Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を第１及び第２の光信号に分岐するステップと、
前記第１の光信号のパルス幅を拡大して波形整形光を得るステップと、
前記第２の光信号に基いてクロックパルスを生成するステップと、
前記波形整形光及び前記クロックパルスを光ＡＮＤ回路に入力して変換光信号を得るステップとを備えた方法。
【請求項２】
前記変換光信号の振幅揺らぎを抑圧するステップを更に備えた請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記波形整形光を得るステップは非線形効果を提供する光導波構造に前記第１の光信号を入力するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記光導波構造は正常分散を提供する光ファイバである請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記光導波構造に入力される光信号を増幅するステップを更に備えた請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記光ＡＮＤ回路は前記波形整形光及び前記クロックパルスが共に存在する時間に同期して前記変換光信号を出力する請求項１記載の方法。
【請求項７】
光信号を第１及び第２の光信号に分岐する光カプラと、
前記第１の光信号のパルス幅を拡大して波形整形光を得るための波形整形器と、
前記第２の光信号に基いてクロックパルスを生成する光クロック再生器と、
前記波形整形光及び前記クロックパルスを入力されて変換光信号を得るための光ＡＮＤ回路と、
を備えた装置。
【請求項８】
前記変換光信号の振幅揺らぎを抑圧する第２の波形整形器を更に備えた請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記波形整形器は非線形効果を提供する光導波構造を含み、前記第１の光信号は前記光導波構造に入力される請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記光導波構造は正常分散を提供する光ファイバである請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記光ファイバの後段に設けられ、前記光ファイバの分散を補償する分散補償器を更に備え、前記光ファイバから出力される光が前記分散補償器に入力される請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記分散補償器は前記光ファイバの分散の符号と反対の符号の分散を有する光ファイバである請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記光導波構造に入力される光信号を増幅する光増幅器を更に備えた請求項９記載の装置。
【請求項１４】
前記光ＡＮＤ回路は前記波形整形光及び前記クロックパルスが共に存在する時間に同期して前記変換光信号を出力する請求項７記載の装置。
【請求項１５】
光を第１及び第２の光に分岐する光分岐手段と、
前記第２の光に基いて光クロックパルスを生成する光クロック再生器と、
前記第１の光と前記光クロックパルスを入力し変換光信号を得る光ＡＮＤ回路と、
前記光ＡＮＤ回路の出力を一定の振幅でスペクトル幅を広げる波形整形器と、
を備えた装置。
【請求項１６】
光を第１及び第２の光に分岐するステップと、
前記第２の光に基いて光クロックパルスを生成するステップと、
前記第１の光と前記光クロックパルスを光ＡＮＤ回路に入力して変換光信号を得るステップと、
前記光ＡＮＤ回路の出力を一定の振幅でスペクトル幅を広げる波形整形ステップと、
を備えた方法。
【請求項１７】
光を第１及び第２の光に分岐する光分岐手段と、
前記第１の光のパルス幅を拡大した波形整形光を得るための第１の波形整形器と、
前記第２の光に基いて光クロックパルスを生成する光クロック再生器と、
前記第１の波形整形器の出力と前記光クロックパルスを入力し変換光信号を得る光ＡＮＤ回路と、
前記光ＡＮＤ回路の出力を一定の振幅でスペクトル幅を広げる第２の波形整形器と、
を備えた装置。
【請求項１８】
光信号を増幅するステップと、
増幅された光信号を第１及び第２の光信号に分岐するステップと、
前記第１の光信号のパルス幅を拡大して波形整形光を得るステップと、
前記第２の光信号に基いてクロックパルスを生成するステップと、
前記波形整形光及び前記クロックパルスを光ＡＮＤ回路に入力して、振幅再生、リシェイピング及びタイミング再生された光信号を得るステップとを備えた方法。
【請求項１９】
光を増幅する手段と、
増幅された光を第１及び第２の光に分岐する光分岐手段と、
前記第１の光のパルス幅を拡大した波形整形光を得るための第１の波形整形器と、
前記第２の光に基いて光クロックパルスを生成する光クロック再生器と、
前記第１の波形整形器の出力と前記光クロックパルスを入力し、振幅再生、リシェイピング及びタイミング再生された光信号を得る光ＡＮＤ回路と、
を備えた装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明のさらに他の側面によると、光を第１及び第２の光に分岐する光分岐手段と、前記第２の光に基いて光クロックパルスを生成する光クロック再生器と、前記第１の光と前記光クロックパルスを入力し変換光信号を得る光ＡＮＤ回路と、前記光ＡＮＤ回路の出力を一定の振幅でスペクトル幅を広げる波形整形器とを備えた装置が提供される。
本発明によると、光信号及びクロックパルスのジッターや時間的な不安定に起因して光ＡＮＤ回路内で発生する振幅雑音等を抑圧することができ、超高速信号に対しても、光３Ｒ処理、波長変換処理、光デマルチプレクシング処理といった光信号処理を安定に行うことができ、本発明の目的が達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパイラルインダクタ（１２２）を製造するための方法であって、
基板（１１２）を設けるステップと、
基板（１１２）上にインダクタ誘電体層（１１４）を形成するステップと、
