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【手続補正書】
【提出日】平成17年8月31日(2005.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  オキシチタニウムフタロシアニン顔料および結着樹脂を含有する電子写真感光層形成用顔料分散液において、該顔料分散液が、沸点１１０℃以上の芳香族炭化水素類および／または１−ヘキサノールを含有することを特徴とする、電子写真感光層形成用顔料分散液。
【請求項２】  前記オキシチタニウムフタロシアニンが、少なくともＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２゜）７．３゜，９．６゜，１１．６゜，１３．３゜，１７．９゜，２４．１゜および２７．２゜に主要な回折ピークを示す、結晶型オキシチタニウムフタロシアニンであることを特徴とする請求項１に記載の顔料分散液。
【請求項３】  前記顔料分散液が、エーテル類を含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の顔料分散液。
【請求項４】  オキシチタニウムフタロシアニン顔料を有機溶媒中で分散した分散液と、沸点が１１０℃以上の芳香族炭化水素類および／または１−ヘキサノールを含む溶媒に結着樹脂を溶解させた樹脂溶液とを混合することによって顔料分散液を得ることを特徴とする、電子写真感光体の感光層形成用塗布液の製造方法。
【請求項５】  導電性支持体上に、オキシチタニウムフタロシアニン顔料、結着樹脂および沸点１１０℃以上の芳香族炭化水素類および／または１−ヘキサノールを含有する電子写真感光層形成用顔料分散液を塗工して感光層を形成することを特徴とする、電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】  導電性支持体上に、オキシチタニウムフタロシアニン顔料、結着樹脂および沸点１１０℃以上の芳香族炭化水素類および／または１−ヘキサノールを含有する電子写真感光層形成用顔料分散液を塗工して感光層を形成してなる、電子写真感光体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち本発明の要旨は、オキシチタニウムフタロシアニンを含有する顔料および結着樹脂を含有する分散液において、沸点が１１０℃以上の芳香族炭化水素および／または１−ヘキサノールを含有することを特徴とする電子写真感光層形成用顔料分散液、電子写真
感光層形成用顔料分散液の製造方法、電子写真感光体の製造方法および電子写真感光体に存する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
＜溶媒＞
本発明に係る沸点１１０℃以上の芳香族炭化水素類としては、トルエン，キシレンなどの芳香族炭化水素類があげられ、これらと１−ヘキサノールの中から少なくとも１種類が用いられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
これらの溶媒の中でも特に、トルエン，キシレン，１−ヘキサノールがあげられる。
また、これらの溶媒に、テトラヒドロフラン，ジオキサン，１，２−ジメトキシエタン等のエーテル類、アセトン，２−ブタノン等のケトン類、芳香族炭化水素類、メタノール，エタノール，１−プロパノール，２−プロパノール等のアルコール類、酢酸メチル，酢酸エチル等のエステル類、アミド類、スルホキシド類、エーテルケトン類等の溶媒を混合して用いることもできる。これらの溶媒では、オキシチタニウムフタロシアニンの結晶形安定化能、分散安定性などの面から、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル類、１−プロパノールなどのアルコール類が適している。特に好適には、エーテル類が混合される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
実施例２
実施例１の電荷発生層形成用顔料分散液の調製において用いたトルエンの代わりに、１−ヘキサノール（沸点１５７．８℃）を加えた以外は、実施例１と同様に作成した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様の評価を行った。結果を表−１に示す。
参考例３
実施例１の電荷発生層形成用顔料分散液の調製において用いたトルエンの代わりに、４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノン（沸点１６０℃）を加えた以外は、実施例１と同様に作成した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様の評価を行った。結果を表−１に示す。
参考例４
実施例１の電荷発生層形成用顔料分散液の調製において用いたトルエンの代わりに、１，３−ブタンジオール（沸点２１４．２℃）を加えた以外は、実施例１と同様に作成した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様の評価を行った。結果を表−１に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【表１】
2004094064.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】垂直磁気ディスク装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁極及び主磁極を有する磁気ヘッドと、磁気ディスクとを備え、
前記主磁極は、前記第１の磁極と交差する方向の一対の第１の辺と、前記第１の磁極に対向する一対の第２の辺と、前記第１の辺と磁気ディスクの回転方向に対して上流側の第２の辺との間に設けられた第３の辺とを有し、
前記磁気ディスクの回転方向と前記主磁極の膜厚方向とのなす角度が最大となる磁気ディスク上の位置において、前記主磁極の前記磁気ディスクの面上への射影の前記磁気ディスクの半径方向の長さが前記磁気ディスクのトラックピッチ以下であることを特徴とする垂直磁気ディスク装置。
【請求項２】
第１の磁極及び主磁極を有する磁気ヘッドと、磁気ディスクとを備え、
前記主磁極は、前記第１の磁極と交差する方向の一対の第１の辺と、前記第１の磁極に対向する一対の第２の辺と、前記第１の辺と磁気ディスクの回転方向に対して上流側の第２の辺との間に設けられた第３の辺とを有し、
前記主磁極の形状が、前記磁気ディスクの回転方向と前記主磁極の膜厚方向とのなす角度が最大となる角度Ｓの磁気ディスク上の位置において、Ｐ×ｓｉｎ（Ｓ）とＷ×ｃｏｓ（Ｓ）との和（但し、Ｗは前記主磁極のトラック幅、Ｐは前記主磁極の磁極厚を示す）が前記磁気ディスクのトラックピッチ以下であることを特徴とする垂直磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記主磁極の前記磁気ディスクの面上への射影と前記磁気ディスクのトラック幅との重複部分が、トラック幅の０％を超え５％以下の範囲となる如く構成されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記第１の磁極は、前記主磁極よりも磁気ディスクの回転方向に対して上流側に配置され、前記第１の磁極と主磁極との間にはギャップがあることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記第３の辺は、前記ギャップ側に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月9日(2004.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に形成された一対のシールド層と、
