Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を描画する描画装置における描画方法であって、
前記描画装置は、前記画像を出力する２次元出力装置に出力させる画素データを記憶する画素データ記憶手段を備え、
前記画素データを、前記画素データ記憶手段に描画するときの描画位置を、１画素より細かい精度でずらすための複数のずらし量を設定するずらし量設定ステップと、
前記複数のずらし量に対応する、前記画素データ記憶手段の位置それぞれに、前記画素データを描画することにより、前記画像を重ね書きする描画ステップと、
前記描画ステップにおいて前記画像を重ね書きする重ね書き回数を決定する回数決定ステップと、
前記描画ステップにおいて１画面分の前記画素データを、前記画素データ記憶手段に描画するのにかかる描画時間を推定する推定ステップと、を備え、
前記回数決定ステップにおいて、前記推定ステップで推定された前記描画時間に基づいて、前記重ね書き回数を決定すること
を特徴とする描画方法。
【請求項２】
前記画像が動画像である場合において、前記動画像の動きに基づいて、前記ずらし量を補正する補正ステップをさらに備えること
を特徴とする請求項１に記載の描画方法。
【請求項３】
前記画像が、単位図形の組合せにより定義される３次元画像である場合において、前記単位図形を、その奥行き方向順に並べ替える並べ替えステップをさらに備え、
前記描画ステップにおいて、前記単位図形を、視点に近いものから順に描画すること
を特徴とする請求項１に記載の描画方法。
【請求項４】
前記描画装置は、所定の入力を与えるときに操作される操作手段をさらに備え、
記録媒体に記録されているデータを読み込み、当該データを用いて、前記操作手段からの入力に基づき、所定の演算を行う演算ステップと、
前記演算ステップにおける演算結果に基づいて、前記画素データを求める画素データ生成ステップと、をさらに備えること
を特徴とする請求項１に記載の描画方法。
【請求項５】
コンピュータに、
画像を出力する２次元出力装置に出力させる画素データを、メモリに描画するときの描画位置を、１画素より細かい精度でずらすための複数のずらし量を設定するずらし量設定ステップと、
前記複数のずらし量に対応する、前記メモリの位置それぞれに、前記画素データを描画することにより、前記画像を重ね書きする描画ステップと
前記描画ステップにおいて、１画面分の前記画素データを、前記メモリに描画するのにかかる描画時間を推定する推定ステップと、
前記描画ステップにおいて、前記画像を重ね書きする重ね書き回数を、前記推定ステップで推定された前記描画時間に基づいて決定する回数決定ステップと、
を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体。
【請求項６】
前記プログラムは、前記コンピュータに、
前記画像が動画像である場合において、前記動画像の動きに基づいて、前記ずらし量を補正する補正ステップをさらに実行させること
を特徴とする請求項５に記載のコンピュータ読取可能な記録媒体。
【請求項７】
前記プログラムは、前記コンピュータに、
前記画像が、単位図形の組合せにより定義される３次元画像である場合において、前記単位図形を、その奥行き方向順に並べ替える並べ替えステップをさらに実行させ、
前記描画ステップにおいて、前記単位図形を、視点に近いものから順に描画させること
を特徴とする請求項５に記載のコンピュータ読取可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月6日(2005.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カード管理会社が利用者に発行するカードを利用した取引システムであって，
前記カード管理会社が前記カードのクレジット番号の他に前記カードまたは利用者を特定する番号を割り当ててこれを電子的に記録し，
利用者側に設けられたカードリーダーによる前記カードの保持データの読み出しに基づき通信回線を介して前記カードまたは利用者を特定する番号を受け取り，
この番号に基づき利用者または利用されたカードの確認を行うことを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項２】
カード管理会社が利用者に発行するＩＣチップを埋め込んだＩＣカードを利用した取引システムであって，
前記カード管理会社が前記ＩＣカード発行に当たって該ＩＣカードのＩＣチップに、読み出し可能な登録番号を記録し，
前記ＩＣカードの使用時に前記ＩＣカードのＩＣチップに記録された前記登録番号を前記カード管理会社が中継会社を介して読み出し，
前記読み出した登録番号によって会員確認を行うことを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項３】
カード管理会社が利用者に発行するＩＣチップを埋め込んだＩＣカードを利用した取引システムであって，
前記カード管理会社が前記ＩＣカード発行に当たって該ＩＣカードのＩＣチップに、読み出し可能な登録番号を記録し，
前記ＩＣカードの使用時に前記ＩＣカードのＩＣチップに記録された前記登録番号を前記カード管理会社が中継会社を介して読み出し，
前記読み出した登録番号毎に購買履歴を記憶するクレジット利用会員データベースのデータによって、該登録番号に対応する利用会員の購買履歴に基づく開始画面を編集することを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項４】
請求項３記載のシステムにおいて，
前記編集した利用会員の購買履歴に基づく開始画面は、カード管理会社が中継会社を介して利用会員の通信端末機器に送信することを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項５】
カード管理会社が利用者に発行するＩＣチップを埋め込んだＩＣカードを利用した取引システムであって，
前記カード管理会社が前記ＩＣカード発行に当たって該ＩＣカードのＩＣチップに、読み出し可能な登録番号を記録し，
前記ＩＣカードの使用時に前記ＩＣカードのＩＣチップに記録された前記登録番号を前記カード管理会社が中継会社を介して読み出し，
前記読み出した前記ＩＣカードのＩＣチップに記録された前記登録番号によって加盟店からの依頼に基づいてオーソリ処理を行うことを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項６】
請求項５に記載のシステムにおいて，
前記オーソリ処理に当たって、前記カード管理会社が中継会社を介して読み出し，
前記読み出した登録番号毎に個人情報を記憶するクレジット利用会員データベースのデータに基づいて個人情報の編集を行うことを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項７】
カード管理会社が利用者に発行するＩＣチップを埋め込んだＩＣカードを利用した取引システムであって，
前記カード管理会社が前記ＩＣカード発行に当たって該ＩＣカードのＩＣチップに、読み出し可能な登録番号を記録し，
前記ＩＣカードの使用時に前記ＩＣカードのＩＣチップに記録された前記登録番号を前記カード管理会社が中継会社を介して読み出し，
