【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書
【発明の名称】  基板の脱水乾燥方法、脱水乾燥装置、基板処理装置、及び基板処理方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ウエット処理後の基板を脱水乾燥する基板の脱水乾燥方法であって、
装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態で、該基板を回転させることなく脱水及び乾燥させることを特徴とする基板の脱水乾燥方法。
【請求項２】  請求項１に記載の基板の脱水乾燥方法において、
前記キャリア内に収容設置した基板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥させることを特徴とする基板の脱水乾燥方法。
【請求項３】  請求項１又は２に記載の基板の脱水乾燥方法において、
前記ウエット処理後の基板を前記キャリアに収容する前に、スピンドライ等により一次乾燥させることを特徴とする基板の脱水乾燥方法。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板の脱水乾燥方法において、
前記基板には吸水性のある膜が形成されていることを特徴とする基板の脱水乾燥方法。
【請求項５】  ウエット処理後の基板を脱水乾燥する基板の脱水乾燥装置であって、
装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態で、該基板を回転させることなく該基板を脱水及び乾燥させる脱水・乾燥手段を設け、
前記脱水・乾燥手段は前記キャリア内に収容設置した基板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥させることを特徴とする基板の脱水乾燥装置。
【請求項６】  ウエット処理工程を含む複数の処理工程を有し、該複数の処理工程を経て基板を処理する基板処理装置において、
最終の前記処理工程を経て処理された基板を請求項５に記載の脱水乾燥装置を用いて脱水及び乾燥させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
被研磨物を研磨処理する基板研磨処理方法であって、
被研磨物を研磨する研磨工程と、
前記研磨工程を経た後の被研磨物を洗浄及び乾燥する洗浄・乾燥工程と、
前記洗浄・乾燥工程を経た後の被研磨物を真空装置によって脱水及び乾燥させる真空脱水乾燥工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
被研磨物を研磨処理する基板研磨処理方法であって、
被研磨物を研磨する研磨工程と、
前記研磨工程を経た後の被研磨物を洗浄及び乾燥する洗浄・乾燥工程と、
前記洗浄・乾燥工程を経た後の被研磨物を加熱装置によって脱水及び乾燥させる加熱脱水乾燥工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
被研磨物を研磨処理する基板研磨処理方法であって、
被研磨物を研磨する研磨工程と、
前記研磨工程を経た後の被研磨物を洗浄及び乾燥する洗浄・乾燥工程と、
前記洗浄・乾燥工程を経た後の被研磨物に残存する水分を脱水及び乾燥させる脱水乾燥工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか１項に記載の基板処理方法において、
前記被研磨物には吸水性を有する絶縁体からなる膜が形成されていることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程等で使用されるウエット処理工程後の基板を脱水乾燥させる基板の脱水乾燥方法、脱水乾燥装置及び基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程において、ウエット処理工程後の基板の脱水乾燥には、基板を高速回転させ、その遠心力で表面に付着する水分を除去乾燥させるスピンドライヤや基板にＮ2ガスを吹き付けて乾燥させるＮ2ガスブロー方法がある。
【０００３】
近年、半導体デバイスの高速化に伴い、基板上の絶縁体としてｌｏｗ−ｋ膜と呼ばれるものが使用されるようになった。このｌｏｗ−ｋ膜の多くにはその製造方法により組織構造が多孔質でかつ、親水性、吸水性の物性を示す。このような材質のｌｏｗ−ｋ膜を使用し、半導体を製造する処理工程において超純水などを使用する洗浄工程のようなウエット処理工程の後、基板の脱水乾燥に上記従来のスピンドライヤやＮ2ガスブロー方法を用いた場合、ｌｏｗ−ｋ膜の内部に水分子が残存してしまう問題がある。
【０００４】
