Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜電極アセンブリの第１のメイン側を形成する陰極と膜電極アセンブリの第２のメイン側を形成する陽極との間に該陰極および該陽極と密接して配置された電解質を備えた膜電極アセンブリ；および
膜電極アセンブリのメイン側の少なくとも１つの上に密接配置された導電性の可変孔隙率ガス拡散材料層；
を備え、
可変孔隙率ガス拡散層上の局在領域での可変孔隙率ガス拡散材料の孔隙率が、可変孔隙率ガス拡散層に接する膜電極アセンブリ側の対応領域での閾値からの温度差と相関し；
可変孔隙率ガス拡散材料の孔隙率が、閾値を下回る可変孔隙率ガス拡散層に接する膜電極アセンブリ側の対応領域での温度低下に応じて減少し；
多孔性ガス拡散材料は、生じた層がマイクロ多孔性またはナノ多孔性であるように分配された、導電性材料から形成された層をさらに備える、燃料電池。
【請求項２】
層材料が、正の熱膨張係数を示す金属繊維、正の熱膨張係数を示すポリマー繊維、ゲル形状の正の膨張を示す感熱性ポリマー、繊維形状の正の膨張を示す感熱性ポリマー、ゲル形状の負の膨張を示す感熱性ポリマー、および繊維形状の負の膨張を示す感熱性ポリマーから成る群から選択された１または複数の要素の組み合わせである、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
膜電極アセンブリの第１のメイン側を形成する陰極と膜電極アセンブリの第２のメイン側を形成する陽極との間に該陰極および該陽極と密接して配置された電解質を備えた膜電極アセンブリ；および
膜電極アセンブリのメイン側の少なくとも１つの上に密接配置された導電性の可変孔隙率ガス拡散材料層；
を備え、
可変孔隙率ガス拡散層上の局在領域での可変孔隙率ガス拡散材料の孔隙率が、可変孔隙率ガス拡散層に接する膜電極アセンブリ側の対応領域での閾値からの温度差と相関し；
可変孔隙率ガス拡散材料の孔隙率が、閾値を下回る可変孔隙率ガス拡散層に接する膜電極アセンブリ側の対応領域での温度低下に応じて減少し；
多孔性ガス拡散材料が、
生じた層がマイクロ多孔性またはナノ多孔性であるように分配された材料から形成されたコア層；および
生じた層が導電性となるようにコア層の上に配置されるかコア層に埋め込まれた導電材料；をさらに含む、燃料電池。
【請求項４】
コア層材料が、正の熱膨張係数を示す金属繊維、正の熱膨張係数を示すポリマー繊維、ゲル形状の正の膨張を示す感熱性ポリマー、繊維形状の正の膨張を示す感熱性ポリマー、ゲル形状の負の膨張を示す感熱性ポリマー、繊維形状の負の膨張を示す感熱性ポリマーから成る群から選択された１または複数の要素の組み合わせである、請求項３に記載の燃料電池。
【請求項５】
膜電極アセンブリの第１のメイン側を形成する陰極と膜電極アセンブリの第２のメイン側を形成する陽極との間に該陰極および該陽極と密接して配置された電解質を備えた膜電極アセンブリ；
膜電極アセンブリのメイン側の少なくとも１つの上に密接配置された導電性の可変孔隙率ガス拡散材料層；および
導電性の可変孔隙率ガス拡散材料層が集電装置層と膜電極アセンブリとの間に該集電装置層および該膜電極アセンブリと密接配置されるように、膜電極アセンブリの少なくとも一側に配置された集電装置層；
を備え、
可変孔隙率ガス拡散層上の局在領域での可変孔隙率ガス拡散材料の孔隙率が、可変孔隙率ガス拡散層に接する膜電極アセンブリ側の対応領域での閾値からの温度差と相関し；
可変孔隙率ガス拡散材料の孔隙率が、閾値を下回る可変孔隙率ガス拡散層に接する膜電極アセンブリ側の対応領域での温度低下に応じて減少する；燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
燃料電池に使用される通常のＧＤＬ材料は開孔構造を有し、燃料電池の活性領域に有効に反応物を輸送し、かつ高い導電率を示するように特に設計される。そのようなＧＤＬ材料は、織布、不織紙またはフェルトより形成されたメッシュ素地に導電性の高い材料を埋め込むことにより導電性にされる。本発明の実施形態に使用されるＶＰ  ＧＤＬ材料は、多くの方法において実現することが可能である。例えば、正の熱膨張係数を示す金属繊維を使用することが可能である。好ましい実施形態では、ＶＰ  ＧＤＬは、マイクロまたはナノ多孔性の膜を作成するよう、順序立ったまたはランダムな方法で分布された正の熱膨張係数（ＰＣＴＥ）を示す繊維状物質から形成されたコア層から構成される。ほとんどの燃料電池の構成では、ＧＤＬは、活性表面から集電装置層へ電子を移動させるために、導電性でなければならない。コア層が、炭素繊維（これは適切な導電率を有する）を始めとする導電性のＰＣＴＥ材料から形成されている場合、コア層のさらなる処理は必要でない。コア層が導電率が欠如した材料から形成されている場合には、生じた膜が高い導電率を示すよう、カーボンブラックまたは銀のような導電材料が、コア層上に分配されるかまたはコア層に埋め込まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光活性成分、並びにｉ）カルボネート単位、およびｉｉ）ビニル基に隣接する環酸素を有するモノマーにより供給されるラクトンの群より選択される単位を含むポリマーを含む、フォトレジスト組成物。
【請求項２】
ポジ型フォトレジストレリーフ画像を形成する方法であって：
（ａ）請求項１に記載のフォトレジストのコーティング層を基板上に塗布することと；
（ｂ）レリーフ画像を生じるために、フォトレジスト層を露光および現像することと；
を含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載のフォトレジスト組成物の層を上にコートされて有する、マイクロ電子ウェハ基板またはフラットパネルディスプレイ基板を含む製品。
【請求項４】
ｉ）カルボネート単位、およびｉｉ）ビニル基に隣接する環酸素を有するモノマーによって供給されるラクトンの群より選択される単位を含むポリマー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
本発明は以下の態様を包含するものである。
（１）
光活性成分、並びにｉ）カルボネート単位、およびｉｉ）ビニル基に隣接する環酸素を有するモノマーにより供給されるラクトンの群より選択される単位を含むポリマーを含む、フォトレジスト組成物。
（２）
カルボネート単位および／またはラクトンがポリマー主鎖に縮合されている、前記（１）に記載のフォトレジスト組成物。
（３）
ポリマーがフォト酸レイビル基を含む、前記（１）または（２）に記載のフォトレジスト組成物。
（４）
ポリマーがポリマー主鎖に縮合された炭素脂環式基をさらに含む、前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（５）
炭素脂環式基が重合されたノルボルネン基である、前記（４）に記載のフォトレジスト組成物。
（６）
炭素脂環式基がフォト酸レイビル基４を含む、前記（４）または（５）に記載のフォトレジスト組成物。
（７）
ポリマーがカルボネートまたはラクトンに加えて、ヘテロ脂環式基を含む、前記（１）〜（６）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（８）
追加のヘテロ脂環式基が酸素環員および／または硫黄環員を含む、前記（７）に記載のフォトレジスト組成物。
（９）
追加のヘテロ脂環式基が非水素環置換基を有する、前記（７）または（８）に記載のフォトレジスト組成物。
（１０）
ポリマーが、追加のヘテロ脂環式ポリマー基または炭素脂環式ポリマー基の置換基であるフォト酸レイビル基を含む、前記（１）〜（９）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（１１）
