Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
疎水性ポリイソシアネート（Ａ）とノニオン性基及びイソシアネート基を含有するビニル系重合体（Ｂ）とを含んでなり、水性媒体中で、該疎水性ポリイソシアネート（Ａ）を該ノニオン性基及びイソシアネート基を含有するビニル系重合体（Ｂ）で分散することが可能な水分散性ポリイソシアネート組成物。
【請求項２】
前記ビニル系重合体（Ｂ）が、疎水性ポリイソシアネートとノニオン性基及びイソシアネート基と反応する活性水素含有基を有するビニル重合体（ｂ）とを反応させて得られる重合体である請求項１記載の水分散性ポリイソシアネート組成物。
【請求項３】
前記疎水性ポリイソシアネート（Ａ）と前記ビニル系重合体（Ｂ）との割合が、重量比で３０：７０〜８５：１５である、請求項１記載の水分散性ポリイソシアネート組成物。
【請求項４】
前記ビニル系重合体（Ｂ）が、総炭素原子数が４以上である疎水性基を含有する重合体である請求項１記載の水分散性ポリイソシアネート組成物。
【請求項５】
前記ノニオン性基が、末端がアルコキシ基で封鎖されたポリオキシアルキレン基である請求項１記載の水分散性ポリイソシアネート組成物。
【請求項６】
前記ビニル系重合体（Ｂ）が、ブロックされた活性水素含有基および／またはエポキシ基を含有するものである請求項１記載の水分散性ポリイソシアネート組成物。
【請求項７】
前記ブロックされた活性水素含有基が、トリオルガノシリル基でブロックされた水酸基である請求項６に記載の水分散性ポリイソシアネート組成物。
【請求項８】
疎水性ポリイソシアネートとノニオン性基及びイソシアネート基と反応する活性水素含有基を含有するビニル重合体（ｂ）とを、イソシアネート基／活性水素含有基が３〜３５０なるモル比で反応させることを特徴とする水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項９】
前記ビニル重合体（ｂ）が、総炭素原子数が４以上である疎水性基を含有する請求項８記載の水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項１０】
前記ノニオン性基が、末端がアルコキシ基で封鎖されたポリオキシアルキレン基である請求項８記載の水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項１１】
前記ビニル系重合体（ｂ）が、ブロックされた活性水素含有基および／またはエポキシ基を含有するものである請求項８記載の水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項１２】
前記ブロックされた活性水素含有基が、トリオルガノシリル基でブロックされた水酸基である請求項１１に記載の水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の水分散性ポリイソシアネート組成物とイソシアネート基と反応する活性水素含有基を有する水性樹脂（Ｃ）とを含んでなる水性硬化性組成物。
【請求項１４】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の水分散性ポリイソシアネート組成物と水とを含んでなる水性硬化性組成物。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の水性硬化性組成物を含んでなる水性塗料。
【請求項１６】
請求項１３又は１４に記載の水性硬化性組成物を含んでなる水性接着剤。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１及び第２液体材料をメルトブローして複合フィラメントにする装置であって、
それぞれ対向表面を有し、それぞれの対向表面に凹部を含む第１及び第２外側マニホルド部材と、
前記第１及び第２外側マニホルド部材の前記それぞれの対向表面の間に連結された中間マニホルド部材と、
前記中間マニホルド部材は、該第１及び第２液体材料を受け取るための第１及び第２液体供給入口を有しており、前記中間マニホルド部材は、それぞれ凹部を有する第１及び第２表面を両側に有しており、前記第１及び第２表面の前記凹部は、前記対向表面の前記凹部とそれぞれ連通して第１及び第２チャネルを形成しており、前記第１及び第２チャネルは、前記第１及び第２液体供給入口と連通しており、前記中間マニホルド部材は、該第１及び第２液体材料をそれぞれ放出する出口を有しており、
前記第１及び第２外側マニホルド部材と前記中間マニホルド部材とに連結されたダイチップと、
前記ダイチップは、複数の複合フィラメント放出出口、前記第１及び第２チャネルから該第１及び第２液体材料をそれぞれ受け取るように構成された少なくとも第１及び第２液体分配通路、前記第１及び第２液体分配通路と前記複数の複合フィラメント放出出口との間を連通する液体結合部材を含んでおり、前記液体結合部材は、該第１及び第２液体材料を受け取り該第１及び第２液体材料を結合してそれぞれの複合フィラメントにするように構成されており、前記ダイチップから放出されているときの該複合フィラメントに当たるように加圧空気を供給するために空気放出出口が前記複数の複合フィラメント放出出口に近接した位置に設けられており、
前記中間マニホルド部材に取り付けられた第１及び第２ポンプとを備え、
前記第１ポンプは、該第１液体材料を前記第１液体供給入口へ供給するように構成されており、前記第２ポンプは、該第２液体材料を前記第２液体供給入口へ供給するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記チャネルは、前記マニホルド部材の長手部分に沿って延在し、各チャネルは、対応する長手部分に沿ってそれぞれの入口からそれぞれの出口に向かう方向に広がっていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
さらに、前記中間マニホルド部材の前記両側の前記第１及び第２表面に前記凹部を複数設け前記第１及び第２外側マニホルド部材の前記対向表面に前記凹部を複数設けることによりそれぞれ形成される複数の前記チャネルを設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
第１及び第２液体材料をメルトブローして複合フィラメントにする方法であって、
該第１液体材料を第１液体入口へ送る工程と、
該第２液体材料を第２液体入口へ送る工程と、
中間マニホルド部材の第１外側表面と第１外側マニホルド部材の第１対向表面との間に該第１液体材料を通す工程と、
該中間マニホルド部材の第２外側表面と第２外側マニホルド部材の第２対向表面との間に該第２液体材料を通す工程と、
