Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記のアドレス取得が、制御機能識別子と対応するアドレスのアクセスポイント指定表を使用して前記ノードにより実行される請求項７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記アドレス取得が、ポリシー制御機能識別子と対応するアドレスのアクセスポイント指定表を使用して前記ゲートウエイＧＰＲＳサポートノードにより実行される請求項１０に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上述したように、PSサービスにアクセスするために，すなわちPSデータを送受信するために、MSは外部データネットワークとの相互接続が開始される前にMS自身をGGSNに認知させるために適切なPDPコンテキストを起動する。適用可能なPDPコンテキスト関連動作は３GPP仕様書TS 23 060にも規定されている。相互接続の間中、ユーザデータは、データパケットにPS専用プロトコル情報を備えまたカプセル化とトンネリングによりそのデータパケットを転送することにより、MSと外部データネットワークすなわちGGSNの間で透過的に転送される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＡＭ送信機を制御するためのデジタル変調が振幅信号および位相変調ＲＦ信号に変換される、デジタル送信用ＡＭ送信機におけるスプリアス発射を回避する方法であって、
振幅ブランチにおいて、振幅応答および遅延時間特性に関して逆の形状を用いた事前等化を適用することによって、非線形のひずみを補償し、
この目的のために、前記振幅応答および前記遅延時間特性を振幅ブランチにおいて測定して記憶し、
逆フーリエ変換によって、前記振幅応答および前記遅延時間特性についての測定された形状から逆伝達関数を決定し、
前記逆伝達関数に合わせて等化回路網の寸法を定め、
前記等化回路網を前記振幅ブランチの上流で直列に接続し、
ＲＦブランチにおいて、共振回路の帯域幅を、適切な品質を選択することにより、前記振幅応答および前記遅延時間特性について線形形状が達成されるような方法で調整し、
前記振幅ブランチおよび前記ＲＦブランチの間の伝播時間差を、デジタル変調器において、伝播時間が短い信号を遅延させることによって補償する方法。
【請求項２】  前記等化回路網の前記逆伝達関数を、デジタルＩ／Ｑ信号の帯域幅の３〜５倍の周波数範囲に限定することによって、前記送信機の不安定性および過発振を回避する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  天候に関連してインピーダンスが変動する場合に事前等化を最適に適合させることができるように、前記振幅ブランチの前記振幅応答および前記遅延時間特性が、反応するアンテナ整合に関して異なる状態において測定かつ記憶される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  ＡＭ送信機を制御するためのデジタル変調が振幅信号および位相変調ＲＦ信号に変換される、デジタル送信用ＡＭ送信機におけるスプリアス発射を回避する方法であって、
逆伝達関数を用いた事前等化による、振幅応答および時間遅延特性における非線形のひずみの補償を、ＲＦブランチにも適用することができる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温度係数電圧を与えるＥＥＰＲＯＭ回路（４５）において、
第１及び第２のトランジスタ・スレッショルド電圧及び第１及び第２の制御電極をそれぞれ有する第１（５０）及び第２（６０）のＥＥＰＲＯＭセルを備え、
前記第１及び第２の制御電極は共に結合されており、
第１のトランジスタ・スレッショルド電圧が、第２のトランジスタ・スレッショルド電圧とは独立にプログラム可能であり、それにより低温度係数電圧が、抵抗の両端間に発生され、且つ基準電圧を調整するための第１のトランジスタ・スレッショルド電圧と第２のトランジスタ・スレッショルド電圧との間の差電圧として与えられる、ＥＥＰＲＯＭ回路（４５）。
【請求項２】
第１のトランジスタ・スレッショルド電圧が、第２のトランジスタ・スレッショルド電圧とは独立に、且つ第１のＥＥＰＲＯＭセル（５０）の第１の制御電極と第２のＥＥＰＲＯＭセル（６０）の第２の制御電極との間に結合されたスイッチ装置を介してプログラムされる請求項１記載のＥＥＰＲＯＭ回路（４５）。
【請求項３】
低温度係数電圧を与えるＥＥＰＲＯＭ回路（４５）であって、第１及び第２のトランジスタ・スレッショルド電圧及び第１及び第２の制御電極をそれぞれ有する第１及び第２のＥＥＰＲＯＭセルを備え、前記第１及び第２の制御電極は共に結合されており、第１のトランジスタ・スレッショルド電圧が、第２のトランジスタ・スレッショルド電圧とは独立にプログラム可能であり、それにより低温度係数電圧が、第１のトランジスタ・スレッショルド電圧と第２のトランジスタ・スレッショルド電圧との間の差電圧として与えられる、前記ＥＥＰＲＯＭ回路（４５）と、
バンドギャップ基準回路（９０）と、
前記ＥＥＰＲＯＭ回路（４５）と前記バンドギャップ基準回路（９０）との間に結合され、スケーリングされた電圧値を前記バンドギャップ基準回路（９０）に転送する電流ミラー（８０）と、を備え、
前記スケーリングされた電圧値が、低温度係数電圧のスケーリングされた比率である、電圧基準回路（４０）。
【請求項４】
低温度係数電圧を与える方法において、
第１のＥＥＰＲＯＭセル（５０）の制御電極のスレッショルド電圧を第１の電圧レベルにプログラムするステップと、
第２のＥＥＰＲＯＭセル（６０）の制御電極のスレッショルド電圧を第２の電圧レベルにプログラムするステップと、を備え、
第２のＥＥＰＲＯＭセル（６０）の制御電極が第１のＥＥＰＲＯＭセル（５０）の制御電極に結合されており、
前記低温度係数電圧が、第１のスレッショルド電圧と第２のスレッショルド電圧との間の差電圧として与えられる、方法。
【請求項５】
第２のＥＥＰＲＯＭセル（６０）の制御電極のスレッショルド電圧をプログラムする前記ステップが、第１のＥＥＰＲＯＭセル（５０）の制御電極と第２のＥＥＰＲＯＭセル（６０）の制御電極との間に結合されたスイッチ装置（５５）を切り換えるステップを含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記低温度係数電圧が、基準電圧をトリミングするためのアナログ・トリム値である請求項１記載のＥＥＰＲＯＭ回路。
【請求項７】
前記低温度係数電圧が、基準電圧をトリミングするためのアナログ・トリム値である請求項４記載の方法。
【請求項８】
第１のスレッショルド電圧が、第２のスレッショルド電圧とは独立に、且つ第１のＥＥＰＲＯＭセルの第１の制御電極と第２のＥＥＰＲＯＭセルの第２の制御電極との間に結合されたスイッチ装置を介してプログラムされる請求項３記載の電圧基準回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その上に勾配層を有する基板上に半導体装置を製造する方法であって、方法が、
中間層を形成し、前記中間層が前記半導体装置に使用される格子定数よりも大きな格子定数を有するステップと、
