Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の融点を有するはんだバンプを複数を形成させると共に、構成成分のほぼすべてが揮発する前記第１温度以下の揮発温度を有するフラックスを形成させ、かつ
第１固定具を前記第１温度未満の第２温度に維持するようにして、第１固定具に基板を配置し、
複数の金属突起を有するチップを、前記第１温度未満の第３温度に維持されるヒータに結合される第２固定具に配置し、
前記第１固定具および第２固定具の一方または両方を他方へ移動させることにより、複数のはんだバンプを前記複数金属突起と接触させ、
前記ヒータの温度を第３温度から前記第１温度よりも高い第４温度に急速に上昇させ、および
前記複数のはんだバンプが溶融し、前記複数の金属突起をぬらすまで、ほぼ前記第４温度以上にパルス加熱具を保つことを含む方法。
【請求項２】
活性面とその反対側の第２表面とを有するチップの活性面上の複数のパッドに金属突起を形成させ、
底面も有する基板の表面上の複数のパッドに、溶融温度を有するはんだバンプを形成させること、
前記溶融温度未満の揮発温度を有する構成成分から主に構成される洗浄不要フラックスで前記はんだバンプを被覆すること、
熱圧縮ボンダのプラテン上に前記基板の前記底面を配置することであって、前記プラテンが、前記揮発温度と溶融温度未満の第１温度に維持されること、
前記熱圧縮ボンダのヘッドに前記チップの前記第２表面を固定することであって、前記ヘッドがヒータを含むこと、
前記はんだバンプを、対応する金属突起にほぼ位置合せすること、
前記ヘッドを下げ、または前記プラテンを上げて、前記はんだバンプを前記金属突起と接触させること、
接触力を加えて、前記はんだバンプと対応する金属突起を一緒に保持すること、
前記基板の前記第２表面が前記溶融温度よりも高い第２温度に達するまで、前記ヒータの温度を上昇させること、および
前記はんだバンプが溶融するまでの期間、前記第２表面を前記第２温度に保つことを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下側ワイヤ層と上側ワイヤ層との間に分子層が配置される分子電子デバイスを形成する方法であって、
前記上側ワイヤ層のパターニング中に前記分子層が劣化するのを防ぐように、保護層を設けることを含む、方法。
【請求項２】
前記保護層の選択された領域を、電気導体から電気抵抗に、または絶縁体から電気導体に変換することをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記分子電子デバイスを包囲する分離保護領域が、電気導体から絶縁体に変換される、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記保護層は、金属層であり、前記分離保護領域は、酸化によって絶縁体に変換される、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記上側ワイヤ層と前記下側ワイヤ層との間に配置されるデバイス保護領域が、絶縁体から電気導体に変換される、
請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記デバイス保護領域は、該デバイス保護領域に電圧を印加することによって、電気導体に変換される、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記保護層は、アンチヒューズ構造を有する
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記選択された保護領域が変換されて、前記上側ワイヤ層を画定する、
請求項２に記載の方法。
【請求項９】
変換されない保護領域が、前記上側ワイヤ層に対応する
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
パターニングされた上側ワイヤ層を前記保護層上に配置することをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記保護層上にリフトオフ層を配置し、該リフトオフ層上に導電層を配置し、該リフトオフ層を溶解することにより、前記上側ワイヤ層がパターニングされる、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
分子電子デバイスであって、
下側ワイヤ層と、
デバイス領域において前記下側ワイヤ層上に配置される分子層と、
前記分子層上に配置され、電気導体領域および絶縁体領域を有する保護層と、
を備える、分子電子デバイス。
【請求項１３】
前記電気導体領域は、前記分子電子デバイス内に組み込まれ、前記絶縁体領域は、前記分子電子デバイスを包囲する、
請求項１２に記載の分子電子デバイス。
【請求項１４】
前記電気導体領域は、金属層から形成され、前記絶縁体領域は、金属酸化物層から形成される、
請求項１３に記載の分子電子デバイス。
【請求項１５】
前記絶縁体領域は、アンチヒューズ構造を有し、前記電気導体領域は、溶断されたアンチヒューズ構造を有する、
請求項１３に記載の分子電子デバイス。
【請求項１６】
前記保護層上に配置されるパターニングされた上側ワイヤ層をさらに備える、
請求項１２に記載の分子電子デバイス。
【請求項１７】
前記保護層は、前記上側ワイヤ層に対応する、
請求項１２に記載の分子電子デバイス。
【請求項１８】
分子電子デバイスのアレイを備える分子メモリシステムであって、該分子電子デバイスのそれぞれは、
下側ワイヤ層と、
デバイス領域において前記下側ワイヤ層上に配置される分子層と、
前記分子層上に配置され、電気導体領域および絶縁体領域を有する保護層と、を含む、
分子メモリシステム。
【請求項１９】
前記絶縁体領域は、アンチヒューズ構造を有し、前記電気導体領域は、溶断されたアンチヒューズ構造を有する、
請求項１８に記載の分子メモリシステム。
【請求項２０】
前記保護層上に配置されるパターニングされた上側ワイヤ層をさらに含む、
請求項１８に記載の分子メモリシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎが３より大きい正の整数であり、（２Ｎ−１）次の二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャ含む集積回路であって、その（２Ｎ−１）次の二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャが
前記（２Ｎ−１）次の一次元ピラミッド・フィルタと、
第１の加算回路と、
第２の加算回路とを有し、
前記（２Ｎ−１）次の二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャは、オペレーション中、それぞれのクロック・サイクルにおいて、少なくとも、
４つの（２Ｎ−１）次の一次元ピラミッド・フィルタによって生成される出力信号の前記第１の加算回路による合計に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号と、
前記第２の加算回路において、次数の信号サンプル・マトリックスを合計することによって生成される出力信号に対応する、ピラミッド・フィルタリング済み出力信号とを生成することができ、
