(57)【要約】  本発明は、熱擾乱耐性を向上させることができ、高い磁気異方性を確保することが可能な磁気記録媒体を提供する。  磁気記録媒体１は、円板状の形状を有する基板２と、柱状の形状を有し、基板２に対して垂直に配列された複数の磁性体粒子３とを有している。複数の磁性体粒子３の配列は、六方配列となっている。各磁性体粒子３の間には空隙や界面活性剤などの非磁性体が設けられ、その非磁性体によって各磁性体粒子３が分離されている。
2009025148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の形状を有する基板と、
柱状の形状を有し、長軸が前記基板の表面に直交して前記基板の表面に配列された複数の磁性体粒子と、
を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記柱状の形状の長軸に対して垂直な断面は、円状であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記柱状の形状の長軸に対して垂直な断面は、楕円状であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記複数の磁性体粒子は、互いに所定の間隔をおいて配列され、各磁性体粒子の間には非磁性体が設けられていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記複数の磁性体粒子は、互いに所定の間隔を置いて配列され、前記各磁性体粒子の間には空隙が設けられていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記非磁性体は、界面活性剤を含んで構成されていることを特徴とする請求の範囲第２項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記各磁性体粒子は、少なくとも柱状の形状の側面が非磁性体で覆われていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記複数の磁性体粒子の配列は、六方配列であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記複数の磁性体粒子の配列は、四方配列であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記磁性体粒子の長軸方向における長さを、前記磁性体粒子の短軸方向における長さで除算した値が、１〜５であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記磁性体粒子は、短軸方向の長さが１〜３０［ｎｍ］であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記磁性体粒子は、ニッケル、コバルト、鉄、白金、銅、マンガン、又はクロムを含む合金であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記基板と前記複数の磁性体粒子との間に、軟磁性材料を含む膜が形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記複数の磁性体粒子が配列された面側の最表面に潤滑剤を含む膜が形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表面に複数の磁性体粒子が配置された磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置（ＨＤＤ）などの磁気記録装置の記録容量は大容量化される傾向にあり、記録方式として垂直記録方式が実用化されつつある。この垂直記録方式は、磁気記録媒体の記録層面内に対して垂直方向に磁化させることによって記録する方式であり、高密度な記録が可能となる。【０００３】
従来のグラニュラ型の磁気記録媒体では、磁性体粒子のサイズが不ぞろいであるため、記録密度が増加すると、媒体ノイズが大きくなる問題があった。また、周囲の温度によって、磁気記録媒体の熱擾乱耐性が下がる問題があった。【０００４】
