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【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１記載のシート供給装置において、
速度可変手段は、エア流路の移動方向として上から下へ移動する場合のエア流路の移動速度を下から上へ移動する場合のそれよりも遅く設定することを特徴とするシート供給装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。
◎実施の形態１
図２は本発明が適用されたシート供給装置の実施の形態１を組み込んだ画像形成装置の概略構成を示す正面説明図である。
同図において、画像形成装置１０は、画像読取装置１１やパーソナルコンピュータ等の外部機器１２と通信回線１３によって接続される受信部１４を有し、この受信部１４からの画像情報を画像記録制御部１５に取り込み、前記画像情報に基づいて後述する画像書込み装置２２を制御するようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、シートの厚みモードについては、流路移動板６１に対し以下のような速度パターンにすることも可能である。
すなわち、エアによって薄シートは容易に浮揚するが、束浮揚し易い。一方、厚シートはなかなか浮揚しないが、一旦浮揚すると、束浮揚は薄シートよりはしづらい。
そこで、図１１（ａ）に示すように、薄シートは浮揚したシート群への吹き付け時間を長くするように、流路移動板６１の移動速度を、流路移動板６１が最も高くなった位置（吹出口上端位置Ａ：エア流路６２が閉じた状態）から最上シート位置Ｂまでの区間の方を、最上シート位置Ｂから流路移動板６１が最も低くなった位置（吹出口下端位置Ｃ：エア流路６２が開いた状態）までの区間より遅くする。
それとは逆に、厚シートでは、図１１（ｂ）に示すように、流路移動板６１の移動速度を、流路移動板６１が最も高くなった位置（吹出口上端位置Ａ：エア流路６２が閉じた状態）から最上シート位置Ｂまでの区間の方より、最上シート位置Ｂから流路移動板６１が最も低くなった位置（吹出口下端位置Ｃ：エア流路６２が開いた状態）までの区間の方を遅くすることで、厚シートを浮揚しやすくさせようとしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002128300.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2002128300.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、通信や放送の送受信に用いられるモノポールアンテナに係り、特に、車載用や携帯用として好適なモノポールアンテナに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のモノポールアンテナは、ロッド状の放射導体の全長がλ／４なので、例えば携帯電話に多用されている８００ＭＨｚ帯域の電波の送受信を行う場合、全長が１０ｃｍ近い放射導体が必要となり、車載用モノポールアンテナとしては高さ寸法が大きすぎるという問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで最近、セラミック等の誘電体基板の表面に、印刷やエッチング等の手法で一定幅の帯状の放射導体を形成することにより、高さ寸法を低減したモノポールアンテナが提案されている。かかる従来提案によれば、誘電体による波長短縮によって放射導体の全長を２０％前後短縮することが可能であるが、車載用モノポールアンテナのように高さ寸法の制約が大きい場合には、放射導体をさらに短くすることが要望されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スロットアンテナ型の長手方向の放射で波を送受信する１個以上であるｎ個の手段の組立体と、
少なくとも一つのアンテナのスロットに電磁気的に接続された励振手段と、
該励振手段とスロットアンテナの少なくとも一つのスロットとの間の電磁カップリングを制御することにより動作するスイッチング装置と、
を有する装置であって、
スイッチング装置は、
スロットアンテナの一つのスロットを画成する二つの金属表面間に可逆電気接点を形成する少なくとも一つの手段と、
上記可逆電気接点の状態を制御する手段と、
を具備することを特徴とする装置。
【請求項２】  スロットアンテナは、基板に印刷された少なくとも一つのスロットを含み、
スロットの一端は基板の縁に向かって徐々に広がり、
閉じていないスロットの他端は基板の別の縁の方へ延びる、
ことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】  印刷されたスロットアンテナのスロットとマイクロストリップラインは、
λ0が真空中の波長を表わし、
ε1reffがスロットの実効比誘電率を表わし、
ｋ’が奇数を表わし、
λs＝λ0／√（ε１reff）であるとき、
スロットの広がっていない方の他端からｋ’λs／４の距離だけ離れたシステムの中心動作周波数で交差することを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】  スロットアンテナの一つのスロットを画成する二つの金属表面間に可逆電気接点を形成する手段は、
λ0が真空中の波長を表わし、
ε1reffがスロットの実効比誘電率を表わし、
ｋ’が奇数を表わし、
λs＝λ0／√（ε１reff）であるとき、
