Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の入射位置を検出するための装置において、放射線の入射することに生じる光変換器の出力をアナログ−デジタル（Ａ−Ｄ）変換する機構と、プログラムに応じて高速演算を行う素子とを備え、アナログ−デジタル（Ａ−Ｄ）変換されたデータを前記素子によって読み出し、最適な位置を演算することができるようにしたことを特徴とするリアルタイム放射線位置計算装置。
【請求項２】
前記プログラムに応じて高速演算を行う素子は、ＤＳＰ（デジタル信号処理器）あるいはＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレー）であることを特徴とする請求項１に記載のリアルタイム放射線位置計算装置。
【請求項３】
前記放射線はアルファ線、ベータ線、ガンマ線、エックス線のいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載のリアルタイム放射線位置計算装置。
【請求項４】
ベータ線を検出するためのシンチレータと、位置有感型ＰＭＴ（ＰＳＰＭＴ）と、Ａ−Ｄ変換器と、ＤＳＰあるいはＦＰＧＡボード（位置演算回路）とを備え、前記シンチレータからの出力をアナログ−デジタル（Ａ−Ｄ）変換し、アナログ−デジタル（Ａ−Ｄ）変換されたデータを前記ＤＳＰあるいはＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレー）によって読み出し、最適な位置を演算することができるようにしたことを特徴とするリアルタイム放射線位置計算装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記プログラムに応じて高速演算を行う素子は、ＤＳＰ（デジタル信号処理器）あるいはＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレー）であることを特徴とするリアルタイム放射線位置計算装置であり、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ベータ線を検出するためのシンチレータと、位置有感型ＰＭＴ（ＰＳＰＭＴ）と、Ａ−Ｄ変換器と、ＤＳＰあるいはＦＰＧＡボード（位置演算回路）とを備え、前記シンチレータからの出力をアナログ−デジタル（Ａ−Ｄ）変換し、アナログ−デジタル（Ａ−Ｄ）変換されたデータを前記ＤＳＰあるいはＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレー）によって読み出し、最適な位置を演算することができるようにしたことを特徴とするリアルタイム放射線位置計算装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】識別情報を有する装置、識別情報を記録した記録媒体および装置を識別する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置ごとに発行される不規則な情報と装置ごとに発行される固有の情報を有することを特徴とする装置。
【請求項２】
媒体ごとに発行される不規則な情報と媒体ごとに発行される固有の情報を記録した記録媒体。
【請求項３】
請求項１または請求項２の不規則な情報の一部と、請求項１または請求項２の固有の情報の全体または一部を使用することを特徴とする装置を識別する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャッシュメモリを有する外部記憶装置のコントローラのキャッシュメモリ制御方法であって、
前記キャッシュメモリを複数のセグメントに分割し、該各セグメントに上位装置から該外部記憶装置に対して発行されるリード・ライトコマンドの１ブロック以上のアクセス範囲が連続している各スレッドを割当て、同時に動作する前記スレッドの数が減少したとき、前記キャッシュメモリのセグメントの統合を行い、各スレッドに対するキャッシュヒット性能を向上することを特徴とするキャッシュメモリ制御方法。
【請求項２】
キャッシュメモリを有する外部記憶装置のコントローラのキャッシュメモリ制御方法であって、
前記キャッシュメモリを複数のセグメントに分割し、該各セグメントに上位装置から該外部記憶装置に対して発行されるリード・ライトコマンドの１ブロック以上のアクセス範囲が連続している各スレッドを割当て、同時に動作する前記スレッドの数が増加したとき、前記キャッシュメモリのセグメントの分割を行い、各スレッドに対するキャッシュヒット性能を向上することを特徴とするキャッシュメモリ制御方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のキャッシュメモリ制御方法において、
前記外部記憶装置のパワーオン時またはリセット時に、キャッシュメモリのセグメントへの分割数を初期分割数に戻すことを特徴とするキャッシュメモリ制御方法。
【請求項４】
キャッシュメモリを有する外部記憶装置のコントローラのキャッシュメモリ制御方法であって、
前記コントローラは、前記キャッシュメモリを複数のセグメントに分割し、該各セグメントに上位装置から該外部記憶装置に対して発行されるリード・ライトコマンドの１ブロック以上のアクセス範囲が連続している各スレッドを割当て、
前記コントローラのメモリには、前記セグメントが割り当てられる複数のエントリを有し、キャッシュメモリ分割数に対応する数のエントリを有し、各エントリにセグメント割当て状態、サイズ、キャッシュメモリアドレス範囲、論理アドレス範囲、未更新回数の各欄を有するキャッシュメモリ管理テーブルを設定し、
エントリに割当てたセグメントの未更新回数が予め指定された未更新回数を越えたセグメントがあるか否かの判定をし、越えたセグメントがある場合に、該セグメントと該セグメントと対で分割されたセグメント（以下、分割セグメント）の両セグメントの統合を行い、
該セグメントが割当てられたエントリのセグメント割当て状態を空き状態に、サイズを前記両セグメントのサイズの合計に、キャッシュメモリアドレス範囲を前記両セグメント全体のキャッシュメモリアドレス範囲に更新し、
前記分割セグメントが割当てられたエントリのセグメント割当て状態を無し状態に更新することを特徴とするキャッシュメモリ制御方法。
【請求項５】
キャッシュメモリを有する外部記憶装置のコントローラのキャッシュメモリ制御方法であって、
前記コントローラは、前記キャッシュメモリを複数のセグメントに分割し、該各セグメントに上位装置から該外部記憶装置に対して発行されるリード・ライトコマンドの１ブロック以上のアクセス範囲が連続している各スレッドを割当て、
