Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月17日(2004.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、前記光源から入射した光を内部に進入させ、進入した前記光を表面で内部反射させるＡＴＲ素子と、前記ＡＴＲ素子より出射された光を検知する光検出器を備え、前記ＡＴＲ素子が、前記光が内部反射する箇所に突出した突起部を有する減衰全反射測定装置。
【請求項２】
前記ＡＴＲ素子が、シリコンの単結晶からなる請求項１記載の減衰全反射測定装置。
【請求項３】
前記ＡＴＲ素子の突起部の断面形状が、台形または三角形である請求項１記載の減衰全反射測定装置。
【請求項４】
前記ＡＴＲ素子が、シリコンの単結晶を異方性エッチングして得られたものである請求項３記載の減衰全反射測定装置。
【請求項５】
前記突起部が、対向する一対の面のうちの一方の面に設けられ、他方の面から入射した光を表面で内部反射させたのち入射した面より出射させる、請求項１記載の減衰全反射測定装置。
【請求項６】
前記ＡＴＲ素子が、前記光の入射面に前記光源より投射された光を集光し、前記突起部へ照射するためのレンズを具備する請求項５記載の減衰全反射測定装置。
【請求項７】
前記ＡＴＲ素子の前記突起部が配された側の面が曲面である請求項１または５に記載の減衰全反射測定装置。
【請求項８】
突起部を具備するＡＴＲ素子を被検体に接触させるステップ、前記突起部において減衰全反射するように前記ＡＴＲ素子に光を入射させるステップおよび減衰全反射したのち前記ＡＴＲ素子から出射した光を検知するステップを含む特定成分の測定方法。
【請求項９】
光源から入射した光を内部に進入させ、進入した前記光を表面で内部反射させるＡＴＲ素子であって、前記光が内部反射する箇所に突出した突起部を有するＡＴＲ素子。
【請求項１０】
シリコンの単結晶からなる請求項９記載のＡＴＲ素子。
【請求項１１】
前記突起部の断面形状が、台形または三角形である請求項９記載のＡＴＲ素子。
【請求項１２】
シリコンの単結晶を異方性エッチングして得られたものである請求項１１記載のＡＴＲ素子。
【請求項１３】
前記突起部が、対向する一対の面のうちの一方の面に設けられ、他方の面から入射した光を表面で内部反射させたのち入射した面より出射させる、請求項９記載のＡＴＲ素子。
【請求項１４】
さらに、前記光の入射面に前記光源より投射された光を集光し、前記突起部へ照射するためのレンズを具備する請求項１３記載のＡＴＲ素子。
【請求項１５】
前記突起部が配された側の面が曲面である請求項９または１３に記載のＡＴＲ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本実施例のＡＴＲ測定装置では、ＡＴＲ素子の材料に屈折率が高いＳｉの単結晶を用いた。従来より、ＡＴＲプリズムの材料に広く用いられているＺｎＳｅは、柔らかく、ひっかき傷等の傷がつきやすい。したがって、使用の際には、このような損傷を防ぐため、細心の注意を払う必要がある。これに対して、Ｓｉは、このような損傷の心配が小さい。また、半導体材料として大量に用いられているので、コストも非常に安い。したがって、高価なＺｎＳｅ製のＡＴＲ素子を用いた場合のように繰り返し用いなくても、コスト的な負担は小さい。繰り返し用いる場合においても、素子の洗浄、消毒等が容易である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
特に閃光放電管の光束のうち径方向（Ｙ方向）の光束は上下面５ｃ１ ，５ｃ２ で繰り返し全反射させ、軸方向（Ｘ方向）の光束は射出面５ｂの曲面の屈折作用で効率良く集光させて被写体側へ照射している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
又、補助反射部材１２と反射鏡６とを一体構成とし、これらが閃光放電管４と光学部材５に対する位置関係が一義的に決まるようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月9日(2004.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレを検出し、ブレ検出信号を出力するブレ検出部と、
ブレを補正するブレ補正光学系と、
前記ブレ補正光学系を駆動する駆動部と、
前記ブレ補正光学系の位置を検出し、位置検出信号を出力する位置検出部と、
前記ブレ検出信号に基づいて、前記ブレ補正光学系の目標駆動位置を演算し、目標位置信号を出力する目標駆動位置演算部と、
前記ブレ検出部の振動状態に応じて、前記位置検出信号に基づいて前記目標位置信号を修正する目標位置信号修正部と、
を含むことを特徴とするブレ補正装置。
【請求項２】
請求項１に記載のブレ補正装置において、
前記目標位置信号修正部は、前記ブレ補正光学系の駆動位置を修正する駆動位置修正部であること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のブレ検出装置において、
前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号と設定値とを比較する比較部を備え、
前記ブレ検出信号修正部又は前記目標位置信号修正部は、前記比較部の比較結果に基づいて、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号の修正量を小さくすること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のブレ検出装置において、
前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号に基づいて、前記駆動部を駆動制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号の修正量が大きいときには、前記ブレ補正光学系の駆動範囲の中心又はその近傍でこのブレ補正光学系を前記駆動部に駆動させること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４に記載のブレ補正装置において、
前記設定値は、最大設定値と最小設定値とからなり、
