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【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子および該発光素子を駆動する駆動電極が設けられ、前記発光素子と前記駆動電極とによって発光領域と外部電極とが形成されたパネル基板と、封止基板とを封止樹脂を介して貼り合わせる表示装置の製造方法であって、
前記パネル基板に前記外部電極を形成した後で前記封止基板を貼り合わせる前に、前記外部電極を被覆する保護膜を形成する工程と、
前記パネル基板と前記封止基板とを前記封止樹脂を介して貼り合わせた後に前記保護膜とともに前記保護膜に付着した前記封止樹脂を除去して前記外部電極を露出させる工程と
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置の製造方法であって、
前記保護膜が樹脂製の粘着テープからなる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
発光素子および該発光素子を駆動する駆動電極が設けられ、前記発光素子と前記駆動電極とによって複数の発光領域と外部電極とが形成されたパネル基板と、封止基板とを封止樹脂を介して貼り合わせる表示装置の製造方法であって、
前記パネル基板に前記外部電極を形成した後で前記封止基板を貼り合わせる前に、前記外部電極を被覆する保護膜を形成する工程と、
前記パネル基板と前記封止基板とを前記封止樹脂を介して貼り合わせた後に前記保護膜とともに前記保護膜に付着した前記封止樹脂を除去して前記外部電極を露出させる工程と
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の表示装置の製造方法であって、
前記保護膜を形成する工程において、前記保護膜が前記複数の外部電極を同時に覆うように形成される
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の表示装置の製造方法であって、
前記外部電極を露出させる工程において、前記保護膜および前記保護膜に付着した前記封止樹脂がローラーによって剥離される
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、かかる点を鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子を封止樹脂により封止する際に封止樹脂の外部電極側への拡散を防止し、歩留まりの良い安定した生産が可能な表示装置の製造方法を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の表示装置の製造方法は、発光素子および該発光素子を駆動する駆動電極が設けられ、前記発光素子と前記駆動電極とによって発光領域と電極領域とが形成されたパネル基板と、封止基板とを封止樹脂を介して貼り合わせる表示装置の製造方法であって、前記パネル基板に外部電極を形成した後で前記封止基板を貼り合わせる前に、前記外部電極を被覆する保護膜を形成する工程と、前記パネル基板と前記封止基板とを前記封止樹脂を介して貼り合わせた後に前記保護膜とともに前記保護膜に付着した前記封止樹脂を除去して前記外部電極を露出させる工程とを備えた製造方法である。または、前記パネル基板が、前記発光素子と前記駆動電極とによって複数の発光領域と電極領域とが形成されたものであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次いで、図１（ｂ）に示すように、パネル基板１と同様に封止基板３も大型のものを用意した後、パネル基板１に形成された各発光領域Ｌを覆う適量の封止樹脂２を未硬化な状態で、例えばディスペンサを用いて各発光領域Ｌ上に塗布する。次いで、各封止樹脂２を介してパネル基板１に封止基板３を接着する。その後、各発光領域間に位置する封止基板３の不要部分を除去する。このような、いわゆる多面取りを行う場合には、パネル基板１と封止基板３とを各封止樹脂２を介して貼り合わせるため、パネル基板１と封止基板３との間で封止樹脂２の毛細管現象が生じ、例えば図１（ｃ）に示すように、未硬化の封止樹脂２が発光領域Ｌより外側方向、すなわち外部電極４方向に拡散しようとする。そして拡散した封止樹脂２は、パネル基板１に形成された外部電極領域Ｅを被覆する保護膜１１上にも広がる。なお、（ｃ）図では図面をわかり易くするために封止基板３の図示は省略した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
なお、上記実施の形態では、多面取りを行う事例により説明したが、１枚のパネル基板に一つの表示装置を形成する場合であっても、多面取りの場合と同様に、本発明の表示装置の製造方法を適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
同様に、同じ厚みであっても、第２セパレータの材質を第１セパレータの材質より機械的強度が弱いものを使用することで、前記デントライトによる内部短絡が第１セパレータより先に第２セパレータで起きるようにすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004111186.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】  複数の燃料電池を積層させた積層体を、一対のエンドプレートで挟持し、
前記積層体の端部またはエンドプレート部近傍に電気ヒータを設けてなり、
前記燃料電池の発電停止時に電気ヒータを作動させる処理と、
前記燃料電池に滞留する水を排出する処理とを行う制御手段を設けたことを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項２】  前記制御手段は、前記電気ヒータを作動させる処理開始から所定時間後に、前記水を排出する処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の燃料電池スタック。
【請求項３】  前記制御手段は、前記電気ヒータを作動させる処理と、前記水を排出する処理とを並行して行うことを特徴とする請求項１に記載の燃料電池スタック。
