(57)【要約】  基板の表面を加工する表面加工方法において、真空のチャンバ内に基板を配置する配置過程と、基板に高周波電圧を印加して基板の表面をスパッタリングする加工過程と、加工過程で基板に生じる陰極降下電位を計測し、その陰極降下電位の時間積分値を求める計測過程と、計測過程で求められた時間積分値に基づいて、基板の表面の加工状態が良好であるか否かを判定する判定過程とを有する。陰極降下電位の時間積分値と、基板の表面の加工量との間に良好な相関関係が存在することを利用することにより、基板の表面の加工状態を精度良く判定することができる。
2008117439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を加工する表面加工方法において、
真空のチャンバ内に前記基板を配置する配置過程と、
前記基板に高周波電圧を印加して該基板の表面をスパッタリングする加工過程と、
前記加工過程で前記基板に生じる陰極降下電位を計測し、その陰極降下電位の時間積分値を求める計測過程と、
前記計測過程で求められた時間積分値に基づいて、前記基板の表面の加工状態が良好であるか否かを判定する判定過程とを有することを特徴とする表面加工方法。
【請求項２】
前記基板への高周波電圧の印加停止を指示する指示過程を有し、
前記加工過程は、前記指示過程において前記高周波電圧の印加停止の指示を受けて、前記基板への高周波電圧の印加を停止する過程であり、
前記計測過程は、前記基板に前記高周波電圧が印加されてから該高周波電圧の印加が停止されるまでの間に生じる陰極降下電位の時間積分値を求める過程であることを特徴とする請求項１記載の表面加工方法。
【請求項３】
前記判定過程は、前記時間積分値が所定の第１の閾値以上である場合に、前記基板の表面の加工状態が良好であると判定する過程であることを特徴とする請求項１記載の表面加工方法。
【請求項４】
前記チャンバ内にガスを導入するガス導入過程を有し、
前記加工過程が、前記基板に高周波電圧を印加することにより該基板上に前記ガスのプラズマを形成し、該プラズマ中のイオンによって該基板の表面をスパッタリングする過程であることを特徴とする請求項１記載の表面加工方法。
【請求項５】
前記加工過程が、窒素プラズマ、あるいは酸素プラズマを使って前記基板の表面をスパッタリングする過程であることを特徴とする請求項１記載の表面加工方法。
【請求項６】
情報を記録する記録媒体の製造方法において、
基板上に、情報を記録する記録層と、該記録層を保護する保護層とを形成する層形成過程と、
真空のチャンバ内に前記基板を配置する配置過程と、
前記基板に高周波電圧を印加して該基板の表面をスパッタリングする加工過程と、
前記加工過程で前記基板に生じる陰極降下電位を計測し、その陰極降下電位の時間積分値を求める計測過程と、
前記計測過程で求められた時間積分値に基づいて、前記基板の表面の加工状態が良好であるか否かを判定する判定過程と、
前記判定過程において前記保護層の加工状態が良好であると判定された場合に、該保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成過程とを有することを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記加工過程が、前記保護層をスパッタリングすることによって該保護層に表面官能基を生成する過程であることを特徴とする請求項６記載の記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面を加工する表面加工方法、および記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の進展に伴い、情報量は増大の一途を辿っている。この情報量の増大に対応して、飛躍的に高い記録密度の情報記録方式や情報記憶装置の開発が待望されている。特に、磁場で情報アクセスが行われる磁気ディスクは、情報の書き換えが可能な高密度記録媒体として注目されており、さらなる高記録密度化などのために盛んに研究開発が行われている。【０００３】
