【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レチクル、それを用いた露光装置、露光方法および半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一の素子形成領域から構成される、または複数の前記素子形成領域と前記素子形成領域間に挟まれる中間部ダイシング領域とから構成される、平面形状が四角形の所定領域と、
前記所定領域の四角形の平面形状の対辺をなす一辺の一部に接して配置された凸部を有する平面形状の第１の外周部ダイシング領域と、
前記対辺をなす他辺の一部に接して配置され、かつ前記第１の外周部ダイシング領域の前記凸部が形成されていない領域に嵌まり込むように配置された凸部を有する平面形状の第２の外周部ダイシング領域と、
前記所定領域の四角形の平面形状の４つの角部のすべてに対応して前記第１および第２の外周部ダイシング領域の前記凸部内に配置されたモニタマーク領域とを備えた、レチクル。
【請求項２】
前記第１の外周部ダイシング領域は、前記凸部が形成されていない前記一辺の領域に配置され、かつ前記第１の外周部ダイシング領域の前記凸部よりも狭い幅を有する凹部を有し、
前記第２の外周部ダイシング領域は、前記凸部が形成されていない前記他辺の領域に配置され、かつ前記第２の外周部ダイシング領域の前記凸部よりも狭い幅を有する凹部を有し、
前記第１の外周部ダイシング領域の前記凸部および前記凹部に嵌まり込むように前記第２の外周部ダイシング領域の前記凹部および前記凸部が配置されている、請求項１に記載のレチクル。
【請求項３】
透明基板と前記透明基板の表面上に形成された遮光膜とを有し、
前記所定領域の外周に配置された前記第１および第２の外周部ダイシング領域の前記凹部の外周には、前記遮光膜が形成されている、請求項２に記載のレチクル。
【請求項４】
前記第１および第２の外周部ダイシング領域の少なくともいずれかは、前記凸部または凹部を２以上有している、請求項２に記載のレチクル。
【請求項５】
２以上の前記凸部は、互いに幅の異なる凸部を有する、請求項４に記載のレチクル。
【請求項６】
前記第１の外周部ダイシング領域は、前記一辺の一方端から前記一辺上の第１の点までの第１の長さを有する第１の部分と、前記第１の点から前記一辺の他方端までの第２の長さを有する第２の部分とを有し、
前記第２の外周部ダイシング領域は、前記一辺の前記一方端と同じ方向に位置する前記他辺の一方端から第２の点までの前記第２の長さを有する第１の部分と、前記第２の点から前記他辺の他方端までの前記第１の長さを有する第２の部分とを有し、
前記第１の外周部ダイシング領域の前記第１の部分の前記凸部および前記凹部は、前記第２の外周部ダイシング領域の前記第２の部分の前記凹部および前記凸部に嵌まり合うような形状を有し、
前記第１の外周部ダイシング領域の前記第２の部分の前記凸部および前記凹部は、前記第２の外周部ダイシング領域の前記第１の部分の前記凹部および前記凸部に嵌まり合うような形状を有している、請求項２に記載のレチクル。
【請求項７】
前記対辺をなす前記一辺および前記他辺の双方に平行で前記所定領域の中心を通る仮想線に対して線対称位置にある前記第１の外周部ダイシング領域の前記凸部の幅と前記第２の外周部ダイシング領域の前記凹部の幅との和、および前記仮想線に対して線対称位置にある前記第１の外周部ダイシング領域の前記凹部の幅と前記第２の外周部ダイシング領域の前記凸部の幅との和は、前記一辺および前記他辺に沿って一定である、請求項２に記載のレチクル。
【請求項８】
露光光を発する光源と、前記光源からの露光光を照射するレチクルと、ステージとを備え、前記レチクルを透過した露光光を前記ステージ側へ照射する露光装置であって、
前記レチクルは、
単一の素子形成領域から構成される、または複数の前記素子形成領域と前記素子形成領域間に挟まれる中間部ダイシング領域とから構成される、平面形状が四角形の所定領域と、
前記所定領域の四角形の平面形状の対辺をなす一辺に接し、かつ幅の広い凸部および幅の狭い凹部を有する平面形状の第１の外周部ダイシング領域と、
前記対辺をなす他辺に接して配置され、かつ前記第１の外周部ダイシング領域の前記凸部および凹部に嵌まり込むような凹部および凸部を有する平面形状の第２の外周部ダイシング領域と、
前記所定領域の四角形の平面形状の４つの角部のすべてに対応して前記第１および第２の外周部ダイシング領域の前記凸部内に配置されたモニタマーク領域とを備えた、露光装置。
【請求項９】
ステップアンドリピートによりレチクルのパターンを縮小投影レンズを通してウェハ表面にショットとして連続的に並べて転写する露光方法であって、
光源から露光光を発する工程と、
前記露光光を前記レチクルに照射する工程と、
