(57)【要約】  （Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂とを、含む半導体用接着フィルムにおいて、直径２０ｍｍの平行プレートにて、１７５℃、周波数１Ｈｚ、剪断応力３０００Ｐａをかけた際に発生する剪断ひずみ量をγとした場合、測定開始後１０分から２時間まで、下記式（１）を満たす、半導体用接着フィルムを提供することにより、半導体素子が多段に積層された半導体装置においてもワイヤーボンディング工程に費やす熱履歴が長時間になっても、モールド材封入工程において、基板表面凹凸への埋め込み性を良好にする。０．１０≦γ≦０．３０（１）【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を２段以上に積層する半導体用接着フィルムであって、
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、
（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂とを含み、
前記半導体用接着フィルムが、直径２０ｍｍの平行プレートにて、１７５℃、周波数１Ｈｚ、剪断応力３０００Ｐａをかけた際に発生する剪断ひずみ量をγとした場合、測定開始後１０分から２時間まで、下記式（１）を満たす、半導体用接着フィルム。
０．１０≦γ≦０．３０（１）
【請求項２】
実質的に熱硬化性樹脂を含まない、請求項１に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体用接着フィルムにおいて、前記（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂が、フェノキシ樹脂である、半導体用接着フィルム。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の半導体用接着フィルムにおいて、
前記（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体が、カルボキシル基を有するモノマー単位を含むものである、半導体用接着フィルム。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載の半導体用接着フィルムにおいて、
前記（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００重量部に対して、前記（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂の添加量が、０．５重量部以上３０重量部以下である、半導体用接着フィルム。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載の半導体用接着フィルムにおいて、さらに（Ｃ）無機充填剤を含むものである、半導体用接着フィルム。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体用接着フィルムにおいて、前記（Ｃ）無機充填剤がシリカである、半導体用接着フィルム。
【請求項８】
請求項６または７に記載の半導体用接着フィルムにおいて、前記（Ｃ）無機充填剤以外の樹脂組成物１００重量部に対して、前記（Ｃ）無機充填剤の添加量が、５重量部以上１００重量部以下である、半導体用接着フィルム。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれかに記載の半導体用接着フィルムにおいて、さらに（Ｄ）カップリング剤を含むものである、半導体用接着フィルム。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体用接着フィルムにおいて、樹脂組成物１００重量部に対して、前記（Ｄ）カップリング剤の含有量が０．０１重量部以上１０重量部以下である、半導体用接着フィルム。
【請求項１１】
前記半導体用接着フィルムが、ダイシングシート機能を有するものである、請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１２】
請求項１乃至１１いずれかに記載の半導体用接着フィルムを用いて、２段以上に半導体素子が積層されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置に関し、特に、半導体素子の接着に用いられる接着フィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化等に対応して、半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、半導体パッケージの大容量高密度化が進んでいる。【０００３】
このような要求に対応するため、たとえば半導体素子の上に半導体素子を多段で積層することで、半導体パッケージの小型化、薄型化、大容量化を実現する方法が検討されている。こうしたパッケージでは、ビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板が主に使用される（特許文献１）。【０００４】
同文献によれば、このような半導体パッケージにおいて、半導体素子と有機基板または半導体素子と半導体素子の接着には、従来のペースト状の接着剤では半導体素子からはみ出さないよう適量に塗布することは困難であることから、フィルム状接着剤が主に用いられている。【０００５】
また、フィルム状接着剤に関する従来技術として、他に、特許文献２〜４に記載のものがある。【０００６】
特許文献２には、半導体素子と配線基板との接着にエポキシ樹脂とアクリルゴムで構成された接着フィルムを用いることが記載されている。【０００７】
特許文献３には、半導体素子と配線基板との接着にフェノキシ樹脂を主体として構成された接着フィルムを用いることが記載されている。【０００８】
特許文献４には、接着テープの接着温度における最低粘度を特定範囲とし、流動性を制御することが記載されている。【０００９】
【特許文献１】特開２００６−７３９８２号公報
【特許文献２】特開２００１−２２０５７１号公報
【特許文献３】特開２００２−１３８２７０号公報
【特許文献４】特開平１１−１２５４５号公報
【００１０】
しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
