【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マグネトロンスパッターリングターゲットにおける複数の侵食トラックの必要な厚さを決定する方法であって、
ａ）特定のスパッターリング面を有する必要なスパッターリングターゲット前駆形状を用意して、その上の前記侵食トラックＥ−１およびＥ−２の位置を決定し、
ｂ）前記スパッターリングターゲット前駆形状のスパッターリング面に沿う、半径方向のいくつかの位置ＲＬにおける磁場の強さを決定し、また前記侵食トラック上の点に関して時間平均の磁場の強さＲＥ−１およびＲＥ−２を決定し、
ｃ）前記（ｂ）で決定した前記磁場の強さＲＥ−１とＲＥ−２の比の最適範囲を決定し、
ｄ）前記侵食トラックＥ−１およびＥ−２の上方の垂直寸法Ｖのところで磁場の強さを決定して、データ点ＶＥ−１およびＶＥ−２を生成させ、
ｅ）前記垂直寸法における磁場の強さＶＥ−１およびＶＥ−２を記録し、
ｆ）前記侵食トラックの一つＥ−１またはＥ−２における、スパッターリング材料の垂直寸法の必要な増大量を決定し、
ｇ）前記侵食トラックの他の一つにおける、前記スパッターリング面に付加すべきスパッターリング材料の必要な垂直高さを決定する、
ことから成ることを特徴とする方法。
【請求項２】  前記ステップｅ）が複数の垂直寸法における磁場の強さを示すグラフをプロットすることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記ステップｅ）が前記垂直寸法における前記磁場の強さに関するデータＶＥ−１およびＶＥ−２を記憶媒体に記録することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記記憶媒体がコンピュータから成ることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記ステップａ）が、前記スパッターリングターゲット前駆形状として使用されるサンプルスパッターリングターゲットを用意することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記ステップａ）が、前記ターゲットのスパッターリング面に沿う複数の半径方向位置、およびターゲット面の上方の複数の垂直寸法において、サンプルスパッタ−リングターゲットの上方の磁場の強さを測定することにより、前記スパッターリングターゲット前駆形状を決定することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記ステップｇ）が、前記ステップｃ）で決定された前記比の最適範囲を使用して、前記他の一つの侵食トラックにおける必要な磁場の強さを計算することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】  侵食トラックにおける前記磁場の強さＲＥ−１とＲＥ−２の前記比の最適範囲が、ＲＥ−１：ＲＥ−２＝約１．００〜１．２００：１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記磁場の強さの比ＲＥ−１：ＲＥ−２が、約１．０９５：１であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記マグネトロンスパッターリングターゲットが多数の侵食トラックを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  請求項１に述べたステップにしたがって製造されることを特徴とするスパッターターゲット。
【請求項１２】  スパッターターゲットであって、
スパッターリング面を有し、該面上に侵食トラックＥ−１およびＥ−２が配置されており、
スパッターターゲット厚さｈを有し、ｈ＞１．９６ｃｍ（０．７７２インチ）であり、
前記侵食トラックＥ−１上の点において、時間平均の磁場の強さＲＥ−１を有し、前記侵食トラックＥ−２上の点において、時間平均の磁場の強さＲＥ−２を有し、ＲＥ−１：ＲＥ−２が約１．００〜約１．２０：１であるようになっている、
ことを特徴とするスパッターターゲット。
【請求項１３】  ＲＥ−１：ＲＥ−２が約１．０９５：１であることを特徴とする請求項１２に記載のスパッターターゲット。
【請求項１４】  前記Ｅ−１とＥ−２がそれぞれ厚さＴＥ−１とＴＥ−２を有し、このとき、ＴＥ−１が約２．６２ｃｍ（１．０３２インチ）であり、ＴＥ−２が約２．４７ｃｍ（０．９７２インチ）であることを特徴とする請求項１２に記載のスパッターターゲット。
【請求項１５】  スパッターリング面を有する大体切頭円錐形の本体から成り、前記スパッターリング面が凹部を包囲する厚くなった環状テラス領域を有し、前記凹部が前記テラスから約０．１０〜０．１９ｃｍ（０．０４〜０．０７５インチ）だけくぼんだ面を有することを特徴とするスパッターターゲット。
【請求項１６】  前記凹部の面が前記テラスから約０．１３〜約０．１５ｃｍ（約０．０５〜約０．０６インチ）だけくぼんでいることを特徴とする請求項１５に記載のスパッターターゲット。
【請求項１７】  前記テラスが約１．９６ｃｍ（０．７７２インチ）よりも大きな厚さを有することを特徴とする請求項１５または１６に記載のスパッターターゲット。
【請求項１８】  前記スパッターリング面が、前記テラス上の点における時間平均の磁場の強さＲＥ−１と前記凹部上の点における時間平均の磁場の強さＲＥ−２とを有し、ＲＥ−１：ＲＥ−２が約１．００〜１．２０：１となることを特徴とする請求項１５または１６に記載のスパッターターゲット。
【請求項１９】  ＲＥ−１：ＲＥ−２が約１．０９５：１であることを特徴とする請求項１８に記載のスパッターターゲット。
【請求項２０】  スパッターターゲットアセンブリであって、
スパッターリング面と、該面の反対側にある、熱交換媒体との接触に適したバッキングプレート面とを有し、また約４．８ｃｍ（１．９インチ）よりも大きな厚さを有し、
前記スパッターリング面が該面上に配置された侵食トラックＥ−１とＥ−２とを有し、
前記ターゲットが前記侵食トラックＥ−１上の点における時間平均の磁場の強さＲＥ−１と前記侵食トラックＥ−２上の点における時間平均の磁場の強さＲＥ−２とを有し、ＲＥ−１：ＲＥ−２が約１．００〜１．２０：１となる、
ことを特徴とするスパッターターゲットアセンブリ。
【請求項２１】  ＲＥ−１：ＲＥ−２が約１．０９５：１であることを特徴とする請求項２０に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ターゲットの均一性性能は、主として、四つの要因、すなわち、スパッターリング時のターゲットの侵食プロファイル、ターゲットの結晶学的集合組織、基板とターゲットとの距離、および蒸着プロセス時のガス散乱因子、によって決定される。侵食プロファイルは蒸着の均一性の決定に関してもっとも重要な因子である。また、侵食プロファイルは、それぞれのＰＶＤシステムにおいて、ほとんど不変に保たれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
注意すべきことは、図５に示すターゲットの場合、ターゲットの上面１１７またはスパッタ−リング面に沿ってくぼみまたは凹部が形成されていないということである。このターゲットには、主として、表面１１５の下の特別設計の磁石配列の回転により、二つの明瞭な環状侵食トラック２０２、２０４が形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図５のアセンブリの全高（ｈ）は、バッキングプレート（およびそれに付随する取り付けフランジ１３０）とターゲットとで、４．８ｃｍ（１．９インチ）である。ターゲットだけの厚さ（すなわち、バッキングプレートからスパッターリング面の頂部までの垂直距離）は、１．９６ｃｍ（０．７７２インチ）であり、したがってバッキングプレートは高さ２．８７ｃｍ（１．１２８インチ）を有する。