前記中間層の前記格子定数から前記半導体に使用される前記格子定数へ勾配を付ける逆勾配層を形成するステップと、
前記勾配層をアニーリングして、前記勾配層を形成する結果作られる転位材料を絶縁するステップと、
歪んだ超格子層を作り、その上に形成される前記半導体装置からさらに転位を絶縁するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記基板上に前記勾配層を形成し、前記勾配層が、前記半導体装置に使用される前記格子定数を超えて基板の格子定数に勾配を付けるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記半導体装置がフォトダイオードを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
公称の（１００）配向基板を用いて前記勾配層を形成するステップをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項５】
ＭＯＣＶＤを用いて前記勾配層を形成するステップをさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板がＧａＡｓ基板を含む請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記基板がゲルマニウム基板を含む請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記基板がシリコン基板を含む請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記基板上に逆勾配に基づく少なくとも１つの勾配層を形成し、
前記少なくとも１つの勾配層が大量のｎ−型ドーピングを用いて形成され、
大きく転位した領域を通る勾配材料の導電性が、勾配材料としてＩｎＧａＡｓを用いて維持されるステップをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
所望の格子定数と整合するバッファー層を形成するステップをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
カーボンを用いて活性領域のｐ−型ドーピング部を成長させるステップをさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項１２】
デバイ長ドーピングを用いて前記基板上に少なくとも１つの層を形成するステップをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
前記歪んだ超格子層が、
小さな歪みと、
中間の歪みと、
大きな歪みとを、前記歪んだ超格子層の個々の層が転位を起こすほど厚くないように含む請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
ＭＯＣＶＤを用いて前記歪んだ超格子層を作るステップをさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
活性領域のｎ−型部を成長させるステップをさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項１６】
基板上に半導体装置を製造する方法であって、前記方法が、
ＭＯＣＶＤを用いて前記基板上に勾配層を形成し、前記勾配層が、前記半導体装置のために用いられる前記格子定数を超えて基板の格子定数に勾配を付けるステップと、
中間層を形成し、前記中間層が前記半導体装置に使用される格子定数よりも大きな格子定数を有するステップと、
前記中間層の前記格子定数から前記半導体に使用される前記格子定数へ勾配を付ける逆勾配層を形成するステップと、
前記勾配層をアニーリングして、前記基板から前記勾配層を形成する結果作られる転位材料を絶縁するステップと、
歪んだ超格子層を作り、その上に形成される前記半導体装置からさらに転位を絶縁するステップとを含む方法。
【請求項１７】
ＧａＡｓ基板上に半導体装置を製造する方法であって、前記方法が、
ＭＯＣＶＤを用いて前記ＧａＡｓ基板上に勾配層を形成し、前記勾配層が、前記半導体装置のために用いられる前記格子定数を超えて基板の格子定数に勾配を付けるステップと、
中間層を形成するステップであって、前記中間層が前記半導体装置に使用される格子定数よりも大きな格子定数を有する、ステップと、
前記中間層の前記格子定数から前記半導体に使用される前記格子定数へ勾配を付ける逆勾配層を形成するステップと、
前記勾配層をアニーリングして、前記ＧａＡｓ基板から前記勾配層を形成する結果作られる転位材料を絶縁するステップと、
歪んだ超格子層を作り、その上に形成される前記半導体装置からさらに転位を絶縁するステップとを含む方法。
【請求項１８】
ＧａＡｓ基板上に半導体装置を製造する方法であって、前記方法が、
ＭＯＣＶＤを用いて前記ＧａＡｓ基板上に勾配層を形成し、前記勾配層が、前記半導体装置のために用いられる前記格子定数を超えて基板の格子定数に勾配を付けるステップと、
中間層を形成するステップであって、前記中間層が前記半導体装置に使用される格子定数よりも大きな格子定数を有する、ステップと、
前記中間層の前記格子定数から前記半導体に使用される前記格子定数へ勾配を付ける逆勾配層を形成するステップと、
前記勾配層をアニーリングして、前記ＧａＡｓ基板から前記勾配層を形成する結果作られる転位材料を絶縁するステップと、
歪んだ超格子層を作り、その上に形成される前記半導体装置からさらに転位を絶縁するステップとを含み、
前記ＧａＡｓ基板が、公称（１００）配向の基板を含む、方法。
【請求項１９】
ＧａＡｓ基板上に半導体装置を製造する方法であって、前記方法が、
ＭＯＣＶＤを用いて前記ＧａＡｓ基板上に勾配層を形成し、前記勾配層が、前記半導体装置のために用いられる前記格子定数を超えて基板の格子定数に勾配を付けるステップと、
中間層を形成し、前記中間層が前記半導体装置に使用される格子定数よりも大きな格子定数を有するステップと、
前記中間層の前記格子定数から前記半導体に使用される前記格子定数へ勾配を付ける逆勾配層を形成するステップと、
前記勾配層をアニーリングして、前記ＧａＡｓ基板から前記勾配層を形成する結果作られる転位材料を絶縁するステップと、
歪んだ超格子層を作ってその上に形成される前記半導体装置からさらに転位を絶縁し、前記ＧａＡｓ基板が、公称（１００）配向の基板を含むステップとを含み、
前記層の各々が前記ＧａＡｓ基板上にデバイ長ドーピングを用いて形成される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月21日(2004.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面の表面積が第２の面よりも小さい、該第１及び該第２の対向する面を有する基板と、
前記第２の面上のダイオード領域と、
前記ダイオード領域と反対側の前記第１の面上にある第１のオーム層と、
前記基板と反対側の前記第１のオーム層上にある接着層と、
前記第１のオーム層の反対側の前記接着層上にある第１の障壁層と、
前記接着層の反対側の前記第１の障壁層上にある第１の結合層と、
前記基板の反対側の前記ダイオード領域上にある第２のオーム層と、
前記ダイオード領域の反対側の前記第２のオーム層上にある反射材層と、
