【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した第二物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記セグメントの少なくとも一つが約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有し、
前記ナノワイヤーは直径の実質的な単分散の分配を有するナノワイヤーの群から選択されることを特徴とするナノワイヤー。
【請求項２】
第一物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した第二物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記セグメントの少なくとも一つが約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有し、
前記ナノワイヤーは長さの実質的な単分散の分配を有するナノワイヤーの群から選択されることを特徴とするナノワイヤー。
【請求項３】
第一物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した第二物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記ナノワイヤーを表す特徴は、量子制限効果によって前記第一及び第二物質のバルク特徴に関して修正される、電子特質、光特質、物理特質、磁気特質及び化学特質から本質的に構成される群から選択されることを特徴とするナノワイヤー。
【請求項４】
第一物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した第二物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記ナノワイヤーは、前記ナノワイヤーの直径の機能として変化する、少なくとも一つの電子特性を有することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項５】
前記電子特性は、バンドギャップエネルギーを含むことを特徴とする請求項４に記載のナノワイヤー。
【請求項６】
実質的に結晶物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した実質的に結晶物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項７】
実質的に結晶物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した構成的に異なる物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項８】
半導体物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合する半導体物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項９】
ドープされた半導体物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合したドープした半導体物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項１０】
実質的に結晶物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した構成的に異なる物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約２０ｎｍまでの範囲の距離にわたっており、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００未満の実質的に均一な直径を有することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項１１】
実質的に結晶物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した実質的に結晶物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約２０ｎｍまでの範囲の距離にわたっており、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００未満の実質的に均一な直径を有することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項１２】
半導体物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した半導体物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約２０ｎｍまでの範囲の距離にわたっており、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００未満の実質的に均一な直径を有することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項１３】
ドープされた半導体物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合したドープされた半導体物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約２０ｎｍまでの範囲の距離にわたっており、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項１４】
実質的に結晶物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した構成的に異なる物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約２０ｎｍまでの範囲の距離にわたっており、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの変化は、前記第一セグメントの構成が、前記第一セグメントの中心での前記第一セグメントの前記構成の約９９％まで減少する際に、前記第二セグメントに向かうポイントで開始し、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００未満の実質的に均一な直径を有することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項１５】
前記第二セグメントは、実質的に結晶物質を含むことを特徴とする請求項７、１０又は１４のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項１６】
