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【手続補正書】
【提出日】平成17年8月8日(2005.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１回路部と第２回路部とを同一基板上に設け、前記第１回路部にゲート電極およびソース・ドレイン用の半導体領域が備わる第１ＭＩＳトランジスタを形成し、前記第２回路部にゲート電極およびソース・ドレイン用の半導体領域が備わる第２ＭＩＳトランジスタを形成する半導体集積回路装置であって、
前記第１ＭＩＳトランジスタのゲート電極を前記ソース・ドレイン用の半導体領域の導電型とは逆の導電型の導体膜で構成し、前記第２ＭＩＳトランジスタのゲート電極を前記ソース・ドレイン用の半導体領域の導電型と同一の導電型の導体膜で構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
第１回路部と第２回路部とを同一基板上に設け、前記第１回路部にゲート電極およびソース・ドレイン用の半導体領域が備わる第１ＭＩＳトランジスタを形成し、前記第２回路部にゲート電極およびソース・ドレイン用の半導体領域が備わる第２ＭＩＳトランジスタを形成する半導体集積回路装置であって、
前記第１ＭＩＳトランジスタのゲート電極を前記ソース・ドレイン用の半導体領域の導電型とは逆の導電型の不純物が導入されたシリコン膜で構成し、前記第２ＭＩＳトランジスタのゲート電極を前記ソース・ドレイン用の半導体領域の導電型と同一の導電型の不純物が導入されたシリコン膜で構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体集積回路装置において、前記第１回路部はＳＲＡＭメモリセルの入出力回路を有し、前記第２回路部はセンスアンプ回路またはワードドライバ回路を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
第１回路部と第２回路部とを同一基板上に設け、前記第１回路部にゲート電極およびソース・ドレイン用の半導体領域が備わる第１ＭＩＳトランジスタを形成し、前記第２回路部にゲート電極およびソース・ドレイン用の半導体領域が備わる第２ＭＩＳトランジスタを形成する半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記第１ＭＩＳトランジスタのゲート電極を前記ソース・ドレイン用の半導体領域の導電型とは逆の導電型の不純物が導入されたシリコン膜で形成し、前記第２ＭＩＳトランジスタのゲート電極を前記ソース・ドレイン用の半導体領域の導電型と同一の導電型の不純物が導入されたシリコン膜で形成し、
ゲート電極の両側の前記基板にｎ型不純物を導入してなるｎ型エクステンション領域およびゲート電極の側壁に設けられるサイドウォールの両側の前記基板にｎ型不純物を導入してなるｎ型拡散領域によって、ｎチャネル型の前記第１ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン用の半導体領域を形成し、ゲート電極の側壁に設けられるサイドウォールの両側の前記基板にｐ型不純物を導入してなるｐ型拡散領域によって、ｐチャネル型の前記第１ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン用の半導体領域を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
第１回路部と第２回路部とを同一基板上に設け、前記第１回路部にゲート電極およびソース・ドレイン用の半導体領域が備わる第１ＭＩＳトランジスタを形成し、前記第２回路部にゲート電極およびソース・ドレイン用の半導体領域が備わる第２ＭＩＳトランジスタを形成する半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記第１ＭＩＳトランジスタのゲート電極を前記ソース・ドレイン用の半導体領域の導電型とは逆の導電型の不純物が導入されたシリコン膜で形成し、前記第２ＭＩＳトランジスタのゲート電極を前記ソース・ドレイン用の半導体領域の導電型と同一の導電型の不純物が導入されたシリコン膜で形成し、
ゲート電極の両側の前記基板にｎ型不純物を導入してなるｎ型エクステンション領域およびゲート電極の側壁に設けられるサイドウォールの両側の前記基板にｎ型不純物を導入してなるｎ型拡散領域によって、ｎチャネル型の前記第１ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン用の半導体領域を形成し、ゲート電極の両側の前記基板にｐ型不純物を導入してなるｐ型エクステンション領域およびゲート電極の側壁に設けられるサイドウォールの両側の前記基板にｐ型不純物を導入してなるｐ型拡散領域によって、ｐチャネル型の前記第１ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン用の半導体領域を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の第１領域にｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタを有し、前記半導体基板の第２領域にｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタを有する半導体集積回路装置であって、
前記第１領域の前記ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタは、ｐ型の導電性を示す不純物を含むゲート電極と、ｎ型の導電性を示す不純物を含むソース・ドレイン領域とを有し、
前記第１領域の前記ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタは、ｎ型の導電性を示す不純物を含むゲート電極と、ｐ型の導電性を示す不純物を含むソース・ドレイン領域とを有し、
前記第２領域の前記ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタは、ｎ型の導電性を示す不純物を含むゲート電極と、ｎ型の導電性を示す不純物を含むソース・ドレイン領域とを有し、
