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【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非水電解質二次電池およびそれに用いる電解質
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コバルト、ニッケル、およびマンガンからなる群より選ばれた少なくとも一種を含むリチウム含有遷移金属複合酸化物からなる正極と、リチウムの吸蔵、放出が可能な炭素材料からなる負極とを、セパレータを介して積層した電極群ならびに非水電解質を備えた非水電解質二次電池であって、
前記電極群に含まれる水分量が、５０ｐｐｍ以下であり、前記非水電解質の１００重量部にジフェニレンオキシドおよびジフェニレンオキシド誘導体からなる群より選ばれた少なくとも一種を０．２〜５重量部添加したことを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記非水電解質は、炭酸エチレンおよび鎖状エステルからなる非水溶媒ならびに溶質からなる請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
前記鎖状エステルは、炭酸ジメチル、炭酸エチルメチル、および炭酸ジエチルからなる群より選ばれた少なくとも一種である請求項２記載の非水電解質二次電池。
【請求項４】
非水電解質１００重量部にジフェニレンオキシドおよびジフェニレンオキシド誘導体からなる群より選ばれた少なくとも一種を０．２〜５重量部添加したことを特徴とする非水電解質二次電池用電解質。
【請求項５】
前記非水電解質は、炭酸エチレンおよび鎖状エステルからなる非水溶媒ならびに溶質からなる請求項４記載の非水電解質二次電池用電解質。
【請求項６】
前記鎖状エステルは、炭酸ジメチル、炭酸エチルメチル、および炭酸ジエチルからなる群より選ばれた少なくとも一種である請求項５記載の非水電解質二次電池用電解質。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
プラグ本体３０は、フランジ３５を境にして、前方及後方ハウジングに分れている。前方ハウジングは、上下壁３１a、３１ｂ及び左右の側壁３１ｃ、３１dを有し、その外形は、後述するリセプタクルに嵌挿されるようにリセプタクルの開孔形状とほぼ同一形状に形成される。上壁面３１aには、開孔部３２の先端から屈折して延び、帯状の弾性係止腕３７a、３７bが形成され、それらの先端が押圧片３７で連結される。更に弾性係止腕３７a、３７bには、帯状片の途中に係止爪３８a、３８bが設けられる。
この弾性係止腕３７a、３７bは、プラグがリセプタクルへ接続されたとき、該弾性係止腕３７a、３７bの係止爪３８a、３８bがリセプタクルの凹部（図示せず）に入り込み、両者が結合される。リセプタクルからプラグを外す場合は、押圧片３７を指で下方へ押圧し、係止爪３８a、３８bの係合を外して、両者の結合を解く。
また、前方ハウジング内部には、複数のコネクタ端子を装着できる開孔部３２が設けられ、この開孔３２は後端ハウジングの空間部へ連通している。開孔部３２には、ほぼ中央部に横方向に延びた棚板３３が設けられ、この棚板３３の上面にはコネクタ端子が装着される複数の溝が形成され、また棚板３３の下面は複数の隔壁により仕切られて、それぞれの溝及び隔壁間で形成された部屋にそれぞれ異なる種類のコネクタ端子５０a〜５０n、５１a〜５１nが装着される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
後方ハウジングには、前方ハウジングの開口部３２の外壁がフランジ３５から後方端に突出し、該開口部３２と連通した空間部に、コネクタ端子が挿入される挿入孔及び該端子に接続されるリード線が引出される電線引出面が形成される。また、この後方ハウジングには、前方ハウジングの両側壁３１c、３１dから延びた一対の突出片３９、４０が設けられ、一方の突出片３９は幅狭に、他方の突出片４０は幅広に形成される。幅狭の突出片３９には、その外側の中央部に軸方向に延びる案内溝３９aが設けられる。また、幅広の突出片４０には、その先端が電線の外形に嵌るように凹状に形成され、突出片の幅方向両端に段差を設けて軸方向へ延びる案内凸条４０a、４０bが形成される。
更に、後方ハウジングの内部には、複数の隔壁により仕切られて、それぞれの溝及び隔壁間で形成された部屋が形成され、これらの溝及び部屋にそれぞれ異なる種類の接続端子が装着される。これらの開孔は前方ハウジングの開口へ連通され、前方ハウジングに装着される端子へ接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に交差する複数の走査信号線およびデータ信号線によって区画された各領域に電気光学素子ならびにそれに対を成すアクティブ素子および画素電極を備え、前記アクティブ素子によって前記画素電極と対向電極との間に形成される画素容量に取込まれた電荷によって電気光学素子を表示駆動するようにした画像表示装置において、
前記対向電極の電位を変化させる前に、前記データ信号線の電位を保持固定する電位保持手段を含むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記電位保持手段によって保持固定されるデータ信号線の電位は、対向電極の電位と同電位であることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】
相互に交差する複数の走査信号線およびデータ信号線によって区画された各領域に電気光学素子ならびにそれに対を成すアクティブ素子および画素電極を備え、前記アクティブ素子によって前記画素電極と対向電極との間に形成される画素容量に取込まれた電荷によって電気光学素子を表示駆動するようにした画像表示装置において、
前記対向電極の電位を変化させるにあたって、前記データ信号線の電位を対向電極の電位と同電位に保持し、これらの対向電極とデータ信号線との間の電荷を除去する電位保持手段を含むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
