【手続補正書】
【提出日】平成16年6月9日(2004.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のワード線とビット線との間に接続されるとともに２次元的に配列された複数のメモリセルに対して、ワード線に接続された複数のメモリセルを順次選択すると共に複数のワード線を順次選択してシリアルアクセスする半導体装置のワード線選択方法において、
各行において、最初に選択される列に対応した第１ワード線と前記最初に選択される列以外の所定の列に対応する第２ワード線とに分割し、前記第２ワード線と次の行の第１ワード線とを同時に選択し、前記第１ワード線に接続されたメモリセルがアクセスされたときに同じ行の第２ワード線を選択するようにした半導体記憶装置のワード線選択方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体記憶装置のワード線選択方法において、
前記最初の行に対して、最初の列のメモリセルからシリアルアクセスが開始される場合に、当該メモリセルが接続された第１ワード線を選択するようにした半導体記憶装置のワード線選択方法。
【請求項３】
複数のワード線とビット線との間に接続されるとともに２次元的に配列された複数のメモリセルに対して、各行のメモリセルが列方向に順次選択されると共に行方向に順次選択されてアクセスされる半導体記憶装置において、
各行において、最初に選択される列に対応する第１ワード線と、
各行において、前記最初に選択される列以外の所定の列に対応する第２ワード線と、
を備え、
前記第２ワード線と次の行の第１ワード線とを同時に選択し、前記第１ワード線に接続されたメモリセルがアクセスされるときに同じ行の第２ワード線を選択するワードライン選択回路を備えた半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体記憶装置において、
前記第２ワード線が接続され、入力されるロウアドレス信号に基づいて前記複数の第２ワード線のうちの１つを選択するロウデコーダと、
カラムアドレス信号が入力され、該カラムアドレス信号をデコードしてカラムデコード信号を生成するカラムデコーダと、
前記複数のビット線が接続され、前記カラムデコード信号が入力され、該カラムデコード信号に対応したビット線を選択するカラムセレクタとを備え、
前記各ワード線選択回路には前記カラムデコード信号が入力され、該カラムデコード信号に基づいて、該第２ワード線に接続されて順次選択されるメモリセルのうちの最後の列に対応したメモリセルが選択されたか否かを判断し、前記メモリセルが選択されたときに前記第１ワード線を選択するようにした半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の半導体記憶装置において、
前記ワードライン選択回路は、最初の列のメモリセルからシリアルアクセスが開始された場合には、当該メモリセルが接続された第１ワード線を選択するようにした半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、複数のワード線とビット線との間に接続されるとともに２次元的に配列された複数のメモリセルに対して、ワード線に接続された複数のメモリセルを順次選択すると共に複数のワード線を順次選択してシリアルアクセスする半導体装置のワード線選択方法において、各行において、最初に選択される列に対応した第１ワード線と前記最初に選択される列以外の所定の列に対応する第２ワード線とに分割し、前記第２ワード線と次の行の第１ワード線とを同時に選択し、前記第１ワード線に接続されたメモリセルがアクセスされたときに同じ行の第２ワード線を選択するようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３に記載の発明は、複数のワード線とビット線との間に接続されるとともに２次元的に配列された複数のメモリセルに対して、各行のメモリセルが列方向に順次選択されると共に行方向に順次選択されてアクセスされる半導体記憶装置において、各行において、最初に選択される列に対応する第１ワード線と、各行において、前記最初に選択される列以外の所定の列に対応する第２ワード線と、を備え、前記第２ワード線と次の行の第１ワード線とを同時に選択し、前記第１ワード線に接続されたメモリセルがアクセスされるときに同じ行の第２ワード線を選択するワードライン選択回路を備えた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の半導体記憶装置において、前記第２ワード線が接続され、入力されるロウアドレス信号に基づいて前記複数の第２ワード線のうちの１つを選択するロウデコーダと、カラムアドレス信号が入力され、該カラムアドレス信号をデコードしてカラムデコード信号を生成するカラムデコーダと、前記複数のビット線が接続され、前記カラムデコード信号が入力され、該カラムデコード信号に対応したビット線を選択するカラムセレクタとを備え、前記各ワード線選択回路には前記カラムデコード信号が入力され、該カラムデコード信号に基づいて、該第２ワード線に接続されて順次選択されるメモリセルのうちの最後の列に対応したメモリセルが選択されたか否かを判断し、前記メモリセルが選択されたときに前記第１ワード線を選択するようにした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項３又は４に記載の半導体記憶装置において、前記ワードライン選択回路は、最初の列のメモリセルからシリアルアクセスが開始された場合には、当該メモリセルが接続された第１ワード線を選択するようにした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（作用）
従って、請求項１に記載の発明によれば、各行のワード線が、各行において、最初に選択される列に対応した第１ワード線とその列以外の所定の列に対応した第２ワード線とに分割される。そして、第２ワード線と次の行の第１ワード線とが同時に選択され、それらのワード線に接続されたメモリセルから同時にデータが読み出される。また、第１ワード線に接続されたメモリセルがアクセスされたときには同じ行の第２ワード線が選択され、それらのワード線に接続されたメモリセルから同時にデータが読み出される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項３に記載の発明によれば、半導体記憶装置のワード線が各行において最初に選択される列に対応する第１ワード線とその列以外の所定の列に対応する第２ワード線とに分割される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
各行にはそれぞれワードライン選択回路が設けられる。ワードライン選択回路は、第２ワード線と次の行の第１ワード線を同時に選択し、第１ワード線に接続されたメモリセルがアクセスされたときに同じ行の第２ワード線を選択する。従って、第２ワード線と次の行の第１ワード線に接続されたメモリセルのデータが同時に読み出される。また、第１ワード線に接続されたメモリセルがアクセスされるときにそのメモリセルと同じ行の第２ワード線に接続されたメモリセルのデータが読み出される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項４に記載の発明によれば、半導体記憶装置はロウデコーダ、カラムデコーダ、カラムセレクタを備える。ロウデコーダには第２ワード線が接続され、入力されるロウアドレス信号に基づいて複数の第２ワード線のうちの１つが選択される。カラムデコーダにはカラムアドレス信号が入力され、該カラムアドレス信号をデコードしてカラムデコード信号が生成される。カラムセレクタには複数のビット線が接続され、カラムデコード信号が入力され、該カラムデコード信号に対応したビット線が選択される。そして、各ワード線選択回路にはカラムデコード信号が入力され、該カラムデコード信号に基づいて、該第２ワード線に接続されて順次選択されるメモリセルのうちの最後の列に対応したメモリセルが選択されたか否かが判断され、メモリセルが選択されたときに第１ワード線が選択され、最後の列のメモリセルと次の行の最初もメモリセルのデータが読み出される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項５に記載の発明によれば、ワードライン選択回路は、最初の列のメモリセルからシリアルアクセスが開始された場合には、当該メモリセルが接続された第１ワード線を選択し、そのメモリセルのデータが読み出される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１又は２に記載の発明によれば、カラム以上のデータのシリアルアクセスを高速に行うことができる半導体記憶装置のワード線選択方法を提供することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
また、請求項３乃至５に記載の発明によれば、カラム以上のデータのシリアルアクセスを高速に行うことができる半導体記憶装置を提供することができる。