Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月10日(2004.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスジューサアレイを用いて、超音波パルスを被検査体に対して送受信することにより、被検査体内部を撮像する超音波診断装置にあって、超音波伝播方向に複数設定した送波焦点をそれぞれ形成する送信パルス波について、各焦点距離に対応する複数の送波遅延時間の重みづけ平均値を、前記トランスジューサアレイの送波口径を構成する各素子ごとに求め、それを遅延時間として送波を行うよう構成し、前記トランスジューサアレイの送波口径から送信される超音波パルスの波面が非球面を形成してなることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項２】
トランスジューサアレイを用いて、超音波パルスを造影剤が導入された被検査体に対して送受信することにより、被検査体内部を撮像する超音波診断装置にあって、超音波伝播方向に複数設定した送波焦点をそれぞれ形成する送信パルス波について、各焦点距離に対応する複数の送波遅延時間の重みづけ平均値を、前記トランスジューサアレイの送波口径を構成する各素子ごとに求め、それを遅延時間として送波を行うよう構成し、前記トランスジューサアレイの送波口径から送信される超音波パルスの波面が非球面を形成してなることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項３】
トランスジューサアレイを用いて、超音波パルスを被検査体に対して送受信することにより、被検査体内部を撮像する超音波診断装置にあって、超音波伝播方向に複数設定した送波焦点をそれぞれ形成する送信パルス波について、各焦点距離に対応する複数の送波遅延時間の重みづけ平均値を、前記トランスジューサアレイの送波口径を構成する各素子ごとに求め、それを遅延時間として送波を行うよう構成し、前記トランスジューサアレイの送波口径から送信される超音波パルスの波面は、その口径中央部の曲率が中央部以外の部分の曲率より大きくなるよう制御されてなることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項４】
トランスジューサアレイを用いて、超音波パルスを造影剤が導入された被検査体に対して送受信することにより、被検査体内部を撮像する超音波診断装置にあって、超音波伝播方向に複数設定した送波焦点をそれぞれ形成する送信パルス波について、各焦点距離に対応する複数の送波遅延時間の重みづけ平均値を、前記トランスジューサアレイの送波口径を構成する各素子ごとに求め、それを遅延時間として送波を行うよう構成し、前記トランスジューサアレイの送波口径から送信される超音波パルスの波面は、その口径中央部の曲率が中央部以外の部分の曲率より大きくなるよう制御されてなることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項５】
トランスジューサアレイを用いて、超音波パルス波を被検査体に対して送受信することにより、被検査体内部を撮像する超音波診断装置にあって、超音波伝播方向に複数設定した送波焦点をそれぞれ形成する送信パルス波について、各焦点距離に対応する複数の送波遅延時間の重みづけ平均値を、前記トランスジューサアレイの送波口径を構成する各素子ごとに求め、それを遅延時間として送波を行うよう構成したことを特徴とする超音波診断装置。
【請求項６】
トランスジューサアレイを用いて、超音波パルス波を造影剤が導入された被検査体に対して送受信することにより、被検査体内部を撮像する超音波診断装置にあって、超音波伝播方向に複数設定した送波焦点をそれぞれ形成する送信パルス波について、各焦点距離に対応する複数の送波遅延時間の重みづけ平均値を、前記トランスジューサアレイの送波口径を構成する各素子ごとに求め、それを遅延時間として送波を行うよう構成したことを特徴とする超音波診断装置。
【請求項７】
前記送波口径の重みづけが、唯一のピークを口径中央部にもつ関数をもとに構成されていることを特徴とする請求項５又は６記載の超音波診断装置。
【請求項８】
前記送波口径の重みづけが、ガウス関数をもとに構成されていることを特徴とする請求項５又は６記載の超音波診断装置。
【請求項９】
前記トランスジューサアレイの送波口径を構成する各素子の送波波形が、遅延時間と送波口径の重みづけを除いて略同一であるよう構成したことを特徴とする請求項５又は６記載の超音波診断装置。
【請求項１０】
前記遅延時間と、特定の焦点距離について計算した遅延時間との両方を記録しておき、いずれか一方を選択して送波できるよう構成したことを特徴とする請求項５又は６記載の超音波診断装置。
【請求項１１】
前記送波口径の重みづけが、前記送波口径の端にゼロ点をもつハニング関数にガウス関数を乗じて得られる関数をもとに構成されていることを特徴とする請求項５又は６記載の超音波診断装置。
【請求項１２】
超音波伝播方向の送信フォーカスの範囲を両端に矢羽をもつ矢印により表示することを特徴とする請求項５又は６記載の超音波診断装置。
【請求項１３】
トランスジューサアレイを用いて、超音波パルスを被検査体に対して送受信することにより、被検査体内部を撮像する超音波診断装置にあって、前記トランスジューサアレイの送波口径の中央部では短い焦点距離の波面に近く、前記トランスジューサアレイの送波口径の周辺部では長い焦点距離の波面に近くなるよう制御され、前記トランスジューサアレイの送波口径から送信される超音波パルスの波面は、送波口径全体にわたって滑らかに連続した非球面を形成してなることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項１４】
トランスジューサアレイを用いて、超音波パルスを被検査体に対して送受信することにより、被検査体内部を撮像する超音波診断装置にあって、前記トランスジューサアレイの送波口径の中央部では短い焦点距離の波面に近く、前記トランスジューサアレイの送波口径の周辺部では長い焦点距離の波面に近くなるよう制御され、前記トランスジューサアレイの送波口径から送信される超音波パルスの波面は、送波口径全体にわたって滑らかに連続した非球面を形成し、１回の超音波パルスの送信で、超音波伝播方向に幅がほぼ一様な送信ビームを形成することを特徴とする超音波診断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】複数の孔を有する生体適合性かつ生分解性でポリマーを含まない無機化合物のマトリックスと、前記孔内に配置され、マトリックスに共有結合で結合されている生体適合性かつ生分解性の生体ポリマーと、を含む再生骨インプラント。
【請求項２】前記孔に配置された骨形成促進剤をさらに含む請求項１に記載の再生骨インプラント。
【請求項３】前記骨形成促進剤は、生体適合性かつ生分解性でポリマーを含まない無機化合物のマトリックスに共有結合で結合されている請求項２に記載の再生骨インプラント。