【請求項４】 前記水を排出する処理は、燃料電池の反応ガス流路にパージ用ガスを圧送するパージ処理であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の燃料電池スタック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ステップＳ１６で、端部側の燃料電池２ｔが中央側の燃料電池２ｍと略同じ温度に上昇するのに必要な所定時間が経過したことをＥＣＵ６にて検知すると、ステップＳ１８で、電気ヒータ５を停止させる。このとき、端部側の燃料電池２ｔの温度が矢印Ａ（図５参照）のように上昇して中央側の燃料電池２ｍと略同じ温度となっているため、端部側の燃料電池２ｔの相対湿度が矢印Ｂ（図６参照）のように低下して中央側の燃料電池２ｍと略同じ相対湿度となっている。よって、各燃料電池２において、滞留する水の量は略等しくなっている。そして、ステップＳ２０で、各燃料電池２に滞留する水をパージ処理により排出する。ここで、パージ用ガスを圧送するコンプレッサ７を駆動するための電力は、各燃料電池２により供給する。ステップＳ２２で、パージ処理が完了する所定時間を経過したことをＥＣＵ６にて検知すると、ステップＳ２４で発電処理を停止して、一連の処理を終了する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、図１１は本発明の燃料電池スタックの他の変形例を示す断面図である。
図１２は、図１１に示した電気ヒータ２１とこれを備えるエンドプレート２６の平面図である。この変形例においては、略蛇行形状に形成された電気ヒータ２１をエンドプレート２６内に挿入した点が、実施の形態における燃料電池スタック１と異なっている。
このように、電気ヒータの配置位置は、ターミナルプレート内に限らず、ターミナルプレートとインシュレータ間や、エンドプレート内であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機ＥＬパネルおよび電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光透過性電極と、
前記第１の光透過性電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２の光透過性電極と、
前記第２の光透過性電極上に設けられた散乱反射層を有することを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記散乱反射層には微小な凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
前記散乱反射層が無光沢メッキあるいは半光沢めっき膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項４】
前記散乱反射層が電析銀であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項５】
第１の光透過性電極層は、陽極であり、
第２の光透過性電極層は、陰極である
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項６】
第１の光透過性電極層は、陰極であり、
第２の光透過性電極層は、陽極である
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項７】
前記発光層が仕切りにより囲まれていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル
【請求項８】
複数の前記前記第1の光透過性電極を有し、
前記複数の第１電極の端部を覆い、前記複数の第１電極の隙間に設けられた無機材料層を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項９】
前記発光層は、溶剤に溶かされた状態で塗布されたものである
ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項１０】
前記散乱反射層は、乳白色である
ことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項１１】
前記散乱反射層は、めっきにより形成されることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項１２】
パッシブマトリックス型のカラー有機ＥＬパネルである
ことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項１３】
アクティブマトリックス型のカラー有機ＥＬパネルである
ことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネルを、
有することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
前記散乱反射層が、有機ＥＬパネルが設置される位置の周辺の色と、略同一色であることを特徴とする請求項１４に記載の電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明にかかる有機ＥＬパネルは第１の光透過性電極と、前記第１の光透過性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第２の光透過性電極と、前記第２の光透過性電極上に設けられた散乱反射層を有することを特徴とする。
また、発光層と、観察者からみて発光層の背面側に設けられ、観察者側からの入射光を散乱反射する散乱反射層とを具備する構成を特徴とする。
また、前記散乱反射層には微小な凹凸が形成されていることが好ましい。
また、前記散乱反射層が無光沢メッキあるいは半光沢めっき膜であることが好ましい。
また、前記散乱反射層が電析銀であることをが好ましい。
このような構成によれば、観察者側から表示パネルに入射した外光は、散乱反射層において散乱反射される。このため、表示パネルは、観察者により鏡面体として視認されることがない。また、本発明の表示パネルによれば、発光層の観察者側に光散乱部などを設けることなく、鏡面体として視認されることを防止する構成になっている。これにより、表示時において、発光層から観察者側に出射された光は、その強度が不当に損なわれることなく観察者に到達する。さらに、発光層から背面側に出射された光は、散乱反射層により観察者側に反射されるため、発光層から観察者側に出射された光に加え、背面側に出射された光をも有効に表示に用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ここで、表示パネルは、発光層の一方の電極となり、発光層の観察者側に設けられる第１の光透過性電極層と、発光層の他方の電極となり、発光層と前記散乱反射層との間に位置するように設けられる第２の光透過性電極層とをさらに備える構成としても良い。
また、前記発光層が仕切りにより囲まれているようにすることが好ましい。
また、複数の前記前記第1の光透過性電極を有し、前記複数の第１電極の端部を覆い、前記複数の第１電極の隙間に設けられた無機材料層を有することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月3日(2005.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクを装着するためのディスクトレイと、
