Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
又、低速用クラッチ４２は、接続時に遊星歯車機構２０を構成する前記各歯車２１、２４、３２ａ、３２ｂ同士が相対変位する事を阻止し、前記キャリア２２と前記太陽歯車２１とを同期して回転させるものである。この為に上記低速用クラッチ４２は、接続に伴って遊星歯車機構２０の構成部材同士の相対変位を阻止自在な位置に設ける。図示の例では上記低速用クラッチ４２を、上記キャリア２２とリング歯車２４との間に設けている。この様な低速用クラッチ４２は、接続時には、上記遊星歯車機構２０を構成する太陽歯車２１とリング歯車２４と遊星歯車組３１、３１との相対変位を阻止し、これら太陽歯車２１とリング歯車２４と遊星歯車組３１、３１を支持したキャリア２２とを一体的に結合する。これら高速用クラッチ４１と低速用クラッチ４２とは、何れか一方のクラッチが接続された場合には、他方のクラッチの接続が断たれる様に、制御回路（油圧、電気）を構成している。尚、上記低速用クラッチ４２は、上述の様に、接続時に上記太陽歯車２１とリング歯車２４と遊星歯車組３１、３１との相対変位を阻止できるものであれば良く、図示の様な部位の他にも、太陽歯車２１とリング歯車２４との間、太陽歯車２１とキャリア２２との間等に設ける事もできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
又、図示の例では、上記リング歯車２４と、無段変速装置のハウジング等、固定の部分との間に、後退用クラッチ４３を設けている。この後退用クラッチ４３は、自動車を後退させるべく、前記出力軸１９を逆方向に回転させる為に設けている。この後退用クラッチ４３は、上記低速用クラッチ４２と高速用クラッチ４１との何れか一方が接続された状態では、接続が断たれる。又、この後退用クラッチ４３が接続された状態では、上記低速用クラッチ４２と高速用クラッチ４１とは、何れも接続が断たれる。即ち、前記発進クラッチ２８を除く、残り３個のクラッチ４１、４２、４３は、何れか１個が接続されると、残り２個のクラッチの接続は断たれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
更に、図示の例では、上記出力軸１９とデファレンシャルギヤ１８とを、この出力軸１９の端部に固定した第三の歯車４５により構成する第三の動力伝達機構４６により接続している。従って、上記出力軸１９が回転すると、これら第三の動力伝達機構４６及びデファレンシャルギヤ１８を介して左右１対の駆動車軸４７、４７が回転し、自動車の駆動輪を回転駆動する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
通常容器には、温度や湿度等を記録する仕組みはないため、設計上考慮されていない条件下に晒された容器は不慮の事態を引き起こすことは完全には否定できない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ガス漏れや容器の破裂による災害を防いで、容器の安全性を確保するために、定期的な容器の検査が義務づけられて（例えば、高圧ガス保安協会の保守基準ＨＫＳ−Ｓ０１６）はあるものの、不慮の事態をより確実に防ぐためには、容器の環境を一定に保つことが必要といえる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来の圧力容器の上述した問題点を解決し、軽量であるのは勿論のこと、圧力容器の温度、湿度を調節することを可能とした信頼性・安全性に優れる圧力容器を提供することにある。また、もう一つの目的は、容器の検査が容易で、さらにはオンタイムで容器の損傷状態や残存寿命を使用者に知らせることを可能とした圧力容器を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記において、内殻１は、ガス漏れを防ぐ機能および耐圧の一部（特に軸方向の耐圧）を負担する機能をもち、金属、プラスチック、あるいはこれらの複合物からなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
内殻１の金属としては、例えばスチールや、アルミニウム合金、あるいはマグネシウム合金、チタン合金等の軽合金で作られている。金属製の内殻の厚みは、ガス漏れを防ぐ目的の場合は数ｍｍ程度の厚みでよいが、耐圧を負担することを目的とする場合には有限要素法（ＦＥＭ）などによる応力計算により、負担させたい応力に応じた肉厚とすることが通常である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
内殻１のプラスチックとしては、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、あるいはこれら樹脂の複合層で作られていても良い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
内殻１のプラスチックは、プラスチック製ライナーとしてガスバリア性を求められることがあるので、ガスの種類によって樹脂の種類を選定する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
容器を乾燥させるという目的の場合も、容器の表面積の半分以上を覆っていることが好ましい。さらに、外殻の表面付近（外殻の厚みを１／３等分した場合の外側表面）に位置させると吸湿を抑制するという点でより好ましい。さらに、アルミニウム箔などの金属箔をはじめとする面状体を乾燥用発熱体として併用すると、水分の進入をより効果的に抑制することができて好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
通電の仕方としては、一定電圧をかける方法（定圧法）、一定の電流を流す方法（定電法）、パルス状やサイン波状に周期的に電圧をかけたり電流を流す方法がある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
