(57)【要約】  ウェハレベルバーンイン試験ではウェハ上の半導体集積回路を動作させるために十分な電源電流の供給が必要であるが、半導体集積回路のトランジスタ特性ばらつき等により許容電流量を超える場合がある。  電流測定装置（３）によりバーンイン試験時の動作電源電流を測定し、測定した電流値に基づいて、信号発生装置（５）より試験対象の半導体集積回路に供給する動作信号（１３）の動作周波数を制御することにより動作電源電流を制御するようにした。
2008038546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハに搭載された複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う半導体検査装置において、
バーンイン試験時の動作電源電流を制御することが可能である、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体検査装置において、
バーンイン試験時の動作電源電流を測定し、該測定した値に基づいて、前記バーンイン試験時の動作電源電流を制御する、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体検査装置において、
前記バーンイン試験時の動作電源電流の制御を、バーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数を制御して行う、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の半導体検査装置において、
試験対象の複数の半導体集積回路が搭載されたウェハを複数の試験対象領域に分割し、バーンイン試験時に、該複数の試験対象領域を時分割動作させることが可能である、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体検査装置において、
前記試験対象の複数の半導体集積回路を、所定の動作周波数よりも低い複数の動作周波数の各々で動作させ、その測定した複数の電流値から該複数の半導体集積回路の各々の電源電流特性を求め、
該求めた各々の電源電流特性に基づいて、前記所定の動作周波数での前記試験対象の複数の半導体集積回路の動作電流値を算出し、該算出電流値の合計が、所定の値以上であるときに、前記複数の試験対象領域を、時分割動作させる、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の半導体検査装置において、
前記複数の試験対象領域を、該複数の試験対象領域に供給する電源の有無を制御して時分割動作させる、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項７】
請求項４または請求項５に記載の半導体検査装置において、
前記複数の試験対象領域を、前記複数の試験対象領域の半導体集積回路に供給する動作用信号の有無を制御して時分割動作させる、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項８】
ウェハに搭載された、各々が複数の機能ブロックを有し該複数の各機能ブロックの動作、非動作を選択可能である複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う半導体検査装置であって、
バーンイン試験時に、前記複数の半導体集積回路の前記複数の機能ブロックに異なる制御信号を与えて該複数の機能ブロックを時分割動作させる、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項９】
ウェハに搭載された複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う際に、前記複数の各半導体集積回路の有する複数の機能ブロックに、相互に異なる制御信号を与えることにより、該複数の機能ブロックが時分割動作し、時分割バーンイン動作を行う、
ことを特徴とする半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体検査装置および半導体集積回路に関するものであり、特に半導体集積回路のウェハレベルバーンイン試験を行う半導体検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の大規模化、高集積化にともない、半導体集積回路検査の高精度化がますます求められている。また、半導体製造工程（プロセス）技術の微細化や、アナログ回路と、ＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリ）等のメモリと、論理回路とを混載可能な半導体プロセス技術の導入による複雑化等により、半導体集積回路の信頼性確保の観点から、量産試験時における加速試験により、初期不良を発生させる可能性のある半導体集積回路の選別が必須となってきている。一方、半導体集積回路の低コスト化の要求に応えるために、量産出荷時の工程削減が必須である。【０００３】
一般的に、半導体集積回路の量産試験では、ウェハ状態でプローブ検査を実施し、プローブ検査の良品に対してバーンイン試験と呼ばれる加速試験を実施し、さらに、最終検査あるいは出荷検査を実施して工場から出荷される。【０００４】
ここで、バーンイン試験とは、通常使用時の電源電圧より高い電圧を印加した状態で、内部の論理回路が効率よく動作するテスト信号を入力することにより、初期不良を発生する可能性のある半導体集積回路に不良を発生させ、バーンイン試験中またはバーンイン試験後の検査で不良を発見し、工場から初期不良を発生する可能性のある半導体集積回路が出荷されるのを防ぐための加速試験である。【０００５】
このバーンイン試験には、プローブ検査で良品と判定された半導体チップを封止（パッケージ）した状態で実施するパッケージバーンイン試験と、複数の半導体集積回路が搭載されたウェハ状態で実施するウェハレベルバーンイン試験がある。【０００６】
ウェハレベルバーンイン試験は、ウェハ上に搭載されている半導体集積回路に対して一括して同時にバーンイン試験を行うが、ウェハ上の半導体集積回路を動作させるために十分な電源電流の供給が必要である。従って、半導体集積回路は、通常、ウェハレベルバーンイン試験時の動作電流が、ウェハレベルバーンイン試験を行うウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように設計されている。【０００７】
また、半導体集積回路の設計が、一括して同時にバーンイン試験を行うと試験時の動作電流がウェハレベルバーンイン装置の電源装置が許容できる電源容量を超えてしまうことが予め判っているものにおいては、例えば特許文献１に開示されるように、動作電流をウェハレベルバーンイン装置の電源装置を許容できる電源容量内に収めるために、ウェハ上の複数の半導体集積回路の回路構成を相互に異ならせることによって、該複数の半導体集積回路の動作タイミングを相互にずらすことを行っている。
【特許文献１】特開平１１−１２１５５７公報  （第１２頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように、ウェハレベルバーンイン試験では、ウェハ上の半導体集積回路を動作させるために十分な電源電流の供給が必要であり、半導体集積回路は、通常、ウェハレベルバーンイン試験時の動作電流が、ウェハレベルバーンイン試験を行うウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように設計されている。【０００９】
しかし、近年の半導体製造工程（プロセス）技術の微細化によりトランジスタの閾値（Ｖｔ）が低下し、バーンイン検査を行う高温時のオフリーク電流が非常に増加することにより電源電流が増加しており、また、従来に比べ半導体集積回路に占めるアナログ回路の規模が大きい半導体集積回路が開発され、バーンイン試験時のアナログ回路の定常電流の増大により電源電流が増加している。このように電源電流の大きな半導体集積回路に対してウェハレベルバーンイン試験を行うために、上記特許文献１に開示されたように、ウェハ上の複数の半導体集積回路の回路構成を相互に異ならせることによって、該複数の半導体集積回路の動作タイミングを相互にずらすことが提案されているが、複数の半導体集積回路の回路構成を相互に異ならせるため、設計が複雑になるという問題がある。【００１０】
また、半導体製造工程（プロセス）のばらつきにより、トランジスタの閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した場合、オフリーク電流がさらに増加することにより、標準値では十分な電源電流の供給が可能であるが、トランジスタの閾値低下時には、動作電流がウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が、許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。また、通常は、ウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が、許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように半導体集積回路は設計されているが、設計時の見積もりと実際に必要な電源容量とに差が発生し、バーンイン試験時の動作電流が、ウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。このように、バーンイン試験時の動作電流が、ウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が許容できる電源容量を超えてしまう場合、電源装置が電源供給を遮断し、バーンイン試験が停止してしまう、という問題があった。【００１１】
本発明は上記の問題を解消するためになされたもので、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等によりバーンイン試験時の動作電流が増大した場合においても、バーンイン試験を可能とできる半導体検査装置、および半導体集積回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明（請求項１）に係る半導体検査装置は、ウェハに搭載された複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う半導体検査装置において、バーンイン試験時の動作電源電流を制御することが可能である、ことを特徴とする。【００１３】
また、本発明（請求項２）に係る半導体検査装置は、請求項１に記載の半導体検査装置において、バーンイン試験時の動作電源電流を測定し、該測定した値に基づいて前記バーンイン試験時の動作電源電流を制御する、ことを特徴とする。【００１４】
また、本発明（請求項３）に係る半導体検査装置は、請求項１または請求項２に記載の半導体検査装置において、前記バーンイン試験時の動作電源電流の制御を、バーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数を制御して行う、ことを特徴とする。【００１５】
また、本発明（請求項４）に係る半導体検査装置は、請求項１または請求項２に記載の半導体検査装置において、試験対象の複数の半導体集積回路が搭載されたウェハを複数の試験対象領域に分割し、バーンイン試験時に該複数の試験対象領域を時分割動作させることが可能である、ことを特徴とする。【００１６】
また、本発明（請求項５）に係る半導体検査装置は、請求項４に記載の半導体検査装置において、前記試験対象の複数の半導体集積回路を、所定の動作周波数よりも低い複数の動作周波数で動作させ、その測定した複数の電流値から該複数の半導体集積回路の電源電流特性を求め、この電源電流特性に基づいて前記所定の動作周波数での前記試験対象の複数の半導体集積回路の動作電流値を算出し、該算出電流値が所定の値以上であるときに、前記複数の試験対象領域を時分割動作させる、ことを特徴とする。【００１７】
また、本発明（請求項６）に係る半導体検査装置は、請求項４または請求項５に記載の半導体検査装置において、前記複数の試験対象領域を、該複数の試験対象領域に供給する電源の有無を制御して時分割動作させる、ことを特徴とする。【００１８】
また、本発明（請求項７）に係る半導体検査装置は、請求項４または請求項５に記載の半導体検査装置において、前記複数の試験対象領域を、前記複数の試験対象領域の半導体集積回路に供給する動作用信号の有無を制御して時分割動作させる、ことを特徴とする。【００１９】
また、本発明（請求項８）に係る半導体検査装置は、ウェハに搭載された、各々が複数の機能ブロックを有し該複数の各機能ブロックの動作、非動作を選択可能である複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う半導体検査装置において、バーンイン試験時に、前記複数の半導体集積回路の前記複数の機能ブロックに異なる制御信号を与えて該複数の機能ブロックを時分割動作させる、ことを特徴とする。【００２０】
また、本発明（請求項９）に係る半導体装置は、ウェハに搭載された複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う際に、前記複数の各半導体集積回路の有する複数の機能ブロックに、相互に異なる制御信号を与えることにより、該複数の機能ブロックが時分割動作し、時分割バーンイン動作を行う、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体検査装置は、上記構成とすることにより、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等によりバーンイン試験時の動作電流が増大した場合においても、ウェハレベルバーンイン試験装置の許容範囲内にバーンイン動作時電流を制御することで、バーンイン試験を可能にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１における半導体検査装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１による半導体検査装置における電源電流量の制御の動作を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態２による半導体検査装置の構成を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態３による半導体検査装置の構成を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態４による半導体検査装置および半導体集積回路の構成を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態２ないし４による半導体検査装置における電源電流量の制御の動作を説明するための図である。
【符号の説明】
【００２３】
１００、２００、３００、４００  ウェハレベルバーンイン装置
２、２ｂ  電源装置
３  電流測定装置
４  動作周波数制御装置
５、５ｂ、５ｃ  信号発生装置
６  バーンインプローバ
７  試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ
７ａ  試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ａ
