(57)【要約】  安定した磁気記録を行うことができる磁気記録装置、光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法、及び、光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置を提供することを目的とする。照射光学系と磁気記録部とを有する光アシスト磁気記録ヘッドを備えた磁気記録装置において、照射手段から出射された光の反射光を受光する受光素子と、受光素子に反射光を導く分岐光学系と、受光素子の出力に基づいて、反射光の光量を算出する光量算出手段と、光量算出手段の算出した値に基づいて、情報を記録するための条件を制御する記録条件制御手段と、を有することを特徴とする磁気記録装置。
2008078546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドを備えた磁気記録装置において、
前記照射手段から出射された前記光の反射光を受光する受光素子と、
前記受光素子に前記反射光を導く分岐光学系と、
前記受光素子の出力に基づいて、前記反射光の光量を算出する光量算出手段と、
前記光量算出手段の算出した値に基づいて、情報を記録するための条件を制御する記録条件制御手段と、
を有することを特徴とする磁気記録装置。
【請求項２】
前記反射光は、前記記録媒体で反射した反射光であり、
前記記録条件制御手段は、前記光照射手段から出射される光量を制御する光量制御手段であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録装置。
【請求項３】
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブを有し、
前記反射光は、前記光アシスト磁気ヘッドの内部で反射した反射光であり、
前記記録条件制御手段は、前記記録媒体と前記プラズモンプローブとの間隔を制御する間隔制御手段であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録装置。
【請求項４】
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導くため前記プラズモンプローブに接続された導波路を有し、
前記反射光は、前記プラズモンプローブと前記導波路との界面で反射した反射光であることを特徴とする請求の範囲第３項に記載の磁気記録装置。
【請求項５】
前記分岐光学系は分岐光ファイバであることを特徴とする請求の範囲第１項〜第４項のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
【請求項６】
前記分岐光学系は前記光アシスト磁気記録ヘッドに搭載されていることを特徴とする請求の範囲第１項〜第５項のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
【請求項７】
光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光する複数の導光部材と、を有し、
前記照射光学系に、前記光照射手段から光を照射する工程と、
前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射した反射光の光路を、分岐光学系によって変更して該反射光の光量を測定する工程と、
前記反射光の光量に基づいて複数の前記導光部材の相対位置の調整を行う調整工程と、
を含むことを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項８】
前記相対位置の調整は、前記照射光学系の光軸に垂直な方向に行うことを特徴とする請求の範囲第７項に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項９】
前記調整工程は、前記相対位置を調整するための移動量が比較的大きい粗調整工程と、移動量が比較的小さい微調整工程と、を有することを特徴とする請求の範囲第７項又は第８項に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項１０】
前記粗調整工程は、前記反射光の光量が小さくなるように前記導光部材の相対位置を調整する工程であり、
前記微調整工程は、前記反射光の光量が大きくなるように前記導光部材の相対位置を調整する工程であることを特徴とする請求の範囲第９項に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項１１】
光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光する複数の導光部材と、を有し、
前記照射手段から出射された前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射する反射光を受光する受光素子と、
前記受光素子に前記反射光を導く分岐光学系と、
前記受光素子の出力に基づいて、前記反射光の光量を算出する光量算出手段と、
前記光量算出手段の算出した値に基づいて複数の前記導光部材の相対位置の調整を行う調整手段と、
を有することを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録装置、光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法、及び、光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録方式では、記録密度が高くなると磁気ビットが外部温度等の影響を顕著に受けるようになる。このため高い保磁力を有する記録媒体が必要となる。このような記録媒体を使用すると記録時に必要な磁界も大きくなる。記録ヘッドによって発生する磁界は飽和磁束密度によって上限が決まる。この飽和磁束密度は材料の限界に近づいており飛躍的な増大は望めない。そこで記録時に局所的に加熱して磁気軟化を生じさせ保磁力が小さくなった状態で記録し、その後に加熱を止めて自然冷却することにより記録した磁気ビットの安定を保証する方式が提案されている。この方式は、熱アシスト磁気記録方式と呼ばれている。【０００３】
この記録方式では加熱素子を用いてディスクの一部の領域を昇温し、この領域の保磁力を下げ、この保磁力の下がった領域に記録素子を用いて磁化パターンを形成する一連の動作によって、記録素子の必要発生磁界を軽減するものである。さらに、記録動作の後にはディスクは室温に戻るため、小さな磁化パターンでも熱擾乱の影響を受けにくく、長時間に渡って記録パターンが安定して存在する効果を狙ったものである。この熱アシスト型では記録素子の発生する磁界の領域で磁化パターンが形成される。【０００４】
