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【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記ターゲットは複数設けられており、各ターゲットは、その中心が基板と同軸の円周上に等間隔に位置するよう設けられているとともに、各ターゲットを基板に対して相対的に基板と同軸の回転軸の周りに回転させる回転機構が設けられていることを特徴とする請求項１記載に記載の薄膜作成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
上述したハードディスク等の磁気記録ディスクに製造においては、記録密度を向上させる観点から、限界が指摘されている。この点について、以下に説明する。
近年のハードディスクの面記録密度は、驚異的な勢いで伸びている。現在の面記録密度は３５ギガビット／平方インチ程度になっており、将来的には１００ギガビット／平方インチに達すると言われている。面記録密度の向上には、現在一般的な長手方向記録の場合、一つの磁区（ビット）の長さを短くしたりトラック幅を狭くしたりすることが必要である。ビット長を短くしたりトラック幅を狭くしたりするには、情報の記録や読み出しを行う磁気ヘッドと記録層との間の間隔（以下、スペーシングと呼ぶ）を小さくすることが必要である。スペーシングが大きいと、ビット長が短くなったりトラック幅が狭くなったりした場合、磁区からの磁束を充分捉えきれなくなり、記録や読み出しのエラーにつながる恐れがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、磁気記録層用の磁性膜又はその磁性膜の下に予め作成される下地膜を基板に作成する薄膜作成装置であって、作成する磁性膜又は下地膜の材料より成るターゲットからスパッタリングにより放出されるスパッタ粒子を選択的に通過させることにより磁性膜に磁気異方性を与える方向規制具がターゲットと基板との間に設けられており、方向規制具は、ターゲットと基板とを結ぶ方向に貫通させたスパッタ粒子通過口を有するものであって、このスパッタ粒子通過口の断面形状は、特定の方向に長いものであって閉じておらず一カ所で開いているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、前記請求項１の構成において、前記方向規制具は前記基板と同軸上に設けられており、前記スパッタ粒子通過口は複数設けられていて軸対称の形状及び配置であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、前記請求項２の構成において、前記方向規制具は、中心軸から放射状に延びる複数の羽根板から成るものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項４記載の発明は、前記請求項３の構成において、前記複数の羽根板は、幅方向が基板に垂直であり、４５度以下の角度ごとに設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項５記載の発明は、前記請求項３の構成において、前記複数の羽根板は、基板に垂直な方向に対して互いに等しい斜めの角度の姿勢で設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項６記載の発明は、前記請求項１乃至５いずれかの構成において、前記方向規制具を前記基板に対して相対的に回転させる回転機構が設けられているこという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項７記載の発明は、前記請求項１の構成において、前記ターゲットは、前記基板から偏心した位置に設けられており、前記ターゲットを前記基板と同軸の回転軸の周りに回転させる回転機構が設けられているという構成を有する。  また、上記課題を解決するため、請求項８記載の発明は、前記請求項１の構成において、前記ターゲットは複数設けられており、各ターゲットは、その中心が基板と同軸の円周上に等間隔に位置するよう設けられているとともに、各ターゲットを基板に対して相対的に基板と同軸の回転軸の周りに回転させる回転機構が設けられているという構成を有する。  また、上記課題を解決するため、請求項９記載の発明は、前記請求項７又は８の構成において、前記ターゲットの中心軸と前記基板の中心軸とは平行であり、前記ターゲットの中心と前記基板の中心とを結ぶ線が基板の法線に対して成す角は、１５度から７５度の範囲であるという構成を有する。  
また、上記課題を解決するため、請求項１０記載の発明は、前記請求項９の構成において、前記方向規制具を前記基板に対して相対的に前記軸の周りに回転させる回転機構が設けられており、この回転機構は、前記各ターゲットを回転させる回転機構に兼用されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項１１記載の発明は、前記請求項１乃至６いずれかの構成において、前記ターゲットは前記基板と同軸に設けられており、前記基板と同軸の開口を中央に有する環状であるという構成を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の請求項１記載の発明によれば、テクスチャを形成無しの場合でも高い磁気異方性が得られる。このため、熱ゆらぎの問題を解決しつつスペーシングの低減による高記録密度化が可能となる。また、堆積する薄膜により方向規制具が目詰まりする問題が少なく、成膜速度の減少やメンテナンス周期が短くなることによる生産性の低下等も問題も少ない。
また、請求項２記載の発明によれば、上記効果に加え、方向規制具及びターゲットが基板に対して軸対称な構成であるので、この点でも基板への成膜がより均一になる。
また、請求項４記載の発明によれば、上記効果に加え、基板の径方向に大きな方向成分を持つスパッタ粒子を多く入射させることで磁気異方性が得られ、その際の成膜が均一にできる。
また、請求項５記載の発明によれば、上記効果に加え、基板の周方向に大きな方向成分を持つスパッタ粒子を多く入射させることで磁気異方性が得られ、その際の成膜が均一にできる。
また、請求項６記載の発明によれば、上記効果に加え、方向規制具が基板に対して相対的に回転するので、方向規制具により形成されるシャドウのために成膜が不均一になることがない。
また、請求項８記載の発明によれば、上記効果に加え、ターゲットは複数設けられており、各ターゲットは、その中心が基板と同軸の円周上に等間隔に位置するよう設けられているので、生産性を向上させたり、所望の組成の磁性膜を作成したりすることが容易に行える。
