(57)【要約】  本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体は、可撓性を有する絶縁性樹脂層の表面に配線パターンを形成するための配線形成金属層および該絶縁性樹脂層の裏面に支持体となる支持体金属層が積層されており、該金属複合積層体の合計の厚さ（Wt）が３５〜１３０μm、絶縁性樹脂層の厚さ（W0）が１０〜３０μmであり、該絶縁性樹脂層の表面に対面する配線形成金属層の平均表面度粗度（Rz-1）が０．５〜６．０μm、該絶縁性樹脂層の裏面に対面する支持体金属層の平均表面粗度（Rz-2）が０．５〜３．０μm、かつ配線形成金属層における上記平均表面粗度（Rz-1）と支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）との合計［（Rz-1）+(Rz-2)］が、絶縁性樹脂層の厚さ（W0）に対して３〜６０％、そして、上記配線形成金属層における平均表面粗度（Rz-1）に対する支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）の比［（Rz-2）：(Rz-1)］が４：１〜１：12であることを特徴とし、本発明の配線基板は、上記の積層体から製造することができる。本発明によれば、可撓性を有し、折り曲げて使用可能な配線基板を製造することができる。
2008032770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する絶縁性樹脂層の表面に配線パターンを形成するための配線形成金属層および該絶縁性樹脂層の裏面に支持体となる支持体金属層が積層された可撓性配線基板製造用金属複合積層体であって、
該金属複合積層体の合計の厚さ（Wt）が３５〜１３０μmの範囲内、絶縁性樹脂層の厚さ（W0）が１０〜３０μmの範囲内にあり、
該絶縁性樹脂層の表面に対面する配線形成金属層の平均表面度粗度（Rz-1）が０．５〜６．０μmの範囲内にあり、該絶縁性樹脂層の裏面に対面する支持体金属層の平均表面粗度（Rz-2）が０．５〜３．０μmの範囲内にあり、
かつ配線形成金属層における上記平均表面粗度（Rz-1）と支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）との合計［（Rz-1）+(Rz-2)］が、絶縁性樹脂層の厚さ（W0）に対して３〜６０％の範囲内にあると共に、
上記配線形成金属層における平均表面粗度（Rz-1）に対する支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）の比［（Rz-2）：(Rz-1)］が４：１〜１：１２の範囲内にあることを特徴とする可撓性配線基板製造用金属複合積層体。
【請求項２】
上記可撓性配線基板製造用金属複合積層体における配線形成金属層の厚さ（Wm1）と支持体金属層の厚さ（Wm2）との比（Wm1／Wm2）が、３／３５〜３５／１２の範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載の可撓性配線基板製造用金属複合積層体。
【請求項３】
上記絶縁性樹脂層の表面に対面する配線形成金属層の面の表面粗度の最大値（Rzmax-1）が上記絶縁性樹脂層の厚さ（W0）に対して１〜５５％範囲内にあり、上記絶縁性樹脂層の裏面に対面する支持体金属層の面における表面粗度の最大値（Rzmax-2）が上記絶縁性樹脂層の厚さ（W0）に対して１〜５５％範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載の可撓性配線基板製造用金属複合積層体。
【請求項４】
上記支持体金属層の絶縁性樹脂層に対面していない面について、次式（１）で表される表面積比が１〜1,600,000の範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載の可撓性配線基板製造用金属複合積層体：
【数３】
2008032770.tif 000006
【請求項５】
上記配線形成金属層が、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、および、ステンレス箔よりなる群から選ばれる一種類の金属箔から形成されていることを特徴とする請求項第１項記載の可撓性配線基板製造用金属複合積層体。
【請求項６】
上記支持体金属層が、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、ステンレス箔、および、インバー箔よりなる群から選ばれる一種類の金属箔から形成されていることを特徴とする請求項第１項記載の可撓性配線基板製造用金属複合積層体。
【請求項７】
上記絶縁性樹脂層が、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルサルホン、溶剤可溶型ポリイミド樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の溶剤可溶性洗浄ポリマー；エポキシ樹脂前駆体、硬化体および硬化促進剤からなるエポキシ樹脂配合物、および、ウレタン樹脂よりなる群から選ばれるいずれかの樹脂を含有する接着性樹脂組成物を塗布することにより形成されたものであることを特徴とする請求項第１項の可撓性配線基板製造用金属複合積層体。
【請求項８】
上記金属複合積層体の支持体金属層の絶縁性樹脂層と対面しない面に、支持体樹脂層が配置されていることを特徴とする請求項第１項乃至第７項のいずれかの項記載の可撓性配線基板製造用金属複合積層体。
【請求項９】
上記支持体樹脂層の支持体金属層が配置されていない面の表面に、さらに第３の金属層を有することを特徴とする請求項第８項記載の可撓性配線基板製造用金属複合積層体。
【請求項１０】
可撓性を有する絶縁性樹脂層の表面に配線形成金属層および裏面に支持体金属層が積層された金属複合積層体の配線形成金属層が所望のパターンにエッチングされた可撓性配線基板であって、
該金属複合積層体の合計の厚さ（Wt）が３５〜１３０μmの範囲内、絶縁性樹脂層の厚さ（W0）が１０〜３０μmの範囲内にあり、
該絶縁性樹脂層の表面ある配線パターンの絶縁性樹脂層に当接している面の平均表面度粗度（Rz-1）が０．５〜６．０μmの範囲内にあり、該絶縁性樹脂層の裏面に対面する支持体金属層の絶縁性樹脂層に当接している面の平均表面粗度（Rz-2）が０．５〜３．０μmの範囲内にあり、
かつ該配線パターンにおける上記平均表面粗度（Rz-1）と支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）との合計［（Rz-1）+(Rz-2)］が、絶縁性樹脂層の厚さ（W0）に対して３〜６０％の範囲内にあると共に、
上記配線パターンにおける平均表面粗度（Rz-1）に対する支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）の比［（Rz-2）：(Rz-1)］が４：１〜１：１２の範囲内にあることを特徴とする可撓性配線基板。
【請求項１１】
上記可撓性配線基板製造用金属複合積層体における配線パターンの厚さ（Wm1）と支持体金属層の厚さ（Wm2）との比（Wm1／Wm2）が、３／３５〜３５／１２の範囲内にあることを特徴とする請求項第１０項記載の可撓性配線基板。
【請求項１２】
上記絶縁性樹脂層の表面に対面する配線パターンの面の表面粗度の最大値（Rzmax-1）が上記絶縁性樹脂層の厚さ（W0）に対して１〜５５％範囲内にあり、上記絶縁性樹脂層の裏面に対面する支持体金属層の面における表面粗度の最大値（Rzmax-2）が上記絶縁性樹脂層の厚さ（W0）に対して１〜５５％範囲内にあることを特徴とする請求項第１０項記載の可撓性配線基板。
【請求項１３】
上記支持体金属層の絶縁性樹脂層に対面していない面について、次式（１）で表される表面積比が１〜２５０，０００の範囲内にあることを特徴とする請求項第１０項記載の可撓性配線基板：
【数４】
