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【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第１繊維層２は、両ウイング部１６を吸収性本体１１の肌当接面と略平行となるように横方向に展開させた状態において該吸収性本体１１の裏面シート１５側の面と同じ方向に向けられる面（以下、下面ともいう）を形成しており、第２繊維層３は、同様に両ウイング部１６を横方向に展開させた状態において、吸収性本体１１の肌当接面と同じ側に向けられる面（以下、上面ともいう）を形成している。尚、第２繊維層３には捲縮性繊維を含ませないことが、ウイング部１６の上面を形成する第２繊維層の強度が弱くなるのを防止し、オス部材１７の止着容易性及び止着安定性を良好とする観点から好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本実施形態のナプキン１０におけるオス部材１７は、図３に示すように、一方のウイング部１６ａの第１繊維層２側の面に、メカニカルホックのオス型シート１７’を接着剤を介して又はヒートシール、超音波シール、高周波シール等の熱融着により、固着することにより設けられている。他方のウイング部１６ｂの第２繊維層３側の面は、第２繊維層３により形成されていることによって、オス部材１７が機械的に係合可能である。
第２繊維層３は、熱融着部４以外の部位が上面側に凸の隆起部５を形成しており、前記オス部材１７は、特に隆起部５を構成する繊維に対して、優れた係合性を示す。また、ウイング部の上面に隆起部５が形成されていることにより、優れた肌触りが得られる。尚、隆起部５の内部は、第２繊維層の構成繊維で満たされているが、内部空洞の隆起部５とすることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本実施形態のナプキン１０は、図４に示すように、ウイング部１６をショーツの股下部（クロッチ部）Ｓの縁部に沿って折り曲げ、該ショーツの外表面側において、一方のウイング部１６ａに配設されたメカニカルホックのオス部材１７を他方のウイング部１６ｂを構成する不織布に直接係合させ止着することにより、ショーツに装着固定して用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月2日(2005.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気共鳴イメージング装置用受信コイル及び磁気共鳴イメージング装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体より発生する核磁気共鳴信号を検出するための磁気共鳴イメージング装置受信コイルにおいて、
上記受信コイルの少なくとも一部が光透過性を有することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用受信コイル。
【請求項２】
請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置用受信コイルにおいて、
上記受信コイルは、導電部と該導電部を保護するカバーを有して構成され、
上記導電部の少なくとも一部は光透過性と導電性をあわせ持つ部材を有して成り、上記カバーの少なくとも一部は光透過性を持つ部材を有して成ることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用受信コイル。
【請求項３】
請求項２記載の磁気共鳴イメージング装置用受信コイルにおいて、
上記導電部の少なくとも一部は、水溶性導電性ポリマーを用いて構成されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用受信コイル。
【請求項４】
請求項２記載の磁気共鳴イメージング装置用受信コイルにおいて、
上記導電部の少なくとも一部は、透明導電性フィルムを用いて構成されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用受信コイル。
【請求項５】
請求項２記載の磁気共鳴イメージング装置用受信コイルにおいて、
上記カバーの少なくとも一部は、光透過性プラスチックを用いて構成されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用受信コイル。
【請求項６】
請求項２記載の磁気共鳴イメージング装置用受信コイルにおいて、
上記カバーの少なくとも一部は、光透過性ビニールを用いて構成されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用受信コイル。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気共鳴イメージング装置用受信コイルを備えた磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、被検体より発生する核磁気共鳴信号を検出するための磁気共鳴イメージング装置受信コイルの少なくとも一部が光透過性を有することによって達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
好ましくは、上記受信コイルは、導電部と該導電部を保護するカバーを有して構成され、上記導電部の少なくとも一部は光透過性と導電性をあわせ持つ部材を有して成り、上記カバーの少なくとも一部は光透過性を持つ部材を有して成ることによって達成される。
また、好ましくは、上記磁気共鳴イメージング装置用受信コイルを備えた磁気共鳴イメージング装置によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月1日(2005.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録ヘッドおよび記録装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】共通の電源に接続された複数の記録素子を有する記録ヘッドであって、
各記録素子に対応して設けられた、制御端子に印加される電圧で前記記録素子の駆動を制御するスイッチング素子と、
前記電源から基準電圧を生成する基準電圧発生回路と、
前記記録素子が駆動されたときに、該記録素子の端子間の電位差と前記基準電圧とが等しくなるように制御する電圧制御回路とを備え、
前記基準電圧の値が、前記記録素子の抵抗値の平方根に比例することを特徴とする記録ヘッド。
【請求項２】前記基準電圧発生回路は、
前記記録素子と同じ特性を有する第１のダミー記録素子と、
前記第１のダミー記録素子の抵抗値を検知する抵抗値検知回路と、
検知された前記抵抗値の平方根を得る平方根回路と、
前記平方根の値を電圧に変換して出力する電圧変換回路とを含むことを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