また、請求項１０記載の発明によれば、上記効果に加え、方向規制具の回転と各ターゲットの回転とが一つの機構で行われるので、機構的に簡略になり、装置のコストも安価になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、人工骨，集電体，コンデンサ用電極等として好適なタンタルやニオブ材料を粗面化する方法に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
タンタル，ニオブ及びそれらの合金は、腐食性の雰囲気でも優れた耐食性を呈することから、生体内に埋め込まれる人工骨，人工歯根等やリチウム二次電池の正極集電体等に使用されている。また、酸化物の誘電率が大きなことを活用し、タンタル電解コンデンサとして使用される材料でもある。以下の説明では、金属単体の他にＴａ，Ｎｂを主成分とする合金や複合材を総称する意味で「タンタル材料」，「ニオブ材料」を使用する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
優れた耐食性は、反面、タンタル材料やニオブ材料がエッチングによって粗面化しがたい材料であることを意味する。
ところが、生体内に埋め込まれる人工骨や人工歯根では生体組織との密着性を向上させ、リチウム二次電池の正極集電体では正極合材との密着性を向上させるため、粗面化処理が要求される。
また、アルミニウム電解コンデンサのようにエッチングによってタンタル材料の実効表面積を大きくできないため、タンタル電解コンデンサでは粉末焼結による拡面処理が採用されている。粉末焼結で使用する金属粉末の粒径が小さいほどタンタル電極の実効表面積が大きくなるが、微粒金属粉末の使用は、製造現場における取扱い性の低下や危険度の増大を招くばかりでなく、後工程で厚い酸化皮膜の成長を困難にする原因でもある。酸化皮膜の成長が不十分な電極では、電解コンデンサの耐電圧特性が不足しがちとなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の効果】
以上に説明したように、酸素供給源にならないアニオンが添加された有機電解液中でタンタル材料，ニオブ材料をアノード分極することにより、強固な酸化皮膜の生成なくエッチング反応を進行させることによって、タンタル材料，ニオブ材料を粗面化している。粗面化されたタンタル材料，ニオブ材料は、生体組織や正極合材に対する密着性が改善されているため、人工骨，人工歯根，正極集電体等として好適に使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）第一のクロロメチル化反応において、
（ａ）第一の架橋ポリ（ビニル芳香族）コポリマーを硫酸の存在下でクロロメチル化して、第一のクロロメチル化中間体と硫酸の混合物を得る段階；
（ｂ）第一のクロロメチル化中間体と硫酸の混合物へクエンチ溶液の撹拌されていないプラグフローを下方向に添加することにより第一のクロロメチル化中間体をクエンチして、クエンチされた第一のクロロメチル化中間体を得、３０から９０％の硫酸を含む第一の母液流出液を得る段階；および
（ｃ）１またはそれ以上のその後のクロロメチル化反応において再使用するために第一の母液流出液を単離する段階を含み；
（ｉｉ）第二のクロロメチル化反応において、
（ａ’）硫酸と先のクロロメチル化−クエンチ反応シーケンスから得られた母液流出液の一部の存在下で第二の架橋ポリ（ビニル芳香族）コポリマーをクロロメチル化して、第二のクロロメチル化中間体と硫酸の混合物を得る段階；
（ｂ’）第二のクロロメチル化中間体と硫酸の混合物へクエンチ溶液の撹拌されていないプラグフローを下方向に添加することにより、第二のクロロメチル化中間体をクエンチして、クエンチされた第二のクロロメチル化中間体を得、３０から９０％の硫酸を含む第二の母液流出液を得る段階；および
（ｃ’）１またはそれ以上のその後のクロロメチル化反応において再使用するために第二の母液流出液を単離する段階を含む、マルチバッチプロセスにおいてアニオン交換樹脂を製造する方法。
【請求項２】
（ｉｉ）（ａ’）から（ｃ’）に記載されているように繰り返される１またはそれ以上のその後のクロロメチル化反応において、第一または第二の母液流出液の一部が使用される請求項１記載の方法。
【請求項３】
架橋ポリ（ビニル芳香族）コポリマーがゲル状コポリマーである請求項１記載の方法。
【請求項４】
クエンチ溶液が１またはそれ以上の水、希塩酸、希硫酸、メタノール、およびメチラールを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
クロロメチル化中間体が、１部のクロロメチル化中間体に対して０．５〜５重量部のクエンチ溶液の比でクエンチされて、母液流出液が得られる請求項１記載の方法。
【請求項６】
それぞれ（ｉ）および（ｉｉ）の工程（ｂ）および（ｂ’）の１またはそれ以上が、まず、液体をクロロメチル化中間体と硫酸の混合物から撹拌せずに除去して母液流出液を得、続いてクロロメチル化中間体へクエンチ溶液の非撹拌プラグフローを下方向に添加することにより行われる請求項１記載の方法。
【請求項７】
（ｉｉ）の工程（ａ’）において架橋ポリ（ビニル芳香族）コポリマー１部につき、先のクロロメチル化−クエンチ−反応シーケンスから得られる０．７５〜４部の母液流出液が使用される請求項１記載の方法。
【請求項８】
（ｉｉ）の工程（ａ’）において用いられる先のクロロメチル化−クエンチ−反応シーケンスから得られる母液流出液が、４０〜７０％の硫酸および１〜２０％のクロロメチルメチルエーテルを含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
クエンチされたクロロメチル化中間体をアニオン交換樹脂を得るために十分なアミノ化試薬と接触させることにより、工程（ｂ）または（ｂ’）から得られるクエンチされたクロロメチル化中間体をアミノ化することをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項１０】
架橋ポリ（ビニル芳香族）コポリマーを硫酸の存在下でクロロメチル化して、クロロメチル化中間体と硫酸の混合物を得、続いてクロロメチル化中間体をクエンチング溶液でクエンチし、最終的にクロロメチル化中間体をアミノ化試薬で官能化する、マルチバッチプロセスにおいてアニオン交換樹脂を製造する改良された方法であって：
（ａ）クロロメチル化中間体と硫酸の混合物へクエンチ溶液の非撹拌プラグフグーを下方向に添加することによりクロロメチル化中間体をクエンチして、３０から９０％の硫酸を含む母液流出液を得る段階；
（ｂ）その後のクロロメチル化反応において再使用するために母液流出液を単離する段階；および
（ｃ）さらなる架橋ポリ（ビニル芳香族）コポリマーを、先のクロロメチル化−クエンチ−反応シーケンスから得られる３０から９０％の硫酸を含む母液流出液の一部と硫酸の存在下でクロロメチル化する段階を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定に有効な量のキサンタンガムを含有する、毛髪用化粧組成物。