2008032770.tif 000007
【請求項１４】
上記配線パターンが、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、および、ステンレス箔よりなる群から選ばれる一種類の金属箔からなる配線形成金属層をエッチングすることにより形成されていることを特徴とする請求項第１０項記載の可撓性配線基板。
【請求項１５】
上記支持体金属層が、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、ステンレス箔、および、インバー箔よりなる群から選ばれる一種類の金属箔から形成されていることを特徴とする請求項第１０項記載の可撓性配線基板。
【請求項１６】
上記絶縁性樹脂層が、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルサルホン、溶剤可溶型ポリイミド樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の溶剤可溶性洗浄ポリマー；エポキシ樹脂前駆体、硬化体および硬化促進剤からなるエポキシ樹脂配合物、および、ウレタン樹脂よりなる群から選ばれるいずれかの樹脂を含有する接着性樹脂組成物を塗布することにより形成されたものであることを特徴とする請求項第１０項の可撓性配線基板。
【請求項１７】
上記金属複合積層体の支持体金属層の絶縁性樹脂層と対面しない面に、支持体樹脂層が配置されていることを特徴とする請求項第１０項乃至第１６項のいずれかの項記載の可撓性配線基板。
【請求項１８】
上記配線パターンが、金属複合積層体の支持体金属層の金属露出面に保護層を形成した後、配線形成金属層を選択的にエッチングすることにより形成されたものであることを特徴とする請求項第１０項記載の可撓性配線基板。
【請求項１９】
上記可撓性配線基板が、原反巻回リールに巻回されたテープ状の金属複合積層体を巻き出して、該テープを巻取りリールに巻き取る間に、該金属複合積層体の表面に多数の配線基板を連続的に形成することにより形成されたものであることを特徴とする請求項第１０項記載の可撓性配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱性、折り曲げ性、絶縁信頼性および寸法精度に優れた可撓性の配線基板を製造するのに適した金属複合積層体およびこの金属複合積層体を用いて形成された可撓性を有する配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路を電子機器に組み込むためにフィルムキャリアが使用されている。このフィルムキャリアは、一般に、ポリイミドフィルムなどの絶縁性フィルム基材の表面に銅などの金属箔を配置し、この金属箔を選択的にエッチングして配線パターンを形成することにより形成されている。【０００３】
しかしながら、このようなフィルムキャリアの絶縁性フィルム基材として使用されているポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムは吸水性があり、フィルムキャリアを製造する工程で吸水することによりフィルムキャリアテープが寸法変化を受け易くなる。最近のファインピッチ化の要請下に、許容される寸法精度のばらつきを０．０１％以下とする必要があり、上記のような樹脂フィルムを使用していたのではさらなるファインピッチ化に対応しにくくなってきている。【０００４】
また、上記のようなフィルムキャリアは、表面に形成されている配線パターンの表面にソルダーレジスト層あるいはカバーレイ層を形成して使用されるが、ソルダーレジスト層あるいはカバーレイ層を形成する際の硬化収縮などにより、反り変形が生ずることがあり、樹脂フィルムからなる絶縁性フィルム基材では、こうした反り変形の発生を防止することができにくい。【０００５】
さらに、上記のようなフィルムキャリアは、半導体を実装した後、折り曲げて使用することが多く、こうした場合に折り曲げ部分のフィルムキャリアを打ち抜いて使用する方法が採用されているが、このような折り曲げ部分における強度が著しく低くなるという問題がある。【０００６】
またさらに、上記のようなフィルムキャリアに実装される半導体は小型高密度化されており、こうした半導体から生ずる熱を効率よく廃熱しなければ高性能の半導体を有効に利用することができないが、フィルムキャリアを形成する樹脂フィルムからなる絶縁性フィルム基材は、熱伝導率が低いために、半導体から生じた熱を効率よく廃棄することができないという問題がある。【０００７】
こうした樹脂フィルムなどの絶縁性フィルム基材を用いたフィルムキャリアテープの課題を解決するために、たとえば、特開昭54-99563号公報（特許文献１）、特開昭62-186588号公報（特許文献２）、特開平6-168986号公報（特許文献３）、特開平8-55880号公報（特許文献４）、特開平8-204301号公報（特許文献５）、特開2004-134781号公報（特許文献６）などには、上述の絶縁性フィルム基材の代わりに、金属基材を使用することが提案されている。【０００８】
上記特許文献１〜５には、金属製の支持体の表面に絶縁層を介して配線基板を形成することが記載されているが、このような配線基板は、折り曲げなどに対応することはできない。【０００９】
さらに、特許文献６の段落〔００５１〕、〔００５３〕には、幅６００mm、厚さ３５μm（表面粗さRz＝４μm）にされた銅箔を連続的に供給して、前記箔上に絶縁接着剤組成物を１００μmになるように塗布し、絶縁接着組成物と接する面が粗化（Rz=４μm）された幅６００mm、厚さ３５μmの電解銅箔を積層し、ラミネーターにより加熱接合した後、熱風乾燥機により絶縁接着剤組成物を硬化し、その後、巻き取り機によりロール状にして、幅６００mm、厚さ１７０μm、長さ２５０ｍの金属箔複合体を作製したことが記載されている。【００１０】
しかしながら、この公報に記載されている金属複合体は、絶縁接着組成物の層が厚く、可撓性を有していないので、折り曲げて使用する配線基板を製造することはできない。
【特許文献１】特開昭54-99563号公報
【特許文献２】特開昭62-186588号公報
【特許文献３】特開平6-168986号公報
【特許文献４】特開平8-55880号公報
【特許文献５】特開平8-204301号公報
【特許文献６】特開2004-134781号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、絶縁性樹脂層を介して支持体金属層と配線形成金属層とが積層され、支持体金属層と配線形成金属層との間の絶縁信頼性の高い可撓性を有する配線基板を形成可能な金属複合積層体を提供することを目的としている。【００１２】
さらに本発明は、絶縁信頼性が高いと共に、絶縁性樹脂層に対する密着性が高く、しかも優れた可撓性を有する配線基板を形成可能な金属複合積層体を提供することを目的としている。【００１３】
また、本発明は、IC半導体装置からの熱を効率よく除去することができる可撓性の配線基板を形成可能な金属複合積層体を提供することを目的としている。【００１４】
本発明は、さらに、絶縁性樹脂層表面に形成された配線パターンと、この絶縁性樹脂層の裏面側に積層された支持体金属層との間の絶縁信頼性の高い配線基板を提供することを目的としている。【００１５】
また、本発明は、上記のように絶縁信頼性が高いと共に、絶縁性樹脂層に対する密着性が高く、しかも優れた可撓性を有する配線基板を提供することを目的としている。【００１６】
さらに、本発明は、IC半導体装置からの熱を効率よく除去することができる可撓性の配線基板を提供することを目的としている。【００１７】
またさらに、本発明は高性能のIC半導体装置を高密度で実装しても高性能IC半導体装置からの熱によって誤作動などの不具合が生じにくい配線基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体は、可撓性を有する絶縁性樹脂層の表面に配線パターンを形成するための配線形成金属層および該絶縁性樹脂層の裏面に支持体となる支持体金属層が積層された可撓性配線基板製造用金属複合積層体であって、