前記読み出した登録番号毎に対応させて前記カード管理会社のクレジット利用会員データベースに記録するクレジット番号を検索し、前記利用会員毎に売り上げ実績を積算し，
前記カード管理会社のクレジット利用額データベースに前記利用会員毎に登録することを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項８】
カード管理会社が利用者に発行するＩＣチップを埋め込んだＩＣカードを利用した取引システムであって，
前記カード管理会社が前記ＩＣカード発行に当たって該ＩＣカードのＩＣチップに、読み出し可能な登録番号を記録し，
前記ＩＣカードの使用時に前記ＩＣカードのＩＣチップに記録された前記登録番号を前記カード管理会社が中継会社を介して読み出す際に、前記ＩＣカードの記録内容を読み出し，
前記カード管理会社と通信を行う利用会員の通信端末機器のカードリーダの情報を前記カード管理会社のカードリーダ管理データベースに登録することを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項９】
請求項８に記載のシステムにおいて，
前記利用会員の通信端末機器のカードリーダの情報は、前記ＩＣカードの記録内容を読み出すカードリーダを備えて通信端末機器の種類であることを特徴とする取引システム。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載のシステムにおいて，
前記通信端末機器の種類は、ＰＣ又はＰＤＡであることを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項１１】
請求項９に記載のシステムにおいて，
前記ＩＣカードの記録内容を読み出すカードリーダは、ＰＣに外付けカードリーダ、ＰＣに内蔵のカードリーダ、ＩＣカード装着コネクタを備えたＰＤＡ、ＩＣカード装着コネクタを備えたカーナビのいずれかであることを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項１２】
請求項８、９、１０又は１１に記載のシステムにおいて，
前記利用会員の通信端末機器のカードリーダの情報は、前記ＩＣカードの記録内容を読み出すカードリーダの機器固有番号であることを特徴とするカードを利用した取引システム。
【請求項１３】
請求項８、９、１０、１１又は１２に記載のシステムにおいて，
前記利用会員の通信端末機器のカードリーダの情報の前記カード管理会社への登録は、前記利用会員が前記カード管理会社に申請することよって行うものであることを特徴とする取引システム。
【請求項１４】
請求項８、９、１０、１１又は１２に記載のシステムにおいて，
前記利用会員の通信端末機器のカードリーダの情報の前記カード管理会社への登録は、前記利用会員が前記カード管理会社から発行された前記ＩＣカードを、通信端末機器のカードリーダに挿入して前記カード管理会社にアクセスした際に、該カード管理会社が該アクセスした通信端末機器のカードリーダ機器固有番号を読み出して自動的に行うものであることを特徴とする取引システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上を流通する電子マネーの管理方法であって、
あるネットワーク上で流通する電子マネーを、当該ネットワークでのみ通用するローカル電子マネーとし、
当該ネットワークに設置された、当該ネットワークと他のネットワークとの間のデータの流通を制御するネットワーク機器において、
当該ネットワークに接続された第一の端末が前記他のネットワークに接続された第二の端末に送金する場合に、第一の端末から送信されたローカル電子マネーの内容を解析して、前記ローカル電子マネーの金額に対応する電子マネーの対応金額を算出するステップと、
当該解析の結果に基づいて、前記対応金額の送金処理を実行させる情報を生成するステップと、
前記送金処理の実行後に当該ローカル電子マネーを消去するステップと、を実行し、
前記第二の端末が前記第一の端末に送金する場合に、前記第二の端末から送信された電子マネーの送金処理が実行された後に、前記電子マネーの内容を解析して、前記電子マネーの金額に対応するローカル電子マネーの対応金額を算出するステップと、
前記対応金額のローカル電子マネーを生成するステップと、
生成した当該ローカル電子マネーのデータを記憶部に記憶させるステップと、を実行することを特徴とする電子マネーの管理方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子マネーの管理方法であって、
前記ネットワーク機器にて実行された、ローカル電子マネーの消去処理、ローカル電子マネーの生成処理の履歴を記録しておくことを特徴とする電子マネーの管理方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の電子マネーの管理方法であって、
前記第一の端末が前記第二の端末に送金する場合に、前記第一の端末が送信したローカル電子マネーの額面が、前記第一の端末のユーザにあらかじめ割り当てられた金額を越えているときは、ローカル電子マネーを電子マネーに換金することなく、前記第一の端末に返信することを特徴とする電子マネーの管理方法。
【請求項４】
請求項３記載の電子マネーの管理方法であって、
前記第一の端末が送信したローカル電子マネーの額面が、前記第一の端末のユーザにあらかじめ割り当てられた金額を越えている場合であっても、当該ローカル電子マネーに、前記第一の端末のユーザが前記金額を超えた送金を行うことを許可する旨のメッセージが付加されている場合、当該ローカル電子マネーに対応する電子マネーを前記第二の端末に送信することを特徴とする電子マネーの管理方法。
【請求項５】
請求項１、２または３記載の電子マネーの管理方法であって、
前記ネットワーク機器は、前記第一の端末からの指示にしたがい、当該端末から送られてきたローカル電子マネーを所望の額面単位のローカル電子マネーの組み合わせに変換することを特徴とする電子マネーの管理方法。
【請求項６】
ネットワーク上を流通する電子マネーを管理する電子マネーの管理装置であって、
第一のネットワークに接続された第一の端末が第二のネットワークに接続された第二の端末に送金する場合に、前記第一の端末から送信されたローカル電子マネーの内容を解析して、前記ローカル電子マネーの金額に対応する電子マネーの対応金額を算出する手段と、
当該解析の結果に基づいて、前記対応金額の送金処理を実行させる情報を生成する手段と、
前記送金処理の実行後に当該ローカル電子マネーを消去する手段と、を有し、
前記第二の端末が前記第一の端末に送金する場合に、前記第二の端末から送信された電子マネーの送金処理が実行された後に、前記電子マネーの内容を解析して、前記電子マネーの金額に対応するローカル電子マネーの対応金額を算出する手段と、
前記対応金額のローカル電子マネーを生成する手段と、
生成した当該ローカル電子マネーを記憶する手段と、を有することを特徴とする電子マネーの管理装置。
【請求項７】
請求項６記載の電子マネーの管理装置であって、
当該管理装置にて実行された、ローカル電子マネーの消去処理、ローカル電子マネーの生成処理の履歴を記録する履歴記録手段を有することを特徴とする電子マネーの管理装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の電子マネーの管理装置であって、