磁気ディスクは、基板上に、下地となる下地層と、情報が記録される磁性層とが順に積層された構成を有しており、磁性層のさらに上には、例えば、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）などで構成された保護層が形成されることが一般的である。また、磁気ディスクに対して高記録密度で情報アクセスを行うことができる磁気ディスク装置としては、磁場を発生する磁気ヘッドを磁気ディスクの回転によって生じる空気流で浮上させる浮上ヘッドタイプの磁気ディスク装置が広く利用されている。浮上ヘッドタイプの磁気ディスク装置では、磁気ディスクに効率よく磁場を印加するために、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の距離は微小であり、磁気ヘッドが浮上している間に磁気ディスク装置に衝撃が与えられた場合などには、磁気ヘッドが磁気ディスクに衝突して保護層が剥れてしまい、磁気ディスクの磁性層に記録された情報が破壊されてしまう恐れがある。このような問題を解消するため、磁気ディスクの保護層のさらに上に潤滑層を積層し、衝突した磁気ヘッドが磁気ディスクの表面を滑るように、磁気ディスクの表面の摩擦を低減することが行われている。この潤滑層は、磁気ディスクの表面への水分やゴミの付着を防止する役割や、磁気ディスクや磁気ヘッドの耐摩耗性を高める役割も担っている。【０００４】
しかし、磁気ディスク装置が稼動している間は、磁気ディスク装置の内部が高温状態となることが一般的であり、高速回転による遠心力と高温とによって、磁気ディスクの表面に塗布された潤滑層が外周部側に移動してしまい、何度も使用するうちに、磁気ディスクから潤滑層が剥がれてしまうという問題がある。【０００５】
この点に関し、特許文献１および特許文献２には、保護層の表面に酸素や窒素のプラズマによるスパッタリング等を施して保護層表面に表面官能基を付与し、その後で潤滑層を塗布することによって、潤滑層の付着強度を向上させる技術が記載されている。以下では、保護層の加工方法の一例について説明する。【０００６】
まず、保護層が塗布された状態の磁気ディスクを金属性のホルダで把持し、真空の金属性チャンバ内に磁気ディスクを配置する。酸素や窒素などといった原料ガスを導入してチャンバ内の圧力を上昇させ、さらにチャンバと磁気ディスクとの間に高周波電圧を印加すると、チャンバ内に原料ガスのプラズマが発生する。このとき、磁気ディスクの表面には、磁気ディスクに印加された高周波電圧に応じた大きさの陰極降下電位が生じており、この陰極降下電位によってプラズマ内のイオンが加速されて磁気ディスク表面に衝突する。その結果、イオンによるスパッタリングと、原料ガスの化学変化が同時に発生して、磁気ディスク表面の保護層が酸化／窒化処理されて、保護層に表面官能基が付与される。【０００７】
ここで、磁気ディスクの表面に生じた陰極降下電位が全てスパッタリング処理に利用されることが理想であるが、実際には、陰極降下電位のうちの一部は反射波として戻ってきてしまう。この反射波の大きさは、ホルダと磁気ディスクとの接触面積や、金属性チャンバ内の汚れや、ホルダのインピーダンスなどによって変化するため、磁気ディスクの表面を加工する際には、陰極降下電位と反射波とを計測して、磁気ディスクの表面の加工状態を判定することが行われている。【０００８】
図１は、陰極降下電位および反射波の一例を示すグラフである。【０００９】
図１は、横軸が時間を示しており、上のグラフｇ１＿１の縦軸は陰極降下電位の大きさを示しており、下のグラフｇ２＿１の縦軸は反射波の大きさを示している。【００１０】
