Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ここで、ＤＶＤフォーマットにより規定されるセクター単位のデータ構造を図４に示す。セクターは、この図に示すようにして、１７２バイト×１２ｒｏｗ＝２０６４バイトのサイズを有している。そして、先ず第１ｒｏｗの先頭４バイトにはData IDが配置され、続く２バイトの領域にＩＤＥ(ID Error detection)が配置される。Data IDは、現セクターについてのＩＤ情報が格納される。ＩＤＥは、Data IDのためのエラー検出符号である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ここで、図５に示したＥＦＭ＋信号のデータ構造における、CPR_MAIの挿入位置について説明する。
前述もしたように、図４に示したセクターは、ＥＣＣエンコードにあたってスクランブルが行われるのであるが、セクターの先頭に配置されるData ID、ＩＤＥ、CPR_MAIについては、フォーマット上、スクランブルが施されないデータ部分となっている。
この結果、図５に示したＥＦＭ＋信号において、Data ID、ＩＤＥ、CPR_MAIは、図６に示すようにして位置することになる。
つまり、Data ID、ＩＤＥ、CPR_MAIは、第１ｒｏｗのシンクコードＳＹ０（３２ビット）が付加されたシンクフレーム内に格納される。そして先ず、シンクコードＳＹ０に続いて６４ビット（８バイト）のData IDが配置される。また、これに続けて、３２ビット（ＩＤＥ）が配置される。そして、この後ろに、９６ビット（１２バイト）のCPR_MAIが配置される。
なお、図４に示したセクター構造では、Data IDは４バイト，ＩＤＥは２バイト、CPR_MAIは６バイトとされているのに対して、図６では、Data IDは８バイト，ＩＤＥは４バイト、CPR_MAIは１２バイトと２倍のデータサイズになっている。これは、ＥＦＭ＋変調（８／１６変調）によって１シンボルあたりのデータサイズが２倍になるからである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004022125.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
スタンバイモードとアクティブモードを有する半導体装置であって、
外部電源電位によって駆動されて内部電源電位を生成する第１の内部電源電位発生回路、
前記第１の内部電源電位発生回路よりも大きな電流駆動力を有し、前記外部電源電位の投入時における所定期間および前記アクティブモード時に活性化されて外部電源電位によって駆動され、前記内部電源電位を生成する第２の内部電源電位発生回路、および
前記内部電源電位によって駆動される内部回路を備える、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、スタンバイモードとアクティブモードを有する半導体装置であって、外部電源電位によって駆動されて内部電源電位を生成する第１の内部電源電位発生回路と、第１の内部電源電位発生回路よりも大きな電流駆動力を有し、外部電源電位の投入時における所定期間およびアクティブモード時に活性化されて外部電源電位によって駆動され、内部電源電位を生成する第２の内部電源電位発生回路と、内部電源電位によって駆動される内部回路を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る半導体装置では、外部電源電位によって駆動されて内部電源電位を生成する第１の内部電源電位発生回路と、第１の内部電源電位発生回路よりも大きな電流駆動力を有し、外部電源電位の投入時における所定期間および前記アクティブモード時に活性化されて外部電源電位によって駆動され、内部電源電位を生成する第２の内部電源電位発生回路と、内部電源電位によって駆動される内部回路とが設けられる。したがって、比較的大きな電流駆動力を有する第２の内部電源電位発生回路を外部電源電位の投入時にも活性化させるので、スタンバイ電流を増加させることなく内部電源電位を安定に立上げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月8日(2004.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを水平に支持するウエハステージと、前記ウエハステージに支持された前記半導体ウエハの主面上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、超音波発生源を備えた超音波伝達手段とを備え、前記半導体ウエハの主面上に供給された前記洗浄液に前記超音波伝達手段を接触させることにより、前記洗浄液を介して前記半導体ウエハの主面に超音波エネルギーを印加する超音波洗浄装置を用いて前記半導体ウエハの主面を超音波洗浄する工程を含む半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記超音波洗浄装置は、前記ウエハステージに支持された前記半導体ウエハの周縁部近傍と、前記周縁部近傍に位置する前記超音波伝達手段とに前記洗浄液を供給する第２の洗浄液供給手段を備えていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
半導体ウエハを水平に支持するウエハステージと、前記ウエハステージに支持された前記半導体ウエハの主面上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、超音波発生源を備えた超音波伝達手段とを備え、前記半導体ウエハの主面上に供給された前記洗浄液に前記超音波伝達手段を接触させることにより、前記洗浄液を介して前記半導体ウエハの主面に超音波を印加する超音波洗浄装置を用いて前記半導体ウエハの主面を超音波洗浄する工程を含む半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記超音波伝達手段の先端部に、前記超音波伝達手段本体を構成する材料とは音響インピーダンスが異なる材料からなる超音波エネルギー減衰手段を取り付けたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
半導体ウエハを水平に支持するウエハステージと、前記ウエハステージに支持された前記半導体ウエハの主面上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、超音波発生源を備えた超音波伝達手段とを備え、前記半導体ウエハの主面上に供給された前記洗浄液に前記超音波伝達手段を接触させることにより、前記洗浄液を介して前記半導体ウエハの主面に超音波を印加する超音波洗浄装置を用いて前記半導体ウエハの主面を超音波洗浄する工程を含む半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記超音波伝達手段の先端部近傍に、前記先端部近傍から前記洗浄液に印加される超音波のエネルギーを低減するための溝を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
