Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】三次元データ処理システム、三次元データ処理方法、三次元データ処理プログラム及び三次元データ処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実在の対象物の表面形状を表すデータを得る形状データ取得部と、
前記形状データ取得部で得た表面形状データに基づいて、前記対象物の三次元画像を作成するためのバンプマップを生成するバンプマップ生成部とを有することを特徴とする三次元データ処理システム。
【請求項２】
前記対象物の表面形状を簡略化して表したポリゴンメッシュを得るポリゴンメッシュ取得部を有し、
前記バンプマップ生成部は、前記ポリゴンメッシュ取得部で得たポリゴンメッシュに対応するバンプマップを生成することを特徴とする請求項１に記載の三次元データ処理システム。
【請求項３】
実在の対象物の撮影画像データを得る画像データ取得部と、
前記画像データ取得部で得た画像データに基づいて、前記対象物の三次元画像を作成するためのバンプマップを生成するバンプマップ生成部とを有することを特徴とする三次元データ処理システム。
【請求項４】
前記バンプマップ生成部は、前記画像データ取得部で得た画像データに基づいて前記対象物の表面属性を推定することにより、該表面属性を表すデータの構成要素としての前記バンプマップを生成することを特徴とする請求項３に記載の三次元データ処理システム。
【請求項５】
前記表面属性データが、反射モデル関数における定数データと前記バンプマップを構成する法線方向に関するデータとを含むことを特徴とする請求項４に記載の三次元データ処理システム。
【請求項６】
前記表面属性データが、接線座標系における光源方向と撮影方向に対応する一連の反射率を複数示した反射率表中から特定の反射率を指定する
データであり、前記バンプマップを構成する法線方向に関するデータを含むこと
を特徴とする請求項４に記載の三次元データ処理システム。
【請求項７】
前記対象物の表面形状を簡略化して表したポリゴンメッシュを得るポリゴンメッシュ取得部を有し、
前記バンプマップ生成部は、前記ポリゴンメッシュ取得部で得たポリゴンメッシュと前記対象物を撮影する際のパラメータを表すデータとを用いて前記対象物の表面属性を推定することを特徴とする請求項４から６のいずれかに記載の三次元データ処理システム。
【請求項８】
前記バンプマップ生成部は、前記バンプマップ上のテクセルごとの面積と、前記画像データの１ピクセルが前記対象物の表面上で占める面積とが略同等になるように前記バンプマップを生成することを特徴とする請求項３から７のいずれかに記載の三次元データ処理システム。
【請求項９】
前記バンプマップ生成部は、指定されたバンプマップの解像度に関する情報に応じたテクセル数を有するバンプマップを生成することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の三次元データ処理システム。
【請求項１０】
前記バンプマップ生成部は、テクセルごとのベクトル値のrotationが零になる条件を満たす法線分布となるように前記バンプマップを生成することを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の三次元データ処理システム。
【請求項１１】
前記バンプマップは、前記ポリゴンメッシュに貼り付けられるテクスチャマップ上の各テクセルの前記ポリゴンメッシュに対する位置変化量を示すことを特徴とする請求項２又は７に記載の三次元データ処理システム。
【請求項１２】
前記バンプマップは、前記ポリゴンメッシュに貼り付けられるテクスチャマップ上の各テクセルの法線方向を表すことを特徴とする請求項２又は７に記載の三次元データ処理システム。
【請求項１３】
前記バンプマップは、前記ポリゴンメッシュに貼り付けられるテクスチャマップ上の各テクセルの法線方向と前記ポリゴンメッシュの法線方向との差異を示すことを特徴とする請求項２又は７に記載の三次元データ処理システム。
【請求項１４】
前記ポリゴンメッシュ取得部は、前記対象物の表面形状データに基づいて前記ポリゴンメッシュを生成することを特徴とする請求項２又は７に記載の三次元データ処理システム。
【請求項１５】
前記ポリゴンメッシュ取得部は、前記ポリゴンメッシュのデータの入力を受けることを特徴とする請求項２又は７に記載の三次元データ処理システム。
【請求項１６】
前記ポリゴンメッシュ取得部は、指定された頂点数又はポリゴン数に関する情報に応じた頂点数又はポリゴン数を有するポリゴンメッシュを生成することを特徴とする請求項１４又は１５に記載の三次元データ処理システム。
【請求項１７】
前記ポリゴンメッシュ取得部は、前記ポリゴンメッシュの各頂点に、前記バンプマップの貼り付け位置を指定するバンプテクスチャ座標を付与することを特徴とする請求項２又は７に記載の三次元データ処理システム。
【請求項１８】
前記バンプマップ生成部により生成されたバンプマップを用いて前記対象物の三次元画像を生成する三次元画像生成部と、
該生成された三次元画像を出力する三次元画像出力部とを有することを特徴とする請求項１から１７のいずれかに記載の三次元データ処理システム。
【請求項１９】
実在の対象物の表面形状を表すデータを得る第１のステップと、
前記第１のステップで得た表面形状データに基づいて、前記対象物の三次元画像を作成するためのバンプマップを生成する第２のステップとを有することを特徴とする三次元データ処理方法。
【請求項２０】
実在の対象物の撮影画像データを得る第１のステップと、
前記第１のステップで得た画像データに基づいて、前記対象物の三次元画像を作成するためのバンプマップを生成する第２のステップとを有することを特徴とする三次元データ処理方法。
【請求項２１】
請求項１９又は２０に記載の三次元データ処理方法をコンピュータに実行させることを特徴とする、コンピュータ上で動作可能な三次元データ処理プログラム。
【請求項２２】
請求項２１に記載の三次元データ処理プログラムを実行するコンピュータを有することを特徴とする三次元データ処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の三次元データ処理装置は、実在の対象物の表面形
状を表すデータを得る形状データ取得部と、形状データ取得部で得た表面形状データに基
づいて、対象物の三次元画像を作成するためのバンプマップを生成するバンプマップ生成
部とを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、形状データ取得部で得た表面形状データに基
づいて、対象物の三次元画像を作成するためのバンプマップを生成することができるので、
