Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
［実施例１］
（バッチ法）ポリアミド形成成分はポリアミド６６形成成分（ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸との等モル塩）１６００ｋｇを用いた。該形成成分を含有する５０重量％水溶液に、末端封止剤として酢酸８２８ｇとヘキサメチレンジアミン８２８ｇを配合した。更にアルミン酸ナトリウム（（Ｎａ２Ｏ）Ｘ（Ａｌ２Ｏ３）Ｙ（Ｘ＋Ｙ＝１かつＹ／Ｘ＝０．５９））の３８重量％の水溶液７２６ｇ、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２）の１０重量％水溶液１３８０ｇ、シリコーン系消泡剤５５ｇを配合し濃縮槽に仕込み、約５０℃の温度条件で混合し窒素で置換した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
［実施例６］
（連続法）ポリアミド形成成分は、ポリアミド６６形成成分（ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸との等モル塩）を含有する５０重量％水溶液を用いた。該水溶液を約３０００Ｋｇ／ｈｒの速度で濃縮層／反応器に注入し、約９０％まで濃縮した。
次いでフラッシャーに排出し、圧力をゆっくり大気圧まで降圧した。次の容器に移送し、約２８０℃の温度、大気圧以下の条件下で保持した。次いで、ポリアミドは押し出されてストランドとなり、冷却、カッティングされペレットとなり、ポリアミド組成物を得た。該連続法の重合において、ポリアミド形成成分水溶液に次亜リン酸ナトリウム水溶液とアルミン酸ナトリウム（（Ｎａ２Ｏ）Ｘ（Ａｌ２Ｏ３）Ｙ（Ｘ＋Ｙ＝１かつＹ／Ｘ＝０．５９））水溶液とを配合した。
次亜リン酸ナトリウム及びアルミン酸ナトリウムのそれぞれの配合量は、ポリアミド形成成分に対して４１ｐｐｍ及び８１ｐｐｍになるように実施した。得られたポリアミド組成物の分子量（ＲＶ）は５０であった。また、カールフィッシャー法で測定した水分率は０．１０重量％であった。評価結果を表１に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
［実施例７］
（連続法）実施例５と同様な方法で実施した。但し、ポリアミド形成成分水溶液に次亜リン酸ナトリウム水溶液を配合し、また重合工程中のポリアミドにアルミン酸ナトリウム（（Ｎａ２Ｏ）Ｘ（Ａｌ２Ｏ３）Ｙ（Ｘ＋Ｙ＝１かつＹ／Ｘ＝０．５９））水溶液を配合した。評価結果を表１に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
［比較例３］
特開昭４９−１１６１５１号公報の実施例１に準じて実施した。ポリアミド形成成分は、ポリアミド６６形成成分（ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸との等モル塩）１６００ｋｇを用いた。該形成成分を含有する５０重量％水溶液に、末端封止剤として酢酸８２８ｇとヘキサメチレンジアミン８２８ｇを配合した。
更に粉末のアルミン酸ナトリウム（（Ｎａ２Ｏ）Ｘ（Ａｌ２Ｏ３）Ｙ（Ｘ＋Ｙ＝１かつＹ／Ｘ＝１．００））１３８０ｇ、シリコーン系消泡剤５５ｇを配合し、濃縮槽に仕込み約５０℃の温度条件で混合し窒素で置換した。以後の操作は実施例１と同様にして実施した。評価結果を表２に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
［実施例１０］
比較例１において得られたペレットに、粉末の次亜リン酸ナトリウム５００ｐｐｍと粉末のアルミン酸ナトリウム（（Ｎａ２Ｏ）Ｘ（Ａｌ２Ｏ３）Ｙ（Ｘ＋Ｙ＝１かつＹ／Ｘ＝０．８１）を１０００ｐｐｍになるようにブレンドし、２軸押出機（プラスチック工学研究所（株）製、２軸同方向スクリュー回転型、Ｌ／Ｄ＝６０（Ｄ＝３０φ））を用いて、スクリュー回転数１００ｒｐｍ、シリンダー温度２８０℃（先端ノズル付近のポリマー温度は２８５℃であった。）、レート３Ｋｇ／ｈｒ（滞留時間３分）、真空ポンプで５０ｔｏｒｒに減圧しながら押出を行った。
先端ノズルからストランド状にポリマーを排出し、水冷・カッティングを行い、ペレットとした。該ペレットを８０℃の窒素雰囲気下で乾燥した。評価結果を表３に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム合金からなる被処理部材の外周面に陽極酸化皮膜を形成する表面処理方法であって、
吐出口から噴出された電解液が、電解槽内で前記被処理部材の周囲を回転しながら流され、その後、前記電解槽から排出され、この排出された電解液が前記吐出口に戻される循環操作を行いながら、通電して前記被処理部材に陽極酸化処理を施すことを特徴とするアルミニウム合金の表面処理方法。
【請求項２】
前記被処理部材は、前記吐出口の噴出方向軸線上から外れた位置にあることを特徴とする請求項１に記載のアルミニウム合金の表面処理方法。
【請求項３】
前記吐出口から噴出された電解液が、前記被処理部材の周囲を下方から上方へ螺旋状に回転しながら流されることを特徴とする請求項１に記載のアルミニウム合金の表面処理方法。
【請求項４】
アルミニウム合金からなる被処理部材の外周面に部分的に陽極酸化皮膜を形成する表面処理装置であって、
陽極酸化皮膜が形成される前記被処理部材の被処理部位と他の部位とを液密的にシールするシール部材と、前記被処理部位に対して間隔を介して覆うように構成される中空状の電極と、電解液が流入する吐出口と、電解液が流出する排出口とを有する電解槽と、
前記吐出口から電解液を噴出させて前記被処理部位と前記電極との間に流し、前記排出口から電解液を排出させ、この電解液を前記吐出口に戻す電解液循環手段と、
前記電極と前記被処理部材とに通電する通電手段とを備え、
