Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロポフォール、スルホアルキルエーテルシクロデキストリン（ＳＡＥ−ＣＤ）及び液体担体を含み、ＳＡＥ−ＣＤ対プロポフォールのモル比が１：１〜５：１の範囲である医薬液体製剤。
【請求項２】
ＳＡＥ−ＣＤ対プロポフォールのモル比が、１.１：１〜２.０：１の範囲である請求項１記載の製剤。
【請求項３】
プロポフォールが１〜５５ｍｇ／ｍｌの量で存在する請求項２記載の製剤。
【請求項４】
ＳＡＥ−ＣＤが、０.００５Ｍ〜０.３７Ｍの量で存在する請求項３記載の製剤。
【請求項５】
ＳＡＥ−ＣＤが、式１（式中：ｎは、４、５又は６であり；Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5
、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は、それぞれ独立して−Ｏ−又は−Ｏ−（Ｃ2−Ｃ6アルキレン）−ＳＯ3-基であり、その際、Ｒ1及びＲ2の少なくとも一つは、独立して−Ｏ−（Ｃ2−Ｃ6アルキレン）−ＳＯ3-基であり；そしてＳ1、Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4、Ｓ5、Ｓ6、Ｓ7、Ｓ8及びＳ9は、それぞれ医薬上許容しうるカチオンである）の化合物又はその組合せである請求項
１記載の製剤。
【請求項６】
式１の化合物が、ＳＢＥ−７−β−ＣＤ又はＳＢＥ−４−β−ＣＤである請求項５記載の製剤。
【請求項７】
液体製剤の全重量に基づいてプロポフォールが、０.１〜５.０重量％の量で存在する請求項１〜６のいずれか１項に記載の製剤。
【請求項８】
プロポフォールが０.１〜２.０重量％の量で存在する請求項１〜６のいずれか１項に記載の製剤。
【請求項９】
ＳＡＥ−ＣＤが３〜８０％ｗ／ｖの量で存在する請求項１〜６のいずれか１項に記載の製剤。
【請求項１０】
さらに防腐剤、酸化防止剤、緩衝剤、酸性化剤、アルカリ性化剤、抗菌剤、抗真菌剤、溶解促進剤、複合体形成促進剤、有機溶媒、電解液、塩、安定剤、張度調整剤、消泡剤又はそれらの組合せを含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の製剤。
【請求項１１】
酸化防止剤が存在し、それは３×１０-5〜９×１０-4Ｍの量で存在するＥＤＴＡ、０.０００５重量％〜０.３重量％の量で存在するペンテテート又は０.００７５重量％〜０.６６重量％の量で存在するメタ重亜硫酸塩である、請求項１０記載の製剤。
【請求項１２】
製剤が５ｐｐｍ未満の酸素ガスを含む請求項１０記載の製剤。
【請求項１３】
一つ又はそれ以上の局所麻酔剤をさらに含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の製剤。
【請求項１４】
局所麻酔剤が、ベンゾカイン、プロカイン、リドカイン、ピペロカイン、テトラカイン、リグノカイン、プリロカイン、ブピバカイン、プロキシメタカイン、ロピバカイン、ジブカイン及びそれらの組合せからなる群より選ばれる請求項１３記載の製剤。
【請求項１５】
ＳＡＥ−ＣＤ：プロポフォールのモル比が２.０：１〜４.６：１の範囲にある請求項５の製剤。
【請求項１６】
液体製剤が０.４５ミクロン又はそれより小さい細孔径を有する濾過媒体を通して滅
菌濾過されている請求項１記載の製剤。
【請求項１７】
ＳＡＥ−ＣＤを含む第１の医薬組成物及びプロポフォールを含む第２の医薬組成物からなる医薬キットであって、その際、少なくとも第１及び第２の医薬組成物を患者に投与する前に液体担体と混合して液体剤形を形成することができる医薬キット。
【請求項１８】
第１及び第２の製剤が独立して一つ又はそれ以上の医薬賦形剤を含む請求項１７記載の医薬キット。
【請求項１９】
第１及び第２の医薬組成物が、別々の容器中又は２つもしくはそれ以上の室を有する容器の別々の室中に準備されている請求項１７記載の医薬キット。
【請求項２０】
キットが、さらに液体製剤を形成するために用いられる医薬上許容しうる液体担体を含む請求項１７記載の医薬キット。
【請求項２１】
液体担体が、第１及び／又は第２の医薬組成物と共に独立して含まれる請求項２０記載の医薬キット。
【請求項２２】
液体担体が第１及び第２の医薬組成物とは別の容器又は室中に準備されている請求項２０記載の医薬キット。
【請求項２３】
キットを冷やして提供する請求項１７記載の医薬キット。
【請求項２４】
注射又は静脈内注入によるプロポフォールの投与に伴う注射時の痛みを軽減する方法であって、スルホアルキルエーテルシクロデキストリン及びプロポフォールを液体製剤中に含有させる工程を含み、その際、スルホアルキルエーテルシクロデキストリン対プロポフォールの比率が、相当する量のプロポフォールを含む液体製剤をベースとする脂質エマルジョンと比較して注射時の痛みを軽減するのに十分である上記の方法。
【請求項２５】
液体製剤が、水、卵レシチン、油、グリセロール、防腐剤及び相当する量のプロポフォールを含有するエマルジョン型製剤のものと同様の脳波記録反応または血流力学的反応が得られる請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
プロポフォール及びスルホアルキルエーテルシクロデキストリン（ＳＡＥ−ＣＤ）を含み、ＳＡＥ−ＣＤ対プロポフォールのモル比が１.１：１〜２.０：１の範囲である再構成可能な固体の医薬組成物。
【請求項２７】
ＳＡＥ−ＣＤが、式１（式中、ｎは、４、５又は６であり；Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5
、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は、それぞれ独立して−Ｏ−又は−Ｏ−（Ｃ2−Ｃ6アルキレン）−ＳＯ3-基であり、その際、Ｒ1及びＲ2の少なくとも一つは、独立して−Ｏ−（Ｃ2−Ｃ6アルキレン）−ＳＯ3-基であり；そしてＳ1、Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4、Ｓ5、Ｓ6、Ｓ7、Ｓ8及びＳ9は、それぞれ医薬上許容しうるカチオンである）の化合物又はその組合せである請求項
２６記載の組成物。
【請求項２８】
プロポフォールの主要部分が再構成前にＳＡＥ−ＣＤと複合体形成しないように、組成物が固体ＳＡＥ−ＣＤ、プロポフォール及び場合により少なくとも一つの固体医薬賦形剤の混合物を含む請求項２６記載の組成物。
【請求項２９】
組成物がＳＡＥ−ＣＤ及びプロポフォールの固体混合物を含み、プロポフォールの主要部分が、再構成前にＳＡＥ−ＣＤと複合体形成する請求項２６記載の組成物。
【請求項３０】
製剤が、水、卵レシチン、油、グリセロール、防腐剤及び相当する量のプロポフォールを含むエマルジョン型製剤よりも、蛍光及び／又は紫外線に対してより大きい光化学安定性を有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月4日(2003.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（I）：
【化１】
2004526721.tif 000001
〔式中、
Ｇ1は、基（ａ）及び（ｂ）：
【化２】
2004526721.tif 000002
より選択され、
Ａは、フェニル基、ピリジニル基、ピリミジニル基及びチエニル基より選択され、これらはいずれも、低級アルキル、ハロゲン、ハロゲンアルキル、アルコキシ、シアノ、ニトロ、−ＳＯ2Ｒ′、−ＮＳＯ2Ｒ′、−ＳＯ2ＮＲ′Ｒ″、−ＮＲ′Ｒ″又は−ＣＯＲ′で場合により置換されており；
Ｒ′及びＲ″は、それぞれ独立に、水素又は低級アルキルであり;
