【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体素子の製造方法において、実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を研磨パッドと半導体基板表面の間に供給し前記半導体基板を前記研磨パッドに押しつけて相対的に移動させ、前記金属の酸化物を前記金属の表面から水溶化させ、前記研磨液を前記研磨パッドに追加供給することにより前記研磨パッド上の前記金属の酸化物の濃度を低下させ、追加した研磨液中の金属の酸化物の濃度は研磨パッド上の金属の酸化物の濃度より低いことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記研磨パッド上での水溶化した金属の酸化物の濃度より水溶化した金属の酸化物の濃度が低い研磨液を研磨パッド上の研磨液に供給する時に前記半導体基板と研磨パッドを相対的に移動することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、前記研磨パッド上での水溶化した金属の酸化物の濃度より水溶化した金属の酸化物の濃度が低い研磨液を研磨パッド上の研磨液に供給する時に前記半導体基板表面は研磨パッドに接触しないことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、前記研磨パッド上での水溶化した金属の酸化物の濃度より水溶化した金属の酸化物の濃度が低い研磨液を研磨パッド上の研磨液に供給する時に前記研磨液は実質的に水溶化した金属の酸化物を含まないようにすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体素子の製造方法において、実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を研磨パッドと半導体基板表面の間に供給し前記半導体基板を前記研磨パッドに押しつけて相対的に移動させ、前記金属の酸化物を前記金属の表面から水溶化させ、前記研磨液を前記研磨パッドに追加供給することにより前記研磨パッド上の前記金属の酸化物の濃度を低下させ、研磨液中酸性度が研磨パッド上の酸性度より大きい研磨液を研磨パッド上に供給し半導体基板と研磨パッドの間の研磨液の酸性度が大きくなるようにすることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、前記研磨パッド上での酸性度より研磨液中の酸性度が大きい研磨液を研磨パッド上の研磨液に供給する時に前記半導体基板と研磨パッドを相対的に移動するを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項７】
請求項５において、前記研磨パッド上での酸性度より研磨液中の酸性度が大きい研磨液を研磨パッド上の研磨液に供給する時に前記半導体基板表面は研磨パッドに接触しないことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項８】
請求項５において、前記研磨パッド上での酸性度より研磨液中の酸性度が大きい研磨液を研磨パッド上の研磨液に供給する時に前記研磨液は実質的に水溶化した金属の酸化物を含まないようにすることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項９】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体素子の製造方法において、実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を研磨パッドと半導体基板表面の間に供給し前記半導体基板を前記研磨パッドに押しつけて相対的に移動させ、前記金属の酸化物を前記金属の表面から水溶化させ、前記研磨液を撹拌するために研磨パッド上で撹拌部材を滑らせ摺動させることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体素子の製造方法において、実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を研磨パッドと半導体基板表面の間に供給し前記半導体基板を前記研磨パッドに押しつけて相対的に移動させ、前記金属の酸化物を前記金属の表面から水溶化させ、前記研磨パッドと半導体基板の相対移動は前記研磨パッドと半導体基板から離れないように押圧し、前記金属の酸化した部分は研磨パッドから離れた後に研磨パッドの上の研磨液の酸により水溶化することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体素子の製造方法において、実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を研磨パッドと半導体基板表面の間に供給し前記半導体基板を前記研磨パッドに押しつけて相対的に移動させ、前記金属の酸化物を前記金属の表面から水溶化させ、前記半導体基板と研磨パッドの摩擦力の低下を検出し半導体基板の研磨パッドへ押圧を増加し摩擦力の低下を抑制することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体素子の製造方法において、実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を研磨パッドと半導体基板表面の間に供給し前記半導体基板を前記研磨パッドに押しつけて相対的に移動させ、前記金属の酸化物を前記金属の表面から水溶化させ、前記半導体基板と研磨パッドの摩擦力の低下を検出し半導体基板と研磨パッドの相対速度を遅くし摩擦力の低下を抑制することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体の製造装置において、半導体基板と相対的な移動を行う研磨パッドを保持する研磨パッド保持部と、研磨パッドと半導体基板の隙間に実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を供給する研磨液供給部と、前記半導体基板と研磨パッドの間に研磨液を挟み半導体基板を押圧する押圧部とを有し、金属の酸化物を前記金属の表面から水溶化させる時に前記研磨液供給部は研磨液を供給する半導体基板表面の間に供給し前記半導体基板を前記研磨パッドに押しつけて相対的に移動させ、前記金属の酸化物を前記金属の表面から水溶化させ、研磨液中の金属の酸化物の濃度が研磨パッド上の金属の酸化物の濃度より低い前記研磨液を前記研磨パッドに追加供給することにより前記研磨パッド上の前記金属の酸化物の濃度を低下させるように追加供給することを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記研磨パッド上での水溶化した金属の酸化物の濃度より水溶化した金属の酸化物の濃度が低い研磨液を研磨パッド上の研磨液に研磨液供給部から供給する時に前記半導体基板と研磨パッドを相対的に移動することを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項１５】