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向に形成された一対の電極と、
前記一対のシールド層の何れか一方と前記一対の電極の少なくとも何れか一方との間に形成された絶縁保護膜とを有し、
前記一対のシールド層は、金属のみで構成される薄膜よりも高い抵抗を有する薄膜を含有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に形成された一対のシールド層と、
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向に形成された一対の電極と、
前記一対のシールド層の何れか一方と前記一対の電極の少なくとも何れか一方との間に形成された絶縁保護膜とを有し、
前記一対のシールド層の何れか一方は、磁気抵抗効果膜側から第２の磁性層と第１の磁性層とが積層され、
前記第２の磁性層は、強磁性金属と酸化物との混合物、強磁性金属と酸化物の積層膜、又は酸化物軟磁性膜からなることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に形成された一対のシールド層と、
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向に形成された一対の電極と、
前記一対のシールド層の何れか一方と前記一対の電極の少なくとも何れか一方との間に形成された絶縁保護膜とを有し、
前記一対のシールド層の何れか一方は、磁気抵抗効果膜側から第２の磁性層、絶縁層、及び第１の磁性層が積層されており、
前記第２の磁性層は、強磁性金属と酸化物との混合物、強磁性金属と酸化物の積層膜、又は酸化物軟磁性膜からなることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項４】
さらに、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向に形成された一対の磁区制御膜を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記一対のシールド層のいずれか一方と前記磁気抵抗効果膜との間にギャップ層を備えていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記絶縁保護膜は、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向の上部または膜厚方向の下部であって前記磁気抵抗効果膜を除く領域に配置されており、前記絶縁保護膜が配置されている領域と配置されていない領域の境界線が、前記一対のシールド層が存在する領域内に含まれていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記一対の電極または一対の磁区制御膜の間隔は、磁気抵抗効果膜近傍では一定であり、
前記一対の電極または一対の磁区制御膜は、磁気抵抗効果膜の素子高さ方向に一定の高さだけ高くなった位置で拡がるように形成されており、かつ磁気抵抗効果膜近傍で互いに平行な直線部分を有し、前記平行な直線部分のうち前記磁気抵抗効果膜と接していない部分の長さをＨ１とし、前記略平行な一対の直線の間隔をＷ１としたとき、Ｈ１≦Ｗ１であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記一対のシールド層が有する絶縁層の一部に、前記第１の磁性層と第２の磁性層とを電気的に繋げるためのコンタクト層が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に形成された一対のシールド層と、
前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流す手段と、
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両端に形成された絶縁膜とを有し、
前記一対のシールド層は、金属のみで構成される薄膜よりも高い抵抗を有する薄膜を含有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１０】
磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に形成された一対のシールド層と、
前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流す手段と、
前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両端に形成された絶縁膜とを有し、
前記一対のシールド層の何れか一方は、前記磁気抵抗効果膜側から第２の磁性層と第１の磁性層とが積層された構造を有し、
前記第２の磁性層は、強磁性金属と酸化物の混合物、強磁性金属と酸化物の積層膜、又は酸化物軟磁性膜からなることを特徴とする請求項８に記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記一対のシールド層の一部が、前記電流を流す手段を兼ねていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１２】
情報を記録する磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に情報を記録するための記録素子を有する記録ヘッドと、前記磁気記録媒体に記録された情報を検出するための再生素子を有する再生ヘッドと、前記記録再生ヘッドに記録信号および再生信号を送受信するリード/ライト回路と、前記記録再生ヘッドを前記磁気記録媒体上の所定の位置に移動させるアクチュエータ手段と、前記リード/ライト回路とアクチュエータ手段を制御する記録再生動作制御手段とを備えた磁気記録再生装置において、
前記再生ヘッドは、請求項１〜１１の何れかに記載の磁気ヘッドであることを特徴とする磁気記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月15日(2004.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の両端に接続された一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜を挟んで形成された上部ギャップ絶縁膜及び下部ギャップ絶縁膜と、前記上部ギャップ絶縁膜の上に形成された上部シールド膜と、前記下部ギャップ絶縁膜の下に形成された下部シールド膜とを含む磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
