Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに、図１１に示す特開平６−１７５０３０号公報に開示された鏡筒を、ガリレオ型双眼実体顕微鏡に適用する場合は、眼幅調節機構が必要となる。この調節機構は、接眼レンズ１０とダハプリズム８との間に、図示しない菱形プリズムを設け、この菱形プリズムへの入射光軸を回動軸心として菱形プリズムを回動させ、左右光軸を観察者の眼幅に合わせるものである。尚、ガリレオ型双眼実体顕微鏡は、対物レンズの後方に一対の平行光路が形成される平行光学系が設けられる実体顕微鏡である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
しかしながら、左右の光軸間隔は、菱形プリズムに入射するまで一定であり、しかも、この左右光軸間隔は、ガリレオ型双眼実体顕微鏡においては、対物レンズの大きさや焦点距離、開口数等で制約されて、あまり大きくできない。このことから、菱形プリズムを、その入射光軸を回動軸心として回動させるため回動機構が構成しにくい。また、回動機構に制約されて観察視野を大きくできないという問題点がある。さらに、写真撮影用光路を付加した三眼鏡筒に構成し難いという問題点もあった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１２及び図１３に示す特開昭６２−２８７２１３号公報に開示された鏡筒は、結像レンズ２１から出射した光束は、固定反射部材２２によって直角プリズム２３に向け反射される。この場合、直角プリズム２３は、接眼部２８側に位置することから、この直角プリズム２３の位置が邪魔になって接眼部２８への入射光軸角度（＝鏡筒傾斜角度）を、水平（０°）から該水平に対し２０°の角度までの範囲に設定できなくなるという問題点があった。この角度範囲は、顕微鏡の長時間観察に最適と言われている角度範囲である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、本体２００は、ベース２０２と、このベース２０２に直角に設けられた支柱２０３と、この支柱２０３にスライド可能に設けられた移動体２０４とを含む。移動体２０４は、固定ノブ２１３によって支柱２０３に固定される。移動体２０４には変倍部２０５が取付けられている。尚、焦準ノブ２１０の調整によりラック２１１及びピニオン２１２が動作し、変倍部２０５が移動体２０４に対して上下動されるように構成されている。ベース２０２には試料支持具２０６が設けられている。変倍部２０５には、対物レンズ２０７、変倍レンズ２０８（２０８ａ）及び変倍ノブ２０９が設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この可動部１０１には、導入光学部である菱形プリズム１０４（１０４ａ）を具備する接眼部１０２（１０２ａ）が回転可能に支持されている。光反射光学部である回転ミラー１０９（１０９ａ）と、変更機構部又は減速機構であるギヤ機構１６０とは、固定部１００と可動部１０１に組込まれている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
このようなプリズムアセンブリ１５０（１５０ａ）において、三角プリズム１０６（１０６ａ）に入射した光束は、その底面で反射する。この反射した光束は、直角プリズム１０７（１０７ａ）の底面に入射する。直角プリズム１０７（１０７ａ）の底面に入射した光束は、直角プリズム１０７（１０７ａ）の第１反射面で反射する。この反射した光束は、直角プリズム１０７（１０７ａ）の第２反射面で更に反射する。この反射した光束は、２回反射三角プリズム１０８（１０８ａ）に入射し、図１，図３の紙面に沿った方向に２回反射され、回転ミラー１０９（１０９ａ）に至る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
次に、このように構成されたギヤ機構１６０及び回転機構の動作について説明する。即ち、可動部１０１を時計方向にθ回動した場合、可動部１０１に軸支されたギヤ１６４及びギヤ１６５の回動軸心の位置も可動部１０１の回動軸心のまわりを時計方向にθだけ回動（公転）するので、ギヤ１６５と噛合っているギヤ１６６も時計方向にθだけ回動することになる。ところが、ギヤ１６４と噛合っているギヤ１６３は固定部１００に一体に固定されており、ギヤ１６３とギヤ１６４との歯数比は１：１に設定されているので、ギヤ１６４及びギヤ１６５は、可動部１０１の回動軸心のまわりをθだけ公転する間に、時計方向にθだけ回動（自転）することになる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
従って、ギヤ１６５と噛合っているギヤ１６６は、ギヤ１６５とギヤ１６６との歯数比が１：２に設定されているので、ギヤ１６６の自転によって反時計方向にθ／２だけ回動される。よって、ギヤ１６６の総合した回動角度は次のようになる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
また、本実施の形態の鏡筒における可動部１０１の回動軸心は一軸であるので、従来の図１０に示すものと比較して、光軸調整などが容易となり、製造上の組み立てを簡単にできる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
三角プリズム１１０の出射面に距離を存して対向するように三角プリズム１１１（１１１ａ）の入射面を配置している。三角プリズム１１１（１１１ａ）の出射面を、直角プリズム１１２（１１２ａ）の底辺の一半分に接するように配置している。これにより、三角プリズム１１０の底面に光束が入射し、直角プリズム１１２（１１２ａ）の底辺の一半分から光束が出射する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンドレス・パスを駆動するために支持されている一対の硬質加圧ロールと、
前記一対のロールのうちの１つで駆動されている第一の長く伸びた融解部材と、
前記一対のロールのもう１つで駆動されている第二の長く伸びた融解部材と、
前記長く伸びた融解部材の温度を上昇させる手段と、
トナー画像を保持した基板が通過するニップを形成するために、前記一対の加圧ロールの間に挟まれている前記第一と第二の長く伸びた融解部材の部分と、
