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【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体を少なくとも有し、前記ｐ型窒化物半導体の所定の一部にｐ電極を備える発光素子において、
前記ｐ電極は、前記ｐ型窒化物半導体に対して第２の部材よりも接触抵抗が低い第１の部材と、前記発光素子の光に対して第１の部材よりも反射率の高い第２の部材から少なくとも構成され、
前記第１の部材と前記第２の部材から選択される一方の部材は、前記ｐ型窒化物半導体が露出した開口部を有し、
前記第１の部材と前記第２の部材から選択される他の部材は、少なくとも前記開口部内に充填されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記ｐ型窒化物半導体が露出した開口部を有する部材は、複数の開口部を有するメッシュ形状であり、少なくとも前記メッシュ形状の開口部内に他の部材が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１の部材は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄから選択された少なくとも１つの元素を含む構成であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２の部材はＡｇを主とすることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体を少なくとも有し、前記ｐ型窒化物半導体の所定の一部にｐ電極を備える発光素子において、
前記ｐ電極は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄから選択された少なくとも１つの元素を含む構成である第１の部材と、前記発光素子の光に対して第１の部材よりも反射率の高いＡｇを主とする第２の部材から少なくとも構成され、
前記第１の部材と前記第２の部材から選択される一方の部材は、前記ｐ型窒化物半導体が露出した開口部を有し、
前記第１の部材と前記第２の部材から選択される他の部材は、少なくとも前記開口部内に充填されていることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
前記第１の部材が開口部を有し、前記第２の部材が前記開口部内に充填されているとともに、前記第２の部材が第１の部材を完全に覆う構成であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、第２の部材はＡｇを主とすることが好ましい。これにより、効率の良い光反射を得ることができ、結果として発光素子の発光効率を向上させることができる。また、ｐ電極は、Ａｇよりも接触抵抗の低い第１の部材を有するので、実際に発光素子を駆動する際に、電流が主に第１の部材に集中する。これによりＡｇの移動、すなわちイオンマイグレーションを抑制し、信頼性を向上することができる。
また、ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体を少なくとも有し、前記ｐ型窒化物半導体の所定の一部にｐ電極を備える発光素子において、
前記ｐ電極は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄから選択された少なくとも１つの元素を含む構成である第１の部材と、前記発光素子の光に対して第１の部材よりも反射率の高いＡｇを主とする第２の部材から少なくとも構成され、
前記第１の部材と前記第２の部材から選択される一方の部材は、前記ｐ型窒化物半導体が露出した開口部を有し、
前記第１の部材と前記第２の部材から選択される他の部材は、少なくとも前記開口部内に充填されていることを特徴とする。さらにまた、前記第１の部材が開口部を有し、前記第２の部材が前記開口部内に充填されているとともに、前記第２の部材が第１の部材を完全に覆う構成であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極を覆って形成された絶縁膜上の第２の電極および第３の電極の電極間に交流電圧を印加しながら、前記第２の電極上、前記第３の電極上および前記第２の電極と前記第３の電極との間に存在する領域であって前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に少なくとも半導体特性を有するカーボンナノチューブを含む溶液を滴下することを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【請求項２】
第１の電極を覆って形成された絶縁膜上の第２の電極および第３の電極の電極間に交流電圧を印加しながら、前記第２の電極上、前記第３の電極上、および前記第２の電極と前記第３の電極との間に存在する領域であって前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に少なくとも半導体特性を有するカーボンナノチューブを含む溶液を滴下し、
前記第２の電極および前記第３の電極の電極間に直流電圧を印加することを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【請求項３】
第１の電極を覆って形成された絶縁膜上の第２の電極および第３の電極の電極間に交流電圧を印加しながら、前記第２の電極上、前記第３の電極上、および前記第２の電極と前記第３の電極との間に存在する領域であって前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に導電体特性を有するカーボンナノチューブおよび半導体特性を有するカーボンナノチューブを含む溶液を滴下し、
前記第２の電極および前記第３の電極の電極間に直流電圧を印加することにより前記導電体特性を有するカーボンナノチューブのみを除去することを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の電極表面、前記第３の電極表面、および前記第２の電極と前記第３の電極との間に存在する領域であって前記第１の電極と重なる位置にある前記絶縁膜の表面を、前記カーボンナノチューブを含む溶液を滴下する前にそれぞれラビング処理する工程をさらに含むことを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の電極上、前記第３の電極上、および前記第２の電極と前記第３の電極との間に存在する領域であって前記絶縁膜上をそれぞれ覆って配向膜を形成し、
