【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターン像を投影光学系を介して感応基板上に露光する投影露光装置であって、
感応基板を保持して２次元平面内を移動可能な第１基板ステージと；
感応基板を保持して前記第１基板ステージと同一平面内を前記第１基板ステージとは独立に移動可能な第２基板ステージと；
前記投影光学系とは別に設けられ、前記基板ステージに保持された感応基板上のマークを計測する少なくとも１つのアライメント系と；
前記アライメント系を用いたマーク計測中の感応基板面の所定基準面に対する相対位置を検出するための第１検出系と；
前記投影光学系を用いた露光中の感応基板面の所定基準面に対する相対位置を検出するための第２検出系と；
前記第１基板ステージ及び第２基板ステージの各々に設けられ、ステージ上に保持された感応基板の面位置を調整するための基板駆動系と；
前記第１基板ステージ及び第２基板ステージの内の一方のステージで前記第１検出系による検出を行いながら前記アライメント系を用いたマーク計測動作が行われる間に、他方のステージで前記投影光学系を用いた露光動作が行われるように前記２つのステージを制御した後、前記一方のステージで前記投影光学系を用いた露光動作が行われるように前記一方のステージを制御するとともに、前記一方のステージのマーク計測動作中に得られた前記第１検出系の検出結果と前記一方のステージの露光動作中に得られる前記第２検出系の検出結果とに基づいて前記一方のステージの基板駆動系を制御する制御手段と；
を有する投影露光装置。
【請求項２】
照明光で照明された照明領域に対してマスクを走査方向に移動させるのと同期して前記照明領域に共役な露光領域に対して感応基板を前記走査方向に移動させることにより前記マスクのパターン像を前記感応基板上に露光する走査型の投影露光装置であって、
感応基板を保持して２次元平面内を移動可能な第１基板ステージと；
感応基板を保持して前記第１基板ステージと同一平面内を前記第１基板ステージとは独立に移動可能な第２基板ステージと；
前記投影光学系とは別に設けられ、前記基板ステージに保持された感応基板上のマークを計測する少なくとも１つのアライメント系と；
前記アライメント系を用いたマーク計測中の感応基板面の所定基準面に対する相対位置を検出するための第１検出系と；
前記投影光学系を用いた露光中の感応基板面の所定基準面に対する相対位置を検出するための第２検出系と；
前記第１基板ステージ及び第２基板ステージの各々に設けられ、ステージ上に保持された感応基板の面位置を調整するための基板駆動系と；
前記第１基板ステージ及び第２基板ステージの内の一方のステージで前記第１検出系による検出を行いながら前記アライメント系を用いたマーク計測動作が行われる間に、他方のステージで前記投影光学系を用いた露光動作が行われるように前記２つのステージを制御した後、前記一方のステージで前記投影光学系を用いた露光動作が行われるように前記一方のステージを制御する際に、前記一方のステージに保持された感応基板上の複数のショット領域の内前記露光領域に対して前記感応基板の外側から内側へ走査されるように設定された外周近傍のショット領域を露光するときには、前記一方のステージのマーク計測動作中に得られた前記第１検出系の検出結果と前記一方のステージの露光動作中に得られる前記第２検出系の検出結果とに基づいてステージの基板駆動系を制御し、その他のショット領域を露光するときには前記第２検出系の検出結果だけを用いて前記一方のステージの基板駆動系を制御する制御手段とを有する投影露光装置。
【請求項３】
マスクのパターンの像を投影光学系を介して感応基板上に露光する投影露光方法であって、
感応基板を保持して同一の２次元平面内を各々独立に移動可能な２つの基板ステージを用意し；
前記２つのステージの内の一方のステージに保持された感応基板上のマークを計測し；
前記一方のステージでマーク計測動作が行われている間に前記一方のステージ上に保持された感応基板の所定基準面に対する相対位置を検出し；
前記一方のステージでマーク計測動作が行われている間に、前記２つのステージの内の他方のステージに保持された感応基板上に前記マスクのパターン像を露光し；
