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【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の無線局から送信された信号を受信して、現在位置を計算する無線端末装置であって、
前記受信信号から干渉成分を除去する干渉除去手段と、
各々対応する符号を用いて、前記干渉成分が除去された複数の受信信号の遅延プロファイルを時多重処理により作成する遅延プロファイル作成手段と、
前記遅延プロファイルを用いて受信点の位置を計算する位置計算手段と、を備える無線端末装置。
【請求項２】
前記無線局から送信された信号を受信し、帯域制限、周波数ダウンコンバート、および、アナログ−デジタル変換を行う信号受信部を有し、
前記遅延プロファイル作成手段は、上記信号受信部からの信号を用いて遅延プロファイルを作成し、
前記遅延プロファイル作成手段は、前記信号受信部におけるアナログ−デジタル変換に用いたクロック信号に比べて高速なクロックを用いた時多重処理により遅延プロファイルを得ることを特徴とする請求項１記載の無線端末装置。
【請求項３】
信号受信部におけるアナログ−デジタル変換に用いるクロック信号と、遅延プロファイル作成手段で用いるクロック信号は非同期であることを特徴とする請求項２記載の無線端末装置。
【請求項４】
前記遅延プロファイル作成手段を複数かつ並列に設けて、遅延プロファイルを作成することを特徴とする請求項１〜３のうちいずれかに記載の無線端末装置。
【請求項５】
複数の無線局から送信された信号を受信して、現在位置を計算する無線端末装置に用いられる半導体装置であって、
前記無線端末装置は無線局から送信された信号を受信し、帯域制限、周波数ダウンコンバート、アナログ−デジタル変換を司る信号受信部からの受信信号を用いて前記複数の無線局に対する遅延プロファイルを並列に作成する遅延プロファイル作成手段と、
前記遅延プロファイルから干渉成分を除去する干渉除去手段と、
干渉成分が除去された遅延プロファイルを用いて現在位置を計算する位置計算手段を備え、
前記遅延プロファイル作成手段は、信号受信部におけるアナログ−デジタル変換に用いたクロック信号に比べて高速なクロックを用いた時多重処理により遅延プロファイルを得ることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
受信信号のベースバンド処理を行うベースバンド処理部と、受信信号の受信タイミングを測定するための測定部とを有し、前記ベースバンド処理部で用いる第１のクロックと、前記測定部で遅延プロファイルを生成するために用いる第２のクロックとは、非同期であることを特徴とする無線信号受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４１】
請求項３５記載の電子装置において、
前記動作部には、液晶が設けられてなる電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  また、第一の電圧比較器１−１の出力Ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ４−１を双安定回路９のリセット側“Ｒ”に入力し、第二の電圧比較器１−２の出力Ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ４−２を双安定回路９のセット側“Ｓ”に入力する。 そして、双安定回路９の出力ＦＦ＿ｏｕｔ１０をＲ３とＣ１の間に接続する。  ここで、Ｖｃｏｎｔ３が０Ｖのとき、第一の電圧比較器１−１の出力Ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ４−１は“Ｌ”に、第二の電圧比較器１−２の出力Ｃｏｍｐ＿ｏｕｔ４−２は“Ｈ”で、双安定回路９の出力ＦＦ＿ｏｕｔ１０が“Ｈ”になり、Ｄ２がＯＮ状態となるため、図２の（ｃ）における周波数領域はｆＬ７となる。  Ｖｃｏｎｔ３が４．５Ｖ未満ではｆＬ７であるが、Ｖｃｏｎｔ３が４．５Ｖを越えると、第一のＣｏｍｐ＿ｏｕｔ４−１は“Ｈ”、第二のＣｏｍｐ＿ｏｕｔ４−２は“Ｌ”となり、ＦＦｏｕｔ１０が“Ｌ”になり、Ｄ２がＯＦＦ状態となるため、周波数領域はｆＬ７からｆＨ８に切り換わる。また、入力電圧Ｖｃｏｎｔ８が０．５Ｖを下回ると、再びＦＦ＿ｏｕｔ１０が“Ｈ”になるため、周波数領域がｆＬ７に切り換わる。  以上は電圧比較器を２つ有する場合について述べたが、多数の電圧比較器及び双安定回路を有する回路とすれば、さらに、複数の電圧／周波数変換範囲を変換する回路が実現できる。  また、一点鎖線部で示す周波数変換部１５を任意に設定することにより、図２（ｃ）のように、(ｆ２−ｆ１)／(ｖ４−ｖ１)と、(ｆ４−ｆ６)／(ｖ４−ｖ１)の傾きが異なる場合も実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月9日(2004.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ここで、上記フィードフォワード増幅器に設けられている遅延フィルタ１および２は、一般的に帯域内群遅延一定型誘電体フィルタが用いられ、上記歪み検出ループおよび上記歪み抑圧ループにおいて、群遅延時間を厳密に合わせなければならない。つまり、小電力側遅延フィルタ２は、上述したアッテネータ７で減衰された信号の入力および該小電力側遅延フィルタ２を通った信号の入力とが、合成器８で同じ群遅延時間になるように調整し、大電力側遅延フィルタ１は、上述したサブアンプ４で増幅された信号の入力および該大電力側遅延フィルタ１を通った信号の入力とが、合成器９で同じ群遅延時間になるように調整しなければならない。また、遅延フィルタ１および２には、所望帯域および群遅延時間における、低損失特性、位相直線性、および小型化が求められる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が開口し他端が閉塞した円筒形状のアウタチューブの内側に配置された両端が開口した円筒形状のインナチューブ内に複数枚の被処理基板がボートに保持されて搬入され、前記インナチューブ内に処理ガスが供給され、前記インナチューブと前記アウタチューブとの間が排気されて前記被処理基板が一括処理される半導体装置の製造方法において、前記被処理基板の処理中に、不活性ガスが前記アウタチューブの閉塞壁の内面に供給されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データ転送装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転送経路の始端及び終端のノードと、データの送信元端末とにネットワークを介して接続されたデータ転送装置であって、
上記送信元端末からデータを受信する送受信部と、
