
焼結密度が、４７３０ｋｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体。
【請求項４】
主成分が、酸化鉄の含有量が６５〜８０ｍｏｌ％、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、０を含まず）および残部が酸化マンガンから成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体。
【請求項５】
焼成工程において、焼成温度を１１５０℃以上１３５０℃以下とし、前記焼成温度で温度保持する際の酸素濃度を１％以下としたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体。
【請求項６】
前記焼成工程の前工程として、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マンガンを混合した後、窒素雰囲気で仮焼成を行うことを特徴とする請求項５に記載の高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体を用いて作製したことを特徴とするチョークコイル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、主成分が、酸化鉄の含有量が６０〜８５ｍｏｌ％、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、０を含まず）および残部が酸化マンガンから成り、さらに添加物として少なくともＣａ、Ｓｉ、Ｔａを含み、
測定磁界が１０００Ａ／ｍにおいて、１００℃での飽和磁束密度が４５０ｍＴ以上であり、数１で決まる２０℃での飽和磁束密度に対する１００℃での飽和磁束密度の変化率が１５％以下であることを特徴とする高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体である。
【数１】
1999329822.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明は、前記添加物を酸化物として、それぞれ０．２ｗｔ％以下含むことを特徴とする高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明は、焼結密度が、４７３０ｋｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また本発明は、主成分が、酸化鉄の含有量が６５〜８０ｍｏｌ％、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、０を含まず）および残部が酸化マンガンから成ることを特徴とする高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明においては、焼成工程において、焼成温度を１１５０℃以上１３５０℃以下とし、前記焼成温度で温度保持する際の酸素濃度を１％以下とするのが好ましい。
そして、前記焼成工程の前工程として、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マンガンを混合した後、窒素雰囲気で仮焼成を行うのが更に好ましい。仮焼成を窒素中で行うと、飽和磁束密度はさらに向上する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明は、前記高温度高飽和磁束密度フェライト焼結体を用いて作製したチョークコイルである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このフェライトの主成分組成としては、酸化鉄の含有量が６０〜８５ｍｏｌ％、酸化亜鉛の含有量が０〜２０ｍｏｌ％（ただし、０を含まず）および残部が酸化マンガンであることが好適である。酸化鉄の含有量が６０ｍｏｌ％未満であると、高温における飽和磁束密度が低下し、飽和磁束密度の変化率が大きくなってしまう。また、酸化鉄の含有量が８５ｍｏｌ％を越えると、焼結密度が低くなり、結果として、透磁率および飽和磁束密度が低くなってしまう。よって、酸化鉄の含有量は６０〜８５ｍｏｌ％が良い。好ましくは、６５〜８０ｍｏｌ％である。また、酸化亜鉛の含有量が２０ｍｏｌ％を越えても、飽和磁束密度の変化率が大きくなってしまう。よって、酸化亜鉛の含有量は０〜２０ｍｏｌ％（ただし、０を含まず）が良い。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
垂直磁化磁石３０間に水平磁化磁石３１を入れた後、図５に示すごとく、櫛状固定部材２０上面と櫛状治具４０との空間を利用して、小固定部材２２を水平方向から挿入配置して、櫛状治具４０の大径の孔４２よりねじ２３でねじ止めすることにより、垂直磁化磁石３０と水平磁化磁石３１の磁石端を上面より押圧固着することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明において、上述のごとく配列、固着を完了した磁石列は、要求される構成に応じて、１対あるいは複数対用いて、所要の垂直支柱等に種々の機械的支持機構を介して配置することにより、公知の種々の構成からなる偏光発生装置を製作できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
この発明よる磁石列の斜視説明図である。
【図２】
この発明よる磁石列の分解、組立構成を示す斜視説明図である。
【図３】
この発明よる磁石列において、垂直磁化磁石を配列した状態を示す斜視説明図である。
【図４】
この発明よる櫛状治具の斜視説明図である。
【図５】
この発明よる磁石列の組立時の縦断説明図である。
【図６】
従来の磁石列の要部を示す斜視説明図である。
【図７】
Ａは従来の他の磁石列を示す斜視説明図であり、Ｂは磁石端部の要部を示す斜視説明図であり、Ｃはクランプ材の裏面を示す斜視説明図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第一電極と、少なくとも有機化合物からなる発光層を含み前記第一電極上に形成された薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極が存在し、基板前方にシャドーマスクを配置した状態で基板上に電極材料を蒸着せしめることにより第二電極をパターニングする有機電界発光素子の製造方法であって、前記第二電極形成時における基板表面温度が０℃以上１００℃以下であり、かつ、蒸着源を放熱防止体で覆い、前記放熱防止体に設けられた開口部から第二電極材料を蒸着せしめることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２】
