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【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記α−オレフィンは、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、４−メチル−１−ペンテン、２−メチル−１−プロペン、３−メチル−１−ペンテン、または５−メチル−１−ヘキセンである請求項２記載の医療用チューブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
輸液容器または血液回路の液体搬送用に使用し、かつ、ポンプに使用して、液体を強制的に搬送する医療用チューブである請求項１〜１０記載の医療用チューブ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
γ線滅菌または電子線滅菌したチューブである請求項１〜１２記載の医療用チューブ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、ポリエチレンとスチレン系エラストマー、あるいはオレフィン系エラストマーとのブレンドからなる薬剤投与チューブが提案されている（特公平2-31990号公報）。このチューブに対しても薬剤の吸着が少ないことから、目標とする薬剤量が投与できる。しかしながら、ポリエチレンにエラストマーを添加すると、成形したチューブの剛性が低下するため、ポンプのしごきに耐えられないといった問題点があった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明において、オレフィン系単量体としては、α−オレフィンが挙げられる。α−オレフィンとしては、炭素原子数２〜２０のα−オレフィン単量体があり、具体的にエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、４−メチル−１−ペンテン、２−メチル−１−プロペン、３−メチル−１−ペンテン、または５−メチル−１−ヘキセンなどが例示される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ニトログリセリン収着性：
ニトログリセリン注射液（有効成分５０ｍｇ／１００ｍｌ、ミリスロール注、日本化薬株式会社製）６０ｍｌを日本薬局方生理食塩水（大塚製薬株式会社製）１ｌに注入し、静かに攪拌した。ただちに注射針付注射筒でサンプリングし、ブランクとした。輸液セットのチューブを流量調節用クランプで閉塞し、点滴筒をゴム栓に刺通した。点滴筒をポンピングすることで点滴筒の下半分を当該溶液で満たした。流量調節用クランプを徐々にゆるめ、チューブの中を当該溶液で満たした後に、ニプロ社製輸液ポンプＦＰ−２００１にセットした。流量を３６ｍｌ／ｈに設定し、流量調節用クランプを開放、スイッチをＯＮにし、輸液を開始した。先端より流出する溶液を経時的にサンプリングし、高速液体クロマトグラフィーで濃度を測定した。輸液は１８０分行い、最初の６０分は５分おき、それ以後は１５分おきにサンプリングした。
カラム：
資生堂  ＣＡＰＣＥＬＬ  ＰＡＫ  Ｃ１８  ＳＧ１２０Å  ５μｍ  φ４．６ｍｍ×２５０ｍｍ
温度：３０℃
移動相：メタノール：水＝１１：９
検出器：ＵＶ  波長２１０ｎｍ
流量：０．８ｍｌ／ｍｉｎ
ブランクの濃度と比較して、９０％以下になることがあれば、吸着有りとした。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者が所定の遊技を行うことが可能な遊技機であって、
遊技機に設けられる電気部品を制御するための処理を行う複数の電気部品制御手段と、
遊技機で使用される所定電位電源を監視し検出条件が成立したことにより検出信号を出力する電源監視手段と、
交流電流を整流する整流手段と、
前記整流手段によって整流された後の電圧を降圧し、前記複数の電気部品制御手段および前記電気部品が使用する電圧を生成する降圧電圧生成手段と、を備え、
前記電源監視手段は、前記検出条件が成立したことにより、１つの電源監視手段から前記複数の電気部品制御手段に検出信号を出力し、
前記電気部品制御手段は、前記電源監視手段からの検出信号に応じて所定の電力供給停止時処理を行い、
前記電源監視手段は、監視する所定電位電源として、前記整流手段によって整流された後、前記降圧電圧生成手段によって降圧される前の電圧の電源を監視する
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
電気部品制御手段は、電力供給開始時に、電力供給停止直前の内容を保持することが可能な記憶手段に保持されている保持データにもとづいて制御を再開させることが可能である
請求項１記載の遊技機。
【請求項３】
電気部品制御手段はマイクロコンピュータを含み、
前記電気部品制御手段は、遊技媒体の払出制御を行う払出制御手段を含み、少なくとも払出個数に関わる情報は電源バックアップされている記憶手段の領域であるバックアップ領域に記憶され、
払出制御手段におけるマイクロコンピュータは、電力供給開始時の初期化処理で、少なくとも記憶手段のうちの電源バックアップされていない領域をクリアする処理を行う
請求項１または請求項２記載の遊技機。
【請求項４】
払出制御手段におけるマイクロコンピュータは、電力供給開始時の初期化処理で、バックアップ領域に払出個数に関わる情報が記憶されていた場合には、記憶手段のうちの少なくとも電源バックアップされていない領域をクリアする処理を行うとともに前記情報にもとづいて払出制御を行い、バックアップ領域に賞球個数に関わる情報が記憶されていない場合には記憶手段の全領域を初期化する
請求項３記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明による遊技機は、遊技者が所定の遊技を行うことが可能な遊技機であって、遊技機に設けられる電気部品を制御するための処理を行う複数の電気部品制御手段と、遊技機で使用される所定電位電源を監視し検出条件が成立したことにより検出信号を出力する電源監視手段と、交流電流を整流する整流手段と、整流手段によって整流された後の電圧を降圧し、複数の電気部品制御手段および電気部品が使用する電圧を生成する降圧電圧生成手段と、を備え、電源監視手段は、検出条件が成立したことにより、１つの電源監視手段から複数の電気部品制御手段に検出信号を出力し、電気部品制御手段が、電源監視手段からの検出信号に応じて所定の電力供給停止時処理を行い、電源監視手段は、監視する所定電位電源として、整流手段によって整流された後、降圧電圧生成手段によって降圧される前の電圧の電源を監視することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