ポリマーが、カルボネート、ラクトンまたは炭素脂環式単位とは別途の、ポリマー単位のフォト酸レイビル部位を含む、前記（１）〜（１０）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（１２）
ポリマーが、フォト酸レイビル部位を含む重合されたアクリレートを含む、前記（１）〜（１１）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（１３）
ポリマーがさらに無水物単位を含む、前記（１）〜（１２）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（１４）
ポリマーがさらにマレイン酸無水物単位を含む、前記（１）〜（１３）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（１５）
ポリマーがターポリマーである、前記（１）〜（１４）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（１６）
ポリマーがテトラポリマーまたはペンタポリマーである、前記（１）〜（１４）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（１７）
ポリマーが実質的に芳香族基を含まない、前記（１）〜（１６）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（１８）
光活性成分が１以上のフォト酸発生剤化合物を含む、前記（１）〜（１７）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（１９）
フォトレジストが化学増幅ポジ型レジストである、前記（１）〜（１８）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
（２０）
ポジ型フォトレジストレリーフ画像を形成する方法であって：
（ａ）前記（１）〜（１９）のいずれか一項に記載のフォトレジストのコーティング層を基板上に塗布することと；
（ｂ）レリーフ画像を生じるために、フォトレジスト層を露光および現像することと；
を含む方法。
（２１）
フォトレジスト層が約２００ｎｍ未満の波長を有する照射により露光される、前記（２０）に記載の方法。
（２２）
フォトレジスト層が約１９３ｎｍの波長を有する照射により露光される、前記（２０）に記載の方法。
（２３）
フォトレジスト層が約１５７ｎｍの波長を有する照射により露光される、前記（２０）に記載の方法。
（２４）
前記（１）〜（１９）のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物の層を上にコートされて有する、マイクロ電子ウェハ基板またはフラットパネルディスプレイ基板を含む製品。
（２５）
ｉ）カルボネート単位、およびｉｉ）ビニル基に隣接する環酸素を有するモノマーによって供給されるラクトンの群より選択される単位を含むポリマー。
（２６）
カルボネート単位および／またはラクトンがポリマー主鎖に縮合されている、前記（２５）に記載のポリマー。
（２７）
ポリマーがフォト酸レイビル基を含む、前記（２５）または（２６）に記載のポリマー。
（２８）
ポリマーがポリマー主鎖に縮合した炭素脂環式基をさらに含む、前記（２５）〜（２７）のいずれか一項に記載のポリマー。
（２９）
炭素脂環式基が重合されたノルボルネン基である、前記（２５）〜（２８）のいずれか一項に記載のポリマー。
（３０）
炭素脂環式基がフォト酸レイビル基４を含む、前記（２８）または（２９）に記載のポリマー。
（３１）
ポリマーがカルボネートまたはラクトンに加えて、ヘテロ脂環式基を含む、前記（２５）〜（３０）のいずれか一項に記載のポリマー。
（３２）
追加のヘテロ脂環式基が酸素環員および／または硫黄環員を含む、前記（２５）〜（３１）のいずれか一項に記載のポリマー。
（３３）
追加のヘテロ脂環式基が非水素環置換基を有する、前記（２５）〜（３２）のいずれか一項に記載のポリマー。
（３４）
ポリマーが、追加のヘテロ脂環式ポリマー基または炭素脂環式ポリマー基の置換基であるフォト酸レイビル基を含む、前記（２５）〜（３３）のいずれか一項に記載のポリマー。
（３５）
ポリマーが、カルボネート、ラクトンまたは炭素脂環式単位とは別途の、ポリマー単位のフォト酸レイビル部位を含む、前記（２５）〜（３４）のいずれか一項に記載のポリマー。
（３６）
ポリマーが、フォト酸レイビル部位を含む重合されたアクリレートを含む、前記（２５）〜（３５）のいずれか一項に記載のポリマー。
（３７）
ポリマーがさらに無水物単位を含む、前記（２５）〜（３６）のいずれか一項に記載のポリマー。
（３８）
ポリマーがさらにマレイン酸無水物単位を含む、（２５）〜（３７）のいずれか一項に記載のポリマー。
（３９）
ポリマーがターポリマーである、（２５）〜（３８）のいずれか一項に記載のポリマー。
（４０）
ポリマーがテトラポリマーまたはペンタポリマーである、（１）〜（１４）のいずれか一項に記載のポリマー。
本明細書で挙げたすべての文書は、参照により本明細書に組み込まれている。以下の限定しない実施例は、本発明の例示である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月10日(2005.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の炭化ケイ素単結晶において、
ドナー・ドーパント、ホウ素、及び炭化ケイ素単結晶内でアクセプタとして作用する真性点欠陥を含み、
ドナー・ドーパントの数がホウ素原子の数よりも多く、
ドナー・ドーパントを較正するように作用する炭化ケイ素結晶内の真性点欠陥の数が、ドナー・ドーパントのホウ素を超えた分の数より大きく、
遷移元素の濃度が１Ｅ１６未満であり、
炭化ケイ素単結晶は、室温で少なくとも５０００Ω−ｃｍの抵抗を有している
ことを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
【請求項２】
炭化ケイ素からなる半導体バルクからなる炭化ケイ素単結晶において、室温で少なくとも５０００Ω−ｃｍの抵抗と、結晶の電気特性に影響を与える量未満である価電子帯又は導電帯から少なくとも７００ｍｅＶの状態を生成するトラッピング元素の濃度とを有することを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
【請求項３】
請求項１又は２記載の炭化ケイ素単結晶において、１×１０１７ｃｍ−３未満の窒素原子の濃度を持つことを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
【請求項４】
請求項１又は２記載の炭化ケイ素単結晶において、バナジウムの濃度が１×１０１６ｃｍ−３未満であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
【請求項５】
請求項１又は２記載の炭化ケイ素単結晶において、炭化ケイ素のポリタイプが、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ及び１５Ｒポリタイプから成るグループから選択されることを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
【請求項６】
請求項１又は２記載の炭化ケイ素単結晶において、窒素の濃度が５×１０１６ｃｍ−３以下であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
【請求項７】