前記ディスクの再生及び／又は記録を行う再生記録機構と、
前記ディスクトレイを移動させるトレイ移動機構とを備え、
前記再生記録機構は前記ディスクトレイの移動方向に沿って複数配置され、
前記トレイ移動機構は、これらの再生記録機構の間で前記ディスクトレイを移動させることを特徴とする再生記録装置。
【請求項２】
請求項１記載の再生記録装置において、
前記ディスクトレイは第１ディスクを装着するために第１ディスクトレイと前記第１ディスクとは異なる種類の第２ディスクを装着する第２ディスクトレイとで構成され、
前記第１ディスクトレイに前記第２ディスクトレイを装置内で重ねた状態で１つのディスク出入口から出し入れ可能としたことを特徴とする再生記録装置。
【請求項３】
請求項２に記載の再生記録装置において、
前記複数の再生記録機構は、
前記ディスク出入口に対して手前に配置された第１再生記録機構と、
前記ディスク出入口に対して前記第１再生記録機構よりも奥に配置された第２再生記録機構とにより構成されてなることを特徴とする再生記録装置。
【請求項４】
請求項２に記載の再生記録装置において、
前記第１ディスクトレイは前記ディスク出入口から単体で出し入れ可能であり、前記第１ディスクを第１再生記録機構へ搬送し、
かつ前記第２ディスクトレイは前記第１ディスクに重なった状態で前記第１再生記録機構へ搬送され、その後に単体で前記第２ディスクを第２再生記録機構へ搬送することを特徴とする再生記録装置。
【請求項５】
請求項２から５のいずれかに記載の再生記録装置において、
前記第１ディスクトレイに前記第２ディスクトレイを重ねた状態でロックするロック機構を備えたことを特徴とする再生記録装置。
【請求項６】
請求項５に記載の再生記録装置において、
前記ロック機構は、
前記第１ディスクトレイに設けられ先端部に係合突起が形成された弾性爪部材と、
前記第２ディスクトレイに形成され前記係合突起が係合可能とされた係合孔とを備えてなることを特徴とする再生記録装置。
【請求項７】
請求項６に記載の再生記録装置において、
前記弾性爪部材は前記第１ディスクトレイに装着される前記第１ディスクの位置決めを兼ねていることを特徴とする再生記録装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の再生記録装置の一態様によれば、ディスクを装着するためのディスクトレイと、前記ディスクの再生及び／又は記録を行う再生記録機構と、前記ディスクトレイを移動させるトレイ移動機構とを備え、前記再生記録機構は前記ディスクトレイの移動方向に沿って複数配置され、前記トレイ移動機構は、これらの再生記録機構の間で前記ディスクトレイを移動させることを特徴としている。なお、前記ディスクトレイは第１ディスクを装着するために第１ディスクトレイと前記第１ディスクとは異なる種類の第２ディスクを装着する第２ディスクトレイとで構成され、前記第１ディスクトレイに前記第２ディスクトレイを装置内で重ねた状態で１つのディスク出入口から出し入れ可能とすることが好ましい。また、前記複数の再生記録機構は、前記ディスク出入口に対して手前に配置された第１再生記録機構と、前記ディスク出入口に対して前記第１再生記録機構よりも奥に配置された第２再生記録機構とにより構成されてなることが好ましい。また、前記第１ディスクトレイは前記ディスク出入口から単体で出し入れ可能であり、前記第１ディスクを第１再生記録機構へ搬送し、かつ前記第２ディスクトレイは前記第１ディスクに重なった状態で前記第１再生記録機構へ搬送され、その後に単体で前記第２ディスクを第２再生記録機構へ搬送することが好ましい。前記第１ディスクトレイに前記第２ディスクトレイを重ねた状態でロックするロック機構を備えることが好ましい。また、前記ロック機構は、前記第１ディスクトレイに設けられ先端部に係合突起が形成された弾性爪部材と、前記第２ディスクトレイに形成され前記係合突起が係合可能とされた係合孔とを備えてなることが好ましい。また、前記弾性爪部材は前記第１ディスクトレイに装着される前記第１ディスクの位置決めを兼ねていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
検査時において、プローブカードのプローブ針は、被検査部材の電極に当接することにより電気的接続される。テスターは、被検査部材に対してプローブ針を介して検査信号を供給し、また被検査部材からプローブ針を介して返信される信号に基づき被検査部材の検査を行なう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【従来の技術】
例えば、プローブカードを用いた半導体ウェーハ検査では、プローブカードに設けられたプローブ針をウェーハの電極に電気的に接触させることにより所定の検査を行う。この際、電極の表面には絶縁膜（アルミ電極の場合には酸化アルミニウム）が形成されているため、単に接触させただけでは正規なコンタクト抵抗を取ることができない。このため、プローブ針を強く電極にコンタクトすることにより表面絶縁膜を破る必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記発明によれば、洗浄液を用いてプローブ針を洗浄処理する洗浄装置を装置本体に一体的に組み込んだ構成としたことにより、プローブカードを装置本体から取り外すことなく、換言すれば半導体検査装置内で洗浄液を用いたプローブ針の洗浄を行なうことが可能となる。これにより、従来に比べてプローブカードを装置本体から取り外す時間の短縮を図ることができ、短時間でプローブ針の洗浄を行なうことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
上記発明によれば、乾燥装置により液体が付着したプローブ針は乾燥されるため、プローブ針に液体が付着したままの状態でプローブカードが他の室に搬送されることはなく、他の液体により汚染されることを防止できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
この半導体検査装置１０は、装置本体１０Ａ内にプローブ針１を洗浄する洗浄装置を一体的に組み込んだ構成とされており、大略すると検査室１１，洗浄用部材収納室１２（以下、第１の収納室１２という），洗浄液除去室１３，プローブカード収納室１４（以下、第２の収納室１４という），及び第１の搬送装置１５等により構成されている。この各室検査室１１〜１５は、それぞれ互いに干渉しないよう別室となるよう構成されている。また、プローブ針１を洗浄する洗浄装置は、各室１２〜１４と、第１の搬送装置１５と、後述する洗浄用部材２０及び研磨部材２２により構成される。
