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【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
式：
【化4】
2000063336.tif 000001
の化合物に、式：Ｍ−ＣＨ2ＳＯ2Ａｒの化合物を反応させて、式：
【化5】
2000063336.tif 000002
のスルホン化合物とし、つづいて脱硫化反応を施すことによる、式：
【化6】
2000063336.tif 000003
のアセチルアミン化合物の製造方法。
［式中、Ｒはアルキルを表す。Ｍはアルカリ金属を表す。Ａｒは置換されてもよいアリールを表す。Ｘ、Ｘ1およびＸ2は、独立して、水素原子、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、アミノ、ニトロまたはシアノを表す。］
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
式：
【化7】
2000063336.tif 000004
の化合物に、式：Ｍ−ＣＨ2ＳＯ2Ａｒの化合物を反応させて、式：
【化8】
2000063336.tif 000005
のスルホン化合物とし、つづいて脱硫化反応を施すことによる、請求項２記載の式：
【化9】
2000063336.tif 000006
のアセチルアミン化合物の製造方法。
［式中、Ｒはアルキルを表す。Ｍはアルカリ金属を表す。Ａｒは置換されてもよいアリールを表す。］
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム原子換算で８０モル％以上が細孔径１０〜２００オングストロームの無機多孔質体に吸着される特性を有することを特徴とする有機アルミノキサン化合物。
【請求項２】
上記有機アルミノキサン化合物は、下記一般式（１）で表される請求項１に記載の有機アルミノキサン化合物。
【化１】
2000063387.tif 000001
［但し、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜４０のアリール基、炭素数７〜４０のアルカリール基、または炭素数７〜４０のアラルキル基である。］
【請求項３】
オレフィン性二重結合をもつ化合物を重合させるための触媒であって、アルミニウム原子換算で８０モル％以上が細孔径１０〜２００オングストロームの無機多孔質体に吸着される特性を有する有機アルミノキサン化合物を触媒の一成分とすることを特徴とする重合用触媒。
【請求項４】
更に、メタロセン化合物を含む請求項３に記載の重合用触媒。
【請求項５】
上記メタロセン化合物が、下記化学式（２）及び（３）から選ばれる少なくとも１種である請求項４に記載の重合用触媒。
【化２】
2000063387.tif 000002
［式中、Ａはシクロペンタジエニル基またはインデニル誘導体基、Ｂはシクロペンタジエニル基、フルオレニル誘導体基またはインデニル誘導体基、Ｃｘは炭素数１〜３の２価の炭化水素基または１〜３個のケイ素原子を有する２価のケイ素含有基である。Ｍはチタン原子、ジルコニウム原子およびハフニウム原子のうちの１種であり、Ｘは塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子のうちの１種である。］
【化３】
2000063387.tif 000003
［式中、Ａはシクロペンタジエニル基またはインデニル誘導体基、Ｂはシクロペンタジエニル基、フルオレニル誘導体基またはインデニル誘導体基である。Ｍはチタン原子、ジルコニウム原子およびハフニウム原子のうちの１種であり、Ｘは塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子のうちの１種である。］
【請求項６】
上記化学式（３）で表されるメタロセン化合物が、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム、シクロペンタジエニル（１−インデニル）ジクロロジルコニウム及びシクロペンタジエニル（フルオレニル）ジクロロジルコニウムから選ばれる少なくとも１種である請求項５に記載の重合用触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、請求項１記載の有機アルミノキサン化合物は、アルミニウム原子換算で８０モル％以上が細孔径１０〜２００オングストロームの無機多孔質体に吸着される特性を有することを特徴とする。
請求項２記載の有機アルミノキサン化合物は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする。
【化１】
2000063387.tif 000004
［但し、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜４０のアリール基、炭素数７〜４０のアルカリール基、または炭素数７〜４０のアラルキル基である。］
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、請求項３記載の重合用触媒は、オレフィン性二重結合をもつ化合物を重合させるための触媒であって、アルミニウム原子換算で８０モル％以上が細孔径１０〜２００オングストロームの無機多孔質体に吸着される特性を有する有機アルミノキサン化合物を触媒の一成分とすることを特徴とする。
請求項４記載の重合用触媒は、更に、メタロセン化合物を含むことを特徴とする。
請求項５記載の重合用触媒は、上記メタロセン化合物が、下記化学式（２）及び（３）から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする。
【化２】
2000063387.tif 000005
［式中、Ａはシクロペンタジエニル基またはインデニル誘導体基、Ｂはシクロペンタジエニル基、フルオレニル誘導体基またはインデニル誘導体基、Ｃｘは炭素数１〜３の２価の炭化水素基または１〜３個のケイ素原子を有する２価のケイ素含有基である。Ｍはチタン原子、ジルコニウム原子およびハフニウム原子のうちの１種であり、Ｘは塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子のうちの１種である。］
【化３】
2000063387.tif 000006
［式中、Ａはシクロペンタジエニル基またはインデニル誘導体基、Ｂはシクロペンタジエニル基、フルオレニル誘導体基またはインデニル誘導体基である。Ｍはチタン原子、ジルコニウム原子およびハフニウム原子のうちの１種であり、Ｘは塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子のうちの１種である。］
請求項６記載の重合用触媒は、上記化学式（３）で表されるメタロセン化合物が、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム、シクロペンタジエニル（１−インデニル）ジクロロジルコニウム及びシクロペンタジエニル（フルオレニル）ジクロロジルコニウムから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（３）重合活性評価
下記の方法により、上記吸着分割後の溶液に含まれるＭＡＯのエチレン重合活性を調べ、無機多孔質体に吸着されて溶液中から除去されたＭＡＯのエチレン重合活性を間接的に評価した。
