【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＳｉvＯwＣxＨyＦz（この式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、そしてｚは０〜１５原子％である）で表される有機シリカ多孔性膜を製造するための化学気相成長方法であって、
反応チャンバー内に基材を供給すること、
反応チャンバー中に、少なくとも１つの有機ケイ素前駆体、有機前駆体、および速度上昇剤化合物を含む、ガス状の化学薬剤を導入すること、
反応させて上記基材の少なくとも一部の上に、少なくとも１つの構造形成相と少なくとも１つの気孔形成相とを含む多相膜を被着させるのに充分なエネルギーを、反応チャンバー中の化学薬剤に適用すること、および、
当該多相膜に含まれる気孔形成相を実質的に除去し、複数の気孔を含み誘電率が２．６以下の多孔性有機シリカ膜を提供するのに充分なエネルギー供給源に、当該多相膜を暴露すること、
を含む、有機シリカ多孔性膜製造のための化学気相成長方法。
【請求項２】
熱エネルギー、プラズマエネルギー、光子エネルギー、電子エネルギー、マイクロ波エネルギー、化学物質、およびこれらの組み合わせよりなる群から選択される少なくとも１つの後処理作用源で前記多孔性膜を処理することをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記処理の工程を前記暴露の工程完了後に行う、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記処理の工程を前記暴露の工程の少なくとも一部の間に行う、請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの後処理作用源が電子線により供給される電子エネルギーである、請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの後処理作用源が超臨界流体である、請求項２記載の方法。
【請求項７】
前記多孔性膜の誘電率が１．９以下である、請求項１記載の方法。
【請求項８】
ｖが２０〜３０原子％、ｗが２０〜４５原子％、ｘが５〜２０原子％、ｙが１５〜４０原子％、そしてｚが０である、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記適用の工程の温度が２５〜４５０℃の範囲である、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体が、式Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ（この式のＲ1は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ3は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてｎは１〜３、ｐは０〜３である）により表される、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体が、式Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2とＲ6は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ4とＲ5は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてｎは０〜３であり、ｍは０〜３であり、ｑは０〜３であり、ｐは０〜３であるが、ただしｎ＋ｍ≧１、ｎ＋ｐ≦３、およびｍ＋ｑ≦３である）で表される、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体が、式Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2とＲ6は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ4とＲ5は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてｎは０〜３であり、ｍは０〜３であり、ｑは０〜３であり、ｐは０〜３であるが、ただしｎ＋ｍ≧１、ｎ＋ｐ≦３、およびｍ＋ｑ≦３である）により表される、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体が、式Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ6およびＲ7は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ4とＲ5は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてｎは０〜３であり、ｍは０〜３であり、ｑは０〜３であり、ｐは０〜３であるが、ただしｎ＋ｍ≧１、ｎ＋ｐ≦３、およびｍ＋ｑ≦３である）により表される、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体が、式（Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t（この式のＲ1は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ3は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてｎは１〜３であり、ｐは０〜３であり、ｔは２〜４であるが、ただしｎ＋ｐ≦４である）により表される、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体が、式（Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t（この式のＲ1は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ3は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてｎは１〜３であり、ｐは０〜３であり、ｔは１〜３であるが、ただしｎ＋ｐ≦４である）により表される、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体が、式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）x（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈ、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、そしてｘは２〜８の任意の整数でよい）により表される、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの前駆体が、式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）x（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈ、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、そしてｘは２〜８の任意の整数でよい）により表される、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの前駆体が、式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）x（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈ、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、そしてｘは２〜８の任意の整数でよい）により表される、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体が、２つ以下のＳｉ−Ｏ結合を有する第１の有機ケイ素前駆体と、３つ以上のＳｉ−Ｏ結合を有する第２の有機ケイ素前駆体とを含む混合物である、請求項１記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体が、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジ−イソプロポキシメチルシラン、ジ−ｔ−ブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリ−ｔ−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−イソプロポキシシラン、ジメチルジ−ｔ−ブトキシシラン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチル−シクロテトラシロキサン、テトラエトキシシラン、およびそれらの混合物よりなる群から選択されたものである、請求項１記載の方法。
【請求項２１】
前記有機前駆体が、以下に示される群、すなわち、
（ａ）環状構造と式ＣnＨ2nとを有する少なくとも１つの環状炭化水素（この式のｎは４〜１４であり、当該環状構造中の炭素の数は４〜１０であり、当該少なくとも１つの環状炭化水素は、環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する）、
（ｂ）式ＣnＨ(2n+2)-2y（この式のｎ＝２〜２０であり、ｙ＝０〜ｎである）を有する少なくとも１つの直鎖または分岐鎖の、飽和した、部分的にもしくは複数の不飽和のある炭化水素、
（ｃ）環状構造と式ＣnＨ2n-2xとを有する少なくとも１つの、不飽和が１つもしくは複数の環状炭化水素（この式のｘは不飽和部位の数であり、ｎは４〜１４であり、環状構造中の炭素の数は４〜１０であり、当該少なくとも１つの、不飽和が１つもしくは複数の環状炭化水素は、環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素置換基を随意に含有し、かつ環内にまたは炭化水素置換基の１つに不飽和を有する）、
（ｄ）２環式構造と式ＣnＨ2n-2とを有する少なくとも１つの２環式炭化水素（この式のｎは４〜１４であり、当該２環式構造中の炭素の数は４〜１２であり、当該少なくとも１つの２環式炭化水素は、環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する）、
（ｅ）２環式構造と式ＣnＨ2n-(2+2x)とを有する少なくとも１つの、不飽和が複数の２環式炭化水素（この式のｘは不飽和部位の数であり、ｎは４〜１４であり、当該２環式構造中の炭素の数は４〜１２であり、当該少なくとも１つの、不飽和が複数の２環式炭化水素は、２環式構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素置換基を随意に含有し、かつ環内にまたは炭化水素置換基の１つに不飽和を有する）、
（ｆ）３環式構造と式ＣnＨ2n-4とを有する少なくとも１つの３環式炭化水素（この式のｎは４〜１４であり、３環式構造中の炭素の数は４〜１２であり、当該少なくとも１つの３環式炭化水素は、環状構造に置換された複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する）、
およびこれらの混合物、
の群から選択される少なくとも１つのものである、請求項１記載の方法。
【請求項２２】
前記有機前駆体が、α−テルピネン、リモネン、シクロヘキサン、１，２，４−トリメチルシクロヘキサン、１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエン、カンフェン、アダマンタン、１，３−ブタジエン、置換ジエン、デカヒドロナフタレン、ジメチルブタジエン、ヘキサジエン、およびこれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも１つのものである、請求項１記載の方法。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体と前記速度上昇剤が同じ化合物を含む、請求項１記載の方法。
【請求項２４】
有機種を含む膜の化学気相成長を増進する方法であって、
反応チャンバー内に基材を供給すること、
当該反応チャンバー中に、炭素と水素の結合を有する有機前駆体と速度上昇剤化合物とを含むガス状化学薬剤を導入し、ここで、当該速度上昇剤は、酸素含有化合物、式Ｒ1ＯＯＲ2（この式のＲ1とＲ2は独立に、水素、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である）を有する過酸化化合物、式Ｒ3Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）Ｒ4（この式のＲ3とＲ4は独立に、水素、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である）を有する過酸化合物、フッ素含有化合物、および重い不活性ガス化合物よりなる群から選択される少なくとも１つのものであること、そして、
上記薬剤の反応を誘発し、かつ上記基材の少なくとも一部の上に膜を被着させるのに充分なエネルギーを当該反応チャンバー中の当該化学薬剤に適用すること、