尚、検査室１１と第１の収納室１２はシャッター２３により、検査室１１と第１の搬送装置１５はシャッター１８により、洗浄液除去室１３と第１の搬送装置１５はシャッター３６により、更に第２の収納室１４と第１の搬送装置１５はシャッター３９により連通可能な構成とされている。各シャッター１８，２３，３６，３９は、後述する所定のタイミングで開閉する構成とされている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
上記構成とされた検査室１１の上部には、シャッター１８が設けられている。このシャッター１８は、第１の搬送装置１５により検査室１１内にプローブカード２が搬送される際、及びウェーハＷの搬入出の際に開かれ、他の時は閉まった状態を維持するよう構成されている。これにより、検査室１１と外部とが連通している時間を最小限とすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
前記したシャッター２３は、この検査室１１と第１の収納室１２との間で各部材２０，２２が搬送される際に開かれ、他の時は閉まった状態を維持するよう構成されている。これにより、検査室１１と第１の収納室１２とがシャッター２３を介して連通している時間は最小限となる。尚、本発明の要部となる洗浄用部材２０の詳細については、説明の便宜上、後述するものとする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
続いて、研磨部材２２と洗浄用部材２０の交換処理が行なわれる（ステップ１４）。具体的には、第２の搬送装置２５が駆動を開始すると共にシャッター２３が開き、チャック１７に装着されていた研磨部材２２を第１の収納室１２の分室１２Ａに搬送すると共に、分室１２Ｂに収納されていた洗浄用部材２０をチャック１７に装着する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
洗浄用部材２０によるプローブ針１の洗浄処理が終了すると、シャッター２３が開くと共に再び第２の搬送装置２５が起動して、チャック１７に装着されていた洗浄用部材２０を第１の収納室１２の分室１２Ｂに搬送し、分室１２Ａに収納されていた研磨部材２２を再びチャック１７に装着する（ステップ２２）。この洗浄用部材２０と研磨部材２２の交換処理が終了すると、シャッター２３は閉じて検査室１１と第１の収納室１２とを分離する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の主表面領域中に形成されるソース／ドレイン領域と、
前記ソース／ドレイン領域間のチャネル領域上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、Ｇｅ／（Ｓｉ＋Ｇｅ）組成比がｘ（０＜ｘ＜０．２）のｐｏｌｙ−Ｓｉ１−ｘＧｅｘ層を含むゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成され、ＮｉＳｉ１−ｙＧｅｙからなる第１の金属シリサイド膜と、
前記ソース／ドレイン領域上にそれぞれ形成され、ＮｉＳｉからなる第２，第３の金属シリサイド膜と
を有するＭＯＳＦＥＴを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
Ｇｅ／（Ｓｉ＋Ｇｅ）組成比は、より好ましくは０．０４≦ｘ≦０．１６の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ＭＯＳＦＥＴ上に形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記ゲート電極上に形成された第１のコンタクトホール内に形成される第１の金属プラグと、前記第１の金属プラグと前記第１の金属シリサイド膜との間に介在される第１のバリアメタル層と、前記層間絶縁膜の前記ソース／ドレイン領域上にそれぞれ形成された第２，第３のコンタクトホール内に形成される第２，第３の金属プラグと、前記第２，第３の金属プラグと前記第２の金属シリサイド膜との間に介在される第２，第３のバリアメタル層とを更に具備することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板中に形成されるウェル領域を更に具備し、前記ソース／ドレイン領域は前記ウェル領域中に形成され、且つ前記ソース／ドレイン領域は、ソース／ドレイン・エクステンションを有する構造であり、高濃度の第１，第２の不純物拡散領域と、これら第１，第２の不純物拡散領域におけるチャンネル領域の近傍に設けられる低濃度の第３，第４の不純物拡散領域とを有することを特徴とする請求項１乃至３いずれか１つの項に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にＧｅ／（Ｓｉ＋Ｇｅ）組成比がｘ（０＜ｘ＜０．２）のｐｏｌｙ−Ｓｉ１−ｘＧｅｘ層を含むゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板の主表面領域中に不純物を導入してソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記ゲート電極上及び前記ソース／ドレイン領域上にＮｉ膜を形成する工程と、
熱処理を行って、前記ゲート電極上のＮｉ膜をＮｉＳｉ１−ｙＧｅｙ膜に置換し、且つ前記ソース／ドレイン領域上のＮｉ膜をＮｉＳｉ膜に置換する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月22日(2005.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板と、前記光触媒含有層中の光触媒の作用により表面が酸化される無機層を有するパターン形成体用基板とを、前記光触媒含有層および前記無機層が密着、もしくは２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置した後、パターン状にエネルギーを照射し、エネルギー照射した部分の無機層の表面を酸化させ、次いで光触媒含有層側基板を取り外すことにより、無機層表面に酸化されたパターンを有するパターン形成体を得ることを特徴とするパターン形成体の製造方法。
【請求項２】
前記パターン形成体用基板が、基体と、前記基体上に形成された無機層とを有することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項３】
前記無機層が、ポリシラン、シリコン、あるいは金属を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項４】
前記光触媒含有層側基板が、基材と、前記基材上にパターン状に形成された光触媒含有層とを有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項５】
前記光触媒含有層側基板が、基材と、前記基材上に形成された光触媒含有層と、パターン状に形成された光触媒含有層側遮光部とを有し、前記エネルギー照射が、光触媒含有層側基板から行われることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項６】
