【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【書類名】      明細書
【発明の名称】  終点検出のために外部光源を使用する方法および装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源からの生成された光ビームから照明を受けるように、基板をエッチング・チャンバ内に配置すること、
前記基板表面上の前記フォトレジスト材料をエッチングすること、
前記基板表面上の前記フォトレジスト材料、および任意の濾光部分を前記生成された光ビームで照射すること、
該照射されたフォトレジスト材料および前記基板表面部分からの放射光を集光すること、
前記放射光を、前記フォトレジスト材料を示す少なくとも１つの波長に濾光すること、および
前記濾光された光の強度を示す電子信号を生成すること、を含む基板表面上のフォトレジスト材料の剥離終点を検出する方法。
【請求項２】  前記電子信号を制御機構に送信して処理することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記制御機構が、前記基板表面上の前記フォトレジスト材料のエッチングを中止する命令を生成する請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記制御機構が、前記示された光強度に基づいて前記基板の配置を制御するために、自動基板処理装置に送信するための命令を生成する請求項２に記載の方法。
【請求項５】  前記基板を、前記自動基板処理装置によって前記示された光強度を有する基板を受け取るように指定された位置に移動させることをさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記基板から反射および蛍光発光された光を測定するために、前記生成された光ビームによって照射される追加の基板を逐次配置する工程をさらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記電子信号をプログラマブル・コンピュータに送信して処理することをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項８】  前記フォトレジスト材料に特有な蛍光の選択された波長の存在を検出することによって、前記材料の存在を判定することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記材料を照射する前に前記生成された光ビームをフィルタで濾光し
て、前記生成された光ビームから非蛍光を生成する光波長を除去することをさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記フォトレジスト材料によって特徴的に吸収され、かつ前記基板によって特徴的に反射される所与の光波長が存在しないことを検出することにより、前記フォトレジスト材料の存在を判定することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記基板表面を照射する前に前記生成された光ビームをフィルタによって濾光して、光透過を前記フォトレジスト材料によって実質的に吸収され、かつ前記基板によって実質的に反射される波長に制限することをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  前記フォトレジスト材料によって特徴的に反射され、かつ前記基板によって特徴的に吸収される所与の光波長の存在を検出することにより、前記フォトレジスト材料の存在を判定することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】  前記基板表面を照射する前に前記生成された光ビームをフィルタによって濾光して、光透過を前記フォトレジスト材料によって実質的に反射され、かつ前記基板によって実質的に吸収される波長に制限することをさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記フォトレジスト材料の存在を示す少なくとも１つの波長帯の存在を検出することにより、前記フォトレジスト材料の存在を判定することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】  前記電子信号の生成が、前記濾光された放射光が光倍増管を通過して、前記光強度を示す前記信号を生成することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】  前記基板が半導体基板を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】  前記基板を前記ビームの下で移動させることをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項１８】  