【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スクライブ内パターンデータ作成装置、及びスクライブ内パターンデータ作成方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体装置を製造するフォトマスクのスクライブ内に配置するパターンデータを作成するスクライブ内パターンデータ作成装置において、
ライブラリから基本マークを有するパターンデータ群を抽出する抽出手段と、
前記パターンデータ群を配置し、該パターンデータ群のパターン領域を包含する最大パターン領域を設定する設定手段と、
前記パターンデータ群の所定のパターンデータに対して、前記最大パターン領域内で、且つ該所定のパターンデータのパターン領域を除いた部分に補助パターンを追加形成する形成手段と、
前記補助パターンが追加形成された所定のパターンデータをライブラリに登録するパターンデータ群ライブラリ登録手段とを備えることを特徴とするスクライブ内パターンデータ作成装置。
【請求項２】フォトマスク上の露光領域を１ピッチとしてウェハ上をステップ状に移動しながら露光動作を繰り返すことにより半導体装置を製造するフォトマスクのスクライブ内パターンデータ作成装置において、
前記登録されたパターンデータ群を、スクライブ内に配置する場合、個々のパターンデータのデータ領域に一致する遮光帯パターンデータを作成する作成手段と、
前記遮光帯パターンデータを、前記パターンデータ群と関連付けて、遮光帯パターンデータ群をライブラリ登録する遮光帯ライブラリ登録手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載のスクライブ内パターンデータ作成装置。
【請求項３】半導体装置を製造するフォトマスクのスクライブ内に配置するパターンデータを作成するスクライブ内パターンデータ作成方法において、
ライブラリから基本マークを有するパターンデータ群を抽出する抽出工程と、
前記パターンデータ群を配置し、該パターンデータ群のパターン領域を包含する最大パターン領域を設定する設定工程と、
前記パターンデータ群の所定のパターンデータに対して、前記最大パターン領域内で、且つ該所定のパターンデータのパターン領域を除いた部分に補助パターンを追加形成する形成工程と、
前記補助パターンが追加形成された所定のパターンデータをライブラリに登録するパターンデータ群ライブラリ登録工程とを有することを特徴とするスクライブ内パターンデータ作成方法。
【請求項４】フォトマスク上の露光領域を１ピッチとしてウェハ上をステップ状に移動しながら露光動作を繰り返すことにより半導体装置を製造するフォトマスクのスクライブ内パターンデータ作成方法において、
前記登録されたパターンデータ群を、スクライブ内に配置する場合、個々のパターンデータのデータ領域に一致する遮光帯パターンデータを作成する作成工程と、
前記遮光帯パターンデータを、前記パターンデータ群と関連付けて、遮光帯パターンデータ群をライブラリ登録する遮光帯ライブラリ登録工程とを有することを特徴とする請求項３に記載のスクライブ内パターンデータ作成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置を製造する際に必要とされるフォトマスク（レチクルも同様。以下、フォトマスクと総称。）上のスクライブ内パターンデータの作成に関するものであり、特に、作成作業の効率化に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造においては、不純物の導入、酸化膜の形成、コンタクトホールの開口、そして配線層の形成等の各処理毎に順次所定領域をフォトマスクにてパターン形成して処理を行うが、この場合、処理間の相対位置を確保するための位置合わせ用各種アライメントマークや、位置ズレや処理結果を検査するための各種検査マーク等をフォトマスクに配置する必要がある。
【０００３】
これらのアライメントマークや検査マークは、フォトマスクのスクライブ領域に配置されるが、従来より、フォトマスク単位にマーク毎に配置される。配置に当たっては、図３に示すように、マーク毎に所定大きさでマークを囲むマーク領域を設定して基本マークとしておき、スクライブ領域に遮光用データがある場合には配置されるマーク領域に相当する部分のスクライブ内遮光用データを削除する必要がある（図４中、フォトマスク１０１乃至１０３に対する基本マークの配置）。また配置に際しては、図４に示すように、前後の工程で使用されるフォトマスク（図４中、フォトマスク１０２に対してフォトマスク１０１及びフォトマスク１０３が該当）に配置される基本マーク（フォトマスク１０１乃至フォトマスク１０３に配置される基本マーク）との間に相互の所定位置関係を保つ必要がある。
【０００４】
図１には、従来技術におけるフォトマスク製造までの作業フローを示す。ステップ（以下、Ｓと記す。）１０１乃至Ｓ１０８は、一般的な半導体装置の設計工程からフォトマスク製造工程を示す。即ち、製品企画及び仕様検討（Ｓ１０１）の後、ＭＯＳ、バイポーラといった使用デバイスや動作周波数等に合わせた設計ルール等の設計テクノロジを決定すると共に（Ｓ１０２）、適合するプロセステクノロジを決定する（Ｓ１０３）。両テクノロジの決定の後、論理設計（Ｓ１０４）、レイアウト設計（Ｓ１０５）、及び設計検証（Ｓ１０６）を順次行い、半導体装置部分のフォトマスクデータが完成する。
【０００５】
一方、スクライブ内の各種基本マーク類のパターンデータは、半導体装置のレイアウト設計が完了し、チップサイズやフォトマスク上の面付け数等が確定して品種情報が決定した後に作成作業が開始される（Ｓ１０９）。具体的な作業としては、基本マークライブラリの作成に始まり、決定したスクライブ領域に合わせた基本マーク類の配置仕様の検討、実際の配置作業、配置後のパターンデータについてマーク配置位置、フォトマスク毎のマーク形状やマーク領域の確保、あるいはフォトマスク間における位置関係等の検証を行う。
【０００６】
作業フローの詳細を図２に示す。先ず、基本となる個々の基本マークを作成し（Ｓ１１０）、基本マークのライブラリ登録を行う（Ｓ１１１）。ここに基本マークとは、個々のアライメントマークや検査マークのことをいい、プロセステクノロジ毎、あるいは製造設備毎に必要なマーク仕様に合わせて作成される。
【０００７】
