Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月10日(2004.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
メモリセルにそれぞれ接続され、互いに異なるデータ端子に対応する複数のビット線と、前記ビット線にそれぞれ接続された複数のセンスアンプと、前記ビット線をデータバス線にそれぞれ接続する複数のコラムスイッチ回路とを有し、前記ビット線の配線方向の直交方向に配列された複数の副メモリ部と、
アドレスの異なる偶数個の前記副メモリ部で構成された複数の主メモリ部と、
前記副メモリ部の少なくとも一つを有し、前記主メモリ部内の前記副メモリ部のうち不良の副メモリ部が無効にされたときに有効にされる冗長メモリ部と、
前記各主メモリ部に形成され、前記コラムスイッチ回路が配置されるコラムスイッチ領域とを備え、
前記コラムスイッチ領域は、前記ビット線の配線方向を軸として鏡面対称に形成され、
前記データ端子毎に同じ論理を有する複数の前記データバス線が、前記主メモリ部内および前記冗長メモリ部内に配線されていることを特徴とする半導体メモリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、コラムスイッチ領域を鏡面対称にすることで、コラムスイッチ領域のレイアウトサイズを小さくできる。
請求項２の半導体メモリでは、各副メモリ部において、コラムスイッチ回路は、ビット線の配線方向に沿って一列に配置されている。各主メモリ部内の互いに隣接する副メモリ部において、コラムスイッチ回路は、データ端子の番号の並び順を逆にして配置されている。このため、各主メモリ部の互いに隣接する副メモリ部において、一方の副メモリ部のビット線を、一方向に並ぶコラムスイッチ回路に順次接続し、他方の副メモリ部のビット線を逆方向に並ぶコラムスイッチ回路に順次接続することで、ビット線のデータ端子番号の並び順を同じにし、かつ、コラムスイッチ領域を鏡面対称にできる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
データ入出力回路２０は、読み出し動作時にメモリセルアレイ２２からコモンデータバスCDB上に伝達された読み出しデータをデータ端子DQに出力する。データ端子DQは、８ビット（DQ0-7）で構成されている。データ入出力回路２０は、書き込み動作時にデータ端子DQを介して供給される書き込みデータをコモンデータバスCDBを介してメモリセルアレイ２２に出力する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２は、図１に示したメモリセルアレイ２２の要部を示している。なお、図２以降では、データ端子DQ0、DQ1に対応する回路について説明する。擬似SRAMは、データ端子DQ2-7に対応する回路も有しているが、それら回路は、データ端子DQ0、DQ1に対応する回路と同様なため、図示および説明を省略する。
コラムデコーダCDECは、コラムアドレス信号のデコード信号ADECに応じて第１コラム選択線CL1（CL10、CL11、CL12、CL13、...CL1n）のいずれかにコラム選択信号（高レベル）を出力する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
あるいは、コラムスイッチ回路CSWは、図の左側のビット線/BL0に対応して、ドレインがローカルデータバス線/LDB0に接続され、ゲートがコラム選択信号が伝達される第２コラム選択線CL20に接続された第１トランジスタM12と、ゲートがビット線BL0に接続され、ソースが接地線（ソース電源）に接続された第２トランジスタM22と、ドレインが第１トランジスタM12のソースに接続され、ソースが第２トランジスタM22のドレインに接続され、読み出し動作時に活性化レベルに変化する読み出し制御信号RCLをゲートで受ける第３トランジスタM32と、ドレインがビット線/BL0に接続され、ソースが第１トランジスタM12のソースに接続され、書き込み動作時に活性化レベルに変化する書き込み制御信号WCLをゲートで受ける第４トランジスタM42とを有している。ビット線BL1、/BL1およびその他のビット線BL0、/BL0のコラムスイッチ回路CSWも、上述と同様に形成されている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
第２トランジスタM21、M22は、ゲートをビット線/BL、BLにそれぞれ接続されており、ビット線/BL、BLの電圧を増幅する機能を有している。この方式は、一般にダイレクトセンス方式と称される。
コラムスイッチ領域CSRには、ビット線対BL0、/BL0（またはBL1、/BL1）に対応してローカルデータバス線LDB（ローカルデータバス線対LDB0、/LDB0またはLDB1、/LDB1）が２本ずつ配線されている。ローカルデータバス線LDBは、メモリセルMCから読み出される読み出しデータと、メモリセルMCに書き込まれる書き込みデータとを転送する。すなわち、ローカルデータバス線LDBは、読み出し動作および書き込み動作に共通のバス線である。ローカルデータバス線LDBを、読み出しデータおよび書き込みデータで共有することで、ローカルデータバス線LDBの本数を削減でき、ローカルデータバス線LDBに接続されるトランジスタのジャンクション容量（負荷）を低減できる。この結果、データの入出力時間が短縮されるため、アクセス時間を短くできる。なお、本実施形態では、ローカルデータバス線LDBの本数を削減する代わりに、ローカルデータバス線LDBを各ビット線BL、/BLに２本ずつ配線している。このため、不良解析時に、救済品と非救済品とでビット線BL、/BLの並び順を考慮する必要がなくなり、不良解析が容易になる。したがって、不良解析に掛かる時間を短縮できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体にレーザ光を照射して、記録データに応じた記録マークを形成する情報記録装置において、
前記レーザ光を出射する光源と、
前記記録データに基づいて、第１のレベルと第２のレベルとの間で変化する記録パルス波形を生成する記録波形生成手段と、
前記記録パルス波形に基づいて前記光源を駆動することにより、前記記録媒体上に記録マークを形成する記録手段と、を備え、
記録波形生成手段は、前記第１のレベルに応じて、前記記録パルス波形中の前記第２のレベルを有するパルス部分のエッジ位置を調整することを特徴とする情報記録装置。
【請求項２】
前記記録波形生成手段は、
前記第１のレベルを決定するレベル決定手段と、
前記第１のレベルを所定の基準レベルと比較し、比較結果に基づいて前記エッジ位置を調整する調整手段と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の情報記録装置。
【請求項３】