すなわち、ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドＣｐ２ＺｒＣｌ２と、上記吸着分割後の溶液に含まれるＭＡＯまたは吸着処理前のＭＡＯ（実験例７）とからなる触媒系により、エチレンの初期重合活性（５分）を測定した。その結果を表２および図１に示す。
［重合条件］
触媒のＡｌ／Ｚｒ比＝１０００
［Ｚｒ］＝０．０１μｍｏｌ／ｍｌ
重合溶媒：トルエン１００ｍｌ
重合温度：４０℃
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
表２および図１から判るように、細孔径が１０〜２００オングストロームの範囲にある無機多孔質体に吸着されなかったＭＡＯを触媒の一成分として用いた実験例２〜４では、吸着処理前のＭＡＯを用いた実験例７に比べて重合活性が著しく低下した。これに対して、細孔径１０オングストローム未満の無機多孔質体に吸着されなかったＭＡＯを用いた実験例１および細孔径が２００オングストロームを超える無機多孔質体に吸着されなかったＭＡＯを用いた実験例６では、実験例２〜４に比べて重合活性の低下は少なかった。
すなわち、細孔径が１０〜２００オングストロームの範囲にある無機多孔質体に吸着されたＭＡＯがエチレン重合の発現に大きく影響しており、この無機多孔質体に吸着される特性を有するＭＡＯを用いれば、重合活性が高くかつ安定した活性をもつオレフィン重合用触媒が得られるものと推察される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
上記と同様にして重合を行い、冷却後、反応生成物を温水で５回洗浄し、次に１００℃に加熱されＮＭＰ１０ｋｇ中に投入して、約１時間攪拌し続けたのち、濾過し、さらに熱湯で数回洗浄した。これを９０℃に加熱されたｐＨ４の酢酸水溶液２５リットル中に投入し、約１時間攪拌し続けたのち、濾過し、濾液のｐＨが７になるまで約９０℃のイオン交換水で洗浄後、８０℃で２４時間減圧乾燥してメルトフローレイトが１２０ｇ／１０分のＰＰＳ（Ｐ−２）、２．４５ｋｇを得た。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月16日(2004.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素数が４以下のα−オレフィン単位を３〜１８モル％含有する水溶性ポリビニルアルコール系重合体（Ａ）と水性アンカー剤（Ｂ）からなり、配合割合が（Ａ）／（Ｂ）＝９９／１〜８０／２０であるフィルム塗布用樹脂組成物。
【請求項２】
水溶性ポリビニルアルコール系重合体（Ａ）がけん化度９０〜９９．９９モル％の水溶性ポリビニルアルコール系重合体である請求項１記載のフィルム塗布用樹脂組成物。
【請求項３】
水溶性ポリビニルアルコール系重合体（Ａ）が酢酸ナトリウムを０．０１〜２重量％含有する水溶性ポリビニルアルコール系重合体である請求項１または２記載のフィルム塗布用樹脂組成物。
【請求項４】
水溶性ポリビニルアルコール系重合体（Ａ）がシリル基含有単位を５モル％以下含有する水溶性ポリビニルアルコール系重合体である請求項１〜３のいずれか１項に記載のフィルム塗布用樹脂組成物。
【請求項５】
水性アンカー剤（Ｂ）が水性イソシアネートである請求項１〜４のいずれか１項に記載のフィルム塗布用樹脂組成物。
【請求項６】
水性アンカー剤（Ｂ）がポリエチレンイミンである請求項１〜４のいずれか１項に記載のフィルム塗布用樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のフィルム塗布用樹脂組成物を基材フィルムに塗布して得られる酸素バリヤー性フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月21日(2005.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
(Ｂ)成分のカルバシラトラン誘導体は、本組成物の硬化前の流動性を悪化させず、硬化後の基材に対する密着性や接着性を向上させるための成分であり、一般式：
【化３】
2000063681.tif 000001
で表される。上式中のＲ1はアルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ1のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が例示され、Ｒ1のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が例示される。また、上式中のＲ2は同じか、または異なり、一般式：
−Ｒ4−ＳｉＲ5a(ＯＲ6)3-a
で表される基、もしくは一般式：
−Ｒ7−Ｏ−Ｒ8
で表される基である。上式中のＲ4はアルキレン基またはアルキレオオキシアルキレン基であり、Ｒ4のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基が例示され、好ましくは、ブチレン基、オクチレン基である。また、Ｒ4のアルキレンオキシアルキレン基としては、メチレンオキシエチレン基、メチレンオキシプロピレン基、メチレンオキシブチレン基、エチレンオキシエチレン基、エチレンオキシプロピレン基が例示され、好ましくは、メチレンオキシプロピレン基である。また、上式中のＲ5は一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基等のアリール基が例示され、好ましくは、メチル基である。また、上式中のＲ6はアルキル基であり、メチル基、エチル基、プロピル基が例示され、好ましくは、メチル基、エチル基である。また、上式中のａは０、１、または２であり、好ましくは、０である。また、上式中のＲ7はアルキレン基であり、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基が例示され、好ましくは、メチレン基である。また、上式中のＲ8はアルキル基、アルケニル基、またはアシル基であり、Ｒ8のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が例示され、Ｒ8のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基が例示され、Ｒ8のアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基が例示される。好ましくは、Ｒ8はアリル基、またはメタクリロイル基である。このようなＲ2としては、例えば、
【化４】
2000063681.tif 000002