前記配向膜の表面をラビング処理する工程をさらに含むことを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【請求項６】
第１の電極および前記第２の電極間に交流電圧を印加しながら、前記第１の電極上、前記第２の電極上、および前記第１の電極と前記第２の電極との間に存在する領域に少なくとも半導体特性を有するカーボンナノチューブを含む溶液を滴下し、
前記半導体特性を有するカーボンナノチューブを覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記第１の電極と前記第２の電極との間に存在する領域における前記半導体特性を有するカーボンナノチューブと重なる位置に第３の電極を形成することを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【請求項７】
第１の電極および前記第２の電極間に交流電圧を印加しながら、前記第１の電極上、前記第２の電極上、および前記第１の電極と前記第２の電極との間に存在する領域に少なくとも半導体特性を有するカーボンナノチューブを含む溶液を滴下し、
前記第１の電極および前記第２の電極の電極間に直流電圧を印加し、
前記半導体特性を有するカーボンナノチューブを覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記第１の電極と前記第２の電極との間に存在する領域における前記半導体特性を有するカーボンナノチューブと重なる位置に第３の電極を形成することを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【請求項８】
第１の電極および前記第２の電極間に交流電圧を印加しながら、前記第１の電極上、前記第２の電極上、および前記第１の電極と前記第２の電極との間に存在する領域に導電体特性を有するカーボンナノチューブおよび半導体特性を有するカーボンナノチューブを含む溶液を滴下し、
前記第１の電極および前記第２の電極の電極間に直流電圧を印加することにより前記導電体特性を有するカーボンナノチューブのみを除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極間を半導体特性を有するカーボンナノチューブで接続し、
前記半導体特性を有するカーボンナノチューブを覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記第１の電極と前記第２の電極との間に存在する領域における前記半導体特性を有するカーボンナノチューブと重なる位置に第３の電極を形成することを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の電極上、前記第２の電極上および前記第１の電極と前記第２の電極との間に存在する領域をそれぞれ覆って配向膜を形成し、
前記配向膜の表面をラビング処理する工程をさらに含むことを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記交流電圧の周波数を１ＭＨｚ以上として行うことを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記カーボンナノチューブ溶液中に含まれるカーボンナノチューブの濃度が０．０００５％以下であることを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
上面に開口部を有する本体ケースと、該本体ケース内で開口位置に配設された複数の加熱用コイルと、該本体ケースの上面に配設される平板状の天板とを備えてなる加熱調理器において、
前記本体ケースに前記開口部を覆うように前記天板の外周縁を取付手段により着脱自在に取り付けたことを特徴とする加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る加熱調理器は、上面に開口部を有する本体ケースと、該本体ケース内で開口位置に配設された複数の加熱用コイルと、該本体ケースの上面に配設される平板状の天板とを備えてなる加熱調理器において、前記本体ケースに前記開口部を覆うように前記天板の外周縁を取付手段により着脱自在に取り付けたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【発明の効果】
以上のように本発明の請求項１によれば、上面に開口部を有する本体ケースに該開口部を覆うように平板状の天板の外周縁を取付手段により着脱自在に取り付けるようにしたので、天板にヒビや割れが生じて天板を交換する場合に、枠体に天板の外周縁を着脱自在に取り付けている取付手段による取り付けを解除することにより、簡単に天板と本体ケースとを分離することができるため、天板単体の交換を容易に行え、異材質の部品を分離するリサイクル処理も容易に行うことができるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月3日(2005.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極、その間に挟持される電子加速層を有し、該第１電極と該第２電極間に電圧を印加することで該第２電極側より電子を放出する薄膜型電子源を形成した基板と、蛍光面とを有する画像表示装置において、薄膜型電子源アレイは、前記第２電極への給電線となるバス電極を有しており、該バス電極は層間絶縁層のスルーホールを介して接続された多層配線により形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
下部電極と上部電極、その間に挟持される電子加速層を有し、該下部電極と該上部電極間に電圧を印加することで該上部電極側より電子を放出する薄膜型電子源を形成した基板と、蛍光面とを有する画像表示装置において、薄膜型電子源アレイは、前記上部電極への給電線となる上部バス電極を有しており、該上部バス電極は層間絶縁層のスルーホールを介して接続された多層配線により形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
前記多層配線の上層の一部はめっき膜により形成されていることを特徴とする請求項２記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記下部電極を信号線、前記上部バス電極を走査線として、線順次駆動方式により画像情報を表示することを特徴とする請求項２記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