前記調整手段は、前記第１のレベルが前記基準レベルよりも高いときには前記パルス部分の前方エッジを後方にシフトし、前記第１のレベルが前記基準レベルよりも低いときには前記パルス部分の前方エッジを前方にシフトすることを特徴とする請求項２に記載の情報記録装置。
【請求項４】
前記記録パルス波形はトップパルスを含み、前記記録波形生成手段は、前記トップパルスの前方エッジ位置を調整することを特徴とする請求項１に記載の情報記録装置。
【請求項５】
前記記録パルス波形はさらに１つ以上のマルチパルスを含み、前記記録波形生成手段は前記マルチパルスの各々の前方エッジ位置を調整することを特徴とする請求項４に記載の情報記録装置。
【請求項６】
前記記録波形生成手段は、前記パルス部分のエッジ位置を調整することにより、前記パルス部分のパルス幅を変化させることを特徴とする請求項１に記載の情報記録装置。
【請求項７】
前記記録パルス波形は１つのトップパルスと１つ以上のマルチパルスとを含み、
前記記録波形生成手段は、前記トップパルスの前の期間のレベルに応じて前記トップパルスの前方エッジの位置を調整し、前記複数のマルチパルス間のレベルに応じて前記複数のマルチパルスの各エッジの位置を調整することを特徴とする請求項１に記載の情報記録装置。
【請求項８】
記録媒体にレーザ光を照射して、記録データに応じた記録マークを形成する情報記録装置において実行される情報記録方法であって、
前記記録データに基づいて、第１のレベルと第２のレベルとの間で変化する記録パルス波形を生成する記録波形生成工程と、
前記記録パルス波形に基づいて光源を駆動することにより、前記記録媒体上に記録マークを形成する記録工程と、を備え、
記録波形生成工程は、前記第１のレベルに応じて、前記記録パルス波形中の前記第２のレベルを有するパルス部分のエッジ位置を調整することを特徴とする情報記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月11日(2004.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
以上の電池モジュール１は、電池温度を形状記憶合金４ａを使用してなる温度検知部材４の変形で検出するが、電池温度は、熱膨張率が異なる金属を積層してなる熱膨張差積層金属４ｂを使用してなる温度検知部材４で検出することもできる。図９は、熱膨張差積層金属４ｂからなる温度検知部材４を示す。この温度検知部材４の熱膨張差積層金属４ｂは、全体をＵ曲した形状として、熱膨張率の大きい金属を外側に、熱膨張率の小さい金属を内側に積層している。この熱膨張差積層金属４ｂは温度が高くなると外側の金属が内側の金属よりも伸びるので、矢印で示すようにＵ曲端を互いに接近させる方向に変形する。この熱膨張差積層金属４ｂを単電池２の表面に配設して、互いに連結材４Ｂで連結すると、形状記憶合金を使用してなる温度検知部材と同じ構造で電池温度を検出できる。すなわち、複数の熱膨張差積層金属４ｂを連結材４Ｂで直線状に連結している温度検知部材４を熱伝導筒８に入れて単電池２の表面に配設し、その一端を偏移検出器５に連結する。この温度検知部材４は、電池温度が設定温度よりも高温に上昇すると、熱膨張差積層金属４ｂが変形して収縮する。収縮した温度検知部材４は、偏移検出器５を引っ張って、オンオフに切り換えて電池の温度上昇を検出する。熱膨張差積層金属４ｂは、電池温度が設定温度よりも低くなると、もとの形状に復帰するので、形状記憶合金のように復帰用弾性体を設けることなく、何回も繰り返し、電池が設定温度よりも高くなることを検出できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光素子と、前記自発光素子を挟むように設けられた第一の偏光層及び第二の偏光層と、を備えるとともに、前記第一の偏光層と前記第二の偏光層の透過軸が互いに直交することを特徴とする自発光型表示装置。
【請求項２】
自発光素子と、
前記自発光素子を挟むように設けられた第一の偏光層及び第二の偏光層と、
前記自発光素子と前記第一の偏光層との間に設けられた第一の光学位相差層（リタデーション：Δｎ1ｄ1 、Δｎ：光学異方性、ｄ：厚さ）と、
前記自発光素子と前記第二の偏光層との間に設けられた第二の光学位相差層（リタデーション：Δｎ2ｄ2）と、を備えるとともに、
前記第一の偏光層と前記第二の偏光層の透過軸は平行で、
前記第一の光学位相差層（Δｎ1ｄ1）と第二の光学位相差層（Δｎ2ｄ2）の光学異方性の遅相軸は平行で、かつ、前記遅相軸と第一の偏光層の透過軸とのなす角度が外光を遮光するように設定され、
４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長λの光に対してΔｎ1ｄ1及びΔｎ2ｄ2の値が、
Δｎ1ｄ1／λ＝０．２５＋ｍ／２±０．０５（ｍ＝０、１、２、・・・）
Δｎ2ｄ2／λ＝０．２５＋ｍ／２±０．０５（ｍ＝０、１、２、・・・）
を満たすことを特徴とする自発光型表示装置。
【請求項３】
前記自発光素子の発光領域の少なくとも一部を隠蔽する表示部開閉機構を有することを特徴とする請求項１または２に記載の自発光型表示装置。
【請求項４】
自発光型表示装置が折りたたみ可能な構造を有する機器であり、前記表示部開閉機構は、前記機器が折りたたまれた状態の時に開き、前記機器が開いた状態の時に閉じることを特徴とする請求項３に記載の自発光型表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  基板上に電極とリブとを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、  基板上に電極とそれの端子とを一体的に形成した後、端子保護ペーストを前記基板の周辺部に導出された端子の上に塗布し、リブペーストを前記基板上のリブ形成領域全体に膜状に塗布し、該膜状のリブペーストをリブ形状の成形型を用いて型成形して所定形状のリブペーストを形成し、この後当該端子保護ペーストとリブペーストとを同時焼成して前記端子の表面を保護する端子保護層と所定形状のリブを基板上に形成することを  特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。    【請求項２】  前記基板の周辺部のシール材を配設するシール形成領域において  前記端子保護ペーストの端部上に前記リブペーストの端部が重なるように塗布されることを  特徴とする前記請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。    【請求項３】  前記端子保護ペーストに含まれるガラスの軟化点温度が、前記リブペーストに含まれるガラスの軟化点温度よりも低いことを  特徴とする前記請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。    【請求項４】  前記端子保護層がシール材による封止工程後にエッチングにより除去されることを  特徴とする前記請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。    