(57)【要約】  光センサを画素内に有する画像取り込み機能付きの表示装置であって、特に、消費電力を抑制しつつ画像取り込みが可能な表示装置である。アクティブマトリクス基板の画素領域に設けられた光センサおよびセンサ配線と、前記光センサを１行ずつ選択するセンサロウドライバと、選択された行の光センサから信号電荷を読み出すセンサ画素読み出し回路と、前記光センサの各列に対応する数のアンプを備え、センサ出力電圧を生成するセンサカラムアンプと、前記センサ画素読み出し回路で読み出された信号電荷を１列ずつ選択して前記センサカラムアンプへ出力させるセンサカラム走査回路と、前記センサカラムアンプ（４２）の後段に設けられたバッファアンプ（６）とを備え、前記センサカラムアンプ（４２）または前記バッファアンプ（６）に、スタンバイ信号に従って当該アンプの後段への出力を抑制するスタンバイ切替回路を備える。
2008047677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス基板を備えた表示装置であって、
前記アクティブマトリクス基板の画素領域に設けられた光センサと、
前記光センサの配置に応じてマトリクス状に設けられたセンサ配線と、
前記センサ配線に接続され、前記光センサを１行ずつ選択するセンサロウドライバと、
前記センサロウドライバにより選択された行の光センサから信号電荷を読み出すセンサ画素読み出し回路と、
前記光センサの各列に対応する数のアンプを備え、前記信号電荷に応じたセンサ出力電圧を生成するセンサカラムアンプと、
前記センサ画素読み出し回路で読み出された信号電荷を、１列ずつ選択して前記センサカラムアンプへ出力させるセンサカラム走査回路と、
前記センサカラムアンプの後段に設けられたバッファアンプとを備え、
前記センサカラムアンプまたは前記バッファアンプに、スタンバイ信号に従って当該アンプの後段への出力を抑制するスタンバイ切替回路を備えた表示装置。
【請求項２】
前記センサカラムアンプがバイアストランジスタを含み、
前記スタンバイ切替回路が、前記バイアストランジスタのゲートへの供給電圧を切り替える、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記バッファアンプがバイアストランジスタを含み、
前記スタンバイ切替回路が、前記バイアストランジスタのゲートへの供給電圧を切り替える、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記センサカラム走査回路が、前記光センサの列をインタレース走査する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記センサカラム走査回路が、前記光センサの列を多相駆動する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に挟持された液晶とをさらに備えた、請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光センサを画素内に有する画像取り込み機能付きの表示装置に関し、特に、消費電力を抑制しつつ画像取り込みが可能な表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えばフォトダイオード等の光センサを画素内に備えたことにより、ディスプレイに近接した物体の画像を取り込むことが可能な、画像取り込み機能付の表示装置が提案されている。このような画像取り込み機能付き表示装置は、双方向通信用表示装置や、タッチパネル機能付き表示装置としての利用が想定されている。【０００３】
従来の画像取り込み機能付き表示装置では、アクティブマトリクス基板において、信号線および走査線、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、画素電極等の周知の構成要素を半導体プロセスによって形成する際に、同時に、フォトダイオードを画素内に作り込む（例えば、特開２００６−３８５７号公報、および、“Ａ  Ｔｏｕｃｈ  Ｐａｎｅｌ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ＬＣＤ  Ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ  ＬＴＰＳ  Ａ/Ｄ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ”，  Ｔ．Ｎａｋａｍｕｒａ等，  ＳＩＤ  ０５  ＤＩＧＥＳＴ，  ｐｐ１０５４−１０５５，  ２００５を参照）。【０００４】
