Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月2日(2005.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】部分的な電流絞込層を備えたスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果を示す積層膜と、該積層膜の膜面に対して上下に配置された一対の電極膜と、該一対の電極膜の間に配置されて非導電材料からなる部分と導電材料からなる部分とを有する電流絞込層とを備えるスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法において、
前記電流絞込層を形成するに際し、共有結合性化合物材料および貴金属を含有する混合膜を前記積層膜と電極膜との間に形成し、加熱処理により前記混合膜中に非導電材料からなる部分と導電材料からなる部分とを形成することを特徴とするスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記積層膜は、強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを備えることを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記共有結合性化合物はＡｌ−Ｏであり、前記貴金属はＡｕであることを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記非導電材料からなる部分はＡｌ−Ｏであり、前記導電材料からなる部分は島状組織化したＡｕであることを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
磁気抵抗効果を示す積層膜と、該積層膜の膜面に対して上下に配置された一対の電極膜と、該一対の電極膜の間に配置されて非導電材料からなる部分と導電材料からなる部分とを有する電流絞込層とを備えるスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法において、
前記電流絞込層を形成するに際し、前記積層膜上に伝導性の高い金属膜を形成し、前記伝導性の高い金属膜上に共有結合性化合物を形成しやすい材料及び貴金属を含有する金属膜を形成し、加熱処理により前記金属膜中に非導電材料からなる部分と導電材料からなる部分とを形成することを特徴とするスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記積層膜は、強磁性固定層と、非磁性中間層と、  軟磁性自由層とを備えることを特徴とする請求項５記載のスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記伝導性の高い金属膜は、貴金属を含有することを特徴とする請求項５記載のスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記共有結合性化合物を形成しやすい材料はＡｌであり、前記貴金属はＡｕであることを特徴とする請求項５記載のスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記非導電材料からなる部分はＡｌ−Ｏであり、前記導電材料からなる部分は島状組織化したＡｕであることを特徴とする請求項５記載のスピンバルブ型磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】制御装置および方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディジタルデータバスを介して接続された電子機器を制御する制御装置において、
前記ディジタルデータバスを介して接続された第１の電子機器の出力データをモニタリングするモニタリング手段と、
前記第１の電子機器の出力と、前記ディジタルデータバスを介して接続された第２の電子機器の入力との対応を制御する対応制御手段と、
前記第１の電子機器の再生動作、および前記第２の電子機器の記録動作を開始させる開始制御手段と、
前記第１の電子機器の再生動作、および前記第２の電子機器の記録動作を停止させる停止制御手段と、
前記第１の電子機器と前記第２の電子機器との間のディジタルデータのコピー処理の結果を通知する通知手段と
を含むことを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記ディジタルデータバスは、IEEE１３９４データバスである
ことを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記第１および第２の電子機器のうち、少なくとも一方の異常を検知して、前記コピー処理を中断させる検知手段を
さらに含むことを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項４】
前記通知手段は、前記検知手段によって検出された前記異常も通知する
ことを特徴とする請求項３に記載の制御装置。
【請求項５】
ディジタルデータバスを介して接続された電子機器を制御する制御装置の制御方法において、
前記ディジタルデータバスを介して接続された第１の電子機器の出力データをモニタリングするモニタリングステップと、
前記第１の電子機器の出力と、前記ディジタルデータバスを介して接続された第２の電子機器の入力との対応を制御する対応制御ステップと、
前記第１の電子機器の再生動作、および前記第２の電子機器の記録動作を開始させる開始制御ステップと、
前記第１の電子機器の再生動作、および前記第２の電子機器の記録動作を停止させる停止制御ステップと、
前記第１の電子機器と前記第２の電子機器との間のディジタルデータのコピー処理の結果を通知する通知ステップと
を含むことを特徴とする制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、制御装置および方法に関し、特に、ディジタルデータバスを介して接続された電子機器の間で、ディジタルデータをコピーさせる場合に用いて好適な制御装置および方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の制御装置は、ディジタルデータバスを介して接続された第１の電子機器の出力データをモニタリングするモニタリング手段と、第１の電子機器の出力と、ディジタルデータバスを介して接続された第２の電子機器の入力との対応を制御する対応制御手段と、第１の電子機器の再生動作、および第２の電子機器の記録動作を開始させる開始制御手段と、第１の電子機器の再生動作、および第２の電子機器の記録動作を停止させる停止制御手段と、第１の電子機器と第２の電子機器との間のディジタルデータのコピー処理の結果を通知する通知手段とを含むことを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の制御方法は、ディジタルデータバスを介して接続された第１の電子機器の出力データをモニタリングするモニタリングステップと、第１の電子機器の出力と、ディジタルデータバスを介して接続された第２の電子機器の入力との対応を制御する対応制御ステップと、第１の電子機器の再生動作、および第２の電子機器の記録動作を開始させる開始制御ステップと、第１の電子機器の再生動作、および第２の電子機器の記録動作を停止させる停止制御ステップと、第１の電子機器と第２の電子機器との間のディジタルデータのコピー処理の結果を通知する通知ステップとを含むことを特徴とする。