７ｂ  試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ｂ
８  ウェハ７に搭載されている試験対象の半導体集積回路
８ａ  試験対象の半導体集積回路８内部の機能ブロックＡ
８ｂ  試験対象の半導体集積回路８内部の機能ブロックＢ
１０、２１、２４、３１  制御用信号
１１  動作周波数制御装置４から信号発生装置５への制御信号
１２  電源装置２からバーンインプローバ６へ電源を供給する電源線
１２ａ  ウェハ７の領域Ａに電源を供給する電源線
１２ｂ  ウェハ７の領域Ｂに電源を供給する電源線
１３  信号発生装置５からバーンインプローバ６へ動作信号を供給する信号線
１３ａ  ウェハ７の領域Ａに電源を供給する信号線
１３ｂ  ウェハ７の領域Ｂに電源を供給する信号線
２０  電源供給制御装置
２２  電源供給制御装置２０から電源装置２への制御信号
２３  信号発生制御装置
２５  信号発生制御装置２３から信号発生装置５への制御信号
３０  半導体集積回路ブロック動作制御装置
３２  半導体集積回路ブロック動作制御信号を供給する信号線
３２ａ  機能ブロックＡに制御信号を供給する信号線
３２ｂ  機能ブロックＢに制御信号を供給する信号線
３３  半導体集積回路ブロック動作制御装置３０から信号発生装置５への制御信号
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１による半導体検査装置について説明する。【００２５】
図１は、本実施の形態１による半導体検査装置であるウェハレベルバーンイン装置の構成を示す図である。図１において、１００はウェハレベルバーンイン装置、２は試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給する電源装置、３は電源装置２が試験対象の半導体集積回路に供給している電流値を測定する電流測定装置、４は電流測定装置３の測定結果を元に、試験対象の半導体集積回路の動作周波数を制御する動作周波数制御装置、５は試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給する信号発生装置、６は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハに、動作用電源、動作用信号を供給するための検査冶具であるバーンインプローバ、７は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ、１０は電流測定装置３から動作周波数制御装置４に送られる制御用信号、１１は動作周波数制御装置４が信号発生装置５を制御するための制御信号、１２は電源装置２からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給するための電源線、１３は信号発生装置５からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給するための信号線である。【００２６】
次に、本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００の動作を、図１および図２について説明する。【００２７】
図１において、試験対象の半導体集積回路を複数搭載したウェハ７は、バーンインプローバ６で固定され、電源線１２および信号線１３が、ウェハ７に搭載されている各々の試験対象の半導体集積回路に電気的に接続され、動作用の電源と、動作用の信号とが、該半導体集積回路に供給される。【００２８】
ウェハレベルバーンイン試験は、ウェハレベルバーンイン装置１００の電源装置２と、信号発生装置５から、それぞれ動作用の電源、信号が試験対象の半導体集積回路に供給されることにより行われるが、この際、バーンイン試験に必要な電源容量は、トランジスタの閾値（Ｖｔ）のばらつきにより、同一の動作条件であっても変化し、場合によっては、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。【００２９】
また、通常は電源装置２が許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように、半導体集積回路は設計されているが、設計時の見積もりと、実際に必要な電源容量とに差が発生し、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。【００３０】
バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量を超えてしまう場合、電源装置２は、電源供給を遮断してしまい、バーンイン試験が停止してしまう。【００３１】
本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００では、試験対象の半導体集積回路の動作周波数を制御することにより、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置が許容できる電源容量を超えないように制御する。【００３２】
図２は、本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００における電源電流量の制御の動作を説明するための図である。以下、本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００における電源電流量の制御の詳細な動作を、図１、及び図２について説明する。【００３３】
バーンイン試験では、製品保証を行うための検査条件が定められており、一般にバーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数も、検査条件として規定されている。ここで、本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００では、ウェハレベルバーンイン試験の開始時に、試験対象の半導体集積回路の検査条件の動作周波数、以外の動作周波数で、以下のように動作する。【００３４】
まず、信号発生装置５からウェハ上のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を、検査条件の動作周波数Ａよりも低い動作周波数ａで動作させる動作信号を供給して、そのときの動作電流を電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号１０ａとして、動作周波数制御装置４に送る。【００３５】
次に、信号発生装置５からウェハ上のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を、検査条件の動作周波数Ａよりも低く、かつ動作周波数ａとは異なる動作周波数ｂで動作させる動作信号を供給して、そのときの動作電流を電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号１０ｂとして、動作周波数制御装置４に送る。【００３６】
動作周波数制御装置４は、電流測定装置３より送られた２つの電流値１０ａ、１０ｂと、動作周波数ａ、ｂの値とから、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路の電源電流特性を求め、さらに、該求めた電源電流特性に基づいて、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させた場合の動作電流値を、算出する。【００３７】
そして、動作周波数制御装置４は、前記求めた電源電流特性が、図２の点線で示すように、算出した動作電流値（動作電流Ｄ）が、電源装置２の許容電流Ｃを超えないものであるときは、信号発生装置５がバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を出力するための設定情報を、制御信号１１ａとして、信号発生装置５に送る。【００３８】
一方、前記求めた電源電流特性が、図２の実線で示すように、算出した動作電流値（図２中の白丸）が電源装置２の許容電流Ｃを超えてしまうものであるときは、動作周波数制御装置４は、信号発生装置５がバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路をその動作電流が電源装置の許容電流以下に収まる動作周波数Ｂで動作させる動作信号を出力するための設定情報を、制御信号１１ｂとして、信号発生装置５に送る。【００３９】
この後、信号発生装置５は、動作周波数制御装置４からの制御信号１１（１１ａ、１１ｂ）に基づいて動作信号を生成し、これを試験対象の半導体集積回路へ供給して、バーンイン試験を実施する。これにより、本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００では、バーンイン試験時の動作電流が電源装置２の許容電流を超えてしまうことを防止でき、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等によりバーンイン試験時の動作電流が増大する場合においても、確実にバーンイン試験を行うことができる。【００４０】
このように、本実施の形態１では、バーンイン試験時の動作電源電流を測定し、該測定した電流値に基づいて、試験対象の半導体集積回路に供給する動作信号の動作周波数を制御し、動作電源電流を制御するようにしたから、バーンイン動作時電流を、ウェハレベルバーンイン試験装置の許容範囲内に制御することができ、確実に有効なバーンイン試験を実施できる効果が得られる。【００４１】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２による半導体検査装置について説明する。【００４２】
図３は、本実施の形態２による半導体検査装置であるウェハレベルバーンイン装置の構成を示す図である。図３において、２００はウェハレベルバーンイン装置、２ｂは試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給する電源装置、３は電源装置２ｂが試験対象の半導体集積回路に供給している電流値を測定する電流測定装置、５は試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給する信号発生装置、６は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハに動作用電源、動作用信号を供給するための検査冶具であるバーンインプローバ、７は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ、７ａは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ａ、７ｂは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ｂ、１２は電源装置２からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給するための電源線、１２ａは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域７ａに電源を供給する電源線、１２ｂは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域７ｂに電源を供給する電源線、１３は信号発生装置５からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給するための信号線、２０は電流測定装置３の測定結果を元に試験対象の半導体集積回路に供給する電源を制御する電源供給制御装置、２１は電流測定装置３から電源供給制御装置２０に送られる制御用信号、２２は電源供給制御装置２０が電源装置２ｂを制御するための制御信号である。【００４３】
次に、本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００の動作について説明する。【００４４】
試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７は、バーンインプローバ６で固定され、電源線１２と、信号線１３は、ウェハ７に搭載されている各々の試験対象の半導体集積回路に電気的に接続されており、動作用の電源と信号が供給される。【００４５】
本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００では、電源装置２ｂから検査対象の複数の半導体集積回路に動作用電源を供給する電源線１２は、電源線１２ａと、１２ｂに分けられ、電源線１２ａがウェハ７の領域Ａ７ａに存在する半導体集積回路に、電源線１２ｂがウェハ７の領域Ｂ７ｂに存在する半導体集積回路に、それぞれ動作用電源を供給するようになっている。【００４６】
ウェハレベルバーンイン試験は、ウェハレベルバーンイン装置２００の電源装置２ｂと、信号発生装置５とから、それぞれ動作用の電源、信号が、ウェハ７上の試験対象の半導体集積回路に供給されることにより行われるが、この際、バーンイン試験に必要な電源容量は、トランジスタの閾値（Ｖｔ）のばらつきにより同一の動作条件であっても変化し、場合によっては、電源装置２ｂが許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。【００４７】
また、通常は電源装置２ｂが許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように、半導体集積回路は設計されているが、設計時の見積もりと、実際に必要な電源容量とに差が発生し、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２ｂが許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。【００４８】
バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２ｂが許容できる電源容量を超えてしまう場合、電源装置２ｂは、電源供給を遮断してしまい、バーンイン試験が停止してしまう。【００４９】
本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００では、試験対象の半導体集積回路の搭載されたウェハの面内領域を２分割し、分割された各々の領域に対する電源供給の有無を制御することにより、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２ｂが許容できる電源容量を超えないように制御する。【００５０】
図６は、本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置における電源電流量の制御の動作を説明するための図であり、これは、以下の実施の形態３、４の動作説明においても用いる。以下、本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００における電源電流量の制御の詳細な動作を、図３、及び図６について説明する。【００５１】
バーンイン試験では製品保証を行うための検査条件が定められており、一般にバーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数も検査条件として規定されている。ここで、本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００では、ウェハレベルバーンイン試験の開始時に、試験対象の半導体集積回路の検査条件の動作周波数、以外の動作周波数で、以下のように動作する。【００５２】