Ｇ2は、式（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）及び（ｊ）：
【化３】
2004526721.tif 000003
で示される基より選択され；
Ｒ1及びＲ2は、存在するごとに、それぞれ独立に、水素、低級アルキル、ハロゲン、ハロゲンアルキル、ニトロ、−ＮＲ′Ｒ″、−ＯＲ′、−ＳＯ2Ｒ′、−ＮＳＯ2Ｒ′、−ＣＯＲ′、シアノ、ニトロ、場合によりハロゲン、アルキル、シアノ又はアルコキシで置換されているフェニル；又は場合によりハロゲン、アルキル、シアノ又はアルコキシで置換されているヘテロアリールより選択され；又は
Ｒ1及びＲ2が隣接する場合には、それらが結合している炭素とともに、低級アルキル、ハロゲン、シアノ又は低級アルコキシより選択される１個又は２個の置換基で場合により置換されている芳香環を形成してもよい〕
の化合物、又は個々の異性体、異性体のラセミ若しくは非ラセミ混合物、プロドラッグ、あるいは薬学的に許容され得る塩若しくはそれらの溶媒和物。
【請求項２】
Ａが、場合により置換されているフェニルである、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｇ1が、式（ａ）の基である、請求項１記載の化合物。
【請求項４】
Ｇ2が、式（ｃ）の基である、請求項３記載の化合物。
【請求項５】
Ａが、場合により置換されているフェニルである、請求項４記載の化合物。
【請求項６】
２−フェニル−５−（５−フェニルベンゾフラン−２−イルメトキシカルボニルアミノ）ピリミジン−４−カルボン酸、及び
５−〔５−（４−フルオロフェニル）ベンゾフラン−２−イルメトキシカルボニルアミノ）−２−フェニルピリミジン−４−カルボン酸
からなる群より選択される、請求項５記載の化合物。
【請求項７】
Ａが、場合により置換されているチエニルである、請求項４記載の化合物。
【請求項８】
２−フェニル−５−（５−チオフェン−３−イルベンゾフラン−２−イルメトキシカルボニルアミノ）ピリミジン−４−カルボン酸である、請求項７記載の化合物。
【請求項９】
Ｇ2が、式（ｄ）の基である、請求項３記載の化合物。
【請求項１０】
１−フェニル−３−（５−フェニルベンゾフラン−２−イルメトキシカルボニルアミノ）−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸である、請求項９記載の化合物。
【請求項１１】
Ｇ2が、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）及び（ｊ）より選択される基である、請求項３記載の化合物。
【請求項１２】
３−（５−フェニルベンゾフラン−２−イルメトキシカルボニルアミノ）イソニコチン酸である、請求項１１記載の化合物。
【請求項１３】
Ｇ1が、（ｂ）の基である、請求項１記載の化合物。
【請求項１４】
Ｇ2が、（ｃ）の基である、請求項１３記載の化合物。
【請求項１５】
５−（ビフェニル−４−イルメトキシカルボニルアミノ）−２−フェニルピリミジン−４−カルボン酸である、請求項１４記載の化合物。
【請求項１６】
治療有効量の請求項１〜１５のいずれか１項記載の化合物を、少なくとも１種の薬学的に許容し得る担体との混合物として含む、医薬組成物。
【請求項１７】
ＩＰアンタゴニストで処置することにより緩和される疾患状態を有する対象に投与するための、請求項１６記載の医薬組成物。
【請求項１８】
疾患の治療及び予防において使用するための、請求項１〜１５のいずれか１項記載の式Ｉの化合物。
【請求項１９】
ＩＰアンタゴニストで処置することにより緩和される疾患状態を有する対象を処置するための医薬を、請求項１〜１５のいずれか１項記載の式（Ｉ）の化合物を使用して製造する、医薬の製造方法。
【請求項２０】
疾患状態が、尿路、疼痛、炎症、アレルギー及び喘息のような呼吸状態、浮腫形成、又は低血圧性血管疾患を含む、請求項１９記載の製造方法。
【請求項２１】
一般式（２）、（３）、（４）、（５）、（６）、（７）、（８）又は（９）：
【化４】
2004526721.tif 000004
〔式中、
Ｒは、低級アルキル、又はトリメチルシリルエチル基であり、Ｒ1及びＲ2は、請求項１に定義するとおりである〕
で示されるエステルを、ホスゲンでアシル化し、
その後、一般式（１）：
【化５】
2004526721.tif 000005
〔式中、
Ｇ1は、請求項１に定義するとおりである〕
の化合物と反応させ；そして
加水分解して；
一般式：
【化６】
2004526721.tif 000006
〔式中、
Ｇ1及びＧ2は、請求項１に定義するとおりである〕
で示される化合物を得ることを含む、
請求項１〜１５のいずれか１項記載の化合物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【化７】
2004526721.tif 000007
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【化１２】
2004526721.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月11日(2003.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々がソース、ドレイン、フローティングゲート、ウェルおよびコントロールゲートを有する複数の電界効果トランジスタメモリセルを含むフラッシュ電気消去可能プログラマブル読出専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を消去するための方法であって、
（ａ）コントロールゲートとウェルとの間に電圧Ｖを印加するステップと、
（ｂ）前記電圧ＶをΔＶだけ増分して、その結果、新たな電圧を生じさせるステップと、
（ｃ）複数のメモリセルのうちの選択された数のメモリセルが消去されるまでステップ（ｂ）を繰返すステップとを含む方法。
【請求項２】
前記複数のメモリセルのうちの選択された数のメモリセルが消去されたと検証されたとき、前記コントロールゲートと前記ウェルとの間の電圧をクランプするステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
選択された列が消去されたと検証されたときに、前記複数のメモリセルのうちの選択された数のメモリセルが消去されたと検証される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記コントロールゲートとウェルとの間に電圧を印加するステップは、
前記ウェルに正電圧（Ｖp-well）を印加するステップと、
前記コントロールゲートに負電圧（ＶCG）を印加するステップとによって達成され、Ｖp-wellとＶCGとの代数和が電圧Ｖである、請求項１記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ｂ）は、前記コントロールゲートに傾斜付き電圧を印加することによって達成される、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記傾斜付き電圧は負の方向に増加する負電圧である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ｂ）は、前記コントロールゲートに段階付き電圧を印加することによって達成される、請求項４記載の方法。
【請求項８】
前記段階付き電圧は、負の方向に段階付けられる、請求項７記載の方法。
【請求項９】
ステップ（ｂ）は、傾斜付き電圧を前記ウェルに印加することによって達成される、請求項４記載の方法。
【請求項１０】
前記ウェルに印加される傾斜付き電圧は増加する正電圧である、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
