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【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス指令数値データを演算する演算部と、
前記パルス指令数値データに基づきＰＷＭ指令パルス信号を生成するパルス幅変調部と、
前記ＰＷＭ指令パルス信号に基づきＰＷＭパルス信号を生成するパルス幅補正部と、
前記ＰＷＭパルス信号をインバータ主回路のスイッチング素子にドライブ信号として供給するドライバ部と、
前記ドライブ信号を受けて直流電力を交流電力に変換するインバータ主回路を備えたインバータ装置において、
前記パルス幅変調部と前記パルス幅補正部との間に電気的な絶縁を行う絶縁部を設けたことを特徴とするインバータ装置。
【請求項２】
請求項１記載のインバータ装置において、前記パルス幅変調部と前記パルス幅補正部間で伝送される信号はインバータの出力相数分の信号線で伝送されることを特徴とするインバータ装置。
【請求項３】
請求項１記載のインバータ装置において、前記絶縁部は、最小外部空間距離4.9mm、最小外部沿面距離4.8mm、最小内部空間距離0.08mm、入力絶縁2500Vrms(1分間)、最大動作絶縁電圧560Vpeak、最大許容過電圧4000Vpeak(10秒間)、立ち上がり伝達遅延時間と立ち下がり伝達遅延時間の差による指令パルス誤差の最大時間100nsの性能を有する絶縁素子、またはこれら以上の性能を有する絶縁素子で構成したことを特徴とするインバータ装置。
【請求項４】
請求項１記載のインバータ装置において、前記出力電圧検出信号のパルス検出レベルを調整する調整部を設けたことを特徴とするインバータ装置。
【請求項５】
請求項４記載の調整部は、比較器と可変抵抗器により構成されていることを特徴とするインバータ装置。
【請求項６】
パルス指令数値データを演算する演算部と、
前記パルス指令数値データに基づきＰＷＭ指令パルス信号を生成するパルス幅変調部と、
前記ＰＷＭ指令パルス信号に基づきＰＷＭパルス信号を生成するパルス幅補正部と、
前記ＰＷＭパルス信号をインバータ主回路のスイッチング素子にドライブ信号として供給するドライバ部と、
前記ドライブ信号を受けて直流電力をスイッチングし電圧パルス信号に変換する主回路を備えたインバータ装置において、
前記パルス幅変調部と前記パルス幅補正部との間に電気的な絶縁を行う絶縁部を備えことを特徴とするインバータ装置。
【請求項７】
請求項６記載のインバータ装置において、前記パルス幅変調部と前記パルス幅補正部間で伝送される信号はインバータの出力相数分の信号線で伝送されることを特徴とするインバータ装置。
【請求項８】
請求項６記載のインバータ装置において、前記絶縁部は、最小外部空間距離4.9mm、最小外部沿面距離4.8mm、最小内部空間距離0.08mm、入力絶縁2500Vrms(1分間)、最大動作絶縁電圧560Vpeak、最大許容過電圧4000Vpeak(10秒間)、立ち上がり伝達遅延時間と立ち下がり伝達遅延時間の差による指令パルス誤差の最大時間100nsの性能を有する絶縁素子、またはこれら以上の性能を有する絶縁素子で構成したことを特徴とするインバータ装置。
【請求項９】
請求項６記載のインバータ装置において、前記出力電圧検出信号のパルス検出レベルを調整する調整部を設けたことを特徴とするインバータ装置。
【請求項１０】
請求項９記載の調整部は、比較器と可変抵抗器により構成されていることを特徴とするインバータ装置。
【請求項１１】
請求項１または、６記載のインバータ装置において、
前記演算部と前記パルス幅変調部との間で並列データバス伝送によって、データ転送することを特徴とするインバータ装置。
【請求項１２】
請求項１または、６記載のインバータ装置において、
前記演算部と前記パルス幅変調部との間でパルス信号によって、データ転送することを特徴とするインバータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＰＷＭインバータ装置に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、インバータの出力周波数を高めることのできるインバータ装置を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の構成は上記電気絶縁手段を、ＰＷＭパルスを生成するための数値データ伝送路上ではなく、パルス信号に変換された後のＰＷＭ指令パルス信号の伝送路上に設ける。このように信号絶縁形態がマイクロコンピュータ（以下マイコンという）の数値データの絶縁ではなくパルス信号に変換された部分の絶縁となる。これにより、信号伝送時間を短くできること、または、高速にＰＷＭ指令パルス信号を更新できるものとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明の実施例によれば、出力電圧検出信号の電気絶縁をやめ直接ＰＷＭ指令パルス信号と突き合わせることにより、この絶縁部で生じる誤差を無くし、更に演算部からのデータを並列データバスによりパルス幅変調部に伝送してパルスを生成した後に、高速で伝達可能な絶縁部を通して指令パルスで伝送することにより、制御可能な出力周波数の範囲を拡大できる。
また、出力電圧検出信号の検出に調整部を設けることにより更に出力電圧の誤
差を小さくできる効果がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【発明の効果】
本発明によれば、インバータの出力周波数を高めることのできるインバータ装置を提供することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月8日(2004.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスイッチング素子を各々所定のゲートパルスにより駆動する電力変換器において、ゲートパルスの変化点と当該ゲートパルスの変化時点における故障検知信号およびゲートパルスの異常パターンを検出し、当該検出時点の時刻データと、電力変換器の直流入力電流または電圧もしくは出力電流等のアナログモニタ信号からなるデータを、それぞれ所定区間だけモニタデータとして順次メモリに格納することを特徴とする電力変換器の故障モニタ装置。
【請求項２】