配線基板と半導体素子を接着する場合、配線基板の表面には金属配線があり、それをソルダーレジストが被覆しているが、金属配線がある部分とない部分があるため、配線基板の表面には凸凹が存在する。従来の半導体用接着フィルムでは、半導体素子と配線基板を接着する際、適切にこの凹凸を埋めることができない場合があり、配線基板と半導体素子間に間隙（ボイド）として残ってしまい、半導体パッケージの信頼性を悪化させる場合があった。【００１１】
半導体用接着フィルムの配線基板表面の凹凸への埋め込みは、半導体素子と配線基板を半導体用接着フィルムで接着させ、半導体素子と配線基板との間のワイヤーボンディングを行った後、封止材封入時の加熱・加圧を利用して行うため、半導体用接着フィルムは封止材封入時のフロー性が重要となる。【００１２】
また、半導体素子の多段化が進み、ワイヤーボンディング工程により多くの時間がかかるため、従来に比べ、封止材を封入するまでの半導体用接着フィルムにかかる熱履歴が長くなってきており、封止材を封入する前に半導体用接着フィルムの硬化が進行し、フロー性が低下するため、配線基板表面の凸凹を埋め込むことができないという不良を発生する場合があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、半導体素子が多段に積層された半導体装置において、ワイヤーボンディング工程により多くの時間がかかり、封止材を封入するまでの半導体用接着フィルムにかかる熱履歴が長くなっても、封止材封入工程において、基板表面の凹凸への埋め込み性に優れる半導体用接着フィルム、及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
［１］半導体素子を２段以上に積層する半導体用接着フィルムであって、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂とを含み、前記半導体用接着フィルムが、直径２０ｍｍの平行プレートにて、１７５℃、周波数１Ｈｚ、剪断応力３０００Ｐａをかけた際に発生する剪断ひずみ量をγとした場合、測定開始後１０分から２時間まで、下記式（１）を満たす、半導体用接着フィルム。
０．１０≦γ≦０．３０（１）
［２］実質的に熱硬化性樹脂を含まない、［１］に記載の半導体用接着フィルム。
［３］［１］または［２］に記載の半導体用接着フィルムにおいて、前記（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂が、フェノキシ樹脂である半導体用接着フィルム。
［４］［１］乃至［３］いずれかに記載の半導体用接着フィルムにおいて、
前記（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体が、カルボキシル基を有するモノマー単位を含むものである、半導体用接着フィルム。
［５］［１］乃至［４］いずれかに記載の半導体用接着フィルムにおいて、
前記（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００重量部に対して、前記（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂の添加量が、０．５重量部以上３０重量部以下である、半導体用接着フィルム。
［６］［１］乃至［５］いずれかに記載の半導体用接着フィルムにおいて、さらに（Ｃ）無機充填剤を含むものである、半導体用接着フィルム。
［７］［６］に記載の半導体用接着フィルムにおいて、前記（Ｃ）無機充填剤がシリカである、半導体用接着フィルム。
［８］［６］または［７］に記載の半導体用接着フィルムにおいて、前記（Ｃ）無機充填剤以外の樹脂組成物１００重量部に対して、前記（Ｃ）無機充填剤の添加量が、５重量部以上１００重量部以下である、半導体用接着フィルム。
［９］［１］乃至［８］いずれかに記載の半導体用接着フィルムにおいて、さらに（Ｄ）カップリング剤を含むものである、半導体用接着フィルム。
［１０］［９］に記載の半導体用接着フィルムにおいて、樹脂組成物１００重量部に対して、前記（Ｄ）カップリング剤の含有量が０．０１重量部以上１０重量部以下である、半導体用接着フィルム。
［１１］前記半導体用接着フィルムが、ダイシングシート機能を有するものである、［１］乃至［１０］のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
［１２］［１］乃至［１１］いずれかに記載の半導体用接着フィルムを用いて、２段以上に半導体素子が積層されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、半導体素子が多段に積層された半導体装置において、ワイヤーボンディング工程により多くの時間がかかり、封止材を封入するまでの半導体用接着フィルムにかかる熱履歴が長くなっても、封止材封入工程において、基板表面の凹凸への埋め込み性に優れる半導体用接着フィルム、及び半導体装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の半導体用接着フィルムの時間に対する剪断ひずみ量の関係を模式的に示した図である。
【図２】実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】実施形態における半導体装置を製造するフロー図である。
【図４】実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の半導体用接着フィルムについて説明する。
本発明の半導体用接着フィルムは、直径２０ｍｍの平行プレートにて、１７５℃、周波数１Ｈｚ、剪断応力３０００Ｐａをかけた際に発生する剪断ひずみをγとした場合、測定開始後１０分から２時間まで、下記式（１）を満たす、半導体用接着フィルムである。
０．１０≦γ≦０．３０  （１）【００１８】
従来の熱硬化型半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子を２段以上に積層した半導体装置を作製した場合、接着界面にクラックが生じやすいなど信頼性に問題があった。これは、半導体素子と配線基板の界面近傍に間隙が生じる現象が原因となっており、半導体素子が２段以上に積層されている構造をもつ半導体装置の場合、より顕著に確認された。半導体素子が２段以上に積層されている半導体装置の場合、半導体素子と配線基板との間の電気的な接合のためのワイヤーボンディング工程が２回以上となるため、半導体素子が１段のみの場合と比べ、ワイヤーボンディング工程により多くの時間がかかることになる。【００１９】
