Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月6日(2004.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が局と、端末間でデータを伝送する無線装置と、ネットワークインタフェースとにより形成される複数の端末を具えており、前記ネットワークインタフェースが、少なくともコネクション設定用に設けるコントローラを含み、且つ無線装置と、局と、コントローラとの間でセルをスイッチングするためのスイッチユニットを具えている非同期モードで作動するローカルエリアネットワークにおいて、前記端末の各々を他の端末とデータを直接交換するように設け、且つ１つの端末がネットワーク内で管理機能を実行すると共にローカルユーザと他の端末のユーザとの間の少なくとも１つのバーチャルリンクによってデータを交換するようにしたことを特徴とするローカルエリアネットワーク。
【請求項２】
前記ネットワークが複数のサブネットワークを具え、これらの各サブネットワークが様々な端末を有し、且つ少なくとも１個の端末が、２つの近隣のサブネットワークの一部を成すと共にこれらのサブネットワーク間にセルを伝送するようにしたことを特徴とする請求項１に記載のローカルエリアネットワーク。
【請求項３】
前記スイッチユニットが、前記局の出力用接続線に割当てられると共に第１パスメモリに結合される第１受信回路と、前記ネットワークインタフェースの受信用接続線に割当てられると共に第２パスメモリに結合される第２受信回路とを具え、前記各受信回路が、受信したセルのヘッダフィールドを評価し、且つ少なくとも１個の受信回路が、ヘッダフィールドから再生した情報に基づいて前記受信回路に割当てられたパスメモリからスイッチモードを抽出するのに用いられるようにしたことを特徴とする請求項１又は２に記載のローカルエリアネットワーク。
【請求項４】
前記第１パスメモリが、
−  前記局から該局へと戻るコネクション用の第１スイッチモードであって、前記スイッチユニットが前記局の出力用と入力用接続線を結合させるようにする第１スイッチモードと、
−  前記局から該局へ戻ると共に前記局から他の端末へのコネクション用の第２スイッチモードであって、前記スイッチユニットが前記局の出力用接続線を前記局の入力用接続線と、前記ネットワークインタフェースの送信用接続線とに結合させるようにする第２スイッチモードと、
−  前記局と少なくとも１つの他の端末との間のコネクション用の第３スイッチモードであって、前記スイッチユニットが前記局の出力用接続線を前記ネットワークインタフェースの送信用接続線に結合させるようにする第３スイッチモードと、
−  前記局と前記ローカルコントローラとの間のコネクションの第４スイッチモードであって、前記スイッチユニットが前記局の出力用接続線を前記ローカルコントローラに結合させるようにする第４スイッチモードと、
前記局と前記ローカルコントローラ及び他の端末の少なくとも１個のコントローラとの間のコネクション用の第５スイッチモードであって、前記スイッチユニットが前記局の出力用接続線を前記ローカルコントローラと、前記ネットワークインタフェースの送信用接続線とに結合させるようにする第５スイッチモードと、
−  前記局から到来し、存在しないコネクション情報を包含しているセルを削除する第６スイッチモードと
を記憶するのに用いられるようにしたことを特徴とする請求項３に記載のローカルエリアネットワーク。
【請求項５】
前記第２パスメモリが、
−  無線インタフェースから前記局へのコネクション用の第７スイッチモードであって、前記スイッチユニットが前記ネットワークインタフェースの受信用接続線を前記局の入力用接続線に結合させるようにする第７スイッチモードと、
−  前記無線インタフェースと前記ローカルコントローラとの間のコネクション用の第８スイッチモードであって、前記スイッチユニットが前記ネットワークインタフェースの受信用接続線を前記ローカルコントローラに結合させるようにする第８スイッチモードと、
−  前記ネットワークインタフェースの受信用接続線から到来し、存在しないコネクション情報を包含しているセルを削除するための第９スイッチモードと
を記憶するのに用いられるようにしたことを特徴とする請求項３又は４に記載のローカルエリアネットワーク。
【請求項６】
前記端末のうちの、少なくとも２つの近隣のサブネットワークの一部を成す端末における第２パスメモリが、
−  第１サブネットワークの端末と、第２サブネットワークの端末との間のコネクション用の第１０スイッチモードであって、前記スイッチユニットが前記ネットワークインタフェースの受信用と送信用接続線とを結合させるようにする第１０スイッチモード
を記憶するのにも用いられるようにしたことを特徴とする請求項５に記載のローカルエリアネットワーク。
【請求項７】
コネクションを設定するために、前記コントローラがバーチャルリンク及び少なくとも１つのパスメモリに属するスイッチモードを記憶するようにしたことを特徴とする請求項６に記載のローカルエリアネットワーク。
【請求項８】
セルに含まれるＶＣＩ（パーチャルチャネル識別子）とＶＰＩ（バーチャルパス識別子）とがバーチャルリンクのアイデンティティを形成し、且つ前記パスメモリが前記アイデンティのもとで少なくともコネクションのタイプ、セルのタイプ及びスイッチモードを記憶するようにしたことを特徴とする請求項７に記載のローカルエリアネットワーク。
【請求項９】
前記端末が無線周波回路と、モデムと、プロトコル装置とを有する無線装置を具え、２つの端末の無線装置がデータ交換し、且つ端末がレジストレーションチャネルによってアンデンティティデータを、ＭＡＣシグナリングチャネルによってＭＡＣシグナリングデータを（ＭＡＣ＝メディアアクセス制御）、少なくとも１つの転送チャネルによってペイロード情報をそれぞれ交換し、前記ペイロード情報が少なくともセルの一部を含むようにしたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のローカルエリアネットワーク。
【請求項１０】
管理機能を実行するのに用いられる端末がコネクションの設定及び分離と、個々の端末に対する転送チャネルのダイナミックな割当てとを制御するようにしたことを特徴とする請求項９に記載のローカルエリアネットワーク。
【請求項１１】
非同期モードで作動するローカルエリアネットワーク用の端末であって、前記ネットワークが複数の端末を含み、各端末が、局、他の端末とのデータ交換用の無線装置及びネットワークインタフェースを有し、前記ネットワークインタフェースが少なくともコネクション設定用に設けるコントローラ及び無線装置と、局と、コントローラとの間でセルをスイッチングするためのスイッチユニットを具えている端末において、該端末が他の端末とのデータの直接交換用に用いられ、且つ前記端末が前記ネットワークにおける管理機能の実行及び各端末のユーザと他の端末のユーザとの間の少なくとも１つのバーチャルリンクによりデータ交換に用いられるようにしたことを特徴とするローカルエリアネットワーク用端末。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月18日(2004.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