電気部品制御手段はマイクロコンピュータを含み、電気部品制御手段は、遊技媒体の払出制御を行う払出制御手段を含み、少なくとも払出個数に関わる情報は電源バックアップされている記憶手段の領域であるバックアップ領域に記憶され、払出制御手段におけるマイクロコンピュータは、電力供給開始時の初期化処理で、少なくとも記憶手段のうちの電源バックアップされていない領域をクリアする処理を行うように構成されていてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、遊技機を、遊技機に設けられる電気部品を制御するための処理を行う複数の電気部品制御手段と、遊技機で使用される所定電位電源を監視し検出条件が成立したことにより検出信号を出力する電源監視手段と、交流電流を整流する整流手段と、整流手段によって整流された後の電圧を降圧し、複数の電気部品制御手段および電気部品が使用する電圧を生成する降圧電圧生成手段と、を備え、電源監視手段は、検出条件が成立したことにより、１つの電源監視手段から複数の電気部品制御手段に検出信号を出力し、電気部品制御手段が、電源監視手段からの検出信号に応じて所定の電力供給停止時処理を行い、電源監視手段は、監視する所定電位電源として、整流手段によって整流された後、降圧電圧生成手段によって降圧される前の電圧の電源を監視するように構成したので、停電等による不測の電源断が発生しても、そのことを確実に検出できる効果がある。特に、所定電位電源が整流手段によって整流された後、降圧電圧生成手段によって降圧される前の電圧の電源であることから、電圧監視範囲を広げることができ、電気部品制御手段が所定の電力供給停止時処理を確実に完了できるようなタイミングで電源監視手段から検出信号が発生される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９２】
払出制御手段におけるマイクロコンピュータが、電力供給開始時の初期化処理で、少なくとも記憶手段のうちの電源バックアップされていない領域をクリアする処理を行うように構成されている場合には、初期化処理が簡単でよいという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検知する磁化を含む被検体に高周波パルスを照射し横磁化を発生する手段と、横磁化が付与された被検体に位相エンコード傾斜磁場パルスを印加する手段と、読み出し傾斜磁場パルスを印加する手段と、前記読み出し傾斜磁場の印加中に発生するエコー信号を検出する手段と、前記各手段を制御する手段と、エコー信号から画像を再構成する手段を含む核磁気共鳴撮影装置において、
前記エコー信号を検出する手段は、互いに空間的に異なる検出感度分布を有する複数の受信コイルを備え、
前記制御手段は、前記位相エンコード傾斜磁場及び読み出し傾斜磁場によって規定される計測空間（ｋ空間）の低空間周波数領域が高空間周波数領域よりも高密度となるように計測データを収集する制御を行い、
前記画像再構成手段は、低空間周波数領域の計測データを用いて前記複数の受信コイルの各感度分布を計算し、計算された各感度分布及び上記計測データを用いて、折り返しを排除した高分解能画像を取得することを特徴とした核磁気共鳴撮影装置。
【請求項２】
検知する磁化を含む被検体に高周波パルスを照射し横磁化を発生する手段と、横磁化が付与された被検体に位相エンコード傾斜磁場パルスを印加する手段と、読み出し傾斜磁場パルスを印加する手段と、前記読み出し傾斜磁場の印加中に発生するエコー信号を検出する手段と、前記各手段を制御する手段と、エコー信号から画像を再構成する手段を含む核磁気共鳴撮影装置において、
前記エコー信号を検出する手段は、互いに空間的に異なる検出感度分布を有する複数の受信コイルを備え、
前記制御手段は、前記位相エンコード傾斜磁場及び読み出し傾斜磁場によって規定される計測空間（ｋ空間）の高空間周波数領域について規定のエンコード数を所定の割合で減じて(間引いて)計測データを収集する制御を行い、
前記画像再構成手段は、低空間周波数領域の計測データを用いて前記複数の受信コイルの各感度分布を計算し、計算された各感度分布及び上記計測データを用いて、折り返しを排除した高分解能画像を取得することを特徴とした核磁気共鳴撮影装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の核磁気共鳴撮影装置であって、
前記制御手段は、前記ｋ空間の位相エンコード方向において前記計測を行なうことを特徴とする核磁気共鳴撮影装置。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか１項に記載の核磁気共鳴撮影装置であって、
前記制御手段は、前記受信コイルの感度分布の空間的変化に対応して、前記高密度計測領域の範囲を変更することを特徴とする核磁気共鳴撮影装置。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか１項に記載の核磁気共鳴撮影装置であって、
前記制御手段は、計測データの収集とそれに続く画像再構成とを連続して行い、
画像再構成手段は、複数の画像再構成に、一つの計測データから計算した感度分布を用いることを特徴とする核磁気共鳴撮影装置。
【請求項６】
請求項１ないし５いずれか１項に記載の核磁気共鳴撮影装置であって、
前記制御手段は、前記高周波パルスによる１回の横磁化発生に続き、極性の反転する読み出し傾斜磁場を連続して印加するとともに読み出し傾斜磁場の印加に同期して位相エンコード傾斜磁場を印加して、複数のエコー信号を計測し、当該複数のエコー信号計測の間に前記位相エンコード傾斜磁場の強度を変更することを特徴とする核磁気共鳴撮影装置。
【請求項７】
請求項１ないし５いずれか１項に記載の核磁気共鳴撮影装置であって、