上記データの宛先情報に基づいて、上記データの転送に用いる転送経路を特定する転送経路選択情報と、上記転送経路選択情報に基づいて特定される転送経路の終端のノードにおける出力回線を特定する出力回線情報とを上記データに付加する制御部を有し、
上記送受信部は、上記転送経路選択情報及び上記出力回線情報が付加されたデータを上記転送経路の始端のノードに送信することを特徴とするデータ転送装置。
【請求項２】
請求項１記載のデータ転送装置であって、
上記転送経路はトンネルパスによって構成されており、
上記転送経路選択情報は、上記トンネルパスのパス選択情報であることを特徴とするデータ転送装置。
【請求項３】
請求項１記載のデータ転送装置であって、
上記転送経路は論理ネットワーク毎に設定された論理的な仮想回線によって構成されており、
上記制御部は、上記データの宛先情報に基づいて決定され、上記データの転送に使用する論理ネットワークを特定する論理ネットワーク識別子を、上記データにさらに付加し、
上記送受信部は、上記転送経路選択情報と、上記出力回線情報と、上記論理ネットワーク識別子とを付加したデータを上記転送経路の始端のノードに送信することを特徴とするデータ転送装置。
【請求項４】
請求項３記載のデータ転送装置であって、
上記仮想回線はＶＬＡＮであり、
上記論理ネットワーク識別子はＶＬＡＮ  ＩＤヘッダに書き込まれることを特徴とするデータ転送装置。
【請求項５】
複数の転送経路の終端のノードと、データの転送元端末とにネットワークを介して接続されたデータ転送装置であって、
上記転送元端末から送信されたデータを受信する送受信部と、
上記データに含まれ、上記データの宛先と対応付けて設定された、上記データの転送に用いる転送経路を特定する転送経路選択情報に基づいて、上記データの転送に使用する転送経路を決定する制御部とを有し、
上記送受信部は、上記決定された転送経路の終端のノードに、上記データを送信することを特徴とするデータ転送装置。
【請求項６】
請求項５記載のデータ転送装置であって、
上記転送経路はトンネルパスによって構成されており、
上記転送経路選択情報は、上記トンネルパスのパス選択情報であり、
上記制御部は、上記パス選択情報に基づいて上記データの転送に使用するトンネルパスを決定して、上記決定されたトンネルパスを特定するトンネルラベルを上記データに付加し、
上記送受信部は、上記トンネルラベルが付加されたデータを上記転送経路の終端のノードに送信することを特徴とするデータ転送装置。
【請求項７】
請求項５記載のデータ転送装置であって、
上記転送経路は論理ネットワーク毎に設定された論理的な仮想回線によって構成されており、
さらに、上記制御部は、上記データに含まれ、上記データの転送に使用する論理ネットワークを特定する論理ネットワーク識別子にも基づいて上記データの転送に使用する転送経路を決定することを特徴とするデータ転送装置。
【請求項８】
請求項７記載のデータ転送装置であって、
上記制御部は、上記論理ネットワーク識別子に基づいて上記データの転送に使用する仮想回線を判定して、該仮想回線に対応する仮想回線識別子を上記データに付加し、
上記送受信部は、上記仮想回線識別子が付加されたデータを、上記転送経路の終端のノードに送信することを特徴とするデータ転送装置。
【請求項９】
請求項７記載のデータ転送装置であって、
上記仮想回線はＶＬＡＮであり、
上記論理ネットワーク識別子はＶＬＡＮ  ＩＤヘッダに書き込まれることを特徴とするデータ転送装置。
【請求項１０】
請求項８記載のデータ転送装置であって、
上記仮想回線はＶＬＡＮであって、
上記仮想回線識別子はＶＬＡＮ  ＩＤであることを特徴とするデータ転送装置。
【請求項１１】
請求項５記載のデータ転送装置であって、
上記制御部は、上記決定された転送経路を特定する転送経路識別子を上記データのｓｈｉｍヘッダに書き込み、
上記送受信部は、上記ｓｈｉｍヘッダに上記転送経路識別子が書き込まれた上記データを上記転送経路の終端のノードに送信することを特徴とするデータ転送装置。
【請求項１２】
転送経路の始端のノードと、データの転送元端末及び宛先端末とにネットワークを介して接続されたデータ転送装置であって、
上記転送元端末から上記転送経路の始端のノードを経由して送信されたデータを受信する送受信部と、
上記データに含まれ、上記データの宛先と対応付けて設定された、上記データの出力回線を特定する出力回線情報に基づいて、上記データの転送に使用する転送経路を決定する制御部とを有し、
上記送受信部は、上記決定された出力回線から、上記データを上記宛先端末に送信することを特徴とするデータ転送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
該ポリイミドフイルムの貼り合わせ面とは反対側の面にあらかじめ金属層が設けられていない場合は、フルアディティブ法やセミアディティブ法で金属層を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（Ｒ１及びＲ２は１価の有機基を示し、同じでも異なっていてもよい。Ｒ３及びＲ４は炭素数１〜５のアルキル基を示し、同じでも異なっていてもよい。また、ａ、ｂ、ｃは０〜３の整数でありａ＋ｂ＋ｃ＝１〜３を満たす。）
一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシランの具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（βメトキシエトキシ）シラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等を挙げることができるが、これに限定されない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月16日(2004.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉからなる群より選ばれた、少なくとも１種類の金属あるいは２種類以上の金属の合金よりなる第１の層と、該第１の層上に形成された、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｍｇよりなる群より選ばれた少なくとも１種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第２の層とを有する第１層の光の透過率が１０〜９０％である発光半導体素子用透光性電極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の表面に接して透光性でオーミック接触が得られる金属薄膜からなる第１の層を形成する第１の工程と、第１の層上に金属からなる第２の層を形成する第２の工程と、これを熱処理することによって第２の層を酸化する第３の工程を有する第１層の光の透過率が１０〜９０％である発光半導体素子用透光性電極の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極を形成し、
