Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の概要】
本発明は、基板ホルダーの各蒸着穴上に載置する被蒸着基板を効果的に冷却するには、基板ホルダー自体を冷却すれば、熱伝導により被蒸着基板を効果的に、かつ応答性高く冷却できるという着想によってなされたもので、基板ホルダーを中空構造となし、この中空構造の基板ホルダー内に、冷媒を供給する冷媒供給手段を設けたことを特徴としている。
真空槽内部の被蒸着基板の温度を上げることは、ヒーターの輻射加熱で簡単に行なうことができ、一方、本発明の冷却構造によれば、基板ホルダーを冷媒により直接冷却することができるので、被蒸着基板の温度制御が容易にでき、よって、膜物性コントロールも容易かつ正確に行なうことができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ペルチエ素子と温度センサを真空槽外部の基板温度制御装置と接続するために、例えば次のように構成することができる。基板ホルダーの回転軸を、気密手段を介して真空槽壁を貫通させ、真空槽外部に一体に回転電極座を設ける。そして、基板ホルダーの温度センサとペルチエ素子の配線は、基板ホルダーの回転軸を通して、この回転電極座に円輪状電極として取り出す。この構成によれば、円輪状電極に温度制御装置からのブラシを接触させることにより、基板ホルダーが回転しても温度センサによって被蒸着基板の温度が測定され、その温度に応じて温度制御装置からペルチエ素子へ供給する電力量を制御できるようになる。ペルチエ素子としては、例えばｎ型としてビスマス−テルル系、ｐ型としてビスマス−アンチモン−テルル系の化合物半導体を組み合わせた素子を用いることができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
基板ホルダー１ａの上面には、図３に示すように、各蒸着穴３ａの近傍に位置させて、ペルチエ素子４ａと温度センサ５ａが配設されており、このペルチエ素子４ａと温度センサ５ａからの配線４ｂと５ｂは、回転軸１ｂを通って回転電極座１ｃに導かれ、回転電極座１ｃの軸を中心とする円形状をなす円輪状電極４ｃ、５ｃに接続されている。接地端子は、円輪状接地端子ＧＮＤに接続されている。図では、ペルチエ素子４ａと温度センサ５ａ、配線４ｂと５ｂ、及び円輪状電極４ｃ、５ｃを一つのみ描いているが、実際には、すべての蒸着穴３ａに関連して、これらが設けられている。そして、円輪状電極４ｃ、５ｃは、固定ブラシ４ｄ、５ｄと摺接し、固定ブラシ４ｄ、５ｄは、基板温度制御装置３２に接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月5日(2004.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明においてビタミンＢ1誘導体とは、ジセチアミン、フルスルチアミン、チアミンジスルフィド、ビスベンチアミン、ビスブチチアミン、チアミンモノホスフェイトジスルフィド、ベンフォチアミン、シコチアミン、オクトチアミン、プロスルチアミンなどがあげられるが、効果の点から最も好ましいものとしてジセチアミンをあげることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月8日(2004.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
殺虫剤と溶剤を含む原液及び噴射剤を含有し、害虫を防除するエアゾールにおいて、１０秒あたりの前記エアゾール全体の噴射量が増大され、この増大された噴射量中の前記溶剤の噴射量が４．０ｍｌ／１０秒以上であることを特徴とするエアゾール。
【請求項２】
前記原液と前記噴射剤との割合（ｖ／ｖ）が１：３〜１：５であることを特徴とする請求項１に記載のエアゾール。
【請求項３】
大量噴射型であることを特徴とする請求項１または２に記載のエアゾール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討した結果、下記の特定の構成のエアゾールによって上記の目的を達成することを見いだし、本発明に至った。
（１）  殺虫剤と溶剤を含む原液及び噴射剤を含有し、害虫を防除するエアゾールにおいて、１０秒あたりの前記エアゾール全体の噴射量が増大され、この増大された噴射量中の前記溶剤の噴射量が４．０ｍｌ／１０秒以上であることを特徴とするエアゾール。
（２）  前記原液と前記噴射剤との割合（ｖ／ｖ）が１：３〜１：５であることを特徴とする上記（１）に記載のエアゾール。
（３）  大量噴射型であることを特徴とする上記（１）または（２）に記載のエアゾール。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マーキング部材を被着体に固着する際に中間転写部材として用いるものであって、基材と、該基材の片面に設けられていて前記マーキング部材に貼着可能な粘着剤層とを含むアプリケーションフィルムにおいて、前記基材が、ＪＩＳ−Ｋ７１２７において規定される基準に準じて引っ張り速度２００mm／分で測定した場合に、
０．３〜１．６kgf/15mmの10％モジュラス強度、
０．１〜０．８kgf/mm2 の１０％モジュラス応力、
０．７〜２．５kgf/mm2 の１００％モジュラス応力、そして
３．０以上のモジュラス応力の変化率（１００％モジュラス応力／１０％モジュラス応力）
を有していることを特徴とするアプリケーションフィルム。
【請求項２】
前記基材の厚さが８５〜１６０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のアプリケーションフィルム。
【請求項３】
前記マーキング部材に対する接着力が１０〜８００ gf/２５mmであることを特徴とする請求項１又は２に記載のアプリケーションフィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