前記ブレ検出信号修正部又は前記目標位置修正部は、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号が設定時間内に前記最大設定値を越え、かつ、前記最小設定値を下回ったときには、前記修正量を小さくすること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項６】
請求項３から請求項５までのいずれか１項に記載のブレ補正装置において、
前記ブレ検出信号修正部又は前記目標位置修正部は、前記修正量を変更した後に、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号が設定時間内に前記最大設定値を越えず、かつ、前記最小設定値を下回らなかったときには、前記修正量を復帰すること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載のブレ補正装置において、
前記ブレ検出信号修正部又は前記目標位置修正部は、撮影動作時には、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号の修正量を小さくすること、
を特徴とするブレ補正装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。
すなわち、請求項１の発明は、ブレを検出し、ブレ検出信号（ω）を出力するブレ検出部（２ｘ，２ｙ）と、ブレを補正するブレ補正光学系（１０）と、前記ブレ補正光学系を駆動する駆動部（３ｘ，３ｙ）と、前記ブレ補正光学系の位置を検出し、位置検出信号を出力する位置検出部（４ｘ，４ｙ）と、前記ブレ検出信号に基づいて、前記ブレ補正光学系の目標駆動位置を演算し、目標位置信号を出力する目標駆動位置演算部（５３）と、前記ブレ検出部の振動状態に応じて、前記位置検出信号に基づいて前記目標位置信号を修正（Ｓ１６０，Ｓ２３０）する目標位置信号修正部（５６，５７）とを含むことを特徴とするブレ補正装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１に記載のブレ補正装置において、前記目標位置信号修正部は、前記ブレ補正光学系の駆動位置を修正する駆動位置修正部（５６）であることを特徴とするブレ補正装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載のブレ検出装置において、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号と設定値（Ｘmax ，Ｘmin ）とを比較する比較部（５４）を備え、前記ブレ検出信号修正部又は前記目標位置信号修正部は、前記比較部の比較結果に基づいて、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号の修正量を小さくする（Ｓ１６０，Ｓ２３０）ことを特徴とするブレ補正装置である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４の発明は、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のブレ検出装置において、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号に基づいて、前記駆動部を駆動制御する制御部（５８）を備え、前記制御部は、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号の修正量が大きいとき（Ｓ１００，Ｓ２８０）には、前記ブレ補正光学系の駆動範囲の中心（Ｉ）又はその近傍でこのブレ補正光学系を前記駆動部に駆動させることを特徴とするブレ補正装置である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項５の発明は、請求項３又は請求項４に記載のブレ補正装置において、前記設定値は、最大設定値（Ｘmax ）と最小設定値（Ｘmin ）とからなり、前記ブレ検出信号修正部又は前記目標位置修正部は、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号が設定時間内に前記最大設定値を越え、かつ、前記最小設定値を下回ったときには、前記修正量を小さくする（Ｓ１６０，Ｓ２３０）ことを特徴とするブレ補正装置である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項６の発明は、請求項３から請求項５までのいずれか１項に記載のブレ補正装置において、前記ブレ検出信号修正部又は前記目標位置修正部は、前記修正量を変更した後に、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号が設定時間内に前記最大設定値を越えず、かつ、前記最小設定値を下回らなかったときには、前記修正量を復帰する（Ｓ２８０）ことを特徴とするブレ補正装置。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項７の発明は、請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載のブレ補正装置において、前記ブレ検出信号修正部又は前記目標位置修正部は、撮影動作時（Ｓ２９０）には、前記ブレ検出信号又は前記目標位置信号の修正量を小さくする（Ｓ３００）ことを特徴とするブレ補正装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月17日(2004.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズ遮蔽装置を有する光学機器であって、
前記レンズ遮蔽装置は、
開閉自在にレンズを遮蔽する遮蔽カバーと、
該遮蔽カバーを、弾性力により常時閉塞方向へ付勢する弾性部材と、
前記遮蔽カバーを全開状態で係止するカバー係止手段と、
該カバー係止手段により前記遮蔽カバーの係止が解除されたとき、前記弾性部材の弾性力により前記遮蔽カバーが前記レンズを遮蔽するように構成され、さらに、前記カバー係止手段により前記遮蔽カバーが係止されてから、または前記光学機器の利用が完了してからの経時を計数し、所定時間経過後に、前記カバー係止手段による前記遮蔽カバーの係止を解除する制御回路とを、
具備したことを特徴とする光学機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段および効果】
