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【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】時計の文字板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板表面に薄い透明なインク受容層を形成し該インク受容層上にインクジェット記録法によってインク液滴を吐出させ文字や画像を形成する時計の文字板の製造方法であって、前記インク受容層上に形成される画素径が前記インク液滴の径の２倍以下であること特徴とする時計の文字板の製造方法。
【請求項２】
前記インク液滴の径が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の時計の文字板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は時計の文字板の製造方法に関し、特にインクジェット記録法によって文字や画像を形成することがてきる時計の文字板の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前述の問題を解決し、少量または世界で１つしかなく、かつ工芸的な美しさを持つ時計の文字板を安価に製造できる時計の文字板の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の時計の文字板は、金属板表面に薄い透明なインク受容層を形成し該インク受容層の表面に微細な表現が可能なインクジェット記録法によってインク液滴を吐出させ文字や画像を形成する時計の文字板の製造方法であって、前記インク受容層上に形成される画素径が前記インク液滴の径の２倍以下であること特徴とする。また、インク液滴の径が２０μｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月2日(2004.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項７又は８記載の光学的情報読取装置であって、
前記複数個の照明用発光素子（２１，…，２Ｎ）は、前記照明用発光素子取付台（２Ｄ）、又は前記発光素子用リードフレーム（２Ｌ）及び発光素子用リードフレーム取付台（２Ｓ）上に、略円形状若しくは楕円形状に配列されている、
光学的情報読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記の光学的情報読取装置において、
光源ユニット２は、Ｎ個の照明用発光素子２１，…，２Ｎの外に、発光素子取付台２Ｄをも含有し、
上記Ｎ個の照明用発光素子２１，…，２Ｎは、上記発光素子取付台２Ｄ上に取り付けられる、
ようにすることが出来る。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
〔第８の実施の形態〕
この出願の発明の第８の実施の形態の光学的情報読取装置について説明する。
図１０は、同第８の実施の形態の信号処理回路の説明図である。
図１０において、右方に見える２は照明用発光ユニット、同２１及び２２は照明用発光素子（例えばＬＥＤ）、左方に見える３１は受光素子（例えばＰＤ）、９１は対数増幅回路、９２はリニア増幅回路、９３は差動増幅回路、９４はスライス信号発生回路、９５は比較回路である。
比較回路９５の後段には、演算回路その他が接続される。
対数増幅回路９１は、対数素子Ｄ１と、結合コンデンサＣ３と、ディジタル素子ＩＣ１と、帰還抵抗Ｒ３とから成る。対数素子Ｄ１は、小振幅動作時に対数特性を発揮する半導体ダイオード素子から成る。
受光素子３１に光が入射すると、明電流が発生する。この電流は、電源（３〜６Ｖ）から、ダイオードＤ５、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、受光素子３１、及び対数素子Ｄ１を経て、接地ＧＮＤに流れる。
対数素子Ｄ１に明電流が流れると、その陽極に正の電位が発生する。この電位は、結合コンデンサＣ３を介して、ディジタル素子ＩＣ１の入力端子に印加される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  ペン形筐体
１１  ペン形筐体の開口部
２  光源ユニット（又は発光素子）
２１  照明用発光素子（ＬＥＤ）
２２  照明用発光素子（ＬＥＤ）
２Ｄ  発光素子取付台
２Ｌ  発光素子用リードフレーム
２Ｌｃ  発光素子用リードフレーム連結部
２Ｌｈ  発光素子用リードフレームの貫通孔
２Ｓ  発光素子用リードフレーム取付台
２Ｓｅ  発光素子用リードフレーム取付台の円形凹部
２Ｓｈ  発光素子用リードフレーム取付台の貫通孔
３  受光ユニット（又は受光素子）
３１  受光素子（ＰＤ）
３Ｄ  受光素子取付台
３Ｌ  受光素子用リードフレーム
３Ｌｃ  受光素子用リードフレームの連結部
３Ｓ  受光素子用リードフレーム取付台
３Ｓｅ  受光素子用リードフレーム取付台の円形凹部
４  透明レンズ（又は透明球体）
５  コリメータレンズユニット
５１  素コリメータレンズ
５２  素コリメータレンズ
５ｈ  コリメータレンズユニット貫通孔
６  受光用光導波路
６ｏ  套管
７  収束レンズ兼保持部材
８  鏡筒
８Ｓ  円筒面
８Ｍ  直列複円錐鏡
８Ｍ１  第１の円錐鏡
８Ｍ２  第２の円錐鐘
９  信号処理・演算回路
１０  電池
１０Ｓ  電池収納部
１１  光学素子等固定手段
１１Ａ  鏡筒等固定手段
１１Ｂ  光源ユニット等固定手段
１２  コード（又はケブラー線）
１３  ゴムブッシュ
１４  押え金具
１５  テール金具
１６  蓋体
９１  第一の対数増幅回路
９２  リニア増幅回路
９３差動増幅回路
９４  スライス信号発生回路
９５  比較回路
Ｄ  無反射区間
Ｌ  被読取部材（ラベル）
ｇ  発光素子用リード挿通溝
ｇＳ  受光素子用リード挿通溝
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ・コントローラと、
前記アレイ・コントローラに接続され、複数台のハード・ドライブを含んでおり、それら複数台のハード・ドライブが第１状態に構成されている第１の記憶サブシステムと、を備えており、
前記アレイ・コントローラは、前記複数台のハード・ドライブが前記記憶サブシステムの中で配列変更されて第２状態とされたか否かを判定できるように構成されており、前記アレイ・コントローラは更に、前記複数台のハード・ドライブを自動的に前記第２状態に再構成し、論理ドライブ装置に関連するハード・ドライブが前記記憶サブシステム内に非昇順で位置付けされているかを決定することができるように構成され、該アレイ・コントローラは、論理ドライブが昇順であるように、ハード・ドライブに対する他の位置を指令している情報をユーザに供給している、ことを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項２】