請求項１又は２記載の炭化ケイ素単結晶において、バナジウムの濃度が二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）によって検知されることができるレベル未満であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
【請求項８】
請求項１又は２記載の炭化ケイ素単結晶において、バナジウムの濃度が１×１０１４ｃｍ−３未満であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
【請求項９】
請求項１又は２記載の炭化ケイ素単結晶において、室温で少なくとも１０，０００Ω−ｃｍの抵抗を持つことを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
【請求項１０】
請求項１又は２記載の炭化ケイ素単結晶において、室温で少なくとも５０，０００Ω−ｃｍ抵抗を持つことを特徴とする炭化ケイ素単結晶。
【請求項１１】
請求項１又は２記載の炭化ケイ素単結晶を含む基板を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項１２】
請求項１４記載のトランジスタにおいて、該トランジスタは、金属−半導体電界効果トランジスタ、金属−絶縁体電界効果トランジスタ、及び高電子移動度トランジスタからなるグループのものであることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉの化合物又はその塩。
【化１】
2005508858.tif 000001
式Ｉ中、Ｒ1は、
(ｉ) フェニル
【化２】
2005508858.tif 000002
(ii) ピリジニル
【化３】
2005508858.tif 000003
(iii) チエニル
【化４】
2005508858.tif 000004
(iv) フラニル
【化５】
2005508858.tif 000005
(ｖ) イミダゾリル
【化６】
2005508858.tif 000006
(vi) トリアゾリル
【化７】
2005508858.tif 000007
(vii) ピロリル
【化８】
2005508858.tif 000008
(viii) チアゾリル
【化９】
2005508858.tif 000009
(ix) ピリジル−Ｎ−オキシド
【化１０】
2005508858.tif 000010
のいずれか一つから選ばれ、その際、Ｒ1フェニル環及びＲ1複素芳香族環はそれぞれ独立して、直鎖及び分枝Ｃ1〜Ｃ6アルキル、ＮＯ2、ＣＦ3、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、クロロ、フルオロ、ブロモ及びヨードから独立して選ばれる１、２又は３個の置換基によってさらに置換されていてもよい。
【請求項２】
Ｒ1フェニル環及びＲ1複素芳香族環がそれぞれ場合により、また独立して、メチル、ＣＦ3、クロロ、フルオロ、ブロモ及びヨードから独立して選ばれる１、２又は３個の置換
基によってさらに置換されていてもよい請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ1フェニル環及びＲ1複素芳香族環が、それぞれ独立してメチル基によってさらに置換
されていてもよい請求項１記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ1がフェニル、ピロリル、ピリジニル、チエニル又はフラニルである請求項１記載の
化合物。
【請求項５】
４−[１−（１−ベンジル−ピペリジン−４−イリデン）−１−キノリン−８−イル−
メチル]−Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−ベンズアミド、
Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−４−[１−（１−ピリジン−２−イルメチル−ピペリジン−４−イリデン）−１−キノリン−８−イル−メチル]−ベンズアミド、
Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−４−[１−（１−ピリジン−４−イルメチル−ピペリジン−４−イリデン）−１−キノリン−８−イル−メチル]−ベンズアミド、
Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−４−[１−キノリン−８−イル−１−（１−チオフェン−２−イルメチル−ピペリジン−４−イリデン）−メチル]−ベンズアミド、
Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−４−[１−キノリン−８−イル−１−（１−チオフェン−３−イルメチル−ピペリジン−４−イリデン）−メチル]−ベンズアミド、
Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−４−[１−キノリン−８−イル−１−（１−フラン−３−イルメチル−ピペリジン−４−イリデン）−メチル]−ベンズアミド、
Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−４−[１−キノリン−８−イル−１−（１−フラン−２−イルメチル−ピペリジン−４−イリデン）−メチル]−ベンズアミド、
Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−４−[１−キノリン−８−イル−１−（１−ピロール−２−イルメチル−ピペリジン−４−イリデン）−メチル]−ベンズアミド、
Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−４−｛１−[１−（４−ブロモ−ベンジル）−ピペリジン−４−イリデン]−１−キノリン−８−イル−メチル｝−ベンズアミド、
４−｛１−[１−（１Ｈ−イミダゾール−２−イルメチル）−ピペリジン−４−イリデ
ン]−１−キノリン−８−イル−メチル｝−Ｎ,Ｎ−ジイソプロピルベンズアミド、
Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−４−｛１−[１−（４−メトキシ−ベンジル）−ピペリジン−４−イリデン]−１−キノリン−８−イル−メチル｝−ベンズアミド、及び
Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−４−[１−キノリン−８−イル−１−（１−チアゾール−２−イルメチル−ピペリジン−４−イリデン）メチル]−ベンズアミド
のいずれか一つから選ばれる請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項６】
塩酸塩、二塩酸塩、硫酸塩、酒石酸塩、ジトリフルオロ酢酸塩又はクエン酸塩の形態の請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
式Ｉの化合物又はその塩を有効成分として含有する医薬。
【請求項８】
疼痛、不安症又は機能性胃腸障害の治療のための請求項８記載の医薬。
【請求項９】
Ａ）一般式II
【化１１】
2005508858.tif 000011
（式中、ＰＧは、ウレタン保護基、又はベンジルもしくは置換されたベンジル保護基である）の化合物を、塩基の存在下で、パラジウム触媒を用いて８−キノリンボロン酸と反応させて一般式III
【化１２】
2005508858.tif 000012
の化合物を得、その後、標準条件下で脱保護し、還元条件下で一般式Ｒ1−ＣＨＯの化合
物を用いてアルキル化して一般式Ｉの化合物を得る反応からなる式Ｉの化合物の製造方法。
【請求項１０】