前記光触媒含有層側基板において、前記基材上に前記光触媒含有層が形成され、前記光触媒含有層上に前記光触媒含有層側遮光部がパターン状に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項７】
前記光触媒含有層側基板において、前記光触媒含有層側遮光部が前記基材上にパターン状に形成され、さらにその上に前記光触媒含有層が形成されていることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項８】
前記光触媒含有層側基板が、透明な基材上にパターン状に形成された前記光触媒含有層側遮光部上にプライマー層を介して前記光触媒含有層が形成されたものであることを特徴とする請求項７に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項９】
前記光触媒含有層が、光触媒からなる層であることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項１０】
前記光触媒含有層が、光触媒を真空成膜法により基材上に成膜してなる層であることを特徴とする請求項９に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項１１】
前記光触媒含有層が、光触媒とバインダとを有する層であることを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項１２】
前記光触媒が、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、および酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）から選択される１種または２種以上の物質であることを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項１３】
前記光触媒が酸化チタン（ＴｉＯ２）であることを特徴とする請求項１２記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項１４】
前記エネルギー照射が、前記光触媒含有層を加熱しながらなされることを特徴とする請求項１から請求項１３までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
【請求項１５】
前記無機層の表面に、前記光触媒含有層を対向させてエネルギー照射する際に、前記光触媒含有層と、前記無機層表面との間隔を、０．２μｍ〜１０μｍの範囲内とすることを特徴とする請求項１から請求項１４までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、請求項１に記載するように、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板と、上記光触媒含有層中の光触媒の作用により酸化される無機層を有するパターン形成体用基板とを、上記光触媒含有層および上記無機層が密着、もしくは２００μｍ以下となるように間隙をおいて配置した後、パターン状にエネルギーを照射し、エネルギー照射した部分の無機層の表面を酸化させ、次いで光触媒含有層側基板を取り外すことにより、無機層表面に酸化されたパターンを有するパターン形成体を得ることを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このように、本発明においては、光触媒含有層と無機層とを密着、もしくは所定の間隔で離して配置し、エネルギーを照射することにより、エネルギー照射した部分の無機層表面を酸化させてパターンを形成するものであるので、特にエネルギーを照射することにより、効率よくエネルギー照射した部分の無機層表面が酸化された酸化パターンを形成し、高精細な酸化パターンを有するパターン形成体を製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、基板上面に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層が順に積層されてなる窒化物半導体発光素子であって、
前記ｎ型窒化物半導体層は、露出された上面を少なくとも２つ有し、かつ高さの異なる前記上面の間には、ほぼ垂直な側面を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】  前記窒化物半導体発光素子は、基板上面が一部露出されてなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】  前記ｎ型窒化物半導体層は、前記活性層に近い側に第１の上面を、活性層から遠い側に第２の上面を有し、該第２の上面は第１の上面よりも低い位置にあることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】  前記ｎ型窒化物半導体層は、ｎ型窒化物半導体層と活性層との接合面から連続する第１の側面と、第１の上面と第２の上面との間に位置する第２の側面と、第２の上面と露出された基板上面との間に位置する第３の側面とを有することを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】  前記第１の上面と第２の側面とは連続してなり、前記第２の上面と第３の側面との間には、それぞれに連続してなる傾斜面を有することを特徴とする請求項３または請求項４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】  基板と、基板上面に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層が順に積層されてなる窒化物半導体発光素子であって、