ステップ（ｂ）は、段階付き電圧を前記ウェルに印加することによって達成される、請求項４記載の方法。
【請求項１２】
前記段階付き電圧は、正方向に段階付けられる、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
ステップ（ｂ）は、
前記ウェルに傾斜付き電圧を印加するステップと、
前記コントロールゲートに傾斜付き電圧を印加するステップとによって達成される、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記ウェルに印加される傾斜付き電圧は増加する正電圧である、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記コントロールゲートに印加される傾斜付き電圧は負の方向に増加する負電圧である、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
ステップ（ｂ）は、
前記ウェルに段階付き電圧を印加するステップと、
前記コントロールゲートに段階付き電圧を印加するステップとによって達成される、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記メモリセルは複数のセクタに配置され、前記方法は、これらのセクタに対しステップ（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を順次実行するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
ステップ（ｂ）は、前記ソースおよび前記ドレインをフローティングにするステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
ステップ（ｂ）は、前記ソースおよび前記ドレインを前記ウェルに電気的に接続するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項２０】
ステップ（ａ）は、前記複数のメモリセルに対して完全消去および自動プログラムディスターブ（ＡＰＤ）手順を実行するステップを含み、ステップ（ｂ）は、ステップ（ａ）が完了した後に実行される、請求項１記載の方法。
【請求項２１】
複数の行および複数の列に配列された複数のトランジスタメモリセルを少なくとも含み、前記トランジスタメモリセルのそれぞれがソース、ドレイン、フローティングゲート、ウェル領域およびコントロールゲートを有するフラッシュ電気消去可能プログラマブル読出専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を消去するための方法であって、
前記複数のトランジスタメモリセルのうちの少なくとも１つのトランジスタメモリセルのコントロールゲートとウェル領域との間に電圧Ｖを印加するステップと、
前記電圧ＶをΔＶだけ増分して、その結果、新たな電圧を生じさせるステップと、
前記複数のトランジスタメモリセルの全部よりも少ない数のトランジスタメモリセルが消去されたことが検証されるまで前記電圧Ｖを増分させるステップを繰り返すステップとを含む方法。
【請求項２２】
前記複数のトランジスタメモリセルの全部よりも少ない数のトランジスタメモリセルが消去されたことが検証されたときに、前記コントロールゲートと前記ウェル領域との間の電圧Ｖをクランプするステップをさらに含む請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記複数のトランジスタメモリセルのすべてが消去されたことが検証されるまで、前記コントロールゲートと前記ウェル領域との間に前記クランプされた電圧Ｖを印加するステップをさらに含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記複数のトランジスタメモリセルの全部よりも少ない数のトランジスタメモリセルは、前記複数のトランジスタメモリセルの一列に対応する、請求項２１記載の方法。
【請求項２５】
前記電圧Ｖを増分させるステップは前記ウェル領域に印加される電圧を増分させるステップを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２６】
前記電圧Ｖを増分させるステップは前記コントロールゲートに印加される電圧を減少させるステップを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２７】
前記電圧Vを印加するステップは前記コントロールゲートに負電圧を印加するステップを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２８】
前記電圧Vを印加するステップは前記ウェル領域に正電圧を印加するステップを含む、請求項２１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月28日(2003.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
遊星歯車がほとんど停止し、同時に大きな力を伝達するこの状態で、遊星歯車歯先と外側ロータの間で潤滑フィルムが破壊される危険がある。この場合、隙間内の潤滑媒体損失によって固体接触が生じる。従って、もはや所望な動圧潤滑が生じないで、混合摩擦状態が生じ、不所望な場合には静止摩擦が生じる。混合摩擦および静止摩擦の場合、摩耗現象が発生し、歯付きロータセットの寿命が短くなる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支承ポケット（３）を有する回転可能な支承リング（２）が備えられ、この支承ポケット内に回転可能な遊星ロータ（４）が配置され、この遊星ロータが内歯を形成し、この内歯が多数の第１の歯を有し、更に支承リング（２）に対して偏心させて支承された内側ロータ（５）が備えられ、この内側ロータがほぼ星状の外側輪郭を有し、この外側輪郭が外歯（６）を備え、この外歯が多数の第２の歯を有し、第２の歯の数が第１の歯の数よりも少なく、第１と第２の歯の少なくとも一方がサイクロイド（１９）として形成された弧状部分（１４）を有する、歯付きロータセット。
【請求項２】
前記弧状部分が、第１の歯と第２の歯の少なくとも一方の歯の歯先（１１）と歯元（１２）の少なくとも一方に形成されていることを特徴とする請求項１記載の歯付きロータセット。
【請求項３】
第１と第２の歯の少なくとも一方の歯の歯元が内転サイクロイドとして形成され、歯先が外転サイクロイドとして形成されていることを特徴とする請求項２記載の歯付きロータセット。
【請求項４】
第１と第２の歯の少なくとも一方の歯の歯面がサイクロイドとして形成されていることを特徴とする請求項１記載の歯付きロータセット。
【請求項５】
遊星ロータ（４）が次式、
ピッチ円１（ｔ１）＝遊星ロータ４の転動円、
モジュール＝ピッチ円１（ｔ１）／第１の歯の数、
第１と第２の歯の歯厚＝モジュール×π／２、
転動円１（ｒ１）＝転動円２（ｒ２）＝ピッチ円１（ｔ１）×０．３、
ピッチｔ＝ピッチ円１（ｔ１）×π／第１の歯の数、
外転サイクロイドを有する第１と第２の歯の一方の歯先の転動半径３（ｒ３）＝転動半  径４（ｒ４）＝内転サイクロイドを有する第１と第２の歯の一方の歯先の転動半径４（  ｒ４）＝ピッチｔ／２／π
に従って形成されていることを特徴とする請求項１記載の歯付きロータセット。
【請求項６】
内側ロータ（５）が次式、
ピッチ円２（ｒ２）＝内側ロータ転動円、
ピッチｔ＝外周（内側ロータ曲線）／第２の歯の数、
歯厚ｄ＝（ピッチ円２（ｔ２）−２×歯面遊び）、
歯溝１＝（ピッチ円２（ｔ２）＋２×歯面遊び）、
転動円５（ｒ５）＝（ピッチ円２（ｔ２）＋２×歯面遊び）／π、
転動円６（ｒ６）＝（ピッチ円２（ｔ２）−２×歯面遊び）／π、
