Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月1日(2005.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  主磁極と補助磁極を有する単磁極ヘッドを搭載した磁気ヘッドと、磁気記録層を有し前記単磁極ヘッドによって磁気的なパタンが記録される磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆動する駆動部と、前記単磁極ヘッドに記録電流を供給する記録ドライバとを含む磁気記録装置において、
前記記録ドライバから前記単磁極ヘッドに供給される記録電流の電流波形は、前記磁気記録媒体に記録可能な電流振幅以上の第１のパルス及び前記第１のパルスと逆極性で前記磁気記録媒体に記録可能な電流振幅以上の第２のパルスとを有し、前記第１のパルスと第２のパルスの間における電流値が前記記録可能な電流振幅より小さく、前記第１のパルス及び第２のパルスが前記磁気記録媒体に記録可能な電流振幅を上回る時間をＷ、記録するパタンの時間長をＴ、前記磁気記録媒体のトラック方向に対する前記磁気ヘッドの相対移動速度をＶ、ライトバブルサイズをＷＢとするとき、以下の関係を満たすことを特徴とする磁気記録装置。
Ｔ＞Ｗ＞Ｔ−ＷＢ／ｖ
【請求項２】  請求項１記載の磁気記録装置において、前記第１のパルスと第２のパルスの間における電流値は、０ｍＡを通過し、かつ０ｍＡに漸近することを特徴とする磁気記録装置。
【請求項３】  請求項１記載の磁気記録装置において、前記第１のパルスと第２のパルスの間における電流値は、前記第１のパルスのピーク電流値と第２のパルスのピーク電流値との中間値を通過し、かつ前記中間値に漸近することを特徴とする磁気記録装置。
【請求項４】  磁気記録媒体に、主磁極と補助磁極を有する単磁極ヘッドを用いて磁気的な記録パタンを形成することによって情報を記録する磁気記録方法において、
前記単磁極ヘッドに前記磁気記録媒体に記録可能な電流振幅以上の第１のパルス電流を供給するステップと、
前記単磁極ヘッドに前記第１のパルスと逆極性で前記磁気記録媒体に記録可能な電流振幅以上の第２の電流パルスを供給するステップとを有し、
前記第１のパルスと第２のパルスの間における電流値が前記記録可能な電流振幅より小さく、前記第１のパルス及び第２のパルスが前記磁気記録媒体に記録可能な電流振幅を上回る時間をＷ、記録するパタンの時間長をＴ、前記磁気記録媒体のトラック方向に対する前記磁気ヘッドの相対移動速度をＶ、ライトバブルサイズをＷＢとするとき、以下の関係を満たすことを特徴とする磁気記録方法。
Ｔ＞Ｗ＞Ｔ−ＷＢ／ｖ
【請求項５】  請求項４記載の磁気記録方法において、前記第１のパルスと第２のパルスの間における電流値は、０ｍＡを通過し、かつ０ｍＡに漸近することを特徴とする磁気記録方法。
【請求項６】  請求項４記載の磁気記録方法において、前記第１のパルスと第２のパルスの間における電流値は、前記第１のパルスのピーク電流値と第２のパルスのピーク電流値との中間値を通過し、かつ前記中間値に漸近することを特徴とする磁気記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を撮影又は取得又は入力する画像入力部と、前記画像入力部からの画像データを表示する表示部と、入力の操作が可能な操作部と、画像データに含まれる文字を認識する文字認識部と、前記各部を制御する制御部とを有する携帯情報端末において、
前記制御部は、前記画像入力部からの画像データのうち、文字列又は文字行又は単語を抽出し、前記表示部に画像データと共に抽出した画像内容を文字列又は文字行又は単語として表示し、前記操作部からの選択操作によって前記表示部に表示された特定の文字列又は文字行又は単語を認識することを特徴とする携帯情報端末。
【請求項２】
前記文字認識部は、複数の異なる表記情報を記憶する辞書を有し、
前記制御部は、抽出した文字列又は文字行のうち、前記辞書の表記情報と照合し、文字列又は文字行の特定の画像のみを認識することを特徴とする請求項１記載の携帯情報端末。
【請求項３】
前記制御部は、抽出すべき文字列又は文字行に関して、画像データに含まれる各文字の複数の外接矩形を求め、複数の外接矩形を連結して作成する融合処理を実行することを特徴とする請求項１又は２記載の携帯情報端末。
【請求項４】
前記表示部の表示する文字列又は文字行又は単語は、共に表示される画像データに対して枠で囲むように表示する又は強調表示することを特徴とする請求項１乃至３の何れかの項記載の携帯情報端末。
【請求項５】
画像を撮影又は取得又は入力する画像入力部と、前記画像入力部からの画像データを表示する表示部と、入力の操作が可能な操作部と、画像データに含まれる文字を認識する文字認識部と、前記各部を制御する制御部とを有する携帯情報端末において、
前記制御部は、前記表示部に表示された画像データと共にカーソルを表示し、前記操作部からの前記カーソルの操作及び選択によって指定された位置を含む或る特定領域の画像を抽出し、抽出した特定領域の画像内に含まれる文字列又は文字行又は単語を抽出して前記表示部に表示することを特徴とする携帯情報端末。
【請求項６】
画像を入力する入力部と、前記入力部によって入力した画像データを表示する表示部と、利用者の操作する操作部と、画像内の文字を認識する文字認識部と、前記各部を制御する制御部とを備えた携帯情報端末あるいは携帯電話において、
前記入力部による撮影後に画像上の文字列画像あるいは文字行画像を抽出し、抽出した文字列画像あるいは文字行画像の中から前記操作部の操作によって認識対象となる文字列画像あるいは文字行画像を選択し、選択した文字列画像内部あるいは文字行画像内部を文字認識することを特徴とする文字認識方法。
【請求項７】
請求項６記載の文字認識方法において、文字列画像内部あるいは文字行画像内部を前記文字認識部によって文字認識した後に、文字認識結果と表記辞書との照合によって認識対象文字列を抽出することを特徴とする文字認識方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載の文字認識方法において、前記制御部は、文字列画像あるいは文字行画像の抽出後に、文字列画像あるいは文字行画像の中から単語を切り出し、切り出した単語の中から前記操作部の操作によって認識対象となる単語を選択し、選択した単語を文字認識することを特徴とする文字認識方法。
【請求項９】
請求項６乃至８記載の文字認識方法において、前記制御部は、文字列画像あるいは文字行画像を抽出し、予め文字列画像あるいは文字行画像内部の文字認識を前記文字認識部によって行い、前記操作部の操作によって選択した文字列画像あるいは文字行画像に対応する認識結果を最終結果とする文字認識方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態における実装基板表面処理を行うプラズマ処理装置の概略構成図