第二電極形成時における基板表面温度が０℃以上６０℃以下であることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３】
第二電極材料としてＡｌを主成分とする金属を用いることを特徴とする請求項１または２記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
第一電極を横方向に間隔をあけて配置された複数のストライプ状電極にパターニングして、かつ、第二電極を横方向に間隔をあけて配置された前記第一電極に対して交差する複数のストライプ状電極にパターニングすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の有機電界発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、基板上に形成された第一電極と、少なくとも有機化合物からなる発光層を含み前記第一電極上に形成された薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極が存在し、基板前方にシャドーマスクを配置した状態で基板上に電極材料を蒸着せしめることにより第二電極をパターニングする有機電界発光素子の製造方法であって、前記第二電極形成時における基板表面温度が０℃以上１００℃以下であり、かつ、蒸着源を放熱防止体で覆い、前記放熱防止体に設けられた開口部から第二電極材料を蒸着せしめることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記以外にも、例えば、基板や蒸着源付近に冷却あるいは放熱機能を付加したり、蒸着源と基板との距離を離したり、熱的に黒色の物質を利用するなどして蒸着装置内部での熱吸収量を高めるなどして、基板表面への到達熱量を少なくしてもよい。また、蒸着を間欠的に行うことで温度上昇を抑制したり、蒸着物反射板を用いたり蒸着物をイオン化してから電磁気的作用を利用するなどして蒸着物を非直線的に基板表面に導くことで、蒸着源から基板表面への直接的熱放射をなくすこともできる。スパッタリング法の場合には、基板に電子あるいはイオンの基板が入射することによる温度上昇を抑制するために、スパッタイオン（プラズマ）発生源と基板とを分離することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
Ａｌ蒸着源にはアルミナ製ルツボを用い、Ｗ製バスケット型ヒーターによる抵抗線加熱方式で蒸着した。蒸着源からの放射熱量抑制対策として、このルツボの側面および底面付近をアルミナ製の炉体で覆った。蒸着に必要な電流値は約４２Ａであった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月27日(2005.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、光源からの光をライトガイドに集光させるための集光光学系とを少なくとも含み、光源の輝点位置がライトガイドの径に対して点灯初期に集光光量が最大になる位置よりも経時変化で輝点が移動する方向とは逆方向にずらして配置したことを特徴とするライトガイド照明装置。
【請求項２】
放電型の光源と、光源からの光をライトガイドに集光させるための集光光学系とを少なくとも備えており、任意の集光光学系と光軸との交点を原点とした座標系をとったときに、任意の一つの径のライトガイドに最大光量を与える一方の位置ベクトルをＰM（Ｄ）、任意の時間後の電極の位置ベクトルをＰｔ（Ｄ）としたとき、初期状態の電極の位置ベクトルＰｏ（Ｄ）が下記条件（１）を満足することを特徴とするライトガイド照明装置。
（１）    ＰO（Ｄ）＝ＰM（Ｄ）＋δ［｛ＰO（Ｄ）−Ｐt（Ｄ）｝／２］
０．５≦δ≦１．５
但し、δは初期光量と経時変化後の光量との相関関係を規定する係数である。
【請求項３】
特許請求の範囲の請求項１に記載する光学装置で、光源の近傍に配置された反射鏡を有し、経時変化により光源の電極の消耗量の１／２だけ輝点位置を反射鏡側に近づけたことを特徴とするライトガイド照明装置。
【請求項４】
特許請求の範囲の請求項２に記載する光学装置で、光源が交流点灯式であり、光源の電極のいずれか一方が条件（１）を満足することを特徴とするライトガイド照明装置。
【請求項５】
放電型の光源と、光源の後方に配置された放物面反射鏡とよりなるランプと、ランプからの放射光をライトガイドに集光するための少なくとも１枚のレンズよりなる集光レンズ群とからなり、下記の条件（２）、（３）、（４）を満足することを特徴とする照明装置。
（２）  ３ｍｍ≦ｆ1≦４ｍｍ
（３）  ０．８≦ｓｉｎ（ｔａｎ-1（ＤS／ｆS×０．５）／ＮＡ≦１．２
（４）  ０≦Ｂ≦０．２
【請求項６】
特許請求の範囲の請求項１又は２に記載する照明装置で、集光光学系として光源の後方に設置した楕円面反射鏡を設けたことを特徴とするライトガイド照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図６は、放電タイプの直流点灯の場合の電極間における輝度分布を示すもので、この図より明らかなように陽極（アーノード）１１に比べて陰極（カソード）１２近傍の方が輝度が高く、図６における斜線部の陰極の近傍がホットスポットにあたる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
又、本発明のライトガイド照明装置（第３の構成）は、放電型の光源と、この光源からの光をライトガイドの入射端面に集光させるための集光光学系とを含んでいて、次の条件（１）を満足することを特徴としている。
（１）    ＰO（Ｄ）＝ＰM（Ｄ）＋δ［｛ＰO（Ｄ）−Ｐt（Ｄ）｝／２］
０．５≦δ≦１．５