また、損傷検出という観点からは導電繊維の破断伸度は、補強繊維の破断伸度と同じかそれ以下であることが望ましい。補強繊維と同時または、それ以前に導電繊維が破断し、より安全サイドでボンベの損傷を検出できるからである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月4日(2005.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングされた基板の白欠陥部にフィルムを転写して修正するフィルム転写修正方法において、
前記フィルムを前記パターニングされた基板の前記白欠陥部を含む範囲に密着させ、加熱手段により前記フィルムの前記白欠陥部に対応する部分を加熱して、前記フィルムを前記白欠陥部のみに転写することにより修正を行なうことを特徴とする、フィルム転写修正方法。
【請求項２】
前記フィルムは光照射により加熱されて軟化し、前記白欠陥部の表面に転写されることを特徴とする、請求項１に記載のフィルム転写修正方法。
【請求項３】
前記パターニングされた基板は液晶カラーフィルタであることを特徴とする、請求項１または２に記載のフィルタ転写修正方法。
【請求項４】
パターニングされた基板の白欠陥部にフィルムを転写して修正するフィルム転写修正装置であって、
前記パターニングされた基板を搭載するテーブル、
前記白欠陥部に密着する特性を持つフィルムを供給するためのフィルム供給手段、
前記フィルム供給手段から供給されたフィルムを前記白欠陥部に密着させるための加圧手段、および
光学的な修正パターン形状を前記フィルムに照射して、該形状のフィルムを前記白欠陥部に転写するための転写用光学手段を備えたことを特徴とする、フィルム転写修正装置。
【請求項５】
さらに、前記転写用光学手段と前記加圧手段との間であってかつ光軸上に設けられ、前記転写用光学手段からの光を前記白欠陥部の形状に縮小投影するためのスリットを含むことを特徴とする、請求項４に記載のフィルム転写修正装置。
【請求項６】
さらに、前記転写用光学手段からの光と同一光軸上に、前記パターニングされた基板の欠陥部を前記修正パターン形状に除去するためのレーザ光を照射する欠陥除去用レーザ光源を含むことを特徴とする、請求項４または５に記載のフィルム転写修正装置。
【請求項７】
前記パターニングされた基板は液晶カラーフィルタであることを特徴とする、請求項４から６までのいずれかに記載のフィルタ転写修正装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るフィルム転写修正方法は、パターニングされた基板の白欠陥部にフィルムを転写して修正するフィルム転写修正方法において、フィルムをパターニングされた基板の白欠陥部を含む範囲に密着させ、加熱手段によりフィルムの白欠陥部に対応する部分を加熱して、フィルムを白欠陥部のみに転写することにより修正を行なう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
好ましくは、フィルムは光照射により加熱されて軟化し、白欠陥部の表面に転写される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、この発明に係るフィルム転写修正装置は、パターニングされた基板の白欠陥部にフィルムを転写して修正するフィルム転写修正装置であって、パターニングされた基板を搭載するテーブルと、白欠陥部に密着する特性を持つフィルムを供給するためのフィルム供給手段と、フィルム供給手段から供給されたフィルムを白欠陥部に密着させるための加圧手段と、光学的な修正パターン形状をフィルムに照射して、その形状のフィルムを白欠陥部に転写するための転写用光学手段を備えて構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
好ましくは、さらに、転写用光学手段と加圧手段との間であってかつ光軸上に設けられ、転写用光学手段からの光を白欠陥部の形状に縮小投影するためのスリットを含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また好ましくは、さらに転写用光学手段からの光と同一光軸上に、パターニングされた基板の欠陥部を修正パターン形状に除去するためのレーザ光を照射する欠陥除去用レーザ光源を含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また好ましくは、パターニングされた基板は液晶カラーフィルタである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気を圧縮する圧縮機本体と、該圧縮機本体を収納する筐体と、該筐体に設けられ該筐体内に外気を吸い込むための空気吸込口と、前記圧縮機本体に設けられ吸込口を有する送風ガイドと、該送風ガイド内に空気を送風する送風ファンとからなる空気圧縮機において、
前記筐体の空気吸込口と前記送風ガイドの吸込口とを離間して配設し、前記筐体の空気吸込口と前記送風ガイドの吸込口とを連通するとともに全周を塞ぐ振動減衰部材を介在させたことを特徴とする空気圧縮機。
【請求項２】
前記請求項１記載の空気圧縮機であって、
前記振動減衰部材は、弾性を有するスポンジ材により形成されたことを特徴とする空気圧縮機。
【請求項３】
前記請求項２記載の空気圧縮機であって、
前記振動減衰部材は、前記空気吸込口の周縁部と前記送風ガイドとの間で挟持させるように取り付けられることを特徴とする空気圧縮機。
【請求項４】
前記請求項１記載の空気圧縮機であって、
圧縮空気を充填する空気タンクを前記筐体に設け、
前記圧縮機本体を前記空気タンクの上部に設け、
該空気タンクの底部と前記筐体との間に防振部材を介在させたことを特徴とする空気圧縮機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は空気圧縮機に係り、特に筐体内に空気圧縮機本体を収納させる構成とされたパッケージ形の空気圧縮機に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は以下のような特徴を有する。
上記請求項１の発明は、空気を圧縮する圧縮機本体と、該圧縮機本体を収納する筐体と、該筐体に設けられ該筐体内に外気を吸い込むための空気吸込口と、前記圧縮機本体に設けられ吸込口を有する送風ガイドと、該送風ガイド内に空気を送風する送風ファンとからなる空気圧縮機において、
