Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月20日(2005.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図６および図７は平板型燃料電池セルであるが、図６の燃料電池セルにおいては、燃料極基板５２上に電解質５１およびこの電解質５１より小さい面積の空気極５３を設けた構造になっており、一方図７においては電解質基板６１の両面に、この電解質基板６１より小さい面積の燃料極６２および空気極６３を設けた構造になっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
平板型の燃料電池セル図６、図７に対して上述のような接続を行う場合には、大きく分けて二つの方法がある。熱膨張率が近い材料のみでスタックするすべての部品を構成してセル間の接続およびシールを堅固に行う方法（剛構造スタック）と熱膨張の異なる材料を重ねて接合は荷重のみで行う方法（柔構造スタック）である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
柔構造スタックはセルスタックの構成が簡単になり、熱膨張率の制約がきつくないため金属材料を始め、材料の選択肢が広がることや比較的信頼性も高いなど多くのメリットがある方法であるが、燃料ガスのシールが一般に困難であり、また燃料極支持形の燃料電池セル（図６）には適用が困難である等の問題があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図２は本発明を円形平板型の燃料極支持型燃料電池セルに対して適用する際の積層構造の例を示す図であり、図３は単周期分をより詳細に示した図である。２１は単セルである。単セルの構成材料としては一般に開発が行われているすべての材料系に対して適用することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明は燃料極支持型のセルのみならず、電解質支持型セルに対しても適用できる。この構成例を、図５に示す。この場合図１における１２，１３、図２における２２，２３などの電解質面側セルホルダーと基板面側セルホルダーの区別はない。すなわち自立型セルの場合、電解質基板４１１の両面に燃料極および空気極を形成した構造であるため。単セル４１の両面にシール材４２１を介してセルホルダー４２を積層する。セルホルダー４２にさらにインターコネクタ４３を積層することによってスタックを構成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明のスタック構成を示す図。
【図２】
円形平板型の燃料電池セルスタックの構成（２周期分）を俯瞰した図。
【図３】
円形平板型の燃料電池セルスタックの構成（１周期分）をより詳細に示す図。
【図４】
セル−セルホルダーの接合部を拡大した図。
【図５】
電解質支持型平板型固体酸化物形燃料電池セルのスタック構成を示す図。
【図６】
燃料極支持型平板型固体酸化物形燃料電池セルの断面図。
【図７】
電解質支持型平板型固体酸化物形燃料電池セルの断面図。
【符号の説明】
１１      単セル
１２      電解質面側セルホルダー
１２１      シール材
１３      基板面側セルホルダー
１３１      緩衝材
１４      インターコネクタ
１５      集電面
１６      燃料ガス流路
１７      酸化剤ガス流路
２１      単セル
２２      電解質面側セルホルダー
２２１      シール材
２３      基板面側セルホルダー
２３１      緩衝材
２４      インターコネクタ
２５      集電面
２６      燃料ガス流路
２７      酸化剤ガス流路
３１      単セル
３２      電解質面側セルホルダー
３３      基板面側セルホルダー
３４      電解質面
３５      基板面
３６      シール材
３７      緩衝材
４１      単セル
４１１      電解質基板
４１２      燃料極
４２      セルホルダー
４２１      シール材
４４      インターコネクタ
５１      電解質
５２      燃料極基板
５３      空気極
６１      電解質基板
６２      燃料極
６３      空気極
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005019268.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005019268.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005019268.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2005019268.tif 000004
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図７】
2005019268.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出素子および第一の導電性部材を有する第一の基板と、
前記第一の導電性部材とは異なる電位に規定される第二の導電性部材を有する第二の基板と、
前記第一の基板と第二の基板との間に位置し、基材と該基材の表面を被覆し、前記第一の導電性部材及び第二の導電性部材と電気的に接続する高抵抗膜とを備えたスペーサとを有する電子線装置において、
前記スペーサの前記第一の導電性部材と対向する第一の対向面または前記第二の導電性部材と対向する第二の対向面における高抵抗膜のシート抵抗値をＲ1、前記電子放出素子に隣接する側面における高抵抗膜のシート抵抗をＲ2としたときに、Ｒ2／Ｒ1が２〜２００であり、前記第一の対向面または第二の対向面の高抵抗膜は、前記側面の高抵抗膜の材料元素を含み、かつ該材料元素の比が前記側面の高抵抗膜とは異なる膜であることを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
前記Ｒ2／Ｒ1が５〜１００であることを特徴とする請求項１に記載の電子線装置。
【請求項３】
前記Ｒ2が１０7〜１０14Ω／□であることを特徴とする請求項１に記載の電子線装置。
【請求項４】
前記第二の基板が前記電子放出素子からの電子線の照射によって画像を形成する画像形成部材を有することを特徴とする請求項１に記載の電子線装置。