で表される基が挙げられる。また、上式中のＲ3は同じか、または異なり、水素原子もしくはアルキル基であり、Ｒ3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が例示される。好ましくは、Ｒ3はすべて水素原子である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このアミノ基含有アルコキシシランは、エポキシ化合物のエポキシ環を開裂するための反応剤として作用し、さらに、この反応により生成した水酸基とこのアルコキシシラン中のアルコキシ基とのアルコール交換反応により環化するための原料である。このアルコキシシラン中のＲ3は同じか、または異なり、水素原子もしくはアルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、すべて水素原子である。また、Ｒ9はアルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ9のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が例示され、Ｒ9のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が例示され、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基である。また、Ｒ10は同じか、または異なるアルキル基であり、メチル基、エチル基、プロピル基が例示され、好ましくは、メチル基、エチル基である。このようなアミノ基含有アルコキシシランとしては、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシランが例示される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、このエポキシ化合物は、得られるカルバシラトラン誘導体に特徴的な官能性の基を導入するための原料である。このエポキシ化合物中のＲ3は同じか、または異なり、水素原子もしくはアルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、すべて水素原子である。また、Ｒ11は一般式：
−Ｒ4−ＳｉＲ5a(ＯＲ6)3-a
で表される基、もしくは一般式：
−Ｒ7−Ｏ−Ｒ8
で表される基である。上式中のＲ4はアルキレン基またはアルキレオオキシアルキレン基であり、前記と同様の基が例示される。また、上式中のＲ5は一価炭化水素基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基である。また、上式中のＲ6はアルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基、エチル基である。また、上式中のａは０、１、または２であり、好ましくは、０である。また、上式中のＲ7はアルキレン基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチレン基である。また、上式中のＲ8はアルキル基、アルケニル基、またはアシル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、アリル基、またはメタクリロイル基である。このようなＲ11としては、前記のＲ2と同様の基が例示される。そして、このようなエポキシ化合物としては、４−オキシラニルブチルトリメトキシシラン、８−オキシラニルオクチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、アリルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレートが例示される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月20日(2004.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
［Ａ］アルカリ可溶性樹脂
［Ｂ］下記式（Ｉ）
【化１】
2000063684.tif 000001
（式中、Ｒ1〜Ｒ6は同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子または基−ＣＨ2ＯＲを示し、Ｒは水素原子またはＣ1〜Ｃ6のアルキル基を示す）
で表わされるメラミン類、および
［Ｃ］下記式（ＩＩ）
【化２】
2000063684.tif 000002
（式中、Ｘはハロゲンを表わし、ＡはＣＸ3または下記式
【化３】
2000063684.tif 000003
で表わされる基を示し、そしてＢ、ＤおよびＥは、それぞれ独立に水素、Ｃ1〜Ｃ10のアルキル基、アリール基またはアルコキシ基、アリールオキシ基、チオアルキル基、チオアリール基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、トリ（Ｃ1〜Ｃ10アルキル）アミノ基、カルボキシル基、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10のケトアルキル基もしくはケトアリール基、Ｃ1〜Ｃ20のアルコキシカルボニル基もしくはアルキルカルボニルオキシ基を示し、そしてｍは１〜５の整数を示す）
で表わされるトリハロメチルトリアジン類または下記式（ＩＩＩ）
【化４】
2000063684.tif 000004
（式中、Ａの定義は上記式に同じであり、Ｚは硫黄またはよう素を示し、ＹはＢＦ4、ＰＦ6、ＳｂＦ6、ＡｓＦ6、ｐ−トルエンスルホナート、トリフルオロメタンスルホナートまたはトリフルオロアセテートを示し、そしてｎは２または３を示す）
で表わされるオニウム塩類
を含有することを特徴とする表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物。
【請求項２】
スペーサー形成用である請求項１記載の感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
以下の工程を以下に記載順で実施することを特徴とするスペーサーの形成方法。
（１）請求項１に記載の感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）該塗膜に所定のパターン形状を有するマスクを介して放射線を照射する工程、
（３）露光後ベーク工程、
（４）現像工程、および
（５）加熱工程。
【請求項４】
請求項１に記載の感放射線性樹脂組成物から形成されたスペーサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶パネルやタッチパネルなどの表示パネル用スペーサーを形成するための材料として好適な感放射線性樹脂組成物、スペーサーおよびその形成方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上述したように感光性樹脂よりなるスペーサーには、ラビングにより表示不良が生じないようラビング耐性が高く、液晶配向不良を生じさせず、電圧保持率を低下させないことが求められている。
さらに、液晶パネルやタッチパネル用スペーサーには、熱により形状が変化しないよう耐熱寸法安定性や、液晶パネルにかかる外部圧力により形状が変化しないよう圧縮強度が必要とされる。
それ故、本発明の目的は、ラビング耐性に優れ、電圧保持率、液晶配向性を低下させず、耐熱寸法安定性、強度が高いスペーサーを形成できる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は本発明の感放射線性樹脂組成物からスペーサーを形成する方法および形成されたスペーサーを提供することにある。
本発明の他のさらに目的および利点は、以下の説明から明らかになろう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
で表わされるオニウム塩類