ｌｏｗ−ｋ膜の内部に水分子が残存した場合、残存した水分子がｌｏｗ−ｋ膜を膨潤させｌｏｗ−ｋ膜の形状を変形させたり、後工程で超真空を利用する処理工程に対し、処理に必要な真空度を確保することの障害になるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので上記問題点を除去し、例えば、基板の絶縁体として用いたｌｏｗ−ｋ膜等の吸水性を有する膜の内部に残存する水分も除去し乾燥させることができる基板の脱水乾燥方法、脱水乾燥装置及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、ウエット処理後の基板を脱水乾燥する基板の脱水乾燥方法であって、装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態で、該基板を回転させることなく脱水及び乾燥させることを特徴とする。
【０００７】
上記のように、装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態で、該基板を回転させることなく脱水及び乾燥させるので、基板の処理工程とは分離して基板の脱水及び乾燥ができるから、基板処理装置の基板処理時間に影響を与えることなく、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の場合は、該膜内部に存在する水分も十分除去されるから、該膜を膨潤変形させたり、後工程で超真空を利用する処理工程に対し、処理に必要な真空度を確保するのに障害にならない。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板の脱水乾燥方法において、キャリア内に収容設置した基板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥させることを特徴とする。
【０００９】
上記のように、キャリア内に収容設置した基板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥させるので、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の該膜内部に存在する水分も効果的に除去できる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の基板の脱水乾燥方法において、ウエット処理後の基板をキャリアに収容する前に、スピンドライ等により一次乾燥させることを特徴とする。
【００１１】
上記のように、ウエット処理後の基板をキャリアに収容する前に、スピンドライ等により一次乾燥させるので、基板表面に付着している水分はこの一次乾燥で除去され、残った水分、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜の内部に存在する水分もキャリア内の脱水及び乾燥で効果的に除去される。しかも一次乾燥で多くの水分が除去されているから、キャリア内での脱水及び乾燥の負荷は少なくて済む。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板の脱水乾燥方法において、基板には吸水性のある膜が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
上記のように、基板には吸水性のある膜が形成されている場合、特に該膜が基板表面に露出している場合、スピンドライ等の乾燥では、吸水性の膜内にある水分は簡単に除去できないが、装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置して行う脱水及び乾燥では、基板処理装置の基板処理時間に影響を与えることなく、脱水及び乾燥を行えるから吸水性のある膜内にある水分も十分除去でき、後工程で超真空を利用する処理工程に対し、処理に必要な真空度を確保するのに障害とならない。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、ウエット処理後の基板を脱水乾燥する基板の脱水乾燥装置であって、装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態で、該基板を回転させることなく該基板を脱水及び乾燥させる脱水・乾燥手段を設け、脱水・乾燥手段はキャリア内に収容設置した基板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥させることを特徴とする。
【００１５】
