【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書
【発明の名称】  ＩＣ素子の製造方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定のプロセスを経て作製されたウエハの表面保護膜上にアンテナコイルを形成した後、当該アンテナコイルが形成されたウエハをスクライビングしてアンテナコイルが前記表面保護膜上に形成されたＩＣ素子を得ることを特徴とするＩＣ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ上にコイルが形成されたＩＣ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、所定形状の基体内にＩＣ素子と当該ＩＣ素子の端子部に電気的に接続されたアンテナコイルとを備え、リーダライタからの電力の受給及びリーダライタとの間の信号の送受信を電磁波を用いて非接触で行う非接触式の情報担体が知られている。この種の情報担体としては、その外形により、カード形、コイン形又はボタン形などがある。
【０００３】
従来、この種の情報担体としては、アンテナコイルを基体にパターン形成したもの、或いは、巻線からなるアンテナコイルを基体に担持したものが用いられているが、近年に至って、アンテナコイルとＩＣ素子との接続点の保護処理や防湿対策が不要で安価に作成できること、及び基体に曲げやねじれ等のストレスが作用した場合にもコイルに断線を生じることがなく耐久性に優れることから、ＩＣ素子自体にアンテナコイルが形成されたＩＣ素子を基体に搭載したものが提案されている。
【０００４】
ＩＣ素子にアンテナコイルを形成する方法としては、スパッタ法が用いられており、ＩＣ素子に形成されたアンテナコイルの導体は、アルミニウムのスパッタ膜から構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、アンテナコイルをＩＣ素子に形成すると、アンテナコイルを基体全体にパターン形成したり、巻線からなるアンテナコイルを基体に担持する場合に比べて、コイルの巻径や導体幅が小さくなり、巻数についても自ずと限界があるため、リーダライタとの間の通信距離を大きくすることが困難で、必要な通信距離を確保することできない場合がある。
【０００６】
本発明は、かかる従来技術の不備を解消するためになされたものであって、その目的は、アンテナコイルが形成された高性能なＩＣ素子を効率的に製造する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の課題を達成するため、所定のプロセスを経て作製されたウエハの表面保護膜上にアンテナコイルを形成した後、当該アンテナコイルが形成されたウエハをスクライビングしてアンテナコイルが前記表面保護膜上に形成されたＩＣ素子を得るという構成にした。
【０００８】
このように、ウエハの表面保護膜上にアンテナコイルを含む所要の導電パターンを形成すると、個々のＩＣ素子にアンテナコイルを形成する場合に比べてコイルが形成されたＩＣ素子を高能率に製造でき、その製造コストを低減することができる。また、ウエハに形成された全てのＩＣ素子に対して均一な厚みのアンテナコイルを高精度に形成することが可能になるので、通信特性のばらつきを少なくすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
〈ＩＣ素子〉
まず、本発明に係る方法によって製造されるＩＣ素子の構成を、図１及び図２に基づいて説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）はＩＣ素子の平面図、図２（ａ），（ｂ）はＩＣ素子の要部断面図である。
【００１０】
本例のＩＣ素子は、図１及び図２に示すように、ＩＣ素子１の入出力端子１ａの形成面側に、酸化シリコン膜や樹脂膜等の絶縁性の表面保護膜２を介して、矩形スパイラル形状のアンテナコイル３を一体に形成してなる。
【００１１】
図１（ａ）のＩＣ素子１は、回路形成部４を除く外周部にのみアンテナコイル３を形成したものであって、ＩＣ素子１に形成された回路とアンテナコイル３との間における浮遊容量の発生を防止することができ、リーダライタからの電力の受給効率及びリーダライタとの間の信号の送受信効率を高めることができる。
【００１２】
図１（ｂ）のＩＣ素子１は、回路形成部４と対向する部分までアンテナコイル３を形成したものであって、コイルの巻数を多くできることから、リーダライタからの電力の受給効率及びリーダライタとの間の信号の送受信効率を高めることができる。なお、図１（ｂ）の例においては、アンテナコイル３を回路形成部４と対向する部分及びその外周部に形成したが、回路形成部４と対向する部分にのみ形成することもできる。
【００１３】