を含む、化学気相成長増進方法。
【請求項２５】
前記化学薬剤が少なくとも１つの有機ケイ素前駆体をさらに含む、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記速度上昇剤化合物が、酸素（Ｏ2）、オゾン（Ｏ3）、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、二酸化窒素（ＮＯ2）よりなる群から選択される少なくとも１つの酸素含有化合物である、請求項１又は２４記載の方法。
【請求項２７】
前記速度上昇剤化合物が、フッ素（Ｆ2）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ4）、三フッ化窒素（ＮＦ3）、式ＣnＦ2n+2（この式のｎは１〜４の範囲の数である）の化合物、および六フッ化イオウ（ＳＦ6）よりなる群から選択される少なくとも１つのフッ素含有化合物である、請求項１又は２４記載の方法。
【請求項２８】
前記速度上昇剤化合物が、Ａｒ、Ｘｅ、およびＫｒよりなる群から選択される少なくとも１つの重い不活性ガスである、請求項１又は２４記載の方法。
【請求項２９】
前記速度上昇剤化合物が、式Ｒ1ＯＯＲ2（この式のＲ1とＲ2はそれぞれ独立に、水素原子、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である）を有する過酸化化合物である、請求項１又は２４記載の方法。
【請求項３０】
前記速度上昇剤化合物が、式Ｒ3Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）Ｒ4（この式のＲ3とＲ4はそれぞれ独立に、水素原子、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である）を有する過酸化合物である、請求項１又は２４記載の方法。
【請求項３１】
前記速度上昇剤と前記少なくとも１つの有機ケイ素前駆体が同じ化合物を含む、請求項１又は２４記載の方法。
【請求項３２】
多孔性有機シリカガラス膜を形成する方法であって、
反応チャンバー内に基材を供給すること、
当該反応チャンバー内に、少なくとも１つの有機ケイ素前駆体を含む第１の化学薬剤を流し入れること、
第１の化学薬剤とは別個の少なくとも１つの有機前駆体と速度上昇剤とを含む第２の化学薬剤を当該反応チャンバー内に流し入れること、
第１および第２の化学薬剤の反応を誘発して、上記基材の少なくとも一部の上に、少なくとも１つの構造形成相と少なくとも１つの気孔形成相とを含む多相膜を形成するのに充分なエネルギーを、当該反応チャンバー中の化学薬剤に適用すること、そして、
当該多相膜から上記少なくとも１つの気孔形成相の実質的にすべてを除去して多孔性有機シリカガラス膜を提供すること
を含む、多孔性有機シリカガラス膜形成方法。
【請求項３３】
最初の流し入れの工程を２番目の流し入れの工程の前および／またはその少なくとも一部の最中に行う、請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
最初の流し入れの工程と２番目の流し入れの工程を交互にする、請求項３２記載の方法。
【請求項３５】
下記のものを含む組成物。
（Ａ）以下の（ａ）〜（ｉ）よりなる群から選択される少なくとも１つの有機ケイ素前駆体
（ａ）式Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉの化合物（この式のＲ1は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ3は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、ｎは１〜３であり、ｐは０〜３である）
（ｂ）式Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-qの化合物（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2とＲ6は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ4とＲ5は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、ｎは０〜３であり、ｍは０〜３であり、ｑは０〜３であり、そしてｐは０〜３であるが、ただしｎ＋ｍ≧１、ｎ＋ｐ≦３、およびｍ＋ｑ≦３である）
（ｃ）式Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-qの化合物（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2とＲ6は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ4とＲ5は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、ｎは０〜３であり、ｍは０〜３であり、ｑは０〜３であり、そしてｐは０〜３であるが、ただしｎ＋ｍ≧１、ｎ＋ｐ≦３、およびｍ＋ｑ≦３である）
（ｄ）式Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-qの化合物（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ6およびＲ7は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ4とＲ5は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、ｎは０〜３であり、ｍは０〜３であり、ｑは０〜３であり、そしてｐは０〜３であるが、ただしｎ＋ｍ≧１、ｎ＋ｐ≦３、およびｍ＋ｑ≦３である）
（ｅ）式（Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-tの化合物（この式のＲ1は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ3は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、ｎは１〜３であり、ｐは０〜３であり、そしてｔは２〜４であるが、ただしｎ＋ｐ≦４である）
（ｆ）式（Ｒ1n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-tの化合物（この式のＲ1は独立に、Ｈであるか、またはＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ2は独立に、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、Ｒ3は独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、ｎは１〜３であり、ｐは０〜３であり、そしてｔは１〜３であるが、ただしｎ＋ｐ≦４である）
