【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザからそれぞれ第１のレーザ光を発振させ、
複数の前記第１のレーザ光をそれぞれ分割して、複数の第２のレーザ光とし、
前記第１のレーザ光の一つから分割された前記複数の第２のレーザ光から１つずつ選択して、
前記複数の第２のレーザ光から一つずつ選択されたレーザ光同士を照射面又はその近傍の同一領域で合成することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２】
複数のレーザからそれぞれ第１のレーザ光を発振させ、
複数の前記第１のレーザ光をそれぞれ分割して、複数の第２のレーザ光とし、
前記第１のレーザ光の一つから分割された前記複数の第２のレーザ光から互いに異なるエネルギー分布を有するレーザ光を１つずつ選択して、
前記複数の第２のレーザ光から一つずつ選択されたレーザ光同士を照射面又はその近傍の同一領域で合成することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記照射面又はその近傍の同一領域で合成される前記レーザ光の形状は、線状であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
複数のレーザからそれぞれ第１のレーザ光を発振させ、
複数の前記第１のレーザ光をそれぞれ分割して、複数の第２のレーザ光とし、
前記第１のレーザ光の一つから分割された前記複数の第２のレーザ光から１つずつ選択して、
前記複数の第２のレーザ光から１つずつ選択されたレーザ光を線状にし、
前記線状にされたレーザ光をそれぞれ照射面に対して斜めに入射するとともに、前記線状にされたレーザ光同士を前記照射面又はその近傍の同一領域で合成することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
複数のレーザからそれぞれ第１のレーザ光を発振させ、
複数の前記第１のレーザ光をそれぞれ分割して、複数の第２のレーザ光とし、
前記第１のレーザ光の一つから分割された前記複数の第２のレーザ光から互いに異なるエネルギー分布を有するレーザ光を１つずつ選択して、
前記複数の第２のレーザ光から１つずつ選択されたレーザ光を線状にし、
前記線状にされたレーザ光をそれぞれ照射面に対して斜めに入射するとともに、前記線状にされたレーザ光同士を前記照射面又はその近傍の同一領域で合成することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記複数の第２のレーザー光から１つずつ選択された前記レーザー光はそれぞれ互いに異なる凸レンズに斜めに入射することにより、前記線状にすることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項において、
基板上に設置された被照射体の前記照射面に入射する前記レーザ光のビーム長をｗ、前記基板の厚さをｄとすると、前記照射面に対して入射する前記レーザ光の入射角θは、
θ≧ａｒｃｔａｎ（ｗ／（２×ｄ））
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一項において、
前記照射面に対して入射する前記レーザ光の入射角θがブリュ−スター角であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第１のレーザ光は、スリット、ミラー、プリズム、シリンドリカルレンズ、シリンドリカルレンズアレイから選ばれた一種または複数種により、前記複数の第２のレーザ光に分割されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記第２のレーザ光から一つずつ選択されたレーザ光同士は、ミラー、シリンドリカルレンズ、プリズムから選ばれた一種または複数種により、前記照射面又はその近傍の同一領域で合成されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記照射面又はその近傍の同一の領域で合成されるレーザ光同士を前記照射面に対して相対的に移動しながら照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記レーザは、連続発振またはパルス発振の固体レーザまたは気体レーザまたは金属レーザであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記レーザは、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記レーザは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、
前記レーザは、ヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項において、
前記第１のレーザ光は、非線形光学素子により高調波に変換されていることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１７】
少なくとも第１と第２のレーザーから発振されたレーザ光を合成して照射面に照射する方法であって、
前記第１のレーザから発振されたレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記分割されたレーザ光から１つのレーザ光を選択して第１のレーザ光とし
前記第２のレーザから発振されたレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記分割されたレーザ光から１つのレーザ光を選択して第２のレーザ光とし、
前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光は互いに前記照射面又はその近傍の同一領域で合成されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１８】
少なくとも第１と第２のレーザーから発振されたレーザ光を合成して照射面に照射する方法であって、
前記第１のレーザから発振されたレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記分割されたレーザ光から互いに異なるエネルギー分布を有する１つのレーザ光を選択して第１のレーザ光とし、
前記第２のレーザから発振されたレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記分割されたレーザ光から互いに異なるエネルギー分布を有する１つのレーザ光を選択して第２のレーザ光とし、
前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光は互いに前記照射面又はその近傍の同一領域で合成されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８において、
前記照射面又はその近傍の同一領域で合成される前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光の形状は、線状であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２０】
少なくとも第１と第２のレーザーから発振されたレーザ光を合成して照射面に照射する方法であって、
前記第１のレーザから発振されたレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記分割されたレーザ光から１つのレーザ光を選択し、前記選択されたレーザ光を線状にして第１のレーザ光とし、
前記第２のレーザから発振されたレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記分割されたレーザ光から１つのレーザ光を選択し、前記選択されたレーザ光を線状にして第２のレーザ光とし、
前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光は前記照射面に対し斜めに入射するとともに、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光は互いに前記照射面又はその近傍の同一領域で合成されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２１】
少なくとも第１と第２のレーザーから発振されたレーザ光を合成して照射面に照射する方法であって、
前記第１のレーザから発振されたレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記分割されたレーザ光から１つのレーザ光を選択し、前記選択されたレーザ光を線状にして第１のレーザ光とし、