該中間マニホルド部材と該第１及び第２外側マニホルド部材との間に位置する通路から、ダイチップの長手方向に沿って延在する第１及び第２スロットへ該第１及び第２液体材料をそれぞれ流す工程と、
該第１及び第２液体材料からなる複合フィラメントを該ダイチップから放出する工程と、
該ダイチップからの加圧処理空気を該放出された複合フィラメントに当てる工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
該第１及び第２液体材料を送る工程は、該中間マニホルド部材に配置された該第１及び第２液体入口にそれぞれ連結された第１及び第２ポンプから該第１及び第２液体材料を移送する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
該第１及び第２液体材料を通す工程は、
該第１液体材料を該中間マニホルド部材の該第１外側表面と該第１外側マニホルド部材の該第１対向表面との間に形成された凹部へ通す工程と、
該第２液体材料を該中間マニホルド部材の該第２外側表面と該第２外側マニホルド部材の該第２対向表面との間に形成された凹部へ通す工程とを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
該第１及び第２液体材料を通す工程は、
該第１液体材料を該中間マニホルド部材の該第１外側表面と該第１外側マニホルド部材の該第１対向表面との間に形成された複数の凹部へ通す工程と、
該第２液体材料を該中間マニホルド部材の該第２外側表面と該第２外側マニホルド部材の該第２対向表面との間に形成された複数の凹部へ通す工程とを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタ槽内にカソードと基板とターゲットとが配置されたマグネトロンスパッタ装置により前記基板面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する光学薄膜の作製方法であって、前記スパッタ槽内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０−１Ｐａ以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により前記基板面上に順次光学層を形成させることを特徴とする光学薄膜の作製方法。
【請求項２】
スパッタ槽内にカソードと基板とターゲットとが配置されたマグネトロンスパッタ装置により前記基板面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する光学薄膜の作製方法であって、光学薄膜を形成するに先立ってスパッタ槽内を１．０×１０−４Ｐａ以下に真空排気し、次いで同スパッタ槽内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０−１Ｐａ以下の放電圧力の条件下においてマグネトロンスパッタ法により前記基板面上に順次光学層を形成させることを特徴とする光学薄膜の作製方法。
【請求項３】
光学薄膜は、光学定数の異なる２種以上の光学層を順次交互に繰返し形成してなる多層を有し、光学定数の異なる２種以上の光学層は夫々当該光学層形成のための２種以上のターゲットを用いて基板面上に順次多層に形成する請求項１または２に記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項４】
光学定数の異なる２種以上の光学層が夫々誘電体材料からなる請求項３に記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項５】
光学定数の異なる２種以上の光学層の消衰係数が夫々０．０００１未満である請求項３または４に記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項６】
光学定数の異なる２種以上の光学層の成膜速度が夫々１ｎｍ／秒以上である請求項３、４または５に記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項７】
光学薄膜が透過波長または反射波長の選択性を有する光学多層薄膜干渉フィルタである請求項４、５または６に記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項８】
前記２種以上のターゲットが基板の位置から略等距離に設置された夫々のカソード上に装着されたマグネトロンスパッタ装置により前記基板面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する際、各光学層ごとにスパッタさせるターゲットを切り替えて所望の光学定数を有する光学層を順次、多層に形成する請求項３〜７のいずれかに記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項９】
前記２種以上のターゲットが基板の位置から略等距離に設置された夫々のカソード上に装着されたマグネトロンスパッタ装置を用い、スパッタ槽内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０−１Ｐａ以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により前記基板面上に順次光学層を形成させる際、スパッタ用の不活性ガスとは別に、基板直近から反応性ガスを流量を調整しながら導入する請求項８に記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項１０】
基板に近接しかつターゲット位置とは基板に対して反対側の位置に設置された排気口からスパッタ槽内のガスを排気することにより基板直近で導入された反応性ガスのターゲット近傍での分圧を最小に抑えて光学層の成膜速度の低下を最小限に抑える請求項１〜９のいずれかに記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項１１】
光学薄膜の少なくとも１層の光学層を形成する際、当該光学層を形成するためのターゲットが複数個設置されたマグネトロンスパッタ装置を用い、これら複数個のターゲットを同時にスパッタして前記光学層を得る請求項１〜１０のいずれかに記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項１２】
同時スパッタする複数個のターゲットが同一の材料からなり、かつ、導入する反応ガスが同一種類からなる請求項１１に記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項１３】
