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【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  蛍光フッ素樹脂であって、前記フッ素樹脂は、前記フッ素樹脂によって付与される色以外の着色がなく、かつ少なくとも３００℃の温度で加工される場合に変色せず、前記フッ素樹脂が励起放射線にさらされた場合に放射線を放射することを特徴とする蛍光フッ素樹脂。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
実施例７
各ポリマーにリン光物質２５および２６の両方を使用すること以外は、前述の実施例を繰り返す。これによって、励起放射線波長２５４ｎｍおよび３６６ｎｍの両方で緑色光を発する加工物品が得られ、各ポリマーで製造された物品中に存在する各リン光物質の量は、１０ｐｐｍである。緑色リン光物質２５および２６と赤色リン光物質４８または４９を使用して混合手順を繰り返し、これによって、２５４ｎｍ、３０２ｎｍ、および３６５ｎｍのＵＶ放射線が照射されるとそれぞれ緑および赤色光を発する成形品が得られる。緑色リン光物質２５と赤色リン光物質４８の組合せは、より良好な色識別ができることから好ましい。すなわち２５４ｎｍの赤／橙と３０２ｎｍの緑などである。ＵＶ放射線源は、実施例１と同様である。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  蛍光フッ素樹脂であって、該のフッ素樹脂が、前記フッ素樹脂によって付与される色以外の着色がなく、かつ少なくとも３００℃の温度で加工される場合に変色せず、前記フッ素樹脂が励起放射線にさらされた場合に放射線を放射することを特徴とする蛍光フッ素樹脂。
２．  前記放射された放射線が可視波長領域内にあり、前記励起放射線が不可視領域内にあることを特徴とする１．に記載の蛍光フッ素樹脂。
３．  前記少なくとも３００℃の温度で加工されることを特徴とする１．に記載の蛍光フッ素樹脂。
４．  前記放射された放射線をもたらす少なくとも１種類の無機リン光物質を含有することを特徴とする１．に記載の蛍光フッ素樹脂。
５．  記蛍光フッ素樹脂中に存在する前記無機リン光物質の量が、前記フッ素樹脂の重量に対して０．５〜４５０ｐｐｍであることを特徴とする４．に記載の蛍光フッ素樹脂。
６．  前記無機リン光物質の量が前記フッ素樹脂の重量に対して１〜１００ｐｐｍであることを特徴とする５．に記載の蛍光フッ素樹脂。
７．  同一または異なる波長の前記入射放射線によって励起される複数種類の前記無機リン光物質を含有することを特徴とする４．に記載の蛍光フッ素樹脂。
８．  存在する前記無機リン光物質の全量が前記フッ素樹脂の重量に対して１〜１００ｐｐｍであることを特徴とする７．に記載の蛍光フッ素樹脂。
９．  前記存在する無機リン光物質の全量が前記フッ素樹脂の重量に対して１〜２０ｐｐｍであることを特徴とする８．に記載の蛍光フッ素樹脂。
１０．  前記フッ素樹脂が、非溶融加工性ポリテトラフルオロエチレンまたは溶融加工性テトラフルオロエチレンまたはクロロトリフルオロエチレン共重合体であることを特徴とする１．に記載の蛍光フッ素樹脂。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
重合性シラン単量体が、式（Ｉ）：
【化１】
2000154296.tif 000001
（Ｒは−Ｈ又は−ＣＨ3、
Ｘは−（ＣＨ2）n−又は−ＣＯＯ−（ＣＨ2）n−
ただしｎは０から３の整数、
Ｙは−ＯＣＨ3もしくは−ＯＣ2Ｈ5又は−Ｏ（ＣＨ2）m−Ｏ（ＣＨ2）p−Ｈ
ただしｍ、ｐは１から３の整数、
Ｚは−（ＣＨ２）q−Ｈ
ただしｑは０から３の整数、
ａは０から２の整数）
で示される請求項１に記載の水性エマルション。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
重合性シラン単量体とは、ケイ素と重合性の官能基を同時に有する化合物であって、式（Ｉ）：
【化２】
2000154296.tif 000002
（Ｒは−Ｈ又は−ＣＨ3、
Ｘは−（ＣＨ2）n−又は−ＣＯＯ−（ＣＨ2）n−
ただしｎは０から３の整数、
Ｙは−ＯＣＨ3もしくは−ＯＣ2Ｈ5又は−Ｏ（ＣＨ2）m−Ｏ（ＣＨ2）p−Ｈ
ただしｍ、ｐは１から３の整数、
Ｚは−（ＣＨ２）q−Ｈ
ただしｑは０から３の整数、
ａは０から２の整数）
で示されるエチレン性シラン化合物であって、
例えば、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、４−（メタ）アクリロキシエチルトリメトキシシラン等の（メタ）アクリロキシアルキルトリアルコキシシラン類、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルエチルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシエチルメチルジメトキシシラン等の（メタ）アクリロキシアルキルアルキルアルコキシシラン類、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルジメトキシエトキシシラン、ビニルトリ（メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリ（エトキシメトキシ）シラン等のビニルトリアルコキシシラン類、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルエチルジ（メトキシエトキシ）シラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルジエチル（メトキシエトキシ）シラン等のビニルアルキルアルコキシシラン類等が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、本発明の要旨はモノブロモトリフルオロベンゼン類を加水分解し、トリフルオロフェノール類を製造する方法に存する。
前述の通り、ブロモベンゼン類を銅または銅化合物触媒と塩基化合物の存在下、加水分解反応を行いフェノール類を合成する方法が知られているが、本発明者らの経験ではトリフルオロ誘導体の場合、この反応における既知の条件下では収率が極端に低下した。本発明者らは、当該反応において塩基化合物の使用を止め、スルホランのような非プロトン性極性溶媒を添加することにより収率が顕著に向上することを見出し、本発明に到達したのである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