前記第２のオーム層の反対側の前記反射材層上にある第２の障壁層と、
前記反射材層の反対側の前記第２の障壁層上にある第２の結合層と
を含んでなる発光ダイオード。
【請求項２】
前記第２の障壁層の反対側にある前記第２の結合層上に取付け支持体をさらに含む請求
項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記第２のオーム層が、第２のオーム及び反射材層を含む請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記第１のオーム層が、反射性金属を含む請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記接着層が、チタンを含む請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記第１の障壁層が、プラチナを含む請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記第１の結合層が、金を含む請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記第２のオーム層が、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／プラチナ、チタン、及び／又は、チタン／金を含む請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記反射材層が、銀及び／又はアルミニウムを含む請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記第２の障壁層が、ニッケル、ニッケル／バナジウム、及び／又は、チタン／タングステンを含む請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記第２の結合層が、金、インジウム、はんだ、及び／又は、真鍮を含む請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記第１のオーム層と、前記接着層と、前記第１の障壁層と、前記第１の結合層とのそれぞれが、中央部及び前記中央部から延びる少なくとも１つのフィンガを含む請求項１に記載の発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂部ミラーおよび底部ミラーを有する光電子デバイスであって、頂部ミラーと底部ミラーが少なくとも部分的に伝導性であり、
前記頂部ミラーまたは底部ミラーのうち選択された一方に隣接して配置され、格子の一次回折波ベクトルが導波路の伝搬モードとほぼ一致するように構成された導波路および格子を有する共振反射器と、
前記共振反射器と、前記選択された頂部ミラーまたは底部ミラーとの間に配置され、導波路中の導波モードのエバネッセントテール中のエネルギーが、前記選択された頂部ミラーまたは底部ミラーに進入するのを実質上防止するように、十分に厚く、または導波路の屈折率と比べて十分に低い屈折率を有するクラッディング層またはバッファ層と、
を備える光電子デバイス。
【請求項２】
導波路と、
１つまたは複数の離隔した領域によって分離される２つ以上の離隔した格子領域を有し、格子膜の離隔した領域が、前記格子領域の格子膜厚よりも薄いがゼロよりも厚い格子膜厚を有する格子膜と、
を備える光電子デバイス用の共振反射器。
【請求項３】
少なくとも部分的に伝導性である底部ミラーを基板上に設けるステップと、
前記底部ミラー上に活性領域を設けるステップと、
少なくとも部分的に伝導性である前記活性領域上に頂部ミラーを設けるステップと、
非伝導性であるクラッディング層またはバッファ層を前記頂部ミラー上に設けるステップと、
前記クラッディング層またはバッファ層上に導波路を設けるステップと、
前記導波路の上に格子層を設けるステップであって、格子の一次回折波ベクトルが導波路の伝搬モードとほぼ一致するように導波路および格子が構成されるステップと、
前記導波路中の導波モードのエバネッセントテール中のエネルギーが前記頂部ミラーに進入するのを実質上防止するように、十分に厚く、または前記導波路の屈折率と比べて十分に低い屈折率を有するクラッディング層またはバッファ層と、
前記発光デバイスの上に第１エッチング格子構造を有する格子層と、
を有する発光デバイスおよび受光デバイスを有するモノリシックトランシーバ。
【請求項４】
少なくとも部分的に伝導性である底部ミラーを基板上に設けるステップと、
前記底部ミラーの上に活性領域を設けるステップと、
少なくとも部分的に伝導性である頂部ミラーを活性領域の上に設けるステップと、
非伝導性であるクラッディング層またはバッファ層を前記頂部ミラーの上に設けるステップと、
前記クラッディング層またはバッファ層の上に導波路および格子を設けるステップであって、前記導波路および格子が、該格子の一次回折波ベクトルが導波路の伝搬モードとほぼ一致するように構成されるステップと、を含み、
前記クラッディング層またはバッファ層は、前記導波路中の導波モードのエバネッセントテール中のエネルギーが前記頂部ミラーに進入するのを実質上防止するように十分に厚く、または前記導波路の屈折率と比べて十分に低い屈折率を有する、
光電子デバイスを形成する方法。
【請求項５】
導波路を設けるステップと、
前記導波路に隣接して格子膜を設けるステップと、
前記格子膜をエッチングして、１つまたは複数の離隔した領域によって分離される２つ以上の離隔した格子領域を形成するステップであって、エッチングされる領域が、共振反射器についての所望の光学的特性を生成する深さまで延びるが、前記格子膜をすべて貫いて延びることはないステップと、
を含む光電子デバイス用の共振反射器を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路パッケージ（９０）であって、集積回路およびパッケージ基板（１００）を備え、前記集積回路が第１回路（２２）と少なくとも１つの第２回路とを含み、前記第１回路が、複数の導電性ビア（６２）によって、側面を包囲されており、前記パッケージ基板が導電面（１１２）を有し、これによって、前記導電性ビアおよび接地面が、前記第１回路からの電磁干渉から前記第２回路を保護し、前記集積回路が複数の導電層（７０）を含み、前記導電性ビアが前記導電層全てを貫通し、前記集積回路（２０）が、更に、前記導電層の上部に半導体基板（６８）を含み、前記半導体基板（６８）が上端面上にあり、前記導電層が下端面上にあり、該下端面が前記パッケージ基板に隣接する、集積回路パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の集積回路パッケージであって、更に、前記導電性ビアが、前記接地面に電気的に結合されていることを特徴とする、集積回路パッケージ。
【請求項３】
請求項１または２記載の集積回路パッケージであって、更に、前記導電性ビアが、はんだボールによって、前記接地面に結合されていることを特徴とする、集積回路パッケージ。
【請求項４】
請求項１記載の集積回路パッケージであって、更に、前記パッケージ基板が、ボール・グリッド・アレイ基板であることを特徴とする、集積回路パッケージ。
【請求項５】
請求項１、２または４記載の集積回路パッケージであって、更に、前記集積回路上部にある導電性カバー（１３２）を特徴とする、集積回路パッケージ。