インダクタ誘電体層（１１４）内にスパイラル開口部を形成するステップと、
スパイラル開口部内にスパイラルインダクタ（１２２）を形成するステップとを含み、スパイラルインダクタは、
スパイラルインダクタの断面に複数のバイアを含み、複数のバイアは、それぞれ上部または底部で共通に接続されて底部または上部で接続されておらず、スパイラルインダクタ（１２２）の中央から近い端部および中央から遠い端部でともに接続される平行なスパイラルバイア（１４４）（１４８）を規定する、スパイラルインダクタを製造するための方法。
【請求項２】
スパイラルインダクタ（１２２）を形成するステップは、
スパイラル開口部内にスパイラルライン（１４２）を形成するステップと、
スパイラルライン（１４２）上に、かつそれと一体化するように複数の平行なスパイラルバイア（１４４）を形成するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
スパイラルインダクタ（１２２）を形成するステップは、複数の平行なスパイラルバイア（１４８）上に、かつそれらと一体化するようにスパイラルライン（１５０）を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１の接続部分（１３０）を形成するステップと、
第１の接続部分（１３０）とスパイラルインダクタ（１２２）の中央から近い端部との間に接続バイア（１３２）を形成するステップと、
スパイラルインダクタ（１２２）の中央から遠い端部に接続される第２の接続部分（１３４）を形成するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
スパイラル開口部を形成するステップは、方形のスパイラル、矩形のスパイラル、およ
び円形のスパイラルからなる群より多数の巻きのスパイラルを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
スパイラルインダクタ（１２２）であって、
基板（１１２）と、
スパイラル開口部が設けられた基板（１１２）上のインダクタ誘電体層（１１４）と、
スパイラル開口部内のスパイラルインダクタ（１２２）とを含み、スパイラルインダクタ（１２２）は、
スパイラルインダクタの断面に複数のバイアを含み、複数のバイアは、それぞれ上部または底部で共通に接続されて底部または上部で接続されておらず、スパイラルインダクタ（１２２）の中央から近い端部および中央から遠い端部でともに接続される平行なスパイラルバイア（１４４）（１４８）を規定する、スパイラルインダクタ。
【請求項７】
スパイラルインダクタ（１２２）は、
スパイラル開口部内のスパイラルライン（１４２）と、
スパイラルライン（１４２）上にあり、かつそれと一体化する複数の平行なスパイラルバイア（１４４）とを含む、請求項６に記載のスパイラルインダクタ（１２２）。
【請求項８】
スパイラルインダクタ（１２２）は、
複数の平行なスパイラルバイア（１４８）上にあり、かつそれらと一体化するスパイラルライン（１５０）を含む、請求項６に記載のスパイラルインダクタ（１２２）。
【請求項９】
第１の接続部分（１３０）と、
第１の接続部分（１３０）と、スパイラルインダクタ（１２２）の中央から近い端部との間の接続バイア（１３２）と、
スパイラルインダクタ（１２２）の中央から遠い端部に接続される第２の接続部分（１３４）とを含む、請求項６に記載のスパイラルインダクタ（１２２）。
【請求項１０】
スパイラル開口部は、方形スパイラル、矩形スパイラル、および円形スパイラルからなる群より多数の巻きのスパイラルを形成する、請求項６に記載のスパイラルインダクタ（１２２）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
もちろん、実施の形態２で説明されたように、ブロック１０１と拡張ブロック１０３との間に挟まれないパッド１０２ａに、外部入力信号、例えばアナログ入力を受ける機能を設定してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
もちろん、実施の形態２で説明されたように、ブロック１０１と拡張ブロック１０３との間に挟まれないパッド１０２ａに、外部入力信号を受ける機能を設定してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月9日(2004.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電子部品を載置するガラス製のベース部材と、このベース部材に被せるキャップ部材と、ベース部材に載せた電子部品並びにベース部材の外に設けた電極を電気的に接続する導電部材と、からなる電子部品パッケージにおいて、前記導電部材は、電子部品を載せる頭及びこの頭から前記電極まで延ばしたネックからなる金属ピンであり、ベース部材をガラスの軟化点以上の温度で加熱することによりガラスを溶着させることでベース部材に密着固定した金属ピンであることを特徴とする電子部品パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかし、パッケージ１５はガラス−セラミック複合体であるため、１個のベース部材１１に水晶片１２を載せ、キャップ部材１３を被せるところの単品生産によっており、生産性が著しく低い。加えて、ガラス−セラミック複合体は加工が難しく、生産コストが嵩む。これらの欠点を解消するべく、本発明者らはパッケージを加工容易なガラスで製造する試みを始めた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１は、電子部品を載置するガラス製のベース部材と、このベース部材に被せるキャップ部材と、ベース部材に載せた電子部品並びにベース部材の外に設けた電極を電気的に接続する導電部材と、からなる電子部品パッケージにおいて、導電部材は、電子部品を載せる頭及びこの頭から電極まで延ばしたネックからなる金属ピンであり、ベース部材をガラスの軟化点以上の温度で加熱することによりガラスを溶着させることでベース部材に密着固定した金属ピンであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月28日(2004.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図２は、速度対応処理部２０の構成を示している。補正処理部１５から供給された画像信号ＤＶbは、ディジタル低域フィルタ２１の減算器２１１と加算器２１３及びスイッチ２３の端子ａに供給される。減算器２１１には、後述する１フレーム遅延回路２１４から画像信号ＤＶfが供給されており、画像信号ＤＶfから画像信号ＤＶbを減算する。この減算器２１１で得られた減算信号ＤＶcは乗算器２１２に供給される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