省スペース型スキャナであって、
スキャナ本体と、
前記スキャナ本体に取り付けられるスキャナ蓋体と、
前記スキャナ蓋体を持ち上げたときに前記スキャナ蓋体から滑落または脱落しないように、前記スキャナ蓋体の上面に取り外し可能に取り付けられるコンピュータキーボードと、
前記スキャナ蓋体を持ち上げたときに前記スキャナ蓋体から滑落または脱落しないように、前記スキャナ蓋体の上面に取り外し可能に取り付けられるコンピュータマウスと、
前記コンピュータキーボードまたはマウスの操作に干渉しないように、前記スキャナ本体の一側面に取り外し可能に取り付けられる自動文書フィーダであって、文書が、走査されているときに前記キーボードの幅に沿ってではなく長さに沿って進む、自動文書フィーダと
を備えることを特徴とする省スペース型スキャナ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの交換センターと、複数の加入者局と、第１加入者局から第２加入者局への予め決定し得る時点での着信転送を自動的に起動させる着信転送起動器とを具えている電気通信システムにおいて、前記第１加入者局が、前記第２加入者局への着信転送の起動を合図するシグナル装置と、手動で作動させることのできる着信転送中止装置とを具えていることを特徴とする電気通信システム。
【請求項２】
前記シグナル装置が着信転送の起動を視覚的に合図するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の電気通信システム。
【請求項３】
前記着信転送の起動を点滅するダイオードによって合図するようにしたことを特徴とする請求項２に記載の電気通信システム。
【請求項４】
予め決定し得る時点に第２加入者局への着信転送を自動的に起動させるための着信転送起動器を具えている加入者局において、該加入者局が前記第２加入者局への着信転送の起動を知らせるシグナル装置を具え、且つ前記加入者局が手動で作動させることのできる着信転送中止装置も具えていることを特徴とする加入者局。
【請求項５】
第１加入者局から第２加入者局への着信転送を起動させたり、中止させたりし、着信転送を、予め決定し得る時点に自動的に起動させることのできる着信転送の起動及び中止方法において、前記第１加入者局から前記第２加入者局への着信転送の起動を、前記第１加入者局のシグナル装置によって加入者に知らせ、且つ前記第１加入者局の着信転送中止装置を作動させることによって前記着信転送を手動で中止させることを特徴とする着信転送の起動及び中止方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
窒化ガリウム系化合物半導体発光層の上にＮｉからなる薄膜と熱的に安定な金属からなる薄膜とが交互に積層された多層構造である透光性電極を有し、
前記透光性電極上にボンディング用電極を有し、前記透光性電極は、窒化ガリウム系化合物半導体側がＮｉからなり、表面側が熱的に安定な金属からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の電極構造。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月17日(2004.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ設置ユニットをコンピュータハウジング内に固定するための装置であって、
ハウジングの穴を通過する締付けレバーであって、内部係止爪に接続する外部アームを有し且つハウジングの中で旋回可能な締付けレバーと、
互いに螺合する第１および第２の部材を有するねじ山手段であって、前記第１および第２の部材が各々前記ハウジングおよび前記アームと力を伝達し合う関係にあり、前記部材の一方がユーザ動作による外部からのアクセスが可能で、ハウジングの中で締付けレバーを旋回させ、それにより前記ユーザ設置ユニットの一部を前記係止爪とハウジングとの間に締付けるねじ山手段とを備えていることを特徴とするユーザ設置ユニット固定装置。
【請求項２】
前記締付けレバーは、前記外部アームに接続する複数の内部係止爪を有し、複数のユーザ設置ユニットを、それらをハウジングに対して締付けることにより、固定する働きをする請求項１に記載のユーザ設置ユニット固定装置。
【請求項３】
前記係止爪は、前記ハウジングのそれぞれの穴を貫いてハウジングから突出し、ハウジングの外部にある前記アームと接続し、前記穴と穴との間にあるハウジングの部分は締付けレバーがハウジング内に完全に進入することのないようにしている請求項２に記載のユーザ設置ユニット固定装置。
【請求項４】
前記締付けレバーは金属から作られ、前記ユーザ設置ユニットの電気的接地系統の部分を形成している請求項１に記載のユーザ設置ユニット固定装置。
【請求項５】
前記締付けレバーはハウジング内で内部干渉なしに前記穴を通して取り外し得る請求項１に記載のユーザ設置ユニット固定装置。
【請求項６】
前記締付けレバーは前記穴に隣接して前記ハウジングの中で旋回するようになっており、それにより前記締付けレバーが第１等級のレバーを形成している請求項１に記載のユーザ設置ユニット固定装置。
【請求項７】
ねじ山手段の前記第１の部材はハウジングのねじ穴により形成され、前記第２の部材は前記アームを貫いて突出し前記ねじ穴に螺合するボルトである請求項１に記載のユーザ設置ユニット固定装置。
【請求項８】
ねじ山手段の前記第１の部材は前記ハウジングに固定された外側に突出する植込ボルトにより形成され、前記第２の部材は前記植込ボルトと螺合するナットである請求項１に記載のユーザ設置ユニット固定装置。
【請求項９】
前記ユーザ設置ユニットは拡張カードである請求項１に記載のユーザ設置ユニット固定装置。
【請求項１０】
前記ユーザ設置ユニットはディスク駆動装置である請求項１に記載のユーザ設置ユニット固定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月22日(2004.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
論理回路であって、
事前充電電圧の電源を有し、
事前充電相と評価相を有するクロック信号を発生するクロック信号発生器を有し、
事前充電ノードを有し、
前記事前充電電圧の電源に結合された事前充電器を有し、前記クロック信号の事前充電相の間に、前記クロック信号発生器と事前充電ノードが動作可能で前記事前充電ノードを事前充電電圧まで事前充電し、
