【手続補正書】
【提出日】平成15年6月10日(2003.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０１９原子／ｃｍ３以上の窒素を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する電極。
【請求項２】
上記超ナノ結晶体ダイヤモンドがフィルムである請求項１記載の電極。
【請求項３】
上記超ナノ結晶体ダイヤモンドは、０．２から２．０ｎｍ幅の結晶粒界と１（Ωｃｍ）−１以上の周囲温度における伝導性を有する請求項１記載の電極。
【請求項４】
周囲温度における伝導性が１０（Ωｃｍ）−１以上である請求項１記載の電極。
【請求項５】
上記フィルムは、２０００Å以上の厚さを有し、かつ実質的にピンホールがない請求項１記載の電極。
【請求項６】
上記炭素の供給源が、ＣＨ４またはその前駆体、Ｃ２Ｈ２またはその前駆体、Ｃ６０化合物のうちの１又は２以上である請求項１記載の電極。
【請求項７】
上記炭素が、原料ガス中に体積比で２０％以下含まれている請求項６記載の電極。
【請求項８】
原料ガス中における炭素の原子パーセントが約１％であり、その炭素の体積パーセントが２０％以下であり、希ガスと平衡状態にある請求項７記載の電極。
【請求項９】
１５ｎｍまたはそれ以下の平均結晶粒径を有しかつ１０１９原子／ｃｍ３以上の窒素を有し、カーボン源と窒素源を供給し、超ナノ結晶体物質を形成するためのプラズマを発生させるためにそのカーボン源と窒素を希ガス中でエネルギー源に曝して蒸発させることによって作製された電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する電極であって、上記原料ガスには２％以下の炭素が含まれている電極。
【請求項１０】
上記超ナノ結晶体ダイヤモンドは２０００Å以上の厚さを有するフィルムである請求項１記載の電極。
【請求項１１】
有毒な物質を有する水溶液を矯正する方法であって、有毒な物質を有する水溶液を、少なくとも一方が１０１９原子／ｃｍ３以上の窒素を有し、０．１（Ωｃｍ）−１以上の周囲温度における伝導性を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する２つの電極間の電気ポテンシャルに曝すことを含む方法。
【請求項１２】
１０１９原子／ｃｍ３以上の窒素を有し、０．１（Ωｃｍ）−１以上の周囲温度における伝導性を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンド電極を用いて、神経を横切って電気ポテンシャルを印加することを含む神経を刺激する方法。
【請求項１３】
１０１９原子／ｃｍ３以上の窒素を有し、０．１（Ωｃｍ）−１以上の周囲温度における伝導性を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドを含む電子放射デバイス。
【請求項１４】
上記デバイスは、フラットディスプレイパネル、質量分析又は電子顕微鏡のような電子装置、ｘ線装置、半導体型センサー又はアクチエーター装置における反動推進エンジン又はセンサーにおける１又は２以上の冷陰極である請求項１３の電子放射デバイス。
【請求項１５】
アノードとカソードと電解質型水溶液とを有しており、そのアノードとカソードのうちの少なくとも１つは１０１９原子／ｃｍ３以上の窒素を有し、０．１（Ωｃｍ）−１以上の周囲温度における伝導性を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する電気化学セル。
【請求項１６】
１０１９原子／ｃｍ３以上の窒素を含み、周囲温度において０．１（Ω・ｃｍ）−１以上の電気伝導性を有する電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項１７】
前記超ナノ結晶体ダイヤモンドがフィルムである請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項１８】
０．２〜２．０ｎｍの範囲の結晶粒界を有する請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項１９】
平均結晶粒径が３〜１５ｎｍの範囲内にある請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項２０】
周囲温度において略１（Ω・ｃｍ）−１以上の電気伝導性を有する請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項２１】
周囲温度において略１０（Ω・ｃｍ）−１以上の電気伝導性を有する請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項２２】
周囲温度において略１００（Ω・ｃｍ）−１以上の電気伝導性を有する請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項２３】
１５ｎｍまたはそれ以下の平均結晶粒径を有しかつ１０１９原子／ｃｍ３以上の窒素を有し、カーボン源と窒素源を供給し、超ナノ結晶体物質を形成するためのプラズマを発生させるためにそのカーボン源と窒素を希ガス中でエネルギー源に曝して蒸発させることによって作製された電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する電極であって、その原料ガスには２％以下の炭素が含まれている電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項２４】