該金属複合積層体の合計の厚さ（Wt）が３５〜１３０μmの範囲内、絶縁性樹脂層の厚さ（W0）が１０〜３０μmの範囲内にあり、
該絶縁性樹脂層の表面に対面する配線形成金属層の平均表面度粗度（Rz-1）が０．５〜６．０μm、好ましくは０．５〜３．０μｍの範囲内にあり、該絶縁性樹脂層の裏面に対面する支持体金属層の平均表面粗度（Rz-2）が０．５〜３．０μmの範囲内にあり、
かつ配線形成金属層における上記平均表面粗度（Rz-1）と支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）との合計［（Rz-1）+(Rz-2)］が、絶縁性樹脂層の厚さ（W0）に対して３〜６０％の範囲内にあると共に、
上記配線形成金属層における平均表面粗度（Rz-1）に対する支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）の比［（Rz-2）：(Rz-1)］が４：１〜１：１２、好ましくは２：１〜１：１２の範囲内にあることを特徴としている。【００１９】
また、本発明の可撓性配線基板は、可撓性を有する絶縁性樹脂層の表面に配線形成金属層および裏面に支持体金属層が積層された金属複合積層体の配線形成金属層が所望のパターンにエッチングされた可撓性配線基板であって、
該金属複合積層体の合計の厚さ（Wt）が３５〜１３０μmの範囲内、絶縁性樹脂層の厚さ（W0）が１０〜３０μmの範囲内にあり、
該絶縁性樹脂層の表面ある配線パターンの絶縁性樹脂層に当接している面の平均表面度粗度（Rz-1）が０．５〜６．０μm、好ましくは０．５〜３．０μｍの範囲内にあり、該絶縁性樹脂層の裏面に対面する支持体金属層の絶縁性樹脂層に当接している面の平均表面粗度（Rz-2）が０．５〜３．０μmの範囲内にあり、
かつ該配線パターンにおける上記平均表面粗度（Rz-1）と支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）との合計［（Rz-1）+(Rz-2)］が、絶縁性樹脂層の厚さ（W0）に対して３〜６０％の範囲内にあると共に、
上記配線パターンにおける平均表面粗度（Rz-1）に対する支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）の比［（Rz-2）：(Rz-1)］が４：１〜１：１２、好ましくは２：１〜１：１２の範囲内にあることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体では、絶縁性樹脂層の表面および裏面に所定の平均表面粗度を有する金属層が形成されており、絶縁性樹脂層と金属層とが高い強度で接合しているが、金属層の表面の粗さと絶縁性樹脂層の厚さとを所定の比率にしているために、絶縁性樹脂層の表面側にある金属層と裏面側にある金属層との間で短絡が生じることがなく、しかも、この絶縁性樹脂層が熱伝導性を妨げることがない。したがって、この金属複合積層体を用いて形成された配線基板は、折り曲げた場合でも配線パターンが絶縁性樹脂層から剥離することがなく、しかも配線パターン側で発生した熱が絶縁性樹脂層を介して裏面側の金属層に良好に伝わるので、実装された半導体で発生した熱を裏面側に配置された金属層から効率よく除去することができる。【００２１】
さらに本発明では、支持体金属層の接着面の平均表面粗度と配線形成金属層の接着面とが、支持体金属層にかかる応力、および、配線形成金属層から形成された配線パターンにかかる応力に応じて振り分けられている。すなわち、こうして形成された配線基板は、優れた可撓性を有しており、折り曲げて使用したとしても折り曲げ部分に生ずる応力に対応した接着強度が発現するように、支持体金属層、配線形成金属層の平均表面粗度が、予め振り分けられている。このため本発明の配線基板は、折り曲げて使用するなど様々な使用方法によっても配線パターンおよび支持体金属層が、絶縁性樹脂層から剥離することがない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体の断面の例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体の絶縁性樹脂層付近を拡大して示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の可撓性配線基板の断面の例を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の可撓性配線基板を製造する過程における基板の断面の例を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体の他の例を示す断面図である。
【図６】図６は、支持体樹脂層を配置した本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体の例を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体で支持体金属層に使用することができる陽極酸化されたアルミニウム箔の表面の状態の例を示す電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００２３】
１０・・・支持体金属層
１２・・・支持体金属層の表面
１３・・・凹部
１４・・・凸部
１５・・・支持体金属層の裏面
２０・・・絶縁性樹脂層
２２・・・絶縁性樹脂層の裏面
２４・・・絶縁性樹脂層の表面
２５・・・絶縁性接着樹脂層
３０・・・配線形成金属層
３２・・・配線形成金属層の表面
３３・・・凹部
３４・・・凸部
３５・・・配線形成金属層の裏面
４５・・・支持体樹脂層
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体およびこれを用いて製造される可撓性配線基板について図面を参照しながら具体的に説明する。【００２５】
図１は、本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体の断面を模式的に示す断面図およびその拡大断面図である。【００２６】
図１に示すように、本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体は、絶縁性樹脂層20の裏面側に支持体となる支持体金属層10が形成されており、絶縁性樹脂層20の表面側に配線パターンを形成するための配線形成金属層30が形成されている。【００２７】
ここで絶縁性樹脂層20を形成する樹脂としては、可撓性があり、かつ絶縁性の樹脂を使用することができる。このような樹脂の例として、たとえばビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルサルホン、溶剤可溶型ポリイミド樹脂などの溶剤可溶な線状ポリマー、エポキシ樹脂と硬化剤および硬化促進剤とからなるエポキシ樹脂配合物、ウレタン樹脂などを挙げることができる。これらの中でも、2枚の金属箔を良好に接着するために、上記の溶剤可溶な線状ポリマーの中から少なくとも一種類の樹脂を選択し、この線状ポリマーとエポキシ樹脂と硬化剤および硬化促進剤とからなるエポキシ樹脂配合物を使用することができる。【００２８】
ここで使用する硬化剤の例としては、フェノールノボラック樹脂のようなフェノール系エポキシ硬化剤やジアミノジフェニルスルホンのようなアミン系エポキシ樹脂硬化剤を挙げることができ、また硬化促進剤の例としてはトリフェニルフォスフィン、イミダゾール類、ジメチル尿素などの尿素誘導体を挙げることができる。これらは単独であるいは組み合わせて使用することができる。【００２９】
