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【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層との間に、Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記井戸層がアンドープであり、前記障壁層の単一膜厚が７０〜５００オングストロームであり、更に障壁層にｎ型不純物が５×１０１６〜１×１０１９／ｃｍ３ドープされていることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】  アンドープ窒化物半導体層上に前記活性層を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】  前記アンドープ窒化物半導体層が、アンドープＧａＮからなることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】  前記活性層の上層にＭｇがドープされたＡｌＧａＮ層を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】  前記アンドープ窒化物半導体層が、前記活性層に接してなることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】  前記活性層の障壁層が、前記アンドープ窒化物半導体層に接してなることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】  前記障壁層の単一膜厚が１００〜３００オングストロームであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】  前記アンドープ窒化物半導体層の膜厚が、１０〜５００オングストロームであることを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、下記（１）〜（８）の構成により本発明の目的を達成することができる。
（１）  ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層との間に、Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記井戸層がアンドープであり、前記障壁層の単一膜厚が７０〜５００オングストロームであり、更に障壁層にｎ型不純物が５×１０１６〜１×１０１９／ｃｍ３ドープされていることを特徴とする窒化物半導体素子。
（２）  アンドープ窒化物半導体層上に前記活性層を有することを特徴とする（１）に記載の窒化物半導体素子。
（３）  前記アンドープ窒化物半導体層が、アンドープＧａＮからなることを特徴とする（２）に記載の窒化物半導体素子。
（４）  前記活性層の上層にＭｇがドープされたＡｌＧａＮ層を有することを特徴とする（１）乃至（３）のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
（５）  前記アンドープ窒化物半導体層が、前記活性層に接してなることを特徴とする（２）乃至（４）のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
（６）  前記活性層の障壁層が、前記アンドープ窒化物半導体層に接してなることを特徴とする（２）乃至（５）のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
（７）  前記障壁層の単一膜厚が１００〜３００オングストロームであることを特徴とする（１）乃至（６）のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
（８）  前記アンドープ窒化物半導体層の膜厚が、１０〜５００オングストロームであることを特徴とする（２）乃至（７）のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌを含むＧａＡｓ層上に、Ｉｎを含むIII-Ｖ族化合物半導体層を有することを特徴とする化合物半導体素子。
【請求項２】
Ｎを含むＧａＡｓ層上に、Ｉｎを含むIII-Ｖ族化合物半導体層を有することを特徴とする化合物半導体素子。
【請求項３】
前記Ｉｎを含むIII-Ｖ族化合物半導体層は、ＧａＩｎＡｓ層およびＧａＩｎＮＡｓ層のいずれか一方であることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体素子。
【請求項４】
前記Ｉｎを含むIII-Ｖ族化合物半導体層は、ＧａＩｎＡｓ層およびＧａＩｎＮＡｓ層のいずれか一方であることを特徴とする請求項２に記載の化合物半導体素子。
【請求項５】
Ａｌを含むＧａＡｓ層上に、Ｉｎを含むIII-Ｖ族化合物半導体層と、Ａｌを含むＧａＡｓ層とを有することを特徴とする化合物半導体素子。
【請求項６】
Ｎを含むＧａＡｓ層上に、Ｉｎを含むIII-Ｖ族化合物半導体層と、Ｎを含むＧａＡｓ層とを有することを特徴とする化合物半導体素子。
【請求項７】
前記Ｉｎを含むIII-Ｖ族化合物半導体層は、ＧａＩｎＡｓ層およびＧａＩｎＮＡｓ層のいずれか一方であることを特徴とする請求項５に記載の化合物半導体素子。
【請求項８】
前記Ｉｎを含むIII-Ｖ族化合物半導体層は、ＧａＩｎＡｓ層およびＧａＩｎＮＡｓ層のいずれか一方であることを特徴とする請求項６に記載の化合物半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月8日(2005.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】        明細書
【発明の名称】    絶縁電線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心導体（１）よりも外側をフェライト入りのテープで又はフェライト入り樹脂で被覆してフェライト入り層（２）を形成したことを特徴とする絶縁電線。
【請求項２】