少ないデータ量および計算量によって表面の凹凸に基づく細かな陰影を持った対象物の三
次元画像を再現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】集成板
【特許請求の範囲】
【請求項１】板厚１０〜５０ｍｍの細板材を用いて形成した集成板において、細板材の一部にアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等の透明、又は半透明の合成樹脂製細板を用いたものであることを特徴とする集成板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、住宅の玄関扉等に使用する集成板に関し、特に材料の一部に透光性の細板材を使用したことを特徴とするものである。
【０００２】
【従来の技術】
住宅の玄関の扉や間仕切り等には装飾性板材が用いられている。
住宅では玄関扉をはじめ、各部屋の扉の多くが不透光性であって、その向こう側が透視出来ないようになっている。
ところが玄関扉では、その外側に人が近づいたときに、内側からその有無を確認出来るものであることが望まれており、又、外側からは屋内に人が居るか否かが認識出来るものであることが望まれている。
同様にして、浴室やトイレ等でも中に人が居るか否か（使用中か否か）が分かるものであることが望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記した点から従来は、例えば玄関扉に非透視性のガラスを嵌めた小窓を取り付けたものが試みられた。
ところがこの種の扉は、ガラスに映る光の量の多少により、所望の機能を得ることが出来るものの、小窓が扉の装飾性を損なうため実用することが出来なかった。
このようなことから従来は、扉としての装飾性を損なわず、非透視性であって、しかも照明光の有無を認識することの出来る扉用板の開発が要望されていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、板厚１０〜３０ｍｍ程度の細板材を用いて集成板とし、その一部にアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等の透明、又は半透明の合成樹脂製細板を用いた構成とする手段により上記した従来の目的を達成している。
【０００５】
【作用】
本発明は、集成板の一部にアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等の透明、又は半透明の合成樹脂製細板を用いたことにより、製品集成板は合成樹脂製細板の部分が透光性となり、照明光の有無を認識することの出来る板となる。
しかも合成樹脂製細板は、他の木質細板材とは材質や外観が全く異なるため、製品集成板中に鏤められた構成となる。
又、集成板の反対面に照明を点すことにより、それが一層顕著になり、しかもこれが標識としても機能することとなる。
【０００６】
【実施例】
以下、本発明に係る集成板を図示の実施例に基づいて具体的に説明する。
図中符号１は木質細板材、２は合成樹脂製細板であってアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等の透明、又は半透明の合成樹脂により成形されている。
木質細板材１と合成樹脂製細板２は、板厚が１０〜３０ｍｍ程度のものである。
図２は同一の長さの木質細板材１と合成樹脂製細板２とを貼り合わせたものであり、殊に図では右端は木質細板材１同士を貼り合わせ、左端は合成樹脂製細板２同士を貼り合わせると共に、両者の間に位置するものは木質細板材１と合成樹脂製細板２とを交互に貼り合わせたものを示してある。
尚、夫々について板厚は同一である必要はない。
また、合成樹脂製細板２は木質細板材１と同一の長さのものにする必要はなく、これと同一の幅の木質細板材と繋ぎ合わせて他の木質細板材１と同一の長さにしてもよい。
図１はその一例を示すものであり、合成樹脂製細板２を木質細板材１よりも少なくしたものを示してある。
【０００７】
この集成板の製法については特に限定はしない。
通常のこの種の集成板の製法と同様であって、製品集成板の厚さと同一の幅の木質細板材１と合成樹脂製細板２を用意し、それらを積層させて貼着するか、又は製品集成板の厚さの数倍の幅の木製板材と合成樹脂板を用意し、それらを積層させて貼着してブロックとした後、所定の厚さに挽き割りして形成するのである。
【０００８】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る集成板は、板厚１０〜３０ｍｍ程度の細板材を用いて集成板とし、その一部にアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等の透明、又は半透明の合成樹脂製細板を用いて形成されているので、製品集成板は合成樹脂製細板の部分が透光性となり、照明光の有無を認識することの出来る板となる。
そのためこれを、例えば玄関扉に用いれば、その外側に人が近づいたときに、内側からその有無を確認すること出来るし、外側からは屋内に人が居るか否かが認識出来る利点がある。
同様にして、浴室やトイレ等の扉に使用すれば、中に人が居るか否か（使用中か否か）が分かるのである。
又、この集成板は合成樹脂製細板が、他の木質の細板材とは材質や外観が全く異なるため、これが製品集成板中に鏤められた構成となり、その装飾性が高まって、仕切り板等の装飾性板材としても使用することが出来るようになる。
更に、合成樹脂製細板が透光性であるところから、これを玄関の上がり框や階段の登り口等に取り付けて、その内側に照明を取り付けることにより、その箇所を指示し表示する効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る集成板の一例を示す斜視図である。
【図２】集成板の他の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１  木質細板材
２  合成樹脂製細板


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図２】
1999042609.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月3日(2004.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透視撮影台の天板に乗った被検体のＸ線透視像を得、その得られたＸ線透視像を表示する表示手段と、この表示手段によって表示されたＸ線透視像に基づいて前記被検体のＸ線撮影像の撮像位置を決定し、該決定された撮像位置のＸ線撮影像を撮像する撮像手段と、所定のサイズの記録可能範囲を有し前記撮像手段によって撮像されたＸ線撮影像を記録する第１のＸ線像記録手段を具備する速写装置と、を備えたＸ線透視撮影装置において、
