Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月17日(2003.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザコミュニティを管理する方法であって、
前記ユーザコミュニティ内の各ユーザに対する一連のユーザ属性を規定する工程と、
前記ユーザ属性の各々を管理する許可レベルを特定する工程を備える方法。
【請求項２】
ユーザコミュニティに関するユーザ情報を管理する方法であって、
前記ユーザコミュニティの各ユーザのユーザ情報から一連のユーザ属性を規定する工程と、
前記ユーザ属性の各々に対する許可レベルを特定する工程と、
前記許可レベルの各々に基づいて前記ユーザ属性を管理する工程を備える方法。
【請求項３】
管理者がユーザコミュニティの管理を制御することができる方法であって、
前記ユーザコミュニティに関するユーザ情報を前記管理者に提供する工程と、
前記ユーザコミュニティ内の各ユーザのためにの一連のユーザ属性を規定するように前記管理者に促す工程と、
前記ユーザ属性の各々に対する許可レベルを特定するように前記管理者を促す工程と、
特定された許可レベルを利用して、前記ユーザ情報の管理を制御する工程を備える方法。
【請求項４】
前記管理者が前記ユーザ属性のいずれかに対して割り当て可能な限定値を規定するように前記管理者を促す工程をさらに備える、請求項３の方法。
【請求項５】
ユーザコミュニティに関するユーザ情報を管理するためのユーザコミュニティ管理ツールであって、
前記ユーザコミュニティを少なくとも１つの管理領域に規定する領域規定コンポーネントであって、前記ユーザコミュニティから少なくとも１つの任意のユーザグループを特定するユーザグループ特定コンポーネントと、前記少なくとも１つの任意のユーザグループに対して許容可能な一連のユーザ属性を規定するユーザ属性規定コンポーネントを備える、当該領域規定コンポーネントと、
前記許容可能なユーザ属性に基づいて前記管理領域に関するユーザ情報を管理する情報管理コンポーネントを備える、ユーザコミュニティ管理ツール。
【請求項６】
前記管理領域に対する管理特権を付与する管理特権コンポーネントをさらに備える、請求項５のツール。
【請求項７】
前記管理特権コンポーネントは、前記管理領域に対して、付与された管理特権を委託する、請求項６のツール。
【請求項８】
ユーザコミュニティに関するユーザ情報を管理するシステムであって、
複数のユーザ情報を含むデータベースディレクトリと、
前記データベースディレクトリ内の前記複数のユーザ情報を管理するユーザコミュニティ管理ツールであって、前記ユーザコミュニティ管理ツールは、前記ユーザコミュニティを少なくとも１つの管理領域に規定する領域規定コンポーネントを備え、前記領域規定コンポーネントは、前記ユーザコミュニティから少なくとも１つの任意のユーザグループを特定するユーザグループ特定コンポーネントと、前記少なくとも１つの任意のユーザグループに対する許容可能な一連のユーザ属性を規定するユーザ属性規定コンポーネントと、前記許容可能なユーザ属性に基づいて前記管理領域に関連するユーザ情報を管理する情報管理コンポーネントを備える、当該ユーザコミュニティ管理ツールと、
前記ユーザコミュニティ管理ツールと前記データベースディレクトリを提供するように構成された第１の計算部を備えるシステム。
【請求項９】
ネットワークを介して前記第１の計算部から提供されたユーザコミュニティ管理ツールを実行するように構成された第２の計算部をさらに備える、請求項８のシステム。
【請求項１０】
前記ユーザ属性規定コンポーネントは、前記ユーザ属性の各々に対する許可レベルを特定する属性許可コンポーネントを備える、請求項５または８のシステム。
【請求項１１】
前記ユーザ属性規定コンポーネントは、管理者が前記ユーザ属性に割り当て可能な限定値を規定する属性限定値コンポーネントを備える、請求項５または８のシステム。
【請求項１２】
ユーザコミュニティの管理を可能にするユーザコミュニティ管理ツールであって、
前記ユーザコミュニティを少なくとも１つの管理領域に規定する手段であって、前記ユーザコミュニティから少なくとも１つの任意のユーザグループを特定する手段と、前記少なくとも１つの任意のユーザグループに対して許容可能な一連のユーザ属性を規定する手段を含む、当該管理領域に規定する手段と、
前記許容可能なユーザ属性に基づいて前記管理領域に関連するユーザ情報を管理する手段を備えるユーザコミュニティ管理ツール。
【請求項１３】
前記ユーザ属性規定手段は、前記ユーザ属性の各々に対する許可レベルを特定する手段を含む、請求項１２のツール。
【請求項１４】
各許可レベルは、管理者がユーザ属性に関して実施可能なオペレーションと実施不可能なオペレーションを規定するものである、請求項５，８、１２のいずれかに記載のツール。
【請求項１５】
前記ユーザ属性規定手段は、管理者が前記ユーザ属性に割り当て可能な限定値を規定する手段を含む、請求項５，８、１２のいずれかに記載のツール。
【請求項１６】
ユーザコミュニティを管理するようにコンピュータシステムを指示するコンピュータ命令を記憶するコンピュータ読取可能媒体であって、前記コンピュータ命令は、
前記ユーザコミュニティ内の各ユーザに対して一連のユーザ属性を規定し、
前記ユーザ属性の各々を管理するための許可レベルを特定することを備える、コンピュータ読取可能媒体。
【請求項１７】
管理者が前記ユーザ属性に割り当て可能な限定値を規定する命令をさらに備える、請求項１６のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１８】
管理者がユーザコミュニティの管理を制御できるようにコンピュータシステムを指示するコンピュータ命令を記憶するコンピュータ読取可能媒体であって、前記コンピュータ命令は、
前記ユーザコミュニティに関するユーザ情報を前記管理者に提供し、
前記ユーザコミュニティ内の各ユーザに対する一連のユーザ属性を規定するように前記管理者に促し、
前記ユーザ属性の各々に対する許可レベルを特定するように前記管理者を促し、
特定された許可レベルを利用して前記ユーザ情報の管理を制御することを含む、コンピュータ読取可能媒体。
【請求項１９】
各許可レベルは、前記管理者がユーザ属性に関して実施可能なオペレーションと実施不可能なオペレーションを規定するものである、請求項１６または１８のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項２０】
前記ユーザ属性に割り当て可能な限定値を規定するように前記管理者を促す命令をさらに含む、請求項１８のコンピュータ読取可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  前記トレーニングステップが、
(a)前記動径基底関数ネットワークを初期化する初期化ステップであって、
− 基底関数の数Fを選出することによって前記ネットワーク構造を固定するステップであって、各基底関数Iがガウシアン非線形の出力を持っているステップと、