前記下部シールド膜は、前記下部ギャップ絶縁膜に接触する側が非晶質軟磁性膜であり前記下部ギャップ絶縁膜に接しない側が結晶質軟磁性膜である２層構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記非晶質軟磁性膜はＣｏを主成分とする非晶質膜であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項３】
請求項１又は２記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記結晶質軟磁性膜はＮｉ及び／又はＦｅを主成分とする結晶質膜であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項４】
請求項１，２又は３記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記下部ギャップ絶縁膜の膜厚が３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記非晶質軟磁性膜の膜厚が５００ｎｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項６】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対してデータの記録及び再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを支持して前記磁気記録媒体上の所望の半径位置に位置決めする機構と、記録信号や再生信号を処理する記録再生信号処理系とを含む磁気記録再生装置において、
前記磁気ヘッドとして、請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気抵抗効果型ヘッドと誘導型薄膜ヘッドとを組み合わせた記録再生分離型ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月1日(2004.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のブロックに分けられて強誘電体キャパシタを持つメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
このメモリセルアレイの各ブロック毎に設けられてメモリ動作に必要な昇圧電圧を発生する昇圧電源回路と、
外部電源端子につながる電源線と前記各昇圧電源回路の電源供給端子との間にそれぞれ設けられて通常のメモリ動作時はオンを保つ昇圧電源スイッチと、
前記電源線の電圧レベル低下を検知する電圧検出回路と、
この電圧検出回路の出力により前記メモリセルアレイの選択されているブロックを除き他のブロックに対応する前記昇圧電源スイッチをオフにするスイッチ制御回路と
を有することを特徴とする強誘電体メモリ。
【請求項２】
前記電源線の電圧が供給されて内部電源電圧を出力する内部電源回路と、
この内部電源回路に併設された電源用キャパシタと、
前記内部電源回路と前記電源線との間に設けられて前記電圧検出回路の出力によりオフ制御される内部電源スイッチと
を有することを特徴とする請求項１記載の強誘電体メモリ。
【請求項３】
複数のブロックに分けられて強誘電体キャパシタを持つメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
外部電源端子に接続された、第１の電源キャパシタが接続された電源線と、
前記メモリセルアレイの各ブロック毎に設けられてメモリ動作に必要な昇圧電圧を発生するための、前記電源線に接続される昇圧電源回路と、
前記各ブロック毎の昇圧電源回路と前記電源線との間に配置された、通常オンである昇圧電源スイッチと、
前記電源線の電圧レベル低下を検知する電圧検出回路と、
この電圧検出回路の出力により前記メモリセルアレイの選択されているブロックを除き他のブロックに対応する前記昇圧電源スイッチをオフにするスイッチ制御回路と
を有することを特徴とする強誘電体メモリ。
【請求項４】
前記電源線の電圧が供給されて内部電源電圧を出力する内部電源回路と、
前記内部電源回路と前記電源線との間を接続する、通常オンであって前記電圧検出回路の出力によりオフ制御される内部電源スイッチと、
前記内部電源回路と内部電源スイッチとの接続ノードに接続された第２の電源キャパシタと
を有することを特徴とする請求項３記載の強誘電体メモリ。
【請求項５】
前記スイッチ制御回路は、
アドレス信号をデコードして前記メモリセルアレイのブロックを選択するブロックデコーダと、
このブロックデコーダの出力と前記電圧検出回路の検出出力の論理により前記昇圧電源スイッチを制御する論理ゲートと
を有することを特徴とする請求項１又は３記載の強誘電体メモリ。
【請求項６】
前記スイッチ制御回路は、アドレスバッファを介して供給されるブロックアドレスに従ってブロック選択を行う
ことを特徴とする請求項１又は３記載の強誘電体メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月3日(2004.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体に記録されている情報を再生する情報再生装置であって、
前記情報記録媒体に記録されている情報を読み取って読取り信号を生成する情報読取り手段と、
前記読取り信号を信号処理して情報再生信号を生成する信号処理手段と、
前記情報読取り手段の温度を検出する温度検出手段と、
該温度検出手段からの検出値を基に、前記情報読取り手段の情報読取り動作を制御する制御手段とを備え、
該制御手段は、前記検出値が第１の温度設定範囲にある場合のみ前記情報読取り手段の読取り動作を許容し、前記検出値が第２の温度設定範囲を超えた場合に前記情報読取り手段の読取り動作を停止し、前記検出値が第３の温度設定範囲に収まった場合に前記情報読取り手段の読取り動作の再開を許容する制御をなす、ことを特徴とする情報再生装置。
【請求項２】
前記第１の温度設定範囲は、前記第３の温度設定範囲より広くかつこれを含み、前記第２の温度設定範囲は、前記第１の温度設定範囲より広くかつこれを含むことを特徴とする請求項１記載の情報再生装置。
【請求項３】
情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
入力信号を処理して記録媒体への書込み信号を生成する信号処理手段と、
前記情報記録媒体に前記書込み信号を書き込む情報書込み手段と、
該情報書込み手段の温度を検出する温度検出手段と、
該温度検出手段からの検出値を基に、前記情報書込み手段の情報書込み動作を制御する制御手段とを備え、
該制御手段は、前記検出値が第１の温度設定範囲にある場合のみ前記情報書込み手段の書込み動作を許容し、前記検出値が第２の温度設定範囲を超えた場合に前記情報書込み手段の書込み動作を停止し、前記検出値が第３の温度設定範囲に収まった場合に前記情報書込み手段の書込み動作の再開を許容する制御をなす、ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項４】
前記第１の温度設定範囲は、前記第３の温度設定範囲より広くかつこれを含み、前記第２の温度設定範囲は、前記第１の温度設定範囲より広くかつこれを含むことを特徴とする請求項３記載の情報記録装置。