同時スパッタする複数個のターゲットが異なる材料からなる請求項１１に記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項１４】
マグネトロンスパッタ法により基板面上に順次光学層を形成させる際、イオンビームを基板の光学層の形成面に照射する請求項１〜１３のいずれかに記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項１５】
マグネトロンスパッタ法により基板面上に順次光学層を形成させる際、ＲＦ電力を基板に供給する請求項１〜１３のいずれかに記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項１６】
光学層を形成する際、電気的中和用電子銃によりスパッタ槽内に発生する異常放電を抑制する請求項１〜１５のいずれかに記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項１７】
基板上に形成される光学層面に、スパッタ槽の外部または内部に配置された光源からレンズ系を通してモニタ用観測光を照射し、該観測光の基板の透過光量または光学層の層面からの反射光量を光検出器により測定して、形成された光学層の層厚の変化による光量変化から形成層厚を求める光学モニタにより各光学層の形成のためのスパッタの終点を検出し、各光学層の層厚を所望の層厚に制御する請求項１〜１６のいずれかに記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項１８】
一つの基板に対して光学モニタが複数個配置され、各光学モニタには該光学モニタが測定する領域を覆うシャッタが基板直前に設置されており、一つの光学モニタにより検出される領域においてシャッタの該当部分を開き、この領域において形成されている光学層のスパッタの終点を検出したとき、同領域に対応するシャッタ部分を閉じるという操作を行い、次いで次の光学モニタにより検出される次の領域においてシャッタの該当部分を開き、この領域において形成されている光学層のスパッタの終点を検出したとき、同領域に対応するシャッタ部分を閉じるという同様な操作を行い、順次配置された光学モニタの個数に応じて前記操作を所定回数繰返す請求項１７に記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項１９】
光学モニタが所望の光学層の層厚に対して終点が近いことを検出した時点で、光学層の形成速度を遅くして、層厚を制御する請求項１７または１８に記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項２０】
カソードとして、ターゲットのエロージョン領域がターゲット面全域になるように磁石が配置されたカソード、または、可動磁石を有し、ターゲットのエロージョン領域がターゲット面全域になるように磁石が動く構成とされたカソード、を用いる請求項１〜１９のいずれかに記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項２１】
前記基板は回転機構によりスパッタ中に回転させる請求項１〜２０のいずれかに記載の光学薄膜の作製方法。
【請求項２２】
前記回転における回転数が１００〜１０００ｒｐｍである請求項２１に記載の光学薄膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パスワード及び電話番号を受け付けるステップと、
前記受け付けたパスワード及び電話番号を関連付けて記憶するステップと、
発信者番号通知を伴ったダイアルを受け付けるステップと、
前記受け付けたダイアルの発信者番号を特定するステップと、
前記特定した発信者番号と前記記憶した電話番号とが合致すると、当該電話番号に対応するパスワードを出力するステップと、を計算機に実行させるプログラム。
【請求項２】
更に、前記受け付けたパスワードを、音声情報に変換するステップを含み、
前記パスワードを出力するステップでは、前記変換した音声情報を出力することを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
前記パスワードを出力するステップでは、前記パスワードを文字情報で出力することを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項４】
更に、パスワード及び電話番号が入力されるＷＥＢページを送信するステップを含み、
前記パスワード及び電話番号を受け付けるステップでは、前記送信したＷＥＢページに入力されたパスワード及び電話番号を受け付けることを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項５】
プロセッサと、記憶部と、インタフェースと、を備えるパスワード伝達システムであって、
前記プロセンサは、
パスワード及び電話番号を受け付け、
前記受け付けたパスワード及び電話番号を関連付けて前記記憶部に記憶し、
発信者番号通知を伴ったダイアルを受け付け、
前記受け付けたダイアルの発信者番号を特定し、
前記特定した発信者番号と前記記憶した電話番号とが合致すると、当該電話番号に対応するパスワードを出力することを特徴とするパスワード伝達システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単数または複数鎖のタンパク質の座標データが与えられた場合に、当該タンパク質と結合するリガンドをコンピュータで下記のステップを実行することにより探索するリガンド探索方法であって、
上記タンパク質の座標データに対して、誘導適合を反映した誘導適合パラメータを用いて動的挙動を考慮した構造変化を行い、構造変化後タンパク質座標データを選択する構造変化後タンパク質座標データ選択ステップと、
上記構造変化後タンパク質座標データ選択ステップにて選択された上記構造変化後タンパク質座標データから、上記リガンドと重ね合わせを行う空間点を指定する空間点指定ステップと、
上記空間点指定ステップにて指定された上記空間点と、上記リガンドのリガンド座標データとを用いて、上記タンパク質と上記リガンドとが結合した場合の相互作用関数を計算する相互作用関数計算ステップと、
を含み、
上記相互作用関数計算ステップにより計算された上記相互作用関数に基づいて当該タンパク質と結合する上記リガンドを評価し、選定することを特徴とするリガンド探索方法。
【請求項２】
請求項１に記載のリガンド探索方法において、上記相互作用関数計算ステップは、
上記相互作用関数のスコアが最大になるように最適化する相互作用関数最適化ステップ、
をさらに含むことを特徴とするリガンド探索方法。