− K-meansクラスタリングアルゴリズムを用いて、前記基底関数の平均μI （ここで、I = 1, … , F）を決定するステップと、
− 前記基底関数の分散σ I2を決定するステップと、
− 実験探索によって前記基底関数の分散に対して、大域的な比例因子Hを決定するステップとを、
有する初期化ステップと、
(b)前記トレーニングを供給する供給ステップであって、
− 前記分類方法に、トレーニングパターンX(p)およびそれらのクラスラベルC(p)（ここで、パターン因子：p = 1, … , N）を入力するステップと、
− パターンX(p)に由来する前記基底関数ノードFの出力yI(p)を計算するステップと、
− 前記基底関数出力のF x F相関マトリクスRを計算するステップと、
− F x M出力マトリクスBを計算するステップであって、djが望ましい出力であり、Mが出力クラスの数であり、j = 1, … , Mであるステップとを、
有する供給ステップと、
(c)重みを決定する決定ステップであって、
− F x F相関マトリクスRを逆行列化してR-1を得るステップと、
− 前記ネットワーク内で前記重みを解くステップとを、有する決定ステップとを
有する請求項9に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
BF中心即ち平均が決定されると、BF分散即ち幅σ i2を、設定することができる。これらは、ある大域的な値に固定することができる、即ち、BF中心の近傍内のデータベクトル密度を反映するように設定することができる。さらに、分散に対する大域的な比例因数Hには、BF幅の拡大・縮小のし直しを考慮することも含まれている。良好な性能に帰着するようにHの広がりを探すことによって，その適切な値が決定される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月9日(2004.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアント−サーバ環境においてウィルスからの保護を与えることを試みる方法であって、
サーバにおいて前記サーバに記憶されているファイルに対するリクエストを受け取るステップ、
前記ファイルに対する識別子を、前記サーバより、前記ファイルのウィルスをスキャンするスキャン装置に送るステップ、
前記ファイルをサーバから送信しても安全であるか否かについての指摘を前記スキャン装置から受け取るステップ、および、
前記指摘が、前記ファイルの送信が安全であるとする場合、前記ファイルを送信することで前記リクエストに応答するステップを有する、クライアント−サーバ環境においてウィルスからの保護を与えることを試みる方法。
【請求項２】
前記スキャン装置が、前記ファイルがいかなるウィルスにも感染していない場合に、前記ファイルを送信しても安全であると指摘する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リクエストをクライアント装置より受け取り、前記ファイルをクライアント装置へ送る、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記スキャン装置は、前記スキャン装置同様に機能している前記サーバに接続されている装置のクラスタの１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記装置のクラスタは、相互接続したパーソナルコンピュータのクラスタである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
クライアント−サーバ環境においてウィルスからの保護を与えることを試みる方法であって、
サーバによって提供されるファイルが、サーバから送信しても安全であるかどうかを指摘するデータベースを保持するステップ、
サーバにおいてファイルに対するリクエストを受け取るステップ、
データベースが、前記ファイルは送信しても安全であると指摘するならば、前記ファイルを送信することによって前記リクエストに応答するステップ、
および、
データベースが、前記ファイルは送信しても安全であると指摘しない場合に、前記ファイルに対する識別子を、前記ファイルのウィルスをスキャンするスキャン装置に送信し、前記ファイルはサーバから送信しても安全であるか否かについての指摘を前記スキャン装置から受け取り、かつ、前記指摘が、前記ファイルを送信しても安全であると指摘しているならば、前記ファイルを送信することで前記リクエストに応答するステップを有し、
ここで、前記データベースを保持するステップはさらに、前記スキャン装置から受け取った指摘を追跡監視するステップを含んでいるクライアント−サーバ環境においてウィルスからの保護を与えることを試みる方法。
【請求項７】
データベースを保持するステップがさらに、
前記ファイルに対するアクセスを追跡監視するステップを有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記データベースにおける前記追跡監視されている指摘が前記データベースに組み込まれて以降、前記ファイルが変更されていれば、前記ファイルは送信しても安全であるという、前記データベースの前記追跡監視されている指摘はキャンセルされる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
クライアント−サーバ環境においてウィルスからの保護を与えることを試みるサーバであって、
クライアント装置との通信リンク、
ファイルのための大容量記憶装置、
ならびに、
リクエストされたファイルをクライアント装置に送信するための命令を実行するプロセッサを有し、
前記命令は、前記命令が実行されることで、請求項１ないし８のいずれか１つに記載のステップを前記サーバに実行させる命令を含んでいることを特徴とするクライアント−サーバ環境においてウィルスからの保護を与えることを試みるサーバ。
【請求項１０】
コンピュータシステム上で実行されることで、前記コンピュータシステムに、請求項１ないし８のいずれか１つに記載のステップを実行させるプログラムコードを有するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体物質製の基板として形成された固体状態デバイスと、前記固体状態デバイスを接続する金属配線と、少なくとも前記金属配線上に形成された拡散バリア層とのサブアッセンブリから成り、
前記拡散バリア層が組成SiwCxOyHz（式中、wは10乃至33の値を有し、xは1乃至66の値を有し、yは1乃至66の値を有し、zは0.1乃至60の値を有し、更にw＋x＋y＋z＝100原子％である）を有する合金膜であり、該拡散バリア層が、メチル含有シラン及び制御された量の亜酸化窒素を含む反応性気体混合物の化学蒸着によって製造される、集積回路。
【請求項２】
