Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月27日(2005.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a) 透明基板と、
(b) 該基板上に設けられた透明導電性材料でできたアノードと、
(c) 該アノード上に設けられた電場発光材料を含有する発光層と、
(d) 該発光層上に設けられた電子輸送層及び該電子輸送層上に設けられた低吸収性極薄電子注入層と、
(e) 該低吸収性極薄電子注入層上に設けられた、半金属、金属、合金又は金属間化合物を含む中間層と、
(f) 該中間層上に設けられた反射性材料層と
を含んで成り、そして
(g) 該中間層の厚さを、該中間層を設けなかった場合の対応デバイスと比較してコントラストが高くなるように選定した
ことを特徴とするコントラストの高い有機発光ダイオードデバイス。
【請求項２】
(a) 透明基板と、
(b) 該基板上に設けられた透明導電性材料でできたアノードと、
(c) 該アノード上に設けられた正孔注入層及び正孔輸送層と、
(d) 該正孔輸送層上に設けられた電場発光材料を含有する発光層と、
(e) 該発光層上に設けられた電子輸送層と、
(f) 該電子輸送層上に設けられた低吸収性極薄電子注入層と、
(g) 該低吸収性極薄電子注入層上に設けられた、半金属、金属、合金又は金属間化合物を含む中間層と、
(h) 該中間層上に設けられた反射性材料層と
を含んで成り、そして
(i) 該中間層の厚さを、該中間層を設けなかった場合の対応デバイスと比較してコントラストが高くなるように選定した
ことを特徴とするコントラストの高い有機発光ダイオードデバイス。
【請求項３】
(a) 透明基板と、
(b) 該基板上に設けられた透明導電性材料でできたアノードと、
(c) 該基板上に設けられた電場発光材料を含有する発光層と、
(d) 該発光層上に設けられた、半金属、金属、合金又は金属間化合物を含む中間層と、
(e) 該中間層上に設けられた反射性材料層と
を含んで成り、そして
(f) 該反射性材料層と該発光層との間に電子注入関係を提供するために十分に移動する電子注入性ドーパントを該反射性材料層にドープし、かつ、該中間層の厚さを、該中間層を設けなかった場合の対応デバイスと比較してコントラストが高くなるように選定した
ことを特徴とするコントラストの高い有機発光ダイオードデバイス。
【請求項４】
(a) 透明基板と、
(b) 該基板上に設けられた透明導電性材料でできたアノードと、
(c) 該アノード上に設けられた正孔注入層及び正孔輸送層と、
(d) 該正孔輸送層上に設けられた電場発光材料を含有する発光層と、
(e) 該発光層上に設けられた電子輸送層と、
(f) 該電子輸送層上に設けられた、半金属、金属、合金又は金属間化合物を含む中間層と、
(g) 該中間層上に設けられた反射性材料層と
を含んで成り、そして
(h) 該反射性材料層と該発光層との間に電子注入関係を提供するために十分に移動する電子注入性ドーパントを該反射性材料層にドープし、かつ、該中間層の厚さを、該中間層を設けなかった場合の対応デバイスと比較してコントラストが高くなるように選定した
ことを特徴とするコントラストの高い有機発光ダイオードデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機化合物からなる分散粒子と、分散媒とからなる組成物をノズルから不活性ガスで噴射させて、電極上に有機化合物を含む膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
有機化合物からなる分散粒子と、分散媒とからなる組成物をノズルから不活性ガスで噴射させ、噴射された前記組成物をノズルと電極上との間に配置されたマスクの開口部を通過させて、前記電極上に有機化合物を含む膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
有機化合物からなる分散粒子と、分散媒とからなる組成物を吐出し、吐出した前記組成物をノズルと基板の間で帯電させて、前記基板上に設けられた電極上に有機化合物を含む膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３において、前記分散媒は流動性を有する液体であり、前記分散媒中に有機化合物がコロイド粒子として分散していることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記分散媒としては、アルコール類、トルエン、水から選ばれた１種または複数種を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
液体に有機化合物を溶解させた組成物をノズルから不活性ガスで噴射させて、電極上に有機化合物を含む膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
液体に有機化合物を溶解させた組成物をノズルから不活性ガスで噴射させ、噴射された前記組成物をノズルと電極上との間に配置されたマスクの開口部を通過させて、電極上に有機化合物を含む膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
液体に有機化合物を溶解させた組成物を吐出し、吐出した前記組成物をノズルと基板の間で帯電させて、前記基板上に設けられた電極上に有機化合物を含む膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８において、前記組成物は流動性を有する液体であり、前記液体中に有機化合物の少なくとも一部が溶解していることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一において、前記液体としては、アルコール類、トルエン、水から選ばれた１種または複数種を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記有機化合物は、キナクリドン、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、バソキュプロインから選ばれた一種または複数種を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記有機化合物は、ポリ（１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（１，４−ナフタレンビニレン）、ポリ（２−フェニル−１，４−フェニレンビニレン）、ポリチオフェン、ポリ（３−フェニルチオフェン）、ポリ（１，４−フェニレン）、ポリ（２，７−フルオレン）から選ばれた一種または複数種を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