本出願発明は、このような不具合を解消した光学機器の発明に係り、請求項１記載の発明は、レンズ遮蔽装置を有する光学機器であって、前記レンズ遮蔽装置は、開閉自在にレンズを遮蔽する遮蔽カバーと、該遮蔽カバーを、弾性力により常時閉塞方向へ付勢する弾性部材と、前記遮蔽カバーを全開状態で係止するカバー係止手段と、該カバー係止手段により前記遮蔽カバーの係止が解除されたとき、前記弾性部材の弾性力により前記遮蔽カバーが前記レンズを遮蔽するように構成され、さらに、前記カバー係止手段により前記遮蔽カバーが係止されてから、または前記光学機器の利用が完了してからの経時を計数し、所定時間経過後に、前記カバー係止手段による前記遮蔽カバーの係止を解除する制御回路とを、具備したことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そして、前記遮蔽カバーが前記カバー係止手段により係止されてから、または前記光学機器の利用が完了してから所定時間経過後に、前記カバー係止手段の係止が解除されるため、前記光学機器を利用した人が、そのまま光学機器設置個所から出ていっても、前記遮蔽カバーは自動的に閉じ、次にこの光学機器に対し、レンズの露出による不安感を与えることがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
またケース２には、ＣＣＤビディオカメラ１の画像受光部１ａの外側方に位置
して遮蔽カバー３が左右へ往復動自在に取付けられ、図３および図５に図示され
るように、該遮蔽カバー３のスプリング受部３ａとケース２のスプリング受部２
ａとには圧縮コイルスプリング４が介装されており、該圧縮コイルスプリング４
の弾性力たるスプリング力により、遮蔽カバー３は常に閉塞方向へ付勢されるよ
うになっている。なお図３に図示されるように、前記遮蔽カバー３の上下縁部３
ｂは外方へ直角へ折返され、該遮蔽カバー３の上下折曲部３ｂはケース２のガイ
ド溝２ｂに係合されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸に固定されたプリント配線基板と筐体側に固定されたプリント配線基板とがフレキシブル配線基板により接続された電子機器であって、
前記回転軸を含む回転部材側に、
前記フレキシブル配線基板を前記回転部材との接続部側に押圧する押圧部材が取り付けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
回転軸に固定されたプリント配線基板と筐体側に固定されたプリント配線基板とがフレキシブル配線基板により接続された電子機器であって、
前記回転軸を含む回転部材側に、
前記フレキシブル配線基板の前記回転軸に固定されたプリント配線基板との接続部近傍の主面が前記回転軸に固定されたプリント配線基板の主面方向と略一致するように、前記フレキシブル配線基板を押圧する押圧部材が取り付けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
前記フレキシブル配線基板と接する前記押圧部材の先端部分が曲面により構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子機器。
【請求項４】
前記回転部材がレーダのアンテナ構成部品であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記電子機器（１）によれば、前記回転軸を含む前記回転部材側に前記押圧部
材が取り付けられ、該押圧部材により前記フレキシブル配線基板が前記回転部材
との接続部側に押圧されているので、前記回転部材が周期的に回転しても、前記
フレキシブル配線基板の前記接続部から前記押圧部材に押圧されている箇所まで
の部分は殆ど変形しない。従って、前記フレキシブル配線基板の前記接続部近傍
に応力が集中することはなく、前記電子機器を長期間使用し続けた場合でも、フ
レキシブル配線基板の接続部近傍に破損や断線が発生するのを防止することがで
きる。
また、本発明に係る電子機器（２）は、回転軸に固定されたプリント配線基板
と筐体側に固定されたプリント配線基板とがフレキシブル配線基板により接続さ
れた電子機器であって、前記回転軸を含む回転部材側に、前記フレキシブル配線
基板の前記回転軸に固定されたプリント配線基板との接続部近傍の主面が前記回
転軸に固定されたプリント配線基板の主面方向と略一致するように、前記フレキ
シブル配線基板を押圧する押圧部材が取り付けられていることを特徴としている
。
上記電子機器（２）によれば、前記回転軸を含む回転部材側に取り付けられた
前記押圧部材により前記フレキシブル配線基板が押圧されて、前記フレキシブル
配線基板の前記回転軸に固定されたプリント配線基板との接続部近傍の主面が前
記回転軸に固定されたプリント配線基板の主面方向と略一致するようになってい
るので、前記回転部材が周期的に回転しても、前記フレキシブル配線基板の前記
接続部から前記押圧部材に押圧されている箇所までの部分は殆ど変形しない。従
って、前記フレキシブル配線基板の前記接続部近傍に応力が集中することはなく
、前記電子機器を長期間使用し続けた場合でも、フレキシブル配線基板の接続部
近傍に破損や断線が発生するのを防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明に係る電子機器（３）は、上記電子機器（１）又は（２）において
、前記フレキシブル配線基板と接する前記押圧部材の先端部分が曲面により構成
されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記電子機器（３）によれば、前記押圧部材の先端部分が曲面により構成され
ているので、前記回転部材が周期的に回転し、前記押圧部材と前記フレキシブル
配線基板との接触位置が多少移動しても、前記押圧部材は前記フレキシブル配線
基板上をスムーズにすべり、前記押圧部材と前記フレキシブル配線基板との摩擦
により前記フレキシブル配線基板が傷付くのを防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明に係る電子機器（４）は、上記電子機器（１）〜（３）のいずれ
かにおいて、前記回転部材がレーダのアンテナ構成部品であることを特徴として
いる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記電子機器（４）によれば、前記回転部材がレーダのアンテナ構成部品で、
アンテナを繰り返しスキャン動作させても、前記アンテナ構成部品と前記フレキ