他方、ＩＢＡＤ層の厚みが１００ｎｍ以下になると、ＰＬＤ−ＣｅＯ２層を蒸着しても、配向度が１０度以上であり、十分な臨界電流が流れない。これは配向度が１０度以上であると、各ＹＢＣＯ結晶同士の電気的つながりが不十分（弱結合）になるためである。しかし、ＩＢＡＤ層が１００ｎｍを超えるとＣｅＯ２層の配向度が１０度以下になり十分な電流が流れる。ＩＢＡＤ法は蒸着速度が３ｎｍ／分程度と遅く、製造に時間が掛かるが、本発明のようにＩＢＡＤ膜を薄くし、ＣｅＯ２層をＰＬＤ法により厚めに形成することによって蒸着製造時間を短縮できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
図７は、９種類のＣｅＯ２膜の厚さ２０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、３００ｎｍ、６００ｎｍ、１０００ｎｍ、３０００ｎｍ、５０００ｎｍ、７０００ｎｍに対しての各ＣｅＯ２膜のΔΦの値を示したものである。ΔΦの値は小さいほど結晶配向性が良いことを示すが、図７に示された結果によると、７０００ｎｍでは（すなわち５０００ｎｍを超えると）、結晶配向性がやや悪くなる。厚さ１００〜５０００ｎｍの間ではΔΦは１０度より小さくなる。この試料の上に超電導層のＹＢＣＯを実施例１と同様にＴＦＡ−ＭＯＤ法で成膜し、臨界電流を測定したところ、７７Ｋ、０Ｔで、ＣｅＯ２膜の厚さ５０ｎｍ〜７０００ｎｍで１ＭＡ／ｃｍ２以上のＪｃが得られ、特に１００ｎｍ〜５０００ｎｍの間では２ＭＡ／ｃｍ２以上のＪｃが得られ、最高で３ＭＡ／ｃｍ２の高い臨界電流密度が得られた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004071359.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に部品を収納する樹脂製のケースと、該ケースに係合して該ケースを覆う樹脂製のカバーからなるユニット装置筐体において、前記ケースとの係合を外して前記ケースから前記カバーを取り外すための樹脂製の専用治具を前記カバーに収納したことを特徴とするユニット装置筐体。
【請求項２】
前記専用治具が前記カバーに脱着可能な樹脂製の小カバーに形成されていることを特微とする請求項１記載のユニット装置筐体。
【請求項３】
前記小カバーが、前記ケースと前記カバーとの係合を外すくさび型のツメ突起と、前記小カバーを前記カバーに係止させる保護ストッパー部とを備えていることを特徴とする請求項２記載のユニット装置筐体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載のユニット装置筐体の樹脂製のケースの内部に、電子部品を搭載したプリント基板を収納したことを特徴とするユニット装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解消するために、請求項１記載のユニット装置筐体の発明は、内部に部品を収納する樹脂製のケースと、該ケースに係合して該ケースを覆う樹脂製のカバーからなるユニット装置筐体において、前記ケースとの係合を外して前記ケースから前記カバーを取り外すための樹脂製の専用治具を前記カバーに収納したことを特徴とする。
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載のユニット装置筐体において、前記専用治具が、前記カバーに脱着可能な樹脂製の小カバーに形成されていることを特微とする。
そして、請求項３記載の発明は、請求項２記載のユニット装置筐体において、前記小カバーが、前記ケースと前記カバーとの係合を外すくさび型のツメ突起と、前記小カバーを前記カバーに係止させる保護ストッパー部とを備えていることを特徴とする。
以上の構成により、専用治具が小カバー自体に形成されているので、小カバーを取り外して用いればよく、作業者の作業性や経済性を向上させる。
同時に、ユニット装置筐体の設計者自身が専用治具も設計するので、最適な治具となり信頼性の高い装置を提供し、さらに小カバーが専用治具の機能を兼用するので、専用治具を別体として備える必要がなくなるのでユニット装置の小型化、及び低コスト化となる。
さらに、請求項４記載のユニット装置の発明は、請求項１〜３のいずれか１項記載のユニット装置筐体の樹脂製のケースの内部に、電子部品を搭載したプリント基板を収納したことを特徴とする。
電子部品を搭載したプリント基板をこの筐体の樹脂製のケースの内部に収納することで、作業性や経済性のよい、小型化及び低コスト化となるユニット装置が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電子部品を搭載したプリント基板を収納する樹脂製のケースと、該ケースに係合して該ケースを覆うカバーからなるユニット装置筐体において、前記ケースとの係合を外して前記ケースから前記カバーを取り外すための樹脂製の専用治具を前記カバーに収納しており、
そしてその専用治具が前記カバーに脱着可能な樹脂製の小カバーに形成されるようにしており、
さらに、その小カバーが、前記ケースと前記カバーとの係合を外すくさび型のツメ突起と、前記小カバーを前記カバーに係止させる保護ストッパー部とを備えているような構成により、専用治具が小カバー自体に形成されているため、小カバーを取り外して用いればよく、作業者の作業性や経済性を向上させることとなる。
同時に、ユニット装置筐体の設計者自身が専用治具も設計するので、最適な治具となり信頼性の高い装置を提供し、さらに小カバーが専用治具の機能を兼用するので、専用治具を別体として備える必要がなくなるのでユニット装置の小型化、及び低コスト化となる、といった効果がある。
また、電子部品を搭載したプリント基板をこの筐体の樹脂製のケースの内部に収納することで、作業性や経済性のよい、小型化及び低コスト化となるユニット装置が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための反応炉と、前記反応炉内に複数の基板を積層配置して取出し可能に収容される基板支持具と、前記反応炉内にて処理する前の基板もしくは前記反応炉内にて処理済みの基板を積層保持可能な基板保持容器と、前記基板支持具と前記基板保持容器との間で基板を搬送する基板搬送機とを備えた縦型半導体製造装置において、
さらに前記基板の表面を検査する基板表面検査器を、前記基板搬送機を用いて前記処理済みの前記基板を前記基板表面検査器に搬送することが可能な範囲に配置したことを特徴とする縦型半導体製造装置。