熱アシスト磁気記録方式では、記録媒体の加熱を瞬間的に行うことが望ましい。また、加熱する機構と記録媒体とが接触することは許されない。このため、加熱は光の吸収を利用して行われるのが一般的であり、この加熱に光を用いる方式は光アシスト磁気記録方式と呼ばれている。【０００５】
このように、熱アシスト磁気記録方式では記録媒体を局所的に加熱し、この領域の保磁力を下げて記録するので、加熱が不十分な場合は記録することができない。また、必要以上に温度が上昇すると、最悪の場合、記録媒体の磁性膜が破壊してしまうおそれもある。【０００６】
このような異常な温度上昇を検知するため、例えば、コイルの発熱を検知する温度センサ素子を備える光アシスト磁気記録ヘッドが提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００７】
また、例えば、光源の背後に光電変換素子を配置し、光源出力を一定に保つ方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。【０００８】
更に、より高密度の記録に対応するため、近接場光を発生させるためのプラズモンプローブを備え、該近接場光を記録媒体の加熱手段として用いる方式の光アシスト磁気記録ヘッドが提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００４−８７０６８号公報
【特許文献２】特開２０００−１８７８７７号公報
【特許文献３】特開２００７−９５１６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に開示されているヘッドに温度センサ素子を設ける方法では、ヘッドに設けられたコイルの異常発熱を検知することはできるが、光照射によって記録媒体の微小領域を加熱した部分の温度を検知することはできない。また、特許文献２に開示されているように、光源の背後に光電変換素子を配置し光源出力を一定にしても、記録媒体とヘッドの間の距離や、記録媒体の表面状態によって光を照射した部分の温度は一定にならない。【００１０】
また、特許文献３に記載されているようなプラズモンプローブを備えた光アシスト磁気記録ヘッドの場合、記録媒体を安定して加熱するためには、記録媒体とプラズモンプローブとの間隔を適切に制御する必要がある。しかし、両者の間隔を簡単な構成で適切に制御するための方法が確立されていないという問題があった。【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、簡単な構成で、安定した磁気記録を行うことができる磁気記録装置、光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法、光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
１．
光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドを備えた磁気記録装置において、
前記照射手段から出射された前記光の反射光を受光する受光素子と、
前記受光素子に前記反射光を導く分岐光学系と、
前記受光素子の出力に基づいて、前記反射光の光量を算出する光量算出手段と、
前記光量算出手段の算出した値に基づいて、情報を記録するための条件を制御する記録条件制御手段と、
を有することを特徴とする磁気記録装置。【００１３】
２．
前記反射光は、前記記録媒体で反射した反射光であり、
前記記録条件制御手段は、前記光照射手段から出射される光量を制御する光量制御手段であることを特徴とする前記１に記載の磁気記録装置。【００１４】
３．
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブを有し、  前記反射光は、前記光アシスト磁気ヘッドの内部で反射した反射光であり、
前記記録条件制御手段は、前記記録媒体と前記プラズモンプローブとの間隔を制御する間隔制御手段であることを特徴とする前記１に記載の磁気記録装置。【００１５】
４．
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導くため前記プラズモンプローブに接続された導波路を有し、
前記反射光は、前記プラズモンプローブと前記導波路との界面で反射した反射光であることを特徴とする前記３に記載の磁気記録装置。【００１６】
５．
前記分岐光学系は分岐光ファイバであることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録装置。【００１７】
６．
前記分岐光学系は前記光アシスト磁気記録ヘッドに搭載されていることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録装置。【００１８】
７．
光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光する複数の導光部材と、を有し、
前記照射光学系に、前記光照射手段から光を照射する工程と、
前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射した反射光の光路を、分岐光学系によって変更して該反射光の光量を測定する工程と、
前記反射光の光量に基づいて複数の前記導光部材の相対位置の調整を行う調整工程と、
を含むことを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。【００１９】
８．
前記相対位置の調整は、前記照射光学系の光軸に垂直な方向に行うことを特徴とする前記７に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。【００２０】
９．
前記調整工程は、前記相対位置を調整するための移動量が比較的大きい粗調整工程と、移動量が比較的小さい微調整工程と、を有することを特徴とする前記７又は８に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。【００２１】
１０．
前記粗調整工程は、前記反射光の光量が小さくなるように前記導光部材の相対位置を調整する工程であり、
前記微調整工程は、前記反射光の光量が大きくなるように前記導光部材の相対位置を調整する工程であることを特徴とする前記９に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。【００２２】
１１．
光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光する複数の導光部材と、を有し、
前記照射手段から出射された前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射する反射光を受光する受光素子と、
前記受光素子に前記反射光を導く分岐光学系と、