マイクロチップラインから距離ｋ’λs／４だけ離れている場所でスロットを横切るように設けられていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、通信や放送の送受信に用いられるモノポールアンテナに係り、特に、車載用や携帯用として好適なモノポールアンテナに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のモノポールアンテナは、ロッド状の放射導体の全長がλ／４なので、例えば携帯電話に多用されている８００ＭＨｚ帯域の電波の送受信を行う場合、全長が１０ｃｍ近い放射導体が必要となり、車載用モノポールアンテナとしては高さ寸法が大きすぎるという問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで最近、セラミック等の誘電体基板の表面に、印刷やエッチング等の手法で一定幅の帯状の放射導体を形成することにより、高さ寸法を低減したモノポールアンテナが提案されている。かかる従来提案によれば、誘電体による波長短縮によって放射導体の全長を２０％前後短縮することが可能であるが、車載用モノポールアンテナのように高さ寸法の制約が大きい場合には、放射導体をさらに短くすることが要望されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような構成のモノポールアンテナは、図２に示すような等価回路で表すことができる。図２は、接地された入力電源６と、同じく接地された放射抵抗Ｒとの間に、コイルＬとコンデンサＣを直列に接続した回路である。図１に示す放射導体３の上部側は、電圧が大きく変化する容量領域なので、図２中のコンデンサＣと見なせる。そして、この部分が幅広部３ａとなっているため、放射導体３の上部側はキャパシタンスが大きく、それに伴いモノポールアンテナの共振周波数は小さくなっている。また、放射導体３の下部側は、電流が大きく変化する誘導領域なので、図２中のコイルＬと見なせる。そして、この部分が幅狭部３ｂとなっているため、コイルＬの線径が細くなった場合と同様にインダクタンスが大きくなり、それに伴いモノポールアンテナの共振周波数は小さくなっている。
つまり、誘電体基板の表面に一定幅の帯状の放射導体が形成されている従来のモノポールアンテナと比べたとき、本実施形態例では、放射導体３の高さ寸法が同等であれば共振する周波数が小さくなり、それゆえ所望の周波数に共振させる場合に、かかる従来品よりも高さ寸法を低減することができる。具体的には、誘電体の波長短縮を利用して高さ寸法を７５〜８５％まで低減させている従来品に比べて、本実施形態例に係るモノポールアンテナは、放射導体３の高さ寸法をさらに１５％程度低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、通信や放送の送受信に用いられるモノポールアンテナに係り、特に、車載用や携帯用として好適なモノポールアンテナに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のモノポールアンテナは、ロッド状の放射導体の全長がλ／４なので、例えば携帯電話に多用されている８００ＭＨｚ帯域の電波の送受信を行う場合、全長が１０ｃｍ近い放射導体が必要となり、車載用モノポールアンテナとしては高さ寸法が大きすぎるという問題があった。しかも、この種のモノポールアンテナは共振周波数帯域が狭く、特定の周波数付近の電波に対してだけ共振するので、受信しようとする電波の周波数にばらつきがある場合、感度が極端に低下してしまう恐れがあった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、通信や放送の送受信に用いられ二つの周波数帯で動作するデュアルバンド用のモノポールアンテナに係り、特に、車載用や携帯用として好適なデュアルバンド用モノポールアンテナに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のデュアルバンド用モノポールアンテナは、ロッド状の各放射導体の全長がλ／４なので、例えば１．９ＧＨｚ帯域の電波を送受信する放射導体の全長は約４ｃｍと短いが、８００ＭＨｚ帯域の電波を送受信する放射導体の場合、その全長が１０ｃｍ近く必要となり、車載用モノポールアンテナとしては高さ寸法が大きすぎるという問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
なお、最近、セラミック等の誘電体基板の表面に印刷やエッチング等の手法で一定幅の帯状の放射導体を形成することにより、高さ寸法を低減したモノポールアンテナが提案されている。かかる従来提案によれば、誘電体による波長短縮によって放射導体の全長を２０％前後短縮することが可能なので、例えば８００ＭＨｚ帯域用の放射導体の長さを８ｃｍ近くまで短縮させることができるが、車載用モノポールアンテナのように高さ寸法の制約が大きい場合には、放射導体をさらに短くすることが要望されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この第３実施形態例では、誘電体基板２上に略直交させて誘電体小基板２０が設けてあり、この誘電体小基板２０の表面のほぼ全面に第１の放射導体３の水平部３１が形成してある。誘電体小基板２０は誘電体基板２と共通の基板から作製したものであり、誘電体基板２上の凸部２ａを誘電体小基板２０の中央部の透孔に挿通した状態で両者２，２０が接着剤等により一体化されている。第１の放射導体３は、誘電体基板２の表面に上下方向に沿って設けられた起立部３０と、誘電体小基板２０の表面に沿って設けられた水平部３１と、誘電体基板２上の凸部２ａに設けられた連結部３２とからなり、この連結部３２を介して起立部３０と水平部３１とが接続されている。ただし、起立部３０は前述した各実施形態例とほぼ同形状の幅広部３ａおよび幅狭部３ｂからなり、連結部３２は幅広部３ａの上端に連続している。また、連結部３２と水平部３１は半田付けされている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁膜を介して形成された下層電極と、
前記下層電極に対して第２の絶縁膜を介して対向する上層電極と、
前記基板と前記下層電極の間に形成され、前記上層電極に電気的に接続された下部配線層と
を有することを特徴とする容量素子。
【請求項２】
請求項１記載の容量素子において、
前記上層電極に電気的に接続され、前記下層電極を側方から被うように形成された側部配線層を更に有する
ことを特徴とする容量素子。
【請求項３】
請求項１又は２記載の容量素子において、
前記下層電極と前記下部配線層との間に、前記下層電極に接続された第１の配線パターンと、
前記第１の配線パターンに対向し、前記下部配線層に接続された第２の配線パターンとを更に有する
ことを特徴とする容量素子。
【請求項４】
請求項３記載の容量素子において、
前記第１の配線パターンは、複数の配線容量用配線層がアレイ状に配列されたものであり、
前記第２の配線パターンは、前記第１の配線パターンの配線容量用配線層の各々に対向するように配列された複数の配線容量用配線層がアレイ状に配列されたものである
ことを特徴とする容量素子。
【請求項５】
基板上に第１の絶縁膜を介して形成された下層電極と、
