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【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ユーザが選択可能な印刷特徴のリストを表示するステップと、
（ｂ）前記ユーザが選択可能な印刷特徴のうち１つの特徴の選択を受信するステップと、
（ｃ）前記特徴の選択された特徴に対するユーザが起動可能なコントロールを表示するステップと、
（ｄ）前記ユーザが起動可能なコントロールの起動に応じて変更するプリントプレビューイメージを表示するステップと、
（ｅ）前記プリントプレビューイメージに隣接する、前記プリントプレビューイメージに表示されるページを選択するページセレクタを表示するステップと、
（ｆ）文章のどのページが前記特徴のデフォルト設定から変更されている、前記リストより選択された１つの特徴を備えているかを示すインディシアを表示するステップとを含む、文書において選択したページのプリントプレビューイメージを表示する表示方法。
【請求項２】
前記ユーザが選択可能な印刷特徴のリストを表示するステップに先立って、プリントコマンドを受信するステップをさらに含む、請求項１記載の表示方法。
【請求項３】
前記インディシアを表示するステップは、前記特徴のうち前記選択された特徴がデフォルト設定から変更されていないページを示す第１のインディシアを表示するステップと、前記特徴のうち前記選択された特徴が前記プリントプレビューイメージに対応するページと同一の設定に設定されているページを示す第２のインディシアを表示するステップと、前記特徴のうち前記選択された特徴がデフォルト設定から変更されているが、前記プリントプレビューイメージに対応するページと異なる設定に設定されているページを示す第３のインディシアを表示するステップとを含む、請求項１または請求項２記載の表示方法。
【請求項４】
前記インディシアを表示するステップは、前記ページセレクタが備えるスクロールバー内に設けられているインディシアを表示するステップである、請求項１から請求項３のいずれかに記載の表示方法。
【請求項５】
前記インディシアを表示するステップは、前記ページセレクタが備えるスクロールバーに隣接しているインディシアを表示するステップである、請求項１から請求項３のいずれかに記載の表示方法。
【請求項６】
プリンタオプションを設定するグラフィカルユーザインタフェースをディスプレイに表示させるコンピュータ可読プログラムコードが埋め込まれたコンピュータが使用可能な媒体を含む製造物であって、
前記グラフィカルユーザインタフェースは、印刷特徴のリストを表示する第１の部分と、第２の部分と、前記第１の部分および第２の部分に分割する第１のディバイダとを含み、前記第２の部分は、文書内のユーザが選択したページのプリントプレビューイメージを表示する第１のサブ部分と、第２のサブ部分と、前記第１のサブ部分および第２のサブ部分を分割する第２のディバイダとを含み、
前記製造物における前記コンピュータ可読プログラムコードは、前記第１の部分におけるユーザが選択可能な印刷特徴のリストを表示し、前記ユーザが選択可能な印刷特徴のうち１つの特徴の選択を受信し、前記特徴のうち前記選択された特徴に対するユーザが起動可能なコントロールを前記第２のサブ部分に表示し、前記ユーザが起動可能なコントロールの起動に応じて変更するプリントプレビューイメージを前記第１のサブ部分に表示し、前記プリントプレビューイメージに隣接して、前記プリントプレビューイメージに表示されるページを選択するページセレクタを表示し、かつ、前記リストから選択されたひとつの特徴が、前記特徴のデフォルト設定から変更されている文章のページを示すインディシアを表示する、ことを特徴とする製造物。
【請求項７】
前記インディシアを表示するように構成された前記コンピュータ可読プログラムコードは、前記選択された特徴がデフォルト設定から変更されていないページを示す第１のインディシアを表示し、前記選択された特徴が前記プリントプレビューイメージに対応するページと同一の設定に設定されているページを示す第２のインディシアを表示し、かつ前記選択された特徴がデフォルト設定から変更されているが、前記プリントプレビューイメージに対応するページと異なる設定に設定されているページを示す第３のインディシアを表示するように構成されたコンピュータ可読プログラムコードを含む、請求項６記載の製造物。
【請求項８】
前記ページセレクタはスクロールバーを備え、インディシアを表示するように構成されている前記コンピュータ可読プログラムコードは、前記スクロールバー内にインディシアを設けるように構成されているコンピュータ可読プログラムコードを含む、請求項６または請求項７記載の製造物。
【請求項９】
前記ページセレクタはスクロールバーを備え、インディシアを表示するように構成されている前記コンピュータ可読プログラムコードは、前記スクロールバーに隣接してインディシアを設けるように構成されているコンピュータ可読プログラムコードを含む、請求項６または請求項７記載の製造物。
【請求項１０】
前記製造物における前記コンピュータ可読プログラムコードは、すかし、片面印刷または両面印刷、１枚に複数ページの印刷、ブックレット印刷、コピー、カラーテキスト、目標プリンタ、給紙源、ホッチキス止めおよび出力ビンを含むユーザが選択可能な印刷特徴のリストを表示するように構成されている、請求項６から請求項９のいずれか１つに記載の製造物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷要求を受け付ける入力手段と、印刷要求を実現する印刷手段と、印刷要求に含まれる特殊課金ＩＤを検出する特殊課金ＩＤ検出手段と、課金情報保持手段と、課金情報出力手段とを備え、特定の印刷要求に課金しなかったり逆にクレジットを与えたりする手段を有するプリンタ装置。
【請求項２】
複数の特殊課金ＩＤを記憶した特殊課金ＩＤ記憶装置と、印刷要求に含まれる特殊課金ＩＤと特殊課金ＩＤ記憶装置に格納されているＩＤとを比較する手段とを備え、特殊課金ＩＤの不正利用を防ぐことのできる請求項１記載のプリンタ装置。
【請求項３】
印刷要求に含まれる印刷終了通知先を検出する印刷終了通知先検出手段と、印刷要求の実行終了を検出する印刷終了検出手段と、印刷終了を印刷終了通知先に通知する印刷終了通知手段とを備え、印刷完了を通知できる請求項１記載のプリンタ装置。
【請求項４】
複数のプリンタの固有の特殊課金ＩＤ記憶手段と、印刷要求を受け付ける入力手段と、印刷要求に特殊課金ＩＤを添付し複数のプリンタに印刷要求を発行する印刷要求発行手段とを備え、特殊課金ＩＤでの印刷要求を発行することのできる情報配布装置。
【請求項５】
