【手続補正書】
【提出日】平成15年3月6日(2003.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体加工部品の無機表面を、フッ化水素酸からなる物質を除く群から選択される化学的脱離剤に暴露させる工程、及び
（ｂ）凍結ＣＯ２  ペレットの流れをこの表面に送る工程、
を含む、無機表面を有する半導体加工部品の清浄化方法。
【請求項２】
前記化学的脱離剤が、ＨＣｌ、クロロ酢酸、クロロプロパン酸、クロロ安息香酸、及びこれらの混合物よりなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化学的脱離剤が、気相のハロゲン又はハロゲン化化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記凍結ＣＯ２ ペレットの流れを表面に送った後に、前記部品を、半導体ウェハを加工するために使用する炉に配置し、また追加の清浄化工程を、前記凍結ＣＯ２  ペレットの流れの終了と、前記炉内への部品の配置との間に行わない、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記凍結ＣＯ２ ペレットの流れを表面に送った後に、前記部品を、半導体ウェハを加工するために使用する炉に配置し、また前記凍結ＣＯ２  ペレットの流れの終了後であって部品を炉に配置する前に、少なくとも１つの追加の材料層を前記表面上に堆積させる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記凍結ＣＯ２ ペレットの流れを表面に送った後に、前記部品を、保存と輸送に適した梱包に密封し、また前記凍結ＣＯ２  ペレットの流れの終了と、前記部品の梱包との間に、追加の清浄化工程を行わない、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記無機表面を化学的脱離剤に暴露させる工程の前に、前記部品を緑色ＳｉＣでブラストする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
（ａ）半導体加工部品の無機表面を、フッ化水素酸からなる物質を除く群から選択される化学的脱離剤に暴露させる工程、
（ｂ）凍結ＣＯ２  ペレットの流れを、前記表面に送る工程、及び
（ｃ）前記表面上に少なくとも１つの追加の材料層を堆積させる工程、
を含む、無機表面を有する半導体加工部品の清浄化方法。
【請求項９】
（ａ）半導体加工部品の表面を化学的脱離剤に暴露させる工程、及び
（ｂ）前記表面を音波エネルギーに暴露させる工程、
を含む、無機表面を有する半導体加工部品の清浄化方法。
【請求項１０】
（ａ）半導体加工部品の無機表面を化学的脱離剤に暴露させる工程、
（ｂ）少なくとも１つの追加の材料層を、前記表面上に堆積させる工程、及び
（ｃ）保存と輸送に適した梱包中に、前記加工部品を密封する工程、
を含む、無機表面を有する半導体加工部品の清浄化方法。
【請求項１１】
（ａ）半導体加工部品の無機表面を化学的脱離剤に暴露させる工程、
（ｂ）少なくとも１つの追加の材料層を、前記表面上に堆積させる工程、及び
（ｃ）半導体ウェハを加工するのに使用する炉中に前記加工部品を配置する工程、
を含む、無機表面を有する半導体加工部品の清浄化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
均等物
本発明の具体例の前記の詳細な説明から、セラミック加工品から金属及び粒子汚染物質を除去するための新規の系が記載されていることは明らかである。具体例を詳細に説明したが、これは例示のためのみであり、特許請求項の範囲を決して限定するものではない。特に、請求項により規定する本発明の精神と範囲を逸脱することなく、本発明に種々の置換、改変、及び修飾を加えられることは、本発明者らにより企図されている。また、本発明の実施態様としては下記の実施態様を挙げることができる。
（実施態様１） （ａ）半導体加工部品の無機表面を、フッ化水素酸からなる物質を除く群から選択される化学的脱離剤に暴露させる工程、及び
（ｂ）凍結ＣＯ２ ペレットの流れをこの表面に送る工程、
を含む、無機表面を有する半導体加工部品の清浄化方法。