前記吐出口は前記電解槽の下部に配設されるとともに、前記排出口は前記電解槽の上部に配設され、前記吐出口から噴出された電解液が、前記被処理部材の周囲を下方から上方へ螺旋状に回転しながら前記被処理部位と前記電極との間を流されるよう構成されていることを特徴とするアルミニウム合金の表面処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに、帯状の基板接続用テープで基板の縁部同士を連結しエッチングおよびレジスト除去をするエッチングの方法が特願２００１−０１９５９６号に提案されている。この方法によると、プリント基板上面のエッチング液は搬送方向に対して直角方向にのみ流下するため、搬送方向に不均一なエッチング現象が明らかに抑制できるが、搬送中の引っ張り応力に耐えうるほど十分な強度を有する基板接続用テープが必要であった。これを解消すべく、本発明人は、特願２００２−１５６０２３号、同２００２−１６２４１６号に基板接続用テープを提案したが、エッチングの搬送距離が長かったり、搬送ロールと基板の接触部分が多かったりした場合には、搬送中の引っ張り応力が非常に大きくなるため、基板接続用テープに伸びや切断が生じ、結果として搬送ロールの汚染や基板のジャムが発生する問題が生じた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の基板接続用テープ１を基板縁部に貼り付け、基板を連結した状態の断面図を図２および図３に示す。例えば、図２に示すように、隣り合う各基板４の縁部同士を基板４の両面から基板接続用テープ１がまたがった形で、（Ｃ）粘着性層が基板４に接するように基板接続用テープ１を貼り付けて、各基板４を連結する。また、図３に示すように、基板４の片側のみから貼り付けることによって基板を連結しても良い。基板４の縁部と基板接続用テープ１が接する搬送方向の長さ（Ｌ１およびＬ２）は、基板４上に描かれる回路パターンの領域に基板接続用テープ１が重ならない程度に短くし、さらに、基板４同士がエッチング液噴出圧力や搬送中の引っ張り応力に耐えうる程度に長くする必要がある。Ｌ１とＬ２の距離は同一でなくてもよい。また、基板間距離Ｌ３の長さも、基板４同士がエッチング液噴出圧力や搬送中の引っ張り応力に耐え、基板４同士がエッチング部において分離せず、エッチング部およびレジスト除去部においてジャムせず、基板４を貼り付ける際に簡便な距離にすることが必要である。なお、ここでは、２つの例を挙げて基板接続用テープ１を基板４に貼り付けた状態を示したが、基板を接続して、エッチングのスプレー圧や引っ張り応力に耐え、回路パターンの領域に不良を発生させない貼り付け方であればどのような状態に貼り付けてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
比較例１
１０枚の両面銅張積層板（面積３４０ｍｍ×５１０ｍｍ、銅箔厚３５μｍ、基材厚み０．２ｍｍ）に回路形成用のドライフィルムをラミネートし、１００μｍのラインアンドスペースを有する画像が３×４の１２面づけの構成のマスクフィルムを用いて露光を実施した。次に、マイラーフィルムを剥離したのち、アルカリ現像処理を行って、未硬化領域のドライフィルムを除去し、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄溶液（４０℃、スプレー圧：３．０ｋｇ／ｃｍ2）でエッチング処理を行った。次に、レジスト除去（４０℃、３質量％の水酸化ナトリウム水溶液）を施した。なお、基板接続用テープは使用せず、基板を連結しなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記（１）乃至（５）の要件の満たすことを特徴とするインクジェット記録用インク。
（１）湿潤剤としてグリセリン、１，３−ブタンジオール、トリエチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、プロピレングリコール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリメチロールプロパン及びトリメチロールエタンから選ばれる少なくとも１種を含む
（２）顔料濃度が６ｗｔ％以上である
（３）炭素数８以上１１以下のポリオールまたはグリコールエーテルとアニオンまたはノニオン系界面活性剤を含む
（４）インクの粘度が５ｃｐｓ（２５℃）以上である
（５）水分量が５８ｗｔ％以下である
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
下記（１）〜（６）の要件を満すことを特徴とするインクジェット記録用インク。
（１）少なくとも１種の親水性基が直接に有機顔料の表面に結合された自己分散型有機顔料、及び／又は、少なくとも１種の親水性基が他の原子団を介して有機顔料の表面に結合された自己分散型有機顔料を含有する
（２）グリセリン、１，３−ブタンジオール、トリエチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、プロピレングリコール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリメチロールプロパン及びトリメチロールエタンから選ばれた少なくとも１種類以上の湿潤剤を含有する
（３）炭素数８以上のポリオール又はグリコールエーテルを含有する
（４）アニオン又はノニオン系界面活性剤を含有する
（５）水溶性有機溶剤、水を含有する
（６）２５℃におけるインク粘度が５ｃｐｓ（２５℃）以上である
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【課題を解決するための手段】
上記本発明の目的は以下の手段によって達成される。
即ち、本発明は、インクジェット記録装置よりインク液滴を飛翔させ、これを被記録材に付着させて記録を行うインクジェット記録用インクであって、
前記インクは、少なくとも顔料、湿潤剤、炭素数８以上１１以下のポリオール又はグリコールエーテルとアニオン又はノニオン系界面活性剤、及び水を含み、
該湿潤剤が、グリセリン、１，３−ブタンジオール、トリエチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、プロピレングリコール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタンから選ばれる少なくとも１種類を含み、
顔料の濃度が６ｗｔ％以上、好ましくは８ｗｔ％以上であり、
インク粘度が５ｃｐｓ以上、好ましくは８乃至２０ｃｐｓ（２５℃）の範囲にあり、
水分量が５８ｗｔ％以下、好ましくは５８乃至３８ｗｔ％の範囲にある
ことを特徴とする水性インクである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明は、上記水性インクであって、１電気信号により飛翔するインク液滴１個の体積（Ｍｊ）が５乃至４３ｐｌ（ピコリットル）、液滴の速さ（Ｖｊ）が６乃至２０ｍ／ｓｅｃ、周波数が１ＫＨｚ以上、解像度が３００ｄｐｉ以上の範囲でワンパス印字条件で使用されるのに有用なことを特徴とするインクジェット記録用インクである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、特にインクジェット記録用カラーインクに好適に用いられるインクジェット記録用インクは、有機顔料の表面に少なくとも１種の親水性基が直接若しくは他の原子団を介して結合された自己分散型有機顔料を含有するインクジェット用カラー顔料インクにおいて、