複数のスイッチング素子を各々所定のゲートパルスにより駆動する電力変換器において、一定周期のパルスを出力するクロック発生器と、前記クロックのタイミングに基づいて、ゲートパルスの変化点を検出する回路と、ゲートパルスの異常パターンを検出する回路と、故障検知信号によるパルストリガ検出時の時刻データを生成する時刻カウンタと、前記回路がパルストリガを検出した時のアナログモニタ信号データと時刻データを格納するモニタメモリと、モニタ再生時にアナログモニタデータと時刻データをリンクさせるアドレスを管理するアドレスカウンタと、これらの動作を制御するマイクロコンピュータを有することを特徴とする電力変換器の故障モニタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図２において、７はクロック発生器、８はゲートパルス及びフィードバックパルスの変化点検出回路、９はゲートパルス及びフィードバックパルスの異常パターン検出回路、１０はフリーランタイマ、１１はＡ／Ｄ変換器、１２はアドレスカウンタ、１３はモニタメモリ、１４はマイクロコンピュータ、１５はページレジスタを示す。太線はアドレスバスおよびデータバス、細線は制御信号ラインを示す。モニタメモリ１３は、図３のようにハードウェアが書き込むエリア（ページ）と、ソフトウェアが書き込むエリア（ページ）からなる。図３において、ハードウェアが書き込むエリアとして、ページ１〜７を示し、各ページ１毎に１回目ハードデータ〜７回目ハードデータを書き込む。ここで、各ページのアドレスには、それぞれ時刻データアナログデータを書き込む。また、ソフトウェアが書き込むエリアとして、ページ８を示し、このページには１回目〜７回目故障ソフトデータがあり、それぞれの故障ソフトデータとして故障発生時のハードウェアデータのアドレスカウンタ値，故障発生時刻データを書き込む。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディジタルカメラシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  レンズと、
（ｂ）  前記レンズからの光を受光し、かつ、前記光に基づいて第１のディジタルデータセットを定義するように構成される変換装置と、
（ｃ）  文書を走査し、かつ、前記文書のイメージを定義する第２のディジタルデータセットを生成するように構成される走査機構と、
（ｄ）  記憶装置と、
（ｅ）  前記第１のディジタルデータセット及び第２のディジタルデータセットを前記記憶装置に記憶するように構成されたシステムコントローラと、
を備え、
前記走査機構は、イメージングセンサ及び処理装置を有し、
前記イメージングセンサは、前記文書から反射された光を受けて電気信号を生成するように構成され、
前記処理装置は、前記イメージングセンサから前記電気信号を受けて、前記イメージングセンサからの前記電気信号に基づいて前記第２のディジタルデータセットを定義すること、
を特徴とするディジタルカメラシステム。
【請求項２】
（ａ）  レンズと、
（ｂ）  前記レンズからの光を受光し、かつ、前記光に基づいて第１のディジタルデータセットを定義するように構成される変換装置と、
（ｃ）  文書を走査し、かつ、前記文書のイメージを定義する第２のディジタルデータセットを生成するように構成される走査機構と、
（ｄ）  記憶装置と、
（ｅ）  前記第１のディジタルデータセット及び第２のディジタルデータセットを前記記憶装置に記憶するように構成されたシステムコントローラと、
を備え、
前記文書は、地理的領域の地形図であり、かつ、前記第１のディジタルデータセットは、前記地理的領域のイメージを定義し、
前記システムコントローラは、さらに、第１及び第２のディジタルデータセットを第３のディジタルデータセットに併合するように構成されること、
を特徴とするディジタルカメラシステム。
【請求項３】
（ａ）  レンズと、
（ｂ）  前記レンズを通る光に基づいて第１のディジタルデータセットを定義する手段と、
（ｃ）  文書を走査する手段と、
（ｄ）  前記走査する手段によって受けられた光に基づいて第２のディジタルデータセットを定義する手段と、
（ｅ）  記憶装置と、
（ｆ）  前記第１及び第２のディジタルデータセットを前記記憶装置に記憶する手段と、
（ｇ）  前記第１のディジタルデータセット及び第２のディジタルデータセットを前記記憶装置に記憶するように構成されたシステムコントローラと、
を備え、
前記第１のディジタルデータセットは、オブジェクトのイメージを定義し、
前記第２のディジタルデータセットは、前記文書のイメージを定義し、
前記第３のディジタルデータセットは、前記オブジェクトのイメージの少なくとも一部を描画し、かつ、前記文書のイメージの少なくとも一部を描画するイメージを定義すること、
を特徴とするディジタルカメラシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月15日(2005.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下りリンクパワー制御ループを使用して、伝送品質目標値に従ってパワーを制御するように構成された手段と、
下りリンク調整プロセスを使用して、前記伝送品質目標値を調整するように構成された手段と、
前記伝送品質目標値の付近での前記下りリンクパワー制御ループの収束を評価する手段と、
前記評価に基づいて前記下りリンク調整プロセスを制御するように構成された手段とを含む移動局。
【請求項２】
前記伝送品質目標値の付近での前記下りリンクパワー制御ループの収束の評価に基づいて前記下りリンク調整プロセスを制御するように構成された前記手段が、前記パワー制御ループが前記伝送品質目標値の付近に収束しない場合に、前記伝送品質目標値を増加させない手段を含む請求項１に記載の移動局（ＵＥ）。
【請求項３】
前記伝送品質目標値の付近での前記下りリンクパワー制御ループの収束を評価する前記手段が、平均測定伝送品質を前記伝送品質目標値と比較するように構成された手段を含む請求項１または２に記載の移動局（ＵＥ）。
【請求項４】
前記伝送品質目標値の付近での前記下りリンクパワー制御ループの収束の評価について必要な測定を行うように構成された手段（１５）と、
該測定結果に基づいて、前記伝送品質目標値の付近での前記下りリンクパワー制御ループの収束を評価し、該評価に基づいて、前記下りリンク調整プロセスを制御するように構成された手段（１６）とを含む請求項１から３のいずれかに記載の移動局（ＵＥ）。
【請求項５】
前記伝送品質目標値の付近での前記下りリンクパワー制御ループの収束の前記評価について必要とされるパラメータを移動無線通信ネットワークから受け取るように構成された手段をさらに含む請求項４に記載の移動局。
【請求項６】
少なくとも１つの請求項１から５のいずれかに記載の移動局を含む移動無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物の全重量を基準とした重量パーセントで、場合により高分子量炭水化物と組み合わせた、マルトース若しくはマルトースシロップ、又は、低分子量炭水化物の混合物からなる、炭水化物マトリックス中のカプセルに入れられた、脂溶性物質約１重量％〜約４０重量％；乳化剤約０．１重量％〜約３０重量％；及び、場合により、抗酸化剤約０．１重量％〜約１５重量％、を含む組成物。
