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【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレン重合または共重合のための触媒組成物を調製する方法であって、
(a)  チーグラー・ナッタ型のポリプロピレン触媒の製造プロセスからの廃液であって、主に、約１０から約２０重量％の遷移金属ベースの化合物、約２０から約５０重量％の溶媒、約０から約２重量％の電子供与体、および不純物を含む廃液により、少なくとも一種類のマグネシウムアルコキシド化合物を処理し、
(b)  工程(a)の生成物を不活性炭化水素溶媒で洗浄し、
(c)  洗浄した該生成物を、前記触媒組成物として使用するために乾燥させる、
各工程を有してなる方法。
【請求項２】
前記遷移金属ベースの化合物が四塩化チタンを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記触媒組成物中の四塩化チタンの量が１〜１０重量％の範囲にあることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記触媒組成物中の四塩化チタンの量が２．５〜３．５重量％の範囲にあることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記触媒組成物のチタン添加が、前記マグネシウムアルコキシド化合物に加える前に、前記廃液に過剰の電子供与体を加えることにより調節されることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記マグネシウムアルコキシド化合物がマグネシウムエトキシドを含むことを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記触媒組成物中の前記エトキシドの含有量が１〜９重量％の範囲にあることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記触媒組成物中の前記エトキシドの含有量が２〜５重量％の範囲にあることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記触媒組成物中の前記マグネシウムの含有量が５〜２５重量％の範囲にあることを特徴とする請求項１から８いずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記触媒組成物中の前記マグネシウムの含有量が１５〜２０重量％の範囲にあることを特徴とする請求項９項記載の方法。
【請求項１１】
前記電子供与体が、安息香酸エチルおよびフタル酸ジイソブチルからなる群より選択される化合物であることを特徴とする請求項１から１０いずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記触媒組成物中の電子供与体の含有量が０．０１〜２０重量％の範囲にあることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記触媒組成物中の電子供与体の含有量が１０〜１５重量％の範囲にあることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から１３いずれか１項記載の方法により調製された触媒組成物を用いて、エチレンを高分子量ポリエチレンに重合する方法。
【請求項１５】
請求項１から１３いずれか１項記載の触媒組成物を用いて、エチレンを線状アルファオレフィンと共重合させる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月6日(2005.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記の式（１）又は（２）で表される有機リン化合物の少なくとも一方とエポキシ樹脂とを反応させて得られたノボラック型エポキシ樹脂を２０質量％以上含有するリン含有エポキシ樹脂、下記の式（５）で表される４官能エポキシ樹脂、硬化剤を必須成分とし、リン含有量が組成物全量中の０．５〜４．０質量％であると共に、上記の４官能エポキシ樹脂の含有量が全エポキシ樹脂中の１〜２０質量％であることを特徴とするリン含有エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2003342349.tif 000001
式（１）中のＲ１〜Ｒ８は、Ｃ１〜Ｃ６の炭化水素基、ヘテロ原子が直結した置換基又は水素原子を示し、また置換基Ｘは下記の式（３）又は（４）で表される置換基を示す。
【化２】
2003342349.tif 000002
式（２）中のＲ’１〜Ｒ’１０は、Ｃ１〜Ｃ６の炭化水素基、ヘテロ原子が直結した置換基又は水素原子を示し、また置換基Ｘ’は下記の式（３）又は（４）で表される置換基を示す。
【化３】
2003342349.tif 000003
式（３）中のＲ’’１〜Ｒ’’５のうちの少なくとも２個は水酸基であり、その他はＣ１〜Ｃ６の炭化水素基、ヘテロ原子が直結した置換基又は水素原子を示す。
【化４】
2003342349.tif 000004
式（４）中のＲ’’’１〜Ｒ’’’７のうちの少なくとも２個は水酸基であり、その他はＣ１〜Ｃ６の炭化水素基、ヘテロ原子が直結した置換基又は水素原子を示す。
【化５】
2003342349.tif 000005
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【化１０】
2003342349.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月2日(2004.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽のワークが入出する側壁にワーク入出用の垂直方向のスリットを設け、該スリットに近接して配設される２本１組のシールローラーにより液漏れを防止する液漏れ防止装置において、シールローラーのシール部分の外側に上部から液を落下させる液供給機構を設けたことを特徴とする液漏れ防止装置。
【請求項２】
シールローラーを長さ方向に複数に分割したものとしたことを特徴とする請求項１に記載の液漏れ防止装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決するためになされた本発明の液漏れ防止装置は、処理槽のワークが入出する側壁にワーク入出用の垂直方向のスリットを設け、該スリットに近接して配設される２本１組のシールローラーにより液漏れを防止する液漏れ防止装置において、シールローラーのシール部分の外側に上部から液を落下させる液供給機構を設けたことを特徴とするものである。このシールローラーは、長さ方向に複数に分割したものとすることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリオキサン（ａ）99.5〜97.5重量％と単官能環状エーテル化合物及び単官能環状ホルマール化合物から選ばれた化合物（ｂ）0.5 〜2.5 重量％を共重合して得られ、メルトインデックスが１〜50ｇ／10min の線状ポリアセタール樹脂（Ａ）99.9〜90重量部に、
