【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ナノクリスタライトを製造する方法であって、該方法は、以下：
金属ＭまたはＭ含有塩、および還元剤を接触させて、Ｍ含有前駆体を形成する工程であって、ここで、Ｍは、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎまたはＴｌである、工程；
該Ｍ含有前駆体を、Ｘドナーと接触させて、混合物を形成する工程であって、ここで、Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂである、工程；および
アミンの存在下で該混合物を加熱して、ナノクリスタライトを形成する、工程、
を包含する、方法。
【請求項２】  前記アミンが、１級アミンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記１級アミンが、Ｃ８〜Ｃ２０アルキルアミンである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記還元剤が、１，２−ジオールまたはアルデヒドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記１，２−ジオールが、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルジオールであるか、または前記アルデヒドが、Ｃ６〜Ｃ２０アルデヒドである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記Ｍ含有塩が、ハライド、カルボキシレート、カルボネート、ヒドロキシドまたはジケトネートを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  請求項１に記載の方法であって、前記Ｍ含有塩が、カドミウムアセチルアセトネート、ヨウ化カドミウム、臭化カドミウム、水酸化カドミウム、炭酸カドミウム、酢酸カドミウム、亜鉛アセチルアセトネート、ヨウ化亜鉛、臭化亜鉛、水酸化亜鉛、炭酸亜鉛、酢酸亜鉛、マグネシウムアセチルアセトネート、ヨウ化マグネシウム、臭化マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、水銀アセチルアセトネート、ヨウ化水銀、臭化水銀、水酸化水銀、炭酸水銀、酢酸水銀、アルミニウムアセチルアセトネート、ヨウ化アルミニウム、臭化アルミニウム、水酸化アルミニウム、炭酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、ガリウムアセチルアセトネート、ヨウ化ガリウム、臭化ガリウム、水酸化ガリウム、炭酸ガリウム、酢酸ガリウム、インジウムアセチルアセトネート、ヨウ化インジウム、臭化インジウム、水酸化インジウム、炭酸インジウム、酢酸インジウム、タリウムアセチルアセトネート、ヨウ化タリウム、臭化タリウム、水酸化タリウム、炭酸タリウム、または酢酸タリウムを含む、方法。
【請求項８】  請求項４に記載の方法であって、前記１級アミンが、Ｃ８〜Ｃ２０アルキルアミンであり、前記１，２−ジオールが、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルジオールであり、そして前記Ｍ含有塩が、ハライド、カルボキシレート、カルボネート、ヒドロキシドまたはジケトネートである、方法。
【請求項９】  請求項１に記載の方法であって、前記Ｘドナーが、ホスフィンカルコゲニド、ビス（シリル）カルコゲニド、二酸素、アンモニウム塩、またはトリス（シリル）ピニクチドを含む、方法。
【請求項１０】  前記ナノクリスタライトが、少なくとも１０％の量子効率を有する光ルミネセンス物質である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記ナノクリスタライトを含む集団のサイズ分布をモニタリングする工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  前記サイズ分布の広がりに応答して、前記混合物の温度を下げる工程をさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  成長が停止したようであることをモニタリングが示した時に応答して、前記混合物の温度を上げる工程さらに包含する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】  前記ナノクリスタライトが、約２０Å〜約１２５Åの範囲の粒子サイズを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】  前記加熱する工程が、配位溶媒の存在下で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】  前記ナノクリスタライトの表面に対して親和性を有する有機化合物に、前記ナノクリスタライトを曝露する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】  前記ナノクリスタライトの表面上に、半導体材料のオーバーコーティングを形成する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】  前記半導体材料が、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、またはそれらの混合物である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】  前記ナノクリスタライトが、実質的に単分散性のコア集団のメンバーである、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】  前記集団が、約７５ｎｍ以下の半波高全幅値（ＦＷＨＭ）のスペクトル範囲の光を発光する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記集団が、ナノクリスタライトの直径において１５％ｒｍｓ未満の偏差を示す、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】  ナノクリスタライトを製造する方法であって、該方法は、以下：