前記事前充電ノードに接続された条件付き直列放電路を有し、該条件付き直列放電路は第１および第２入力信号を受信し、かつ前記各第１および第２入力信号の論理状態に依存して前記事前充電電圧とは異なる電圧に前記事前充電ノードを条件付きで結合するよう動作可能であり、
前記条件付き直列放電路は、
第１しきい値電圧を有する低しきい値電圧トランジスタを有し、該低しきい値電圧トランジスタのゲートは前記第１入力信号を受信し、かつ該第１入力信号の論理状態に依存して前記条件付き直列放電路に沿って導電路を条件付きで形成し、
前記第１しきい値電圧よりも高い第２しきい値電圧を有する高しきい値電圧トランジスタを有し、該高しきい値電圧トランジスタのゲートは前記第２入力信号を受信し、かつ該第２入力信号の論理状態に依存して前記条件付き直列放電路に沿って放電路を条件付きで形成し、前記第２入力信号の論理状態は前記事前充電相の間では使用不能であり、前記高しきい値電圧トランジスタの導電路は前記事前充電相の間では導通しない、論理回路。
【請求項２】
前記低しきい値電圧トランジスタは第１低しきい値電圧トランジスタを有し、かつ前記条件付き直列放電路は第１しきい値電圧を有する第２低しきい値電圧トランジスタをさらに有し、前記第２低しきい値電圧トランジスタのゲートは第３入力信号を受信し、かつ該第３入力信号の論理状態に依存して前記条件付き直列放電路に沿って導電路を条件付きで形成する、請求項１に記載の論理回路。
【請求項３】
前記第１および第２低しきい値電圧トランジスタの前記条件付き直列放電路を接続して直列接続を形成し、かつ第３低しきい値電圧トランジスタをさらに有し、該第３低しきい値電圧トランジスタのゲートは第４入力信号を受信し、かつ該第４入力信号の論理状態に依存して前記直列接続に並列に接続された導電路を条件付きで形成し、前記第３低しきい値電圧トランジスタは前記第１しきい値電圧を有する、請求項２に記載の論理回路。
【請求項４】
前記第１、第２、第３低しきい値電圧トランジスタはそれぞれｎチャンネル・トランジスタである、請求項３に記載の論理回路。
【請求項５】
前記事前充電器は、ｐチャンネル・トランジスタを有し、該ｐチャンネル・トランジスタのソースは前記事前充電電圧の電源に接続され、ドレンは前記事前充電ノードに接続され、ゲートは前記クロック信号を受信するように接続されて、前記ｐチャンネル・トランジスタの導電路は前記事前充電相の間では導通し、
前記高しきい値電圧トランジスタはｎチャンネル・トランジスタを有し、該ｎチャンネル・トランジスタのソースは前記第２入力信号を受信するように結合され、かつゲートは前記第２入力信号を受信するように結合されて、前記ｎチャンネル・トランジスタの導電路は事前充電相の間では導通しない、請求項１に記載の論理回路。
【請求項６】
前記ｐチャンネル・トランジスタのゲートは前記評価相の間では使用不能信号を受けるように結合して、前記ｐチャンネル・トランジスタの前記導電路は前記評価相の間では導通せず、
前記ｎチャンネル・トラジスタのゲートは前記評価相の間では使用可能信号を受信するように結合して、前記ｎチャンネル・トランジスタの前記導電路は前記評価相の間では導通する、請求項５に記載の論理回路。
【請求項７】
前記第２入力信号は前記クロック信号であり、前記クロック信号が低のとき、前記クロック信号により前記ｐチャンネル・トランジスタは使用可能であり、かつ前記ｎチャンネル・トランジスタは使用不能である、請求項５に記載の論理回路。
【請求項８】
前記高しきい値電圧トランジスタのゲートに結合された前記第２入力信号は、前記事前充電相の間、論理状態を有する入力されたクロック信号により与えられ、前記高しきい値電圧トランジスタは前記事前充電相の間では使用不能であり、前記高しきい値電圧トランジスタの前記導電路は前記事前充電相の間では導通せずかつ前記評価相の間では任意の論理状態を有し、前記高しきい値電圧トランジスタは前記評価相の間では任意に使用可能であり、前記高しきい値電圧トランジスタの前記導電路は前記第２入力信号の論理状態に依存して前記評価相の間では条件付きで導通し、
前記低しきい値電圧トランジスタのゲートに接続された前記第１入力信号はスタティック回路により出力される、請求項１に記載の論理回路。
【請求項９】
前記高しきい値電圧トランジスタのゲートに接続された前記第２入力信号はダイナミック論理回路の出力により与えられて、前記高しきい値電圧トランジスタは前記事前充電相の間では使用不能であり、前記高しきい値電圧トランジスタの前記導電路は前記事前充電相の間では導通せず、前記ダイナミック論理回路の出力は前記評価相の間では任意の論理状態を有し、前記高しきい値電圧トランジスタは前記評価相の間では任意に使用可能であり、前記高しきい値電圧トランジスタの導電路は前記第２入力信号の論理状態に依存して前記評価相の間では条件付きで導通する、請求項１に記載の論理回路。
【請求項１０】
前記高しきい値電圧トランジスタは第１高しきい値電圧トランジスタを有し、
前記低しきい値電圧トランジスタの前記導電路と前記第１高しきい値電圧トランジスタの前記導電路は接続して直列接続を形成し、
前記ダイナミック論理回路は、前記直列接続と並列に接続された前記条件付き直列放電路に沿って導電路を有する第２高しきい値電圧トランジスタを有し、前記第２高しきい値電圧トランジスタは前記第２しきい値電圧を有し、かつ前記第２高しきい値電圧トランジスタのゲートに結合された第３入力信号は前記ダイナミック論理回路の出力により与えられて、前記第２高しきい値電圧トランジスタは前記事前充電相の間では使用不能であり、前記第２高しきい値電圧トランジスタの前記導電路は前記事前充電相の間では導通しない、請求項９に記載の論理回路。
【請求項１１】
前記低しきい値電圧トランジスタは第１注入ステップを用いて形成し、前記高しきい値電圧トランジスタは前記第１注入ステップとは異なるときに第２注入ステップを用いて形成する、請求項１に記載の論理回路。
【請求項１２】
前記低しきい値電圧トランジスタと前記高しきい値電圧トランジスタはそれぞれシリコン・インシュレータ・トランジスタを有する、請求項１に記載の論理回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナで送受信される無線信号についての第１の送受信特性を規定する第１の仕様基準を満足するように設定されているベースバンド部及び無線周波部とを有し、アンテナによりデータの送受信を行うソフトウェア無線機であって、
前記第１の送受信特性とは異なる、アンテナで送受信される無線信号についての第２の送受信特性を規定する第２の仕様基準に関する情報を保持する記憶装置と、
前記第２の仕様基準に関する情報に基づき、前記第２の仕様基準を満足するように前記ベースバンド部及び無線周波部の設定の変更を行う制御部とを有するソフトウェア無線機。
【請求項２】
請求項１に記載のソフトウェア無線機であって、
送受信特性の測定回路を更に有し、