トリオキサン（ａ）99.49 〜95.0重量％、単官能環状エーテル化合物及び単官能環状ホルマール化合物から選ばれた化合物（ｂ）0.5 〜4.0 重量％及び官能基数が３乃至４の多官能グリシジルエーテル化合物（ｃ）0.01〜1.0 重量％を共重合して得られ、メルトインデックスが0.1 〜10ｇ／10min の分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）0.1 〜10重量部を配合してなり、
線状ポリアセタール樹脂（Ａ）のメルトインデックスと分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）のメルトインデックスとの比率が下記式（１）の関係を満足するように線状ポリアセタール樹脂（Ａ）と分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）が選択されたことを特徴とするポリアセタール樹脂組成物。
０．０２≦ＭＩB ／ＭＩA ≦１．５ （１）
（ＭＩA は線状ポリアセタール樹脂（Ａ）のメルトインデックス、ＭＩB は分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）のメルトインデックス）
【請求項２】
線状ポリアセタール樹脂（Ａ）に分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）を配合してなるポリアセタール樹脂組成物のメルトインデックスが、線状ポリアセタール樹脂（Ａ）のメルトインデックスに対して下記式（２）の関係を満足するように、線状ポリアセタール樹脂（Ａ）のメルトインデックス、分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）のメルトインデックス及びこれらの配合割合を調整してなる請求項１記載のポリアセタール樹脂組成物。
０．７≦ＭＩA ／ＭＩAB≦１．４ （２）
（ＭＩA は線状ポリアセタール樹脂（Ａ）のメルトインデックス、ＭＩABはポリアセタール樹脂組成物のメルトインデックス）
【請求項３】
多官能グリシジルエーテル化合物（ｃ）が、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセロールトリグリシジルエーテル及びペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテルからなる群から選ばれる１種又は２種以上である請求項１又は２記載のポリアセタール樹脂組成物。
【請求項４】
化合物（ｂ）が、エチレンオキシド、１，３−ジオキソラン、１，４−ブタンジオールホルマール及びジエチレングリコールホルマールからなる群から選ばれる１種又は２種以上である請求項１〜３の何れか１項記載のポリアセタール樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
即ち本発明は、トリオキサン（ａ）99.5〜97.5重量％と単官能環状エーテル化合物及び単官能環状ホルマール化合物から選ばれた化合物（ｂ）0.5 〜2.5 重量％を共重合して得られ、メルトインデックスが１〜50ｇ／10min の線状ポリアセタール樹脂（Ａ）99.9〜90重量部に、
トリオキサン（ａ）99.49 〜95.0重量％、単官能環状エーテル化合物及び単官能環状ホルマール化合物から選ばれた化合物（ｂ）0.5 〜4.0 重量％及び官能基数が３乃至４の多官能グリシジルエーテル化合物（ｃ）0.01〜1.0 重量％を共重合して得られ、メルトインデックスが0.1 〜10ｇ／10min の分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）0.1 〜10重量部を配合してなり、
線状ポリアセタール樹脂（Ａ）のメルトインデックスと分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）のメルトインデックスとの比率が下記式（１）の関係を満足するように線状ポリアセタール樹脂（Ａ）と分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）が選択されたことを特徴とするポリアセタール樹脂組成物に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。まず、本発明において用いる線状ポリアセタール樹脂（Ａ）は、トリオキサン（ａ）99.5〜97.5重量％と単官能環状エーテル化合物及び単官能環状ホルマール化合物から選ばれた化合物（ｂ）0.5 〜2.5 重量％を共重合して得られ、メルトインデックスが１〜50ｇ／10min の線状ポリアセタール樹脂である。尚、本願の中で規定するメルトインデックスは、ＡＳＴＭ Ｄ−１２３８に従い、１９０℃、荷重２１６０ｇの条件下で測定されるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明で使用する線状ポリアセタール樹脂（Ａ）は、上記のようにして得られ、そのメルトインデックスが１〜50ｇ／10min に調整されたものである。メルトインデックスがこれより過小の場合には、後述する分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）を配合して、高剛性と寸法安定性とを両立した樹脂組成物を得るのが難しく、また、過大の場合には、高剛性、寸法安定性、クリープ特性に優れた樹脂組成物を得るのが難しく、いずれも好ましくない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、本発明において用いる分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）は、トリオキサン（ａ）99.49 〜95.0重量％、単官能環状エーテル化合物及び単官能環状ホルマール化合物から選ばれた化合物（ｂ）0.5 〜4.0 重量％及び官能基数が３乃至４の多官能グリシジルエーテル化合物（ｃ）0.01〜1.0 重量％を共重合して得られ、メルトインデックスが0.1 〜10ｇ／10min の分岐又は架橋ポリアセタール樹脂である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このようにして得られ、本発明で使用する分岐又は架橋ポリアセタール樹脂（Ｂ）は、メルトインデックスが0.1 〜10ｇ／10min に調整されたものである。メルトインデックスがこれより過小の場合には、寸法安定性とクリープ特性とを両立した樹脂組成物を得るのが難しく、また過大の場合には、高剛性、寸法安定性、クリープ特性に優れた樹脂組成物を得るのが難しく、いずれも好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の転動部品が用いられる、車輪軸受と等速ジョイントとが合体した第３世代ハブユニットの模式図である。
