Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザと、
前記複数のレーザから射出された複数のレーザ光を、ステージ上で１つのレーザ光に合成する手段と、
前記合成されたレーザ光を、前記ステージ上において形状を一定に保ちつつ、移動させる手段と
を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
複数のレーザと、
前記複数のレーザから射出された複数のレーザ光のスポットを長尺方向に拡大し、かつ前記拡大された複数のレーザ光を、ステージ上で１つのレーザ光に合成する手段と、
前記合成されたレーザ光を、前記ステージにおいて形状を一定に保ちつつ、移動させる手段と
を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記形状を一定に保ちつつ、移動させる手段は、ガルバノミラーまたはポリゴンミラーと、fθレンズとを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記形状を一定に保ちつつ、移動させる手段は、音響光学偏向器、電気光学偏向器、レゾナントスキャナ、ホログラムスキャナ、またはコニカルスキャナと、fθレンズとを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記スポットを長尺方向に拡大し、かつ前記拡大された複数のレーザ光を、ステージ上で１つのレーザ光に合成する手段は、シリンドリカルレンズを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
複数のレーザから複数のレーザ光を射出し、
前記複数のレーザ光を被照射体上で１つのレーザ光に合成し、
かつ、前記被照射体上において形状を一定に保ちつつ、移動させ、前記被照射体を照射する
ことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
複数のレーザから複数のレーザ光を射出し、
前記複数のレーザ光のスポットを長尺方向に拡大し、前記拡大された複数のレーザ光を被照射体上で１つのレーザ光に合成し、かつ、前記被照射体上において形状を一定に保ちつつ、移動させ、前記被照射体を照射する
ことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記レーザ光はガルバノミラーまたはポリゴンミラーによって偏向され、fθレンズを経由することによって、前記被照射体上において前記レーザ光の形状を一定に保ちつつ、移動し、前記被照射体を照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
請求項６または請求項７において、
前記レーザ光は音響光学偏向器、電気光学偏向器、レゾナントスキャナ、ホログラムスキャナ、またはコニカルスキャナによって偏向され、fθレンズを経由することによって、前記被照射体上において前記レーザ光の形状を一定に保ちつつ、移動し、前記被照射体を照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
シリンドリカルレンズによって前記複数のレーザ光のスポットを長尺方向に拡大することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
請求項６乃至１０に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を加熱する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至１０に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を結晶化する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項６乃至１０に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を活性化する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項６乃至１０に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を活性化する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月24日(2005.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、イオンドーピング法を用いて第１の希ガスを添加し、
第２の希ガスの雰囲気下において、前記第１の希ガスが添加された半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、イオンドーピング法を用いて第１の希ガスを添加し、
第２の希ガスの雰囲気下において、前記第１の希ガスが添加された半導体膜にレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザ光の照射の際に、前記第１の希ガスが添加された半導体膜に超音波による振動を与えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記超音波による振動の周波数は、１００ｋＨｚ以上３０ＭＨｚ未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記第１、前記第２の希ガスの一方又は両方はＡｒであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記第１の希ガスの濃度は、５×１０１８〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光はパルス発振で出力されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光は連続発振で出力されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）第１導電型のシリコンからなる半導体基板上に第１導電型の不純物を含むエピタキシャル層を形成する工程、
（ｂ）前記エピタキシャル層上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁膜に前記エピタキシャル層に達する開口部を形成する工程、
（ｄ）前記開口部の内部を含む前記第１絶縁膜上にパラジウム膜を堆積し、前記開口部の底部にパラジウムとシリコンとの化合物からなる第１化合物層を形成した後に前記シリコンと未反応の前記パラジウム膜を除去する工程、
