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【手続補正書】
【提出日】平成16年1月14日(2004.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望の物質の層を形成する方法であって、前記方法は、
ａ）前記所望の物質とは異なる格子定数を有するシリコン基板を準備し、前記所望の物質を前記基板上に丸形の複数の隆起が生成されるように堆積することと、
ｂ）前記隆起の間の領域を非結晶物質で満たすことと、
ｃ）前記丸形の複数の隆起を成長サイトとして前記所望の物質を再び堆積させ、前記物質の層を形成することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記方法は、ステップａ）において前記物質の層を前記基板上に堆積させ、その際に前記物質層は十分に成長して前記丸形の複数の隆起が前記層内に形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記物質の層は前記丸形の複数の隆起のみが形成され、ピラミッド形の複数の隆起の形成は抑制されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記物質の層は、前記基板上に化学気相堆積法による一連の段階的堆積によって形成され、形成された前記複数の隆起は均一なサイズ分布を有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の隆起はその基部において下の前記基板物質の格子定数に相当する格子定数を有し、かつその頂上において、前記所望の物質の格子定数に相当する格子定数を有することを特徴とする請求項２または３または４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
ステップｂ）において、酸化によってアモルファス二酸化シリコンの領域が前記複数の隆起の間に形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記酸化プロセスは大気中、かつ室温で行われることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記所望の物質は高められた温度で水素を適用することで還元され、それにより前記二酸化シリコンの領域によって分離された前記丸形の複数の隆起の頂部が露出されることを特徴とする請求項６または７記載の方法。
【請求項９】
前記所望の物質は化学気相堆積法プロセスによって堆積され、その際第１の段階では１つ以上の構成物質を所定圧力で供給し、かつ、成長中断期間を経た後、第２の段階において前記構成物質の圧力を引き下げることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記化学気相堆積法プロセスにおいて用いられる前記構成物質はシランとゲルマンであり、および前記第２の段階ではゲルマンの圧力を引き下げることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記プロセスの温度はおよそ６００℃であり、前記第１の段階はおよそ１分間であり、前記成長中断期間はおよそ１分間であり、前記第２の段階はおよそ４分の１分間であることを特徴とする請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記所望の物質はゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の隆起上に形成される前記所望の物質の層は各隆起からエピタキシャル成長によって単結晶として広がり、前記基板全体に延在する連続的な層を形成することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の隆起上の前記層の成長は均一な厚さの層が形成されるまで継続されることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
シリコン以外の物質の基板を用いるように変更されていることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
太陽電池のゲルマニウム基板を製造するために請求項１乃至１５のいずれかに記載の方法を使用すること。
【請求項１７】
シリコン基板と、前記基板表面に形成された所望の物質の複数の隆起と、前記隆起は丸形の形状を有し、かつ前記所望の物質は前記シリコンの格子定数とは異なる格子定数を有し、前記隆起の間に形成された非結晶物質の層と、前記丸形の隆起の上にそれらと接触して形成された前記所望の物質の層と、を含む半導体構造体。
【請求項１８】
前記所望の物質はゲルマニウムであることを特徴とする請求項１７に記載の構造体。
【請求項１９】
前記所望の物質の層は、それぞれのまたは少なくとも大部分の前記隆起からエピタキシャルに形成されることを特徴とする請求項１７または１８記載の構造体。
【請求項２０】
所望の物質の層を形成する方法であって、前記方法は、
ａ）前記所望の物質とは異なる格子定数を有するシリコン基板を準備し、前記基板上に前記所望の物質からなり丸い上面を有する突起状の複数のナノ構造を形成することと、
ｂ）前記ナノ構造の間を非結晶物質で満たすことと、
ｃ）前記ナノ構造を成長サイトとして前記基板上に前記所望の物質を堆積させ、それによって前記物質の層を形成することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
前記ナノ構造は底部において下にある前記基板物質の格子定数に対応する格子定数を有し、その頂部に行くにつれて前記所望の物質の格子定数に対応する格子定数を有することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ステップｂ）において、酸化により前記ナノ構造の間にアモルファス二酸化シリコンが形成されることを特徴とする請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
酸化プロセスは大気中、かつ室温で行われることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記所望の物質は高められた温度で水素を適用することで還元され、それにより二酸化シリコン領域によって分離された前記ナノ構造の頂部が露出されることを特徴とする請求項２２または２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記所望の物質はゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項２０乃至２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
前記ナノ構造上に形成される前記所望の物質の層は各ナノ構造からエピタキシャル成長によって単結晶として広がり、前記基板全体に延在する連続的な層を形成することを特徴とする請求項２０乃至２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記ナノ構造上の層の成長は均一な厚さの層が形成されるまで継続されることを特徴とする請求項２０乃至２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