そこで、大きさが等しいナノスケールの磁性体粒子同士を非磁性体で分離し、磁性体粒子を規則的に配列させたパターンドメディアが提案されている。【０００５】
例えば、リソグラフィ技術を用いてパターニングすることで、基板上に磁性体粒子を規則的に配列させることができる。しかしながら、この方法では、製造コストが増加する問題があった。これに対して、低コストで磁性体粒子を規則的に配列する方法として、磁性体粒子を自己組織的に配列させる方法が提案されている（例えば特許文献１、特許文献２、及び特許文献３）。
【特許文献１】特許第３２５８２９５号
【特許文献２】特開２００５−７４５７８号公報
【特許文献３】特開２００６−９２６０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来技術に係る磁気記録媒体においては、球状の磁性体粒子を自己組織的に配列させていた。磁性体粒子の形状が球状であるため、磁性体粒子のアスペクト比（縦の長さと横の長さの比）は値１に固定され大きくできない問題があった。熱擾乱耐性を高めるためには、磁性体粒子の体積を大きくする必要がある。しかしながら、球状の磁性体粒子はアスペクト比が値１に固定されているため、磁性体粒子の体積を大きくためには、球全体を大きくする必要があった。その結果、基板上における単位面積あたりの磁性体粒子の数が少なくなるため、記録密度が低下する問題があった。そして、記録密度を向上させるためには、球状の磁性体粒子を小さくする必要があり、その結果、熱擾乱耐性を高めることが困難であった。このように、従来技術に係る磁気記録媒体においては、記録密度の低下を抑えつつ、熱擾乱耐性を高めることが困難であった。【０００７】
この発明は上記の問題を解決するものであり、熱擾乱耐性を向上させることができ、高い磁気異方性を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の形態は、円板状の形状を有する基板と、柱状の形状を有し、長軸が前記基板の表面に直交して、前記基板の表面に配列された複数の磁性体粒子と、を有する磁気記録媒体である。【０００９】
この発明の形態によると、磁性体粒子が柱状の形状を有しているため、アスペクト比（長軸方向の長さを単軸方向の長さで除算した値）を所望の値にすることができる。そして、磁性体粒子のアスペクト比を大きくしつつ、磁性体粒子の体積を大きくすることで、単位面積あたりの磁性体粒子の数を減らさずに、磁気記録媒体の熱擾乱耐性を向上させることができる。すなわち、記録密度を低下させずに、磁気記録媒体の熱擾乱耐性を向上させることが可能となる。さらに、磁性体粒子は柱状の形状を有しているため、磁気異方性を確保することができる。【００１０】
また、複数の磁性体粒子は互いに所定の間隔をおいて配列され、各磁性体粒子の間には非磁性体が設けられていることが好ましい。複数の磁性体粒子の配列は、六方配列又は四方配列であることが好ましい。例えば、各磁性体粒子の間に空隙を形成することで、各磁性体粒子の間に非磁性体を設ける。また、各磁性体粒子の間に界面活性剤を設けても良い。さらに、磁性体粒子は、非磁性体で覆われていても良い。【００１１】
また、磁性体粒子の長軸方向における長さを、磁性体粒子の短軸方向における長さで除算した値が、１〜５であることが好ましい。また、磁性体粒子は、短軸方向の長さが１〜３０［ｎｍ］であることが好ましい。【００１２】
磁性体粒子には、１例として、ニッケル、コバルト、鉄、白金、銅、マンガン、又はクロムを含む合金が用いられる。【００１３】
さらに、基板と複数の磁性体粒子との間に、軟磁性材料を含む膜を形成しても良いし、最表面に潤滑剤を含む膜を形成しても良い。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によると、柱状の形状を有する磁性体粒子を基板に対して垂直に設けることにより、記録密度を低下させずに磁気記録媒体の熱擾乱耐性を向上させることができる。また、磁性体粒子は柱状の形状を有しているため、高い磁気異方性を確保することが可能となる。【００１５】
