【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面と、その反対側の他方主面と、側面部とを有し、前記一方主面のうち活性領域が形成される部分である中央部が規定され、前記一方主面のうち前記中央部の周辺領域と前記側面部とを含む部分である端縁部が規定される半導体基板の処理方法であって、
前記半導体基板は、ＳＩＭＯＸ法で形成されたＳＯＩ基板であって、
前記一方主面の表面内には、順に積層形成された埋め込み酸化膜およびＳＯＩ層を備え、
前記端縁部にシリコンイオンを注入することで、前記埋め込み酸化膜のうち、前記端縁部内に形成された部分を消失させることを特徴とする、半導体基板の処理方法。
【請求項２】
前記シリコンイオンの注入は、
前記端縁部側から、前記ＳＯＩ基板の径方向に前記シリコンイオンを注入する工程を含む、請求項１記載の半導体基板の処理方法。
【請求項３】
前記シリコンイオンの注入は、
前記一方主面の中央部に注入マスクを形成し、前記ＳＯＩ基板の前記端縁部側および前記一方主面側から前記シリコンイオンを注入する工程を含む、請求項１記載の半導体基板の処理方法。
【請求項４】
一方主面と、その反対側の他方主面と、側面部とを有し、前記一方主面のうち活性領域が形成される部分である中央部が規定され、前記一方主面のうち前記中央部の周辺領域と前記側面部とを含む部分である端縁部が規定される半導体基板の処理方法であって、
(ａ)前記半導体基板の前記端縁部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
(ｂ)前記絶縁膜が形成された前記半導体基板の前記一方主面側から酸素イオン注入を行って、ＳＩＭＯＸ法により前記一方主面の表面内に、埋め込み酸化膜およびＳＯＩ層を順に積層形成する工程と、
(ｃ)前記絶縁膜を除去する工程とを備え、
前記埋め込み酸化膜が前記端縁部の最端まで主面に平行に存在するＳＯＩ基板を形成することを特徴とする、半導体基板の処理方法。
【請求項５】
前記絶縁膜は、その最大厚さ部分の厚さが、前記埋め込み酸化膜および前記ＳＯＩ層の厚さの合計以上となるように形成され、
前記工程(ａ)は、
前記絶縁膜として、熱酸化法により熱酸化膜を形成する工程を有する、請求項４記載の半導体基板の処理方法。
【請求項６】
前記絶縁膜は、その最大厚さ部分の厚さが、前記埋め込み酸化膜および前記ＳＯＩ層の厚さの合計以上となるように形成され、
前記工程(ａ)は、
前記絶縁膜として、減圧ＣＶＤ法によりＴＥＯＳ膜を形成する工程を有する、請求項４記載の半導体基板の処理方法。
【請求項７】
一方主面と、その反対側の他方主面と、側面部とを有し、前記一方主面のうち活性領域が形成される部分である中央部が規定され、前記一方主面のうち前記中央部の周辺領域と前記側面部とを含む部分である端縁部が規定される半導体基板の処理方法であって、
(ａ)前記半導体基板の前記端縁部を覆うようにドープトポリシリコン層を形成する工程と、
(ｂ)前記ドープトポリシリコン層が形成された前記半導体基板の前記一方主面側から酸素イオン注入を行って、ＳＩＭＯＸ法により前記一方主面の表面内に、埋め込み酸化膜およびＳＯＩ層を順に積層形成するとともに、前記ドープトポリシリコン層のうち少なくとも前記一方主面側に、その表面から内部にかけて保護酸化膜を形成する工程とを備える、半導体基板の処理方法。
【請求項８】
前記ドープトポリシリコン層は、前記端縁部における最大厚さ部分の厚さが、前記埋め込み酸化膜および前記ＳＯＩ層の厚さの合計以上となるように形成され、前記工程(ａ)は、
前記半導体基板の前記他方主面上にも前記ドープトポリシリコン層を形成する工程を有する、請求項７記載の半導体基板の処理方法。
【請求項９】
一方主面と、その反対側の他方主面と、側面部とを有し、前記一方主面のうち活性領域が形成される部分である中央部が規定され、前記一方主面のうち前記中央部の周辺領域と前記側面部とを含む部分である端縁部が規定される半導体基板の処理方法であって、
(ａ)前記半導体基板の前記一方主面側から、全面に渡る第１の酸素イオン注入を行う工程と、
(ｂ)前記半導体基板の前記一方主面側から、前記端縁部に選択的に第２の酸素イオン注入を行う工程と、
(ｃ)アニール処理によって、前記第１および第２の酸素イオン注入によって注入された酸素イオンを拡散させて、前記中央部および前記端縁部に、それぞれ埋め込み酸化膜および保護酸化膜を形成するとともに、前記埋め込み酸化膜上部にＳＯＩ層を形成する工程とを備え、
前記第２の酸素イオン注入は、前記第１の酸素イオン注入よりも浅い位置に注入ピークが設定され、
前記保護酸化膜は、前記端縁部のうち少なくとも前記一方主面側に、その表面から内部にかけて形成されることを特徴とする、半導体基板の処理方法。
【請求項１０】
前記工程(ｃ)は、
前記工程(ｂ)の前に行われる第１のアニール処理によって、前記埋め込み酸化膜および前記ＳＯＩ層を形成する工程と、