図１（ｃ）のＩＣ素子１は、矩形スパイラル形状に形成されたアンテナコイル３の角の部分を斜めに面取りしたものであって、角部における電流集中を防止してアンテナコイル３の抵抗値を低減することができ、リーダライタからの電力の受給効率及びリーダライタとの間の信号の送受信効率を高めることができる。面取りの形状は円弧状にしても同様の効果を得ることができる。また、面取りは各線の内周側及び外周側の双方に施すことが好ましいが、外周側にのみ施した場合にも効果がある。
【００１４】
いずれの場合にも、実用上十分な電力の供給を受け、かつ、リーダライタとの間の通信特性を確保するためには、前記アンテナコイル３の線幅を７μｍ以上、線間距離を５μｍ以下、巻数を２０ターン以上とすることが好ましい。
【００１５】
ＩＣ素子１の入出力端子１ａとアンテナコイル３との接続は、表面保護膜２に開設された透孔５を介して行われる。この場合、アンテナコイル３の形成位置が若干ずれた場合にも、入出力端子１ａとアンテナコイル３との接続が確実に行われるように、図２（ａ）、（ｂ）に示す如く、透孔５の直径又は幅をアンテナコイル３の線幅よりも小さくすることがより好ましい。
【００１６】
アンテナコイル３を構成する導体は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、金属スパッタ層又は金属蒸着層６と金属めっき層７を含む多層構造になっている。図２（ａ）は、金属スパッタ層又は金属蒸着層６の上面にのみ金属めっき層７を形成した例であり、図２（ｂ）は、金属スパッタ層又は金属蒸着層６の周面全体に金属めっき層７を形成した例を示している。前記金属スパッタ層又は金属蒸着層６及び金属めっき層７は、任意の導電性金属をもって形成することができるが、比較的安価で導電率が高いことから、金属スパッタ層又は金属蒸着層６についてはアルミニウム、ニッケル、銅及びクロムから選択される金属又はこれらの金属群から選択される２種以上の金属の合金で形成することが好ましく、均質な単層構造とするほか、異なる金属層又は合金層を多層に積層した多層構造とすることもできる。一方、前記金属めっき７は、銅で形成することが好ましく、無電解めっき法又は電気めっき法若しくは精密電鋳法により形成することができる。
【００１７】
〈ＩＣ素子の製造方法〉
以下、本発明に係るＩＣ素子製造方法の実施形態例を、図３乃至図６に基づいて説明する。図３は所定のプロセス処理を経て完成されたウエハの平面図、図４は本発明に係るＩＣ素子製造方法の第１例を示す工程図、図５は本発明に係るＩＣ素子製造方法の第２例を示す工程図、図６はアンテナコイルを含む所要の導電パターンが形成されたウエハの平面図である。
【００１８】
図３に示すように、ウエハ１１には、最外周部を除く内周部分に多数個のＩＣ素子用の回路４が等間隔に形成されており、その回路形成面側には、所要の表面保護膜２が形成されている（図４及び図５参照）。
【００１９】
図４に示す第１実施形態例に係るＩＣ素子製造方法では、まず図４（ａ）に示すように、ウエハ１１の回路形成面に形成された表面保護膜２上に、アルミニウム又はアルミニウム合金若しくは銅又は銅合金を用いて、金属スパッタ層又は金属蒸着層６を均一に形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、当該金属スパッタ層又は金属蒸着層６上にフォトレジスト層１２を均一に形成し、形成されたフォトレジスト層１２にコイルを含む所要のパターンが形成されたマスク１３を被せ、マスク１３の外側から所定波長の光１４を照射してフォトレジスト層１２を露光する。しかる後に露光されたフォトレジスト層１２の現像処理を行い、図４（ｃ）に示すように、フォトレジスト層１２の露光部分を除去して、前記金属スパッタ層又は金属蒸着層６の前記露光パターンと対応する部分を露出させる。金属スパッタ層又は金属蒸着層６の露出パターンには、図６に示すように、リング状の電極部１５と、前記各回路形成部４と対向する部分に形成されたアンテナコイル３と、これら電極部１５と各アンテナコイル３とを連結するリード部１６とが含まれる。次いで、前記電極部１５を一方の電極として、金属スパッタ層又は金属蒸着層６の露出部分に電気めっき又は精密電鋳を施し、図４（ｄ）に示すように、金属スパッタ層又は金属蒸着層６の露出部分に金属めっき層７を積層する。次いで、ウエハ１１の表面に付着したフォトレジスト層１２をアッシング処理等によって除去し、図４（ｅ）に示すように、均一な金属スパッタ層又は金属蒸着層６上に電極部１５とアンテナコイル３とリード部１６とを有する金属めっき層７が形成されたウエハ１１を得る。次いで、金属めっき層７より露出した金属スパッタ層又は金属蒸着層６を選択的にエッチングし、図４（ｆ）に示すように、金属めっき層７より露出した金属スパッタ層又は金属蒸着層６を除去する。これによって、金属スパッタ層又は金属蒸着層６と金属めっき層７とが共に図６に示す所要の導電パターンに形成されたウエハ１１が得られる。最後に、前記ウエハ１１をスクライビングして、図１に示す所要のＩＣ素子１を得る。
