【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路デバイスにおいて使用される、実質的に平滑電極（４１２）をスパッタリング堆積する方法（Ｐ１１００）であって、該方法が、集積回路基板（４０２、４０４）をスパッタリングデバイス中の真空チャンバに置くステップと、希ガスおよび反応性ガス種を含むキャリアガス混合物を該真空チャンバに導入するステップとを含み、該方法が、
該キャリアガス混合物の存在下でターゲット金属材料を使用して導電膜（４１０）を該基板上へスパッタリングするために、ＤＣグロー放電を使用するステップ（Ｐ１１１０４）と、
該ターゲット金属材料は、プラチナ、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、それらの混合物、およびそれらの酸化物からなる群から選択され、
該導電膜上に強誘電体層（４２０）を形成するステップとによって特徴づけられる方法。
【請求項２】  前記キャリアガスを導入するステップにおいて使用される前記希ガスがアルゴンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記キャリアガスを導入するステップにおいて使用される前記反応性ガス種が酸素である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記キャリアガスを導入するステップにおいて使用される前記反応性ガス種がオゾンである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記キャリアガスを導入するステップにおいて使用される前記反応性ガス種が水素および酸素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記キャリアガスを導入するステップにおいて使用される前記反応性ガス種が該キャリアガスのうちの５０体積％未満を構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記ＤＣグロー放電を使用するステップの間、前記キャリアガス混合物を、９×１０-3〜２×１０-2Ｔｏｒｒ（１．２〜２．７Ｐａ）の範囲に維持するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記導電膜の堆積の前に接着膜（４０６）を形成するステップ（Ｐ１１０２）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記接着層を形成するステップが、
集積回路基板（４０２、４０４）をＤＣスパッタリングデバイス中の真空チャンバに挿入するステップと、
希ガスおよび反応性ガス種を含むキャリアガス混合物を該真空チャンバにフローするステップと、
該キャリアガス混合物の存在下で前記群から選択されるターゲット金属を使用して接着層を該基板上へスパッタリングするために、ＤＣグロー放電を使用するステップとによって特徴づけられる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記希ガスがアルゴンである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種が酸素である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種がオゾンである、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種が水素および酸素を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種が該キャリアガスのうちの１．５％〜５０％の範囲の分圧を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】  前記グロー放電を使用するステップの間、前記キャリアガス混合物を、９×１０-3〜２×１０-2Ｔｏｒｒ（１．２〜２．７Ｐａ）の範囲に維持するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】  前記導電膜の堆積の前にバリア層（５０６）を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】  前記バリア層を形成するステップが、
集積回路基板をＤＣスパッタリングデバイス中の真空チャンバに挿入するステップと、
希ガスおよび反応性ガス種を含むキャリアガス混合物を該真空チャンバにフローするステップと、
該キャリアガス混合物の存在下でターゲット金属を使用してバリア層を該基板上へスパッタリングするために、ＤＣグロー放電を使用するステップと、
該ターゲット金属が、チタン、タングステン酸チタン、タンタル、ケイ化タンタル、タングステン、ケイ化タングステン、モリブデン、ケイ化モリブデン、パラジウム、ロジウム、イリジウム、およびルテニウムからなる群から選択されることによって特徴づけられる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記希ガスがアルゴンである、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種が窒素である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種がＮ2Ｏである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種が酸素である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種がオゾンである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種が水素および酸素の混合物である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】  前記キャリアガス混合物をフローステップにおいて使用される前記反応性ガス種が、窒素、Ｎ2Ｏ、酸素、オゾン、および水素からなる群から少なくとも２つのガスを含むように選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種が、該キャリアガスのうちの７０体積％未満の量で存在する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２６】  前記グロー放電を使用するステップの間、前記キャリアガス混合物を、９×１０-3〜２×１０-2Ｔｏｒｒ（１．２〜２．７Ｐａ）の範囲に維持するステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２７】  前記強誘電体層が層状超格子材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】  前記強誘電体層を形成するステップが、液体前駆体を堆積して前記集積回路基板上に該前駆体の膜を形成するステップ（Ｐ１１０８）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】  前記液体前駆体を堆積するステップの後で、前記前駆体膜を４００℃未満の温度で乾燥し、乾燥前駆体残留物を提供するステップ（Ｐ１１１０）を行う、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】  前記前駆体の膜を乾燥させるステップの後で、
前記乾燥前駆体残留物を、ＲＴＰを使用し、５２５℃〜６７５℃の範囲のＲＴＰ温度で３０秒〜５分の範囲の時間ソフトベイクし、ソフトベイク前駆体残留物を提供するステップ（Ｐ１１１２）と、