前記他方のステージの露光動作終了後に、前記一方のステージに保持された感応基板を露光するとともに、この露光中に、前記検出された相対位置に基づいて前記一方のステージに保持された感応基板の面位置を調整することを特徴とする投影露光方法。
【請求項４】
照明光で照明された照明領域に対してマスクを走査方向に移動させるのと同期して前記照明領域に共役な露光領域に対して感応基板を前記走査方向に移動させることにより、前記感応基板上の複数のショット領域の各々に前記マスクのパターンの像を投影光学系を介して露光する投影露光方法であって、
前記感応基板上の複数のショット領域の内前記露光領域に対して前記感応基板の外側から内側へ走査されるように設定された外周近傍のショット領域を含むように、前記複数のショット領域の内の幾つかをサンプルショット領域として選択し；
前記幾つかのサンプルショット領域の座標位置をそれぞれ計測し；
前記幾つかのサンプルショット領域の座標位置を計測する際に前記幾つかのサンプルショット領域毎に前記感応基板の所定基準面に対する相対位置を検出し；
前記計測されたサンプルショット領域の座標位置に基づいて前記感応基板上の複数のショット領域の配列を決定し；
前記露光領域に対して前記感応基板の外側から内側へ走査されるように設定された外周近傍のショット領域を各々露光するときに、前記決定されたショット領域の配列に基づいて前記マスクのパターン像との位置合わせを行うとともに、前記座標位置の計測の際に検出された相対位置に基づいて前記感応基板の面位置を調整する投影露光方法。
【請求項５】
前記サンプルショット領域の内前記露光領域に対して前記感応基板の外側から内側へ走査されるように設定された外周近傍のショット領域の座標位置を計測する際に、露光時と同じ方向に前記感応基板を移動しながら前記感応基板の所定基準面に対する相対位置を検出することを特徴とする請求項４に記載の投影露光方法。
【請求項６】
照明光で照明された照明領域に対してマスクを走査方向に移動させるのと同期して前記照明領域に共役な露光領域に対して感応基板を前記走査方向に移動させることにより前記マスクのパターン像を前記感応基板上に露光する走査型の投影露光装置であって、
感応基板を保持して２次元平面内を移動可能な基板ステージと；
前記露光領域に対して前記走査方向の一方側と他方側に前記走査方向に直交する非走査方向の幅が前記露光領域より広い検出領域をそれぞれ有し、該各検出領域内に前記非走査方向に沿って設定された複数の検出点の少なくとも１つで前記感応基板面の所定基準面に対する相対位置を検出する位置検出系と；
前記基板ステージに設けられ、ステージ上に保持された感応基板の面位置を調整するための基板駆動系と；
前記基板ステージ上に保持された感応基板の外周近傍のショット領域を、前記露光領域が感応基板の外側から内側へ走査されるように露光する際に、前記位置検出系の検出結果に基づいて前記基板駆動系を制御する制御手段とを有する投影露光装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記位置検出系の検出結果の内前記感応基板の走査方向に向かって前記露光領域の手前に設定された検出領域内の複数の検出点の少なくとも１つの検出結果に基づいて前記基板駆動系を制御することを特徴とする請求項６に記載の投影露光装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記感応基板の外周近傍のショット領域を前記感応基板の外側から内側へ向かって走査露光する際に、前記複数の検出点の内の少なくとも１つが前記感応基板上の有効領域内にかかった時点から、前記感応基板上にかかる検出点の検出結果に基づいて前記感応基板の面位置調整のため前記基板駆動系の制御を開始することを特徴とする請求項６に記載の投影露光装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記感応基板の外周近傍のショット領域を走査露光する際に、当該ショット領域にかかる検出点が１点である場合には所定の固定値に基づいて前記基板駆動系を介して前記感応基板の傾きを調整することを特徴とする請求項６に記載の投影露光装