【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央が遮光（反射又は吸収等により）される瞳を有する投影光学系を介して、被処理体に転写される所望のパターンが形成された位相シフトマスクを経た光束を前記被処理体に投影するときに、
前記パターンの限界解像よりも大きい全ての線幅に対して前記位相シフトマスクを経た±１次回折光の一方の１次回折光の６割以上が他方の１次回折光と干渉するように、前記位相シフトマスクを照明する露光方法。
【請求項２】
前記調節ステップは、コヒーレンス度σを調節する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記位相シフトマスクは、レベンソン型とエッジシフト型の位相シフトパターンの少なくとも一を有するマスクであり、前記調節ステップは、前記位相シフトマスクを照明するアフォーカル光学系の角倍率を変更する請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
被処理体に転写される所望のパターンが形成された位相シフトマスクを、照明光学系を介して照明するステップと、
中央が遮光（反射又は吸収等により）される瞳を有する投影光学系を介して前記位相シフトマスクを経た光束を前記被処理体に投影する前に、
前記パターンの限界解像よりも大きい全ての線幅に対して前記位相シフトマスクを照明した±１次回折光の一方の１次回折光の６割以上が他方の１次回折光と干渉するように、前記照明光学系及び／又は前記投影光学系を調節するステップとを有する露光方法。
【請求項５】
前記位相シフトマスクは、レベンソン型とエッジシフト型の位相シフトパターンの少なくとも一を有するマスクであり、前記調節ステップは、コヒーレンス度σ、及び／又は、前記瞳の半径に対する前記瞳の遮光又は吸収される領域の半径の割合αを調節する請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記調節ステップは、前記照明光学系に含まれる、前記位相シフトマスクを照明するアフォーカル光学系の角倍率を変更する請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記調節ステップは、前記パターンの線幅Ｒに応じて、コヒーレンス度σを前記瞳の半径に対する前記瞳の遮光又は吸収される領域の半径の割合αの２倍以上に調節する請求項１又は４記載の方法、
ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の像側の開口数とすると、αは以下の式を満たす
ｋ１＞１／（４α）
ｋ１＝Ｒ／（λ／ＮＡ）。
【請求項８】
前記調節ステップは、前記パターンの線幅Ｒに応じて、コヒーレンス度σを前記瞳の半径に対する前記瞳の遮光又は吸収される領域の半径の割合αの３倍以上に調節する請求項１又は４記載の方法、
ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の像側の開口数とすると、αは以下の式を満たす
ｋ１＞１／（４α）
ｋ１＝Ｒ／（λ／ＮＡ）。
【請求項９】
前記調節ステップは、前記位相シフトマスクを照明する照明光の波長λ、前記投影光学系の開口数ＮＡ、前記線幅のうち解像可能な最大線幅Ｒによって以下のように定まるｋ１が、前記瞳の径に対する前記瞳の遮光又は吸収される領域の径の割合αに対して以下を満足するとき、コヒーレンス度σをαの２倍未満に調節する請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の方法
ｋ１＝Ｒ／（λ／ＮＡ）≦１／（４α）。
【請求項１０】
中央が遮光（反射又は吸収等により）される瞳を有する投影光学系を介して、被処理体に転写される所望のパターンが形成された位相シフトマスクを経た光束を前記被処理体に投影するとき、前記パターンにｋ１＝Ｒ／（λ／ＮＡ）＞１／（４α）の線幅がある場合には、
コヒーレンス度σを前記瞳の径に対する前記瞳の前記遮光される領域の径の割合αの２倍以上にする露光方法。
【請求項１１】
前記調節ステップは前記コヒーレンス度σを前記割合αの３倍以上に調節する請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記パターンは、線幅のある方向を定めたときに、線幅が多種存在する請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
中央が遮光又は吸収される瞳を有する投影光学系を介して、被処理体に転写される所望のパターンが形成された位相シフトマスクを経た光束を前記被処理体に投影するとき、前記パターンがｋ１＝Ｒ／（λ／ＮＡ）≦１／（４α）の線幅で構成さえる場合は、
コヒーレンス度σを前記瞳の径に対する前記瞳の遮光（反射又は吸収等による）される領域の径の割合αの２倍未満にする露光方法。
【請求項１４】
