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【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ軸方向に沿って配置された複数の極を含み、各極は交流励磁に応じて出力を生じる巻線部を有しているＸ軸検出部と、Ｙ軸方向に沿って配置された複数の極を含み、各極は交流励磁に応じて出力を生じる巻線部を有しているＹ軸検出部とを、２次元面上で交差して配置してなる基部と、
前記基部に対してＸ及びＹ軸方向に相対的に変位するものであり、磁気応答性の材質を含み、かつ永久磁石成分を含んで構成されてなる磁気応答部材と、
前記基部において所定の位置に対応して配置された導電性物質と
を具備してなり、前記基部の２次元面に対する前記磁気応答部材の相対的位置に応じたＸ軸成分位置検出信号とＹ軸成分位置検出信号とを前記Ｘ軸検出部及びＹ軸検出部から夫々出力され、前記磁気応答部材の変位に応じて導電性物質に生じる渦電流による磁界により、該磁気応答部材の永久磁石成分と前記導電性物質とが引合い、該磁気応答部材が前記所定の配置に吸引され、その動きが緩衝されることを特徴とする２次元位置検出装置。
【請求項２】
Ｘ軸方向に沿って配置された複数の極を含み、各極は交流励磁に応じて出力を生じる巻線部を有しているＸ軸検出部と、Ｙ軸方向に沿って配置された複数の極を含み、各極は交流励磁に応じて出力を生じる巻線部を有しているＹ軸検出部とを、２次元面上で交差して配置してなる基部と、
前記基部に対してＸ及びＹ軸方向に相対的に変位するものであり、導電性物質を含んで構成されてなる磁気応答部材と、
前記基部において所定の位置に対応して配置された永久磁石と
を具備してなり、前記基部の２次元面に対する前記磁気応答部材の相対的位置に応じたＸ軸成分位置検出信号とＹ軸成分位置検出信号とを前記Ｘ軸検出部及びＹ軸検出部から夫々出力され、前記磁気応答部材の変位に応じて導電性物質に生じる渦電流による磁界により、前記永久磁石と前記磁気応答部材とが引合い、該磁気応答部材が前記所定の配置に吸引され、その動きが緩衝されることを特徴とする２次元位置検出装置。
【請求項３】
前記磁気応答部材は、球形状を成したものである請求項１又は２に記載の２次元位置検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る２次元位置検出装置は、Ｘ軸方向に沿って配置された複数の極を含み、各極は交流励磁に応じて出力を生じる巻線部を有しているＸ軸検出部と、Ｙ軸方向に沿って配置された複数の極を含み、各極は交流励磁に応じて出力を生じる巻線部を有しているＹ軸検出部とを、２次元面上で交差して配置してなる基部と、前記基部に対してＸ及びＹ軸方向に相対的に変位するものであり、磁気応答性の材質を含み、かつ永久磁石成分を含んで構成されてなる磁気応答部材と、前記基部において所定の位置に対応して配置された導電性物質とを具備してなり、前記基部の２次元面に対する前記磁気応答部材の相対的位置に応じたＸ軸成分位置検出信号とＹ軸成分位置検出信号とを前記Ｘ軸検出部及びＹ軸検出部から夫々出力され、前記磁気応答部材の変位に応じて導電性物質に生じる渦電流による磁界により、該磁気応答部材の永久磁石成分と前記導電性物質とが引合い、該磁気応答部材が前記所定の配置に吸引され、その動きが緩衝されることを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明によれば、夫々が交流励磁型検出要素であるＸ軸検出部とＹ軸検出部とを基部の２次元面上で交差して配置してなり、Ｘ及びＹ軸方向に関して所定のサイズを有すると共に磁気応答性の材質を含んで構成されてなる磁気応答部材を、該基部に対してＸ及びＹ軸方向に相対的に変位可能に配置したものである。従って、基部の２次元面に対する磁気応答部材の相対的位置に応じてＸ軸検出部及びＹ軸検出部の各極における電磁的結合が可変的に定まり、これに応じたＸ軸成分位置検出信号とＹ軸成分位置検出信号とが前記Ｘ軸検出部及びＹ軸検出部から夫々得られ、両Ｘ，Ｙ軸成分位置の組合せによって２次元位置の検出がなされる。
ここで、可動部である磁気応答部材は永久磁石成分を含んで構成されてなり、かつ、前記基部において所定の位置に対応して導電性物質が配置されている。従って、磁気応答部材が変位するとき、基部に固定された導電性物質に渦電流が流れ、これによって生じる磁界により、該磁気応答部材の永久磁石成分と前記導電性物質とが引合い、該磁気応答部材が前記所定の配置（例えばＸ，Ｙ座標の原点位置）に吸引され、その動きが緩衝される。従って、検出用の可動部（磁気応答部材）の不所望の慣性的な動き・振動を緩衝（吸収）して、瞬間的な運動つまり加速度的変位を抽出してこれを正確に検出することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
別の例として、本発明に係る２次元位置検出装置は、Ｘ軸方向に沿って配置された複数の極を含み、各極は交流励磁に応じて出力を生じる巻線部を有しているＸ軸検出部と、Ｙ軸方向に沿って配置された複数の極を含み、各極は交流励磁に応じて出力を生じる巻線部を有しているＹ軸検出部とを、２次元面上で交差して配置してなる基部と、前記基部に対してＸ及びＹ軸方向に相対的に変位するものであり、導電性物質を含んで構成されてなる磁気応答部材と、前記基部において所定の位置に対応して配置された永久磁石とを具備してなり、前記基部の２次元面に対する前記磁気応答部材の相対的位置に応じたＸ軸成分位置検出信号とＹ軸成分位置検出信号とを前記Ｘ軸検出部及びＹ軸検出部から夫々出力され、前記磁気応答部材の変位に応じて導電性物質に生じる渦電流による磁界により、前記永久磁石と前記磁気応答部材とが引合い、該磁気応答部材が前記所定の配置に吸引され、その動きが緩衝されることを特徴とする。
この場合も、磁気応答部材が変位するとき、該磁気応答部材側の導電性物質に渦電流が流れ、これによって生じる磁界により、該磁気応答部材と基部に固定された永久磁石とが引合い、該磁気応答部材が前記所定の配置（例えばＸ，Ｙ座標の原点位置）に吸引され、その動きが緩衝される。従って、検出用の可動部（磁気応答部材）の不所望の慣性的な動き・振動を緩衝（吸収）して、瞬間的な運動つまり加速度的変位を抽出してこれを正確に検出することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検体中の血清由来ヒアルロナン結合性タンパク質−ヒアルロン酸（ＳＨＡＰ−ＨＡ）結合体を、抗インター−α−トリプシンインヒビター抗体（抗ＩＴＩ抗体）と反応させて抗ＩＴＩ抗体−（ＳＨＡＰ−ＨＡ結合体）の複合体を形成させ、この複合体を測定することを特徴とする検体中の血清由来ヒアルロナン結合性タンパク質−ヒアルロン酸結合体の測定方法。