【請求項５】
電子放出素子および第一の導電性部材を有する第一の基板と前記第一の導電性部材とは異なる電位に規定される第二の導電性部材を有する第二の基板との間に位置し、基材と、該基材の表面を被覆し前記第一の導電性部材及び第二の導電性部材と電気的に接続する高抵抗膜とを備えたスペーサの製造方法において、
前記第一の導電性部材と対向する第一の対向面方向から成膜する工程と、前記第二の導電性部材と対向する第二の対向面方向から成膜する工程と、該第一の対向面方向または第二の対向面方向からの成膜とは異なる成膜条件で、前記電子放出素子に隣接する側面方向から成膜する工程とを有する成膜工程により前記高抵抗膜を成膜することを特徴とするスペーサの製造方法。
【請求項６】
前記成膜工程が、前記第一の対向面または第二の対向面における高抵抗膜のシート抵抗値をＲ1、前記側面における高抵抗膜のシート抵抗をＲ2としたときに、Ｒ2／Ｒ1が２〜２００となる高抵抗膜を成膜する工程であることを特徴とする請求項５に記載のスペーサの製造方法。
【請求項７】
前記第一の対向方向から成膜する工程と、前記第二の対向方向から成膜する工程とが、同時または別々に同じ成膜条件で行われることを特徴とする請求項５に記載のスペーサの製造方法。
【請求項８】
前記成膜工程における成膜が、前記第一の対向面方向および第二の対向面方向のみから成膜したときに得られる該第一の対向面および第二の対向面における高抵抗膜のシート抵抗をｒ1、前記側面方向のみから成膜したときに得られる該側面における高抵抗膜のシート抵抗をｒ2、前記第一の対向面方向および第二の対向面方向のみから成膜したときに得られる前記側面における高抵抗膜のシート抵抗をｒ2’、前記側面方向のみから成膜したときに得られる前記第一の対向面および第二の対向面における高抵抗膜のシート抵抗をｒ1’としたときに、下記の関係を満たすことを特徴とする請求項７に記載のスペーサの製造方法。
ｒ1＜ｒ1’
ｒ2＜ｒ2’
（ｒ1×ｒ1’）／（ｒ1＋ｒ1’）＜（ｒ2×ｒ2’）／（ｒ2＋ｒ2’）
【請求項９】
電子放出素子および第一の導電性部材を有する第一の基板と前記第一の導電性部材とは異なる電位に規定される第二の導電性部材を有する第二の基板との間に位置し、基材と、該基材の表面を被覆し前記第一の導電性部材及び第二の導電性部材と電気的に接続する高抵抗膜とを備えたスペーサの製造方法において、
前記第一の導電性部材と対向する第一の対向面方向および前記第二の導電性部材と対向する第二の対向面方向のみから成膜する成膜工程により前記高抵抗膜を成膜することを特徴とするスペーサの製造方法。
【請求項１０】
前記第一の対向面および第二の対向面における高抵抗膜のシート抵抗値をＲ1、前記電子放出素子側に隣接する側面における高抵抗膜のシート抵抗をＲ2としたときに、Ｒ2／Ｒ1が２〜２００となる高抵抗膜を成膜することを特徴とする請求項９に記載のスペーサの製造方法。
【請求項１１】
前記Ｒ2が１０7〜１０14Ω／□であることを特徴とする請求項５または９に記載のスペーサの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明にあっては、次に列挙するような効果がある。
（１）移動体のランプハウジングに所望する規格外のランプ部材を簡単に装着することができる。
（２）ランプハウジングの取付け部の構造をシンプルにすることができる。
（３）安価である。
（４）車輌展示場、オートサービスショー（登録商標）など商品を広告宣伝する場に於いて、所定のランプハウジングに規格のランプ部材と規格外のランプ部材とを相互に短時間で交換することができる。
（５）規格から規格外のランプ部材に交換しても、塵がランプハウジング内に入り込んだり、或いはランプハウジングのレンズが曇ったりしない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
配線基板１０は、有機系（ポリイミド基板等）又は無機系（セラミック基板、ガラス基板等）のいずれの材料から形成されていてもよく、これらの複合構造（ガラスエポキシ基板等）から形成されていてもよい。配線基板１０の平面形状は特に限定されないが、矩形をなすことが多い。配線基板１０は、単層又は多層基板のいずれであってもよい。配線基板１０には、複数の配線からなる配線パターン１２が形成されてなる。ただし、図１及び図２では、配線パターン１２を省略している。配線基板１０には、一方の面と他方の面とを電気的に接続するための複数の貫通穴１４が形成されていてもよい（図３参照）。貫通穴１４は、導電部材で埋められていてもよいし、内壁面にメッキ処理がなされたスルーホールとなっていてもよい。これにより、配線基板１０の両面の電気的な接続を図ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ２０及び電気接続用基板４０を封止する封止部６０を形成することを含む。封止部６０は、トランスファモールド法によって形成する。すなわち、図７に示すように、金型６２に半導体チップ２０及び電気接続用基板４０が搭載された配線基板１０をセットした後、金型６２の内部にモールド樹脂を流し込んで封止部６０を形成してもよい。１つの配線基板１０に複数の半導体チップ２０が搭載されている場合、これら複数の半導体チップ２０を一括して封止してもよい（図８参照）。なお、封止部６０の材料は特に限定されず、電気接続用基板４０の絶縁部４２の材料と同じ材料を利用してもよいし、これと異なる材料を利用してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
最後に、図８に示すように、ブレード８０等を使用して半導体チップ２０ごとに配線基板１０及び封止部６０を切断して、半導体装置１を製造してもよい。半導体装置１は、配線パターン１２を有する配線基板１０を有する。半導体装置１は、配線基板１０に搭載された、集積回路２２が形成された半導体チップ２０を有する。半導体装置１は、配線基板１０に搭載された、絶縁部４２と複数の貫通導電部５０とを有する電気接続用基板４０を有する。半導体装置１は、半導体チップ２０と電気接続用基板４０とを封止する封止部６０を有する。貫通導電部５０の第１の端面５２は、配線パターン１２と対向して電気的に接続されてなる。貫通導電部５０の第２の端面５４は、封止部６０から露出してなる。絶縁部４２と封止部６０とは、異なる材料で形成されてなる。半導体装置１は、封止部６０から貫通導電部５０の一部（第２の端面５４）が露出するように形成されてなる。そのため、貫通導電部５０によって、上下の半導体装置の電気的な導通を図ることが可能となる。すなわち、複数段に積層することが可能な半導体装置を提供することができる。なお、半導体装置１のその他の構造については、上述の半導体装置の製造方法で説明した内容を適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