前記基板の表面全体の検出試験を行うために、前記基板を移動させるための可動ステージ上に前記基板を配置することをさらに含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  前記可動ステージの動きを前記制御機構によって制御する請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  前記基板の表面全体の検出試験を行うために、前記基板を回転させるための回転プラットフォーム上に前記基板を配置することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項２１】  前記ビームがシート・ビームである請求項１に記載の方法。
【請求項２２】  前記シート・ビームが少なくとも前記基板の幅と同程度の広さの幅を有する請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】  前記基板を受け取るための剥離チャンバと、
前記材料をエッチングするために前記剥離チャンバに送出する、少なくとも１種の反応種を生成するためのマイクロ波発生装置と、
主たる高エネルギー光源と、
高エネルギー光ビームを生成し、該高エネルギー光を前記基板上の前記材料に方向付けるための第１の光学装置と、
前記材料からの放射光を第２の光ビームとして集光し、前記第２の光ビームを方向付けて帯域通過フィルタを通過させるための第２の光学装置と、
前記濾光された第２の光ビームを受け取り、その強度を測定し、前記測定された光強度を表す電気信号を生成するための光強度検出装置と、を有する基板表面からの材料剥離の終点を判定するための装置。
【請求項２４】  前記電子信号を処理するための制御機構をさらに有する請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】  前記基板を前記剥離チャンバへ、また前記剥離チャンバから移動させるための自動基板処理装置をさらに有する請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】  前記基板からの光強度の測定値に応じて、前記自動基板処理装置により前記基板を剥離チャンバからそこへ選択的に移動させるための複数の位置をさらに有する請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】  前記基板の表面全体を測定するように回転させることができるプラットフォームをさらに有する請求項２５に記載の装置。
【請求項２８】  前記基板を配置して前記基板の表面全体を測定するように移動させることができるステージをさらに有する請求項２３に記載の装置。
【請求項２９】  前記制御機構が、前記光の測定値を受け取り、記録し、前記可動ステージに前記基板を移動させることを命令し、ロボットに前記基板を前記可動ステージから、また前記可動ステージへ移動させることを命令するようにプログラム化されたコンピュータを有する請求項２４に記載の装置。
【請求項３０】  前記第１の光学装置が、前記高エネルギー光ビームを所定の波長帯に制限するためのレンズ、および主たる帯域通過フィルタを有する請求項２３に記載の装置。
【請求項３１】  前記主たる帯域通過フィルタが、前記材料中に蛍光を生じさせる放射線を通過させるためのフィルタを有する請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】  前記主たる帯域通過フィルタが、前記材料によって実質的に吸収され、かつ前記基板によって実質的に反射される光波長を通過させるように構成される請求項３０に記載の装置。
【請求項３３】  前記主たる帯域通過フィルタが、前記材料によって実質的に反射され、かつ前記基板によって実質的に吸収される光波長を通過させるように構成される請求項３０に記載の装置。
【請求項３４】  前記高エネルギー光ビームをレンズによって前記基板の前記表面に向けて反射し、蛍光および／または反射光を反対方向に通過させるための２色ミラーをさらに有する請求項３０に記載の装置。
【請求項３５】  前記高エネルギー光源が水銀ランプを有する請求項２３に記載の装置。
【請求項３６】  前記高エネルギー光源がキセノン・ランプを有する請求項２３に記載の装置。
【請求項３７】  前記光強度検出装置が、光強度の測定値を生成するシリコン・ダイオード・センサを有する請求項２３に記載の装置。
【請求項３８】  光強度の測定値をデジタル形式に変換するためのパワー・メータをさらに有する請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】  前記光強度検出装置が、出力信号手段を有する光倍増管を有する請求項２３に記載の装置。