該ソフトベイク前駆体残留物を、拡散炉において酸素下４５０℃〜６５０℃の範囲のアニーリング温度で、アニーリングするステップ（Ｐ１１１６）とを行う、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】  前記強誘電体層を形成するステップの後の、
希ガスおよび反応性ガス種を含むキャリアガス混合物を前記真空チャンバにフローするステップ（Ｐ１１１８）と、
該キャリアガス混合物の存在下で、前記群から選択されるターゲット金属材料を使用して、第２の導電膜（４２４）を前記基板上へスパッタリングするために、第２のＤＣグロー放電を使用するステップとによって特徴づけられる請求項１に記載の方法。
【請求項３２】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記希ガスがアルゴンである、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種が酸素である、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種がオゾンである、請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種が水素および酸素を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３６】  前記キャリアガス混合物をフローするステップにおいて使用される前記反応性ガス種が該キャリアガスのうちの５０体積％未満である、請求項３１に記載の方法。
【請求項３７】  前記グロー放電を使用するステップの間、前記キャリアガス混合物を、９×１０-3〜２×１０-2Ｔｏｒｒ（１．２〜２．７Ｐａ）の範囲に維持するステップを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３８】  前記第２の導電膜を形成するステップの後に、
希ガスおよび反応性ガス種を含むキャリアガス混合物を前記真空チャンバに付加するステップと、
該キャリアガス混合物の存在下でターゲット金属からなる第２の接着層（４２６）を前記基板上へスパッタリングするために、ＤＣグロー放電を使用するステップとを含み、
該ターゲット金属が、チタン、タンタル、パラジウム、ロジウム、イリジウム、およびルテニウムからなる群から選択される、請求項３１に記載の方法。
【請求項３９】  前記キャリアガス混合物を付加するステップにおいて使用される前記希ガスがアルゴンである、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】  前記キャリアガス混合物を付加するステップにおいて使用される前記反応性ガス種が酸素である、請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】  前記キャリアガス混合物を付加するステップにおいて使用される前記反応性ガス種がオゾンである、請求項３８に記載の方法。
【請求項４２】  前記キャリアガス混合物を付加するステップにおいて使用される前記反応性ガス種が水素および酸素の混合物である、請求項３８に記載の方法。
【請求項４３】  前記キャリアガス混合物を付加するステップにおいて使用される前記反応性ガス種が該キャリアガスのうちの２５〜５０体積％の範囲である、請求項３８に記載の方法。
【請求項４４】  前記グロー放電を使用するステップの間、前記キャリアガス混合物を、９×１０-3〜２×１０-2Ｔｏｒｒ（１．２〜２．７Ｐａ）の範囲に維持するステップを含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４５】  集積回路メモリ（４００、５００、６００、７００、８００）を完成するステップ（Ｐ１１２４）を含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４６】  集積回路デバイスにおいて使用される、実質的に平滑電極のスパッタリング堆積を用いた強誘電体キャパシタを製造する方法（Ｐ１１００）であって、
集積回路基板（４０２、４０４）をＤＣスパッタリングデバイス中の真空チャンバに置くステップと、
希ガスおよび反応性ガス種を含むキャリアガス混合物を該真空チャンバに導入するステップ（Ｐ１１０４）と
該キャリアガス混合物の存在下で第１のターゲット金属材料を使用して第１の導電膜（４１０）を該基板上へスパッタリングするために、ＤＣグロー放電を使用するステップと、
該第１のターゲット金属材料は、プラチナ、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、それらの混合物、およびそれらの酸化物からなる群から選択され、
該導電膜を、液体前駆体を用いてコーティングするステップ（Ｐ１１０８）であって、該液体前駆体は、該液体前駆体を乾燥およびアニーリングされると層状超格子材料（４２０）を生成し得る、ステップと、
該液体前駆体を４００℃未満の温度で乾燥して、乾燥前駆体残留物を提供するステップ（Ｐ１１１０）と、
該乾燥前駆体残留物を、５２５℃〜６７５℃の範囲のＲＴＰ温度で３０秒〜５分の範囲の時間急速熱処理（Ｐ１１１２）して、該乾燥前駆体残留物上に平滑電極を提供するステップと、
該キャリアガス混合物の存在下で第２のターゲット金属材料を使用して第２の導電膜（４２４）を該基板上へスパッタリングするために、ＤＣグロー放電を使用するステップ（Ｐ１１１８）と、
該第２のターゲット金属材料は、プラチナ、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、それらの混合物、およびそれらの酸化物からなる群から選択され、
該上記ステップから得られる層をアニーリングするステップ（Ｐ１１２２）と、
該上記ステップから得られる層をパターニングして、強誘電体キャパシタ（４００、５００）を提供するステップ（Ｐ１１２０）と、
を含む方法。
【請求項４７】  前記コーティングステップが液体ソースミスト化学蒸着によって行われる、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】  前記導電膜をコーティングするステップが、十分な量の液体前駆体を用いて該導電膜をコーティングして、３０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲の厚さを有する前記層状超格子材料を生成するステップを含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項４９】  前記導電膜をコーティングするステップが、十分な量の液体前駆体を用いて該導電膜をコーティングして、３０ｎｍ〜１１０ｎｍの範囲の厚さを有する前記層状超格子材料を生成するステップを含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項５０】  前記導電膜をコーティングするステップが、十分な量の液体前駆体を用いて該導電膜をコーティングして、４０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する前記層状超格子材料を生成するステップを含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項５１】  前記導電膜をコーティングするステップが、十分な量の液体前駆体を用いて該導電膜をコーティングして、５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲の厚さを有する前記層状超格子材料を生成するステップを含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項５２】  前記乾燥前駆体残留物が急速熱処理するステップが、６２５℃〜６５０℃の範囲のＲＴＰ温度で行われる、請求項４６に記載の方法。
【請求項５３】  前記乾燥前駆体残留物が急速熱処理するステップが、ＲＴＰ温度６５０℃で行われる、請求項４６に記載の方法。