【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
請求項１８に記載の電子装置において、
前記第１電子部品は、配線基板と、回路が内蔵された半導体チップであって、前記配線基板の一主面に配置された半導体チップと、前記配線基板の一主面と対向する他の主面側に配置された前記複数の第１突起状電極とを有する半導体装置であり、
前記第２電子部品は、回路が内蔵された半導体チップであることを特徴とする電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
スタッドバンプ７は、保護膜２４に形成された開口を通して、この開口の底に配置された接続部２２ａと接続されている。即ち、スタッドバンプ７は、配線基板２の一主面２Ｘから深さ方向に向かってその一主面２Ｘよりも深い位置に配置された接続部２２ａと接続されている。このように、配線基板２の一主面よりも深い位置に接続部２２ａを配置することにより、配線基板２の一主面２Ｘから接続部２２ａまでの深さに相当する分、配線基板２の一主面２Ｘと半導体チップ３の一主面３Ｘとの間における異方導電性樹脂９の体積を小さくすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
次に、図１０に示すように、半導体チップ４を実装する前に、配線基板４０の一主面の複数ある基板形成領域４１の夫々のチップ実装領域４３に一括して半導体チップ４を実装する。半導体チップ４の実装は、チップ実装領域４３に配置された接続部２３ａに例えばスクリーン印刷法でフラックスを供給し、その後、接続部２３ａ上に半田バンプ８が位置するように複数ある基板形成領域４１の夫々のチップ実装領域４３上に半導体チップ４を配置し、その後、配線基板４０を例えば赤外線リフロー炉に搬送して半田バンプ８を溶融し、その後、溶融した半田バンプ８を凝固させることによって行われる。本実施形態の半田バンプ８は、約２３０℃程度の融点を有すＳｎ−１％Ａｇ−０．５％Ｃｕ組成の金属材で形成されているため、半田バンプ８の溶融は、パッケージ表面温度（基板表面温度）が約２６０℃程度のリフロー温度条件下で行われる。フラックスは、松脂、活性剤及び有機溶剤等を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
ＣＳＰ型半導体装置６０は、配線基板６１と、配線基板６１の一主面側に配置された半導体チップ６４と、半導体チップの一主面に配置された電極パッド６５と配線基板６１の一主面に配置された電極パッド６２とを電気的に接続するボンディングワイヤ６６と、半導体チップ６４及びボンディングワイヤ６６を封止する樹脂封止体６７と、配線基板６１の一主面と対向する他の主面（裏面）側に突起状電極として配置された複数の半田バンプ６８とを有する構成になっている。ＣＳＰ型半導体装置６０は、半導体チップ４と同様に、半田バンプ６８を溶融することによって配線基板２に実装される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
次に、図１８に示すように、配線基板４０の一主面の複数ある基板形成領域４１の夫々のチップ実装領域４２に配置された接続部２２ａ上に、例えばディスペンス法でペースト状の接合材５２を供給する。接合材５２としては、半導体チップ３のスタッドバンプ７よりも融点が低く、半導体チップ４の半田バンプ８より融点が高い半田ペースト材を用いる。半田ペースト材としては、少なくとも微小な半田粒子とフラックスとを混練した半田ペースト材を用いる。本実施形態では、例えば３００℃程度の融点を有する９８［ｗｔ％］Ｐｂ（鉛）−２［ｗｔ％］Ｓｎ（錫）組成の半田粒子を混練した半田ペースト材を用いた。本実施形態のスタッドバンプ７及び半田バンプ８は、前述の実施形態１と同様の材料で形成されている。ディスペンス法とは、半田ペースト材を細いノズルから突出させて塗布する方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
次に、配線基板４０を例えば赤外線リフロー炉に搬送して半田バンプ８を溶融し、その後、溶融した半田バンプ８を凝固させる。これにより、図２２に示すように、配線基板４０の一主面の複数ある基板形成領域４１の夫々のチップ実装領域４３に半導体チップ４が実装される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
次に、図２３に示すように、配線基板４０の一主面のチップ実装領域４２と半導体チップ３との間の間隙領域、並びに配線基板４０の一主面のチップ実装領域４３と半導体チップ４との間の間隙領域にアンダーフィル樹脂１０を充填する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
また、本実施形態では、接続部２２ａにペースト状の接合材５２をディスペンス法で供給する例に付いて説明したが、接続部２２ａに予め固体状の接合材が形成された配線基板を用いて製造してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
本実施形態では、半導体チップ（スタッドバンプ実装用半導体チップ）３の実装時において、半導体チップをコレット５３で押さえた状態でおこなっているため、電極パッドの配列ピッチが狭い半導体チップ３であっても、位置ずれを起こすことなく実装することが出来る。また、半導体チップ４の実装時において、半導体チップ４の温度が半導体チップ３の温度よりも高くなるように、更には、半導体チップ３の温度が接合材５２の融点よりも高くならないように、半導体チップ４をコレット５４で選択的に加熱しているため、接合材５２を溶融することなく半導体チップ４を実装することができる。この結果、ＭＣＭの歩留まりの向上を図ることが出来る。また、このようにすることで、接合材５２として、半田バンプ８と同じ融点、若しくは半田バンプ８よりも低い融点のものを採用することも可能となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2003007960.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2003007960.tif 000002
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2003007960.tif 000003
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
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【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２４】
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【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
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【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
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