一般的に、ワイヤーボンディング工程は、１５０℃から１７５℃の温度下で行われるため、その熱履歴により熱硬化型の半導体用接着フィルムは硬化反応が進行してしまう。そのため、半導体素子が２段以上に積層されている構造をもつ半導体装置では、上述のように半導体素子が１段のみの場合と比べて、ワイヤーボンディング工程で熱履歴が長くかかるため、ワイヤーボンディング工程中に半導体用接着フィルムの硬化が進行し、封止材封入時のフロー性が低下してしまう。従って、封止材封入時に配線基板表面の凹凸を適切に埋めることができず、間隙（ボイド）として残ってしまうため、半導体装置の信頼性が悪化してしまうと考えられる。【００２０】
発明者は、封止材封入時に配線基板表面の凹凸が適切に埋め込まれないのは、ワイヤーボンディング工程時の熱履歴により半導体用接着フィルムの硬化が進行してしまうことで、封止材封入時の荷重に対する剪断ひずみ量γが小さくなってしまうことが原因であると考え、従来の熱硬化型半導体用接着フィルムの１７５℃で２時間熱処理した後の、剪断ひずみ量γを調べたところ、γ＝０．０６程度であった。【００２１】
本発明は、半導体素子が２段以上に積層されている構造をもつ半導体装置を作製する一般的な封止材封入時の熱履歴である１７５℃、１０分から２時間における半導体用接着フィルムの剪断ひずみ量γを従来の剪断ひずみ量よりも充分に高い０．１０以上０．３０以下に設定することで、封止材封入工程時に、半導体用接着フィルムが配線基板表面の凸凹をより適切に充填し、半導体装置の信頼性を向上させる効果があることを見出した。【００２２】
本発明における剪断ひずみ量γは、例えば、粘弾性測定装置であるレオメーターを用いて、半導体用接着フィルムを２５ｍｍ×２５ｍｍに切断し、１００μｍの厚みになるように重ねたものをサンプルとし、１７５℃定温下、直径２０ｍｍの平行プレートにて、周波数１Ｈｚ、剪断応力３０００Ｐａのずり剪断力を与えて測定することができる。【００２３】
図１は、１７５℃定温下でずり剪断力を与えた場合の本発明の半導体用接着フィルムの測定開始からの時間（ｔ）に対する剪断ひずみ量（γ）の関係を模式的に示したものである。図１から、従来の熱硬化型半導体用接着フィルムは破線で示すように、測定開始後１０分（γ１'）から２時間（γ２'）までの間（Ｔ１〜Ｔ２）、半導体用接着フィルムの熱履歴による剪断ひずみ量の変化が大きい特性を有することが分かる。それに対し、本発明の半導体用接着フィルムは実線で示すように、測定開始後１０分（γ１）から２時間（γ２）までの間（Ｔ１〜Ｔ２）、半導体用接着フィルムの熱履歴による剪断ひずみ量の変化が小さい特性を有することが分かる。【００２４】
本発明の半導体用接着フィルムの測定開始後１０分から２時間の領域での剪断ひずみ量は、０．１０以上０．３０以下であるが、０．１２以上０．２５以下が好ましく、特に、０．１５以上０．２０以下が好ましい。上記範囲とすることで、封止材封入時の半導体用接着フィルムのフロー性が良好となり、また、封入圧力による半導体素子のずれを抑制することができる。【００２５】
本発明の半導体用接着フィルムは、半導体用接着フィルムを構成する樹脂組成物が、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂とを含むことにより、剪断ひずみ量γを所定の範囲とすることができる。【００２６】
具体的には、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体の添加量と、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体よりも熱時弾性率の高く、流動性の高い（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂の種類および配合量を適宜調製することにより、剪断ひずみ量γを所定の範囲とすることができる。【００２７】
はじめに、半導体用接着フィルムを構成する樹脂組成物の各成分について説明する。なお、各成分は、一種類の化合物としてもよいし、複数の化合物を組み合わせて用いてもよい。【００２８】
本発明の（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、（メタ）アクリル酸エステルモノマーと他の単量体との共重合体であることが好ましく、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等を持つ化合物を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体であることが特に好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。【００２９】
（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、グリシジルエーテル基を有するグリシジルメタクリレート、水酸基を有するヒドロキシメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、カルボキシル基を有するアクリル酸、メタクリル酸、アミド基を有するＮ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、ニトリル基を有するアクリロニトリル等が挙げられる。【００３０】
これらの中でも、特に、カルボキシル基を有するモノマー単位を含む（メタ）アクリル酸エステル共重合体を用いることが好ましい。これにより、半導体素子の界面であるシリコンとの密着性が向上するため、半導体パッケージの信頼性を向上させることができる。【００３１】
カルボキシル基を有する化合物の含有量は、高いガラス転移温度の硬化物を作製する観点では、たとえば（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体全体の０．５ｍｏｌ％以上、好ましくは１ｍｏｌ％以上である。また、カルボキシル基を有する化合物の含有量は、接着フィルムの保存性をより一層向上させる観点では、たとえば（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体全体の１０ｍｏｌ％以下、好ましくは５ｍｏｌ％以下である。【００３２】
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、ガラス転移温度が低いため、樹脂組成物中に配合することにより、初期密着性を向上することができる。【００３３】
ここで、初期密着性とは、半導体用接着フィルムで半導体素子と支持基材とを接着した際の初期段階における密着性であり、半導体用接着フィルムを硬化処理する前の密着性を意味する。【００３４】