に従って形成されていることを特徴とする請求項１記載の歯付きロータセット。
【請求項７】
第１と第２の歯の少なくとも１一方の歯面（１５）が伸開線として形成されていることを特徴とする請求項１記載の歯付きロータセット。
【請求項８】
第１と第２の歯の少なくとも一方の歯の歯先（１１）と歯元（１２）の少なくとも一方が、大きな曲率半径を有することを特徴とする請求項１または７記載の歯付きロータセット。
【請求項９】
第１と第２の歯の少なくとも一方の歯の歯元（１２）と歯先（１１）の少なくとも一方が、平坦部（１３）を有することを特徴とする請求項１記載の歯付きロータセット（１）。
【請求項１０】
第１と第２の歯がそれぞれ耐摩耗性を有する表面を備えていることを特徴とする請求項１記載の歯付きロータセット。
【請求項１１】
支承ポケット（３）の範囲に、少なくとも１つの流体通路（１６）が配置されていることを特徴とする請求項１記載の歯付きロータセット。
【請求項１２】
支承リング（２）と遊星ロータ（４）と内側ロータ（５）の少なくとも１つの端面に、周方向に延びるウェブを備えていることを特徴とする請求項１記載の歯付きロータセット。
【請求項１３】
遊星ロータ（４）と内側ロータ（５）が、粉末金属法、合成樹脂射出成形ダイカスト、およびスタンピング法の一つによって製作されることを特徴とする請求項１記載の歯付きロータを製作するための方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年9月1日(2004.9.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
［式中、Ａはナフタレン、最大１５個の炭素原子およびＮ、Ｏ、Ｓの群から選択されたヘテロ原子４個までを含有する、単環式芳香族、二環式芳香族および三環式芳香族または部分芳香族のヘテロ環式系であり、かつ、環は付加的に２個までのオキソ基を有していてもよく、かつ、さらにAは、異なるまたは同一のＲ３基３個までおよび付加的にＲ４基１個によって置換されていてもよく、かつ、
Ｒ１は水素、塩素、フッ素、臭素、ヨウ素、分枝または非分枝のＣ１〜Ｃ６−アルキル、OH、ニトロ、ＣＦ３、ＣＮ、ＮＲ１１Ｒ１２、ＮＨ−ＣＯ−Ｒ１３、Ｏ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキルであり、その際、Ｒ１１およびＲ１２は互いに独立して、水素またはＣ１〜Ｃ４−アルキルであり、かつ、Ｒ１３は水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ４−アルキルまたはフェニル−Ｃ１〜Ｃ４−アルキルまたはフェニルであり、かつ、
Ｒ２は水素、分枝および非分枝のＣ１〜Ｃ６−アルキルであり、かつ、
Ｒ３は水素、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素、ＣＦ３、ＯＣＦ３、ニトロ、ＮＨ２、ＣＯ−Ｒ８、ＳＯ２−Ｒ８、ＯＨ、Ｏ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、フェニル−Ｃ０〜Ｃ４−アルキル−Ｏ−、飽和、不飽和またはポリ不飽和であってもよく
さらにはＲ３３基によって置換されていてもよいＣ１〜Ｃ６鎖、フェニル環が３個までの異なるかまたは同一のＲ３１基によって置換されていてもよいフェニル、および、３個までのＲ３２基によって置換されていてもよいピリジルであり、かつ、
Ｒ３１はＯＨ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｏ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素、ＣＦ３、ニトロ、ＮＨ２であり、かつ、
Ｒ３２はＯＨ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｏ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素、ＣＦ３、ニトロ、ＮＨ２、ＣＮであり、かつ、
Ｒ３３はＣＯ−ＮＨ−Ｒ８、ＯＨ、Ｏ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｏ−ＣＯ−Ｒ８であり、かつ、
Ｒ４は、−（Ｄ）ｐ−（Ｅ）ｓ−（ＣＨ２）ｑ−Ｂであり、その際、
ＤはＳ、ＮＲ４３およびＯであり、
Ｅはフェニルであり、かつ、
ｓは０および１であり、かつ、
ＢはＮＲ４１Ｒ４２および以下の式
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に材料をデポジットする方法において、
担体流体を使用し、基板に向けて材料を吹付ける段階と、
該材料を加熱する段階と、
該材料を前記基板上にデポジットする段階と、
を含んでおり、デポジットされた該材料は２５０μｍ以下の解像度を達成することができるものであることを特徴とする方法。
【請求項２】
加熱段階は材料を少なくとも１つのレーザー光線と接触させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
加熱段階は材料の少なくとも１つの特性を改質させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
加熱段階は全材料をデポジット可能な形に変換させることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
加熱段階は材料を軟化させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
加熱段階は材料を材料の溶融潜熱以上に加熱することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
加熱段階は材料を溶融させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
担体流体は気体であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
気体は無反応性ガスであることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
気体は窒素、アルゴンまたはヘリウムであることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
吹付け段階は材料の流れのサイズをデポジットされた材料の望む解像度以下に制限することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
解像度は２５μｍであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
解像度は２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】
解像度は０．１μｍであることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
デポジット段階は基板に吹付けられる材料全てをデポジットさせることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１６】
材料は粒体であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１７】
粒体は０．０５μｍから４０μｍであることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
基板は過熱されないことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１９】