ただし、ＰO（Ｄ）、ＰM（Ｄ）、Ｐt（Ｄ）はいずれも任意の集光光学系と光軸との交点を原点とした座標系における位置ベクトルで、ＰO（Ｄ）は初期状態の位置ベクトル、ＰM（Ｄ）は任意の径Ｄのライトガイドに最大光量を与える一方の電極の位置ベクトル、Ｐt（Ｄ）は任意時間ｔ経過後の上記電極の位置ベクトルである。また、δは初期光量と経時変化後の光量との相関関係を規定する係数である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ここで、本発明の第３の構成のように反射鏡と光軸との交点を原点とし、任意の直径がＤのライトガイドに対し最適化されたホットスポットの位置ベクトルをＰM（Ｄ）とし、任意の時間例えばランプの保証期間経過後のホットスポットの位置ベクトルをＰt（Ｄ）とすると、本発明の照明装置におけるホットスポット位置のベクトルＰO（Ｄ）が下記条件を満足するように、初期光量と経時変化による光量劣化の制御の程度を規定すれば、本発明の目的を達成し得るので望ましい。
ＰO（Ｄ）＝ＰM（Ｄ）＋δ［｛ＰO（Ｄ）−Ｐt（Ｄ）｝／２］
０．５≦δ≦１．５
但し、δは初期光量と経時変化後の光量との相関関係を規定する係数である。
上記式の右辺の｛ＰO（Ｄ）−Ｐt（Ｄ）｝／２は経時変化によるホットスポットの移動量の半分の量を表わし、そのベクトルの方向は、経時変化によるホットスポットの移動方向に対して逆の方向を示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図２は、本発明の照明装置の第２の実施の形態を示す図である。この実施の形態は、ライトガイドの前面に三つのレンズよりなる集光レンズ群５を設けた点で、第１の実施の形態の照明装置と相違している。そして、この集光レンズの最終集光レンズからの出射光線の開口数ＮＡ1とライトガイドの開口数ＮＡ2との関係が下記のようになるように設定されている。
ＮＡ1＞ＮＡ2
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
条件（４）は放電型光源の陰極先端位置を規定するもので、条件（４）において下限を超えると、経時変化後の光量ロスは小さくなるが、細径のライトガイドにおいて十分な初期光量は得られない。又条件（４）において、上限を超えると経時変化による光量ロスが大きくなってしまい、本発明の目的を達成できない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第１圧接部２１と第２圧接部２２とは、平行であり、これらの第１・第２圧接部２１，２２のそれぞれの外面３１，３２間の距離、即ち、幅をｗとする。
また、第３圧接部２３と第４圧接部２４とは、同じく平行であり、これらの第３・第４圧接部２３，２４のそれぞれの外面３３，３４間の距離、即ち、幅をｗ（図示せず）とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
スロット部２６は、それぞれ開口側から順に、縦向き電線３ｄをガイドするための第１傾斜部３５，３５（片側は省略）と、絶縁被覆３ｎを剥がすためのエッジ部３６，３６（片側は省略）と、導体３ｍの素線を圧縮及び再配列させる第２傾斜部３７，３７（片側は省略）と、エッジ部３６，３６の被覆剥離の効果を高めるために第１傾斜部３５，３５及び第２傾斜部３７，３７の外側面に形成した面取り部３８，３８と、導体３ｍに押し付けて圧接保持するための刃部４１，４１（片側は省略）と、スロット部２６に縦向き電線３ｄを押し込んだときに応力の集中を防ぐアール部４２とからなる。
スロット部２７，２８，２９は、スロット部２６と同一形状であり、説明を省略する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
即ち、圧接形コネクタ５ｃの横方向位置を、圧接形コネクタ５ａと圧接形コネクタ５ｂとの中央に配置した。換言すると、圧接形コネクタ５ａ，５ｂ間の横方向ピッチ（電線３ｄ，３ｆ間のピッチに等しい）ｐに対して、圧接形コネクタ５ａ，５ｃ間の横方向ピッチを０．５ｐにした。
また、圧接形コネクタ５ｃ，５ｄ間の横方向ピッチをｐにするとともに、圧接形コネクタ５ｃ，５ｄの縦方向ピッチを０．５ｐにした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
1999329657.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
しかしながらターンオフを高速化した結果、ターンオン動作も早くなり、従来例の駆動回路にて対応した場合、スパイク電流のピーク値が非常に高くなり過大な電流耐量が必要になるという不具合が発生する。またこれを対策しようと充電抵抗をさらに大きくすると、ターンオンが緩やかになりスパイク電流のピーク値は低減されるが、図７（ａ）、（ｂ）のような鉄鍋の動作においてターンオン直後ゲートの電圧がスレッショールド電圧付近から上がってこないためコレクタ−エミッタ間電圧が持ち上がり過大な損失が発生することになり、スイッチング素子の高速化を活かし切れない構成となっていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999329697.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1999329697.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ここで、重要なのは、エピタキシャル層である、半導体領域５の下地となるエピタキシャル層３の表面部には選択的にｐ型ウェル層４が形成され、また、半導体領域５にも各種半導体領域６〜９、１４が形成され、上記ｐ型ウェル層４と、半導体領域６〜９、１４との間には所定の精度での位置関係が必要であると共に、半導体領域６〜９、１４間における位置関係を相当に高い精度で制御する必要ある。そして、従来においてその位置関係をどのように制御していたかといえば、半導体基板にウェーハアライメントマークを形成し、その後は、そのウェーハアライメントマークを指標として各種半導体領域４、６〜９、１４を形成する際（マスク合わせ）毎にウェーハアライメントを行っていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（Ｃ）次に、図１（Ｃ）に示すように、半導体基板２１上にエピタキシャル層２４を形成する。該エピタキシャル層２４の表面には半導体基板２１表面部のウェーハアライメントマーク２２を反映する凹状のウェーハアライメントマーク２５が生じる。このウェーハアライメントマーク２５は半導体基板２１表面部のウェーハアライメントマーク２２を反映してできるものであるが、位置ずれ、ダレが生じることがあることは前述の通りである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、複数の、昇華再結晶法により形成された島状のＧａＮ系結晶と、その上に形成されたＧａＮ系結晶連続膜とを有する、結晶基板。