【請求項２】
前記キサンタンガムが、含水率が25％未満で、少なくとも60℃の温度で、少なくとも30分間熱処理されている、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記熱処理が、湿分1％未満で、少なくとも105℃の温度で、少なくとも2.5時間である、請求項２記載の組成物。
【請求項４】
前記キサンタンガムが、1％水溶液中で、少なくとも4Pas（4000cps）の粘度及び100未満の交差歪を有する、請求項２〜３のいずれか１項記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物が、界面活性剤を含有しないヘアムースである、請求項1〜4のいずれか１項記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物がゲルである、請求項1〜４のいずれか１項記載の組成物。
【請求項７】
前記固定剤が、本質的にキサンタンガムからなる、請求項１〜６のいずれか１項記載の毛髪用化粧組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
さらに、式ＩＸ〜ＸＶＩ
【化４】
2003073670.tif 000001
【化５】
2003073670.tif 000002
式中、Ｒ０およびＸ０は、前に示した意味を有し、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４およびＹ５は、互いに独立してＨまたはＦである、
から選択された１種または２種以上の化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の混合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
さらに、式ＸＶＩＩ〜ＸＩＸ
【化６】
2003073670.tif 000003
式中、Ｒ０、Ｙ１およびＸ０は、前に示した意味を有し、フェニレン環は、随意にＦ、ＣｌまたはＣＮで一置換または多置換されている、
から選択された１種または２種以上の化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の混合物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮強度が１０５ＭＰａを超える高強度セメント質硬化体を製造する配合物に、イ）長さが５．０〜３０．０ｍｍ、直径が０．０４〜０．０５ｍｍの有機質繊維、またはロ）長さが０．５〜５．０ｍｍ未満、直径が０．１〜０．２ｍｍの有機質繊維を１．０体積％を超え１０体積％以下添加したのち、混練し成形し硬化させたものであることを特徴とする耐爆裂性高強度セメント質硬化体。
【請求項２】
圧縮強度が１０５ＭＰａを超える高強度セメント質硬化体を製造する配合物に、イ）長さが５．０〜３０．０ｍｍ、直径が０．０４〜０．０５ｍｍの有機質繊維、またはロ）長さが０．５〜５．０ｍｍ未満、直径が０．１〜０．２ｍｍの有機質繊維を１．０体積％を超え１０体積％以下添加したのち、混練し成形し硬化させたものであることを特徴とする耐爆裂性高強度セメント質硬化体の製造方法。
【請求項３】
前記有機質繊維が、ビニロン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエチレン繊維、アラミド繊維から選ばれる１種または２種以上の混合繊維であることを特徴とする請求項２に記載の耐爆裂性高強度セメント質硬化体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明（耐爆裂性高強度セメント質硬化体）は、
「・圧縮強度が１０５ＭＰａを超える高強度セメント質硬化体を製造する配合物に、
・イ）長さが５．０〜３０．０ｍｍ、直径が０．０４〜０．０５ｍｍの有機質繊維、または
・ロ）長さが０．５〜５．０ｍｍ未満、直径が０．１〜０．２ｍｍの有機質繊維を
・１．０体積％を超え１０体積％以下添加したのち、
・混練し成形し硬化させたものであること」（請求項１）
を要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明（耐爆裂性高強度セメント質硬化体の製造方法）は、
「・圧縮強度が１０５ＭＰａを超える高強度セメント質硬化体を製造する配合物に、
・イ）長さが５．０〜３０．０ｍｍ、直径が０．０４〜０．０５ｍｍの有機質繊維、または
・ロ）長さが０．５〜５．０ｍｍ未満、直径が０．１〜０．２ｍｍの有機質繊維を
・１．０体積％を超え１０体積％以下添加したのち、
・混練し成形し硬化させたものであること」（請求項２）
をも要旨とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、上記本発明（耐爆裂性高強度セメント質硬化体の製造方法）は、
・有機質繊維が、ビニロン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエチレン繊維、アラミド繊維  から選ばれる１種または２種以上の混合繊維であること（請求項３）
を特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
有機質繊維は、硬化体製造時の作業性（例；成形時における打設の難易）、混練時におけるファイバーボール形成の防止、該繊維の入手のし易さなどの観点を考慮すると、繊維長さは０．５〜３０．０ｍｍが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明では、有機質繊維の入手のし易さなどの観点から、長さが５．０〜３０．０ｍｍの範囲の繊維を用いる場合は直径が０．０４〜０．０５ｍｍのものを、長さが０．５〜５．０ｍｍ未満の繊維を用いる場合は直径が０．１〜０．２ｍｍのものを用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
原料供給部３３からメタンガスを３５０Ｌ／時間、水供給部３４から水を１４００Ｌ／時間で供給し、改質触媒３２の温度が７５０℃となるように改質加熱部３５で加熱量を制御し、水蒸気改質反応を進行させた。その結果、メタンの転換率が１００％となり、変成部３６に供給されるガスの組成はおよそ、一酸化炭素８体積％、二酸化炭素８体積％、水蒸気２０体積％、残りが水素となった。その組成のガスが変成触媒体３７で反応した後、変成部３６出口に排出されるガス組成をガスクロマトグラフィで測定した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
（実施例４）