非プロトン性極性溶媒としてはスルホラン、ジメチルスルホキシドや1,3 −ジメチル−２−イミダゾリジノンが使用できるが、副反応の励起がないことからスルホランが特に好ましい。
非プロトン性極性溶媒は水との共溶媒として使用するが、その割合は重量比で0.1〜0.5 好ましくは 0.2〜0.4 が適当である。 0.1以下では添加効果が認められず、また、0.5以上ではもはや反応速度の増加が認められなくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月13日(2004.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
着色耐熱性顔料粉末５〜４０重量％、ガラス粉末５０〜９４．５重量％、耐火物フィラー０〜２５重量％、およびホウ酸アルミニウムウィスカー、チタン酸カリウムウィスカー、酸化亜鉛ウィスカー、Ｎａ2Ｃａ2Ｐ2Ｏ18ウィスカー、酸化マグネシウムウィスカー、硼酸マグネシウムウィスカー、塩基性硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ4・５ＭｇＯ・８Ｈ2Ｏ）ウィスカーおよび二硼化チタンウィスカーから選ばれる少なくとも１種のウィスカー状耐火物フィラー０．１〜４０重量％からなることを特徴とするセラミックカラー組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、着色耐熱性顔料粉末５〜４０重量％、ガラス粉末５０〜９４．５重量％、耐火物フィラー０〜２５重量％、およびホウ酸アルミニウムウィスカー、チタン酸カリウムウィスカー、酸化亜鉛ウィスカー、Ｎａ2Ｃａ2Ｐ2Ｏ18ウィスカー、酸化マグネシウムウィスカー、硼酸マグネシウムウィスカー、塩基性硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ4・５ＭｇＯ・８Ｈ2Ｏ）ウィスカーおよび二硼化チタンウィスカーから選ばれる少なくとも１種のウィスカー状耐火物フィラー０．１〜４０重量％からなることを特徴とするセラミックカラー組成物を提供する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ウィスカー状耐火物フィラーとしては、ホウ酸アルミニウムウィスカー、チタン酸カリウムウィスカー、酸化亜鉛ウィスカー、Ｎａ2Ｃａ2Ｐ2Ｏ18ウィスカー、酸化マグネシウムウィスカー、硼酸マグネシウムウィスカー、塩基性硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ4・５ＭｇＯ・８Ｈ2Ｏ）ウィスカーおよび二硼化チタンウィスカーから選ばれる少なくとも１種のウィスカー状耐火物フィラーを使用する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このようなウィスカー状耐火物フィラーは、セラミックカラー組成物の焼成（自重曲げでは５７０〜６５０℃、プレス曲げでは６３０〜７００℃）時に発泡しない、または発泡が少ないことが特徴であり、上記以外のウィスカー状耐火物フィラーとして、炭素ウィスカー、窒化チタンウィスカー、炭化チタンウィスカー等も知られているが、これらのウィスカーは上記焼成時の発泡が顕著であり、その結果、焼成して得られる着色不透明層が泡のために白っぽく見えるようになるという問題がある。また、本発明で使用する上記ウィスカーは、弾性率が２８×１０9ｋｇｆ／ｍ2以上であることが好ましい。弾性率が２８×１０9ｋｇｆ／ｍ2未満のウィスカーではガラス板の強度の増加が少ないおそれがある。この観点からは、硼酸アルミニウムウィスカー、チタン酸カリウムウィスカー、酸化亜鉛ウィスカー、Ｎａ2Ｃａ2Ｐ2Ｏ18ウィスカーが好ましい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
なお、以上の例１〜３２において、例１、例３〜５、例９、例１１、例１２、例１９〜３１が実施例であり、例２、例６〜８及び１０が参考例であり、例１３〜１８、例３２が比較例である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月3日(2005.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】移動通信端末
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＤＭＡ方式の移動通信端末であって、
基地局から送信されたスペクトラム拡散信号を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信されたスペクトラム拡散信号を復調する復調手段と、
第1の発振手段により駆動され、前記受信手段が休止状態のときにカウントを行う第1のタイマ手段と、
前記第1の発振手段の周波数かつ前記スペクトラム拡散信号のチップレートよりも周波数が高い第２の発振手段で駆動され、前記受信手段が受信状態のときにカウントを行う第２のタイマ手段と、
前記第１のタイマ手段および第２のタイマ手段によるカウントに応じて前記受信状態および休止状態を制御するとともに、前記スペクトラム拡散信号を逆拡散するための逆拡散符号の同期を確立するように前記第1のタイマ手段により生じた誤差に基づいて前記復調手段による復調動作の再開を制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする移動通信端末。
【請求項２】
請求項１に記載の移動通信端末は、前記第２の発振手段の周波数を調整する周波数制御手段を備えていることを特徴とする移動通信端末。
【請求項３】