モニタ側信号処理部４１では、画像信号ＤＶhに対してγ処理や輪郭補償処理等を行うとともに、ニー補正処理等の処理を行う。ここで、モニタ側信号処理部４１では、撮影画像をモニタするために用いる画像表示装置に応じた信号処理を行う。例えば画像表示装置が、陰極線管を用いて構成されたものであるかあるいは液晶表示素子を用いて構成されたものであるかに応じて、γ補正特性やニー補正特性及び輪郭補償特性等を切り換える。このモニタ側信号処理部４１で信号処理が行われた画像信号ＤＶhは、画像信号ＤＶkとしてモニタ側信号出力処理部４２に供給される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
モニタ側信号出力処理部４２では、供給された画像信号ＤＶkを、撮影画像モニタ用の画像表示装置に応じた信号ＭＴoutに変換して出力する。例えば画像表示装置がアナログ信号を用いるものであるときには、画像信号ＤＶkをアナログ信号に変換して信号ＭＴoutとして出力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
例えば図５に示すように、撮像部１１の固体撮像素子では図５Ａ及び図５Ｂに示すようにフレーム周期Ｆaで露光及び信号の読み出しを行い、速度対応処理部２０のフレーム間引き回路２２では、図５Ｃに示すように４フレーム当たり３フレームの間引きを行うものとすると、本線側信号処理部３１に供給される画像信号ＤＶgは、フレーム周期が「Ｆa／４」であるとともに、係数ｋに基づき露光時間を長くした場合と同様な動解像度が低下した画像の画像信号となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
ＣＰＵ２００は、クリッピング解除がオンされていないと判定した場合には（ステップＳ１０４：Ｎｏ）、ＣＰＵ２００が取り扱う表色値レンジ０〜２５５を外れた表色値を切り捨て、赤目処理、画像解像度の変更といった簡易画像処理を実行する（ステップＳ１１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者に照射するＸ線を発生するＸ線管と、
該Ｘ線のパルス幅が可変可能なパルスＸ線制御手段と、
前記Ｘ線管に対向する位置に配置され前記被検体を透過したＸ線を検出し電気信号に変換するＸ線検出手段と、
このＸ線検出手段で検出した信号を積分する積分手段と、
この積分手段の出力が所定の値になるまでの時間を計測するＸ線照射時間計測手段と、
このＸ線照射時間計測手段によるＸ線照射時間の計測を造影剤注入前の画像データ（マスク像）と造影剤注入後の画像データ（コントラスト像）の各撮影フレームについて行い、前記マスク像とコントラスト像のデータを前記Ｘ線照射時間に応じた値に変換して前記マスク像と各コントラスト像とのＸ線照射時間の相違による画像濃度差を補正し、それぞれ補正された前記コントラスト像から前記マスク像を差分するように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする血管造影Ｘ線検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
書換え可能な第一の記憶媒体および一度だけ書き込みが可能な第二の記憶媒体のいずれかが挿入可能な挿入部と、前記挿入部にいずれの記憶媒体が挿入されたかを検出する検出部と、撮像部と、前記撮像部によって撮像された画像を前記挿入部に挿入された記憶媒体に記憶する制御部と、前記検出部が第二の記憶媒体を検出したときはその旨を表示する表示部とを有することを特徴とするデジタルカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、この発明は、書換え可能な第一の記憶媒体および一度だけ書き込みが可能な第二の記憶媒体のいずれかが挿入可能な挿入部を有するデジタルカメラを提供し、挿入部にいずれの記憶媒体が挿入されたかを検出する検出部と、撮像された画像を前記挿入部に挿入された記憶媒体に記憶する制御部と、検出部が第二の記憶媒体を検出したときはその旨を表示する表示部を設ける。これによって使用者は挿入した記憶媒体の誤認に基づく種々の混乱を免れることができる。具体的には、第二の記憶媒体が挿入されている場合、不要画像を削除することによって記憶媒体の容量を増やすことができないが、上記のような表示部の表示によりこのことを認識してデジタルカメラを使用することができ、予め予備の記憶媒体を用意しておくことなどの対策をとることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石と、ハウジングに覆われたコイルとを有するリニアモータにおいて、
前記ハウジングは、第１流路と、前記コイルからみて前記第１流路の外側に形成され該第１流路とは独立した第２流路とを有し、
前記第１流路を流れる第１冷媒の方向と、第２流路を流れる第２冷媒の方向とを異ならせる制御装置を備えたことを特徴とするリニアモータ。
【請求項２】
前記制御装置は、前記第１冷媒の圧力と、前記第２冷媒との圧力とを異ならせることを特徴とする請求項１記載のリニアモータ。
【請求項３】
前記第１冷媒と前記第２冷媒とは異なる冷媒であることを特徴とする請求
項１または請求項２記載のリニアモータ。
【請求項４】
前記ハウジングの外側に前記第１流路と前記第２流路とは異なる第３流路を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のリニアモータ。