上記のように脱水・乾燥手段により、装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態で、該基板を回転させることなく脱水及び乾燥させるので、請求項１の発明と同様、基板の処理工程とは分離して基板の脱水及び乾燥ができるから、基板処理装置の基板処理時間に影響を与えることなく、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の場合は、該多孔質体膜内部に存在する水分も十分除去されるから、該膜を膨潤変形させたり、後工程で超真空を利用する処理工程に対し、処理に必要な真空度を確保するのに障害とならない。また、キャリア内に収容設置した基板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥させるので、請求項２に記載の発明と同様、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の該膜内部に存在する水分も効果的に除去される。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、ウエット処理工程を含む複数の処理工程を有し、該複数の処理工程を経て基板を処理する基板処理装置において、最終の処理工程を経て処理された基板を請求項５に記載の脱水乾燥装置を用いて脱水及び乾燥させることを特徴とする。
【００１７】
上記のように、最終の処理工程を経て処理された基板を請求項５に記載の脱水乾燥装置を用いて脱水及び乾燥させるので、基板処理装置の基板処理時間に影響を与えることなく、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の該膜内部に残存する水分も十分に除去され、脱水及び乾燥する。
【００１８】
請求項７に記載の発明は、被研磨物を研磨処理する基板研磨処理方法であって、被研磨物を研磨する研磨工程と、研磨工程を経た後の被研磨物を洗浄及び乾燥する洗浄・乾燥工程と、洗浄・乾燥工程を経た後の被研磨物を真空装置によって脱水及び乾燥させる真空脱水乾燥工程を有することを特徴とする。
【００１９】
上記のように研磨工程と洗浄・乾燥工程を経て研磨、洗浄及び乾燥した被研磨物を真空脱水乾燥工程で真空脱水乾燥するので、洗浄・乾燥工程で基板表面に付着している水分は除去され、残った水分、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜の内部に存在する水分も真空脱水乾燥で効果的に除去される。しかも洗浄・乾燥工程で多くの水分が除去されているから、真空脱水乾燥工程での脱水及び乾燥の負荷は少なくて済む。
【００２０】
請求項８に記載の発明は、被研磨物を研磨処理する基板研磨処理方法であって、被研磨物を研磨する研磨工程と、研磨工程を経た後の被研磨物を洗浄及び乾燥する洗浄・乾燥工程と、洗浄・乾燥工程を経た後の被研磨物を加熱装置によって脱水及び乾燥させる加熱脱水乾燥工程を有することを特徴とする。
【００２１】
上記のように研磨工程と洗浄・乾燥工程を経て研磨、洗浄及び乾燥した被研磨物を加熱脱水乾燥工程で加熱脱水乾燥させるので、洗浄・乾燥工程で基板表面に付着している水分は除去され、残った水分、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜の内部に存在する水分も加熱脱水乾燥で効果的に除去される。
【００２２】
請求項９に記載の発明は、被研磨物を研磨処理する基板研磨処理方法であって、被研磨物を研磨する研磨工程と、研磨工程を経た後の被研磨物を洗浄及び乾燥する洗浄・乾燥工程と、洗浄・乾燥工程を経た後の被研磨物に残存する水分を脱水及び乾燥させる脱水乾燥工程を有することを特徴とする。
【００２３】
上記のように研磨工程と洗浄・乾燥工程を経て研磨、洗浄及び乾燥した被研磨物を脱水乾燥工程で脱水乾燥させるので、洗浄・乾燥工程で基板表面に付着している水分は除去され、残った水分、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜の内部に存在する水分も脱水乾燥で効果的に除去される。
【００２４】
請求項１０に記載の発明は、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の基板処理方法において、被研磨物には吸水性を有する絶縁体からなる膜が形成されていることを特徴とする。
【００２５】
上記のように被研磨物には吸水性を有する絶縁体からなる膜が形成されていても、研磨工程と洗浄・乾燥工程を経て研磨、洗浄及び乾燥した被研磨物を、真空脱水乾燥工程又は加熱脱水乾燥工程又は脱水乾燥工程のいずれかを採用することにより、洗浄・乾燥工程で除去できない吸水性を有する絶縁体内に存在する水も効果的に除去乾燥できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る基板の脱水乾燥方法を実施する脱水乾燥装置の概略構成例を示す図である。図１において、１０は半導体製造設備の装置間を基板を収容設置して搬送するためのキャリアである。該キャリア１０は一側部に開口部が形成されたキャリア本体（筐体）１１と、該開口部を密閉する蓋体１２とを具備し、該キャリア本体１１内は蓋体１２に設けられた逆止弁１３を介して真空源１４に接続できるようになっている。また、キャリア本体１１内には、複数枚の基板１５を所定の間隔を設けて収容設置できるようになっている。