【図２】  本発明の転動部品が用いられる、車輪軸受と等速ジョイントとが合体した第４世代ハブユニットの模式図である。
【図３】  実施例１における転がりの転動疲労寿命Ｌ10の実測値と予測値との関係を示す図である。
【図４】  実施例２における疲労き裂進展試験の測定に用いる試験片を示す図である。
【図５】  疲労き裂進展試験で応力拡大係数を求める（４）式における補正係数ＦI（ａ／Ｗ）とα(＝ａ／Ｗ）との関係を示す図である。
【図６】  疲労き裂進展試験のき裂進展速度ｄａ／ｄＮと応力拡大係数範囲ΔＫIとの関係において、応力拡大係数範囲の下限界値の求め方を示す図である。
【図７】  実施例２における転がりの転動疲労寿命Ｌ10の実測値と予測値との関係を示す図である。
【符号の説明】
１  等速ジョイント、２  内輪レース、３  外輪、４  ハブ輪、５  内輪レース、６  車輪軸受。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
有機溶媒がＤＭＦ、ＤＣＭ及びＮＭＰから成る群から選択される、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、熱力学的に安定
で単離し易い２（５Ｈ）−フラノン誘導体を２（３Ｈ）−フラノン誘導体へと異
性化する方法を見出し、かつ両者の物性値の差を利用して２（３Ｈ）−フラノン誘導
体を異性化させながら取り出す手法として、沸点差［２．６７ｋＰａにおける沸
点：２（５Ｈ）−フラノンは９６℃、２（３Ｈ）−フラノンは５６℃である］を
利用した蒸留方法を見出し、本発明を完成するに至った。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タキサン類の９位オキソ基を還元して９β−ヒドロキシ基に変換する方法であって、有機酸の存在下で金属水素化ホウ素化合物により還元を行うことを特徴とする方法。
【請求項２】
タキサン類が１０−デアセチルバッカチン(III)であり、還元生成物が１０−デアセチル−９β−ヒドロキシ−９−デオキソバッカチン(III)である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
金属水素化ホウ素化合物がアルカリ金属ボロハイドライド及びテトラアルキルアンモニウムボロハイドライドからなる群から選ばれる金属水素化ホウ素化合物である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
金属水素化ホウ素化合物が(ｎ−Ｃ4Ｈ9)4ＮＢＨ4である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
エステル系溶媒中で還元を行う請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
エステル系溶媒が酢酸メチルである請求項５に記載の方法。
【請求項７】
有機酸がマロン酸、クエン酸、アスパラギン酸、及びｐ−アミノベンゼンスルホン酸からなる群から選ばれる有機酸である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
有機酸がマロン酸である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
タキサン類が１０−デアセチルバッカチン(III)であり、還元生成物が１０−デアセチル−９β−ヒドロキシ−９−デオキソバッカチン(III)であり、金属水素化ホウ素化合物が(ｎ−Ｃ4Ｈ9)4ＮＢＨ4であり、溶媒が酢酸メチルであり、有機酸がマロン酸である請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
９β−ヒドロキシ基を有するタキサン類の製造方法であって、タキサン類の９位オキソ基を有機酸の存在下で金属水素化ホウ素化合物により還元を行う工程を含む方法。
【請求項１１】
１０−デアセチル−９β−ヒドロキシ−９−デオキソバッカチン(III)の製造方法であって、１０−デアセチルバッカチン(III)の９位オキソ基を有機酸の存在下で金属水素化ホウ素化合物により還元を行う工程を含む方法。
【請求項１２】
金属水素化ホウ素化合物がアルカリ金属ボロハイドライド及びテトラアルキルアンモニウムボロハイドライドからなる群から選ばれる金属水素化ホウ素化合物である請求項１０又は１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
金属水素化ホウ素化合物が(ｎ−Ｃ4Ｈ9)4ＮＢＨ4である請求項１０又は１１に記載の製造方法。
【請求項１４】
エステル系溶媒中で還元を行う請求項１０ないし１３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
エステル系溶媒が酢酸メチルである請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
有機酸がマロン酸、クエン酸、アスパラギン酸、及びｐ−アミノベンゼンスルホン酸からなる群から選ばれる有機酸である請求項１０ないし１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１７】
有機酸がマロン酸である請求項１０ないし１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１８】
金属水素化ホウ素化合物が(ｎ−Ｃ4Ｈ9)4ＮＢＨ4であり、溶媒が酢酸メチルであり、有機酸がマロン酸である請求項１１に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（式中、Ｒ１およびＲ２は前記定義のとおりである）
で示される不飽和炭化水素を連続的に留去せしめることを特徴とする不飽和炭化水素の製造方法である。
また、本発明は、
Ｂ）          反応液中に挿入したフィード管から少なくともギ酸を供給することを特徴とする上記Ａ）に記載の製造方法である。
さらに、本発明は、
Ｃ）          ３級アミンとして、常圧における沸点が原料として用いるβ，γ−不飽和アルコールの常圧における沸点よりも高い沸点を有する３価以上の３級アミンを用いることを特徴とする上記Ａ）またはＢ）に記載の製造方法である。
さらにまた、本発明は、
Ｄ）          反応液中のギ酸のモル濃度が３級アミンと３級アミン塩の窒素原子のモル濃度の和に対して１／２０〜１の範囲内であることを特徴とする上記Ａ）〜Ｃ）に記載の製造方法である。
そしてさらに、本発明は、