を含むことを特徴とする加熱加圧装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、前記融解部材は、弾性を有し、さらにベルトを含み、前記装置はさらに補助の支持ロールを含み、前記ベルトは、前記硬質ロールと前記補助支持ロールに巻き付けてあることを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置において、前記ベルトのうち１本の外表面は、前記硬質ロールの１つに一部巻き付けられて、もう１本の前記ベルトの外表面と接触し、トナー画像を保持した基板が通過する加熱領域と組合せ加熱加圧領域を形成することを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
用紙経路付近のストリッパバーアセンブリを移動させるための装置であって、
ハウジングを有し、
少なくとも一つのストリッパフィンガを有し、
第一端および第二端を有するストリッパバーを有し、前記ストリッパバーは少なくとも一つの前記ストリッパフィンガが装着され、用紙経路付近で前記ハウジング内に回転可能に取り付けられ、
前記ストリッパバーの前記第一端に配置されるカム部材を有し、
第一端および第二端を有するケーブルを有し、前記ケーブルの第一端が前記カム部材に装着され、
第一位置から第二位置へ移動する移動部材を有し、前記移動部材が前記第一位置から前記第二位置へ移動すると前記ストリッパバーが第一方向へ旋回して前記少なくとも一つのストリッパフィンガを用紙経路から離間させるように前記ケーブルの第二端が前記移動部材に装着される、
ストリッパバーアセンブリ移動装置。
【請求項２】
前記ハウジングに回転可能に取り付けられるトップカバーをさらに含み、前記移動部材が前記トップカバーに取り付けられ、前記トップカバーを開放することにより、前記移動部材が前記第一位置から前記第二位置へ移動される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ストリッパバーの前記第二端に取り付けられるバネをさらに含み、該バネが前記用紙経路に向かって第二方向へ旋回するように前記ストリッパバーを付勢する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
ストップピンをさらに含み、該ストップピンに前記ストリッパバーが接触すると、前記ストリッパバーの前記第二方向への移動を停止する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
ストップ部材と前記ストリッパバーとを含むオーバーローテーション防止アセンブリをさらに含み、前記ストリッパバーが前記ストップ部材に接触すると、前記ストリッパバーの前記第一方向への旋回がストップする、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ストップ部材により前記ハウジング内に回転可能に取り付けられたフューザロールをさらに含み、前記ストップ部材が前記フューザロールの一端でベアリングとして機能する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記移動部材が、前記第一位置から前記第二位置へ移動したとき、前記ストリッパバーが、前記第一方向へ少なくとも９０度旋回する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記移動部材が、前記第一位置から前記第二位置へ移動したとき、前記ストリッパバーが、前記第一方向へ少なくとも１２０度旋回する、請求項１に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様は、用紙経路付近のストリッパバーアセンブリを移動させるための装置であって、ハウジングを有し、少なくとも一つのストリッパフィンガを有し、第一端および第二端を有するストリッパバーを有し、前記ストリッパバーは少なくとも一つの前記ストリッパフィンガが装着され、用紙経路付近で前記ハウジング内に回転可能に取り付けられ、前記ストリッパバーの前記第一端に配置されるカム部材を有し、第一端および第二端を有するケーブルを有し、前記ケーブルの第一端が前記カム部材に装着され、第一位置から第二位置へ移動する移動部材を有し、前記移動部材が前記第一位置から前記第二位置へ移動すると前記ストリッパバーが第一方向へ旋回して前記少なくとも一つのストリッパフィンガを用紙経路から離間させるように前記ケーブルの第二端が前記移動部材に装着される。
また、ハウジングに回転可能に取り付けられるトップカバーをさらに含み、前記移動部材が前記トップカバーに取り付けられ、前記トップカバーを開放することにより、前記移動部材が前記第一位置から前記第二位置へ移動される。
また、ストリッパバーの前記第二端に取り付けられるバネをさらに含み、該バネが前記用紙経路に向かって第二方向へ旋回するように前記ストリッパバーを付勢する。ここで、ストップピンをさらに含み、該ストップピンに前記ストリッパバーが接触すると、前記ストリッパバーの前記第二方向への移動を停止する。
また、ストップ部材と前記ストリッパバーとを含むオーバーローテーション防止アセンブリをさらに含み、前記ストリッパバーが前記ストップ部材に接触すると、前記ストリッパバーの前記第一方向への旋回がストップする。ここで、前記ストップ部材により前記ハウジング内に回転可能に取り付けられたフューザロールをさらに含み、前記ストップ部材が前記フューザロールの一端でベアリングとして機能する。
またさらに、前記移動部材が、前記第一位置から前記第二位置へ移動したとき、前記ストリッパバーが、前記第一方向へ少なくとも９０度旋回する。または、前記移動部材が、前記第一位置から前記第二位置へ移動したとき、前記ストリッパバーが、前記第一方向へ少なくとも１２０度旋回する、構成としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
トップカバーが閉じられた位置において、トップカバーとトップカバーピボット１３４を通る水平線との間に角度θが形成され、またストリッパフィンガ１０４とストリッパフィンガピボット１０２を通る垂直線との間に角度Φが形成される。記載の実施の形態においてはθ１はほぼ２３度で、Φ１はほぼ−１５０度である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月2日(2004.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）側鎖光重合性オレフィン二重結合を有する光架橋可能なポリマーバインダー、
ｂ）当該組成物乾燥重量に対して５〜４０％の量で存在するポリアジド光開始剤、及び