前記第１状態は少なくとも第１論理ドライブ装置を含んでいる状態であり、前記アレイ・コントローラは更に、前記記憶サブシステムに第２論理ドライブ装置が追加されたか否かを判定できるように構成されており、前記アレイ・コントローラは更に、前記第１論理ドライブ装置及び前記第２論理ドライブ装置に所属するハード・ドライブの再構成を自動的に実行することによって前記第２論理ドライブ装置を組み込むことができるように構成されていることを特徴とする請求項１記載のコンピュータ・システム。
【請求項３】
前記複数台のハード・ドライブの各々が、少なくとも構成情報を格納するための予約記憶領域部分を備えていることを特徴とする請求項１記載のコンピュータ・システム。
【請求項４】
前記複数台のハード・ドライブが、前記記憶サブシステムと前記アレイ・コントローラとの少なくとも一方が電源を落とされた状態にあるときに配列変更されることを特徴とする請求項１記載のコンピュータ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月14日(2004.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパルスからなる書き込みまたは消去信号を印加し、電荷蓄積層に対して電荷の授受を行うことにより、しきい値電圧を制御し、しきい値電圧に応じた情報を保持する記憶素子を有する不揮発性半導体記憶装置であって、
上記書き込みまたは消去信号における一回目のパルスの電圧を初期電圧レベル、パルス幅を第１の幅にそれぞれ設定し、２回目以降のパルスの電圧を上記初期電圧レベルより大きく、パルス幅を上記第１の幅より短く設定する制御手段
を有する不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
各パルス印加後、上記記憶素子のしきい値電圧を検出し、当該しきい値電圧を所定のレベルに達したか否かを検証する検証手段を有する
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
上記制御手段は、上記検証手段により上記記憶素子のしきい値電圧が上記所定のレベルに達したと判定したとき、上記パルスの印加を終了させ、上記しきい値電圧が上記所定のレベルに達していないとき、次回のパルス印加を行う
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
上記制御手段は、上記２回目以降の各パルスの幅を同じ値に設定する
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
上記制御手段は、上記２回目のパルスから、第２の幅を持つパルスを所定の回数において生成し、上記所定の回数以降、上記第２の幅よりさらに短い第３の幅を持つパルスを生成する
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
複数のパルスからなる書き込みまたは消去信号を印加し、電荷蓄積層に対して電荷の授受を行うことにより、記憶素子においてしきい値電圧を制御し、しきい値電圧に応じた情報を保持し、
上記書き込みまたは消去信号における一回目のパルスの電圧を初期電圧レベル、パルス幅を第１の幅にそれぞれ設定し、２回目以降のパルスの電圧を上記初期電圧レベルより大きく、パルス幅を上記第１の幅より短く設定する
不揮発性半導体記憶装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性半導体記憶装置、特にＩＳＰＰ（Incremental Step PulseProgramming）により書き込みおよび消去を行う不揮発性半導体記憶装置と、その制御方法とに関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＩＳＰＰ法を用いてメモリセルに対して書き込みおよび消去を行う不揮発性半導体記憶装置において、書き込み方法をさらに改良することによって、記憶装置全体の書き込みおよび消去時間をさらに短縮でき、書き込みおよび消去スピードの向上を実現できる不揮発性半導体記憶装置と、その制御方法とを提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明では、好適には各パルス印加後、上記記憶素子のしきい値電圧を検出し、当該しきい値電圧を所定のレベルに達したか否かを検証する検証手段を有し、上記制御手段は、上記検証手段により上記記憶素子のしきい値電圧が上記所定のレベルに達したと判定したとき、上記パルスの印加を終了させ、上記しきい値電圧が上記所定のレベルに達していないとき、次回のパルス印加を行う。
さらに、本発明では、上記制御手段は、上記２回目以降の各パルスの幅を同じ値に設定するか、上記２回目のパルスから、第２の幅を持つパルスを所定の回数において生成し、上記所定の回数以降、上記第２の幅よりさらに短い第３の幅を持つパルスを生成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明の不揮発性半導体記憶装置の制御方法は、複数のパルスからなる書き込みまたは消去信号を印加し、電荷蓄積層に対して電荷の授受を行うことにより、記憶素子においてしきい値電圧を制御し、しきい値電圧に応じた情報を保持し、上記書き込みまたは消去信号における一回目のパルスの電圧を初期電圧レベル、パルス幅を第１の幅にそれぞれ設定し、２回目以降のパルスの電圧を上記初期電圧レベルより大きく、パルス幅を上記第１の幅より短く設定する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明によれば、複数のパルスからなる書き込みまたは消去信号を不揮発性メモリセルに印加することにより、書き込みまたは消去が行われる。書き込みおよび消去時に、一回目のパルス幅を長く設定し、２回目以降のパルス幅を一回目のパルス幅より短く設定し、パルス印加毎に電圧レベルを徐々に大きく設定することにより、書き込みまたは消去時間が短縮される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法によれば、書き込みおよび消去時に、電圧レベルおよび幅がともに変化する書き込みまたは消去パルスを印加することにより、書き込みおよび消去時間を短縮でき、高速は書き込みおよび消去を実現できる利点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】吸収損失の少ない光学薄膜を有する光学素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に基板側から数えて第１層目に酸化アルミニウム、第２層目に酸化チタンと酸化ジルコニウムとを含む混合物からなる高屈折層、第３層目以降に中間屈折率層又は高屈折率層の交互層を積層することにより、前記第１層目の酸化アルミニウムを省いた場合に比べ吸収損失を少なくした光学薄膜を有する光学素子。