基板温度はデポジション中に低く抑えられ、基板の破損が防止されることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
デポジットされた材料または基板内の残留応力を最小に抑えることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
残留応力によるデポジットされた材料と基板との間の境界面の損傷を最小に抑えることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
加熱段階はデポジット段階の前に実施されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２３】
加熱段階はデポジット段階中に実施されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２４】
加熱段階はデポジット段階の後で実施されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２５】
基板上に材料をデポジットするための装置において、
担体流体の供給部と、
材料の供給部と、
デポジットヘッドと、
基板を支持するステージと、
を含んで構成され、
前記担体流体は前記デポジットヘッドから前記基板方向に前記材料の流れを吹付け、
前記デポジットヘッドと前記ステージは相対移動可能であり、
前記デポジットされる材料は２５０μｍ以下の解像度である、
ことを特徴とする装置。
【請求項２６】
材料の加熱手段をさらに含んでいることを特徴とする請求項２５記載の装置。
【請求項２７】
加熱手段は少なくとも１つのレーザーを含んでいることを特徴とする請求項２６記載の装置。
【請求項２８】
担体流体は気体であることを特徴とする請求項２５記載の装置。
【請求項２９】
解像度は２５μｍであることを特徴とする請求項２５記載の装置。
【請求項３０】
解像度は２５μｍ以下であることを特徴とする請求項２５記載の装置。
【請求項３１】
解像度は０．１μｍであることを特徴とする請求項３０記載の装置。
【請求項３２】
基板上に材料をデポジットする方法において、
担体流体を使用し、基板に向けて材料を吹付ける段階と、
該材料をデポジット可能な形に変換させる段階と、
該材料を前記基板上にデポジットする段階と、
を含んでおり、デポジットされた該材料は２５０μｍ以下の解像度を達成することができるものであることを特徴とする方法。
【請求項３３】
変換段階は材料を少なくとも１つのレーザー光線と接触させることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
変換段階は材料の少なくとも１つの特性を改質させることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３５】
担体流体は気体であることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３６】
吹付け段階は材料の流れのサイズをデポジットされた材料の望む解像度以下に制限することを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３７】
解像度は２５μｍであることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３８】
解像度は２５μｍ以下であることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３９】
解像度は０．１μｍであることを特徴とする請求項３８記載の方法。
【請求項４０】
デポジット段階は基板に吹付けられる材料全てをデポジットさせることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月5日(2004.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  環単位としてアミノ酸及びヒドロキシカルボン酸からなりそして２４個の環原子を有する環状デプシペプチドの殺内部寄生虫作用を増加させるためのピペラジン類の使用。
【請求項２】  環単位としてアミノ酸及びヒドロキシカルボン酸からなりそして２４個の環原子を有する環状デプシペプチドと共にピペラジン類を含有する殺内部寄生虫組成物。
【請求項３】  殺内部寄生虫組成物の製造のための環単位としてアミノ酸及びヒドロキシカルボン酸からなりそして２４個の環原子を有する環状デプシペプチドと合わせたピペラジン類の使用。
【請求項４】  環状デプシペプチドが、式（Ｉ）
【化１】
2002544224.tif 000001
式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ11及びＲ12は互いに独立にＣ1-8−アルキル、Ｃ1-8−ハロゲノアルキル、Ｃ3-6−シクロアルキル、アラルキル、アリールを表し、
Ｒ3、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ9は互いに独立に水素又は直鎖状もしくは分岐鎖状Ｃ1-8−アルキルを表し、該Ｃ1-8−アルキルは場合によりヒドロキシル、Ｃ1-4−アルコキシ、カルボキシル、
【化２】
2002544224.tif 000002
、カルボキサミド、
【化３】
2002544224.tif 000003
、イミダゾリル、インドリル、グアニジノ、−ＳＨ又はＣ1-4−アルキルチオにより置換されていてもよく、そして更にアリール又はアラルキルを表し、該アリール又はアラルキルはハロゲン、ヒドロキシル、Ｃ1-4−アルキル、Ｃ1-4−アルコキシにより置換されていてもよく、
Ｒ4、Ｒ6、Ｒ8、Ｒ10は互いに独立に水素、直鎖状Ｃ1-5−アルキル、Ｃ2-6−アルケニル、Ｃ3-7−シクロアルキルを表し、それらの各々は場合によりヒドロキシル、Ｃ1-4−アルコキシ、カルボキシル、カルボキサミド、イミダゾリル、インドリル、グアニジノ、ＳＨ又はＣ1-4−アルキルチオにより置換されていてもよく、そして更にアリール又はアラルキルを表し、該アリール又はアラルキルはハロゲン、ヒドロキシル、Ｃ1-4−アルキル、Ｃ1-4−アルコキシにより置換されていてもよい、
及びそれらの光学的異性体及びラセメートに相当することを特徴とする請求項１に記載のピペラジン類の使用。
【請求項５】  環状デプシペプチドが、式（Ｉ）
式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ11及びＲ12が、互いに独立にメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−，ｓ−，ｔ−ブチル又はフェニルを表し、これらは場合によりハロゲン、Ｃ1-4−アルキル、ＯＨ、Ｃ1-4−アルコキシにより置換されていてもよく、そしてベンジル又はフェネチルを表し、その各々は場合によりフェニルの場合に示された基により置換されていてもよく、そして
Ｒ3〜Ｒ10は請求項４に示された意味を有する、
に相当することを特徴とする請求項４に記載の使用。
【請求項６】  環状デプシペプチドが、式（Ｉ）
式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ11及びＲ12が互いに独立にメチル、エチル、プロピル、イソプロピル又はｎ−、ｓ−、ｔ−ブチルを表し、
Ｒ3、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ9は水素、直鎖状又は分岐鎖状Ｃ1-8−アルキル、特にメチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−、ｓ−、ｔ−ブチルを表し、それらの各々は場合によりＣ1-4−アルコキシ、特にメトキシ、エトキシ、イミダゾリル、インドリル又はＣ1-4−アルキルチオ、特にメチルチオ、エチルチオにより置換されていてもよく、そして更にフェニル、ベンジル又はフェネチルを表し、これらの各々は場合によりハロゲン、特に塩素により置換されていてもよく、そして