次に、使用するフォトマスク枚数、名称、スクライブ領域幅等のプロセス仕様についての登録を行った上で（Ｓ１１２）、各プロセス仕様に適合したマーク種類、各マークの配置個数、マーク相互間の配置位置関係、所定製造設備を有する製造ラインに必要な基本マーク類等を１セットとして基本マーク配置基準を登録する（Ｓ１１３）。この登録により、所定のプロセステクノロジを使用する半導体装置を所定の製造ラインにおいて製造する際に必要となる一連の基本マーク類に関する配置基準が１セットして登録されることとなる。尚、Ｓ１１０乃至Ｓ１１３については、半導体装置の設計作業とは切り離して予め設定しておくこともできる。
【０００８】
半導体装置の設計作業においてレイアウト作業が完了したら（図１中、Ｓ１０５）、入力されるチップサイズ、面付け数、製品名等の品種処理情報に従い（Ｓ１１４）、スクライブパターンデータを作成し（Ｓ１１５）、基本マーク配置基準より配置すべきマーク名称及び領域を読み込んで（Ｓ１１６、Ｓ１１７）スクライブ上に配置領域を作成する（Ｓ１１８）。そして確保された配置領域にマーク形状を読み込んで（Ｓ１１９）スクライブ上にマークを配置する（Ｓ１２０）。ここでスクライブ上にパターンデータがある場合には、配置すべきマーク領域に一致するスクライブ領域のデータを削除する。以上の処理を全てのマークについて全てのフォトマスクに対して行い（Ｓ１２１、Ｓ１２２）、最終的に基本マーク類が配置基準を満たしているかの確認を経て（Ｓ１２３）スクライブ内の基本マーク類の配置パターンデータが完成する。このパターンデータと、半導体装置データとを合わせフォトマスクデータを作成して（図１中、Ｓ１０７）フォトマスクの製造工程に進む（図１中、Ｓ１０８）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術においては、スクライブ上にパターンデータがあるフォトマスクに対して個々の基本マークを配置する場合には、配置すべき基本マーク領域の位置にあるスクライブ領域上のデータを削除する必要があり、スクライブ上の削除領域が配置すべき基本マーク領域と一致するか否かの検証をする必要があるが、基本マークの配置は基本マーク毎に各フォトマスクに対して行うので、結果として検証すべき基本マーク配置個所が多数あることとなり検証に対する負荷が大きいという問題がある。
【００１０】
また、基本マーク毎に上記作業を行わなければならず、マーク配置の作業負荷が大きいと共に、配置ミスも発生しやすくスクライブ内のマーク配置パターンデータの品質上問題がある。
【００１１】
更に、基本マークの配置位置はフォトマスク相互間においても所定の位置関係を維持する必要があり、個々の基本マークを個別に配置する従来技術では、相互の位置関係を所定の関係に維持することは困難であり、人為的なミスが混入しやすく配置品質上問題があると共に、配置ミスに対する検証のために多大な負荷を伴うこととなり問題である。
【００１２】
また、基本マークの配置作業は、半導体装置の設計作業における最終段階であるレイアウト作業が完了し、チップサイズ、面付け数、製品名等の品種処理情報が確定してスクライブ領域が確定した後でなければ開始することができず、半導体装置の設計が完了してもスクライブ内のマーク配置が完了するまでは、次工程に進むことができず、効率的なフォトマスクの製造が図れないという問題がある。
【００１３】
本発明は前記従来技術の問題点を解消するためになされたものであり、使用するプロセステクノロジや製造設備が確定した段階で、スクライブ内に配置する基本マーク群の配置パターンデータをライブラリ化しておくことにより、フォトマスクデータ配置作業における負荷を軽減し短期間で作成作業を完了するスクライブ内パターンデータ作成装置、及びスクライブ内パターンデータ作成方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、請求項１に係るスクライブ内パターンデータ作成装置は、半導体装置製造用のフォトマスクに、スクライブ内パターンデータを作成するスクライブ内パターンデータ作成装置において、ライブラリから基本マークを有するパターンデータ群を抽出する抽出手段と、パターンデータ群を配置し、パターンデータ群のパターン領域を包含する最大パターン領域を設定する設定手段と、パターンデータ群の所定のパターンデータに対して、最大パターン領域内で、且つ所定のパターンデータのパターン領域を除いた部分に補助パターンを追加形成する形成手段と、補助パターンが追加形成された所定のパターンデータをライブラリに登録するパターンデータ群ライブラリ登録手段とを備えることを特徴とする。
【００１５】
請求項１のスクライブ内パターンデータ作成装置では、抽出手段により、ライブラリから基本マークを有するパターンデータ群を抽出し、設定手段により、これらを配置し、パターンデータ群のパターン領域を包含する最大パターン領域を設定した上で、形成手段により、パターンデータ群の所定のパターンデータが、最大パターン領域に含まれ且つ所定のパターンデータのパターン領域を除いた部分に補助パターンを追加形成する。パターンデータ群ライブラリにより、補助パターンが追加形成された所定のパターンデータをライブラリとして登録する。
【００１６】
また、請求項３に係るスクライブ内パターンデータ作成方法は、半導体装置を製造するフォトマスクのスクライブ内に配置するパターンデータを作成するスクライブ内パターンデータ作成方法において、ライブラリから基本マークを有するパターンデータ群を抽出する抽出工程と、パターンデータ群を配置し、パターンデータ群のパターン領域を包含する最大パターン領域を設定する設定工程と、更にパターンデータ群の所定のパターンデータに対して、最大パターン領域内で且つ所定のパターンデータのパターン領域を除いた部分に補助パターンを追加形成する形成工程と、補助パターンが追加形成された所定のパターンデータをライブラリに登録するパターンデータ群ライブラリ登録工程の、各工程を有することを特徴とする。
【００１７】
これにより、補助パターンの追加形成済みの所定のパターンデータを含むパターンデータ群を配置することにより、パターンデータ群を全フォトマスクに対して一括して配置することができ、またパターンデータ群に追加された補助パターンによりパターンデータ群の最大パターン領域に合わせてスクライブのパターンデータを一括削除してやれば、各フォトマスクにおけるスクライブ内のパターンデータと配置されるパターンデータとの位置関係は正しく設定されるので、パターンデータの配置作業負荷及び配置後の検証作業負荷が大幅に軽減されると共に、配置作業、検証作業における配置ミス等を未然に防止することができ配置品質を大幅に向上させることができる。
【００１８】
