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【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
半導体集積回路の規模が増大すると、キャパシタ上部電極１０８ｂ，１０８ｄに電圧が印加される実効的な時間が、ゲート電極１０８ａ，１０８ｃのそれよりも長くかかることがある。これに伴い、キャパシタ誘電体膜１０７ｂ，１０７ｄには、ゲート酸化膜１０７ａ，１０７ｃよりも高い信頼性が要求される。特に、ＭＯＳキャパシタ１０６ｂ，１０６ｄがデカップリングキャパシタとして使用されている場合には、キャパシタ上部電極１０８ｂ，１０８ｄに直流電圧が継続的に印加されるため、キャパシタ誘電体膜１０７ｂ，１０７ｄには、より高い信頼性が要求される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
このように本実施の形態５に係る半導体装置及びその製造方法によれば、図２５に示したように、第３の素子形成領域を覆ってフォトレジスト４０を形成した後、このフォトレジスト４０を注入マスクに用いて、シリコン層３内にＰ型不純物４１がイオン注入される。従って、Ｐ型不純物４１のイオン注入によって第３の素子形成領域におけるシリコン層３がダメージを受けることはないため、キャパシタ誘電体膜３６ｃの信頼性を高めることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図３７は、本実施の形態８に係る半導体装置が適用された回路の第１の例を示す回路図である。低電圧回路５７及び高電圧回路５８には、図３６に示したＮＭＯＳＦＥＴ５０ａ及びＮＭＯＳＦＥＴ５０ｂがそれぞれ含まれている。低電圧回路５７には、比較的低い電源電位を供給する電源５５が接続されている。高電圧回路５８には、比較的高い電源電位を供給する電源５６が接続されている。低電圧回路５７及び高電圧回路５８には、ＧＮＤ電位を与える共通配線が接続されている。ＭＯＳキャパシタ５０ｃは、電源５５と共通配線との間に接続されており、低電圧回路５７用のデカップリングキャパシタとして機能する。ＭＯＳキャパシタ５０ｄは、電源５６と共通配線との間に接続されており、高電圧回路５８用のデカップリングキャパシタとして機能する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
また、この発明のうち請求項６に係るものによれば、第１濃度が半導体基板のそもそもの不純物濃度である場合、半導体装置の製造方法は以下の工程を備える。即ち、第２の素子形成領域を覆ってフォトレジストを形成し、このフォトレジストを注入マスクに用いて半導体基板の第１主表面内に不純物をイオン注入することによって、第１の素子形成領域における半導体基板内に不純物導入領域を形成する工程を備える。従って、このイオン注入によって第２の素子形成領域における半導体基板がダメージを受けることはないため、その後に第２の素子形成領域における半導体基板の第１主表面上に形成されるキャパシタ誘電体膜の信頼性を高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
2003347419.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、近年ＧＳＭ方式と呼ばれる携帯電話の基準発振に使用される主振動が２６ＭＨｚ（メガヘルツ）帯の水晶振動片または水晶ブランクでは、これを用いた水晶発振器の場合、基地局との周波数ずれを常に電圧制御で補正するために、所定の上述したような周波数可変感度ＣＳとして１７ｐｐｍ（／ｐＦ・ａｔ１０ｐＦ）以上を必要とする。
尚、ここで、周波数可変感度が１７ｐｐｍ（／ｐＦ・ａｔ１０ｐＦ）とは、図１７で説明した負荷容量Ｃを１０ｐＦ（ピコファラド）の近傍で可変した場合に、１ｐＦ当たり、１７ｐｐｍ（Ｐａｒｔｓ  Ｐｅｒ  Ｍｉｌｌｉｏｎ）の周波数変化を意味する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
従来技術においては、長さ３．２ｍｍ、幅２．５ｍｍのパッケージに収容される水晶振動子では周波数可変感度ＣＳは１２ないし１３ｐｐｍ（／ｐＦ・ａｔ１０ｐＦ）が一般的である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月12日(2005.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記整合回路は、
前記第２のモードにおいて前記第１の増幅素子の出力に寄生する誘導性リアクタンスと容量性リアクタンスに対して並列共振回路を形成するキャパシタと、
前記第２のモードにおいて前記キャパシタを前記第１の増幅素子の出力と固定電位との間に接続し、前記第１のモードにおいて前記キャパシタの少なくとも一方電極を開放状態とするスイッチ回路とを含む、請求項９に記載の電力増幅器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
式（１）において、Ｎを−８０ｄＢｍ以下に抑圧する場合、雑音指数Ｆと利得Ｇとを合わせて４４ｄＢ以下にする必要がある。すなわち、雑音指数Ｆを６〜１０ｄＢと仮定すると、利得Ｇは少なくとも３４〜３８ｄＢの低利得にする必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
請求項１０に記載の電力増幅器は、請求項９に記載の電力増幅器の構成に加えて、整合回路は、第２のモードにおいて第１の増幅素子の出力に寄生する誘導性リアクタンスと容量性リアクタンスに対して並列共振回路を形成するキャパシタと、第２のモードにおいてキャパシタを第１の増幅素子の出力と固定電位との間に接続し、第１のモードにおいてキャパシタの少なくとも一方電極を開放状態とするスイッチ回路とを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
表１を参照して、制御電圧Ｖｐｃが０Ｖに設定されると、増幅部２８，３０はともにオフ状態になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
図１０を参照して、増幅部２８Ｆは、図６で説明した増幅部２８Ｂの構成において、段間整合回路８０に代えて段間整合回路８０Ｆを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記被遮光画素に隣接する被遮光画素ではない前記画素の出力信号に基づいて前記被遮光画素の出力信号を補正することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、固体撮像装置は、予め光検出部に強度が略均一な光を入射させて基準出力信号を求め、被遮光画素の出力信号を基準出力信号に基づいて補正することを特徴としてもよい。または、固体撮像装置は、被遮光画素に隣接する被遮光画素ではない画素の出力信号に基づいて被遮光画素の出力信号を補正することを特徴としてもよい。これらのように被遮光画素、またはそれ以外の画素の出力信号を補正に用いることによって、被遮光画素の出力信号の補正を容易にすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2003347539.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体基板および第２半導体基板を含む複数の半導体基板を前記第１半導体基板の結晶方位と前記第２半導体基板の結晶方位とが互いにずれるように貼り合わせることにより形成された第３半導体基板、