【請求項２】
アンモニアを含む雰囲気中で、Ｇａを含む原料を昇華させて、複数の開口部を有するＧａＮ系結晶の成長を抑制する膜が表面に設けられた基体上の、該開口部に、ＧａＮ系化合物を選択的に結晶化させることにより、基体上に、複数の島状のＧａＮ系結晶を得る第１の結晶成長工程と、
該基体上に、該複数の島状のＧａＮ系結晶を成長核として、ＧａＮ系結晶を形成することにより、ＧａＮ系結晶の連続膜を得る第２の結晶成長工程とを含むことを特徴とする、ＧａＮ系結晶膜の製造方法。
【請求項３】
前記基体は、ＧａＮ系結晶成長用基板と、その上面にＧａＮ系化合物のエピタキシャル成長結晶膜とを有することを特徴とする、請求項２に記載のＧａＮ系結晶膜の製造方法。
【請求項４】
前記基体は、ＧａＮ系結晶成長用基板と、その上面にＧａＮ系化合物、ＡｌＮ系化合物、ＺｎＯ系化合物のいずれかの多結晶膜を有することを特徴とする、請求項２に記載のＧａＮ系結晶膜の製造方法。
【請求項５】
前記基体は、サファイアを有することを特徴とする、請求項２に記載のＧａＮ系結晶膜の製造方法。
【請求項６】
多層構造からなり、複数の開口部を有するＧａＮ系結晶の成長を抑制する膜が表面に設けられた基体上の、該開口部に、ＧａＮ系化合物を選択的に結晶化させることにより、基体上に、複数の島状のＧａＮ系結晶を得る第１の結晶成長工程と、
次に、該多層構造からなるＧａＮ系結晶の成長を抑制する膜のうち、最下層を残して、上層を除去する工程と、その後、該基体上に、該複数の島状のＧａＮ系結晶を成長核として、ＧａＮ系結晶を形成することにより、ＧａＮ系結晶の連続膜を得る第２の結晶成長工程とを含むことを特徴とする、ＧａＮ系結晶膜の製造方法。
【請求項７】
複数の開口部を有する、ＧaＮ系結晶の成長を抑制する膜が表面に設けられた基体上の、該開口部に、ＧａＮ系化合物を選択的に結晶化させることにより、基体上に複数の、該基体に垂直な面が発達する、島状のＧａＮ系結晶を得る第１の結晶成長工程と、
該基体上に、該複数の島状のＧａＮ系結晶を成長核として、ＧａＮ系結晶を形成することにより、ＧａＮ系結晶の連続膜を得る第２の結晶成長工程とを含むことを特徴とする、ＧａＮ系結晶膜の製造方法。
【請求項８】
前記基体に垂直な面は、（１１−２０）面または（１−１００）面であることを特徴とする請求項７に記載のＧａＮ系結晶膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明はまた、アンモニアを含む雰囲気中で、Ｇａを含む原料を昇華させて、複数の開口部を有するＧａＮ系結晶の成長を抑制する膜が表面に設けられた基体上の、該開口部に、ＧａＮ系化合物を選択的に結晶化させることにより、基体上に、複数の島状のＧａＮ系結晶を得る第１の結晶成長工程と、該基体上に、該複数の島状のＧａＮ系結晶を成長核として、ＧａＮ系結晶を形成することにより、ＧａＮ系結晶の連続膜を得る第２の結晶成長工程とを含むことを特徴とする、ＧａＮ系結晶膜の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側に熱融着層を有する外被包材を用いて正極、負極を含む電池部材を収納し、前記熱融着層を熱融着して密封した偏平薄型電池において、前記正極および／または負極の集電体と導電材料からなるリードとを電気的に接続し、該リード部の厚みが外被包材内側の熱融着層厚みの２０〜１９５％とすることを特徴とした偏平薄型電池。
【請求項２】
外被包材を用いて正極、負極を含む電池部材を収納し、前記正極および／または負極の集電体と導電材料からなるリードとを電気的に接続し、かつ前記外被包材に集電用開口部を設け、そこに外部端子も兼ねたリードを熱融着した偏平薄型電池において、前記リード部の厚みが外被包材内側の熱融着層厚みの２０〜９８％とすることを特徴とした偏平薄型電池。
【請求項３】
前記集電用の開口部が正極および負極のいずれの電極面上にもかからない位置に設けられている請求項２記載の偏平薄型電池。
【請求項４】
外被包材を用いて正極、負極を含む電池部材を収納し、該外被包材を接着剤によって接着して密封した偏平薄型電池において、正極および／または負極の集電体と導電材料からなるリードとを電気的に接続し、該リード部の厚みが２０〜１００μｍであることを特徴とした偏平薄型電池。
【請求項５】
前記リード部の厚みが２０〜９０μｍであることを特徴とした請求項４に記載の偏平薄型電池。
【請求項６】
正極側に電気的に接続する電極端子の材質がアルミニウム９５％以上、９９．５％以下のアルミニウム合金であることを特徴とした請求項１〜５のいずれかに記載の偏平薄型電池。
【請求項７】
負極側に電気的に接続する電極端子の材質がステンレスであることを特徴とした請求項１〜６のいずれかに記載の偏平薄型電池。
【請求項８】
熱融着もしくは接着によって密封される部分のリード端部の厚みが、もとの厚みよりも薄い厚みである請求項１〜７のいずれかに記載の偏平薄型電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外囲器と、前記外囲器の内面に固着させた半導体チップと、前記半導体チップにマトリクス状に形成されて個々に駆動される蛍光体層を備えた複数個の陽極と、前記外囲器の内部において前記半導体チップの上方に設けられたフィラメント状の陰極とを有するアクティブマトリクス駆動蛍光表示管において、
前記半導体チップの端面を絶縁性材料で覆ったことを特徴とするアクティブマトリクス駆動蛍光表示管。
【請求項２】
基板を有する外囲器と、前記外囲器の基板の表面に固着させた半導体チップと、前記半導体チップにマトリクス状に形成されて選択的に駆動されるスイッチング素子と、前記各スイッチング素子に設けられた蛍光体層を有する陽極と、前記半導体チップにおいて前記各陽極の間に形成された制御電極と、前記外囲器の内部において前記半導体チップの上方に設けられた金属酸化物からなる電子放出物質層を備えたフィラメント状の陰極とを有するアクティブマトリクス駆動蛍光表示管において、
前記半導体チップの切断面を絶縁性材料で覆ったことを特徴とするアクティブマトリクス駆動蛍光表示管。
【請求項３】