前記二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャにおけるそれぞれの出力信号は、前記二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャのそれぞれのクロック・サイクルにおいて第３の加算回路によって合計される集積回路。
【請求項２】
Ｎは３より大きい正の整数であり、（２Ｎ−１）次の一次元ピラミッド・フィルタを含む（２Ｎ−１）次の二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャを使用して画像をフィルタリングする方法であって、
前記二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャのそれぞれのクロック・サイクルに、
４つの（２Ｎ−１）次の一次元ピラミッド・フィルタによって生成される出力信号に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号と、
次数の信号サンプル・マトリックスの合計に対応する、ピラミッド・フィルタリング済み出力信号とを合計することを含む方法。
【請求項３】
記憶媒体を含む物品であって、前記記憶媒体はその上に命令を記憶しており、その命令は、実行されると、
前記二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャのそれぞれのクロック・サイクルに、
４つの（２Ｎ−１）次の一次元ピラミッド・フィルタによって生成される出力信号に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号と、
次数の信号サンプル・マトリックスの合計に対応する、ピラミッド・フィルタリング済み出力信号とを合計することによって、
（２Ｎ−１）次の一次元ピラミッド・フィルタを含む（２Ｎ−１）次の二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャを使って画像のフィルタリングを行い、この場合、Ｎは３よりも大きい正の整数である物品。
【請求項４】
スキャンしたカラー画像をフィルタリングするための画像処理ユニットを含む画像処理システムであって、
前記画像処理ユニットは、少なくとも１つの二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャを含み、
前記少なくとも１つの二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャは、
（２Ｎ−１）次の一次元ピラミッド・フィルタを含む（２Ｎ−１）次の二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャを含み、この場合、Ｎは３より大きい正の整数であり、
前記（２Ｎ−１）次の二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャは、オペレーション中、それぞれのクロック・サイクルにおいて、少なくとも、
４つの（２Ｎ−１）次の一次元ピラミッド・フィルタによって生成される出力信号に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号と、
次数の信号サンプル・マトリックスの合計に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号とを生成することができ、
前記二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャにおけるそれぞれのピラミッド・フィルタリング済み出力信号は、前記二次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャのそれぞれのクロック・サイクルにおいて合計される画像処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマトーチを含むプラズマ処理チャンバに加工物を入れる段階と、
前記加工物及び前記プラズマトーチの少なくとも一方を平行移動する段階と、
材料を前記加工物の表面に追加して該表面を前記プラズマトーチからの放電で成形するために、反応原子プラズマ処理を用いる段階と、
を含むことを特徴とする、加工物の表面を成形する方法。
【請求項２】
前記加工物は、光学部品又は高損傷閾値光学部品である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記加工物の表面を形成するために反応プラズマ処理を用いる段階は、
前記加工物の表面下への損傷を最小にするか又は損傷しないこと、若しくは、
前記加工物の表面から材料を除去すること、
のうち少なくとも一方を伴うものである請求項１に記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記プラズマに入る前駆物質の質量流を、約０ミリリットル／分から約２，０００ミリリットル／分の間、又は、約０ミリリットル／分から約５０，０００ミリリットル／分の間に制御する段階を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記加工物の表面の化学的性質を前記プラズマで変更する段階、
前記プラズマトーチに対して前記加工物を回転させる段階、
反応種を前記プラズマに生成する段階、
前記プラズマトーチの中央チャンネルに前駆物質を入れる段階、
前駆物質を前記プラズマトーチに入れ、反応種を前記プラズマに生成する段階、
前駆物質を前記プラズマトーチに入れる段階、
前記プラズマに入る前駆物質の質量流を制御する段階、
前記プラズマの中央チャンネル内に導入される前駆物質の濃度を選択する段階、
前記プラズマトーチの外側チューブを通してプラズマガスを導入する段階、そして
前記プラズマトーチの環状領域で前記放電にエネルギを結合する段階、
のうち少なくとも一つの段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記プラズマトーチの３つの同心チューブの第２のチューブを通して補助ガスを導入する段階、
補助ガスを使用して、高温プラズマを前記プラズマトーチの中央チャンネルから遠ざけておく段階、
補助ガスを使用して放電の位置を調節する段階、
前記プラズマトーチの外側チューブの内径を選択することにより放電の大きさを制御する段階、
プラズマガスを接線方向に導入する段階、
前記プラズマトーチのガス流を計量する段階、
前記プラズマの温度を摂氏５，０００度から１５，０００度の間に維持する段階、
前記加工物の表面上に揮発性反応を発生させる段階、そして
前記処理チャンバの気圧を大気圧とほぼ同じに維持する段階、
のうち少なくとも一つの段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記加工物の表面を前記プラズマで洗浄する段階、
前記加工物の表面を前記プラズマで研磨する段階、
前記加工物の表面を前記プラズマで平坦化する段階、そして
前記プラズマで前記加工物の表面に材料を再分布する段階、
のうち少なくとも一つの段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマのエッチング速度を上げるために、多重ヘッドを有するプラズマトーチを使用すること、
