(57)【要約】下記式で表されるクリセン誘導体。2009008311.tif 000058Ｒ１〜Ｒ１０及びＲ２１〜Ｒ２５は、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数８〜３０のアリールシリル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基を示す。Ｒ２１〜Ｒ２５の少なくとも１つは置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環又は置換もしくは無置換のフルオレニル基である。
2009008311.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表されるクリセン誘導体。
【化４７】
2009008311.tif 000057
式（１）において、Ｒ１〜Ｒ１０及びＲ２１〜Ｒ２５は、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数８〜３０のアリールシリル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基を示す。
ただし、Ｒ２１〜Ｒ２５の少なくとも１つは置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環又は置換もしくは無置換のフルオレニル基である。
【請求項２】
Ｒ１〜Ｒ１０が水素原子である請求項１記載のクリセン誘導体。
【請求項３】
Ｒ２１〜Ｒ２５のいずれか１つが置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環であり、他が水素原子である請求項１又は２記載のクリセン誘導体。
【請求項４】
前記Ｒ２１〜Ｒ２５のいずれか１つが置換もしくは無置換のナフチル基又は置換もしくは無置換のフェナントリル基であり、他が水素原子である請求項１又は２記載のクリセン誘導体。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載のクリセン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項６】
発光材料である請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項７】
陽極及び陰極と、前記陽極及び陰極の間に挟持されている、発光層を含む１以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記発光層が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する請求項７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料がホスト材料である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
前記発光層がさらに蛍光性ドーパント及び燐光性ドーパントの少なくとも１つを含有する請求項７〜９のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記燐光性ドーパントが、Ｉｒ，Ｐｔ，Ｏｓ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｅ及びＲｕからなる群から選択される少なくとも１つの金属及び配位子からなる金属錯体である請求項１０記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
前記燐光性ドーパントが、５２０ｎｍ〜７００ｎｍに最大ピーク波長を有する発光スペクトルを示す請求項１０又は１１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用な、クリセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記することがある）は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより発光材料が蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。
有機ＥＬ素子の進歩は目覚しく、また、有機ＥＬ素子は、低印加電圧駆動、高輝度、発光波長の多様性、高速応答性、薄型で軽量な発光デバイスが作製可能等の特徴を有するため、広汎な用途への適用が期待されている。【０００３】
有機ＥＬ素子で使用される発光材料は、素子の発する光の色や発光寿命に大きな影響を与えるため、従来から積極的に研究されている。
発光材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が知られている。これらの発光材料により、青色から赤色までの可視領域の発光が得られる。【０００４】
また、燐光性化合物を発光材料として用い、三重項状態のエネルギーを発光に用いることが検討されている。例えば、イリジウム錯体を発光材料として用いた有機ＥＬ素子が、高い発光効率を示すことが知られている。【０００５】
特許文献１〜４には、クリセン誘導体を用いた有機ＥＬ素子が開示されている。これらに開示されている材料を用いると、有機ＥＬ素子の発光効率、寿命に改善が見られるが、さらなる、高効率、長寿命化が求められていた。
【特許文献１】ＷＯ２００４／０１６５７５号公報
【特許文献２】特開２０００−２７３０５５号公報
【特許文献３】特開２００６−５２３２３号公報
【特許文献４】特開２００６−５２３２４号公報
【０００６】
本発明は、有機ＥＬ素子用材料として好適な有機材料を提供することを目的とする。特に、燐光型有機ＥＬ素子用材料として、高効率、長寿命な材料を提供することを目的とする。
【発明の開示】
【０００７】
本発明によれば、以下のクリセン誘導体等が提供される。
１．下記式（１）で表されるクリセン誘導体。
【化１】
2009008311.tif 000003
式（１）において、Ｒ１〜Ｒ１０及びＲ２１〜Ｒ２５は、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数８〜３０のアリールシリル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基を示す。
ただし、Ｒ２１〜Ｒ２５の少なくとも１つは置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環又は置換もしくは無置換のフルオレニル基である。
２．Ｒ１〜Ｒ１０が水素原子である１記載のクリセン誘導体。
３．Ｒ２１〜Ｒ２５のいずれか１つが置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環であり、他が水素原子である１又は２記載のクリセン誘導体。
４．Ｒ２１〜Ｒ２５のいずれか１つが置換もしくは無置換のナフチル基又は置換もしくは無置換のフェナントリル基であり、他が水素原子である１又は２記載のクリセン誘導体。
５．１〜４いずれか記載のクリセン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
６．発光材料である５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
７．陽極及び陰極と、前記陽極及び陰極の間に挟持されている、発光層を含む１以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも１層が、５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
８．前記発光層が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
９．前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料がホスト材料である８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１０．前記発光層がさらに蛍光性ドーパント及び燐光性ドーパントの少なくとも１つを含有する７〜９のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．前記燐光性ドーパントが、Ｉｒ，Ｐｔ，Ｏｓ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｅ及びＲｕからなる群から選択される少なくとも１つの金属及び配位子からなる金属錯体である１０記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１２．前記燐光性ドーパントが、５２０ｎｍ〜７００ｎｍに最大ピーク波長を有する発光スペクトルを示す１０又は１１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【０００８】
本発明によれば、有機ＥＬ素子用材料として好適なクリセン誘導体を提供できる。