を含有することを特徴とする表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物により達成される。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第２に、
以下の工程を以下に記載順で実施することを特徴とするスペーサーの形成方法によって達成される。
（１）本発明の感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
（２）該塗膜に所定のパターン形状を有するマスクを介して放射線を照射する工程、
（３）露光後ベーク工程、
（４）現像工程、および
（５）加熱工程。
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第３に、
本発明の感放射線性樹脂組成物から形成されたスペーサーによって達成される。
以下、本発明の感放射線性樹脂組成物について詳述する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（イ）２３℃および５０％ＲＨでの加硫物の体積固有抵抗が１×１０5Ωcm〜２×１０7Ωcmであり、
（ロ）加硫物の体積固有抵抗の環境依存性が２．５以下である、
エーテル系共重合体を含んでなることを特徴とする加硫可能な半導電性材料。
【請求項２】
エーテル系共重合体が、（１）ハロゲン含有エーテル系モノマー、（２）ハロゲン非含有エーテル系モノマー、および要すれば（３）共重合可能なグリシジルエーテル系モノマーからなる二元共重合体または三元共重合体であることを特徴とする請求項１に記載の加硫可能な半導電性材料。
【請求項３】
エーテル系共重合体のハロゲン含有エーテル系モノマー（１）が、エピクロルヒドリン、エピブロモヒドリンより選ばれたモノマーであり、ハロゲン非含有エーテル系モノマー（２）が、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、スチレンオキシドより選ばれたモノマーであり、共重合可能なグリシジルエーテル系モノマー（３）が、アリルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテルおよび酢酸グリシジルより選ばれたモノマーであることを特徴とする請求項２に記載の加硫可能な半導電性材料。
【請求項４】
エーテル系共重合体が、エピクロルヒドリン、エチレンオキシドおよび要すればアリルグリシジルエーテルから誘導されることを特徴とする請求項３に記載の加硫可能な半導電性材料。
【請求項５】
エーテル系共重合体が、エピクロルヒドリン４０ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％、エチレンオキシド６０ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％、アリルグリシジルエーテル０ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％から誘導されることを特徴とする請求項４に記載の加硫可能な半導電性材料。
【請求項６】
エーテル系共重合体が、エピクロルヒドリン３５ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％、エチレンオキシド６０ｍｏｌ％〜８５ｍｏｌ％、アリルグリシジルエーテル１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％から誘導されることを特徴とする請求項４に記載の加硫可能な半導電性材料。
【請求項７】
エーテル系共重合体が、一般式（i）〜（iv）：
（ｉ）ＲaＳｎＸ4-a
［式中、Ｒは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル基、シクロ基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基より選ばれる基、Ｘは、ハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基およびその部分エステル残基から選ばれる原子又は基であり、ａは２以上のとき、Ｒは同一でも異なっていてもよく、ａが１又は２のとき、Ｘは同一でも異なっていてもよい。］
(ii)ＲbＳｎＯc
［式中、Ｒは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル基、シクロ基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基より選ばれる基であり、ｂは１又は２であり、ｂが１のとき、ｃは３／２であり、ｂが２のとき、ｃは１である。］
(iii)Ｒ1（Ｒ2ＳｎＯＳｎＲ2)Ｒ1
［式中、Ｒは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル基、シクロ基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基より選ばれる基であり、Ｒ1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル基、シクロ基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基より選ばれる基、またはハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基およびその部分エステル残基から選ばれる原子又は基であり、また２個のＲ1は同一でも異なっていてもよい。］
（iv）（Ｒ13Ｓｎ）dＸ’
［式中、Ｒ1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル基、シクロ基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基より選ばれる基、またはハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基およびその部分エステル残基から選ばれる原子又は基であり、少なくとも１個のＲ1は置換基を有していてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル基、シクロ基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基より選ばれる基であり、Ｘ’は、炭酸基、リンの酸素酸基、リン酸の部分エステル残基、多塩基性カルボン酸基、多価アルコール残基から選ばれる基であり、ｄはＸ’の塩基度に対応する１より大きい数である。］
で示される化合物、または化合物（ｉ）と化合物（ii）の錯体から選ばれる有機錫化合物と、リン酸アルキルエステルとの縮合物である触媒により重合されたものであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の加硫可能な半導電性材料。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の加硫可能な半導電性材料を加硫してなる加硫物。
【請求項９】
請求項８に記載の加硫物を使用した導電性ゴムロール。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置によって画像が記録された複数のシートに対してステープルによる綴じ込みを行うステープラと、