【請求項３】前記電圧制御回路は、
前記記録素子と並列に接続され、前記記録素子と同じ特性を有する第２のダミー記録素子と、
前記第２のダミー記録素子に直列に接続され、前記スイッチング素子と同じ特性を有するダミースイッチング素子と、
前記第２のダミー記録素子の端子間の電位差と前記基準電圧の電圧とが等しくなるように、検出出力を前記ダミースイッチング素子の制御端子にフィードバックする検出素子とを含むことを特徴とする請求項２に記載の記録ヘッド。
【請求項４】前記検出出力が、前記スイッチング素子の前記制御端子に接続され、前記記録素子を駆動するか否かを示す選択信号が入力される論理回路の電源として使用されることを特徴とする請求項３に記載の記録ヘッド。
【請求項５】前記スイッチング素子は、ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の記録ヘッド。
【請求項６】前記各記録素子からインクを吐出して記録を行うことを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の記録ヘッド。
【請求項７】熱エネルギーを利用してインクを吐出するべく、インクに与える熱エネルギーを発生するための熱エネルギー変換体を前記各記録素子に備えていることを特徴とする請求項６に記載の記録ヘッド。
【請求項８】請求項１から７のいずれか１つに記載の記録ヘッドによって記録を行うことを特徴とする記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月15日(2004.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
プリント基板は一般に、紙またはガラス繊維に絶縁性樹脂を含浸させたシートと導体である銅箔とを積層し、加熱加圧して接着される複合材料である。該プリント基板に穴明け加工する場合、製造コストの低減が考慮されるため複数枚のプリント基板を重ねて穴明け加工されることが一般的である。プリント基板用ドリルは硬質の超硬合金製のものが用いられているが、上述のような複合材料であるプリント基板を上述のような過酷な方法で用いられるため、ドリルの継続使用によりドリルが摩耗し、加工した穴の品質の劣化やドリルが折損に至ることは免れない。このため、摩耗したドリルを再研削してドリルの寿命を延ばすことが要請され、先端切刃を加工する装置が開発されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ところで、近年、電子機器の高性能化、小型化に伴い、プリント回路板には高密度実装の要求が益々高まっている。この要求により、プリント基板の薄板化、高多層化、高密度配線化が進むと共に、プリント基板に穿設する前記貫通穴に小径化が加速し、そのため、使用されるドリルの小径化が進んでいる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかしながらが、ドリル保持装置と支持部材を設けただけの従来のドリル先端切刃加工装置は、ドリルの振れを抑制できないだけでなく、チャック時のドリル先端と支持部材の相対位置精度を高度に保つことが困難であり、小径ドリルの先端加工には適さない。また、前述のようにチャック時のドリルの振れを抑制することができる、回転駆動軸と回転従動軸の相対位置調整部を設けたドリル保持機構を備えた装置は小径ドリルの先端加工にも有効であるが、ドリル保持部を備えた回転従動軸の重量が刃受けにより支持されているドリル先端付近に付加されるため、該支持位置を支点としてドリルが撓んでしまい、先端加工後のドリルに高度な形状精度を付与することは困難である。これを回避するため、ドリルの先端付近を刃受けに押さえつけるためのドリル押さえを用いるが、強く押さえつけるとドリルがカケたり、折損したりという不具合がある。また、押さえつける力が弱いと、ドリルの撓みが抑制されずに、先端加工後のドリルに高度な形状精度を付与することは困難である。ドリルが小径になるほど、また長くなるほど、この傾向は強くなり、近年要求されている小径、高アスペクト比のドリルの先端切刃を高度な形状精度で加工することは非常に困難な問題とされている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月14日(2004.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石体と、該磁石体を収納する凹所を有すると共に軟磁性ステンレス鋼よりなるヨークと、上記磁石体を封入するよう上記ヨークの凹所開口部に配設されたシールプレートとよりなり、
該シールプレートは、軟磁性ステンレス鋼よりなるシールド板と、該シールド板の外周に接合した非磁性ステンレス鋼よりなる非磁性リング部とよりなり、
また、上記シールド板と非磁性リング部と上記ヨークとの間は、その表面側が一度で一体的に溶接された溶接部を有することを特徴とする義歯アタッチメント。
【請求項２】
請求項１において、上記非磁性リング部の外周にはニッケル層が設けてあることを特徴とする義歯アタッチメント。
【請求項３】
請求項１又は２において、上記シールド板と上記非磁性材料とはクラッド接合されていることを特徴とする義歯アタッチメント。
【請求項４】
請求項３において、上記クラッド接合は引き抜き加工又はスウェージング加工により行なわれていることを特徴とする義歯アタッチメント。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１の発明は、磁石体と、該磁石体を収納する凹所を有すると共に軟磁性ステンレス鋼よりなるヨークと、上記磁石体を封入するよう上記ヨークの凹所開口部に配設されたシールプレートとよりなり、
該シールプレートは、軟磁性ステンレス鋼よりなるシールド板と、該シールド板の外周に接合した非磁性ステンレス鋼よりなる非磁性リング部とよりなり、
また、上記シールド板と非磁性リング部と上記ヨークとの間は、その表面側が一度で一体的に溶接された溶接部を有することを特徴とする義歯アタッチメントにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記シールプレートにおいて、上記シールド板に用いる軟磁性材料としては、１９Ｃｒ−２Ｍｏ−０．２Ｔｉ−Ｆｅ、１７Ｃｒ−２Ｍｏ−０．２Ｔｉ−Ｆｅ、１３Ｃｒ−２Ｍｏ−０．２Ｔｉ−Ｆｅなどがある。
また、非磁性リング部に用いる非磁性材料としては、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、３１６Ｌ、３１０Ｓ等のステンレス鋼がある。
シールド板と非磁性リング部の接合に関しては後述の製造方法において説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に、クラッド棒をスライス切断して薄板状のシールプレートとする。シールプレートの厚みは、上記のごとく、０．０５〜０．４ｍｍとすることが好ましい。