本発明のクリセン誘導体を使用した有機ＥＬ素子は、長寿命及び高効率であり、低電圧駆動が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は本発明の一実施形態である有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明者らは、有機ＥＬ素子用材料としてクリセン誘導体に着目し、鋭意研究を行った。その結果、所定の構造を有するクリセン誘導体が、有機ＥＬ素子の長寿命化、高効率及び低電圧化に有効であることを見出し、本発明を完成させた。【００１１】
本発明のクリセン誘導体は、下記式（１）で表される。
【化２】
2009008311.tif 000004
【００１２】
式（１）において、Ｒ１〜Ｒ１０及びＲ２１〜Ｒ２５は、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数８〜３０のアリールシリル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基を示す。
ただし、Ｒ２１〜Ｒ２５の少なくとも１つは置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環又は置換もしくは無置換のフルオレニル基である。【００１３】
炭素数１〜１０のアルキル基として例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル等が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜４であり、さらに好ましくは、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル基である。【００１４】
炭素数３〜１０のシクロアルキル基として例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等が挙げられる。好ましくは炭素数３〜６であり、さらに好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基である。【００１５】
置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキルシリル基として例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリシクロペンチルシリル基、トリヘキシルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基、ジフェニルメチルシリル基等が挙げられる。好ましくは炭素数３〜１０で、さらに好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基である。【００１６】
置換もしくは無置換の炭素数８〜３０のアリールシリル基として例えば、ジメチルフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。好ましくは炭素数１８〜３０で、さらに好ましくはトリフェニルシリル基である。【００１７】
置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基として例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、９−フルオレニル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−テルフェニル−４−イル基、ｐ−テルフェニル−３−イル基、ｐ−テルフェニル−２−イル基、ｍ−テルフェニル−４−イル基、ｍ−テルフェニル−３−イル基、ｍ−テルフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−テルフェニル４−イル基、ベンズフェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンズアントラニル基、クリセニル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンズフェナントリル基が挙げられる。【００１８】
Ｒ２１〜Ｒ２５は、好ましくは、それぞれ、水素原子又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基である。アリール基として例えば、フェニル基、フルオレニル基又は核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環等が挙げられる。また、アリール基として例えば、２〜４のベンゼン環が結合又は縮合したもの等が挙げられる。【００１９】
核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環として例えば、２〜４のベンゼン環が縮合したもの等が挙げられる。【００２０】
アルキル基、シクロアルキル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アリール基、縮合芳香族環及びフルオレニル基の置換基として例えば、置換もしくは無置換のアリール基（好ましくは核炭素数６〜３０、より好ましくは核炭素数６〜１５であり、例えばフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基等が挙げられる。）、アルキル基及びシクロアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルキルシリル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基等が挙げられる。）、アリールシリル基（好ましくは炭素数６〜５０、より好ましくは炭素数６〜３０であり、例えばトリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。）、置換もしくは無置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１２、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル等が挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、置換もしくは無置換のスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。）、置換もしくは無置換のスルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる。）、置換もしくは無置換のカルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる。）、置換もしくは無置換のスルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、置換もしくは無置換のスルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる。）、置換もしくは無置換のウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる。）、置換もしくは無置換のリン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、置換もしくは無置換のシリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる。）等が挙げられる。【００２１】
これらの置換基はさらに置換されてもよい。また置換基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっていてもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成していてもよい。
これらの置換基の中でもアリール基、アルキル基、アルキルシリル基、アリールシリル基であることが好ましく、より好ましくは、アリール基、アルキル基、アルキルシリル基、アリールシリル基である。【００２２】
好ましい形態として、式（１）において、Ｒ１〜Ｒ１０が水素原子である。【００２３】
好ましい形態として、Ｒ２１〜Ｒ２５のいずれか１つが置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環であり、他が水素原子である。【００２４】
好ましい形態として、式（１）において、Ｒ２１〜Ｒ２５のいずれか１つが置換もしくは無置換のナフチル基又は置換もしくは無置換のフェナントリル基であり、他が水素原子である。【００２５】
本発明のクリセン誘導体の具体例を以下に示す。
【化３】
2009008311.tif 000005
2009008311.tif 000006
2009008311.tif 000007
2009008311.tif 000008
2009008311.tif 000009
式中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基を表す。【００２６】
本発明のクリセン誘導体は、有機ＥＬ素子用材料、特に、その発光材料として好適に使用できる。【００２７】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極及び陰極と、陽極及び陰極の間に挟持されている、発光層を含む１以上の有機薄膜層とを有し、有機薄膜層の少なくとも一層が、本発明のクリセン誘導体を含有する。【００２８】