複数のプリンタの固有の特殊課金ＩＤ記憶手段と、印刷要求を受け付ける入力手段と、印刷要求に特殊課金ＩＤと印刷終了通知先を添付し複数のプリンタに印刷要求を発行する印刷要求発行手段とを備え、特殊課金ＩＤでの印刷要求の確実な完了を検出できる情報配布装置。
【請求項６】
請求項４に記載の装置と請求項１に記載の複数の装置で構成され、利用者に有用な情報を、利用者の負担なしに配布することができる特殊印刷要求配信システム。
【請求項７】
印刷を許可する発注元からの印刷要求を受信すると印刷を実行し、印刷を許可しない発注元からの印刷要求を受信すると情報配布印刷が許可されているか判断し、情報配布印刷が許可されていない場合には印刷要求を拒否し、情報配布印刷が許可されている場合には印刷要求に添付されて発注元及び配布先ごとに異なる特殊課金ＩＤがあらかじめ記憶した特殊課金ＩＤに適合するか判断し、印刷要求に添付された特殊課金ＩＤがあらかじめ記憶した特殊課金ＩＤに適合する場合には情報配布印刷を実行し、印刷要求に添付された特殊課金ＩＤがあらかじめ記憶した特殊課金ＩＤに適合しない場合には情報配布印刷を拒否し、情報配布印刷を実行した場合には印刷に使用した資源量を特殊課金ＩＤとともに記録することを特徴とするプリンタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、上述のごとき実情に鑑み、特定の印刷要求に限り、通常許された範囲外からの印刷要求でも印刷を実行するプリンタ、及び、そのような印刷要求を発行する装置、及び、これらで構成されるシステムを提供することを目的としてなされたもので、請求項１の発明は、特殊ＩＤを添付された印刷要求を受け付けるプリンタを提供すること、請求項２の発明は、特殊ＩＤの偽造を防ぐ機能を有するプリンタを提供すること、請求項３の発明は、特殊ＩＤを添付された印刷要求の終了を通知するプリンタを提供すること、請求項４の発明は、特殊ＩＤを添付した印刷要求を複数のプリンタに配布する装置を提供すること、請求項５の発明は、特殊ＩＤを添付した印刷要求を配布し、終了を検出する装置を提供すること、請求項６の発明は、利用者に有用な情報をユーザに負担なしに配布する情報配布システムを提供すること、請求項７の発明は、印刷を許可しない発注元からの印刷要求を受信し、情報配布印刷が許可されている場合には、印刷要求に添付されて発注元及び配布先ごとに異なる特殊課金ＩＤがあらかじめ記憶した特殊課金ＩＤに適合する場合に情報配布印刷を実行し、印刷に使用した資源量を特殊課金ＩＤとともに記録するプリンタ装置を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項６の発明は、請求項４に記載の装置と請求項１に記載の複数の装置で構成され、利用者に有用な情報を、利用者の負担なしに配布することを特徴としたものである。請求項７の発明は、印刷を許可しない発注元からの印刷要求を受信し、情報配布印刷が許可されている場合には、印刷要求に添付されて発注元及び配布先ごとに異なる特殊課金ＩＤがあらかじめ記憶した特殊課金ＩＤに適合する場合に情報配布印刷を実行し、印刷に使用した資源量を特殊課金ＩＤとともに記録することを特徴としたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項６の発明は、請求項４に記載の装置と請求項１に記載の複数の装置で構成されているので、装置の利用者に有用な情報を、利用者の負担なしに配布することができる。請求項７の発明は、印刷を許可しない発注元からの印刷要求を受信し、情報配布印刷が許可されている場合には、印刷要求に添付されて発注元及び配布先ごとに異なる特殊課金ＩＤがあらかじめ記憶した特殊課金ＩＤに適合する場合に情報配布印刷を実行し、印刷に使用した資源量を特殊課金ＩＤとともに記録することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍビットの群において非ワンホット状態を検出するための方法であって、
前記Ｍビットの群を、少なくとも２ｌｏｇ2Ｍ符号化ビットの群に、前記Ｍビットの群における各ワンホット状態が前記符号化ビットの群において一意の状態を生成するように、符号化するステップと、
前記符号化ビットに基づいて、前記Ｍビットの群が非ワンホット状態にあるか否かを決定するステップと、
前記Ｍが２の累乗でない場合に、前記ＭビットをＬ個の非ホットビットで増大してＭ＋Ｌビット（ここで、Ｍ＋Ｌは２の累乗である）の群を形成するステップと、
前記Ｍビットの群の代わりに前記Ｍ＋Ｌビットの増大された群を用いて、前記符号化するステップを実行するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
ビットの群ＤＤを２つの共通部分のない部分集合Ｇ１およびＧ２に分割するステップと、
Ｇ１が前記Ｍビットの群である場合において、前記符号化するステップおよび前記決定するステップを実行するステップと、
Ｇ２が前記Ｍビットの群である場合において、前記符号化するステップおよび前記決定するステップを実行するステップと、
前記決定するステップの結果に基づいて、前記ビットの群ＤＤが非ワンホット状態にあるか否かを決定するステップと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
ビットの群においてワンホットエラーを検出する方法であって、
（ａ）ビットの群Ｄを、２つの共通部分のない部分集合Ｓ０およびＮＳ０に、Ｄ＝Ｓ０∪ＮＳ０となるように分割するステップと、
（ｂ）Ｓ０におけるビットのいずれかがホットであるか否かを決定するステップと、
（ｃ）ＮＳ０におけるビットのいずれかがホットであるか否かを決定するステップと、
（ｄ）前記群Ｄを、２つの共通部分のない部分集合Ｓ１およびＮＳ１に、Ｄ＝Ｓ１∪ＮＳ１で且つＳ０、ＮＳ０、Ｓ１、およびＮＳ１のどれもが同じでないようにして、分割するステップと、
（ｅ）Ｓ１におけるビットのいずれかがホットであるか否かを決定するステップと、
（ｆ）ＮＳ１におけるビットのいずれかがホットであるか否かを決定するステップと、
（ｇ）その他の決定するステップの結果に基づいて、前記群Ｄがエラーを含んでいるか否かを決定するステップと、
（ｈ）前記群Ｄを、２つの共通部分のない部分集合Ｓ２およびＮＳ２に、Ｄ＝Ｓ２∪ＮＳ２で且つＳ０、ＮＳ０、Ｓ１、ＮＳ１、Ｓ２、およびＮＳ２のどれもが同じでないようにして、分割するステップと、
（ｉ）Ｓ２におけるビットのいずれかがホットであるか否かを決定するステップと、
（ｊ）ＮＳ２におけるビットのいずれかがホットであるか否かを決定するステップと、
を含み、前記ステップ（ｇ）が、
（１）前記ステップ（ｂ）および（ｃ）の両方の結果が肯定である、
（２）前記ステップ（ｅ）および（ｆ）の両方の結果が肯定である、
（３）前記ステップ（ｉ）および（ｊ）の両方の結果が肯定である、
