【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望のＲＦ共鳴特性を発揮するＭＲ／ＲＦコイルであって、
各々が当該ＭＲ／ＲＦコイルの内側に限定された内側端部と当該ＭＲ／ＲＦコイルの外側内に配置された外側端部とを有する複数の略同心円状かつネスト状の単体螺旋コンダクタであって、隣接する前記単体螺旋コンダクタの前記内側端部が幾何学的に互いに角度量Δθで変位されて所望のＲＦオフセット位相差Δφを生じさせる単体螺旋コンダクタを備えた、プラナＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項２】
Ｎを前記単体螺旋コンダクトタの数とすると、前記角度量Δθが約２π／Ｎの面角度である、請求項１に記載のＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項３】
前記隣接する単体螺旋コンダクタが、前記隣接する単体螺旋コンダクタ間に、当該ＭＲ／ＲＦコイルにわたって均一な電流密度分布となる十分な大きさの容量を蓄積可能である、当該ＭＲ／ＲＦコイル上の選択された分布静電結合を有する、請求項１に記載のＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項４】
前記静電結合が、隣接する単体コンダクタ間のＲＦ位相差による前記単体螺旋コンダクタの端部の近くに十分な容量の蓄積を可能である、請求項３に記載のＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項５】
各単体コンダクタが、所望の共鳴特性の定常波を実質的に維持する長さである、請求項２に記載のＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項６】
各々が当該ＭＲ／ＲＦコイルの内側に限定された内側端部と当該ＭＲ／ＲＦコイルの外側内に配置された外側端部とを有する複数の略同心円状かつネスト状の第２の単体螺旋コンダクタであって、隣接する当該単体螺旋コンダクタの前記内側端部が互いに相対的に角度量Δθ１で変位されてこれらの単体螺旋コンダクタ間に所望のＲＦオフセット位相差が得られるように配置された第２の単体螺旋コンダクタをさらに備え、前記第１および第２の複数の単体螺旋コンダクタがヘルムホルツ対コイルを形成するように間隔をあけて設けられている、請求項５に記載のＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項７】
前記ＲＦ位相差Δφが、全ての前記隣接する単体螺旋について一定である、請求項５に記載のＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項８】
前記第１および第２の複数の略同心円かつネスト状の単体螺旋コンダクタが略同一である、請求項６に記載のＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項９】
各コイル面の法線が対向し、かつ相互に直線的である、請求項８に記載のＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項１０】
前記螺旋コンダクタが平面基板上に設けられている、請求項５に記載のＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項１１】
前記コンダクタがＨＴＳ材料から構成される、請求項１０に記載のＭＲ／ＲＦコイル。
【請求項１２】
小さな隙間をあけた少なくとも２つの同心円状の螺旋コンダクタを備えたプラナＲＦ共鳴コイル部品であって、
各螺旋コンダクタはインダクタンスを有し、前記螺旋コンダクタの各対がその間に分布容量および相互インダクタンスを有することで、前記プラナＲＦ共鳴コイル部品が少なくとも一つの共鳴により特徴づけられ、
各螺旋コンダクタは少なくとも前記一つの共鳴に対応する定常波を実質的に維持しており、
各螺旋コンダクタを少なくとも一つの隣接する前記螺旋コンダクタに関し角度量Δθで幾何学的に変位させることで、ＲＦオフセット位相差Δφにより十分な容量を蓄積可能である位相シフトが前記螺旋コンダクタ間に誘導される、プラナＲＦ共鳴コイル部品。
【請求項１３】
共通基板上に同軸上に配置され、外側および内側ＭＲ／ＲＦコイルを夫々形成し、かつネスト状に隣接する内側および外側螺旋コンダクタを備えた多重共鳴プラナＭＲ／ＲＦコイル構造であって、前記外側および内側ＭＲ／ＲＦコイルの各螺旋コンダクタは各ＭＲ／ＲＦコイルの内側に限定された内側端部と各ＭＲ／ＲＦコイルの外側に配置された外側端部とを有し、前記隣接する単体螺旋コンダクタの前記内側端部が互いに角度量Δθで幾何学的に変位されて所望のＲＦオフセット位相差Δφを生じさせる多重共鳴プラナＭＲ／ＲＦコイル構造であって、
前記外側ＭＲ／ＲＦコイルが前記表面上に第１および第２の対称軸を有しており、