上記した従来の画像取り込み機能付き表示装置では、画素内に設けられた光センサから信号電荷を読み出すために、表示用画素を駆動するための信号線および走査線とは別に、光センサの配置に応じてマトリクス状に形成された光センサ用の配線と、この配線に駆動信号を供給するための光センサ用駆動回路とを備えている。また、光センサから読み出した信号を、信号処理回路へ順次出力するためのバッファ回路が必要とされる。【０００５】
上記した従来の画像取り込み機能付き表示装置では、全ての光センサから出力された信号電荷を光センサ用駆動回路とバッファ回路とで処理するため、光センサ用駆動回路とバッファ回路における消費電力が大きいという問題があった。
【発明の開示】
【０００６】
そこで、本発明は、上記の課題を鑑み、光センサを画素内に有する画像取り込み機能付きの表示装置であって、特に、消費電力を抑制しつつ画像取り込みが可能な表示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するために、アクティブマトリクス基板を備えた表示装置であって、前記アクティブマトリクス基板の画素領域に設けられた光センサと、前記光センサの配置に応じてマトリクス状に設けられたセンサ配線と、前記センサ配線に接続され、前記光センサを１行ずつ選択するセンサロウドライバと、前記センサロウドライバにより選択された行の光センサから信号電荷を読み出すセンサ画素読み出し回路と、前記光センサの各列に対応する数のアンプを備え、前記信号電荷に応じたセンサ出力電圧を生成するセンサカラムアンプと、前記センサ画素読み出し回路で読み出された信号電荷を、１列ずつ選択して前記センサカラムアンプへ出力させるセンサカラム走査回路と、前記センサカラムアンプの後段に設けられたバッファアンプとを備え、前記センサカラムアンプまたは前記バッファアンプに、スタンバイ信号に従って当該アンプの後段への出力を抑制するスタンバイ切替回路を備えたことを特徴とする。
【０００８】
上記の構成によれば、スタンバイモードの場合は、スタンバイ信号に従って、前記センサカラムアンプまたは前記バッファアンプにおいて当該アンプの後段への出力を抑制することにより、これらのアンプにおける消費電力を抑制することができる。
【０００９】
上記の表示装置は、例えば、前記センサカラムアンプがバイアストランジスタを含み、前記スタンバイ切替回路が、前記バイアストランジスタのゲートへの供給電圧を切り替える構成であっても良いし、前記バッファアンプがバイアストランジスタを含み、前記スタンバイ切替回路が、前記バイアストランジスタのゲートへの供給電圧を切り替える構成であっても良い。
【００１０】
前記センサカラム走査回路は、前記光センサの列をインタレース走査するものであっても良いし、前記光センサの列を多相駆動する構成であっても良い。
【００１１】
また、本発明にかかる表示装置は、前記アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に挟持された液晶とをさらに備えた構成とすることができる。
【００１２】
以上のとおり、本発明によれば、光センサを画素内に有する画像取り込み機能付きの表示装置であって、特に、消費電力を抑制しつつ画像取り込みが可能な表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態にかかる表示装置における一画素の構成を示す等価回路図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態にかかる表示装置が備えるセンサロウドライバの内部構成を示す回路図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態にかかる表示装置が備える光センサの構成を示す回路図である。
【図５】図５は、発明の一実施形態にかかる表示装置が備える光センサの駆動信号と光センサからの出力との関係を示す波形図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態にかかる表示装置が備えるセンサ画素読み出し回路の構成を示す回路図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態にかかる表示装置が備える光センサの駆動信号とセンサ画素読み出し回路の出力との関係を示す波形図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態にかかる表示装置が備えるセンサカラムアンプの構成例を示す回路図である。