Ｒ4、Ｒ6、Ｒ8及びＲ10は互いに独立に水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ビニル、シクロヘキシルを表し、それらの各々は場合によりメトキシ、エトキシ、イミダゾリル、インドリル、メチルチオ、エチルチオにより置換されていてもよく、そしてイソプロピル、ｓ−ブチルを表しそして更に場合によりハロゲン置換されていてもよいフェニル、ベンジル又はフェニルエチルを表す、に相当することを特徴とする請求項４に記載の使用。
【請求項７】  ピペラジンが、式（Ｘ）
【化４】
2002544224.tif 000004
式中、
Ｒ13及びＲ14は互いに独立に基水素の同一の又は相異なる置換基であって、各場合に、場合により置換されていてもよいアルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び−ＣＯＮＲ15Ｒ16又は−ＣＳＮＲ15Ｒ16を表し、ここで
Ｒ15及びＲ16は互いに独立に基水素の同一の又は相異なる置換基であって、各場合に、場合により置換されていてもよいアルキル又はシクロアルキルを表す、に相当することを特徴とする請求項１又は４〜６に記載の使用。
【請求項８】  ピペラジンが、式（Ｘ）
式中、
Ｒ13及びＲ14は互いに独立に基水素の同一の又は相異なる置換基であって、各場合に、場合により置換されていてもよいＣ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ8−シクロアルキル及び−ＣＯＮＲ15Ｒ16又は−ＣＳＮＲ15Ｒ16を表し、ここで
Ｒ15及びＲ16は互いに独立に基水素の同一の又は相異なる置換基であって、各場合に、場合により置換されていてもよいＣ1−Ｃ6−アルキル又はＣ3−Ｃ8−シクロアルキルを表す、
に相当することを特徴とする請求項１又は４〜６に記載の使用。
【請求項９】  ピペラジンが、式（Ｘ）
式中、
Ｒ13及びＲ14は互いに独立に基水素の同一の又は相異なる置換基であって、各場合に、場合により置換されていてもよいＣ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ6−シクロアルキル及び−ＣＯＮＲ15Ｒ16又は−ＣＳＮＲ15Ｒ16を表し、ここで
Ｒ15及びＲ16は互いに独立に基水素の同一の又は相異なる置換基であって、各場合に、場合により置換されていてもよいＣ1−Ｃ4−アルキル又はＣ6−シクロアルキルを表す、
に相当することを特徴とする請求項１又は４〜６に記載の使用。
【請求項１０】  環状デプシペプチドが請求項４〜６に記載の定義の１つに相当し及び／又はピペラジンが請求項７〜９に記載の定義の１つに相当することを特徴とする請求項２に記載の組成物。
【請求項１１】  式
【化５】
2002544224.tif 000005
の環状デプシペプチドの殺内部寄生虫作用を増加させるためのピペラジン類の使用。
【請求項１２】  式
【化６】
2002544224.tif 000006
式中、Ｚはモリホリニル、ニトロ、アミノまたはモノ−もしくはジメチルアミノを表    す、
の環状デプシペプチドの殺内部寄生虫作用を増加させるためのピペラジン類の使用。
【請求項１３】  環状デプシペプチドが式
【化７】
2002544224.tif 000007
に相当する請求項１２に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月13日(2004.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
疾病に罹患した患者において、炭水化物を含まない薬剤に比べて、薬剤中の生物学的活性剤の細胞への吸収を高める働きを有する炭水化物と生物学的活性剤とからなる薬剤を調製することを特徴とする、疾患を治療用薬剤中の該生物学的活性剤の哺乳動物細胞への吸収を高めるための炭水化物の使用。
【請求項２】
活性剤および炭水化物が水性ビヒクル中に含まれる請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項３】
薬剤が、溶液、懸濁液またはゲルである請求項２記載の炭水化物の使用。
【請求項４】
薬剤が、該活性剤で飽和している請求項３記載の炭水化物の使用。
【請求項５】
薬剤が、約２０〜９９重量パーセントの炭水化物を含む水溶液である請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項６】
水性溶媒との調合後または細胞周囲の水性環境へのデリバリー後のいずれかにおいて、炭水化物：活性剤の重量比が、水溶液中、約４：１〜１５：１である請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項７】
水性溶媒との調合後または細胞周囲の水性環境へのデリバリー後のいずれかにおいて、炭水化物：活性剤の重量比が、水溶液中、少なくとも７：１である請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項８】
薬剤が、乾燥製剤であり、薬剤中の炭水化物：活性剤の重量比が、約１.５：１〜２０：１である請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項９】
細胞が、上皮細胞である請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項１０】
上皮細胞が、哺乳動物の胃腸管の一部である請求項９記載の炭水化物の使用。
【請求項１１】
細胞が、内皮細胞である請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項１２】
哺乳動物が、ヒトである請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項１３】
炭水化物が、糖類からなる請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項１４】
糖類が、二糖類または単糖類からなる請求項１３記載の炭水化物の使用。
【請求項１５】
糖類が、スクロースである請求項１３記載の炭水化物の使用。
【請求項１６】
糖類が、多糖類からなる請求項１３記載の炭水化物の使用。
【請求項１７】
糖類が、糖アルコールからなる請求項１３記載の炭水化物の使用。
【請求項１８】
糖アルコールが、ソルビトール、マンニトールまたはキシリトールからなる請求項１７記載の炭水化物の使用。
【請求項１９】
活性剤が、アミノ酸またはアミノ酸塩である請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項２０】
アミノ酸が、水への溶解度が１００ｍｌ当たり約５ｇ以下であるアミノ酸から選ばれる請求項１９記載の炭水化物の使用。
【請求項２１】
活性剤が、ペプチドである請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項２２】
活性剤が、ヌクレオシドまたはヌクレオシド類縁体である請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項２３】
ヌクレオシド類縁体が、アシクロビルである請求項２２記載の炭水化物の使用。
【請求項２４】
活性剤が、ヌクレオチドまたは核酸である請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項２５】
活性剤が、ステロイドである請求項１記載の炭水化物の使用。
【請求項２６】