まず、電源装置２ｂからウェハ７全体、すなわち、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方に電源を供給した状態で、信号発生装置５から、ウェハ７の領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を、検査条件の動作周波数Ａよりも低い動作周波数ａで動作させる動作信号を、供給する。そして、このようにして前記複数の半導体集積回路を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号２１ａとして、電源供給制御装置２０に送る。【００５３】
次に、同様に電源装置２ｂからウェハ全体に電源を供給した状態で、信号発生装置５からバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａよりも低く、かつ動作周波数ａとは異なる動作周波数ｂで動作させる動作信号を、供給する。そして、このようにして前記複数の半導体装置を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号２１ｂとして、電源供給制御装置２０に送る。【００５４】
電源供給制御装置２０は、電流測定装置３より送られた２つの電流値２１ａ、２１ｂと、動作周波数ａ、ｂの値とから、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路の電源電流特性を求め、さらに該求めた電源電流特性に基づいて、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させた場合の動作電流値を、算出する。【００５５】
そして、電源供給制御装置２０は、前記求めた電源電流特性が、図６の点線で示すように、算出した動作電流値（動作電流Ｄ）が、電源装置２ｂの許容電流Ｃを超えないものであるときは、制御信号２２により、電源装置２ｂを、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方に電源電流を同時に供給する状態を保持せしめるように制御し、信号発生装置５からは、試験対象の複数の半導体集積回路に対し試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を出力して、バーンイン試験を実施する。【００５６】
一方、前記求めた電源電流特性が、図６の実線で示すように、算出した動作電流値（図６中の白丸）が電源装置２の許容電流Ｃを超えてしまうものであるときは、電源供給制御装置２０は、制御信号２２により、電源装置２ｂをして、電源線１２ａ、１２ｂに流れる各電源電流を、交互にＯＮ／ＯＦＦして、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂに電源電流を交互に時分割に供給するように制御せしめ、信号発生装置５から、試験対象の複数の半導体集積回路に対し、試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を、供給して、バーンイン試験を実施する。ここで、電源線１２ａと１２ｂに流れる電源電流のＯＮ／ＯＦＦの切り替えの間隔は、例えば動作クロックの１００クロック毎等、適当に設定することができる。【００５７】
このように、算出した動作電流値が電源装置２ｂの許容電流を超えてしまうものであるときには、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂに電源電流を交互に時分割に供給して、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂを時分割動作させることにより、一度に流れる動作電流を低減することができ、動作電流が電源装置２ｂが許容できる電源容量を超えてしまうことを防止できる。これにより、本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００では、バーンイン試験時の動作電流が電源装置２ｂの許容電流を超えてしまうことを防止でき、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等により、バーンイン試験時の動作電流が増大する場合においても、確実にバーンイン試験を行うことができる。【００５８】
このように、本実施の形態２では、試験対象の半導体集積回路が搭載されたウェハを複数の試験対象領域に分割し、バーンイン試験時に該複数の試験対象領域に供給する電源の有無を制御して、該複数の試験対象領域の時分割動作の制御を可能としたので、ウェハレベルバーンイン試験装置の許容範囲内にバーンイン動作時電流を制御することができ、確実に有効なバーンイン試験の実施を可能とできる。【００５９】
なお、本発明において、分割した複数の試験対象領域に電源電流を、交互に時分割に供給するか、同時に全体に供給するかの判定のしかたは、上述のものに限られるものではなく、例えば、領域Ａ７ａのみに電源電流を供給して半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流と、領域Ｂ７ｂのみに電源電流を供給して半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流とを測定して、この２つの測定値を加算した値が、電源装置の許容電流を超えてしまうものであるときに、各領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂを時分割動作させるようにしてもよい。【００６０】
また、実施の形態２では試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハの面内領域を２つに分けているが、３つ以上に分割してもよい。【００６１】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３による半導体検査装置について説明する。【００６２】
図４は、本実施の形態３による半導体検査装置および半導体集積回路の構成を示す図である。図において、３００はウェハレベルバーンイン装置、２は試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給する電源装置、３は電源装置２が試験対象の半導体集積回路に供給している電流値を測定する電流測定装置、５ｂは試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給する信号発生装置、６は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハに動作用電源、動作用信号を供給するための検査冶具であるバーンインプローバ、７は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ、７ａは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ａ、７ｂは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ｂ、１２はウェハレベルバーンイン装置３００の電源装置２からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給するための電源線、１３は信号発生装置５ｂからバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給するための信号線、１３ａは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ａに動作用信号を供給する信号線、１３ｂは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ｂに動作用信号を供給する信号線、２３は電流測定装置３の測定結果を元に試験対象の半導体集積回路に供給する試験用信号を制御する信号発生制御装置、２４は電流測定装置３から信号発生制御装置２３に送られる制御用信号、２５は信号発生制御装置２３が信号発生装置５ｂを制御するための制御信号である。【００６３】
次に、本実施の形態３によるウェハレベルバーンイン装置３００の動作について説明する。【００６４】
試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７は、バーンインプローバ６で固定され、電源線１２と、信号線１３は、ウェハ７に搭載されている各々の試験対象の半導体集積回路に電気的に接続されており、動作用の電源と信号が供給される。【００６５】
本実施の形態３によるウェハレベルバーンイン装置３００では、信号発生装置５ｂから検査対象の複数の半導体集積回路に動作用信号を供給する信号線１３は、信号線１３ａと１３ｂに分けられ、信号線１３ａがウェハ７の領域Ａ７ａに存在する半導体集積回路に、信号線１３ｂがウェハ７の領域Ｂ７ｂに存在する半導体集積回路に、それぞれ動作用信号を供給するようになっている。【００６６】
ウェハレベルバーンイン試験は、ウェハレベルバーンイン装置３００の電源装置２と、信号発生装置５から、それぞれ動作用の電源、信号が、試験対象の半導体集積回路に供給されることにより行われるが、この際、バーンイン試験に必要な電源容量は、トランジスタの閾値（Ｖｔ）のばらつきにより同一の動作条件であっても変化し、場合によっては電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。【００６７】
また、通常は電源装置２が許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように、半導体集積回路は設計されているが、設計時の見積もりと、実際に必要な電源容量とに差が発生し、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。【００６８】
バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量を超えてしまう場合、電源装置２は、電源供給を遮断してしまい、バーンイン試験が停止してしまう。【００６９】
本実施の形態３によるウェハレベルバーンイン装置３００では、試験対象の半導体集積回路の搭載されたウェハの面内領域を２分割し、分割された各々の領域の半導体集積回路に対する動作信号供給の有無を制御することにより、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量を超えないように制御する。【００７０】
以下、本実施の形態３によるウェハレベルバーンイン装置３００の動作を、図４および図６について説明する。【００７１】
バーンイン試験では、製品保証を行うための検査条件が定められており、一般にバーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数も、検査条件として規定されている。ここで、本実施の形態３によるウェハレベルバーンイン装置３００では、ウェハレベルバーンイン試験の開始時に、試験対象の半導体集積回路の検査条件の動作周波数、以外の動作周波数で、以下のように動作する。【００７２】
まず、電源装置２からからウェハ７全体、すなわち、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方に電源を供給した状態で、信号発生装置５ｂから、ウェハ７の領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａよりも低い動作周波数ａで動作させる動作信号を、供給する。そして、このようにして前記複数の半導体集積回路を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、測定した電流値を、制御用信号２４ａとして、信号発生制御装置２３に送る。【００７３】
次に、同様に、電源装置２からウェハ７全体に電源を供給した状態で、信号発生装置５ｂから、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａよりも低く、かつ動作周波数ａとは異なる動作周波数ｂで動作させる動作信号を、供給する。そして、このようにして前記複数の半導体集積回路を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号２４ｂとして、信号発生制御装置２３に送る。【００７４】
信号発生制御装置２３は、電流測定装置３より送られた２つの電流値２４ａ、２４ｂと、動作周波数ａ、ｂの値とから、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路の電源電流特性を求め、さらに該求めた電源電流特性に基づいて、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させた場合の動作電流値を算出する。【００７５】
そして、信号発生制御装置２３は、前記で求めた電源電流特性が、図６の点線で示すように、算出した動作電流値（動作電流Ｄ）が、電源装置２の許容電流Ｃを超えないものであるときは、制御信号２５により、信号発生装置５ｂを、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方に、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を同時に供給する状態を保持するように制御し、電源装置２からは、ウェハ７全体に電源を供給した状態で、バーンイン試験を実施する。【００７６】
一方、前記求めた電源電流特性が、図６の実線で示すように、算出した動作電流値（図６中の白丸）が、電源装置２の許容電流Ｃを超えてしまうものであるときは、信号発生制御装置２３は、制御信号２５により、信号発生装置５を、信号線１３ａと、１３ｂに、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの各々のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を交互に時分割に供給するように制御し、電源装置２からは、ウェハ７全体に電源を供給した状態で、バーンイン試験を実施する。ここで、信号線１３ａと１３ｂからの動作信号の切り替えの間隔は、例えば動作クロックの１００クロック毎等、適当に設定することができる。【００７７】
このように、算出した動作電流値が電源装置２の許容電流を超えてしまうものであるときには、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂに動作信号を交互に時分割に供給して、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂを時分割動作させることにより、一度に流れる動作電流を低減でき、動作電流が電源装置２が許容できる電源容量を超えてしまうことを防止できる。これにより、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等により、バーンイン試験時の動作電流が増大する場合においても、確実にバーンイン試験を行うことができる。【００７８】
