【手続補正書】
【提出日】平成16年11月9日(2004.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンとを有し、
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と光電変換素子とを有し、
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、
当該一部の画素の座標を検出することを特徴とする情報装置。
【請求項２】
マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンとを有し、
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と光電変換素子とを有し、
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、
当該光電変換素子に入力された光の強度を検出することを特徴とする情報装置。
【請求項３】
マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンとを有し、
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と、光電変換素子と、第１のＴＦＴと、
第２のＴＦＴとを有し、
前記第１のＴＦＴをオンすることで、前記ＥＬ素子を発光させ、
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、
前記第２のＴＦＴをオンすることで、当該光電変換素子に入力された光の強度を検出し、
前記光の強度を用いて、当該一部の画素の座標を検出することを特徴とする情報装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のＴＦＴの活性層と前記第２のＴＦＴの活性層とは、同じ絶縁表面上に形成されていることを特徴とする情報装置。
【請求項５】
マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンと、複数のセンサ用出力配線と、複数のセンサ用ゲート信号線と、複数のリセット用ゲート信号線と、複数のセンサ用電源線とを有し、
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と、光電変換素子と、選択用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴとを有し、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のセンサ用ゲート信号線のうちの１本に接続され、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数のセンサ用出力配線のうちの１つに接続され、他方は、前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続され、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は、前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、
前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極は、前記光電変換素子及び前記リセット用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方に接続され、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の他方は、前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のリセット用ゲート信号線のうちの１つに接続され、
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、
当該光電変換素子に入力された光の強度を検出し、
前記光の強度を用いて、当該一部の画素の座標を検出することを特徴とする情報装置。
【請求項６】
マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンと、複数のＥＬ表示用ソース信号線と、複数のＥＬ表示用ゲート信号線と、複数の電源供給線とを有し、
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と、光電変換素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴとを有し、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のＥＬ表示用ゲート信号線のうちの１本に接続され、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数のＥＬ表示用ソース信号線のうちの１つに接続され、他方は、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数の電源供給線のうちの１つに接続され、他方は、前記ＥＬ素子に接続され、
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、
当該光電変換素子に入力された光の強度を検出し、
前記光の強度を用いて、当該一部の画素の座標を検出することを特徴とする情報装置。
【請求項７】
マトリクス状に配置された複数の画素と、入力ペンと、複数のセンサ用出力配線と、複数のセンサ用ゲート信号線と、複数のリセット用ゲート信号線と、複数のセンサ用電源線と、複数のＥＬ表示用ソース信号線と、複数のＥＬ表示用ゲート信号線と、複数の電源供給線とを有し、
前記複数の画素それぞれは、ＥＬ素子と、光電変換素子と、選択用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴとを有し、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のセンサ用ゲート信号線のうちの１本に接続され、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数のセンサ用出力配線のうちの１つに接続され、他方は、前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続され、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は、前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、
前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極は、前記光電変換素子及び前記リセット用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方に接続され、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の他方は、前記複数のセンサ用電源線のうちの１つに接続され、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のリセット用ゲート信号線のうちの１つに接続され、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は、前記複数のＥＬ表示用ゲート信号線のうちの１本に接続され、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数のＥＬ表示用ソース信号線のうちの１つに接続され、他方は、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続され、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域の一方は、前記複数の電源供給線のうちの１つに接続され、他方は、前記ＥＬ素子に接続され、
前記ＥＬ素子が発した光を、前記入力ペンのペン先によって反射し、
反射された光を、前記複数の画素のうち一部の画素の前記光電変換素子に入力し、
当該光電変換素子に入力された光の強度を検出し、
前記光の強度を用いて、当該一部の画素の座標を検出することを特徴とする情報装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記選択用ＴＦＴの活性層と、前記バッファ用ＴＦＴの活性層と、前記リセット用ＴＦＴの活性層と、前記スイッチング用ＴＦＴの活性層と、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴの活性層とは、同じ絶縁表面上に形成されていることを特徴とする情報装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記光電変換素子は、フォトダイオードであることを特徴とする情報装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記フォトダイオードは、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に挟まれた光電変換層とを有することを特徴とする情報装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記光電変換層は、有機材料によって構成されていることを特徴とする情報装置。
【請求項１２】
請求項９において、
前記フォトダイオードは、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層との間に挟まれた光電変換層とを有することを特徴とする情報装置。
【請求項１３】
請求項１０または請求項１２において、
前記光電変換層は、非晶質半導体によって構成されていることを特徴とする情報装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記ＥＬ素子が発した光を、被写体の表面に照射し、
前記被写体の表面によって反射された光を前記光電変換素子に入力することを特徴とする情報装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記被写体の表面の情報は、生体情報であることを特徴とする情報装置。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記生体情報は、掌紋であることを特徴とする情報装置。
【請求項１７】
請求項１５において、
前記生体情報は、指紋であることを特徴とする情報装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記情報装置は、ＰＤＡ、携帯電話、携帯型ゲーム機、電子書籍、または携帯情報端末である。