酸化状態の異なるＦｅ酸化物（酸化状態は表中に記載）にＰｔを２重量％担持した後スラリー状にし、これをコージェライトハニカムにコーティングして、図１に示す変成触媒体３７として変成部３６に設置した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応器中で、塩化水素、臭化水素酸およびトリフルオロ酢酸からなる群から選択される少なくとも１種の触媒と、助触媒としてのＳＨ結合含有揮発性硫黄化合物の存在下、フェノールと置換フェノールからなる第１群より選ばれる少なくとも１つの第１反応物、およびケトンとジオールからなる第２群より選ばれる少なくとも１つの第２反応物を含む反応混合物を反応させて、ビスフェノール、第１反応物および第２反応物を含む混合物を得、その混合物から触媒、助触媒および反応水を蒸留により分離することを含んでなるビスフェノールの製造方法。
【請求項２】
触媒および／または助触媒が、液状または気体状である請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
気体状の助触媒を、系中で生成する請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
反応混合物中で、触媒および／または助触媒の濃度を、飽和濃度で一定に保つ請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
反応混合物を、１０〜８０℃に保持する請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
反応を、加圧下で行う請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
方法を連続的に行うことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この目的は、塩化水素、臭化水素酸およびトリフルオロ酢酸からなる群から選択される少なくとも１種の触媒並びにＳＨ結合含有揮発性硫黄化合物の存在下、フェノールまたは置換フェノールをケトンまたはジオールと反応させてビスフェノールを製造する方法により達成される。得られたビスフェノールは、未反応の出発物質および触媒から蒸留により分離される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によると、ビスフェノールを製造する既知の方法と比べ、中和処理が存在しない。更に、ビスフェノールの製造方法において、蒸留により生成物を分離することは知られていない。反応速度は、水の添加により遅くされるか、または完全に止めることが出来る。どの様な揮発性成分、例えば触媒、助触媒、水、適当に高い揮発性を有する未反応原料でも、蒸留により反応混合物から分離することが出来る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上述の出発物質と反応させる本発明の方法の更なる出発物質は、ケトンまたはジオールである。これらのケトンまたはジオール化合物は、環状または非環状の脂肪族または芳香脂肪族ケトン化合物であってよい。適当な例は、アセトン、ブタノン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、シクロペンタノン、１〜１２の炭素原子を含むアルキル基を有する３−アルキルシクロペンタノン、１〜１２の炭素原子を含むアルキル基を有し、アルキル基が同一または相違してもよい３，３−ジアルキルシクロペンタノン、１〜１２の炭素原子を含むアルキル基を有し、アルキル基が同一または相違してもよい３，３，５−トリアルキルシクロヘキサノン、シクロヘキサノン、１〜１２の炭素原子を含むアルキル基を有する３−アルキルシクロヘキサノン、１〜１２の炭素原子を含むアルキル基を有する４−アルキルシクロヘキサノン、１〜１２の炭素原子を含むアルキル基を有し、アルキル基が同一または相違してもよい３，３−ジアルキルシクロヘキサノン、１〜１２の炭素原子を含むアルキル基を有し、アルキル基が同一または相違してもよい３，３，５−トリアルキルシクロヘキサノン、アセトフェノンを含む。特に好ましくは、１〜５の炭素原子を含むアルキル基を有するアルキル置換シクロヘキサノンである。ケトンまたはジオール成分は、反応混合物の質量を基準に１〜２５質量％の濃度で、好ましくは１〜２０質量％の濃度で使用することが出来る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の製造方法で使用するのに適している触媒は、高揮発性酸であって、例えば、塩化水素、臭化水素酸およびトリフルオロ酢酸である。中でも塩化水素が好ましく、塩化水素は濃塩酸の形で使用することもできる。ＳＨ結合含有揮発性硫黄化合物を助触媒として使用する。この種の化合物は、硫化水素、メチル−、エチル−およびプロピルメルカプタンを含む。硫化水素が好ましい。本発明の方法は、触媒および助触媒として、塩化水素ガスおよび硫化水素を用いて特に好ましく行われる。触媒の濃度は、反応混合物の質量を基準に０．３〜５質量％、好ましくは０．５〜２質量％であってよい。助触媒の濃度は、反応混合物の質量を基準に５０ｐｐｍ〜１質量％、好ましくは１００ｐｐｍ〜０．５質量％であってよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
製造の初期には、出発物質を濃縮酸と共に反応器に仕込んでよい。触媒および助触媒を、その後好ましくは、反応混合物を攪拌しながら導入する。助触媒は、系内で生成してもよい。この目的のために、アンモニウムビスルフィドを酸反応混合物中へ導入してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
高すぎない温度で水を完全に蒸発させるため、蒸留を減圧下で行い、底部温度が生成物の損傷を生じさせないよう、減圧を調節してもよい。これは、温度が１３０℃以下での場合である。約１３０℃で、ビスフェノールは溶解し、フェノールおよびクレゾールのような出発化合物から均一な溶液が残る程度にのみ蒸発が起こる。この方法は、水、触媒および助触媒のほとんどを完全に除去し、清浄かつ経済的に冷却結晶化出来る清浄濃縮生成物溶液を与える。蒸留カラムの圧力は、５０〜１２０ｍｂａｒ、好ましくは、９０〜１１０ｍｂａｒである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