請求項１記載の絶縁電線において、フェライト入り層（２）が保護層を兼ねたことを特徴とする絶縁電線。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の絶縁電線において、フェライト入り層（２）の内側及び外側の双方又は一方に保護層を設けたことを特徴とする絶縁電線。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の絶縁電線において、最外層がビニル、ゴム、ポリエチレン混合物、架橋ポリエチレン混合物等で被覆されたことを特徴とする絶縁電線。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は中心導体（心線）の外側をフェライト入りのテープ又はフェライト入り樹脂で被覆してなるテープ状、線状等の絶縁電線に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁電線は図２（ａ）に示す様に中心導体Ａの外側に保護層Ｂを形成し、保護層Ｂの外側に絶縁層Ｃを形成してなり、電子機器の内部配線や電子機器同士の接続をはじめとして様々な分野で使用されている。例えば、図２（ｂ）に示す様にＣＡＴＶ用の双方向中継増幅器Ｄでは、その内部の給電基板Ｅから幹線や分岐線にＡＣ電圧を給電する場合やＲＦ基板上でＤＣ電圧を給電する場合等に絶縁電線Ｆが使用されている。しかし、そのままではＣＡＴＶ信号（ＲＦ信号）に影響が出て、ＲＦ信号の波長特性が悪化することがある。また、これとは別にＲＦ信号にＡＶＲからのスイッチングノイズ（輻射ノイズ）等が伝わり、上りノイズとして現れてくることがある。
【０００３】
従来は前記信号特性の悪化を解消し、ノイズを除去するために、図３に示す様に絶縁電線Ｆの外周に、その軸線方向に沿って複数の円筒形フェライトＧを所定間隔で装着している。夫々の円筒形フェライトＧは絶縁電線Ｆの外周に装着したゴム製の止め輪（図示しない）によって絶縁電線Ｆの軸線方向へ位置ずれしないように位置決めされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
図３に示す様に絶縁電線の外周に、その軸線方向に沿って複数の円筒形フェライトを装着することには次の様な問題があった。
（１）円筒形フェライトの装着に手間がかかる。
（２）絶縁電線が長くなればなるほど、必要な円筒形フェライトの数が増え、それに伴って、円筒形フェライトの装着作業が面倒になり、止め輪の数も増えるためコスト高になる。
（３）配線をするときに円筒形フェライトが邪魔になって配線がしにくく、配線に場所もとる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は円筒形フェライトを装着することなく、信号波長特性の悪化の防止やスイッチングノイズの除去が可能な絶縁電線を提供することにある。
【０００６】
本件出願の第１の絶縁電線は、中心導体１よりも外側をフェライト入りのテープで又はフェライト入り樹脂で被覆してフェライト入り層２を形成したものである。この場合、フェライト入り層２は保護層を兼ねたものとすることができる。
【０００７】
本件出願の第２の絶縁電線は、前記絶縁電線において、フェライト入り層２の内側及び外側の双方又は一方に保護層を設けたものである。前記いずれの場合も、最外層をビニル、ゴム、ポリエチレン混合物、架橋ポリエチレン混合物等で被覆することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
本発明の絶縁電線の第１の実施形態を図１に基づいて詳細に説明する。図１に示す本発明の絶縁電線は同図に示す様に中心導体（心線）１の外側を、フェライト入り樹脂で被覆してフェライト入り層２を形成してなるものである。
【０００９】
前記中心導体１には意図する用途に応じた許容電圧、許容電流を導通させることが可能な素材及び線径からなる線材を適宜選択して使用することができ、例えば硬銅線、軟銅線、硬アルミ線、軟アルミ線等を使用することができる。また、中心導体１は上記の如何なる線材を使用した場合であっても、当該線材を一条のみ用いたものとすることもでき、複数条縒り合わせたものとすることもできる。      【００１０】
前記フェライト入り層２の厚みは、一般的には数ｍｍ〜数十ｍｍの範囲内で所望の厚みとするが、これより薄くても、厚くてもよい。また、本実施例では、フェライト入り層２は押出被覆機によって、前記中心導体１の外側にフェライト入り樹脂を押し出し被覆することによって形成したが、これ以外の方法でフェライト入り層２を形成することもできる。尚、このフェライト入り層２は従来の絶縁電線における保護層Ｂ（図２ａ）の役割をも果たすが、フェライト入り層２の内側及び外側の双方又は一方に保護層を別に設けることもできる。
【００１１】
（他の実施の形態）
本発明の絶縁電線の最外層をビニル、ゴム、ポリエチレン混合物、架橋ポリエチレン混合物等で被覆して、絶縁性をより一層向上させると共に耐久性を向上させることもできる。また、フェライト入り層２又は同フェライト入り層２の外側を被覆している前記ビニル等の外周面に耐水性塗料や耐油性塗料等を塗布することもできる。
【００１２】
図示した本発明の絶縁電線は線状であるが、中心導体１の外側をフェライト入りのテープで被覆して、テープ状の絶縁電線とすることもできる。また、複数の中心導体１を平行に配置し、これをフェライト入り樹脂又はフェライト入りのテープで被覆して多心の絶縁電線とすることもできる。
【００１３】
【発明の効果】
本件出願の絶縁電線は、中心導体よりも外側をフェライト入りのテープ又はフェライト入り樹脂で被覆してフェライト入り層を形成したので次のような効果を有する。
（１）信号波長特性の悪化が打ち消される。
（２）スイッチングノイズが除去される。
（３）円筒形フェライトを取付ける手間が省ける。
（４）円筒形フェライトが配線の邪魔になることがなく、配線に必要なスペースも少なくて済む。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の絶縁電線の実施形態の一例を示す一部断面の説明図。
【図２】
（ａ）は従来の絶縁電線を示す一部断面の説明図、（ｂ）は絶縁電線の使用例を示す説明図。
【図３】
円筒形フェライトが装着された絶縁電線を示す説明図。
【符号の説明】
１  中心導体
２  フェライト入り層
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  長さ方向に連続して延在する透明基材、
上記透明基材の背面に配置された透明導電層、
上記透明導電層の背面に配置され、上記透明導電層の幅方向寸法よりも小さな幅方向寸法を有する発光層、
上記発光層の背面に配置された背面電極、および
上記透明導電層の背面の発光層未配置部分に配置された少なくとも１つのバスであって、上記透明導電層の幅方向寸法よりも小さな幅方向寸法を有し、かつ、上記発光層および背面電極とは電気的に接続されていないバス、
を有してなるエレクトロルミネッセンス素子において、
前記透明導電層、前記発光層、前記背面電極および前記バスは、前記透明基材の長さ方向に沿って連続して延在することを特徴とする素子。
【請求項２】  前記発光層は、
マトリックス樹脂を含んでなり、透明導電層側に配置された透明な支持層と、
絶縁体物質を含んでなり、背面電極側に配置された絶縁層と、