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記感応基板の外周近傍のショット領域を走査露光する際に、当該ショット領域にかかる検出点が１点である場合には当該ショット領域に隣接するショット領域上にかかる他の検出点の検出結果と前記１点の検出結果とに基づいて前記基板駆動系を介して前記感応基板の傾きを調整することを特徴とする請求項６に記載の投影露光装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記感応基板上の複数のショット領域毎に、前記複数の検出点の内のいずれの検出点の検出結果を用いるかを予め決定し、前記感応基板上のあるショット領域を走査露光する際には、当該ショット領域に対して決定された検出点の検出結果のみを用いて前記基板駆動系を介して前記感応基板の面位置を調整することを特徴とする請求項６に記載の投影露光装置。
【請求項１２】
前記感応基板上の有効領域は、前記感応基板上の全面または前記感応基板の周縁部に定められた禁止帯の内側であることを特徴とする請求項８に記載の投影露光装置。
【請求項１３】
前記制御手段は、前記感応基板の外周位置情報、前記位置検出系の各検出点の位置情報、及び露光対象のショット領域の位置情報に基づいて、前記位置検出系の検出点のいずれが前記感応基板上の有効領域にかかっているか否かを判断することを特徴とする請求項８に記載の投影露光装置。
【請求項１４】
前記制御手段は、前記位置検出系の複数の検出点の検出結果をそれぞれ所定の許容値と比較することにより、前記位置検出系の検出点のいずれが前記感応基板上の有効領域にかかっているか否かを判断することを特徴とする請求項８に記載の投影露光装置。
【請求項１５】
前記制御手段は、前記感応基板の外周近傍のショット領域を走査露光する際に、当該ショット領域にかかる検出点が複数になった時点から、当該ショット領域にかかる検出点の検出結果だけに基づく前記感応基板の傾き調整を前記基板駆動系を介して開始することを特徴とする請求項９又は１０に記載の投影露光装置。
【請求項１６】
前記制御手段は、前記感応基板の外周位置情報、前記位置検出系の各検出点の位置情報、及び露光対象のショット領域の位置情報に基づいて、前記位置検出系の検出点のいずれが当該ショット領域にかかっているか否かを判断することを特徴とする請求項９又は１０に記載の投影露光装置。
【請求項１７】
前記制御手段は、前記感応基板の外周近傍のショット領域を走査露光する際に、当該ショット領域にかかる検出点が１点である場合には前記１点の検出点とこれに隣接する少なくとも１点の検出点とを含む所定数の検出点の検出結果に基づいて前記基板駆動系を介して前記感応基板の傾き調整を開始し、その後前記傾き調整に使用する検出点を順次当該ショット領域内部側にシフトすることを特徴とする請求項１０に記載の投影露光装置。
【請求項１８】
照明光で照明された照明領域に対してマスクを走査方向に移動させるのと同期して前記照明領域に共役な露光領域に対して感応基板を前記走査方向に移動させることにより前記マスクのパターン像を前記感応基板上に露光する走査露光方法において、
前記感応基板の外周近傍のショット領域を、前記露光領域が感応基板の外側から内側へ走査するように露光する際に、前記露光領域に対して前記走査方向の一方側と他方側にそれぞれ位置する前記走査方向に直交する非走査方向の幅が前記露光領域より広い検出領域内に前記非走査方向に沿って複数のスリット像が配置されるように、所定角度傾斜した方向から前記感応基板表面にスリット像を投影し、
前記感応基板からの前記各スリット像の反射光束を受光し、その光電変換信号に基づいて前記スリット像が投影される各検出点における前記感応基板面の所定の基準面からの相対位置をそれぞれ算出し、
この算出結果に基づいて前記露光領域内における前記感応基板の面位置を調整することを特徴とする走査露光方法。
【請求項１９】
前記検出点のうちの予め定められた検出点を使って、前記感応基板面の所定基準面からの相対位置が算出される請求項１８に記載の走査露光方法。
【請求項２０】
前記感応基板の外周位置情報、前記検出点の位置情報、及び前記ショット領域の位置情報に基づいて選択された検出点を使って、前記感応基板面の所定基準面からの相対位置が算出される請求項１８に記載の走査露光方法。