【請求項４】前記生体適合性かつ生分解性でポリマーを含まない無機化合物のマトリックスはハイドロキシアパタイトベースのマトリックスである請求項１または２に記載の再生骨インプラント。
【請求項５】前記生体適合性かつ生分解性の生体ポリマーはコラーゲンである請求項１、２、および４のうちいずれか１項に記載の再生骨インプラント。
【請求項６】前記生体適合性かつ生分解性でポリマーを含まない無機化合物のマトリックスはハイドロキシアパタイトベースのマトリックスであり、前記生体適合性かつ生分解性の生体ポリマーはコラーゲンであり、前記骨形成促進剤は、オステオプロテジェリンである請求項２に記載の再生骨インプラント。
【請求項７】再生骨インプラントを製造する方法であって、
複数の孔を有する生体適合性かつ生分解性でポリマーを含まない無機化合物のマトリックスを提供する工程と、
生体適合性かつ生分解性の生体ポリマーを含む液体を提供する工程と、
前記マトリックスを前記液体に浸漬し、それによって前記孔内に生体ポリマーを配置する工程と、から成る方法。
【請求項８】前記孔内の生体ポリマーを前記生体適合性かつ生分解性でポリマーを含まない無機化合物のマトリックスに共有結合で結合する工程をさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】前記生体適合性かつ生分解性でポリマーを含まない無機化合物のマトリックスはハイドロキシアパタイトベースのマトリックスである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】前記生体適合性かつ生分解性の生体ポリマーはコラーゲンである請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】液体は、前記孔内に配置される骨形成促進剤をさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項１２】前記孔内の生体適合性かつ生分解性の生体ポリマーを前記生体適合性かつ生分解性でポリマーを含まない無機化合物のマトリックスに共有結合で結合する工程をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】骨形成促進剤を前記孔内の生体適合性かつ生分解性でポリマーを含まない無機化合物のマトリックスへ共有結合で結合する工程をさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】前記生体適合性かつ生分解性でポリマーを含まない無機化合物のマトリックスはハイドロキシアパタイトベースのマトリックスである請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】前記生体適合性かつ生分解性の生体ポリマーはコラーゲンである請求項１２または１４に記載の方法。
【請求項１６】前記骨形成促進剤はオステオプロテジェリンである請求項１２または１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前面に頂部が開いた縦方向のスリット(19)を有し、飲料を封入した合成樹脂シート製箱形袋(1)を上下２段にして収容可能な有底筒形の収容部(5)と、この収容部の底部側に設けられた加熱器ないし冷却器(20)と、前記収容部の手前下辺の下方に位置して収容部前面より手前側に突出するコップ受皿(15)とを備え、前記スリットの両側辺は収容部(5)に収容される飲料袋(1)に設けた注ぎ口(2)の位置及び方向を規定するガイド縁となっていることを特徴とする、飲料供給器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記発明の実施に用いるこの発明の飲料供給器は、前面に頂部が開いた縦方向のスリット１９を有し、飲料を封入した合成樹脂シート製箱形袋１を上下２段にして収容可能な有底筒形の収容部５と、この収容部の底部側に設けられた加熱器ないし冷却器２０と、前記収容部５の手前下辺の下方に位置して収容部前面より手前側に突出するコップ受皿１５とを備え、前記スリット１９の両側辺は収容部５に収容される飲料袋に設けた注ぎ口２の位置及び方向を規定するガイド縁となっているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月7日(2005.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御対象の遊技動作を制御するための遊技プログラムを記憶する記憶手段を備え、前記遊技プログラムに従って制御対象の遊技動作を制御するようにした遊技機において、複数個の制御対象毎に制御基板を設け、該各制御基板の内、主制御基板とそれ以外の制御基板とにおいて、それらの各記憶手段に記憶された前記遊技プログラムは、メイン処理モジュールとサブモジュールとで構成され、該サブモジュールには、複数種類の機種に共通の共通モジュールと当該機種に固有の固有モジュールとがあり、その固有モジュールが前記遊技プログラムの後方に配置され、その固有モジュールへのブランチ命令を含む共通モジュールが、他の共通モジュールよりも前記遊技プログラムの後方に配置されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、制御対象の遊技動作を制御するための遊技プログラムを記憶する記憶手段を備え、前記遊技プログラムに従って制御対象の遊技動作を制御するようにした遊技機において、複数個の制御対象毎に制御基板を設け、該各制御基板の内、主制御基板とそれ以外の制御基板とにおいて、それらの各記憶手段に記憶された前記遊技プログラムは、メイン処理モジュールとサブモジュールとで構成され、該サブモジュールには、複数種類の機種に共通の共通モジュールと当該機種に固有の固有モジュールとがあり、その固有モジュールが前記遊技プログラムの後方に配置され、その固有モジュールへのブランチ命令を含む共通モジュールが、他の共通モジュールよりも前記遊技プログラムの後方に配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
【発明の効果】
本発明では、制御対象の遊技動作を制御するための遊技プログラムを記憶する記憶手段を備え、前記遊技プログラムに従って制御対象の遊技動作を制御するようにした遊技機において、複数個の制御対象毎に制御基板を設け、該各制御基板の内、主制御基板とそれ以外の制御基板とにおいて、それらの各記憶手段に記憶された前記遊技プログラムは、メイン処理モジュールとサブモジュールとで構成され、該サブモジュールには、複数種類の機種に共通の共通モジュールと当該機種に固有の固有モジュールとがあり、その固有モジュールが遊技プログラムの後方に配置され、その固有モジュールへのブランチ命令を含む共通モジュールが、他の共通モジュールよりも遊技プログラムの後方に配置されているので、遊技プログラムを容易に作成でき、その変更等にも容易に対応できる利点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タングステン、モリブデン等の高融点の第１の金属の多孔質焼結体の少なくとも表面に、炭化層を形成し、銅、銀、金の少なくとも一つよりなる第２の金属を前記第１の金属の多孔質焼結体に含浸してなり、前記第１の金属と前記第２の金属との割合を、その熱膨張係数が搭載すべき半導体素子の熱膨張係数とほぼ同じになる値に設定したことを特徴とするヒートシンク。