【請求項２】
炭水化物マトリックスが、高分子量炭水化物と組み合わせた、低分子量炭水化物の混合物からなる、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
低分子量炭水化物が、フルクトース、グルコース、グルコースシロップ、スクロース、ラクトース、Ｄ−グルコース、マルトース、高マルトース固形物(シロップ)、キシロース、アラビノース、リボース、及び糖アルコール類からなるグループから選択される、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
低分子量炭水化物が、フルクトース、グルコース、グルコースシロップ、マルトース、及びスクロースからなるグループから選択される、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項５】
炭水化物マトリックスが、高分子量炭水化物と組み合わせた、マルトース、又は、５０重量％以上のマルトースを含む高マルトース固形物（シロップ)からなる、請求項１記載の組成物。
【請求項６】
高分子量炭水化物が、マルトデキストリンである、請求項１から５のいずれか１項記載の組成物。
【請求項７】
脂溶性物質が、ビタミンＡ、Ｅ、Ｄ、及びＫからなるグループから選択される脂溶性ビタミン若しくはそれらの誘導体、カロチノイド、多不飽和脂肪酸、又はそれらの混合物である、請求項１から６のいずれか１項記載の組成物。
【請求項８】
ビタミンＡ誘導体が、酢酸ビタミンＡ、又は、パルミチン酸ビタミンＡである、請求項７記載の組成物。
【請求項９】
カロチノイドが、β−カロチン、アスタキサンチン、アポカロテナール、カンタキサンチン、アポエステル、シトラナキサンチン、及びゼアキサンチンからなるグループから選択される、請求項７記載の組成物。
【請求項１０】
多不飽和脂肪酸が、アラキドン酸（ＡＡ）、ドコサヘキサエン酸（ＤＨＡ）、及びエイコサペンタエン酸（ＥＰＡ）からなるグループから選択される、請求項７記載の組成物。
【請求項１１】
低分子量炭水化物約３０重量％〜約９５重量％、好ましくは、約５０重量％〜約８５重量％、さらに好ましくは、約７０重量％を含む、請求項１から１０のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１２】
高分子量炭水化物０重量％〜約５０重量％、好ましくは、約１０重量％〜約４０重量％、さらに好ましくは、約３０重量％を含む、請求項１から１１のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１３】
乳化剤が、ポリオキシエチレン−ソルビタン−脂肪酸エステル、化学的に修飾されたデンプン、又はパルミチン酸アスコルビルである、請求項１から１２のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１４】
抗酸化剤が、アスコルビン酸ナトリウム、パルミチン酸アスコルビル、ｄｌ−α−トコフェロール、混合トコフェロール、レシチン、及びそれらの混合物からなるグループから選択される、請求項１から１３のいずれか１項記載の組成物。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項記載の組成物、及び糖を含む、食物の栄養価を高めるための予めの混合物。
【請求項１６】
請求項１から１４のいずれか１項記載の組成物の調製方法であって、脂溶性物質約１重量％〜約４０重量％；場合により高分子量炭水化物０重量％〜約５０重量％と組み合わせた、マルトース、又は、低分子量炭水化物の混合物、約３０重量％〜約８５重量％；乳化剤約０．１重量％〜約３０重量％；及び、場合により、抗酸化剤約０．１重量％〜約１５重量％；を含む水中油滴型エマルジョンを調製すること；及び、所望ならば、このエマルジョンをドライパウダーに変換すること、を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
マルチビタミン錠、硬ゼラチンカプセル、又はドライフード若しくは飼料組成物のための、請求項１から１４のいずれか１項記載の組成物の使用。
【請求項１８】
予めの混合物を調製する方法であって、ドライパウダーの形態で、糖及び請求項１から１２までのいずれか１項記載の組成物を、約１４／１〜約４／１の比率で混合することを特徴とする方法。
【請求項１９】
ドライパウダーに加えられる前に、少量の飽和スクロース溶液又は少量の水を加えることにより、その糖が湿っている、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
抗ケーキング剤が、好ましくは、約０．２重量％〜約２重量％の量で加えられる、請求項１８又は１９記載の方法。
【請求項２１】
抗ケーキング剤が、ケイ酸又はケイ酸塩である、請求項２０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品（１）を回路基板（４）へ実装する際に、上記電子部品の電極（２）及び上記回路基板の電極（５）の少なくとも一方に対応する位置に形成された孔（１５）に、少なくとも上記電子部品の電極（２）に被さるパッシベイション膜（１ａ）の厚み（ｔpc）より大きく、上記回路基板の電極の厚み（ｔe）より小さい寸法でかつ、導電粒子（１６）を、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記回路電極と相挟む方向でかつ相互に導通させる方向に埋め込んだ固形の絶縁性熱硬化性樹脂シート（６６）を上記回路基板の上記電極と位置合わせして貼付けたのち、上記電子部品と上記回路基板との間に上記熱硬化性樹脂シートを介在させながら上記電子部品の上記電極にワイヤボンディングにより形成されたバンプ（３）と上記回路基板の上記電極とを位置合わせし、
上記熱硬化性樹脂シート（６）を加熱しながら上記電子部品を上記回路基板に押圧して、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して接合するようにした電子部品の実装方法。
【請求項２】
上記導電粒子は、表面に金メッキを施した樹脂ボール、又は、ニッケル粒子、又は、銀、銀−パラジウム、若しくは、金からなる導電粒子、又は、導電ペースト、又は、金球からなる請求項１に記載の電子部品の実装方法。
【請求項３】
上記熱硬化性樹脂シートに代えて異方性導電膜（１０）を使用する請求項１又は２に記載の電子部品の実装方法。
【請求項４】
上記電子部品を上記回路基板に１バンプあたり２０ｇｆ以上の加圧力により押圧するようにした請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項５】