前記コントローラのメモリには、前記セグメントが割り当てられる複数のエントリを有し、キャッシュメモリ分割数に対応する数のエントリを有し、各エントリにセグメント割当て状態、サイズ、キャッシュメモリアドレス範囲、論理アドレス範囲、未更新回数の各欄を有するキャッシュメモリ管理テーブルを設定し、
現在のキャッシュメモリ分割数が予め定められた最大キャッシュメモリ分割数よりも小さいか否かの判定をし、小さい場合には、未更新回数が最大であるセグメントを分割元セグメントとし、該セグメントを２つに分割し、
分割した２つのセグメントが割当てられたそれぞれのエントリのセグメント割当て状態を空き状態に更新し、該それぞれのエントリのサイズを前記分割元セグメントのサイズを２分割したサイズに更新し、該それぞれのエントリの内の一方のエントリのキャッシュメモリアドレス範囲を前記分割元セグメントのキャッシュメモリスタートアドレスから該スタートアドレスに前記２分割したサイズを加えたアドレスまでの範囲に更新し、該それぞれのエントリの内の他方のエントリのキャッシュメモリアドレス範囲を前記分割元セグメントのキャッシュメモリスタートアドレスに前記２分割したサイズと１を加えたアドレスから前記分割元セグメントのキャッシュメモリエンドアドレスまでの範囲に更新することを特徴とするキャッシュメモリ制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの照明光を反射方向と透過方向に分割する光路分割手段を備えた顕微鏡本体と、
前記顕微鏡本体の前記反射方向の主観察光路に配置され、標本を高倍で観察するミクロ観察用の高倍対物レンズと、
前記高倍対物レンズを複数備え、各高倍対物レンズを選択的に前記主観察光路上に位置させるレボルバと、
前記顕微鏡本体の下側に配置され、前記レボルバを取り付けるレボルバ取付け部と、
前記顕微鏡本体の前記透過方向の副観察光路に配置され、該副観察光路を前記標本面に向けて直角に折り曲げるミラーと、
前記ミラーで折り曲げられた反射光路に配置され、前記標本を前記高倍対物レンズより低倍で観察するマクロ観察用の低倍対物レンズと、
前記レボルバ取付け部に連結して設けられ、前記低倍対物レンズを前記ミラーで折り返された前記副観察光路上に交換可能に取り付ける対物レンズ保持部材と、
を具備したことを特徴とする顕微鏡。
【請求項２】
前記主観察光路上に位置される前記高倍対物レンズと、前記副観察光路上に配置される前記低倍対物レンズは、それぞれの焦点位置が前記標本上の同一面上になるように調整されていることを特徴とする請求項１記載の顕微鏡。
【請求項３】
前記対物レンズ保持部材は、前記レボルバ取付け部に連結して設けられることを特徴とする請求項１記載の顕微鏡。
【請求項４】
前記対物レンズ保持部材は、前記低倍対物レンズを着脱可能なネジ穴で構成したことを特徴とする請求項１記載の顕微鏡。
【請求項５】
前記対物レンズ保持部材は、前記低倍対物レンズを複数備え、前記副観察光路上に選択的に切換える切換え機構を有することを特徴とする請求項１記載の顕微鏡。
【請求項６】
前記切換え機構は、前記レボルバ取付け部に固定された固定部材に対して前記低倍対物レンズが複数取り付けられた可動部材を直線移動可能に設けたことを特徴とする請求項５記載の顕微鏡。
【請求項７】
前記切換え機構は、前記レボルバ取付け部に固定された固定部材に対して前記低倍対物レンズが複数取り付けられた対物レンズ保持部材を回動可能に設けたことを特徴とする請求項５記載の顕微鏡。
【請求項８】
前記低倍対物レンズは、前記マクロ観察に最適な０．５〜２倍の倍率であることを特徴とする請求項１記載の顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本願発明の顕微鏡は、光源からの照明光を反射方向と透過方向に分割する光路分割手段を備えた顕微鏡本体と、前記顕微鏡本体の前記反射方向の主観察光路に配置され、標本を高倍で観察するミクロ観察用の高倍対物レンズと、前記高倍対物レンズを複数備え、各高倍対物レンズを選択的に前記主観察光路上に位置させるレボルバと、前記顕微鏡本体の下側に配置され、前記レボルバを取り付けるレボルバ取付け部と、前記顕微鏡本体の前記透過方向の副観察光路に配置され、該副観察光路を前記標本面に向けて直角に折り曲げるミラーと、前記ミラーで折り曲げられた反射光路に配置され、前記標本を前記高倍対物レンズより低倍で観察するマクロ観察用の低倍対物レンズと、前記レボルバ取付け部に連結して設けられ、前記低倍対物レンズを前記ミラーで折り返された前記副観察光路上に交換可能に取り付ける対物レンズ保持部材とにより構成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、副観察光学系の標本の種類や作業内容に応じた最適な対物レンズと主観察光学系の対物レンズによる組み合わせにより、様々な観察状況下での欠陥検査を行なうことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明によれば、副観察光学系の対物レンズを標本の種類や作業内容に合わせて速やかに切換えることができる。また、同一の標本面に対して副観察光学系と主観察光学系を同時に合焦させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標本を載置するステージと、
前記標本を高倍率で観察する高倍率観察系と低倍率で観察する低倍率観察系を備えた顕微鏡本体と、
前記低倍率観察系による前記標本の画像を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により撮像された低倍率の画像を表示部に表示し、この表示部に表示された低倍率の画像内で被検査箇所に対して指標を付与する画像処理部と、
前記画像処理部により付与された指標からステージ座標を算出する位置解析部と、
前記位置解析部により算出された前記ステージ座標に基づいて前記指標が付与された各被検査箇所を前記低倍率観察系の視野中心に移動させた後に前記高倍率観察系の光軸上に移動するように前記ステージを制御する制御部と、
を具備したことを特徴とする検査顕微鏡システム。
【請求項２】
前記制御部は、前記指標の登録順に、これらの指標に対応する前記各被検査箇所を前記高倍率観察系に移動させることを特徴とする請求項１記載の検査顕微鏡システム。
【請求項３】
前記制御部は、前記位置解析部により算出された前記各被検査箇所に対応するステージ座標を読み出して、前記ステージの最短の移動経路を検索することを特徴とする請求項１記載の検査顕微鏡システム。
【請求項４】