半導体ウエハを水平に支持するウエハステージと、前記ウエハステージに支持された前記半導体ウエハの主面上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、超音波発生源を備えた超音波伝達手段とを備え、前記半導体ウエハの主面上に供給された前記洗浄液に前記超音波伝達手段を接触させることにより、前記洗浄液を介して前記半導体ウエハの主面に超音波を印加する超音波洗浄装置を用いて前記半導体ウエハの主面を超音波洗浄する工程を含む半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記ウエハステージの周縁部を、前記ウエハステージに支持された前記半導体ウエハの周縁部よりも外方に延在させると共に、前記ウエハステージの周縁部の表面の高さを、前記ウエハステージに支持された前記半導体ウエハの主面の高さとほぼ等しくしたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
半導体ウエハを水平に支持するウエハステージと、前記ウエハステージに支持された前記半導体ウエハの主面上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、超音波発生源を備えた超音波伝達手段とを備え、前記半導体ウエハの主面上に供給された前記洗浄液に前記超音波伝達手段を接触させることにより、前記洗浄液を介して前記半導体ウエハの主面に超音波を印加する超音波洗浄装置を用いて前記半導体ウエハの主面を超音波洗浄する工程を含む半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記半導体ウエハの主面上に供給された前記洗浄液に前記超音波伝達手段を接触させる際、前記超音波伝達手段の先端部を、前記半導体ウエハの周縁部よりも外方に位置させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
特開平１１−３００３０１号公報（平得ら）は、一方の面が液膜で覆われたウエハ（基板）の他方の面に超音波を付与した洗浄液をノズルから供給して洗浄する際、超音波の周波数をｆ（ＭＨｚ）、ウエハの厚さをｔ（ｍｍ）、ウエハ面の法線を基準とした洗浄液の入射角をθ（°）とした場合に、１＜ｆｔ＜５、かつ３４＜θ＜７０を満たす条件下で洗浄を行うことによって、ウエハの一方の面への超音波ダメージを抑制した洗浄方法を開示している。特表２０００−５０８２３７号公報には、ウエハ洗浄において、洗浄液をウエハ上に供給すると共に、洗浄液の表面にメガソニックエネルギーを与える装置の開示がある。特開２００２−２３１６７３号公報（特願平２００１−２２９１４号）、特開２００２−２８０３４３号公報（特願平２００１−７４０９４号）、特開２００３−３４０３８６号公報（特願平２００２−１４９１３０号）には、ウエハ上に洗浄液供給ノズルから洗浄液を供給しながら、洗浄液供給ノズルとは別に、超音波振動子を洗浄液の表面に接触させることにより、ウエハを洗浄液で超音波洗浄する技術が開示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同期信号で動作する複数のＩＣ間を接続する配線パターンが設けられたプリント配線板において、該配線パターンの少なくとも一部は、インダクタンスパターンと容量性パターンを対として、その対となるパターンが複数個連続して形成されたパターン形状である事を特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記インダクタンスパターンの形状は折り返し形状である事を特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記インダクタンスパターンの形状はスパイラル形状である事を特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記容量性パターンは、その一部が前記インダクタンスパターンと接続する形状であり、インダクタンスパターンとの接続部分の幅は、インダクタンスパターンの幅以下である事を特徴とする請求項第１に記載のプリント配線板。
【請求項５】
第１のＩＣから第２のＩＣへ第１の信号を伝搬する第１の配線パターンと、該第１のＩＣから該第２のＩＣと同じ機能を有する第３のＩＣへ、該第１の信号と同期した第２の信号を伝搬する第２の配線パターンとを有するプリント配線板において、該第１の配線パターンと該第２の配線パターンの少なくとも配線長の短い一方の配線パターンは、インダクタンスパターンと容量性パターンを対として、その対となるパターンが複数個連続して形成されたパターン形状を有する事を特徴とするプリント配線板。
【請求項６】
前記第１の配線パターンと第２の配線パターンにより伝搬される各信号の伝達時間はほぼ一致している事を特徴とする請求項５に記載のプリント配線板。
【請求項７】
前記第１の配線パターンの特性インピーダンスと、前記第２の配線パターンの特性インピーダンスがほぼ同じ値である事を特徴とする請求項５に記載のプリント配線板。
【請求項８】
前記第１、第２の信号はクロック信号である事を特徴とする請求項５に記載のプリント配線板。
【請求項９】
第１のＩＣから第２のＩＣへバス信号を伝搬する複数の配線パターンからなるバス配線パターンを有するプリント配線板において、該複数の配線パターンの少なくとも一つの配線パターンは、インダクタンスパターンと容量性パターンを対として、その対となるパターンが複数個連続して形成されたパターン形状を有する事を特徴とするプリント配線板。
【請求項１０】
第１のＩＣから第２のＩＣへ第１の信号を伝搬する第１の配線パターンと、該第１のＩＣから該第２のＩＣと異なる第４のＩＣへ、該第１の信号と同期した第３の信号を伝搬する第３の配線パターンとを有するプリント配線板において、該第１の配線パターンと該第３の配線パターンの少なくとも一方の配線パターンは、インダクタンスパターンと容量性パターンを対として、その対となるパターンが複数個連続して形成されたパターン形状を有し、該第１の配線パターンと第３の配線パターンにより伝搬される各信号の伝達時間を調整している事を特徴とするプリント配線板。
【請求項１１】