前記受光素子の出力に基づいて、前記反射光の光量を算出する光量算出手段と、
前記光量算出手段の算出した値に基づいて複数の前記導光部材の相対位置の調整を行う調整手段と、
を有することを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、照射手段から出射された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の光量を測定した結果に基づいて、情報を記録するための条件を制御するため、簡単な構成で、安定した磁気記録を行うことができる。【００２４】
また、本発明によれば、光照射手段から光を照射し、光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射した反射光の光路を変更して光量を測定し、該反射光の光量に基づいて光アシスト磁気記録ヘッドの調整を行うので、光アシスト磁気記録ヘッドの調整を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】磁気記録装置１０の概略構成例を示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態における光アシスト磁気記録ヘッド３を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態の磁気記録装置１０の回路ブロック図である。
【図４】第１の実施形態の磁気記録装置１０の情報記録時のフローチャートである。
【図５】図９に示した光アシスト磁気記録ヘッド３の、Ｘ部分の拡大断面図である。
【図６】光アシスト磁気記録ヘッド３の調整装置２００の回路ブロック図である。
【図７】光アシスト磁気記録ヘッド３の調整方法の工程を示すフローチャートである。
【図８】第３の実施形態における光アシスト磁気記録ヘッド３を示す断面図である。
【図９】第２の実施形態における光アシスト磁気記録ヘッド３を示す断面図である。
【図１０】第２の実施形態の磁気記録装置１０の回路ブロック図である。
【図１１】第２の実施形態の磁気記録装置１０の情報記録時のフローチャートである。
【図１２】シリコンベンチ１３から出射する光路Ｌと導波路１２との相対位置と、反射光の光量との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００２６】
１  筐体
２  ディスク
３  光アシスト磁気記録ヘッド
１０  磁気記録装置
１１  スライダ
１２  導波路
１３  シリコンベンチ
１７  マイクロプリズム
５６  光ファイバ
９９  制御部
１０３  磁気記録部
１０４  磁気再生部
１０５  プラズモンプローブ
１１０  ビームスプリッタ
１１１  受光素子
１２２  集光素子
２０２  調整用アクチュエータ
４１０  光量算出部
４１１  光量制御部
４１２  間隔制御部
４３０  相対位置調整部
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明に係る磁気記録装置と、光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法及び調整装置について、図面を参照しつつ説明する。なお、各実施の形態の相互で同一の部分や相当する部分には同一の符号を付して重複説明を適宜省略する。【００２８】
図１に光アシスト磁気記録ヘッドを搭載した磁気記録装置の一例としてハードディスク装置の概略構成図を示す。この磁気記録装置１０は、記録用のディスク（磁気記録媒体）２と、支軸５を支点として矢印Ａ方向（トラッキング方向）に回転可能に設けられたサスペンション４と、サスペンション４に取り付けられたトラッキング用のアクチュエータ６と、サスペンション４の先端部に取り付けられた光アシスト磁気記録ヘッド３と、ディスク２を矢印Ｂ方向に回転させるモータ（不図示）と、を筐体１内に備えており、光アシスト磁気記録ヘッド３がディスク２上で浮上しながら相対的に移動しうるように構成されている。本例では、ディスク２及び光アシスト磁気記録ヘッド３を複数積層した構造としている。説明を簡単にするため一つのヘッドについて詳しく説明するが、他のヘッドも同様の構成を有している。【００２９】
（第１の実施形態）
図２に、本発明の磁気記録装置１０の第１の実施形態で用いられる光アシスト磁気記録ヘッド３の断面図を示す。【００３０】
光アシスト磁気記録ヘッド３は、サスペンション４、光ファイバ５６及びビームスプリッタ１１０、集光素子１２２が取り付けられたシリコンベンチ１３と、導波路１２などを備えたスライダ１１とで構成されている。【００３１】
シリコンベンチ１３には、光ファイバ５６及びビームスプリッタ１１０、集光素子１２２、サスペンション４が取り付けられている。スライダ１１はシリコンベンチ１３が接着されており、スライダ１１のディスク２に対向する面にはディスク２が回転すると空気流によりディスク２上に浮上するように図示せぬ溝が設けられている。【００３２】
本発明の光照射手段である半導体レーザ（図示せず）から出射された近赤外レーザ光（波長１５５０ｎｍ、１３１０ｎｍ等）は、光ファイバ５６により導光されビームスプリッタ１１０に入射する。光ファイバ５６からビームスプリッタ１１０に入射した近赤外レーザ光は、直進してビームスプリッタ１１０をそのまま透過し、光路Ｌを通ってシリコンベンチ１３に設けられた偏向素子であるマイクロプリズム１７によって全反射しディスク２の方向に導かれる。マイクロプリズム１７によって反射した近赤外レーザ光は集光素子１２２によって集光されて導波路１２の光入射側端面に入射する。光入射側端面から入射した近赤外レーザ光は導波路１２を通って、反対側の端面を経て光アシスト磁気記録ヘッド３から射出する。導波路１２はディスク面に対して直交する方向にスライダ１１を貫くように形成されている。【００３３】
本実施形態において、光ファイバ５６、ビームスプリッタ１１０、シリコンベンチ１３、集光素子１２２、及び、導波路１２は、半導体レーザから出射された光をディスク２に照射させるための照射光学系として機能する。【００３４】
なお、本実施形態では、シリコンベンチ１３はシリコンからなるものとして説明するが、シリコンに限定されるものではなくガラス、プラスチックなど光を透過する材料であれば良い。シリコンベンチ１３の材料にガラス、プラスチックなどを用いる場合、光源は近赤外の波長に限定されるものではなく、可視光の波長でも良い。【００３５】
また、本実施形態においてはマイクロプリズム１７はシリコンベンチ１３と一体的に構成されているものとして説明するが、これに限定されるものではなく別体として構成しても良い。【００３６】
さらに、近赤外レーザ光がマイクロプリズム１７によって全反射するものとして説明しているが、全反射に限定されるものではなく、マイクロプリズム１７の代わりに反射膜を設けても良い。【００３７】