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な構成として、
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
等を挙げることができるが、これらに限定されない。これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられる。【００２９】
図１に（８）の構成を示す。この有機ＥＬ素子は、陽極１０及び陰極２０と、その間に挟持されている、正孔注入層３０、正孔輸送層３２、発光層３４、電子注入層３６からなる。正孔注入層３０、正孔輸送層３２、発光層３４、電子注入層３６が、複数の有機薄膜層に相当する。これら有機薄膜層３０，３２，３４，３６の少なくとも一層が、本発明のクリセン誘導体を含有する。【００３０】
本発明の有機ＥＬ素子において、本発明のクリセン誘導体は、上記のどの有機薄膜層に用いられてもよいが、発光層に使用することが好ましい。本発明のクリセン誘導体は、各有機薄膜層において、単独で使用してもよく、他の化合物と混合して使用してもよい。本発明の素子では、発光層が、ホスト材料として本発明のクリセン誘導体を含有し、蛍光性ドーパント及び燐光性ドーパントの少なくとも１つを含有することが好ましい。
本発明において、発光層は実質的に本発明のクリセン誘導体及び上記ドーパントからなることが好ましい。
尚、有機薄膜層に占める本発明のクリセン誘導体の含有量は、好ましくは３０〜１００モル％である。【００３１】
以下有機ＥＬ素子の各部材について説明する。
有機ＥＬ素子は、通常基板上に作製し、基板は有機ＥＬ素子を支持する。平滑な基板を用いるのが好ましい。この基板を通して光を取り出すときは、基板は透光性であり、波長４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが望ましい。
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板等が好適に用いられる。ガラス板としては、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等の板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂等の板が挙げられる。【００３２】
陽極は、正孔を正孔注入層、正孔輸送層又は発光層に注入し、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物（ＩＺＯ）、ＩＴＯと酸化セリウムの混合物（ＩＴＣＯ）、ＩＺＯと酸化セリウムの混合物（ＩＺＣＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムの混合物（ＩＣＯ）、酸化亜鉛と酸化アルミニウムの混合物（ＡＺＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極はこれらの電極物質から蒸着法やスパッタリング法等で形成できる。
発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍである。【００３３】
発光層は、以下の機能を有する。
（ｉ）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
（ｉｉ）輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
（ｉｉｉ）発光機能；電子と正孔を再結合させ、これを発光につなげる機能【００３４】
発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物を沈着して形成した膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物を固体化して形成した膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。【００３５】
発光層に使用できる発光材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及びこれらの誘導体や蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００３６】
発光層に使用できるホスト材料の具体例としては、下記（ｉ）〜（ｉｘ）で表される化合物が挙げられる。
下記式（ｉ）で表される非対称アントラセン。【００３７】
【化４】
2009008311.tif 000010
【００３８】
（式中、Ａｒ００１は置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合芳香族基である。Ａｒ００２は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。Ｘ００１〜Ｘ００３は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基である。ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０〜４の整数である。ｎは１〜３の整数である。また、ｎが２以上の場合は、［  ］内は、同じでも異なっていてもよい。）【００３９】
下記式（ｉｉ）で表される非対称モノアントラセン誘導体。【００４０】
【化５】
2009008311.tif 000011
【００４１】
（式中、Ａｒ００３及びＡｒ００４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基であり、ｍ及びｎは、それぞれ１〜４の整数である。ただし、ｍ＝ｎ＝１でかつＡｒ００３とＡｒ００４のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、Ａｒ００３とＡｒ００４は同一ではなく、ｍ又はｎが２〜４の整数の場合にはｍとｎは異なる整数である。
Ｒ００１〜Ｒ０１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基である。）【００４２】
下記式（ｉｉｉ）で表される非対称ピレン誘導体。【００４３】
【化６】
2009008311.tif 000012
【００４４】
［式中、Ａｒ００５及びＡｒ００６は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。Ｌ００１及びＬ００２は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
また、Ｌ００１又はＡｒ００５は、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ００２又はＡｒ００６は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。ただし、ｎ＋ｔが偶数の時、Ａｒ００５，Ａｒ００６，Ｌ００１，Ｌ００２は下記（１）又は（２）を満たす。
（１）  Ａｒ００５≠Ａｒ００６及び／又はＬ００１≠Ｌ００２（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
（２）  Ａｒ００５＝Ａｒ００６かつＬ００１＝Ｌ００２の時
（２−１）  ｍ≠ｓ及び／又はｎ≠ｔ、又は
（２−２）  ｍ＝ｓかつｎ＝ｔの時、
（２−２−１）  Ｌ００１及びＬ００２、又はピレンが、それぞれＡｒ００５及びＡｒ００６上の異なる結合位置に結合しているか、（２−２−２）  Ｌ００１及びＬ００２、又はピレンが、Ａｒ００５及びＡｒ００６上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ００１及びＬ００２又はＡｒ００５及びＡｒ００６のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。］【００４５】
下記式（ｉｖ）で表される非対称アントラセン誘導体。【００４６】
【化７】
2009008311.tif 000013
【００４７】
（式中、Ａ００１及びＡ００２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環基である。
Ａｒ００７及びＡｒ００８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基である。
Ｒ０１１〜Ｒ０２０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシ基である。
Ａｒ００７、Ａｒ００８、Ｒ０１９及びＲ０２０は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、式（ｉｖ）において、中心のアントラセンの９位及び１０位に、該アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。）【００４８】
下記式（ｖ）で表されるアントラセン誘導体。【００４９】
【化８】
2009008311.tif 000014
【００５０】