前記第１のＸ線像記録手段と記録可能範囲のサイズが異なるX線像を記録する第２のＸ線像記録手段と、
この第２のＸ線像記録手段が前記天板と前記速写装置との間に設置されたときに、前記撮像手段によって撮像されたＸ線撮影像を、前記速写装置から前記第２のＸ線像記録手段へ切り替えて記録する切替記録手段と、
備えたことを特徴とするＸ線透視撮影装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＸ線透視撮影装置において、前記第１のＸ線像記録手段又は第２のＸ線像記録手段の記録可能範囲は、それぞれがX線フィルムのサイズ又はイメージングプレートを含むＸ線像撮影手段のサイズの少なくとも一方のサイズによって設定されることを含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  支持台
２  テーブル支持枠
３  天板
４，３０２  被検体
５  Ｘ線管装置
６  速写装置
６ａ  遮光蓋
６ｂ  照射野開孔
７  イメージインテンシファイア
８  テレビカメラ
１０  Ｘ線グリッド
１１  分割マスク
１２  カセッテ補助枠
１２ａ  カセッテ
６１  供給マガジン
６２  収納マガジン
６３  搬送ローラ群
７０  フィルムホルダ
２０１，２０２  ガイドレール
２０３  第１のマイクロスイッチ
２０４  第２のマイクロスイッチ
２０５  Ｘ線透過窓
３０１  Ｘ線管の焦点
３０３  被検体の体軸
３０４  Ｘ線フィルム
Ｌ  Ｘ線源と天板との距離
Ｈ  被検体の中心からグリッドまでの距離
Ａ  天板とＸ線像記録手段との距離
Ｓ  Ｘ線管の焦点サイズ
Ｓ１  Ｘ線管の焦点の一方の端点
Ｓ２  Ｘ線管の焦点の他方の端点
Ｍ  Ｓ１から照射されたＸ線とＳ２から照射されたＸ線との光路差によって生じる半影の大きさ
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月16日(2004.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技盤面上において落下している遊技球の落下エネルギーを上昇エネルギーに変換して前記遊技球または他の遊技球に与えるとともに、その上昇エネルギーによって上昇する前記遊技球または他の遊技球の移動方向を遊技盤面上の特定領域に向けて転換するエネルギー転換手段を備え、
前記エネルギー転換手段は、弾性体と、その弾性体を遊技球の落下方向に対して斜め方向に支持する複数の支持体とによって構成され、
前記複数の支持体間の距離を可変とすることによって前記弾性体の弾性力を可変として遊技球の落下エネルギーを上昇エネルギーに変換するエネルギー変換率を変化させる機構、または、前記複数の支持体のうちで一方の支持体を軸とし他方の支持体を回転させることによって前記弾性体の傾斜を変化させて遊技球の移動方向を変化させる機構を有することを特徴とする弾球遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の弾球遊技機において、
そのエネルギー転換手段に向けて遊技球を誘導する誘導手段を有することを特徴とする弾球遊技機。
【請求項３】
請求項１または２に記載の弾球遊技機において、
エネルギー変換率または遊技球の移動方向の変化は所定条件が成立すると実行されるように構成したことを特徴とする弾球遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための第１の手段】
請求項１に記載の弾球遊技機は、遊技盤面上において落下している遊技球の落下エネルギーを上昇エネルギーに変換して前記遊技球または他の遊技球に与えるとともに、その上昇エネルギーによって上昇する前記遊技球または他の遊技球の移動方向を遊技盤面上の特定領域に向けて転換するエネルギー転換手段を備え、前記エネルギー転換手段は、弾性体と、その弾性体を遊技球の落下方向に対して斜め方向に支持する複数の支持体とによって構成され、前記複数の支持体間の距離を可変とすることによって前記弾性体の弾性力を可変として遊技球の落下エネルギーを上昇エネルギーに変換するエネルギー変換率を変化させる機構、または、前記複数の支持体のうちで一方の支持体を軸とし他方の支持体を回転させることによって前記弾性体の傾斜を変化させて遊技球の移動方向を変化させる機構を有することを特徴とする。
請求項１に記載の弾球遊技機によれば、エネルギー転換手段によって、落下している遊技球は上昇し、その方向は特定領域に向けられる。そのため、遊技球が特定領域に入賞または通過するチャンスが高まる。したがって、遊技球の動きを多様化させるとともに、賞球を獲得する期待感を遊技者に与えることができる。また、弾性体を支持する複数の支持体のうちで、一方の支持体を動かして支持体間の距離を可変とすることによってエネルギー変換率を変化させたり、一方の支持体を回転させることによって弾性体の傾斜を変化させて遊技球の移動方向を変化させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための第３の手段】
請求項３に記載の弾球遊技機は、請求項１または２に記載の弾球遊技機において、エネルギー変換率または遊技球の移動方向の変化は所定条件が成立すると実行されるように構成したことを特徴とする。
請求項３に記載の弾球遊技機によれば、所定条件が成立して初めてエネルギー変換率または遊技球の移動方向が変化する。エネルギー変換率（例えば弾性力）が変化したり、遊技球の移動方向が変化すれば、メリハリのある遊技態様を実現することが可能になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
本発明によれば、遊技球の動きを多様化させるとともに、賞球を獲得する期待感を遊技者に与えることができる。また、弾性体を支持する複数の支持体のうちで、一方の支持体を動かして支持体間の距離を可変とすることによってエネルギー変換率を変化させたり、一方の支持体を回転させることによって弾性体の傾斜を変化させて遊技球の移動方向を変化させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計時表示部と複数図柄を変動表示可能な図柄表示部を有し、この図柄表示部に表示の図柄が変動後に、予め決められた図柄が確定表示されると、遊技者にとって有利となる特別遊技状態が生起する遊技機であって、