さらに、強磁性体においては、磁気モーメントが向きやすい方向（磁化容易軸）と、磁気モーメントが向きにくい方向（磁化困難軸）が存在する。球状の磁性体粒子では、形状の等方性から、磁気モーメントを所望の方向に揃えることは困難であり、磁気異方性を形成することは困難であった。しかし、柱状の形状を有する磁性体粒子を基板に対して垂直に設けることにより、磁気モーメントを所望の方向に揃え、磁気異方性を形成することは容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】この発明の実施形態に係る磁気記録媒体を示す斜視図である。
【図２】磁性体粒子を示す斜視図である。
【図３】磁性体粒子を示す上面図と側面図である。
【図４】磁性体粒子を示す上面図と側面図である。
【図５】磁性体粒子を示す上面図と側面図である。
【図６】磁性体粒子を示す上面図と側面図である。
【図７】この発明の実施形態に係る磁気記録媒体の表面の一部を示す基板の上面図である。
【図８】この発明の実施形態に係る磁気記録媒体を示す断面図であり、図１のIV−IV断面図である。
【図９】磁性体粒子の変形例を示す斜視図である。
【図１０】変形例１に係る磁気記録媒体の表面の一部を示す基板の上面図である。
【図１１】変形例１に係る磁気記録媒体を示す断面図である。
【図１２】変形例２に係る磁気記録媒体を示す断面図である。
【図１３】変形例３に係る磁気記録媒体を示す断面図である。
【図１４】変形例４に係る磁気記録媒体の表面の一部を示す基板の上面図である。
【符号の説明】
【００１７】
１、２０、３０、４０、５０  磁気記録媒体
２  基板
３  磁性体粒子
４  コーティング膜
５  複合粒子
６  保護膜
７  軟磁性層
８  中間層
９  保護膜
１０  潤滑剤層
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
この発明の実施形態に係る磁気記録媒体について、図１から図８を参照して説明する。図１は、この発明の実施形態に係る磁気記録媒体を示す斜視図である。図２は、磁性体粒子を示す斜視図である。図３乃至図６は、磁性体粒子の形状を表す図である。図７は、この発明の実施形態に係る磁気記録媒体の表面の一部を示す基板の上面図である。図８は、この発明の実施形態に係る磁気記録媒体を示す断面図であり、図１のIV−IV断面図である。【００１９】
この実施形態に係る磁気記録媒体１は、円板状の形状を有する基板と、その基板の表面に設けられた複数の磁性体粒子とを備えている。図１に示すように、磁気記録媒体の中央には、基板の厚さ方向に貫通する貫通孔が形成されている。
（磁性体粒子３）
ここで、この実施形態の磁気記録媒体１に用いられている磁性体粒子を図２に示す。図２に示すように、磁性体粒子３は柱状の形状を有している。磁性体粒子３の高さ（長軸方向の長さＢ）と、磁性体粒子３の上面又は底面の幅（短軸方向の長さＡ）との比（長さＢ／長さＡ）は、１〜５であることが好ましい。すなわち、アスペクト比（長さＢ／長さＡ）が、１〜５となっていることが好ましい。また、磁性体粒子３の短軸方向の長さＡは、１〜３０［ｎｍ］であることが好ましい。【００２０】
磁性体粒子３は磁性材料であれば特に限定されず、例えば、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｔＣｕ、Ｃｏ、又はＮｉなどが用いられる。【００２１】
柱状の磁性体粒子３は、化学還元法によって製造することができる。例えば、金属の塩化物イオンに還元剤を加えることで、金属イオンを化学的に還元して金属を析出させることができる。さらに、塩化物イオンの量や反応条件を調整することで、柱状の磁性体粒子のアスペクト比を所望の値に制御することができる。例えば、特開２００６−７０３００号公報に記載の方法を用いることで、柱状の磁性体粒子３を製造することができる。１例として、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、マンガン（Ｍｎ）、及びイリジウム（Ｉｒ）のうち、１種類又は２種類の金属を含む合金を選択して製造することができる。【００２２】