第１のＩＣから第２のＩＣへ第１の信号を伝搬する第１の配線パターンと、第５のＩＣから該第２のＩＣへ該第１の信号と同期した第４の信号を伝搬する第４の配線パターンとを有するプリント配線板において、該第１の配線パターンと該第４の配線パターンの少なくとも一方の配線パターンは、インダクタンスパターンと容量性パターンを対として、その対となるパターンが複数個連続して形成されたパターン形状を有し、該第１の配線パターンと第２の配線パターンにより伝搬される各信号の伝達時間を調整している事を特徴とするプリント配線板。
【請求項１２】
同期した第１の信号と第２の信号を送信する第１のＩＣと、該第１の信号を受信する第２のＩＣと、該第２の信号を受信する該第２のＩＣと同じ機能を有する第３のＩＣと、該第１信号を伝搬する第１の配線パターンと、該第２信号を伝搬する第２の配線パターンとを有するプリント回路基板において、該第１の配線パターンと該第２の配線パターンの少なくとも配線長の短い一方の配線パターンは、インダクタンスパターンと容量性パターンを対として、その対となるパターンが複数個連続して形成されたパターン形状を有する事を特徴とするプリント回路基板。
【請求項１３】
バス信号を送信する第１のＩＣと、該バス信号を受信する第２のＩＣと、該バス信号伝搬するバス配線パターンとを有するプリント回路基板において、該バス配線パターンの少なくとも配線長の短い１つの配線パターンは、インダクタンスパターンと容量性パターンを対として、その対となるパターンが複数個連続して形成されたパターン形状を有する事を特徴とするプリント回路基板。
【請求項１４】
同期した第１の信号と第２の信号を送信する第１のＩＣと、該第１の信号を受信する第２のＩＣと、該第３の信号を受信する第４のＩＣと、該第１信号を伝搬する第１の配線パターンと、該第３信号を伝搬する第３の配線パターンとを有するプリント回路基板において、該第１の配線パターンと該第３の配線パターンの少なくとも一方の配線パターンは、インダクタンスパターンと容量性パターンを対として、その対となるパターンが複数個連続して形成されたパターン形状を有し、該第１の配線パターンと第３の配線パターンにより伝搬される各信号の伝達時間を調整している事を特徴とするプリント回路基板。
【請求項１５】
第１の信号を送信する第１のＩＣと、第１の信号と同期した第４の信号を送信する第５のＩＣと、該第１の信号と第４の信号を受信する第２のＩＣと、該第１信号を伝搬する第１の配線パターンと、該第４信号を伝搬する第４の配線パターンとを有するプリント回路基板において、該第１の配線パターンと該第４の配線パターンの少なくとも一方の配線パターンは、インダクタンスパターンと容量性パターンを対として、その対となるパターンが複数個連続して形成されたパターン形状を有し、該第１の配線パターンと第４の配線パターンにより伝搬される各信号の伝達時間を調整している事を特徴とするプリント回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月8日(2005.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１は、本発明の負極活物質のＴＧ測定結果を示す図である。本発明において、負極活物質のＴＧ測定における第一段目の重量減少の開始温度とは、１００℃〜３５０℃におけるＴＧ曲線の一次微分（ＤＴＧ）曲線をベースにした直線近似の線（図１のｃ）からＤＴＧ曲線が離れ始めるところ（図１のａ）の温度を意味する。また、第二段目の重量減少の開始温度とは、第一段目の重量減少の終点温度を越えたのち、再び曲線の傾きが変り、新たな重量減少を示し始める変曲点（図１のｂ）の温度を意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月13日(2005.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このような混合層を構成するアルカリ金属錯体またはアルカリ土類金属錯体には、例えば、下記式（１）に示すヒドロキシキノリン、式（２）〜（６）に示すベンゼン環縮合型ヒドロキシキノリン、または式（７）に示す複素環縮合型ヒドロキシキノリンが用いられる。
【化１】
2004022325.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次に、真空蒸着法により、正孔注入層１４ａとして下記式（７）に示す２−ＴＮＡＴＡ：４，４’，４”−ｔｒｉｓ［Ｎ−２−（ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ］ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅを３０ｎｍ（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）形成した。
【化９】
2004022325.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月8日(2005.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のディスクドライブと、前記ディスクドライブの制御部を有する制御基板とが一つの筐体に収容された正ディスクアレイ装置を備えたディスクアレイシステムにおける前記正ディスクアレイ装置の基板構造であって、
前記筐体内の資源を管理する資源管理部を前記正ディスクアレイ装置の前記制御基板に実装したこと
を特徴とするディスクアレイ装置の基板構造。
【請求項２】
前記ディスクアレイシステムは、少なくとも複数のディスクドライブが別の筐体に収容された増設用の副ディスクアレイ装置を更に備えたこと
を特徴とする請求項１記載のディスクアレイ装置の基板構造。
【請求項３】
前記資源管理部を二重化すべく、前記正ディスクアレイ装置は、前記筐体内の資源を管理する副資源管理部を実装した基板を備えたこと
を特徴とする請求項１記載のディスクアレイ装置の基板構造。
【請求項４】
前記基板の前記副資源管理部は、前記制御基板の前記制御部と電気的に接続されており、前記副資源管理部は前記制御部によって制御されること
を特徴とする請求項３記載のディスクアレイ装置の基板構造。
【請求項５】
前記複数のディスクドライブは、相互にループを介して電気的に接続されており、前記制御基板の前記制御部が前記ループを通じて前記複数のディスクドライブに接続するのであって、
前記制御基板の前記資源管理部は、前記ループによる前記接続の関係を切り替えるスイッチ制御を行うこと
を特徴とする請求項１記載のディスクアレイ装置の基板構造。
【請求項６】
前記ループは、ポートバイパス回路としてチップ化されて別の基板に実装されてなること
を特徴とする請求項５記載のディスクアレイ装置の基板構造。
【請求項７】
前記制御基板の前記資源管理部は、前記ディスクアレイシステムの動作状態に関するデータを収集し、前記データに基づき前記動作状態を表示するランプの点灯を制御すること
を特徴とする請求項１記載のディスクアレイ装置の基板構造。
【請求項８】