前記計時表示部には、前記図柄表示部に表示の図柄が再度の図柄変動開始からの経過時間が表示されることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の遊技機は、計時表示部と複数図柄を変動表示可能な図柄表示部を有していて、前記図柄表示部に表示の図柄が変動後に、予め決められた図柄が確定表示されると、遊技者にとって有利となる特別遊技状態が生起する。
そして、この遊技機は、例えば、非特定図柄での大当たりが生起すると、再度、特定図柄での大当たりとなるチャンスを与えるために、図柄表示部の図柄を再変動する。
そこで、その再変動する経過時間を計時表示部に表示することによって、図柄表示部の図柄が確定表示するまでの時間Ｔｄを知っていれば、現在変動中の図柄と比較して、如何なる図柄が確定図柄となるか推測できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【発明の効果】
本発明の請求項１の遊技機は、計時表示部に、図柄表示部の図柄が再変動する経過時間を表示するので、図柄表示部の図柄が確定表示までの時間を知っていれば、現在変動中の図柄と比較して、如何なる図柄が確定図柄となるか推測できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月16日(2004.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球を収容する上皿を有する弾球遊技機であって、
前記上皿における遊技球収容部の幅が徐々に狭くなる部位および一列状に整列させる部位において、遊技球を遊技球の整列方向に沿って振動させる振動手段を備えたことを特徴とする弾球遊技機。
【請求項２】
振動手段は一定時間毎に振動を行うことを特徴とする請求項１に記載の弾球遊技機。
【請求項３】
前記上皿に遊技球が排出される際に前記上皿部分で球詰まりが発生したことを検出する手段を有し、
振動手段は前記遊技球の球詰まりが検出されたときに振動を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の弾球遊技機。
【請求項４】
振動手段は、上皿における遊技球収容部の幅が徐々に狭くなる部位および一列状に整列させる部位において、前記上皿の遊技球収容部方向に突出し、遊技球に接する振動部材を遊技球の整列方向に沿って往復動させることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか一項に記載の弾球遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、遊技球を収容する上皿を有する弾球遊技機であって、前記上皿における遊技球収容部の幅が徐々に狭くなる部位および一列状に整列させる部位において、遊技球を遊技球の整列方向に沿って振動させる振動手段を備えたことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項２の発明は、請求項１に記載の弾球遊技機において、振動手段は一定時間毎に振動を行うことである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項３の発明は、請求項１または２に記載の弾球遊技機において、前記上皿に遊技球が排出される際に前記上皿部分で球詰まりが発生したことを検出する手段を有し、振動手段は前記遊技球の球詰まりが検出されたときに振動を行うことである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項４の発明は、請求項１から３のうちいずれか一項に記載の弾球遊技機において、振動手段は、上皿における遊技球収容部の幅が徐々に狭くなる部位および一列状に整列させる部位において、前記上皿の遊技球収容部方向に突出し、遊技球に接する振動部材を遊技球の整列方向に沿って往復動させることである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に記載の弾球遊技機によれば、上皿における遊技球収容部の幅が徐々に狭くなる部位および一列状に整列させる部位において遊技球の整列方向に沿って遊技球を振動させることができるため、上皿における遊技球の球詰まりを未然に防止することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２に記載の弾球遊技機によれば、上皿における遊技球の球詰まりを未然に防止することができるとともに、球詰まりを解消することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３に記載の弾球遊技機によれば、上皿部分で遊技球の球詰まりが発生したときにのみ振動させて球詰まりを解消するため、振動手段を無駄無く動作させることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４に記載の弾球遊技機によれば、上皿の遊技球収容部方向に突出して遊技球に接する振動部材が遊技球を振動させることができるため、上皿における遊技球の球詰まりを未然に防止することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストコンピュータからシリアル通信で送信された画像データを受信し、画像を出力する画像形成装置において、
本画像形成装置におけるシリアル通信の複数の設定項目の設定を行う設定手段と、
前記ホストコンピュータからのシリアル通信で受信したデータに基づいてホストコンピュータにおいて設定されている前記複数の設定項目の設定内容を自動的に検出する設定自動検出手段と、
該検出された設定内容と同じ通信設定が得られるように本画像形成装置の前記複数の設定項目の設定を自動的に変更する設定自動変更手段と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記設定自動検出手段は、当該画像形成装置がサポートしている前記複数の設定項目の設定内容のあらゆる組合せについて、順次、設定内容を変更していき、前記ホストコンピュータから通信エラーなしにデータを受信できたときに、その時点の設定内容が前記ホストコンピュータの設定内容であると判断することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記複数の設定項目の設定内容のあらゆる組合せのすべてにおいて通信エラーが発生した場合、前記ホストコンピュータの設定内容は、本画像形成装置がサポートしていないものである旨をユーザに通知する通知手段を有することを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記設定自動検出手段により検出された設定内容の前記複数の設定項目を、前記ホストコンピュータまたはユーザの指示に基づいて不揮発的に保存する保存手段を有する請求項１、２または３記載の画像形成装置。