前記第一のネットワークに接続された端末のユーザ各々に割り当てられた送金額の上限を記録した送金上限額記録手段を有し、
前記第一の端末が記第二の端末に送金する場合に、前記第一の端末が送信したローカル電子マネーの額面が、前記送金上限額記録手段に記録された前記第一の端末のユーザに割り当てられた金額を越えているときは、ローカル電子マネーを電子マネーに換金することなく、前記第一の端末に返信することを特徴とする電子マネーの管理装置。
【請求項９】
請求項８記載の電子マネーの管理装置であって、
前記送金上限額記録手段は、前記第一の端末が送信したローカル電子マネーの額面が、前記第一の端末のユーザにあらかじめ割り当てられた金額を越えている場合であっても、当該ローカル電子マネーに、前記第一の端末のユーザが前記金額を超えた送金を行うことを許可する旨のメッセージが付加されている場合、当該ローカル電子マネーに対応する電子マネーを前記第二の端末に送信することを特徴とする電子マネーの管理装置。
【請求項１０】
請求項６、７または８記載の電子マネーの管理装置であって、
前記第一の端末からの指示にしたがい、当該端末から送られてきたローカル電子マネーを所望の額面単位のローカル電子マネーの組み合わせに変換する手段を有することを特徴とする電子マネーの管理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像補正装置において、
水平面に対してカメラの視軸が傾いた状態で取り付けられており、一対の画像データを出力するステレオカメラと、
前記一対の画像データに基づいて、ステレオマッチングにより視差を算出し、一フレーム相当の画像データに関する視差群と画像平面上の座標位置とが対応付けられた距離データを出力するステレオ画像処理部と、
前記水平面と前記カメラの視軸とがなす傾き角を検出する角度検出部と、
前記角度検出部によって検出された前記傾き角に基づいて、前記座標位置毎の視差変換パラメータを算出し、当該視差変換パラメータに基づいて、前記距離データを構成する個々の視差の値を補正する視差補正部と
を有することを特徴とする画像補正装置。
【請求項２】
前記角度検出部によって検出された前記傾き角に基づいて、前記座標位置毎の位置変換パラメータを算出し、当該位置変換パラメータに基づいて、前記距離データの座標位置を幾何学的に補正する位置補正部をさらに有することを特徴とする請求項１に記載された画像補正装置。
【請求項３】
前記位置補正部による補正によって、ある座標位置において視差の欠落が生じた場合、当該欠落が生じた座標位置の視差を周囲の視差に基づいて補間する補間部をさらに有することを特徴とする請求項２に記載された画像補正装置。
【請求項４】
前記位置補正部は、前記位置変換パラメータに基づいて、前記画像データの座標位置を幾何学的に補正することを特徴とする請求項２または３に記載された画像補正装置。
【請求項５】
前記角度検出部は、前記画像データを解析することで消失点を検出し、前記消失点の位置に基づいて、前記傾き角を検出することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載された画像補正装置。
【請求項６】
画像補正方法において、
水平面に対してカメラの視軸が傾いた状態で取り付けられたステレオカメラで景色を撮像することにより、一対の画像データを得る第１のステップと、
前記一対の画像データに基づいて、ステレオマッチングにより視差を算出し、一フレーム相当の画像データより得られた視差群と画像平面上の座標位置とが対応付けられた距離データを出力する第２のステップと、
前記水平面と前記カメラの視軸とがなす傾き角を検出する第３のステップと、
前記検出された傾き角に基づいて、前記座標位置毎の視差変換パラメータを算出する第４のステップと、
前記算出された視差変換パラメータに基づいて、前記距離データを構成する個々の視差の値を補正する第５のステップと
を有することを特徴とする画像補正方法。
【請求項７】
前記検出された傾き角に基づいて、前記座標位置毎の位置変換パラメータを算出する第６のステップと、
前記算出された位置変換パラメータに基づいて、前記距離データの座標位置を幾何学的に補正する第７のステップとをさらに有することを特徴とする請求項６に記載された画像補正方法。
【請求項８】
前記距離データの座標位置の補正によって、ある座標位置において視差の欠落が生じた場合、当該欠落が生じた座標位置の視差を周囲の視差に基づいて補間する第８のステップをさらに有することを特徴とする請求項７に記載された画像補正方法。
【請求項９】
画像補正装置において、
水平面に対してカメラの視軸が傾いた状態で取り付けられており、一対の画像データを出力するステレオカメラと、
前記一対の画像データに基づいて、ステレオマッチングにより視差を算出し、画像データにおける視差群と画像平面上の座標位置とが対応付けられた距離データを出力するステレオ画像処理部と、
前記水平面と前記カメラの視軸とがなす傾き角を検出する角度検出部と、
前記角度検出部によって検出された前記傾き角に基づいて、前記座標位置毎の視差変換パラメータを算出し、当該視差変換パラメータに基づいて、前記距離データを構成する視差の値を補正する視差補正部と
を有することを特徴とする画像補正装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月13日(2004.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着脱可能な小型カードをホストコンピュータ（以下ＰＣ）のインターフェイスに接続する小型カード用ＰＣアダプタであって、前記小型カードを接続する接続手段１と、ＰＣのインターフェイスに接続する接続手段２と、前記小型カードに記憶されている固有データを読み込む手段と、ＰＣのインターフェイスを通して、ＰＣへデータの受け渡しを行うインターフェイス制御手段とを備え、着脱可能な小型カードからの割込み信号をＰＣに伝達する機能を備えた小型カード用ＰＣアダプタ。
【請求項２】
着脱可能な小型カードからの割込み信号を伝達する機能を持つ小型カード用ＰＣアダプタであって、ＰＣドライバからベンダーユニークコマンドを発行することにより、その割込み伝達機能の有効無効の切換えが可能となる機能を備えた小型カード用ＰＣアダプタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体記憶装置に関し、特に抵抗素子として磁気トンネル抵抗素子を有した半導体記憶装置に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
この構成において、例えば、Ｚ１＝Ｒ１、Ｚ２＝１／ｓＣ２、Ｚ３＝Ｒ３、Ｚ４＝１／ｓＣ４、Ｚ５＝Ｒ５、Ｚ６＝１／ｓＣ６、かつ、Ｃ１＝Ｃ３＝Ｃ５／２、Ｒ２＝２Ｒ４＝２Ｒ６となるように受動素子をアサインすると、図５１に示すフィルタはＢＲＦとして機能する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
この構成において、インピーダンスＺ１〜Ｚ４に対して下記の表１に示す組み合わせのように受動素子をアサインすることにより、ＬＰＦ、ＨＰＦ、ＢＰＦを実現することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