前記コヒーレンス度σは０．６以下である請求項１０乃至１３のうちいずれか一項記載の方法。
【請求項１５】
中央が遮光（反射又は吸収等による）される瞳であって当該瞳の径に対する前記瞳の遮光領域の径の割合がαの投影光学系を介して、被処理体に転写される所望のパターンが一方向に形成された位相シフトマスクを経た光束を前記被処理体に投影するステップと、
前記パターンの限界解像よりも大きい全ての線幅に対して、前記一方向に直交する方向の瞳軸上から前記割合α以内の領域の有効光源を遮光した２重極の分布を持つ有効光源分布を形成するように、前記瞳上で前記２重極のそれぞれの中心が前記半径αと同じ又はそれより大きい位置にあり、前記２重極の１つの分布の半径が０．４以下となるように前記位相シフトマスクを照明するステップとを有する露光方法。
【請求項１６】
被処理体に転写される所望のパターンが形成された位相シフトマスクを照明できる照明光学系と、
瞳の中央が遮光（反射又は吸収等による）可能な、前記位相シフトマスクを経た光束を前記被処理体に投影する投影光学系とを有し、
前記パターンの限界解像よりも大きい全ての線幅に対して前記位相シフトマスクを照明した±１次回折光の一方の１次回折光の６割以上が他方の１次回折光と干渉するように、前記照明光学系及び／又は前記投影光学系が調節可能な露光装置。
【請求項１７】
前記位相シフトマスクに形成された前記パターンの線幅に基づいて、例えば請求項１乃至１６のうちいずれか一項に記載の露光方法に基き前記照明光学系の照明条件を切り替える制御部を有する請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
前記制御部は、前記パターンの線幅を、前記パターンを前記マスク面内のある方向から見て前記パターンを構成する線の全ての線幅を検知する手段を有する請求項１７の記載の装置。
【請求項１９】
被処理体に転写される所望のパターンが形成された位相シフトマスクを照明できる照明光学系と、
瞳の中央が遮光（反射又は吸収等による）可能な前記位相シフトマスクを経た光束を前記被処理体に投影する投影光学系とを有し、
前記パターンに応じてコヒーレンス度σを前記瞳の径に対する前記瞳の遮光領域の径の割合αに対して可変的に調節する制御部とを有する露光装置。
【請求項２０】
前記制御部は、前記パターンと前記照明条件とを比較して前記パターンの解像可能性を判断し、解像不能と判定した場合には露光を中止する請求項１８又は１９記載の露光装置。
【請求項２１】
前記制御部は、前記パターンと前記照明条件とを比較して前記パターンの解像可能性を判断し、解像不能と判定した場合には警告を発する請求項１８又は１９記載の露光装置。
【請求項２２】
前記制御部は、前記パターンと前記照明条件とを比較して前記パターンの解像可能性を判断し、解像不能と判定した場合には、例えば請求項１５又は１６に記載の露光方法が行える照明条件に切り替える請求項１８乃至２１のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記制御部は、前記パターンのコントラストが必要とするコントラストより小さいと判断した場合に前記照明条件を不適切として警告する請求項１８乃至２２のうちいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２４】
被処理体に転写される所望のパターンが一方向に形成された位相シフトマスクを照明する２重極照明絞りを含む照明光学系と、
瞳の中央が遮光（反射又は吸収による）可能であって、その際の当該瞳の径に対する前記瞳の遮光又は吸収される領域の径の割合がαであり、前記位相シフトマスクを経た光束を前記被処理体に投影する投影光学系とを有し、
前記２重極照明絞りは、前記パターンの限界解像よりも大きい全ての線幅に対して、前記一方向に直交する方向の瞳軸上から前記割合α以内の領域の有効光源を遮光した２重極の分布を持つ有効光源分布を形成するように、前記瞳上で前記２重極のそれぞれの中心が前記半径αと同じ又はそれより大きい位置にあり、前記２重極の１つの分布の半径が０．４以下となるように前記位相シフトマスクを照明する露光装置。
【請求項２５】
パターンが形成された位相シフトマスクを経た光束を被処理体に投影する投影光学系が瞳の中央が遮光（反射又は吸収による）可能であって、その際の当該瞳の径に対する前記瞳の遮光又は吸収される領域の径の割合がαである場合に、
前記パターンの限界解像よりも大きい全ての線幅に対して、前記一方向に直交する方向の瞳軸上から前記割合α以内の領域の有効光源を遮光した２重極の分布を持つ有効光源分布を形成し、前記瞳上で前記２重極のそれぞれの中心が前記半径αと同じ又はそれより大きい位置にあり、前記２重極の１つの分布の半径が０．４以下となるように前記位相シフトマスクに照明される光束を遮光する光学絞り。
【請求項２６】
請求項１６乃至２４記載の露光装置を用いて前記被処理体を投影露光する工程と、
前記投影露光された被処理体に所定のプロセスを行う工程とを有するデバイス製造方法。