前記下層電極に対して第２の絶縁膜を介して対向する上層電極と、
前記基板と前記下層電極の間に形成され、前記下層電極に電気的に接続された下部配線層と、
前記上層電極上に第３の絶縁膜を介して形成され、前記下部配線層に電気的に接続された上部配線層と
を有することを特徴とする容量素子。
【請求項６】
請求項５記載の容量素子において、
前記下層電極に電気的に接続され、前記下層電極を側方から被うように形成された側部配線層を更に有する
ことを特徴とする容量素子。
【請求項７】
基板上に第１の絶縁膜を介して下層電極を形成する工程と、
前記下層電極に対して第２の絶縁膜を介して対向する上層電極を形成する工程とを有する容量素子の製造方法であって、
前記基板と前記下層電極の間に、前記上層電極に電気的に接続された下部配線層を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする容量素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の容量素子の製造方法において、
前記上層電極に電気的に接続され、前記下層電極を側方から被う側部配線層を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする容量素子の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８記載の容量素子の製造方法において、
前記下層電極と前記下部配線層との間に、前記下層電極に接続された第１の配線パターンを形成する工程と、
前記第１の配線パターンに対向し、前記下部配線層に接続された第２の配線パターンとを形成する工程とを更に有する
ことを特徴とする容量素子の製造方法。
【請求項１０】
基板上に第１の絶縁膜を介して下層電極を形成する工程と、
前記下層電極に対して第２の絶縁膜を介して対向する上層電極を形成する工程と、
前記基板と前記下層電極の間に、前記下層電極に電気的に接続された下部配線層を形成する工程と、
前記上層電極上に第３の絶縁膜を介して、前記下部配線層に電気的に接続された上部配線層を形成する工程と
を有することを特徴とする容量素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の容量素子の製造方法において、
前記下層電極に電気的に接続され、前記下層電極を側方から被う側部配線層を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする容量素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記目的は、基板上に第１の絶縁膜を介して下層電極を形成する工程と、前記下層電極に対して第２の絶縁膜を介して対向する上層電極を形成する工程とを有する容量素子の製造方法であって、前記基板と前記下層電極の間に、前記上層電極に電気的に接続された下部配線層を形成する工程を更に有することを特徴とする容量素子の製造方法により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次いで、通常のリソグラフィー技術により、積層された窒化チタン膜４０ａ、層間絶縁膜１２、窒化チタン膜４０ｂをパターニングし、溝に埋め込まれた中継用配線層２０ａと接触する下層電極２２と、層間絶縁膜１２を介して下層電極２２に対向する上層電極２４とを形成する（図３（ｃ））。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
（付記７）  基板上に第１の絶縁膜を介して下層電極を形成する工程と、前記下層電極に対して第２の絶縁膜を介して対向する上層電極を形成する工程とを有する容量素子の製造方法であって、前記基板と前記下層電極の間に、前記上層電極に電気的に接続された下部配線層を形成する工程を更に有することを特徴とする容量素子の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
（付記８）  付記７記載の容量素子の製造方法において、前記上層電極に電気的に接続され、前記下層電極を側方から被う側部配線層を形成する工程を更に有することを特徴とする容量素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に機能素子が形成されると共に他面に回路配線が形成され、且つ、該一面と該他面との間を貫通するビア・ホール及び該ビア・ホールの内壁面に被着された中空構造の金属導体からなるビア電極が形成された基板を備え、該基板の他面側において該ビア・ホールが通気性をもつ絶縁材料膜で閉塞されてなることを特徴とする半導体装置の支持体。
【請求項２】
中空構造の金属導体からなるビア電極の一端は基板の一面に形成された機能素子に接合され、且つ、他端は基板の他面に形成された回路配線に接合され、該基板の他面側において該ビア電極が通気性をもつ絶縁材料膜で閉塞されてなることを特徴とする半導体装置の支持体。
【請求項３】
絶縁材料膜は通気性を維持する為の通気孔が形成されてなることを特徴とする請求項１或いは請求項２記載の半導体装置の支持体。                                        【請求項４】
絶縁材料膜がはんだレジスト膜であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１記載の半導体装置の支持体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月12日(2004.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５５】
第１４の実施形態は、図１に示す適用物理寸法を「ビットセル面積」とし、図１９に示す第２の使用形態を「待機時にデータを保持する必要がない」とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
（ａ）及び（ｂ）は本発明の第９の実施形態に係る半導体集積回路装置に形成されるＳＲＡＭブロックを示し、（ａ）は電源遮断制御を行なわないＳＲＡＭブロックを示す部分的な回路図であり、（ｂ）はそのビット線と接地線とを示す断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
（ｂ）は本発明の第１２の実施形態に係るチップ状の半導体集積回路装置と該チップ上に形成されるＳＲＡＭブロックとを示す模式的な平面図である。