【請求項５】  前記端子保護ペーストが光硬化性バインダーからなることを  特徴とする前記請求項１ないし４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。    【請求項６】  前記端子保護ペーストおよびリブペーストが光硬化性バインダーからなることを  特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。    【請求項７】  前記端子保護ペーストの膜厚をリブペーストの成形型で薄く押圧されたリブ以外の部分の膜厚よりも厚くすることを  特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネ。 【請求項８】  少なくとも一方の基板上に、端子引き出し部を経て周辺の端子部に延びる複数の電極と、該電極表面を被覆する誘電体層を具えた一対の基板を対向配置し、周辺をシールしたプラズマディスプレイパネルであって、 前記シール部において前記電極の端子引き出し部は所定厚さのガラス保護膜で覆われており、前記誘電体層は該ガラス保護膜とは異なる材質で、かつガラス保護膜よりも薄い厚さをもってガラス保護膜上にオーバーラップするように延びており、ガラス保護膜がシール部における電極と誘電体層との間にリークを防ぐように介在していることを 特徴とするプラズマディスプレイパネ。 【請求項９】  前記誘電体層は、フィラーを含んだ低融点ガラスからなり、一対の基板間のシール部で囲まれたガス放電空間を複数のセルに区画するリブと一体的に形成されて電極の端子引き出し部を覆うガラス保護膜上に延びており、前記ガラス保護膜はフィラーを含まない低融点ガラスからなることを 特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイパネ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、フィルムとして弾性層を具備させたものを用いることにより、トナー層の凹凸が白黒画像に比べて大きいカラー画像の定着処理に対応できる装置も提案されている。即ち、カラー画像は複数色のトナー層を重ねたものなのでトナー層の凹凸が白黒画像に比べて大きいのであるが、未定着カラートナー画像を形成担持させた記録材上の該トナー画像がニップ部を通過する際に、弾性層がトナー層に沿って変形することで、画像上不均一に載っているトナーが、弾性層によって包み込まれ、均一に熱を与えられることにより、均一なカラートナー画像定着が達成されるのである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板上に設けた中央接点及び前記中央接点の周囲に設けた複数の周辺接点を有する接点部と、前記接点部と一定間隔を保持してその直上に設けた導電性のダイヤフラムと、前記ダイヤフラムを押下するために前記ダイヤフラムの方向に揺動可能に設けた押動キーと、前記押動キーの直上に積層配置されたキートップとを備えるキースイッチ装置であって、前記キートップは、前記押動キーの一部を貫通して前記プリント基板側に向けて突出し、前記中央接点と前記周辺接点との間に配置するリブを備えたことを特徴とするキースイッチ装置。
【請求項２】
前記押動キーは、ゴムシートの所定部位に薄肉部を介して膨出した状態で支持されたことを特徴とする請求項１に記載のキースイッチ装置。
【請求項３】
前記押動キーは、中央部と前記中央部の周囲に複数の突出部を備え、前記中央部の突出部は、前記中央部の周囲の突出部よりも突出していることを特徴とする請求項１に記載のキースイッチ装置。
【請求項４】
前記キートップは、前記押動キーにインサート成形されて前記押動キーと一体に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のキースイッチ装置。
【請求項５】
前記キートップと前記押動キーとは別体に形成されたものであって、前記押動キーに穿設された挿入孔に前記キートップの前記リブを圧入して形成されていることを特徴とする請求項１に記載のキースイッチ装置。
【請求項６】
前記キートップは、前記押動キーに貼付して形成されていることを特徴とする請求項１に記載のキースイッチ装置。
【請求項７】
無線通信による音声通話又はデータ通信を行う携帯電話機器であって、多方向に操作し表示部に表示される情報内容の選択又は決定の指示を行う操作手段として、前記請求項１乃至６のいずれか１項に記載のキースイッチ装置を備えたことを特徴とする携帯電話機器。
【請求項８】
多方向に操作し表示部に表示される情報内容の選択又は決定の指示を行う操作手段として、前記請求項１乃至６のいずれか１項に記載のキースイッチ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１      （携帯電話機の）筐体
２      プリント基板
３      接点部
３１Ａ〜３１Ｄ
周辺接点
３２    中央接点
４      ダイヤフラム
４１Ａ〜４１Ｄ
周辺ダイヤフラム
４２    中央ダイヤフラム
５      押動キーであるゴムキー
５１Ａ〜５１Ｄ
周辺突起
５２    中央突起
５３    挿入孔
６２    リブ
６      キートップ
７      保護シート
８      ゴムシート
８１    薄肉部
８２    壁面
Ｓ      スイッチ空間
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月23日(2004.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
加硫性シール材料を含浸させた延伸多孔質PTFEシートと多孔質カーボンシートとを加硫一体化させた積層型燃料電池用シール材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
空隙部を有するシール対象物にシール材料を所定のシール材厚みになるようにコーティングした後、または空隙部を有するシール対象物をインサートした金型内に加硫性シール材料を注入した後、圧縮成形、トランスファー成形または射出成形することにより加硫一体化させることを特徴とする積層型燃料電池用ガスケットの製造法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このようなシール対象物としては、積層型燃料電池の構成部品である多孔質カーボン電極板、高分子固体電解質膜、セパレータ、冷却板、モジュール、マニホールド等が挙げられ、好ましくは多孔質カーボン電極に適用される。そして、電極面方向では、材料の座屈強度以下の接触面圧でシールすることが可能となる。また、加硫性シール材料がシール対象物のシール部の空隙部分に入り込んだ状態で加硫が行われているので、物理的に完全なる接着が行われており、従来のシールが接触面圧でシールしなければならなかったために生じた電極の座屈破壊やシール材の厚肉化の問題もなく、燃料電池ユニットの製造が容易となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