前記画像処理部は、前記被検査箇所に対して識別番号を付与し、制御部は、前記識別番号を指定することにより、指定さてた識別番号に対応する前記被検査箇所のステージ座標に基づいてステージを制御することを特徴とする請求項１記載の検査顕微鏡システム。
【請求項５】
前記位置解析部は、前記表示部に表示された画像の中心を基準点にして、この基準点と前記指標が付与された各被検査箇所に対応する前記ステージの座標を算出することを特徴とする請求項１記載の検査顕微鏡システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本願発明の顕微鏡は、標本を載置するステージと、前記標本を高倍率で観察する高倍率観察系と低倍率で観察する低倍率観察系を備えた顕微鏡本体と、前記低倍率観察系による前記標本の画像を撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像された低倍率の画像を表示部に表示し、この表示部に表示された低倍率の画像内で被検査箇所に対して指標を付与する画像処理部と、前記画像処理部により付与された指標からステージ座標を算出する位置解析部と、前記位置解析部により算出された前記ステージ座標に基づいて前記指標が付与された各被検査箇所を前記低倍率観察系の視野中心に移動させた後に前記高倍率観察系の光軸上に移動するように前記ステージを制御する制御部とにより構成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、位置解析部により指標に基づいて算出されるステージ座標により、指標に対応する被検査箇所を所定の位置まで自動的に移動することができるので、高倍率の観察系による被検査位置の観察を効率よく行なうことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月24日(2004.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体を経て、光を電気信号に変換するイメージ検出装置の上に光を導くためのレンズであって、該レンズに関連付けられた調整可能な絞りを有するレンズと、
を有する、デジタルカメラであって、
ａ）被写体を表す前記電気信号に応答して、前記被写体の周辺光条件に対して前記絞りを最適な設定に自動的に調整するカメラ設定調整システムと、
ｂ）前記調整された絞りに基づいて焦点調節位置を決定する固定焦点モードアルゴリズムであって、前記調整された絞りに対応する焦点調節位置に前記レンズを移動させ、かつ前記調整された絞りに対応する前記焦点調節位置をデフォルト設定として維持する、固定焦点モードアルゴリズムと、
ｃ）前記調整可能な絞りの最適な設定に応答する自動焦点調節アルゴリズムであって、外部から発せられた起動コマンドを受け取ると、前記レンズを所定の焦点調節位置に移動させる自動焦点調節モードアルゴリズムと、
を備えることを特徴とする、デジタルカメラ。
【請求項２】
筐体と、
前記筐体を経て、光を電気信号に変換するイメージ検出装置の上に光を導くためのレンズであって、該レンズに関連付けられた調整可能な絞りを有するレンズと、
を有するデジタルカメラを操作する方法であって、
ａ）被写体の周辺光条件に対して前記絞りを最適な設定に自動的に調整すること、
ｂ）前記調整された絞りに基づいて固定焦点位置を決定し、前記調整された絞りに対応する固定焦点位置に前記レンズを移動させ、かつ前記調整された絞りに対応する前記固定焦点位置を固定焦点デフォルト設定として維持すること、および
ｃ）前記調整された絞りに基づいて自動焦点調節位置を決定し、前記調整された絞りに対応する自動焦点調節位置に前記レンズを移動させること
を含むことを特徴とする、デジタルカメラを操作する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体輝度を測光するセンサー部と、
被写体に照明光を照射する照明部と、
被写体までの距離を検出する自動焦点検出部と、
前記センサー部の測光結果を受けて、前記照明部を制御する制御部と、
前記照明部の温度を検出して前記制御部に伝達する温度検出部とを具備し、
前記制御部は、被写体輝度が所定輝度より低い場合に前記照明部を点灯し、前記照明部の温度が所定温度以上となった場合に前記照明部を消灯することを特徴とするカメラの補助光制御装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記照明部の温度が所定温度以上となった場合に、前記照明部を所定時間継続して消灯することを特徴とする請求項１に記載のカメラの補助光制御装置。
【請求項３】
前記照明部の継続して消灯する時間は、前記照明部の放熱に充分な時間であることを特徴とする請求項２に記載のカメラの補助光制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、カメラの補助光制御装置は、被写体輝度を測光するセンサー部（２）と、被写体に照明光を照射する照明部（５）と、被写体までの距離を検出する自動焦点検出部（３）と、センサー部（２）の測光結果を受けて、照明部を制御する制御部（１）と、照明部の温度を検出して制御部に伝達する温度検出部（６）とを具備し、制御部は、被写体輝度が所定輝度より低い場合に照明部を点灯し、照明部の温度が所定温度以上となった場合に前記照明部を消灯することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに制御部は、照明部の温度が所定温度以上となった場合に、照明部を所定時間継続して消灯しても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
その際の照明部の継続して消灯する時間は、照明部の放熱に充分な時間としても良い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
以上のように、本発明のカメラの補助光制御装置によれば、被写体輝度が所定輝度より低い場合に照明部を点灯し、および消灯を照明部の温度が所定温度以上となった場合に照明部を消灯するようにしたので、照明部の発熱を抑え、照明部の長寿命化を図ることが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、照明部の温度が所定温度以上となった場合に、照明部の放熱に充分な時間継続して消灯させることで、より照明部の寿命を延ばせるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月8日(2005.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定筒の端部に設けられた補強部材に、光軸回りに回転可能に嵌合すると共に一部が固定筒の外周を覆う回転操作部材を備えたレンズ鏡筒において、