前記筐体の空気吸込口と前記送風ガイドの吸込口とを離間して配設し、前記筐体の空気吸込口と前記送風ガイドの吸込口とを連通するとともに全周を塞ぐ振動減衰部材を介在させたことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
従って、請求項１の発明によれば、空気吸込口と送風ガイドとの間の全周に振動減衰部材を介在させたため、空気圧縮機本体の振動が送風ガイドから筐体に伝播することを防止でき、空気圧縮機本体の振動により筐体が共鳴して振動音が増幅することを防止できる。また、空気吸込口と送風ガイドとの間が振動減衰部材により密閉されて筐体の温かい空気が空気圧縮機本体へ送風されることを防止して空気圧縮機本体の冷却効果をより高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記請求項４の発明は、前記請求項１記載の空気圧縮機であって、
圧縮空気を充填する空気タンクを前記筐体に設け、
前記圧縮機本体を前記空気タンクの上部に設け、
該空気タンクの底部と前記筐体との間に防振部材を介在させたことを特徴とするものである。
従って、請求項４の発明によれば、空気タンク底部と筐体との間に防振部材を介在させたため、空気圧縮機本体の振動が空気タンクを介して筐体に伝播することを防止でき、空気圧縮機本体の振動により筐体が共鳴して振動音を増幅することを防止できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
上述の如く、請求項１の発明によれば、空気吸込口と送風ガイドとの間の全周に振動減衰部材を介在させたため、空気圧縮機本体の振動が送風ガイドから筐体に伝播することを防止でき、空気圧縮機本体の振動により筐体が共鳴して振動音が増幅することを防止できる。また、空気吸込口と送風ガイドとの間が振動減衰部材により塞がれているので、筐体の温かい空気が空気圧縮機本体へ送風されることを防止して外部から導入された冷気によって空気圧縮機本体を冷却でき、空気圧縮機本体の冷却効果をより高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月13日(2004.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機および送風機などを駆動制御するための電気制御部品を実装した制御基板を収容する空気調和機の電気部品箱において、
金属板体を折り曲げ加工してなり、少なくとも一側面部に切り込み部が設けられて、その側面部は分離自在である部品箱本体と、
この部品箱本体の上記切り込み部両側に設けられる基板取付け部と、
上記制御基板の一側部に着脱自在に係止されるとともに上記基板取付け部に取付けられ、制御基板を部品箱本体に取付け固定し、かつ部品箱本体の上記切り込み部両側を連結する基板取付け兼用連結部材とを具備したことを特徴とする空気調和機の電気部品箱。
【請求項２】
上記部品箱本体は、上記切り込み部が設けられる側面部とは異なる一側面部が開口しており、
上記切り込み部を強制的に離間させることにより上記開口部の開口面積を拡大させ、上記制御基板はこの開口部から挿入して部品箱本体に取付け固定されることを特徴とする請求項１記載の空気調和機の電気部品箱。
【請求項３】
上記部品箱本体は、上記切り込み部が設けられる側面部とは異なる一側面部が開口し、
この部品箱本体の開口部は蓋体で開閉自在に閉成されており、
この蓋体を部品箱本体に取付けて開口部を閉成することにより、蓋体は上記制御基板を部品箱本体に対して押圧固定することを特徴とする請求項１記載の空気調和機の電気部品箱。
【請求項４】
上記部品箱本体は、冷却風導通用の開口部を備えたことを特徴とする請求項１記載の空気調和機の電気部品箱。
【請求項５】
上記制御基板はグランド部を有し、
この制御基板のグランド部は上記部品箱本体に導電部材からなる接続用具を介して取付け固定されることを特徴とする請求項１記載の空気調和機の電気部品箱。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このような課題を解決する手段を採用することにより、コストの低減を得るために板金である部品箱本体を採用することを前提として、制御基板に対する部品箱本体の大きさを最小限に成形して互いの間に隙間が生じることがなく、しかも制御基板の部品箱本体に対する取付け固定の作業を容易化する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
前記反射光検出部２３のターゲット２検出結果は前記制御部８に入力され、該制御部８は前記反射光検出部２３からの信号及び前記エンコーダ１９からの信号に基づき前記走査モータ駆動部１０を介して前記走査モータ１８を駆動し、前記ペンタプリズム１４の位置、回転を制御する。而して前記レーザ光線２０はターゲット２上にポイント照射、或はターゲット２中心に所要幅で往復走査する様に制御される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
例えば、前記反射層６８ａで反射された反射レーザ光線２０′は前記受光部３２に入光し、前記受光１／４λ複屈折部材６１を透過することで、レーザ光線２０と同方向の偏光面を有する直線偏光に変更される。前記偏光ビームスプリッタ６２を透過して前記受光素子５０に入射する。又、前記偏光ビームスプリッタ６２では反射されないので前記受光素子６３には入射しない。従って、前記受光素子５０からのみ受光信号が出力される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