カラムの底から抜き出された生成物は、生成物の沸点にもよるが、ビスフェノール生成物の他、溶液の質量を基準にして０〜１５質量％の量で、フェノールおよび場合によりケトンを含んでいる。１００℃〜１３０℃の温度で、生成物は、通常の晶析器の中へ移される。結晶化が好ましくはロータリー晶析器中で行われる。得られた生成物によって、再結晶が、１〜３回、好ましくは１〜２回行われる。非常に純粋な生成物を満足に得るには、ＴＭＣフェノールの場合２回の結晶化で、ＢＰＡの場合１回の結晶化で、通常十分である。再結晶は、フェノールを用いて好ましく行われる。そうすると、フェノールおよび他の溶媒に混合物を分離する手間がはぶける。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月1日(2004.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（ＩＩ）
【化１】
2003073332.tif 000001
（式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。）
で示される２−ヒドロキシカルボン酸エステル類を、一般式（ＩＩＩ）
【化２】
2003073332.tif 000002
（式中、Ｒ３は水素原子、アルコキシル基、アラルキルオキシ基、アシルオキシ基または水酸基を表す。）
で示されるニトロキシラジカル、次亜塩素酸塩、金属臭化物および水の存在下、反応系のｐＨが５〜７の範囲の条件下で酸化することを特徴とする一般式（Ｉ）
【化３】
2003073332.tif 000003
（式中、Ｒ１およびＲ２は上記定義のとおりである。）
で示される２−オキソカルボン酸エステル類の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
２−ヒドロキシカルボン酸エステル類（ＩＩ）としては、例えばマンデル酸メチル、マンデル酸エチル、２−ヒドロキシ−２−（４−メトキシカルボニルフェニル）酢酸エチル、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシブタン酸メチル、２−ヒドロキシブタン酸イソプロピル、２−ヒドロキシブタン酸ｎ−ブチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、２−ヒドロキシ−３−フェニルブタン酸エチル、２−ヒドロキシ−４−（４−クロロフェニル）ブタン酸エチル、４−アセトキシ−２−ヒドロキシブタン酸メチル、２−ヒドロキシペンタン酸メチル、２−ヒドロキシペンタン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−フェニルペンタン酸メチル、２−ヒドロキシ−５−（２−メトキシフェニル）ペンタン酸イソプロピル、４−クロロ−２−ヒドロキシ−５−（２−ナフチル）ヘキサン酸ｔ−ブチル、４−フルオロ−２−ヒドロキシ−４−（４−メチルフェニル）オクタン酸ｎ−ブチル、２−ヒドロキシノナン酸メチル、２−ヒドロキシノナン酸エチル、３−ブロモ−２−ヒドロキシ−５−ニトロノナン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−ブテン酸エチル、２−ヒドロキシ−４−ペンチン酸メチルなどが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
実施例２
９−メチル−３−(１Ｈ−テトラゾール−５−イル)−４Ｈ−ピリド−[１,２−ａ]−ピリミジン−４−オン(６３ｇ、０.２８ｍｏｌ)をメタノール(１０００ｍｌ)中に懸濁させる。得られる懸濁液を４５℃に維持し、４５％水酸化カリウム水溶液をゆっくり加えてｐＨ９〜９.５とする。懸濁液を４５℃で１５分間撹拌し、次いで２０℃に冷却する。沈澱をろ過し、メタノールで洗浄し、８０℃の真空下で乾燥すると、ＨＰＬＣでの純度が＞９９.８％のペミロラストカリウム(７１.９ｇ；０.２７ｍｏｌ、収率９６％)を得る。
1H NMR(D2O, TMS)  δ(ppm): 2.02(s, 3H); 6.83(t, 1H); 7.22(d, 1H); 8.18(s, 1H); 8.47(d, 1H).
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４が、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）−または−Ｃ（ＣＮ）＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−および単結合から選択される、請求項１〜４のいずれかに記載のチエノチオフェン。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下に図面を用い、本発明に係る実施の形態につき詳細に説明する。以下の説明では、４段の反転論理回路を縦続接続した例を示すが、段数は４段以外でも複数段であればよい。また、各段の論理回路を構成するスイッチング素子としてｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタを用いたが、ｐｎｐバイポーラトランジスタとｎｐｎバイポーラトランジスタを用いてもよく、また、極性の相互に異なるＭＯＳ構造以外の電界効果型トランジスタを用いてもよい。また、充電ダイオード及び放電ダイオードとしてｎチャネル型のＭＯＳダイオードを用いたが、ｐチャネル型のＭＯＳダイオードを用いてもよい。また、一般的なｐｎ接合ダイオードや、ショットキーダイオード等の他のタイプの整流素子を用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記送信データ量を調整する手段は、前記受信確認信号の所定受信回数中の前記輻輳情報の含有頻度に応じて送信データ量を増減する手段を備えた請求項２記載の無線アクセスシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記送信データ量を増減する手段は、
前記受信確認信号に前記輻輳情報が含まれる毎に送信間隔を所定時間ずつ延長する手段と、
送信間隔の延長が行われた後に受信した前記受信確認信号に前記輻輳情報が含まれないときには当該送信間隔を復旧させる手段と
を備えた請求項２または３に記載の無線アクセスシステム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記無線データ送信装置は、前記受信確認信号の所定受信回数中の前記輻輳情報の含有頻度に応じて送信データ量を増減する請求項１５記載の無線アクセス方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記無線データ送信装置は、前記受信確認信号に前記輻輳情報が含まれる毎に送信間隔を所定時間ずつ延長し、送信間隔の延長が行われた後に受信した前記受信確認信号に前記輻輳情報が含まれないときには当該送信間隔を復旧させる請求項１５または１６に記載の無線アクセス方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
端末局からの受信信号に基づき伝搬環境推定誤差を検出する推定誤差検出手段を備え、