前記インクは、顔料、湿潤剤、炭素数８以上１１以下のポリオール又はグリコールエーテル、アニオン又はノニオン系界面活性剤、水溶性有機溶剤、水を少なくとも含み、
湿潤剤が、グリセリン、１，３−ブタンジオール、トリエチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、プロピレングリコール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタンから選ばれた少なく１種類以上を含み、
顔料濃度が６ｗｔ％以上、好ましくは８ｗｔ％以上であり、
インク粘度が５ｃｐｓ以上、好ましくは８〜２０ｃｐｓ（２５℃）の範囲にある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明の好ましい態様によれば、これらの共重合体は重量平均分子量が３，０００乃至５０，０００であるのが好ましく、より好ましくは５，０００乃至３０，０００、最も好ましくは７，０００乃至１５，０００である。分散剤の添加量は、顔料を安定に分散させ、本発明の他の効果を失わせない範囲で適宣添加されて良い。すなわち、分散剤の添加量は、顔料１重量部に対して０．０６〜３重量部の範囲が好ましく、より好ましくは０．１２５〜３重量の範囲である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
本発明における有機電界発光素子の層構成としては、例えば以下の例が挙げられる。
基板／陽極／発光層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／発光層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／陰極
基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
これら有機電界発光素子構造中の各有機層は、単層であっても、または２層以上の積層構造であっても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】含フッ素被膜形成用組成物及び該組成物の硬化物からなる被膜
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ヒドロキシル基または／およびカルボキシル基を有する含フッ素共重合体、
（ｂ）下記一般式（１）で表されるオルガノシラン類、下記一般式（２）で表されるアルミニウムアルコキシド類、下記一般式（３）で表されるチタンアルコキシド類又はジルコニウムアルコキシド類、及びそれらの部分縮合物及びそれらの加水分解物からなる群から選ばれる１種類以上の化合物、
（ｃ）錯体
及び
（ｄ）前記（ａ）含フッ素共重合体を溶解可能な有機溶媒
を含有する含フッ素被膜形成用組成物において、
前記（ｃ）錯体が、アルミニウム錯体、チタン錯体及びジルコニウム錯体からなる群から選ばれる１種類以上の金属錯体であることを特徴とする含フッ素被膜形成用組成物。
【化１】
2004043585.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうちの１〜４つは、それぞれ独立的に、（ａ）水酸基、アルコキシル基、アリールオキシ基及びアシルオキシ基から成るＡ群から選ばれる基を表わし、残りは、（ｂ）水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、一部の水素原子がハロゲン原子、芳香族基、脂環基、エポキシ基、ビニル基、メルカプト基及びアミノ基からなる群から選ばれる基で置換されたアルキル基の部分の炭素原子数が１〜８のアルキル基からなるＢ群から選ばれる基を表わす。）
【化２】
2004043585.tif 000002
（式中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立的に、水素原子、アルキル基、アリール基又はアシル基を表わす。）
【化３】
2004043585.tif 000003
（式中、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は、水素原子、アルキル基、アリール基又はアシル基を表わす。Ｍは、チタン又はジルコニウムを表わす。）
【請求項２】
前記（ｂ）成分が、前記一般式（１）で表わされる化合物と、前記一般式（２）で表わされる化合物及び／又は前記一般式（３）で表わされる化合物とを含有する請求項１に記載の含フッ素被膜形成用組成物。
【請求項３】
請求項１又は２記載の含フッ素被膜形成用組成物の硬化物からなることを特徴とする被膜。
【請求項４】
請求項３記載の被膜からなることを特徴とする反射防止膜。
【請求項５】
請求項３記載の被膜からなることを特徴とする光触媒膜。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、（ａ）ヒドロキシル基または／およびカルボキシル基を有する含フッ素共重合体、（ｂ）オルガノシラン類、アルミニウムアルコキシド類、チタンアルコキシド類、ジルコニウムアルコキシド類、それらの部分縮合物及びそれらの加水分解物からなる群から選ばれる１種類以上の化合物、（ｃ）錯体及び（ｄ）前記（ａ）含フッ素共重合体を溶解可能な有機溶媒を含有する含フッ素被膜形成用組成物において、前記（ｃ）錯体が、アルミニウム錯体、チタン錯体及びジルコニウム錯体からなる群から選ばれる１種類以上の金属錯体である含フッ素被膜形成用組成物を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
＜（ｂ）成分＞
本発明で使用する（ｂ）成分は、オルガノシラン類、アルミニウムアルコキド類、チタンアルコキシド類、ジルコニウムアルコキシド類、それらの部分縮合物及びそれらの加水分解物からなる群から選ばれる化合物を単独で、あるいは２種類以上を併用して用いられる。これらの化合物の中でも、オルガノシラン類としては、下記一般式（１）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【化４】
2004043585.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうちの１〜４つは、それぞれ独立的に、（ａ）水酸基、アルコキシル基、アリールオキシ基及びアシルオキシ基から成るＡ群から選ばれる基を表わし、残りは、（ｂ）水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、一部の水素原子がハロゲン原子、芳香族基、脂環基、エポキシ基、ビニル基、メルカプト基及びアミノ基からなる群から選ばれる基で置換されたアルキル基の部分の炭素原子数が１〜８のアルキル基からなるＢ群から選ばれる基を表わす。）
