【手続補正書】
【提出日】平成15年10月27日(2003.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン、GaAs、リン化インジウム、炭化珪素、窒化珪素、Ge：Si又は単結晶サファイア基板をレーザ処理するに当って、
５ｋHzよりも大きいパルス繰返し周波数で１００μＪよりも大きい出力パルスエネルギーを有する第１レーザシステム出力を４００ｎｍよりも短い波長で発生させる工程と、
前記第１レーザシステム出力を前記基板上の目標位置に指向させ、この目標位置における基板材料を、この基板材料の表面を横切る方向で２５μｍよりも小さくなる第１スポット面積をもって除去する工程と、
５ｋHzよりも大きいパルス繰返し周波数で１００μＪよりも大きい出力パルスエネルギーを有する第２レーザシステム出力を発生させる工程と、
前記第２レーザシステム出力を、基板材料の表面を横切る方向で２５μｍよりも小さくなる第２スポット面積をもって第２目標位置に当るように指向させ、第２スポット面積は第１スポット面積を少なくとも部分的にオーバーラップするようにする工程と
を有するレーザ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザ処理方法において、前記第１及び第２レーザシステム出力の双方又はいずれか一方に対し殆ど非反射性の表面材料を有するチャックにより基板材料を支持するレーザ処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載のレーザ処理方法において、前記基板材料が裏面を有し、前記チャックの表面材料が基板材料の裏面へのレーザ損傷を殆ど生ぜしめないようにするレーザ処理方法。
【請求項４】
請求項２に記載のレーザ処理方法において、チャックの表面材料は前記第１及び第２レーザシステム出力の双方又はいずれか一方をほぼ完全に透過するようにするレーザ処理方法。
【請求項５】
請求項２に記載のレーザ処理方法において、チャックの表面材料は第１及び第２レーザシステム出力の双方又はいずれか一方のレーザ波長に対しほぼ完全な吸収性を呈するようにするレーザ処理方法。
【請求項６】
請求項１に記載のレーザ処理方法において、前記第１及び第２レーザシステム出力は互いに異なるレーザにより発生させるレーザ処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載のレーザ処理方法において、前記第１及び第２レーザシステム出力は互いに異なる波長を有するようにするレーザ処理方法。
【請求項８】
請求項１に記載のレーザ処理方法において、前記第１及び第２レーザシステム出力は双方とも同じレーザにより発生させるレーザ処理方法。
【請求項９】
請求項２に記載のレーザ処理方法において、前記第１及び第２レーザシステム出力は互いに異なるレーザにより発生させるレーザ処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のレーザ処理方法において、前記第１及び第２レーザシステム出力は互いに異なる波長を有するようにするレーザ処理方法。
【請求項１１】
請求項１に記載のレーザ処理方法において、基板材料の深さを１００μｍよりも浅くするとともに、レーザシステム出力の流束量を２０Ｊ／cm2 よりも大きくするレーザ処理方法。
【請求項１２】
請求項１に記載のレーザ処理方法において、基板材料の深さを１００μｍよりも深くするとともに、レーザシステム出力の流束量を１００Ｊ／cm2 よりも大きくするレーザ処理方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のレーザ処理方法において、基板材料の深さを３００μｍよりも深くするレーザ処理方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のレーザ処理方法において、前記第１及び第２レーザシステム出力の双方又はいずれか一方が３６０μＪよりも大きい出力パルスエネルギーを有するようにするレーザ処理方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載のレーザ処理方法において、前記第１及び第２レーザシステム出力の双方又はいずれか一方を１０ｋHzよりも大きいパルス繰返し周波数で発生させるレーザ処理方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のレーザ処理方法において、更に、
低速及び高速運動制御信号を位置決め信号プロセッサから生ぜしめる工程と、
低速運動制御信号に応答して低速ポジショナドライバを用い、並進ステージの大きな相対運動範囲を制御する工程と、
高速運動制御信号に応答して高速ポジショナドライバを用い、高速ポジショナの小さな相対運動範囲を制御して基板材料の表面上でのカッテイングプロファイルを有効にする工程と
を具えるレーザ処理方法。
【請求項１７】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のレーザ処理方法において、更に、
少なくとも５０μｍの厚さの基板材料を通る貫通孔を形成し、この貫通孔のアスペクト比を２０：１よりも大きくするレーザ処理方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載のレーザ処理方法において、前記第１及び第２レーザシステム出力の双方又はいずれか一方が少なくとも５つのレーザシステム出力パルスを有するようにするレーザ処理方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載のレーザ処理方法において、基板材料の前面上にレーザシステム出力を照射し、その裏面に至る貫通孔を形成し、このレーザ処理方法は更に、
基板の裏面における貫通孔の特徴を用いて、基板材料の裏面上の処理を実行するための装置のアライメントを行なう工程
を有するレーザ処理方法。
【請求項２０】
請求項１７に記載のレーザ処理方法において、少なくとも２つの貫通孔を形成し、これら双方の貫通孔を用いて他の処理のための基板材料の裏面のアライメントを行なうレーザ処理方法。
【請求項２１】
