【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書【発明の名称】  積層コンデンサ及びその製造方法【特許請求の範囲】    【請求項１】  樹脂蒸着により形成される誘電体層と金属電極が複数層順次積層された積層コンデンサであって、金属電極相互は、交互に電気絶縁部を有し、電気絶縁部により生ずる金属電極の凹部を誘電体層で覆い平坦化したことを特徴とする積層コンデンサ。    【請求項２】  金属電極の電気絶縁部に積層される誘電体の積層位置が、隣接する電気絶縁部分の積層位置と異なるように複数層積層したことを特徴とする請求項１記載の積層コンデンサ。    【請求項３】  電気絶縁部分の積層位置を周期的に変更したことを特徴とする請求項２記載の積層コンデンサ。    【請求項４】  同一真空槽内で、一定方向に回転するキャンローラ表面に誘電体層を形成する樹脂蒸着工程と、樹脂蒸着により形成された誘電体層表面の電気絶縁体相当部分にパターンニング材料を付与し、電気絶縁部分を形成するパターンニング付与工程と、電気絶縁部分を除く誘電体層表面に、金属電極層を形成する金属蒸着工程と、上記各工程を繰り返して形成した積層体の電気絶縁部分により生ずる凹部を平坦化する平坦化工程を備えたことを特徴とする積層コンデンサの製造方法。    【請求項５】  樹脂蒸着工程において、キャンローラ表面に樹脂蒸発源より蒸発される反応性モノマー樹脂を堆積させ、堆積されたモノマー樹脂を硬化させて薄膜を形成し、硬化処理された反応性モノマー樹脂を表面処理手段により活性化して、金属薄膜との接着性を向上させ、金属蒸着工程において、キャンローラ表面に金属蒸着源より金属を蒸着させ、蒸着された金属を表面処理により、樹脂との接着性を向上させることを特徴とする請求項４記載の積層コンデンサの製造方法。    【請求項６】  樹脂蒸発源及び金属蒸着源はシャッターを備え、任意間隔で樹脂堆積または金属蒸着を行うことを特徴とする請求項５記載の積層コンデンサの製造方法。    【請求項７】  平坦化工程は、金属蒸着源をシャッターで仕切り、樹脂蒸発源で樹脂を積層し、次に、樹脂蒸発源をシャッターで仕切り、樹脂表面処理手段により、酸素プラズマでエッチングし、電気絶縁部分により生ずる凹部を埋めて平坦化することを特徴とする請求項６記載の積層コンデンサの製造方法。    【請求項８】  平坦化工程は、金属蒸着源をシャッターで仕切り、樹脂蒸発源で樹脂を積層し、次に、樹脂蒸発源をシャッターで仕切り、樹脂表面処理手段により、アルゴンプラズマで逆スパッタリングし、電気絶縁部分により生ずる凹部を埋めて平坦化をすることを特徴とする請求項６記載の積層コンデンサの製造方法。    【請求項９】  平坦化工程は、樹脂蒸発源をシャッターで、また、金属蒸着源をパターン付きシャッターで仕切って、パターン部から蒸着する金属で電気絶縁部分により生ずる凹部を埋めて平坦化することを特徴とする請求項６記載の積層コンデンサの製造方法。    【請求項１０】  キャンローラ表面に積層される円筒状積層体を半径方向に分割して取り出し、加熱プレスで得られた平板状積層体を切断してチップコンデンサを製造したことを特徴とする請求項４〜９いずれかに記載の積層コンデンサの製造方法。【発明の詳細な説明】      【０００１】    【発明の属する技術分野】  ���発明は、誘電体層と金属薄膜層とからなる積層コンデンサとその製造方法に関するものである。      【０００２】    【従来の技術】  近年、電子部品に対して、小型化、高性能化が強く要求されてきており、この要求はコンデンサに対しても例外ではない。コンデンサの容量は、誘電体の誘電率が同一であれば、誘電体の面積に比例し、誘電体層の厚みの二乗に反比例する。