スライダ１１は、ディスク２の被記録部分に対して磁気情報の書き込みを行う磁気記録部１０３と、ディスク２に記録されている磁気情報の読み取りを行う磁気再生部１０４と、を備えている。スライダ１１の材料には例えばＡｌＴｉＣ（アルミ、チタニウム、カーボンからなるセラミック）が用いられる。【００３８】
導波路１２から射出した近赤外レーザ光が微小な光スポットとしてディスク２に照射されると、ディスク２の照射部分の温度が一時的に上昇してディスク２の保磁力が低下する。その保磁力の低下した状態の照射部分に対して、磁気記録部１０３により磁気情報を書き込む。【００３９】
ディスク２に照射された近赤外レーザ光の一部はディスク２の磁性面の表面で反射し、反射光を発生する。磁性面の表面の反射率は温度によって変化するので、反射光の光量は温度によって変化する。反射光は入射時と同じ光路を逆に進み、導波路１２、集光素子１２２を通ってマイクロプリズム１７で全反射し、光路Ｌを通ってビームスプリッタ１１０に入射する。ビームスプリッタ１１０は光路Ｌ側からの入射光を図面上方向に反射するので、ディスク２からの反射光はビームスプリッタ１１０により入射光と光路を変更され受光素子１１１に入射する。ビームスプリッタ１１０は、受光素子１１１に反射光を導く分岐光学系として機能する。【００４０】
次に、光アシスト磁気記録ヘッド３を備えた磁気記録装置１０の回路ブロック図について説明する。【００４１】
図３は、本発明に係る磁気記録装置１０の回路ブロック図である。【００４２】
制御部９９は、ＣＰＵ９８（中央処理装置）とＲＡＭ９７（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ），ＲＯＭ９６（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）等から構成され、不揮発性の記憶部であるＲＯＭ９６に記憶されているプログラムをＲＡＭ９７に読み出し、当該プログラムに従って磁気記録装置１０の各部を集中制御する。【００４３】
以下、いままでに説明した機能と同一機能を有する機能ブロックには同番号を付し、説明を省略する。また、光学系についても一部簡略化して説明する。【００４４】
制御部９９は、外部Ｉ／Ｆ１９０を介して外部からの指令を受信しデータの記録、再生を行う。制御部９９は、記録、再生の指令を受信すると増幅器１９１を介してディスクモータ１７０を回転させ、ディスク２を所定の回転数で回転させる。次に制御部９９は、所定のトラックに光アシスト磁気記録ヘッド３を移動するようサーボ回路１８５に指令する。【００４５】
サーボ回路１８５は磁気再生部１０４がディスク２から読み出したトラッキング情報に基づいて、増幅器１９２を介してアクチュエータ６を駆動し所定のトラックに光アシスト磁気記録ヘッド３を移動させる。【００４６】
制御部９９は、記録時には電源１８１に所定の電圧を出力するように指令し、半導体レーザ１８０から近赤外レーザ光を照射させる。近赤外レーザ光はビームスプリッタ１１０を通ってディスク２上に射出する。ディスク２上に照射された近赤外レーザ光は大部分は熱に変換されて、ディスク２の磁性面を加熱する。一方、ディスク２上に照射された近赤外レーザ光の一部分はディスク２表面の磁性面で反射される。磁性面で反射した反射光はビームスプリッタ１１０で光路を変更され受光素子１１１に入射する。受光素子１１１の出力はＡ／Ｄ変換器１１２でデジタル値に変換され光量算出部４１０に入力される。【００４７】
ＣＰＵ９８の光量算出部４１０は、Ａ／Ｄ変換器１１２から入力されたデジタル値から、ディスク２の磁性面から反射した反射光の光量を算出する。光量制御部４１１は、光量算出部４１０が算出した反射光の光量と、半導体レーザ１８０が照射した光量から磁性面の反射率を算出し、反射光の光量が目標とする反射率になるように、半導体レーザ１８０から出射される光量を制御する。【００４８】
なお、目標とする反射率は、ディスク２表面の磁性面の温度が、所定の温度のときの磁性面の反射率であり、予め測定した磁性面の温度と反射率の特性データから求めることができる。【００４９】
すなわち、光量制御部４１１は、光量算出部４１０が算出した反射光の光量に基づき、電源１８１の出力電圧を変更して半導体レーザ１８０の光量をフィードバック制御する。光量算出部４１０は本発明の光量算出手段、光量制御部４１１は本発明の光量制御手段である。【００５０】
このようにしてディスク２上に、磁性面からの反射光の光量が所定値になるように近赤外レーザ光が照射され、所定の温度に加熱されたトラックに磁気記録部１０３はデータ符号化回路１８７が符号化したデータを増幅器１９４を介して書き込む。データ符号化回路１８７は外部Ｉ／Ｆ１８８から受信したデータを符号化する機能を有している。【００５１】
再生時には、磁気再生部１０４が再生したデータを増幅器１９３で増幅した後、データ復号化回路１８６が復号化し、外部Ｉ／Ｆ１８８から出力する。【００５２】
図４は本発明に係る磁気記録装置１０の情報記録時のフローチャートである。【００５３】
Ｓ１０１：ディスクモータ１７０を回転させるステップである。【００５４】
制御部９９は、記録の指令を受信するとディスクモータ１７０を回転させ、ディスク２を所定の回転数で回転させる。【００５５】
Ｓ１０２：光アシスト磁気記録ヘッド３を移動するステップである。【００５６】
制御部９９は、所定のトラックに光アシスト磁気記録ヘッド３を移動させるようサーボ回路１８５に指令する。【００５７】
Ｓ１０３：半導体レーザ１８０から近赤外レーザ光を照射させるステップである。【００５８】
制御部９９は、電源１８１に所定の電圧を出力するように指令し、半導体レーザ１８０から近赤外レーザ光を照射させる。【００５９】
Ｓ１０４：光量を算出するステップである。【００６０】
光量算出部４１０は、Ａ／Ｄ変換器１１２から入力されたデジタル値から、ディスク２の磁性面から反射した光量を算出する。【００６１】
Ｓ１０５：算出した光量が所定の範囲か、否かを判定するステップである。【００６２】
算出した反射光の光量が所定の範囲外の場合、（ステップＳ１０５；Ｎｏ）、ステップＳ１０６に進む。【００６３】
Ｓ１０６：光量を調整するステップである。【００６４】
光量制御部４１１は光量算出部４１０が算出した光量に基づき、電源１８１の出力電圧を変更して半導体レーザ１８０の光量を調整しステップＳ１０４に戻る。【００６５】
算出した光量が所定の範囲内の場合、（ステップＳ１０５；Ｙｅｓ）、ステップＳ１０７に進む。【００６６】
Ｓ１０７：情報を記録するステップである。【００６７】
磁気記録部１０３はデータ符号化回路１８７が符号化したデータをディスク２に書き込み記録する。【００６８】
このように、本発明では近赤外レーザ光を照射した領域から反射した光量が所定値になるように制御しているので、近赤外レーザ光を照射した領域の温度が一定になり、安定した磁気記録が可能になる。【００６９】