上記熱硬化性樹脂シート（６）を加熱しながら上記電子部品を上記回路基板に押圧して、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して接合するとき、超音波振動を上記電子部品に印加しながら行うようにした請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の電子部品の実装方法により電子部品を接合した回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第１態様によれば、電子部品を回路基板へ実装する際に、上記電子部品の電極及び上記回路基板の電極の少なくとも一方に対応する位置に形成された孔に、少なくとも上記電子部品の電極に被さるパッシベイション膜の厚みより大きく、上記回路基板の電極の厚みより小さい寸法でかつ、導電粒子を、上記電子部品の上記電極と上記回路基板の上記回路電極と相挟む方向でかつ相互に導通させる方向に埋め込んだ固形の絶縁性熱硬化性樹脂シートを上記回路基板の上記電極と位置合わせして貼付けたのち、上記電子部品と上記回路基板との間に上記熱硬化性樹脂シートを介在させながら上記電子部品の上記電極にワイヤボンディングにより形成されたバンプと上記回路基板の上記電極とを位置合わせし、
上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら上記電子部品を上記回路基板に押圧して、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して接合するようにした電子部品の実装方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第５態様によれば、上記熱硬化性樹脂シートを加熱しながら上記電子部品を上記回路基板に押圧して、上記電子部品と上記回路基板の間に介在する上記熱硬化性樹脂シートを上記熱により硬化して接合するとき、超音波振動を上記電子部品に印加しながら行うようにした第１〜４のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
本発明の第６態様によれば、第１〜５のいずれか１つの態様に記載の電子部品の実装方法により電子部品を接合した回路基板を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板の主面に素子分離領域を形成し、前記素子分離領域で規定され、Ａ方向に長辺または長径を有する長方形状または楕円形状その他任意の長辺または長径を有する平面パターンの活性領域を複数形成する工程と、
（ｂ）前記半導体基板の主面上に前記Ａ方向とは異なるＢ方向に延在する直線パターンからなるストライプパターンのゲート電極を形成する工程と、
（ｃ）前記ゲート電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）前記絶縁膜上にネガ型のフォトレジスト膜を塗布し、前記フォトレジスト膜を第１および第２の段階に分けて露光する工程と、
（ｅ）前記露光における何れの段階においても光が照射されなかった領域のフォトレジスト膜を選択的に除去して孔パターンを形成する工程と、
（ｆ）パターニングされた前記フォトレジスト膜の存在下でエッチングを施し、前記絶縁膜に前記孔パターンを用いてコンタクトホールを形成する工程と、を有し、
前記第１の段階の露光では、前記Ａ方向とは相違するＣ方向に延在する直線パターンからなるストライプパターンで露光され、
前記第２の段階の露光では、前記Ｃ方向とは相違するＤ方向に延在する直線パターンからなるストライプパターンで露光され、
前記第１および第２の段階の露光では、前記活性領域の両端部および中央部が露光されないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）半導体基板の主面に素子分離領域を形成し、前記素子分離領域で規定され、Ａ方向に長辺または長径を有する長方形状または楕円形状その他任意の長辺または長径を有する平面パターンの活性領域を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体基板の主面上に前記Ａ方向とは異なる方向に延在する直線パターンからなるストライプパターンのゲート電極を形成する工程と、
（ｃ）前記ゲート電極を覆う第１絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜に対してエッチング選択比を有する第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）前記第２絶縁膜上にフォトレジスト膜を塗布し、前記活性領域の両端部および中央部上に前記フォトレジスト膜が残存しないように前記フォトレジスト膜をストライプ状にパターニングする工程と、
（ｅ）パターニングされた前記フォトレジスト膜の存在下で前記第１および第２絶縁膜にエッチングを施し、前記活性領域の両端部および中央部のみを露出する工程と、
（ｆ）前記半導体基板の全面に導電膜を形成する工程と、
（ｇ）前記導電膜を研磨して、前記活性領域の両端部および中央部上にのみ前記導電膜を残存させる工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記第１の段階の露光パターンは、前記Ｂ方向に平行な方向の直線パターンからなるストライプパターンであり、
前記第２段階の露光パターン、または、前記第２絶縁膜上に形成されたフォトレジスト膜のパターンは、前記Ａ方向に平行な方向の直線パターンからなるストライプパターン、または、前記Ａ方向に平行な方向の直線パターンからなるストライプパターンの前記ゲート電極に対する対称パターンであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
互いに隣接する前記コンタクトホールまたは前記活性領域上の導電膜の中心点を結んだ図形の平面形状は、菱形であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記第１または第２段階の露光パターンのうち、メモリセルアレイ領域の外側の周辺回路領域を露光するパターンにおいては、
前記メモリセルアレイ内の前記直線パターンの数が奇数である第１の構成、
前記メモリセルアレイの端部の未露光領域となる部分に露光領域を設ける第２の構成、
の何れかの構成を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の主面の素子分離領域と、前記素子分離領域で規定されＡ方向に長辺または長径を有する長方形状または楕円形状その他任意の長辺または長径を有する平面パターンの活性領域と、前記主面上に形成され前記Ａ方向とは異なるＢ方向に延在する直線パターンのゲート電極と、前記ゲート電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され前記活性領域の両端部に接する第１接続部材と、前記絶縁膜に形成され前記活性領域の中央部に接する第２接続部材とを有する半導体集積回路装置であって、