【請求項５】
前記ハウジング内部に、前記磁石を冷却する磁石冷却部を備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のリニアモータ。
【請求項６】
前記磁石冷却部は、２つの独立した流路を有していることを特徴とする請求項５記載のリニアモータ。
【請求項７】
前記磁石は円筒形状の磁石であり、
前記磁石冷却部は、前記円筒形状の磁石の円筒部に設けられた非磁性体を有していることを特徴とする請求項５または６記載のリニアモータ。
【請求項８】
前記第１流路と前記第２流路とのいずれか一方は、前記磁石に連通する連通部を備えていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のリニアモータ。
【請求項９】
試料を保持して移動するステージを備えたステージ装置において、
請求項１から８のいずれか１項記載のリニアモータを用いて、前記ステージを駆動することを特徴とするステージ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的のために、一実施例を表す図に対応つけて説明すると、請求項１記載のリニアモータは、磁石（１１）と、ハウジング（２３）に覆われたコイル（２１）とを有するリニアモータであって、ハウジング（２３）が第１流路（２０a）と、コイル（２１）からみて第１流路（２０ａ）の外側に形成され、この第１流路（２０a）とは独立した第２流路（２０b）と有し、第１流路（２０a）を流れる第１冷媒の方向と、第２流路（２０b）を流れる第２冷媒の方向とを異ならせる制御装置（１００）を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４記載のリニアモータは、ハウジング（２３）の外側に第１流路（２０b）と第２流路（２０b）とは異なる第３流路（３７）を設けている。請求項５記載のリニアモータは、磁石（１１）を冷却する磁石冷却部（１３、２０c、２０d）を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上述の様なばね４０は、図２に示す様に、上記基部４３を上記各腕部２９、２９に外嵌する事により、これら各腕部２９、２９に装着する。この様にしてこれら各腕部２９、２９に装着した、ばね４０、４０の弾性押圧片４４、４４同士の間には、それぞれ前記転動体３０、３０を、これら弾性押圧片４４、４４を弾性的に変位させた状態で挟持する。この状態で上記各転動体３０、３０は、上記各ばね４０、４０の弾性押圧片４４、４４により軸方向両端部で円周方向反対側位置を、同じ力で弾性的に押圧される。従って上記各転動体３０、３０は、外力が加わらない状態では、円周方向に隣り合う腕部２９、２９同士の間のポケット３９、３９のうちで円周方向中央部分に位置する。尚、上記各弾性押圧片４４、４４は、上記各転動体３０、３０を円周方向に関してほぼ真っ直ぐに押圧する様にしている。即ち、上記各腕部２９、２９の円周方向両側面を、前記各ポケット３９、３９を構成する側面毎に互いに平行にすると共に、上記各弾性押圧片４４、４４をこれら各側面と平行に設けている。従って、これら各弾性押圧片４４、４４から上記各転動体３０、３０に加わる力のうちの、前記入力側回転筒１６の直径方向の分力は極く僅かである。尚、上記各ばね４０、４０を上記各腕部２９、２９に外嵌した状態で、これら各ばね４０、４０の基部４３の外径は、前記外輪２８の内径よりも小さくなる。従って、前記入力側回転筒１６が回転した場合でも、上記各ばね４０、４０の基部４３の外周面が上記外輪２８の摩擦面３４と擦れ合う事はない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、上述の様に構成するクラッチ機構１２を組み込んだクラッチ機構付リニアアクチュエータの作用に就いて説明する。先ず、前記電動モータ９への通電により前記出力ロッド１０を軸方向に移動させる場合には、上記クラッチ機構１２が図２（Ａ）に示す状態となる。即ち、この場合には、上記電動モータ９を構成する前記ステータ２１への通電に基づいて、この電動モータ９を構成する前記ロータ２２を固定した上記入力側回転筒１６が、例えば図２（Ａ）の反時計方向に回転し、この入力側回転筒１６側に設けた前記各係合凸部４１、４１が、上記出力側回転筒１７側に設けた、前記各係合凹部３５、３５の円周方向端部にまで変位する。そして、これら各係合凹部３５、３５の内側面と上記各係合凸部４１、４１の外側面とが当接（係合部が係合）して、上記入力側回転筒１６の回転が上記出力側回転筒１７にそのまま伝わる状態となり、この出力側回転筒１７がこの入力側回転筒１６と同方向に同速で回転する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
この種のスピンドルモータは、電磁モータによって回転させられるハブが回転軸を介して軸受に回転自在に支持された構成が一般的であり、例えば、特開平１１−２６２２１４号公報…（１）、特開２００１−２８９２４２号公報…（２）、特開平６−３１５２４２号公報…（３）、特開平６−１７３９４３号公報（４）、特開平１０−３３９３１８号公報（５）、特表２０００−５１４１６５号公報（６）等によって公知である。このようなスピンドルモータに適用される軸受は、回転軸のラジアル荷重およびスラスト荷重をそれぞれ支持するラジアル軸受およびスラスト軸受の組み合わせからなり、いずれも潤滑油の動圧作用によって回転軸を高い精度で支持する動圧流体軸受である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
Ａ．ハブを回転させるモータを構成するモータ固定子とモータマグネットの磁気センタをずらし、これによってモータマグネットが固定されているハブをスラスト軸受方向に付勢する。
Ｂ．ハブに固定されているモータマグネットに磁性板を対向配置し、モータマグネットの磁力によってハブをスラスト軸受方向に吸引する。
Ｃ．上記公報（１）に記載されるように、永久磁石によってハブをスラスト軸受方向に吸引する。