【請求項５】
情報記録媒体に情報を記録し、かつ該記録情報を再生する情報再生記録装置であって、
入力信号を処理して記録媒体への書込み信号を生成する信号処理手段と、
前記情報記録媒体に前記書込み信号を書き込む情報書込み手段と、
前記情報記録媒体に記録されている情報を読み取って読取り信号を生成する情報読取り手段と、
前記読取り信号を信号処理して情報再生信号を生成する信号処理手段と、
前記情報書込み手段及び前記情報読取り手段の温度を検出する温度検出手段と、
該温度検出手段からの検出値を基に、前記情報書込み手段及び前記情報読取り手段の動作を制御する制御手段とを備え、
該制御手段は、前記検出値が第１の温度設定範囲にある場合のみ前記情報書込み手段及び前記情報読取り手段の動作を許容し、前記検出値が第２の温度設定範囲を超えた場合に前記情報書込み手段及び前記情報読取り手段の動作を停止し、前記検出値が第３の温度設定範囲に収まった場合に前記情報書込み手段及び前記情報読取り手段の動作の再開を許容する制御をなす、
ことを特徴とする情報再生記録装置。
【請求項６】
前記第１の温度設定範囲は、前記第３の温度設定範囲より広くかつこれを含み、前記第２の温度設定範囲は、前記第１の温度設定範囲より広くかつこれを含むことを特徴とする請求項５記載の情報再生記録装置。
【請求項７】
前記第１から第３の温度範囲に関し、情報書込み又は情報読取りのそれぞれの動作について、個別に温度範囲を設定し得ることを特徴とする請求項６記載の情報再生記録装置。
【請求項８】
情報記録媒体に記録されている情報を再生する情報再生装置であって、
前記情報記録媒体に記録されている情報を読み取って読取り信号を生成する情報読取り手段と、
前記読取り信号を信号処理して情報再生信号を生成する信号処理手段と、
前記情報読取り手段の温度を検出する温度検出手段と、
該温度検出手段からの検出値を基に、前記情報読取り手段の情報読取り動作を制御する制御手段とを備え、
該制御手段は、前記検出値が第１の温度設定範囲にある場合のみ前記情報読取り手段の読取り動作を許容し、前記検出値が第１の温度設定範囲を超えた場合に前記情報読取り手段の読取り動作を停止し、前記検出値が前記第1の温度設定範囲より狭く、かつこれに含まれる第３の温度設定範囲に収まった場合に前記情報読取り手段の読取り動作の再開を許容する制御をなす、
ことを特徴とする情報再生装置。
【請求項９】
情報記録媒体に情報を記録する情報記録装置であって、
入力信号を処理して記録媒体への書込み信号を生成する信号処理手段と、
前記情報記録媒体に前記書込み信号を書き込む情報書込み手段と、
該情報書込み手段の温度を検出する温度検出手段と、
該温度検出手段からの検出値を基に、前記情報書込み手段の情報書込み動作を制御する制御手段とを備え、
該制御手段は、前記検出値が第１の温度設定範囲にある場合のみ前記情報書込み手段の書込み動作を許容し、前記検出値が第１の温度設定範囲を超えた場合に前記情報書込み手段の書込み動作を停止し、前記検出値が前記第1の温度設定範囲より狭く、かつこれに含まれる第３の温度設定範囲に収まった場合に前記情報書込み手段の書込み動作の再開を許容する制御をなす、
ことを特徴とする情報記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月10日(2004.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印鑑票画像を読取る複数の読取装置と、
前記読取装置で読取られた印鑑票画像を格納し、且つ、口座番号と顧客情報とを含む口座データを記憶する口座データファイルを格納する画像サーバと、
前記画像サーバから印鑑票画像を取出して当該印鑑票画像から印鑑画像を切り出すとともに、取得した印鑑票画像に対応する口座データを前記口座データファイルから取得し、切り出した印鑑画像と取得した口座データとを対応付けて印鑑サーバに登録する登録装置とを有することを特徴とする印鑑登録システム。
【請求項２】
請求項１記載の印鑑登録システムにおいて、
前記画像サーバは、前記複数の読取装置毎に対応するロットの単位で当該読取装置によって読取られた印鑑票画像を格納することを特徴とする印鑑登録システム。
【請求項３】
請求項２記載の印鑑登録システムにおいて、
前記登録装置は、前記ロット単位で且つ口座番号順に前記印鑑サーバへの印鑑画像の登録を実行し、
前記画像サーバは、前記登録装置による印鑑画像の登録が実行された口座番号に対応する口座データに登録マークをセットすることを特徴とする印鑑登録システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月9日(2004.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】車載用ナビゲーション装置及びナビゲーション装置の経路誘導方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地図データを格納したＲＯＭディスクと音楽用ディスクとの両方が利用可能なデータ読出部を備えた車載用ナビゲーション装置の経路誘導方法において、
該車載用ナビゲーション装置は誘導経路の探索結果を格納する記憶部を備え、誘導経路を探索して誘導経路と、誘導経路の周辺の地図と、誘導経路上の交通規制データとを前記記憶部に格納し、自車位置が誘導経路から外れたときに、前記交通規制データに基づく情報を表示するようにしたことを特徴とする車載用ナビゲーション装置の経路誘導方法。
【請求項２】
交通規制情報を含む地図データを格納したＲＯＭディスクと、音楽用ディスクとの両方が利用可能なデータ読出部と、
自車位置を検出する自車位置検出部と、
現在位置から目的地までの誘導経路を探索するナビゲーションコントローラと、
前記誘導経路のデータと該誘導経路に関連する交通規制データとを記憶する記憶部とを備え、
前記ナビゲーションコントローラは、車両の位置が前記誘導経路から外れたときに、前記交通規制データを表示するようにしたことを特徴とするナビゲーション装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ｃ（ｃ＞０）ビット誤り訂正・ｄ（ｄ＞ｃ）ビット誤り検出符号を使用した情報通信システム、あるいはメモリシステムの誤り検出・訂正方法において、
送信対象データを符号化する以前に発生した障害の有無、及びこの障害の発生原因を示す障害情報と、前記送信対象データとから検査ビットを生成して前記障害情報、送信対象データ並びに検査ビットから成る符号語を生成するステップと、
前記符号語から前記障害情報を除いた符号列を通信路もしくはメモリに送出するステップと、
前記通信路もしくはメモリから受信した符号語について、除かれた前記障害情報に当たる部分を固定値であると仮定した符号列からシンドロームを生成し、該シンドロームのパタンに基づき、前記符号列の誤り検出・訂正を行い、もって前記障害情報を再現するステップとを有することを特徴とする誤り検出・訂正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