前記補強部材は、前記固定筒の内周面に嵌合する嵌合部と、前記回転操作部材の内周面に嵌合する支持部と、前記嵌合部と前記支持部とを分離し、一方端面が前記固定筒の端面に当接する鍔部とが形成され、
前記補強部材の鍔部外周面と前記固定筒の外周面に同時に、両面に粘着性を有する両面テープの一面を巻いて一体に固定し、該両面テープの他面にて前記固定筒と前記回転操作部材との隙間から内部へのほこりの侵入を阻止するようにしたことを特徴とするレンズ鏡筒。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光ランプを点灯することにより原稿の読取走査を行う読取手段と、
この読取手段により読取られた原稿画像の静電潜像を像担持体上に形成し、この像担持体上の静電潜像をトナーにより現像し、このトナー像を被画像形成媒体に転写する処理手段と、
この処理手段により被画像形成媒体上に転写されたトナー像を、第１、第２のヒータランプを有する定着ローラを用いて定着する定着手段と、
からなる画像形成装置において、
上記読取手段により露光ランプの点灯時、上記第１のヒータランプのみを点灯制御し、上記第２のヒータランプを消灯状態のままとする第１の制御手段と、
上記読取手段による原稿の読取走査終了後、上記第１、第２のヒータランプの点灯、消灯を制御して、上記定着ローラの表面温度を所定温度内に維持する第２の制御手段と、
を具備したことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この発明の画像形成装置は、露光ランプを点灯することにより原稿の読取走査を行う読取手段と、この読取手段により読取られた原稿画像の静電潜像を像担持体上に形成し、この像担持体上の静電潜像をトナーにより現像し、このトナー像を被画像形成媒体に転写する処理手段と、この処理手段により被画像形成媒体上に転写されたトナー像を、第１、第２のヒータランプを有する定着ローラを用いて定着する定着手段とからなる画像形成装置において、上記読取手段により露光ランプの点灯時、上記第１のヒータランプのみを点灯制御し、上記第２のヒータランプを消灯状態のままとする第１の制御手段と、上記読取手段による原稿の読取走査終了後、上記第１、第２のヒータランプの点灯、消灯を制御して、上記定着ローラの表面温度を所定温度内に維持する第２の制御手段からなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディジタルドキュメントが内容ファイル及び記述ファイルを含むファイル情報であって、前記ディジタルドキュメントは前記記述ファイルを介して１つ以上の前記使用権をアタッチされ、該使用権は前記記述ファイルに含まれ、該使用権は、前記ディジタルドキュメントの使用可能な回数を含む使用条件または配給条件を規定する情報であり、さらに該使用権は前記ディジタルドキュメントの使用もしくは配給にかかわる許諾に使用される情報であるときに、
該ディジタルドキュメントを格納すること、
前記記述ファイルに含まれる使用権と、ユーザが選択可能な機能と、に基づいて、前記機能が前記使用権に規定されてあるか否かによって該機能のディジタルドキュメントに対する実行を許諾又は拒絶するかを決定すること、
前記機能が前記使用権に規定されていないことにより前記機能のディジタルドキュメントに対する実行を拒絶することを決定した場合、前記機能の実行を拒絶すること、及び、
前記機能が前記使用権に規定されてあることにより該機能のディジタルドキュメントに対する実行を許諾することを決定した場合、該機能を実行すること、
を含む、可搬格納デバイスにおけるディジタルドキュメントにアクセスするための方法。
【請求項２】
ディジタルドキュメントが内容ファイル及び記述ファイルを含むファイル情報であって、前記内容ファイルは前記記述ファイルから独立して格納可能であって、前記ディジタルドキュメントは前記記述ファイルを介して１つ以上の前記使用権をアタッチされ、該使用権は前記記述ファイルに含まれ、該使用権は、前記ディジタルドキュメントの使用可能な回数を含む使用条件または配給条件を規定する情報であり、さらに該使用権は前記ディジタルドキュメントの使用もしくは配給にかかわる許諾に使用される情報であるときに、
該ディジタルドキュメントを格納すること、
前記記述ファイルに含まれる使用権と、ユーザが選択可能な機能と、に基づいて、前記機能が前記使用権に規定されてあるか否かによって該機能のディジタルドキュメントに対する実行を許諾又は拒絶するかを決定すること、
前記機能が前記使用権に規定されていないことにより前記機能のディジタルドキュメントに対する実行を拒絶することを決定した場合、前記機能の実行を拒絶すること、及び、
前記機能が前記使用権に規定されてあることにより該機能のディジタルドキュメントに対する実行を許諾することを決定した場合、該機能を実行すること、
を含む、可搬格納デバイスにおけるディジタルドキュメントにアクセスするための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  （ａ）第１電極の上に、第１の有機材料の微粒子積層構造を形成する工程、
（ｂ）前記微粒子積層構造を互いに融着させて微粒子融着積層構造を形成する工程、
（ｃ）前記微粒子融着積層構造の第１の有機材料と、その表面および/または空隙中に第２の有機材料が存在するように、第２の有機材料とを処理して、ヘテロ接合面を有する機能層を形成する工程、および
（ｄ）前記機能層上に第２電極を形成する工程
を含むことを特徴とする有機太陽電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明によれば、（ａ）第１電極の上に、第１の有機材料の微粒子積層構造を形成する工程、
（ｂ）前記微粒子積層構造を互いに融着させて微粒子融着積層構造を形成する工程、
（ｃ）前記微粒子融着積層構造の第１の有機材料と、その表面および/または空隙中に第２の有機材料が存在するように、第２の有機材料とを処理して、ヘテロ接合面を有する機能層を形成する工程、および
（ｄ）前記機能層上に第２電極を形成する工程