また、シールプレートの非磁性リング部とヨークとの間の接合方法としては、レーザー溶接、電子ビーム溶接などがある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリンダとピストンで形成され、かつ、吸入孔口及び吐出ノズルとが連絡した流体輸送室に流体を供給すると共に、前記ピストンと前記シリンダの間に相対的な軸方向運動を与え、塗布開始時には前記流体輸送室の空間を減少させ、塗布遮断時には前記空間を増大させることにより前記吐出ノズルから前記流体を連続的に塗布形成するパターン形成方法において、
前記ピストン端面の外周部と前記吸入口との間の流体抵抗をＲｓ、前記ピストンの吐出側端面とその対向面間で形成される隙間の半径方向流路の流体抵抗をＲｐとしたとき、Ｒｓ＞Ｒｐであること
を特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】  隙間の変動によりこの隙間部に発生する流体圧力を第１次スクイーズ圧力、前記隙間の変動により前記ピストン端面の外周部と前記吸入口との間の流体抵抗に依存して発生する流体圧力を第２次スクイーズ圧力、前記隙間の代表値をｈｏとして、吐出遮断時の総逆流量Ｑｓが前記第１次スクイーズ圧力の影響を強く受ける前記ｈｏの範囲を０＜ｈｏ＜ｈｘ１、前記Ｑｓが前記隙間ｈｏの変化に対して鈍感なｈｏの範囲をｈｏ＞ｈｘ１としたとき、前記ｈｏ＞ｈｘ１の範囲に設定したことを特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】  前記ｈｘ１は０＜ｈｏ＜ｈｘ１の領域におけるｈｏに対する総逆流量Ｑｓ曲線の包絡線と、ｈｏ→∞におけるＱｓ＝Ｑｓｅの交点であることを特徴とする請求項２記載のパターン形成方法。
【請求項４】  ｈｏ＞０．０５ｍｍであることを特徴とする請求項２記載のパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  長さ寸法測定後の長尺物を支持して送る搬送ラインの途中に、この搬送ラインで送られてきた長尺物をライン外に取り出す複数の取り出し部を設け、各取り出し部を長さの異なる長尺物の取り出し部に設定し、上記搬送ラインで送られる長尺物が対応する取り出し部に臨むと取り出し部を作動させ、長尺物を送り出すことにより、受け取り部に取り出すようにする長尺物の長さ選別方法。
【請求項２】  取り出し部に供給された長尺物を、排出手段で送り出すことにより、取り出し部に配置した受け取り部に排出し、この受け取り部が複数本の可撓条で長尺物を支持し、長尺物の受け取り量の増加に伴って可撓条を繰り出し、支持した長尺物を下降させることで取り出し部から受け取り部への長尺物の落差の変動をなくすようにする長尺物の収納方法。
【請求項３】  長さ測定後の長尺物を送る搬送ラインの途中に、送られてきた長尺物をライン外に取り出す複数の取り出し部を設け、この取り出し部が、搬送ラインで送られてきた該当する長さの長尺物を検出する検出手段と、この検出手段での検出で長尺物を停止させるストッパー機構と、搬送ライン上の停止する長尺物を送り出す排出手段と、搬送ラインから排出された長尺物を受け取るように配置した受け取り部とからなり、長尺物の長さ測定情報に基づいて検出手段を作動させることにより、長尺物の長さに対応する取り出し部を作動させるようにした長尺物の長さ選別装置。
【請求項４】  上記受け取り部が、複数本の可撓条で長尺物を支持し、長尺物の受け取り量の増加に伴って可撓条を繰り出し、支持した長尺物を下降させることで取り出し部から受け取り部への長尺物の落差の変動をなくすように形成されている請求項３に記載の長尺物の長さ選別装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が統計数字情報を記憶する少なくとも1つの統計レジスタを含むデータを受取り且つ伝送するための複数のネットワーク・ポートと、
前記複数のネットワーク・ポートの各々に接続されたスイッチ・マネージャとを備え、該スイッチ・マネージャは、
メモリと、
統計要求信号を検出して、これに応じて前記複数のネットワーク・ポートの少なくとも1つの前記少なくとも1つの統計レジスタから前記統計情報を検索し、統計情報を前記メモリに記憶する検索ロジックと、
前記統計情報が前記メモリに記憶された後に統計応答信号をアサートする応答ロジックとを含み、
前記スイッチ・マネージャに接続されたプロセッサ・バスと、
前記プロセッサ・バスに接続されて、前記統計要求信号をアサートし、前記統計応答信号を受信し、前記統計情報を前記メモリから検索するプロセッサと、
を備えるネットワーク・スイッチ。
【請求項２】
前記スイッチ・マネージャが統計要求レジスタを含み、該マネージャが更にセットされた時に前記統計要求信号を提供する統計要求ビット含み、
前記プロセッサが、前記統計要求ビットをセットするため前記統計要求レジスタに書込む、請求項1に記載のネットワーク・スイッチ。
【請求項３】
前記統計要求レジスタが、前記複数のネットワーク・ポートの1つを識別するため前記プロセッサによりプログラム可能であるポート番号を含み、
前記検索ロジックが、前記ポート番号により識別される前記複数のネットワーク・ポートの前記1つから前記統計情報を検索する、請求項２に記載のネットワーク・スイッチ。
【請求項４】
前記複数のネットワーク・ポートの各々が、それぞれ対応するレジスタ番号を持つ複数の統計レジスタを含み、
前記統計要求レジスタが前記プロセッサによりプログラム可能なレジスタ番号を含み、
前記検索ロジックが、前記統計要求レジスタの前記レジスタ番号により識別される前記複数の統計レジスタの1つから前記統計情報を検索する、請求項３に記載のネットワーク・スイッチ。
【請求項５】
前記統計要求レジスタが更に、統計レジスタの番号を指定するため前記プロセッサによりプログラム可能であるカウントを更に含み、
前記検索ロジックが、前記統計要求レジスタの前記レジスタ番号に対応する統計レジスタで始まる前記カウントにより指定される前記複数の統計レジスタの連続番号から前記統計情報を検索する、請求項４記載のネットワーク・スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光ターミナルと、
前記複数の光ターミナルと接続して光信号を伝送する光導波路と、を備え、
前記光導波路および前記光ターミナルの少なくとも一方は、前記光信号の高いパワーレベルにおいて非線形現象を奏する光伝送媒体を有しており、
前記複数の光ターミナルのうちの少なくとも１つは、前記光伝送媒体中で発生する前記非線形現象に基づく前記光信号の特性劣化をモニタし、該特性劣化の状態を示すモニタ・データを出力するモニタ手段をさらに有する、
光伝送システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの光ターミナルは、さらに、