【請求項２】
前記第１の金属の含有率を、ほぼ５０〜９０重量％に設定したことを特徴とする請求項１に記載のヒートシンク。
【請求項３】
タングステン、モリブデン等の高融点の第１の金属の多孔質焼結体に炭素を含む樹脂を含浸させてから高温処理して炭化層を形成し、次に銅、銀、金のいずれか一つ以上からなる第２の金属を溶融含浸させて製造することを特徴とするヒートシンクの製造方法。
【請求項４】
タングステン、モリブデン等の高融点の第１の金属の多孔質焼結体を炭化雰囲気中で高温処理して炭化層を形成し、次に銅、銀、金のいずれか一つ以上からなる第２の金属を溶融含浸させて製造することを特徴とするヒートシンクの製造方法。
【請求項５】
前記第２の金属の含浸に先だって、無電解メッキにより前記第２の金属と同じ金属の被膜を前記炭化層上に形成することを特徴とする請求項３又は４に記載のヒートシンクの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための第１の発明は、タングステン、モリブデン等の高融点の第１の金属の多孔質焼結体の少なくとも表面に、炭化層を形成し、銅、銀、金の少なくとも一つよりなる第２の金属を前記第１の金属の多孔質焼結体に含浸してなり、前記第１の金属と前記第２の金属との割合を、その熱膨張係数が搭載すべき半導体素子の熱膨張係数とほぼ同じになる値に設定して構成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第３の発明は、タングステン、モリブデン等の高融点の第１の金属の多孔質焼結体に炭素を含む樹脂を含浸させてから高温処理して炭化層を形成し、次に銅、銀、金のいずれか一つ以上からなる第２の金属を溶融含浸させて製造するよう構成した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第４の発明は、タングステン、モリブデン等の高融点の第１の金属の多孔質焼結体を炭化雰囲気中で高温処理して炭化層を形成し、次に銅、銀、金のいずれか一つ以上からなる第２の金属を溶融含浸させて製造するよう構成した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第５の発明は、第３又は第４の発明において、前記第２の金属の含浸に先だって、無電解メッキにより前記第２の金属と同じ金属の被膜を前記炭化層上に形成するよう構成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
［第３の実施の形態］
図３はヒートシンクの別の製造工程を示す図である。ここでは、多孔質タングステン１を炭化雰囲気中で高温処理することによって炭化層（膜厚：約100μｍ）を外周の表面に形成し、この炭化層上に無電解銅メッキ層を形成し、この後に銅２を含浸させる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月18日(2005.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン材料により形成されると共にソースおよびドレインとなる一対の不純物が形成された基板と、
この基板の上の前記不純物領域間に対応する領域に形成されたゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜上にシリコン膜を形成し、このシリコン膜上に高融点金属膜を形成した後、熱処理によりシリコン膜全体をシリサイド化することにより形成され、全体が金属シリサイドからなるゲート電極と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極の側面に絶縁材料により形成されたゲート側壁が設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート側壁は、その上端部が前記ゲート電極の表面よりも高い位置にあることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ゲート電極の厚さは１０〜１５０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記一対の不純物領域それぞれの上に金属シリサイド層が形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
シリコン材料よりなる基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上にシリコン膜を形成した後、このシリコン膜の上に高融点金属を堆積させると共に熱処理を施し、シリコン膜全体をシリサイド化してゲート電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
シリコン材料よりなる基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上にシリコン膜および保護膜をこの順に積層したのち、前記保護膜およびシリコン膜をゲート電極のパターン形状に加工する工程と、
前記加工されたシリコン膜および保護膜の側面を覆うように絶縁材料よりなるゲート側壁を形成する工程と、
前記保護膜を選択的に除去することによりシリコン膜の表面を露出させた後、このシリコン膜上に高融点金属を堆積させると共に熱処理を施し、シリコン膜全体をシリサイド化してゲート電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ゲート側壁を保護膜を構成する材料に比べてエッチング速度の速い材料により形成することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記保護膜を窒化シリコンにより形成すると共に、ゲート側壁を二酸化シリコンにより形成することを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記シリコン膜の膜厚を１０〜１００ｎｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
シリコン材料よりなる基板の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上にシリコン膜および保護膜をこの順に積層した後、前記保護膜およびシリコン膜をゲート電極のパターン形状に加工する工程と、
前記加工されたシリコン膜および保護膜の壁面を覆うように絶縁材料よりなるゲート側壁を形成する工程と、
前記ゲート側壁および保護膜をマスクとして基板に対して不純物を注入することによりソースおよびドレインとなる一対の不純物領域を形成する工程と、