磁気ディスクの表面の加工状態を判定するのにあたり、ホルダとチャンバとの間に高周波電圧が印加されてから、経験的に陰極降下電位が十分に安定すると考えられる時間ｔ０が経過した時点における陰極降下電位Ｖ＿ｔ０と反射波Ｒ＿ｔ０の大きさがそれぞれに計測される。陰極降下電位Ｖ＿ｔ０が所定の閾値Ｖ０以上で、かつ、反射波Ｒ＿ｔ０が所定の閾値Ｒ０よりも小さい場合は、十分に陰極降下電位が発生し、さらに、反射波が少ない状態でスパッタリング処理が行われたと考えられ、磁気ディスクの表面の加工状態が良好と判定される。また、陰極降下電位Ｖ＿ｔ０が閾値Ｖ０よりも小さい、または、反射波Ｒ＿ｔ０が閾値Ｒ０以上である場合には、陰極降下電位が十分には発生しなかったり、反射波が大きくて、陰極降下電位が十分にスパッタリング処理に利用されなかったと考えられ、磁気ディスクの表面の加工状態が不良と判定される。図１に示す例では、時間ｔ０が経過した時点において、陰極降下電位Ｖ＿ｔ０が閾値Ｖ０を超えており、さらに、反射波Ｒ＿ｔ０が閾値Ｒ０よりも小さいため、磁気ディスクの表面の加工状態が良好であると判定される。
【特許文献１】特開平６−３２５３５７号公報
【特許文献２】特開２００３−２２３７１０号公報
【発明の開示】
【００１１】
ここで、通常、反射波は、陰極降下電位が安定するまでの間に生じることが多いが、チャンバの汚れや、磁気ディスクとホルダとの接触不良などによって放電異常が生じている場合などには、陰極降下電位が安定した後にも反射波が発生し続けることが多い。このため、時間ｔ０において一時的に反射波が治まっていても、その後に大きな反射波が発生してしまい、磁気ディスクの表面が十分に加工されない恐れがある。
【００１２】
図２は、陰極降下電位および反射波の一例を示すグラフである。
【００１３】
図２についても、横軸が時間を示しており、上のグラフｇ１＿２の縦軸は陰極降下電位の大きさを示しており、下のグラフｇ２＿２の縦軸は反射波の大きさを示している。
【００１４】
図２に示す例では、時間ｔ０が経過した時点において、陰極降下電位Ｖ＿ｔ０が閾値Ｖ０を超えており、さらに、反射波Ｒ＿ｔ０が閾値Ｒ０よりも小さいため、上述した判定によれば、磁気ディスクの表面の加工状態は良好となるが、実際には、時間ｔ０以降に大きな反射波が生じており、陰極降下電圧の一部はスパッタリング処理に利用されておらず、表面の加工は不十分である。このように、従来技術では、加工状態の判定精度が低いという問題がある。
【００１５】
また、このような問題は、磁気ディスクのみに限られた問題ではなく、基板に高周波電圧を印加して、その基板の表面をスパッタリングする表面加工方法を用いる分野一般で生じる問題である。
【００１６】
本発明は、上記事情に鑑み、基板表面の加工状態を精度良く判定することができる表面加工方法、および記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
上記目的を達成する本発明の表面加工方法は、基板の表面を加工する表面加工方法において、
真空のチャンバ内に基板を配置する配置過程と、
基板に高周波電圧を印加して基板の表面をスパッタリングする加工過程と、
上記加工過程で基板に生じる陰極降下電位を計測し、その陰極降下電位の時間積分値を求める計測過程と、
上記計測過程で求められた時間積分値に基づいて、基板の表面の加工状態が良好であるか否かを判定する判定過程とを有することを特徴とする。
【００１８】
尚、陰極降下電位は、基準電位からの降下分であるためにマイナスの値となり、その陰極降下電位の時間積分値もマイナスの値となるが、本発明にいう「陰極降下電位の時間積分値」とは、符号を除いた絶対値を示している。
【００１９】
基板に高周波電圧を印加すると、基板の表面に陰極降下電位が発生し、その陰極降下電位によって基板の表面がスパッタリング加工される。しかし、発生した陰極降下電位の全てがスパッタリング加工に利用されるのではなく、その一部は反射波として戻ってきてしまうことが一般的である。従来、基板の表面を加工する表面加工処理においては、高周波電圧が印加されてから所定時間が経過した時点において、陰極降下電位が十分に発生しており、かつ反射波が小さい場合に、基板の表面の加工状態が良好であると判定されている。このため、さらに時間が経過した後で大きな反射波が発生したり、陰極降下電位の発生量が減少してしまった場合などには、基板の表面が十分に加工されていない不良品が正常な製品と混在してしまうという問題がある。