また、柱状の磁性体粒子３は、電解法によっても製造することができる。例えば、界面活性剤を含む水溶液中で電解することで磁性体粒子３を合成することができる。また、ポーラス膜やミクロ相分離膜中で電解合成したものを単離することで、磁性体粒子３を製造することができる。【００２３】
例えば、ワット浴と塩化白金酸との混合溶液中の銀／塩化銀参照極に対して、−１［Ｖ］の電界を印加することで、陰極に白金ニッケル合金の微粒子を析出させることができる。【００２４】
なお、柱状の磁性体粒子３は、上面又は底面に丸みが形成されていても良い。また、磁性体粒子３の側面は、直線状であっても良いし、曲線状であっても良い。さらに柱状の形状の長軸に対して垂直な断面は、円状であっても良いし、楕円状であってもよい。これらの磁性体粒子の形状を図３乃至図６を用いて説明する。図３は、柱状の形状の側面が長方形の場合、図４は、柱状の形状の上面と底面の角に丸みが形成されている場合、図５は、柱状の形状の側面が曲線状の場合、図６は柱状の形状の上面と底面の角に丸みが形成されており、かつ側面が曲線状の場合である。【００２５】
一つ一つの磁性体粒子をもって、磁気記録を行う際の一つのマークとする場合、柱状の形状の長軸に対して垂直な断面は、マークの形状に相当するので、任意の大きさに制御できることが好ましい。従って、柱状の形状の長軸に対して垂直な断面は円状であっても良いし、楕円状であってもよい。
（磁性体粒子３の配列）
次に、磁性体粒子３の配列について図７及び図８を参照して説明する。図７に示すように、複数の磁性体粒子３は、基板２の表面において規則的に六方配列している。すなわち、複数の磁性体粒子３群は、基板２の表面において六方配列構造を有している。換言すると、図７の一点鎖線で示すように、複数の磁性体粒子３の最小単位が、基板２の表面の面内において、三角格子状の配列を形成している。例えば、最小単位が正三角形の格子を形成している。【００２６】
また、図８に示すように、各磁性体粒子３は、基板２に対して垂直に設けられている。すなわち、磁性体粒子３は、長軸方向が基板２に直交して設けられている。【００２７】
そして、図７及び図８に示すように、各磁性体粒子３の間には、非磁性体が設けられている。図７及び図８に示す例では、各磁性体粒子３の間は空隙となっており、そのことにより、各磁性体粒子３は非磁性体によって分離されている。これら複数の磁性体粒子３によって、記録層が形成されている。【００２８】
柱状の磁性体粒子３は、ディップコート、スピンコート、又はＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）によって基板２の表面に設けることができる。また、溶液中の磁性体粒子３の濃度や、溶液のパラメータや、塗布の条件を制御することで、磁性体粒子３を基板２に対して垂直に配置することが可能となる。そして、複数の磁性体粒子３は、自己組織的に六方配列構造を有することが可能となる。
（基板２の材料）
また、基板２の材料は特に限定されず、例えば、ガラス、樹脂、又は金属を用いることができる。ガラス基板としては、例えば、アモルファスガラス基板、結晶化ガラス基板、又は化学強化ガラス基板が用いられる。また、樹脂基板としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は活性線硬化性樹脂が用いられる。また、金属基板としては、例えばアルミニウム合金が用いられる。【００２９】
この実施形態に係る磁気記録媒体１によると、柱状の磁性体粒子３を用いているため、磁性体粒子３のアスペクト比を所望の値にすることができる。例えば、アスペクト比を１以上にすることができる。そして、磁性体粒子３の体積を大きくすることで、磁気記録媒体１の熱擾乱耐性を向上させることが可能となる。このように磁性体粒子３の体積を大きくした場合であっても、アスペクト比を大きくして磁性体粒子３を基板２に対して垂直に設けることで、単位面積あたりの磁性体粒子３の数が減らないため、記録密度の低下を抑えることが可能となる。以上のように、柱状の磁性体粒子３を基板２に対して垂直に設けることで、磁気記録媒体１の熱擾乱耐性を向上させることができ、さらに、記録密度の低下を防止することが可能となる。【００３０】