【請求項３】
請求項２に記載のリガンド探索方法において、上記相互作用関数計算ステップは、
上記相互作用関数最適化ステップにより上記相互作用関数を最適化した後に、重ねあわせた上記リガンドに対して、上記タンパク質との相互作用エネルギーを計算し、当該相互作用エネルギーについてリガンド立体構造データのコンフォメーションを微調整しながら最適化する相互作用エネルギー最適化ステップ、
をさらに含むことを特徴とするリガンド探索方法。
【請求項４】
請求項３に記載のリガンド探索方法において、
上記相互作用エネルギー最適化ステップにより最適化した後に、上記リガンド立体構造データのコンフォメーションを大きく変動させた後、再度、上記相互作用関数計算ステップを実行し、上記相互作用関数計算ステップにより計算された上記相互作用関数に基づいて当該タンパク質と結合する上記リガンドの再評価を行う再評価ステップ、
をさらに含むことを特徴とするリガンド探索方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載のリガンド探索方法において、上記構造変化後タンパク質座標データ選択ステップは、
上記誘導適合パラメータおよび／または上記構造変化後タンパク質座標データを算出するときに、上記タンパク質座標データに対し基準振動計算を行い、各アミノ酸のゆらぎの大きさを求め、当該ゆらぎの大きさを拘束条件として、分子動力学計算を行うこと、
を特徴とするリガンド探索方法。
【請求項６】
請求項５に記載のリガンド探索方法において、上記構造変化後タンパク質座標データ選択ステップは、
基準振動計算より主鎖原子の２面角のゆらぎの値を算出し、当該ゆらぎ値を以下の数式２または数式３に示す分子動力学計算における力の定数Ｋとすることにより、分子動力学計算を行うこと、
を特徴とするリガンド探索方法。
Ｅｒｏｔ＝Ｋｒｏｔ（φ―φ０）2                ・・・（数式２）
（Ｅｒｏｔはタンパク質の立体構造中において主鎖原子の２面角のエネルギーを示す。φは主鎖原子の２面角である。φ０は主鎖原子の２面角の標準値である。ここで、Ｋｒｏｔの値が大きい場合は、φはφ０に拘束される。）
Ｅｐｏｓ＝Ｋｐｏｓ（ｒ−ｒ０）2                ・・・（数式３）
（Ｅｐｏｓはタンパク質の立体構造中において主鎖原子の位置のエネルギーを示す。ｒは主鎖原子の座標である。ｒ０は主鎖原子の座標の標準値である。ここで、Ｋｐｏｓの値が大きい場合は、ｒはｒ０に拘束される。）
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１つに記載のリガンド探索方法において、上記相互作用関数計算ステップは、
上記相互作用関数として、相互作用エネルギー関数にタンパク質の動的性質を表現する動的性質関数を「弾性エネルギー」として加えて用いること、
を特徴とするリガンド探索方法。
【請求項８】
請求項７に記載のリガンド探索方法において、上記相互作用関数計算ステップは、
「弾性エネルギー」として、タンパク質の局所的な柔らかさを考慮し、以下の数式４に示す関数「Ｕ衝突」を適応すること、
を特徴とするリガンド探索方法。
【数４】
2005242493.tif 000001

ψ（ｉ，ｊ）＝Ｋ衝突  ＊  （Ｒ衝突（ｉ，ｊ）−Ｒ）2
・・・（数式４）
（Ｍは衝突を不許可とする活性部位の原子の数であり、Ｎはリガンドの原子の数である。活性部位における動的挙動の少ない側鎖原子及び主鎖原子のみのｉ番目の原子とリガンドのｊ番目の原子との原子間距離Ｒが衝突距離「Ｒ衝突（ｉ，ｊ）」以内のとき、ψ（ｉ，ｊ）を計算するように定義する。）
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１つに記載のリガンド探索方法において、上記相互作用関数計算ステップは、
上記相互作用関数として、相互作用エネルギー関数に、当該タンパク質の基準振動解析結果または二次構造判定結果をタンパク質の動的性質を表現する動的性質関数として加えて用いること、
を特徴とするリガンド探索方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月6日(2004.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
水平の軸（６９）により本体部（６７）と蓋部（６８）とを水密、かつ開閉自在に結合し、本体部（６７）に排水管（７０）を設け、下面に複数の注水ノズル（８ａ）を設けた通水管（７１）を蓋部（６８）の内面に取付け、蓋部（６８）を閉じたとき、ケース内に入れたコンテナ（Ａ）の給水ソケット（１２）に接続される給水ノズル（７２）及び給水ノズル（７２）から分岐して上記通水管（７１）に通じる分岐管（７３）を蓋部（６８）に設けた使用済医療用具コンテナの外面を洗浄する洗浄ケース。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
適度の洗浄消毒を終ったならば、給水装置の給排水を停止して可撓給水管３４、可撓排水管３８を外し、コンテナを洗浄処理場へ運び、蓋３を開いて洗浄消毒された医療用具を取出して洗浄槽へ移し、更に十分な洗浄を行なうこともある。その後、滅菌処理をする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
蓋３には、給水ソケット１２を嵌着する孔１０、排水ソケット１４を嵌着する孔１１を穿設することは第１例と同じであるが、更に空気アダプタ５７を嵌着する孔５８を穿設する。排水ソケット１４は、第１例では下の管部１４ａを同体に結合していたが、この第２例では別体にし、管部１４ａは本体２の内壁に固定する。蓋３の内面には、扁平四角管を四角枠状に形成し、入口部６０を同一平面内に突出させた給水枠６１を取付板６２を介して取付ける。この給水枠６１には、本体２に向けて洗浄水を噴出する複数の注水ノズル８、８を下面に分散させて取付ける。この蓋３を本体２に嵌着したとき、孔１０に取付けた給水ソケット１２は、給水枠６１の入口部６０に穿設した孔６３に嵌合し、給水ソケット１２に供給される洗浄水を給水枠６１を経て注水ノズル８から本体２内に噴出させる。又、蓋３の内面には、入口部６０と並べて、両端を塞いだ扁平短管６４を取付板６２により取付け、その孔６５を排水ソケット１４に密に嵌合させる。蓋３を閉じたとき、扁平短管６４の下方に突出した短管部６６は本体２に固定の管部１４ａに密嵌する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