前記制御部は、前記測定回路から得た測定値と前記第２の仕様基準に関する情報とを比較して、前記第２の仕様基準を満足するように前記ベースバンド部及び無線周波部の設定の変更を行うソフトウェア無線機。
【請求項３】
請求項２に記載のソフトウェア無線機であって、
前記アンテナ、前記無線周波部及び前記測定回路とに接続されるスイッチを更に有し、
前記スイッチは、前記測定回路が送受信特性を測定する場合に、前記無線周波部を前記アンテナから切り離し、前記測定回路に接続し、送信データが前記測定回路に送信されるように制御するソフトウェア無線機。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れかに記載のソフトウェア無線機であって、
ユーザーインターフェースを更に有し、
前記制御部は前記第２の仕様基準を満足するように前記ベースバンド部及び無線周波部の設定の変更を行うことができない場合に、その旨該ユーザーインターフェースに表示するソフトウェア無線機。
【請求項５】
請求項４に記載のソフトウェア無線機であって、
前記制御部は前記第２の仕様基準を満足するように前記ベースバンド部及び無線周波部の設定の変更を行うことができない場合に、電波送信を抑制する制御を行うソフトウェア無線機。
【請求項６】
請求項４に記載のソフトウェア無線機であって、
予め通信可能であることが確認されている仕様を記述するソフトウェアを保持する記憶装置を更に有し、
前記制御部は、前記第２の仕様基準を満足するように前記ベースバンド部及び無線周波部の設定の変更を行うことができない場合に、前記ベースバンド部及び無線周波部を、前記ソフトウェアに記述されている前記仕様に設定するソフトウェア無線機。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３の何れかに記載のソフトウェア無線機であって、
前記無線周波部は増幅器又は減衰器を更に有し、
前記制御部は、前記第２の仕様基準が規定する送信電力以下となるように、増幅器または減衰器に、それぞれ増幅率又は減衰率を設定するソフトウェア無線機。
【請求項８】
請求項１乃至請求項３の何れかに記載のソフトウェア無線機であって、
前記ベースバンド部は、送信フィルタを更に有し、
前記制御部は、前記第２の仕様基準が規定する占有周波数帯域幅以下となるように該フィルタ特性を設定するソフトウェア無線機。
【請求項９】
無線機に対して、アンテナで送受信される無線信号についての送受信特性情報と、前記送受信特性情報を満足するように前記無線機を制御する制御プログラムとを含むソフトウェアを配信する方法であって、
前記ソフトウェアに改竄を検出する情報を付加し、
前記改竄を検出情報が付加されたソフトウェアを暗号化して配信するソフトウェアを配信する方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のソフトウェアを配信する方法であって、
前記無線機は、
前記暗号化されたソフトウェアを復号化し、
前記改竄を検出する情報を用いて、前記ソフトウェアが改竄されていないかを検査するソフトウェアを配信する方法。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０の何れかに記載のソフトウェアを配信する方法であって、
前記改竄を検出する情報は、巡回冗長符号であるソフトウェアを配信する方法。
【請求項１２】
ソフトウェア無線機であって、
アンテナで送受信される無線信号についての送受信特性情報と、前記送受信特性情報を満足するように前記無線機を制御する制御プログラムとを含むソフトウェアに、改竄を検出する情報を付加がされたものが暗号化されたデータを復号化する手段と、
前記改竄を検出する情報を用いて、前記ソフトウェアが改竄されていないかを検査する手段とを有するソフトウェア無線機。
【請求項１３】
請求項１２に記載のソフトウェア無線機であって、
前記改竄を検出する情報は、巡回冗長符号であるソフトウェア無線機。
【請求項１４】
無線機に対して、無線で、アンテナで送受信される無線信号についての送受信特性情報と、前記送受信特性情報を満足するように前記無線機を制御する制御プログラムとを含むソフトウェアを送信するサーバであって、
前記ソフトウェアに改竄を検出する情報を付加する手段と、
前記改竄を検出情報が付加されたソフトウェアを暗号化する手段と、
前記暗号化されたソフトウェアを無線機に送信する手段とをを有するサーバ。
【請求項１５】
請求項１４に記載のサーバであって、
前記改竄を検出する情報は、巡回冗長符号であるサーバ。
【請求項１６】
無線機に対し、サーバに保持されているソフトウェアを配信する方法であって、
前記サーバは、それぞれ、アンテナで送受信される無線信号についての仕様である送受信特性情報と、前記送受信特性情報を満足するように前記無線機を制御する制御プログラムとを含む複数のソフトウェアを保持し、前記複数のソフトウェアの各ソフトウェアに対して、そのソフトウェアが何れの仕様に対応するものであるかに関する情報と、そのソフトウェアの認証検査が行われた無線機の型式に関する情報とを保持し、
前記方法は、
前記無線機から、前記無線機機の型式と、仕様とが指定されたソフトウェアのダウンロード要求を受信し、
前記型式と前記仕様に対応したソフトウェアを前記複数のソフトウェアから選択し、
前記選択したソフトウェアを前記無線機に送信するソフトウェアを送信する方法。
【請求項１７】
無線機の仕様を変更するため、サーバに保持されている、アンテナで送受信される無線信号についての送受信特性情報と、前記送受信特性情報を満足するように前記無線機を制御する制御プログラムとを含むソフトウェアを無線機にダウンロードする方法であって、
前記無線機は、
前記サーバからダウンロード可能なソフトウェアのリストであって、そのソフトウェアが何れの仕様に対応するものであるかに関する情報と、そのソフトウェアの認証検査が行われた無線機の型式に関する情報とが含まれるものを受信し、
前記リストから、変更しようとする仕様及び自機の型式に合ったソフトウェアを選択し、
前記選択したソフトウェアのダウンロードを前記サーバに要求するソフトウェアをダウンロードする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
差動回路を有するアナログバッファを備え、
前記差動回路は、第１の薄膜トランジスタ乃至第４の薄膜トランジスタを有し、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタは、ゲート電極電位が等しく、且つ互いに並列に接続され、
前記第３の薄膜トランジスタと前記第４の薄膜トランジスタは、ゲート電極電位が等しく、且つ互いに並列に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタのチャネル領域は多結晶半導体層によって形成され、