【図２】本発明の一実施形態に係る実装基板のプラズマ処理終点検出方法において、データ処理部１１２が行う処理動作を示すフロー図
【図３】本発明の一実施形態に係る実装基板のプラズマ処理終点検出方法において、データ処理部１１２が行う演算処理を説明するためのグラフ
【図４】本発明の一実施形態に係る実装基板のプラズマ処理終点検出方法において、データ処理部１１２が行う処理動作を示すフロー図
【図５】本発明の一実施形態に係る実装基板のプラズマ処理終点検出方法において、データ処理部１１２が取得する電気的信号、ならびにデータ処理部１１２での電気的信号の演算処理を説明するためのグラフ
【図６】図１に示す構成を有するプラズマ処理装置において、アルゴンガスを用いて、実装基板をプラズマ処理し、図２および図３に示すものと同様の方法でプラズマ処理の終点検出を行った際の、インピーダンスおよびインピーダンス差の経時的変化の様子を示すグラフ
【図７】従来の実装基板表面処理装置の概略構成図
【図８】基板電極の構成図
【図９】フイルム基板へのＡＣＦを介した場合のＩＣチップ接合の模式図
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動装置が板体の表面に取り付けられ、該振動装置に駆動信号が供給されることにより前記板体が振動板となって音を放出する板体直接駆動スピーカ装置において、
前記振動装置から所定距離を置いて、前記板体に振動制限部材が配置されたことを特徴とする板体直接駆動スピーカ装置。
【請求項２】
前記振動制限部材は、前記所定距離を置いて前記振動装置を取り囲んで配置されていることを特徴とする請求項１に記載の板体直接駆動スピーカ装置。
【請求項３】
前記振動制限部材は、防振ゴムで形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の板体直接駆動スピーカ装置。
【請求項４】
前記振動制限部材は、永久磁石材料を含んで形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の板体直接駆動スピーカ装置。
【請求項５】
前記振動制限部材は、棒状に形成されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の板体直接駆動スピーカ装置。
【請求項６】
前記振動装置は、カプラ部材を介して前記板体の表面に取り付けられ、
前記カプラ部材から延びるアーム部材が前記振動制限部材を前記表面に押し付けることを特徴とする請求項１又は２に記載の板体直接駆動スピーカ装置。
【請求項７】
前記振動装置は、永久磁石を挟んで保持する第１ヨークと第２ヨークとが形成する空隙に、固定されたボイスコイルが挿入され、前記第１ヨーク又は第２ヨークが弾性体で支持されており、
前記駆動信号が前記ボイスコイルに供給されることを特徴とする請求項１乃至６いずれか一項に記載の板体直接駆動スピーカ装置。
【請求項８】
前記振動装置は、車両の内装板の表面に取り付けられることを特徴とする請求項１乃至７いずれか一項に記載の板体直接駆動スピーカ装置。
【請求項９】
前記振動装置は、前記車両の外板と前記内装板との間において、該内装板の表面に取り付けられ、
前記振動制限部材は、永久磁石材料を含み棒状に形成され、前記表面に配置固定され、当該振動制限部材の該固定面と反対側面が、前記外板に近接していることを特徴とする請求項９に記載の板体直接駆動スピーカ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体で形成され開口部を有した筐体と、
該筐体内に設置され高周波ノイズを発生する電子部品と、
前記筐体の開口部を閉鎖するベゼルと、
該ベゼル近傍に設置され前記電子部品で発生する高周波ノイズを反射する高周波ノイズ反射手段と、
を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器において、
前記高周波ノイズ反射手段は、その両端が電気的に開放された、高周波ノイズの波長の１／２以上の長さの導体であることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１に記載の電子機器において、
前記高周波ノイズ反射手段は、その一端が電気的に開放され、他端が電気的に接続された、高周波ノイズの波長の１／４以上の長さの導体であることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の電子機器であって、
前記高周波ノイズ反射手段は、棒状または線状の導体であることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
光ディスクにレーザ光を照射することで情報の記録または再生をする光ディスク装置であって、
導体で形成された開口部を有した筐体と、
該筐体内に設置され前記光ディスクに照射するレーザ光を出力するレーザダイオードと、
光ディスク装置の制御・信号処理を行う回路基板と、
前記筐体の開口部を閉鎖するベゼルと、
該ベゼル近傍に設置され前記レーザダイオード駆動時に発生する高周波ノイズを反射する高周波ノイズ反射手段と、
を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】
光ディスクにレーザ光を照射することで情報の記録または再生をする光ディスク装置であって、
導体で形成された開口部を有した筐体と、
該筐体内に設置され前記光ディスクに照射するレーザ光を出力するレーザダイオードと、
光ディスク装置の制御・信号処理を行う回路基板と、
前記筐体の開口部を閉鎖するベゼルと、
該ベゼル近傍に設置され前記回路基板で発生する高周波ノイズを反射する高周波ノイズ反射手段と、
を具備することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の光ディスク装置において、
前記高周波ノイズ反射手段は、その両端が電気的に開放された、高周波ノイズの波長の１／２以上の長さの導体であることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
請求項５または請求項６に記載の光ディスク装置において、
前記高周波ノイズ反射手段は、その一端が電気的に開放され、他端が電気的に接続された、高周波ノイズの波長の１／４以上の長さの導体であることを特徴とする光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器及び光ディスク装置
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