ｃ）８００〜１１００ｎｍの領域に最大吸収波長を有し、当該組成物乾燥重量に対して１〜２５％の量で存在する赤外吸収性化合物
を含んでなる感光性組成物。
【請求項２】
前記光架橋可能なポリマーバインダーが、次の構造Ｉ、ＩＩ、もしくはＩＩＩのいずれかを有する請求項１に記載の感光性組成物：
【化１】
1998115914.tif 000001
（上式中、Ｘは、−ＮＨ−、−Ｏ−、もしくは−Ｓ−であり、
Ｒ1 は、少なくとも２個の炭素原子を有する、二価の、芳香族基、脂環式基又は脂肪族基であり、
Ｒ2 及びＲ3 は、独立して、水素又は光重合可能なオレフィン二重結合を有する有機基であるが、但し、Ｒ2 及びＲ3 の少なくとも一方は該有機基であり、
Ｒ4 及びＲ5 は、独立して、炭素原子１〜８個を有する炭化水素基、炭素原子１〜８個を有する、パーフルオロもしくはパーハロフルオロ脂肪族基であるか、又はＲ4 及びＲ5 は、一緒になってオキソ基を形成し、
ｍは０もしくは１であり、そして
ｎは、前記ポリマーの単位数に相当する正の整数であって、数平均分子量少なくとも１５００を有する前記光架橋可能なポリマーバインダーを提供するのに十分大きさである。）
【請求項３】
請求項１又は２に記載の感光性組成物の層を支持体の上に含んでなる感光性要素。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性プリント回路を半永久的に保護被覆するコーティングを形成するための可撓性、難燃性、および光画像形成性を有する樹脂組成物であって、
(ａ）環状臭素化芳香族モノマーユニット、アルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、または非臭素化芳香族モノマーユニット（ここで、アルキルは１ないし２０の炭素原子を含む）と、エチレン性不飽和カルボン酸モノマーユニットとを含み、４０，０００ないし５００，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を有し、３ないし５０重量％の臭素を含む、臭素化カルボン酸コポリマー結合剤と；
(ｂ）３，０００から１５，０００である重量平均分子量（Ｍｗ）を有し、少なくとも１つのカルボン酸含有モノマーユニット２ないし５０重量％と、以下の式
【化１】
1998115919.tif 000001
(式中、Ｒ１はＨ、Ｃ１−４のアルキルまたはアリールであり；Ｒ２はＨ、ＣＨ３、アリール、−ＣＯＯＲ３，−ＣＯＮＲ４Ｒ５または−ＣＮであり；およびＲ３、Ｒ４およびＲ５はＨ、Ｃ１−４アルキル、アリール、または１つ以上のヒドロキシ、エステル、ケト、エーテルまたはチオエーテル基で置換されたＣ１−４アルキルまたはアリールである）
を有する少なくとも１つのモノマーユニット５０ないし９８重量％とを含む、非臭素化カルボン酸コポリマー結合剤と；
(ｃ）０ないし２０重量％の臭素を含むアクリレート化ウレタンモノマーコンポーネントと；
(ｄ）ウレタンモノマーコンポーネントではないことを条件とし、１０ないし８０重量％の臭素を含む、臭素化アクリレート化モノマーと；
(ｅ）アクリレート化モノマーユニットでもブロック化ポリイソシアネート架橋剤ではないことを条件とし、１０ないし８５重量％の臭素を含む、非反応性または反応性臭素化添加物と；
(ｆ）光開始剤または光開始剤系と；
(ｇ）０ないし３０重量％の臭素を含む、ブロック化ポリイソシアネート架橋剤と
を含み、さらに、組成物中の臭素の全含有量が５から５０重量％の範囲内であることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項２】
組成物の全重量に基づいて、１０から６０重量％の臭素化カルボン酸コポリマー結合剤(ａ）と、２から１５重量％の非臭素化カルボン酸コポリマー結合剤（ｂ）と、５から３０重量％のアクリレート化ウレタンモノマーコンポーネント（ｃ）と、０から４０重量％の臭素化アクリレート化モノマー(ｄ）と、０から４０重量％の非反応性または反応性臭素化添加剤（ｅ）と、０．０１から１０重量％の光開始剤系（ｆ）と、２から２０重量％のブロック化ポリイソシアネート架橋剤（ｇ）とを含むことを特徴とする請求項１に記載の可撓性、難燃性、および光画像形成性を有する樹脂組成物。
【請求項３】
前記臭素化カルボン酸コポリマー結合剤（ａ）は、コポリマーの全重量に基づいて、５から５５重量％の環状臭素化芳香族モノマーユニットと、２０から９２重量％のアルキルアクリレート、アルキルメタクリレートまたは非臭素化芳香族モノマーユニットと、３から２５重量％のエチレン性不飽和カルボン酸モノマーとを含むことを特徴とする請求項１に記載の可撓性、難燃性、および光画像形成性を有する樹脂組成物。
【請求項４】
前記環状臭素化芳香族モノマーは、モノ、ジ、トリ、またはテトラ臭素置換されたスチレン、メチルスチレン、α−メチルスチレン、α−メチルメチルスチレン、エチルスチレン、またはα−メチルエチルスチレンを含むことを特徴とする請求項３に記載の可撓性、難燃性、および光画像形成性を有する樹脂組成物。
【請求項５】
前記非臭素化カルボン酸コポリマー結合剤（ｂ）は、エチレン性不飽和カルボン酸と、スチレンまたはアクリル酸およびメタクリル酸のエステルもしくはアミドのコモノマーとの重合反応生成物であることを特徴とする請求項１に記載の可撓性、難燃性、および光画像形成性を有する樹脂組成物。
【請求項６】
前記アクリレート化ウレタンモノマーコンポーネント（ｃ）は、ヒドロキシエチルアクリレートによって末端キャップ化されたイソシアネート末端基を有する、ポリオールと２，６−トルエンジイソシアネートとの反応生成物を含むウレタンジアクリレートであることを特徴とする請求項１に記載の可撓性、難燃性、および光画像形成性を有する樹脂組成物。
【請求項７】
前記アクリレート化ウレタンモノマーコンポーネント（ｃ）は、ジブロモネオペンチルグリコールとヘキサメチレンジイソシアネートとの反応生成物を含み、およびヒドロキシエチルアクリレートによって末端キャップ化されている臭素化ウレタンジアクリレートであることを特徴とする請求項１に記載の可撓性、難燃性、および光画像形成性を有する樹脂組成物。
【請求項８】
前記アクリレート化ウレタンモノマーコンポーネント（ｃ）は、テトラブロモビスフェノール−Ａのビス（２−ヒドロキシエチルエーテル）とヘキサメチレンジイソシアネートとの反応生成物を含み、およびヒドロキシエチルアクリレートによって末端キャップ化されている臭素化ウレタンジアクリレートであることを特徴とする請求項１に記載の可撓性、難燃性、および光画像形成性を有する樹脂組成物。
【請求項９】