シリコン以外の物質の基板を用いるように変更されていることを特徴とする請求項２０乃至２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
太陽電池のゲルマニウム基板を製造するために請求項２０乃至２８のいずれかに記載の方法を使用すること。
【請求項３０】
シリコン基板と、前記基板表面に形成された所望の物質の突起状の複数のナノ構造と、前記ナノ構造は丸い上面を有し、前記所望の物質は前記シリコンの格子定数とは異なる格子定数を有し、前記ナノ構造の間に形成された非結晶物質の層と、前記ナノ構造の上にそれらと接触して形成された前記所望の物質の層と、を含む半導体構造体。
【請求項３１】
前記所望の物質はゲルマニウムであることを特徴とする請求項３０に記載の構造体。
【請求項３２】
前記所望の物質の層は、それぞれのまたは少なくとも大部分の前記ナノ構造からエピタキシャルに形成されることを特徴とする請求項３０または３１に記載の構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージに結合された電気的なリードの接着性を試験するための方法において、
前記パッケージと前記リードの一部分とをそれぞれの静止位置で保持する段階と、
前記リードが前記パッケージに結合される領域のすぐ近くで前記リードに力を加える段階と、
前記力に対する前記リードの抵抗を計測する段階とを有する、
パッケージに結合された電気的なリードの接着性を試験するための方法。
【請求項２】
前記リードは端部領域を有し、前記リードの一部分を保持する段階は、前記端部領域で前記リードを保持することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リードは端部領域を有し、前記リードの一部分を保持する段階は、前記端部領域と、前記リードが前記パッケージに結合される領域との間の領域で前記リードを保持することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記パッケージは、前記パッケージに結合された二つの対向するリードを有し、前記対向するリードは、前記対向するリードのそれぞれの端部領域でそれぞれの静止位置に保持され、前記力を加える段階と、前記力に対する前記リードの抵抗を計測する段階とは、前記対向するリードの各々上で連続して実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
パッケージに結合された導電性のリードの接着性を試験するための装置において、
前記パッケージと少なくとも一つの前記リードの一部分との両方をそれぞれの静止位置で間に保持するための第一保持部材および第二保持部材を有し、
前記第一保持部材および前記第二保持部材は、前記パッケージおよび前記リードの取り外しおよび挿入のために互いから引き離されることが可能であり、前記第一保持部材と前記第二保持部材との間で保持される前記パッケージと前記リードとをしっかりと保持するために互いに対して閉鎖されることが可能である、パッケージに結合された導電性のリードの接着性を試験するための装置。
【請求項６】
前記第一保持部材および前記第二保持部材の各々は、前記前記第一保持部材と前記第二保持部材との間で電気的な前記パッケージを保持するための第一分離領域と、前記前記第一保持部材と前記第二保持部材との間で一つのリードを保持するための第ニ分離領域と、前記前記第一保持部材と前記第二保持部材との間でもう一つのリードを保持するための第三分離領域とを有する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第一保持部材および前記第二保持部材は、前記第一保持部材および前記第二保持部材を互いに連結する機械的手段により互いに対して閉鎖される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記機械的手段は、ネジと、前記ネジが締め付けられる接触部とを有し、前記ネジと前記接触部との間に圧縮手段を有する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
パッケージに結合された導電性のリードの接着性を試験するための装置において、
前記パッケージと少なくとも一つの前記リードの一部分との両方をそれぞれの静止位置で間に保持するための第一保持部材および第二保持部材を有し、
前記第一保持部材および前記第二保持部材は、前記パッケージおよび前記リードの取り外しおよび挿入のために互いから引き離されることが可能であり、前記第一保持部材と前記第二保持部材との間で保持される前記パッケージと前記リードとをしっかりと保持するために互いに対して閉鎖されることが可能であり、
前記第一保持部材および前記第二保持部材の各々は、前記前記第一保持部材と前記第二保持部材との間で電気的な前記パッケージを保持するための第一分離領域と、前記前記第一保持部材と前記第二保持部材との間で一つのリードを保持するための第ニ分離領域と、前記前記第一保持部材と前記第二保持部材との間でもう一つのリードを保持するための第三分離領域とを有し、
前記一つのリードおよび前記もう一つのリードは、前記パッケージを横切って各々が位置的に対向するリードであり、
前記リードは端部領域を有し、前記第一保持部材および前記第二保持部材の前記第二分離領域および前記第三分離領域は、前記第二分離領域および前記第三分離領域が、前記端部領域で前記第一保持部材と前記第二保持部材との間に前記リードを保持するように配置され、
前記第一保持部材および前記第二保持部材は、前記第一保持部材および前記第二保持部材を互いに連結する機械的手段により、互いに対して閉鎖されることが可能であり、
前記第一保持部材および前記第二保持部材の各々は、細長い横断する部分と、前記横断する部分から延在する第一アーム、第二アームおよび第三アームとを有し、前記第一アーム、前記第二アームおよび前記第三アームの端部が、前記パッケージと前記リードとを保持するための前記第一保持部材と前記第二保持部材の前記第一分離領域、前記第二分離領域および前記第三分離領域を構成する、パッケージに結合された導電性のリードの接着性を試験するための装置。
【請求項１０】
パッケージに鑞付けされた電気的なリードの接着性を非破壊試験するための装置において、
前記パッケージと前記リードとの両方をそれぞれの静止位置で保持するためのクランプと、
前記リードが前記パッケージに鑞付けされる領域のすぐ近くで前記リードに、良好に接着された前記リードを破壊しない大きさの機械的な力を加える手段と、
前記力に対する前記リードの抵抗を計測するためのフォースゲージとを有する、
パッケージに鑞付けされた電気的なリードの接着性を非破壊試験するための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の第１タイプ官能基を有する少なくとも１つの官能基化ポリマーを含むポリマー金属錯体であって、前記第１タイプ官能基の少なくとも一部が少なくとも１つのランタニド金属イオンに配位しており、前記少なくとも１つのランタニド金属イオンが、エノラート、ホスフィンオキシド、Ｎ−オキシド、およびジイミンから選択された少なくとも１つの配位子にさらに配位していることを特徴とするポリマー金属錯体。