前記第１の薄膜トランジスタのチャネル領域と前記第２の薄膜トランジスタのチャネル領域とをむすぶ線分は、前記第３の薄膜トランジスタのチャネル領域と前記第４の薄膜トランジスタのチャネル領域をむすぶ線分と交差するように、前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタが配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
カレントミラー回路を有するアナログバッファを備え、
前記カレントミラー回路は、第１の薄膜トランジスタ乃至第４の薄膜トランジスタを有し、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタは、ゲート電極電位が等しく、且つ互いに並列に接続され、
前記第３の薄膜トランジスタと前記第４の薄膜トランジスタは、ゲート電極電位が等しく、且つ互いに並列に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタのチャネル領域は多結晶半導体層によって形成され、
前記第１の薄膜トランジスタのチャネル領域と前記第２の薄膜トランジスタのチャネル領域とをむすぶ線分は、前記第３の薄膜トランジスタのチャネル領域と前記第４の薄膜トランジスタのチャネル領域をむすぶ線分と交差するように、前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタが配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
差動回路とカレントミラー回路を有するアナログバッファを備え、
前記差動回路及び前記カレントミラー回路それぞれは、第１の薄膜トランジスタ乃至第４の薄膜トランジスタを有し、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタは、ゲート電極電位が等しく、且つ互いに並列に接続され、
前記第３の薄膜トランジスタと前記第４の薄膜トランジスタは、ゲート電極電位が等しく、且つ互いに並列に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタのチャネル領域は多結晶半導体層によって形成され、
前記第１の薄膜トランジスタのチャネル領域と前記第２の薄膜トランジスタのチャネル領域とをむすぶ線分は、前記第３の薄膜トランジスタのチャネル領域と前記第４の薄膜トランジスタのチャネル領域をむすぶ線分と交差するように、前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタが配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記多結晶半導体層は、非晶質半導体層に選択的に結晶化を助長する金属元素を添加した後、加熱することによって形成され、
前記金属元素が選択的に添加された領域と、前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタのチャネル領域それぞれとの距離が等しくなるように、前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタが配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタそれぞれのゲート長が７μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタそれぞれのゲート幅が５０μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタそれぞれのゲート長が７μｍ以上であり、ゲート幅が５０μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタそれぞれはマルチゲート型構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタそれぞれはマルチゲート型構造であり、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタそれぞれの複数のゲート電極それぞれに対応するゲート長が７μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタそれぞれはマルチゲート型構造であり、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタそれぞれの複数のゲート電極それぞれに対応するゲート幅が５０μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタそれぞれはマルチゲート型構造であり、
前記第１の薄膜トランジスタ乃至前記第４の薄膜トランジスタそれぞれの複数のゲート電極それぞれに対応するゲート長が７μｍ以上であり、ゲート幅が５０μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体装置は、画像表示装置であることを特徴とする。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体装置は、液晶表示装置であることを特徴とする。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体装置は、エレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記半導体装置を用いたビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機、電子書籍、または記録媒体を備えた画像再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
差動電圧信号を受信するように接続された差動入力と、出力とを有するウィンドウ検出回路であって、
それぞれ、電源とアースの間に接続されて、差動電圧信号を受信する、正の入力と負の入力とを備えた差動増幅器と、
前記正の入力と負の入力との間に接続され、バイアス点を備えるバイアス回路網と、
電源とアースの間に接続され、かつ前記ウィンドウ検出回路の出力に直接接続されて、前記バイアス点によって電気的バイアスがかけられる出力トランジスタが含まれている、
ウィンドウ検出回路。
【請求項２】
前記差動増幅器に、さらに、
出力を備え、前記正の入力を受信する第１のトランジスタと、
出力を備え、前記負の入力を受信する第２のトランジスタと、
アースと、前記第１及び第２のトランジスタの前記出力との間に接続された電流源が含まれていることを特徴とする、
請求項１に記載のウィンドウ検出回路。
【請求項３】
前記差動増幅器に、さらに、
前記第１のトランジスタの出力と前記電流源の間に挿入された第１の抵抗器と、
前記第２のトランジスタの出力と前記電流源の間に挿入された第２の抵抗器が含まれていることを特徴とする、