前記制御基板の前記資源管理部は、前記ディスクアレイシステムの動作状態に関するデータを収集するにあたり、前記複数のディスクドライブにおける所定のディスクドライブを介して前記データを収集すること
を特徴とする請求項１記載のディスクアレイ装置の基板構造。
【請求項９】
前記制御基板の前記資源管理部は、前記複数のディスクドライブと、少なくとも前記ディスクドライブへ電源を供給する電源装置と電気的に接続されており、
前記資源管理部は、前記複数のディスクドライブ及び前記電源装置の前記ディスクアレイ装置に対する装着状態に関するデータを収集し、前記データに基づき前記装着状態を前記制御部に通知すること
を特徴とする請求項１記載のディスクアレイ装置の基板構造。
【請求項１０】
請求項１乃至４のいずれかに記載の前記基板構造を有する前記正ディスクアレイ装置であること
を特徴とするディスクアレイ装置。
【請求項１１】
請求項２乃至４のいずれかに記載の前記基板構造を有する前記正ディスクアレイ装置と前記副ディスクアレイ装置とを備えたこと
を特徴とするディスクアレイシステム。
【請求項１２】
複数のディスクドライブと、前記ディスクドライブをＲＡＩＤ方式で制御しホストとのデータ入出力を制御する制御基板が実装されたコントローラモジュールとが筐体に収容されたディスクアレイ装置を備えたディスクアレイシステムにおける前記ディスクアレイ装置の基板構造であって、
前記ディスクドライブの動作状態を監視し制御するエンクロージャを前記制御基板に実装したこと
を特徴とするディスクアレイ装置の基板構造。
【請求項１３】
前面及び後面が開口する略直方体状のシャーシと、
前記シャーシの前面開口部側に配置される複数のＨＤＤモジュールと、
前記シャーシの後面開口部側の上部に配置される電源モジュールと、
前記シャーシの後面開口部側の下部に配置され、前記ＨＤＤモジュールのハードディスクドライブをＲＡＩＤ方式で制御しホストとのデータ入出力を制御する制御基板が実装されたコントローラモジュールと、
前記シャーシの内部に設けられ、前記電源モジュールが接続される前面側バックボードと、
前記シャーシの内部に設けられ、前記コントローラモジュールが接続される後面側バックボードと、
前記前面側バックボード及び前記後面側バックボードの実装面状の空いた領域に実装されファイバチャネルループを担うＰＢＣと、
を有するディスクアレイ装置において、
前記ハードディスクドライブの動作状態を監視し制御するエンクロージャを前記制御基板に実装したこと
を特徴とするディスクアレイ装置の基板構造。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月20日(2005.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を発生させるＸ線管と、このＸ線管に高電圧を中性点接地方式により供給する高電圧発生器と、上記Ｘ線管に印加される管電圧の正側または負側の一方を検出する電圧検出手段と、上記Ｘ線管での放電を検知する放電検出手段と、この放電検出手段によって放電が検知されたときに上記Ｘ線管への高電圧の供給を所定期間休止させ、その休止期間経過後に上記高電圧発生器の出力を復帰させる一時停止手段と、を備えたＸ線高電圧装置において、この放電検出手段によって放電が検出された後に前記電圧検出手殺によって検出された管電圧の正側または負側の他方が予め設定された異常設定閾値よりも高いか否かを比較判定する手段と、前記比較判定された結果が異常設定閾値よりも検出管電圧が高いときに、上記高電圧発生器の出力を再停止させるように前記一時停止手段を動作させる手段と、を傭えたＸ線高電圧装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月20日(2005.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップ及び複数の還流ダイオードを有するモータドライブ用パワーモジュールにおいて、前記半導体チップ及び還流ダイオードをはんだボールなどのマイクロ接続及び少なくとも２枚のセラミック基板を使用して、立体的に実装することを特徴とするパワーモジュール。
【請求項２】
前記半導体チップの放熱板をパワーモジュールの両面に実装することを特徴とする請求項１記載のパワーモジュール。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のパワーモジュールを用いて構成されたことを特徴とするモータ制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パワーモジュールおよびこれを用いたモータ制御装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、半導体チップ及び還流ダイオードを有するモータドライブ用パワーモジュールにおいて、複数の半導体チップと複数の還流ダイオードとを有し、前記半導体チップ及び還流ダイオードをはんだボールなどのマイクロ接続及び少なくとも２枚のセラミック基板を使用して、立体的に実装することを特徴とするパワーモジュールである。請求項１記載のパワーモジュールによれば、パワーモジュールにおける半導体チップの実装面積を約半分にすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項２記載の発明は、前記半導体チップの放熱板をパワーモジュールの両面に実装することを特徴とするパワーモジュールである。請求項２記載のパワーモジュールによれば、立体的に実装した半導体チップの放熱を両面から促進することができるので、さらなる小型化ができる。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２記載のパワーモジュールを用いて構成されたモータ制御装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加する第２工程と、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜上にバリア層を形成する第４の工程と、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成する第５工程と、
前記第２の半導体膜にハロゲン元素またはハロゲン元素を含む化合物を添加する第６工程と、
加熱処理を行って前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第７工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第８工程と、