【図９】図９は、本発明の一実施形態にかかる表示装置が備える光センサの駆動信号とセンサカラム走査回路の信号との関係を示す波形図である。
【図１０】図１０は、本発明の一実施形態にかかる表示装置が備えるバッファアンプの構成例を示す回路図である。
【図１１】図１１は、図１０に示したバッファアンプを用いる場合のセンサカラムアンプの構成例を示す回路図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態は、本発明にかかる表示装置を液晶表示装置として実施する場合の構成例を示したものであるが、本発明にかかる表示装置は液晶表示装置に限定されず、アクティブマトリクス基板を用いる任意の表示装置に適用可能である。なお、本発明にかかる表示装置は、画像取り込み機能を有することにより、画面に近接する物体を検知して入力操作を行うタッチパネル付き表示装置や、表示機能と撮像機能とを具備した双方向通信用表示装置等としての利用が想定される。【００１５】
また、以下で参照する各図は、説明の便宜上、本発明の実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。従って、本発明にかかる表示装置は、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。【００１６】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置が備えるアクティブマトリクス基板１００の概略構成を示すブロック図である。図１に示すように、アクティブマトリクス基板１００は、ガラス基板上に、画素領域１、ディスプレイゲートドライバ２、ディスプレイソースドライバ３、センサカラム（ｃｏｌｕｍｎ）ドライバ４、センサロウ（ｒｏｗ）ドライバ５、バッファアンプ６、ＦＰＣコネクタ７を少なくとも備えている。また、ＦＰＣコネクタ７およびＦＰＣ（図示省略）を介して、画素領域１内の光センサ（後述）で取り込まれた画像信号を処理するための信号処理回路８が接続されている。【００１７】
なお、アクティブマトリクス基板１００上の上記の構成部材は、半導体プロセスによってガラス基板上にモノリシックに形成することも可能である。あるいは、上記の構成部材のうちのドライバ類を、例えばＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）技術等によってガラス基板上に実装した構成としても良い。アクティブマトリクス基板１００は、全面に対向電極が形成された対向基板（図示せず）と貼り合わされ、その間隙に液晶材料が封入される。【００１８】
画素領域１は、画像を表示するために、複数の画素が形成された領域である。本実施形態では、画素領域１における各画素内には、画像を取り込むための光センサが設けられている。図２は、アクティブマトリクス基板１００の画素領域１における画素と光センサとの配置を示す等価回路図である。図２の例では、１つの画素が、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の絵素によって形成され、この３絵素で構成される１つの画素内に、１つの光センサが設けられている。画素領域１は、Ｍ行×Ｎ列のマトリクス状に配置された画素と、同じくＭ行×Ｎ列のマトリクス状に配置された光センサとを有する。なお、上述のとおり、絵素数は、Ｍ×３Ｎである。【００１９】
このため、図２に示すように、画素領域１は、画素用の配線として、マトリクス状に配置されたゲート線ＧＬおよびソース線ＣＯＬを有している。ゲート線ＧＬは、ディスプレイゲートドライバ２に接続されている。ソース線ＣＯＬは、ディスプレイソースドライバ３に接続されている。なお、ゲート線ＧＬは、画素領域１内にＭ行設けられている。以下、個々のゲート線ＧＬを区別して説明する必要がある場合は、ＧＬｉ（ｉ＝１〜Ｍ）のように表記する。一方、ソース線ＣＯＬは、上述のとおり、１つの画素内の３絵素にそれぞれ画像データを供給するために、１画素につき３本ずつ設けられている。ソース線ＣＯＬを個々に区別して説明する必要がある場合は、ＣＯＬｒｊ，ＣＯＬｇｊ，ＣＯＬｂｊ（ｊ＝１〜Ｎ）のように表記する。【００２０】