また、このエポキシ樹脂配合物中におけるエポキシ樹脂と溶剤可溶な線状ポリマーとの配合重量比は適宜設定できる。なお、本発明ではこの絶縁性樹脂層20が難燃性であることが望ましく、上記のような樹脂配合物に、臭素系難燃剤、リン系難燃剤などの難燃剤を配合することが望ましい。このよう難燃剤の配合量は樹脂成分１００重量部に対して、臭素系難燃剤であれば臭素として通常は１０〜２０重量部、好ましくは１２〜１８重量部であり、リン系難燃剤であれば、リンとして通常は０．５〜３重量部、好ましくは１〜２重量部である。【００３０】
本発明において、絶縁性樹脂層20は、通常は単層であるが、複数の樹脂の積層体であってもよい。【００３１】
このような絶縁性樹脂層20の裏面側には、この可撓性配線基板製造用金属複合積層体の支持体となる支持体金属層10が配置されており、表面側には、配線パターンを形成する配線形成金属層30が配置されている。これらの配線形成金属層30および支持体金属層10は、通常は金属箔を使用して形成され、この絶縁性樹脂層20は、配線形成金属層30あるいは支持体金属層10内のいずれか一方を形成する金属箔の表面に絶縁性樹脂を含有する塗布液を塗布し、半硬化状態の絶縁性樹脂の塗布層に他方の金属箔を配置して加熱下に加圧することにより形成することができる。【００３２】
上記のようにして絶縁性樹脂層20を形成すると、支持体となる支持体金属層10との界面は図１に付番10-１で示すように支持体金属層10の表面12の状態が絶縁性樹脂層20の裏面22に転写されて支持体金属層10の表面12の状態と同様の状態になる。また、同様に図１に付番30-1で示すように、絶縁性樹脂層20の表面24は、配線形成金属層30の表面32の状態が転写された状態になる。【００３３】
このようにして絶縁性樹脂層20の表裏面の状態は、支持体金属層10と、配線形成金属層30とによって挟まれることにより、それぞれの金属層の表面状態が転写される。【００３４】
本発明では、図１の付番10-1に示すように、支持体金属層10は、平均表面粗度（Rz-2）が通常は０．５〜１０μm、好ましくは０．５〜３．０μmの範囲内にあり、また配線形成金属層30は、図１の付番30-1に示すように、平均表面粗度（Rz-1）が、通常は０．１〜１０μm、好ましくは０．５〜６．０μｍの範囲内にあり、絶縁性樹脂層20の裏面22の表面は、支持体金属層10の平均表面粗度（Rz-2）に対応した表面状態になり、絶縁性樹脂層20の表面は、配線形成金属層30の平均表面粗度（Rz-1）に対応した表面状態になる。【００３５】
このように絶縁性樹脂層20の表面を挟持される金属層の表面状態と同様の状態にするためには、上記例示した溶剤可溶な線状ポリマーとエポキシ樹脂と硬化剤および硬化促進剤とからなる樹脂配合剤を使用することが好ましい。絶縁性樹脂としてこのような樹脂配合剤を使用する場合、絶縁性樹脂の表面形状転写性が高いことが好ましく、樹脂配合剤の塗布液は、溶剤を加えて適切な粘度に調整する。さらに、絶縁性樹脂の塗布層を半硬化状態で金属箔で挟んで加熱下に加圧することにより積層体を形成することから、半硬化状態の樹脂層に金属層が食い込んでその表面状態が転写されるようにある程度の柔軟性を有していることが望ましく、上記のような樹脂配合物を金属箔表面に塗布して溶剤を除去して樹脂配合物を半硬化状態にまで硬化させた後、この半硬化状態の絶縁性樹脂層の表面に別の金属箔を当接して、加熱下に加圧してすることにより、当接した金属の表面状態が半硬化状態の絶縁性樹脂層に転写され、支持体である支持体金属層10、絶縁性樹脂層20、そして、配線パターンを形成するための配線形成金属層30がこの順序で積層された金属複合積層体が得られる。殊に本発明では、上記のような樹脂配合物を使用することにより、MIL-P-13949Gに準拠して測定したレジストフローが５〜５０％、好ましくは１０〜４０％程度になり、加熱下に加圧して金属箔を圧着する際に積層体の側端部から樹脂がはみ出すのを防止することができる。【００３６】
なお上記説明は、一方の金属箔表面に上記成分の塗布液を塗布して半硬化させた後、他方の金属を加熱圧着する方法を例にして説明しているが、絶縁性樹脂層20の形成方法としては、そのほかに、剥離性基材の表面に上記塗布液を塗布して半硬化させた後、剥離性基材から絶縁性樹脂層を金属箔表面に転写してこの転写した半硬化した絶縁性樹脂層の両面に金属箔を配置して加熱圧着する方法、それぞれの金属箔の表面に絶縁性樹脂層を形成して、この絶縁性樹脂層が対面するように金属箔を配置して加熱圧着する方法などがある。【００３７】
上記のようにして形成される絶縁性樹脂層20の厚さ（W0）は、１０〜３０μmの範囲内にあることが好ましい。さらに、積層される配線形成金属層30の絶縁性樹脂層20に対面する表面32の平均表面粗度（Rz-1）と、支持体金属層10の絶縁性樹脂層20に対面する表面12の平均表面粗度（Rz-2）との合計［（Rz-1）+（Rz-2）］が、上記絶縁性樹脂層20の厚さ（W0）の３〜６０％、好ましくは２〜５０％の範囲内になるように絶縁性樹脂層20の厚さを設定する。【００３８】
すなわち、図２に示すように、この絶縁性樹脂層20の表裏面に積層される配線形成金属層30および支持体金属層10の表面は、多数の凹凸が形成されているのが一般的であり、配線パターンを形成する配線形成金属層30の平均表面粗度（Rｚ-1）は、０．５〜６．０μmの範囲内にあり、支持体を形成する支持体金属層10の平均表面粗度（Rz-2）は０．５〜３．０μmの範囲内にある。本発明では金属層の平均表面粗度は、金属層の表面の任意の１０点について調べた値の平均値であり、図２に示されているように、配線形成金属層30に関してみれば、本発明で許容できる平均表面粗度の幅は、図2中にRz-1で示される範囲にあり、同様に支持体金属層10に関してみれば本発明で許容できる平均表面粗度の幅は、図２中にRz-2で示される範囲である。ところが、たとえば配線形成金属層30についてみれば、平均表面粗度（Rz-1）は、図2中にRz-1で示された幅の中にあるけれども、この配線形成金属層30の表面には、平均表面粗度（Rz-1）の幅を大きく逸脱して高い凸部34があり、この凸部34が、配線形成金属層30におけるRzmax-1である。また、逆に平均表面粗度（Rz-1）の幅を大きく逸脱して深い凹部33がこの配線形成金属層30におけるRzmim-1である。【００３９】
同様に、支持体金属層10についてみれば、平均表面粗度（Rz-2）は、図2中にRz-2で示された幅の中にあるけれども、この支持体金属層10の表面には、平均表面粗度（Rz-2）の幅を大きく逸脱して高い凸部14があり、この凸部14が、支持体金属層10におけるRzmax-2である。また、逆に平均表面粗度（Rz-2）の幅を大きく逸脱して深い凹部13がこの配線形成金属層10におけるRzmim-2である。【００４０】
したがって、この絶縁性樹脂層20の平均厚さをW0とすれば、仮に、配線形成金属層30におけるRzmax-1であるこの凸部34と、支持体金属層10におけるRzmax-2であるこの凸部14とが同じ位置にあれば、この凸部34と凸部14との合計がW0を超えており、凸部34と凸部14との間で短絡が形成される。逆に仮に凸部14と凹部34とでは、短絡は発生しない。【００４１】
絶縁性樹脂層20の厚さを厚くすれば、こうした問題は生じないけれども、絶縁性樹脂層20を厚くするとこの可撓性配線基板製造用金属複合積層体の剛性が高くなり、可撓性が損なわれやすい。このために絶縁性樹脂層20の厚さには可撓性と絶縁性を考慮して制限がある。本発明では、金属箔の表面の状態を多種検討した結果、こうした金属層10,30の平均表面粗度（Rz-1,Rz-2）と、絶縁性樹脂層20の平均の厚さ（W0）とを特定の範囲にすることにより、上記のような配線形成金属層の凸部と支持体金属層の凸部とが近接することによる配線形成金属層と支持体金属層との間で短絡が発生しない範囲を求めたものである。【００４２】