図３に示すように、Ｈｘ2/3＋Ｈｙ2/3＜Ｈｋ2/3の範囲では、磁化の方向は変化しない。一方、Ｈｘ2/3＋Ｈｙ2/3＞Ｈｋ2/3の範囲では、磁化の方向は変化することになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
磁気トンネル抵抗素子ＭＲ１〜ＭＲ６の抵抗値は、デコーダＤＣから与えられる制御信号Ｄ０、Ｄ１、Ｄ２およびＤ３により設定される。すなわち、制御信号Ｄ０〜Ｄ３により磁気トンネル抵抗素子ＭＲ１〜ＭＲ６の磁化の方向が制御される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
ここで、制御信号Ｄ３は磁気トンネル抵抗素子ＭＲ５およびＭＲ６に与えられ、制御信号Ｄ２は磁気トンネル抵抗素子ＭＲ４に与えられ、制御信号Ｄ１は磁気トンネル抵抗素子ＭＲ２およびＭＲ３に与えられ、制御信号Ｄ０は磁気トンネル抵抗素子ＭＲ１に与えられる。なお、磁気トンネル抵抗素子ＭＲ２およびＭＲ３、磁気トンネル抵抗素子ＭＲ５およびＭＲ６は、それぞれ制御信号Ｄ１、Ｄ３で共通して制御されるので、磁気トンネル抵抗素子直列体と呼称し、磁気トンネル抵抗素子ＭＲ１およびＭＲ４は、それぞれ制御信号Ｄ０およびＤ２で独立して制御されるので、独立磁気トンネル抵抗素子と呼称する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１８】
列アドレス信号は、列デコーダＣＤＣとＡＴＤ回路ＡＴに送られる。そして、ある１個の行デコーダが選択されると、それに接続された行（ワード）ドライバが活性化されるが、１つの行アドレスにつき、１つのワード線（Word Line）が接続しており、該当するアドレスが選択されると活性化される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３４】
ビット情報が出力される間、セル増幅完了信号ＹＥは高電位（Ｈｉｇｈ）状態である。一方、バーＭＴＪバッファＢＦ３から出力される制御信号ＹＥｘは、行アドレスと列アドレスをラッチする間にはＬｏｗとなり、ＭＴＪ駆動回路ＭＪＤを不活性にする。なお、図２１に示すように、ＭＴＪ駆動回路ＭＪＤは、バーＥＱ信号と制御信号ＹＥｘとのＡＮＤ出力（ＡＮＤ回路Ｇ１の出力）で制御され、行デコーダＲＤＣに送られたＭＴＪ制御信号が、デコードされてアナログ回路中ＡＬ１〜ＡＬ３中の磁気トンネル抵抗素子に送られ、抵抗値を制御することになる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３５】
ＭＴＪ信号バッファＭＪＢでラッチされた信号は、行デコーダＲＤＣでデコードされ、例えば、図９に示す制御信号Ｄ０、Ｄ１、Ｄ２およびＤ３に相当する信号に変換される。このとき、制御信号ＹＥｘは、Ｈｉｇｈであるので、バーＹＥｘ信号で制御される行ドライバＲＤは不活性になる。従って、ＭＴＪ制御信号がデコードされてワード線をドライブすることはない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８５】
また、入力が十分負の場合、ツェナーダイオードＺＤには順バイアスがかかり、その場合の電圧降下はＶFであるので、接地電位を基準にすると出力電圧は−ＶFボルトになり、差動増幅器ＤＡの＋側の端子電圧は変化して、ＵＴＰより低いＬＴＰを与える。ＬＴＰは下記の数式（３８）で与えられる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３２１】
このように、微分器の出力電圧は入力電圧の微分となる。ここで、各抵抗を少なくとも１つの磁気トンネル抵抗素子を含む可変抵抗を用いて構成することで、プログラム制御により、さまざまな係数が掛かった微分を実現することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2003303942.tif 000001
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2003303942.tif 000002
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
2003303942.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子接続領域および外部接続領域を有する取り出し電極が形成された透明基板と、
素子形成面において画素部の周囲に所定の高さの突起状の接続電極が形成され、前記取り出し電極の前記素子接続領域と前記接続電極とが電気的かつ機械的に接続するように、前記素子形成面を前記透明基板に向けて前記透明基板上に実装された固体撮像素子と、
前記取り出し電極の前記素子接続領域および前記接続電極を取り囲むように前記透明基板と前記固体撮像素子の間に挟まれて形成され、前記固体撮像素子の前記素子形成面を気密封止するシール部材と
を有する固体撮像装置。
【請求項２】
前記取り出し電極の前記素子接続領域と前記接続電極とが直接接合されて、電気的かつ機械的に接続されている
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記接続電極と前記取り出し電極の前記素子接続領域とが導電性樹脂により接合されて、電気的かつ機械的に接続されている
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記シール部材は、前記固体撮像素子と前記透明基板との間の距離を規定し得る径を有するスペーサ部材を含有する
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記透明基板上には、前記取り出し電極に接続する配線がさらに形成されており、前記配線に電気的かつ機械的に接続するように、前記透明基板上に実装された他の電子素子をさらに有する
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
素子形成面において画素部の周囲に所定の高さの突起状の接続電極が形成された固体撮像素子を有し、前記固体撮像素子の前記素子形成面が気密封止された固体撮像装置の製造方法であって、
透明基板に素子接続領域および外部接続領域を有する取り出し電極を形成する工程と、
前記固体撮像素子の前記素子形成面と前記透明基板を対向させ、前記透明基板と前記固体撮像素子との間に、前記取り出し電極の前記素子接続領域および前記接続電極を取り囲むシール部材を挟んだ状態で、前記取り出し電極の前記素子接続領域と前記接続電極とが電気的かつ機械的に接続するように、前記透明基板上に前記固体撮像素子を実装する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記透明基板上に前記固体撮像素子を実装する工程の後に、前記取り出し電極の前記外部接続領域と実装基板の接続端子とを導電線を介して電気的かつ機械的に接続させて、前記固体撮像素子が実装された前記透明基板を前記実装基板上に取り付ける工程をさらに有する
請求項６記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記透明基板に前記取り出し電極を形成する工程において、前記取り出し電極に接続する配線をさらに形成しておき、
前記透明基板上に前記固体撮像素子を実装する工程の前に、前記透明基板上に、前記配線に電気的かつ機械的に接続するように他の電子素子を実装する工程をさらに有する