（式中、Ｒ０２１〜Ｒ０３０は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，置換してもよいアリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アルケニル基，アリールアミノ基又は置換してもよい複素環式基を示し、ａ及びｂは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ０２１同士又はＲ０２２同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、また、Ｒ０２１同士又はＲ０２２同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ０２３とＲ０２４，Ｒ０２５とＲ０２６，Ｒ０２７とＲ０２８，Ｒ０２９とＲ０３０がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ００３は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換してもよいアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）【００５１】
下記式（ｖｉ）で表されるアントラセン誘導体。【００５２】
【化９】
2009008311.tif 000015
【００５３】
（式中、Ｒ０３１〜Ｒ０４０は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アリールアミノ基又は置換してもよい複数環式基を示し、ｃ，ｄ，ｅ及びｆは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ０３１同士，Ｒ０３２同士，Ｒ０３６同士又はＲ０３７同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ０３１同士，Ｒ０３２同士，Ｒ０３３同士又はＲ０３７同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ０３３とＲ０３４，Ｒ０３９とＲ０４０がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ００４は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換してもよいアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）【００５４】
下記式（ｖｉｉ）で表されるスピロフルオレン誘導体。【００５５】
【化１０】
2009008311.tif 000016
【００５６】
（式中、Ａ００５〜Ａ００８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニリル基又は置換もしくは無置換のナフチル基である。）【００５７】
下記式（ｖｉｉｉ）で表される縮合環含有化合物。【００５８】
【化１１】
2009008311.tif 000017
【００５９】
（式中、Ａ０１１〜Ａ０１３は前記式（１）のＬ１と同様な２価の基を示し、Ａ０１４〜Ａ０１６は式（１）のＲａと同様な置換基を示す。Ｒ０４１〜Ｒ０４３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基又はハロゲン原子を示し、Ａ０１１〜Ａ０１６のうち少なくとも１つは３環以上の縮合芳香族環を有する基である。）【００６０】
下記式（ｉｘ）で表されるフルオレン化合物。【００６１】
【化１２】
2009008311.tif 000018
【００６２】
（式中、Ｒ０５１及びＲ０５２は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ０５１同士、Ｒ０５２同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ０５１及びＲ０５２は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ０５３及びＲ０５４は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ０５３同士、Ｒ０５４同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ０５３及びＲ０５４は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ０１１及びＡｒ０１２は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、Ａｒ０１１及びＡｒ０１２は、同じであっても異なっていてもよい。ｎは、１乃至１０の整数を表す。）【００６３】
燐光性ドーパントを使用する際のホスト化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。ホスト化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。【００６４】
【化１３】
2009008311.tif 000019
【００６５】
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層に、本発明の発光材料をホストとし、燐光性ドーパント及び蛍光性ドーパントの少なくとも一方を含有していることが好ましい。また、本発明の化合物を含む発光層に、これらのドーパントを含む発光層を積層してもよい。【００６６】
燐光性ドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ，Ｐｔ，Ｏｓ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｅ及びＲｕからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましい。また、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。燐光性化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。【００６７】
本発明のクリセン誘導体は、３重項のエネルギーレベルが２．５ｅＶ以下であるため、２．５ｅＶ以下のエネルギーで発光することができる燐光性ドーパントを用いることが好ましい。即ち、５２０ｎｍ〜７００ｎｍに最大ピーク波長を有する発光スペクトルの燐光性ドーパントが好ましい。【００６８】
ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格又はフェナントロリン骨格を有する化合物、又は２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの配位子は必要に応じて置換基を有してもよい。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していてもよい。【００６９】
このような金属錯体の具体例としては、以下に示される化合物が挙げられる。尚、本発明では、特に赤色領域で発光する燐光性ドーパントと組合せることが好ましい。これらに限定されず、要求される発光色、素子性能、使用するホスト化合物により適切な錯体が選ばれる。
【化１４】
2009008311.tif 000020
2009008311.tif 000021
2009008311.tif 000022
2009008311.tif 000023
【００７０】
燐光性ドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％であり、１〜３０質量％が好ましい。燐光性化合物の含有量が０．１質量％未満では発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮されない恐れがあり、７０質量％を超える場合は、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下する恐れがある。【００７１】
蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて化合物を選択することが好ましく、スチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物がさらに好ましい。また、アミン化合物ではない縮合多環芳香族化合物も好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。
蛍光性ドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％であり、１〜３０質量％が好ましい。【００７２】
スチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記式（Ａ）で表されるものが好ましい。
【化１５】
2009008311.tif 000024
【００７３】
（式中、Ａｒ１０１はｐ価の基であり、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベニル基、ジスチリルアリール基の対応するｐ価の基であり、Ａｒ１０２及びＡｒ１０３はそれぞれ炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ１０１、Ａｒ１０２及びＡｒ１０３は置換されていてもよい。Ａｒ１０１〜Ａｒ１０３のいずれか一つはスチリル基で置換されている。さらに好ましくはＡｒ１０２又はＡｒ１０３の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。ｐは１〜４の整数であり、好ましくは１〜２の整数である。）
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。【００７４】
アリールアミン化合物及びアリールジアミン化合物としては、下記式（Ｂ）で表されるものが好ましい。
【化１６】
2009008311.tif 000025
【００７５】
（式中、Ａｒ１１１はｑ価の置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０の芳香族基であり、Ａｒ１１２，Ａｒ１１３はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０のアリール基である。ｑは１〜４の整数であり、好ましくは１〜２の整数である。）
ここで、核炭素数が５〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラニル基、ビスアントラセニル基が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基が好ましい。
Ａｒ１１１は上記のｑ価の基が好ましく、さらにＡｒ１１１が２価のときは下記式（Ｃ），（Ｄ）で示される基が好ましく、式（Ｄ）で示される基がより好ましい。【００７６】
【化１７】
2009008311.tif 000026
（式（Ｃ）において、ｒは１〜３の整数である。）【００７７】
尚、前記アリール基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核炭素数５〜４０のアリール基、核炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。【００７８】
発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有してもよい。
発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。【００７９】
正孔注入層及び正孔輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入層及び正孔輸送層の材料としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒以上であれば好ましい。
正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層及び正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。【００８０】
正孔注入層及び正孔輸送層に、例えば、下記式で表される芳香族アミン誘導体が使用できる。
【化１８】
2009008311.tif 000027
Ａｒ２１１〜Ａｒ２１３、Ａｒ２２１〜Ａｒ２２３及びＡｒ２０３〜Ａｒ２０８はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ａ〜ｃ及びｐ〜ｒはそれぞれ０〜３の整数である。Ａｒ２０３とＡｒ２０４、Ａｒ２０５とＡｒ２０６、Ａｒ２０７とＡｒ２０８はそれぞれ互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。【００８１】
置換又は無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−テルフェニル−４−イル基、ｐ−テルフェニル−３−イル基、ｐ−テルフェニル−２−イル基、ｍ−テルフェニル−４−イル基、ｍ−テルフェニル−３−イル基、ｍ−テルフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−テルフェニル４−イル基が挙げられる。【００８２】
置換又は無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基が挙げられる。【００８３】
さらに、正孔注入層及び正孔輸送層に、下記式で表される化合物が使用できる。
【化１９】
2009008311.tif 000028
Ａｒ２３１〜Ａｒ２３４はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。Ｌは連結基であり、単結合、もしくは置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ｘは０〜５の整数である。Ａｒ２３２とＡｒ２３３は互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ここで置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、及び置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、前記芳香族アミン誘導体と同様のものがあげられる。【００８４】
さらに、正孔注入層及び正孔輸送層の材料の具体例としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。【００８５】
正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。【００８６】
また２個の縮合芳香族環を分子内に有する化合物、例えば４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）や、トリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を用いることが好ましい。【００８７】
この他に下記式で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。
【化２０】
2009008311.tif 000029
式中、Ｒ２０１〜Ｒ２０６はそれぞれ置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換の複素環基のいずれかを示す。Ｒ２０１とＲ２０２、Ｒ２０３とＲ２０４、Ｒ２０５とＲ２０６、Ｒ２０１とＲ２０６、Ｒ２０２とＲ２０３、又はＲ２０４とＲ２０５は縮合環を形成してもよい。【００８８】
さらに、下記式の化合物も用いることができる。
【化２１】
2009008311.tif 000030
Ｒ２１１〜Ｒ２１６は置換基であり、好ましくはそれぞれシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子吸引基である。【００８９】
また、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層及び正孔輸送層の材料として使用することができる。
正孔注入層及び正孔輸送層は上述した化合物を、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層及び正孔輸送層の膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。正孔注入層及び正孔輸送層は上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、異なる化合物からなる複数の正孔注入層及び正孔輸送層を積層したものであってもよい。【００９０】
有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。【００９１】
電子注入層及び電子輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい。また付着改善層は、特に陰極との付着が良い材料からなる電子注入層の一種である。
電子輸送層は５ｎｍ〜５μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。【００９２】
電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウムを挙げることができる。【００９３】
オキサジアゾール誘導体としては、以下の式で表される電子伝達化合物が挙げられる。【００９４】
【化２２】
2009008311.tif 000031
（式中、Ａｒ３０１、Ａｒ３０２、Ａｒ３０３、Ａｒ３０５、Ａｒ３０６、及びＡｒ３０９はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示す。またＡｒ３０４、Ａｒ３０７、Ａｒ３０８はそれぞれ置換又は無置換のアリーレン基を示す。）【００９５】
ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基等が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレ基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。【００９６】
上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。    
【化２３】