で表される化合物が好ましく、アルミニウムアルコキシド類としては、下記一般式（２）
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【式５】
2004043585.tif 000005
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（式中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立的に、水素原子、アルキル基、アリール基又はアシル基を表わす。）
で表わされる化合物が好ましく、さらに、チタンアルコキシド類及びジルコニウムアルコキシド類としては、下記一般式（３）
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【式６】
2004043585.tif 000006
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記一般式（１）で表わされる化合物の如きオルガノシラン類としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシランの如きテトラアルコキシシラン類；テトラフェノキシシランの如きテトラアリールシラン類；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシランの如きアルキルトリアルコキシシラン類；ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランの如きアルケニルトリアルコキシシラン類；ビニルトリアセトキシシランの如きアルケニルトリアシロキシシラン類；
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、オルガノシラン類の部分縮合物としては、例えば、テトラアルコキシシラン類の部分縮合物、アルキルアルコキシシラン類の部分縮合物、などが挙げられる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
オルガノシラン類の加水分解物の市販品としては、例えば、コルコート社製の「ＨＡＳ１」、「ＨＡＳ６」、「ＨＡＳ１０」、東レ・ダウコーニング社製の「ＤＣ６−２２３０」、「ＳＨ６０１８」、などが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体を過酸化物で架橋してなり、かつ金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、ふっ素ゴム成形体。
【請求項２】
更に、電離性放射線照射による架橋が施されていることを特徴とする、請求項１記載のふっ素ゴム成形体。
【請求項３】
更に、超純水による洗浄の後、１５０℃以上の温度で加熱処理されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のふっ素ゴム成形体。
【請求項４】
架橋助剤としてトリアリルイソシアヌレートが、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体１００質量部に対して０．１〜２０質量部配合されていることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体。
【請求項５】
１００℃の温度に３０分間保持された際の放出ガス量が３ｐｐｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体。
【請求項６】
金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下に調整されたテトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体と、過酸化物架橋剤、または、過酸化物架橋剤及び架橋助剤を含む混合物を、加熱成形して架橋体とすることを特徴とするふっ素ゴム成形体の製造方法。
【請求項７】
架橋体に、更に電離性放射線を照射することを特徴とする請求項７記載のふっ素ゴム成形体の製造方法。
【請求項８】
更に、超純水による洗浄の後、１５０℃以上の温度で加熱処理を施すことを特徴とする請求項６または７記載のふっ素ゴム成形体の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜５の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体からなることを特徴とする、半導体製造装置用または半導体搬送装置用ゴム材料。
【請求項１０】
請求項１〜５の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体からなることを特徴とする、食品製造装置用、食品移送器用または食品貯蔵器用ゴム材料。
【請求項１１】
請求項１〜５の何れか一項に記載のふっ素ゴム成形体からなることを特徴とする、医療部品用ゴム材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
即ち、本発明は、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体を過酸化物で架橋してなり、かつ金属成分の含有量が、金属元素に基づく量で５０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするふっ素ゴム成形体である。好ましくは、これらの過酸化物架橋された成形体に電離性放射線照射、更には超純水による洗浄及び加熱処理を施してなるふっ素ゴム成形体である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、架橋助剤等を併用しても良い。架橋助剤としては、例えば、硫黄、ｐ−キノンジオキシム、ｐ，ｐ´−ジベンゾイルキノンジオキシム、ラウリルメタアクリレート、エチレングリコールアクリルレート、トリエチレングリコールジメタアクリルレート、テトラエチレングリコールジメタクリルレート、ポリエチレングリコールジメタクリルレート、トリメチロールプロペントリメタアクリルレート、メチロールメタアクリルレート、ジアリールフマレート、ジアリールフタレート、テトラアリールオキシエタン、トリアリールシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、マレイミド、フェニルマレイミド、Ｎ，Ｎ′−ｍ−フェニレンビスマレイミド、無水マレイン酸、イタコン酸、ジビニルベンゼン、ビニルトルエン、１，２−ポリブタジエン等が挙げられ、特にトリアリルイソシアヌレートが望ましい。これらをゴム重量１００質量部に対して０．１〜１０質量部、より好ましくは１〜１０質量部配合することにより、高い強度のふっ素ゴム成形体が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明のふっ素ゴム成形体には、ポリテトラフロロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂等の有機充填剤、あるいは綿、レーヨン、ナイロン、ポリエステル等の補強用繊維を配合しても良い。複数の充填剤を併用することも可能である。これら配合物を含有させることにより、本発明のふっ素ゴム成形体の強度、硬度を高めることが出来る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