なお、熱擾乱耐性は、式（ＫＶ／ｋＴ）によって評価することができる。ここで、Ｋは磁性体粒子３が有する磁気異方性エネルギーを表し、Ｖは磁性体粒子３のグレインの体積を表し、ｋはボルツマン定数を表し、Ｔは絶対温度を表している。熱擾乱耐性は、上記式において、６０以上が要求されている。この実施形態では、磁性体粒子３は柱状の形状を有しているため、磁性体粒子３のアスペクト比を大きくすることができる。そのことにより、単位面積あたりの磁性体粒子３の数（記録密度）を減らさずに、磁性体粒子３の体積Ｖを大きくすることができ、その結果、熱擾乱耐性を大きくすることができる。さらに、磁性体粒子３の体積Ｖを大きくすることができるため、磁気異方性エネルギーＫが小さい材料を磁性体粒子３に用いることができる。そのことにより、磁性体粒子３の材料選択の自由度が大きくなる。【００３１】
また、磁性体粒子３は柱状の形状を有しているため、形状異方性によって、磁気モーメントの軸方向を容易に制御することができる。つまり、柱状の磁性体粒子３の長軸方向に磁化容易軸を揃えることが可能となる。従って、磁気モーメントを磁性体粒子３の長軸方向に揃えて、高い磁気異方性を容易に確保することが可能となる。【００３２】
さらに、柱状の磁性体粒子３は、基板２の表面に自己組織的に配列させることが可能である。そのため、リソグラフィ技術を用いて磁性体粒子３のパターニングを行う必要がないため、その分、磁気記録媒体１の製造コストを削減することが可能となる。
［変形例］
次に、上述した実施形態に係る磁気記録媒体１の変形例について説明する。
（変形例１）
まず、変形例１に係る磁気記録媒体について、図９から図１１を参照して説明する。図９は、磁性体粒子の変形例を示す斜視図である。図１０は、変形例１に係る磁気記録媒体の表面の一部を示す基板の上面図である。図１１は、変形例１に係る磁気記録媒体を示す断面図である。【００３３】
変形例１では、磁性体粒子３をコーティング膜４でコーティングしている。磁性体粒子３がコーティング膜４でコーティングされた複合粒子５は柱状の形状を有し、上述した実施形態と同様に、基板２に対して垂直に配列されている。コーティング膜４には、界面活性剤やシランカップリング剤などの非磁性材料が用いられる。界面活性剤には、例えば、ＣＴＡＢ（Ｃｅｔｙｌｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍｕ  Ｂｒｏｍｉｄｅ）、ＯＤＳ(Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ)が用いられる。なお、複合粒子５は、上面又は底面において角に丸みが形成されていても良い。また、複合粒子５の側面は、直線状であっても良いし、曲線状であっても良い。【００３４】
上述した電解法によって磁性体粒子３を製造する場合、磁性体粒子３は界面活性剤でコーティングされた状態で製造される。そのため、磁性体粒子３に界面活性剤（コーティング膜４）がコーティングされた状態の複合粒子５を、基板２に対して垂直に配列させる。【００３５】
また、化学還元法によって磁性体粒子３を製造する場合は、磁性体粒子３を製造した後に、コーティング膜４で磁性体粒子３をコーティングすることで、図９に示す複合粒子５を製造すれば良い。【００３６】
例えば、磁性体粒子３の短軸方向の長さＡが８［ｎｍ］程度の場合、膜厚が１〜４［ｎｍ］のコーティング膜４を磁性体粒子３にコーティングすることで、複合粒子５を作製する。【００３７】
次に、複合粒子５の配列について図１０及び図１１を参照して説明する。変形例１に係る磁気記録媒体２０は、円板状の基板と、その基板の表面に設けられた複数の複合粒子５とを備えている。図１０に示すように、磁性体粒子３にコーティング膜４がコーティングされた複数の複合粒子５の群は、六方配列構造を有している。また、図１１に示すように、各複合粒子５は、基板２に対して垂直に設けられている。図１０及び図１１に示す例では、各複合粒子５は互いに接触し、コーティング膜４の厚さによって磁性体粒子３の間の距離が制御されている。従って、磁性体粒子３をコーティングするコーティング膜４の厚さを変えることで、磁性体粒子３の間の距離を制御することができる。なお、図１０及び図１１に示す例では、各複合粒子５は互いに接触しているが、これらは接触していなくても良い。【００３８】