前記メチル含有シランが、トリメチルシランである、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
組成SiwCxOyHz（式中、wは10乃至33の値を有し、xは1乃至66の値を有し、yは1乃至66の値を有し、zは0.1乃至60の値を有し、更にw＋x＋y＋z＝100原子％である）を有する合金膜の拡散バリア層を、少なくとも金属配線を覆って適用することにより、金属配線を有する電気回路内における隣接デバイス相互接続間の金属イオンの移動を防止する方法であって、前記拡散バリア層が、メチル含有シラン及び制御された量の亜酸化窒素を含む反応性気体混合物の化学蒸着によって製造される方法。
【請求項４】
メチル含有シランが、トリメチルシランである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
メチル含有シラン1体積部当たり、0.1乃至4.5体積部の亜酸化窒素が存在する、請求項１に記載の集積回路。
【請求項６】
メチル含有シラン1体積部当たり、0.1乃至4.5体積部の亜酸化窒素が存在する、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図６は、導電性回路層４８、５０の間に配置された誘電性層４６を含むジクラッド回路層４２に接着された樹脂被覆導電性層９４を含む別案の多層回路９２を示している。樹脂被覆導電性層９４は、導電性層９８に積層された第１の液晶ポリマー層１００および第１の液晶ポリマー層１００上に配置された第２の液晶ポリマー層１０２を含む。二層（またはそれ以上）の液晶樹脂ポリマー層は同じかまたは異なってよい。樹脂被覆導電性層が導電性層の同じ面上に二層以上の液晶ポリマーを含む時、層１００（導電性層に最も近い層）は、好ましくは、離れた樹脂層１０２より高い溶融温度を有する（熱可塑性の場合）。第１の層は構造的支持を与え、多層回路中の回路層から最少距離を維持する。回路の導電性回路層に積層されると、離れた層は流れ、回路機構を満たし、システムのために接着を与える。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月5日(2003.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸、集積回路デバイスが取付けられる軸に垂直な基部及び、それぞれ第１および第２の長さを有し軸に対して同心的な上方及び下方表面領域を有する熱伝導性コアと、
第１の外径を有し、第１の長さに沿って上方表面領域に熱的結合された、半径方向に延びるフィンの第１のアレイと、
第１の外径より小さい第２の外径を有し、第２の長さに沿って下方表面領域に熱的結合された、半径方向に延びるフィンの第２のアレイとより成り、第２の長さ及び第２の外径は、基部を集積回路デバイス上に取付ける時、コンポーネントを第１のアレイの下方において下方表面領域の周りでその近傍に取付けることができる十分な空間を第１のアレイの下方に与える大きさである放熱装置。
【請求項２】
上方及び下方表面領域は軸に平行である請求項１の装置。
【請求項３】
第１及び第２のアレイのフィンは、正方形及び矩形より成る群から選択した断面を有する請求項１の装置。
【請求項４】
コアは、円筒形、円錐形、正方形及び矩形より成る群から選択した形状を有する請求項１の装置。
【請求項５】
コアは熱伝送媒体を含む請求項１の装置。
【請求項６】
第１及び第２のアレイのフィンはコアに垂直である請求項１の装置。
【請求項７】
第２のアレイのサイズは、放熱装置を集積回路デバイス上に取付ける時、コンポーネントを第１のアレイの下方において第２のアレイの近傍に取付けることができるに十分な大きさである請求項１の装置。
【請求項８】
第１及び第２のアレイは、円形、正方形、矩形、楕円形、円錐形より成る群から選択した形状をそれぞれ有する請求項１の装置。
【請求項９】
コアと第１及び第２のアレイとは、アルミニウム及び銅より成る群から選択した材料で作られている請求項１の装置。
【請求項１０】
第１及び第２のアレイのフィンは、ピン形フィン及び平坦なフィンより成る群から選択したものである請求項１の装置。
【請求項１１】
前面と裏面とを有し、前面が裏面とは反対側にあり、前面が表面上に外方に延びるコンポーネントを取付けた回路ボードの表面に固着された集積回路デバイスと、
放熱装置とより成り、放熱装置は、
集積回路デバイスの裏面に熱的結合された基部、基部に垂直な軸及びそれぞれ第１および第２の長さを有し軸に対して同心的な上方及び下方表面領域を有する熱伝導性コアと、
第１の外径を有し、第１の長さに沿って上方表面領域に熱的結合された、半径方向に延びるフィンの第１のアレイと、
第１の外径より小さい第２の外径を有し、第２の長さに沿って下方表面領域に熱的結合された、半径方向に延びるフィンの第２のアレイとより成り、第２の長さ及び第２の外径は、コンポーネントを第１のアレイの下方において下方表面領域の周りでその近傍に取付けることができる十分な空間を与える大きさである放熱システム。
【請求項１２】
基部は下方表面領域の近傍にあり、集積回路デバイスの裏面と基部とはフットプリントサイズが一致する請求項１１の装置。
【請求項１３】
熱伝送媒体をさらに有し、コアはさらに基部の反対側で上方表面領域に近接する頂面を有し、熱伝送媒体は頂面に固着されている請求項１１の放熱システム。
【請求項１４】
第１及び第２のアレイのフィンは、正方形及び矩形より成る群から選択した断面を有する請求項１１の放熱システム。
【請求項１５】
集積回路デバイスはマイクロプロセッサーである請求項１１の放熱システム。
【請求項１６】
上方及び下方表面領域は軸に平行である請求項１１の放熱システム。
【請求項１７】
コアは、円筒形、円錐形、正方形及び矩形より成る群から選択した形状を有する請求項１１の放熱システム。
【請求項１８】
第１及び第２のアレイのフィンはコアに垂直である請求項１１の放熱システム。
【請求項１９】
第２のアレイのサイズは、コンポーネントを第１のアレイの下方において第２のアレイの近傍に取付けることができるに十分な大きさである請求項１１の放熱システム。
【請求項２０】
第１及び第２のアレイは、円形、正方形、矩形、楕円形、円錐形より成る群から選択した形状をそれぞれ有する請求項１１の放熱システム。
【請求項２１】
コアと第１及び第２のアレイとは、アルミニウム及び銅より成る群から選択した材料で作られている請求項１１の放熱システム。
【請求項２２】
第１及び第２のアレイのフィンは、ピン形フィン及び平坦なフィンより成る群から選択したものである請求項１１の放熱システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子デバイス（５４）用の共振反射器（５０）であって、
第１屈折率を有する第１材料層（５６）であって、第１材料層（５６）が、第１材料層（５６）中に延びる１つまたは複数のパターン形成済み領域（６０）を有し、選択されたパターン形成済み領域（６０）が、第２屈折率を有する第２材料（５８）で充填される、第１材料層（５６）と、