従って、コンデンサを小型化しつつ、その容量を維持もしくは増大させるためには、誘電体層の厚みを薄くし、また、容量発生部分の有効面積を増大させることが有効な手段である。      【０００３】  誘電体層と金属薄膜層とからなるコンデンサ等に使用される積層体としては、フィルムコンデンサ用の積層体が知られている。これは、ポリエステル（ＰＥＮ、ＰＥＴ等）、ポリオレフィン（ＰＰ等）、ＰＰＳ等の樹脂フィルムに、アルミニウム等の金属薄膜を真空蒸着法、スパッタリング法等で積層した金属化フィルムを積層又は巻回したものである。      【０００４】  しかしながら、樹脂フィルムの厚みは、その製造工程上、もしくはフィルムの取り扱い、加工等の要因により制約され、その薄膜化には限界がある。現在使用されているフィルムコンデンサ用のフィルム厚みは、せいぜい１．２μｍ程度までである。従って、コンデンサの容量をさらに増大させるためには、容量発生部分の有効面積を増大させること、即ち、積層又は巻回数を増大させる必要がある。しかしながら、フィルムコンデンサでは、小形化と高容量化を高次元で両立することは限界に達しているのが現状である。      【０００５】  一方、誘電体層と金属薄膜層とからなる積層体においては、従来のフィルムコンデンサとは全く別の製造方法により、誘電体層の厚みを１μｍ程度にしたコンデンサ用積層体が提案されている（Ｕ．Ｓ．Ｐ．５，１２５，１３８）。該積層体は、従来の積層型フィルムコンデンサ用積層体と同様に、誘電体樹脂層と金属薄膜層とを順次積層した積層構成をとりながら、これを１０００層以上積層し、厚さ数ｍｍ程度にしたものである。図６に該方法で作成したコンデンサの模式図を示す。内部電極１１と誘電体層１２が順次積層されており、内部電極１１には１層おきに電気絶縁部分１３が存在する。これに外部電極４１を形成することで積層コンデンサが形成されている。      【０００６】    【発明が解決しようとする課題】  しかしながら、本発明者らの検討によれば、かかる積層体を用いて、従来の積層型フィルムコンデンサ用積層体と同様の手法でコンデンサを製造しようとすると種々の問題が発生することが判明した。      【０００７】  例えば、積層コンデンサの製造過程で電気絶縁部分１３が形成されるが、電気絶縁部分１３には金属層が存在しないため、図７の電気絶縁部分の拡大図に示すごとく、積層数の増加に伴い内部に凹凸が生じ、最終的には図８に示すように、電気絶縁部分１３が大きく窪んだ形状となり、結果的に内部電極１１が切断された状態または層間で短絡した状態となり、コンデンサとして機能しなくなることが判明した。      【０００８】  そして、これらの問題は、誘電体層の厚みを従来のフィルムコンデンサでは実現できなかったような厚みにまで薄くすれば、より一層顕著に発生することが判明した��これらの問題は、上記の積層体をコンデンサに使用して、小形化・高容量化を達成するためには避けることができない課題である。      【０００９】  そこで、本発明の目的は、誘電体樹脂層と金属薄膜層とを順次積層した積層コンデンサの電気絶縁部分により生ずる凹部を平坦化し、小形化・高容量化を高次元で実現できる積層コンデンサを提供することにある。      【００１０】    【課題を解決するための手段】  本発明は、上記の目的を達成するために、以下の構成とする。即ち、本発明の積層コンデンサは、樹脂蒸着により形成される誘電体層と金属電極が複数層順次積層された積層コンデンサであって、金属電極相互は、交互に電気絶縁部を有し、電気絶縁部により生ずる金属電極の凹部を誘電体層で覆い平坦化したことを特徴とするものである。