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の制御装置および方法においては、第１の電子機器の出力と、ディジタルデータバスを介して接続された第２の電子機器の入力との対応が制御され、第１の電子機器の再生動作、および第２の電子機器の記録動作が開始される。その後、第１の電子機器の再生動作、および第２の電子機器の記録動作が停止され、第１の電子機器と第２の電子機器との間のディジタルデータのコピー処理の結果が通知される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号ラインが形成された誘電体基板上に部品を実装する部品実装方法において、
前記信号ラインの形状と前記部品に設けられた電極の形状とを整合させる整合用導体を、前記信号ライン上に実装する段階と、
前記部品を前記整合用導体上に実装し、前記信号ラインと前記部品に設けられた電極とを前記整合用導体を介して電気的に接続する段階と
を有することを特徴とする部品実装方法。
【請求項２】
信号ラインが形成された誘電体基板と、その誘電体基板上に実装された部品とを有する電子回路において、
前記信号ライン上に実装されており、前記信号ラインの形状と前記部品に設けられた電極の形状とを整合させる整合用導体と、
前記整合用導体上に実装されており、前記電極が前記信号ラインに前記整合用導体を介して電気的に接続された部品と
を有することを特徴とする電子回路。
【請求項３】
前記整合用導体は、前記部品に対向する接触面の幅が前記信号ラインに対向する接触面の幅よりも大きく、前記部品に対向する接触面の幅と、前記信号ラインに対向する接触面の幅と、前記誘電体基板の厚みと、前記整合用導体の幅が前記部品に対向する接触面の幅と同じになる高さと前記誘電体基板との間隔とに応じて、前記信号ラインと前記部品との特性インピーダンスを整合させることを特徴とする請求項２記載の電子回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
例えば光通信装置は、マイクロ波又はミリ波などの高周波領域の信号を扱う電子回路（以下、単に電子回路という）を含むように構成されている。このような電子回路は、数ｋＨｚ〜数十ＧＨｚ程度の広帯域特性が必要であった。
したがって、電子回路の誘電体基板上に実装する部品は、良好な広帯域特性が要求されていた。例えば特開平４−２７８５７１号公報，特開２０００−２６９３８３号公報，特開２００１−１４４３９５号公報，特開平９−１０７２１０号公報および特開平４−６７６５７号公報には、誘電体基板上に実装した部品の広帯域特性を良くする技術が記載されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
突起電極を有する半導体素子と、
上面と該上面の反対側の下面とを有する基板コア材を有し、該半導体素子が該上面側にフリップチップ実装された配線基板と、
該基板コア材の該上面に形成され、前記半導体素子の前記突起電極が接合されるボンディングパッドと、
該ボンディングパッドが設けられた位置に対応した位置に配置され、全てのボンディングパッドの真下に延在するように前記基板コア材の下面中央部に形成されたパターン部材と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記基板コア材の前記下面に形成され、外部接続端子が形成されるランドを更に有し、
前記パターン部材と該ランドとは同じ導電材料により形成された部材であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記基板コア材の前記上面にランドが形成され、該ランドの下に前記基板コア材を貫通して前記下面まで延在する貫通孔が設けられ、該貫通孔を介して前記ランドに接続された外部接続端子が前記下面側に設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３記載のうちいずれか一項記載の半導体装置であって、
前記パターン部材は金属材料よりなる板状部材であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体素子がフリップチップ実装される配線基板であって、
上面と該上面の反対側の下面とを有する基板コア材と、
該基板コア材の該上面に形成され、前記半導体素子の突起電極が接合されるボンディングパッドと、
該ボンディングパッドが設けられた位置に対応した位置に配置され、全てのボンディングパッドの真下に延在するように前記基板コア材の下面中央部に形成されたパターン部材と
を有することを特徴とする配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明によれば、突起電極を有する半導体素子と、上面と該上面の反対側の下面とを有する基板コア材を有し、該半導体素子が該上面側にフリップチップ実装された配線基板と、該基板コア材の該上面に形成され、前記半導体素子の前記突起電極が接合されるボンディングパッドと、該ボンディングパッドが設けられた位置に対応した位置であり、全てのボンディングパッドの真下に延在するように前記基板コア材の下面中央部に形成されたパターン部材とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明によれば、半導体素子がフリップチップ実装される配線基板であって、上面と該上面の反対側の下面とを有する基板コア材と、該基板コア材の該上面に形成され、前記半導体素子の突起電極が接合されるボンディングパッドと、該ボンディングパッドが設けられた位置に対応した位置に配置され、全てのボンディングパッドの真下に延在するように前記基板コア材の下面中央部に形成されたパターン部材とを有することを特徴とする配線基板が提供される。このような配線基板によっても、上述の半導体装置と同様の効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
バイポーラトランジスタを有する半導体装置であって、
前記バイポーラトランジスタは、半導体基板（４）の表層に形成されたベース領域（３）、コレクタ領域（６）、及びエミッタ領域（５）と、
前記半導体基板（４）上に形成されたフィールド絶縁膜（７）と、
前記フィールド絶縁膜（７）の上に形成された層間絶縁膜（８）と、
