【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法および膜厚測定方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上に形成された膜を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に素子形成領域と前記膜の厚さを測定するための膜厚モニタ領域とを設ける工程と、
前記素子形成領域と前記膜厚モニタ領域とにおいて前記半導体基板上に前記半導体基板を構成する元素と同一の元素を含む前記膜を選択的に形成する工程と、
前記膜厚モニタ領域に形成された前記膜の厚さを原子間力を用いて測定することによって、前記素子形成領域に形成された前記膜の厚さを測定する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項２】  半導体基板上に形成された膜を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に素子形成領域と前記膜の厚さを測定するための膜厚モニタ領域とを設ける工程と、
前記素子形成領域において前記半導体基板上に前記半導体基板を構成する元素と同一の元素を含む前記膜を形成し、かつ前記膜厚モニタ領域において前記半導体基板上に互いに一定の距離を隔てて一方向に延在し、かつ互いに平行な複数の帯状の前記膜を形成する工程と、
前記膜厚モニタ領域に電磁波を照射することにより、複数の前記膜による回折を用いて前記膜の厚さを測定することによって前記素子形成領域に形成された前記膜の厚さを測定する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項３】  前記膜厚モニタ領域において前記半導体基板の上に選択的に前記膜を形成する工程は、前記半導体基板の表面に前記膜が選択成長可能な部分と選択成長不可能な部分とを形成する工程と、前記選択成長可能な部分に前記膜を選択成長させる工程とを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  前記膜厚モニタ領域において前記半導体基板の上に選択的に前記膜を形成する工程は、前記半導体基板の表面に互いに一定の距離を隔てて一方向に延在し、かつ互いに平行な複数本の帯状の前記膜が選択成長可能な部分と選択成長不可能な部分とを形成する工程と、前記選択成長可能な部分に互いに一定の距離を隔てて一方向に延在し、かつ互いに平行な複数本の帯状の前記膜を選択成長させる工程とを含む、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】  半導体基板上に形成された膜を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に素子形成領域と前記膜の厚さを測定するための膜厚モニタ領域とを設ける工程と、
前記素子形成領域において前記半導体基板上に前記半導体基板を構成する元素と同一の元素を含む膜を形成し、かつ前記膜厚モニタ領域において前記半導体基板上に所定の面方位のファセット面を有する前記膜を形成する工程と、
前記ファセット面の幅を前記半導体基板の表面に平行な方向に投影した距離を測定して、その測定値から前記膜の厚さを算出する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項６】  半導体基板上に形成された膜を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に素子形成領域と前記膜の厚さを測定するための膜厚モニタ領域とを設ける工程と、
前記膜厚モニタ領域において露出した前記半導体基板の表面に選択的に不純物領域を形成する工程と、
エネルギー線を前記半導体基板の上に照射することにより、前記不純物領域が発する信号の強度Ｉ0を測定する工程と、
前記不純物領域が形成された前記半導体基板の表面上に前記半導体基板を構成する元素と同一の元素を含む前記膜を形成する工程と、
エネルギー線を前記半導体基板の上に照射することにより、前記不純物領域が発する信号であって前記膜を通過することにより減衰した信号の強度Ｉ1を測定する工程と、
前記Ｉ0と前記Ｉ1とから前記膜の厚さを算出する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項７】  半導体基板上に形成された膜の厚さを測定する方法であって、
前記半導体基板上に素子形成領域と前記膜の厚さを測定するための膜厚モニタ領域とを設ける工程と、
前記素子形成領域と前記膜厚モニタ領域とにおいて前記半導体基板上に前記半導体基板を構成する元素と同一の元素を含む前記膜を選択的に形成する工程と、
前記膜厚モニタ領域に形成された前記膜の厚さを原子間力を用いて測定することによって、前記素子形成領域に形成された前記膜の厚さを測定する工程とを備えた、膜厚測定方法。
【請求項８】  半導体基板上に形成された膜の厚さを測定する方法であって、
前記半導体基板上に素子形成領域と前記膜の厚さを測定するための膜厚モニタ領域とを設ける工程と、
前記素子形成領域において前記半導体基板上に前記半導体基板を構成する元素と同一の元素を含む前記膜を形成し、かつ前記膜厚モニタ領域において前記半導体基板上に互いに一定の距離を隔てて一方向に延在し、かつ互いに平行な複数の帯状の前記膜を形成する工程と、
前記膜厚モニタ領域に電磁波を照射することにより、複数の前記膜による回折を用いて前記膜の厚さを測定することによって前記素子形成領域に形成された前記膜の厚さを測定する工程とを備えた、膜厚測定方法。
【請求項９】  半導体基板上に形成された膜の厚さを測定する方法であって、
前記半導体基板上に素子形成領域と前記膜の厚さを測定するための膜厚モニタ領域とを設ける工程と、
前記素子形成領域において前記半導体基板上に前記半導体基板を構成する元素と同一の元素を含む膜を形成し、かつ前記膜厚モニタ領域において前記半導体基板上に所定の面方位のファセット面を有する前記膜を形成する工程と、
前記ファセット面の幅を前記半導体基板の表面に平行な方向に投影した距離を測定して、その測定値から前記膜の厚さを算出する工程とを備えた、膜厚測定方法。
【請求項１０】  半導体基板上に形成された膜の厚さを測定する方法であって、
前記半導体基板上に素子形成領域と前記膜の厚さを測定するための膜厚モニタ領域とを設ける工程と、
前記膜厚モニタ領域において露出した前記半導体基板の表面に選択的に不純物領域を形成する工程と、
エネルギー線を前記半導体基板の上に照射することにより、前記不純物領域が発する信号の強度Ｉ0を測定する工程と、
前記不純物領域が形成された前記半導体基板の表面上に前記半導体基板を構成する元素と同一の元素を含む前記膜を形成する工程と、
エネルギー線を前記半導体基板の上に照射することにより、前記不純物領域が発する信号であって前記膜を通過することにより減衰した信号の強度Ｉ1を測定する工程と、
前記Ｉ0と前記Ｉ1とから前記膜の厚さを算出する工程とを備えた、膜厚測定方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３４】
【発明の効果】
請求項１〜６に記載の発明に従えば、膜が半導体基板と同一元素を含む場合にも、従来の方法に比べて確実に膜厚を測定できる。
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３８】
請求項７〜１０に記載の膜厚測定方法に従えば、膜の種類にかかわらずその膜厚を測定することができる。
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３９
【補正方法】削除
【補正の内容】