請求項２に記載の周波数制御手段は、基地局から送信されたスペクトラム拡散信号のチップレートに応じて前記第２の発振手段の周波数を調整することを特徴とする移動通信端末。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は間欠的受信動作を行うＣＤＭＡ（Code Division Multiple Access：符号分割多重）方式の移動通信端末に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明にかかるＣＤＭＡ方式の移動通信端末は、基地局から送信されたスペクトラム拡散信号を受信する受信手段と、前記受信手段により受信されたスペクトラム拡散信号を復調する復調手段と、第1の発振手段により駆動され、前記受信手段が休止状態のときにカウントを行う第1のタイマ手段と、前記第1の発振手段の周波数かつ前記スペクトラム拡散信号のチップレートよりも周波数が高い第２の発振手段で駆動され、前記受信手段が受信状態のときにカウントを行う第２のタイマ手段と、前記第１のタイマ手段および第２のタイマ手段によるカウントに応じて前記受信状態および休止状態を制御するとともに、前記スペクトラム拡散信号を逆拡散するための逆拡散符号の同期を確立するように前記第1のタイマ手段により生じた誤差に基づいて前記復調手段による復調動作の再開を制御する制御手段と、を備えていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
以上説明したように、本実施例によれば、CDMA方式の間欠受信において必要とされた，逆拡散用符号発生手段の休止期間中の自走動作，あるいは休止期間を管理する高精度の発振回路を不要とした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本実施例によれば休止期間を精度の劣るタイマ手段で管理する。受信再開時には，受信信号のPN符号位相を算出し，この算出値を元に所定時刻後のPN符号発生器の状態ベクトルを設定し，新たに起動した高精度のタイマ手段により前記所定時刻の経過を管理し，再同期を行なう。さらに前記状態ベクトルを短時間で求めるために，休止期間の変動に対し前記算出値を元に受信時間を毎回調整して，受信再開時の符号位相ずれを予測する範囲内に限定している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
以上の結果，間欠受信の休止期間は，前記精度の劣るタイマ手段を除く受信系回路及び移動通信端末で用いる高精度の基準発振回路を停止することが可能となった。また、計時精度の劣るタイマ手段には低電力なデバイスが選択できるため，間欠受信時の休止期間の消費電力の一層の低減を図ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば、ＣＤＭＡ方式の移動通信端末における消費電力の低減を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の熱処理を行う反応管と、
前記反応管に供給するガスを加熱する加熱手段と、
前記基板を前記反応管の内側に設置するための保持手段と、
前記ガスを前記反応管から排出し前記加熱手段に供給する循環手段と、
前記被処理基板をガスで冷却するためのガス供給手段と
を備えたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
基板の熱処理を行う反応管と、
前記反応管に供給するガスを加熱するための発熱手段と、前記発熱手段からの熱輻射を吸収する吸熱体とを備えた加熱手段と、
前記基板を前記反応管の内側に設置するための保持手段と、
前記ガスを前記反応管から排出して、前記加熱手段に供給する循環手段と、
前記被処理基板をガスで冷却するためのガス供給手段と
を備えたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
ガスを加熱する加熱手段を備え、前記加熱手段により加熱されたガスを熱源として基板を加熱する熱処理装置であって、
熱交換器を介して第１のガス加熱手段の導入口側と接続するガス供給手段と、
前記第１のガス加熱手段の排出口側と接続する第１の処理室と、
前記第１の処理室の排出口側と接続する第２のガス加熱手段と、
前記第２のガス加熱手段の排出口側接続する第２の処理室と、
前記第１の熱処理室及び前記第２の熱処理室のぞれぞれに冷却用ガスを供給するガス供給手段と
を備えたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
反応管の上流側からガスを供給し、
前記反応管の上流側に設けられた加熱手段により前記ガスを加熱して下流側に流し、
前記ガスを前記反応管の下流側から上流側へ循環させながら前記反応管の下流側に設けられた被処理基板を加熱する
ことを特徴とする熱処理方法。
【請求項５】
反応管の上流側からガスを供給し、
前記反応管の上流側に設けられた発熱手段と該発熱手段の熱輻射を吸収する吸熱体とにより前記ガスを加熱して下流側へ流し、
前記ガスを前記反応管の下流側から排気した後、再度上流側から供給し、
循環させながら前記反応管の下流側に保持された被処理基板を加熱する
ことを特徴とする熱処理方法。
【請求項６】
反応管の吸気部からガスを供給し、
前記反応管の上流側に設けられた発熱手段と該発熱手段の熱輻射を吸収する吸熱体とにより前記ガスを加熱して下流側へ流し、
前記反応管の排気部から排気されたガスを前記吸気部へ供給し、
循環させながら前記加熱されたガスにより前記反応管内に配置された被処理基板を加熱する
ことを特徴とする熱処理方法。
【請求項７】
加熱手段により加熱されたガスを熱源として処理室に配置された基板を加熱する熱処理方法であって、
ガス供給手段から熱交換器を介して第１のガス加熱手段にガスを供給し、
第１のガス加熱手段によりガスを加熱し、
加熱された当該ガスを第１の処理室に供給し、
前記第１の処理室から排出されたガスを第２のガス加熱手段により加熱し、
加熱された当該ガスを第２の処理室に供給し、
前記第２の処理室から排出された排出されたガスを熱交換器に供給する
ことを特徴とする熱処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月17日(2004.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子除去手段と、ガス状不純物除去手段と、除湿手段との少なくとも１つを含む基板搬送容器内の環境を設定する手段と、外部よりの情報入力手段と、その入力された情報に基いて前記容器内の環境を設定する制御手段とを備えたことを特徴とする基板搬送容器。
【請求項２】