前記第１および第２接続部材が同一の工程で形成されたものであり、互いに隣接する前記第１または第２接続部材の中心点を結んだ図形の平面形状は、菱形であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源と、前記電子源からの電子線（１）を集束し試料に入射させる電磁界複合レンズとからなり、前記電磁界複合レンズの前記電子源側磁極は、試料から遠い磁極（４ａ）と試料に近い磁極（３ｂ）に分割されており、試料傾斜時に、該試料に近い磁極（３ｂ）及び試料（５）とに負の電位を印加するようにしたことを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
前記電位は同電位であることを特徴とする請求項１記載の電子線装置。
【請求項３】
試料より遠い磁極（４ａ）の頂面が、試料より遠い磁極（４ａ）と試料に近い磁極（３ｂ）との間の電気的絶縁材（７）よりも、試料近くに位置するようにしたことを特徴とする請求項１記載の電子線装置。
【請求項４】
試料に近い磁極（３ｂ）及び試料（５）に負の同電位を印加するようにした請求項３記載の電子線装置。
【請求項５】
電子源と、前記電子源からの電子線（１）を集束し試料に入射させる電磁界複合レンズとからなり、前記電磁界複合レンズは、電子源側に位置する磁極と、電子源と反対側に位置する磁極とで構成され、電子源側磁極は、さらに試料から遠い磁極（４ａ）と試料に近い磁極（３ｂ）に分割されており、試料傾斜時に、該試料に近い磁極（３ｂ）及び試料（５）に負の電位を印加するようにしたことを特徴とする電子線装置。
【請求項６】
試料に近い磁極（３ｂ）及び試料（５）に負の同電位を印加するようにした請求項５記載の電子線装置。
【請求項７】
試料より遠い磁極（４ａ）の頂面が、試料より遠い磁極（４ａ）と試料に近い磁極（３ｂ）との間の電気的絶縁材（７）よりも、試料近くに位置するようにしたことを特徴とする請求項５記載の電子線装置。
【請求項８】
試料に近い磁極（３ｂ）及び試料（５）に負の同電位を印加するようにした請求項７記載の電子線装置。
【請求項９】
電子源と、前記電子源からの電子線（１）を集束し試料に入射させる電磁界複合レンズとからなり、前記電磁界複合レンズは、電子源側に位置する磁極と、電子源と反対側に位置する磁極とで構成され、電子源側磁極は、さらに試料から遠い磁極（４ａ）と試料に近い磁極（３ｂ）に分割されており、電子源と反対側の磁極は、さらに試料に近い磁極（３ｂ′）と試料より遠い磁極（４ａ′）とに分割されており、試料傾斜時に、該試料に近い両磁極（３ｂ，３ｂ′）及び試料（５）に負の電位を印加するようにしたことを特徴とする電子線装置。
【請求項１０】
試料に対向する両磁極（３ｂ、３ｂ′）及び試料（５）に負の同電位を印加するようにした請求項９記載の電子線装置。
【請求項１１】
電子源側の磁極及び電子源と反対側の磁極各々に於いて、試料より遠い磁極（４ａ，４ａ′）の頂面が、試料より遠い磁極と試料に近い磁極との間の電気的絶縁材（７，７′）よりも、試料近くに位置するようにしたことを特徴とする請求項９記載の電子線装置。
【請求項１２】
試料に対向する両磁極（３ｂ，３ｂ′）及び試料（５）に負の同電位を印加するようにした請求項１１記載の電子線装置。
【請求項１３】
試料非傾斜時には、電子源側の試料に近い磁極の電位をゼロあるいは正電位に印加することを可能にしたことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子線装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
近年半導体集積回路パターンはますます微細化され、半導体製造工程に於いて、これを、１ｋＶ以下の低加速試料入射電圧で、より高分解能でＳＥＭ観察する要望が大きい。このためには、ＳＥＭ鏡筒の対物レンズの収差、特に色収差を低減することが重要である。このための方法として、単極磁界型レンズと静電レンズを組み合わせた複合対物レンズを用いる方法がある。特開平10-199459、特開平11-25895に示されているように（図４，５）、単極レンズ４と試料５との間に電極３ａ，４３ｂ（図５においては３）を設け、電極４３ｂ（図５においては３）と試料５とに負の同電位を印加することにより、対物レンズの収差を低減するとともに、試料傾斜に伴う非点収差を抑えて高分解能観察を可能にするものである。
しかしながら、単磁極と試料との間に静電レンズを組み込む構造であるため、単磁極頂面と試料との距離は比較的大きくなり、収差をさらに低減するのは困難であった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月18日(2004.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線照射により試料から発生した信号を検出し画像として表示するための手段と、上記荷電粒子線を偏向し荷電粒子線照射位置を変更する電気的視野移動機能と試料の位置を移動する試料移動機構の一方または両方と、表示画像上の任意の試料位置をポイント指定するための手段と、前記ポイント指定した試料位置を任意の位置に移動するための電気的視野移動および試料移動機構の座標制御機構を有する荷電粒子線装置において、座標制御機構による観察位置移動操作の回数を自動的にカウントするカウンタを設けることにより、画像観察位置の移動状況を確認しながら希望する試料位置まで到達することを実現する荷電粒子線装置。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、カウンタ表示を画像上または画像表示近辺に配置したことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の荷電粒子線装置において、あらかじめ設定した数値にカウント数が到達した場合にはメッセージ表示とアラーム音の一方または両方を用いて、カウント終了を知らせることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】
請求項１から３に記載の荷電粒子線装置において、あらかじめ設定した数値にカウント数が到達した場合には、座標制御機構による観察位置移動を一時的に停止することによりカウント終了を知らせることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】