この状態でＴＦＴが完成する。本実施の形態において発光装置の画素部には、図３（Ｃ）に示すようにスイッチング用ＴＦＴ４０１及び電流制御用ＴＦＴ４０２が形成され、同時に消去用ＴＦＴ（ここでは図示しない）も同時に形成される。なお、消去用ＴＦＴのゲート電極は、スイッチング用ＴＦＴ４０１のゲート電極を形成するゲート配線とは異なるゲート配線の一部により形成されている。なお、本実施例では、これらのＴＦＴは全てｐチャネル型ＴＦＴで形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図５（Ｂ）において、陽極３２２上に有機化合物層３２７のみが設けられ、有機化合物層３２７上には陰極３２６が設けられた発光素子である。この場合、２−（４−ビフェニル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）と、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）と、トルエンとを混合させた液体に数ｗｔ％のイリジウム錯体を分散させた組成物を用いればよい。なお、ＰＢＤはトルエンに可溶であり、ＰＶＫもトルエンに可溶である。この組成物を図３（Ｅ）に示したように窒素ガスでノズルから噴射させ、有機化合物層３２７を１００ｎｍ前後の膜厚で成膜し、その後、蒸着法等で陰極３２６を形成すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
次いで、陽極６２６を形成し、この陽極６２６と有機化合物層６２４、６２５と、陰極６２２とからなる発光素子６２７を完成させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の被加熱体と交流磁場発生手段から構成される誘導加熱装置であって、直流磁場発生手段を設け、前記直流磁場発生手段が形成する磁場を前記交流磁場発生手段により変化させて前記被加熱体を加熱することを特徴とする誘導加熱装置。
【請求項２】
前記被加熱体、前記交流磁場発生手段、前記直流磁場発生手段を有する誘導加熱装置であって、前記直流磁場発生手段が発生する直流磁場の磁束密度が０．００１T以上である領域内に、前記交流磁場発生手段を配置することを特徴とする誘導加熱装置。
【請求項３】
前記直流磁場発生手段が、永久磁石であることを特徴とする請求項１記載又は請求項２記載の誘導加熱装置。
【請求項４】
前記永久磁石が、部分的に異なる残留磁束密度を有することを特徴とする請求項３記載の誘導加熱装置。
【請求項５】
前記永久磁石が、部分的に異なる厚みを有することを特徴とする請求項３記載の誘導加熱装置。
【請求項６】
導電性の被加熱体から成る定着ローラと前記被加熱体に対して交流磁界を与えて誘導加熱する交流磁場発生手段を備えた定着装置であって、請求項１から請求項５のいずれかに記載の誘導加熱装置によって構成された定着装置。
【請求項７】
請求項６記載の定着装置において、前記直流磁場発生手段を前記定着ローラの両端部に配置することを特徴とする定着装置。
【請求項８】
請求項７記載の定着装置の前記直流磁場発生手段が、前記定着ローラの回転とは無関係に自由に回転できることを特徴とする定着装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８記載の定着装置において、前記直流磁場発生手段とする永久磁石が、前記定着ローラの回転軸を中心としてラジアル方向に着磁されていることを特徴とする定着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わる誘導加熱装置は、導電性の被加熱体と交流磁場発生手段から構成される誘導加熱装置であって、直流磁場発生手段を設け、前記直流磁場発生手段が発生する磁場を前記交流磁場発生手段により変化させて前記被加熱体を加熱することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
電流値を下げるとジュール損失量は低下するが、電流値を１Ａと大幅に基準値よりも小さくしても、電流値が基準値の場合のジュール損失量の約１／２にしか低下しない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
【発明の効果】
本発明によれば、直流磁場発生手段が発生する磁場に交流磁場発生手段が発生する交流磁場を作用させることにより、被加熱体の透磁率が高い状態においては、小さな交流磁場の変化でも、被加熱体に流れる磁束に大きな変化が生じさせることができる。よって、被加熱体表面において効果的に大きな渦電流が発生し、被加熱体を急速に加熱することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の電磁誘導加熱用制御装置は、電磁誘導コイルおよび共振コンデンサからなる直列共振回路と、互いに導電型が異なる一対のトランジスタを接続し、該一対のトランジスタの入力を共通とした相補対称型のトランジスタ電流増幅回路を含み、前記直列共振回路を駆動する駆動回路とを備える構成となっている。かかる構成の電磁誘導加熱用制御装置において、駆動回路が直列共振回路をスイッチング動作ではなく、相補対称型のトランジスタ電流増幅回路によって電流増幅動作で駆動を行うことで、一対のトランジスタが共に低インピーダンスを示すことから、共振コンデンサが１個の直列共振回路でも、直列共振回路からの還流電流を利用できるため、効率の良い駆動を実現できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
加圧ローラ１１３についても、電子写真方式と同じ材料、構成のものが好適ある。図２８において、加圧ローラ１１３が転写定着工程以外のときに中間転写体１１２と離間しているのは、中間転写体１１２上に画像を形成するのに中間転写体１１２を複数回回転させる場合には必須の構成となる。形成する画像に対してインクジェットヘッド１１１が備えるインク噴射素子が少ない場合や、カラー印字を行う際に各色の形成を順番に行う場合などに相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高放出率の電子エミッター（10）であって、
前面（２）及び背面（４）を含む電子注入層（１）と、
前記前面（２）に接触する高多孔度の多孔質シリコン材料からなる活性層（３）と、
前記活性層（３）に接触し、境界表面（12）を含む低多孔度の多孔質シリコン材料からなる接触層（５）と、
前記境界表面（12）の内側に延在するｎ型の高濃度にドープされた領域（８）とからなり、このｎ型の高濃度にドープされた領域（８）が低抵抗率であることによって特徴付けられる高放出率の電子エミッター。