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、接着フィルムの成膜性を向上させる観点では、たとえば１０万以上、より好ましくは２０万以上である。また（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、接着フィルムを作製する際の樹脂溶液の粘度を適度に保ち、また、封止材封入時の半導体用接着フィルムのフロー性を確保する観点では、たとえば２００万以下、より好ましくは１００万以下である。【００３５】
（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は、接着フィルムの粘着が強くなりすぎることを抑制して作業性をさらに向上させる観点では、たとえば０℃以上、好ましくは５℃以上である。また、（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は、低温での接着性をさらに向上させる観点では、たとえば３０℃以下、好ましくは２０℃以下である。【００３６】
本発明の（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂は、半導体素子を熱圧着した直後の半導体用接着フィルムの熱時弾性率を高め、封止材封入時に半導体用接着フィルムを介して固定された半導体素子が封入圧力に耐え得るため、また、封止材封入時の半導体用接着フィルムのフロー性を確保する目的で使用される。【００３７】
（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂の具体例として、フェノキシ樹脂、ニトリルブタジエンゴム、ブチラール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂が挙げられ、１種あるいは２種以上混合して用いてもよい。【００３８】
これらの中でも、上述の効果に加えて、アクリル酸エステル共重合体との相溶性が良いことから外観のよいフィルムを作製することができ、有機基板との密着性を向上させることができるフェノキシ樹脂が好ましく用いられる。【００３９】
本発明の半導体用接着フィルムを構成する樹脂組成物において、（Ｂ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂の配合量は、上記（Ａ）（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００重量部に対して、０．５重量部以上３０重量部以下が好ましく、３重量部以上２０重量部以下が、特に、好ましい。上記範囲とすることで、半導体接着フィルムの外観と封止材封入時のフロー性を両立することが可能となる。【００４０】
本発明は、熱硬化性樹脂を実質的に含まない樹脂組成物で構成される半導体用接着フィルムであることが好ましい。具体的に、熱硬化性樹脂を実質的に含まない樹脂組成物とは、樹脂組成物全体に対して熱硬化性樹脂の含有量が３重量％以下のものをいう。なお、３重量％以下であれば、配線基板との密着性を向上させるため、また、半導体用接着フィルムの耐熱性を向上させ、半導体装置の信頼性を確保する目的でエポキシ樹脂を含んでいてもよく、好ましくは２重量％以下であり、１重量％以下が特に好ましい。上記範囲とすることで、ワイヤーボンディング工程の熱履歴による熱硬化性樹脂の硬化反応が少ないため、封止材封入時の半導体用接着フィルムのフロー性が低下してしまうのを抑制することができる。【００４１】
熱硬化性樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール性水酸基を有する（メタ）アクリロイル化フェノールノボラック樹脂、ビニルエステル樹脂、ウレタンアクリレート樹脂等のアクリレート類、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等が挙げられるが、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂のエポキシ樹脂が好ましく用いられる。【００４２】
例えば、ノボラック型エポキシ樹脂を用いることにより、半導体用接着フィルムのガラス転移温度を高めることができ、また、半導体用接着フィルムの弾性率を低下させることができる。また、ナフトール型エポキシ樹脂を用いることにより、半導体用接着フィルムのガラス転移温度を高めることができ、また、接着界面の密着性を向上させることができる。【００４３】
本発明の半導体用接着フィルムを構成する樹脂組成物は、（Ｃ）無機充填剤を含んでいてもよい。半導体素子と配線基板を熱圧着した直後の半導体用接着フィルムの熱時弾性率を高め、封止材封入時に半導体素子が封止材の封入圧力に耐えることができ、かつ、封止材封入時の半導体用接着フィルムのフロー性を適度に保つ機能を有する。（Ｃ）無機充填剤としては、たとえば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ、酸化アルミニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカフィラーが好ましい。シリカフィラーを用いることにより、接着フィルム内への分散性がよく外観のよい接着フィルムが得られ、半導体用接着フィルムの線膨張係数を低減し、半導体素子を２段以上に積層した場合の半導体素子の反りを低減させることができ、さらに接着フィルムの製造時の作業性を向上させることができる。【００４４】
シリカフィラーは、形状として破砕シリカと溶融シリカがあるが、半導体用接着フィルムへの均一分散の観点から溶融シリカが好ましい。【００４５】
（Ｃ）無機充填剤の平均粒径は、半導体用接着フィルム中でフィラーの凝集を抑制し、外観を向上させる観点では、たとえば０．０１μｍ以上、好ましくは０．１μｍ以上とすることができる。また、（Ｃ）無機充填剤の平均粒径は、接着フィルムより無機充填剤が突出して、熱圧着時にチップを破壊することを確実に抑制する観点では、たとえば２０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下とすることができる。【００４６】
（Ｃ）無機充填剤の含有量は、特に限定されないが、無機充填剤以外の樹脂組成物１００重量部に対して、たとえば、５重量部以上、好ましくは１０重量部以上とすることができる。上記範囲とすることで、半導体素子と配線基板を熱圧着した直後の接着フィルムの熱時弾性率が高くなり、封止材封入時に半導体素子が封止材の封入圧力に耐えることができる。また、（Ｃ）無機充填剤の含有量は、当該樹脂組成物１００重量部に対して、たとえば、１００重量部以下、好ましくは８０重量部以下とすることができる。（Ｃ）無機充填剤の含有量を上記範囲とすることで、封止材封入時の接着フィルムのフロー性を適度に保つことが可能となる。【００４７】
