【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  正方晶ジルコニアと、導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択される抵抗率改質剤とを含む焼結混合物を含有し、且つ理論密度の９９％以上の密度、及び１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２】  正方晶ジルコニアと、導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択される抵抗率改質剤とを含む焼結混合物を含有し、且つ１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率、少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さ及び５００ｍｓ未満の電圧減衰時間を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３】  正方晶ジルコニアと、導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択される抵抗率改質剤とを含む焼結混合物を含有し、且つ理論密度の９５％以上の密度、１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率、６００粒子／ｃｍ２未満の粒子生成試験結果を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項４】  正方晶ジルコニアと、導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択される抵抗率改質剤とを含む焼結混合物を含有し、且つ理論密度の９５％以上の密度、１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率、及びＬＫＥ比色計でのＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊スケールにおいて少なくとも５０のＬ＊色測定値を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項５】  正方晶ジルコニアと、導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択される抵抗率改質剤とを含む焼結混合物を含有し、且つ１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率、少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さ、及び１０ガウス以下の残留束密度を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項６】  正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）と１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤とを含む混合物を、理論的密度の少なくとも９９％の密度を達成するのに十分な時間及び十分な温度で焼結することにより生成される、ＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の５容量％〜６０容量％を構成し、且つ導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択され；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性を有する：
（ａ）１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも５００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）５００ｍｓ未満の電圧減衰時間、
ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項７】  正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）と１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤とを含む混合物を、理論的密度の少なくとも９９．５％の密度を達成するのに十分な時間及び十分な温度で焼結することにより生成される、ＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の５容量％〜６０容量％を構成し、且つ導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択され；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性を有する：
（ａ）１０５〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも５００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）５００ｍｓ未満の電圧減衰時間、
ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項８】  正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）と１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤とを含む混合物を焼結することにより生成される、ＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の５容量％〜６０容量％を構成し、且つ導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択され；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性を有する：
（ａ）１０５〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）５００ｍｓ未満の電圧減衰時間、
ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項９】  正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）と１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤とを含む混合物を焼結することにより生成される、非磁性ＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の５容量％〜６０容量％を構成し；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性を有する：
（ａ）１０５〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）１０ガウス以下の残留束密度、
ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１０】  理論密度の９９％以上の密度を有する、請求項２〜５、８及び９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１１】  少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さを有する、請求項１、３及び４のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１２】  少なくとも５００ＭＰａの曲げ強さを有する、請求項１〜５、８及び９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１３】  少なくとも６００ＭＰａの曲げ強さを有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１４】  ５００ｍｓ未満の電圧減衰時間を有する、請求項１、３〜５及び９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１５】  １０５〜１０９ｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する、請求項１〜６のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１６】  １０６〜１０９ｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１７】  前記抵抗率改質剤が、前記焼結混合物の５％以上を構成する、請求項１〜５のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１８】  前記抵抗率改質剤が、前記焼結混合物の１０％以上を構成する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１９】  前記抵抗率改質剤が、前記焼結混合物の６０％以下を構成する、請求項１〜５のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２０】  前記正方晶ジルコニアが安定化されている、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２１】  前記正方晶ジルコニアがイットリアで安定化されている、請求項２０に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２２】  ３０００Å未満のＲａを有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２３】  前記抵抗率改質剤が、酸化物、炭化物、窒化物、酸炭化物、酸窒化物、及び酸炭窒化物からなる群より選択される、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２４】  前記抵抗率改質剤が、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＬａＭｎＯ３、ＬａＣｒＯ３、ＺｒＣ、ＢａＯ及び６Ｆｅ２Ｏ３からなる群より選択される、請求項２３に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２５】  前記抵抗率改質剤が、ＺｎＯ及びＳｎＯ２からなる群より選択される、請求項２４に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２６】  タンブラー磨きにより表面処理されており、且つ６００粒子／ｃｍ２未満の粒子生成試験結果を有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２７】  ６８ｋＨｚの周波数で３０秒間にわたって前記ＥＳＤ散逸セラミックを超音波浴で処理して、粒子を水中に移動させることによって粒子生成試験を行ったときに、６００粒子／ｃｍ２未満の粒子生成試験結果を示す、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２８】  １０ＧＰａより大きいビッカーズ硬度を有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２９】  無圧焼結されている、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３０】  前記無圧焼結の後で、熱間静水圧プレスされている、請求項２９に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３１】  ＭＲ（磁気抵抗）ヘッド支持体；磁気ヘッド製造のための移送具；ＨＧＡ（ヘッドジンバルアセンブリー）、ＨＳＡ（ヘッドスタックアセンブリー）、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）アセンブリー用の工具、取付具及び容器；ウェハー取扱い、加工処理及び清浄用の工具、取付具及び容器；ワイヤ結合、トリミング、切断用の工具、取付具及び容器；ＩＣチップ取扱い用のピックアンドプレースノズル；接着剤及びはんだ分配用のノズル；ウェハー取扱い取付具；エンドエフェクター；真空チャック；ＩＣ取扱い及び試験用取付具；ＥＳＤ感受性デバイス用の工具、取付具及び容器；ＩＣ及び磁気ヘッド用のアセンブリー取付具；ピンセット；ねじ回し；鋏；刃；ロボット指用部品；電気光学的コーティングプロセス用の工具、取付具及び容器；レチクル（フォトマスク）用の工具、取付具及び容器からなる群より選択される、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３２】  