請求項１７に記載のレーザ処理方法において、基板の前面上にレーザシステム出力を照射し、その裏面に至る貫通孔を形成し、この際、孔を開けた表面材料を有するチャックにより基板を支持し、前記孔の上で貫通孔処理を行なうレーザ処理方法。
【請求項２２】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のレーザ処理方法において、更に、
長さ方向のサイズがスポットサイズよりも大きな切溝を形成する工程
を有するレーザ処理方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載のレーザ処理方法において、レーザシステム出力は、溶融によるリップ部の形成を抑止する特性とするレーザ処理方法。
【請求項２４】
請求項２２に記載のレーザ処理方法において、レーザシステム出力は、スラグの形成を抑止する特性とするレーザ処理方法。
【請求項２５】
請求項２２に記載のレーザ処理方法において、レーザシステム出力は、切溝のエッジのピールバックを抑止する特性とするレーザ処理方法。
【請求項２６】
請求項２２に記載のレーザ処理方法において、レーザシステム出力は、切溝のエッジに沿うチップアウトを抑止する特性とするレーザ処理方法。
【請求項２７】
請求項２２に記載のレーザ処理方法において、更に、
５ｋHzよりも大きいパルス繰返し周波数で１００μＪよりも大きい出力パルスエネルギーを有する順次のレーザシステム出力を、４００ｎｍよりも短い波長で発生させる工程と、
前記順次のレーザシステム出力を、基板材料の表面を横切る方向で２５μｍよりも小さくなるスポット面積をもって順次の目標位置に当るように指向させ、順次のスポット面積はそれぞれ前のスポット面積を少なくとも部分的にオーバーラップさせて、切溝を形成するようにする工程と
を具えるレーザ処理方法。
【請求項２８】
請求項２２に記載のレーザ処理方法において、前記切溝は曲線状のプロファイルを有するようにするレーザ処理方法。
【請求項２９】
請求項２２に記載のレーザ処理方法において、基板材料には底部を有する深い切溝を形成し、これら深い切溝により装置を区切るがこれら深い切溝の底部に充分な厚さの基板材料を保って装置を連結し、更に、レーザシステム出力を採用して装置を分断する工程を有するレーザ処理方法。
【請求項３０】
請求項２２に記載のレーザ処理方法において、基板材料をチャックにより支持し、基板材料が有する深さを貫通させて切溝を延在させ、この際、チャックに孔を開け、この孔の上で貫通切溝処理を行なうレーザ処理方法。
【請求項３１】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のレーザ処理方法において、更に、
ワークピースの第１表面上の第１特徴部を識別する工程と、
この第１表面上の第１特徴部に対するレーザシステムの第１目標位置のアライメントを行ない、この第１目標位置が前記第１表面上でワークピースの素子の意図する側に近接するようにするアライメント工程と、
第１目標位置で第１表面をこれと直線的に照射するように１つ以上の第１レーザシステム出力を指向させ、第１切溝を基板材料の深さよりも浅い切溝深さまで形成する工程と、
第１表面又は第２表面上の第２特徴部に対するレーザシステムの第２目標位置のアライメントを行ない、この第２目標位置が前記第２表面上でワークピースの素子の意図する側に近接するとともに第１目標位置と同じ平面内にあるようにするアライメント工程と、
第２目標位置で第２表面をこれと直線的に照射するように１つ以上の第２レーザシステム出力を指向させ、第２切溝を第１切溝と同じ平面内で形成し、ワークピースの素子の意図する側を規定する貫通カッティングを形成する工程と
を具えるレーザ処理方法。
【請求項３２】
請求項３１に記載のレーザ処理方法において、前記第１及び第２特徴部は、それぞれ基板材料の深さ全体に亙ってレーザにより孔開けされて第１及び第２表面の双方に現れた貫通孔を有するようにするレーザ処理方法。
【請求項３３】
ワークピースのシリコン、GaAs、リン化インジウム、炭化珪素、窒化珪素、Ge：Si又は単結晶サファイア基板を処理するレーザシステムであって、
レーザシステム出力に対しほぼ完全に非反射性である表面材料を有するチャックを具える又は支持する並進ステージを持ち、ツールとワークピースとの間の大きな範囲の相対運動を達成する低速ポジショナと、
レーザシステム出力とワークピースとの間の小さな範囲の相対運動を達成する高速ポジショナと、
位置決め命令から低速及び高速運動制御信号を取出す位置決め信号プロセッサと、
低速運動制御信号に応答して並進ステージの大きな範囲の相対運動を制御する低速ポジショナドライバと、
高速運動制御信号に応答して高速ポジショナの小さな範囲の相対運動を制御する高速ポジショナドライバと、
レーザシステム出力を発生する共振器と
を具えるレーザシステム。
【請求項３４】
請求項３３に記載のレーザシステムにおいて、チャックの表面材料はレーザシステム出力をほぼ完全に透過するようになっているレーザシステム。
【請求項３５】
請求項３３に記載のレーザシステムにおいて、チャックの表面材料はレーザシステム出力のレーザ波長に対しほぼ完全な吸収性を呈するようになっているレーザシステム。
【請求項３６】
請求項３３に記載のレーザシステムにおいて、高速ポジショナドライバにより、曲線状のプロファイルを有する切溝の製造を容易にしてあるレーザシステム。
【請求項３７】
請求項３３に記載のレーザシステムにおいて、前記第１及び第２レーザシステム出力を互いに異なるレーザにより発生させるようにしたレーザシステム。
【請求項３８】
請求項３７に記載のレーザシステムにおいて、前記第１及び第２レーザシステム出力を互いに異なる波長を有するようにしたレーザシステム。
【請求項３９】
請求項３３〜３８のいずれか一項に記載のレーザシステムにおいて、基板材料の深さを１００μｍよりも浅くするとともに、レーザシステム出力の流束量を２０Ｊ／cm2 よりも大きくしたレーザシステム。
【請求項４０】
請求項３３〜３８のいずれか一項に記載のレーザシステムにおいて、基板材料の深さを１００μｍよりも深くするとともに、レーザシステム出力の流束量を１００Ｊ／cm2 よりも大きくしたレーザシステム。