【請求項５】
画像形成装置の電源を遮断後に再度電源投入した場合に、直ちに同じ設定状態に戻ることができるように前記保存された複数の設定項目を再利用することを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月23日(2004.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の白金錯体触媒組成物は、上記のような（Ａ）成分〜（Ｃ）成分からなるものであるが、これらの成分に加えて熱可塑性樹脂およびトルエンより沸点の低い有機溶剤を加えて白金錯体触媒組成物を使用して、白金錯体触媒組成物を含有する熱可塑性樹脂微粒子触媒とすることができる。かかる白金錯体触媒組成物を含有する熱可塑性樹脂微粒子触媒はマイクロカプセル化白金触媒として知られており、その製造方法も知られている（例えば、特公平５−５８４５０号公報参照）。本発明においては上記のような本発明の白金錯体触媒組成物を使用して熱可塑性樹脂微粒子触媒組成物を製造するには次のようにして製造される。即ち、上記のような（Ａ）成分〜（Ｃ）成分からなる白金錯体触媒組成物に熱可塑性樹脂とトルエンより低い沸点の低い有機触媒を加えて得られた組成物を加熱気体中に噴霧して、噴霧状態でトルエンもしくはキシレンおよびトルエンより低い沸点を有する有機溶剤を飛散させて除去することによって製造される。かかる方法で得られた熱可塑性樹脂微粒子触媒組成物は平均粒子径が１０μｍ以下の粒状物であるので、製造途中で装置への付着が起きる等の問題点があるが、本発明の白金錯体触媒組成物を使用すれば装置への付着が大幅に軟減されるし、塩素含有不純物が残存していてもよいので装置を腐食するといった問題点が発生することがない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
支持体(A)の肉厚に占める押出非発泡シート(A2)の肉厚比率が５〜５０％である請求項２記載の積層樹脂シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の１は、発泡倍率が１．０５〜１０倍、発泡セルの平均粒径が３〜８０μｍのポリオレフィン系樹脂押出発泡シートよりなる肉厚が１００〜３００μｍの支持体(A)の少なくとも片面に、二軸延伸熱可塑性フィルムを基材層(B1)とし、無機微細粉末を８〜６５重量％の割合で含有するポリオレフィン系樹脂の一軸延伸フィルムを紙状層(B2)とする肉厚が４０〜３００μｍの複層合成紙(B)を、前記紙状層(B2)が表面を形成するよう一体に貼り合わせた肉厚が１４０〜４５０μｍの積層樹脂シートを提供するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
充填剤
前記充填剤含有ポリオレフィン系樹脂(a2)に配合される充填剤(2)としては、無機充填剤として、例えば粒径が０．０５〜１０μｍの、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、燐酸アルミニウム、タルク、マイカ、クレー、カーボンブラック、グラファイト、ゼオライト、硫酸バリウム、含水珪酸カルシウム、珪藻土、酸化チタン、硫酸アルミニウム、シリカ、などを挙げることができ、有機充填剤としては、フェノール樹脂粉、エボナイト粉、径が３〜３０μｍ、長さが１〜１０ｍｍの、ガラス系、パルプ系、アスベスト系、ポリエチレンテレフタレート系、ポリアミド系等の繊維、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブテンフタレート等を挙げることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（イ）支持体(A)用の樹脂と発泡剤からなる発泡性樹脂組成物(a1)及び充填剤含有樹脂組成物(a2)をそれぞれ別々の押出機内で溶融混練した後、積層し、Ｔダイより共押出されたシートが未だ溶融状態を保つうちにその熱を利用して、該積層基材(A)の少なくとも片面に金属ロール又はゴムロールを介して複層合成紙(B)を加圧溶着させるサーマルラミネート法。
（ロ）支持体(A)と複層合成紙(B)とをホットメルト接着剤又は溶剤型接着剤で貼り合わせる方法。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
(1)  オフセット印刷適性
東洋インキ製造（株）のオフセット印刷インキ「ＴＳＰ−４００」（商品名）及び小森印刷機（株）製オフセット４色印刷機を用い、表面側に４色（墨、藍、紅、黄）平判オフセット印刷を行いオフセット印刷できるかできないか、インキの裏移りを評価した。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
(3)  発泡セル（気泡）径の長さ
エルマ（株）製ミクロトームにて支持体発泡シートを断面方向に２０μｍの厚みに切断し、ニコン（株）製実体顕微鏡（スケール付）にて気泡の短径、長径の長さを測定した。
(4)  テーバー剛度
熊谷理機工業（株）製テーバー式スティフネステスターを用いて、ＪＩＳ  Ｐ−８１２５に準じて測定した。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
(2) ＭＦＲが４ｇ／１０分のポリプロピレン（融点約１６４〜１６７℃）５４重量％と、平均粒径１．５μｍの炭酸カルシウム４６重量％とを混合した組成物（Ｂ）を別の押出機にて混練された後、これをダイによりシート状に押し出し、これを上記(1)の工程で得られた５倍縦延伸フィルムの両面に積層し、これを６０℃の温度まで冷却した後、再び約１５５度の温度にまで加熱してテンターを用いて横方向に７．５倍延伸し、１６５℃の温度でアニーリング処理して、６０℃の温度にまで冷却し、耳部をスリットして三層構造（一軸延伸／二軸延伸／一軸延伸）の肉厚５０μｍ（Ｂ／Ａ／Ｂ＝１２μｍ／２６μｍ／１２μｍ）の積層フィルム（空孔率３３％）よりなる複層合成紙(B)を得た。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
支持体(A)の製造
日本ポリケム（株）製のプロピレン・エチレンブロック共重合体（ＭＦＲ０．５ｇ／１０分「ノバテックポリプロＥＣ９」：商品名）１００重量部に、化学発泡剤として炭酸水素ナトリウム、核剤としてタルク、発泡助剤としてクエン酸モノナトリウムを１：０．５：１の混合物３．５重量部を配合して、発泡性樹脂(a1)とし、口径１１５ｍｍの押出機を用いて２００℃で溶融混練した。一方、ポリプロピレン６０重量部に充填材としてタルク４０重量部を配合した組成物(a2)を口径１００ｍｍの押出機を用いて２１０℃の温度で溶融混練し、次いで、これらを前者を中間層とし、後者を両外層としてフィードブロックで三層（a2／a1  ／a2）に積層した後、幅１，２００ｍｍのＴダイから共押出して中間層を発泡させ、ロールで冷却して支持体(A)を得た。この支持体の非発泡シート層(A2)の厚みは各々５０μｍ、発泡倍率１．５倍の発泡シート層(A1)の厚みは２００μｍ、全体厚みは３００μｍであった。発泡倍率は下記に示す計算方法より算出し、発泡シート(A1)の発泡倍率とした。
