Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信システム、送信装置及び受信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信装置と受信装置との間で、複数のサブキャリアを介してデータを伝送するマルチキャリア変調方式の無線通信システムにおいて、
上記送信装置は、
上記複数のサブキャリアのうちの一部の複数のサブキャリアを、位相及び振幅の基準とするための複数のパイロットキャリアとして変調するとともに、他の一部の複数のサブキャリアを、上記パイロットキャリアを補間するとともに上記データを伝送するための複数の補間パイロットキャリアとして位相変調方式で変調し、残りの複数のサブキャリアを、上記データを伝送するための複数のデータキャリアとして変調し、上記複数のデータキャリア及び補間パイロットキャリアを上記データで変調するサブキャリア変調手段と、
上記複数のパイロットキャリア、補間パイロットキャリア及びデータキャリアを逆フーリエ変換することにより合成してマルチキャリア変調信号を生成するマルチキャリア変調手段と、
上記マルチキャリア変調信号を送信する信号送信手段と
を具え、
上記受信装置は、
上記マルチキャリア変調信号を受信する信号受信手段と、
受信した上記マルチキャリア変調信号をフーリエ変換することにより、上記複数のパイロットキャリアと、補間パイロットキャリアと、データキャリアとに分離するマルチキャリア復調手段と、
上記複数のパイロットキャリア及び補間パイロットキャリアそれぞれについての位相回転量及び振幅変化量を検出する位相・振幅検出手段と、
検出した上記複数のパイロットキャリア及び補間パイロットキャリアそれぞれについての位相回転量及び振幅変化量に基づいて、上記複数の補間パイロットキャリア及びデータキャリアについての位相補正値及び振幅補正値を算出する補正値算出手段と、
上記算出した位相補正値及び振幅補正値に基づいて、上記複数の補間パイロットキャリア及びデータキャリアの位相及び振幅を補正する補正手段と、
上記補正手段によって位相及び振幅が補正された上記複数の補間パイロットキャリア及びデータキャリアから上記データを復調するサブキャリア復調手段と
を具えることを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
複数のサブキャリアを介してデータを送信するマルチキャリア変調方式の送信装置において、
上記複数のサブキャリアのうちの一部の複数のサブキャリアを、位相及び振幅の基準とするための複数のパイロットキャリアとして変調するとともに、他の一部の複数のサブキャリアを、上記パイロットキャリアを補間するとともに上記データを伝送するための複数の補間パイロットキャリアとして位相変調方式で変調し、残りの複数のサブキャリアを、上記データを伝送するための複数のデータキャリアとして変調し、上記複数のデータキャリア及び補間パイロットキャリアを上記データで変調するサブキャリア変調手段と、
上記複数のパイロットキャリア、補間パイロットキャリア及びデータキャリアを逆フーリエ変換することにより合成してマルチキャリア変調信号を生成するマルチキャリア変調手段と、
上記マルチキャリア変調信号を送信する信号送信手段と
を具えることを特徴とする送信装置。
【請求項３】
上記複数の補間パイロットキャリアは、上記複数のパイロットキャリアの間にほぼ均等に配置される
ことを特徴とする請求項２に記載の送信装置。
【請求項４】
上記サブキャリア変調手段は、上記パイロットキャリアをＢＰＳＫ（Binary Phase Shift Keying ）方式で位相変調し、上記補間パイロットキャリアをＢＰＳＫ方式、ＱＰＳＫ（Quadrature Phase Shift Keying ）方式又は８ＰＳＫ（８Phase Shift Keying）方式のいずれかで位相変調し、上記データキャリアを位相変調又は振幅位相変調する
ことを特徴とする請求項２に記載の送信装置。
【請求項５】
上記複数のパイロットキャリア及び補間パイロットキャリアの配置パターンを複数個有し、
上記サブキャリア変調手段は、上記複数の配置パターンのうちの一つを用いて上記複数のサブキャリアを変調し、
上記信号送信手段は、上記サブキャリア変調手段が用いた配置パターン情報を上記マルチキャリア変調信号とともに送信する
ことを特徴とする請求項２に記載の送信装置。
【請求項６】
複数のサブキャリアが合成されたマルチキャリア変調信号を受信する信号受信手段と、
受信した上記マルチキャリア変調信号をフーリエ変換することにより、当該マルチキャリア変調信号を、位相及び振幅の基準となる複数のパイロットキャリアと、上記パイロットキャリアを補間するとともにデータを伝送するための位相変調方式された複数の補間パイロットキャリアと、上記データを伝送するための位相変調方式された複数のデータキャリアとに分離するマルチキャリア復調手段と、
上記複数のパイロットキャリア及び補間パイロットキャリアそれぞれについての位相回転量及び振幅変化量を検出する位相・振幅検出手段と、
検出した上記複数のパイロットキャリア及び補間パイロットキャリアそれぞれについての位相回転量及び振幅変化量に基づいて、上記複数の補間パイロットキャリア及びデータキャリアについての位相補正値及び振幅補正値を算出する補正値算出手段と、
上記算出した位相補正値及び振幅補正値に基づいて、上記複数の補間パイロットキャリア及びデータキャリアの位相及び振幅を補正する補正手段と、
上記補正手段によって位相及び振幅が補正された上記複数の補間パイロットキャリア及びデータキャリアからデータを復調するサブキャリア復調手段と
を具えることを特徴とする受信装置。
【請求項７】
上記複数の補間パイロットキャリアは、上記複数のパイロットキャリアの間にほぼ均等に配置される
ことを特徴とする請求項６に記載の受信装置。
【請求項８】
上記パイロットキャリアはＢＰＳＫ（Binary Phase Shift Keying ）方式で位相変調され、上記補間パイロットキャリアはＢＰＳＫ方式、ＱＰＳＫ（Quadrature Phase Shift Keying ）方式又は８ＰＳＫ（８Phase Shift Keying）方式のいずれかで位相変調され、上記データキャリアは位相変調又は振幅位相変調されている
ことを特徴とする請求項６に記載の受信装置。
【請求項９】
上記位相・振幅検出手段は、検出した上記パイロットキャリアについての位相回転量に基づいて、上記補間パイロットキャリアについての位相回転量を算出する