【請求項２】
基板を処理するための反応炉と、前記反応炉内に基板を積層配置して取出し可能に収容される基板支持具と、前記反応炉内にて処理する前の基板もしくは前記反応炉内にて処理済みの基板を積層保持可能な基板保持容器と、前記基板支持具と前記基板保持容器と基板表面検査器の間で基板を搬送する基板搬送機と、
前記基板搬送機を用いて前記処理済みの基板を搬送することが可能な範囲に配置され、前記処理済みの基板表面のパーティクル数を測定する基板表面検査器と、
前記基板表面検査器が、測定する前記処理済みの基板表面のパーティクル数が設定値を超えると前記反応炉内にクリーニングガスを流すよう制御する制御器とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧雰囲気が保たれる容器と、
該容器内に位置した被加工物を載置するための処理台と、
該被加工物と対面する誘電体窓と、
所定のガスをプラズマ化するための電磁波を該容器内に導入するアンテナ素子と、
高周波電源とを有し、
該アンテナ素子は回転対称に配置された複数のアンテナ素子で構成され、
各々アンテナ素子の片端が接地され、他端が同位相またはほぼ同位相で前記高周波電源に電気的接続されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
容器と、
該容器内を減圧雰囲気に保持する真空排気装置と、
該容器内に位置した半導体ウエハを載置するための処理台と、
該半導体ウエハと対面した下面を有する誘電体窓と、
該誘電体窓上面に位置し、所定のガスをプラズマ化するための電磁波を該容器内に導入するアンテナ素子と、
高周波電源とを有し、
該アンテナ素子は回転対称に配置された複数のアンテナ素子で構成され、
各々のアンテナ素子の端子の一方が接地され、他方は前記高周波電源に同位相またはほぼ同位相で給電されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置において、
前記アンテナ素子の長さが高周波電源の波長λの1／4より短いことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波電源により各々アンテナ素子に印加された電磁波の各々の位相差は±１０度以内であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置において、
前記アンテナ素子を接地する導体板を備え、
当該導体板の孔を介して前記高周波電源により給電されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置において、
前記アンテナ素子に前記高周波電源からの電力を分配供給する高周波分配部を備え、
前記アンテナ素子と前記高周波分配部との間に導電性板を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１から６いずれか１項に記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波電源はUHF帯の電源であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１から６いずれか１項に記載のプラズマ処理装置において、
前記アンテナ素子が少なくとも多重に同心円状に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項１から６いずれか１項に記載のプラズマ処理装置において、
前記アンテナ素子が螺旋状に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置において、
前記容器内に磁場を印加する磁場制御部を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置において、
前記誘電体窓の材質がアルミナ、石英のいずれか、もしくはこれらの複合であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１２】
容器と、
該容器内を減圧雰囲気に保つために、該容器に接続された真空排気装置と、
該容器内に位置した半導体ウエハを載置するための処理台と、
該半導体ウエハと対面した下面を有する誘電体窓と、
所定のガスをプラズマ化するための電磁波を該容器内に導入する複数のアンテナ素子と、
該アンテナ素子に給電する手段とを有し、
前記アンテナ素子は前記誘電体窓の上面に同心円状に配置され、前記複数のアンテナ素子のそれぞれを流れる電流がループ状誘導電界を形成することを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の不揮発メモリを用いた符号化及び複合化処理では、消去後の不揮発メモリからの読み出しデータがすべて「１」となる場合、誤り訂正用の符号化ビットはすべて１ではない。このことは、消去済の不揮発メモリからデータを読み出すとき、誤り検出及び誤り訂正を行う誤り検出／訂正回路から、「誤りあり」という判定結果を出力することを意味する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
一方、フラッシュメモリ１８０から記憶データを読み出す場合、読み出したデータがフラッシュメモリ・インターフェース１７０を介して、誤り訂正回路１５０に入力される。誤り訂正回路１５０は、読み出したデータに対して、書き込み時の符号化処理で用いられた符号化処理に対応した複合化処理を行い、訂正後のデータをページバッファ１６０に入力する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
消去データレジスタ４０は、フラッシュメモリ１８０が消去状態にあるときの各メモリセルの記憶データ（以下、便宜上これを単に消去データＤＥと表記する）を所定の単位、例えば、バイト単位、または複数バイトの単位で格納する。そして、消去データレジスタ４０は、格納されている消去データＤＥを一致検出回路５０、及び選択回路３０と６０に供給する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ＲＡＭ８０は、フラッシュメモリ・インターフェース１７０から出力される読み出しデータＤＲを記憶し、そして記憶したデータＤＲを所定のタイミングでＥＣＣ複合回路７０に供給する。即ち、ＲＡＭ８０は、読み出しデータＤＲを一時保持するバッファとして機能する。ＲＡＭ８０により、読み出しデータＤＲの出力タイミングを調整することが出来る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004071012.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004071012.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月22日(2005.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体の情報記録面に光を照射して該情報記録面に記録された情報を読み取るピックアップと、