【請求項２】
前記電子注入層（１）が、ｎ＋半導体、ｎ＋単結晶シリコン、導電性シリサイド、導電性窒化物、金属、ガラス基板上の金属層からなるグループより選択される導電性材料を含む請求項１に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項３】
前記ｎ＋単結晶シリコンの結晶方位が、１００又は１１１である請求項２に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項４】
前記導電性シリサイドがチタンシリサイド又はプラチナシリサイドであり、前記導電性窒化物が窒化チタンを含む請求項２に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項５】
前記電子注入層（１）の前記背面（４）がオーミック接触（９）を含む請求項１に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項６】
前記オーミック接触（９）が、金、金合金、プラチナ、プラチナ合金、アルミニウム、アルミニウム合金、金属の多層、金の上部のタンタル、金の上部のクロムからなるグループより選択される材料から形成されている請求項５に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項７】
前記境界表面（12）に接触する上部電極（７）をさらに含む請求項１に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項８】
前記上部電極（７）が、金、金合金、アルミニウム、アルミニウム合金、タングステン、タングステン合金、プラチナ、プラチナ合金からなるグループより選択される導電性材料から形成されている請求項７に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項９】
前記低多孔度の多孔質シリコン材料からなる接触層（５）及び前記高多孔度の多孔質シリコン材料からなる活性層（３）が、多孔質エピタキシャルシリコン、多孔質ポリシリコン、多孔質アモルファスシリコン、多孔質シリコンカーバイドからなるグループより選択される材料からなる請求項１に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項１０】
前記多孔質エピタキシャルシリコンが、ｎ−多孔質エピタキシャルシリコン、ｐ−多孔質エピタキシャルシリコン、真性多孔質エピタキシャルシリコンからなるグループより選択される材料である請求項９に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項１１】
前記ｎ−多孔質エピタキシャルシリコン及び前記真性多孔質エピタキシャルシリコンに対して、前記接触層（５）の前記ｎ型の高濃度にドープされた領域（８）が、ヒ素、リン及びアンチモンからなるグループより選択されるドーパント材料を含む請求項１０に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項１２】
前記多孔質ポリシリコンが、ｎ−多孔質ポリシリコン、ｐ−多孔質ポリシリコン、真性多孔質ポリシリコンからなるグループより選択される材料である請求項９に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項１３】
前記ｎ−多孔質ポリシリコン及び前記真性多孔質ポリシリコンに対して、前記接触層（５）の前記ｎ型の高濃度にドープされた領域（８）が、ヒ素、リン及びアンチモンからなるグループより選択されるドーパント材料を含む請求項１２に記載の高放出率の電子エミッター。
【請求項１４】
前記多孔質シリコンカーバイドに対して、前記接触層（５）の前記ｎ型の高濃度にドープされた領域（８）が、窒素、リン、バナジウムからなるグループより選択されるドーパント材料を含む請求項９に記載の高放出率の電子エミッター。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月23日(2004.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を熱処理する熱処理ゾーンと、前記被処理物の一方と接して前記熱処理ゾーン内へ前記被処理物を搬送する搬送部と、前記被処理物の他方の面側に給気部と排気部とが交互に配置された給排気機構とを有し、前記給気部と前記被処理物の他方の面との間の距離が最短になる距離をＨ、隣りあう給気口の間隔をｙとしたときに、（数１）の関係を満たすことを特徴とする熱処理装置。
【数１】
2002343234.tif 000001
【請求項２】
被処理物を熱処理する熱処理ゾーンと、前記被処理物の一方と接して前記熱処理ゾーン内へ前記被処理物を搬送する搬送部と、前記被処理物の他方の面側に給気部と排気部とが交互に配置された給排気機構とを有し、前記給気部と前記被処理物の他方の面との間の距離が最短になる距離をＨ、前記被処理物の他方の面の法線と前記給気部に備えられた給気口の中心軸とのなす角度をθ、前記給気部の外径をＤ、隣りあう給気口の間隔をｙとしたときに、（数２）、（数３）の関係を満たすことを特徴とする熱処理装置。
【数２】
2002343234.tif 000002
【数３】
2002343234.tif 000003
【請求項３】
被処理物を熱処理する熱処理ゾーンと、前記被処理物の一方と接して前記熱処理ゾーン内へ前記被処理物を搬送する搬送部と、前記被処理物の他方の面側に給気部と排気部とが交互に配置された給排気機構とを有し、前記給気部に備えられた供給ガスを吹き出す給気口を、前記被処理物の他方の面の法線と前記給気口の中心軸とのなす角度が９０°以上である位置に設けたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
被処理物を熱処理する熱処理ゾーンと、前記被処理物の一方と接して前記熱処理ゾーン内へ前記被処理物を搬送する搬送部と、前記被処理物の他方の面側に給気部と排気部とが交互に配置された給排気機構とを有し、前記排気部に備えられた排気口を、前記被処理物の他方の面の法線と前記排気口の中心軸とのなす角度が９０°以上である位置に設けたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の熱処理装置。
【請求項５】
被処理物がプラズマ・ディスプレイ・パネルである請求項１から４のいずれか一項に記載の熱処理装置。
【請求項６】
