【手続補正書】
【提出日】平成15年9月17日(2003.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路（４０）の製造方法であって、
基板（２８）と、加熱時に積層超格子材料（５０）を自発的に形成するために有効な量の金属分を含む前駆体とを準備する工程と、
前記前駆体を前記基板（２８）に塗布してコーティング膜を形成する工程と、
前記コーティング膜をパターニングする工程と、
コーティングされた前記基板（２８）を処理することによって、前記積層超格子材料（５０）の薄膜を前記基板（２８）上で結晶化させる工程と、
前記集積回路（４０）の活性成分中に前記積層超格子材料（５０）の少なくとも一部が含まれるように前記集積回路（４０）の製造を完結させる工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記前駆体を前記基板（２８）に塗布する工程が、２つの前駆体コーティング膜を前記基板（２８）に塗布することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記塗布工程が、第１ベーク工程と第２ベーク工程とを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１ベーク工程が、前記基板（２８）を３００℃以下の温度で６０分以内の時間ベークすることを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１ベーク工程が空気中で行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第２ベーク工程が、前記基板（２８）を３００℃以下の温度で６０分以内の時間ベークすることを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記第２ベーク工程が空気中で行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記温度が１５０℃から１７０℃の範囲であり、前記時間が１分間である、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記温度が２５０℃から２７０℃の範囲であり、前記時間が４分間である、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板（２８）を処理する工程が高速熱アニールを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記高速熱アニールが、８００℃以下の温度で６００秒以内の時間行われる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記高速熱アニールが、６９０℃から７１０℃の間の温度で３０秒間から３００秒間行われる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記高速熱アニールが酸素中で行われる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記積層超格子材料（５０）が、Ａサイト元素、Ｂサイト元素、超格子生成元素、およびアニオンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記Ａサイト元素が、ストロンチウム、カルシウム、バリウム、ビスマス、カドミウム、および鉛からなる群から選ばれる１種以上の元素を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記Ｂサイト元素が、チタン、タンタル、ハフニウム、タングステン、ニオブ、およびジルコニウムからなる群から選ばれる１種以上の元素を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記超格子生成元素が、ビスマス、スカンジウム、イットリウム、ランタニド、アンチモン、クロム、およびタリウムからなる群から選ばれる１種以上の元素を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記アニオンが、酸素、塩素、フッ素、およびそれらの混成物からなる群から選ばれる元素を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記積層超格子材料（５０）が、２種以上の前記積層超格子材料の固溶体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記積層超格子材料（５０）が、タンタル酸ストロンチウムビスマスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記積層超格子材料（５０）が、化学量論式ＳｒａＢｉｂ（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）Ｏ［９＋（ａ−１）＋（ｂ−２）（１．５）＋（ｃ−２）（２．５）］（たたし、０．８＜ａ＜１、２＜ｂ＜２．６、０＜ｘ＜０．３、１．９＜ｃ＜２．３）に対応するモル比で金属原子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
ａ＝０．９、ｂ＝２．２、ｘ＝０、ｃ＝２．０である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板（２８）を処理する工程が、前記積層超格子材料（５０）上に上部電極（５２）を成膜する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記上部電極（５２）が白金を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記パターニング工程が、前記処理工程の前に前記上部電極（５２）をパターニングすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記基板（２８）が下部電極（４８）を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記パターニング工程が、前記処理工程の前に前記コーティング膜および前記下部電極（４８）をパターニングすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