前記第３半導体基板上に形成された絶縁層、
前記絶縁層上に形成された半導体層、および、
前記半導体層に形成された半導体素子、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１半導体基板と前記第１半導体基板の酸素濃度より高い酸素濃度を有する第２半導体基板とを含む複数の半導体基板を前記第１半導体基板の結晶方位と前記第２半導体基板の結晶方位とが互いにずれるように貼り合わせることにより形成された第３半導体基板、
前記第３半導体基板上に形成された絶縁層、
前記絶縁層上に形成された半導体層、および、
前記半導体層に形成された半導体素子、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ＦＺ法によって形成された第１半導体基板とＣＺ法によって形成された第２半導体基板とを含む複数の半導体基板を前記第１半導体基板の結晶方位と前記第２半導体基板の結晶方位とが互いにずれるように貼り合わせることにより形成された第３半導体基板、
前記第３半導体基板上に形成された絶縁層、
前記絶縁層上に形成された半導体層、および、
前記半導体層に形成された半導体素子、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１半導体基板および前記第１半導体基板の酸素濃度より高い酸素濃度を有する第２半導体基板を含む複数の半導体基板を用意する工程、
前記第１半導体基板の結晶方位と前記第２半導体基板の結晶方位とが互いにずれるように前記複数の半導体基板を貼り合わせることにより第３半導体基板を形成する工程、
前記第３半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、
前記絶縁膜上に半導体層を形成する工程、および、
前記半導体層に半導体素子を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ＳＯＩ基板の製造方法には、たとえば、１９９７年６月１日、株式会社工業調査会発行、「電子材料６月号」、ｐ２２〜ｐ３３に記載されているように、酸化膜を挟んで２枚のシリコン基板を熱処理によって接合する「貼り合わせ法」や、水素イオン注入によりシリコン層を剥離して薄膜ＳＯＩを形成する「スマートカット法」などがある。また、特開平７−３３５５１１号公報には、（１１１）面と（１１１）面のウエハを貼り合わせて強靭で割れにくい貼り合わせウエハの開示がある。また、特開平９−２４６５０５号公報には、支持基板のウエハとボンド基板のウエハの結晶軸の方向を４５°ずらして酸化膜を介して貼り合わせる開示がある。特開平９−３２０９１２号公報には、同じ面方位のウエハを結晶軸方位を互いにずらして重ね合わせて貼り合わせて半導体基板とする開示がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月23日(2004.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端側に空気が流入する吸気面と、他端側に空気が排出される排気面とを有する、電子機器を収納するための複数のボックスと、
前記ボックスを重ねて収容するとともに、前記吸気面に相対する側面が通気可能で、該側面に垂直な底面が略気密である筐体と、
前記筐体の前記底面に相対する通気可能な天井側に配設されており、前記ボックスの前記吸気面と前記排気面と前記筐体の内部の通風経路とを通って該筐体の外部へと空気を流す排気ファンと、
を備えてなる電子機器の冷却構造であって、
通気孔を有することで風量を調節する抵抗体が、前記ボックスの前記排気面に配設され、該抵抗体の前記排気ファンからの距離が短くなるほど、該抵抗体の前記通気孔の総面積が小さくしてなることを特徴とする電子機器の冷却構造。
【請求項２】
前記抵抗体において、前記通気孔は微小かつ多数形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項３】
前記排気ファンから最も距離の長い前記ボックスには抵抗体が配設されていないことを特徴とする請求項１に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項４】
前記抵抗体は、前記ボックス毎の前記排気面に配設されてなることを特徴とする請求項１に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項５】
前記抵抗体は、前記ボックスの内部における前記排気面に配設されてなることを特徴とする請求項１に記載の電子機器の冷却構造。
【請求項６】
一端側に空気が流入する吸気面と、他端側に空気が排出される排気面である多角形の通気窓を有するプラッタと、を有し、複数の磁気ディスク装置を収納するための複数のボックスと、
二個の前記ボックスがプラッタを相対して間隙を保って配置されて形成されるユニットを重ねて収容するとともに、前記吸気面に相対する側面が通気可能で、該側面に垂直な底面が略気密である筐体と、
前記筐体の前記底面に相対する通気可能な天井側に配設されており、前記ボックスの前記吸気面と、前記通気窓と、前記筐体の内部の通風経路とを通って該筐体の外部へと空気を流す排気ファンと、
を備えてなるディスクアレイ装置であって、
微小かつ多数形成されてなる通気孔を有することで風量を調節する風量抵抗板が、前記各ボックスの前記プラッタの前記通風経路側に配設され、該風量抵抗板の前記排気ファンからの距離が短くなるほど、該風量抵抗板の前記通気孔の総面積が小さくしてなることを特徴とするディスクアレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上ケースと、下ケースと、画像表示部を有するプリント基板ユニットとを備えるテレビドアホン本体ユニットと、前記テレビドアホン本体ユニットの表面を覆うパネルと、前記パネルを前記テレビドアホン本体ユニットに固定する固定部材とを有し、前記上ケース表面から前記固定部材を外すことにより前記パネルを交換するように構成したことを特徴とするテレビドアホン装置。
【請求項２】
前記テレビドアホン本体ユニットと前記パネルとの隙間にシートを有し、前記固定部材を外すことにより前記シートを交換するように構成したことを特徴とする請求項１に記載のテレビドアホン装置。
【請求項３】