被処理物の一方を支持して熱処理ゾーン内に搬入し、給気部と排気部とが交互に配置された給排気機構の前記給気部の前記被処理物と反対の面側に前記給気部に設けられた給気口からガスを供給し、前記ガスを前記熱処理ゾーンの内壁で反射させることにより前記被処理物の一方の面に吹き付けて熱処理することを特徴とする熱処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、被処理物を熱処理する熱処理ゾーンと、被処理物の一方と接して熱処理ゾーン内へ被処理物を搬送する搬送部と、被処理物の他方の面側に給気部と排気部とが交互に配置された給排気機構とを有する熱処理装置を提供する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明は、被処理物の一方を支持して熱処理ゾーン内に搬入し、給気部と排気部とが交互に配置された給排気機構の給気部の被処理物と反対の面側に給気部に設けられた給気口からガスを供給し、ガスを熱処理ゾーンの内壁で反射させることにより被処理物の一方の面に吹き付けて熱処理する熱処理方法を提供する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このように給排気すれば、給気口と被処理物との間の距離が小さく設定できるうえ、供給ガス流量を増しても乾燥斑の発生を防止することが可能である。したがって、本発明の熱処理方法は被処理物を乾燥処理するのに適しており、本発明の熱処理方法によれば、基材に形成された膜を乾燥するときに、膜の表面に乾燥した皮膜が形成されにくく、膜を十分に乾燥できる。本発明の熱処理方法は、本発明の熱処理装置によって好ましく実施される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光検出装置及び放射線検出装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、入射光を電気信号に変換する光電変換素子と該光電変換素子に対応して設けられたスイッチング素子とからなる画素を、２次元状に複数有してなる画素部と、前記画素を駆動させるために各画素行の複数の前記スイッチング素子のゲート電極に接続された複数の駆動配線と、前記光電変換素子で発生した電気信号を読み出すために各画素列の複数の前記スイッチング素子のソース・ドレイン電極の一方に接続された複数の信号配線と、複数の前記光電変換素子に電荷を印加するために複数の前記光電変換素子に接続された複数の共通バイアス配線と、を有する光検出装置において、
少なくとも前記駆動配線を覆うように設けられた層間絶縁層を有し、
前記駆動配線と前記ゲート電極は前記層間絶縁膜を挟んで異なる層で別々に設けられ、前記層間絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする光検出装置。
【請求項２】
前記画素行と隣接する画素行との間隙の間隔は、前記駆動配線の線幅と略同一であることを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。
【請求項３】
前記画素行と隣接する画素行との間隙の間隔は、前記駆動配線の線幅より狭く、前記駆動配線は隣接する画素の下部電極にオーバーラップされるよう設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。
【請求項４】
前記下部電極及び前記ゲート電極は前記層間絶縁層上に配されていることを特徴とする請求項１に記載の光検出装置。
【請求項５】
前記層間絶縁層はベンゾシクロブテンを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光検出装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の光検出装置と、前記光検出装置上に設けられた放射線を光に変換する蛍光体とを有する放射線検出装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光検出装置及びそれを用いた放射線検出装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、その目的は、スイッチ素子の性能を落とすことなく、画素の開口率を改善し、高感度化及び高精細化を実現可能な光検出装置及び放射線検出装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明のこのような目的は、基板上に、入射光を電気信号に変換する光電変換素子と該光電変換素子に対応して設けられたスイッチング素子とからなる画素を、２次元状に複数有してなる画素部と、前記画素を駆動させるために各画素行の複数の前記スイッチング素子のゲート電極に接続された複数の駆動配線と、前記光電変換素子で発生した電気信号を読み出すために各画素列の複数の前記スイッチング素子のソース・ドレイン電極の一方に接続された複数の信号配線と、複数の前記光電変換素子に電荷を印加するために複数の前記光電変換素子に接続された複数の共通バイアス配線と、を有する光検出装置において、少なくとも前記駆動配線を覆うように設けられた層間絶縁層を有し、前記駆動配線と前記ゲート電極は前記層間絶縁膜を挟んで異なる層で別々に設けられ、前記層間絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする光検出装置によって達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の目的は、上記光検出装置と、前記光検出装置上に設けられた放射線を光に変換する蛍光体とを有する放射線検出装置によって達成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
本発明の光検出装置の第１の実施形態を示す模式的平面図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
図１の光検出装置の製造方法を説明するための図である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
図１の光検出装置の製造方法を説明するための図である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
図１の光検出装置の製造方法を説明するための図である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
図１の光検出装置の製造方法を説明するための図である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
図１の光検出装置の製造方法を説明するための図である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