荷電粒子線照射により試料から発生した信号を検出し画像として表示するための手段と、上記荷電粒子線を偏向し荷電粒子線照射位置を変更する電気的視野移動機能と試料の位置を移動する試料移動機構の一方または両方と、表示画像上の任意の試料位置をポイント指定するための手段と、前記ポイント指定した試料位置を任意の位置に移動するための電気的視野移動および試料移動機構の座標制御機構を有する荷電粒子線装置において、前記試料には半導体素子が並んでおり、任意の複数の前記半導体素子間に存在する前記半導体素子の個数を自動的にカウントする手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターンを基板に露光する露光系と、前記露光系を所定のプログラムにより制御する制御装置とを備えた露光装置において、
実行されたプログラムに関するデータと、前記露光動作時に発生したエラーに関するデータとを保持する保持手段と、
前記エラーが発生したときに、少なくとも前記プログラムに関するデータと前記エラーに関するデータとを読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段から読み出した前記データを所定の形式で出力する出力手段とを備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１記載の露光装置において、
前記読み出し手段は、前記エラーの種類に応じて前記露光系の状態を表すデータを読み出すことを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の露光装置において、
前記出力手段は、前記データを電気信号に変換して出力することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項１記載の露光装置において、
前記露光系は複数の露光系構成部から構成されており、
前記読み出し手段は、前記エラーの種類に応じて前記露光系構成部の各々から前記露光系構成部の状態を表すデータを読み出すことを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項１記載の露光装置において、
前記保持手段は、前記制御装置の記憶装置又はインターフェースの確認結果を含んで記憶することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
マスクの回路パターンを所定のプログラムにより露光する露光方法において、
実行されたプログラムに関するデータと、前記露光の動作時に発生したエラーに関するデータとを保持するステップと、
前記エラーが発生したときに、少なくとも前記プログラムに関するデータと前記エラーに関するデータとを読み出すステップと、
読み出した前記データを電気信号に変換して出力するステップとを含むことを特徴とする露光方法。
【請求項７】
請求項６に記載の露光方法において、
前記出力ステップは、前記読み出した前記データをプリントアウトするか、記憶装置に記憶するか、電子メールを送信するか、の何れかを選択可能であることを特徴とする露光方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
更に、本願発明の露光装置は、前記露光系が複数の露光系構成部から構成されており、前記読み出し手段が、前記エラーの種類に応じて前記露光系構成部の各々から前記露光系構成部の状態を表すデータを読み出すことを特徴とする。
更に、本願発明の露光装置は、前記保持手段が、前記制御装置の記憶装置又はインターフェースの確認結果を含んで記憶することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本願発明の、マスクの回路パターンを所定のプログラムにより露光する露光方法は、実行されたプログラムに関するデータと、前記露光の動作時に発生したエラーに関するデータとを保持するステップと、前記エラーが発生したときに、少なくとも前記プログラムに関するデータと前記エラーに関するデータとを読み出すステップと、読み出した前記データを電気信号に変換して出力するステップとを含むことを特徴とする。
更に、本願発明の露光方法は、前記出力ステップが、前記読み出した前記データをプリントアウトするか、記憶装置に記憶するか、電子メールを送信するか、の何れかを選択可能であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月14日(2004.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光束をレンズを含む光学系を介して通過させ、レチクルを通して露光対象物上に露光する露光方法において、前記光学系の少なくとも一部を酸化によって固形物を生成するＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＮＨ4およびこれらの化合物等を除去した酸化性雰囲気に保持しつつ露光を行うことを特徴とする露光方法。
【請求項２】
光源からの光束をレンズを含む光学系を介して通過させ、レチクルを通して露光対象物上に露光する露光方法において、前記光学系の少なくとも一部を酸化によって固形物を生成するＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＮＨ4およびこれらの化合物等を除去した雰囲気に保持しつつ露光を行い、その後、前記光学系の少なくとも一部を酸化性雰囲気に保持し、レンズ表面に付着した有機物を除去する工程を導入することを特徴とする露光方法。
【請求項３】
前記酸化性雰囲気の主成分が、Ｎ2とＯ2の混合ガス、あるいは、オゾン、Ｎ2Ｏ、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2またはこれらの混合ガスである請求項１または２記載の露光方法。
【請求項４】
前記酸化性雰囲気の主成分が、酸素ラジカル、Ｎ2Ｏラジカル、Ｈ2Ｏ2ラジカルおよびこれらの混合ガス等の酸化性を有する活性種である請求項１または２記載の露光方法。
【請求項５】
光源からの光束をレンズを含む光学系を介して通過させ、レチクルを通して露光対象物上に露光する露光方法において、前記光学系の少なくとも一部を酸化によって固形物を生成するＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＮＨ4およびこれらの化合物等を除去した雰囲気に保持しつつ露光を行い、その後、前記光学系の少なくとも一部に、露光波長以外の紫外光を照射し、紫外光のエネルギーもしくは紫外光により生成されたオゾン等の酸化性ガスによりレンズ表面に付着した有機物を除去する工程を導入することを特徴とする露光方法。
【請求項６】
前記紫外線の波長が、１６０ないし３５０ｎｍの範囲である請求項５記載の露光方法。
【請求項７】
前記紫外光の光源が、露光装置で使われている光源である請求項５記載の露光方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月15日(2004.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク上のパターンを基板上に露光転写するために、投影光学系に対して前記マスクと前記基板とを同期して移動させる露光装置において、