シブル配線基板との接続部近傍に破損が発生する虞れはなく、従って、前記レー
ダを長期にわたって安定的に使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月11日(2004.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記位相差制御手段は、（前記周状超音波振動子を構成する超音波振動子エレメントの個数）×（隣接する超音波振動子エレメント間の位相差）＝２ｎπ（ｎは整数）となるように、隣接する超音波振動子エレメントとの位相差を決定する手段である請求項３に記載の送信ビーム形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そして、図５において、隣り合った棒状超音波振動子エレメント間に信号位相差を与えた場合を考えてみる。位相差を与えることにより、一部区間が形成するビームの水平面における方向は、正面方向Ｖから斜め方向Ｖｙに移動する。このとき、該ビームの垂直面における方向は、傾斜して設けられている棒状超音波振動子エレメントの指向特性平面Ｏにそって移動し、ビーム方向にティルト角が与えられる。一部区間を抽出して図示すれば、図６（Ｂ），（Ｃ）や図７（Ｂ），（Ｃ）のようになり、棒状超音波振動子エレメントの傾斜した指向特性と超音波振動子アレイによるビームの合成によりティルト角（上下角）を持ったビームが形成され、このティルト角の大きさは前記信号位相差に比例する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1999064492.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月10日(2004.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
続くステップｓ２では、衛星のアルマナックデータから軌道計算が行われ、ステップｓ３に移行する、ステップｓ３では、衛星の選択が行われる。この場合の衛星の選択条件は、例えば、高度角順やＰＤＯＰなどに従って、観測に使用する衛星を選択する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月16日(2004.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る溶融液面計によれば、第１及び第２電極を含む検出電極回路と前記両検出電極間の抵抗変化を検知する検出回路とを絶縁し、両検出電極間の抵抗変化による検出電極回路のインピーダンス変化を相互誘導作用によって検出回路側で検出可能にしたので、溶融物の帯電電圧の外乱成分の影響を受けることなく、液面レベルの検出を行うことができる。また、検出電圧のレベルを適宜設定することによって素地表面の泡の誤検出を防止し、真の素地面レベルを検出することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成17年3月3日(2005.3.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
時間に依存する強度を有する放射のための検出器であって、
時間に依存する強度を有する放射が吸収される半導体基板であって、半導体基板に吸収された放射が空間的に変調され検出器の中に少なくとも第１信号と第２信号をつくる半導体基板と、
前記の第１と第２の信号の時間挙動を比較し、検出器出力信号を定める周波数感知回路と
からなる検出器。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
【発明の概要】
本発明は、時間に依存する強度を有する放射のための検出器に関するものであり、
時間に依存する強度を有する放射が吸収される半導体基板であって、半導体基板に吸収された放射が空間的に変調され検出器の中に少なくとも第１信号と第２信号をつくる半導体基板と、
前記の第１と第２の信号の時間挙動を比較し、検出器出力信号を定める周波数感知(frequency-sensitive)回路とからなる。
好ましくは、前記の放射が、少なくともＭＨｚ周波数を有し、前記の検出器出力信号が少なくともＭＨｚ周波数を有する。
好ましくは、前記の放射は前記の基板に電荷キャリアを生成し、放射により基板に生成された電荷キャリアの密度は、前記の基板の少なくとも１領域を遮蔽する空間マスクにより変調されて、前記の放射が前記の領域において実質的に減衰される。
好ましくは、前記の第１信号は、前記の信号により直接に生成される電荷キャリアにより少なくとも部分的に決定され、前記の第２信号は、前記の基板の中に生成され前記の領域に拡散される電荷キャリアにより本質的に決定される。
前記の空間マスクは、少なくとも１つの放射ブロック部分と、少なくとも１つの放射通過部分とを備える。
好ましくは、前記の放射ブロック部分と放射通過部分とは、交互に存在する。
好ましくは、前記の交互に存在する部分の少なくとも１部がチェス盤の配置を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
意図される空間周波数を持つ光入力パターンは、影マスク、グレーティングまたは他の光学システムにより作成できる。より好ましい方法は、ＣＭＯＳプロセスにおいて用意される金属層のなかの１つを用いることである。これは、追加の処理ステップや光学システムを必要とせず、システムのコストを低く保つ。影マスクは、標準的なセルの範囲の１部であっていてもよい。
上述の説明は、提案されたシステムの光インパルス応答に関するものである。しかし、留意されるべきことは、システムのインパルス応答を持つとき、光入力パターンへの応答は、（線形性を仮定して）計算できることである。こうして、連続的な光入力も、かなりの出力信号を与えることが証明できる。ここで、インパルス応答パルスより短い出力パルスを期待するとき、唯一の制限は、高周波端にある。出力パルスは、任意の線形システムにおける場合のように、システムのインパルス応答パルス幅より短くできない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布膜が形成された基板を密閉容器内にて加熱し、前記塗布膜をベークする装置において、
密閉容器内に給気を行う給気手段と、
排気路を介し、前記密閉容器から排気を行う排気手段と、
前記排気路に介設され、前記塗布膜の昇華物を捕集する捕集部と、を備えることを特徴とする基板ベーク装置。