【請求項２】
前記基板から数えて最終層に低屈折率層を有することを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項３】
基板上に基板側から数えて第１層目に酸化アルミニウム、第２層目に酸化チタンと酸化ジルコニウムとを含む混合物からなる高屈折層、第３層目に低屈折率層を積層することにより、前記第１層目の酸化アルミニウムを省いた場合に比べ吸収損失を少なくした光学薄膜を有する光学素子。
【請求項４】
前記各層は真空蒸着法により成膜されたことを特徴とする請求項１〜３記載の光学素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決する為の手段】
本発明は第一に「基板上に基板側から数えて第１層目に酸化アルミニウム、第２層目に酸化チタンと酸化ジルコニウムとを含む混合物からなる高屈折層、第３層目以降に中間屈折率層又は高屈折率層の交互層を積層することにより、前記第１層目の酸化アルミニウムを省いた場合に比べ吸収損失を少なくした光学薄膜を有する光学素子（請求項１）」を提供する。
また、本発明は第二に「前記基板から数えて最終層に低屈折率層を有することを特徴とする請求項１記載の光学素子（請求項２）」を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は第三に「基板上に基板側から数えて第１層目に酸化アルミニウム、第２層目に酸化チタンと酸化ジルコニウムとを含む混合物からなる高屈折層、第３層目に低屈折率層を積層することにより、前記第１層目の酸化アルミニウムを省いた場合に比べ吸収損失を少なくした光学薄膜を有する光学素子（請求項３）」を提供する。
また、本発明は第四に「前記各層は真空蒸着法により成膜されたことを特徴とする請求項１〜３記載の光学素子（請求項４）」を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライブトレーンにおけるクラッチの自動操作のための装置と、クラッチの自動操作を制御する制御ユニットと、制御ユニットによって制御されクラッチから伝達されるトルクの設定調整のためのアクチュエータとを有し、前記制御ユニットはスリップ状態が生じた場合に制御信号を送出するアンチスリップ電子制御装置に信号接続されている、自動車において、
前記制御ユニットによりクラッチの自動操作のもとで、アンチスリップ制御の活動を示す制御信号が発生している場合に、クラッチから伝達されるトルクがアクチュエータを用いて伝達トルクの目下の制御値から伝達トルクの最大値まで制御されることを特徴とする、自動車。
【請求項２】
ドライブトレーンにおけるクラッチの自動操作のための装置と、駆動ユニットと、伝動装置と、摩擦クラッチ等のクラッチと、クラッチの自動操作を制御する制御ユニットと、制御ユニットによって制御されるクラッチ操作用のアクチュエータとを有し、前記制御ユニットは、複数のセンサ並びに場合によってはエンジン電子制御装置、ＡＢＳ電子制御装置及び/又はアンチスリップ電子制御装置等の他の電子ユニットと信号接続されており、前記アンチスリップ電子制御装置はスリップ状況における活動のもとで制御信号を送出している、自動車において、
クラッチの自動操作のもとで、前記アンチスリップ制御装置のアンチスリップ制御の活動を示す制御信号が発生している場合に、前記制御ユニットによりクラッチが、目下のクラッチ接続位置から完全なクラッチ接続位置へ制御されることを特徴とする自動車。
【請求項３】
クラッチの自動操作の他にも伝動装置の自動操作がアクチュエータと該アクチュエータを制御する制御ユニットを用いて制御可能である、請求項１または２記載の自動車。
【請求項４】
クラッチから伝達されるトルクの上昇の制御が前記制御ユニットとアクチュエータを用いて、アンチスリップ制御の活動を示す制御信号が発生している場合に、アンチスリップ制御装置の制御信号の発生なしでの制御のもとで制御可能な速度と同じかそれよりも速い速度で行われる、請求項１〜３いずれか１項記載の自動車。
【請求項５】
アンチスリップ制御の活動を示す制御信号の発生なしで伝達トルク又はクラッチのクラッチ接続位置が実質的に変化しないものとなるような場合でも、アンチスリップ制御の活動を示す制御信号が発生した場合、クラッチから伝達されるトルクの上昇の制御が、アンチスリップ制御装置の制御信号の発生なしでの制御のもとで制御可能な速度と同じかそれよりも速い速度で行われる、請求項１〜４いずれか１項記載の自動車。
【請求項６】
アンチスリップ制御の活動を示す制御信号の発生なしで伝達トルク又はクラッチのクラッチ接続位置が目下の作動領域において実質的に変化しないものとなるような場合でも、アンチスリップ制御の活動を示す制御信号が発生した場合、クラッチから伝達されるトルクの上昇の制御が、アンチスリップ制御装置の制御信号の発生なしでの制御のもとで制御可能な速度と同じかそれよりも速い所定の速度で行われる、請求項１〜５いずれか１項記載の自動車。
【請求項７】
前記制御ユニットは、少なくとも例えば変速過程時のように目下の状況からの移行を促すような制御信号が発生しない限り、クラッチから伝達されるトルクをアンチスリップ制御の活動中に最大値まで制御するか又はクラッチを接続させるように制御する、請求項１〜６いずれか１項記載の自動車。
【請求項８】
前記制御ユニットは、アンチスリップ制御の活動が存在する場合に、クラッチを接続させるための制御信号を、エンジン回転数ｎｍｏｔが所定の回転数よりも高い場合にのみ形成する、請求項１〜７いずれか１項記載の自動車。
【請求項９】
前記制御ユニットは、アンチスリップ制御の活動が存在する場合に、クラッチを接続させるための制御信号を、エンジン回転数ｎｍｏｔがアイドル回転数に所定の値を加えたものよりも高い場合に形成する、請求項１〜８いずれか１項記載の自動車。
【請求項１０】
前記制御ユニットは、クラッチを接続させるための制御信号を、アンチスリップ制御装置によって形成及び/又は伝送される制御信号のもとでのみ形成する、請求項１〜９いずれか１項記載の自動車。
【請求項１１】
前記制御ユニットは、クラッチを接続させるための制御信号を、アンチスリップ制御装置によって形成及び/又は伝送される制御信号のもとでエンジン回転数ｎｍｏｔが所定のエンジン回転数よりも高い場合にのみ形成する、請求項１〜１０いずれか１項記載の自動車。
【請求項１２】
前記制御ユニットは、アンチスリップ制御の活動を信号化する制御信号の発生後、及び/又はアンチスリップ制御の活動の終了を信号化する信号の発生の際に、クラッチの伝達トルクを目下の作動位置に適合する値まで制御する、請求項１〜１１いずれか１項記載の自動車。
【請求項１３】
前記作動位置に適合する値まで制御される伝達トルクは、最小値と最大値の間の範囲にある値をとる、請求項１２記載の自動車。