（ｅ）前記開口部の底部に形成した前記第１化合物層の存在下で、前記開口部の内部を含む前記第１絶縁膜上に金属膜を成膜し、前記金属膜をパターニングすることによって金属電極を形成する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  （ａ）第１導電型のシリコンからなる半導体基板上に第１導電型の不純物を含むエピタキシャル層を形成する工程、
（ｂ）前記エピタキシャル層上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁膜に前記エピタキシャル層に達する開口部を形成する工程、
（ｄ）前記開口部の内部を含む前記第１絶縁膜上にパラジウム膜を堆積し、前記開口部の底部にパラジウムとシリコンとの化合物からなる第１化合物層を形成した後に前記シリコンと未反応の前記パラジウム膜を除去する工程、
（ｅ）前記開口部の底部に形成した前記第１化合物層の存在下で、前記開口部の内部を含む前記第１絶縁膜上に金属膜を成膜し、前記金属膜をパターニングすることによって金属電極を形成する工程、
を含み、前記金属膜はアルミニウム膜および第１金属膜を含み、前記（ｅ）工程は、
（ｅ１）前記開口部の内部を含む前記第１絶縁膜上に前記第１金属膜を成膜し、前記第１金属膜をパターニングする工程、
（ｅ２）パターニングされた前記第１金属膜の存在下で、前記第１金属膜および前記第１絶縁膜上に前記アルミニウム膜を成膜し、前記アルミニウム膜をパターニングすることによって前記金属電極を形成する工程、
を含み、前記第１金属膜は、前記アルミニウム膜から前記金属電極と前記第１化合物層との接合面へのアルミニウム原子の拡散を防止できる金属膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  （ａ）第１導電型のシリコンからなる半導体基板上に第１導電型の不純物を含むエピタキシャル層を形成する工程、
（ｂ）前記エピタキシャル層上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁膜に前記エピタキシャル層に達する開口部を形成する工程、
（ｄ）前記開口部の内部を含む前記第１絶縁膜上にパラジウム膜を堆積し、前記開口部の底部にパラジウムとシリコンとの化合物からなる第１化合物層を形成した後に前記シリコンと未反応の前記パラジウム膜を除去する工程、
（ｅ）前記開口部の底部に形成した前記第１化合物層の存在下で、前記開口部の内部を含む前記第１絶縁膜上に金属膜を成膜し、前記金属膜をパターニングすることによって金属電極を形成する工程、
を含み、前記金属膜はアルミニウム膜および第１金属膜を含み、前記（ｅ）工程は、
（ｅ１）前記開口部の内部を含む前記第１絶縁膜上に前記第１金属膜を成膜し、前記第１金属膜をパターニングする工程、
（ｅ２）パターニングされた前記第１金属膜の存在下で、前記第１金属膜および前記第１絶縁膜上に前記アルミニウム膜を成膜し、前記アルミニウム膜をパターニングすることによって前記金属電極を形成する工程、
を含み、前記第１金属膜は、タングステン膜またはチタン膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  第１導電型の半導体基板上に形成され第１導電型の不純物を含むエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜に形成され前記エピタキシャル層に達する開口部と、前記開口部の底部にて前記エピタキシャル層の表面に形成されたパラジウムとシリコンとの化合物からなる第１化合物層と、前記開口部の内部を含む前記第１絶縁膜上にてパターニングされた金属膜からなり、前記開口部の底部にて前記第１化合物層と接触する金属電極とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  第１導電型の半導体基板上に形成され第１導電型の不純物を含むエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜に形成され前記エピタキシャル層に達する開口部と、前記開口部の底部にて前記エピタキシャル層の表面に形成されたパラジウムとシリコンとの化合物からなる第１化合物層と、前記開口部の内部を含む前記第１絶縁膜上にてパターニングされた金属膜からなり、前記開口部の底部にて前記第１化合物層と接触する金属電極とを含み、前記金属電極は下層から第１金属膜およびアルミニウム膜が積層された積層膜からなり、前記第１金属膜は前記アルミニウム膜から前記金属電極と前記第１化合物層との接合面へのアルミニウム原子の拡散を防止できる金属膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ショットキバリアダイオードの製造技術としては、たとえばｎ型Ｓｉ（シリコン）基板上に低濃度のｎ型エピタキシャル層を形成し、そのｎ型エピタキシャル層の表面に環状のｐ型ガードリング層を形成し、ｎ型エピタキシャル層内部においてｐ型ガードリング層の内側にｎ型高濃度層を形成することにより、逆方向電流を増加させず、また耐圧を低下させることなく順方向電圧を小さくすることのできる技術がある（たとえば、特許文献１参照）。また、ｐ型シリコン基板の上に白金またはパラジウムをデポジットしてシリサイド膜を形成してショットキダイオード形成する技術がある（たとえば、特許文献２参照）。またｎ型の（１００）面のシリコン基板上にバナジウム、パラジウム等を形成してショットキバリアダイオードを形成する技術がある（たとえば、特許文献３参照）。またｎ型のシリコン基板上にプラチナ、パラジウム等を形成してシリサイド層を形成してショットキバリアダイオードを形成する技術がある（たとえば、特許文献４参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−６４８４５号公報（第３−４頁、第１図）
【特許文献２】特開平６−１７７３６６号公報（段落番号〔００２３〕〜〔００２７〕、〔００３７〕、第１図）
【特許文献３】特開２００１−７７３７９号公報（段落番号〔００１７〕〜〔００１９〕、第１図）
【特許文献４】特開２００１−３５２０８０号公報（段落番号〔００１５〕〜〔００１７〕、第１１図〜第１６図）