（ａ）は（ｂ）に示すＳＲＡＭブロックにおける設計パターンの適用物理寸法及び適用条件を表わす表である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
（ｂ）は本発明の第１３の実施形態に係るチップ状の半導体集積回路装置と該チップ上に形成されるＳＲＡＭブロックとを示す模式的な平面図である。
（ａ）は（ｂ）に示すＳＲＡＭブロックにおける設計パターンの適用物理寸法及び適用条件を表わす表である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、各種電子部品の製造における厚膜ペーストにより形成される膜部材の形成時に生じるダレや流れを容易に防止でき、且つ該ダレや流れの防止に要する工程の増加を最小限に留めることが可能であり、製造効率を格段に向上させることができる電子部品の製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、各種電子部品の製造における厚膜ペーストにより形成される膜部材の縁を、簡便な工程によりファインに仕上げることが可能であり、容易な高集積度化をも可能とする電子部品の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記製造方法の目的を容易に達成するための、印刷適性を有し、乾燥後、所定温度以上に焼成することにより消失するバーンアウト樹脂ペーストを提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【発明の効果】
本発明の電子部品の製造方法は、所望箇所にバーンアウト樹脂ペーストを印刷、乾燥し、ダレ及び流れ防止堰部を形成する工程(a)と、該工程(a)の後、膜部材を形成するにあたり、厚膜ペーストを印刷、乾燥する工程(b)と、工程(b)で得られたペースト乾燥物を焼成し、膜部材を形成すると共に、工程(a)で形成した堰部を消失させる工程(c)とを含むので、各種電子部品の製造における厚膜ペーストにより形成される膜部材の形成時に生じるダレや流れを容易に防止でき、製造効率を格段に向上させることができる。
また、前記ダレ及び流れ防止堰部の形成箇所を選択することにより、膜部材の縁部におけるファイン化を向上させることができる他、膜部材の形成位置のズレ等を制御することも可能となり、容易な高集積度化も可能である。
更に、バーンアウト樹脂ペーストに有機顔料を配合することにより、形成される堰部を視覚的に管理することができ、不良品を容易に発見できるので、不良な厚膜ペーストの焼成前に基板を再利用に供することも可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のガスが導入される空間内に互いに所定の角度をなす２つの反射面を有する反射部材が配される光学装置において、
前記所定のガスの流れの状態が前記２つの反射面でほぼ同じになるように前記空間内に前記所定のガスを導入するガス導入装置を備えることを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記所定のガスの流れの状態は、前記２つの反射面のそれぞれにおける前記所定のガスの流れる方向を含むことを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記ガス導入装置は、前記２つの反射面のうち、一方の反射面を含む面と、他方の反射面を含む面とが交差してできる稜線の正面側、背面側、及び側面側のうちのいずれか一側から前記稜線に向けて流れるように前記所定のガスを導入することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記ガス導入装置は、前記２つの反射面における乱流が抑制される流量差で、前記２つの反射面に向けて前記所定のガスを導入する複数の導入口を有することを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の光学装置。
【請求項５】
前記導入口は、前記稜線を挟んで対称に配置されることを特徴とする請求項４に記載の光学装置。
【請求項６】
前記ガス導入装置は、前記所定のガスを前記空間内に導入するための導入口に配されるフィンを有することを特徴とする請求項４に記載の光学装置。
【請求項７】
前記空間内における前記所定のガスの流れの乱れを抑制する乱れ抑制部材を有することを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか一項に記載の光学装置。
【請求項８】
前記乱れ抑制部材は、前記２つの反射面と連続する面を有することを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
【請求項９】
前記乱れ抑制部材は、前記反射鏡を支持する支持部材であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の光学装置。
【請求項１０】
前記所定のガスが導入される前記空間を形成する鏡筒と、
前記鏡筒内に前記反射部材を固定する支持部材と、
前記支持部材の周辺に設けられ、前記空間内に導入された前記所定のガスを排気する排気口とを有することを特徴とする請求項１から請求項９のうちのいずれか一項に記載の光学装置。
【請求項１１】
パターンが形成されたマスクをビームにより照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板上に転写する投影光学系とのうちの少なくとも一方を、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の光学装置で構成することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では請求項１１に記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月19日(2004.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御コマンドによって制御された装置のシミュレーションを実行する情報処理装置であって、
前記装置を制御したときの前記装置の装置状態及び前記制御コマンドに時間情報を付与する付与部と、