Ｅ）          有機リン配位子が、第３級有機リン化合物および／またはホスホニウム塩であることを特徴とする上記Ａ）〜Ｄ）のいずれかに記載の製造方法である。
また、本発明は、
Ｆ）          反応開始後さらに第３級有機リン化合物および／またはホスホニウム塩を反応液に添加することを特徴とする上記Ａ）〜Ｅ）のいずれかに記載の製造方法である。
さらに、本発明は、
Ｇ）          第３級有機リン化合物が、下記一般式（Ｖ）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
一般式（Ｖ）で表される第３級有機リン化合物の具体例としては、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリｎ−ブチルホスフィン、トリｔ−ブチルホスフィン、トリｎ−オクチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、トリ（ｐ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−クロロフェニル）ホスフィン、トリ（１−ナフチル）ホスフィン、トリ（４−カルボキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン、リチウムジフェニルホスフィノベンゼン−ｍ−スルホネート、トリス（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィンなどを挙げることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上記ホスホニウム塩の製造方法としては特に制限されないが、例えば、パラジウム化合物存在下で、かつ炭酸イオンおよび／または重炭酸イオンを含有する水の存在下において前記一般式（Ｖ）で示される第３級有機リン化合物を該第３級有機リン化合物に対して等モル以上の一般式（Ｉ）および/または一般式（ＩＩ）で表されるβ，γ−不飽和アルコールと反応させることにより得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上記第３級有機リン化合物は、反応が長時間に及ぶ場合には反応途中で酸化されて一部は酸化物であるリンオキサイドとなるが、該有機リン化合物が酸化されてリンオキサイドとなるとパラジウム触媒の安定化には寄与しなくなるため、本発明の方法を実施するに際しては、酸化された有機リン化合物に相当する量を補充してパラジウム触媒を形成し得る第３級有機リン化合物の濃度を一定に保つ観点から、上記一般式（Ｖ）で表される第３級有機リン化合物および／または（ＶＩ）で表されるホスホニウム塩などの有機リン化合物を反応液に適宜添加するのが望ましい。添加方法としては特に限定されず、断続的に添加してもよいし連続的に供給してもよいが、操業安定性の観点から、例えば目的とする炭化水素と水の留出が始まった段階で反応液に連続的に供給する方法が好ましい。
また、第３級有機リン化合物、ホスホニウム塩などの有機リン化合物は、反応液中の濃度がパラジウム１グラム原子あたり通常１〜５０モルの範囲で一定となるよう調整することが好ましく、４〜３０モルの範囲で一定となるよう調整することがより好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    
【請求項１】
軸線に関して対称に形成された周面と前記軸線に沿う被検出部を少なくとも一つ有するワークを保持し、前記被検出部の前記軸線回りの位相を検出する位相検出装置であって、
前記ワークに対し相対的に回動自在でかつ前記軸線に対し交差する方向に沿って移動自在に設けられているとともに、前記ワークの被検出部に当接可能な接触部と、
前記接触部の前記軸線に対し交差する方向に沿った変位を検出する第１の検出手段と、
前記接触部の前記軸線回りの位置情報を検出する第２の検出手段と、
を備えたことを特徴とする位相検出装置。
【請求項２】
前記接触部は、前記軸線に対して交差する方向に沿って前記ワークに押圧されながら前記ワークに対して相対的に回動されることを特徴とする請求項１に記載の位相検出装置。
【請求項３】
前記ワークを前記軸線回りに回動自在に支持するチャック機構を備えていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の位相検出装置。
【請求項４】
前記接触部の前記軸線回りの回動を規制する規制手段と、
前記接触部の前記軸線に対して交差する方向に沿った移動を制御するとともに、前記接触部が前記ワークに対して相対的に回動するように前記チャック機構および前記規制手段を制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする請求項３に記載の位相検出装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記接触部が前記被検出部に当接したことが検知されたとき、前記規制手段の規制を解除して前記ワークと前記接触部とを一体に回動させ、
前記第２の検出手段は、前記ワークと前記接触部とが一体に回動される状態で、前記ワークの前記軸線回りの位置情報を検出することを特徴とする請求項４に記載の位相検出装置。
【請求項６】
前記接触部は、前記ワークの軸回転方向に複数個設けられる前記被検出部にそれぞれ当接するように、前記被検出部に対応した複数個設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の位相検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図６に例示された位置検出装置１０１は、装置本体１０２と、Ｙ軸テーブル１０３と、Ｘ軸テーブル１０４と、回転テーブル１０５と、チャック部１０６と、Ｚ軸テーブル１０７と、アーム１０８と、検出部１０９と、を備えている。装置本体１０２は、略平坦な平坦面１１０ａを有するテーブル部１１０と、このテーブル部１１０から上方に延びた壁部１１１と、を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決し目的を達成するために、本発明の一つの形態に係る位置検出装置は、軸線に関して対称に形成された周面と前記軸線に沿う被検出部を少なくとも一つ有するワークを保持し、前記被検出部の前記軸線回りの位相を検出する位相検出装置であって、前記ワークに対し相対的に回動自在でかつ前記軸線に対し交差する方向に沿って移動自在に設けられているとともに、前記ワークの被検出部に当接可能な接触部と、前記接触部の前記軸線に対し交差する方向に沿った変位を検出する第１の検出手段と、前記接触部の前記軸線回りの位置情報を検出する第２の検出手段と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図１などに示す位相検出装置１は、図４に示す軸線Ｐに関して対称に形成された周面としての内外周面４ａ、４ｂと軸線Ｐに沿った被検出部３を備えたワーク２において、被検出部３の軸線Ｐ回りの位置を検出して、ワーク２の位相を検出する装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