このように、本実施の形態３では、試験対象の半導体集積回路が搭載されたウェハを複数の試験対象領域に分割し、バーンイン試験時に該複数の試験対象領域の半導体集積回路へ供給する動作用信号の有無を制御して、該複数の試験対象領域の時分割動作の制御を可能としたので、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等によりバーンイン試験時の動作電流が増大した場合においても、ウェハレベルバーンイン試験装置の許容範囲内にバーンイン動作時電流を制御することができ、確実に有効なバーンイン試験の実施を可能とできる。【００７９】
なお、本発明において、分割した複数の試験対象領域に動作信号を交互に時分割に供給するか、同時に全体に供給するかの判定のしかたは、上述のものに限られるものではない。すなわち、例えば、領域Ａ７ａの半導体集積回路のみに動作信号を供給して半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流と、領域Ｂ７ｂの半導体集積回路のみに動作信号を供給して半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流とを測定し、この２つの測定値を加算した値が電源装置の許容電流を超えてしまうものであるときに、各領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂを時分割動作させるようにしてもよい。【００８０】
また、実施の形態３では試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハの面内領域を２つに分けているが、３つ以上に分割してもよい。【００８１】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４による半導体検査装置および半導体集積回路について説明する。【００８２】
図５は、本実施の形態４による半導体検査装置であるウェハレベルバーンイン装置および該ウェハレベルバーンイン装置で検査される半導体集積回路の構成を示す図である。【００８３】
図５において、４００はウェハレベルバーンイン装置、２は試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給する電源装置、３は電源装置２が試験対象の半導体集積回路に供給している電流値を測定する電流測定装置、５ｃは試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給する信号発生装置、６は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハに動作用電源、動作用信号を供給するための検査冶具であるバーンインプローバ、７は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ、８はウェハ７に搭載されている試験対象の半導体集積回路、８ａは試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＡ、８ｂは試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＢ、１２は電源装置２からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給するための電源線、１３は信号発生装置５ｃからバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給するための信号線、３０は信号発生装置５ｃを制御する半導体集積回路ブロック動作制御装置、３１は電流測定装置３から半導体集積回路ブロック動作制御装置３０に送られる制御用信号である。また、３２は信号発生装置５からバーンインプローバ６へ半導体集積回路ブロック動作制御信号を供給する信号線であり、試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＡに半導体集積回路ブロック動作制御信号を供給する信号線３２ａ、及び試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＢに半導体集積回路ブロック動作制御信号を供給する信号線３２ｂを含む。３３は半導体集積回路ブロック動作制御装置３０が信号発生装置５ｃを制御する制御信号である。【００８４】
ここで、本実施の形態４においてウェハレベルバーンイン試験の対象となる半導体集積回路８は、上述のように、複数の機能ブロック８ａ、８ｂを有し、外部からの制御信号により、前記複数の各機能ブロックの動作、非動作を選択可能である構成を有するものである。【００８５】
次に、本実施の形態４によるウェハレベルバーンイン装置４００の動作について説明する。【００８６】
試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７は、バーンインプローバ６で固定され、電源線１２と信号線１３及び３２は、ウェハ７に搭載されている各々の試験対象の半導体集積回路に電気的に接続されており、動作用の電源と信号が供給される。【００８７】
本実施の形態４によるウェハレベルバーンイン装置４００では、半導体集積回路ブロック動作制御信号を供給する信号線３２は、３２ａと３２ｂに分けられ、信号線３２ａが試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＡ８ａに、信号線３２ｂが試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＢ８ｂに、それぞれ制御信号を供給するようになっている。【００８８】
また、本実施の形態４では、制御信号３２ａ、３２ｂは“０”、“１”の論理値で与えられ、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂはいずれも、論理値“１”の制御信号が与えられたときに動作状態に、論理値“０”の制御信号が与えられたときに非動作状態になる。【００８９】
ウェハレベルバーンイン試験は、ウェハレベルバーンイン装置４００の電源装置２と、信号発生装置５から、それぞれ動作用の電源、信号が試験対象の半導体集積回路に供給されることにより行われるが、この際、バーンイン試験に必要な電源容量は、トランジスタの閾値（Ｖｔ）のばらつきにより同一の動作条件であっても変化し、場合によっては、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。【００９０】
また、通常は電源装置２が許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように、半導体集積回路は設計されているが、設計時の見積もりと、実際に必要な電源容量とに差が発生し、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。【００９１】
バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量を超えてしまう場合、電源装置２は、電源供給を遮断してしまい、バーンイン試験が停止してしまう。【００９２】
本実施の形態４によるウェハレベルバーンイン装置４００では、試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックを２分割し、分割された各々の機能回路ブロックに対してそのバーンイン動作の有無を制御することにより、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量を超えないように制御する。【００９３】
以下、本実施の形態４によるウェハレベルバーンイン装置４００における電源電流量の制御の詳細な動作を、図５、及び図６について説明する。【００９４】
バーンイン試験では製品保証を行うための検査条件が定められており、一般にバーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数も検査条件として規定されている。ここで、本実施の形態４によるウェハレベルバーンイン装置４００では、ウェハレベルバーンイン試験の開始時に、試験対象の半導体集積回路の検査条件の動作周波数、以外の動作周波数で、以下のように動作する。【００９５】
まず、信号発生装置５ｃの出力する半導体集積回路ブロック動作制御信号３２の制御信号３２ａ、３２ｂをいずれも論理値“１”とした状態、すなわち、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂをいずれも動作状態として、信号発生装置５ｃからウェハ上のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路８に対し、これら複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａよりも低い動作周波数ａで動作させる動作信号を、信号線１３を介して供給する。そして、このようにして前記複数の半導体集積回路を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号３１ａとして、半導体集積回路ブロック動作制御装置３０に送る。【００９６】
次に、同様に、制御信号３２ａ、３２ｂをいずれも論理値“１”とした状態、すなわち、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂをいずれも動作状態として、信号発生装置５ｃから、ウェハ上のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路８に対し、これら複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａよりも低く、かつ動作周波数ａとは異なる動作周波数ｂで動作させる動作信号を、信号線１３を介して供給する。そして、このようにして前記複数の半導体集積回路を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号３１ｂとして、半導体集積回路ブロック動作制御装置３０に送る。【００９７】
半導体集積回路ブロック動作制御装置３０は、電流測定装置３より送られた２つの電流値３１ａ、３１ｂと、動作周波数ａ、ｂの値とから、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路の電源電流特性を求め、さらに該求めた電源電流特性に基づいて、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させた場合の動作電流値を算出する。【００９８】
そして、半導体集積回路ブロック動作制御装置３０は、前記で求めた電源電流特性が、図６の点線で示すように、算出した動作電流値（動作電流Ｄ）が、電源装置２の許容電流Ｃを超えないものであるときは、制御信号３３により、信号発生装置５ｃを、その出力する半導体集積回路ブロック動作制御信号３２の制御信号３２ａ、３２ｂが、いずれも論理値“１”である状態を保持するように制御し、これにより、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂをいずれも動作状態となるようにし、信号発生装置５ｃから試験対象の複数の半導体集積回路に対し、試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を、信号線１３を介して供給して、バーンイン試験を実施する。【００９９】
一方、前記求めた電源電流特性が、図６の実線で示すように、算出した動作電流値（図６中の白丸）が、電源装置２の許容電流Ｃを超えてしまうものであるときは、信号発生制御装置２３は、制御信号２５により、信号発生装置５ｃを、その出力する半導体集積回路ブロック動作制御信号３２の制御信号３２ａが論理値“１”であり制御信号３２ｂが論理値“０”である状態と、制御信号３２ａが論理値“０”であり制御信号３２ｂが論理値“１”である状態とを、繰り返すように制御し、これにより、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂが交互に時分割で動作状態となるようにし、信号発生装置５ｃから試験対象の複数の半導体集積回路に対し、試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を、信号線１３を介して供給して、バーンイン試験を実施する。【０１００】
ここで、機能回路ブロック８ａ、８ｂの時分割動作の切り替えの間隔は、例えば動作クロックの１００クロック毎等、適当に設定することができる。【０１０１】
このように、算出した動作電流値が電源装置２の許容電流を超えてしまうものであるときに、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂを交互に時分割で動作させ、半導体集積回路８を時分割バーンイン動作させることにより、一度に流れる動作電流を低減でき、動作電流が電源装置２が許容できる電源容量を超えてしまうことを防止できる。これにより、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等によりバーンイン試験時の動作電流が増大する場合においても、動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まる状態で、確実にバーンイン試験を行うことができる。【０１０２】
このように、本実施の形態４では、ウェハに搭載された、各々が複数の機能ブロックを有し該複数の各機能ブロックの動作、非動作を選択可能である複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う際に、バーンイン試験時に、前記複数の半導体集積回路の前記複数の機能ブロックに異なる制御信号を与えて、該複数の機能ブロックを時分割動作させるようにしたので、ウェハレベルバーンイン試験装置の許容範囲内にバーンイン動作時電流を制御でき、確実にバーンイン試験の実施を可能にできる効果がある。【０１０３】
なお、本発明において、複数の機能回路ブロックを同時に動作させるか、時分割で動作させるかの判定のしかたは、上述のものに限られるものではなく、例えば、機能回路ブロック８ａのみを動作状態として半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流と、機能回路ブロック８ｂのみを動作状態として半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流とを測定して、この２つの測定値を加算した値が電源装置の許容電流を超えてしまうものであるときに、各機能回路ブロック８ａ、８ｂを交互に時分割で動作させるようにしてもよい。【０１０４】
また、実施の形態４では半導体集積回路の機能ブロックの数が２つであるものについて示したが、機能ブロックの数を３つ以上にしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明の半導体検査装置および半導体集積回路はウェハレベルバーンイン試験時の動作電源電流を制御する機能を有しており、半導体集積回路の高集積化、微細化等の進展でますます重要性が高くなっているバーンイン試験の効率化、バーンイン試験装置の高性能化に非常に有用である。
【図１】
2008038546.tif 000003
【図２】