前記バリア層を除去する第９工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記バリア層は、膜厚１ｎｍ〜１０ｎｍの酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において前記第５の工程において形成される前記第２の半導体膜中には希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記ハロゲン元素は、Ｆ、Ｃｌ、Ｉ、Ｂｒから選ばれた１種または複数種であり、前記ハロゲン元素を含む化合物は、それらの窒素化合物、または炭素化合物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加する第２工程と、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜上にバリア層を形成する第４の工程と、
前記バリア層上にフッ素化合物、炭素化合物、窒素化合物、または酸素化合物を含む第２の半導体膜を形成する第５工程と、
加熱処理を行って前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第６工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第７工程と、
前記バリア層を除去する第８工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第５工程は、プラズマＣＶＤ法であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５において、前記第５工程は、スパッタ法で形成した半導体膜にフッ素化合物、炭素化合物、窒素化合物、または酸素化合物をドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記金属元素はＮｉであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理対象となる基板が設置されるチャンバーと、
液状の疎水化処理剤を貯蔵する貯蔵手段と、
前記貯蔵手段内の前記疎水化処理剤に気化用ガスを導入し、前記疎水化処理剤を気化させる気化手段と、
前記気化手段と前記貯蔵手段との間に配設され、前記気化手段から送出された前記気化用ガスから水分を除去する水分除去手段と、
気化した前記疎水化処理剤を前記チャンバー内に設置された前記基板に送出する送出手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記疎水化処理剤がヘキサメチルジシラザンであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記水分除去手段が、シリカゲル、モレキュラーシーブ、及び冷凍器のうちのいずれか１種であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
気化用ガスから水分を除去する工程と、
水分の除去された前記気化用ガスを貯蔵された液状の疎水化処理剤に導入し、前記疎水化処理剤を気化する工程と、
気化した前記疎水化処理剤を被処理対象となる基板に送出し、前記基板表面を疎水化する工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
半導体基板の表面に所望の薄膜を形成する工程と、
前記半導体基板の表面を疎水化処理する工程と、
前記薄膜上にレジストを塗布し、前記レジストを加工してレジストパターンを形成した後、前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングする工程と
を含み、
前記疎水化処理工程は、
気化用ガスから水分を除去する工程と、
水分の除去された前記気化用ガスを貯蔵された液状の疎水化処理剤に導入し、前記疎水化処理剤を気化する工程と、
気化した前記疎水化処理剤を被処理対象となる基板に送出し、前記半導体基板の表面を疎水化する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の基板処理装置は、被処理対象となる基板が設置されるチャンバーと、
液状の疎水化処理剤を貯蔵する貯蔵手段と、前記貯蔵手段内の前記疎水化処理剤に気化用ガスを導入し、前記疎水化処理剤を気化させる気化手段と、前記気化手段と前記貯蔵手段との間に配設され、前記気化手段から送出された前記気化用ガスから水分を除去する水分除去手段と、気化した前記疎水化処理剤を前記チャンバー内に設置された前記基板に送出する送出手段とを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の基板処理方法は、気化用ガスから水分を除去する工程と、水分の除去された前記気化用ガスを貯蔵された液状の疎水化処理剤に導入し、前記疎水化処理剤を気化する工程と、気化した前記疎水化処理剤を被処理対象となる基板に送出し、前記基板表面を疎水化する工程とを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に所望の薄膜を形成する工程と、前記半導体基板の表面を疎水化処理する工程と、前記薄膜上にレジストを塗布し、前記レジストを加工してレジストパターンを形成した後、前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングする工程とを含み、前記疎水化処理工程は、気化用ガスから水分を除去する工程と、水分の除去された前記気化用ガスを貯蔵された液状の疎水化処理剤に導入し、前記疎水化処理剤を気化する工程と、気化した前記疎水化処理剤を被処理対象となる基板に送出し、前記半導体基板の表面を疎水化する工程とを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１は、本実施形態における基板処理を行うための基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
この基板処理装置は、被処理対象となるシリコン半導体基板１１を設置するホットプレート１２を有する密閉チャンバー１と、液状の疎水化処理剤であるヘキサメチルジシラザンを貯蔵するバブリングタンクであるＨＭＤＳバブラー２と、ＨＭＤＳバブラー２内のヘキサメチルジシラザンに気化用ガスである窒素ガスを導入し、ヘキサメチルジシラザンを気化させる気化手段である気化用ガス導入部３と、気化ガス導入部３とＨＭＤＳバブラー２との間に配設され、気化ガス導入部３から送出された窒素ガス中から水分を除去するシリカゲルを封入した水分除去手段であるシリカゲル管４と、電磁弁１３を有し、電磁弁１３の開閉制御により気化したヘキサメチルジシラザンを密閉チャンバー１内に設置された半導体基板１１の表面に送出する疎水化処理剤送出部５とを備えて構成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
（付記１）被処理対象となる基板が設置されるチャンバーと、