前記モニタ・データに応答して、前記光信号の特性劣化が検出されたことを示すアラーム指示を送出するアラーム指示手段を有する、
請求項１に記載の光伝送システム。
【請求項３】
前記アラーム指示手段は、前記少なくとも１つの光ターミナルから遠隔の位置において前記アラーム指示を供給することができる、
請求項２に記載の光伝送システム。
【請求項４】
さらに、前記モニタ・データに応答して、前記光信号のパワーレベルを制御する制御手段を備える、
請求項１から３のいずれかに記載の光伝送システム。
【請求項５】
前記モニタ手段は、４光波混合現象を検出可能なように構成される、
請求項１から４のいずれかに記載の光伝送システム。
【請求項６】
前記光信号は、実質的に等しい周波数チャネル間隔によって分離された複数の単一周波数チャネルを多重化した波長分割多重信号であり、
前記モニタ手段は、少なくとも１つの前記単一周波数チャネルにおける４光波混合現象を検出可能なように構成される、
請求項５に記載の光伝送システム。
【請求項７】
さらに、
前記複数の単一周波数チャネルのそれぞれを、高速データ・ストリームによって変調する変調手段と、
前記複数の単一周波数チャネルのそれぞれを、低速小振幅ディザ信号によって変調するディザ変調手段と、
を備える、請求項６に記載の光伝送システム。
【請求項８】
前記モニタ手段は、前記光伝送媒体を介して伝送された光信号の光信号サンプルを検出するサンプリング手段と、
前記光信号サンプルと、ディザによって前記４光波混合現象に引き起こされる変調を示す参照データとの相関を取って、前記モニタ・データを構成する相関値を算出するプロセッサと、
を備える、請求項１から７のいずれかに記載の光伝送システム。
【請求項９】
前記参照データは、ディザ信号に符号化された所定の疑似ランダムシーケンスから導かれるスペクトル・テンプレートを少なくとも１つ含む、
請求項８に記載の光伝送システム。
【請求項１０】
光伝送システムにおける光信号の光パワーを制御する方法であって、
光信号の高いパワーレベルにおいて非線形現象を奏する光伝送媒体中に、該光信号を伝導させるステップと、
可変ゲイン装置の動作によって、前記光信号のパワーを決定するステップと、
前記光伝送媒体中で発生する非線形現象に基づく前記光信号の特性劣化を検出するよう、モニタ手段によって該光信号をモニタするステップと、
前記特性劣化を示すモニタ・データを、前記モニタ手段から出力するステップと、
前記モニタ・データの示す特性劣化のレベルが所定の範囲内に収まるように、該モニタ・データに応答して、前記可変ゲイン装置の動作を制御手段によって制御するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
前記光信号は、複数の単一周波数チャネルを多重化した信号であり、
前記モニタ手段は、前記複数の単一周波数チャネルにおける特性劣化を検出し、
前記可変ゲイン装置は、前記複数の単一周波数チャネルのそれぞれについて、前記モニタ・データによって示される特性劣化が所定の範囲内に収まるように、該モニタ・データに応答して、該複数の単一周波数チャネルのパワーを個別に制御する、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の単一周波数チャネルは、実質的に等しい周波数チャネル間隔によって分離されており、
前記モニタ手段は、少なくとも１つの前記単一周波数チャネルにおける４光波混合現象を検出する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
さらに、
前記複数の単一周波数チャネルのそれぞれについて、高速データ・ストリームおよび低速相互直交小振幅ディザ信号によって変調するステップを含み、
前記モニタするステップは、さらに、前記光信号のサンプルと、ディザによって前記４光波混合現象に引き起こされる変調を示す参照データとの相関を取って、前記モニタ・データを構成する相関値を算出するステップを含む、
請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
光伝送システムにおいてモニタリングを実行するモニタ装置であって、
受信した光信号をサンプリングしてサンプルデータを供給するサンプリング手段と、
前記サンプルデータと、前記受信した光信号における４光波混合現象を示す参照データとの相関を取るよう構成されたプロセッサと、
前記４光波混合現象の検出を示すモニタ・データを出力する出力手段と、
を備える、モニタ装置。
【請求項１５】
前記受信した光信号を伝送する光導波路と協動して動作可能な
光タップと、
前記光タップからの出力を電気信号に変換する光電変換素子と、
前記電気信号を示す信号データを前記プロセッサに入力する手段と、
をさらに備える、請求項１４に記載のモニタ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月5日(2004.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体素子であって、外部との電気的接続を行なうための端子として、前記窒化物半導体素子の最外部に位置するp型窒化物層にＰｄを蒸着した電極を用いることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
請求項１に記載の窒化物半導体素子であって、前記窒化物半導体がＧａＮ系の材料であることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項３】
請求項１に記載の窒化物半導体素子であって、前記Ｐｄの厚さが少なくとも0.１nmの厚さであることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項４】
窒化物半導体素子の製造方法であって、外部との電気的接続を行なうための端子として、前記窒化物半導体素子の最外部に位置するp型窒化物層にＰｄを蒸着して電極を生成する工程を有することを特徴とする窒化物半導体素子製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の窒化物半導体素子の製造方法であって、前記電極を蒸着した後アニーリングを行なう工程を有することを特徴とする窒化物半導体素子製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の窒化物半導体素子の製造方法であって、前記アニーリングを、450°Ｃから550°Ｃの温度範囲において、20分間以上行うことを特徴とする窒化物半導体素子製造方法。
【請求項７】
請求項４に記載の窒化物半導体素子の製造方法であって、前記Ｐｄ電極を蒸着する前に、前記p型窒化物層表面をＨＦで清浄化する工程を有することを特徴とする窒化物半導体素子製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月5日(2004.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、薄膜部及び該薄膜部上の突起部より構成される半導体層と、