C2F4／C3H6のモル比を８５／１５に調整したテトラフロロエチレンとプロピレンとの混合ガス８．２ｇを、上記触媒含有水性媒体を貯留したオートクレーブ内に仕込み、２５℃に調整した恒温槽内でオートクレーブを振蘯することにより共重合反応を実施した。その結果、共重合反応速度１２０ｇ／Ｌ・ｈｒでC2F4／C3H6含有モル比５５／４５、分子量１３．３万のテトラフロロエチレン−プロピレン系共重合体ラテックスが得られた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
次に、この生ゴムをギアオーブンにて３００℃、８時間の熱処理を行った。また、以下の架橋成形を試行した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（評価項目と方法）
○含有金属元素の定性、定量分析：架橋成形体１ｇを白金坩堝に量り取り、バーナーで加熱分解し、残渣に３０質量％塩酸１０ｍＬを加え、加熱溶解し、水で５０ｍＬに定容した。かくして得られた溶液を誘導結合プラズマ発光分光分析法（ICP−AES）により含有金属の定性、定量分析を行った。
○放出ガスの定性、定量分析：パージ＆トラップ−ガスクロマトグラフ質量分析法にて、加熱条件は１００℃、３０分間とし、パージガスとしてはＨｅを使用した。定量は標準物質としてｎ−デカンを使用した。
○硬さ：JIS K 6253 に準拠した。
○引張強さ、切断時伸び、１００％伸び時の引張応力：JIS K 6251 に準拠した。ダンベルは３号とした。
○圧縮永久歪み：JIS K 6262 に準拠した。条件は２００℃、７０時間とした。
結果を表１に示す。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【表１】
2004043736.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月15日(2005.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
繊維状充填剤（Ｈ）が炭素繊維である請求項１又は２記載の繊維強化難燃性樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
るつぼ内の融液を加熱し、不純物が添加された種結晶を融液に着液させ、前記種結晶を引き上げることにより単結晶半導体を製造する単結晶半導体の製造装置において、
着液する際の種結晶と融液との温度差が、種結晶中に転位が導入されない許容温度差になるように、許容温度差と種結晶の直径と種結晶中の不純物濃度との関係を予め設定し、
前記関係に基づいて、着液しようとする種結晶の直径、種結晶中の不純物濃度に対応する許容温度差を求め、
種結晶が融液に着液する際に、種結晶と融液との温度差が、求めた許容温度差以下になる熱反射板を、種結晶の近傍に取り付けたこと
を特徴とする単結晶半導体の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
第９発明は、
るつぼ内の融液を加熱し、不純物が添加された種結晶を融液に着液させ、前記種結晶を引き上げることにより単結晶半導体を製造する単結晶半導体の製造装置において、
着液する際の種結晶と融液との温度差が、種結晶中に転位が導入されない許容温度差になるように、許容温度差と種結晶の直径と種結晶中の不純物濃度との関係を予め設定し、
前記関係に基づいて、着液しようとする種結晶の直径、種結晶中の不純物濃度に対応する許容温度差を求め、
種結晶が融液に着液する際に、種結晶と融液との温度差が、求めた許容温度差以下になる熱反射板を、種結晶の近傍に取り付けたこと
を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
光学部品の仕上がり状態を改善する目的で、光学部品を純水等で洗浄することが知られている(例えば、特開平6-230325号公報参照)。
また、ガラス光学素子の製造方法として、ガラス光学素子をプレス成形し、研削、研磨等の処理を行わない方法が広く実用されている。そして、この光学素子の製造方法に用いられるガラス光学素子素材をプレス成形前に洗浄することも知られている。例えば、特開平７−２９１６３８号公報には、成形用硝子素材を、10Pa以下の減圧下、ガラス転移点以上の温度で予備加熱し、ついでｐH10以上のアルカリ性水溶液又はｐH2〜4の酸性水溶液で洗浄することにより、ガラス素材の表面付近に予備加熱により付着堆積した揮発成分を除去し、精密成形による融着や曇りを防止することが記載されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
そして、表面の適度な変質層とは、ガラスに含まれる揮発成分（例えばB2O3）及び反応性成分（例えば、アルカリ金属及びBa、Caなどのアルカリ土類金属）が少なく、Ｓｉ等のガラスの骨格を形成する成分を主体とする層のことである。適度な変質層は、プレス成形における融着や曇りを防止する効果もある。本発明の洗浄水による洗浄により形成される変質層の厚みは、およそ4〜12nmであることが好ましい。変質層の厚みはXPSにより測定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を読み取り、第１の画像データを発生する読み取り手段と、
外部装置より第２の画像データを受信する受信手段と、
階調補正用の基準パターンデータを発生する発生手段と、
前記第１または第２の画像データに基づいて記録媒体に前記基準パターンデータに基づく基準パターン画像を記録する記録手段と、
前記記録手段により前記基準パターン画像が記録された記録媒体を、前記読み取り手段を用いて読み取って、該基準パターン画像の濃度を検出する第１の濃度検出手段と、