前記テレビドアホン本体ユニットと前記パネルとが固定された状態で、前記固定部材を外さずに、前記テレビドアホン上面から前記シートの抜き差しを行って前記シートを交換するように構成したことを特徴とする請求項２に記載のテレビドアホン装置。
【請求項４】
前記テレビドアホン本体ユニットの固定部は、前記固定部材を挿入するための天面部分が略小判形状のボスを有し、前記パネルの固定部は、前記固定部材の頭部が入り込む凹所と前記ボスが貫通する略小判形状の孔とを有し、前記パネルを前記固定部材で前記テレビドアホン本体ユニットに固定する際に、前記凹所よりも微かに高い位置に前記ボスの天面がくるように前記ボスが形成され、前記固定部材が前記パネルに負荷をかけないように構成したことを特徴とする請求項１に記載のテレビドアホン装置。
【請求項５】
上ケースと、下ケースと、画像表示部を有するプリント基板ユニットとを備えるテレビドアホン本体ユニットと、前記テレビドアホン本体ユニットの表面を覆うパネルと、前記パネルに配した磁気シートを有し、固定部材なしで前記パネルを交換可能に構成したことを特徴とするテレビドアホン装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、この発明のテレビドアホン装置は、前記テレビドアホン本体ユニットの固定部は、前記固定部材を挿入するための天面部分が略小判形状のボスを有し、前記パネルの固定部は、前記固定部材の頭部が入り込む凹所と前記ボスが貫通する略小判形状の孔とを有し、前記パネルを前記固定部材で前記テレビドアホン本体ユニットに固定する際に、前記凹所よりも微かに高い位置に前記ボスの天面がくるように前記ボスが形成され、前記固定部材が前記パネルに負荷をかけないように構成することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層により構成された半導体積層構造を有する半導体レーザ素子であって、異ならしめた幅を有する複数のストライプ状導波路が前記半導体積層構造中に含まれていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記複数のストライプ状導波路の幅の最小から最大までの変化量が０．６μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記複数のストライプ状導波路は互いに電気的に分離されており、選択された一つの導波路に電力が供給されるようにワイヤが接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記複数のストライプ状導波路の上方には電極層が形成されており、選択された一つのストライプ状導波路の上方では前記電極層下に電流阻止層が形成されておらず、他のストライプ状導波路の上方では前記電極層下に電流阻止層が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記電極層は、前記電流阻止層の少なくとも一部に接して形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記電流阻止層は、酸化物、窒化物、金属間化合物、およびノンドープ半導体から選択しうる絶縁体または抵抗率の大きい物質からなることを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記複数のストライプ状導波路のうちで選択されて電力が供給される導波路が前記レーザ素子の中央部に位置していることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記複数のストライプ状導波路の異なる幅に対応したマーカーが設けられていることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記ストライプ状導波路上方の電極において、電力を供給するためのワイヤを取り付けるための幅広領域が設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記半導体レーザ素子の活性層がＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ（０≦Ｘ≦１；０≦Ｙ≦１；０≦Ｘ＋Ｙ≦１）からなる量子井戸構造をなし、前記活性層がクラッド層により挟まれていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記半導体レーザ素子の活性層がＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＰ1-ZＡｓZ（０≦Ｘ≦１；０≦Ｙ≦１；０≦Ｚ≦１；０≦Ｘ＋Ｙ≦１)からなる量子井戸構造をなし、前記活性層がクラッド層により挟まれていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項１２】
ＧａＮ系半導体からなるクラッド層に挟まれた活性層を含む半導体積層構造を有するＧａＮ系半導体レーザ素子であって、両側方の領域に比べて実効的に大きい屈折率を有する複数のストライプ状領域が互いに幅を異ならしめて前記半導体積層構造中に設けられていることを特徴とするＧａＮ系半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記ストライプ状領域が結晶の選択成長を利用して形成されていることを特徴とする請求項１２に記載のＧａＮ系半導体レーザ素子。
【請求項１４】
ＧａＮ系半導体からなるクラッド層に挟まれた活性層を含む半導体積層構造を有するＧａＮ系半導体レーザ素子であって、前記半導体積層構造中で長手方向に少なくとも一つの狭隘部とその狭隘部に比べて幅の大きな幅広部とを含むストライプ状導波路の複数が形成されており、前記複数のストライプ状導波路は前記狭隘部と前記幅広部の設計値幅が互いに同じ変化幅または変化割合で異ならしめられた導波路を含むことを特徴とするＧａＮ系半導体レーザ素子。
【請求項１５】
基板上に堆積されたＧａＮ系半導体レーザ積層構造を有していて前記積層構造をチップに分割すべき複数のチップ領域を含むＧａＮ系レーザウエハであって、前記チップ領域の各々は幅を異ならしめた複数のストライプ状導波路を含み、それらのストライプ状導波路の選択手段を備えていることを特徴とするＧａＮ系半導体レーザウエハ。
【請求項１６】
前記選択手段は、前記レーザウエハの一部領域に設けられた共振器を含むレーザ素子構造であることを特徴とする請求項１５に記載のＧａＮ系半導体レーザウエハ。
【請求項１７】
基板上にＧａＮ系半導体レーザ積層構造を堆積する工程と、少なくともいくつかの幅を互いに異ならしめた複数のストライプ状導波路を前記レーザ積層構造中に形成する工程と、前記複数のストライプ状導波路の各々に対応して共振器を含むレーザ構造を作製する工程と、その共振器を含むレーザ構造を利用して前記複数のストライプ状導波路を選択する工程とを含むことを特徴とするＧａＮ系半導体レーザの製造方法。
【請求項１８】
前記ストライプ状導波路を選択する工程は、前記共振器を含むレーザ構造に電流を注入して出射されたレーザ光を観察することによってなされることを特徴とする請求項１７に記載のＧａＮ系半導体レーザの製造方法。