前記制御手段は、前記高周波パルスによる１回の横磁化発生に続き、極性の反転する読み出し傾斜磁場を連続して印加するとともに読み出し傾斜磁場の印加に同期して位相エンコード傾斜磁場を印加して、複数のエコー信号を計測する単位計測を繰り返し、前記単位計測によって前記位相エンコード傾斜磁場の強度を変更することを特徴とする核磁気共鳴撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のMRI装置は、検知する磁化を含む被検体に高周波パルスを照射し横磁化を発生する手段と、横磁化が付与された被検体に位相エンコード傾斜磁場パルスを印加する手段と、読み出し傾斜磁場パルスを印加する手段と、前記読み出し傾斜磁場の印加中に発生するエコー信号を検出する手段と、前記各手段を制御する手段と、エコー信号から画像を再構成する手段を含み、前記エコー信号を検出する手段は、互いに空間的に異なる検出感度分布を有する複数の受信コイルを備え、前記制御手段は、前記位相エンコード傾斜磁場及び読み出し傾斜磁場によって規定される計測空間（ｋ空間）の低空間周波数領域が高空間周波数領域よりも高密度となるように計測データを収集する制御を行い、或いはｋ空間の高空間周波数領域について規定のエンコード数を所定の割合で減じて(間引いて)計測データを収集する制御を行い、前記画像再構成手段は、低空間周波数領域の計測データを用いて前記複数の受信コイルの各感度分布を計算し、計算された各感度分布及び上記計測データを用いて、折り返しを排除した高分解能画像を取得することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定者の皮膚に接触する複数の電極を有し、被測定者の体内に流入する交流電流を生成する装置と、前記電極間の電圧を測定する装置と、その交流電流と電圧から生体電気インピーダンス値を求めて被測定者の身体組成に関する指標を推定する装置とを含む測定回路部からなる生体電気インピーダンス測定装置において、
前記電極のうち少なくとも１つの電極と、前記交流電流を生成する装置または電圧を測定する装置との経路内にコンデンサと抵抗の並列抵抗を設けたことを特徴とする生体電気インピーダンス測定装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの電極は電流供給用の電極であり、その電流供給用の電極と前記交流電流を生成する装置との間の経路内にコンデンサと抵抗の並列回路を設けたことを特徴とする請求項１に記載の生体電気インピーダンス測定装置。
【請求項３】
前記交流電流を生成する装置と、コンデンサと抵抗の並列回路との間に、更に静電気対策用のダイオードを設けたことを特徴とする請求項２に記載の生体電気インピーダンス測定装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの電極は電圧測定用の電極であり、その電圧測定用の電極と前記電圧を測定する装置との間の経路内にコンデンサと抵抗の並列回路を設けたことを特徴とする請求項１に記載の生体電気インピーダンス測定装置。
【請求項５】
前記電圧を測定する装置と、コンデンサと抵抗の並列回路との間に、更に静電気対策用のダイオードを設けたことを特徴とする請求項４に記載の生体電気インピーダンス測定装置。
【請求項６】
前記電極のうち電流供給用の電極と前記交流電流を生成する装置との間の経路内および前記電極のうち電圧測定用の電極と前記電圧を測定する装置との間の経路内の全てにコンデンサと抵抗の並列回路を設けたことを特徴とする請求項１に記載の生体電気インピーダンス測定装置。
【請求項７】
前記交流電流を生成する装置と、コンデンサと抵抗の並列回路との間、および前記電圧を測定する装置と、コンデンサと抵抗の並列回路との間に、更に静電気対策用のダイオードを設けたことを特徴とする請求項６に記載の生体電気インピーダンス測定装置。
【請求項８】
前記被測定者の皮膚に接触する複数の電極は、被測定者の足裏に接触するものであり、前記生体電気インピーダンス値は被測定者の両足間の値であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の生体電気インピーダンス測定装置。
【請求項９】
前記コンデンサはセラミックコンデンサであることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の生体電気インピーダンス測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の一つの観点によれば、被測定者の皮膚に接触する複数の電極を有し、被測定者の体内に流入する交流電流を生成する装置と、前記電極間の電圧を測定する装置と、その交流電流と電圧から生体電気インピーダンス値を求めて被測定者の身体組成に関する指標を推定する装置とを含む測定回路部からなる生体電気インピーダンス測定装置において、前記電極のうち少なくとも１つの電極と、前記交流電流を生成する装置または電圧を測定する装置との経路内にコンデンサと抵抗の並列抵抗を設けた構成により提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
更に本発明の一つの観点によれば、前記少なくとも１つの電極は電流供給用の電極であり、その電流供給用の電極と前記交流電流を生成する装置との間の経路内にコンデンサと抵抗の並列回路を設けた構成により提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
更に本発明の一つの観点によれば、前記交流電流を生成する装置と、コンデンサと抵抗の並列回路との間に、更に静電気対策用のダイオードを設けた構成により提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
更に本発明の一つの観点によれば、前記少なくとも１つの電極は電圧測定用の電極であり、その電圧測定用の電極と前記電圧を測定する装置との間の経路内にコンデンサと抵抗の並列回路を設けた構成により提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
更に本発明の一つの観点によれば、前記電圧を測定する装置と、コンデンサと抵抗の並列回路との間に、更に静電気対策用のダイオードを設けた構成により提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
更に本発明の一つの観点によれば、前記電極のうち電流供給用の電極と前記交流電流を生成する装置との間の経路内および前記電極のうち電圧測定用の電極と前記電圧を測定する装置との間の経路内の全てにコンデンサと抵抗の並列回路を設けた構成により提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
更に本発明の一つの観点によれば、前記交流電流を生成する装置と、コンデンサと抵抗の並列回路との間、および前記電圧を測定する装置と、コンデンサと抵抗の並列回路との間に、更に静電気対策用のダイオードを設けた構成により提供される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