前記記録手段の内部に設けられ、前記基準パターン画像の濃度を検出する第２の濃度検出手段と、
前記第１の濃度検出手段で検出した濃度に基づいて、前記第１の画像データに対する記録条件を最適化する第１の最適化手段と、
前記第２の濃度検出手段で検出した濃度に基づいて、前記第２の画像データに対する記録条件を最適化する第２の最適化手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第２の濃度検出手段は、電子写真方式の前記記録手段が備える感光体上に記録された基準パターン画像の濃度を検出することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の最適化手段は、それぞれ前記第１及び第２の画像データが表わす画像の濃度調整を行う第１及び第２の濃度調整手段を含むことを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の濃度調整手段は、ルックアップテーブルで構成されることを特徴とする請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記記録手段は、前記受信手段を介して入力された画像データの表わす画像を記録するとき、その画像の低濃度における見かけの解像度を、前記読み取り手段により読み込んだ画像を記録するときより低下させる解像度変更手段を含むことを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第１の最適化手段の実行時の基準パターン画像と前記第２の最適化手段の実行時の基準パターン画像とは異なる画像であることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項７】
更に、オペレータへのメッセージを表示する表示手段を備え、
前記第２の最適化手段により前記第１の最適化手段による最適化が必要か否かを判断し、必要だと判断したときに前記表示手段によりその旨を報知することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項８】
記録媒体に画像を記録する記録条件を最適化する画像処理方法であって、
原稿を読み取り、第１の画像データを発生する読み取り工程と、
外部装置より第２の画像データを受信する受信工程と、
階調補正用の基準パターンデータを発生する発生工程と、
前記第１または第２の画像データに基づいて記録媒体に前記基準パターンデータに基づく基準パターン画像を記録する記録工程と、
前記記録工程により前記基準パターン画像が記録された記録媒体を読み取って、該基準パターン画像の濃度を検出する第１の濃度検出工程と、
前記記録工程による記録時に、前記基準パターン画像の濃度を検出する第２の濃度検出工程と、
前記第１の濃度検出工程で検出した濃度に基づいて、前記第１の画像データに対する記録条件を最適化する第１の最適化工程と、
前記第２の濃度検出工程で検出した濃度に基づいて、前記第２の画像データに対する記録条件を最適化する第２の最適化工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
原稿読み取り部で読み取られた原稿に基づいて像形成を行う複写モードと、外部から受信した画像データに基づいて像形成を行うプリンタモードを備える画像形成装置であって、
階調補正用の第１及び第２の基準パターンデータを発生する発生手段と、
前記発生手段により発生した前記第１の基準パターンデータに基づいて形成された第１の基準パターン画像の濃度を測定し、前記複写モード用の階調補正データを作成する第１の階調補正データ作成手段と、
前記発生手段により発生した前記第２の基準パターンデータに基づいて形成された第２の基準パターン画像の濃度を測定し、前記プリンタモード用の階調補正データを作成する第２の階調補正データ作成手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
即ち、原稿を読み取り、第１の画像データを発生する読み取り手段と、外部装置より第２の画像データを受信する受信手段と、階調補正用の基準パターンデータを発生する発生手段と、前記第１または第２の画像データに基づいて記録媒体に前記基準パターンデータに基づく基準パターン画像を記録する記録手段と、前記記録手段により前記基準パターン画像が記録された記録媒体を、前記読み取り手段を用いて読み取って、該基準パターン画像の濃度を検出する第１の濃度検出手段と、前記記録手段の内部に設けられ、前記基準パターン画像の濃度を検出する第２の濃度検出手段と、前記第１の濃度検出手段で検出した濃度に基づいて、前記第１の画像データに対する記録条件を最適化する第１の最適化手段と、前記第２の濃度検出手段で検出した濃度に基づいて、前記第２の画像データに対する記録条件を最適化する第２の最適化手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
即ち、記録媒体に画像を記録する記録条件を最適化する画像処理方法であって、原稿を読み取り、第１の画像データを発生する読み取り工程と、外部装置より第２の画像データを受信する受信工程と、階調補正用の基準パターンデータを発生する発生工程と、前記第１または第２の画像データに基づいて記録媒体に前記基準パターンデータに基づく基準パターン画像を記録する記録工程と、前記記録工程により前記基準パターン画像が記録された記録媒体を読み取って、該基準パターン画像の濃度を検出する第１の濃度検出工程と、前記記録工程による記録時に、前記基準パターン画像の濃度を検出する第２の濃度検出工程と、前記第１の濃度検出工程で検出した濃度に基づいて、前記第１の画像データに対する記録条件を最適化する第１の最適化工程と、前記第２の濃度検出工程で検出した濃度に基づいて、前記第２の画像データに対する記録条件を最適化する第２の最適化工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月22日(2004.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置およびそれが組み込まれた装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示部とイメージセンサとが同一の絶縁基板に形成されている電気光学装置であって、
前記イメージセンサの上方には第１の導電材料が設けられ、前記イメージセンサの下方には第２の導電材料が設けられ、
前記第１の導電材料および前記第２の導電材料は等電位であり、前記第１の導電材料の電位および前記第２の導電材料の電位は固定電位であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
