【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極を形成し、
前記第１の電極上にＮ型及びＰ型の導電型決定不純物元素を添加せずに第１の微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の微結晶半導体膜上に、実質的に真性な非晶質半導体膜を形成し、
前記実質的に真性な非晶質半導体膜上に、Ｎ型及びＰ型の導電型決定不純物元素を添加せずに第２の微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の電極、前記第１の微結晶半導体膜、前記実質的に真性な非晶質半導体膜、及び前記第２の微結晶半導体膜を貫通して、隣接する第１及び第２の開孔を複数形成し、
前記複数の第１の開孔にそれぞれ絶縁樹脂を充填し、
前記第２の微結晶半導体膜及び前記複数の絶縁樹脂を覆って第２の電極を形成して、前記第１の電極及び当該第２の電極とを前記複数の第２の開孔において接続し、
前記第２の電極に、前記複数の第２の開孔にそれぞれ隣接して第３の開孔を形成し、
Ｐ型の導電型決定不純物元素を、前記第２の電極の表面から、前記第２の微結晶半導体膜に注入し、
前記第１及び第２の微結晶半導体膜と、前記実質的に真性な非晶質半導体膜とに加熱処理を施すことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極を形成し、
前記第１の電極上にＮ型及びＰ型の導電型決定不純物元素を添加せずに第１の微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の微結晶半導体膜上に、実質的に真性な非晶質半導体膜を形成し、
前記実質的に真性な非晶質半導体膜上に、Ｎ型及びＰ型の導電型決定不純物元素を添加せずに第２の微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の電極、前記第１の微結晶半導体膜、前記実質的に真性な非晶質半導体膜、及び前記第２の微結晶半導体膜を貫通して、隣接する第１及び第２の開孔を複数形成し、
前記複数の第１の開孔にそれぞれ絶縁樹脂を充填し、
前記第２の微結晶半導体膜及び前記複数の絶縁樹脂を覆って第２の電極を形成して、前記第１の電極及び当該第２の電極とを前記複数の第２の開孔において接続し、
前記第２の電極に、前記複数の第２の開孔にそれぞれ隣接して第３の開孔を形成し、
前記第２の電極の表面から、前記第２の微結晶半導体膜と、当該第２の微結晶半導体膜と前記実質的に真性な非晶質半導体膜との界面近傍とにＰ型の導電型決定不純物元素を注入し、
前記第１及び第２の微結晶半導体膜と、前記実質的に真性な非晶質半導体膜とに加熱処理を施すことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極と、光電変換層と、第２の電極とを積層してなるユニットセルが、一つまたは複数個接続された光電変換装置の作製方法であって、
前記第１の電極に密接して、Ｎ型及びＰ型の導電型決定不純物元素を添加せずに第１の微結晶半導体膜を形成し、
実質的に真性な非晶質半導体膜を形成し、
Ｎ型及びＰ型の導電型決定不純物元素を添加せずに第２の微結晶半導体膜を形成し、
Ｐ型の導電型決定不純物元素を、前記第２の微結晶半導体膜に密接して設けられた前記第２の電極の表面から、該第２の微結晶半導体膜に注入し、
前記第１の微結晶半導体膜と、前記第２の微結晶半導体膜に加熱処理を施して、前記光電変換層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極と、光電変換層と、第２の電極とを積層してなるユニットセルが一つまたは複数個接続された光電変換装置の製造方法であって、
前記第１の電極に密接して、Ｎ型及びＰ型の導電型決定不純物元素を添加せずに第１の微結晶半導体膜を形成し、
実質的に真性な非晶質半導体膜を形成し、
Ｎ型及びＰ型の導電型決定不純物元素を添加せずに第２の微結晶半導体膜を形成し、
Ｐ型の導電型決定不純物元素を、前記第２の微結晶半導体膜に密接して設けられた前記第２の電極の表面から、該第２の微結晶半導体膜と、実質的に真性な非晶質半導体膜の第２の微結晶半導体膜との界面近傍とに注入し、
前記第１の微結晶半導体膜と、前記第２の微結晶半導体膜に加熱処理を施して、前記光電変換層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記第１の微結晶半導体膜と、前記実質的に真性な非晶質半導体膜と、前記第２の微結晶半導体膜とを同一の反応室に設けられた、同一のグロー放電プラズマ発生手段を用いて連続的に形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記第１の微結晶半導体膜と、前記実質的に真性な非晶質半導体膜と、前記第２の微結晶半導体膜とをプラズマＣＶＤ装置により形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記プラズマＣＶＤ装置は、複数の反応室を有し、該複数の反応室のそれぞれで、
前記第１の微結晶半導体膜と、前記実質的に真性な非晶質半導体膜と、前記第２の微結晶半導体膜とを形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６において、
前記プラズマＣＶＤ装置は、少なくとも一つの基板搬入搬出室と、複数の反応室と、を有し、前記複数の反応室のそれぞれで、
前記第１の微結晶半導体膜と、前記実質的に真性な非晶質半導体膜と、前記第２の微結晶半導体膜とを形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６において、
前記プラズマＣＶＤ装置は、少なくとも一つの基板搬入搬出室と、トランスファー室と、複数の反応室とを有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記第１の微結晶半導体膜及び前記第２の微結晶半導体膜は、微結晶シリコン膜であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記実質的に真性な非晶質半導体膜は、非晶質シリコン膜、非晶質シリコンカーバイド膜、非晶質シリコンゲルマニューム膜、非晶質シリコンスズ膜のいずれか一であること
を特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記第２の電極は、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、から選ばれた一種または複数種の材料からなる光透過性電極であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、
イオンドープ法により、前記Ｐ型の導電型決定不純物元素を、前記第２の微結晶半導体膜に注入することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記Ｐ型の導電型決定不純物元素は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれた元素であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記Ｎ型の導電型決定不純物元素は、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた元素であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、
前記加熱の温度が、１５０℃〜４５０℃であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか１項において、Ｐ型の導電型決定不純物元素を、２×１０13ｃｍ-2以上５×１０15ｃｍ-2以下のドーズ量で前記第２の微結晶半導体膜に注入することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記Ｎ型及びＰ型の導電型決定不純物元素を添加せずに形成された第１の微結晶半導体膜は、Ｎ型の導電性を示すことを特徴とする光電変換装置の作製方法。