【請求項２１】
前記ショット領域の露光中に、前記選択される検出点の数を変えることなく前記相対位置の算出が行われる請求項２０に記載の走査露光方法。
【請求項２２】
前記ショット領域の露光中に、前記選択される検出点の数が可変である請求項２０に記載の走査露光方法。
【請求項２３】
投影光学系を介してパターンの像を露光領域に投影し、該露光領域に対して感応基板を走査方向に移動することによって、該感応基板を露光する投影露光方法であって、
２次元方向に移動可能な第１基板ステージ上に感応基板を保持し；
前記第１基板ステージとは独立に、２次元方向に移動可能な第２基板ステージ上に感応基板を保持し；
前記第１、第２基板ステージのうちの一方の基板ステージ上に保持された感応基板上のアライメントマークの検出を行う計測シーケンスを、他方の基板ステージ上の感応基板の露光を行う露光シーケンスと並行して実行し；
前記計測シーケンスの間に、前記一方の基板ステージ上の感応基板の外周近傍の表面位置情報を検出し；
前記一方の基板ステージを用いた計測シーケンスと前記他方の基板ステージを用いた露光シーケンスの終了後、前記他方の基板ステージを感応基板の交換位置に移動するとともに、前記一方の基板ステージを前記投影光学系の像面側に移動し；
前記一方の基板ステージに保持された感応基板の外周近傍のショット領域を、前記露光領域が感応基板の外側から内側へ走査するように露光し、その露光に際して前記計測シーケンス中に検出された前記表面位置情報に基づいて、前記一方の基板ステージ上に保持された感応基板の面位置調整を実行する投影露光方法。
【請求項２４】
前記計測シーケンス中に、前記一方の基板ステージ上に保持された感応基板の外周近傍のアライメントマークが検出される請求項２３に記載の投影露光方法。
【請求項２５】
マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して感応基板上に露光する投影露光装置であって、
干渉計用の反射面を有し、感応基板を保持して２次元方向に移動可能な第１基板ステージと；
干渉計用の反射面を有し、感応基板を保持して前記第１基板ステージとは独立に２次元方向に移動可能な第２基板ステージと；
前記投影光学系とは別に設けられ、感応基板上のアライメントマークを検出する少なくとも１つの第１アライメント系と；
前記基板ステージに設けられた基準と前記マスクのマークとの相対位置関係を前記投影光学系を介して計測する第２アライメント系と；
感応基板の表面の所定基準面に対する面位置情報を検出する面位置検出系と；
前記第１アライメント系を用いて感応基板上のアライメントマークの検出を行う計測シーケンス中の基板ステージの位置を計測可能に配置され、前記計測シーケンスの終了後に前記基板ステージの反射面から外れる第１干渉計測長軸と、前記投影光学系を用いて感応基板の露光を行う露光シーケンス中の基板ステージの位置を計測可能に配置され、前記露光シーケンス終了後に前記基板ステージの反射面から外れる第２干渉計測長軸とを有する干渉計システムと；を備え、
前記第１、第２基板ステージのうちの一方の基板ステージでの計測シーケンスを、他方の基板ステージでの露光シーケンスと並行して実行して、前記一方の基板ステージに保持された感応基板上のショット領域と、前記一方の基板ステージに設けられた基準との第１位置関係が求められ、
前記計測シーケンスの実行中に、前記一方の基板ステージ上の感応基板表面の面位置情報が前記面位置検出系を用いて検出され、
前記一方の基板ステージを用いた計測シーケンス及び前記他方の基板ステージを用いた露光シーケンスの終了後、前記他方の基板ステージが感応基板の交換位置に移動されるとともに、前記一方の基板ステージが投影光学系の像面側の所定位置に移動され、前記第２アライメント系を用いて、前記一方の基板ステージに設けられた基準と前記マスクのマークとの第２位置関係が計測され、
前記一方の基板ステージに保持されている感応基板上のショット領域が順次露光され、その露光の際に、前記第１及び第２位置関係と前記第２干渉計測長軸を用いて計測される前記一方の基板ステージの位置とに基づいて、前記一方の基板ステージの２次元方向の位置が制御されるとともに、前記計測シーケンス中に検出された面位置情報に基づいて、前記一方の基板ステージに保持された感応基板の面位置調整が行われる投影露光装置。