（第２の実施形態）
図９は、本発明の磁気記録装置１０の第２の実施形態で用いられる光アシスト磁気記録ヘッド３の断面図である。また、図１０は、本実施形態における磁気記録装置１０の回路ブロック図であり、図１１は、本実施形態における磁気記録装置１０の情報記録時のフローチャートである。【００７０】
図９に示すように、本実施形態の光アシスト磁気記録ヘッドは、半導体レーザから出射された光を近接場光に変換してディスク２に照射するためのプラズモンプローブ１０５を備えており、発生させた近接場光によってディスク２を加熱する。プラズモンプローブ１０５は、半導体レーザから出射された光をプラズモンプローブ１０５に導くための導波路１２に接続されている。その他の構成については、図２に示した本発明の第１の実施形態の磁気記録装置１０と同様である。【００７１】
また、図１０の回路ブロック図に示すように、本実施形態の磁気記録装置１０は、図３に示した第１の実施形態の場合と異なり、光量制御部４１１の代わりに、ディスク２とプラズモンプローブ１０５との間隔（以下、「浮上量」ともいう）を制御する間隔制御部４１２を有している。間隔制御部は、光量算出部４１０が算出した反射光の光量に基づいて、浮上量を調整するようにサーボ回路１８５に指令を出す。間隔制御部４１２は、光量算出手段の算出した値に基づいて、情報を記録するための条件を制御する記録条件制御手段の１例であり、本発明の間隔制御手段として機能する。その他の構成については、図３に示した本発明の第１の実施形態の磁気記録装置１０と同様である。【００７２】
次に、図１１のフローチャートに従って、本実施形態における磁気記録装置１０の動作について説明する。【００７３】
Ｓ１０１〜Ｓ１０４までのステップは、図４に示した第１の実施形態の場合と同様である。先ず、ディスクモータ１７０を回転させてディスク２を所定の回転数で回転させ（Ｓ１０１）、所定のトラックに光アシスト磁気記録ヘッド３を移動させる（Ｓ１０２）。この際、光アシスト磁気記録ヘッド３の浮上量は、十分高い位置としておく。その後、半導体レーザ１８０から近赤外レーザ光を照射させ（Ｓ１０３）、受光素子１１１で検知した反射光の光量を算出する（Ｓ１０４）。ここで検知される反射光は、プラズモンプローブ１０５と導波路１２との界面で反射した反射光である。【００７４】
Ｓ１０５：算出した光量が所定の範囲か、否かを判定するステップである。【００７５】
光アシスト磁気記録ヘッド３の浮上量が高すぎる場合、プラズモンプローブ１０５で発生した近接場光はディスク２に到達することができず、プラズモンプローブ１０５と導波路１２との界面で反射する反射光の光量は大きい。これに対し、浮上量が適切な高さの場合には、発生した近接場光の大部分がディスク２に入射するため、上記界面で反射する反射光の光量は小さくなる。【００７６】
算出した反射光の光量が所定の範囲から外れている場合（ステップＳ１０５；Ｎｏ）、ステップＳ１１６に進む。【００７７】
Ｓ１１６：浮上量を調整するステップである。間隔制御部４１２は、光アシスト磁気記録ヘッド３を所定距離だけディスクに近づく方向に移動させるよう、サーボ回路１８５に指令を出して浮上量を調整する。その後、ステップＳ１０４に戻る。【００７８】
再び、反射光の光量を算出し、算出した光量が所定範囲内となるまで、浮上量の調整を繰り返す。光量が所定範囲内となったら（ステップＳ１０５；Ｙｅｓ）、ステップＳ１０７に進む。【００７９】
Ｓ１０７：情報を記録するステップである。磁気記録部１０３はデータ符号化回路１８７が符号化したデータをディスク２に書き込み記録する。【００８０】
このように、本実施形態においては、反射光の光量に基づいた制御を行うことによって、記録媒体とプラズモンプローブとの間隔を適切に制御することができるため、記録媒体を安定して加熱することができ、安定した磁気記録が可能になる。【００８１】
次に、図９に示したようなプラズモンプローブを有する光アシスト磁気記録ヘッド３を製造する際に、反射光の光量に基づいて、照射光学系を構成する複数の導光部材の相対位置を調整する方法について、図５、図６、図７、図９、図１２を用いて説明する。【００８２】
図９に示したように、ここで用いる光アシスト磁気記録ヘッド３は、光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有している。照射光学系は、プラズモンプローブ１０５と、光照射手段から出射された光をプラズモンプローブ１０５に導光する複数の導光部材である、シリコンベンチ１３、マイクロプリズム１７、集光素子１２２、導波路１２などにより構成されている。【００８３】
図５は、図９に示した光アシスト磁気記録ヘッド３の、Ｘ部分の拡大断面図であり、集光素子１２２等が配置されているシリコンベンチ１３と、導波路等が配置されているスライダ１１との相対位置を調整する方法を説明するための図面である。また、図１２は、シリコンベンチ１３から出射する光路Ｌと導波路１２との相対位置と、反射光の光量との関係を示すグラフである。グラフの横軸は光路Ｌと導波路１２との相対位置、縦軸は反射光の光量を示している。【００８４】
図５（ａ）は、シリコンベンチ１３とスライダ１１との相対位置が所定の位置から大きくずれ、光路Ｌが導波路１２の外側にある状態の図である（図１２のＡの位置より左側）。このような状態で近赤外レーザ光を照射すると、集光素子１２２により集光された光束は、導波路１２に入射せずスライダ１１の表面に照射される。スライダ１１の材料は例えばＡｌＴｉＣのようなセラミックが用いられるので、集光素子１２２により集光された光束はスライダ１１の表面で反射し、集光素子１２２、マイクロプリズム１７を通って光路Ｌ側からビームスプリッタ１１０に入射する。この反射光はビームスプリッタ１１０で入射光と光路を変更され受光素子１１１に入射する。したがって、受光素子１１１の出力電流は比較的大きい。【００８５】
図５（ｂ）は、シリコンベンチ１３とスライダ１１との相対位置が所定の位置から少しずれているが、光路Ｌは導波路１２の内側にある状態の図である（図１２のＡの位置とＣの位置の間）。このような状態で近赤外レーザ光を照射すると、集光素子１２２により集光された光束は導波路１２に入射し、プラズモンプローブ１０５に到達する。しかし、光路Ｌが導波路の中央からずれているため、受光素子１１１に入射する反射光の光量は小さく、受光素子１１１の出力電流は小さい。【００８６】