支持層および絶縁層の両方の層に埋設された発光粒子を含んでなる発光粒子層とからなる、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】  発光粒子層は、発光粒子の粒子径と実質的に同じ厚さを有する塗膜である、請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】  透明な支持層のマトリックス樹脂は、エポキシ樹脂および高誘電率ポリマーからなる群から選択される、請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】  エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記透明導電層が一方の表面に配置された前記透明基材を用意し、
前記透明導電層の上に、前記透明導電層の幅方向寸法よりも小さな幅方向寸法を有する様に、前記発光層を配置し、発光層付き基材を形成し、
上記発光層付き基材の前記透明導電層上の、前記発光層が配置されていない残りの露出部分に、前記透明基材の長さ方向に沿って、その露出部分の巾方向寸法よりも小さな幅方向寸法を有するマスキングを配置し、
上記発光層付き基材の上に導電性材料を適用し、前記発光層および背面電極と、前記マスキングの介在により、または、前記マスキングが除去された発光層未配置部分の介在により、電気的に接続されていない前記バスと、前記背面電極とを形成する、
ステップを含んでなる製造方法。
【請求項６】  ＥＬ素子の製造方法において、
前記透明導電層が一方の表面に積層された、前記透明基材を用意し、
前記透明導電層上の、前記バスを形成するバス形成部分を被覆する様に、前記透明基材の長さ方向に沿ってマスキングを配置し、前記透明導電層上にそのマスキングが配置されたバス形成部分と、そのマスキングが配置されていないマスキング未配置部分とを形成し、
前記透明導電層上に上記マスキング未配置部分に、塗布操作により前記発光層を配置し、発光層付き基材を形成し、
上記発光層付き基材の上に導電性材料を適用し、上記発光層の上に、導電性材料からなる前記背面電極を形成し、上記マスキングの一部または全部を除去して露出させたバス形成部分に、導電性材料を適用し、前記発光層および背面電極と、前記マスキングの介在により、または前記マスキングが除去された発光層未配置部分の介在により、電気的に接続されていない前記バスと、前記背面電極とを形成する、ステップを含んでなる製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図９は従来技術の制御特性を示すもので、同図（イ）の内、ハッチを付して示した波形部分はヒータ電流、実線及び破線で示した波形部分は入力電圧を示す。また、同図（ロ）中、ｃは検出温度処理信号、ｄは設定温度信号、同図（ハ）のｅは制御信号、同図（ニ）のｂは通電制御信号である。
次に、図９を用い、従来のヒータ制御装置の動作を説明する。
同図（イ）に示すように交流電源２Ａから入力電圧がパワー素子２を介してヒータ３に印加されているとき、同図（ロ）に示すように検出温度処理信号ｃが設定温度信号ｄより低い時は、比較器７より出力される制御信号ｅは同図（ハ）に示すようにローレベルの信号(Ｌ)となり、パワー素子ドライバ８は同図（ニ）に示すように交流電源２Ａからの入力電圧(正弦波)が０Ｖになるタイミングで(＋)又は(−)パルスの通電制御信号ｂを出力する。
パワー素子２はこの(＋)又は(−)パルスの通電制御信号ｂを受けて導通制御され、同図（イ）にハッチを付して示すヒータ電流を、例えば、時点ｔ１→ｔ２及び時点ｔ３→ｔ４の区間、ヒータ３に供給する。
一方、同図（ロ）に示すように、検出温度処理信号ｃが設定温度信号ｄより高くなる区間、例えば時点ｔ２→ｔ３の区間では、比較器７より出力される制御信号ｅは同図（ハ）に示すように、ハイレベル(Ｈ)となり、パワー素子ドライバ８は通電制御信号ｂを０Ｖに保持する。
パワー素子２は、この０Ｖに保持された通電制御信号ｂを受け、同図（ニ）に示すように、時点ｔ２→ｔ３の区間はヒータ３への通電を停止する。
以下、この動作を繰り返すことによりヒータ３又はヒータ３にて加熱される被加熱体の温度は温度設定器６で設定した設定温度信号ｄに対応した設定温度付近で一定となるように制御される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明においては、図１に示すように、図８における従来のヒータ制御装置に、交流電源２Ａからの入力電圧を全波整流する全波整流器としてのブリッジダイオード１０と交流電源２Ａからの電流を制限する電流制限抵抗１１と、交流電源２Ａからの入力電圧を判別する入力電圧判別基準値を設定するツェナーダイオード１２と、入力電圧判別信号ｆを出力するフォトカプラ１３と、入力電圧判別信号ｆを受け、通電信号ｇ１を生成する通電信号生成回路１４及び通電信号ｇ１を受け、通電信号ｇ２を出力する反転スイッチング素子としてのトランジスタ１５とで構成する通電制御回路９を設けるように構成した点に、本発明の構成上の特徴がある。
なお、通電信号生成回路１４の具体的な構成は後述のように、フォトカプラ１３からの入力電圧判別信号ｆを受けてこれを１／４分周波の第１の通電信号ｇ１を形成する機能を有するように論理回路素子で構成すればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図２は本発明に係るヒータ制御装置の第１の制御特性を示すもので、同図（イ）に示すハッチを付して示した波形部分はヒータ電流を、実線及び破線で示した波形部分は入力電圧を、またＶｚは入力電圧判別基準値となる電圧を示す。また、同図（ロ）中、ｃは検出温度処理信号、ｄは設定温度信号、同図（ハ）のｆは入力電圧判別信号、同図（ニ）のｇ２は第２の通電信号である。第１の通電信号ｇ１は（ニ）の第２の通電信号ｇ２を反転した信号であるので、図示は省略する。
また、同図（ホ）のｅは制御信号、同図（ヘ）のｂは通電制御信号である。
次に、図２を用い、本発明のヒータ制御装置の動作を説明する。
同図（イ）に示すように、交流電源２Ａから入力電圧がパワー素子２を介してヒータ３に印加されているとき、この入力電圧の絶対値がツェナーダイオード１２により設定された入力電圧判定基準値より小さい時（例えば、時点ｔ１→ｔ２の区間）では、入力電圧判別信号ｆは同図（ハ）に示すようにハイレベル(Ｈ)となり、一方、入力電圧の絶対値が上記入力電圧判定基準値より大きい時（例えば、時点ｔ２→ｔ３の区間）では、入力電圧判別信号ｆは同図（ハ）に示すようにローレベル(Ｌ)となる。
したがって、入力電圧の最大値(絶対値)が上記入力電圧判定基準値より大きい時、入力電圧判別信号ｆは、（ハ）に示すようにハイレベル(Ｈ)とローレベル(Ｌ)とを繰り返すパルス信号となる。
また、通電信号生成回路１４は、入力電圧判別信号ｆを受け、１／４分周波の通電信号ｇ１を出力する。トランジスタ１５はこの通電信号ｇ１を受け、同図（ニ）に示すように通電信号ｇ２を出力する。