の３つの状態のうちのいずれか1つが真であるか否かを決定するステップを含んでいる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェースプレートの製造方法であって、
基板上に蛍光体を設ける第１工程と、
前記蛍光体上に第１の導電膜を設ける第２工程と、
前記第１の導電膜と間隔をおいて第１電極を配置し、前記第１の導電膜を第２電極として用いて前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加する第３工程と、
前記電圧を印加した後の前記第１の導電膜上に第２の導電膜を設ける第４工程とを有することを特徴とするフェースプレートの製造方法。
【請求項２】
前記蛍光体を設けた後であって、前記第１の導電膜を設ける前に、前記蛍光体上に樹脂膜を設ける工程と、
前記第１の導電膜を設けた後であって、前記電圧を印加する前に、前記樹脂膜の焼成を行う工程とを有することを特徴とする請求項１に記載のフェースプレートの製造方法。
【請求項３】
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とが異なる材料であることを特徴とする請求項１または２に記載のフェースプレートの製造方法。
【請求項４】
前記第２の導電膜の材料がゲッター材料であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のフェースプレートの製造方法。
【請求項５】
前記ゲッター材料がＢａであることを特徴とする請求項４に記載のフェースプレートの製造方法。
【請求項６】
前記第１電極と第２電極との間に電圧を印加する工程を、減圧雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のフェースプレートの製造方法。
【請求項７】
フェースプレートと、
前記フェースプレートと間隔を置いて対向して配置され、前記フェースプレートと対向する面上に電子放出素子が配置されたリアプレートと、
を有する画像形成装置の製造方法であって、
前記フェースプレートが、請求項１から６のいずれか１項に記載の製造方法で作成され
ることを特徴とする画像形成装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１電極と前記第２電極との間に印加される電圧が、前記画像形成装置の駆動時に、前記電子放出素子と前記第１の導電膜との間に印加される電圧以上であることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される際に生じる電界強度が、前記画像形成装置の駆動時に、前記電子放出素子と前記第１の導電膜との間に印加される電界強度以上であることを特徴とする請求項７または８に記載の画像形成装置の製造方法。
【請求項１０】
フェースプレートと、
前記フェースプレートと間隔を置いて対向して配置され、前記フェースプレートと対向する面上に電子放出素子が配置されたリアプレートと、
を有する画像形成装置であって、
前記画像形成装置が、請求項７から９のいずれか１項に記載の製造方法で作成されることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月24日(2004.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像情報をもとにコンピュータでコンピュータグラフィックスアニメーションまたは動画像を生成する動画像制作装置であって、ディスプレイ画面上に前記動画像情報を編集するための仕込みウィンドウを表示し、該仕込みウィンドウの所望の項目を GUI（ Graphical User Interface ）操作することによって、前記動画像情報を編集する動画像情報の編集方法において、
前記ディスプレイ画面上の動画像情報表示ウィンドウに、前記動画像情報を表示し、表示した前記動画像情報ウィンドウ内の所望の記述を編集し、該編集に応じて前記動画像制作装置が生成する動画像を変更することを特徴とする動画像情報の編集方法。
【請求項２】
動画像情報をもとにコンピュータでコンピュータでコンピュータグラフィックスアニメーションまたは動画像を生成する動画像制作装置であって、ディスプレイ画面上に前記動画像情報を編集するための仕込みウィンドウを表示し、該仕込みウィンドウの所望の項目を GUI（ Graphical User Interface ）操作することによって、前記動画像情報を編集する動画像情報の編集方法において、
前記動画像情報を構成するオブジェクトの設定を変更するために、前記ディスプレイ画面に生成及び表示される画像中から所望のオブジェクトを選択し、該選択したオブジェクトに関連する設定メニューを表示し、表示された該設定メニューから所望の項目を選択することによって、前記仕込みウィンドウを表示し、前記動画像情報を編集することを特徴とする動画像情報の編集方法。
【請求項３】
請求項１記載の動画像情報の編集方法において、前記ディスプレイ画面上に表示した前記仕込みウィンドウと前記動画像情報ウィンドウのいずれかのウィンドウから前記動画像情報を編集し、その編集の都度、前記編集した動画像情報情報が、編集していない他のウィンドウに反映することを特徴とする動画像情報の編集方法。
【請求項４】
請求項３記載の動画像情報の編集方法において、前記動画像情報表示ウィンドウの所望の記述を選択し、該選択した記述に関連する仕込みウィンドウを前記ディスプレイ画面上に表示し、該表示された仕込みウィンドウの所望の項目の設定を変更することにより前記動画像情報を編集することを特徴とする動画像情報の編集方法。
【請求項５】
請求項２記載の動画像情報の編集方法において、
前記動画像情報を構成するオブジェクトについて前記動画像情報を変更するために、前記ディスプレイ画面に生成及び表示される画像中から所望のオブジェクトを選択し、該選択したオブジェクトに限定した設定メニューを表示し、表示された該設定メニューから所望の項目を選択することによって、前記仕込みウィンドウを表示し、前記動画像情報を編集することを特徴とする動画像情報の編集方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  超音波駆動信号に基づき超音波振動する超音波振動子を有するハンドピースを備える超音波手術装置において、
前記超音波振動子を超音波駆動するための超音波駆動信号を出力する超音波出力部と、
複数の前記ハンドピースを接続可能な複数の接続部と、
前記各接続部に装着される前記ハンドピースのそれぞれに対して超音波出力値を設定する設定部と、
前記各接続部に装着される前記ハンドピースのうち、特定のハンドピースを選択する選択手段と、