【００２０】
なお、前記実施形態例においては、金属めっき層７の形成手段として電気めっき法又は精密電鋳法を用いたが、かかる構成に代えて、無電解めっき法を用いて前記金属めっき層７を形成することもできる。この場合には、金属めっき層７の形成に電極を必要としないので、フォトレジスト層１２の露光に際して、電極部１５の形成とリード部１６の形成が不要になる。
【００２１】
無電解めっきは、化学めっきとも呼ばれ、素地金属をめっき金属の金属塩溶液中に浸して金属イオンを素地表面に析出させるもので、比較的簡単な設備で密着力が強く均一で十分な厚みを有するめっき層が得られるという特徴がある。前記金属塩は、めっきする金属イオンの供給源となるものであり、銅をめっきする場合には、硫酸銅、塩化第二銅、硝酸銅等の溶液がめっき液として用いられる。銅などの金属イオンは、素地となる金属スパッタ層又は金属蒸着層６上にのみに析出し、絶縁性の表面保護層２上には析出しない。素地材は、めっき金属イオンに対してイオン化傾向が小さく、かつ、めっき金属イオンの析出に対する触媒作用をもつ必要がある。このため、アルミニウムからなる金属スパッタ層又は金属蒸着層６上に銅をめっきする場合には、アルミニウム層の表面にニッケルを数μｍ以下の厚さに形成し、硝酸亜鉛液に数秒間浸して亜鉛に置換する前処理を施すことが好ましい。
【００２２】
一方、電気めっき法及び精密電鋳法は、めっき金属のイオンを含むめっき浴中に金属スパッタ層又は金属蒸着層６が形成されたウエハ１１とめっき金属からなる電極とを浸漬し、ウエハ１１に形成された金属スパッタ層又は金属蒸着層６を陰極、めっき浴中に浸漬された電極を陽極として電圧を印加し、めっき浴中の金属イオンを金属スパッタ層又は金属蒸着層６の表面に析出させる方法である。電気めっき法及び精密電鋳法も、銅をめっきする場合には、硫酸銅、塩化第二銅、硝酸銅等の溶液がめっき液として用いられる。
【００２３】
本例のＩＣ素子製造方法は、ウエハ１１にコイルを含む所要の導電パターンを形成し、しかる後にウエハ１１をスクライビングして所要のＩＣ素子１を得るという構成にしたので、個々のＩＣ素子にコイルを形成する場合に比べてコイルが形成されたＩＣ素子を高能率に製造でき、その製造コストを低減することができる。また、ウエハに形成された全てのＩＣ素子に対して均一な厚みのコイルを高精度に形成することができるので、通信特性のばらつきを小さくすることができる。さらに、本例のＩＣ素子製造方法は、フォトレジスト層１２がある状態で金属めっき層７の形成を行い、しかる後に金属スパッタ層又は金属蒸着層６の金属めっき層７が積層されていない部分をエッチングによって除去するようにしたので、図２（ａ）に示すように、金属めっき層７が金属スパッタ層又は金属蒸着層６の上面にのみ積層され、幅方向に広がらないので、精密なアンテナコイル３を形成することができ、狭い面積内に巻数の多いアンテナコイル３を形成することができる。
【００２４】
一方、図５に示す第２実施形態例に係るＩＣ素子製造方法では、図５（ａ）に示すように、ウエハ１１に形成された表面保護膜２上にフォトレジスト層１２を均一に形成し、形成されたフォトレジスト層１２にコイルを含む所要のパターンが形成されたマスク１３を被せ、マスク１３の外側から所定波長の光１４を照射してフォトレジスト層１２を露光する。しかる後に露光されたフォトレジスト層１２の現像処理を行い、図５（ｂ）に示すように、フォトレジスト層１２の露光部分を除去して、表面保護膜２の前記露光パターンと対応する部分を露出させる。フォトレジスト層１２の露光パターンは、図６に示すように、電極部１５とアンテナコイル３とリード部１６とを含む形状にすることができる。次いで、現像処理後のウエハ１１をスパッタ装置又は真空蒸着装置に装着し、図５（ｃ）に示すように、前記表面保護膜２の露出部分に金属スパッタ層又は金属蒸着層６を形成する。次いで、図５（ｄ）に示すように、ウエハ１１に付着したフォトレジスト層１２をアッシング処理等によって除去した後、電極部１５を一方の電極として、金属スパッタ層又は金属蒸着層６に電気めっきを施し、図５（ｅ）に示すように、金属スパッタ層又は金属蒸着層６の露出部分に金属めっき層７を積層する。最後に、前記ウエハ１１をスクライビングして、図１に示す所要のＩＣ素子１を得る。
【００２５】
なお、前記実施形態例においては、金属めっき層７の形成手段として電気めっき法を用いたが、かかる構成に代えて、無電解めっき法を用いて前記金属めっき層７を形成することもできる。この場合には、金属めっき層７の形成に電極を必要としないので、フォトレジスト層１２の露光に際して、電極部１５の形成とリード部１６の形成が不要になる。