前記データ信号線に映像信号を出力するデータ信号線駆動回路として、２値のデータ信号線駆動回路を用い、前記電位保持手段を該データ信号線駆動回路で兼用することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項５】
相互に交差する複数の走査信号線およびデータ信号線によって区画された各領域に電気光学素子ならびにそれに対を成すアクティブ素子および画素電極を備え、前記アクティブ素子によって前記画素電極と対向電極との間に形成される画素容量に取込まれた電荷によって電気光学素子を表示駆動するようにした表示駆動方法において、
前記対向電極の電位を変化させる前に、前記データ信号線の電位を保持固定することを特徴とする表示駆動方法。
【請求項６】
前記保持固定されるデータ信号線の電位は、対向電極の電位と同電位であることを特徴とする請求項５記載の表示駆動方法。
【請求項７】
相互に交差する複数の走査信号線およびデータ信号線によって区画された各領域に電気光学素子ならびにそれに対を成すアクティブ素子および画素電極を備え、前記アクティブ素子によって前記画素電極と対向電極との間に形成される画素容量に取込まれた電荷によって電気光学素子を表示駆動するようにした表示駆動方法において、
前記対向電極の電位を変化させるにあたって、前記データ信号線の電位を対向電極の電位と同電位に保持し、これらの対向電極とデータ信号線との間の電荷を除去することを特徴とする表示駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ＭＤ記録再生装置はＭＤ１をローデイングし、ターンテーブル上に搬送する。ＭＤ１はターンテーブル上に固着されスピンドルモータ２により回転駆動される。また、カートリッジの下側に設けたシャッタを開くことで光ピックアップ４からのレーザを記録面に照射し、その反射光を検出して記録された信号を再生することができる。記録ヘッド１６はヘッド駆動回路１７により駆動され、後述する記録信号に対応した磁界をＭＤ１に供給し、記録信号をＭＤ１に記録する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
耐振用メモリコントローラ８は、入力したＥＦＭ／ＡＣＩＲＣ変調復調回路７からのデータをバッファメモリ等の記憶回路９へ一旦記憶させる機能および記憶させたデータを、復調のためにＡＴＲＡＣ(Adaptive Trans-form Acoustic Coding)変調復調回路１０に送出する機能を有する。なおＡＴＲＡＣはＭＤの圧縮方式であり、アナログ−デジタル変換したオーディオデータを最大１１．６ｍｓｅｃの時間の枠で区分し、ＭＤＣＴ(Modified Discrete Cosine Transform：変形離散コサイン変換）演算で複数の周波数帯域に分離し、人間の聴覚特性を利用して間引きを行い、約５分の１のデータ量まで圧縮する方式である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
次に、記録系路を説明する。オーディオ信号等の入力信号は記録信号入力端子１４、ＣＤプレーヤ２１あるいはＤＡＴ再生装置２０から入力され、ＡＤＣ（アナログ−デジタル変換器）１１でデジタルデータに変換される。デジタルデータは、ＡＴＲＡＣ変調復調回路１０において圧縮データに変換され、耐振用メモリコントローラ８を介して記憶回路９に記憶される。記憶回路９に記憶された圧縮データ量が所定の量に達した時、この圧縮データをＭＤｌへ記録する。即ち、記回路９に格納された圧縮データを耐振用メモリコントローラ８が読みだし、ＥＦＭ／ＡＣＩＲＣ変調復調回路７へ出力する。ＥＦＭ／ＡＣＩＲＣ変調復調回路７では、ＥＦＭとＣＩＲＣの変調を行い、その出力を記録ヘッド駆動回路１７へ出力し、記録ヘッド１６は、ＥＦＭ信号に対応したＮあるいはＳ極の磁界を発生し、この磁界をＭＤｌに加える。このとき、ＭＤｌの反対側に配置した光ピックアップ４は、システムコントローラ１５からの指令をもとにサーボ制御回路３により制御された記録レーザパワー（ハイパワー）をＭＤｌに照射する。このように、ＭＤｌを挟んだ記録ヘッド１６からの磁界と、光ピックアップ４からのレーザパワーの熱の連動により、ＭＤｌに記録信号が記録されることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１ ＭＤ（ミニディスク）
２ スピンドルモータ
３ サーボ制御回路
４ 光ピックアップ
５ ヘッドアンプ
６ アドレスレコーダ
７ ＥＦＭ／ＡＣＩＲＣ変調復調回路
８ 耐振用メモリコントローラ
９ 記憶回路（バッファメモリ）
１０ ＡＴＲＡＣ変調復調回路
１１ ＡＤＣ
１２ ＤＡＣ
１３ 再生信号出力端子
１４ 記録信号入力端子
１５ システムコントローラ
１６ 記録ヘッド
１７ ヘッド駆動回路
１８ スライドモータ
１９ 表示装置
２０ ＤＡＴ
２１ ＣＤプレーヤ
２２ ＩＦ
２３ 操作部
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス配線を構成する複数の行配線及び複数の列配線を介して駆動され、画像表示に用いられる画像表示素子と、
前記行配線を順次選択する走査回路と、
前記走査回路によって選択された行配線に接続される複数の前記画像表示素子をそれぞれ変調する信号を前記複数の列配線に供給する変調回路と、
を備える画像表示装置であって、
予め記憶している調整用所定画像データを出力するパターン出力回路と、
通常表示を行うときには画像表示装置外部から入力された画像データを出力し、補正条件の調整を行うときには前記パターン出力回路から入力された画像データを出力する選択回路と、
該選択回路から入力された画像データを補正し補正画像データを算出する補正画像データ算出回路と、を有し、