また、プロセステクノロジや製造設備が決定した時点で半導体装置の設計作業と並行して、補助パターンの追加形成済みの所定のパターンデータを含むパターンデータ群の登録作業を行うことができ、また設計作業に先立ち予めライブラリを登録しておけば同一のプロセステクノロジを使用する場合には再利用をすることもできる。そして、半導体装置の設計が進み品種処理情報が確定してスクライブ領域が決定した時点で、登録された、補助パターンの追加形成済みの所定のパターンデータを含むパターンデータ群を、一括して配置することのみでパターンデータ群の配置を行うことができるので、スクライブ内にパターンデータを配置する作業を短期間に効率的に行うことができ、スクライブ内パターンデータ作成作業の短納期化に寄与するところが大きなものとなる。
【００１９】
また、請求項２に係るスクライブ内パターンデータ作成装置は、請求項１に記載のスクライブ内パターンデータ作成装置において、フォトマスク上の露光領域を１ピッチとしてウェハ上をステップ状に移動しながら露光動作を繰り返すことにより半導体装置を製造するフォトマスクのスクライブ内パターンデータ作成装置において、登録されたパターンデータ群を配置する場合、パターンデータ毎のデータ領域に一致する遮光帯パターンデータを作成する作成手段と、遮光帯パターンデータを、パターンデータ群と関連付けて、遮光帯パターンデータ群をライブラリ登録する遮光帯ライブラリ登録手段とを備えることを特徴とする。
【００２０】
請求項２のスクライブ内パターンデータ作成装置では、パターンデータ群を構成する個々のパターンデータがスクライブ内に配置される場合に、作成手段により、パターンデータ毎のデータ領域に一致した遮光帯パターンデータを作成し、パターンデータと遮光帯パターンデータとを対応させた上で、パターンデータ群ライブラリと関連付けて、遮光帯パターンデータ群をライブラリ登録する。
【００２１】
また、請求項４に係るスクライブ内パターンデータ作成方法は、請求項３に記載のスクライブ内パターンデータ作成方法において、フォトマスク上の露光領域を１ピッチとしてウェハをステップ移動しながら露光動作を繰り返すことにより半導体装置を製造するフォトマスクのスクライブ内パターンデータ作成方法において、登録されたパターンデータ群を、スクライブ内に配置する場合、パターンデータ毎のデータ領域に一致する遮光帯パターンデータを作成する作成工程と、個々のパターンデータと遮光帯パターンデータとを対応付け、パターンデータ群と関連付けて、遮光帯パターンデータ群をライブラリ登録する遮光帯ライブラリ登録工程とを有することを特徴とする。
【００２２】
これにより、フォトマスク露光領域の最外周にパターンデータが存在し対向する最外周領域に二重露光防止のための遮光帯パターンデータを配置する場合において、最外周に配置するパターンデータを含むパターンデータ群に関連付けられた遮光帯パターンデータ群を対向する領域に配置してやれば、関連するパターンデータ群を構成する全てのパターンデータについて全フォトマスクに対して一括に遮光帯パターンデータを配置することができるので、パターンデータに対する遮光帯パターンデータの配置作業負荷及び配置後の検証作業負荷が大幅に軽減されると共に、配置作業、検証作業における配置ミス等を未然に防止することができ配置品質を大幅に向上させることができる。
【００２３】
また、プロセステクノロジや製造設備に合わせてあらかじめ遮光帯パターンデータ群をライブラリ登録しておけば、半導体装置の品種処理情報が確定してスクライブ領域にパターンデータ群を配置した後に、遮光帯パターンデータ群の配置を一括して行うことができ、更に予めライブラリを登録しておけば同一プロセステクノロジに対して再利用をすることもできるので、スクライブ内にパターンデータを配置する作業を短期間に効率的に行うことができ、スクライブ内パターンデータ作成作業の短納期化に寄与するところが大きいものとなる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について具体化した実施形態を図５乃至図１３に基づき図面を参照しつつ詳細に説明する。図５は、本実施形態におけるスクライブ内パターンデータ作成装置を示すブロック図である。図６は、本実施形態におけるフォトマスク製造フローである。図７は、本実施形態におけるスクライブ内パターンデータ作成フローである。図８は、本実施形態の第１具体例におけるパターンデータ群ライブラリを示す模式図である。図９は、本実施形態の第１具体例におけるスクライブ内パターンデータ配置図である。図１０は、本実施形態の第２具体例におけるパターンデータ群ライブラリを示す模式図である。図１１は、本実施形態の第２具体例におけるスクライブ内パターンデータ配置図である。図１２は、本実施形態における遮光帯ライブラリを示す模式図である。図１３は、遮光帯の効果を説明する模式図である。
【００２５】
図５におけるスクライブ内パターンデータ作成装置１は、中央処理装置（以下、ＣＰＵと略記する。）２を中心にバス８を介して、メモリ３、磁気ディスク装置４、表示装置（以下、ＣＲＴと略記する。）５、キーボード６、及び外部記憶媒体駆動装置７が相互に接続されており、更に外部記憶媒体駆動装置７にＣＤＲＯＭや磁気媒体等の外部記憶媒体９が着脱可能に設置される構成である。
【００２６】
後述の図７に示すスクライブ内パターンデータ作成フローに示す手順は、上記スクライブ内パターンデータ作成装置１内のメモリ３や磁気ディスク装置４に記録されている他、ＣＤＲＯＭや磁気媒体等の外部記憶媒体９に記録されている場合に、外部記憶媒体駆動装置７を介してメモリ３、磁気ディスク装置４に転送記憶され、あるいは直接ＣＰＵ２に転送される。
【００２７】
また、プロセステクノロジや製造設備毎等に必要なマーク仕様に合わせて作成された個々のアライメントマークや検査マーク等の基本マークを登録しておくライブラリ、使用フォトマスク枚数、名称、スクライブ領域幅等のプロセス仕様についてのプロセス仕様登録データ、更には個々のプロセス仕様や製造設備に適合したマーク種類、各マークの配置個数、マーク相互間の配置位置関係等を１セットとして登録する基本マーク配置基準等についても、磁気ディスク装置４や、ＣＤＲＯＭ、磁気媒体等の外部記憶媒体９に記録されており、図７に示すスクライブ内パターンデータ作成フローに従い、ＣＰＵ２からの指令により基本マーク配置基準に基づき、必要に応じて磁気ディスク装置４等にアクセスして基本マーク、プロセス仕様登録データ等を参照しながら基本マーク群の抽出、最大領域の設定、補助パターンの形成、あるいは遮光帯パターンデータの作成等の処理を行う。そして、処理結果として図８及び図１０に示すパターンデータ群ライブラリおよび図１２に示す遮光帯ライブラリとして、磁気ディスク装置４、あるいは外部記憶媒体駆動装置７を介してＣＤＲＯＭ、磁気媒体等の外部記憶媒体９に登録してスクライブ内パターンデータを作成する。
【００２８】