前記第２領域の前記ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタは、ｐ型の導電性を示す不純物を含むゲート電極と、ｐ型の導電性を示す不純物を含むソース・ドレイン領域とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体集積回路装置において、
前記第１領域の前記ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよび前記ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタが動作する時のしきい値電圧は、前記第２領域のｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよび前記ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタが動作する時のしきい値電圧よりも、それぞれ大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の半導体集積回路装置において、
前記第１領域および前記第２領域の前記ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよび前記ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタの前記ソース・ドレイン領域上には、それぞれシリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体集積回路装置において、
前記シリサイド層は、前記第１領域および前記第２領域の前記ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよび前記ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタの前記ゲート電極上にも、それぞれ形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
表面の少なくとも一部にシリコン領域が露出した基板上に、シリコンと反応してシリサイド化物を形成する第１の金属からなる第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜の上に、前記第１の金属とは異なる第１の高融点金属からなる第２の膜を形成する工程と、
第１回目の熱処理を行い、前記基板と前記第１の膜とを反応させて、両者の界面に１価の金属シリサイド膜を形成する工程と、
前記基板上に残っている前記第２の膜及び第１の膜を除去する工程と、
前記第２の膜及び第１の膜が除去された前記基板の第２回目の熱処理を、前記第１回目の熱処理時の温度よりも高温で行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  
【課題を解決するための手段】  
本発明の一観点によると、表面の少なくとも一部にシリコン領域が露出した基板上に、シリコンと反応してシリサイド化物を形成する第１の金属からなる第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜の上に、前記第１の金属とは異なる第１の高融点金属からなる第２の膜を形成する工程と、第１回目の熱処理を行い、前記基板と前記第１の膜とを反応させて、両者の界面に１価の金属シリサイド膜を形成する工程と、前記基板上に残っている前記第２の膜及び第１の膜を除去する工程と、前記第２の膜及び第１の膜が除去された前記基板の第２回目の熱処理を、前記第１回目の熱処理時の温度よりも高温で行う工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ところで、本実施例の受光素子120における従感光領域120cは、ハニカム配列における受光素子の空領域に対応する仮想画素の位置を含むように延長形成されている。仮想画素は、図１の破線で示した円VPで表している。受光素子120をハニカム配列することにより垂直転送レジスタ122は、蛇行して形成される。それぞれの垂直転送レジスタ122は、均等な幅に形成されている。したがって、 従感光領域120cを仮想画素まで延長形成するため、従感光領域120cは、受光素子120に形成する側を所定の幅で垂直方向に形成される。図１は、従感光領域120cを受光素子120の上方に延長形成させたが、これに限定されるものでなく、受光素子120の下方に形成するようにしてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
平滑面140上には、色フィルタセグメント144が図４に示すように、少なくとも、主感光領域120bの開口領域126と従感光領域120cの開口領域128を覆うように形成される。色フィルタセグメント144は、原色および補色のいずれか一方を選択して形成する。色フィルタセグメント144は、主感光領域120bと従感光領域120cを同色にしてもよい。同色にすると、信号電荷を個別読出しする場合、受光素子120としての広ダイナミックレンジ化に寄与させることができる。また、従感光領域120cの色フィルタセグメント144は、主感光領域120bの色に関係なく、緑色（G）にしてもよい。この色を配置することにより混色の少ない画像を得ることができる。そして、開口領域128には色フィルタセグメント144を配さないようにしてもよい。この場合、光学的に透明な部材を使用する。したがって、従感光領域120cには、白色光（W）を入射させ、狭い受光面積でありながら、入射光の強さをほとんど減衰させることなく、入射光を有効に利用することができる。これにより、仮想画素の位置における輝度データを正確に生成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
信号電荷の読出しは、主感光領域120bの信号電荷を先に垂直転送レジスタ122に読み出す。垂直転送レジスタ122は、信号電荷を水平転送レジスタ（図示せず）に向かって転送され、水平転送レジスタにラインシフトする。信号電荷は、水平転送レジスタを介して信号電荷を出力アンプ（図示せず）にてQ/V変換され、出力される。この後に従感光領域120cの信号電荷を垂直転送レジスタ122に読み出す。以後、前述したように信号電荷が転送され、Q/V変換が施される。このような順序での信号電荷読出しは、遮光後の飽和量減衰が主感光領域120bの信号電荷で大きいことを考慮しているからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