を含むことを特徴とする有機太陽電池の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図２(a)は微粒子が融着構造をなす前の状態である有機太陽電池における微粒子集合体の構造を示す模式図、図２(b)は本発明の有機太陽電池における微粒子融着積層構造を示す模式図である。図２(a)及び図２(b)は、微粒子集合体の構造および微粒子融着積層構造のそれぞれにおいて、微粒子が直線的に並んでいる場合の一列を切り出して表示したものである。図中、２０３は微粒子融着積層構造を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図２(a)の微粒子の構造の場合、粒子と隣の粒子との境界には不連続な界面が存在する。該界面が存在する場合、一つの粒子内に存在する電子やホールなどのキャリアは、前記界面に存在するトラップ準位や空間的な間隙などにより移動が妨げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
したがって、図２(b)の本発明による微粒子融着積層構造の場合、図２(a)の微粒子集合体の構造の場合と比較して、一つの粒子内に存在する電子やホールなどのキャリアは、隣接する粒子にスムーズに移動することが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明の太陽電池の製造方法について説明する。
本発明の有機太陽電池の製造方法は、（ａ）第１電極の上に、第１の有機材料の微粒子積層構造を形成する工程、（ｂ）前記微粒子積層構造を互いに融着させて微粒子融着積層構造を形成する工程、（ｃ）前記微粒子融着積層構造の第１の有機材料と、その表面および/または空隙中に第２の有機材料が存在するように、第２の有機材料とを処理して、ヘテロ接合面を有する機能層を形成する工程、および（ｄ）前記機能層上に第２電極を形成する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
機能層形成後、バソキュプロイン（電子受容性有機材料）を用いて、電子輸送層３０６を真空蒸着法で形成した。この時電子輸送層の膜厚は１００ｎｍであった。次に実施例１と同様にして、膜厚２００ｎｍの第２電極３０７を形成した。以上の工程で本発明の第２実施例の太陽電池が作製できた。
このようにして得られた有機太陽電池は、図２（ａ）で示した微粒子集合体の構造を有する有機太陽電池と比べて高い光電変換効率を示した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
【発明の効果】
本発明の有機太陽電池によれば、電荷分離の面積が大きく、機能層の微粒子間の粒界がなくなり連続であるため、図２（ａ）で示した微粒子集合体の構造を有するバルクヘテロ接合型太陽電池に比べキャリアの移動が円滑に行われる。このため、高い光電変換効率を得ることができる。
また、本発明の有機太陽電池の製造方法は、容易なプロセスによって微粒子の積層した構造を形成することができ、かつ高温プロセスを必要としない。
さらに、電子輸送層および／または正孔輸送層を導入することによって、機能層と電極のキャリアの移動が容易になり、さらなる光電変換効率の向上が可能となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
有機太陽電池における微粒子集合体の構造を示す比較模式図（ａ）および本発明の有機太陽電池における微粒子融着積層構造を示す模式図（ｂ）である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式：
【化１】
2004342625.tif 000001
（ここで、ＬｎはＬａであり；
ＡはＳｒであり；
ＢはＣｏであり；
ｘ＋ｘ′＋ｘ″＝１および１．０５＞ｙ＋ｙ′≧１．０２という条件で；
０．３≦ｘ≦０．７；０．３≦ｘ′≦０．７；０．９＜ｙ＜１．２および０≦ｙ′≦０．１であり；そして
δは物質の組成物に中性の電荷を付与する数である。）
により表わされる物質の組成物を含む単一層からなる、電気的に駆動される固体電解質酸素分離デバイスのためのインターコネクト。
【請求項２】
１つ以上のインターコネクトにより直列に電気的に接続される少くとも２つの電気化学的電池を含む電気化学的固体デバイスであり、少くとも１つのインターコネクトは式：
【化２】
2004342625.tif 000002
（ここで、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕからなる群より選ばれ；
ＡはＳｒ，ＢａおよびＹからなる群より選ばれ；
ＢはＣｕ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｌ，ＭｇおよびＧａからなる群より選ばれ；
ｘ＋ｘ′＋ｘ″＝１および１．２＞ｙ＋ｙ′＞１．０という条件で；
０．１≦ｘ≦０．９；０．１≦ｘ′≦０．９；０≦ｘ″≦０．５；０．５＜ｙ＜１．２および０≦ｙ′≦０．５であり；そして
δは物質の組成物に中性の電荷を付与する数である。）
により表わされる物質の組成物を含む単一層からなる電気化学的固体デバイス。
【請求項３】
ＬｎがＬａ、ＡがＳｒ、ＢがＣｏ、ｘ＋ｘ′＋ｘ″＝１および１．０５＞ｙ＋ｙ′≧１．０２という条件で、０．３≦ｘ≦０．５；０．５≦ｘ′≦０．７；０≦ｘ″≦０．２；０．９＜ｙ＜１．０５；および０≦ｙ′≦０．１である請求項２記載の電気化学的固体デバイス。
【請求項４】
単一層からなる少なくとも１つのインターコネクトが、ＬｎがＬａである前記組成物を含む請求項２記載の電気化学的固体デバイス。
【請求項５】
単一層からなる少なくとも１つのインターコネクトが、ＡがＳｒである前記組成物を含む請求項２記載の電気化学的固体デバイス。
【請求項６】
単一層からなる少なくとも１つのインターコネクトが、ＢがＣｏである前記組成物を含む請求項２記載の電気化学的固体デバイス。
【請求項７】
単一層からなる少なくとも１つのインターコネクトが、０．３≦ｘ≦０．７および０．３≦ｘ′≦０．７である前記組成物を含む請求項２記載の電気化学的固体デバイス。
【請求項８】
単一層からなる少なくとも１つのインターコネクトが、ｘ″が０である前記組成物を含む請求項２記載の電気化学的固体デバイス。
【請求項９】
単一層からなる少なくとも１つのインターコネクトが、０．９＜ｙ＜１．２および０≦ｙ′≦０．１である前記組成物を含む請求項２記載の電気化学的固体デバイス。
【請求項１０】
単一層からなる少なくとも１つのインターコネクトが、ｙ′が０である前記組成物を含む請求項２記載の電気化学的固体デバイス。
【請求項１１】
１つ以上のインターコネクトにより直列に電気的に接続される少くとも２つの電気化学的電池を含む電気化学的固体デバイスであり、少くとも１つのインターコネクトは式：
【化３】
2004342625.tif 000003
（ここで、ＬｎはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕからなる群より選ばれ；
ｘ＋ｘ′＝１という条件で；
