【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１１０）配向した気相合成多結晶ダイヤモンド基材に圧電体薄膜であるＬｉ（ＮｂｘＴａ１−ｘ）Ｏ３（ただし０≦ｘ≦１）薄膜を形成したダイヤモンド基板。
【請求項２】
前記気相合成多結晶ダイヤモンド基材の（２２０）面のＸ線回折強度Ｉ（２２０）が、ダイヤモンドの全ての面方位のＸ線回折強度の和の１５％以上であることを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンド基板。
【請求項３】
前記Ｘ線回折強度Ｉ（２２０）が、前記全Ｘ線回折強度の和の４０％以上であることを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンド基板。
【請求項４】
前記圧電体薄膜がｃ軸配向していることを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンド基板。
【請求項５】
（１１０）配向した気相合成多結晶ダイヤモンド基材を準備する工程と、レーザーアブレーション法を用いて、前記多結晶ダイヤモンド基材上に圧電体薄膜Ｌｉ（ＮｂｘＴａ１−ｘ）Ｏ３（ただし０≦ｘ≦１）を形成する工程とを含む圧電体薄膜を形成したダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項６】
レーザーの波長が３６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項７】
レーザーがＫｒＦエキシマレーザーであることを特徴とする請求項５に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項８】
前記レーザーアブレーション法において、雰囲気圧力が０．１〜１００Ｐａであることを特徴とする請求項５に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項９】
圧電体薄膜の原料ターゲットと気相合成多結晶ダイヤモンド基材との距離が１０〜１０００ｍｍであることを特徴とする請求項５に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項１０】
気相合成多結晶ダイヤモンド基材の温度と原料ターゲットのＬｉとＮｂｘＴａ１−ｘの原子組成比Ｌｉ／ＮｂｘＴａ１−ｘとが、図６中の点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅで囲まれる範囲であることを特徴とする請求項５に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項１１】
気相合成多結晶ダイヤモンド基材の温度と原料ターゲットのＬｉとＮｂｘＴａ１−ｘの原子組成比Ｌｉ／ＮｂｘＴａ１−ｘとが、図６中の点Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉで囲まれる範囲であることを特徴とする請求項１０に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項１２】
多結晶ダイヤモンド基材の周辺に一方の電極を設置し、多結晶ダイヤモンド基材を他方の電極として、該電極と多結晶ダイヤモンド基材との間にバイアス電圧を印加しながら圧電体薄膜を成膜することを特徴とする請求項５に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項１３】
前記一方の電極が前記多結晶ダイヤモンド基材の圧電体薄膜を成膜する面と平行に配置されていることを特徴とする請求項１２に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項１４】
前記一方の電極と前記多結晶ダイヤモンド基材とが、レーザーアブレーションによって放出される粒子の飛行方向とほぼ平行になるように配置することを特徴とする請求項１２に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
【請求項１５】
前記一方の電極が、金属の線材を網状に若しくはすだれ状に張ったものあるいは金属板であることを特徴とする請求項１２乃至１４に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
多結晶ダイヤモンド基材は、単結晶Ｓｉ上に熱フィラメント気相合成法で多結晶ダイヤモンドを表２に示す配向条件で、表２に示す厚さまで形成した後、ダイヤモンド表面を鏡面加工した。鏡面加工後のダイヤモンドの表面粗さを表２に示す。なお、ダイヤモンド基材の最表面は、実施例１と同様に透過型電子線回折法で観察し、アモルファス層が形成されていることを確認した。以上のような原料ターゲット及び多結晶ダイヤモンド基材を用いて、実施例１と同様のレーザーを用いて、酸素ガス雰囲気で多結晶ダイヤモンド基材上にＬｉＮｂＯ３薄膜を成膜させた。表２にレーザーアブレーションの条件と形成されたＬｉＮｂＯ３薄膜のＸ線回折パターン法で測定したσ値並びに形成された膜のＬｉ／Ｎｂ比を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【実施例４】
実施例１と同様の装置を用いた。原料ターゲットはＬｉＴａＯ3を原料とする焼結体（サイズ２０ｍｍφｘ５ｍｍ）を用いた。なお、Ｎｏ１０のターゲットのＬｉ／Ｔａの組成比は、ＬｉＴａＯ３とＬｉ２ＣＯ３を混合して表３に示す組成になるように調整した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
Ｎｏ９で得られたＬｉＴａＯ３薄膜のＸ線回折測定を行ったところ、ダイヤモンドに由来するピークの他に、３９．２８°にピークが見られた。これは、ＬｉＴａＯ３の面指数（００６）に対応しており、形成されたＬｉＴａＯ３薄膜はｃ軸配向していることが明らかとなった。そのσ値は１．１３であり、配向性が良いことが判った。Ｎｏ１０とＮｏ１１、Ｎｏ１２もｃ軸配向していることが明らかとなったが、Ｎｏ１２は（１００）配向した多結晶ダイヤモンド基材を用いたため、そのσ値は、２．１°と（１１０）配向した多結晶ダイヤモンド基材を用いたＮｏ９よりは良くなかった。Ｎｏ１３の薄膜は、表面に微小な粒子が多数見られ、Ｘ線回折で測定するとアモルファス状であることが判った。Ｎｏ１４の薄膜は、Ｎｏ９とよく似た外観であったが、Ｘ線回折測定の結果、ダイヤモンドに由来するピークの他に、２３．７６°、３２．８８°、３９．３０°にピークが見られた。これは、ＬｉＴａＯ３薄膜の面指数（０１２）、（１０４）、（００６）に対応しており、ｃ軸配向していないことが明らかになった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【実施例７】
実施例６と同じ装置、原料ターゲット、電極、ダイヤモンド基材を用いた。成膜条件は、電極と基材の電位を除いて、実施例１と同じにした。電極電位は０Ｖ（接地）とし、ダイヤモンド基材の電位を−１４０Ｖとすることにより、電極と基材間に２３３Ｖ／ｃｍの電界をかけた。このようにして形成したＬｉＮｂＯ３薄膜に実施例６と同様にＩＤＴを形成し、ＳＡＷフィルター特性を評価したところ、実施例６と同様の結果が得られ、圧電特性の優れたＬｉＮｂＯ3薄膜が形成されたことが判った。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【実施例８】
実施例６と同じ装置、電極、ダイヤモンド基材及び成膜条件を用いた。原料ターゲットは、Ｌｉ（Ｎｂ０．５Ｔａ０．５）Ｏ３粉末を焼結した焼結体を用いた。このようにして形成したＬｉ（Ｎｂ０．５Ｔａ０．５）Ｏ３薄膜に実施例６と同様にＩＤＴを形成し、ＳＡＷフィルター特性を評価したところ、実施例６と同様の結果が得られ、圧電特性の優れたＬｉ（Ｎｂ０．５Ｔａ０．５）Ｏ３薄膜が形成されたことが判った。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
このようにして形成したＬｉＮｂＯ３薄膜に実施例６と同様にＩＤＴを形成し、ＳＡＷフィルター特性を評価したところ、実施例６と同様の結果が得られ、圧電特性の優れたＬｉＮｂＯ３薄膜が形成されたことが判った。