【００２７】
上記キャリア１０のキャリア本体１１内に、図１（ａ）に示すように基板１５を収容設置し、該キャリア本体１１を逆止弁１３を介して真空源１４に接続し、内部の真空度を上げることにより、基板１５は高い真空度の真空に曝されることになる。これにより、例えば、超純水などを使用する洗浄工程のようなウエット処理工程の後、基板の表面にｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で親水性、吸水性の膜の内部に残存する水分も脱水でき、乾燥させることができる。また、特に基板１５の表面にこのような親水性、吸水性の膜が露出している場合、ウエット処理により該膜が水分子を取り込んでしまうため、十分な脱水・乾燥が必要となる。そこで基板１５はウエット処理工程の後、キャリアに収容する前にスピンドライ等の乾燥手段により一次乾燥されていることが、キャリア１０内での脱水及び乾燥の負荷を軽減させ、十分な脱水及び乾燥を行わせるためにも望ましい。この一次乾燥手段としては、Ｎ2ガスのブロー、マランゴニ乾燥法やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いた引き抜き乾燥法等がある。
【００２８】
なお、脱水乾燥の後は、図１（ｂ）に示すように逆止弁１３から真空源１４を切離し、キャリア本体１１を真空状態にしておく。なお、上記例では逆止弁１３を蓋体１２に設けたが、逆止弁１３はキャリア本体１１の側壁に設けてもよいことは当然である。
【００２９】
また、図示は省略するが、基板１５を加熱してもよく、この場合はキャリア本体１１内に高温のＮ2ガス等を封入したり、輻射熱源を設けて基板１５に輻射熱を照射する等すればよい。また、キャリア本体１１内を真空に保ちつつ、基板１５に輻射熱を照射して基板１５を加熱してもよい。また、キャリア本体１１内を真空源１４に接続して真空にし、脱水乾燥させた後、上記乾燥気体や高温気体をキャリア本体１１内に封入するというように、基板１５を真空や乾燥気体や高温気体に曝したり、加熱することを複合させてもよい。これにより、より効果的に基板１５の脱水乾燥が可能となる。なお、上記例では、キャリア本体１１の開口部を蓋体１２で閉塞することにより、内部を気密状態にしているが、キャリア１０の全体をカバーで覆い内部を気密状態としてもよい。
【００３０】
図２は本発明に係る基板の脱水乾燥方法を実施する脱水乾燥装置の他の概略構成例を示す図である。１０は図１と同様、半導体製造設備の装置間を基板１５を収容設置して搬送するためのキャリアである。該キャリア１０は一側部に開口部が形成されたキャリア本体１１を有し、該キャリア本体１１の開口部を蓋体１２で閉塞することにより、内部が気密状態になる。該キャリア本体１１内は複数の基板１５を所定の間隔で収容設置するための基板収納室１６が設けられ、該基板収納室１６の側壁１７とキャリア本体１１の内壁面の間に気体循環路１８が設けられている。該気体循環路１８内にはファン１９、脱水フィルタ２０、ＨＥＰＡフィルタ２１が設置されている。脱水フィルタ２０は気体中の水分を除去するフィルタであり、ＨＥＰＡフィルタ２１は気体中の粒子を捕集除去するエアフィルタである。
【００３１】
図２に示す脱水乾燥装置において、キャリア本体１１内の基板収納室１６に基板１５を収容設置し、開口部を蓋体１２で閉塞して密封し、更にキャリア本体１１内に乾燥したＮ2ガス等の乾燥気体を封入し、ファン１９を運転することにより、基板収納室１６の乾燥気体は気体循環路１８を通って循環する。これにより、基板１５、特に多孔質で親水性、吸水性の膜を有する基板１５の該膜内に存在する水分を効果的に脱水乾燥させることができる。そしてこの循環する気体中の水分は脱水フィルタ２０で、粒子はＨＥＰＡフィルタ２１で除去される。なお、上記例では、キャリア本体１１の開口部を蓋体１２で閉塞することにより、内部を気密状態にしているが、キャリア１０の全体をカバーで覆い内部を気密状態としてもよい。
【００３２】
図３は本発明に係る基板の脱水乾燥方法を実施する脱水乾燥装置の他の概略構成例を示す図である。１０は図１と同様、半導体製造設備の装置間を基板を収容設置して搬送するためのキャリアである。該キャリア１０は一側部に開口部が形成されたキャリア本体１１を有し、該キャリア本体１１の開口部を蓋体１２で閉塞することにより、内部が気密状態になる。該キャリア本体１１内は複数の基板１５を所定の間隔で収容設置するための基板収納室１６が設けられ、基板収納室１６の上部にファン１９、脱水フィルタ２０及びＨＥＰＡフィルタ２１が順次配置された気体導入室２２が配置されている。また、気体導入室２２上部のキャリア本体１１の側壁には開口１１ａが、基板収納室１６底部のキャリア本体１１側壁には開口１１ｂが設けられている。