複数のプロセス装置間で基板を基板搬送容器に収納して搬送、または保管するに際して、前記基板搬送容器に該容器内の環境を形成する装置を備え、該装置を任意の運転パターンで運転することを特徴とする基板搬送容器の運転制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様は、粒子除去手段と、ガス状不純物除去手段と、除湿手段との少なくとも１つを含む基板搬送容器内の環境を設定する手段と、外部よりの情報入力手段と、その入力された情報に基いて前記容器内の環境を設定する制御手段とを備えたことを特徴とする基板搬送容器にある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板へ孔を形成し、形成した孔を絶縁体によって埋めた絶縁体部を有する第一のスルーホールと、
上記第一のスルーホールの内側に配置され、上記絶縁体部を貫通する一対の第二のスルーホールとを備え、
上記一対の第二のスルーホールは、信号を伝送する導体部を有し、
上記導体部は、差動信号を伝送することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
上記一対の第二のスルーホールは、上記一対の第二のスルーホールそれぞれが上記第一のスルーホールの中心軸に対して対称に配置される同軸構造であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
上記一対の第二のスルーホールそれぞれの間に埋められる絶縁体の最短の幅は、上記第一のスルーホールと上記一対の第二のスルーホールのいずれか一方との間に埋められる絶縁体の最短の幅よりも短くすることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
上記基板は、絶縁体層を有し、
上記絶縁体部は、上記絶縁体層よりも誘電率の高い絶縁体を用いることを特徴とする請求項１から３いずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
上記第一のスルーホールは、上記形成した孔へめっき処理を施すことなく、上記孔へ絶縁体を埋めて絶縁体部を形成したことを特徴とする請求項４記載の配線基板。
【請求項６】
上記基板は、さらに、上記基板の一の面に形成される一対の配線パターンと、上記基板の他の面に形成される一対の配線パターンとの少なくとも二組の一対の配線パターンを有し、
上記一対の第二のスルーホールは、上記二組の一対の配線パターンを接続し、
上記一対の第二のスルーホールは、上記一対の第二のスルーホールのインピーダンスと、上記二組の一対の配線パターンのインピーダンスとに基づいて、上記一対の第二のスルーホールの孔の径と、上記一対の第二のスルーホール同士の間隔とを算出して形成したことを特徴とする請求項１から５いずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
上記基板は、導体で覆われた少なくとも２層の導体基板を含む多層基板であることを特徴とする請求項１から６いずれかに記載の配線基板。
【請求項８】
上記第一のスルーホールは、上記少なくとも２層の導体基板を貫通する孔を形成して生成し、
上記一対の第二のスルーホールは、上記少なくとも２層の導体基板の外側両面に絶縁体からなる絶縁体層を形成し、形成した絶縁体層に配線パターンを形成し、少なくとも４層の多層基板を貫通する孔によって形成されることを特徴とする請求項７記載の配線基板。
【請求項９】
基板へ貫通する孔をあけて第一のスルーホールを形成し、
絶縁体を用いて、上記第一のスルーホールの孔を穴埋めして絶縁体部を形成し、
穴埋めした絶縁体部を貫通する一対の孔をあけて一対の第二のスルーホールを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
上記基板は、絶縁体層を有し、
上記絶縁体部は、上記絶縁体層よりも誘電率の高い絶縁体を用いて穴埋めすることを特徴とする請求項９記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
上記基板は、絶縁体層を有し、
上記絶縁体部は、上記形成された第一のスルーホールの孔の周囲をめっき処理することなく、上記絶縁体層よりも誘電率の高い絶縁体を用いて穴埋めして形成することを特徴とする請求項９記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
導体で覆われた導体基板を外側両面に有する基板へ貫通する孔をあけて第一のスルーホールを形成し、
絶縁体を用いて、上記第一のスルーホールの孔を穴埋めして絶縁体部を形成し、
上記基板の外側両面それぞれに絶縁体層を形成し、
穴埋めした絶縁体部と上記絶縁体層とを貫通する一対の孔をあけて一対の第二のスルーホールを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る配線基板は、基板と、
上記基板へ孔を形成し、形成した孔を絶縁体によって埋めた絶縁体部を有する第一のスルーホールと、
上記第一のスルーホールの内側に配置され、上記絶縁体部を貫通する一対の第二のスルーホールとを備え、
上記一対の第二のスルーホールは、信号を伝送する導体部を有し、
上記導体部は、差動信号を伝送することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板結晶上に光を発生する活性層と前記活性層から発生した光からレーザ光を得る共振器構造をする半導体レーザであって、前記活性層の上下側に配置された電極の1つと前記活性層との間に再成長工程よって形成され少なくとも１つの再成長界面にデルタドーピングが行なわれた層をもつことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
基板結晶上に光を発生する活性層と前記活性層から発生した光からレーザ光を得る共振器構造をする半導体レーザであって
基板結晶上に形成された下側の多層膜反射鏡と、
前記下側の多層膜反射鏡上に形成された第１のスペーサ層と、前記第１のスペーサ層上に形成され光を発生する活性層と、
前記活性層上に形成された第２スペーサ層と、
前記第２スペーサ層上に形成され、前記活性層で発生する光からレーザビームを通過させる穴を持つ電流狭窄層と、
前記電流狭窄層上に形成された電流導入層と、
前記電流導入層及び前記穴にまたがる前記第２スペーサ層上に形成された第３スペーサ層と、及び第３スペーサ層上に形成された下側の多層膜反射鏡を有し、