前記ピックアップを移動可能に保持しそれぞれが互いに平行に配置された送りねじおよびガイドシャフトと、
前記情報記録面に対する前記ピックアップの傾きを調整する調整手段と、を備えたピックアップのスキュー調整機構であって、
前記調整手段は、前記送りねじおよび前記ガイドシャフトの各々を移動調整することにより前記ピックアップの傾きを調整することを特徴とするピックアップのスキュー調整機構。
【請求項２】
前記送りねじと前記ガイドシャフトは各々１つであり、
前記調整機構は、それら送りねじとガイドシャフトを移動可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載のピックアップのスキュー調整機構。
【請求項３】
前記送りねじと前記ガイドシャフトは、前記ピックアップの下側に配置されており、
前記調整機構は、それら送りねじとガイドシャフトを移動可能に構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のピックアップのスキュー調整機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載したように、記録媒体の情報記録面に光を照射して該情報記録面に記録された情報を読み取るピックアップと、前記ピックアップを移動可能に保持しそれぞれが互いに平行に配置された送りねじおよびガイドシャフトと、前記情報記録面に対する前記ピックアップの傾きを調整する調整手段と、を備えたピックアップのスキュー調整機構であって、前記調整手段は、前記送りねじおよび前記ガイドシャフトの各々を移動調整することにより前記ピックアップの傾きを調整することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明においては、請求項２に記載したように、前記送りねじと前記ガイドシャフトは各々１つであり、前記調整機構は、それら送りねじとガイドシャフトを移動可能に構成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明においては、請求項３に記載したように、前記送りねじと前記ガイドシャフトは、前記ピックアップの下側に配置されており、前記調整機構は、それら送りねじとガイドシャフトを移動可能に構成されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
第１調整ねじ２６は、基板２７にねじ結合されている。また、その第１調整ねじ２６の上端には弾性支持部２５の平板部２５Ａの下面が当接しており、その第１調整ねじ２６が治具により上方向に移動されることにより弾性支持部２５の平板部２５Ａが基板２７との結合点を支点として弾性変形され（図５参照）、弾性支持部２５の立設部２５Ｂに固定されている駆動モータ２２とともに取り付け部２４に取り付けられている支持部材１８が上方に移動される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この弾性支持部２５は、第１調整ねじ２６を下方向に付勢しており、その第１調整ねじ２６の上方への移動により弾性支持部２５の平板部２５Ａに対しその付勢力に抗した力が加えられ弾性変形される。
そして、支持部材１８が第１調整ねじ２６により弾性支持部２５を介して移動されることにより、その支持部材１８に支持されている送りねじ１１の他端１１Ｂが上下方向に移動調整される。すなわち、第１調整ねじ２６を上下方向に移動させると、弾性支持部２５を介して駆動モータ２２と送りねじ１１とがともに上下方向に移動調整される。そのため前述の移動調整の際に、駆動モータ２２の回転軸に取り付けられた駆動ギア２１と、送りねじ１１の端部に形成された被駆動ギア１９との噛合状態が維持され、両者の位置ズレが発生することがない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー照射により情報が記録される情報記録媒体において、前記情報記録媒体は、エネルギー吸収度が異なる無機物と有機物がトラック方向に交互に配列している層を有することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記記録媒体は、前記層に隣接又は近接して、相変化記録層を有することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記無機物が、相変化記録材料の微粒子からなることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記層は、トラック方向に周期的な凹凸を有する基板上にあり、前記配列は、前記基板表面の凹凸に同期していることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記記録媒体は、磁化していることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項６】
無機物と有機物がトラック方向に交互に配列している層を有する記録媒体に対してエネルギーを与え、前記無機物又は前記有機物に選択的にエネルギーを吸収させ、前記媒体に情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
【請求項７】
前記エネルギーを、光照射により与え、前記光照射のスポットは、前記無機物から前記有機物にかけて照射されることを特徴とする請求項６記載の情報記録方法。
【請求項８】
前記エネルギーを、前記無機物から前記有機物にかけて電極より電気的エネルギーとして与えることを特徴とする請求項６記載の情報記録方法。
【請求項９】