一般式II
【化１３】
2005508858.tif 000013
（式中、ＰＧは、ウレタン保護基、又はベンジルもしくは置換されたベンジル保護基である）の化合物。
【請求項１１】
一般式III
【化１４】
2005508858.tif 000014
（式中、ＰＧは、ウレタン保護基、又はベンジルもしくは置換されたベンジル保護基である）の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホモハリングトニンを含んでなる、ＳＴＩ５７１による治療に耐性または不耐性を示す被験動物における慢性骨髄性白血病、関連の骨髄増殖性疾患またはＰｈ陽性急性リンパ性白血病の治療のための医薬組成物。
【請求項２】
ホモハリングトニンが、ＳＴＩ５７１を含む一種類以上の他の抗白血病薬と併用される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
ホモハリングトニンが、ＳＴＩ５７１を含む一種類以上の他の抗白血病薬と同時に併用される、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
ＳＴＩ５７１が、それ以前の治療から継続して用いられているものである、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
ホモハリングトニンが、一種類以上の他の抗白血病薬と逐次的に併用される、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項６】
ホモハリングトニンが、継続して用いられているＳＴＩ５７１を含む一種類以上の他の抗白血病薬と逐次的に併用される、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
ホモハリングトニンが、下記の工程（ａ）〜（ｄ）および場合により（ｅ）：
（ａ）慢性骨髄性白血病であって、場合によっては標準的なインターフェロンα療法に耐性の患者に、ＳＴＩ５７１（好ましくは１日当たり４００〜８００ｍｇを永続的に）を、完全な細胞遺伝学的効果（好ましくはデ・ノボ患者について）または少なくとも完全な血液学的効果（好ましくは、総ての他の更なる進行期について）が得られるまで投与する工程、
（ｂ）これらの部分的にＳＴＩ５７１耐性の患者において、完全な細胞遺伝学的または血液学的効果を有さない、またはこれを喪失した患者では、ＳＴＩ５７１治療を止めずに１日当たり３００〜４００ｍｇに減少させる工程、
（ｃ）ホモハリングトニンを、０．２５〜５ｍｇ／ｍ２の用量で、好ましくは２．５ｍｇ／ｍ２の用量で、好ましくは２８日サイクル当たり２〜１４日間、皮下および／または静脈内および／または経口投与する工程、
（ｄ）ホモハリングトニン用量および／またはＳＴＩ５７１用量を、血球減少および／または副作用に従って調節する工程、
（ｅ）場合によっては、ホモハリングトニンと相乗的に働くオーラルヌクレオシドを皮下または静脈内投与する工程であって、前記オーラルヌクレオシドがホモハリングトニンと同時または逐次的に添加することができる、工程
に従い、ＳＴＩ５７１に対する応答を喪失しまたはこれに応答できない患者において、現在行っているＳＴＩ５７１治療に加えることによって逐次的に併用される、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
工程（ｅ）の前記オーラルヌクレオシドがシタラビンであり、シタラビンをホモハリングトニンと同時または逐次的に添加することができる、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
ＳＴＩ５７１耐性の過剰増殖性骨髄性細胞の増殖を阻害するための、ホモハリングトニンとＳＴＩ５７１との組み合わせ物であって、
前記骨髄性細胞の増殖の阻害が、細胞をＳＴＩ５７１と接触させた後にホモハリングトニンと接触させることにより行なわれるものであり、ここで、ＳＴＩ５７１とホモハリングトニンが前記骨髄性細胞の増殖を阻害するのに有効な量で提供される、組み合わせ物。
【請求項１０】
ＳＴＩ５７１による治療の第一コースの後にＳＴＩ５７１への耐性および／または不耐性を示す被験動物における慢性骨髄性白血病、関連の骨髄増殖性疾患またはＰｈ陽性急性リンパ性白血病を治療するための、ホモハリングトニンとＳＴＩ５７１との組み合わせ物であって、
前記治療が、その第二コースにおいて、動物にホモハリングトニンとＳＴＩ５７１の組合せを、骨髄性細胞の増殖を阻害するのに有効な量で投与することにより行なわれる、組み合わせ物。
【請求項１１】
ＳＴＩ５７１に対する耐性および／または不耐性を克服することを可能とするものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
血液学的効果および／または細胞遺伝学的効果および／または生存を、弱い非血液学的毒性とともに誘導するものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
その治療効果が、ＳＴＩ５７１とホモハリングトニンとの相乗作用によって高められる、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
他の抗白血病薬が、インターフェロンαおよび／または一種類以上のヌクレオシドおよび／またはファルネシルトランスフェラーゼ阻害薬(FTI)である、請求項２〜６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
他の抗白血病薬が、インターフェロンαまたはPEG-インターフェロンである、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
他の抗白血病薬がヌクレオシドである、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
他の抗白血病薬がファルネシルトランスフェラーゼ阻害薬(FTI)である、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
ヌクレオシドが、シタラビン(Ａｒａ−Ｃ)および／またはデシタビンおよび／またはトロキサシタビンである、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
ヌクレオシドがシタラビン(Ａｒａ−Ｃ)である、請求項１８に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
他の薬剤が、インターフェロンαとシタラビンとの組合せである、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
動物がヒトである、請求項１〜８および請求項１１〜２０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ｇｃ−グロブリンの大規模生産のための精製方法、これにより得られる物質およびそれらの医薬用途
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレルギー性鼻炎、アレルギー性皮膚炎、薬物アレルギーまたは食物アレルギー、血管浮腫、じんま疹、乳幼児突然死症候群、気管支肺アスペルギルス症、肥満細胞症または多発性硬化症を処置する薬剤の製造のための、式Ｉ
【化１】
2005508846.tif 000001
［式中、
Ｒ１は４−ピラジニル；１−メチル−１Ｈ−ピロリル；アミノ−もしくはアミノ−低級アルキル置換フェニル(なおここで、各場合においてアミノ基は遊離型であるか、アルキル化またはアシル化されている)；５員環炭素原子において結合している１Ｈ−インドリルもしくは１Ｈ−イミダゾリル；または環炭素原子において結合し、かつ、窒素原子において酸素で置換されていてもされていなくてもよい非置換もしくは低級アルキル−置換ピリジルであり；