前記薄膜部上及び前記突起部を覆うように設けられたゲイト絶縁膜と、
前記薄膜部と前記突起部が隣接しているコーナー部に、前記ゲイト絶縁膜を介して形成されたゲイト電極と、
前記突起部の上部に形成されたソース領域と、
前記薄膜部の端部に、前記突起部から離れて形成されたドレイン領域と、
前記薄膜部の表面と前記突起部の側面であって、前記ゲイト絶縁膜を介して前記ゲイト電極に面した部分に形成されたチャネル形成領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、薄膜部及び該薄膜部上の突起部より構成される半導体層と、
前記薄膜部上及び前記突起部を覆うように設けられたゲイト絶縁膜と、
前記薄膜部と前記突起部が隣接しているコーナー部に、前記ゲイト絶縁膜を介して形成されたゲイト電極と、
前記突起部の上部に形成されたソース領域と、
前記薄膜部の端部に、前記突起部から離れて形成されたドレイン領域と、
前記薄膜部の表面と前記突起部の側面であって、前記ゲイト絶縁膜を介して前記ゲイト電極に面した部分に形成されたチャネル形成領域とを有し、
前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との界面の長さ又は面積が、前記チャネル形成領域と前記ソース領域との界面の長さ又は面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域の間にLDD構造またはオフセット構造が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記絶縁表面を有する基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記半導体層は、結晶化を助長する金属によって形成された結晶性珪素より成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４ののいずれか一項において、前記半導体層は、非晶質珪素より成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素より成る凸状の半導体層を形成し、その後、前記凸状の半導体層を覆って非晶質珪素より成る半導体薄膜を成膜することで、非晶質珪素より成る薄膜部と該薄膜部上の突起部が得られ、
前記薄膜部上と前記突起部の表面を覆うようにゲイト絶縁膜を形成し、
前記薄膜部と前記突起部が隣接しているコーナー部に前記ゲイト絶縁膜を介してゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして導電型を付与する不純物元素のイオンを注入し、前記突起部の上部のソース領域、及び前記薄膜部の端部のドレイン領域とを自己整合的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素より成る薄膜部を形成し、
前記薄膜部上に非晶質珪素より成る突起部を形成し、
前記薄膜部と前記突起部の表面を覆うようにゲイト絶縁膜を形成し、
前記薄膜部と前記突起部が隣接しているコーナー部に前記ゲイト絶縁膜を介してゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして導電型を付与する不純物元素のイオンを注入し、前記突起部の上部にソース領域、及び前記薄膜部の端部のドレイン領域とを自己整合的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素より成る凸状の半導体層を形成し、
前記凸状の半導体層を覆って非晶質珪素より成る薄膜を成膜し、
加熱処理により、結晶性珪素より成る薄膜部と該薄膜部上の突起部が得られ、
前記薄膜部と前記突起部の表面を覆うようにゲイト絶縁膜を形成し、
前記薄膜部と前記突起部が隣接しているコーナー部に前記ゲイト絶縁膜を介してゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして導電型を付与する不純物元素のイオンを注入し、前記突起部の上部にソース領域、及び前記薄膜部の端部のドレイン領域とを自己整合的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜より成る薄膜部を形成し、
前記薄膜部上に非晶質珪素より成る突起部を形成し、
加熱処理により、結晶性珪素より成る薄膜部と前記薄膜部上の突起部が得られ、
前記薄膜部と前記突起部の表面を覆うようにゲイト絶縁膜を形成し、
前記薄膜部と前記突起部が隣接しているコーナー部に前記ゲイト絶縁膜を介してゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして導電型を付与する不純物元素のイオンを注入し、前記突起部の上部にソース領域、及び前記薄膜部の端部のドレイン領域とを自己整合的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または１０において、前記加熱処理は、前記非晶質珪素に、前記非晶質珪素の結晶化を促進する元素を導入して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項において、前記加熱処理は、４５０℃〜１１００℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項７乃至１２のいずれか一項において、前記絶縁表面を有する基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月18日(2005.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチングしきい値のそれぞれのしきい値を切り替えることのできる少なくとも１個のしきい値スイッチを利用しながら、実質上かなりゆっくり変化し、且つ信号入力端子に供給される入力信号から、該入力信号が数個のしきい値のうちの或るしきい値を通過する際に本来トランジションなしで切り替わる複数の予定値を有する信号を出力端子に発生する出力信号発生用回路装置において、
低い入力信号に対しては前記スイッチングしきい値が第１の低いしきい値を有し、前記入力信号が前記第１しきい値以上になると、前記出力信号が第１値から第２値へと切り替わり、
前記入力信号が第３しきい値以上になると、前記スイッチングしきい値が第２の高いしきい値へと切り替わり、
前記入力信号が前記第２しきい値以下に降下すると、前記出力信号が再び前記第１値へと切り替わり、且つ
前記入力信号が第４しきい値以下に降下した場合に前記スイッチングしきい値が前記第１しきい値に切り替えられるようにしたことを特徴とする出力信号発生用回路装置。
【請求項２】