情報が記録され、光吸収度が異なる無機物と有機物がトラック方向に交互に配列している層を有する媒体に対し、光スポットを照射してその反射光を検出し、多値レベルのレベルが前記無機物と前記有機物の境界部となるように再生信号を生成し、前記媒体に記録された情報を再生することを特徴とする情報再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電池およびその製造法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の正極板と負極板との間にセパレータを挿入させるとともに前記正極板の長手方向に沿った一方の側縁部を極板群の上方へ突出させ、前記負極板の長手方向に沿った前記一方の側縁部とは反対側の側縁部を極板群の下方へ突出させて渦巻状または楕円状に形成させた極板群を有し、
前記負極板の突出部分は、外周に対して下向きの突部を有する底蓋と電気的に接続されており、
前記正極板の突出部分は、電解液を注入する穴を有しかつ外周に上向きの突部を有するフィルタ部と電気的に接続されており、
中空状の筒状ケースの上部は内側に折り曲げられており、
前記極板群の上部に接続されたフィルタ部の突部は絶縁ガスケットと嵌合されており、
前記極板群は前記ケースの折り曲げ部分まで挿入されており、
前記ケース下部の内面は、前記極板群に接続された底蓋の突部と電気的に接続されており、
前記ケース折り曲げ部は、前記絶縁ガスケットを介して前記フィルタ部の突部の方へカシメられており、
前記フィルタ部の孔を塞ぐように弁体が設置されており、
前記弁体は、その上部をキャップ状端子が覆う形で前記フィルタ上部に設置されており、前記キャップ状端子の鍔部と前記フィルタ上部とが電気的に接続されている電池。
【請求項２】
帯状の正極板と負極板との間にセパレータを挿入させるとともに前記正極板の長手方向に沿った一方の側縁部を極板群の上方へ突出させ、前記負極板の長手方向に沿った前記一方の側縁部とは反対側の側縁部を極板群の下方へ突出させて渦巻状または楕円状に形成させた極板群を作製する工程と、
前記負極板の突出部分を外周に対して下向きの突部を有する底蓋に電気的に接続する工程と、
前記正極板の突出部分と、電解液を注入する穴を有し、外周に上向きの突部を有するフ
ィルタ部に電気的に接続する工程と、
中空状の筒状ケースの上部を内側に折り曲げる工程と、
前記極板群の上部に接続されたフィルタ部の突部に絶縁ガスケットを嵌合させる工程と、
前記極板群を前記ケースの折り曲げ部分まで挿入する工程と、
前記ケース下部の内面と前記極板群に接続された底蓋の突部とを電気的に接続する工程と、
前記ケース折り曲げ部を前記絶縁ガスケットを介して前記フィルタ部の突部の方へカシメる工程と、
前記フィルタ部の孔より電解液を注入する工程と、
前記フィルタ部の孔を塞ぐように弁体を設置する工程と、
前記弁体の上にキャップ状端子をかぶせて、前記フィルタ上部に設置し、前記キャップ状端子の鍔部と前記フィルタ上部とを電気的に接続する工程とを備えた電池の製造法。
【請求項３】
前記電気的に接続する方法は、レーザ溶接、電子ビーム溶接、Ｔｉｇ溶接のいずれかである請求項２記載の電池の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料をイオン化するイオン源と、前記試料をイオン化したイオンの1次質量分析及び前記1次質量分析の後に前記イオンを解離させて生じた解離イオンの２次質量分析を行う質量分析部と、分析対象外イオンを前記１次質量分析より前に排除するための高周波電圧を印加する高周波電源と、前記分析対象外イオンの排除命令を前記高周波電源に出力する制御部とを有することを特徴とする質量分析システム。
【請求項２】
前記制御部は更に、前記1次質量分析の後に前記２次質量分析の対象となる分析対象イオンを選択する手段を有することを特徴とする請求項1に記載の質量分析システム。
【請求項３】
前記分析対象イオン及び前記分析対象外イオンを指定するための画面表示部を有することを特徴とする請求項1に記載の質量分析システム。
【請求項４】
前記イオンをトラップするトラップ部が設置され、前記トラップ部は、前記高周波電源により、前記分析対象外イオンを前記１次質量分析より前に排除するための高周波電圧を印加されることを特徴とする請求項1に記載の質量分析システム。
【請求項５】
分析対象候補物質のデータ系列を選択するための選択部と、前記分析対象候補物質のデータ系列について検索するための第１のデータベースとを更に有し、前記制御部は、前記分析対象候補物質のデータ系列について検索された物質を解離させて生成された解離イオンを質量分析させる指令を出し、前記質量分析部は前記制御部からの指令に基づき前記検索された物質由来のイオンの質量分析を行うことを特徴とする請求項１に記載の質量分析システム。
【請求項６】
イオン源と、質量分析部と、高周波電源とを具備する装置を用い、前記イオン源にて試料をイオン化する工程と、前記イオン化したイオンの中から分析対象外イオンを前記高周波電源を用いることにより選択的に排除する工程と、前記排除する工程の後に前記質量分析部において前記イオンの１次質量分析を行う工程と、引き続き前記イオンを解離させて生じた解離イオンの２次質量分析を行う工程とを有することを特徴とする質量分析方法。
【請求項７】
前記質量分析部において、前記1次質量分析の後に前記２次質量分析の対象となる分析対象イオンを選択的に解離させ、生じた解離イオンを２次質量分析することを特徴とする請求項６に記載の質量分析方法。
【請求項８】
分析対象候補物質のデータ系列が記録された第1のデータベースと制御部とを更に具備する前記装置を用い、前記制御部で前記質量分析部より入力される前記1次質量分析のデータについて、前記第１のデータベースに含まれるデータと一致する前記1次質量分析のデータを検索し、前記一致したデータのイオンを選択的に解離させ、生成される解離イオンを前記質量分析部で前記２次質量分析をすることを特徴とする請求項６に記載の質量分析方法。
【請求項９】
前記高周波電源は、前記第1のデータベース内のデータと一致しないイオンを前記１次質量分析より前に排除するために高周波電圧を印加し、前記制御部は、前記一致しないイオンの前記排除と、前記分析対象イオンの前記1次質量後の前記解離及び前記２次質量分析とを実行させる指令を出すことを特徴とする請求項５に記載の質量分析法。
【請求項１０】
分析対象候補外物質のデータが記録された第2のデータベースを更に具備する前記装置を用い、前記1次質量分析前に、前記第２のデータベースに含まれるデータと一致する分析対象外イオンを除去することにより、分析対象イオンを選択的に前記一次質量分析することを特徴とする請求項８に記載の質量分析方法。
【請求項１１】
前記高周波電源は、前記第2のデータベースのデータと一致する分析対象外イオンを前記１次質量分析より前に排除するために高周波電圧を印加し、前記制御部は、前記分析対象外イオンの前記排除と、前記分析対象イオンの前記1次質量後の前記解離及び前記２次質量分析とを実行させる指令を出すことを特徴とする請求項１０に記載の質量分析法。