更に本発明の一つの観点によれば、前記被測定者の皮膚に接触する複数の電極は、被測定者の足裏に接触するものであり、前記生体電気インピーダンス値は被測定者の両足間の値であることとする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月12日(2004.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
発明３に係るスプールは、発明１のスプールにおいて、スカート部は金属製である。
この場合は、スカート部の強度を維持することができる。
発明４に係るスプールは、発明３のスプールにおいて、スカート部は、アルミニウム合金、ステンレス合金、チタン合金及びマグネシウム合金のうちのいずれかにより形成されている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
〔他の実施形態〕
（ａ）  前記実施形態では、糸巻胴部７ａはアルミニウム合金により形成されていたが、これに限定されるものではなく、ステンレス合金、チタン合金及びマグネシウム合金等により糸巻胴部７ａを形成してもよい。
（ｂ）  前記実施形態では、スカート部７ｂは合成樹脂で形成されていたが、これに限定されるものではなく、アルミニウム合金、ステンレス合金、チタン合金及びマグネシウム合金等の金属のプレス加工、ダイカスト成形及び鍛造のいずれかによりスカート部７ｂを形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月13日(2005.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対のアクセストランジスタと１対のドライバトランジスタと１対のロードトランジスタとが形成されるメモリセルと、
前記１対のアクセストランジスタに対し設けられる１本のワード線と、
前記１対のロードトランジスタが形成される前記メモリセル内の第１トランジスタ領域と、
前記ワード線の延在方向に前記第１トランジスタ領域と隣接して設けられ、前記１対のアクセストランジスタおよび前記１対のドライバトランジスタが形成される前記メモリセル内の第２トランジスタ領域と、
を備えたスタティック半導体記憶装置。
【請求項２】
前記ワード線はメタル配線である、請求項１に記載のスタティック半導体記憶装置。
【請求項３】
前記スタティック半導体記憶装置は、第１と第２の前記メモリセルを含み、
前記第１と第２のメモリセルは、前記第２トランジスタ領域が隣接するように前記ワード線方向に配列され、
前記ワード線上には、該ワード線と直交する方向に前記第１と第２のメモリセルに共通のメタル接地線が延在し、
前記メタル接地線の両側に前記第１と第２のメモリセルの１対のメタルビット線がそれぞれ配置される、請求項１または２に記載のスタティック半導体記憶装置。
【請求項４】
前記メモリセル内にはフィールドシールド分離領域が形成され、
前記１対のドライバトランジスタ間に位置する前記フィールドシールド分離領域は、前記ワード線と直交する方向に前記メモリセルを横切るように連続的に形成される、請求項１または２に記載のスタティック半導体記憶装置。
【請求項５】
一方の前記アクセストランジスタと一方の前記ドライバトランジスタとが第１の不純物領域を共有し、
他方の前記アクセストランジスタと他方の前記ドライバトランジスタとが第２の不純物領域を共有し、
前記一方のアクセストランジスタと前記一方のドライバトランジスタ間の間隔は、前記他方のアクセストランジスタと前記他方のドライバトランジスタ間の間隔と異なる、請求項１または２に記載のスタティック半導体記憶装置。
【請求項６】
各々ゲートを有する１対のアクセストランジスタと１対のドライバトランジスタと１対のロードトランジスタとを含むメモリセルと、
前記メモリセル上を延在するワード線と、
前記１対のロードトランジスタが形成される第１トランジスタ領域と、
前記ワード線の延在方向に前記第１トランジスタ領域と隣接して設けられ、前記１対のアクセストランジスタと、前記ロードトランジスタのゲートと直交するゲートを有する前記１対のドライバトランジスタとが形成される第２トランジスタ領域と、
を備えた、スタティック半導体記憶装置。
【請求項７】
前記メモリセルは、基板上に絶縁膜を介在して形成された半導体層上に形成され、
前記ロードトランジスタは１対の第１導電型の第１の不純物領域を有し、
前記ドライバトランジスタは１対の第２導電型の第２の不純物領域を有し、
前記第１と第２の不純物領域の一方同士は接しかつ前記第１と第２の不純物領域は直交する方向に配置される、請求項６に記載のスタティック半導体記憶装置。
【請求項８】
前記１対のアクセストランジスタと前記１対のドライバトランジスタは、前記ワード線と直交する方向に１列に配置される、請求項６または７に記載のスタティック半導体記憶装置。
【請求項９】
第１導電型の１対のアクセストランジスタと、第１導電型の１対のドライバトランジスタと、第２導電型の１対のロードトランジスタとが形成されるメモリセルと、
前記１対のロードトランジスタが形成される第１トランジスタ領域と、
前記第１トランジスタ領域と隣接して設けられ、前記アクセストランジスタおよび前記ドライバトランジスタが形成される第２トランジスタ領域と、
前記第１トランジスタ領域および前記第２トランジスタ領域を通り、前記メモリセル内に１本配線され、前記１対のアクセストランジスタのゲート電極に接続されたワード線と、
前記１対のアクセストランジスタにそれぞれ接続されたビット線対と、
を備えたスタティック半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記ワード線はメタル配線である、請求項９に記載のスタティック半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記１対のアクセストランジスタのゲート電極、前記１対のドライバトランジスタのゲート電極および前記１対のロードトランジスタのゲート電極の延在方向は、前記ワード線の延在方向である、請求項９または１０に記載のスタティック半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記ビット線対は、前記ワード線よりも上の層のメタル配線で形成された、請求項１０に記載のスタティック半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
それにより、上述の場合よりもさらにメモリセルをワード線方向に縮小できる。