以下、図６及び図７に示すフローに従い、図８乃至図１３に基づき具体的に説明する。
【００２９】
先ず、図６に示すフォトマスク製造フローについて説明する。ここで従来技術（図１）に示すフローと同じステップについては、同一のステップ番号を付し説明を省略するものとする。
【００３０】
製造フローにおいて、使用すべきプロセステクノロジが決定した時点（Ｓ１０３）で論理設計（Ｓ１０４）と並行してスクライブ内パターンデータライブラリの作成処理を開始して基本マーク形状や基本マーク領域等の基本マークライブラリの整備、使用プロセスや製造設備に適合した基本マーク類の配置個数、配置位置等の基本マーク配置基準の整備を行う（Ｓ１）。この間に半導体装置の設計作業は論理設計（Ｓ１０４）からレイアウト設計（Ｓ１０５）へと進められるが、レイアウト設計（Ｓ１０５）の完了により半導体装置のチップサイズが確定した時点で、Ｓ１にて作成された基本マークライブラリや基本マーク配置基準に基づき、スクライブ内パターンデータの作成を行う（Ｓ２）。この間半導体装置の設計では、設計検証（Ｓ１０６）が行われている。
【００３１】
従って、基本マークライブラリや基本マーク配置基準の決定といったスクライブ内パターンデータライブラリの作成（Ｓ１）や基本マーク類のスクライブ内への配置を行うスクライブ内パターンデータの作成（Ｓ２）を、半導体装置の設計作業と並行して進めることができるので、スクライブ内パターンデータ配置作業を半導体装置設計作業の完了後に独立して行うことなく短期間に効率的に行うことができ、配置作業の短納期化に寄与するところが大きい。
【００３２】
次に、図７に基づき、スクライブ内パターンデータライブラリの作成フロー（Ｓ１）、及びスクライブ内パターンデータの作成フロー（Ｓ２）について説明する。
【００３３】
このうち、スクライブ内パターンデータライブラリの作成フロー（Ｓ１）については図７中のＳ３乃至Ｓ６が該当する。使用するプロセステクノロジが決定した時点で半導体装置を製造する際に必要となる基本マーク類が確定するので基本マークの作成を行い（Ｓ３）マーク形状やマーク専有領域等を決定していく。次に作成された一連の基本マーク類を１セットとして基本マークのライブラリ登録を行う（Ｓ４）。ライブラリ登録は、同一のプロセステクノロジを使用する場合に登録された基本マーク類を再利用できる点で重要である。
【００３４】
また、プロセステクノロジが確定すれば、そのプロセス構造から製造に必要となるフォトマスクの組合せが決定され、各フォトマスクの名称や構成枚数が確定すると共に、製造設備の仕様や製造品質の確保等の観点から各製造段階における露光現像の際のネガ露光、ポジ露光の別、半導体ウェハとフォトマスクとの合わせ精度、スクライブ領域幅等が確定するのでこれらのデータを、確定したプロセステクノロジ固有情報として登録する（Ｓ５）。
【００３５】
そして、登録されたプロセステクノロジ固有情報のライブラリ（Ｓ５）に基づき、必要に応じて登録された基本マークのライブラリ（Ｓ４）から半導体装置の製造に必要となる基本マーク類を選択して、スクライブ内での配置基準を検討し、基本マーク配置基準として登録する（Ｓ６）。配置基準として、各基本マークの名称を初めとして、ネガ・ポジ露光に対応した基本マークデータの正反の別、フォトマスクの合わせ精度を確保するための基本マーク配置個数や配置相互の位置関係、更には製造設備毎に必要な基本マーク仕様等の情報が登録される。
【００３６】
次に、スクライブ内パターンデータライブラリの作成フロー（Ｓ１）により整備された各種ライブラリ登録に基づき（Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６）、他の基本マークとの間で相対的な位置関係を有しない基本マークについては単独で、基本マーク間及びフォトマスク間における基本マーク相互の位置関係が所定の位置関係にある場合には基本マーク群を１まとまりとして抽出し（Ｓ７）、単独の基本マークについてはその専有領域を、また基本マーク群として抽出された場合には所定の位置関係に配置した際に全てのマーク専有領域を包含する領域を最大領域として設定する（Ｓ８）。この場合、全てのマーク専有領域を１つの最大領域で包含する構成とすることも、相互の専有領域が重なり合っている基本マーク群の集まりを１単位として複数の最大領域を設定するように構成することも可能である。そしてフォトマスク上のスクライブ領域が遮光皮膜を残して構成されるフォトマスクに対して配置される基本マークにおいて、最大領域内に含まれる部分のうち基本マークの専有領域を除いた部分については、基本マークとスクライブデータとの間に空隙が生じないようにスクライブデータと同一の補助パターンを形成する（Ｓ９）。
【００３７】
更に、Ｓ７において抽出された基本マークが、フォトマスク上のスクライブ領域に遮光皮膜が形成されないフォトマスクに対して配置される場合には、基本マークの専有領域を遮光帯パターンデータとしてデータ作成する（Ｓ１０）。
【００３８】
これらの処理を全てのフォトマスク（Ｓ１１）、全ての基本マークに対して行った後（Ｓ１２）、単独の基本マークについては基本マーク単位で、また基本マーク群として抽出された場合には基本マーク群を所定の位置関係に配置した状態で基本マーク群毎に、フォトマスク毎に配置する基本マークを全てのフォトマスクで一括してライブラリ登録すると共に、対応する単独基本マーク、または基本マーク群について作成された遮光帯パターンデータも一括してライブラリ登録する（Ｓ１３）。
【００３９】
最後に、登録されたパターンデータ群ライブラリ、及び遮光帯ライブラリに基づくマーク群配置基準を登録する（Ｓ１４）。ここで登録される配置基準とはスクライブ内パターンデータライブラリの作成フロー（Ｓ１）における基本マーク配置基準とは異なり、基本マーク配置基準等に基づきスクライブ内に配置した場合に相互の位置関係を所定位置とすべき１群の基本マーク群を１まとまりのパターンデータ群ライブラリとして構成した場合の配置基準であり、個々の基本マークを実際にスクライブ内に配置した状態を表す配置基準として基本マークの配置基準に優先して適用すべき基準である。
【００４０】
以上のスクライブ内パターンデータライブラリの作成フロー（Ｓ１）、及びスクライブ内パターンデータの作成フロー（Ｓ２）の処理により、各基本マークをフォトマスク毎に個別に配置することなく相互の位置関係が所定関係にある基本マーク群を１まとまりとして全てのフォトマスクに配置するパターンデータ群ライブラリを構成するので、スクライブ内の基本マーク群の配置作業及び配置後の検証作業における負荷が大幅に軽減されると共に、配置作業における作業ミス等を未然に防止することができるので、配置品質を大幅に向上させることができる。