【請求項２】
検体中のＳＨＡＰ−ＨＡ結合体と、ヒアルロン酸と結合能を有するタンパク質とを反応させてヒアルロン酸と結合能を有するタンパク質とＳＨＡＰ−ＨＡ結合体との複合体を形成させ、この複合体を抗ＩＴＩ抗体と反応させて、抗ＩＴＩ抗体−（ＳＨＡＰ−ＨＡ結合体）−（ヒアルロン酸と結合能を有するタンパク質）の複合体を形成させ、この複合体を測定することを特徴とする検体中の血清由来ヒアルロナン結合性タンパク質−ヒアルロン酸結合体の測定方法。
【請求項３】
ヒアルロン酸と結合能を有するタンパク質がヒアルロン酸結合性タンパク質およびヒアルロン酸受容体から選択される少なくとも１種のタンパク質である請求項２記載の測定方法。
【請求項４】
ヒアルロン酸結合性タンパク質がヒアルロン酸結合性プロテオグリカン、ヒアルロン酸結合性プロテオグリカンのコアタンパク質、リンクプロティン、ヒアルロネクチンおよびそれらタンパク質のヒアルロン酸結合領域を含む部分タンパク質よりなる群から選択される少なくとも１種のタンパク質である請求項３記載の測定方法。
【請求項５】
ヒアルロン酸受容体がＣＤ４４、そのヒアルロン酸結合領域を含む部分タンパク質またはそれらの融合タンパク質である請求項３記載の測定方法。
【請求項６】
抗ＩＴＩ抗体がＩＴＩの長鎖である HC1および／またはHC2と反応するポリクローナル抗体またはモノクローナル抗体である請求項１〜３のいずれかに記載の測定方法。
【請求項７】
キットの構成成分として、抗ＩＴＩ抗体を含むことを特徴とし、検体中のＳＨＡＰ−ＨＡ結合体と抗ＩＴＩ抗体とを結合させて抗ＩＴＩ抗体−（ＳＨＡＰ−ＨＡ結合体）の複合体を形成させ、ＳＨＡＰ−ＨＡ結合体を測定する方法に使用するための測定キット。
【請求項８】
抗ＩＴＩ抗体がＩＴＩの長鎖である HC1および／またはHC2と反応するポリクローナル抗体またはモノクローナル抗体である請求項７記載の測定キット。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかの測定方法を用いて検体中のＳＨＡＰ−ＨＡ結合体を測定し、それによって関節炎を検出することを特徴とする関節炎の検出方法。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれかの測定方法を用いて検体中のＳＨＡＰ−ＨＡ結合体を測定し、それによって肝疾患を検出することを特徴とする肝疾患の検出方法。
【請求項１１】
検体が血液、血清または血漿である請求項９又は１０記載の検出方法。
【請求項１２】
キットの構成成分として抗ＩＴＩ抗体を含み、検体中のＳＨＡＰ−ＨＡ結合体と抗ＩＴＩ抗体とを結合させて抗ＩＴＩ抗体−（ＳＨＡＰ−ＨＡ結合体）の複合体を形成させ、ＳＨＡＰ−ＨＡ結合体を測定することを特徴とする関節炎又は肝疾患の診断用キット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月13日(2004.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以上の記載から、制御システムはチルト回路が駆動されるとポンプからシリンダへの流体流量をメータリングすることが明らかである。制御システムは信号を変形してチルトが命令されるとチルトが優先される。
本発明の他の態様、目的および利益は、図面と開示内容と特許請求の範囲から得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下側プレート（１）と、そのプレートに固定されたブリッジ（２）と、そのプレートとブリッジのそれぞれのオリフィス内に２端部が取り付けられた固定用ガイド管（１５）と、その管の軸方向内孔（１４）に挿通されて案内される回転ホィール軸（１０）とを有する時計ムーブメントであって、
ガイド管（１５）は、それぞれ前記プレート（１）及び前記ブリッジ（２）に当接する２つの対向する外側肩部（２１、２６）を備えていて、それらで前記プレートと前記ブリッジの間に所定隙間を維持できるようにしたことを特徴とするムーブメント。
【請求項２】
印刷回路要素（２４）がブリッジ（２）に当接させられており、前記印刷回路要素に設けられた穴（２３）にガイド管が挿通されており、その管の外周支持表面（２２）がその穴と協働して前記印刷回路要素を位置決めするようにしたことを特徴とする先行請求項のいずれか１項記載のムーブメント。
【請求項３】
前記軸（１０）は、クロノグラフカウンタのもので、下側プレート（１）の下方に示針を支持していることを特徴とする先行請求項のいずれか１項記載のムーブメント。
【請求項４】
ブリッジ（２）は、３本の前記管（１５）と前記管を前記プレート及びブリッジ間に把持しようとするねじ（３１）とによって下側プレート（１）に固定されていることを特徴とする先行請求項のいずれか１項記載のムーブメント。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号源ポートと負荷ポートを備えるベクトル・ネットワーク・アナライザにおいて、ＤＵＴの伝送測定値に補正を加えるための方法あって、
信号源ポートに接続された少なくとも１つの反射標準器に基づいて信号源反射係数を測定するステップと、
スルーライン標準器を前記信号源ポートと前記負荷ポートとの間に接続し、伝送トラッキングを測定するステップと、
前記スルーライン標準器を前記信号源ポートと前記負荷ポートとの間に接続し、負荷反射係数を測定するステップと、
前記ＤＵＴを前記信号源ポートと前記負荷ポートとの間に接続し、伝送係数を測定するステップと、
前記測定された伝送トラッキングと前記測定された負荷反射係数と前記測定された信号源反射係数とに従って、前記測定された伝送係数を補正するステップと、
を設けて成る方法。
【請求項２】
前記測定された伝送係数を補正するステップは、前記測定された伝送係数を、前記測定された伝送トラッキングで割り、前記測定された信号源反射係数と前記測定された負荷反射係数との積を１から引いた値でさらに割るステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
信号源ポートと負荷ポートとを備えるベクトル・ネットワーク・アナライザにおいて、ＤＵＴの伝送測定値の誤差に補正を加えるための方法であって、
前記信号源ポートに接続された少なくとも１つの反射標準器に基づいて信号源反射係数を測定するステップと、
前記ＤＵＴを前記信号源ポートと前記負荷ポートの間に接続し、入力反射係数を測定するステップと、