前記プラズマのエッチング速度を制御するために、前駆物質溶液を使用すること、そして、
前記プラズマのエッチング速度を制御するために、固体、液体、又は気体のいずれか１つである前駆物質を使用すること、
のうち少なくとも一つをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
プラズマトーチを含むプラズマ処理チャンバに加工物を入れる段階と、
前記加工物及び前記プラズマトーチの少なくとも一方を平行移動する段階と、
前記プラズマトーチを用いて、材料を前記加工物の表面上に堆積させる段階と、
前記プラズマトーチからの放電を用いて、前記加工物の表面から材料を除去する段階と、
前記除去された材料を前記加工物の表面上に再堆積させるために、反応原子プラズマ処理を用いる段階と、
を含むことを特徴とする、加工物の表面を平坦化する方法。
【請求項１０】
材料が前記加工物の表面から除去される除去速度と、
材料が前記加工物の表面上に堆積する堆積速度と、
処理中に前記表面から除去された材料が該表面上に再堆積する再堆積速度、
のうち少なくとも一つを制御することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
プラズマトーチと、
加工物及び前記プラズマトーチの少なくとも一方を平行移動できるようにされた平行移動器と、
を含み、
前記トーチは、反応プラズマ処理を用いて材料を堆積し、加工物の表面を成形するように構成された、
ことを特徴とする、加工物の表面を成形するためのツール。
【請求項１２】
プラズマトーチを含むプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマトーチが反応プラズマ処理を用いて加工物の表面を成形することができるように、加工物及び前記プラズマトーチの少なくとも一方を平行移動できるようにされた平行移動器と、
前記加工物の位置、電力、プラズマガス流量、及び前記プラズマトーチからの該加工物の距離のうちの少なくとも１つを制御することにより、材料の除去速度及び堆積速度のうちの少なくとも一方に影響を与えるための温度調節器と、
を含むことを特徴とする、加工物の表面を成形するための化学反応器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月2日(2005.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
ガラス基板を支持するチャンバであって：
チャンバ本体と；
前記チャンバ本体内に少なくとも部分的に配置された少なくとも一つの支持要素と；
前記支持要素の上面に配置された少なくとも一つの支持部材と；
を備え、
前記支持部材は、前記支持要素に関し間隔を置いて前記ガラス基板を支持するように適合され、
前記支持部材は：
取り付けピンと；
４マイクロインチ又はより滑らかな表面粗さを有する前記取り付けピンの少なくとも一部および最上部を収容するように適合された、中空体を有するキャップと；
を備える、
前記チャンバ。
【請求項２】  
複数のガラス基板を内部で支持するチャンバであって：
第１移送口が貫通して形成された、第２移送口が貫通して形成されたチャンバ本体と；
前記チャンバ本体内に配置された複数の支持要素と；
前記支持要素の各々に配置された複数の支持部材と；
を備え、
前記支持部材の少なくとも一つが：
取り付けピンと；
４マイクロインチ又はより滑らかな表面粗さを有する前記取り付けピンの少なくとも一部および最上部を収容するように適合された、中空体を有するキャップと；
を備える、
前記チャンバ。
【請求項３】  
前記第１移送口は、第１スリットバルブにより選択的に密閉され、前記第２移送口は、第２スリットバルブにより選択的に密閉される、請求項２記載のチャンバ。
【請求項４】  
前記取り付けピンは、前記支持要素の上面に結合されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項５】  
前記支持要素は、シェルフであり、前記シェルフは、前記チャンバ本体の少なくとも一つの側壁に固定されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項６】  
前記支持要素は、前記チャンバ本体の少なくとも一つの側壁に取り付け可能である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項７】  
前記チャンバ本体は、内部に４つの支持要素が配置されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項８】  
前記キャップは、前記支持要素と間隔を置いて前記ガラス基板を支持するように適合されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項９】  
前記キャップの最上部は、丸くなっている、請求項１〜８のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項１０】
前記キャップの最上部は、少なくとも部分的にコーティングが配置されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項１１】  
前記コーティングは、４マイクロインチ又はより滑らかな表面粗さを有する、請求項１０に記載のチャンバ。
【請求項１２】  
前記コーティングは、摩擦を減少させ、粘着を減少させ、さらに、前記ガラス基板と化学的に不活性な材料から構成される、請求項１０または１１記載のチャンバ。
【請求項１３】  
前記コーティングは、窒化物層である、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項１４】  
前記コーティングは、窒化チタニウムから構成される、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項１５】  
前記コーティングは、約３ミクロンから約３０ミクロンまでの厚みを有する、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項１６】  
前記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイである、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のチャンバ。
【請求項１７】  
ガラス基板を支持する装置であって：
取り付けピンと；
前記ガラス基板を支持するように適合された最上部、前記取り付けピンの少なくとも一部を収容するように適合された中空体を有するキャップと；
前記キャップの前記最上部に少なくとも一部が配置されたコーティングであって、４マイクロインチ又はより滑らかな表面粗さを有する、前記コーティングと；
を備える、前記装置。
【請求項１８】  
前記キャップの最上部は、丸くなっている、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】  
前記コーティングは、摩擦を減少させ、粘着を減少させ、さらに、前記ガラス基板と化学的に不活性な材料から構成される、請求項１７または１８記載の装置。