【請求項２】
表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する基板ベーク装置において、
基板を載置し加熱する加熱プレートと、
この加熱プレートの上方に設けられると共に基板を加熱処理する際に下降して加熱プレートの周囲を囲み、密閉容器を構成する蓋体と、
この蓋体を昇降させる昇降機構と、
前記蓋体の内方に向けて給気を行う給気手段と、
前記蓋体に設けられ、前記密閉容器内の雰囲気を排気する排気路と、
この排気路に介設され、前記塗布膜の昇華物を捕集する捕集部と、を備えていることを特徴とする基板ベーク装置。
【請求項３】
密閉容器または排気路の圧力を監視する圧力監視手段と、
この圧力監視手段により検出された圧力検出値が予め定めた値から外れたときに警告を発するアラーム発生手段と、を備えることを特徴とする請求項１または２記載の基板ベーク装置。
【請求項４】
排気路における捕集部の下流側には、排気流量を調節するための排気流量調節手段が介設されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の基板ベーク装置。
【請求項５】
前記排気路は、前記蓋体の内方の側壁で前記基板の側面を望む位置の周囲から前記密閉容器内の雰囲気を排気する流路と連通されていることを特徴とする請求項２記載の基板ベーク装置。
【請求項６】
前記捕集部は、前記蓋体の上部に設けられると共に複数の捕集部材を含むことを特徴とする請求項２記載の基板ベーク装置。
【請求項７】
前記捕集部は、内部にメッシュ部材、多孔質セラミックスまたは樹脂ウールからなる捕集部材が設けられた容器本体で構成され、前記容器本体は分割可能に構成されていることを特徴とする請求項１、２及び６記載の基板ベーク装置。
【請求項８】
前記捕集部は、その内部が吸引されて螺旋状の気流を形成させる容器を有し、前記排気路から該容器の周方向に沿って排気流を流入させるように構成されていることを特徴とする請求項１、２及び６記載の基板ベーク装置。
【請求項９】
前記捕集部は、周囲に冷却手段が設けられていることを特徴とする請求項１、２、６、７及び８記載の基板ベーク装置。
【請求項１０】
薬液の塗布された基板を密閉容器内で加熱する工程と、
この加熱時において、密閉容器内に給気を行うと共に排気路を介して当該密閉容器から排気を行う工程と、
基板を加熱することで生じる薬液の昇華物を、排気路に介設した捕集部にて液化または固化して回収する工程と、を含むことを特徴とする基板ベーク方法。
【請求項１１】
密閉容器または排気路の圧力を監視し、当該監視部位における圧力検出値が予め定めた値から外れたときに警告を発する工程と、を含むことを特徴とする請求項１０記載の基板ベーク方法。
【請求項１２】
複数枚の基板を収納した基板カセットが載置されるカセット載置部と、
基板に薬液を塗布する塗布ユニットと、
基板に薬液を塗布する前に基板に対して前処理を行う前処理ユニットと、
薬液の塗布された基板を加熱するための請求項１ないし９のいずれかに記載の基板ベーク装置と、
基板を前記基板カセット、塗布ユニット、前処理ユニット及び基板ベーク装置の間で受け渡すための手段と、を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板ベーク装置は、塗布膜が形成された基板を密閉容器内にて加熱し、前記塗布膜をベークする装置において、
密閉容器内に給気を行う給気手段と、
排気路を介し、前記密閉容器から排気を行う排気手段と、
前記排気路に介設され、前記塗布膜の昇華物を捕集する捕集部と、を備えることを特徴とする。
また本発明に係る基板ベーク装置は、表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する基板ベーク装置において、
基板を載置し加熱する加熱プレートと、
この加熱プレートの上方に設けられると共に基板を加熱処理する際に下降して加熱プレートの周囲を囲み、密閉容器を構成する蓋体と、
この蓋体を昇降させる昇降機構と、
前記蓋体の内方に向けて給気を行う給気手段と、
前記蓋体に設けられ、前記密閉容器内の雰囲気を排気する排気路と、
この排気路に介設され、前記塗布膜の昇華物を捕集する捕集部と、を備えていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような構成によれば、ベーク処理において基板上の塗布膜から昇華物が生じ、これが排気系に付着することで密閉容器内の圧力が上昇してしまうことを防ぐことができる。従って圧力変動によって基板の面内温度均一性が崩れることを防ぐことができ、膜厚、膜質の均一性及び線幅精度が向上する。ここで捕集部は当該捕集部における捕集能力を越えてしまう前、或いはまだ捕集能力に余裕がある間に取り外されることがないように、適当なタイミングで捕集物（塗布膜の昇華物）の除去が行われることが好ましい。具体的には上記構成に加え、密閉容器または排気路の圧力を監視する圧力監視手段と、この圧力監視手段により検出された圧力検出値が予め定めた値から外れたときに警告を発するアラーム発生手段と、を設けた構成とすることが好ましい。
上述した基板ベーク装置において、前記排気路は、例えば前記蓋体の内方の側壁で前記基板の側面を望む位置の周囲から前記密閉容器内の雰囲気を排気する流路と連通されている。また前記捕集部は、例えば前記蓋体の上部に設けられると共に複数の捕集部材を含んでいる。この捕集部の構成については、例えば内部にメッシュ部材、多孔質セラミックスまたは樹脂ウールからなる捕集部材が設けられた容器本体で構成したものや捕集部の内部が吸引されて螺旋状の気流を形成させる容器を有し、前記排気路から該容器の周方向に沿って排気流を流入させるように構成したものを挙げることができる。また当該捕集部の周囲に冷却手段を設けることで、昇華物の捕集効果を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミ頭部圧扁用のパンチの突き当て位置で往動から復動に反転して、圧扁したアルミ頭部のはみ出し部に切込み線を刻み込むための切込み用切刃のエッジに切欠き部を形成し、
そして前記往動する切込み用切刃とは反対方向に移動して前記切込み線に沿ってアルミ頭部のはみ出し部を切除する切除用切刃を設けることを特徴とする電解コンデンサのタブ端子製造装置。
【請求項２】
アルミ頭部圧扁用のパンチの周縁にパンチ面より高くエッジを立てて、エッジの内側をアールに形成したことを特徴とする請求項１記載の電解コンデンサのタブ端子製造装置。