前記下部電極上に反強磁性体を形成し、
前記反強磁性体上にピン層を形成し、
前記ピン層上にAl層を被着し、前記Al層に酸素ラジカルを照射してアモルファスAl2O3膜とし、前記アモルファスAl2O3膜をに電子線を照射して多結晶Al2O3膜を形成し、
前記多結晶Al2O3膜上にフリー層を形成し、
前記フリー層上に上部電極を形成することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
上記下部電極を、基板上に、スパッタリング法により形成することを特徴とする請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】
前記反強磁性体を、DCカソードを用いたスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
前記ピン層を、DCカソードを用いたスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項５】
前記Al層を、スパッタリング法にて被着することを特徴とする請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
前記フリー層を、DCスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項６】
前記電極を、DCスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項７】
前記反強磁性体は、MnPtであることを特徴とする請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項８】
前記ピン層は、CoFeであることを特徴とする請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項９】
前記フリー層は、CoFe層、NiFe層及びTa層を積層したものであることを特徴とする請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項１０】
上記上部電極は、Ru層であることを特徴とする請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰ基板上に設けられた積層構造内に、量子井戸発光構造と、該量子井戸発光構造上に設けられた回折格子とを備え、前記量子井戸発光構造が、井戸層及び障壁層を有する量子井戸活性層と、該量子井戸活性層の上下に設けられたＳＣＨ導波路層とから構成される、発振波長が１５６５ｎｍ以上の分布帰還型半導体レーザ素子において、
前記井戸層と前記障壁層のバンドギャップ差ΔＥgが、波長に換算して０．４５μｍ以下であり、前記障壁層のバンドギャップ波長λg2が、１．２０μｍ＜λg2＜１．３５μｍであることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記ＳＣＨ導波路層及び前記障壁層が、夫々ＩｎＧａＡｓＰからなる組成を有し、該ＳＣＨ導波路層のバンドギャップ波長λg1が、１．０５μｍ＜λg1＜１．３５μｍである、請求項１に記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記井戸層と前記障壁層のバンドギャップ差ΔＥgが、波長に換算して０．４０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記井戸層の１層当たりの膜厚が５〜７ｎｍの範囲にある、請求項１〜３のいずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記井戸層の層数が４以上８以下である、請求項１〜４のいずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記回折格子の回折格子強度κＬが１〜２の範囲にある、請求項１〜５のいずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記分布帰還型半導体レーザ素子の前端面に反射率５％以下の反射防止膜を、後端面に反射率８０％以上の高反射膜を夫々形成した、請求項１〜６のいずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記井戸層に０．８〜１．２％の圧縮歪が、前記障壁層に０．０２〜０．２％の引張歪が夫々導入される、請求項１〜７のいずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月19日(2004.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記回路基板の電極上に、下段バンプを形成するとともに、この下段バンプよりバンプ径が小さい上段バンプを複数形成し、
前記半導体素子側の金バンプの一部が、前記回路基板側の複数の上段バンプ間の隙間に嵌合するようにして接触させ、前記回路基板上に前記半導体素子を実装することを特徴とする請求項２記載のフリップチップ実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４記載の発明は、請求項２記載のフリップチップ実装方法であって、前記回路基板の電極上に、下段バンプを形成するとともに、この下段バンプよりバンプ径が小さい上段バンプを複数形成し、前記半導体素子側の金バンプの一部が、前記回路基板側の複数の上段バンプ間の隙間に嵌合するようにして接触させ、前記回路基板上に前記半導体素子を実装することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明では、前記半導体素子側の金バンプの一部を、前記回路基板側の複数の上段バンプ間の隙間に嵌合するようにして接触させて金属接合を行うことから、接合強度を強くすることができるとともに、実装時に多少の位置ずれが発生しても接続不良になりにくくフリップチップ実装品の歩留まりを高くすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶または非晶質半導体膜にレーザ光を照射して結晶化半導体膜を生成するレーザアニールの前工程において、
基板上にレーザ光の波長を反射する反射膜を形成する工程と、
この反射膜をレーザ光の波長に対して透明な透光性膜を成膜する工程と、
この透光性膜の上に多結晶または非晶質半導体膜を形成する工程と、
この多結晶または非晶質半導体膜を島状に素子分離する工程と、