また、本発明の積層コンデンサの製造方法は、同一真空槽内で、一定方向に回転するキャンローラ表面に誘電体層を形成する樹脂蒸着工程と、樹脂蒸着により形成された誘電体層表面の電気絶縁体相当部分にパターンニング材料を付与し、電気絶縁部分を形成するパターンニング付与工程と、電気絶縁部分を除く誘電体層表面に、金属電極層を形成する金属蒸着工程と、上記各工程を繰り返して形成した積層体の電気絶縁部分により生ずる凹部を平坦化する平坦化工程を備えたものである。      【００１１】  本発明の積層コンデンサは、電気絶縁部分が平坦であり、コンデンサとして使用した場合には、小型化・高容量化を高次元で実現することができる。      【００１２】    【発明の実施の形態】  本発明の請求項１に記載の発明は、樹脂蒸着により形成される誘電体層と金属電極が複数層順次積層された積層コンデンサであって、金属電極相互は、交互に電気絶縁部を有し、電気絶縁部により生ずる金属電極の凹部を誘電体層で覆い平坦化したことを特徴とする積層コンデンサであり、本発明の積層コンデンサは、電気絶縁部分により生ずる凹部を誘電体層で覆って平坦にしたので、コンデンサとして使用した場合には、凹部が原因となる内部電極の切断や短絡の発生を防止でき、コンデンサの小型化・高容量化を高次元で実現することができる作用を有する。      【００１３】  請求項２に記載の発明は、誘電体に積層される金属電極の電気絶縁部に積層される誘電体の積層位置が、隣接する電気絶縁部分の積層位置と異なるように複数層積層したことを特徴とするもので、電気絶縁部分の位置を異なるように積層することによって、凹部の発生位置を分散できるため、凹部が原因となる内部電極の切断や短絡の発生をより一層防止できる作用を有する。      【００１４】  請求項３に記載の発明は、電気絶縁部分の積層位置を周期的に変更したことを特徴とするもので、請求項２に記載の発明と同じ作用を有する。      【００１５】  請求項４に記載の発明は、同一真空槽内で、一定方向に回転するキャンローラ表面に誘電体層を形成する樹脂蒸着工程と、樹脂蒸着により形成される誘電体層表面の電気絶縁体相当部分にパターンニング材料を付与し、電気絶縁部分を形成するパターンニング付与工程と、電気絶縁部分を除く誘電体層表面に、金属電極層を形成する金属蒸着工程と、上記各工程を繰り返して形成した積層体の電気絶縁部分により生ずる凹部を平坦化す���平坦化工程を備えたことを特徴とする積層コンデンサの製造方法で、本発明により製造される積層コンデンサは、電気絶縁部分により生ずる凹部を平坦にしたので、コンデンサとして使用した場合には、凹部が原因となる内部電極の切断や短絡の発生を防止でき、コンデンサの小型化・高容量化を高次元で実現することができる作用を有する。      【００１６】  請求項５に記載の発明は、樹脂蒸着工程において、キャンローラ表面に樹脂蒸発源より蒸発される反応性モノマー樹脂を堆積させ、堆積されたモノマー樹脂を硬化させて薄膜を形成し、硬化処理された反応性モノマー樹脂を表面処理手段により活性化して、金属薄膜との接着性を向上させ、金属蒸着工程において、キャンローラ表面に金属蒸着源より金属を蒸着させ、蒸着された金属を表面処理により、樹脂との接着性を向上させることを特徴とするもので、樹脂と金属との接着性を向上できる作用を有する。      【００１７】  請求項６に記載の発明は、樹脂蒸発源及び金属蒸着源はシャッターを備え、任意間隔で樹脂堆積または金属蒸着を行うことを特徴とするもので、電気絶縁部分の積層位置が異なる場合であっても、樹脂及び金属の堆積間隔を任意に制御でき、かつ、平坦化工程における平坦化処理を簡便かつ効率的に行うことができる作用を有する。      【００１８】  請求項７に記載の発明は、平坦化工程は、金属蒸着源をシャッターで仕切り、樹脂蒸発源で樹脂を積層し、次に、樹脂蒸発源をシャッターで仕切り、樹脂表面処理手段により、酸素プラズマでエッチングし、電気絶縁部分により生ずる凹部を埋めて平坦化することを特徴とするもので、平坦化処理を簡便かつ効率的に行うことができる作用を有する。      