パワー素子ドライバ８は、（ハ）に示す通電信号ｇ２と（ホ）に示す比較器７からの制御信号ｅを受けて、通電信号ｇ２がハイレベル(Ｈ)で、かつ制御信号ｅがローレベル(Ｌ)の時のみ、交流電源２Ａからの入力電圧(正弦波)が０Ｖになるタイミングで(＋)又は(−)パルスの通電制御信号ｂを（ヘ）に示すように出力する。パワー素子２はこの通電制御信号ｂによりヒータ３を通電する。
したがって、ヒータ３は本発明のヒータ制御装置では図２（イ）の実線の波形の１／４波通電にて制御される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一般式（１）
Ｌｉｘ Ｎｉｙ Ｍｚ Ｏ２                 ・・・・・（１）
（ただし、０．９４≦ｘ≦１．０６、０．９８≦ｙ＋ｚ≦１．０２、０．７０≦ｙ≦０．９５；ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｖ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｂのうちの１種または２種以上を表す。）
の製造において、ニッケル化合物とコバルト、マンガン、鉄、マグネシウム、アルミニウム、チタン、クロム、錫、インジウム、銅、バナジウム、亜鉛、モリブデン、ホウ素からなる群より選ばれた１種または２種以上の元素を含む非ニッケル系金属化合物とリチウム化合物の焼成を（ｉ）脱水反応として酸素気流中または脱湿、脱炭酸ガスした空気または不活性ガス気流中で、１時間以上かけて徐々に昇温しながら反応温度４３０〜５５０℃、保持時間１０分以上に保持した後、（ii）酸化結晶化反応として酸素気流中または脱湿、脱炭酸ガス処理した空気の気流中で反応温度７００〜８５０℃、保持時間２０時間以上の２段階に分けて行うことを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項２】  ニッケル化合物として水酸化ニッケルまたは酸化水酸化ニッケル、非ニッケル系金属化合物として前記非ニッケル系金属の酸化物、水酸化物または酸化水酸化物、リチウム化合物として水酸化リチウムまたは硝酸リチウムを焼成する請求項１に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項３】  ニッケル化合物と前記非ニッケル系金属化合物の混合水溶液をアルカリ水溶液で共沈させた共沈物と、水酸化リチウムまたは硝酸リチウムの混合物を焼成する請求項１または２に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項４】  ニッケル化合物と前記非ニッケル系金属化合物の混合水溶液をアルミン酸アルカリ水溶液で共沈させた共沈物と水酸化リチウムまたは硝酸リチウムの混合物を用いる請求項１ないし３のいずれか１項に記載のリチウム二次電池用正極活物質製造方法。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれか１項に記載のリチウム二次電池用正極活物質製造方法によって製造されたリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項６】  請求項５に記載のリチウム二次電池用正極活物質が使用されたリチウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち本発明は、
［１］  一般式（１）
Ｌｉｘ Ｎｉｙ Ｍｚ Ｏ２                 ・・・・・（１）
（ただし、０．９４≦ｘ≦１．０６、０．９８≦ｙ＋ｚ≦１．０２、０．７０≦ｙ≦０．９５；ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｖ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｂのうちの１種または２種以上を表す。）
の製造において、ニッケル化合物とコバルト、マンガン、鉄、マグネシウム、アルミニウム、チタン、クロム、錫、インジウム、銅、バナジウム、亜鉛、モリブデン、ホウ素からなる群より選ばれた１種または２種以上の元素を含む非ニッケル系金属化合物とリチウム化合物の焼成を（i）脱水反応として酸素気流中または脱湿、脱炭酸ガスした空気または不活性ガス気流中で、１時間以上かけて徐々に昇温しながら反応温度４３０〜５５０℃、保持時間１０分以上に保持した後、(ii)酸化結晶化反応として酸素気流中または脱湿、脱炭酸ガス処理した空気の気流中で反応温度７００〜８５０℃、保持時間２０時間以上の２段階に分けて行うことを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質の製造方法、
［２］  ニッケル化合物として水酸化ニッケルまたは酸化水酸化ニッケル、非ニッケル系金属化合物として前記非ニッケル系金属の酸化物、水酸化物または酸化水酸化物、リチウム化合物として水酸化リチウムまたは硝酸リチウムを焼成する前記［１］に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法、
［３］  ニッケル化合物と前記非ニッケル系金属化合物の混合水溶液をアルカリ水溶液で共沈させた共沈物と、水酸化リチウムまたは硝酸リチウムの混合物を焼成する前記［１］または［２］に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法、及び
［４］  ニッケル化合物と前記非ニッケル系金属化合物の混合水溶液をアルミン酸アルカリ水溶液で共沈させた共沈物と水酸化リチウムまたは硝酸リチウムの混合物を用いる前記［１］ないし［３］のいずれかに記載のリチウム二次電池用正極活物質製造方法、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［５］  上記［１］ないし［４］のいずれかに記載のリチウム二次電池用正極活物質製造方法によって製造されたリチウム二次電池用正極活物質、および