前記工程(ｂ)の後に行われる第２のアニール処理によって、前記保護酸化膜を形成する工程とを有する、請求項９記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１１】
一方主面と、その反対側の他方主面と、側面部とを有し、前記一方主面のうち活性領域が形成される部分である中央部が規定され、前記一方主面のうち前記中央部の周辺領域と前記側面部とを含む部分である端縁部が規定される半導体基板の処理方法であって、
前記半導体基板は、ＳＩＭＯＸ法で形成されたＳＯＩ基板であって、
前記一方主面の表面内には、順に積層形成された埋め込み酸化膜およびＳＯＩ層を備え、
真空中において前記端縁部に上部からレーザ光を照射することで、前記端縁部のうち少なくとも前記一方主面側に、前記ＳＯＩ層と埋め込み酸化膜とが混ざり合った溶融層を形成することを特徴とする、半導体基板の処理方法。
【請求項１２】
一方主面上に順に積層形成された基板上酸化膜およびＳＯＩ層を備えた半導体基板の処理方法であって、
真空中において前記基板上酸化膜および前記ＳＯＩ層の端縁部に、上部からレーザ光を照射することで、前記端縁部に、前記ＳＯＩ層と基板上酸化膜とが混ざり合った溶融層を形成することを特徴とする、半導体基板の処理方法。
【請求項１３】
(ａ)第１の半導体基板の主面上に、基板上酸化膜および該基板上酸化膜よりも外形寸法の大きな第２の半導体基板が順に積層された積層体を貼り合わせ法により形成する工程と、
(ｂ)前記第２の半導体基板を上部から押下げて、前記第１の半導体基板の主面の上部に張り出した前記第２の半導体基板の主面を、前記第１の半導体基板の主面上に密着させ、貼り合わせ法により前記第１および第２の半導体基板を接合する工程と、
(ｃ)前記第２の半導体基板を所定の厚さに研磨してＳＯＩ層を形成する工程とを備えた、半導体基板の処理方法。
【請求項１４】
一方主面と、その反対側の他方主面と、側面部とを有し、前記一方主面のうち活性領域が形成される部分である中央部が規定され、前記一方主面のうち前記中央部の周辺領域と前記側面部とを含む部分である端縁部が規定される半導体基板であって、
前記一方主面内には、順に積層形成された埋め込み酸化膜およびＳＯＩ層を備え、
前記端縁部には、前記端縁部を覆うように形成されたドープトポリシリコン層を備え、
前記ドープトポリシリコン層のうち少なくとも前記一方主面側には、その表面から内部にかけて形成された保護酸化膜を備える、半導体基板。
【請求項１５】
前記ドープトポリシリコン層は、前記端縁部における最大厚さ部分の厚さが、前記埋め込み酸化膜および前記ＳＯＩ層の厚さの合計以上であって、
前記ドープトポリシリコン層は前記他方主面上にも形成される、請求項１４記載の半導体基板。
【請求項１６】
一方主面と、その反対側の他方主面と、側面部とを有し、前記一方主面のうち活性領域が形成される部分である中央部が規定され、前記一方主面のうち前記中央部の周辺領域と前記側面部とを含む部分である端縁部が規定される半導体基板であって、
前記一方主面内には、順に積層形成された埋め込み酸化膜およびＳＯＩ層を備え、
前記端縁部のうち少なくとも前記一方主面側には、その表面から内部にかけて形成された保護酸化膜を備える、半導体基板。
【請求項１７】
一方主面と、その反対側の他方主面と、側面部とを有し、前記一方主面のうち活性領域が形成される部分である中央部が規定され、前記一方主面のうち前記中央部の周辺領域と前記側面部とを含む部分である端縁部が規定される半導体基板であって、
前記一方主面内には、順に積層形成された埋め込み酸化膜およびＳＯＩ層を備え、
前記端縁部のうち少なくとも前記一方主面側に、前記ＳＯＩ層と埋め込み酸化膜とが混ざり合って形成された溶融層を備える、半導体基板。
【請求項１８】
一方主面上に順に積層形成された基板上酸化膜およびＳＯＩ層を備えた半導体基板であって、
少なくとも前記基板上酸化膜および前記ＳＯＩ層の端縁部に、該端縁部を覆うように前記ＳＯＩ層と前記基板上酸化膜とが混ざり合って形成された溶融層を備える、半導体基板。
【請求項１９】
一方主面上に順に積層形成された基板上酸化膜およびＳＯＩ層を備えた半導体基板であって、
少なくとも前記基板上酸化膜および前記ＳＯＩ層の端縁部に、該端縁部を覆うように形成されたエピタキシャル層を備える、半導体基板。
【請求項２０】
前記保護酸化膜は、
前記ドープトポリシリコン層の前記一方主面側の端縁部に、表面から前記埋め込み酸化膜にかけて形成される、請求項１４記載の半導体基板。
【請求項２１】
前記保護酸化膜は、
前記半導体基板の前記一方主面側の前記端縁部のみに形成され、前記ＳＯＩ層の端面に係合するとともに、前記埋め込み酸化膜に連続する、請求項１６記載の半導体基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
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