崩壊性地質を含む地盤に所定深度まで筒状のケーシングにて保孔しながら削孔する第１の工程と、この孔に入っている前記ケーシング内に粒状物からなるフィルター材を前記ケーシングの体積を含めた量を投入して充填する第２の工程と、次いで前記ケーシングを前記孔から引き上げ、前記孔の上部を密閉した後、この孔の内部にグラウト材を所定圧力で注入する第３の工程と、を備えることを特徴とする崩壊性地質の基礎処理方法。
【請求項２】
前記第１の工程から前記第３の工程によって１つのステージ（所定深さ分）の基礎処理をし、この基礎処理工程を必要なステージだけ繰り返して行い、その際前のステージから次のステージに移る時には第３の工程で前記孔内に注入されたグラウト材が養生時間を経過して硬化した後、前記フィルター材と前記グラウト材が充填された前記孔の跡をケーシングにて保孔しながら前のステージで削孔した孔より更に深い深度で再び削孔することを特徴とする崩壊性地質の基礎処理方法。
【請求項３】
前記孔の上部を密閉する際、短いケーシングを前記孔の上部に入れ、このケーシングと前記孔の内壁との両方に密着するようにエアーパッカーを配置することを特徴とする請求項１又は２に記載の崩壊性地質の基礎処理方法。
【請求項４】
前記フィルター材として天然の粒状石材を使用することを特徴とする請求項１、２又は３のいずれかに記載の崩壊性地質の基礎処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は崩壊性地質の基礎処理方法であり、前述した技術的課題を解決するために以下のように構成されている。すなわち、本発明の崩壊性地質の基礎処理方法は、崩壊性地質を含む地盤に所定深度まで筒状のケーシングにて保孔しながら削孔する第１の工程と、この孔に入っている前記ケーシング内に粒状物からなるフィルター材を前記ケーシングの体積を含めた量を投入して充填する第２の工程と、次いで前記ケーシングを前記孔から引き上げ、前記孔の上部を密閉した後、この孔の内部にグラウト材を所定圧力で注入する第３の工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人工的に形成した斜面に、遮水性を有する接続手段を用いて敷設するマット層と、
前記マット部材の上に重ねて敷設する遮水シート部材とを用いて遮水保護層を構成してなる廃棄物埋立て処分場において、
前記斜面に遮水性を有する接続手段を用いて敷設するマット層には、地山に対してアンカーボルトのような固定手段を用いて固定し、斜面に対する安定性を保持させることを特徴とする斜面の遮水保護工法。
【請求項２】
前記マット部材を用いた遮水保護層の表面には、太陽熱を反射する手段を施したことを特徴とする請求項１に記載の斜面の遮水保護工法。
【請求項３】
前記斜面の遮水保護層を構成するマット部材は、周囲の全体または一部を剛性を有する枠体により囲んで構成し、マット部材を構成するアスファルト成分の軟化によるマット部材の変形を防止する手段を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の斜面の遮水保護工法。
【請求項４】
前記法面に敷設する遮水保護層において、マット部材の曲げられる部分に対して、前記マット部材を強化する手段を設けることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の斜面の遮水保護工法。
【請求項５】
前記遮水保護層と法面との間に、地下水を通すための透水手段を設け、排水手段に接続することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の斜面の遮水保護工法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、人工的に形成した斜面に、遮水性を有する接続手段を用いて敷設するマット層と、前記マット部材の上に重ねて敷設する遮水シート部材とを用いて遮水保護層を構成してなる廃棄物埋立て処分場に関する。本発明の請求項１の発明は、前記斜面に遮水性を有する接続手段を用いて敷設するマット層には、地山に対してアンカーボルトのような固定手段を用いて固定し、斜面に対する安定性を保持させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
混合工程は、上述のように調製した水酸化カルシウム含有水性懸濁液に熱処理によって得られた焼成物を加え、常温よりも高い温度、好適には50〜90℃、より好適には60〜80℃で混合し、一定時間熟成した後、炭酸化反応を行う。尚、水酸化カルシウム含有水性懸濁液の調製方法として湿式消化を採用する場合には、生石灰と上記焼成物を混合後に、若しくは、消化反応の進行過程で焼成物を添加し、消化時の発熱反応を利用して消化と熟成を同時に行ってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
尚、本発明の熱処理工程後に焼成物の分級を行った場合、特に液体サイクロンで行った場合には、炭酸化後工程として行う分級の負荷が少なく、例えばカットポイント20μｍ以上の液体サイクロンによる１段階の分級のみでもよい。炭酸化後得られるPCCの粒径が比較的大きい場合や粒径分布が広い場合には、複数段階で分級することが好ましい。これにより液体サイクロンの摩耗を防止し、交換頻度を少なくすることができる。例えば２段階で分級する場合、第１段階ではカットポイントが40〜50μｍの２液分離型サイクロンで40〜50μｍ以上の粒子を取り除き、更に第２段階でカットポイントが20μｍの２液分離型サイクロンで20μｍ以上の粒子を取り除く。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
上述した本発明の内填紙或いは塗工紙は、内填剤或いは塗工用顔料として通常の軽質炭酸カルシウムを用いた紙と比べても遜色のない白色度、不透明度、印刷適性を有する。また本発明の内填紙は、填料として嵩高いPCCを用いているので嵩高い（紙中の空隙が多い）内填紙とすることができ、これにより光の散乱が増し、紙の不透明度が向上する。またカレンダー処理によっても不透明度の低下が少ないので処理の効果がでやすい。更に抄紙の際にワイヤー摩耗を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
広葉樹クラフトパルプ(410csf)        100重量部
紙力増強剤（カチオン化コーンスターチ）
（日本エヌエヌシー社製:CATO F）       0.5重量部
中性サイズ剤（アルキルケテンタ゛イマー）
（日本PMC社製:AS-261）                0.2重量部
歩留まり向上剤（ホ゜リアクリルアミト゛）
（協和産業社製:ハ゜ーコール47)       0.02重量部
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
約１ｇの触媒Ａを蒸発皿に量り取り、大気圧下、空気中、１１００℃で２４時間の耐熱性試験を実施した。