【請求項６】
請求項５記載の集積回路パッケージであって、更に、前記フリップ・チップ・パッケージが、前記外周内部の少なくともあるエリアに及ぶ接地面を有するボール・グリッド・アレイ基板であることを特徴とする、集積回路パッケージ。
【請求項７】
請求項１、２または４記載の集積回路パッケージにおいて、前記第１回路が、前記金属層の１つに配されたインダクタを含み、前記１つの金属層が、前記半導体基板から最も離れている金属層である、集積回路パッケージ。
【請求項８】
パッケージ（９０）内に内蔵した集積回路ダイにファラデイ・ケージを設ける方法であって、該方法は、前記集積回路ダイ内において回路（２２）の外周の周囲に導電性ビア（７０）を設けることを含み、
前記集積回路ダイをパッケージ基板（１００）上に実装し、前記導電性ビアを前記パッケージ基板の導電面（１１２）に電気的に結合し、前記集積回路ダイが、半導体基板（６８）の上部に導電層を含み、前記ビアが前記導電層を貫通して配置され、前記導電層が前記半導体基板よりも前記パッケージ基板に近いこと、を特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法であって、更に、前記導電面が接地面であることを特徴とする、方法。
【請求項１０】
請求項８または９記載の方法において、前記金属層が、最外側の導電層内にかつ前記外周内にインダクタを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月21日(2003.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
状態可変活性材料を有する光記憶素子に記録する方法において、
各々が１４ナノ秒未満のパルス幅を有する複数のエネルギパルスを前記活性材料へ印加することによってマークを形成するステップを備える前記方法。
【請求項２】
各パルス幅は１０ナノ秒未満である、請求項１の方法。
【請求項３】
各パルス幅は７ナノ秒未満である、請求項１の方法。
【請求項４】
前記マークは、一定の幅あるいは漸減する幅を有する、請求項１の方法。
【請求項５】
前記マークは非晶質材料からなる、請求項１の方法。
【請求項６】
前記活性材料はカルコゲニドからなる、請求項１の方法。
【請求項７】
前記マークは、２を越える記録レベルを提供する、請求項１の方法。
【請求項８】
前記マークを複数形成し、複数の同一寸法のデータセルを前記活性材料に含め、各マークの全体を各データセル内に形成する、請求項７の方法。
【請求項９】
記録レベルが異なるマークは、マーク幅によって識別する、請求項８の方法。
【請求項１０】
相変化材料からなる光記録媒体に情報を記録する方法において、
空間プロファイルを有するエネルギを前記相変化材料に印加するステップであって、前記空間プロファイルは前記エネルギと前記相変化材料との空間重複領域を定義し、前記エネルギは前記空間重複領域内に温度プロファイルを提供し、前記温度プロファイルは温度の空間分布を定義し、前記空間分布は前記空間重複領域中に非晶質相を形成できる十分な温度を含むステップと、
前記空間分布の非晶質相を形成できる十分な温度を有する部分にマークを形成するステップであって、前記マークは非晶質相からなり、前記非晶質相は前記空間重複領域の冷却において形成し、前記冷却は前記非晶質相の形成に必要なエネルギを越える過剰エネルギを放出するステップと、
前記相変化材料のうち前記マークに合致する空間領域の外側部分へ前記過剰エネルギを放散するステップであって、前記放散は前記マーク外側部分での非晶質相形成を阻止するに十分な速度で生ずるステップと、
を有する前記方法。
【請求項１１】
前記エネルギは、１つ以上のエネルギパルスの形態で印加する、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記１つ以上のエネルギパルスは、１４ナノ秒未満のパルス幅を有する、請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記エネルギは、レーザによって印加する、請求項１０の方法。
【請求項１４】
前記空間プロファイルは均一である、請求項１０の方法。
【請求項１５】
前記相変化材料はカルコゲニドからなる、請求項１０の方法。
【請求項１６】
前記温度プロファイルは均一である、請求項１０の方法。
【請求項１７】
前記マークは、前記空間重複領域と一致する、請求項１０の方法。
【請求項１８】
前記マークは、２を越える記録レベルを提供する、請求項１０の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年4月24日(2003.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
調節可能ペダル装置であって、
車両に取り付けるために構成されたサポートと、
枢動可能にサポートに係合する上方部分と、ペダル構造体を支持する下方部分と、上方及び下方部分を連結する調節機構とを備えたペダル支持サブアセンブリとを含み、調節機構は、長手方向に細長いトラックとこのトラックに摺動可能に係合するフォロアを含み、トラックは、トラックを強化する上方及び下方フランジによって画定される水平方向の寸法が小さく鉛直方向の寸法が大きな横断面を有しており、上方及び下方フランジは頂部スロット及び底部スロットを画定し、且つフォロアは両スロットに摺動可能に係合する対向する縁部を含む、調節可能ペダル装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図１１Ａ〜図１１Ｄは、図３に示すトレンチショットキー整流器の製造工程を示している。図１１Ａに示す構造は、酸化層１６を熱成長させるまでは、図１０Ａを用いて説明した工程と同様の工程により形成される。ここで、例えば化学蒸着法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：以下、ＣＶＤという。）等の周知の手法により、この構造をポリシリコン層１９、すなわち多結晶シリコンで覆う（ポリシリコン層１９は、トレンチにも埋め込まれる）。ポリシリコン層１９には、通常、その抵抗を低くするために、ｎ型不純物が低濃度にドープされている。ｎ型のドープは、例えば、塩化燐を用いたＣＶＤ、若しくはヒ素又は燐の注入により行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
Put-LT処理部１３は、NetDRM端末装置２でのデジタル著作物を利用することを希望しなくなった場合にPut-LTを行う。Put-LTとは、プロテクト領域７bに含まれるLTを配信装置１にアップロードし、その後プロテクト領域７bに格納されているLTを削除することによりなされる。Put-LTによりNetDRM端末装置２では、もはやデジタル著作物の利用は不可能になる。その後、LTを配信装置１にアップロードし、このLTに示される残りの利用回数が権利管理情報データベース１９に反映されるのを待つ。配信装置１から正常終了が通知されれば、Put-LTを終える。以上は、NetDRM端末装置２内にてデジタル著作物を利用するための構成要素である。続いてデジタル著作物の移動のために用いられる構成要素について説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
