【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素化樹脂と非芳香族フォト酸発生剤化合物を含んでなるフォトレジスト組成物。
【請求項２】
フッ素化樹脂とＮ−スルホニルオキシイミド、ジアゾスルホニル、α，α−メチレンジスルホン、ジスルホンヒドラジン、ニトロベンジル、またはジスルホニルアミンであるフォト酸発生剤化合物を含んでなるフォトレジスト組成物。
【請求項３】
ａ）含フッ素樹脂、１つ以上のフォト酸発生剤および塩基性添加物を混和することにより、フォトレジスト組成物を提供し、前記フォトレジスト組成物の貯蔵時に１つ以上のフォト酸発生剤化合物の分解を最少にするように前記塩基添加物を選び；
ｂ）前記フォトレジスト組成物のコーティング層を基板上に塗布し；
ｃ）前記フォトレジストコーティング層をパターン化された活性化放射線に露光し、そして前記露光されたフォトレジスト層を現像する
ことを含んでなるフォトレジストレリーフ像を形成する方法。
【請求項４】
請求項１または２のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物のコーティング層を基板上に塗布し；前記フォトレジストコーティング層を活性化放射線に露光し、そして前記露光されたレジスト層を現像することを含んでなるフォトレジストレリーフ像を形成する方法。
【請求項５】
請求項１または２のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物のコーティング層をその上に有する基板を含んでなる製造物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
本明細書の中で挙げられたすべての文書は引用により全体で本明細書の中に組み込まれている。また、本発明は次の（１）〜（３３）に挙げられた態様を包含する。
（１）フッ素化樹脂と非芳香族フォト酸発生剤化合物を含んでなるフォトレジスト組成物。
（２）前記フォト酸発生剤がオニウム塩、イミドスルホナート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、ジアゾスルホニル、α，α−メチレンジスルホン、ジスルホンヒドラジン、ニトロベンジル、およびジスルホニルアミンである（１）に記載のフォトレジスト。
（３）前記フォトレジストが塩基性添加物、溶解抑制剤化合物、界面活性剤、および可塑剤の群から選ばれる１つ以上の材料を更に含んでなる（１）または（２）に記載のフォトレジスト。
（４）前記フッ素化樹脂が下記に定義されているような式（Ａ）〜（Ｓ）の構造に対応する１つ以上の重合単位を含んでなる（１）から（３）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（５）前記樹脂が式
【化１】
2005509177.tif 000001
（ここで、Ｘは（−ＣＨ２−）ｐ（ここで、ｐはゼロ、１または２である）、−ＯＣＨ２−または−ＣＨ２Ｏ−であり；
Ｙは水素、酸素と基Ｚを連結する化学結合、（−ＣＨ２−）ｐ（ここで、ｐは１または２である）、−ＣＨ２Ｏ−、またはＣＨＲＯ−（ここで、ＲはＣ１−１６アルキル、好ましくはＣ１−４アルキルであり）であり；そして
Ｚはアルキルであり、好ましくは１〜約２０個の炭素を有し、そしてトリ（Ｃ１−１６）アルキルメチル；ジ（Ｃ１−１６）アルキルカルボキシルアリールメチル；ベンジル；フェンキル；トリ（Ｃ１−１６アルキル）炭素環アリール；Ｃ１−１６アルキルカルボニルオキシ；ホルミル基；アセテート基；テトラヒドロピラニル；またはテトラヒドロフラニルを包含するアルキルである）
の基を含んでなる（１）から（４）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（６）前記樹脂が下記に定義されているような式１〜９に対応する単位を含んでなる（１）から（５）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（７）前記フッ素化樹脂が下記に定義されているような式（Ｐ）、（Ｑ）、（Ｒ）および／または（Ｓ）の構造に対応する１つ以上の重合単位を含んでなる（１）から（６）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（８）前記フォトレジストがＤＢＵ；ＤＢＮ；Ｎ，Ｎ−ビス−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン；Ｎ，Ｎ−ビス−（２−ヒドロキシエチル）−２，５−ジアザビシクロ［２．２．１］ヘプタン；Ｎ−トリイソプロパノールアミン；ジブチルアミン；トリブチルアミン；任意に置換されたピペリジン；および他の任意のピペラジンである塩基性添加物を含んでなる（１）から（７）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（９）前記フォトレジストがヒドロキシアルキル二級および三級アミンを含んでなる（１）から（８）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（１０）前記フォトレジストがポリマー性アミンを含んでなる（１）から（９）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（１１）前記フォトレジストがフッ素化溶解抑制剤を含んでなる（１）から（１０）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（１２）前記溶解抑制剤がステロイドである（１１）に記載のフォトレジスト。