金属ＭまたはＭ含有塩、および還元剤を接触させて、Ｍ含有前駆体を形成する工程であって、ここで、Ｍは、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｈｇ、Ａｌ，Ｇａ、ＩｎまたはＴｌである、工程；
該Ｍ含有前駆体を、Ｘドナーと接触させて、混合物を形成する工程であって、ここで、Ｘは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂである、工程；および
該混合物を加熱して、ナノクリスタライトを形成する、工程、
を包含する、方法。
【請求項２３】  請求項２２に記載の方法であって、前記還元剤が、１，２−ジオールまたはアルデヒドを含み、そして前記Ｍ含有塩が、ハライド、カルボキシレート、カルボネート、ヒドロキシドまたはジケトネートを含む、方法。
【請求項２４】  ナノクリスタライトを製造する方法であって、該方法は、以下：
金属ＭまたはＭ含有塩、アミンおよびＸドナーを接触させて、混合物を形成する工程であって、ここで、Ｍは、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｈｇ、Ａｌ，Ｇａ、ＩｎまたはＴｌであり、そしてＸは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂである、工程；および
該混合物を加熱して、ナノクリスタライトを形成する、工程、
を包含する、方法。
【請求項２５】  請求項２４に記載の方法であって、前記アミンが、Ｃ６〜Ｃ２０１級アミンであり、前記Ｍ含有塩が、ハライド、カルボキシレート、カルボネート、ヒドロキシドまたはジケトネートを含む、方法。
【請求項２６】  コアナノクリスタライトをオーバーコーティングする方法であって、該方法は、以下：
コアナノクリスタライト集団をＭ含有塩、Ｘドナーおよびアミンと接触させ、混合物を形成する工程であって、ここで、Ｍは、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎまたはＴｌであり、そしてＸは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂである、工程；および
該コアの表面上に式ＭＸを有するオーバーコーティングを形成する工程、
を包含する、方法。
【請求項２７】  ナノクリスタルを合成する方法であって、該方法は、金属含有非有機金属化合物、配位溶媒、およびカルコゲン供給源を組み合わせて、ナノクリスタルを形成する工程を包含する、方法。
【請求項２８】  前記配位溶媒は、酸素配位原子または窒素配位原子を有する化合物を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】  前記酸素配位原子または窒素配位原子を有する化合物は、１，２−ジオールである、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】  前記酸素配位原子または窒素配位原子を有する化合物は、アルデヒドである、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】  前記酸素配位原子または窒素配位原子を有する化合物は、アミンである、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】  前記カルコゲン供給源は、Ｓを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】  前記カルコゲン供給源は、Ｓｅを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３４】  前記カルコゲン供給源は、Ｔｅを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３５】  前記金属含有非有機金属化合物は、カドミウムを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３６】  前記配位溶媒は、１，２−ジオール、アルデヒドまたはアミンを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】  前記カルコゲン供給源は、Ｓ、ＳｅまたはＴｅを含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】  前記金属含有非有機金属化合物は、ＣｄＯである、請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】  前記金属含有非有機金属化合物は、カドミウム、亜鉛、マグネシウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウムまたはタリウムを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項４０】  前記配位溶媒、および前記酸素配位原子または窒素配位原子有する化合物は、同じ化合物である、請求項２８に記載の方法。
【請求項４１】  前記ナノクリスタルは、ナノクリスタルの実質的に単分散性の集団のメンバーである、請求項２７に記載の方法。
【請求項４２】  前記配位溶媒は、１，２−ジオール、アルデヒドまたはアミンを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】  前記ナノクリスタル上に半導体オーバーコーティングを形成する工程をさらに包含する、請求項２７に記載の方法。
【請求項４４】  前記金属含有非有機金属化合物、前記配位溶媒、および前記カルコゲン供給源を、前記ナノクリスタルを形成するに十分な温度で加熱する工程をさらに包含する、請求項２７に記載の方法。
【請求項４５】  生物学的標識試薬を製造する方法であって、該方法は、金属含有非有機金属化合物、配位溶媒、およびカルコゲン供給源を組み合わせて、ナノクリスタルを形成する工程を包含する、方法。
【請求項４６】  ＬＥＤを製造する方法であって、該方法は、金属含有非有機金属化合物、配位溶媒、およびカルコゲン供給源を組み合わせて、ナノクリスタルを形成する工程を包含する、方法。