を有してなる薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記反射膜を前記基板の垂直方向に対して４５〜８９°に傾斜させてなる請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記反射膜を平面状に形成してなる請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記反射膜を凹面状に形成してなる請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記反射膜を島状に形成してなる請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記反射膜のエッジと島状に分離した多結晶または非晶質半導体膜のエッジとの距離を０〜２μｍとしてなる請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記透光性膜の膜厚を０．１〜１０．０μｍとしてなる請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記反射膜を薄膜トランジスタの配線材料と兼用してなる請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
基板上にレーザ光の波長を反射する反射膜と、
レーザ光の波長に対して透明な透光性膜と、
島状の結晶化半導体膜と、
を積層する構成であって、
この結晶化半導体膜は、島状の多結晶または非晶質半導体膜に照射した上からのレーザ光と前記反射膜に反射した下からのレーザ光により結晶化されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にレーザ光の波長を反射する反射膜を形成する工程と、この反射膜上にレーザ光の波長に対して透明な透光性膜を成膜する工程と、この透光性膜の上に多結晶または非晶質半導体膜を形成する工程と、この多結晶または非晶質半導体膜を島状に素子分離する工程とを有し、これにより上記目的が達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この後、基板１上面に対して垂直にレーザ光ａを照射する。
レーザ光ａは、一部が島状のａ−Ｓｉ膜５の上面に入射し、一部が透光性膜４を通過して反射膜３に入射する。
反射膜３に入射したレーザ光ａは、反射して島状のａ−Ｓｉ膜５の下面に入射する。
これにより、反射膜３のある領域は、レーザ光ａの直射光と反射光で二重に加熱され、反射膜３のない領域は、レーザ光ａの直射光だけで加熱される。
このため、島状のａ−Ｓｉ膜５は両端部が高温部と低温部に分かれ、温度勾配が生じる。
図１３のｂは、図１のＣ-Ｃ´間におけるレーザ光照射直後の温度分布である。反射膜３のない領域（図１のＡ-Ａ´）は温度が低く、反射膜３のある領域（図１のＢ-Ｂ´）は温度が高くなる。
島状のａ−Ｓｉ膜５の熱は効率よく基板１に放出され、高温部は冷却が遅れる。図１３のｃは、低温部Ａ-Ａ´領域の端部の温度が結晶化温度Ｔｃに達した直後の温度分布である。低温部から高温部に向けて結晶化半導体膜としてのｐ−Ｓｉ膜の結晶が横方向に成長する。
これにより、均一性の良い大粒径のＳｉ結晶粒を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明における反射膜は、レーザ光を遮光して反射するものとし、Ａｌ、Ｗ、ＷＳｉなどの他に、紫外線を反射するシリサイド（金属とシリコンの化合物）や金属など、いずれの材料を用いてもよい。
また、基板の垂直方向に対して４５〜８９°角度で島状のａ−Ｓｉ膜に向けて傾斜させる。
この場合、図１２に示すように、垂直に照射したレーザ光ａが反射膜３で反射して反射光がａ−Ｓｉ膜５の下面の全幅を照射するときの基板１の垂直方向と反射膜３の
なす角度θは、ａ−Ｓｉ膜５の幅をＷ、透光性膜４の厚さをＴとすると、次のように定義できる。
θ≧９０°−０．５×ｔａｎ-1（Ｗ／Ｔ）（０≦θ＜９０°）
例えば、Ｗ＝２μｍ、Ｔ＝１μｍのとき
θ≧９０°−０．５×ｔａｎ-1（２／１）となり
ｔａｎ-1（２／１）＝６３．４°であるから
θ≧５８．３°となる。
なおθ＝５８．３°が最適角度で、それ以上の角度（但し９０°未満）でもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
次に、（１０）に示すように、この上に例えばＳｉ２Ｈ６を用いたＬＰ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）ＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜５を流速１５０ｓｃｃｍ、圧力８Ｐａ、基板温度４５０℃にて推積時間７０分で１００ｎｍ成膜する。
その後、（１１）〜（１３）に示すように、この上にレジスト材５ａを塗布し、露光を行ってパターンを形成し、例えばＢＣＬ３＋ＣＨ４によるドライエッチングを行ってａ−Ｓｉ膜５を島状に加工し、その後でレジスト材５ａを除去する。
そして、（１４）に示すように、ＫｒＦエキシマレーザのレーザ光ａを３５０ｍＪ・ｃｍ−２の強度で照射してレーザアニールを行い、ａ−Ｓｉ膜５を結晶化する。
レーザ光ａは、ａ−Ｓｉ膜５の上面に吸収されると同時に、ａ−Ｓｉ膜５のないところでは透光性膜４に入射する。
透光性膜４に入射したレーザ光ａは、反射膜３のあるところで反射し、反射光がａ−Ｓｉ膜５の下面に入射し、吸収される。
これにより、反射光が入射したところでは、ａ−Ｓｉ膜５の上下両面にレーザ光ａが照射されるので、反射光の入射のないところに比べ高温になる。
そのため、ａ−Ｓｉ膜５に横方向の温度差が生じ、結晶粒の成長が促進される
ので、結晶粒径の大きな結晶化半導体膜を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月7日(2005.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にＭＯＳトランジスタとメモリトランジスタとを有する半導体記憶装置であって、
前記半導体基板にＰウェル領域とＮウェル領域とを設け、
前記Ｐウェル領域には、高濃度Ｎ型拡散層をソースまたはドレインとし、ゲート酸化膜を有するＮチャネル型ＭＯＳトランジスタと、前記高濃度Ｎ型拡散層をソースまたはドレインとし、トンネル酸化膜とメモリ窒化膜とトップ酸化膜とからなるメモリ絶縁膜を有するＭＯＮＯＳ型メモリトランジスタと、を設け、
前記Ｎウェル領域には、高濃度Ｐ型拡散層をソースまたはドレインとし、ゲート酸化膜を有するＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを設け、
前記メモリ絶縁膜の実効酸化膜厚は、前記Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタを構成する前記ゲート酸化膜より薄くし、前記ＭＯＮＯＳ型メモリトランジスタのしきい値電圧を前記Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧より低くすることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