ことを特徴とする請求項８に記載の受信装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、各サブキャリア毎の位相回転や振幅変化を確実に補正し得る無線通信システム、送信装置及び受信装置を提案しようとするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルが一体化されたモノブロックタイプの蓄電池において、セル室間に間隙を形成し、該間隙が前記蓄電池の蓋上面に設けた開口部に連通していると共に、蓄電池容積をＶ（ｃｍ３）とし、蓄電池が外気に接する部分の全表面積をＳ（ｃｍ２）としたときに、
Ｓ／Ｖ≧０．３６
の関係が成立していることを特徴とする蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【問題を解決するための手段】
本発明は、上記問題を解決するものであって、請求項１によれば、複数のセルが一体化されたモノブロックタイプの蓄電池において、セル室間に間隙を形成し、該間隙が前記蓄電池の蓋上面に設けた開口部に連通していると共に、蓄電池容積をＶ（ｃｍ３）とし、蓄電池が外気に接する部分の全表面積をＳ（ｃｍ２）としたときに、
Ｓ／Ｖ≧０．３６
の関係が成立していることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
基本的には、電槽に間隙を設けることによって蓄電池の表面積を大きくすれば外部空気との接触面が増え冷却効率は向上するが、寸法や電槽強度などの制約を受ける問題が発生する。発明者は、蓄電池容積Ｖ（ｃｍ３）と外気に接する部分の表面積Ｓ（ｃｍ２）との関係が、Ｓ／Ｖ≧０．３６になるように間隙および蓋上面の開口部の個数および寸法を決定することによって、効果的に蓄電池の発熱を抑制しセル間の温度ばらつきも低減できることを見出した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記間隙にセル室間を接続するリブを配してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
セル間がリブにより接続されている構造なので蓄電池の冷却効果を低減させることなく、蓄電池の強度を得ることが可能である。従来の単なる間隙形状では、蓄電池自体の強度が低下し、外的応力により破壊しやすくなり、また蓄電池の充・放電に伴う膨張・収縮応力によって、内部変形が起こるといった問題が発生し実用化が難しかったが、本発明によればこのような問題を回避できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、前記蓄電池の電槽の底面部に突起を設けてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この突起を設けることによって電槽底面部に間隙ができ、空気が電槽下部から流入し上部に抜ける自然対流がさらに促進され、冷却効果がより一層増す利点を有している。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、前記蓄電池の蓋上面の開口部に、吸気または排気機構を設けてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
吸気または排気機構により間隙内で熱せられた空気をより効率的に排出でき、冷却効率は飛躍的に向上する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
Ｎｏ．２は上面開口部を設けない間隙を設けた蓄電池であるが、最高温度、ばらつきともＮｏ．１に比べて差は小さく、冷却効果はみられなかった。これは、間隙を設けても空気の対流がないため冷却効果が得られなかったといえる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
Ｎｏ．４は、Ｎｏ．３と比べると間隙が少ないために最高温度や温度ばらつきが大きく、規準を満足しなかった。Ｓ／Ｖについていえば、Ｎｏ．３は０．３６であるのに対して、Ｎｏ．４は０．２８で、Ｓ／Ｖを０．３６以上にする必要があることが理解できる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
なお、実施例では電槽の長側面あるいは短側面に形成した間隙は、各外側面に開口した構造のものを示しているが、必ずしもその必要はなく、形成された間隙が電槽の蓋上面に設けた開口部と連通すると共に、蓄電池容積をＶ（ｃｍ３）とし、蓄電池が外気に接する部分の全表面積をＳ（ｃｍ２）としたときに、
Ｓ／Ｖ≧０．３６
の関係が維持されておれば同様の効果が得られる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】 
【発明の効果】以上述べたように、複数のセルが一体化されたモノブロックタイプの蓄電池において、セル室間に間隙を形成し、前記間隙が電槽の蓋上面に設けた開口部に連通している構造にすると共に、蓄電池容積をＶ（ｃｍ３）とし、蓄電池が外気に接する部分の全表面積をＳ（ｃｍ２）としたときに、
Ｓ／Ｖ≧０．３６
の関係を維持することによって、電槽寸法や電槽強度などの制約を受けることなく、空気の対流による冷却が効果的に行え、蓄電池の発熱を抑制でき、セル間の温度ばらつきを低減することができる。さらに、前記セル室間を複数のリブで接続した構造にすることにより電槽の強度を低下させることなく蓄電池の発熱を抑制できセル間の温度ばらつきも低減できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、この抵抗厚膜ペーストの使用方法について説明する。まず、この抵抗厚膜ペーストを絶縁性基板上の導体回路間または電極間にスクリーン印刷法などで所定のパターンに塗布する。ここで、絶縁性基板としては、フェノール基板、ガラスエポキシ基板およびこれらの積層基板等の耐熱性の低い基板を用いることができる。次に加温硬化することにより導体回路間または電極間に抵抗体を形成する。加温硬化には、１００〜２６０℃で１０分〜１時間程度を要する。その後、必要ならばレーザまたはサンドブラストによりトリミングして所定の抵抗値に調整する。これにより、高精度で且つ低い温度係数の硬化型厚膜抵抗体を形成できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法、ならびにプラズマディスプレイパネルの製造に用いるペースト
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面板に透明誘電体を有するプラズマディスプレイパネルであって、前記透明誘電体中にある空洞の長さの内、最大の長さが、前記透明誘電体の膜厚の２／３以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
透明誘電体の膜厚が３０μｍ〜３５μｍの場合の全光線透過率が、８７％以上であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