そして、ユーザが所望するタイミングで操作部22のレリーズシャッタボタンを全ストローク分押圧操作する（S2の状態：サブステップSS202）。システム制御部20では、この操作に応動したトリガ信号22bを受けて撮像部12に対して動画用の本撮像を行うように制御し、露出を開始する（サブステップSS204）。この制御として、システム制御部20の制御に応動してドライバ26から供給される駆動信号26cによりメカニカルシャッタの開放状態を維持して、露出開始まで電子シャッタパルスを所定の期間毎に供給して信号電荷を掃き出す。そして、ドライバ26は、駆動信号26dにより電子シャッタをオフ、すなわちシャッタを開状態にして露光を開始する。システム制御部20は、供給された積算値18aから露光時間の制御も行う。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体高分子電解質膜の両側にそれぞれ電極を設けた電解質膜・電極構造体と、前記電解質膜・電極構造体を挟持するとともに、各電極に対向する面にそれぞれ所定の反応ガスを供給する反応ガス流路が形成された一組の金属製セパレータとを備える燃料電池であって、
前記金属製セパレータは、前記電極に当接する平坦部と、
前記平坦部を挟んで該電極から離間することにより、前記反応ガス流路を形成する凹状部と、
を備えるとともに、
前記平坦部は、前記反応ガス流路の上流から下流に向かって、前記電極に当接する幅寸法が小さくなるように設定されることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池において、前記金属製セパレータは、前記反応ガス流路が形成される面とは反対の面に、冷却媒体を流すための冷却媒体流路を設けることを特徴とする燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このため、例えば、生成水が多く発生して相対湿度が高くなり易い反応ガス流路の下流側では、金属製セパレータが電極に当接する面積を大幅に削減することができる。さらに、冷却媒体が電極に接する面積も小さくなり、電極面が冷却され難くなって結露の発生を抑制することが可能になる。これにより、滞留水による電極面の未反応面部分を有効に削減して前記電極面の反応有効面積を良好に確保することができ、濃度過電圧の上昇を抑えることが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月10日(2004.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細孔を有する導電性針と、
該導電性針の微細孔に設けられる導電性接合材料と、
前記導電性接合材料に接合されるカーボンナノチューブと、を有することを特徴とする電子源。
【請求項２】
前記導電性接合材料は前記導電性針よりも低融点の金属であることを特徴とする請求項１記載の電子源。
【請求項３】
前記カーボンナノチューブは、前記導電性接合材料よりも高融点である第一の金属被覆層により被覆されていることを特徴とする請求項１記載の電子源。
【請求項４】
前記導電性針は、Ｖ字型のフィラメント形状の導電性基材に備え付けられていることを特徴とする請求項１記載の電子源。
【請求項５】
導電性基材と該導電性基材とオーミックコンタクトするカーボンナノチューブと、を有することを特徴とする電子源。
【請求項６】
該導電性基材とオーミックコンタクトするカーボンナノチューブは、
前記導電性基材に接合される導電性接合材料と、
該導電性接合材料に接合されたカーボンナノチューブと、を有することを特徴とする請求項５記載の電子源。
【請求項７】
前記導電性基材はＶ字型のフィラメント形状であることを特徴とする請求項５記載の電子源。
【請求項８】
前記導電性接合材料は有機材料を炭化処理したものであることを特徴とする請求項６記載の電子源。
【請求項９】
導電性基材とカーボンナノチューブとをオーミックコンタクトさせる工程を有する電子源の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性基材とカーボンナノチューブとをオーミックコンタクトさせる工程は、
導電性基材に導電性接合材料を設ける工程と、
該導電性接合材料にカーボンナノチューブを挿入する工程と、
を有することを特徴とする請求項９記載の電子源の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の電子源を用いたことを特徴とする電子顕微鏡。
【請求項１２】
請求項１記載の電子源を用いたことを特徴とする電子線描画装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月17日(2005.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化マンガン、若しくはフッ化黒鉛を活物質とするペレット状の正極、リチウム又はリチウム合金を活物質とする負極を含む発電要素を、一方の電極端子を兼ねる電池ケース、及び他方の電極端子を兼ねる封口板がガスケットを介して密封口する電池容器に収容されてなるコイン形電池であって、前記電池ケースが、電池容器の内部に向けて膨出する凹部を有しており、この凹部が前記発電用素を封口板側に付勢することを特徴とするコイン形リチウム一次電池。
【請求項２】
前記電池ケースの底面の周縁に平坦部を有することを特徴とする請求項１記載のコイン形リチウム一次電池。
【請求項３】
前記電池ケースの凹部深さ／電池直径が０．０１〜０．０２５であることを特徴とする請求項１または２記載のコイン形リチウム一次電池。
【請求項４】
正極に添加される導電助剤が膨張黒鉛である請求項１から３のいずれかに記載のコイン形リチウム一次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
オゾン水の寿命を延長させる対策として、従来は、（１）オゾンガスが超純水に溶解されるオゾン溶解部から基板を洗浄する洗浄装置内のユースポイント部までの距離の短縮化、（２）オゾン水洗浄装置でのオゾン水処理時間の延長化、（３）必要な溶存オゾン濃度の数倍、数十倍の溶存オゾン濃度を有するオゾン水を製造し得るオゾン水製造装置を導入する、などの方策があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