前記選択手段により選択されたハンドピースに対して、前記超音波出力部から出力する超音波駆動信号を選択的に切り替えて出力する出力切替部と、
前記選択手段により選択されたハンドピースについて前記設定部にて設定された前記超音波出力値に基づき、前記超音波出力部から出力する超音波駆動信号を制御する制御部と、
を有することを特徴とする超音波手術装置。
【請求項２】  超音波出力部が出力する超音波駆動信号に基づき超音波振動する超音波振動子を有するハンドピースにより生体組織を処置する超音波手術装置の超音波出力制御装置において、
複数の前記ハンドピースを接続可能な複数の接続部と、
前記各接続部に装着される前記ハンドピースのそれぞれに対して超音波出力値を設定する設定部と、
前記各接続部に装着される前記ハンドピースのうち、特定のハンドピースを選択する選択手段と、
前記選択手段により選択されたハンドピースに対して、前記超音波出力部から出力する超音波駆動信号を選択的に切り替えて出力する出力切替部と、
前記選択手段により選択されたハンドピースについて前記設定部にて設定された前記超音波出力値に基づき、前記超音波出力部から出力する超音波駆動信号を制御する制御部と、
を有することを特徴とする超音波手術装置の超音波出力制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明による超音波手術装置は、超音波駆動信号に基づき超音波振動する超音波振動子を有するハンドピースを備える超音波手術装置において、前記超音波振動子を超音波駆動するための超音波駆動信号を出力する超音波出力部と、複数の前記ハンドピースを接続可能な複数の接続部と、前記各接続部に装着される前記ハンドピースのそれぞれに対して超音波出力値を設定する設定部と、前記各接続部に装着される前記ハンドピースのうち、特定のハンドピースを選択する選択手段と、前記選択手段により選択されたハンドピースに対して、前記超音波出力部から出力する超音波駆動信号を選択的に切り替えて出力する出力切替部と、前記選択手段により選択されたハンドピースについて前記設定部にて設定された前記超音波出力値に基づき、前記超音波出力部から出力する超音波駆動信号を制御する制御部と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明による超音波手術装置の超音波出力制御装置は、超音波出力部が出力する超音波駆動信号に基づき超音波振動する超音波振動子を有するハンドピースにより生体組織を処置する超音波手術装置の超音波出力制御装置において、複数の前記ハンドピースを接続可能な複数の接続部と、前記各接続部に装着される前記ハンドピースのそれぞれに対して超音波出力値を設定する設定部と、前記各接続部に装着される前記ハンドピースのうち、特定のハンドピースを選択する選択手段と、前記選択手段により選択されたハンドピースに対して、前記超音波出力部から出力する超音波駆動信号を選択的に切り替えて出力する出力切替部と、前記選択手段により選択されたハンドピースについて前記設定部にて設定された前記超音波出力値に基づき、前記超音波出力部から出力する超音波駆動信号を制御する制御部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記足洗い場は、前記ペット同居型集合住宅の入口付近の共用部に設けられ、該共用部にはトリミングルームと愛玩動物用の汚物処理装置とが配設されていることを特徴とする請求項１８に記載のペット同居型集合住宅。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
請求項１９に記載の発明は、前記足洗い場は、前記ペット同居型集合住宅の入口付近の共用部に設けられ、該共用部にはトリミングルームと愛玩動物用の汚物処理装置とが配設されていることを特徴とする請求項１８に記載のペット同居型集合住宅である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
このように構成すれば、入口付近の共用部に設けられた足洗い場、トリミングルーム及び汚物処理装置を利用することにより、各自の居室に行くまでの間に、汚物を処理でき、また、犬の足を洗うことができる。また、ペットの体全体が汚れている場合には、トリミングルームで汚れを落とした後、各自の居室に行くことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（１）  該熱可塑性プラスチック粒子に白色度（Ｌ値）が５０以上の導電性材料を混合して焼結成形し、体積抵抗率が１０9 Ω・ｃｍ以下の多孔質フィルタとした。そのため、白色系の帯電防止型プラスチックフィルタで従来の黒色系の帯電防止型プラスチックフィルタと同等の性能が得られる。また、プラスチック粒子に混合する導電性材料の種類と量を多少変えるだけで、従来と同様な製法でプラスチックフィルタを製造できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の遊技を行い、遊技の進行に応じて遊技者に有利な遊技状態に制御可能な遊技機であって、
遊技の進行に応じて制御動作を行う遊技制御用マイクロコンピュータが搭載された遊技制御基板と、
遊技媒体の払出制御を行う賞球制御用マイクロコンピュータが搭載された賞球制御基板と、
遊技機が使用する所定電位電源の電圧低下を検出したことにより所定の割込信号を出力する電源監視手段とを備え、
前記電源監視手段は、前記割込信号を、１つの電源監視手段から前記遊技制御用マイクロコンピュータと前記賞球制御用マイクロコンピュータとに出力し、
前記遊技制御用マイクロコンピュータおよび前記賞球制御用マイクロコンピュータは、前記電源監視手段からの前記割込信号の入力に応じて、所定の電源断時処理を実行し、
前記遊技制御基板および前記賞球制御基板には、
前記電源監視手段からの割込信号を前記遊技制御用マイクロコンピュータおよび前記賞球制御用マイクロコンピュータに入力するための割込信号入力部が設けられているとともに、
前記割込信号入力部に前記割込信号を伝達する信号経路に乗ったノイズを除去するノイズ除去手段が設けられている
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
割込信号入力部は、マスク不能割込端子である
請求項１記載の遊技機。
【請求項３】
ノイズ除去手段はコンデンサを含む
