【手続補正書】
【提出日】平成17年3月3日(2005.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板表面上に連続記録層を形成する連続記録層形成工程と、前記連続記録層上に中間保護層を形成する中間保護層形成工程と、前記中間保護層上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層と共に前記中間保護層を所定のパターンで部分的に除去するマスク層加工工程と、前記連続記録層における前記マスク層から露出する部分を除去し、該連続記録層を前記所定のパターンで多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、前記分割記録要素上に前記中間保護層を残しつつ該中間保護層上のマスク層を除去するマスク層除去工程と、を含み、且つ、前記連続記録層加工工程と、前記マスク層除去工程と、をこの順で実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
基板表面上に連続記録層を形成する連続記録層形成工程と、前記連続記録層上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層を所定のパターンで部分的に除去するマスク層加工工程と、前記連続記録層における前記マスク層から露出する部分を除去し、該連続記録層を前記所定のパターンで多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、前記分割記録要素間の隙間部に非磁性体を充填する非磁性体充填工程と、前記分割記録要素上に残存するマスク層を除去するマスク層除去工程と、を含み、且つ、前記連続記録層加工工程と、前記非磁性体充填工程と、前記マスク層除去工程と、をこの順で実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
請求項１６において、
前記分割記録要素上及び前記非磁性体上に保護層及び／又は潤滑層が形成され、前記分割記録要素と非磁性体との間の段差の絶対値よりも、前記保護層及び／又は前記潤滑層の表面における段差の絶対値の方が小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（１）基板表面上に連続記録層を形成する連続記録層形成工程と、前記連続記録層上に中間保護層を形成する中間保護層形成工程と、前記中間保護層上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層と共に前記中間保護層を所定のパターンで部分的に除去するマスク層加工工程と、前記連続記録層における前記マスク層から露出する部分を除去し、該連続記録層を前記所定のパターンで多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、前記分割記録要素上に前記中間保護層を残しつつ該中間保護層上のマスク層を除去するマスク層除去工程と、を含み、且つ、前記連続記録層加工工程と、前記マスク層除去工程と、をこの順で実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（５）基板表面上に連続記録層を形成する連続記録層形成工程と、前記連続記録層上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層を所定のパターンで部分的に除去するマスク層加工工程と、前記連続記録層における前記マスク層から露出する部分を除去し、該連続記録層を前記所定のパターンで多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、前記分割記録要素間の隙間部に非磁性体を充填する非磁性体充填工程と、前記分割記録要素上に残存するマスク層を除去するマスク層除去工程と、を含み、且つ、前記連続記録層加工工程と、前記非磁性体充填工程と、前記マスク層除去工程と、をこの順で実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（１８）前記分割記録要素上及び前記非磁性体上に保護層及び／又は潤滑層が形成され、前記分割記録要素と非磁性体との間の段差の絶対値よりも、前記保護層及び／又は前記潤滑層の表面における段差の絶対値の方が小さいことを特徴とする前記（１６）の磁気記録媒体。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
保護層２４は、分割記録要素２０の上面２０Ａ上に形成された中間保護層２４Ａと該中間保護層２４Ａ上及び非磁性体２８上に形成された表面保護層２４Ｂと、から構成され、これら中間保護層２４Ａ及び表面保護層２４Ｂはいずれも材質が共通のＤＬＣとされて一体化されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
次に、図５に示されるように、ＣＦ４ガス又はＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹部底面の第１のマスク層３４を除去する（Ｓ１０７）。尚、この際、凹部底面の中間保護層２４Ａも除去され、連続記録層３２も微少量除去される。又、凹部以外の領域の第２のマスク層３６も大部分が除去されるが微小量が残存する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
又、本実施形態において、連続記録層３２と第１のマスク層３４との間に中間保護膜２４Ａを形成し、且つ、連続記録層３２の分割後、分割記録要素２０間の隙間部２６内に非磁性体２８を充填してから第１のマスク層３４を除去しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第１のマスク層３４を除去してから分割記録要素２０間の隙間部２６内に非磁性体２８を充填した場合も、連続記録層３２と第１のマスク層３４との間に中間保護膜２４Ａを形成すれば分割記録要素２０の上面２０Ａ（及び連続記録層３２の上面）は大気、反応ガス、スラリー等から隔離されるので分割記録要素２０の変質を防止する一定の効果が得られる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０…磁気記録媒体
１２…基板
１４…下地層
１６…軟磁性層
１８…配向層
２０…分割記録要素
２０Ａ…上面
２０Ｂ…側面
２２…分割記録層
２４…保護層
２４Ａ…中間保護層
２４Ｂ…表面保護層
２６…隙間部
２８…非磁性体
３０…中間体
３２…連続記録層
３４…第１のマスク層
３６…第２のマスク層
Ｓ１０１…連続記録層形成工程
Ｓ１０２…中間保護層形成工程
Ｓ１０３…第１のマスク層形成工程
Ｓ１０７…第１のマスク層加工工程
Ｓ１０８…連続記録層加工工程
Ｓ１０９…非磁性体充填工程
Ｓ１１０…平坦化工程（マスク層除去工程）
Ｓ１１１…表面保護層形成工程
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
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