【００２０】
このような問題を分析した結果、陰極降下電位の時間積分値と、基板の表面の加工量との間に良好な相関関係が存在することが確認された。本発明の表面加工方法では、このような分析結果を利用し、基板に高周波電位を印加することによって基板に生じる陰極降下電位の時間積分値が計測され、その時間積分値に基づいて基板の表面の加工状態が判定される。このため、基板の表面を加工している間に大きな反射波が生じたり、陰極降下電位の発生量が減少してしまった場合などにも、基板の表面の加工状態を精度良く判定することができる。
【００２１】
また、本発明の表面加工方法において、上記基板への高周波電圧の印加停止を指示する指示過程を有し、
上記加工過程は、指示過程において高周波電圧の印加停止の指示を受けて、基板への高周波電圧の印加を停止する過程であり、
上記計測過程は、基板に高周波電圧が印加されてから高周波電圧の印加が停止されるまでの間に生じる陰極降下電位の時間積分値を求める過程であることが好適である。
【００２２】
この好適な表面加工方法によると、高周波電圧の印加停止を指示することによって、基板へ印加される高周波電圧の量を制御することができ、基板の表面の加工量を調整することができる。
【００２３】
また、本発明の表面加工方法において、上記判定過程は、時間積分値が所定の第１の閾値以上である場合に、基板の表面の加工状態が良好であると判定する過程であることが好ましい。
【００２４】
陰極降下電位の時間積分値と、基板の表面の加工量との間には、良好な相関関係があることが確認されており、時間積分値が第１の閾値以上であるか否かを判定基準として利用することによって、基板の表面の加工状態を精度良く判定することができる。
【００２５】
また、本発明の表面加工方法は、
「チャンバ内にガスを導入するガス導入過程を有し、
上記加工過程が、基板に高周波電圧を印加することにより基板上にそのガスのプラズマを形成し、プラズマ中のイオンによって基板の表面をスパッタリングする過程である」
という形態が好ましい。
【００２６】
プラズマを利用することによって、基板の表面を効率よく加工することができる。
【００２７】
また、本発明の表面加工方法において、上記加工過程が、窒素プラズマ、あるいは酸素プラズマを使って基板の表面をスパッタリングする過程であることが好ましい。
【００２８】
窒素プラズマ、あるいは酸素プラズマを利用することによって、基板の表面に、プラズマ中のイオンによるスパッタリングと、酸化／窒化処理とを同時に発生させることができる。
【００２９】
また、上記目的を達成する本発明の記録媒体の製造方法は、情報を記録する記録媒体の製造方法において、
基板上に、情報を記録する記録層と、記録層を保護する保護層とを形成する層形成過程と、
真空のチャンバ内に基板を配置する配置過程と、
基板に高周波電圧を印加して基板の表面をスパッタリングする加工過程と、
加工過程で基板に生じる陰極降下電位を計測し、その陰極降下電位の時間積分値を求める計測過程と、
計測過程で求められた時間積分値に基づいて、基板の表面の加工状態が良好であるか否かを判定する判定過程と、
判定過程において保護層の加工状態が良好であると判定された場合に、保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成過程とを有することを特徴とする。
【００３０】
本発明の記録媒体の製造方法によると、記録層と保護層とが形成された基板の表面の加工状態を精度良く判定し、加工状態が良好な基板にのみ潤滑層を形成することができる。
【００３１】
