【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カレントミラー回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層をパターニングすることによって、五角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記カレントミラー回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
カレントミラー回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層をパターニングすることによって、六角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記カレントミラー回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
カレントミラー回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層をパターニングすることによって、一辺に凸端部を三個有する形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記カレントミラー回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
差動増幅回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層をパターニングすることによって、五角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記差動増幅回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
差動増幅回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層をパターニングすることによって、六角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記差動増幅回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
差動増幅回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層をパターニングすることによって、一辺に凸端部を三個有する形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記差動増幅回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
オペアンプ回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層をパターニングすることによって、五角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記オペアンプ回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
オペアンプ回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層をパターニングすることによって、六角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記オペアンプ回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
オペアンプ回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層をパターニングすることによって、一辺に凸端部を三個有する形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記オペアンプ回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
カレントミラー回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、加熱処理することにより結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングすることによって、五角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記カレントミラー回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
カレントミラー回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、加熱処理することにより結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングすることによって、六角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記カレントミラー回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
カレントミラー回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、加熱処理することにより結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングすることによって、一辺に凸端部を三個有する形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記カレントミラー回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
差動増幅回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、加熱処理することにより結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングすることによって、五角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記差動増幅回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
差動増幅回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、加熱処理することにより結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングすることによって、六角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記差動増幅回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
差動増幅回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、加熱処理することにより結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングすることによって、一辺に凸端部を三個有する形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記差動増幅回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
オペアンプ回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、加熱処理することにより結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングすることによって、五角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記オペアンプ回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
オペアンプ回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、加熱処理することにより結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングすることによって、六角形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記オペアンプ回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
オペアンプ回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、加熱処理することにより結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングすることによって、一辺に凸端部を三個有する形状の第１の島状半導体層を形成し、
楕円状又は矩形状に集光したレーザ光を、前記第１の島状半導体層の頂点と最初に接するように前記基板に対して相対的に走査しつつ前記第１の島状半導体層に照射することによって、前記第１の島状半導体層を結晶化し、
前記結晶化した第１の島状半導体層をパターニングして、複数の第２の島状半導体層を形成し、
前記複数の第２の島状半導体層を用いて、前記オペアンプ回路が有する全ての薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一において、前記薄膜トランジスタは、そのチャネル形成領域における電荷の移動方向がレーザ光のスポットの走査方向と平行、又はそれに準ずる方向に揃うように配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一において、前記レーザ光は、連続発振の固体レーザ、気体レーザ、あるいは金属レーザから発振されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一において、前記レーザ光は、連続発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、あるいはＴｉ：サファイアレーザから発振されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一において、前記レーザ光は、連続発振のエキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、あるいはＣＯ2レーザから発振されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一において、前記レーザ光は、連続発振のヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、あるいは金蒸気レーザから発振されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記非晶質半導体層をパターニングすることによって前記第１の島状半導体層及びマーカーを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１０乃至請求項１８のいずれか一において、前記結晶質半導体層をパターニングすることによって前記第１の島状半導体層及びマーカーを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、図２１（Ａ）に示すように、レーザ光スポットが、一辺に凸端部を三個有する形状の第１の島状半導体層の頂点のうち１点と最初に接するようにしても良い。図２１（Ａ）の場合、レーザ光スポットが矢印の方向へ移動し、第１の島状半導体層２１０１の頂点２１０４、２１０５、２１０６と接する。その後、図２１（Ｂ）に矢印で示す方向へと結晶化が進行し、図２１（Ｄ）に示すように、結晶化した第１の半導体層２１０７を得る。