請求項２に記載のウィンドウ検出回路。
【請求項４】
前記第１及び第２の抵抗器（Ｒ１、Ｒ２）が等しい抵抗値を備えていることを特徴とする、請求項３に記載のウィンドウ検出回路。
【請求項５】
前記バイアス回路網に、さらに、
前記正の入力と前記バイアス点の間に電気的に挿入された第１のバイアス抵抗器と、
前記バイアス点と前記負の入力の間に電気的に挿入された第２のバイアス抵抗器が含まれていることを特徴とする、
請求項３に記載のウィンドウ検出回路。
【請求項６】
前記第１及び第２のバイアス抵抗器（Ｒ３、Ｒ４）が等しい抵抗値を備えていることを特徴とする、請求項５に記載のウィンドウ検出回路。
【請求項７】
前記バイアス回路網に、さらに、
前記正の入力と前記バイアス点との間に電気的に挿入された第１のバイアス抵抗器と、
前記バイアス点と前記負の入力との間に電気的に挿入された第２のバイアス抵抗器が含まれていることを特徴とする、
請求項１に記載のウィンドウ検出回路。
【請求項８】
前記第１及び第２のバイアス抵抗器（Ｒ３、Ｒ４）が等しい抵抗値を備えていることを特徴とする、請求項７に記載のウィンドウ検出回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前側焦点面と第１面とが一致し且つ後側焦点面と第２面とが一致するように構成され、前記第１面からの光を集光して前記第２面へ導くコンデンサー光学系において、
第１面側から順に、第１面側に凹面を向けた負レンズを有する第１レンズ群Ｇ１と、正レンズを有する第２レンズ群Ｇ２と、第３レンズ群Ｇ３とを備え、
前記第１レンズ群Ｇ１は、非球面状に形成された少なくとも１つのレンズ面を有することを特徴とするコンデンサー光学系。
【請求項２】
前記第２レンズ群Ｇ２は、非球面状に形成された少なくとも１つのレンズ面を有することを特徴とする請求項１に記載のコンデンサー光学系。
【請求項３】
前記第３レンズ群Ｇ３は、非球面状に形成された少なくとも１つのレンズ面を有することを特徴とする請求項１または２に記載のコンデンサー光学系。
【請求項４】
前記第１レンズ群Ｇ１中の前記負レンズの第１面側に向けた凹面の曲率半径をＲ１とし、光学系全体の焦点距離をＦとしたとき、
０．２＜Ｆ／｜Ｒ１｜＜５
の条件を満足することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコンデンサー光学系。
【請求項５】
前記第１レンズ群Ｇ１は、単一レンズの形態を有する前記負レンズのみから構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のコンデンサー光学系。
【請求項６】
前記第２レンズ群Ｇ２と前記第３レンズ群Ｇ３とからなる合成光学系は、２枚または３枚の正レンズから構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のコンデンサー光学系。
【請求項７】
前記第３レンズ群Ｇ３は、正レンズを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のコンデンサー光学系。
【請求項８】
前記第２レンズ群Ｇ２は、２枚の両凸レンズを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のコンデンサー光学系。
【請求項９】
前記第１レンズ群Ｇ１は１枚の負レンズのみで構成され、前記第２レンズ群Ｇ２は２枚の正レンズのみで構成され、前記第３レンズ群Ｇ３は１枚の正レンズのみから構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のコンデンサー光学系。
【請求項１０】
光束を供給するための光源手段と、
前記光源手段からの光束に基づいて多数の光源を形成するための多光源形成手段と、
前記多数の光源からの光を集光して被照射面へ導くための請求項１乃至９のいずれか１項に記載のコンデンサー光学系とを備え、
前記第１面に形成された前記多数の光源からの光は、前記コンデンサー光学系を介して、前記被照射面または前記被照射面の共役面としての前記第２面上を重畳的に照明することを特徴とする照明光学装置。
【請求項１１】
前記被照射面の共役面としての前記第２面に配置された開口部を有する視野絞りと、
前記視野絞りと前記被照射面との間の光路中に配置されて前記視野絞りを介した光により前記被照射面を重畳的に照明する結像光学系とを設けたことを特徴とする請求項１０に記載の照明光学装置。
【請求項１２】
前記被照射面と前記第２面とが一致していることを特徴とする請求項１０に記載の照明光学装置。
【請求項１３】
前記光源手段と前記多光源形成手段との間の光路中に配置された切り換え可能な回折光学素子と、
前記回折光学素子と前記多光源形成手段との間の光路中に配置されたズームレンズとを設けたことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の照明光学装置。
【請求項１４】
前記切り換え可能な回折光学素子は、輪帯照明用の回折光学素子を有することを特徴とする請求項１３に記載の照明光学装置。
【請求項１５】
前記切り換え可能な回折光学素子は、輪帯照明用の回折光学素子と４極照明用の回折光学素子と８極照明用の回折光学素子との間で切り換え可能に構成されていることを特徴とする請求項１３または１４に記載の照明光学装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載の照明光学装置と、前記被照射面に設定されたマスクのパターンを感光性基板上へ投影露光するための投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の露光装置により前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第３発明の好ましい態様によれば、前記被照射面の共役面としての前記第２面に配置された開口部を有する視野絞りと、前記視野絞りと前記被照射面との間の光路中に配置されて前記視野絞りを介した光により前記被照射面を重畳的に照明する結像光学系とを設ける。あるいは、前記被照射面と前記第２面とが一致している。また、前記投影光学系は、屈折型の光学系として構成されていること、あるいは、反射屈折型の光学系として構成されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空反応室内を排気する排気系と、真空反応室内にガスラインを介してガスを導入するガス供給系と、真空反応室内で基板を配設する電極と、電極に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、ガスラインにガス供給系とは別に加圧ガスを供給する加圧ガス源を接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