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月14日(2005.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に発光素子を搭載し収容する凹部を有する絶縁基体に、前記凹部の底面から下面にかけて前記発光素子の電極が電気的に接続される配線層を形成するとともに、前記凹部の内周面に金属反射層を前記凹部の前記底面から離間して被着させて成る発光素子収納用パッケージであって、前記凹部の前記内周面は、前記凹部の前記底面上に形成された垂直面と、該垂直面の上側で前記絶縁基体の上面にかけて外側に広がっている傾斜面とから成り、前記金属反射層は、前記傾斜面に被着されていることを特徴とする発光素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記垂直面は、前記発光素子の厚みより低いことを特徴とする請求項１記載の発光素子収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の発光素子収納用パッケージと、前記凹部に収容され搭載されるとともに前記配線層に電極が電気的に接続された発光素子と、該発光素子を覆う透明樹脂とを具備したことを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記マイクロコンピュータＳＨは、信号ＳＤＲＡＭに対応されたＣＫＩＯ、ＣＫＥ、ＣＳ３Ｂ、ＲＡＳＬＢ、ＣＡＳＬＢ、ＲＤ／ＷＲＢとＷＥ３Ｂ／ＤＱＭＵＵ，ＷＥ２Ｂ／ＤＱＭＵＬ及びＷＥ１Ｂ／ＤＱＭＬＵ，ＷＥ０Ｂ／ＤＱＭＬＬの各制御出力端子を持ち、それぞれがＳＤＲＡＭのＣＬＫ、ＣＫＥ、ＣＳＢ、ＲＡＳＢ、ＣＡＳＢ、ＷＥＢとＤＱＭ７，ＤＱＭ５，ＤＱＭ２，ＤＱＭ０に接続される。ここで、各端子名にＢを付したものは、図面上では端子名にオバーバーを付したロウレベルをアクティブレベルとする論理記号に対応している。上記端子ＷＥ３Ｂ／ＤＱＭＵＵ，ＷＥ２Ｂ／ＤＱＭＵＬ及びＷＥ１Ｂ／ＤＱＭＬＵ，ＷＥ０Ｂ／ＤＱＭＬＬは、マクス信号であり、上記３２ビットからなるデータバスを８ビットずつ４組に分け、ＷＥ３Ｂ／ＤＱＭＵＵ，ＷＥ２Ｂ／ＤＱＭＵＬ及びＷＥ１Ｂ／ＤＱＭＬＵ，ＷＥ０Ｂ／ＤＱＭＬＬによりライト／リードの選択的なマスクを行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004179442.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの主面を有し、前記主面には凹部を有するステムと、
前記凹部に隣接して前記ステムの前記主面から突出して設けられたブロック部と、
前記凹部に面する前記ブロック部の面に配置されたサブマウントと、
前記主面に垂直な垂線方向の主面からの距離で、前記主面との交点を０とし、前記主面の内側を負符号、外側を正符号とした場合に、前記サブマウントの上に両端部の前記主面からの距離が負符号及び正符号となるように配置された半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子と接続されている端子と
を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記凹部を構成する底面は、前記主面に対して傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記ブロック部は、前記ステムと異なる部材からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２において、半導体基板５００にはＮウェル５０１及びＰウェル５１１が形成され、それぞれにはＰＭＯＳトランジスタＱＰ及びＮＭＯＳトランジスタＱＮが形成されている。ＰＭＯＳトランジスタＱＰ及びＮＭＯＳトランジスタＱＮはＣＭＯＳトランジスタを構成している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
浮遊電極２０１が電極２００に対して半導体基板５００と反対側に現れる高電位配線断面が、延在する電極２００のいずれかの位置において存在する。もちろん、延在する電極２００の全ての位置における高電位配線断面において浮遊電極２０１が電極２００に対して半導体基板５００と反対側に現れてもよい。また浮遊電極２１１が電極２００に対して半導体基板５００側に現れる高電位配線断面が、延在する電極２００のいずれかの位置において存在する。もちろん、延在する電極２００の全ての位置における高電位配線断面において浮遊電極２１１が電極２００に対して半導体基板５００側に現れてもよい。更に、浮遊電極２０１，２１１及び電極２００が全て現れる高電位配線断面が存在する必要はない。但し、図９に示されるように、これらの電極が全て現れる高電位配線断面が存在してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
半導体基板５００と絶縁層１０１の間には絶縁層１０５が設けられ、絶縁層１０１，１０５の境界には浮遊電極２１１及び電極２１２，２１３が同じ層に配置されている。かかる構造は例えば半導体基板５００上に絶縁層１０５、浮遊電極２１１及び電極２１２，２１３、絶縁層１０１を順次に形成することによって得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
電極２１２，２１３には低電位ＧＮＤが印加される。浮遊電極２０１が電極２００に対して半導体基板５００と反対側に現れる高電位配線断面が、延在する電極２００のいずれかの位置において存在する。もちろん、延在する電極２００の全ての位置における高電位配線断面において浮遊電極２０１が電極２００に対して半導体基板５００と反対側に現れてもよい。また浮遊電極２１１が電極２００に対して半導体基板５００側に現れる高電位配線断面が、延在する電極２００のいずれかの位置において存在する。もちろん、延在する電極２００の全ての位置における高電位配線断面において浮遊電極２１１が電極２００に対して半導体基板５００側に現れてもよい。更に、浮遊電極２０１，２１１及び電極２００が全て現れる高電位配線断面が存在する必要はない。但し、図１０に示されるように、これらの電極が全て現れる高電位配線断面が存在してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
ｐウェル４３においてはトランジスタＱＮが形成されている。ｐウェル４３の表面にはそれぞれドレイン、ソースとして機能するｎ+不純物領域４１，４２が離れて設けられている。ｎ+不純物領域４１，４２に挟まれたｐウェル４３の上方にはゲート電極４６が設けられている。分離絶縁膜１２ｃに対してｐウェル４３と反対側のｎ-半導体層３の表面にはトランジスタＱＰが設けられている。この位置でのｎ-半導体層３の表面には、それぞれドレイン、ソースとして機能するｐ+不純物領域３１，３２が離れて設けられている。ｐ+不純物領域３１，３２に挟まれたｎ-半導体層３の上方にはゲート電極３６が設けられている。そしてトランジスタＱＮ，ＱＰは層間絶縁膜１８によって覆われている。なおｎ-半導体層３とゲート電極３６との間に存在するゲート絶縁膜、ｐウェル４３とゲート電極４６との間に存在するゲート絶縁膜は、層間絶縁膜１８に含めて示されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図１５乃至図１７は本実施の形態の効果を説明する断面図である。図１５及び図１６は本発明を適用しない場合を例示し、図１７は本発明を適用した場合を例示する。図１５においては図１４に示された構造に対して浮遊電極２０１、電極２０２、絶縁層１１０を採用せず、層間絶縁膜８上をモールド樹脂１２０で覆った構造を採っている。そのため、ドレイン電極１５や浮遊電極５０からトランジスタＱＮ，ＱＰへと向かって発生する電界７０３により、モールド樹脂１２０には分極が生じる。図１６はかかる分極が招来する問題を示している。図３で説明したのと同様にバンド構造の変化した領域６０１が発生する。更には分離絶縁膜１２ｄに近い側での空乏層Ｊの端がドレイン電極１５から遠のくように押し出され、ｎ-半導体層３における空乏層Ｊの伸びを阻む。これは分離絶縁膜１２ｄの下方での電界集中を、ひいては高耐圧ＮＭＯＳトランジスタＡの耐圧低下を招来する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