［６］  上記［５］に記載のリチウム二次電池用正極活物質が使用されたリチウム二次電池、を開発することにより上記の目的を達成した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  正極活物質層を集電体に接合してなる正極と、負極活物質層を集電体に接合してなる負極と、上記正極と負極間に配置されるセパレータと、並びに上記正極活物質層と上記負極活物質層の少なくともいずれかと上記セパレータとを接合する接着性樹脂層とを備えた電極体を覆う外装部を具備するリチウムイオン二次電池であって、上記電極体と上記外装部との間に上記電極体に密着した樹脂膜を備えたことを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項２】  樹脂膜が電極体の外周部全面に形成されていることを特徴とする請求項１記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項３】  樹脂膜が電極体の電極平面に対して垂直方向の面にのみ形成されていることを特徴とする請求項１記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項４】  電極体と外装袋とが樹脂膜により接着されていることを特徴とする請求項１記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項５】  樹脂膜が電池内部に含まれる電解液を吸収する特性を有するものであることを特徴とする請求項１記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項６】  樹脂膜がゲル化する特性を有するものであることを特徴とする請求項１記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項７】  樹脂膜の原材料は、イソシアネート基を含む化合物であることを特徴とする請求項４ないし６の何れかに記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項８】  樹脂膜の原材料は、アクリレート基またはメタクリレート基を含む化合物であることを特徴とする請求項４ないし６の何れかに記載のリチウムイオン二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の構成によるリチウムイオン二次電池は、正極活物質層を集電体に接合してなる正極と、負極活物質層を集電体に接合してなる負極と、上記正極と負極間に配置されるセパレータと、並びに上記正極活物質層と上記負極活物質層の少なくともいずれかと上記セパレータとを接合する接着性樹脂層とを備えた電極体を覆う外装部を具備するリチウムイオン二次電池であって、上記電極体と上記外装部との間に上記電極体に密着した樹脂膜を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
【発明の効果】
以上のように、本発明の第１の構成によるリチウムイオン二次電池は、正極活物質層を集電体に接合してなる正極と、負極活物質層を集電体に接合してなる負極と、上記正極と負極間に配置されるセパレータと、並びに上記正極活物質層と上記負極活物質層の少なくともいずれかと上記セパレータとを接合する接着性樹脂層とを備えた電極体を覆う外装部を具備するリチウムイオン二次電池であって、上記電極体と上記外装部との間に上記電極体に密着した樹脂膜を備えたことにより、薄型軽量で、しかも貯蔵時や使用時に電池温度が上昇した場合におけるガスの発生に伴う外装部の膨張変形や破壊を防止することができるリチウムイオン二次電池が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  多孔質体をエッチング液中でエッチングするエッチング方法において、前記エッチング液を脱気処理しながら前記エッチングを行うことを特徴とする多孔質体のエッチング方法。
【請求項２】  前記エッチング液を大気から隔離することを特徴とする請求項１に記載の多孔質体のエッチング方法。
【請求項３】  前記エッチング液を循環させて前記多孔質体に供給し、前記エッチング液の循環途中において脱気を行うことを特徴とする請求項１に記載の多孔質体のエッチング方法。
【請求項４】  前記脱気は、中空糸ガス透過膜によって構成される脱気モジュールにおいて該中空糸内をポンプにより減圧状態にすることにより行うことを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の多孔質体のエッチング方法。
【請求項５】  前記脱気は、中空糸ガス透過膜によって構成される脱気モジュールにおいて該中空糸内を気体が存在しない超純水で満たすことにより行うことを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の多孔質体のエッチング方法。
【請求項６】  前記エッチング液はふっ酸系反応液であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの請求項に記載の多孔質体のエッチング方法。
【請求項７】  前記エッチング液中に界面活性剤を添加することを特徴とする請求項１〜５のいずれかの請求項に記載の多孔質体のエッチング方法。
【請求項８】  前記エッチング液は、ふっ酸と過酸化水素水との混合液であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの請求項に記載の多孔質体のエッチング方法。
【請求項９】  前記エッチング液は、ふっ酸と界面活性剤との混合液であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの請求項に記載の多孔質体のエッチング方法。
【請求項１０】  前記エッチング液は、ふっ酸と過酸化水素水と界面活性剤との混合液であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの請求項に記載の多孔質体のエッチング方法。
【請求項１１】  前記界面活性剤は、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールのいずれかであることを特徴とする請求項７、９、１０のいずれかの請求項に記載の多孔質体のエッチング方法。
【請求項１２】  少なくとも一部に多孔質面の表出した基体を保持するための保持手段と、該基体の多孔質部分をエッチングするエッチング液を入れるためのエッチング槽と、該エッチング液から気体の脱気を行うための脱気装置と、を有することを特徴とする多孔質体のエッチング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
実施例１