【請求項１２】
試料をイオン化するイオン源と、分析対象候補物質のデータ系列が記録された第１のデータベースと、前記第1のデータベース内のデータと一致する分析対象イオンを選択する指令を出す制御部と、前記試料をイオン化したイオンを1次質量分析し、かつ前記選択された分析対象イオンの解離により生成された解離イオンを２次質量分析する質量分析部とを有することを特徴とする質量分析装置。
【請求項１３】

分析対象候補外物質が記録された第2のデータベースを更に有し、前記第１のデータベースに記録され、前記1次質量分析された前記分析対象イオンのデータが、前記第2のデータベースへ加えられることにより、前記第2のデータベースが更新されることを特徴とする請求項１２に記載の質量分析装置。
【請求項１４】
高周波電源を更に有し、前記高周波電源は、高周波電圧印加により前記第1のデータベース内のデータと一致しないイオンを前記１次質量分析より前に排除し、前記制御部は、前記一致しないイオンの前記排除と、前記分析対象イオンの前記1次質量後の前記解離及び前記２次質量分析とを実行させる手段を有することを特徴とする請求項１２に記載の質量分析装置。
【請求項１５】
高周波電源を更に有し、前記高周波電源は、高周波電圧印加により前記第2のデータベースのデータと一致する分析対象外イオンを前記１次質量分析より前に排除し、前記制御部は、前記分析対象外イオンの前記排除と、前記分析対象イオンの前記1次質量後の前記解離及び前記２次質量分析とを実行させる手段を有することを特徴とする請求項１３に記載の質量分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン化源として大気圧プラズマ又は高周波誘導結合プラズマを利用する質量分析装置であって、イオン偏向レンズ系を有するものにおいて、
前記イオン偏向レンズ系が、
それぞれが１つのアパチャーを有するとともに互いに対向する入射側プレート状電極及び出射側プレート状電極と、
前記入射側プレート状電極及び前記出射側プレート状電極の間に配置されている少なくとも１つの筒状電極とからなり、
前記入射側プレート状電極及び前記出射側プレート状電極が、それぞれのアパチャーの光軸が互いにずれるように配置され、
かつ前記筒状電極が、その中心軸が少なくとも前記入射側プレート状電極の光軸と互いにずれるように配置されていることを特徴とする分析装置。
【請求項２】
前記イオン偏向レンズ系が、インターフェース部とアイソレーションバルブの間に配置されている請求項１に記載の分析装置。
【請求項３】
前記入射側プレート状電極及び前記出射側プレート状電極に同じ電圧が印加されている請求項２に記載の分析装置。
【請求項４】
前記入射側プレート状電極及び前記出射側プレート状電極のそれぞれのアパチャーの光軸が、前記筒状電極の前記中心軸に対して、実質上同じ距離、反対方向に互いにずれている請求項３に記載の分析装置。
【請求項５】
イオンレンズの一部としてイオンガイドを有し、
前記イオン偏向レンズ系が、前記イオンガイドのイオンの入射側に配置されている請求項１に記載の分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
上記ガラス基板上の空気遮断用フイルムを剥がして、ポリイミドフイルムをガラス基板に貼り付けた後、上述のセミアディティブ法、フルアディティブ法、もしくはサブトラクティブ法で貼り合わせ面と反対側の面に高精細な回路パターンを形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ポリイミドフイルムと紫外線硬化型再剥離粘着剤の剥離力は５ｇ／ｃｍであった。回路パターン形成中にポリイミドフイルムが紫外線硬化型再剥離粘着剤から剥離することはなかった。次に、端部から徐々にポリイミドフイルムをガラス基板から剥離した。ポリイミドフイルムは、紫外線硬化型再剥離粘着剤との界面で剥離し、カールすることはなかった。また、ＩＣチップ接合部分でもポリイミドフイルムは容易に剥離することができて、回路パターンに折れや変形が発生することはなかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
ポリイミドフイルムと紫外線硬化型再剥離粘着剤の剥離力は５ｇ／ｃｍであった。回路パターン形成中にポリイミドフイルムが紫外線硬化型再剥離粘着剤から剥離することはなかった。次に、端部から徐々にポリイミドフイルムをガラス基板から剥離した。ポリイミドフイルムは、紫外線硬化型再剥離粘着剤との界面で剥離し、カールすることはなかった。また、ＩＣチップ接合部分でもポリイミドフイルムは容易に剥離することができて、回路パターンに折れが発生することはなかったが、ガラス基板上に粘着剤がある所とない所の境界部分でポリイミドフイルムが変形した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
ポリイミドフイルムと紫外線硬化型再剥離粘着剤の剥離力は５ｇ／ｃｍであった。回路パターン形成中にポリイミドフイルムが紫外線硬化型再剥離粘着剤から剥離することはなかった。次に、端部から徐々にポリイミドフイルムをガラス基板から剥離した。ポリイミドフイルムは、紫外線硬化型再剥離粘着剤との界面で剥離し、カールすることはなかった。また、ＩＣチップ接合部分でもポリイミドフイルムは容易に剥離することができて、回路パターンに折れなどの変形が発生することはなかった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
