【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された複数の第２の電極と、前記複数の第２の電極上に形成された第２の絶縁膜と、を有する薄膜トランジスタを有し、
前記半導体膜は複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域にそれぞれ接する複数の不純物領域とを有し、
前記複数の不純物領域のうち、前記複数のチャネル形成領域に挟まれていない２つはソース領域またはドレイン領域として機能し、
前記第１の電極は、前記複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域に挟まれている前記不純物領域と重なっており、
前記複数の第２の電極は、それぞれ前記複数のチャネル形成領域と重なっており、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された第２の電極と、前記第２の電極上に形成された第２の絶縁膜と、を有する薄膜トランジスタを有し、
前記半導体膜は複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域にそれぞれ接する複数の不純物領域とを有し、
前記複数の不純物領域のうち、前記複数のチャネル形成領域に挟まれていない２つはソース領域またはドレイン領域として機能し、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域に挟まれている前記不純物領域と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された複数の第２の電極と、前記複数の第２の電極上に形成された第２の絶縁膜と、を有する薄膜トランジスタを有し、
前記半導体膜は複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域にそれぞれ接する複数の第１の不純物領域と、前記複数の第１の不純物領域にそれぞれ接する複数の第２の不純物領域とを有し、
前記複数の第２の不純物領域のうち、前記複数の第１の不純物領域に挟まれていない２つはソース領域またはドレイン領域として機能し、
前記第１の電極は、前記複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域に挟まれている前記第１の不純物領域と、前記複数の第１の不純物領域に挟まれている前記第２の不純物領域と重なっており、
前記複数の第２の電極は、それぞれ前記複数のチャネル形成領域と重なっており、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された第２の電極と、前記第２の電極上に形成された第２の絶縁膜と、を有する薄膜トランジスタを有し、
前記半導体膜は複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域にそれぞれ接する複数の第１の不純物領域と、前記複数の第１の不純物領域にそれぞれ接する複数の第２の不純物領域とを有し、
前記複数の第２の不純物領域のうち、前記複数の第１の不純物領域に挟まれていない２つはソース領域またはドレイン領域として機能し、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域に挟まれている前記第１の不純物領域と、前記複数の第１の不純物領域に挟まれている前記第２の不純物領域と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第１の不純物領域の不純物濃度は、前記第２の不純物領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された複数の第２の電極と、前記複数の第２の電極上に形成された第２の絶縁膜と、を有する薄膜トランジスタを有し、
前記半導体膜は複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域にそれぞれ接する複数の不純物領域とを有し、
前記複数の不純物領域のうち、前記複数のチャネル形成領域に挟まれていない２つはソース領域またはドレイン領域として機能し、
前記第１の電極は、前記複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域に挟まれている前記不純物領域と重なっており、
前記複数の第２の電極は、それぞれ前記複数のチャネル形成領域と重なっており、互いに電気的に接続され、
前記第１の電極と前記複数の第２の電極とは、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された第２の電極と、前記第２の電極上に形成された第２の絶縁膜と、を有する薄膜トランジスタを有し、
前記半導体膜は複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域にそれぞれ接する複数の不純物領域とを有し、
前記複数の不純物領域のうち、前記複数のチャネル形成領域に挟まれていない２つはソース領域またはドレイン領域として機能し、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域に挟まれている前記不純物領域と重なっており、
前記第１の電極と前記第２の電極とは、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された複数の第２の電極と、前記複数の第２の電極上に形成された第２の絶縁膜と、を有する薄膜トランジスタを有し、
前記半導体膜は複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域にそれぞれ接する複数の第１の不純物領域と、前記複数の第１の不純物領域にそれぞれ接する複数の第２の不純物領域とを有し、
前記複数の第２の不純物領域のうち、前記複数の第１の不純物領域に挟まれていない２つはソース領域またはドレイン領域として機能し、
前記第１の電極は、前記複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域に挟まれている前記第１の不純物領域と、前記複数の第１の不純物領域に挟まれている前記第２の不純物領域と重なっており、
前記複数の第２の電極は、それぞれ前記複数のチャネル形成領域と重なっており、互いに電気的に接続され、
前記第１の電極と前記複数の第２の電極とは、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された第２の電極と、前記第２の電極上に形成された第２の絶縁膜と、を有する薄膜トランジスタを有し、
前記半導体膜は複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域にそれぞれ接する複数の第１の不純物領域と、前記複数の第１の不純物領域にそれぞれ接する複数の第２の不純物領域とを有し、
前記複数の第２の不純物領域のうち、前記複数の第１の不純物領域に挟まれていない２つはソース領域またはドレイン領域として機能し、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域に挟まれている前記第１の不純物領域と、前記複数の第１の不純物領域に挟まれている前記第２の不純物領域と重なっており、
前記第１の電極と前記第２の電極とは、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記第１の不純物領域の不純物濃度は、前記第２の不純物領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の電極と前記第２の電極とは、前記半導体膜の外側の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜とに形成された開口部において電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に切り離したときに、前記第１の電極にグラウンドの電圧を印加したときの前記薄膜トランジスタの閾値と、第２の電極にグラウンドの電圧を印加したときの前記薄膜トランジスタの閾値はほぼ同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記薄膜トランジスタは２つ以上積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の誘電率がほぼ同じであり、
前記第１の絶縁膜の前記第１の電極と重なっている部分の膜厚と、前記第２の絶縁膜の前記第２の電極と重なっている部分の膜厚がほぼ同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記第１の絶縁膜は、化学的機械研磨により平坦化された絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記平坦化された第１の絶縁膜は、表面における凹凸の高低差が５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記平坦化された第１の絶縁膜は、表面における凹凸の高低差が１ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域と前記第１の電極とが重なっている部分における前記平坦化された第１の絶縁膜の膜厚をｄ１とし、前記チャネル形成領域と前記第２の電極とが重なっている部分における前記第２の絶縁膜の膜厚をｄ２とすると、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．１、かつ｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．１を満たしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１７のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域と前記第１の電極とが重なっている部分における前記平坦化された第１の絶縁膜の膜厚をｄ１とし、前記チャネル形成領域と前記第２の電極とが重なっている部分における前記第２の絶縁膜の膜厚をｄ２とすると、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．０５、かつ｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．０５を満たしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９に記載の半導体装置を有することを特徴とするマイクロプロセッサ、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、画像再生装置、ゴーグル型ディスプレイ、ビデオカメラまたは携帯電話。