請求項１または請求項２記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明による遊技機は、所定の遊技を行い、遊技の進行に応じて遊技者に有利な遊技状態に制御可能な遊技機であって、遊技の進行に応じて制御動作を行う遊技制御用マイクロコンピュータが搭載された遊技制御基板と、遊技媒体の払出制御を行う賞球制御用マイクロコンピュータが搭載された賞球制御基板と、遊技機が使用する所定電位電源の電圧低下を検出したことにより所定の割込信号を出力する電源監視手段とを備え、電源監視手段は、割込信号を、１つの電源監視手段から遊技制御用マイクロコンピュータと賞球制御用マイクロコンピュータとに出力し、遊技制御用マイクロコンピュータおよび賞球制御用マイクロコンピュータは、電源監視手段からの割込信号の入力に応じて、所定の電源断時処理を実行し、遊技制御基板および賞球制御基板には、電源監視手段からの割込信号を遊技制御用マイクロコンピュータおよび賞球制御用マイクロコンピュータに入力するための割込信号入力部が設けられているとともに、割込信号入力部に割込信号を伝達する信号経路に乗ったノイズを除去するノイズ除去手段が設けられていることを特徴とする。なお、ここでいうノイズには、信号伝達中に侵入するノイズの他に、例えば、電源低下に伴って現れる信号レベル変動等も含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０１】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、遊技機を、電源監視手段が、割込信号を、１つの電源監視手段から遊技制御用マイクロコンピュータと賞球制御用マイクロコンピュータとに出力し、遊技制御用マイクロコンピュータおよび賞球制御用マイクロコンピュータが、電源監視手段からの割込信号の入力に応じて、所定の電源断時処理を実行し、遊技制御基板および賞球制御基板には、電源監視手段からの割込信号を遊技制御用マイクロコンピュータおよび賞球制御用マイクロコンピュータに入力するための割込信号入力部が設けられているとともに、割込信号入力部に割込信号を伝達する信号経路に乗ったノイズを除去するノイズ除去手段が設けられている構成としたので、遊技制御用マイクロコンピュータおよび賞球制御用マイクロコンピュータに対して正確な割込信号を供給することができ、割込信号に応じて実行される電源断時処理がノイズによって誤って実行されてしまうようなことが防止される効果がある。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
軸筒が先軸と後軸とで構成され、この後軸の内孔に後軸に対し回転可能に配設されると共に前方に２箇所の突起部が形成された回転軸と、後軸の後端に突出した回転軸の後端部に固定された操作体と、後軸に対し操作体と回転軸が回転可能に、且つ、シャープペンシルが突出した状態で軸推移可能に保持されて、前記回転軸の突起部と係合する傾斜状のカム溝が夫々対向する内側に形成された一対の摺動コマが前記後軸の内孔に前後動のみ可能に案内され、前記操作体の回転に伴う回転軸の回転で夫々の摺動コマが交互に前後動して夫々の筆記体の筆記先端部が先軸先端口から出没可能となるように構成されたことを特徴とする上記請求項１または２記載の複式筆記具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ところで、上記摺動コマ１４ａ，１４ｂの先方で相対向する、後軸１の軸心側の側面に凹部２５ａ，２５ｂが設けられ、その凹部の前面にそれぞれ後方側に傾斜面を有したカム部１７ａ，１７ｂが形成されて、又、摺動コマの前進位置における凹部側面と同位置の直上で後軸１に窓部２４が穿設され、該窓部２４の後端に軸支され（軸支部２４ａ）先端部２６ｂが後軸の軸心側に可動するサイド釦２６が装着される。
又、サイド釦２６の後軸挿入側の両側面に適宜膨出状の係止部２６ａを形成して、係止部２６ａを窓部２４の後軸１内孔壁に係合させてサイド釦２６の窓部２４からの抜けが防止される。
この状態でサイド釦２６を押圧して後軸内に押し込むと、先端部２６ｂがカム部１７ａに衝接し、カム部の傾斜面に沿って摺動することで摺動コマ１４ａを前進させ、シャープペンシル筆記体２１ａを前進させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
先ず、図１はシャープペンシル筆記体２１ａを突出した状態を示しており、その状態に対応する回転軸と摺動コマの関係が図８となる。又、その時、後軸１のリブ１ａが回転軸の大径部７の溝７ａの当接部７ｃに当接して一方の回転規制がなされる。（図３に示す）
この状態でサイド釦２６を押圧して後軸内に押し込むと、先端部２６ｂがカム部１７ａに衝接して摺動コマ１４ａを前進させ、シャープペンシル筆記体２１ａを前進させる。押圧を解除すると元に戻る。従って、サイド釦２６の押圧．解除を繰り返すことで芯が繰り出される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
半導体基板上に設けられたフッ素ドープ酸化ケイ素薄膜であって、窒化物閉じこめ層を有し、大気中に１週間おいた後の誘電率変化Δｋが０．１未満であるフッ素ドープ酸化ケイ素薄膜。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スプリット・ゲート・メモリ装置であって：
主面を有する半導体材料の本体；
前記半導体材料本体内のソース領域；
前記半導体材料本体内のドレイン領域；
前記ソース領域を前記ドレイン領域から分離する、前記半導体材料本体内のチャネル領域；
前記ドレイン領域に隣接する前記チャネル領域の第１部分の上に存在する前記主面上の誘電層；
前記ソース領域に隣接する前記チャネル領域の第２部分の上に存在する前記主面上の誘電性積層部；
前記誘電層の上に存在する第１導電層であって、前記ドレイン領域に隣接する第１側壁と該第１側壁に対向する第２側壁とを有する第１導電層；
前記誘電性積層部の上に存在する第２導電層であって、前記ソース領域に隣接する第１側壁と該第１側壁に対向する第２側壁とを有する第２導電層；
前記第１導電層の前記第２側壁と前記第２導電層の前記第２側壁との間の前記主面上の絶縁層；および
前記第２導電層の上および前記第２導電層の前記第１側壁に隣接する前記主面の一部の上の誘電性スペーサであって、前記ソース領域は実質的に前記誘電性スペーサと整列しており、かつ前記ドレイン領域は実質的に前記第１導電層の前記第１側壁と整列している前記誘電性スペーサ；
を具備することを特徴とするスプリット・ゲート・メモリ装置。
【請求項２】
スプリット・ゲート・メモリ装置であって：
半導体材料の本体；
前記半導体材料本体内のソース領域；
前記半導体材料本体内のドレイン領域；
前記ソース領域を前記ドレイン領域から分離する、前記半導体材料本体内のチャネル領域；
前記チャネル領域の第１部分の上に存在する誘電層；
前記ソース領域に隣接する前記チャネル領域の第２部分の上に存在する酸化物−窒化物−酸化物層；
前記チャネル領域の前記第１部分の上に存在する第１導電層であって、第１側壁と該第１側壁に対向する第２側壁とを有する第１導電層；および