前記ＥＳＤ散逸セラミックが、集積回路取付具である、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３３】  前記抵抗率改質剤が、１０−３ｍｌ／ｍｏｌのモル磁化率を有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３４】  一次熱処理として焼結することにより理論的密度の少なくとも９５％まで密度を高められており、且つ８５〜６０容量％のＹ−ＴＺＰ及び１５〜４０容量％ＺｎＯを含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３５】  一次熱処理として焼結することにより理論的密度の少なくとも９５％まで密度を高められており、９０〜５０容量％のＹ−ＴＺＰ及び１０〜５０容量％の半導電性ＳｎＯ２を含み、且つ体積抵抗率が１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲である、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３６】  一次熱処理として焼結し、その後で二次加熱処理として熱間静水圧圧縮成型することにより理論的密度の少なくとも９９％まで密度を高められており、且つ９０〜６０容量％のＹ−ＴＺＰ及び１０〜４０容量％のＬａＣｒＯ３を含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３７】  一次熱処理として焼結し、その後で二次熱処理として熱間静水圧圧縮成型することにより理論的密度の少なくとも９５％まで密度を高められており、且つ７５容量％のＹ−ＴＺＰ及び２５容量％のＢａＯ−６Ｆｅ２Ｏ３を含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３８】  アルゴン中において１９００℃で加熱処理され、その後で１０℃／分より大きい速度で室温まで急冷されたＡｌＮを含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３９】  ＺｒＯ２及び半導電性ＳｎＯ２を含むＥＳＤ散逸セラミックであって、以下の物性を有する、ＥＳＤ散逸セラミック：
（ａ）所定遅延時間；
（ｂ）１０ＧＰａより大きいビッカーズ硬度；及び
（ｃ）理論値の少なくとも９９％の密度。
【請求項４０】  ＺｒＯ２及び半導電性ＳｎＯ２を含むＥＳＤ散逸セラミックであって、以下の物性を有する、ＥＳＤ散逸セラミック：
（ａ）所定遅延時間；
（ｂ）１０ＧＰａより大きいビッカーズ硬度；及び
（ｃ）ＬＫＥ比色計でのＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊スケールで、少なくとも５０のＬ＊色測定値。
【請求項４１】  請求項１〜５のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミックを含む、ウェハー処理のための工具を提供すること、及び
前記工具を用いて、前記ウェハーを処理すること、
を含む、ウェハーの処理方法。
【請求項４２】  正方晶ジルコニア及び抵抗率改質剤を含む混合物を含むセラミック未焼成体を熱処理して緻密化し、緻密化体を形成すること、及び
前記緻密化体をアニール処理することによって、前記緻密化体の抵抗率を調節すること、
を含む、ＥＳＤ散逸セラミックの製造方法。
【請求項４３】  前記抵抗率改質剤が、前記混合物の５容量％〜６０容量％を構成しており、導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】  前記アニール処理工程が、前記緻密化体の密度を変化及び均質化させる、請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】  焼結によって前記熱処理を行う、請求項４２に記載の方法。
【請求項４６】  焼結及び熱間圧縮によって前記熱処理を行う、請求項４２に記載の方法。
【請求項４７】  前記熱間圧縮を静水圧圧縮によって行う、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】  最終的な熱処理の後のＥＳＤ散逸セラミックの最終的な抵抗率が、１０５〜１０９Ω−ｃｍである、請求項４２に記載の方法。
【請求項４９】  前記体積抵抗率が１０６〜１０９Ω−ｃｍである、請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】  前記抵抗率改質剤が、ＺｎＯ及びＳｎＯ２の少なくとも一方である、請求項４２に記載の方法。
【請求項５１】  前記熱処理を第１の温度で行い、且つ前記アニール処理を、前記第１の温度の９０％未満の第２の温度で行う、請求項４２に記載の方法。
【請求項５２】  前記抵抗率を少なくとも２５％調節する、請求項４２に記載の方法。
【請求項５３】  少なくとも２種類のセラミック粉末を緻密化して、理論密度の９５％以上の密度にすること、及び
２次熱処理を用いて、理論密度の９９％以上まで密度を高めること、
を含む、ＥＳＤ散逸セラミックの製造方法。
【請求項５４】  前記少なくとも２種類のセラミック粉末が、ジルコニアと、ＺｎＯ及びＳｎＯ２の少なくとも一方とを含む、請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】  （ａ）８５〜６０容量％のＹ−ＴＺＰ及び１５〜４０容量％のＺｎＯを含む混合物を生成し、そして
（ｂ）一次熱処理により理論的密度の少なくとも９５％まで前記混合物の密度を高めること、
を含む、明色ＥＳＤ散逸セラミックの製造方法。
【請求項５６】  （ａ）９０〜５０容量％のＹ−ＴＺＰ及び１０〜５０容量％の半導電性ＳｎＯ２を含む混合物を生成し；そして
（ｂ）一次熱処理により理論的密度の少なくとも９５％まで前記混合物の密度を高めること、
を含む、１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する明色ＥＳＤ散逸セラミックの生成方法。
【請求項５７】  少なくとも４００ＭＰａの強度を有するジルコニアに基づく構造用セラミックから少なくとも一部分形成された電気的センサー素子であって、前記セラミックが少なくとも１０容量％のＺｒＯ２をさらに含み、前記セラミックの導電性が、非ジルコニア相添加剤により提供される、電気的センサー素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
その好ましい実施態様を含めて、本発明を詳細に記載してきた。しかしながら、当業者は、本発明の開示を考察すれば、本発明に関する修飾及び／又は改良をなし得るし、そしてそれらは以下の特許請求の範囲に記述されるように本発明の範囲及び本質に含まれると理解される。