本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体において、配線形成金属層30の面の表面粗度の最大値（Rzmax-1）は、上記絶縁性樹脂層10の平均の厚さ（W0）に対して通常は１〜５５％の範囲内にある。また、支持体金属層10の面の表面粗度の最大値（Rzmax-２）は、上記絶縁性樹脂層10の平均の厚さ（W0）に対して通常は１〜５５％の範囲内にある。このように金属層の表面粗どの最大値に対して絶縁性樹脂層10の平均の厚さ（W0）を上記の範囲内に設定することにより、絶縁性樹脂層で短絡が生じない。【００４３】
上述のように配線形成金属層30の表面状態および支持体金属層10の表面状態は、それぞれの金属層の平均表面粗度（Rz-1）および平均表面粗度（Rz-2）を測定することによっておおよそ掌握することができるが、この測定によって求められる値はその金属箔の全体像であって、金属層を形成する金属箔の全面を検査して存在する凸部を全て把握することは現実の配線基板の製造方法では不可能である。【００４４】
しかしながら、本発明によれば、測定可能な配線形成金属層30の平均表面粗度（Rz-1）と支持体金属層10の平均表面粗度（Rz-2）と、さらに絶縁性樹脂層10の平均の厚さ（W0）を測定することにより、平均表面粗度の合計［（Rz-1）+（Rz-2）］が、絶縁性樹脂の平均の厚さ（W0）に対して３〜６０％の範囲内、好適には２〜５０％になるような平均の厚さ（W0）に絶縁性樹脂層20を形成することにより、配線形成金属層30と支持体金属層10との間で短絡をほぼ完全に防止できる。しかも、絶縁性樹脂層29から配線基板を形成すると、この配線基板が非常に良好な可撓性を有しており、折り曲げ使用などによっても、配線パターンの剥離あるいは断線などが発生しない。【００４５】
さらに、支持体金属層10は支持体となる金属層であるのに対して、配線形成金属層30は、配線パターンを形成するための金属層であるから、支持体金属層10は全面で絶縁性樹脂層20の表面と接合した状態が最終の形態である。こうした配線形成金属層30と支持体金属層との最終の使用形態から、細線化されて配線パターン37の絶縁性樹脂層20に対する接着強度をより高くすること必要があるのに対して、支持体である支持体金属層10は、絶縁性樹脂層20と全面で接合するので、配線形成金属層30よりも絶縁性樹脂層20に対する接合強度は低くても充分に支持体として機能する。【００４６】
本発明では、配線形成金属層における平均表面粗度（Rz-1）に対する支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）の比［（Rz-2）：(Rz-1)］が４：１〜１：１２の範囲内、好ましくは１：１〜１：１０、特に好ましくは０．８：１〜１：６の範囲内にして、配線基板になったときの配線パターン37の接着強度と、支持体金属層10の接着強度を調整しているのである。【００４７】
本発明では、上述のように配線形成金属層30の平均表面粗度（Rz-1）と支持体金属層10の平均表面粗度（Rz-2）の平均表面粗度の合計［（Rz-1）+（Rz-2）］と、絶縁性樹脂層10の平均の厚さ（W0）を規定して短絡の防止、および、可撓性の確保を行っているが、平均表面粗度の合計［（Rz-1）+（Rz-2）］の内、絶縁性樹脂層20とより高い密着性を必要とする配線形成金属層30の平均表面粗度（Rz-1）の割合を大きくすることにより形成される配線パターンの密着性が大変良好になり、また全面で絶縁性樹脂層10と接合する支持体金属層10における平均表面粗度（Rz-1）の割合を小さくしたとしても、本発明の金属複合積層体から得られる可撓性配線基板の支持体である支持体金属層10が剥離することはない。そして、本発明では、配線形成金属層30の平均表面粗度（Rz-1）と支持体金属層10の平均表面粗度（Rz-2）の平均表面粗度の合計［（Rz-1）+（Rz-2）］を、配線形成金属層30および支持体金属層10の機能に合わせて内分することにより、短絡が発生せず、可撓性で、且つ折り曲げ強度も高い配線基板の形成が可能になるのである。【００４８】
このように製造工程において一般に測定可能な配線形成金属層の平均表面粗度（Rz-1）、支持体金属層の平均表面粗度（Rz-2）および絶縁性樹脂層の平均の厚さ（W0）によって、短絡の発生、可撓性、折り曲げ強度を調整するという技術的思想はこれまでの配線基板においては知られていなかった。【００４９】
上記のような本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体において、絶縁性樹脂層20の表面に積層される配線形成金属層30は、エッチングなどにより半導体を実装するための配線パターンを形成するための層である。このように配線パターンを形成するための金属箔の例として、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、ステンレス箔を挙げることができる。本発明では、電気抵抗および加工のしやすさから銅箔を使用することが好ましい。【００５０】
ここで配線形成金属層30を銅箔で形成する場合、電解銅箔、圧延銅箔のいずれの銅箔を使用することができる。このような配線形成金属層30の厚さ（Wm1）は、通常は５〜３５μm、好ましくは８〜３０μmの範囲内にある。このような厚さの銅箔を使用することにより厚さが５〜３５μm、好ましくは５〜３０μmの配線パターンを形成することができる。【００５１】
この配線形成金属層30を銅箔で形成する場合、絶縁性樹脂層20の表面に対面する面の平均表面租度（Rz-1）は、０．５〜３．０μmの範囲内にある。この平均表面租度（Rz-1）を０．５μmに満たない場合には、絶縁性樹脂層20との間に充分な密着強度が発現しないので、形成された配線パターンの剥離が生ずる。また、平均表面租度（Rz-1）が６．０μmを超えると、配線形成金属層30と支持体金属層10との間で発生する短絡が形成される可能性が高くなり、有効な配線基板を安定に形成することができない。特に本発明では配線形成金属層30の平均表面租度（Rz-1）を上記範囲内で好適な値に設定することにより、形成された配線パターンの剥離がなく、さらに配線形成金属層30と支持体金属層10との間で短絡が発生しない。【００５２】
この配線形成金属層30を構成する銅箔の絶縁性樹脂層20に対面する面32には、絶縁性樹脂層20との接着性を高めるために、Ni、Cr、Zn、Sn、Coなどの金属を用いて表面処理されていてもよい。これらの金属は単独であるいは組み合わせて使用することができる。さらに、この面には、必要により、瘤付け処理、シランカップリング処理などの表面処理が施されていてもよい。【００５３】
この配線形成金属層30を圧延銅箔を使用する場合、圧延銅箔は表裏面で表面粗度に差がないのが一般的であるので、その平均表面粗度（Rz-1）を上記範囲内に調整すれば、いずれの面を利用することができる。【００５４】
ところが、この配線形成金属層30を、電解銅箔を使用して形成する場合、電解銅箔には、析出開始面（Ｓ面）と析出終了面（Ｍ面）とがあり、一般にはＳ面の方が、Ｍ面よりも表面粗度が低い。本発明でこの配線形成金属層30を、電解銅箔を用いて形成する場合には、Ｓ面を絶縁性樹脂層30に対面する面に配置することが好ましい。本発明では、配線形成金属層30のＳ面を接着剤で絶縁性樹脂層に貼着する場合には、その平均表面粗度（Rz-1）を上記の範囲内に調整する。そして、上記の絶縁性樹脂層を用いることにより、上記のような平均表面祖度（Rz-1）のＳ面を接着に用いても非常に高い接着強度が発現する。【００５５】
むしろ、Ｍ面を用いると、その平均表面祖度（Rz-1）が上記範囲の上限を超えることが多くなるので、Ｍ面を使用しようとする場合には、エッチングなどにより表面を整面する必要がある。【００５６】
なお、配線形成金属層10の絶縁性樹脂層20と対面していない裏面35の平均表面粗度は通常は０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．１〜８μｍの範囲内にあり、このような平均表面粗度は、電解銅箔のＭ面の表面粗度と略同等である。【００５７】