Ｒ２およびＲ３は各々他とは独立に水素または低級アルキルであり；
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８基のうち１つまたは２つは各々ニトロ、フルオロ置換低級アルコキシまたは式ＩＩ
−Ｎ(Ｒ９)−Ｃ(＝Ｘ)−(Ｙ)ｎ−Ｒ１０          (ＩＩ)
｛式中、
Ｒ９は水素または低級アルキルであり、
Ｘはオキソ、チオ、イミノ、Ｎ−低級アルキル−イミノ、ヒドロキシイミノまたはＯ−低級アルキル−ヒドロキシイミノであり、
Ｙは酸素またはＮＨ基であり、
ｎは０または１であり、
Ｒ１０は少なくとも５個の炭素原子を有する脂肪族基、または芳香族、芳香−脂肪族、シクロ脂肪族、シクロ脂肪−脂肪族、複素環式もしくは複素環式脂肪族基である}
の基であり、かつ、
残りのＲ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８基は各々他とは独立に水素；非置換、または遊離もしくはアルキル化アミノ、ピペラジニル、ピペリジニル、ピロリジニルまたはモルホリニルにより置換されている低級アルキル；あるいは低級アルカノイル；トリフルオロメチル；遊離、エーテル化もしくはエステル化ヒドロキシ；遊離、アルキル化もしくはアシル化アミノ、または遊離もしくはエステル化カルボキシである］
のＮ−フェニル−２−ピリミジン−アミン誘導体、または少なくとも１つの塩形成基を有するかかる化合物の塩の使用。
【請求項２】
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８基のうち１つまたは２つが各々ニトロまたは式ＩＩ
｛式中、
Ｒ９は水素または低級アルキルであり、
Ｘはオキソ、チオ、イミノ、Ｎ−低級アルキル−イミノ、ヒドロキシイミノまたはＯ−低級アルキル−ヒドロキシイミノであり、
Ｙは酸素またはＮＨ基であり、
ｎは０または１であり、かつ、
Ｒ１０は少なくとも５個の炭素原子を有する脂肪族基、または芳香族、芳香−脂肪族、シクロ脂肪族、シクロ脂肪−脂肪族、複素環式もしくは複素環式脂肪族基であり、かつ、
残りのＲ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８基は各々他とは独立に水素；非置換、または遊離もしくはアルキル化アミノ、ピペラジニル、ピペリジニル、ピロリジニルまたはモルホリニルにより置換されている低級アルキル；あるいは低級アルカノイル；トリフルオロメチル；遊離、エーテル化もしくはエステル化ヒドロキシ；遊離、アルキル化もしくはアシル化アミノ、または遊離もしくはエステル化カルボキシであり、
かつ、残りの置換基は請求項１で定義した通りである｝
の基である、請求項１に記載の式Ｉの化合物、または少なくとも１つの塩形成基を有するかかる化合物の医薬上許容される塩の使用。
【請求項３】
Ｒ１が炭素原子において結合しているピリジルであり、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６およびＲ８が各々水素であり、
Ｒ４が低級アルキルであり、
Ｒ７が式ＩＩ
｛式中、
Ｒ９は水素であり、
Ｘはオキソであり、
ｎは０であり、かつ、
Ｒ１０は４−メチル−ピペラジニル−メチルである｝
の基である、請求項１に記載の式Ｉの化合物、またはその医薬上許容される塩の使用。
【請求項４】
化合物がＮ−{５−[４−(４−メチル−ピペラジノ−メチル)−ベンゾイルアミド]−２−メチルフェニル}−４−(３−ピリジル)−２−ピリミジン−アミンである請求項１に記載の化合物、またはその医薬上許容される塩の使用。
【請求項５】
化合物がその一メシル酸塩の形態で用いられる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の式Ｉの化合物の使用。
【請求項６】
イヌ肥満細胞腫瘍を処置する薬剤の製造のための、請求項１〜５のいずれか１項に記載の式Ｉの化合物の使用。
【請求項７】
一日量２０〜２００ｍｇの４−(４−メチルピペラジン−１−イルメチル)−Ｎ−[４−メチル−３−(４−ピリジン−３−イル)ピリミジン−２−イルアミノ]フェニル]−ベンズアミドまたはその医薬上許容される塩を成犬に投与する、請求項６に記載の使用。
【請求項８】
一日量３０〜４００ｍｇの４−(４−メチルピペラジン−１−イルメチル)−Ｎ−[４−メチル−３−(４−ピリジン−３−イル)ピリミジン−２−イルアミノ]フェニル]−ベンズアミドまたはその医薬上許容される塩をヒトに投与する、請求項１に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳類における治療剤の毒性効果を治療または防止するのに有用な医薬組成物であって、薬学的に許容される賦形剤若しくは担体と共に、単独の毒性軽減量のN−アセチルシステイン若しくはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体、または毒性軽減量のN−アセチルシステイン若しくはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体と治療量若しくはより多量の治療剤との組み合わせを含む、上記医薬組成物。
【請求項２】
各投与単位が、少なくとも1mgのN−アセチルシステインまたは薬学的に許容されるその塩若しくは誘導体を含む、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
該治療剤が少なくとも一つの抗生物質または抗ウイルス剤である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項４】
該治療剤が、酸化的ストレスを生じさせる少なくとも一つの抗生物質または抗ウイルス剤である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項５】
該治療剤が、患者におけるシステイン／グルタチオンレベルを治療に関連して低下させる少なくとも一つの抗生物質または抗ウイルス剤である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項６】
該治療剤が、少なくとも一つの鎮痛化合物、解熱化合物または他の治療化合物である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項７】
該治療剤が、少なくとも一つの鎮痛化合物、解熱化合物または他の治療化合物であり、前記化合物が酸化的ストレスを生じさせる、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項８】
該治療剤が、少なくとも一つの鎮痛化合物、解熱化合物または他の治療化合物であり、前記化合物が患者におけるシステイン／グルタチオンレベルを治療に関連して低下させる、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項９】
該化合物がアセトアミノフェンである、請求項６記載の医薬組成物。
【請求項１０】
各投与単位が、標準投与量のアセトアミノフェン及び少なくとも約１ｍｇのＮ−アセチルシステインを含む、請求項９記載の医薬組成物。
【請求項１１】
該治療剤が抗レトロウイルス剤である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１２】
抗レトロウイルス剤がAZTである、請求項１１記載の医薬組成物。
【請求項１３】