前記付与部で時間情報を付与された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を編集する編集部と、
前記編集部で編集された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシミュレーションを実行するシミュレーション部と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記編集部は、前記制御コマンドの指定した部分に対してシミュレーションを実行するための編集を行うことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記編集部は、前記制御コマンドの時間情報に従って順次前記装置のシミュレーションを実行するための編集を行うことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記編集部は、前記制御コマンドの時間情報の時間間隔を調節することによってシミュレーションを実行するための編集を行うことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記シミュレーション部は、前記シミュレーション部のシミュレーション結果を表示することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記シミュレーション結果は、三次元画像データであることを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記シミュレーション部は、前記装置を制御するための前記制御コマンドと、前記制御コマンドを用いて前記装置を制御したときの前記装置の装置状態とを、前記装置と同様に制御できる制御部を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
制御コマンドによって制御された装置のシミュレーションを実行する情報処理方法であって、
前記装置を制御したときの前記装置の装置状態及び前記制御コマンドに時間情報を付与する付与工程と、
前記付与工程で時間情報を付与された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を編集する編集工程と、
前記編集工程で編集された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシミュレーションを実行するシミュレーション工程と、
を含むことを特徴とする情報処理方法。
【請求項９】
前記編集工程は、前記制御コマンドの指定した部分に対してシミュレーションを実行するための編集を行うことを特徴とする請求項８に記載の情報処理方法。
【請求項１０】
前記編集工程は、前記制御コマンドの時間情報に従って順次前記装置のシミュレーションを実行するための編集を行うことを特徴とする請求項８に記載の情報処理方法。
【請求項１１】
前記編集工程は、前記制御コマンドの時間情報の時間間隔を調節することによってシミュレーションを実行するための編集を行うことを特徴とする請求項８に記載の情報処理方法。
【請求項１２】
前記シミュレーション工程は、前記シミュレーション工程のシミュレーション結果を表示することを特徴とする請求項８に記載の情報処理方法。
【請求項１３】
前記シミュレーション結果は、三次元画像データであることを特徴とする請求項１２に記載の情報処理方法。
【請求項１４】
前記シミュレーション工程は、前記装置を制御するための前記制御コマンドと、前記制御コマンドを用いて前記装置を制御したときの前記装置の装置状態とを、前記装置と同様に制御できる制御工程を更に含むことを特徴とする請求項８に記載の情報処理方法。
【請求項１５】
制御コマンドによって制御された装置のシミュレーションを実行する情報処理装置を制御するためのプログラムであって、
前記装置を制御したときの前記装置の装置状態及び前記制御コマンドに時間情報を付与する付与工程と、
前記付与工程で時間情報を付与された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を編集する編集工程と、
前記編集工程で編集された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシミュレーションを実行するシミュレーション工程と、
を含むことを特徴とするプログラム。
【請求項１６】
制御コマンドによって制御された装置のシミュレーションを実行する情報処理装置を制御するためのプログラムのコードが格納されたコンピュータ可読メモリであって、
該プログラムは前記装置を制御したときの前記装置の装置状態及び前記制御コマンドに時間情報を付与する付与工程と、
前記付与工程で時間情報を付与された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を編集する編集工程と、
前記編集工程で編集された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシミュレーションを実行するシミュレーション工程と、
を含むことを特徴とするコンピュータ可読メモリ。
【請求項１７】
デバイスの製造方法であって、
試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターンを焼き付ける露光工程と、
前記露光工程でパターンが焼き付けられた基板の感光性材料を現像する現像工程と、
を有し、
前記露光工程は、
前記デバイスを製造する装置を制御したときの前記装置の装置状態及び前記制御コマンドに時間情報を付与する付与工程と、前記付与工程で時間情報を付与された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を編集する編集工程と、前記編集工程で編集された前記装置状態又は前記制御コマンドのうちの少なくとも一方を用いて、前記装置のシミュレーションを実行するシミュレーション工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月16日(2004.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランス
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の方向の径が短径となり、それと直交する方向の径が長径となる楕円形状のコアと、その楕円形状のコアが挿入される楕円形状の挿入穴を有する楕円形状のコイルボビンとを備えたことを特徴とするトランス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テレビジョン受信機、カラーディスプレイ等の陰極線にフォーカス電圧及び必要に応じてスクリーン電圧を印加するフライバックトランスなどのトランスに係り、特にそれのコイルボビン及びコアの構造に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、小型で軽量なトランスを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明のトランスは、一方の方向の径が短径となり、それと直交する方向の径が長径となる楕円形状のコアと、その楕円形状のコアが挿入される楕円形状の挿入穴を有する楕円形状のコイルボビンとを備えたことを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このようにコイルボビンの断面が楕円形状になっているから、コイル部の奥行きが減り、ピン端子上部に生じる無駄なスペースを最小限にし、トランスの小型化、軽量化を図ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、楕円形状コアと楕円形状コイルボビンを有するので、コイル部の奥行きが減り、ピン端子上部に生じる無駄なスペースを最小限にしたトランスを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】陽極片(22)と陰極片の下端部を連結片(24)にて繋いだケース(２)を用意する工程と、
ケース(２)内の両極片(22)(23)間にコンデンサ素子(５)を配備して、両極片(22)(23)とコンデンサ素子(５)を電気的に接続する工程と、
ケース(２)内の両極片(22)(23)間を合成樹脂(70)にて被覆する工程と、
連結片(24)を除去して、陽極片(22)と陰極片(23)を電気的に分離するとともに、両極片(22)(23)と合成樹脂をコンデンサ素子(５)の下方の一面に露出させる工程とを具えた固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】ケース(２)内の両極片(22)(23)間に、コンデンサ素子(５)を複数個積み重ねて配置する請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項３】  コンデンサ素子(５)は陽極リード(10)を具え、陽極片(22) と陽極リード(10)を接続する際に、陽極リード(10)の先端部を平らに変形させる請求項１又は２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項４】  陽極リード(10)が接続された陽極体(１)表面に誘電体酸化被膜(11)、陰極層(12)が順次形成されたコンデンサ素子(５)を、対向配備した陽極片(22)と陰極片(23)上に載置接続し、両極片(22)(23)間を合成樹脂(70)にて被覆した固体電解コンデンサであって、少なくとも陽極リード(10)に近接するコンデンサ素子(５)の陰極層(12)部分が陰極片(23)に接続されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項５】  陽極リード(10)が接続された陽極体(１)表面に誘電体酸化被膜(11)、陰極層(12)が順次形成されたコンデンサ素子(５)を、対向配備した陽極片(22)と陰極片(23)上に載置接続し、両極片(22)(23)間を合成樹脂(70)にて被覆した固体電解コンデンサであって、陰極片(23)をコンデンサ素子(５)の陰極層(12)幅に亘って延在させたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項６】  陽極リード(10)が接続された陽極体(１)表面に誘電体酸化被膜(11)、陰極層(12)が順次形成されたコンデンサ素子(５)を、対向配備した陽極片(22)と陰極片(23)上に載置接続し、両極片(22)(23)間を合成樹脂(70)にて被覆した固体電解コンデンサであって、陽極片(22)と陰極片(23)の極間距離Ｗが２ｍｍ以下になるように両極片(22)(23)を配置したことを特徴とする固体電解コンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月19日(2004.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードと、該レーザダイオードを駆動する駆動回路とを備える半導体レーザ装置において、
前記レーザダイオードの両端に並列に接続され、前記レーザダイオードを短絡するための第１のスイッチと、
前記レーザダイオードと前記駆動回路の間に直列に接続された第２のスイッチと、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチのうち一方がＯＦＦのときは他方がＯＮであるように制御すると共に、前記レーザダイオードを短絡するときは、前記第２のスイッチをＯＦＦにしてから前記第１のスイッチをＯＮにするように制御し、前記短絡されたレーザダイオードを開放するときは、前記第１のスイッチをＯＦＦにしてから前記第２のスイッチをＯＮにするように制御するスイッチ制御回路とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記スイッチ制御回路は、前記駆動回路の電源のＯＮ／ＯＦＦに応じて動作することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記スイッチ制御回路は、前記駆動回路に印加される、該駆動回路を制御する駆動回路制御信号に応じて動作することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記スイッチ制御回路は、前記駆動回路制御信号がディセーブルであるときに、前記第１のスイッチをオンにすることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記駆動回路、前記第１のスイッチ及び第２のスイッチ、並びにスイッチ制御回路は、同一のＩＣ内に構成されたものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