第１材料層（５６）に隣接して配置されたミラーであって、第３の屈折率を有する隣接ミラー層（５２）を有するミラーと、
によって特徴付けられる共振反射器（５０）。
【請求項２】
光電子デバイス用（５４）の共振反射器（５０）を形成する方法であって、光電子デバイス（５４）が頂部ミラーを有し、該方法は、
頂部ミラー（５２）の上に、第１材料層（５６）を設けるステップと、
第１材料層（５６）中のパターンをエッチングして、１つまたは複数のパターン形成済み領域（６０）を得るステップと、
１つまたは複数のパターン形成済み領域（６０）上を含む第１材料層（５６）上に、第２材料層（５８）を設けるステップと、
によって特徴付けられる方法。
【請求項３】
光電子デバイス（５４）用の共振反射器（５０）を形成する方法であって、光電子デバイス（５４）が頂部ミラーを有し、該方法は、
頂部ミラーの頂部ミラー層（５２）中のパターンをエッチングして、１つまたは複数のパターン形成済み領域を得るステップと、
１つまたは複数のパターン形成済み領域上を含む頂部ミラー層（５２）上に、材料層（５８）を設けるステップと、
によって特徴付けられる方法。
【請求項４】
光電子デバイス用の共振反射器（７０）であって、
頂部ミラー層（７２）を有する第１ミラー領域であって、前記頂部ミラー層が、前記頂部ミラー層（７２）中に延びるがすべてを貫かない１つまたは複数のパターン形成済み領域（７４）と、１つまたは複数の非パターン形成領域（７８）とを有する、第１ミラー領域と、
頂部ミラー層（７４）の選択された非パターン形成領域（７８）上に形成された第２ミラー領域（７６）と、
によって特徴付けられる共振反射器（７０）。
【請求項５】
光軸（１００）を有する光キャビティを有する光電子デバイス（１０）用の共振反射器（９０）であって、
光電子デバイス（１０）の光キャビティの少なくとも一部にわたって延在する共振反射器層（９２）であって、共振反射器層（９２）が、第１屈折率を有する第１領域（９４）と第２屈折率を有する第２領域（９６）とを有し、第１領域（９４）および第２領域（９６）が、界面（９８）に沿って共に延び、界面（９８）の少なくとも一部が、光軸（１００）と平行でない、共振反射器層（９２）、
によって特徴付けられる共振反射器（９０）。
【請求項６】
光電子（１０）デバイス用の共振反射器（９０）を形成する方法であって、
ほぼ平面の材料の第１層（９４）を設けるステップと、
材料の第１層（９４）上にフォトレジスト層（１１０）を設けて、パターン形成するステップと、
フォトレジスト層（１１０）を熱してリフローさせ、非平面であるフォトレジスト層（１１０）の頂面を得るステップと、
フォトレジスト層（１１０）および材料の第１層（９４）をエッチングして、フォトレジスト層（１１０）の非平面頂面の形状を材料の第１層（９４）に転写するステップと、
材料の第１層（９４）上に材料の第２層（９６）を設けるステップと、
によって特徴付けられる方法。
【請求項７】
光電子デバイス（１０）用の共振反射器（９０）を形成する方法であって、
ほぼ平面の材料の第１層（９４）を設けるステップと、
材料の第１層（９４）をパターン形成するステップと、
材料の第１層（９４）を熱してリフローさせ、非平面である頂面（９８）を得るステップと、
材料の第１層（９４）上に材料の第２層（９６）を設けるステップと、
によって特徴付けられる方法。
【請求項８】
光電子デバイス（１０）用の共振反射器（９０）を形成する方法であって、
ほぼ平面である材料の第１層（９４）を設けるステップと、
材料の第１層（９４）をパターン形成し、頂部コーナ（１２０）まで上方に延びる側縁（１１８）を得るステップと、
側縁（１１８）上および頂部コーナ（１２０）上を含むパターン形成済みの材料の第１層（９４）上にフォトレジスト層（１１４）を設けるステップであって、フォトレジスト層（１１４）が、頂部コーナ（１２０）付近で薄くなる、ステップと、
フォトレジスト層（１１４）および材料の第１層（９４）をエッチングするステップであって、まず頂部コーナ（１２０）付近のフォトレジスト層（１１４）をエッチングし、その結果、材料の第１層（９４）の頂部コーナ（１２０）が、頂部コーナ（１２０）から離れた領域よりも多くエッチングされる（１２２）、ステップと、
材料の第１層（９４）上に材料の第２層（９６）を設けるステップと、
によって特徴付けられる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
入口及び出口を有する処理区画を備える質量分析計システムの動作方法であって、前記方法が：
(i)   前記処理区画の前記入口にイオン流を与える工程；
(ii)  前記イオン流に前記処理区画を通過させる工程であって、前記処理区画の少なくとも一部は中性粒子とのイオンの衝突を可能にする条件の下で作動する工程；
(iii) 前記処理区画の前記出口から出てくるイオンを検出する工程；及び
(iv)  前記処理区画を通過するイオンの運動を促進するために、前記入口から前記出口にかけて前記処理区画内に軸方向電場を与える工程；
を有してなる方法において、
前記方法が、
(v)   前記処理区画に存在するイオンの少なくとも大部分を、さらなる分析、検出または処理の対象とはならないように排気するために、前記処理区画にフラッシュパルスを周期的に与える工程；
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
少なくとも１つの処理区画を備える質量分析計装置であって、前記処理区画が：
(i)   複数本の細長ロッドを備え、入口及び出口を有する、イオンと中性粒子とを衝突させられるように動作可能な多重極子ロッドセット；
(ii)  前記多重極子ロッドにＲＦ電圧を印加するための手段；及び
(iii) 前記多重極子ロッドセットを通る１つの方向におけるイオンの移動を促進するために前記多重極子ロッドセットの内部に軸方向電場を発生するための手段；
を備えた装置において、前記装置が、
(iv)  前記処理区画に存在するイオンの少なくとも大部分をさらなる分析、検出または処理の対象とはならないように排気するためのフラッシュパルスを発生するためのフラッシュパルス手段であって、前記処理区画に接続され、よって前記フラッシュパルスの印加により前記処理区画におけるイオン数を相当減少させるフラッシュパルス手段；
を備えることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性のランプハウジングを製造する方法であって、ランプハウジング（１１０）の一部を形成する基板の外形面の上に導電性物質の層を形成するために直接的な金属化により粒子を蒸着することを含み、それによって、前記導電性物質が少なくとも一つ以上の電源および一つ以上の光源に接続される時に、一つ以上の電気スプレー回路（１２０）の一部が形成される、導電性のランプハウジングを製造する方法。
【請求項２】