前記ｎ型窒化物半導体層は、露出された上面をｍ個（ただしｍは３以上の整数）有し、かつ高さの異なる前記上面の間には、ほぼ垂直な側面を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】  前記窒化物半導体発光素子は、基板上面が一部露出されてなることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】  前記ｎ型窒化物半導体層は、前記活性層に近い側に第（ｍ−１）の上面を、活性層から遠い側に第ｍの上面を有し、該第ｍの上面は第（ｍ−１）の上面よりも低い位置にあることを特徴とする請求項６乃至請求項７のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】  前記ｎ型窒化物半導体層は、第（ｍ−１）の側面と、第（ｍ−１）の上面と第ｍの上面との間に位置する第ｍの側面と、第ｍの上面と露出された基板上面もしくは第（ｍ＋１）の上面との間に位置する第（ｍ＋１）の側面と、を有することを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】  前記第（ｍ−１）の上面と第ｍの側面との間には、それぞれに連続してなる第（ｍ−２）の傾斜面を有し、前記第ｍの上面と第（ｍ＋１）の側面との間には、それぞれに連続してなる第（ｍ−１）の傾斜面を有することを特徴とする請求項９に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】  前記第１の上面および第２の上面のうち、どちらか一方にｎ電極が形成されてなることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】  前記ｎ型窒化物半導体層の上面のうち、一番高い位置にある上面にｎ電極が形成されてなることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１３】  前記基板は、窒化物半導体との接合面に、規則的に配列された凹凸が形成されてなることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１４】
第１の工程として、基板上にｎ型窒化物半導体層と活性層とｐ型窒化物半導体層とを順に積層する工程と、
第１の工程後、第２の工程として、ｐ型窒化物半導体層にマスク層を形成し、非マスク形成部をｎ型窒化物半導体層が露出するまでエッチングする工程と、
第２の工程後、第３の工程として、前記マスク層を一部除去し、非マスク形成部をｎ型窒化物半導体層が露出するまでエッチングする工程と、
第３の工程後、第４の工程として、マスク層を一部除去し、非マスク形成部をｎ型窒化物半導体層が露出するまで、かつ一部は基板が露出するまでエッチングする工程を具備することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
第１の工程後、第２の工程と第３の工程を複数回繰り返して行い、最後の第３の工程後、第４の工程を行うことを特徴とする請求項１４に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（３）  前記ｎ型窒化物半導体層は、前記活性層に近い側に第１の上面を、活性層から遠い側に第２の上面を有し、該第２の上面は第１の上面よりも低い位置にあることを特徴とする前記（１）または（２）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（８）  前記ｎ型窒化物半導体層は、前記活性層に近い側に第（ｍ−１）の上面を、活性層から遠い側に第ｍの上面を有し、該第ｍの上面は第（ｍ−１）の上面よりも低い位置にあることを特徴とする前記（６）または（７）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（１０）  前記第（ｍ−１）の上面と第ｍの側面との間には、それぞれに連続してなる第（ｍ−２）の傾斜面を有し、前記第ｍの上面と第（ｍ＋１）の側面との間には、それぞれに連続してなる第（ｍ−１）の傾斜面を有することを特徴とする前記（９）に記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（１１）  前記第１の上面および第２の上面のうち、どちらか一方にｎ電極が形成されてなることを特徴とする前記（３）から（５）のいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（１２）  前記ｎ型窒化物半導体層の上面のうち、一番高い位置にある上面にｎ電極が形成されてなることを特徴とする前記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】          明細書
【発明の名称】    パワー部品の固定構造とこれを用いたモータ制御機器
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板に実装したパワー部品の反基板側の面をヒートシンクに密着固定するパワー部品の固定構造において、
前記パワー部品の基板の長さ方向の両端部に、前記パワー部品の高さより低い上側突部を形成するとともに、前記上側突部の基板側の面に係合凹部を形成し、かつ前記ヒートシンクにも前記パワー部品の両上側突部に対応して、反基板側に係合凹部を有する下側突部を形成し、それぞれの上側突部と下側突部を、弾性を有する略Ｃ字状の係合部材で係合固定したことを特徴とするパワー部品の固定構造。
【請求項２】  請求項１に記載のパワー部品の固定構造を用いてパワー部品を実装した基板を内部に備えたことを特徴とするモータ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばモータ制御機器等において使用するパワー部品の固定構造と、これを用いたモータ制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、モータ制御機器等においては、パワー部品の固定は、図２（ａ），（ｂ）に示すようにして行っていた。すなわち、基板１に、パワー部品２を回路接続端子２ａによって接続実装するとともに、前記パワー部品の反基板側の面をヒートシンク３に密着させ、前記基板１のねじ逃げ穴１ａからねじ４を挿入して前記パワー部品２を前記ヒートシンク３に締付固定していた（たとえば特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】
実開平７−３６４６７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来技術においては、次のような問題があった。
すなわち、基板１へのパワー部品２の固定は、部品メーカーの仕様からねじ締めで行なうようになっている。また、回路接続は、パワー部品２上に基板１が載る形態となっている。この形態ではパワー部品２のねじ穴が基板１に隠れることから、基板１にねじ４を締めるためのねじ逃げ穴１ａを設けている。このねじ逃げ穴１ａの形成に必要なスペースの確保が、電子部品の基板への実装や回路パターンの基板への形成の障害になっていた。また、パワー部品をねじ締め固定するねじのトルク管理が必要であり、組立作業が面倒であった。
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、基板のスペースを有効活用することのできるパワー部品の固定構造と、これを用いたモータ制御装置を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、本発明は、基板に実装したパワー部品の反基板側の面をヒートシンクに密着固定するパワー部品の固定構造において、前記パワー部品の基板の長さ方向の両端部に、前記パワー部品の高さより低い上側突部を形成するとともに、前記上側突部の基板側の面に係合凹部を形成し、かつ前記ヒートシンクにも前記パワー部品の両上側突部に対応して、反基板側に係合凹部を有する下側突部を形成し、それぞれの上側突部と下側突部を、弾性を有する略Ｃ字状の係合部材で係合固定するようにしたものである。