また、複合粒子５を基板２に配列させた後に、熱処理、オゾン洗浄、又は酸素アッシングなどの処理を施すことで、コーティング膜４を除去しても良い。これにより、上述した実施形態と同様に、磁性体粒子３の間には空隙が形成されることになる。【００３９】
上述した実施形態のように、柱状の複合粒子５は、ディップコート、スピンコート、又はＬＢ法によって基板２に対して垂直に配置することができる。【００４０】
この変形例１に係る磁気記録媒体２０によると、上述した実施形態と同様に、磁気記録媒体２０の熱擾乱耐性を向上させることができ、また、高い磁気異方性を確保することができる。
（変形例２）
次に、変形例２に係る磁気記録媒体について図１２を参照して説明する。図１２は、変形例２に係る磁気記録媒体を示す断面図である。【００４１】
上述した実施形態に係る磁気記録媒体１の表面に、非磁性材料の保護膜６を成膜しても良い。この変形例２では、柱状の磁性体粒子３を基板２の表面に垂直に配列させた後、非磁性材料の保護膜６を磁性体粒子３の上に成膜する。磁性体粒子３の高さにバラツキがあっても、最表面を平坦化できる。例えば、コーティング方法としてスピンコート法を用いると凸部のレジスト膜厚は凹部に比べて薄くなる。これによって平坦化できる。さらにこの膜にスピンオングラス（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ（ＳＯＧ））を使用すると熱処理によって凸部から凹部に自己流動しさらに表面平坦性を上げることができる。これにより、変形例２に係る磁気記録媒体３０においては、表面を平坦に形成することができ、また、磁性体粒子３を保護することができる。保護膜６には、例えば、樹脂、ゾルゲルガラス、スピンオングラス、又はＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）などの非磁性材料が用いられる。また、保護膜６を成膜することで、磁性体粒子３の間には、非磁性材料が設けられることになる。これにより、各磁性体粒子３は、非磁性体によって分離されることになる。【００４２】
また、変形例１に係る磁気記録媒体２０の表面に、保護膜６を成膜することで、表面を平坦化しても良い。
（変形例３）
次に、変形例３に係る磁気記録媒体について図１３を参照して説明する。図１３は、変形例３に係る磁気記録媒体を示す断面図である。【００４３】
磁気記録媒体１を垂直磁気記録媒体として用いる場合には、磁気ディスク装置のヘッドに大きな磁界を発生させるために、基板２の表面にＳＵＬ（Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）と称される軟磁性層を成膜する。例えば図１３に示すように、基板２の表面に軟磁性層７を成膜する。さらに、軟磁性層７の表面に中間層８を成膜しても良い。【００４４】
軟磁性層７には、例えば、コバルトタンタルジリコニウム（ＣｏＴａＺｒ）や、コバルトニオブジリコニウム（ＣｏＮｂＺｒ）などの軟磁性材料を用いる。また、また、軟磁性層７には、間にルテニウム（Ｒｕ）を積層した構造としても良い。また、中間層８には、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いる。【００４５】
例えば、膜厚が５０〜２００［ｎｍ］の軟磁性層７を基板２の表面に成膜し、更に、膜厚が１０〜２０［ｎｍ］の中間層８を軟磁性層７の上に成膜する。【００４６】
そして、中間層８上に、柱状の磁性体粒子３を垂直に配置する。このとき、溶液中の磁性体粒子３の濃度や、溶液のパラメータや、塗布の条件を制御することで、複数の磁性体粒子３を六方配列に配置する。また、コーティング膜４によって磁性体粒子３がコーティングされた複合粒子５を、中間層８の上に垂直に配置しても良い。【００４７】