図１の光検出装置の製造方法を説明するための図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の接続電極と、この第１の接続電極に電気的に接続された第１の配線と、第１のアライメントマークとを備えた基板に、上記第１の配線と電気的に接続した状態で半導体素子を実装する工程と、
第２の接続電極と、この第２の接続電極に電気的に接続された第２の配線とを備え両面に接着剤層が形成されたコア基板と、上記半導体素子を実装した基板とを上記第１のアライメントマークの認識により位置決めして積層する工程と、
上記接着剤が硬化せずに溶融する１２０℃以下の温度にて熱圧着を行い、接着剤のタック力にて上記半導体素子を実装した基板を上記コア基板に仮固定する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体素子を実装した基板を仮固定したコア基板を三次元的に位置決めを行いながら複数枚積層し、熱プレスにより接着する工程を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体素子を実装した基板を仮固定したコア基板を三次元的に位置決めを行いながら複数枚積層し、これら複数のコア基板を機械的に仮固定する工程と、前記機械的に仮固定した複数枚のコア基板を熱プレスにより接着する工程とを更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記コア基板は、積層用の第２のアライメントマークを有し、前記第１のアライメントマークと上記第２のアライメントマークとで前記三次元的な位置決めが行われることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１の接続電極と、この第１の接続電極に電気的に接続された第１の配線と、アライメントマークとを備えた基板に、上記第１の配線と電気的に接続した状態で半導体素子を実装する工程と、
第２の接続電極と、この第２の接続電極に電気的に接続された第２の配線と、積層のための位置決め用のピン孔とを備え両面に接着剤層が形成されたコア基板と、上記半導体素子を実装した基板とを上記アライメントマークの認識により位置決めして積層する工程と、
上記接着剤が硬化せずに溶融する１２０℃以下の温度にて熱圧着を行い、接着剤のタック力にて上記半導体素子を実装した基板を上記コア基板に仮固定する工程と、
上記半導体素子を実装した基板を仮固定したコア基板を、上記位置決め用のピン孔を用いて、ピンを立てた治具板に複数枚積層して組み込む工程と、
上記複数枚のコア基板を熱プレスにより接着する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体素子が実装された基板と、前記両面に接着剤層が形成されたコア基板の第２の接続電極部分は、それぞれ金属が充填されたヴィアを備え、前記熱プレス時に前記ヴィアに充填された金属が接続され、合金層が形成されることを特徴とする請求項２乃至５いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ヴィアに充填された金属は、Ｃｕ、Ｓｎ、及びＳｎ−Ａｇを含むグループの中から選択されたいずれか１つの材料であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ヴィア内に形成された金属の表面に設けられ、Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｐｂ、及びＡｕを含むグループの中から選択されたいずれか１つの材料からなるメッキ層を更に具備することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体素子が実装された基板及び前記コア基板の少なくとも一方における完成時に除去される領域の一部に設けられ、前記接着剤層の厚さを部分的に薄くするためのダミーパターンを更に備えることを特徴とする請求項１乃至８いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記接着剤が硬化せずに溶融する１２０℃以下の温度は、６０℃から１２０℃の範囲であることを特徴とする請求項１乃至９いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程（ａ）〜（ｈ）を含む半導体装置の製造方法。
（ａ）半導体基板上に酸化に対してマスク作用を有する耐酸化層を選択的に形成する工程、
（ｂ）前記耐酸化層をマスクとして前記半導体基板に第２導電型の不純物を導入することにより、該半導体基板に第２のウェルを形成する工程、
（ｃ）前記耐酸化層をマスクとして前記第２のウェルの表面領域を選択酸化することにより、該第２のウェル上にＬＯＣＯＳ層を形成する工程、
（ｄ）前記耐酸化層を除去する工程、
（ｅ）前記ＬＯＣＯＳ層をマスクとして前記半導体基板に第１導電型の不純物を導入することにより、該半導体基板に前記第２のウェルに隣接した第１のウェルを形成する工程、
（ｆ）前記ＬＯＣＯＳ層を除去する工程、
（ｇ）前記第２のウェルの一部に第１導電型の不純物を導入することにより、該第２のウェル内に第３のウェルを形成する工程、および
（ｈ）前記第１，第２および第３のウェルに、第１、第２および第３の電界効果トランジスタを形成する工程であって、該工程（ｈ）においては、
（ｈ−１）前記半導体基板の所定領域に第１導電型の不純物を導入し、前記第１のウェルに第１のチャネルストッパ層と、前記第２のウェルに第２の低濃度不純物層と、前記第３のウェルに第３のチャネルストッパ層と、を形成する工程、
（ｈ−２）前記半導体基板の所定領域に第２導電型の不純物を導入し、前記第１のウェルに第１の低濃度不純物層と、前記第２のウェルに第２のチャネルストッパ層と、前記第３のウェルに第３の低濃度不純物層と、を形成する工程、
（ｈ−３）前記半導体基板上に所定パターンのオフセットＬＯＣＯＳ層および素子分離ＬＯＣＯＳ層を形成する工程、
（ｈ−４）前記第１、第２および第３の電界効果トランジスタのゲート電極を形成する工程、
（ｈ−５）前記第１、第２および第３の電界効果トランジスタのソース領域またはドレイン領域を構成する高濃度不純物層を形成する工程、を含む。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の低濃度不純物層は、前記第１の電界効果トランジスタのソース領域またはドレイン領域を構成する高濃度不純物層の周囲に設けられ、
前記第２の低濃度不純物層は、前記第２の電界効果トランジスタのソース領域またはドレイン領域を構成する高濃度不純物層の周囲に設けられ、
前記第３の低濃度不純物層は、前記第３の電界効果トランジスタのソース領域またはドレイン領域を構成する高濃度不純物層の周囲に設けられている、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記（ｈ−１）の工程の前に、前記半導体基板上方の所定の領域に窒化シリコン層を形成する工程を備え、