前記第３しきい値を前記第２しきい値よりも高くし、及び／又は前記第４しきい値を前記第１しきい値よりも低くすることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記第３しきい値を前記第２しきい値と等しくし、且つ前記スイッチングしきい値の第１から第２しきい値への切り替えを遅延態様で行ない、及び／又は前記第４しきい値を前記第１しきい値と等しくし、且つ前記第２しきい値から第１しきい値へのスイッチングしきい値の切り替えを遅延態様で行なうようにしたことを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項４】
第１及び第２入力端子並びに１個の出力端子を有している少なくとも１個の第１比較器を具え、該第１比較器の前記出力端子を前記信号出力端子に結合させ、前記第１比較器の前記第１入力端子を前記信号入力端子に結合させ、前記第１比較器の前記第２入力端子を第１スイッチの出力端子に結合させ、該第１スイッチも２つの入力端子を有し、これらの入力端子が前記第１及び第２しきい値をそれぞれ受信し、前記第１スイッチが制御入力端子も有しており、且つ前記比較器用のスイッチング装置も具え、該スイッチング装置が前記信号入力端子に結合される入力端子及び前記第１スイッチの前記制御入力端子に結合される出力端子を有し、前記入力信号が前記第３しきい値以上になると、前記第１スイッチが前記第１しきい値から前記第２しきい値へと切り替わるのに対し、前記入力信号が前記第４しきい値以下に降下すると前記第１スイッチが前記第２しきい値から前記第１しきい値へと切り替わるようにしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路装置。
【請求項５】
少なくとも第２及び第３比較器を具え、これらの各比較器が少なくとも第１入力端子と出力端子とを有しており、これら両比較器の前記第１入力端子が前記信号入力端子に接続され、前記第２比較器の出力端子の信号は、前記入力信号が前記第１しきい値を通過する際に変わるのに対し、前記第３比較器の出力端子における信号は、前記入力信号が前記第２しきい値を通過する際に変わり、前記第２及び第３比較器の出力端子は第２スイッチの入力端子に接続され、該第２スイッチの出力端子は前記信号出力端子に接続され、前記第２スイッチは制御入力端子を具え、且つ前記第２及び第３比較器に対する各スイッチング装置も具えており、該スイッチング装置が前記信号入力端子に結合される入力端子及び前記第２スイッチの制御入力端子に結合される出力端子を有し、前記入力信号が前記第３しきい値以上になると、前記スイッチング装置が前記第２スイッチを前記第２比較器の出力端子から前記第３比較器の出力端子へと切り替えて、該出力端子を前記信号出力端子に結合させ、且つ前記入力信号が前記第４しきい値以下に降下すると、前記スイッチング装置が前記第２スイッチを前記第３比較器の出力端子から前記第２比較器の出力端子へと切り替えて、該出力端子を前記信号出力端子へ結合するようにしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路装置。
【請求項６】
前記スイッチング装置が、入力端子及び出力端子を有すると共に前記第３しきい値及び第４しきい値に相当するスイッチング電圧でスイッチング・ヒステリシスを呈するシュミットトリガを具え、該シュミットトリガの前記入力端子が前記信号入力端子に結合され、且つ前記シュミットトリガの前記出力端子が前記第１スイッチの前記制御入力端子に結合されるようにしたことを特徴とする請求項４又は５に記載の回路装置。
【請求項７】
前記スイッチング装置が、第１及び第２入力端子と出力端子とを有している双安定記憶段並びに第１及び第２の他の比較器も具えており、これらの各比較器が第１及び第２入力端子と出力端子とを有しており、前記記憶段の出力端子が前記第１及び第２スイッチの制御入力端子に結合され、前記記憶段の２つの入力端子が、それぞれ対応する前記第１及び第２の他の比較器の出力端子に接続され、これら双方の他の比較器の第１入力端子が前記信号入力端子に接続されるのに対し、前記他の比較器の第２入力端子が前記第３しきい値及び第４しきい値をそれぞれ受信するようにしたことを特徴とする請求項４又は５に記載の回路装置。
【請求項８】
前記スイッチング装置が第１及び第２入力端子と出力端子とを有する双安定記憶段を具え、該記憶段の出力端子が前記第２スイッチの制御入力端子に接続されるのに対し、前記記憶段の第１入力端子が前記第２比較器の出力端子に結合され、且つ前記記憶段の第２入力端子が前記第３比較器の出力端子に結合されるようにしたことを特徴とする請求項５に記載の回路装置。
【請求項９】
前記２つの比較器のうちの少なくとも一方の比較器が、前記第２比較器用の前記第１しきい値及び第４しきい値に相当し、且つ前記第３比較器用の前記第２しきい値及び第３しきい値に相当するそれぞれのスイッチング電圧でスイッチング・ヒステリシスを呈するシュミットトリガとして構成されるようにしたことを特徴とする請求項８に記載の回路装置。
【請求項１０】
前記双安定記憶段の入力端子のうちの少なくとも一方の入力端子の前に遅延素子を設けたことを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載の回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月6日(2004.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】反射型ディスプレイ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも光を反射する部分と、１９０〜７８０ｎｍの領域のいずれかの外光によって発光する蛍光物質を含む部分とが層状に積層され、３８０〜８００ｎｍの任意の領域で発光する面状発光体が、１９０〜７８０ｎｍの領域のいずれかの光を透過させることが可能な光シャッター機構の背面に設けられたことを特徴とする反射型ディスプレイ。
【請求項２】
蛍光物質が紫外光を吸収して可視光を発することを特徴とする請求項１記載の反射型ディスプレイ。
【請求項３】
蛍光物質を含む部分が分光フィルターを兼ねることを特徴とする請求項１または２記載の反射型ディスプレイ。
【請求項４】
分光フィルターが蛍光物質の発光波長以外の可視光の特定波長だけを吸収するものであることを特徴とする請求項３記載の反射型ディスプレイ。
【請求項５】