前記絶縁性材料が、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、有機金属、フリットガラスからなる群から選択された物質の微粉末である請求項１又は２記載のアクティブマトリクス駆動蛍光表示管。
【請求項４】
前記半導体チップの上面の外縁に近い部分の一部には前記陽極及び前記スイッチング素子以外の電子素子が形成されており、前記絶縁性材料は前記電子素子に近い切断面以外の切断面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２又は３記載のアクティブマトリクス駆動蛍光表示管。
【請求項５】
前記半導体チップがシリコンウエハーであり、該シリコンウエハーの上面には、各陽極間に格子状に平面状の制御電極を設けたことを特徴とする請求項１乃至４記載のアクティブマトリクス駆動蛍光表示管。
【請求項６】
基板を有する外囲器と、前記外囲器の基板の表面に固着させた半導体チップと、前記半導体チップの上面にマトリクス状に形成されて選択的に駆動される蛍光体層を備えた陽極と、前記外囲器の内部において前記半導体チップの上方に設けられたフィラメント状の陰極とを有するアクティブマトリクス駆動蛍光表示管の製造方法において、
前記基板の上に固着させた前記半導体チップの切断面に、絶縁性材料の微粉末を溶媒に分散した液を塗り、その後に前記基板を焼成することによって前記半導体チップの切断面を絶縁性材料で覆うことを特徴とするアクティブマトリクス駆動蛍光表示管の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載されたアクティブマトリクス駆動蛍光表示管（１）は、外囲器（４）と、前記外囲器の内面に固着させた半導体チップ（３）と、前記半導体チップにマトリクス状に形成されて個々に駆動される蛍光体層（９）を備えた複数個の陽極（２）と、前記外囲器の内部において前記半導体チップの上方に設けられたフィラメント状の陰極（１１）とを有するアクティブマトリクス駆動蛍光表示管において、前記半導体チップの端面（切断面１５）を絶縁性材料（１６）で覆ったことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に記載されたアクティブマトリクス駆動蛍光表示管（１）は、基板（５）を有する外囲器（４）と、前記外囲器の基板の内面に固着させた半導体チップ（３）と、前記半導体チップにマトリクス状に形成されて選択的に駆動されるスイッチング素子と、前記各スイッチング素子に設けられた蛍光体層（９）を有する陽極（２）と、前記半導体チップにおいて前記各陽極の間に形成された制御電極（１０）と、前記外囲器の内部において前記半導体チップの上方に設けられた金属酸化物からなる電子放出物質層（１３）を備えたフィラメント状の陰極（１１）とを有するアクティブマトリクス駆動蛍光表示管において、前記半導体チップの切断面（１５）を絶縁性材料（１６）で覆ったことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項５に記載されたアクティブマトリクス駆動蛍光表示管（１）は、請求項１乃至４記載のアクティブマトリクス駆動蛍光表示管（１）において、前記半導体チップがシリコンウエハー（３）であり、該シリコンウエハー（３）の上面には、各陽極（２）間に格子状に平面状の制御電極（１０）を設けたことを特徴としている。
請求項６に記載されたアクティブマトリクス駆動蛍光表示管（１）の製造方法は、基板（５）を有する外囲器（４）と、前記外囲器の基板の表面に固着させた半導体チップ（３）と、前記半導体チップの上面にマトリクス状に形成されて選択的に駆動される蛍光体層（９）を備えた陽極（２）と、前記外囲器の内部において前記半導体チップの上方に設けられたフィラメント状の陰極（１１）とを有するアクティブマトリクス駆動蛍光表示管の製造方法において、前記基板（５）の上に固着させた前記半導体チップ（３）の切断面（１５）に、絶縁性材料（１６）の微粉末を溶媒に分散した液を塗り、その後に前記基板（５）を焼成することによって前記半導体チップ（３）の切断面（１５）を絶縁性材料（１６）で覆うことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月8日(2005.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料ガスの供給を受けて電力を発生させる燃料電池を備えた燃料電池システムであって、
前記燃料電池から出力される電力によって駆動される電動機と、
該電動機の駆動を制御する電動機制御手段と、
をさらに備え、
前記電動機制御手段は、前記燃料電池の起動時に、前記電動機の駆動軸にトルクを生じさせることなく、前記電動機において前記燃料電池から出力される電力を消費させるように、前記電動機の駆動を制御することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
請求項１に記載の燃料電池システムにおいて、
前記燃料電池の内部温度を検出する温度検出手段をさらに備え、
前記電動機制御手段は、検出された前記内部温度に応じて、前記電動機において消費させる電力を変化させるように、前記電動機の駆動を制御することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項３】
請求項１に記載の燃料電池システムにおいて、
前記電動機に電力を供給して前記電動機を駆動させることが可能な二次電池と、
前記二次電池からの前記電動機への電力の供給を制御する二次電池電力供給制御手段と、
をさらに備え、
前記二次電池電力供給制御手段は、前記燃料電池の起動時に、前記二次電池からの前記電動機への電力の供給を遮断することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項４】
請求項１に記載の燃料電池システムにおいて、
前記電動機制御手段は、前記燃料電池の起動時に、前記電動機をｄ−ｑ軸モデルで表した場合における、ｑ軸巻線に流れる電流の値がほぼ０となり、前記ｄ軸巻線に流れる電流の値が０以上の所定の値となるように、前記電動機の駆動を制御することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項５】
請求項４に記載の燃料電池システムにおいて、
前記燃料電池の内部温度を検出する温度検出手段をさらに備え、