Ｄ．上記公報（２）〜（６）に記載されるように、回転軸におけるスラスト軸受側の端部に設けたフランジによってラジアル軸受からの回転軸の抜け止めをなす。また、この構成において、フランジとラジアル軸受との間に動圧力を発生させ、その動圧力によって回転軸をスラスト軸受方向に付勢する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、Ａではモータの電磁音が発生して静音性を損ねてしまうといった欠点がある。Ｂではモータの駆動力のロスを招き、この問題は、ノートパソコンのように消費電力が低い機器においては電流値の制限を受けるので、特に好ましくない。また、Ｃ，Ｄでは部品点数の増加並びに構造の複雑化を招くとともに、薄型化には不利である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撓み梁（130）と、この撓み梁（130）に取り付けられている一対の信号経路板（150、170）と、該撓み梁を撓ませる手段とを含む微細加工バラクターであって、
前記バラクター（100）が気密真空（210）内に収容されていることを特徴とするバラクター。
【請求項２】
前記撓み梁（130）が絶縁性基板（120）に取り付けられ、前記撓み梁を撓ませる手段が、第１及び第２の駆動板（140、160）からなり、該第１の駆動板が前記撓み梁に取り付けられ、該第２の駆動板が前記基板（120）に取り付けられている請求項１記載のバラクター。
【請求項３】
前記撓み梁（130）が片持ち梁である請求項２記載のバラクター。
【請求項４】
前記撓み梁（130）が、第１及び第２の端部を備え、当該第１及び第２の端部が固定されている梁であり、前記撓み梁を撓ませる手段が、第１及び第２の駆動板（140、160）からなり、該第１の駆動板が前記撓み梁に取り付けられ、該第２の駆動板が前記基板（120）に取り付けられている請求項１記載のバラクター。
【請求項５】
微細加工バラクター（100）のブラウンノイズを除去する方法であって、
前記バラクター（100）を気密チャンバ（210）内に実装し、
前記チャンバ（210）から全てのガス分子を取り除き、
前記チャンバ（210）を封止して真空を形成することからなるステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
気密チャンバ（210）内に前記バラクター（100）を実装するステップが、前記バラクター（100）を絶縁性基板（120）に取り付けるステップと、前記バラクター（100）の周囲に絶縁性材料（200）を配置するステップと、前記絶縁性材料を前記基板（120）に取り付けるステップからなる請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記バラクター（100）が、可撓性梁（130）及びこの可撓性梁に接続されている一対の信号経路板（150、170）とからなる請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記可撓性梁（130）が片持ち梁である請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記可撓性梁（130）が両端で固定されている梁である請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マニホールドに一重の反応管を載置した状態で、前記反応管内にて半導体ウェーハの処理を行う半導体製造装置であって、
前記反応管は、
前記反応管の胴体部と反応管を前記マニホールドに取り付ける反応管のフランジ部との間に、径が胴体部上側で小さく、フランジ部側で大きくなる傾斜部を具備したことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記傾斜部は、前記胴体部と前記フランジ部との間にわたって設けられる断面テーパ状の円錐部であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記傾斜部の厚肉は、前記胴体部の厚肉よりも厚くしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述の、第２のメタルコンタクト形成用のビアホール３４を開口するエッチングのエッチング条件は、ビアホール開口に適正なエッチング条件に設定されているので、ビアホール３４は、側壁荒れ、ストライエーションの無いテーパ角８８°程度の良好な開口形状で形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、アライメントマーク３６の形成に際し、ＳｉＯＣＨ膜のエッチング残りは、以下の原因で発生することに注目した。
従来のアライメントマーク３６は、１０．０μｍ幅のスリットパターン状の正方形環状部パターン４で構成されているので、０．１μｍから０．２μｍの口径のビアホール３４に比べて、レジストマスク３２のスリットパターン開口から被エッチング層への入射粒子の見込み角が広くなっている。
その結果、イオン、ラジカルが、比較的容易にレジストマスク３２のスリットパターン内奥深く進入し、ＳｉＯＣＨ膜と反応する結果、反応生成物の発生量と再堆積物の堆積量が増え、エッチング残りが発生する。特に、ＣＨＦ3 ／Ｎ2 ／Ａｒ系によるＳｉＯＣＨ膜のメインエッチング工程では、幅広のスリットパターンからなる正方形環状部４での再堆積物の堆積が避けられない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明方法でシングルダマシン法を適用するときには、シングルダマシン法による配線相互接続ビアホールとアライメントマークとを形成するＳｉＯＣＨ膜のエッチング工程が、メインエッチングステップと、オーバーエッチングステップとから構成され、メインエッチングステップでは、エッチングガスとして、ＣＨＦ3 及びＣＨ2Ｆ2 のいずれかの水素含有フルオロカーボンガスと、不活性ガスと、Ｎ2 ガス又はＯ2 ガスとから成る混合ガスを使用し、オーバーエッチングステップでは、エッチングガスとして、Ｃ4 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ8 、及びＣ5 Ｆ8 のいずれかのフルオロカーボンガスと、不活性ガスと、Ｎ2 ガス又はＯ2 ガスとから成る混合ガスを使用する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
