【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有すると共に、結晶性半導体または単結晶半導体で形成される半導体膜と、
前記半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される膜とを有し、
前記半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される膜は、前記ソース領域及びドレイン領域の側面に接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有すると共に、結晶性半導体または単結晶半導体で形成される半導体膜と、
前記半導体膜に接する絶縁膜と、
前記半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される膜とを有し、
前記半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される膜は、前記ソース領域及びドレイン領域並びに前記絶縁膜の側面に接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される膜は、前記半導体膜に対して前記チャネル長方向に引っ張り応力を印加することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記半導体膜は、前記チャネル長方向と平行な方向に結晶粒界を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記引っ張り応力は、１０8ｄｙｎ／ｃｍ2以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される膜は、窒化珪素膜で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される膜の幅は、５０〜３００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記半導体膜は、レーザー光を走査しながら照射することにより結晶化されており、
前記半導体膜は、前記レーザー光の走査方向に結晶成長されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記半導体膜は、絶縁表面を有する基板上に設けられ、
前記基板は、シリコン基板、ガラス基板または石英基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記半導体膜は、絶縁表面を有する基板上に設けられ、
前記基板は、プラスチックフィルム基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記プラスチック基板は、表面が化学的および機械的に研磨されたプラスチック基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１において、
前記プラスチック基板は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基板、ＰＣ（ポリカーボネート）基板、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）基板、ＰＡＲ（ポリアリレート）基板またはＰＥＣＮ（ポリエーテルニトリル）基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項において、前記プラスチック基板上にはＳｉＯ２膜、ＳｉＮｘ膜、ＡｌＯ膜、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＮ膜、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはこれらの積層膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載された半導体装置は、液晶ディスプレイ、液晶プロジェクター、ＥＬディスプレイ、モバイルコンピューター、携帯電話、または電子書籍であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を走査しながら照射して結晶性半導体膜とし、
前記結晶性半導体膜をエッチングして島状の結晶性半導体膜とし、
前記島状の結晶性半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される第１の膜を成膜し、
前記第１の膜を異方性エッチングして、前記島状の結晶性半導体膜の側面に接する第２の膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
絶縁表面上に絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を走査しながら照射して結晶性半導体膜とし、
前記前記絶縁膜の一部及び結晶性半導体膜をエッチングして、島状の絶縁膜及び結晶性半導体膜とし、
前記島状の結晶性半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される第１の膜を成膜し、
前記第１の膜を異方性エッチングして、前記島状の絶縁膜及び結晶性半導体膜の側面に接する第２の膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を走査しながら照射して結晶性半導体膜とし、
前記結晶性半導体膜をエッチングして島状の結晶性半導体膜とし、
前記島状の結晶性半導体膜にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記結晶性半導体膜にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素をドーピングして、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記島状の結晶性半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される第１の膜を成膜し、
前記第１の膜を異方性エッチングして、前記ソース領域及びドレイン領域の側面に接する第２の膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１５乃至１７のいずれか一項において、
前記結晶性半導体膜は、前記レーザー光の走査方向に結晶成長していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に熱処理を施して第１の結晶性半導体膜とし、
前記第１の結晶性半導体膜にレーザー光を照射して第２の結晶性半導体膜とし、
前記第２の結晶性半導体膜をエッチングして島状の結晶性半導体膜とし、
前記島状の結晶性半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される第１の膜を成膜し、
前記第１の膜を異方性エッチングして、前記島状の結晶性半導体膜の側面に接する第２の膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
絶縁表面上に絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に熱処理を施して第１の結晶性半導体膜とし、
前記第１の結晶性半導体膜にレーザー光を照射して第２の結晶性半導体膜とし、
前記絶縁膜の一部及び前記第２の結晶性半導体膜をエッチングして島状の絶縁膜及び結晶性半導体膜とし、
前記島状の結晶性半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される第１の膜を成膜し、
前記第１の膜を異方性エッチングして、前記島状の絶縁膜及び結晶性半導体膜の側面に接する第２の膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に熱処理を施して第１の結晶性半導体膜とし、
前記第１の結晶性半導体膜にレーザー光を照射して第２の結晶性半導体膜とし、
前記第２の結晶性半導体膜をエッチングして島状の結晶性半導体膜とし、
前記島状の結晶性半導体膜にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記結晶性半導体膜にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素をドーピングしてソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記島状の結晶性半導体膜に引っ張り応力を印加する材料で形成される第１の膜を成膜し、
前記第１の膜を異方性エッチングして、前記ソース領域及びドレイン領域の側面に接する第２の膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１９乃至２１のいずれか一項において、
前記第２の結晶性半導体膜は、前記レーザー光の走査方向に結晶成長していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１５乃至２２のいずれか一項において、
前記第１の膜は、コンフォーマル形状または等方形状に成膜され、
前記第１の膜を異方性エッチングして、前記島状の結晶性半導体膜に５０〜３００ｎｍの幅を有する前記第２の膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。