ゲート線ＧＬとソース線ＣＯＬとの交点には、画素用のスイッチング素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｍ１が設けられている。なお、図２では、赤色、緑色、青色のそれぞれの絵素に設けられている薄膜トランジスタＭ１を、Ｍ１ｒ，Ｍ１ｇ，Ｍ１ｂと表記している。薄膜トランジスタＭ１のゲート電極はゲート線ＧＬへ、ソース電極はソース線ＣＯＬへ、ドレイン電極は図示しない画素電極へ、それぞれ接続されている。これにより、図２に示すように、薄膜トランジスタＭ１のドレイン電極と対向電極（ＶＣＯＭ）との間に液晶容量ＬＣが形成される。また、液晶容量ＬＣと並列に補助容量ＬＳが形成されている。【００２１】
図２において、１本のゲート線ＧＬｉと１本のソース線ＣＯＬｒｊとの交点に接続された薄膜トランジスタＭ１ｒによって駆動される絵素は、この絵素に対応するように赤色のカラーフィルタが設けられ、ソース線ＣＯＬｒｊを介してディスプレイソースドライバ３から赤色の画像データが供給されることにより、赤色の絵素として機能する。また、ゲート線ＧＬｉとソース線ＣＯＬｇｊとの交点に接続された薄膜トランジスタＭ１ｇによって駆動される絵素は、この絵素に対応するように緑色のカラーフィルタが設けられ、ソース線ＣＯＬｇｊを介してディスプレイソースドライバ３から緑色の画像データが供給されることにより、緑色の絵素として機能する。さらに、ゲート線ＧＬｉとソース線ＣＯＬｂｊとの交点に接続された薄膜トランジスタＭ１ｂによって駆動される絵素は、この絵素に対応するように青色のカラーフィルタが設けられ、ソース線ＣＯＬｂｊを介してディスプレイソースドライバ３から青色の画像データが供給されることにより、青色の絵素として機能する。【００２２】
なお、図２の例では、光センサは、画素領域１において、１画素（３絵素）に１つの割合で設けられている。ただし、画素と光センサの配置割合は、この例のみに限定されず、任意である。例えば、１絵素につき１つの光センサが配置されていても良いし、複数画素に対して１つの光センサが配置された構成であっても良い。【００２３】
光センサは、図２に示すように、フォトダイオードＤ１、コンデンサＣ１、トランジスタＭ２〜Ｍ４から構成される。図２の例では、ソース線ＣＯＬに平行に、センサカラムドライバ４から定電圧ＶＳＳ，ＶＤＤを光センサへ供給するための配線ＶＳＳ，ＶＤＤが形成されている。また、同じくソース線ＣＯＬに平行に、光センサ出力ＶＳＯＵＴを出力するための配線ＯＵＴが形成されている。配線ＯＵＴは、センサカラムドライバ４のセンサ画素読み出し回路４１に接続されている。これらの配線ＶＳＳ，ＶＳＤ，ＯＵＴは、１列毎に設けられているので、以降、各配線を区別する必要がある場合は、ＶＳＳｊ，ＶＳＤｊ，ＯＵＴｊ（ｊ＝１〜Ｎ）のように表記する。【００２４】
また、光センサのトランジスタＭ４には、リセット信号を供給するための配線ＲＳＴが接続されている。トランジスタＭ３には、読み出し信号を供給するための配線ＲＷＳが接続されている。配線ＲＳＴ，ＲＷＳは、センサロウドライバ５に接続されている。これらの配線ＲＳＴ，ＲＷＳは１行毎に設けられているので、以降、各配線を区別する必要がある場合は、ＲＳＴｉ，ＲＷＳｉ（ｉ＝１〜Ｍ）のように表記する。【００２５】
センサカラムドライバ４は、図１に示すように、センサ画素読み出し回路４１と、センサカラムアンプ４２と、センサカラム走査回路４３とを含む。センサ画素読み出し回路４１には、画素領域１から光センサ出力ＶＳＯＵＴを出力する配線ＳＯＵＴが接続されている。図１において、配線ＳＯＵＴｊ（ｊ＝１〜Ｎ）により出力される光センサ出力を、ＶＳＯＵＴｊと表記している。センサ画素読み出し回路４１は、光センサ出力ＶＳＯＵＴｊのピークホールド電圧ＶＳｊを、センサカラムアンプ４２へ出力する。センサカラムアンプ４２は、画素領域１のＮ列の光センサにそれぞれ対応するＮ個のカラムアンプを内蔵しており、個々のカラムアンプでピークホールド電圧ＶＳｊ（ｊ＝１〜Ｎ）を増幅し、ＶＣＯＵＴとしてバッファアンプ６へ出力する。センサカラム走査回路４３は、センサカラムアンプ４２のカラムアンプをバッファアンプ６への出力へ順次接続するために、カラムセレクト信号ＣＳｊ（ｊ＝１〜Ｎ）を、センサカラムアンプ４２へ出力する。【００２６】