【００２６】
本例のＩＣ素子製造方法は、前記第１実施形態例に係るＩＣ素子製造方法と同様の効果を有するほか、ウエハ１１に導電パターンを形成するための工程数を少なくできるので、アンテナコイルが形成されたＩＣ素子をより高能率に製造することができる。
【００２７】
〈情報担体〉
以下、本発明に係る方法で製造されたＩＣ素子を搭載してなる情報担体の構成例を、図７乃至図１７に基づいて説明する。図７は第１構成例に係る情報担体の一部切断した平面図、図８は第１構成例に係る情報担体の分解斜視図、図９は第１構成例に係る情報担体の断面図、図１０は第１構成例に係る情報担体の使用状態の説明図、図１１は第２構成例に係る情報担体の断面図、図１２は第３構成例に係る情報担体の断面図、図１３は第４構成例に係る情報担体の断面図、図１４は第５構成例に係る情報担体の断面図、図１５は第６構成例に係る情報担体の断面図、図１６は第７構成例に係る情報担体の断面図、図１７は第８構成例に係る情報担体の断面図である。
【００２８】
第１構成例に係る情報担体２０ａは、図７乃至図９に示すように、平面形状が円形に形成されたコイン形の基体２１と、当該基体２１の平面方向及び厚さ方向の中心部に設定されたＩＣ素子１とからなる。ＩＣ素子１としては、図１及び図２に示すように、アンテナコイルが形成されたものが用いられる。
【００２９】
基体２１は、図８及び図９に示すように、上部材２２と中間部材２３と下部材２４とから構成されており、それぞれ接着剤層２５を介して一体に接合されている。基体２１を構成する各部材２２，２３，２４は、紙材又はプラスチックシートをもって形成することができるが、廃棄後に自然分解し、焼却しても有害ガスの発生量が少なく、価格的にも安価であることから、紙材をもって作製することが特に好ましい。また、前記各部材２２，２３，２４の１つ又は２つを紙材にて形成し、他の１つ又は２つをプラスチックシートにて形成することももちろん可能である。
【００３０】
前記中間部材２３の中央部には、ＩＣ素子１を内挿可能な透孔２７が開設されており、前記各部材２２，２３，２４を接合することによって形成される空間内にＩＣ素子１が収納される。なお、ＩＣ素子１は、取扱時の動揺を防止するために下部材２４に接着することが好ましい。この場合、下部材２４の片面に接着剤層２５を均一に形成しておき、この接着剤層２５を利用して中間部材２３と下部材２４との接着と、下部材２４とＩＣ素子１との接着を行うようにすることが、コスト上有利である。また、透孔２７の平面形状は任意の形状とすることができるが、中間部材２３と下部材２４とを接合することによって形成される凹部にＩＣ素子１を収納する際、当該凹部とＩＣ素子１の回転方向の向きを厳密に合わせる必要がないことから、図７及び図８に示すように、円形の透孔２７を形成する方が製造上有利である。
【００３１】
本例の情報担体２０ａは、ＩＣ素子１を円形に形成された基体２１の平面方向の中心部に配置したので、図１０に示すように、略半円形のスロット１０１と当該スロット１０１における円弧部の中心に備えられた非接触通信用のアンテナコイル１０２とを有するリーダライタ１００の前記スロット１０１内に情報担体２０を挿入することによって、自動的にＩＣ素子１に形成されたアンテナコイル３とリーダライタ１００に備えられたアンテナコイル１０２の心出しを行うことができ、両コイル３，１０２間の電磁結合係数を大きくできることから、リーダライタ１００から情報担体２０への電力の供給及びリーダライタ１００と情報担体２０との間の信号の送受信を確実に行うことができる。また、情報担体２０ａの平面形状を円形に形成したので、略半円形に形成されたスロット１０１に対する方向性がなく、使用の容易性に優れる。さらに、ＩＣ素子１を基体２１内に完全に収納したので、ＩＣ素子１の保護効果が高く耐久性に優れると共に、外部からＩＣ素子１が見えないので、美観にも優れる。
【００３２】
第２構成例に係る情報担体２０ｂは、図１１に示すように、上部材２２と中間部材２３と下部材２４との３部材をもって基体２１を構成すると共に、ＩＣ素子１の周囲に、アンテナコイル３とリーダライタに備えられたコイルとの間の電磁結合を強化するためのブースタコイル２８を同心円状に配置したことを特徴とする。図中の符号２９はブースタコイル２８を収納するための凹部を示しており、この凹部２９は中間部材２３の透孔２７の周囲にリング状に形成される。その他の構成については、前記第１構成例に係る情報担体２０ａと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｂは、第１構成例に係る情報担体２０ａと同様の効果を有するほか、ＩＣ素子１の周囲にブースタコイル２８を同心円状に配置したので、ＩＣ素子１に形成されたアンテナコイル３とリーダライタ１００に備えられたアンテナコイル１０２との電磁結合をブースタコイル２８を介することによってより高いものとすることができ、より一層の電力供給の安定化及び信号送受信の安定化又は通信距離の増加を図ることができる。