この発明に係るＳＲＡＭは、さらに他の局面では、第１導電型の１対のアクセストランジスタと、第１導電型の１対のドライバトランジスタと、第２導電型の１対のロードトランジスタとが形成されるメモリセルと、１対のロードトランジスタが形成される第１トランジスタ領域と、第１トランジスタ領域と隣接して設けられアクセストランジスタおよびドライバトランジスタが形成される第２トランジスタ領域と、第１トランジスタ領域および第２トランジスタ領域を通りメモリセル内に１本配線され１対のアクセストランジスタのゲート電極に接続されたワード線と、１対のアクセストランジスタにそれぞれ接続されたビット線対とを備える。
上記ワード線は、好ましくは、メタル配線である。また、上記１対のアクセストランジスタのゲート電極、１対のドライバトランジスタのゲート電極および１対のロードトランジスタのゲート電極の延在方向は、ワード線の延在方向であることが好ましい。また、上記ビット線対は、好ましくは、ワード線よりも上の層のメタル配線で形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
登録された複数の映像及び又は音声素材を繋ぎ合わせて所望の編集映像及び又は編集音声を得るための編集内容を規定した編集リストに用いるエフエクトパターンを任意に作成して登録できる編集リスト作成装置において、
作成された上記エフエクトパターンのデータをフアイル化して外部記憶装置に格納する制御手段
を具えることを特徴とする編集リスト作成装置。
【請求項２】
上記エフエクトパターンの上記データは、
時系列の１又は複数の代表フレームを再現するための各種パラメータの値と、
各上記代表フレームにおけるパターン画像の画像データとを有し、
制御手段は、
各上記代表フレームにおける上記パターン画像の上記画像データを所定のフアイルフオーマツトに準じたフオーマツトで上記外部記憶装置に格納する
ことを特徴とする請求項１に記載の編集リスト作成装置。
【請求項３】
登録された複数の映像及び又は音声素材を繋ぎ合わせて所望の編集映像及び又は編集音声を得るための編集内容を規定した編集リストに用いるエフエクトパターンを任意に作成して登録できる編集リスト作成装置において、
上記エフエクトパターンを作成するための動作モード時、所望する上記エフエクトパターンを得るために各種パラメータの値を設定するための所定の設定画面を表示すると共に、マウスが動かすように操作されたときに、当該マウスの移動量に応じて上記設定画面内に表示された対応する上記パラメータの値を変化させる表示制御手段
を具えることを特徴とする編集リスト作成装置。
【請求項４】
上記マウスの横方向及び縦方向の移動量に応じて、上記設定画面内に表示された上記横方向又は上記縦方向にそれぞれ対応する２つの上記パラメータの値を変化させる
ことを特徴とする請求項３に記載の編集リスト作成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月17日(2005.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
スピンドルモータ１５が支持されたステータ基板２２には、上記３つの支柱２３ａ、２３ｂ、２３ｃに対応する位置に、ネジ挿通孔２５、２５、２５が形成され（図５参照）、これらネジ挿通孔２５、２５、２５のうち、ピックアップ用開口部２１ａの右縁部に立設された支柱２３ｂに対応するネジ挿通孔（以下、「基準ネジ挿通孔」という。）２５ｂが、スピンドルモータ１５のスピンドル軸２４を基準として精度良く位置決めされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この状態で、基準ネジ挿通孔２５ｂがピックアップ用開口部２１ａの右縁部に立設された支柱２３ｂのネジ孔に一致されているため、該支柱２３ｂの位置は、スピンドル軸２４との関係で、精度良く位置決めされる。これにより、該支柱２３ｂは、シャーシ１３における各部位、各部品等の取り付け位置、寸法等における基準となる位置決め部材として機能し、よって、以下、基準支柱２３ｂという。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
スレッドモータ１９を支持したモータ支持板４２がシャーシ１３の下面に３つの支柱４３、４３、４３を介して固定され、スレッドモータ１９はスレッドモータ用開口部２１ｃに位置される。スレッドモータ１９のロータ１９ａの外周部にはそのほぼ半周にわたって駆動ギヤ部４４が形成されている（図１３参照）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
そして、取付片５３の右前方を向いた開口縁５３ａには、押付片５５が斜め下方に向けて一体に形成され、また、左前方を向いた開口縁５３ｂには、位置決め片５４が下方に向けて折り曲げられるようにして一体に突設されている（図１９、図２０参照）。尚、位置決め片５４はスピンドル軸２４に対して位置精度良く形成されており、特に、位置決め片５４における左側縁５４ａは位置精度良く形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
1999297009.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
1999297009.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
1999297009.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
1999297009.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
1999297009.tif 000005
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
1999297009.tif 000006
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
1999297009.tif 000007
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
1999297009.tif 000008
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
1999297009.tif 000009
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
1999297009.tif 000010
