【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電潜像を担持している静電潜像担持体に、現像装置によって現像剤を供給して静電潜像を現像する工程を含む画像形成方法において、
前記静電潜像担持体は、導電性基体と、この導電性基体上に形成される有機感光層とを有し、
前記有機感光層は、表面を含む有機感光層の一部を少なくとも形成する感光層形成樹脂と、電荷輸送物質とを含有し、
前記現像装置は、少なくとも現像時には前記現像剤を表面に担持し前記静電潜像担持体表面に直接又は間接的に接触する現像剤担持体と、この現像剤担持体に直接又は間接的に接触して現像剤担持体上の現像剤層の層厚を規制する層厚規制部材とを有し、
前記現像剤は、ポリエステル樹脂を主成分とする結着樹脂と着色剤とを含有する一成分現像剤であり、
前記感光層形成樹脂のテトラヒドロフラン可溶分の内の数平均分子量が５万以下の成分の存在割合をＢとし、前記現像剤のトルエン可溶分の重量平均分子量をＭｗ（Ｔｏｌ）とし、前記現像剤のテトラヒドロフラン可溶分の重量平均分子量をＭｗ（ＴＨＦ）としたときに、下記条件式を満足することを特徴とする画像形成方法。
【数１】
2004086105.tif 000001
【請求項２】
前記感光層形成樹脂のテトラヒドロフラン可溶分のＺ平均分子量が１００，０００以上であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項３】
前記現像剤の３０〜２００℃における示差走査式熱分析による最大吸熱ピークが、８０〜１２０℃にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成方法。
【請求項４】
前記現像剤担持体のアスカーＣ硬度が４０°以上９５°未満であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項５】
前記感光層形成樹脂が、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項６】
前記現像剤のトルエン可溶分の重量平均分子量Ｍｗ（Ｔｏｌ）が、５，０００〜１００，０００であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項７】
静電潜像を担持する静電潜像担持体と、この静電潜像担持体に担持された静電潜像に現像剤を供給して静電潜像を現像する現像装置とを有する画像形成装置において、
前記静電潜像担持体は、導電性基体と、この導電性基体上に形成される有機感光層とを有し、
前記有機感光層は、表面を含む有機感光層の一部を少なくとも形成する感光層形成樹脂と、電荷輸送物質とを含有し、
前記現像装置は、少なくとも現像時には前記現像剤を表面に担持し前記静電潜像担持体表面に直接又は間接的に接触する現像剤担持体と、この現像剤担持体に直接又は間接的に接触して現像剤担持体上の現像剤層の層厚を規制する層厚規制部材とを有し、
前記現像剤は、ポリエステル樹脂を主成分とする結着樹脂と着色剤とを含有する一成分現像剤であり、
前記感光層形成樹脂のテトラヒドロフラン可溶分の内の数平均分子量が５万以下の成分の存在割合をＢとし、前記現像剤のトルエン可溶分の重量平均分子量をＭｗ（Ｔｏｌ）とし、前記現像剤のテトラヒドロフラン可溶分の重量平均分子量をＭｗ（ＴＨＦ）としたときに、下記条件式を満足することを特徴とする画像形成装置。
【数２】
2004086105.tif 000002
【請求項８】
前記感光層形成樹脂のテトラヒドロフラン可溶分のＺ平均分子量が１００，０００以上であることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記現像剤の３０〜２００℃における示差走査式熱分析による最大吸熱ピークが、８０〜１２０℃にあることを特徴とする請求項７又は８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記現像剤担持体のアスカーＣ硬度が４０°以上９５°未満であることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記感光層形成樹脂が、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記現像剤のトルエン可溶分の重量平均分子量Ｍｗ（Ｔｏｌ）が、５，０００〜１００，０００であることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
静電潜像を担持する静電潜像担持体と、この静電潜像担持体に担持された静電潜像に現像剤を供給して静電潜像を現像する現像装置とを少なくとも有すると共にこれらを一体的に有し、静電潜像を担持している静電潜像担持体に、現像装置によって現像剤を供給して静電潜像を現像する工程を含む画像形成方法に使用される画像形成装置の本体に対して着脱自在に設けられるプロセスカートリッジにおいて、
前記静電潜像担持体は、導電性基体と、この導電性基体上に形成される有機感光層とを有し、
前記有機感光層は、表面を含む有機感光層の一部を少なくとも形成する感光層形成樹脂と、電荷輸送物質とを含有し、
前記現像装置は、少なくとも現像時には前記現像剤を表面に担持し前記静電潜像担持体表面に直接又は間接的に接触する現像剤担持体と、この現像剤担持体に直接又は間接的に接触して現像剤担持体上の現像剤層の層厚を規制する層厚規制部材とを有し、
前記現像剤は、ポリエステル樹脂を主成分とする結着樹脂と着色剤とを含有する一成分現像剤であり、
前記感光層形成樹脂のテトラヒドロフラン可溶分の内の数平均分子量が５万以下の成分の存在割合をＢとし、前記現像剤のトルエン可溶分の重量平均分子量をＭｗ（Ｔｏｌ）とし、前記現像剤のテトラヒドロフラン可溶分の重量平均分子量をＭｗ（ＴＨＦ）としたときに、下記条件式を満足することを特徴とするプロセスカートリッジ。
【数３】
2004086105.tif 000003
【請求項１４】
前記感光層形成樹脂のテトラヒドロフラン可溶分のＺ平均分子量が１００，０００以上であることを特徴とする請求項１３に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１５】
前記現像剤の３０〜２００℃における示差走査式熱分析による最大吸熱ピークが、８０〜１２０℃にあることを特徴とする請求項１３又は１４に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１６】
前記現像剤担持体のアスカーＣ硬度が４０°以上９５°未満であることを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１７】
前記感光層形成樹脂が、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１８】
前記現像剤のトルエン可溶分の重量平均分子量Ｍｗ（Ｔｏｌ）が、５，０００〜１００，０００であることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれか一項に記載のプロセスカートリッジ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
また、前記ワックスとしては、例えばパルミチン酸、ステアリン酸、モンタン酸等の飽和直鎖脂肪酸類；ブラシジン酸、エレオステアリン酸、パリナリン酸等の不飽和脂肪酸類；ステアリルアルコール、アラルキルアルコール、ベヘニルアルコール、カルナウビルアルコール、セリルアルコール、メリシルアルコール等の飽和アルコール；ソルビトール等の多価アルコール類；リノール酸アミド等の脂肪酸アミド類；メチレンビスステアリン酸アミド等の飽和脂肪酸ビスアミド類；エチレンビスオレイン酸アミド等の不飽和脂肪酸アミド類；Ｎ，Ｎ’−ジステアリルイソフタル酸アミド等の芳香族ビスアミド類；ステアリン酸亜鉛等の脂肪酸金属塩；脂肪族炭化水素系ワックスにスチレン等のビニル系モノマーを用いてグラフト化させたワックス類；ベヘニン酸モノグリセリド等の脂肪酸と多価アルコールの部分エステル化物；植物性油脂の水素添加等によって得られるヒドロキシル基を有するメチルエステル化物等も用いることができる。