本発明の半導体用接着フィルムを構成する樹脂組成物は、（Ｄ）カップリング剤を含んでいてもよい。これにより、半導体用接着フィルム中の樹脂と被着体界面との密着性および半導体用接着フィルム中の樹脂とシリカ界面との密着性をより一層向上させることができる。【００４８】
（Ｄ）カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、半導体素子の界面であるシリコンとの密着性の観点からシラン系カップリング剤が好ましい。【００４９】
シランカップリング剤としては、たとえばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランが挙げられ、単独でも２種以上混合して用いてもよい。【００５０】
（Ｄ）カップリング剤の配合量は、密着性をさらに高める観点では、樹脂組成物１００重量部に対して、たとえば０．０１重量部以上、好ましくは０．１重量部以上とすることができる。また、分解ガス（アウトガス）やボイドの発生を抑制する観点では、（Ｄ）カップリング剤の配合量は、樹脂組成物１００重量部に対して、たとえば１０重量部以下、好ましくは５重量部以下とすることができる。【００５１】
また、本発明の半導体用接着フィルムを構成する樹脂組成物は、タック性を付与し、仮接着性を高める目的で低分子モノマーである（Ｅ）フェノール樹脂などを含んでいてもよい。【００５２】
（Ｅ）フェノール樹脂として、たとえば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン、ビフェニレン骨格を含む）樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。【００５３】
なお、本発明の半導体用接着フィルムを構成する樹脂組成物は、作業性や物性を調整する目的で、適宜、上記（Ａ）〜（Ｅ）以外の成分を含んでいてもよい。【００５４】
本発明の半導体用接着フィルムは、例えば、前記樹脂組成物をメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いて離型シートに塗工し、乾燥させ後、離型シートを除去することによって得ることができる。【００５５】
前記半導体用接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、特に５μｍ以上７０μｍ以下が好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。【００５６】
前記接着フィルムにダイシングシート機能を付与させる１例として、下記の方法などが挙げられる。
前記離型シートに塗工し乾燥させ得られた、離型シート付き接着フィルムの離型シートとは反対面の接着フィルム層に保護フィルムを貼り付け、その後離型シートおよび接着フィルム層をハーフカットする。さらに粘着剤層および基材フィルムからなるダイシングシートの粘着剤層と、前記離型シートの接着フィルム層がある面と反対側の面とを貼りあわせ、前記保護フィルムを剥がすことにより、基材フィルム、粘着剤層、離型シートおよび接着フィルム層がこの順に構成されてなるダイシングシート機能付き接着フィルムが得られる。【００５７】
以下、本発明の半導体用接着フィルムを用いた半導体装置について説明する。【００５８】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子とリードフレーム、半導体素子と配線基板、半導体素子と半導体素子を接着してなる半導体装置である。本発明の一実施態様としては、例えば、第１半導体素子と配線基板とを備え、第１半導体素子の電極面とは反対側の面と配線基板の電極面を対向して配設されてなる半導体電子部品を含む半導体装置であって、本発明の半導体用接着フィルムを用いて、第１半導体素子と配線基板とを接着してなる半導体装置である。また、他の実施態様としては、前記半導体装置において、前記第１半導体素子の電極面に、更に第２半導体素子が積層されてなる多段スタック型の半導体電子部品を含む半導体装置において、本発明の半導体用接着フィルムを用いて、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とを接着してなる半導体装置が含まれる。前記多段スタック型の半導体電子部品において第１半導体素子と配線基板の接着のみ本発明の半導体用接着フィルムが用いられたものであってもよい。本発明の半導体装置は、本発明の半導体用接着フィルムを用いて半導体素子とリードフレーム、半導体素子と配線基板、半導体素子と半導体素子が接着しているものであれば特に限定されない。【００５９】
図２は、本発明に係る一実施形態である半導体用接着フィルムを用いた半導体装置の構成を示す概略断面図である。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。【００６０】
図２の半導体装置１００は、配線基板１０１上に、第１半導体素子１０５、第２半導体素子１０９、第３半導体素子１１３、第４半導体素子１１７および第５半導体素子１２１がこの順に積層されており、また、これらの各半導体素子は、ワイヤー１２５により、半導体素子のワイヤーボンディング用電極１２７と、配線基板のワイヤーボンディング用電極１２９とが導通接合されている。また、これらの各半導体素子およびワイヤー１２５は、封止材１３１により埋設され、保護された状態となっている。また、配線基板１０１の裏面には、外部接続端子として機能する複数の外部接続電極１２３が設けられた構造となっている。【００６１】
図２に示す半導体装置１００は、第１半導体素子１０５の電極がある面とは反対側の面と配線基板１０１の電極面が対向した状態で第１半導体用接着フィルム１０３を介して接着されており、第１半導体素子１０５の上面（電極面）と第２半導体素子１０９の下面（電極がある面とは反対側の面）が対向した状態で第２半導体用接着フィルム１０７を介して接着されており、第２半導体素子１０９の上面（電極面）と第３半導体素子１１３の下面（電極がある面とは反対側の面）が対向した状態で第３半導体用接着フィルム１１１を介して接着されており、第３半導体素子１１３の上面（電極面）と第４半導体素子１１７の下面（電極がある面とは反対側の面）が対向した状態で第４半導体用接着フィルム１１５を介して接着されており、第４半導体素子１１７の上面（電極面）と第５半導体素子１２１の下面（電極がある面とは反対側の面）が対向した状態で第５半導体用接着フィルム１１９を介して接着されている。