また、本発明の記録媒体の製造方法において、上記加工過程が、保護層をスパッタリングすることによって保護層に表面官能基を生成する過程であることが好ましい。
【００３２】
保護層に表面官能基が生成されることによって、潤滑層と保護層との接着強度を向上させることができる。
【００３３】
以上のように、本発明によれば、基板表面の加工状態を精度良く判定することができる表面加工方法、および記録媒体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】陰極降下電位および反射波の一例を示すグラフである。
【図２】陰極降下電位および反射波の一例を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施形態が適用された磁気ディスクの製造方法を示す図である。
【図４】磁気ディスクの表面を加工する表面加工装置を示す図である。
【図５】高周波電圧が印加されたときの磁気ディスク表面の状態を示す図である。
【図６】陰極降下電位Ｖｄｃの時間積分値と、磁気ディスクの表面の窒化処理量との関係を示すグラフである。
【図７】陰極降下電位および反射波の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。【００３６】
図３は、本発明の一実施形態が適用された磁気ディスクの製造方法を示す図である。【００３７】
本実施形態は、磁場を使って情報を記録する磁気ディスクを製造する磁気ディスクの製造方法であり、図３には、各工程における磁気ディスクの層構造が示されている。【００３８】
まず、磁気ディスクの基板１０が用意される（図３のステップＳ１）。基板１０としては、非磁性の金属材料やガラスなどを適用することができ、本実施形態においては、アルミニウムの基板が適用される。【００３９】
続いて、基板１０上に下地層２０が形成される（図３のステップＳ２）。この下地層２０としては、非磁性の金属材料などを適用することができ、本実施形態においては、クロムがスパッタ蒸着されることによって形成される。【００４０】
下地層２０が形成されると、さらにその上に磁性層３０が積層される（図３のステップＳ３）。磁性層３０は、情報が記録される記録層となるものであり、本実施形態においては、Ｃｏ−Ｎｉがスパッタ蒸着されて形成される。磁性層３０は、本発明にいう記録層の一例に相当する。【００４１】
さらに、磁性層３０上に、保護層４０が形成される（図３のステップＳ４）。保護層４０は、磁性層３０などを保護するためのものであり、本実施形態においては、カーボンがプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒｉｎｇ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって積層される。プラズマＣＶＤ法については、従来から広く利用されている被層方法であるため、本明細書では詳細な説明を省略する。保護層４０は、本発明にいう保護層の一例に相当する。【００４２】
以上のステップＳ１からステップＳ４までの一連の処理は、本発明の記録媒体の製造方法における層形成過程の一例に相当する。この時点の磁気ディスク１Ａは、このままでも情報を読み書きすることができるが、磁気ディスクの表面への水分やゴミの付着を防止したり、磁気ディスクの耐摩耗性を高めるために、磁気ディスク１Ａの保護層４０上に、さらに潤滑層５０が形成される。本実施形態においては、潤滑層５０を形成する前に、保護層４０に表面加工処理を施して表面官能基４１を付与し、潤滑層５０の接着強度を高めることが行われる（図３のステップＳ５）。【００４３】
ここで、一旦、図３の説明を中断し、図３のステップＳ５における表面加工処理について詳しく説明する。【００４４】
図４は、磁気ディスクの表面を加工する表面加工装置を示す図である。【００４５】