検出部２３は、軸部２２に取付けられており、一対の検出部本体３１と、これらの検出部本体３１にそれぞれ設けられた延伸部３３と、接触子３４などを備えている。検出部本体３１は、それぞれ板状に形成されており、軸線Ｐ１に関して互いに対称となる位置に配されている。検出部本体３１は、それぞれ、ピボット３２を中心に揺動自在に軸部２２に支着されているとともに、その底部がチャック部１８に相対して設けられている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
制御部４３は、第２のコントローラ４０及びアンプ４５を介して、旋回テーブル１７と接続している。制御部４３は、開閉センサ２７から接触子当接信号が入力されると、旋回テーブル１７を、ロータリエンコーダ４２が所定の回転位置を検出するまで、回転させるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ＳＰＭプローブとして光てこ式カンチレバーを使用する場合、レーザービームの反射光を検出するフォトダイオードを２ｘ２の４分割にすることで、試料表面に垂直な方向（Ｚ方向）の力に対するカンチレバーの変位量すなわち撓み量を検出できるだけでなく、水平方向、特にカンチレバー長手方向に直交した方向（Ｘ方向）の力に対するカンチレバーの変位量を検出することができる。このＸ方向の力に対する変位は、実際には、カンチレバーの捩れによってもたらされ、カンチレバー先端の探針と試料表面との間においてカンチレバーの走査の際に生じる摩擦力等を起因とする。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
この複数のカンチレバーに対して、それぞれ個別に識別マークを与える。例えば、図１５に示すように、カンチレバー形成領域１５１において、マトリクスの要素区域すなわち各カンチレバーの方形領域の長軸方向に沿って配置される最大の数（図１５の場合は、８）と短軸方向に沿って配置される最大の数（図１５の場合は、１６）をそれぞれ縦と横にした仮想マトリクス（図１５の場合は、８ｘ１６）を考える。さらに、この仮想マトリクスの縦軸に沿った要素区域に対して、それぞれＡ，Ｂ，Ｃ，．．．と記号を付す。同様に、横軸に沿った要素区域に対して、それぞれ０１，０２，０３，．．．と番号を付す。これにより、仮想マトリクス内の要素区域が記号と番号によって特定でき、これを識別マークとする。例えば、カンチレバー１５２は、Ｆ−０６の要素区域として表すことができる。この場合、カンチレバー形成領域１５１に含まれない要素区域（例えば、Ａ−０１〜Ａ−０５）には、実際には、カンチレバーは形成されないが、識別マークからウェハ上の位置を特定するには、このように、方形状のマトリクスを想定した方が直感的に判り易い。なお、識別マークとして使用する符号は、マトリクス内において位置が特定できる記号または番号であれば何でも良い。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また半導体ガス検知素子１の感ガス体の検知出力端子は、検知電圧印加制御用のトランジスタＱ２１と負荷抵抗Ｒ２１との直列回路及び検知電圧印加制御用のトランジスタＱ２２と負荷抵抗Ｒ２２との直列回路とダイオードＤ１を介して３端子レギュレータＩＣ１の出力端子に接続するとともに、マイクロコンピュータ３の入力ポートＩ１に接続している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
マイクロコンピュータ３は出力ポートＯ１に抵抗を介してトランジスタＱ１のベースを、また出力ポートＯ２１，Ｏ２２に抵抗を介してトランジスタＱ２１，Ｑ２２のベースを接続している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに出力ポートＯ３〜Ｏ５にはそれぞれ表示用発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ３のカソードを接続し、出力ポートＯ６，Ｏ７にはフォトカプラＰＨ１，ＰＨ２の発光ダイオードＬ１，Ｌ２のカソードを接続してある。これら発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ３及びＬ１,Ｌ２のアノードは３端子レギュレータＩＣ1の出力端子に限流抵抗を介して接続してある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
而して、マイクロコンピュータ１は所定周期で所定時間ヒータ２を通電するデュティー制御を行うことにより、感ガス体を高温とする高温期間と低温とする低温期間とを交互に設定し、上述の低温期間中のサンプリング時点で、出力ポートＯ２１（又はＯ２２）を" Ｌ”レベルとしてトランジスタＱ２１又はＱ２２をオンさせることにより、負荷抵抗Ｒ２１（又はＲ２２）を介して半導体ガス検知素子１の感ガス体に検知電圧を印加し，その印加期間において半導体ガス検知素子１の感ガス体の両端電圧を入力ポートＩ１に取り込み臭い成分の有無を判定するサンプリング動作を行い、前記両端電圧から感ガス体の抵抗値を検知する。そして低温期間中の２点目（２００秒時点）のサンプリングが終了すると１点目（２０秒時点）でサンプリングして検知した抵抗値Ｒｓｂと２点目のサンプリングで検知した抵抗値Ｒｓａの比Ｒｓａ／Ｒｓｂの値を求め、この比の値と登録している基準値とを比較して濃度を検知し、検知濃度に応じて出力ポートＯ３〜Ｏ５の何れかを”Ｌ”レベルにし、それに接続されている発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ３の何れかを点灯させる。また検知濃度に応じて出力ポートＯ６又はＯ７を”Ｌ”レベルに設定して、対応するフォトカプラＰＨ１又はＰＨ２をオンさせ、安定化回路４より所定の電圧信号を外部へ出力させる。また検知濃度が警報濃度を超えている場合、基準となる抵抗値比の値を求めた抵抗値比の値が下回ったときには出力ポートＯ８，Ｏ９の出力を交互に反転させてブザー６を鳴動させて警報を発する。尚本実施形態の回路構成ではマイクロコンピュータ３が外部ノイズなどにより暴走して、マイクロコンピュータ３の出力ポートＯ１が”Ｌ”レベルに固定されると、保護回路５ではコンデンサＣ０の電荷が放電されてやがてコンデンサＣ０の電圧が抵抗Ｒ６，Ｒ７の接続点の電圧を下回ることになり、その結果コンパレータＣＰの出力が”Ｈ”レベルから”Ｌ”レベルに反転してトランジスタＱ４をオンさせ、トランジスタＱ１のベースの電圧を電源電圧に吊り上げトランジスタＱ１を強制的にオフ状態とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来のトルクセンサとしては、本出願人が先に提案した特開平１０−３８７１５号公報に開示されたものがある。