【請求項１４】
前記最小値は実質的にゼロであり、前記最大値は最大限設定調整可能な値である、請求項１２記載の自動車。
【請求項１５】
自動車のクラッチから伝達されるトルクを、クラッチの自動操作のための装置を用いて制御するための方法であって、クラッチの自動操作を制御するための制御ユニットを有し、該制御ユニットはスリップ状況が生じた場合に制御信号を送出するアンチスリップ電子制御装置と信号接続されており、さらに前記該制御ユニットから制御されクラッチから伝達されるトルクの設定調整のための、前記制御ユニットによって制御可能なアクチュエータを有している形式のものにおいて、
前記制御ユニットがクラッチの自動操作のもとで、
該制御ユニットにアンチスリップ制御の活動を示す制御信号が供給されているか否かを評価するステップと、
前記信号が供給されている場合に、クラッチから伝達されるトルクの制御をアクチュエータを用いて、伝達可能なトルクの目下の制御値から伝達可能なトルクの最大値にするステップとを実施することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、融点Ｔ０（℃）の原材料フィルムを初期保持温度Ｔｉ（℃）（Ｔ０−３０≦Ｔｉ≦Ｔ０−１５）で３０分から２時間保持せしめた後、初期保持温度Ｔｉから最高保持温度Ｔｍａｘ（℃）（Ｔ０−１０≦Ｔｍａｘ≦Ｔ０＋１０）へ２時間以内に到達させる昇温速度で昇温し、最高保持温度Ｔｍａｘで２時間から４時間保持する熱処理を施されて製造されたノンフロー熱可塑性液晶ポリマーフィルムであることを特徴とする回路基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
したがって、高密度で線幅が小さいベース回路基板の表面にカバーレイフィルムを熱圧着させる場合には、カバーレイフィルム（第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルム）が、ベース回路基板表面の精細な凹凸に沿うミクロフロー性を維持したまま、線幅の小さい電気回路を動かして位置ずれを発生させるマクロフロー性を抑制するという特性を有することによって、本発明が有効に適用される。
このために、本発明者らは、次に述べるように改良されたカバーレイフィルム（第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルム）を見い出した。すなわち、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、融点Ｔ０（℃）の原材料フィルムを初期保持温度Ｔｉ（℃）（Ｔ０−３０≦Ｔｉ≦Ｔ０−１５）で３０分から２時間保持せしめた後、初期保持温度Ｔｉから最高保持温度Ｔｍａｘ（℃）（Ｔ０−１０≦Ｔｍａｘ≦Ｔ０＋１０）へ２時間以内に到達せしめる昇温速度で昇温し、最高保持温度Ｔｍａｘで２時間から４時間保持する熱処理を施されて製造されたノンフロー熱可塑性液晶ポリマーフィルムであることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、マイクロ波の振動方向に対する物体の回転角が０°のとき、つまり、マイクロ波の振動方向と、物体の分子が最もよく配向されている方向であって、最小マイクロ波透過強度を与える方向とが合致しているときのｍ値をｍ０ 、回転角が９０°のときのｍ値をｍ９０として、分子配向度ＳＯＲはｍ０ ／ｍ９０により算出される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明では、Ｒ（Ｒは、Ｙを含む希土類元素の少なくとも１種である）、Ｔ（Ｔは、Ｆｅ、またはＦｅおよび他の遷移元素である）およびＢを含有する焼結磁石を製造するに際し、第１合金の粉末と第２合金の粉末と第３合金の粉末との混合物を成形して焼結する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月18日(2004.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された、
複数個のＭＩＳＦＥＴで共有された第一の基板導電体領域と、
複数個のＭＩＳＦＥＴで共有された第二の基板導電体領域と、
複数個のＭＩＳＦＥＴで共有された第三の基板導電体領域と、
前記第一の基板導電体領域に出力が接続された第一の電源ノードと、
前記第二の基板導電体領域に出力が接続された第二の電源ノードと、
前記第三の基板導電体領域に出力が接続された第三の電源ノードとを具備し、
前記複数個のＭＩＳＦＥＴは同一の導電型を有し、
前記第一の基板導電体領域と、前記第二の基板導電体領域と、前記第三の基板導電体領域とは、互いに電気的に分離され、
前記第一の電源ノードの電圧は、前記第二の電源ノードの電圧よりも低く、前記第二の電源ノードの電圧は、前記第三の電源ノードの電圧よりも低く、前記第二の基板導電体領域の全面積は、前記第一の基板導電体領域の全面積よりも大きく、前記第二の基板導電体領域の全面積は、前記第三の基板導電体領域の全面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第二の基板導電体領域は、複数個の基板導電体領域を含み、前記複数個の基板導電体領域は前記第二の電源ノードからの配線によって接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第一の電源ノードを流れる電流の直流成分が、前記第二の電源ノードを流れる電流の直流成分よりも小さく、前記第三の電源ノードを流れる電流の直流成分が、前記第二の電源ノードを流れる電流の直流成分よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ＭＩＳＦＥＴは、しきい値が減少すると、ドレインのリーク電流が増加することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第一の基板導電体領域と、前記第二の基板導電体領域と、前記第三の基板導電領域は、第一の導電型からなり、前記第一の導電型と異なる第二の導電型を有する半導体基板上に形成されたウェルからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数個のＭＩＳＦＥＴは、部分空乏化ＳＯＩ−ＭＩＳＦＥＴからなり、
前記第一の基板導電体領域と、前記第二の基板導電体領域と、前記第三の基板導電体領域は、前記ＳＯＩ−ＭＩＳＦＥＴのボディ電極となることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数個のＭＩＳＦＥＴは、完全空乏化ＳＯＩ−ＭＩＳＦＥＴからなり、
前記第一の基板導電体領域と、前記第二の基板導電体領域と、前記第三の基板導電体領域は、前記ＳＯＩ−ＭＩＳＦＥＴのバックゲート電極となることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板上に形成された、