蛍光物質を含む部分がストライプ形状またはモザイク形状に形成され、二つ以上の異なる波長領域で発光することを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の反射型ディスプレイ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、少なくとも光を反射する部分と、１９０〜７８０ｎｍの領域のいずれかの外光によって発光する蛍光物質を含む部分とが層状に積層され、３８０〜８００ｎｍの任意の領域で発光する面状発光体が、１９０〜７８０ｎｍの領域のいずれかの光を透過させることが可能な光シャッター機構の背面に設けられたことを特徴とする反射型ディスプレイである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の要点は、反射板からの反射光だけでは不十分な光量を可視光を発する蛍光物質を含む部分が補う事によりディスプレイとして実用的な明るさを出すことにある。蛍光物質を発光させる方法としては、外光によって光励起する方法、または外光によって光励起する方法および外部から微弱な電力を供給する方法によって達成させる。代表的な構成を図１に示す。液晶素子１の前面から進入した光は、反射板３で反射されて再び素子の外に出ていく過程の他に入射光および／または反射光が蛍光物質を含む部分２に吸収されてこれが蛍光物質を発光させる過程、および必要により電気エネルギーによって蛍光物質を発光させる過程を加えることにより従来の反射板のみの場合と比較してより光量の多い、即ち明るい反射型液晶ディスプレイを提供できるものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スラリーに塩基を混合してアルカリ性化スラリーを形成する方法により生成させた、浅い溝埋込み分離処理のためのアルカリ性化スラリーにおいて、前記塩基が、得られたアルカリ性化スラリーのｐＨを１１〜１３の範囲内に維持するのに充分な量で与えられており、前記スラリーが１１〜１３％の固体含有量を有する、アルカリ性化スラリー。
【請求項２】
スラリーに塩基を混合してアルカリ性化スラリーを形成する方法により生成させた、浅い溝埋込み分離処理のためのアルカリ性化スラリーにおいて、前記塩基が、得られたアルカリ性化スラリーのｐＨを１１〜１３の範囲内に維持するのに充分な量で与えられており、前記アルカリ性化スラリーがアルカリ金属フッ化物塩を更に含有する、アルカリ性化スラリー。
【請求項３】
スラリーに塩基を混合してアルカリ性化スラリーを形成する方法により生成させた、浅い溝埋込み分離処理のためのアルカリ性化スラリーにおいて、前記塩基が、得られたアルカリ性化スラリーのｐＨを１１〜１３の範囲内に維持するのに充分な量で与えられており、前記アルカリ性化スラリーがフッ化アンモニウム及びフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された塩を更に含有する、アルカリ性化スラリー。
【請求項４】
１１〜１３の範囲のｐＨと、１０：１より大きな選択性とを有するアルカリ性化スラリーであって、前記スラリーが１１〜１３％の固体含有量を有する、アルカリ性化スラリー。
【請求項５】
１１〜１３の範囲のｐＨと、１０：１より大きな選択性とを有するアルカリ性化スラリーであって、前記アルカリ性化スラリーがアルカリ金属フッ化物塩を更に含有する、アルカリ性化スラリー。
【請求項６】
１１〜１３の範囲のｐＨと、１０：１より大きな選択性とを有するアルカリ性化スラリーであって、前記アルカリ性化スラリーが前記アルカリ性化スラリーがフッ化アンモニウム及びフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された塩を更に含有する、アルカリ性化スラリー。
【請求項７】
基体を、１１〜１３のｐＨを有するアルカリ性化スラリーと接触させることからなる、浅い溝研磨の際の選択性を向上させる方法であって、前記アルカリ性化スラリーがアルカリ金属フッ化物塩を更に含有する、前記方法。
【請求項８】
基体を、１１〜１３のｐＨを有するアルカリ性化スラリーと接触させることからなる、浅い溝研磨の際の選択性を向上させる方法であって、前記アルカリ性化スラリーが１１〜１３％の固体含有量を有する、前記方法。
【請求項９】
基体を、１１〜１３のｐＨを有するアルカリ性化スラリーと接触させることからなる、浅い溝研磨の際の選択性を向上させる方法であって、前記アルカリ性化スラリーがフッ化アンモニウム及びフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された塩を更に含有する、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月17日(2004.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体結晶に結晶欠陥を発生させ、その後、エッチング液を用いて該窒化物半導体結晶をエッチングすることを特徴とする窒化物半導体のエッチング方法。
【請求項２】
窒化物半導体の結晶成長を行う基板の全体あるいはその一部に、その上に結晶成長を行うことで成長膜の結晶欠陥密度が増加するような材料を付着させ、結晶成長を行った後、エッチング液を用いて前記成長膜をエッチングすることを特徴とする窒化物半導体のエッチング方法。
【請求項３】
窒化物半導体表面の一部あるいは、全部の部分に、イオン注入を行うことにより、窒化物半導体結晶の所定の部分の結晶欠陥密度を増加させ、その後、エッチング液を用いて前記窒化物半導体結晶をエッチングすることを特徴とする窒化物半導体のエッチング方法。
【請求項４】
窒化物半導体表面の一部あるいは、全部に、イオン注入を行うことにより、窒化物半導体結晶の所定の部分の結晶欠陥密度を増加させ、その後、前記窒化物半導体結晶上に新たに窒化物半導体を再成長し、エッチング液を用いて前記窒化物半導体結晶をエッチングすることを特徴とする窒化物半導体のエッチング方法。
【請求項５】
前記エッチング液として、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）を使用することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体のエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部竿内に軸受を介して回転自在に保持されその一部に竿止め手段を含む竿操作手段が回転連結された水平軸と前記水平軸上に一定の間隔で固定に設けられた一組の巻掛け歯車と前記巻掛け歯車に噛み合わされて前後に巻き掛けられその後方側を水平遮蔽羽の対応する位置に穿たれた保持体孔を貫通して移動竿の対応位置に結合されその前方側を水平遮蔽羽の表側に垂下された一組の刻み目付竿保持体を備え、前記竿操作手段の操作で移動竿の移動と保持を行うことを特徴とする水平遮蔽羽ブラインドの竿移動装置。
【請求項２】
上部竿の下で該上部竿より垂下されて保持される一組の刻み目付竿保持体上に上下に移動自在に保持されその内部に軸受に回転自在に支持され一部に竿止め手段を含む竿操作手段が回転連結される水平軸と前記水平軸上の前記一組の刻み目付竿保持体に対面する位置に各々固定されて前記一組の刻み目付竿保持体に噛合う一組の移動歯車を備える移動竿を有し、前記移動竿がその前記竿操作手段による前記水平軸の回転と停止の操作により前記一組の刻み目付竿保持体上を移動並びに保持されることを特徴とする水平遮蔽羽ブラインドの竿移動装置。
【請求項３】