即ち、上記公報に開示された従来のトルクセンサにあっては、一対のコイル及び電気抵抗でブリッジ回路を形成し、一対のコイル同士の接続部を、コイル駆動回路を介して電源に接続している。そして、そのコイル駆動回路は、一対のコイルに共通のスイッチング素子であるトランジスタを有していて、そのトランジスタのベースに方形波状に変化する制御電圧を供給し、そのときのコイル及び電気抵抗の接続部に表れる出力電圧（過渡電圧）の差を差動アンプで検出し、その差動アンプの出力に基づいてトルクを検出するようになっていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そして、上記公報の［００６０］欄以降に記載された第３の実施の形態にあっては、ブリッジ回路の一方の出力電圧に基づいて異常を検出する異常監視部を設けている。つまり、その異常監視部は、ブリッジ回路の一方の出力電圧の瞬時値が適正な範囲内にあるか否かに基づいて差動アンプの中立電圧を調整することにより、その差動アンプの出力電圧を制御するようになっている。その結果、上記公報の［００６２］欄に記載されるように、差動アンプの出力電圧が供給されるコントローラにおいては、一対のコイルの両方が短絡又は断線した異常を検出することができた。さらには、上記公報の［００６３］欄に記載されるように、上記第３の実施の形態のコントローラは、差動アンプの出力電圧に基づいて、一対のコイルの一方が短絡又は断線した異常を検出するようにもなっていた。なお、ここで言うコイルの短絡とは、コイルと接地との間が通じてしまう現象のことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
トランジスタＴ1 及びＴ2 のベースには、図示しないマイクロプロセッサやＡ／Ｄ変換器，Ｄ／Ａ変換器等のインタフェース回路等を含んで構成されたコントローラ２５から、制御電圧Ｖ1 、Ｖ2 が個別に供給されるようになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
なお、ホールド信号Ｖs の立ち下がりタイミングは、過渡状態（変化している状態）にある出力電圧Ｖ3 及びＶ4 が差動アンプ２２に供給されている最中とする。より具体的には、制御電圧Ｖ1 の立ち上がり時点から、コイル１０，１１のインダクタンスと電気抵抗Ｒ0 とで決まる時定数τだけ経過した時刻を、ホールド信号Ｖs を立ち下げるタイミングとする。時定数τを用いるのは、出力電圧Ｖ3 及びＶ4 に差がある場合に、その差が最も大きくなる時点で出力電圧Ｖ5 をホールドするためである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
この状態で、コントローラ２５からトランジスタＴ1 、Ｔ2 に図４に実線で示す制御電圧Ｖ1 、Ｖ2 が供給されると、ブリッジ回路の出力電圧Ｖ3 及びＶ4 は、図５（１）（ａ）に示すように、その過渡時の値も等しくなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
そして、コイル１０，１１を方形波状に変化する制御電圧Ｖ1 、Ｖ2 で駆動する構成であると、コイル１０，１１に電流が流れるのはその制御電圧Ｖ1 、Ｖ2 が立ち上がっている間だけであるから、制御電圧Ｖ1 、Ｖ2 の波形のデューティ比を十分に小さくすれば、消費電流を大幅に低減することができる。そこで、本実施の形態の構成であると、操舵トルクの検出に必要なのは、過渡期において出力電圧Ｖ3 及びＶ4 の差が十分に生じた際の出力電圧Ｖ5 であり、そのためには制御電圧Ｖ1 、Ｖ2 を立ち上げた時点から時定数τだけ経過するまでその制御電圧Ｖ1 、Ｖ2 が立ち上がっていればよい。従って、安全率を見込んで、時定数τよりも若干長い時間だけトランジスタＴ1 、Ｔ2 をオンにすればよいから、制御電圧Ｖ1 、Ｖ2 のデューティ比を極小さく（例えば５％程度まで低減）することができる。その結果、コイル１０，１１に電流が流れる時間が極短くなるから、消費電力が小さくなって経済的であるし、発熱量も低減される。発熱量が低減されれば、故障発生率の低減等も期待できるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１または２記載の投影変倍レンズ系において、前記第３レンズ群は、拡大側から順に、拡大側に凸面を向けた正単レンズと、拡大側に凸面を向けたメニスカスレンズと、拡大側に凹面を向けた負レンズと、少なくとも３枚の正レンズとから構成され、次の条件式（５）及び（６）を満足する投影変倍レンズ系。
（５）０．５＜Ｒ3-1／ＦW＜３．０
（６）１．０＜Ｒ3-2／Ｒ3-3＜１．５
但し、
Ｒ3-1：最も拡大側の正単レンズの拡大側の面の曲率半径、
Ｒ3-2:メニスカスレンズの拡大側の面の曲率半径、
Ｒ3-3:メニスカスレンズの縮小側の面の曲率半径。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の投影変倍レンズ系の第３レンズ群は、好ましくは、拡大側から順に、拡大側に凸面を向けた正単レンズと、拡大側に凸面を向けたメニスカスレンズと、拡大側に凹面を向けた負レンズと、少なくとも３枚の正レンズとから構成し、次の条件式（５）及び（６）を満足させることが好ましい。
（５）０．５＜Ｒ3-1／ＦW＜３．０
（６）１．０＜Ｒ3-2／Ｒ3-3＜１．５
但し、
Ｒ3-1：最も拡大側の正単レンズの拡大側の面の曲率半径、
Ｒ3-2:メニスカスレンズの拡大側の面の曲率半径、
Ｒ3-3:メニスカスレンズの縮小側の面の曲率半径、
である。
この第３レンズ群のメニスカスレンズは、単レンズから構成しても貼合せレンズから構成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月29日(2005.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
又、米国特許第５４３４７１０号公報では物体側より順に負の屈折力の第１群、正の屈折力の第２群、そして正の屈折力の第３群の３つのレンズ群を有し、広角端から望遠端への変倍を第２群と第３群の間隔を減少させて行った３群ズームレンズが開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
レンズ断面図においてＬ１は負の屈折力（単に「負」ともいう。）の第１群（第１レンズ群ともいう。）、Ｌ２は正の屈折力（単に「正」ともいう。）の第２群（第２レンズ群ともいう。）、Ｌ３は正の屈折力の第３群（第３レンズ群ともいう。）、ＳＰは開口絞り、ＩＰは像面である。Ｇはフィルターや色分解プリズム等のガラスブロックである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