尚、本発明の態様としては下記の態様を例示することができる：
（１）正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）及び１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤を含む混合物を、理論的密度の少なくとも９９％を達成するのに十分な時間及び十分な温度で焼結することにより生成されるＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の約５容量％〜６０容量％を構成し、且つ導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択され；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性：
（ａ）１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも５００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）５００ｍｓ未満の電圧減衰時間；
を有する、
ＥＳＤ散逸セラミック。
（２）前記ＴＺＰが、イットリア安定化ＴＺＰ（Ｙ−ＴＺＰ）を含み、このイットリアが約２．５〜４．５モル％で存在する、前記（１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（３）前記Ｙ−ＴＺＰが２．６モル％のイットリアを含む、前記（２）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（４）前記Ｙ−ＴＺＰが２．８モル％のイットリアを含む、前記（２）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（５）前記Ｙ−ＴＺＰが３モル％のイットリアを含む、前記（２）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（６）前記抵抗率改質剤が、前記混合物の約１０容量％〜５０容量％を構成する、前記（１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（７）前記抵抗率改質剤が、前記混合物の約２０容量％〜４０容量％を構成する、前記（１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（８）前記抵抗率改質剤が、前記混合物の約２５容量％〜３０容量％を構成する、前記（１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（９）前記抵抗率改質剤が、酸化物、炭化物、窒化物、酸炭化物、酸窒化物及び酸炭窒化物からなる群より選択される、前記（１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（１０）曲げ強さが少なくとも６００ＭＰａである、前記（１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（１１）曲げ強さが少なくとも７００ＭＰａである、前記（１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（１２）曲げ強さが少なくとも８００ＭＰａである、前記（１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（１３）曲げ強さが少なくとも９００ＭＰａである、前記（１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（１４）曲げ強さが少なくとも１０００ＭＰａである、前記（１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（１５）粒子生成試験において６００粒子／ｃｍ２未満を有し、３０００Å未満のＲａを有する、前記（１）項に記載のセラミックから作製されるＥＳＤ散逸物品。
（１６）表面仕上げがタンブラー磨きによりもたらされる、前記（１５）項に記載のＥＳＤ散逸物品。
（１７）セラミックの色が明るい、前記（１５）項に記載のＥＳＤ散逸物品。
（１８）セラミックの色が暗い、前記（１５）項に記載のＥＳＤ散逸物品。
（１９）正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）及び１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤を含む混合物を、理論的密度の少なくとも９９．５％を達成するのに十分な時間及び十分な温度で焼結することにより生成されるＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の約５容量％〜６０容量％を構成し、且つ導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択され；且つ
ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性：
（ａ）１０５〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも５００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）５００ｍｓ未満の電圧減衰時間；
を有する、
ＥＳＤ散逸セラミック。
（２０）前記ＴＺＰがイットリア安定化ＴＺＰ（Ｙ−ＴＺＰ）を含み、このイットリアが約２．５〜４．５モル％で存在する、前記（１９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（２１）前記Ｙ−ＴＺＰが２．６モル％のイットリアを含む、前記（２０）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（２２）前記Ｙ−ＴＺＰが２．