2009008311.tif 000032
【００９７】
さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記式（Ｅ）〜（Ｊ）で表されるものも用いることができる。
【化２４】
2009008311.tif 000033
【００９８】
（式（Ｅ）及び（Ｆ）中、Ａ３１１〜Ａ３１３は、それぞれ窒素原子又は炭素原子である。
Ａｒ３１１は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基であり、Ａｒ３１１’は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ３１２は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基である。ただし、Ａｒ３１１及びＡｒ３１２のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜６０の縮合環基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のモノヘテロ縮合環基である。
Ｌ３１１、Ｌ３１２及びＬ３１３は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ｒ及びＲ３１１は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲは同一でも異なっていてもよく、また、隣接するＲ基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。）で表される含窒素複素環誘導体。【００９９】
ＨＡｒ−Ｌ３１４−Ａｒ３２１−Ａｒ３２２    （Ｇ）
（式中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌ３１４は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい原子数３〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ３２１は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ３２２は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい原子数３〜６０のヘテロアリール基である。）で表される含窒素複素環誘導体。【０１００】
【化２５】
2009008311.tif 000034
【０１０１】
（式中、Ｘ３０１及びＹ３０１は、それぞれ炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ３０１〜Ｒ３０４は、それぞれ、水素、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基又はシアノ基である。これらの基は置換されていてもよい。また、隣接した基が置換若しくは無置換の縮合環を形成してもよい。）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体。【０１０２】
【化２６】
2009008311.tif 000035
【０１０３】
（式中、Ｒ３２１〜Ｒ３２８及びＺ３２２は、それぞれ、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｘ３０２、Ｙ３０２及びＺ３２１は、それぞれ、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｚ３２１とＺ３２２は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｎは１〜３の整数を示し、ｎ又は（３−ｎ）が２以上の場合、Ｒ３２１〜Ｒ３２８、Ｘ３０２、Ｙ３０２、Ｚ３２２及びＺ３２１は同一でも異なってもよい。但し、ｎが１、Ｘ、Ｙ及びＲ３２２がメチル基でＲ３２８が水素原子又は置換ボリル基の化合物、及びｎが３でＺ３２１がメチル基の化合物を含まない。）で表されるボラン誘導体。【０１０４】
【化２７】
2009008311.tif 000036
【０１０５】
［式中、Ｑ３０１及びＱ３０２は、それぞれ、下記式（Ｋ）で示される配位子を表し、Ｌ３１５は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、−ＯＲ（Ｒは、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。）又は−Ｏ−Ｇａ−Ｑ３０３（Ｑ３０４）（Ｑ３０３及びＱ３０４は、Ｑ３０１及びＱ３０２と同じ）で示される配位子を表す。］で表されるガリウム錯体。【０１０６】
【化２８】
2009008311.tif 000037
［式中、環Ａ３０１及びＡ３０２は、それぞれ置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。］【０１０７】
この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きい。
式（Ｋ）の配位子を形成する環Ａ３０１及びＡ３０２の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビス（アセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等の置換もしくは無置換のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成してもよい。【０１０８】
有機ＥＬ素子の好ましい形態では、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ土類金属の炭酸塩、希土類金属の炭酸塩、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。【０１０９】
また、具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる。仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましくは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。【０１１０】
陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けてもよい。このような層により、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。電子注入層が絶縁性薄膜であれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。【０１１１】
絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができ好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ及びＮａ２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２及びＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。【０１１２】
また、電子注入層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物は、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。【０１１３】
陰極としては、仕事関数の小さい（例えば、４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、セシウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、Ａｌ／Ｌｉ２Ｏ、Ａｌ／ＬｉＯ、Ａｌ／ＬｉＦ、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。【０１１４】
陰極はこれらの電極物質から蒸着やスパッタリング等により作製できる。
発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。【０１１５】
一般に、有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入してもよい。
絶縁層に用いる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。【０１１６】
有機ＥＬ素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により、陽極から、必要な層を順次形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。【０１１７】
以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０−７〜１０−３Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃で適宜選択することが好ましい。【０１１８】