加硫性シール材料は、空隙部を有するシール対象物と一体化、好ましくは加硫一体化してガスケットを形成させる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月13日(2005.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
各移動部材をその移動行程の外方端に位置させた状態において、ロボットのハンド等により、円板状ワークを支持部材上に載置支持させる。そして、上記したように、連結部材を駆動し、各移動部材を一斉に円板状ワークの半径方向内方に向けて移動させると、各押圧部材の押圧面が円板状ワークの周縁部の複数箇所を押す。すべての押圧部材が円板状ワークの周縁部に接触した時点で、円板状ワークは、その板面方向の一定位置に位置決めされる。上記したように、各移動部材の移動には、連結部材の運動があそびなく正確に反映されるので、上記した位置決めは、きわめて精度よく行なわれることになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図５、図１１および図１２に表れているように、上記の３つのアーム部２１０の基端部は、一体となって、円筒状の内部空間を有するボス部２６０に一体連結されている。このボス部２６０は、円筒状の側面壁２６２と、水平な底面壁２６４とを有している。底面壁２６４の中心には、垂直方向に延びるスプライン軸２７０の上端が貫通連結されている。そして、このスプライン軸２７０は、ロータリ・ボールスプライン機構２７４を介して、機枠１２０に対し、垂直軸Ｌを中心として回転可能、かつ、昇降可能に支持されている。すなわち、上記スプライン軸２７０を相対回転不能かつ軸方向相対移動可能に保持するボールスプライン装置２７５のハウジング２７６が、機枠１２０に設けたボス部２６０に内挿された状態において、ベアリング２７７を介して回転可能に支持されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、図１、図２等に表れているように、機枠のテーブル１１０上には、ウエハＷの周縁部を３箇所において載置保持するための仮保持部材１５０が設けられている。この仮保持部材１５０は、図１２に示されるように、上記回転体２００がその上下方向移動行程の最下位置をとる場合に各アーム部２１０の先端の支持部材２２０の支持面２２２より高位となり、上記回転体２００がその上下移動行程の最高位置をとる場合に各アーム部２１０の先端の支持部材２２０の支持面２２２より低位となるように、その高さ位置が設定されている。そして、これらの仮保持部材１５０の１つに近接するようにして、発光素子が発した光ビームを上下方向に投射し、半導体ウエハＷがこの光ビームを遮ったことをもってウエハＷの存在を検出するウエハセンサ１６０と、同様な構成により、ウエハＷの周部に通常１箇所設けられるノッチＷｎが光ビームを通過したことをもってウエハＷのノッチＷｎの位置、すなわちウエハＷの回転姿勢を検出するノッチセンサ１７０とが設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
３つのアーム部２１０が所定の原点位置をとるとき、この３つのアーム部２１０の回転位置を、たとえば図２に表れているように、前工程からこのアライメント装置へウエハＷを搬入するためのロボットの二股ホーク状のハンドＨがテーブル１１０上に進出した場合に、上記３つのアーム部２１０の各支持部材２２０ないし各押圧部材２３０が上記のハンドＨに干渉しないようにする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の温度で溶融する感温材を成形加工した感温ペレットと、これを収容する両端側にリード部材を設けた筒型外囲器と、この外囲器内で前記感温ペレットに係留する可動導電部材と、この可動導電部材に押圧作用させるスプリング部材とを具備し、前記感温ペレットはシランカップリング材および／または無機物フィラが付与されることを特徴とする感温ペレット型温度ヒュ−ズ。
【請求項２】
前記感温ペレットには結合材および着色剤が添加され、前記感温ペレットの造粒および識別化を容易にしたことを特徴とする請求項１に記載の感温ペレット型温度ヒュ−ズ。
【請求項３】
前記無機物フィラがガラスまたは炭素繊維、シリカ、アルミナ、フリット、珪酸塩、カルシュウム塩から選択される一種または２種以上の充填物であり、前記感温材に対して略５〜２５容量％の範囲内で添加したことを特徴とする請求項１に記載の感温ペレット型温度ヒュ−ズ。
【請求項４】
前記シランカップリング材はけい素原子Ｓｉにひとつの有機官能基と２〜３の無機質と反応する官能基を有し、前記感温材に対して略０.２〜２容量％の範囲内で添加したことを特徴とする請求項１に記載の感温ペレット型温度ヒューズ。
【請求項５】
前記シランカップリング材はけい素原子Ｓｉにひとつの有機官能基と２〜３の無機質と反応する官能基を有し、前記感温材に対して表面処理により付与したことを特徴とする請求項４に記載の感温ペレット型温度ヒューズ。
【請求項６】
所定の温度で溶融する感温材を成形加工した感温ペレットと、これを収容する両端側にリード部材を設けた筒型外囲器と、この外囲器内で前記感温ペレットに係留する可動導電部材と、この可動導電部材に押圧作用させるスプリング部材とを具備し、前記リード部材は前記外囲器の一端開口側にかしめ固定して取付けた第1電極を形成する第1リード部材と他端開口側に絶縁ブッシングを貫通して絶縁的に装着された第２電極を形成する第２リード部材であり、前記可動導電部材は強圧縮ばねと弱圧縮ばねを含む前記スプリング部材により前記第１電極と前記第２電極との間で移動自在の可動接点体であり、前記感温ペレットは感温材にシランカップリング材および／または無機物フィラを添加して成形加工され、平常時は前記強圧縮ばねが前記弱圧縮ばねの弾性力に抗して前記可動接点体を前記第２電極に当接させ、動作時に前記感温ペレットの溶融により前記弱圧縮ばねの押圧力により前記可動接点体を移動させて回路を遮断することを特徴とする感温ペレット型温度ヒュ−ズ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と共に使用される導光体と、
前記導光体の縁部に配置されたホルダーと、を備え、
前記光源からの入射端面以外の端面部のうちの少なくとも１端面において、前記導光体と前記ホルダーとが一体化されていることを特徴とする導光体ユニット。
【請求項２】
前記導光体と前記ホルダーとは、多色成形又はインサート成形手段により一体に成形されることを特徴とする請求項１に記載の導光体ユニット。
【請求項３】
