【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を配置した容器内に四塩化チタンおよび水素を導入してプラズマを生成し、前記基板上にチタンシリサイド膜を形成するプラズマＣＶＤによる薄膜形成方法において、
前記チタンシリサイド膜を形成する薄膜形成工程は、前記容器内に水素を導入してプラズマを生成する第１工程と、水素によるプラズマ中に四塩化チタンを所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入し、前記基板上のコンタクトホール底部にチタンシリサイド膜を形成する第２工程とからなることを特徴とするプラズマＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項２】
前記第２工程では、水素によるプラズマ中に四塩化チタンを、所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入した後、一定流量で流し、前記基板の絶縁膜表面上にチタン膜を形成することを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項３】
基板を配置した容器内に四塩化チタン、水素、およびシラン系ガスを導入してプラズマを生成し、前記基板上にチタンシリサイド膜を形成するプラズマＣＶＤによる薄膜形成方法において、
前記チタンシリサイド膜を形成する薄膜形成工程は、前記容器内に水素を導入してプラズマを生成する第１工程と、水素によるプラズマ中にシラン系ガスと四塩化チタンを所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入し基板上の少なくともコンタクトホール底部にチタンシリサイド膜を形成する第２工程とからなることを特徴とするプラズマＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項４】
前記第２工程の後に、シラン系ガスを停止し、四塩化チタンを前記第２工程に継続して一定流量で流し、前記基板の絶縁膜表面上に形成されたチタンシリサイド膜上にチタン膜を形成しかつ前記基板上の前記コンタクトホール底部に形成された前記チタンシリサイド膜上にはチタンシリサイド膜を形成する第３工程を実施することを特徴とする請求項３記載のプラズマＣＶＤによる薄膜形成装置。
【請求項５】
基板を配置した容器内に四塩化チタン、水素、およびシラン系ガスを導入してプラズマを生成し、前記基板上にチタンシリサイド膜を形成するプラズマＣＶＤによる薄膜形成方法において、
前記チタンシリサイド膜を形成する薄膜形成工程は、前記容器内に水素を導入してプラズマを生成する第１工程と、前記水素によるプラズマ中にシラン系ガスを一定時間導入し、前記水素によるプラズマによって作成されたシランラジカルによって前記基板の表面にシリコン原子またはシリコン水素化物の吸着層を形成する第２工程と、前記水素によるプラズマ中に四塩化チタンを所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入し、四塩化チタンまたは前記プラズマによって四塩化チタンが分解して生成される前駆体を前記第２工程で前記基板の表面に形成された前記吸着層と反応させて、前記基板上の少なくともコンタクトホール底部にチタンシリサイド膜を形成する第３工程からなることを特徴とするプラズマＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項６】
前記第３工程で、さらに、継続して前記基板の絶縁膜の表面上に形成されたチタンシリサイド膜上にはチタン膜を形成することを特徴とする請求項５記載のプラズマＣＶＤによる薄膜形成方法。
【請求項７】
基板を保持する基板ホルダと前記基板を所定温度に保つ加熱機構を備えた反応容器と、この反応容器の内部を排気する排気機構とを備え、反応ガス導入部より反応ガスを導入してプラズマを生成して前記基板ホルダ上の前記基板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、
前記反応容器内に前記プラズマを生成するプラズマ生成機構と、四塩化チタンと水素とシラン系ガスを工程に応じて選択的に含む反応ガスを前記反応ガス導入部に供給する反応ガス供給機構を備え、前記水素で前記プラズマを生成し、前記プラズマの中に前記反応ガスを供給して前記基板上の少なくともコンタクトホール底部にチタンシリサイド膜を形成することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るプラズマＣＶＤによる薄膜形成方法は、上記目的を達成するために、次のように構成される。
第１の薄膜形成方法（請求項１に対応）は、基板を配置した容器内に四塩化チタンおよび水素を導入してプラズマを生成し、基板上にチタンシリサイド膜を形成する方法であり、チタンシリサイド膜を形成する薄膜形成工程は、容器内に水素を導入してプラズマを生成する第１工程と、水素によるプラズマ中に四塩化チタンを所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入し、基板上のコンタクトホール底部にはチタンシリサイド膜を形成する第２工程とからなる。
第２の薄膜形成方法（請求項２に対応）は、上記の第１の薄膜形成方法において、第２工程では、水素によるプラズマ中に四塩化チタンを、所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入した後、一定流量で流し、基板の絶縁膜表面上にチタン膜を形成することを特徴とする。
第３の薄膜形成方法（請求項３に対応）は、基板を配置した容器内に四塩化チタン、水素、およびシラン系ガスを導入してプラズマを生成し、基板上にチタンシリサイド膜を形成する方法であり、チタンシリサイド膜を形成する薄膜形成工程は、容器内に水素を導入してプラズマを生成する第１工程と、水素によるプラズマ中にシラン系ガスと四塩化チタンを所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入し基板上の少なくともコンタクトホール底部にチタンシリサイド膜を形成する第２工程とからなる。
第４の薄膜形成方法（請求項４に対応）は、上記の第３の薄膜形成方法において、第２工程の後に、シラン系ガスを停止し、四塩化チタンを第２工程に継続して一定流量で流し、基板の絶縁膜表面上に形成されたチタンシリサイド膜上にチタン膜を形成しかつ基板上のコンタクトホール底部に形成されたチタンシリサイド膜上にはチタンシリサイド膜を形成する第３工程を実施することを特徴とする。
第５の薄膜形成方法（請求項５に対応）は、基板を配置した容器内に四塩化チタン、水素、およびシラン系ガスを導入してプラズマを生成し、基板上にチタンシリサイド膜を形成する方法であり、チタン膜およびチタンシリサイド膜を形成する薄膜形成工程は、容器内に水素を導入してプラズマを生成する第１工程と、水素によるプラズマ中にシラン系ガスを一定時間導入し、水素によるプラズマによって作成されたシランラジカルによって基板の表面にシリコン原子またはシリコン水素化物の吸着層を形成する第２工程と、水素によるプラズマ中に四塩化チタンを所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入し、四塩化チタンまたはプラズマによって四塩化チタンが分解して生成される前駆体を第２工程で基板の表面に形成された吸着層と反応させて、基板上の少なくともコンタクトホール底部にチタンシリサイド膜を形成する第３工程からなる。
第６の薄膜形成方法（請求項６に対応）は、上記の第５の薄膜形成方法において、第３工程で、さらに、継続して基板の絶縁膜の表面上に形成されたチタンシリサイド膜上にはチタン膜を形成することを特徴とする。
本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（請求項７に対応）は、基板を保持する基板ホルダと基板を所定温度に保つ加熱機構を備えた反応容器と、この反応容器の内部を排気する排気機構とを備え、反応ガス導入部より反応ガスを導入してプラズマを生成して基板ホルダ上の基板に薄膜を形成する装置であり、反応容器内にプラズマを生成するプラズマ生成機構と、四塩化チタンと水素とシラン系ガスを工程に応じて選択的に含む反応ガスを反応ガス導入部に供給する反応ガス供給機構を備え、水素でプラズマを生成し、プラズマの中に反応ガスを供給して基板上の少なくともコンタクトホール底部にチタンシリサイド膜を形成するように構成される。