前記補正画像データ算出回路は、前記補正のための補正条件を外部からの制御により選択し、該選択された補正条件に基づいて補正画像データを算出することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
所定値よりも大きい前記補正画像データが前記変調回路に入力されないように制限するリミッタを有することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記補正画像データ算出回路は、入力される画像データに基づく補正データと前記選択された補正条件とに基づいて、入力された画像データを補正した補正画像データを算出することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記補正画像データ算出回路は、前記行配線もしくは前記列配線もしくはその両方で生じる電圧降下を補償する補正データと前記選択された補正条件とに基づいて、入力された画像データを補正した補正画像データを算出することを特徴とする請求項１、２又は３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記補正画像データ算出回路は、前記補正データを算出する補正データ算出回路と、前記補正データと前記入力される画像データを演算する演算回路とを有することを特徴とする請求項３又は４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記補正画像データ算出回路は、同一行配線に沿って設定された複数の基準点によって前記行配線を複数のブロックに分割し、各ブロック内の画像表示素子を駆動する信号に基づいて各基準点における電圧降下を予測して各基準点に対応する前記補正データを発生することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記補正画像データ算出回路は、前記選択された補正条件に基づいて電圧降下を算出する際に用いる素子電流の大きさを設定することを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記補正画像データ算出回路は、前記選択された補正条件に基づいて電圧降下を算出する際に用いる走査配線の配線抵抗の大きさを設定することを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記補正画像データ算出回路は、同一行配線に沿って設定された複数の基準点によって前記行配線を複数のブロックに分割し、各ブロック内の画像表示素子を駆動する信号に基づいて各基準点における電圧降下を算出するとともに、電圧降下量を入力とし、放出電流量を算出する放出電流量算出手段を備え、放出電流量から、各基準点に対応する前記補正データを発生することを特徴とする請求項３乃至８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記放出電流量算出手段は、電圧降下量を入力として、放出電流量を出力するルックアップテーブルであることを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記補正画像データ算出回路は、前記選択された補正条件に基づいて補正量を算出する際に用いる放出電流算出手段の入出力特性を設定することを特徴とする請求項９又は１０に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記補正画像データ算出回路は、前記各基準点以外の位置に対応する前記補正データを前記複数の基準点に対応する前記補正データを補間することによって得ることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記変調回路は、入力されるデータに応じてパルス幅変調信号を発生する回路であり、前記補正画像データ算出回路は、前記走査回路が一つの行配線を選択する期間内に離散的に設定した複数の時点の電圧降下量を予測計算し、パルス幅変調の開始時刻から、前記複数の時点まで駆動がなされた際に発生する電圧降下による放出電流の低下量を予測計算するとともに、該放出電流の低下量を補うための補正データを、各々の時点に対応して算出することを特徴とする請求項３乃至１２のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
前記補正画像データ算出回路は、前記複数の時点以外の時点に対応する前記補正データを前記複数の時点に対応する前記補正データを補間することによって得ることを特徴とする請求項１３に記載の画像表示装置。
【請求項１５】
前記調整用所定画像データは、行配線の伸びる方向と直交する方向に近接する第一の領域及び第四の領域をそれぞれ形成する、第一の領域を形成するデータと第四の領域を形成するデータであって、それぞれが最大階調値の５０パーセント以上であり、かつ、互いに略同一の階調値を有するデータと、前記第四の領域と前記行配線方向に並んで位置する領域である第三の領域を形成するデータと、前記第一の領域と前記行配線方向に並んで位置する領域である第二の領域を形成するデータと、を含んでおり、前記第二の領域を形成するデータは、第三の領域を形成するデータよりも、行配線上での電圧降下をより多く生じさせるデータであることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１６】
前記調整用所定画像データは、第一の領域と重なる一行配線上の全素子のうちの５５パーセント以上の素子を同時に駆動状態にするデータを含んでいることを特徴とする請求項１５に記載の画像表示装置。
【請求項１７】
前記調整用所定画像データは、前記行配線への給電端から、表示画面の前記行配線方向の長さの３０パーセント以上はなれた位置から始まる領域を、前記第一の領域及び第四の領域として規定するデータであることを特徴とする請求項１５に記載の画像表示装置。
【請求項１８】
前記画像表示素子は、冷陰極素子であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１９】