試験前後の触媒Ａ約０．３ｇを用いて、比表面積を窒素吸着法により測定した。結果を表１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
なお、断熱材１６、加熱ヒータ１７としては、カーボンからなるものが好ましく採用され、連結軸２３、２５及び支持具２４、２６としては、カーボン、炭化珪素、又は窒化珪素からなるものが好ましい。また、ＣＶＤコーティングを施すワークＷとしては、サセプタ、ウエハーボート、チューブ等の半導体装置用部材が好ましく適用される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図１に示すように、第１支持具２４の支持ピン２７が第２支持具２６の支持ピン２８よりも上方に突出した状態にセットし、少なくとも３本ある支持ピン２７上に前記のようなワークＷを設置し、蓋体１４を閉めて密封する。この状態で、最初、真空容器１１内を真空ポンプで減圧し、０．１Ｔｏｒｒ以下に達してから加熱ヒータ１７の加熱を開始する。昇温途中の所定温度に達したところでＨ2 ガスを導入し、更に昇温して所定温度に達したところで、ＳｉＣｌ4 ／ＣＨ4 ／Ｈ2 系やＣＨ3 ＳｉＣｌ3 ／Ｈ2 系のガスを炉内に流し、所定の膜厚だけＣＶＤ−ＳｉＣコーティングを行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
こうして所定の膜厚だけＣＶＤ−ＳｉＣコーティングした後、昇降装置２９により第２支軸２１及び連結軸２５を介して第２支持具２６を上昇させる。その結果、第２支持具２６の支持ピン２８が、第１支持具２４の支持ピン２７よりも上方に突出するため、ワークＷの底面が今度は第２支持具２６の支持ピン２８に支持されて、第１支持具２４の支持ピン２７はワークＷの底面から離れる。この状態で、更にＣＶＤ−ＳｉＣコーティングを実施する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
その結果、第２支軸２１は、昇降回転装置３１により、図３中の矢印Ａで示すように、第１支軸２０に対して軸方向に移動可能とされると共に、図３中の矢印Ｂで示すように回転する。そして、第２支軸２１が回転すると、第２支軸２１に対してスプライン嵌合している第１支軸２０も回転し、第１支軸２０、第２支軸２１に連結軸２３、２５を介して取付けられた第１支持具２４、第２支持具２６も回転する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
したがって、ＣＶＤコーティング中に第１支持具２４及び第２支持具２６を回転させて、ワークＷを回転させることができ、それによってＣＶＤ膜厚の均一化を図ることができる。なお、第１支軸２０と第２支軸２１とは、軸方向に相対移動可能で、回転時には一体に回転する構造とされればよく、上記のようなスプライン嵌合の他、キーとキー溝からなる嵌合等であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
鉛蓄電池においては、グロスと称する正極板の伸びが発生する。このグロスを防止することは極めて難しく、グロスを抑えるために正極板の格子体の材質や構造等種々検討されたが未だ解決に至っていない。グロスが進行すると、正極板の寸法が伸びて、正極板の上端と負極ストラップが接近し、ついには両者が接触して内部短絡に至る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
４    正極板
５    負極板
６    セパレータ
８    負極ストラップ
１１    電気絶縁性物質
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に半導体素子を形成し、
前記半導体基板における表層であって前記半導体素子を含む機能層のみを当該半導体基板から切り離す、
ことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【請求項２】
半導体基板に半導体素子を形成し、
前記半導体基板における前記半導体素子が形成された面側にフィルムを貼り付け、
前記半導体基板における前記半導体素子を含む機能層を当該半導体基板から切り離す、
ことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【請求項３】
前記半導体素子は、化合物半導体デバイスであって、発光ダイオード、面発光レーザ、フォト・ダイオード、高電子移動度トランジスタ、インダクター、キャパシター、抵抗及びヘテロバイポーラ・トランジスタの内の少なくとも一つを有する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項４】
前記半導体素子は、シリコン半導体デバイスであって、集積回路、フォト・ダイオード、トランジスタ及びダイオードの内の少なくとも一つをなす、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項５】
前記フィルムに貼り付られた前記機能層を、シリコン、石英、サファイヤ、金属、セラミックス及びプラスチックフィルムのいずれかからなる基板に接合する、
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板は、前記機能層の下層に配置された犠牲層を有し、当該犠牲層をエッチングすることで、当該半導体基板から当該機能層を切り離す、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板は、ガリウム・ヒ素化合物半導体からなり、前記犠牲層は、アルミニウム・ヒ素化合物半導体、アルミニウム・ガリウム・砒素化合物半導体、インジウム・燐化合物半導体もしくは、インジウム・ガリウム・燐化合物半導体からなる、
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板に形成されており、前記犠牲層は、シリコン酸化膜からなる、
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項９】
前記半導体基板には分離溝が設けられ、当該分離溝を設けるとともに前記犠牲層をエッチングすることで、当該半導体基板から前記機能層を切り離す、
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項１０】
前記分離溝は、ドライエッチング及びウエットエッチングのいずれかの方法で形成される、
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項１１】
前記分離溝は、少なくとも前記犠牲層に到達する深さをもつ、ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項１２】