前記保護膜を選択的に除去してシリコン膜の表面を露出させた後、前記基板の全面に高融点金属を堆積させ、次いで熱処理によりシリコン膜全体をシリサイド化させてゲート電極を形成すると共に、各不純物領域上に選択的にシリサイド層を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
高融点金属としてコバルトを用い、ゲート電極および各不純物領域上のシリサイド層をコバルトシリサイドとすることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体装置は、シリコン材料により形成されると共にソースおよびドレインとなる一対の不純物領域が形成された基板と、この基板の上の不純物領域間に対応する領域に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上にシリコン膜を形成し、このシリコン膜上に高融点金属膜を形成した後、熱処理によりシリコン膜全体をシリサイド化することにより形成され、全体が金属シリサイドからなるゲート電極とを備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
以上説明したように請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体装置によれば、全体が金属シリサイドよりなるゲート電極を備えるようにしたので、ゲート空乏化を阻止することができると共に低抵抗化を図ることができ、電流駆動能力が著しく向上するという効果を奏する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、請求項６ないし請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法によれば、薄いシリコン膜の上に高融点金属を堆積させると共に熱処理によりシリコン膜全体をシリサイド化してゲート電極を形成するようにしたので、ゲート電極の下地のゲート絶縁膜を侵すことなく、完全に金属化され空乏化することのないゲート電極を作製することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
特に、請求項７ないし請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法によれば、シリコン膜および保護膜の積層構造の側面を覆うようにゲート側壁を形成した後、保護膜を除去してシリコン膜を露出させるようにしたので、ゲート側壁がゲート電極よりも高く形成される。従って、ソースおよびドレインの不純物領域に対するコンタクト部を形成する際のプロセス余裕が拡大化される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
更に、請求項１１または請求項１２記載の半導体装置の製造方法によれば、基板の全面に高融点金属を堆積させた後、熱処理を施すことにより、ゲート電極と、ソースおよびドレインとなる一対の不純物領域上のシリサイド層とを形成するようにしたので、全体が金属シリサイドよりなるゲート電極とサリサイド構造を有するソース領域およびドレイン領域とが同時に形成され、製造工程が簡略化される。また、ソースおよびドレインとなる不純物領域を形成した後、高融点金属シリサイドよりなるゲート電極を形成するようにしたので、ゲート電極形成後に熱処理を必要としない。よって、ゲート絶縁膜特性の劣化を阻止することができるという効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月17日(2004.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
この半導体基板に集積形成された不揮発性メモリセルを配列したメモリセルアレイ及びメモリセル以外の回路素子と、
このメモリセルアレイ及びメモリセル以外の回路素子の上に層間絶縁膜を介して形成され、前記メモリセルアレイの領域上における信号線の層数がｍ、メモリセル以外の回路素子の領域上における信号線の層数がｎ（但し、ｎ＞ｍ）である多層配線と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
この半導体基板に集積形成された不揮発性メモリセルを配列したメモリセルアレイ及びメモリセル以外の回路素子と、
このメモリセルアレイ及びメモリセル以外の回路素子の上に層間絶縁膜を介して形成され、前記メモリセルアレイの領域上における信号線の層数がｍ、メモリセル以外の回路素子の領域上における信号線の層数がｎ（但し、ｎ＞ｍ）である多層配線と、
この多層配線を覆って形成され、前記メモリセルアレイの領域上では第ｍ層の信号線による段差を解消するように表面が実質的に平坦化されてなる層間絶縁膜上に平坦に形成されたパシベーション膜と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記信号線は金属配線からなるものである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記パシベーション膜は、少なくともその最上層がプラズマＣＶＤにより形成されたシリコン窒化膜である
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記パシベーション膜の下に、前記メモリセル以外の回路素子の領域における第ｍ層より上の少なくとも１層の信号線と同じ配線材料膜が前記メモリセルアレイの領域上一面を覆うプレート電極として残されている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記プレート電極は、前記半導体基板における前記メモリセルアレイの領域に設けられた端子に接続されている
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記メモリセルアレイは、データ記憶を行うメモリセルアレイ本体と、このメモリセルアレイ本体のメモリセルの基準しきい値を得るための基準メモリセルアレイとを有し、且つ
前記プレート電極は前記メモリセルアレイの領域の内前記メモリセルアレイ本体の領域上にのみ配設されている
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板に不揮発性メモリセルを配列したメモリセルアレイ及びメモリセル以外の回路素子を集積形成する工程と、
前記メモリセルアレイ及びメモリセル以外の回路素子の上に層間絶縁膜を介して、メモリセルアレイの領域上における信号線の層数がｍ、メモリセル以外の回路素子の領域上における信号線の層数がｎ（但し、ｎ＞ｍ）である多層配線を形成する工程と、
前記メモリセルアレイの領域上では最上層配線層の段差を解消するように表面が実質的に平坦化されてなる層間絶縁膜上に、前記多層配線を覆うパシベーション膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記多層配線を形成する工程は、前記メモリセルアレイの領域及びメモリセル以外の回路素子の領域に第ｍ層までの信号線を形成した後、その上に層間絶縁膜を実質的に平坦な表面をもって堆積し、メモリセル以外の回路素子の領域における第ｍ層より上の少なくとも１層の信号線をパターン形成する工程で、その配線材料膜を前記メモリセルアレイの領域上一面を覆うプレート電極として残すようにしたことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