図１４に対して絶縁層１１０上をモールド樹脂１２０で覆って得られる図１７の構造について見れば、ドレイン電極１６や浮遊電極５０から発生する電界は浮遊電極２０１によって遮蔽される。よって領域６０１の発生や、空乏層Ｊの伸びの阻止を回避することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
図２０はゲート電極群１９ｂの近傍を示す斜視図である。図２０においても各電極の配置を把握し易くするため、層間絶縁膜１８及び絶縁層１１０を透明であると仮定して描いている。例えば浮遊電極２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃがゲート電極４１９ｂ，５１９ｂ，６１９ｂの上方に配置される。これにより、金属配線１４についての高電位配線断面として、浮遊電極２０１ａ、金属配線１４、ゲート電極４１９ｂが現れる断面を選ぶことができる。その場合、当該断面に現れる浮遊電極２０１ａ、ゲート電極４１９ｂ、金属配線１４は、それぞれ図１０で示された浮遊電極２０１、浮遊電極２１１、電極２００に相当する。また図２０での電極２０２及びゲート電極３１９ｂはそれぞれ図１０での電極２０２及び電極２１２に相当する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図２１は本実施の形態の変形を示す斜視図である。図２１に示された構造は、図２０に示された構造における電極２０２が、電極２０２ａと浮遊電極２０２ｂ，２０２ｃに分割された構造を呈している。電極２０２ａ及びゲート電極３１９ｂには電位ＧＮＤが印加されており、浮遊電極２０２ｂは電極２０２ａと、浮遊電極２０２ｃは浮遊電極２０２ｂと、それぞれ静電結合している。低電位ＧＮＤが印加された電極２０２ａと直接又は間接に静電結合する浮遊電極２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ，２０２ｂ，２０２ｃが、高電位が印加された金属配線１４の上方を覆うので、絶縁耐圧を高めつつ電界を遮蔽できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月18日(2005.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体素子を含むパッケージ本体とそのパッケージ本体から引き出された複数のリード線とを備える半導体装置であって、
前記パッケージ本体は、１以上の貫通穴を有し、
複数の前記リード線は、前記パッケージ本体の周囲のうち少なくとも対向する２辺から引き出され、かつ、その前記パッケージ本体と離れた側の端部近傍が曲線状に折り曲げられ、
その折り曲げられた部分は、接続されるべき配線パターンに対向する前記パッケージ本体の第１の面を含む平面よりも前記配線パターン側に存在することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記リード線の前記パッケージ本体と離れた側の端部近傍が、前記第１の面近くで、前記第１の面からその第１の面に垂直な方向に離れた位置で、その第１の面に向かって、配線パターンの方に凸に曲線状に折り曲げられ、
折り曲げられた前記リード線の先端と、前記第１の表面との間に隙間が設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
一主面に複数本のインナリードが敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されているとともに、この半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードにボンディングされている半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記ボンディングに際して、前記インナリードの一部がボンディング工具の先端部によってインナリードの中間部分を押されることにより弯曲されるとともに、前記インナリードの先端部分を前記電極パッドに対応する位置に移動させ、前記ボンディング工具によって前記電極パッドに押し付けられてボンディングされることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、一主面に複数本のインナリードが敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されているとともに、この半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードにボンディングされている半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記ボンディングに際して、前記インナリードの一部がボンディング工具の先端部によってインナリードの中間部分を押されることにより弯曲されるとともに、前記インナリードの先端部分を前記電極パッドに対応する位置に移動させ、前記ボンディング工具によって前記電極パッドに押し付けられてボンディングされることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フレーム間符号化された動画データを記録するとともに、動画と共通の符号化方式を用いて静止画データを所定期間分の映像として記録可能とする画像記録方式であって、
前記所定期間分の映像として記録される静止画データを保持するための静止画フレームメモリ手段と、
画像データを量子化する量子化手段と、
前記静止画フレームメモリ手段から出力された静止画データを量子化するときに前記量子化手段を制御して、動画データを量子化するときよりも細かい量子化ステップで量子化させる制御手段とを備えたことを特徴とする画像記録方式。
【請求項２】  前記量子化手段では、量子化マトリクスと量子化特性値の積によって量子化することを特徴とする請求項１に記載の画像記録方式。
【請求項３】  前記静止画フレームメモリ手段から出力された静止画データを量子化するときには、動画データの量子化特性値よりも細かいステップの量子化特性値を用いることを特徴とする請求項２に記載の画像記録方式。