デュアルダマシン法による以上の２回のエッチングにより、ビアホール８２と上層配線用の配線溝８４とを形成することができる。また、同時に正確でシャープな輪郭のアライメントマーク４０を形成することができる。
本実施形態例によれば、デュアルダマシン法の上層配線用配線溝８４とアライメントマーク４０を精度良く加工出来るので、上層配線とのアライメント精度を良好に維持出来て、層間絶縁膜としてＳｉＯＣＨ膜を用いる半導体装置のデュアルダマシン法による配線形成に本実施形態例を適用した際は、配線歩留りやデバイスの性能、品質を向上できる利益がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2003209037.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周縁部に面取り加工が施され、少なくとも主面側に鏡面加工が施された半導体ウェハであって、
周縁部に主面に対する傾斜角が５°以上２５°以下であり、外周側が非鏡面である傾斜面を有することを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項２】
前記傾斜面は、ウェハ半径方向の長さが１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項３】
請求項１または請求項２の何れかに記載の半導体ウェハを基板として、該基板上にエピタキシャル成長膜が形成されていることを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項４】
ウェハ周縁部に、主面に対する傾斜角が５°以上２５°以下であり、かつウェハ半径方向の長さが１００μｍ以上である傾斜面を形成する面取加工工程と、
前記主面側の傾斜面のウェハ外周側に非鏡面部分が残るように研磨する鏡面加工工程と、を備えることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の成膜室を有する半導体製造装置において、
各成膜室の排気ラインは共通ラインに至り、この共通ラインに除害装置が接続され、
いずれかの成膜室でクリーニング時期に達すると、クリーニング時期に達した成膜室と他の成膜室を併せてクリーニング処理することを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械研磨）は、基板表面の段差を全面平坦化する技術で、基板表面をプラテンと呼ばれる、回転する大口径平板上の研磨布に一定圧力で押しつけ、スラリーと呼ばれるｐＨを制御したアルミナなどの砥粒を含む化学的な研磨剤で研磨するものである。原理はプレストンの式で記述できる機械的研磨レートＲと化学反応によるエッチングの合成の作用である。機械的研磨レートは、Ｒ＝ｋ・ｐ・ｖで表わされる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化膜を形成し、
前記酸化膜上に窒化タンタル又はタンタルからなる第１層を形成し、
前記第１層上にタングステン、タングステンを主成分とする化合物、又は窒化タングステンからなる第２層を形成し、
前記第２層上にマスクを形成し、
フッ素系ガス、塩素系ガス、及び酸素を含む一定流量のエッチングガスを用いて、チャンバ圧力、誘導結合プラズマ電力密度、バイアス電力密度、並びに前記フッ素系ガス、前記塩素系ガス、及び前記酸素の流量比を変化させることなくエッチング処理することにより、前記酸化膜を露出させ、前記第２層の幅が前記第１層の幅よりも短くなるようにすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化膜を形成し、
前記酸化膜上に窒化タンタルからなる第１層を形成し、
前記第１層上にタングステンからなる第２層を形成し、
前記第２層上にマスクを形成し、
フッ素系ガス、塩素系ガス、及び酸素を含む一定流量のエッチングガスを用いて、チャンバ圧力、誘導結合プラズマ電力密度、バイアス電力密度、並びに前記フッ素系ガス、前記塩素系ガス、及び前記酸素の流量比を変化させることなくエッチング処理することにより、前記酸化膜を露出させ、前記第２層の幅が前記第１層の幅よりも短くなるようにすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記チャンバ圧力は１．０〜１．６Ｐａの範囲内の所定の値であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記誘導結合プラズマ電力密度は１．０２〜２．０４Ｗ／ｃｍ２の範囲内の所定の値であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記バイアス電力密度は０．０３〜０．１９Ｗ／ｃｍ２の範囲内の所定の値であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１層を５〜５０ｎｍの膜厚に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２層を２００〜６００ｎｍの膜厚に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁基板上に島状の半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に窒化タンタル又はタンタルからなる第１層ゲート電極膜を形成し、
前記第１層ゲート電極膜上にタングステン、タングステンを主成分とする化合物、又は窒化タングステンからなる第２層ゲート電極膜を形成し、
前記第２層ゲート電極膜上にマスクを形成し、