哺乳類における治療剤の毒性効果を治療または防止する方法であって、薬学的に許容される賦形剤若しくは担体と共に、単独の毒性低減量のＮ−アセチルシステインまたはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体、または毒性軽減量のN−アセチルシステイン若しくはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体と通常投与量の治療剤若しくは通常投与量より多量の治療剤との組み合わせを投与することを含む上記方法。
【請求項１４】
少なくとも約1mgのN−アセチルシステインまたはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体を、非経口的に栄養を摂取している患者に投与する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも一つの抗生物質または抗ウイルス剤の治療有効量を、Ｎ−アセチルシステインまたはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体と組み合わせて投与する、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも一つの抗生物質または抗ウイルス剤の治療有効量を、Ｎ−アセチルシステインまたはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体と組み合わせて投与する方法であって、該治療剤が酸化的ストレスを生じさせる、請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも一つの抗生物質または抗ウイルス剤の治療有効量を、Ｎ−アセチルシステインまたはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体と組み合わせて投与する方法であって、該治療剤が患者におけるシステイン／グルタチオンレベルを治療に関連した低下を生じさせる、請求項１３記載の方法。
【請求項１８】
該治療剤が抗レトロウイルス剤である、請求項１３記載の方法。
【請求項１９】
抗レトロウイルス剤がAZTである、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
AZTが、毒性軽減量のＮ−アセチルシステインと連続的または組み合わせて、周産期に投与される、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
AZTが、毒性軽減量のＮ−アセチルシステインと連続的にまたは組み合わせて、新生児期に投与される、請求項１９記載の方法。
【請求項２２】
AZTが、毒性軽減量のＮ−アセチルシステインと連続的にまたは組み合わせて、HIVウイルスに対する暴露が疑わしいか若しくは既に知られている患者に投与される、請求項１９記載の方法。
【請求項２３】
治療有効量の少なくとも一つの鎮痛化合物、解熱化合物または他の治療化合物が、Ｎ−アセチルシステインまたはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体と組み合わせて投与される請求項１３記載の方法。
【請求項２４】
治療有効量の少なくとも一つの鎮痛化合物、解熱化合物または他の治療化合物が、Ｎ−アセチルシステインまたはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体と組み合わせて投与され、前記化合物が酸化的ストレスを生じさせる、請求項１３記載の方法。
【請求項２５】
治療有効量の少なくとも一つの鎮痛化合物、解熱化合物または他の治療化合物が、Ｎ−アセチルシステインまたはその薬学的に許容される塩若しくは誘導体と組み合わせて投与され、前記化合物が患者におけるシステイン／グルタチオンレベルを治療に関連した低下を生じさせる請求項１３記載の方法。
【請求項２６】
該化合物がアセトアミノフェンである、請求項２３記載の方法。
【請求項２７】
アセトアミノフェンの標準投与量を、投与あたり少なくとも約1mgのＮ−アセチルシステインと連続的にまたは組み合わせて投与し、アセトアミノフェンに正常に応答する患者における熱または痛みを治療する、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
アセトアミノフェンの標準投与量より多い量を、少なくとも約4mgのＮ−アセチルシステインと連続的にまたは組み合わせて投与し、アセトアミノフェンの標準投与に対し非応答性の熱を治療する、請求項２６記載の方法。
【請求項２９】
アセトアミノフェンの標準投与量を、投与あたり少なくとも約1mgのＮ−アセチルシステインと連続的にまたは組み合わせて投与し、放射線造影剤に暴露される期間においてアセトアミノフェンを必要とする患者を治療する、請求項２６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記容器が、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ポリスチレン（ＰＳ）およびポリ塩化ビニルからなる群から選択されるポリオレフィンを含む熱可塑性ポリマーを含み、該容器が、３００μｍ〜９５０μｍの範囲の平均壁厚を有する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明による好ましい飲料容器は、たとえば、壁のあるシリンダーと開放型の口および底を含む０．２リットルから４リットルまでの容積を有することが可能である。
壁厚は、通常、１００μｍ〜２０００μｍの範囲、好ましくは１５０μｍ〜９５０μｍの範囲にある。最も好ましい飲料容器は、１５０μｍ〜４００μｍの範囲の壁厚を有し、０．３リットル〜２リットルの容量を有する。ＰＥＴ容器またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）ホモポリマー、ポリエチレンテレフタレート共重合体およびポリエチレンナフテネート共重合体からなる群から選択される熱可塑性ポリマーを含む容器の壁厚は、１５０μｍ〜４００μｍの範囲にある。ＰＥ容器または高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ポリスチレン（ＰＳ）およびポリ塩化ビニルからなる群から選択されるポリオレフィンを含む熱可塑性ポリマーを含む容器の壁厚は、３００μｍ〜９５０μｍの範囲にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
特に、ポリエステル・ボトルは、一般に、射出ブロー成形により製造する。２つの製造技術が、一般に使用される。一方法においては、ほぼ実用に沿う大きさのボトルのくびれ部分およびねじぶた部分を有するが、予成形品のボディーが最終のボトルの形状よりかなり小さい予成形品の形状に射出成形する技術により、予成形品を製造する。単一成分の予
成形品または２層の予成形品を使用することができる。予成形品は、次に、ブロー成形機に挿入し、そこで加熱した後適切な形状にブロー成形する。別法では、樹脂をスチール芯の棒のまわりに射出ブロー成形することも可能である。ボトルのくびれ部分は、適切な形状をした受け蓋（キャップ）と共に成形し、ブロー成形段階のために温度条件を調和させた棒の周りに樹脂を供給する。樹脂のついた棒は、型の中に入れその樹脂を棒から型の壁に向って吹き払う。樹脂は、型と接触して冷却されて、透明なボトルとなる。仕上がったボトルを排出し、棒を再び射出成形の位置に移動する。この方法は、単一のシリンダーのボトルには有利であるが、一般に、ハンドル付きのボトルのような複雑な形状の導入に使用するのは不可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