また、モータ制御装置の内部に、前記パワー部品の固定構造を用いてパワー部品を実装した基板を備えるようにしたものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
図１は本発明の実施例におけるパワー部品の固定構造を示す図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
本発明は、パワー部品２の基板１への実装構造は同じであるが、基板１、パワー部品２、ヒートシンク３の構成は異なっている。
前記基板１には、従来設けていたねじ逃げ穴は形成されず、そのスペースは電子部品の基板１への実装や回路パターンの基板１への形成に有効活用される。
前記パワー部品２は、基板１の長さ方向の両端部に、パワー部品２の高さより低い上側突部２ｂを形成するとともに、前記上側突部２ｂの基板１側の面に係合凹部２ｃを形成している。
また、前記ヒートシンク３には、前記パワー部品２の両上側突部２ｂに対応して、下側突部３ａを形成するとともに、前記下側突部３ａの反基板１側の面に係合凹部３ｂを形成している。
前記パワー部品２のヒートシンク３への固定にあたっては、前記パワー部品２の上側突部２ｂとヒートシンク３の下側突部３ａの位置を合わせ、それぞれの上側突部２ｂの係合凹部２ｃと、下側突部３ａの係合凹部３ｂに、弾性を有する略Ｃ字状の係合部材（例えばバネなど）５の両端部を係合させて固定している。なお、２ｄはパワー部品２に従来から形成されているねじ穴であるが、本発明においては用いられることはない。
このように、パワー部品２は、ねじ４を用いることなくヒートシンク３に固定することができるので、基板１のスペースを有効活用することができる。その結果、基板実装部品の配置や、基板上の回路パターンルートの形成を適正に行うことができ、基板が小形化されモータ制御機器の小形化がなされる。また、パワー部品をねじ締め固定する際に必要であったねじのトルク管理が不要になり、組立作業が容易になる。
【０００７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば次のような効果がある。
（１）パワー部品のねじ締め固定が不要になり、基板のねじのねじ逃げ穴が不要になる。したがって、基板のスペースを有効活用することができ、基板実装部品の配置、基板上の回路パターンルートの適正化が可能となる。
（２）基板の小形化が可能になり、モータ制御機器の小形化ができる。
（３）パワー部品をねじ締め固定するねじのトルク管理が不要になり、組立作業が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例におけるパワー部品の固定構造を示す図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
【図２】従来技術におけるパワー部品の固定構造を示す図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
【符号の説明】
１    基板
１ａ  ねじ逃げ穴
２    パワー部品
２ａ  回路接続端子
２ｂ  上側突部
２ｃ  係合凹部
２ｄ  ねじ穴
３    ヒートシンク
３ａ  下側突部
３ｂ  係合凹部
４    ねじ
５    係合部材
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月6日(2005.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に酸化物などの膜が付着している固体基体に物質を導入する際に、プラズマを固体表面に照射する手段によって固体基体表面の処理として当該酸化物などの膜を除去して後に、所望の粒子を付着あるいは導入することを特徴とする不純物導入方法であり、前記所望の粒子を付着あるいは導入する方法は、固体基体が６００℃以下の温度の時に、当該酸化物などの膜を除去した固体基体表面に付着する水素もしくは水酸基と固体基体原子との結合エネルギーに合致したエネルギーの電磁波を照射することによって、当該結合を非結合状態に変化させ、付着した水素もしくは水酸基を脱離させて、固体を構成する原子を表面に露出させた後、所望の粒子を接触させて、固体基体表面もしくはその近傍に付着あるいは導入することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
プラズマはアルゴンまたは水素を含む系のプラズマであることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
所望の粒子を付着あるいは導入する方法は、当該酸化物などの膜を除去した固体基体表面に所望の粒子を含むガスを接触させて固体基体表面もしくはその近傍に付着あるいは導入することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
照射する電磁波のエネルギーは３１８ｋＪ／ｍｏｌ以上、６６６ｋＪ／ｍｏｌ以下に相当するエネルギーであることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
所望の粒子は、プラズマ、ガス、超低エネルギーイオンの状態から付着あるいは導入されることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
プラズマを固体表面に照射する装置、所望の粒子を含むガスを固体表面に接触させる装置と、付着あるいは導入した所望の粒子を拡散させるアニール装置の装置群を少なくとも有することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法に用いる不純物導入装置。
【請求項７】
所望の粒子を含むガスを固体表面に接触させる装置が、当該酸化物などの膜を除去した固体基体表面に付着する水素もしくは水酸基と固体基体原子との結合エネルギーに合致したエネルギーの電磁波を照射する機構を具備することを特徴とする請求項６記載の不純物導入装置。
【請求項８】
