【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、
面方位は概略｛１１０｝配向であり、且つ、珪素以外で膜中に存在する元素は少なくともＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）及びＳ（硫黄）以外の元素から選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項２】
珪素以外で膜中に存在する元素とは、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｇｅ（ゲルマニウム）から選ばれた一種または複数種の元素であり、且つ、当該元素の濃度は５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下（または０．００１ａｔｏｍｉｃ％以下）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体薄膜。
【請求項３】
珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、
面方位は｛１１０｝配向であり、且つ、膜中に存在するＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）及びＳ（硫黄）の濃度はＳＩＭＳによる検出下限以下であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項４】
珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、
面方位は｛１１０｝配向であり、且つ、膜中に存在するＣ（炭素）、Ｎ（窒素）及びＳ（硫黄）の濃度は５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（または０．０１ａｔｏｍｉｃ％未満）であり、且つ、膜中に存在するＯ（酸素）の濃度は１．５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（または０．０３ａｔｏｍｉｃ％未満）であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項５】
珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、
｛１１０｝配向比率が０．９以上であり、且つ、珪素以外で膜中に存在する元素は少なくともＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）及びＳ（硫黄）以外の元素から選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項６】
珪素以外で膜中に存在する元素とは、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｇｅ（ゲルマニウム）から選ばれた一種または複数種の元素であり、且つ、当該元素の濃度は５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下（または０．００１ａｔｏｍｉｃ％以下）であることを特徴とする請求項５に記載の半導体薄膜。
【請求項７】
珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、
｛１１０｝配向比率が０．９以上であり、且つ、膜中に存在するＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）及びＳ（硫黄）の濃度はＳＩＭＳによる検出下限以下であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項８】
珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、
｛１１０｝配向比率が０．９以上であり、且つ、膜中に存在するＣ（炭素）、Ｎ（窒素）及びＳ（硫黄）の濃度は５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（または０．０１ａｔｏｍｉｃ％未満）であり、且つ、膜中に存在するＯ（酸素）の濃度は１．５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（または０．０３ａｔｏｍｉｃ％未満）であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項９】
複数の棒状または偏平棒状結晶はいずれも｛１１１｝面を先頭に〈１１１〉軸方向に沿って結晶成長したものであることを特徴とする請求項１、３、４、６、７または８に記載の半導体薄膜。
【請求項１０】
複数の棒状または偏平棒状結晶は互いに概略平行に特定の方向性をもって並んでいることを特徴とする請求項１、３、４、５、７または８に記載の半導体薄膜。
【請求項１１】
結晶粒界を横切る様にして観測される格子縞が、前記結晶粒界を形成する異なる結晶粒間で直線的に連続していることを特徴とする請求項１、３、４、５、７または８に記載の半導体薄膜。
【請求項１２】
結晶粒界では結晶格子に連続性があることを特徴とする請求項１、３、４、５、７または８のいずれか一に記載の半導体薄膜。
【請求項１３】
電子線回折パターンには｛１１０｝配向による特定の規則性が観測されることを特徴とする請求項１、３、４、５、７または８に記載の半導体薄膜。
【請求項１４】
少なくともチャネル形成領域が、珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記半導体薄膜の面方位は｛１１０｝配向であり、且つ、珪素以外で膜中に存在する元素は少なくともＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）及びＳ（硫黄）以外の元素から選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
前記珪素以外で膜中に存在する元素とは、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｇｅ（ゲルマニウム）から選ばれた一種または複数種の元素であり、且つ、当該元素の濃度は５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下（または０．００１ａｔｏｍｉｃ％以下）であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
少なくともチャネル形成領域が、珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記半導体薄膜の面方位は｛１１０｝配向であり、且つ、膜中に存在するＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）及びＳ（硫黄）の濃度はＳＩＭＳによる検出下限以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
少なくともチャネル形成領域が、珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記半導体薄膜の面方位は｛１１０｝配向であり、且つ、膜中に存在するＣ（炭素）、Ｎ（窒素）及びＳ（硫黄）の濃度は５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（または０．０１ａｔｏｍｉｃ％未満）であり、且つ、膜中に存在するＯ（酸素）の濃度は１．５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（または０．０３ａｔｏｍｉｃ％未満）であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
少なくともチャネル形成領域が、珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記半導体薄膜の｛１１０｝配向比率が０．９以上であり、且つ、珪素以外で膜中に存在する元素は少なくともＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）及びＳ（硫黄）以外の元素から選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
前記珪素以外で膜中に存在する元素とは、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｇｅ（ゲルマニウム）から選ばれた一種または複数種の元素であり、且つ、当該元素の濃度は５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下（または０．００１ａｔｏｍｉｃ％以下）であることを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
少なくともチャネル形成領域が、珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記半導体薄膜の｛１１０｝配向比率が０．９以上であり、且つ、膜中に存在するＣ（炭素）、Ｎ（窒素）、Ｏ（酸素）及びＳ（硫黄）の濃度はＳＩＭＳによる検出下限以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
少なくともチャネル形成領域が、珪素を主成分とする複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記半導体薄膜の｛１１０｝配向比率が０．９以上であり、且つ、膜中に存在するＣ（炭素）、Ｎ（窒素）及びＳ（硫黄）の濃度は５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（または０．０１ａｔｏｍｉｃ％未満）であり、且つ、膜中に存在するＯ（酸素）の濃度は１．５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（または０．０３ａｔｏｍｉｃ％未満）であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
前記複数の棒状または偏平棒状結晶はいずれも｛１１１｝面を先頭に〈１１１〉軸方向に沿って結晶成長したものであることを特徴とする請求項１４、１６、１７、１８、２０または２１に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記複数の棒状または偏平棒状結晶は互いに概略平行に特定の方向性をもって並んでいることを特徴とする請求項１４、１６、１７、１８、２０または２１に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記半導体薄膜の結晶粒界を横切る様にして観測される格子縞が、前記結晶粒界を形成する異なる結晶粒間で直線的に連続していることを特徴とする請求項１４、１６、１７、１８、２０または２１に記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記半導体薄膜の結晶粒界では結晶格子に連続性があることを特徴とする請求項１４、１６、１７、１８、２０または２１に記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記半導体薄膜の電子線回折パターンには｛１１０｝配向による特定の規則性が観測されることを特徴とする請求項１４、１６、１７、１８、２０または２１に記載の半導体装置。
【請求項２７】
請求項１乃至１３のいずれか一に記載の半導体薄膜を有し、
前記半導体薄膜にはソース領域、チャネル形成領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域が設けられ、
前記ソース領域及びドレイン領域には金属シリサイドが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】
請求項１乃至１３のいずれか一に記載の半導体薄膜を有し、
前記半導体薄膜にはソース領域、チャネル形成領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域が設けられ、
前記半導体薄膜上にはゲイト絶縁膜が設けられ、
前記ゲイト絶縁膜上にはゲイト電極が設けられ、
前記ソース領域及びドレイン領域には金属シリサイドが形成され、
前記ゲイト電極上面には金属シリサイドが形成されていることを特徴とする半導体装置。