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２８】
1999297009.tif 000011
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２９】
1999297009.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月17日(2005.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体ディスクを回転させるためのスピンドルモータと、該スピンドルモータが支持されたモータ支持板と、該モータ支持板が支柱を介して取着されたシャーシと、ピックアップを記録媒体ディスクの半径方向に案内するガイド軸とを備え、
ガイド軸の記録媒体ディスクにおける内周側の端部（以下、「内周側端部」という。）を上記支柱に押し付ける押圧手段を設け、該押圧手段によりガイド軸の内周側端部を上記支柱に押し付けることによりガイド軸の内周側端部の位置決めをした
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項２】
請求項１のディスクドライブ装置において、
上記モータ支持板がスピンドルモータのステータ基板である
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項３】
請求項１のディスクドライブ装置において、
上記押圧手段がシャーシに一体に形成された
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項４】
請求項２のディスクドライブ装置において、
上記押圧手段がシャーシに一体に形成された
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項５】
請求項１のディスクドライブ装置において、
ガイド軸の位置決めの基準とされた支柱が、モータ支持板をシャーシに対して取着するときの基準となる基準支柱である
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項６】
請求項２のディスクドライブ装置において、
ガイド軸の位置決めの基準とされた支柱が、モータ支持板をシャーシに対して取着するときの基準となる基準支柱である
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項７】
請求項３のディスクドライブ装置において、
ガイド軸の位置決めの基準とされた支柱が、モータ支持板をシャーシに対して取着するときの基準となる基準支柱である
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項８】
請求項４のディスクドライブ装置において、
ガイド軸の位置決めの基準とされた支柱が、モータ支持板をシャーシに対して取着するときの基準となる基準支柱である
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項９】
請求項１乃至４のディスクドライブ装置において、
ガイド軸の位置決めの基準とされた支柱がシャーシに一体に形成された
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【請求項１０】
請求項５乃至８のディスクドライブ装置において、
ガイド軸の位置決めの基準とされた支柱がシャーシに一体に形成された
ことを特徴とするディスクドライブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
スピンドルモータ１５が支持されたステータ基板２２には、上記３つの支柱２３ａ、２３ｂ、２３ｃに対応する位置に、ネジ挿通孔２５、２５、２５が形成され（図５参照）、これらネジ挿通孔２５、２５、２５のうち、ピックアップ用開口部２１ａの右縁部に立設された支柱２３ｂに対応するネジ挿通孔（以下、「基準ネジ挿通孔」という。）２５ｂが、スピンドルモータ１５のスピンドル軸２４を基準として精度良く位置決めされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この状態で、基準ネジ挿通孔２５ｂがピックアップ用開口部２１ａの右縁部に立設された支柱２３ｂのネジ孔に一致されているため、該支柱２３ｂの位置は、スピンドル軸２４との関係で、精度良く位置決めされる。これにより、該支柱２３ｂは、シャーシ１３における各部位、各部品等の取り付け位置、寸法等における基準となり、以下、基準支柱２３ｂという。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
請求項５乃至請求項１０に記載した発明にあっては、基準ガイド軸の位置決めの基準とする支柱を、モータ支持板をシャーシに対して取着するときの基準となる基準支柱としたので、また、この基準支柱をシャーシに一体に形成したので、更に、基準ガイド軸のスピンドル軸に対する位置精度を向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
1999297008.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
1999297008.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
1999297008.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
1999297008.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の電気二重層コンデンサでは、導電性接着層のバインダ成分である、エポキシ系樹脂を硬化剤を使用して硬化させてなる、溶剤除去後のエポキシ樹脂は耐熱性が高いため、電極を集電体と接合させた後でも高温下で加熱又は減圧下で加熱処理することによって炭素材料中にある水分を充分に乾燥除去できる。また、上記バインダ成分は有機電解液に対する耐性があり、含フッ素樹脂をバインダとする電極シートと金属等の集電体との接着強度もきわめて優れる。このため、大電流密度で充放電サイクルを繰り返しても、長期間にわたって電圧を印加しても、作動性能が安定しており、電極の内部抵抗の増加を少なくできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記バインダ成分に用いるエポキシ系樹脂は樹脂粉末又はワニスとして入手できるので、必要に応じて溶剤に溶解して溶液とし、この溶液に硬化剤と、導電性フィラーとしてカーボンブラックや黒鉛微粒子とを均一に分散させることにより懸濁液状の接着剤が得られる。この接着剤を集電体の表面に塗工し、次いでこの塗工面にあらかじめシート状に成形した電極をのせて圧着し、加熱乾燥することにより電極と集電体が一体化した電極体が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