前記アクリレート化ウレタンモノマーコンポーネント（ｃ）は、ジブロモネオペンチルグリコールおよびポリオールと脂肪族または芳香族ジイソシアネートとの反応生成物を含み、およびヒドロキシエチルアクリレートによって末端キャップ化されている臭素化ウレタンジアクリレートであることを特徴とする請求項１に記載の可撓性、難燃性、および光画像形成性を有する樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月8日(2005.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面のコーティングを、このコーティングが基板に形成された少くとも１つの溝並びに／もしくはコンタクトホールの領域内に独占的に残るように、半導体基板を回転させて、エッチャントにより、除去する半導体基板の平坦化方法体において、エッチャントは、平坦化される表面に連続した体積流で供給されることを特徴とする方法。
【請求項２】
半導体基板の表面上に形成され、バリアー層と、この上の金属層とから構成されたコーティングを、このコーティングが基板に形成された少くとも１つの溝並びに／もしくはコンタクトホールの領域内に独占的に残るように、請求項１の方法を用いて、除去するエッチャントであり、このエッチャントは、少なくとも２つの成分Ａ，Ｂを含み、成分Ａは、金属層とバリアー層との両方を酸化できる酸化剤であり、成分Ｂは、酸化されたバリアー層の酸化生成物と一緒になって易溶性塩もしくは易溶性複合体を形成することが可能なものであるエッチャント。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
溝並びに／もしくはコンタクトホールを有し、半導体基板に形成された層が、溝並びに／もしくはコンタクトホールの領域内に独占的に残るように除去される半導体基板の平坦化のための方法において、従来の技術でエッチャントが順次滴下される代わりに、平坦化される半導体基板の全表面をエッチャントが覆うように、エッチャントが少くとも０．４ ｌ／ｍｉｎの流速の連続した流れで供給される。このような作用技術は、異なるエッチング速度を生じさせ、溝もしくはコンタクトホール間のフィールドの領域においてはエッチング速度が溝の領域内のエッチング速度よりも早くなる。この結果、半導体基板に形成されたコーティングは、溝の領域内よりも早くエッチングされ、最終的に、材料は、溝もしくはコンタクトホールの領域内でのみ残る。
本発明の好ましい態様を整理して記載すれば、下記のとおりである。
１． 半導体基板の表面のコーティングを、このコーティングが基板に形成された少くとも１つの溝並びに／もしくはコンタクトホールの領域内に独占的に残るように、半導体基板を回転させて、エッチャントにより、除去する半導体基板の平坦化方法体において、エッチャントは、平坦化される表面に連続した体積流で供給されることを特徴とする方法。
２． 前記エッチャントは、少くとも０．４ ｌ／ｍｉｎ、好ましくは、１ ｌ／ｍｉｎの流量で供給されることを特徴とする上記１に記載の方法。
３． 前記エッチャントは、粘度を高くする添加物を含んで使用されることを特徴とする上記１又は２に記載の方法。
４． 金属層が平坦化により除去されることを特徴とする上記１ないし３のいずれか１に記載の方法。
５． 多結晶シリコンで形成された層が平坦化により除去されることを特徴とする上記１ないし３のいずれか１に記載の方法。
６． 多結晶シリサイド、好ましくは、タングステン、チタニウム、プラチナもしくは金のシリサイドで形成された層が平坦化により除去されることを特徴とする上記１ないし３のいずれか１に記載の方法。
７． 二酸化シリコンで形成された層が平坦化により除去されることを特徴とする上記１ないし３のいずれか１に記載の方法。
８． 硝酸を含むエッチャントが使用されることを特徴とする上記４に記載の方法。
９． 別の酸を含むエッチャントが使用されることを特徴とする上記８に記載の方法。
１０． フッ化水素酸もしくはフッ化アンモニウムを含むエッチャントが使用されることを特徴とする上記６もしくは７に記載の方法。
１１． リン酸、好ましくはオルトリン酸並びに／もしくはポリエチレングリコールを粘度を高くする添加物として含むエッチャントが使用されることを特徴とする上記３ないし１０のいずれか１に記載の方法。
１２． 湿潤剤を含むエッチャントが使用されることを特徴とする上記１ないし１１のいずれか１に記載の方法。
１３． 前記湿潤剤は、好ましくは、短鎖脂肪族カルボン酸、例えば、酢酸であることを特徴とする上記１２に記載の方法。
１４． アルコール、好ましくは、低級脂肪族、例えば、エタノールを含むエッチャントが使用されることを特徴とする上記１３に記載の方法。
１５． 平坦化の間に、エッチャントの連続した体積流は、回転する基板に対して動かされることを特徴とする上記１ないし１４のいずれか１に記載の方法。
１６． 回転する基板に対して、体積流は、回転の中心点を通る道に沿って動かされることを特徴とする上記１５に記載の方法。
１７． 平坦化の間に、体積流は、基板の回転の中心点から所定距離隔たった道に沿って動かされることを特徴とする上記１５に記載の方法。
１８． 前記体積流の道は、真っ直ぐな道であることを特徴とする上記１５ないし１７のいずれか１に記載の方法。
１９． 前記体積流の道は、湾曲した道であることを特徴とする上記１５ないし１７のいずれか１に記載の方法。
２０． 基板から流れ出たエッチング液は、集められ、必要に応じて再生された後に再び平坦化のために再使用されることを特徴とする上記１もしくは１９のいずれか１に記載の方法。
２１． 半導体基板の表面上に形成され、バリアー層と、この上の金属層とから構成されたコーティングを、このコーティングが基板に形成された少くとも１つの溝並びに／もしくはコンタクトホールの領域内に独占的に残るように、上記１ないし２０のいずれか１の方法を用いて、除去するエッチャントであり、このエッチャントは、少なくとも２つの成分Ａ，Ｂを含み、成分Ａは、金属層とバリアー層との両方を酸化できる酸化剤であり、成分Ｂは、酸化されたバリアー層の酸化生成物と一緒になって易溶性塩もしくは易溶性複合体を形成することが可能なものであるエッチャント。
２２． 前記成分Ａは、硝酸、重クロム酸アルカリ、クロム酸−硫酸、過硫酸アンモニウム、過硫酸アルカリ、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アルカリからなる群から選ばれる上記２１に記載のエッチャント。
２３． 前記成分Ａは、過硫酸アンモニウム、もしくは過硫酸ナトリウムである上記２２に記載のエッチャント。