ここで、センサロウドライバ５の内部構成の一例について、図３を参照しながら説明する。図３に示す構成にかかるセンサロウドライバ５は、シフトレジスタからなるセンサロウ走査回路５２と、センサロウレベルシフタ５１とを備えている。センサロウ走査回路５２は、所定の時間間隔ｔｒｏｗにより、図２に示した配線ＲＳＴｉ、ＲＷＳｉを順次選択していく。これにより、画素領域１において信号電荷を読み出すべき光センサの行（ｒｏｗ）が順次選択される。【００２７】
ここで、画素領域１からの光センサ出力の読み出しについて、図４〜図７を参照しながら説明する。図４および図５に示すように、光センサは、リセット信号ＲＳＴがトランジスタＭ４へ印加されたときの初期電圧ＶＩＮＴから、フォトダイオードＤ１における受光量に応じて電圧が徐々に低下し、読み出し信号ＲＷＳがＯＮになったときに、光センサ出力ＶＳＯＵＴが読み出される。なお、図４に示すトランジスタＭ５は、各列の最後に設けられている。【００２８】
図６に示すように、読み出し信号ＲＷＳがＯＮ（ハイレベル）になったとき、トランジスタＭ３が導通することにより、トランジスタＭ２，Ｍ５によりソースフォロアアンプが形成され、光センサ出力ＶＳＯＵＴがサンプルキャパシタＣＳＡＭに蓄積される。読み出し信号ＲＷＳがＯＦＦ（ローレベル）になった後も、その行の選択期間（ｔｒｏｗ）中、センサ画素読み出し回路４１からの出力電圧ＶＳは、図７に示すように、光センサ出力ＶＳＯＵＴのピーク値と等しいレベルに保持される。【００２９】
次に、センサカラムアンプ４２の動作について、図８および図９を参照しながら説明する。センサカラムアンプ４２には、図８に示すように、センサ画素読み出し回路４１から、各列の出力電圧ＶＳｊ（ｊ＝１〜Ｎ）が、Ｎ個のカラムアンプへ入力される。図８に示すように、出力電圧ＶＳｊが入力される１つのカラムアンプは、トランジスタＭ６，Ｍ７から構成されている。センサカラム走査回路４３によって生成されるカラムセレクト信号ＣＳｊが、図９に示すように、１つの行の選択期間（ｔｒｏｗ）中に、Ｎ列のカラムのそれぞれに対して順次ＯＮとなることにより、センサカラムアンプ４２中のＮ個のカラムアンプのうちいずれか１つのみのトランジスタＭ６がＯＮとなり、そのトランジスタＭ６を介して、各列の出力電圧ＶＳｊ（ｊ＝１〜Ｎ）のいずれかのみが、センサカラムアンプ４２からの出力ＶＣＯＵＴとしてバッファアンプ６へ出力される。【００３０】
ただし、図８に示すように、センサカラムアンプ４２において、トランジスタＭ６とバッファアンプへの出力端との間に、カラムソースフォロアバイアストランジスタＭ８が接続されている。カラムソースフォロアバイアストランジスタＭ８は、バッファアンプ６の近傍に、全カラム（列）に共通に設けられている。トランジスタＭ６，Ｍ７，Ｍ８は、ソースフォロアアンプを構成する。また、センサカラムアンプ４２内には、カラムソースフォロアバイアストランジスタＭ８への供給電圧をスタンバイ信号ＳＴＢに従って切り替えるスタンバイ切替回路が設けられている。このスタンバイ切替回路は、スタンバイ信号ＳＴＢに従うスイッチの切替によって、スタンバイ信号ＳＴＢがハイレベル（スタンバイＯＮ）の場合はカラムソースフォロアバイアストランジスタＭ８のゲートへ定電圧ＶＤＤＡを印加し、スタンバイ信号ＳＴＢがローレベル（スタンバイＯＦＦ）の場合はカラムソースフォロアバイアストランジスタＭ８のゲートへバイアス電圧ＶＢ１を印加するように構成されている。【００３１】
スタンバイモードの場合、スタンバイ信号ＳＴＢがハイレベルにセットされることにより、スイッチＳ１が閉じ、スイッチＳ２が開く。このとき、カラムソースフォロアバイアストランジスタＭ８のゲートへ定電圧ＶＤＤＡが印加されるので、カラムソースフォロアバイアストランジスタＭ８はオフになる。カラムソースフォロアバイアストランジスタＭ８がオフになると、センサカラムアンプ４２中を電流が流れないので、電力消費は発生しない。一方、非スタンバイモードでは、スタンバイ信号ＳＴＢがローレベルにセットされることにより、スイッチＳ１が開き、スイッチＳ２が閉じる。このとき、参照バイアス電圧ＶＢ１が、カラムソースフォロアバイアストランジスタＭ８のゲートへ印加される。これにより、センサカラムアンプ４２は非スタンバイモードで動作し、バッファアンプ６へＶＣＯＵＴを出力する。バッファアンプ６は、センサカラムアンプ４２から出力されたＶＣＯＵＴをさらに増幅し、ＶＯＵＴとして信号処理回路８へ出力する。以上のとおり、スタンバイ信号ＳＴＢをハイレベルにセットすることにより、センサカラムアンプ４２における消費電力を低減することができる。【００３２】