総炭水化物：アミノ酸の重量比が、約４：１〜１５：１である、少なくとも１種の炭水化物およびアミノ酸からなる水溶液。
【請求項２７】
アミノ酸が、グルタミンである請求項２６記載の溶液。
【請求項２８】
溶液が、アミノ酸で飽和している請求項２６記載の溶液。
【請求項２９】
胃腸管の損傷した上皮組織を治療するための請求項２７の溶液の使用。
【請求項３０】
総炭水化物：アミノ酸の重量比が、少なくとも約７：１である、少なくとも１種の炭水化物およびアシクロビルからなる水溶液。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月5日(2004.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
式１：
【化１】
2002544283.tif 000001
の化合物の結晶。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【化９】
2002544283.tif 000002
で示される構造を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニク・アセンブリを形成する方法であって、
複数のボンドパッドを有する基板を作製する工程と、
少なくとも１つのエッジと、面上に複数のはんだバンプを有するダイ面と、を有する集積回路ダイ部品を作製する工程と、
該ダイの少なくとも１つの外縁上に、高分子前駆体材料で作製されたビーズを形成する工程と、
該各はんだバンプが、複数のボンドパッドの対応するパッドと接触して、ダイ面と基板とがギャップによって離間されるべく、基板上にダイ面を重ね合わせる工程と、
該はんだバンプをリフローするのに十分な温度に、ダイと基板とを加熱して、対応する該ボンドパッドにはんだ接続を形成し、該高分子前駆体材料を基板上に流動させる工程と、
からなる方法。
【請求項２】
マイクロエレクトロニク・アセンブリを形成する方法であって、
複数のボンドパッドを有する基板を作製する工程と、
少なくとも１つのエッジと、面上に複数のはんだバンプを有するダイ面と、を有する集積回路ダイ部品を作製する工程と、
ダイの少なくとも１つの外縁上に、高温度で流動するのに適合した高分子前駆体材料で作製されたビーズを形成する工程と、
各はんだバンプが、複数のボンドパッドの対応するパッドと接触して、ダイ面と基板とがギャップによって離間されるべく、基板上にダイ面を重ね合わせる工程と、
はんだバンプをリフローするのに十分な温度にダイと基板とを加熱して、対応するボンドパッドに接続を形成し、同時に、高分子前駆体材料をギャップ中に流動させ、硬化させて封止し、同封止がボンドパッドとはんだバンプとの間の接続を保護する工程と、
からなる方法。
【請求項３】
マイクロエレクトロニク・アセンブリを形成する方法であって、
ウエハ面を有する半導体ウエハを作製する工程であって、該ウエハ面はその上に少なくとも１つの集積回路ダイ部品を有し、該各ダイ部品はダイ面、ダイ面上の複数のはんだバンプおよび複数のエッジを有することと、
該ウエハ面が接着支持材料から外に向かうように、該半導体ウエハを接着支持材料上に配置する工程と、
該各ダイ部品の周囲に道を形成する工程と、  
高分子前駆体材料で道を充填する工程と、
ダイ部品を分離する工程であって、各ダイ部品は、エッジの少なくとも１つに、高分子前駆体材料で形成されたビーズが配置されていることと、  
複数のボンドパッドを有する基板を作製する工程と、
基板上にダイ面を重ね合わせる工程であって、各はんだバンプが、複数のボンドパッドの対応するパッドと接触することと、
はんだバンプをリフローするのに十分な温度に、ダイ部品と基板を加熱して、対応するボンドパッドにはんだ接続を形成し、高分子前駆体材料を基板上に流動させる工程と、
からなる方法。
【請求項４】
ダイ部品が分離される前に、前記高分子前駆体材料が部分硬化される請求項３に記載のマイクロエレクトロニック・アセンブリを形成する方法。
【請求項５】
前記高分子前駆体材料が、はんだリフロー温度で硬化されるべく適応された請求項３に記載のマイクロエレクトロニック・アセンブリを形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月2日(2005.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準電圧発生器と、差動増幅器と、複数のトランジスタを有する集積回路とを備え、前記トランジスタは、それぞれ、第１および第２の端子と制御端子を有し、前記第１および第２の端子間の電流は前記制御端子と前記第１の端子との間の電圧により制御され、前記複数のトランジスタの前記第１の端子は互いに接続されるとともに電源端子に接続され、前記差動増幅器への入力は前記基準電圧発生器と前記複数のトランジスタの第１のトランジスタの前記第２の端子のみに接続され、前記差動増幅器の出力は前記複数のトランジスタの前記制御端子に接続される、かつ前記第１トランジスタの第２の端子に接続された抵抗を有することを特徴とする発光ダイオード用電流源バイアス回路。
【請求項２】
それぞれ第１および第２の端子と制御端子とを有する複数のトランジスタを有し、前記第１および第２の端子間の電流は前記制御端子と前記第１の端子との間の電圧により制御される集積回路と、前記複数のトランジスタの第１の端子と制御端子を接続して前記トランジスタが電流ミラーとして接続されるようにするとともに、前記複数のトランジスタのうちの第１のトランジスタの前記第２の端子のみを第１の端子に対して所定電圧に保持する回路部とを備えることを特徴とする電流源バイアス回路。
【請求項３】
第１のトランジスタを流れる所定電流を供給し、
前記第１のトランジスタを流れる電流を、発光ダイオードと直列に接続される少なくとも１つの追加トランジスタにミラーさせるとともに、前記第１のトランジスタだけの電圧を所定値に保持することを特徴とする発光ダイオードのバイアス方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）実質的に０．１ｐｍよりも大きいプレフィルタ帯域幅を形成する第１のパルス出力レーザビームを生成するように構成された第１のＦ2レーザ光源と、
Ｂ）前記第１のパルス出力レーザビームを受けるように位置決めされ、前記プレフィルタ帯域幅を尖鋭化して０．１ｐｍ又はそれ以下のポストフィルタ帯域幅を有する濾過されたビームを生成するプレ電力利得光学フィルタと、
Ｃ）前記濾過されたビームを受け止め、それを増幅して３ｍＪよりも大きいエネルギを有し尖鋭化された出力帯域幅を形成するパルスを有する増幅されたパルスレーザビームを生成するように位置決めされた電力利得レーザと、
を含むことを特徴とするＦ2レーザシステム。
【請求項２】
前記増幅されたパルスレーザビームを受けるように位置決めされ、前記尖鋭化された出力帯域幅を更に尖鋭化するポスト出力フィルタを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項３】
前記第１のＦ2レーザ光源は、面平行光学共振器を有するＦ2レーザであることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項４】
前記第１のＦ2レーザ光源は、不安定共振器を有するＦ2レーザであることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項５】
前記第１のＦ2レーザ光源は、１０〜１００μＪの範囲の出力を生成するように構成されることを特徴とする請求項４に記載のレーザシステム。
【請求項６】
前記プレ利得フィルタは、単色光分光器を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項７】
前記単色光分光器は、回折格子単色光分光器であることを特徴とする請求項６に記載のレーザシステム。