次に、正孔注入層上に発光層を設ける。発光層の形成も、真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。【０１１９】
次に、発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
そして、最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は蒸着法、スパッタリングにより形成できる。下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。【０１２０】
有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。本発明の化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは本発明の化合物を溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。【０１２１】
［実施例］
［クリセン誘導体の合成］
実施例１
化合物１の合成
【化２９】
2009008311.tif 000038
アルゴン雰囲気下、６，１２−ジブロモクリセン３．８３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸５．９５ｇ（２４．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）  ０．４６２ｇ（０．４００ｍｍｏｌ）にトルエン８０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液４０ｍＬを加え、１６時間加熱還流した。反応終了後、析出晶を濾取し、得られた結晶を水、メタノール、ヘキサンで洗浄した。得られた個体をトルエンで再結晶し、白色結晶５．０６ｇを得た。この結晶は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６３２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６３２であった。【０１２２】
実施例２
化合物２の合成
【化３０】
2009008311.tif 000039
実施例１において、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに４−（２−ナフチル）フェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６３２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６３２であった。【０１２３】
実施例３
化合物３の合成
【化３１】
2009008311.tif 000040
実施例１において、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに４−（９−フェナントリル）フェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量７３２．２８に対し、ｍ／ｅ＝７３２であった。【０１２４】
実施例４
化合物４の合成
【化３２】
2009008311.tif 000041
実施例１において、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに３−（１−ナフチル）フェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６３２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６３２であった。
【０１２５】
実施例５
化合物５の合成
【化３３】
2009008311.tif 000042
実施例１において、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに３−（２−ナフチル）フェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６３２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６３２であった。【０１２６】
実施例６
化合物６の合成
【化３４】
2009008311.tif 000043
実施例１において、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに３−（９−フェナントリル）フェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量７３２．２８に対し、ｍ／ｅ＝７３２であった。【０１２７】
実施例７
化合物７の合成
【化３５】
2009008311.tif 000044
実施例１において、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに３−（１−ナフチル）−５−フェニルフェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量７８４．３１に対し、ｍ／ｅ＝７８４であった。【０１２８】
実施例８
化合物８の合成
【化３６】
2009008311.tif 000045
実施例１において、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに３−（２−ナフチル）−５−フェニルフェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量７８４．３１に対し、ｍ／ｅ＝７８４であった。【０１２９】
実施例９
化合物９の合成
【化３７】
2009008311.tif 000046
実施例１において、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに３，５−ジ（１−ナフチル）フェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量８８４．３４に対し、ｍ／ｅ＝８８４であった。【０１３０】
実施例１０
化合物１０の合成
【化３８】
2009008311.tif 000047
実施例１において、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに３，５−ジ（２−ナフチル）フェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量８８４．３４に対し、ｍ／ｅ＝８８４であった。【０１３１】
実施例１１
化合物１１の合成
【化３９】
2009008311.tif 000048
【０１３２】
（１１−１）２−ブロモ−６−フェニルナフタレンの合成
アルゴン雰囲気下、６−ブロモ−２−ナフチルトリフルオロメタンスルホネート１１９５ｇ（３．３７ｍｏｌ）、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンパラジウム（０）ジクロリド９９．３ｇ（１６８ｍｍｏｌ）、脱水ジエチルエーテル４Ｌをフラスコに仕込み、０℃まで冷却した。１ＭフェニルマグネシウムブロミドのＴＨＦ（テトラヒドロキシフラン）溶液４．１Ｌを滴下し、室温にて２２時間攪拌した。トルエン２Ｌ、水２Ｌを加えた後、ろ過した。濾液の有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を減圧留去させた。残渣をトルエンでスラリー洗浄し、結晶を濾取した。結晶を減圧下乾燥させ、２−ブロモ−６−フェニルナフタレン３６０ｇ（収率３８％）を得た。【０１３３】
（１１−２）６−フェニルナフタレン−２−ボロン酸の合成
アルゴン雰囲気下、２−ブロモ−６−フェニルナフタレン３６０ｇ（１．２７ｍｏｌ）、脱水ジエチルエーテル２Ｌ、脱水トルエン２Ｌを仕込み、−１０℃まで冷却した。１．５８Ｍ  ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液１Ｌ（１．５８ｍｏｌ）を滴下し、−１０℃にて５時間攪拌した。反応溶液を−６０℃まで冷却し、ホウ酸トリイソプロピル７１８ｇ（３．８１ｍｏｌ）を滴下した後、室温にて１７時間攪拌した。反応溶液に水１Ｌ、トルエン１Ｌを加え、１時間攪拌した後、水層を除去した。有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた。有機層を濃縮した後、トルエンで熱洗浄し、６−フェニルナフタレン−２−ボロン酸２７６ｇ（収率８７％）を得た。【０１３４】
（１１−３）３−ホルミル−４−ヒドロキシビフェニルの合成
アルゴン雰囲気下、５−ブロモサリチルアルデヒド４９６ｇ（２．４６ｍｏｌ）、フェニルボロン酸３６１ｇ（２．９６ｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）  ５７ｇ（４９．０ｍｍｏｌ）、ＤＭＥ８．６Ｌ、炭酸ナトリウム７８４ｇ／水３．７Ｌを仕込み、１７時間加熱還流攪拌させた。室温まで冷却後、トルエン３Ｌを加え、水層を除去した。有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去させた。結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、３−ホルミル−４−ヒドロキシビフェニル３８２ｇ（収率７８％）を得た。【０１３５】