前記チャネル領域の前記第２部分の上に存在する導電性側壁スペーサであって、前記酸化物−窒化物−酸化物層の第１部分が前記導電性側壁スペーサと前記第１導電層の前記第２側壁との間に存在し、前記酸化物−窒化物−酸化物層の第２部分が前記導電性側壁スペーサと前記チャネル領域の前記第２部分との間に存在する、ところの導電性側壁スペーサ；
を具備することを特徴とするスプリット・ゲート・メモリ装置。
【請求項３】
スプリット・ゲート・メモリ装置であって：
半導体材料の本体；
前記半導体材料本体内のソース領域；
前記半導体材料本体内のドレイン領域；
前記ソース領域を前記ドレイン領域から分離する、前記半導体材料本体内のチャネル領域；
前記チャネル領域の第１部分の上に存在する誘電層；
前記ソース領域に隣接する前記チャネル領域の第２部分の上に存在する酸化物−窒化物−酸化物層；
前記チャネル領域の前記第１部分の上に存在する第１導電層であって、第１側壁と該第１側壁に対向する第２側壁とを有する第１導電層；
前記チャネル領域の前記第２部分の上に存在する第１導電性側壁スペーサであって、前記酸化物−窒化物−酸化物層の第１部分が前記第１導電性側壁スペーサと前記第１導電層の前記第２側壁との間に存在し、前記酸化物−窒化物−酸化物層の第２部分が前記第１導電性側壁スペーサと前記チャネル領域の前記第２部分との間に存在する、ところの第１導電性側壁スペーサ；および
前記第１導電層の前記第１側壁に隣接する第２導電性側壁スペーサ；
を具備することを特徴とするスプリット・ゲート・メモリ装置。
【請求項４】
スプリット・ゲート・メモリ装置であって：
半導体基板上で複数の列と複数の行とに配列されるメモリ・セルのアレイであって、前記アレイ内の各メモリ・セルは、
前記半導体基板内のソース領域，チャネル領域およびドレイン領域であって、前記チャネル領域が前記ソース領域を前記ドレイン領域から隔てる、ところのソース領域，チャネル領域およびドレイン領域と、
前記チャネル領域の第１部分の上に存在する第１誘電層と、
前記ソース領域に隣接する前記チャネル領域の第２部分の上に存在する第２誘電層と、
前記第２誘電層の上に存在する制御ゲートと、
前記第１誘電層の上に存在する選択ゲート、
とを備えるメモリ・セルのアレイ；
前記アレイ内の前記複数の列のうち第１列において各メモリ・セルの前記ドレイン領域に結合される第１ビット線；
前記アレイ内の前記複数の列のうち第２列において各メモリ・セルの前記ドレイン領域に結合される第２ビット線；
前記アレイ内の前記複数の行のうち第１行において各メモリ・セルの前記選択ゲートに結合される第１選択線；
前記アレイ内の前記複数の行のうち第２行において各メモリ・セルの前記選択ゲートに結合される第２選択線；
前記第１行内の各メモリ・セルの前記制御ゲートに結合される第１制御線；
前記第２行内の各メモリ・セルの前記制御ゲートに結合される第２制御線；および
前記第１行および前記第２行内の各メモリ・セルの前記ソース領域に結合されるソース線；
を具備することを特徴とするスプリット・ゲート・メモリ装置。
【請求項５】
スプリット・ゲート・メモリ装置であって：
半導体基板上で複数の列と複数の行とに配列されるメモリ・セルのアレイであって、前記アレイ内の各メモリ・セルは、
前記半導体基板内のソース領域，チャネル領域およびドレイン領域であって、前記チャネル領域が前記ソース領域を前記ドレイン領域から隔てる、ところのソース領域，チャネル領域およびドレイン領域と、
前記ドレイン領域に隣接する前記チャネル領域の第１部分の上に存在する第１誘電層と、
前記ソース領域に隣接する前記チャネル領域の第２部分の上に存在する酸化物―窒化物―酸化物誘電層と、
前記酸化物―窒化物―酸化物誘電層の上に存在する制御ゲートと、
前記第１誘電層の上に存在する選択ゲート、
とを備えるメモリ・セルのアレイ；
前記アレイ内の前記複数の列のうち第１列において各メモリ・セルの前記ドレイン領域に結合される第１ビット線；
前記アレイ内の前記複数の列のうち第２列において各メモリ・セルの前記ドレイン領域に結合される第２ビット線；
前記アレイ内の前記複数の行のうち第１行において各メモリ・セルの前記選択ゲートに結合される第１選択線；
前記アレイ内の前記複数の行のうち第２行において各メモリ・セルの前記選択ゲートに結合される第２選択線；
前記第１行内の各メモリ・セルの前記制御ゲートに結合される第１制御線；
前記第２行内の各メモリ・セルの前記制御ゲートに結合される第２制御線；および
前記第１行および前記第２行内の各メモリ・セルの前記ソース領域に結合されるソース線；
を具備することを特徴とするスプリット・ゲート・メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
絶縁トレンチを形成する次の工程：
半導体基板にトレンチを形成する工程、
トレンチに酸素イオンを注入する工程、
基板を加熱して、酸素が注入された箇所に酸化ケイ素を生成させる工程、および
トレンチに誘電層を充填する工程を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月28日(2004.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、第１の膜および第２の膜を形成する工程と、
前記第２の膜、第１の膜及び半導体基板の上部を選択的に除去して、第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝に第１の絶縁膜を埋め込み、素子分離領域を形成する工程と、
前記素子分離領域により囲まれた前記第２の膜をパターニングして、ダミーゲート層を形成する工程と、
前記ダミーゲート層をマスクとして用いて、前記半導体基板に不純物を導入する工程と、
前記ダミーゲート層および前記第１の絶縁膜により囲まれた前記半導体基板上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記ダミーゲート層および前記第１の膜を除去し、第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝内の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の溝内の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に、ゲート絶縁膜および第１の導電性膜を形成する工程と、
前記第１の導電性膜、ゲート絶縁膜および半導体基板の上部を選択的に除去して、第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝に第１の絶縁膜を埋め込み、素子分離領域を形成する工程と、