【００４１】
また、これらの処理は、半導体装置の設計作業と並行して実施することができ、あるいは設計作業に先立ち予め行っておけば同一のプロセステクノロジを使用する場合に再利用をすることができるので、設計作業完了後のスクライブ内にパターンデータを配置する作業を、基本マーク群及び遮光帯パターンデータの全フォトマスクへの一括配置のみという必要最小限の作業量で効率的に行うことができ、作業の短納期化に寄与するところ大である。
【００４２】
以下、半導体装置の設計作業においてレイアウト作業が完了して、入力されるチップサイズ、面付け数、製品名等の品種処理情報が決定したら、これらの情報を入力し（Ｓ１５）スクライブ内パターンデータを作成した後（Ｓ１６）、マーク群配置基準より配置すべきパターンデータ群ライブラリや遮光帯ライブラリの名称及び領域を読み込んで（Ｓ１７、Ｓ１８）スクライブ上に基本マーク群や遮光帯パターンデータの重ね合わせ状態での配置領域を作成する（Ｓ１９）。そして確保された配置領域にパターンデータ群ライブラリあるいは遮光帯ライブラリを読み込んで（Ｓ２０）スクライブ内にパターンデータ群ライブラリの基本マークあるいは遮光帯ライブラリの遮光帯パターンを配置する（Ｓ２１）。全ての基本マーク及び遮光帯パターンデータの配置が完了した時点で配置されたライブラリ相互間の位置関係がマーク群配置基準を満たしていることの確認を経て（Ｓ２２：ＹＥＳ）スクライブ内の基本マーク配置作業が終了する。配置基準を満たしていないと判断される場合には（Ｓ２２：ＮＯ）、マーク群配置基準を変更した上で再度Ｓ１５乃至Ｓ２１の処理を繰り返す。ここでマーク群配置基準の変更とは、例えば、基本マーク間の所定の位置関係について仕様に幅がある場合に、基本マーク間毎の所定の位置関係を調整することにより配置基準を変更すること等が考えられる。
【００４３】
次に、図８乃至図１３に基づき、図６及び図７に示すフローに従って行われるスクライブ内の基本マークの配置について具体的に説明する。
【００４４】
図８及び図９に示す第１具体例は、各フォトマスクに配置される基本マークの中心が同一である場合のパターンデータ群ライブラリと（図８）、フォトマスクへの配置状況を示す（図９）。
【００４５】
第１具体例では３枚のフォトマスク１１、１２、１３を例にとり説明している。各々のフォトマスク１１、１２、１３のうち、２枚のフォトマスク１１、１３については、スクライブ１４、１６上に遮光皮膜を残す仕様のフォトマスクであり、フォトマスク１２は、スクライブ１５上に遮光皮膜を残さない仕様のフォトマスクである。各フォトマスク１１、１２、１３には、基本マーク１０７、１０８、１０９が配置されるが、各々の大きさが異なり専有領域が異なるのでパターンデータ群ライブラリとして一括登録して一括配置するためには、基本マークの専有領域外の部分であってパターンデータ群ライブラリの最大領域に属する部分にスクライブのデータと同一の補助パターンを必要に応じて追加する必要がある。補助パターンは、パターンデータ群ライブラリを配置した場合に、基本マークとスクライブデータとの間にデータの空隙を発生させないために必要なデータである。
【００４６】
第１具体例では、各基本マーク１０７、１０８、１０９の中心がフォトマスク１１、１２、１３上同一の位置に配置されるので、各基本マーク１０７、１０８、１０９を所定位置に配置した際の各専有領域を包含する最大領域は、図８より最大専有領域を有する基本マーク１０９の専有領域に一致する。またスクライブ上に遮光皮膜を残すフォトマスクは１１と１３であり、その各々に配置される基本マークは１０７と１０９であることから、補助パターンを追加する必要のあるマークは基本マーク１０７となる。補助パターンの追加領域としては基本マーク１０９の専有領域に一致する最大領域１９から基本マーク１０７の専有領域を除いた部分となり、補助パターンを追加した基本マーク１７が作成される。また基本マーク１０８についても、パターンデータ群ライブラリを作成する際の専有領域として最大領域に一致する領域を追加した領域として基本マーク１８が作成される。これらの基本マーク１７、１８、１９の中心を一致して配置してパターンデータ群ライブラリ２０として登録する。
【００４７】
各フォトマスク１１、１２、１３に配置すべき基本マーク群をマーク群ライブラリ２０として登録することができるので、基本マーク１０７、１０８、１０９毎に各フォトマスク１１、１２、１３に対して１つづつ配置する必要なく一括して配置することができ、更にフォトマスク１１、１２、１３内及びフォトマスク１１、１２、１３相互間における基本マーク１０７、１０８、１０９間の位置関係を正確に保った状態で配置することができ、配置品質を向上させ、配置作業及び配置後の配置パターンデータ検証作業に対する負荷を大幅に軽減することができると共に、スクライブ内パターンデータ配置作業を短期間に効率よく行うことができ、配置作業の短納期化に寄与するところ大である。
【００４８】
図１０及び図１１に示す第２具体例は、各フォトマスク１１、１２、１３上の異なる配置位置に配置される複数の基本マーク１０７、１０８、１０９を１まとまりとしたパターンデータ群ライブラリ２４と（図１０）、フォトマスク１１、１２、１３上への配置状況を示す（図１１）。３種類の基本マーク１０７、１０８、１０９が、フォトマスク１１、１２、１３内スクライブの端辺部とその直角方向に各々配置された状態でパターンデータ群ライブラリを構成したものである。
【００４９】
３枚のフォトマスク１１、１２、１３については第１具体例と同じであり、フォトマスク１１、１３については、スクライブ１４、１６上に遮光皮膜を残し、フォトマスク１２については、スクライブ１５上に遮光皮膜を残さない仕様である。各フォトマスク１１、１２、１３には、基本マーク１０７、１０８、１０９がスクライブ１４、１５、１６の端辺部とその直角方向の３方向に配置され、また各々の基本マーク１０７、１０８、１０９の大きさが異なるため、専有領域が異なる３つの領域が形成されることとなる。第２具体例では、各々の基本マーク中心位置は一致しているので第１具体例に示したパターンデータ群ライブラリ２０を３箇所に配置するものとして配置作業を行うことも可能であるが、３箇所に配置された基本マーク相互の位置関係が所定の関係にあるので、全体を１つのパターンデータ群ライブラリとして一括登録して一括配置することができる。
【００５０】