段差にて区画された凹部底面および凸部上面を有する凹凸が表面に加工された結晶基板の該表面上に、ＧａＮ結晶層を気相成長させる工程と、
前記ＧａＮ結晶層の上に、波長４２０ｎｍ以下の光を発生し得るＩｎＧａＮ結晶層を井戸層として含む量子井戸構造の発光層を気相成長させる工程とを有し、
前記ＧａＮ結晶層を気相成長させる工程において、アンドープのＧａＮ結晶層を成長させて前記凹凸を埋め込んだ上に、ｎ型ＧａＮ結晶層を成長させることを特徴とする、半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
上記アンドープのＧａＮ結晶層の成長において、成長初期に、上記凹部底面および凸部上面の両方から凸状を呈するＧａＮ結晶を成長させた後、続けて、該ＧａＮ結晶を、上記凹凸を埋め込むまで成長させるものである、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記凸状を呈する結晶が、ファセット面が頂部で交差する山形の結晶である、請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
上記ＧａＮ結晶層を気相成長させる工程において、上記結晶基板の表面上に、ＧａＮ系半導体からなる低温バッファ層を介して、上記アンドープのＧａＮ結晶層を成長させる、請求項１〜３のいずれか記載の製造方法。
【請求項５】
段差にて区画された凹部底面および凸部上面を有する凹凸が表面に加工された結晶基板の、前記表面上に気相成長したＧａＮ結晶層と、
該ＧａＮ結晶層の上に成長した、波長４２０ｎｍ以下の光を発生し得るＩｎＧａＮ結晶層を井戸層として含む量子井戸構造の発光層とを有する半導体発光素子であって、
前記ＧａＮ結晶層が、前記凹凸を埋め込んで成長したアンドープのＧａＮ結晶層と、その上に成長したｎ型のＧａＮ結晶層とからなる、半導体発光素子。
【請求項６】
上記アンドープのＧａＮ結晶層は、その表面近傍が基板からの転位の伝搬が低減された低転位密度領域となるように気相成長したものである、請求項５記載の半導体発光素子。
【請求項７】
上記アンドープのＧａＮ結晶層は、上記結晶基板の表面上に、ＧａＮ系半導体からなる低温バッファ層を介して成長したものである、請求項５または６のいずれかに記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体発光素子およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は以下の特徴を有するものである。
（１）段差にて区画された凹部底面および凸部上面を有する凹凸が表面に加工された結晶基板の該表面上に、ＧａＮ結晶層を気相成長させる工程と、
前記ＧａＮ結晶層の上に、波長４２０ｎｍ以下の光を発生し得るＩｎＧａＮ結晶層を井戸層として含む量子井戸構造の発光層を気相成長させる工程とを有し、
前記ＧａＮ結晶層を気相成長させる工程において、アンドープのＧａＮ結晶層を成長させて前記凹凸を埋め込んだ上に、ｎ型ＧａＮ結晶層を成長させることを特徴とする、半導体発光素子の製造方法。
（２）上記アンドープのＧａＮ結晶層の成長において、成長初期に、上記凹部底面および凸部上面の両方から凸状を呈するＧａＮ結晶を成長させた後、続けて、該ＧａＮ結晶を、上記凹凸を埋め込むまで成長させるものである、上記（１）記載の製造方法。
（３）前記凸状を呈する結晶が、ファセット面が頂部で交差する山形の結晶である、上記（２）記載の製造方法。
（４）上記ＧａＮ結晶層を気相成長させる工程において、上記結晶基板の表面上に、ＧａＮ系半導体からなる低温バッファ層を介して、上記アンドープのＧａＮ結晶層を成長させる、上記（１）〜（３）のいずれか記載の製造方法。
（５）段差にて区画された凹部底面および凸部上面を有する凹凸が表面に加工された結晶基板の、前記表面上に気相成長したＧａＮ結晶層と、
該ＧａＮ結晶層の上に成長した、波長４２０ｎｍ以下の光を発生し得るＩｎＧａＮ結晶層を井戸層として含む量子井戸構造の発光層とを有する半導体発光素子であって、
前記ＧａＮ結晶層が、前記凹凸を埋め込んで成長したアンドープのＧａＮ結晶層と、その上に成長したｎ型のＧａＮ結晶層とからなる、半導体発光素子。
（６）上記アンドープのＧａＮ結晶層は、その表面近傍が基板からの転位の伝搬が低減された低転位密度領域となるように気相成長したものである、上記（５）記載の半導体発光素子。
（７）上記アンドープのＧａＮ結晶層は、上記結晶基板の表面上に、ＧａＮ系半導体からなる低温バッファ層を介して成長したものである、上記（５）または（６）のいずれかに記載の半導体発光素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
さらに、チップ部品７３搭載領域を除く領域における第１の下層絶縁膜２２の下面に、下層再配線からなる、例えばアンテナ回路等の薄膜受動素子７２を形成するようにしてもよい。この場合、薄膜受動素子７２の形成領域として比較的大きな面積を確保することができて、薄膜受動素子７２としてアンテナ回路を良好に適用することができる。また、この場合、第２の下層絶縁膜２５の下面周辺部にチップ部品７３を搭載し、第２の下層絶縁膜２５の下面ほぼ中央部を平坦な領域としているため、この中央部の平坦領域を、この半導体装置をハンドリングするための吸着ヘッドを吸着させる、吸着ヘッド吸着用領域（マウント用ピックアップ領域）とすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2005019938.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光した光を電気信号に変換する受光素子の上方に絶縁膜を挟んで形成された遮光膜に、当該受光素子が感度を有する波長範囲内における所定の波長以上の光は遮断され、当該所定の波長未満の光は通過する開口部が設けられている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
撮像される画像を構成する最小単位である画素ごとに前記受光素子が設けられ、それぞれの受光素子の上方に前記開口部が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記所定の波長に基づいて、前記開口部の形状と寸法とが特定されている
