【手続補正書】
【提出日】平成15年9月8日(2003.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
インダクタと、
基板とインダクタとの間に配置された複数の導電性セグメントと、
インダクタと導電性セグメントとの間に配置された絶縁層とを具備し、
前記導電性セグメントはインダクタの実質上中心の下方の１点において接続され、角度を有する間隔で放射状に外側に延在し、他の導電性セグメントから分離された各自由端において終端している集積回路インダクタ構造。
【請求項２】
複数の導電性セグメントから発散する複数のフィラメントをさらに備えている請求項１記載のインダクタ構造。
【請求項３】
さらに、インダクタと基板との間に位置している複数の層を有し、複数の導電性セグメントはインダクタの下の少なくとも１つの層である請求項１記載のインダクタ構造。
【請求項４】
さらに、インダクタと基板との間の複数の層と、
複数の導電性セグメントの下の少なくとも１つの層である複数のフィラメントとを備え、
複数の導電性セグメントはインダクタの下の少なくとも１つの層であり、複数のフィラメントは複数の導電性セグメントに結合されている請求項１記載のインダクタ構造。
【請求項５】
複数の導電性セグメントは金属である請求項１記載のインダクタ構造。
【請求項６】
複数の導電性セグメントはポリシリコンである請求項１記載のインダクタ構造。
【請求項７】
複数の導電性セグメントは基板中の拡散層である請求項１記載のインダクタ構造。
【請求項８】
複数の導電性セグメントのただ１つだけが固定された低いインピーダンスの電位に結合されている請求項１記載のインダクタ構造。
【請求項９】
基板と、
インダクタと、
基板とインダクタとの間に配置された複数の導電性セグメントと、
インダクタと導電性セグメントとの間に配置された絶縁層とを具備し、
前記導電性セグメントはインダクタの実質上中心の下方の点だけに最小の渦電流が流れることを許容するように、インダクタの実質上中心の下方の点から、角度を有する間隔で放射状に外側に延在し、他の導電性セグメントから分離された各自由端において終端するように構成されている集積回路インダクタ構造。
【請求項１０】
複数の導電性セグメントから発散する複数のフィラメントをさらに備えている請求項９記載のインダクタ構造。
【請求項１１】
さらに、インダクタと基板との間に複数の層を有し、複数の導電性セグメントはインダクタの下の少なくとも１つの層である請求項９記載のインダクタ構造。
【請求項１２】
さらに、インダクタと基板との間に位置している複数の層と、
複数の導電性セグメントの下の少なくとも１つの層である複数のフィラメントとを備え、
複数の導電性セグメントはインダクタの下の少なくとも１つの層であり、複数のフィラメントは複数の導電性セグメントに結合されている請求項１記載のインダクタ構造。
【請求項１３】
複数の導電性セグメントは金属である請求項９記載のインダクタ構造。
【請求項１４】
複数の導電性セグメントはポリシリコンである請求項９記載のインダクタ構造。
【請求項１５】
複数の導電性セグメントは基板中の拡散層で構成されている請求項９記載のインダクタ構造。
【請求項１６】
複数の導電性セグメントのただ１つは固定された低いインピーダンスの電位に結合されている請求項９記載のインダクタ構造。
【請求項１７】
基板と、
基板の上方に配置されたインダクタと、
角度を有する間隔でインダクタの下の１点から放射状に外側に延在している複数の導電性セグメントと、
インダクタと導電性セグメントとの間に配置された絶縁層とを具備し、
前記導電性セグメントは基板の上方に位置し、他の導電性セグメントから分離された各自由端において終端するように構成されているている集積回路インダクタ構造。
【請求項１８】
基板を準備し、
基板の上方の平面に複数の導電性セグメントを配置し、それらの導電性セグメントは角度を有する間隔で基板の上方の１点から放射状に外側に延在しており、他の導電性セグメントから分離された各自由端において終端するように構成されており、
複数の導電性セグメントの上方に絶縁層を配置し、
インダクタの中心が基板の上方の点の上方にあるように複数の導電性セグメントの上方にインダクタを配置するステップを含んでいる集積回路インダクタのＱの増加方法。
【請求項１９】
さらに、導電性セグメントに結合された複数のフィラメントを配置する請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
さらに、導電性セグメントの下の少なくとも１つの層に複数のフィラメントを配置し、それらの複数のフィラメントが導電性セグメントに結合される請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
基板と、
インダクタと、
基板とインダクタとの間に配置された複数の導電性セグメントと、
複数の導電性セグメントから発散する複数のフィラメントと、
インダクタと導電性セグメントとの間に配置された絶縁層とを具備し、
前記導電性セグメントはインダクタの実質上中心の下方の１点において接続され、角度を有する間隔で放射状に外方に延在し、他の導電性セグメントから分離された各自由端において終端している集積回路インダクタ構造。
【請求項２２】
複数の各フィラメントは複数の導電性セグメントから延在した端部をそれぞれ有している請求項２１記載のインダクタ構造。
【請求項２３】
各端部はフィラメントが渦電流が流れる閉ループ内に含まれないように別の各端部から電気的に分離されている請求項２２記載のインダクタ構造。
【請求項２４】
複数の導電性セグメントおよび複数のフィラメントはインダクタから基板を電気的に遮蔽している請求項２１記載のインダクタ構造。
【請求項２５】
基板と、
インダクタと、
インダクタと基板との間に配置された複数の層と、
インダクタの下方の少なくとも１つの層において基板とインダクタとの間に配置された複数の導電性セグメントと、
インダクタと導電性セグメントとの間に配置された絶縁層とを具備し、
前記導電性セグメントはインダクタの実質上中心の下方の１点において接続され、角度を有する間隔で放射状に外側に延在し、導電性セグメントは他のものから分離された各自由端において終端し、
さらに、複数の導電性セグメントの下方の少なくとも１つの層における基板とインダクタとの間に位置し、複数の導電性セグメントに結合されている複数のフィラメントを含んでいる集積回路インダクタ構造。
【請求項２６】
複数のフィラメントは複数の導電性セグメントとは異なる材料で形成されている請求項２５記載のインダクタ構造。
【請求項２７】
複数の導電性セグメントは金属であり、複数のフィラメントはポリシリコンである請求項２６記載のインダクタ構造。
【請求項２８】
基板と、
インダクタと、
基板とインダクタとの間に配置された複数の導電性セグメントと、
インダクタと導電性セグメントとの間に配置された絶縁層とを具備し、
前記導電性セグメントはインダクタの実質上中心の下方の１点において接続され、角度を有する間隔で放射状に外側に延在し、導電性セグメントは他のものから分離された各自由端において終端し、複数の導電性セグメントの１つだけが固定された低インピーダンスの電位に結合される集積回路インダクタ構造。
【請求項２９】
複数の導電性セグメントはインダクタにより占められたインダクタ領域に対応する直接下方の領域を越えて実質上延在しない請求項１または９記載のインダクタ構造。
【請求項３０】
複数の導電性セグメントは渦電流が流れるような閉ループ内に含まれない請求項９記載のインダクタ構造。
【請求項３１】
複数の導電性セグメントはその地点で接続されている請求項９記載のインダクタ構造。
【請求項３２】
各複数の導電性セグメントはその地点から離れるように延在してそれぞれ各端部を有し、各端部は他のどの端部にも直接的あるいは間接的に結合されていない請求項３２記載のインダクタ構造。