【請求項１９】
前記ストライプ状導波路を選択する工程は、前記レーザ構造に励起光を照射することによって出射されたレーザ光を観察することによってなされることを特徴とする請求項１７に記載のＧａＮ系半導体レーザの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
複数のストライプ状導波路は互いに電気的に分離されており、選択された一つの導波路に電力が供給されるようにワイヤが接続され得る。他方、複数のストライプ状導波路の上方には電極層が形成され、選択された一つのストライプ状導波路の上方では電極層下に電流阻止層が形成されず、他のストライプ状導波路の上方では電極層下に電流阻止層が形成されていてもよい。電極層は、電流阻止層の少なくとも一部に接して形成され得る。電流阻止層は、酸化物、窒化物、金属間化合物、およびノンドープ半導体から選択しうる絶縁体または抵抗率の大きい物質で形成し得る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ側の窒化物半導体層と、ｐ側の窒化物半導体層との間に、Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、
前記活性層の井戸層はアンドープであり、前記障壁層にｎ型不純物がドープされておりかつ、ｐ側の窒化物半導体に接近した側が障壁層で終わり、最後の障壁層には、隣接したｐ型不純物を含む層からの不純物拡散によるｐ型不純物が含まれ、
前記ｐ側の窒化物半導体層には、活性層に接近した側にＡｌを含む窒化物半導体、若しくはＧａＮよりなる第３の窒化物半導体層を有し、さらに第３の窒化物半導体層よりも活性層から離れた側にＡｌを含む窒化物半導体層を含む超格子からなる第４の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
ｎ側の窒化物半導体層と、ｐ側の窒化物半導体層との間に、Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記多重量子井戸構造は、ｐ側の窒化物半導体に接近した側が障壁層で終わっており、少なくとも最後の井戸層がアンドープで、最後の障壁層にｎ型不純物がドープされ、さらに最後の障壁層には、隣接したｐ型不純物を含む層からの不純物拡散によるｐ型不純物が含まれ、
前記ｐ側の窒化物半導体層には、活性層に接近した側にＡｌを含む窒化物半導体、若しくはＧａＮよりなる第３の窒化物半導体層を有し、さらに第３の窒化物半導体層よりも活性層から離れた側にＡｌを含む窒化物半導体層を含む超格子からなる第４の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記最後の障壁層に隣接するｐ型不純物を含む層は、活性層の障壁層よりも大きなバンドギャップエネルギーを有するＭｇドープのＡｌＧａＮであることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記最後の障壁層に隣接するｐ型不純物を含む層に隣接して、該ｐ型不純物を含む層よりもバンドギャップエネルギーが小さい層を有することを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記窒化物半導体素子はレーザ素子であって、前記ｐ型不純物を含む層よりもバンドギャップエネルギーの小さい層は、導波路領域を形成する層であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記ｐ側の超格子からなる窒化物半導体層のＡｌ含有量が、活性層に接近するにつれて少なくなるようにされていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記ｐ側の超格子層からなる窒化物半導体層には、その層の導電型を決定する不純物がドープされており、その不純物が活性層に接近するにつれて少なくなるよう調整されていることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
前記多重量子井戸構造の全井戸層数が２であることを特徴とする請求項１乃至７の内のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】
前記ｎ側の窒化物半導体層には、活性層に接近した側にＩｎを含む窒化物半導体、若しくはＧａＮよりなる第１の窒化物半導体層を有し、さらに第１の窒化物半導体層よりも活性層から離れた側にＡｌを含む窒化物半導体層を含む超格子からなる第２の窒化物半導体層を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体素子は主として２種類の態様より成り、第１の態様は、ｎ側の窒化物半導体層と、ｐ側の窒化物半導体層との間に、Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記活性層の井戸層はアンドープであり、前記障壁層にｎ型不純物がドープされておりかつ、ｐ側の窒化物半導体に接近した側が障壁層で終わり、最後の障壁層には、隣接したｐ型不純物を含む層からの不純物拡散によるｐ型不純物が含まれ、前記ｐ側の窒化物半導体層には、活性層に接近した側にＡｌを含む窒化物半導体、若しくはＧａＮよりなる第３の窒化物半導体層を有し、さらに第３の窒化物半導体層よりも活性層から離れた側にＡｌを含む窒化物半導体層を含む超格子からなる第４の窒化物半導体層を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第２の態様は、ｎ側の窒化物半導体層と、ｐ側の窒化物半導体層との間に、Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記多重量子井戸構造は、ｐ側の窒化物半導体に接近した側が障壁層で終わっており、少なくとも最後の井戸層がアンドープで、最後の障壁層にｎ型不純物がドープされ、さらに最後の障壁層には、隣接したｐ型不純物を含む層からの不純物拡散にによるｐ型不純物が含まれ、前記ｐ側の窒化物半導体層には、活性層に接近した側にＡｌを含む窒化物半導体、若しくはＧａＮよりなる第３の窒化物半導体層を有し、さらに第３の窒化物半導体層よりも活性層から離れた側にＡｌを含む窒化物半導体層を含む超格子からなる第４の窒化物半導体層を有することを特徴とする。本発明においてｎ側の窒化物半導体とは活性層を挟んで、一方の窒化物半導体層に少なくともｎ型窒化物半導体層を含む半導体層側を指し、ｐ側の窒化物半導体とは、活性層を挟んでｎ側の窒化物半導体と反対側にある窒化物半導体を指すものとする。なお、本発明の第１及び第２の態様において、多重量子井戸構造は井戸層から始まる方が閾値が低下しやすい傾向にある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層（以下、下地化合物半導体層と言う）上に有する窒化ガリウム系半導体素子において、