一括登録の際にも適宜補助パターンを形成する必要があるが、この場合、各基本マーク１０７、１０８、１０９を所定位置に配置した際の各専有領域は３箇所に分散しているため、これらの全ての基本マーク１０７、１０８、１０９を包含する領域を最大領域として定義することがパターンデータ群ライブラリのスクライブ内への配置作業を考慮した場合適当である。各基本マーク１０７、１０８、１０９のうち最大の領域を有する基本マーク１０９を包含するＴ字状領域（補助パターン２３と基本マーク１０９の和）を最大領域として定義する事ができる。
【００５１】
従って、基本マーク１０７については、Ｔ字状領域から基本マーク１０７領域を除いた領域を補助パターン２１とし、基本マーク１０９については、Ｔ字状領域から基本マーク１０９領域を除いた領域を補助パターン２３とする。尚、基本マーク１０８については、第１具体例と同様にフォトマスク上スクライブ遮光皮膜がないので補助パターンは不要であるがパターンデータ群ライブラリ２４の専有領域として領域２２を確保する。以上の補助パターン２１、２３あるいは専有領域２２を各基本マーク１０７、１０９あるいは１０８に追加してパターンデータ群ライブラリ２４として登録される。
【００５２】
第２具体例では、基本マーク毎の中心位置が一致するように配置する場合を示したが、相互の中心位置が異なる場合でも、相互の位置関係が所定の位置関係にある基本マークを１まとまりとして、これらの全ての専有領域を包含する領域を最大領域とし各基本マークの補助パターンを設定してやれば、個々の配置位置が異なる基本マーク群についても同様に、複数基本マークを一括登録したパターンデータ群ライブラリ２４を構成することができる。
【００５３】
各フォトマスク１１、１２、１３毎に複数の配置すべき基本マーク群１０７、１０８、１０９を一括してマーク群ライブラリ２４として登録することができるので、基本マーク１０７、１０８、１０９毎に各フォトマスク１１、１２、１３に対して１つづつ配置する必要なく一括して配置することができ、更にフォトマスク１１、１２、１３内及びフォトマスク１１、１２、１３相互間における基本マーク１０７、１０８、１０９間の位置関係を正確に保った状態で配置することができ、配置品質を向上させ、配置作業及び配置後の配置パターンデータ検証作業に対する負荷を大幅に軽減することができると共に、スクライブ内パターンデータ配置作業を短期間に効率よく行うことができ、配置作業の短納期化に寄与するところ大である。
【００５４】
図１２には、第１及び第２具体例に示したパターンデータ群ライブラリ２０、２４に対する遮光帯ライブラリ３３、３５を示している。遮光帯パターンデータはフォトマスクの露光領域端部に配置された基本マークが露光ステップの移動の際に二重露光されることを防止するために露光ステップ方向の対向辺上の同じ位置に露光を防止するために配置されるものである。従って、スクライブ上の遮光皮膜がないフォトマスクに配置される基本マークについて遮光帯パターンデータが作成される。
【００５５】
図１２（Ａ）は、第１具体例のパターンデータ群ライブラリ２０に対するものである。スクライブ上に遮光皮膜がないフォトマスク１２に配置される基本マーク１０８について遮光帯パターンデータ３２が形成され、他の基本マーク１０７、１０９は、スクライブ上に遮光皮膜があるフォトマスク１１、１３に配置されるので遮光帯パターンデータは作成されない。従って、基本マーク１０８を遮光する遮光帯パターンデータ３２を有する遮光帯ライブラリ３３が登録される。
【００５６】
図１２（Ｂ）は、第２具体例のパターンデータ群ライブラリ２４に対するものである。図１２（Ａ）と同様にスクライブ上の遮光皮膜がないフォトマスク１２の複数位置に配置される基本マーク１０８の各々に遮光帯パターンデータ３２が形成され、他の基本マーク１０７、１０９については遮光帯パターンデータは作成されないので、基本マーク１０８を遮光する遮光帯パターンデータ３２を有する遮光帯ライブラリ３５が登録される。
【００５７】
図１３に、遮光帯の効果を示している。図中、フォトマスク１２の下辺にあるパターンデータ群ライブラリ３６に対して、上辺の対向する位置に遮光帯ライブラリ３７を配置することにより、半導体ウェハ上の露光位置が順次ステップ状にシフトしてステップ毎の境界領域としてフォトマスク１２の下辺と上辺とが重なり二度にわたって露光される場合でも、遮光帯パターンデータ３７が配置してあるため基本マーク３６への二重露光は防止され確実に基本マーク３６の形成を行うことができる。
【００５８】
各フォトマスクに配置すべき基本マーク群がフォトマスクの端部に配置された場合に、二重露光を防止するための遮光帯パターンデータを一括して遮光帯ライブラリとして登録することができるので、端部に配置される基本マーク毎に各フォトマスクに対して１つづつ遮光帯パターンデータを配置する必要はなく一括して配置することができ、更にフォトマスク内及びフォトマスク相互間における遮光帯パターンデータ間の位置関係を正確に保った状態で配置することができ、配置品質を向上させ、配置作業及び配置後の配置パターンデータ検証作業に対する負荷を大幅に軽減することができると共に、スクライブ内パターンデータ配置作業を短期間に効率よく行うことができ、配置作業の短納期化に寄与するところ大である。
【００５９】
以上詳細に説明したとおり、本実施形態に係るスクライブ内パターンデータ作成装置、及びスクライブ内パターンデータ作成方法では、スクライブ内パターンデータ作成装置１は、ＣＰＵ２を中心に、メモリ３、磁気ディスク装置４、外部記憶媒体駆動装置７等が相互に接続され、外部記憶媒体駆動装置７にはＣＤＲＯＭや磁気媒体等の外部記憶媒体９が設置される構成であり、スクライブ内パターンデータ作成フロー（図７）に示す手順を、メモリ３や磁気ディスク装置４に記録、あるいは外部記憶媒体９に記録して、外部記憶媒体駆動装置７を介してメモリ３、磁気ディスク装置４に転送記憶し、あるいは直接ＣＰＵ２に転送する。
【００６０】
また、プロセステクノロジや製造設備等に必要なマーク仕様に合わせたアライメントマークや検査マーク等の基本マークライブラリ、使用フォトマスク枚数、名称、スクライブ領域幅等のプロセス仕様登録データ、プロセス仕様や製造設備に適合したマーク種類、配置個数、相互配置位置関係等の基本マーク配置基準等が、磁気ディスク装置４や外部記憶媒体９に記録されておりスクライブ内パターンデータ作成フロー（図７）に従いＣＰＵ２からの指令によりアクセスされて、基本マーク群の抽出、最大領域の設定、補助パターンの形成、あるいは遮光帯パターンデータの作成等の処理を行う。処理結果として得られるパターンデータ群ライブラリ（図８、図１０）、遮光帯ライブラリ（図１２）は、磁気ディスク装置４等に登録されてスクライブ内パターンデータが作成される。
【００６１】