表面加工装置１００には、金属性のチャンバ１１０と、ガス導入口１３１からガスを導入するためのガス導入管１３０と、ガス排気口１４１からガスを排気するためのガス排気管１４０と、磁気ディスクを把持する金属性の把持具１２０と、高周波電圧を印加する高周波電源１８０と、高周波電圧のインピーダンスを調整するマッチングボックス１５０と、表面加工装置１００全体を制御するＣＰＵ１６０と、各種指示を入力するための操作子１７０などが備えられている。チャンバ１１０および把持具１２０は、導電性を有する金属で構成されており、電極の役割を兼ねている。【００４６】
まず、真空のチャンバ１１０内に、図３のステップＳ４において保護層４０が形成された磁気ディスク１Ａが配置される。この磁気ディスク１Ａを配置する過程は、本発明にいう配置過程の一例に相当する。【００４７】
続いて、ガス導入管１３０からチャンバ１１０内に、プラズマの原料となる原料ガスが導入され、チャンバ１１０内が所定の圧力になるように、原料ガスの一部がガス排気管１４０から排気される。本実施形態においては、原料ガスとして窒素ガスが適用される。この窒素ガスを導入する過程は、本発明にいうガス導入過程の一例に相当する。【００４８】
続いて、チャンバ１１０および把持具１２０を電極として、磁気ディスク１Ａに高周波電圧が印加される。【００４９】
図５は、高周波電圧が印加されたときの磁気ディスク１Ａ表面の状態を示す図である。【００５０】
高周波電源１８０から供給された高周波電圧は、マッチングボックス１５０によってインピーダンスの整合が取られた後で、電極となるチャンバ１１０および把持具１２０に印加される。本実施形態においては、把持具１２０によって把持されている磁気ディスク１Ａは、表面に導電性を有する炭素系の保護層４０が形成されているため、把持具１２０に印加された高周波電圧は、そのまま磁気ディスク１Ａの表面に導電される。その結果、チャンバ１１０がアノードとなるとともに、磁気ディスク１Ａがカソードとなり、磁気ディスク１Ａの表面に陰極降下電位Ｖｄｃが発生する。【００５１】
また、磁気ディスク１Ａに高周波電圧が印加されることにより、チャンバ１１０内の窒素ガスが原料となって、窒素イオン２０１と電子２０２とが混在する窒素プラズマが発生する。さらに、窒素イオン２０１は、磁気ディスク１Ａの表面に発生した陰極降下電位Ｖｄｃによって引き付けられて磁気ディスク１Ａの保護層４０に衝突し、一部が保護層４０を形成している炭素イオン３０１と置き換わる。【００５２】
このようにして、磁気ディスク１Ａの表面の保護層４０を構成する炭素が窒素に置き換わり、保護層４０に窒化処理が施されて表面官能基４１が付与される。ユーザが操作子１７０を使って処理の終了を指示すると、高周波電源１８０から高周波電圧の印加が停止され、窒化処理が停止される。この磁気ディスク１Ａの表面をスパッタリングする過程は、本発明にいう加工過程の一例に相当する。【００５３】
ここで、磁気ディスク１Ａの保護層４０が窒化処理されて付与される表面官能基４１の量は、原料ガスの量や、陰極降下電位Ｖｄｃによって制御され、陰極降下電位Ｖｄｃの発生量は、磁気ディスク１Ａに印加される高周波電圧や、高周波電圧の印加時間によって調整することができる。しかし、発生した陰極降下電位Ｖｄｃは、全てが磁気ディスク１Ａの窒化処理に利用されるのではなく、一部が反射波として戻ってきてしまう。この反射波の量は、チャンバ１１０の汚れ具合や、把持具１２０のインピーダンスや、磁気ディスク１Ａと把持具１２０との接触面積などによって変化してしまうため、磁気ディスク１Ａに十分に高周波電圧を印加して陰極降下電位Ｖｄｃを発生させても、磁気ディスクの表面が十分に加工されない場合がある。本実施形態では、窒化処理が施された後の磁気ディスク１Ｂに対して、加工状態が良好であるか否かが判定される。【００５４】
図４に示すマッチングボックス１５０では、高周波電源１８０から高周波電圧が印加されている間、磁気ディスク１Ａの表面に発生している陰極降下電位Ｖｄｃが計測される。本実施形態においては、高周波電源１８０から磁気ディスク１Ａに印加された高周波電圧と、ラングミュア−チャイルドの式とに従って、陰極降下電位Ｖｄｃが算出される。算出された陰極降下電位Ｖｄｃは、ＣＰＵ１６０に伝えられる。【００５５】
