【手続補正書】
【提出日】平成16年8月6日(2004.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の製造中に蓄積電荷を除去するための方法であって、
広帯域放射パターンを、集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を低減するために有効な強度および照射時間で当該集積回路に照射することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記集積回路は、浮遊ゲート構造体を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記広帯域放射パターンは、約１０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約２８０ｎｍよりも短い波長を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記広帯域放射パターンは、約２０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約２８０ｎｍよりも短い波長を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記広帯域放射パターンは、約１０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約１８０ｎｍから約２８０ｎｍの波長を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記広帯域放射パターンは、約２０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約１８０ｎｍから約２５０ｎｍの波長を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記広帯域放射パターンは、マイクロ波駆動式無電極電球から発生することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記浮遊ゲート構造体は、浮遊ゲート電極、導電性ゲート電極、および前記浮遊ゲート電極と前記導電性ゲート電極との間に介在する絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ウエハを加熱することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記広帯域放射パターンを前記集積回路に照射することは、前記集積回路中に少なくとも１つの導電層を形成した後に実施することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
集積回路の製造中に浮遊ゲート電極上の蓄積電荷を低減する方法であって、
浮遊ゲート電極を含む集積回路を処理室に配置する工程と、
広帯域放射パターンを、浮遊ゲート電極上の蓄積電荷を低減するために有効な強度および照射時間で当該集積回路に照射する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記広帯域放射パターンを集積回路に照射する工程は、さらに、前記放射パターンが通過する雰囲気を不活性ガスでパージする工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記広帯域放射パターンは、約１０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約２８０ｎｍよりも短い波長を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、およびこれらの不活性ガスの少なくとも１つを含む組合せからなるグループから選択されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記広帯域放射パターンは、約１５ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約２８０ｎｍよりも短い波長を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記広帯域放射パターンは、約２０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約２８０ｎｍよりも短い波長を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記広帯域放射パターンは、マイクロ波駆動式無電極電球から発生することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記集積回路は、さらに、導電性ゲート電極、および前記浮遊ゲート電極と前記導電性ゲート電極との間に介在する絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
処理室と光学的に連通する放射源室を含む電荷消去用光学照射装置中の、約１８０ｎｍから約２００ｎｍの波長に対して波長吸収性の雰囲気を除去する方法であって、
前記放射源室を、パージ前の雰囲気によって吸収される波長に対してほぼ透明な不活性ガスでパージする工程と、
前記処理室を、パージ前の雰囲気によって吸収される波長に対してほぼ透明な不活性ガスでパージする工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、およびこれらの不活性ガスの少なくとも１つを含む組合せからなるグループから選択されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記波長吸収性の雰囲気は、空気を含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を消去するための装置であって、
約１８０ｎｍから約２８０ｎｍの範囲の波長を含む広帯域放射パターンを放射するために適した光源を備える放射源室と、
支持体、不活性ガスが導通するガス吸気口、およびガス排気口を備える処理室と、
前記放射源室と前記処理室との間に介在しかつ約１８０ｎｍから約２８０ｎｍの波長を透過する透過プレートと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２３】
前記集積回路は、浮遊ゲート構造体を含むことを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記広帯域放射パターンは、約１０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約２８０ｎｍよりも短い波長を含むことを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２５】
前記広帯域放射パターンは、約２０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約２８０ｎｍよりも短い波長を含むことを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２６】
前記広帯域放射パターンは、約１０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約１８０ｎｍから約２８０ｎｍの波長を含むことを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２７】
前記広帯域放射パターンは、約２０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約１８０ｎｍから約２５０ｎｍの波長を含むことを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２８】
前記光源は、マイクロ波駆動式無電極電球を含むことを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２９】
前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、およびこれらの不活性ガスの少なくとも１つを含む組合せからなるグループから選択されることを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項３０】
前記支持体または前記処理室は、処理中に基板の温度を上昇させるために適していることを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項３１】
前記プレートは、石英から製造されることを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項３２】
前記処理室には空気が存在しないことを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項３３】
集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を消去するための装置であって、
約１８０ｎｍから約２８０ｎｍの範囲の複数の波長を含みかつ少なくとも１つのピーク波長が約１０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する広帯域放射パターンを放射するマイクロ波駆動式無電極電球を備える放射源室と、
支持体、不活性ガスが導通するガス吸気口、およびガス排気口を備える処理室と、
前記放射源室と前記処理室との間に介在しかつ約１８０ｎｍから約２８０ｎｍの波長に対して透過的なプレートと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項３４】
前記半値全幅は、２０ｎｍよりも大きいことを特徴とする請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
前記広帯域放射パターンは、２０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約１８０ｎｍから約２５０ｎｍの波長を含むことを特徴とする請求項３３に記載の装置。
【請求項３６】
集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を消去するための装置であって、
約１９０ｎｍから約２４０ｎｍに渡るガウス型の広帯域放射パターンを放射するマイクロ波駆動式無電極電球を備える放射源室と、
支持体、不活性ガスが導通するガス吸気口、およびガス排気口を備える処理室と、
前記放射源室と前記処理室との間に介在しかつ前記広帯域放射パターンに対して透過的なプレートと、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項３７】
半値全幅は、２０ｎｍよりも大きいことを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項３８】
前記広帯域放射パターンは、２０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約１８０ｎｍから約２５０ｎｍの波長を含むことを特徴とする請求項３６に記載の装置。