前記ホルダーの材料は、前記導光体の材料と異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の導光体ユニット。
【請求項４】
前記ホルダーは、前記光源の波長分散に対し、高反射特性を有する樹脂材料により構成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の導光体ユニット。
【請求項５】
前記樹脂材料には、酸化チタンが混合されていることを特徴とする請求項４に記載の導光体ユニット。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の導光体ユニットと、光源とを有することを特徴とするバックライトユニット。
【請求項７】
前記光源は、前記導光体と前記ホルダーの間であって前記導光体と前記ホルダーとが一体化されていない位置に配置されていることを特徴とする請求項６に記載のバックライトユニット。
【請求項８】
前記光源は、ＬＥＤを含むことを特徴とする請求項６又は７に記載のバックライトユニット。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれかに記載のバックライトユニットと、
前記バックライトユニットからの出射光が出射される位置に配置された電気光学表示パネルと、を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
高反射特性を有する樹脂材料をホルダーに成形する第１の工程と、
第１の工程後、導光体の光入射端面以外の少なくとも１端面において、前記ホルダーと一体化するように前記導光体を成形する第２の工程と、を有する導光体ユニットの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
防火性能および遮熱性能を有する透明な壁体の端部が枠体にはめ込まれている耐火壁であって、
前記枠体は、躯体を挟んで両側にそれぞれケイ酸カルシウム材、石膏材の順で積層されてなる枠体であることを特徴とする耐火壁。
【請求項２】
耐火性の板状部材が前記ケイ酸カルシウム材と前記石膏材との間に介設され、前記ケイ酸カルシウム材と前記石膏材とが躯体に固定されている請求項１に記載の耐火壁。
【請求項３】
前記板状部材が長手方向において所定間隔毎に分割されていることを特徴とする請求項２に記載の耐火壁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明において、耐火性の板状部材が前記ケイ酸カルシウム材と石膏材との間に介設され、前記ケイ酸カルシウム材と石膏材とが躯体に固定されたことが好ましい。このような構成を採ることで、ケイ酸カルシウム材と石膏材とが複合された状態で躯体に固定され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）メタクリル酸エステル系単量体、アクリル酸エステル系単量体、スチレン系単量体のうちの少なくとも一種の単量体を主体とする重合体ならびに（Ｂ）ビニルエステル系単量体、オレフィン系単量体のうち少なくとも一種の単量体を主体とする重合体により構成される分散質粒子において、重合体（Ａ）は主として分散質の中心部に存在し、重合体（Ｂ）は主として分散質の周辺部に存在し、分散質粒子中の重合体の重量比率が（Ａ）／（Ｂ）＝２０／８０〜９０／１０である多層構造の分散質粒子および（Ｃ）アニオン性界面活性剤、ポリオキシエチレン系非イオン性界面活性剤のうち少なくとも一種の分散剤を含有し、かつ分散質粒子に対する分散剤の重量比率が[（Ａ）＋（Ｂ）]／（Ｃ）＝１００／２〜１００／９であることを特徴とする多層構造の分散質粒子を有する水性エマルジョン。
【請求項２】
アニオン性界面活性剤、ポリオキシエチレン系非イオン性界面活性剤のうち少なくとも一種を含む分散剤の存在下で、メタクリル酸エステル系単量体、アクリル酸エステル系単量体、スチレン系単量体のうちの少なくとも一種を主体とする単量体を、重合率が常に７０％以上になるように添加する半回分操作によって乳化重合して重合体（Ａ）を製造し、しかる後に重合体（Ａ）からなる分散質粒子の存在下でビニルエステル系単量体、オレフィン系単量体のうち少なくとも一種を主体とする単量体を、重合率が常に８０％以上になるように添加する半回分操作により乳化重合して重合体（Ｂ）を製造することを特徴とする請求項１記載の多層構造の分散質粒子を有する水性エマルジョンの製法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また本発明は、アニオン性界面活性剤、ポリオキシエチレン系非イオン性界面活性剤のうち少なくとも一種を含む分散剤の存在下で、メタクリル酸エステル系単量体、アクリル酸エステル系単量体、スチレン系単量体のうちの少なくとも一種を主体とする単量体を、重合率が常に７０％以上になるように添加する半回分操作によって乳化重合して重合体（Ａ）を製造し、しかる後に重合体（Ａ）からなる分散質粒子の存在下でビニルエステル系単量体、オレフィン系単量体のうち少なくとも一種を主体とする単量体を、重合率が常に８０％以上になるように添加する半回分操作によってを乳化重合して重合体（Ｂ）を製造することを特徴とする上記の多層構造の分散質粒子を有する水性エマルジョンの製法をも提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の多層構造の分散質粒子を有する水性エマルジョンの製造方法としては、アニオン性界面活性剤、ポリオキシエチレン系非イオン性界面活性剤のうち少なくとも一種を含む分散剤の存在下で、メタクリル酸エステル系単量体、アクリル酸エステル系単量体、スチレン系単量体のうちの少なくとも一種を主体とする単量体｛単量体（Ａ'）｝を、重合率が常に７０％以上になるように添加する半回分操作によって乳化重合して重合体（Ａ）を製造し、しかる後に重合体（Ａ）からなる分散質粒子の存在下でビニルエステル系単量体、オレフィン系単量体のうち少なくとも一種を主体とする単量体｛単量体（Ｂ'）｝を、重合率が常に８０％以上になるように添加する半回分操作によって前記分散剤をさらに添加するかまたは添加せずに乳化重合して重合体（Ｂ）を製造する方法が有効である。ここで、重合体（Ａ）を半回分操作乳化重合法で製造する場合の重合率は１００×重合体（Ａ）／｛重合体（Ａ）＋未反応の単量体（Ａ'）｝を意味し、重合体（Ｂ）を製造する場合の重合率は１００×｛重合体（Ａ）＋重合体（Ｂ）｝／｛重合体（Ａ）＋未反応の単量体（Ａ'）＋重合体（Ｂ）＋未反応の単量体（Ｂ'）｝を意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
