【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に保持する基板保持機構と、
前記基板を水平面内で回転させる回転機構と、
前記回転機構により前記基板が回転した状態で、前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動して前記基板上に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記基板上に供給された処理液の拡散方向に位置するように前記処理液供給ノズルに隣接して配置され、前記処理液の供給と同時に前記基板上にリンス液を供給するリンス液供給ノズルと、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を水平に保持する基板保持機構と、
前記基板を水平面内で回転させる回転機構と、
前記回転機構により前記基板が回転した状態で、前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動して前記基板上に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記基板上に供給された前記処理液が処理に使用された後の処理済み液を除去するリンス液を、前記処理液の供給と同時に前記基板に供給するリンス液供給ノズルと、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
前記基板上には露光処理されたパターンが形成され、
前記処理液は現像液からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理液は洗浄液からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板の回転速度に対する前記処理液供給ノズルの移動速度は、前記処理液供給ノズルの位置が前記基板の中心部に近いほど、前記処理液供給ノズルが前記基板の周縁部付近に位置する場合の前記回転速度に対する前記移動速度に対して、相対的に遅いことを特徴とする請求項１から請求項４いずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板の回転速度に対する前記処理液供給ノズルの移動速度は、供給ノズルの位置が前記基板の中心部に近いほど、前記処理液供給ノズルが前記基板の周縁部付近に位置する場合の前記回転速度に対する前記移動速度に対して、相対的に速いことを特徴とする請求項１から請求項４いずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記リンス液供給ノズルと前記処理液供給ノズルとの位置関係を可変する可変機構を更に有することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理液供給ノズルの前記移動速度が一定の場合、前記基板の回転速度を前記処理液供給ノズルの位置が前記基板の中心部に近くなるほど、相対的に遅くなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記可変機構は、前記処理液供給ノズルが前記基板の直径上を移動する場合、前記基板の中心部を境に、前記処理液の拡散方向に前記処理液供給ノズルの位置を変えることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
水平保持された基板を回転させ、処理液供給ノズル及びリンス液供給ノズルを前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動させながら、前記処理液供給ノズル及び前記リンス液供給ノズルからそれぞれ処理液及びリンス液を前記基板に対し供給する基板処理方法であって、
前記リンス液供給ノズルは、前記基板上に供給された前記処理液が拡散する方向に位置することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
水平保持された基板を回転させ、処理液供給ノズル及びリンス液供給ノズルを前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動させながら、前記処理液供給ノズル及び前記リンス液供給ノズルからそれぞれ処理液及びリンス液を前記基板に対し供給する基板処理方法であって、
前記リンス液は、前記基板上に供給された前記処理液が処理に使用された後の処理済み液を除去することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
前記処理液供給ノズル及び前記リンス液供給ノズルが前記基板の外縁部から中心部に向けて移動するときに、前記処理液供給ノズルの後方に前記リンス液供給ノズルを位置させながら、滴下された前記処理液が前記基板上で拡散する領域に、前記リンス液を供給することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
水平保持された基板を回転させ、処理液が滴下される前記基板上の領域が移動していくように、前記基板に対して前記処理液を供給する基板処理方法であって、
前記基板上に前記処理液とリンス液とを同時に供給していく工程と、
前記処理液と前記リンス液とを同時に供給しながら、滴下された前記処理液が前記基板上で拡散する領域に前記処理液が滴下された直後に前記リンス液を供給していく工程と、
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
前記処理液を供給する基板は、露光処理された基板であり、
前記処理液は現像液であることを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記処理液は洗浄液であり、