０．１≦ｘ≦０．９；０．１≦ｘ′≦０．９；１．０＜ｙ＜１．２であり；そして
δは物質の組成物に中性の電荷を付与する数である。）
により表わされる物質の組成物を含む単一層からなる電気化学的固体デバイス。
【請求項１２】
ＬｎはＬａであり、０．３≦ｘ≦０．５および１．０＜ｙ＜１．０５である請求項１１記載の電気化学的固体デバイス。
【請求項１３】
単一層からなる少なくとも１つのインターコネクトが、０．３≦ｘ≦０．７である前記組成物を含む請求項１１記載の電気化学的固体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１のクラッド層と、
前記第１のクラッド層の上に設けられた活性層と、
前記活性層の上に設けられた第２導電型の第２のクラッド層と、
を備え、
前記第２のクラッド層の少なくとも一部は、リッジストライプ状に形成され、
前記リッジストライプは、
その上側に設けられ側面が略垂直な垂直部と、
その下側に設けられ前記ストライプの幅が前記活性層に向けて広がるように側面が傾斜した傾斜部と、
を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記基板は、その主面が（１００）面から５度乃至３５度傾斜してなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記リッジストライプの両脇に設けられ前記クラッド層よりも屈折率の低い電流阻止層をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記電流阻止層の厚みは、前記傾斜部の厚みよりも小さく、かつ、前記傾斜部の厚みが０．２〜０．５μｍであることを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
同一の基板を用いて形成された、ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子と、ＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザ素子と、を備えた半導体レーザ装置であって、
前記ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子は、
第１導電型のクラッド層と、
前記第１導電型のクラッド層の上に設けられ、ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ≦０．２）を含み電流注入により光を放射する活性層と、
前記活性層の上に設けられた第２導電型の第１のクラッド層と、
前記第２導電型の第１のクラッド層の上に設けられ、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）０．５Ｐ（０．６≦ｘ≦１）からなる第２導電型の第２のクラッド層であって、少なくともその一部は、リッジストライプ状に形成され、
前記リッジストライプは、
その上側に設けられ側面が前記基板の主面に対して略垂直な垂直部と、
その下側に設けられ前記ストライプの幅が前記活性層に向けて広がるように側面が傾斜した傾斜部と、  を有する第２導電型の第２のクラッド層と、
を有する半導体レーザ素子であり、
前記ＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザ素子は、
第１導電型のクラッド層と、
前記第１導電型のクラッド層の上に設けられ、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ｕＡｌｕ）０．５Ｐ（０≦ｕ≦０．２）を含む活性層と、
前記活性層の上に設けられた第２導電型の第１のクラッド層と、
前記第２導電型の第１のクラッド層の上に設けられ、前記ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子の前記第２導電型の第２のクラッド層と該等しい組成のＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる第２導電型の第２のクラッド層であって、少なくともその一部は、リッジストライプ状に形成され、前記リッジストライプは、
その上側に設けられ側面が前記基板の主面に対して略垂直な垂直部と、
その下側に設けられ前記ストライプの幅が前記活性層に向けて広がるように側面が傾斜した傾斜部と、  を有する第２のクラッド層と、を有し、前記ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子とは異なる波長の光を放射する半導体レーザ素子であり、
前記ＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザ素子と、前記ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子と、の少なくとも一方の半導体レーザ素子が、前記リッジストライプを挟んでその両側に電流阻止層をさらに有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯情報機器において０から９の数字が割り当てられた１０個のキー、いわゆるテンキーによる文字入力装置でカナ文字入力を行う場合、テンキーに割り当てられたワ行を除く各行のア段のキーを押している時間が一定時間よりも長いときは、その押された行のオ段の文字に変換と同時に確定され、ワ行の「わ」のキーを押している時間が一定時間よりも長いときは、「ん」の文字に変換と同時に確定されることを特徴とする携帯情報機器のテンキーにおいてカナ文字入力を容易にする方法。
【請求項２】
各行のイ段のキーを押している時間が一定時間よりも長いときは、その押された行のエ段の文字に変換と同時に確定されることを特徴とする請求項１に記載の携帯情報機器のテンキーにおいてカナ文字入力を容易にする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
次に、半導体基板１０に電気的接合部５０を形成する。電気的接合部５０は、例えば、パターニングされたレジスト５６を形成する工程（図４（Ａ）参照）と、レジスト５６から露出した部分に電気的接合部５０を形成する工程（図４（Ｂ）参照）と、によって形成してもよい。詳しくは、第１の面３２に、例えば、スパッタリングや無電解メッキによって導電膜（図示せず）を形成した後に、パターニングされたレジスト５６を形成する（図４（Ａ）参照）。レジスト５６は、リソグラフィ工程によってパターニングして形成してもよい。その後、電解メッキを行って、電気的接合部５０を形成してもよい（図４（Ｂ）参照）。最後に、導電膜の一部とレジスト５６とを除去して、電気的接合部５０を形成してもよい。ただし、電気的接合部５０を形成する工程はこれに限られず、例えばインクジェット方式等の既に公知となっているいずれの方法を適用してもよい。なお、電気的接合部５０の材料は特に限定されないが、例えば、Ｃｕによって形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