液状の疎水化処理剤を貯蔵する貯蔵手段と、
前記貯蔵手段内の前記疎水化処理剤に気化用ガスを導入し、前記疎水化処理剤を気化させる気化手段と、
前記気化手段と前記貯蔵手段との間に配設され、前記気化手段から送出された前記気化用ガスから水分を除去する水分除去手段と、
気化した前記疎水化処理剤を前記チャンバー内に設置された前記基板に送出する送出手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（付記４）気化用ガスから水分を除去する工程と、
水分の除去された前記気化用ガスを貯蔵された液状の疎水化処理剤に導入し、前記疎水化処理剤を気化する工程と、
気化した前記疎水化処理剤を被処理対象となる基板に送出し、前記基板表面を疎水化する工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
（付記７）半導体基板の表面に所望の薄膜を形成する工程と、
前記半導体基板の表面を疎水化処理する工程と、
前記薄膜上にレジストを塗布し、前記レジストを加工してレジストパターンを形成した後、前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングする工程と
を含み、
前記疎水化処理工程は、
気化用ガスから水分を除去する工程と、
水分の除去された前記気化用ガスを貯蔵された液状の疎水化処理剤に導入し、前記疎水化処理剤を気化する工程と、
気化した前記疎水化処理剤を被処理対象となる基板に送出し、前記半導体基板の表面を疎水化する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月2日(2005.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
接着剤に穴あけ加工するエッチングは、プラズマエッチングであることを特徴とする請求項１に記載のスルーホールプラギング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
スルーホール内壁面を含むシリコン基板表裏面に形成する絶縁膜は、化学蒸着（ＣＶＤ）や熱処理によって形成した酸化膜（ＳｉＯ２膜）であることを特徴とする。また、接着剤に穴あけ加工するエッチングは、プラズマエッチングであることを特徴とする。また、シリコン基板の両面を研磨する工程は、化学機械研磨（ＣＭＰ）によることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理すべき表示用基板の隅角部を個々に受ける４つの受けベースと、隣り合う受けベースを前記表示用基板と平行の面内で相寄り相離れる方向に移動可能に支持する支持機構とを含む、表示用基板の処理装置。
【請求項２】
さらに、前記表示用基板の隣り合う一対の第１及び第２の辺の一端部が当接可能に１つの前記受けベースに配置された第１のストッパと、前記第１の辺の他端部が当接可能に前記１つの受けベースの隣の受けベースに配置された第２のストッパとを含む、請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
さらに、前記表示用基板を前記第１のストッパに向けて押圧すべく前記隣の受けベースに配置された第１のプッシャと、前記表示用基板を前記第１及び第２のストッパに向けて押圧すべく残りの前記受けベースに配置された第２のプッシャとを含む、請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記支持機構は、第１の方向に隣り合う受けベースを前記第１の方向へ移動可能に前記隣り合う受けベースの対毎に受ける一対の第１の支持手段と、前記第１の支持手段を前記第１の方向と交差する第２の方向へ移動可能に受ける第２の支持手段とを含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
さらに、前記第２の方向に隣り合う受けベースを前記第２の方向へ移動可能に連結する一対の連結手段を含む、請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
さらに、前記第２の支持手段を前記表示用基板と平行の面内で二次元的に移動させるべく前記第２の支持手段を支持する支持台と、照明光を前記表示用基板に下方側から照射すべく前記表示用基板と前記支持台との間に配置された照明手段と、加工用光線を前記表示用基板に上方から照射する加工用光線照射手段とを含む、請求項4又は５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記照明手段は、前記支持台が配置された基台に少なくとも前記支持台を跨ぐ状態に配置されたアームと、該アームに配置されて前記照明光を前記表示用基板に照射する光ファイバとを含む、請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】
さらに、前記第２の支持手段を前記表示用基板と平行の面内で二次元的に移動させると共に前記表示用基板に垂直の軸線方向へ移動させるべく前記第２の支持手段を受けるステージと、前記受けベースから上方に間隔をおいて配置された１以上のプローブユニットとを含み、前記プローブユニットは前記表示用基板に押圧される複数の接触子を備えている、請求項１から５のいずれか１項に記載の処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
しかし、第１及び第２の支持台１６及び１８は、平面サーボモータステージ以外の二次元ステージを用いてもよいし、受けステージ２２を上下方向に移動させるＺステージの機能を兼ね備えたＸＹＺの三次元ステージに構成されていてもよく、さらに受けステージ２２をＺ軸線の周りに角度的に回転させるθステージを兼ね備えたＸＹＺθのステージに構成されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面に、加水分解性有機ケイ素化合物２０〜９０重量％と表面を被覆された二重構造を有する多孔質シリカ微粒子１０〜８０重量％とを含む組成物からの硬化被膜が形成されていることを特徴とする透明基材。
【請求項２】
硬化被膜が、１.２０〜１.４３の屈折率及び０.０１〜１μmの膜厚を有し、反射防止機能を有する被膜である請求項１に記載の透明基材。
【請求項３】