【請求項２０】
前記コーティングは、窒化物層である、請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２１】  
前記コーティングは、窒化チタニウムから構成される、請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２２】  
前記コーティングは、約３ミクロンから約３０ミクロンまでの厚みを有する、請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２３】  
前記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイである、請求項１７〜２２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２４】  
前記取り付けピン又は前記キャップ又は両方の少なくとも一部は、非金属材料で形成されている、請求項１７〜２３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２５】
前記取り付けピン又は前記キャップ又は両方の少なくとも一部は、石英またはサファイアで形成されている、請求項１７〜２４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２６】  
前記取り付けピン又は前記キャップ又は両方の少なくとも一部は、ステンレス鋼またはニッケル合金で形成されている、請求項１７〜２５のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）分子配座の変化又は異性化
（２）バンドギャップを変化させる化学結合変化を介した拡張共役の変化
あるいは、
（３）分子の折畳み、あるいは引伸ばし
のうちの１つのメカニズムによって、電界誘導バンドギャップ変化が起こる分子システムからなる電界で駆動される分子スイッチ。
【請求項２】
前記電界誘導バンドギャップ変化が、分子配座の変化又は異性化を介して生じる請求項１に記載の分子スイッチ。
【請求項３】
前記分子システムが、少なくとも１つの固定子部分と少なくとも１つの回転子部分からなり、前記回転子が印加電界によって第一の状態から第二の状態に回転し、前記第一の状態においては、前記分子システムの全体にわたって拡張共役が存在し、その結果バンドギャップが比較的小さくなり、且つ前記第二の状態においては、前記拡張共役が破壊され、その結果バンドギャップが比較的大きくなる請求項２に記載の分子スイッチ。
【請求項４】
前記分子システムが、
【化１】
2005509271.tif 000001
（式中の垂直の点線は、前記分子が電気的に接続されている電極を表す）からなる請求項３に記載の分子スイッチ。
【請求項５】
前記分子システムが、
【化２】
2005509271.tif 000002
（式中の文字Ａ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、及びＪは、前記分子システムの幾何構造及び光学的諸性質を調節するのに種々の化学ユニットを利用することができる部位を示し、一般に以下を示す。Ａ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、及びＪは、ヘテロ原子、炭化水素（飽和又は不飽和のもののいずれか）、及び前記ヘテロ原子の少なくとも１つを有する炭化水素から成る群から独立して選択され、且つ、前記に加えて、文字Ｇ及びＪは、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから成る群から独立して選択される）からなる請求項３に記載の分子スイッチ。
【請求項６】
前記電界誘導バンドギャップ変化が、バンドギャップを変化させる化学結合変化を介した拡張共役の変化によって生じる請求項１に記載の分子スイッチ。
【請求項７】
前記電界誘導バンドギャップ変化が、バンド局在化の増減を伴う電荷の分離あるいは再結合を介した拡張共役の変化によって生じる請求項６に記載の分子スイッチ。
【請求項８】
前記分子システムが２つの部分からなり、第一の状態から第二の状態への変化が印加された電界によって起こり、前記変化が前記第一の状態から前記第二の状態へ変化するときに電荷の分離を伴い、それによってπ非局在化が少ない比較的バンドギャップの大きい状態となり、且つ前記第二の状態から前記第一の状態へ変化するときに電荷の再結合を伴い、それによってπ非局在化が比較的大きい比較的バンドギャップが小さい状態になる請求項７に記載の分子スイッチ。
【請求項９】
前記分子システムが、
【化３】
2005509271.tif 000003
からなる請求項８に記載の分子スイッチ。
【請求項１０】
前記分子システが、
【化４】
2005509271.tif 000004
（式中のＭ＋は、遷移金属を含む金属、又はそれらのハロゲン錯体、Ｈ＋、他の種類のルイス酸（単数又は複数）を表わす）からなる請求項８に記載の分子スイッチ。
【請求項１１】
前記電界誘導バンドギャップが、電荷の分離あるいは再結合及びπ結合の破壊あるいは形成を介する拡張共役の変化によって生じる請求項６に記載の分子スイッチ。
【請求項１２】
前記分子システムが２つの部分からなり、第一の状態から第二の状態への変化が印加された電界によって起こり、前記変化が前記第一の状態から前記第二の状態へ変化するときに電荷の分離を伴い、前記第一の状態においては前記分子システムの全体にわたって拡張共役が存在し、その結果バンドギャップが比較的大きくなり、且つ前記第二の状態においては前記拡張共役が破壊され且つ分離された正負の電荷が前記分子システム内に生じ、その結果比較的バンドギャップが小さくなる請求項１１に記載の分子スイッチ。
【請求項１３】
前記分子システムが、
【化５】
2005509271.tif 000005
（式中の文字Ａ、Ｂ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、及びＺは、水素、ヘテロ原子、前記へテロ原子の少なくとも１つを含む官能基、炭化水素（飽和又は不飽和のもののいずれか）、及び前記ヘテロ原子の少なくとも１つを有する炭化水素から成る群から独立して選択され、且つ垂直の点線は、前記分子システムが電気的に接続されている電極を表わす）からなる請求項１２に記載の分子スイッチ。
【請求項１４】
前記分子システムが、
【化６】
2005509271.tif 000006
（式中の文字Ａ、Ｂ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、及びＺは、水素、ヘテロ原子、前記へテロ原子の少なくとも１つを含む官能基、炭化水素（飽和又は不飽和のもののいずれか）、及び前記ヘテロ原子の少なくとも１つを有する炭化水素から成る群から独立して選択され、且つ前記垂直の点線は、前記分子システムが電気的に接続される電極を表わす）からなる請求項１２に記載の分子スイッチ。
【請求項１５】
前記電界誘導バンドギャップ変化が、分子の折畳みあるいは引伸ばしによって生じる請求項１に記載の分子スイッチ。
【請求項１６】