前記第２のレーザから発振されたレーザ光を複数のレーザ光に分割し、前記分割されたレーザ光から１つのレーザ光を選択し、前記選択されたレーザ光を線状にして第２のレーザ光とし、
前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光は前記照射面に対し斜めに入射するとともに、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光は互いに前記照射面又はその近傍の同一領域で合成されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２２】
請求項２０または請求項２１において、
前記分割されたレーザー光から１つずつ選択された前記レーザー光は凸レンズに斜めに入射することにより、前記線状にすることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２３】
請求項２０乃至２２のいずれか一項において、
基板上に設置された被照射体の前記照射面に入射する前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光のビーム長をｗ、前記基板の厚さをｄとすると、前記照射面に対して入射する前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光の入射角θは、
θ≧ａｒｃｔａｎ（ｗ／（２×ｄ））
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２４】
請求項２０乃至２３のいずれか一項において、
前記照射面に対して入射する前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光の入射角θがブリュ−スター角であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２５】
請求項１７乃至２４のいずれか一項において、
前記レーザ光は、スリット、ミラー、プリズム、シリンドリカルレンズ、シリンドリカルレンズアレイから選ばれた一種または複数種により、前記複数のレーザ光に分割されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２６】
請求項１７乃至２５のいずれか一項において、
前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光は、ミラー、シリンドリカルレンズ、プリズムから選ばれた一種または複数種により、互いに前記照射面又はその近傍の同一領域で合成されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２７】
請求項１７乃至２６のいずれか一項において、
前記照射面又はその近傍の同一の領域で合成される前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光は前記照射面に対して相対的に移動しながら照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２８】
請求項１７乃至２７のいずれか一項において、
前記第１のレーザと前記第２のレーザは、連続発振またはパルス発振の固体レーザまたは気体レーザまたは金属レーザであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２９】
請求項１７乃至２８のいずれか一項において、
前記第１のレーザと前記第２のレーザは、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３０】
請求項１７乃至２９のいずれか一項において、
前記第１のレーザと前記第２のレーザは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３１】
請求項１７乃至３０のいずれか一項において、
前記第１のレーザと前記第２のレーザは、ヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３２】
請求項１７乃至３１のいずれか一項において、
前記第１と第２のレーザから発振されたレーザ光は、非線形光学素子により高調波に変換されていることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３３】
請求項１乃至３２に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３４】
請求項１乃至３３に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３５】
請求項１乃至３４に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３６】
請求項１乃至３５に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を結晶化し、前記結晶化された半導体膜を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
レーザ１３１ａ〜１３１ｄから射出されたレーザ光は、反射面を有するスリット１３２ａ〜１３２ｄにより２方向に分割される。ただし、スリット１３２ａ〜１３２ｄはそれぞれのレーザ光に対して設置する位置が異なっているため、異なる位置のレーザ光のみが直進する。その様子を図４を用いて説明する。図４はレーザの進行方向に対して垂直な断面でのレーザ光の形状を示している。図４（Ａ）はレーザ１３１ａから発振されたレーザ光を示しており、スリット１３２ａにより第１のレーザ光は直進し、第２〜第４のレーザ光は反射されてダンパー１３５ａに吸収される。図４（Ｂ）はレーザ１３１ｂから発振されたレーザ光を示しており、スリット１３２ｂにより第２のレーザ光は直進し、第１、第３、第４のレーザ光は反射されてダンパー１３５ａに吸収される。図４（Ｃ）はレーザ１３１ｃから発振されたレーザ光を示しており、スリット１３２ｃにより第３のレーザ光は直進し、第１、第２、第４のレーザ光は反射されてダンパー１３５ｃに吸収される。図４（Ｄ）はレーザ１３１ｄから発振されたレーザ光を示しており、スリット１３２ｄにより第４のレーザ光は直進し、第１〜第３のレーザ光は反射されてダンパー１３５ｃに吸収される。このように、スリット１３２ａ〜１３２ｄは、それぞれのレーザ光の異なるエネルギー分布を有するレーザ光を直進させ、それ以外のレーザ光を反射させる役割を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
駆動回路５０６のｎチャネル型ＴＦＴ５０１はチャネル形成領域４３７、ゲート電極の一部を構成する第１の導電層４２８ａと重なる低濃度不純物領域４３６（ＧＯＬＤ領域）、ソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域４５２を有している。このｎチャネル型ＴＦＴ５０１と電極４６６で接続してＣＭＯＳ回路を形成するｐチャネル型ＴＦＴ５０２にはチャネル形成領域、ソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域４５３と、低濃度不純物領域４５４を有している。また、ｎチャネル型ＴＦＴ５０３にはチャネル形成領域４４３、ゲート電極の一部を構成する第１の導電層４３０ａと重なる低濃度不純物領域４４２（ＧＯＬＤ領域）、ソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域４５６を有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７１】
まず、実施例７に従い、図１４の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図１４のアクティブマトリクス基板上、少なくとも画素電極４７０上に配向膜５６７を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜５６７を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ５７２を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７３】
本実施例では、実施例７に示す基板を用いている。従って、実施例７の画素部の上面図を示す図１５では、少なくともゲート配線４６９と画素電極４７０の間隙と、ゲート配線４６９と接続電極４６８の間隙と、接続電極４６８と画素電極４７０の間隙を遮光する必要がある。本実施例では、それらの遮光すべき位置に着色層の積層からなる遮光部が重なるように各着色層を配置して、対向基板を貼り合わせた。