【手続補正書】
【提出日】平成17年5月19日(2005.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属接合パッドが設けられた半導体ウエハ上での半田バンプの製造方法であって、
（ａ）金属メッキバス層を、少なくとも前記接合パッドの上に形成する工程と、
（ｂ）レジスト層を、前記接合パッドの上に開口を規定する所定パターンに形成する工程と、
（ｃ）半田濡れ性の金属層を、メッキバス層上の前記開口の中に形成する工程と、
（ｄ）開口領域からレジストの一部を除去して、半田濡れ性の金属層のエッジとレジストの側壁との間に隙間を形成する工程と、
（ｅ）工程（ｄ）で形成された前記隙間を含めて半田濡れ性の金属層の上に、半田濡れ層の側面を含めて半田濡れ性の金属層を封止するバリア金属層を形成する工程と、
（ｆ）バリア金属層の上に半田バンプを組み上げる工程と、
（ｇ）レジスト材料を除去する工程と、
（ｈ）露出した金属メッキバス層を除去する工程と、を備える製造方法。
【請求項２】
工程（ｄ）において、レジストはプラズマエッチングプロセスによって除去するようにした請求項１記載の方法。
【請求項３】
プラズマエッチングプロセスは、酸素プラズマエッチングプロセスである請求項２記載の方法。
【請求項４】
工程（ｄ）において、レジストはイオンビームエッチングプロセスによって除去するようにした請求項１記載の方法。
【請求項５】
工程（ｄ）において、レジストは反応性イオンエッチングプロセスによって除去するようにした請求項１記載の方法。
【請求項６】
工程（ｄ）において、レジストは化学的手段によって除去するようにした請求項１記載の方法。
【請求項７】
レジストはフォトレジストであり、化学的手段は現像剤を含むようにした請求項６記載の方法。
【請求項８】
半田濡れ性の金属層は、銅からなる請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
バリア金属層は、ニッケルからなる請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
バリア金属層は、パラジウムからなる請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
バリア層は、０．５〜１０μｍの範囲の厚さを有する請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
バリア層は、１〜３μｍの範囲の厚さを有する請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
半田は、純粋の錫、または錫を含有する合金で形成される請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
工程（ａ）で形成されるメッキバス層は、Ｃｒ，Ｃｒ：Ｃｕ合金，Ｔｉ，Ｔｉ：Ｗ合金，Ｎｉ：Ｖ合金，Ｃｕ，ＮｉおよびＡｕからなる群から選択される金属の１層または複数層である請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
メッキバス層は、Ｃｒからなる第１層と、Ｃｕからなる第２層とを有する請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
銅層は、１〜１０μｍの範囲の厚さである請求項８記載の方法。
【請求項１７】
銅層は、５〜６μｍの範囲の厚さである請求項８記載の方法。
【請求項１８】
工程（ｆ）の後、組み上げた半田バンプを有するウエハは、実質的に球状を形成する半田バンプのリフローを行うように加熱するようにした請求項１記載の方法。
【請求項１９】
電気接続が行われる金属接合パッドと、接合パッドの上に開口を有するパッシベーション層とが設けられた半導体ウエハ上での半田バンプ相互接続の製造方法であって、
（ａ）Ｃｒ，Ｃｒ：Ｃｕ合金，Ｔｉ，Ｔｉ：Ｗ合金，Ｎｉ：Ｖ合金，Ｃｕ，ＮｉおよびＡｕまたはこれらの合金からなる群から選択される金属の１層または複数層を形成する工程と、
（ｂ）フォトレジスト層を形成し、所望パターンで露光し、現像してフォトレジストを除去し、前記接合パッド上に所望パターンの開口を残す工程と、