前記分子システムが３つの部分からなり、第一の部分と第三の部分の各々が、第二の中央部分と結合しており、第一の状態から第二の状態への変化が印加された電界によって起こり、前記変化が前記第二の部分の辺りのあるいは前記第二の部分の折畳みあるいは引伸ばしを伴い、前記第一の状態においては前記分子システムの全体にわたって拡張共役が存在し、その結果バンドギャップが比較的小さくなり、且つ前記第二の状態においては前記拡張共役が破壊され、その結果バンドギャップが比較的大きくなる請求項１５に記載の分子スイッチ。
【請求項１７】
前記分子システムが、
【化７】
2005509271.tif 000007
（式中のＲ１及びＲ２は、水素、ヘテロ原子、前記へテロ原子の少なくとも１つを含む官能基、炭化水素（飽和又は不飽和のもののいずれか）、及び前記ヘテロ原子の少なくとも１つを有する炭化水素から成る群から独立して選択される）からなる請求項１６に記載の分子スイッチ。
【請求項１８】
１つのワイヤが他と０°以外の角度で交差する接合部を形成する一対の交差したワイヤと、前記接合部において前記一対の交差したワイヤを接続させる少なくとも１つのコネクタ種とを含むクロスワイヤデバイスからなる分子スイッチであって、前記接合部がナノメートル単位の機能寸法を有し、前記少なくとも１つのコネクタ種が前記分子システムからなる請求項１に記載の分子スイッチ。
【請求項１９】
前記クロスワイヤデバイスが、記憶装置、論理装置、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、集積回路に適合性のあるインターコネクト機器、電界プログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、クロスバースイッチ、及び通信デバイスから成る群から選択されている請求項１８に記載の分子スイッチ。
【請求項２０】
前記分子システムが、一対の電極の間に挟まれており、且つ連結部によってそこに接続されている請求項１に記載の分子スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月3日(2005.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を提供する工程と、
前記基材上にエッジ材料を被覆する工程と、
前記基材上にカソード材料を被覆する工程と、
を含み、前記被覆材料及び前記エッジ材料が互いに接触し、かつ前記被覆されたカソード材料のエッジの厚さ分布が、前記エッジ材料なしで被覆されたカソード材料のエッジの厚さ分布に対して改良される、基材を電気化学電池用のカソード材料で被覆する方法。
【請求項２】
前記被覆されたカソード材料がテーパ付きエッジを含み、エッジ材料が被覆されて前記テーパ付きエッジを少なくとも部分的に覆い、カソード材料およびエッジ材料の組合わせた乾燥厚さに基づいてテーパ付きカソード材料エッジの所望の乾燥厚さ分布を生じる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
カソード材料のバルク部分が所望の乾燥厚さに被覆され、前記カソード材料エッジの厚さ分布が、前記カソード材料の前記所望の乾燥厚さを、１０パーセント以内の近似値とする実質的に均一な乾燥厚さを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
カソード材料を被覆するための第１のスロット及びエッジ材料を前記カソード材料のエッジと接触させて被覆するための第２のスロットを有するダイコータを用いて前記カソード材料及び前記エッジ材料を前記基材上に被覆する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
エッジ材料が、カソード材料が接してエッジを形成する物理的境界として作用し、前記カソード材料が、前記基材上に被覆された後に分離状態に保たれる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
カソード材料のバルク部分が、約３〜約１００ミクロンの範囲の乾燥厚さに被覆され、前記被覆されたカソード材料のエッジの幅が、約０．１〜約３ｍｍの範囲である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
カソード材料を被覆するための第１のスロット及びエッジ材料を被覆するための第２のスロットを有するダイコータを用いてカソード材料及びエッジ材料を基材上に被覆する工程を含み、シムが各スロットに配置され、エッジ材料のストライプが、移動基材上にカソード材料のストライプに隣接して被覆されるようにする、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
カソード材料を基材上に押出被覆する工程と、前記カソード材料をカレンダー加工する工程と、電気絶縁エッジ材料を前記カレンダー加工されたカソード材料のエッジと接触させて押出被覆する工程と、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記電気絶縁ポリマーが、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリビニルエーテル、イソシアネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記カソード材料が、電極活性材料、電気導電性材料、イオン導電性ポリマー、及び電解質塩を含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
差動出力スイッチング増幅器において少なくとも１つのヌルスペクトルを生成するための回路であって、
入力信号を受信する入力部と、
前記入力部に接続して、前記入力信号から第１スイッチング信号を生成するための変調変換回路であって、前記第１スイッチング信号は、所定のスイッチング周波数を有する前記変調変換回路と、
前記変調変換回路に接続して、前記第１スイッチング信号から第２スイッチング信号を生成するための反転遅延回路であって、前記第２スイッチング信号は、反転され、また前記第１スイッチング信号と比べて或る遅延量だけ遅延され、前記遅延量は、前記少なくとも１つのヌルスペクトルを供給するために、前記所定のスイッチング周波数に関係する前記反転遅延回路と、
が含まれる回路。
【請求項２】
請求項１に記載の回路であって、更に、
前記第１スイッチング信号を前記差動出力スイッチング増幅器の第１入力部に供給するための第１出力部と、
前記第２スイッチング信号を前記差動出力スイッチング増幅器の第２入力部に供給するための第２出力部と、
が含まれる回路。
【請求項３】
請求項１に記載の回路であって、更に、
前記入力信号を受信し、フィルタ処理するために接続され、また、前記フィルタ処理された入力信号を前記変調変換回路に供給するために接続された補償フィルタ回路が含まれ、
前記第１スイッチング信号は、前記フィルタ処理された入力信号から生成される、回路。
【請求項４】
差動出力スイッチング増幅器において少なくとも１つのヌルスペクトルを生成するための方法であって、
入力信号を受信する段階と、
前記差動出力スイッチング増幅器の第１入力部に対する第１スイッチング信号を前記入力信号から生成する段階であって、前記第１スイッチング信号は、所定のスイッチング周波数を有する前記段階と、
前記差動出力スイッチング増幅器の第２入力部に対する第２スイッチング信号を前記第