導電性物質の層の直接的金属化蒸着は真空チャンバにおける真空蒸着によって蒸着される、請求項１に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項３】
導電性物質の層はスパッタ真空蒸着によって蒸着される、請求項２に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項４】
導電性物質の層は陰極アーク真空蒸着によって蒸着される、請求項２に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項５】
導電性物質の層は電子ビーム真空蒸着によって蒸着される、請求項２に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項６】
導電性物質の層は金属である、請求項１に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項７】
蒸着時において導電性物質の層に個別の電気経路を形成する工程をさらに備える、請求項１に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項８】
個別の電気経路は、ランプハウジング上に導電性物質の層を蒸着する前にランプハウジングをマスクで覆うことによって形成される、請求項７に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項９】
基板上に反射被膜を蒸着する工程をさらに備える、請求項１または２に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項１０】
前記基板上にスプレーシールを貼り付ける工程をさらに備える、請求項１に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項１１】
前記導電性物質に保護被膜を貼り付ける工程をさらに備える、請求項１に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項１２】
導電層を蒸着する工程ではさらに、前記光源に接触するための一つ以上の端子が蒸着される、請求項１に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項１３】
導電層を蒸着する工程ではさらに、前記電源に前記導電層を電気的に接続するための少なくとも一つの接続が蒸着される、請求項１に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項１４】
基板を備えるランプハウジングであって、前記基板上に蒸着される一つ以上の電気回路のための導電層をさらに備える、ランプハウジング。
【請求項１５】
導電層は前記基板上に電気回路を真空蒸着することによって形成される、請求項１４に記載のランプハウジング。
【請求項１６】
導電層は前記基板に直接埋め込まれる、請求項１５に記載のランプハウジング。
【請求項１７】
一つ以上の光源のために前記ランプハウジングに一つ以上の開口部をさらに備える、請求項１４に記載のランプハウジング。
【請求項１８】
前記開口部で導電層に取り付けられる一つ以上の端子をさらに備える、請求項１５に記載のランプハウジング。
【請求項１９】
前記光源は一つ以上の発光ダイオードを有する、請求項１５に記載のランプハウジング。
【請求項２０】
前記光源は一つ以上の白熱電球を有する、請求項１５に記載のランプハウジング。
【請求項２１】
反射被膜をさらに備える、請求項１４に記載のランプハウジング。
【請求項２２】
導電層は基板上に反射被膜も形成する、請求項１４に記載のランプハウジング。
【請求項２３】
スプレーシールをさらに備える、請求項１４に記載のランプハウジング。
【請求項２４】
前記導電層上に保護被膜をさらに備える、請求項１４に記載のランプハウジング。
【請求項２５】
前記導電層は１乃至４ミクロンの厚さである、請求項１４に記載のランプハウジング。
【請求項２６】
前記回路を一つ以上の電源に電気的に接続するための単一の接続をさらに備える、請求項１４に記載のランプハウジング。
【請求項２７】
前記ハウジングは前記導電層の収容を容易にするための一つ以上の成型された溝を備える、請求項１４に記載のランプハウジング。
【請求項２８】
前記ハウジングは前記導電層の収容を容易にするための一つ以上の滑らかな角を備える、請求項１４に記載のランプハウジング。
【請求項２９】
粒子が蒸着された基板の外形面が複雑な構造を有する、請求項１または２に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項３０】
外形面が複数のコンパートメント１１６を有し、各コンパートメント１１６は概ね凹形である、請求項１または２に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項３１】
導電性物質および反射被膜が同一の真空チャンバ内で基板の上に形成される、請求項９に記載のランプハウジング製造方法。
【請求項３２】
導電性物質および反射被膜が同一の真空チャンバ内で基板の上に同時に形成される、請求項９に記載のランプハウジング製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【図１】図１は、ハウジングと、レンズと、車両の電気システムに相互接続する配線ハーネスが設けられた様々な光源と、を備える従来技術のランプアセンブリである。
【図２】図２は、ハウジングと、レンズと、車両の電気システムに相互接続する屈曲性のある回路が設けられた様々な光源と、を備える従来技術のランプアセンブリである。
【図３】図３は、ハウジングと、レンズと、車両の電気システムに相互接続する金属回路型打ちが設けられた様々な光源と、を備える従来技術のランプアセンブリである。
【図４】図４は、ハウジングと、レンズと、車両の電気システムに相互接続するスナップＬＥＤ金属フレームアセンブリが設けられた様々な光源と、を備える従来技術のランプアセンブリである。
【図５】図５は、ハウジングと、レンズと、車両の電気システムに相互接続するＬＥＤプリント回路基板アセンブリが設けられた様々な光源と、を備える従来技術のランプアセンブリである。
【図６】図６は、本発明によるプラスチック製自動車ランプハウジングに直接金属化される回路構成の分解斜視図である。図６Ａは、図６の回路に対して配置されたＬＥＤの拡大図である。
【図７】図７は、本発明によるプラスチック製自動車ランプハウジングに直接金属化される回路構成のさらなる実施の形態である。
【図８】図８は、回路を直接貼り付ける前の複雑な構造を有するランプハウジングの後部斜視図である。
【図９】図９は、本発明による図８のランプハウジングに対するマスクの貼り付けを示す。
【図１０】図１０は、マスクが貼り付けられた図８および９のランプハウジングの金属化を示す。
【図１１】図１１は、回路が貼り付けられ、マスクが取り外された図８乃至１０のランプハウジングを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