前記ステープラによってシートの端部に対して綴じ込みが行われる位置で、所定の進行方向に進行してくるシートをスタックさせる第１のスタック手段と、
前記第１のスタック手段より前記進行方向の下流側に設けられ、前記ステープラによってシートの中央部に対して綴じ込みが行われる位置で、前記進行方向に進行してくるシートをスタックさせる第２のスタック手段と、
シートの進行路を挟んで第１のギャップをおいて対向配置される部材であって、前記第１のスタック手段によりスタックされる複数のシートが前記第１のギャップに収容されるようにした第１の案内部材と、
シートの進行路を挟んで前記第１のギャップよりも小さい第２のギャップをおいて対向配置される部材であって、前記第２のスタック手段によりスタックされる複数のシートが前記第２のギャップに収容されるようにした第２の案内部材と
を具備することを特徴とするシート綴じ込み装置。
【請求項２】
前記第２のスタック手段、前記折り曲げ手段および前記第２の案内部材が単一の支持体に支持されており、この支持体が一括でシート綴じ込み装置に対して着脱可能になされていることを特徴とする請求項１に記載のシート綴じ込み装置。
【請求項３】
前記第２のギャップのサイズを調整する調整手段をさらに具備することを特徴とする請求項１または２に記載のシート綴じ込み装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るシート綴じ込み装置は、画像形成装置によって画像が記録された複数のシートに対してステープルによる綴じ込みを行うステープラと、前記ステープラによってシートの端部に対して綴じ込みが行われる位置で、所定の進行方向に進行してくるシートをスタックさせる第１のスタック手段と、前記第１のスタック手段より前記進行方向の下流側に設けられ、前記ステープラによってシートの中央部に対して綴じ込みが行われる位置で、前記進行方向に進行してくるシートをスタックさせる第２のスタック手段と、シートの進行路を挟んで第１のギャップをおいて対向配置される部材であって、前記第１のスタック手段によりスタックされる複数のシートが前記第１のギャップに収容されるようにした第１の案内部材と、シートの進行路を挟んで前記第１のギャップよりも小さい第２のギャップをおいて対向配置される固定部材であって、前記第２のスタック手段によりスタックされる複数のシートが前記第２のギャップに収容されるようにした第２の案内部材とを具備することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（Ａ）次の一般式（Ｉ）で示されるモノ又はポリペンタエリスリトールのポリ（メタ）アクリレートから選ばれた少なくとも１種の単量体、１０〜３０重量部、
【化１】
2000063701.tif 000001
（式中、Ｘのうち少なくとも３個はＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−基で、残りは−ＯＨ基である。また、ｎは１〜５の整数であり、Ｒ１は水素又はメチル基を示す。）
（Ｂ）１分子内に少なくとも２個のラジカル重合性不飽和二重結合を有するウレタンポリ（メタ）アクリレート化合物の少なくとも一種、５〜３０重量部、
（Ｃ）一般式（II）又は（III）で示されるポリ〔（メタ）アクリロイルオキシアルキル〕（イソ）シアヌレート、５１〜７０重量部
【化２】
2000063701.tif 000002
【化３】
2000063701.tif 000003
（式中、Ｙはアクリロイル基、メタクリロイル基、水素原子又はアルキル基を示し、これらのうちの少なくとも２個は（メタ）アクリロイル基であり、Ｒ２は炭素数１〜４のオキシアルキレン基を示す。）
（Ｄ）紫外線吸収剤、２〜３０重量部、
（Ｅ）ヒンダードアミン系光安定剤、０．１〜５重量部
（Ｆ）光重合開始剤、０．１〜１０重量部、
からなる（ただし、(Ａ)、(Ｂ)、(Ｃ)、(Ｄ)、(Ｅ)、及び(Ｆ)の合計量は１００重量部である）ことを特徴とする被覆材組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討した結果、本願の（Ｃ）成分である多官能（メタ）アクリロイル基を有する（イソ）シアヌレート化合物を主成分とし、かつ、（メタ）アクリロイル基を有するポリペンタエリスリトール、ラジカル重合性不飽和二重結合を有するウレタンポリ（メタ）アクリレート化合物、（メタ）アクリロイル基を有するシアヌレート、紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系光安定剤、及び光重合開始剤を特定の割合に配合した被覆材組成物を合成樹脂成形品に塗布して活性エネルギー線照射により硬化させることにより、テーバー摩耗試験による耐摩耗性と耐侯性が両立した優れた合成樹脂成形品が得られることを見出し本発明を完成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明は、
（Ａ）次の一般式（Ｉ）で示されるモノ又はポリペンタエリスリトールのポリ（メタ）アクリレートから選ばれた少なくとも１種の単量体、１０〜３０重量部、
【化４】
2000063701.tif 000004
（式中、Ｘのうち少なくとも３個はＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−基で、残りは−ＯＨ基である。また、ｎは１〜５の整数であり、Ｒ１は水素又はメチル基を示す。）
（Ｂ）１分子内に少なくとも２個のラジカル重合性不飽和二重結合を有するウレタンポリ（メタ）アクリレート化合物の少なくとも一種、５〜３０重量部、
（Ｃ）一般式（II）又は（III）で示されるポリ〔（メタ）アクリロイルオキシアルキル〕（イソ）シアヌレート、５１〜７０重量部
【化５】
2000063701.tif 000005
【化６】
2000063701.tif 000006
（式中、Ｙはアクリロイル基、メタクリロイル基、水素原子又はアルキル基を示し、これらのうちの少なくとも２個は（メタ）アクリロイル基であり、Ｒ２は炭素数１〜４のオキシアルキレン基を示す。）
（Ｄ）紫外線吸収剤、２〜３０重量部、
（Ｅ）ヒンダードアミン系光安定剤、０．１〜５重量部
（Ｆ）光重合開始剤、０．１〜１０重量部、
からなる（ただし、(Ａ)、(Ｂ)、(Ｃ)、(Ｄ)、(Ｅ)、及び(Ｆ)の合計量は１００重量部である）被覆材組成物である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（Ｅ）成分について