１スイッチング信号から生成する段階であって、前記第２スイッチング信号は、反転され、また、前記第１スイッチング信号と比べて或る遅延量だけ遅延され、前記遅延量は、前記少なくとも１つのヌルスペクトルを供給するために、前記所定のスイッチング周波数に関係する前記段階と、
が含まれる方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記第１スイッチング信号は、対応する周期時間を有し、前記遅延量は、前記周期時間の半分の倍数である、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の装置のための電力線モデム・ネットワークのクロック同期化方法であって、
電力線ネットワークを介して複数の装置間の通信を可能にする電力線モデムおよびクロックを有する複数の装置を供給するステップと、     
同期メッセージで得られるクロック時刻に従って前記複数の装置の各々がそれぞれのクロックを更新するための指令を含んでいる前記同期メッセージを前記電力線ネットワークを介して供給するステップと、からなる前記同期化方法。
【請求項２】
同期メッセージを供給するステップで、一定時間の経過後に前記同期メッセージを供給する、請求項１記載の同期化方法。
【請求項３】
同期メッセージを供給するステップで、停電後に前記同期メッセージを供給する、請求項１記載の同期化方法。
【請求項４】
同期メッセージを供給するステップで、バックアップ用バッテリを有する同期化装置を備え、停電の間、時刻を保持する、請求項１記載の同期化方法。
【請求項５】
外部のクロック源を動作させて、同期化装置のクロックを更新するステップを更に含む、請求項１記載の同期化方法。
【請求項６】
同期メッセージを供給するステップで、前記複数の装置の１つによって前記同期メッセージをリクエストし、該リクエストに従って前記同期メッセージを発生するステップを含む、請求項１記載の同期化方法。
【請求項７】
電力線ネットワーク上にある装置のクロックを更新する同期化装置であって、
電力線ネットワークに接続して、前記同期化装置に電力を供給するプラグと、
時刻を保持するクロックと、
前記プラグに結合され、これによって、電力線ネットワーク内でクロックを有する複数の装置に同期メッセージを送る電力線モデムと、からなり、前記同期メッセージは、前記同期化装置のクロックに従って前記複数の装置がそれぞれのクロックを更新できるようにする、前記同期化装置。
【請求項８】
停電の間、時刻を保持するために同期化装置のクロックに電力を供給するバッテリを更に含む、請求項７記載の同期化装置。
【請求項９】
同期メッセージを再び発生できるように経過時間を測定するタイミング回路を更に含む、請求項７記載の同期化装置。
【請求項１０】
前記同期化装置のクロックを更新するために外部のソースから時刻を受信する受信器を更に含む、請求項７記載の同期化装置。
【請求項１１】
クロックを有する装置として、メディア・プレーヤ、テレビジョン受信機、自動応答機、サーモスタット、時計、ステレオ、電子レンジ、セキュリティ・システムのうち少なくとも１つが含まれる、請求項７記載の同期化装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電力線モデム・ネットワークのクロック同期化方法および電力線ネットワーク上にある装置のクロックを更新する同期化装置
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
一旦、通信（稼働）している会員加入者局１０２（１）が逆方向回線チャネル１０８（
１）を割当てられると、加入者局１０２（１）は情報を基地局１０４（１）に伝送する。
逆方向回線割当は、「無線網における専用及び共通チャネルを用いる集団呼出の方法及び
装置（METHOD  AND  APPARATUS  FOR  GROUP  CALLS  USING  DEDICATED  AND  COMMON  
CHANNELS  IN  WIRELESS  NETWORKS）」と題し、２００１年３月２８日に出願され、本発
明の譲請人に譲渡された上述の仮出願番号第６０／２７９，９７０号に詳述され、同様に
適用可能である。基地局１０４（１）は受信情報を基地局１０４（２）及び１０４（３）
に送り、順方向回線共有チャネル１０６（１）上で受信情報をユーザー１０２（１）、１０２（２）に伝送する。基地局１０４（２）及び１０４（３）は送られた情報を順方向回線共有チャネル１０６（２）及び１０６（３）上で伝送する。稼働会員加入者局１０２（１）から情報を受信するために、稼働集団の全ての会員加入者局、即ち、加入者局１０２（１）〜１０２（５）は稼働集団呼出の間それら個々の順方向回線共有チャネル１０６を監視するよう割当てられる。一般に、それぞれの基地局または１０４（１）、１０４（２）、及び１０４（３）によって割当てられた順方向回線共有チャネル１０６（１）、１０６（２）、及び１０６（３）は相互に異なる。しかしながら、重複包被領域に位置する会員加入者局１０２の受信を改良するために、順方向回線共有チャネル１０６は一以上のセクタまたは基地局１０４によって同期して伝送される。重複包被領域における順方向回線共通共有チャネルの受信改良の方法は、「同報通信システムにおけるハンドオフの方法及びシステム（METHOD  AND  SYSTEM  FOR  A  HANDOFF  IN  A  BROADCAST  COMMUNICATION  SYSTEM）」と題し、２００１年８月２０日に出願され、本発明の譲請人に譲渡された係属中出願第０９／９３３，６０７号に開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
一実施例では、順方向共有チャネル上のデータ率は固定され、セクタは全率（ＩＳ‐２
０００規格による８００ｂｐｓ及びＷ_ＣＤＭＡによる１６００ｂｐｓ）順方向電力制御
を使用する。図２に図示されたように固定率の順方向回線２００はフレーム２０２（１）、２０２（２）・・・２０２（ｎ）によって定義される。フレームは決定された時間範囲を含む構造である。データ率が固定されるので、各フレーム２０２（１）、２０２（２）・・・２０２（ｎ）は同じ電力Ｐｆによって伝送される。従って、現行の電力制御方法は順方向回線共有チャネルの品質測定基準を測定することができる。順方向回線共有チャネルの品質測定基準は、例えば、雑音上のビット当たりのエネルギ（Ｅｂ／Ｎｔ）として表される、例えば、信号対干渉及び雑音比を含む。会員加入者局の必要とされる目標デコーダ測定基準性能はその加入者局のために必要とされる順方向回線共有チャネルの品質測定基準を決定する。そのようなデコーダ測定基準は、例えば、復号フレーム誤り率（ＦＥＲ）、ビット誤り率（ＢＥＲ）、及び／または当業者に既知の他のデコーダ測定基準である。会員加入者局は順方向回線共有チャネル品質測定基準を測定し、固定または適応できる閾値に対して品質測定基準を比較し、そして比較結果に従って電力制御命令を送信する。一実施例では、電力制御命令２０４（１）、２０４（２）、・・・２０４（ｎ）は（ＩＳ‐２０００規格に基づくＦＰ_ＭＯＤＥ＝‘０００’に類似の）上げまたは下げ命令のストリームを含む。品質測定基準の測定及び比較は、論じられたように、順方向回線共有チャネル上のデータ率が固定され、従って、会員加入者局に予告なしには変わらないので、加入者局によって確実に実行される。適応閾値調整の典型的な実施例では、順方向回線共有チャネルのデータ・フレームが正しく受信されるとき、その閾値は第一の度合い、例えば、０．５ｄＢ増加する。この閾値は、順方向回線共有チャネルのデータ・フレームが正しく受信されないとき、より小さな度合い、例えば、０．５ｄＢ／（１／ＦＥＲdesired−１）だけ減少される。ＦＥＲdesiredは順方向回線共有チャネルのデータ・フレームの所望のフレーム抹消率を表す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