前記第１の導電性膜および素子分離領域上にダミー膜を形成する工程と、
前記ダミー膜および第１の導電性膜をパターニングして、島状層を形成する工程と、
前記島状層をマスクとして用いて、前記半導体基板に不純物を導入する工程と、
前記島状層および前記第１の絶縁膜により囲まれた前記ゲート絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記ダミー膜を除去し、第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝内の前記第１の導電性膜上に第２の導電性膜を形成し、前記第１の導電性膜および第２の導電性膜からなるゲート電極を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板に第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝に第１の絶縁膜を埋め込み、素子分離領域を形成する工程と、
前記素子分離領域により囲まれた半導体基板の表面に第１の膜および第２の膜を形成する工程と、
前記第２の膜をパターニングして、ダミーゲート層を形成する工程と、
前記ダミーゲート層をマスクとして用いて、前記半導体基板に不純物を導入する工程と、
前記ダミーゲート層および前記第１の絶縁膜により囲まれた前記第１の膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記ダミーゲート層およびその下の前記第１の膜の部分を除去し、第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝内の前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の溝内の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上にダミーゲート層を形成する工程と、
前記ダミーゲート層の側面にダミー側壁を形成する工程と、
全面に層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記層間絶縁膜を、前記ダミーゲート層の上面が露出するまで除去する工程と、
前記ダミーゲート層を除去し、溝を形成する工程と、
前記溝内にゲート電極を形成する工程と、
前記ダミー側壁を除去して空洞を形成する工程と、
前記空洞内を側壁材料で埋め、側壁を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の側面にダミー側壁を形成する工程と、
全面に層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記層間絶縁膜を、前記ゲート電極の上面が露出するまで除去する工程と、
前記ダミー側壁を除去して空洞を形成する工程と、
前記空洞内を側壁材料で埋め、側壁を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上にダミーゲート層を形成する工程と、
前記ダミーゲート層の側面に、ダミーゲート層を構成する材料との間で、エッチング選択性を有する側壁絶縁膜を形成する工程と、
全面に層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記層間絶縁膜を、前記ダミーゲート層の上面が露出するまで除去する工程と、
前記ダミーゲート層を除去し、溝を形成する工程と、
前記溝の底面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
底面にゲート絶縁膜が形成された前記溝内にゲート電極を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板と、
この半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
このゲート電極の側面に形成された、前記ゲート絶縁膜と同一の材料からなる絶縁層と、
この絶縁層側面に形成されたシリコン窒化膜と
を具備する半導体装置。
【請求項８】
半導体基板上に、第１のシリコン窒化膜からなるダミーゲートを形成する工程と、
全面に第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、
全面に第２のシリコン窒化膜を形成する工程と、
全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ダミーゲートが露出するまで、前記層間絶縁膜を研磨する工程と、
前記第１および第２のシリコン窒化膜の上部を除去して、第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝を第２のシリコン酸化膜で埋める工程と、
前記第２のシリコン酸化膜に異方性エッチングを施し、前記第２のシリコン窒化膜上に前記第２のシリコン酸化膜を残しつつ、前記ダミーゲートを露出させる工程と、
前記ダミーゲートを除去して、第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝の底面および側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
底面および側面にゲート絶縁膜が形成された第２の溝内にゲート電極を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体基板と、
この半導体基板上に形成された、高誘電体材料からなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
このゲート電極の側面に形成された、前記ゲート絶縁膜と同一の材料からなる絶縁層と、
この絶縁層側面に形成されたシリコン窒化膜と
を具備する半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板と、
この半導体基板上に形成された、高誘電体材料からなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
このゲート電極の側面に形成された、前記ゲート絶縁膜と同一の材料からなる絶縁層と、
前記半導体基板の表面領域に形成され、その上にシリサイド層を有するソース領域及びドレイン領域と
を具備する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月14日(2005.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
誘導放出光を発生する活性層と、活性層を挟んで異なる導電型を有するクラッド層を備え、レーザ発振を得るための共振器構造を備えた半導体レーザ装置であって、