図５（ｃ）は、シリコンベンチ１３とスライダ１１との相対位置が所定の位置にあり、光路Ｌが導波路１２の中央に位置している状態の図である（図１２のＣの位置）。この場合、光路Ｌはプラズモンプローブ１０５に対して適切な位置にある。この場合も、集光素子１２２により集光された光束は導波路１２に入射し、プラズモンプローブ１０５に到達する。しかし、導波路１２の中央部は、周辺部に比べて屈折率が高く、光路Ｌが導波路１２の中央に位置しているので、プラズモンプローブ１０５に到達した光は全反射して受光素子１１１に到達する。従って、受光素子１１１に入射する反射光の光量は図５（ｂ）の場合よりも大きくなり、図１２に示すような鋭いピークを示す。【００８７】
このように、シリコンベンチ１３とスライダ１１との相対位置、即ち、複数の導光部材の相対位置によって受光素子１１１に入射する反射光の光量が変化するため、算出した反射光の光量に基づいて調整することにより、複数の導光部材の相対位置を適切に調整することができる。【００８８】
図６は光アシスト磁気記録ヘッド３の複数の導光部材の相対位置の調整を行う光磁気アシスト磁気ヘッドの調整装置２００のブロック図である。なお、今までに説明した機能要素と同じ機能要素には同番号を付し説明を省略する。また、説明に必要な機能要素以外は図示を省略している。【００８９】
制御部２０１は、ＣＰＵ９８（中央処理装置）とＲＡＭ９７（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ），ＲＯＭ９６（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）等から構成されている。不揮発性の記憶部であるＲＯＭ９６に記憶されているプログラムをＲＡＭ９７に読み出し、当該プログラムに従って光磁気アシスト磁気ヘッドの調整装置２００の各部を集中制御する。【００９０】
制御部２０１は、調整を行う際に電源１８１に所定の電圧を出力するように指令し、光照射手段である半導体レーザ１８０から近赤外レーザ光を出射させる。出射した光は、シリコンベンチ１３とスライダ１１との相対位置に応じて、光アシスト磁気記録ヘッド３の内部で反射し、反射光はビームスプリッタ１１０で光路を変更され受光素子１１１に入射する。受光素子１１１の出力はＡ／Ｄ変換器１１２でデジタル値に変換され光量算出部４１０に入力される。光量算出部４１０は光アシスト磁気記録ヘッド３の内部で反射した反射光の光量を算出する。相対位置調整部４３０は、光量算出部４１０が算出した反射光の光量に基づいて調整用アクチュエータ２０２に指示を出し、シリコンベンチ１３とスライダ１１との相対位置を調整する。相対位置調整部４３０及び調整用アクチュエータ２０２は、複数の導光部材の相対位置の調整を行う調整手段として機能する。【００９１】
図７は、本実施形態における光アシスト磁気記録ヘッド３の調整方法の工程を示すフローチャートである。本実施形態において、反射光の光量に基づいて複数の導光部材の相対位置の調整を行う調整工程は、相対位置を調整するための移動量が比較的大きい粗調整工程（Ｓ２０３〜Ｓ２１０）と、移動量が比較的小さい微調整工程（Ｓ２１１〜Ｓ２１５）の２段階の工程で構成されている。【００９２】
Ｓ２０１：光源の半導体レーザ１８０をＯＮにするステップである。ＣＰＵ９８は、光源の半導体レーザ１８０をＯＮにし、光ファイバ５６を介して近赤外レーザ光を照射する。【００９３】
Ｓ２０２：反射光の光量を測定を開始するステップである。光量算出部４１０は受光素子１１１の出力レベルを測定する。【００９４】
Ｓ２０３：粗調整工程を開始するステップである。２段階の調整工程のうち、先ず、相対位置を調整するための移動量が比較的大きい粗調整工程を行う。粗調整工程は、図１２に示すように光量が低下する領域（図中Ａの位置とＢの位置）を求めるために行う。【００９５】
Ｓ２０４、Ｓ２０５：所定の範囲でスライダ１１を移動させ、シリコンベンチ１３とスライダ１１との相対位置を変化させながら、反射光の光量を算出するステップである。【００９６】
Ｓ２０６：Ｓ２０４〜Ｓ２０５のステップにおいて、反射光の光量が大きく低下する領域（図１２のＡの位置とＢの位置の間の領域）を確認するステップである。反射光の光量が大きく低下する領域を確認できなかった場合（ステップＳ２０６；Ｎｏ）、ステップＳ２０７でスライドの移動範囲を変更した後、ステップＳ２０４に戻る。こうして、反射光の光量が大きく低下する領域が確認できるまで（図１２のＡの位置とＢの位置の両方を確認できるまで）、Ｓ２０４〜Ｓ２０７のステップを繰り返す。反射光の光量が大きく低下する領域が確認できたら（ステップＳ２０６；Ｙｅｓ）、ステップＳ２０８に進む。【００９７】
Ｓ２０８：粗調整工程を終了するステップである。反射光の光量が大きく低下する領域を確認するという目的が達成されたため、粗調整工程を終了して次のステップＳ２０９に進む。【００９８】
Ｓ２０９：微調整工程を開始するステップである。次に、相対位置を調整するための移動量が比較的小さい微調整工程を行う。微調整工程は、図１２に示すように、光量が低下している領域の中で光量が上昇し、ピークとなる位置（図１２のＣの位置）を求め、その位置でシリコンベンチ１３とスライダ１１との相対位置を固定させるために行う。【００９９】
Ｓ２１０：粗調整工程で確認した、光量が低下している領域の範囲でスライダ１１を移動させながら、反射光の光量を算出するステップである。【０１００】
Ｓ２１１：光量が上昇し、ピークとなる位置（図１２のＣの位置）を確認するステップである。【０１０１】
Ｓ２１２：ステップＳ２１１で確認した、光量がピークとなる位置でスライダを固定するステップである。それによって、シリコンベンチ１３とスライダ１１との相対位置、即ち、複数の導光部材の相対位置が、適切な位置で固定される。【０１０２】
Ｓ２１３：微調整工程を終了するステップである。これにより、光アシスト磁気記録ヘッド３の複数の導光部材の相対位置の調整が完了する。【０１０３】
このように、ビームスプリッタ１１０により分離された反射光の光量を算出し、算出した反射光の光量に基づいた調整を行うことにより、複数の導光部材の相対位置を適切に調整することができる。【０１０４】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態における光アシスト磁気記録ヘッド３について説明する。【０１０５】
図８に本発明の第３の実施形態における光アシスト磁気記録ヘッド３の断面図を図示する。【０１０６】
図２に示した第１の実施形態の光アシスト磁気記録ヘッド３との違いは、分岐光学系としてビームスプリッタ１１０の代わりに分岐光ファイバ５７を用いる点である。【０１０７】
図示せぬ半導体レーザから照射された近赤外レーザ光（波長１５５０ｎｍ、１３１０ｎｍ等）は光ファイバ５６により導光され集光素子１２３に入射する。集光素子１２３に入射した近赤外レーザ光はシリコンベンチ１３に設けられた偏向素子であるマイクロプリズム１７によって全反射しディスク２の方向に導かれる。マイクロプリズム１７によって反射した近赤外レーザ光は集光素子１２２によって集光されて導波路１２の光入射側端面に入射する。光入射側端面から入射した近赤外レーザ光は導波路１２を通って、反対側の端面を経て光アシスト磁気記録ヘッド３から射出する。【０１０８】