【請求項３】
前記切込み用切刃の反転位置を自在に調節する切刃反転位置調節機構を設けることを特徴とする請求項１記載の電解コンデンサのタブ端子製造装置。
【請求項４】
アルミ頭部の圧扁部の厚さが均一で断面の四隅がアールに形成されていることを特徴とする電解コンデンサのタブ端子。
【請求項５】
前記アールの形状の半径が、圧扁部の厚みを１とした場合に、０．０１〜０．８５の範囲内であることを特徴とする請求項４記載の電解コンデンサのタブ端子。
【請求項６】
前記圧扁部の表面が平滑であり、突起が形成されてもその高さが０．００５ｍｍを越えないものであることを特徴とする請求項４記載の電解コンデンサのタブ端子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この四隅ｒのアールの形状は、アールの半径が圧扁部の厚みを１とした場合に、０．０１〜０．８５の範囲内であることが好ましい。０．０１を下回ると四隅ｒが角張ってアルミ箔を傷つける危険があるし、０．８５を越えると、アールと圧扁部の平面部の境界に不連続な稜線が生じて、やはりアルミ箔を損傷するおそれがあるからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また圧扁部の表面は平滑であるのが好ましく、突起が形成されても、その高さが０．００５ｍｍを越えないことが必要である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電源からの入力電圧をコントロールする電源制御回路と、冷陰極放電管に点灯のための交流電流を供給するトランスと、スイッチング動作により前記トランスに昇圧動作をさせる駆動回路と、前記駆動回路のスイッチング動作をコントロールする発振回路と、前記冷陰極放電管に流れる管電流を検知して電圧に変換する管電流検出回路と、前記管電流検出回路からのアナログ電圧出力をデジタルデータ化するＡ／Ｄ変換回路と、前記Ａ／Ｄ変換回路でデジタル化された管電流波形の各次高調波成分の振幅強度と位相を計算するフーリエ計算回路と、前記フーリエ計算回路で計算された高調波成分の振幅強度と位相から管電流の正負対称性を判定し、前記発信回路に対して駆動周波数の変更を指示する信号を出力する非対称判定回路とを備えることを特徴とする冷陰極放電管の点灯回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決すべく、本発明は、冷陰極放電管を点灯させるための点灯回路であって、電源からの入力電圧をコントロールする電源制御回路と、冷陰極放電管に点灯のための交流電流を供給するトランスと、スイッチング動作により前記トランスに昇圧動作をさせる駆動回路と、前記駆動回路のスイッチング動作をコントロールする発振回路と、前記冷陰極放電管に流れる管電流を検知して電圧に変換する管電流検出回路と、前記管電流検出回路からのアナログ電圧出力をデジタルデータ化するＡ／Ｄ変換回路と、前記Ａ／Ｄ変換回路でデジタル化された管電流波形の各次高調波成分の振幅強度と位相を計算するフーリエ計算回路と、前記フーリエ計算回路で計算された高調波成分の振幅強度と位相から管電流の正負対称性を判定し、前記発信回路に対して駆動周波数の変更を指示する信号を出力する非対称判定回路とを備えることを特徴とする冷陰極放電管の点灯回路を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ここで、冷陰極放電管１を点灯したとき、Ａ／Ｄ変換回路１６は管電流検出回路１３でアナログ電圧信号に変換された管電流波形をあらかじめ定められたサンプリングレートにてサンプリングし、デジタル信号化する。変換されたデジタル信号波形は続くフーリエ計算回路１７に入力され、フーリエ計算回路１７は入力されたデジタル信号波形を離散フーリエ変換し、駆動周波数を基本波とした各高調波成分の各々についてその振幅強度と基本波に対する位相差を計算する。計算された結果は続く非対称判定回路１８に入力され、非対称判定回路１８では各高調波成分の振幅強度もしくは基本波との位相差が、あらかじめ設定された値を超えた場合、管電流波形が非対称性を有していると判定し、発振回路１０に対して駆動周波数を変更する旨の信号を出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電源と、高周波電源に接続された第１の電極と、第１の電極に対してプラズマ放電を生成するための放電空間をあけて対向して配設された第２の電極と、第１と第２の電極表面に設けられた比誘電率が４以上の誘電体と、放電空間にガスを供給するガス供給装置と、放電空間の圧力が１００Ｐａ〜２００ｋＰａでかつ放電空間の圧力Ｐと放電空間の厚みＤとの積ＰＤを０．１〜１２０（Ｐａ・ｍ）となるように制御する制御装置を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
対向する２つの電極間のインピーダンスを２０００Ω以下に設定したことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
誘電体は、酸化シリコン、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、サファイア、ジルコニアのいずれかから成ることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
第１と第２の電極表面の誘電体の対向面に溝を形成してこの溝にて両端開放の通路状の放電空間を形成し、放電空間の一端にガス供給装置を接続し、放電空間の他端の開口部に対向して被処理物を配置するようにしたことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
比誘電率が４以上の誘電体を表面に有する第１と第２の電極を対向配置するとともに両電極の誘電体間に放電空間を形成し、放電空間にガスを供給し、放電空間の圧力を１００Ｐａ〜２００ｋＰａに保つとともに放電空間の圧力Ｐと放電空間の厚みＤの積ＰＤを０．１〜１２０（Ｐａ・ｍ）に保ち、第１の電極に高周波電力を印加することで放電空間にプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
対向する２つの電極間のインピーダンスを２０００Ω以下にすることを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