２４． 前記成分Ｂは、ハロゲン化水素酸もしくは複合体形成剤である上記２１ないし２３のいずれか１に記載のエッチャント。
２５． 前記成分Ｂは、フッ酸である上記２４に記載のエッチャント。
２６． エッチング速度を遅くする成分Ｃをさらに含んでいる上記２１ないし２５のいずれか１に記載のエッチャント。
２７． 前記成分Ｃは、エッチング液の誘電特性を減じる成分である上記２５に記載のエッチャント。
２８． 前記成分Ｃは、アルコール、もしくはその誘導体である上記２７に記載のエッチャント。
２９． 前記成分Ｃは、多価アルコール、もしくはその誘導体である上記２８に記載のエッチャント。
３０． 前記成分Ｃは、グリコール、グリセリン、もしくはその誘導体である上記２７に記載のエッチャント。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電極の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極集電体上に電極活物質層用塗料を塗布し乾燥して、少なくとも電極活物質、導電性物質、バインダーからなる電極活物質層を形成する電極の製造方法において、
バインダーと溶剤との溶解液に、まず、導電性物質を加え混練して予め導電性物質を分散させ、その後、電極活物質を加えて混練することにより作成した電極活物質層用塗料を使用することを特徴とした電極の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電極の製造方法に関し、特に、高負荷特性や高温保存特性等の良好な非水電解質電池、あるいは、電気二重層キャパシタ等を製造できる電極の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電極活物質層中の導電性物質の分散を向上させ、高負荷特性や高温保存特性等が良好な非水電解質電池、あるいは、電気二重層キャパシタ等を製造できる電極の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は電極集電体上に電極活物質層用塗料を塗布し乾燥して、少なくとも電極活物質、導電性物質、バインダーからなる電極活物質層を形成する電極の製造方法において、バインダーと溶剤との溶解液に、まず、導電性物質を加え混練して予め導電性物質を分散させ、その後、電極活物質を加えて混練することにより作成した電極活物質層用塗料を使用するような構成とした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の電極の製造方法は、導電性物質をバインダーと溶剤で予め混練分散し、その後、電極活物質を加えて混練することにより、電極活物質を含有する電極活物質層用塗料における導電性物質の分散性を高め、この電極活物質層用塗料を電極集電体上に塗布、乾燥して電極活物質と導電性物質との接触性に優れた電極活物質層を形成し電極とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上述の実施の形態は電池用正極の製造に関するものであるが、電池用負極の製造、電気二重層キャパシタ等の電極の製造においても、同様に本発明を適用することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、まず、バインダーと溶剤との溶解液に導電性物質を加え混練して予め導電性物質を分散させ、その後、電極活物質を加えて混練することにより作成した電極活物質層用塗料を、電極集電体上に塗布、乾燥して電極活物質層を形成するので、電極活物質層中の導電性物質は分散状態が極めて良好となり、電極活物質と導電性物質との接触が均一になされて、かつ、電極集電体と電極活物質層との電気抵抗も少なく、さらに、電極集電体と電極活物質層との接着性の高い電極の製造が可能となり、製造された電極を用いることにより、高負荷特性や高温保存特性等の良好な非水電解質電池、あるいは、電気二重層キャパシタ等の製造が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  次式の（Ｉ）または（II）で表されるインドロカルバゾール化合物を電荷輸送成分として含む有機エレクトロルミネセントデバイスであって、前記インドロカルバゾール化合物の下記式中のＲ及びＲ'は、水素、アルキル、アルコキシル、アリール、及びハロゲンからなる群から独自に選ばれ、ｍ及びｎは数字；Ａ1及びＡ2はアリーレン、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、及びＡｒ4はアリール、Ｒ1及びＲ2は、水素、アルキル、アルコキシル、アリール、及びハロゲンからなる群から独自に選ばれ、ｐは数字であることを特徴とする有機エレクトロルミネセントデバイス。
【化１】
1999162650.tif 000001
【請求項２】  請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイスにおいて、前記インドロカルバゾールは、５，１１−ビス［４'−（３−メチルジフェニルアミノ）−１，１'−ビフェニル−４−イル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス［４'−（４−メチルジフェニルアミノ）−１，１'−ビフェニル−４−イル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス［４'−（ジフェニルアミノ）−１，１'−ビフェニル−４−イル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス［４'−（３−メトキシジフェニルアミノ）−１，１'−ビフェニル−４−イル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス［４'−（ジフェニルアミノ）−１，１'−ビフェニル−４−イル］−２，８−ジメチル−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス［４−（３−メチルジフェニルアミノ）フェニル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、及び５，１１−ビス［４−（４−メチルジフェニルアミノ）フェニル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾールからなる群から選ばれることを特徴とするエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項３】  