（実施態様２） 前記化学的脱離剤が塩化物酸を含む、実施態様１に記載の方法。
（実施態様３） 前記塩化物酸が、ＨＣｌ、クロロ酢酸、クロロプロパン酸、クロロ安息香酸、及びこれらの混合物よりなる群から選択される、実施態様２に記載の方法。
（実施態様４） 前記化学的脱離剤が、気相化学的脱離剤を含む、実施態様１に記載の方法。
（実施態様５） 前記化学的脱離剤が、ハロゲン又はハロゲン化化合物を含む、実施態様４に記載の方法。
（実施態様６） 前記ハロゲンが、塩素、フッ素、臭素、及びヨウ素よりなる群から選択される、実施態様５に記載の方法。
（実施態様７） 前記ハロゲン化化合物がＳｉＣｌ４ を含む、実施態様５に記載の方法。
（実施態様８） 前記ハロゲン化化合物が、ハロゲン化有機化合物である、実施態様５に記載の方法。
（実施態様９） 前記ハロゲン化有機化合物が、１，１，１−トリクロロエタン、１，２−トランス−ジクロロエチレン、及びこれらの混合物よりなる群から選択される、実施態様８に記載の方法。
（実施態様１０） 前記化学的脱離工程を、室温より高い温度で行う、実施態様１に記載の方法。
（実施態様１１） 前記化学的脱離工程を、少なくとも約８５℃の温度で行う、実施態様１０に記載の方法。
（実施態様１２） 約１０ｎｍの深さでＳＩＭＳにより測定したときに、最大でも約６００ｐｐｍの金属汚染物質濃度を有する表面を与えるのに充分な時間にわたって、前記表面を前記化学的脱離剤に暴露させる、実施態様１に記載の方法。
（実施態様１３） 約１０ｎｍの深さでＳＩＭＳにより測定したときに、最大でも約４００ｐｐｍの、アルカリ金属及びアルカリ土類金属以外の金属汚染物質の表面濃度を与えるのに充分な時間にわたって、前記表面を前記化学的脱離剤に暴露させる、実施態様１に記載の方法。
（実施態様１４） 約１０ｎｍの深さでＳＩＭＳにより測定したときに、最大でも約２２５ｐｐｍの鉄汚染物質濃度を有する表面を与えるのに充分な時間にわたって、前記表面を前記化学的脱離剤に暴露させる、実施態様１に記載の方法。
（実施態様１５） 前記化学的脱離剤が超臨界流体を含む、実施態様１に記載の方法。
（実施態様１６） 約０．３μｍよりも大きい粒子に関して最大で約０．４粒子／平方ｃｍの表面粒子汚染を与えるのに充分な時間にわたって、前記表面を前記凍結ＣＯ２ ペレットの流れに暴露させる、実施態様１に記載の方法。
（実施態様１７） 前記凍結ＣＯ２ ペレットの流れを表面に送った後に、前記部品を、半導体ウェハを加工するために使用する炉に配置する、実施態様１に記載の方法。
（実施態様１８） 追加の清浄化工程を、前記凍結ＣＯ２ ペレットの流れの終了と、前記炉内への部品の配置との間に行わない、実施態様１７に記載の方法。
（実施態様１９） 前記凍結ＣＯ２ ペレットの流れの終了後であって部品を炉に配置する前に、少なくとも１つの追加の材料層を前記表面上に堆積させる、実施態様１７に記載の方法。
（実施態様２０） 前記少なくとも１つの追加の材料層が、ポリシリコン層、二酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、金属層、フォトレジスト層、及びこれらの組合せを含む、実施態様１９に記載の方法。
（実施態様２１） 前記少なくとも１つの追加の材料層を前記表面上に堆積させた後に、この堆積層に、
（ａ）前記少なくとも１つの追加の材料層を、化学的脱離剤に暴露させる工程、及び
（ｂ）凍結ＣＯ２ ペレットの流れをこの表面に送る工程、
を含む処理を行う、実施態様１９に記載の方法。
（実施態様２２） 前記凍結ＣＯ２ ペレットの流れを表面に送った後に、前記部品を、保存と輸送に適した梱包に密封する、実施態様１に記載の方法。
（実施態様２３） 前記凍結ＣＯ２ ペレットの流れの終了と、前記部品の梱包との間に、追加の清浄化工程を行わない、実施態様２２に記載の方法。
（実施態様２４） 前記凍結ＣＯ２ ペレットの流れの終了後であって部品を梱包する前に、少なくとも１つの追加の材料層を前記表面上に堆積させる、実施態様２２に記載の方法。
（実施態様２５） 前記少なくとも１つの追加の材料層が、ポリシリコン層、二酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、金属層、フォトレジスト層、及びこれらの組合せを含む、実施態様２４に記載の方法。
