【手続補正書】
【提出日】平成17年6月16日(2005.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板である単結晶半導体基板上に多孔質半導体層を形成し、
還元雰囲気で加熱処理を施すことにより前記多孔質半導体層の表面近傍に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の主表面に第１酸化シリコン層を形成し、
第２基板の主表面に第２酸化シリコン層を形成し、
前記第１酸化シリコン層と前記第２酸化シリコン層とを接着させて前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
前記第１基板を裏面側から研削して前記多孔質半導体層を露呈させ、
露呈した前記多孔質半導体層を除去して前記単結晶半導体層を露呈させて、厚さが５〜３０ｎｍの単結晶半導体膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
第１基板である単結晶シリコン基板上に多孔質シリコン層を形成し、
還元雰囲気で加熱処理を施すことにより前記多孔質シリコン層の表面近傍に単結晶シリコン層を形成し、
前記単結晶シリコン層の表面近傍にプラズマ酸化をおこなって第１酸化シリコン層を形成し、
第２基板の主表面に第２酸化シリコン層を形成し、
前記第１酸化シリコン層と前記第２酸化シリコン層とを接着させて前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
前記第１基板を裏面側から研削して前記多孔質シリコン層を露呈させ、
露呈した前記多孔質シリコン層を除去して前記単結晶シリコン層を露呈させ、
水素雰囲気中で熱処理を行って露呈した前記単結晶シリコン層を平坦化させて、厚さが５〜３０ｎｍの単結晶シリコン膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
第１基板である単結晶シリコン基板上に多孔質シリコン層を形成し、
前記多孔質シリコン層上にアモルファスシリコン層を形成し、
還元雰囲気で加熱処理を施すことにより前記アモルファスシリコン層を結晶化させて単結晶シリコン層を形成し、
前記単結晶シリコン層の表面近傍にプラズマ酸化をおこなって第１酸化シリコン層を形成し、
第２基板の主表面に第２酸化シリコン層を形成し、
前記第１酸化シリコン層と前記第２酸化シリコン層とを接着させて前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
前記第１基板を裏面側から研削して前記多孔質シリコン層を露呈させ、
露呈した前記多孔質シリコン層を除去して前記単結晶シリコン層を露呈させ、
水素雰囲気中で熱処理を行って露呈した前記単結晶シリコン層を平坦化させて、厚さが５〜３０ｎｍの単結晶シリコン膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
第１基板である単結晶シリコン基板上に多孔質シリコン層を形成し、
前記多孔質シリコン層にプラズマ酸化をおこなって酸化シリコン層を形成し、
前記酸化シリコン層の一部をエッチングしてマスク及び開口部を形成し、
水素を含む窒素雰囲気で加熱処理を施すことにより前記開口部における前記多孔質シリコン層の表面近傍に単結晶シリコン層を形成し、
前記マスクを除去し、
前記単結晶シリコン層の表面近傍にプラズマ酸化をおこなって第１酸化シリコン層を形成し、
第２基板の主表面に第２酸化シリコン層を形成し、
前記第１酸化シリコン層と前記第２酸化シリコン層とを接着させて前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
前記第１基板を裏面側から研削して前記多孔質シリコン層を露呈させ、
露呈した前記多孔質シリコン層を除去して前記単結晶シリコン層を露呈させ、
水素雰囲気中で熱処理を行って露呈した前記単結晶シリコン層を平坦化させて、厚さが５〜３０ｎｍの単結晶シリコン膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記還元雰囲気での加熱処理は水素を含む雰囲気中において９００〜１２００℃の温度範囲で行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
第１基板である単結晶半導体基板上に多孔質半導体層を形成し、
還元雰囲気で加熱処理を施すことにより前記多孔質半導体層の表面近傍に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の主表面に第１酸化シリコン層を形成し、
第２基板の主表面に第２酸化シリコン層を形成し、
前記第１酸化シリコン層と前記第２酸化シリコン層とを接着させて前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
前記第１基板を裏面側から研削して前記多孔質半導体層を露呈させ、
露呈した前記多孔質半導体層を除去して前記単結晶半導体層を露呈させて、厚さが５〜３０ｎｍの単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜を活性層として利用し、複数の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１基板である単結晶シリコン基板上に多孔質シリコン層を形成し、
還元雰囲気で加熱処理を施すことにより前記多孔質シリコン層の表面近傍に単結晶シリコン層を形成し、
前記単結晶シリコン層の表面近傍にプラズマ酸化をおこなって第１酸化シリコン層を形成し、
第２基板の主表面に第２酸化シリコン層を形成し、
前記第１酸化シリコン層と前記第２酸化シリコン層とを接着させて前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
前記第１基板を裏面側から研削して前記多孔質シリコン層を露呈させ、
露呈した前記多孔質シリコン層を除去して前記単結晶シリコン層を露呈させ、
水素雰囲気中で熱処理を行って露呈した前記単結晶シリコン層を平坦化させて、厚さが５〜３０ｎｍの単結晶シリコン膜を形成し、
前記単結晶シリコン膜を活性層として利用し、複数の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
第１基板である単結晶シリコン基板上に多孔質シリコン層を形成し、
前記多孔質シリコン層上にアモルファスシリコン層を形成し、
還元雰囲気で加熱処理を施すことにより前記アモルファスシリコン層を結晶化させて単結晶シリコン層を形成し、
前記単結晶シリコン層の表面近傍にプラズマ酸化をおこなって第１酸化シリコン層を形成し、
第２基板の主表面に第２酸化シリコン層を形成し、
前記第１酸化シリコン層と前記第２酸化シリコン層とを接着させて前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
前記第１基板を裏面側から研削して前記多孔質シリコン層を露呈させ、
露呈した前記多孔質シリコン層を除去して前記単結晶シリコン層を露呈させ、
水素雰囲気中で熱処理を行って露呈した前記単結晶シリコン層を平坦化させて、厚さが５〜３０ｎｍの単結晶シリコン膜を形成し、
前記単結晶シリコン膜を活性層として利用し、複数の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１基板である単結晶シリコン基板上に多孔質シリコン層を形成し、
前記多孔質シリコン層にプラズマ酸化をおこなって酸化シリコン層を形成し、
前記酸化シリコン層の一部をエッチングしてマスク及び開口部を形成し、
水素を含む窒素雰囲気で加熱処理を施すことにより前記開口部における前記多孔質シリコン層の表面近傍に単結晶シリコン層を形成し、
前記マスクを除去し、
前記単結晶シリコン層の表面近傍にプラズマ酸化をおこなって第１酸化シリコン層を形成し、
第２基板の主表面に第２酸化シリコン層を形成し、
前記第１酸化シリコン層と前記第２酸化シリコン層とを接着させて前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、
前記第１基板を裏面側から研削して前記多孔質シリコン層を露呈させ、
露呈した前記多孔質シリコン層を除去して前記単結晶シリコン層を露呈させ、
水素雰囲気中で熱処理を行って露呈した前記単結晶シリコン層を平坦化させて、厚さが５〜３０ｎｍの単結晶シリコン膜を形成し、
前記単結晶シリコン膜を活性層として利用し、複数の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、前記還元雰囲気での加熱処理は水素を含む雰囲気中において９００〜１２００℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。