複数個のＭＩＳＦＥＴで共有された第一の基板導電体領域と、
複数個のＭＩＳＦＥＴで共有された第二の基板導電体領域と、
第一の電源ノードと、
第二の電源ノードと、
前記第一の基板導電体領域と前記第一の電源ノードとの間に形成された第一のヒューズ素子と、
前記第二の基板導電体領域と前記第二の電源ノードとの間に形成された第二のヒューズ素子と、
前記第一の基板導電体領域と前記第二の電源ノードとの間に形成された第三のヒューズ素子と、
前記第二の基板導電体領域と前記第一の電源ノードとの間に形成された第四のヒューズ素子とを具備し、
前記複数個のＭＩＳＦＥＴは同一の導電型を有し、
前記第一の基板導電体領域と前記第二の基板導電体領域とは、互いに電気的に分離され、前記第三のヒューズ素子の抵抗は、前記第一及び第二のヒューズ素子の抵抗よりも大きく、前記第四のヒューズ素子の抵抗は、前記第一及び第二のヒューズ素子の抵抗よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体基板上に形成された、
第一のＭＩＳＦＥＴと第二のＭＩＳＦＥＴからなる回路ブロックと、
第一の電圧ノードと、
第二の電圧ノードと、
第三の電圧ノードとを具備し、
前記第一のＭＩＳＦＥＴのドレイン電極は前記第一の電圧ノードと接続され、前記第二のＭＩＳＦＥＴのソース電極と前記第一のＭＩＳＦＥＴのゲート電極は前記第二の電圧ノードに接続され、前記第二のＭＩＳＦＥＴのゲート電極は前記第三の電圧ノードに接続され、前記第一のＭＩＳＦＥＴのソース電極は前記第二のＭＩＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、前記第一、第二及び第三の電圧ノードに前記回路ブロックが複数個接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板上に形成された、
第一のＭＩＳＦＥＴと第二のＭＩＳＦＥＴからなる第一の回路ブロックと、
第一のＭＩＳＦＥＴと第二のＭＩＳＦＥＴからなる第二の回路ブロックと、
第一のＭＩＳＦＥＴと第二のＭＩＳＦＥＴからなる第三の回路ブロックと、
第一の電圧ノードと、
第二の電圧ノードと、
第三の電圧ノードと、
第四の電圧ノードと、
第五の電圧ノードとを具備し、
前記第一のＭＩＳＦＥＴのドレイン電極は前記第一の電圧ノードと接続され、前記第二のＭＩＳＦＥＴのソース電極と前記第一のＭＩＳＦＥＴのゲート電極は前記第二の電圧ノードに接続され、前記第二のＭＩＳＦＥＴのゲート電極は前記第三の電圧ノードに接続され、前記第一のＭＩＳＦＥＴのソース電極は前記第二のＭＩＳＦＥＴのドレイン電極に接続され、前記第一、第二及び第三の電圧ノードに前記第一及び第二の回路ブロックが接続され、前記第四の電圧ノードの電圧は、前記第五の電圧ノードの電圧と異なり、前記第一の回路ブロックと前記第二の回路ブロックのＭＩＳＦＥＴの基板電極は、前記第四の電圧ノードに接続され、前記第三の回路ブロックのＭＩＳＦＥＴの基板電極は、前記第五の電圧ノードに接続されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローカル・ノードとリモート・ノードの間でバスを介して送られる連続したデータ・ブロックを表す１組のデータ・パケットを受け取る方法であって、
ローカル・ノードに、トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分を含む所与のアドレスから始まるメモリを割当てるステップと、
前記所与のアドレスから始まる前記メモリの所与のアドレスに、前記トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分を割り当てるステップと、
前記ローカル・ノードが、前記所定のトランザクション・ラベルを有する要求パケットを発行するように前記トランザクション・ラベルに対応する予め定められたトランザクション・ラベルを割当てるステップと、
前記リモート・ノードが１つ以上の応答パケットを、ローカル・ノードに送るステップであって、前記応答パケットそれぞれは、前記要求パケットの前記トランザクション・ラベルに対応する前記トランザクション・ラベルを含むステップと、
ローカル・ノードが、前記受け取ったトランザクション・ラベルを前記割り振られたメモリを示す前記アドレスの前記トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分で置き換えることによって修正したアドレスを作成し、前記応答パケットに搭載されていたデータを前記修正したアドレスに記憶するステップと
を有する方法。
【請求項２】
ローカル・ノードとリモート・ノードの間でバスを介して送られる連続したデータ・ブロックを表す１組のデータ・パケットを受け取る方法であって、
所与のアドレスで始まるメモリを、前記ローカル・ノードに割り当てるステップであって、前記所与のアドレスは、トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分を含むステップと、
前記トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分を、前記所与のアドレスに始まる前記メモリの前記所与のアドレスに割り当てるステップと、
前記トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分に対応する所定のトランザクション・ラベルを、前記ローカル・ノードが、前記所定のトランザクション・ラベルを含む要求パケットを発行するように割り当てるステップと、
前記リモート・ノードが１つ以上の応答パケットを、ローカル・ノードに送るステップであって、前記応答パケットそれぞれは、前記要求パケットの前記トランザクション・ラベルに対応する前記トランザクション・ラベルを含むステップと、
ローカル・ノードが、自動的に、入来するパケットを。所定の順序に並び替え、受け取ったトランザクション・ラベルを、前記割り当てられたメモリを示す前記所与のアドレスのトランザクション・オーバーレイ・ポーションに置き換えることにより、修正したアドレスを生成し、前記応答パケットに含まれているデータが、前記修正したアドレスに記憶されるように動作するステップと
を含む方法。
【請求項３】
前記予め定められた順序は、
前記メモリの連続したアドレス
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ローカル・ノードの専用コンテキストが、前記トランザクション・ラベルを前記アドレスの前記トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分で置き換える前記ステップを実行する