次に、前記反射層６９ａで反射された反射レーザ光線２０′は前記受光部３２に入光し、前記受光１／４λ複屈折部材６１を透過することで、レーザ光線２０と９０°異なる方向の偏光面を有する直線偏光に変更される。前記偏光ビームスプリッタ６２は反射レーザ光線２０′を反射し、透過しない。従って、前記受光素子６３は反射レーザ光線２０′を受光するが、前記受光素子５０は反射レーザ光線２０′を受光しない。前記受光素子６３からのみ受光信号が反射光検出部２３に出力される。更に、前記基板６７の露出部をレーザ光線２０が通過する場合は、レーザ光線２０は反射されず、前記受光素子５０、受光素子６３共に反射レーザ光線２０′を受光しない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、通常のフォトリソグラフィ技術及び拡散源としてＢＮを用いたフォトダイオード製造拡散プロセスにより、絶縁膜１２ｉをマスクとして基板裏面側に拡散深さ１μｍ程度のＰ型半導体層１２ｐを形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図４は、２つのスリット群形成領域Ａ，Ｂを有する受光素子の平面図である。個々のスリット群形成領域Ａ，Ｂ内のＰ型半導体層１２ｐは、アイソレーション層１２ｎ’によって電気的に隔離されている。すなわち、ＰＮ接合１２ｊはＮ型半導体基板１２ｎの表面の複数の領域Ａ，Ｂ内に、Ｐ型の不純物を添加することによって形成される。領域Ａ，Ｂは、領域Ａ，Ｂと導電型の異なるＮ型のアイソレーション層１２ｎ’によって囲まれ、隣接する領域Ａ，Ｂから互いに電気的に隔離されている。スリット群形成領域Ａ，Ｂの各スリットの長手方向は、略同一点に向かっており、スリット群形成領域Ａの各スリットの延長線上にはスリット群形成領域Ｂの各スリットが位置しないように配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月9日(2004.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面開口を有する筐体と、
この筐体の内部において、前記前面開口に面して配設された室内熱交換器と、
前記筐体の前面開口を覆う吸込グリルと、
室内温度を検出するための室温センサと
を備えた空気調和機において、
前記室温センサは、前記筐体の壁面の内側近傍に配置され、
前記筐体の壁面に、前記室温センサに対応する外気連通口が形成されていることを特徴とする空気調和機。
【請求項２】
前記筐体の外気連通口は、複数のスリット状開口によって構成されていることを特徴とする請求項１記載の空気調和機。
【請求項３】
前記吸込グリルは、前記筐体に対して開閉または着脱自在に取り付けられており、
前記筐体の外気連通口は、前記吸込グリルの開閉または着脱時に人の指先が触れるような位置に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の空気調和機。
【請求項４】
前記吸込グリルは、前記筐体に対して揺動自在に取り付けられるとともに、その揺動端側の操作部を人の指先で保持した状態で、前記筐体に対して開閉できるように構成され、
前記筐体の外気連通口は、前記吸込グリルの操作部に対応して形成されていることを特徴とする請求項３記載の空気調和機。
【請求項５】
前記吸込グリルの操作部に切欠が形成され、
前記筐体の外気連通口は、前記吸込グリルの切欠に対応して形成されていることを特徴とする請求項４記載の空気調和機。
【請求項６】
前記筐体内に収納され、センサ用導線によって前記室温センサと連結される電気部品箱を更に備え、
この電気部品箱は、その外側に前記室温センサを取り付けるためのセンサ取付部材を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の空気調和機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体にデータを読み取りおよび書き込むための装置であって、
該データは前記媒体上のトラック内に書き込まれ、該トラックのそれぞれが、メインデータ、補助的情報、および所定のトリガ信号パターンを備えており、
前記所定のトリガ信号パターンを検出する手段と、
前記媒体からの読み取られた信号に使用される適応フィルタと、
前記トラック中の前記所定のトリガ信号パターンの検出に基づいて、データトラックのうちメインデータの適応フィルタリングをトリガする手段と、
を有する装置。
【請求項２】
前記トラックのそれぞれが、前記補助的情報を含むヘッダを備えるデータ断片を有し、少なくとも前記トラック中の最初のデータ断片中のヘッダが、前記所定のトリガ信号パターンを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
少なくとも前記トラック中の１番目のデータ断片中の前記ヘッダが、前記所定のトリガ信号パターンを有する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記所定のトリガ信号パターンが、前記媒体の動作の制御にも用いられる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記メインデータの適応フィルタリングをトリガする手段が、前記補助的情報を除外する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
トラック形式で記憶媒体にデータを読み取りおよび書き込むための装置において、適応フィルタリングをトリガする方法であって、該トラックのそれぞれがメインデータ、補助的情報、および所定のトリガパターンを備えており、
前記トラックからデータの読み込み中、所定のトリガ信号パターンの存在を監視するステップと、
前記所定のトリガ信号パターンが検出されたとき、前記トラックの前記メインデータの適応フィルタリングをトリガするステップと、
を有する方法。
【請求項７】
前記適応フィルタリングが前記補助的情報を除外する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
記憶媒体にデータを読み取りおよび書き込むための装置であって、
該データは前記媒体上のトラック内に書き込まれ、該トラックのそれぞれが所定のトリガ信号パターンを備えており、
前記所定のトリガ信号パターンを検出する手段と、
前記媒体からの読み取られた信号に使用される適応フィルタと、
前記トラック中の前記所定のトリガ信号パターンの検出に基づいて、データトラックの適応フィルタリングをトリガする手段と、