【００３３】
図３に示す脱水乾燥装置において、キャリア本体１１内の基板収納室１６に基板１５を収容設置し、開口部を蓋体１２で閉塞して密封し、ファン１９を運転することにより、開口１１ａから気体導入室２２内に乾燥気体又は高温気体を導入し、更に脱水フィルタ２０及びＨＥＰＡフィルタ２１で該気体中の水分及び粒子が除去され、基板収納室１６内に導入し、開口１１ｂから排出される。これにより、基板収納室１６に収容設置された基板１５、特に多孔質で親水性、吸水性の膜を有する基板１５の該多孔質体内に存在する水分を効果的に脱水乾燥させることができる。
【００３４】
図４は本発明に係る基板の脱水乾燥方法を実施する脱水乾燥装置を具備する基板処理装置の概略構成例を示す図である。図示するように基板処理装置３０は、洗浄等のウエット処理を含む各種の処理を行う基板処理室３１に隣接して、内部に基板１５を収容設置したキャリア１０を搬入搬出するロード／アンロード（Ｌ／ＵＬ）室３２が配置された構成である。
【００３５】
ロード／アンロード室３２には、内部に基板１５を収容設置したキャリア１０を載置するキャリア載置台３３が設けられている。そしてキャリア載置台３３に載置された、キャリア１０内に収容設置された基板１５に乾燥気体又は高温気体を供給する（吹き付ける）ための気体導入路３４が設けられている。該気体導入路３４にはファン１９、脱水フィルタ２０及びＨＥＰＡフィルタ２１が配置されている。
【００３６】
図４に示す基板処理装置において、基板処理室３１で各種処理が実施され、洗浄処理され、スピン乾燥された基板１５は図示しないロボット等によりキャリア１０内に収容設置される。この状態で気体導入路３４に配置されたファン１９を運転することにより、乾燥気体又は高温気体が気体導入路３４に流れ込み、脱水フィルタ２０及びＨＥＰＡフィルタ２１を通って水分及び粒子が除去され、キャリア１０内に収容設置された基板１５に吹き付けられる。これにより、基板１５、特に多孔質で親水性、吸水性の膜を有する基板１５の該膜内に存在する水分を効果的に脱水乾燥させることができる。
【００３７】
なお、気体導入路３４は、矢印Ａに示すように昇降できるようになっており、キャリア載置台３３に載置されたキャリア１０内から基板１５を搬出搬入するときは下降させ、乾燥気体又は高温気体を吹き付けるときはその気体出口がキャリア１０に対向する位置まで上昇させる。
【００３８】
上記図１乃至図４に示す例では、基板１５をキャリア１０内に収容設置し、基板１５やキャリア１０を回転することなく脱水及び乾燥を行うので、基板１５やキャリア１０を回転するための機構を必要としないため、構成が簡単となる。
【００３９】
半導体製造装置は、一般的に図４に示すように基板を処理する基板処理室３１、該基板処理室３１の間で基板の受け渡し及び装置と外部でキャリア１０に収容設置された基板１５の受け渡しをするロード／アンロード室３２が設けられている。このような装置の一例としてＣＭＰ（化学機械的研磨）装置がある。ＣＭＰ装置は一般的に枚葉式であり、研磨装置により研磨した基板１５を洗浄・乾燥（スピンドライ等）してキャリア１０に戻すようにしている。そして乾燥した基板１５を収容設置したキャリア１０をロード／アンロード室３２に搬入搬出する所謂ドライイン／ドライアウト方式が採用されている。
【００４０】
上記のように、基板処理室３１からキャリア１０に収容される基板１５はスピンドライ等により乾燥しているが、ｌｏｗ−ｋ膜のように多孔質体膜を有する基板１５であっては該多孔質体膜の内部に残存する水分を脱水乾燥させたほうが望ましい場合がある。そこで、図５に示すように、第１工程４１及び第２工程４２を有する基板処理装置４０において、第２工程４２の後に真空乾燥機構４３を設け、第１工程４１の研磨処理工程で研磨処理した基板を第２工程４２である洗浄・乾燥（スピンドライ等）処理工程で洗浄乾燥した後、真空乾燥機構４３で脱水乾燥を行い、該脱水乾燥を行った基板１５をキャリア１０に収容するとよい。
【００４１】
上記真空乾燥機構４３としては、基板が収容できる真空チャンバーを具備し、該真空チャンバー内に第２工程４２で洗浄・乾燥された基板１５を収容し、その後、該真空チャンバー内の真空度を上げて高い真空度にし、基板１５を高真空度に曝し、真空乾燥させる構成のものを用いる。これにより、第２工程４２で洗浄されスピンドライ等で乾燥させた基板１５の多孔質で親水性、吸水性の膜内に残存する水分を脱水乾燥させることが可能となる。
【００４２】