前記電動機制御手段は、検出された前記内部温度に応じて、前記ｄ軸巻線に流れる電流の値を変化させるように、前記電動機の駆動を制御することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項６】
請求項１に記載の燃料電池システムにおいて、
原燃料の供給を受けて前記燃料ガスを生成し、生成した該燃料ガスを前記燃料電池に供給する燃料ガス生成手段と、
該燃料ガス生成手段から前記燃料電池に供給される前記燃料ガスの流量を制御する流量制御手段と、
をさらに備え、
前記流量制御手段は、前記燃料電池の起動時に、前記燃料ガスの流量を所定の標準流量よりも多い量に増加させることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項７】
請求項６に記載の燃料電池システムにおいて、
前記燃料電池の内部温度を検出する温度検出手段をさらに備え、
前記流量制御手段は、検出された前記内部温度が所定の温度に達したら、前記燃料ガスの流量を前記標準流量に戻すことを特徴とする燃料電池システム。
【請求項８】
請求項１に記載の燃料電池システムを搭載した電気自動車であって、
前記電動機の駆動軸に発生するトルクを車軸に伝達することによって推進力を得ることを特徴とする電気自動車。
【請求項９】
燃料ガスの供給を受けて電力を発生させる燃料電池と、該燃料電池から出力される電力によって駆動される電動機と、を備えた燃料電池システムの起動を制御するための起動制御方法であって、
（ａ）前記燃料電池の起動を制御する工程と、
（ｂ）該燃料電池の起動時に、前記電動機の駆動軸にトルクを生じさせることなく、前記電動機において前記燃料電池から出力される電力を消費させるように、前記電動機の駆動を制御する工程と、
を備えた燃料電池システムの起動制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出素子と補償素子との電気抵抗値の差異に基づき被検出ガスを検出するガスセンサの制御装置であって、
前記検出素子と前記補償素子とが接続されてなる回路部に電力供給を行う電源と、
前記検出素子と前記補償素子との電気抵抗値の差異に基づいて前記電源から前記回路部への通電量を変更する通電量変更手段と
を備えることを特徴とするガスセンサの制御装置。
【請求項２】
前記ガスセンサは、前記検出素子の触媒に接触する前記被検出ガスの燃焼に応じて発生する前記検出素子の電気抵抗値と前記補償素子の電気抵抗値との差異に基づいてガス濃度を検出可能な接触燃焼式のガスセンサであって、
前記通電量変更手段は、前記回路部への前記通電量を、前記触媒の温度を前記触媒が所定の活性状態となるような温度にするために要する第１の通電量、または、前記第１の通電量よりも大きい通電量であって、前記触媒の温度を前記触媒が前記所定の活性状態よりも高い活性状態となるような温度にするために要する第２の通電量の少なくとも何れかに切り替えることを特徴とする請求項１に記載のガスセンサの制御装置。
【請求項３】
反応ガスとして、水素を燃料極へ供給し、酸素を酸素極へ供給し、電気化学反応によって発電する燃料電池を備え、
検出素子と補償素子との電気抵抗値の差異に基づき被検出ガスを検出するガスセンサを具備する燃料電池システムであって、
前記検出素子と前記補償素子とが接続されてなる回路部に電力供給を行う電源と、
前記燃料電池の作動状態に基づいて前記電源から前記回路部への通電量を変更する通電量変更手段と
を備えることを特徴とするガスセンサを具備する燃料電池システム。
【請求項４】
前記ガスセンサは、前記検出素子の触媒に接触する前記被検出ガスの燃焼に応じて発生する前記検出素子の電気抵抗値と前記補償素子の電気抵抗値との差異に基づいてガス濃度を検出可能な接触燃焼式のガスセンサであって、
前記通電量変更手段は、前記回路部への前記通電量を前記触媒の温度を前記触媒が所定の活性状態となるような温度にするために要する第１の通電量とし、前記燃料電池の作動状態が所定作動状態に到達した場合、あるいは、前記燃料電池の作動状態の変化が所定変化となる場合に、前記回路部への前記通電量を前記第１の通電量よりも大きい通電量であって、前記触媒の温度を前記触媒が前記所定の活性状態よりも高い活性状態となるような温度にするために要する第２の通電量へと切り替えることを特徴とする請求項３に記載のガスセンサを具備する燃料電池システム。
【請求項５】
反応ガスとして、水素を燃料極へ供給し、酸素を酸素極へ供給し、電気化学反応によって発電する燃料電池を動力源として備え、
検出素子と補償素子との電気抵抗値の差異に基づき被検出ガスを検出するガスセンサを具備する燃料電池車両であって、
前記検出素子と前記補償素子とが接続されてなる回路部に電力供給を行う電源と、
前記燃料電池車両の車両状態に基づいて前記電源から前記回路部への通電量を変更する通電量変更手段と
を備えることを特徴とするガスセンサを具備する燃料電池車両。
【請求項６】
前記ガスセンサは、前記検出素子の触媒に接触する前記被検出ガスの燃焼に応じて発生する前記検出素子の電気抵抗値と前記補償素子の電気抵抗値との差異に基づいてガス濃度を検出可能な接触燃焼式のガスセンサであって、
前記通電量変更手段は、前記回路部への前記通電量を、前記触媒の温度を前記触媒が所定の活性状態となるような温度にするために要する第１の通電量とし、前記燃料電池車両の車両状態が所定作動状態に到達した場合、あるいは、前記燃料電池車両の作動状態の変化が所定変化となる場合に、前記回路部への前記通電量を、前記第１の通電量よりも大きい通電量であって、前記触媒の温度を前記触媒が前記所定の活性状態よりも高い活性状態となるような温度にするために要する第２の通電量へと切り替えることを特徴とする請求項５に記載のガスセンサを具備する燃料電池車両。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決して係る目的を達成するために、請求項１に記載の本発明のガスセンサの制御装置は、検出素子（例えば、実施の形態での検出素子３１）と補償素子（例えば、実施の形態での温度補償素子３２）との電気抵抗値の差異に基づき被検出ガス（例えば、実施の形態での水素）を検出するガスセンサの制御装置（例えば、実施の形態でのガスセンサの制御装置１）であって、前記検出素子と前記補償素子とが接続されてなる回路部（例えば、実施の形態でのブリッジ回路）に電力供給を行う電源（例えば、実施の形態での電源４３）と、前記検出素子と前記補償素子との電気抵抗値の差異に基づいて前記電源から前記回路部への通電量を変更する通電量変更手段（例えば、実施の形態での基準電圧発生回路４４）とを備えることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのレンズとそのレンズを取り付けた少なくとも１つのレンズ枠と、少なくとも１つの鏡と、時計体とを有し、前記レンズ枠と前記時計体とは相互に開閉自在に軸着されていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項２】