吐出口を有するとともに、前記マスクに対して温度調整された気体を吐出する吐出装置と、前記マスクが前記投影光学系から最も遠ざかった位置近傍で、前記気体が吐出されるように前記吐出装置を制御する制御系とを備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御系は、前記マスクの移動に応じて、調整された前記気体を間欠的に吐出するように、前記吐出装置を制御することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記マスクの温度を測定する検出器と、前記検出器の測定した温度に基づき、前記吐出装置から吐出される気体の温度を調整する制御装置とを更に備えたことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
前記マスクの温度を測定する検出器と、前記検出器の測定した温度に基づき、前記吐出装置から吐出される気体の流量を調整する制御装置とを更に備えたことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記吐出装置は、調整された前記気体を吐出する複数の吐出口を有しており、
各吐出口に対応して配置された開閉可能な弁と、前記マスクの種類に応じて前記弁を独立して開閉する駆動装置とを更に備えたことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記駆動装置は、前記マスクに設けられるべき異物付着防止機構の有無を判別する判別器を備え、前記制御系は判別結果に基づいて前記吐出装置を制御することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記マスクを挟んで、前記吐出口に対向する位置に排気口を備えたことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項８】
パターンが形成されたマスクを往復移動させるとともに、前記パターンが転写される基板を前記マスクに対して同期移動させて前記パターンを前記基板に露光する露光装置において、
前記マスクが往復移動する経路の末端部近傍に配置され、前記末端部近傍に移動した前記マスクを冷却する冷却装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記冷却装置は、温調された気体を前記マスクに向けて吐出する吐出装置と、
前記気体の温度を制御する制御装置とを有することを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記制御装置は、前記吐出装置から吐出する気体の温度と、前記マスクの温度との少なくとも一方に基づいて前記気体の温度を制御することを特徴とする請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】
パターンが形成されたマスクを照明領域に対して移動させて、前記パターンを基板上に露光する露光装置において、
前記照明領域を通過した後の前記マスクを前記照明領域外で冷却する冷却装置を有することを特徴とする露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本願発明の露光装置によれば、吐出口（１０２ａ、２０２ａ、２０２ｂ）を有するとともに、マスク（Ｒ）に対して温度調整された気体を吐出する吐出装置（１０２，２０２）と、マスク（Ｒ）が投影光学系（ＰＬ）から最も遠ざかった位置近傍で、気体が吐出されるように吐出装置（１０２，２０２）を制御する制御系（１０４，２０４）とを備えているので、マスク（Ｒ）が同期移動される度に、温度調整された気体でマスク（Ｒ）を冷却することができ、マスク（Ｒ）の熱膨張を極力抑えることができる。また、温度調整された気体は、投影光学系から最も遠ざかった状態で、マスク（Ｒ）に対して吐出されるようになっているので、投影光学系（ＰＬ）に対し、温度調整された気体の影響が極力及ばないようにすることができる。また、本願発明の第２の観点による露光装置は、パターンが形成されたマスク（Ｒ）を往復移動させるとともに、パターンが転写される基板（Ｗ）をマスク（Ｒ）に対して同期移動させてパターンを基板（Ｗ）に露光する露光装置において、マスク（Ｒ）が往復移動する経路の末端部近傍に配置され、その末端部近傍に移動したマスク（Ｒ）を冷却する冷却装置（１００）を有することを特徴とする。これによれば、投影光学系（ＰＬ）から遠ざかった位置でマスク（Ｒ）の温度を調整することができる。また、本願発明の第３の観点による露光装置は、パターンが形成されたマスク（Ｒ）を照明領域に対して移動させて、パターンを基板（Ｗ）上に露光する露光装置において、その照明領域を通過した後のマスク（Ｒ）を照明領域外で冷却する冷却装置（１００）を有することを特徴とする。これによれば、照射により温度が上昇したマスク（Ｒ）を、投影光学系（ＰＬ）に影響を与えることなく効果的に冷却することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月14日(2004.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パチンコ機における回路内への高電圧侵入防止装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
打球ハンドルに設けられたタッチ端子の入力ラインとアースラインとに接続されたコネクタを設ける一方、高電圧を印加されると放電可能な絶縁部分を備えた高電圧放電保護体の絶縁部分を介した両端子を、前記コネクタに対して着脱可能にそれぞれ接続したことを特徴とするパチンコ機における回路内への高電圧侵入防止装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パチンコ機に配備される回路基板内へ侵入する高電圧を防止するパチンコ機における回路内への高電圧侵入防止装置に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高電圧放電保護手段の防止機能が劣化により低下した場合に、基板自体を交換することなく、高電圧放電保護手段のみを回路基板に対して交換でき、しかも、各種回路基板で兼用することのできるパチンコ機における回路内への高電圧侵入防止装置を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係るパチンコ機における回路内への高電圧侵入防止装置は、上記課題を解決するために、打球ハンドルに設けられたタッチ端子の入力ラインとアースラインとに接続されたコネクタを設ける一方、高電圧を印加されると放電可能な絶縁部分を備えた高電圧放電保護体の絶縁部分を介した両端子を、前記コネクタに対して着脱可能にそれぞれ接続したことを特徴とする。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【発明の効果】