そこで、通常の広角レンズ系と同様もっとも物体側のレンズ径の増大が抑えられる負（凹）−正（凸）の屈折力のレンズ構成とした上で、主に負の屈折力を分担している負レンズをレンズＬ11, レンズＬ12の２枚として屈折力の分担を図っている。第１群を構成する各レンズは、軸外主光線の屈折によって生じる軸外収差の発生を抑えるために絞り中心を中心とする同心球面に近い形状をとっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
また、各群を少ない枚数で構成しつつ、更なる光学性能の向上を達成するため、本実施例では非球面を効果的に導入している。図１に示す実施例１においては、第１群を構成する凹レンズＬ11の物体側面に周辺で正の屈折力が強くなる非球面を有し、特に広角側での非点収差と歪曲収差の補正を行っている。第３群を構成する凸レンズＬ３２の像側面には周辺で正の屈折力が弱くなる非球面を有しており、ズーム全域での軸外諸収差の補正に寄与している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月3日(2005.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のレンズを有する撮影光学系と、
上記撮影光学系中の第１のレンズ間に配置され、上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第１の絞り手段と、
上記撮影光学系中の第２のレンズ間に配置され、上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第２の絞り手段と、
を具備することを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項２】  光軸方向に相対移動可能な異なる少なくとも第１レンズ群及び第２レンズ群の２つのレンズ群を含む焦点距離切り換え可能な撮影光学系を有するレンズ鏡筒において、
上記撮影光学系の上記第１レンズ群に配置され、上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第１の絞り手段と、
上記撮影光学系の上記第２レンズ群に配置され、上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第２の絞り手段と、
焦点距離切り換えに応じて、光量を可変制御するために使用する上記第１の絞り手段と上記第２の絞り手段とを選択的に切り換える切換手段と、
を具備することを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項３】  光軸方向に相対移動可能な異なる少なくとも第１レンズ群及び第２レンズ群の２つのレンズ群を含む焦点距離切り換え可能な撮影光学系を有するレンズ鏡筒において、
上記撮影光学系中の第１の位置に配置され、上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第１の絞り手段と、
上記撮影光学系中の上記第１の位置とは異なる第２の位置に配置され、上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第２の絞り手段と、
焦点距離切り換えに応じて、光量を可変制御するために使用する上記第１の絞り手段と上記第２の絞り手段とを選択的に切り換える絞り切換手段と、
を具備することを特徴とするレンズ鏡筒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、二焦点や三焦点カメラ等を含む焦点距離切換可能な光学系を有するレンズ鏡筒において、小型で高性能な光学系を実現可能とする構成に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決し目的を達成するために次の手段を講じている。すなわち、従来技術における絞りの基本構成を見直し、例えば、少なくとも二箇所に絞りを配置することで、簡単な構成で複数の焦点距離を切換可能にもつ撮影レンズを構成するものである。
第１の発明によれば、複数のレンズを有する撮影光学系と、この撮影光学系中の第１のレンズ間に配置され上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第１の絞り手段と、上記撮影光学系中の第２のレンズ間に配置され上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第２の絞り手段とを備えたレンズ鏡筒を提案する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また第２の発明によれば、光軸方向に相対移動可能な異なる少なくとも第１レンズ群及び第２レンズ群の２つのレンズ群を含む焦点距離切り換え可能な撮影光学系を有するレンズ鏡筒において、上記撮影光学系の上記第１レンズ群に配置され、上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第１の絞り手段と、上記撮影光学系の上記第２レンズ群に配置され、上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第２の絞り手段と、焦点距離切り換えに応じて、光量を可変制御するために使用する上記第１の絞り手段と上記第２の絞り手段とを選択的に切り換える切換手段と、を備えたレンズ鏡筒を提案する。
更に第３の発明によれば、光軸方向に相対移動可能な異なる少なくとも第１レンズ群及び第２レンズ群の２つのレンズ群を含む焦点距離切り換え可能な撮影光学系を有するレンズ鏡筒において、上記撮影光学系中の第１の位置に配置され、上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第１の絞り手段と、上記撮影光学系中の上記第１の位置とは異なる第２の位置に配置され、上記撮影光学系を通過する光量を可変制御するための第２の絞り手段と、焦点距離切り換えに応じて、光量を可変制御するために使用する上記第１の絞り手段と上記第２の絞り手段とを選択的に切り換える絞り切換手段を備えたレンズ鏡筒を提案する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを第１の基板上に有し、この第１の基板と第２の基板との間に所定の光学材料を介在させてなる電気光学装置の製造方法において、
前記第１の基板の一方の面上に、単結晶シリコンの如き単結晶半導体と格子整合の良  い物質層を形成する工程と、
この物質層を含む前記第１の基板上に、シリコンの如き半導体材料を含有する低融点  金属の溶融液層を形成する工程と、
次いで冷却処理（望ましくは徐冷処理）によって前記溶融液層の前記半導体材料を前  記物質層をシードとしてヘテロエピタキシャル成長させ、単結晶シリコン層の如き単結  晶半導体層を析出させる工程と、