請求項１に記載の携帯用装飾時計において、前記携帯用装飾時計は加飾蓋を有しており、前記加飾蓋は前記レンズ枠ならびに前記時計体と相互に開閉自在に軸着されていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項３】
請求項１または２に記載の携帯用装飾時計において、少なくとも１つの前記鏡は少なくとも１つの前記レンズに対向させることができるように配置されていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、前記レンズが凸レンズまたは凸レンズの機能を有するレンズであることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、前記レンズがフレネルレンズであることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、前記携帯用装飾時計がアクリルガラス等の合成樹脂からなるレンズを有することを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、前記携帯用装飾時計がサファイアガラス等の貴石からなるレンズを有することを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、前記鏡が前記時計体に配置されていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項９】
請求項８に記載の携帯用装飾時計において、前記鏡が前記時計体の裏蓋に取り付けられていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項１０】
請求項９に記載の携帯用装飾時計において、前記時計体の裏蓋の前記鏡が配置されている部分がその周囲よりも窪んでいる凹部として形成されていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項１１】
請求項１０に記載の携帯用装飾時計において、前記裏蓋の前記凹部でない部分が、前記時計体の裏蓋の着脱時に裏蓋開閉治具が前記鏡に触れることなく機能するように形成されていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項１２】
請求項１０に記載の携帯用装飾時計において、前記裏蓋の前記凹部でない部分に、前記裏蓋の着脱時に必要なビスを用いるスペースを擁していることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項１３】
請求項８〜１１に記載の携帯用装飾時計において、前記鏡の主要部分がサファイアガラス等の貴石で形成されていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項１４】
請求項９に記載の携帯用装飾時計において、前記鏡が前記時計体の裏蓋と一体形成されていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、前記携帯用装飾時計は前記鏡を少なくとも２個有することを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、前記携帯用装飾時計は前記レンズを少なくとも２個有することを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、少なくとも１つの前記鏡と少なくとも１つの前記レンズを引き出したときに、前記引き出した鏡と前記引き出したレンズとを重ねて使用することができるように前記鏡と前記レンズが取り付けられていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、少なくとも１つの前記鏡が前記加飾蓋の裏に配置されていることを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、前記時計体と少なくとも１つの前記レンズの少なくとも一方に加飾を施したことを特徴とする携帯用装飾時計。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の携帯用装飾時計において、少なくとも１つの前記レンズが凹レンズであることを特徴とする携帯用装飾時計。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月10日(2005.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板が対向配置されてマトリクス状に画素が構成された電気光学パネルに対する製造工程に起因する前記一対の基板同士の変形量のずれを計測するずれ量計測手段と、
前記ずれ量計測手段の計測結果に基づいて前記一対の基板のうちの一方の基板について前記マトリクス状の画素の各画素位置における補正値を求める補正値算出手段とを具備したことを特徴とする補正値算出装置。
【請求項２】
前記ずれ量計測手段は、前記製造工程の途中又は終了後に前記一対の基板に付したパターンの光学顕微鏡の観察像から前記変形量のずれを計測することを特徴とする請求項１に記載の補正値算出装置。
【請求項３】
前記ずれ量計測手段は、前記一対の基板の縁辺部の１カ所以上の位置において前記一対の基板同士の変形量のずれを計測し、
前記補正値算出手段は、前記一対の基板の中心位置を基準にして、中心位置からの距離に応じて補正値を求めることを特徴とする請求項１に記載の補正値算出装置。
【請求項４】
前記一対の基板の一方は、アクティブマトリクス素子を有する素子基板が複数形成されたマザー基板であり、他方は、１チップの対向基板であることを特徴とする請求項１に記載の補正値算出装置。
【請求項５】