さらにまた、スコッチカルTM３６５０フィルムよりも曲面部位への貼り付けが良好なマーキングフィルムとして、スコッチカルTMＭＢ３０５Ｗフィルム及びスコッチカルTMＣＳ２０６Ｃ５３フィルムも商業的に入手可能である。前者は、フィルム基材の材質がウレタン樹脂であり、その物性は、フィルムの厚さが約５３μｍ、そして最大伸度が２５６％である。後者は、フィルム基材の材質が軟質塩化ビニル樹脂とウレタン樹脂の２層構造であり、その物性は、フィルムの厚さが約１４８μｍ、そして最大伸度が８５％である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の実施において、フィルムに用いられる基材の物性が特に重要である。すなわち、用いられる基材は、いずれもＪＩＳ−Ｋ７１２７において規定される基準に準じて引っ張り速度２００mm／分で測定した場合に、０．３〜１．６kgf/15mm、好ましくは０．３〜０．６kgf/15mmの10％モジュラス強度、０．１〜０．８kgf/mm2 、好ましくは０．１〜０．５kgf/mm2 の１０％モジュラス応力、０．７〜２．５kgf/mm2 の１００％モジュラス応力、そして３．０以上、好ましくは５．０以上のモジュラス応力の変化率を有していることが必要である。モジュラス強度及びモジュラス応力がそれぞれ上記した範囲の上限よりも大きいとすると、柔軟性が不足し、３次曲面への追従性が劣ることとなる。モジュラス応力の変化率が上記した範囲の下限よりも小さいとすると、ゴム弾性が不足し、マーキングフィルム外周部においてシワが発生しやすくなる。さらに、ここで用いられる基材は、２００％以上の最大伸度を有していることが好ましい。この最大伸度が２００％を下回ると、アプリケーションフィルムを十分に伸ばすことができないので、所期の目的を達成することができないであろう。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月8日(2004.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリフェニレンエーテル／ポリスチレンブレンド、並びに
重合モノビニル芳香族化合物から成る少なくとも２個の樹脂状端部ブロックと、重合共役ジエンから成るエラストマー性中央ブロックとを有する水素化エラストマー性ブロックコポリマー及び密度０．９２ｇ／ｃｃ未満のポリオレフィンを含有する改質剤
を含有するポリマー組成物。
【請求項２】
ポリフェニレンエーテル／ポリスチレンブレンドの加工性を改善する方法であって、重合モノビニル芳香族化合物から成る少なくとも２個の樹脂状端部ブロックと、重合共役ジエンから成るエラストマー性中央ブロックとを有する水素化エラストマー性ブロックコポリマー及び密度０．９２ｇ／ｃｃ未満のポリオレフィンを含有する改質剤をポリフェニレンエーテル／ポリスチレンブレンドに配合することを含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の組成物から成る物品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記磁石の移動が少なくとも、前記磁石の磁気方向と略直角方向の往復移動である第１の往復移動と、前記磁石の磁気方向と略平行方向の往復移動である第２の往復移動を持ち、
前記第１の往復移動と前記第２の往復移動の組み合わせにより前記磁石の前記軟磁性体への接近と離反を制御する請求項２に記載の金属片収集装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被洗浄物を収納する処理室と、
前記処理室を減圧又は真空環境に維持する排気部と、
酸素を含むガスを前記処理室に供給するためのガス供給部と、
前記ガスを高周波電力を利用してプラズマ化するためのプラズマ化手段とを有し、プラズマ化された前記ガスによって前記被洗浄物を表面処理することによって前記被洗浄物を洗浄することを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
前記被洗浄物と前記プラズマ化手段の電極との間に配置され、複数の開孔を有する仕切り板を更に有することを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記被洗浄物の第１の面と、当該第１の面とは異なる第２の面とが前記被処理室で露出するように、前記被洗浄物を保持する保持機構を更に有することを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
【請求項４】
被洗浄物を収納する処理室を減圧又は真空環境に維持するステップと、
酸素を含むガスを前記処理室に供給するステップと、
高周波電力を利用して前記ガスをプラズマ化するステップとを有し、プラズマ化された前記ガスによって前記被洗浄物を表面処理することによって前記被洗浄物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
【請求項５】
前記プラズマの電子温度を制御するステップを更に有することを特徴とする請求項４記載の洗浄方法。
【請求項６】
プラズマ化された酸素を含むガスによって表面処理されて洗浄されることを特徴とする光学素子。
【請求項７】
前記光学素子は、２５０ｎｍ以下の波長域で使用される蛍石又は石英の材料からなることを特徴とする請求項６記載の光学素子。
【請求項８】
前記光学素子は、光学ガラスレンズ又は反射防止及び増反射膜が形成された光学ガラスレンズであることを特徴とする請求項６記載の光学素子。
【請求項９】
請求項８記載の光学素子を一又は複数個有することを特徴とする光学系。
【請求項１０】
請求項９記載の光学系を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の露光装置を用いて被露光体を投影露光する工程と、
前記投影露光された被露光体に所定のプロセスを行う工程とを有するデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（実施態様２）  前記被洗浄物と前記プラズマ化手段の電極との間に配置され、複数の開孔を有する仕切り板を更に有することを特徴とする実施態様１記載の洗浄装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（実施態様７）  前記光学素子は、２５０ｎｍ以下の波長域で使用される蛍石又は石英の材料からなることを特徴とする実施態様６記載の光学素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被研磨材に対向配置される研磨用電極と、前記研磨用電極に装着され、多孔質セラミックスで形成された被覆材と、前記研磨用電極と前記被研磨材の間に前記被覆材を介して直流電圧を印加する直流電源と、前記被覆材を加振する加振装置と、前記被覆材に電解液を供給する電解液供給手段とを具備することを特徴とする電解研磨装置。
【請求項２】