以上のように構成されるから、被洗浄物を本体２に入れて蓋３を閉じ、給水ソケット１２から洗浄水を給水すると、洗浄水は入口部６０から給水枠６１に入り、ノズル８から本体２内に噴出し、被洗浄物を洗浄する。本体２内の水量が多くなると、コンテナ内の空気は空気アダプタ５７を通ってコンテナ外に排出されるので洗浄水は本体内を自由に上昇して被洗浄物を十分に浸すことができる。この水量調整は、給水と排水との時間差により、又は本体２にレベルセンサを設けることにより、制御することができる。本体２内の水量が所定量になったならば、管部１４ａ、扁平短管６４、排水ソケット１４を通して排水する。このように給排水するための給水装置は図３に示したものがそのまま使用できる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
以上のように構成されるから、被洗浄物を入れたコンテナＡを洗浄ケースＣに入れて蓋部６８を閉じると、コンテナＡの給水ソケット１２に給水ノズル７２が結合され、図面には示していないが同様にして蓋部６８に設けた排水ノズルがコンテナの排水ソケットに接続されてコンテナ内の被洗浄物の洗浄消毒を行なうことができる。同時に分岐管７３から通水管７１へ送られた洗浄水が注水ノズル８ａからコンテナＡの外面に噴射されてコンテナ外面を洗浄する。外面を洗浄した洗浄水は、コンテナ内から排出された洗浄水と共にタンク１６へ戻る。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図７は、以上のようなコンテナＡの外面を洗浄する洗浄ケースＣを並列させて設け、洗浄を行なっていない洗浄ケースを自動的に選択して能率よく洗浄を行なう装置の概要を示す。未洗浄の被洗浄物を入れたコンテナＡは、作業台７４ａから自走式のローラコンベア７５に載せられて、図７の左方から右方へ送られる。コンベア７５の側方には複数（図７では３）の洗浄ケースＣが並列しており、各ケースＣの前にはコンテナＡの底部両側を支えて、これをケースＣの前まで移動させるためのローラコンベア７６が設けられている。各ケースＣの前には、プッシャ７７があって、コンピュータ制御によりコンテナＡが洗浄消毒を行なっていない洗浄ケースＣの前に来ると、これをコンベア７６の上に押し出す。そこでこのコンテナＡを洗浄ケースＣに入れ、コンテナＡ内の被洗浄物及びコンテナ外面の洗浄消毒を行なう。洗浄消毒を終ったならば、洗浄ケースＣを開き、コンテナＡをローラコンベア７６を経て自走式のローラコンベア７５に載せ、右方の作業台７４ｂの前まで送る。この位置でプッシャ７７がコンテナを作業台７４ｂに載せる。洗浄作業中の洗浄ケースを避けて空いている洗浄ケースＣを選択し、プッシャ７７を動作させてコンテナをこの洗浄ケースＣに入れて所定の洗浄消毒作業を行ない、作業終了後、コンテナをローラコンベア７５の上に移し、コンベア７５の終端でプッシャ７７によりコンテナを作業台７４ｂの上に押出す等の操作は、図示しないコンピュータにより制御される。このようにして複数の洗浄ケースＣは、並列的に稼働して交互にコンテナＡの外面を洗浄する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1998118165.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1998118165.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1998118165.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
1998118165.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月14日(2005.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ほぼ平行して形成されている少なくとも２本の信号線の間に、該２本の信号線の少なくとも一方に印加される信号が存在しないとき信号が印加され、上記２本の信号線に信号が印加されるとき接地状態になる第３の信号線を配置した
クロストーク防止回路。
【請求項２】
上記第３の信号線にドライバ回路を接続し、該ドライバ回路の出力トランジスタのＮチャネルトランジスタとＰチャネルトランジスタの電流駆動能力の比率をほぼ２：１にした、請求項１記載のクロストーク防止回路。
【請求項３】
上記第１および第２の信号線には第１のクロックと該第１のクロックと所定の位相差のある第２のクロックが印加され、
上記第３の信号線にはテスト動作時に印加される信号が印加される
請求項１または２記載のクロストーク防止回路。
【請求項４】
上記第１および第２の信号線は第１の信号によって電圧が変化する信号線であり、
上記第３の信号線は上記第１の信号とは異なる位相の信号によって電圧が変化する信号線である
請求項１または２記載のクロストーク防止回路。
【請求項５】
パルス信号が伝搬されるメタル信号配線の両側に所定の距離を隔てて、第１の電源メタル配線、第２の電源メタル配線を平行して設け、
上記メタル信号配線、上記第１および第２の電源メタル配線の幅を、エレクトロマイグレーションの耐性が向上する幅にしたことを特徴とする配線を有する
クロストーク防止回路。
【請求項６】
上記メタル信号配線、上記第１の電源メタル配線、上記第２の電源メタル配線は異なる層においても、上記メタル信号配線が上記第１の電源メタル配線および上記第２の電源メタル配線が包囲されるように設けられる
請求項５記載のクロストーク防止回路。
【請求項７】
半導体基板上に第１の絶縁層を介して形成された第１の配線層と、上記第１の配線層上に第２の絶縁層を介して形成された第２の配線層とを有するクロストーク防止回路であって、
上記第１の配線層が、互いに平行に配置された複数の第１信号用配線と、上記複数の第１信号用配線の各々の間に配置された複数の第１固定電位用配線とを有し、
上記第２の配線層が、互いに平行に配置された複数の第２信号用配線と、上記複数の第２信号用配線の各々の間に配置された複数の第２固定電位用配線とを有する、
クロストーク防止回路。
【請求項８】
上記複数の第１信号用配線と上記複数の第１固定電位用配線とがほぼ同じ間隔で配置されており、上記複数の第２信号用配線と上記複数の第２固定電位用配線とがほぼ同じ間隔で配置されている請求項７に記載のクロストーク防止回路。
【請求項９】
上記第1信号用配線の上方に上記第２固定電位用配線が配置されており、上記第1固定電位用配線の上方に上記第２信号用配線が配置されている請求項７又は８に記載のクロストーク防止回路。
【請求項１０】
上記複数の第1固定電位用配線と上記複数の第２固定電位用配線とに電源用の電圧が印加されている請求項７乃至９の何れかに記載のクロストーク防止回路。
【請求項１１】