ソースを電源電位に接続するＰチャネル型ＭＯＳトランジスタと、該Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのドレインと接地電位との間に直列接続する少なくとも１つのＭＯＮＯＳ型メモリトランジスタと、該ＭＯＮＯＳ型メモリトランジスタと並列接続するＮチャネル型ＭＯＳトランジスタと、を有し、
前記ＭＯＮＯＳ型メモリトランジスタおよび前記Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタと前記Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタとの接続点を出力端子とし、該出力端子に接続する出力インバータを有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
前記Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのソースに定電圧発生回路を接続することを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
半導体基板にＭＯＳトランジスタとメモリトランジスタとを形成する半導体記憶装置の製造方法であって、
ＭＯＮＯＳ型メモリトランジスタ形成領域にメモリ酸化膜とメモリ窒化膜とトップ酸化膜とからなるメモリ絶縁膜を形成する工程と、
Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタとＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとの形成領域に前記メモリ絶縁膜の実効酸化膜より厚いゲート酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板の全面にゲート電極材料を形成する工程と、
前記ゲート電極材料をフォトエッチング処理してＮチャネル型ＭＯＳトランジスタとＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとＭＯＮＯＳ型メモリトランジスタとのそれぞれのゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一主面に設けられるシールド対象領域と、
前記シールド対象領域の境界近傍に設けられた、前記シールド対象領域の内外で信号の授受をおこなうための外部接続端子と、
前記外部接続端子、または前記外部接続端子に前記シールド対象領域の外部から電気的に接続される配線を避けて、前記シールド対象領域の境界上に配置されたシールド配線と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
半導体基板の一主面に設けられるシールド対象領域と、
前記シールド対象領域の境界近傍に設けられた、前記シールド対象領域の内外で信号の授受をおこなうための外部接続端子と、
前記外部接続端子、または前記外部接続端子に前記シールド対象領域の外部から電気的に接続される配線を避けて、前記シールド対象領域の境界の内側に配置されたシールド配線と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
半導体基板の一主面に設けられるシールド対象領域と、
前記シールド対象領域の境界近傍に設けられた、前記シールド対象領域の内外で信号の授受をおこなうための外部接続端子と、
前記外部接続端子、または前記外部接続端子に前記シールド対象領域の外部から電気的に接続される配線を避けて、前記シールド対象領域の境界の外側に配置されたシールド配線と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
半導体基板の一主面に設けられるシールド対象領域と、
前記シールド対象領域の境界近傍に設けられた、前記シールド対象領域の内外で信号の授受をおこなうための外部接続端子と、
前記外部接続端子、または前記外部接続端子に前記シールド対象領域の外部から電気的に接続される配線を避けて、前記シールド対象領域の境界の内側および外側に配置されたシールド配線と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
前記シールド配線は電源に接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記シールド配線は、コンタクト部を介して、前記シールド配線が設けられた層と異なる層の配線または端子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記シールド対象領域は、同シールド対象領域よりも上の配線層に設けられたシールド層により覆われていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記シールド対象領域は、機能ブロックであるマクロ、または階層レイアウトでレイアウトされる階層ブロックであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体集積回路。
【請求項９】
半導体集積回路を設計する設計方法であって、
シールド配線を生成するシールド対象領域を認識する認識工程と、
前記認識工程によって認識されたシールド対象領域に対してシールド配線を配線する配線工程と、
前記配線工程によって配線されたシールド配線の電位を固定する電位固定工程と、
を含んだことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月12日(2004.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
これを解決するために、合成石英ガラス中に水素分子を含有させても式（５）の反応を完全に防ぐことはできず、特にＯＨ基含有量が多い場合には、波長２６０ｎｍの吸収帯および波長６５０ｎｍの蛍光が強くなる傾向があった
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
工程（ｃ）を前記条件範囲外で実施すると、水素の排出が十分に行われず、多孔質石英ガラス体中に還元型欠陥≡Ｓｉ−Ｈが残存するおそれがある。残存する≡Ｓｉ−Ｈは、次の工程（ｄ）により、合成石英ガラス体中に含有するＯＨ基濃度を増大させる。そして結果的には、得られる合成石英ガラス中のＯＨ基濃度は１０ｐｐｍ未満にならないおそれがでてくる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