実質的に結晶物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した実質的に結晶物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約２０ｎｍまでの範囲の距離にわたっており、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの変化は、前記第一セグメントの構成が、前記第一セグメントの中心での前記第一セグメントの前記構成の約９９％まで減少する際に、前記第二セグメントに向かうポイントで開始し、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００ｎｍ未満の直径を有し、
約２００ｎｍ未満の直径を有する前記セグメントの少なくとも一つの前記直径は、前記セグメントの前記長さにおいて約１０％以上で変化しないことを特徴とするナノワイヤー。
【請求項１７】
前記第一及び前記第二のセグメントの各々は、半導体物質を含むことを特徴とする請求項１１又は１６に記載のナノワイヤー。
【請求項１８】
半導体物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した半導体物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約２０ｎｍまでの範囲の距離にわたっており、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの変化は、前記第一セグメントの構成が、前記第一セグメントの中心での前記第一セグメントの前記構成の約９９％まで減少する際に、前記第二セグメントに向かうポイントで開始し、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００未満の直径を有し、
約２００未満の直径を有する前記セグメントの少なくとも一つの前記直径は、前記セグメントの前記長さにおいて約１０％以上で変化しないことを特徴とするナノワイヤー。
【請求項１９】
前記第一及び前記第二のセグメントの各々は、ドープされた半導体物質を含むことを特徴とする請求項６、８、１１、１２、１６又は１８のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項２０】
ドープされた半導体物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合したドープされた半導体物質の第二セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約２０ｎｍまでの範囲の距離にわたっており、
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの変化は、前記第一セグメントの構成が、前記第一セグメントの中心での前記第一セグメントの前記構成の約９９％まで減少する際に、前記第二セグメントに向かうポイントで開始し、
前記セグメントの少なくとも一つは、約２００未満の直径を有し、
約２００未満の直径を有する前記セグメントの少なくとも一つの前記直径は、前記セグメントの前記長さにおいて約１０％以上で変化しないことを特徴とするナノワイヤー。
【請求項２１】
前記ドープされた半導体物質が、群ＩＩＩ−Ｖ半導体と、群ＩＩ−ＶＩ半導体と、群ＩＩ−ＩＶ半導体と、それらの第三級及び第四級とから本質的に構成される群から選択されることを特徴とする請求項９、１３，１９又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項２２】
前記第一及び第二セグメントの各々は、均質にドープされた半導体の電気的な特徴を表すことを特徴とする請求項６、８、１１、１２、１３、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項２３】
前記物質の少なくとも一つは、実質的に結晶物質を含むことを特徴とする請求項１、２、３又は４に記載のナノワイヤー。
【請求項２４】
前記第一及び第二物質は、構成的に異なる物質であることを特徴とする請求項１、２、３、４、６、８、９、１１、１２、１３、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項２５】
前記セグメントの少なくとも一つは、実質的に単結晶物質を含むことを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項２６】
前記第一セグメントから前記第二セグメントまでの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約１００ｎｍまでの距離範囲であることを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８又は９のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項２７】
前記変化は、実質的に欠陥がない領域で発生することを特徴とする請求項２６に記載のナノワイヤー。
【請求項２８】
前記第一セグメントから前記第二セグメントまでの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約２０ｎｍまでの距離範囲であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８又は９のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項２９】
前記変化は、実質的に欠陥がない領域で発生することを特徴とする請求項２８に記載のナノワイヤー。
【請求項３０】
前記変化は、実質的に結晶である領域で発生することを特徴とする請求項２６又は２８に記載のナノワイヤー。
【請求項３１】
前記変化は、実質的に単結晶である領域で発生することを特徴とする請求項２６又は２８に記載のナノワイヤー。
【請求項３２】
前記第一セグメントから前記第二セグメントへの変化は、前記第一セグメントの構成が、前記第一セグメントの中心での前記第一セグメントの前記構成の約９９％まで減少する際に、前記第二セグメントに向かうポイントで開始することを特徴とする請求項２６又は２８に記載のナノワイヤー。
【請求項３３】
約２００ｎｍ未満の直径を有する前記セグメントの少なくとも一つの前記直径は、前記セグメントの前記長さにおいて約５０％以上で変化しないことを特徴とする請求項１、２、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項３４】
前記第二セグメントは、前記第一セグメントに縦に隣接することを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項３５】