該フィルター材としては、耐食性、耐劣化性またフィルター自身からの不純物溶出の懸念などからフッ素系樹脂材がよい。例えば四弗化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）による膜材に四弗化エチレンーパーフロロアルキルビニルエーテル共重合樹脂（ＰＦＡ）製のネットで補強した構成の多孔質高分子膜フィルター材を用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この発明によるオゾン含有洗浄液は、半導体基板や半導体素子の洗浄において、優れた洗浄能力を発揮する。洗浄方法としては、浸漬法、すなわち製造したオゾン含有洗浄液を洗浄槽に貯留させ、基板を一枚もしくは複数枚を洗浄槽内に浸潰することで、オゾンの強力な酸化力により、有機物、金属不純物が分解除去され、またシリコン原子の酸化反応が起こるため、大変すぐれた洗浄効果が得られる。また、オゾン濃度が洗浄槽まで高く維持されるため、オゾン洗浄時間を従来より短縮することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ここで、接触角度とは基板の表面に水滴を滴下させ、その水滴と該基板１０との角度によるはじき具合の尺度で示す。水素終端化した基板表面は水をはじくため接触角度が高く、オゾン水処理することにより酸化反応が進み、接触角度は低くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
層間シリコン酸化膜２９を貫通した部分に、キャパシタが配置される。ポリパッド２８の上端部に連続してストレージノード３０が設けられ、その上に誘電体からなるキャパシタ膜３１が形成される。さらに、その上にキャパシタ電極４０が位置している。キャパシタ電極４０は接地電位とされている。ストレージノードは、キャパシタの容量を増大させるため、粗面化処理されていることが望ましい。しかし、粗面化処理されていなくてもよい。図１中、丸印で囲まれた部分にキャパシタ３２（Ｃ2）が形成される。上記のキャパシタは円筒型キャパシタである。キャパシタの上部電極と層間シリコン酸化膜２９とを覆うように、層間シリコン酸化膜３３が設けられている。層間絶縁膜２１，２４，２６，２９，３３を貫通してメタルコンタクト３４が埋め込まれ、メタルコンタクト３４の上にメタル配線３５が設けられる。これらメタル配線３５は層間シリコン酸化膜３６で覆われ、その中をメタル配線３５に導通するメタルコンタクト３７が形成される。メタルコンタクト３７の上端部に接してメタル配線３８が設けられ、さらにその上にパッシベーション膜３９が位置している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
アクセストランジスタＴ6のソースドレイン領域１１と、キャパシタ３２（Ｃ2）のストレージノード３０とは、層間絶縁膜１３，１８，２１，２４，２６とＴＦＴ多結晶シリコン２５とを貫通する導電路１４，１５，２３，２７，２８によって電気的に接続されている。この導電路にはフリップフロップ回路の端子が接続され、ストレージノードの電位を所定の一定電位に保持している。また、トランジスタＴ1と、薄膜トランジスタＴ3とはそのゲート電極同士がコンタクト１６，１７，２２，２３によって導通されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２は、上記の半導体記憶装置の回路図である。ビット線ＢＬにそのドレインＤが接続されるアクセストランジスタＴ5のソースＳとキャパシタＣ1のストレージノード３０とが電気的に接続され、従来のＤＲＡＭのメモリセルに対応する部分を形成している。相補ビット線/ＢＬにドレインＤが接続されるアクセストランジスタＴ6のソースＳとキャパシタＣ2のストレージノードとが電気的に接続され、やはり従来のＤＲＡＭのメモリセルに対応する部分を形成している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１には、図２中のトランジスタのうち図１の断面図に見えるトランジスタが示されている。この中で、トランジスタＴ1はＣＭＯＳインバータの駆動トランジスタであり、薄膜トランジスタＴ3はそのＣＭＯＳインバータの負荷トランジスタである。両方のトランジスタＴ1およびＴ3は、そのゲート電極同士がプラグコンタクト１６，１７，２２，２３，２７，２８で電気的に接続されている。また、そのゲート電極２３は、プラグコンタクト１５，１４を介在させてアクセストランジスタＴ6のソースＳに接続されている。また、上記プラグコンタクトの中の導電層２７は、プラグコンタクト２８を通ってキャパシタＣ2のストレージノード３０に接続されている。このキャパシタＣ2のもう一方の電極４０は、接地電位とされる。他方の薄膜トランジスタＴ4は、図１の断面図では現れないプラグコンタクトを通じて、もう一方のキャパシタＣ1などに接続される。図１の断面図に現れてこないトランジスタは、いずれもシリコン基板表面に形成されるトランジスタであり、通常のＭＯＳトランジスタを形成する方法を用いて製造することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004079696.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2004079696.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月3日(2005.