請求項１３において、前記研磨パッド上での水溶化した金属の酸化物の濃度より水溶化した金属の酸化物の濃度が低い研磨液を研磨パッド上の研磨液に研磨液供給部から供給する時に前記半導体基板表面は研磨パッドに接触しないことを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項１６】
請求項１３において、前記研磨パッド上での水溶化した金属の酸化物の濃度より水溶化した金属の酸化物の濃度が低い研磨液を研磨パッド上の研磨液に研磨液供給部から供給する時に前記研磨液は実質的に水溶化した金属の酸化物を含まないようにすることを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項１７】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体の製造装置において、半導体基板と相対的な移動を行う研磨パッドを保持する研磨パッド保持部と、研磨パッドと半導体基板の隙間に実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を供給する研磨液供給部と、前記半導体基板と研磨パッドの間に研磨液を挟み半導体基板を押圧する押圧部とを有し、研磨液中酸性度が研磨パッド上の酸性度より大きい研磨液を研磨パッド上に供給し半導体基板と研磨パッドの間の研磨液の酸性度が大きくなるように研磨液供給部から追加供給することを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項１８】
請求項１７において、前記研磨パッド上での酸性度より研磨液中の酸性度が大きい研磨液を研磨パッド上の研磨液に供給する時に前記半導体基板と研磨パッドを相対的に移動することを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項１９】
請求項１７において、前記研磨パッド上での酸性度より研磨液中の酸性度が大きい研磨液を研磨パッド上の研磨液に供給する時に前記半導体基板表面は研磨パッドに接触しないことを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項２０】
請求項１７において、前記研磨パッド上での酸性度より研磨液中の酸性度が大きい研磨液を研磨パッド上の研磨液に供給する時に前記研磨液は実質的に水溶化した金属の酸化物を含まないようにすることを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項２１】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体の製造装置において、半導体基板と相対的な移動を行う研磨パッドを保持する研磨パッド保持部と、研磨パッドと半導体基板の隙間に実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を供給する研磨液供給部と、前記半導体基板と研磨パッドの間に研磨液を挟み半導体基板を押圧する押圧部とを有し、前記研磨パッドと半導体基板の相対移動は前記研磨パッドと半導体基板から離れないように押圧し、前記金属の酸化した部分は研磨パッドから離れた後に研磨パッドの上の研磨液の酸により水溶化するようにすることを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項２２】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体の製造装置において、半導体基板と相対的な移動を行う研磨パッドを保持する研磨パッド保持部と、研磨パッドと半導体基板の隙間に実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を供給する研磨液供給部と、前記半導体基板と研磨パッドの間に研磨液を挟み半導体基板を押圧する押圧部とを有し、前記半導体基板と研磨パッドの摩擦力の低下を検出し半導体基板の研磨パッドへの押圧を増加し摩擦力の低下を抑制することを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項２３】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体の製造装置において、半導体基板と相対的な移動を行う研磨パッドを保持する研磨パッド保持部と、研磨パッドと半導体基板の隙間に実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を供給する研磨液供給部と、前記半導体基板と研磨パッドの間に研磨液を挟み半導体基板を押圧する押圧部とを有し、前記半導体基板と研磨パッドの摩擦力の低下を検出し半導体基板と研磨パッドの相対速度を遅くし摩擦力の低下を抑制することを特徴とする半導体の製造装置。
【請求項２４】
金属配線を含む半導体基板を研磨する半導体の製造装置において、半導体基板と相対的な移動を行う研磨パッドを保持する研磨パッド保持部と、研磨パッドと半導体基板の隙間に実質的に砥粒を含まず前記金属の酸化物を水溶化する酸を含む研磨液を供給する研磨液供給部と、前記半導体基板と研磨パッドの間に研磨液を挟み半導体基板を押圧する押圧部とを有し、前記研磨液を撹拌するために研磨パッド上で撹拌部材を滑らせ摺動させることを特徴とする半導体の製造装置。