前記第二セグメントは、前記第一セグメントに共軸に隣接することを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項３６】
前記第一セグメントは、実質的に単結晶物質を含むことを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項３７】
前記第二セグメントは、実質的に単結晶物質を含むことを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項３８】
前記第一及び第二セグメントは、ｐ−ｎ結合を形成することを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項３９】
前記第一及び第二セグメントは、ｐ−ｉ結合を形成することを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項４０】
結合が形成される第二ナノワイヤーに電気的に接続されたことを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項４１】
前記ナノワイヤーは前記第二ナノワイヤーとオーミック接触であることを特徴とする請求項４０に記載のナノワイヤー。
【請求項４２】
前記ナノワイヤーは、前記第二ナノワイヤーに対して伝導性に結合されたことを特徴とする請求項４０に記載のナノワイヤー。
【請求項４３】
前記ナノワイヤーは、前記第二ナノワイヤーを備えるトンネル結合を形成することを特徴とする請求項４０に記載のナノワイヤー。
【請求項４４】
前記結合は、実質的に線形の電圧−電流関係を有することを特徴とする請求項４０に記載のナノワイヤー。
【請求項４５】
前記結合は、実質的に非線形の電圧−電流関係を有することを特徴とする請求項４０に記載のナノワイヤー。
【請求項４６】
前記結合は、実質的に段階関数の電圧−電流関係を有することを特徴とする請求項４０に記載のナノワイヤー。
【請求項４７】
請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載される複数のナノワイヤーを含むことを特徴とするナノワイヤーの集合。
【請求項４８】
前記集合は、約１００のナノワイヤーより多くのナノワイヤーを含むことを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項４９】
前記集合は、約１０００のナノワイヤーより多くのナノワイヤーを含むことを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項５０】
前記集合の要素の８０％より多くは、実質的に同一のヘテロ構造を含むことを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項５１】
実質的にすべての前記集合の要素は、実質的に同一のヘテロ構造を表すことを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項５２】
前記集合の前記要素は、ナノワイヤーの少なくとも２つの異なる部品を含むことを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項５３】
前記集合の前記要素は、ナノワイヤーの少なくとも１０の異なる部品を含むことを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項５４】
前記集合は、流体中に留まっていることを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項５５】
前記集合は、液体と、ガラスと、ゲルと、及び気体から本質的に構成される群から選択される物質によって留まっていることを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項５６】
前記集合は、マトリックスに留まっているか、又は埋め込まれることを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項５７】
前記集合の一つ以上の要素は、前記集合の一つ以上の他の要素に電気的に結合されたことを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項５８】
前記集合の一つ以上の要素は、前記集合の一つ以上の他の要素とオーミック接触であることを特徴とする請求項５７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項５９】
前記集合の一つ以上の要素は、前記集合の一つ以上の他の要素と伝導性に結合されたことを特徴とする請求項５７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項６０】
前記集合の一つ以上の要素は、前記集合の一つ以上の他の要素を備えるトンネル結合を形成することを特徴とする請求項５７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項６１】
前記電気的なカップリングは、実質的に非線形の電圧−電流関係を有することを特徴とする請求項５７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項６２】
前記電気的なカップリングは、実質的に線形の電圧−電流関係を有することを特徴とする請求項５７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項６３】
前記電気的なカップリングは、実質的に段階関数の電圧−電流関係を有することを特徴とする請求項５７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項６４】
前記集合は、ナノワイヤーの直径の単分散の分配を実質的に有することを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項６５】
前記集合は、ナノワイヤーの長さの単分散の分配を実質的に有することを特徴とする請求項４７に記載のナノワイヤーの集合。
【請求項６６】
第一物質の第一セグメントと、
前記第一セグメントに結合した第二物質の第二セグメントと、
前記第一及び第二セグメントの少なくとも一つに結合した第三物質の第三セグメントと、からなるナノワイヤーであって、
前記セグメントの少なくとも一つが約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有し、
前記物質の少なくとも２つが構成的に異なる物質を含み、並びに
前記セグメントの少なくとも２つが隣接することを特徴とするナノワイヤー。
【請求項６７】