前記レチクルを透過した露光光を半導体基板上のフォトレジストに投射する工程とを備え、
前記レチクルは、
単一の素子形成領域から構成される、または複数の前記素子形成領域と前記素子形成領域間に挟まれる中間部ダイシング領域とから構成される、平面形状が四角形の所定領域と、
前記所定領域の四角形の平面形状の対辺をなす一辺に接し、かつ幅の広い凸部および幅の狭い凹部を有する平面形状の第１の外周部ダイシング領域と、
前記対辺をなす他辺に接して配置され、かつ前記第１の外周部ダイシング領域の前記凸部および凹部に嵌まり込むような凹部および凸部を有する平面形状の第２の外周部ダイシング領域と、
前記所定領域の四角形の平面形状の４つの角部のすべてに対応して前記第１および第２の外周部ダイシング領域の前記凸部内に配置されたモニタマーク領域とを備え、
前記露光光を前記フォトレジストに投写する工程は、隣り合う一方および他方のショットのうち前記一方のショットの前記第１の外周部ダイシング領域の前記凸部が前記他方のショットの前記第２の外周部ダイシング領域の前記凹部に嵌まり込み、前記他方のショットの前記第２の外周部ダイシング領域の前記凸部が前記一方のショットの前記第１の外周部ダイシング領域の前記凹部に嵌まり込むように各前記ショットを露光する工程を有する、露光方法。
【請求項１０】
前記レチクルは、前記第１および第２の外周部ダイシング領域に接してその外周全体に配置されたオーバーラップ領域をさらに備え、
前記一方のショットの前記第１の外周部ダイシング領域に接する前記オーバーラップ領域と前記他方のショットの前記第２の外周部ダイシング領域に接する前記オーバーラップ領域とが互いに重なり合うように露光される、請求項９に記載の露光方法。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載のレチクルを用いて転写されたパターンを有する、半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ステップアンドリピートの露光に用いられるレチクル、それを用いた露光装置、露光方法および半導体装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
それゆえ、本発明の目的は、ダイシング領域の面積を大きくすることなく、ショットローテーションやショット倍率の誤差による重ね合せ精度の劣化を防止できるレチクル、それを用いた露光装置、露光方法および半導体装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明のレチクルは、所定領域と、第１および第２の外周部ダイシング領域と、モニタマーク領域とを備えている。所定領域は、単一の素子形成領域から構成される、または複数の素子形成領域と素子形成領域間に挟まれる中間部ダイシング領域とから構成される、平面形状が四角形の領域である。第１の外周部ダイシング領域は、所定領域の四角形の平面形状の対辺をなす一辺の一部に接して配置された凸部を有する平面形状を有している。第２の外周部ダイシング領域は、対辺をなす他辺の一部に接して配置され、かつ第１の外周部ダイシング領域の凸部が形成されていない領域に嵌まり込むように配置された凸部を有する平面形状を有している。モニタマーク領域は、所定領域の四角形の平面形状の４つの角部のすべてに対応して第１および第２の外周部ダイシング領域の凸部内に配置されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明のレチクルによれば、互いに対辺に配置された第１および第２の外周部ダイシング領域の各々が凸部を有しているため、四角形の所定領域の４つの角部すべての近傍に凸部を設け、その凸部にモニタマーク領域を配置することができる。よって、角部の１つの位置ずれ情報が欠落することなく、ゆえにショットローテーション、ショット倍率の誤差などによる重ね合せ精度の劣化を防止することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また第１および第２の外周部ダイシング領域は互いに嵌まり合う凸部を有する形状となっている。このため、ショットが連続的に転写された場合、隣り合うショットのうち一方のショットの第１の外周部ダイシング領域の凸部が形成されていない領域には他方のショットの第２の外周部ダイシング領域の凸部が嵌まり、他方のショットの第２の外周部ダイシング領域の凸部が形成されていない領域には一方のショットの第１の外周部ダイシング領域の凸部が嵌まる。よって、第１および第２の外周部ダイシング領域の幅をアライメントマークなどを配置できるくらいに均一に太くした従来例よりも、第１および第２の外周部ダイシング領域の幅の和を小さくすることができる。