透過型の液晶表示部とイメージセンサとが同一の絶縁基板に形成されている電気光学装置であって、
前記イメージセンサの上方には第１の導電材料が設けられ、前記透過型の液晶表示部の下を除く前記イメージセンサの下方には第２の導電材料が設けられ、
前記第１の導電材料および前記第２の導電材料は等電位であり、前記第１の導電材料の電位および前記第２の導電材料の電位は固定電位であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
反射型の液晶表示部とイメージセンサとが同一の絶縁基板に形成されている電気光学装置であって、
前記イメージセンサの上方には第１の導電材料が設けられ、前記イメージセンサおよび前記反射型の液晶表示部の下方には第２の導電材料が設けられ、
前記第１の導電材料および前記第２の導電材料は等電位であり、前記第１の導電材料の電位および前記第２の導電材料の電位は固定電位であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１において、前記液晶表示部は反射型の液晶表示部であって、
前記イメージセンサの下方に設けられている第２の導電材料は、前記反射型の液晶表示部の下を除く領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記イメージセンサの下方かつ前記イメージセンサが形成されている前記絶縁基板の裏に第３の導電材料が設けられており、
前記第１の導電材料、前記第２の導電材料、および前記第３の導電材料は等電位であり、前記第１の導電材料の電位、前記第２の導電材料の電位、および前記第３の導電材料の電位は固定電位であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記イメージセンサの下方かつ前記イメージセンサが形成されている前記絶縁基板の端面に第４の導電材料が設けられており、
前記第１の導電材料、前記第２の導電材料、および前記第４の導電材料は等電位であり、前記第１の導電材料の電位、前記第２の導電材料の電位、および前記第４の導電材料の電位は固定電位であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
高周波回路と請求項１乃至６のいずれか一に記載の電気光学装置が組み込まれた装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
すなわち、検出体７の光遮蔽部７ａ、光透過スリット部７ｂの幅Ｔ１，Ｔ２を小さくできれば、パルス信号の検出を細かくできるが、製作上限界がある。このため、光センサ９，１０がどちらか１個の場合は、Ｔ１ｍｍ間隔でしかパルス信号を得られないが、光センサ９，１０を２個配置して中心間距離Ｌ１をｎ（Ｔ１＋Ｔ２）＋（１／４）・（Ｔ１＋Ｔ２）ｍｍとすることにより、図４に示すごとく、（１／４）・（Ｔ１＋Ｔ２）ｍｍ間隔でパルス信号を得ることができ、精度の高い制御が可能となるためである。すなわち、Ｔ１＋Ｔ２＝２．３＋１．７＝４ｍｍの場合には、１ｍｍ間隔でパルス信号を得ることができるためである。なお、Ｔ１＝２．３ｍｍ、Ｔ２＝１．７ｍｍとしたのは、光センサ９，１０の回析・応答時間などから正確な等間隔のパルスを得るためである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1999098878.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦチューナ及びこれに続く少なくとも二つのＳＡＷフィルタを具え、前記ＲＦチューナが、その入力部に供給された無線周波テレビジョン信号をフィルタ処理するとともに、それを、前記ＳＡＷフィルタに結合した中間周波信号に変換するテレビジョン信号受信機において、前記ＲＦチューナが、前記中間周波数に変換されたＩＦテレビジョン信号を発生させる少なくとも二つの出力部を有し、各出力部を、関連の出力部が固定された基準電位に切替自在となるようにスイッチに関連させ、前記ＲＦチューナが前記少なくとも二つのＳＡＷフィルタに先行する度に、前記二つのＳＡＷフィルタの第１入力部を前記ＲＦチューナの第１出力部に結合するとももに、前記二つのＳＡＷフィルタの第２入力部を前記ＲＦチューナの第２出力部に結合し、前記テレビジョン信号受信機のフィルタ特性を切り替える際に、前記ＲＦチューナの出力部及びそれに結合した前記ＳＡＷフィルタの入力部を、関連のスイッチによって前記基準電位に結合することができるようにしたことを特徴とするテレビジョン信号受信機。
【請求項２】
前記ＳＡＷフィルタの少なくとも一つを、その入力部のいずれを基準データ位置に結合するかに依存してそのフィルタ特性を変えるようにして実現し、前記ＳＡＷフィルタのフィルタ特性を、前記ＲＦチューナの出力部に関連したスイッチによって切替自在となるようにしたことを特徴とする請求項１記載のテレビジョン信号受信機。
【請求項３】
前記ＳＡＷフィルタの少なくとも一つを、その入力部のいずれを基準電位に結合するかに依存して前記フィルタを遮断することができるように実現し、前記ＳＡＷフィルタを、前記ＲＦチューナの出力部に関連したスイッチによって遮断できるようにしたことを特徴とする請求項１又は２記載のテレビジョン信号受信機。
【請求項４】
前記テレビジョン信号受信機を、相違する伝送基準のテレビジョン信号を受信するマルチスタンダードテレビジョン信号受信機とし、前記ＳＡＷフィルタ及び相違する伝送基準のＩＦテレビジョン信号のフィルタ特性をスイッチによって切替自在となるようにしたことを特徴とする請求項１記載のテレビジョン信号受信機。
【請求項５】
ＲＦチューナの両出力部及び関連のスイッチを集積回路上で実現したことを特徴とする請求項１から４のうちのいずれかに記載のテレビジョン信号受信機。
【請求項６】
請求項１から５のうちのいずれかに記載のテレビジョン信号受信機を有することを特徴とするテレビジョン装置。
【請求項７】
請求項１から５のうちのいずれかに記載のテレビジョン信号受信機を有することを特徴とするビデオレコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月24日(2004.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル伝送路より供給されるデジタル映像信号と前記デジタル映像信号のフレーム周期を示すフレーム周期信号とを入力する入力手段と、
所定周波数のクロックを分周して水平同期期間に対応した第１の信号を発生する第１の分周手段と、
前記第１の信号を分周して垂直同期期間に対応した第２の信号を発生する第２の分周手段と、