この推定誤差検出手段により検出された誤差に応じて前記位相傾き付加手段で付加される位相傾きの度合いを設定する手段を備えた
請求項２または３に記載の適応アンテナ送信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された映像信号に基づき映像を表示する映像表示装置であって、
前記映像信号の輝度情報を検出する検出手段と、
制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記検出手段で検出された前記輝度情報に基づいて前記映像信号のコントラストを制御しかつ前記検出された輝度情報に基づいて前記映像信号のガンマ補正を行うように制御することを特徴とする映像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の映像表示装置において、
前記映像信号のコントラストを制御するコントラスト制御手段と、
前記映像信号のガンマ補正を行うガンマ補正手段と、を備え、
前記制御手段は、前記検出手段で検出された前記輝度情報に基づいて前記コントラスト制御手段を制御しかつ前記検出された輝度情報に基づいて前記ガンマ補正手段を制御することを特徴とする映像表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の映像表示装置において、
前記制御手段は、前記検出手段によって検出された輝度情報を用いて前記コントラスト制御手段をフィードバック制御することを特徴とする映像表示装置。
【請求項４】
請求項２に記載の映像表示装置において、
前記ガンマ補正手段は、前記検出手段により検出された輝度情報が該当する輝度領域情報に対応して設定されるガンマカーブに基づいてガンマ補正を行うことを特徴とする映像表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の映像表示装置において、
前記検出手段により検出される輝度情報が所定値以下の場合は、前記ガンマカーブは前記ガンマ補正手段に入力される映像信号の低輝度領域において入出力特性のレベルが増大することを特徴とする映像表示装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の映像表示装置において、
前記検出手段により検出される輝度情報が所定値以上の場合は、前記ガンマカーブは、前記ガンマ補正手段に入力される映像信号の高輝度領域において入出力特性のレベルが増大することを特徴とする映像表示装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２に記載の映像表示装置において、
前記検出手段により検出した輝度情報に基づき前記映像信号の色補正を行う色補正手段を備えることを特徴とする映像表示装置。
【請求項８】
映像信号に基づき表示を行う映像表示装置用の映像信号処理回路であって、
前記映像信号の輝度情報を検出する検出手段と、
前記映像信号の輝度情報に基づくフィードバック系を形成し前記輝度情報を制御する制御手段と、
前記輝度情報を制御された映像信号に対し前記輝度情報に基づくガンマ補正を行うガンマ補正手段と、
を備えた構成を特徴とする映像信号処理回路。
【請求項９】
請求項８に記載の映像信号処理回路において、
前記ガンマ補正手段は、前記検出手段により検出された輝度情報が該当する輝度領域情報に対応して設定されるガンマカーブに基づいてガンマ補正を行うことを特徴とする映像信号処理回路。
【請求項１０】
請求項９に記載の映像信号処理回路において、
前記検出手段により検出される輝度情報が所定値以下の場合は、前記ガンマカーブは入力映像信号の振幅値に対する出力映像信号の振幅値の傾きが低入力映像信号程大きいことを特徴とする映像信号処理回路。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の映像信号処理回路において、
前記検出手段により検出される輝度情報が所定値以上の場合は、前記ガンマカーブは入力映像信号の振幅値に対する出力映像信号の振幅値の傾きが高入力映像信号程大きいことを特徴とする映像信号処理回路。
【請求項１２】
請求項８または請求項９に記載の映像信号処理回路において、
前記検出手段により検出した輝度情報に基づき前記映像信号の色補正を行う色補正手段を備えることを特徴とする映像信号処理回路。
【請求項１３】
映像信号に基づき表示を行う映像表示方法であって、
輝度信号の所定表示期間内の輝度情報を検出する第１のステップと、
前記検出した輝度情報に基づき映像信号のゲインを制御する第２のステップと、
前記輝度情報を制御された後の映像信号につき前記輝度情報に対応したガンマ補正を行う第３のステップと、
前記ガンマ補正した映像信号に基づき映像表示を行う第４のステップ
と、
を経て表示を行うことを特徴とする映像表示方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の映像表示方法において、
前記第３のステップでは、デジタル輝度信号または赤色、緑色、青色の各デジタル映像信号につきガンマ補正を行うことを特徴とする映像表示方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題点を解決するために、本発明では、入力された映像信号に基づき映像を表示する映像表示装置であって、前記映像信号の輝度情報を検出する検出手段と、制御手段とを有し、前記制御手段は、前記検出手段で検出された前記輝度情報に基づいて前記映像信号のコントラストを制御しかつ前記検出された輝度情報に基づいて前記映像信号のガンマ補正を行うように構成すればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回転電機の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転方向に沿って交互にＮＳ極の複数磁極を有する回転子と、前記回転子を囲み円環状に配置された固定子鉄心と、前記固定子鉄心に設けられた複数のスロットと、前記スロットに装着された多相の固定子巻線とを有する固定子と、前記回転子及び前記固定子を支持するフレームとを有する回転電機の製造方法であって、
前記固定子巻線は、複数本の連続線を巻枠に巻回し、
前記固定子のスロットに挿入される巻線直線部を平面状に押圧成形し、
前記固定子スロットと同数の溝部を設けた円筒部材に前記押圧成形した巻線組を円環状に巻付け、
前記巻線組を巻付けた円筒部材を円環状の前記固定子鉄心の内径側に挿入し、
前記円筒部材の溝部と前記固定子のスロットとを対向するように配置し、
前記溝部に巻付けた巻線直線部を前記固定子のスロットに拡張挿入し、
前記巻線組が、上記固定子鉄心の前記スロットの外で交互に折り返されて、所定スロット数毎に上記スロット内でスロット深さ方向に交互に採るように巻装された巻線とし、