前記犠牲層を、低濃度の塩酸又はフッ酸、緩衝フッ酸によってエッチングする、
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項１３】
エッチングによって除去することが可能な犠牲層を有する半導体基板に半導体素子を形成し、
前記半導体基板に、少なくとも前記犠牲層に到達する深さをもつ分離溝を形成し、
前記半導体基板の表面に、フィルムを貼付し、
前記分離溝にエッチング液を注入し前記犠牲層をエッチングすることにより、前記半導体素子を前記半導体基板から切り離す、
ことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【請求項１４】
前記フィルムに貼り付けられた前記半導体素子を、前記半導体基板とは異なる基板に接合する、
ことを特徴とする請求項１３に記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項１５】
前記基板に接合された前記半導体素子を、当該基板上に形成された回路と接続する、
ことを特徴とする請求項１４に記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項１６】
半導体基板に形成された半導体素子を、当該半導体基板から切り離して半導体素子部材としたものであって、当該半導体素子部材がフィルムに貼り付けられている、
ことを特徴とする半導体素子部材。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体素子部材が、請求項１６に記載の半導体基板とは異なる基板に接合されてなり、当該半導体素子部材と当該基板の回路とが接続され集積回路が形成されてなる、
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体集積回路を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１９】
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体基板から切り離された半導体素子を含む機能層と、請求項１３に記載の半導体基板から切り離された半導体素子と、のうち少なくとも１つを備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２０】
前記電気光学装置は、マトリクス状に形成された複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線とデータ線に接続されたスイッチング手段と、前記スイッチング手段に接続された画素電極とを有することを特徴とする請求項１８又は１９に記載の電気光学装置。
【請求項２１】
前記電気光学装置は、発光素子を有することを特徴とする請求項１８又は１９に記載の電気光学装置。
【請求項２２】
請求項１８乃至２１のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２３】
前記分離溝は、基板に到達する深さを持つ溝とする、
ことを特徴とする請求項９又は１３に記載の半導体集積回路の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光学的コード・シンボルの像を形成するための半導体デバイスであって、
１０２４を超えない画素を有するチップを備え、
各々の画素が、長寸法と短寸法と２対１より大きいアスペクト比とを有し、前記短寸法が４μｍより大きくなく２μｍより小さくないことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】  前記画素が、単一の行に配置されることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】  画素数が、２５６画素より少なくないことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】  各々の画素の長寸法が、前記行に対して横方向であることを特徴とする請求項２に記載のデバイス。
【請求項５】  前記チップを支持するパッケージを有し、前記パッケージが３．３立方センチメートルを超えない体積を占めることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】  前記体積が、およそ２０．６ｍｍ×１４．２ｍｍ×１１．４ｍｍであることを特徴とする請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】  縦方向に沿って間隔を離して配置され、各々の長さ方向が前記縦方向に垂直な横方向に沿って延びるバーを有するシンボルを読み取るためのバーコード読取装置であって、
前記読取装置の視野の像を形成するためのセンサを備え、
前記センサが１０２４を超えない画素を有する単一の半導体チップを含み、
各々の画素が、長寸法と短寸法と２対１より大きいアスペクト比とを有し、前記短寸法が４μｍより大きくなく２μｍより小さくないことを特徴とするバーコード読取装置。
【請求項８】  各々の画素の前記長寸法が、前記シンボルにおけるバーの長さ方向に延びることを特徴とする請求項７に記載の読取装置。
【請求項９】  前記画素が、単一の行に配置されたことを特徴とする請求項７に記載の読取装置。
【請求項１０】  前記画素数が、２５６画素より少なくないことを特徴とする請求項７に記載の読取装置。
【請求項１１】  各々の画素の長寸法が、前記行に対して横方向であることを特徴とする請求項９に記載の読取装置。
【請求項１２】  前記チップを支持するパッケージを有し、前記パッケージが３．３立方センチメートルを超えない体積を占めることを特徴とする請求項７に記載の読取装置。
【請求項１３】  前記体積が、およそ２０．６ｍｍ×１４．２ｍｍ×１１．４ｍｍであることを特徴とする請求項１２に記載の読取装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の一面に熱硬化性接着剤を供給する工程と、
半導体素子をこれのバンプが前記回路基板の基板電極に合致する位置決め状態で前記接着剤を介し前記一面に仮固定する工程と、
前記半導体素子が仮固定された前記回路基板を上下反転させる工程と、
前記回路基板の他面に熱硬化性接着剤を供給する工程と、
別の半導体素子をこれのバンプが前記回路基板の基板電極に合致する位置決め状態で前記接着剤を介し前記他面に仮固定する工程と、
前記回路基板の両面に仮固定された前記各半導体素子をそれぞれ前記回路基板に押し付ける方向に加圧しながら加熱することにより前記回路基板の両面側の前記接着剤を同時に熱硬化させて、前記各半導体素子の各々のバンプを前記回路基板の対向する前記基板電極に電気的接続状態に圧着する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