（Ｅ）成分であるヒンダードアミン系光安定剤としては、例えば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−メトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−エトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−プロポキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−ブトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−ペンチロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−ヘキシロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−ヘプチロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−オクトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−ノニロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−デカニロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１−ドデシロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート等が挙げられるが、これらのうちビス（１−オクトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケートが特に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以下、本発明のオーステナイト系ステンレス鋼に含まれる合金成分，含有量等を説明する。
Ｃ：０．１重量％以下
Ｃｕリッチ相の析出サイトとして有効なＣｒ炭化物を生成し、微細なＣｕリッチ相をマトリックス全体に渡って均一分散させる作用を呈する。しかし、過剰なＣ含有量は製造性や耐食性を低下させる原因となるので、本発明においてはＣ含有量の上限を０．１重量％に設定した。
Ｓｉ：２重量％以下
耐食性の改善に有効な合金成分であり、抗菌性を向上させる作用も呈する。しかし、２重量％を越える過剰量でＳｉが含まれると、製造性が劣化する。
Ｍｎ：５重量％以下
製造性を改善すると共に、鋼中の有害なＳをＭｎＳとして固定する作用を呈する。ＭｎＳは、被削性の向上にも有効に働くと共に、Ｃｕリッチ相生成の核として作用するため、微細なＣｕリッチ相の生成に有効な合金成分である。しかし、５重量％を越える過剰量のＭｎが含まれると、耐食性が劣化する傾向を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貨幣価値を有する電子情報を記憶する記憶手段と、
基地局と無線接続し、この基地局を介してサーバと通信を行う第１の通信手段と、
相手端末と直接的な無線回線を形成し、この無線回線を介して前記相手端末と通信を行う第２の通信手段と、
前記第２の通信手段によって形成された無線回線を介し、前記記憶手段から貨幣価値を有する電子情報を読み出して前記相手端末に送信することで支払い処理を行う支払い手段とを具備することを特徴とする移動無線端末。
【請求項２】
前記第１の通信手段によって通信可能となったサーバに対して貨幣価値を有する電子情報の送信要求を行うと共に、前記サーバから送信された貨幣価値を有する電子情報を前記記憶手段に記憶する電子情報取得手段を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の移動無線端末。
【請求項３】
前記第２の通信手段によって形成された無線回線を介して前記相手端末からメニュー情報を取得するメニュー取得手段を更に備え、
前記支払い手段は、前記メニュー取得手段によって取得したメニューに基づいて選択が行われたことに応じて、前記第２の通信手段を介して前記貨幣価値を有する電子情報を前記相手端末に送信することを特徴とする請求項１に記載の移動無線端末。
【請求項４】
数字キー及び機能キーを有するキー入力手段と、
貨幣価値を有する電子情報を記憶する記憶手段と、
基地局と無線接続し、この基地局を介して貨幣価値を有する電子情報を供給するサーバと通信する第１の通信手段と、
相手端末と直接的な無線回線を形成し、この無線回線を介して前記相手端末と通信を行う第２の通信手段と、
前記第２の通信手段によって形成された無線回線を介し、前記記憶手段から前記貨幣価値を有する電子情報を読み出して前記相手端末に送信することで支払い処理を行う支払い手段と、
前記キー入力手段から入力された指示に基づいて前記サーバに対して貨幣価値を有する電子情報の送信要求を行うと共に、このサーバから送信された貨幣価値を有する電子情報を前記記憶手段に記憶する電子情報取得手段とを具備することを特徴とする移動無線端末。
【請求項５】
数字キー及び機能キーを有するキー入力手段と、
貨幣価値を有する電子情報を記憶する記憶手段と、
基地局と無線接続し、この基地局を介して貨幣価値を有する電子情報を提供するサーバと通信する第１の通信手段と、
商品を提供する通信装置と直接的な無線回線を形成し、この無線回線を介して前記通信装置と通信を行う第２の通信手段と、
前記通信装置から提供される商品の対価に対応する貨幣価値を有する電子情報を前記記憶手段から読出し、前記第２の通信手段によって形成された無線回線を介して前記通信装置へ送信する支払い手段と、
前記サーバに対して貨幣価値を有する電子情報の送信要求を行うと共に、このサーバから送信された貨幣価値を有する電子情報を前記記憶手段に記憶する電子情報取得手段とを具備することを特徴とする移動無線端末。
【請求項６】
前記第２の通信手段によって形成された無線回線を介して前記相手端末からメニュー情報を取得するメニュー取得手段と、文字および映像を表示する表示手段とを更に備え、
該メニュー取得手段によって取得され、かつ前記表示手段に表示されたメニュー情報に基づいて商品の選択が行われると、前記支払い手段は、該商品の対価に対応する貨幣価値を有する電子情報を前記記憶手段から読出し、前記第２の通信手段によって形成された無線回線を介して前記通信装置へ送信することを特徴とする請求項５に記載の無線通信端末。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月15日(2004.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記録するためのディスク記録媒体と、
前記ディスク記録媒体に対してデータの記録再生を実行するためのヘッドと、
モータの駆動力により、前記ヘッドを前記ディスク記録媒体上を移動させるためのアクチュエータと、
前記モータの逆起電圧に基づいて、前記アクチュエータの移動速度を検出する速度検出手段と、
前記速度検出手段の検出動作に必要なキャリブレーション動作を、前記アクチュエータの駆動制御期間に、周囲温度の変化に関係する所定の規定時間の間隔で実行する制御手段とを具備したことを特徴とするディスク記憶装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記アクチュエータの駆動制御期間に含まれて、前記ヘッドを前記ディスク記録媒体上にロードするロード動作の開始時に、前回の前記キャリブレーション動作の実行時から前記規定時間の経過を判定し、当該規定時間の経過後に次のキャリブレーション動作を実行し、当該規定時間の経過前であれば前記キャリブレーション動作を実行しないように制御することを特徴とする請求項１記載のディスク記憶装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記キャリブレーション動作の実行時または実行後にタイマを起動し、前記ロード動作の開始前に当該タイマを監視して前記規定時間の経過を判定することを特徴とする請求項２記載のディスク記憶装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記アクチュエータの駆動制御期間に含まれて、前記ヘッドを前記ディスク記録媒体上から所定の待避位置までアンロードロードするアンロード動作時に、前回の前記キャリブレーション動作の実行時から前記規定時間の経過を判定し、当該規定時間の経過後で前記アンロード動作の終了後に次のキャリブレーション動作を実行し、当該規定時間の経過前であれば前記キャリブレーション動作を実行しないように制御することを特徴とする請求項１記載のディスク記憶装置。