プロセッサと、主記憶と、誤り制御符号化されたデータを格納する主記憶制御装置と、ＩＯ装置と、複数の前記プロセッサと前記主記憶制御装置を接続するプロセッサバスと、前記主記憶と前記主記憶制御装置を接続するメモリバスと、前記ＩＯ装置と前記主記憶制御装置を接続するＩＯバスを備える計算機システムにおいて、前記主記憶制御装置は、
前記プロセッサバスから転送された前記主記憶への書き込み対象データの誤りを検出する第１の誤り検出回路と、
前記ＩＯバスから転送された前記主記憶への書き込み対象データの誤りを検出する第２の誤り検出回路と、
前記書き込み対象データについて前記第１もしくは第２の誤り検出回路で訂正不能な誤りを検出したか否かをそれぞれの符号パタンで示す障害情報と、該書き込み対象データとから成る符号列から検査ビットを生成し、該障害情報を除いて該書き込み対象データと該検査ビットとから成る符号列を前記主記憶に書き込む符号語として出力する符号化回路と、
前記主記憶から読み出した符号語について、除かれた前記障害情報に当たる部分が固定のパタンであると仮定した符号列からシンドロームを生成し、該シンドロームのパタンに基づき、前記符号列の誤り検出・訂正を行い、もって前記障害情報を再現する復号回路と、
前記復号回路で再現された障害情報の符号パタンを検出して前記符号化回路による符号化以前に発生した訂正不能な誤りの発生源を識別する障害情報検出テーブルとを備えることを特徴とする計算機システムの主記憶制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリのメモリポートに複数のバスを使用する装置であって、
データアドレスバスおよび命令アドレスバスを含む複数のバスに接続され、制御入力と、前記メモリポートに対するメモリ接続とを有するマルチプレクサと、
前記複数のバスの中から前記メモリポートに対するアクセスを判定するように構成され、他の論理回路に接続されるように構成された第１の論理回路であって、該第１の論理回路および該他の論理回路が、それぞれ対応するメモリポートに接続され、該第１の論理回路が、前記マルチプレクサの制御入力に接続される出力信号を生成する、第１の論理回路と
からなり、前記第１の論理回路は、前記命令アドレスバスと前記データアドレスバスとの間の競合を検出するように構成され、該競合の検出に応じて、前記命令アドレスバスにアクセス権を与えるようにさらに構成される、装置。
【請求項２】
前記命令アドレスバス上にアドレスがイネーブルされている場合、前記マルチプレクサは、前記論理回路の出力によって前記命令アドレスバスを前記メモリポートに接続する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記命令アドレスバスが命令フェッチエンジンに接続されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記データアドレスバスがプロセッサレジスタファイルファイルに接続されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記メモリがキャッシュメモリである、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記複数のバスのそれぞれ一本に設けられた複数のラッチをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記マルチプレクサと前記メモリとの間の接続部に設けられたラッチをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
アクセス接続線の数が４本である、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記他の論理回路は、それぞれ対応するマルチプレクサに接続され、該対応するマルチプレクサを使用して、対応するメモリポートに接続された複数のバスの中から、該対応するメモリポートに対するアクセスを制御するように構成される、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウエハをダイシングし、個片化された半導体チップをインターポーザーや他の半導体チップなどにダイボンドするのに好適な半導体装置用ダイシング・ダイボンディングシートに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
こうした半導体パッケージの流れの中で、半導体チップを被着体に固定する接着剤に対する要求も変わりつつある。Ａｇペーストは、一般的なダイボンディング材として幅広く使用されている導電性接着剤である。しかし、ＢＧＡやＣＳＰ、特に３次元パヅケージであるＳｔａｃｋｅｄ−ＣＳＰでは、ボンディングの厚みコントロールやチップ周りに形成されるペーストのブリード等が問題となっている。また、小型化・高密度化のために必要な、接着剤層の薄膜化が困難であることも、Ａｇペーストの問題点として指摘されている。これに対し、フィルム状のダイボンディング材は、接着剤層の平坦化や薄型化、ブリードの制御が比較的容易に実現できることから、採用が増加している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、加熱発泡型のダイシングシートは、あらゆる半導体デバイスに対応できるものの、ウエハ裏面に粘着剤層が付着して残るために、後洗浄が必要となり、また、発泡する温度が高いという問題があり、シリコンウエハがより薄膜になると、ピツクアツプ工程における温度で、シリコンウエハに反りが発生するという問題があった。
さらに、ピックアツプ時の加熱におけるダイシングシートとダイボンディングシートとの接着性を制御するためのダイボンディングシートの工夫は、従来検討されずに、一体型のダイシング・ダイボンディングシートでは、ダイシングシートとダイボンディングシートとの剥離性に問題があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明を構成するダイボンディングシートは、前述の樹脂等をメチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、イソプロピルアルコール、トルエン等の有機溶媒に溶解させて、接着剤層用塗料とし、それを剥離フィルムや絶縁性フィルムなどの支持体の片面に塗布し、乾燥して接着剤層を形成する。接着剤層の乾燥後の厚さは、シリコンウエハとの貼り合わせ強度が十分であれば特に限定されないが、高密度化、材料コストの面から薄い方がより効果的であるので、５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以下である。接着剤層の表面には、必要に応じて保護フィルムを貼着し、使用時には剥がして用いることも可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
得られたダイボンディングシートを、前述した基材上に形成された粘着剤層と常温で積層し、一体化することにより、本発明の半導体用ダイシング・ダイボンディングシートが得られる。なお、シリコンウエハとの貼り付け時の作業性を向上させるために、得られたダイシング・ダイボンディングシートをウエハサイズにあらかじめカットしておいても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
＜ダイシングシート用粘着剤の作成とその剥離強度＞