また、本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体において、支持体金属層10は、支持体となる金属層であり、このような支持体金属層10を形成する金属箔の例としては、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、ステンレス箔、インバー箔などを挙げることができる。【００５８】
すなわち、この支持体金属層10は、金属積層複合体の支持体となる層であり、上記配線形成金属層30と、同一の金属を用いて形成されていてもよいし、異なる金属で形成されてもよい。ただし、配線形成金属層30と支持体金属層10とが同一の金属で形成されている場合、配線形成金属層30と支持体金属層10との熱膨張係数が等しくなるために、本発明の金属複合積層体を加熱冷却を繰り返しても形成された配線基板における反り変形の発生を予防できる。また、インバー箔は熱による膨張・収縮がほとんどないので、これを用いることにより、非常に寸法安定性の高い可撓性配線基板製造用金属複合積層体を形成することができる。また、銅箔は配線形成金属層30を、銅箔を用いて形成した場合には同一の金属箔になり、熱膨張率が配線形成金属層30および支持体金属層10が等しくなることから、温度変化によっても本発明の金属積層複合体に反り変形などが生じにくくなる。また、この支持体金属層をアルミニウム箔で形成することもできる。アルミニウム箔は、たとえば陽極酸化などによる表面処理を容易に行うことができる。【００５９】
この支持体金属層は、本発明の可撓性配線基板において、支持体となる層であり、この金属支持体層は放熱部としても機能する層であり、放熱効率をより高くするためには、この支持体金属層10の絶縁性樹脂層20と接していない裏面15について次式（１）で表される表面積比が１〜２５０，０００の範囲にあることが好ましく、さらに３００〜２００，０００の範囲にあることが特に好ましい。【００６０】
【数１】
2008032770.tif 000003
【００６１】
支持体金属層の裏面15の表面積比が上記のような値を有する支持体金属層は、空気との接触面積が大きくなるので、大変優れた放熱性を示す。【００６２】
上記のような表面積比を有する金属箔は、たとえば、金属箔が電解銅箔である場合、Ｍ面を使用することにより、さらに必要により、対応面を粗面化処理することにより達成することができる。この支持体金属層の裏面15の平均表面粗度は、通常は０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．１〜５μｍの範囲内にある。また、金属箔がアルミニウム箔である場合には、陽極酸化によって上記のような表面状態を有するアルミニウム箔を容易に形成することができる。【００６３】
特に本発明では、陽極酸化の前処理として、アノード電極とするアルミニウム箔を、通常は、エメリー紙を用いて研磨し、アルミナ粉を用いてバフ研磨し、次いで超音波洗浄を行う。さらにこうして超音波洗浄したアルミニウム箔を、リン酸、硫酸、クロム酸などのアルミニウムの電解研磨液を用いて１０〜９０Ｖの電圧を印加して電解研磨する。【００６４】
こうして電解研磨したアルミニウム箔をアノード、Ｐｔをカソードとして、１０〜２０％程度の濃度の硫酸中で、印加電圧１０〜３０Ｖ程度、陽極酸化時間０．１〜５分程度に設定して１〜２５℃程度の温度で陽極酸化することにより、本発明の支持体金属層として好適に使用することができる陽極酸化アルミニウム箔を製造することができる。こうして得られた陽極酸化アルミニウム箔の例を図７に示す。図７は陽極酸化アルミニウム箔の電子顕微鏡写真である。図７に示す陽極酸化アルミニウム箔には、陽極酸化による孔と陽極酸化の際の孔蝕よる孔とが形成された表面形状を有しており、上記式(１)で表される表面積比が大変大きくなり、大変優れた放熱性を示す。【００６５】
本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体においては、支持体金属層10は、上記のような金属箔で形成されていることが好ましく、特に、銅箔、アルミニウム箔、陽極酸化アルミニウム箔、インバー箔であることが特に好ましい。【００６６】
このような支持体金属層10の厚さ（Wm2）は通常は１２〜７５μｍの範囲内にある。この支持体金属層10の厚さが１２μｍに満たないと、絶縁性樹脂層20などが吸湿することによる配線基板の寸法変化を防止する効果が充分に発現しないことがあり、また７５μｍを超えると、本発明の可撓性配線基板を折り曲げて使用するのが困難になる。【００６７】
さらに、本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体において、配線形成金属層30の厚さ（Wm1）と支持体金属層10の厚さ（Wm2）との比（Wm1／Wm2）は、通常は３／３５〜３５／１２の範囲内にある。このように配線形成金属層30の厚さと支持体金属層10との厚さを上記のようにすることにより、良好な可撓性を有しながら良好な折り曲げ性を有する配線基板を形成することができる。【００６８】
この支持体金属層10が絶縁性樹脂層20と対面する表面12の平均表面粗度(Rz-2)は、上述のように０．５〜３．０μｍ範囲内にあり、上記の配線形成金属層の平均表面粗度(Rz-1)との合計［(Rz-1)＋(Rz-2)］が絶縁性樹脂層の平均の厚さ（W0）の3〜６０％の範囲内にあることが必要であるが、この支持体金属層10は支持体として絶縁性樹脂層20に全面貼着していることから、折り曲げた際に配線形成金属層10よりも剥離しにくい。このために上記配線形成金属層における平均表面粗度（Rz-1）に対する支持体金属層における上記平均表面粗度（Rz-2）の比［（Rz-2）：(Rz-1)］を、４：１〜１：１２の範囲内、好ましくは１：１〜１：１０の範囲内、特に好ましくは０．８：１〜１：６の範囲内にすることにより、絶縁性と接着強度とのバランスを取ることができる。しかも過度に絶縁性樹脂層20を厚くしなくとも良好な短絡が生じないので、配線基板の可撓性が損なわれることもない。【００６９】
本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体は、上記のように絶縁性樹脂層20の一方の面に配線パターンを形成するための配線形成金属層30、他方の面に支持体としての支持体金属層10を有していればよいが、図４に示すように、配線形成金属層30の表面に感光性樹脂層を形成してこの感光性樹脂層を露光・現像して所望のパターン52を形成し、このパターン52をマスキング材として配線形成金属層30を選択的にエッチングして配線パターン37を形成する場合、絶縁性樹脂層20の他方の面に支持体を形成するために配置されている支持体金属層10がエッチング剤と接触して溶解するのを防止することを目的として、さらに本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体を補強するために、図６に示されるように、支持体金属層10の表面に支持体樹脂層45を形成することができる。本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体では、上記のような支持体樹脂層45を配置した状態で取り扱うことが好ましい。【００７０】
この支持体樹脂層45は、耐薬品性のよい樹脂を塗布して形成することもできるし、別途用意したフィルムを貼着して形成することもできる。この支持体樹脂層45の厚さは、エッチングの際の支持体金属層10の保護のためであればそれほど厚くすることを必要とせず、通常は１〜１００μｍであり、この支持体樹脂層45をエッチング後も支持体として残すのであれば、通常は２〜５００００μｍ、好ましくは２〜１００００μｍ程度にする。【００７１】