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記専用コンテキストが、ロールオーバーされたトランザクション・ラベルを含むパケットを受信したときに、前記アドレスの最上位ビット部分を増分するステップ
をさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記増分するステップは、
前記アドレスの前記上位側ビット部分を増分する必要があるときに、前記専用コンテキストに通知する制御レジスタを利用するステップ
を含む
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記専用コンテキストは、直接メモリ・アクセス・プログラムである
請求項４に記載の方法。
【請求項８】
ローカル・ノードとリモート・ノードの間でバスを介して送られる連続したデータ・ブロックを表す１組のデータ・パケットを受け取る方法であって、
所与のアドレスで始まるメモリを、前記ローカル・ノードに割り当てるステップであって、前記所与のアドレスは、トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分を含むステップと、
前記トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分を、前記所与のアドレスに始まる前記メモリの前記所与のアドレスに割り当てるステップと、
前記トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分に対応する所定のトランザクション・ラベルを、前記ローカル・ノードが、前記所定のトランザクション・ラベルを含む要求パケットを発行するように割り当てるステップであって、トランザクション・ラベル割り当てサブルーチンは、トランザクションラベルを、ノード識別番号の要求および送信に基づいて割り当てるステップと、
前記リモート・ノードが１つ以上の応答パケットを、ローカル・ノードに送るステップであって、前記応答パケットそれぞれは、前記要求パケットの前記トランザクション・ラベルに対応する前記トランザクション・ラベルを含むステップと、
ローカル・ノードが、前記応答パケットに含まれるデータが、修正したアドレスに記憶されるように、受け取ったトランザクション・ラベルを、前記割り当てられたメモリを示す前記所与のアドレスのトランザクション・オーバーレイ部分に置き換えることにより、修正したアドレスを生成するステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記ローカル・ノードが、応答パケットの全てを受け取ったときに、それ以前に割り当てられた全てのトランザクション・ラベルの割り当てを取り消すステップ
をさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
リモート・ノードからローカル・ノードまでバスによって送られる連続したデータ・ブロックを表す受け取った一組のデータ・パケットを自動的に並べ替える方法であって、
受け取ったデータをローカル・ノードに記憶するメモリ・ロケーションを示すアドレスのトランザクション・ラベル・オーバーレイ部分を割り当てるステップと、
ローカル・ノードが、前記アドレスの前記トランザクション・ラベルに対応するトランザクション・ラベルを利用して、要求をリモート・ノードに送るステップと、
リモート・ノードが、ローカル・ノードに応答を送るステップであって、前記応答が、前記対応する要求の前記トランザクション・ラベルを含むステップと、
前記応答パケットの前記トランザクション・ラベルを、前記アドレスの前記トランザクション・ラベル・オーバーレイ部分に置き換えた後、前記応答パケットをメモリに記憶するステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを転送するためのシリアルデータラインおよび前記データを保持するクロック信号を転送するためのシリアルクロックラインを介して接続される少なくとも１つのマスタデバイスと、複数のスレーブデバイスと、論理手段とを有し、
通常動作モードにおいて、前記マスタデバイスの１つから前記シリアルデータラインを介して前記スレーブデバイスの１つを指定する固有アドレスが転送され、当該固有アドレスを有するスレーブデバイスが第１の端子より前記シリアルデータラインにアクノリッジ信号を出力し、
ローカルモードにおいて、前記マスタデバイスの１つから前記シリアルデータラインを介して前記複数のスレーブデバイスのうちのあらかじめ設定されている複数のスレーブデバイスに共通の共有アドレスが転送され、当該共有アドレスを有するスレーブデバイスが前記第１の端子と異なる第２の端子よりアクノリッジ信号を前記論理手段に出力し、当該論理手段は前記共有アドレスを有するスレーブデバイスから出力される前記アクノリッジ信号の論理をとって前記シリアルデータラインに出力することを特徴とするシリアルデータ転送装置。
【請求項２】
前記論理手段は前記共有アドレスを有する複数のスレーブデバイスの前記第２の端子に入力端子が接続されたＯＲゲートであることを特徴とする請求項１に記載のシリアルデータ転送装置。
【請求項３】
データを転送するためのシリアルデータラインおよび前記データを保持するクロック信号を転送するためのシリアルクロックラインを介して少なくとも１つのマスタデバイスと接続されるスレーブデバイスであって、
前記マスタデバイスと前記シリアルデータラインを介してデータ通信を行う手段と、
前記マスタデバイスから前記シリアルデータラインを介して転送されるアドレス情報と自分自身に固有の固有アドレスとを比較する手段と、
前記マスタデバイスから前記シリアルデータラインを介して転送されるアドレス情報と他のスレーブデバイスとの共通の共有アドレスとを比較する手段と、
前記マスタデバイスから転送されたアドレス情報が前記固有アドレスであると認識したときに第１の端子からアクノリッジ信号を出力する手段と、
前記マスタデバイスから転送されたアドレス情報が前記共有アドレスであると認識したときに前記第１の端子とは異なる第２の端子からアクノリッジ信号を出力する手段とを有することを特徴とするスレーブデバイス。
【請求項４】
さらに、セレクト信号の状態に応じて、前記マスタデバイスから送信される前記データがいずれかに保持される第１および第２のレジスタを有し、
前記第１のレジスタの出力は、当該スレーブデバイスに接続される装置に対して直接接続され、前記第２のレジスタの出力は、Ｉ／Ｏポートを介して、当該スレーブデバイスに接続される装置に双方向に接続されていることを特徴とする請求項３に記載のスレーブデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、データを転送するためのシリアルデータラインおよび前記データを保持するクロック信号を転送するためのシリアルクロックラインを介して接続される少なくとも１つのマスタデバイスと、複数のスレーブデバイスと、論理手段とを有し、