【００３３】
第３構成例に係る情報担体２０ｃは、図１２に示すように、上部材２２と下部材２４との２部材をもって基体２１を構成し、下部材２４にＩＣ素子１を収納するための凹部３０を形成したことを特徴とする。その他の構成については、前記第１構成例に係る情報担体２０ａと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｃは、第１構成例に係る情報担体２０ａと同様の効果を有するほか、部品点数が少ないことから、情報担体のより一層の低コスト化を図ることができる。
【００３４】
第４構成例に係る情報担体２０ｄは、図１３に示すように、上部材２２と下部材２４との２部材をもって基体２１を構成し、下部材２４にＩＣ素子１を収納するための第１凹部３０とブースタコイル２８を収納するための第２凹部２９を形成したことを特徴とする。その他の構成については、前記第３構成例に係る情報担体２０ｃと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｃは、第２構成例に係る情報担体２０ｂと同様の効果を有するほか、部品点数が少ないことから、情報担体のより一層の低コスト化を図ることができる。
【００３５】
第５構成例に係る情報担体２０ｅは、図１４に示すように、ＩＣ素子収納用の透孔２７が開設された上部材２２と当該透孔２７を有しない下部材２４との２部材をもって基体２１を構成し、上部材２２と下部材２４とを接合することによって形成される凹部内にＩＣ素子１を収納し、当該凹部内をポッティング樹脂３１で封止したことを特徴とする。その他の構成については、前記第１構成例に係る情報担体２０ａと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｅは、ＩＣ素子１が基体をもって被覆されない点を除いて、第１構成例に係る情報担体２０ａと同様の効果を有する。
【００３６】
第６構成例に係る情報担体２０ｆは、図１５に示すように、ＩＣ素子収納用の透孔２７が開設されると共に当該透孔２７の周囲にブースタコイル収納用の凹部２９が同心に形成された上部材２２と、前記透孔２７及び凹部２９を有しない下部材２４との２部材をもって基体２１を構成し、前記凹部２９内にブースタコイル２８を収納して当該凹部２９内をポッティング樹脂３１で封止すると共に、上部材２２と下部材２４とを接合することによって形成される凹部内にＩＣ素子１を収納して当該凹部内をポッティング樹脂３１で封止したことを特徴とする。その他の構成については、前記第５構成例に係る情報担体２０ｅと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｆは、ＩＣ素子１が基体をもって被覆されない点を除いて、第１構成例に係る情報担体２０ａと同様の効果を有する。
【００３７】
第７構成例に係る情報担体２０ｇは、図１６に示すように、片面にＩＣ素子１を収納するための凹部３０が形成された１部材をもって基体２１を構成し、前記凹部３０内にＩＣ素子１を収納して当該凹部３０内をポッティング樹脂３１で封止したことを特徴とする。その他の構成については、前記第５構成例に係る情報担体２０ｅと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｇは、第５構成例に係る情報担体２０ｅと同様の効果を有するほか、部品点数が少ないことから、情報担体のより一層の低コスト化を図ることができる。
【００３８】
第８構成例に係る情報担体２０ｈは、図１７に示すように、片面にＩＣ素子１を収納するための第１凹部３０とブースタコイル２８を収納するための第２凹部２９が形成された１部材をもって基体２１を構成し、前記第１凹部３０内にＩＣ素子１を収納して当該凹部３０内をポッティング樹脂３１で封止すると共に、前記第２凹部２９内にブースタコイル２８を収納して当該凹部２９内をポッティング樹脂３１で封止したことを特徴とする。その他の構成については、前記第７構成例に係る情報担体２０ｇと同じであるので、重複を避けるために説明を省略する。本例の情報担体２０ｈは、第６構成例に係る情報担体２０ｆと同様の効果を有するほか、部品点数が少ないことから、情報担体のより一層の低コスト化を図ることができる。
【００３９】
なお、前記各構成例においては、基体２１の平面形状を円形に形成したが、その他、正方形、長方形、三角形又は多角形など、任意の形状に形成することができる。
【００４０】
また、前記第２、第４、第６及び第８構成例に係る情報担体においては、独立の別体に形成されたブースタコイル２８を凹部又は透孔内に設置したが、かかる構成に代えて、基体２１を構成するいずれかの部材に、例えば印刷、メッキ或いはスパッタ等の手段によってブースタコイル２８を直接形成することも可能である。