【請求項２】  エノラート、ホスフィンオキシド、Ｎ−オキシド、およびジイミンから選択された複数の第１タイプ官能基を有する少なくとも１つの官能基化ポリマーを含むポリマー金属錯体であって、前記第１タイプ官能基の少なくとも一部がランタニド金属イオンに配位していることを特徴とするポリマー金属錯体。
【請求項３】  複数の第１タイプ官能基を有する少なくとも１つの官能基化ポリマーを含むポリマー金属錯体であって、前記第１タイプ官能基の少なくとも一部が少なくとも１つのイリジウムイオンに配位しており、前記少なくとも１つのイリジウムイオンが第８式を有する２−アリールピリジン、２−アリールピリミジンおよび２−アリールキノリンから選択された少なくとも１つの配位子にさらに配位しており、
【化１】
2004531850.tif 000001
式中、Ｒ1〜Ｒ8の隣接した対は結合して５員環または６員環を形成することができ、および
Ｒ1〜Ｒ8は同じであるかまたは互いに異なることができ、かつ、Ｈ、アルキル、アリール、アルキルアリール、ＣsＨaＦb、ＯＣsＨaＦb、およびＯＣＦ2Ｘから選択され、ここで、ｓは１と６との間の整数、ａ＋ｂ＝２ｓ＋１、およびＸ＝Ｈ、Ｃｌ、またはＢｒであることを特徴とするポリマー金属錯体。
【請求項４】  Ｒ1〜Ｒ8の少なくとも１つがＦ、ＣsＨaＦb、ＯＣsＨaＦb、およびＯＣＦ2Ｘから選択され、ここで、ｓ＝１〜６、ａ＋ｂ＝２ｓ＋１、およびＸ＝Ｈ、Ｃｌ、またはＢｒであることを特徴とする請求項３に記載のポリマー金属錯体。
【請求項５】  複数の第１タイプ官能基を有する少なくとも１つの官能基化ポリマーを含むポリマー金属錯体であって、前記第１タイプ官能基の少なくとも一部が少なくとも１つのアルミニウムイオンに配位しており、前記少なくとも１つのアルミニウムイオンがシッフ塩基配位子にさらに配位していることを特徴とするポリマー金属錯体。
【請求項６】  前記シッフ塩基配位子が以下の第１１式を有し、
【化２】
2004531850.tif 000002
式中、Ａはアルキル、シクロアルキル、またはアリールであり、および
Ｘ、Ｙは同じであるかまたは互いに異なっており、かつ、アルキルおよびアリールから選択されることを特徴とする請求項５に記載のポリマー金属錯体。
【請求項７】  複数の第１タイプ官能基を有するポリマー材料を含むポリマー金属錯体であって、前記第１タイプ官能基がジイミンであり、かつ、前記第１タイプ官能基の少なくとも一部がレニウムイオンに配位していることを特徴とするポリマー金属錯体。
【請求項８】  複数の第１タイプ官能基を有するポリマー材料を含むポリマー金属錯体であって、前記第１タイプ官能基の少なくとも一部が、少なくとも１つのジイミン配位子にさらに配位している、レニウムイオンに配位していることを特徴とするポリマー金属錯体。
【請求項９】  発光層を含む有機電子デバイスであって、前記発光層が、電荷を有する複数の第１タイプ官能基と、反対の電荷を有する少なくとも１つの金属錯体とを有する少なくとも１つの官能基化ポリマーを含むことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項１０】  前記第１タイプ官能基が負であり、かつ、カルボキシレート、スルホナート、アルコキシド、およびアミドから選択されることを特徴とする請求項９に記載の有機電子デバイス。
【請求項１１】  前記第１タイプ官能基が正であり、かつ、アルキル、アリール、およびそれらの組合せから選択された有機置換基を有するアンモニウム基であることを特徴とする請求項９に記載の有機電子デバイス。
【請求項１２】  前記金属錯体が、４つのエノラート配位子に配位している＋３酸化状態のランタニド金属であることを特徴とする請求項９に記載の有機電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
前記陽極に隣接する電解質と、
前記電解質に隣接し、前記電解質に隣接する導電層を有する陰極とを具備する固体酸化物燃料電池。
【請求項２】
前記導電層は、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ及びＢａのうちの１つ以上の希土類金属をＡとし、遷移金属をＢとし、１つ以上の希土類金属をＣとし、１つ以上の４価イオンをＤとし且つ０から１までの数をｄとするとき、ＡＢＯ３±ｄ、Ａ２Ｂ２Ｏ５±ｄ及びＣ２Ｄ２Ｏ７±ｄより成る群から選択された材料を含む請求項１記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項３】
前記陰極は前記導電層に隣接する触媒層を更に具備する請求項１記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項４】
前記触媒層は、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ及びＢａのうちの１つ以上の希土類金属をＡとし、遷移金属をＢとし、１つ以上の希土類金属をＣとし、１つ以上の４価イオンをＤとし且つ０から１までの数をｄとするとき、ＡＢＯ３±ｄ、Ａ２Ｂ２Ｏ５±ｄ及びＣ２Ｄ２Ｏ７±ｄより成る群から選択された材料を含む請求項３記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項５】
前記触媒層はＰｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ及び遷移金属イオンより成る群から選択された第２の材料を含む請求項３記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項６】
前記陰極は前記触媒層に隣接する漸変組成層を更に具備する請求項１記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項７】
前記漸変組成層は電解質材料と、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ及びＢａのうちの１つ以上の希土類金属をＡとし、遷移金属をＢとし、１つ以上の希土類金属をＣとし、１つ以上の４価イオンをＤとし且つ０から１までの数をｄとするとき、ＡＢＯ３±ｄ、Ａ２Ｂ２Ｏ５±ｄ及びＣ２Ｄ２Ｏ７±ｄより成る群から選択された非電解質材料とを含む請求項６記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項８】
前記漸変組成層は電子伝導度又はイオン伝導度が漸次変化することを特徴としている請求項６記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項９】
前記触媒層は前記導電層と前記漸変組成層との間に配置されている請求項６記載の固体酸化物燃料電池。
【請求項１０】
固体酸化物燃料電池において、
第１の密度を有する導電層と、
前記第１の密度より小さい第２の密度を有する触媒層と、
電子伝導度及びイオン伝導度が漸次変化することを特徴とする漸変組成層とを具備する陰極。
【請求項１１】
前記陰極は６００℃で約０．３５オーム・ｃｍ２未満の面積固有抵抗（ＡＳＲ）を特徴としている請求項１０記載の陰極。
【請求項１２】
固体酸化物燃料電池の陰極を製造する方法において、
第１の密度を有する導電層を形成することと、