フォトマスク製造フロー（図６）において、使用すべきプロセステクノロジが決定した時点（Ｓ１０３）で論理設計（Ｓ１０４）と並行して、基本マークの形状や領域等の基本マークライブラリの整備、使用プロセスや製造設備に適合した基本マークの配置個数、配置位置等の基本マーク配置基準の整備を行う（Ｓ１）。この間、半導体装置の設計作業は論理設計（Ｓ１０４）からレイアウト設計（Ｓ１０５）へと進められチップサイズが確定した時点で、スクライブ内パターンデータの作成を行う（Ｓ２）。
【００６２】
従って、基本マークライブラリや配置基準の決定といったスクライブ内パターンデータライブラリの作成（Ｓ１）や基本マーク類の配置を行うスクライブ内パターンデータの作成（Ｓ２）を、半導体装置の設計作業と並行して進めることができ、スクライブ内パターンデータ配置作業を短期間に効率的に行うことができ、配置作業の短納期化に寄与するところ大である。
【００６３】
スクライブ内パターンデータライブラリの作成フロー（Ｓ１）（図７中、Ｓ３乃至Ｓ６）では、プロセステクノロジの決定で必要な基本マーク類が確定するので基本マークの作成を行い（Ｓ３）マーク形状や専有領域等を決定し、基本マークライブラリ登録を行うので（Ｓ４）、同一プロセステクノロジを使用する場合に再利用できる。また、フォトマスクの組合せが決定され、ネガ・ポジ露光の別、合わせ精度、スクライブ領域幅等が確定するので、プロセステクノロジ固有情報として登録する（Ｓ５）。
【００６４】
固有情報ライブラリ（Ｓ５）に基づき、必要に応じて登録された基本マークライブラリ（Ｓ４）から製造に必要な基本マーク類を選択して、スクライブ内での配置基準を検討し基本マーク配置基準として登録し（Ｓ６）、基本マークの名称、パターンデータ正反の別、配置個数や相互位置関係、更には製造設備毎の基本マーク仕様等の情報が登録される。
【００６５】
引き続くスクライブ内パターンデータの作成フロー（Ｓ２）（図７中、Ｓ７乃至Ｓ１４）では、整備された各種ライブラリ登録に基づき（Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６）、基本マーク単独で、あるいは基本マーク間及びフォトマスク間で基本マーク相互に所定位置関係にある場合には１まとまりとして抽出し（Ｓ７）、基本マークの専有領域を、また所定位置関係の全マーク専有領域を包含する領域を最大領域として設定する（Ｓ８）。この場合の最大領域は、全マーク専有領域を全て包含する構成としても、相互に重なり合っている基本マーク群を１単位として複数設定するように構成してもよい。スクライブに遮光皮膜を残すフォトマスクに対して配置される場合、最大領域内で基本マーク専有領域を除く部分にスクライブデータとの間で空隙が生じないように補助パターンを形成する（Ｓ９）。また、スクライブに遮光データがないフォトマスクに対しては、基本マーク専有領域に一致する領域を遮光帯パターンデータを作成する（Ｓ１０）。
【００６６】
これらの処理を全フォトマスク（Ｓ１１）、全基本マークに対して行った後（Ｓ１２）、基本マーク単位で、あるいは基本マーク群を所定位置関係に配置した状態で一括してライブラリ登録すると共に、対応する遮光帯パターンデータも一括してライブラリ登録する（Ｓ１３）。
【００６７】
そして、パターンデータ群ライブラリ、遮光帯ライブラリに基づくマーク群配置基準を登録する（Ｓ１４）。ここでの配置基準は基本マーク配置基準とは異なり、基本マーク配置基準等に基づき配置した１群の基本マーク群を１まとまりのパターンデータ群ライブラリとして構成した基準であり、実際の配置状態を表す配置基準として基本マークの配置基準に優先して適用すべき基準である。
【００６８】
以上のスクライブ内パターンデータライブラリの作成フロー（Ｓ１）、及びスクライブ内パターンデータの作成フロー（Ｓ２）の処理により、各基本マークをフォトマスク毎に個別に配置することなく相互に所定位置関係にある基本マーク群を１まとまりとして全フォトマスクに配置するパターンデータ群ライブラリを構成するので、スクライブ内の基本マーク群の配置作業及び配置後の検証作業における負荷が大幅に軽減されると共に、配置作業における作業ミス等を未然に防止することができるので、配置品質を大幅に向上させることができる。
【００６９】
また、半導体装置の設計作業と並行して作業を実施することができ、あるいは設計作業に先立ち予め行っておけば同一のプロセスに対して再利用をすることができるので、設計作業完了後のスクライブ内パターンデータ配置作業を、基本マーク群及び遮光帯パターンデータの全フォトマスクへの一括配置のみという必要最小限の作業量で効率的に行うことができ、作業の短納期化に寄与するところ大である。
【００７０】
第１具体例（図８、図９）では、３枚のフォトマスク１１、１２、１３のうち、フォトマスク１１、１３についてはスクライブ１４、１６上に遮光皮膜を残し、フォトマスク１２は残さない場合である。各フォトマスク１１、１２、１３に配置される基本マーク１０７、１０８、１０９は、中心が同一位置に配置されるものの各々の専有領域が異なるのでパターンデータ群ライブラリとする際、補助パターンを追加する必要がある。パターンデータ群ライブラリを配置した場合に基本マークとスクライブデータとの間にデータの空隙を発生させないためである。最大領域は、基本マーク１０９の専有領域に一致するので、補助パターンを追加する必要のあるマークは基本マーク１０７となる。最大領域１９から基本マーク１０７の専有領域を除いた部分が補助パターンとして追加され基本マーク１７が作成される。これに最大領域に一致する領域を専有領域として追加した基本マーク１８を加えてパターンデータ群ライブラリ２０として登録する。
【００７１】
以上により、各フォトマスク１１、１２、１３に配置すべき基本マーク群をパターンデータ群ライブラリ２０として登録することができるので、一括して全フォトマスク１１、１２、１３に配置することができ、相互の位置関係を正確に保った状態で配置することができ、配置品質を向上させ、配置作業、配置パターンデータ検証作業の負荷を大幅に軽減することができると共に、配置作業を短期間に効率よく行うことができ、作業の短納期化に寄与するところ大である。
【００７２】
第２具体例（図１０、図１１）では、基本マーク１０７、１０８、１０９がスクライブ１４、１５、１６の端辺部及び直角方向の３方向に、各々の専有領域が異なる３つの領域が形成される。各々の基本マーク中心位置は一致しているので第１具体例のパターンデータ群ライブラリ２０を３箇所に配置することも可能であるが、３箇所に配置された基本マークが相互に所定位置関係にあるので全体を１つのパターンデータ群ライブラリとして一括登録することができる。
【００７３】