【００４１】
さらに、前記ブースタコイル２８は、アンテナコイルと主に電磁結合する第１コイルとリーダライタに備えられた非接触通信用のコイルと主に電磁結合する第２コイルとからなり、前記第２コイルの直径が前記第１コイルの直径よりも大きく、かつこれら第１及び第２コイルが直列に接続されたものから構成することもできる。
【００４２】
〈情報担体の製造方法〉
次に、本発明に係る方法で製造されたＩＣ素子を搭載してなる情報担体の製造方法を、図１８乃至図２２に基づいて説明する。図１８は本発明に係る情報担体の製造に使用される帯状素材の第１例を示す部分斜視図、図１９は帯状素材の第２例を示す部分斜視図、図２０は帯状素材の第３例を示す部分斜視図、図２１は帯状素材の第４例を示す部分斜視図、図２２は帯状素材の第５例を示す部分斜視図である。
【００４３】
本例の情報担体製造方法は、帯状に形成された１つの基体構成用の素材（帯状素材）にＩＣ素子１を含む所要の搭載部品を設定し、次いで、必要に応じて、当該帯状素材の片面又は両面に他の帯状素材を接合するか搭載部品のポッティングを行い、しかる後に、単体の若しくは接合された帯状素材から所要の情報担体を打ち抜き形成することを特徴とする。本例に係る情報担体製造方法の実施には、図１８に示すようにＩＣ素子１を収納するための透孔２７が一定間隔で開設された帯状素材４１、図１９に示すようにＩＣ素子１を収納するための透孔２７が一定間隔で開設されると共に各透孔２７の周囲にブースタコイル２８を収納するためのリング状の凹部２９が同心に形成され、当該リング状の凹部２９の底面に接着剤層３２が塗布された帯状素材４２、図２０に示すようにＩＣ素子１を収納するための凹部３０が一定間隔で開設され、当該凹部３０の底面に接着剤層３２が塗布された帯状素材４３、図２１に示すようにＩＣ素子１を収納するための第１凹部３０が一定間隔で開設されると共に各第１凹部３０の周囲にブースタコイル２８を収納するためのリング状の第２凹部２９が同心に形成され、これら各凹部２９，３０の底面に接着剤層３２が塗布された帯状素材４４、図２２に示すように透孔や凹部を有さず片面に接着剤層２５が均一に塗布帯状素材４５が選択的に用いられる。
【００４４】
情報担体製造方法の第１例は、第１構成例に係る情報担体２０ａを製造するためのものであって、図１８に示した１枚の帯状素材４１と図２２に示した２枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４１の片面に接着剤層２５を介して帯状素材４５を接合し、ＩＣ素子１を収納可能な空間を有する帯状部材４１，４５の接合体を得る。次いで、前記空間内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層２５を介して帯状素材４５に接着する。次いで、帯状素材４１の他面側にもう１枚の帯状素材４５を接着剤層２５を介して接合し、内部空間内にＩＣ素子１が収納された帯状部材４１，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第１構成例に係る情報担体２０ａを得る。本例の情報担体製造方法は、帯状素材４１，４５に多数のＩＣ素子１をケーシングし、しかる後にこの帯状素材４１，４５から所要の情報担体を打ち抜き形成するので、同一の情報担体を高能率に製造することができ、情報担体の製造コストを低減することができる。
【００４５】
情報担体製造方法の第２例は、第２構成例に係る情報担体２０ｂを製造するためのものであって、図１９に示した１枚の帯状素材４２と図２２に示した２枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４２に形成されたリング状の凹部２９内にブースタコイル２８を収納し、接着剤層３２を介して当該凹部２９の底面に接着する。次いで、帯状素材４２の片面に接着剤層２５を介して帯状素材４５を接合し、ＩＣ素子１を収納可能な空間を有する帯状部材４２，４５の接合体を得る。次いで、前記空間内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層２５を介して帯状素材４５に接着する。次いで、帯状素材４１の他面側にもう１枚の帯状素材４５を接着剤層２５を介して接合し、内部空間内にＩＣ素子１が収納された帯状部材４２，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第２構成例に係る情報担体２０ｂを得る。本例の情報担体製造方法も、第１例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００４６】