前記導電層に隣接し、前記第１の密度より小さい第２の密度を有する触媒層を形成することから成る方法。
【請求項１３】
前記導電層は、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ及びＢａのうちの１つ以上の希土類金属をＡとし、遷移金属をＢとし、１つ以上の希土類金属をＣとし、１つ以上の４価イオンをＤとし且つ０から１までの数をｄとするとき、ＡＢＯ３±ｄ、Ａ２Ｂ２Ｏ５±ｄ及びＣ２Ｄ２Ｏ７±ｄより成る群から選択された材料を含む請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記触媒層は、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ及びＢａのうちの１つ以上の希土類金属をＡとし、遷移金属をＢとし、１つ以上の希土類金属をＣとし、１つ以上の４価イオンをＤとし且つ０から１までの数をｄとするとき、ＡＢＯ３±ｄ、Ａ２Ｂ２Ｏ５±ｄ及びＣ２Ｄ２Ｏ７±ｄより成る群から選択された材料を含む請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記触媒層はＰｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ及び遷移金属イオンより成る群から選択された材料を含む請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
前記触媒層に隣接する漸変組成層で電子伝導度の漸次変化を発生させることと、
前記触媒層に隣接する前記漸変組成層でイオン伝導度の漸次変化を発生させることを更に含む請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
前記漸変組成層は、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ及びＢａのうちの１つ以上の希土類金属をＡとし、遷移金属をＢとし、１つ以上の希土類金属をＣとし、１つ以上の４価イオンをＤとし且つ０から１までの数をｄとするとき、ＡＢＯ３±ｄ、Ａ２Ｂ２Ｏ５±ｄ及びＣ２Ｄ２Ｏ７±ｄより成る群から選択された材料を含む請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記電子伝導度の漸次変化は前記漸変組成層の底面から上面へ増加する変化である請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記イオン伝導度の漸次変化は前記漸変組成層の底面から上面へ減少する変化である請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
前記漸変組成層から前記導電層に隣接する電解質の中へ電子を進行させることを更に含む請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
前記電解質、非電解質材料及び配線部の間の熱膨張率の不一致を最小にすることを更に含む請求項１６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データベースから表示項目を選択する装置であって、各項目ごとに、その項目とデータベース内の他の項目との類似度を示すデータを記憶するデータ記憶手段と、
前記データベース内の第１の項目を識別するユーザ入力を受信する入力手段と、
第１の項目に対して所定の類似度をもつ進化基準を特定する進化プロセッサ手段と、
データベースから、進化基準を満たしている１つ以上の異なる項目を識別することと、
異なる項目の中から第２の項目を選択する選択手段と、
選択された第２の項目を識別する出力を表示する出力手段とを含む装置。
【請求項２】
複数の項目を表示する表示手段を含み、入力手段が、表示項目の中の１つを第１の項目に選択する手段をもち、出力手段が、選択されずに最も長い間表示されていた項目を、選択された第２の項目に置き換えるように、表示手段を制御する手段をもち、さらに選択された項目の表示を生成する手段を含み、最初はゼロに設定される経過期間値を、各表示項目に割り当てる手段と、各表示項目の経過期間値を定期的にインクリメントする手段と、所与の表示項目を識別する入力手段が入力を受信したことに応答して、この項目の経過期間値をゼロにリセットする手段と、所定値よりも大きい経過期間値をもつ表示項目から削除する手段とをさらに含む請求項１記載の装置。
【請求項３】
データ記憶手段が、属性の組の各々に、各項目特定値を割り当てる手段を含み、２つの項目間の類似度が、２つの項目が共通の値をもつ属性の数によって識別され、第１の項目の属性値の組から所定度分異なる属性値の組を生成する属性進化生成手段と、生成された組に対応する属性値をもつ第２の項目をデータベースから選択する選択手段とをさらに含む請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
データ記憶手段が、属性の組の各々に、各他の項目との類似度を定める各項目特定値を割り当てる手段を含み、進化基準手段が、第１の項目に対する所定の類似度を特定する進化基準を定める手段を含む請求項１または２記載の装置。
【請求項５】
属性値の生成された組が、２つ以上の前の入力の属性にしたがって決定され、装置の各動作サイクルにおいて行われる選択を記録する記録手段を含み、属性生成手段が、所定回数前からの装置の動作サイクル内で選択されたと記録されている項目の属性に関係する属性の組を生成するようにされている請求項３記載の装置。
【請求項６】
各属性に重み付け値を関係付ける手段と、第１の項目に関係する入力を受信すると、第１の項目に関係付けられた属性の重み付け値を増加する手段とを含み、第２の項目を検索する手段が、より大きい重みを割当てられた属性の項目が、より小さい重みの属性の項目よりも選択の可能性がより大きくなるように動作する請求項３ないし５のいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
データベースから表示項目を選択する方法であって、
各項目とデータベース内の他の項目との類似度を示すデータを生成するステップと、
前記データベース内の第１の項目を識別する入力を受信するステップと、
第１の項目に対する所定の類似度を識別する進化基準を生成するステップと、
データベース内で進化基準を満たしている項目を選択するステップと、
選択された第２の項目を表示するステップとを含む方法。
【請求項８】
複数の項目が表示され、第１の項目が、表示されている項目の中の１つであり、複数の表示項目の中の１つを、選択された第２の項目に置き換え、各表示項目に、最初はゼロに設定され、かつ定期的にインクリメントされる経過期間値を割り当て、所与の表示項目が選択されたときに、その項目の経過期間値をゼロにリセットし、経過期間値を使用して、表示部から削除する項目を識別する請求項７記載の方法。
【請求項９】
各項目が、属性の組の各々に特定値を割り当てて、項目間の類似度を、項目が共通の値をもつ属性の数によって識別し、第１の項目の属性値の組から所定度分異なっている属性値の組を生成することによって、進化基準を選択し、データベースから、属性値の生成された組に対応する属性値をもつ項目から、第２の項目を選択する請求項７または８記載の方法。