【請求項２６】
前記面位置検出系は、感応基板の外周近傍の表面の面位置情報を検出する請求項２５に記載の投影露光装置。
【請求項２７】
前記面位置検出系は、感応基板の移動中に、その感応基板表面の面位置情報を検出する請求項２５又は２６に記載の投影露光装置。
【請求項２８】
前記計測シーケンスにおいて、前記第１アライメント系は、感応基板の外周近傍のアライメントマークを検出する請求項２５〜２７のいずれか一項に記載の投影露光装置。
【請求項２９】
複数のマスクを搭載可能なマスクステージを更に備え、
前記複数のマスクのパターンの像を順次感応基板上に投影して、該感応基板上の各ショット領域を多重露光する請求項２５〜２８のいずれか一項に記載の投影露光装置。
【請求項３０】
前記投影光学系と前記第１アライメント系は第１軸方向に離れて配置され、
前記第１干渉計測長軸、前記第２干渉計測長軸のそれぞれは、前記第１軸方向と直交する第２軸方向に沿って配置されている請求項２５〜２９のいずれか一項に記載の投影露光装置。
【請求項３１】
前記第１基板ステージと前記第２基板ステージとを移動するためのステージ駆動系を更に備え、
該ステージ駆動系は、前記第１軸方向に延設された第１モータ部材と、前記第１軸方向に延設され、前記第１モータ部材に対して前記第２軸方向に所定距離だけ離れて配置された第２モータ部材と、前記第１モータ部材に沿って前記第１軸方向に移動可能な第１及び第２移動部材と、前記第２モータ部材に沿って前記第１軸方向に移動可能な第３及び第４移動部材と、前記第２軸方向に延設され、両端に前記第１及び第３移動部材がそれぞれ設けられた第３モータ部材と、前記第２軸方向に延設され、両端に前記第２及び第４移動部材がそれぞれ設けられた第４モータ部材とを有し、
前記第１基板ステージは、前記第３モータ部材に沿って前記第２軸方向に移動可能に設けられ、前記第１及び第３移動部材を前記第１及び第２モータ部材に沿って移動させることによって前記第１軸方向に移動可能であり、
前記第２基板ステージは、前記第４モータ部材に沿って前記第２軸方向に移動可能に設けられ、前記第２及び第４移動部材を前記第１及び第２モータ部材に沿って移動させることによって前記第１軸方向に移動可能である請求項３０に記載の投影露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
請求項６に記載の発明は、照明光（ＥＬ）で照明された照明領域（ＩＡ）に対してマスク（Ｒ）を走査方向に移動させるのと同期して前記照明領域（ＩＡ）に共役な露光領域（ＩＦ）に対して感応基板（Ｗ）を前記走査方向に移動させることにより前記マスク（Ｒ）のパターン像を前記感応基板（Ｗ）上に露光する走査型の投影露光装置であって、感応基板（Ｗ）を保持して２次元平面内を移動可能な基板ステージ（ＷＳ）と；前記露光領域（ＩＦ）に対して前記走査方向の一方側と他方側に前記走査方向に直交する非走査方向の幅が前記露光領域（ＩＦ）より広い検出領域をそれぞれ有し、該各検出領域内に前記非走査方向に沿って設定された複数の検出点（例えば、ＦＡ１〜ＦＡ９）の少なくとも１つで前記感応基板（Ｗ）面の所定基準面に対する相対位置を検出する位置検出系（１５１、１６１）と；前記基板ステージ（ＷＳ）に設けられ、ステージ（ＷＳ）上に保持された感応基板（Ｗ）の面位置を調整するための基板駆動系（ＬＳ）と；前記基板ステージ（ＷＳ）上に保持された感応基板（Ｗ）の外周近傍のショット領域を、前記露光領域が感応基板の外側から内側へ走査されるように露光する際に、前記位置検出系（１５１、１６１）の検出結果に基づいて前記基板駆動系（ＬＳ）を制御する制御手段（９０）とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