マトリクス配線を構成する複数の行配線及び複数の列配線を介して駆動され、画像表示に用いられる画像表示素子と、
前記行配線を順次選択する走査回路と、前記走査回路によって選択された行配線に接続される複数の前記画像表示素子をそれぞれ変調する信号を前記複数の列配線に供給する変調回路と、
を備える画像表示装置の調整方法であって、
調整用所定画像データを画像表示装置が通常表示時に用いる補正画像データ算出回路においてそれぞれ異なる複数の調整用補正条件で補正した複数の調整用データに基づく複数の調整用画像を表示し、
該表示結果に基づいて前記複数の調整用補正条件のうちのいずれかを選択し、
入力された画像データを補正した補正画像データを算出する回路で用いる補正条件として、前記選択した調整用画像を表示するときに用いた補正条件を設定することを特徴とする画像表示装置の調整方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
前記非晶質構造を有する半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する半導体膜に第１のレーザー光を照射して結晶性を向上し、
前記第１のレーザー光の照射によって前記結晶構造を有する半導体膜上に形成された酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光を照射して前記結晶構造を有する半導体膜の表面を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜に第１のレーザー光を照射して結晶性を向上し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記バリア層を除去し、
不活性気体雰囲気中または真空中で第２のレーザー光を照射して前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜に第１のレーザー光を照射して結晶性を向上し、
前記第１のレーザー光の照射によって前記結晶構造を有する第１の半導体膜上に形成された酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光を照射して前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平坦化し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第２の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記バリア層は、オゾンが含まれる溶液を用いて前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、
前記バリア層は、前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面に紫外線を照射して酸化することによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２または請求項３において、
前記バリア層は、レーザー光の照射により前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化した後、さらにオゾンが含まれる溶液を用いて前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属元素のゲッタリングは、熱処理により行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属元素のゲッタリングは、前記結晶構造を有する第１の半導体膜に強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属元素のゲッタリングは、熱処理を行い、且つ、前記結晶構造を有する第１の半導体膜に強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプまたは高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項２乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜の加熱処理は、熱処理または強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項２乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第２の半導体膜は、希ガス元素を含む雰囲気中で半導体をターゲットとするスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項２乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第２の半導体膜は、希ガス元素を含む雰囲気中でリンまたはボロンを含む半導体をターゲットとするスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項２乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記金属元素は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＣｕまたはＡｕのいずれか一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項２乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒまたはＸｅのいずれか一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記第２のレーザー光のエネルギー密度は、前記第１のレーザー光のエネルギー密度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第２のレーザー光のショット数は、前記第１のレーザー光のショット数より少なく、且つ、前記第１のレーザー光のショット数の半数より多いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記不活性気体雰囲気は、窒素雰囲気とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体膜及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室にモノシランと希ガスと水素とを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて、希ガス元素を１×１０20／ｃｍ3〜１×１０21／ｃｍ3で含み、且つ非晶質構造を有する半導体膜を被表面上に成膜することを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記プラズマを発生させる際、成膜室内における圧力は、２．６６６Ｐａ〜１３３．３Ｐａであることを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記希ガスに対する水素の流量比（Ｈ2／希ガス）を０．２〜５に制御することを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記プラズマを発生させるＲＦパワー密度は、０．００１７Ｗ／ｃｍ2〜１Ｗ／ｃｍ2であることを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
成膜室に導入する前記希ガスと前記モノシランの流量比（ＳｉＨ4：希ガス）を０．１：９９．９〜１：９に制御することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
成膜室に導入する前記希ガスと前記モノシランの流量比（ＳｉＨ4：希ガス）を１：９９〜５：９５に制御することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加する第２工程と、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成する第４の工程と、
前記バリア層上にプラズマＣＶＤ法で希ガス元素を含む第２の半導体膜を、モノシランと希ガスと水素とを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させることにより形成する第５工程と、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第６工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第７工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加する第２工程と、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成する第４の工程と、
前記バリア層上にプラズマＣＶＤ法で希ガス元素を含む第２の半導体膜を、モノシランと希ガスと水素とを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させることにより形成する第５工程と、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第６工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第７工程と、
前記バリア層を除去する第８の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記第５の工程で形成される第２の半導体膜には、前記希ガス元素が１×１０20／ｃｍ3〜１×１０21／ｃｍ3の濃度で含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
用いるレーザー光としては、パルス発振型または連続発光型であるエキシマレーザーやＹＡＧレーザーやＹＶＯ4レーザー、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなどを用いることができる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、パルス発振型のエキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００mJ/cm2(代表的には２００〜３００mJ/cm2)とする。また、パルス発振型のＹＡＧレーザーやＹＶＯ4レーザーを用いる場合にはその第２高調波または第３高調波を用いパルス発振周波数１〜１０ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００mJ/cm2(代表的には３５０〜５００mJ/cm2)とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％として行えばよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月18日(2005.