熱硬化性および紫外線硬化性の各接着剤を混合した混合硬化性接着剤を回路基板の一面に供給する工程と、
半導体素子をこれのバンプが前記回路基板の基板電極に合致する位置決め状態で前記接着剤を介し前記一面に仮固定する工程と、
前記接着剤の周囲に紫外線を照射して前記接着剤のうちの周囲にのみ紫外線硬化部を形成する工程と、
前記半導体素子が仮固定された前記回路基板を上下反転させる工程と、
前記回路基板の他面に熱硬化性接着剤を供給する工程と、
別の半導体素子をこれのバンプが前記回路基板の基板電極に合致する位置決め状態で前記熱硬化性接着剤を介し前記他面に仮固定する工程と、
前記回路基板の両面に仮固定された前記各半導体素子をそれぞれ前記回路基板に押し付ける方向に加圧しながら加熱することにより前記回路基板の両面側の前記接着剤を同時に熱硬化させて、前記各半導体素子の各々のバンプを前記回路基板の対向する前記基板電極に電気的接続状態に圧着する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、回路基板の他面に、熱硬化性接着剤に代えて、熱硬化性および紫外線硬化性の各接着剤を混合した混合硬化性接着剤を供給し、
別の半導体素子を前記混合硬化性接着剤を介し前記他面に仮固定したのちに、前記混合硬化性接着剤の周囲に紫外線を照射して前記接着剤のうちの周囲にのみ紫外線硬化部を形成するようにした半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２または３において、回路基板における少なくとも一面に半導体素子を混合硬化性接着剤を介し仮固定する工程と、混合硬化性接着剤の周囲に紫外線を照射して紫外線硬化部を形成する工程とを同時に行うようにした半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れかの製造方法によって回路基板の両面にそれぞれ半導体素子を実装して形成された半導体装置。
【請求項６】
半導体素子を吸着保持して回路基板に塗着の接着剤に押し付けるよう駆動されるツール部と、前記ツール部に吸着保持した前記半導体素子が回路基板の接着剤に押し付けられたときに前記接着剤の周囲に紫外線を照射できる位置に配置された紫外線照射器と、前記ツール部と前記紫外線照射器とをそれぞれ保持するホルダ部とを一体に備えた吸着ヘッドと、
前記接着剤に仮固定されている前記半導体素子に対し前記回路基板に押し付ける方向に加圧しながら加熱する加圧加熱ヘッドとを有していることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、一発明に係る半導体装置の製造方法は、回路基板の一面に熱硬化性接着剤を供給する工程と、半導体素子をこれのバンプが前記回路基板の基板電極に合致する位置決め状態で前記接着剤を介し前記一面に仮固定する工程と、前記半導体素子が仮固定された前記回路基板を上下反転させる工程と、前記回路基板の他面に熱硬化性接着剤を供給する工程と、別の半導体素子をこれのバンプが前記回路基板の基板電極に合致する位置決め状態で前記接着剤を介し前記他面に仮固定する工程と、前記回路基板の両側に仮固定された前記各半導体素子をそれぞれ前記回路基板に押し付ける方向に加圧しながら加熱することにより前記回路基板の両面側の前記接着剤を同時に熱硬化させて、前記各半導体素子の各々のバンプを前記回路基板の対向する前記基板電極に電気的接続状態に圧着する工程とを備えていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
他の発明に係る熱硬化性および紫外線硬化性の各接着剤を混合した混合硬化性接着剤を回路基板の一面に供給する工程と、半導体素子をこれのバンプが前記回路基板の基板電極に合致する位置決め状態で前記接着剤を介し前記一面に仮固定する工程と、前記接着剤の周囲に紫外線を照射して前記接着剤のうちの周囲にのみ紫外線硬化部を形成する工程と、前記半導体素子が仮固定された前記回路基板を上下反転させる工程と、前記回路基板の他面に熱硬化性接着剤を供給する工程と、別の半導体素子をこれのバンプが前記回路基板の基板電極に合致する位置決め状態で前記熱硬化性接着剤を介し前記他面に仮固定する工程と、前記回路基板の両面に仮固定された前記各半導体素子をそれぞれ前記回路基板に押し付ける方向に加圧しながら加熱することにより前記回路基板の両面側の前記接着剤を同時に熱硬化させて、前記各半導体素子の各々のバンプを前記回路基板の対向する前記基板電極に電気的接続状態に圧着する工程とを備えていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
他の発明において、回路基板の他面に、熱硬化性接着剤に代えて、熱硬化性および紫外線硬化性の各接着剤を混合した混合硬化性接着剤を供給し、別の半導体素子を前記混合硬化性接着剤を介し前記他面に仮固定したのちに、前記混合硬化性接着剤の周囲に紫外線を照射して前記接着剤のうちの周囲にのみ紫外線硬化部を形成することもできる。これにより、回路基板の両面に仮固定されている半導体素子の仮固定強度が共に増大するので、半導体素子の回路基板に対する位置ずれ発生を一層確実に防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の制御素子と、
前記複数の制御素子と導通する複数の中間導体及び複数の行導体を形成する複数のアンチヒューズ電極対と、
前記複数のアンチヒューズ電極対のそれぞれの間に挟まれ、その間で連続してパターニングされていないアンチヒューズ材料とを含み、
前記アンチヒューズ材料が、平坦ではない上側表面を有し、前記複数の行導体の前記行導体のそれぞれの上に良好なステップカバレージでコンフォーマルに配置されているメモリ構造。
【請求項２】
複数の制御素子と、
それぞれが少なくとも１つの第１の導体と少なくとも１つの第２の導体とからなるアンチヒューズ電極対を有する複数のアンチヒューズ構造であって、前記アンチヒューズ電極対が、共通の、連続したアンチヒューズ層によって電気的に絶縁されている複数のアンチヒューズ構造とを含み、
各前記アンチヒューズ構造が、平坦ではない上側表面を有し、それぞれのアンチヒューズ構造と接触する各第１の導体の上に良好なステップカバレージでコンフォーマルに配置され、
各第２の導体が前記複数の制御素子の１つと導通しているメモリ構造。
【請求項３】
さらに、前記共通の、連続したアンチヒューズ層上に配置され、前記各対の内の一方のアンチヒューズ電極と接触している誘電体層と、
前記誘電体層上に配置されている少なくとも１つの第３の導体と、
前記各対の内の他方のアンチヒューズ電極として機能する前記少なくとも１つの第１の導体とを含む請求項２に記載のメモリ構造。