ケーシングを有し、
前記ケーシングにより支持される半導体ダイを有し、前記ケーシングは、前記半導体ダイの少なくとも一部を露出させる開口部を備えるものであり、
前記半導体ダイの前記露出された部分に配置され、前記ケーシングの外部のデバイスに接続可能である、少なくとも一つの露出されたコンタクトパッドを有し、
前記半導体ダイに結合されてケーシングから伸びる複数の外部コンタクトを有し、これら外部コンタクトのそれぞれよりも前記コンタクトパッドの電流容量が大きくされている、半導体デバイス。
【請求項２】
前記外部コンタクトがピンコンタクトを含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記外部コンタクトが信号コンタクトを含み、及び前記コンタクトパッドが、電源コンタクト及び接地コンタクトの少なくともいずれか一方を含む請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記半導体ダイは、複数のコンタクトパッドを有する、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記コンタクトパッドは、電源コンタクト及び接地コンタクトを備える、請求項４記載の半導体デバイス。
【請求項６】
プリント基板、半導体デバイス、ソケット、及びトップ部を有する回路アセンブリであって、
前記半導体デバイスは、ケーシングと、前記ケーシングにより支持される半導体ダイと、前記ケーシングと前記半導体ダイの一方の底面部に配置された少なくとも１つの露出されたコンタクトパッドと、半導体ダイに結合されてケーシングから伸びる複数の外部コンタクトと、を有するとともにそれぞれの前記複数の外部コンタクトよりも前記コンタクトパッドの電流容量が大きくされたものであり、
前記ソケットは、前記プリント基板に結合されて前記半導体デバイスを受容するようにされ、かつ、半導体デバイスの外部コンタクトと接続するための複数の第１コンタクト、前記コンタクトパッドと接続するための少なくとも１つのベースコンタクト、及び複数の第１開口部を備えたベース部を有し、前記複数の第１コンタクトは、前記プリント基板に結合されるとともに前記複数の第１開口部内に配置されているものであり、
前記トップ部は、前記ベース部に滑動可能に係合され、かつ、前記ベース部内の前記複数の第１開口部に対応した複数の第２開口部を含むものである、回路アセンブリ。
【請求項７】
前記ベースコンタクトは、前記プリント基板に結合されている、請求項６記載の回路アセンブリ。
【請求項８】
前記半導体デバイスの前記外部コンタクトは、前記第１及び第２の複数の開口部を通じてのびて、前記ソケットが閉位置のときに前記第１の複数のコンタクトと結合するようにされている、請求項６記載の回路アセンブリ。
【請求項９】
前記ソケットは、更に、前記トップ部から伸びた支持部を有し、前記支持部は、前記ソケットが開位置から閉位置に移動すると前記ベースコンタクトと係合するようにされている、請求項６記載の回路アセンブリ。
【請求項１０】
前記ベースコンタクトは、梁部を有し、前記支持部材は、前記梁部を前記コンタクトに向けて変形させるようにされている、請求項９記載の回路アセンブリ。
【請求項１１】
前記支持部材は、前記梁部と結合するようにされた斜面を有する、請求項１０記載の回路アセンブリ。
【請求項１２】
前記ベースコンタクトは、スプリングコンタクトを含む、請求項６記載の回路アセンブリ。
【請求項１３】
前記外部コンタクトは、ピンコンタクトを含む、請求項６記載の回路アセンブリ。
【請求項１４】
前記外部コンタクトは信号コンタクトを含み、前記コンタクトパッドは電力コンタクト及び接地コンタクトのうちの少なくとも一つを含む、請求項６記載の回路アセンブリ。
【請求項１５】
前記半導体ダイは、複数のコンタクトパッドを有する、請求項６記載の回路アセンブリ。
【請求項１６】
前記コンタクトパッドは、電力コンタクト及び接地コンタクトを有する、請求項１５記載の回路アセンブリ。
【請求項１７】
前記ソケットは、更に、前記底面部から伸びて前記ベースコンタクトを支持するためのベースコンタクト支持部材を有する、請求項６記載の回路アセンブリ。
【請求項１８】
前記ベースコンタクト支持部材には第１スロットが形成されており、前記ベースコンタクトは、前記第１スロット内に設けられている、請求項１７記載の回路アセンブリ。
【請求項１９】
前記ソケットは、更に、前記底面部から伸びて前記ベースコンタクトを支持するためのベースコンタクト支持部材を有する、請求項９記載の回路アセンブリ。
【請求項２０】
前記ベースコンタクト支持部材には第１スロットが形成されており、前記ベースコンタクトは、前記第１スロット内に設けられている、請求項１９記載の回路アセンブリ。
【請求項２１】
前記支持部材は、前記第１スロットと連通する第２スロットを有する、請求項２０記載の回路アセンブリ。
【請求項２２】
前記ベースコンタクトは、梁部を有し、前記第２スロットは、前記梁部を前記コンタクトパッドの方向へ変形させるための斜面を有する、請求項２１記載の回路アセンブリ。
【請求項２３】
プリント基板、半導体デバイス、及びソケットを有する回路アセンブリであって、
前記半導体デバイスは、ケーシングと、前記ケーシングにより支持されるとともに前記ケーシングに設けられた開口部により少なくともその一部が露出される半導体ダイと、前記ケーシングと前記半導体ダイの一方の底面部に配置された少なくとも１つの露出されたコンタクトパッドと、前記ケーシングから伸びて前記半導体ダイに結合される複数の外部コンタクトと、を有するとともにそれぞれの前記複数の外部コンタクトよりも前記コンタクトパッドの電流容量が大きくされたものであり、
前記ソケットは、前記プリント基板に結合されて前記半導体デバイスを受容するようにされ、かつ、前記半導体デバイスの前記外部コンタクトと接続するための複数の第１コンタクトと、前記コンタクトパッドと接続するための少なくとも１つのベースコンタクトと、を有するものである、回路アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活性物質を備えた燃料電池正極において、改良点が、前記正極活性物質は酸素貯蔵能力を有する、ということを含むことを特徴とする、燃料電池正極。
【請求項２】
前記正極活性物質が、前記酸素貯蔵能力を提供する酸化還元電極対を含むことを特徴とする、請求項１の燃料電池正極。
【請求項３】
前記酸化還元電極対が、水酸化ニッケル／オキシ水酸化ニッケルであることを特徴とする、請求項２の燃料電池正極。
【請求項４】
前記酸化還元電極対は、銅、銀、亜鉛及びカドミウムから成る群から選ばれた元素の金属／金属酸化物電極対を含むことを特徴とする、請求項２の燃料電池正極。  
【請求項５】
更に疎水性構成要素を含むことを特徴とする、請求項１の燃料電池正極。
【請求項６】
前記疎水性構成要素が、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含むことを特徴とする、請求項５の燃料電池正極。