2008038546.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハに搭載された複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う半導体検査装置において、
バーンイン試験時の動作電源電流を制御することが可能である、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体検査装置において、
バーンイン試験時の動作電源電流を測定し、該測定した値に基づいて、前記バーンイン試験時の動作電源電流を制御する、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体検査装置において、
前記バーンイン試験時の動作電源電流の制御を、バーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数を制御して行う、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の半導体検査装置において、
試験対象の複数の半導体集積回路が搭載されたウェハを複数の試験対象領域に分割し、バーンイン試験時に、該複数の試験対象領域を時分割動作させることが可能である、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体検査装置において、
前記試験対象の複数の半導体集積回路を、所定の動作周波数よりも低い複数の動作周波数の各々で動作させ、その測定した複数の電流値から該複数の半導体集積回路の各々の電源電流特性を求め、
該求めた各々の電源電流特性に基づいて、前記所定の動作周波数での前記試験対象の複数の半導体集積回路の動作電流値を算出し、該算出電流値の合計が、所定の値以上であるときに、前記複数の試験対象領域を、時分割動作させる、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の半導体検査装置において、
前記複数の試験対象領域を、該複数の試験対象領域に供給する電源の有無を制御して時分割動作させる、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項７】
請求項４または請求項５に記載の半導体検査装置において、
前記複数の試験対象領域を、前記複数の試験対象領域の半導体集積回路に供給する動作用信号の有無を制御して時分割動作させる、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項８】
ウェハに搭載された、各々が複数の機能ブロックを有し該複数の各機能ブロックの動作、非動作を選択可能である複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う半導体検査装置であって、
バーンイン試験時に、前記複数の半導体集積回路の前記複数の機能ブロックに異なる制御信号を与えて該複数の機能ブロックを時分割動作させる、
ことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項９】
ウェハに搭載された複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う際に、前記複数の各半導体集積回路の有する複数の機能ブロックに、相互に異なる制御信号を与えることにより、該複数の機能ブロックが時分割動作し、時分割バーンイン動作を行う、
ことを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体検査装置および半導体集積回路に関するものであり、特に半導体集積回路のウェハレベルバーンイン試験を行う半導体検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の大規模化、高集積化にともない、半導体集積回路検査の高精度化がますます求められている。また、半導体製造工程（プロセス）技術の微細化や、アナログ回路と、ＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリ）等のメモリと、論理回路とを混載可能な半導体プロセス技術の導入による複雑化等により、半導体集積回路の信頼性確保の観点から、量産試験時における加速試験により、初期不良を発生させる可能性のある半導体集積回路の選別が必須となってきている。一方、半導体集積回路の低コスト化の要求に応えるために、量産出荷時の工程削減が必須である。
【０００３】
一般的に、半導体集積回路の量産試験では、ウェハ状態でプローブ検査を実施し、プローブ検査の良品に対してバーンイン試験と呼ばれる加速試験を実施し、さらに、最終検査あるいは出荷検査を実施して工場から出荷される。
【０００４】
ここで、バーンイン試験とは、通常使用時の電源電圧より高い電圧を印加した状態で、内部の論理回路が効率よく動作するテスト信号を入力することにより、初期不良を発生する可能性のある半導体集積回路に不良を発生させ、バーンイン試験中またはバーンイン試験後の検査で不良を発見し、工場から初期不良を発生する可能性のある半導体集積回路が出荷されるのを防ぐための加速試験である。
【０００５】
このバーンイン試験には、プローブ検査で良品と判定された半導体チップを封止（パッケージ）した状態で実施するパッケージバーンイン試験と、複数の半導体集積回路が搭載されたウェハ状態で実施するウェハレベルバーンイン試験がある。
【０００６】
ウェハレベルバーンイン試験は、ウェハ上に搭載されている半導体集積回路に対して一括して同時にバーンイン試験を行うが、ウェハ上の半導体集積回路を動作させるために十分な電源電流の供給が必要である。従って、半導体集積回路は、通常、ウェハレベルバーンイン試験時の動作電流が、ウェハレベルバーンイン試験を行うウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように設計されている。
【０００７】
また、半導体集積回路の設計が、一括して同時にバーンイン試験を行うと試験時の動作電流がウェハレベルバーンイン装置の電源装置が許容できる電源容量を超えてしまうことが予め判っているものにおいては、例えば特許文献１に開示されるように、動作電流をウェハレベルバーンイン装置の電源装置を許容できる電源容量内に収めるために、ウェハ上の複数の半導体集積回路の回路構成を相互に異ならせることによって、該複数の半導体集積回路の動作タイミングを相互にずらすことを行っている。
【特許文献１】特開平１１−１２１５５７公報  （第１２頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように、ウェハレベルバーンイン試験では、ウェハ上の半導体集積回路を動作させるために十分な電源電流の供給が必要であり、半導体集積回路は、通常、ウェハレベルバーンイン試験時の動作電流が、ウェハレベルバーンイン試験を行うウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように設計されている。
【０００９】
しかし、近年の半導体製造工程（プロセス）技術の微細化によりトランジスタの閾値（Ｖｔ）が低下し、バーンイン検査を行う高温時のオフリーク電流が非常に増加することにより電源電流が増加しており、また、従来に比べ半導体集積回路に占めるアナログ回路の規模が大きい半導体集積回路が開発され、バーンイン試験時のアナログ回路の定常電流の増大により電源電流が増加している。このように電源電流の大きな半導体集積回路に対してウェハレベルバーンイン試験を行うために、上記特許文献１に開示されたように、ウェハ上の複数の半導体集積回路の回路構成を相互に異ならせることによって、該複数の半導体集積回路の動作タイミングを相互にずらすことが提案されているが、複数の半導体集積回路の回路構成を相互に異ならせるため、設計が複雑になるという問題がある。
【００１０】
また、半導体製造工程（プロセス）のばらつきにより、トランジスタの閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した場合、オフリーク電流がさらに増加することにより、標準値では十分な電源電流の供給が可能であるが、トランジスタの閾値低下時には、動作電流がウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が、許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。また、通常は、ウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が、許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように半導体集積回路は設計されているが、設計時の見積もりと実際に必要な電源容量とに差が発生し、バーンイン試験時の動作電流が、ウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。このように、バーンイン試験時の動作電流が、ウェハレベルバーンイン試験装置の電源装置が許容できる電源容量を超えてしまう場合、電源装置が電源供給を遮断し、バーンイン試験が停止してしまう、という問題があった。
【００１１】
本発明は上記の問題を解消するためになされたもので、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等によりバーンイン試験時の動作電流が増大した場合においても、バーンイン試験を可能とできる半導体検査装置、および半導体集積回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明（請求項１）に係る半導体検査装置は、ウェハに搭載された複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う半導体検査装置において、バーンイン試験時の動作電源電流を制御することが可能である、ことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明（請求項２）に係る半導体検査装置は、請求項１に記載の半導体検査装置において、バーンイン試験時の動作電源電流を測定し、該測定した値に基づいて前記バーンイン試験時の動作電源電流を制御する、ことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明（請求項３）に係る半導体検査装置は、請求項１または請求項２に記載の半導体検査装置において、前記バーンイン試験時の動作電源電流の制御を、バーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数を制御して行う、ことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明（請求項４）に係る半導体検査装置は、請求項１または請求項２に記載の半導体検査装置において、試験対象の複数の半導体集積回路が搭載されたウェハを複数の試験対象領域に分割し、バーンイン試験時に該複数の試験対象領域を時分割動作させることが可能である、ことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明（請求項５）に係る半導体検査装置は、請求項４に記載の半導体検査装置において、前記試験対象の複数の半導体集積回路を、所定の動作周波数よりも低い複数の動作周波数で動作させ、その測定した複数の電流値から該複数の半導体集積回路の電源電流特性を求め、この電源電流特性に基づいて前記所定の動作周波数での前記試験対象の複数の半導体集積回路の動作電流値を算出し、該算出電流値が所定の値以上であるときに、前記複数の試験対象領域を時分割動作させる、ことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明（請求項６）に係る半導体検査装置は、請求項４または請求項５に記載の半導体検査装置において、前記複数の試験対象領域を、該複数の試験対象領域に供給する電源の有無を制御して時分割動作させる、ことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明（請求項７）に係る半導体検査装置は、請求項４または請求項５に記載の半導体検査装置において、前記複数の試験対象領域を、前記複数の試験対象領域の半導体集積回路に供給する動作用信号の有無を制御して時分割動作させる、ことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明（請求項８）に係る半導体検査装置は、ウェハに搭載された、各々が複数の機能ブロックを有し該複数の各機能ブロックの動作、非動作を選択可能である複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う半導体検査装置において、バーンイン試験時に、前記複数の半導体集積回路の前記複数の機能ブロックに異なる制御信号を与えて該複数の機能ブロックを時分割動作させる、ことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明（請求項９）に係る半導体装置は、ウェハに搭載された複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う際に、前記複数の各半導体集積回路の有する複数の機能ブロックに、相互に異なる制御信号を与えることにより、該複数の機能ブロックが時分割動作し、時分割バーンイン動作を行う、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体検査装置は、上記構成とすることにより、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等によりバーンイン試験時の動作電流が増大した場合においても、ウェハレベルバーンイン試験装置の許容範囲内にバーンイン動作時電流を制御することで、バーンイン試験を可能にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１による半導体検査装置について説明する。
【００２３】
図１は、本実施の形態１による半導体検査装置であるウェハレベルバーンイン装置の構成を示す図である。図１において、１００はウェハレベルバーンイン装置、２は試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給する電源装置、３は電源装置２が試験対象の半導体集積回路に供給している電流値を測定する電流測定装置、４は電流測定装置３の測定結果を元に、試験対象の半導体集積回路の動作周波数を制御する動作周波数制御装置、５は試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給する信号発生装置、６は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハに、動作用電源、動作用信号を供給するための検査冶具であるバーンインプローバ、７は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ、１０は電流測定装置３から動作周波数制御装置４に送られる制御用信号、１１は動作周波数制御装置４が信号発生装置５を制御するための制御信号、１２は電源装置２からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給するための電源線、１３は信号発生装置５からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給するための信号線である。