の半導体レーザ装置は、レーザダイオードと、該レーザダイオードを駆動する駆動回路とを備える半導体レーザ装置において、前記レーザダイオードの両端に並列に接続され、前記レーザダイオードを短絡するための第１のスイッチと、前記レーザダイオードと前記駆動回路の間に直列に接続された第２のスイッチと、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチのうち一方がＯＦＦのときは他方がＯＮであるように制御すると共に、前記レーザダイオードを短絡するときは、前記第２のスイッチをＯＦＦにしてから前記第１のスイッチをＯＮにするように制御し、前記短絡されたレーザダイオードを開放するときは、前記第１のスイッチをＯＦＦにしてから前記第２のスイッチをＯＮにするように制御するスイッチ制御回路とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項２記載の半導体レーザ装置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記スイッチ制御回路は、前記駆動回路の電源のＯＮ／ＯＦＦに応じて動作することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項３記載の半導体レーザ装置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記スイッチ制御回路は、前記駆動回路に印加される、該駆動回路を制御する駆動回路制御信号に応じて動作することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項４記載の半導体レーザ装置は、請求項３記載の半導体レーザ装置において、前記スイッチ制御回路は、前記駆動回路制御信号がディセーブルであるときに、前記第１のスイッチをＯＮにすることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項５記載の半導体レーザ装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置において、前記駆動回路、前記第１のスイッチ及び第２のスイッチ、並びにスイッチ制御回路は、同一のＩＣ内に構成されたものであることを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
さらに、請求項１記載の半導体レーザ装置によれば、レーザダイオードを短絡するときは、第２のスイッチをＯＦＦにしてから第１のスイッチをＯＮにし、短絡されたレーザダイオードを開放するときは、第１のスイッチをＯＦＦにしてから第２のスイッチをＯＮにするので、レーザダイオードに静電破壊が起こること及び過電流に起因する駆動回路の破壊を確実に防止できる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
請求項２記載の半導体レーザ装置によれば、スイッチ制御回路は、駆動回路の電源のＯＮ／ＯＦＦに応じて動作するので、駆動回路の電源がＯＮのときに第１のスイッチをＯＦＦにしてから第２のスイッチをＯＮにするので、過電流に起因する駆動回路の破壊をより確実に防止できる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
請求項３記載の半導体レーザ装置によれば、スイッチ制御回路は、駆動回路に印加される、該駆動回路を制御する駆動回路制御信号に応じて動作するので、過電流に起因する駆動回路の破壊をより一層確実に防止できる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
請求項５記載の半導体レーザ装置によれば、ＩＣ内に駆動回路、第１のスイッチ及び第２のスイッチ、並びにスイッチ制御回路が構成されているので、半導体レーザ装置を小型化できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層された窒化物半導体層とから構成される窒化物半導体レーザ素子において、
前記窒化物半導体基板が、結晶欠陥の集中するストライプ状の転位集中領域と、該転位集中領域を除く低転位領域とを具備した基板であるとともに、
前記窒化物半導体基板の表面上の前記転位集中領域を被覆する位置に、窒化物半導体結晶の成長を抑制する成長抑制膜を有し、
該成長抑制膜が設けられた前記窒化物半導体基板上に前記窒化物半導体結晶を成長させることで、前記窒化物半導体層が積層されることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記成長抑制膜の形状が線状であり、
前記転位集中領域それぞれに対して簀の子状となるように複数本毎の前記成長抑制膜が設けられるとともに、該複数本毎の成長抑制膜によって前記各転位集中領域が覆われることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記各転位集中領域に対して設けられた前記複数本毎の成長抑制膜が、その幅が１μｍ以上１０μｍ以下で、且つ、隣の成長抑制膜との間隔が１μｍ以上１０μｍ以下で平行に並んで位置するように設けられ、
該複数本毎の成長抑制膜の幅と間隔とを合わせた領域それぞれが、前記各転位集中領域を被覆することを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記窒化物半導体基板の伝導特性がｎ型の伝導特性であるとともに、
前記成長抑制膜を被覆するように、前記窒化物半導体基板の表面上にｎ型の伝導特性を有するＧａＮ膜を形成することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記ｎ型の伝導特性を有するＧａＮ膜の膜厚が、１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記成長抑制膜の膜厚が０．０５μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記成長抑制膜が、シリコン化合物膜、又は、金属膜であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記成長抑制膜が、ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、チタン膜、又は、タングステン膜のいずれかであることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記窒化物半導体層が量子井戸活性層を有するとともに、該活性層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）により構成される井戸層を含有することを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