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記所定の波長がそれぞれ異なるＮ（Ｎは自然数）種類の開口部が、Ｎ個の受光素子のそれぞれの上方に１種類ずつ設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記受光素子は、前記開口部が複数設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記開口部の一部の開口部は所定の波長以上の光は遮断し、当該所定の波長未満の光を通過させ、他の開口部は当該一部の開口部とは異なる所定の波長以上の光は遮断し、当該異なる所定の波長未満の光を通過させる
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記開口部は、前記開口部の長手方向の寸法以下の間隔を空けて、長手方向に隣接するように設けられている
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記開口部は、前記開口部の長手方向の寸法以上の間隔を空けて、長手方向に隣接するように設けられている
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記受光素子毎に、前記開口部を覆う１つのマイクロレンズが形成されている
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記開口部毎に、前記開口部を覆うマイクロレンズが形成されている
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記絶縁膜の膜厚は、前記遮光膜に設けられた開口部において最小となる寸法以上であり、前記受光素子により電気信号に変換すべき光の波長以下である
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記開口部の形状が方形であるならば、当該方形の長辺に基づき前記開口部の寸法が特定され、前記開口部の形状が円形であるならば、当該円形の直径に基づき前記開口部の寸法が特定される
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記所定の波長は、前記開口部の上面に形成された媒質内での近赤外光、赤色光、緑色光、青色光のいずれかの波長である
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
それぞれの受光素子の上方に設けられている開口部の形状は、細長い矩形状であり、それらの長手方向は、一方向に揃えられている
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
それぞれの受光素子の上方に設けられている開口部の形状は、細長い矩形状であり、それらの長手方向は、画素ごとに、第１の方向と、第１の方向と交差する第２の方向とのうちいずれか一つの方向に向いている
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
受光した光を電気信号に変換する受光素子の上方に絶縁膜を挟んで形成された遮光膜に、当該受光素子が感度を有する波長範囲内における所定の波長以上の光は遮断され、当該所定の波長未満の光は通過する開口部が設けられ、撮像される画像を構成する最小単位である画素ごとに当該受光素子が設けられ、それぞれの受光素子の上方に当該開口部が設けられている固体撮像装置
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項１７】
光源からの光路と非平行に存在する遮光部材の光があたる部分に、所定の波長以上の光は遮断され、当該所定の波長未満の光は通過する開口部を設けて、光源からの光を分光する分光手段を備える
ことを特徴とする分光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月13日(2005.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービン（１４）、高圧部分（２２）と中圧部分（２４）とを含む蒸気タービン（２０）及び多圧熱回収蒸気発生器（３６）を含み、蒸気タービンからの蒸気を再熱する為にガスタービンの排気を熱回収蒸気発生器で使用する複合サイクル・システムを運転する方法において、
前記蒸気タービンの高圧部分（２２）からガスタービン冷却用蒸気を供給する工程と、
前記ガスタービンの高温部品を冷却する為に前記ガスタービン冷却用蒸気を前記ガスタービン（１４）に導く工程と、
その後前記ガスタービン冷却用蒸気を前記蒸気タービンの前記中圧部分に直接戻す工程とを含む方法。
【請求項２】
前記供給する工程は、さらに前記多圧熱回収蒸気発生器からガスタービン冷却用蒸気を供給することを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
冷却蒸気が利用出来る様になる前の始動の際の早期に、濾過した圧縮機吐出空気を用いて前記ガスタービンの高温の不動部分及び回転部分を冷却する工程を含む請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
始動の際、前記多圧熱回収蒸気発生器内の高圧過熱器（５２）から蒸気を抽出し、この蒸気を前記高圧過熱器から吐出された蒸気と混合して、ガスタービン冷却システムに供給する工程を含む請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項５】
始動の際、前記ガスタービン冷却用蒸気を、前記蒸気タービンの中圧部分を側路して復水器（２８）に戻す工程を含む請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項６】
ガスタービン（１４）、高圧部分（２２）と中圧部分（２４）とを含む蒸気タービン（２０）及び多圧熱回収蒸気発生器（３６）を含む複合サイクル・システム（１０）において、
前記蒸気タービンの高圧部分（２２）からガスタービン冷却用蒸気を供給する手段（９０）と、
前記ガスタービン冷却用蒸気を前記ガスタービンの冷却のために前記ガスタービンに導く手段（９２）と、
前記ガスタービン冷却用蒸気を前記蒸気タービンの前記中圧部分に直接戻す手段（９４，９６）と
を含んでいる複合サイクル・システム。
【請求項７】
前記供給する手段は、さらに前記多圧熱回収蒸気発生器からガスタービン冷却用蒸気を供給することを含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