前記下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域のいずれの１μｍ幅領域でも、前記下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より深い深さの凹部が幅方向の線上に２個以上存在するように、凹部が表面全域に分散して存在していることを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項２】
金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層（以下、下地化合物半導体層と言う）上に有する窒化ガリウム系半導体素子において、
前記下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域のいずれの１μｍ幅領域でも、凹凸を構成する凸部の頂部と凸部に隣接する凹部の底部との高さの差（段差）が前記下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より大きな凹凸が幅方向の線上に２個以上存在するように、凹凸が表面全域に分散して存在していることを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項３】
金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層（以下、下地化合物半導体層と言う）上に有する窒化ガリウム系半導体素子において、
前記下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域に凹凸が分散して存在し、表面全域のいずれの１μｍ四方の領域に存在する凹凸も、凹凸のＲｍｓ（高さの標準偏差）が０．２５ｎｍより大きいことを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項４】
金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層（以下、下地化合物半導体層と言う）上に有する窒化ガリウム系半導体素子において、
前記下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域に、前記下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より深い溝深さで、溝幅が３ｎｍ以上１００ｎｍ以下の溝状の凹部が、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の間隔で不規則な網目状に延在していることを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項５】
表面全域のいずれの１μｍ四方の領域に存在する凹凸も、凹凸のＲｍｓ（高さの標準偏差）が０．２５ｎｍより大きいことを特徴とする請求項４に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項６】
前記下地化合物半導体層がｐ型半導体層であることを特徴とする請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項７】
前記窒化ガリウム系半導体素子が発光素子であることを特徴とする請求項１から６のうちのいずれか１項に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項８】
金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層（以下、下地化合物半導体層と言う）上に有する窒化ガリウム系半導体素子の製造方法において、前記下地化合物半導体層を成長させる際、
所定膜厚の前記下地化合物半導体層を第１の所定温度でエピタキシャル成長させた後、前記下地化合物半導体を成長させる原料ガスを成膜チャンバに導入し続けつつ第１の所定温度より低い第２の所定温度に降温するステップと、
前記第２の所定温度で所定時間維持するステップと、
次いで、窒素原料ガス以外の原料ガスの供給を停止し、窒素原料ガスを導入し続けつつ室温まで降温するステップと
を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記下地化合物半導体層をＧａＮで形成するときには、前記第１の所定温度が８００℃以上１０５０℃以下、前記第２の所定温度が４００℃以上８５０℃以下、前記所定時間が５秒以上６０秒以下であることを特徴とする請求項８に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第１〜第５の固体レーザ１１〜１５は、レーザ光を射出する。固体レーザは、半導体を除く結晶やガラスなどの透明物質を母体材料とし、母体材料中に希土類イオンや遷移金属イオンなどをドープした固体レーザ材料を、光によって励起してレーザビームを出射する。固体レーザの例としては、母体材料にガラスを用いてＮｄ３＋をドープしたガラスレーザや、ルビーにＣｒ３＋をドープしたルビーレーザ、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）にＮｄ３＋をドープしたＹＡＧレーザ、さらに、それらのレーザの波長を非線形光学結晶を用いて波長変換したレーザなどが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アンモニア、過酸化水素、強アルカリ性成分および水を含む処理液を用い、シリコンウエハの表面を洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記強アルカリ性成分は、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】  請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドは、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドまたはテトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】  請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記処理液のｐＨは、８〜１１であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】  以下の工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）アンモニア、過酸化水素、強アルカリ性成分および水を含む処理液を用い、シリコンウエハの表面を洗浄する工程、
（ｂ）前記シリコンウエハを熱処理することによって、その表面にゲート酸化膜を形成する工程、
（ｃ）前記ゲート酸化膜の上部に堆積した導電膜をパターニングすることによって、ゲート電極を形成する工程。