【請求項４】  前記静止画フレームメモリ手段から出力された静止画データを量子化するときには、動画データの量子化マトリクスとは異なる静止画データ用の量子化マトリクスを用いることを特徴とする請求項２に記載の画像記録方式。
【請求項５】  前記静止画データ用の量子化マトリクス情報を、前記静止画データを符号化したときの符号化データ内に記録することを特徴とする請求項４に記載の画像記録方式。
【請求項６】  フレーム間符号化の動き補償予測を行う動き補償予測手段をさらに有し、前記制御手段は、前記静止画フレームメモリ手段から出力された静止画データを量子化するときに前記動き補償予測手段を制御して、フレーム間符号化の動き補償予測のための動きベクトルを強制的に０とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像記録方式。
【請求項７】  フレーム間符号化された動画データを記録するとともに、動画と共通の符号化方式を用いて静止画データを所定期間分の映像として記録可能とする画像記録方式であって、
前記所定期間分の映像として記録される静止画データを保持するための静止画フレームメモリ手段と、
画像データを量子化する量子化手段と、
前記静止画フレームメモリ手段から出力された同一フレームの静止画データを量子化する間は、量子化ステップの変更を行わないように前記量子化手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする画像記録方式。
【請求項８】  前記制御手段は、前記静止画データの記録開始前の符号量制御バッファの充填率と、前記静止画データの記録開始点のフレーム符号化単位の符号量とによって、以後の量子化ステップサイズを決定することを特徴とする請求項７に記載の画像記録方式。
【請求項９】  フレーム間符号化の動き補償予測を行う動き補償予測手段をさらに有し、前記制御手段は、前記静止画フレームメモリ手段から出力された静止画データを量子化するときに前記動き補償予測手段を制御して、フレーム間符号化の動き補償予測のための動きベクトルを強制的に０とすることを特徴とする請求項７又は８に記載の画像記録方式。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の画像記録方式は、フレーム間符号化された動画データを記録するとともに、動画と共通の符号化方式を用いて静止画データを所定期間分の映像として記録可能とする画像記録方式であって、前記所定期間分の映像として記録される静止画データを保持するための静止画フレームメモリ手段と、画像データを量子化する量子化手段と、前記静止画フレームメモリ手段から出力された静止画データを量子化するときに前記量子化手段を制御して、動画データを量子化するときよりも細かい量子化ステップで量子化させる制御手段とを備えた点に特徴を有する。
本発明の他の画像記録方式は、フレーム間符号化された動画データを記録するとともに、動画と共通の符号化方式を用いて静止画データを所定期間分の映像として記録可能とする画像記録方式であって、前記所定期間分の映像として記録される静止画データを保持するための静止画フレームメモリ手段と、画像データを量子化する量子化手段と、前記静止画フレームメモリ手段から出力された同一フレームの静止画データを量子化する間は、量子化ステップの変更を行わないように前記量子化手段を制御する制御手段とを備えた点に特徴を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月17日(2005.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ半導体からなる種子基板と支持基板とを絶縁層を介して貼り合わせる工程と、
前記種子基板に形成した多孔質層から前記種子基板を分離する工程と、
前記支持基板に形成した多孔質層から前記支持基板を分離する工程と
を含む超薄型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
それぞれ半導体からなる種子基板および支持基板の両方に多孔質層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板の両方に、それぞれ前記多孔質層を介して半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板の少なくとも一方に、前記半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
前記種子基板を、同種子基板の多孔質層から分離する工程と、
水素アニール処理により前記半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記半導体層に半導体デバイスを形成する工程と、
前記支持基板を、同支持基板の多孔質層から分離する工程と
を含む超薄型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記多孔質層からの分離は、回転中の前記多孔質層への気体、液体、または気体と液体との混合体の高圧流体ジェットの噴射により行う
ことを特徴とする請求項２記載の超薄型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記高圧流体ジェットは、微細な固体を添加したものである
ことを特徴とする請求項３記載の超薄型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記高圧流体ジェットは、超音波を印加したものである
ことを特徴とする請求項３記載の超薄型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体からなる種子基板に第１イオン注入層を形成する工程と、
半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第１イオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記第１イオン注入層と絶縁層とを共有結合させる工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を前記第１イオン注入層から分離して半導体層を形成する工程と、
水素アニール処理により前記半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
このエッチングした半導体層に半導体デバイスを形成する工程とを含み、
さらにこれらの工程後に、
前記支持基板の表面から所定深さに第２イオン注入層を形成する工程と、
前記第２イオン注入層の剥離用アニール処理を行う工程と、
前記支持基板を前記第２イオン注入層から分離する工程と