【００２４】
次に、本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００の動作を、図１および図２について説明する。
【００２５】
図１において、試験対象の半導体集積回路を複数搭載したウェハ７は、バーンインプローバ６で固定され、電源線１２および信号線１３が、ウェハ７に搭載されている各々の試験対象の半導体集積回路に電気的に接続され、動作用の電源と、動作用の信号とが、該半導体集積回路に供給される。
【００２６】
ウェハレベルバーンイン試験は、ウェハレベルバーンイン装置１００の電源装置２と、信号発生装置５から、それぞれ動作用の電源、信号が試験対象の半導体集積回路に供給されることにより行われるが、この際、バーンイン試験に必要な電源容量は、トランジスタの閾値（Ｖｔ）のばらつきにより、同一の動作条件であっても変化し、場合によっては、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。
【００２７】
また、通常は電源装置２が許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように、半導体集積回路は設計されているが、設計時の見積もりと、実際に必要な電源容量とに差が発生し、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。
【００２８】
バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量を超えてしまう場合、電源装置２は、電源供給を遮断してしまい、バーンイン試験が停止してしまう。
【００２９】
本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００では、試験対象の半導体集積回路の動作周波数を制御することにより、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置が許容できる電源容量を超えないように制御する。
【００３０】
図２は、本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００における電源電流量の制御の動作を説明するための図である。以下、本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００における電源電流量の制御の詳細な動作を、図１、及び図２について説明する。
【００３１】
バーンイン試験では、製品保証を行うための検査条件が定められており、一般にバーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数も、検査条件として規定されている。ここで、本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００では、ウェハレベルバーンイン試験の開始時に、試験対象の半導体集積回路の検査条件の動作周波数、以外の動作周波数で、以下のように動作する。
【００３２】
まず、信号発生装置５からウェハ上のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を、検査条件の動作周波数Ａよりも低い動作周波数ａで動作させる動作信号を供給して、そのときの動作電流を電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号１０ａとして、動作周波数制御装置４に送る。
【００３３】
次に、信号発生装置５からウェハ上のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を、検査条件の動作周波数Ａよりも低く、かつ動作周波数ａとは異なる動作周波数ｂで動作させる動作信号を供給して、そのときの動作電流を電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号１０ｂとして、動作周波数制御装置４に送る。
【００３４】
動作周波数制御装置４は、電流測定装置３より送られた２つの電流値１０ａ、１０ｂと、動作周波数ａ、ｂの値とから、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路の電源電流特性を求め、さらに、該求めた電源電流特性に基づいて、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させた場合の動作電流値を、算出する。
【００３５】
そして、動作周波数制御装置４は、前記求めた電源電流特性が、図２の点線で示すように、算出した動作電流値（動作電流Ｄ）が、電源装置２の許容電流Ｃを超えないものであるときは、信号発生装置５がバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を出力するための設定情報を、制御信号１１ａとして、信号発生装置５に送る。
【００３６】
一方、前記求めた電源電流特性が、図２の実線で示すように、算出した動作電流値（図２中の白丸）が電源装置２の許容電流Ｃを超えてしまうものであるときは、動作周波数制御装置４は、信号発生装置５がバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路をその動作電流が電源装置の許容電流以下に収まる動作周波数Ｂで動作させる動作信号を出力するための設定情報を、制御信号１１ｂとして、信号発生装置５に送る。
【００３７】
この後、信号発生装置５は、動作周波数制御装置４からの制御信号１１（１１ａ、１１ｂ）に基づいて動作信号を生成し、これを試験対象の半導体集積回路へ供給して、バーンイン試験を実施する。これにより、本実施の形態１によるウェハレベルバーンイン装置１００では、バーンイン試験時の動作電流が電源装置２の許容電流を超えてしまうことを防止でき、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等によりバーンイン試験時の動作電流が増大する場合においても、確実にバーンイン試験を行うことができる。
【００３８】
このように、本実施の形態１では、バーンイン試験時の動作電源電流を測定し、該測定した電流値に基づいて、試験対象の半導体集積回路に供給する動作信号の動作周波数を制御し、動作電源電流を制御するようにしたから、バーンイン動作時電流を、ウェハレベルバーンイン試験装置の許容範囲内に制御することができ、確実に有効なバーンイン試験を実施できる効果が得られる。
【００３９】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２による半導体検査装置について説明する。
【００４０】
図３は、本実施の形態２による半導体検査装置であるウェハレベルバーンイン装置の構成を示す図である。図３において、２００はウェハレベルバーンイン装置、２ｂは試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給する電源装置、３は電源装置２ｂが試験対象の半導体集積回路に供給している電流値を測定する電流測定装置、５は試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給する信号発生装置、６は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハに動作用電源、動作用信号を供給するための検査冶具であるバーンインプローバ、７は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ、７ａは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ａ、７ｂは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ｂ、１２は電源装置２からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給するための電源線、１２ａは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域７ａに電源を供給する電源線、１２ｂは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域７ｂに電源を供給する電源線、１３は信号発生装置５からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給するための信号線、２０は電流測定装置３の測定結果を元に試験対象の半導体集積回路に供給する電源を制御する電源供給制御装置、２１は電流測定装置３から電源供給制御装置２０に送られる制御用信号、２２は電源供給制御装置２０が電源装置２ｂを制御するための制御信号である。
【００４１】
次に、本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００の動作について説明する。
【００４２】
試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７は、バーンインプローバ６で固定され、電源線１２と、信号線１３は、ウェハ７に搭載されている各々の試験対象の半導体集積回路に電気的に接続されており、動作用の電源と信号が供給される。
【００４３】
本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００では、電源装置２ｂから検査対象の複数の半導体集積回路に動作用電源を供給する電源線１２は、電源線１２ａと、１２ｂに分けられ、電源線１２ａがウェハ７の領域Ａ７ａに存在する半導体集積回路に、電源線１２ｂがウェハ７の領域Ｂ７ｂに存在する半導体集積回路に、それぞれ動作用電源を供給するようになっている。
【００４４】
ウェハレベルバーンイン試験は、ウェハレベルバーンイン装置２００の電源装置２ｂと、信号発生装置５とから、それぞれ動作用の電源、信号が、ウェハ７上の試験対象の半導体集積回路に供給されることにより行われるが、この際、バーンイン試験に必要な電源容量は、トランジスタの閾値（Ｖｔ）のばらつきにより同一の動作条件であっても変化し、場合によっては、電源装置２ｂが許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。
【００４５】
また、通常は電源装置２ｂが許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように、半導体集積回路は設計されているが、設計時の見積もりと、実際に必要な電源容量とに差が発生し、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２ｂが許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。
【００４６】
バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２ｂが許容できる電源容量を超えてしまう場合、電源装置２ｂは、電源供給を遮断してしまい、バーンイン試験が停止してしまう。
【００４７】
本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００では、試験対象の半導体集積回路の搭載されたウェハの面内領域を２分割し、分割された各々の領域に対する電源供給の有無を制御することにより、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２ｂが許容できる電源容量を超えないように制御する。
【００４８】
図６は、本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置における電源電流量の制御の動作を説明するための図であり、これは、以下の実施の形態３、４の動作説明においても用いる。以下、本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００における電源電流量の制御の詳細な動作を、図３、及び図６について説明する。
【００４９】
バーンイン試験では製品保証を行うための検査条件が定められており、一般にバーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数も検査条件として規定されている。ここで、本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００では、ウェハレベルバーンイン試験の開始時に、試験対象の半導体集積回路の検査条件の動作周波数、以外の動作周波数で、以下のように動作する。
【００５０】
まず、電源装置２ｂからウェハ７全体、すなわち、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方に電源を供給した状態で、信号発生装置５から、ウェハ７の領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を、検査条件の動作周波数Ａよりも低い動作周波数ａで動作させる動作信号を、供給する。そして、このようにして前記複数の半導体集積回路を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号２１ａとして、電源供給制御装置２０に送る。
【００５１】
次に、同様に電源装置２ｂからウェハ全体に電源を供給した状態で、信号発生装置５からバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａよりも低く、かつ動作周波数ａとは異なる動作周波数ｂで動作させる動作信号を、供給する。そして、このようにして前記複数の半導体装置を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号２１ｂとして、電源供給制御装置２０に送る。
【００５２】
電源供給制御装置２０は、電流測定装置３より送られた２つの電流値２１ａ、２１ｂと、動作周波数ａ、ｂの値とから、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路の電源電流特性を求め、さらに該求めた電源電流特性に基づいて、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させた場合の動作電流値を、算出する。
【００５３】
そして、電源供給制御装置２０は、前記求めた電源電流特性が、図６の点線で示すように、算出した動作電流値（動作電流Ｄ）が、電源装置２ｂの許容電流Ｃを超えないものであるときは、制御信号２２により、電源装置２ｂを、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方に電源電流を同時に供給する状態を保持せしめるように制御し、信号発生装置５からは、試験対象の複数の半導体集積回路に対し試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を出力して、バーンイン試験を実施する。
【００５４】