フッ素系ガス、塩素系ガス、及び酸素を含む一定流量のエッチングガスを用いて、チャンバ圧力、誘導結合プラズマ電力密度、バイアス電力密度、並びに前記フッ素系ガス、前記塩素系ガス、及び前記酸素の流量比を変化させることなくエッチング処理することにより、前記ゲート絶縁膜を露出させ、前記第２層ゲート電極膜のチャネル方向の寸法が前記第１層ゲート電極膜のチャネル方向の寸法よりも短くなるようにすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁基板上に島状の半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に酸化膜からなるゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に窒化タンタルからなる第１層ゲート電極膜を形成し、
前記第１層ゲート電極膜上にタングステンからなる第２層ゲート電極膜を形成し、
前記第２層ゲート電極膜上にマスクを形成し、
フッ素系ガス、塩素系ガス、及び酸素を含む一定流量のエッチングガスを用いて、チャンバ圧力、誘導結合プラズマ電力密度、バイアス電力密度、並びに前記フッ素系ガス、前記塩素系ガス、及び前記酸素の流量比を変化させることなくエッチング処理することにより、前記ゲート絶縁膜を露出させ、前記第２層ゲート電極膜のチャネル方向の寸法が前記第１層ゲート電極膜のチャネル方向の寸法よりも短くなるようにすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記チャンバ圧力は１．０〜１．６Ｐａの範囲内の所定の値であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記誘導結合プラズマ電力密度は１．０２〜２．０４Ｗ／ｃｍ２の範囲内の所定の値であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記バイアス電力密度は０．０３〜０．１９Ｗ／ｃｍ２の範囲内の所定の値であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１層ゲート電極膜を５〜５０ｎｍの膜厚に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第２層ゲート電極膜を２００〜６００ｎｍの膜厚に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記フッ素系ガスはＳＦ６であり、且つ前記塩素系ガスはＣｌ２であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記酸化膜は酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月8日(2004.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置および撮像システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光部と、マイクロレンズとを少なくとも有する固体撮像装置において、
前記マイクロレンズは、前記受光部の光入射側に設けられた屈折率分布を有する樹脂層よりなることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記マイクロレンズの表面が気相に接するように構成されたことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
受光部と、該受光部の光入射側に設けられたカラーフィルターと、マイクロレンズとを少なくとも有する固体撮像装置において、
前記マイクロレンズは、屈折率分布を有する前記カラーフィルターよりなることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
前記樹脂は平坦化層であり、該平坦化層はカラーフィルター上に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記樹脂層または前記カラーフィルターの表面には反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項１または３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記反射防止膜は有機材料であることを特徴とする請求項５記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記反射防止膜は塗布法によって形成されることを特徴とする請求項５または６記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記塗布法はディッピング法であることを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置へ光を結像する光学系と、前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明に係る固体撮像装置は、受光部と、マイクロレンズとを少なくとも有し、前記マイクロレンズの表面が気相に接するように構成された固体撮像装置において、前記受光部の光入射側に設けられる平坦化層に、屈折率が拡がって変化する屈折率分布を前記受光部に対応させて形成することによって前記マイクロレンズが形成されていることを特徴とする。
また、本発明は、受光部と、マイクロレンズとを少なくとも有する固体撮像装置において、前記マイクロレンズは、前記受光部の光入射側に設けられた屈折率分布を有する樹脂層よりなることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る固体撮像装置は、受光部と、該受光部上に設けられた平坦化層と、マイクロレンズとを少なくとも有し、前記マイクロレンズの表面が気相に接するように構成された固体撮像装置において、前記平坦化層に屈折率が拡がって変化する屈折率分布を形成することによって前記マイクロレンズが形成されていることを特徴とする。
また、本発明は、前記マイクロレンズの表面が気相に接するように構成されたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る固体撮像装置は、受光部と、該受光部上に設けられたカラーフィルターと、マイクロレンズとを少なくとも有し、前記マイクロレンズの表面が気相に接するように構成された固体撮像装置において、前記カラーフィルターに屈折率が拡がって変化する屈折率分布を形成することによって前記マイクロレンズが形成されていることを特徴とする。