前記内側ＭＲ／ＲＦコイルが前記第１の軸に沿って前記外側ＭＲ／ＲＦコイルに近接しており、前記第２の軸に沿って前記内側ＭＲ／ＲＦコイルと前記外側ＭＲ／ＲＦコイルとが選択された分離で隙間をあけていることで、前記内側および外側ＭＲ／ＲＦコイル間の隔離が最適化されている多重共鳴プラナＭＲ／ＲＦコイル構造。
【請求項１４】
前記外側コイルが第１の共鳴周波数を呈し、前記内側コイルが第２の共鳴周波数を呈する、請求項１３に記載の多重共鳴ＭＲ／ＲＦコイル構造。
【請求項１５】
前記内側および外側コイルの各々が、前記表面上で略矩形である、請求項１４に記載の多重共鳴ＭＲ／ＲＦコイル構造。
【請求項１６】
前記コンダクタがＨＴＳＣ材料から構成される、請求項１５に記載の多重共鳴ＭＲ／ＲＦコイル構造。
【請求項１７】
前記内側および外側ＭＲ／ＲＦコイルが逆の螺旋構造を有する、請求項１３に記載の多重共鳴ＭＲ／ＲＦコイル構造。
【請求項１８】
各々が２πの倍数とは実質的に異なる角度を有し、同心円状かつネスト状の単体螺旋コンダクタを有する少なくとも一つのＭＲ／ＲＦコイルを設置する工程と、
ＲＦパワーを前記単体螺旋コンダクタへ結合させる工程と、
各隣接する前記単体螺旋コンダクタに幾何学的なオフセットを生じさせ、各隣接する単体螺旋コンダクタ間にＲＦ位相シフトを生じさせて、各単体螺旋コンダクタと各隣接するコンダクタとの間に、ＲＦ共鳴構造上に均一に分布するＲＦ電流密度となる静電結合を生じさせる工程とを含む、ＲＦ共鳴構造上にＲＦ電流密度を均一に分布させる方法。
【請求項１９】
一対のプラナＲＦコイルを備えた、ＮＭＲ装置に用いられるＮＭＲプローブであって、
各プラナＲＦコイルが複数の略同心円状かつネスト状の単体螺旋コンダクタを有し、各単体螺旋コンダクタが内側端部と外側端部とを有し、隣接する前記単体螺旋コンダクタの前記内側端部を、前記ＲＦコイル対間に限定し、前記単体螺旋コンダクタ間で幾何学的に変位させて、各螺旋コンダクタのＲＦ位相を各隣接する前記単体螺旋コンダクタに対しシフトさせることで所望のＲＦ位相差Δφを生じさせ、前記ＲＦコイル対が隙間をあけて共通軸上に設けられて互いにコミュニケートすることで、前記対の隙間に所望のＲＦ磁場が形成されて、前記コイル対とＲＦ端子との間にＲＦ結合を生じさせる、ＮＭＲプローブ。
【請求項２０】
特性が制御可能な磁場と、
ＲＦ源およびＲＦプローブアセンブリと選択的に結合されるＲＦ受信機とを備えた物質組成の検査を行なうＮＭＲ装置であって、
前記プローブアセンブリが、少なくとも一対のプラナＲＦコイルであって各プラナＲＦコイルが間隔をあけた同心円状の螺旋コンダクタであって、夫々が各ＲＦコイルの内側および外側内に配置された内側および外側端部を有する螺旋コンダクタを有する、少なくとも一対のプラナＲＦコイルから含み、
各螺旋コンダクタはインダクタンスを有し、前記螺旋コンダクタの各対がその間に分布容量および相互インダクタンスを有することで、前記部品が少なくとも一つの共鳴により特徴づけられ、
各ＲＦコイルの各螺旋コンダクタが少なくとも前記一つの共鳴に対応する定常波を実質的に維持しており、
各螺旋コンダクタを少なくとも一つの隣接する前記螺旋コンダクタに関し幾何学的に変位させることで、ＲＦオフセット位相差Δφにより十分な容量を蓄積可能とする位相シフトΔθが前記螺旋コンダクタ間に誘導される、ＮＭＲ装置。
【請求項２１】
ＲＦ源を有する多重共鳴ＭＲ／ＲＦコイルを結合させるシステムであって、
当該多重共鳴ＭＲ／ＲＦコイルが、共通の基板上に同軸状に配置され、外側および内側のＭＲ／ＲＦコイルを夫々形成する、ネスト状の内側および外側の隣接する螺旋コンダクタを備え、
前記外側および内側のＭＲ／ＲＦコイルの各螺旋コンダクタが、各ＭＲ／ＲＦコイルの内側に限定された内側端部と各ＭＲ／ＲＦコイルの外側内に配置された外側端部とを有し、隣接する単体螺旋コンダクタの内側端部が幾何学的に互いに角度量Δθで変位されて所望のＲＦオフセット位相差Δφを生じさせ、
前記外側ＭＲ／ＲＦコイルが前記表面上に第１および第２の対称軸を有し、前記内側ＭＲ／ＲＦコイルが前記第１の軸に沿って前記外側のコイルに近接しており、前記第２の軸に沿って前記内側のＭＲ／ＲＦコイルと前記外側のＭＲ／ＲＦコイルとが選択された分離で隙間をあけており、
前記外側のＭＲ／ＲＦコイルが第１の共鳴周波数を呈し、前記内側のＭＲ／ＲＦコイルが第２の共鳴周波数を呈し、
前記第２の共鳴周波数におけるＲＦパワーを選択的に前記内側のＭＲ／ＲＦコイルと結合させる第１の結合ループであって、自身の突起が前記内側のＭＲ／ＲＦコイルの内部領域、および前記内側のＭＲ／ＲＦコイルの外側かつ前記外側のＭＲ／ＲＦコイルの内側にある別の領域の両領域上に同時に重なるように配置されたバタフライ形状である第１の結合ループと、
前記第１の共鳴周波数におけるＲＦパワーを選択的に前記外側のＭＲ／ＲＦコイルと結合させる第２の結合ループであって、自身の突起が前記内側のＭＲ／ＲＦコイルの内部領域、および前記内側のＭＲ／ＲＦコイルの外側かつ前記外側のＭＲ／ＲＦコイルの内側にある別の領域の両領域上に同時に重なるように配置された単純形状である第２の結合ループとを備えたシステム。