上記複数の第1固定電位用配線に高電位電源電圧又は低電位電源電圧が印加されており、上記第２の固定電位用配線に低電位電源電圧又は高電位電源電圧が印加されている請求項７乃至９の何れかに記載のクロストーク防止回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
好ましくは、上記メタル信号配線、上記第１の電源メタル配線、上記第２の電源メタル配線は異なる層においても、上記メタル信号配線が上記第１の電源メタル配線および上記第２の電源メタル配線が包囲されるように設けられる。
本発明によればさらに、半導体基板上に第１の絶縁層を介して形成された第１の配線層と、上記第１の配線層上に第２の絶縁層を介して形成された第２の配線層とを有するクロストーク防止回路であって、上記第１の配線層が、互いに平行に配置された複数の第１信号用配線と、上記複数の第１信号用配線の各々の間に配置された複数の第１固定電位用配線とを有し、上記第２の配線層が、互いに平行に配置された複数の第２信号用配線と、上記複数の第２信号用配線の各々の間に配置された複数の第２固定電位用配線とを有する、クロストーク防止回路が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
図３は種々のクロストークのモードを図解した図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
図４は静電容量を介して電気的に接続される隣接する回路からのクロストークの発生を図解する図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置板に載置し、第一の棚から第二の棚へ搬送するための試料搬送装置であって、前記載置板は、試料を水素結合によって保持する試料接触部が設けられていることを特徴とする試料搬送装置。
【請求項２】
前記試料接触部が親水性物質よりなることを特徴とする請求項１記載の試料搬送装置。
【請求項３】
前記親水性物質が酸化珪素または窒化珪素であることを特徴とする請求項２記載の試料搬送装置。
【請求項４】
前記試料接触部表面が鏡面で且つ平坦に仕上げられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか1項に記載の試料搬送装置。
【請求項５】
前記試料接触部に付着した塵などを、試料を試料搬送装置に載置する前に取り除く、清浄化機構を持つことを特徴とする請求項１から４のいずれか1項に記載の試料搬送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】洗浄装置および洗浄方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被洗浄物にアンモニア過酸化水素加熱溶液を供給しながら行う第１のスクラビング洗浄装置と、前記被洗浄物に希ふっ酸溶液を供給しながら行う第２のスクラビング洗浄装置とを含むことを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
前記被洗浄物を前記第１、第２のスクラビング洗浄装置により洗浄する順序を、搬送手段により前記被洗浄物を第１、第２のスクラビング洗浄装置間で任意に搬送することにより適宜選択可能なことを特徴とする請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記第１、第２のスクラビング洗浄装置の後段に、液噴射による洗浄装置を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
被研磨物を研磨する研磨手段と、請求項１乃至３のいずれかに記載の洗浄装置とを有し、研磨後の被洗浄物を前記洗浄装置で洗浄することを特徴とする研磨装置。
【請求項５】
被洗浄物にアンモニア過酸化水素加熱溶液を供給しながら行う第１のスクラビング洗浄工程と、前記被洗浄物に希ふっ酸溶液を供給しながら行う第２のスクラビング洗浄工程とを含むことを特徴とする洗浄方法。
【請求項６】
被研磨物を研磨する研磨工程と、研磨後の被洗浄物にアンモニア過酸化水素加熱溶液を供給しながら行う第１のスクラビング洗浄工程と、前記研磨後の被洗浄物に希ふっ酸溶液を供給しながら行う第２のスクラビング洗浄工程とを含むことを特徴とする研磨方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被洗浄物を清浄にする洗浄装置および洗浄方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上述した事情に鑑み、比較的簡略なスクラビング洗浄を主体として、ウエハ等の被洗浄材を、例えば検出限度（５×１０９〜１０atom／cm２）以下の十分な洗浄度に洗浄できるようにした洗浄装置および洗浄方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明の洗浄装置では、被洗浄物にアンモニア過酸化水素加熱溶液を供給しながら行う第１のスクラビング洗浄装置と、被洗浄物に希ふっ酸溶液を供給しながら行う第２のスクラビング洗浄装置とを含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここに、第１、第２のスクラビング洗浄装置の後段に、超音波の振動エネルギーを与えた純水をウエハ表面に噴射したり、キャビテーションを有する高圧水をウエハに噴射して洗浄する液噴射による洗浄装置を設けることが好ましく、これにより、例えば希ふっ酸溶液によって生じた活性表面による二次汚染を防止することができる。
本発明の研磨装置では、被研磨物を研磨する研磨手段と、上述の洗浄装置とを有し、研磨後の被洗浄物を前記洗浄装置で洗浄することを特徴とする。
本発明の洗浄方法では、被洗浄物にアンモニア過酸化水素加熱溶液を供給しながら行う第１のスクラビング洗浄工程と、前記被洗浄物に希ふっ酸溶液を供給しながら行う第２のスクラビング洗浄工程とを含むことを特徴とする。
本発明の研磨方法では、被研磨物を研磨する研磨工程と、研磨後の被洗浄物にアンモニア過酸化水素加熱溶液を供給しながら行う第１のスクラビング洗浄工程と、前記研磨後の被洗浄物に希ふっ酸溶液を供給しながら行う第２のスクラビング洗浄工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月16日(2005.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライエッチングによって膜をエッチングするエッチング装置であって、
反応室内に配設された陽極および陰極と、
前記陰極に電気的に接続された高周波電源と、
前記陰極に接続され、セルフバイアス電圧を測定する電圧計と、