前記一対の基板の一方は、アクティブマトリクス素子を有する１チップの素子基板であり、他方は、対向基板が複数形成されたマザー基板であることを特徴とする請求項１に記載の補正値算出装置。
【請求項６】
前記一対の基板の一方は、アクティブマトリクス素子を有する素子基板が複数形成された第１のマザー基板であり、他方は、対向基板が複数形成された第２のマザー基板であることを特徴とする請求項１に記載の補正値算出装置。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれか１つに記載の補正値算出装置によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を補正して形成したことを特徴とする基板。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１つに記載の補正値算出装置によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定する遮光膜、マイクロレンズ及びカラーフィルタのうちの少なくとも１つを補正して形成したことを特徴とする基板。
【請求項９】
前記遮光膜又は前記カラーフィルタに対する補正は、ピッチを前記補正値に基づいて変更するものであることを特徴とする請求項７又は８のいずれか一方に記載の基板。
【請求項１０】
前記マイクロレンズに対する補正は、レンズ中心座標同士のピッチ又はレンズの光学的中心座標同士のピッチを前記補正値に基づいて変更するものであることを特徴とする請求項８に記載の基板。
【請求項１１】
請求項１乃至６のいずれか１つに記載の補正値算出装置によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定するアクティブマトリクス素子のピッチを補正して形成したことを特徴とする基板。
【請求項１２】
前記アクティブマトリクス素子に対する補正は、開口領域の中心相互間のピッチ及び非画素領域を構成する配線同士のピッチを前記補正値に基づいて変更するものであることを特徴とする請求項１１に記載の基板。
【請求項１３】
マトリクス状に画素を形成するために補正されていない一対の基板を対向配置して貼り合わせる工程と、
貼り合わせた前記一対の基板に対する接着工程及び加熱工程終了後に、前記一対の基板同士の変形量のずれを計測するずれ量計測工程と、
前記ずれ量計測工程の計測結果に基づいて前記一対の基板のうちの一方の基板について前記マトリクス状の画素の各画素位置における補正値を求める補正値算出工程とを具備したことを特徴とする補正値算出方法。
【請求項１４】
前記ずれ量計測工程は、前記一対の基板に付したパターンを観察することで前記変形量のずれを計測することを特徴とする請求項１３に記載の補正値算出方法。
【請求項１５】
前記ずれ量計測工程は、前記一対の基板の縁辺部の１カ所以上の位置において前記一対の基板同士の変形量のずれを計測し、
前記補正値算出工程は、前記一対の基板の中心位置を基準にして、中心位置からの距離に応じて補正値を求めることを特徴とする請求項１３に記載の補正値算出方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５のいずれか１つに記載の補正値算出方法によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を補正して前記一対の基板のうちの一方の基板を形成することを特徴とする基板製造方法。
【請求項１７】
請求項１３乃至１５のいずれか１つに記載の補正値算出方法によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定する遮光膜、マイクロレンズ及びカラーフィルタのうちの少なくとも１つを補正して前記一対の基板のうちの一方の基板を形成することを特徴とする基板製造方法。
【請求項１８】
請求項１３乃至１５のいずれか１つに記載の補正値算出方法によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定するアクティブマトリクス素子のピッチを補正して前記一対の基板のうちの一方の基板を形成することを特徴とする基板製造方法。
【請求項１９】
前記請求項７若しくは８の基板又は前記請求項１６若しくは１７の基板製造方法によって製造された基板による対向基板と、
前記対向基板に対向配置して前記対向基板と共にマトリクス状に画素を構成する素子基板とを具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２０】
前記請求項１１の基板又は前記請求項１８の基板製造方法によって製造された基板による素子基板と、
前記素子基板に対向配置して前記素子基板と共にマトリクス状に画素を構成する対向基板とを具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２１】
前記請求項７若しくは８の基板又は前記請求項１６若しくは１７の基板製造方法によって製造された基板による対向基板と、
前記請求項１１の基板又は前記請求項１８の基板製造方法によって製造された基板による素子基板と、
を対向配置して構成したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２２】
前記対向基板及び素子基板は、前記補正値に基づく補正マークが設けられていることを特徴とする請求項１９乃至２１のいずれか１つに記載の電気光学装置。【請求項２３】
前記対向基板及び素子基板は、前記補正値に基づく補正マーク及び組ずれ確認用マークが設けられていることを特徴とする請求項１９乃至２１のいずれか１つに記載の電気光学装置。
【請求項２４】
前記対向基板及び素子基板に貼り付けられる第３の基板と、
前記第３の基板上に設けられ、前記補正値に基づいてピッチが補正された遮光膜とを更に具備したことを特徴とする請求項１９乃至２１のいずれか１つに記載の電気光学装置。
【請求項２５】
対向配置されてマトリクス状に画素が構成される一対の基板のうち少なくとも一方の基板の画素のピッチが周辺に向かって連続的に変化する基板同士を貼り合わせる工程と、
前記一対の基板に対する熱処理工程とを具備したことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項１９乃至２４のいずれか１つに記載の電気光学装置を画像形成手段として備えたことを特徴とする電子機器。