本発明に係る情報担体製造方法の第３例は、第３構成例に係る情報担体２０ｃを製造するためのものであって、図２０に示した１枚の帯状素材４３と図２２に示した１枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４３に形成された凹部３０内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層３２を介して当該凹部３０の底面に接着する。次いで、帯状素材４３の凹部形成面側に帯状素材４５を接着剤層２５を介して接合し、内部空間内にＩＣ素子１が収納された帯状部材４３，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第３構成例に係る情報担体２０ｃを得る。本例の情報担体製造方法も、第１例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００４７】
情報担体製造方法の第４例は、第４構成例に係る情報担体２０ｄを製造するためのものであって、図２１に示した１枚の帯状素材４４と図２２に示した１枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４４に形成された第１凹部３０内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層３２を介して当該凹部３０の底面に接着すると共に、当該帯状素材４４に形成されたリング状の第２凹部２９内にブースタコイル２８を収納し、接着剤層３２を介して当該凹部２９の底面に接着する。次いで、帯状素材４４の凹部形成面側に帯状素材４５を接着剤層２５を介して接合し、内部空間内にＩＣ素子１が収納された帯状部材４４，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第３構成例に係る情報担体２０ｃを得る。本例の情報担体製造方法も、第１例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００４８】
情報担体製造方法の第５例は、第５構成例に係る情報担体２０ｅを製造するためのものであって、図１８に示した１枚の帯状素材４１と図２２に示した１枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４１の片面に接着剤層２５を介して帯状素材４５を接合し、ＩＣ素子１を収納可能な空間を有する帯状部材４１，４５の接合体を得る。次いで、前記空間内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層２５を介して帯状素材４５に接着する。次いで、前記ＩＣ素子１が収納された空間内にポッティング樹脂３１を充填し、ＩＣ素子１が設定された帯状部材４１，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第５構成例に係る情報担体２０ｅを得る。本例の情報担体製造方法も、第１例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００４９】
情報担体製造方法の第６例は、第６構成例に係る情報担体２０ｆを製造するためのものであって、図１９に示した１枚の帯状素材４２と図２２に示した１枚の帯状素材４５を用いる。そして、まず帯状素材４２に形成されたリング状の凹部２９内にブースタコイル２８を収納し、接着剤層３２を介して当該凹部２９の底面に接着する。次いで、帯状素材４２の片面に帯状素材４５を接着剤層２５を介して接合し、ＩＣ素子１を収納可能な空間を有する帯状部材４２，４５の接合体を得る。次いで、前記空間内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層２５を介して帯状素材４５に接着する。次いで、前記ブースタコイル２８が収納された凹部２９内と前記ＩＣ素子１が収納された空間内にポッティング樹脂３１を充填し、ＩＣ素子１及びブースタコイル２８が設定された帯状部材４２，４５の接合体を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第６構成例に係る情報担体２０ｆを得る。本例の情報担体製造方法も、第１例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００５０】
情報担体製造方法の第７例は、第７構成例に係る情報担体２０ｇを製造するためのものであって、図２０に示した１枚の帯状素材４３を用いる。そして、まず帯状素材４３に形成された凹部３０内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層３２を介して当該凹部３０の底面に接着する。次いで、前記ＩＣ素子１が収納された凹部３０内にポッティング樹脂３１を充填し、ＩＣ素子１が設定された帯状部材４３を得る。最後に、この帯状部材４３を所定の形状に切断して、第７構成例に係る情報担体２０ｇを得る。本例の情報担体製造方法も、第１例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００５１】