【請求項６】  アミン、過酸化水素、強アルカリ性成分および水を含む処理液を用い、シリコンウエハの表面を洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】  請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記アミンは、モノメチルアミン、モノエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミンまたはトリエチルアミンのいずれか一つであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を準備する工程、
前記半導体基板上に第１の膜を形成する工程、
前記第１の膜上に窒素を含有しない第２の膜を形成する工程、
前記第２の膜上に窒素を含むマスクパターンを形成する工程、
前記マスクパターンをエッチングマスクとして用いて、前記第２の膜をエッチングする工程、
前記マスクパターンを除去する工程、および、
前記第１の膜の構成成分とエッチャントガスとの反応生成物をモニタしながら、前記第２の膜をエッチングマスクとして用いて前記第１の膜をエッチングする工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板を準備する工程、
前記半導体基板上に、窒素を含有する材料を含む第１の膜を形成する工程、
前記第１の膜上に窒素を含有しない第２の膜を形成する工程、
前記第２の膜上に、窒素を含有する材料を含むマスクパターンを形成する工程、
前記マスクパターンをエッチングマスクとして用いて、前記第２の膜をエッチングする工程、
前記マスクパターンを除去する工程、および、
前記第１の膜の材料に含まれる窒素とエッチャントガスとの反応生成物をモニタしながら、前記第２の膜をエッチングマスクとして用いて前記第１の膜をエッチングする工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板を準備する工程、
前記半導体基板上に、窒素を含有する材料を含む第１の膜を形成する工程、
前記第１の膜上に窒素を含有しない第２の膜を形成する工程、
前記第２の膜上に、窒素を含有する材料を含む反射防止膜を形成する工程、
前記反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成する工程、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記反射防止膜をエッチングする工程、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記第２の膜をエッチングする工程、
前記フォトレジストパターンと前記反射防止膜とを除去する工程、および、
前記第１の膜の材料に含まれる窒素とエッチャントガスとの反応生成物をモニタしながら、前記第２の膜をエッチングマスクとして用いて前記第１の膜をエッチングする工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板を準備する工程、
前記半導体基板上に、窒素を含有する材料を含む第１の膜を形成する工程、
前記第１の膜上に窒素を含有しない第２の膜を形成する工程、
前記第２の膜上に、窒素を含有する材料を含む反射防止膜を形成する工程、
前記反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成する工程、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記反射防止膜をエッチングする工程、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記第２の膜をエッチングする工程、
前記フォトレジストパターンと前記反射防止膜とを除去する工程、および、
前記第１の膜の材料に含まれる窒素とエッチャントガスとの反応生成物に起因した発光スペクトルをモニタしながら、前記第２の膜をエッチングマスクとして用いて前記第１の膜をプラズマエッチングによりエッチングする工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板を準備する工程、
前記半導体基板上に窒化シリコン膜を形成する工程、
前記窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜を形成する工程、
前記酸化シリコン膜上に、窒素を含有する材料を含む反射防止膜を形成する工程、
前記反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成する工程、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記反射防止膜をエッチングする工程、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記酸化シリコン膜をエッチングする工程、
前記フォトレジストパターンと前記反射防止膜とを除去する工程、および、
前記窒化シリコン膜に含まれる窒素とエッチャントガスとの反応生成物に起因した発光スペクトルをモニタしながら、前記酸化シリコン膜をエッチングマスクとして用いて前記窒化シリコン膜をプラズマエッチングによりエッチングする工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月19日(2004.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に処理ガスを導入するガス導入手段およびプラズマ生成装置を有し、導入した処理ガスをプラズマ化して処理室内に配置した試料にエッチング処理を施し、更に処理室内に付着する堆積物を除去する第１クリーニング処理および処理室内の内部構成材料表面に付着した内部構成材料のイオンスパッタ物を除去する第２クリーニング処理を施すことのできるプラズマ処理装置において、
プラズマ処理処理装置の内部構成材料表面に付着した内部構成材料のイオンスパッタ物を除去する際、前記ガス導入手段は、処理ガスとして、処理ガスを構成する元素と前記エッチング処理用のガスを構成する元素間の結合エネルギが、被エッチング材料を構成する元素と前記エッチング処理用のガスを構成する元素間の結合エネルギよりも大であるガスを導入することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
処理室内に処理ガスを導入するガス導入手段およびプラズマ生成装置を有し、導入した処理ガスをプラズマ化して処理室内に配置した試料にエッチング処理を施し、更に処理室内に付着する堆積物を除去する第１クリーニング処理および処理室内の内部構成材料表面に付着した内部構成材料のイオンスパッタ物を除去する第２クリーニング処理を施すことのできるプラズマ処理装置において、