前記処理工程が結晶化ファーネスアニールをさらに含む、請求項１または２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記結晶化ファーネスアニールが、６９０℃から７１０℃までの温度で４０分間から８０分間行われる、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記結晶化ファーネスアニールが酸素中で行われる、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
集積回路（４０）の製造方法であって、
基板（２８）と、加熱時に第１薄膜積層超格子材料（５０）を自発的に形成するために有効な量の金属分を含む第１前駆体と、加熱時に第２薄膜積層超格子材料（１３２）を自発的に形成するために有効な量の金属分を含む第２前駆体とを準備する工程であって、前記第１前駆体は前記第２前駆体とは異なるものである工程と、
前記第１前駆体を前記基板（２８）に塗布することによって第１コーティング膜を形成し、次に前記第２前駆体を前記基板に塗布することによって第２コーティング膜を形成する工程と、
前記基板上の前記コーティング膜を処理することによって、第１の厚みを有する前記第１薄膜積層超格子材料（５０）と、第２の厚みを有する前記第２薄膜積層超格子材料（１３２）とを前記基板上に形成する工程であって、前記第１の厚みに対する前記第２の厚みの割合が５％から３５％の範囲である工程と、
前記集積回路（４０）に前記第１および第２薄膜積層超格子材料（５０）、（１３２）の少なくとも一部が含まれるように前記集積回路（４０）の製造を完結させる工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項３２】
前記第１前駆体がカルボン酸塩およびアルコキシカルボン酸塩からなる群から選ばれる化合物を含み、前記第２前駆体がアルコキシドを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１前駆体がＭＯＤ前駆体を含み、前記第２前駆体がゾルゲル前駆体を含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１積層超格子材料（５０）および前記第２積層超格子材料（１３２）が本質的に同一の超格子材料を含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記割合が１０％から３０％の範囲である、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記第１積層超格子材料（５０）および前記第２積層超格子材料（１３２）が、タンタル酸ストロンチウムビスマスまたはタンタルニオブ酸ストロンチウムビスマスを含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
前記第２積層超格子材料（１３２）が前記第１積層超格子材料（５０）よりも低温で結晶化する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３８】
前記第２積層超格子材料（１３２）が前記第１積層超格子材料（５０）よりも高い誘電率を有する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３９】
前記第２積層超格子材料（１３２）がビスマスタンタル酸塩を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４０】
前記割合が１０％から２０％の範囲である、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記割合が１０％から３０％の範囲である、請求項３１に記載の方法。
【請求項４２】
前記処理が第１ベーク工程および第２ベーク工程をさらに含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４３】
前記第２薄膜積層超格子材料（１３２）を塗布する前に、前記第１ベーク工程および前記第２ベーク工程が、前記第１薄膜積層超格子材料（５０）に対して行われる、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記第１ベーク工程および前記第２ベーク工程が、前記第２薄膜積層超格子材料（１３２）に対して行われる、請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】
前記第１ベーク工程が、前記基板（２８）を３００℃以下の温度で６０分以内の時間ベークすることを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４６】
前記温度が１６０℃であり、前記時間が１分間である、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記第２ベーク工程が、前記基板（２８）を３００℃以下の温度で６０分以内の時間ベークすることを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４８】
前記温度が２６０℃であり、前記時間が４分間である、請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