誘電体として酸化シリコン、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、サファイア、ジルコニアのいずれかを用いることを特徴とする請求項５又は６記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
放電空間を両端開放の通路状に形成し、その一端からガスを供給し、他端に対向して配置した被処理物を処理することを特徴とする請求項５〜７の何れかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
高周波電源と、電極と、プラズマ放電を生成するためのガス流路と、電極表面に設けられた比誘電率が４以上の誘電体と、ガス流路にガスを供給するガス供給装置と、ガス流路の圧力が１００Ｐａ〜２００ｋＰａでかつガス流路の圧力Ｐとガス流路の厚みＤとの積ＰＤを０．１〜１２０（Ｐａ・ｍ）となるように制御する制御装置を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
被処理物と電極間のインピーダンスを２０００Ω以下に設定したことを特徴とする請求項９記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
誘電体は、酸化シリコン、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、サファイア、ジルコニアのいずれかから成ることを特徴とする請求項９又は１０記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
高周波電源を被処理物に接続し、電極を接地することを特徴とする請求項９記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
高周波電源を電極に接続し、被処理物を接地することを特徴とする請求項９記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
比誘電率が４以上の誘電体を表面に有する電極を被処理物に対向して配置するとともに電極の誘電体と被処理物間に放電空間を形成し、放電空間にガスを供給し、放電空間の圧力を１００Ｐａ〜２００ｋＰａに保つとともに放電空間の圧力Ｐと放電空間の厚みＤの積ＰＤを０．１〜１２０（Ｐａ・ｍ）に保ち、被処理物に高周波電力を印加することで放電空間にプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１５】
被処理物と電極間のインピーダンスを２０００Ω以下にすることを特徴とする請求項１４記載のプラズマ処理方法。
【請求項１６】
誘電体として酸化シリコン、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、サファイア、ジルコニアのいずれかを用いることを特徴とする請求項１４又は１５記載のプラズマ処理方法。
【請求項１７】
電極を接地し、被処理物に高周波電力を印加して処理することを特徴とする請求項１４記載のプラズマ処理方法。
【請求項１８】
被処理物を接地し、電極に高周波電力を印加して処理することを特徴とする請求項１４記載のプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、誘電体は、酸化シリコン、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、サファイア、ジルコニアのいずれかから成るのが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、誘電体としては、酸化シリコン、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、サファイア、ジルコニアのいずれかを用いるのが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、誘電体は、酸化シリコン、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、サファイア、ジルコニアのいずれかから成るのが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、誘電体としては、酸化シリコン、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、サファイア、ジルコニアのいずれかを用いるのが望ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と、前記上面と反対側に位置する裏面と、前記上面と裏面の間に位置する側面とを有する樹脂封止体と、
各々が上面と、前記上面と反対側に位置する裏面とを有し、前記樹脂封止体の側面の内外に亘って延在する第１リード及び第２リードと、
上部電極及び前記上部電極と反対側に位置する下部電極を有し、前記下部電極が前記第１リードの上面に接続するように搭載され、かつ、前記樹脂封止体により封止された半導体チップと、
その一端部が前記半導体チップの前記上部電極に接続され、他端部が前記第２リードの上面に接続され、かつ、前記樹脂封止体により封止された導電性ワイヤとを有し、
前記半導体チップが搭載された部分の前記第１リードの内側部分の裏面は、前記樹脂封止体の裏面から露出し、
前記導電性ワイヤの他端部が接続された前記第２リードの内側部分は、前記樹脂封止体内で上方に曲げられて樹脂封止され、