を含む超薄型半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】超薄型半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板の上に形成された半導体層を基板から分離して超薄型の半導体装置を得るための超薄型半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そこで、本発明においては、従来の５０μｍよりも薄い、例えば１〜１０μｍ程度の超薄型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理方法ならびにプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原稿画像を読み取り、設定情報に従って該原稿画像を処理することが可能な画像処理装置における画像処理方法であって、
読み取られた原稿画像が、設定情報を記載した原稿であるか否かを、予め登録されたフォーマットに基づいて識別する識別工程と、
読み取られた原稿画像が、設定情報を記載した原稿であると識別した場合、該読み取られた原稿画像に記載された設定情報を設定する設定工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】  前記識別工程は、
前記読み取られた原稿画像の所定の位置に付された情報に基づいて、設定情報を記載した原稿であるか否かを識別することを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項３】  前記識別工程は、
前記読み取られた原稿画像に付加された電子透かしの情報に基づいて、設定情報を記載した原稿であるか否かを識別することを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項４】  前記識別工程は、
前記読み取られた原稿画像に付加された２次元バーコードの情報に基づいて、設定情報を記載した原稿であるか否かを識別することを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項５】  読み取られた原稿画像を送信する画像送信工程を更に備え、
前記画像送信工程は、前記設定情報のうち、読み取られた原稿画像を送信するための宛先についての情報に従って、該読み取られた原稿画像を送信することを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項６】  電子メールを送信するメール送信工程を更に備え、
前記メール送信工程は、前記設定情報のうち、電子メール送信先アドレスについての情報に従って、電子メールを送信することを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項７】  前記設定情報を表示する表示工程を更に備え、該表示工程は、前記読み取られた原稿画像に記載された設定情報に不備がある場合に、該不備のある設定項目を表示することを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項８】  前記設定情報を音声出力する音声出力工程を更に備え、該音声出力工程は、前記読み取られた原稿画像に記載された設定情報に不備がある場合に、該不備のある設定項目を音声出力することを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項９】  前記設定情報を補正する補正工程を更に備え、該補正工程は、認識した音声入力に基づいて前記設定情報を補正することを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項１０】  読み取られた原稿画像を合成する画像合成工程を更に備え、
前記画像合成工程は、前記設定情報に記載された、合成のための画像を用いて、画像合成を行うことを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項１１】  前記原稿画像を処理するために用いた設定情報を、該原稿画像の処理後に印刷出力する印刷出力工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項１２】  前記原稿画像を処理するために用いた設定情報を、過去１回または複数回にわたって記憶しておくことを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項１３】  前記読み取られた原稿画像に記載された設定情報に基づいて、前記過去の設定情報を選択することを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項１４】  前記選択された過去の設定情報を読み出し、該設定情報と前記読み取られた原稿画像に記載された設定情報とを用いて、新たな設定情報を生成することを特徴とする請求項１３に記載の画像処理方法。
【請求項１５】  原稿画像を読み取り、設定情報に従って該原稿画像を処理することが可能な画像処理装置であって、
読み取られた原稿画像が、設定情報を記載した原稿であるか否かを、予め登録されたフォーマットに基づいて識別する識別手段と、
読み取られた原稿画像が、設定情報を記載した原稿であると識別した場合、該読み取られた原稿画像に記載された設定情報を設定する設定手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１６】  請求項１乃至１４のいずれか１つに記載の画像処理方法をコンピュータによって実現させるための制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月6日(2005.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カメラモジュールおよび該カメラモジュールを搭載する携帯電話
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に配置した凹部と他方の面に配置した曲面とを有するミラー形成用透明体と、
前記凹部および前記曲面に形成した光反射層と、
前記凹部に形成した光反射層よりなる凹面鏡と、前記曲面に形成した光反射層よりなる反射鏡とにより、入射光の光路を折り返すミラーレンズ系と、
前記凹面鏡を入射光側略中央部に前記反射鏡を前記入射光と対向する側にそれぞれ配置して前記ミラーレンズ系を収納するレンズホルダと、
からなるカメラモジュール。
【請求項２】
前記ミラーレンズ系からの被写体像を結像する撮像素子と、
前記ミラー形成透明体の外周および前記レンズホルダ内周にそれぞれに設けられ、互いを螺合可能にすることにより前記ミラー形成透明体の光軸方向の位置を調整可能にするネジ部と、
を更に備えた請求項１に記載のカメラモジュール。
【請求項３】
前記ミラー形成透明体の前記ネジ部に反射防止塗装処理を施した請求項２記載のカメラモジュール。
【請求項４】
一方の面に配置した凹部と他方の面に配置した曲面とを有するミラー形成用透明体と、
前記凹部および前記曲面に形成した光反射層と、