ドラム位置信号受領からの所定時間の経過を検出する手段と、を有し、
前記データトラックの適応フィルタリングをトリガする手段が、所定のトリガ信号パターンの検出、またはドラム位置信号受領からの所定時間の経過の検出のうち最初に発生したものに基づいて、動作可能である、
前記記憶媒体にデータを読み取りおよび書き込むための装置。
【請求項９】
前記トラックのそれぞれが、前記補助的情報を含むヘッダを備えるデータ断片を有し、前記所定のトリガ信号パターンが、少なくとも前記トラック中の最初のデータ断片のヘッダに含まれる、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記所定のトリガ信号パターンが、少なくとも前記トラック中の１番目のデータ断片の前記ヘッダに含まれる、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記媒体の動作を制御するために、前記所定のトリガ信号パターンに応じる手段をさらに有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
記憶媒体からデータを読みとる方法であって、該データは前記媒体上のトラックに書き込まれ、該トラックのそれぞれが所定のトリガ信号パターンを備えており、
前記所定のトリガ信号パターンを検出するステップと、
前記媒体から読みとられた信号を適応フィルタリングするステップと、
前記トラック中の前記所定のトリガ信号パターンの検出に基づいて、データトラックを適応フィルタリングするステップをトリガするステップと、
ドラム位置信号受領からの所定時間の経過を検出するステップと、を有し、
前記データトラックを適応フィルタリングするステップをトリガするステップが、所定のトリガ信号パターンの検出、またはドラム位置信号受領からの所定時間の経過の検出のうち最初に発生したものに基づいて、動作可能である、
前記記憶媒体からデータを読みとる方法。
【請求項１３】
前記所定のトリガ信号パターンに応じて、前記媒体の動作を制御するステップをさらに有する、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ・ビットを記憶するためのアドレス可能セル手段のセル配列を含む、内容参照可能メモリ（ＣＡＭ）のための符号化装置であって、
ＣＡＭセル配列の出力を受ける第１の符号化手段であって、
セルそれぞれに接続されたＭＡＴＣＨ（一致）信号線と、
前記ＭＡＴＣＨ信号線に接続された複数のＭＡＴＣＨアドレス信号線と
を有し、
前記ＭＡＴＣＨ信号線および前記ＭＡＴＣＨアドレス信号線それぞれは、それぞれ、前記ＭＡＴＣＨ信号および前記ＭＡＴＣＨアドレス信号線とに、ディジタル状態値の変化を表示する同じ数の実質的に同じスイッチ手段を有し、
前記ＭＡＴＣＨ信号線は、前記セル配列内の１／２の前記セルにつき前記スイッチ手段の１つを含み、
前記ＭＡＴＣＨアドレス信号線上の前記スイッチ手段の所定の１つは、前記ＭＡＴＣＨアドレス信号、および、ＭＡＴＣＨ信号線スイッチ手段を有さないＭＡＴＣＨ信号線上のＭＡＴＣＨ信号の両方の１ビットを指定する
第１の符号化手段と、
ＭＡＴＣＨ信号およびＭＡＴＣＨアドレス信号を送信する第１の出力バス手段と
を有する符号化装置。
【請求項２】
複数のアドレス可能データ記憶ロケーションを備えた、内容参照可能メモリ・セル配列のために、ＭＡＴＣＨ（一致）信号およびＭＡＴＣＨアドレス信号の発生を符号化する符号化方法であって、
前記アレイ内のデータ・ロケーションの１／２について、単一ビットのＭＡＴＣＨ信号を発生するステップと、
前記アレイの全てのデータ・ロケーションついて、マルチ・ビットのＭＡＴＣＨアドレス信号を発生するステップと、
単一ビットのＭＡＴＣＨ号を発生しない全てのデータ・ロケーションそれぞれについて、代替ＭＡＴＣＨ信号として、発生した複数ビットのＭＡＴＣＨアドレス信号からのビット信号を利用するステップと
を有する符号化方法。
【請求項３】
単一ビットのＭＡＴＣＨ（一致）信号を発生しない全てのデータ・ロケーションそれぞれについて、代替ＭＡＴＣＨ信号として、前記マルチ・ビットのＭＡＴＣＨアドレス信号における同じビット信号ロケーションを利用するステップ
をさらに有する請求項２に記載の符号化方法。
【請求項４】
複数の内容参照可能メモリ（ＣＡＭ）のコアのバンクためにＭＡＴＣＨ（一致）信号およびＭＡＴＣＨアドレス信号の発生を符号化する符号化方法であって、
ＣＡＭコアのアドレス可能メモリ・ロケーションの１／２について、実際のＭＡＴＣＨ信号を符号化するステップと、
ＣＡＭコアのアドレス可能メモリ・ロケーションそれぞれについて、ＭＡＴＣＨアドレス信号を符号化するステップと、
ＭＡＴＣＨ信号が符号化されない前記ＣＡＭコアのアドレス可能メモリ・ロケーションについての代替ＭＡＴＣＨ信号としてＭＡＴＣＨアドレス信号の一部を用いて、代替ＭＡＴＣＨ信号を発生するステップと、
ＭＡＴＣＨ信号、または、代替ＭＡＴＣＨ信号および関連するＭＡＴＣＨアドレス信号を、前記バンクのＣＡＭコアのいずれに前記ＭＡＴＣＨアドレス信号があるかを示す信号を加えることによって符号化するステップと
を含む符号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
制御信号ＣＮＴＬ１が論理“Ｈ”を採る場合には、クロックジェネレータ１０ａが第２クロック信号を出力している。よって論理ゲート５１ａはクロック伝達配線４１へ第２クロック信号の反転を出力する。一方、論理ゲート５２ａは論理“Ｌ”に対応した電位を出力する。これにより、クロック伝達配線４２の電位は固定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
セレクタ８１ｂは例えば論理ゲート５０，５１ｂ，５２ｂを有している。論理ゲート５０はクロックジェネレータ１０ｂの出力と、制御信号ＣＮＴＬ１と、制御信号ＣＮＴＬ２の反転との論理積の反転をクロック伝達配線４０に与える。論理ゲート５１ｂはクロックジェネレータ１０ｂの出力と、制御信号ＣＮＴＬ１と、制御信号ＣＮＴＬ２との論理積の反転をクロック伝達配線４１に与える。論理ゲート５２ｂはクロックジェネレータ１０ｂの出力と、制御信号ＣＮＴＬ２と、制御信号ＣＮＴＬ１の反転との論理積の反転をクロック伝達配線４２に与える。例えばセレクタ８１ｂは、制御信号ＣＮＴＬ１の反転を出力するインバータ６３ｂ、制御信号ＣＮＴＬ２の反転を出力するインバータ６３ｃを更に有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
