【手続補正書】
【提出日】平成17年7月13日(2005.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びそれを用いる電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、容量素子及び光電変換素子を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第３のトランジスタのゲートと、前記第４のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第１の配線に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第４のトランジスタのゲートとに接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線に接続され、
前記第２のトランジスタのソースとドレインの他方は、第３の配線に接続され、
前記第３のトランジスタのソースとドレインの他方は、第４の配線に接続され、
前記第４のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第５の配線に接続され、
前記第５のトランジスタのソースとドレインの他方は、第６の配線に接続され、
前記容量素子は、前記第１のトランジスタのゲートと前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方の間に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、容量素子及び光電変換素子を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記容量素子の第１の端子とに接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第３のトランジスタのゲートと、前記第４のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第１の配線に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第４のトランジスタのゲートと、前記容量素子の第２の端子とに接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線に接続され、
前記第２のトランジスタのソースとドレインの他方は、第３の配線に接続され、
前記第３のトランジスタのソースとドレインの他方は、第４の配線に接続され、
前記第４のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第５の配線に接続され、
前記第５のトランジスタのソースとドレインの他方は、第６の配線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、容量素子及び光電変換素子を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第３のトランジスタのゲートと、前記第４のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第１の配線に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第４のトランジスタのゲートとに接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線に接続され、
前記第２のトランジスタのソースとドレインの他方は、第３の配線に接続され、
前記第３のトランジスタのソースとドレインの他方は、第４の配線に接続され、
前記第４のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第５の配線に接続され、
前記第５のトランジスタのソースとドレインの他方は、第６の配線に接続され、
前記容量素子は、前記第１のトランジスタのゲートと前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方の間に設けられ、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、前記第４のトランジスタ及び前記第５のトランジスタの各々は、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、容量素子及び光電変換素子を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記容量素子の第１の端子とに接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第３のトランジスタのゲートと、前記第４のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第１の配線に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第４のトランジスタのゲートと、前記容量素子の第２の端子とに接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線に接続され、
前記第２のトランジスタのソースとドレインの他方は、第３の配線に接続され、
前記第３のトランジスタのソースとドレインの他方は、第４の配線に接続され、
前記第４のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第５の配線に接続され、
前記第５のトランジスタのソースとドレインの他方は、第６の配線に接続され、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、前記第４のトランジスタ及び前記第５のトランジスタの各々は、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、容量素子、光電変換素子及び発光素子を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第３のトランジスタのゲートと、前記第４のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第１の配線に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第４のトランジスタのゲートとに接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線に接続され、
前記第２のトランジスタのソースとドレインの他方は、第３の配線に接続され、
前記第３のトランジスタのソースとドレインの他方は、第４の配線に接続され、
前記第４のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第５の配線に接続され、
前記第５のトランジスタのソースとドレインの他方は、第６の配線に接続され、
前記容量素子は、前記第１のトランジスタのゲートと前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方の間に設けられ、
前記発光素子から発せられる光は被写体に照射され、前記被写体において反射した光は前記光電変換素子に照射されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、容量素子、光電変換素子及び発光素子を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記容量素子の第１の端子とに接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第３のトランジスタのゲートと、前記第４のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第１の配線に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第４のトランジスタのゲートと、前記容量素子の第２の端子とに接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線に接続され、
前記第２のトランジスタのソースとドレインの他方は、第３の配線に接続され、
前記第３のトランジスタのソースとドレインの他方は、第４の配線に接続され、
前記第４のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第５の配線に接続され、
前記第５のトランジスタのソースとドレインの他方は、第６の配線に接続され、
前記発光素子から発せられる光は被写体に照射され、前記被写体において反射した光は前記光電変換素子に照射されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、容量素子、光電変換素子及び発光素子を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第３のトランジスタのゲートと、前記第４のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第１の配線に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第４のトランジスタのゲートとに接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線に接続され、
前記第２のトランジスタのソースとドレインの他方は、第３の配線に接続され、
前記第３のトランジスタのソースとドレインの他方は、第４の配線に接続され、
前記第４のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第５の配線に接続され、
前記第５のトランジスタのソースとドレインの他方は、第６の配線に接続され、
前記容量素子は、前記第１のトランジスタのゲートと前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方の間に設けられ、
前記発光素子から発せられる光は被写体に照射され、前記被写体において反射した光は前記光電変換素子に照射され、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、前記第４のトランジスタ及び前記第５のトランジスタの各々は、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、容量素子、光電変換素子及び発光素子を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記容量素子の第１の端子とに接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記第３のトランジスタのゲートと、前記第４のトランジスタのソースとドレインの一方とは、第１の配線に接続され、
前記第１のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースとドレインの一方と、前記光電変換素子の少なくとも一方の端子と、前記第４のトランジスタのゲートと、前記容量素子の第２の端子とに接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線に接続され、
前記第２のトランジスタのソースとドレインの他方は、第３の配線に接続され、
前記第３のトランジスタのソースとドレインの他方は、第４の配線に接続され、
前記第４のトランジスタのソースとドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースとドレインの一方に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第５の配線に接続され、
前記第５のトランジスタのソースとドレインの他方は、第６の配線に接続され、
前記発光素子から発せられる光は被写体に照射され、前記被写体において反射した光は前記光電変換素子に照射され、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、前記第４のトランジスタ及び前記第５のトランジスタの各々は、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の前記半導体装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項９に記載の前記電子機器は、スキャナー、タッチパネル、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、コンピュータ又は携帯情報端末であることを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
この状態において、リセット用トランジスタ１１４のゲート電極の電位と、ブート用トランジスタ１１５のソース領域の電位は、ブートストラップ法による容量結合により引き上げられる。図３に示すように、ブート用トランジスタ１１５がオフ状態になってからも、光電変換素子１１１の電位は上昇し続けている。これは、リセット用トランジスタ１１４のゲート電極の電位が、容量結合の振幅補償をうけて少しずつ上昇しているからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
発光素子１２５は陽極及び陰極と、前記陽極及び前記陰極との間に設けられた有機化合物層とからなる。陽極が駆動用トランジスタ１２９のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極となり、陰極が対向電極となる。逆に陰極が駆動用トランジスタ１２９のソース領域またはドレイン領域と接続している場合、陰極が画素電極となり、陽極が対向電極となる。本実施例において、駆動用トランジスタ１２９はｐチャネル型であるので、発光素子１２５の陽極が駆動用トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続され、発光素子１２５の陰極が電源線１５３（Ｖdd）に接続される。