前記ＤＵＴを前記信号源ポートと前記負荷ポートの間に接続し、伝送係数を測定するステップと、
前記測定された信号源反射係数と前記測定された入力反射係数とに従って、前記測定された伝送係数を補正するステップと、
を設けて成る方法。
【請求項４】
前記測定された伝送係数を補正するステップは、前記測定された伝送係数に、前記測定された信号源反射係数と前記測定された入力反射係数との積を１から引いた値を掛けるステップを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記信号源ポートと前記負荷ポートの間にスルーライン標準器を接続して伝送トラッキングを測定するステップをさらに含み、
前記測定された伝送係数を補正するステップが、前記測定された伝送係数を前記測定された伝送トラッキングによって割るステップを含む、
ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検二次電池の複素インピーダンスを測定し、その測定値より算出される等価回路的抵抗値から残存容量を判別する二次電池の残存容量検出方法であって、
前記等価回路的抵抗値が、複素インピーダンスの測定値より得られるインピーダンスの実数成分―虚数成分図において、１００Ｈｚから０．１Ｈｚの周波数領域に出現する円弧の半径より算出されることを特徴とする二次電池の残存容量検出方法。
【請求項２】
被検二次電池の複素インピーダンスを測定し、その測定値より算出される等価回路的容量値から残存容量を判別する二次電池の残存容量検出方法であって、
前記等価回路的容量値が、複素インピーダンスの測定値より得られるインピーダンスの実数成分―虚数成分図において、１００Ｈｚから０．１Ｈｚの周波数領域に出現する円弧の半径をＲとし、前記円弧の頂点を与える周波数をｆとするとき、１／（２πｆＲ）をもとに算出されることを特徴とする電池の残存容量検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両診断システムのための車両診断コントローラであって、
装置周辺インターフェース手段と、
仲裁制御手段およびデバイスインターフェース手段を備える実行制御手段であって、該仲裁制御手段は該デバイスインターフェース手段に電気的に接続されている、実行制御手段と、
前記実行制御手段に電気的に接続される複数のアナログデバイスであって、該実行制御手段と該複数のアナログデバイスは、該複数のアナログデバイスから並列に入力されるデータを処理することができる複数の独立チャンネルを形成する、複数のアナログデバイスと、
前記装置周辺インターフェース手段を前記実行制御手段に電気的に接続する第１バスと、
を有する車両診断コントローラ。
【請求項２】
前記実行制御手段には、更にデータ記憶手段が含まれ、該データ記憶手段は前記仲裁制御手段と電気的に接続され、さらに該仲裁制御手段は前記装置周辺インタフェース手段に電気的に接続される、請求項１に記載の診断コントローラ。
【請求項３】
データ認定手段がさらに含まれ、該データ認定手段は前記デバイスインターフェース手段と電気的に接続される、請求項１に記載の診断コントローラ。
【請求項４】
前記実行制御手段には、更にデータ記憶手段が含まれ、該データ記憶手段は前記仲裁制御手段及び前記データ認定手段と電気的に接続されている、請求項３に記載の診断コントローラ。
【請求項５】
前記装置周辺インターフェース手段がバスの統制を実行することができる、請求項３に記載した診断コントローラ。
【請求項６】
前記装置周辺インターフェース手段には、更に、第１データインターフェース手段と、第２データインターフェース手段と、該第１データインターフェース手段と該第２データインターフェース手段を電気的に接続するための第２バスと、が含まれる請求項１に記載の診断コントローラ。
【請求項７】
車両診断テストシステムであって、
計算手段と、
装置周辺インターフェース手段と、
計算手段と装置周辺インターフェース手段を電気的に接続する第３バスと、
仲裁制御手段およびデバイスインターフェース手段を備える実行制御手段であって、該仲裁制御手段は該デバイスインターフェース手段に電気的に接続されている、実行制御手段と、
前記実行制御手段に電気的に接続される複数のアナログデバイスであって、該実行制御手段と該複数のアナログデバイスは、該複数のアナログデバイスから並列に入力されるデータを処理することができる複数の独立チャンネルを形成する、複数のアナログデバイスと、
前記装置周辺インターフェース手段を前記実行制御手段に電気的に接続する第１バスと、
を有する車両診断テストシステム。
【請求項８】
計算手段にはホストプロセッサとホストメモリとが含まれ、アプリケーションプログラムが該ホストメモリに記憶される、請求項７に記載の車両診断テストシステム。
【請求項９】
前記計算手段において動作する前記アプリケーションプログラムが前記実行制御手段に一連のタスクの実行を指示し、実時間タスクのすべてが該実行制御手段で実行される、請求項８に記載の車両診断テストシステム。
【請求項１０】
第１チャンネルと前記ホストメモリとの間で転送されたデータは第２チャンネルと前記ホストメモリとの間で伝送されたデータに依存しない、請求項８に記載の車両診断テストシステム。
【請求項１１】
前記計算手段において動作する前記アプリケーションプログラムが前記実行制御手段に一連のタスクの実行を指示し、第１チャンネル及び第２チャンネル上で実行されるタスクはパイプライン化される、請求項８に記載の車両診断テストシステム。
【請求項１２】
前記実行制御手段は第１チャンネル上のヒステリシス値の上下の値によってユーザに指定されたノイズレベルを排除するタスクを実行する、請求項８に記載の車両診断テストシステム。
【請求項１３】
実行制御手段は、少なくともひとつのチャンネル上で転送された、前記デバイスインタフェース手段からの入力データ信号のピーク及び谷検出のタスクを実行する、請求項８に記載の車両診断テストシステム。
【請求項１４】
第１の周波数は第１チャンネルによってサポートされ、第２の周波数は第２チャンネルによってサポートされる、請求項９に記載の車両診断テストシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス型表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲイト配線及び容量配線と、
前記ゲイト配線及び前記容量配線上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成され、不純物を含む領域を選択的に有する半導体層と、