前記第３スペーサ層が再成長層であり、ドーパンとがドープされたデルタドープ薄膜が前記第２スペーサ層と第３スペーサ層又はとの間に形成された再成長界面又は前記再成長界面の直近に形成されたことを特徴とする面発光半導体レーザ。
【請求項３】
請求項２記載の面発光半導体レーザであって、上記再成長界面が上記面発光レーザ内の光定在波の節の位置から1/8波長より近い位置に形成されたことを特徴とする請求項２記載の面発光半導体レーザ。
【請求項４】
上記ドーパントがカーボンであることを特徴とする請求項２又は３記載の面発光半導体レーザ。
【請求項５】
前記基板結晶がGaAs、活性層がGaInNAs/GaAs又はGaInAs/GaAs歪量子井戸層、前記上側及び下側の多層膜反射鏡がGaAs/AlAs又はGaAs/AlInP半導体多層膜、前記再成長層が上記活性層上に形成されたGaAsスペーサ層上に形成されたGaAsスペーサ層であることを特徴とする請求項２、４又は記載の面発光半導体レーザ。
【請求項６】
請求項２又は３記載の半導体レーザを光源として含むことを特徴とする光モジュール。
【請求項７】
請求項２又は３記載の半導体レーザを使用する光通信システム。
【請求項８】
請求項６記載の光モジュールを使用する光通信システム。
【請求項９】
基板結晶上に形成された下側の多層膜反射鏡と、前記下側の多層膜反射鏡上に形成された下側スペーサ層と、前記下側スペーサ層上に形成され光をすると、
前記活性層上に形成された第２スペーサ層と、前記活性層で発生した光からレーザビーム通過させる穴をそれぞれ持つ電流狭窄層及び電流導入層と、前記第２スペーサ層上に形成された上側の多層膜反射鏡ともつ共振器構造をもち、前記基板結晶と垂直に光を発生する面発光半導体レーザの製造方法であって、
前記基板結晶上に前記下側の多層膜反射鏡、下側スペーサ層、前記活性層、前記第２スペーサ層、電流狭窄層及び電流導入層を順次形成する第一工程と、
第一工程で形成された電流狭窄層と電流導入層に前記活性層で発生した光からレーザビームを取り出す穴を得るためエッチングする第二工程と
前記第２スペーサ層表面にデルタドープを行う第三工程、及び
前期電流狭窄層及び前記第２スペーサ層の穴の上に上側スペーサ層を作るために第三のスペーサ層を成長する第四工程をもつ面発光半導体レーザの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザとそれを用いた光モジュール及び光通信システム、更に詳しく言えば、基板結晶上に光を発生する活性層と前記活性層から発生した光からレーザ光を得る共振器構造をもち、活性層の近くに再成長層が形成される構造の半導体レーザ及びその半導体レーザを構成要素とする光モジュール及びそれを用いた光通信システムに関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の半導体レーザは、電極間に再成長工程で構成された複数の半導体層をもつ半導体素レーザにおいて、再成長界面又はその直近の面が高濃度のドーパントをもつ薄膜で形成される。
また、上記目的を達成するため、本発明の面発光半導体レーザは、基板結晶上に光を発生する活性層と前記活性層から発生した光からレーザ光を得る為に活性層の上下を反射鏡で挟んだ共振器構造を有し、かつ前記活性層と前記反射鏡の１つとの間に再成長半導体層を有し、上記基板結晶と垂直に光を出射する面発光レーザにおいて、再成長界面又はその直近の面が高濃度のドーパントをもつ薄膜で形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
前記ドーパントをもつ薄膜又は前記再成長界面が光定在波の節の位置近傍に形成される場合には、半導体レーザの静特性と輝度特性を同時に改善する効果をもつ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、リフトオフ法により内径10μｍ外径15μｍのリング状p側電極211を形成した。その後、スッパタ蒸着法により誘電体多層膜反射鏡210を形成した。誘電体多層膜反射鏡210は、誘電体中で1/4波長厚さの高屈折率TiO2層と誘電体中で1/4波長厚さの低屈折率SiO2層を交互に積層して作製した。反射率を99%以上にする為に積層数を7対とした。その後、図２に示すようにCl系反応性イオンビームエッチングにより誘電体多層膜反射鏡２１０の外側をエッチングし、p側電極２１１を露出させた。最後に、n側電極２１２を形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、当該基板の一方の面に形成され、且つ、レ−ザ光を出射する発光部を有する半導体積層体と、当該発光部の積層方向に電流が流れるように電圧を印加する一対の電極と、を備えた面発光レ−ザにおいて、
前記基板は、当該基板の他方の面から前記発光部の前記基板側の端部まで至る開口部を有し、当該開口部に、前記開口部の側面と接触したレンズを備えたことを特徴とする面発光レ−ザ。
【請求項２】
前記開口部は、前記基板の他方の面から前記発光部の前記基板側の端部に向かって狭まる空間であることを特徴とする請求項１記載の面発光レ−ザ。
【請求項３】
前記レンズが、透明の樹脂製であることを特徴とする請求項１又は２記載の面発光レ−ザ。
【請求項４】
前記発光部の前記基板とは逆側の面に形成される前記電極には、レ−ザ光を出射する出射口を開口しており、当該出射口から出射されるレ−ザ光を、モニタ用フォトダイオ−ドに入射するようにしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の面発光レ−ザ。
【請求項５】
基板と、当該基板の一方の面に形成され、且つ、レ−ザ光を出射する発光部を有する半導体積層体と、当該発光部の積層方向に電流が流れるように電圧を印加する一対の電極と、を備えた面発光レ−ザにおいて、
前記発光部のレ−ザ光の出射側とは逆側の面に形成される電極には、レ−ザ光を出射する出射口を開口しており、当該出射口から出射されるレ−ザ光を、モニタ用フォトダイオ−ドに入射するようにしたことを特徴とする面発光レ−ザ。
【請求項６】
半導体基板の一方の面に積層した半導体積層体を垂直方向にエッチングし、レ−ザ光を出射する凸状の発光部を形成する工程と、
前記半導体基板の他方の面から前記発光部の前記半導体基板側の端部まで至る開口部を、前記半導体基板の他方の面から前記発光部の前記半導体基板側の端部に向かって狭まるように形成する工程と、
前記開口部内に透明の樹脂を注入する工程と、