請求項１に係るパチンコ機における回路内への高電圧侵入防止装置によれば、打球ハンドルに設けられたタッチ端子の入力ラインとアースラインとに接続されたコネクタに対して、高電圧を印加されると放電可能な絶縁部分を備えた高電圧放電保護体の絶縁部分を介した両端子がそれぞれ着脱可能であるので、高電圧防止手段の防止機能が劣化により低下した場合に、高電圧放電保護体のみを回路基板に対して脱着交換できるから交換も容易に行え、基板自体を交換しなくてすみ、しかも、パチンコ機の各種回路基板で兼用することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
主レンズは蛍光体スクリーンの中央部上で水平方向のフォーカス電位が垂直方向のフォーカス電位よりも約３００V高くなるように構成されていることを特徴とする請求項１記載のカラー受像管。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
主レンズは水平方向のレンズ口径が垂直方向より大きく構成されていることを特徴とする請求項１記載のカラー受像管。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
しかしこのような電子銃では、偏向角が１１０°程度に広偏向角化されると、図１２に示した偏向ヨークの水平偏向磁界1Ｈから受ける力Ｆが大きくなるため、偏向収差を受けにくくするためには、電子ビーム２の断面形状をより水平方向に長い楕円状にする必要があり、主レンズの水平方向と垂直方向の非対称性をより強くしなければならない。しかし主レンズの水平方向と垂直方向の非対称性を強くすると、主レンズの垂直方向の倍率が水平方向の倍率に対してより大きくなり、図１４に示すように、画面中央部のビームスポット３ａが縦長の楕円状となり、画面中央部の解像度が劣化するようになる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、主レンズを、蛍光体スクリーンの中央部上で水平方向のフォーカス電位が垂直方向のフォーカス電位よりも約３００Ｖ高くなるように構成した。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、主レンズの水平方向のレンズ口径が垂直方向より大きく構成した。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】
同一平面上を通る複数ビームを形成するカソードおよび第１、第２グリッドからなる電子ビーム形成部と、この電子ビーム形成部からの複数ビームを最終的に蛍光体スクリーン上に集束する複数個のグリッドからなる主レンズとを有する電子銃を備えるカラー受像管において、電子銃を、電子ビーム形成部の水平方向の仮想物点が垂直方向の仮想物点よりも蛍光体スクリーンに近く、水平方向の仮想物点径が垂直方向の仮想物点径よりも大きく、かつクロスオーバー後の水平方向の発散角が垂直方向の発散角よりも大きく、主レンズの水平方向の集束、発散作用が垂直方向の集束、発散作用よりも弱く、かつ蛍光体スクリーンの中央部上で水平方向のフォーカス電位が相対的に垂直方向のフォーカス電位よりも高くなるように構成し、また、その電子ビーム形成部の第１グリッドの電子ビーム通過孔を水平方向を長径とする横長形状に形成し、第２グリッドの電子ビーム通過孔を円形状に構成し、また、主レンズを蛍光体スクリーンの中央部上で水平方向のフォーカス電位が垂直方向のフォーカス電位よりも約３００Ｖ高くなるように構成し、また、主レンズの水平方向を大口径レンズに構成すると、偏向収差を低減するために、偏向磁界を通過するときの電子ビームの断面形状を水平方向に長い楕円状とした場合、従来の電子銃では、画面中央部の解像度が劣化したが、この発明では、主レンズの水平方向の口径を垂直方向の口径よりも大きくなるように形成し、電子ビーム形成部でそれに適応した電子ビームを形成することにより、画面全域にわたりビームスポットの形状を良好にし、解像度のすぐれたカラー受像管を構成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体ウエハ構造の表面保護方法であって、
表面（２４）を有する化合物半導体ウエハ構造（２２）を用意する工程と、
ほぼＧａ２Ｏ３のみからなる高純度の結晶性Ｇａ２Ｏ３蒸着源を、Ｇａ２Ｏ３と酸化物坩堝の系が安定であるようなＧａ２Ｏ３蒸着温度において前記酸化物坩堝に配置する工程と、
前記化合物半導体ウエハ構造（２２）の表面に前記高純度の結晶性Ｇａ２Ｏ３蒸着源からの酸化ガリウム分子を熱的に蒸着することによって、前記ウエハ構造の前記表面上にＧａ２Ｏ３層（２５）を形成する工程とを備える、表面保護方法。
【請求項２】
半導体ウエハの表面保護方法であって、
ＩＩＩ−Ｖ成長チャンバ（３５）が取り付けられ、かつ絶縁チャンバ（３８）が取り付けられた転送および装填モジュール（３３）を含むマルチ・ウエハ・エピタキシャル生産システム（３０）を用意する工程と、
ほぼＧａ２Ｏ３のみからなる高純度の結晶性Ｇａ２Ｏ３蒸着源を、Ｇａ２Ｏ３と酸化物坩堝の系が安定であるようなＧａ２Ｏ３蒸着温度において前記酸化物坩堝に配置する工程と、
表面を有する化合物半導体ウエハ（２２）を用意する工程と、
前記転送および装填モジュール（３３）内に前記化合物半導体ウエハ（２２）を配置する工程と、
前記マルチ・ウエハ生産システム（３０）内の圧力を≦１０-10 Torrに減圧する工程と、
前記化合物半導体ウエハ（２２）を前記ＩＩＩ−Ｖ成長チャンバ（３５）に移動し、前記化合物半導体ウエハ（２２）の前記表面上に、化合物半導体物質の層（２３）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記化合物半導体ウエハ（２２）を前記転送および装填モジュール（３３）に移動し、次いで前記絶縁チャンバ（３８）に移動し、前記化合物半導体物質の層（２３）上に高純度の結晶性Ｇａ２Ｏ３蒸着源からの酸化ガリウム分子を熱的に蒸着することにより、絶縁キャップ層（２５）を形成する工程とを備える、表面保護方法。
【請求項３】
前記化合物半導体ウエハを用意する工程には、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）の化合物半導体を用意する工程が含まれる、請求項２に記載の表面保護方法。
【請求項４】
化合物半導体ウエハ構造（２２）であって、表面（２４），および該化合物半導体ウエハ構造（２２）の前記表面（２４）上に熱的に蒸着された絶縁キャップ層（２５）を有することを特徴とする化合物半導体ウエハ構造（２２）。