さらに、磁気記録媒体４０の最表面には、ヘッドの滑り性を向上させるために、潤滑剤を塗布しても良い。潤滑剤には、滑り性の高いフルオロカーボン系化合物やホスファゼン化合物などを用いる。そして、ディップコート又はスピンコートによって、略単分子膜に成膜することで膜厚が数ｎｍの潤滑剤層１０を磁気記録媒体４０の最表面に形成する。【００４８】
また、磁性体粒子３を基板２の表面に垂直に配列させた後、非磁性材料の保護膜９を磁性体粒子３の上に成膜しても良い。これにより、磁性体粒子３が配列された後の基板の表面を平坦化し、また、磁性体粒子３を保護することができる。保護膜９には、例えば、樹脂、ゾルゲルガラス、スピンオングラス、又はＴＥＯＳなどの非磁性材料が用いられる。この場合、保護膜９上に潤滑剤層１０を成膜する。
（変形例４）
次に、変形例４に係る磁気記録媒体について図１４を参照して説明する。図１４は、変形例４に係る磁気記録媒体の表面の一部を示す基板の上面図である。【００４９】
変形例４に係る磁気記録媒体５０においては、複数の磁性体粒子３は、基板２の表面において規則的に四方配列している。すなわち、複数の磁性体粒子３群は、基板２の表面において四方配列構造を有している。換言すると、図１４の一点鎖線で示すように、複数の磁性体粒子３の最小単位が、基板２の表面の面内において、正方格子状の配列を形成している。【００５０】
なお、上述した磁気記録媒体１と同様に、磁性体粒子３は基板２に対して垂直に設けられている。また、複数の磁性体粒子３の間には非磁性体が設けられている。【００５１】
磁性体粒子３は、上述した実施形態のように、ディップコート、スピンコート、又はＬＢ法によって基板２に対して垂直に配置することができる。このとき、溶液中の磁性体粒子３の濃度や、溶液のパラメータや、塗布の条件を制御することで、複数の磁性体粒子３を四方配列に配置させることができる。また、基板２の表面を処理することで、部分的に濡れ性が異なるパターンを基板２の表面に形成しても良い。例えば、濡れ性が良い箇所が四方配列構造となるパターンを基板２の表面に形成する。濡れ性が良好な箇所には、磁性体粒子３が配置されるため、複数の磁性体粒子３を四方配列に配置することが可能となる。【００５２】
この変形例４に係る磁気記録媒体５０のように、磁性体粒子３の配列を四方配列にした場合であっても、上述した実施形態と同様に、磁気記録媒体５０の熱擾乱耐性を向上させることができ、また、高い磁気異方性を確保することができる。【００５３】
なお、変形例１に係る複合粒子５を基板２に対して四方配列に配置しても良い。また、変形例２に係る磁気記録媒体３０のように、四方配列した磁性体粒子３の上に保護膜６を成膜しても良い。さらに、変形例３に係る磁気記録媒体４０のように、軟磁性層７や中間層８を成膜しても良いし、潤滑剤層１０を成膜しても良い。
［実施例１］
次に、磁気記録媒体の具体的な実施例について説明する。この実施例では、磁性体粒子３がコーティング膜４によってコーティングされた複合粒子５を用いて、磁気記録媒体を作製した。
（基板２）
基板２には円板状のガラス基板を用いた。基板２の寸法を以下に示す。【００５４】
直径：６５［ｍｍ］
厚さ：０．６５［ｍｍ］
（磁性体粒子３）
磁性体粒子３には、ＦｅＰｔを用いた。また、磁性体粒子３をコーティング膜４でコーティングした。コーティング膜４には界面活性剤であるＣＴＡＢを用いた。それぞれの濃度はＦｅＰｔ粒子が０．１ｖｏｌ％、ＣＴＡＢが０．１ｍｏｌ／Ｌである。
磁性体粒子３の寸法を以下に示す。【００５５】
円柱の上面及び底面の直径（短軸方向の長さＡ）：８［ｎｍ］
円柱の高さ（長軸方向の長さＢ）：１２［ｎｍ］
アスペクト比（長さＢ／長さＡ）：１．５
コーティング膜４：２［ｎｍ］
（磁気記録媒体の作製）
そして、水に分散させた複合粒子を０．１ｍｍ／ｓｅｃの引き上げ速度にてディップコートすることによって基板２の表面に複合粒子５を塗布した。複数の複合粒子５が基板２に対して垂直に配列し、複数の複合粒子５群によって六方配列構造が形成された。これにより、直径８ｎｍのＦｅＰｔ微粒子を１２ｎｍ間隔で配列させることが可能となり、ドットピッチが１２［ｎｍ］、ドット径が８［ｎｍ］のパターンド磁気記録媒体を作製することができた。この磁気記録媒体の記録密度は、約１．５［Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２］となった。