前記凹部に形成した光反射層よりなる凹面鏡と、前記曲面に形成した光反射層よりなる反射鏡とにより、入射光の光路を折り返すミラーレンズ系と、
前記凹面鏡を入射光側略中央部に前記反射鏡を前記入射光と対向する側にそれぞれ配置して前記ミラーレンズ系を収納するレンズホルダと、
前記ミラーレンズ系からの被写体像を結像する撮像素子と、
前記撮像素子を保持すると共にフレキシブル基板を接続する基板と、
からなるカメラモジュールと、
前記フレキシブル基板を接続可能なコネクタと、該コネクタを介して前記カメラモジュールと接続される電子回路と、
を含むカメラモジュールを搭載する携帯電話。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明による請求項１におけるカメラモジュールは、一方の面に配置した凹部と他方の面に配置した曲面とを有するミラー形成用透明体と、前記凹部および前記曲面に形成した光反射層と、前記凹部に形成した光反射層よりなる凹面鏡と、前記曲面に形成した光反射層よりなる反射鏡とにより、入射光の光路を折り返すミラーレンズ系と、前記凹面鏡を入射光側略中央部に前記反射鏡を前記入射光と対向する側にそれぞれ配置して前記ミラーレンズ系を収納するレンズホルダと、から構成されている。
また、請求項２は請求項１の記載において、前記ミラーレンズ系からの被写体像を結像する撮像素子と、前記ミラー形成透明体の外周および前記レンズホルダ内周にそれぞれに設けられ、互いを螺合可能にすることにより前記ミラー形成透明体の光軸方向の位置を調整可能にするネジ部と、を更に備えて構成されている。
そして、請求項３は請求項２の記載において、前記ミラー形成透明体の前記ネジ部に反射防止塗装処理を施した構成になっている。
請求項４におけるカメラモジュールを搭載する携帯電話は、一方の面に配置した凹部と他方の面に配置した曲面とを有するミラー形成用透明体と、前記凹部および前記曲面に形成した光反射層と、前記凹部に形成した光反射層よりなる凹面鏡と、前記曲面に形成した光反射層よりなる反射鏡とにより、入射光の光路を折り返すミラーレンズ系と、前記凹面鏡を入射光側略中央部に前記反射鏡を前記入射光と対向する側にそれぞれ配置して前記ミラーレンズ系を収納するレンズホルダと、前記ミラーレンズ系からの被写体像を結像する撮像素子と、前記撮像素子を保持すると共にフレキシブル基板を接続する基板と、からなるカメラモジュールと、前記フレキシブル基板を接続可能なコネクタと、該コネクタを介して前記カメラモジュールと接続される電子回路と、を含む構成になっている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るデルタシグマ変調器は、請求項１に記載したように、ディジタルオーディオ信号の量子化ノイズを高周波帯域にシフトすることにより、当該ディジタルオーディオ信号の帯域のノイズを削減するデルタシグマ変調器であって、前記ディジタルオーディオ信号の量子化ビット数を検出する量子化ビット数検出手段と、前記ディジタルオーディオ信号のボリューム設定値を検出するボリューム設定値検出手段と、シェーピング特性の異なる複数のフィルタ係数を有し前記量子化ノイズを通過させるフィルタ手段と、前記量子化ビット数検出手段の検出結果と前記ボリューム設定値検出手段の検出結果とに応じて、前記フィルタ手段のフィルタ係数を切り替えるフィルタ係数切替手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御対象信号を制御する位相同期ループ装置（以下、「ＰＬＬ装置」と記す）において、
基準信号を入力し、上記基準信号を、所定時間遅延させた遅延基準信号を生成し、上記基準信号と上記遅延基準信号との論理和を調整基準信号として生成する基準信号入力部と、
上記調整基準信号と上記制御対象信号とを入力し、上記調整基準信号と上記制御対象信号とを比較して位相差を検出する位相比較部と、
上記位相比較部が検出した位相差を入力し、上記位相差を制御する位相制御部と
を備えることを特徴とするＰＬＬ装置。
【請求項２】
上記基準信号入力部は、
上記基準信号を、所定時間遅延させた遅延基準信号を生成する遅延部と、
上記基準信号と上記遅延部が生成した遅延基準信号とを入力し、上記基準信号と上記遅延基準信号との論理和の信号を上記調整基準信号として出力する論理和部と
を備えることを特徴とする請求項１記載のＰＬＬ装置。
【請求項３】
上記ＰＬＬ装置は、さらに、
上記基準信号入力部が生成した調整基準信号と制御対象信号とを入力し、上記調整基準信号と上記制御対象信号とを比較して位相差を検出する位相比較部と、
上記位相比較部が検出した位相差を入力し、入力した位相差に従い、電気を供給するチャージポンプと、
上記チャージポンプから供給される電気を蓄積し、上記蓄積した電気を電圧へ変換するループフィルタと、
上記ループフィルタが変換した電圧を入力し、入力した電圧に基づいた周波数の信号を生成する電圧制御発振部と、
上記電圧制御発振部が生成した信号を入力し、入力した信号を上記制御対象信号として上記位相比較部へ分周する分周器と
を備えることを特徴とする請求項１記載のＰＬＬ装置。
【請求項４】
上記ＰＬＬ装置は、さらに、
上記位相比較部が比較した位相差を入力し、上記位相差に基づいて同期状態を検出し、同期状態であるか否かを示す位相同期状態信号を出力する位相同期検出部と、
上記位相同期検出部から上記位相同期状態信号を入力し、上記位相同期状態信号に基づいて、チャージポンプが供給する電気の供給を制御するチャージポンプ制御部と
を備えることを特徴とする請求項３記載のＰＬＬ装置。
【請求項５】
上記ＰＬＬ装置は、さらに、
上記位相比較部が比較した位相差を入力し、上記位相差に基づいて同期状態を検出し、同期状態であるか否かを示す位相同期状態信号を出力する位相同期検出部と、
上記位相比較部が出力した位相差と上記位相同期検出部が出力した上記位相同期状態信号とを入力し、上記位相差を、上記位相同期状態信号に基づいて、段階的に変化させるように制御し、制御した位相差を上記チャージポンプへ出力する位相差制御部と
を備えることを特徴とする請求項３記載のＰＬＬ装置。
【請求項６】
制御対象信号を制御する位相同期ループ方法において、
上記基準信号を入力し、
上記基準信号を所定時間遅延させた遅延基準信号を生成し、
上記基準信号と、上記生成した遅延基準信号との論理和を調整基準信号として生成し、
生成した調整基準信号と、制御対象信号とを比較して位相差を検出し、
検出した位相差を抑制するように制御することを特徴とする位相同期ループ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る位相同期ループ装置（ＰＬＬ装置）は、制御対象信号を制御するＰＬＬ装置において、
基準信号を入力し、上記基準信号を、所定時間遅延させた遅延基準信号を生成し、上記基準信号と上記遅延基準信号との論理和を調整基準信号として生成する基準信号入力部と、