（ｃ）前記開口の中に銅層を形成する工程と、
（ｄ）酸素プラズマエッチングを用いて、少なくとも開口周辺から余分なレジストを除去し、銅層のエッジと残留したフォトレジストとの間に隙間を形成する工程と、
（ｅ）層の側部を含めて銅層の上にキャップを形成するようにニッケル層を形成する工程と、
（ｆ）ニッケル層の上に半田バンプを組み上げる工程と、
（ｇ）フォトレジストを除去する工程と、
（ｈ）工程（ａ）で形成された１層または複数層を、半田バンプの下地となる部分以外についてウエハから除去する工程と、
（ｉ）ウエハを加熱して、半田バンプのリフローを生じさせる工程と、を備える製造方法。
【請求項２０】
電気接続が行われる金属接合パッドと、接合パッドの上に開口を有するパッシベーション層とが設けられた半導体ウエハ上での半田バンプ相互接続の製造方法であって、
（ａ）Ｃｒ，Ｃｒ：Ｃｕ合金，Ｔｉ，Ｔｉ：Ｗ合金，Ｎｉ：Ｖ合金，Ｃｕ，ＮｉおよびＡｕまたはこれらの合金からなる群から選択される金属の１層または複数層を形成する工程と、
（ｂ）フォトレジスト層を形成し、所望パターンで露光し、現像してフォトレジストを除去し、前記接合パッド上に所望パターンの開口を残す工程と、
（ｃ）前記開口の中に銅層を形成する工程と、
（ｄ）露光されたフォトレジストを更に現像することによって、少なくとも開口周辺から余分なレジストを除去し、銅層のエッジと残留したフォトレジストとの間に隙間を形成する工程と、
（ｅ）層の側部を含めて銅層の上にキャップを形成するようにニッケル層を形成する工程と、
（ｆ）ニッケル層の上に半田バンプを組み上げる工程と、
（ｇ）フォトレジストを除去する工程と、
（ｈ）工程（ａ）で形成された１層または複数層を、半田バンプの下地となる部分以外についてウエハから除去する工程と、
（ｉ）ウエハを加熱して、半田バンプのリフローを生じさせる工程と、を備える製造方法。
【請求項２１】
請求項１の方法に従って形成された半田バンプを有するウエハ。
【請求項２２】
請求項１９の方法に従って形成された半田バンプを有するウエハ。
【請求項２３】
請求項２０の方法に従って形成された半田バンプを有するウエハ。
【請求項２４】
選択された位置に金属接合パッドが設けられた半導体基板と、
接合パッドの上にある１層または複数層の金属電気メッキバス層と、
バス層の上にある半田濡れ性の金属層と、
半田濡れ層の側面を含めて半田濡れ性金属を覆って封止するバリア金属層と、
前記バリア金属の上に形成された半田バンプとを備える、半田バンプを有するウエハ。
【請求項２５】
バリア金属は、ニッケルからなる請求項２４のウエハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１態様に従えば、金属接合パッドが設けられた半導体ウエハ上での半田バンプの製造方法であって、
（ａ）金属メッキバス層を、少なくとも前記接合パッドの上に形成する工程と、
（ｂ）レジスト層を、前記接合パッドの上に開口を規定する所定パターンに形成する工程と、
（ｃ）半田濡れ性の金属層を、メッキバス層上の前記開口の中に形成する工程と、
（ｄ）開口領域からレジストの一部を除去して、半田濡れ性の金属層のエッジとレジストの側壁との間に隙間を形成する工程と、
（ｅ）工程（ｄ）で形成された前記隙間を含めて半田濡れ性の金属層の上に、半田濡れ層の側面を含めて半田濡れ性の金属層を封止するバリア金属層を形成する工程と、
（ｆ）バリア金属層の上に半田バンプを組み上げる工程と、
（ｇ）レジスト材料を除去する工程と、
（ｈ）露出した金属メッキバス層を除去する工程と、を備える製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
いっそう更なる態様において、本発明は、半田バンプを有するウエハであって、選択された位置に金属接合パッドが設けられた半導体基板と、接合パッドの上にある１層または複数層の金属電気メッキバス層と、バス層の上にある半田濡れ性の金属層と、半田濡れ層の側面を含めて半田濡れ性金属を覆って封止するバリア金属層と、前記バリア金属の上に形成された半田バンプとを備えるウエハを提供する。