【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地層を形成し、
前記下地層をパターニングして前記基板上に凹凸を有する表面を形成し、
前記凹凸を有する表面上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層に、レーザ光を照射して結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングして、前記凹凸を有する表面上の凹部上及び凸部上に複数の島状半導体層を形成し、
前記凹部上に形成された複数の島状半導体層の１つを有する第１のトランジスタ、及び前記凸部上に形成された複数の島状半導体層の１つを有する第２のトランジスタをそれぞれ１つ以上形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に下地層を形成し、
前記下地層をパターニングして前記基板上に凹凸を有する表面を形成し、
前記凹凸を有する表面上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層に、レーザ光を照射して結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングして、前記凹凸を有する表面上の凹部上及び凸部上に複数の島状半導体層を形成し、
前記凹部上に形成された複数の島状半導体層の１つを有する第１のトランジスタ、及び前記凸部上に形成された複数の島状半導体層の１つを有する第２のトランジスタをそれぞれ１つ以上形成し、
前記第１及び第２のトランジスタを並列に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に下地層を形成し、
前記下地層をパターニングして前記基板上に凹凸を有する表面を形成し、
前記凹凸を有する表面上に半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に金属含有層を形成し、熱処理を行った後、レーザ光を照射して、結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層をパターニングして、前記凹凸を有する表面上の凹部上及び凸部上に複数の島状半導体層を形成し、
前記凹部上に形成された複数の島状半導体層の１つを有する第１のトランジスタ、及び前記凸部上に形成された複数の島状半導体層の１つを有する第２のトランジスタをそれぞれ１つ以上形成し、
前記第１及び第２のトランジスタを並列に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１及び第２のトランジスタそれぞれの島状半導体層は、チャネル形成領域が前記凹凸を有する表面の凹部上のみ又は凸部上のみに形成されるようにパターニングして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１又は第２のトランジスタトランジスタそれぞれの島状半導体層は、ソース領域またはドレイン領域が前記凹凸を有する表面の凹部と凸部の境界をまたぐようにパターニングして形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光は、固体レーザ、気体レーザ、あるいは金属レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光は、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、又はＴｉ：サファイアレーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光は、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、又はＣＯ2レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザ光は、ヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、又は金蒸気レーザから発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記下地層は、膜厚が３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、幅１μｍ以上１０μｍ以下のスリット形状にパターニングされることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
表面に凹凸を有する下地層を有する基板と、
前記凹凸を有する下地層の凹部上のみ又は凸部上のみに形成された複数の島状半導体膜とを有し、
前記凹部上のみに形成された複数の島状半導体層の１つを有する第１のトランジスタ、及び前記凸部上のみに形成された複数の島状半導体層の１つを有する第２のトランジスタをそれぞれ１つ以上有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
表面に凹凸を有する下地層を有する基板と、
前記凹凸を有する下地層の凹部上のみ又は凸部上のみに形成された複数の島状半導体層とを有し、
前記凹部上に形成された複数の島状半導体層の１つを有する第１のトランジスタ、及び前記凸部上に形成された複数の島状半導体層の１つを有する第２のトランジスタをそれぞれ１つ以上有し、
前記第１及び第２のトランジスタは並列に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２のいずれか一項において、
前記第１又は第２のトランジスタそれぞれの前記島状半導体膜は、ソース領域又はドレイン領域が前記凹凸を有する表面の凹部と凸部の境界をまたぐように形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記下地層は、膜厚が３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、幅１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記第１又は第２のトランジスタは、バッファ回路、増幅回路、又はサンプリングスイッチ回路を構成するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか１項において、
前記第１又は第２のトランジスタは、前記チャネル形成領域における電荷の移動方向が全て平行もしくはそれに準ずる方向に揃うように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか１項において、
前記第１又は第２のトランジスタは、前記チャネル形成領域における電荷の移動方向が、前記レーザ光の照射方向と平行もしくはそれに準ずる方向に揃うように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１１乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末、又は記録媒体を備えた画像再生装置に用いられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の半導体装置の作製方法は、前記レーザ光は、連続発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた１種から発振されたものであることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の半導体装置の作製方法は、前記レーザ光は、連続発振のエキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ2レーザから選ばれた１種から発振されたものであることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
続いて、図１（Ｃ）に示すように、結晶性半導体層１０５をパターニングすることによって、所望の形状の島状半導体層１０６を形成する。凹凸のエッジ部分には、半導体層の結晶化に伴う応力が集中し、結晶性が良好でないため、島状半導体層１０６は、凹凸のエッジ部分を避けた平坦な領域に形成するのが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
また、レーザ発振器を複数台用い、楕円ビームを長軸方向に複数並べて平行に走査することにより、走査回数を減らし、処理時間を短縮することも可能である。こうすることにより、単体レーザ光の両端部における、エネルギー密度の低い部分が隣接間で互いに重なり合い、エネルギー密度を高めることが出来る。よって、有効照射領域を広くすることが出来、より回路レイアウトに制約を与えないようにすることも出来る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
図９（Ａ）のレーザ照射装置は、中央演算処理装置及びメモリ等の記憶手段を兼ね備えたコンピュータ９０８を有している。コンピュータ９０８は、レーザ発振器９０１の発振を制御し、なおかつレーザ光スポットがマスクのパターン情報に従って定められる領域を覆うように、基板９０６へのレーザ光スポットの照射位置を制御すべく、基板を所定の位置に移動させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
［実施例７］
本実施例では、実施例６で作製したアクティブマトリクス基板から、反射型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図１６、１７を用いる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
まず、実施例６に従い、図１６（Ｅ）の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、当該アクティブマトリクス基板上、少なくとも配線（画素電極）５０４５上に配向膜５０５３を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜５０５３を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ５０５２を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
［実施例８］
本実施例では、実施例６に示したアクティブマトリクス基板の作製方法を用いて作製されたアクティブマトリクス基板を用いて、発光装置を作製する例を以下に説明する。発光装置とは、基板上に形成された発光素子を、当該基板とカバー材の間に封入した表示用パネルおよび該表示用パネルにＴＦＴ等を実装した表示用モジュールを総称したものである。なお、発光素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が得られる有機化合物を含む層（発光層）と陽極層と、陰極層とを有する。また、有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）があり、これらのうちどちらか、あるいは両方の発光を含む。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
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