たとえばホット・フィル食品および酸素に敏感な食品（たとえば、ソース、ベビー・フード、および、ある種のビールおよびワインのような酸素に敏感な製品）には、一般に多層の予成形品を使用する。ポリオレフィンのように酸素バリア特性が劣るポリマーには、２つのポリオレフィン層の間にポリエチレンビニルアルコール（ＥＶＯＨ）をはさんだ多層構造を形成することによって有効な酸素バリア特性を提供することが可能である。ＰＥＴのガス・バリア特性能は、ＥＶＯＨまたはポリアミドの薄層（単数または複数）を容器の予成形品に共に射出することによって改善することが可能である。これらのポリマーは、酸素および二酸化炭素に対するバリア層として使用する。これら多層構造の場合はすべて、容器層の内側が、ポリオレフィンまたはＰＥＴのいずれかである。たとえば熱酸化した異臭を放つ（ｏｆｆ−ｆｌａｖｏｒ）化合物の転移または移動を減少するためのシクロデキストリン化合物の必要性は、これらのバリア層が、異臭を放つ化合物の貯蔵中の食品製品への勾配を生じさせるため、一層重要である。別法では、本発明による多層容器は、共押出し法によって得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月3日(2005.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）
【化１】
2005508872.tif 000001
｛式中、
Ｒは水素又はアルキルである; 
Ｒ3 は  ＣＨ2-Ｘ- Ｒ' （式中、ＸはＯ又はＳであり、Ｒ’は水素又はアルキルである。）又は（ＣＨ2 ）n ＣＯ2 Ｒ11（式中、  Ｒ11はアルキルであり、ｎは０又は１である。）である；
Ｒ4 は、フェニル（これはハロゲン、ＣＦ3 及びＣＮより成る群から選ばれた置換基で１又は２回置換されていてよい。）である。｝
で表わされるジ置換されたトロパン誘導体又はその薬学的に許容し得る付加塩又はそのＮ−オキシド。
【請求項２】
Ｒが水素又はメチルである、請求項1 記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ3 がＣＨ2-Ｘ- Ｒ' （式中、ＸはＯであり、Ｒ’は水素又はアルキルである。）である、請求項1 又は２記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ’が水素、メチル又はエチルである、請求項1 〜３のいずれか1 つに記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ4 が、ハロゲンによって１又は２回置換されている、請求項１〜４のいずれか１つに記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ4 が、３，４−ジクロロフェニルである、請求項１〜５のいずれか１つに記載の化合物。
【請求項７】
（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｒ）−３−（３，４−ジクロロフェニル）−８−メチル−８−アザ−ビシクロ［３．２．１］オクタン−２−カルボン酸エチルエステル；
（１Ｓ，２Ｓ，３Ｒ，５Ｒ）−３−（３，４−ジクロロフェニル）−８−メチル−８−アザ−ビシクロ［３．２．１］オクタン−２−カルボン酸エチルエステル；
（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｒ）−２−ヒドロキシメチル−３−（３，４−ジクロロフェニル）−トロパン；
（１Ｓ，２Ｓ，３Ｒ，５Ｒ）−２−ヒドロキシメチル−３−（３，４−ジクロロフェニル）−トロパン；
（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｒ）−２−エトキシメチル−３−（３，４−ジクロロフェニル）−トロパン；
（１Ｓ，２Ｓ，３Ｒ，５Ｒ）−２−エトキシメチル−３−（３，４−ジクロロフェニル）−トロパン；
（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｒ）−２−エトキシメチル−３−（３，４−ジクロロフェニル）−８Ｈ−８−アザ−ビシクロ［３．２．１］オクタン；
（１Ｓ，２Ｓ，３Ｒ，５Ｒ）−２−エトキシメチル−３−（３，４−ジクロロフェニル）−８Ｈ−８−アザ−ビシクロ［３．２．１］オクタン；
又はその薬学的に許容し得る付加塩である、請求項１記載の化合物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載された化合物又はその薬学的に許容し得る付加塩の治療上有効な量を少なくとも１種の薬学的に許容し得るキャリヤー、賦形剤又は希釈剤と共に含有する薬学的調合物。
【請求項９】
ヒトを含めた哺乳類の疾患、障害又は病態──その疾患、障害又は病態は中枢神経系でモノアミン神経伝達物質再取り込み阻害に応答する──の治療、予防又は緩和用薬学的調合物の製造に、請求の範囲１〜７のいずれか１つに記載された化合物又はその薬学的に許容し得る付加塩を使用する方法。
【請求項１０】
疾患、障害又は病態がうつ病、仮性痴呆、ガンザー症候群、強迫性障害、パニック障害、記憶欠損、注意欠陥過活動性障害、肥満症、不安及び摂食障害である、請求項９記載の化合物を使用する方法。
【請求項１１】
ヒトを含めた動物生体の疾患、障害又は病態───その障害、疾患又は病態は中枢神経系でモノアミン神経伝達物質再取り込みの阻害に応答する──を治療する方法に於て、請求項１〜７のいずれか１つに記載された化合物の治療上有効な量を、これを必要とする、ヒトを含めた動物生体に投与する工程から成る、上記方法。
【請求項１２】
疾患、障害又は病態がうつ病、仮性痴呆、ガンザー症候群、強迫性障害、パニック障害、記憶欠損、注意欠陥過活動性障害、肥満症、不安及び摂食障害である、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構造：
I-X-(C=Y)m-L-A
［式中、IはHIVプロテアーゼインヒビター基であり、
Xは、OまたはNHであり、
Yは、O、SまたはNHであり、
mは、0または1であり、
Lは、0〜40個の炭素原子を含む、飽和または不飽和の直鎖状または分枝鎖状のリンカーであって、さらに最大２つまでの環式構造および0〜20個のヘテロ原子を含むが、ただし２個以下のヘテロ原子しか並んで連結され得ないリンカーであり、
Aは、活性エステル、イソシアネート、イソチオシアネート、チオール、イミドエステル、無水物、マレイミド、チオラクトン、ジアゾニウム基、およびアルデヒドからなる群より選択される活性化官能基である］
を有する化合物。
【請求項２】
前記プロテアーゼインヒビターが、リトナビル、サキナビル、アンプレナビル、インジナビル、ネルフィナビル、およびロピナビルからなる群より選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
以下の構造：
[I-X-(C=Y)m-L-Z]n-P
［式中、Iは、HIVプロテアーゼインヒビター基であり、
Xは、OまたはNHであり、
Yは、O、S、またはNHであり、
mは、0または１であり、
Lは、0〜40個の炭素原子を含む、飽和または不飽和の直鎖状または分枝鎖状のリンカーであって、さらに最大２つまでの環式構造および0〜20個のヘテロ原子を含むが、ただし２個以下のヘテロ原子しか並んで連結されないリンカーであり、
Zは、-CONH-、-NHCO-、-NHCONH-、-NHCSNH-、-OCONH-、-NHOCO-、-S-、-NH(C=NH)-、-N=N-、-NH-、および
【化１】
2005508877.tif 000001