メモリセルアレイ領域及びこの隣に位置する周辺回路領域を有する半導体基板と、
前記メモリセルアレイ領域に設けられた、複数の不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと、
前記周辺回路領域に設けられた、前記不揮発性メモリセル以外の回路素子で形成される周辺回路と、
前記メモリセルアレイ領域の前記メモリセルアレイの上に形成される、層数ｍの配線層を含む第１多層配線構造と、
前記周辺回路領域の前記周辺回路の上に形成される、層数ｎの配線層を含む第２多層配線構造と、を備え、
前記第１及び第２多層配線構造は、前記半導体基板に到達する少なくとも一つのコンタクトホールを含む絶縁膜上に形成されており、
ｎ＞ｍである
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明に係る半導体装置はさらに、メモリセルアレイ領域及びこの隣に位置する周辺回路領域を有する半導体基板と、前記メモリセルアレイ領域に設けられた、複数の不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと、前記周辺回路領域に設けられた、前記不揮発性メモリセル以外の回路素子で形成される周辺回路と、前記メモリセルアレイ領域の前記メモリセルアレイの上に形成される、層数ｍの配線層を含む第１多層配線構造と、前記周辺回路領域の前記周辺回路の上に形成される、層数ｎの配線層を含む第２多層配線構造と、を備え、前記第１及び第２多層配線構造は、前記半導体基板に到達する少なくとも一つのコンタクトホールを含む絶縁膜上に形成されており、ｎ＞ｍであることを特徴とする。
この発明において信号線は、例えば金属配線である。またパシベーション膜には、例えば少なくともその最上層がプラズマＣＶＤにより形成されたシリコン窒化膜が用いられる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
素子形成された基板１０は、第１の層間絶縁膜１６を堆積形成し、平坦化する。この層間絶縁膜１６には拡散層やゲート電極に対する配線接続用のＷ等のコンタクト層１７を埋め込み形成する。第１の層間絶縁膜１６は例えばＢＰＳＧ膜である。この第１の層間絶縁膜１６上に、Ａｌ膜等の金属膜による第１層配線１８をメモリセルアレイ領域及び周辺回路領域に同時にパターン形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜からなる活性層を形成し、
前記活性層の一部と接触する様にゲルマニウム膜を形成し、
６００℃を超えない加熱処理により前記活性層を前記ゲルマニウム膜に接触させた部分から結晶成長させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜からなる活性層を形成し、
前記活性層上にマスク絶縁膜を形成し、
前記マスク絶縁膜に開孔部を設け、前記活性層の一部を露出させ、
ゲルマニウム膜を形成して前記活性層の一部と接触させ、
６００℃を超えない加熱処理により前記活性層を前記ゲルマニウム膜に接触させた部分から結晶成長させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜からなる活性層を形成し、
前記活性層上にマスク絶縁膜を形成し、
前記マスク絶縁膜に開孔部を設け、前記活性層の一部を露出させ、
ゲルマニウム膜を形成して前記活性層の一部と接触させ、
６００℃を超えない加熱処理により前記活性層を前記ゲルマニウム膜に接触させた部分から結晶成長させ、
前記ゲルマニウム膜及び前記マスク絶縁膜を除去し、
前記活性層上に、パターニングされた絶縁層を形成し、
前記活性層及び前記パターニングされた絶縁層を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、コンタクトホールを介して前記活性層と接続するソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に第１のアモルファスシリコン膜からなる活性層を形成し、
前記活性層上にマスク絶縁膜を形成し、
前記マスク絶縁膜に開孔部を設け、前記活性層の一部を露出させ、
ゲルマニウム膜を形成して前記活性層の一部と接触させ、
６００℃を超えない加熱処理により前記活性層を前記ゲルマニウム膜に接触させた部分から結晶成長させ、
前記ゲルマニウム膜及び前記マスク絶縁膜を除去し、
前記活性層上に、パターニングされた絶縁層を形成し、
前記活性層及び前記パターニングされた絶縁層上に、第２のアモルファスシリコン膜を形成し、
前記第２のアモルファスシリコン膜上に、微結晶シリコン膜を形成し、
前記微結晶シリコン膜上に導電膜を形成し、当該導電膜をパターニングしてソース配線及びドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線をマスクとして、前記第２のアモルファスシリコン膜及び前記微結晶シリコン膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、前記パターニングされた絶縁層は、酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求１乃至請求項５のいずれか一において、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法又は減圧熱ＣＶＤ法により前記ゲルマニウム膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜からなる活性層を形成し、
前記活性層上にマスク絶縁膜を形成し、
前記マスク絶縁膜に開孔部を設け、前記活性層の一部を露出させ、
前記マスク絶縁膜上に、スピンコート法によりゲルマニウムを含む溶液を塗布し、前記活性層の一部と接触させ、
６００℃を超えない加熱処理により前記活性層を前記ゲルマニウムを含む溶液に接触させた部分から結晶成長させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にアモルファスシリコン膜からなる活性層を形成し、
前記活性層上にマスク絶縁膜を形成し、
前記マスク絶縁膜に開孔部を設け、前記活性層の一部を露出させ、
前記マスク絶縁膜上に、スピンコート法によりゲルマニウムを含む溶液を塗布し、前記活性層の一部と接触させ、
６００℃を超えない加熱処理により前記活性層を前記ゲルマニウムを含む溶液に接触させた部分から結晶成長させ、
前記ゲルマニウムを含む溶液及び前記マスク絶縁膜を除去し、
前記活性層上に、パターニングされた絶縁層を形成し、
