【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の画像センサ要素と複数の第１の導電性相互接続要素を含む第１の集積回路と、
複数の画像プロセス要素と複数の第２の導電性相互接続要素を含む第２の集積回路を含み、
ここで、前記画像センサ要素は第１の集積回路の第１の表面に向けられた電磁放射に感応し、前記第１の導電性相互接続要素は第１の集積回路の第２の表面に配置されており、
前記第２の導電性相互接続要素は第２の集積回路の表面に形成され、前記複数の第１の導電性相互接続要素と電気的に接続されている
ことを特徴とする画像センサプロセスシステム。
【請求項２】  前記複数の第１の相互接続要素が、複数の導電性バンプを含む
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項３】  前記複数の第２の相互接続要素が、複数の接続パッドを含む
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項４】  前記第１の集積回路が第１の製造プロセスに従って製造され、前記第２の集積回路が前記第１の製造プロセスと異なる第２の製造プロセスにより製造される
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項５】  前記第１の製造プロセスが前記画像センサ要素を形成するために最適化され、前記第２の製造プロセスが前記画像プロセス要素を形成するために最適化される
ことを特徴とする請求項４記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項６】  前記第１の集積回路の前記第１の表面は前記第１の集積回路の前記第２の表面と実質的に平行である
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項７】  前記複数の画像プロセス要素は、更に実質的に一致する複数の画像プロセス要素を含み、ここで前記実質的に一致する複数の画像プロセス要素は前記複数の第２の相互接続要素の一つと電気的に接続される
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項８】  前記複数の実質的に一致する画像プロセス要素のそれぞれ一つが、前記複数の画像センサ要素の一つと電気的に接続される
ことを特徴とする請求項７記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項９】  前記複数の画像センサ要素は、前記第１の表面に向かって対象に反射した電磁放射に応答してその対象の画像を集合的に形成するためにの複数の独立に動作する画像センサ要素を含む
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項１０】  前記画像センサ要素の数は、前記際１の相互接続要素の数に等しい
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項１１】  前記第１の相互接続要素のピッチは、前記複数の第２の相互接続要素のピッチに等しい
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項１２】  前記第１の相互接続要素の数は、前記画像センサ要素の数と等しい
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項１３】  前記複数の画像プロセス要素は、アレイ中に配置される
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項１４】  前記複数の画像プロセス要素は、ラインに沿って配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項１５】  前記電磁放射は前記第１の表面に向けられた光を含み、前記複数の画像センサ要素のそれぞれ一つの光学的パラメータは光に応答する
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項１６】  前記第２の集積回路は、前記複数の画像センサ要素のそれぞれ一つの光学的パラメータを決定するための効果的な回路構成を含む
ことを特徴とする請求項１５記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項１７】  前記第１の集積回路の前記第１の表面は、前記複数の画像センサ要素により受けた電磁放射を最大化するように形成される
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項１８】  前記第１の集積回路は、第１の導電型の半導体基板、及び前記半導体基板の表面に形成された第２の導電型の複数の間隔をあけて別個にドープされた半導体領域を含み、ここで、逆バイアスポテンシャルは、前記半導体基板及び前記ドープ領域に適用され、その間に消耗領域を生じる
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項１９】  前記画像センサ要素の重点因子（fill factor）は、最大化される
ことを特徴とする請求項１記載の画像センサプロセスシステム。
【請求項２０】  第１の集積回路を作成する工程、ここで、前記第１の集積回路は前記第１の集積回路の第１の表面に入射する電磁放射に応答する複数の画像センサ要素を含み、
前記画像センサ要素の１又はそれ以上と電気的に接即する複数の第１の導電性相互接続要素を作成する工程、ここで、前記第１の導電性相互接続要素は前記第１の集積回路の第２の表面上に配置され、
複数の画像プロセス要素含む第２の集積回路を作成する工程、
前記画像プロセス要素に電気的に接続する複数の第２の導電性相互接続要素を作成する工程、及び
前記複数の第２の相互接続要素の１又はそれ以上に電気的に接続する前記複数の第１の相互接続要素の１又はそれ以上を位置づけする工程を含む
ことを特徴とする画像センサプロセスシステムを作成する方法。
【請求項２１】  前記複数の第１の相互接続用を作成する工程は、前記第２の表面上に複数の導電性バンプを形成することを含む
ことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２２】  前記複数の第２の相互接続要素を作成する工程は、複数の接続パッドを形成することを含む
ことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２３】  前記複数の画像センサ要素を作成する工程は、第２の導電型のドーパントで第１の導電型の基板の領域をドーピングする
ことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２４】  第１の半導体ダイの第１の表面へ光信号を与える段階、
前記光信号に応答する前記第１の半導体ダイの電気信号を形成する段階、
前記第１の半導体ダイの第２の表面へ前記電気信号を伝達する段階、
前記第１の半導体ダイの前記第２の表面及び第２の半導体ダイの第２の表面の間に電気的接続を形成して前記第２のダイに電気信号を提供する段階、及び
前記第２の半導体ダイに電気信号をプロセスする段階をふくむ
ことを特徴とする光画像信号を感知及びプロセスする方法。
【請求項２５】  前記電気的接続を形成する工程は、更に、
前記第１の半導体ダイの前記第２の表面上に第１の相互接続要素を形成する段階、
前記第２の半導体ダイの前記第１の表面上に第２の相互接続要素を形成する段階、及び
前記電気接続を形成するために、前記第１及び第２の相互接続要素を位置づける段階を含む
ことを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２６】  前記第１の半導体ダイの前記第１の表面は、それの前記第２の表面と実質的に平行である
ことを特徴とする請求項２４記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本出願は、米国特許出願Ｎｏ．０９／９５０，３８７（２００１年９月１０日出願）に基づく優先権を主張するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明の背景
各種の型の撮像装置あるいはイメージセンサが今日使われており、電荷結合デバイス（ＣＣＤ）イメージセンサ及び相補金属−酸化物−半導体（ＣＭＯＳ）イメージセンサが含まれる。それらは進歩した微細パターン形成リソグラフィ技術を用いて量産されるため、こられの半導体を基本としたイメージセンサは、多くの像入力デバイス中で、広く用いられている。用途にはディジタルカメラ、ドキュメント取込み用のコンピュータ周辺装置、ビジュアル通信、ファクシミリ機械が含まれる。
ＣＣＤイメージセンサは受けた光強度に比例した電荷群を形成するために、光センサのアレイを用いる。これらの光センサは典型的な場合、イメージセンサ表面上に配置されたフォトトランジスタ又はフォトダイオードである。各電荷群は合成画像の１画素を構成する。画像データは画素毎に、周辺に対し内部のＣＣＤアレイから、これらのアナログ電荷群を移動させることにより、ＣＣＤアレイから読み出される。読み出しプロセスを始めるために、第１行の電荷が読み出しレジスタに転送され、そこから信号は増幅器の入力となり、ほとんどの用途では、アナログ−ディジタル変換器の入力となる。一度行が読み出されると、読み出しレジスタ上のその電荷は、削除される。次に、次の行が読み出しレジスタに入り、上の行すべてが、１行下に移動する。このようにして、各行が読み出され、一時に一行が読み出される。画素の一行中のすべての画素が同時に読み出されるため、ＣＣＤアレイの画素は個別には指定できない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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