さらに、得られた透明石英ガラス体を、カーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７５０℃に加熱して自重変形を行わせ石英成形ガラス体（３４０ｍｍφ×長さ１００ｍｍ）を得た（工程（ｆ））。得られた石英成形ガラス体を３４０ｍｍφ×厚さ４０ｍｍに切断し、これを電気炉内に設置し、除冷点近傍である１２５０℃に加熱し、以後０．５℃／ｈｒの冷却速度で除冷を行い、炉内温度が９５０℃になったとき給電を中止し炉内放冷した（工程（ｇ））。続いて、水素ガス１００％、１０気圧、５００℃の雰囲気下で４５０時間保持して石英ガラス中に水素ドープを行い（工程（ｈ））、合成石英ガラスを得た。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体結晶、およびそれを用いた発光素子、ならびに当該半導体結晶の成長方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウルツァイト基板および前記ウルツァイト基板上に成長した半導体多層膜よりなり、前記ウルツァイト基板の表面は（１０−１２）面である、半導体結晶。
【請求項２】
ウルツァイト基板の表面が（１０−１２）面から＜１−２１０＞方向に±１０度以内の角度範囲内で傾斜している、請求項１に記載の半導体結晶。
【請求項３】
前記ウルツァイト基板が窒化ガリウム基板であり、該窒化ガリウム基板上に成長した半導体多層膜がIII族窒化物半導体多層膜よりなる、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体結晶。
【請求項４】
前記ウルツァイト基板が炭化珪素基板であり、該炭化珪素基板上に成長した半導体多層膜がIII族窒化物半導体多層膜よりなる、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体結晶。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体結晶で構成されている、発光素子。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体結晶で構成されている、発光素子。
【請求項７】
ウルツァイト基板を、（０００１）面から＜１０−１０＞方向に５５度の角度に傾斜してなる（１０−１２）面を中心に、４５度から６５度の角度でスライスする工程と、燐酸あるいは硫酸を含む溶液でスライス後の前記ウルツァイト基板表面をエッチングする工程と、前記ウルツァイト基板表面に気相成長法により半導体多層膜を成長する工程とを有する、結晶成長方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
箱体に組み立てられた箱を強固に固定するには、箱の型自体に蓋部、側部および底部の特定の個所にベロ状の突起およびこれに対応する個所に切り込み穴を設け、これらを互いに挿し込んで組み立てる方法、箱体に組み立てて、側面が互いに接するに任意の箇所にマジックテープ（登録商標）を接着して、これらを接合することにより箱体を組み立てる方法、また、これらの突起及び穴やマジックテープ（登録商標）を設けることなく、組み立てられた箱の周囲をＰＰバンドや紙バンドにより、手動、半自動又は全自動の帯架機、結束機、又は梱包機を用い強固に縛り固定する方法でも良い。特別の留め具を取り付けていない場合は洗浄時に止め具に汚れが残ったりせず、洗浄もし易いので好適である。万が一箱の固定が外れた場合を考慮すると、樹脂、ゴム、紙などのバンドや紐などを用いて箱を縛って補強する方法が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月8日(2004.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出する記録ヘッドに液体を供給する液体供給装置であって、
前記記録ヘッドに供給する液体を収納する液体収納容器と、前記記録ヘッドと前記液体収納容器とを連結する第１の連結部と、一端が前記液体収納容器内にあり他端が大気に開放されている第２の連結部とを有し、
前記液体収納容器に連結する前記第２の連結部の一端が前記記録ヘッドの液体吐出口の高さより低い位置に在り、前記第２の連結部内に液体と大気との界面が存在し、前記界面に形成されるメニスカスの表面張力により、前記記録ヘッドの液体吐出口に対して負圧を発生させ、
前記第１の連結部および前記第２の連結部はそれぞれ前記液体収納容器の底面から下方に伸び、途中で上方に折り曲げられていることを特徴とする液体供給装置。
【請求項２】
大気に開放されている前記第２の連結部の他端が前記第２の連結部の一端よりも高い位置に在る、請求項１に記載の液体供給装置。
【請求項３】
大気に開放されている前記第２の連結部の他端が前記記録ヘッドの液体吐出口の高さより低い位置に在る、請求項２に記載の液体供給装置。
【請求項４】
前記第２の連結部の両端の間に、前記液体収納容器から溢れ出した液体を一時保管するバッファー室が設けられた請求項１から３のいずれか１項に記載の液体供給装置。
【請求項５】
前記液体収納容器内および前記記録ヘッド内の圧力変動に応じて前記第２の連結部内の前記界面が移動することにより前記負圧が一定に保たれる、請求項１から４のいずれか１項に記載の液体供給装置。
【請求項６】
前記第１の連結部は、前記記録ヘッド内の液体が消費された際に前記記録ヘッドに前記液体収納容器から液体を供給し、前記第２の連結部は、前記液体収納容器内の圧力が減少した時に前記液体収納容器内に大気を導入する、請求項１から５のいずれか１項に記載の液体供給装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の液体供給装置と、前記記録ヘッドとを有し、前記記録ヘッドから記録媒体に液体を吐出して記録を行う液体吐出記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このように、サブタンク１２０とアルミラミネート袋２１０との間をインクが流れることにより、記録ヘッド１１０内のインクの負圧状態は一定に保たれている。すなわち、記録ヘッド１１０およびインク供給装置の全体の圧力の増減を、アルミラミネート袋２１０の変形による容積の増減によって吸収している。
［先行技術文献等］  特開平１１−１３８８４１号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、  液体を吐出する記録ヘッドに液体を供給する液体供給装置であって、
前記記録ヘッドに供給する液体を収納する液体収納容器と、前記記録ヘッドと前記液体収納容器とを連結する第１の連結部と、一端が前記液体収納容器内にあり他端が大気に開放されている第２の連結部とを有し、
前記液体収納容器に連結する前記第２の連結部の一端が前記記録ヘッドの液体吐出口の高さより低い位置に在り、前記第２の連結部内に液体と大気との界面が存在し、前記界面に形成されるメニスカスの表面張力により、前記記録ヘッドの液体吐出口に対して負圧を発生させ、