情報担体製造方法の第８例は、第８構成例に係る情報担体２０ｈを製造するためのものであって、図２１に示した１枚の帯状素材４４を用いる。そして、まず帯状素材４４に形成された第１凹部３０内にＩＣ素子１を位置決めして収納し、接着剤層３２を介して当該凹部３０の底面に接着すると共に、当該帯状素材４４に形成されたリング状の第２凹部２９内にブースタコイル２８を収納し、接着剤層３２を介して当該凹部２９の底面に接着する。次いで、前記ＩＣ素子１が収納された第１凹部３０内及び前記ブースタコイル２８が収納された第２凹部２９内にポッティング樹脂３１を充填し、ＩＣ素子１及びブースタコイル２８が設定された帯状部材４３を得る。最後に、この接合体を所定の形状に切断して、第８構成例に係る情報担体２０ｈを得る。本例の情報担体製造方法も、第１例に係る情報担体製造方法と同様の効果を有する。
【００５２】
なお、前記第２，第４，第６，第８例においては、ブースタコイル２８を基体２１と独立の別体に形成したが、基体２１を構成するいずれかの帯状部材に印刷形成することもできる。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＩＣ素子製造方法は、所定のプロセスを経て作製されたウエハの表面保護膜上にアンテナコイルを形成した後、当該アンテナコイルが形成されたウエハをスクライビングしてアンテナコイルが表面保護膜上に形成されたＩＣ素子を得るので、個々のＩＣ素子にアンテナコイルを形成する場合に比べてコイルが形成されたＩＣ素子を高能率に製造でき、その製造コストを低減することができる。また、ウエハに形成された全てのＩＣ素子に対して均一な厚みのアンテナコイルを高精度に形成することが可能になるので、通信特性のばらつきを少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明に係る方法により製造されるＩＣ素子の平面図である。
【図２】
本発明に係る方法により製造されるＩＣ素子の要部断面図である。
【図３】
ウエハの平面図である。
【図４】
本発明に係るＩＣ素子製造方法の第１例を示す工程図である。
【図５】
本発明に係るＩＣ素子製造方法の第２例を示す工程図である。
【図６】
アンテナコイルを含む所要の導電パターンが形成されたウエハの平面図である。
【図７】
第１構成例に係る情報担体の一部切断した平面図である。
【図８】
第１構成例に係る情報担体の分解斜視図である。
【図９】
第１構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１０】
第１構成例に係る情報担体の使用状態の説明図である。
【図１１】
第２構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１２】
第３構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１３】
第４構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１４】
第５構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１５】
第６構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１６】
第７構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１７】
第８構成例に係る情報担体の断面図である。
【図１８】
帯状素材の第１例を示す部分斜視図である。
【図１９】
帯状素材の第２例を示す部分斜視図である。
【図２０】
帯状素材の第３例を示す部分斜視図である。
【図２１】
帯状素材の第４例を示す部分斜視図である。
【図２２】
帯状素材の第５例を示す部分斜視図である。
【符号の説明】
１  ＩＣ素子
２  表面保護膜
３  アンテナコイル
４  回路形成部
５  透孔
６  金属スパッタ層又は金属蒸着層
７  金属めっき層
１１  ウエハ
１２  フォトレジスト層
１３  マスク
１４  所定波長の光
１５  電極部
１６  リード部
２０ａ〜２０ｈ  情報担体
２１  基体
２２  上部材
２３  中間部材
２４  下部材
２５  接着剤層
２７  透孔
２８  ブースタコイル
２９  凹部
４１〜４５  帯状素材
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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