上記体積プロセスにおいて３５０℃以上の温度に維持された基板上に成長されたフィルム状のダイヤモンドである請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項２５】
炭素源が、ＣＨ４又はその前駆体、Ｃ２Ｈ２又はその前駆体及びＣ６０化合物の１又は２以上である請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項２６】
前記原料ガス中に窒素が２０体積％以上含まれている請求項２５記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項２７】
原料ガス中の炭素の原子％が略１％であり、前記原料ガス中に窒素が２０体積％以上含まれている請求項２６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項２８】
前記超ナノ結晶体ダイヤモンドは、１００Torr以上のトータル圧力下において３５０℃〜８００℃に維持された基板上に成長されたフィルムからなる請求項２６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項２９】
前記基板は、金属又は非金属からなる請求項２８記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項３０】
前記基板は、シリコン又はシリコン酸化物からなる請求項２８記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項３１】
周囲温度において０．１（Ω・ｃｍ）−１以上の電気伝導性を有する請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項３２】
周囲温度において１（Ω・ｃｍ）−１以上の電気伝導性を有する請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項３３】
周囲温度において１０（Ω・ｃｍ）−１以上の電気伝導性を有する請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項３４】
周囲温度において１００（Ω・ｃｍ）−１以上の電気伝導性を有する請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
【請求項３５】
ガス及び希ガスを含む窒素及び炭素の混合ガスをエネルギー源に曝して、窒素組入れ超ナノ結晶体ダイヤモンドフィルムを堆積させることからなる電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンドフィルムを製造する方法であって、上記原料ガス中の炭素の原子パーセントは約２％未満であり、窒素は約２体積％から約２５体積％の範囲で存在し、総量で約１０１９原子／ｃｍ３以上の窒素が存在する超ナノ結晶体ダイヤモンドフィルムを製造する方法。
【請求項３６】
上記炭素源がＣＨ４またはその前駆体、Ｃ２Ｈ２またはその前駆体及びＣ６０化合物のうちの１以上である請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
上記原料ガス中の炭素の原子パーセントが約１％であり、窒素は総量で約２０体積パーセント以下が存在し、アルゴンと平衡状態である請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
上記電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドが、約８００℃、約１００トールの全圧及び８００ワットのマイクロ波パワーで維持されたＳｉまたはＳｉＯ２基板上に成長されたフィルムである請求項２７記載の方法。
【請求項３９】
上記電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドが、周囲温度で約０．１（Ωｃｍ）−１以上の伝導性を有する請求項３５記載の方法。
【請求項４０】
上記電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドが、周囲温度で約１（Ωｃｍ）−１以上の伝導性を有する請求項３５記載の方法。
【請求項４１】
上記電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドが、周囲温度で約１０（Ωｃｍ）−１以上の伝導性を有する請求項３５記載の方法。
【請求項４２】
上記電気伝導性の超ナノ結晶性ダイアモンドが、周囲温度で約１００（Ωｃｍ）−１以上の伝導性を有する請求項３５記載の方法。
【請求項４３】
ガス及び希ガスを含む窒素及び炭素の混合ガスをエネルギー源に曝して、窒素組入れ超ナノ結晶体ダイヤモンドフィルムを堆積させることからなる既定の伝導性を有する電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンドフィルムを製造する方法であって、上記原料ガス中の炭素の原子パーセントは約２％未満であり、窒素は約２体積％から約２５体積％の範囲の予め選択した濃度で存在し、約０．０１以上の既定の伝導性を有する総量で約１０１９原子／ｃｍ３以上の窒素が存在する超ナノ結晶体ダイヤモンド材料を製造する方法。