約２００ｎｍ未満の直径を有する前記セグメントの少なくとも一つの前記直径は、前記セグメントの前記長さにおいて約１０％以上で変化しないことを特徴とする請求項１、２、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８、２０又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項６８】
前記セグメントの少なくとも一つから隣接するセグメントへの前記ナノワイヤーの変化は、約一つの原子の層から約２０ｎｍまでの距離範囲であることを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項６９】
前記変化は、前記第一セグメントの前記少なくとも一つの構成が、前記第一セグメントの中心での前記構成の約９９％まで減少する際に、前記隣接するセグメントに向かう前記セグメントの前記少なくとも一つから移動するポイントで開始することを特徴とする請求項６８に記載のナノワイヤー。
【請求項７０】
前記セグメントの少なくとも２つは、縦に隣接することを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項７１】
前記第二セグメントは前記第一セグメントと縦に隣接し、及び
前記第三セグメントは前記第二セグメントと縦に隣接することを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項７２】
前記セグメントの少なくとも２つは共軸で隣接することを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項７３】
前記物質の少なくとも一つは、実質的に結晶物質を含むことを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項７４】
前記セグメントの少なくとも一つは、半導体物質を含むことを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、１０、１１、１４、１６又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項７５】
前記セグメントの少なくとも一つは、ドープされた半導体物質を含むことを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、１０、１１、１２、１４、１６、１８又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項７６】
前記セグメントの少なくとも一つは、均質にドープされた半導体の電気的特徴を表すことを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８、２０又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項７７】
約２００ｎｍ未満の直径を有する前記セグメントの少なくとも一つは、約５ｎｍ乃至５０ｎｍの直径の範囲を有することを特徴とする請求項１、２、６、７、８，９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８、２０又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項７８】
前記セグメントの少なくとも２つは、ｐ−ｎ結合を形成することを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項７９】
前記セグメントの少なくとも２つは、ｐ−ｉ結合を形成することを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項８０】
前記セグメントの少なくとも２つは、ｉ−ｎ結合を形成することを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項８１】
前記セグメントは、ｐ−ｎ−ｐ結合を形成することを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項８２】
前記セグメントは、ｎ−ｐ−ｎ結合を形成することを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項８３】
前記セグメントは、ｐ−ｉ−ｎ結合を形成することを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項８４】
前記セグメントは、ｐ−ｉ−ｐ結合を形成することを特徴とする請求項６６に記載のナノワイヤー。
【請求項８５】
前記第一及び第二セグメントは、ｉ−ｎ結合を形成することを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８又は２０のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項８６】
前記ナノワイヤーは、半導体装置を含むことを特徴とする請求項３８、３９、７８、７９、８０、８１、８２、８３、８４又は８５のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項８７】
前記セグメントの少なくとも一つに電気的に結合された電極をさらに含むことを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８、２０又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項８８】
前記セグメントの少なくとも一つは、群ＩＩの要素と、群ＩＩＩの要素と、群ＩＶの要素と、群Ｖの要素と、群ＶＩの要素と、それらの第三級及び第四級とから本質的に構成される要素の群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８、２０又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項８９】
前記セグメントの少なくとも一つは、ポリマーマトリックスに埋め込まれたことを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８、２０又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項９０】
前記セグメントの少なくとも一つの少なくとも一部分は、サックによってカバーされることを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８、２０又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項９１】
前記サックは、非晶質物質を含むことを特徴とする請求項９０に記載のナノワイヤー。
【請求項９２】
前記サックは、実質的に結晶物質を含むことを特徴とする請求項９０に記載のナノワイヤー。
【請求項９３】
前記実質的な結晶物質は、実質的に単結晶であることを特徴とする請求項６６又は９２に記載のナノワイヤー。