前記半導体層上に形成された窒化珪素膜を含む膜と、
前記窒化珪素膜を含む膜上に形成された樹脂層と、
前記樹脂層上に形成され、前記不純物を含む領域と電気的に接続する画素電極とを有し、
前記容量配線と前記半導体層を電極とし、前記ゲイト絶縁膜を誘電体とする補助容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
基板上に形成されたゲイト配線及び容量配線と、
前記ゲイト配線及び前記容量配線上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層に接する不純物を含む半導体層と、
前記不純物を含む半導体層と接続する金属配線と、
前記金属配線上に形成された窒化珪素膜を含む膜と、
前記窒化珪素膜を含む膜上に形成された樹脂層と、
前記樹脂層上に形成され、前記金属配線と接続する画素電極とを有し、
前記容量配線と前記金属配線を電極とし、前記ゲイト絶縁膜を誘電体とする補助容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
基板上に形成されたゲイト配線及び容量配線と、
前記ゲイト配線及び前記容量配線上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成され、不純物を含む領域を選択的に有する半導体層と、
前記不純物を含む領域に接続された金属配線と、
前記金属配線上に形成された窒化珪素膜を含む膜と、
前記窒化珪素膜を含む膜の一部を露出する孔を有し、前記窒化珪素膜を含む膜上に形成された樹脂層と、
前記窒化珪素膜を含む膜の露出部分に接するとともに前記樹脂層上に形成された金属膜とを有し、
前記金属配線と前記金属膜を電極とし、前記窒化珪素膜を含む膜の露出部分を誘電体とする補助容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
基板上に形成されたゲイト配線及び容量配線と、
前記ゲイト配線及び前記容量配線上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成され、不純物を含む領域を選択的に有する半導体層と、
前記半導体層上に形成された窒化珪素膜を含む膜と、
前記窒化珪素膜を含む膜の一部を露出する孔を有し、前記窒化珪素膜を含む膜上に形成された樹脂層と、
前記窒化珪素膜を含む膜の露出部分に接するとともに前記樹脂層上に形成された金属膜とを有し、
前記半導体層の前記不純物を含む領域と前記金属膜を電極とし、前記窒化珪素膜を含む膜の露出部分を誘電体とする補助容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
基板上に形成されたゲイト配線および容量配線と、
前記ゲイト配線及び前記容量配線上に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層と接続したソース及びドレインと、
前記ソース及び前記ドレインと前記半導体層上に形成された窒化珪素膜を含む膜と、
前記窒化珪素膜を含む膜の一部を露出する孔を有し、前記窒化珪素膜上に形成された樹脂層と、
前記窒化珪素膜を含む膜の露出部分に接するとともに前記樹脂層上に形成された金属膜とを有し、
前記ドレインと前記金属膜を電極とし、前記窒化珪素膜を含む膜の露出部分を誘電体とする補助容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
請求項３において、前記容量配線と前記金属配線との間に前記ゲイト絶縁膜を誘電体とする補助容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】
請求項４において、前記容量配線と前記半導体層の前記不純物を含む領域との間に前記ゲイト絶縁膜を誘電体とする補助容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】
請求項５において、前記容量配線と前記ドレインとの間に前記ゲイト絶縁膜を誘電体とする補助容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、前記窒化珪素膜を含む膜を誘電体とする前記補助容量は前記ゲイト絶縁膜を誘電体とする前記補助容量と重なることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項９のいずれか一において、前記金属膜はチタン膜、クロム膜またはアルミニウム膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】
請求項３乃至請求項１０のいずれか一において、前記金属膜はブラックマトリクスであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記窒化珪素膜を含む膜は、窒化珪素膜または窒化珪素膜と酸化珪素膜との積層膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記窒化珪素膜を含む膜は窒化珪素膜であり、前記窒化珪素膜の厚さは100ｎｍ以下であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記樹脂層は平坦化膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１５】
基板上に形成されたゲイト配線および容量配線と、
前記ゲイト配線及び前記容量配線に接して形成され、窒化珪素膜及び酸化珪素膜の積層からなるゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜を介して前記ゲイト配線と接し、不純物を含む領域を選択的に有する半導体層と、
前記ゲイト配線と前記半導体層を有する薄膜トランジスタ上に形成された窒化珪素膜及び酸化珪素膜の積層からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された金属膜とを有し、
前記容量配線と前記不純物を含む領域を電極とし、前記ゲイト絶縁膜を誘電体とする第１の補助容量が形成されており、
前記第１の補助容量と重なるように、前記金属膜と前記層間絶縁膜を有する第２の補助容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１６】