図１は本発明によるプラズマエッチング装置の一実施例である。ガス供給装置１４でＳＦ6と水素ガスを混合し、バルブ１９を通して混合ガスを径３８ｍｍφの反応ガス供給管３に注入する。マイクロ波発振器１で発生したマイクロ波が導波管２を通り上記反応ガス供給管中の混合ガスを活性化させる。以下、半導体ウェーハ５の周辺の詳細構成を示す断面図（図３）も参照して説明する。プラズマ発生領域６で発生したプラズマは活性種ガス供給管１１を通って先端径２４ｍｍφのノズルによって絞り込まれて密度が高い局部ビームとなって半導体ウェーハ５に供給されるためにエッチングレートが速くなる構造である。また絞り込んで供給することによって効率よくウェーハに活性種ガスが作用する事ができる。ノズルの径は、２４ｍｍφと限定する必要はなく、５〜６０ｍｍφの範囲内であればよい。半導体ウェーハははじめ試料交換室１２に挿入し、試料交換室から搬送機構７によりエッチング室９の移動台８上のウェーハ保持部２０に固定セットされる。試料移動機構１５によって移動台８は、Ｘ、Ｙへの移動あるいはＸ−θの回転移動をする。これはエッチング速度が速い活性種ガスを局部ビームとして扱うためウェーハを移動させ、その時の時間あるいは交流電磁場を制御することによりウェーハ全体を均一な厚みに揃える役目をする。また試料交換室１２、搬送機室２４、エッチング室９等はゲートバルブ１６を通してそれぞれ排気され、特にエッチング室のガスは排気装置及びガス処理装置１３を経て排気される。図８は水素添加量に対するエッチング面のエッチング後粗さ／エッチング前粗さの関係である。水素添加量５%以下でエッチング面の粗さが良好な結果となる。また図９は水素添加量に対するエッチングレートの変化率である。図９に示したように水素量が多いとエッチング速度も低下する。実際、エッチングを行なったところ約５００Ｗのマイクロ波電力に対してエッチングレートが１００μｍ／ｍｉｎという高い値を得る事が出来た。またエッチングされたシリコン表面が粗れることなく鏡面であった。ＳＦ6の代わりにＮＦ3、ＣＦ4、Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＣｌＦ3、ＢＦ3でもよい。これによってＳｉの裏面エッチングは従来より工程工数が簡略化でき、低コストで供給できるようになった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【表１】
本発明の実施例3のウェーハのエッチング処理時の温度と面粗れ状態の関係。
2000133639.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この結果から、８０℃から３００℃の間が最適である。本発明では、基板温度をこの範囲で保持する機構を具備していることが特徴である。プラズマを発生させて局部に集めて作用させると反応部分の温度が上昇する傾向がある。これを効果的に冷却するため、図３は図１における半導体ウェーハ周辺における詳細構成を示す断面図であり、活性種の噴出するノズル４のまわりからＨｅなどの不活性ガスを吹き付けて冷却し、ウェーハに沿った排気管１０の排気口から排気する構造を有する。これは、ウェーハと活性種ガスの反応物を除去する意味でも有効な構造である。１７はウェーハ上の半導体素子回路を示す。不活性ガスはＨｅ以外にもＡｒ、Ｎ2などでも良い。図４は、同心円状に、冷却用ガス管１８と排気管１０とを配した構造である。図５は、冷却用ステージ２１の上にウェーハ保持部２０があり、冷却用穴２２が複数個開いていて、活性種ガス供給管１１と、冷却用ガス管１８が対向して配置されている。冷却用ガス管１８からの不活性ガスを冷却用穴２２を通してウェーハの表面(おもてめん)に吹き付け、ウェーハを冷却する。逆に温度が上がらない場合に備え、このステージに加熱機構を具備することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図６は、活性種ガス供給管１１の噴出しノズル４付近に冷却用ガス管１８をつなぎ、半導体ウェーハを冷却する構造である。活性種ガス供給管の途中のスリット２３は、不活性ガスが活性種ガス供給方向に入ることを防ぐ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の効果】
（１）本発明のプラズマエッチング装置においてハロゲン化合物を含む混合ガスを使用し、プラズマ室で発生した活性種ガスを局部的に集める機能にすることによりエッチングレートを高めることが出来、低コストで提供できるようになった。
（２）本発明のプラズマエッチング装置においてハロゲン化合物ガスに水素ガスを混合したものを使用することにより、シリコン表面は粗れることなく鏡面がえられ高品質加工面を提供できるようになった。
（３）ウェーハのエッチングしない面に不活性ガスを吹き付けることにより、活性種ガスの回り込みを防ぐ構造とし、歩留りを向上させた。
（４）活性種ガスの供給管のノズル部分に冷却機構を設け、加工歩留りを向上させた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】 
本発明のプラズマエッチング装置の主要断面図である。
【図2】 
本発明の実施例2のプラズマエッチング装置の主要処理部の断面図。
【図3】  
本発明の実施例3のプラズマエッチング装置の主要処理部の断面図。
【図4】  
本発明の実施例3のプラズマエッチング装置の主要処理部の断面図。
【図5】
本発明の実施例3のプラズマエッチング装置の主要処理部の断面図。
【図6】
本発明の実施例3のプラズマエッチング装置の主要処理部の断面図。
【図７】
本発明の実施例4のプラズマエッチング装置の主要処理部の断面図。
【図８】
本発明の実施例1の水素添加量に対するエッチング前後の面粗さの比のグラフ。
【図９】
本発明の実施例1の水素添加量に対するエッチングレートのグラフ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁表面上に形成された半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置の製造方法であって、
第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の表面を大気にさらすことなく、前記第１の絶縁膜の表面に接して非晶質成分と結晶成分が混在した半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面を大気にさらすことなく、前記半導体膜表面に接して第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜が接した状態で前記半導体膜をアニールして、結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の絶縁膜と共に前記結晶性半導体膜をパターニングし、前記結晶性半導体膜からなる前記半導体素子の活性層を形成し、
