【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）安定な分散状態を有する研磨スラリを用意する工程、
（ｂ）前記研磨スラリを、純水を主要な成分とする水溶液で希釈する工程、
（ｃ）ウエハの被処理面に、前記水溶液で希釈した直後の研磨スラリを供給して化学機械研磨処理を行う工程。
【請求項２】
前記安定な分散状態を有する研磨スラリは、１１〜１５重量％のシリカを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記安定な分散状態を有する研磨スラリは、１１〜１３重量％のシリカを含むことを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記安定な分散状態を有する研磨スラリは、１２重量％のシリカを含むことを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記研磨スラリと前記水溶液の混合比率は、１（研磨スラリ）：１〜１．２（水溶液）であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記研磨スラリを前記水溶液で希釈した後、２時間以内に前記ウエハの被処理面に供給することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
前記研磨スラリを前記水溶液で希釈した後、１０分以内に前記ウエハの被処理面に供給することを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
前記研磨スラリを前記水溶液で希釈した後、１０〜１５秒以内に前記ウエハの被処理面に供給することを特徴とする請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記安定な分散状態を有する研磨スラリのｐＨは、１０．５〜１１．５であることを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）研磨スラリ中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度が２０万個／０．５ｃｃ以下になるまで静止放置した前記研磨スラリを用意する工程、
（ｂ）前記研磨スラリを、純水を主要な成分とする水溶液で希釈する工程、
（ｃ）ウエハの主面に、前記水溶液で希釈した直後の研磨スラリを供給して化学機械研磨処理を行う工程。
【請求項１１】
前記工程（ａ）において、前記研磨スラリは、その中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度が５万個／０．５ｃｃ以下になるまで静止放置したものを使用することを特徴とする請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（ａ）において、前記研磨スラリは、その中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度が２万個／０．５ｃｃ以下になるまで静止放置したものを使用することを特徴とする請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）３０日以上静止放置した研磨スラリを用意する工程、
（ｂ）前記研磨スラリを、純水を主要な成分とする水溶液で希釈する工程、
（ｃ）ウエハの主面に、前記水溶液で希釈した直後の研磨スラリを供給して化学機械研磨処理を行う工程。
【請求項１４】
前記工程（ａ）において、前記研磨スラリは、４０日以上静止放置したものを使用することを特徴とする請求項１３記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（ａ）において、前記研磨スラリは、４５日以上静止放置したものを使用することを特徴とする請求項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）１１〜１５重量％のシリカを含む研磨スラリを用意する工程、
（ｂ）前記研磨スラリを、純水を主要な成分とする水溶液または薬液で希釈する工程、
（ｃ）ウエハの主面に、前記水溶液または薬液で希釈した直後の研磨スラリを供給して化学機械研磨処理を行うことにより、前記ウエハの主面に研磨平坦化絶縁膜分離溝を形成する工程。
【請求項１７】
前記研磨スラリと前記水溶液または薬液の混合比率は、１（研磨スラリ）：１〜１．２（水溶液または薬液）であることを特徴とする請求項１６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
前記研磨スラリを前記水溶液または薬液で希釈した後、２時間以内に前記ウエハの主面に供給することを特徴とする請求項１６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】
前記研磨スラリを前記水溶液または薬液で希釈した後、１０分以内に前記ウエハの主面に供給することを特徴とする請求項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２０】
前記研磨スラリを前記水溶液または薬液で希釈した後、１０〜１５秒以内に前記ウエハの主面に供給することを特徴とする請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２１】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）研磨スラリ中に１１〜１５重量％のシリカを含み、前記研磨スラリ中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度が２０万個／０．５ｃｃ以下になるまで静止放置した前記研磨スラリを用意する工程、
（ｂ）前記研磨スラリを、純水を主要な成分とする水溶液で希釈する工程、
（ｃ）絶縁膜が形成されたウエハの主面に、前記水溶液で希釈した直後の研磨スラリを供給して化学機械研磨処理を行うことにより、前記ウエハの主面に形成された絶縁膜を平坦化して溝内に絶縁材料を埋め込む工程。
【請求項２２】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）研磨スラリ中に１１〜１５重量％のシリカを含み、３０日以上静止放置した前記研磨スラリを用意する工程、
（ｂ）前記研磨スラリを、純水を主要な成分とする水溶液で希釈する工程、
（ｃ）絶縁膜が形成されたウエハの主面に、前記水溶液で希釈した直後の研磨スラリを供給して化学機械研磨処理を行うことにより、前記ウエハの主面に形成された絶縁膜を平坦化して溝内に絶縁材料を埋め込む工程。
【請求項２３】
前記（ａ）工程の研磨スラリは、１１〜１３重量％のシリカを含むことを特徴とする請求項１６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２４】
前記（ａ）工程の研磨スラリは、１２重量％のシリカを含むことを特徴とする請求項２３記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２５】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）ウエハの主面上に形成した耐酸化性絶縁膜をマスクに用いて前記ウエハの主面をエッチングすることにより、前記ウエハの主面に溝を形成する工程、
（ｂ）前記溝の内部を含む前記ウエハの主面上に酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）１１〜１５重量％のシリカを含む研磨スラリを純水で希釈する工程、
（ｄ）前記（ｂ）工程が完了した前記ウエハの主面上に、前記純水で希釈した直後の研磨スラリを供給し、前記耐酸化性絶縁膜を研磨のストッパに用いて前記酸化シリコン系絶縁膜を化学機械研磨することによって、前記酸化シリコン系絶縁膜を前記溝の内部に選択的に残す工程。
【請求項２６】
前記研磨スラリを前記純水で希釈した後、２時間以内に前記ウエハの主面に供給することを特徴とする請求項２５記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２７】
前記研磨スラリを前記純水で希釈した後、１０分以内に前記ウエハの主面に供給することを特徴とする請求項２６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２８】
前記研磨スラリを前記純水で希釈した後、１０〜１５秒以内に前記ウエハの主面に供給することを特徴とする請求項２７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２９】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）１１〜１５重量％のシリカを含み、研磨スラリ中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度が５万個／０．５ｃｃ以下になるまで静止放置した研磨スラリを用意する工程、
（ｂ）ウエハの主面上において、前記研磨スラリと純水を主成分とする水溶液とを同時に供給しながら化学機械研磨処理を行う工程。
【請求項３０】
前記研磨スラリと前記水溶液の供給比率は、１（研磨スラリ）：１〜１．２（水溶液）であることを特徴とする請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３１】
前記研磨スラリに含まれる粒径１μｍ以上の凝集シリカ粒子の濃度は、２万個／０．５ｃｃ以下であることを特徴とする請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３２】
前記研磨スラリを、あらかじめ３０日以上静止放置することを特徴とする請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３３】
前記（ｂ）工程は、前記ウエハの主面に研磨平坦化絶縁膜分離溝を形成する工程であることを特徴とする請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３４】
前記（ａ）工程の研磨スラリは、１１〜１３重量％のシリカを含むことを特徴とする請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３５】
前記（ａ）工程の研磨スラリは、１２重量％のシリカを含むことを特徴とする請求項３４記載の半導体集積回路装置の製造方法。