これによれば、位置検出系が露光領域に対して走査方向の一方側と他方側にそれぞれ走査方向に直交する非走査方向に配列され、その非走査方向の幅が露光領域よりも広い検出領域を有しており、各検出領域内の非走査方向に沿って設定された複数の検出点の少なくとも１つで感応基板面の所定基準面に対する相対位置を検出し、制御手段では基板ステージ上に保持された感応基板の外周近傍のショット領域を、露光領域が感応基板の外側から内側へ走査されるように露光する際に、位置検出系の検出結果に基づいて基板駆動系を制御する。このため、例えば、従来の露光領域と同一幅の検出領域しか持たない先読みセンサでは、感応基板の外側から内側へ走査する場合、感応基板の外周近傍の領域では先読み制御が困難であったのと異なり、このような場合でも、露光領域の外側にはみ出した検出領域部分の検出点により隣接部の感応基板面の所定基準面に対する相対位置を検出することが可能であり、この検出データに基づいて基板駆動系を制御することにより感応基板の面位置を調整することが可能となる。従って、感応基板の走査方向の変更によるスループット低下を防止することができるとともに、上記検出データの活用によりフォーカス制御の追い込みが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
さらに、請求項１８に記載の発明は、照明光（ＥＬ）で照明された照明領域（ＩＡ）に対してマスク（Ｒ）を走査方向に移動させるのと同期して前記照明領域（ＩＡ）に共役な露光領域（ＩＦ）に対して感応基板（Ｗ）を前記走査方向に移動させることにより前記マスク（Ｗ）のパターン像を前記感応基板（Ｗ）上に露光する走査露光方法において、感応基板（Ｗ）の外周近傍のショット領域を、前記露光領域が感応基板の外側から内側へ走査するように露光する際に、前記露光領域（ＩＦ）に対して前記走査方向の一方側と他方側にそれぞれ位置する前記走査方向に直交する非走査方向の幅が前記露光領域（ＩＦ）より広い検出領域（ＡＢＥ、ＡＦＥ）内に前記非走査方向に沿って複数のスリット像が配置されるように、所定角度傾斜した方向から前記感応基板（Ｗ）表面にスリット像を投影し、前記感応基板（Ｗ）からの前記各スリット像の反射光束を受光し、その光電変換信号に基づいて前記スリット像が投影される各検出点（例えば、ＡＦ１〜ＡＦ９）における前記感応基板（Ｗ）面の所定の基準面からの相対位置をそれぞれ算出し、この算出結果に基づいて前記露光領域（ＩＦ）内における前記感応基板（Ｗ）の面位置を調整することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
これによれば、感応基板の外周近傍のショット領域を、前記露光領域が感応基板の外側から内側へ走査するように露光する際に、露光領域に対して走査方向の一方側と他方側にそれぞれ位置する走査方向に直交する非走査方向の幅が露光領域よりも広い検出領域内に非走査方向に沿って複数のスリット像が配置されるように、所定角度傾斜した方向から感応基板表面にスリット像が投影され、感応基板からの各スリット像の反射光束を受光して得られる光電変換信号に基づいてスリット像が投影される各検出点における感応基板面の所定の基準面からの相対位置がそれぞれ算出される。そして、この算出結果に基づいて露光領域内における感応基板の面位置が調整される。このため、例えば、感応基板の外周近傍の領域を露光する際に感応基板の外側から内側へ走査する場合に、露光領域の外側にはみ出した検出点おけるスリット像の反射光束の光電変換信号に基づいてその検出点における感応基板面の所定の基準面からの相対位置を算出することができる。この結果、前記露光領域の外側にはみ出した検出点により隣接部の感応基板面の所定基準面に対する相対位置を算出することが可能であり、この算出結果に基づいて感応基板の面位置を調整することが可能となり、請求項６に記載の発明と同様に、感応基板の走査方向の変更によるスループット低下を防止することができるとともに、上記算出データの活用によりフォーカス制御の追い込みが可能となる。