ディスク２に照射された近赤外レーザ光の一部はディスク２の表面で反射し、反射光を発生する。反射光は入射時と逆に導波路１２、集光素子１２２を通ってマイクロプリズム１７で全反射し、集光素子１２３を通って光ファイバ５６に入射する。光ファイバ５６内を進行する反射光は、並行して設けられた分岐光ファイバ５７に誘導され、分岐光ファイバ５７内を進行する。【０１０９】
このように分岐光ファイバ５７を用いると受光素子１１１を半導体レーザなど電子部品と同一の場所に配置することも可能になり、各部品を配置する自由度を高めることができる。【０１１０】
以上このように、本発明によれば、簡単な構成で、安定した磁気記録を行うことができる磁気記録装置、光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法、光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置を提供できる。
【図２】
2008078546.tif 000003
【図５】
2008078546.tif 000004
【図６】
2008078546.tif 000005
【図７】
2008078546.tif 000006
【図８】
2008078546.tif 000007
【図９】
2008078546.tif 000008
【図１０】
2008078546.tif 000009
【図１１】
2008078546.tif 000010
【図１２】
2008078546.tif 000011
【図１】
2008078546.tif 000012
【図３】
2008078546.tif 000013
【図４】
2008078546.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月12日(2008.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光する複数の導光部材と、を有し、
前記照射光学系に、前記光照射手段から光を照射する工程と、
前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射した反射光の光路を、分岐光学系によって変更して該反射光の光量を測定する工程と、
前記反射光の光量に基づいて複数の前記導光部材の相対位置の調整を行う調整工程と、
を含むことを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項２】
前記相対位置の調整は、前記照射光学系の光軸に垂直な方向に行うことを特徴とする請求項１に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項３】
前記調整工程は、前記相対位置を調整するための移動量が比較的大きい粗調整工程と、移動量が比較的小さい微調整工程と、を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項４】
前記粗調整工程は、前記反射光の光量が小さくなるように前記導光部材の相対位置を調整する工程であり、
前記微調整工程は、前記反射光の光量が大きくなるように前記導光部材の相対位置を調整する工程であることを特徴とする請求項３に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項５】
光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光する複数の導光部材と、を有し、
前記照射手段から出射された前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射する反射光を受光する受光素子と、
前記受光素子に前記反射光を導く分岐光学系と、
前記受光素子の出力に基づいて、前記反射光の光量を算出する光量算出手段と、
前記光量算出手段の算出した値に基づいて複数の前記導光部材の相対位置の調整を行う調整手段と、
を有することを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法、及び、光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、光アシスト磁気記録ヘッドの調整を容易に行うことができる光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法、及び、光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
１．  光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光する複数の導光部材と、を有し、
前記照射光学系に、前記光照射手段から光を照射する工程と、
前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射した反射光の光路を、分岐光学系によって変更して該反射光の光量を測定する工程と、
前記反射光の光量に基づいて複数の前記導光部材の相対位置の調整を行う調整工程と、
を含むことを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
２．  前記相対位置の調整は、前記照射光学系の光軸に垂直な方向に行うことを特徴とする前記１に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
３．  前記調整工程は、前記相対位置を調整するための移動量が比較的大きい粗調整工程と、移動量が比較的小さい微調整工程と、を有することを特徴とする前記１又は２に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
４．  前記粗調整工程は、前記反射光の光量が小さくなるように前記導光部材の相対位置を調整する工程であり、
前記微調整工程は、前記反射光の光量が大きくなるように前記導光部材の相対位置を調整する工程であることを特徴とする前記３に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
５．  光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光する複数の導光部材と、を有し、
前記照射手段から出射された前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射する反射光を受光する受光素子と、
前記受光素子に前記反射光を導く分岐光学系と、
前記受光素子の出力に基づいて、前記反射光の光量を算出する光量算出手段と、
前記光量算出手段の算出した値に基づいて複数の前記導光部材の相対位置の調整を行う調整手段と、