前記層間絶縁膜（８）の上に形成され、前記層間絶縁膜（８）に形成されたコンタクトホール（１０）を介して前記エミッタ領域（５）と電気的に接続している金属配線層（９）とを備え、
前記金属配線層（９）は、エミッタ−ベース接合（２３）で熱平衡状態のときに発生する空乏層領域（２１）への紫外線照射を抑制するために、前記半導体基板（４）の表面を上から見たとき、前記エミッタ領域（５）と前記コレクタ領域（６）との間の前記ベース領域（３ｂ）のうち、前記空乏層領域（２１）よりも前記コレクタ領域（６）側の領域にて、前記エミッタ領域（５）を取り囲むように配置され、前記層間絶縁膜（８）から前記フィールド絶縁膜（７）に到達する深さのホール（２２）内に埋め込まれた構造部（９ａ）を有し、
前記エミッタ領域（５）及び前記構造部（９ａ）の全領域を覆うように、前記エミッタ領域（５）上から前記構造部（９ａ）上に至って配置されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
バイポーラトランジスタの形成予定領域にて、半導体基板（４）の表層にベース領域（３）、コレクタ領域（６）、及びエミッタ領域（５）とを形成する工程と、
前記半導体基板（４）の上にフィールド絶縁膜（７）を形成する工程と、
前記フィールド絶縁膜（７）の上に層間絶縁膜（８）を形成する工程と、
前記層間絶縁膜（８）及び前記フィールド絶縁膜（７）のうち、前記エミッタ領域（５）の上に位置する領域にコンタクトホール（１０）を形成する工程と、
前記半導体基板（４）の表面を上から見たときにおける前記エミッタ領域（５）と前記コレクタ領域（６）との間の前記ベース領域（３ｂ）のうち、エミッタ−ベース接合（２３）で熱平衡状態のときに発生する空乏層領域（２１）よりも前記コレクタ領域（６）側の領域にて、前記エミッタ領域（５）の周囲全てを取り囲むように、前記層間絶縁膜（８）を貫通して前記フィールド絶縁膜（７）に到達するホール（２２）を形成する工程と、
前記コンタクトホール（１０）を介して前記エミッタ領域（５）と電気的に接続させ、かつ、前記空乏層領域（２１）への紫外線照射を抑制するために、前記エミッタ領域（５）及び前記空乏層領域（２１）の全ての領域を覆い、前記エミッタ領域（５）及び前記空乏層領域（２１）上から前記フィールド絶縁膜（７）に到達するホール（２２）の内部に至って、金属配線層を前記層間絶縁膜（８）上に形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項３に記載の発明は、バイポーラトランジスタを形成するとき、半導体基板（４）の表面を上から見たときにおけるエミッタ領域（５）とコレクタ領域（６）との間のベース領域（３ｂ）のうち、エミッタ−ベース接合（２３）で熱平衡状態のときに発生する空乏層領域（２１）よりもコレクタ領域（６）側の領域にて、エミッタ領域（５）の周囲全てを取り囲むように、層間絶縁膜（８）を貫通してフィールド絶縁膜（７）に到達するホール（２２）を形成する工程と、
コンタクトホール（１０）を介してエミッタ領域（５）と電気的に接続させ、かつ、空乏層領域（２１）への紫外線照射を抑制するために、エミッタ領域（５）及び空乏層領域（２１）の全ての領域を覆い、エミッタ領域（５）及び空乏層領域（２１）上からフィールド絶縁膜（７）に到達するホール（２２）の内部に至って、金属配線層を層間絶縁膜（８）上に形成する工程とを有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の処理が施される被処理体を載置する載置台の載置台本体の載置面に設けられ、被処理体を静電気力により吸着保持する静電吸着装置であって、
前記被処理体を吸着する第１の吸着面を構成する第１の誘電体層と、
前記載置台本体の載置面に吸着する第２の吸着面を構成する第２の誘電体層と、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層との間に設けられるチャック電極と、
を備え、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とは、前記第１の誘電体層の体積固有抵抗値が、前記第２の誘電体層の体積固有抵抗値と等しいか、またはそれよりも大きく設定されていることを特徴とする静電吸着装置。
【請求項２】  所定の処理が施される被処理体を載置する載置台の載置台本体の載置面に設けられ、被処理体を静電気力により吸着保持する静電吸着装置であって、
前記被処理体を吸着する第１の吸着面を構成する第１の誘電体層と、
前記載置台本体の載置面に吸着する第２の吸着面を構成する第２の誘電体層と、
前記第１の吸着面に吸着力を発生させるための第１のチャック電極と、
前記第２の吸着面に吸着力を発生させるための第２のチャック電極と、
前記第１および前記第２のチャック電極に印加する電圧を制御する制御手段と、
を備え、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とは、前記第１の誘電体層の体積固有抵抗値が、前記第２の誘電体層の体積固有抵抗値と等しいか、またはそれよりも大きく設定されていることを特徴とする静電吸着装置。
【請求項３】  前記第１のチャック電極と前記第２のチャック電極との間に、体積固有抵抗値が１０１４Ω・ｃｍ以上の第３の誘電体層を設けたことを特徴とする請求項２に記載の静電吸着装置。
【請求項４】  前記第１の吸着面および前記第２の吸着面の少なくとも一方の吸着力をモニタし、そのモニタ結果に基づいて、前記制御手段が前記第１のチャック電極および／または前記第２のチャック電極に印加する電圧を可変にすることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の静電吸着装置。
【請求項５】  前記第２の誘電体層の体積固有抵抗値は１０１２Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の静電吸着装置。
【請求項６】  請求項１から請求項５のいずれかに記載の静電吸着装置を有し、被処理体を前記静電吸着装置に吸着した状態で前記被処理体に所定の処理を施すことを特徴とする処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、所定の処理が施される被処理体を載置する載置台の載置台本体の載置面に設けられ、被処理体を静電気力により吸着保持する静電吸着装置であって、
前記被処理体を吸着する第１の吸着面を構成する第１の誘電体層と、
前記載置台本体の載置面に吸着する第２の吸着面を構成する第２の誘電体層と、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層との間に設けられるチャック電極と、