Move-Out制御部１４は、NetDRM端末装置２に可搬メディア３が接続され、この可搬メディア３にデジタル著作物を記録して利用することをユーザが望んだ場合にMove-Outを行う。この際、装置内に保持されているLTのバックアップをとってから、LTと、デジタル著作物とをセキュアI/Oプラグイン１０に引き渡す。その後、これらの書き込みが完了するのを待ち、完了すればセキュアI/Oプラグイン１０から書き込み先の可搬メディア３のメディア固有情報（Media-ID、Media ContentID、Media-Type）の引き渡しを求める。これらが引き渡されれば、クライアントIDと共に、LT(LT-Out)と、メディア固有情報とを配信装置１に送信する。その後プロテクト領域７bからLTを削除し、ユーザ領域７aの暗号化コンテンツを再生不能な状態にする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
状態sj2は、ブラウザが発したダウンロード要求yk0に応じてNetDRMクライアント８がダウンロード要求yk0を送信した後のUR-Usの格納内容である。状態sj2のUR-Usにおける2回という利用回数は、利用回数10回から利用回数8回を切り出した後の残り回数を意味する。切り出された利用回数8回は、矢印dd0に示すようにLTに格納されて暗号化コンテンツAとともにダウンロードされている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
第３に、暗号化コンテンツの利用にともなって利用回数は1つずつデクリメントされていったが、これは利用時間も同様である。つまり暗号化コンテンツと共にダウンロードされた利用時間は、利用がなされる度にその利用された時間だけ減算されてゆくのである。
第４に、利用回数はNetDRM端末装置２から配信装置１へとアップロードすることにより配信装置１に記載されているUR-Usに加算することが可能であったが、利用時間も同様である。つまりNetDRM端末装置２から配信装置１へとアップロードすることにより、それまでの利用時間の残りをUR-Usに記載されている利用時間に加算することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
これらの情報により指示されるサンプリング周波数や量子化ビット数は、デジタル著作物の再生品質を大きく左右するので、PD４a,b,c、NetDRM端末装置２がこのP条件に示される制限に従い再生を行うことにより、デジタル著作物の再生品質がコントロールされる。P条件は利用行為そのものに依存した利用条件であるから、デジタル著作物が映画なら画質(解像度数)を、デジタル著作物が電子ブックなら印刷品質(カラー／モノクロ)というように、デジタル著作物に依存して好適なものを設定することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
第４実施形態における権利管理情報の一例を図２８に示す。図２８は、閲覧、印刷といった複数種別の利用行為が存在する場合の一例であり、C条件、P条件が利用行為毎に設定されている。つまり本図におけるUR-Usは、再生、印刷というそれぞれの利用行為について、C条件、P条件が設定されている。再生という利用行為についてのP条件は再生品質を示し、印刷という利用行為についてのP条件は印刷品質を示している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
複数種別の利用行為についての利用条件を送信する場合、これら利用行為毎のP条件は、図２９に示すフォーマットのLTにて配信される。LTタグブロック#1には、利用行為＝再生(Play)を示すアクションIDと、再生(Play)という利用行為についての利用回数と、利用閾値と、再生品質を示すP条件とが格納されている。一方LTタグブロック#2には、利用行為＝印刷(Print)を示すアクションIDと、印刷(Print)という利用行為についての利用回数と、利用閾値と、印刷品質を示すP条件とが格納されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
このような手順を経てLT及び暗号化コンテンツが送信されれば、NetDRMクライアント８はこれらをHD７に格納させる。その後、これらLT及び暗号化コンテンツに対してのMove-Outが行われれば、NetDRMクライアント８は、図３６のフローチャートに従った処理手順を行う。図３６は、Move-Out制御部１４の処理手順を示すフローチャートである。ステップＳ３１においてHD７からLT及び暗号化コンテンツを読み出し、セキュアI/Oプラグイン１０に引き渡す。ステップＳ３２は、可搬メディア３のメディア固有情報の受領を待つ事象待ちステップであり、メディア固有情報を受領すれば、ステップＳ３３においてClient ID、LTと共にメディア固有情報を配信装置１に送信する。ステップＳ３４において正常終了通知待ちとなり、正常終了が通知されれば、処理を終える。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
図５１は、SDメモリカード２における物理層の構成を示す図である。本図に示すように、SDメモリカード１００の物理層は、システム領域１０１、Hidden領域１０２、プロテクト領域１０３、AKE処理部１０４、AKE処理部１０５、Ks復号化部１０６、Ks暗号化部１０７、ユーザデータ領域１０８からなる。本図と図５に示した可搬メモリ３の内部構成とを比較すると、ユーザ領域６に相当するのがユーザデータ領域１０８であり、プロテクト領域５に相当するのがプロテクト領域１０３である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３９】
2004521414.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式（Ｉ）、
【化１】
2004521092.tif 000001
（式中、Ｘは−ＣＨＲ5−、−ＣＨＲ5−アルキル−、または−ＣＨＲ5−アルケニル−であり、
Ｒ1は−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−アルキル、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−アルケニル、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−アリール、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−ヘテロアリール、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−ヘテロシクリル、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5Ｒ7、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ9−Ｚ−Ｒ6−アルキル、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ9−Ｚ−Ｒ6−アルケニル、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ9−Ｚ−Ｒ6−アリール、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ9−Ｚ−Ｒ6−ヘテロアリール、および