請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイスにおいて、前記インドロカルバゾールは、５，１１−ビス［４'−（３−メチルジフェニルアミノ）−１，１'−ビフェニル−４−イル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス［４'−（４−メチルジフェニルアミノ）−１，１'−ビフェニル−４−イル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス［４'−（３−メトキシジフェニルアミノ）−１，１'−ビフェニル−４−イル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、及び５，１１−ビス［４−（３−メチルジフェニルアミノ）フェニル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾールからなる群から選ばれることを特徴とするエレクトロルミネセントデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極及び陰極、並びに陽極及び陰極間に配置されたＥＬ素子を含む有機エレクトロルミネセント装置であって、
前記ＥＬ素子は、蛍光材料と式（Ｉ）の金属キレート化合物との混合物を含む少なくとも１つの発光層を有し、
式（Ｉ）において、Ｍは金属を表し、ｎは１〜３の数であり、Ｌは式（II）の配位子であり、
式（II）において、Ａｒはアリールであり、Ｘは酸素、硫黄及びセレンから成る群より選択され、Ｎは窒素、Ｏは酸素であり、Ｚは適切な芳香族成分である有機エレクトロルミネセント装置。
【化１】
1999162643.tif 000001
【請求項２】
前記金属キレート化合物は、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾラト〕ベリリウム、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕ベリリウム、ビス〔５−ビフェニル−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔５−ビフェニル−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕ベリリウム、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−トリル−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−トリル−１，３，４−オキサジアゾラト〕ベリリウム、ビス〔５−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔５−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕ベリリウム、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（３−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（４−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（４−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕ベリリウム、ビス〔５−（４−クロロフェニル）−２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（４−メトキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシ−４−メチルフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−α−（２−ヒドロキシナフチル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−ピリジル−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−ｐ−ピリジル−１，３，４−オキサジアゾラト〕ベリリウム、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（２−チオフェニル）−１，３，４−オキサジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−チアジアゾラト〕亜鉛、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル−１，３，４−チアジアゾラト〕ベリリウム、ビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾラト〕亜鉛、及びビス〔２−（２−ヒドロキシフェニル）−５−（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾラト〕ベリリウムから成る群より選択される請求項１に記載の有機エレクトロルミネセント装置。
【請求項３】
３００〜１０００Åの範囲の厚さを有しインジウムスズ酸化物層から成る陽極と、１００〜８００Åの範囲の厚さを有し第３級芳香族アミンから成る正孔輸送層と、１００〜８００Åの範囲の厚さを有し前記発光層と、前記発光層と接触する１００〜２０００Åの範囲の厚さを有しマグネシウム／銀合金又はリチウム／アルミニウム合金から成る陰極とを、この順序で含む、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセント装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明の実施例は、Ｒ3 及びＲ4 が各々独立的にアルキル又はアリールである有機エレクトロルミネセント装置を含む。本発明の実施例は、前記キナクリドン蛍光染料が、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−メチルキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２，９−ジメチルキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−クロロキナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−２−フルオロキナクリドン、及びＮ，Ｎ’−ジメチル−１，２−ベンゾキナクリドンから成る群より選択される有機エレクトロルミネセント装置を含む。