を備え、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とは、前記第１の誘電体層の体積固有抵抗値が、前記第２の誘電体層の体積固有抵抗値と等しいか、またはそれよりも大きく設定されていることを特徴とする静電吸着装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、所定の処理が施される被処理体を載置する載置台の載置台本体の載置面に設けられ、被処理体を静電気力により吸着保持する静電吸着装置であって、
前記被処理体を吸着する第１の吸着面を構成する第１の誘電体層と、
前記載置台本体の載置面に吸着する第２の吸着面を構成する第２の誘電体層と、
前記第１の吸着面に吸着力を発生させるための第１のチャック電極と、
前記第２の吸着面に吸着力を発生させるための第２のチャック電極と、
前記第１および前記第２のチャック電極に印加する電圧を制御する制御手段と、
を備え、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とは、前記第１の誘電体層の体積固有抵抗値が、前記第２の誘電体層の体積固有抵抗値と等しいか、またはそれよりも大きく設定されていることを特徴とする静電吸着装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この静電吸着装置において、第１のチャック電極と第２のチャック電極との間に、体積固有抵抗値が１０１４Ω・ｃｍ以上の第３の誘電体層が設けられていることが好ましい。また、前記第１の吸着面および前記第２の吸着面の少なくとも一方の吸着力をモニタし、そのモニタ結果に基づいて、前記制御手段が前記第１のチャック電極および／または前記第２のチャック電極に印加する電圧を可変にすることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記いずれの静電吸着装置においても、前記第２の誘電体層の体積固有抵抗値は１０１２Ω・ｃｍ未満であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の末端側で外径及び内径が前記一方の末端に向かって小さく形成され，他方の末端から液体試料が導入されるキャピラリーと，前記キャピラリーの一方の末端側が挿入されるガスガイド管であり，前記キャピラリーの一方の末端側の外周に沿ってガスを流し，前記キャピラリーの一方の末端から前記液体試料を噴霧するガスガイド管と，前記ガスガイド管にガスを導入するガス導入部とを有し，
前記キャピラリーの一方の末端側が挿入される側で，前記ガスガイド管の内径が前記キャピラリーの一方の末端に向かって小さく形成され、前記ガスガイド管の先端部より前記キャピラリーが露出する長さが0.4ｍｍ以下であることを特徴とするイオン源。
【請求項２】
請求項１に記載のイオン源に於いて，前記キャピラリーの一方の末端側の近傍と前記ガスガイド管との間にキャピラリー保持部材が設置され，前記キャピラリーの一方の末端側が挿入される前記キャピラリー保持部材の部分にテーパーが形成されていることを特徴とするイオン源。
【請求項３】
一方の末端側で外径及び内径が前記一方の末端に向かって小さく形成され，他方の末端から液体試料が導入されるキャピラリーと，前記キャピラリーの一方の末端側が挿入されるガスガイド管であり，前記キャピラリーの一方の末端側の外周に沿ってガスを流し，前記キャピラリーの一方の末端から前記液体試料を噴霧するガスガイド管と，前記ガスガイド管にガスを導入するガス導入部とを具備し，前記キャピラリーの一方の末端側が挿入される側で，前記ガスガイド管の内径が前記キャピラリーの一方の末端に向かって小さく形成されているイオン源と，前記イオン源で生成されたイオンをイオン取りこみ口より導入し質量分離する質量分析計とを有し、
前記ガスガイド管の先端部より前記キャピラリーが露出する長さが0.4ｍｍ以下であることを特徴とする質量分析装置。
【請求項４】
請求項3に記載の質量分析計に於いて，前記キャピラリーの一方の末端側の近傍と前記ガスガイド管との間にキャピラリー保持部材が設置され，前記キャピラリーの一方の末端側が挿入される前記キャピラリー保持部材の部分にテーパーが形成されていることを特徴とする質量分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月1日(2005.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図２〜図５は、各種の銅または銅合金の熱処理温度と機械的強度の関係を示す図である。図２〜図５は、以下の銅または銅合金について示したのものである。
図２：Ｃ１０２０−１／２Ｈ（無酸素銅）
図３：Ｃ２６００−１／２Ｈ（黄銅１種）
図４：Ｃ５１９１−１／２Ｈ（りん青銅２種）
図５：Ｃ５２１０−１／２Ｈ（ばね用りん青銅）
いずれの試験片も、圧延により加工硬化した試験片であり、ＪＩＳ  Ｚ  ２２４１及びＪＩＳ  Ｚ  ２２０１に準拠して測定した。各温度での測定結果は、各温度で１時間熱処理したものについて測定した結果である（日本伸銅協会，伸銅品板材料特性試験データ，焼鈍軟化特性，http://www.copper-brass.gr.jp）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明において用いる集電体は、圧延により作製された銅箔または銅合金箔からなる集電体である。銅合金としては、銅を含む合金であれば特に限定されるものではないが、例えば、Ｃｕ−Ａｇ系合金、Ｃｕ−Ｔｅ系合金、Ｃｕ−Ｍｇ系合金、Ｃｕ−Ｓｎ系合金、Ｃｕ−Ｓｉ系合金、Ｃｕ−Ｍｎ系合金、Ｃｕ−Ｂｅ−Ｃｏ系合金、Ｃｕ−Ｔｉ系合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金、Ｃｕ−Ｃｒ系合金、Ｃｕ−Ｚｒ系合金、Ｃｕ−Ｆｅ系合金、Ｃｕ−Ａｌ系合金、Ｃｕ−Ｚｎ系合金、Ｃｕ−Ｃｏ系合金が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体発光素子および発光素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に、窒化物半導体からなる発光層を有してなる窒化物半導体発光素子において、
少なくとも上記ｐ型窒化物半導体層と上記発光層を含むように台形錐形状の積層体が形成され、該積層体は側面が絶縁されるように金属部材に埋め込まれたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】  ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に、窒化物半導体からなる発光層を有してなる窒化物半導体発光素子において、