また、第１半導体素子１０５、第２半導体素子１０９、第３半導体素子１１３、第４半導体素子１１７および第５半導体素子１２１は、それぞれ、ワイヤー１２５により各半導体素子のワイヤーボンディング用電極１２７と配線基板１０１のワイヤーボンディング用電極１２９とが導通接合されている。【００６２】
なお、特に限定されないが、第２半導体素子１０９は、第１半導体素子１０５よりも小さいものであることが好ましいというように、上段に積層された半導体素子の大きさが、下段半導体素子よりも小さい方が好ましく、半導体素子の集積密度を向上させる点で、上段半導体素子は下段半導体素子の略中央に配設されていることが好ましい。また、ワイヤー１２５が接合される各半導体素子のワイヤーボンディング電極１２７は各半導体素子の周縁部に設けられていることが好ましい。【００６３】
前記半導体装置１００のように、半導体素子が多段に積層され、ワイヤーボンディング工程で熱履歴が長くかかる場合に、第一半導体用接着フィルム１０３に本発明の半導体用接着フィルムを用いると、封止材封入時に、半導体用接着フィルムの配線基板表面の凹凸への埋め込み不良を抑制することができため、半導体装置１００のリフロー工程における半導体用接着フィルムの剥離やパッケージクラックを抑制することができる。【００６４】
本実施形態では、半導体素子が５段積層された半導体装置１００の構造を示したが、半導体素子の積層数に制限はなく、また、本発明の半導体用接着フィルムと従来の半導体用接着フィルムを併用してもよい。【００６５】
次に、半導体装置の一製造方法について説明する。
図３は、半導体装置を製造するフロー図である。
図３に示すように、半導体装置は、半導体用接着フィルムを用いて半導体素子と配線基板、または半導体素子同士とを仮接着する仮接着工程と、半導体素子と配線基板とを電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、半導体素子およびボンディングワイヤーを封止樹脂で封止する封止工程と、封止樹脂と接着フィルムを硬化させる硬化工程とで製造される。【００６６】
以下、各工程について説明する。
（仮接着工程）
仮接着工程では、具体的には、配線基板、半導体用接着フィルム、半導体素子をこの順で積層し、熱圧着にて半導体素子と配線基板の仮接着を行う。ここで、半導体用接着フィルムは、予め半導体素子に接着していてもよいし、配線基板に接着してもよい。この仮接着は、例えばダイボンディング装置（ＡＤ８９８  ＡＳＭ製）を用いて、８０℃〜１５０℃の温度、１Ｎ〜２０Ｎの荷重、０．１秒〜５秒の時間で熱圧着することができる。この時、半導体素子の破壊を防止するため、低温、低荷重、短時間で熱圧着することが好ましく、この工程において配線基板表面の凹凸を半導体用接着フィルムで完全に充填させることは困難であり、配線基板と半導体用接着フィルムとの間に空隙があっても構わない。【００６７】
（ワイヤーボンディング工程）
ワイヤーボンディング工程では、半導体素子の電極と、配線基板の電極とをボンディングワイヤーで電気的に接続する。このボンディングワイヤーの接続は、例えば、ワイヤーボンディング装置（ＥＡＧＬＥ６０  ＡＳＭ製）を用いて、１５０℃〜２００℃の温度で実施することができる。
半導体素子が２段以上に積層される半導体装置では、１段目の半導体素子のワイヤーボンディング工程を行った後、２段目以降も先に仮接着、ワイヤーボンディングされた半導体素子上で同様に仮接着工程、さらにワイヤーボンディング工程を繰り返し実施する。【００６８】
（封止工程）
封止工程では、半導体素子および半導体素子の電極と配線基板の電極とを接合しているボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止する。これにより、絶縁性および防湿性を向上することができる。封止条件は、例えばトランスファー成形機を用いて、１５０〜２００℃、５０〜１００ｋｇ／ｍｍ２の高温、高圧で行われる。また、封止樹脂の封止と同時に半導体用接着フィルムを軟化させ、配線基板表面の凹凸に完全に充填させる。
従来の半導体用接着フィルムでは、半導体素子が多段に積層され、ワイヤーボンディング工程で熱履歴が長くかかる場合に、半導体用接着フィルムの硬化が進行し、フロー性が低下するため、配線基板表面の凸凹を埋め込むことができないという不良を発生する場合があった。本発明の接着フィルムを適用すると、上記不良を抑制することができる。【００６９】
（硬化工程）
硬化工程では、封止樹脂を本硬化すると共に、半導体用接着フィルムを本硬化する。これにより、最終的な半導体装置を得ることができる。
硬化条件は、封止樹脂及び半導体用接着フィルムが硬化する条件であれば特に限定されないが、例えば、温度：１００〜２００℃、時間：５〜３００分の条件が好ましく、特に温度：１２０〜１８０℃、時間：３０〜２４０分の条件が好ましい。【００７０】
このような工程を経て、最終的に図２に示すような半導体装置１００を得ることができる。【００７１】
なお、半導体装置の構成は、例示したものには限られず、半導体用接着フィルムを用いて半導体素子と被接着部材とを接着した構造を有するものであれば、どのような半導体装置であってもよい。【００７２】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。【００７３】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、表１は、以下に説明する実施例及び比較例における各接着フィルムの成分配合比および評価結果を示している。
【実施例】
【００７４】
（実施例１）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、ジャパンエポキシレジン社製）１０重量部；
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部；および
フェノール樹脂として（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト社製）１０重量部をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して、樹脂固形分２０％の樹脂ワニスを得た。【００７５】
（接着フィルムの製造）
上述の方法で得られた樹脂ワニスを、コンマコーターを用いて基材フィルム（Ｉ）であるポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン社製、品番ピューレックスＡ５４、厚さ３８μｍ）に塗布した後、１５０℃、３分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルムを得た。【００７６】
（ダイシングシートの製造）