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】高誘電率膜を有する半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に誘電率が１０未満で複数膜厚の絶縁膜を形成するとともに、前記半導体基板の一部を露出させたのち、全面に均一な膜厚で誘電率が１０〜４０の高誘電率膜を成膜し、前記誘電率が１０未満の絶縁膜と誘電率が１０〜４０の高誘電率膜との積層構造からなる互いに膜厚が異なる複数の絶縁膜を各素子部に設けることを特徴とする高誘電率膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に誘電率が１０〜４０の高誘電率膜を成膜した後、酸化によって前記半導体基板との界面に膜厚を部分的に制御して酸化膜を形成することを特徴とする高誘電率膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記酸化工程において、上記高誘電率膜の上に形成した窒化シリコン膜パターンを選択酸化膜として用いることを特徴とする請求項２記載の高誘電率膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記窒化シリコン膜のパターニング工程において、燐酸ボイルを用いることを特徴とする請求項３記載の高誘電率膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記酸化工程を、２５０〜６００℃の温度で行うことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の高誘電率膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
上記高誘電率膜の成膜方法として、原子層−化学気相成長方法を用いたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の高誘電率膜を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高誘電率膜を有する半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、複数の薄く且つ異なった膜厚のゲート絶縁膜を同一基板に形成するための構成に特徴のある高誘電率膜を有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照  
上記の目的を達成するため、本発明は、高誘電率膜を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板１上に複数膜厚の誘電率が１０未満の絶縁膜２〜４を形成するとともに、半導体基板１の一部を露出させたのち、全面に均一な膜厚で誘電率が１０〜４０の高誘電率膜５を成膜し、誘電率が１０未満の絶縁膜２〜４と誘電率が１０〜４０の高誘電率膜５との積層構造からなる互いに膜厚が異なる複数の絶縁膜を各素子部に設けることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、高誘電率膜５の下層となる誘電率が１０未満の絶縁膜２〜４の膜厚は、必ずしも異なった膜厚である必要はなく、積層構造からなる絶縁膜の膜厚は均一であっても良く、例えば、半導体基板１上に誘電率が１０〜４０の高誘電率膜５を成膜した後、酸化によって半導体基板１との界面に膜厚を部分的に制御して酸化膜を形成すれば良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子が流れる導電性部と、
該導電性部の下面に接することにより、該導電性部を構成する半導体に格子歪を生じさせて、該導電性部を流れる電子の移動度を向上させる移動度向上部と、
前記半導体基板の表面を構成しながら前記導電性部の上面を覆うことにより、前記導電性領域が自然酸化されることを抑制する機能を有する酸化抑制部とを有する半導体基板を備え、
前記酸化抑制部は、Ａｌ2Ｏ3膜またはＨｆＯ2膜を有するゲート絶縁膜の下側に設けられており、
前記酸化抑制部および前記導電性部は、トランジスタのチャネル領域として機能する、半導体装置。
【請求項２】
前記酸化抑制部は、該導電性部を流れる電子の移動度を向上させる機能を有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記酸化抑制部と前記移動度向上部とは同じ組成の物質により構成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
第１ＳｉＧｅ層上に形成され、電子が移動するＳｉ層と、
該Ｓｉ層上に該Ｓｉ層に接して形成され、かつ、表面層を構成する第２ＳｉＧｅ層とを有する半導体基板を備え、
前記第２ＳｉＧｅ膜は、Ａｌ2Ｏ3膜またはＨｆＯ2膜を有するゲート絶縁膜の下側に設けられており、
前記Ｓｉ層および前記第２ＳｉＧｅ層は、トランジスタのチャネル領域として用いられている、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、従来のトランジスタでは、ソース／ドレイン領域としてのＳｉ結晶膜３の表面と、ソース／ドレイン領域に電流を流す導電性部材（たとえば、コンタクトプラグ）とが接触している。この導電性部材を形成する段階においても、Ｓｉ結晶膜３の表面が外側に露出している。そのため、従来のトランジスタは、導電性部の一例のＳｉ結晶膜３の表面に自然酸化膜等が形成され易くなっている。このため、導電性部材とソース／ドレイン領域としてのＳｉ結晶膜３との間のコンタクト抵抗が増加する。その結果、トランジスタ動作速度が低下するという問題が発生する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の一の局面の半導体装置は、半導体基板を備えている。半導体基板は、電子が流れる導電性部と、導電性部の下面に接することにより、導電性部を構成する半導体に格子歪を生じさせて、導電性部を流れる電子の移動度を向上させる移動度向上部と、半導体基板の表面を構成しながら導電性部の上面を覆うことにより、導電性領域が自然酸化されることを抑制する機能を有する酸化抑制部とを有している。また、酸化抑制部は、Ａｌ2Ｏ3膜またはＨｆＯ2膜を有するゲート絶縁膜の下側に設けられている。さらに、酸化抑制部および導電性部は、トランジスタのチャネル領域として機能する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の構成によれば、半導体基板の表面層が自然酸化されにくい酸化抑制部により構成されているため、半導体基板の表面層が自然酸化されることに起因して生じる問題が解消される。具体的には、Ａｌ2Ｏ3膜またはＨｆＯ2膜を有するゲート絶縁膜に接するチャネル領域の自然酸化が抑制されるため、ゲート絶縁膜の誘電率の低下が抑制され、ドレイン電流の低下が抑制される。