ポリイミドフイルムと弱粘着性再剥離剤の剥離力は６０ｇ／ｃｍであった。回路パターン形成中にポリイミドフイルムが弱粘着性再剥離剤から剥離することはなかった。次に、端部から徐々にポリイミドフイルムをガラス基板から剥離した。ポリイミドフイルムは、弱粘着性再剥離剤との界面で剥離し、カールすることはなかった。また、ＩＣチップ接合部分でもポリイミドフイルムは容易に剥離することができて、回路パターンに折れなどの変形が発生することはなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また請求項３および４に記載された発明における、有機物層と可撓性フィルムの間の剥離力が小さい部分を形成する具体的なものとしては、回路パターン製造工程および電子部品実装での熱プロセスに耐えるだけの耐熱性を備えていることが望ましく、ポリカーボネート、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、液晶ポリマーなどのプラスチックフイルム、あるいは、ＳＵＳ、アルミニウム、銅などの金属フイルムを採用することができる。中でもポリエチレンテレフタレートフイルム、ポリフェニレンサルファイドフイルム、ポリイミドフイルム、ＳＵＳフイルム、アルミニウムフイルム、銅フイルムは、耐熱性に優れるとともに耐薬品性にも優れているので好適に採用される。また、フイルムの厚みとしては、０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。また、シリコーン樹脂を用いてもよく、好ましい形態の一つである。シリコーン樹脂は離型剤として用いられることがあるが、耐熱性に優れているので好適に採用される。本発明で用いられるシリコーン樹脂としては、Ｓｉ（ＯＲ１）４、Ｒ２Ｓｉ（ＯＲ１）３、Ｒ２２Ｓｉ（ＯＲ１）２などで表される珪素化合物が好適に採用される。（ここでＲ１、Ｒ２は炭化水素基を示す。）より具体的には、テトラオキシムシラン、ビニルトリオキシムシランなどが好適に用いられる。また、シリコーン樹脂の厚みとしては、０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
上記ガラス基板上の空気遮断用フイルムを剥がして、ポリイミドフイルムをガラス基板に貼り付けた後、上述のセミアディティブ法、フルアディティブ法、もしくはサブトラクティブ法で貼り合わせ面と反対側の面に高精細な回路パターンを形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
ポリイミドフイルムと紫外線硬化型再剥離粘着剤との間の剥離力は５ｇ／ｃｍであった。また、ポリイミドフイルムとテトラオキシムシランとの間の剥離力は１ｇ／ｃｍであった。回路パターン形成中にポリイミドフイルムが紫外線硬化型再剥離粘着剤から剥離することはなかった。次に、端部から徐々にポリイミドフイルムをガラス基板から剥離した。ポリイミドフイルムは、紫外線硬化型再剥離粘着剤との界面で剥離し、カールすることはなかった。また、ＩＣチップ接合部分でもポリイミドフイルムは容易に剥離することができて、回路パターンに折れなどの変形が発生することはなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
実施例２
補強板であるガラスにマスキングテープを貼り付けず、紫外線硬化型再剥離粘着剤を全面に均一に形成したことと、モデルＩＣチップ搭載部の下部にあたる部分のみ、ポリイミドフイルム貼り合わせ前に厚み１μｍのポリエステルフイルムを貼り付けたこと以外は実施例１と同様にして回路基板用部材を得た。剥離力のチャートから、紫外線硬化型再剥離粘着剤とポリイミドフイルムの間の剥離力は５．０ｇ／ｃｍであり、ポリエステルフイルムとポリイミドフイルムとの間の剥離力は０ｇ／ｃｍであった。さらに実施例１と同様にして、ＩＣチップを回路パターンに接合した後、ポリイミドフイルムに吸着パッドをあて、端部から徐々にガラスから剥離した。ＩＣチップ接合部分でもポリイミドフイルムは容易に剥離することができ、回路パターンに折れや変形が発生することはなかった。測長機ＳＭＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、対角方向に本来約２８３ｍｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）間の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフイルム５点ともフォトマスクパターンに対して±５μｍ以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
実施例３
補強板であるガラスにマスキングテープを貼り付けず、有機物層を全面に形成したことと、容易に剥離できるシリコーンコートしたポリエチレンテレフタレートフイルムを有機物層に貼り合わせ、モデルＩＣチップ搭載部の下部にあたる部分を型抜きして除去し、除去した部分にのみテトラオキシムシランからなる厚み１μｍの粘着防止層を設け、次いでシリコーンコートしたポリエチレンテレフタレートフィルムを全て剥がしたこと以外は実施例１と同様にして回路基板用部材を得た。剥離力のチャートから、ポリイミドフイルムとテトラオキシムシランからなる粘着防止層との間の剥離力は１．０ｇ／ｃｍであった。さらに実施例１と同様にして、ＩＣチップを回路パターンに接合した後、ポリイミドフイルムに吸着パッドをあて、端部から徐々にガラスから剥離した。ＩＣチップ接合部分でもポリイミドフイルムは容易に剥離することができ、回路パターンに折れや変形が発生することはなかった。測長機ＳＭＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、対角方向に本来約２８３ｍｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）間の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフイルム５点ともフォトマスクパターンに対して±５μｍ以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
次に、空気遮断用フイルムを剥がしつつ、ガラス基板の紫外線硬化型再剥離粘着剤が形成されている側にロール式ラミネーターでポリイミドフイルムを貼り付けた。その後、ガラス基板側から紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、紫外線硬化型再剥離粘着剤を硬化させたこと以外は実施例１と同様にして金属層パターンを得、回路パターン上の接続パッドは粘着剤がない幅５ｍｍの部分の上に配置した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
次に、５０μｍピッチで２４０個の金めっきバンプをペリフェラル構造で配置した４ｍｍ×４ｍｍのモデルＩＣチップをチップ側から１５０℃に加熱しつつ超音波ボンダーを用いて、回路パターン上の接続パッドと金属接合した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
本発明によれば、加工工程での湿式プロセスによる膨張と収縮、あるいは引っ張りや捻れ、補強板からの剥離時の損傷など外力による変形を抑制して、より設計値に近い微細加工および電子部品の搭載を可能とし、特に高精細な回路基板用部材を提供することができ、その実用性は多大である。