前記反応室に配設された窓と、
エッチング中に前記反応室内に発生する発光種からの発光を前記窓を通し分光器を介して検出する検出器とを有し、
前記発光の強度と前記セルフバイアス電圧との差を監視することによりエッチングの終点を検出することを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
ドライエッチングによって膜をエッチングするエッチング装置であって、
反応室内に配設された陽極および陰極と、
前記陰極にマッチングボックスを介して接続された高周波電源と、
前記陰極に接続され、セルフバイアス電圧を測定する電圧計と、
前記反応室に配設された窓と、
エッチング中に前記反応室内に発生する発光種からの発光を前記窓を通し分光器を介して検出する検出器とを有し、
前記発光の強度と前記セルフバイアス電圧との差を監視することによりエッチングの終点を検出することを特徴とするエッチング装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記エッチングの終点は、前記発光の強度と前記セルフバイアス電圧との差の変化を微分処理すると、微分値が０となる時点であることを特徴とするエッチング装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記発光種は、前記膜の反応生成物であることを特徴とするエッチング装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記発光種は、エッチングガスの反応生成物であることを特徴とするエッチング装置。
【請求項６】
ドライエッチングによって膜をエッチングする方法であって、
エッチング中に反応室内に存在する発光種からの発光と、セルフバイアス電圧の変化とを測定し、
前記セルフバイアス電圧と前記発光の強度との差が既定値になった時点をエッチングの終点とすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項７】
ドライエッチングによって基板上に形成された膜をエッチングする方法であって、
反応室内に、膜が形成された基板を配置し、
前記反応室内にエッチングガスを導入し、プラズマを発生させてエッチングを開始し、
前記エッチング中に前記反応室内に存在する発光種からの発光と、セルフバイアス電圧の変化とを測定し、
前記セルフバイアス電圧と前記発光の強度との差が既定値になった時点をエッチングの終点とすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、前記既定値になった時点は、前記セルフバイアス電圧と前記発光の強度との差の変化を微分処理すると、微分値が０となる時点であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、前記発光種は、前記膜の反応生成物であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、前記発光種は、エッチングガスの反応生成物であることを特徴とするエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月21日(2005.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異常を検知する少なくとも１つの異常検知部と、
画像・音声を電気信号に変換して画像・音声データを発生する画像・音声入力部と、
この画像・音声入力部から供給される画像・音声データを記録するための記録条件を設定する記録条件設定部と、
前記異常検知部によって異常が検知され、かつ、前記記録条件設定部によって設定された記録条件に合致した時に、前記画像・音声データに対して各種の処理を施し、処理後の画像・音声データを記録するための制御を行う制御部と、
この制御部の制御によって前記画像・音声データを記録するデータ記録部とを有し、
前記記録条件設定部によって少なくとも２つ以上の記録条件を設定し、設定した各々の記録条件に対応して前記データ記録部の記憶領域を分割し、各々の前記記録条件に合致した時点の画像・音声データを、これに対応する前記データ記録部の各々の記憶領域に記録することを特徴とする防犯監視装置。
【請求項２】
前記データ記録部に記録された画像・音声データを再生する画像・音声再生部をさらに有することを特徴とする請求項１記載の防犯監視装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、異常を検知する少なくとも１つの異常検知部と、
画像・音声を電気信号に変換して画像・音声データを発生する画像・音声入力部と、
この画像・音声入力部から供給される画像・音声データを記録するための記録条件を設定する記録条件設定部と、
前記異常検知部によって異常が検知され、かつ、前記記録条件設定部によって設定された記録条件に合致した時に、前記画像・音声データに対して各種の処理を施し、処理後の画像・音声データを記録するための制御を行う制御部と、
この制御部の制御によって前記画像・音声データを記録するデータ記録部とを有し、
前記記録条件設定部によって少なくとも２つ以上の記録条件を設定し、設定した各々の記録条件に対応して前記データ記録部の記憶領域を分割し、各々の前記記録条件に合致した時点の画像・音声データを、これに対応する前記データ記録部の各々の記憶領域に記録することを特徴とする防犯監視装置を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ここで、前記データ記録部に記録された画像・音声データを再生する画像・音声再生部をさらに有するのが好ましい。
また、前記記録条件は、前記異常検知部による異常の検知、前記データ記録部への前記画像・音声データの記録を停止する記録停止信号の発生、および、前記データ記録部の記憶領域への前記画像・音声データの記録方式の条件の論理的組み合わせによって設定するのが好ましい。
なお、前記記録停止信号は、防犯ブザー（記録停止ボタン）を手動で押下するまたは遠隔操作によって人為的に発生される、あるいは、この防犯監視装置によって自発的に発生されるのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子部品供給装置および電子部品供給方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を装着するためのキャビティを有したキャリアテープの一側に沿って形成した係合部に係合するとともにリールに巻き取られたキャリアテープを回転によって引き出して部品取り出し位置に順次搬送するための歯車が設けられ、この歯車を回転してキャリアテープを搬送する途中で前記キャビティを覆うトップテープを剥離し、前記部品取り出し位置に到達した電子部品を吸着ノズルで吸着してキャビティから取り出すようにした電子部品供給装置において、前記歯車と対向するキャリアテープの他側位置でキャリアテープの搬送方向に対するキャリアテープの幅方向の走行ばらつきを規制するためのテープ保持部材が設けられた電子部品供給装置。