ＣＰＵ１６０では、マッチングボックス１５０から伝えられた陰極降下電位Ｖｄｃの時間積分値が算出される。陰極降下電位を計測して、陰極降下電位の時間積分値を算出する過程は、本発明にいう計測過程の一例に相当する。【００５６】
図６は、陰極降下電位Ｖｄｃの時間積分値と、磁気ディスク１Ａの表面の窒化処理量との関係を示すグラフである。【００５７】
図６の横軸は、陰極降下電位Ｖｄｃの時間積分値（Ｖｓ）を示しており、図６の縦軸は、磁気ディスク１Ａの表面の窒素処理量を示している。尚、磁気ディスク１Ａの保護層４０の組成を確認するため、電子分光スペクトルが測定され、そのスペクトルにおける炭素のバインディングエネルギー位置（Ｃ＿１ｓ：２８４ｅＶ）のピーク強度、および窒素のバインディングエネルギー位置（Ｎ＿１ｓ：３９９ｅＶ）のピーク強度が計測されて、それらのピーク強度の比率が磁気ディスク１Ａの窒化処理量として算出される。図６に示すように、陰極降下電位Ｖｄｃの時間積分値と、磁気ディスク１Ａの窒化処理量との間には、良好な相関関係が存在している。【００５８】
図４に示すＣＰＵ１６０では、磁気ディスク１Ａに高周波電圧が印加されてから、高周波電圧の印加が停止されるまでの間の陰極降下電位Ｖｄｃの時間積分値が算出され、算出された時間積分値が所定の基準値Ｖ０以上であれば、磁気ディスク１Ａの表面の加工状態は良好であると判定され、時間積分値の絶対値が基準値Ｖ０よりも小さければ、磁気ディスク１Ａの表面の加工状態は不良であると判定される。尚、陰極降下電位Ｖｄｃはマイナスの値となるため、陰極降下電位Ｖｄｃの時間積分値もマイナスの値となっているが、本実施形態においては、陰極降下電位Ｖｄｃの時間積分値の絶対値に基づいて判定が行われる。すなわち、ＣＰＵ１６０では、算出された陰極降下電位Ｖｄｃの時間積分値の絶対値が基準値Ｖ０（本実施形態においては、Ｖ０＝−３４．０Ｖｓ）の絶対値以上であるか否かが判定される。この磁気ディスク１Ａの表面の加工状態を判定する過程は、本発明にいう判定過程の一例に相当する。【００５９】
図７は、陰極降下電位および反射波の一例を示すグラフである。【００６０】
図７の上側の４つのグラフは、横軸が時間を示し、縦軸が陰極降下電位を示しており、下側の４つグラフは、横軸が時間を示し、縦軸が反射波を示している。【００６１】
図７の左側に示す陰極降下電位のグラフＶ１では、高周波電圧が印加された時間ｔ１から高周波電圧の印加が停止した時間ｔ２までの間に、安定して十分な陰極降下電位が発生していることがわかり、反射波のグラフＲ１では、反射波が小さいことがわかる。この場合、発生した陰極降下電位の時間積分値は−３９．２Ｖｓであり、その絶対値が基準値Ｖ０＝−３４．０Ｖｓの絶対値よりも大きいため、磁気ディスク１Ａの表面の加工状態は良好であると判定される。【００６２】
図７の左から２番目に示す陰極降下電位のグラフＶ２では、高周波電圧が印加されてから陰極降下電位が安定するまでに時間がかかっていることがわかり、反射波のグラフＲ２では、反射波が大きいことがわかる。グラフＶ２における、発生した陰極降下電位の時間積分値は−３１．２Ｖｓであり、その絶対値が基準値Ｖ０＝−３４．０Ｖｓの絶対値よりも小さいため、磁気ディスク１Ａの表面の加工状態は不良であると判定される。この場合、反射波が大きいために窒化処理が十分に実行されなかったと考えられる。【００６３】
図７の右から２番目に示す陰極降下電位のグラフＶ３では、高周波電圧が印加された時間ｔ５から高周波電圧の印加が停止した時間ｔ６までの間の時間が短く、陰極降下電位の発生時間が短いことがわかり、反射波のグラフＲ３では、反射波が小さいことがわかる。グラフＶ３における、発生した陰極降下電位の時間積分値は−３０．２Ｖｓであり、その絶対値が基準値Ｖ０＝−３４．０Ｖｓの絶対値よりも小さいため、磁気ディスク１Ａの表面の加工状態は不良であると判定される。この場合、陰極降下電位の発生時間が短すぎたため、窒化処理が十分に実行されなかったと考えられる。【００６４】