前記樹脂を硬化させてレンズを形成する工程と、を有することを特徴とする面発光レ−ザの製造方法。
【請求項７】
前記樹脂を注入する工程において、前記開口部の側面と前記半導体基板の他方の面との濡れ性の差を調節したのち、前記樹脂を注入するようにしたことを特徴とする請求項６記載の面発光レ−ザの製造方法。
【請求項８】
基板と、当該基板の一方の面に形成され、且つ、レ−ザ光を入射する受光部と、を備えた受光素子において、
前記基板は、当該基板の他方の面から前記受光部の前記基板側の端部に至る開口部を有し、当該開口部に、前記開口部の側面と接触したレンズを備えたことを特徴とする受光素子。
【請求項９】
前記レンズが、透明の樹脂製であることを特徴とする請求項８記載の受光素子。
【請求項１０】
半導体基板の一方の面に形成した半導体層を垂直方向にエッチングし、レ−ザ光を入射する凸状の受光部を形成する工程と、
前記半導体基板の他方の面から前記受光部の前記半導体基板側の端部まで至る開口部を、前記半導体基板の他方の面から前記受光部の前記半導体基板側の端部に向かって狭まるように形成する工程と、
前記開口部内に透明の樹脂を注入する工程と、
前記樹脂を硬化させてレンズを形成する工程と、を有することを特徴とする受光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれかに記載の面発光レ−ザを含むことを特徴とする光伝送モジュ−ル。
【請求項１２】
請求項８又は９に記載の受光素子を含むことを特徴とする光伝送モジュ−ル。
【請求項１３】
請求項１〜４のいずれかに記載の面発光レ−ザと、請求項８又は９記載の受光素子とを含むことを特徴とする光伝送モジュ−ル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決しようとする手段】
このような課題を解決するために、請求項１に係る発明は、基板と、当該基板の一方の面に形成され、且つ、レ−ザ光を出射する発光部を有する半導体積層体と、当該発光部の積層方向に電流が流れるように電圧を印加する一対の電極と、を備えた面発光レ−ザにおいて、前記基板は、当該基板の他方の面から前記発光部の前記基板側の端部まで至る開口部を有し、当該開口部に、前記開口部の側面と接触したレンズを備えた面発光レ−ザとしている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、開口部の側面と接触していることによって、発光部と離れた位置にレンズを形成することができるようになるため、曲率半径の大きなレンズを容易に形成することができる。よって、曲率半径の精度が良好でなくても平行光を得ることができるため、光結合効率を向上させることが可能となる。
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の面発光レ−ザにおいて、開口部は、基板の他方の面から発光部の基板側の端部に向かって狭まる空間であるものとしている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項７に記載の面発光レ−ザの製造方法によれば、樹脂を注入する工程において、開口部の側面と半導体基板の他方（すなわち、半導体積層体が形成されていない側）の面との濡れ性の差を調節することによって、開口部に所定形状のレンズを容易に形成することが可能となる。
請求項８に係る発明は、基板と、当該基板の一方の面に形成され、且つ、レ−ザ光を入射する受光部とを備えた受光素子において、前記基板は、当該基板の他方の面から前記受光部の前記基板側の端部まで開口部を有し、当該開口部に、前記開口部の側面と接触したレンズを備えた受光素子としている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、開口部の側面と接触していることによって、受光部と離れた位置にレンズを形成することができるようになるため、曲率半径の大きなレンズを容易に形成することができる。よって、曲率半径の精度が良好でなくても平行光を得ることができるため、光結合効率を向上させることが可能となる。
請求項９に係る発明は、請求項８に記載の受光素子において、レンズが、透明の樹脂製であるものとしている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）  第１シグナリングチャネルを介して送信すべきシグナリング情報の定められた組を提供するステップと、
（Ｂ）  前記シグナリング情報の定められた組から、特定のシグナリング情報に基づいて、第２シグナリングチャネルを介して送信すべきシグナリング情報をスクランブルするステップと、
を有することを特徴とする通信システムの制御チャネルを介してシグナリング情報を送信する方法。
【請求項２】
前記第１シグナリングチャネルを介して送信されそして受信されたシグナリング情報を、更なるチャネル符号化を適用することなく、エラー訂正する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記（Ａ）のステップは、スクランブル系の特定のスクランブル手順を前記シグナリング情報の定められた組からのシグナリング情報に関連づける請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記スクランブリング系は、第２シグナリングチャネルを介して送信されるべき、シグナリング情報をインターリーブし、
前記（Ｂ）ステップは、
（Ｂ１）  前記第２シグナリングチャネル情報をマトリックスの横行に組織化するステップと、
（Ｂ２）  前記マトリックスの縦列を順番に出力するステップとを有し、
前記第１シグナリングチャネル情報が、マトリックスのどの縦列が最初に出力されるべきかを決定するようになっている請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記スクランブリング系は、Ｗａｌｓｈ符号を第２シグナリングチャネルを介して送信すべきシグナリング情報に適応し、
前記適応されたＷａｌｓｈ符号は、異なる拡散係数を有する直交Ｗａｌｓｈ符号の組の一部であり、
前記（Ｂ）ステップは、
（Ｂ３）  拡散係数を有するＷａｌｓｈ符号を選択するステップを含む請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記スクランブリング系は、第２シグナリングチャネルを介して送信すべき情報に関連づけられた極性化ブロックパターンを生成し、