【請求項８】
前記回折格子単色光分光器は、 リスロー形態で配置された回折格子を含むことを特徴とする請求項７に記載のレーザシステム。
【請求項９】
前記単色光分光器は、熱による歪みを回避するように構成されたスリットを含むことを特徴とする請求項６に記載のレーザシステム。
【請求項１０】
前記スリットは、屈折スリットであることを特徴とする請求項９に記載のレーザシステム。
【請求項１１】
前記プレ利得フィルタは、波長モニタを含むことを特徴とする請求項６に記載のレーザシステム。
【請求項１２】
前記波長モニタは、ビームスプリッタ及び線形検出器アレーを含むことを特徴とする請求項１１に記載のレーザシステム。
【請求項１３】
前記波長モニタはまた、注入シードパルスエネルギモニタを含むことを特徴とする請求項１２に記載のレーザシステム。
【請求項１４】
前記単色光分光器は、前記第１のパルス出力レーザビームの発散を小さくして前記回折格子を照明する低発散ビームを生成するように構成されたビームエキスパンダを含むことを特徴とする請求項８に記載のレーザシステム。
【請求項１５】
前記単色光分光器はまた、出口スリットと、前記回折格子から反射された光を前記出口スリット上に集束させるための集束光学装置とを含むことを特徴とする請求項１４に記載のレーザシステム。
【請求項１６】
前記単色光分光器はまた、波長モニタを含むことを特徴とする請求項１４に記載のレーザシステム。
【請求項１７】
前記波長モニタは、ビームスプリッタ及び線形検出器アレーを含むことを特徴とする請求項１６に記載のレーザシステム。
【請求項１８】
前記プレ利得フィルタは、エタロンフィルタであることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項１９】
前記エタロンフィルタは、ビームエキスパンダ及び部分拡散器を含むことを特徴とする請求項１８に記載のレーザシステム。
【請求項２０】
前記単色光分光器は、プロセッサコントローラと、前記第１の濾過ビームの波長を制御するためのフィードバックループとを含むことを特徴とする請求項７に記載のレーザシステム。
【請求項２１】
前記プレ利得フィルタは、プロセッサコントローラと、前記第１の濾過ビームの波長を制御するためのフィードバックループとを含むことを特徴とする請求項１８に記載のレーザシステム。
【請求項２２】
前記電力利得レーザは、電力発振器として構成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項２３】
前記レーザは、フレネルコアを形成する共振器を含み、
前記レーザはまた、高反射凸面ミラー及び高反射凹面ミラーを含む、
ことを特徴とする請求項２２に記載のレーザシステム。
【請求項２４】
前記電力利得レーザが、電力増幅器であることを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項２５】
前記電力増幅器は、軸外電力増幅器であることを特徴とする請求項２４に記載のレーザシステム。
【請求項２６】
前記ポスト出力フィルタは、レーザシステムで生成された赤色光及び赤外線を濾過する赤色光及び赤外線フィルターであることを特徴とする請求項２に記載のレーザシステム。
【請求項２７】
前記ポスト出力フィルタは、単色光分光器を含むことを特徴とする請求項２に記載のレーザシステム。
【請求項２８】
前記ポスト出力フィルタは、エタロンを含むことを特徴とする請求項２に記載のレーザシステム。
【請求項２９】
Ａ）実質的に０．１ｐｍよりも大きいプレフィルタ帯域幅を形成する第１のパルス出力レーザビームを第１のＦ2レーザにおいて生成する段階と、
Ｂ）前記第１のパルス出力レーザビームを受けるように位置決めされ、前記プレフィルタ帯域幅を濾過して０．１ｐｍ又はそれ以下のポストフィルタ帯域幅を有する濾過ビームを生成するプレ電力利得光学フィルタで、前記第１のパルス出力レーザビームを濾過する段階と、
Ｃ）３ｍＪよりも大きいエネルギを有し尖鋭化された出力帯域幅を形成するパルスを有する増幅されたパルスレーザビームを生成するために、電力利得レーザにおいて前記濾過ビームを増幅する段階と、
を含むことを特徴とする、狭帯域パルス紫外線レーザビームを生成する方法。
【請求項３０】
前記尖鋭化された出力帯域幅をポスト出力フィルタを用いて更に尖鋭化する段階を更に含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記第１のＦ2レーザは、面平行光学共振器を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１のＦ２レーザは、不安定共振器を有するＦ2レーザであることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
前記プレ利得フィルタは、単色光分光器を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テレビジョン又はラジオ番組用の電子番組案内を与えるシステムであって：
現在又は将来の番組のリストを画面に提示する手段；
過去の番組のリストを画面に提示する手段；及び
過去の番組の画面リストに関連して、過去の番組が将来再び利用可能であるか否かを示す手段；
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
過去の番組の後日の利用性を示す前記手段が、過去の番組の画面リスト内で、再放送される番組を強調するよう動作することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
更に、過去の番組に関するユーザ選択を受信する手段を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
更に、ユーザ選択に応答して、選択するユーザに対する選択肢を生成する手段より成ることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のシステム。
【請求項５】
前記選択肢が記録又は閲覧機能であることを特徴とする請求項４記載のシステム。
【請求項６】
更に、記録機能を選択すると、当該システムが選択された過去の番組の再放送を記録するように自動的に設定されるように動作する手段を備えることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のシステム。
【請求項７】
更に、鑑賞機能を選択すると、選択された番組の再放送がなされようとする時に視聴者に知らせるように自動的に設定されるように動作させる手段を備えることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のシステム。
【請求項８】
テレビジョン又はラジオ番組に関する電子番組案内を与えるシステムであって：
現在又は将来の番組のリストを画面に提示する手段；
過去の番組のリストを画面に提示する手段；
例えば記録、鑑賞又は視聴である、過去の番組に関連する機能のユーザ選択肢を受信する手段；
過去の番組が再放送されるか否かを見分ける手段、及び過去の番組が再放送される場合に過去の番組に関して選択された機能を起動する手段；
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項９】
過去の番組が再放送されるか否かを見分ける手段が、過去及び将来のリストを探索し、リスト情報の中での一致を判別する手段より成ることを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
更に、過去の番組の画面リストに関連し、過去の番組が将来再び利用可能であるか否かを示す手段より成ることを特徴とする請求項８又は９に記載のシステム。