［実施例２］別の界面活性剤を使用
０．１ｍｏｌ／ＬのＯＤＳクロロホルム溶液を調製し、上記手法によってＣＴＡＢによってコーティングされた複合粒子を入れ、３０分間攪拌した。この操作によって、最外層（一層目）がＯＤＳ、二層目がＣＴＡＢでコーティングされたＦｅＰｔ微粒子をえることができた。【００５６】
クロロホルムに分散させた複合粒子を１ｍｍ／ｓｅｃの引き上げ速度にてディップコートすることによって基板２の表面に複合粒子５を塗布した。これにより、直径８ｎｍのＦｅＰｔ微粒子を１２ｎｍ間隔で配列させることが可能となった。溶媒はクロロホルムに限らず各種有機溶媒を選択可能。例えばトルエンやヘキサン。溶媒を選ぶことで所望の蒸発速度を得ることができる。
［実施例３］平坦な表面を得る方法
実施例１や２の方法で磁性体微粒子を配列させたあと、ＵＶオゾン洗浄機（Ｆｉｌｇｅｎ社ＵＶ２５３Ｈ）で５分間オゾン照射して、ＦｅＰｔ表面の界面活性剤を分解除去した。次にＳＯＧ（東レダウコーニングＦＯｘ１２）を１００００ｒｐｍでスピンコートすることによって表面にＳＯＧ薄膜を塗布した。スピンコート法を用いると凸部のレジスト膜厚は凹部に比べて薄くなる傾向があり、この操作によって表面粗さＲｍａｘは４ｎｍから１ｎｍへ改善した。さらにこれを２００℃、３０分間熱処理することによって、Ｒｍａｘ＝０．５ｎｍまで改善した。ＳＯＧが熱処理によって凸部から凹部に自己流動する効果による。
（比較評価）
比較例として、直径が８［ｎｍ］、コーティング膜が２［ｎｍ］の球状の磁性体粒子を基板上に六方配列させた磁気記録媒体を作製した。実施例に係る磁気記録媒体は、比較例に係る磁気記録媒体と比較して、約２．２５倍の熱擾乱耐性を得ることができた。このように、円柱状の磁性体粒子を基板２に対して垂直に配列することで、球状の磁性体粒子を基板に配置した磁気記録媒体よりも、高い熱擾乱耐性を得ることができる。さらに、実施例に係る円柱状の磁性体粒子３の直径が８［ｎｍ］で、比較例に係る球状の磁性体粒子の直径が８［ｎｍ］であるため、基板の表面における単位面積あたりの磁性体粒子の数は、実施例と比較例とでは等しくなる。このように、実施例に係る磁気記録媒体によると、記録密度を低下させずに、高い熱擾乱耐性を確保することができる。【００５７】
また、実施例に係る磁気記録媒体によると、円柱状の磁性体粒子を基板２に対して垂直に配列しているため、磁気異方性を容易に形成することが可能となる。一方、比較例に係る磁気記録媒体においては、球状の磁性体粒子を用いているため、例えば熱処理を施すことで、磁気異方性を形成する必要がある。この場合、熱処理によって基板からガスが放出される問題がある。これに対して、実施例に係る磁気記録媒体では、熱処理を施さなくても磁気異方性を形成することができる。
【図１】
2009025148.tif 000003
【図２】
2009025148.tif 000004
【図３】
2009025148.tif 000005
【図４】
2009025148.tif 000006
【図５】
2009025148.tif 000007
【図６】
2009025148.tif 000008
【図７】
2009025148.tif 000009
【図８】
2009025148.tif 000010
【図９】
2009025148.tif 000011
【図１０】
2009025148.tif 000012
【図１１】
2009025148.tif 000013
【図１２】
2009025148.tif 000014
【図１３】
2009025148.tif 000015
【図１４】
2009025148.tif 000016
【国際調査報告】
2009025148.tif 000017
2009025148.tif 000018
2009025148.tif 000019
2009025148.tif 000020