【請求項１０】
各属性に重み付け値を関係付けて、第１の項目に関係する入力を受信すると、第１の項目に関係付けられた属性の重み付け値が増加し、より大きい重みを割り当てられた属性の項目が、より小さい重みの属性の項目よりも選択の可能性がより大きくなるように、進化基準を生成する請求項９項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部供給電圧をホストから受け取るメモリシステムであって、前記メモリシステムは、
複数のメモリブロックであって、前記メモリブロックのそれぞれは少なくとも複数のデータ記憶要素を含むメモリブロックと、
前記メモリブロックと動作可能に結合され、前記メモリシステムが前記ホストに動作可能に接続されるときに前記外部供給電圧を受け取るように動作可能に結合されたメモリコントローラであって、前記メモリコントローラは、前記メモリブロックのそれぞれによって使用されるための前記外部供給電圧と異なる少なくとも第１および第２供給電圧を発生するように動作可能な電圧発生回路を少なくとも含むメモリコントローラと、
を備えるメモリシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のメモリシステムであって、前記メモリシステムはさらに、
前記メモリブロックのそれぞれに接続された電源バスであって、前記電源バスは、前記メモリブロック間で少なくとも前記第１および第２供給電圧を供給する、電源バスを備えるメモリシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のメモリシステムであって、前記データ記憶要素は、不揮発性データ記憶を提供するメモリシステム。
【請求項４】
請求項３に記載のメモリシステムであって、前記データ記憶要素は、ＥＥＰＲＯＭまたはＦＬＡＳＨであるメモリシステム。
【請求項５】
請求項１に記載のメモリシステムであって、前記メモリシステムは、単一のパッケージの中に提供されるメモリシステム。
【請求項６】
請求項１に記載のメモリシステムであって、前記メモリシステムは取り外し可能なデータ記憶製品であるメモリシステム。
【請求項７】
請求項２に記載のメモリシステムであって、前記電源バスは少なくとも前記第１供給電圧および第２供給電圧を前記メモリブロックのそれぞれに供給し、前記外部供給電圧をどのメモリブロックにも供給しないメモリシステム。
【請求項８】
請求項１に記載のメモリシステムであって、前記メモリシステムは取り外し可能に前記ホストに結合するメモリカードであり、前記ホストはコンピューティングデバイスであり、前記電圧発生回路はさらに第３供給電圧を発生し、前記電源バスはさらに前記メモリブロック間で前記第３供給電圧を供給するメモリシステム
【請求項９】
外部供給電圧をホストから受け取るメモリシステムであって、前記メモリシステムは、
複数のメモリブロックであって、前記メモリブロックのそれぞれは少なくとも複数のデータ記憶要素を含み、少なくとも一つの前記メモリブロックは、メモリで発生された少なくとも一つの供給電圧を発生するように動作可能な第１電圧発生回路を少なくともさらに含む、メモリブロックと、
前記メモリブロックにアクセスするよう動作可能に結合されたメモリコントローラと、
前記メモリブロックのそれぞれに結合された電源バスであって、前記電源バスは前記少なくとも一つの、メモリで発生された供給電圧を前記メモリブロック間に供給する、電源バスと、
を備えるメモリシステム。
【請求項１０】
請求項９に記載のメモリシステムであって、前記メモリシステムが前記ホストに動作可能に接続され、前記外部供給電圧は、少なくとも前記第１電圧発生回路を含む前記少なくとも一つの前記メモリブロックに供給されるメモリシステム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のメモリシステムであって、前記メモリシステムは、
前記メモリコントローラと、前記メモリブロックのそれぞれとの間を動作可能に結合する入力／出力（Ｉ／Ｏ）バス
をさらに備えるメモリシステム。
【請求項１２】
請求項９に記載のメモリシステムであって、前記メモリブロックの少なくとも他のものは、前記少なくとも一つのメモリで発生された供給電圧を発生するように動作可能な少なくとも一つの電圧発生回路をさらに含むメモリシステム。
【請求項１３】
請求項１または９に記載のメモリシステムであって、前記メモリシステムはメモリカードであるメモリシステム。
【請求項１４】
請求項９に記載のメモリシステムであって、
前記第１電圧発生回路は、メモリで発生された複数の供給電圧を発生し、前記メモリで発生された供給電圧の一つは少なくとも一つのメモリで発生された供給電圧であり、
前記電源バスは、前記メモリで発生された複数の供給電圧を前記メモリブロック間に供給する、メモリシステム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のメモリシステムであって、前記複数のメモリで発生された供給電圧の少なくとも一つは前記メモリコントローラに供給されるメモリシステム。
【請求項１６】
請求項９に記載のメモリシステムであって、
前記メモリシステムは、
前記メモリコントローラおよび前記メモリブロックから離れた電圧レギュレータであって、前記電圧レギュレータは、前記電源バスに供給される、レギュレータで発生された供給電圧を発生する電圧レギュレータ
をさらに備え、
前記レギュレータで発生された供給電圧は、前記メモリブロック間に前記電源バスを介して供給される、
メモリシステム。
【請求項１７】
データ取得デバイスと、
前記データ取得デバイスに取り外し可能に結合されたデータ記憶デバイスであって、前記データ記憶デバイスは、前記データ取得デバイスによって取得されたデータを記憶し、
前記データ記憶デバイスは、
メモリコントローラと、
前記メモリコントローラに動作可能に結合された複数のメモリブロックであって、前記メモリブロックのそれぞれは少なくともデータ記憶要素を含む、メモリブロックと、
異なるレベルの供給電圧群を前記メモリブロックのそれぞれの間に動作可能に供給する電源バスであって、前記異なるレベルの供給電圧群は前記メモリブロックのうちの一つによって中央で発生される、電源バスと、
を少なくとも含む、データ記憶デバイスと、
を備える電子システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電子システムであって、前記データ取得デバイスは、カメラ、ネットワークカードまたは装置、ハンドヘルドまたはノートブックコンピュータ、セットトップボックス、ハンドヘルドまたは他の小型オーディオプレーヤ／レコーダ、および医療モニタのうちの一つである電子システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下からなる群から選択される単離されたポリヌクレオチド：
ａ）
ｉ．配列番号２に示すアミノ酸配列と少なくとも約５０％同一なアミノ酸配列；および
ｉｉ．配列番号２に示すアミノ酸配列
からなる群から選択される、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターをコードするポリヌクレオチド；
ｂ）配列番号１で示される配列を含むポリヌクレオチド；