【請求項４】
それぞれが層間誘電体によって隣接する積重された層から分離されている複数の積重された層であって、それぞれが、一対のアンチヒューズ電極と、前記対のアンチヒューズ電極の一方と導通する複数のトンネル接合制御素子を含む複数の積重された層と、
前記積重された層のそれぞれのアンチヒューズ電極の対の間に連続して延伸するアンチヒューズ材料とからなるメモリ構造。
【請求項５】
複数の積重された層を含む基板上のメモリ構造であって、当該複数の積重された層のそれぞれが、
前記基板を連続して横切るように延伸している層間誘電体と、
前記層間誘電体上で、前記基板をさらに連続して横切るように延伸しているアンチヒューズ材料と、
それぞれが前記アンチヒューズ材料によって、他の対から分離されている１つのアンチヒューズ電極を有する複数のアンチヒューズ電極と、
前記アンチヒューズ電極の対の一方と導通している複数のトンネル接合制御素子とを含むメモリ構造。
【請求項６】
前記複数の積重された層のそれぞれの前記層間誘電体が、１つの積重された層を隣接する積重された層から分離する請求項５に記載のメモリ構造。
【請求項７】
連続するアンチヒューズ層と並んで配置されている複数のワード線を含むメモリ構造であって、当該連続するアンチヒューズ層が、複数のトンネル接合制御素子と導通する列線と並んで配置されているものにおいて、
各トンネル接合制御要素が、前記連続するアンチヒューズ層によって、それぞれのワード線から物理的に分離されているメモリ構造。
【請求項８】
複数の行導体と、
前記複数の行導体上に配置されているアンチヒューズ材料からなる連続するブランケットと、
各前記行導体上に実質上位置合わせされ、前記アンチヒューズ材料によって前記行導体から分離されている少なくとも１つのトンネル接合制御素子と、
少なくと１つのトンネル接合制御素子のそれぞれの上に位置合わせされている列導体とを含むメモリ構造。
【請求項９】
各前記行導体、各前記トンネル接合制御素子、各前記列導体が、別個のメモリセルに含まれ、
各前記別個のメモリセルが、前記メモリセルの他のものに垂直に積重され、
各前記別個のメモリセルが、そのメモリセルと垂直方向に隣接している前記メモリセルの他のものと、その前記行導体及び前記列導体の１つを共有している請求項８に記載のメモリ構造。
【請求項１０】
複数の行導体と、
前記複数の行導体上に配置されているアンチヒューズ材料からなる連続するブランケットと、
各前記行導体上に実質上位置合わせされ、前記アンチヒューズ材料によって前記行導体から分離されている少なくとも１つの制御素子と、
少なくと１つの制御素子のそれぞれの上に位置合わせされている列導体とを含み、
前記アンチヒューズ材料が、平坦ではない上側表面を有し、良好なステップカバレージで、前記複数の行導体の各行導体の上及び間に、コンフォーマルに配置されているメモリ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記したペーストの詳細につき説明すれば次のとおりである。
〔１〕ＡｌＮ基板ヒーター用発熱抵抗体ペースト組成成分
１）ペースト（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を使用される組成材料
（１）Ｐｔ及びＰｄ粉末
粉末状
平均粒子粒  ０．８〜１．０μｍ
（２）ガラスフリット
（ｉ）ペースト（Ａ），（Ｂ）に使用される高温，中温用組成
高温用  Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｉＯ２系  結晶化温度８７５℃
中温用  ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系    結晶化温度７５０℃
（ｉｉ）ペースト（Ｃ）に使用される組成
ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３：ＢａＯ：ＣａＯ    結晶化温度９５０℃
４０  ：  ２０  ：  ２０：  １５
（３）ビヒクル
有機バインダー（エチル・セルロース、他）
有機溶剤      （ターピネオール、他）
〔２〕ペースト（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の組成成分重量比及び焼成条件
（１）ペースト（Ａ）
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月7日(2004.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
近年、リモートコントロール装置や壁スイッチなどにより点灯モードを切り替えることのできる照明装置が多用されている。これらの照明装置においては現在の点灯モードを示す点灯モード表示機能が備えられる。図１０は、当該表示機能が備えられた照明装置を示す概略的断面構造図である。この照明装置は、丸管状のランプ３と、点灯回路（図示せず）を備えた器具本体１、ランプ３及び器具本体１と覆うセード２並びに点灯モードを表示するための表示ブロック１０を備える。セード２は、器具本体１を隠すために不透明となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図５は本発明の別な実施形態である照明器具の概略的断面構成図であって、回転可能なブロック支持具４を用いて表示ブロック１０全体を可動可能に配置したものである。ブロック支持具４は、例えば表示ブロック１０を挟持する一対の挟持板４ａからなる。挟持板４ａの一端がケース体１１のほぼ中心に固定され、挟持板４ａの他端が器具本体１に回転可能に取り付けられる。この場合、発光素子１２ａが回路基板１３に垂直に実装された表示ブロック１０が用いられる。表示ブロック１０は、表示光が暗領域イに照射されるように挟持板４ａを適度に回転させて保持される。保持方法には、例えば回転中心となる挟持板４ａの取付部に固定ねじ（図示せず）を装着する、あるいは強い力でないと回転できない程度の強度で一対の挟持板４ａを器具本体１に取り付ける方法などが用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図９は本発明のさらに別な実施形態である照明装置の概略構成図である。当該照明装置においては、表示ブロック１０はランプ３よりやや下方に位置するように器具本体１に取り付けられている。この場合には、丸管ランプ３の円内領域に対応してセード２上に表示ブロック１０自身による暗領域イが生じる。当該丸管ランプ３の中央領域は、元来暗領域イとして利用できる領域であるが、表示ブロック１０によって暗領域イがより明確に形成される。表示光はこの表示ブロック１０により生じた暗領域イに出射される。このように、明領域に与える影響が比較的小さい箇所に表示ブロック１０を配置し、暗領域イを形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記入力端子に印加する高周波電力の波長をλ（ｍ）としたとき、前記出力端子から該出力端子に接続されるアンテナまでの長さＤ１（ｍ）と前記ストリップ線路の長さＤ２（ｍ）との合計Ｄ１＋Ｄ２が、