前記洗浄液を使用する際の前記リンス液は純水であることを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
水平保持された基板を回転させながら、前記基板に対して現像液を供給する現像処理方法であって、
前記現像液が滴下される前記基板上の領域が、前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動していくように前記現像液を供給していくことで、前記領域の現像処理を行う工程と、
前記現像処理に使用された後の処理済み現像液をリンス液で除去する工程と、
を具備することを特徴とする現像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のこのような構成によれば、処理液ノズルより滴下された直後の処理液は新しく、滴下された領域では新しい処理液により処理される。そして、この処理済みの液は直ちにリンス液により除去されるので、基板上には常に新しい処理液が供給されることとなり、基板全面に高い処理能力の処理液が供給される。従って、基板全面で処理むらがなく、効率良く処理が行われる。
また、本発明の基板処理方法は、水平保持された基板を回転させ、処理液が滴下される前記基板上の領域が移動していくように、前記基板に対して前記処理液を供給する基板処理方法であって、前記基板上に前記処理液とリンス液とを同時に供給していく工程と、前記処理液と前記リンス液とを同時に供給しながら、滴下された前記処理液が前記基板上で拡散する領域に前記処理液が滴下された直後に前記リンス液を供給していく工程と、を具備することを特徴とする。
また、本発明の基板処理方法は、水平保持された基板を回転させながら、前記基板に対して現像液を供給する現像処理方法であって、前記現像液が滴下される前記基板上の領域が、前記基板の外縁部と中心部とを結ぶ方向に沿って移動していくように前記現像液を供給していくことで、前記領域の現像処理を行う工程と、前記現像処理に使用された後の処理済み現像液をリンス液で除去する工程と、を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、図２に示すように、ウエハＷを時計回りに回転させた状態で、洗浄液及びリンス液をウエハＷ上に同時に供給しながら、ウエハＷの外縁部からウエハ中心部に向かって、Ｙ駆動機構１１６を駆動することにより洗浄液供給ノズル１４０及びリンス液供給ノズル１１１を矢印Ａ方向に沿って移動させる。これにより、洗浄液によるウエハＷの洗浄及び洗浄液のリンスを行うことができる。この際、ウエハＷの回転速度は一定とし、ノズルの移動速度は、ウエハＷの中心部に近くなるにつれて徐々に遅くなるように設定する。これにより、ウエハＷ面内で供給される洗浄液の量を均一化するこができる。具体的には、２００ｍｍの直径を有するウエハＷを処理する場合には、ウエハＷの回転速度を例えば１０〜２００ｒｐｍ、より好ましくは３０〜１５０ｒｐｍとし、ノズルの移動速度は、はじめ例えば３０ｍｍ／ｓに設定し、徐々に一定の減速率にて減速させ、ウエハＷの中心部付近で例えば５ｍｍ／ｓとなるように設定した。尚、ノズルの移動速度を一定とし、ウエハＷの回転速度を変化させても良く、ウエハＷの回転速度が、ノズルの位置がウエハＷの中心部に近くなるほど相対的に遅くなるように設定すれば良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
現像処理装置内では、ウエハＷは、スピンチャック１０により水平に吸引保持される。次に、図４に示すように、ウエハＷを時計回りに回転させた状態で、現像液及びリンス液を同時にウエハＷ上に供給しながら、ウエハＷの外縁部からウエハ中心部に向かって、Ｙ駆動機構１６を駆動することにより現像液供給ノズル４０及びリンス液供給ノズル１１を矢印Ｃ方向に沿って移動させる。これにより、現像及びリンスを行うことができる。この際、ウエハＷの回転速度は一定とし、ノズルの移動速度は、ウエハＷの中心部に近くなるにつれて徐々に遅くなるように設定した。これにより、現像処理の終了のタイミングをウエハＷ面内で均一化することができる。具体的には、２００ｍｍの直径を有するウエハＷを処理する場合には、ウエハＷの回転速度を例えば１０〜２００ｒｐｍ、より好ましくは３０〜１５０ｒｐｍとし、ノズルの移動速度は、はじめ例えば３０ｍｍ／ｓに設定し、徐々に一定の減速率にて減速させ、ウエハＷの中心部付近で例えば５ｍｍ／ｓとなるように設定した。尚、ノズルの移動速度を一定とし、ウエハＷの回転速度を変化させても良く、ウエハＷの回転速度が、ノズルの位置がウエハＷの中心部に近くなるほど相対的に遅くなるように設定すれば良い。また、本実施形態では、ウエハＷの回転速度に対するノズルの移動速度を、ノズルの位置がウエハＷの中心部に近くなるに従って、ノズルがウエハＷの周縁部付近に位置する場合の回転速度に対するノズルの移動速度に対して、相対的に遅くなるように設定することにより、ウエハＷ面内での現像処理終了のタイミングを均一にすることができるが、ノズルの移動速度をノズルの位置がウエハＷの中心部に近くなるほど速くなるように設定しても良い。この場合、例えばウエハＷの回転速度を一定とし、ノズルの移動速度をノズルの位置がウエハＷの中心部に近くなるに従って速くすることにより、ウエハＷと現像液との接触時間をウエハＷ面内で均一化することができる。これは、ウエハＷの中心部にノズルの位置が近くなるほど面積的に塗布領域が小さくなっていくためである。
なお、前記第５の処理ユニット群Ｇ５は、選択的に設けられるもので、この例では前記第４の処理ユニット群Ｇ４と同様に構成されている。また、この第５の処理ユニット群Ｇ５はレール６５によって移動可能に保持され、前記メインアーム機構７２及び前記第１〜第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス処理を容易に行ない得るようになっている。