また、本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体は、上記のように絶縁性樹脂層20の一方の面に配線パターンを形成するための配線形成金属層30、他方の面に支持体としての支持体金属層10を有していればよいが、支持体である支持体金属層10をさらに厚く形成する場合、図５に示すように、支持体金属層10の裏面15に絶縁性接着樹脂層25を設けてさらにこの絶縁性接着樹脂層25を接着剤層として、支持金属層40を配置することができる。ここで絶縁性接着樹脂層25としては、絶縁性および接着性を有する樹脂を使用することができるが、たとえば本発明の金属複合積層体の絶縁性樹脂層20を形成した樹脂を使用することもできる。また、この絶縁性接着樹脂層25の厚さは通常は０．５〜１００μｍ、好ましくは３〜８０μｍの範囲内にある。また、支持金属層40の厚さは、通常は、１〜７５μｍ、好ましくは１〜３５μｍである。【００７２】
また、同様に上記絶縁性接着剤層25および支持金属層40をさらに積層することもできる。【００７３】
上記のような金属複合積層体から形成される本発明の可撓性配線基板は、図３に示すように、可撓性を有する絶縁性樹脂層20の表面に配線形成金属層30および裏面に支持体金属層10が積層された金属複合積層体の配線形成金属層が所望のパターンにエッチングされた可撓性配線基板である。【００７４】
本発明の可撓性配線基板の製造に用いられる金属複合積層体は、合計の厚さ（Wt）が３５〜１３０μmの範囲内、絶縁性樹脂層20の厚さ（W0）が１０〜３０μmの範囲内にある。【００７５】
さらに、絶縁性樹脂層20の表面ある配線パターン37の絶縁性樹脂層20に当接している面の平均表面度粗度（Rz-1）が０．５〜６．０μmの範囲内にある。また、この絶縁性樹脂層20の裏面に対面する支持体金属層10の絶縁性樹脂層20に当接している面の平均表面粗度（Rz-2）が０．５〜３．０μmの範囲内にある。【００７６】
そして、配線パターン37における上記平均表面粗度（Rz-1）と支持体金属層10における上記平均表面粗度（Rz-2）との合計［（Rz-1）+(Rz-2)］が、絶縁性樹脂層20の厚さ（W0）に対して３〜６０％の範囲内にあると共に、上記配線パターン37における平均表面粗度（Rz-1）に対する支持体金属層10における上記平均表面粗度（Rz-2）の比［（Rz-2）：(Rz-1)］が０．８：１〜１：１２の範囲内、好ましくは４：１〜１：１０の範囲内にある。【００７７】
さらに、本発明の可撓性配線基板は、支持体金属層10の絶縁性樹脂層20に対面していない面について、次式（１）で表される表面積比が１〜250,000の範囲内、好ましくは３００〜２００，０００の範囲内にある。【００７８】
【数２】
2008032770.tif 000004
【００７９】
このような本発明の可撓性配線基板は、上述のように配線パターンは、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、および、ステンレス箔よりなる群から選ばれる一種類の金属箔からなる配線形成金属層をエッチングすることにより形成することができる。【００８０】
また、支持体金属層は、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、ステンレス箔、および、インバー箔よりなる群から選ばれる一種類の金属箔から形成されていることが好ましい。特に、支持体金属層を、電解銅箔、アルミニウム箔、陽極酸化アルミニウム箔、インバー箔で形成することが好ましい。【００８１】
さらに、絶縁性樹脂層は、前記と同様に、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルサルホン、および、溶剤可溶型ポリイミド樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の溶剤可溶性洗浄ポリマー；エポキシ樹脂前駆体、硬化体および硬化促進剤からなるエポキシ樹脂配合物、ならびに、ウレタン樹脂よりなる群から選ばれるいずれかの樹脂を含有する接着性樹脂組成物を塗布することにより形成されたものであることが好ましい。【００８２】
上記金属複合積層体の支持体金属層10の絶縁性樹脂層20と対面しない面に、支持体樹脂層45が配置することができる。本発明の配線基板には、上記のような支持体樹脂層45が配置された状態で取り扱うことが好ましい。【００８３】
本発明の可撓性配線基板を用いて、原反巻回リールに巻回されたテープ状の金属複合積層体を巻き出して、この金属複合積層体のテープを巻取りリールに巻き取る間に、金属複合積層体の表面に多数の配線基板を連続的に形成することにより製造することができる。【００８４】
［実施例］
次に本発明の実施例を示してさらに詳細に説明するが本発明はこれらによって限定されるものではない。
【実施例１】
【００８５】
支持体金属層を形成する厚さ３５μｍの電解銅箔（３ＥＣ-III箔；厚さ３５μｍ）のＭ面（Rz=５．５μｍ）に支持体樹脂層となるエポキシ樹脂組成物を乾燥厚さが３５μｍ厚となるように塗布した。次いでこの電解銅箔のＳ面（Rz=１．１μｍ）に絶縁性樹脂層となるエポキシ樹脂組成物を乾燥厚さが１２μｍ厚となるように塗布した。こうして形成された三層積層体（ベーステープ）にベーステープ搬送用のスプロケットホール、IC接合用のデバイスホールおよび配線基板を折り曲げて使用するための屈曲部のホールを形成し、次いで、配線形成金属層となる電解銅箔（FQ-VLP箔；厚さ２５μｍ）のＳ面（Rz=１．２μｍ）を上記の三層積層体の１２μｍのエポキシ樹脂組成物塗布層の上に配置してロールラミネートにて温度１４０℃、圧力０．３MPaの条件で接着して、厚さ１０７μｍの本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体を製造した。【００８６】
次いで、この可撓性配線基板製造用金属複合積層体の配線形成金属層の表面にフォトレジストを塗布し、乾燥後、露光・現像することによりパターンを形成した。このパターンをマスキング材として、配線形成金属層をエッチングした後、フォトレジストを剥離して配線パターンを形成した。こうして形成した配線パターンの上に端子部分が露出するようにソルダーレジストを塗布し、硬化させ、露出した端子部分にスズメッキを施して配線基板を形成した。【００８７】
こうして得られた材料のベーステープの吸湿膨張係数は０ppm/%RHであり、アウターリード部の累積寸法ばらつきは±０．０１％以下であった。【００８８】
因みに、電解銅箔とポリイミドフィルムからなる従来のＣＯＦ（Chip on Film）のベーステープ、電解銅箔、接着剤、ポリイミドフィルムからなる従来のＴＡＢテープのベースフィルムであるポリイミドフィルムの吸湿膨張係数は９〜１５ppm/％RH程度であり、アウターリード部の累積寸法ばらつきは、通常は±０．０５％である。【００８９】
上記のようにして形成された配線パターンに短絡は発生せず、配線パターンと、支持体金属層とが間が、支持体樹脂層であるエポキシ樹脂層によって電気絶縁状態にあることが確認された。
【実施例２】
【００９０】
支持体金属層を形成する厚さ１８μｍの電解銅箔（ＤＦＦ箔；厚さ１８μｍ）のＭ面（Rz=１．１μｍ）に支持体樹脂層となるエポキシ樹脂組成物を乾燥厚さが２０μｍ厚となるように塗布した。次いでこの電解銅箔のＳ面（Rz=０．５μｍ）に絶縁性樹脂層となるポリアミドイミド樹脂（PAI樹脂）を乾燥厚さが２０μｍ厚となるように塗布した。【００９１】
こうして形成された三層積層体（ベーステープ）にベーステープ搬送用のスプロケットホール、IC接合用のデバイスホールおよび配線基板を折り曲げて使用するための屈曲部のホールを形成した。【００９２】
次いで、配線形成金属層となる電解銅箔（3EC-III箔；厚さ３５μｍ、）のＭ面（Rz=５．８μｍ）を上記の三層積層体の２０μｍのＰＡＩ樹脂塗布層の上に配置してロールラミネートにて温度２００℃、圧力０．９MPaの条件で接着して、厚さ９３μｍの本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体を製造した。【００９３】
次いで、この可撓性配線基板製造用金属複合積層体を用いて、実施例１と同様にして配線基板を形成した。【００９４】