一方、前記求めた電源電流特性が、図６の実線で示すように、算出した動作電流値（図６中の白丸）が電源装置２の許容電流Ｃを超えてしまうものであるときは、電源供給制御装置２０は、制御信号２２により、電源装置２ｂをして、電源線１２ａ、１２ｂに流れる各電源電流を、交互にＯＮ／ＯＦＦして、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂに電源電流を交互に時分割に供給するように制御せしめ、信号発生装置５から、試験対象の複数の半導体集積回路に対し、試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を、供給して、バーンイン試験を実施する。ここで、電源線１２ａと１２ｂに流れる電源電流のＯＮ／ＯＦＦの切り替えの間隔は、例えば動作クロックの１００クロック毎等、適当に設定することができる。
【００５５】
このように、算出した動作電流値が電源装置２ｂの許容電流を超えてしまうものであるときには、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂに電源電流を交互に時分割に供給して、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂを時分割動作させることにより、一度に流れる動作電流を低減することができ、動作電流が電源装置２ｂが許容できる電源容量を超えてしまうことを防止できる。これにより、本実施の形態２によるウェハレベルバーンイン装置２００では、バーンイン試験時の動作電流が電源装置２ｂの許容電流を超えてしまうことを防止でき、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等により、バーンイン試験時の動作電流が増大する場合においても、確実にバーンイン試験を行うことができる。
【００５６】
このように、本実施の形態２では、試験対象の半導体集積回路が搭載されたウェハを複数の試験対象領域に分割し、バーンイン試験時に該複数の試験対象領域に供給する電源の有無を制御して、該複数の試験対象領域の時分割動作の制御を可能としたので、ウェハレベルバーンイン試験装置の許容範囲内にバーンイン動作時電流を制御することができ、確実に有効なバーンイン試験の実施を可能とできる。
【００５７】
なお、本発明において、分割した複数の試験対象領域に電源電流を、交互に時分割に供給するか、同時に全体に供給するかの判定のしかたは、上述のものに限られるものではなく、例えば、領域Ａ７ａのみに電源電流を供給して半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流と、領域Ｂ７ｂのみに電源電流を供給して半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流とを測定して、この２つの測定値を加算した値が、電源装置の許容電流を超えてしまうものであるときに、各領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂを時分割動作させるようにしてもよい。
【００５８】
また、実施の形態２では試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハの面内領域を２つに分けているが、３つ以上に分割してもよい。
【００５９】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３による半導体検査装置について説明する。
【００６０】
図４は、本実施の形態３による半導体検査装置および半導体集積回路の構成を示す図である。図において、３００はウェハレベルバーンイン装置、２は試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給する電源装置、３は電源装置２が試験対象の半導体集積回路に供給している電流値を測定する電流測定装置、５ｂは試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給する信号発生装置、６は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハに動作用電源、動作用信号を供給するための検査冶具であるバーンインプローバ、７は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ、７ａは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ａ、７ｂは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ｂ、１２はウェハレベルバーンイン装置３００の電源装置２からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給するための電源線、１３は信号発生装置５ｂからバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給するための信号線、１３ａは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ａに動作用信号を供給する信号線、１３ｂは試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ｂに動作用信号を供給する信号線、２３は電流測定装置３の測定結果を元に試験対象の半導体集積回路に供給する試験用信号を制御する信号発生制御装置、２４は電流測定装置３から信号発生制御装置２３に送られる制御用信号、２５は信号発生制御装置２３が信号発生装置５ｂを制御するための制御信号である。
【００６１】
次に、本実施の形態３によるウェハレベルバーンイン装置３００の動作について説明する。
【００６２】
試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７は、バーンインプローバ６で固定され、電源線１２と、信号線１３は、ウェハ７に搭載されている各々の試験対象の半導体集積回路に電気的に接続されており、動作用の電源と信号が供給される。
【００６３】
本実施の形態３によるウェハレベルバーンイン装置３００では、信号発生装置５ｂから検査対象の複数の半導体集積回路に動作用信号を供給する信号線１３は、信号線１３ａと１３ｂに分けられ、信号線１３ａがウェハ７の領域Ａ７ａに存在する半導体集積回路に、信号線１３ｂがウェハ７の領域Ｂ７ｂに存在する半導体集積回路に、それぞれ動作用信号を供給するようになっている。
【００６４】
ウェハレベルバーンイン試験は、ウェハレベルバーンイン装置３００の電源装置２と、信号発生装置５から、それぞれ動作用の電源、信号が、試験対象の半導体集積回路に供給されることにより行われるが、この際、バーンイン試験に必要な電源容量は、トランジスタの閾値（Ｖｔ）のばらつきにより同一の動作条件であっても変化し、場合によっては電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。
【００６５】
また、通常は電源装置２が許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように、半導体集積回路は設計されているが、設計時の見積もりと、実際に必要な電源容量とに差が発生し、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。
【００６６】
バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量を超えてしまう場合、電源装置２は、電源供給を遮断してしまい、バーンイン試験が停止してしまう。
【００６７】
本実施の形態３によるウェハレベルバーンイン装置３００では、試験対象の半導体集積回路の搭載されたウェハの面内領域を２分割し、分割された各々の領域の半導体集積回路に対する動作信号供給の有無を制御することにより、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量を超えないように制御する。
【００６８】
以下、本実施の形態３によるウェハレベルバーンイン装置３００の動作を、図４および図６について説明する。
【００６９】
バーンイン試験では、製品保証を行うための検査条件が定められており、一般にバーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数も、検査条件として規定されている。ここで、本実施の形態３によるウェハレベルバーンイン装置３００では、ウェハレベルバーンイン試験の開始時に、試験対象の半導体集積回路の検査条件の動作周波数、以外の動作周波数で、以下のように動作する。
【００７０】
まず、電源装置２からからウェハ７全体、すなわち、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方に電源を供給した状態で、信号発生装置５ｂから、ウェハ７の領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａよりも低い動作周波数ａで動作させる動作信号を、供給する。そして、このようにして前記複数の半導体集積回路を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、測定した電流値を、制御用信号２４ａとして、信号発生制御装置２３に送る。
【００７１】
次に、同様に、電源装置２からウェハ７全体に電源を供給した状態で、信号発生装置５ｂから、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路に対し、これら複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａよりも低く、かつ動作周波数ａとは異なる動作周波数ｂで動作させる動作信号を、供給する。そして、このようにして前記複数の半導体集積回路を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号２４ｂとして、信号発生制御装置２３に送る。
【００７２】
信号発生制御装置２３は、電流測定装置３より送られた２つの電流値２４ａ、２４ｂと、動作周波数ａ、ｂの値とから、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路の電源電流特性を求め、さらに該求めた電源電流特性に基づいて、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させた場合の動作電流値を算出する。
【００７３】
そして、信号発生制御装置２３は、前記で求めた電源電流特性が、図６の点線で示すように、算出した動作電流値（動作電流Ｄ）が、電源装置２の許容電流Ｃを超えないものであるときは、制御信号２５により、信号発生装置５ｂを、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの両方に、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を同時に供給する状態を保持するように制御し、電源装置２からは、ウェハ７全体に電源を供給した状態で、バーンイン試験を実施する。
【００７４】
一方、前記求めた電源電流特性が、図６の実線で示すように、算出した動作電流値（図６中の白丸）が、電源装置２の許容電流Ｃを超えてしまうものであるときは、信号発生制御装置２３は、制御信号２５により、信号発生装置５を、信号線１３ａと、１３ｂに、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂの各々のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を交互に時分割に供給するように制御し、電源装置２からは、ウェハ７全体に電源を供給した状態で、バーンイン試験を実施する。ここで、信号線１３ａと１３ｂからの動作信号の切り替えの間隔は、例えば動作クロックの１００クロック毎等、適当に設定することができる。
【００７５】
このように、算出した動作電流値が電源装置２の許容電流を超えてしまうものであるときには、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂに動作信号を交互に時分割に供給して、領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂを時分割動作させることにより、一度に流れる動作電流を低減でき、動作電流が電源装置２が許容できる電源容量を超えてしまうことを防止できる。これにより、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等により、バーンイン試験時の動作電流が増大する場合においても、確実にバーンイン試験を行うことができる。
【００７６】
このように、本実施の形態３では、試験対象の半導体集積回路が搭載されたウェハを複数の試験対象領域に分割し、バーンイン試験時に該複数の試験対象領域の半導体集積回路へ供給する動作用信号の有無を制御して、該複数の試験対象領域の時分割動作の制御を可能としたので、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等によりバーンイン試験時の動作電流が増大した場合においても、ウェハレベルバーンイン試験装置の許容範囲内にバーンイン動作時電流を制御することができ、確実に有効なバーンイン試験の実施を可能とできる。
【００７７】
なお、本発明において、分割した複数の試験対象領域に動作信号を交互に時分割に供給するか、同時に全体に供給するかの判定のしかたは、上述のものに限られるものではない。すなわち、例えば、領域Ａ７ａの半導体集積回路のみに動作信号を供給して半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流と、領域Ｂ７ｂの半導体集積回路のみに動作信号を供給して半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流とを測定し、この２つの測定値を加算した値が電源装置の許容電流を超えてしまうものであるときに、各領域Ａ７ａ、領域Ｂ７ｂを時分割動作させるようにしてもよい。
【００７８】
また、実施の形態３では試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハの面内領域を２つに分けているが、３つ以上に分割してもよい。
【００７９】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４による半導体検査装置および半導体集積回路について説明する。
【００８０】
図５は、本実施の形態４による半導体検査装置であるウェハレベルバーンイン装置および該ウェハレベルバーンイン装置で検査される半導体集積回路の構成を示す図である。
【００８１】