（１１−４）３−ホルミル−４−ビフェニルトリフルオロメタンスルホネートの合成
アルゴン雰囲気下、３−ホルミル−４−ヒドロキシビフェニル３８２ｇ（１．９３ｍｏｌ）、ジイソプロピルアミン３９０ｇ（３．８５ｍｏｌ）、脱水ジクロロメタン４Ｌを仕込み、無水トリフルオロメタンスルホン酸１０８８ｇ（３．８５ｍｏｌ）を滴下し、室温にて２１時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム１００ｇ／水３Ｌを加えた後、水層を除去した。有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去させた。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、３−ホルミル−４−ビフェニルトリフルオロメタンスルホネートの粗生成物６５６ｇを得た。【０１３６】
（１１−５）２−（３−ホルミルビフェニル−４−イル）−６−フェニルナフタレンの合成
アルゴン雰囲気下、３−ホルミル−４−ビフェニルトリフルオロメタンスルホネート４４４ｇ（１．１１ｍｏｌ）、フェニルボロン酸２７６ｇ（１．３３ｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）  ２６ｇ（２２．２ｍｍｏｌ）、トルエン５Ｌ、炭酸ナトリウム３５４ｇ／水１．７Ｌを仕込み、１７時間加熱還流攪拌させた。室温まで冷却後、水層を除去し、有機層を水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去させた。トルエン−アセトンで洗浄し、２−（３−ホルミルビフェニル−４−イル）−６−フェニルナフタレン３７０ｇ（収率８６％）を得た。【０１３７】
（１１−６）２−［３−［（２−メトキシ）エテニル−１−イル］ビフェニル−４−イル］−６−フェニルナフタレンの合成
アルゴン雰囲気下、（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド８２３ｇ（２．４０ｍｏｌ）、脱水ジエチルエーテル４Ｌをフラスコに仕込み、１Ｍカリウム−ｔ−ブトキシドのＴＨＦ溶液２．４Ｌ（２．４０ｍｏｌ）を加え、室温にて２時間攪拌した。２−（３−ホルミルビフェニル−４−イル）−６−フェニルナフタレン３７０ｇ（９６１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ６Ｌ分散液を滴下し、室温にて１７時間攪拌した。反応後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２−［３−［（２−メトキシ）エテニル−１−イル］ビフェニル−４−イル］−６−フェニルナフタレン３３０ｇ（収率８３％）を得た。【０１３８】
（１１−７）２，８−ジフェニルクリセンの合成
２−［３−［（２−メトキシ）エテニル−１−イル］ビフェニル−４−イル］−６−フェニルナフタレン３３０ｇ（８００ｍｍｏｌ）、メタンスルホン酸６０ｇ（６２４ｍｍｏｌ）、脱水ジクロロメタン４．５Ｌを仕込み、室温にて１８時間攪拌した。メタノール１Ｌを加え、析出した結晶を濾取した。得られた結晶をメタノールにて洗浄し、２，８−ジフェニルクリセン２４０ｇ（収率７８％）を得た。【０１３９】
（１１−８）６，１２−ジブロモ−２，８−ジフェニルクリセンの合成
アルゴン雰囲気下、２，８−ジフェニルクリセン２４０ｇ（６３０ｍｍｏｌ）、クロロホルム２．５Ｌをフラスコに仕込み、臭素２６０ｇを滴下し、反応溶液を室温で４５時間攪拌した。析出した結晶をろ取し、水、メタノールで洗浄した。得られた個体をキシレンにて加熱洗浄を繰り返し、６，１２−ジブロモ−２，８−ジフェニルクリセン２００ｇ（収率５９％）を得た。【０１４０】
（１１−９）化合物１１の合成
実施例１において、６，１２−ジブロモクリセンの代わりに、６，１２−ジブロモ−２，８−ジフェニルクリセンを、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに４−（２−ナフチル）フェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量７８４．３１に対し、ｍ／ｅ＝７８４であった。【０１４１】
実施例１２
化合物１２の合成
【化４０】
2009008311.tif 000049
実施例１において、６，１２−ジブロモクリセンの代わりに、６，１２−ジブロモ−２，８−ジフェニルクリセンを、４−（１−ナフチル）フェニルボロン酸の代わりに３−（１−ナフチル）フェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。得られた化合物は、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量７８４．３１に対し、ｍ／ｅ＝７８４であった。【０１４２】
［有機ＥＬ素子の作製］
実施例１３
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間、超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に、透明電極を覆うようにして厚さ６５ｎｍの下記化合物Ａ−１を抵抗加熱蒸着により成膜した。このＡ−１膜は正孔注入・輸送層として機能する。
次に、Ａ−１膜上に、化合物１を抵抗加熱蒸着により厚さ４０ｎｍで成膜した。同時に燐光発光性ドーパントとして、下記構造のＩｒ（ｔｐｉｑ）２（ａｃａｃ）（Ｄ−１）を、化合物１に対し質量比で５％になるように蒸着した。この膜は、燐光発光層として機能する。【０１４３】
次に、この燐光発光層上に、下記化合物Ａ−２を、抵抗加熱蒸着により厚さ１０ｎｍになるように成膜した。この化合物Ａ−２の膜は正孔ブロック層として機能する。
この膜上に膜厚３０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）錯体を成膜した。これは、電子輸送層として機能する。
この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚０．５ｎｍ）を形成した。
このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させて金属陰極（膜厚１５０ｎｍ）を形成し、有機ＥＬ発光素子を形成した。【０１４４】
【化４１】
2009008311.tif 000050
【０１４５】
実施例１４〜実施例２４
実施例１において、化合物１の代わりに表１に示す化合物を用いて同様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。【０１４６】
比較例１
実施例１において、化合物１の代わりに下記化合物Ａを用いて同様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。
【化４２】
2009008311.tif 000051
【０１４７】
比較例２
実施例１において、化合物１の代わりに下記化合物Ｂを用いて同様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。
【化４３】
2009008311.tif 000052
【０１４８】
比較例３
実施例１において、化合物１の代わりに下記化合物Ｃを用いて同様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。
【化４４】
2009008311.tif 000053
【０１４９】
比較例４
実施例１において、化合物１の代わりに下記化合物Ｄを用いて同様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。
【化４５】
2009008311.tif 000054
【０１５０】
比較例５
実施例１において、化合物１の代わりに下記化合物Ｅを用いて同様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。
【化４６】
2009008311.tif 000055
【０１５１】
上記の各例で作製した有機ＥＬ素子の、１０ｍＡ／ｃｍ２駆動時の素子性能及び初期１０００ｃｄ／ｍ２に対する半減寿命を測定した。結果を表１に示す。
尚、発光効率は、素子に所定の電圧を印可し、その時の電流値を測定すると同時に、輝度計（ミノルタ社製分光輝度放射計ＣＳ−１０００）で発光輝度値を測定し算出した。【０１５２】
【表１】
2009008311.tif 000056
【産業上の利用可能性】
【０１５３】
本発明のクリセン誘導体は有機ＥＬ素子用材料、特に、発光材料として好適である。
本発明の有機ＥＬ素子は、平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源、携帯電話、ＰＤＡ、カーナビゲーション、車のインパネ等の表示部、照明等に好適に使用できる。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
【図１】
2009008311.tif 000059
【国際調査報告】
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