真空反応室内を大気開放するとともに、真空反応室内にガスを導入するガスラインを通して加圧ガスを真空反応室内に噴出させ、真空反応室内の異物を除去することを特徴とするプラズマ処理装置のメンテナンス方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理装置は、真空反応室内を排気する排気系と、真空反応室内にガスラインを介してガスを導入するガス供給系と、真空反応室内で基板を配設する電極と、電極に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、ガスラインにガス供給系とは別に加圧ガスを供給する加圧ガス源を接続したものであり、ガスラインを介して加圧ガスを真空反応室内に供給しながら清掃メンテナンスを行うことにより、発生したダスト等の異物が真空反応室内へのガス導入部に入り込むのを防止でき、プラズマ処理の再開時に異物が出てきて不良を発生する恐れを無くすことができ、処理品質の向上・安定を図ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明のプラズマ処理装置のメンテナンス方法は、真空反応室内を大気開放するとともに、真空反応室内にガスを導入するガスラインを通して加圧ガスを真空反応室内に噴出させ、真空反応室内の異物を除去するものであり、上記のように処理品質の向上・安定を図ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理装置とそのメンテナンス方法によれば、以上のように真空反応室内にガスを導入するガスラインに加圧ガスを供給する加圧ガス源を接続し、真空反応室内を大気開放して清掃メンテナンスするときにガスラインを通して加圧ガスを真空反応室内に噴出させることによって、発生したダスト等の異物が真空反応室内へのガス導入部に入り込むのを防止でき、プラズマ処理の再開時に異物が出てきて不良を発生する恐れを無くすことができ、処理品質の向上・安定を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月19日(2004.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の解析方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）針当てパッドと、解析対象である半導体基板のパッドに対応した電極と、前記針当てパッドおよび前記電極の間を接続する配線とが形成された解析用基板を用意する工程、
（ｂ）前記解析用基板上に前記解析対象である半導体基板をフェイスダウン方式で実装し、前記半導体基板のパッドと前記解析用基板の電極とを電気的に接続する工程、
（ｃ）前記解析用基板上に実装された前記半導体基板の裏面を研削することによって、前記半導体基板を所定の厚さまで薄膜化する工程、
（ｄ）前記針当てパッドを通じて前記半導体基板に給電および信号授受を行い、前記半導体基板の裏面または表面に所定波長の光を照射して前記半導体基板に形成された集積回路の解析を行う工程を含み、
前記解析用基板は、前記半導体基板の解析対象領域に対応する位置に開口が形成されていることを特徴とする半導体装置の解析方法。
【請求項２】
（ａ）針当てパッドと、解析対象である半導体基板のパッドに対応した電極と、前記針当てパッドおよび前記電極の間を接続する配線とが形成された解析用基板を用意する工程、
（ｂ）前記解析用基板上に前記解析対象である半導体基板をフェイスダウン方式で実装し、前記半導体基板のパッドと前記解析用基板の電極とを電気的に接続する工程、
（ｃ）前記解析用基板上に実装された前記半導体基板の裏面を研削することによって、前記半導体基板を所定の厚さまで薄膜化する工程、
（ｄ）前記針当てパッドを通じて前記半導体基板に給電および信号授受を行い、前記半導体基板の裏面または表面に所定波長の光を照射して前記半導体基板に形成された集積回路の解析を行う工程を含み、
前記解析用基板は、光学的に透明なガラス基板からなり、前記電極は、前記半導体基板の解析対象領域に対応する位置に形成され、前記配線は光学的に透明な膜によって構成されていることを特徴とする半導体装置の解析方法。
【請求項３】
（ａ）針当てパッドと、解析対象である半導体基板のパッドに対応した電極と、前記針当てパッドおよび前記電極の間を接続する配線とが形成された解析用基板を用意する工程、
（ｂ）前記解析用基板上に前記解析対象である半導体基板をフェイスダウン方式で実装し、前記半導体基板のパッドと前記解析用基板の電極とを電気的に接続する工程、
（ｃ）前記解析用基板上に実装された前記半導体基板の裏面を研削することによって、前記半導体基板を所定の厚さまで薄膜化する工程、
（ｄ）前記針当てパッドを通じて前記半導体基板に給電および信号授受を行い、前記半導体基板の裏面または表面に所定波長の光を照射して前記半導体基板に形成された集積回路の解析を行う工程を含み、
前記解析用基板の一部には、前記集積回路の動作の良否を判定する回路が設けられていることを特徴とする半導体装置の解析方法。
【請求項４】
前記針当てパッドおよび前記電極の間を接続する配線は、透光性を有する導電性材料からなる膜で構成され、前記解析用基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の解析方法。
【請求項５】
前記解析用基板上に実装された前記半導体基板の裏面を研削する工程は、
（ａ）ラジカルを含むプロセスガスを前記半導体基板の裏面に供給することによって、前記裏面の所定の領域をエッチングする工程、
（ｂ）研磨砥石を前記裏面に接触させた状態で、前記裏面の所定の領域を機械的に研磨する工程、
（ｃ）前記ラジカルを含むプロセスガスを前記裏面に供給することによって、前記半導体基板の裏面をエッチングする状況下で、前記研磨砥石を前記裏面に接触させた状態で、前記裏面の所定の領域を機械的に研磨する工程、
のうちから選択される２以上の工程を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の解析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここでは便宜上、ｎ−ＩｎＰ基板上に作製したＡｌＧａＩｎＡｓリッジレーザを例にとってその製造プロセスを説明することとする。はじめに、裏面電極１の上に形成したｎ−ＩｎＰ単結晶基板２上に、ｎ−ＩｎＰバッファー層３（膜厚０．３〜１．０μｍ）とｎ−ＡｌＧａＩｎＡｓＢＤＲ層４（膜厚０．０５〜０．１ｍｍ）をエピタキシャル成長する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002246333.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2002246333.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2002246333.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2002246333.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月27日(2004.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と回路形成体との間に、上記半導体素子の電極上に形成された外部電極端子に対応する箇所に貫通穴を有する熱可塑性若しくは熱硬化性のシートを介在させ、