また、本発明は、受光部と、該受光部の光入射側に設けられたカラーフィルターと、マイクロレンズとを少なくとも有する固体撮像装置において、前記マイクロレンズは、屈折率分布を有する前記カラーフィルターよりなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ面（２００）であって、
基板（１１０）と、
該基板（１１０）上に形成されている複数のアレイ選択線（１５０）と、
前記基板（１１０）上に形成され、前記メモリ面（２００）の動作を許可／禁止するように構成されている面イネーブル回路（２５０）と、
該面イネーブル回路（２５０）に電気的に接続されている面選択線（２７０）と、
前記基板（１１０）上に形成されている１つあるいは複数のメモリアレイ（１００）とを含み、少なくとも１つのメモリアレイ（１００）が、
前記基板（１１０）上に形成され、行方向に延在する１つあるいは複数の行導体（１２０）と、
前記基板（１１０）上に形成され、列方向に延在する１つあるいは複数の列導体（１３０）であって、前記行導体（１２０）と前記列導体（１３０）との間の交差する各場所において交点が形成されている、１つあるいは複数の列導体と、
前記交点のうちの１つあるいは複数に形成されているメモリセル（１４０）と、
前記メモリアレイ（１００）の動作を許可／禁止するように構成され、前記複数のアレイ選択線（１５０）のうちの少なくとも１つに電気的に接続されているアレイイネーブル回路（１７０）とを含むメモリ面。
【請求項２】
前記１つあるいは複数のメモリアレイの前記１つあるいは複数の行導体（１２０）に電気的に接続されている行方向バス（２１０）と、
前記１つあるいは複数のメモリアレイ（１００）の前記１つあるいは複数の列導体（１３０）に電気的に接続されている列方向バス（２２０）とをさらに含む請求項１に記載のメモリ面。
【請求項３】
前記基板（１１０）がシリコン系基板であり、前記１つあるいは複数のメモリアレイ（１００）がそれぞれ、センス増幅器、出力バッファ、復号器およびマルチプレクサを含まない請求項１に記載のメモリ面。
【請求項４】
前記基板（１１０）が非シリコン系基板であり、プラスチック、ガラス、セラミックおよび非金属のうちの少なくとも１つからなるベース材料から形成されている請求項１に記載のメモリ面。
【請求項５】
前記メモリセル（１４０）が、ヒューズメモリセル、ヒューズ／ダイオードメモリセル、ヒューズ／アンチヒューズメモリセル、磁気メモリセル、ダイオードメモリセル、磁気／ダイオードメモリセル、相変化メモリセルおよび抵抗素子セルのうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載のメモリ面。
【請求項６】
メモリ素子（３００）であって、
能動回路面（３９０）と、
該能動回路面（３９０）に電気的に接続されているデータバス（３１０）と、
前記能動回路面（３９０）に電気的に接続されている面選択バス（３４０）と、
前記能動回路面（３９０）に電気的に接続されているアレイ選択バス（３３０）と、
前記能動回路面（３９０）上に積重されている１つあるいは複数のメモリ面（２００）とを含み、少なくとも１つのメモリ面（２００）が、
基板（１１０）と、
該基板（１１０）上に形成され、前記アレイ選択バス（３３０）に電気的に接続されている複数のアレイ選択線（１５０）と、
前記メモリ面（２００）の動作を許可／禁止するように構成されている面イネーブル回路（２５０）と、
該面イネーブル回路（２５０）と、前記面選択バス（３４０）とに電気的に接続されている面選択線（２７０）と、
前記基板（１１０）上に形成されている１つあるいは複数のメモリアレイ（１００）とを含み、少なくとも１つのメモリアレイ（１００）が、
前記基板（１１０）上に形成され、行方向に延在する１つあるいは複数の行導体（１２０）と、
前記基板（１１０）上に形成され、列方向に延在する１つあるいは複数の列導体（１３０）であって、前記行導体（１２０）と前記列導体（１３０）との間の交差する各場所において交点が形成されている、１つあるいは複数の列導体と、
前記交点のうちの１つあるいは複数に形成されているメモリセル（１４０）と、
前記メモリアレイ（１００）の動作を許可／禁止するように構成され、前記複数のアレイ選択線（１５０）のうちの少なくとも１つに電気的に接続されているアレイイネーブル回路（１７０）とを含むメモリ素子。
【請求項７】
前記少なくとも１つのメモリ面（２００）がさらに、
前記１つあるいは複数のメモリアレイの前記１つあるいは複数の行導体（１２０）に電気的に接続されている行方向バス（２１０）と、
前記１つあるいは複数のメモリアレイの前記１つあるいは複数の列導体（１３０）に電気的に接続されている列方向バス（２２０）とを含む請求項６に記載のメモリ素子。
【請求項８】
前記少なくとも１つのメモリ面（２００）がさらに、
前記行方向バス（２１０）および前記列方向バス（２２０）に電気的に接続されている複数のデータ側面コンタクトパッド（３１０）と、
前記アレイ選択線（１５０）に電気的に接続されている複数のアレイ選択側面コンタクトパッド（３３０）と、
前記面選択線（２７０）に電気的に接続されている面選択側面コンタクトパッド（３４０）とのうちの少なくとも１つを含む請求項７に記載のメモリ素子。
【請求項９】
前記複数のデータ側面コンタクトパッド（３１０）が、前記データバス（３１０）に位置合わせされ、かつ電気的に接続され、かつ／または、
前記複数のアレイ選択側面コンタクトパッド（３３０）が、前記アレイ選択バス（３３０）に位置合わせされ、かつ電気的に接続され、かつ／または、
前記面選択側面コンタクトパッド（３４０）が、前記面選択バス（３４０）のラインと電気的に接続されている請求項８に記載のメモリ素子。
【請求項１０】
前記メモリ面（２００）の前記複数のアレイ選択線（１５０）が、前記アレイ選択バス（３３０）を形成するように電気的に接続されている請求項６に記載のメモリ素子。