側鎖結晶化可能ポリマーとして、ステアリルアクリレート、アクリル酸とドデシルメルカプタンのモノマ−混合物を重合させたポリマーにおいて、側鎖結晶化可能ポリマーの重合禁止剤であるドデシルメルカプタンの添加量を変化させて重合させたものを用意した。ついで、このポリマー溶液とアクリル系粘着剤として２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体を５重量部対１００重量部の割合で混合し、この溶液に添加する架橋剤の量を変化させて、粘着剤塗液を得た。この溶液を１００μｍ厚のポリエチレンテレフタレート基材上に、乾燥後の膜厚が２０μｍになるように温度１００℃で３分間乾燥し、剥離強度試験用のダイシング用の粘着剤１〜５を得た。
得られた粘着剤を２５ｍｍ幅の短冊状に切り出して試験片とした。
次に、表面が＃２８０研磨されたＳＵＳ板上に、常温（２３℃）下にて上記試験片の粘着剤をゴムローラ（４５ｍｍ幅，荷重２ｋｇ）を１往復させることで圧着貼り付けた。貼り付け後２５分間放置後試験片の端部を９０°方向へ速度５０ｍｍ／分で剥離し、その時の抵抗値を常温での剥離強度とした。
さらに、上記と同様にして作成した試験片を、予め６０℃に加熱したホットプレート上に載せ、さらに２５分間放置後試験片の端部を９０°方向へ速度５０ｍｍ／分で剥離し、その時の抵抗値を６０℃での剥離強度とした。
粘着剤１〜５の常温及び６０℃での剥離強度を表１に示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
評価結果は下記のとおりである。
ａ）発熱量
厚さ３８μｍの剥離フィルム上に表２で示した組成の接着剤を、硬化後の膜厚が２０μｍになるように、接着剤２および接着剤４では１２０℃の温度で、それ以外の接着剤では１００℃の温度で３分間乾燥させて、発熱量測定用試料を得た。
得られた試料から剥離フィルムを除去し、接着剤単体としこれを示差走査熱量計ＳＳＣ／５２００（Ｓｅｉｋｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  社製） に適用し、５℃／ｍｉｎで昇温させた時の発熱量を測定した。
ｂ）沈み込み量
厚さ３８μｍの剥離フィルム上に表２で示した組成の接着剤を、硬化後の膜厚が１００μｍになるように、接着剤２および接着剤４では１２０℃の温度で、それ以外の接着剤では１００℃の温度で３分間乾燥させて、沈み込み量測定用試料を得た。
得られた試料から剥離フィルムを除去し、接着剤単体としこれをＴＭＡ（ＴＭＡ７；ＰＥＲＫＩＮ−ＥＬＭＥＲ社製）に適用した。その際、接着剤上に１ｍｍ×１ｍｍのガラス板を置き、ペネトレーション棒で３０ｍＮの荷重を掛けながら、５℃／ｍｉｎの昇温速度で接着剤を６０℃に加熱した場合における接着剤へのガラス板の沈み込み量を測定した。
ｃ）アクリル板に対する貼着性
アクリル板との貼着性の評価は、ホットプレート上に１ｍｍ厚のアクリル板を配置し、アクリル板の表面温度を６０℃に加温して、接着剤層を幅４５ｍｍ、重量２Ｋｇのゴムローラーを１往復させて圧着貼り付け、その貼着状態を目視で気泡の有無を確認した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月31日(2005.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラムの実行機能を有する親機と、固有の識別番号および赤外線信号送信手段を有する子機とを含んで構成されるエンタテインメントシステムにおいて、
前記子機の赤外線信号送信手段は、赤外線信号に前記識別番号を含ませて送信し、
前記親機は、
前記子機からの赤外線信号を受信する赤外線信号受信手段と、
画像を撮像する撮像手段と、
上記撮像手段が撮像した画像に含まれる前記子機の赤外線発光点に基づいて前記子機の位置を検出する検出手段とを備えることを特徴とするエンタテインメントシステム。
【請求項２】
プログラムの実行機能を有する親機と、固有の識別番号および子機赤外線信号送受信手段を有する子機とを含んで構成されるエンタテインメントシステムにおいて、
前記親機は、
前記子機赤外線信号送受信手段からの赤外線信号を受信するとともに、前記識別番号を含ませた赤外線信号を送信する親機赤外線信号送受信手段と、
画像を撮像する撮像手段と、
上記撮像手段が撮像した画像に含まれる前記子機の赤外線発光点に基づいて前記子機の位置を検出する検出手段とを備え、
前記子赤外線信号送信手段は、
受信した赤外線信号に自身の識別番号が含まれている場合に、赤外線信号に前記識別番号を含ませて送信することを特徴とするエンタテインメントシステム。
【請求項３】
プログラムの実行機能を有する親機と、赤外線信号送信手段を複数有する子機とを含んで構成されるエンタテインメントシステムにおいて、
前記親機は、
前記子機からの赤外線信号を受信する赤外線信号受信手段と、
画像を撮像する撮像手段と、
上記撮像手段が撮像した画像に含まれる前記子機の複数の赤外線発光点に基づいて前記子機の位置を検出する検出手段とを備えることを特徴とするエンタテインメントシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像情報を記録する光ディスクであって、
ユーザによって設定または削除され、前記光ディスクに記録された映像情報の再生開始位置に対応する第１の位置情報を登録可能なユーザ定義位置情報テーブルと、
前記光ディスクの再生が停止された際における当該光ディスク上の位置に対応し、光ディスク装置によって設定される第２の位置情報を登録可能な再生終了位置情報テーブルとを、
別々のテーブル情報として具備する光ディスク。
【請求項２】
前記ユーザ定義位置情報テーブルあるいは前記再生終了位置情報テーブルは、前記光ディスクを再生する光ディスク装置が、前記第１の位置情報または前記第２の位置情報に対応する映像情報を再生する際の装置の状態に関する第３の情報を登録し得る請求項１記載の光ディスク。
【請求項３】
請求項１記載の光ディスクを再生する光ディスク再生方法であって、
前記第１の位置情報に対応する第１の画像情報と、前記第２の位置情報に対応する第２の画像情報とをそれぞれ分けて表示手段に表示することを特徴とする光ディスク再生方法。
【請求項４】
請求項１記載の光ディスクを駆動する光ディスク装置であって、
前記光ディスク上の現在再生している位置を検出する検出部と、
前記第１の位置情報を蓄積する第１のメモリと、
前記第２の位置情報を蓄積する第２のメモリとを備え、
前記光ディスクに映像信号を記録中、あるいは該光ディスクに記録された映像信号を再生中に追加された、前記第１の位置情報を前記第１のメモリに記憶し、前記第２の位置情報を前記第２のメモリに記憶し、所定の時間間隔あるいはタイミングにおいて、前記第１のメモリに記憶された前記第１の位置情報を前記ユーザ定義位置情報テーブルに記録し、前記第２のメモリに記憶された前記第２の位置情報を、前記ユーザ定義位置情報テーブルとは別のテーブルである前記再生終了位置情報テーブルに記録することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
請求項１記載の光ディスクに情報を記録する光ディスク記録方法であって、
前記第１の位置情報を前記ユーザ定義位置情報テーブルに登録し、