ｃ）（ａ）および（ｂ）に記載のポリヌクレオチドとストリンジェントな条件下でハイブリダイズするポリヌクレオチド；
ｄ）遺伝コードの縮重のためその配列が（ａ）から（ｃ）に記載のポリヌクレオチド配列と相違する、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドをコードするポリヌクレオチド；および、
ｅ）（ａ）から（ｄ）に記載のポリヌクレオチド配列の断片、誘導体またはアレル変異を表し、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドをコードするポリヌクレオチド。
【請求項２】
請求項１に記載のポリヌクレオチドを含む発現ベクター。
【請求項３】
請求項２に記載の発現ベクターを含む宿主細胞。
【請求項４】
請求項１に記載のポリヌクレオチドによりコードされる、実質的に精製されたセロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチド。
【請求項５】
以下の工程を含む、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドの製造方法：
ａ）請求項３に記載の宿主細胞を、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドの発現に好適な条件下で培養する工程；および
ｂ）セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドを宿主細胞培養から回収する工程。
【請求項６】
以下の工程を含む、生体試料中の、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドをコードするポリヌクレオチドを検出する方法：
ａ）請求項１に記載のポリヌクレオチドを生体試料の核酸材料とハイブリダイズさせ、それによりハイブリダイゼーション複合体を形成させる工程；および
ｂ）該ハイブリダイゼーション複合体を検出する工程。
【請求項７】
ハイブリダイゼーションの前に生体試料の核酸材料を増幅させる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
以下の工程を含む、請求項１に記載のポリヌクレオチドまたは請求項４に記載のセロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドを検出する方法：
ａ）生体試料を、該ポリヌクレオチドまたは該セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドと特異的に相互作用する試薬と接触させる工程、および
ｂ）該相互作用を検出する工程。
【請求項９】
請求項６から８のいずれかに記載の方法を実施するための診断キット。
【請求項１０】
以下の工程を含む、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターの活性を低下させる物質をスクリーニングする方法：
ａ）被験化合物を、請求項１に記載のポリヌクレオチドによりコードされるセロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドと接触させる工程；
ｂ）セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドに対する被験化合物の結合を検出する工程であって、該ポリペプチドに結合する被験化合物を、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドの活性を低下させる可能性ある治療物質として同定する工程。
【請求項１１】
以下の工程を含む、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターの活性を調節する物質をスクリーニングする方法：
ａ）被験化合物を、請求項１に記載のポリヌクレオチドによりコードされるセロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドと接触させる工程；および
ｂ）該ポリペプチドのセロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプター活性を検出する工程であって、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプター活性を増大させる被験化合物を、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターの活性を増大させる可能性ある治療物質として同定し、該ポリペプチドのセロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプター活性を低下させる被験化合物を、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドの活性を低下させる可能性ある治療物質として同定する工程。
【請求項１２】
以下の工程を含む、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターの活性を低下させる物質をスクリーニングする方法：
ａ）被験化合物を、請求項１に記載のポリヌクレオチドと接触させる工程；および
ｂ）該ポリヌクレオチドに対する被験化合物の結合を検出する工程であって、該ポリヌクレオチドに結合する被験化合物を、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドの活性を低下させる可能性ある治療物質として同定する工程。
【請求項１３】
細胞を、請求項１に記載のポリヌクレオチドまたは請求項４に記載のセロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドに特異的に結合する試薬と接触させ、それによりセロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドの活性を減少させる工程を含む、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターの活性を減少させる方法。
【請求項１４】
請求項１０から１２のいずれかに記載の方法によって同定される、セロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターポリペプチドまたはポリヌクレオチドの活性を調節する試薬。
【請求項１５】
請求項２に記載の発現ベクターまたは請求項１４に記載の試薬と、製薬的に許容し得る担体を含む、医薬組成物。
【請求項１６】
疾患におけるセロトニン様Ｇタンパク質共役型レセプターの活性の調節のための医薬の製造における、請求項２に記載の発現ベクターまたは請求項１４に記載の試薬の使用。
【請求項１７】
疾患がＣＯＰＤ、心疾患、癌、泌尿器系の疾患、肥満症、糖尿病、ＣＮＳ障害、喘息または血液疾患である、請求項１６に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
植物またはその部分における、RINGフィンガーもしくはRING-H2のタンパク質またはその機能的断片の発現を調節する段階を含み、植物の発育移行を調節する標的タンパク質のユビキチン化および／またはタンパク質分解を提供する段階をさらに含む、植物の発育移行を調節する方法。