請求項６記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記透明基板上に前記固体撮像素子を実装する工程の後に、前記取り出し電極の前記外部接続領域と実装基板の接続端子とを導電線を介して電気的かつ機械的に接続させて、前記固体撮像素子が実装された前記透明基板を前記実装基板上に取り付ける工程をさらに有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記透明基板に前記取り出し電極を形成する工程において、前記取り出し電極に接続する配線をさらに形成しておき、前記透明基板上に前記固体撮像素子を実装する工程の前に、前記透明基板上に、前記配線に電気的かつ機械的に接続するように他の電子素子を実装する工程をさらに有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、固体撮像素子の素子形成面と透明基板を対向させ、透明基板と固体撮像素子との間に、取り出し電極の素子接続領域および接続電極を取り囲むシール部材を挟んだ状態で、取り出し電極の素子接続領域と接続電極とが電気的かつ機械的に接続するように透明基板上に固体撮像素子を実装することにより、シール部材により、固体撮像素子の素子形成面が気密封止される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面の製品形成部に金属膜によって構成される複数の端子を設けた可撓性のテープを準備する工程と、
前記テープの主面に半導体素子を固定する工程と、
前記半導体素子の電極と前記端子を導電性のワイヤで接続する工程と、
前記テープの主面において前記半導体素子及び前記ワイヤを含む領域に絶縁性樹脂層を形成して前記半導体素子及び前記ワイヤを被う工程と、
前記半導体素子及び前記ワイヤを前記絶縁性樹脂層で被った後、前記テープを剥離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の端子は、前記半導体素子の周囲に沿って、複数行、複数列によって構成されるアレイ状に配列されることを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記テープの剥離後、前記絶縁性樹脂層の裏面に露出する前記端子面に電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記テープの剥離後、前記絶縁性樹脂層の裏面に露出する前記端子面にメッキ膜を形成して前記絶縁性樹脂層の裏面から突出する電極を形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記テープの剥離後、前記絶縁性樹脂層の裏面に露出する前記端子面に前記絶縁性樹脂層の裏面から突出するボール電極を形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記テープとの接着力よりも前記半導体素子との接着力が大きな絶縁性の接着材を用いて前記テープに前記半導体素子を接着させ、前記絶縁性樹脂層から前記テープを剥離させる際、前記半導体素子の裏面に前記接着材を残留させて前記テープを剥離することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記接着材は接着テープであることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記製品形成部には前記半導体素子を固定するための素子固定テープ面と、この素子固定テープ面の周囲に配置される複数の端子とからなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記製品形成部にマトリックス状に前記端子を設け、一部の複数の前記端子上に前記半導体素子を固定することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記製品形成部に前記端子を形成する際同時に前記端子を形成する材料で前記半導体素子を固定する半導体素子固定片を形成し、その後前記半導体素子を前記半導体素子固定片上に固定することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記テープとして帯状のテープを使用するとともに、前記テープの長手方向に沿って順次前記半導体素子の固定及びワイヤの接続並びに絶縁性樹脂層の形成を行い、その後前記テープをリールに巻き付けることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記テープに前記製品形成部をマトリックス状に設け、前記半導体素子の固定及び前記ワイヤの接続を行った後、前記全ての製品形成部を被うように前記絶縁性樹脂層を形成し、その後前記テープを前記絶縁性樹脂層から剥離するとともに前記絶縁性樹脂層を各製品形成部の境で切断して半導体装置を複数製造することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁性樹脂層の外周縁よりも内側に前記端子を位置させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記製品形成部に複数の半導体素子を固定することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記封止体内には複数の半導体素子が封止され、少なくとも一部の半導体素子は他の半導体素子上に重ねて固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記製品形成部において前記端子をマトリックス状に配置するとともに、一部の端子は１乃至複数の端子と繋げて配線引回し端子にすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
主金属層の主面または主面及び裏面に１乃至複数層の補助金属層を形成して前記端子を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記主金属層の主面側に表面が粗面になる補助金属層を形成して前記端子の主面側表面を粗面に形成することを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記端子の主面または前記端子の主面及び裏面の最外側の前記補助金属層を金層で形成することを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記主金属層は銅であることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記半導体素子の固定，前記ワイヤの接続及び前記絶縁性樹脂層の形成のいずれか一つの工程または複数の工程において、前記テープの裏面を真空吸着によって保持した状態で作業を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、
前記基板上に形成された第１の絶縁膜、
アルミニウムを主成分とする導電体膜を有し、前記第１の絶縁膜上に形成された配線、
前記配線を覆うように前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜、