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ9−Ｚ−Ｒ6−ヘテロシクリルから成る群より選択され、
Ｒ2は−水素と、
−アルキルと、
−アルケニルと、
−アリールと、
−ヘテロアリールと、
−ヘテロシクリルと、
−アルキル−Ｙ−アルキルと、
−アルキル−Ｙ−アルケニルと、
−アルキル−Ｙ−アリールと、
−ＯＨ、
−ハロゲン、
−Ｎ（Ｒ5）2、
−ＣＯ−Ｎ（Ｒ5）2、
−ＣＯ−Ｃ1〜10アルキル、
−ＣＯ−Ｏ−Ｃ1〜10アルキル、
−Ｎ3、
−アリール、
−ヘテロアリール、
−ヘテロシクリル、
−ＣＯ−アリール、および
−ＣＯ−ヘテロアリール
から成る群より選択される１つ以上の置換基によって置換された−アルキルまたはアルケニルとから成る群より選択され、
各Ｒ3は＝Ｏまたは＝Ｓであり、
各Ｒ4は独立に、１つ以上の−Ｏ−基が中断しても良いアルキルまたはアルケニルであり、
各Ｒ5は独立に、ＨまたはＣ1〜10アルキルであり、
Ｒ6は結合であり、または１つ以上の−Ｏ−基が中断しても良いアルキルまたはアルケニルであり、
Ｒ7はＨであり、またはヘテロ原子が中断しても良いＣ1〜10アルキルであり、あるいはＲ7がＲ5と一緒になって環を形成しても良く、
Ｒ8はＨ、Ｃ1〜10アルキル、またはアリールアルキルであり、あるいはＲ4とＲ8が一緒になって環を形成しても良く、
Ｒ9はＣ1〜10アルキルであり、Ｒ8と一緒になって環を形成してもよく、
各Ｙは独立に−Ｏ−または−Ｓ（Ｏ）0〜2−であり、
Ｚは結合、−ＣＯ−、または−ＳＯ2−であり、
ｎは０〜４であり、
存在する各Ｒは独立に、Ｃ1〜10アルキル、Ｃ1〜10アルコキシ、ヒドロキシ、ハロゲン、およびトリフルオロメチルから成る群より選択される。）を有する化合物、または薬学的に許容可能なそれらの塩。
【請求項２】  Ｘが−ＣＨ2−ＣＨ2−である、請求項１に記載の化合物または塩。
【請求項３】  式（ＩＩ）、
【化２】
2004521092.tif 000002
（式中、Ｘは−ＣＨＲ5−、−ＣＨＲ5−アルキル−、または−ＣＨＲ5−アルケニル−であり、
Ｒ1は−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−アルキル、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−アルケニル、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−アリール、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−ヘテロアリール、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−ヘテロシクリル、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5Ｒ7、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ9−Ｚ−Ｒ6−アルキル、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ9−Ｚ−Ｒ6−アルケニル、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ9−Ｚ−Ｒ6−アリール、
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ9−Ｚ−Ｒ6−ヘテロアリール、および
−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ9−Ｚ−Ｒ6−ヘテロシクリルから成る群より選択され、
Ｒ2は−水素と、
−アルキルと、
−アルケニルと、
−アリールと、
−ヘテロアリールと、
−ヘテロシクリルと、
−アルキル−Ｙ−アルキルと、
−アルキル−Ｙ−アルケニルと、
−アルキル−Ｙ−アリールと、
−ＯＨ、
−ハロゲン、
−Ｎ（Ｒ5）2、
−ＣＯ−Ｎ（Ｒ5）2、
−ＣＯ−Ｃ1〜10アルキル、
−ＣＯ−Ｏ−Ｃ1〜10アルキル、
−Ｎ3、
−アリール、
−ヘテロアリール、
−ヘテロシクリル、
−ＣＯ−アリール、および
−ＣＯ−ヘテロアリール
から成る群より選択される１つ以上の置換基によって置換された−アルキルまたはアルケニルと、から成る群より選択され、
各Ｒ3は＝Ｏまたは＝Ｓであり、
各Ｒ4は独立に、１つ以上の−Ｏ−基が中断しても良いアルキルまたはアルケニルであり、
各Ｒ5は独立にＨまたはＣ1〜10アルキルであり、
Ｒ6は結合であり、あるいは１つ以上の−Ｏ−基が中断しても良いアルキルまたはアルケニルであり、
Ｒ7はＨであり、またはヘテロ原子が中断しても良いＣ1〜10アルキルであり、あるいはＲ7がＲ5と一緒になって環を形成しても良く、
Ｒ8はＨ、Ｃ1〜10アルキル、またはアリールアルキルであり、あるいはＲ4とＲ8が一緒になって環を形成しても良く、
Ｒ9はＣ1〜10アルキルであり、Ｒ8と一緒になって環を形成してもよく、
各Ｙは独立に−Ｏ−または−Ｓ（Ｏ）0〜2−であり、
Ｚは結合、−ＣＯ−、または−ＳＯ2−であり、
ｎは０〜４であり、
存在する各Ｒは独立にＣ1〜10アルキル、Ｃ1〜10アルコキシ、ヒドロキシ、ハロゲン、およびトリフルオロメチルから成る群より選択される。）を有する化合物、または薬学的に許容可能なそれらの塩。
【請求項４】  Ｒ2がＨ、アルキルまたは−アルキル−Ｏ−アルキルである、請求項３に記載の化合物または塩。
【請求項５】  Ｒ1は−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−アルキル、−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5−Ｚ−Ｒ6−アリール、または、−Ｒ4−ＮＲ8−ＣＲ3−ＮＲ5Ｒ7であり、Ｒ8はＨまたはアルキルであり、Ｒ3は＝Ｏであり、ＺおよびＲ6は各々結合であり、Ｒ5はＨであり、またはＲ5およびＲ7は一緒になってモルホリン環を形成している、請求項１または３に記載の化合物または塩。
【請求項６】  ｎが０である、請求項１または３に記載の化合物または塩。
【請求項７】  治療的に有効量の請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物または塩、および薬学的に許容可能なキャリアを含む薬剤組成物。
【請求項８】  治療的に有効量の請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物または塩を動物に投与するステップを含む、動物においてサイトカイン生合成を誘導する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月5日(2005.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一色の光を一方向に及び別の異なる色の光を逆方向に放射するように作動できるライトヘッドと、このライトヘッドを自転車のハンドルバーの一端に取り付けるための手段とを備える自転車用ライト。