電気的接合部５０は、導電部５２と配線部５４とを有するように形成する。導電部５２は、絶縁層４０の内側に配置されてなる。そして、配線部５４は、導電部５２に電気的に接続するように第１の面３２上に配置される。これによれば、導電部５２は、半導体基板１０におけるパッド１４領域内の凹部３０内に形成される。先に説明したとおり、凹部３０がパッド１４領域内に形成されることで、配線部５４の引き回しの自由度を高めることができる。さらに、配線部５４によって、パッド１４とは別の位置で、電気的接合部５０の電気的な接続を図ることができるため、異なるパッド配列の半導体基板同士を積層して、電気的に接続することが可能となる。このことから、半導体基板１０に電気的接合部５０を形成することで、実装性の高い半導体装置を製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
なお、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、上記の方法に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、図１１に示すように、絶縁層３０に充填されるように導電部５５を形成してもよい。言い換えると、内部にボイドを有さないように、導電部５５を形成してもよい。そして、図１２に示すように、先端面５７を粗面加工して、先端面５７に複数の凹部を含む凹凸を形成してもよい。先端面５７を、導電部５５における先端面５７とは反対側の面よりも粗くしてもよい。例えば、エッチングによって導電部５５の先端面５７の一部を除去して、先端面５７を粗面加工してもよい。これによっても、複数の凹部が形成されるため、同様の効果を有する半導体装置を製造することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004342991.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
行コントローラ８０には、ＡＴＤ信号とライトイネーブル信号＃ＷＥとリフレッシュ要求信号ＲＦＲＱとが与えられており、行コントローラ８０は、これらの信号に応じて、ライト実施信号＃ＥＸＷとリード実施信号＃ＥＸＲとリフレッシュ実施信号＃ＲＦと列イネーブル信号＃ＣＥとを出力する。なお、行コントローラ８０による外部アクセスと内部リフレッシュとの調停は、３つの実施信号＃ＥＸＷ，＃ＥＸＲ，＃ＲＦの信号レベルをそれぞれ設定することによって実現される。また、列イネーブル信号＃ＣＥは、２つの外部アクセス実施信号＃ＥＸＷ，＃ＥＸＲのうちのいずれか一方がアクティブに設定される場合に、アクティブに設定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
時刻ｔ３２から始まる第２の期間Ｐ３２では、時刻ｔ３２でアドレス変化が発生した後、アドレスＡ０〜Ａ２０は変化せずに維持されている。そして、期間Ｐ３２の前半期間Ｐ３２ａでは、上位バイトに対する読み出し要求が発生しており、後半期間Ｐ３２ｂでは、下位バイトに対する読み出し要求が発生している。具体的には、前半期間Ｐ３２ａでは、ライトイネーブル信号＃ＷＥが非アクティブ（Ｈレベル）に設定されており、アウトプットイネーブル信号＃ＯＥと上位バイトイネーブル信号＃ＵＢとがアクティブ（Ｌレベル）に設定されている。また、後半期間Ｐ３２ｂでは、ライトイネーブル信号＃ＷＥが非アクティブ（Ｈレベル）に設定されており、アウトプットイネーブル信号＃ＯＥと下位バイトイネーブル信号＃ＬＢとがアクティブ（Ｌレベル）に設定されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
また、請求項１５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、第２層を形成する工程は、第１層の上に、第２層を形成するための被パターニング層を形成する工程と、被パターニング層の上に、被パターニング層をパターニングするためのエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを用いて、被パターニング層および第１層を選択的にエッチングする工程とを含んでいる。そして、エッチングする工程において、被パターニング層がパターニングされることによって第２層が形成され、且つ第１層がパターニングされる。本発明によれば、第１層と第２層との位置合わせを正確に行うことができ、その結果、良好な記録特性を実現することができるという効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
こうすれば、外部アドレスが変化して外部アクセスタイミング信号がアクティブ状態となっている期間中に、いずれかの動作が開始されたとした場合に比べて、次の動作の開始までの時間を短くすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
なお、上記半導体メモリ装置において、
前記ライトイネーブル信号が非アクティブ状態に戻るタイミングに基づいて外部アドレスおよび外部データを保持する保持部を備えており、
前記ライトアクセスが実行される場合には、前記保持部に保持されている外部アドレスおよび外部データを用いてライトアクセスが実行されるようにすることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
実施例１０〜１４