上記半導体素子の上記電極上に形成された上記外部電極端子と上記回路形成体の電極とを上記シートの上記貫通穴を介して電気的に接続して上記半導体素子と上記回路形成体とを接合することを特徴とする半導体素子の実装方法。
【請求項２】
上記外部電極端子と上記回路形成体の電極とを電気的に接続するとき、上記半導体素子の上記電極上に形成された上記外部電極端子としてのめっきバンプと上記回路形成体の上記電極とを上記シートの上記貫通穴を介して電気的に接続して上記半導体素子と上記回路形成体とを接合する請求項１に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項３】
上記外部電極端子と上記回路形成体の電極とを電気的に接続するとき、上記半導体素子の上記電極上にワイヤボンディング法により形成された上記外部電極端子としての突起バンプと上記回路形成体の上記電極とを上記シートの上記貫通穴を介して電気的に接続して上記半導体素子と上記回路形成体とを接合する請求項１に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項４】
上記外部電極端子と上記回路形成体の電極とを電気的に接続するとき、上記半導体素子の上記電極上に形成された上記外部電極端子と上記回路形成体の上記電極とを、上記シートの、上記半導体素子の上記電極上に形成された上記外部電極端子部に一対一に対応した位置に配置された貫通穴を介して電気的に接続して上記半導体素子と上記回路形成体とを接合する請求項２又は３に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項５】
上記外部電極端子と上記回路形成体の電極とを電気的に接続するとき、上記半導体素子の上記複数個の電極上に形成された上記複数個の外部電極端子と上記回路形成体の上記複数個の電極とを、上記シートの長穴形状に形成された貫通穴を介して電気的に接続して上記半導体素子と上記回路形成体とを接合する請求項２又は３に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項６】
上記熱可塑性若しくは熱硬化性のシートは、熱可塑性若しくは熱硬化性の樹脂と金属粒子とを有する導電性のシートである請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体素子の実装方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体素子の実装方法により上記半導体素子が上記回路形成体に実装された回路形成部品。
【請求項８】
受光素子が形成された半導体演算回路チップと、受光素子光路用の貫通穴を持つ基板に発光素子が埋め込まれた発光素子アレイと、回折型光学素子を持つ回折型光学素子付き基板とを一体化した光情報処理装置において、
上記半導体演算回路チップと上記発光素子アレイとの間に、上記受光素子の光路用貫通穴を設けた、熱可塑性若しくは熱硬化性の第１導電性シートを介在させて上記半導体演算回路チップと上記発光素子アレイとが接合されているとともに、上記発光素子アレイと上記回折型光学素子との間に、上記受光素子の光路用貫通穴を設けた、熱可塑性若しくは熱硬化性の第２導電性シートを介在させて上記発光素子アレイと上記回折型光学素子とを接合することを特徴とする光情報処理装置。
【請求項９】
上記第１導電性シート及び第２導電性シートは、上記発光素子の光路を確保する貫通穴を有する請求項８に記載の光情報処理装置。
【請求項１０】
上記第１導電性シート及び第２導電性シートのうちの少なくとも一方は、熱可塑性若しくは熱硬化性の樹脂と金属粒子とを有する異方導電性の導電性シートである請求項８又は９に記載の光情報処理装置。
【請求項１１】
受光素子が形成された半導体演算回路チップと、受光素子光路用の貫通穴を持つ基板に発光素子が埋め込まれた発光素子アレイと、回折型光学素子を持つ回折型光学素子付き基板とを一体化した光情報処理装置を製造する光情報処理装置の製造方法において、
上記半導体演算回路チップと上記発光素子アレイとの間に、上記受光素子の光路用貫通穴を設けた、熱可塑性若しくは熱硬化性の第１導電性シートを介在させるとともに、上記第１導電性シートにより上記半導体演算回路チップと上記発光素子アレイとを接合する一方、
上記発光素子アレイと上記回折型光学素子との間に、上記受光素子の光路用貫通穴を設けた、熱可塑性若しくは熱硬化性の第２導電性シートを介在させるとともに、上記第２導電性シートにより上記発光素子アレイと上記回折型光学素子とを接合することを特徴とする光情報処理装置の製造方法。
【請求項１２】
上記第１導電性シート及び第２導電性シートとして、上記発光素子の光路を確保する貫通穴を設けた導電性シートを使用する請求項１０に記載の光情報処理装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体素子と回路形成体との間に、上記半導体素子の電極上に形成された外部電極端子に対応する箇所に、上記半導体素子の上記電極上に形成された上記外部電極端子と上記回路形成体の電極とを電気的に接続する貫通穴を有する熱可塑性若しくは熱硬化性のシート。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
希土類元素Ｒとしては、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｔｂのうち少なくとも１種を必ず用いることが好ましい。また、これらに加え、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙのうち１種以上を用いてもよい。なお、Ｒとして２種以上の元素を用いる場合、原料としてミッシュメタル等の混合物を用いることもできる。Ｒ含有量が少なすぎると、結晶構造がα−Ｆｅと同一構造の立方晶組織となるため、高い保磁力が得られない。一方、Ｒ含有量が多すぎると、Ｒリッチな非磁性相が多くなり、残留磁束密度が低下する。Ｆｅ含有量が少なすぎると残留磁束密度が低くなり、多すぎると保磁力が低くなる。Ｂ含有量が少なすぎると菱面体組織となるため保磁力が不十分となり、多すぎるとＢリッチな非磁性相が多くなるため残留磁束密度が低くなる。