第１クロック伝達配線群２０１は、それぞれクロック伝達網２２，２１を介して、セル２ａの複数へと第１クロック信号及び第２クロック信号を伝達する。そしてセレクタ８２ａは、クロック伝達網２２を介してクロック伝達配線４２と接続され、クロック伝達網２１を介してクロック伝達配線４１と接続される。実施の形態１で説明されたように、制御信号ＣＮＴＬ１の論理値に依存して、クロック伝達網２１，２２のいずれか一方を、ＮＡＮＤゲート５３の入力端に接続する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
第２クロック伝達配線群２０２は、第１クロック伝達配線群２０１から分岐して第１クロック信号及び第２クロック信号を伝達する。具体的には第１クロック伝達配線群２０１のクロック伝達配線４１，４２及び制御配線９１からそれぞれ別々に分岐したクロック伝達配線４１，４２及び制御配線９１を、第２クロック伝達配線群２０２が有している。第２クロック伝達配線群２０２はセレクタ８２ａ及びクロック伝達配線４３を介してクロック伝達網２３に接続されている。クロック信号の遷移の方向を反転させるために、セレクタ８２ａとクロック伝達網２３との間におけるクロック伝達配線４３において、図５に示されるように中継インバータ６１が介在していてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
クロック伝達網２３は第１クロック信号及び第２クロック信号のいずれか一方を複数のセルに分配する機能を果たしている。図５では簡単のために網の細かい部分は省略し、最も外側の形状（ここではリング）を示している。図５においてはクロック伝達網２３に接続されるセルとしてセル２ｂが一つ例示されているが、実際にはクロック伝達網２３に接続されるセル２ｂが複数設けられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
セル２ｂの各々には、セレクタ８２ａと、クロック信号伝達配線４３と、クロック伝達網２３とをこの順に介して、第１クロック信号及び第２クロック信号のいずれか一方が伝達される。このように、クロック伝達網２３内に配置されたセル２ｂの複数のいずれもが、第１クロック信号及び第２クロック信号のいずれか一方のみで動作する場合には、クロック伝達網２３の外部においてセレクタ８２ａを配置することができる。これによりセル２ｂのサイズを小さくすることができ、クロック伝達網２３のサイズも低減できる。もちろん、第２クロック伝達配線群２０２及びセレクタ８２ａに関しても、実施の形態１の効果を享受することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
なお、クロック伝達網２３のサイズが小さいので、その内部においてクロック伝達網２３とセル２ｂとの間を接続するクロック出力配線４９の幅はクロック伝達配線４３程に広げる必要も少ない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【発明の効果】
この発明にかかるクロック信号伝達回路によれば、無駄な電力を消費することなく第１クロック信号を伝達することができる。波形の歪みを大きくすることなく第２クロック信号を伝達することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図４は、プリント配線基板３をピン立て方式でプリント配線基板用受け台１で支持した状態を説明するための横断面模式図である。これらの支持ピン２２の直径が３ｍｍ以上であり、それらはプリント配線基板３の第１の面の実装された電子部品４、及び４１〜４３の位置を避けた部位に立設されて、プリント配線基板３を支持するようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板と、
前記半導体基板中に形成され、素子領域を画成する素子分離溝と、
前記素子領域中において前記半導体基板表面に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記素子領域中、前記ゲート電極の両側に形成された第１および第２の拡散領域とよりなり、
前記素子分離溝は、シリコン酸化膜よりも大きな誘電率を有する材料により充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記第２の拡散領域と前記素子分離溝との間には前記半導体基板表面に沿って前記第２の拡散領域と同一の導電型を有するより低濃度の第３の拡散領域が形成されており、前記第３の拡散領域は絶縁膜パターンにより覆われていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  前記素子分離溝は、前記素子領域側の下端角部が丸みを有する形状に形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】  前記素子分離溝は、前記素子領域側の側壁面が基板主面に対して垂直に設定した面に対して傾斜したテーパ形状を有することを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれ一項記載の半導体装置。
【請求項５】  半導体基板と、
前記半導体基板中に形成され、それぞれ第１の素子領域と第２の素子領域とを画成する第１および第２の素子分離溝と、
第１の比誘電率を有し前記第１の素子分離溝を充填する第１の材料と、
前記第１の比誘電率よりも大きい第２の比誘電率を有し前記第２の素子分離溝を充填する第２の材料と、
前記第１の素子領域に形成された第１のＭＯＳトランジスタと、
前記第２の素子領域に形成された第２のＭＯＳトランジスタとよりなり、