発泡倍率（倍）＝発泡前のシート密度／発泡後のシート密度
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上に配線が設けられた絶縁性基板と、
前記配線上に実装された半導体チップと、
前記配線上に形成され、少なくとも前記半導体チップ縁部を被覆する絶縁性樹脂と、
前記絶縁性基板上に形成され、前記半導体チップ、及び前記絶縁性樹脂を被覆する封止樹脂と
を具備し、前記封止樹脂は、前記半導体チップ及び前記配線に接する領域における前記絶縁性樹脂よりも、低絶縁性且つ高軟性の特性を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップ及び前記配線上に、前記絶縁性樹脂を介在して設けられた中間配線体を更に備え、
前記中間配線体は、前記半導体チップの表面及び前記配線に電気的に接続された配線部を含む
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
表面上に第１配線の形成された絶縁性基板と、
前記第１配線上に実装された半導体チップと、
前記第１配線上に設けられ、少なくとも前記半導体チップ縁部を被覆する絶縁部材と、
前記絶縁部材上及び／または前記絶縁部材中に設けられ、前記半導体チップ表面及び前記第１配線に電気的に接続された第２配線と、
前記絶縁性基板上に前記半導体チップ及び前記絶縁部材を被覆するようにして設けられた封止樹脂と
を具備し、前記封止樹脂は、前記第１配線及び前記半導体チップに接する領域における前記絶縁部材よりも、低絶縁性且つ高軟性の特性を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
表面上に配線の設けられた絶縁性基板と、
前記配線上に実装された半導体チップと、
前記配線上に形成され、少なくとも前記半導体チップ縁部を被覆する絶縁部材と、
前記絶縁部材上に形成され、前記半導体チップの表面及び前記配線に電気的に接続された配線層と、
前記絶縁性基板上に、前記半導体チップ及び前記配線を被覆するようにして設けられた封止樹脂と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁部材と前記半導体チップとの間、及び前記絶縁部材と前記配線との間に設けられた絶縁性樹脂を更に備える
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
表面上に配線の設けられた絶縁性基板と、
前記配線上に実装された複数の半導体チップと、
前記配線上に前記半導体チップを被覆するようにして設けられ、底面において前記半導体チップ表面の一部を露出させる第１開口部と、底面において前記配線の一部を露出させる第２開口部とを備え、少なくとも前記半導体チップ縁部を被覆する絶縁部材と、
前記絶縁部材上に設けられ、前記第１開口部内に露出される前記半導体チップ表面、及び前記第２開口部内に露出される前記配線と電気的に接続された配線層と、
前記配線層上に設けられた外部接続端子と、
前記絶縁性基板上に設けられ、前記半導体チップ及び前記絶縁部材を被覆する封止樹脂と
を具備し、前記外部接続端子は信号を受ける入力端子と、信号を出力する出力端子とを含み、前記配線層は、前記入力端子から前記半導体チップを介して前記出力端子に達する電流経路が、各半導体チップ間で実質的に等しくなるように形成される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記半導体チップは、前記絶縁性基板面内において円周状に配置され、
前記第２開口部は、前記円周状に配置された半導体チップの略中央部に設けられる
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁部材と前記半導体チップとの間に設けられ、前記封止樹脂よりも高絶縁性及び低軟性の特性を有する絶縁性樹脂を更に備える
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップ及び前記配線に接する領域の前記絶縁部材は、前記封止樹脂よりも高絶縁性の特性を有する
ことを特徴とする請求項４または６記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【課題を解決するための手段】
この発明の第１の態様に係る半導体装置は、表面上に配線が設けられた絶縁性基板と、前記配線上に実装された半導体チップと、前記配線上に形成され、少なくとも前記半導体チップ縁部を被覆する絶縁性樹脂と、前記絶縁性基板上に形成され、前記半導体チップ、及び前記絶縁性樹脂を被覆する封止樹脂とを具備し、前記封止樹脂は、前記半導体チップ及び前記配線に接する領域における前記絶縁性樹脂よりも、低絶縁性且つ高軟性の特性を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
以下に、上記垂直ドライバＩＣ２２０としての従来の垂直ドライバＩＣ１０について、走査線２５６本分の駆動能力を有し、ＸＧＡ表示にもＳＸＧＡ表示にも使用できるものとして、図５を参照して説明する。垂直ドライバＩＣ１０は、第１レベルシフタ１１、シフトレジスタ１２、第２レベルシフタ１３、出力回路１４、および内部電源１５を有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に基づき、一実施例の垂直ドライバＩＣ２２０としての垂直ドライバＩＣ３０について、走査線２５６本分の駆動能力を有し、ＸＧＡ表示にもＳＸＧＡ表示にも使用できるものとして、図１を参照して説明する。垂直ドライバＩＣ３０は、複数の第１レベルシフタ３１と、シフトレジスタ３２と、第２レベルシフタ３３と、出力回路３４と、内部電源３５とを有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、図１の内部電源３５に替わる他の実施例の内部電源４５を図３を参照して説明する。内部電源４５は、外部電源電圧ＶDD1を供給した状態で、選択信号ＳＥを４水準で供給することにより、シフトレジスタ３２に必要な電圧能力と電流能力を切り替えて内部電圧Ｖccを供給する。この電源４５を用いたＩＣ３０の場合、４つの用途に最適な電源を選択でき、電流能力だけでなく電圧能力も最適なものを選択できる。電圧能力の選択は、例えば、シフトレジスタを構成するＭＯＳＦＥＴの縦積み段数が多くあり、用途に応じてこのＭＯＳＦＥＴの動作する段数を切り替えたいときに必要となる。内部電源４５は、抵抗４６ａ,４６ｂと、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４７ａ、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４８ａおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４９ａからなる直列回路５０ａと、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４７ｂ、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４８ｂおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ４９ｂからなる直列回路５０ｂと、切り替えスイッチ５１とを有している。切り替えスイッチ５１は切り替え端子ａ,ｂ,ｃ,ｄと共通端子ｅとを有し、選択信号ＳＥの水準により、端子ａ−ｅ間と端子ｂ−ｅ間とが相補的にスイッチオン・オフされ、端子ｃ−ｅ間と端子ｄ−ｅ間とが相補的にスイッチオン・オフされる。抵抗４６ａ,４６ｂの一端は外部電源ＶDD1に共通接続され、抵抗４６ａ,４６ｂの他端は切り替えスイッチ５１の端子ａ,ｂにそれぞれ接続されている。切り替えスイッチ５１の端子ｃ,ｄはＭＯＳＦＥＴ４７ａ,４７ｂのソースにそれぞれ接続されており、端子ｅから内部電圧ＶCCを出力する。ＭＯＳＦＥＴ４７ａ,４７ｂとＭＯＳＦＥＴ４８ａ,４８ｂとはそれぞれドレイン同士で接続され、ＭＯＳＦＥＴ４８ａ,４８ｂのソースはＭＯＳＦＥＴ４９ａ,４９ｂのドレインにそれぞれ接続され、ＭＯＳＦＥＴ４９ａ,４９ｂのソースは外部電源ＶEEに共通接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ４７ａ,４７ｂ,４８ａ,４８ｂ,４９ａ,４９ｂはそれぞれゲートをドレインに接続している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
３０  垂直ドライバＩＣ
３１  第１レベルシフタ
３２  シフトレジスタ
３３  第２レベルシフタ
３４  出力回路
３５、４５  内部電源
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
引き続き図１（ｄ）に示すように、前記ゲート電極膜４（ａ）をパターニングし、エッチング除去によりトランジスタのゲート電極膜４（ｂ）を形成し、以下公知の技術により、トランジスタのソース／ドレイン５、層間絶縁膜６、コンタクトホール７、およびメタル配線８を形成してＭＯＳトランジスタを製造する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記トレンチの内部に第２導電型の不純物のガスを導入し、前記熱処理により前記不純物のガスを前記空洞の周辺部分の前記半導体基板内に拡散させることで、前記空洞を形成する工程と同時に、前記第２導電型の拡散層を形成することを特徴とする請求項７に記載の電力用半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りで、その骨子は、本出願人の独自の技術である中空構造によるＳＯＩ技術を高耐圧半導体素子のオン抵抗および耐圧の改善技術に適用したことにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
次に図１３（ｃ）に示すように、第３の実施形態と同じ条件の高温熱処理により、トレンチ１８の下方を空洞１４に変形させ、ｎ- 型エピタキシャルＳｉ層１２内に１層目の空洞１４を形成する。空洞１４の直径は約４μｍである。横方向に隣り合うトレンチ１８からできた空洞１４は結合しない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月21日(2004.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多孔質導電性基板（多孔質ニッケル焼結基板）に酸性ニッケル塩を含浸し、ついでアルカリ処理などを行うことにより、多孔質導電性基板の空孔中に水酸化ニッケルを主成分とする正極活物質を充填したアルカリ蓄電池用ニッケル極の製造方法に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】近年、高エネルギー密度の二次電池の要望に応えるため、ニッケル−カドミウム蓄電池やニッケル−水素蓄電池などのアルカリ蓄電池の改良が進められている。この種のアルカリ蓄電池に用いられるニッケル極は、多孔質導電性基板（多孔質ニッケル焼結基板）に酸性ニッケル塩を含浸し、ついでアルカリ処理などを行うことにより、多孔質導電性基板の空孔中に水酸化ニッケルを主成分とする正極活物質を充填して製造されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスからなる板状体の少なくとも一方の主面に発熱抵抗体を備え、さらに該発熱抵抗体の表面にＺｎ、Ｂ、Ｓｉの少なくとも一種類を含む結晶相を含有するガラス質のコ−ト層を備えたことを特徴とするセラミックヒーター。
【請求項２】
前記コート層の明度Ｌ*が４０以上であることを特徴とする請求項１記載のセラミックヒーター。
【請求項３】
前記コート層の熱膨張係数が上記板状体の熱膨張係数に対し−０．５〜＋２．０×１０-6／℃の範囲であることを特徴とする請求項１記載のセラミックヒーター。
【請求項４】
前記板状体の一方の主面にガラスからなる絶縁層を介して前記発熱抵抗体を備え、前記コート層のガラスの軟化点が、前記絶縁層をなすガラスの転移点より低く、かつ前記発熱抵抗体に含まれるガラスの軟化点以下の温度であることを特徴とする請求項１記載のセラミックヒーター。
【請求項５】
前記コート層の厚みが、１０〜５００μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載のセラミックヒーター。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のセラミックヒーターにおける発熱抵抗体を備えた主面と反対側の主面をウエハ載置面としたことを特徴とするウエハ加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記の課題について鋭意検討した結果、セラミックスからなる板状体の少なくとも一方の主面に発熱抵抗体を備え、さらに該発熱抵抗体の表面にＺｎ、Ｂ、Ｓｉの少なくとも一種類を含む結晶相を含有するガラス質のコ−ト層を備えることにより、上記課題が解決できることを見出した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月16日(2004.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と、前記主面の反対側の裏面と、所定の間隔をおいて行列状に配置された複数の製品形成領域と、前記製品形成領域のそれぞれに形成された複数の接続部とを有する基板を準備する工程と、