また、上記真空乾燥機構４３に替え、図示は省略するが、加熱乾燥用の加熱チャンバーを具備する加熱乾燥機構を用い、該加熱チャンバーに第２工程４２で洗浄・乾燥された基板１５を収容したのちに、加熱チャンバー内を加熱し乾燥するようにしてもよい。加熱チャンバーを使用する場合は、基板１５は熱により酸化が促進されるため、チャンバー内の雰囲気を不活性ガスに置換する必要がある。上記のように、真空乾燥機構又は加熱乾燥機構のいずれの方法を用いる場合においても、チャンバー内を気密にし、雰囲気を置換する必要があるため、乾燥機構はチャンバー内の容量が小さくて済む枚葉処理の機構を使用することが望ましい。
【００４３】
上記のように真空乾燥機構４３を用いる方法は、真空チャンバー内を真空にするのに時間がかかり、又は加熱乾燥機構を用いる方法は、加熱チャンバー内を加熱し、加熱したチャンバー内を冷却するのに時間がかかる。そこで図６に示すように、第２工程４２の後に３台の真空乾燥機構４３−１、４３−２、４３−３を配置し、第２工程４２で洗浄・乾燥させた基板を３台の真空乾燥機構４３−１、４３−２、４３−３に分散収容して、該３台の真空乾燥機構４３−１、４３−２、４３−３を並行して運転し、脱水乾燥させる。
【００４４】
基板処理装置を図６に示すように構成することにより、第１工程（研磨処理）４１、第２工程（洗浄・乾燥工程）４２のタクトタイムが短い場合には、基板処理装置４０の処理速度を低下させることなく、基板１５を処理できる。但し、この場合は基板処理装置４０に３台の真空乾燥機構４３−１、４３−２、４３−３を配置するので装置が大型化する恐れがある。なお、３台の真空乾燥機構４３−１、４３−２、４３−３に替え、それぞれ加熱乾燥用の加熱チャンバーを具備する加熱乾燥機構を用いてもよい。
【００４５】
図５に示すように、第２工程（洗浄・乾燥工程）４２の次に１台の真空乾燥機構４３又は１台の加熱乾燥機構を配置する場合は処理時間が長くなり、図６に示すように、第２工程（洗浄・乾燥工程）４２の次に３台の真空乾燥機構４３−１〜３又は３台の加熱乾燥機構を配置する場合は装置が大型化する恐れがある。そこで図１乃至図３に示すように、キャリア１０に収容された基板１５を脱水乾燥する装置を用いると、処理時間を長くすることなく、装置を大型化することなく、脱水乾燥させることが可能となる。
【００４６】
本発明に係る基板処理装置としては、ＣＭＰ装置のほかに、ウエットエッチング装置や洗浄装置等のウエット処理工程を有する装置に適用可能である。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように各請求項に記載の発明によれば、下記のような優れた効果が得られる。
【００４８】
請求項１に記載の発明によれば、装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態で、該基板を回転させることなく脱水及び乾燥させるので、基板の処理工程とは分離して基板の脱水及び乾燥ができるから、基板処理装置の基板処理時間に影響を与えることなく、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の場合は、該膜内部に存在する水分も十分除去されるから、該多孔質体膜を膨潤変形させたり、後工程で超真空を利用する処理工程に対し、処理に必要な真空度を確保するのに障害とならないように十分に脱水乾燥させることが可能となる。
【００４９】
請求項２に記載の発明によれば、キャリア内に収容設置した基板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥させるので、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の該膜内部に存在する水分も十分に除去することが可能となる。
【００５０】
請求項３に記載の発明によれば、ウエット処理後の基板をキャリアに収容する前に、スピンドライ等により一次乾燥させるので、基板表面に付着している水分はこの一次乾燥で除去され、残った水分、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜の内部に存在する水分もキャリア内の脱水及び乾燥で十分に除去することが可能となる。しかも一次乾燥で多くの水分が除去されているから、キャリア内での脱水及び乾燥の負荷は少なくて済むから、十分な脱水及び乾燥の実現が可能となる。
【００５１】
請求項４に記載の発明によれば、基板には吸水性の膜が形成されている場合、スピンドライ等の乾燥では、吸水性のある膜内にある水分は簡単に除去できないが、ここでは装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置して脱水及び乾燥を行うから、基板処理装置の基板処理時間に影響を与えることなく、脱水及び乾燥を行えるから吸水性のある膜内にある水分も十分に除去することが可能で、後工程で超真空を利用する処理工程に対し、処理に必要な真空度を確保するのに障害とならないように脱水乾燥することが可能となる。
【００５２】