前記活性層が少なくともＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを含む層からなり、前記クラッド層のうちでｐ型の導電型を示す層がＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓから成り、前記クラッド層のうちでｎ型の導電型を示す層がＡｌx2ＩｎyＧａ1-x2-yＰから成り、前記半導体レーザ装置を構成する各層のＡｌのＩＩＩ族比ｘ１，ｘ２（０≦ｘ１，ｘ２≦１）が０．０５以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
誘導放出光を発生する活性層と、活性層を挟んで異なる導電型を有するクラッド層を備え、レーザ発振を得るための共振器構造を備えた半導体レーザ装置であって、
前記活性層が少なくともＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを含む層からなり、前記クラッド層のうちでｐ型の導電型を示す層がＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓから成り、前記クラッド層のうちでｎ型の導電型を示す層が２層以上の多層から成っており、そのうちで最も活性層に隣接する層（第一ｎ型クラッド層）がＡｌx2ＩｎyＧａ1-x2-yＰから成っており、その次に隣接する層（第二ｎ型クラッド層）がＡｌx3Ｇａ1-x3Ａｓから成り、前記半導体レーザ装置を構成する各層のＡｌのＩＩＩ族比ｘ１，ｘ２，ｘ３（０≦ｘ１，ｘ２，ｘ３≦１）が０．０５以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
誘導放出光を発生する活性層と、活性層を挟んで異なる導電型を有するクラッド層を備え、レーザ発振を得るための共振器構造を備えた半導体レーザ装置であって、
前記活性層が少なくともＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを含む層からなり、前記クラッド層のうちでｐ型の導電型を示す層がＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦０．０５）から成り、前記クラッド層のうちでｎ型の導電型を示す層がＡｌx'Ｇａ1-x'Ａｓ（０≦ｘ’≦０．０５）から成り、前記ｎ型の導電型を示すクラッド層と前記活性層のうちの誘導放出光を発生する層との間に、引っ張り歪を有するＧａ1-hＩｎhＮkＡｓ1-k層（０≦ｈ＜１，０＜ｋ＜１）を少なくとも１層含む中間層を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項７から９のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、基板の導電型がｎ型であり、少なくともＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを含み圧縮歪を有する層を井戸層とする活性層を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】  請求項１においては、誘導放出光を発生する活性層と、活性層を挟んで異なる導電型を有するクラッド層を備え、レーザ発振を得るための共振器構造を備えた半導体レーザ装置であって、前記活性層が少なくともＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを含む層からなり、前記クラッド層のうちでｐ型の導電型を示す層がＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓから成り、前記クラッド層のうちでｎ型の導電型を示す層がＡｌx2ＩｎyＧａ1-x2-yＰから成り、前記半導体レーザ装置を構成する各層のＡｌのＩＩＩ族比ｘ１，ｘ２（０≦ｘ１，ｘ２≦１）が０．０５以下であることにより上記の目的を達成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２においては、誘導放出光を発生する活性層と、活性層を挟んで異なる導電型を有するクラッド層を備え、レーザ発振を得るための共振器構造を備えた半導体レーザ装置であって、前記活性層が少なくともＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを含む層からなり、前記クラッド層のうちでｐ型の導電型を示す層がＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓから成り、前記クラッド層のうちでｎ型の導電型を示す層が２層以上の多層から成っており、２層以上の多層のｎ型クラッド層のうちで最も活性層に隣接する層（第一ｎ型クラッド層）がＡｌx2ＩｎyGa1-x2-yＰから成っており、その次に隣接する層（第二ｎ型クラッド層）がＡｌx3Ｇａ1-x3Ａｓから成り、前記半導体レーザ装置を構成する各層のＡｌのＩＩＩ族比ｘ１，ｘ２，ｘ３（０≦ｘ１，ｘ２，ｘ３≦１）が０．０５以下であることにより上記の目的を達成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項７においては、誘導放出光を発生する活性層と、活性層を挟んで異なる導電型を有するクラッド層を備え、レーザ発振を得るための共振器構造を備えた半導体レーザ装置であって、前記活性層が少なくともＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを含む層からなり、前記クラッド層のうちでｐ型の導電型を示す層がＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦０．０５）から成り、前記クラッド層のうちでｎ型の導電型を示す層がＡｌx'Ｇａ1-x'Ａｓ（０≦ｘ’≦０．０５）から成り、前記ｎ型の導電型を示すクラッド層と前記活性層のうちの誘導放出光を発生する層との間に、引っ張り歪を有するＧａ1-hＩｎhＮkＡｓ1-k層（０≦ｈ＜１，０＜ｋ＜１）を少なくとも１層含む中間層を備えたことにより上記の目的を達成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項１０においては、請求項７から９のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、基板の導電型がｎ型であり、少なくともＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを含み圧縮歪を有する層を井戸層とする活性層を備えたことにより上記の目的を達成する。