少なくとも上記ｐ型窒化物半導体層と上記発光層を含むように台形錐形状の積層体が形成されて、その積層体が該積層体の表面に沿って対向するように設けられた金属部材により保持されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項３】  上記金属部材の上記積層体の反対側に位置する面が、平坦な面である請求項１又は２記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】  上記ｎ型窒化物半導体層の対向する２つの面のうちの上記積層体の反対側に位置する面に透明電極が形成されている請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】  上記透明電極は、Ｗ／Ａｌ、Ｖ／Ａｌ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、ＺｎＯ、ＩＴＯ、Ｍｏから選択される請求項４記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】  上記ｐ型窒化物半導体層とオーミック接触するように上記積層体と上記金属部材の間に形成されたｐ型電極は、Ｒｈを含む請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】  上記積層体と上記金属部材の間に、上記ｐ型窒化物半導体層に接してＮｉ/Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ｒｈ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔから選択されるｐ型電極を有することを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】  上記積層体は上記ｎ型窒化物半導体層の一部を含んで構成されている請求項１〜７のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】  上記金属部材の厚さは５０μｍ以上である請求項１〜８のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】  上記積層体を複数個備えた請求項１〜９のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】  上記複数の積層体は、共通のｎ型窒化物半導体層の上に設けられている請求項１０記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】  上記ｎ型窒化物半導体は、各積層体ごとに分離されている請求項１０記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１３】  上記金属部材は、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｗ等からなる群から選択された金属又はその金属を少なくとも含む合金からなる請求項１〜１２のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１４】  基板上にｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層を形成する第１工程と、
上記ｐ型半導体層と上記発光層とを含むように台形錐形状の発光領域を形成する第２工程と、
上記発光領域を覆うように金属部材を形成する第３工程と、
上記基板を除去する第４工程と、
上記発光領域の間で金属部材を切断することにより、発光素子ごとに分離する第５工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項１５】  上記第３工程において、上記金属部材をメッキにより形成する請求項１４記載の発光素子の製造方法。
【請求項１６】  上記金属部材はＮｉからなるメッキ層である請求項１４または１５に記載の発光素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る第１と第２の窒化物半導体素子では、上記金属部材の上記積層体の反対側に位置する面が、平坦な面であることが好ましい。
このようにすると、素子を実装する際に、実装基板にその平坦な面を対向させて実装することにより容易に実装することが可能になる。
また、上記第１と第２の窒化物半導体素子では、上記ｎ型窒化物半導体層の対向する２つの面のうちの上記積層体の反対側に位置する面に透明電極を形成するようにして、該透明電極を介して光を出射するようにしてもよい。
このようにすると発光層全体に均一に電流を注入することができ、均一な発光が可能になる。この場合、上記透明電極はＷ／Ａｌ、Ｖ／Ａｌ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、ＺｎＯ、ＩＴＯ、Ｍｏから選択されることが好ましく、特に透光性が高くかつ抵抗値を低くできるＩＴＯであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の第１と第２の窒化物半導体発光素子において、上記ｐ型窒化物半導体層とオーミック接触するように上記積層体と上記金属部材の間に形成されるｐ型電極は、Ｒｈを含むことが好ましく、これにより電極の剥離を防止できる。また、本発明の第１と第２の窒化物半導体発光素子において、上記積層体と上記金属部材の間に、上記ｐ型窒化物半導体層に接してＮｉ/Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ｒｈ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔから選択されるｐ型電極を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明に係る発光素子の製造方法では、上記第３工程において、上記金属部材をメッキにより形成することが好ましい。また、上記金属部材はＮｉからなるメッキ層であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを有する複数の積層された電子回路と、光シャッターと、光センサーとが形成された透明基板を有し、
前記光シャッターは、入力された光信号の透過あるいは非透過を制御し、
前記光センサーは、前記光信号を電気信号に変換し、
前記電気信号は前記光センサーと同一層に形成された電子回路に入力されることを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタを有する複数の積層された電子回路と、光シャッターと、光センサーとが形成された透明基板を複数有し、
前記光シャッターは、入力された光信号の透過あるいは非透過を制御し、
前記光センサーは、前記光信号を電気信号に変換し、
前記電気信号は前記光センサーと同一層に形成された電子回路に入力されることを特徴とする電子回路装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタを有する複数の積層された電子回路と、光シャッターと、複数の光センサーとが形成された透明基板を有し、
前記光シャッターは、入力された光信号の透過あるいは非透過を制御し、