請求項５に記載の発明によれば、脱水・乾燥手段により、装置間を搬送するキャリア内に基板を収容設置した状態で、該基板を回転させることなく脱水及び乾燥させるので、請求項１の発明と同様、基板の処理工程とは分離して基板の脱水及び乾燥ができるから、基板処理装置の基板処理時間に影響を与えることなく、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の場合は、該多孔質体膜内部に存在する水分も十分に除去し、該膜を膨潤変形させたり、後工程で超真空を利用する処理工程に対し、処理に必要な真空度を確保するのに障害とならないように脱水乾燥させることが可能となる。また、キャリア内に収容設置した基板を、乾燥した気体に曝し又は、加熱し又は、真空に曝し、又はこれらを複合させて基板を脱水及び乾燥させるので、請求項２に記載の発明と同様、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の該膜内部に存在する水分もより効果的に除去することが可能となる。
【００５３】
請求項６に記載の発明によれば、最終の処理工程を経て処理された基板を請求項５に記載の脱水乾燥装置を用いて脱水及び乾燥させるので、基板処理装置の基板処理時間に影響を与えることなく、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜を有する基板の該膜内部に残存する水分も十分に除去し、脱水乾燥することが可能となる。しかも基板を脱水及び乾燥させる機構を処理装置内に設ける必要がないから、基板処理装置の大型化も抑制できる。
【００５４】
請求項７に記載の発明によれば、研磨工程と洗浄・乾燥工程を経て研磨、洗浄及び乾燥した被研磨物を真空脱水乾燥工程で真空脱水乾燥するので、洗浄・乾燥工程で基板表面に付着している水分は除去され、残った水分、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜の内部に存在する水分も真空脱水乾燥で効果的に除去される。しかも洗浄・乾燥工程で多くの水分が除去されているから、真空脱水乾燥工程での脱水及び乾燥の負荷は少なくて済む。
【００５５】
請求項８に記載の発明によれば、研磨工程と洗浄・乾燥工程を経て研磨、洗浄及び乾燥した被研磨物を加熱脱水乾燥工程で加熱脱水乾燥させるので、洗浄・乾燥工程で基板表面に付着している水分は除去され、残った水分、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜の内部に存在する水分も加熱脱水乾燥で効果的に除去される。
【００５６】
請求項９に記載の発明によれば、研磨工程と洗浄・乾燥工程を経て研磨、洗浄及び乾燥した被研磨物を脱水乾燥工程で脱水乾燥させるので、洗浄・乾燥工程で基板表面に付着している水分は除去され、残った水分、例えば、ｌｏｗ−ｋ膜等の多孔質で吸水性の膜の内部に存在する水分も脱水乾燥で効果的に除去される。
【００５７】
請求項１０に記載の発明によれば、被研磨物には吸水性を有する絶縁体からなる膜が形成されていても、研磨工程と洗浄・乾燥工程を経て研磨、洗浄及び乾燥した被研磨物を、真空脱水乾燥工程又は加熱脱水乾燥工程又は脱水乾燥工程のいずれかを採用することにより、洗浄・乾燥工程で除去できない吸水性を有する絶縁体内に存在する水も効果的に除去乾燥できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明に係る脱水乾燥装置の概略構成例を示す図である。
【図２】
本発明に係る脱水乾燥装置の他の概略構成例を示す図である。
【図３】
本発明に係る脱水乾燥装置の他の概略構成例を示す図である。
【図４】
本発明に係る脱水乾燥装置を具備する基板処理装置の概略構成例を示す図である。
【図５】
本発明に係る脱水乾燥装置を具備する基板処理装置の概略構成例を示す図である。
【図６】
本発明に係る脱水乾燥装置を具備する基板処理装置の概略構成例を示す図である。
【符号の説明】
１０          キャリア
１１          キャリア本体（筐体）
１２          蓋体
１３          逆止弁
１４          真空源
１５          基板
１６          基板収納室
１７          側壁
１８          気体循環路
１９          ファン
２０          脱水フィルタ
２１          ＨＥＰＡフィルタ
２２          気体導入室
３０          基板処理装置
３１          基板処理室
３２          ロード／アンロード室
３３          キャリア載置台
３４          気体導入路
４０          基板処理装置
４１          第１工程
４２          第２工程
４３          真空乾燥機構