別の実施例では、順方向回線共有チャネル上のデータ率は、図３に示したように、可変
データ率によって伝送される。データ率は可変できるので、各フレーム３００（１）、３００（２）、・・・３００（ｎ）はそのフレーム内に伝送されるデータ率に対応する電力Ｐによって伝送される。このように、例えば、フレーム３００（ｎ）全率フレームは電力Ｐｆ３によって伝送され、半率フレーム３００（１）は電力Ｐｆ２によって伝送され、そして８分の１率フレーム３００（２）は電力Ｐｆ１によって伝送される。順方向回線共有チャネル品質測定基準を正確に評価するよう加入者局電力制御を可能にするため、逆方向回線電力制御のためのフィードバック電力制御命令はサブ‐チャネル、例えば、順方向電力制御サブ‐チャネル（Ｆ‐ＰＣＳＣＨ）を利用し、それは一定電力を持つ共通順方向回線トラフィック・チャネル上に所定の率、例えば、８００ｂｐｓで貫入される。代りの実施例では、電力制御情報はＦ‐ＰＣＳＣＨのような共通順方向回線トラフィック・チャネル中に貫入されないが、電力制御情報は順方向共通電力制御チャネル（Ｆ‐ＣＰＣＣＨ）のサブ‐ストリームとして伝送され、即ち、電力制御情報は共通順方向回線共通電力制御チャネル中の所定の位置に挿入される。逆方向回線電力制御のための電力制御ビットは順方向回線共有チャネル品質測定基準を測定するために使用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
代りに、受動的な会員加入者局はＲ‐ＤＣＣＨを割当てられない。（例えば、表１のグ
ループＩＩ）。受動的な会員加入者局はあらゆる情報を基地局に送信するために、接続チャネル、例えば、Ｒ‐ＡＣＨ、Ｒ‐ＥＡＣＨ、または制御チャネル、例えば、Ｒ‐ＣＣＣＨを使用する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005509313.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月8日(2004.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気エネルギーの供給ための携帯型の装置であって、
少なくとも１つの給電電池（２）を有する機器（１）の接続を可能にする接続手段（８）と、
出力給電電圧を送り出す給電回路（６、１６）と、
再充電可能な電気エネルギー蓄積手段（１０）
とを備え、前記回路は、前記回路が適切な電気エネルギー供給源に接続されている時に、前記エネルギー蓄積手段（１０）を超急速に充電し、および、前記接続手段（８）は、前記エネルギー蓄積手段（１０）から前記機器（１）が給電されることおよび／または前記機器の前記給電電池が充電されることを可能にする装置。
【請求項２】
前記回路（６、１６）によって送り出される前記機器（１）のための前記出力給電電圧は低電圧である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記回路は、電灯線電源または低電圧電気エネルギー供給源に対する接続のために設計されている、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記電気エネルギー蓄積手段は再充電可能な電池（１０）を備える、請求項１、２、または、３に記載の装置。
【請求項５】
前記電気エネルギー蓄積手段は再充電可能な電池（１０）を備え、
前記電池（１０）は、前記電池（１０）が前記接続手段（８）に接続されている前記機器（１）に給電する時に直列に接続されている幾つかの蓄電池セル（１０ａ−１０ｄ）を備え、
前記電池の前記セル（１０ａ−１０ｄ）の各々は、別々の充電制御回路（１１ａ−１１ｄ）を経由して超急速に充電される、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記回路は、前記回路が低電圧電気エネルギー供給源に接続されている時に、前記接続手段（８）に接続されている前記機器に給電し、かつ、前記蓄積手段（１０）を充電する働きをする、特定の出力電圧を送り出す電圧コンバータ（１６）を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記エネルギー蓄積手段（１０）は、前記エネルギー蓄積手段（１０）の端子における電圧が予め決められた閾値よりも低い時に昇圧器として動作する前記コンバータ（１６）を経由して、前記接続手段（８）に接続されている前記機器（１）に給電する、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記コンバータ（１６）によって送り出される前記出力電圧を含む予め決められた電圧範囲内の電圧を有する低電圧電気エネルギー供給源に前記回路が接続されている時に、前記回路は、前記コンバータ（１６）を通過することなしに前記電気エネルギー供給源から、前記接続手段（８）に接続されている前記機器（１）に給電し、および／または、前記エネルギー蓄積手段（１０）を充電する、請求項６または７に記載の装置。
【請求項９】
予め決められた閾値よりも低い電圧を有する電気エネルギー供給源に前記回路が接続されている時に、前記回路は、前記接続手段（８）に接続されている前記機器（１）に給電するが、前記エネルギー蓄積手段（１０）を充電せず、
前記予め決められた閾値以上の電圧を有する電気エネルギー供給源に前記回路が接続されている時に、前記回路は、前記接続手段（８）に接続されている前記機器（１）に給電し、かつ、前記エネルギー蓄積手段（１０）を充電する、
請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記予め決められた閾値は１２ボルトである、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記回路が電気エネルギー供給源に接続されている時に、前記回路による前記エネルギー蓄積手段（１０）の充電をユーザが選択的に許可または防止することを可能にする手動スイッチを含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記機器（１）に送り出される電流を制限する回路（９）を含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記機器（１）が給電される（１）ことを可能にしおよび／または前記エネルギー蓄積手段（１０）の充電を可能にする太陽電池パネル（２１）をさらに含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