更に、前記多圧熱回収蒸気発生器（３６）内の高圧過熱器（５２）から蒸気を抽出する手段と、
抽出した蒸気を前記高圧過熱器から吐出された蒸気と混合する手段と、
混合した蒸気をガスタービン冷却システムに供給する手段とを含む始動回路を設けた請求項６又は請求項７記載の複合サイクル・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報の読み書きが可能な不揮発性メモリを有する無線タグを付した印刷済みの印刷媒体を排出して排出位置に載置する排出手段と、
前記印刷媒体に付された無線タグに、当該印刷媒体の排出径路において識別情報を書き込む書き込み手段と、
排出されて載置された印刷媒体に付された無線タグから識別情報を読み取る読み取り手段と、
前記読み取り手段により前記無線タグから識別情報を読み取らせ、前記識別情報の値毎の印刷媒体の数量の変動を監視し、その結果、前記識別情報に対応して出力された印刷媒体が前記所定位置から取り除かれていないと判断された場合には、当該識別情報に対応する対象に対して警告を出力する媒体管理手段と
を備えることを特徴とする媒体管理装置。
【請求項２】
前記識別情報はユーザ毎に固有に与えられるユーザ識別情報であり、  前記媒体管理手段は、ユーザ識別情報毎の印刷媒体の数量の変動を一定時間おきに比較することで監視し、一定時間内に０へと変動していない場合には、当該ユーザにより印刷媒体の回収が完了していないものと判断して当該ユーザ宛にその旨警告を出力することを特徴とする請求項１に記載の媒体管理装置。
【請求項３】
前記識別情報はユーザ毎に固有に与えられるユーザ識別情報であり、前記媒体管理手段は、ユーザ識別情報毎の印刷媒体の数量の変動を一定時間おきに比較することで監視し、一定時間内に減少していない場合には、当該ユーザが排出された印刷媒体の回収を一切していないものと判断して当該ユーザ宛にその旨警告を出力することを特徴とする請求項１に記載の媒体管理装置。
【請求項４】
前記識別情報はユーザ毎に固有に与えられるユーザ識別情報であり、前記媒体管理手段は、ユーザ識別情報毎の印刷媒体の数量の変動を一定時間おきに比較することで監視し、一定時間内に減少したユーザに着目して、当該ユーザに対応する印刷媒体の数量と同時に他のユーザに対応する印刷媒体の数量が減少している場合には、当該着目ユーザが当該他のユーザの印刷媒体を回収したものと判断して当該着目ユーザ宛にその旨警告を出力することを特徴とする請求項１に記載の媒体管理装置。
【請求項５】
警告の出力を行うか否かを指定する指定手段を更に備え、
前記媒体管理手段は、前記切り替え手段により警告を行わない旨指定されている場合には、監視結果に関わらず警告を出力しないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の媒体管理装置。
【請求項６】
前記媒体管理手段は、前記印刷媒体の数量の変動を、当該印刷媒体を印刷ジョブ単位で排出した時点から監視することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の媒体管理装置。
【請求項７】
前記媒体管理手段は、前記印刷媒体の変動の監視の対象となる時間を、ユーザ毎に切り換えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の媒体管理装置。
【請求項８】
前記排出する印刷媒体に前記無線タグを付するタグ取付手段を更に備え、前記書き込み手段は、前記タグ取付手段により印刷媒体に付された無線タグに前記識別情報を記録することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の媒体管理装置。
【請求項９】
印刷データに応じた画像を印刷媒体上に形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段により画像が形成された印刷媒体を排出するための請求項１乃至７のいずれか１項に記載の媒体管理装置と
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
情報の読み書きが可能な不揮発性メモリを有する無線タグを付した印刷済みの印刷媒体を排出して排出位置に載置する排出手段と、前記印刷媒体に付された無線タグに、当該印刷媒体の排出径路において識別情報を書き込む書き込み手段と、排出されて載置された印刷媒体に付された無線タグから識別情報を読み取る読み取り手段とを備える媒体管理装置の制御方法であって、
前記読み取り手段により前記無線タグから識別情報を読み取らせ、前記識別情報の値毎の印刷媒体の数量の変動を監視し、その結果、前記識別情報に対応して出力された印刷媒体が前記所定位置から取り除かれていないと判断された場合には、当該識別情報に対応する対象に対して警告を出力することを特徴とする媒体管理装置の制御方法。
【請求項１１】
前記識別情報はユーザ毎に固有に与えられるユーザ識別情報であり、ユーザ識別情報毎の印刷媒体の数量の変動を一定時間おきに比較することで監視し、一定時間内に０へと変動していない場合には、当該ユーザにより印刷媒体の回収が完了していないものと判断して当該ユーザ宛にその旨警告を出力することを特徴とする請求項１０に記載の媒体管理装置の制御方法。
【請求項１２】
前記識別情報はユーザ毎に固有に与えられるユーザ識別情報であり、ユーザ識別情報毎の印刷媒体の数量の変動を一定時間おきに比較することで監視し、一定時間内に減少していない場合には、当該ユーザが排出された印刷媒体の回収を一切していないものと判断して当該ユーザ宛にその旨警告を出力することを特徴とする請求項１０に記載の媒体管理装置の制御方法。
【請求項１３】
前記識別情報はユーザ毎に固有に与えられるユーザ識別情報であり、ユーザ識別情報毎の印刷媒体の数量の変動を一定時間おきに比較することで監視し、一定時間内に減少したユーザに着目して、当該ユーザに対応する印刷媒体の数量と同時に他のユーザに対応する印刷媒体の数量が減少している場合には、当該着目ユーザが当該他のユーザの印刷媒体を回収したものと判断して当該着目ユーザ宛にその旨警告を出力することを特徴とする請求項１０に記載の媒体管理装置の制御方法。
【請求項１４】
警告の出力を行うか否かの指定に応じて、警告を行わない旨指定されている場合には、監視結果に関わらず警告を出力しないことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の媒体管理装置の制御方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載の媒体管理装置の制御方法をコンピュータにより実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】媒体管理装置とその制御方法および画像形成装置