前記第２の絶縁膜に接して第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に、前記半導体素子のゲイト電極を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  絶縁表面上に形成された半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子のゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の表面を大気にさらすことなく、前記第１の絶縁膜の表面に接して非晶質成分と結晶成分が混在した半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面を大気にさらすことなく、前記半導体膜表面に接して第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜が接した状態で前記半導体膜をアニールして、結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の絶縁膜と共に前記結晶性半導体膜をパターニングし、前記結晶性半導体膜からなる前記半導体素子の活性層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  請求項１又は請求項２において、前記非晶質成分と結晶成分が混在した半導体膜は、ＰＥＣＶＤ法で成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれか１項において、前記半導体膜は、シリコン（Ｓｉ）膜、ゲルマニウム（Ｇｅ）膜、ＳｉｘＧｅ１−ｘ（０＜Ｘ＜１）で示される）シリコン−ゲルマニウム化合物膜のいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置の同一のリソグラフィ工程において形成される、重ね合わせ検査マークと本番パターンを備える半導体装置であって、
前記本番パターンは、パターンの転写時に、収差に起因して、前記本番パターンの幅に基づいて第１位置ずれ量の位置ずれを生じるパターンを含み、
前記重ね合わせ検査マークは、パターンの転写時に、収差に起因して、前記重ね合わせ検査マークの幅に基づいて第２位置ずれ量の位置ずれを生じるパターンを含み、
前記重ね合わせ検査マークの幅および前記本番パターンの幅は、前記第１位置ずれ量と前記第２位置ずれ量との差が許容値以下になるように設定され、
前記重ね合わせ検査マークの幅は、
前記本番パターンと前記重ね合わせ検査マークのパターンの高さが異なる場合に、焦点深度が確保されるように、前記本番パターンの幅よりも所定の値以上大きく設定された、重ね合わせ検査マークを備える半導体装置。
【請求項２】  前記本番パターンが、０．２μｍ〜１．０μｍの範囲の幅を有するライン状であり、
前記重ね合せ検査マークのパターンが、前記ライン状の本番パターンの幅より０．０８５μｍ〜０．１μｍだけ大きい幅を有するライン状である、請求項１に記載の重ね合わせ検査マークを備える半導体装置。
【請求項３】  前記本番パターンが、０．３μｍ〜１．０μｍの範囲の開口幅を有するホール状であり、
前記重ね合せ検査マークのパターンが、前記ホール状の本番パターンの開口幅より０．１μｍ以下の範囲で大きい開口幅を有するホール状である、請求項１に記載の重ね合わせ検査マークを備える半導体装置。
【請求項４】  前記許容値が５ｎｍである、請求項１に記載の重ね合わせ検査マークを備える半導体装置。
【請求項５】  前記本番パターンと前記重ね合わせ検査マークのパターンとは、１.２μｍ以下の高さの差を有している、請求項１に記載の重ね合わせ検査マークを備える半導体装置。
【請求項６】  前記本番パターンの幅と前記重ね合わせ検査マークのパターンの幅との差は、０.１μｍ以下である、請求項２に記載の重ね合わせ検査マークを備える半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の本発明の重ね合わせ検査マークを備える半導体装置は、半導体装置の同一のリソグラフィ工程において形成される、重ね合わせ検査マークと本番パターンを備える半導体装置であって、本番パターンは、パターンの転写時に、収差に起因して、本番パターンの幅に基づいて第１位置ずれ量の位置ずれを生じるパターンを含み、重ね合わせ検査マークは、パターンの転写時に、収差に起因して、重ね合わせ検査マークの幅に基づいて第２位置ずれ量の位置ずれを生じるパターンを含み、重ね合わせ検査マークの幅および本番パターンの幅は、第１位置ずれ量と第２位置ずれ量との差が許容値以下になるように設定され、重ね合わせ検査マークの幅は、本番パターンと重ね合わせ検査マークのパターンの高さが異なる場合に、焦点深度が確保されるように、本番パターンの幅よりも所定の値以上大きく設定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前述の許容値は５ｎｍであることが望ましい。また、本番パターンと重ね合わせ検査マークのパターンとは、１.２μｍ以下の高さの差を有していることが望ましい。また、本番パターンの幅と重ね合わせ検査マークのパターンの幅との差は、０.１μｍ以下であることが望ましい。
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に走査方式で逐次的に投影転写する露光方法において、
前記感光基板の感度特性に応じた適正露光量よりも少ない露光量で同一のマスクのパターンの像を複数回重ね合わせて転写することを特徴とする露光方法。
【請求項２】  マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に走査方式で逐次的に投影転写する露光方法において、
前記感光基板の感度特性に応じた適正露光量よりも少ない露光量で同一のマスクのパターンの像を走査方向を逆転させて複数回重ね合わせて転写することを特徴とする露光方法。
【請求項３】  前記複数回の転写のうちの相前後する転写間で前記マスクのパターンの前記感光基板上での像位置をシフトさせることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光方法。
【請求項４】  前記マスク及び前記感光基板の少なくとも一方の走査開始位置を相前後する転写間で異ならせることにより前記像位置をシフトさせることを特徴とする請求項３に記載の露光方法。
【請求項５】  前記複数回の転写により前記感光基板に与えられる露光量の総和が前記感光基板の感度特性に応じた適正露光量となることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光方法。
【請求項６】  前記複数回の転写のそれぞれにより前記感光基板に与えられる露光量は互いにほぼ等しいことを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】  マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に走査方式で逐次的に投影転写する露光装置において、
前記マスクを保持するマスクステージと、
前記感光基板を保持する基板ステージと、
前記マスクを照明する照明光学系と、
前記マスクのパターンの像を前記感光基板上に投影する投影光学系と、
前記マスク及び前記感光基板を前記投影光学系に対して同期移動するように前記マスクステージ及び前記基板ステージを駆動する駆動装置と、