基材がメチルメタクリレート−スチレン共重合体樹脂である請求項１又は２に記載の透明基材。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月10日(2004.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来から、圧延鋼材などの金属の表面研磨加工において用いる研磨ブラシ用毛材としては、研磨砥材粒子を含有する合成樹脂からなるモノフィラメントが知られており、例えばこの研磨砥材粒子含有モノフィラメントを毛材として植毛したロールブラシ、カップブラシ、筒状ブラシなどを被処理物に押圧し、回転を付与することによって、被処理物の表面研磨加工が行われている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ところで、上記研磨ブラシ用毛材は、主として圧延鋼材などに水などの冷却液を散布して研磨する湿式研磨に用いられているが、圧延鋼材などに冷却液を散布しない乾式研磨加工において従来のポリアミド樹脂製研磨ブラシ用毛材を使用する場合には、研磨による発熱で毛材が溶着するという問題があった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被研磨物の研磨面を研磨する研磨テーブルと、
前記被研磨物の研磨面を洗浄する洗浄手段と、
前記被研磨物の研磨面を観察・計測する研磨面検出手段と、
を備えた研磨装置において、
前記研磨テーブルの研摩面と面一な上面を有し、前記上面に開口を有する穴を設けられた計測テーブルを前記研磨テーブルに隣接して設け、
前記洗浄手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面を洗浄し、
前記研磨面検出手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面の観察・計測を行なうことを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
被研磨物の研磨面を研磨する研磨テーブルと、
前記被研磨物の研磨面を洗浄する洗浄手段と、
前記被研磨物の研磨面を観察・計測する研磨面検出手段と、
を備えた研磨装置において、
前記研磨テーブルの研磨面上に開口を有する穴を設け、
前記洗浄手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面を洗浄し、
前記研磨面検出手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面の観察・計測を行なうことを特徴とする研磨装置。
【請求項３】
前記被研磨物を保持する治具の上面から被検物まで達する穴を設け、
前記研磨面検出手段は、前記治具の穴から入射し、前記被研磨物を透過した光を検出することを特徴とする請求項２記載の研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
研磨テーブル１が矢印Ｉ方向に回転すると、押え用治具７に保持された治具５も同方向（矢印Ｉ方向）に回転し、研磨テーブル１上に滴下された研磨剤９により、被研磨物３が研磨される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する請求項１記載の発明は、被研磨物の研磨面を研磨する研磨テーブルと、前記被研磨物の研磨面を洗浄する洗浄手段と、前記被研磨物の研磨面を観察・計測する研磨面検出手段とを備えた研磨装置において、前記研磨テーブルの研摩面と面一な上面を有し、該上面に開口を有する穴を設けられた計測テーブルを前記研磨テーブルに隣接して設け、前記洗浄手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面を洗浄し、前記研磨面検出手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面の観察・計測を行なうことを特徴とする研磨装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記研磨テーブルの研摩面と面一な上面を有し、前記上面に開口を有する穴を設けられた計測テーブルを前記研磨テーブルに隣接して設け、前記洗浄手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面を洗浄し、前記研磨面検出手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面の観察・計測を行なうことにより、被研磨物を滑らせることで研磨テーブルから計測テーブル、計測テーブルから研磨テーブルへの移動が行なえるので、表面粗さの観察・計測に手間がかからない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２記載の発明は、被研磨物の研磨面を研磨する研磨テーブルと、前記被研磨物の研磨面を洗浄する洗浄手段と、前記被研磨物の研磨面を観察・計測する研磨面検出手段と、を備えた研磨装置において、前記研磨テーブルの研磨面上に開口を有する穴を設け、前記洗浄手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面を洗浄し、前記研磨面検出手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面の観察・計測を行なうことを特徴とする研磨装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記研磨テーブルの研磨面上に開口を有する穴を設け、前記洗浄手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面を洗浄し、前記研磨面検出手段は、前記穴を介して前記被研磨物
の研磨面の観察・計測を行なうことにより、表面粗さの観察・計測に手間がかからない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項３記載の発明は、前記被研磨物を保持する治具の上面から被検物まで達する穴を設け、前記研磨面検出手段は、前記治具の穴から入射し、前記被研磨物を透過した光を検出することを特徴とする請求項２記載の研磨装置である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、前記研磨テーブルの研摩面と面一な上面を有し、前記上面に開口を有する穴を設けられた計測テーブルを前記研磨テーブルに隣接して設け、前記洗浄手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面を洗浄し、前記研磨面検出手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面の観察・計測を行なうことにより、被研磨物を滑らせることで研磨テーブルから計測テーブル、計測テーブルから研磨テーブルへの移動が行なえるので、表面粗さの観察・計測に手間がかからない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