前記（ｈ−１）、前記（ｈ−２）および前記（ｈ−３）の工程は、少なくとも前記窒化シリコン層をマスクとして用いる、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記第１導電型はＰ型であり、前記第２導電型はＮ型である、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記第１導電型はＮ型であり、前記第２導電型はＰ型である、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記第３のウェルは、前記第１のウェルの深さのおよそ１／２〜１／３の深さを有する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
前記第２のウェルは、深さが１５〜１８μｍであり、
前記第３のウェルは、深さが６〜８μｍである、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、
前記第１のウェルは、不純物の濃度が１×１０16〜３×１０16atoms／ｃｍ3であり、
前記第２のウェルは、不純物の濃度が１×１０16〜３×１０16atoms／ｃｍ3であり、
前記第３のウェルは、不純物の濃度が１×１０16〜３×１０16atoms／ｃｍ3である、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかにおいて、
前記第１、第２および第３の電界効果トランジスタのゲート絶縁層は、その膜厚が６０〜８０ｎｍである、半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に高耐圧の電界効果トランジスタを含む半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明の目的は、ウェル領域が高密度化できるとともに、複数の高耐圧トランジスタを異なる電圧で独立して駆動することができるウェル構造を含む半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（ａ）半導体基板上に酸化に対してマスク作用を有する耐酸化層を選択的に形成する工程、
（ｂ）前記耐酸化層をマスクとして前記半導体基板に第２導電型の不純物を導入することにより、該半導体基板に第２のウェルを形成する工程、
（ｃ）前記耐酸化層をマスクとして前記第２のウェルの表面領域を選択酸化することにより、該第２のウェル上にＬＯＣＯＳ層を形成する工程、
（ｄ）前記耐酸化層を除去する工程、
（ｅ）前記ＬＯＣＯＳ層をマスクとして前記半導体基板に第１導電型の不純物を導入することにより、該半導体基板に前記第２のウェルに隣接した第１のウェルを形成する工程、
（ｆ）前記ＬＯＣＯＳ層を除去する工程、
（ｇ）前記第２のウェルの一部に第１導電型の不純物を導入することにより、該第２のウェル内に第３のウェルを形成する工程、および
（ｈ）前記第１，第２および第３のウェルに、第１、第２および第３の電界効果トランジスタを形成する工程であって、該工程（ｈ）においては、
（ｈ−１）前記半導体基板の所定領域に第１導電型の不純物を導入し、前記第１のウェルに第１のチャネルストッパ層と、前記第２のウェルに第２の低濃度不純物層と、前記第３のウェルに第３のチャネルストッパ層と、を形成する工程、
（ｈ−２）前記半導体基板の所定領域に第２導電型の不純物を導入し、前記第１のウェルに第１の低濃度不純物層と、前記第２のウェルに第２のチャネルストッパ層と、前記第３のウェルに第３の低濃度不純物層と、を形成する工程、
（ｈ−３）前記半導体基板上に所定パターンのオフセットＬＯＣＯＳ層および素子分離ＬＯＣＯＳ層を形成する工程、
（ｈ−４）前記第１、第２および第３の電界効果トランジスタのゲート電極を形成する工程、
（ｈ−５）前記第１、第２および第３の電界効果トランジスタのソース領域またはドレイン領域を構成する高濃度不純物層を形成する工程、を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）アレイにデータを書き込む方法であって、
前記ＲＡＭアレイの複数のＲＡＭセルのうちの第１の行の全てのセルを第１の論理値に設定するステップと、
前記複数のＲＡＭセルのうちの前記第１の行に対して第１のクリアイネーブル信号がアクティブである間に、前記第１の行の全てのセルの部分集合に対応する複数の列クリア信号のうちの少なくとも１つをアサートすることにより、前記第１の行の全てのセルの前記部分集合をクリアするステップと、
からなり、前記クリアするステップが前記設定するステップの後に実施される方法。
【請求項２】
複数のＲＡＭセルのうちの第２の行に対して第２のクリアイネーブル信号をアサートするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数のメモリ要素にデータを書き込む方法であって、
行および列に構成されたメモリ要素のアレイのある行をビットライン信号に応答できるようにし、複数のビットラインをアサートすることにより、その行の全ての要素を第１の論理状態に設定するステップと、
前記行が列クリア信号に応答できるようにするステップと、
複数の列クリア信号をアサートすることにより、メモリ要素のアレイの前記行の部分集合を第２の論理状態にクリアするステップと、
からなり、前記応答できるようにするステップおよび前記クリアするステップが、前記設定するステップの後に実施される方法。
【請求項４】
行および列に構成されたメモリセルのアレイにデータを書き込む方法であって、
前記メモリセルのアレイの各列に対してデータラインを第１の論理値に駆動するステップと、
前記メモリセルのアレイのある行に対して第１のイネーブルラインをアサートすることにより、前記メモリセルのアレイの前記行における複数のメモリセルのそれぞれに前記第１の論理値を記憶し、前記メモリセルのアレイの前記行に対して第２のイネーブルラインをアサートするステップと、
前記メモリセルのアレイのある列に対して少なくとも１つの列クリアラインをアサートすることにより、前記メモリセルのアレイの前記列における前記複数のメモリセルのうちの少なくとも１つに第２の値を記憶するステップと、
からなり、前記少なくとも１つの列クリアラインをアサートするステップが前記第１のイネーブルラインをアサートするステップの後に実施される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月24日(2004.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器において電池の電池ケミストリを識別する方法であって、