筐体に取付けられた平板状の研磨用電極と、前記研磨用電極に装着され、多孔質セラミックスで形成された平板状の被覆材と、前記研磨用電極と研磨する被研磨材の間に前記被覆材を介して直流電圧を印加する直流電源と、前記研磨用電極と前記被覆材を加振する加振装置と、前記被覆材に電解液を供給する電解液供給手段とを具備することを特徴とする電解研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このため、放射線汚染された金属廃材を除染するようにしている。金属廃材の除染には化学除染と電界除染があり、廃液などの２次廃棄物を多くださない電界除染が注目されている。電界除染は研磨用電極と金属廃材（被研磨材）の間に電解液が含浸された被覆材を介在させ、研磨用電極と被研磨材の間に直流電圧を印加して被研磨材表面を研磨するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術は被覆材として電解液の浸透が容易な木綿繊維やナイロン繊維及びガラス繊維を用いている。このような被覆材は機械的強度が小さく被研磨材との機械的摺動や被研磨材表面の鋭利なバリなどにより損傷し易く、また、電圧印加により発生する電解熱による劣化、溶融などにより消耗度が高くなる。そのため、被覆材の交換頻度が高くなるために２次放射性廃棄物が多く発生し、かつ作業性も低下するという問題点を有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は２次放射性廃棄物の発生量を低減し作業性を向上させることができる電解研磨装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
従来被覆材の最高耐熱温度は１００℃程度であり、使用開始後の１０分程度で被覆材が溶融し穿孔が発生する。最高使用温度が２００℃近くになる電極に接して使用するには被覆材の最高耐熱温度が２００℃以上あれば熱による融解を解消されることになる。多孔質セラミックスの最高耐熱温度は１０００℃であり十分な耐熱性を有し溶解の問題を解消できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、上述の実施例は被覆材を研磨用電極に装着した場合、筐体の脚部先端が研磨用電極の位置より下方に位置するように構成しているので、セラミックス被覆材が摩耗しても被研磨材と筐体の脚部先端が接触し研磨用電極と被研磨材が接触して短絡することを確実に防止できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１…筐体、２…支持具、３…多孔質セラミックス被覆材、３ａ、３ｂ…係止溝、４…研磨用電極、４ａ…孔、５…接続端子、６…ヒンジ、７…電解液管、８…ベース板、９…加振装置、１０…取手、１１、１８、１９…電線、１２…コンセント、１３…ニップル、１４…チューブ、１５…電解液ポンプ、１６…電解液容器、１７…直流電源、２０…クリップ、２１…被研磨材。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
トレイに収納された第１の記録媒体を取出して搬送しつつ記録し、また、内蔵された補助トレイに収納された第２の記録媒体を当該補助トレイごと搬送しつつ記録する記録装置であって、
前記第１の記録媒体の搬送を案内する案内部材の媒体搬送経路側に回動自在に軸支したリブ部材を配設し、前記補助トレイが搬送途中で前記リブ部材を回動させることを特徴とする記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的達成のため、本発明に係る記録装置では、トレイに収納された第１の記録媒体を取出して搬送しつつ記録し、また、内蔵された補助トレイに収納された第２の記録媒体を当該補助トレイごと搬送しつつ記録する記録装置であって、前記第１の記録媒体の搬送を案内する案内部材の媒体搬送経路側に回動自在に軸支したリブ部材を配設し、前記補助トレイが搬送途中で前記リブ部材を回動させることを特徴としている。これにより、補助トレイが装置本体内の待機位置から装置本体外の媒体出入位置まで直線移動する際、補助トレイは第１の記録媒体の案内部材の媒体搬出経路側に配設されたリブ部材を回動させて避けるので、相互の干渉を防止することができ、トレイに収納された第１の記録媒体の搬送経路と、第２の記録媒体が収納された補助トレイの搬送経路を両立させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口が形成されたノズルプレートと、前記ノズル開口に連通する圧力室と、前記圧力室内の液体に圧力変動を生じさせる圧力発生素子と、を有する液体噴射ヘッドと、
前記圧力発生素子を駆動して前記ノズル開口から液滴を吐出させる駆動手段と、
前記ノズルプレートと被処理物との間に電位差を発生させ、電荷を帯びた状態で前記ノズル開口から吐出された液滴に対して前記被処理物の方向へのクーロン力を作用させる電位差発生手段と、を備え、
前記駆動手段は、前記電位差発生手段による前記クーロン力が作用しなければ前記被処理物上の正規の位置に到達し得ない程度の速度にて液滴を前記ノズル開口から吐出させることを特徴とする液体噴射装置。
【請求項２】
前記駆動手段は、前記ノズル開口から吐出された液滴が飛行中に複数の部分に分離しない程度に低い速度で液滴を前記ノズル開口から吐出させる請求項１記載の液体噴射装置。
【請求項３】
前記電位差発生手段は、前記被処理物と前記ノズルプレートとの間に電圧を印加する請求項１記載の液体噴射装置。
【請求項４】
前記電位差発生手段は、前記被処理物を帯電させるための帯電手段を含む請求項１記載の液体噴射装置。
【請求項５】
前記被処理物の処理済みの領域に対応する部分から静電気を除去する除電手段を備えた請求項４記載の液体噴射装置。
【請求項６】
前記除電手段は、前記被処理物の裏面に当接される除電ブラシを有する請求項５記載の液体噴射装置。
【請求項７】
処理中の前記被処理物を電気的に浮いた状態に保持するための保持手段と、
処理中の前記被処理物の裏面側に位置する導電性部材と、をさらに有し、
前記電位差発生手段は、前記ノズルプレートと前記導電性部材との間に電圧を印加する請求項１記載の液体噴射装置。
【請求項８】
前記保持手段は、処理中の前記被処理物に接触する各部材の少なくとも表面に設けられた絶縁材料を有する請求項７記載の液体噴射装置。
【請求項９】
前記導電性部材は、液滴を吸収し得る導電性の吸収部材である請求項７又は８に記載の液体噴射装置。
【請求項１０】
前記電位差発生手段は、前記ノズルプレートと前記被処理物との間に電位差を発生させるための電圧の極性を反転させる極性反転手段を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液体噴射装置。
【請求項１１】
前記極性反転手段は、一定の周期毎に電圧の極性を反転させる請求項１０記載の液体噴射装置。
【請求項１２】
前記液体噴射ヘッドを走査させる走査機構をさらに有し、
前記一定の周期は、前記走査機構による前記液体噴射ヘッドの走査動作の各パスに対応している請求項１１記載の液体噴射装置。
【請求項１３】
前記極性反転手段は、前記液体噴射ヘッドからの液滴の吐出数が所定値に達した時点で電圧の極性を反転させる請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の液体噴射装置。
【請求項１４】
ノズル開口が形成されたノズルプレートと、前記ノズル開口に連通する圧力室と、前記圧力室内の液体に圧力変動を生じさせる圧力発生素子と、を有する液体噴射ヘッドを用いて被処理物に対して液体を噴射させる方法であって、
前記ノズルプレートと前記被処理物との間に電位差を発生させる工程と、