【請求項９４】
前記ナノワイヤーは、フォノンバンドギャップ装置と、量子ドット装置と、熱電気装置と、光子装置と、ナノ電気機械的アクチュエータと、ナノ電気機械的センサーと、フィールド効果トランジスタと、赤外線検出器と、共鳴トンネルダイオードと、単一電子のトランジスタと、赤外線検出器と、磁気センサーと、発光装置と、光モジュレータと、光検出器と、光導波管と、光カップラーと、光スイッチと、及びレーザーと、から本質的に構成される群から選択される装置の機能的な構成部分であることを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８、２０又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項９５】
前記ナノワイヤーは、ナノワイヤーのアレイの要素であることを特徴とする請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１８、２０又は６６のいずれか一項に記載のナノワイヤー。
【請求項９６】
前記アレイは、配向されたアレイを含むことを特徴とする請求項９５に記載のナノワイヤー。
【請求項９７】
前記アレイでの前記ナノワイヤーの各々は、基板に対して実質的に垂直である角度で配向されたことを特徴とする請求項９５に記載のナノワイヤー。
【請求項９８】
前記アレイでの前記ナノワイヤーの各々は、基板に対して垂直でない角度で配向されたことを特徴とする請求項９５に記載のナノワイヤー。
【請求項９９】
約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有するナノワイヤーと、及び
ポンプ源と、からなることを特徴とするレーザー。
【請求項１００】
前記ナノワイヤーは、構成的に異なる物質の複数のセグメントを含むことを特徴とする請求項９９に記載のレーザー。
【請求項１０１】
前記ポンプ源は、前記ナノワイヤーの分布の反転を励起するために形態化されたことを特徴とする請求項９９に記載のレーザー。
【請求項１０２】
サポート物質を追加的に有し、該サポート物質は、固体のサポート物質と、液体のサポート物質と、ポリマーのサポート物質と、ガラス製のサポート物質と、及び基板物質から本質的に構成される群から選択されることを特徴とする請求項９９に記載のレーザー。
【請求項１０３】
レーザー孔をさらに含むことを特徴とする請求項９９に記載のレーザー。
【請求項１０４】
前記レーザー孔は前記ナノワイヤー内に含まれることを特徴とする請求項１０３に記載のレーザー。
【請求項１０５】
前記ナノワイヤーは、前記孔でリフレクタとして機能する末端を有することを特徴とする請求項１０３に記載のレーザー。
【請求項１０６】
前記ポンプ源は、光源と、電気源と、熱源と、エネルギー移動源と、プラズマ源と、レーザーと、及びフラッシュランプと、から本質的に構成される群から選択されることを特徴とする請求項９９に記載のレーザー。
【請求項１０７】
前記ナノワイヤーは、コア及びサックを有する共軸なヘテロ構造のナノワイヤーを含み、
前記ポンプ源は、前記コアと前記サックとの間に電流が流れる電源であることを特徴とする請求項９９に記載のレーザー。
【請求項１０８】
前記共軸なヘテロ構造のナノワイヤーは、ｐ−ｎ結合を表すことを特徴とする請求項１０７に記載のレーザー。
【請求項１０９】
電気的な接触は前記コアに作製され、電気的な接触は前記サックに作製されることを特徴とする請求項１０７に記載のレーザー。
【請求項１１０】
前記ナノワイヤーは縦のヘテロ構造のナノワイヤーを含み、
前記ポンプ源は、一つのセグメントと前記縦のヘテロ構造のナノワイヤーとの間に電流が流れる電源であることを特徴とする請求項１０７に記載のレーザー。
【請求項１１１】
前記縦のヘテロ構造のナノワイヤーは、ｐ−ｎ結合を表すことを特徴とする請求項１１０に記載のレーザー。
【請求項１１２】
ナノワイヤーを形成する構成的に異なる物質の縦に隣接する複数のセグメントと、
約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有する前記セグメントの少なくとも一つと、及び
ポンプ源と、からなることを特徴とするレーザー。
【請求項１１３】
前記ポンプ源は、前記ナノワイヤーの分布の反転を励起するために形態化されたことを特徴とする請求項１１２に記載のレーザー。
【請求項１１４】
約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有し、ナノワイヤーの縦の成長軸に対して実質的に垂直方向の平面で実質的に切子面のある末端を備えるナノワイヤーと、及び
ポンプ源と、からなることを特徴とするレーザー。
【請求項１１５】
ナノワイヤーを形成する構成的に異なる物質の縦に隣接する複数のセグメントと、
約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有する前記セグメントの少なくとも一つと、及び
前記ナノワイヤーの分布の反転を励起するためのポンプ源と、からなることを特徴とするレーザー。
【請求項１１６】
約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有するナノワイヤーと、及び
ポンプ源と、からなるレーザーあって、
前記レーザーからの放射は、前記ナノワイヤーの前記縦軸に対して平行方向で前記ナノワイヤーから離れて導かれることを特徴とするレーザー。
【請求項１１７】
前記ナノワイヤーは、ナノワイヤーのアレイでの要素であることを特徴とする請求項１１６に記載のレーザー。
【請求項１１８】
前記アレイでのナノワイヤーは、実質的に同一方向に整列し、及び
前記アレイからのレーザー放射は、前記アレイでの前記ワイヤーに対して実質的に平行方向で導かれることを特徴とする請求項１１７に記載のレーザー。
【請求項１１９】
約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有するナノワイヤーと、
前記ナノワイヤーに配置された複数の量子ドットと、及び
ポンプ源と、からなることを特徴とするレーザー。
【請求項１２０】
前記ナノワイヤーは、構成的に異なる物質の複数のセグメントを含むことを特徴とする請求項１１９に記載のレーザー。
【請求項１２１】
前記ポンプ源は、前記量子ドットの分布の反転を励起するために形態化されたことを特徴とする請求項１１９に記載のレーザー。
【請求項１２２】
ナノワイヤーを形成する構成的に異なる物質の縦に隣接する複数のセグメントと、
約２００ｎｍ未満の実質的に均一な直径を有する前記セグメントの少なくとも一つと、
前記ナノワイヤーに配置された複数の量子ドットと、及び
ポンプ源と、からなることを特徴とするレーザー。
【請求項１２３】
前記ポンプ源は、前記量子ドットの分布の反転を励起するために形態化されたことを特徴とする請求項１２２に記載のレーザー。