前記第１のＭＯＳトランジスタは第１の厚さのゲート絶縁膜を有し、前記第２のＭＯＳトランジスタは前記第１の厚さよりも大きい第２の厚さのゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）半導体基板を準備する工程、
（ｂ）前記半導体基板上に第１ゲート電極および第２ゲート電極を形成する工程、
（ｃ）高密度プラズマＣＶＤ法を用いて、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極との間を埋めるように、アンドープの酸化シリコン膜からなる第１絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に、前記第１絶縁膜とは異なる酸化シリコン膜からなる第２絶縁膜を形成し、層間絶縁膜を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  （ａ）半導体基板を準備する工程、
（ｂ）前記半導体基板上に第１ゲート電極および第２ゲート電極を形成する工程、
（ｃ）高密度プラズマＣＶＤ法を用いて、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極との間を埋めるように、アンドープの酸化シリコン膜からなる第１絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）高密度プラズマＣＶＤ法を用いて、前記第１絶縁膜上に不純物をドープした酸化シリコン膜からなる第２絶縁膜を形成し、層間絶縁膜を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  （ａ）半導体基板を準備する工程、
（ｂ）前記半導体基板上に第１ゲート電極および第２ゲート電極を形成する工程、
（ｃ）高密度プラズマＣＶＤ法を用いて、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極との間を埋めるように、アンドープの酸化シリコン膜からなる第１絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）高密度プラズマＣＶＤ法を用いて、前記第１絶縁膜上にリンをドープした酸化シリコン膜からなる第２絶縁膜を形成し、層間絶縁膜を形成する工程、
を有し、
前記（ｃ）工程において前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極との間の前記第１絶縁膜で埋めるべき領域の幅が０．０７μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１ゲート電極および第２ゲート電極と、
前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極との間に形成された、アンドープの酸化シリコン膜からなる第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成された、不純物をドープした酸化シリコン膜からなり層間絶縁膜となる第２絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１ゲート電極および第２ゲート電極と、
前記第１ゲート電極の前記第２ゲート電極に対向する側壁上に形成された第１側壁絶縁膜と、
前記第２ゲート電極の前記第１ゲート電極に対向する側壁上に形成された第２側壁絶縁膜と、
前記第１側壁絶縁膜と前記第２側壁絶縁膜との間に形成された、アンドープの酸化シリコン膜からなる第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に高密度プラズマＣＶＤ法を用いて形成された、リンをドープした酸化シリコン膜からなり層間絶縁膜となる第２絶縁膜と、
を有し、
前記第１側壁絶縁膜と前記第２側壁絶縁膜との間における前記第１絶縁膜の厚みが、前記第１側壁絶縁膜および前記第２側壁絶縁膜の高さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記シリコン基板は、歪みシリコン（Strained Silicon）基板である
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
請求項７から請求項１７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記シリコン基板は、歪みシリコン（Strained Silicon）基板である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
尚、式１より
ω1 2 ＝λ1 √[Ｌ1 （Ｒ1 −Ｌ1 ）]／π
ω2 2 ＝λ2 √[Ｌ2 （Ｒ2 −Ｌ2 ）]／π
ω1 とω2 が略同等とすると
λ1 2 Ｌ1 （Ｒ1 −Ｌ1 ）＝λ2 2 Ｌ2 （Ｒ2 −Ｌ2 ）
である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004172307.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
近年、ノート型パーソナルコンピュータや携帯電話等の小型化が進み、その電源回路に使用されるインダクタンス素子においても小型化、低背化が要求されるとともに、インダクタンス値（Ｌ値）の向上、その値の変化を極力少なくするなど、直流重畳特性の向上が要求されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