請求項２記載の発明によれば、前記研磨テーブルの研磨面上に開口を有する穴を設け、前記洗浄手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面を洗浄し、前記研磨面検出手段は、前記穴を介して前記被研磨物の研磨面の観察・計測を行なうことにより、表面粗さの観察・計測に手間がかからない。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
請求項３記載の発明によれば、前記被研磨物を保持する治具の上面から被検物まで達する穴を設け、前記研磨面検出手段は、前記治具の穴から入射し、前記被研磨物を透過した光を検出することにより、被研磨物の研磨面の観察・計測を行なう際に、被研磨物の研磨面を照射する光源が不要となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
食い付き部の切れ刃にネガ角のチャンファホーニングを施し、少なくとも前記切れ刃部の表面にダイヤモンド膜を被覆するとともに、前記ダイヤモンド膜が被覆されたチャンファホーニング部の面粗さＲａは、０．０５μｍ以上１０μｍ以下である金属基複合材のねじ穴加工用のタップ。
【請求項２】
前記チャンファホーニングの角度は、−１５〜−６０°である請求項１記載のタップ。
【請求項３】
前記チャンファホーニングの幅は、前記食い付き部の切れ刃の切込深さ以上前記切れ刃の直径の２０％以下である請求項１または２に記載のタップ。
【請求項４】
完全山部の切れ刃にネガ角のチャンファホーニングを施した請求項１〜３のいずれかに記載のタップ。
【請求項５】
前記ダイヤモンド膜の膜厚は５〜３０μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のタップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のタップは、食い付き部の切れ刃にネガ角のチャンファホーニングを施し、少なくとも前記切れ刃部の表面に硬質膜であるダイヤモンド膜を被覆したことである。タップの切れ刃は先端側に不完全山部の食い付き部があり、その後端側には完全山部が形成されている。この食い付き部の切れ刃のすくい面と逃げ面の交わる切れ刃稜の部分にチャンファホーニングを施したものであり、本来のすくい面と共にチャンファホーニングを施した面もすくい面として作用させ、チップブレーカーの役割をさせるものである。このチャンファ面は切削時のすくい角がネガ角となるように形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記硬質膜が被覆されたチャンファホーニング部の面粗さをＪＩＳＢ０６０１に基づくＲａで０．０５μｍ以上１０μｍ以下としたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のタップの実施形態としては、例えば以下のものが挙げられる。その第一は、前記チャンファホーニングの角度を−１５〜−６０°としたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
その第二は、前記チャンファホーニングの幅を前記食い付き部の切れ刃の切込深さ以上、前記切れ刃の直径の２０％以下としたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
その第三は、上記いずれかのタップにおいて、完全山部の切れ刃にも食い付き部の切れ刃と同様にネガ角のチャンファホーニングを施したものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また本発明のタップの他の実施態様としては、例えば前記ダイヤモンド膜に代えダイヤモンド状炭素膜としたものやタップの基材を超硬合金としたものが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明のロックボルト用異形管の製造装置は、素管の円周方向に配置された、曲率半径の大きい凹部をもつロールと曲率半径の小さい凹部をもつロールからなる第一成形スタンド群と、同じく素管の円周方向に配置された、前記曲率半径の小さい凹部をもつロールと同じかそれよりも小さい曲率半径の凹部をもつロールと端部の曲率半径が小さい円盤状の凸ロールからなる第二成形スタンド群と、製品の外形曲率半径と同等以上の曲率半径の凹部をもつ一対のロールが、前記第一、第二成形スタンド群のロールと直行する方向に配置された第三成形スタンド群を備えたことを特徴とする。
第一〜第三の成形スタンド群が、それぞれ１〜２組の成形ロールからなるものとすることができる。また、第一〜第二の成形スタンド群にあっては、１段以上のロールにおいて管の凹み側の成形ロール中心を凸側の成形ロール中心よりも成形方向の出側にずらして配置することが好ましい。また、第三成形スタンド群の一部あるいは全てのスタンドに管の凸側の材料が対向する一対のロールのギャップからはみ出すのを防止するロールを設けた３方ロールを適用してもよい。
さらに、第一〜第三の成形スタンド群を造管機の最終スタンドの後段に連続して配置することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波領域の周波数を有する振動を発振する超音波発振子と、
前記超音波発振子に接続され、前記超音波領域の周波数を有する振動を伝達する超音波ホーンと、
前記超音波ホーンの前記超音波領域の周波数を有する振動の最大振幅部に取り付けられ、接合体を加熱するヒータと、前記超音波ホーンを冷却する冷却部と
を備えることを特徴とする超音波振動接合装置。
【請求項２】
前記冷却部は、ペルチエ素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の超音波振動接合装置。
【請求項３】
前記超音波ホーンは、前記ヒータを貫く鉛直軸を回転中心として回転可能であることを特徴とする請求項１又は２に記載の超音波振動接合装置。
【請求項４】
前記ヒータは、前記接合体と接触する接触部が前記接合体より小さいことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の超音波振動接合装置。
【請求項５】
前記ヒータは、凹部形状を有し、該凹部形状の内側側面で前記接合体を把持することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の超音波振動接合装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る超音波振動接合装置は、超音波領域の周波数を有する振動を発振する超音波発振子と、
前記超音波発振子に接続され、前記超音波領域の周波数を有する振動を伝達する超音波ホーンと、
前記超音波ホーンの前記超音波領域の周波数を有する振動の最大振幅部に取り付けられ、接合体を加熱するヒータと、前記超音波ホーンを冷却する冷却部と
を備えることを特徴とする。