【請求項２】
移行が、発芽、低温による春化、抽薹、花成または結実の開始、低温誘導による茎の伸長、休眠打破、球根誘導、開花期を含む、請求項1記載の方法。
【請求項３】
標的タンパク質が発育調節タンパク質である、請求項1または2記載の方法。
【請求項４】
調節タンパク質が、アブシジン酸非感受性3（ABI3）またはその相同体を含む、請求項3記載の方法。
【請求項５】
RINGフィンガーもしくはRING-H2のタンパク質またはその機能的断片が、C3HC4もしくはC3H2C3モチーフまたはそれと機能的に同等のモチーフを含む、請求項1〜4のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
RINGフィンガーもしくはRING-H2のタンパク質またはその機能的断片をコードする核酸を植物に提供する段階を含む、請求項1〜5のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
核酸が一過的に提供される、請求項6記載の方法。
【請求項８】
核酸が図3に記載の配列と本質的に同等である、請求項6または7記載の方法。
【請求項９】
植物が球根を含む、請求項1〜8のいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
移行を促進する段階を含む、請求項1〜9のいずれか一項記載の方法。
【請求項１１】
移行を遅延させる段階を含む、請求項1〜9のいずれか一項記載の方法。
【請求項１２】
RINGフィンガーもしくはRING-H2のタンパク質またはその機能的断片をコードする核酸により提供される植物または植物細胞であって、該タンパク質またはその機能的断片が、植物の発育移行を調節する標的タンパク質のユビキチン化および／またはタンパク質分解において役割を有する植物または植物細胞。
【請求項１３】
植物またはその部分におけるRINGフィンガーもしくはRING-H2の遺伝子産物またはその機能的断片の発現を決定する段階を含む、植物の発育移行段階または発育移行に至る段階を決定する方法。
【請求項１４】
RINGフィンガーもしくはRING-H2の遺伝子産物またはその機能的断片と相互作用するまたは関係する標的タンパク質のユビキチン化および／またはタンパク質分解を決定する段階を含む、請求項13記載の方法。
【請求項１５】
RINGフィンガーもしくはRING-H2の遺伝子産物またはその機能的断片の発現を決定する段階を含む、発育の移行期にあることについて植物を選択する方法。
【請求項１６】
RINGフィンガーもしくはRING-H2の遺伝子産物またはその機能的断片と相互作用するまたは関係する標的タンパク質のユビキチン化および／またはタンパク質分解を決定する段階を含む、請求項15記載の方法。
【請求項１７】
移行が、発芽、低温による春化、抽薹、花成または結実の開始、低温誘導による茎の伸長、休眠打破、球根誘導、開花期を含む、請求項10または11記載の方法。
【請求項１８】
請求項17記載の方法を用いて選択可能な植物。
【請求項１９】
植物またはその部分におけるRINGフィンガーもしくはRING-H2の遺伝子産物またはその機能的断片の発現を決定する段階を含む、発育移行に関連する望ましい品質および形質を有する植物またはその子孫を得る方法。
【請求項２０】
RINGフィンガーもしくはRING-H2の遺伝子産物またはその機能的断片と相互作用するまたは関係する標的タンパク質のユビキチン化および／またはタンパク質分解を決定する段階を含む、請求項19記載の方法。
【請求項２１】
図3に記載の配列と少なくとも60％の同一性を有するアミノ酸配列を含む、植物のRINGフィンガーもしくはRING-H2のタンパク質またはその機能的断片をコードする、単離および／または組換え核酸。
【請求項２２】
植物が球根を含む、請求項21記載の核酸。
【請求項２３】
請求項21または22記載の核酸を含むベクター。
【請求項２４】
請求項21もしくは22記載の核酸または請求項23記載のベクターを含む宿主細胞。
【請求項２５】
植物細胞を含む、請求項24記載の細胞。
【請求項２６】
請求項25記載の細胞を含む植物またはその部分。
【請求項２７】
植物を調節する方法における、請求項21もしくは22記載の核酸または請求項23記載のベクターの使用。
【請求項２８】
方法が植物の発育移行を調節する段階を含む、請求項27記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイオデタージェントを使用して同種異系および異種の外来材料をデセルラライズし、バイオプロテーゼのレシピエント由来の内生細胞で被覆されたバイオプロテーゼを製造するための方法であって、外来材料をまず胆汁酸で処理し、それにより細胞を殺し、細胞を被覆し、かつ組織マトリックスとの結合を分離し、次いでアルコールで処理し、それによりさらに細胞を殺し、これら各工程に続いて洗浄工程を行い、そして少なくとも最後の洗浄工程を媒体流中にて行うことにより、液の力を組織マトリックスおよび細胞に機械的に作用させることを特徴とする方法。
【請求項２】
媒体流が拍動性である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
細胞を包み込むデオキシコール酸を使用することにより、胆汁酸で細胞を離脱させる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
１％〜２％デオキシコール酸を使用する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
３０％〜６０％アルコールを使用することにより細胞を殺す、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
４０％アルコールを使用する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
リン酸緩衝液を洗浄媒体として使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
非流動媒体で洗浄するために漸減する濃度の洗浄媒体を使用する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
非流動媒体中のデオキシコール酸処理を２４時間以内、アルコール処理を約２０分間、および洗浄を約６０分間行う、請求項１から７までに記載の方法。
【請求項１０】
外来材料に対するデオキシコール酸処理および／またはアルコール処理および／または中間の洗浄サイクルを、各器官における天然の流動条件に近い拍動性媒体流中で実施する、請求項１から７までに記載の方法。
【請求項１１】
流動媒体の速度を変更できる、請求項１および１０に記載の方法。
【請求項１２】
流動する洗浄媒体を連続的または断続的に置換する、請求項１、１０および１１に記載の方法。
【請求項１３】
デタージェント流の濃度を徐々に低下させる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
処理すべき外来材料を各媒体流中、予め装着した状態に保持する、請求項１および１０から１３までに記載の方法。
【請求項１５】