前記第１の信号と第２の信号とを用いて前記入力手段により入力されたデジタル映像信号を出力する出力手段と、
前記入力手段により入力されたフレーム周期信号と前記第２の信号との位相差に基づいて前記第１の分周手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は１フレーム期間中、第１の期間においては前記第１の分周手段の分周比を所定の分周比とし、第２の期間においては前記位相差に基づいて決定した分周比とするべく前記第１の分周手段を制御することを特徴とする信号処理装置。
【請求項２】
前記出力手段は、前記入力手段により入力されたデジタル映像信号を記憶するメモリと、前記第１の信号及び第２の信号に従って前記メモリに記憶されたデジタル映像信号を読み出す読み出し手段とを有することを特徴とする請求項１記載の信号処理装置。
【請求項３】
前記第１の分周手段は前記クロックをカウントすると共にカウント値が設定値になった際に前記第１の信号を出力するカウンタを有し、前記制御手段は前記第２の期間において前記位相差に基づいて前記設定値を変更することを特徴とする請求項１記載の信号処理装置。
【請求項４】
前記制御手段は更に、前記位相差に応じて前記第２の分周手段を制御することを特徴とする請求項１記載の信号処理装置。
【請求項５】
前記第２の分周手段は前記第１の信号をカウントすると共にカウント値が設定値に達したことに応じて前記第２の信号を出力するカウンタを有し、前記制御手段は前記位相差に基づいて前記設定値を変更することを特徴とする請求項４記載の信号処理装置。
【請求項６】
前記第２の期間は垂直ブランキング期間であることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の信号処理装置。
【請求項７】
前記デジタル映像信号がＩＥＥＥ１３９４フォーマットに従う信号であることを特徴とする請求項１記載の信号処理装置。
【請求項８】
前記出力手段は、前記第１の信号と第２の信号とを用いて前記デジタル映像信号に対して水平同期信号及び垂直同期信号を付加すると共にアナログ映像信号に変換して外部モニタ装置に出力することを特徴とする請求項１記載の信号処理装置。
【請求項９】
デジタル伝送路より供給されるデジタル映像信号と前記デジタル映像信号のフレーム周期を示すフレーム周期信号とを入力する入力手段と、
所定周波数のクロックをカウントすると共にカウント値が第１の設定値に達したことに応じて水平同期期間に対応した第１の信号を発生する第１のカウンタと、
前記第１の信号をカウントすると共にカウント値が第２の設定値に達したことに応じて垂直同期期間に対応した第２の信号を発生する第２のカウンタと、
前記第１の信号と第２の信号とを用いて前記デジタル映像信号を出力する出力手段と、
前記入力手段により入力されたフレーム周期信号と前記第２の信号との位相差に基づき、前記第２の設定値を変更する制御手段とを備えた信号処理装置。
【請求項１０】
前記制御手段は更に、１フレーム期間における垂直ブランキング期間以外の期間においては前記第１の設定値を所定値に設定し、前記垂直ブランキング期間に相当する期間においては前記第１の設定値を前記位相差に基づいて決定した値とすることを特徴とする請求項９記載の信号処理装置。
【請求項１１】
前記入力手段により入力されたデジタル映像信号を復号してその情報量を伸長する復号手段と、前記復号手段により復号されたデジタル映像信号を記憶するメモリとを備え、前記出力手段は、前記第１の信号及び第２の信号に従って前記メモリに記憶されたデジタル映像信号を読み出す読み出し手段を有することを特徴とする請求項９記載の信号処理装置。
【請求項１２】
前記出力手段は、前記第１の信号と第２の信号とを用いて前記メモリから読み出されたデジタル映像信号に対して水平同期信号及び垂直同期信号を付加すると共にアナログ映像信号に変換して外部モニタ装置に出力することを特徴とする請求項１１記載の信号処理装置。
【請求項１３】
前記デジタル映像信号がＩＥＥＥ１３９４フォーマットに従う信号であることを特徴とする請求項１記載の信号処理装置。
【請求項１４】
デジタル伝送路よりフレーム周期信号とともに供給されるデジタルビデオ信号を入力する入力手段と、
前記入力手段により入力されたデジタルビデオ信号をモニタ装置にてモニタ可能な形態に変換して出力する出力手段と、
前記入力手段により入力されたフレーム周期信号と前記出力手段により出力されるビデオ信号のフレーム周期との差を検出する検出手段と、
前記検出手段の出力に応じて前記出力手段より出力されるビデオ信号の垂直ブランキング期間の長さを変更する制御手段とを備える信号処理装置。
【請求項１５】
前記入力手段により入力されたデジタルビデオ信号を復号してその情報量を伸長する復号手段を備え、前記出力手段は前記復号手段により復号されたデジタルビデオ信号に対して水平同期信号と垂直同期信号を付加すると共にアナログビデオ信号に変換して出力することを特徴とする請求項１４記載の信号処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前述の如き問題を解決し、前記目的を達成するため、本発明は、デジタル伝送路より供給されるデジタル映像信号と前記デジタル映像信号のフレーム周期を示すフレーム周期信号とを入力する入力手段と、所定周波数のクロックを分周して水平同期期間に対応した第１の信号を発生する第１の分周手段と、前記第１の信号を分周して垂直同期期間に対応した第２の信号を発生する第２の分周手段と、前記第１の信号と第２の信号とを用いて前記入力手段により入力されたデジタル映像信号を出力する出力手段と、前記入力手段により入力されたフレーム周期信号と前記第２の信号との位相差に基づいて前記第１の分周手段を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は１フレーム期間中、第１の期間においては前記第１の分周手段の分周比を所定の分周比とし、第２の期間においては前記位相差に基づいて決定した分周比とするべく前記第１の分周手段を制御する構成とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
読み出し制御回路１１５は、デジタルＩ／Ｆからの外部ＦＲ信号を用いてメモリ１１１の読みだしアドレスを生成すると共に、後述の如く内部Ｈ信号及び内部フレーム信号（以下内部ＦＲ信号）を生成して出力回路１１３に出力する。出力回路１１３は読み出し制御回路１１５からの読み出しアドレスに従って読み出された映像信号に対して、デジタルＩ／Ｆ１１７より出力された内部Ｈ信号、内部ＦＲ信号を用いて水平・垂直同期信号を付加してモニタ２０に出力する。