本発明の実施例は、蛍光材料が前記金属キレートのモル数に基づいて約１０-3〜約１０モルパーセントの濃度で存在する有機エレクトロルミネセント装置を含む。本発明の実施例は、約３００Å〜約１０００Åの範囲の厚さを有するインジウムスズ酸化物層から成る陽極と、約１００Å〜約８００Åの範囲の厚さの第３級芳香族アミンから成る正孔輸送層と、約１００Å〜約８００Åの範囲の厚さの前記発光層と、前記発光層と接触する約１００Å〜約２０００Åの範囲の厚さを有するマグネシウム／銀合金又はリチウム／アルミニウム合金から成る陰極  とをこの順序で含む有機エレクトロルミネセント装置を含む。本発明の実施例は、陽極と正孔輸送層との間に位置される約３０ナノメートル〜約２００ナノメートルの厚さの緩衝層を更に含む有機エレクトロルミネセント装置、前記緩衝層がポルフィリニック化合物から成る有機エレクトロルミネセント装置、前記緩衝層が陽極の仕事関数と正孔輸送層のイオン化ポテンシャルとの間のイオン化ポテンシャルを有する芳香族第３級アミンから成る有機エレクトロルミネセント装置、並びに前記緩衝層がポリアニリン、ポリピロール及びポリ（フェニレンビニレン）から成る群より選択される導電性ポリマーから成る有機エレクトロルミネセント装置を含む。本発明の実施例は、発光層と陰極との間に位置される約１００Å〜約８００Åの厚さの電子輸送層を更に含む有機エレクトロルミネセント装置、前記電子輸送層が８−ヒドロキシキノリンの金属錯体から成る有機エレクトロルミネセント装置、及び前記電子輸送層が８−キノリンチオールの金属錯体から成る有機エレクトロルミネセント装置を含む。更に本発明の実施例は、Ｚが約６〜約３０個の炭素原子を有する組成物を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来、成膜装置として、図１に示すような成膜される基板が設置されたエンドステーションａへ、質量分離マグネットを収容したマグネット室ｂを途中に備えた湾曲した通路ｃを介してイオン源から荷電粒子を導く構成のものが知られている。この通路ｃ内は荷電粒子の通過を妨げないように高真空に排気され、その排気のために図２に示すようにクライオポンプｄが設けられている。クライオポンプｄは、所定の作動時間が経過すると排気能力が低下し、再生する必要があり、この再生時にはポンプ内に溜め込んだガスが放出されるので配管ｅ及び仕切りバルブｆを介して該通路ｃが接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第２クライオポンプ５は、図７乃至図９に示したように、ポンプケース１７内に、冷凍機１８のコールドヘッド２段１９に連結されて極低温に冷却されたクライオパネル２０と、コールドヘッド１段２１に連結されて超低温に冷却された筒型のシールド２２及びこれに連結されたバッフル２３を備え、この構成は第１クライオポンプ４と変わりがないが、該ポンプケース１７及びシールド２２にその通路１側に向けての吸気口２４を形成し、該バッフル２３に該シールド２２の吸気口２４に該シールド２２の筒内へ凹入した凹入部２５を設け、該バッフル２３を該シールド２２との間に隙間２６を設けて取り付け、該隙間２６及び該凹入部２５の底部２５ａと対向する位置にクライオパネル２０を延長して配置した構成が異なり、該通路１からこれに直接取り付けた該吸気口２４内へ飛び込んだ気体分子は該凹入部２５内で反射してバッフル２３またはクライオパネル２０の方向へ進み、該通路１へ戻らないようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
エンドステーション２に用意した基板にイオン注入する場合、イオン源からビーム状に引き出したイオン中からマグネット室３のマグネットで所望のイオンを選別し、その選別されたイオンを該基板に入射させ、イオン注入が行われるが、そのイオンの通過経路にあたる通路１は、イオンの拡散防止等のために該第１及び第２クライオポンプ４、５により高真空に排気される。各クライオポンプ４、５が、通路１の壁面にその吸気口１６、２４を直接に取り付けられているため、各クライオポンプ４、５の持つ排気速度が損なわれることがなく、迅速に高真空に該通路１内を排気でき、イオンビームが拡散したり、気体分子と衝突して不要なイオンが生成されることがなくなり、高精度で基板にイオン注入できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み取られるときに第１レベルの電気信号となるマークと第２レベルの電気信号となるマークとを書き込まれた記録媒体から一定周期のクロック信号を用いてそこに書き込まれた情報を読み取る方法において、
（ａ）クロック信号に同期する読取りビームスポットを記録媒体の書込みマークに照射して、書き込まれたマークから第１レベル値を有する電気信号を検出するステップと、
（ｂ）第１レベル値の電気信号を出力するマークから第２レベル値の電気信号を有するマークにビームスポットが移ったときの第２レベル値を有する電気信号とそれに続いて検出される次の第２レベル値を有する電気信号とを比較してそれら間の差信号を求めるステップと、
（ｃ）差信号を利用してクロック信号の位相制御信号を求めるステップと、
（ｄ）読取りビームスポットが書込みマークに正確に照射されるよう、位相制御信号に基づいてクロック信号の位相を制御するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
クロック信号に同期させてパルス信号を作るステップと、
パルス信号に基づいて前記読取りビームをパルス化するステップと、
パルス信号を前記クロック信号の周期だけ遅延させるステップと、
ステップ（ｃ）で位相制御信号を求めるに先立って、遅延されたパルス信号に同期して検出された電気信号をサンプルし保持するステップと、
を更に備えることを特徴とする請求項１記載の記録媒体から記録情報を読み取る方法。
【請求項３】
一定周期のクロック信号を発生する読取り装置を用いて記録媒体から記録情報を読み取る方法において、
（ａ）クロック信号に同期する読取りビームスポットを記録媒体の書込みマークに照射して記録媒体から電気信号を検出するステップと、
（ｂ）その電気信号をクロック信号の一周期だけ遅延させるステップと、
（ｃ）電気信号を非反転端子へ入力させると共に、遅延させた電気信号を反転端子へ入力して差動増幅させるステップと、
（ｄ）差動増幅された信号を再びクロック信号の一周期だけ遅延させるステップと、