前記（Ｂ）ステップは、
（Ｂ４）  複製されたチャネル符号化ブロックの特定の数を生成するステップと、
（Ｂ５）  複製されたチャネル符号化ブロックの特定の部分を極性化するステップと、を有する請求項３，４，５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記通信システムは、ｃｄｍａ２０００−１ｘ−ＥＶ−ＤＶ標準に適合したＣＤＭＡシステムである請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記第１シグナリングチャネルは、ＣＤＭＡ通信システムの主（第１）制御チャネルであり、
前記第２シグナリングチャネルは、ＣＤＭＡ通信システムの第２制御チャネルである請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記主制御チャネルを介して送信される情報の組は、ＣＤＭＡシステムの第２制御チャネルとデータチャネルに対するサブパケット長さの表示を含む請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信ネットワークと共に使用するためのウォルシュコードアロケータにおいて、
ウォルシュコードに対するリクエストを受信する受信手段と、前記受信されたリクエストに基づいて、それからアロケータがウォルシュコードを選択するウォルシュコードファミリーを選ぶための決定手段と、前記決定手段により選ばれたファミリーから、前記受信されたリクエストに適したウォルシュコードを選択するための選択手段と、割当て手段とを有し、
前記決定手段は、各々が、少なくとも２つの異なるサイズの複数のウォルシュコードを含む複数の異なるウォルシュコードファミリーから選び、
前記選択手段は、選択されるウォルシュコードが、現在ビジーであるウォルシュコードに対して相互に直交的であるように、かつ選択されるウォルシュコードの割当てが、既にブロックされていない最小数のウォルシュコードをブロックすることになるように、ウォルシュコードを選択し、
前記割当て手段は、ウォルシュコードが前記選択手段により選択されるとき、選択されたウォルシュコード、および受信されたリクエストに適したウォルシュコードが割当てに利用可能でないことの表示のうちの少なくとも１つを、前記アロケータから出力する
ことを特徴とするアロケータ。
【請求項２】
前記受信手段により受信されるリクエストは、所望のウォルシュコードサイズを示す
ことを特徴とする請求項１記載のアロケータ。
【請求項３】
前記選択手段は、存在するとき所望のサイズのフラグメント化されたウォルシュコードを選択し、そうでない場合、それが、所望のサイズより小さいフラグメント化されたウォルシュコードの子孫となるように、所望のサイズのウォルシュコードが選択され、前記所望のサイズより小さいフラグメント化されたウォルシュコードは、所望のサイズより小さい他のフラグメント化されたウォルシュコードと比較して、できる限り所望のサイズに近いサイズを有することを特徴とする請求項２記載のアロケータ。
【請求項４】
所望のサイズ以下のサイズのフラグメント化されたウォルシュコードが、前記決定手段により選ばれたファミリー中にない場合、前記割当て手段により、前記アロケータは、受信されたリクエストに適したウォルシュコードが割当てに利用可能でないことの指示を出力する
ことを特徴とする請求項３記載のアロケータ。
【請求項５】
前記決定手段が、特定のウォルシュコードが受信されたリクエストにおいて特定される場合に特定のウォルシュコード含むファミリーを選択する
ことを特徴とする請求項１記載のアロケータ。
【請求項６】
特定のウォルシュコードがリクエストにおいて特定されない場合、前記決定手段は他のファミリーと比較して最も低いカウントを選択する
ことを特徴とする請求項５記載のアロケータ。
【請求項７】
ワイヤレス通信ネットワークのエアインターフェースチャネルを区別しかつ分離するために使用されるコードのセットを割当てる方法において、
（ａ）  前記複数のコードを、各ファミリーが複数のコードを含むように、複数のファミリーに分割するステップと、
（ｂ）  コードの所望のサイズを同定するコードに対するリクエストを受信するステップと、
（ｃ）  それからコードが割当てのために選択されるべきファミリーを選ぶステップと、
（ｄ）  存在する場合、選ばれたファミリー中のフラグメント化されたコードを同定するステップと、
（ｅ）  フラグメント化されたコードが同定された場合、同定されたフラグメント化されたコードに基づいて、選ばれたファミリー中のコードを選択し、そうでない場合、選択を行わないステップと、
（ｆ）  選択がなされた場合、選択されたコードを割当て、そうでない場合、コードが利用可能でないことを示すステップとを有し、
前記コードの各々は、あるサイズを有し、各ファミリー中の少なくとも２つのコードは、異なるサイズを有する
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
同定されたフラグメント化されたコードが、存在する場合所望のサイズを有し、そうでない場合、前記同定されたフラグメント化されたコードは、所望のサイズより小さいサイズを有し、所望のサイズより小さい他のいずれかのフラグメント化されたコードと比較した場合所望のサイズと近接或いはより近接したサイズを有する
ことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記受信されたリクエストは望まれる特定のコードを表示し、前記選択されたファミリーは前記特定のコード含むものである
ことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記受信したリクエストは特定のコードを表示せず、前記選択されたファミリーは最大コードサイズのブロックされた及びビジーコードの最小合体数を有する
ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、レーザービーム加工により前記半導体層及び前記下部電極に開口部を形成し、
前記保護膜を除去することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項２】
絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に、スクリーン印刷法により第１の開口部が設けられた保護膜を形成し、