この単結晶半導体層に所定の処理を施して能動素子及び受動素子のうちの少なくとも  能動素子を形成する工程と
を有することを特徴とする、電気光学装置の製造方法。
【請求項２】  前記単結晶シリコン層の析出後に、
この単結晶シリコン層に所定の処理を施してチャンネル領域、ソース領域及びドレイ  ン領域を形成する工程と、
前記チャンネル領域の上部にゲート部を有し、前記周辺駆動回路部の少なくとも一部  を構成するトップゲート型の第１の薄膜トランジスタを形成する工程と
を有する、請求項１に記載した電気光学装置の製造方法。
【請求項３】  前記第１の基板上に、断面において底面に対し側面が直角状若しくは下端側へ傾斜状となるような凹部として段差を形成し、この段差を含む前記第１の基板上に前記物質層を形成し、前記段差を前記物質層と共に前記単結晶シリコン層のエピタキシャル成長時のシードとして、前記物質層上に前記単結晶シリコン層を形成する、請求項１に記載した電気光学装置の製造方法。
【請求項４】  画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを基板上に有する、電気光学装置用の駆動基板の製造方法において、
前記基板の一方の面上に、単結晶シリコンの如き単結晶半導体と格子整合の良い物質  層を形成する工程と、
この物質層を含む前記基板上に、シリコンの如き半導体材料を含有する低融点金属の  溶融液層を形成する工程と、
次いで冷却処理（望ましくは徐冷処理）によって前記溶融液層の前記半導体材料を前  記物質層をシードとしてヘテロエピタキシャル成長させ、単結晶シリコン層の如き単結  晶半導体層を析出させる工程と、
この単結晶半導体層に所定の処理を施して能動素子及び受動素子のうちの少なくとも  能動素子を形成する工程と
を有することを特徴とする、電気光学装置用の駆動基板の製造方法。
【請求項５】  前記単結晶シリコン層の析出後に、
この単結晶シリコン層に所定の処理を施してチャンネル領域、ソース領域及びドレイ  ン領域を形成する工程と、
前記チャンネル領域の上部にゲート部を有し、前記周辺駆動回路部の少なくとも一部  を構成するトップゲート型の第１の薄膜トランジスタを形成する工程と
を有する、請求項４に記載した電気光学装置用の駆動基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
撮影レンズにより形成された像を光電変換して画像信号を出力する撮像素子と、
被写体輝度に基づいて前記撮像素子の露光時間を決定する露光時間決定手段と、
閃光装置を用いて撮影を行う際に、前記閃光装置の閃光時間を調節して発光量を制御する発光量制御手段と、
前記露光時間よりも前記閃光時間の方が長い場合には、前記露光時間の方が短いことにより前記閃光装置による照明が終了する前に被写体の露光が完了してしまって生じる露光不足量を算出する算出手段と、
前記算出手段で算出された露光不足量に基づいて、前記撮像素子より出力される前記画像信号を所定の増幅率で増幅する信号処理部とを有することを特徴とする電子カメラ。
【請求項２】
撮影レンズにより形成された像を光電変換して画像信号を出力する撮像素子と、
被写体輝度に基づいて前記撮像素子の露光時間を決定する露光時間決定手段と、
閃光装置を用いて撮影を行う際に、前記閃光装置の閃光時間を調節して発光量を制御する発光量制御手段と、
前記露光時間よりも前記閃光時間の方が長い場合には、前記露光時間の方が短いことにより前記閃光装置による照明が終了する前に被写体の露光が完了してしまって生じる露光不足量を算出する算出手段と、
前記算出手段で算出された露光不足量に基づいて、画像処理を行う際に色補正をする信号処理部とを有することを特徴とする電子カメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
一実施の形態を示す図１に対応付けて以下の発明を説明する。
（１）請求項１に記載の発明は、撮影レンズ２により形成された像を光電変換して画像信号を出力する撮像素子４と；被写体輝度に基づいて撮像素子４の露光時間を決定する露光時間決定手段２０と；閃光装置２００を用いて撮影を行う際に、閃光装置２００の閃光時間を調節して発光量を制御する発光制御手段２０と；露光時間よりも閃光時間の方が長い場合には、露光時間の方が短いことにより、閃光装置２００による照明が終了する前に被写体の露光が完了してしまって生じる露光不足量を算出する算出手段２０と；算出手段２０で算出された露光不足量に基づいて、撮像素子４より出力される画像信号を所定の増幅率で増幅する信号処理部６とを有することにより上述した目的を達成する。
（２）請求項２に記載の発明は、撮影レンズ２により形成された像を光電変換して画像信号を出力する撮像素子４と；被写体輝度に基づいて撮像素子４の露光時間を決定する露光時間決定手段２０と；閃光装置２００を用いて撮影を行う際に、閃光装置２００の閃光時間を調節して発光量を制御する発光制御手段２０と；露光時間よりも閃光時間の方が長い場合には、露光時間の方が短いことにより、閃光装置２００による照明が終了する前に被写体の露光が完了してしまって生じる露光不足量を算出する算出手段２０と；算出手段２０で算出された露光不足量に基づいて、画像処理を行う際に色補正をする信号処理部８とを有することにより上述した目的を達成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2000111980.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2000111980.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2000111980.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2000111980.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月5日(2005.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも２枚の絞り羽根と、
前記少なくとも２枚の絞り羽根を保持する保持部材と、を有する絞り機構であって、
所定の開口径を有する固定絞りを有し、
前記少なくとも２枚の絞り羽根はＮＤフイルターが固定された絞り羽根を備え、
開放時の絞り径は前記固定絞りの開口径で規定され、該開放から所定の絞り位置までは、前記ＮＤフイルターは前記固定絞りの開口部を覆い且つ前記少なくとも２枚の絞り羽根は前記固定絞りの開口を覆わないことを特徴とする絞り機構。
【請求項２】 前記固定絞りは前記保持部材に設けられていることを特徴とする請求項１の絞り機構。
【請求項３】 前記請求項１の絞り機構を有するレンズ鏡筒。
【請求項４】 前記請求項１の絞り機構を有するカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】