【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ又は複数の基板を備えた構造体を形成する過程を有し、
前記１つ又は複数の基板は、単一の基板又は複数の基板を互いに結合したものからなり、
前記構造体は、前記１つ又は複数の基板の少なくとも一部を含む、及び／又は前記１つ又は複数の基板に取り付けられた非電子機能部品を有し、
前記１つ又は複数の基板は、第１面、前記第１面側に設けられた開口、開口内に設けられた導体を備える第１の基板を含み、
当該方法が更に、前記第１の基板における第２面において前記導体が露出するように、前記構造体から材料を除去する過程を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記開口内の前記導体は、前記１つ又は複数の基板上に作成された回路の一部であり、前記非電子機能部品の動作に使用されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記１つ又は複数の基板は、互いに結合された複数の基板であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記構造体形成過程が、
前記複数の基板の一つをなす基板Ｓ１上に、周囲よりも突出した離隔部材を設ける過程と、
前記離隔部材が、前記基板Ｓ１と、前記複数の基板の一つをなす別の基板Ｓ２との間に位置するように、前記基板を互いに結合する過程とを有し、
前記第１の基板が、前記両基板Ｓ１、Ｓ２の一方からなることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記離隔部材する材料が、前記開口を少なくとも部分的に埋めることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記他の基板Ｓ２への前記基板Ｓ１の結合は、前記離隔部材が硬化する前に行われ、結合中に、前記離隔部材の材料が、前記開口内に流入することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記基板Ｓ１又はＳ２上に、前記両基板Ｓ１、Ｓ２間の最小限の間隔を保つためのスペーサを作成することにより、前記基板Ｓ１、Ｓ２間に少なくとも部分的に位置する前記非電子機能部品を保護することを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項８】
前記他の基板Ｓ２への前記基板Ｓ１の結合は、前記離隔部材が固まる前に行われ、前記スペーサが、前記離隔部材の固まっていない材料中にある固い材料であることを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記第１の基板における前記第２面の第１部分から材料を除去することにより、前記第１部分を前記第１の基板における前記第２面の第２部分に対して凹設することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記導体が前記第２面上に露出した後に、前記構造体をダイシングすることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の基板は、前記した基板から材料を除去する間に、前記非電子機能部品を少なくとも部品的に保護する第２の基板を含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第２面上に露出した導体の表面を配線用基板に取り付けることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記第２面は、前記第１面の反対側であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の基板は、半導体基板であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記第２面側の前記半導体物質上に絶縁体を形成し、前記絶縁体は前記第２面側の導体を完全には覆わないことを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記開口は、前記第１面に一つ又は複数形成され、前記開口内には電気的信号を伝達するための導体を有し、前記第２面から材料を除去することにより、前記開口内において前記導体を露出させることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記非電子機能部品の動作により、前記構造体が、（ａ）動く又は変形する、及び／又は（ｂ）電磁放射線を放射、検出、又はその他の相互作用を行うことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１８】