【請求項５】
データを記録するためのディスク記録媒体と、
前記ディスク記録媒体に対してデータの記録再生を実行するためのヘッドと、
モータの駆動力により、前記ヘッドを前記ディスク記録媒体上を移動させるためのアクチュエータと、
前記モータの逆起電圧に基づいて、前記アクチュエータの移動速度を検出する速度検出手段と、
前記モータの周囲温度を測定するための温度検出手段と、
前記アクチュエータの駆動制御期間に前記速度検出手段の検出動作に必要なキャリブレーション動作を実行する手段であって、前記温度検出手段からの温度測定値に基づいて、周囲温度の変化が規定値を超える場合には前記キャリブレーション動作を実行し、当該周囲温度の変化が規定値以下の場合には前記キャリブレーション動作を実行しないように制御する制御手段とを具備したことを特徴とするディスク記憶装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記キャリブレーション動作の実行後に前記温度検出手段からの温度測定値をメモリに保存し、
次のキャリブレーション動作の開始時に前記温度検出手段から得られた温度測定値と、前記メモリに保存された温度測定値との比較結果に基づいて、前記周囲温度の変化が規定値を超えるか否かを判定する手段を有することを特徴とする請求項５記載のディスク記憶装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記アクチュエータの駆動制御期間に含まれて、前記ヘッドを前記ディスク記録媒体上にロードするロード動作の開始時に、前記温度検出手段からの温度測定値に基づいて周囲温度の変化が規定値を超えるか否かを判定し、当該周囲温度の変化が規定値を超える場合には前記キャリブレーション動作を実行し、当該周囲温度の変化が規定値以下の場合には前記キャリブレーション動作を実行しないように制御することを特徴とする請求項５記載のディスク記憶装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記アクチュエータの駆動制御期間に含まれて、前記ヘッドを前記ディスク記録媒体上から所定の待避位置までアンロードロードするアンロード動作時に、前記温度検出手段からの温度測定値に基づいて周囲温度の変化が規定値を超える場合で前記アンロード動作の終了後に次のキャリブレーション動作を実行し、当該周囲温度の変化が規定値以下の場合には前記キャリブレーション動作を実行しないように制御することを特徴とする請求項５記載のディスク記憶装置。
【請求項９】
データを記録するためのディスク記録媒体と、
前記ディスク記録媒体に対してデータの記録再生を実行するためのヘッドと、
モータの駆動力により、前記ヘッドを前記ディスク記録媒体上を移動させるためのアクチュエータと、
前記モータの逆起電圧に基づいて、前記アクチュエータの移動速度を検出する速度検出手段と、
前記アクチュエータの駆動制御による単位時間当たりのシーク回数を測定するための測定手段と、
前記アクチュエータの駆動制御期間に前記速度検出手段の検出動作に必要なキャリブレーション動作を実行する手段であって、前記測定手段による前記シーク回数が規定値を超える場合のみ前記キャリブレーション動作を実行するように制御する制御手段とを具備したことを特徴とするディスク記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】再生装置、再生プログラムが記録された記録媒体、及びオーディオ機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生メディアに記録された情報を再生する再生装置において、
再生メディアに記録された情報の所定単位毎に再生時の再生特性を設定する設定手段と、
前記設定手段によって設定された再生特性を所定の記憶領域に記憶させる記憶手段と、
前記記憶手段により記憶された所定単位毎の再生特性に応じて、前記再生メディアに記録された各所定単位の情報を再生する再生手段と
を具備したことを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記所定の記憶領域は、再生対象とする再生メディアに設けられることを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項３】
前記所定の記憶領域は、自装置内に設けられた記憶メディアに設けられることを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項４】
前記再生メディアに記録された情報を再生する際の基準とする再生特性を設定する基準特性設定手段と、
前記再生手段によって情報を再生する際の再生特性を、前記基準特性設定手段によって設定された再生特性となるように調整する調整手段を具備し、
前記記憶手段は、前記調整手段によって調整された再生特性を記憶させることを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項５】
再生対象とする再生メディアを識別するメディア識別手段を有し、
前記記憶手段は、前記設定手段によって設定された再生特性を自装置内に設けられた記憶メディアに、前記メディア識別手段によって識別された再生メディア毎に記憶させ、
前記再生手段は、前記メディア識別手段によって識別された再生メディアに対応する、前記記憶手段により記憶された再生特性に応じて、情報の再生を行なうことを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項６】
前記再生特性は、イコライジング特性であることを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項７】
再生メディアに記録された情報を再生するためのプログラムであって、
再生メディアに記録された情報の所定単位毎に再生時の再生特性を設定し、
この設定された再生特性を記憶させ、
この記憶された所定単位毎の再生特性に応じて、前記再生メディアに記録された各所定単位の情報を再生するようにコンピュータを制御するためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項８】
再生メディアに記録された曲データを再生するオーディオ機器において、
再生メディアに記録された曲データ単位毎に再生時の再生特性の指定を入力する入力手段と、
前記入力手段によって入力された再生特性を前記再生メディアに記憶させる記憶手段と、
前記記憶手段により記憶された曲データ単位毎の再生特性に応じて、前記再生メディアに記録された曲データを再生する再生手段と
を具備したことを特徴とする再生装置。
【請求項９】
前記再生特性は、イコライジング特性またはボリュームレベルであることを特徴とする請求項８記載のオーディオ機器。
【請求項１０】
前記再生メディアには、複数の楽曲のそれぞれについて、楽曲に関するデータが記憶されるヘッダ部と、前記曲データが記憶されるデータ部が設けられ、前記再生特性を示す再生制御データが前記ヘッダ部に記憶されることを特徴とする請求項８記載のオーディオ機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