前記複数の光センサーは、前記光信号を電気信号に変換し、
前記電気信号は前記光センサーと同一層に形成された電子回路に入力され、
前記複数の光センサーは、複数の異なる層に形成されていることを特徴とした電子回路装置。
【請求項４】
薄膜トランジスタを有する複数の積層された電子回路と、光シャッターと、複数の光センサーとが形成された透明基板を有し、
前記光シャッターは、入力された光信号の透過あるいは非透過を制御し、
前記複数の光センサーは、前記光信号を電気信号に変換し、
前記電気信号は前記光センサーと同一層に形成された電子回路に入力され、
前記複数の光センサーは、複数の異なる層に形成され、前記複数の異なる層に形成された薄膜トランジスタによって制御されていることを特徴とした電子回路装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか1項において、前記光センサーはアモルファスシリコンのフォトダイオード、若しくはフォトトランジスタであることを特徴とした電子回路装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか1項において、前記光センサーはポリシリコンのフォトダイオード、若しくはフォトトランジスタであることを特徴とした電子回路装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記複数の積層された電子回路の有する薄膜トランジスタは熱処理によって結晶化されていることを特徴とした電子回路装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記複数の積層された電子回路の最下層の電子回路が有する薄膜トランジスタは熱処理によって結晶化され、その他の薄膜トランジスタはレーザー照射によって結晶化されていることを特徴とした電子回路装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、前記熱処理は金属触媒を用いたものであることを特徴とした電子回路装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか1項において、前記光シャッターは２枚の透明基板によって挟まれた液晶によって構成されていることを特徴とした電子回路装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、前記透明基板には偏向板が配置され、前記偏向板は光シャッターの付近のみに配置されることを特徴とした電子回路装置。
【請求項１２】
複数の積層された薄膜トランジスタによって構成された複数の演算装置と、第１の光センサーと、第１の光シャッターが形成された第１の透明基板と、
複数の積層された薄膜トランジスタによって構成された複数の記憶装置と、第２の光センサーと、第２の光シャッターが形成された第２の透明基板を有し、
前記第１の透明基板と前記第２の透明基板の間の電子情報のやり取りを第１の光シャッター及び第２の光シャッターと、第１の光センサー及び第２の光センサーによって行なうことを特徴としたコンピュータ。
【請求項１３】
複数の積層された薄膜トランジスタによって構成された複数の演算装置と、第１の光センサーと、第１の光シャッターが形成された第１の透明基板と、
複数の積層された薄膜トランジスタによって構成された複数の記憶装置と、第２の光センサーと、第２の光シャッターが形成された第２の透明基板を有し、
前記第１の透明基板と前記第２の透明基板の間の電子情報のやり取りを第１の光シャッター及び第２の光シャッターと、第１の光センサー及び第２の光センサーによって、並列に行なうことを特徴としたコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の半導体素子を封入し、該半導体素子の表裏両主面にそれぞれ第１及び第２の主電極が圧接される半導体パッケージを備えた圧接型半導体装置において、
上記第１及び第２の主電極の少なくとも一方に、該主電極の内部に冷媒の流体を流す強制冷却構造を備えたことを特徴とする圧接型半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願の第１の発明は、所定の半導体素子を封入し、該半導体素子の表裏両主面にそれぞれ第１及び第２の主電極が圧接される半導体パッケージを備えた圧接型半導体装置において、上記第１及び第２の主電極の少なくとも一方に、該主電極の内部に冷媒の流体を流す強制冷却構造を備えたことを特徴としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の効果】
本願の第１の発明によれば、所定の半導体素子を封入し、該半導体素子の表裏両主面にそれぞれ第１及び第２の主電極が圧接される半導体パッケージを備えた圧接型半導体装置において、上記第１及び第２の主電極の少なくとも一方に、該主電極の内部に冷媒の流体を流す強制冷却構造を備えたので、パッケージ〜他の構成間で電気的な接触抵抗をなくすることができ、その結果、装置自体の冷却効率及び通電効率を向上させることができる。また、半導体パッケージと他の構成との間で導電性グリスを塗布する必要がなく、装置の組立を一層簡単にすることができる。また、冷却フィンを別個に設ける必要がなく、組立性の向上を図ることができ、更に、半導体素子の冷却効率も高くなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に誘電体層を設け、当該誘電体層中に配線材をスパイラル状に敷設してなるインダクタンス素子において、
第１層から第ｎ層の任意の複数層において、前記配線材を同一形状で中空形のスパイラル状に敷設してインダクタを構成することを特徴とするインダクタンス素子。
【請求項２】
半導体基板上に誘電体層を設け、当該誘電体層中に配線材をスパイラル状に敷設してなるインダクタンス素子において、
前記半導体基板とインダクタを構成する前記配線材との中間に配線材の層を備え、
前記中間層の配線材は、前記インダクタが存在する領域と重なる部分にのみ配置し、さらに、前記インダクタにおける電流方向に対して角度を有した切り込みを入れた形状と成し、前記中間層の配線材を固定電圧のバイアス電位に接続しシールドを構成することを特徴とする、インダクタンス素子。
【請求項３】
半導体基板上に誘電体層を設け、当該誘電体層中に配線材をスパイラル状に敷設してなるインダクタンス素子において、
第１層から第ｎ層の任意の複数層において、前記配線材を同一形状で中空形のスパイラル状に敷設してインダクタを構成し、
前記半導体基板と前記インダクタを構成する前記配線材との中間に第（ｎ＋１）層の配線材を備え、前記第（ｎ＋１）層の配線材は、前記インダクタが存在する領域と重なる部分にのみ配置し、さらに、前記インダクタにおける電流方向に対して角度を有した切り込みを入れた形状と成し、前記中間層の配線材を固定電圧のバイアス電位に接続しシールドを構成することを特徴とする、インダクタンス素子。