取り外し可能な携帯型の電気エネルギー蓄積手段を接続するための接続手段を含み、前記取り外し可能な電気エネルギー蓄積手段が前記接続手段に接続されている場合に、前記給電回路は、前記給電回路が適切な電気エネルギー供給源に接続されている時に、前記取り外し可能な電気エネルギー蓄積手段を超急速に充電する、請求項１から１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
前記給電電池の超急速充電を可能にするようには設計されていない機器（１）の給電電池（２）を充電するために使用されることが意図されている、請求項１から１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
電気機器に給電するための、請求項１から１５のいずれか一項に記載の装置の使用。
【請求項１７】
前記機器は携帯型タイプである、請求項１６に記載の使用。
【請求項１８】
前記機器は移動電話か携帯型コンピュータかポケット電子オーガナイザである、請求項１７に記載の使用。
【請求項１９】
前記装置は前記電気機器の給電電池（２）を再充電する、請求項１５から１８のいずれか一項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１は、いくつかのユーザをサポートしそして本発明の少なくとも若干の観点および実施例を実行する能力のある、通信システム１００に関する例として有効である。アルゴリズムおよび方法の変形のいずれも、システム１００における伝送を予定するために使用されることが可能である。システム１００は、その各々が対応する基地局１０４Ａから１０４Ｇによってサービスされる、セル番号１０２Ａから１０２Ｇに対する通信を与える。用語「基地局１０４」はこの明細書を通して「基地局１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ、１０４Ｅ、１０４Ｆ、および１０４Ｇ」に関して使用されるものと認識される。用語「基地局１０４」は簡潔化の目的のためにのみ使用される。典型的な実施例においては、基地局１０４のいくつかは複数の受信アンテナを有し、そして他は１個だけの受信アンテナを有する。同様に基地局１０４のいくつかは複数の送信アンテナを有し、そして他はただ１個の送信アンテナを有する。送信アンテナおよび受信アンテナの組み合わせには制限はない。その結果基地局１０４に対して、複数の送信アンテナおよびただ１個の受信アンテナを有すること、あるいは複数の受信アンテナおよびただ１個の送信アンテナを有すること、あるいはともにただ１個あるいは複数の送信および受信アンテナを有することが可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
カバー領域における端末１０６は、固定されること（すなわち静止した）あるいは移動的であることが可能である。図１に示されるように、種々の端末１０６はシステムの至るところに分散される。用語「端末１０６」はこの明細書を通して「端末１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃ、１０６Ｄ、１０６Ｅ、１０６Ｆ、および１０６Ｇ」に関して使用されるものと認識される。用語「端末１０６」は簡潔化の目的のためにのみ使用される。各端末１０６は、任意の与えられた瞬間にたとえば、ソフトハンドオフが使用されているか否か、あるいは端末が複数の基地局からの複数の伝送を（同時にあるいは連続的に）受信するように設計されそして動作されるか否かに従って、少なくとも１個のそして多分より多くの基地局１０４と、下りリンクおよび上りリンク上で通信する。ＣＤＭＡ通信システムにおけるソフトハンドオフは当業界においてはよく知られ、そして“ＣＤＭＡセルラ電話システムにおいてソフトハンドオフを与えるための方法およびシステム”と題される、本発明の譲渡人に譲渡されている、米国特許５，１０１，５０１の中に詳細に述べられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
下りリンク、またはＦＬは、基地局から端末への伝送をいい、そして上りリンク、またはＲＬ、は端末から基地局への伝送をいう。典型的な実施例においては、端末１０６のいくつかは複数の受信アンテナを有し、そして他は１個だけの受信アンテナを有する。図１において、基地局１０４Ａはデータを端末１０６Ａおよび１０６Ｊに下りリンク上に送信し、基地局１０４Ｂはデータを端末１０６Ｂおよび１０６Ｊに送信し、基地局１０４Ｃはデータを端末１０６Ｃに送信する等である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ＨＳＢＳは、無線通信システムにおいてエアインタフェース上に与えられた情報のストリームである。“ＨＳＢＳチャネル”は、放送内容によって定義されたとおりのただ１個の論理的ＨＳＢＳブロードキャストセションに関する。与えられたＨＳＢＳチャネルの内容は、時間とともに、たとえば、午前７時ニュース、午前８時気象、午前９時映画、など変化することが可能であることに注意すべきである。時刻に基づいた予定は、ただ１個のテレビチャネルに類似している。“ブロードキャストチャネル”はただ１個の順方向リンク物理チャネル、すなわちブロードキャストトラフィックを搬送する与えられたウォルシュ(Walsh)符号に帰される。ブロードキャストチャネル、ＢＣＨはただ１個のＣＤＭチャネルに対応する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
典型的な実施例においては、非ビデオブロードキャストサービスに対してサポートされる最大レートは６４ｋｂｐｓである。しかしながら、６４ｋｂｐｓ以下の多くの他の可能なペイロードレートがまた達成可能である。
予約模型
自由アクセス、制御されたアクセス、および部分的に制御されたアクセスを含むＨＳＢＳサービスのための、いくつかの可能性のある予約／収入模型が存在する。自由アクセスに対してはサービスの受信に際してユーザによる予約は必要とされない。ＢＳは暗号化することなしに内容を放送し、そして関心のある移動体は内容を受信することが可能である。サービスプロバイダのための収入は、ブロードキャストチャネル内にまた送信されることが可能な広告を通じて発生されることができる。たとえば、現れようとしている映画クリップスは、それに対して撮影所がサービスプロバイダに支払いをするであろうために送信されることが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図３とともに続いて、ＭＳのアプリケーションレイヤに対して、プロトコルは任意のビジュアルプロファイルと同様に、オーディオコーデック、ビジュアルコーデックを定義する。さらに、プロトコルはラジオトランスポートプロトコル（ＲＴＰ）が使用される場合は、ＲＴＰペイロード形式を定義する。ＭＳのトランスポートレイヤのためにプロトコルは、ユーザデータグラムプロトコル（ＵＤＰ）ポートを定義する。ＭＳのセキュリティレイヤはプロトコル（ＩＰｓｅｃ）によって定義される。ここでセキュリティパラメータは、セキュリティが最初にＣＳと組み合わせられる場合は帯域外チャネルを経由して与えられる。ネットワークレイヤは、ＩＰヘッダ圧縮パラメータを定義する。図示されているように、ＣＳによる伝送のために使用されそしてＭＳにより要求される処理情報は、ＢＳ／ＰＣＦまたはＰＤＳＮによって必ずしも知られている必要はない。かかる情報はＩＰｓｅｃ情報、ＭＰＥＧ情報、その他を含むことができる。