前記圧力発生素子を駆動して前記ノズル開口から液滴を吐出させる液滴吐出工程と、を備え、
電荷を帯びた状態で前記ノズル開口から液滴を吐出することにより、前記ノズル開口から吐出された液滴に対して前記被処理物の方向へのクーロン力が作用し、
液滴は、前記クーロン力が作用しなければ前記被処理物上の正規の位置に到達し得ない程度の速度にて前記ノズル開口から吐出されることを特徴とする液体噴射方法。
【請求項１５】
前記ノズルプレートと前記被処理物との間に電位差を発生させるための電圧の極性を所定のタイミングで反転させることを特徴とする請求項１４記載の液体噴射方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月12日(2005.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
本発明は、顔写真とバーコードを融合することにより、あらゆる情報を取りながら、多種多様の分野で活用していく顔写真付バーコードカード。
【従来の技術】
今現在、顔写真付のバーコードカードがない。
【考案が解決しようとする課題】
このカードを使うことにより、あらゆる免許証やパスポートなどの身分証明書の役割をはたし、又、あらゆるものの支払いや、お金の役割も、このカードひとつで、行われるようにする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱溶融させた、１,０００〜１０,０００の範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有し、分子末端にイソシアネート基を有するホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）と、ジオール（Ｂ）とを混合させて得られた液状混合物を基材上にシート状に塗布し、得られたシート状の前記液状混合物に水蒸気を接触させて前記液状混合物を水発泡させるポリウレタン発泡体シートの製造方法であって、
前記ホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）のイソシアネート基当量に対する、前記ジオール（Ｂ）の活性水素原子含有基当量の比[イソシアネート基当量／活性水素原子含有基当量]が、１．５〜２０．０の範囲であることを特徴とするポリウレタン発泡体シートの製造方法。
【請求項２】
加熱溶融させた、１,０００〜１０,０００の範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有し、分子末端にイソシアネート基を有するホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）と、ジオール（Ｂ）とを混合させて得られた液状混合物を、第一の離型性基材と第二の離型性基材の間に導入して連続的にシート状物を形成し、前記離型性基材の片面又は両面に水蒸気を接触させて前記第一の離型性基材と前記第二の離型性基材に挟まれた前記シート状物を水発泡させるポリウレタン発泡体シートの製造方法であって、
前記ホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）のイソシアネート基当量に対する、前記ジオール（Ｂ）の活性水素原子含有基当量の比[イソシアネート基当量／活性水素原子含有基当量]が、１．５〜２０．０の範囲であることを特徴とするポリウレタン発泡体シートの製造方法。
【請求項３】
加熱溶融させた、１,０００〜１０,０００の範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有し、分子末端にイソシアネート基を有するホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）と、ジオール（Ｂ）とを混合させて得られた液状混合物を、第一の離型性基材と第二の離型性基材の間に導入して連続的にシート状物を形成し、前記第一の離型性基材と前記第二の離型性基材のいずれか一方を剥離して、前記シート状物に直接水蒸気を接触させて前記シート状物を水発泡させるポリウレタン発泡体シートの製造方法であって、
前記ホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）のイソシアネート基当量に対する、前記ジオール（Ｂ）の活性水素原子含有基当量の比[イソシアネート基当量／活性水素原子含有基当量]が、１．５〜２０．０の範囲であることを特徴とするポリウレタン発泡体シートの製造方法。
【請求項４】
前記液状混合物が、前記加熱溶融させたホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）、前記ジオール（Ｂ）と、さらにウレタン化触媒（Ｃ）を混合させて得られたものである請求項１ないし３の何れか一項に記載のポリウレタン発泡体シートの製造方法。
【請求項５】
前記ホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）が、加水分解性アルコキシシリル基をも有するホットメルトウレタンプレポリマー（ａ−２）である、請求項１ないし３の何れか一項に記載のポリウレタン発泡体シートの製造方法。
【請求項６】
前記ホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）におけるイソシアネート基含有量が０．５〜１０．０重量％の範囲である、請求項１ないし３の何れか一項に記載のポリウレタン発泡体シートの製造方法。
【請求項７】
前記ウレタンプレポリマー（Ａ）が、１００〜１００,０００ｍＰａ・ｓの範囲のコーンプレート粘度計にて測定した１２５℃における溶融粘度を有する、請求項１ないし３の何れか一項に記載のポリウレタン発泡体シートの製造方法。
【請求項８】
加熱溶融させた、１,０００〜１０,０００の範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有し、分子末端にイソシアネート基を有するホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）と、ジオール（Ｂ）とを混合させて得られた液状混合物を基材上にシート状に塗布し、得られたシート状の前記液状混合物に水蒸気を接触させて前記液状混合物を水発泡させて得られたポリウレタン発泡体シートに、第三の基材を貼り合わせる積層体シートの製造方法であって、
前記ホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）のイソシアネート基当量に対する、前記ジオール（Ｂ）の活性水素原子含有基当量の比[イソシアネート基当量／活性水素原子含有基当量]が、１．５〜２０．０の範囲であることを特徴とする積層体シートの製造方法。
【請求項９】
