【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部端子接続用のアウターリードから延びて形成されているインナーリードが、半導体チップの回路形成面上に絶縁テープを介して接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、
前記インナーリードは前記アウターリードよりも肉厚の薄い薄肉部を有し、前記薄肉部において前記絶縁テープと接しており、
前記インナーリードは複数のインナーリードからなり、
任意の２つのインナーリードによって支持され他のインナーリードの先端に沿って配置されているバスバーを有し、
少なくとも前記バスバーのうち前記絶縁テープに接している固定部の厚みが、前記薄肉部の厚みと等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ボンディングワイヤが圧着される部分が、前記薄肉部の上面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記バスバーの前記固定部の上方を通過する前記ボンディングワイヤによって、前記インナーリードと前記ボンディングパッドとが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、
前記インナーリードの先端部の下面が一部切除されて切り欠き部が形成されており、
前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記切り欠き部に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記インナーリードの前記切り欠き部が形成されている部分の上面に前記ボンディングワイヤが圧着される部分が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記インナーリードは複数のインナーリードからなり、
任意の２つのインナーリードによって支持され他のインナーリードの先端に沿って配置されているバスバーを有し、
少なくとも前記バスバーのうち前記絶縁テープに接している固定部の厚みが、前記インナーリードの前記切り欠き部の厚みと等しいことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記バスバーの前記固定部の上方を通過する前記ボンディングワイヤによって、前記インナーリードと前記ボンディングパッドとが接続されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、
前記インナーリードの下面が一部切除されて凹部が形成されており、
前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記凹部の内面に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
少なくとも前記インナーリードのうち、前記半導体チップの上方に位置する部分に前記凹部が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記凹部が形成されている前記インナーリードの上面に前記ボンディングワイヤが圧着される部分が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
外部端子接続用のアウターリードから延びて形成されているインナーリードが、半導体チップの回路形成面上に絶縁テープを介して接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、
前記インナーリードは前記アウターリードよりも肉厚の薄い薄肉部を有し、前記インナーリードの先端部が、前記アウターリードと接続されている側より下方にオフセットされており、
前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記薄肉部に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記ボンディングワイヤが圧着される部分が、前記薄肉部の上面に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記インナーリードは複数のインナーリードからなり、
任意の２つのインナーリードによって支持され他のインナーリードの先端に沿って配置されているバスバーを有し、
少なくとも前記バスバーのうち前記絶縁テープに接している固定部の厚みが、前記インナーリードの前記薄肉部の厚みと等しいことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記バスバーの前記固定部の上方を通過する前記ボンディングワイヤによって、前記インナーリードと前記ボンディングパッドとが接続されていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、
前記インナーリードの先端部の下面が一部切除されて切り欠き部が形成されるとともに、前記インナーリードの前記切り欠き部が形成されている部分が前記アウターリードから延在する側より下方にオフセットされており、
前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記切り欠き部に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
前記ボンディングワイヤが圧着される部分が、前記切り欠き部の上面に形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記インナーリードは複数のインナーリードからなり、
任意の２つのインナーリードによって支持され他のインナーリードの先端に沿って配置されているバスバーを有し、
少なくとも前記バスバーのうち前記絶縁テープに接している固定部の厚みが、前記インナーリードの前記切り欠き部の厚みと等しいことを特徴とする請求項１５又は１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記バスバーの前記固定部の上方を通過する前記ボンディングワイヤによって、前記インナーリードと前記ボンディングパッドとが接続されていることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
インナーリードが絶縁テープを介して半導体チップの回路形成面上に接着され、前記インナーリードと前記半導体チップに形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、前記半導体チップ全体を樹脂によって封止した樹脂封止型半導体装置であって、
前記インナーリードの下面が一部切除されて凹部が形成されるとともに、前記インナーリードの前記凹部が形成されている部分が前記アウターリードから延在する側より下方にオフセットされており、
前記絶縁テープの一方の面が少なくとも前記凹部の内面に接着され、他方の面が前記半導体チップの上面に接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
少なくとも前記インナーリードのうち、前記半導体チップの上方に位置する部分に前記凹部が形成されていることを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記凹部が形成されている前記インナーリードの上面に前記ボンディングワイヤが圧着される部分が形成されていることを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置。