プラズマを固体表面に照射する装置、所望の粒子を含むガスを固体表面に接触させる装置、付着あるいは導入した所望の粒子を拡散させるアニ−ル装置の内少なくとも２以上を組み合わせるか一体化したことを特徴とする請求項６記載の不純物導入装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体素子の製造方法で製造した半導体、液晶若しくはバイオチップなどの能動素子又は、抵抗、コイル若しくはコンデンサーなどの受動素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を形成する第１工程と、前記絶縁膜のゲート電極形成領域に開口を形成する第２工程と、前記開口が形成された前記絶縁膜上を含む前記半導体基板上に導電性物質膜を形成する第３工程と、この第３工程の後、前記開口を囲む前記絶縁膜の側面に前記導電性物質膜を残し、かつ、前記開口下方に位置する前記半導体基板の一部を露出させる第４工程と、前記絶縁膜の側面に残された前記導電性物質膜上および一部が露出した前記半導体基板上にゲートメタルをメッキする第５工程と、この第５工程の後、前記ゲートメタルおよび前記半導体基板の両方に対して選択的に前記導電性物質膜を除去する第６工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に絶縁膜およびレジスト膜を順に形成する第１工程と、前記レジスト膜のゲート電極形成領域に第１開口を形成し、前記レジスト膜をパターニングする第２工程と、パターニングした前記レジスト膜により前記絶縁膜のゲート電極形成領域に第２開口を形成する第３工程と、パターニングした前記レジスト膜を除去する第４工程と、前記絶縁膜上を含む前記半導体基板上に導電性物質膜を形成する第５工程と、この第５工程の後、前記第２開口を囲む前記絶縁膜の側壁に前記導電性物質膜を残し、かつ、前記第２開口下方に位置する前記半導体基板の一部を露出させる第６工程と、この第６工程で残された前記導電性物質膜上および前記第６工程で一部が露出した前記半導体基板上にゲートメタルをメッキする第７工程と、この第７工程の後、前記ゲートメタルおよび前記半導体基板の両方に対して選択的に前記導電性物質膜を除去する第８工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
化合物半導体上に第１および第２の少なくとも２つの化合物半導体層が順に形成された半導体基板上に、絶縁膜およびレジスト膜を順に形成する第１工程と、前記レジスト膜のゲート電極形成領域に第１開口を形成し、前記レジスト膜をパターニングする第２工程と、パターニングされた前記レジスト膜により前記絶縁膜のゲート電極形成領域に第２開口を形成する第３工程と、パターニングした前記レジスト膜を除去する第４工程と、前記絶縁膜の第２開口に隣接する領域の前記第２化合物半導体層に第３開口を形成する第５工程と、前記絶縁膜上を含む前記半導体基板上に導電性物質膜を形成する第６工程と、前記導電性物質膜の一部を除去し、前記第２開口を囲む前記絶縁膜の側壁部分および前記第３開口を囲む前記第２化合物半導体層の側壁部分に前記導電性物質膜を残し、かつ、前記第２開口および前記第３開口の下方に位置する前記第２化合物半導体層の一部を露出させる第７工程と、この第７工程で残された前記導電性物質膜上および前記第６工程で露出した前記第２化合物半導体層上にゲートメタルをメッキする第８工程と、この第８工程の後、前記ゲートメタルおよび前記半導体基板の両方に対して選択的に前記導電性物質膜を除去する第９工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
導電性物質膜がＴｉである請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ゲートメタルおよび半導体基板の両方に対して選択的に導電性物質膜を除去する工程が、ＮＨ4ＦまたはＨＦを用いたエッチングで行われる請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
次いで、レジスト３５を除去し、選択エッチングでキャップ層３３に第３開口３８を形成する（図ｂ）。次いで絶縁膜３４を後退エッチングし、第２開口３７を図示横方向に拡大する（図ｃ）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する第１工程と、前記絶縁膜のゲート電極形成領域に開口を形成する第２工程と、前記開口が形成された前記絶縁膜上を含む前記半導体基板上に導電性物質膜を形成する第３工程と、この第３工程の後、前記開口を囲む前記絶縁膜の側面に前記導電性物質膜を残し、かつ、前記開口下方に位置する前記半導体基板の一部を露出させる第４工程と、前記絶縁膜の側面に残された前記導電性物質膜上および一部が露出した前記半導体基板上にゲートメタルをメッキする第５工程と、この第５工程の後、前記ゲートメタルおよび前記半導体基板の両方に対して選択的に前記導電性物質膜を除去する第６工程とからなることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004111730.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板内に形成された平板状の空洞と、
前記半導体基板の表面内に、前記空洞の面内方向における端部に接するようにして形成された素子分離領域と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板内に複数形成された平板状の空洞と、
隣接する前記空洞間の前記半導体基板表面内に、前記空洞に接するようにして形成された素子分離領域と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記空洞上面の面積は、該空洞上に位置する素子領域の底面の面積よりも大きい
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記素子分離領域及び前記空洞は、前記空洞上に位置する素子領域の周囲を取り囲み、前記素子領域と前記半導体基板とを電気的に分離する
ことを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
１つの前記空洞上には、１つの素子領域のみが形成される
ことを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板の第１領域上に形成された第１半導体層と、
前記半導体基板の第２領域上に、空洞を介在して形成された第２半導体層と、
前記第１、第２半導体層間の前記半導体基板上に、前記空洞に接するようにして形成され、前記第１、第２半導体層を電気的に分離する素子分離領域と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体基板中に、平板状の空洞を部分的に形成する工程と、
隣接する前記空洞間の前記半導体基板表面に、該空洞の面内方向端部に接するように絶縁膜を形成して、隣接する空洞上に位置する素子領域間を電気的に分離する工程と、
前記素子領域上に半導体素子を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】