加熱溶融させた、１,０００〜１０,０００の範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有し、分子末端にイソシアネート基を有するホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）と、ジオール（Ｂ）とを混合させて得られた液状混合物を基材上にシート状に塗布し、得られたシート状の前記液状混合物に第三の基材を貼り合わせて得られた積層体に、水蒸気を接触させて前記液状混合物を水発泡させる積層体シートの製造方法であって、
前記ホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）のイソシアネート基当量に対する、前記ジオール（Ｂ）の活性水素原子含有基当量の比[イソシアネート基当量／活性水素原子含有基当量]が、１．５〜２０．０の範囲であることを特徴とする積層体シートの製造方法。
【請求項１０】
加熱溶融させた、１,０００〜１０,０００の範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有し、分子末端にイソシアネート基を有するホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）と、ジオール（Ｂ）とを混合させて得られた液状混合物を、第一の離型性基材と第二の離型性基材の間に導入して連続的にシート状物を形成し、前記第一の離型性基材と前記第二の離型性基材のいずれか一方を剥離して、前記シート状物の剥離面及び／又は剥離されずに残っている前記第一又は第二の離型性基材に水蒸気を接触させて、前記シート状物を水発泡させて得られたポリウレタン発泡体シートの前記第一又は第二の離型性基材を剥離した面に、第三の基材を貼り合わせる積層体シートの製造方法であって、
前記ホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）のイソシアネート基当量に対する、前記ジオール（Ｂ）の活性水素原子含有基当量の比[イソシアネート基当量／活性水素原子含有基当量]が、１．５〜２０．０の範囲であることを特徴とする積層体シートの製造方法。
【請求項１１】
前記液状混合物が、前記加熱溶融させたホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）、前記ジオール（Ｂ）と、さらにウレタン化触媒（Ｃ）を混合させて得られたものである請求項８ないし１０の何れか一項に記載の積層体シートの製造方法。
【請求項１２】
前記ホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）が、加水分解性アルコキシシリル基をも有するホットメルトウレタンプレポリマー（ａ−２）である、請求項８ないし１０の何れか一項に記載の積層体シートの製造方法。
【請求項１３】
前記ホットメルトウレタンプレポリマー（Ａ）におけるイソシアネート基含有量が０．５〜１０．０重量％の範囲である、請求項８ないし１０の何れか一項に記載の積層体シートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
以下、図面を参照して本発明の積層体および該積層体を構成するシート状構造体の形状についてさらに詳しく説明する。図１は本発明に係わる積層体の断面図の一例であり、（Ａ）が凸部を有するシート状構造体であり、（Ｂ）が連続線状体のランダムなループ状またはカール状の隣接する線状体の相互を接触絡合してなる、空隙を有する三次元構造体である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
凸部の単位面積当たりの個数は、少なくなると荷重分散性が低下する傾向があり、一方、多くなると重量増加による取り扱い性、及び成形性が低下する傾向があるため、２０〜１２０個／１０００ｃｍ２が好ましく、より好ましくは３０〜１００個／１０００ｃｍ２である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
実施例１
熱可塑性エラストマーとして、（株）クラレ製「セプトン４０５５」（ビニル芳香族系エラストマー）８０重量部および（株）クラレ製「セプトン４０３３」２０重量部を混合したものに可塑剤としてプロセスオイル（出光石油社製の「ダイアナプロセスオイルＰＷ−９０」）を６００重量部、１５０℃に加熱しながら単軸押出機で混練した後、金型に流し込むことで、片面に複数の円錐台状の凸部を有するシート状構造体（Ａ）（ｔ１：５ｍｍ、ｔ２：１５ｍｍ、ｔ３：３０ｍｍ、ｔ４：２０ｍｍ、ｗ：６ｍｍ、凸部の個数：８１個／１０００ｃｍ２）を得た。また、このシート状構造体（Ａ）を１００℃に放冷後、熱可塑性樹脂として、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ：東ソー社製「ウルトラセン６２５」）を１００℃に溶融混練して、口径０．１ｍｍの多数の射出口より押し出し、ループ状にランダムに成形させながら水中で固化することにより得られた、厚さ（ｔ５）：５０ｍｍ、嵩密度０．５ｇ／ｃｍ３の三次元構造体シート（Ｂ）をシート状構造体（Ａ）を構成する凸部と熱融着により接触させることにより図１に示すような形態を有する積層体を得、袋体で被覆した。この積層体を用いて前記の試験方法による評価を行った。結果を表１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月17日(2004.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
足を載せることできる足載せ台を上面に有する筐体と、該足載せ台上に配置した上部エアセルからなる上部マッサージ部と、該筐体内に内蔵した下部エアセルとこの下部エアセルより突出する指圧突起からなる下部マッサージ部と、該下部マッサージ部を足載せ台に載せた足の長手方向に往復駆動する往復運動機構と、上記各エアセル及び往復運動機構を制御する制御部を具備し、足載せ台に載せる足のサイズに応じて下部マッサージ部の往復運動機構による往復運動範囲を変えられるように往復運動範囲の可変手段を設けたことを特徴とする足マッサージ機。
【請求項２】
上部エアセルを膨張させた状態でエアー圧にて足を両側から保持すると共に下部エアセルを膨張させて指圧突起を上方に突出させた状態で下部マッサージ部を往復運動させる駆動をするように制御する制御部を有することを特徴とする請求項１記載の足マッサージ機。
【請求項３】
下部マッサージ部に足載せ台の上の足の幅方向に複数の指圧突起を設けると共に土踏まず側の指圧突起の上方への突出量を多くしたことを特徴とする請求項１記載の足マッサージ機。
【請求項４】
指圧突起の先端を常に足載せ台より上に突出させたことを特徴とする請求項１記載の足マッサージ機。
【請求項５】
足載せ台上の足先先端用エアセルと、足先を押さえる足先カバーを有し、足先先端用エアセルの膨張収縮により足先部をマッサージするようにしたことを特徴とする請求項１記載の足マッサージ機。