透明誘電体が単層構造であり、かつその構成材料が、酸化鉛、酸化硼素、酸化珪素からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を含有し、かつ焼成温度での粘度が８０万Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
透明誘電体に含有される金属酸化物が、さらに酸化バリウムと酸化アルミニウムを含有することを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
酸化鉛、酸化硼素、酸化珪素からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物を含有し、かつ焼成温度５８０℃における粘度が８０万Ｐａ・ｓ以下である粉末ガラスと、樹脂と、溶剤とを含有することを特徴とするペースト。
【請求項６】
樹脂が、エチルセルロース、ブチラール樹脂、アクリル樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする請求項５に記載のペースト。
【請求項７】
粉末ガラスが、金属酸化物として、さらに酸化バリウムと酸化アルミニウムを含有することを特徴とする請求項５又は６に記載のペースト。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれかに記載のペーストを、プラズマディスプレイパネル表面板上に塗布、乾燥、焼成して透明誘電体を形成する工程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
粉末ガラスの軟化点が５７０℃〜６００℃であり、焼成温度が５７０℃〜６００℃の範囲であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
炉内体積を炉内に供給する単位時間あたりのエアー流量で割った数値が３０ｓｅｃ〜３００ｓｅｃである状態で焼成することを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法、ならびにプラズマディスプレイパネルの製造に用いるペーストに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、製造工程が簡略化できるとともに、実用上充分なレベルの絶縁耐性を有する透明誘電体を有するプラズマディスプレイパネルとその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、前記プラズマディスプレイパネルの製造に用いる新規なペーストを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面板に透明誘電体を有するプラズマディスプレイパネルであって、前記透明誘電体中にある空洞の長さの内、最大の長さが、前記透明誘電体の膜厚の２／３以下であることを特徴とする。前記透明誘電体中にある空洞の長さの内、最大の長さが、前記透明誘電体の膜厚の２／３以下であることにより、高い絶縁耐性と光学特性を備えた透明誘電体を具備したプラズマディスプレイパネルが得られる。前記プラズマディスプレイパネルにおいては、透明誘電体の膜厚が３０μｍ〜３５μｍの場合の全光線透過率が８７％以上となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム源を有するリアプレートと、
電子加速電位に規定されたアノード電極、および、該アノード電極から離れて配置され、かつ前記アノード電極よりも低い電位に規定された第１の電位規定部材を前記リアプレートと対向する面上に有するフェイスプレートと、
を備えた画像表示装置において、
前記フェイスプレートの、前記第１の電位規定部材を有する面とは反対側の面において、少なくとも前記アノード電極の前記第１の電位規定部材側の端部よりも前記第１の電位規定部材側に位置し、前記アノード電極よりも低い電位に規定された第２の電位規定部材を更に有していることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記第１の電位規定部材の抵抗値は前記アノード電極の抵抗値よりも大きい、請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記第１の電位規定部材の抵抗値は前記アノード電極の抵抗値の１００倍以上である、請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記第２の電位規定部材は、前記フェイスプレートの前記第１の電位規定部材を有する面とは反対側の面の略全面に位置している、請求項１から３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記第２の電位規定部材は透明な材料からなる、請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記フェイスプレート上の、前記第１の電位規定部材と前記アノード電極との間の領域に高抵抗膜を有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記高抵抗膜の表面抵抗値は１×１０7［Ω／□］以上である、請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記高抵抗膜の表面抵抗値は１×１０16［Ω／□］以下である、請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記第１の電位規定部材は前記アノード電極の全周囲を取り囲んでいる、請求項１から８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記第１の電位規定部材はグラウンド電位に規定されている、請求項１から９のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記第２の電位規定部材はグラウンド電位に規定されている、請求項１から１０のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記フェイスプレートの前記第１の電位規定部材を有する面とは反対側の面の、前記アノード電極の形成領域に対応した部分に、絶縁層を介して設けられた帯電防止膜を更に有し、
前記フェイスプレートの厚さをｔｇ、体積抵抗率をρｇ、前記絶縁層の厚さをｔｆ、体積抵抗率をρｆとすると、ｔｇ×ρｇ＜０．１×ｔｆ×ρｆを満たすことを特徴とする、請求項１から１１のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記フェイスプレートの前記第１の電位規定部材を有する面とは反対側の面の、前記アノード電極の形成領域に対応した部分に、前記アノード電極と同等の電位に規定された第３の電位規定部材を更に有していることを特徴とする、請求項１から１２のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