【数３】
2003197398.tif 000001
を満たすことを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記実施形態では、第１可変リアクタンス素子や第２可変リアクタンス素子として可変コンデンサ３２，３６を用いたが、他の可変素子、例えば可変インダクタとしてもよい。また、第１固定リアクタンス素子と第２固定リアクタンス素子は、１つの固定コイル３３としたが、別個の素子としてもよい。さらに、第１固定リアクタンス素子と第２固定リアクタンス素子は、それぞれ固定素子でなく、可変インダクタまたは可変コンデンサとしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003197398.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003197398.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003197398.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項６記載の半導体装置であって、
前記第１の絶縁ゲート型トランジスタは前記第４の絶縁ゲート型トランジスタに比べてゲート絶縁膜の膜厚が厚いことを特徴とする、
半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、請求項１１の発明は、請求項６記載の半導体装置であって、前記第１の絶縁ゲート型トランジスタは前記第４の絶縁ゲート型トランジスタに比べてゲート絶縁膜の膜厚が厚い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ゲート電極８の両側面に第１のオフセット絶縁膜１１，１１′が形成され、第１のオフセット絶縁膜１１，１１′の側面及びソース・ドレイン領域４，４′の一部上に第２のオフセット絶縁膜１２，１２′が形成され、第２のオフセット絶縁膜１２，１２′の側面及び表面上にサイドウォール１３，１３′が形成される。また、ソース・ドレイン領域４，４′の表面にコバルトシリサイド領域１０，１０’が形成され、ゲート電極８の上層部にコバルトシリサイド領域９が形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
図１７の構成の場合、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ３，ＭＮ４のゲート幅は、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ２のゲート幅よりも大きく、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ３，ＰＭＯＳトランジスタＭＰ４のゲート幅は、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＰＭＯＳトランジスタＭＰ２のゲート幅よりも大きくすればよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
そして、ステップＳＴ２で、ステップＳＴ１の測定結果に基づき接続配線の良・不良を判定する。このように、微小な配線容量を測定することにより、接続配線の良・不良を正確に判定することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７１】
その後、ステップＳＴ３で、ステップＳＴ１の測定結果及びステップＳ２の判定結果に基づき、不良が判定された接続配線の不良箇所を特定し、不良が判定された接続配線のリペアを従来の方法で行う。したがって、不良な接続配線を適切に修繕することができる。なお、リペアの方法は限定されない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003197751.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003197751.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コプレーナ構造で構成されたインタデジタル型キャパシタを備えたマイクロ波集積回路において、前記インタデジタル型キャパシタの対向するコプレーナ電極の外側の接地導体間に、前記コプレーナ電極を跨ぐ橋状接地導体を設置し、この橋状接地導体でコプレーナ電極を覆う様にしたことを特徴とするマイクロ波集積回路。
【請求項２】
前記インタデジタル型キャパシタが有する前記橋状接地導体は対向するコプレーナ電極の外側の接地導体間を半筒状に形成することを特徴とする請求項１に記載のマイクロ波集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るマイクロ波集積回路は上述した課題を解決するため、請求項１に記載した様に、コプレーナ構造で構成されたインタデジタル型キャパシタを備えたマイクロ波集積回路において、前記インタデジタル型キャパシタの対向するコプレーナ電極の外側の接地導体間に、前記コプレーナ電極を跨ぐ橋状接地導体を設置し、この橋状接地導体でコプレーナ電極を覆う様にしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述した課題を解決するため、本発明に係るマイクロ波集積回路は、請求項２に記載した様に、前記インタデジタル型キャパシタが有する前記橋状接地導体は対向するコプレーナ電極の外側の接地導体間を半筒状に形成することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１および図２によれば、インタデジタル型キャパシタ１１は、コプレーナ電極１２，１３と、橋状接地導体１４とを誘電体基板１５の上面に備える。一方、誘電体基板１５の下面には下部接地導体１６を備える。誘電体基板１５の上面には、コプレーナ電極１２，１３が互いに対向して設けられる。また、コプレーナ構造で構成されたインタデジタル型キャパシタ１１のため、コプレーナ電極１２，１３が対向する外側には、接地導体１７が存在する。コプレーナ電極１２，１３の上方には、半楕円筒（半筒）状のシート部材で形成された橋状接地導体１４がコプレーナ電極１２，１３を覆う様に跨設され、両接地導体１７と電気的に接続される。即ち、橋状接地導体１４は接地導体１７，１７間をブリッジ結合しており、コプレーナ電極１２，１３に跨設される。