前記活性層及び前記パターニングされた絶縁層を覆う層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、コンタクトホールを介して前記活性層と接続するソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記パターニングされた絶縁層は、酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、前記ゲルマニウムを含む溶液として、酸化ゲルマニウム、塩化ゲルマニウム、臭化ゲルマニウム、硫化ゲルマニウム、酢酸ゲルマニウムのいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記加熱処理として、ファーネスアニール、ランプアニール、レーザーアニールのいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記加熱処理を不活性雰囲気又は水素雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記加熱処理を４５０℃〜６００℃の温度範囲で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面に形成された複数の薄膜トランジスタを用いた回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板の絶縁表面上にアモルファスシリコン膜を形成する第１の工程と、
不活性ガスによって、前記アモルファスシリコン膜表面をスパッタエッチング処理する第２の工程と、
前記アモルファスシリコン膜の表面に接してゲルマニウム膜を形成する第３の工程と、
前記アモルファスシリコン膜の加熱温度が６００℃を上限とする加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化させてポリシリコン膜に変成させる第４の工程と、を有し、
前記第２の工程以後、前記第３の工程において前記ゲルマニウム膜が形成されるまで、前記アモルファスシリコン膜表面を大気雰囲気に曝さないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面に形成された複数の薄膜トランジスタを用いた回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板の絶縁表面上にアモルファスシリコン膜を形成する第１の工程と、
不活性ガスによって、前記アモルファスシリコン膜表面をスパッタエッチング処理する第２の工程と、
前記アモルファスシリコン膜の表面に接してゲルマニウム膜を形成する第３の工程と、
前記アモルファスシリコン膜の加熱温度が６００℃を上限とする加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化させてポリシリコン膜に変成させる第４の工程と、を有し、
前記第２の工程から前記第４の工程まで前記基板を大気雰囲気に曝さないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の第３の工程において、前記ゲルマニウム膜をスパッタ法にて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面に形成された複数の薄膜トランジスタを用いた回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板の絶縁表面上にアモルファスシリコン膜を形成する第１の工程と、
前記アモルファスシリコン膜に接して、開口部を有するマスク絶縁膜を形成する第２の工程と、
不活性ガスによって、前記開口部において露出している前記アモルファスシリコン膜表面をスパッタエッチング処理する第３の工程と、
前記開口部において、前記アモルファスシリコン膜表面に接してゲルマニウム膜を形成する第４の工程と、
前記アモルファスシリコン膜の加熱温度が６００℃を上限とする加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化させてポリシリコン膜に変成させる第５の工程と、を有し、
前記第２の工程以後、前記第４の工程において前記ゲルマニウム膜が形成されるまで、前記アモルファスシリコン膜表面を大気雰囲気に曝さないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面に形成された複数の薄膜トランジスタを用いた回路を有する半導体装置の作製方法であって、
基板の絶縁表面上にアモルファスシリコン膜を形成する第１の工程と、
前記アモルファスシリコン膜に接して、開口部を有するマスク絶縁膜を形成する第２の工程と、
不活性ガスを用によって、前記開口部において露出している前記アモルファスシリコン膜表面をスパッタエッチング処理する第３の工程と、
前記開口部において、前記アモルファスシリコン膜表面に接してゲルマニウム膜を形成する第４の工程と、
前記アモルファスシリコン膜の加熱温度が６００℃を上限とする加熱処理により前記アモルファスシリコン膜を結晶化させてポリシリコン膜に変成させる第５の工程と、を有し、
前記第２の工程から第５の工程まで、前記基板を大気雰囲気に曝さないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、前記マスク絶縁膜には、前記薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域となる領域上に前記開口部が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４又は請求項５において、前記マスク絶縁膜には、前記薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域となる領域上に前記開口部が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか１項において、前記第２の工程の前に、前記アモルファスシリコン膜を前記薄膜トランジスタの活性層の形状にパターニングする工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項４乃至請求項７のいずれか１項において、前記第５の工程の後に、前記ポリシリコン膜をパターニングして前記薄膜トランジスタの活性層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項４乃至請求項９のいずれか１項に記載の第４の工程において、前記ゲルマニウム膜をスパッタ法にて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャナと、
前記スキャナ内の露光ランプと、
コンピュータと、
前記コンピュータ、電力源、および前記露光ランプに接続された電力制御回路と、
前記コンピュータ上で実行され、選択された時刻に電力を前記電力源から前記露光ランプに接続する命令を前記電力制御回路に与えるソフトウエア・プログラムと、
を備えた装置。
【請求項２】
選択された時刻に露光ランプに電力を接続するためのコンピュータ操作可能な方法であって、
前記時刻を獲得するステップと、