【請求項４】
前記シールドを構成する前記第（ｎ＋１）層の配線材は、ポリシリコン層、又は半導体基板に表面部分に形成される拡散層を用いることを特徴とする、請求項２又は３に記載のインダクタンス素子。
【請求項５】
前記インダクタは、第１層から第ｎ層までの任意の複数の配線材において、
互いにビアを用いて第１の端子および第２の端子のみで並列に接続し、
前記配線材あるいはビアにより配線を延長し、前記第１の端子および第２の端子を外部回路と接続するための第１の入出力端子力および第２の入出力端子とすることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一つに記載のインダクタンス素子。
【請求項６】
半導体基板上に、請求項１乃至５の何れか一つに記載のインダクタンス素子を備えたことを特徴とする、半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体層と導体パターンを積層し、積層体内に該導体パターンによって回路素子が形成された積層型電子部品の製造方法において、
支持体上に感光剤入りの絶縁材料を用い、硬化処理を施して第１の絶縁体層を形成する工程、該第１の絶縁体層上に、感光性導電ペーストを用いフォトリソ技術によって形成された導体パターンと感光剤入りの絶縁材料で形成された第２の絶縁体層とが積み重ねられる工程及び、これらの積層体上に、感光剤入りの絶縁材料を用いて第３の絶縁体層を形成する工程を備えたことを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
【請求項２】
絶縁体層と導体パターンを積層し、積層体内に該導体パターンによって回路素子が形成された積層型電子部品の製造方法において、
支持体上に絶縁性セラミック材料で第１の絶縁体層を形成する工程、該第１の絶縁体層上に感光剤入りの絶縁材料を用いて緩衝層を形成する工程、該緩衝層上に、感光性導電ペーストを用いフォトリソ技術によって形成された導体パターンと感光剤入りの絶縁材料で形成された第２の絶縁体層とが積み重ねられる工程及び、これらの積層体上に第３の絶縁体層を形成する工程を備えたことを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記回路素子は、前記絶縁体層間の所定の導体パターンが該絶縁体層のスルーホール内の導体を介して接続されて、該導体パターンによって積層体内に形成された請求項１又は請求項２に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記導体パターンが、感光性導電ペーストを塗布し、これを露光、現像した後、加熱処理を施すことにより形成される請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記導体パターンが、感光性導電ペーストを塗布し、これを露光、現像した後、加熱の最高温度（℃）×１００℃以上の温度領域にさらされる時間（秒）が４００００℃・秒以上、６００００℃・秒以下の条件で加熱処理を施すことにより形成される請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記緩衝層の厚みが３０μｍ以上に形成される請求項２に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記第１の絶縁体層及び第３の絶縁体層が誘電体、磁性体のいずれかによって形成される請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月7日(2005.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板への実装面に電極が格子状に配置された表面実装部品を基板に搭載する工程Ａと、前記工程Ａよりも前に行われ、前記基板における前記表面実装部品を搭載しようとする位置に、前記基板に前記表面実装部品が搭載された際に該基板と該表面実装部品との間に形成される隙間よりも厚く樹脂を塗布する工程Ｂと、を含む電子部品実装体の製造方法において、前記工程Ｂでは、前記樹脂を、前記基板において、前記表面実装部品が搭載された際に該表面実装部品の互いに隣り合う４つの電極からなる四角形の中心部に当たる位置に塗布すること、を特徴とする電子部品実装体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法において、前記工程Ｂでは、前記樹脂を、前記表面実装部品の中心部に相当する位置に近い部分ほど厚く塗布すること、を特徴とする電子部品実装体の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法において、
前記工程Ｂでは、前記樹脂を、前記表面実装部品の外周部あるいはコーナー部にのみ塗布すること、を特徴とする電子部品実装体の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の電子部品実装体の製造方法において、
前記工程Ｂでは、前記樹脂を、前記表面実装部品のコーナー部に塗布し、前記コーナー部以外の部分では、前記樹脂を塗布する箇所が少なくなっていること、を特徴とする電子部品実装体の製造方法。
【請求項５】
基板への実装面に電極が格子状に配置された表面実装部品を基板に搭載する際に、前記基板における前記表面実装部品を搭載しようとする位置に、前記基板に前記表面実装部品が搭載された際に該基板と該表面実装部品との間に樹脂を塗布し前記表面実装部品を搭載するようにして形成された電子部品実装体であって、前記樹脂は、前記基板において、前記表面実装部品が搭載された際に該表面実装部品の互いに隣り合う４つの電極からなる四角形の中心部に当たる位置にて塗布されており、かつ前記樹脂は、前記表面実装部品のコーナー部に対応する位置において設けられていること、を特徴とする電子部品実装体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート及びソース／ドレインを含む半導体装置であって、
前記ゲートの側面を覆うサイドウォール膜を備え、
前記ゲートの前記側面の下部のみに、前記サイドウォール膜で覆われた高さ５ｎｍ以上の局所的な空洞を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記サイドウォール膜は、
前記ゲートの前記側面の上部のみに直接形成された第１の膜と、
前記第１の膜を覆い、前記側面の下部のみに空洞を形成する第２の膜と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲートは、前記側壁下部の一部位が除去されてノッチ状に前記空洞が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
ゲート及びソース／ドレインを含む半導体装置の製造方法であって、