上記表６から明らかなように、実施例１によれば、温度２６５〜２８０℃の範囲内において実用可能な程度にまで層内剥離が改善されている。また、２６０℃の場合は、層内剥離の改善が充分でない。このため、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱収縮は、その融点（実施例１の場合は２８５℃）よりも１５℃低い温度以上、融点未満の温度範囲で行うのが望ましい。また、２６０℃の場合の熱収縮率は１．５％、２６５℃の場合の熱収縮率は２％、２７０℃の場合の熱収縮率は１２％、２８０℃の場合の熱収縮率は２３％である。よって、層内剥離強度を高めるためには、熱収縮率を２％以上とする必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月15日(2005.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記トップインサート上面にダイヤフラム状のインレットガスケットが装着され、ノズルパック本体を取付リングに対し所定角度回転させて取付けることにより、前記ノズルパック本体の上昇量をインレットガスケットが変形して吸収し、同時にインレットガスケットはノズルパック収納凹部からの溶融紡糸液通路とトップインサートとをシールする機能を持つことを特徴とする請求項３、４または５に記載のスピニングパック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
更に、これらの場合において、請求項６に記載のように、前記トップインサート上面にダイヤフラム状のインレットガスケットが装着され、ノズルパック本体を取付リングに対し所定角度回転させて取付けることにより、前記ノズルパック本体の上昇量をインレットガスケットが変形して吸収し、同時にインレットガスケットはノズルパック収納凹部からの溶融紡糸液通路とトップインサートとをシールする機能を持つことを特徴とすることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
前述したように、トップインサート１４の上面にはダイヤフラム状のインレットガスケット１５が装着されており、ノズルパック４を取付リング３に対し所定角度回転させて取付けることにより、ノズルパック３の上昇量をインレットガスケット１５が変形して吸収し、同時にインレットガスケット１５はノズルパック収納凹部１ａからの溶融紡糸液通路１ｂとトップインサート１４との間をシールする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月5日(2004.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ここで、本発明においては、気相成膜によって炭素を主成分とするカーボン膜（カーボン保護膜）を成膜するに際し、カーボン膜の被形成面を加熱、好ましくは成膜系内で加熱すると共に、成膜系内の水（Ｈ2 Ｏ）分圧を５×１０-6Torr以下、好ましくは２×１０-6Torr、より好ましくは８×１０-7Torr以下とした後に、成膜プロセスを開始する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
成膜系内の水分圧を５×１０-6Torr以下とする方法にも特に限定はなく、減圧加熱等の各種の方法が利用可能であるが、好ましい方法として、前記カーボン膜の被形成面の加熱を成膜系内で行うと共に、成膜系内を減圧する方法が例示される。
例えば、成膜チャンバ内の所定位置に成膜基板（図示例であれば、サーマルヘッド）をセットして、ヒータ等の加熱手段をカーボン膜の被形成面に対面して配置し、これによる加熱を行いつつ、成膜チャンバ内を真空吸引する。これにより、被形成面のみならず成膜系内も加熱され、被形成面および成膜系内に存在する水および有機物を好適に除去し、好適に、前記加熱と共に成膜系内の水分圧を５×１０-6Torr以下にすることができる。
なお、この際における加熱および真空吸引時間は、真空チャンバのサイズや真空度等に応じて、上記条件を達成できる時間を適宜設定すればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図示例のサーマルヘッド１０において、各層の厚さには特に限定はないが、下層保護膜２０の厚さは０．２μｍ〜２０μｍ、特に２μｍ〜１５μｍが好ましく、中間層２２の厚さは０．０５μｍ〜１μｍ、特に０．１μｍ〜１μｍが好ましく、カーボン保護膜２４の厚さは、０．５μｍ〜５μｍ、特に１μｍ〜３μｍが好ましい。中間層２２やカーボン保護膜２４等の厚さを上記範囲内とすることにより、中間層２２による下層への密着力および衝撃吸収力、カーボン保護膜２４の有する耐久性等の機能を、安定して、バランス良く実現できる。
また、中間層を有さない２層構成の場合にも、特に限定はないが、耐摩耗性と熱伝導性（すなわち記録感度）とのバランスを好適に取ることができる等の点で、下層保護膜２０の厚さは０．５μｍ〜５０μｍ、特に、２μｍ〜２０μｍが好ましく、カーボン保護膜２４の厚さは、０．１μｍ〜５μｍ、特に、１μｍ〜３μｍが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
スパッタリングでは、カソードにスパッタリングするターゲット材を配置し、カソードを負電位にすると共に、ターゲット材の表面にプラズマを発生させることにより、ターゲット材（その原子）を弾き出して、対向に配置された基板の表面に付着させ、堆積することにより成膜する。
第１スパッタリング手段５６および第２スパッタリング手段５８は、共に、スパッタリングによって基板表面に成膜を行うものであり、第１スパッタリング手段５６は、カソード６８、ターゲット材７０の配置部、シャッタ７２および高周波（ＲＦ）電源７４等を有して構成され、他方、第２スパッタリング手段５８は、カソード７６、ターゲット材７０の配置部、シャッタ７８および直流電源８０等を有して構成される。
上記構成より明らかなように、第１スパッタリング手段５６と第２スパッタリング手段５８は、配置位置および電源が異なる以外は基本的に同じ構成を有するので、以下の説明は、異なる部分以外は、第１スパッタリング手段５６を代表例として行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
第２スパッタリング手段５８において、ターゲット材７０の表面にプラズマを発生する際には、直流電源８０のマイナス側を直接カソード７６に接続し、スパッタリングのための電圧を印加する。
両電源の出力や性能には特に限定はなく、目的とする成膜に必要にして十分な性能を有するものを選択すればよい。例えば、カーボン保護膜２４の形成を行う装置であれば、最高出力１０ｋｗの負電位の直流電源を用い、変調器によって２ｋＨｚ〜１００ｋＨｚでパルス状に変調できるように構成した直流電源を用いればよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、第２スパッタリング手段５８には、ヒータ５９が配置される。ヒータ５９は、例えば、抵抗線を利用する公知のヒータである。このヒータ５９は、リンク機構等を使った公知の移動手段を有しており、膜の被形成面と対面する位置、および基板ホルダ６４とターゲット材７０（バッキングプレート８４）との間から退避する位置を、移動可能に構成されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