基材フィルム（ＩＩ）として、ハイブラー６０重量部、ポリプロピレン４０重量部からなるクリアテックＣＴ−Ｈ７１７（クラレ製）を、押し出し機で、厚み１００μｍのフィルムを形成し、表面をコロナ処理した。次に、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部とアクリル酸ブチル１０重量部、酢酸ビニル３７重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５０００００の共重合体を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥し、粘着剤層を得た。その後粘着剤層を基材フィルム（ＩＩ）のコロナ処理面にラミネートして基材フィルム（ＩＩ）、粘着剤層、およびポリエステルフィルムの順に積層されたダイシングシートを得た。【００７７】
（ダイシングシート機能付き接着フィルムの製造）
接着フィルムが塗布してある基材フィルム（Ｉ）の接着フィルム層に、保護フィルムを貼り付け、次いで、基材フィルム（Ｉ）および接着フィルム層を直径２２０ｍｍの大きさにハーフカットする。さらに、基材フィルム（ＩＩ）、粘着剤層、およびポリエステルフィルムから構成されるダイシングシートからポリエステルフィルムを剥離し、粘着剤層と基材フィルム（Ｉ）とを貼りあわせ、保護フィルムを剥がす。以上により、基材フィルム（ＩＩ）、粘着剤層、基材フィルム（Ｉ）および接着フィルム層がこの順に構成されてなるダイシングシート機能付き接着フィルムを得ることができる。【００７８】
（１７５℃での剪断ひずみ量γの測定方法）
実施例及び比較例で作製した半導体用接着フィルムを２５ｍｍ×２５ｍｍの大きさに切断し、さらに、半導体用接着フィルムが１００μｍの厚みになるように数枚重ね、サンプルを得た。得られたサンプルを、粘弾性測定装置（（株）ＨＡＡＫＥ社製  レオストレスＲＳ−１５０）を用い、１７５℃定温下、直径２０ｍｍの平行プレートにて、周波数１Ｈｚ、剪断応力３０００Ｐａのずり剪断を与え、測定開始から１０分後及び２時間後の剪断ひずみ量γを測定した。【００７９】
（接着後のダイシェア強度の測定方法）
実施例及び比較例で得られた半導体用接着フィルムを、４×４ｍｍの大きさのシリコンチップ（厚み５５０μｍ）とソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：商品名：ＡＵＳ３０８）をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン基板の間にはさんで、１３０℃、５Ｎ、１秒間で熱圧着し、１７５℃２時間熱処理を行ったサンプルを２６０℃の熱盤上に、２０秒間保持した後、プッシュプルゲージで０．５ｍｍ／分の速度にてせん断応力をかけた時のせん断強度をダイシェア強度とした。【００８０】
（半導体装置の製造）
以下の手順で、図４に示す半導体装置２００を製造した。【００８１】
ダイシングシート機能付き接着フィルム１３５の接着フィルム層と８インチ２００μｍウエハーの裏面を対向させ、６０℃の温度で貼り付けし、ダイシングシート機能付き接着フィルム１３５が貼り付けられたウエハーを得た。【００８２】
その後、このダイシングシート機能付き接着フィルムが貼り付けられたウエハーを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで１０ｍｍ×１０ｍｍ角の半導体素子１３７のサイズにダイシング（切断）した。次に、ダイシング機能付きダイアタッチフィルムの裏面から突上げし、基材フィルム（Ｉ）および接着剤層間で剥離し接着剤層（接着フィルム１３５）付き半導体素子１３７を得た。【００８３】
この接着剤層付き半導体素子１３７（１０ｍｍ×１０ｍｍ角）を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：商品名：ＡＵＳ３０８）がコーティングされたビスマレイミド−トリアジン樹脂配線基板１３３（回路段差５〜１０μｍ）に、１３０℃、５Ｎ、１．０秒の条件で圧着して、半導体素子とビスマレイミド−トリアジン配線基板を仮接着した。その後、半導体素子を多段に積層した際のワイヤーボンディング工程の熱履歴を想定して、１７５℃１０分間、または、１７５℃２時間の熱処理を行った。さらに、低圧トランスファー成形機を用い、成形温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ２、硬化時間２分で封止樹脂（住友ベークライト（株）製、ＥＭＥ−Ｇ７７０）にて封止し、１７５℃で２時間熱処理を行い、封止樹脂１３９を完全硬化させて１０個の半導体装置を得た。【００８４】
（配線基板段差充填性）
配線基板段差充填性は、各実施例および比較例で得られた接着フィルムを用いて製造した各半導体装置を、走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）により、配線基板上の段差に半導体用接着フィルムが充填されている率を、以下のように評価した。
ａａ：充填率が、１００％
ｂｂ：充填率が、８０％以上１００％未満
ｃｃ：充填率が、４０％以上８０％未満
ｄｄ：充填率が、４０％未満もしくは接着フィルム内が全面ボイド状になったもの【００８５】
（耐クラック性）
耐クラック性は、各実施例および比較例で得られた接着フィルムを用いて製造した各半導体装置を８５℃／６０％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）により、以下のように評価した。
ａａ：発生したクラックが、１０個中０個
ｂｂ：発生したクラックが、１０個中１個以上３個以下
ｃｃ：発生したクラックが、１０個中４個以上９個以下
ｄｄ：発生したクラックが、１０個中１０個【００８６】
（実施例２）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、ジャパンエポキシレジン社製）１０重量部；
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；および
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。【００８７】
（実施例３）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、ジャパンエポキシレジン社製）３０重量部；
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；および
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。【００８８】