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第２の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記絶縁膜は窒化珪素膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第２の半導体膜に含まれる酸素濃度は、前記第１の半導体膜に含まれる酸素濃度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の半導体膜に含まれる酸素濃度は、５×１０18／ｃｍ3以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２の半導体膜に含まれる酸素濃度は、５×１０18／ｃｍ3よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２の半導体膜は、希ガス元素を含む雰囲気中で半導体をターゲットとするスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２の半導体膜は、希ガス元素を含む雰囲気中でリンまたはボロンを含む半導体をターゲットとするスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、加熱処理により、前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記半導体膜に強光を照射する処理により、前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれか一において、加熱処理を行い、且つ、前記半導体膜に強光を照射する処理により、前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記バリア層は、オゾンを含む溶液で前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記バリア層は、紫外線の照射で前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記バリア層は、レーザー光の照射により前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化した後、さらにオゾンを含む溶液で前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、前記第２の半導体膜の内部応力は、圧縮応力であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室にモノシランと希ガスと窒素とを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて、希ガス元素及び窒素を含み、且つ非晶質構造を有する半導体膜を被表面上に成膜することを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記プラズマを発生させる際、成膜室内における圧力は、２．６６６Ｐａ〜１３３．３Ｐａであることを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記希ガスに対する窒素の流量比（Ｎ2／希ガス）を０．２〜５に制御することを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記プラズマを発生させるＲＦパワー密度は、０．００１７Ｗ／ｃｍ2〜１Ｗ／ｃｍ2であることを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記非晶質構造を有する半導体膜は、膜中に１×１０18／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の窒素を含むことを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記非晶質構造を有する半導体膜は、膜中に１×１０18／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の希ガス元素を含むことを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、成膜室に導入する前記希ガスと前記モノシランの流量比（ＳｉＨ4：希ガス）を０．１：９９．９〜１：９に制御することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、成膜室に導入する前記希ガスと前記モノシランの流量比（ＳｉＨ4：希ガス）を１：９９〜５：９５に制御することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項１０】
膜中に１×１０18／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の希ガス元素を含み、且つ、１×１０20／ｃｍ3〜１×１０21／ｃｍ3の濃度の窒素を含むことを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜。
【請求項１１】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素及び窒素を含む第２の半導体膜を形成し、
加熱して前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第２の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記第２の半導体膜は、成膜室にモノシランと希ガスと窒素とを原料ガスとして導入してプラズマを発生させるプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２において、前記第２の半導体膜は、膜中に１×１０18／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の窒素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一において、前記第２の半導体膜は、膜中に１×１０18／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の希ガス元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一において、前記希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月9日(2004.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素吸蔵合金粉末を過酸化水素水および酸の混合溶液に投入することにより、前記水素吸蔵合金粉末の表面にくぼみを形成して比表面積を増大させる工程（１）を含むことを特徴とする電極用水素吸蔵合金粉末の製造方法。