【請求項２】
電子部品を装着するためのキャビティを有したキャリアテープの一側に沿って形成した係合部に係合するとともにリールに巻き取られたキャリアテープを回転によって引き出して部品取り出し位置に順次搬送するための歯車が設けられ、この歯車を回転してキャリアテープを搬送する途中で前記キャビティを覆うトップテープを剥離し、前記部品取り出し位置に到達した電子部品を吸着ノズルで吸着してキャビティから取り出すようにした電子部品供給装置において、前記歯車と対向するキャリアテープの他側位置でキャリアテープの搬送方向にキャリアテープの幅方向の走行ばらつきを規制するための別の歯車が、キャリアテープの他側に沿って形成した係合部に係合して回転自在に設けられた電子部品供給装置。
【請求項３】
電子部品を装着するためのキャビティを有したキャリアテープの一側に沿って形成した係合部に係合するとともにリールに巻き取られたキャリアテープを回転によって引き出して部品取り出し位置に順次搬送するための歯車が設けられ、この歯車を回転してキャリアテープを搬送する途中で前記キャビティを覆うトップテープを剥離し、前記部品取り出し位置に到達した電子部品を吸着ノズルで吸着してキャビティから取り出すようにした電子部品供給装置において、前記歯車と対向するキャリアテープの他側位置でキャリアテープの搬送方向に対するキャリアテープの幅方向の走行ばらつきを規制するためのテープ保持部材が設けられるとともに、キャリアテープの搬送方向にキャリアテープの幅方向の走行ばらつきを規制するための別の歯車が、キャリアテープの他側に沿って形成した係合部に係合して回転自在に設けられた電子部品供給装置。
【請求項４】
テープ保持部材に、キャリアテープの搬送方向に対するキャリアテープの幅方向にキャリアテープを押圧するためのばねを備えた請求項１または請求項３に記載の電子部品供給装置。
【請求項５】
歯車を、電子部品を装着するキャビティを有したキャリアテープの一側に沿って形成した係合部に係合させた状態で、回転させることにより、リールに巻き取られたキャリアテープを引き出して部品取り出し位置に順次搬送し、キャリアテープを搬送する途中で前記キャビティを覆うトップテープを剥離し、前記部品取り出し位置に到達した電子部品を吸着ノズルで吸着してキャビティから取り出す電子部品供給方法であって、前記歯車と対向するキャリアテープの他側位置をテープ保持部材により規制する電子部品供給方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、部品取り出し位置に到達した電子部品を吸着ノズルで吸着してキャリアテープのキャビティから取り出すようにした電子部品供給装置および電子部品供給方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子部品供給装置は、電子部品を装着するためのキャビティを有したキャリアテープの一側に沿って形成した係合部に係合するとともにリールに巻き取られたキャリアテープを回転によって引き出して部品取り出し位置に順次搬送するための歯車が設けられ、この歯車を回転してキャリアテープを搬送する途中で前記キャビティを覆うトップテープを剥離し、前記部品取り出し位置に到達した電子部品を吸着ノズルで吸着してキャビティから取り出すようにし、前記歯車と対向するキャリアテープの他側位置でキャリアテープの搬送方向に対するキャリアテープの幅方向の走行ばらつきを規制するためのテープ保持部材が設けられている。また、本発明の電子部品供給方法は、歯車を、電子部品を装着するキャビティを有したキャリアテープの一側に沿って形成した係合部に係合させた状態で、回転させることにより、リールに巻き取られたキャリアテープを引き出して部品取り出し位置に順次搬送し、キャリアテープを搬送する途中で前記キャビティを覆うトップテープを剥離し、前記部品取り出し位置に到達した電子部品を吸着ノズルで吸着してキャビティから取り出す電子部品供給方法であって、前記歯車と対向するキャリアテープの他側位置をテープ保持部材により規制する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記構成ならびに方法において、歯車の回転によって引き出されたキャリアテープは、部品取り出し位置まで搬送される途中でトップテープが剥離され、部品取り出し位置で吸着ノズルにより順次吸着され、プリント基板に供給されるもので、キャリアテープが搬送される際、係合部はキャリアテープの一側に形成してあるため、この係合部に歯車が噛合して回転すると、キャリアテープの他側が不安定で、走行ばらつきが発生することが考えられるが、歯車と対向するキャリアテープの他側位置にテープ保持部材が取付けられており、キャリアテープは、このテープ保持部材に他側が当接して案内されるので、キャリアテープの搬送方向に対するキャリアテープの幅方向の走行ばらつきが抑えられて、吸着ノズルの中心位置と電子部品の中心位置とが精度良く一致し、従って、吸着ノズルで電子部品を吸着する際に、常に安定した位置で吸着することができ、プリント基板の正確な位置に電子部品を供給することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
電源電圧が異なるセル毎に、それぞれの電源電圧のベスト条件におけるセル遅延の電源電圧依存係数とワースト条件におけるセル遅延の電源電圧依存係数とに基づいて、最小遅延値および最大遅延値を計算するための最小係数と最大係数とを求めることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この発明に係る半導体集積回路設計方法は、最大遅延値および最小遅延値を計算するための最大係数と最小係数を、電源電圧が異なるセルのそれぞれについて、各電源電圧のベスト条件とワースト条件におけるセル遅延の電源電圧依存係数を用いて求めるようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
この発明によれば、各電源電圧のベスト条件とワースト条件におけるセル遅延の電源電圧依存係数を用いて、それぞれの最大係数と最小係数を求めるように構成したので、電源電圧がセル毎に異なっている場合でも、電源電圧の異なるセル毎に最小係数および最大係数を求めることができ、所望の遅延計算が可能になるという効果がある。