【請求項２】
請求項１に記載の自転車用ライトにおいて、前記一色は白色又は淡白色であり、前記他の色は赤色である、自転車用ライト。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の自転車用ライトにおいて、前記取り付け手段は、一端を前記ライトヘッドに連結され又は連結でき、他端を前記ハンドルバー端部に取り付けることができる可撓性ステムを含む、自転車用ライト。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の、チューブ状ハンドルバー端部を持つ自転車で使用するための自転車用ライトにおいて、前記取り付け手段は、前記チューブ状ハンドルバー端部に挿入でき、前記チューブ状ハンドルバー端部の内面を掴むように作動する装置を含む、自転車用ライト。
【請求項５】
チューブ状ハンドルバー端部を持つ自転車用の自転車用ライトにおいて、前記チューブ状ハンドルバー端部に挿入でき、前記チューブ状ハンドルバー端部の前記内面を掴むように作動できる取り付け装置と、この取り付け装置から突出した可撓性ステムと、このステムの先端に連結され又は連結でき、光を放射するように作動できるライトヘッドとを備える、自転車用ライト。
【請求項６】
請求項３又は５に記載の自転車用ライトにおいて、前記ステムは、このステムが前記ハンドルバー端部から大きく突出した使用位置と前記ステムの大部分が前記ハンドルバー端部内にきちんと収納された収納位置との間で移動可能である、自転車用ライト。
【請求項７】
請求項３又は５に記載の自転車用ライトにおいて、前記ステムの前記一端は前記ライトヘッドに取り外し可能に取り付けることができる、自転車用ライト。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちのいずれか一項に記載の自転車用ライトにおいて、前記ライトヘッドに電力を提供するための電池パックを更に含む、自転車用ライト。
【請求項９】
請求項８に記載の、チューブ状ハンドルバー端部を持つ自転車で使用するための自転車用ライトにおいて、前記電池パックは前記チューブ状ハンドルバー端部の内側に収容されるように構成されている、自転車用ライト。
【請求項１０】
請求項３又は請求項５乃至７のいずれか一項に記載の自転車用ライトにおいて、前記ステムは、該ステムに沿って前記ライトヘッドに電気を供給するための導体を含む、自転車用ライト。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちのいずれか一項に記載の自転車用ライトにおいて、前記ライトヘッドは、更に、オレンジ色の光を前記方向の両方に放射するように作動できる、自転車用ライト。
【請求項１２】
自転車のハンドルバーの両端に取り付けるための、請求項１乃至１１に記載の一対の自転車用ライト。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のうちのいずれか一項に記載の一つ又は一対の自転車用ライトを持つ自転車。
【請求項１４】
請求項１３に記載の自転車において、足踏み式自転車の形態の自転車。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月29日(2004.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拘束力レベルをコントロール信号によって変更できる、シートベルトおよびベルト引締力制限装置（１６）を有する、自動車内の乗員拘束装置であって、前記ベルト引締力制限装置（１６）は、危険決定ステージ（１２）がエアーバッグの起動停止を示す信号を検出すると高拘束力レベルが設定されるようにコントロール信号によって作動されることを特徴とする乗員拘束装置。
【請求項２】
エアーバッグ警告灯の信号は、エアーバッグの非活動を示す信号として検出されることを特徴とする請求項１に記載の乗員拘束装置。
【請求項３】
ベルト引締力制限装置（１６）は、コントロール信号によって低拘束力レベルから高拘束力レベルに切り換えられることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の乗員拘束装置。
【請求項４】
拘束力レベルをコントロール信号によって変更できる、シートベルトおよびベルト引締力制限装置（１６）を有する、自動車内の乗員拘束装置であって、前記ベルト引締力制限装置（１６）は、衝突の強度および／または乗員の前方移動および／または乗員の体重が所定スレッショルド値より上にあり、多段階エアーバッグの少なくとも１段階が点火されていないと高拘束力レベルが設定されるようにコントロール信号によって作動されることを特徴とする乗員拘束装置。
【請求項５】
前記ベルト引締力制限装置（１６）は、衝突の強度および乗員の前方移動および乗員の体重が所定スレッショルド値より上にあり、多段階エアーバッグの少なくとも１段階が点火されていないと高拘束力レベルが設定されるようにコントロール信号によって作動されることを特徴とする請求項４に記載の乗員拘束装置。
【請求項６】
多段階エアーバッグは２段階エアーバッグであることを特徴する請求項４あるいは５に記載の乗員拘束装置。
【請求項７】
前記ベルト引締力制限装置（１６）は、コントロール信号によって低拘束力レベルから高拘束力レベルに増加されることを特徴する請求項４〜６のいずれか一項に記載の乗員拘束装置。
【請求項８】
拘束力レベルは、該拘束力レベルが事故の過程中に前もって低減された後に増加されることを特徴とする請求項７に記載の乗員拘束装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
pＨ１２またはそれ未満の水を溶媒として用いて抽出過程を行った植物アルガニア・スピノーザの種子の抽出物から得られる天然タンパク質を、皮膚および毛髪のケア成分として含有する化粧品および／または皮膚薬調製物。
【請求項２】
皮膚および／または毛髪のケア成分としての、または水分調節保湿剤としての、または皮膚バリヤー機能の強化成分としての、または皮膚平滑化および皮膚安定化成分としての、または日焼け止め成分、特にＵＶＡ放射および／またはＵＶＢ放射に対する日焼け止め成分としての、または皮膚老化に対する、または皮膚および／または毛髪の活力付与および再構築成分としての、請求項１の記載のようにして得られる植物アルガニア・スピノーザの抽出物由来の天然タンパク質の化粧品における使用。
【請求項３】
皮膚および／または毛髪のケア薬剤の製造のための、または水分調節保湿剤として作用する薬剤の製造のための、または皮膚バリヤー機能を強化する薬剤の製造のための、または皮膚平滑化および皮膚安定化に有効な薬剤の製造のための、または日焼け止め成分、特にＵＶＡ放射および／またはＵＶＢ放射に対する日焼け止め成分として作用する薬剤の製造のための、または皮膚老化に対する薬剤の製造のための、または皮膚および／または毛髪の活力付与および再構築に有効な薬剤の製造のための、請求項１の記載のようにして得られる植物アルガニア・スピノーザの抽出物由来の天然タンパク質の使用。
【請求項４】