請求項1乃至請求項１５のいずれか一において、前記容量配線は前記ゲイト配線と同じ層から形成される配線であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月5日(2004.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
食品を収容する加熱室と、
高周波の電波を発振することにより、前記加熱室内の食品を加熱する、高周波加熱部と、
発熱することにより前記加熱室内の食品を加熱するヒータと、
前記ヒータによる加熱が行なわれる際に食品を載置する皿が、前記加熱室内の所定の位置に設置されるように支持するためのレールと、
前記加熱室は、前記ヒータによる加熱が行なわれる際に、前記皿が、前記所定の位置以外の位置に設置されることを防止する設置防止部材とを含む、加熱調理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明のある局面に従った加熱調理装置は、食品を収容する加熱室と、高周波の電波を発振することにより、前記加熱室内の食品を加熱する、高周波加熱部と、発熱することにより前記加熱室内の食品を加熱するヒータと、前記ヒータによる加熱が行なわれる際に食品を載置する皿が、前記加熱室内の所定の位置に設置されるように支持するためのレールと、前記加熱室は、前記ヒータによる加熱が行なわれる際に、前記皿が、前記所定の位置以外の位置に設置されることを防止する設置防止部材とを含むことを特徴とする。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
実施例３
商業ベースでの塵の連続焼却を想定し、中心粒子径３μｍの水酸化アルミニウム粉末（住友化学工業株式会社製）３０重量％を含有する高密度ポリエチレンフィルムを木材片、ダンボールと共に電気炉中で燃焼させ、焼却残灰を得た。この焼却残灰は実質的に活性アルミナであり、そのＢＥＴ比表面積は１１４ｍ2／ｇであった。ガスクロ用ガラス製カラム（外径５ｍｍ、内径３ｍｍ、長さ５０ｃｍ）に上記焼却残灰を０．５ｇ充填した。該ガラスカラムをガスクロマトグラフにセットし２００℃保持下キャリアガス（窒素）を流し、４．８μｇ／ｍｌダイオキシン／ｎ−ヘキサン溶液０．２ｍｌを５０μｌの注射器で４回に分け２分間で注入した。使用したダイオキシン／ｎ−ヘキサン溶液は１，３，６，８−テトラクロロジベンゾジオキシン、１，２，４，７，８−ペンタクロロジベンゾジオキシン、１，２，６，７−テトラクロロジベンゾフラン、１，３，４，７，８−ペンタクロロジベンゾフランを各々１．２μｇ／μｌ含むものである。ダイオキシン注入後、５分間キャリアガスを流し続け、その後ヒーター、キャリアガスを止め、装置を急冷した。冷却後、カラム中の焼却残灰を取り出し、該焼却残灰に含まれるダイオキシン量を分析した。分析は厚生省生活衛生局水道環境部環境整備課により作成された「廃棄物処理におけるダイオキシン類標準測定分析マニュアル（平成９年２月）」に準拠した方法を用いた。結果を表１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーシング（４２）のポート（６０）内に回転自在の構造（３８）を保持する保持装置において、
構造フランジ（６４）に終端する捕捉端（６２）を持つ回転自在の構造（３８）と、
前記ケーシング（４２）のポート（６０）を通過すると共に、前記回転自在の構造（３８）の前記捕捉端（６２）を保持するように設計されていて、ブッシング・フランジ（６８）を持つブッシング（６６）と、
前記構造フランジ（６４）及び前記ブッシング・フランジ（６８）の間に配置されていて、前記回転自在の構造（３８）がその中で回転できるように設計された保持コーム（７２）と、
前記ケーシング（４２）に着脱自在に結合可能であって、前記回転自在の構造（３８）、前記ブッシング（６６）及び前記保持コーム（７２）を一緒に保持するように前記ケーシングの上に配置される保持器（７６）とを有する保持装置。
【請求項２】
前記ケーシング（４２）が弓形であり、前記保持器（７６）が対応する弓形である請求項１記載の保持装置。
【請求項３】
前記ケーシング（４２）が複数個の弓形部分（４２）で形成され、前記保持器（７６）が前記複数個の弓形部分（４２）に互る一体の部品である請求項２記載の保持装置。
【請求項４】
前記複数個の弓形部分（４２）が環状をなし、前記保持器（７６）は１対あり、各々の保持器（７６）が前記環状の全周の約半分に互っている請求項３記載の保持装置。
【請求項５】
可変ベーン段（３２）を含む圧縮機（１８）を持つガスタービン機関（１０）内で、前記可変ベーン段（３２）が固定子ケーシング（４０）及び内側ベーン・シュラウド（４２）の間に配置された複数個の可変固定子ベーン（３８）を持つときの各々のベーン（３８）に対するベーン−シュラウド保持装置において、
トラニオン・フランジ（６４）に終端するトラニオン（６２）を持つベーン（３８）と、
前記ベーン・シュラウド（４２）のポート（６０）内に着脱自在に保持されていて、前記トラニオン（６２）を受容れ、ブッシング・フランジ（６８）を持つブッシング（６６）と、
該ブッシング・フランジ（６８）及び前記トラニオン・フランジ（６４）の間に配置され、前記トラニオン（６２）がその中で回転出来るように設計された保持コーム（７２）と、
前記シュラウド（４２）の外面に着脱自在に結合可能であって、前記保持コーム（７２）を前記ブッシング（６６）及び前記トラニオン・フランジ（６４）に対して押さえるように前記シュラウドの上に配置されたシュラウド密封保持器（７６）とを有するベーン−シュラウド間保持装置。
【請求項６】
前記シュラウド（４２）が弓形であり、前記保持器（７６）が対応する弓形である請求項５記載のベーン−シュラウド間保持装置。
【請求項７】
前記シュラウド（４２）が複数個の弓形シュラウド部分（４２）で形成され、前記保持器（７６）が複数個の弓形シュラウド部分（４２）に互る一体の部品である請求項５記載のベーン−シュラウド間保持装置。
【請求項８】
ガスタービン機関（１０）の圧縮機（１８）の固定子ベーン（３８）を捕捉シュラウド（４２）に保持する方法において、
終端フランジ（６４）を持つベーン（３８）を前記捕捉シュラウド（４２）のポート（６０）に挿入する工程と、
該ベーン（３８）の内側トラニオン（６２）に割りブッシング（６６）を適用する工程と、
該ブッシング（６６）はブッシング・フランジ（６８）を持ち、前記ブッシング・フランジ（６８）及び前記終端フランジ（６４）の間に、前記内側トラニオン（６２）がその中を通り抜けて、その中で回転出来るように設計されている保持コーム（７２）を適用する工程と、