１つ又は複数の基板を備えた構造体を有するデバイスであって、
前記１つ又は複数の基板は、単一の基板又は複数の基板を互いに結合したものからなり、
前記１つ又は複数の基板は、第１面、第２面、前記第１面から前記第２面に貫通する開口、及び前記開口内に設けられた導体を含み、
前記導体は前記第２面側に露出し、
前記構造体は、前記第１の基板側における前記第１面の少なくとも一部を含む、及び／又は前記第１の基板における前記第１面に取り付けられた非電子機能部品を有することを特徴とするデバイス。
【請求項１９】
前記開口内の前記導体は、前記１つ又は複数の基板上に作成された回路の一部であり、前記非電子機能部品の動作に使用されることを特徴とする請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記１つ又は複数の基板は、互いに結合された複数の基板であることを特徴とする請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記構造体は、前記１つ又は複数の基板をなす基板Ｓ１、基板Ｓ２間に、離隔部材を有し、
前記第１の基板が、前記両基板Ｓ１、Ｓ２の一方からなることを特徴とする請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記離隔部材は、前記開口を少なくとも部分的に埋めることを特徴とする請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記基板Ｓ１又は基板Ｓ２上に作成されたスペーサを有することを特徴とする請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記スペーサは、前記離隔部材に埋め込まれたガラス又は樹脂製の球状部材であることを特徴とする請求項２３に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記導体が前記第２面における第１部分において露出され、前記第２面は、該第２面から前記第１部分よりも突出する第２部分を有することを特徴とする請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記第２面を覆い、該第２面上に露出した導体から前記第２部分に延出する１つ又は複数の相互接続線と、前記第２部分上の接続部を露出させた状態で前記第２面上の前記導体を覆う絶縁体とを有し、前記接続部は１つ又は複数の前記相互接続線により前記導体と電気的に接続していることを特徴とする請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２７】
配線用基板を前記第２面上に露出した導体の表面に取り付けることを特徴とする請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記第２面は、前記第１面の反対側であることを特徴とする請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記開口は、前記第１の基板を前記第１面から前記第２面に貫通する一つ又は複数の開口であり、該開口には前記第２面に露出する導体が設けられていることを特徴とする請求項１８に記載のデバイス。
【請求項３０】
非電子機能部品の動作は、（ａ）動く又は変形する、（ｂ）電磁放射線を放射、検出、又はその他の相互作用を行うことを特徴とする請求項１８に記載のデバイス。
【請求項３１】
第１面、前記第１面に設けられた開口、前記開口内に設けられた導体を含む第１の基板を有する構造体を形成する過程を有し、
前記第１の基板における前記第２面において前記導体を露出させるために前記基板から材料を除去し、
前記第１の基板における前記第２面の第１部分から材料を除去することにより、前記第１の部分を前記第１の基板における前記第２面の第２部分に対して凹設することを特徴とする製造方法。
【請求項３２】
前記構造体がチップを構成し、
前記開口は前記チップの境界付近に位置し、前記第２部分は前記チップの境界に向かって延出する延出部を有していることを特徴とする請求項９又は請求項３１に記載の製造方法。
【請求項３３】
前記第１の基板は前記第１面側に複数の開口を有し、各開口には導体が設けられ、前記第２面側において、前記材料を除去することにより、前記第２各開口に設けられた導体を露出させ、
前記延出部は、各開口間において前記境界に向かって延出することを特徴とする請求項３２に記載の製造方法。
【請求項３４】
前記境界に向かって延出する前記延出部は、前記境界に少なくとも前記開口と同じくらい近接することを特徴とする請求項３３に記載の製造方法。
【請求項３５】
前記境界に向かって延出する前記延出部は、前記境界に達することを特徴とする請求項３２に記載の製造方法。