また、移動度向上部の影響により格子歪が生じている導電部を電子が移動するため、電子の移動度が向上する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の他の局面の半導体装置は、第１ＳｉＧｅ層上に形成されたＳｉ層と、Ｓｉ層上にＳｉ層に接して形成され、かつ、表面層を構成する第２ＳｉＧｅ層とを有する半導体基板を備えており、Ｓｉ層を電子が移動する態様で用いられる。また、第２ＳｉＧｅ膜は、Ａｌ2Ｏ3膜またはＨｆＯ2膜を有するゲート絶縁膜の下側に設けられている。さらに、Ｓｉ層および第２ＳｉＧｅ層は、トランジスタのチャネル領域として用いられている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記の構成によれば、半導体基板の表面層が自然酸化されにくい第２ＳｉＧｅ層により構成されているため、半導体基板の表面層が自然酸化されることに起因して生じる問題が解消される。具体的には、Ａｌ2Ｏ3膜またはＨｆＯ2膜を有するゲート絶縁膜に接するチャネル領域の自然酸化が抑制されるため、ゲート絶縁膜の誘電率の低下が抑制され、ドレイン電流の低下が抑制される。また、第１ＳｉＧｅ層の影響により格子歪が生じているＳｉ層を電子が移動するため、電子の移動度は低下しない。さらに、Ｓｉ層の表面に設けられているのは、Ｓｉ層に格子歪が生じさせる第２ＳｉＧｅ層であるため、電子の移動度を低下させるおそれが低い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
さらに、Ｓｉ結晶膜４ｂの表面に設けられているのは、Ｓｉ結晶膜４ｂに格子歪が生じさせるＳｉＧｅ結晶膜４ａであるため、電子の移動度を低下させるおそれが低い。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る電磁変換素子は、本発明の電磁変換積層体と、この電磁変換積層体に電流を供給するためのリード層とを備えたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、本発明の電磁変換素子を含み、磁気的に情報を再生するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る磁気ヘッドアセンブリは、本発明の薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダと、このスライダヘッドを支持するスライダ支持機構とを備えたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る磁気再生装置は、本発明の磁気ヘッドアセンブリと、この磁気ヘッドアセンブリを利用して磁気的に情報が再生される記録媒体とを備えたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る電磁変換素子の製造方法は、本発明の電磁変換積層体と、この電磁変換積層体に電流を供給するためのリード層とを備えた電磁変換素子を製造する方法であり、電磁変換積層体を製造する工程が、第１の強磁性層の一面に隣接するように非磁性交換結合層を形成する工程と、この非磁性交換結合層に隣接するように半硬磁性層を形成することにより、非磁性交換結合層を介して半硬磁性層と第１の強磁性層とを交換結合させる工程とを含むようにしたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
≪変形例４≫
また、例えば、図１４に示したように、反射層４３Ｒと結合層４３Ｃとがこの順に積層された２層構成の非磁性交換結合層４３を含むようにＭＲ素子３０を構成してもよい。このＭＲ素子３０の構成は、一般に「スペキュラースピンバルブ構造（specular spin valve ）」と呼ばれるものである。反射層４３Ｒは、主に、積層体３１中を流れる伝導電子を鏡面反射させるものであり、例えば酸化銅などの高反射性材料により構成されている。なお、反射層４３Ｒは、結合層４３Ｃと同様に、半硬磁性層４２と第１の強磁性層４４とを交換結合させる機能を兼ねる場合もある。このスペキュラースピンバルブ型のＭＲ素子３０では、反射層４３Ｒにおいて伝導電子が鏡面反射されることにより、積層体３１中を流れるセンス電流の電流効率が向上するため、再生出力を向上させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
本発明の一実施の形態に係るＭＲ素子の構成に関する第４および第５の変形例（スペキュラースピンバルブ型構造またはスピンフィルタースピンバルブ構造）を表す断面図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004079850.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2004079850.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月7日(2004.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
主面に複数のリセス部を有する基板と、
前記複数のリセス部のそれぞれに嵌め込まれた複数の半導体レーザ素子とを備え、
前記各半導体レーザ素子における前記リセス部の底面と対向する面上にはそれぞれ素子電極が形成され、
前記各リセス部の底面上に形成されたリセス電極は、その端部が前記基板の主面上にまで達するように設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明に係る第２の半導体レーザ装置は、主面に複数のリセス部を有する基板と、複数のリセス部のそれぞれに嵌め込まれた複数の半導体レーザ素子とを備え、各半導体レーザ素子におけるリセス部の底面と対向する面上にはそれぞれ素子電極が形成され、各リセス部の底面上に形成されたリセス電極は、その端部が基板の主面上にまで達するように設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
なお、第１及び第２のリセス電極２１、２２は、例えば、基板１０における各リセス電極の下側に形成された貫通孔に充填されてなる導電性部材であるビア１３０によって、基板１０の外部との電気的な導通を図っている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