前記第３の電位規定部材の、前記フェイスプレートに対面する面と反対側の面に、絶縁層を介して帯電防止膜が設けられていることを特徴とする請求項１３に記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出するカソードと、外部から電位が与えられる電極とを備える表示装置であって、
前記電極が配置された第１の基板と、
前記第１の基板に間隔をあけて対向して設けられた第２の基板と、
前記第２の基板の外面側から該第２の基板を通して前記電極に電位を供給するための第１の導電性部材と、
前記第２の基板に設けられ、前記第１の導電性部材が挿入された貫通孔と、
を備え、
前記第１の導電性部材は、前記貫通孔内に位置する第１の部分と、該第１の部分と一体に設けられて前記貫通孔の開口端部に位置する第２の部分とを有し、
前記第２の部分は、前記貫通孔を気密に閉塞して、前記第２の基板の外面上に接合されている表示装置。
【請求項２】
前記第１の導電性部材と前記電極との間に設けられ、該第１の導電性部材と該電極の各々に電気的に接続される導電性易変形部材を備えている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の導電性部材は、熱膨張係数が２．０×１０-6／℃以上、１２．０×１０-6／℃以下の基材からなる、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２の部分には、前記第２の基板と接合材を介して接合される接合部に、該接合材との濡れ性を向上させる膜が設けられている、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記接合材は、金属材からなる、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記電極には、前記カソードから放出される電子を加速する電位が供給される、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
内部の圧力が外部の圧力よりも低く、内部に外部からの電位が与えられる電極を備える気密容器であって、
前記電極が形成された第１の基板と、
前記第１の基板に間隔をあけて対向して設けられた第２の基板と、
前記第２の基板の外面側から該第２の基板を通して前記電極に電位を供給するための導電性部材と、
前記第２の基板に設けられ、前記導電性部材が挿入された貫通孔と、
を備え、
前記導電性部材は、前記貫通孔内に位置する第１の部分と、該第１の部分と一体に設けられて前記貫通孔の開口端部に位置する第２の部分とを有し、
前記第２の部分は、前記貫通孔を気密に閉塞して、前記第２の基板の外面上に接合されている気密容器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体素子であって、
前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
前記半導体結晶基板が、前記高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する、又は未貫通するように前記半導体結晶基板に設けられた孔と、高電気抵抗物質で当該孔を埋め込んでなる高抵抗部とを備え、
前記窒化物系化合物半導体素子の注入電流領域は、前記半導体結晶基板に設けられた前記高抵抗部により狭窄されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体素子。
【請求項２】
一方の電極が前記半導体結晶基板裏面の前記高抵抗部間に設けられ、能動領域及び他方の電極が、それぞれ、前記高抵抗部の延長方向線間の前記積層構造内及び前記積層構造上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体素子。
【請求項３】
半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体素子であって、
前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
前記半導体結晶基板が、前記高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する、又は未貫通するように前記半導体結晶基板に設けられた孔と、前記半導体結晶基板の導電型と異なる導電型の材料で前記孔を埋め込んでなる異種導電型部を備え、
前記窒化物系化合物半導体素子の注入電流領域は、前記半導体結晶基板に設けられた前記異種導電型部により狭窄されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体素子。
【請求項４】
一方の電極が前記半導体結晶基板裏面の前記異種導電型部間に設けられ、能動領域及び他方の電極が、それぞれ、前記異種導電型部の延長方向線間の前記積層構造内及び前記積層構造上に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の窒化物系化合物半導体素子。
【請求項５】
半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体素子であって、
前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
前記半導体結晶基板が、前記高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する、又は未貫通するように前記半導体結晶基板に設けられた孔を備え、
当該孔の延長方向線上の前記積層構造の少なくとも上部が、イオン注入により結晶が変質し、電気抵抗が高くなったイオン注入領域として形成され、
前記窒化物系化合物半導体素子の注入電流領域は、前記積層構造の少なくとも上部に設けられた前記イオン注入領域により狭窄されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体素子。
【請求項６】
一方の電極が前記半導体結晶基板裏面の前記孔間に設けられ、能動領域及び他方の電極が、それぞれ、前記孔の延長方向線間の前記積層構造内及び前記積層構造上に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系化合物半導体素子。
【請求項７】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で正方形格子状、長方形格子状、及び六方格子状のいずれかの配置で点在していることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の窒化物系化合物半導体素子。