上記のようにして形成された配線パターンに短絡は発生せず、配線パターンと、支持体金属層とが間が、支持体樹脂層であるエポキシ樹脂層によって電気絶縁状態にあることが確認された。
【実施例３】
【００９５】
支持体金属層を形成する厚さ１８μｍの電解銅箔（３EC-VLP箔；厚さ１８μm）のＭ面（Rz=３．３μｍ）に支持体樹脂層となる厚さ４３μｍのカバーレイ（ポリイミドからなる接着性フィルム（ＰＩ厚さ２５μｍ、接着剤厚さ１８μｍ）を貼着した。【００９６】
次いでこの電解銅箔のＳ面（Rz=１．１μｍ）に絶縁性樹脂層となるエポキシ樹脂組成物を乾燥厚さが１２μｍ厚となるように塗布した。【００９７】
こうして形成された三層積層体（ベーステープ）にベーステープ搬送用のスプロケットホール、IC接合用のデバイスホールおよび配線基板を折り曲げて使用するための屈曲部のホールを形成した。【００９８】
次いで、配線形成金属層となる電解銅箔（厚さ２５μｍ、FQ-VLP箔）のＭ面（Rz＝５．８μｍ）を上記の三層積層体の１２μｍのエポキシ樹脂組成物塗布層の上に配置してロールラミネートにて温度１４０℃、圧力０．３MPaの条件で接着して、厚さ９８μｍの本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体を製造した。【００９９】
次いで、この可撓性配線基板製造用金属複合積層体を用いて、実施例１と同様にして配線基板を形成した。
〔比較例１〕
支持体金属層を形成する厚さ１８μｍの電解銅箔（ＤＦＦ箔）のＭ面（Rz=１．１μｍ）に支持体樹脂層となるエポキシ樹脂組成を乾燥厚さが２０μｍ厚となるように塗布した。次いでこの電解銅箔のＳ面（Rz＝０．５μｍ）に絶縁性樹脂層となるポリアミドイミド樹脂（PAI樹脂）を乾燥厚さが２０μｍ厚となるように塗布した。【０１００】
こうして形成された三層積層体（ベーステープ）にベーステープ搬送用のスプロケットホール、IC接合用のデバイスホールおよび配線基板を折り曲げて使用するための屈曲部のホールを形成した。【０１０１】
次いで、配線形成金属層となる電解銅箔（3EC-III箔；厚さ３５μｍ、）のＭ面（Rz=６．７μｍ）を上記の三層積層体の２０μｍのＰＡＩ樹脂塗布層の上に配置してロールラミネートにて温度２００℃、圧力０．９MPaの条件で接着して、厚さ９３μｍの本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体を製造した。【０１０２】
次いで、この可撓性配線基板製造用金属複合積層体を用いて、実施例１と同様にして配線基板を形成した。【０１０３】
上記のようにして形成された配線パターンには短絡が発生し、支持体金属層と配線形成用金属層との間にある絶縁性樹脂層によって、この支持体金属層と配線形成用金属層とを完全に絶縁状態にすることができなかった。
〔比較例２〕
支持体金属層を形成する厚さ３５μｍの電解銅箔のＭ面（Rz=５．５μｍ）に支持体樹脂層となるエポキシ樹脂組成を乾燥厚さが３５μｍ厚となるように塗布した。【０１０４】
次いでこの電解銅箔のＳ面（Rz＝２．２）に絶縁性樹脂層となるエポキシ樹脂を乾燥厚さが７μｍ厚となるように塗布した。【０１０５】
こうして形成された三層積層体（ベーステープ）にベーステープ搬送用のスプロケットホール、IC接合用のデバイスホールおよび配線基板を折り曲げて使用するための屈曲部のホールを形成した。【０１０６】
次いで、配線形成金属層となる電解銅箔（ＦＱ-ＶＬＰ箔、厚さ２５μｍ、）のＳ面（Rz=２．４μｍ）を上記の三層積層体の７μｍのエポキシ樹脂層の上に配置してロールラミネートにて温度１４０℃、圧力０．３MPaの条件で接着して、厚さ１０２μｍの本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体を製造した。【０１０７】
次いで、この可撓性配線基板製造用金属複合積層体を用いて、実施例１と同様にして配線基板を形成した。【０１０８】
上記のようにして形成された配線パターンには短絡が発生し、支持体金属層と配線形成用金属層との間にある絶縁性樹脂層によって、この支持体金属層と配線形成用金属層とを完全に絶縁状態にすることができなかった。
〔比較例３〕
支持体金属層を形成する厚さ１８μｍの電解銅箔（ＤＦＦ箔）のＭ面（Rz=１．１μｍ）に支持体樹脂層となるエポキシ樹脂組成を乾燥厚さが２０μｍ厚となるように塗布した。次いでこの電解銅箔のＳ面（Rz＝２．２μｍ）に絶縁性樹脂層となるポリアミドイミド樹脂（PAI樹脂）を乾燥厚さが２０μｍ厚となるように塗布した。【０１０９】
こうして形成された三層積層体（ベーステープ）にベーステープ搬送用のスプロケットホール、IC接合用のデバイスホールおよび配線基板を折り曲げて使用するための屈曲部のホールを形成した。【０１１０】
次いで、配線形成金属層となる電解銅箔（3EC-III箔；厚さ３５μｍ、）のＭ面（Rz=１１．６μｍ）を上記の三層積層体の２０μｍのＰＡＩ樹脂塗布層の上に配置してロールラミネートにて温度２００℃、圧力０．９MPaの条件で接着して、厚さ９３μｍの本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体を製造した。【０１１１】
次いで、この可撓性配線基板製造用金属複合積層体を用いて、実施例１と同様にして配線基板を形成した。【０１１２】
上記のようにして形成された配線パターンには短絡の発生があり、支持体金属層と配線形成用金属層との間にある絶縁性樹脂層によって、この支持体金属層と配線形成用金属層とを完全に絶縁状態にすることができなかった。【０１１３】
上記実施例および比較例結果を表１に示す。【０１１４】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明の可撓性配線基板製造用金属複合積層体は、支持体金属層、絶縁性樹脂層、配線形成金属層がこの順序で積層された合計の厚さが３５〜１３０μｍの構成を有しており、たとえば、支持体金属層の平均表面粗度（Rz-2）が０．５〜３μｍに調整された表面で絶縁性樹脂層と接合し、また、配線形成金属層の平均表面粗度(Rz-1)が０．５〜６．０μｍに調整された通常S面と絶縁性樹脂層と接合させることができる。しかも、上記の支持体金属層の平均表面祖度と配線形成金属層の平均表面祖度との合計が、絶縁性樹脂層の厚さの３〜６０％の範囲内にあるので、支持体金属層と配線形成金属層との間で短絡は起こらず、さらに、支持体金属層と絶縁性樹脂層と配線形成金属層とが強固に結合した金属複合積層体であり、可撓性を有する。【０１１６】
このため、本発明の金属複合積層体を用いて製造された配線基板は、折り曲げて使用したとしても折り曲げ部分に形成された配線パターンが剥離することがなく、大変優れた可撓性を有している。さらに、この配線基板は吸湿膨張係数が実質的にゼロであり、吸湿による寸法変化が極めて小さく、吸湿による形成されたリードの累積寸法ばらつきがほとんど発生しない。【０１１７】
さらに、絶縁性樹脂層に接合する金属箔の平均表面粗度が、支持体金属層と配線形成金属層との間で、必要な接合強度に応じて振り分けられており、配線基板を折り曲げて使用した場合のように応力が偏在してもこれに対応した接合力を付与することができ、配線パターンの剥離、支持体金属層の剥離が生ずることがない。【０１１８】
また、本発明の配線基板では、配線パターンが非常に薄い絶縁性樹脂層を介して金属箔上に形成されており、実装されたIC半導体装置からの熱は、絶縁性樹脂層によって遮断されることなく、速やかに支持体である金属箔に移行して放出される。このため高性能のIC半導体装置を実装したとしても、IC半導体装置の熱を効率よく外部に放出することができ、高性能のIC半導体装置を高密度で搭載することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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