プラズマ処理処理装置の内部構成材料表面に付着した内部構成材料のイオンスパッタ物を除去する際、前記ガス導入手段は、処理ガスとして、処理ガスを構成する元素と前記第１クリーニング工程用のガスを構成する元素間の結合エネルギが、被エッチング材料を構成する元素と前記第１のクリーニング工程用の処理ガスを構成する元素間の結合エネルギよりも大であるガスを導入することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、前記エッチング処理用のガスを構成する元素はフッ素（Ｆ）であり、第２クリーニング工程用の処理ガスはホウ素（Ｂ）を含むガスであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、前記エッチング装置の内部構成材料はアルミニウム（Ａｌ）であり、前記第２クリーニング工程用の処理ガスはホウ素（Ｂ）を含むガスであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、図６〜図１２に示す第４〜第１０実施例では、後述の如く、拡径部(８)や径小部(１０)、環状膨出部(１２)を設ける事で金属管(１)の外周に形成される環状凹凸により、金属管(１)からの樹脂製可撓ホース(３)の抜け防止効果や気密性を更に高めようとしている。まず、図６に示す第４実施例では、金属管(１)の先端とガイドスプール部(４)との間に、鋸歯状壁(１１)を有する環状膨出部(１２)を一つ設けている。そして、環状膨出部(１２)の環状凹凸に沿って樹脂製可撓ホース(３)を変形させて、金属管(１)の表面に密着させて、互いを溶着する事により、樹脂製可撓ホース(３)に抜け力が作用した際に、樹脂製可撓ホース(３)の内面に前記鋸歯状壁(１１)が食い込むので、抜け防止効果が高い。また、樹脂の溶着の際に、図６に示す如く、鋸歯状壁(１１)とガイドスプール部(４)との間の、樹脂製可撓ホース(３)と金属管(１)との接触部外周を加圧手段(１４)により加圧する事により、樹脂の固着度が高まり、気密性と抜け防止効果が高まる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月27日(2005.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、図５に示す如く、隔壁部材１９のロッドガイド部１９Ａに、圧側行程では油溜室２２からピストンロッド側油室２１Ａへの油の流れを許容し、伸側行程ではピストンロッド側油室２１Ａから油溜室２２への油の流れを阻止するチェック弁６０を設けている。隔壁部材１９のロッドガイド部１９Ａの内周にはバルブ室６１が設けられ、バルブ室６１の上端側の段差部６１Ａと、バルブ室６１の下端側に設けられた前述のスプリングシート５６との間にチェック弁６０が収容される。チェック弁６０は、段差部６１Ａとスプリングシート５６の間隔より短尺とされ、下端面に横溝６２を形成される。チェック弁６０は、隔壁部材１９のロッドガイド部１９Ａに設けたバルブ室６１の内周に摺接して上下変位可能に設けられる。チェック弁６０の外周は、隔壁部材１９のロッドガイド部１９Ａに設けたバルブ室６１の内周との間に、油溜室２２からピストンロッド側油室２１Ａへの油の流れを許容する流路を形成する。チェック弁６０は、ピストンロッド２３を摺動自在に支持するブッシュ６０Ａをその内周に圧入されて備える。圧側行程では、チェック弁６０はインナチューブ１２に進入するピストンロッド２３に連れ移動して図５の下方に移動し、スプリングシート５６に衝合するとともに、段差部６１Ａとの間に隙間を形成し、ピストンロッド側油室２１Ａの油を横溝６２からその外周経由で段差部６１Ａとの隙間を通って油溜室２２へ排出可能とする。伸側行程では、チェック弁６０はインナチューブ１２から退出するピストンロッド２３に連れ移動して図５の上方に移動し、段差部６１Ａに衝合して該段差部６１Ａとの間の隙間を閉じ、ピストンロッド側油室２１Ａの油が上述した圧側行程の逆経路で油溜室２２へ排出されることを阻止する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004052879.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004052879.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
すなわち、図１６に示されているように、固定部材としての動圧軸受部材（軸受スリーブ）１により回転自在に支持された回転軸２に、回転部材（回転ハブ）３が接合されているとともに、その回転部材３の回転中心領域における軸方向内側（図１６の下面側）の端面と、上記動圧軸受部材１における軸方向外端面（図１６の上端面）とが、互いに近接対向するように配置されてスラスト対向領域が形成されており、そのスラスト対向領域内にスラスト動圧軸受部ＳＢが形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
加えて、上述した各方法のいずれもにおいても、無駄になってしまう材料が多く、そのような点からも、生産性を向上させることには限度がある。また、形成した樹脂摺動膜における膜厚のバラツキが大きくなった場合に行う後加工では、不要な樹脂部分を除去する工程を施した部位に、樹脂の切削バリが残されてしまうことがあり、そのバリが離反して軸受内を浮遊することによって、回転不良を引き起こすおそれがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１に示されている軸回転型のハードディスク駆動装置の全体は、固定部材としてのステータ組１０と、そのステータ組１０に対して図示上側から組み付けられた回転部材としてのロータ組２０とから構成されている。そのうちステータ組１０は、図示を省略した固定基台側にネジ止めされる固定フレーム１１を有している。この固定フレーム１１は、軽量化を図るためにアルミ系金属材料から形成されているが、当該固定フレーム１１の略中央部分に立設するようにして形成された環状の軸受ホルダー１２の内周面側には、中空円筒状に形成された固定の動圧軸受部材としての軸受スリーブ１３が、圧入又は焼嵌めによって上記軸受ホルダー１２に接合されている。この軸受スリーブ１３は、小径の孔加工等を容易化するためにリン青銅などの銅系材料から形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
より詳しくは、上記スラスト対向領域ＬＳを構成している両スラスト対向動圧面は、上記回転ハブ２２には、回転中心に対して同心状となるように立設された環状壁面部２２ｅが形成されているとともに、その環状壁面部２２ｅの半径方向内側に囲まれるようにして円盤状平面部が形成されている。そして、その中心側の円盤状平面部にスラスト対向動圧面が形成されており、そのスラスト対向動圧面の耐摩耗性の向上や摩擦係数の低減を図ることを目的として、図２及び図３に示されているような樹脂摺動膜ＲＰが被着・形成されている。この樹脂摺動膜ＲＰの形成方法については後段において詳述する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