【請求項７】
前記ＰＴＦＥが、少なくとも
ａ）前記正極活性物質と緊密に混合されている；
ｂ）前記正極活性物質内で傾斜分布している；又は
ｃ）前記正極内の分離した層；
の一つであることを特徴とする、請求項６の燃料電池正極。
【請求項８】
更に、前記活性物質内に延伸した集電体を備えることを特徴とする、請求項１の燃料電池正極。
【請求項９】
前記集電体が導電性の網、格子、気泡体又は、エキスパンド・メタルから構成されることを特徴とする、請求項８の燃料電池正極。
【請求項１０】
更に、触媒炭素構成要素を備えることを特徴とする、請求項１の燃料電池正極。
【請求項１１】
燃料電池において、前記燃料電池が正極活性物質を備えており、それと同時に、改良点が、前記正極活性物質は酸素貯蔵能力を有する、ということを含むことを特徴とする燃料電池。
【請求項１２】
前記酸素貯蔵能力が、前記燃料電池に瞬間始動性能を与えることを特徴とする、請求項１１の燃料電池。
【請求項１３】
前記酸素貯蔵能力が、逆向きに作動し、電解槽として前記燃料電池に回収エネルギーを受容する能力を与えることを特徴とする、請求項１１の燃料電池。
【請求項１４】
前記正極活性物質が、前記酸素貯蔵能力を提供する酸化還元電極対を含むことを特徴とする、請求項１１の燃料電池。
【請求項１５】
前記酸化還元電極対が、水酸化ニッケル／オキシ水酸化ニッケルであることを特徴とする、請求項１４の燃料電池。
【請求項１６】
前記酸化還元電極対が、銅、銀、亜鉛及びカドミウムから成る群から選ばれた元素の金属／金属酸化物電極対を含むことを特徴とする、請求項１４の燃料電池。
【請求項１７】
前記正極が、更に、ポリテトラフルオロエチレンから成る疎水性構成要素を含むことを特徴とする、請求項１１の燃料電池。
【請求項１８】
前記正極が、更に、前記活物質内に延伸した集電体を備えることを特徴とする、請求項１１の燃料電池。
【請求項１９】
前記集電体が導電性の網、格子、気泡体又は、エキスパンド・メタルから構成されることを特徴とする、請求項１８の燃料電池。
【請求項２０】
前記正極が、更に、触媒性炭素構成要素を備えることを特徴とする、請求項１１の燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
アルカリ燃料電池においては、負極での反応は水素燃料と電解液中に存在するヒドロキシル・イオン（ＯＨ-）との間で起こり、反応して水を形成し電子を放出する：
【化１】
2004523072.tif 000001
正極では、正極触媒の存在下で酸素、水、及び電子が反応し、酸素を還元してヒドロキシル・イオンを（ＯＨ-）形成する：
【化２】
2004523072.tif 000002
それ故、全反応は：
【化３】
2004523072.tif 000003
である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回線、特に電話またはコンピュータ回線を相互接続する端子板であって、
ａ）各々が外線を収容するように構成された圧接端を有し、前記端子板の上縦側部（７）に向けて配向されている、単列の相互に平行な並列配置の第１の導電素子（９）と、各々が外線を収容するように構成された圧接端を有し、前記端子板の下縦側部（８）に向けて配向されている、単列の相互に平行な並列配置の第２の導電素子（１１）とを備え、
ｂ）前記第１の導電素子（９）および第２の導電素子（１１）の圧接端がすべて同一平面（Ｐ）内にあり、
ｃ）第１の２部導電素子および第２の２部導電素子において、各第１の導電素子（９）が遮断点によって第２の導電素子から分離されており、
ｄ）前記遮断点が前記第１の導電素子および第２の導電素子によって形成される平面に対してずれていることを特徴とする端子板。
【請求項２】
前記第１の導電素子（９）が前記第２の導電素子（１１）の固定部（１６）上に位置する少なくとも１つの可動可撓性タブ（１４）を備えることを特徴とする、請求項１記載の端子板。
【請求項３】
前記端子の前記上縦側部（７）が、導通試験プラグ（１９）または絶縁遮断プラグをアクセス孔（１８）を介して前記端子板の本体内に挿入させるとともに前記可動可撓性タブ（１４）と前記固定部（１６）との間の遮断点（１７）に隣接させるための、各第１の導電素子（９）に隣接する複数のアクセス孔（１８）を含むことを特徴とする、請求項２記載の端子板。
【請求項４】
前記上縦側部（７）および下縦側部（８）が各圧接端毎に圧入スロット（１３）を有し、該圧入スロット（１３）が前記上縦側部（７）または下縦側部（８）から横方向に延在するとともに一方の前記側面（３）に沿って前記端子台内に延在することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の端子板。
【請求項５】
２つの側面（３）と、前記端子台の一方の前記側面（３）の内部に成型または形成されあるいは取り付けられ、前記圧入スロット（１３）と前記端子台の同一側面に配置され、各引込チャネル（２６）が一方の前記横側部（４）から少なくとも１つの前記圧入スロット（１３）の方向に湾曲している引込チャネル（２６）と、をさらに含むことを特徴とする、請求項４記載の端子板。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月25日(2003.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繰り返し停止される燃料電池装置を始動する方法であって、この燃料電池装置は、電池電解質層の１つの面にある電池のカソードに隣接するカソードの流れの場と、電池電解質層の他方の面にある電池のアノードに隣接するアノードの流れの場とを含む燃料電池を備えており、カソードは、炭素上に支持された触媒を含み、アノードの流れの場とカソードの流れの場の両方が、各停止時に空気で満たされ、主要な電気を使用する装置は、各停止後に燃料電池の外部回路から接続を解除され、前記始動方法は、
ｉ）  燃料／空気前線が、アノードの流れの場を通って移動し、アノードの流れの場の中に最初に存在する全ての空気を１．０秒間以内に置き換えるような速度で、アノードの流れの場の中へ新鮮な水素を含有する燃料の連続的な流れを供給することによって、主要な電気を使用する装置を接続する前に、アノードの流れの場から空気をパージし、その後、
ｉｉ）  主要な電気を使用する負荷を電池の両端に接続する、
ステップを含み、各停止後に燃料電池装置を始動するようにステップｉ）とｉｉ）を繰り返すことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記燃料は、０．２秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項１記載の始動方法。
【請求項３】
前記燃料は、０．０５秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項２記載の始動方法。