前記基板を処理する工程が高速熱アニールをさらに含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５０】
前記高速熱アニールが、８００℃以下の温度で６００秒以内の時間行われる、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記高速熱アニールが、６７５℃から７００℃の温度で３０秒間行われる、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記第１および第２薄膜積層超格子材料（５０）、（１３２）が、Ａサイト元素、Ｂサイト元素、超格子生成元素、およびアニオンを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５３】
前記第１および第２薄膜積層超格子材料（５０）、（１３２）の前記Ａサイト元素が、ストロンチウム、カルシウム、バリウム、ビスマス、カドミウム、および鉛からなる群から選ばれる１種以上の元素を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５４】
前記第１および第２薄膜積層超格子材料（５０）、（１３２）の前記Ｂサイト元素が、チタン、タンタル、ハフニウム、タングステン、ニオブ、およびジルコニウムからなる群から選ばれる１種以上の元素を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５５】
前記第１および第２薄膜積層超格子材料（５０）、（１３２）の前記超格子生成元素が、ビスマス、スカンジウム、イットリウム、ランタン、アンチモン、クロム、およびタリウムからなる群から選ばれる１種以上の元素を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５６】
前記第１および第２薄膜積層超格子材料（５０）、（１３２）の前記アニオンが、酸素、塩素、フッ素、およびそれらの混成物からなる群から選ばれる元素を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５７】
前記第１および第２薄膜積層超格子材料（５０）、（１３２）が、前記第１および第２薄膜積層超格子材料（５０）、（１３２）の２種以上の固溶体を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５８】
前記第１および第２薄膜積層超格子材料（５０）、（１３２）が、タンタル酸ストロンチウムビスマスを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項５９】
前記第２コーティング膜を塗布した後に電極（５２）を形成する工程と、前記電極（５２）および前記第１および第２コーティング膜をパターニングする工程をさらに含み、前記処理が前記電極（５２）と前記積層超格子材料（５０）、（１３２）とをパターニングした後に前記基板（２８）を結晶化ファーネスアニールすることをさらに含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項６０】
前記処理が、前記第１前駆体の塗布後であって前記第２前駆体の塗布前に行われる第１結晶化ファーネスアニールと、前記第２前駆体の塗布後に行われる第２結晶化ファーネスアニールとを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項６１】
集積回路（４０）の製造方法であって、
基板（２８）と、加熱時に積層超格子材料（５０）を自発的に形成するために有効な量の金属分を含む前駆体とを準備する工程と、
前記前駆体を前記基板（２８）に塗布することによってコーティング膜を形成する工程と、
前記コーティング膜に第１高速熱アニールを実施することによって前記基板（２８）上に固体薄膜を形成する工程と、
電極（５２）を前記固体薄膜上に形成する工程と、
前記電極（５２）および前記固体薄膜をパターニングする工程と、
前記パターニングされた電極および前記固体膜に対して第２高速熱アニールを実施することによって、前記積層超格子材料（５０）を形成する工程と、
前記集積回路（４０）の活性成分中に前記積層超格子材料（５０）の少なくとも一部が含まれるように前記集積回路（４０）の製造を完結させる工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項６２】
前記第１および第２高速熱アニールが、８００℃以下の温度で６００秒以内の時間行われる、請求項６１に記載の方法。
【請求項６３】
前記第１高速熱アニールが、６７５℃から７２５℃の温度で６０秒以内の時間行われる、請求項６１に記載の方法。
【請求項６４】
前記第２高速熱アニールが、６７５℃から７２５℃の温度で３００秒以内の時間行われる、請求項６３に記載の方法。
【請求項６５】
前記第１および第２高速熱アニールが７００℃以下の温度で行われる、請求項６１に記載の方法。
【請求項６６】
前記第１および第２高速熱アニールが酸素中で行われる、請求項６１に記載の方法。
【請求項６７】
前記第２高速熱アニールの後に、前記積層超格子材料（５０）を結晶化ファーネスアニールすることをさらに含む、請求項６１に記載の方法。
【請求項６８】
前記結晶化ファーネスアニールが７００℃で６０分間行われる、請求項６７に記載の方法。
【請求項６９】
前記結晶化ファーネスアニールが酸素中で行われる、請求項６８に記載の方法。
【請求項７０】
前記第１高速熱アニールの前に、第１ベーク工程と第２ベーク工程とをさらに含む、請求項６１に記載の方法。
【請求項７１】
前記第１ベーク工程が３００℃以下の温度で６０分以内の時間ベークすることを含む、請求項７０に記載の方法。
【請求項７２】
前記第１ベーク工程が１６０℃で１分間ベークすることを含む、請求項７１に記載の方法。