また、本発明の別の態様によれば、投影光学系（ＰＬ）を介してパターンの像を露光領域（ＩＦ）に投影し、該露光領域（ＩＦ）に対して感応基板を走査方向に移動することによって、該感応基板を露光する投影露光方法であって、２次元方向（Ｘ軸方向，Ｙ軸方向）に移動可能な第１基板ステージ（ＷＳ１）上に感応基板（Ｗ１）を保持し、第１基板ステージ（ＷＳ１）とは独立に、２次元方向（Ｘ軸方向，Ｙ軸方向）に移動可能な第２基板ステージ（ＷＳ２）上に感応基板（Ｗ２）を保持し、第１、第２基板ステージのうちの一方の基板ステージ（例えばＷＳ１）上に保持された感応基板（Ｗ１）上のアライメントマークの検出を行う計測シーケンスを、他方の基板ステージ（ＷＳ２）上の感応基板（Ｗ２）の露光を行う露光シーケンスと並行して実行し、その計測シーケンスの間に、一方の基板ステージ（ＷＳ１）上の感応基板（Ｗ１）の外周近傍の表面位置情報を検出し、一方の基板ステージ（ＷＳ１）を用いた計測シーケンスと他方の基板ステージ（ＷＳ２）を用いた露光シーケンスの終了後、他方の基板ステージ（ＷＳ２）を感応基板の交換位置に移動するとともに、一方の基板ステージ（ＷＳ１）を投影光学系（ＰＬ）の像面側に移動し、一方の基板ステージ（ＷＳ１）に保持された感応基板の外周近傍のショット領域（２１０）を、前記露光領域（ＩＦ）が感応基板の外側から内側へ走査するように露光し、その露光に際して計測シーケンス中に検出された前記表面位置情報に基づいて、一方の基板ステージ（ＷＳ１）上に保持された感応基板（Ｗ１）の面位置調整を実行する投影露光方法が提供される。
これによれば、スループットを向上させつつ、高精度なフォーカス、レベリング制御を行うことができる。
また、本発明の別の態様によれば、マスク（Ｒ）に形成されたパターンの像を投影光学系（ＰＬ）を介して感応基板（Ｗ）上に露光する投影露光装置であって、干渉計用の反射面を有し、感応基板を保持して２次元方向（Ｘ軸方向，Ｙ軸方向）に移動可能な第１基板ステージ（ＷＳ１）と；干渉計用の反射面を有し、感応基板を保持して第１基板ステージ（ＷＳ１）とは独立に２次元方向（Ｘ軸方向，Ｙ軸方向）に移動可能な第２基板ステージ（ＷＳ２）と；投影光学系（ＰＬ）とは別に設けられ、感応基板上のアライメントマークを検出する少なくとも１つの第１アライメント系（２４ａ）と；基板ステージに設けられた基準（ＦＭ１）とマスク（Ｒ）のマークとの相対位置関係を投影光学系（ＰＬ）を介して計測する第２アライメント系（１４２）と；感応基板の表面の所定基準面に対する面位置情報を検出する面位置検出系（１３０）と；第１アライメント系（２４ａ）を用いて感応基板上のアライメントマークの検出を行う計測シーケンス中の基板ステージの位置を計測可能に配置され、その計測シーケンスの終了後に基板ステージの反射面から外れる第１干渉計測長軸（ＢＩ４Ｙ）と、投影光学系（ＰＬ）を用いて感応基板の露光を行う露光シーケンス中の基板ステージの位置を計測可能に配置され、その露光シーケンス終了後に基板ステージの反射面から外れる第２干渉計測長軸（ＢＩ３Ｙ）とを有する干渉計システムと；を備え、第１、第２基板ステージのうちの一方の基板ステージ（例えばＷＳ１）での計測シーケンスを、他方の基板ステージ（ＷＳ２）での露光シーケンスと並行して実行して、一方の基板ステージ（ＷＳ１）に保持された感応基板（Ｗ１）上のショット領域と、一方の基板ステージ（ＷＳ１）に設けられた基準（ＦＭ１）との第１位置関係が求められ、その計測シーケンスの実行中に、一方の基板ステージ（ＷＳ１）上の感応基板（Ｗ１）表面の面位置情報が面位置検出系（１３０）を用いて検出され、一方の基板ステージ（ＷＳ１）を用いた計測シーケンス及び他方の基板ステージ（ＷＳ２）を用いた露光シーケンスの終了後、他方の基板ステージ（ＷＳ２）が感応基板の交換位置に移動されるとともに、一方の基板ステージ（ＷＳ１）が投影光学系（ＰＬ）の像面側の所定位置に移動され、第２アライメント系（１４２）を用いて、一方の基板ステージ（ＷＳ１）に設けられた基準（ＦＭ１）とマスクのマークとの第２位置関係が計測され、一方の基板ステージ（ＷＳ１）に保持されている感応基板（Ｗ１）上のショット領域が順次露光され、その露光の際に、その第１及び第２位置関係と前記第２干渉計測長軸を用いて計測される一方の基板ステージ（ＷＳ１）の位置とに基づいて、一方の基板ステージ（ＷＳ１）の２次元方向（Ｘ軸方向，Ｙ軸方向）の位置が制御されるとともに、その計測シーケンス中に検出された面位置情報に基づいて、一方の基板ステージ（ＷＳ１）に保持された感応基板（Ｗ１）の面位置調整が行われる投影露光装置が提供される。
これによれば、スループットを向上させつつ、高精度なフォーカス、レベリング制御を行うことができる。