負荷期間にわたって電池に適度に高い負荷を適用するステップと、
前記負荷を除去するステップと、
前記負荷が除去されると同時に、回復期間にわたってその回復期間より短い時間間隔で前記電池の電圧を監視するステップと、及び
前記監視するステップで取得された経時的電圧回復データから前記電池の電池ケミストリを判定するステップとからなる、方法。
【請求項２】
前記判定するステップが、
測定された回復電圧傾斜を前記経時的電圧回復データから生成するステップと、及び
異なる電池ケミストリに関して前記測定された回復電圧傾斜を基準傾斜値のセットと比較するステップとを含み、
前記電池ケミストリが、前記測定された回復電圧傾斜に最も厳密に一致する前記基準傾斜値によって識別される、請求項１の方法。
【請求項３】
前記判定するステップが、
測定された回復電圧傾斜および最終回復電圧を前記経時的電圧回復データから生成するステップと、及び
前記測定された回復電圧傾斜および前記最終回復電圧を、異なる電池ケミストリに関する基準回復電圧傾斜および最終回復電圧値のセットと比較するステップとを含み、
前記電池ケミストリが、前記測定された回復電圧傾斜および前記最終回復電圧に最も厳密に一致する基準回復電圧傾斜および前記最終回復電圧値によって識別される、請求項１の方法。
【請求項４】
前記判定するステップにおいて、再充電可能な電池ケミストリが再充電不能な電池ケミストリから識別され、放電期間の後期に再充電不能な電池ケミストリが互いから識別される、請求項１の方法。
【請求項５】
前記回復期間中に前記電池の前記経時的電圧回復データを収集する監視サブシステムと、及び
前記経時的電圧回復データから電圧回復傾斜を計算し、ルックアップテーブルに格納された基準電圧回復傾斜値のセットと前記電圧回復傾斜を比較する計算サブシステムとからなるシステムを備えた電子機器において実現される、請求項１の方法。
【請求項６】
電子機器において電池の電池ケミストリを識別する方法であって、
負荷期間中に電池に適度に高い負荷を適用するステップと、
前記負荷が適用されると同時に、下降期間にわたってその下降期間より短い時間間隔で前記電池の電圧を監視するステップと、及び
前記監視するステップの間に取得された経時的電圧下降データから前記電池の電池ケミストリを判定するステップとからなる、方法。
【請求項７】
前記判定するステップが、
測定された電圧低下傾斜を前記経時的電圧下降データから生成するステップと、及び
異なる電池ケミストリに関して前記測定された電圧低下傾斜を基準電圧低下傾斜値のセットと比較するステップとを含み、
前記電池ケミストリが、前記測定された電圧低下傾斜に最も厳密に一致する前記基準電圧低下傾斜値によって識別される、請求項６の方法。
【請求項８】
通常の電子機器動作の一部として電子機器において実現される電池ケミストリ識別のシステムであって、
通常動作中に適度に高い負荷に応答して、ある期間にわたって前記電子機器の電池から測定された電圧データを収集する監視サブシステムと、及び
時間的に変化する電圧変化からなる傾斜を前記収集された電圧データから計算して、基準電圧データと前記傾斜を比較する計算サブシステムとからなる、システム。
【請求項９】
前記監視サブシステムが、電池電圧をサンプリングするアナログ−デジタル変換器を含み、前記計算サブシステムがコンピュータプログラムを含み、前記コンピュータプログラムが、前記電子機器のメモリに格納されて、前記電子機器のマイクロコントローラにより実行される、請求項８のシステム。
【請求項１０】
前記監視サブシステムが、電池電圧をサンプリングする電圧サンプラを含み、前記計算サブシステムが、前記電圧サンプラを制御するマイクロコントローラ、メモリ、およびそのメモリにソフトウェアまたはファームウェアとして格納されたコンピュータプログラムを含み、そのマイクロコントローラが前記コンピュータプログラムを実行する、請求項８のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
このため、機器に使用されている電池ケミストリを自動的に識別する能力を備えた電池式電子機器を提供することが有利である。かかる機器は、それにしたがってその残量測定システムを調整することにより、消費者またはユーザに対し電池寿命に関するより正確な情報を提供することができる。更に、かかる機器は、電池が再充電可能であるか否か、および機器内充電が可能であるか不可能であるかを検出することができる。また、機器は、特定のケミストリに対して使用されるカットオフポイントを調整することにより、所定の電池が最適な放電電圧レベルまで消費されることを可能にする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  鋳物等の型成形した弁本体と、弁軸筒とを有するバタフライ弁において、弁本体と弁軸筒を別体として弁本体のステム支持部を短くし、弁本体と弁軸筒を固着手段もしくは固定手段で一体化し、弁本体の円筒部外周に肉ヌスミ部を設けて全体の肉厚を均一に近づけ、ステムと弁本体間に軸受を設け、この軸受の端面側には、鉤部と外周突部を設け、前記鉤部をステムに挿入したシートのボス部に嵌合すると共に、前記外周突部を弁本体の内面に沿ったステム穴の縁部内面に当接するようにしたことを特徴とするバタフライ弁。
【請求項２】  前記軸受の外周に変形可能なリブを設けた請求項１に記載のバタフライ弁。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記パワーローラ８は、上述の様な形状を有する変位軸７を構成する枢支軸部２２のうちの先半部３８の周囲に、ラジアルニードル軸受２５（図６〜７）により、回転自在に支持している。特に、本発明の場合には、上記先半部３８の外周面、即ち、上記枢支軸部２２の外周面で上記ラジアルニードル軸受２５を構成するニードル３５、３５（図５〜９）の転動面が当接する転走面に相当する部分を、超仕上により表面粗さが０．２μｍＲａ以下の平滑面としている。更に、上記変位軸７は、ＳＣＭ  ４３５（ＪＩＳ  Ｇ  ４１０５）の如きクロムモリブデン鋼、ＳＵＪ  ２（ＪＩＳ  Ｇ  ４８０５）の如き高炭素クロム軸受鋼等の鋼製としている。そして、この様な鋼製の変位軸７のうちの少なくとも上記先半部３８の外周部の表面部分（実際には変位軸７の表面全体）に、炭素濃度が０．８〜１．５重量％で、窒素濃度が０．０５〜０．５重量％である浸炭窒化処理層を形成している。そして、少なくとも上記先半部３８の表面部分（実際には変位軸７の表面全体）に、浸炭窒化処理後に焼き入れ・焼き戻し処理を施して、この表面部分の硬度をＨＲｃ６０以上にしている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上述の様に構成する本発明のトロイダル型無段変速機の場合には、上記枢支軸部２２を構成する先半部３８の外周面と上記ラジアルニードル軸受２５を構成するニードル３５、３５の転動面との当接部分に油膜を形成され易くできる。