前記終端フランジ（６４）及び前記ブッシング・フランジ（６８）の間に前記保持コーム（７２）を保持するため、シュラウド保持器（７６）を前記捕捉シュラウド（４２）に適用する工程とを含む方法。
【請求項９】
前記シュラウド（４２）が弓形であり、更に、前記保持器（７６）を対応する弓形に形成する工程を含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記シュラウド（４２）が複数個の弓形シュラウド部分（４２）で形成され、更に、前記保持器（７６）を、前記複数個の弓形シュラウド部分（４２）に互る一体の部品として形成する工程を含む請求項９記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
シュラウド部分の群が共通のシュラウド保持又は封じを通じて一緒に結合されている。シュラウド保持は、シュラウド部分のフランジ又は翼を内側トラニオンより下方で捕捉するように設計されている。シュラウド保持が用いられているタービン機関では、それらは、圧縮機の段の内周の約１／４を覆うように設計されている。即ち、それらが内周３６０°の内の約９０°に互り、こうして複数個のシュラウド部分を捕捉する。シュラウド部分を使って、一連のベーンを一緒に結合し、次に１組のシュラウド保持を使って一連のシュラウド部分を結合することは、ベーンを一緒に引き締めようとするものである。それと共にシュラウド・ピンは、自転車の車輪のスポークが、ホイール・ハブに集められて保持されているのと似た形で、ベーンの弛みを減らすように設計されている。
【特許文献１】米国特許５，６３６，９６８公報
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月23日(2004.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、複合サイクル燃料ガス発電プラントは、ガスタービン、蒸気タービン、熱回収蒸気発生器、燃料過熱器、及び燃料ガス飽和器を含む。乾燥燃料ガスは、燃料ガス飽和器において装置に入り、そこで燃料ガスは、燃料ガス過熱器に入る前に水で飽和される。過熱された後、加湿燃料ガスは、ガスタービン装置に入り燃焼する。燃焼反応による放出ガスは、ガスタービン内で膨張し、発電機に連結されたロータを駆動して電気を発電する。ガスタービンからの排気は、熱回収蒸気発生器に入り、熱回収蒸気発生器は、ガスタービン排気からの熱を利用して、蒸気タービン内で用いられる蒸気、燃料ガス飽和器内で用いられる加熱水を生成し、また燃料ガス過熱器内で燃料ガスを過熱する。熱回収装置内で生成された蒸気は、蒸気タービン内で膨張して動力を発生する。
【特許文献１】  米国特許４，７３３，５２８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外側及び内側バンド（１４、１６）の間に配置された少なくとも１つのベーン（１２）を有するタービンノズルセグメント（１０）を修理する方法であって、
前記ノズルセグメント（１０）から前記内側バンド（１６）を分離する工程と、
前記内側バンド（１６）を、外側バンド（３２）及び少なくとも１つのベーン（３４）を有する、新たに製造された交換用鋳造体（３０）に結合する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記内側バンド（１６）を前記交換用鋳造体（３０）に結合する工程が、
前記内側バンド（１６）にカラー（３８）を結合する工程と、
前記カラー（３８）にスロット（４２）を形成する工程と、
前記交換用鋳造体（３０）の前記ベーン（３４）の一部分を前記スロット（４２）に挿入する工程と、
前記交換用鋳造体（３０）の前記ベーン（３４）を前記カラー（３８）及び前記内側バンド（１６）に結合する工程と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記内側バンド（１６）内にポケット（３６）を形成する工程を更に含み、前記カラー（３８）が前記ポケット（３６）において前記内側バンド（１６）に結合されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
外側及び内側バンド（１４、１６）の間に配置された１つ又はそれ以上のベーン（１２）を有するタービンノズルセグメント（１０）を修理する方法であって、
前記ノズルセグメント（１０）から前記内側バンド（１６）を分離する工程と、
外側バンド（３２）及び１つ又はそれ以上のベーン（３４）を有し、該ベーン（３４）の各々が、その１端部上に形成された取付け台座（４４）及び該取付け台座（４４）上に形成された突出部（４６）を有する、新たに製造された交換用鋳造体（３０）を準備する工程と、
前記交換用鋳造体（３０）の各ベーン（３４）のための１つのカラー（３８）を前記内側バンド（１６）の１つの側面に結合する工程と、
前記交換用鋳造体（３０）の各ベーン（３４）のための１つの凹部（４０）を前記内側バンド（１６）の他の側面内に形成する工程と、
各カラー（３８）内にスロット（４２）を形成する工程と、
前記交換用鋳造体（３０）の各ベーンについて、前記突出部（４６）を対応する前記スロット（４２）内に、また前記取付け台座（４４）を対応する前記凹部（４０）内に挿入する工程と、
前記交換用鋳造体（３０）の各ベーンについて、前記突出部（４６）を前記対応するカラー（３８）に、また前記取付け台座（４４）を前記内側バンド（１６）に結合する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記内側バンド（１６）内に各カラー（３８）のための１つのポケット（３６）を形成する工程を更に含み、各カラー（３８）は前記対応するポケット（３６）において前記内側バンドに結合されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ろう付けにより、各カラー（３８）が前記内側バンド（１６）に結合され、各突出部（４６）が前記対応するカラー（３８）に結合され、また各取付け台座（４４）が前記内側バンド（１６）に結合されることを特徴とする、請求項４又は請求項５に記載の方法。
【請求項７】
内側バンド（１６）と、
外側バンド（３２）及び、外側及び内側バンド（１４、１６）の間に配置された少なくとも１つのベーン（３４）を含む交換用鋳造体（３０）と、を備え、
前記内側バンド（１６）が以前に使用されていた構造体であり、前記交換用構造体が新たに製造された構造体であることを特徴とするタービンノズルセグメント（１０）。
【請求項８】
前記内側バンド（１６）及び前記交換用鋳造体（３０）が、同じ材料で製作されることを特徴とする、請求項７に記載のノズルセグメント（１０）。