【００１９】  請求項８に記載の発明は、平坦化工程は、金属蒸着源をシャッターで仕切り、樹脂蒸発源で樹脂を積層し、次に、樹脂蒸発源をシャッターで仕切り、樹脂表面処理手段により、アルゴンプラズマで逆スパッタリングし、電気絶縁部分により生ずる凹部を埋めて平坦化をすることを特徴とするもので、請求項４に記載の発明と同じ作用を有する。      【００２０】  請求項９に記載の発明は、平坦化工程は、樹脂蒸発源をシャッターで、また、金属蒸着源をパターン付きシャッターで仕切って、パターン部から蒸着する金属で電気絶縁部分により生ずる凹部を埋めて平坦化することを特徴とするもので、請求項４に記載の発明と同じ作用を有する。      【００２１】  請求項１０に記載の発明は、キャンローラ表面に積層される円筒状積層体を半径方向に分割して取り出し、加熱プレスで得られた平板状積層体を切断してチップコンデンサを製造したことを特徴とするもので、積層コンデンサを簡便な方法で、効率よく、安価に製造することができる作用を有する。      【００２２】  以下に、本発明を図面を用いて説明する。      【００２３】  図１は、本発明の積層コンデンサを製造するための製造装置を模式的に示した概略図である。      【００２４】  図中の矢印方向に一定の角速度又は周速度で回転するキャンローラ１の下部に金属蒸着源４が配され、これに対してキャンローラの回転方向下流側に、金属電極表面処理部７、樹脂蒸発源２、樹脂硬化装置８が、上流側に、パターンニング材料付与装置３、誘電体処理装���９がそれぞれ配されている。      【００２５】  これらの装置は真空容器５と嵌合され、その内部は真空ポンプ６により真空に保たれている。      【００２６】  キャンローラ１の外周面は、平滑に、鏡面状に仕上げられており、好ましくは、−２０〜４０℃、特に好ましくは、−１０〜１０℃に冷却されている。回転速度は自由に設定できるが、１５〜７０ｒｐｍ程度である。      【００２７】  金属蒸発源４は、キャンローラ１表面に向けて金属蒸着される間隔を制御できるように、シャッター(図示せず)が設置されており、誘電体層の表面に金属電極を形成する。蒸着金属としては例えばAｌ、Cu、Zn、Sn、Au、Ag、Ptから選ばれた少なくとも一種が使用される。なお、真空蒸着法に代えてスパッタリング法等の手段で金属電極を形成しても良い。      【００２８】  金属電極表面処理部７は、金属表面と樹脂との接着性を向上させるための処理を行うものである。例えば、カップリング材としてチタンをターゲット材料に使用し、スパッタリング法により金属電極表面にチタン原子をモノマー状で堆積させること、又は蒸着法でＴｉモノマーを金属電極表面に堆積させることで、金属−Ti−炭素(樹脂の成分)の化学結合を形成することで、樹脂との接着性を向上することができる。また、ＴｉＣｌ4等を原料としたＣＶＤ法を使用しても同様の効果が得られる。また、金属電極にカップリング材を添加した場合は、積層体を形成する後工程の熱処理でカップリング材が金属／誘電体界面に偏析することにより、上記と同様の化学結合が得られ、接着性を向上できる。      【００２９】  さらに、樹脂モノマーの重合エネルギーに応じた波長の光エネルギーを照射することで、重合開始部分の結合が切れ、金属−炭素(樹脂の成分)の化学結合を形成させ、カップリング材を金属表面に堆積した場合と同様の効果が得られる。      【００３０】  樹脂蒸発源２は、キャンローラ１表面に向けて反応性モノマー樹脂を蒸発気化させるものであり、キャンローラ１に対し反応性モノマー樹脂の堆積間隔を制御できるように、シャッター(図示せず)が設置されており、該樹脂が堆積して誘電体層を形成する。      