【請求項３６】
前記境界に向かって延出する前記延出部は、前記チップの隅に達することを特徴とする請求項３２に記載の製造方法。
【請求項３７】
前記境界に向かって延出する前記延出部は、前記境界に前記第２面において露出している導体と同じくらい近接することを特徴とする請求項３２に記載の製造方法。
【請求項３８】
境界前記延出部は、前記チップの隅に向かって延出することを特徴とする請求項３２に記載の製造方法。
【請求項３９】
前記第２面上に、露出された導体から前記第２部分に延出する１つ又は複数の相互接続線を形成する過程と、
前記第２面上に、前記第２部分において接続部を露出させた状態で、前記導体を覆う絶縁体を形成する過程とを含み、
前記接続部は前記１つ又は複数の相互接続線によって前記導体と電気的に接続することを特徴とする請求項９又は請求項３１に記載の製造方法。
【請求項４０】
前記第１の基板は半導体基板であることを特徴とする請求項３１に記載の製造方法。
【請求項４１】
前記開口は、前記導体を前記開口の側壁から隔離する第１の絶縁体を有し、
（Ａ）前記第１の絶縁体を露出させるために、前記第２面から半導体材料を除去する過程と、
（Ｂ）前記導体を露出させるために、前記第２面上の前記第１の絶縁体を除去する過程とを含むことを特徴とする請求項１４又は請求項４０に記載の製造方法。
【請求項４２】
前記第２面において、前記半導体材料上に第２の絶縁体を形成する過程を含み、前記第２の絶縁体は前記導体を完全には覆わないことを特徴とする請求項４１に記載の製造方法。
【請求項４３】
前記第２の絶縁体は、前記（Ｂ）過程の後に形成されることを特徴とする請求項４２に記載の製造方法。
【請求項４４】
前記第２の絶縁体は、前記（Ａ）過程の後、かつ前記（Ｂ）過程において前記導体が露出される前に形成されることを特徴とする請求項４２に記載の製造方法。
【請求項４５】
前記第２の絶縁体を形成する過程が、
前記半導体材料及び導体上に前記第２の絶縁体を形成する過程と、
前記半導体材料上の前記第２の絶縁体を完全に除去することなく、少なくとも前記導体の一部を覆う前記第２の絶縁体を完全に除去するため、前記第２の絶縁体をブランケットエッチング法によりエッチングする過程とを含むことを特徴とする請求項４２に記載の製造方法。
【請求項４６】
第１の基板を含む構造体を有するデバイスであって、
前記第１の基板は、第１面、第２面、前記第１面から前記第２面に貫通する開口、及び前記開口内に設けられ、前記第２面側に露出する導体を含み、
前記導体は、前記第２面における第１部分において露出し、
前記第２面は、該第２面から前記第１部分よりも突出している第２部分を有することを特徴とするデバイス。
【請求項４７】
前記開口は前記構造体の境界付近に位置し、前記第２部分は前記構造体の境界に向かって延出する延出部を有していることを特徴とする請求項２５又は請求項４６に記載のデバイス。
【請求項４８】
前記第１の基板は前記第１面から前記第２面に貫通する複数の開口を有し、各開口には導体が設けられ、前記延出部は、前記開口間において前記境界に向かって延出することを特徴とする請求項４７に記載のデバイス。
【請求項４９】
前記境界に向かって延出する前記延出部は、前記境界に達することを特徴とする請求項４７に記載のデバイス。
【請求項５０】
前記境界に向かって延出する前記延出部は、前記境界に少なくとも前記開口と同じくらい近接することを特徴とする請求項４７に記載のデバイス。
【請求項５１】
前記境界に向かって延出する前記延出部は、前記境界に前記第２面において露出している導体と同じくらい近接することを特徴とする請求項４７に記載のデバイス。
【請求項５２】
前記延出部は、前記チップの隅に達することを特徴とする請求項４７に記載のデバイス。
【請求項５３】
前記第２面上に露出された導体から前記第２部分に延出する１つ又は複数の相互接続線と、
前記第２面上で、前記第２部分において接続部を露出させた状態で、前記導体を覆う絶縁体とを有し、
前記接続部は前記１つ又は複数の相互接続線によって前記導体と電気的に接続することを特徴とする請求項４７に記載のデバイス。
【請求項５４】
前記第１の基板は半導体基板であることを特徴とする請求項１８又は請求項４６に記載のデバイス。
【請求項５５】
前記開口は、前記導体を前記開口の側壁から隔離する第１の絶縁体を有することを特徴とする請求項５４に記載のデバイス。
【請求項５６】
前記第２面上に前記半導体材料を覆う第２の絶縁体を有し、前記絶縁体は前記第２面において前記導体を完全には覆わないことを特徴とする請求項５５に記載のデバイス。
【請求項５７】
前記第２面上に前記半導体材料を覆う絶縁体を有し、前記絶縁体は前記第２面において前記前記導体を完全には覆わないことを特徴とする請求項５４に記載のデバイス。