【請求項９】
外側バンド（３２）及び内側バンド（１６）の間に配置された少なくとも１つのベーン（３４）を有する修理されたタービンノズルセグメント（１０）であって、
該ノズルセグメント（１０）は、前記ノズルセグメント（１０）から前記内側バンド（１６）を分離する工程と、
前記内側バンド（１６）を、外側バンド（３２）及び少なくとも１つのベーン（３４）を有する新たに製造された交換用鋳造体（３０）に結合する工程と、
を含む方法により修理されることを特徴とする、ノズルセグメント（１０）。
【請求項１０】
タービンノズルセグメント（１０）の修理において使用するための交換用鋳造体（３０）であって、
外側バンド（３２）と、
該外側バンド（３２）上に一体形成され、その１端部上に一体形成された取付け台座（４４）及び該取付け台座（４４）上に一体形成された突出部（４６）を有する少なくとも１つのベーン（３４）と、を備えることを特徴とする交換用鋳造体（３０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
現行の修理工程には、翼形部表面の亀裂修理及び寸法回復などの技術が含まれる。しかしながら、このような現行の修理には、局部的な変形により、また、繰返し修理や化学的剥離工程により過度に促進される最低壁厚さのために限界がある。従って、ノズルセグメントは、既知の修理工程では修理できない部位に損傷を受ける可能性がある。一体鋳造ノズルセグメント内の熱的及び機械的応力のために、内側バンドは修理可能であるが、他のノズルセグメント構造体は修理不能であるようなことがしばしば発生する。
【特許文献１】米国特許５，２６９，０５７号公報
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ショーケース(12)の開口部(12a)には、該開口部(12a)を開閉する扉(45)が着脱可能に配設されている請求項１記載の横型冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記冷却器(27)による冷蔵室(17)の冷却を継続したまま、前記冷却パイプ(47)による収納室(40)の冷却を停止させる停止手段(64)を備える請求項１または２記載の横型冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶銑にＣａＯ源と酸素源を添加して脱燐処理を行うに際し、Ｓｉ量が０．０７ｗｔ％以下の溶銑に対して脱燐処理を行うとともに、ＣａＯ源と酸素源を脱燐処理容器内の浴面または浴中の同一位置に供給することを特徴とする溶銑精錬方法。
【請求項２】
ＣａＯ源と浴面または浴中の同一位置に供給される酸素源が気体酸素であることを特徴とする請求項１に記載の溶銑精錬方法。
【請求項３】
溶銑を脱珪処理してＳｉ量を０．０７ｗｔ％以下とし、しかる後、脱燐処理を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の溶銑精錬方法。
【請求項４】
脱燐処理開始時の溶銑温度が１２８０℃以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の溶銑精錬方法。
【請求項５】
脱燐処理終了時の溶銑温度が１２８０〜１３６０℃であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の溶銑精錬方法。
【請求項６】
溶銑の脱珪処理として、少なくとも取鍋内での脱珪処理を行ない、該取鍋内での脱珪処理では脱珪材として少なくとも気体酸素を供給し、且つ該気体酸素の供給を溶銑への吹き付け及び／又は溶銑内への吹き込みにより行うことを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の溶銑精錬方法。
【請求項７】
溶銑の脱珪処理として、少なくとも取鍋内での脱珪処理を行ない、該取鍋内での脱珪処理では脱珪材として気体酸素及び／又は固体酸素源を供給し、これら気体酸素及び／又は固体酸素源の供給量の調整により溶銑温度の調整を行うことを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の溶銑精錬方法。
【請求項８】
脱燐処理を下記（ａ）の条件で行い、次いで下記（ｂ）の条件で脱炭処理を行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の溶銑精錬方法。
（ａ）精錬容器において溶銑を粗鋼で要求されるＰ含有量（鋼の成分規格値）以下に脱燐精錬する。
（ｂ）前記脱燐精錬された溶銑を他の精錬容器である転炉型容器に装入し、実質的に造滓材を装入することなく脱炭精錬する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はこのような知見に基づきなされたもので、その特徴は以下の通りである。
[1] 溶銑にＣａＯ源と酸素源を添加して脱燐処理を行うに際し、Ｓｉ量が０．０７ｗｔ％以下の溶銑に対して脱燐処理を行うとともに、ＣａＯ源と酸素源を脱燐処理容器内の浴面または浴中の同一位置に供給することを特徴とする溶銑精錬方法。
[2] 上記[1]の溶銑精錬方法において、ＣａＯ源と浴面または浴中の同一位置に供給される酸素源が気体酸素であることを特徴とする溶銑精錬方法。
[3] 上記[1]または[2]の溶銑精錬方法において、溶銑を脱珪処理してＳｉ量を０．０７ｗｔ％以下とし、しかる後、脱燐処理を行うことを特徴とする溶銑精錬方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
[4] 上記[1] 〜[3]のいずれかの溶銑精錬方法において、脱燐処理開始時の溶銑温度が１２８０℃以上であることを特徴とする溶銑精錬方法。
[5] 上記[1]〜[4]のいずれかの溶銑精錬方法において、脱燐処理終了時の溶銑温度が１２８０〜１３６０℃であることを特徴とする溶銑精錬方法。
[6] 上記[3]〜[5]のいずれかの溶銑精錬方法において、溶銑の脱珪処理として、少なくとも取鍋内での脱珪処理を行ない、該取鍋内での脱珪処理では脱珪材として少なくとも気体酸素を供給し、且つ該気体酸素の供給を溶銑への吹き付け及び／又は溶銑内への吹き込みにより行うことを特徴とする溶銑精錬方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