【００３１】  堆積した反応性モノマー樹脂は、樹脂硬化装置８により重合又は架橋され、所望の硬化度に硬化して薄膜を形成する。樹脂硬化装置としては、例えば、電子線照射装置又は紫外線照射装置等を用いることができる。      【００３２】  樹脂硬化装置により硬化処理された樹脂薄膜は、樹脂表面処理装置９により表面処理される。例えば、酸素プラズマ処理等を行って、樹脂表面を活性化させて金属薄膜との接着性を向上させることができる。      【００３３】  パターンニング材料付与装置３は、パターンニング材料を樹脂薄膜表面に帯状に堆積させるためのものである。パターンニング材料が堆積した箇所には金属薄膜は形成されず、該箇所が積層体の電気的絶縁部分となる。電気絶縁部の積層位置は、隣接する積層単位の電気絶縁部分の積層位置と異なるように積層されると好ましい。パターンニング材料としては、例えばオイルが使用できる。パターンニング材料の付与の手段は、蒸発気化させたパターンニング材料をノズルから噴射して樹脂薄膜表面で液化させる方法が好ましい。      【００３４】  以上により、キ��ンローラ１の外周面に、樹脂層と帯状の電気絶縁体を除く部分に積層された金属層とからなる積層単位を所定回数積層すると、円筒状連続体が形成される。これを半径方向に分割（例えば、４５°ごとに８分割）して、キャンローラから取り外し、それぞれ加熱・加圧プレスすることにより平板状の積層体母素子を得る。その後、切断することにより、本発明の製造方法を使用した積層体が得られる。      【００３５】  上記の方法によれば、積層体を簡便な方法で、効率良く、安価に製造することができる。(実施の形態１)  本実施の形態は、図１に示す装置を用いて、図２（ａ）〜（ｃ）の模式図にに示す工程で積層コンデンサを製造した。真空容器５内は２ｘ１０-2Paとし、キャンローラ１はその外周面を５℃に維持した。      【００３６】  誘電体材料としてジシクロペンタジエンジメタノールジアクリレートを用い、これを気化して樹脂蒸発源２よりキャンローラ１の外周面に堆積させた。ついで、樹脂硬化装置８として、電子線硬化装置を用い、上記により堆積させた誘電体材料を重合し、硬化させた。この時形成された誘電体層１２は０．１μｍである。      【００３７】  その後樹脂表面処理装置９により、表面を酸素プラズマ処理した。次に、パターンニング材料付与装置３により電気絶縁体１３に相当する部分に、パターンニング材料を付与させた。パターンニング材料としては、フッ素系オイルを使用し、これを気化させて直径５０μｍのノズルより噴出させて、幅１５０μｍの帯状に付着させた。      【００３８】  次に、金属蒸発源４から内部電極１１となるアルミニウムを金属蒸着させた。蒸着厚みは２５ｎｍ、膜抵抗６Ω／□である。その後、金属電極表面処理部７でチタンをスパッタリング法により０．１ｎｍ堆積させた。      【００３９】  以上の操作を、キャンローラ１を回転させることにより３０００回繰り返した。次に、電気絶縁部凹部１４を平坦化するため、金属蒸着源４をシャッターで仕切り、樹脂蒸発源２により、樹脂層１５を約５００~１０００回繰り返して厚く積層された誘電体層を形成した後、樹脂蒸発源２を仕切り板で仕切り、表面処理装置９により酸素プラズマでエッチングし、図２（ｂ）に示すように凹部を埋めることで、図２（ｃ）に示すように積層体表面を平坦化した。以上の操作を繰り返すことで約１．６ｍｍの積層体を形成した。      【００４０】  次いで、得られた円筒状の積層体を半径方向に２０分割して取り外し、加熱プレスにより平板状の積層体母素子を得た。これを切断し、従来のフイルムコンデンサで行なわれている工程を通過させることでチップコンデンサを得た。      