主面と、前記主面の反対側の裏面と、前記主面上に形成された複数の電極パッドをそれぞれ有する複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップをそれぞれ対応する前記製品形成領域に搭載する工程と、
前記複数の半導体チップを搭載する工程の後に、前記基板の主面をプラズマによって処理する工程と、
キャビティを有する成形金型を準備する工程と、
前記プラズマによって処理する工程の後に、前記複数の半導体チップが、前記キャビティ内部に配置され、かつ前記複数の製品形成領域が前記キャビティと対向するように、前記基板を前記成形金型の中に配置する工程と、
前記基板を配置する工程の後に、前記キャビティ内部に樹脂を注入することによって、前記複数の半導体チップと前記複数の製品形成領域を一括で封止する樹脂封止体を形成する工程と、
前記樹脂封止体を形成する工程の後に、前記樹脂封止体と前記基板を、前記複数の製品形成領域の外周に沿って切断する工程とを有し、
前記キャビティは、互いに向かい合う２つの側面と、前記２つの側面のうちの一方に形成された複数のゲートと、前記２つの側面のうちの他の一方に形成された複数のエアベントとを有し、
前記樹脂封止体を形成する工程において、前記樹脂は前記複数のゲートから前記複数のエアベントに向かって注入されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマによって処理する工程において、前記基板の主面に残留する不純物を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマによって処理する工程において、
前記基板の主面を粗面化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のうちの何れか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記基板は樹脂を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のうちの何れか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止体は複数のフィラーを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止体において、前記複数のフィラーが占める体積比は８０パーセント以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５乃至請求項６のうちの何れか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数のフィラーは、シリカフィラーを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のうちの何れか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の半導体チップを搭載する工程において、前記複数の半導体チップのそれぞれの複数の電極パッドを、対応する前記製品形成領域の複数の接続部と電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のうちの何れか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の半導体チップを搭載する工程において、前記基板を熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のうちの何れか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止体を形成する工程において、前記複数の製品形成領域と前記複数のエアベントとの間に、前記製品形成領域外の領域を有し、前記製品形成領域外の領域の幅が、前記複数の製品形成領域同士の間隔の幅に比較して大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】図３の一部を拡大した模式的平面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数の論理機能素子と、前記論理機能素子のそれぞれの電源配線と接地配線との間に接続されたコンデンサとからなるコンデンサ付き論理機能素子に対応する機能セルを予め作成し、
前記機能セルを配列してなる回路ブロックを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記コンデンサは、前記コンデンサ付き論理機能素子の最小セル単位の機能セル毎に有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
１つまたは複数の論理機能素子と、前記論理機能素子のそれぞれの電源配線と接地配線との間に接続されたコンデンサとからなるコンデンサ付き論理機能素子に対応する機能セルを予め作成し、
前記機能セルを半導体基板上に配置することを特徴とする半導体装置のレイアウト方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置のレイアウト方法であって、
１つまたは複数の論理機能素子からなるコンデンサ無し論理機能素子の機能セルを作成し、
前記コンデンサ付き論理機能素子の機能セルと、前記コンデンサ無し論理機能素子の機能セルとの電源配線と接地配線との間を同じ幅に統一し、
前記コンデンサ付き論理機能素子の機能セルと、前記コンデンサ無し論理機能素子の機能セルとを半導体基板上に互いに隣接して配置することを可能としたことを特徴とする半導体装置のレイアウト方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置のレイアウト方法であって、
前記コンデンサ付き論理機能素子の機能セルを複数有するマクロセルと、前記コンデンサ無し論理機能素子の機能セルを複数有するマクロセルとを混在して半導体基板上に配置することを特徴とする半導体装置のレイアウト方法。