前記時刻が、選択された電力投入時刻と同じかあるいはそれ以降であるとき、前記露光ランプに電力を接続するステップと、
を含む方法。
【請求項３】
選択された時刻に露光ランプに電力を接続する方法のステップを実行するための、前記コンピュータによって実行可能な命令のプログラムを有形に具現化した、コンピュータ読み取り可能なプログラム記憶媒体であって、前記方法のステップが、
前記時刻を獲得するステップと、
前記時刻が、選択された電力投入時刻と同じかあるいはそれ以降であるとき、前記露光ランプに電力を接続するステップと、
を含む、プログラム記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月2日(2005.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクセルを有する複数のビデオ・フィールドから、画質向上した静止画像を生成する方法であって、
基準フィールドの役目を果たす少なくとも１つのフィールドを選択するステップ(a)と、
残りのフィールドを補助フィールドの役目を果たすフィールドとして使用するステップ(b)と、
基準フィールドを方向的に補間するために使用されるべき基準フィールド方位マップを構築するステップ(c)と、
基準フィールドの特性と対応する補助フィールドの特性の間のローカル変位をモデル化するため運動マップを構築するステップ(d)と、
補助フィールドの各々に関する補助フィールド方位マップを生成するステップ(e)と、
上記補助フィールド方位マップを使用して、補間された基準フィールドと同じ解像度に補助フィールドを方向的に補間するステップ(f)と、
特定のピクセルを除外するため各補助フィールド毎のマージ・マスクを決定するステップ(g)と、
基準フィールド・ピクセルおよびマスクされなかった補助フィールド・ピクセルから加重平均画像を作成するステップ(h)と、
加重平均画像を水平に補間して、画質向上した静止画像を作成するステップ(i)と、
を含む方法。
【請求項２】
上記ステップ(a)乃至ステップ(i)がビデオ・フィールドの輝度コンポーネントに適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記ステップ(a)乃至ステップ(i)がビデオ・フィールドのクロミナンス・コンポーネントに適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記ステップ(a)乃至ステップ(i)が、対応する輝度コンポーネントより比較的少ない空間周波数コンテントを持つクロミナンス・コンポーネントに対して実行される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
上記ステップ(d)における運動マップが、方向的に補間された基準フィールドを使用して、垂直方向においてサブピクセル４分の１ピクセル精度および水平方向において２分の１ピクセル精度に計算される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記補助フィールドの各々に関する補助フィールド方位マップが、各補助フィールドに関する方位マップを別々に計算することにより生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記ステップ(g)における特定ピクセルが、運動マップが基準フィールドと補助フィールドの間の関係を正しくモデル化することができないような領域に対応しているものである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記加重平均ステップ(h)において作成される画像を鮮明にする事後処理演算ステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記水平補間ステップ(i)が２という水平補間係数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
補助フィールド方位マップが、前記補助フィールドの各々に対する方位マップを前記基準フィールドの方位マップから直接推量することにより生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ピクセルを有する複数のビデオ・フィールドから、画質向上した静止画像を生成するシステムであって、
基準フィールドの役目を果たす少なくとも１つのフィールドを選択し、残りのフィールドを補助フィールドの役目を果たすフィールドとして使用する選択手段と、
基準フィールドを方向的に補間するために使用されるべき方位マップを構築し、基準フィールドの特性と対応する補助フィールドの特性の間のローカル変位をモデル化するため運動マップを構築し、運動マップを使用して、補助フィールドの各々に関する方位マップを基準フィールドの方位マップから直接推量する、マップ作成手段と、
補助フィールドの方位マップを使用して、補間された基準フィールドと同じ解像度に補助フィールドを方向的に補間する補間手段と、
特定のピクセルを除外するため各補助フィールド毎のマージ・マスクを決定するマスク手段と、
基準フィールド・ピクセルおよびマスクされなかった補助フィールド・ピクセルから加重平均画像を作成する平均化手段と、
加重平均画像を水平に補間して、画質向上した静止画像を作成する補間手段と、
を含む画像情報結合システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して、発信側端末から受信側端末に向けてデータを送信すると共に、前記ネットワーク上の状況を把握するための制御信号を所定間隔に発信する通信制御方法であって、
前記ネットワークの状況の変化を検出し、
検出された状況の変化に応じて前記制御情報の発信の頻度を調整することを特徴とする通信制御方法。
【請求項２】
前記ネットワークの状況は、発信側端末からの発信レート及び受信側端末での受信レートの差を監視して検出することを特徴とする請求項第１項に記載の通信制御方法。
【請求項３】
前記発信側端末は送信レートを変更した場合には制御情報の発信頻度を変更することを特徴とする請求項第１項に記載の通信制御方法。
【請求項４】
前記発信側端末は前記データに与えられた所定の目標送信レートに対する実際の送信レートが低い場合には当該送信レートを所定の割合高くすると共に、前記所定間隔にかかわらず前記制御情報を受信側端末に向けて送信することを特徴とする請求項第１項に記載の通信制御方法。
【請求項５】
前記所定間隔は所定の時間間隔であることを特徴とする請求項第１項に記載の通信制御方法。
【請求項６】
前記発信側端末は、前記受信側からの制御情報に基づいて転送データにロスが発生したか否かを判断し、
この判断によってロスの発生を判断した場合に、前記転送レートを所定割合低く設定すると共に、前記所定間隔にかかわらず前記制御情報を受信側端末に向けて送信することを特徴とする請求項第１項に記載の通信制御方法。
【請求項７】
前記データはＲＴＰプロトコルに従ったパケット送信であって、前記制御情報はＲＴＣＰプロトコルに従ったパケット送信であることを特徴とする請求項第１項乃至第６項のいずれか１項に記載の通信制御方法。