全基本マーク１０７、１０８、１０９を包含する領域を最大領域として定義することがパターンデータ群ライブラリのスクライブ内への配置作業を考慮した場合適当である。最大の領域を有する基本マーク１０９を包含するＴ字状領域（補助パターン２３と基本マーク１０９の和）を最大領域とする。補助パターンは、基本マーク１０７については、Ｔ字状領域から基本マーク１０７領域を除いた領域となり、基本マーク１０９は、Ｔ字状領域から基本マーク１０９領域を除いた領域となる。尚、基本マーク１０８については専有領域として領域２２を確保しておく。補助パターン２１、２３あるいは専有領域２２を各基本マーク１０７、１０９あるいは１０８に追加してパターンデータ群ライブラリ２４として登録する。
【００７４】
第２具体例では、基本マーク毎の中心位置が一致して配置される場合を示したが、中心位置が異なる場合でも相互に所定位置関係にあれば１まとまりとして一括登録したパターンデータ群ライブラリ２４を構成することができる。
【００７５】
以上により、各フォトマスク１１、１２、１３毎に複数の配置すべき基本マーク群１０７、１０８、１０９を一括してパターンデータ群ライブラリ２４とすることができるので、一括配置をすることができ、相互の位置関係を正確に保った状態で配置することができ、配置品質を向上させ、配置作業及び配置パターンデータ検証作業に対する負荷を大幅に軽減することができると共に、配置作業を短期間に効率よく行うことができ、作業の短納期化に寄与するところ大である。
【００７６】
遮光帯ライブラリ３３、３５（図１２）についても、スクライブ上の遮光皮膜がないフォトマスクに配置される基本マークについて、第１具体例のパターンデータ群ライブラリ２０に対しては、基本マーク１０８について遮光帯パターンデータ３２が形成され、スクライブ上に遮光皮膜があるフォトマスク１１、１３に対しては作成されないので、遮光帯パターンデータ３２を有する遮光帯ライブラリ３３が登録される（  図１２（Ａ））。第２具体例のパターンデータ群ライブラリ２４に対しても、マーク１０８にのみ遮光帯パターンデータ３２が形成されるので、遮光帯パターンデータ３２を有する遮光帯ライブラリ３５が登録される（図１２（Ｂ））。
【００７７】
基本マーク群がフォトマスクの端部に配置された場合に、二重露光を防止するための遮光帯パターンデータを一括して遮光帯ライブラリとして登録することができるので、一括して配置することができ、相互の位置関係を正確に保った状態で配置することができ、配置品質を向上させ、配置作業及び配置後の配置パターンデータ検証作業に対する負荷を大幅に軽減することができると共に、スクライブ内パターンデータ配置作業を短期間に効率よく行うことができ、配置作業の短納期化に寄与するところ大である。
【００７８】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは言うまでもない。
例えば、本実施形態においては、第１具体例において同一位置に配置される基本マークに対するパターンデータ群ライブラリを、第２具体例においてスクライブ端部及びその直角方向に配置される基本マーク群を一括してパターンデータ群ライブラリとする場合を例にとって説明したが、ライブラリとして登録できる部分はこれに限定されるものではなく、スクライブのコーナー部分や、スクライブ同士がクロス部分等でもよく、これ以外にも、基本マーク群の相互の位置関係が所定の位置関係にある組合せであれば、任意に選択してパターンデータ群ライブラリとすることができる。
【００７９】
また、遮光帯ライブラリについても、パターンデータ群ライブラリと同様に相互に所定の位置関係がある組合せについて適用することができる。
【００８０】
更に、本実施形態においては、基本マーク群とその遮光帯パターンデータを別々にライブラリとして登録する場合について説明したが、両者を関連付けてライブラリ化することにより、パターンデータ群ライブラリをスクライブの端部に配置する場合に対向する端部に遮光帯パターンデータが配置されるような位置関係を有するマーク群と遮光帯パターンデータとの組み合わせを有するライブラリを構成することもできる。
【００８１】
【発明の効果】
本発明によれば、使用するプロセステクノロジや製造設備が確定した段階で、全てのフォトマスクに対して一括してスクライブ内の基本マーク群の配置パターンデータをライブラリ化しておくことにより、基本マーク群を一括して配置することができ、また個々の基本マークに追加された補助パターンによりパターンデータ群ライブラリの最大領域に合わせてスクライブデータを一括削除することができ、フォトマスクにおけるスクライブ内のパターンデータ配置作業における負荷を軽減して短期間で配置作業を完了することができると共に、配置品質を大幅に向上させることができるスクライブ内パターンデータ作成装置、及びスクライブ内パターンデータ作成方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術におけるフォトマスク製造フローである。
【図２】従来技術におけるスクライブ内パターンデータ作成フローである。
【図３】従来技術におけるパターンデータ図である。
【図４】従来技術におけるスクライブ内パターンデータ配置図である。
【図５】本実施形態におけるスクライブ内パターンデータ作成装置を示すブロック図である。
【図６】本実施形態におけるフォトマスク製造フローである。
【図７】本実施形態におけるスクライブ内パターンデータ作成フローである。
【図８】本実施形態の第１具体例におけるパターンデータ群ライブラリを示す模式図である。
【図９】本実施形態の第１具体例におけるスクライブ内パターンデータ配置図である。
【図１０】本実施形態の第２具体例におけるパターンデータ群ライブラリを示す模式図である。
【図１１】本実施形態の第２具体例におけるスクライブ内パターンデータ配置図である。
【図１２】本実施形態における遮光帯ライブラリを示す模式図である。
【図１３】遮光帯の効果を説明する模式図である。
【符号の説明】
１                    スクライブ内パターンデータ作成装置
２                    中央処理装置（ＣＰＵ）
３                    メモリ
４                    磁気ディスク装置
７                    外部記憶媒体駆動装置
９                    外部記憶媒体
１７、１８、１９、２１、２２、２３                      パターンデータ群ライブラリを構成する基本マーク
２０、２４            パターンデータ群ライブラリ
１０７、１０８、１０９  基本マーク
３２                  遮光帯パターンデータ
３３、３５            遮光帯ライブラリ