前記ゲートの側面を覆う薄い第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜の下部のみを除去する工程と、
前記第１の膜の除去された前記ゲートの前記側面の下部のみに局所的に高さ５ｎｍ以上の空洞を形成する工程と、
前記空洞を覆うように前記第１の膜に第２の膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ゲート及びソース／ドレインを含む半導体装置の製造方法であって、
前記ゲートの側面を覆う薄い第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜の下部のみを除去する工程と、
前記第１の膜に比して低被覆段差性となる条件で第２の膜を前記第１の膜に形成し、前記ゲートの前記側面の下部に空洞を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ゲート及びソース／ドレインを含む半導体装置の製造方法であって、
前記ゲートの側壁下部の一部位を除去してノッチ形状に加工する工程と、
前記一部位を埋め込まない程度に低被覆段差性となる条件でサイドウォール膜を前記ゲートの側面に形成し、前記ゲートの前記側面の下部に高さ５ｎｍ以上の空洞を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクからの読み取り信号に基づいてピックアップのチルト量を制御するチルト補正装置において、
前記ディスクに照射した光ビームの戻り光に基づいて、前記ディスク上のプリピットの有無を示すプリピット信号を生成するプリピット信号生成部と、
前記戻り光に基づいて、前記ディスクからＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成部と、
特定のチルト量における前記プリピット信号と前記ＲＦ信号の信号振幅に基づいて、最適チルト補正量を決定する補正量決定部と、
前記最適チルト補正量に基づいて前記チルト量の補正を行うチルト補正部と、
を備えることを特徴とするチルト補正装置。
【請求項２】
前記補正量決定部は、
前記ＲＦ信号の振幅が最大となるときのチルト量である第１チルト量を検出する第１検出手段と、
前記プリピット信号の振幅が最大となるときのチルト量である第２チルト量を検出する第２検出手段と、
前記第１チルト量と前記第２チルト量との差であるオフセットチルト量を算出する手段と、
前記オフセットチルト量を使用して、前記最適チルト補正量を決定する手段と、を備えることを特徴とする請求項１に記載のチルト補正装置。
【請求項３】
前記補正量決定部は、
前記ディスク上における記録済み部と未記録部の境界を検出する境界検出手段を備え、
前記第１検出手段は前記境界近傍の前記記録済み部で前記第１チルト量を検出し、
前記第２検出手段は前記境界近傍の前記未記録部で前記第２チルト量を検出することを特徴とする請求項２に記載のチルト補正装置。
【請求項４】
前記補正量決定部は、前記ディスクの記録済み領域では前記ＲＦ信号に基づいて前記最適チルト量を決定し、前記ディスクの未記録領域では前記ＬＰＰ信号と前記オフセットチルト量に基づいて前記最適チルト補正量を決定することを特徴とする請求項２又は３に記載のチルト補正装置。
【請求項５】
前記補正量決定部は、前記ディスクの記録済み領域では、前記ＲＦ信号の振幅が最大となるときのチルト量に対応するチルト補正量を前記最適チルト補正量として決定し、前記ディスクの未記録領域では、前記ＬＰＰ信号の振幅が最大となるときのチルト量と前記オフセットチルト量の和に対応するチルト補正量を前記最適チルト補正量として決定することを特徴とする請求項２又は３に記載のチルト補正装置。
【請求項６】
前記補正量決定部は、予め決められた前記ディスク上の補正基準位置毎に前記最適チルト補正量を求め、前記補正基準位置毎の最適チルト補正量を示す補正プロファイルを生成する手段を備え、前記チルト補正部は、前記補正プロファイルに従ってチルト補正を実行することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のチルト補正装置。
【請求項７】
前記ディスクを回転させるディスク回転制御部を備え、前記補正量決定部が前記補正基準位置毎に最適チルト補正量を求める際には、前記ディスク回転制御部は前記ディスクを角速度一定で回転させることを特徴とする請求項６に記載のチルト補正装置。
【請求項８】
前記ディスク上の複数の半径方向位置に対応する前記最適チルト補正量を記憶する記憶部をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のチルト補正装置。
【請求項９】
ディスクからの読み取り信号に基づいてピックアップのチルト量を制御するチルト補正装置により実行されるチルト補正方法において、
前記ディスクに照射した光ビームの戻り光に基づいて、前記ディスク上のプリピットの有無を示すプリピット信号を生成するプリピット信号生成工程と、
前記戻り光に基づいて、前記ディスクからＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成工程と、
特定のチルト量における前記プリピット信号と前記ＲＦ信号の信号振幅に基づいて、最適チルト補正量を決定する補正量決定工程と、
前記最適チルト補正量に基づいてチルト補正を行うチルト補正工程と、を有することを特徴とするチルト補正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、ディスクからの読み取り信号に基づいてピックアップのチルト量を制御するチルト補正装置において、前記ディスクに照射した光ビームの戻り光に基づいて、前記ディスク上のプリピットの有無を示すプリピット信号を生成するプリピット信号生成部と、前記戻り光に基づいて、前記ディスクからＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成部と、特定のチルト量における前記プリピット信号と前記ＲＦ信号の信号振幅に基づいて、最適チルト補正量を決定する補正量決定部と、前記最適チルト補正量に基づいてチルト補正を行うチルト補正部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項９に記載の発明は、ディスクからの読み取り信号に基づいてピックアップのチルト量を制御するチルト補正装置により実行されるチルト補正方法において、前記ディスクに照射した光ビームの戻り光に基づいて、前記ディスク上のプリピットの有無を示すプリピット信号を生成するプリピット信号生成工程と、前記戻り光に基づいて、前記ディスクからＲＦ信号を生成するＲＦ信号生成工程と、特定のチルト量における前記プリピット信号と前記ＲＦ信号の信号振幅に基づいて、最適チルト補正量を決定する補正量決定工程と、前記最適チルト補正量に基づいてチルト補正を行うチルト補正工程と、を有することを特徴とする。