８モル％のイットリアを含む、前記（２０）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（２３）前記Ｙ−ＴＺＰが３モル％のイットリアを含む、前記（２０）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（２４）前記抵抗率改質剤が、前記混合物の約１０容量％〜５０容量％を構成する、前記（１９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（２５）前記抵抗率改質剤が、前記混合物の約２０容量％〜４０容量％を構成する、前記（１９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（２６）前記抵抗率改質剤が、前記混合物の約２５容量％〜３０容量％を構成する、前記（１９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（２７）前記抵抗率改質剤が酸化物、炭化物、窒化物、酸炭化物、酸窒化物及び酸炭窒化物からなる群より選択される、前記（１９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（２８）曲げ強さが少なくとも６００ＭＰａである、前記（１９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（２９）曲げ強さが少なくとも７００ＭＰａである、前記（１９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（３０）曲げ強さが少なくとも８００ＭＰａである、前記（１９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（３１）曲げ強さが少なくとも９００ＭＰａである、前記（１９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（３２）曲げ強さが少なくとも１０００ＭＰａである、前記（１９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（３３）粒子生成試験において６００粒子／ｃｍ２未満を有し、３０００Å未満のＲａを有する、前記（１９）項に記載のセラミックから作製されるＥＳＤ散逸物品。
（３４）表面仕上げがタンブラー磨きによりもたらされた、前記（３３）項に記載のＥＳＤ散逸物品。
（３５）セラミックの色が明るい、前記（３３）項に記載のＥＳＤ散逸物品。
（３６）セラミックの色が暗い、前記（３３）項に記載のＥＳＤ散逸物品。
（３７）一次熱処理として焼結することにより理論的密度の少なくとも９５％に密度を高められており、且つ約８５〜６０容量％のＹ−ＴＺＰ及び約１５〜４０容量％ＺｎＯを含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
（３８）二次熱処理が、密度を理論的密度の９９％より上に増大するために用いられた、前記（３７）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（３９）ＬＫＥ比色計でのＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊スケールで、少なくとも５０のＬ＊色測定値を有する、前記（３７）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（４０）一次熱処理として焼結することにより理論的密度の少なくとも９５％に密度を高められており、且つ約９０〜５０容量％のＹ−ＴＺＰ及び約１０〜５０容量％の半導電性ＳｎＯ２を含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
（４１）ＬＫＥ比色計でのＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊スケールで、少なくとも５０のＬ＊色測定値を有する、前記（４０）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（４２）一次熱処理として焼結することにより理論的密度の少なくとも９５％に密度を高められており、且つ約８０〜７０容量％のＹ−ＴＺＰ及び約２０〜３０容量％のＬａＭｎＯ３を含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
（４３）一次熱処理として焼結し、その後で二次加熱処理として熱間静水圧圧縮成型することにより理論的密度の少なくとも９９％に密度を高められており、且つ約９０〜６０容量％のＹ−ＴＺＰ及び約１０〜４０容量％のＬａＣｒＯ３を含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
（４４）一次熱処理として焼結し、その後で二次熱処理として熱間静水圧圧縮成型することにより理論的密度の少なくとも９５％に密度を高められており、且つ約９０〜７５容量％のＹ−ＴＺＰ及び約１０〜２５容量％のＺｒＣを含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
（４５）一次熱処理として焼結し、その後で二次熱処理として熱間静水圧圧縮成型することにより理論的密度の少なくとも９５％に密度を高められており、且つ約７５容量％のＹ−ＴＺＰ及び約２５容量％のＢａＯ−６Ｆｅ２Ｏ３を含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
（４６）アルゴン中において１９００℃で加熱処理され、その後で１０℃／分より大きい速度で室温に急冷されたＡｌＮを含む、ＥＳＤ散逸セラミック。
（４７）ＺｒＯ２及び半導電性ＳｎＯ２を含むＥＳＤ散逸セラミックであって、前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性：
（ａ）所定遅延時間；
（ｂ）１０ＧＰａより大きいビッカーズ硬度；及び
（ｃ）理論値の少なくとも９９％の密度；
を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
（４８）正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）及び１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤を含む混合物を焼結することにより生成される、ＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の約５容量％〜６０容量％を構成し、且つ導電性材料、半導電性材料及びそれらの混合物からなる群より選択され；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性：
（ａ）１０６〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）５００ｍｓ未満の電圧減衰時間；
を有する、
ＥＳＤ散逸セラミック。