前記第２の位置情報を、前記ユーザ定義位置情報テーブルとは別のテーブルである前記再生終了位置情報テーブルに登録する光ディスク記録方法。
【請求項６】
請求項１記載の光ディスクから映像情報を再生する光ディスク再生方法であって、
前記光ディスクにおける前記ユーザ定義位置情報テーブル読み出した前記第１の位置情報、または前記光ディスクにおける前記再生終了位置情報テーブルから読み出した第２の位置情報に基づいて前記映像情報を再生する前記光ディスク再生方法。
【請求項７】
請求項２記載の光ディスクから映像情報を再生する光ディスク再生方法であって、
前記光ディスクから、前記第１の位置情報と、前記第２の位置情報と、前記第３の情報とを読み出し、
前記第１の位置情報ならびに前記第３の情報、または前記第２の位置情報ならびに前記第３の情報に基づいて、前記映像情報を再生する前記光ディスク再生方法。
【請求項８】
映像情報の再生は、前記光ディスクから読み出された、前記第１の位置情報または前記第２の位置情報のうち、ユーザが選択した位置情報に基づいて行われることを特徴とする請求項６又は７記載の光ディスク再生方法。
【請求項９】
請求項１記載の光ディスクから映像情報を再生する光ディスク装置であって、
前記ユーザ定義位置情報テーブルに登録された前記第１の位置情報、または前記再生終了位置情報テーブルに登録された前記第２の位置情報を読み出す手段と、
前記第１の位置情報または前記第２の位置情報に基づいて、前記映像情報を再生する手段とを備える光ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源と該電子源からの一次電子線を加速する加速電極と該加速電極で加速された前記一次電子線を走査偏向する電子銃偏向コイルとを有する電子銃部と、
前記一次電子線を試料に走査するための偏向器と、
前記電子銃偏向コイルと前記偏向器に走査信号を供給する手段と、
前記試料を保持する試料ホルダと、
前記試料ホルダを挟んで配置された対物レンズと、
前記対物レンズを透過した散乱電子を検出する検出器と、
前記対物レンズから発生した二次電子を検出する二次電子検出器とを備え、
前記電子銃偏向コイルは、前記対物レンズの光軸中心に合わせて前記一次電子線の位置と傾斜を調整する手段を備え、
前記調整手段の調整値を記憶する記憶手段を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項２】
電子源と該電子源からの一次電子線を加速する加速電極と該加速電極で加速された前記一次電子線を走査偏向する電子銃偏向コイルとを有する電子銃部と、
前記一次電子線を試料に走査するための偏向器と、
前記電子銃偏向コイルと前記偏向器に走査信号を供給する手段と、
前記試料を保持する試料ホルダと、
前記試料ホルダを挟んで配置された対物レンズと、
前記対物レンズを透過した散乱電子を検出する検出器と、
前記対物レンズから発生した二次電子を検出する二次電子検出器と、
制御手段とを有し、
前記電子銃偏向コイルは、走査偏向器と前記一次電子線の位置と傾斜を調整する振り戻し偏向器を有し、
前記走査信号供給手段は、前記走査偏向器と前記偏向器への駆動信号を切り替える手段を備え、
前記二次電子検出器の出力信号と、電子銃偏向コイルへの走査信号に基づいて前記制御手段により前記振り戻し偏向器を制御して前記対物レンズの光軸中心に合わせて前記一次電子線の位置と傾斜を各々独立に調整することを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項３】
電子源と該電子源からの一次電子線を加速する加速電極と該加速電極で加速された前記一次電子線を走査偏向する電子銃偏向コイルとを有する電子銃部と、
前記一次電子線を試料に走査するための偏向器と、
前記電子銃偏向コイルと前記偏向器に走査信号を供給する手段と、
前記試料を保持する試料ホルダと、
前記試料ホルダを挟んで配置された対物レンズと、
前記対物レンズを透過した散乱電子を検出する検出器と、
前記対物レンズから発生した二次電子を検出する二次電子検出器と、
前記二次電子検出器の出力信号を表示する表示手段と、
制御手段とを有し、
前記電子銃偏向コイルは、走査偏向器と前記一次電子線の位置と傾斜を調整する振り戻し偏向器を有し、
前記走査信号供給手段は、前記走査偏向器と前記偏向器への駆動信号を切り替える手段を備え、
前記二次電子検出器の出力信号を前記電子銃偏向コイルへの走査信号と同期して前記画面に表示して、前記制御手段により前記振り戻し偏向器を制御して前記対物レンズの光軸中心に合わせて前記一次電子線の位置と傾斜を各々独立に調整することを特徴とする走査電子顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  外周を研削した単結晶インゴットをスライスして２枚のウェーハを準備する工程と、これら２枚のウェーハの各々について少なくともその一方の面を鏡面研磨する工程と、これら２枚のウェーハの少なくとも一方を熱処理してこれに酸化膜を形成する工程と、さらにこれら２枚のウェーハを、酸化膜を介しかつ鏡面同士を貼り合わせて接合ウェーハとする工程と、この接合ウェーハの外周部を研削して除去する工程と、さらにこの接合ウェーハの素子ウェーハ側を研削して鏡面研磨する工程からなるＳＯＩウェーハの製造方法であって、上記２枚のウェーハの径を最終的に得られる接合ウェーハの径より４mm以上大きくして、この部分にウェーハ外周部を研削して除去する部分が含まれるようにすることを特徴とする径６インチ以上のＳＯＩウェーハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、半導体層として少なくともアバランシェ増倍層と、光吸収層と、第１導電型半導体窓層とを順に積層し、前記第１導電型半導体窓層の中に第２導電型領域を形成したことを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
【請求項２】
請求項１に記載のアバランシェフォトダイオードにおいて、
前記第１導電型半導体窓層は、前記光吸収層よりもバンドギャップが大きいことを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
【請求項３】
請求項１または２に記載のアバランシェフォトダイオードにおいて、
前記第２導電型領域は、選択熱拡散により形成されたことを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
【請求項４】
請求項１または２に記載のアバランシェフォトダイオードにおいて、
前記第２導電型領域は、イオン注入により形成されたことを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
【請求項５】
請求項３に記載のアバランシェフォトダイオードにおいて、
前記第２導電型領域は、選択熱拡散により形成された後、前記選択熱拡散の供給源を取り除いた状態でさらに熱拡散処理を行い形成されたことを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
【請求項６】
請求項１または２に記載のアバランシェフォトダイオードにおいて、