[7] 上記[3]〜[5]のいずれかの溶銑精錬方法において、溶銑の脱珪処理として、少なくとも取鍋内での脱珪処理を行ない、該取鍋内での脱珪処理では脱珪材として気体酸素及び／又は固体酸素源を供給し、これら気体酸素及び／又は固体酸素源の供給量の調整により溶銑温度の調整を行うことを特徴とする溶銑精錬方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
[8] 上記[1]〜[7]のいずれかの溶銑精錬方法において、脱燐処理を下記（ａ）の条件で行い、次いで下記（ｂ）の条件で脱炭処理を行うことを特徴とする溶銑精錬方法。
（ａ）精錬容器において溶銑を粗鋼で要求されるＰ含有量（鋼の成分規格値）以下に脱燐精錬する。
（ｂ）前記脱燐精錬された溶銑を他の精錬容器である転炉型容器に装入し、実質的に造滓材を装入することなく脱炭精錬する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
数平均分子量Ｍｎが１０万以上の高分子量スチレン系ブロックコポリマー、熱変形温度もしくはガラス転移点が１２０℃以上のポリフェニレンエーテル樹脂または変性ポリフニレンエーテル樹脂及び粘度調整剤を必須成分とし、ＪＩＳＫ６２６２の規定に準拠する測定法による８０℃  ５日間後の圧縮永久歪みが９０％以下であるホットメルト組成物を部材の接続部に予め溶融塗布したのち、他の部材と接合することを特徴とする部材の組立方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【発明の効果】
以上の如く、本発明では高温時に圧縮応力を受けても比較例１や２のように圧縮永久歪みが１００％になることはなく、回復するためシール部分の動きに追従でき、シール性を確保することができる。解体性についても容易に剥離して部材等を解体してリサイクル出来ることから使用された部材等の資源のリサイクルの点においても有用である。またホットメルトタイプのため、自動塗布が可能であり、冷却固化することで、直ちに所定の性能が発現する。さらに予め一方の部材に塗布しておくことで、次工程や現場などでは、塗布して持ち込まれた部材を他の部材等とセットして組立るだけで作業が完了する。このため反応固化型シール材の塗布や予め成形されたパッキン材の人手によるアセンブルなどに比べて著しく生産性を向上させることが可能であり、作業の標準化の立場の点から観ても非常に有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護コロイドによって安定化されるポリマーの水性乳濁液、及び、置換されたグアニジン塩、置換されたピリジニウム塩、四置換されたアンモニウム塩、ポリマー陽イオン化合物、およびこれらの混合物からなる群から選択される陽イオン化合物を含み、生物劣化性微生物による汚染に耐えるポリマーの水性乳濁液組成物であって、置換されたグアニジン塩および置換されたピリジニウム塩が炭素原子２〜１８個を有するアルキル、シクロアルキルまたはアリール基で置換されており、また四置換されたアンモニウム塩が、アルキル、シクロアルキルおよび／またはアリール基の１つかそれ以上で置換されており、また上記のポリマー乳濁液が陰イオン界面活性剤または非陰イオン界面活性剤をほとんどまたはまったく含有せず、そして陰イオン置換基をほとんどまたはまったく含まない上記ポリマーの水性乳濁液。
【請求項２】
保護コロイドがポリ（ビニルアルコール）またはヒドロキシエチルセルロースである請求項１に記載のポリマーの乳濁液組成物。
【請求項３】
保護コロイドがポリ（ビニルアルコール）である請求項１に記載のポリマーの乳濁液組成物。
【請求項４】
陽イオン化合物が、ｎ−ドデシルグアニジンハイドロクロライド、セチルピリジニウムクロライド、ジデシルジメチルアンモニウムクロライド、ポリ（ヘキサメチレンビグアニド）ハイドロクロライド、およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項３に記載のポリマーの乳濁液組成物。
【請求項５】
陽イオン化合物がｎ−ドデシルグアニジンハイドロクロライドである請求項３に記載のポリマーの乳濁液組成物。
【請求項６】
他の産業用殺生物剤を１つまたはそれ以上さらに含有する請求項３に記載のポリマーの乳濁液組成物。
【請求項７】
１つまたはそれ以上の産業用殺生物剤が、５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オンまたはこれらの混合物である請求項６に記載のポリマーの乳濁液組成物。
【請求項８】
ポリマーの乳濁液が、ポリ（ビニルアセテート−コ−エチレン）、ポリ（ビニルアセテート）、ポリ（ビニルアセテート−ブチルアクリレート）、ポリ（ビニルアセテート−（２−エチル）ヘキシルアクリレート）、ポリアクリル、ポリメタクリル、ポリ（スチレン−アクリル）およびポリ（ビニルクロライド−コ−エチレン）からなる群から選択される請求項３に記載のポリマーの乳濁液組成物。
【請求項９】
ポリマーの乳濁液がポリ（ビニルアセテート−コ−エチレン）またはポリ（ビニルアセテート）である請求項８に記載のポリマーの乳濁液組成物。
【請求項１０】
置換されたグアニジン塩、置換されたピリジニウム塩、四置換されたアンモニウム塩、ポリマー陽イオン化合物、およびこれらの混合物からなる群から選択される１つまたはそれ以上の有効量の陽イオン化合物とポリマーの乳濁液とを混合することからなり、ここで置換されたグアニジン塩および置換されたピリジニウム塩が、炭素原子２〜１８個を有するアルキル、シクロアルキルまたはアリール基でそれぞれ個別的に置換されており、また四置換されたアンモニウム塩が、１つまたはそれ以上のアルキル、シクロアルキルおよび／またはアリール基で置換されており、また上記のポリマー乳濁液が陰イオン界面活性剤または非陰イオン界面活性剤をほとんどまたはまったく含有せずそして陰イオン置換基をほとんどまたはまったく含まない、保護コロイドを含有するポリマー乳濁液の生物劣化性微生物による汚染を防止する方法。
【請求項１１】
保護コロイドがポリ（ビニルアルコール）である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
１つまたはそれ以上の陽イオン化合物の量がポリマーの乳濁液の湿潤重量を基準として１０ppmから１重量％の範囲である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
１つまたはそれ以上の陽イオン化合物の量がポリマーの乳濁液の湿潤重量を基準として５０〜５０００ppmの範囲である請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１に記載のポリマーの乳濁液組成物を含有する接着性組成物。