【請求項４】
前記アノードの流れの場から空気をパージする前記ステップの間に、空気の連続的な流れが、前記カソードの流れの場に供給されることを特徴とする請求項１記載の始動方法。
【請求項５】
空気は、前記燃料／空気前線が、前記アノードの流れの場を通って移動している間は、前記カソードの流れの場の中に供給されず、前記カソードの流れの場への空気の流れは、前記主要な電気を使用する装置を電池の両端に接続する前記ステップの前に、開始されることを特徴とする請求項３記載の始動方法。
【請求項６】
繰り返し停止される燃料電池装置を始動する方法であって、この燃料電池装置は、電池電解質層の１つの面にある電池のカソードに隣接するカソードの流れの場と、電池電解質層の他方の面にある電池のアノードに隣接するアノードの流れの場とを含む燃料電池を備えており、カソードは、炭素上に支持された触媒を含み、アノードの流れの場とカソードの流れの場の両方が、各停止時に空気で満たされ、主要な電気を使用する装置は、各停止後に燃料電池の外部回路から接続を解除され、前記始動方法は、
（ｉ）  燃料／空気前線が、アノードの流れの場を通って移動し、アノードの流れの場の中に最初に存在する全ての空気を置き換えるように、アノードの流れの場の中へ新鮮な水素を含有する燃料の連続的な流れを供給することによってアノードの流れの場から空気をパージし、その後、
（ｉｉ）  主要な電気を使用する負荷を電池の両端に接続する、
ステップを含み、ステップ（ｉ）において、空気の流れは、前記燃料／空気前線が、アノードの流れの場を通って移動している間は、カソードの流れの場に供給されず、カソードの流れの場への空気の流れは、ステップ（ｉ）の後でかつステップ（ｉｉ）の前に、開始されることを特徴とする方法。
【請求項７】
前記燃料は、１．０秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項６記載の始動方法。
【請求項８】
前記燃料電池装置の前記電解質層は、プロトン交換膜であることを特徴とする請求項６記載の始動方法。
【請求項９】
前記燃料は、１．０秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項８記載の始動方法。
【請求項１０】
前記アノードの流れの場から空気をパージする前記ステップの間に、空気の連続的な流れが、前記カソードの流れの場に供給されることを特徴とする請求項６記載の始動方法。
【請求項１１】
前記燃料電池装置の前記電解質層は、プロトン交換膜であることを特徴とする請求項１記載の始動方法。
【請求項１２】
前記燃料は、０．２秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項１０記載の始動方法。
【請求項１３】
前記燃料は、０．２秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項６記載の始動方法。
【請求項１４】
前記燃料は、０．０５秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項６記載の始動方法。
【請求項１５】
前記燃料は、０．２秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項８記載の始動方法。
【請求項１６】
前記燃料は、０．０５秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項８記載の始動方法。
【請求項１７】
前記燃料は、０．２秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項１１記載の始動方法。
【請求項１８】
前記燃料は、０．０５秒間以内に前記空気を置き換えることを特徴とする請求項１１記載の始動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重イオンビームアプリケーションシステムにおいて使用されるイオンビームを予備加速し、ビームパラメータを最適にマッチングさせる装置であって、
高周波４重極加速器（ＲＦＱ）であって、イオンを加速する複数の交互ステム（ＳＴ）によって支持される２つのミニベーン（mini  vane）対（ＥＬ）を有し、該高周波４重極加速器（ＲＦＱ）構造の端部に向かって増加する開口を有し、該高周波４重極加速器（ＲＦＱ）構造の端部に向かって０°へと増加する同期位相を有する、高周波４重極加速器と、
前記高周波４重極加速器（ＲＦＱ）からもたらされるイオンビームのパラメータを、後続のドリフトチューブ線形加速器（ＤＴＬ）によって要求されるパラメータにマッチングさせる完備したタンク間マッチング部とを備える装置。
【請求項２】
重イオンビームアプリケーションシステムにおいて使用されるイオンビームを予備加速し、ビームパラメータを最適にマッチングさせる装置であって、
高周波４重極加速器（ＲＦＱ）であって、イオンを加速する複数の交互ステム（ＳＴ）によって支持される２つのミニベーン対（ＥＬ）を有し、該高周波４重極加速器（ＲＦＱ）構造の端部に向かって増加する同期位相を有する、高周波４重極加速器と、
前記高周波４重極加速器（ＲＦＱ）からもたらされるイオンビームのパラメータを、後続のドリフトチューブ線形加速器（ＤＴＬ）によって要求されるパラメータにマッチングさせる完備したタンク間マッチング部と、
前記高周波４重極加速器（ＲＦＱ）の出口に位置し、前記高周波４重極加速器（ＲＦＱ）タンクに一体化されている２つのリバンチャ・ドリフトチューブとを備える装置。
【請求項３】
前記高周波４重極加速器は、イオンを約８ｋｅＶ／ｕから約４００ｋｅＶ／ｕに加速することを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記交互ステム（ＳＴ）は、前記ＲＦＱ内の共通水冷ベースプレート（ＢＰ）上に取り付けられることを特徴とする前記請求項１〜３のいずれか１に記載の装置。
【請求項５】
前記ステム（ＳＴ）は、インダクタンス(inductivity)として働き、電極（ＥＬ）を形成する前記ミニベーン対は、λ／２共振構造に対するキャパシタンスとして働くことを特徴とする前記請求項１〜４のいずれか１に記載の装置。
【請求項６】
前記高周波４重極加速器（ＲＦＱ）は、下流に位置するＩＨドリフトチューブ・リニアック（ＤＴＬ）と同じ周波数で運転されることを特徴とする前記請求項１〜５のいずれか１に記載の装置。
【請求項７】
前記タンク間マッチング部は、前記ＲＦＱの下流のｘｙ操向電磁石を備えることを特徴とする前記請求項１〜６のいずれか１に記載の装置。
【請求項８】
前記タンク間マッチング部は、４重極ダブレットを備えることを特徴とする前記請求項１〜７のいずれか１に記載の装置。
【請求項９】
前記タンク間マッチング部は、容量性位相プローブを収容する診断チャンバおよび／または前記タンク間マッチング部の端部にあるビーム変圧器を備えることを特徴とする前記請求項１〜８のいずれか１に記載の装置。