【００４１】  得られたチップコンデンサは、積層方向厚み１．３ｍｍ、奥行１．６ｍｍ、幅(両外部電極間方向)３．２ｍｍであり、小形ながら容量は４．７μＦであった。耐電圧は、６．３Ｖであった。これを、プリント配線基板にハンダにより実装したが、積層体のめくれなどコンデンサ特性に問題は生じなかった。(実施の形態２)  本実施の形態は、図１に示す装置を用いて、図３（ａ）〜（ｃ）の模式図に示す工程で積層コンデンサを製造した。      【００４２】  真空容器５内は２ｘ１０-2Paとし、キャンローラ１の外周面を５℃に維持した。誘電体材料としてジシクロペンタジエンジメタノールジアクリレートを用い、これを気化して樹脂蒸発源２よりキャンローラ１の外周面に堆積させた。ついで樹脂硬化装置８として、電子線硬化装置を用い上記により堆積させた誘電体材料を重合し、硬化させた。この時形成された誘電体層１２は０．１μｍである。      【００４３】  その後樹脂表面処理装置９により、表面を酸素プラズマ処理した。次に、パターンニング材料付与装置３により、電気絶縁体１３に相当する部分にパターンニング材料を付与させた。パターンニング材料としては、フッ素系オイルを使用し、これを気化させて直径５０μｍのノズルより噴出させて、幅１５０μｍの帯状に付着させた。      【００４４】  次に、金属蒸着源４から内部電極１１となるアルミニウムを金属蒸着させた。蒸着厚みは２５ｎｍ、膜抵抗６Ω／□である。その後、金属電極表面処理部７でチタンをスパッタリング法により０．１ｎｍ堆積させた。      【００４５】  以上の操作を、キャンローラ１を回転させることにより３０００回繰り返した。次に、電気絶縁部凹部１４を平坦化するため、金属蒸着源４をシャッターで仕切り、樹脂蒸発源２により、樹脂層２１を約５００~１０００回繰り返して厚く積層された誘電体層を形成した後、樹脂蒸発源２をシャッターで仕切り、表面処理装置９によりアルゴンプラズマで逆スパッタリングし、図３（ｂ）に示すように積層された樹脂層で凹部を埋めることで、図３（ｃ）に示すように積層体表面を平坦化した。以上の操作を繰り返すことで約１．６ｍｍの積層体を形成した。      【００４６】  次いで、得られた円筒状の積層体を半径方向に２０分割して取り外し、加熱プレスにより平板状の積層体母素子を得た。これを切断し、従来のフイルムコンデンサで行なわれている工程を通過させることでチップコンデンサを得た。      【００４７】  得られたチップコンデンサは、積層方向厚み１．３ｍｍ、奥行１．６ｍｍ、幅(両外部電極間方向)３．２ｍｍであり、小形ながら容量は４．７μＦであった。耐電圧は、６．３Ｖであった。これを、プリント配線基板にハンダにより実装したが、積層体のめくれなどコンデンサ特性に問題は生じなかった。(実施の形態３)  本実施の形態は、図１に示す装置を用いて、図４（ａ）〜（ｃ）の模式図に示す工程で積層コンデンサを製造した。真空容器５内は２ｘ１０-2Paとし、キャンローラ１はその外周面を５℃に維持した。      【００４８】  誘電体材料としてジシクロペンタジエンジメタノールジアクリレートを用い、これを気化して樹脂蒸発源２よりキャンローラ１の外周面に堆積させた。ついで樹脂硬化装置８として、電子線硬化装置を用い、上記により堆積させた誘電体材料を重合し、硬化させた。この時形成された誘電体層１２は０．１μｍである。      【００４９】  その後樹脂表面処理装置９により、表面を酸素プラズマ処理した。次に、パターンニング材料付与装置３により電気絶縁体１３に相当する部分に、パターンニング材料を付与させた。パターンニング材料としては、フッ素系オイルを使用し、これを気化させて直径５０μｍのノズルより噴出させて、幅１５０μｍの帯状に付着させた。      