代謝におけるＧ６ＰＤＨ活性を増強するための組成物を製造するための活性成分としての、請求項１の記載のようにして得られる植物アルガニア・スピノーザの抽出物由来の天然タンパク質の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、皮膚および毛髪のケア剤として、植物アルガニア・スピノーザ由来の天然タンパク質を含んでなる調製物を提供するものである。
より具体的には、本発明の対象およびその好ましい態様は、以下の通りである：
１．pＨ１２またはそれ未満の水を溶媒として用いて抽出過程を行った植物アルガニア・スピノーザの種子の抽出物から得られる天然タンパク質を、皮膚および毛髪のケア成分として含有する化粧品および／または皮膚薬調製物；
２．アルガニア・スピノーザの脱脂種子の抽出物から得られる天然タンパク質を含有することを特徴とする上記１に記載の調製物；
３．pＨ１２またはそれ未満の水で抽出し、次いで所望により乾燥することによって得られる天然タンパク質を含有することを特徴とする上記１または２に記載の調製物；
４．天然タンパク質の分子量が５００,０００Ｄaより大きいことを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の調製物；
５．天然タンパク質の分子量が１７０,０００〜２５０,０００Ｄaの範囲内であることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の調製物；
６．天然タンパク質の分子量が１０,０００〜１８,０００Ｄaの範囲内であることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の調製物；
７．乾燥重量を基準に計算して、２０〜８５重量％の範囲内の活性物質含量を有する抽出物の形態の天然タンパク質を含有することを特徴とする上記１〜６のいずれかに記載の調製物；
８．調製物を基準に計算して、０.０１〜２５重量％の量で天然タンパク質を含有する抽出物を含有し、その量が、水ならびに所望による他の助剤および添加剤により合計して１００重量％になることを特徴とする上記１〜７のいずれかに記載の調製物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月1日(2004.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  結晶形の式（Ｉ）
【化１】
2004521082.tif 000001
の化合物。
【請求項２】  純粋な形である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】  酸付加塩の形である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】  酸が鉱酸および有機酸より成る群から選択される、請求項３に記載の化合物。
【請求項５】  鉱酸が塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸およびスルファミン酸より成る群から選択される、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】  有機酸が酢酸、クエン酸、乳酸、酒石酸、マロン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、シクロヘキシルスルファミン酸およびキナ酸より成る群から選択される、請求項４に記載の化合物。
【請求項７】  溶媒和物の形である、請求項１に記載の化合物。
【請求項８】  溶媒和物が半溶媒和物である、請求項７に記載の化合物。
【請求項９】  溶媒和物がアルコール溶媒和物、エーテル溶媒和物およびニトリル溶媒和物より成る群から選択される、請求項７に記載の化合物。
【請求項１０】  アルコールがメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールおよびペンチルアルコールより成る群から選択される、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】  アルコールが第二級アルコールである、請求項１０に記載の化合物
。
【請求項１２】  第二級アルコールがイソ−プロピルアルコールおよびｓｅｃ−ブチルアルコールより成る群から選択される、請求項１１に記載の化合物。
【請求項１３】  エーテルが、ジメトキシメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、フラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジイソプロピルエーテル、アニソールおよびｔ−ブチルメチルエーテルより成る群から選択される請求項９に記載の化合物。
【請求項１４】  ニトリルがアセトニトリルである、請求項９に記載の化合物。
【請求項１５】  式（Ｉ−ｉ）
【化２】
2004521082.tif 000002
（ここで２−ＢｕＯＨは、２−ブタノールである）を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項１６】  式（Ｉ）の化合物を溶媒から再結晶させることによって製造される、請求項７に記載の化合物。
【請求項１７】  溶媒がアルコール、エーテルおよびニトリルより成る群から選択される、請求項１６に記載の化合物。
【請求項１８】  治療上有効量の請求項１に記載の化合物および医薬上受容できるキャリヤーまたは賦形剤を含む医薬組成物。
【請求項１９】  式（Ｉ）の化合物が塩酸塩の形である、請求項１８に記載の医薬組成物。
【請求項２０】  式（Ｉ）の化合物が２−ブタノール半溶媒和物である、請求項１９に記載の医薬組成物。
【請求項２１】  カプセル剤または圧縮錠剤剤形である、請求項１８に記載の医薬組成物。
【請求項２２】  治療上有効量が１回の投与当たり１mgないし１０００mgである、請求項２１に記載の医薬組成物。
【請求項２３】  液体形である、請求項１８に記載の医薬組成物。
【請求項２４】  請求項１に記載の化合物からなるＸａ因子産生の阻害剤。
【請求項２５】  急性心筋梗塞（ＡＭＩ）、不安定狭心症、血栓塞栓症、血栓溶解療法および経皮経管冠動脈形成術（ＰＴＣＡ）に関連する急性血管閉鎖、一過性脳虚血発作、発作、間欠性跛行または再狭窄を治療するために用いられる、請求項２４に記載のＸａ因子産生の阻害剤。  
【請求項２６】  １８５℃ないし１９２℃にピークを有する示差走査熱量測定サーモグラムによって特徴づけられる、請求項１５に記載の化合物。
【請求項２７】  図１に示されるものに従う示差走査熱量測定サーモグラムによって特徴づけられる、請求項１５に記載の化合物。
【請求項２８】  ５.０±０.２、１４.８±０.２、１５.１±０.２、１５.８±０.２、１６.６±０.２、１７.７±０.２、１７.９±０.２、１９.６±０.２、２４.９±０.２、２５.０±０.２、および２７.０±０.２から選択される２以上の２θ値を含むＸ線粉末回折図形によって特徴づけられる、請求項１５に記載の化合物。
【請求項２９】  図２に示されるものに従うＸ線粉末回折図形によって特徴づけられる、請求項１５に記載の化合物。
【請求項３０】  ２−ＢｕＯＨが（Ｓ）−（＋）−２−ブタノールである、請求項１５に記載の化合物。
【請求項３１】  ２−ＢｕＯＨが（Ｒ）−（−）−２−ブタノールである、請求項１５に記載の化合物。