【請求項４０】  前記主たる高エネルギー光ビームがシート・ビームである請求項２３に記載の装置。
【請求項４１】  前記シート・ビームが少なくとも前記基板の幅と同程度の広さの幅を有する請求項４０に記載の装置。
【請求項４２】  前記材料がフォトレジスト材料である請求項２３に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は一般に、フォトリソグラフィを含む方法によって作成される半導体デバイスの製造に関する。より詳細には、本発明は、フォトリソグラフィ後にフォトレジスト材料を半導体基板表面から除去するプラズマ剥離工程中に、半導体基板を検査して剥離の完了（「終点」）を判定する方法に関する。
【０００２】
（背景技術）
半導体チップは多段工程で製造され、それによって一般に、シリコン・ウェハなどの半
導体基板上に複数の同じ電子回路が形成される。次いで、半導体基板は個々のチップに細分（ダイシング）され、そのチップはさらにパッケージ化された半導体デバイスに加工されるか、または最終用途向けのさらに高レベルのパッケージングで固定される。
【０００３】
電子回路は一般に、フォトリソグラフィを含めた一連の工程によって半導体基板中にパターン形成される。精巧に作り上げるため、半導体基板表面にフォトレジスト材料を被覆する。本発明の所有者が所有する１９９４年９月２７日発行の米国特許第５，３５０，２３６号に開示されるように、半導体基板の表面から反射される光を測定することにより、材料および半導体基板が過熱されないように材料適用中の半導体基板の温度をモニターすることが可能である。
【０００４】
フォトレジスト材料は半導体基板表面に被覆された後、放射線（すなわち光線、電子ビーム、またはＸ線）をその中に画定された所望の開口パターンを有するマスクを通過させることなどにより、放射線源に対して選択的に露光される。ポジ型フォトレジスト材料を用いる場合、放射線源への露光によりポジ型フォトレジスト材料は、露光されたポジ型フォトレジスト材料を溶媒で除去することが可能である可溶性の高い状態へと変化し、それによって実質的にマスクと同じパターンが残る。ネガ型フォトレジスト材料を用いる場合、放射線源への露光によりネガ型フォトレジスト材料は、未露光のポジ型フォトレジストを溶媒で除去することが可能である可溶性の低い状態へと変化し、それによって実質的にマスクの開口と同じパターンが残る。ポジ型のフォトレジスト材料を用いてもネガ型フォトレジスト材料を用いても、フォトリソグラフィ工程によって半導体表面の電子回路パターンとなるフォトレジスト・パターンが生成される。
【０００５】
現像工程でフォトレジスト材料の各部分を除去した後、半導体基板に別の処理ステップが施され、それにはドーピング、エッチング、および／または非保護領域、すなわちフォトレジスト材料が存在しない領域での導電材料の堆積を含めることが可能である。１つまたは複数のこれらの工程の後、半導体基板に剥離工程を施して半導体基板上に残存するフォトレジスト材料を除去する。
【０００６】
フォトレジスト材料の剥離は一般に、プラズマ・エッチングを用いて実施される。プラズマ・エッチングでは、グロー放電を用いて比較的不活性な気体分子から、原子、ラジカル、および／またはイオンなど少なくとも１種の反応種を発生させる。基本的にプラズマ・エッチング工程は、１）プラズマ中でバルク・ガスから少なくとも１種の反応種を発生させ、２）反応種をエッチングされる材料の表面に拡散させ、３）反応種をエッチングされる材料の表面で吸収させ、４）化学反応が起こり、その結果少なくとも１種の揮発性の副生成物が形成され、５）エッチングされる材料の表面から副生成物を脱着させ、６）脱着された副生成物をバルク・ガス中に拡散させることを含む。フォトレジストとして使用される材料は一般に、フェノールホルムアルデヒド、ポリイソプレン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルイソプロペニルケトン、ポリブテン−１−スルホン、ポリトリフルオロエチルクロロアクリレートなどの有機ポリマーである。こうしたフォトレジスト材料は一般に、有機材料を攻撃する種を発生させる純粋な酸素を含むプラズマ中でエッチングされて、揮発性の副生成物としてＣＯ、ＣＯ２、およびＨ２Ｏを生成する。
【０００７】
フォトレジスト材料を除去した後、その後の処理工程には、拡散炉内での半導体基板の加熱や化学的気相成長装置を用いた材料層の適用を含めることが可能である。時折、半導体基板が、フォトレジスト材料の除去が不完全な状態で熱炉または蒸着装置に誤って渡されることがある。その結果生じる処理装置の損傷は、深刻なものになる恐れがある。例えば、炉の拡散管が、フォトレジスト材料から蒸発した炭化水素および炭素によって修繕できない損傷を受け、したがって炉の拡散管を交換しなければならない。処理装置を修理するための交換装置および／または休止時間は、通常きわめて大きい損失となる。