図５において、４００はウェハレベルバーンイン装置、２は試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給する電源装置、３は電源装置２が試験対象の半導体集積回路に供給している電流値を測定する電流測定装置、５ｃは試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給する信号発生装置、６は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハに動作用電源、動作用信号を供給するための検査冶具であるバーンインプローバ、７は試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ、８はウェハ７に搭載されている試験対象の半導体集積回路、８ａは試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＡ、８ｂは試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＢ、１２は電源装置２からバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用電源を供給するための電源線、１３は信号発生装置５ｃからバーンインプローバ６を介して試験対象の半導体集積回路に動作用信号を供給するための信号線、３０は信号発生装置５ｃを制御する半導体集積回路ブロック動作制御装置、３１は電流測定装置３から半導体集積回路ブロック動作制御装置３０に送られる制御用信号である。また、３２は信号発生装置５からバーンインプローバ６へ半導体集積回路ブロック動作制御信号を供給する信号線であり、試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＡに半導体集積回路ブロック動作制御信号を供給する信号線３２ａ、及び試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＢに半導体集積回路ブロック動作制御信号を供給する信号線３２ｂを含む。３３は半導体集積回路ブロック動作制御装置３０が信号発生装置５ｃを制御する制御信号である。
【００８２】
ここで、本実施の形態４においてウェハレベルバーンイン試験の対象となる半導体集積回路８は、上述のように、複数の機能ブロック８ａ、８ｂを有し、外部からの制御信号により、前記複数の各機能ブロックの動作、非動作を選択可能である構成を有するものである。
【００８３】
次に、本実施の形態４によるウェハレベルバーンイン装置４００の動作について説明する。
【００８４】
試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７は、バーンインプローバ６で固定され、電源線１２と信号線１３及び３２は、ウェハ７に搭載されている各々の試験対象の半導体集積回路に電気的に接続されており、動作用の電源と信号が供給される。
【００８５】
本実施の形態４によるウェハレベルバーンイン装置４００では、半導体集積回路ブロック動作制御信号を供給する信号線３２は、３２ａと３２ｂに分けられ、信号線３２ａが試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＡ８ａに、信号線３２ｂが試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックＢ８ｂに、それぞれ制御信号を供給するようになっている。
【００８６】
また、本実施の形態４では、制御信号３２ａ、３２ｂは“０”、“１”の論理値で与えられ、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂはいずれも、論理値“１”の制御信号が与えられたときに動作状態に、論理値“０”の制御信号が与えられたときに非動作状態になる。
【００８７】
ウェハレベルバーンイン試験は、ウェハレベルバーンイン装置４００の電源装置２と、信号発生装置５から、それぞれ動作用の電源、信号が試験対象の半導体集積回路に供給されることにより行われるが、この際、バーンイン試験に必要な電源容量は、トランジスタの閾値（Ｖｔ）のばらつきにより同一の動作条件であっても変化し、場合によっては、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。
【００８８】
また、通常は電源装置２が許容できる電源容量以内に収まるようなバーンイン試験動作となるように、半導体集積回路は設計されているが、設計時の見積もりと、実際に必要な電源容量とに差が発生し、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まらない場合がある。
【００８９】
バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量を超えてしまう場合、電源装置２は、電源供給を遮断してしまい、バーンイン試験が停止してしまう。
【００９０】
本実施の形態４によるウェハレベルバーンイン装置４００では、試験対象の半導体集積回路８内部の機能回路ブロックを２分割し、分割された各々の機能回路ブロックに対してそのバーンイン動作の有無を制御することにより、バーンイン試験時の動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量を超えないように制御する。
【００９１】
以下、本実施の形態４によるウェハレベルバーンイン装置４００における電源電流量の制御の詳細な動作を、図５、及び図６について説明する。
【００９２】
バーンイン試験では製品保証を行うための検査条件が定められており、一般にバーンイン試験時における試験対象の半導体集積回路の動作周波数も検査条件として規定されている。ここで、本実施の形態４によるウェハレベルバーンイン装置４００では、ウェハレベルバーンイン試験の開始時に、試験対象の半導体集積回路の検査条件の動作周波数、以外の動作周波数で、以下のように動作する。
【００９３】
まず、信号発生装置５ｃの出力する半導体集積回路ブロック動作制御信号３２の制御信号３２ａ、３２ｂをいずれも論理値“１”とした状態、すなわち、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂをいずれも動作状態として、信号発生装置５ｃからウェハ上のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路８に対し、これら複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａよりも低い動作周波数ａで動作させる動作信号を、信号線１３を介して供給する。そして、このようにして前記複数の半導体集積回路を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号３１ａとして、半導体集積回路ブロック動作制御装置３０に送る。
【００９４】
次に、同様に、制御信号３２ａ、３２ｂをいずれも論理値“１”とした状態、すなわち、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂをいずれも動作状態として、信号発生装置５ｃから、ウェハ上のバーンイン試験対象の複数の半導体集積回路８に対し、これら複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａよりも低く、かつ動作周波数ａとは異なる動作周波数ｂで動作させる動作信号を、信号線１３を介して供給する。そして、このようにして前記複数の半導体集積回路を動作させたときの動作電流を、電流測定装置３により測定し、該測定した電流値を、制御用信号３１ｂとして、半導体集積回路ブロック動作制御装置３０に送る。
【００９５】
半導体集積回路ブロック動作制御装置３０は、電流測定装置３より送られた２つの電流値３１ａ、３１ｂと、動作周波数ａ、ｂの値とから、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路の電源電流特性を求め、さらに該求めた電源電流特性に基づいて、バーンイン試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させた場合の動作電流値を算出する。
【００９６】
そして、半導体集積回路ブロック動作制御装置３０は、前記で求めた電源電流特性が、図６の点線で示すように、算出した動作電流値（動作電流Ｄ）が、電源装置２の許容電流Ｃを超えないものであるときは、制御信号３３により、信号発生装置５ｃを、その出力する半導体集積回路ブロック動作制御信号３２の制御信号３２ａ、３２ｂが、いずれも論理値“１”である状態を保持するように制御し、これにより、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂをいずれも動作状態となるようにし、信号発生装置５ｃから試験対象の複数の半導体集積回路に対し、試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を、信号線１３を介して供給して、バーンイン試験を実施する。
【００９７】
一方、前記求めた電源電流特性が、図６の実線で示すように、算出した動作電流値（図６中の白丸）が、電源装置２の許容電流Ｃを超えてしまうものであるときは、信号発生制御装置２３は、制御信号２５により、信号発生装置５ｃを、その出力する半導体集積回路ブロック動作制御信号３２の制御信号３２ａが論理値“１”であり制御信号３２ｂが論理値“０”である状態と、制御信号３２ａが論理値“０”であり制御信号３２ｂが論理値“１”である状態とを、繰り返すように制御し、これにより、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂが交互に時分割で動作状態となるようにし、信号発生装置５ｃから試験対象の複数の半導体集積回路に対し、試験対象の複数の半導体集積回路を検査条件の動作周波数Ａで動作させる動作信号を、信号線１３を介して供給して、バーンイン試験を実施する。
【００９８】
ここで、機能回路ブロック８ａ、８ｂの時分割動作の切り替えの間隔は、例えば動作クロックの１００クロック毎等、適当に設定することができる。
【００９９】
このように、算出した動作電流値が電源装置２の許容電流を超えてしまうものであるときに、半導体集積回路８内部の各機能回路ブロック８ａ、８ｂを交互に時分割で動作させ、半導体集積回路８を時分割バーンイン動作させることにより、一度に流れる動作電流を低減でき、動作電流が電源装置２が許容できる電源容量を超えてしまうことを防止できる。これにより、トランジスタ閾値（Ｖｔ）が標準値より低下した等によりバーンイン試験時の動作電流が増大する場合においても、動作電流が、電源装置２が許容できる電源容量以内に収まる状態で、確実にバーンイン試験を行うことができる。
【０１００】
このように、本実施の形態４では、ウェハに搭載された、各々が複数の機能ブロックを有し該複数の各機能ブロックの動作、非動作を選択可能である複数の半導体集積回路に対してバーンイン試験を行う際に、バーンイン試験時に、前記複数の半導体集積回路の前記複数の機能ブロックに異なる制御信号を与えて、該複数の機能ブロックを時分割動作させるようにしたので、ウェハレベルバーンイン試験装置の許容範囲内にバーンイン動作時電流を制御でき、確実にバーンイン試験の実施を可能にできる効果がある。
【０１０１】
なお、本発明において、複数の機能回路ブロックを同時に動作させるか、時分割で動作させるかの判定のしかたは、上述のものに限られるものではなく、例えば、機能回路ブロック８ａのみを動作状態として半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流と、機能回路ブロック８ｂのみを動作状態として半導体集積回路を検査条件の動作周波数で動作させたときの動作電流とを測定して、この２つの測定値を加算した値が電源装置の許容電流を超えてしまうものであるときに、各機能回路ブロック８ａ、８ｂを交互に時分割で動作させるようにしてもよい。
【０１０２】
また、実施の形態４では半導体集積回路の機能ブロックの数が２つであるものについて示したが、機能ブロックの数を３つ以上にしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明の半導体検査装置および半導体集積回路はウェハレベルバーンイン試験時の動作電源電流を制御する機能を有しており、半導体集積回路の高集積化、微細化等の進展でますます重要性が高くなっているバーンイン試験の効率化、バーンイン試験装置の高性能化に非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１における半導体検査装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１による半導体検査装置における電源電流量の制御の動作を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態２による半導体検査装置の構成を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態３による半導体検査装置の構成を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態４による半導体検査装置および半導体集積回路の構成を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態２ないし４による半導体検査装置における電源電流量の制御の動作を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１００、２００、３００、４００  ウェハレベルバーンイン装置
２、２ｂ  電源装置
３  電流測定装置
４  動作周波数制御装置
５、５ｂ、５ｃ  信号発生装置
６  バーンインプローバ
７  試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ
７ａ  試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ａ
７ｂ  試験対象の半導体集積回路を搭載したウェハ７の領域Ｂ
８  ウェハ７に搭載されている試験対象の半導体集積回路
８ａ  試験対象の半導体集積回路８内部の機能ブロックＡ
８ｂ  試験対象の半導体集積回路８内部の機能ブロックＢ
１０、２１、２４、３１  制御用信号
１１  動作周波数制御装置４から信号発生装置５への制御信号
１２  電源装置２からバーンインプローバ６へ電源を供給する電源線
１２ａ  ウェハ７の領域Ａに電源を供給する電源線
１２ｂ  ウェハ７の領域Ｂに電源を供給する電源線
１３  信号発生装置５からバーンインプローバ６へ動作信号を供給する信号線
１３ａ  ウェハ７の領域Ａに電源を供給する信号線
１３ｂ  ウェハ７の領域Ｂに電源を供給する信号線
２０  電源供給制御装置
２２  電源供給制御装置２０から電源装置２への制御信号
２３  信号発生制御装置
２５  信号発生制御装置２３から信号発生装置５への制御信号
３０  半導体集積回路ブロック動作制御装置
３２  半導体集積回路ブロック動作制御信号を供給する信号線
３２ａ  機能ブロックＡに制御信号を供給する信号線
３２ｂ  機能ブロックＢに制御信号を供給する信号線
３３  半導体集積回路ブロック動作制御装置３０から信号発生装置５への制御信号
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008038546.tif 000009
【図２】
2008038546.tif 000010
【図３】
2008038546.tif 000011
【図４】
2008038546.tif 000012
【図５】
2008038546.tif 000013
【図６】
2008038546.tif 000014
【国際調査報告】
2008038546.tif 000015
2008038546.tif 000016
2008038546.tif 000017
2008038546.tif 000018
2008038546.tif 000019
2008038546.tif 000020
2008038546.tif 000021