信号処理回路８では、ＶＯＵＴとして出力される光センサ画像を取得し、スタンバイ信号ＳＴＢの切り替え制御を行う。すなわち、画素領域１には、Ｍ×Ｎ個の光センサが存在するので、これらの光センサから、Ｍ×Ｎ個のセンサ画素値がＶＯＵＴから得られる。信号処理回路８は、Ｍ×Ｎ個のＶＯＵＴをそれぞれＡＤ変換し、得られたセンサ画素値を所定の閾値と比較し、閾値を越えたセンサ画素値の数が所定の数を超えない場合は、表示装置の画面の近傍に物体がないと判断し、消費電力を低減するために、スタンバイ信号ＳＴＢをハイレベル（スタンバイＯＮ）に維持する。一方、閾値を越えたセンサ画素値の数が所定の数を超えた場合は、表示装置の画面に何らかの物体が近接したものと判断し、より高解像度で物体画像を取得するために、信号処理回路８は、スタンバイ信号ＳＴＢをローレベル（スタンバイＯＦＦ）に切り替える。なお、スタンバイ信号ＳＴＢの切り替えは、この例に限らず、これ以外の種々の基準で切り替えを行うように構成し得る。【００３３】
［第２の実施形態］
上述の第１の実施形態として、センサカラムアンプ４２内にスタンバイ切替回路が設けられた構成を例示した。これに対して、第２の実施形態にかかる表示装置は、図１０に示すように、センサカラムアンプ４２の代わりにセンサカラムアンプ４２ａを備えると共に、バッファアンプ６の代わりにスタンバイ切替回路を有するバッファアンプ６ａを備えた構成である。なお、図１１に示すように、センサカラムアンプ４２ａは、スタンバイ切替回路を有しない点において、第１の実施形態のセンサカラムアンプ４２と異なっている。【００３４】
図１０に示すように、バッファアンプ６には、スタンバイ信号ＳＴＢがハイレベル（スタンバイＯＮ）の場合にバイアストランジスタＭ１１，Ｍ９へ定電圧ＶＳＳＡを供給し、スタンバイ信号ＳＴＢがローレベル（スタンバイＯＦＦ）の場合にバイアストランジスタＭ１１，Ｍ９へ参照バイアス電圧ＶＢ２を供給するようスイッチングするスタンバイ切替回路が設けられている。【００３５】
スタンバイモードの場合、スタンバイ信号ＳＴＢがハイレベルにセットされることにより、スイッチＳ３が閉じ、スイッチＳ４が開く。このとき、バイアストランジスタＭ１１，Ｍ９のゲートへ定電圧ＶＳＳＡが印加され、バイアストランジスタＭ１１，Ｍ９はオフになる。バイアストランジスタＭ１１，Ｍ９がオフになると、バッファアンプ６ａ中を電流が流れないので、電力消費は発生しない。一方、非スタンバイモードでは、スタンバイ信号ＳＴＢがローレベルにセットされることにより、スイッチＳ３が開き、スイッチＳ４が閉じる。このとき、参照バイアス電圧ＶＢ２が、バイアストランジスタＭ１１，Ｍ９のゲートへ印加される。これにより、バッファアンプ６ａは非スタンバイモードで動作し、信号処理回路８へＶＯＵＴを出力する。以上のとおり、スタンバイ信号ＳＴＢをハイレベルにセットすることにより、バッファアンプ６ａにおける消費電力を低減することができる。【００３６】
なお、上記の第１または第２の実施形態において、センサカラム走査回路４３が、光センサの列を１列ずつ走査するようにしても良いし、光センサの列をインタレース走査する構成としても良い。また、センサカラム走査回路４３が、例えば４相等の多相駆動走査回路として形成されていても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、光センサを画素内に有する画像取り込み機能付きの表示装置であって、特に、消費電力を抑制しつつ画像取り込みが可能な表示装置として、産業上利用可能である。
【図１】
2008047677.tif 000003
【図２】
2008047677.tif 000004
【図３】
2008047677.tif 000005
【図４】
2008047677.tif 000006
【図５】
2008047677.tif 000007
【図６】
2008047677.tif 000008
【図７】
2008047677.tif 000009
【図８】
2008047677.tif 000010
【図９】
2008047677.tif 000011
【図１０】
2008047677.tif 000012
【図１１】
2008047677.tif 000013
【国際調査報告】
2008047677.tif 000014
2008047677.tif 000015
2008047677.tif 000016
2008047677.tif 000017