前記配線の上面と側面とが露出するように、前記第２の絶縁膜に形成されたスルーホール、
前記スルーホール内で露出する前記配線の側面に形成された窒化アルミニウム部分、
前記スルーホールの側面及び底面上に形成された窒化金属膜、および
前記スルーホールを埋めるタングステンプラグ、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板を準備する工程、
前記基板上に第１の絶縁膜を形成する工程、
前記第１の絶縁膜上に配線を形成する工程、
前記第１の絶縁膜上に前記配線を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程、
前記配線の上面と側面とが露出するように前記第２の絶縁膜にスルーホールを形成する工程、
前記スルーホールの側面及び底部上に窒化金属膜を形成する工程、および
前記スルーホールを埋めるようにタングステン膜を形成する工程、
を具備し、
前記窒化金属膜を形成する工程では、前記スルーホールから露出する前記配線の側面が窒化され前記配線材料の窒化物が前記配線の露出した側面に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板を準備する工程、
前記基板上に第１の絶縁膜を形成する工程、
前記第１の絶縁膜上に、アルミニウムを主成分とする導電体膜を有する配線を形成する工程、
前記第１の絶縁膜上に前記配線を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程、
前記配線の上面と側面とが露出するように前記第２の絶縁膜にスルーホールを形成する工程、
前記スルーホールの側面及び底部上に窒化金属膜を形成する工程、および
前記スルーホールを埋めるようにタングステン膜を形成する工程、
を具備し、
前記窒化金属膜を形成する工程では、前記窒化金属膜を形成するために使用されるガスにより、前記スルーホールから露出する前記配線の側面が窒化され前記配線材料の窒化物が前記配線の露出した側面に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板を準備する工程、
前記基板上に第１の絶縁膜を形成する工程、
前記第１の絶縁膜上に、アルミニウムを主成分とする導電体膜を有する配線を形成する工程、
前記第１の絶縁膜上に前記配線を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程、
前記配線の上面と側面とが露出するように前記第２の絶縁膜にスルーホールを形成する工程、
前記スルーホールの側面及び底部上に窒化金属膜をスパッタリング法を用いて形成する工程、および
前記スルーホールを埋めるようにタングステン膜をＣＶＤ法を用いて形成する工程、
を具備し、
前記窒化金属膜を形成する工程では、前記窒化金属膜を形成するために使用されるガスにより、前記スルーホールから露出する前記配線の側面が窒化されて前記配線の露出した側面に窒化アルミニウム部分が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板を準備する工程、
前記基板上に第１の絶縁膜を形成する工程、
前記第１の絶縁膜上に配線を形成する工程、
前記第１の絶縁膜上に前記配線を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程、
前記配線の上面と側面とが露出するように前記第２の絶縁膜にスルーホールを形成する工程、
前記スルーホールから露出する前記配線の側面を窒化させる工程、
前記スルーホールの側面及び底部上に窒化金属膜を形成する工程、および
前記スルーホールを埋めるようにタングステン膜を形成する工程、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来、多層配線構造を有する半導体装置において、アルミニウム配線層間をタングステンプラグによって電気的に接続する技術が知られている。例えば、下層アルミニウム配線を覆う層間絶縁膜に、下層アルミニウム配線の一部を露出するスルーホールを形成し、スルーホールの内壁及び底部を含む層間絶縁膜上にバリア膜としてチタン膜及び窒化チタン膜をスパッタリング法によって順に形成し、チタン膜及び窒化チタン膜を介してスルーホールを埋めるようにタングステン膜をＣＶＤ法によって形成し、ＣＭＰ法などによって層間絶縁膜上の不要なタングステン膜、窒化チタン膜及びチタン膜を除去して、タングステンプラグを形成する。その後、タングステンプラグが埋め込まれた層間絶縁膜上に上層アルミニウム配線が形成される。下層アルミニウム配線と上層アルミニウム配線はタングステンプラグを介して電気的に接続する。
特開２００１−１１８９２５号公報の図３，４には、下層配線上に目ハズレした接続孔を形成後にＴｉＮ膜のバリア膜を形成してＷを埋め込んでプラグを形成する開示がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月8日(2005.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを発生させて被処理体にプラズマ処理を行う真空処理室と、
内部に熱媒体の流路を有する導電性材料で形成されるブロックと、
前記ブロックに接するように配置され少なくとも一部が絶縁性材料で形成された真空処理室内部品とを有し、
前記流路内に熱媒体としての絶縁性流体を流して前記真空処理室内部品を温度制御するプラズマ処理装置において、
前記被処理体が前記真空処理室内になく、且つプラズマを発生させない状態で前記流路に前記絶縁性流体を流す時に、不活性ガスを前記真空処理室内に供給しつつ前記真空処理室内を所定の圧力に制御することにより、前記真空処理室内部品の帯電圧の上昇を抑制することを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記絶縁性流体はフッ素系冷媒であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記絶縁性材料の体積抵抗率は１０9 Ω・ｃｍ以上であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項４】
請求項３記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記絶縁性材料はセラミックであることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項５】
請求項４記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記真空処理室内部品は静電チャックであり、前記ブロックはアルミニウムで形成される下部電極であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項６】
請求項５記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記真空処理室には、前記下部電極と所定の距離だけ離れた位置に平行に配置される上部電極を有し、前記所定の圧力は、前記不活性ガスの種類に対応して求められるパッシェンカーブの最小火花条件から放電距離を前記所定距離とした場合に算出される圧力に対して、０．６倍以上、２．０倍以下であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか一項記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記不活性ガスは窒素ガスであることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項８】