Ａｓ、ＰおよびＳｂの元素群のうち少なくともいずれかの元素が、前記活性層に含有されることを特徴とする請求項９に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記窒化物半導体基板がＧａＮ基板であることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】
窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層された窒化物半導体層とから構成される窒化物半導体レーザ素子において、
前記窒化物半導体基板が、第１の極性を有する領域と、第１の極性と異なる第２の極性を有する領域と、を具備した基板であるとともに、
前記窒化物半導体基板の表面上の前記第１の極性を有する領域を被覆する位置に、窒化物半導体結晶の成長を抑制する成長抑制膜を有し、
該成長抑制膜が設けられた前記窒化物半導体基板上に前記窒化物半導体結晶を成長させることで、前記窒化物半導体層が積層されることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記第１の極性を有する領域の表面位置において、窒素原子が露出する面方位であることを特徴とする請求項１２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記窒化物半導基板に対して水平方向に光を閉じ込めるためのリッジストライプ部が、前記成長抑制膜の間に形成される前記窒化物半導体層に構成される高ルミネッセンス領域の直上となる位置に形成されないことを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１５】
窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層された窒化物半導体層とから構成される窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、
結晶欠陥の集中するストライプ状の転位集中領域と該転位集中領域を除く低転位領域とを具備した前記窒化物半導体基板の表面上において、前記転位集中領域を被覆する位置に、窒化物半導体結晶の成長を抑制する成長抑制膜を形成した後、
該成長抑制膜が設けられた前記窒化物半導体基板上に前記窒化物半導体結晶を成長させることで、前記窒化物半導体層を積層することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１６】
前記成長抑制膜を前記窒化物半導体基板の表面全域に設けた後、エッチングを行うことによって、前記転位集中領域のみが前記成長抑制膜で被覆された状態とすることを特徴とする請求項１５に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１７】
前記窒化物半導体基板の伝導特性がｎ型の伝導特性であるとともに、
前記転位集中領域を前記成長抑制膜で被覆した後、該成長抑制膜を被覆するように、前記窒化物半導体基板の表面上にｎ型の伝導特性を有するＧａＮ膜を形成し、
形成された該ＧａＮ膜の表面上に前記窒化物半導体結晶を成長させることで、前記窒化物半導体層を積層することを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子を光源とすることを特徴とする半導体光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、外部接続端子に形成される外部接続面及び側面とを含む基板と、
前記外部接続端子に一端が接続されるインナーリードと前記インナーリード上に形成されるベースフィルムとを含むフレキシブル基板と、を含む半導体装置において、
前記ベースフィルムの一部が前記外部接続端子より薄く、当該ベースフィルムの一部は、前記側面に最も近い前記外部接続面の縁上に配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置を備える撮像装置において、
前記半導体素子と、前記外部接続端子に形成される前記外部接続面及び前記側面とを含む前記基板が光電変換基板であることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
複数の光電変換基板を含むことを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記フレキシブル基板は複数の光電変換基板の間に配置されることを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
請求項２記載の撮像装置と、蛍光体とを備えることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項６】
請求項５記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項７】
外部接続端子に形成される外部接続面と側面とを備える光電変換基板と、一端が前記外部接続端子に接続されるフレキシブル基板と、を備える半導体装置において、
前記フレキシブル基板は、前記外部接続面と前記側面とに沿って配置され、前記外部接続面と前記側面の間の角が面取りされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記外部接続端子はバンプであることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、半導体素子と、外部接続端子に形成される外部接続面及び側面とを含む基板と、前記外部接続端子に一端が接続されるインナーリードと前記インナーリード上に形成されるベースフィルムとを含むフレキシブル基板と、を含む半導体装置において、前記ベースフィルムの一部が前記外部接続端子より薄く、当該ベースフィルムの一部は、前記側面に最も近い前記外部接続面の縁上に配置される。