上部竿の下で該上部竿より垂下されて保持される一組の刻み目付竿保持体上に上下に移動自在に保持されその竿内部に軸受に回転自在に支持される水平軸と前記水平軸上の前記一組の刻み目付竿保持体に対面する位置に各々固定されて前記一組の刻み目付竿保持体に上下移動可能に噛合う一組の移動歯車を備える移動竿と前記移動竿の上位にある竿の左右方向の略中央部の位置に軸受に回転自在に支持された前後方向の巻掛け車手段と前記巻掛け車手段に前後に巻き掛けられて垂下されその後方側の下端を前記移動竿に結合されその前方側を水平遮蔽羽の表側に垂下されて竿操作部を成す竿保持体と前記巻掛け車手段の下部の竿止め手段を含む竿操作手段を備えることを特徴とする水平遮蔽羽ブラインドの竿移動装置。
【請求項４】
竿内に設けられる竿移動保持装置の水平軸の一部に回転連結された操作歯車と前記操作歯車にかみ合わされて巻き掛けられ下方に垂下される引き側と弛み側を有する刻み目付操作体と前記操作歯車の下部の前記刻み目付操作体の弛み側に該刻み目付操作体の弛み側の動き空間を形成する竿のケース部の窪み面と前記刻み目付操作体の引き側の前側の竿のケース部に固定に形成される前壁面と前記刻み目付操作体の出口部の引き側と弛み側との間に竿のケース部に形成される分離壁と前記操作歯車の下部の前記刻み目付操作体の引き側と弛み側との間の空間内で案内手段に斜め上下に運動自由に保持されその前側面に前記刻み目付操作体の刻み目に合致した歯を備えその後側が前記窪み面側へ伸び出した止め片を備え、前記刻み目付操作体の引き側を引くときに移動竿が上方へ移動し前記刻み目付操作体の弛み側を引くときに止め片が掛かる作動をする竿操作手段を有することを特徴とする水平遮蔽羽ブラインドの竿移動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
軽金属射出成形機の射出装置の説明に先立って、射出装置に供給される軽金属材料の説明がなされる。たとえば、マグネシウム合金材料等の軽金属材料は、予め円柱の棒材に成形された短棒材料１０１として供給される。その外径は、後に説明する射出シリンダ１１のシリンダ孔１１ａの呼び径より若干小さく形成され、（射出シリンダとマグネシウムの熱膨張係数の差）と（加熱温度）と（棒材直径）との積に（隙間余裕）０．２ｍｍ程度を加算した寸法だけ小さく形成される。たとえば、短棒材料１０１の外径が４０ｍｍである場合には、その外径は直径で０．４ｍｍ程度小さく形成される。また、その長さは、３００ｍｍ程度に形成される。このような短棒材料１０１は、一定直径に押出成形された棒材を所定寸法に切断して製造される。軽金属材料をこのような短棒材料１０１に形成することによって、たとえば、マグネシウム材料にあっては、その材料がチクソモールド法でのペレット化された材料より酸化しにくくなり、その保管、運搬、そして融解のいかなる段階でもその取り扱いが容易である。また、短棒材料１０１の外径寸法が上記のように小さめに製作されるので、短棒材料１０１が射出シリンダ１１中で加熱されたとき、短棒材料１０１と射出シリンダ１１との間の隙間がわずかに残る。このため、後に説明されるように、短棒材料１０１自体がプランジャとして溶湯を射出するときに、短棒材料１０１が射出シリンダ１１中でなめらかに相対移動する。もちろん、アルミニュームや亜鉛合金材料においても、同様な技術思想で短棒材料１０１が製作される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
射出シリンダ１１、ノズルアダプタ１３、および射出ノズル１２は、以下のように長尺に形成される。すなわち、ノズル孔１２ａ、ノズルアダプタ孔１３ａ、およびシリンダ孔１１ａの前方側に、挿入された短棒材料１０１が後に詳述される射出容量と射出サイクルとに見合った溶融部を生成し、射出シリンダ１１の中程から射出シリンダ１１の基端側にかけての短棒材料１０１が剛体部を生成するように、射出シリンダ１１、ノズルアダプタ１３、および射出ノズル１２が長尺に形成される。そして、短棒材料１０１の溶融部と剛体部との間には、軟化部が生成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このような温度設定によって、加熱装置１４、１５、１６は射出ノズル１２、ノズルアダプタ１３、および射出シリンダ１１中の短棒材料１０１をつぎのように加熱する。すなわち、加熱装置は、射出シリンダ１１の基端側で短棒材料１０１が充分に剛体状態にあるように加熱を抑える一方、その基端側から中間部にかけての射出シリンダ１１をより高温に温度勾配を付けて加熱して、短棒材料１０１が中間部に行くにしたがって融解温度により近くになるようにする。それで、その基端側から中間部にかけての部分の短棒材料１０１は、温度勾配を持った剛体部として生成される。当然、射出シリンダ１１の基端から挿入された直後の短棒材料１０１は、ほとんど加熱されていない剛体部として生成される。また、加熱装置は、ノズル孔１２ａ、ノズルアダプタ孔１３ａ、およびノズルアダプタ１３側のシリンダ孔１１ａ中の軽金属材料を略融解温度で充分加熱して、短棒材料１０１を溶融状態にする。それで、この部分の溶湯は、成形に適した流動性を持つ溶湯を含む溶融部として生成される。また、剛体部と溶融部の境界にある短棒材料１０１は、軟化した軟化部として生成される。軟化部は、高い射出圧力によって変形する状態になる。上記溶融部は、より具体的には、図２（ｂ）および（ｃ）において、編み目にハッチングされた箇所で示される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
以上の他に、本発明では、融解炉のような大型の装置がなくても、溶融金属を射出ノズル１１、ノズルアダプタ１３、および射出シリンダ１１の先端部分に小容量確保するだけで射出成形を継続することができる。それで、材料を融解し保温する電力が射出シリンダ部１０の加熱装置のみに応じた少量の電力で済み、成形運転時のランニングコストが大幅に減少する。加えて、溶湯量が少ないことが、成形機の立ち上げ、中断等、停止等の作業に多大な時間的ロスを生じさせない。もちろん、溶解炉がないので、メンテナンスに多大な時間を費やす必要もない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
第一実施例の介在体１ｃは係止バネ体７の先端係止部７’が不意にラチェット歯５と歯合しない為のものであるが（従って、介在体１ｃで受けられていない状態、即ち、押え込み部１ｄが先端係止部７’に当接していない状態では、バネの弾性により先端係止部７’はラチェット歯５から離反）、先端係止部７’とラチェット歯５との歯合を強制的に解除させるものとして構成しても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
駆動源であるモータと、該モータを収容する本体胴体部を有し、且つ本体胴体部と一体に設けられるハンドル握り部を備えた電動工具において、照射角度を任意に調整できる手段と、且つその位置に固定する手段を持つライトを設けたことを特徴とする電動工具。