請求項７記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記所定の圧力は、略１３Ｐａ以上、略４０Ｐａ以下であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項９】
請求項１〜８いずれか一項記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記所定の圧力は間欠的に制御することを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項１０】
請求項９記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記間欠的な圧力の制御は、前記不活性ガスの流量を変化させて行うことを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項１１】
請求項９記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記間欠的な圧力の制御は、前記不活性ガスの流量を一定とし、圧力制御装置で行うことを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項１２】
請求項１記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記真空処理室内への不活性ガスの供給開始後、所定時間経過した後に、前記真空処理室内の圧力制御を開始することを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【請求項１３】
請求項１２記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
前記所定時間が５分であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項１１の発明は、請求項９記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、前記間欠的な圧力の制御は、前記不活性ガスの流量を一定とし、圧力制御装置で行うことを特徴とする。
請求項１２の発明は、請求項１記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、前記真空処理室内への不活性ガスの供給開始後、所定時間経過した後に、前記真空処理室内の圧力制御を開始することを特徴とする。
請求項１３の発明は、請求項１２記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、前記所定時間が５分であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であるＣＭＯＳ集積回路を構成するＭＯＳトランジスタのバックゲートに対し高いインピーダンスを付与するインピーダンス付与手段と、前記ＣＭＯＳ集積回路の電源で駆動され、前記ＣＭＯＳ集積回路の使用時において前記インピーダンス付与手段が付与する高インピーダンスを低インピーダンス化するように切換動作を行うスイッチと、を備えたことを特徴とする半導体装置の静電破壊防止回路。
【請求項２】
半導体装置であるＣＭＯＳ集積回路を構成するＭＯＳトランジスタのバックゲートに対し高いインピーダンスを付与するインピーダンス付与手段と、前記ＭＯＳトランジスタの電源で駆動され、前記ＣＭＯＳ集積回路の使用時において前記インピーダンス付与手段が付与する高インピーダンスを低インピーダンス化するように切換動作を行うスイッチと、外乱により前記ＣＭＯＳ集積回路の電源電位が一時に上昇したとき、前記スイッチの前記低インピーダンス化への切換動作を一定時間遅延させる遅延手段と、を備えたことを特徴とする半導体装置の静電破壊防止回路。
【請求項３】
前記ＭＯＳトランジスタの信号電極と電極パッドとを接続する配線に接続されるサージ保護回路、を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の静電破壊防止回路。
【請求項４】
電極パッドと、
該電極パッドと電源端子との間に接続される第１のＭＯＳトランジスタと、
該電極パッドと接地との間に接続される第２のＭＯＳトランジスタと、
該第２のＭＯＳトランジスタのバックゲートに対し第１のインピーダンスを付与するインピーダンス付与手段と、
前記電源端子に電圧が印加された後、前記インピーダンス付与手段が付与する第１のインピーダンスよりも低い第２のインピーダンスにするように切換動作を行うスイッチと、
を備えたことを特徴とする半導体装置の保護回路。
【請求項５】
前記第１のＭＯＳトランジスタはＰＭＯＳトランジスタであり、前記第２のＭＯＳトランジスタはＮＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の保護回路。
【請求項６】
前記スイッチは、前記第２のＭＯＳトランジスタと、前記接地との間に接続されるＭＯＳトランジスタとからなり、前記電源端子に電圧が印加された後、該ＭＯＳトランジスタが導通状態になることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の保護回路。
【請求項７】
前記電極パッドは出力電極パッドであり、前記第１のＭＯＳトランジスタと前記第２のＭＯＳトランジスタは、それぞれ出力ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の保護回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の絶縁膜に形成される多層配線の構造において、下層導電材料と直接接する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられ、下層配線の凹凸に依存しない平坦な第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に設けられる低誘電率の応力緩和層である第３の絶縁膜とから形成されるビア絶縁膜に形成されたビアホールと、第３の絶縁膜上に形成された第４の絶縁膜を貫通して前記第３の絶縁膜内部にまで達する配線溝が形成され、該配線溝と該ビアホールとに導電材料が埋めこまれていることを特徴とする配線構造。
【請求項２】
前記第４の絶縁膜上に第５の絶縁膜が形成され、前記第４の絶縁膜と前記第５の絶縁膜を貫通し、前記第３の絶縁膜内部にまで達する溝が形成され、その溝の内部に導電材料が埋めこまれることを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項３】
第３の絶縁膜の比誘電率が、第２の絶縁膜の比誘電率より小さく、且つ前記第４の絶縁膜の比誘電率より大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線構造。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜がシロキサンを主成分とする低誘電率絶縁膜であり、