一方、前述した図１に示されたハードディスク駆動装置に対応する構成部分に対して同一の符号を付した図１３にかかる実施形態では、回転軸２１の先端部分にリング状のスラストプレート２６が嵌着されているとともに、そのスラストプレート２６が、軸受スリーブ１３に形成された凹部１３ａ内に収容されており、その軸受スリーブ１３の凹部１３ａの底面部と、上記スラストプレート２６の表面との間に、内部側のスラスト動圧軸受部ＳＢａが形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】機関
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端に開口部を有する筒状の胴部と、前記開口部を塞いで前記胴部に固着される鏡板とを有して内部を密閉される圧力容器内に、往復運動する往復駆動部を配置した機関において、
前記鏡板は、前記胴部に嵌合される円筒部と、前記開口部を塞ぐとともに前記円筒部の端面から離れる側に凸形成される球面部とを有することを特徴とする機関。
【請求項２】
一端に開口部を有する筒状の胴部と、前記開口部を塞いで前記胴部に固着される鏡板とを有して内部を密閉される圧力容器内に、往復運動する往復駆動部を配置した機関において、
前記胴部に前記鏡板との接合部から軸方向に延長した延設部を形成し、前記延設部に前記往復駆動部による振動を吸収する動吸振器を取り付けたことを特徴とする機関。
【請求項３】
一端に開口部を有する筒状の胴部と、前記開口部を塞ぐとともに前記胴部に固着される鏡板とを有して内部を密閉される圧力容器内に、往復運動する往復駆動部を配置した機関において、
前記鏡板に前記往復駆動部による振動を吸収する動吸振器を取り付けたことを特徴とする機関。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月25日(2004.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
一方、ケーブルクランプ１をシャーシ２から離脱する場合には、シャーシ２の表面側において一対の係合片２６の各フック２６ａを指でシャーシ２側に押し下げれば、各フック２６ａが固定片３１の基端縁３１ａとの係合が解除されるとともに、弾性片２５の弾性力によって筒体２２が僅かに図５（ｄ）の右方向に移動されるため、フック２６ａが固定片３１の基端縁３１ａに係合しない状態となる。したがって、その後は引き続きケーブルクランプ１をシャーシ２の表面に沿って移動させることで、筒体２２を固定片３１の側方位置に引き出すことができ、固定部２０における固定状態を解除し、シャーシ２の表面上にケーブルクランプ１を持ち上げて離脱することが可能になる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004052855.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内周面に複列の外輪軌道を有する外輪と、外周面に複列の内輪軌道を有する内輪と、これら各外輪軌道と各内輪軌道との間にそれぞれ複数個ずつ転動自在に設けられた玉と、これら各玉をそれぞれの玉列毎に転動自在に保持する１対の保持器と、上記外輪の内周面両端部と上記内輪の外周面両端部との間に設けられ、これら外輪の内周面と内輪の外周面との間に存在し上記各玉を設置した空間の軸方向両端開口部を塞ぐ１対のシール板と、この空間内でこれら両シール板同士の間部分に封入したグリースとを備えた複列玉軸受により、固定の部分の周囲にプーリを回転自在に支持するプーリ用回転支持装置に於いて、上記プーリと共に回転する上記外輪に上記各シール板が固定されており、これら各シール板を構成するシールリップが上記内輪に摺接しており、上記複列玉軸受を構成する一方の玉列と他方の玉列との各玉同士の上記外輪及び内輪の軸方向に関する最短距離をＳとし、上記各シール板のうちの一方のシール板の内側面とこの内側面に対向する上記一方の玉列の各玉との上記軸方向に関する最短距離をａとし、同じく他方のシール板の内側面とこの内側面に対向する上記他方の玉列の各玉との上記軸方向に関する最短距離をｂとし、上記各玉の外径をＤとした場合に、ａ≧ｂ＞Ｓとした事を特徴とするプーリ用回転支持装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
特に、本発明のプーリ用回転支持装置に於いては、上記プーリと共に回転する上記外輪に上記各シール板が固定されており、これら各シール板を構成するシールリップが上記内輪に摺接している。又、上記複列玉軸受を構成する一方の玉列と他方の玉列との各玉同士の、上記外輪及び内輪の軸方向に関する最短距離をＳとし、上記各シール板のうちの一方のシール板の内側面とこの内側面に対向する上記一方の玉列の各玉との上記軸方向に関する最短距離をａとし、同じく他方のシール板の内側面とこの内側面に対向する上記他方の玉列の各玉との上記軸方向に関する最短距離をｂとし、上記各玉の外径をＤとしている。そして、この場合に、ａ≧ｂ＞Ｓとしている。又、必要に応じて、（ａ／Ｄ）≧（ｂ／Ｄ）＝０．２〜０．４、Ｓ／Ｄ≧０．１２としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【作用】
上述の様に構成する本発明のプーリ用回転支持装置によれば、軸方向寸法が嵩む事なく、複列玉軸受からグリースが漏れるのを効果的に防止できる。即ち、シール板の内側面と各玉との軸方向に関する最短距離ａ、ｂを、各玉列同士の軸方向に関する最短距離Ｓよりも大きくする事により、上記シール板の内側面と各玉及び保持器の円環部とに囲まれる空間の容積を確保している。より具体的には、上記保持器の円環部の軸方向寸法（通常０．９〜１．５mm程度）、並びに、上記シール板の内側面とこの内側面に対向する上記保持器の側面との間隔（グリースの剪断抵抗の影響を考慮すると、０．５mm程度以上）を十分に確保して、上記シール板側の空間で収容できるグリースの量の増大を図っている。この為、このシール板側の空間にグリースが移動しても、シールリップと（内輪の）シール溝との摺接部からグリースを漏れにくくできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
又、必要に応じて（ａ／Ｄ）≧（ｂ／Ｄ）＝０．２〜０．４とする事により、上記シール板側の空間に溜まったグリースを、上記保持器や各玉により取り込み易くできる。即ち、この空間に溜まったグリースを上記各玉と外輪軌道及び内輪軌道との転がり接触部に送り込み易くでき、グリース漏れを防止すると共に潤滑性を向上させて、転がり接触部の耐久性向上も図れる。尚、上記距離ａ、ｂと玉の外径Ｄとの比ａ／Ｄ、ｂ／Ｄが０．４を超える場合には、上記シール板側の空間に溜まったグリースを、上記各玉及び保持器により取り込みにくくなり、上記転がり接触部の潤滑を図りにくくなる。一方、上記比ａ／Ｄ、ｂ／Ｄが０．２未満の場合には、上記シール板側の空間に収容できるグリースの量が少なくなり、グリース漏れが生じ易くなる。