【請求項８】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で相互に離隔して平行に、かつ周期的に配置された線状の高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の窒化物系化合物半導体素子。
【請求項９】
前記線状の高密度欠陥領域は、点状の高密度欠陥領域が相互に接して、又は断続して線状に配置されてなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項８に記載の窒化物系化合物半導体素子。
【請求項１０】
半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体素子の作製方法であって、
前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通しており、
前記高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する孔又は未貫通する孔を前記半導体結晶基板に設ける工程と、
前記孔を高抵抗物質で埋め込んで前記半導体結晶基板内に高抵抗部を設ける工程と、
前記半導体結晶基板上に前記積層構造を形成する工程とを有することを特徴とする窒化物系化合物半導体素子の作製方法。
【請求項１１】
半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体素子の作製方法であって、
前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通しており、
前記高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する孔又は未貫通する孔を前記半導体結晶基板に設ける工程と、
前記半導体結晶基板の導電型と異なる導電型の材料で前記孔を埋め込んで前記半導体結晶基板内に異種導電型部を設ける工程と、
前記半導体結晶基板上に前記積層構造を形成する工程とを有することを特徴とする窒化物系化合物半導体素子の作製方法。
【請求項１２】
半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体素子の作製方法であって、
前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通しており、
前記高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する孔又は未貫通する孔を前記半導体結晶基板に設ける工程と、
前記半導体結晶基板上に前記積層構造を形成する工程と、
前記孔の延長方向線上の前記積層構造の少なくとも上部にイオン注入して結晶を変質させ、電気抵抗の高いイオン注入領域を形成する工程とを有することを特徴とする窒化物系化合物半導体素子の作製方法。
【請求項１３】
前記イオン注入領域を形成する工程では、イオン注入領域を制限するマスクを設けることなく、前記半導体結晶基板全面にイオン注入することを特徴とする請求項１２に記載の窒化物系化合物半導体素子の作製方法。
【請求項１４】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で正方形格子状、長方形格子状、及び六方格子状のいずれかの配置で点在していることを特徴とする請求項１０から１３のいずれか１項に記載の窒化物系化合物半導体素子の作製方法。
【請求項１５】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で相互に離隔して平行に、かつ周期的に配置された線状の高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１０から１３のいずれか１項に記載の窒化物系化合物半導体素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の生産プログラムを順次実施してフィーダから供給される部品を所定の基板位置に実装する部品実装方法において、
複数の生産プログラムをまとめ、
前記まとめられた複数の生産プログラムに従い、基板への部品の搭載順序を考慮して部品を供給するフィーダの取り付け位置を最適化することを特徴とする部品実装方法。
【請求項２】
複数の生産プログラムを順次実施してフィーダから供給される部品を所定の基板位置に実装する部品実装システムにおいて、
複数の生産プログラムをクラスタに編集する手段と、
前記クラスタとして編集された複数の生産プログラムに従い、基板への部品の搭載順序を考慮して部品を供給するフィーダの取り付け位置を最適化する手段とを有することを特徴とする部品実装システム。
【請求項３】
複数の生産プログラムを順次実施してフィーダから供給される部品を所定の基板位置に実装する部品実装方法において、
１クラスタ内で使用されるフィーダ種類が所定数内に収まるように、複数の生産プログラムをクラスタに分けて編集し、
クラスタ間で共通のフィーダが存在するときは、この共通のフィーダを同一の取り付け位置に配置して部品実装することを特徴とする部品実装方法。
【請求項４】
複数の生産プログラムを順次実施してフィーダから供給される部品を所定の基板位置に実装する部品実装システムにおいて、
１クラスタ内で使用されるフィーダ種類が所定数内に収まるように、複数の生産プログラムをクラスタに分けて編集する手段と、
クラスタ間で共通のフィーダが存在するときは、共通のフィーダを同一の取り付け位置に配置してクラスタを最適化する手段と、
を有することを特徴とする部品実装システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために、本発明は、
複数の生産プログラムを順次実施してフィーダから供給される部品を所定の基板位置に実装する部品実装方法において、
複数の生産プログラムをまとめ、
前記まとめられた複数の生産プログラムに従い、基板への部品の搭載順序を考慮して部品を供給するフィーダの取り付け位置を最適化する構成を採用しており、
また、本発明は、複数の生産プログラムを順次実施してフィーダから供給される部品を所定の基板位置に実装する部品実装システムにおいて、
複数の生産プログラムをクラスタに編集する手段と、
前記クラスタとして編集された複数の生産プログラムに従い、基板への部品の搭載順序を考慮して部品を供給するフィーダの取り付け位置を最適化する手段とを有する構成も採用しており、
また、本発明は、複数の生産プログラムを順次実施してフィーダから供給される部品を所定の基板位置に実装する部品実装方法において、
１クラスタ内で使用されるフィーダ種類が所定数内に収まるように、複数の生産プログラムをクラスタに分けて編集し、