前記第３の絶縁膜がジビニルシロキサンベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜、芳香族またはシロキサンを含む有機ポリマー膜、または有機シロキサン膜から選ばれる絶縁膜であり、
前記第４の絶縁膜がハイドロゲンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）膜、メチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）膜、ＢＣＢ膜、芳香族を含む多孔質有機ポリマー膜、多孔性有機シリカ膜、またはＳｉ−Ｈ結合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、Ｓｉ−Ｆ結合の何れかを含む多孔質シリカ膜から選ばれる絶縁膜であることを特徴とする請求項３に記載の配線構造。
【請求項５】
前記第３の絶縁膜がＢＣＢ膜であることを特徴とする請求項４記載の配線構造。
【請求項６】
第３の絶縁膜の厚みが、上層配線の最小配線間隔以上の厚さであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の配線構造。
【請求項７】
Ｃｕを導電材の主成分とした下層配線とビアホールの接続部において、Ｃｕ以外の金属を主成分とした界面層を有せず、かつ前記第３の絶縁膜が対Ｃｕ拡散耐性を有することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の配線構造。
【請求項８】
半導体基板上に多層配線を有する半導体装置であって、該多層配線の少なくとも一部が請求項１乃至７のいずれかに記載の配線構造を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月5日(2005.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような方法により多結晶シリコンＴＦＴを製造するに際して、非晶質シリコン膜を成膜した後にレーザーアニールを施す場合には、非晶質シリコン膜を比較的低温の熱処理で多結晶化することができる一方、レーザー光に対する非晶質シリコン膜の光吸収率が低いため、光照射効率が低く、非晶質シリコン膜を十分に結晶成長させることができないという問題点がある。また、不純物イオンを注入し層間絶縁膜を成膜した後、ソース領域及びドレイン領域に対するレーザーアニールを施す場合においても、これらソース領域及びドレイン領域をレーザー光が透過する割合が高いため、光照射効率が低く、十分な活性化ないし結晶化を行えない場合がある。さらに、上記のような結晶成長ないし不純物の活性化を促すために、光照射を余剰に行うと、光源の消耗が進むばかりでなく、熱処理に長時間を要し生産性向上の観点から好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数エネルギを吸収する材料をＲＦ試験室の壁面に配置する方法であって、
（ａ）被試験装置からの放射の等価中心のフロアからの高さにほぼ等しいＲＦ試験室のフロアからの高さＨを決定するステップと、
（ｂ）高さＨから始めて、Ｈより低い高さの有効吸収量を減少させるステップと
を備えて成る方法。
【請求項２】
ステップ（ｂ）の減少が線形であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記材料がフェライトであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フェライトが、タイル形状をなしており、
（ｃ）横列と縦列からなるグリッド・パターンに従って、前記高さＨより下方の壁面に前記フェライト・タイルを配置するステップと、
（ｄ）前記フロアと前記高さＨの間において、隣接するタイルによって完全に充填された縦列を避けるように、横列に沿ってタイルの再配分を行うステップと
をさらに備えて成る、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月3日(2004.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板と、
対向電極を有する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を有し、
前記複数のＴＦＴを構成する第１の配線、第２の配線および画素電極は互いに絶縁層で絶縁分離されており、前記絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料又は顔料を分散させた絶縁膜からなることを特徴とする反射型表示装置。
【請求項２】
複数のＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板と、
対向電極を有する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を有し、
前記複数のＴＦＴを構成する第１の配線、第２の配線および画素電極は互いに絶縁層で絶縁分離されており、前記絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料又は顔料を分散させた有機性樹脂膜からなることを特徴とする反射型表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記有機性樹脂膜とはポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルから選ばれた一種または複数種の材料であることを特徴とする反射型表示装置。
【請求項４】
複数のＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板と、
対向電極を有する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を有する反射型表示装置を具備し、
前記複数のＴＦＴを構成する第１の配線、第２の配線および画素電極は互いに絶縁層で絶縁分離されており、前記絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料又は顔料を分散させた絶縁膜からなることを特徴とする電子デバイス。
【請求項５】
複数のＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板と、
対向電極を有する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を有する反射型表示装置を具備し、
前記複数のＴＦＴを構成する第１の配線、第２の配線および画素電極は互いに絶縁層で絶縁分離されており、前記絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料又は顔料を分散させた有機性樹脂膜からなることを特徴とする電子デバイス。
【請求項６】
請求項５において、
前記有機性樹脂膜とはポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルから選ばれた一種または複数種の材料であることを特徴とする電子デバイス。