前記第２リードの内側部分の上面は、前記樹脂封止体の厚さ方向において、前記第１リードの内側部分の上面より上側に位置し、前記第２リードの下面は前記樹脂封止体の裏面から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップは裏面に下部電極を有し、この下部電極が前記第１リードに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂封止体の裏面に対応する部分における前記リードの露出部分の延在長さは、前記半導体チップが固定される第１リードが前記ワイヤが接続される第２リードに比較して長くなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップが固定される第１リードにおいて、前記樹脂封止体内に埋没する部分の上面の幅は裏面の幅よりも広くなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１リード及び第２リードの厚さは同じ寸法になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップが固定される第１リードの前記樹脂封止体から露出する部分と、前記ワイヤが固定される第２リードの前記樹脂封止体から露出する部分との間隔は、半導体装置の実装時、実装基板の配線が短絡することがない長さになっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記リードは２本であり、一方の第１リードにはダイオードが形成された半導体チップが固定され、他の第２リードにはワイヤが接続されてダイオード構成になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記樹脂封止体の一側面から複数本の前記半導体チップが固定される第１リードが延在し、前記樹脂封止体の他側面から複数本の前記ワイヤが固定される第２リードが延在して、複数のダイオードが並列配置された構成になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記リードは３本であり、一本の第１リードにはトランジスタが形成された半導体チップが固定され、他の２本の第２リードにはワイヤが接続されてトランジスタ構成になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記リードは３本を一組とし、複数組のリードを有し、各組のリードにおいて、一本の第１リードにはトランジスタが形成された半導体チップが固定され、他の２本の第２リードにはワイヤが接続されてトランジスタ構成になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記リードは４本であり、一本の第１リードにはトランジスタが形成された半導体チップが固定され、他の３本の第２リードにはワイヤが接続されてトランジスタ構成になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記リードは４本を一組とし、複数組のリードを有し、各組のリードにおいて、一本の第１リードにはトランジスタが形成された半導体チップが固定され、他の３本の第２リードにはワイヤが接続されてトランジスタ構成になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記リードの厚さは０．１１ｍｍ以下、前記半導体チップは０．１３ｍｍ以下、前記半導体チップの主面上のワイヤの高さは０．１７ｍｍ以下、前記樹脂封止体の厚さは０．４５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、図２６に示すダイオード（半導体装置９０）においては、一対のリードの内端が一段、階段状に高くなるような形状に成形されているので、実装時のリード間の短絡事故を防止できるが、半導体チップ９３の取り付け高さがリードが階段状になっているため高くなり、半導体装置９０の薄型化が妨げられる。
また、特開２００１−３５１９２９号公報には樹脂パッケージの下面に露出した平坦な放熱基板上に半導体チップを搭載して、樹脂パッケージの外方から上方に曲げられ樹脂パッケージ内で半導体チップ上のボンディングパッドにボンディングワイヤで接続されたリードを有する放熱パッケージの開示がある。特開２００３−２４３５９４号公報、特開２００２−２１７３４９号公報には半導体チップの上下面にボンディングワイヤを介さないで直接パッドにリードを接続して樹脂パッケージの下面にリードが露出するパッケージの開示がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（１）半導体装置は、
上面と、前記上面と反対側に位置する裏面と、前記上面と裏面の間に位置する側面とを有する樹脂封止体と、
各々が上面と、前記上面と反対側に位置する裏面とを有し、前記樹脂封止体の側面の内外に亘って延在する第１リード及び第２リードと、
上部電極及び前記上部電極と反対側に位置する下部電極を有し、前記下部電極が前記第１リードの上面に接続するように搭載され、かつ、前記樹脂封止体により封止された半導体チップと、
その一端部が前記半導体チップの前記上部電極に接続され、他端部が前記第２リードの上面に接続され、かつ、前記樹脂封止体により封止された導電性ワイヤとを有し、
前記半導体チップが搭載された部分の前記第１リードの内側部分の裏面は、前記樹脂封止体の裏面から露出し、
前記導電性ワイヤの他端部が接続された前記第２リードの内側部分は、前記樹脂封止体内で上方に曲げられて樹脂封止され、
前記第２リードの内側部分の上面は、前記樹脂封止体の厚さ方向において、前記第１リードの内側部分の上面より上側に位置し、前記第２リードの下面は前記樹脂封止体の裏面から露出していることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003347491.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月12日(2005.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
電圧検出回路７３において、高電圧検出状態では発振防止用抵抗素子ＲＨはオフ状態であり、入力端子６７から入力される測定すべき端子の電圧が高く、分割抵抗６１と分割抵抗６３及び発振防止用抵抗素子ＲＨにより分割された電圧が基準電圧Ｖrefよりも高いときは演算増幅器５７の出力が論理値０を維持し、その出力はインバータ６９により反転され論理値１にされて出力端子７１から出力される。このとき演算増幅器５７の反転入力端子に入力される分割電圧は、
{(Ｒ０)＋(ＲＨ)}／{(Ｒ１)＋(Ｒ２)…＋(Ｒｉ−１)＋(Ｒｉ)＋(Ｒ０)＋(ＲＨ)}×(Ｖsens)
である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
電圧検出回路７３の低電圧検出状態における演算増幅器５７の反転入力端子に入力される分割電圧は、
(Ｒ０)／{(Ｒ１)＋(Ｒ２)…＋(Ｒｉ−１)＋(Ｒｉ)＋(Ｒ０)}×(Ｖsens)
である。電圧検出回路７３を高電圧検出状態するための解除電圧は、低電圧検出状態における演算増幅器５７の反転入力端子に入力される分割電圧が基準電圧Ｖrefよりも大きくなる入力電圧Ｖsensである。