（実施例４）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、ジャパンエポキシレジン社製）０．５重量部；
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；および
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。【００８９】
（実施例５）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、ジャパンエポキシレジン社製）１０重量部；
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部；
フェノール樹脂として（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト社製）４重量部；および
エポキシ樹脂としてオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０，エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬社製）６重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。【００９０】
（実施例６）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体としてアクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−グリシジルメタクリレート−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−８０ＨＤＲ、Ｔｇ：１０℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、ジャパンエポキシレジン社製）１０重量部；
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；および
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。【００９１】
（実施例７）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、ジャパンエポキシレジン社製）１２重量部；および
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。【００９２】
（実施例８）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、ジャパンエポキシレジン社製）２８重量部；および
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。【００９３】
（実施例９）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（フェノトートＹＰ−５０、Ｍｗ：６００００、東都化成社製）１０重量部；
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；および
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に行った。【００９４】
（実施例１０）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、ニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）（Ｎｉｐｏｌ１０４２、日本ゼオン社製）１０重量部；
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；および
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。【００９５】
（実施例１１）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、ジャパンエポキシレジン社製）１０重量部；
無機充填剤として、酸化アルミニウム（ＡＯ５０９、平均粒径１０μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；および
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。【００９６】
（比較例１）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
（メタ）アクリル酸エステル共重合体と異なる熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、ジャパンエポキシレジン社製）１０重量部；
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）１重量部；
フェノール樹脂として（ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト社製）１重量部；および
エポキシ樹脂としてオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０，エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬社製）１０重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。【００９７】
（比較例２）
（接着フィルム樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
無機充填剤として、球状シリカ（ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ、アドマテックス社製）７８重量部；および
カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業社製）２重量部を用いた。
接着フィルム樹脂ワニスの調製以外は、実施例１と同様に評価を行った。
各実施例および比較例の接着フィルム樹脂ワニスの配合および評価結果を表１に示す。なお、表１において、各成分の配合は重量部で示した。【００９８】
【表１】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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