図７の右側に示す陰極降下電位のグラフＶ４では、陰極降下電位が安定していないことがわかり、反射波のグラフＲ４では、反射波が大きいことがわかる。グラフＶ４における、発生した陰極降下電位の時間積分値は−２３．２Ｖｓであり、その絶対値が基準値Ｖ０＝−３４．０Ｖｓの絶対値よりも小さいため、磁気ディスク１Ａの表面の加工状態は不良であると判定される。この場合、反射波が大きく、陰極降下電位の発生時間も短すぎたことによって、窒化処理が十分に実行されなかったと考えられる。【００６５】
このように、本実施形態によると、磁気ディスク１Ａの表面の加工状態を精度良く判定することができる。【００６６】
図３に戻って説明する。【００６７】
磁気ディスク１Ａの保護層４０に窒化処理が施されると、磁気ディスク１Ａの表面に表面官能基４１が形成される（図３のステップＳ５）。図４に示すＣＰＵ１６０では、磁気ディスク１Ａの表面官能基４１の加工状態が判定され、表面官能基４１が十分に形成された（加工状態が良好）と判定された磁気ディスク１Ｂのみが、次の潤滑剤塗布過程に送られる。【００６８】
潤滑剤塗布過程に送られてきた磁気ディスク１Ｂは、磁気ディスク１Ｂの表面に形成された表面官能基４１上に潤滑剤が塗布されて、潤滑層５０が形成される（図３のステップＳ５）。本実施形態においては、潤滑層５０として、含フッ素系有機化合物が適用される。潤滑層５０を形成する過程は、本発明にいう潤滑層形成過程の一例に相当する。【００６９】
以上のような工程を経て製造された磁気ディスク１は、潤滑層５０が表面官能基４１によって保護層４０に高強度に付着しているため、潤滑層５０の剥がれが防止されており、磁気ディスク１表面への不要物の付着や、磁気ディスク１の摩耗を長期に渡って軽減することができる。【００７０】
以上で、本発明の第１実施形態の説明を終了し、本発明の第２実施形態について説明する。本発明の第２実施形態は、酸素プラズマを使って表面加工処理が実行されることを除いては、第１実施形態とほぼ同様の処理が行われるため、第１実施形態との相違点についてのみ説明する。【００７１】
本実施形態の磁気ディスクの製造方法においては、図４に示すチャンバ１１０内に、ガス導入管１３０から酸素ガスを導入し、酸素プラズマを発生させることによって、磁気ディスク１Ａの保護層４０に酸化処理を施す。炭素系の保護層４０を酸素プラズマを使って酸化処理すると、保護層４０の表面にエーテル（Ｃ−Ｏ−Ｃ）、カルボニル（Ｃ＝Ｏ）、過酸化物（Ｃ−Ｏ−ＯＨ）などといった表面官能基４１が形成され、特に、含フッ素有機化合物などで構成された潤滑層５０の吸着性を高めることができる。【００７２】
ここで、上記では、陰極降下電位の時間積分値を使って磁気ディスク表面の加工状態を判定する例について説明したが、本発明にいう判定過程は、陰極降下電位の時間積分値に加えて、反射波の時間積分値も使って加工状態を判定するものであってもよい。【００７３】
また、上記では、磁気ディスクの表面を加工する例について説明したが、本発明の表面加工方法は、例えば、ＣＤ−ＲＯＭなどの表面加工に適用してもよい。【００７４】
また、上記では、プラズマを使ってスパッタリング処理を実行する例について説明したが、本発明にいう加工過程は、ターゲットを使ってスパッタリング処理を行うものであってもよい。【００７５】
また、上記では、ユーザが高周波電圧の印加停止を指示するまでの間、磁気ディスクに高周波電圧を印加する例について説明したが、本発明にいう加工過程は、予め決められた時間の間、基板に高周波電圧を印加するものであってもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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