［導電性接着剤（ｅ）］
エポキシ系樹脂としてエピコート８２７のかわりにフェノールノボラックタイプのエピコート１５４（油化シェルエポキシ社製）を１．８ｇを用いた以外は導電性接着剤（ａ）と同様にして調製した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体の上部に設けられたヒータの熱を利用して、該ヒータ内に搬入された基板の皮膜処理を行うようにした縦型皮膜処理装置において、
前記ヒータを、前記装置本体において、前記装置本体の上部からその下方にかけて上下動させるヒータ可動手段を備えたことを特徴とする縦型皮膜処理装置。
【請求項２】
前記ヒータ可動手段は、前記基板を前記ヒータ内に搬入するボートエレベータを用いて構成されることを特徴とする請求項１記載の縦型皮膜処理装置。
【請求項３】
装置本体の上部に設けられたヒータの熱を利用して、該ヒータ内に搬入された基板の皮膜処理を行うようにした縦型皮膜処理装置の移設方法において、
前記装置の移設前に、前記ヒータを前記装置本体の上部から下方に移動させ、前記ヒータを前記下方に支持して前記装置を移設し、前記装置の移設後に、前記ヒータを前記装置本体の上部に移動させるようにしたことを特徴とする縦型皮膜処理装置の移設方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の表面を有する基板と、
前記基板の上に形成された配線であって、該配線がバリア層とＣｕ層との積層構造を有し、該バリア層が前記Ｃｕ層のＣｕ原子の下地基板への拡散を防止する材料で形成され、前記バリア層とＣｕ層との界面に不純物が析出しており、該Ｃｕ層内に、前記界面に析出している不純物と同一の不純物を含み、その不純物濃度が、該Ｃｕ層とバリア層との界面から離れるに従って低くなっている前記配線と
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記不純物が、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｔｉ、Ａｌからなる群より選ばれた少なくとも１つの不純物である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体素子が形成された基板の表面上に、層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記層間絶縁膜に、配線用の溝を形成する工程と、
前記配線用の溝の内面及び前記層間絶縁膜の表面上に、Ｃｕ原子の拡散を防止する材料からなるバリア層を堆積する工程と、
前記バリア層の表面上に、不純物を含んだＣｕからなるシード層を堆積する工程と、
前記シード層の上に、前記配線用の溝内を埋め尽くすように、めっき法によりＣｕからなる導電層を堆積する工程と、
前記基板を加熱し、前記シード層内の不純物を、少なくとも該シード層と前記バリア層との界面に析出させる工程と、
前記層間絶縁膜の上面が露出するまで、前記導電層、シード層、及びバリア層を除去し、表面を平坦化する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記平坦化する工程を、前記析出させる工程の前に行う請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記配線用の溝を形成する工程の前に、さらに、前記層間絶縁膜に、該層間絶縁膜を貫通するビアホールを形成する工程を含み、
前記配線用の溝を形成する工程において、前記ビアホールと部分的に重なるように、前記層間絶縁膜の厚さよりも浅い前記溝を形成し、
前記バリア層を堆積する工程、及び前記シード層を堆積する工程において、前記溝の内面上にも前記バリア層及びシード層を堆積し、
前記導電層を堆積する工程において、前記溝内をも埋め尽くすように前記導電層を堆積する請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記不純物が、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｔｉ、Ａｌからなる群より選ばれた少なくとも１つの不純物である請求項３〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記析出させる工程において、前記基板を温度３００℃以上に加熱する請求項３〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記析出させる工程において、圧力１×１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空中で熱処理を行う請求項３〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月19日(2005.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長抑制効果のある物質からなるストライプ状の第１のパターン化マスクを含む基板上に窒化物半導体結晶を成長させる結晶製造方法において、
前記第１のパターン化マスクが形成された面とは異なる面上に成長抑制効果のある物質からなるストライプ状の第２のパターン化マスクを形成する工程と、
窒化物半導体を結晶成長させる工程とを具備することを特徴とする結晶製造方法。
【請求項２】
前記第２のパターン化マスク部分が前記第１のパターン化マスクの開口部（欠如部）の上方に形成される工程を具備することを特徴とする請求項１に記載の結晶製造方法。
【請求項３】
前記第２のパターン化マスクの幅が前記第１のパターン化マスクの開口部（欠如部）の幅よりも大きくされる工程を具備することを特徴とする請求項２に記載の結晶製造方法。
【請求項４】
前記第２のパターン化マスクの幅が前記第１のパターン化マスクの開口部（欠如部）の幅よりも小さくされる工程を具備することを特徴とする請求項２に記載の結晶製造方法。
【請求項５】
前記第１のパターン化マスクの開口部から窒化物半導体結晶が成長する工程と、
前記基板に垂直な方向への前記窒化物半導体結晶の成長が前記第２のパターン化マスクで停止する工程と、