クラスタ間で共通のフィーダが存在するときは、この共通のフィーダを同一の取り付け位置に配置して部品実装する構成も採用している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、複数の生産プログラムをまとめ、該まとめられた複数の生産プログラムに従い、基板への部品の搭載順序を考慮して部品を供給するフィーダの取り付け位置を最適化するようにしているので、フィーダ交換回数が低減するようになり、また、本発明では、クラスタ間で共通のフィーダ種類が存在するときは、共通のフィーダ種類を同一の取り付け位置に配置するようにしているので、クラスタの最適化処理が簡単になるとともに、フィーダ交換回数が低減する、という優れた効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、
前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
前記積層構造及び前記半導体結晶基板を挟む１対の電極が形成され、当該１対の電極の一方の電極は前記半導体結晶基板の裏面の前記低密度欠陥領域上に設けられ、他方の電極は前記半導体結晶基板の前記低密度欠陥領域上の前記積層構造上に設けられ、
前記１対の電極で挟まれた前記積層構造内に活性領域が形成されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
前記一方の電極は、前記半導体結晶基板上にほぼ全面に設けられた電極層から前記高密度欠陥領域と接触しないように一部を切り欠いてなる電極層として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で正方形格子状、長方形格子状、及び六方格子状のいずれかの配置で点在していることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項４】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で相互に離隔して平行に、かつ周期的に配置された線状の高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項５】
前記線状の高密度欠陥領域は、点状の前記高密度欠陥領域が相互に接して、又は断続して線状に配置されてなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項６】
前記線状の高密度欠陥領域は、前記高密度欠陥領域が連続して線状に延在してなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項７】
前記半導体結晶基板はＧａＮ基板であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項８】
半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、
前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
前記半導体結晶基板の前記低密度欠陥領域上の積層構造は、上部がリッジストライプとして形成され、かつ当該リッジストライプの両脇が絶縁膜で被覆されており、
前記積層構造及び前記半導体結晶基板を挟む１対の電極が形成され、当該１対の電極の一方の電極は前記半導体結晶基板の裏面の前記低密度欠陥領域上に設けられ、他方の電極は前記リッジストライプ上に延在し、更に前記リッジストライプ脇の前記絶縁膜を介して前記高密度欠陥領域上の前記積層構造上に延在していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項９】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で正方形格子状、長方形格子状、及び六方格子状のいずれかの配置で点在していることを特徴とする請求項８に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で相互に離隔して平行に、かつ周期的に配置された線状の高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項８に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項１１】
前記線状の高密度欠陥領域は、点状の高密度欠陥領域が相互に接して、又は断続して線状に配置されてなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項１２】
前記線状の高密度欠陥領域は、高密度欠陥領域が連続して線状に延在してなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項１３】
前記半導体結晶基板はＧａＮ基板であることを特徴とする請求項８に記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系化合物半導体の積層構造を備えた窒化物系化合物半導体発光素子と、前記積層構造から漏れ出た光を受光して、前記窒化物系化合物半導体発光素子に光出力制御信号を出力する受光素子とを備える光集積素子であって、
前記窒化物系化合物半導体発光素子は、結晶欠陥密度が周囲より高い領域として、周期的な基板面上配列で基板を貫通している高密度欠陥領域を有する半導体結晶基板と、
前記高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する、又は未貫通するように前記半導体結晶基板に設けられた孔とを備え、
前記受光素子は、前記孔を塞ぐようにして前記半導体結晶基板上に設けられ、前記孔を介して前記積層構造から漏れ出た光を受光することを特徴とする光集積素子。
【請求項２】
窒化物系化合物半導体の積層構造を備えた窒化物系化合物半導体発光素子と、前記積層構造から漏れ出た光を受光して、前記窒化物系化合物半導体発光素子に光出力制御信号を出力する受光素子とを備える光集積素子であって、
前記窒化物系化合物半導体発光素子は、結晶欠陥密度が周囲より高い領域として、周期的な基板面上配列で基板を貫通している高密度欠陥領域を有する半導体結晶基板と、前記高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する、又は未貫通するように前記半導体結晶基板に設けられた孔とを備え、
前記積層構造から前記孔を介して光を漏れ出させ、
前記受光素子は前記孔内に設けられ、前記孔に入りこんだ光を受光することを特徴とする光集積素子。
【請求項３】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で周期的に点在していることを特徴とする請求項１又は２に記載の光集積素子。