【０００８】
さらに、装置の運転停止前に処理装置に入る、フォトレジストを有する半導体基板および１つまたは複数の後続の半導体基板は、通常汚染されており、廃棄しなければならない。製造の後半段階では、半導体の価格が約１０，０００米国ドルから２０，０００米国ドルの間になる可能性がある。したがって、たとえ時折の損失でも重大である。
【０００９】
したがって、フォトレジスト剥離の完了（「終点」）を正確に検出することはきわめて重要である。通常のプラズマ・エッチングを用いる終点検出方法は、１９８３年３月２２日にドネリ（Ｄｏｎｎｅｌｌｙ）らに発行された米国特許第４，３７７，４３６号に開示されており、その方法では、プラズマの助けによるエッチング中の終点の検出が、エッチングの反応生成物から生じる空間的に限定されたルミネセンスの停止または開始によって信号で伝えられる。ルミネセンスの光源は、プラズマ生成から得られる。しかし、マイクロ波プラズマ・エッチングの利用法が開発されたため、プラズマ生成はエッチング・チャンバから除かれた。プラズマ生成がエッチング・チャンバから除かれたことにより、プラズマ生成によって引き起こされるエッチング・チャンバ内での過剰な熱の蓄積が防止され、様々な周波数および波長を用いてフリー・ラジカル（すなわち反応種）を作り出すことが可能になる。
【００１０】
１９９６年２月６日にスタインハート（Ｓｔｅｉｎｈａｒｄｔ）らに発行された米国特許５，４８９，３６２号に示されるように、反応種はマイクロ波反応チャンバ内で離れて生成され、エッチング・チャンバに運ばれる。そうしたマイクロ波プラズマ装置を用いた剥離チャンバ内にはプラズマが存在しない。したがって、チャンバ内にはフォトレジスト材料の終点除去を検出するのに利用可能な光源が存在しない。
【００１１】
したがって、そのエッチング・チャンバから分離されたプラズマ・チャンバを採用するマイクロ波プラズマ・エッチング装置で、材料剥離のルミネセンスの終点を検出する装置および方法が開発されれば有利であろう。
【００１２】
(発明の開示)
本発明は、フォトレジスト材料による蛍光発光、光の反射または吸収を検出することにより、半導体基板表面上のフォトレジスト材料除去の終点を判定するための自動化された方法および装置である。以下で「放射光」という用語は、フォトレジスト材料または他の材料にあたる光から生じる光として定義され、蛍光、反射光または吸収光が含まれる。
【００１３】
前述のように、フォトレジスト材料は一般に、フェノールホルムアルデヒド、ポリイソプレン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルイソプロペニルケトン、ポリブテン−１−スルホン、ポリトリフルオロエチルクロロアクリレートなどの有機ポリマーである。有機物質は一般に、蛍光（ある波長で放射線を吸収し、次いでほぼ直後に異なる波長で再放射することによって生じるルミネセンス）を発することが可能であるか、または光を吸収もしくは反射する。選択された１つまたは複数の波長での蛍光発光または反射／吸収において材料が下にある半導体基板と異なっていれば、特定の波長でのフォトレジスト材料の蛍光発光、またはフォトレジスト材料による所与の波長の光の反射／吸収を検出および測定することが可能である。例えば、ポジ型フォトレジストは、一般に赤色または赤色−橙色の蛍光を発し、ネガ型フォトレジストは、一般に黄色の蛍光を発する。
【００１４】
本発明の特定の用途では、半導体基板表面上のフォトレジスト材料の存在を迅速かつ自動的に判定し、記録し、フォトレジスト材料が半導体基板表面からいつ除去されたかを決定するために用いることが可能である。本発明の好ましい用途では、通常酸素から生成される少なくとも１つの反応種をマイクロ波プラズマ発生装置から受け取る剥離チャンバに、半導体基板を導入する。剥離チャンバは、剥離チャンバの壁に配置された第１の光学ポ
ートおよび第２の光学ポートを含む。ランプからの光ビームは第１のポートを通過し、半導体基板上のフォトレジスト材料にあたり、放射ビームとしてある角度で反射されて第２の光学ポートを通過する。フォトレジスト材料は、入射光のある波長での蛍光、吸収および／または反射特性において半導体基板と異なることが好ましい。
【００１５】
フォトレジストが剥離によって除去されると、放射光の強度が低下する。フォトレジストが完全に剥離によって除去されたことを示すレベルまで強度が低下したとき、剥離工程を停止させることが可能になる。この検出方法は、ある一定の時間内にフォトレジストが剥離されたことを示すレベルに達しない場合、装置にエラー信号を生成させることも可能である。こうしたエラー信号は、半導体基板が十分に剥離されなかった（すなわち、遅すぎた）こと、または剥離装置が適切に機能しなかったことを示すものである。このエラー信号により、問題となる半導体基板を再加工のためにより分けることが可能になるか、あるいは修理のために剥離装置を停止させることが可能になり、それによってフォトレジスト材料のコンタミネーションが他の処理工程全体に広がることが防止される。さらに、フォトレジスト除去の終点検出と共に用いられる経験的に決められた有限の剥離時間により、完全な剥離を保証するために過大な剥離時間を必要としなくなるため、剥離装置のスループットを高めることが可能になる。