上記のレチクルにおいて好ましくは、第１の外周部ダイシング領域は、一辺の一部に接し、かつ第１の外周部ダイシング領域の凸部よりも狭い幅を有する凹部を有している。第２の外周部ダイシング領域は、他辺の一部に接し、かつ第２の外周部ダイシング領域の凸部よりも狭い幅を有する凹部を有している。第１の外周部ダイシング領域の凸部および凹部に嵌まり込むように第２の外周部ダイシング領域の凹部および凸部が配置されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
これにより、１のショットに対し、そのショットと隣接する他のショットをたとえば１／２ショット分だけずらして配置したとしても、第１および第２の外周部ダイシング領域の互いに凸部と凹部とが嵌まり合う。このため、１のショットの第１の外周部ダイシング領域の幅と他のショットの第２の外周部ダイシング領域の幅との和を小さくすることができる。
上記のレチクルにおいて好ましくは、対辺をなす一辺および他辺の双方に平行で所定領域の中心を通る仮想線に対して線対称位置にある第１の外周部ダイシング領域の凸部の幅と第２の外周部ダイシング領域の凹部の幅との和、および仮想線に対して線対称位置にある第１の外周部ダイシング領域の凹部の幅と第２の外周部ダイシング領域の凸部の幅との和は、一辺および他辺に沿って一定である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
これにより、ショットの露光時にステップズレが生じてもショット間に未露光領域の生じることが防止され得る。
本発明の半導体装置は、上記のレチクルを用いて転写されたパターンを有している。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
【発明の効果】
本発明のレチクルによれば、互いに対辺に配置された第１および第２の外周部ダイシング領域の各々が凸部を有しているため、四角形の所定領域の４つの角部すべての近傍に凸部を設け、その凸部にモニタマーク領域を配置することができる。よって、角部の位置ずれ情報が欠落することなく、ゆえにショットローテーション、ショット倍率の誤差などによる重ね合せ精度の劣化を防止することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
また第１および第２の外周部ダイシング領域は互いに嵌まり合う凸部を有する形状となっている。このため、ショットが連続的に転写された場合、隣り合うショットのうち一方のショットの第１の外周部ダイシング領域の凸部が形成されていない領域には他方のショットの第２の外周部ダイシング領域の凸部が嵌まり、他方のショットの第２の外周部ダイシング領域の凸部が形成されていない領域には一方のショットの第１の外周部ダイシング領域の凸部が嵌まる。よって、第１および第２の外周部ダイシング領域の幅をアライメントマークなどを配置できるくらいに均一に太くした従来例よりも、第１および第２の外周部ダイシング領域の幅の和を小さくすることができる。
上記のレチクルにおいて好ましくは、第１の外周部ダイシング領域は、一辺の一部に接し、かつ第１の外周部ダイシング領域の凸部よりも狭い幅を有する凹部を有している。第２の外周部ダイシング領域は、他辺の一部に接し、かつ第２の外周部ダイシング領域の凸部よりも狭い幅を有する凹部を有している。第１の外周部ダイシング領域の凸部および凹部に嵌まり込むように第２の外周部ダイシング領域の凹部および凸部が配置されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
これにより、１のショットの対し、そのショットと隣接する他のショットをたとえば１／２ショット分だけずらして配置したとしても、第１および第２の外周部ダイシング領域の互いに凸部と凹部とが嵌まり合う。このため、１のショットの第１の外周部ダイシング領域の幅と他のショットの第２の外周部ダイシング領域の幅との和を小さくすることができる。
上記のレチクルにおいて好ましくは、対辺をなす一辺および他辺の双方に平行で所定領域の中心を通る仮想線に対して線対称位置にある第１の外周部ダイシング領域の凸部の幅と第２の外周部ダイシング領域の凹部の幅との和、および仮想線に対して線対称位置にある第１の外周部ダイシング領域の凹部の幅と第２の外周部ダイシング領域の凸部の幅との和は、一辺および他辺に沿って一定である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
これにより、ショットの露光時にステップズレが生じてもショット間に未露光領域の生じることが防止され得る。
本発明の半導体装置は、上記のレチクルを用いて転写されたパターンを有している。