【請求項６】
足載せ台上の足先先端用エアセルの上部に足をセットするための位置決め突起部を有することを特徴とする請求項５記載の足マッサージ機。
【請求項７】
足先カバーを着脱自在に装着したことを特徴とする請求項５記載の足マッサージ機。
【請求項８】
上部エアセルに下部マッサージ部とは別の指圧突起を有する物をバンドにて着脱自在に取り付けたことを特徴とする請求項１記載の足マッサージ機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
かかる足マッサージ機は足載せ台１の上に足を載せて使用するものであり、上部エアセル３にエアを供給して上部エアセル３を膨張収縮させることにより足の上部をマッサージができ、また下部エアセル５にエアを供給して下部エアセル５を膨張収縮させることにより指圧突起６を出し入れして足裏の指圧マッサージができ、また下部マッサージ部７を往復運動機構で移動させることにより足裏の各部の指圧マッサージができるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の足マッサージ機は、足を載せることできる足載せ台を上面に有する筐体と、該足載せ台上に配置した上部エアセルからなる上部マッサージ部と、該筐体内に内蔵した下部エアセルとこの下部エアセルより突出する指圧突起からなる下部マッサージ部と、該下部マッサージ部を足載せ台に載せた足の長手方向に往復駆動する往復運動機構と、上記各エアセル及び往復運動機構を制御する制御部を具備し、足載せ台に載せる足のサイズに応じて下部マッサージ部の往復運動機構による往復運動範囲を変えられるように往復運動範囲の可変手段を設けたことを特徴とする。往復運動範囲の可変手段にて下部マッサージ部が往復運動する範囲を足サイズに応じて変えて設定できる。これにより、マッサージする人の足サイズを超えて（踵を越えて）指圧突起が突出し、足の踵側を擦るというような危険な指圧がなくなり安全で且つ足サイズに合った最適な指圧マッサージができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
筐体２内には下部マッサージ部７を前後に往復駆動するための往復運動機構を内装してある。この往復運動機構は駆動モータ１０と、駆動モータ１０で回転駆動されるネジ軸１１と、ネジ軸１１を螺合した可動板１２とで構成されており、駆動モータ１０を駆動することによりネジ軸１１が螺合した可動板１２を前後に往復駆動することができるようになっている。この前後に往復駆動される可動板１２には下部マッサージ部７を搭載してあり、可動板１２の往復駆動にて下部マッサージ部７が往復駆動されるようになっている。この往復駆動機構及び各エアセル３，５は制御部で制御されて駆動されるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月9日(2004.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルアレイと、
クロックに同期してアドレスを取り込むアドレスレジスタと、
このアドレスレジスタに保持されたアドレスをデコードして前記メモリセルアレイのメモリセル選択を行うデコード回路と、
前記メモリセルアレイのデータ読み出しと前記メモリセルアレイへのデータ書き込みを行う読み出し／書き込み回路と、
前記メモリセルアレイの読み出し及び書き込みデータを前記クロックに同期して一時保持するデータレジスタと、
前記クロックに同期し且つ前記メモリセルアレイから読み出される出力データの伝搬遅延時間に対応する伝搬遅延時間をもって、データ出力を外部に知らせるための所定の期待値パターンからなるエコー信号を出力するエコー信号発生回路と
を有することを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
前記エコー信号発生回路は、
前記期待値パターンが書き込まれて前記メモリセルアレイと同時にアクセスされてエコー信号が読み出されるエコー信号用メモリセルアレイと、
このエコー信号用メモリセルアレイのデータ読み出しを行うエコー信号用読み出し回路と、
前記エコー信号用メモリセルアレイの読み出しデータを前記クロックに同期して一時保持するエコー信号用データレジスタと、
を有することを特徴とする請求項１記載の半導体メモリ装置。
【請求項３】
前記エコー信号発生回路は、
前記エコー信号用メモリセルアレイにデータを書き込む書き込み回路を有することを特徴とする請求項２記載の半導体メモリ装置。
【請求項４】
前記メモリセルアレイは、
複数本ずつの互いに交差するワード線とビット線、及びこれらのワード線とビット線の各交差部に配置されたメモリセルとを有し、
前記エコー信号用メモリセルアレイは、前記メモリセルアレイと共有される複数本のワード線とこれと交差する複数本のエコー信号用ビット線、及びこれらのワード線とエコー信号用ビット線の各交差部に配置されたメモリセルとを有することを特徴とする請求項２記載の半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記メモリセルアレイは、複数のセクションに分割され、前記エコー信号用メモリセルアレイは前記各セクション毎に設けられていることを特徴とする請求項２記載の半導体メモリ装置。
【請求項６】
前記エコー信号発生回路は、
前記所定の期待値パターンのエコー信号を出力するエコー信号源と、
このエコー信号源から出力されるエコー信号に所定の伝搬遅延時間を与えるために用意された、互いに異なる遅延時間を持つ複数の遅延回路と、
これらの遅延回路の一つを選択して前記エコー信号の伝搬遅延時間を設定するプログラム回路と
を有することを特徴とする請求項１記載の半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月2日(2004.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルトランジスタのソース、ドレイン間に強誘電体キャパシタを接続してユニットセルが構成され、第１の端子と第２の端子の間に複数個のユニットセルが直列接続されてセルブロックが構成され、各セルブロックの第１の端子がブロック選択トランジスタを介してビット線に接続され、各セルブロックの第２の端子がプレート線に接続され、前記各セルトランジスタのゲートがワード線に接続されたメモリセルアレイと、
前記ユニットセルの強誘電体キャパシタから前記ビット線に読み出される信号を検知増幅するセンスアンプ回路と、
前記プレート線を駆動するプレート線駆動回路と、
データ読み出し時、前記センスアンプ回路の活性化前に、前記ビット線に対して前記セルブロック内の選択されたユニットセルの位置に応じて異なるオフセット電圧を印加するオフセット電圧印加回路とを備え、