前記第１の連結部および前記第２の連結部はそれぞれ前記液体収納容器の底面から下方に伸び、途中で上方に折り曲げられていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この液体供給装置において、大気に開放されている前記第２の連結部の他端が前記第２の連結部の一端よりも高い位置で、かつ、前記記録ヘッドの液体吐出口の高さより低い位置に在ることがより好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
【発明の効果】
本発明によれば、液体を吐出する液体吐出ヘッドを用いて記録を行なう液体吐出記録装置に用いられ、記録ヘッドに対して供給すべき液体をそれ自身が容易に変形することの無い材質でできた筐体からなる液体収納容器と、液体収納容器にの底面からそれぞれ下方に伸び、途中で上方に折り曲げられた管状の第１および第２の連結部とを有し、第１の連結部は記録ヘッドと連結されており、第２の連結部は液体収納容器の内部を大気に連通させた液体供給装置において、第２の連結部の液体収納容器内に入れられた一端を記録ヘッドの液体吐出口の高さより低い位置に設け、第２の連結部内に液体と大気の界面が存在するように構成し、その界面に形成されたメニスカスの表面張力の力により、記録ヘッドの液体吐出口に対して負圧を発生させていることにより、通常の使用環境は勿論のこと、使用環境の周囲温度が大きく変化しても、記録ヘッドの液体吐出口から液体が垂れ落ちないようにして、安定した吐出を実現することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者らは、このような従来の脱リン剤及び脱リン方法の欠点を改良するために、先に（Ａ）アパタイト形成性物質１００質量部、（Ｂ）水硬性バインダー３〜１００質量部及び（Ｃ）水性樹脂エマルション２〜５０質量部及び所望に応じ１５０質量部を超えない量の（Ｄ）カルシウム供給物質を含有する水中脱リン剤組成物及びこれを用いる水中脱リン方法を提案した（特開２００３−４７９７４号公報）。
しかしながら、この水中脱リン剤は、河川、湖沼などに投入し、リンの除去を行った後で、回収することが困難で、使い捨てにならざるを得ないので、おのずから利用分野が制限されるのを免れない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月11日(2004.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
造粒容器内の被造粒粉末に造粒液を添加しつつ撹拌造粒するための造粒手段の駆動を開始するステップ、
前記造粒手段の駆動開始からの時間経過とともに前記造粒手段の駆動に用いられた駆動エネルギーを積算するステップ、
駆動エネルギーの積算値が造粒工程終了の値として定めた設定値に達したか否かを判別するステップ、及び
駆動エネルギーの積算値が前記設定値に達したとき前記造粒手段を停止して造粒工程を終了するステップ、
を有する撹拌造粒方法。
【請求項２】
造粒容器内の被造粒粉末に造粒液を添加しつつ造粒手段により撹拌造粒する第１の撹拌造粒装置による撹拌造粒工程において、前記造粒手段の造粒時の駆動開始から駆動停止までの駆動エネルギーを積算し、駆動エネルギーの積算値を前記被造粒粉末の仕込量で除して、単位仕込量当たりの駆動エネルギーを算出するステップ、
前記第１の撹拌造粒装置と異なる容量の造粒容器を有する第２の撹拌造粒装置による撹拌造粒工程において、前記第１の撹拌造粒装置において算出された単位仕込量当たりの単位駆動エネルギーに第２の撹拌造粒装置の造粒容器への仕込量を乗算した値を造粒工程終了の値として定めた設定値とするステップ、及び
前記第２の撹拌造粒装置の撹拌造粒工程において、造粒容器内の被造粒粉末に造粒液を添加しつつ撹拌造粒する造粒手段の駆動開始から駆動停止までの駆動エネルギーを積算し、駆動エネルギーの積算値が前記設定値に達したとき前記造粒手段を停止して造粒工程を終了するステップ、
を有する撹拌造粒方法。
【請求項３】
造粒容器内の被造粒粉末に造粒液が添加される前に造粒手段により混合される混合工程を有し、当該混合工程における前記造粒手段の消費電力を検出してその消費電力の平均値を算出し、造粒工程における駆動エネルギーから、前記平均値に造粒工程の造粒時間を乗算した値を減算するステップを有する請求項１又は２に記載の撹拌造粒方法。
【請求項４】
前記造粒手段が電動機で駆動されるアジテータであり、前記造粒手段の駆動エネルギーを前記電動機の積算消費電力量とする請求項１、２、又は３に記載の撹拌造粒方法。
【請求項５】
造粒工程終了の値として定めた設定値を前記電動機の予め設定した積算消費電力量とする請求項４に記載の撹拌造粒方法。
【請求項６】
被造粒粉末が供給されかつ造粒液が添加される造粒容器、
前記造粒容器内の被造粒粉末を撹拌造粒する造粒手段、
前記造粒手段を駆動制御する駆動手段、
前記駆動手段の造粒時の積算電力量を検出する電力検出手段、及び
前記電力検出手段からの積算電力量が予め設定した造粒工程終了の値として定めた設定値に達したとき前記駆動手段を停止させて造粒工程を終了させる演算制御手段、
を具備する撹拌造粒装置。
【請求項７】
互いに異なる容量の造粒容器をそれぞれ有し実質的に同様の構成を持つ２つの撹拌造粒装置において、
第１の撹拌造粒装置は、撹拌造粒工程において、造粒容器内の被造粒粉末を撹拌造粒する造粒手段の駆動開始から駆動停止までの駆動エネルギーを積算し、駆動エネルギーの積算値を当該造粒容器における被造粒粉末の仕込量で除して、単位仕込量当たりの駆動エネルギーを算出する第１の演算制御手段を有し、
第２の撹拌造粒装置は、前記第１の演算制御手段において算出された単位仕込量当たりの駆動エネルギーに第２の撹拌造粒装置の造粒容器への仕込量を乗算した値を造粒工程終了の値として定めた設定値とし、第２の撹拌造粒装置における前記駆動エネルギーの積算値が前記設定値に達したとき前記駆動手段を停止する造粒工程を行うよう構成された撹拌造粒装置。
【請求項８】
電力検出手段が、造粒容器内の被造粒粉末に造粒液が添加される前の混合時の造粒手段の駆動エネルギーを検出し、前記演算制御手段が検出された混合時の消費電力の平均値を算出して、造粒時の駆動エネルギーから、前記平均値に造粒工程の造粒時間を乗算した値を減算するよう構成した請求項６に記載の撹拌造粒装置。
【請求項９】
前記造粒手段が電動機で駆動されるアジテータであり、前記造粒手段の駆動エネルギーを前記電動機の積算消費電力量とする請求項６、７又は８に記載の撹拌造粒装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る撹拌造粒装置は、被造粒粉末が供給されかつ造粒液が添加される造粒容器、
前記造粒容器内の被造粒粉末を撹拌造粒する造粒手段、
前記造粒手段を駆動制御する駆動手段、
前記駆動手段の造粒時の積算電力量を検出する電力検出手段、及び