前記感光基板の感度特性に応じた適正露光量よりも少ない露光量で前記マスクのパターンの像を走査方向を逆転させて複数回重ね合わせて投影転写するよう制御する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項８】  感光基板を照明光で多重露光して、前記感光基板上に第１方向に沿って延びるデバイスパターンを形成する露光方法において、
前記照明光に対してマスクを相対移動するのに同期して、前記感光基板を前記第１方向と直交する第２方向に移動する第１走査露光と、前記第１走査露光時とは逆向きに前記マスクと前記感光基板とを同期移動する第２走査露光とで、前記感光基板上で前記マスクのパターンの像の一部が重なるように、前記パターンの像の転写位置を前記第２方向にずらすことを特徴とする露光方法。
【請求項９】  前記第１及び第２走査露光でそれぞれ前記感光基板に与えられる露光量を、前記感光基板の感度特性に応じた適正値よりも少なくすることを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】  前記第１及び第２走査露光で前記マスク上の同一のパターンが用いられ、前記感光基板上で前記同一のパターンの像が重なる部分に前記デバイスパターンが形成されることを特徴とする請求項８又は９に記載の露光方法。
【請求項１１】  マスクに照明光を照射する照明系を備え、前記マスクを介して前記照明光で感光基板を多重露光して、前記感光基板上に第１方向に沿って延びるデバイスパターンを形成する露光装置において、
前記感光基板を前記照明光で走査露光するために、前記照明光に対して前記マスクを相対移動するのに同期して、前記感光基板を前記第１方向と直交する第２方向に移動するステージシステムと、
前記第１走査露光時と前記第２走査露光時とで、前記マスク及び前記感光基板を逆向きに移動し、かつ前記感光基板上で前記マスクのパターンの像の転写位置を前記第２方向にずらして前記パターンの像の一部を重ねるように、前記ステージシステムの駆動を制御する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１２】  前記マスクのパターンの像の重畳部が前記デバイスパターンとなるように、前記第１及び第２走査露光でそれぞれ前記感光基板に与えられる露光量を、前記感光基板の感度特性に応じた適正値よりも少なくする露光量制御装置を更に備えたことを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】  マスク上に形成されたデバイスパターンを、請求項１〜６、８〜１０のうちの何れか一項に記載の露光方法を用いて感光基板上に転写する工程を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に投影転写する露光装置において、
前記投影光学系の光軸上に光学的異方性を有する部材を設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】  前記光学的異方性を有する部材は複屈折結晶板であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】  前記光学的異方性を有する部材によって形成される複数のパターン像の重複部分の露光量が前記感光基板の感度特性に応じた適正露光量となるように設定したことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】  前記マスクと前記感光基板とを同期移動するステージシステムを更に備え、前記光学的異方性を有する部材によって形成される複数のパターン像の配列方向と、前記感光基板の同期移動方向とをほぼ一致させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】  前記感光基板上に第１方向に沿って延びるデバイスパターンを形成するために、前記光学的異方性を有する部材は複数のパターン像をその一部が重なるように前記第１方向と直交する第２方向にずらして形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】  マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に投影転写する露光方法において、
前記投影光学系の光軸上に設けられた光学的異方性を有する部材によって、前記パターンの像を、その一部が前記感光基板上で重なるように、互いにシフトした状態に分配し、
該分配された複数のパターン像の前記重なる部分に従って前記感光基板上にパターンを形成することを特徴とする露光方法。
【請求項７】  マスク上に形成されたデバイスパターンを、請求項６に記載の露光方法を用いて感光基板上に転写する工程を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リチウムイオン二次電池の充電方法、特に充電時に周期的に充電電流を加えるパルス充電方法に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月11日(2005.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】親基板上に装着される基板接続用コネクタであって、中央部長手方向に沿って並設された複数のコンタクトと該コンタクトに沿って子基板の接続端子が着脱自在に装着される基板挿入溝とを有するハウジングと、前記基板挿入溝内に装着された前記子基板を係止するラッチアームとを少なくとも有する基板接続用コネクタにおいて、
前記ラッチアームと前記ハウジングとをそれぞれ別体に形成するとともに、別体に形成された前記ハウジングと前記ラッチアームとを前記親基板の所定位置にそれぞれ位置決め装着するようにしたことを特徴とする基板接続用コネクタ。
【請求項２】前記ハウジングと前記ラッチアームの下部にはそれぞれ係合突起が形成され、該係合突起を前記親基板の所定位置に穿設された係合孔内に嵌着させて、前記ハウジングと前記ラッチアームとを前記親基板の所定位置に位置決め装着するようにしたことを特徴とする請求項(1)記載の基板接続用コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、この発明では、親基板上に装着される基板接続用コネクタであって、中央部長手方向に沿って並設された複数のコンタクトと該コンタクトに沿って子基板の接続端子が着脱自在に装着される基板挿入溝とを有するハウジングと、前記基板挿入溝内に装着された前記子基板を係止するラッチアームとを少なくとも有する基板接続用コネクタにおいて、前記ラッチアームと前記ハウジングとをそれぞれ別体に形成するとともに、別体に形成された前記ハウジングと前記ラッチアームとを前記親基板の所定位置にそれぞれ位置決め装着するようにしている。