その後に、前記窒化物半導体結晶が基板と平行に成長する工程と、
最終的に、前記窒化物半導体結晶が基板全面に渡って成長する工程を具備することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の結晶製造方法。
【請求項６】
前記第１のパターン化マスクと同じ材料で前記第２のパターン化マスクが形成される工程を具備することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の結晶製造方法。
【請求項７】
前記第１のパターン化マスクの開口部から成長しかつ連続膜でない島状の窒化物半導体結晶の上面に前記第２のパターン化マスクを形成する工程を具備することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の結晶製造方法。
【請求項８】
前記基板がＧａＮ基板であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の結晶製造方法
【請求項９】
請求項１から８のいずれかの結晶製造方法を用いて作製した基板を用いて形成されていることを特徴とする発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わる結晶成長方法は、異なる面に第２成長抑制物質からなるパターン化したマスクを用いている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係わる第２のパターン化したマスクは、光遮蔽部が第１のパターン化したマスクによる成長結晶の上部に位置している。言い換えれば、第１マスクと第２のマスクのパターンは相反したパターンとなっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係わる第２のマスクの光遮蔽部分は、第１のマスクの光開口部分より大きすることが好ましい。ただし、第２のマスクの光遮蔽部分は、第１のマスクの光開口部分より小さくされてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係わる結晶成長方法では、基板から直上のマスクで垂直方向の成長が停止しその成長方向を変更している。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に係わる結晶成長方法では、第１のパターン化マスクと同じ材料で第２のパターン化マスクが形成される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明に係わる結晶成長方法では、第１のパターン化マスクの開口部から成長しかつ連続膜でない島状の窒化物半導体結晶の上面に第２のパターン化マスクを形成する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係わる結晶成長方法では、基板がＧａＮ基板である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に係わる発光素子は、上述のような成長結晶上に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月5日(2005.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸化ニッケルを活物質の主体とする正極と、負極と、セパレータおよび水酸化カリウムと水酸化ナトリウムと水酸化リチウムとを含有するアルカリ電解液を備えたアルカリ蓄電池であって、正極にはコバルト化合物と亜鉛化合物が含有され、かつ電解液に亜鉛が含有されていることを特徴とするアルカリ蓄電池。
【請求項２】
電解液に含有されている亜鉛が、０．１〜１Ｍであることを特徴とする請求項１記載のアルカリ蓄電池。
【請求項３】
正極に含有されている亜鉛化合物の量10が、水酸化ニッケルに対する亜鉛の量に換算して１〜１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１または２記載のアルカリ蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、水酸化ニッケルを活物質の主体とする正極と、負極と、セパレータおよび水酸化カリウムと水酸化ナトリウムと水酸化リチウムとを含有するアルカリ電解液を備えたアルカリ蓄電池であって、正極にはコバルト化合物と亜鉛化合物が含有され、かつ電解液に亜鉛が含有されていること、また、電解液に含有されている亜鉛が、０．１〜１Ｍであること、さらに、正極に含有されている亜鉛化合物の量が、水酸化ニッケルに対する亜鉛の量に換算して１〜１０ｗｔ％であることを特徴とする
なお、活物質の水酸化ニッケルには、コバルトおよび亜鉛が共沈されている場合に、その効果が大きい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】水素吸蔵合金焼結体及びアルカリ蓄電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
急冷法により得た水素吸蔵合金の粉末を、成形、焼結した水素吸蔵合金焼結体であって、上記水素吸蔵合金の組成が、一般式
Ｒ（Ｎｉ）a （Ｍｎ）b （Ａｌ）c （Ｃｏ）d （Ｍ）e
（式中、Ｒは、Ｌａ単独又はＬａと一以上の希土類元素との混合物である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｘは、原子比を表す係数であり、それぞれ
１．８≦ａ≦５．５
０．０≦ｂ≦０．６
０．０≦ｃ≦０．４
０．０≦ｄ≦１．０
０．０≦ｅ≦０．２
４．０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦５．５
からなる数を表す。
また、Ｍは、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｍｏ、及びＺｒからなる一群から選ばれた少なくとも一種の元素である。）
で表せる水素吸蔵合金焼結体。
【請求項２】
上記水素吸蔵合金の粉末が、１〜２０μｍの平均粒径を有する請求項１に記載の水素吸蔵合金焼結体。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の水素吸蔵合金焼結体を負極に用いたアルカリ蓄電池。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、水素吸蔵合金の焼結多孔体およびその製造方法に関する。