表３および図１に示すような光記録媒体を次のようにして形成した。ポリカーボネートからなり、基板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．４８μｍ、溝幅０．７４μｍ、溝深さ６５ｎｍの基板を用い、高温で脱水処理した後スパッタにより成膜した。第１の誘電体保護層として、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い膜厚１７０ｎｍの厚さにつけた。次に実施例１の組成比の記録層をガス圧３×１０−３ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタする。このときＡｒガスと窒素ガス０．５ｓｃｃｍ流し、Ａｒ＋Ｎ２の混合ガスとした。膜厚を１８ｎｍにし記録層とした。さらに、表３に示す組成の第２の誘電体保護層を第１の誘電体保護層と同様の要領で形成した。ついで、その上にＭｇ−Ｉｎ−Ｏ放熱層の順に、厚さ２５０ｎｍとし、各層の膜厚比を５０：５０〜９０：１０の範囲でつけた。さらにその上にＡｌＴｉ合金膜を反射放熱層として厚さ１２０ｎｍつけた。Ｍｇ−Ｉｎ−Ｏ放熱層の屈折率を測定したところ約２．１であった。その上に紫外線硬化型樹脂膜を保護膜としてつけ媒体とした。記録再生条件は、波長６３５ｎｍ、ＮＡ０．６で記録再生する。記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はＥＦＭ＋〔８／１６、ＲＬＬ（２、１０）〕変調方式で行った。記録パワー／消去パワーの比を約２〜２．２にし、再生パワーを１ｍＷ、ボトムパワーを再生パワーと同じかそれより低くし、グループに記録した。線速３．５ｍ／ｓｅｃ、記録周波数２３．３ＭＨｚで記録し、ジッター最小となる記録パワーで繰り返しオーバーライトを行った。ジッターはｄａｔａ  ｔｏ  ｃｌｋジッターを測定した。表３に実施例を示す。その結果、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｍｇ）が０．９６〜０．９８の範囲で、保護層：放熱層の膜厚比が８０：２０付近が最もくり返しオーバーライト回数が多かった。くり返しオーバーライト回数は先と同様、ジッター１０％以下の場合である。表３に実施例１０〜１４を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
第４実施例においては、図４（ａ）に示されるように、前記スロアウエイチップ５の円周方向の各ピッチ間隔がａｉ−ａｉ−１＝ｂ×ＰＣＤ／ｎ（ｂ：係数，ＰＣＤ：ホブのピッチ円径，ｎ：切刃分割数）にそれぞれ設定され、前記リード角αは１〜６０ｄｅｇに設定される。なお、前記係数ｂは、±５〜１５％とされている。一方、図４（ｂ）に示されるように、従来のスロアウエイホブでは前記リード角αは０であり、スロアウエイチップ５１はホブ軸方向に対して横一列に配列されている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1999254233.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウォーム状に加工された後、一定の間隔をおいてホブ軸に溝が加工されることによりボディ周面に複数の刃片支持部を一体に備え、この刃片支持部の回転方向前面側にスロアウエイチップを固定させる着座面を備えるとともに、その着座面がホブ軸直交軸に対してウォーム円周の接線方向に所定のすくい角に傾斜されるスロアウエイホブにおいて、
ホブＰＣＤの接線方向に対するスロアウエイチップの左右切刃の圧力角を等しくするために、前記スロアウエイチップの中心線がホブ軸直交軸に対して刃先方向に圧力角差を有するようにそのスロアウエイチップを配置することを特徴とするスロアウエイホブ。
【請求項２】
前記圧力角差は、スロアウエイチップ面の法線方向に対する左右切刃の圧力角とホブＰＣＤの接線方向に対する左右切刃の圧力角との差である請求項１に記載のスロアウエイホブ。
【請求項３】
前記すくい角はホブ軸直交軸に対してホブ回転方向の負側に形成されている請求項１又は２に記載のスロアウエイホブ。
【請求項４】
前記着座面は放電加工により形成されるとともに、この着座面が形成された刃片支持部は前記スロアウエイチップより僅かに小さい形状とされる請求項１乃至３のうちいずれかに記載のスロアウエイチップ。
【請求項５】
前記スロアウエイチップの形状が上下左右対称な略菱形平柱状である請求項１乃至４のうちいずれかに記載のスロアウエイホブ。
【請求項６】
前記請求項１乃至５のうちいずれかに記載のスロアウエイホブの製造方法であって、
（ａ）前記圧力角差を演算してスロアウエイホブの寸法を算出し、この算出される寸法に基づいてスロアウエイホブの組立図面および加工データを作成する演算出力手段に被削歯車の諸元を入力し、
（ｂ）前記演算出力手段より、前記被削歯車の諸元に基づいたスロアウエイホブの組立図面および加工データを出力し、
（ｃ）このスロアウエイホブの組立図面および加工データに基づいてウォーム加工及びホブ軸に溝の加工が施されて複数の刃片支持部を有するスロアウエイホブのボディが形成されるとともに、このボディに前記圧力角差が加味された形状の着座面を加工する放電加工用電極が形成され、
（ｄ）この放電加工用電極により前記刃片支持部の回転方向前面に前記着座面が所定のピッチ毎に加工され、
（ｅ）前記着座面にスロアウエイチップをチップ係合支持体を介して固定する
ことを特徴とするスロアウエイホブの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用・効果】
第１発明によるスロアウエイホブは、前述された目的を達成するために、ウォーム状に加工された後、一定の間隔をおいてホブ軸に溝が加工されることによりボディ周面に複数の刃片支持部を一体に備え、この刃片支持部の回転方向前面側にスロアウエイチップを固定させる着座面を備えるとともに、その着座面がホブ軸直交軸に対してウォーム円周の接線方向に所定のすくい角に傾斜されるスロアウエイホブにおいて、
ホブＰＣＤの接線方向に対するスロアウエイチップの左右切刃の圧力角を等しくするために、前記スロアウエイチップの中心線がホブ軸直交軸に対して刃先方向に圧力角差を有するようにそのスロアウエイチップを配置することを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
次に、第２発明のスロアウエイホブの製造方法は、前記第１発明に係るスロアウエイホブ製造方法であって、
（ａ）前記圧力差角を演算してスロアウエイホブの寸法を算出し、この算出される寸法に基づいてスロアウエイホブの組立図面および加工データを作成する演算出力手段に被削歯車の諸元を入力し、
（ｂ）前記演算出力手段より、前記被削歯車の諸元に基づいたスロアウエイホブの組立図面および加工データを出力し、
（ｃ）このスロアウエイホブの組立図面および加工データに基づいてウォーム加工及びホブ軸に溝の加工が施されて複数の刃片支持部を有するスロアウエイホブのボディが形成されるとともに、このボディに前記圧力角差が加味された形状の着座面を加工する放電加工用電極が形成され、
（ｄ）この放電加工用電極により前記刃片支持部の回転方向前面に前記着座面が所定のピッチ毎に加工され、
（ｅ）前記着座面にスロアウエイチップをチップ係合支持体を介して固定する
ことを特徴とするものである。