【請求項８】
前記受信側端末は、前記送信側端末からの前記データの転送レートと、受信レートとの差が所定以上になった場合、前記制御情報を前記送信側端末に送信することを特徴とする請求項第１項乃至第７項のいずれか１項に記載の通信制御方法。
【請求項９】
ネットワーク回線を介して、発信側端末から受信側端末に向けてデータを送信すると共に、前記ネットワーク上の状況を把握するための制御信号を所定間隔に発信する通信制御システムであって、
前記ネットワーク回線の状況の変化を検出する検出手段と、
検出された状況の変化に応じて前記制御情報の発信の頻度を調整する調整手段と
を備えることを特徴とする通信制御システム。
【請求項１０】
コンピュータが読み込み実行することで、ネットワーク回線を介して、発信側端末から受信側端末に向けてデータを送信すると共に、前記ネットワーク上の状況を把握するための制御信号を所定間隔に発信する通信制御システムとして機能するプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記ネットワーク回線の状況の変化を検出する検出手段と、
検出された状況の変化に応じて前記制御情報の発信の頻度を調整する調整手段
として機能するプログラムコードを格納したことを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この課題を解決するため、例えば本発明の通信制御方法は以下の工程を備える。すなわち、
ネットワークを介して、発信側端末から受信側端末に向けてデータを送信すると共に、前記ネットワーク上の状況を把握するための制御信号を所定時間間隔に発信する通信制御方法であって、
前記ネットワークの状況の変化を検出し、
検出された状況の変化に応じて前記制御情報の発信の頻度を調整することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月17日(2005.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電力調整回路および無線回路装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧が入力される入力端子と、減衰量が制御電流により調整され、前記入力された入力電圧を減衰して出力する可変減衰回路と、前記可変減衰回路の出力電圧を出力する出力端子と、前記制御電流を前記可変減衰回路に与えるレベル検出回路と、前記入力電圧を前記レベル検出回路に与える方向性結合器を備えた電力調整回路において、前記レベル検出回路がトランジスタと抵抗とバイアス電圧源を備え、前記抵抗の一端に前記バイアス電圧源からバイアス電圧を与え、前記抵抗の他端に前記方向性結合器から入力された入力電圧を与え、前記抵抗に流れる電流を前記トランジスタのバイアス電流として与え、前記トランジスタ出力電流を前記可変減衰回路の前記制御電流として与え、前記入力電圧の電圧変化に応じて前記可変減衰回路の前記制御電流の大きさを変化させることにより前記減衰量を調整することを特徴とする電力調整回路。
【請求項２】
前記可変減衰回路がＰＩＮダイオードを備え、前記制御電流を前記ＰＩＮダイオードのバイアス電流として与え、前記ＰＩＮダイオードのインピーダンスを調整することにより信号減衰量を可変とする請求項１に記載の電力調整回路。
【請求項３】
無線装置の受信部の入力前段に用いられることを特徴とする請求項１または２に記載の電力調整回路。
【請求項４】
送信部と受信部と送受信用アンテナを備えた無線機に用いられ、前記入力端子が前記送信部出力に接続され、前記出力端子が前記受信部入力に接続され、前記可変減衰回路が前記送受信用アンテナへの分岐を有し、送信時には前記送信部からの送信信号を前記送受信用アンテナへの分岐により前記送受信用アンテナへ出力し、前記可変減衰回路の減衰量増加により前記受信部への信号流入を防ぎ、受信時には前記可変減衰回路の減衰量低減により送受信アンテナの受信信号を前記受信部へ受信させる請求項１または２に記載の電力調整回路。
【請求項５】
送信部と、受信部と、送受信用アンテナと、可変減衰回路を備え、前記送信部の出力信号が前記送受信用アンテナを介して放射され、前記送受信用アンテナで受信した信号が前記可変減衰回路を介して前記受信部に入力され、前記送信部が信号を出力する時には前記可変減衰回路の減衰量を増やし、前記送信部が信号を出力しない時には前記可変減衰回路の減衰量を減らすことを特徴とする無線回路装置。
【請求項６】
送信部と、受信部と、送受信用アンテナと、出力電力可変回路を備え、前記送信部の出力信号が前記送受信用アンテナを介して放射され、前記送受信用アンテナで受信した信号が前記出力電力可変回路を介して前記受信部に入力され、前記送信部が信号を出力する時には前記出力電力可変回路の出力電力を減らし、前記送信部が信号を出力しない時には前記出力電力可変回路の出力電力を増やすことを特徴とする無線回路装置。
【請求項７】
送信部と、受信部と、送受信用アンテナと、出力電力可変回路を備え、前記送信部の出力信号が前記送受信用アンテナを介して放射され、前記送受信用アンテナで受信した信号が前記出力電力可変回路を介して前記受信部に入力され、前記送信部が信号を出力する時には前記出力電力可変回路への供給電流を増やし、前記送信部が信号を出力しない時には前記出力電力可変回路への供給電流を減らすことを特徴とする無線回路装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の無線回路装置は、送信部と、受信部と、送受信用アンテナと、可変減衰回路を備え、前記送信部の出力信号が前記送受信用アンテナを介して放射され、前記送受信用アンテナで受信した信号が前記可変減衰回路を介して前記受信部に入力され、前記送信部が信号を出力する時には前記可変減衰回路の減衰量を増やし、前記送信部が信号を出力しない時には前記可変減衰回路の減衰量を減らすことを特徴とする。
また、本発明の無線回路装置は、送信部と、受信部と、送受信用アンテナと、出力電力可変回路を備え、前記送信部の出力信号が前記送受信用アンテナを介して放射され、
前記送受信用アンテナで受信した信号が前記出力電力可変回路を介して前記受信部に入力され、前記送信部が信号を出力する時には前記出力電力可変回路の出力電力を減らし、
前記送信部が信号を出力しない時には前記出力電力可変回路の出力電力を増やすことを特徴とする。
また、本発明の無線回路装置は、送信部と、受信部と、送受信用アンテナと、出力電力可変回路を備え、前記送信部の出力信号が前記送受信用アンテナを介して放射され、
前記送受信用アンテナで受信した信号が前記出力電力可変回路を介して前記受信部に入力され、前記送信部が信号を出力する時には前記出力電力可変回路への供給電流を増やし、
前記送信部が信号を出力しない時には前記出力電力可変回路への供給電流を減らすことを特徴とする。
本発明にかかる電力調整回路、あるいは、無線回路装置を無線装置に応用することにより、小型化、軽量化とともに、受信部への電力入力に対する保護機能を持った優れた無線装置を提供することができる。