【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記半導体素子と前記部材とを仮止めし、前記フィルムを当該半導体素子から剥離する工程の後に、当該半導体素子と当該部材とを本接合する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
半導体基板に形成された半導体素子にフィルムを貼付し、当該フィルムとともに前記半導体素子を前記半導体基板から離し、
複数の裏押し部材により、所望の部材に略同時に前記複数の半導体素子を配置する、
ことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の半導体集積回路の製造方法は、半導体基板に形成された半導体素子にフィルムを貼付し、当該フィルムとともに前記半導体素子を前記半導体基板から離し、複数の裏押し部材により、所望の部材に略同時に前記複数の半導体素子を配置することを特徴とする。
このような手法によれば、半導体素子を微小タイル形状として半導体基板から切り取り、フィルムにマウントしてハンドリングするので、半導体素子を個別に選択して最終基板に接合できるとともに、ハンドリングできる半導体素子のサイズを従来の実装技術のものよりも小さくすることができる。
また、このような手法によれば、フィルムに貼り付けられた複数の半導体素子の中から、所望の半導体素子を一つ又は複数選択して、選択した半導体素子を同時に複数個、最終基板に接合することが可能となる。これにより、最終基板に接合する半導体素子の位置を高精度に調整することが可能となるとともに、複数の半導体素子を高速にかつ高密度に最終基板に接合することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の半導体集積回路の製造方法は、前記フィルムにおける前記複数の半導体素子が貼り付けられている面の反対面側を減圧して、前記フィルムにおける各半導体素子の間の部位を前記反対面側に凹ませることが好ましい。
このような手法によれば、裏押し部材で押される各半導体素子以外のもの（例えば、他の半導体素子又はフィルムなど）が最終基板に接触することを防ぐことができる。したがって、最終基板に接合する半導体素子の位置を高精度に調整することが可能となるとともに、複数の半導体素子を高密度に最終基板に接合することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
＜第８工程＞
図８は本実施形態に係る半導体集積回路の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。本工程においては、最終基板７１の所望の位置にアライメントされた微小タイル状素子６１を、中間転写フィルム３１越しに裏押し部材８１で押しつけて最終基板７１に接合する。ここで、所望の位置には接着剤７３が塗布されているので、その最終基板７１の所望の位置に微小タイル状素子６１が接着される。本工程では、最終基板７１への微小タイル状素子６１の接着方法として接着剤を用いたが、他の接着方法を用いてもよい。
最終基板７１への微小タイル状素子６１の接着方法（接合方法）の詳細については、後で詳細に説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
＜第９工程＞
図９は本実施形態に係る半導体集積回路の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。本工程においては、中間転写フィルム３１の粘着力を消失させて、微小タイル状素子６１から中間転写フィルム３１を剥がす。
中間転写フィルム３１の粘着剤は、ＵＶ硬化性又は熱硬化性のものにしておく。ＵＶ硬化性の粘着剤とした場合は、裏押し部材８１を透明な材質にしておき、裏押し部材８１の先端から紫外線（ＵＶ）を照射することで中間転写フィルム３１の粘着力を消失させる。熱硬化性の接着剤とした場合は、裏押し部材８１を加熱すればよい。あるいは第６工程の後で、中間転写フィルム３１を全面紫外線照射するなどして粘着力を全面消失させておいてもよい。粘着力が消失したとはいえ実際には僅かに粘着性が残っており、微小タイル状素子６１は非常に薄く軽いので中間転写フィルム３１に保持される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
第７工程としては、中間転写フィルムを移動させることで、最終基板の所望の位置にシリコントランジスタをアライメントする。ここで、最終基板は、液晶用ガラス基板である。
第８工程としては、最終基板の所望の位置にアライメントされたシリコントランジスタを、中間転写フィルム越しに裏押し部材で押しつけて最終基板に接合する。ここで、所望の位置には接着剤が塗布されているので、その最終基板の所望の位置にシリコントランジスタが接着される。
最終基板へのシリコントランジスタの接着方法（接合方法）の詳細については、後で詳細に説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
＜接着剤による接合＞
微小タイル状素子６１又は最終基板７１のどちらかに、紫外線及び熱硬化樹脂、熱硬化樹脂、ポリイミド前駆体などの接着剤７３を塗布しておく。
そして、接着剤７３を挟んで微小タイル状素子６１と最終基板７１とを密着させ、はみ出してきた接着剤７３の部分に紫外線（ＵＶ）を照射して、当該部分の接着剤７３を硬化させて、微小タイル状素子６１を最終基板７１上に仮止めする。
その他の仮止め方法としては、接着剤７３を挟んで微小タイル状素子６１と最終基板７１とを密着させ、その後に中間転写フィルム３１と微小タイル状素子６１との間の粘着力を十分に消失させることで、接着剤７３の粘性で仮止めしてもよい。
また、その他の仮止め方法としては、接着剤７３を挟んで微小タイル状素子６１と最終基板７１とを密着させ、この状態で裏押し部材８１又は最終基板７１を加熱して、接着剤７３を硬化させることで仮止めしてもよい。
これらによる仮止めの後に、中間転写フィルム３１を微小タイル状素子６１から剥離し、その後に接着剤７３部位を加熱して、微小タイル状素子６１を最終基板７１上に本接合する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
＜選択的に一括して接合する＞
図１１は本接合方法を示す概略断面図である。中間転写フィルム３１はその両端をフィルム保持枠３１ａによって支持されている。また、中間転写フィルム３１には、複数の微小タイル状素子６１（本図では示していない）が所定の間隔を空けて貼り付けられている。ここで、各微小タイル状素子６１は、中間転写フィルム３１における図面の下側の面（裏押し部材８１’が接触する面の反対側の面）であって、複数の裏押し部材８１’それぞれの接触する部位の反対側の部位に、それぞれ貼り付けられている。
そして、複数の裏押し部材８１’を同時に最終基板７１側（図面下方）に移動させることで、同時に複数の微小タイル状素子６１を中間転写フィルム３１を介して最終基板７１に押し付け、同時に複数の微小タイル状素子６１を最終基板７１に接合する。
ここで、複数の裏押し部材８１’を同時に最終基板７１側に移動させるときに、中間転写フィルム３１の裏押し部材８１’側の面について減圧することで、中間転写フィルム３１を矢印Ｐの向きに吸引し、中間転写フィルム３１を矢印Ｐの向きに凹ませる。これにより、裏押し部材８１’で押される各微小タイル状素子６１以外のもの（例えば、他の微小タイル状素子６１又は中間転写フィルム３１など）が最終基板７１に接触することを防ぐことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０      基板
１１      犠牲層
１２      機能層
１３      半導体デバイス（半導体素子）
２１      分離溝
３１      中間転写フィルム
３１ａ    フィルム保持枠
４１      選択エッチング液
６１      微小タイル状素子
６１ａ    フォトダイオードタイル
６１ｂ    面発光レーザタイル
６１ｃ    高速動作トランジスタタイル
７１      最終基板
７２      ＬＳＩ領域
７３      接着剤
８１、８１’  裏押し部材
９１      電気的配線
１０１ａ  フォトダイオードチップ
１０１ｂ  面発光レーザチップ
１０１ｃ  高電子移動度トランジスタチップ
１１１    シリコンＬＳＩチップ
１１２    ＬＳＩ領域