【００１６】
本発明では、半導体基板を光で照射し、その光は単色、多色または白色とすることが可能である。１変形形態では、所与の波長で生成されたフォトレジスト材料に特有の蛍光の強度を測定する。他の変形形態では、フォトレジスト材料によって主に、または本質的に完全に吸収される波長で強度を測定する。他の変形形態では、フォトレジスト材料には非常によく反射されるが基板には吸収されるある特定の波長で、反射光の強度を測定する。
【００１７】
放射光の強度は、検出装置、および論理回路、例えばプログラマブル・コンピュータに入力された結果によって測定する。結果を記録し、意志決定工程のために、またはより分け装置を作動させるために用いることが可能である。
【００１８】
本明細書は、それが本発明とみなされることを具体的に示し、明確に請求する特許請求の範囲で結論づけるものであるが、添付の図面と共に読むと以下の本発明についての説明から本発明の利点をさらに容易に確認し得る。
【００１９】
（発明を実施するための最良の形態）
図１は、本発明の剥離装置１００を示している。図１の装置１００は任意の特定の剥離装置の実際の図を意味するものではなく、本発明の工程を他の方法で可能になる表現より見やすく、かつ詳細に示すために用いた理想化された表現に過ぎないことを理解すべきである。
【００２０】
剥離装置１００は、半導体基板１０４などの半導体基板を剥離チャンバ１０２に導入し、また剥離チャンバ１０２から取り出すための１つまたは複数の入口用通路または入口（図示せず）を有する剥離チャンバ１０２を備えている。半導体基板１０４は、１片の結晶シリコン（シリコン・ウェハ）を含む半導体材料であるか、あるいは制限はないが、シリコン・ウェハ、シリコン−オン−インシュレーティブ（ＳＯＩ）構造、シリコン−オン−サファイア（ＳＯＳ）構造、ガリウムヒ素、またはゲルマニウムを含めて、様々な半導体材料または材料層を含むことが可能である。
【００２１】
剥離装置１００は、プラズマ発生装置１０６に送り込まれる酸素含有ガス１０８からプラズマ中で反応種を発生させるマイクロ波プラズマ発生装置１０６も含んでいる。反応種は導波管１１０を下方へ移動して剥離チャンバ１０２に入る。
【００２２】
半導体基板１０４からのフォトレジスト材料１１４の剥離の進行をその位置で自動判定するために、フォトレジスト材料の検出装置は剥離チャンバ１０２と一体化されている。フォトレジスト材料１１４は、入射光のある波長での蛍光、吸収および／または反射特性において半導体基板１０４と異なっていることが好ましい。半導体基板１０４は、半導体基板１０４を主たる高エネルギー・ビーム１３４に対して所望の位置に配置することを可能にする、剥離チャンバ１０２内の可動ステージ１１８上に示されている。可動ステージ１１８は、（影線で示した）１つまたは複数のステッパ・モータ１２０、またはプログラム化された汎用コンピュータ、すなわち適切なスイッチを駆動するパーソナル・コンピュータなどの制御機構１２４からの電子信号１２２によって制御される他の起動手段によって移動可能とし得る。
【００２３】
フォトレジスト材料の検出装置は、第１の光学ポート１２６および第２の光学ポート１２８の２つの光学ポートを含んでおり、これらは剥離チャンバ１０２の上部の壁１３２に配置されている。高エネルギー・ランプ１３６からの光からなる主たる高エネルギー・ビーム１３４は、第１の光学ポート１２６を通過し、半導体基板１０４のフォトレジスト材料１１４に入射角αであたり、放射光１３８として出射角β（実質的に入射角αに等しい）で反射されて第２の光学ポート１２８を通過する。ビーム１３４は半導体基板１０４の表面全体を同時に照射することが可能であるが、ビーム１３４は半導体基板１０４の幅とほぼ同じ（図面の紙面に垂直な）幅を有するシート・ビームであることが好ましい。可動ステージ１１８を用いて、半導体基板１０４をシート・ビームの下を通過させることが可能であり、それによって半導体基板１０４の表面全体の検査が可能になる。さらに図２に示すように、半導体基板１０４を回転プラットフォーム１８０上に配置することも可能であり、その場合、シート・ビーム１８２が半導体基板１０４上のフォトレジスト材料１１４の中心点１８４に向けられ、（図面の紙面に垂直な）幅にわたって広がり、放射ビーム１９０を生成する。フォトレジスト材料１１４の表面１８８全体にシート・ビーム１８２が接触するように、回転可能なプラットフォーム１８０を軸線１８６の周りで回転させる。それによってフォトレジスト材料の表面１８８の様々な観点が可能になり、ただ１つの特定の観点が使われる場合には、半導体基板１０４の形状により「影」の中に入ることがあるフォトレジスト材料１１４が検出されるようになる。