（ｇ）式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）xの環状シロキサン（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈ、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状で、部分的もしくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、ｘは２〜８の任意の整数でよい）
（ｈ）式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）xの環状シラザン（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈ、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、ｘは２〜８の任意の整数でよい）
（ｉ）式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）xの環状カルボシラン（この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈ、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、ｘは２〜８の任意の整数でよい）
（Ｂ）以下の（ａ）〜（ｆ）よりなる群から選択される少なくとも１つの有機前駆体
（ａ）環状構造と式ＣnＨ2nとを有する少なくとも１つの環状炭化水素（この式のｎ＝４〜１４であり、当該環状構造中の炭素の数は４〜１０であり、当該少なくとも１つの環状炭化水素は当該環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する）
（ｂ）一般式ＣnＨ(2n+2)-2yの少なくとも１つの直鎖または分岐鎖の、飽和した、一部にもしくは複数の不飽和のある炭化水素（この式のｎ＝２〜２０であり、ｙ＝０〜ｎである）
（ｃ）環状構造と式ＣnＨ2n-2xとを有する少なくとも１つの、不飽和が１つ又は複数の環状炭化水素（この式のｘは不飽和部位の数であり、ｎは４〜１４であり、当該環状構造中の炭素の数は４〜１０であり、当該少なくとも１つの、不飽和が１つ又は複数の環状炭化水素は、当該環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素置換基を随意に含有し、かつ環内に不飽和を有しまたは当該炭化水素置換基の１つに不飽和を有する）
（ｄ）２環式構造と式ＣnＨ2n-2とを有する少なくとも１つの２環式炭化水素（この式のｎは４〜１４であり、当該２環式構造中の炭素の数は４〜１２であり、当該少なくとも１つの２環式炭化水素は、２環式構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する）
（ｅ）２環式構造と式ＣnＨ2n-(2+2x)とを有する少なくとも１つの、複数の不飽和のある２環式炭化水素（この式のｘは不飽和部位の数であり、ｎは４〜１４であり、当該２環式構造中の炭素の数は４〜１２であり、当該少なくとも１つの、複数の不飽和のある２環式炭化水素は、当該２環式構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素置換基を随意に含有し、かつ環内に不飽和を有しまたは当該炭化水素置換基の１つに不飽和を有する）
（ｆ）３環式構造と式ＣnＨ2n-4とを有する少なくとも１つの３環式炭化水素（この式のｎは４〜１４であり、当該３環式構造中の炭素の数は４〜１２であり、当該少なくとも１つの３環式炭化水素は、当該環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する）
（Ｃ）随意に、以下のものよりなる群から選択される速度上昇剤化合物
（ａ）式Ｒ1ＯＯＲ2を有する過酸化化合物（この式のＲ1とＲ2はそれぞれ独立に、水素原子、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である）
（ｂ）式Ｒ3Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）Ｒ4を有する過酸化合物（この式のＲ3とＲ4はそれぞれ独立に、水素原子、１〜６個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である）
（ｃ）例えばアルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）、クリプトン（Ｋｒ）等の重い不活性ガス
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
（ｇ）式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）xの環状シロキサン、この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈ、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、ｘは２〜８の任意の整数でよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（ｈ）式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）xの環状シラザン、この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈ、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、ｘは２〜８の任意の整数でよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（ｉ）式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）xの環状カルボシラン、この式のＲ1とＲ3は独立に、Ｈ、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が１つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、ｘは２〜８の任意の整数でよい。