＜中間層２２およびカーボン保護膜２４の作製＞
このような成膜装置５０において、発熱素子（下層保護膜２０）が第１スパッタリング手段５６のターゲット材７０の保持位置に対向するように、基板ホルダ６４に前記基板となるサーマルヘッドを固定した。なお、サーマルヘッドの中間層２２の形成部分以外にはマスキングを施しておいた。
真空排気を行いながら、ガス導入部５４によってアルゴンガスを導入し、ターボポンプに設置したオリフィスバルブによって、真空チャンバ５２内の圧力が５．０×１０-3Torrになるように調整した。次いで、基板に高周波電圧を印加し、自己バイアス電圧−３００Ｖで１０分間、下層保護膜２０（窒化珪素膜）のエッチングを行った。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、スパッタリング等の気相成膜法によってカーボン膜を成膜するに際し、下層との密着性が高く、しかも、ピンホールやクラックの極めて少ない、高品位なカーボン膜を得ることができ、例えば、サーマルヘッドのカーボン保護膜の成膜に利用することにより、密着性が高く、ピンホールやクラックに起因する割れや剥離の極めて少ないカーボン保護膜を成膜して、十分な耐久性を有し、長期に渡って高画質の感熱記録行うことができるサーマルヘッドが得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月9日(2004.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂ケースの内側と外側を導通させる導電体が埋設された樹脂ケース、該樹脂ケースの上に金属ケースが設置され、該金属ケース上にフェライトコアを包むように折り畳まれた中心導体を有するフェライトコアを配置し、該フェライトコア上にフェライトコアの外周を係止する突起を有する樹脂モールドを配置し、該樹脂モールド上に永久磁石を配置し、金属ケースで覆う様に構成した非可逆回路素子。
【請求項２】
ダミー抵抗として、基板の一面に抵抗膜とその抵抗膜の両端の端子電極とが形成され、その基板の一面の裏面に前記端子電極の一方と導通した端子電極が形成されたチップ抵抗を用い、該チップ抵抗を前記裏面の端子電極でアース接続し、前記チップ抵抗の一面の他方の端子電極に一つの中心導体が接続されていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項３】
金属ケース下と、金属ケース上と、フェライトコアに中心導体を配置した中心導体部と、板状コンデンサと、チップ抵抗と、永久磁石とを備え、前記金属ケース下の上に中心導体部、板状コンデンサ、チップ抵抗を配置して、それぞれを前記金属ケース下と直接アース接続したことを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項４】
前記板状コンデンサは誘電体板の上下面に形成された電極を有し、前記電極の一方に中心導体の先端部が接続され、他方の電極が金属ケース下に接続されることを特徴とする請求項３に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記チップ抵抗は一面に２つの端子電極を有し、前記端子電極間に抵抗膜が形成されるとともに、一方の端子電極は一つの中心導体の先端部と接続され、他方の端子電極はチップ抵抗の側面に形成された電極を介して底面の端子電極と導通し、前記底面の端子電極が金属ケース下に接続されることを特徴とする請求項３又は４に記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記中心導体部上に樹脂モールドを配置し、前記樹脂モールドで中心導体部を係止することを特徴とすることを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記樹脂モールドは、フェライトコアを係止するつめ部を有することを特徴とする請求項６に記載の非可逆回路素子
【請求項８】
前記樹脂モールドは、永久磁石を位置決めする突出部を有することを特徴とする請求項６に記載の非可逆回路素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ラスタ走査の画像品質を改善する回路であって、
現像のために画像をピクセルのパターンに分解することによって、画像をピクセルにし、上記ピクセルのパターンに対応する出力信号を提供する画像ジェネレータ回路と、
上記出力信号により提供される上記ピクセルのパターンに対応する走査パターンで、画像走査装置を駆動する駆動回路と、
ルックアップ・テーブルを含み、画像ジェネレータ回路から出力信号を受け取り、出力信号を修正し、修正された信号を駆動回路に転送することによって、ルックアップ・テーブルに記憶される値に従ってターゲットに向けられる画像に調整を与える修正回路と、
を備える上記回路。
【請求項２】
原色として選択される複数カラーがカラー画像を提供する電子走査の画像品質を高める回路であって、
現像のために、上記原色の各々について画像をパターンに分解することによって画像のパターンを生成し、上記パターンに対応する出力信号を提供する画像ジェネレータ回路と、
出力信号によって与えられるパターンに対応する走査パターンで画像走査装置を駆動する駆動回路と、
ルックアップ・テーブルを含み、画像ジェネレータ回路から出力信号を受け取り、上記原色の少なくとも一つについて出力信号を修正し、修正された信号を駆動回路に転送する修正回路と、
を備える上記回路。
【請求項３】
相対湿度、現像器の操作上の寿命、または受光体の応答レベルから成る変数を検出する少なくとも１つのセンサをさらに備え、
該センサは、上記変数を修正回路に提供し、
該修正回路は、上記出力信号に調整を与えることにより上記変数に応答する、
請求項１および請求項２記載の回路。
【請求項４】
上記画像ジェネレータ回路は、上記画像を、各々のビットマップに対応し、画像生成のサイクルを構成するページ画像で、上記駆動回路に提供し、上記修正回路は、修正された信号を、対応するサイクルに駆動回路に転送し、
上記修正回路は、上記修正回路が修正された信号を上記対応するサイクルの各々に駆動回路に転送する前に、上記センサに応答する、
請求項３記載の回路。
【請求項５】
上記ルックアップ・テーブルは、値が上記修正された信号として与えられるときに、複数の一連の値に並べられ、
上記修正された信号は、ルックアップ・テーブルに記憶された値に従って、画像走査装置からの出力の関数として、画像生成に関する所定の応答パターンを近似する画像現像パターンを作る、
請求項１または請求項２記載の回路。
【請求項６】