インダクタンス素子として、巻き線型インダクタンス素子が広く用いられている。例えば、図１に示すように、巻き線型インダクタンス素子は、対向する一対の各辺に設けた外側脚１ａ，１ａに囲まれている凹部１ｂの中央に円柱状の中央脚１ｃを立設したフェライト材料からなるＥ型コア１と、コイル２（図ではエッジワイズコイル）と、フェライト材料からなるＩ型コア３とから構成され、Ｅ型コアの凹部１ｂにコイル２を収容するとともに、Ｉ型コア３でＥ型コアの凹部１ｂを閉鎖して形成される。なお、図中４はインダクタンス素子をプリント回路基板に実装する際の実装強度を得るための補助端子である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに、この発明の積層型インダクタンス素子は、磁気回路的に閉磁路構成であり、特に、ヨーク層の厚みを増加した上記インダクタンス素子では、漏洩磁束はほとんど発生しないので、インダクタンス素子からの漏洩磁束が他の機器に与える影響が懸念される用途、例えば、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、車載用ＣＣＤカメラ等のスイッチング電源回路及びインバータ電源回路として最適である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月17日(2005.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
読取用光導電層６としては、読取光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、例えば、ａ−Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、ＭｇＰｃ（Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｐｈｔａｌｏｃｙａｎｉｎｅ），ＶｏＰｃ（ｐｈａｓｅＩＩ ｏｆ Ｖａｎａｄｙｌ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＣｕＰｃ（Ｃｕｐｐｅｒ ｐｈｔａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）などのうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。なお、読取光は、たとえば、図１に示すような、Ｘ方向に多数のＬＥＤが一直線状に配列されてなるライン光源をＹ方向に移動させることにより放射線画像記録媒体１０全体に照射される。読取用光導電層層６の材料としてａ−Ｓｅを使用した場合には、読取光の波長は４６０ｎｍ程度であることが望ましい。また、読取用光導電層６の材料としてフタロシアニンを使用した場合には、読取光の波長は５２５ｎｍ程度であることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、第１の０族元素を添加し、
第２の０族元素の雰囲気下において、前記第１の０族元素が添加された半導体膜にレーザ光を照射し、
前記レーザ光の照射の際に、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、第１の０族元素を添加し、
第２の０族元素の雰囲気下において、前記第１の０族元素が添加された半導体膜にレーザ光を照射し、
前記レーザ光の照射の際に、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に、前記半導体膜に対して垂直の方向に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、第１の０族元素を添加し、
第２の０族元素の雰囲気下において、前記第１の０族元素が添加された半導体膜にレーザ光を照射し、
前記レーザ光の照射の際に、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に、前記半導体膜に対して平行の方向に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、第１の０族元素を添加し、
第２の０族元素の雰囲気下において、前記第１の０族元素が添加された半導体膜にレーザ光を照射し、
前記レーザ光の照射の際に、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に、前記レーザ光の走査方向と平行となる方向に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、第１の０族元素を添加し、
第２の０族元素の雰囲気下において、前記希ガスが添加された半導体膜にレーザ光を照射し、
前記レーザ光の照射の際に、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に、前記半導体膜に対して平行であり、なおかつ前記レーザ光の走査方向と垂直となる方向に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光は、パルス発振のレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光は、連続発振のレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記第１の０族元素と前記第２の０族元素は、同じ元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記第１の０族元素と前記第２の０族元素は、異なる元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記第１の０族元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒまたはＸｅであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記第２の０族元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒまたはＸｅであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記半導体膜に添加された前記第１の０族元素の濃度は、５×１０１８〜１×１０２１  ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記磁場の磁束密度は、１０００Ｇ〜１００００Ｇであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記第１の０族元素は、イオンドーピング法によって前記半導体膜に添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。