前記光吸収層と前記第１導電型半導体窓層との間に、前記光吸収層よりも低く前記第１導電型半導体窓層よりも高いエネルギーの価電子帯を有する半導体層を設けたことを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るアバランシェフォトダイオードは、半導体基板上に、半導体層として少なくともアバランシェ増倍層と、光吸収層と、第１導電型半導体窓層とを順に積層し、前記第１導電型半導体窓層の中に第２導電型領域を形成したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、半導体基板上に、半導体層として少なくともアバランシェ増倍層と、光吸収層と、第１導電型半導体窓層とを順に積層し、前記第１導電型半導体窓層の中に第２導電型領域を形成することにより、簡便に低暗電流で高信頼性を有するアバランシェフォトダイオードを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月23日(2005.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プローブ装置におけるプローブカードの触針とウェハの電極パッドとの位置合わせ方法において、
第１撮像手段によってウェハの電極パッドのパターンを撮像し、その位置データを登録するパターン登録段階と、
低倍率の第２撮像手段によってプローブカードの触針群を撮像し、前記電極パッドのイメージ画像と触針群のイメージ画像とをモニタ画面上で位置合わせを行う低倍針合わせ処理段階と、
高倍率の前記第２撮像手段によって、個々の前記触針を撮像し、個々の電極パッドのイメージ画像と個々の触針のイメージ画像とをモニタ画面上で位置合わせを行う高倍針合わせ処理段階と、
前記第２撮像手段によってプローブカードの触針群を囲んだ周囲に設けられた基準ピンを撮像し、その位置データを登録する基準ピン登録段階と、
を具備することで前記プローブカードのセットアップ動作を行い、その後は、
前記プローブカード上の前記基準ピンのサーチ処理のみで、前記触針と次の同じパターンの電極パッドとの位置合わせを行うことを特徴とする位置合わせ方法。
【請求項２】  前記プローブカードの触針の針先が、クラウンタイプの針先であることを特徴とする請求項１に記載の位置合わせ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するための手段として、特許請求の範囲の各請求項に記載の位置合わせ方法を提供する。
請求項１に記載の位置合わせ方法は、第１撮像手段による電極パッドのパターンの位置データを登録するパターン登録段階と、低倍率の第２撮像手段によって得られた触針群のイメージ画像と前記電極パッドのパターンのイメージ画像とをモニタ画面上で位置合わせを行う低倍針合わせ段階と、高倍率の第２撮像手段によって得られた個々の触針のイメージ画像と個々の電極パッドのイメージ画像とをモニタ画面上で位置合わせを行う高倍針合わせ段階と、第２撮像手段によってプローブカードの触針群を囲んだ周囲に設けられた基準ピンの位置データを登録する基準ピン登録段階とを行うことで、プローブカードのセットアップ動作を行い、その後は、基準ピンのサーチ処理だけで、触針と次の同パターンの電極パッドとの位置合わせを行うようにしたものである。これにより、従来においては、基準ピンのサーチ処理を行ってから更に個々の触針と電極パッドの位置合わせを行う高倍針合わせを繰り返し行っていたため、位置合わせにかなりの時間を要したが、本発明では、基準ピンのサーチ処理だけで位置合わせを行っているので、大幅に時間を節減できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）凹状の溝パターンが形成された第１の絶縁膜を有するウエハの第１の主面上に、銅を主成分とするメタル層を、前記溝パターンの内部と前記第１の絶縁膜の上部とに形成する工程と、
（ｂ）前記第１の絶縁膜の表面上および前記溝パターン外部の前記メタル層を、化学機械研磨法により除去して前記溝パターン内部に前記メタル層を残す工程と、
（ｃ）前記溝パターン内部に前記メタル層が形成された前記ウエハを、遮光構造にされた後洗浄処理部に移送し、遮光状態で前記ウエハの表面の前記メタル層に対して防食処理する工程と、
（ｄ）前記後洗浄処理部内において、前記ウエハの前記第１の主面に対して、アルカリ性または弱アルカリ性の薬液を用いて、スクラブまたはブラシ洗浄により遮光状態で後洗浄を施す工程と、
（ｅ）前記後洗浄が施された前記ウエハの前記第１の主面をスピン乾燥させる工程と、
を含み、前記工程（ｂ）から工程（ｅ）までを枚葉方式で行う半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記スクラブまたはブラシ洗浄は、ブラシ・スクラブ洗浄である請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ａ）は、以下の下位工程（ｉ）を含む請求項１または２記載の半導体集積回路装置の製造方法：
（ｉ）前記溝パターンが形成された前記第１の絶縁膜を有する前記ウエハの前記第１の主面上に、前記銅を主成分とする前記メタル層を、電気メッキにより形成する工程。
【請求項４】
前記溝パターンに残された前記メタル層は、デュアルダマシンプロセスによる配線の一部を構成する請求項１、２または３記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｃ）の後に、前記ウエハの表面を湿潤状態に保つために、前記ウエハを遮光状態において浸漬処理部に保管した後、前記工程（ｄ）に移送することを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）凹状の溝パターンが形成された第１の絶縁膜を有するウエハの第１の主面上に、メタル層を、前記溝パターンの内部と前記第１の絶縁膜の上部とに形成する工程と、
（ｂ）前記第１の絶縁膜の表面上および前記溝パターン外部の前記メタル層を、化学機械研磨法により除去して前記溝パターン内部に前記メタル層を残す工程と、
（ｃ）前記溝パターン内部に前記メタル層が形成された前記ウエハを、遮光構造にされた後洗浄処理部に移送し、遮光状態で前記ウエハの表面の前記メタル層に対して防食処理する工程と、
（ｄ）前記後洗浄処理部内において、前記ウエハの前記第１の主面に対して、アルカリ性または弱アルカリ性の薬液を用いて、スクラブまたはブラシ洗浄により遮光状態で後洗浄を施す工程と、
（ｅ）前記後洗浄が施された前記ウエハの前記第１の主面をスピン乾燥させる工程と、
を含み、前記工程（ｂ）から工程（ｅ）までを枚葉方式で行う半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
前記スクラブまたはブラシ洗浄は、ブラシ・スクラブ洗浄である請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
前記溝パターンに残された前記メタル層は、デュアルダマシンプロセスによる配線の一部を構成する請求項６または７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｃ）の後に、前記ウエハの表面を湿潤状態に保つために、前記ウエハを遮光状態において浸漬処理部に保管した後、前記工程（ｄ）に移送することを特徴とする請求項６、７または８記載の半導体集積回路装置の製造方法。