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
式（Ｉ） 
【化２】
2005035936.tif 000001
（式中、Ｒ１は、官能基を表し、ｎは０または、１〜４のいずれかの整数を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ１同士は同一または相異なっていてもよく、Ｒ１同士で結合して環を形成してもよく、Ｒ２は、置換基を有していてもよいビニル基、置換基を有していてもよいエチニル基、芳香族炭化水素基、または芳香族複素環基を表し、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基または複素環基を表し、相互に結合して環を形成してもよく、Ａ環は、４員環以上の脂環式もしくは芳香族炭化水素骨格、または複素環骨格を表す。） で表されるシクロヘキサジエン化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
式（ＩＩ）
【化３】
2005035936.tif 000002
（式中、Ｒ１は、官能基を表し、ｎは０または、１〜４のいずれかの整数を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ１同士は同一または相異なっていてもよく、Ｒ１同士で結合して環を形成してもよく、Ｒ２は、置換基を有していてもよいビニル基、置換基を有していてもよいエチニル基、芳香族炭化水素基、または芳香族複素環基を表し、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基または複素環基を表し、相互に結合して環を形成してもよく、Ａ環は、４員環以上の脂環式もしくは芳香族炭化水素骨格、または複素環骨格を表す。） で表される共役トリエン化合物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
式（ＩＩＩ）
【化４】
2005035936.tif 000003
（式中、Ｒ１は、官能基を表し、ｎは０または、１〜４のいずれかの整数を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ１同士は同一または相異なっていてもよく、Ｒ１同士で結合して環を形成してもよく、Ｒ２は、置換基を有していてもよいビニル基、置換基を有していてもよいエチニル基、芳香族炭化水素基、または芳香族複素環基を表し、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基または複素環基を表し、相互に結合して環を形成してもよく、Ａ環は、４員環以上の脂環式もしくは芳香族炭化水素骨格、または複素環骨格を表す。） で表されるジエン化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような熱封緘器具において、前記熱源が、加圧器具が蓋材を加熱加圧するときは、加熱器具から離れており、蓋材から離れた後は加熱器具の表面と接し、連動して加熱する場合は、容器口部の密封が効率よくでき、熱源の無駄を最小限に抑えることができる（請求項２）。また、前記表面の厚さが２ｍｍ以上である場合、開口部が深い丸味を帯びていたり、複雑な形状を呈したりしていても、蓋材と開口部の封緘部位との接着面積を確保することができる（請求項３）。さらに、前記蓋材が、誘導加熱のできない材質で形成されている場合、特に好ましい（請求項４）。また、前記容器の開口部が、丸味を有している、または、凹凸を有している場合であっても、蓋材と容器の開口部との間の接着面積を確保でき、十分な封緘強度を確保することができる（請求項５）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク滴を吐出して印刷を行う印刷装置であって、
インク滴を吐出するための複数のノズルを有する印刷ヘッドと、
光を射出する発光部と、前記発光部から射出された光を受ける受光部とを有し、前記光がインク滴によって遮られるか否かに応じてノズルの動作を確認する検査部と、
前記印刷ヘッドを移動させる送り機構と、
を備え、
前記複数のノズルは、所定の配列方向に沿って一定のピッチで配列された一つ以上のノズル列で構成されており、
前記発光部は、前記配列方向に対して角度Θを有する方向に進む光を射出し、
前記検査部は、前記印刷ヘッドが移動している間に前記複数のノズルの少なくとも一部のノズルに関して検査を実行し、
前記印刷ヘッドは、特定の一つのノズル列の一端のノズルから吐出したインク滴が前記光と交差してから、前記特定の一つのノズル列の他端のノズルから吐出したインク滴が前記光と交差するまで、前記特定の一つのノズル列の全てのノズルからインク滴を順次吐出させ、
前記配列方向に沿ったノズル間隔をＤ、前記発光部が射出する光の幅をＬａ、前記印刷ヘッドと前記検査部の相対的な移動速度をＣＲＶ、インク滴の吐出の周波数をＦとしたとき、 前記Θは、
ｓｉｎΘ≧Ｌａ／Ｄ、ＣＲＶ／Ｆ≦Ｌａ／ｃｏｓΘ 
の関係を満たす、印刷装置。 
【請求項２】
インク滴を吐出するインクジェット式印字ヘッドを主走査、及び副走査方向に移動し、文字、図形を形成するインクジェット記録装置において、
副走査方向に複数のノズルを配列したインクジェット式印字ヘッドと、
前記インクジェット式印字ヘッドを主走査方向に移動する印字ヘッド移動手段と、
前記インクジェット式印字ヘッドのノズル配列方向に対し、Θの角度を有する光束を発光する発光手段及び発光を検知する受光手段と、前記インクジェット式印字ヘッドが移動中に、光束に向かってインク滴の吐出を行うインク滴吐出制御手段と、受光手段の信号からインク滴が光束を通過したか否かを検知する検知手段を有するインクジェット記録装置。
【請求項３】
インク滴を吐出するインクジェット式印字ヘッドを主走査、及び副走査方向に移動し、文字、図形を形成するインクジェット記録装置であって、
副走査方向に複数のノズルを配列したインクジェット式印字ヘッドと、
前記インクジェット式印字ヘッドを主走査方向に移動する印字ヘッド移動手段と、
前記インクジェット式印字ヘッドのノズル配列方向に対し、Θの角度を有する光束を発光する発光手段及び発光を検知する受光手段と、前記インクジェット式印字ヘッドが移動中に、光束に向かってインク滴の吐出を行うインク滴吐出制御手段と、受光手段の信号からインク滴が光束を通過したか否かを検知する検知手段を有し、