【請求項２】
前記工程（１）において、前記水素吸蔵合金の比表面積を２〜４倍に増大させる請求項１記載の電極用水素吸蔵合金粉末の製造方法。
【請求項３】
前記工程（１）において、前記混合溶液が０．５〜５重量％の過酸化水素水を含む請求項１または２記載の電極用水素吸蔵合金粉末の製造方法。
【請求項４】
前記工程（１）において、前記水素吸蔵合金粉末を前記混合溶液に１０〜６０℃で３〜６０秒間浸漬する請求項１〜３のいずれかに記載の電極用水素吸蔵合金粉末の製造方法。
【請求項５】
前記くぼみの平均直径が０．１μｍ以上２μｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の電極用水素吸蔵合金粉末の製造方法。
【請求項６】
前記工程（１）を経た前記水素吸蔵合金粉末をアルカリ水溶液に浸漬して処理する工程（２）および／または前記工程（１）を経た前記水素吸蔵合金粉末を酸水溶液に浸漬して処理する工程（３）を含む請求項１〜５のいずれかに記載の電極用水素吸蔵合金粉末の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法によって得られた電極用水素吸蔵合金粉末。
【請求項８】
請求項７記載の電極用水素吸蔵合金粉末を用いた電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
角板状の絶縁性基板の表面にヒューズエレメントを形成し、該ヒューズエレメントを保護膜で被覆し、前記基板の両端部に電極を配設したチップ型電流ヒューズの製造方法において、
熱伝導率の低い絶縁性基板上に、金属材料をスパッタリングまたは蒸着で着膜し、フォトレジストをコートしてパターンをマスクとして金属材料をエッチングにより除去してヒューズエレメントパターンを形成することを特徴とするチップ型電流ヒューズの製造方法。
【請求項２】
絶縁性基板上に、紫外線で感光可能なフォトレジストをコートし、フォトマスクを介して紫外線を前記レジストにあて露光させ、現像してレジストパターンを形成し、金属材料を基板全体にデポジットし、前記レジストを除去することで前記金属材料のヒューズエレメントパターンを形成することを特徴とする請求項１記載のチップ型電流ヒューズの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁性基板は、耐熱性の低い基板であることを特徴とする請求項１または２記載のチップ型電流ヒューズの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁性基板として、ガラスセラミック基板、ガラスエポキシ基板、またはポリイミド基板を用いることを特徴とする請求項１または２記載のチップ型電流ヒューズの製造方法。
【請求項５】
角板状の絶縁性基板の表面にヒューズエレメントを形成し、該ヒューズエレメントを保護膜で被覆し、前記基板の両端部に電極を配設したチップ型電流ヒューズの製造方法において、
熱伝導率の低い絶縁性基板上に、感光性導電ペーストを塗布し、フォトリソグラフィによりヒューズエレメントパターンを形成し、高温で焼成することを特徴とするチップ型電流ヒューズの製造方法。
【請求項６】
前記絶縁性基板として、ガラスセラミック基板を用いたことを特徴とする請求項５記載のチップ型電流ヒューズの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録紙に画像を形成するカラー画像形成装置において、
（ａ）像担持体と、前記像担持体に形成された静電潜像を現像するたもの現像装置と、を有する、前記カラー画像形成装置の装置本体に着脱可能に装着された複数のプロセスカートリッジと、
（ｂ）前記複数のプロセスカートリッジにおいて前記現像装置によって現像された前記像担持体上のトナー像が、転写される中間転写体と、
（ｃ）前記中間転写体に残留するトナーを前記中間転写体から除去する除去手段と、
を有し、
前記複数のプロセスカートリッジのうち少なくとも１つに、前記除去手段によって前記中間転写体から除去したトナーを回収する廃トナー容器を備えたことを特徴とするカラー画像形成装置。
【請求項２】
前記除去手段は、前記中間転写体に残留するトナーを、前記廃トナー容器を有するプロセスカートリッジに設けられた前記像担持体にもどす逆転写部材を有し、
更に、前記廃トナー容器を有するプロセスカートリッジは、前記像担持体上のトナーを廃トナー容器に回収するクリーニング部材を有することを特徴とする請求項１記載のカラー画像形成装置。
【請求項３】
前記逆転写部材は、前記中間転写体に残留するトナーを帯電する帯電部材を有することを特徴とする請求項２記載のカラー画像形成装置。
【請求項４】
前記除去手段は、前記中間転写体に残留するトナーを、直接前記廃トナー容器に回収する機構を備えることを特徴とする請求項１記載のカラー画像形成装置。
【請求項５】
前記廃トナー容器は、交換頻度の高いプロセスカートリッジに備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のカラー画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、中間転写体を使用した、複写機、レーザービームプリンタなどの電子写真方式のカラー画像形成装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本願発明の目的は、中間転写体に残留するトナーを回収する廃トナー容器の交換のユーザビリティを改善することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の代表的な構成は、記録紙に画像を形成するカラー画像形成装置において、（ａ）像担持体と、前記像担持体に形成された静電潜像を現像するたもの現像装置と、を有する、前記カラー画像形成装置の装置本体に着脱可能に装着された複数のプロセスカートリッジと、（ｂ）前記複数のプロセスカートリッジにおいて前記現像装置によって現像された前記像担持体上のトナー像が、転写される中間転写体と、（ｃ）前記中間転写体に残留するトナーを前記中間転写体から除去する除去手段と、を有し、前記複数のプロセスカートリッジのうち少なくとも１つに、前記除去手段によって前記中間転写体から除去したトナーを回収する廃トナー容器を備えたことを特徴とするカラー画像形成装置。