【請求項４】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で正方形格子状、長方形格子状、及び六方格子状のいずれかの配置で点在していることを特徴とする請求項３に記載の光集積素子。
【請求項５】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で相互に離隔して平行に、かつ周期的に配置された線状の高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光集積素子。
【請求項６】
前記線状の高密度欠陥領域は、点状の高密度欠陥領域が相互に接して、又は断続して線状に配置されてなる高密度欠陥領域、又は高密度欠陥領域が連続して線状に延在してなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項５に記載の光集積素子。
【請求項７】
窒化物系化合物半導体の積層構造を備えた窒化物系化合物半導体発光素子と、前記窒化物系化合物半導体の積層構造から漏れ出た光を受光して、前記窒化物系化合物半導体発光素子に光出力制御信号を出力する受光素子とを備える光集積素子の作製方法であって、
高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する孔又は未貫通する孔を基板に設ける工程と、
前記基板上に前記積層構造を形成する工程と、
前記孔を塞ぐようにして前記基板上に前記受光素子を設ける工程とを有することを特徴とする光集積素子の作製方法。
【請求項８】
窒化物系化合物半導体の積層構造を備えた窒化物系化合物半導体発光素子と、前記積層構造から漏れ出た光を受光して、前記窒化物系化合物半導体発光素子に光出力制御信号を出力する受光素子とを備える光集積素子の作製方法であって、
高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する孔又は未貫通する孔を基板に設ける工程と、
前記基板上に前記積層構造を形成する工程と、
前記孔内に前記受光素子を設ける工程とを有することを特徴とする光集積素子の作製方法。
【請求項９】
前記高密度欠陥領域が、半導体結晶基板の基板面上で周期的に点在していることを特徴とする請求項７又は８に記載の光集積素子の作製方法。
【請求項１０】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で正方形格子状、長方形格子状、及び六方格子状のいずれかの配置で点在していることを特徴とする請求項９に記載の光集積素子の作製方法。
【請求項１１】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で相互に離隔して平行に、かつ周期的に配置された線状の高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項７又は８に記載の光集積素子の作製方法。
【請求項１２】
前記線状の高密度欠陥領域は、点状の高密度欠陥領域が相互に接して、又は断続して線状に配置されてなる高密度欠陥領域、又は高密度欠陥領域が連続して線状に延在してなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１１に記載の光集積素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶欠陥密度が周囲より高い領域として、周期的な基板面上配列で基板を貫通している高密度欠陥領域を有する半導体結晶基板上への、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体素子の実装方法であって、
前記高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する、又は未貫通するように孔を設け、次いで前記半導体結晶基板上に前記積層構造を形成し、チップ化して窒化物系化合物半導体素子を作製した後、当該窒化物系化合物半導体素子を基台上にダイボンディングする際、
前記窒化物系化合物半導体素子を前記基台上に位置決めするに当たり、前記窒化物系化合物半導体素子に光を照射して前記孔の位置を検出し、前記孔を位置決めマークとして使用することにより前記窒化物系化合物半導体素子を前記基台上に位置決めすることを特徴とする窒化物系化合物半導体素子の実装方法。
【請求項２】
前記窒化物系化合物半導体素子をダイボンディングする前記基台が、サブマウント又はヒートシンクであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体素子の実装方法。
【請求項３】
前記窒化物系化合物半導体素子が窒化物系半導体レーザ素子であり、前記基台が受光素子を面上に備えたフォトダイオード集積回路であって、
前記窒化物系半導体レーザ素子を前記フォトダイオード集積回路上に位置決めするに当たり、前記窒化物系半導体レーザ素子に光を照射して前記孔の位置を検出し、前記孔を位置決めマークとして使用して、前記窒化物系半導体レーザ素子を前記基台上の前記受光素子に対して位置決めすることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体素子の実装方法。
【請求項４】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で周期的に点在していることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体素子の実装方法。
【請求項５】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で正方形格子状、長方形格子状、及び六方格子状のいずれかの配置で点在していることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体素子の実装方法。
【請求項６】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で相互に離隔して平行に、かつ周期的に配置された線状の高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体素子の実装方法。
【請求項７】
前記線状の高密度欠陥領域は、点状の高密度欠陥領域が相互に接して、又は断続して線状に配置されてなる高密度欠陥領域、又は高密度欠陥領域が連続して線状に延在してなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系化合物半導体素子の実装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体素子であって、
前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