前記インク滴吐出制御手段は、少なくとも最初のノズルから吐出したインク滴が光束を通過してから、最後のノズルから吐出したインク滴が通過するまで、記録に必要な全てのノズルを吐出させ、
副走査方向のノズル間隔がＤ、発光手段から発光する光束の主走査方向の幅がＬａ、前記インクジェット式印字ヘッドの移動速度がＣＲＶ、インク滴の吐出する駆動周波数がＦの時、
ＳＩＮΘ≧Ｌａ／Ｄ、ＣＲＶ／Ｆ≦Ｌａ／ＣＯＳΘ
の関係を満たすことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項４】
インク滴を吐出するインクジェット式印字ヘッドを主走査、及び副走査方向に移動し、文字、図形を形成するインクジェット記録装置であって、
副走査方向に複数のノズルを配列したインクジェット式印字ヘッドと、
前記インクジェット式印字ヘッドを主走査方向に移動する印字ヘッド移動手段と、
前記インクジェット式印字ヘッドのノズル配列方向に対し、Θの角度を有する光束を発光する発光手段及び発光を検知する受光手段と、前記インクジェット式印字ヘッドが移動中に、光束に向かってインク滴の吐出を行うインク滴吐出制御手段と、受光手段の信号からインク滴が光束を通過したか否かを検知する検知手段を有し、
前記インクジェット印字ヘッドは移動方向に複数のノズル列を有し、
ノズル列の間隔がＬＤ、各ノズル列のノズル数がＮの時、
ＴＡＮΘ≦ＬＤ／（Ｄ×（Ｎ−１））
の関係を満たすことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項５】
インク滴を吐出するための複数のノズルを有する印刷ヘッドと、光を射出する発光部と前記発光部から射出された光を受ける受光部とを有する検査部と、前記印刷ヘッドを移動させる送り機構と、を備え、インク滴を吐出して印刷を行う印刷装置において、不動作ノズルを検出する方法であって、
前記複数のノズルは、所定の配列方向に沿って一定のピッチで配列された一つ以上のノズル列で構成されており、
前記方法は、
（ａ）前記配列方向に対して角度Θを有する方向に進む光を射出する工程と、
（ｂ）前記印刷ヘッドを移動させている間に前記複数のノズルの少なくとも一部のノズルに関して検査を実行する工程と、を備え、
前記工程（ｂ）は、
特定の一つのノズル列の一端のノズルから吐出したインク滴が前記光と交差してから、前記特定の一つのノズル列の他端のノズルから吐出したインク滴が前記光と交差するまで、前記特定の一つのノズル列の全てのノズルからインク滴を順次吐出させる工程を備え、
前記配列方向に沿ったノズル間隔をＤ、前記発光部が射出する光の幅をＬａ、前記印刷ヘッドと前記検査部の相対的な移動速度をＣＲＶ、インク滴の吐出の周波数をＦとしたとき、前記Θは、
ｓｉｎΘ≧Ｌａ／Ｄ、ＣＲＶ／Ｆ≦Ｌａ／ｃｏｓΘ 
の関係を満たす、方法。 
【請求項６】
インクジェット記録装置においてインク滴の吐出の検査を行う方法であって、
（ａ）副走査方向に複数のノズルを配列したインクジェット式印字ヘッドを主走査方向に移動させる工程と、
（ｂ）前記インクジェット式印字ヘッドの前記ノズルの配列の方向に対し、Θの角度を有する光束を発光する工程と、
（ｃ）前記発光を検知する工程と、
（ｄ）前記インクジェット式印字ヘッドの移動中に、前記光束に向かってインク滴の吐出を行う工程と、
（ｅ）前記受光手段の信号から前記インク滴が前記光束を通過したか否かを検知する工程と、有する方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法であって、
前記副走査方向のノズル間隔がＤ、前記光束の前記主走査方向の幅がＬａ、前記インクジェット式印字ヘッドの移動速度がＣＲＶ、インク滴の吐出する駆動周波数がＦの時、前記Θは、
ＳＩＮΘ≧Ｌａ／Ｄ、ＣＲＶ／Ｆ≦Ｌａ／ＣＯＳΘ
の関係を満たす、方法。
【請求項８】
請求項６または７記載の方法であって、
前記インクジェット印字ヘッドは前記主走査方向に複数のノズル列を有し、
前記ノズル列の間隔がＬＤ、各ノズル列のノズル数がＮの時、前記Θは、
ＴＡＮΘ≦ＬＤ／（Ｄ×（Ｎ−１））
の関係を満たす、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すように、半導体基板１を薄型化して、開口部３を半導体基板１に貫通させる。これにより、開口部３内の埋め込み電極７を半導体基板１に貫通させて、貫通電極７´を形成する。
この半導体基板１の薄型化工程において、まず半導体基板１の裏面１´´を研削することにより、半導体基板１を薄型化してもよい。研削には、機械的研削を用いてもよいし、ＣＭＰを用いてもよい。半導体基板１を保持部材９で保持しながら、研削してもよい。この場合、半導体基板１の裏面１´´の研削は、絶縁膜４又は埋め込み電極７が露出する前に終了させる。すなわち、研削後の半導体基板１の厚みＴ２は、研削前の半導体基板１の厚みよりも小さく、かつ、開口部３の深さＤ１よりも大きくなる。例えば、研削後の半導体基板１の厚みＴ２は、１００μｍとすることができる。半導体基板１の裏面１´´を研削すると、半導体基板１の粉砕層９´が半導体基板１の裏面１´´に形成される場合がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図４は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法にいて、半導体基板１の薄型化工程において研削を行う場合の一例を示す斜視図である。
図４において、半導体基板Ｗを載置するテーブル２１には回転軸２２が設けられている。テーブル２１の上方には砥石２３が設けられている。一方、半導体基板１の表面１´には半導体基板１を保持する保持部材Ｓが貼り付けられていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
そして、半導体基板１の裏面１´´を研削する場合、半導体基板１の表面１´側をテーブル２１上に載置し、半導体基板１の裏面１´´を砥石２３側に向ける。砥石２３の研削面が半導体基板１の裏面１´´に接触するようにして、砥石２３を半導体基板１の裏面１´´に押し付けながら、砥石２３を回転させる。さらに、回転軸２２を中心としてテーブル２１を回転させ、半導体基板１を回転させてもよい。これにより、半導体基板１および砥石２３少なくとも一方の回転速度を上げることにより、半導体基板１の裏面の研削速度を容易に増加させることが可能となる。従って、半導体基板１の薄型化工程を短時間に行うことが可能となる。また、砥石２３の研削面を半導体基板１の裏面に部分的に接触させて研削すれば、砥石２３が半導体基板１の裏面を擦る時の速度分布を均一化することが可能となり、半導体ウェハＷの厚みの均一性を維持することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
