【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させる方法であって、当該シクロテトラシロキサンは下式
【化１】
2003238578.tif 000001
（式中Ｒ1-7は、水素、ノルマル、枝分かれ又は環状のＣ1-10アルキル基、及びＣ1-4アルコキシ基からなる群から個別に選択される）をもち、
当該シクロテトラシロキサンに、２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、β−ジケトンＲＣ（Ｏ）ＣＨ2Ｃ（Ｏ）Ｒ、脂肪族カルボン酸ＲＣＯＯＨ、脂肪族ジカルボン酸ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ（式中、１≦ｎ≦８）、フェノールＣ6Ｒ(6-n)（ＯＨ）n（式中、１≦ｎ≦５）、ポリオールＣＨ2Ｘ（ＣＨＸ）nＣＨ2Ｘ（式中、Ｘ＝Ｈ又はＯＨ、ただし少なくとも１つのＸはＯＨであり、１≦ｎ≦８）、無水物ＲＣＨ2−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2Ｒ、ヒドロドシロキサンＲ3Ｓｉ−（Ｏ−ＳｉＲ2）n−ＯＳｉＲ3（式中、０≦ｎ≦８）（これら全ての式中、Ｒは水素、ノルマル、枝分かれ又は環状Ｃ1-10アルキル基からなる群から個別に選択される）、及びそれらの混合物から選択される、有効量の防止剤を供給することを含む、
シクロテトラシロキサンの安定化方法。
【請求項２】
遊離基スカベンジャーを前記シクロテトラシロキサンに供給することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記遊離基スカベンジャーが、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、プロピルエステル３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、２−（１，１−ジメチルエチル）−１，４−ベンゼンジオール、ジフェニルピクリルヒドラジル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−メトキシジフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン、フェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス（メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）メタン、フェノチアジン、アルキルアミドノイソ尿素、チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）、１，２−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナモイル）ヒドラジン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、環状ネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノールが５０〜５００ｐｐｍ（体積）の量で供給される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシが５０〜２３０ｐｐｍ（体積）の量で供給される、請求項３記載の方法。
【請求項６】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させる方法であって、当該１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンに遊離基スカベンジャーを供給することを含む、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの安定化方法。
【請求項７】
前記遊離基スカベンジャーが２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記スカベンジャーが５０〜５００ｐｐｍ（体積）の量で供給される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシが５０〜２３０ｐｐｍ（体積）の量で供給される、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
電子材料の製造における酸化ケイ素用化学気相成長プロセスで使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させる方法であって、前記１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンに中性乃至弱酸性の重合防止剤を供給すること及び前記１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンに遊離基スカベンジャーを供給することを含む、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの安定化方法。
【請求項１１】
前記防止剤が、２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、１（体積）％未満の１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記遊離基スカベンジャーが２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び中性乃至弱酸性の重合防止剤と遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１４】
（ａ）１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、（ｂ）２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、１（体積）％未満の１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン、１（体積）％未満の１，１，１，３，５，５，５−へプタメチルトリシロキサン、β−ジケトンＲＣ（Ｏ）ＣＨ2Ｃ（Ｏ）Ｒ、脂肪族カルボン酸ＲＣＯＯＨ、脂肪族ジカルボン酸ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ（式中、１≦ｎ≦８）、フェノールＣ6Ｒ(6-n)（ＯＨ）n（式中、１≦ｎ≦５）、ポリオールＣＨ2Ｘ（ＣＨＸ）nＣＨ2Ｘ（式中、Ｘ＝Ｈ又はＯＨであり、ただし少なくとも１つのＸはＯＨ、１≦ｎ≦８）、無水物ＲＣＨ2−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2Ｒ、ヒドロドシロキサンＲ3Ｓｉ−（Ｏ−ＳｉＲ2）n−ＯＳｉＲ3（式中、０≦ｎ≦８）（これら全ての式中、Ｒは水素、ノルマル、枝分かれ又は環状Ｃ1−10アルキル基からなる群から個別に選択される）及びそれらの混合物からなる群から選択される、中性乃至弱酸性の重合防止剤、及び（ｃ）２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、プロピルエステル３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、２−（１，１−ジメチルエチル）−１，４−ベンゼンジオール、ジフェニルピクリルヒドラジル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−メトキシジフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン、フェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス（メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）メタン、フェノチアジン、アルキルアミドノイソ尿素、チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）、１，２−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナモイル）ヒドラジン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、環状ネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）及びそれらの混合物からなる群から選択される遊離基スカベンジャー、を含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１５】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び２，４-ペンタジオンを含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスで使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１６】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び１−ヘキサン酸を含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１７】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及びグリセロールを含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１８】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び無水酢酸を含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１９】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４−ペンタジオン、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２０】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１−ヘキサン酸、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２１】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、グリセロール、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２２】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、無水酢酸、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２３】
（ａ）１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、（ｂ）２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、β−ジケトンＲＣ（Ｏ）ＣＨ2Ｃ（Ｏ）Ｒ、脂肪族カルボン酸ＲＣＯＯＨ、脂肪族ジカルボン酸ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ（式中、１≦ｎ≦８）、フェノールＣ6Ｒ(6-n)（ＯＨ）n（式中、１≦ｎ≦５）、ポリオールＣＨ2Ｘ（ＣＨＸ）nＣＨ2Ｘ（式中、Ｘ＝Ｈ又はＯＨ、ただし少なくとも１つのＸはＯＨであり、１≦ｎ≦８）、無水物ＲＣＨ2−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2Ｒ、ヒドロドシロキサンＲ3Ｓｉ−（Ｏ−ＳｉＲ2）n−ＯＳｉＲ3（式中、０≦ｎ≦８）（これら全ての式中、Ｒは水素、ノルマル、枝分かれ又は環状Ｃ1−10アルキル基からなる群から個別に選択される）及びそれらの混合物から選択される重合防止剤、及び（ｃ）２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、プロピルエステル３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、２−（１，１−ジメチルエチル）−１，４−ベンゼンジオール、ジフェニルピクリルヒドラジル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−メトキシジフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン、フェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス（メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）メタン、フェノチアジン、アルキルアミドノイソ尿素、チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）、１，２−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナモイル）ヒドラジン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、環状ネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）及びそれらの混合物から選択される遊離基スカベンジャー、を含む、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２４】
（ａ）下式
【化２】
2003238578.tif 000002
（式中、Ｒ1-7は、水素、ノルマル、枝分かれ又は環状のＣ1-10アルキル基、及びＣ1-4アルコキシ基からなる群から個別に選択される）をもつシクロテトラシロキサン、（ｂ）中性乃至弱酸性の重合防止剤、及び（ｃ）遊離基スカベンジャー、を含むシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２５】
（ａ）下式
【化３】
2003238578.tif 000003
（式中、Ｒ1-7は、水素、ノルマル、枝分かれ又は環状のＣ1-10アルキル基、及びＣ1-4アルコキシ基からなる群から個別に選択される）をもつシクロテトラシロキサン、及び（ｂ）遊離基スカベンジャー、を含むシクロテトラシロキサンの組成物。