【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ源装置であって、
互いの間にギャップを有している第１表面および第２表面であるとともに、前記第１表面が、基材を有し、少なくとも前記第２表面が、電子を閉じ込め得るよう、電源に対して接続されているような、第１表面および第２表面と；
前記電源に対して接続されている第３表面と；
前記第１表面および前記第２表面の双方内へと進入するとともに前記第１表面と前記第２表面との間の前記ギャップを通過して延在する磁界であって、この磁界のうちの、前記基材を通過している少なくとも一部が、前記第２表面のところと比較して、前記基材の表面のところにおいて、磁力線に沿って少なくとも２倍の磁界強度とされ、かつ、電子を磁化し得る程度に十分に強力なものとされているような、磁界と；
前記第２表面と前記第３表面との間に接続された前記電源によって生成された電界であって、前記磁界の電子閉込領域内へと進入することによって、形成された電子ホール電流を無端ループ内へと閉じ込め得るような、電界と；
を具備することを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記第３表面が、リング状アノードを備えていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記第３表面が、基材であることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記第１表面と前記第２表面とが、チャンバ内に収容され、
このチャンバが、接地された壁を備え、
前記第３表面が、前記接地されたチャンバ壁であることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項５】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記基材と前記磁界との一方が、他方に対して移動していることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項６】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記磁界のうちの、前記基材を通過している前記少なくとも一部が、前記第２表面のところと比較して、前記基材の表面のところにおいて、磁力線に沿って少なくとも４倍の磁界強度とされていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項７】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記磁界のうちの、前記基材を通過している前記少なくとも一部が、磁力線に沿った最強ポイントにおいては、１００ガウスより大きいことを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項８】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記第２表面が、前記基材によって被覆されていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項９】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記基材が、正にバイアスされていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項１０】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記基材が、コンベヤロールによって支持されたフレキシブルウェブを備えていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項１１】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記ミラー磁界が、レーストラック形状とされ、このレーストラックの中央を通過する戻り磁界を有していることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項１２】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記プラズマ源装置が、プラズマ反応または基材処理を補助し得るよう、スパッタマグネトロンと組み合わされていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項１３】
請求項１記載のプラズマ源装置において、
前記プラズマ源装置が、熱蒸着または電子ビーム成膜プロセスまたはレーザー蒸発に関連した反応プロセスを補助するために、使用されていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項１４】
プラズマ源装置であって、
互いの間にギャップを有している第１表面および第２表面であるとともに、前記第１表面が、基材を有し、少なくとも前記第２表面が、電子を閉じ込め得るよう、電源に対して接続されているような、第１表面および第２表面と；
前記電源に対して接続されている第３表面と；
前記第１表面および前記第２表面の双方内へと進入するとともに前記第１表面と前記第２表面との間の前記ギャップを通過して延在する磁界であって、この磁界のうちの、前記基材を通過している少なくとも一部が、電子を磁化し得る程度に十分に強力なものとされているような、磁界と；
前記第２表面と前記第３表面との間に接続された前記電源によって生成された電界であって、前記磁界の電子閉込領域内へと進入することによって、形成された電子ホール電流を無端ループ内へと閉じ込め得るような、電界と；
を具備し、
前記基材の表面が、ミラー磁界構成に対して静電的電子閉込を追加し得るよう、自己バイアスを超えてバイアスされていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項１５】
請求項１４記載のプラズマ源装置において、
前記磁界のうちの、前記基材を通過している前記少なくとも一部が、前記ギャップ内の磁力線に沿った最弱ポイントと比較して、前記基材の表面のところにおいて、少なくとも２倍の磁界強度とされていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項１６】
請求項１４記載のプラズマ源装置において、
前記磁界のうちの、前記基材を通過している前記少なくとも一部が、磁力線に沿った最強ポイントにおいては、１００ガウスより大きいことを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項１７】
請求項１４記載のプラズマ源装置において、
前記基材と前記磁界との一方が、他方に対して移動していることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項１８】
プラズマ源装置であって、
互いの間にギャップを有している少なくとも２つの表面であるとともに、これら表面の一方が、基材とされ、少なくとも他方が、カソード電極として接続されているような、少なくとも２つの表面と；
前記表面どうしの間において前記ギャップを通過して延在するミラー磁界であって、この磁界のうちの、前記基材の表面に進入している少なくとも一部が、前記カソード電極に対して進入している磁力線と比較して、少なくとも２倍は強力な磁力線を含有しているような、ミラー磁界と；
前記ミラー磁界の内部の閉ループ電子ホール電流閉込領域を形成するようにして前記ミラー磁界と関連づけて配置された少なくとも１つのアノード構造であって、前記電極とアノード構造との間に十分なガス圧力と電圧とが供給されたときには、前記閉込領域内にプラズマを形成するような、少なくとも１つのアノード構造と；
を具備し、
前記基材が、前記プラズマによって処理され得るよう前記ミラー磁界の圧縮端のところに配置され、
前記基材と前記プラズマとの一方が、他方に対して移動していることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項１９】
請求項１８記載のプラズマ源装置において、
前記基材が、コンベヤロールによって支持されたフレキシブルウェブを備えていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項２０】
請求項１８記載のプラズマ源装置において、
前記基材が、化学気相蒸着プロセスとスパッタコーティングプロセスとイオンエッチングプロセスとこれらの組合せとからなるグループの中から選択された処理によって、前記プラズマにより処理され得るように配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２１】
請求項１８記載のプラズマ源装置において、
表面を有した前記基材が、浮遊電位とされていることを特徴とするプラズマ源装置。
【請求項２２】
請求項１８記載のプラズマ源装置において、
表面を有した前記基材が、アノードとされていることを特徴とするプラズマ源装置。