これにより、半導体基板１の薄型化および貫通電極７´の形成を行う場合に、半導体基板１の被エッチング面の平坦性を維持することができ、かつ、絶縁膜４又は埋め込み電極７の先端を精度よく露出することができる。半導体基板１の薄型化および貫通電極７´の形成を行うために要する時間を短縮することができる。また、研削を行った場合に半導体基板１に粉砕層９´が形成されている場合には、粉砕層９´を除去することができる。粉砕層９´の除去を同時に行うことができる。このため、貫通電極７´の品質を劣化させることなく、半導体基板１に貫通電極７´を効率よく形成することが可能となり、半導体装置のスループットを向上させることが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
そして、半導体基板１の裏面１´´をスピンエッチングする場合、半導体基板１の表面１´（保持部材９が設けられた場合、保持部材９が設けられた面）がテーブル３１の表面に対向するように、半導体基板１をテーブル３１上に載置し、半導体基板１の裏面１´´を薬液供給部３３側に向ける。
そして、回転軸３２を中心とし、インデックステーブル３１を回転させ、半導体基板１を回転させるとともに、薬液供給部３３を半導体基板１の上方で移動させながら、薬液３４を半導体基板１の裏面１´´上に垂らすことにより、半導体基板１の裏面１´´からエッチングする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図６は、半導体基板１のスピンエッチング工程において、半導体基板１のエッチングレートが異なる複数の条件に切り替えてエッチングを行うことを示す。すなわち、半導体基板１のスピンエッチング工程において、半導体基板１に対するエッチングレートが経時変化するようにエッチングを行うことを示す。
例えば、図６において、まず半導体基板１のスピンエッチング工程における半導体基板１のエッチングレートがＲ１となる条件を用いて、半導体基板１の裏面１´´をスピンエッチングすることにより半導体基板１の薄型化を行う。次に、半導体基板１のスピンエッチング工程において、半導体基板１のエッチングレートがＲ１よりも遅いＲ２となる条件を用いて、半導体基板１の裏面１´´をスピンエッチングする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ここで、貫通電極７´の先端に設けられた絶縁膜４を研削する場合、機械的研削または図７に示すＣＭＰ（化学的機械的研磨）等の研削、又は、エッチング等を用いることができる。
図７は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法における絶縁膜４の研削工程の一例を示す斜視図である。図７に示す例では、絶縁膜４を研削する方法として、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を使用した例を示す。この場合、半導体基板１の裏面１´´にスラリー４７を供給しながら、半導体基板１の裏面１´´を機械的研磨することにより、ＣＭＰを行う。半導体基板１の表面１´側に保持部材９が形成された状態でＣＭＰされてもよい。これにより、半導体基板１に与える損傷を抑制し、貫通電極７´の突出高さの均一性を維持しつつ、貫通電極７´の先端の絶縁膜４を効率よく除去することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
これにより、貫通電極７ａ〜７ｃの品質を劣化させることなく、貫通電極７ａ〜７ｃを効率よく形成することが可能となり、貫通電極７ａ〜７ｃの形成時のスループットを向上させることが可能となるとともに、半導体基板１ａ〜１ｃの積層構造を精度よく構築することが可能となる。
なお、上述した実施形態では、半導体基板１に貫通電極を形成する方法について説明したが、本発明は、半導体基板１に限定されることなく、例えば、能動素子が形成された基板に貫通電極を形成する電子装置及び電子モジュールの製造方法に適用してもよい。例えば、薄膜トランジスタなどが形成されたガラス基板に貫通電極を形成する方法に適用してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月11日(2004.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ステップ２０２で、スタック画像領域１０３の座標パターン撮影を行う。制御装置104１０４からの制御信号により座標パターン画像３００を画像切替器１１０に出力し、画像切替器１１０から画像処理装置１０９を介してプロジェクタ１０１よりスクリーン１１８上のスタック画像領域１０３へ投影する。この時、プロジェクタ１００は座標パターン画像３００には影響を与えない画面をスクリーン１１８へ投影し、計測カメラ１０６はプロジェクタ１０１の投影する座標パターン画像３００を撮影して、図５に示す撮影画像500を制御装置１０４に記録する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ステップ２０５で、スタック画像座標Ｓ(ｘ，ｙ)をベース画像座標Ｂ(ｘ，ｙ)へ変換する補正データの算出を行う。ステップ２０３で処理した数１、及びステップ２０４で処理した数２から数３を得、数３を変形して数４を得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本実施例では、１式のプロジェクタ７００〜７０３のそれぞれに対応して、他の１式のプロジェクタ７０４〜７０７を設けた２式のマルチプロジェクションシステムにより、スクリーン７０８上には縦方向のブレンド部分７１０と横方向のブレンド部分７１１を有するスタック映像７０９を投影している。プロジェクタ７００〜７０３はブレンド部分710及び７１１を有するマルチプロジェクションのベース画像をスクリーン７０８上へ投影する。プロジェクタ７０４はプロジェクタ７００の投影領域全体を含んで、プロジェクタ
７０５はプロジェクタ７０１の投影領域全体を含んで、プロジェクタ７０６はプロジェクタ７０２の投影領域全体を含んで、プロジェクタ７０７はプロジェクタ７０３の投影領域全体を含んで映像を投影するように配置されている。