次に、図５（ｂ）は２例目のリセス電極を示し、図５（ｂ）に示すように、第１のリセス電極２１及び第２のリセス電極２２における出射方向に平行な外側の側部には、基板１０の各リセス部１０ａ、１０ｂの底面からそれぞれ主面上にまで延びるように延伸部２１ａ、２２ａが形成されている。このように、各リセス電極２１、２２に延伸部２１ａ、２２ａを設けることにより、各半導体レーザ素子の裏面に形成された素子電極は、基板１０の下部にビア１３０を設けることなく、基板１０の主面側から電気的な接続が行なえるようになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
次に、図７（ｄ）に示すように、レジストパターン３１をアッシングにより除去した後、図７（ｅ）に示すように、開口パターン３０ａを有するマスク膜３０をマスクとして、ウエハ１０Ａに対して、例えば塩素（Ｃｌ2 ）又は臭化水素（ＨＢｒ）をエッチングガスとするドライエッチングを行なって、ウエハ１０Ａに第１のリセス部１０ａを形成する。ここで、ウエハ１０Ａに対するエッチングはドライエッチに限られず、フッ硝酸の水溶液を用いたウエットエッチでも構わない。なお、第２のリセス部１０ｂ及びそれと接続される溝部も第１のリセス部１０ａ及びそれと接続される溝部１０ｇと同様に且つ同時に形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
図８に示すように、機能ブロック化された複数の半導体レーザ素子が分散してスラリ化した液を収納する容器５０と、該容器５０の底部に回転可能に設置され、その上面にウエハ１０Ａを保持するウエハ保持具５１と、スラリ化した液を循環するポンプ部６０とから構成されている。ここで、ウエハ保持具５１の上面は液面に対して斜めに位置するように設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
ポンプ部６０は、スラリ化した液がガス導入口６１から例えば窒素ガスを導入することにより容器５０の内部を循環し、さらに循環した液がウエハ保持具５１の上面に注がれるように設けられている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
続いて、ウエハ保持具５１の上に、複数の第１のリセス部１０ａ、複数の第２のリセス部１０ｂ及び溝部１０ｇが形成されたウエハ１０Ａを保持する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
続いて、図９に破線で示すダイシングライン４０に沿って、ダイシングソー等により、それぞれ半導体レーザ装置１００Ｃを切り出す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１００      半導体レーザ装置
１００Ａ    半導体レーザ装置
１００Ｂ    半導体レーザ装置
１００Ｃ    半導体レーザ装置
１０        基板
１０ａ      第１のリセス部
１０ｂ      第２のリセス部
１０ｃ      第１の切り欠き部
１０ｄ      第２の切り欠き部
１０ｅ      第３の切り欠き部
１０ｆ      第４の切り欠き部
１０ｇ      溝部
１１        第１の半導体レーザ素子
１１Ｃ      第１の半導体レーザ素子
１１ａ      出射端面
１１ｂ      後端面
１１ｃ      レーザ発光部
１２        第２の半導体レーザ素子
１２Ａ      第２の半導体レーザ素子
１２Ｂ      第２の半導体レーザ素子
１２Ｃ      第２の半導体レーザ素子
１２ａ      出射端面
１２ｂ      後端面
１２ｃ      レーザ発光部
２１        第１のリセス電極
２１ａ      延伸部
２２        第２のリセス電極
２２ａ      延伸部
２３        共通リセス電極
２３ａ      延伸部
３０        マスク膜
３０ａ      開口パターン
３１        レジストパターン
３１ａ      開口パターン
５０        容器
５１        ウエハ保持具
６０        ポンプ部
６１        ガス導入口
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004079854.tif 000001
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2004079854.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置及び電気器具
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、元素周期律の第２族に属する元素の窒化物を含み、前記陰極よりも仕事関数が小さく、１×１０-10Ｓ／ｍ以上の導電率であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、元素周期律の第２族に属する元素の珪化物を含み、前記陰極よりも仕事関数が小さく、１×１０-10Ｓ／ｍ以上の導電率であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、元素周期律の第２族に属する元素のホウ化物を含み、前記陰極よりも仕事関数が小さく、１×１０-10Ｓ／ｍ以上の導電率であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、硫化カルシウム、硫化マグネシウム、硫化ストロンチウムから選ばれた一種もしくは複数種の無機化合物を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、ホウ化イットリウム及びホウ化セリウムから選ばれた一種または二種の無機化合物を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、Ｃａ3Ｎ2、Ｍｇ3Ｎ2またはＭｇＢ2を用いて成膜されたことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、元素周期律の第２族に属する元素の窒化物を含み、前記陰極よりも仕事関数が小さく、１×１０-10Ｓ／ｍ以上の導電率であり、