を有することを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明によれば、光照射手段から光を照射し、光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射した反射光の光路を変更して光量を測定し、該反射光の光量に基づいて光アシスト磁気記録ヘッドの調整を行うので、光アシスト磁気記録ヘッドの調整を容易に行うことができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
以下、本発明に係る光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法及び調整装置について、図面を参照しつつ説明する。なお、各実施の形態の相互で同一の部分や相当する部分には同一の符号を付して重複説明を適宜省略する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
以上このように、本発明によれば、光アシスト磁気記録ヘッドの調整を容易に行うことができる光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法、及び、光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光するものであって、中央部の屈折率が周辺部に比べて高い導波路と、を有し、
前記照射光学系に、前記光照射手段から光を照射する工程と、
前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射した反射光の光路を、分岐光学系によって変更して該反射光の光量を測定する工程と、
前記反射光の光量に基づいて前記導波路に対する前記光の入射位置の調整を行う調整工程と、
を含むことを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項２】
前記導波路に対する前記光の入射位置の調整は、前記照射光学系の光軸に垂直な方向に行うことを特徴とする請求項１に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項３】
前記調整工程は、前記導波路に対する前記光の入射位置を調整するための移動量が比較的大きい粗調整工程と、移動量が比較的小さい微調整工程と、を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項４】
前記粗調整工程は、前記反射光の光量が小さくなるように前記光と前記導波路との相対位置を調整する工程であり、
前記微調整工程は、前記反射光の光量が大きくなるように前記光と前記導波路との相対位置を調整する工程であることを特徴とする請求項３に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【請求項５】
光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光するものであって、中央部の屈折率が周辺部に比べて高い導波路と、を有し、
前記照射手段から出射された前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射する反射光を受光する受光素子と、
前記受光素子に前記反射光を導く分岐光学系と、
前記受光素子の出力に基づいて、前記反射光の光量を算出する光量算出手段と、
前記光量算出手段の算出した値に基づいて前記導波路に対する前記光の入射位置の調整を行う調整手段と、
を有することを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
１．  光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光するものであって、中央部の屈折率が周辺部に比べて高い導波路と、を有し、
前記照射光学系に、前記光照射手段から光を照射する工程と、
前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射した反射光の光路を、分岐光学系によって変更して該反射光の光量を測定する工程と、
前記反射光の光量に基づいて前記導波路に対する前記光の入射位置の調整を行う調整工程と、
を含むことを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
２．  前記導波路に対する前記光の入射位置の調整は、前記照射光学系の光軸に垂直な方向に行うことを特徴とする前記１に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
３．  前記調整工程は、前記導波路に対する前記光の入射位置を調整するための移動量が比較的大きい粗調整工程と、移動量が比較的小さい微調整工程と、を有することを特徴とする前記１又は２に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
４．  前記粗調整工程は、前記反射光の光量が小さくなるように前記光と前記導波路との相対位置を調整する工程であり、
前記微調整工程は、前記反射光の光量が大きくなるように前記光と前記導波路との相対位置を調整する工程であることを特徴とする前記３に記載の光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
５．  光照射手段から出射された光を記録媒体に照射させるための照射光学系と、前記光により加熱された前記記録媒体の領域に情報を記録する磁気記録部と、を有する光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置において、
前記照射光学系は、前記光照射手段から出射された光を近接場光に変換して前記記録媒体に照射するためのプラズモンプローブと、前記光照射手段から出射された光を前記プラズモンプローブに導光するものであって、中央部の屈折率が周辺部に比べて高い導波路と、を有し、
前記照射手段から出射された前記光が前記光アシスト磁気記録ヘッドの内部で反射する反射光を受光する受光素子と、
前記受光素子に前記反射光を導く分岐光学系と、
前記受光素子の出力に基づいて、前記反射光の光量を算出する光量算出手段と、
前記光量算出手段の算出した値に基づいて前記導波路に対する前記光の入射位置の調整を行う調整手段と、
を有することを特徴とする光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置。
【国際調査報告】
2008078546.tif 000015
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