（実施態様２６） 前記少なくとも１つの追加の材料層を前記表面上に堆積させた後に、この堆積層に、
（ａ）前記少なくとも１つの追加の材料層を、化学的脱離剤に暴露させる工程、及び
（ｂ）凍結ＣＯ２ ペレットの流れをこの表面に送る工程、
を含む処理を行う、実施態様２４に記載の方法。
（実施態様２７） 梱包から前記部品を取り出し、半導体ウェハの加工のために使用する炉に前記部品を配置する工程を更に含む、実施態様２２に記載の方法。
（実施態様２８） 追加の清浄化工程を、梱包からの部品の取り出しと、炉へのその配置の間に行わない、実施態様２７に記載の方法。
（実施態様２９） 前記無機表面を化学的脱離剤に暴露させる工程の前に、前記部品を緑色ＳｉＣでブラストする、実施態様１に記載の方法。
（実施態様３０） 前記無機表面が、Ｓｉ、ダイヤモンド、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、及び多結晶又は溶融石英よりなる群から選択される、実施態様１に記載の方法。
（実施態様３１） 前記無機表面が、その上に蒸着コーティングを有する、実施態様１に記載の方法。
（実施態様３２） 前記蒸着表面が、ＣＶＤ−Ｓｉ、ＣＶＤ−ＳｉＯ２、ＣＶＤ−ＳｉＣ、ＣＶＤ−Ｓｉ３Ｎ４、ＣＶＤダイヤモンド、Ｙ２Ｏ３及びＺｒＯ２よりなる群から選択される、実施態様３１に記載の方法。
（実施態様３３） 前記無機表面が、スパッタ堆積又は噴霧コーティングにより与えられたコーティングを有する、実施態様１に記載の方法。
（実施態様３４） 前記少なくとも１つの追加の材料層を提供した後であって、前記部品を半導体ウェハを加工するための炉中に配置する前に、追加の清浄化工程を行わない、実施態様１９に記載の方法。
（実施態様３５） 前記少なくとも１つの追加の材料層を提供した後であって、半導体ウェハを加工するのに使用する炉中に部品を配置する前に、生成物を保存と輸送に適した梱包中に密封する、実施態様１９に記載の方法。
（実施態様３６） 前記少なくとも１つの追加の材料層を提供した後と、前記部品の梱包との間に、追加の清浄化工程を行わない、実施態様３５に記載の方法。
（実施態様３７） （ａ）半導体加工部品の無機表面を、フッ化水素酸からなる物質を除く群から選択される化学的脱離剤に暴露させる工程、
（ｂ）凍結ＣＯ２ ペレットの流れを、前記表面に送る工程、及び
（ｃ）前記表面上に少なくとも１つの追加の材料層を堆積させる工程、
を含む、無機表面を有する半導体加工部品の清浄化方法。
（実施態様３８） 梱包からの前記部品の取り出しと、炉へのその配置の間に、追加の清浄化工程を行わない、実施態様３５に記載の方法。
（実施態様３９） （ａ）半導体加工部品の表面を化学的脱離剤に暴露させる工程、及び
（ｂ）表面を音波エネルギーに暴露させる工程、
を含む、無機表面を有する半導体加工部品の清浄化方法。
（実施態様４０） （ａ）半導体加工部品の無機表面を化学的脱離剤に暴露させる工程、
（ｂ）少なくとも１つの追加の材料層を、前記表面上に堆積させる工程、及び
（ｃ）保存と輸送に適した梱包中に、前記加工品を密封する工程、
を含む、無機表面を有する半導体加工部品の清浄化方法。
（実施態様４１） 前記少なくとも１つの追加の材料層の堆積と前記加工品の梱包との間に、追加の清浄化工程を行わない、実施態様４０に記載の方法。
（実施態様４２） （ａ）半導体加工部品の無機表面を化学的脱離剤に暴露させる工程、
（ｂ）少なくとも１つの追加の材料層を、前記表面上に堆積させる工程、及び
（ｃ）半導体ウェハを加工するのに使用する炉中に加工品を配置する工程、
を含む、無機表面を有する半導体加工部品の清浄化方法。
（実施態様４３） 前記少なくとも１つの追加の材料層の堆積と、前記炉中への加工品の配置の間に、追加の清浄化工程を行わない、実施態様４２に記載の方法。
（実施態様４４） 前記少なくとも１つの追加の材料層を提供した後であって、半導体ウェハを加工するのに使用する炉中に前記部品を配置する前に、製品を保存と輸送に適した梱包中に密封する、実施態様４２に記載の方法。
（実施態様４５） 前記少なくとも１つの追加の材料層の提供と、前記部品の梱包との間に、追加の清浄化工程を行わない、実施態様４４に記載の方法。