上記修正回路は、画像ジェネレータ回路から出力信号を第１のビット解像度で受け取り、ルックアップ・テーブルに記憶される値を選択することによって、修正された信号を第２のより高いビット解像度で駆動回路に転送する、
請求項１または請求項２記載の回路。
【請求項７】
上記駆動回路は、パルス幅の変調された出力を画像走査装置に提供し、
上記修正された信号は、上記パルス幅の変調された出力を制御するために使用されるパルス幅変調値を含む、
請求項１または請求項２記載の回路。
【請求項８】
上記駆動回路は、パルス幅の変調された出力を画像走査装置に提供し、
上記ルックアップ・テーブルは、値が上記修正された信号として与えられるとき、複数の一連の値に並べられ、
上記修正された信号は、画像走査装置からの出力の関数として、画像生成のために所定の応答パターンを近似する画像現像パターンを作り、それによって上記所定の応答パターンに従って、ターゲットに向けられる上記画像のパルス幅変調に調整を与える、
請求項１または請求項２記載の回路。
【請求項９】
電子走査によって生成される画像を制御する方法であって、
画像をピクセルのパターンに分解し、原色として選択される複数のカラーの各々について出力信号を提供し、
複数の画像オーバレイ(overlay)として上記出力信号を提供し、
ピクセルのパターンに対応する走査パターンで、画像走査装置を駆動し、
出力信号を受け取り、ルックアップ・テーブルの値に従って出力信号を修正し、修正された信号を駆動回路へ転送し、それによって、ルックアップ・テーブルに記憶される値に従って、ターゲットに向けられる画像に調整を与えるために、ルックアップ・テーブルを使用する、
上記方法。
【請求項１０】
相対湿度、現像器の操作上の寿命、または受光体の応答レベルから成る変数を検出し、
出力信号を修正するために、上記ルックアップ・テーブルの値の組の選択によって上記変数に応答し、上記値の組を使用する、
請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４５０】
一方、第２の信号線対Ｌ1+，Ｌ1-を介してノードＢのポートＴＰＢのドライバ
１８ａからノードＡのポートＴＰＡのレシーバ１６ｂへデータ信号がシリアル伝
送されるとともに、第１の信号線対Ｌ0+，Ｌ0-を介してノードＢのポートＴＰＡ
のドライバ１６ａからノードＡのポートＴＰＢのレシーバ１８ｂへストローブ信
号がシリアル伝送される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０７２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０７２０】
この場合、ノードＢは、ＩＥＥＥ１３９４対応の２つのポート＃１，＃２を有
し、ポート＃１でノードＡと接続され、ポート＃２でノードＣと接続される。各
ポート＃１，＃２には個別のフィジカル・レイヤ３０が充てられ、各フィジカル
・レイヤ３０は独立して動作する。しかし、いずれかのポート（図７では＃１）
が他のノード（Ａ）とつながると、全てのポート（＃１，＃２）で一斉にバス初
期化が行われる（ステート１２）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月16日(2005.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に、ＲＧＢ各色を発光する蛍光体層が該ＲＧＢ蛍光体層を仕切る隔壁間に形成されてなるプラズマディスプレイ用基板において、前記Ｒ蛍光体層が形成されている隔壁間距離をＰｒ、前記Ｂ蛍光体層が形成されている隔壁間距離をＰｂ、前記Ｇ蛍光体層が形成されている隔壁間距離Ｐｇとしたとき、
Ｐｂ＞Ｐｒ  かつ  １＜Ｐｇ／Ｐｒ≦２
なる関係を有することを特徴とするプラズマディスプレイ用基板。
【請求項２】
前記Ｒ蛍光体層が形成されている隔壁間距離Ｐｒ、および、前記Ｂ蛍光体層が形成されている隔壁間距離Ｐｂが、
１＜Ｐｂ／Ｐｒ≦２
なる関係を有する請求項１記載のプラズマディスプレイ用基板。
【請求項３】
前記Ｒ蛍光体層が形成されている隔壁間距離Ｐｒ、および、前記Ｂ蛍光体層が形成されている隔壁間距離Ｐｂが、
５μｍ≦Ｐｂ−Ｐｒ≦２００μｍ
なる関係を有する請求項１または請求項２記載のプラズマディスプレイ用基板。
【請求項４】
前記Ｇ蛍光体層が形成されている隔壁間距離をＰｇ、および、前記Ｂ蛍光体層が形成されている隔壁間距離をＰｂとしたとき、
Ｐｂ＞Ｐｇ
なる関係を有する請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のプラズマディスプレイ用基板。
【請求項５】
前記Ｇ蛍光体層が形成されている隔壁間距離Ｐｇ、および、前記Ｂ蛍光体層が形成されている隔壁間距離Ｐｂが、
１＜Ｐｂ／Ｐｇ≦２
なる関係を有する請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のプラズマディスプレイ用基板。
【請求項６】
前記Ｇ蛍光体層が形成されている隔壁間距離Ｐｇ、および、前記Ｂ蛍光体層が形成されている隔壁間距離Ｐｂが、
５μｍ≦Ｐｂ−Ｐｇ≦２００μｍ
なる関係を有する請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマディスプレイ用基板。
【請求項７】
前記Ｒ蛍光体層の厚みをＴｒ、前記Ｇ蛍光体層の厚みをＴｇ、および、前記Ｂ蛍光体層の厚みをＴｂとしたとき、
１０μｍ≦Ｔｒ＜Ｔｂ≦５０μｍ
１０μｍ≦Ｔｇ＜Ｔｂ≦５０μｍ
なる関係を有する請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のプラズマディスプレイ用基板。
【請求項８】
ガラス基板上に電極、誘電体および保護膜を形成した前面基板と、ガラス基板上に電極、誘電体、隔壁、蛍光体を形成した背面基板からなるプラズマディスプレイにおいて、請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマディスプレイ用基板を背面基板として用いることを特徴とするプラズマディスプレイ。
【請求項９】
ガラス基板上に、感光性ペーストを塗布する工程、パターン露光を行う工程、および、現像液に溶解する部分を現像で取り除く工程を経た後に、４５０℃〜６２０℃で焼成することにより、隔壁を形成してなる請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマディスプレイ用基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ガラス基板上に、ＲＧＢ各色を発光する蛍光体層が該ＲＧＢ蛍光体層を仕切る隔壁間に形成されてなるプラズマディスプレイ用基板において、前記Ｒ蛍光体層が形成されている隔壁間距離をＰｒ、前記Ｂ蛍光体層が形成されている隔壁間距離をＰｂ、前記Ｇ蛍光体層が形成されている隔壁間距離Ｐｇとしたとき、
Ｐｂ＞Ｐｒ  かつ  １＜Ｐｇ／Ｐｒ≦２
なる関係を有することを特徴とするプラズマディスプレイ用基板。