拍動性媒体流を発生するポンプ（３）が結合している循環路（１）、および循環路（１）に着脱可能に組込まれたデセルラライズ室（２）であって、ここには処理すべき同種異系または異種の外来材料（８）を予め装着した状態にて長軸方向が処置媒体流の方向に伸びるようにアダプター（１０、１１）を用いて固定でき、アダプターは着脱可能にデセルラライズ室（２）に配置され、固定区画（１４、１５）および循環路（１）に接続するための連結部材（１２、１３）を有している、該デセルラライズ室（２）によって特徴付けられる、請求項１および１０から１４までに記載の媒体流中で外来材料を処理するための装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、バイオプロテーゼ（バイオ人工補助物）を受けるレシピエント（受給者）の内生細胞で被覆されたバイオプロテーゼを製造するためにバイオデタージェントを使用して同種異系および異種の外来材料をデセルラライズ（除細胞化）する方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
これに続く第３工程では、心臓弁を４０％アルコール中、室温で約１０分間処理して、抗ウイルス効果を発揮させ、また、コラーゲン構造中に残留する細胞を殺す。アルコールは良好な溶媒なので、これは同時に残留する酸を洗浄してさらに多くの細胞を離脱させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
別のリン酸緩衝液（ＰＢＳ）セットを用いて、この心臓弁をもう一度洗浄し、次に拍動性ＰＢＳ媒体流中で機械的に処理する。この拍動性媒体流は、媒体流について長軸方向に事前に装填してあるデセルラライズ室内の心臓弁を律動的に広げ、同時に機械力をかける。この工程は、残留細胞をコラーゲン構造から機械的に離脱させ、全ての細胞物質が除去され、それ故にウイルスを含有できない無細胞構造が得られる。このように処理して細胞および使用したデセルラライズ液を含まない心臓弁の組織マトリックス（図２を参照）は、後にこのバイオプロテーゼで処置するレシピエントから得た内生内皮細胞で再被覆するために卓越した適合性を有し、このバイオプロテーゼは免疫学的反応またはウイルス感染の危険なしに人体内に移植できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、一つにはバイオプロテーゼの製造に使用する外来材料の型および起源に関して；また、二つには本方法の必須工程（すなわち、付加体形成性胆汁酸およびアルコールでの処置；中間段階または下流段階での洗浄；組織への穏和な機械的作用のための好ましくは拍動性脈流への各器官部分の暴露；の組合せ）が実行される限り、操作上のパラメータに関して、本明細書に記載する処置法の変形に限定されるものではない。本方法は最終の洗浄工程だけでなく、その代わりにまたはそれに加えて、 その他のまたは全ての処置工程を流動媒体中で行うことによっても実施できる。これが、各媒体の効果を機械的に支援して、細胞へのさらに良好な全面アクセスが達成され、さらに、拍動の作用のために細胞を容易に離脱させ、または膨張したコラーゲンマトリックスから除去する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記アダプター１０、１１の設計および配置のため、適当に調製した大動脈弁８はアダプター１０、１１の反対側の固定区画１４、１５に中空シリンダー９外で縫合することができる。前記のようにして固定した大動脈弁８を中空シリンダー９内に挿入する。先ず、デオキシコール酸を循環路１内の注入バルブ２４および排出バルブ２５または連結部材１３、１４の一つを経てデセルラライズ室２および循環路１内に導入する；次に膜ポンプ３を作動させてデオキシコール酸の拍動性脈流を大動脈弁８の横または中を連続的に流し、この組織に及ぼされる流れの機械的な力は心臓弁のレシピエントにとって外来の細胞の離脱および除去を完成する。デオキシコール酸を排出した後、生理食塩水またはリン酸緩衝液を本装置に注入し、組織をデオキシコール酸および有毒成分が全て除去されるまで洗浄する。この洗浄工程の後に大動脈弁８のアルコール処理およびリン酸緩衝液中での洗浄工程が後続する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月15日(2004.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
該濃縮液体全卵を華氏約１０度から華氏約−１０度までの温度まで冷凍して、冷凍濃縮液体全卵を与えることを特徴とする請求項５または６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
該液体全卵は、華氏約１０５度から華氏約１３０度までの温度において、約２４秒〜約３０秒間にわたって加熱されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
該濃縮液体全卵を華氏約−１０度から華氏約１０度までの温度まで冷凍して、該冷凍濃縮液体全卵を提供することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
該濃縮液体全卵を華氏約−１０度から華氏約１０度までの温度まで冷凍して、該冷凍濃縮液体全卵を提供することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
該濃縮液体全卵は華氏約−１０度から華氏約１０度までの温度まで冷凍されることを特徴とする請求項１７に記載の冷凍濃縮液体全卵。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
液体全卵から製造される冷凍濃縮液体全卵であって：
該液体全卵を加熱する工程であって、該卵が約３３質量％〜約４９質量％までの固形分と、約５１〜約６７質量％の水と、華氏約４０度において約１，０００〜約５，０００ｃｐｓの粘度を有するように該液体全卵から水を除去するのに有効である時間および温度にて加熱して、濃縮液体全卵を提供する工程と；
該濃縮液体全卵を冷凍して、冷凍濃縮液体全卵を提供する工程と
によって液体全卵から製造されることを特徴とする冷凍濃縮液体全卵。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
該濃縮液体全卵は華氏約−１０度から華氏約１０度までの温度まで冷凍されて、冷凍濃縮液体全卵を与えることを特徴とする請求項２３に記載の冷凍濃縮液体全卵。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
該卵がプレート加熱蒸発器上を通過する前に、該卵は少なくとも華氏１００度の温度まで予備加熱されることを特徴とする請求項２４に記載の冷凍濃縮液体全卵。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
該濃縮液体全卵は華氏約−１０度から華氏約１０度までの温度まで冷凍されて、冷凍濃縮液体全卵を与えることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】
該卵がプレート加熱蒸発器上を通過する前に、該卵は少なくとも華氏１００度の温度まで予備加熱されることを特徴とする請求項２８、２９または３０に記載の方法。