【００２４】
ビーム１３４に応じて存在するフォトレジスト材料１１４によって生成される蛍光および／または反射光は、放射ビーム１３８中にも存在する。放射ビーム１３８を、光学的な帯域通過フィルタまたは抑制フィルタ１４０を通過させて、非蛍光または望まれていない反射光を吸収させ、こうした望まれていない波長を実質的に含まない濾光された光ビームを生成することが可能である。例えば、放射ビーム１３８を光学的帯域通過フィルタ１４０を通過させて、例えば７００ｎｍ＋／−８０ｎｍの狭い波長帯を有する光ビームを生成し得る。こうした波長は、先に挙げた一般に使用されるフォトレジスト材料に特有な蛍光放射である。
【００２５】
放射ビーム１３８は光倍増管１４２内に送られて、最終的には濾光された光波長での光強度を示す電子信号１５６が生成される。電子信号１５６は、アナログの強度信号１５２を生成するシリコン・ダイオード・センサなど、光強度センサ１５０によって生成することも可能である。強度信号１５２は強度信号１５２を、電子信号１５６を含む電子的な２進値に変換する、アナログ−デジタル変換器を含むパワー・メータ１５４に送信される。電子信号１５６は、制御機構１２４（好ましくはプログラム化されたコンピュータ）でソフトウェア・プログラムによって処理されることが好ましい。もちろん、アナログ−デジタル変換は必要な制限ではないことが理解される。制御機構１２４は、アナログ信号を直接受け取るように構成することも可能である。
【００２６】
制御機構１２４は、剥離終点が発生したかどうかを判定し、終点が検出された場合、ま
たは所定の時間枠内に終点が検出されなかった場合には、マイクロ波プラズマ発生装置１０６に中止信号１６０を送信する。制御機構１２４はまた、電子信号１５６に基づいてウェハ搬送装置１４８に搬送命令１６２を与える。搬送命令１６２は、剥離終点の検出または半導体基板１０４の拒否に対して生成される。次の処理のために別の位置に対して試験を行った後、搬送命令１６２は、半導体基板１０４の剥離チャンバ１０２内への配置、および剥離チャンバ１０２からの取り出しをトリガする。稼働ステージ１１８の動きを制御するために、ステージ制御用の電子信号１２２も制御機構１２４によって送信される。
【００２７】
図１に示すように、ビーム１３４は半導体基板１０４上のフォトレジスト材料１１４に約４５度の入射角αであたるように示してあり、放射ビーム１３８は約４５度の出射角βで反射されるように示してある。ビーム１３４の入射角αおよび放射ビーム１３８の出射角βは、０から４５度の間であることが好ましい。しかし、図３に示すように２色ミラー１７２（所与の値より小さい波長を反射し、所与の値より大きい波長を通過させるミラー）を用いることによって、ビーム１３４および放射ビーム１３８が共に同じポートを通過することが可能になり、入射角αおよび出射角βは共に９０度（すなわち、半導体基板１０４に対して垂直）となる。見やすいように、放射ビーム１３８はビーム１３４からずらして示してある。
【００２８】
高エネルギー・ランプ１３６は、蛍光を含む高強度の照明を発生させる水銀ランプまたはキセノン・ランプであることが好ましい。高エネルギー・ランプ１３６から出力された光を、帯域通過フィルタまたは励起フィルタ１４４によって濾光して、半導体基板１０４での蛍光発光、反射または吸収を誘導しない波長を主たる高エネルギー・ビーム１３４から除去することが可能である。
【００２９】
これまで述べたように、本方法は、例えばフォトレジストなど検出される材料と下にある基板との間の蛍光、または光の吸収／反射率の違いに依存している。一般に、蛍光、吸収または反射率の違いを最大にする入射照明の波長が選択される。測定後の出力として蛍光を用いることが好ましいが、検出される材料が特定の放射線の波長を強く吸収し、基板がそれを強く反射する場合には、光吸収を用いることも可能である。
【００３０】
本明細書での特定の「波長」の光について言及したものは、「ほぼ」特定の波長である波長帯を包含することを理解すべきである。言い換えれば、「特定の波長」という用語は、「特定の波長」よりわずかに長い波長と短い波長の両方を含み得る。
【００３１】
このように、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲によって定められる本発明は、その趣旨または範囲を逸脱することなく多くの明らかなその変形形態が可能であるため、上記の説明で述べた特定の項目によって制限されるものではないことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフォトレジスト材料剥離装置の線図。
【図２】本発明の他のフォトレジスト材料剥離装置の側面図。
【図３】本発明の他の光検出構成の側面図。