第１の電極が前記積層構造上の所定の位置に設けられ、
第２の電極が前記半導体結晶基板の裏面に設けられ、
前記高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する、又は未貫通するように設けられた孔に埋め込まれた第３の電極を備え、
前記第１の電極と前記第３の電極との間に電流を供給することにより素子特性を制御するようにしたことを特徴とする窒化物系化合物半導体素子。
【請求項２】
前記窒化物系化合物半導体素子が発光素子であって、前記第１の電極と前記第２の電極との間に駆動電流を印加し、かつ前記第１の電極と前記第３の電極との間に高周波電流を印加して、駆動電流に高周波電流を重畳させることにより前記発光素子のノイズを低減するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体素子。
【請求項３】
前記窒化物系化合物半導体素子が端面出射型の発光素子であって、出射端面に接して前記第３の電極を設け、前記第１の電極と前記第２の電極との間に駆動電流を、前記第１の電極と前記第３の電極との間に駆動電流より電流値の小さい小電流を供給して、前記第２の電極と前記第３の電極とをタンデム型の電極として機能させ、前記発光素子の光双安定性を高めるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系化合物半導体素子。
【請求項４】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で周期的に点在していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光集積素子。
【請求項５】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で正方形格子状、長方形格子状、及び六方格子状のいずれかの配置で点在していることを特徴とする請求項４に記載の光集積素子。
【請求項６】
前記高密度欠陥領域が、前記半導体結晶基板の基板面上で相互に離隔して平行に、かつ周期的に配置された線状の高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光集積素子。
【請求項７】
前記線状の高密度欠陥領域は、点状の高密度欠陥領域が相互に接して、又は断続して線状に配置されてなる高密度欠陥領域、又は高密度欠陥領域が連続して線状に延在してなる高密度欠陥領域であることを特徴とする請求項６に記載の光集積素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上にｃ軸配向の下部電極用酸化物超電導膜を形成し、パターニングした後に層間絶縁膜を形成し、下部電極用酸化物超電導膜上の層間絶縁膜の一部をエッチングし層間絶縁膜の孔明け部分を形成し、その後、障壁層用薄膜と、ｃ軸配向の上部電極用酸化物超電導膜とを形成して、基板に接合部を形成する酸化物超電導接合基板の製造方法。
【請求項２】
層間絶縁膜の孔明け部分を形成する際に下部電極用酸化物超電導膜の表面のエッチングを行ない、熱処理し、障壁層用薄膜を形成する請求項１に記載の酸化物超電導接合基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出射された光を伝送する送光用光ファイバと、該送光用光ファイバから出射された出射光を整形して検出光とし、該検出光を被検出物に照射し、該被検出物において反射された反射光を受光するレンズと、該反射光を受光して受光器に伝送する受光用光ファイバと、これらを固定収納する筐体とを備えた反射型光ファイバセンサユニットであって、
前記レンズの光軸と垂直な断面が直角四辺形状であり、前記レンズの前記送光用光ファイバから出射された出射光が入射される第１の面が球面または非球面の凸面であり、前記レンズの前記検出光が出射される第２の面が前記レンズの光軸と垂直な断面の一辺方向に曲率を有するシリンドリカル面であることを特徴とする反射型光ファイバセンサユニット。
【請求項２】
前記筐体は筒状であって、該筐体において、前記送光用光ファイバの出射端面および前記受光用光ファイバの入射端面と、前記レンズが配置される部分の前記レンズの第１の面側の端部との間の内壁面に山状または鋸状の凹凸面が形成されており、  前記レンズの光軸を境にして前記送光用光ファイバが配置されている側に形成された凹凸面の稜線が、前記レンズの光軸と角度３０°〜６０°をなして前記受光用光ファイバが配置されている側と反対側に傾いており、前記レンズの光軸を境にして前記受光用光ファイバが配置されている側に形成された凹凸面の稜線が、前記レンズの光軸と角度３０°〜６０°をなして前記送光用光ファイバが配置されている側と反対側に傾いていることを特徴とする請求項２ないし７のいずれかに記載の反射型光ファイバセンサユニット。
【請求項３】
光源から出射された光を伝送する送光用光ファイバと、該送光用光ファイバから出射された出射光を整形して検出光とし、該検出光を被検出物に照射し、該被検出物において反射された反射光を受光するレンズと、該反射光を受光して受光器に伝送する受光用光ファイバと、これらを固定収納する筐体とを備えた反射型光ファイバセンサユニットであって、
前記レンズは、その光軸と垂直な断面が直角四辺形状であり、前記レンズから出射される検出光の光量分布が、該検出光の照射領域において、光軸と垂直な断面の一辺方向の端部における光量が中央部における光量よりも多い分布となるように前記送光用光ファイバから出射された出射光を整形する機能を有することを特徴とする反射型光ファイバセンサユニット。
【請求項４】
光ファイバと、該光ファイバの一端に配置され、光ファイバから出射する光又は光ファイバに入射する光の光路上に位置するレンズと、これらを固定収納する筐体とを備えた光ファイバユニットであって、
前記レンズは、その光軸と垂直な断面が直角四辺形状であり、光ファイバから出射された出射光をレンズに入射させた場合に、前記レンズから出射される光の光量分布を、該光の照射領域において、光軸と垂直な断面の一辺方向の端部における光量が中央部における光量よりも多い分布となるように整形する機能を有することを特徴とする光ファイバユニット。
【請求項５】
光ファイバと、該光ファイバの一端に配置されたレンズと、これらを固定収納する筐体とを備えた光ファイバユニットであって、
前記レンズは、その光軸と垂直な断面が直角四辺形状であり、前記レンズの光ファイバの端面に対向する第１の面が球面または非球面の凸面であり、前記レンズの前記第１の面に対向する第２の面が前記レンズの光軸と垂直な断面の一辺方向に曲率を有するシリンドリカル面であり、前記第１の面及び第２の面は、光ファイバから出射する光又は光ファイバに入射する光の光路上に位置していることを特徴とする光ファイバユニット。