この為、上記先半部３８の外周面に早期剥離等の損傷が発生する事を有効に防止できる。次の表１は、上記先半部３８の外周面の表面粗さが、この外周面の寿命に及ぼす影響を知る為に、本発明者が行なった耐久試験の結果を示している。尚、試料１〜８に関して、上記先半部３８の外周面の表面粗さ以外の条件は総て同じとした。即ち、後述する表２のＮｏ．４の材料、炭素濃度、窒素濃度で、表面硬度は凡そＨＲｃ６２である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上述の様に構成する本発明のトロイダル型無段変速機の運転時には、それぞれが上記抑え鍔部３６の外周面に開口した前記４個のノズル孔３９ａ、３９ｂの下流端開口から、トラクションオイルを噴出させる。これら各ノズル孔３９ａ、３９ｂから噴出されたトラクションオイルのうち、図２に示した２個のノズル孔３９ａ、３９ａから噴出したトラクションオイルは、前記入力側、出力側両ディスク２、４の内側面２ａ、４ａに付着してから、これら各内側面２ａ、４ａと前記各パワーローラ８、８の周面８ａ、８ａとの当接部であるトラクション部に送られる。更に、図１に示した２個のノズル孔３９ｂ、３９ｂから噴出したトラクションオイルは、上記各周面８ａ、８ａに付着してから、上記各トラクション部に送られる。この様に、これら各トラクション部へのトラクションオイルの供給を、２系統で行なう為、これら各トラクション部に十分量のトラクションオイルを供給して、大きな動力を伝達する場合にも、これら各トラクション部の冷却及び潤滑を十分に行なえる。尚、上記４個のノズル孔３９ａ、３９ｂの内径を、それぞれ異ならせ、各ノズル孔３９ａ、３９ｂから噴出するトラクションオイルの量を適正にする事もできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流入穴と流出穴との間に該両穴に連通する弁室を有する弁本体、該弁本体の前記弁室に配置された弁体、該弁体の移動を阻止する弁体ストッパ、及び、該弁体ストッパを係止固定するストッパ支持リングとを備え、
前記弁本体は、前記流入穴と前記弁室との間に弁孔を備え、前記弁室の前記弁孔側に弁座を備えると共に、前記弁室の弁孔側とは反対側にストッパ係止部とリング係止環状溝とを備え、前記ストッパ係止部に前記弁体ストッパを係止し、前記リング係止環状溝にストッパ支持リングを嵌合係止したことを特徴とする逆止弁。
【請求項２】
前記弁本体がアルミニューム合金で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の逆止弁。
【請求項３】
前記弁体は、断面四角形状部と円錐部とを備え、該弁体は、前記円錐部が前記弁座に着脱自在に、前記断面四角形状部の端部が前記弁ストッパに接離自在になるように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の逆止弁。
【請求項４】
前記弁ストッパは、円盤状で、前記弁室側に突出した弁体接触中央部を有すると共に、該弁体接触中央部の周囲に同心円状の五つの流通孔を有していることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の逆止弁。
【請求項５】
前記ストッパ支持リングは、一部を切り欠いたリング状の弾性線体で形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の逆止弁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成すべく、本発明に係る逆止弁は、流入穴と流出穴との間に該両穴に連通する弁室を有する弁本体、該弁本体の前記弁室に配置された弁体、該弁体の移動を阻止する弁体ストッパ、及び、該弁体ストッパを係止固定するストッパ支持リングとを備え、前記弁本体が前記流入穴と前記弁室との間に弁孔を備え、かつ前記弁室の前記弁孔側に弁座を備えると共に、前記弁室の弁孔側とは反対側にストッパ係止部とリング係止環状溝とを備え、前記ストッパ係止部に前記弁体ストッパを係止し、前記リング係止環状溝にストッパ支持リングを嵌合係止したことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そして、本発明に係る逆止弁の好ましい具体的な態様としては、前記弁本体がアルミニューム合金で形成されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の効果】
以上の説明から理解されるように、本発明の逆止弁は、弁体ストッパを特定の形状とすることによって、プレス加工での製作を可能とすると共に、一端を切り欠いたリング状のストッパ支持リングによって容易に弁本体内に係止固定される。
また、弁本体をアルミニューム合金としたので、逆止弁自体の重量を軽量化することができ、電気自動車等の軽量化が望まれている分野に好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  開閉器キャビネット（１）のための安全ドアロック装置であって、開閉器キャビネット（１）の内部の電気動作状態が開閉器キャビネット（１）のキャビネットドア（２）のロックデバイスに作動可能に接続され、開閉器キャビネット（１）のスイッチの位置が機械連結装置（９、１０、１１、１２、４、５）を介してキャビネットドア（２）のロックリンク（１５）に結合され、スイッチハンドル（８）が、前記スイッチギアキャビネット（１）の外側で前記キャビネットドア（２）上に配置され、該スイッチハンドル（８）は、前記スイッチの位置を表示し、回転可能に取り付けられた制御ディスク（９）が、前記スイッチハンドル（８）に連結され、前記開閉器キャビネット（１）内で前記スイッチに恒久的に連結され、前記制御ディスク（９）と前記ロックロッド（４）とは、作動可能に機械的に連結され、前記ロックロッド（４）は、前記キャビネットドア（２）の前記ロックリンク（１５）をロックするために、変位可能に取り付けられる、ことを特徴とする安全ドアロック装置。
【請求項２】  前記制御ディスク（９）及びロックロッド（４）はコネクティングロッド（１０）及びロックロッド（４）のガイドピン（１２ａ、ｂ）の間に保持されたコネクティングアングル（１１）を介して機械的に作動可能に連結される、請求項１に記載の安全ドアロック装置。
【請求項３】  前記ロックロッド（４）は、前記キャビネットドア（２）の前記ロックリンク（１５）にロックレバー（５）を介して作動可能に連結されている請求項２に記載の安全ドアロック装置。