再生メディア２２に記録された楽曲の全てについて再生特性の記憶が行われていなければ（ステップＡ５）、ＭＰＵ１０は、次の楽曲に対する再生特性を、ディスプレイ３１にメッセージを表示させるなどして利用者に指定させる。以下、同様にして、再生メディア２２に記録された全ての楽曲のそれぞれについて、再生特性の指定が行われ、記憶部１８において再生制御データ１８ａとして記憶される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
以下、図５に示すフローチャートを参照しながら、再生メディア２２に再生制御データ２２ａを記憶させる場合の動作について説明する。  
まず、再生メディア２２が利用者によって再生装置のメディア挿入口に挿入される（ステップａ１）。ＭＰＵ１０は、再生メディア２２が再生メディアアクセス部２０によって保持されたことを検出すると、再生メディア２２の所定の領域に記録されている情報を読み出す。ここでは、再生メディア２２に記録されている楽曲のリスト（曲名、アーティスト名など）の他に、各楽曲に対して設定されている再生制御データ２２ａを読み出す（ステップａ２）。ＭＰＵ１０は、再生メディア２２から読み出した再生制御データ２２ａを記憶部１８に書き込み、楽曲を再生する際に参照できるようにする（図４参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のブロックを有する媒体に対し情報の記録再生を行う情報記録再生装置における、ハードウェアの調整のための学習方法であって、
情報の記録中または再生中に、記録または再生を行っているブロックの中から前記学習を実施するのに適した学習用ブロックを検出し、
前記学習の実施が必要となったときに、前記学習用ブロックを用いて学習を実施することを特徴とするハードウェアの調整のための学習方法。
【請求項２】
請求項１記載のハードウェアの調整のための学習方法において、
最も新しく検出された学習用ブロックを用いて学習を実施することを特徴とするハードウェアの調整のための学習方法。
【請求項３】
請求項１記載のハードウェアの調整のための学習方法において、
前記媒体は、データ領域が複数のゾーンに分割されている媒体であり、
ゾーン毎に学習用ブロックを検出し、
前記学習の実施が必要となったときに、学習用ブロックが検出されたゾーンのうち、現在記録または再生しているゾーンに最も近いゾーンの学習用ブロックを用いて学習を実施することを特徴とするハードウェアの調整のための学習方法。
【請求項４】
複数のブロックを有する媒体に対し情報の記録再生を行う情報記録再生装置であって、
前記媒体に対し情報の記録再生を行う記録再生手段と、
前記媒体に対する情報の記録中または再生中に、ハードウェア調整のための学習を実施するのに適した学習用ブロックを検出する学習用ブロック検出手段と、
前記学習用ブロックのアドレスを記憶しておく記憶手段と、
前記学習の実施が必要となったときに、前記学習用ブロックを用いて学習を実施するよう前記記録再生手段を制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項５】
請求項４記載の情報記録再生装置において、
前記記憶手段には、最も新しく検出された学習用ブロックのアドレスが記憶されていることを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項６】
請求項４記載の情報記録再生装置において、
前記媒体は、データ領域が複数のゾーンに分割されている媒体であり、
前記学習用ブロック検出手段は、ゾーン毎に学習用ブロックを検出し、
前記制御手段は、前記学習の実施が必要となったときに、学習用ブロックが検出されたゾーンのうち、現在記録または再生しているゾーンに最も近いゾーンの学習用ブロックを用いて学習を実施するよう前記記録再生手段を制御することを特徴とする情報記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図１０において、１００は、ＣＤ用の第１の光源（波長７８０ｎｍのレーザ光を出力）、２００はＤＶＤ用の第２の光源（波長６５０ｎｍのレーザ光を出力）である。第１の光源１００から出射した光は、回折格子１０１を介して第１のビームスプリッタ１０２（平板タイプ）により反射され、第２のビームスプリッタ１０３を略全透過する。この第２のビームスプリッタ１０３（プリズムタイプ）に対しては、第２の光源２００からの光が入射している。第２のビームスプリッタ１０３は、第２の光源２００からの光に対しては、その進行方向を変換し、第１の光源１００からの光の進行方向と同じ方向にする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ＤＶＤ１０８の再生時には、第２の光源２００からの光が、上述した経路を通り、ＤＶＤ１０８の情報記録面に照射される。ＤＶＤ１０８の記録面からの反射光は、対物レンズ１０６ｂ、折り返しミラー１０５に入射する。ここで折り返された反射光は、コリメートレンズ１０４、第２のビームスプリッタ１０３を部分透過して直進し、第１のビームスプリッタ１０２を略全透過し、光検出器１０９に入射する。この光検出器１０９では、反射光を複数のフォトダイオードで検出し、光学的に読み取られた記録情報を電気的な読取り信号に変換する。また、トラッキング誤差信号及びフォーカス誤差信号なども生成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、上記のコイルへの電流供給方向と大きさにより、レンズホルダ７を軸周りに回転させて、対物レンズ８，９の所定位置の切換えを行うことができる。つまりＣＤ再生時とＤＶＤ再生時では対物レンズ８と９の位置を切換える必要があるからである。なおこの切換方法は各種の方法が可能であり、ここに示した方法に限定されるものではない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
第１の光源１１から出射した光は、第１のビームスプリッタ１２（平板タイプ）により反射され、第２のビームスプリッタ１３を通過する。この第２のビームスプリッタ１３（プリズム）に対しては、第２の光源２１からの光が入射している。第２のビームスプリッタ１３は、第２の光源２１からの光に対しては、その進行方向を変換し、第１の光源１１からの光の進行方向と同じ方向にする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ＤＶＤの再生時の光の波長は、例えば６５０ｎｍである。第２のビームスプリッタ１３は、波長選択膜を有し、光源２１からの光を反射し進行方向を変換するが、ディスクから反射して戻ってくる反射光は透過させる。また７８０ｎｍの進行光、反射光も透過させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上記のような機能を持つために、ＣＤの記録面に照射される光の偏光が直線偏光であり、このため複屈折を生じさせるようなＣＤの反射光に位相遅れが加わっても照射光が円偏光の場合よりも受光素子に向かう光の位相遅れが少なくて済む。よって受光素子と対物レンズとの間に透過率の偏光依存性のある素子が存在しても、再生信号振幅の低下が少ない光学系とすることができる。