通常動作モードにおいて、前記マスタデバイスの１つから前記シリアルデータラインを介して前記スレーブデバイスの１つを指定する固有アドレスが転送され、当該固有アドレスを有するスレーブデバイスが第１の端子より前記シリアルデータラインにアクノリッジ信号を出力し、
ローカルモードにおいて、前記マスタデバイスの１つから前記シリアルデータラインを介して前記複数のスレーブデバイスのうちのあらかじめ設定されている複数のスレーブデバイスに共通の共有アドレスが転送され、当該共有アドレスを有するスレーブデバイスが前記第１の端子と異なる第２の端子よりアクノリッジ信号を前記論理手段に出力し、当該論理手段は前記共有アドレスを有するスレーブデバイスから出力される前記アクノリッジ信号の論理をとって前記シリアルデータラインに出力することを特徴とするシリアルデータ転送装置を提供するものである。
ここで、前記論理手段は前記共有アドレスを有する複数のスレーブデバイスの前記第２の端子に入力端子が接続されたＯＲゲートであるのが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、データを転送するためのシリアルデータラインおよび前記データを保持するクロック信号を転送するためのシリアルクロックラインを介して少なくとも１つのマスタデバイスと接続されるスレーブデバイスであって、
前記マスタデバイスと前記シリアルデータラインを介してデータ通信を行う手段と、
前記マスタデバイスから前記シリアルデータラインを介して転送されるアドレス情報と自分自身に固有の固有アドレスとを比較する手段と、
前記マスタデバイスから前記シリアルデータラインを介して転送されるアドレス情報と他のスレーブデバイスとの共通の共有アドレスとを比較する手段と、
前記マスタデバイスから転送されたアドレス情報が前記固有アドレスであると認識したときに第１の端子からアクノリッジ信号を出力する手段と、
前記マスタデバイスから転送されたアドレス情報が前記共有アドレスであると認識したときに前記第１の端子とは異なる第２の端子からアクノリッジ信号を出力する手段とを有することを特徴とするスレーブデバイスを提供する。
ここで、さらに、セレクト信号の状態に応じて、前記マスタデバイスから送信される前記データがいずれかに保持される第１および第２のレジスタを有し、
前記第１のレジスタの出力は、当該スレーブデバイスに接続される装置に対して直接接続され、前記第２のレジスタの出力は、Ｉ／Ｏポートを介して、当該スレーブデバイスに接続される装置に双方向に接続されているのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、固有アドレス信号Ａ０〜６、共有アドレス信号ＣＡ０〜６の内、固有アドレス信号Ａ０〜２および共有アドレス信号ＣＡ０〜２は、図３および図４に示されている信号である。固有アドレス信号Ａ３〜６および共有アドレス信号ＣＡ３〜６は、例えばＩＩＣバスの規格との互換性を考慮すれば、‘０１００’または‘０１１１’の固定値とする必要がある。また、Ｓ／Ｐ変換出力ＳＰＲ０〜６は、Ｓ／Ｐ変換後のアドレス情報を表すデータである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
次に、図７に示すフローチャートを参照しながら、本発明のシリアルデータ転送装置の動作について説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】
請求項27に記載の方法において、前記第５の垂直駆動信号と前記第３の垂直駆動信号とを同じ垂直駆動信号とみなして前記信号線2+16j 行（変数j は整数）および前記信号線9+16j 行とに供給し、
前記第６の垂直駆動信号と前記第７の垂直駆動信号とを同じ垂直同期信号とみなして前記信号線6+16j 行と前記信号線10+16j行とに供給することを特徴とする信号読出し方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
第５の垂直駆動信号と第３の垂直駆動信号とを同じ垂直駆動信号とみなして信号線2+16j 行（変数j は整数）および信号線9+16j 行とに供給し、第６の垂直駆動信号と第７の垂直駆動信号とを同じ垂直同期信号とみなして信号線6+16j 行と信号線10+16j行とに供給することが望ましい。この駆動により、駆動信号の種類が12から10に減らすことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
また、図17の第２フィールドの信号読出しは、図14と比較して先に読み出した２ライン以外のラインを２ラインずつ信号読出しを行っている。この信号読出しは、たとえば、図12の第m+３行および第m+４行の受光素子104aからの信号読出しにおいて、図18に示すように、垂直駆動タイミング信号VnとトランスファゲートパルスTGn をドライバ部122 に供給する。この供給する各信号のタイミングにおいて時刻t23 近傍に着目する。さらなる拡大したこの時刻近傍は図19のタイミングチャートで示す。これらの図から判るように、時刻t23 の垂直同期信号VDに同期して、図12に示した垂直転送電極E5およびE7にトランスファゲートパルスTG5 およびTG7 を含めた垂直同期信号φV5, φV7が与えられる。このとき、時刻t23 において、図12の垂直転送電極E5およびE7にトランスファゲートパルスTG5 およびTG7 を含む垂直駆動信号φV5, φV7を印加すると、第m+３行および第m+４行の受光素子104aに蓄積された信号電荷が垂直転送路104cに転送される。これら転送した信号電荷は、垂直転送電極に供給される垂直駆動パルスφVnの印加により水平転送路104dに転送される。水平転送路104dの信号電荷は、水平駆動信号φHnの供給に応じて水平方向に転送され、第２フィールドの映像信号として出力される。この場合、１フィールドごとに垂直転送電極E1a, E1b, E3a およびE3b と垂直転送電極E5およびE7への印加を交互に行って、撮像部104 は２ラインを一まとめにした信号読出しによるインターレース走査を行う。各フィールドの情報量は、１画面の情報量に比して垂直方向における画素数が1/2 である。このことからフィールド情報（画像信号）は1/2 に間引かれているとも言える。この第２の読出し処理は、第１の読出し処理と比較して、読み出すラインが空間的に隣接した位置から信号読出しして３原色RGB を揃えることができるので、空間的な画像の相関を高くすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