前記複数本の連続線の巻始め端末と巻終わり端末が、前記固定子の円環状に配列されたスロット部を少なくとも一周以上巻装して重なり合うようにすることを特徴とする回転電機の製造方法。
【請求項２】
前記固定子巻線は、複数本の連続線を巻回した巻線組を２組以上巻装し、前記巻線組の端末部が、前記固定子鉄心の周方向に重なら無い様に、所定スロット数ずらして配置することを特徴とする請求項１に記載の回転電機の製造方法。
【請求項３】
前記固定子鉄心のスロットは、オープンスロットであることを特徴とする請求項１又は２に記載の回転電機の製造方法。
【請求項４】
前記固定子鉄心のスロットに前記固定子巻線を巻装後、前記スロットに磁性クサビを挿入して固定したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の回転電機の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転電機の製造方法に関するもので、特に、車両等に搭載される発電機等の回転電機の固定子の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の代表的な一つは、回転方向に沿って交互にＮＳ極の複数磁極を有する回転子と、前記回転子を囲み円環状に配置された固定子鉄心と、前記固定子鉄心に設けられた複数のスロットと、前記スロットに装着された多相の固定子巻線とを有する固定子と、前記回転子及び前記固定子を支持するフレームとを有する回転電機の製造方法であって、前記固定子巻線は、複数本の連続線を巻枠に巻回し、前記固定子のスロットに挿入される巻線直線部を平面状に押圧成形し、前記固定子スロットと同数の溝部を設けた円筒部材に前記押圧成形した巻線組を円環状に巻付け、前記巻線組を巻付けた円筒部材を円環状の前記固定子鉄心の内径側に挿入し、前記円筒部材の溝部と前記固定子のスロットとを対向するように配置し、前記溝部に巻付けた巻線直線部を前記固定子のスロットに拡張挿入し、前記巻線組が、上記固定子鉄心の前記スロットの外で交互に折り返されて、所定スロット数毎に上記スロット内でスロット深さ方向に交互に採るように巻装された巻線とし、前記複数本の連続線の巻始め端末と巻終わり端末が、前記固定子の円環状に配列されたスロット部を少なくとも一周以上巻装して重なり合うようにするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、この発明の回転電機の製造方法は、複数本の連続線を巻回した巻線組を２組以上、巻装し、前記巻線組の端末部が、固定子鉄心周方向に重なら無い様に、所定スロット数ずらして配置したものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、この発明の回転電機の製造方法は、スロット部がオープンスロットである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明の回転電機の製造方法は、固定子鉄心のスロット部に固定子巻線を巻装後、前記スロット部に磁性クサビを挿入，固定したものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による回転電機の製造方法について、図示の実施形態により、詳細に説明する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【発明の効果】
本発明に係る製造方法によれば、多相固定子巻線は、連続線により構成されるので、従来の固定子の様に、多数の導体セグメントの挿入及び端部を接合する必要がなく、固定子の組立作業性が大幅に向上する。また、接合個所が著しく削減するので、接合に伴う短絡事故が減少し、品質が向上する。更に、固定子鉄心が、一体の円環状で有る為、鉄心の丸め作業や突き合わせ部の溶接による磁気騒音や絶縁不良の増大を抑えられる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、本発明に係る製造方法によれば、固定子スロット内の素線数を増やせるので、出力が向上する。また、端末部が一箇所に集中せず、端末及び渡り線接続時の短絡事故を低減できる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、本発明に係る製造方法によれば、スロットへの素線の挿入性が向上すると共に、スロット入り口での素線被膜の損傷を防止できる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、本発明に係る製造方法によれば、オープンスロットによる磁気回路損失を抑えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極部を有する半導体基板に対して、前記電極部を覆うように樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、
前記樹脂膜に対して、前記電極部に対応する位置に開口部を形成する開口部形成工程と、
電気めっき法により、バンプ形成用めっきを、その一部が前記樹脂膜上にオーバーハングするように前記開口部に供給する供給工程と、
前記開口部が形成された樹脂膜を前記半導体基板に残したままの状態で加熱処理を行うことにより、前記開口部において前記バンプ形成用めっきからバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記樹脂膜を除去する除去工程と、
前記バンプが溶融するように再度加熱処理を行う工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
電極部を有する半導体基板に対して、前記電極部を覆うように樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程と、
前記樹脂膜に対して、前記電極部に対応する位置に開口部を形成する開口部形成工程と、
電気めっき法により前記開口部にバンプ形成用めっきを供給する供給工程と、
前記開口部が形成された樹脂膜を前記半導体基板に残したままの状態で前記バンプ形成用めっきを加熱溶融させ、表面張力の作用によりバンプ形成用めっきのオーバーハング部を消失させる加熱工程と、
前記樹脂膜を除去する除去工程と、
前記バンプ形成用めっきが溶融するように再度加熱処理を行うバンプ形成工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
３０  制御機、３２  送信機、３４，３６，３８  受信機、５０  タイマ、５
２  制御部、５６  ストリーム選択部、６０  送信部、６６  ストリーム及び制
御データ、６８  ストリーム及び送信権制御データ、９０，９２，９４  ストリ