前記第１の開口部に対応した部分にレーザービーム加工を行い、前記半導体層及び前記下部電極に第２の開口部を形成し、
前記保護膜を除去することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項３】
絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、レーザービーム加工により前記半導体層及び前記下部電極に開口部を形成し、
前記保護膜を除去し、
前記保護膜を除去した後、前記半導体層上に上部電極を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項４】
絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に開口を有する保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、レーザービーム加工により前記半導体層及び前記下部電極に開口部を形成し、
前記保護膜を除去し、
前記保護膜を除去した後、前記開口部に絶縁体を形成し、
前記半導体層及び前記絶縁体上に上部電極を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項５】
絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、レーザービーム加工により前記半導体層及び前記下部電極を分断して、太陽電池の第１の単位セル及び前記第１の単位セルと隣接する第２の単位セルを形成し、
前記保護膜を除去し、
前記保護膜を除去した後に、前記第１の単位セル及び前記第２の単位セルの間に絶縁体を形成して分断部を埋め、
前記第１の単位セルの上部電極及び前記第２の単位セルの上部電極を形成し、
前記第１の単位セルの上部電極を、レーザーボンディングによって前記第２の単位セルの下部電極と接続することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記太陽電池の形状は、円形であることを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記保護膜は、熱硬化性樹脂、または熱硬化性のポリエステル系樹脂であることを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、粘着テープを前記保護膜に接着した後、前記粘着テープと共に前記保護膜を剥がすことを特徴とする太陽電池の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源と、
前記レーザ光源からのレーザ光を試料面上に集光する対物レンズと、
前記対物レンズに入るレーザ光を偏向することで前記試料面上を走査する光偏向部材と、
前記試料からの光を検出する検出器と、
前記検出器で検出された画像信号を基に画像を表示するモニタとを備えた走査型レーザ顕微鏡において、
前記試料面上で合焦画像を得たい部位を指示する操作部と、
前記操作部で指示した部位に前記レーザ光が照射されるように前記光偏向部材の偏向角を制御し、前記試料からの光の輝度情報が最大となるように前記対物レンズと前記試料を相対的に移動させ合焦制御を行う制御手段と、
を具備したことを特徴とする走査型レーザ顕微鏡。
【請求項２】
前記制御手段は、前記操作部で指示された部位に前記レーザ光が照射されるように前記光偏向部材の偏向角を固定することを特徴とする請求項１記載の走査型レーザ顕微鏡。
【請求項３】
前記制御手段は、前記光偏向部材の偏向制御中に前記レーザ光が前記操作部で指示した部位に照射されたときに同期して前記試料からの光の輝度情報をサンプリングする機能を備えていることを特徴とする請求項１記載の走査型レーザ顕微鏡。
【請求項４】
前記操作部で指示した任意の２点で合焦したときのそれぞれのＺ位置を検出し、このときのＺ位置の差により、２点間の段差を求めることを特徴とする請求項１、３に記載のレーザ顕微鏡。
【請求項５】
前記光偏向部材は、共振型のガルバノミラーであることを特徴とする請求項３記載の走査型レーザ顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、レーザ光源と、レーザ光源からのレーザ光を試料面上に集光する対物レンズと、対物レンズに入るレーザ光を偏向することで試料面上を走査する光偏向部材と、試料からの光を検出する検出器と、検出器で検出された画像信号を基に画像を表示するモニタとを備えた走査型レーザ顕微鏡において、試料面上で合焦画像を得たい部位を指示する操作部と、操作部で指示した部位にレーザ光が照射されるように光偏向部材の偏向角を制御し、試料からの光の輝度情報が最大となるように対物レンズと試料を相対的に移動させ合焦制御を行う制御手段と、を備えた走査型レーザ顕微鏡である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項２によれば、請求項１記載の走査型レーザ顕微鏡において、前記制御手段は、前記操作部で指示された部位に前記レーザ光が照射されるように前記光偏向部材の偏向角を固定するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項３によれば、請求項１記載の走査型レーザ顕微鏡において、制御手段は、光偏向部材の偏向制御中にレーザ光が操作部で指示した部位に照射されたときに同期して試料からの光の輝度情報をサンプリングする機能を備えている。
請求項４によれば、請求項１、３に記載の走査型レーザ顕微鏡において、操作部で指示した任意の２点で合焦したときのそれぞれのＺ位置を検出し、このときのＺ位置の差により、２点間の段差を求めるものである。
請求項５によれば、請求項３に記載の走査型レーザ顕微鏡において、光偏向部材は、共振型のガルバノミラーである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
しかるに、これら第１及び第２のガルバノミラー３、９によりＸＹ方向に固定偏光された光ビーム２は、瞳投影レンズ１０、結像レンズ１１を通って対物レンズ４の瞳１２に入射し、この対物レンズ４によって試料１３面上に回折によって制限される点状光を生じさせ、かつこの点状光を試料１３面上の目的の部位のみに照射させる。