前記導電層の膜厚は１〜３０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、元素周期律の第２族に属する元素の珪化物を含み、前記陰極よりも仕事関数が小さく、１×１０-10Ｓ／ｍ以上の導電率であり、
前記導電層の膜厚は１〜３０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、元素周期律の第２族に属する元素のホウ化物を含み、前記陰極よりも仕事関数が小さく、１×１０-10Ｓ／ｍ以上の導電率であり、
前記導電層の膜厚は１〜３０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、硫化カルシウム、硫化マグネシウム、硫化ストロンチウムから選ばれた一種もしくは複数種の無機化合物を含み、
前記導電層の膜厚は１〜３０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、ホウ化イットリウム及びホウ化セリウムから選ばれた一種または二種の無機化合物を含み
前記導電層の膜厚は１〜３０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
陰極と、陽極と、前記陰極上に接して設けられた導電層と、前記導電層と前記陽極との間に設けられた発光層とを有し、
前記陽極は、透光性を有し、
前記導電層は、Ｃａ3Ｎ2、Ｍｇ3Ｎ2またはＭｇＢ2を用いて成膜され、
前記導電層の膜厚は１〜３０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記導電層の透過率は７０％以上であることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記陽極側から光を取り出すことを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
アクティブマトリクス型であることを特徴とする１乃至１４のいずれか一項に記載された発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載された発光装置を表示部に有する電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月22日(2004.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
上部が開口され内部に電磁誘導コイル又は電気抵抗コイルからなる複数の発熱体や該発熱体の出力を制御する制御部等が収納され、前記開口の周囲にフランジ部が設けられた本体ケースと、非磁性体からなるトッププレート及び該トッププレートの周囲を保持する枠体によって形成された天板組立体とを有し、該天板組立体により前記本体ケースの開口を覆うように形成した加熱調理器を流し台に組込み、この組み込み状態において前記天板組立体を前記本体ケースの上面に着脱自在に設置したことを特徴とする加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記天板組立体を、前記本体ケースのフランジ部の上面及び周面を覆うように形成したことを特徴とする請求項１又は２記載の加熱調理器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る加熱調理器は、上部が開口され内部に電磁誘導コイル又は電気抵抗コイルからなる複数の発熱体や該発熱体の出力を制御する制御部等が収納され、前記開口の周囲にフランジ部が設けられた本体ケースと、非磁性体からなるトッププレート及び該トッププレートの周囲を保持する枠体によって形成された天板組立体とを有し、該天板組立体により前記本体ケースの開口を覆うように形成した加熱調理器を流し台に組込み、この組み込み状態において前記天板組立体を前記本体ケースの上面に着脱自在に設置したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（３）上記（１）又は（２）の天板組立体を、前記本体ケースのフランジ部の上面及び周面を覆うように形成した。
（４）上記（１）〜（３）のいずれかの電気部品及びその配線材料をすべて本体ケース内に収容した。
（５）上記（１）〜（４）のいずれかの天板組立体に、本体ケースに形成した吸気案内通路に嵌合する吸気部を設けた。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月10日(2004.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素を含む硬磁性材料と、反強磁性材料とを有する永久磁石であって、前記硬磁性材料と前記反強磁性材料との間に磁気的結合が生じており、前記反磁性材料は体積比で２０％以下であることを特徴とする永久磁石。
【請求項２】
前記硬磁性材料及び前記反強磁性材料及び硬質磁性材料は夫々異なる相として存在していることを特徴とする請求項１記載の永久磁石。
【請求項３】
前記反強磁性材料はＮｉＭｎ合金を体積比で３〜１０％有することを特徴とする請求項１記載の永久磁石材料。
【請求項４】
希土類元素を含む硬磁性材料粉を作成する工程と、
反磁性材料粉を作成する工程と、
前記硬磁性材料粉と前記反磁性材料粉とを混合する工程と、
電磁石を備える金型に混合粉を充填する工程と、
該混合粉に磁界を印加する工程と、
前記混合粉を加熱する工程と、
前記混合粉を冷却しながら磁界を印加する工程と、を有することを特徴とする永久磁石の製造方法。
【請求項５】
前記硬磁性材料粉と前記反強磁性材料粉とを混合する工程は、
前記反強磁性材料粉が体積比で２０％以下となるよう混合することを特徴とする請求項４記載の永久磁石の製造方法。
【請求項６】
希土類元素を含む硬磁性材料と、反強磁性材料とを有する永久磁石であって、前記反磁性材料は使用温度よりも高いネール点を有する酸化物であることを特徴とする永久磁石。
【請求項７】
前記硬磁性材料及び前記反強磁性材料及び硬質磁性材料は夫々異なる相として存在していることを特徴とする請求項６記載の永久磁石。
【請求項８】
請求項１記載の永久磁石を用いたことを特徴とする回転子。
【請求項９】
請求項８記載の回転子を用いたことを特徴とするモータ。