次に撮像部104 からの信号読出しにおける第８の読出し処理を説明する。説明には、図35〜図38を用いる。図35が示すように、全ライン数16ライン中、２ラインから信号電荷を読み出す処理である。したがって、この読出し処理は、１フィールド期間中に全ラインに対して1/8 のラインだけを読み出すものである。この処理は、1/8 間引きという。ベイヤ配列において、16ライン中、GBラインとRGラインを１ラインずつ読み出す際の空間的なバランス、すなわち解像度の点等を考慮するとともに、前述した撮像部104 の信号線の接続関係から信号電荷を読み出す位置関係は、図36に示すラインになる。垂直駆動電極E3a, E1aだけに供給される垂直駆動信号φV3a,φV1a には、トランスファゲートパルスTG3a, TG1aを含ませている。各フィールド毎にトランスファゲートパルスTG3a, TG1aをドライバ部122 に供給していることを図37に示す。さらに、図38のタイミングチャートは、時刻t41 近傍のトランスファゲートパルスTG3a, TG1aが垂直同期信号VD、水平同期信号HDに同期して所定のタイミングにより供給されることを示している。ベイヤ配列において所望のラインを独立的にそれぞれ読み出すことを考慮して垂直駆動電極を接続することにより、従来の撮像では難しかった垂直方向への1/8 間引きが容易に行うことができるようになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
図41のタイミングチャートから、垂直同期信号VDに同期してそれぞれのトランスファゲートパルスが供給されることが判る。本実施例では先の実施例に比べて２電極分増えている。この増加分を加えて、トランスファゲートパルスがTG1a〜TG1c, TG3a〜TG3cになる。最初の垂直同期信号VDに同期してトランスファゲートパルスTG7 を供給する。次の垂直同期信号VDの供給時には、トランスファゲートパルスTG5 を供給する。また、第３の垂直同期信号VDの供給時には、トランスファゲートパルスTG1a〜TG1cが同じタイミングで供給される。これらの信号の参照符号の添字が示すように信号線の接続関係により供給先が異なっているだけである。信号の添字と供給先の垂直転送素子の参照符号とは対応が判り易いように符号を同じにしている。最後に、第４の垂直同期信号VDの供給時には、トランスファゲートパルスTG3a〜TG3cが３つ同時に供給している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2000286408.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ギャップをはさんで端部が配置される第１及び第２の導波路が基板の面に沿って設けられ、前記ギャップに第１の屈折率を備えた液体が置かれると、前記第１の導波路を通る光が前記第２の導波路に入射し、前記液体が置かれないと、前記第１の導波路を通る光が前記ギャップによって反射されるようになっており、前記ギャップが、前記基板に形成されるトレンチの一部により構成され、
前記液体は前記第１の屈折率を備えた材料を含む液滴より成り、該液滴は、前記トレンチ内に配置されて前記ギャップに重なる第１の位置と前記ギャップから外れた第２の位置との間で移動可能とされ、
前記液滴を移動させるように該液滴に交差する方向に電界を生ぜしめる第１の電極の組をさらに備えることを特徴とする光スイッチ。
【請求項２】
前記トレンチ内には、前記第１の屈折率よりも小さい屈折率を有する液体又は気体が充填されることを特徴とする、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項３】
前記第１の導波路からの光が前記ギャップによって反射された際に、反射された光を受容する第３の導波路をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項４】
前記第１の電極の組は、前記第１の位置にある前記液滴に対して有効な電界を生ぜしめ、第２の位置にある前記液滴に対しては有効な電界を生じないよう構成されることを特徴とする、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項５】
第２の電極の組をさらに備え、該第２の電極の組は、前記第２の位置にある前記液滴に対して有効な電界を生ぜしめ、前記第１の位置にある前記液滴に対しては有効な電界を生じないよう構成されることを特徴とする、請求項４に記載の光スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はマルチビーム走査装置及びそれを用いた画像形成装置に関し、特に光源手段から射出した光束を偏向手段としてのポリゴンミラーにより反射偏向させ、走査光学手段を介して被走査面上を光走査して画像情報を記録するようにした、例えば電子写真プロセスを有するレーザービームプリンターやデジタル複写機やマルチファンクションプリンター（多機能プリンタ）等の画像形成装置に好適な光走査光学系に係り、特に複数の光束を同時に光走査して高速化・高精細化を図ったマルチビーム走査装置においてジッタ−を低減した良好なる画像が常に得られるものに関するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図２３はこの種の従来のマルチビーム走査装置の要部斜視図である。図２４（Ａ）は図２３の光源手段から同期検知手段に至る光路を示した主走査方向の要部断面図（主走査断面図）、図２４（Ｂ）は図２３の光源手段から同期検知手段に至る光路を示した副走査方向の要部断面図（副走査断面図）である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施形態】
図１は、本発明による撮影機能を有する観察装置の一実施形態を示している。この観察装置は観察光学系としての双眼鏡と撮影光学系との組合せによって構成されている。
双眼鏡は、周知のように、複数枚のレンズの組合せからなる正のパワーの対物光学系と、対物光学系によって形成される像の上下左右を反転させ、正立像として観察するための正立光学系と、該正立像を観察する正のパワーの接眼光学系とから構成される観察光学系１が、右目観察用と左目観察用に一対配置されている。図１では対物光学系の一部のみが観察光学系１として示されている。
複数枚のレンズの組み合わせによって構成される正のパワーの撮影光学系は、双眼鏡の一対の観察光学系の中間に配置されている。図１では、撮影光学系の一部のみが撮影光学系１００として示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、この観察光学系１の光路外には、平面ミラー６０側から順に、指標投影レンズ６０３、マスク６０２、及び光源６０１が配置されている。マスク６０２は、遮光材料の中央に、光軸上に中心が位置する指標（十字線）６０４（図５（ｂ）参照）を透光部として形成したものである。マスク６０２と視野枠１３（観察対象の像位置）とは、平面ミラー６０を光路内に挿入した図２（ｂ）の状態において、指標投影レンズ６０３によって互いに共役になるように位置が定められている。