（４９）前記焼結が空気中で実行される、前記（４８）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（５０）二次熱処理過程が熱間静水圧圧縮成型を含む、前記（４９）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（５１）ＺｒＯ２及び半導電性材料ＳｎＯ２を含むＥＳＤ散逸セラミックであって、前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性：
（ａ）所定遅延時間；
（ｂ）１０ＧＰａより大きいビッカーズ硬度；及び
（ｃ）ＬＫＥ比色計でのＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊スケールで、少なくとも５０のＬ＊色測定値：
を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
（５２）ＳｎＯ２が初期試薬の２０〜８０容量％の範囲で存在する、前記（５１）項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
（５３）（ａ）１回又はそれよりも多くの熱処理により２種又はそれよりも多くの粉末を最終密度に圧縮し、そして
（ｂ）最終熱処理を用いて、得られるセラミックの抵抗率を少なくとも２５％変化させる、
ことを含む、ＥＳＤ散逸セラミックの加工処理方法。
（５４）最終熱処理が、焼結温度の９０％未満の温度において空気中で実行される、前記（５３）項に記載の方法。
（５５）最終熱処理が、大気酸素よりも低い分圧で酸素中で実行される、前記（５３）項に記載の方法。
（５６）最終熱処理が、得られるセラミックの抵抗率を増大させる、前記（５３）項に記載の方法。
（５７）最終熱処理が、得られるセラミックの抵抗率を低減させる、前記（５３）項に記載の方法。
（５８）最終熱処理が１０６〜１０９ｏｈｍ−ｃｍの範囲に体積抵抗率を変動させる、前記（５３）項に記載の方法。
（５９）（ａ）約８５〜６０容量％のＹ−ＴＺＰ及び約１５〜４０容量％のＺｎＯを含む混合物を生成し、そして
（ｂ）一次熱処理により理論的密度の少なくとも９５％に混合物の密度を高めること、
を含む、明色ＥＳＤ散逸セラミックの生成方法。
（６０）二次熱処理過程を用いて、密度を理論的密度の９９％より大きく増大させることをさらに含む、前記（５９）項に記載の方法。
（６１）（ａ）約９０〜５０容量％のＹ−ＴＺＰ及び約１０〜５０容量％の半導電性ＳｎＯ２を含む混合物を生成し；そして
（ｂ）一次熱処理により理論的密度の少なくとも９５％に混合物の密度を高めること、
を含む、明色ＥＳＤ散逸セラミックの生成方法。
（６２）二次熱処理工程を用いて、密度を理論的密度の９９％より大きく増大させることをさらに含む、前記（６１）項に記載の方法。
（６３）熱及び雰囲気の制御条件下で、前記セラミックを熱間静水圧圧縮成型することを含む、ＥＳＤ散逸セラミックの抵抗率を変更する方法。
（６４）（ａ）ＥＳＤ散逸セラミックを生成し；
（ｂ）前記セラミックに所望の表面仕上げを行い；そして
（ｃ）前記ＥＳＤ散逸セラミックから、部品の全部又は一部分を形成すること、
を含む、ＥＳＤ散逸目的のためのセラミックに基づく部品の形成方法。
（６５）表面仕上げをタンブラー磨きにより行う、前記（６４）項に記載の方法。
（６６）部品全体をＥＳＤ散逸セラミックから形成する、前記（６４）項に記載の方法。
（６７）部品の一部分だけをＥＳＤ散逸セラミックから形成する、前記（６４）項に記載の方法。
（６８）ＭＲ（磁気抵抗）ヘッド支持体、磁気ヘッド製造のための移送具、ＨＧＡ（ヘッドジンバルアセンブリー）、ＨＳＡ（ヘッドスタックアセンブリー）、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）アセンブリー用の工具、取付具及び容器、ウェハー取扱い、加工処理及び清浄用の工具、取付具及び容器、ワイヤ結合、トリミング、切断用の工具、取付具及び容器、ＩＣチップ取扱い用のピックアンドプレースノズル、接着剤及びはんだ分配用のノズル、ウェハー取扱い取付具、エンドエフェクター、真空チャック、ＩＣ取扱い及び試験用取付具、ＥＳＤ感受性デバイス用の工具、取付具及び容器、ＩＣ及び磁気ヘッド用のアセンブリー取付具、ピンセット、ねじ回し、鋏、刃、ロボット指用部品、電気光学的コーティングプロセス用の工具、取付具及び容器、レチクル（フォトマスク）用の工具、取付具及び容器から成る群から選択される、前記（６４）項に記載の方法により形成されるＥＳＤ散逸物品。
（６９）少なくとも４００ＭＰａの強度を有するジルコニアに基づく構造用セラミックから少なくとも一部分形成された電気的センサー素子であって、前記セラミックが少なくとも１０容量％のＺｒＯ２をさらに含み、セラミックの導電性が非ジルコニウム相添加剤により提供される、電気的センサー素子。
（７０）室温に適合され又は室温で作用する、前記（６９）項に記載のセンサー素子。
（７１）温度、力又は温度と力の両方を測定するために適合されている、前記（６９）又は（７０）項に記載のセンサー素子。
（７２）非ジルコニア相添加剤がＺｎＯを含む、前記（６９）又は（７０）項に記載のセンサー素子。
（７３）感知領域（単数又は複数）が全体の単に一部分であるよう、セラミックの導電率が調整される、前記（６９）又は（７０）項に記載のセンサー素子。
（７４）２つ又はそれよりも多くの感知領域からの応答が別々に検出される、前記（６９）又は（７０）項に記載のセンサー素子。
（７５）正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）及び１又はそれよりも多くの非磁性抵抗率改質剤を含む混合物を焼結することにより生成される非磁性ＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の約５容量％〜６０容量％を構成し；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物理的特性：
（ａ）１０６〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）約１０ガウス以下の残留束密度；
を有する、
ＥＳＤ散逸セラミック。
（７６）前記抵抗率改質剤が１０−３ｍｌ／ｍｏｌのモル磁化率を有する、前記（７５）項に記載の非磁性ＥＳＤ散逸セラミック。
（７７）前記抵抗率改質剤が、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＣ及びそれらの混合物からなる群より選択される、前記（７６）項に記載の非磁性ＥＳＤ散逸セラミック。