前記電力検出手段からの積算電力量が予め設定した造粒工程終了の値として定めた設定値に達したとき前記駆動手段を停止させて造粒工程を終了させる演算制御手段、を具備する。このような構成を有する本発明に係る撹拌造粒装置は、撹拌造粒工程における造粒終点の決定が作業者の経験に頼ることがなく最適化を図ることができ、撹拌造粒の自動化を達成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのガス相および液相からなる混合物の分離用装置であって、前記混合物は、液体仕込原料と、ガス仕込原料と、固体粒子とを接触させる帯域から得られ、前記装置は、室内において一体化され、かつ少なくとも：
・前記混合物用の少なくとも１つの通路を具備する再循環装置(210)と、
・前記１つまたは複数の通路の後流に隣接して配置され、かつ液体の大部分およびガスの小部分を含むフラクションＡと、液体の小部分を含む本質的ガスフラクションＢとへの前記混合物の分離を可能にする第１分離エレメント(280)または第１分離器と、
・第１分離器から得られる本質的ガスフラクションＢの排出を可能にする、前記室の上部に近接して配置される管(70)と、
・再循環装置(210)に達する排出管(30)であって、該排出管を経て、前記第１分離器から得られる液体の大部分を含むフラクションＡが、重力の作用で流れて、排出される、排出管(30)と、
を備える装置において、
該装置が、前記室内における前記液相の膨張レベル調節手段(130)をも備え、前記膨張レベル調節手段が、前記膨張レベルをフラクションＢの出口オリフィスから前記室の内径よりも０．０５倍以上長い距離に保持するように構成されることを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記再循環装置(210)が円錐状形態を有し、かつ前記室のほぼ中心部に配置される、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記排出管(30)が、室内においてフラクションＡの少なくとも一部の再循環手段(190)(40)に連結される、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
前記排出管(30)が、前記フラクションＡの再循環用分離手段(30)(190)(40)および抜き出し用分離手段(31)(50)(100)を備える、請求項１〜３のうちのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記分離手段が、少なくとも同心管を備え、少なくとも１つの管が再循環を確実に行い、少なくとも１つの管が抜き出しを確実に行う、請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記抜き出し手段が、管(30)と同心でありかつ再循環装置(210)に達する第２管(31)からなり、前記第２管(31)が、液相の膨張レベル付近に配置される上部オリフィス(32)を有しかつ前記室内において、該管(31)の下部においてフラクションＡ排出手段(50)と、液相調節手段(100)(130)とに連結されている請求項４または５記載の装置。
【請求項７】
前記フラクションＢを、管(70)を経て排出されるガスフラクションと、管(30)を経て排出される液体フラクションとに分離することを可能にする第２分離エレメントまたは慣性型第２分離器(310)をも備える、請求項１〜６のうちのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
各第２分離器(310)が、管(260)を経て第１分離器(280)に連結され、第１分離器(280)の数が、第２分離器(310)の数に等しい、請求項１〜７のうちのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
各第２分離器(310)が、管(260)を介して複数の第１分離器(280)に連結されている、請求項１〜８のうちのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
第２分離器(310)が、物理的に第１分離器(280)に連結されず、それによって、第１分離器の出口オリフィスと、前記第２分離器の入口オリフィス(320)とが、本質的にガス相を含む室の一部分(800)において見出される、請求項１〜９のうちのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
室内において管(70)の入口オリフィスに隣接して連結される第３分離エレメントまたは慣性型第３分離器(350)を備え、前記第３分離器が第２分離器から得られるガスフラクションを処理する、請求項１〜１０のうちのいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
前記装置(210)が、少なくとも１つのダクト(220)を具備する再循環キューペルであり、該ダクトは、前記１つまたは複数のダクト(220)内に遠心移動を生じる挿入物を備える、請求項１〜１１のうちのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
前記混合物は固相も含み、前記固相が、第１分離器によって分離され、かつ管(30)を経て液体の大部分を含むフラクションＡと共に排出される、請求項１〜１２のうちのいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】
沸騰床から得られた流出物の分離への、請求項１〜１２のうちのいずれか１項記載の装置の適用。
【請求項１５】
水素および触媒粒子の存在下での炭化水素仕込原料の水素化転換への、請求項１〜１４のうちのいずれか１項記載の装置の適用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の概要】
本発明は、少なくとも１つのガス相と、液相とを含む混合物を分離するための装置に関する。前記混合物は、液体仕込原料、ガス仕込原料および固体粒子を接触させる帯域から得られ、前記装置は、室内で一体化され、かつ少なくとも下記のものを具備する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記混合物用の少なくとも１つの通路を具備する再循環装置のような装置であって、前記通路は、例えばダクトを含み、該ダクトは、好ましくは前記１つまたは複数のダクト内に遠心移動を発生させる挿入物を含む、装置と、
・前記１つまたは複数のダクトに隣接して配置される第１分離エレメントまたは第１分離器であって、前記混合物を、液体の大部分およびガスの小部分を含むフラクションＡと、液体の小部分を含む本質的ガスフラクションＢとに分離しうる、第１分離エレメントまたは第１分離器と、
・第１分離器から得られる本質的ガスフラクションＢの排出を可能にする、前記室の上部に近接して配置される第１管と、
・再循環装置に達する第２管。該第２管を経て、前記第１分離器から得られる液体の大部分を含むフラクションＡが、重力の作用で流れて、排出される。