【請求項７３】
前記第２ベーク工程が３００℃以下の温度で６０分以内の時間ベークすることを含む、請求項７０に記載の方法。
【請求項７４】
前記第２ベーク工程が２６０℃の温度で４分間ベークすることを含む、請求項７３に記載の方法。
【請求項７５】
集積回路（４０）の製造方法であって、
基板（２８）と、加熱時に積層超格子材料（５０）を自発的に形成するために有効な量の金属分を含む前駆体とを準備する工程と、
前記前駆体を前記基板（２８）に塗布することによってコーティング膜を形成し、前記コーティング膜に第１の処理を実施して固体膜を形成する工程であって、
前記第１の処理は、コーティングされた前記基板（２８）を出力密度０．１ｍＷ／ｃｍ２から１０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線照射源に１分間から５分間暴露しながら、３００℃以下の温度で６０分以内の時間第１ベークを実施することを含む工程と、
３００℃以下の温度で６０分以内の時間第２ベークを実施する工程と、
上部電極（５２）をコーティングされた前記基板上に成膜する工程と、
前記上部電極（５２）および前記コーティング膜に第２の処理を施す工程と、
前記集積回路（４０）の活性成分の中に前記積層超格子材料（５０）の少なくとも一部が含まれるように前記集積回路（４０）の製造を完結させる工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項７６】
前記第２ベーク中に、コーティングされた前記基板（２８）を、出力密度０．１ｍＷ／ｃｍ２から１０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線照射源に１分間から５分間曝露する、請求項７５に記載の方法。
【請求項７７】
前記紫外線照射源の出力密度が１ｍＷ／ｃｍ２である、請求項７５または７６に記載の方法。
【請求項７８】
前記紫外線照射源の波長が２００ｎｍから３００ｎｍである、請求項７５または７６に記載の方法。
【請求項７９】
前記紫外線照射源の波長が２６０ｎｍである、請求項７５または７６に記載の方法。
【請求項８０】
前記温度が１５０℃から１７０℃の範囲であり、前記時間が４分間である、請求項７５または７６に記載の方法。
【請求項８１】
前記第１ベークおよび前記第２ベークが空気中または窒素中で行われる、７５または７６に記載の方法。
【請求項８２】
コーティングされた前記基板（２８）を処理する工程が高速熱アニールを含む、請求項７５または７６に記載の方法。
【請求項８３】
前記高速熱アニールが６９０℃から７１０℃の温度で３０秒間から３００秒間行われる、請求項８２に記載の方法。
【請求項８４】
前記高速熱アニールが酸素中で行われる、請求項８２に記載の方法。
【請求項８５】
前記積層超格子材料（５０）がタンタル酸ストロンチウムビスマスを含む、請求項７５に記載の方法。
【請求項８６】
集積回路（４０）の製造方法であって、
基板（２８）と、加熱時に積層超格子材料（５０）を自発的に形成するために有効な量の金属分を含む前駆体とを準備する工程と、
前記前駆体を前記基板（２８）に塗布することによってコーティング膜を形成する工程と、
前記コーティング膜を処理することによって固体膜を形成する工程であって、前記処理が２００ｎｍから３００ｎｍの波長の紫外線を、前記コーティング膜または前記固体膜に１分間から５分間にわたって０．１ｍＷ／ｃｍ２から１０ｍＷ／ｃｍ２の出力密度で照射することを含む工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項８７】
前記波長が２６０ｎｍである、請求項８６に記載の方法。
【請求項８８】
前記時間が４分間である、請求項８６に記載の方法。
【請求項８９】
前記出力密度が１ｍＷ／ｃｍ２である、請求項８６に記載の方法。
【請求項９０】
前記処理に適用されるＵＶエネルギー密度が８３ｍＪ／ｃｍ２から１００ｍＪ／ｃｍ２である、請求項８６に記載の方法。
【請求項９１】
集積回路（４０）の製造方法であって、
基板（２８）と、加熱時に積層超格子材料（５０）を自発的に形成するのに有効な量の金属分を含む前駆体とを準備する工程と、
前記前駆体を前記基板（２８）に塗布することによってコーティング膜を形成する工程と、
前記コーティング膜を処理することによって固体膜を形成する工程であって、前記処理が８３ｍＪ／ｃｍ２から１００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー密度を有する紫外線を照射することを含む工程と、を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらなる態様において、本発明は、基板と、加熱時に積層超格子材料を自発的に形成するための適量の金属分を含有する前駆体とを準備する工程と、前記前駆体を前記基板に塗布してコーティング膜を形成する工程と、前記コーティング膜に第１高速熱アニールを実施して前記基板上に固体薄膜を形成する工程と、前記固体薄膜上に電極を形成する工程と、前記電極および前記固体薄膜をパターニングする工程と、パターニングした前記電極および前記固体薄膜に第２高速熱アニールを実施して前記積層超格子材料を形成する工程と、集積回路の活性成分中に前記積層超格子材料の少なくとも一部が含まれるように前記集積回路の製造を完結する工程と、を含む集積回路の製造方法を提供する。好ましくは、前記第１および第２高速熱アニールは８００℃以下の温度で６００秒以内の時間行われる。好ましくは、前記第１高速熱アニールは６７５℃から７２５℃の間の温度で、６０秒以下の時間実施する。好ましくは、前記第２高速熱アニールは６７５℃から７２５℃の間の温度で３００秒以下の時間行われる。好ましくは、前記第１および第２高速熱アニールは７００℃以下の温度で行われる。好ましくは、前記第１および第２高速熱アニールは酸素中で行われる。