からなる群より選択される成分であり、
Pは、ポリペプチド、多糖類、および合成高分子からなる群より選択され、
nは、Pの分子量50キロダルトンにつき、1〜50の数である］
を有する化合物。
【請求項４】
前記プロテアーゼインヒビターが、リトナビル、サキナビル、アンプレナビル、インジナビル、ネルフィナビル、およびロピナビルからなる群より選択される、請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
以下の構造：
[I-X-(C=Y)m-L-Z]n-Q
［式中、Iは、HIVプロテアーゼインヒビター基であり、
Xは、OまたはNHであり、
Yは、O、S、またはNHであり、
mは、0または1であり、
Lは、0〜40個の炭素原子を含む、飽和または不飽和の直鎖状または分枝鎖状のリンカーであって、さらに最大２つまでの環式構造および0〜20個のヘテロ原子を含むが、ただし２個以下のヘテロ原子しか並んで連結されないリンカーであり、
Zは、-CONH-、-NHCO-、-NHCONH-、-NHCSNH-、-OCONH-、-NHOCO-、-S-、-NH(C=NH)-、-N=N-、-NH-、および
【化２】
2005508877.tif 000002
からなる群より選択される成分であり、
Qは、非同位体標識からなる群より選択され、ならびに
nは、Qの分子量50キロダルトンにつき、1〜50の数である］
を有する化合物。
【請求項６】
前記プロテアーゼインヒビターが、リトナビル、サキナビル、アンプレナビル、インジナビル、ネルフィナビル、およびロピナビルからなる群より選択される、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
以下の構造：
[I-X-(C=Y)m-L-Z]n-P
［式中、Iは、HIVプロテアーゼインヒビター基であり、
Xは、OまたはNHであり、
Yは、O、S、またはNHであり、
mは、0または１であり、
Lは、0〜40個の炭素原子を含む、飽和または不飽和の直鎖状または分枝鎖状のリンカーであって、さらに最大２つまでの環式構造および0〜20個のヘテロ原子を含むが、ただし２個以下のヘテロ原子しか並んで連結されないリンカーであり、
Zは、-CONH-、-NHCO-、-NHCONH-、-NHCSNH-、-OCONH-、-NHOCO-、-S-、-NH(C=NH)-、-N=N-、-NH-、および
【化３】
2005508877.tif 000003
からなる群より選択される成分であり、
Pは、ポリペプチド、多糖類および合成高分子からなる群より選択され、ならびに
nは、Pの分子量50キロダルトンにつき、1〜50の数である］
を有する化合物に対する応答において生成される抗体。
【請求項８】
前記プロテアーゼインヒビターが、リトナビル、サキナビル、アンプレナビル、インジナビル、ネルフィナビル、およびロピナビルからなる群より選択される、請求項７に記載の抗体。
【請求項９】
ネルフィナビル、インジナビル、アンプレナビル、リトナビルおよびロピナビルとの交差反応性が10％未満である、サキナビルに特異的なモノクローナル抗体。
【請求項１０】
サキナビル、インジナビル、アンプレナビル、リトナビルおよびロピナビルとの交差反応性が10％未満である、ネルフィナビルに特異的なモノクローナル抗体。
【請求項１１】
サキナビル、ネルフィナビル、アンプレナビル、リトナビルおよびロピナビルとの交差反応性が10％未満である、インジナビルに特異的なモノクローナル抗体。
【請求項１２】
マウスハイブリドーマSAQ 10.2.1（ATCC No. PTA-3973）。
【請求項１３】
マウスハイブリドーマSAQ 14.1.1（ATCC No. PTA-3974）。
【請求項１４】
マウスハイブリドーマNEL 5.4.1（ATCC No. PTA-4475）。
【請求項１５】
マウスハイブリドーマ<INDIN>M-1.003.12（DSMZ No. ACC2547）。
【請求項１６】
マウスハイブリドーマ<INDIN>M-1.158.8（DSMZ No. ACC2546）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月10日(2004.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来のセラミック媒体の別の問題は、焼成の間にそれらが本質的に大きな体積変化を受けることである。このような媒体は通常、クレー、長石、タルク、ケイ灰石、ジルコン砂、及び他の無機物など、適切なセラミック形成用原料をブレンドすることによって製造される。次いでこの混合物を成形可能な混合物にし、所望のセラミック媒体の形状を有するがまだ所望のセラミック媒体の物理的性質を有しない所謂「未焼成体」にし、この未焼成体を高温で焼成することによって媒体に転換する。この成分は、焼成の間に固体、液相、及び気相の焼成機構の組合せを介して相互に作用して、所期のセラミック材料を形成する。この問題点は、成形された未焼成体が焼成される場合、通常体積変化が起こり、それは容易に25〜35％になる可能性がある。焼成は容積の限定されたキルン中で行われる。従ってそれは装入された未焼成体の体積の3/4〜2/3の体積のセラミック製品を生産することができるに過ぎない。これはプロセスをきわめて非効率にする。
例えば特開昭56-109869号公報は、50〜95％のガラス（SiO2が68.5％、Al2O3が19.8％、Li2Oが3.7％、TiO2が1.9％、ZrO2が2.0％及びP2O5が1.2％）、3〜30％のカオリンクレー、及び2〜30％の長石を含有する混合物を開示しており、この混合物は1000℃〜1300℃の温度に加熱する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック媒体を形成するための焼成したときに収縮が小さい未焼成体であって、リシア輝石5〜60重量％及びその他のセラミック形成成分95〜40重量％を含む混合物から成形され、前記その他のセラミック形成成分が、クレー50〜95重量％及び長石5〜50重量％を含み（これらその他のセラミック形成成分の合計重量を基準として）、前記リシア輝石が、酸化リチウムとして測定される量でリチウムを7.25〜7.75重量％含有し、それによって1100℃〜1300℃の温度で焼成したときの線収縮が、焼成前の未焼成体の寸法と比較して2.5%未満である、セラミック媒体を形成するための焼成したときに収縮が小さい未焼成体。
【請求項２】
前記混合物がリシア輝石成分を5〜20重量％含む、請求項1に記載の未焼成体。
【請求項３】
前記クレー成分のMBIが11〜13meq/100gである、請求項1に記載の未焼成体。
【請求項４】
（a）リシア輝石5〜60重量％及びその他のセラミック形成成分95〜40重量％を含む（これらのセラミック形成成分の合計重量を基準として）混合物であって、前記その他のセラミック形成成分が、クレー50〜95重量％及び長石5〜50重量％を含む（これらその他のセラミック形成成分の合計重量を基準として）混合物を、所望の形状の未焼成体に成形する工程、及び
（b）この未焼成体を、1100℃〜1300℃の温度で焼成してセラミック媒体を製造する工程、
を含み、焼成時に未焼成体の線寸法の収縮が2.5％以下であるように前記セラミック形成成分が選択されている、セラミック媒体の製造方法。
【請求項５】
前記成形及び焼成工程を、焼成時に未焼成体の線寸法が実際には増加し、結果的に正味の体積膨張をもたらすように選択する、請求項4に記載のセラミック媒体の製造方法。
【請求項６】
400〜800℃からの急激な温度降下を用いた過酷な熱衝撃試験処理において、粉砕強度の残留分率が少なくとも85％である、請求項4又は5に記載の方法。