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、中間転写体に残留するトナーを回収する廃トナー容器の交換のユーザビリティを改善することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ１）活性光線又は放射線の照射により、少なくとも１つのフッ素原子及び／又は少なくとも１つのフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物少なくとも１種、
（Ａ２）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する、フェナシルスルホニウム塩構造を有する化合物及びアルキルスルホニウム塩構造を有する化合物から選ばれる少なくとも１種及び
（Ｂ）単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【請求項２】
請求項１に記載のポジ型感光性組成物により膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
介護者と被介護者とに相当する関係が成立する現場において、標準のトレーニング・スケジュールに基づいて、介護者のトレーニング・スケジュールを作成するスケジュール作成装置であって、
被介護者の一部又は全部に対し、介護者についての１以上の質問事項から成る評価形式のアンケート調査を、複数回行った結果から、基準に満たない評価の質問事項に対する改善メニューを特定する特定手段と、
標準のトレーニング・スケジュールに、特定手段が特定した改善メニューの内容を追加するスケジュール再編成手段とで構成されることを特徴とするスケジュール作成装置。
【請求項２】
特定手段は、トレーニング・スケジュールを作成する介護者について、被介護者の一人に、アンケート調査を、複数回行った結果から、基準に満たない評価の項目に対する改善メニューを特定することを特徴とする請求項１記載のスケジュール作成装置。
【請求項３】
特定手段は、トレーニング・スケジュールを作成する介護者について、介護者がサポートしている複数の被介護者に、アンケート調査を、１回若しくは複数回行った結果から、基準に満たない評価の項目に対する改善メニューを特定することを特徴とする請求項１記載のスケジュール作成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１のスケジュール作成装置は、介護者と被介護者とに相当する関係が成立する現場において、標準のトレーニング・スケジュールに基づいて、介護者のトレーニング・スケジュールを作成するスケジュール作成装置であって、被介護者の一部又は全部に対し、介護者についての１以上の質問事項から成る評価形式のアンケート調査を、複数回行った結果から、基準に満たない評価の質問事項に対する改善メニューを特定する特定手段と、標準のトレーニング・スケジュールに、特定手段が特定した改善メニューの内容を追加するスケジュール再編成手段とで構成されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の請求項２のスケジュール作成装置は、請求項１のスケジュール作成装置であって、特定手段は、トレーニング・スケジュールを作成する介護者について、被介護者の一人に、アンケート調査を、複数回行った結果から、基準に満たない評価の項目に対する改善メニューを特定することを特徴とする。
また、本発明の請求項３のスケジュール作成装置は、請求項１のスケジュール作成装置であって、特定手段は、トレーニング・スケジュールを作成する介護者について、介護者がサポートしている複数の被介護者に、アンケート調査を、１回若しくは複数回行った結果から、基準に満たない評価の項目に対する改善メニューを特定することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【発明の効果】
本発明の請求項１のスケジュール作成装置は、標準のトレーニング・スケジュール内容に、アンケート調査を受けた被介護者の意見が取り込まれた形のトレーニング・スケジュールを作成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の請求項２のスケジュール作成装置は、請求項１のスケジュール作成装置であって、被介護者が一人の場合であっても、複数回にわたり行ったアンケート調査の結果より改善メニューを特定し、これを標準のトレーニング・スケジュール内容に追加することで、介護者の提供するサービスの質の向上を、適切な内容のスケジュールに従い無理なく行うことができる。
また、本発明の請求項３のスケジュール作成装置は、請求項１のスケジュール作成装置であって、複数の介護者に対して、１回又は複数回にわたり行ったアンケート調査の結果より改善メニューを特定し、これを標準のトレーニング・スケジュール内容に追加することで、介護者の提供するサービスの質の向上を、適切な内容のスケジュールに従い無理なく行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月5日(2004.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記データ情報は、データ組を少なくとも１つ有し、
各前記データ組は、前記複数の被制御部のうちの１つに送信されるべきデータと、前記データの送信先を示すための識別子とを有し、
各前記複数の被制御部は、自身に対応する前記識別子を有するデータ組を受信する、請求項１記載のデータ転送システム。