前記オフセット電圧印加回路は、選択されたユニットセルが接続されるビット線に対して、選択されたユニットセルのセルブロック内の位置がビット線から遠いほど高くなるオフセット電圧を与える
ことを特徴とする強誘電体メモリ。
【請求項２】
セルトランジスタのソース、ドレイン間に強誘電体キャパシタを接続してユニットセルが構成され、第１の端子と第２の端子の間に複数個のユニットセルが直列接続されてセルブロックが構成され、各セルブロックの第１の端子がブロック選択トランジスタを介してビット線に接続され、各セルブロックの第２の端子がプレート線に接続され、前記各セルトランジスタのゲートがワード線に接続されたメモリセルアレイと、
前記ユニットセルの強誘電体キャパシタから前記ビット線に読み出される信号を検知増幅するセンスアンプ回路と、
前記プレート線を駆動するプレート線駆動回路と、
データ読み出し時、前記センスアンプ回路の活性化前に、前記ビット線に対して前記セルブロック内の選択されたユニットセルの位置に応じて異なるオフセット電圧を印加するオフセット電圧印加回路とを備え、
前記オフセット電圧印加回路は、選択されたユニットセルが接続されるビット線と対をなす参照側のビット線に対して、選択されたユニットセルのセルブロック内の位置がビット線から遠いほど低くなるオフセット電圧を与える
ことを特徴とする強誘電体メモリ。
【請求項３】
前記オフセット電圧発生回路は、一端がビット線に接続された少なくとも一つのキャパシタの他端に駆動電圧を与えて、容量カップリングによりビット線にオフセット電圧を印加する
ことを特徴とする請求項１記載の強誘電体メモリ。
【請求項４】
セルトランジスタのソース、ドレイン間に強誘電体キャパシタを接続してユニットセルが構成され、第１の端子と第２の端子の間に複数個のユニットセルを直列接続してセルブロックが構成され、各セルブロックの第１の端子がブロック選択トランジスタを介してビット線に接続され、各セルブロックの第２の端子がプレート線に接続され、前記各セルトランジスタのゲートがワード線に接続されたメモリセルアレイと、
前記ユニットセルの強誘電体キャパシタから前記ビット線に読み出される信号を検知増幅するセンスアンプ回路と、
前記プレート線を駆動するプレート線駆動回路と、
スタンバイ時に前記セルブロックの内部ノードを、前記ビット線に読み出される二値データの信号電位の間にある第１の電位に設定するプリチャージ回路とを備え、
前記プリチャージ回路は、前記プレート線を介して各セルブロックの内部ノードを前記第１の電位にプリチャージするものであり、且つ前記プレート線駆動回路とプリチャージ回路とは、スタンバイ時に前記第１の電位を発生し、アクティブ時に選択されたユニットセルの強誘電体キャパシタに順次印加される、前記第１の電位より高い第２の電位及び前記第１の電位より低い第３の電位を発生する電圧発生回路として一体構成されている
ことを特徴とする強誘電体メモリ。
【請求項５】
セルトランジスタのソース、ドレイン間に強誘電体キャパシタを接続してユニットセルが構成され、第１の端子と第２の端子の間に複数個のユニットセルを直列接続してセルブロックが構成され、各セルブロックの第１の端子がブロック選択トランジスタを介してビット線に接続され、各セルブロックの第２の端子がプレート線に接続され、前記各セルトランジスタのゲートがワード線に接続されたメモリセルアレイと、
前記ユニットセルの強誘電体キャパシタから前記ビット線に読み出される信号を検知増幅するセンスアンプ回路と、
前記プレート線を駆動するプレート線駆動回路と、
データ読み出し時、選択されたセルブロックが接続されるビット線と対をなす参照ビット線に、選択されるユニットセルの位置に応じて異なる寄生容量を付加するように配置されたダミーセルブロックとを備えた
ことを特徴とする強誘電体メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月22日(2004.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄型半導体装置用配線基板、薄型半導体装置及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１に示すように、本実施形態（実施例）１の薄型半導体装置２００の全体外観は、配線基板１００の上面（表面）の所定位置に半導体装置を覆って保護するキャップ３００が設けられている。また、前記配線基板１００の裏面には、図１（ｂ）に示すように、表面に設けられている配線２Ａとスルホール配線２Ｂを通して接着されている複数の外部接続端子２Ｃが設けられ、複数の外部接続端子２Ｃのうち例えば電源（Ｖｃｃ，Ｖｓｓ）用等の特定の接続端子２Ｃ１と電気的に接続されている金属膜配線２Ｃ２が設けられている。前記外部接続端子２Ｃの機能は、例えば、信号端子（データ線：ＤＡＴ），基準電圧端子（Ｖｓｓ），クロック端子（ＣＬＫ），電源端子（Ｖｃｃ），コマンド端子（ＣＭＤ：データを読み書きさせるための命令を行う），チップセレクト端子（ＣＳ）である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１００…配線基板                    １００Ａ…多層配線基板
２００…本発明の薄型半導体装置      ３００…キャップ
１…薄い絶縁性基板                  ２Ａ…配線（Ｃｕメッキ）
２Ｂ…スルホール配線                ２Ｃ…外部接続端子（Ｃｕメッキ）
２Ｃ１…特定の外部接続端子          ２Ｃ２…金属膜配線
３…保護膜（ソルダーレジスト膜）    ４…ボンディングパッド
５…チップコンデンサ接続部          ６Ａ，６Ｂ…保護膜開口部
７Ａ，７Ｂ…第１種の半導体チップ（フラッシュメモリチップ）
８…第２種の半導体チップ（コントローラチップ）
９…金属ワイヤ（Ａｕワイヤ）
１０…ペレット付け材（Ａｇペースト又は接着テープ）
１１…封止材（レジン）              １２…キャップ付け材
１３…はんだボール
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
因みに、銀・ニッケライトは、アルカリ電池の正極活物質として作用し、良導電性を有していることが知られている（特公昭６２−１１４６０号公報、特開平８−１７１９０３号公報）。また、銀・ニッケライトにはＨ２ガスを吸収する作用があり、円筒形アルカリ電池において用いられることの報告もなされているが、本発明においては、上述した正極缶に負極カップが閉蓋されたいわゆる偏平型構成によるコイン型ないしはボタン型において、その負極カップの内面に限定的に錫による被覆層を形成する構成として、この電解液のクリープの生じ易い錫による被覆層の存在による電解液の這い上がりによる耐漏液の低下を回避することと、正極合剤として、銀・ニッケライト（ＡｇＮｉＯ２）を添加した構成とすることによる水素の吸収効果による内圧上昇の抑制効果とが相俟ってより確実に耐漏液を高めることができたものである。