（１３）前記フォトレジストがポリマー溶解抑制剤を含んでなる（１）から（１２）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（１４）前記フォトレジストが可塑剤材料を含んでなる（１）から（１３）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（１５）前記可塑剤が１つ以上の酸素または硫黄原子を含んでなる（１４）に記載のフォトレジスト。
（１６）前記可塑剤がアジペート、セバケート、フタレートまたはポリ（エチレングリコール）である（１４）または（１５）に記載のフォトレジスト。
（１７）フッ素化樹脂とＮ−スルホニルオキシイミド、ジアゾスルホニル、α，α−メチレンジスルホン、ジスルホンヒドラジン、ニトロベンジル、またはジスルホニルアミンであるフォト酸発生剤化合物を含んでなるフォトレジスト組成物。
（１８）前記フォトレジストが塩基性添加物、溶解抑制剤化合物、界面活性剤、および可塑剤の群から選ばれる１つ以上の材料を更に含んでなる（１７）に記載のフォトレジスト。
（１９）前記フッ素化樹脂が下記に定義されているような式（Ａ）〜（Ｓ）の構造に対応する１つ以上の重合単位を含んでなる（１７）または（１８）に記載のフォトレジスト。
（２０）前記樹脂が式
【化２】
2005509177.tif 000002
（ここで、  Ｘは（−ＣＨ２−）ｐ（ここで、ｐはゼロまたは１である）、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＯＣＨ２−または−ＣＨ２Ｏ−であり；
Ｙは水素、−ＣＨ２Ｏ−、ＣＨＲＯ−（ここで、ＲはＣ１−１６アルキル、好ましくはＣ１−４アルキルである）であり；そして
Ｚはトリ（Ｃ１−１６）アルキルメチル；ジ（Ｃ１−１６）アルキルカルボキシルアリールメチル；ベンジル；フェンキル；トリ（Ｃ１−１６アルキル）炭素環アリール；Ｃ１−１６アルキルカルボニルオキシ；テトラヒドロピラニル；またはテトラヒドロフラニルである）
の基を含んでなる（１７）から（１９）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（２１）前記樹脂が下記に定義されているような式１〜７に対応する単位を含んでなる（１７）から（２０）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（２２）前記フッ素化樹脂が下記に定義されているような式（Ｐ）、（Ｑ）、（Ｒ）および／または（Ｓ）の構造に対応する１つ以上の重合単位を含んでなる（１７）から（２１）のいずれか１に記載のフォトレジスト。
（２３）ａ）含フッ素樹脂、１つ以上のフォト酸発生剤および塩基性添加物を混和することにより、フォトレジスト組成物を提供し、前記フォトレジスト組成物の貯蔵時に１つ以上のフォト酸発生剤化合物の分解を最少にするように前記塩基添加物を選び；
ｂ）前記フォトレジスト組成物のコーティング層を基板上に塗布し；
ｃ）前記フォトレジストコーティング層をパターン化された活性化放射線に露光し、そして前記露光されたフォトレジスト層を現像する
ことを含んでなるフォトレジストレリーフ像を形成する方法。
（２４）前記塩基性添加物が脂環式アミンであり、そして前記フォト酸発生剤化合物がイミドスルホナート化合物またはヨードニウム化合物である（２３）記載の方法。
（２５）前記塩基性添加物が、少なくとも約４つの炭素原子を有するアルキル置換基を１以上有する非環式３級アミンであり、前記フォト酸発生剤化合物がイミドスルホナート化合物またはヨードニウム化合物である（２３）記載の方法。
（２６）前記放射線が約２００ｎｍ未満の波長を有する（２３）から（２５）のいずれか１に記載の方法。
（２７）前記放射線が約１５７ｎｍの波長を有する（２３）から（２５）のいずれか１に記載の方法。
（２８）（１）から（２２）のいずれか１に記載のフォトレジスト組成物のコーティング層を基板上に塗布し；前記フォトレジストコーティング層を活性化放射線に露光し、そして前記露光されたレジスト層を現像することを含んでなるフォトレジストレリーフ像を形成する方法。
（２９）前記フォトレジストコーティング層が約２００ｎｍ未満の波長を有する放射線に露光される（２８）記載の方法。
（３０）前記フォトレジストコーティング層が約１５７ｎｍの波長を有する放射線に露光される（２８）記載の方法。
（３１）（１）から（２２）のいずれか１に記載のフォトレジスト組成物のコーティング層をその上に有する基板を含んでなる製造物品。
（３２）前記基板がマイクロエレクトロニクスウエハー基板である（３１）記載の物品。
（３３）前記基板がオプトエレクトロニクス素子基板である（３１）記載の物品。
さらに、次の非限定的な実施例は本発明を例示するものである。