上記調整基準信号と上記制御対象信号とを入力し、上記調整基準信号と上記制御対象信号とを比較して位相差を検出する位相比較部と、
上記位相比較部が検出した位相差を入力し、上記位相差を制御する位相制御部と
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面に触媒層を形成した触媒層形成基体を、その触媒層面が固体高分子電解質膜に接するように、含水状態の固体高分子電解質膜の片面または両面に積層した基体−電解質膜積層体を、２枚のフィルムの間に挟んだ状態で加熱圧接されたことを特徴とする、触媒層−電解質膜接合体の製造方法。
【請求項２】  請求項１記載の方法で作製した触媒層−電解質膜接合体を用いたガス拡散電極−電解質膜接合体を備えたことを特徴とする固体高分子電解質型燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  正極および負極は集電体の両面に電極合剤が取り付けられたシート状極板とし、正極または負極の少なくとも一方の極板における集電体の両面の電極合剤の多孔度が異なり、正極板および負極板を、電極合剤の多孔度が大きい面を外側に、電極合剤の多孔度が小さい面を内側にして、セパレータを介して巻回されたことを特徴とする非水電解質電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明になる非水電解質電池は、正極および負極は集電体の両面に電極合剤が取り付けられたシート状極板とし、正極または負極の少なくとも一方の極板における集電体の両面の電極合剤の多孔度が異なり、正極板および負極板を、電極合剤の多孔度が大きい面を外側に、電極合剤の多孔度が小さい面を内側となるように、セパレータを介して巻回されてなる発電要素を用いるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体高分子電解質膜をアノード側電極およびカソード側電極で挟んで構成される単位燃料電池セルとセパレータとを水平方向に交互に積層するとともに、
前記アノード側電極に燃料ガスを供給する燃料ガス流路と、前記カソード側電極に酸化剤ガスを供給する酸化剤ガス流路とが設けられた燃料電池スタックであって、
前記燃料電池スタックのエンドプレートに設けられ、前記燃料ガス流路および前記酸化剤ガス流路の入口側に連結される第１および第２供給配管と、
前記エンドプレートに設けられ、前記燃料ガス流路および前記酸化剤ガス流路の出口側に連結される第１および第２排出配管と、
を備え、
前記第１供給配管、前記第２供給配管、前記第１排出配管および前記第２排出配管のうち少なくとも１つは、管路の一部分に他の部分よりも下方に突出する段差部位を有した拡大部を設けることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項２】
固体高分子電解質膜をアノード側電極およびカソード側電極で挟んで構成される単位燃料電池セルとセパレータとを交互に積層するとともに、
前記アノード側電極に燃料ガスを供給する燃料ガス流路と、前記カソード側電極に酸化剤ガスを供給する酸化剤ガス流路とが設けられた燃料電池スタックであって、
前記燃料電池スタックのエンドプレートに設けられ、前記燃料ガス流路および前記酸化剤ガス流路の入口側に連結される第１および第２供給配管と、
前記エンドプレートに設けられ、前記燃料ガス流路および前記酸化剤ガス流路の出口側に連結される第１および第２排出配管と、
を備え、
前記第１供給配管、前記第２供給配管、前記第１排出配管および前記第２排出配管のうち少なくとも１つは、前記燃料電池スタックに向かって上方に傾斜する傾斜部を設けることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項３】
請求項１または２記載の燃料電池スタックにおいて、前記第１供給配管、前記第２供給配管、前記第１排出配管および前記第２排出配管のうち少なくとも１つに連通する液溜まり部を設けるとともに、
前記液溜まり部には、該液溜まり部に貯留される水の水位を検出する水位計と、
前記水位計により前記液溜まり部に一定量以上の水が貯留されたと判断された際、前記液溜まり部の水を排出するための排出弁と、
が設けられることを特徴とする燃料電池スタック。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（表１）より本発明の電池Ａ、Ｂ、Ｃの重量当たりのエネルギー密度を比較例の電池Ｄ、Ｅと比較すると本発明の効果は明らかである。銅箔に０．０２０ｗｔ％以上の鉄を含む銅箔を負極集電体として用いた電池Ａ、Ｂ、Ｃは銅箔の厚みを１２μｍ以下にした場合でも実使用に耐える機械的強度を有するので銅箔の厚みを薄くすることが可能であり電池の重量当たりのエネルギー密度を向上させることができる。一方、比較例３に用いた銅箔は圧延に耐えうる機械的強度を有しないために実用には耐えがたい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１に、上述の方法で作成した正、負極板を用いて作成したコイン電池の断面図を示す。電池作成手順としては、先ず、予めケース（５）に接合した集電体（７）に正極（６）を圧着した。続いて、セパレータとしての多孔質ポリエチレンシート（４）を設置し、電解液としてエチレンカーボネートとジエチルカーボネートの１：１の混合溶媒に１Ｍの濃度で六フッ化リン酸リチウムを溶解した溶液をケース内に充填した。このケースに負極（２）を設置した封口板（１）に予め圧着したものを重ねた後、プレス封口機を用いかしめ封口してコイン型電池を作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紙幣を吸着するための開口をもつ吸引手段と、この吸引手段に配設されている排気手段と、前記吸引手段の開口を横断して配設され前記吸着された紙幣を吸着に抗して送り出すための送り出し手段と、を備えていることを特徴とした紙幣の払い出し装置。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記送り出し手段が正方向にも逆方向にも走行可能であることを特徴とした紙幣の払い出し装置。
【請求項３】
請求項２の記載において、前記送り出し手段がエンドレスなベルトであることを特徴とした紙幣の払い出し装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、紙幣を吸着するための開口をもつ吸引手段と、この吸引手段に配設されている排気手段と、前記吸引手段の開口を横断して配設され前記吸着された紙幣を吸着に抗して送り出すための送り出し手段と、を備えていることを特徴とした紙幣の払い出し装置である。また本発明は、前記送り出し手段が正方向にも逆方向にも走行可能であることを特徴とした紙幣の払い出し装置である。また本発明は、前記送り出し手段がエンドレスなベルトであることを特徴とした紙幣の払い出し装置である。