（ｅ）差動増幅された信号とその差動増幅された信号を遅延させた信号をそれぞれサンプルして保持するステップと、
（ｆ）サンプルして保持された２つの信号を加算して増幅するステップと、
（ｇ）加算増幅された信号をフィルタリングするステップと、
（ｈ）フィルタリングされた信号をクロック信号の位相制御信号として出力するステップと、
（ｉ）読取りビームスポットが書込みマークに正確に照射されるよう、位相制御信号に基づいてクロック信号の位相を制御するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項４】
クロック信号に同期するパルス信号を作るステップと、
パルス信号に基づいて記録媒体に照射するための読取りビームをパルス化するステップと、
パルス信号をクロック信号の周期だけ遅延させるステップと、
前記ステップ（ｂ）の前に、遅延されたパルス信号に同期して検出された電気信号をサンプルして保持させるステップと、
サンプルして保持された信号をレベルスライシングして読取りビット信号を求めるステップと、
読取りビット信号をフィルタリングするステップと、
フィルタリングされた信号を前記サンプルして保持された信号と加算するステップと、
加算された信号をレベルスライシングのための信号及びステップ（ｃ）の差動増幅のための信号として提供するステップと、
を更に備えることを特徴とする請求項３記載の記録媒体から記録情報を読み取る方法。
【請求項５】
記読取りビット信号をクロック信号の周期だけ遅延させるステップと、
読取りビット信号と遅延された読取りビット信号とを論理演算して第１駆動信号及び第２駆動信号を求めるステップと、
第１駆動信号をクロック信号の周期だけ再度遅延させるステップと、
遅延された第１駆動信号を前記ステップ（ｅ）の差動増幅された信号をサンプルして保持させるための信号として、第２駆動信号をステップ（ｅ）の遅延された差動増幅信号をサンプルして保持させるための信号としてそれぞれ提供するステップと、
を更に備えることを特徴とする請求項３記載の記録媒体から記録情報を読み取る方法。
【請求項６】
一定周期を有するクロック信号を生成するるクロック信号発生器と、
クロック信号に同期して読取りビームスポットを記録媒体の書込みマークに照射する読取りビーム発生器と、
読取りビームが記録媒体の書込みマークに照射されて、その記録媒体から電気信号を検出する信号検出器と、
その電気信号を用いて読取りビット信号を求めるビット列検出器と、
電気信号を入力し、電気信号が第１レベル値から第２レベル値に移ったときの第２レベル値とそれに続いて検出される第２レベル値との差に対応する位相制御信号を生成し、それをクロック信号発生器に与えてクロック発生時期を調整し、ビームスポットをマークに一致させる位相制御信号発生器と、
を備えることを特徴とする記録媒体から記録情報を読み取る装置。
【請求項７】
一定周期を有するクロック信号を生成するクロック信号発生器と、
クロック信号発生器からのクロック信号に同期してパルス信号を生成するパルス整形器と、
パルス信号に基づいてパルス化された読取りビームスポットを生成し、パルス化された読取りビームスポットを記録媒体の書込みマークに照射する読取りビーム発生器と、
パルス信号をクロック信号の一周期だけ遅延させる遅延器と、
読取りビームが記録媒体の書込みマークに照射されたときに記録媒体から電気信号を検出する信号検出器と、
遅延器の出力信号に同期して検出された電気信号をサンプルして保持するサンプルホールドと、
サンプルホールドの出力信号から読取りビット信号を得るビット列検出器と、
サンプルして保持された電気信号を入力し、そのサンプルして保持された電気信号のレベル値が第１レベル値から第２レベル値に移ったときの第２レベル値とそれに続いて検出される第２レベル値との差を用いてクロック信号の位相制御信号を生成し、これをクロック信号発生器に供給してクロック発生時期を調整し、ビームスポットをマークに一致させる位相制御信号発生器と、
を備えることを特徴とする記録媒体から記録情報を読み取る装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にパターンを形成する工程を含むリソグラフィ処理方法において、
前記基板に付された識別符号と実際に第１リソグラフィ処理で前記基板が処理された処理条件とを記憶し、
前記第１リソグラフィ処理が行われた前記基板の前記識別符号を読み取り、
前記識別符号を用いて、記憶された前記処理条件を呼び出し、
呼び出された前記処理条件に基づいて、前記基板に第２リソグラフィ処理を行うことを特徴とするリソグラフィ処理方法。
【請求項２】
前記処理条件は、前記基板が実際に前記第１リソグラフィ処理で処理された処理順を含み、
前記処理順に基づいて、前記基板の前記第２リソグラフィ処理を行うことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項３】
前記基板の前記第１リソグラフィ処理の前記処理順と、前記第２リソグラフィ処理を行う予定の前記基板の順序とを比較して、前記処理順と前後関係が異なる順序の基板を排除することを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項４】
前記識別符号に基づいて呼び出される前記第１リソグラフィ処理のときの処理条件を用いて、前記第２リソグラフィ処理の処理条件を予測し、
予測された前記処理条件を用いて、前記第２リソグラフィ処理を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項５】
前記第２リソグラフィ処理の処理条件の予測は、前記識別符号の基板と同一ロットで処理された基板の前記第１リソグラフィ処理のときの処理条件を用いて行うことを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項６】
前記第２リソグラフィ処理の処理条件の予測は、前記同一ロットで処理された基板の前記第１リソグラフィ処理のときの処理条件と前記同一ロット中で前記処理条件の変化から求められる変化量とを用いて行うことを特徴とする請求項４または請求項５に記載のリソグラフィ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
こうした事態を回避するため、投影光学系等の光学部材と感応基板との間に、交換可能なカバーガラスまたは高分子の膜を配置し、投影光学系の光学部材への汚れ物質の到達を防止する技術が提案されている（特開平４−３６５０５０号公報等：以後、従来例と呼ぶ）。