すなわち、本発明構成によれば、仮に、錫の被覆層にピンホールや亀裂、不純物等が存在した場合においても、銀・ニッケライトの存在によって素早く、高い吸収能力をもって水素の吸収がなされることから、内圧の上昇が抑えられ、また、上述した電解液の這い上がりの改善によって耐漏液性が格段に改善される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
錫被覆層３４の厚さは、０．１５μｍ〜１００μｍに選定することが好ましい。これは、０．１５μｍ未満の厚さでは、この錫被覆層３４に、ピンホールが発生することが考えられ、集電体層３３を確実に被覆することができない場合が生じ、信頼性に問題が生じるおそれがあり、また、１００μｍを越えるとこの錫被覆層３４の効果の差がない上に、その形成に長時間と、コスト高を来し、また、電池内の容積の低下を来すなど、なんらその膜厚を大きくすることによる特段の利益が生じないことによる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上述した各実施例１〜７、比較例１および２による電池をそれぞれ２０個づつ用意した。これら電池を、オーブン内で、４５℃、相対湿度９３％の過酷環境下で保存し、１００日後、１２０日後、１４０日後、および１６０日後の漏液発生率について測定した結果を表１に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
表４から分かるように、正極合剤４中に、銀・ニッケライトが５重量％以上含まれる場合、漏液発生率は減少し、総高変化量ΔＨも減少する。
これは、正極合剤４に、水素ガス吸収速度がきわめて大きい銀・ニッケライトを添加したことで、電池内で亜鉛または亜鉛合金粉末から発生する水素ガスＨ２および亜鉛または亜鉛合金粉末が、銅の集電体層３３とアルカリ電解液を介して接触することにより集電体層から発生する水素ガスＨ２を吸収するので、このアルカリ電池の内圧が上昇せず漏液が抑制され、電池の膨れが抑制されるためと考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に被処理基板を載置する処理台と、前記被処理基板と対面する位置で電磁波を放射する平面板と、前記処理容器の外部又は内部にあって前記電磁波と相乗して所定のガスをプラズマ化するための磁場を形成する第１の磁場形成手段と、前記平面板の近傍にあって前記第１の磁場形成手段による磁場とは別の磁場を形成する第２の磁場形成手段とを具備し、前記第１の磁場形成手段による磁場と前記第２の磁場形成手段による磁場との合成により、前記平面板の近傍における磁力線方向を制御するよう構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１の磁場形成手段は、前記平面板の上下それぞれ５０ｍｍ以内の領域に、前記平面板に供給する電磁波の周波数に対し電子サイクロトロン共鳴条件を満足する磁場強度を生成するよう構成したことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第１の磁場形成手段で形成される磁場の磁力線の方向が、主に前記平面板から前記被処理基板の方向に向かう磁力線分布であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第２の磁場形成手段が、前記平面板の直上に形成されてなることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
処理容器内に被処理基板を載置する処理台と、前記被処理基板と対面する位置で電磁波を放射する平面板と、前記処理容器の外部または内部で前記電磁波と相乗してプラズマを生成するための磁場を形成する磁場形成手段と、前記平面板の表面に形成される電磁波電界ベクトルの大きさと向きに応じて前記磁場形成手段で形成される磁場の前記平面板上での方向を制御する手段とを具備して、所定のガスをプラズマ化して前記被処理基板に処理を施すよう構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
処理容器内に半導体ウエハを載置するための処理台と、前記半導体ウエハと対面する位置で電磁波を放射する平面板と、前記処理容器の外部又は内部にあって前記電磁波と相乗して所定のガスをプラズマ化するための磁場を形成する第１の磁場形成手段と、前記平面板の近傍にあって前記第１の磁場形成手段による磁場とは別の磁場を形成する第２の磁場形成手段とを具備し、前記第１の磁場形成手段による磁場と前記第２の磁場形成手段による磁場との合成により、前記平面板の近傍における磁力線方向を制御するプラズマ処理装置を用い、半導体ウエハ主面に形成された絶縁膜をエッチングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
（ａ）半導体基板主面に絶縁膜を形成する工程と、（ｂ）前記絶縁膜上に所定のパターンを有するマスクを形成する工程と、（ｃ）処理容器内であって、前記マスクが形成された半導体基板を処理台に設置し、前記マスクが形成された半導体基板面と対面する平面板より電磁波を放射させ、前記半導体基板面と前記平面板との間に前記電磁波と相乗してプラズマを生成するための磁場を形成し、前記平面板上での前記磁場の方向を制御し、前記マスクが形成されていないところの前記絶縁膜をエッチングし、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、（ｄ）前記開口部内に導体層を埋め込む工程と、から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法。
（ａ）ウエハの主面にシリコン窒化膜を形成する工程、（ｂ）前記シリコン窒化膜上にシリコン酸化膜を形成する工程、（ｃ）前記シリコン酸化膜上にパターン形成されたマスク膜を形成する工程、（ｄ）処理容器内であって、前記マスク膜が形成されたウエハを処理台に設置し、前記ウエハ主面と対面する平面板より電磁波を放射させ、前記ウエハ面と前記平面板との間に前記電磁波と相乗してプラズマを生成するための磁場を形成し、前記平面板内での磁場の方向を制御し、前記マスク膜が形成されていないところの前記シリコン酸化膜をエッチングし、前記シリコン窒化膜の一部が露出するように前記シリコン酸化膜に開口部を形成する工程、（ｅ）前記開口部内に導体層を埋め込む工程。
【請求項９】
被処理基板を載置する処理台と、前記被処理基板と対面する位置で電磁波を放射する平面板と、第１の磁場形成手段と、前記平面板の近傍にある第２の磁場形成手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記第１の磁場形成手段による磁場と前記第２の磁場形成手段による磁場との合成により、前記平面板の近傍における磁力線方向を制御するよう構成したことを特徴とする請求項９記載のプラズマ処理装置。