【００５０】  次に、金属蒸発源４から内部電極１１となるアルミニウムを金属蒸着させた。蒸着厚みは２５ｎｍ、膜��抗６Ω／□である。その後、金属電極表面処理部７でチタンをスパッタリング法により０．１ｎｍ堆積させた。      【００５１】  以上の操作を、キャンローラ１を回転させることにより３０００回繰り返した。次に、電気絶縁部凹部１４を平坦化するため、樹脂蒸発源２をシャッターで仕切り、金属蒸着源４をパターン付シャッター３１で仕切って、パターン部から金属層３２を約５００~１０００回繰り返して積層し、図４（ｂ）に示すように電気絶縁部により生ずる凹部を埋めることで、図４（ｃ）に示すように積層体表面を平坦化した。以上の操作を繰り返すことで約１．６ｍｍの積層体を形成した。      【００５２】  次いで、得られた円筒状の積層体を半径方向に２０分割して取り外し、加熱プレスにより平板状の積層体母素子を得た。これを切断し、従来のフイルムコンデンサで行われている工程を通過させることでチップコンデンサを得た。      【００５３】  得られたチップコンデンサは、積層方向厚み１．３ｍｍ、奥行１．６ｍｍ、幅(両外部電極間方向)３．２ｍｍであり、小形ながら容量は４．７μＦであった。耐電圧は、６．３Ｖであった。これを、プリント配線基板にハンダにより実装したが、積層体のめくれなどコンデンサ特性に問題は生じなかった。      【００５４】  上記実施の形態においては、電気絶縁部分の積層位置は、隣接する積層単位の電気絶縁部分の積層位置と同位置に設けられているが、積層位置を図５に示すように、隣接する積層単位において異なるように設けて積層したり、また、電気絶縁部分の積層位置を周期的に変更して設けて積層するようにすると一層好ましい。電気絶縁部分の積層位置を隣接する積層単位において異なるように設けることにより、電気絶縁部分により生ずる凹部の位置を分散化でき、内部電極の切断や短絡の発生を防止することができる。      【００５５】  また、実施の形態１及び２においては、厚く積層した誘電体層を蝕刻して、積層体表面を平坦化したが、積層体を平坦化する形態はこれに限定されるものではない。      【００５６】    【発明の効果】  本発明の方法により製造される積層コンデンサは、電気絶縁部分が平坦であり、コンデンサとして使用した場合には、電機絶縁部分により生ずる凹部が原因となる内部の電極の切断や短絡の発生を防止でき、コンデンサの小形化・高容量化を高次元で実現することができる。【図面の簡単な説明】    【図１】  本発明の積層コンデンサ製造装置の模式図である。    【図２】  （ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態の模式図である。    【図３】  （ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態の模式図である。    【図４】  （ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態の模式図である。    【図５】  積層位置を異なるように設けた形態を示す模式図である。    【図６】  従来の積層コンデンサの模式図である。    【図７】  従来の積層コンデンサの電気絶縁部分の拡大図である。    【図８】  従来の積層コンデンサの電気絶縁部分の概観図である。    【符号の説明】１  キャンローラ２  樹脂蒸発源３  パターンニング材料付与装置４  金属蒸着源５  真空容器６  真空ポンプ７  金属電極表面処理装置８  樹脂硬化装置９  樹脂表面処理装置１１  内部電極１２  誘電体１３  電気絶縁体１４  電気絶縁部凹部１５  樹脂層２１  樹脂層３１  パターン付シャッター３２  金属層