ームデータ、９６，１００，１０４  メモリ、９８,１０２,１０６  プロトコル
付加情報生成回路、１０８，１１０，１１２  混合回路、１１４  ローカルバス
Ｉ／Ｆ、１１６  ストリームデータ選択管理テーブル、１１８  送信ストリーム
データ選択回路、１２０  選択ストリームデータ制御回路、１２２，１２６  ス
トリームポイント制御要求、１２４  ストリームデータ選択管理テーブル制御回
路、１２８，１３０  ストリーム
選択要求
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2004320084.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を表示する表示手段と、
上記表示手段に表示されている上記映像の映像データを順次更新しながら一時記憶する記憶手段と、
所定の第１の外部操作に応じて、上記記憶手段に記憶された上記映像データを所定の外部記憶媒体に書き込むと共に、所定の第２の外部操作に応じて、上記外部記憶媒体に書き込んだ上記映像データを読み出す読書き手段と、
上記読書き手段により上記外部記憶媒体から読み出された上記映像データに基づく映像を上記表示手段の画面に表示させる表示制御手段と
を具えることを特徴とする映像表示装置。
【請求項２】
上記外部記憶媒体の書き込み可能回数は、上記記憶手段の書き込み可能回数より少ない
ことを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項３】
上記外部記憶媒体は着脱可能な外部メモリにより構成され、装着された上記外部メモリに関する各種情報が上記表示手段の画面に表示される
ことを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項４】
上記各種情報には、少なくとも上記映像データを記憶することができる上記外部メモリの記憶残量、若しくは、上記第２の外部操作に応じて上記外部メモリから読み出される上記映像データの読み出し位置に対応する情報が含まれている
ことを特徴とする請求項３に記載の映像表示装置。
【請求項５】
上記読書き手段は、
上記映像データを、所定の圧縮フォーマットにより圧縮して上記記憶手段に記憶する
ことを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項６】
上記読書き手段は、
上記映像の映像データを順次更新しながら圧縮して上記記憶手段に一時記憶する
ことを特徴とする請求項５に記載の映像表示装置。
【請求項７】
上記第１の外部操作が行われた場合に、
上記表示制御手段は、上記第１の外部操作が行われたときの１フレーム分の映像データを少なくとも上記表示手段の画面の一部に表示させる
ことを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項８】
上記読書き手段は、
上記第１の外部操作に応じて、上記記憶手段に記憶された上記映像データを上記外部記憶媒体に書き込む間、上記第１の外部操作に対する応答を禁止する
ことを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項９】
上記読書き手段は、
上記第１の外部操作に応じて、上記記憶手段に記憶された上記映像データを上記外部記憶媒体に書き込んだ後に、上記第１の外部操作に対する応答の禁止を解除すると共に、上記第２の外部操作に応じて、上記外部記憶媒体に書き込んだ当該映像データを読み出す
ことを特徴とする請求項８に記載の映像表示装置。
【請求項１０】
上記読書き手段は、
上記記憶手段に記憶された上記映像データを、所定の著作権保護方式に準拠した通信方式で上記外部記憶媒体に送信し、及び又は上記著作権保護方式に準拠したフォーマットで上記外部記憶媒体に書き込む
ことを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項１１】
上記読書き手段は、
上記外部記憶媒体に書き込まれた上記映像データを、上記第２の外部操作に応じた読出しモードで読み出す
ことを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項１２】
上記表示制御手段は、
上記表示手段の画面の少なくとも一部に、上記外部記憶媒体から読み出された上記映像データを、上記読出しモードに対応した表示モードで表示する
ことを特徴とする請求項１１に記載の映像表示装置。
【請求項１３】
上記表示制御手段は、
上記記憶手段に記憶される上記映像データに基づく第１の上記映像と、上記外部記憶媒体から読み出した上記映像データに基づく第２の上記映像とを上記表示手段に表示させる
ことを特徴とする請求項１に記載の映像表示装置。
【請求項１４】
表示手段に表示されている上記映像の映像データを順次更新しながら一時記憶する第１のステップと、
所定の第１の外部操作に応じて、上記記憶手段に記憶保持された上記映像データを所定の外部記憶媒体に書き込む第２のステップと、
所定の第２の外部操作に応じて、上記外部記憶媒体に書き込んだ上記映像データを読み出す第３のステップと、
上記外部記憶媒体から読み出された上記映像データに基づく映像を上記表示手段に表示させる第４のステップと
を具えることを特徴とする映像表示方法。
【請求項１５】
上記第１のステップでは、
上記映像データを、所定の圧縮フォーマットにより圧縮して記憶する
ことを特徴とする請求項１４に記載の映像表示方法。
【請求項１６】
上記第２のステップでは、
記憶した上記映像データを、所定の著作権保護方式に準拠した通信方式で上記外部記憶媒体に送信し、及び又は上記著作権保護方式に準拠したフォーマットで上記外部記憶媒体に書き込む
ことを特徴とする請求項１４に記載の映像表示方法。
【請求項１７】
上記第３のステップでは、
上記外部記憶媒体に書き込まれた上記映像データを、上記第２の外部操作に応じた読出しモードで読み出す
ことを特徴とする請求項１４に記載の映像表示方法。
【請求項１８】
上記第４のステップでは、
記憶する上記映像データに基づく第１の上記映像と、上記外部記憶媒体から読み出した上記映像データに基づく第２の上記映像とを上記表示手段に表示させる
ことを特徴とする請求項１４に記載の映像表示方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
デマルチプレクサ回路８は、供給されるデスクランブルテレビジョン放送信号Ｓ４を符号化映像データＤ１、音声符号化データＤ２及びサービスデータＤ３に分離し、符号化映像データＤ１をビデオデコーダ回路９に送出すると共に、符号化音声データＤ２をオーディオブロック１６のオーディオデコーダ回路１７に送出し、サービスデータＤ３をバス１０を介してビデオブロック６全体の動作制御を司るＭＰＵ（Micro Processor Unit）１１に送出する。