【手続補正書】
【提出日】平成16年3月10日(2004.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に堆積させるべき堆積元素を含むガスを真空室内に供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら、上記基板に対向して設けられた誘電体上のコイルに高周波電力を供給することにより、上記真空室内にプラズマを発生させて電極に載置された上記基板に上記堆積元素を含む薄膜を堆積するプラズマ処理方法において、
上記誘電体の表面のうち上記基板に面する表面に、上記堆積元素を含むガスとは異なる堆積防止ガスを供給しながら、上記基板に上記薄膜を堆積することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
上記堆積元素を含むガスは上記堆積防止ガスより流量が大きい請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
上記堆積防止ガスが、酸素、窒素、亜酸化窒素、水素、水、アルゴンの不活性ガスのいずれか、または、これらを含む混合ガスである請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
真空室内にエッチング用ガスを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら、誘電体に沿って配置されたコイルに高周波電力を供給することにより、上記真空室内にプラズマを発生させて電極に載置された基板をエッチングするプラズマ処理方法において、
上記誘電体の表面のうち上記基板に面する表面に、上記エッチング用ガスとは異なる堆積防止ガスが流れている状態で、上記基板をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
上記エッチング用ガスは上記堆積防止ガスより流量が大きい請求項４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
上記堆積防止ガスが、塩素、酸素、窒素、亜酸化窒素、アルゴンの不活性ガスのいずれか、または、これらを含む混合ガスである請求項４又は５に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
基板上に堆積させるべき堆積元素を含む堆積元素含有ガスを真空室内に供給する装置と、上記真空室内を排気する装置と、上記真空室内に上記基板を載置するための電極と、上記電極に対向して設けられたコイルと、上記コイルが配置された誘電体と、上記コイルに高周波電力を供給する装置とを備えたプラズマ処理方法において、
第１ガス吹き出し孔と第２ガス吹き出し孔とを有し、
上記第１ガス吹き出し孔は、上記堆積元素を含む堆積元素含有ガスとは異なる堆積防止ガスのみを吹き出し、かつ上記誘電体の外周部近傍において上記誘電体の内側に向かって開孔されるものであり、かつ、上記第２ガス吹き出し孔は上記堆積元素含有ガスのみを吹き出し、かつ上記誘電体の外周部近傍において上記第１ガス吹き出し孔よりも上記誘電体から遠い位置に、上記真空室の内側に向かって開孔されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
上記堆積防止ガスが、酸素、窒素、亜酸化窒素、水素、水、アルゴンの不活性ガスのいずれか、または、これらを含む混合ガスである請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
基板上でエッチングを行うために使用するエッチング用ガスを真空室内に供給する装置と、上記真空室内を排気する装置と、上記真空室内に上記基板を載置するための電極と、上記電極に対して設けられたコイルと、上記コイルが配置された誘電体と、上記コイルに高周波電力を供給する装置とを備えたプラズマ処理装置において、
第１ガス吹き出し孔と第２ガス吹き出し孔とを有し、
上記第１ガス吹き出し孔は、上記エッチング用ガスとは異なる堆積防止ガスのみを吹き出し、かつ上記誘電体の外周部近傍において上記誘電体の内側に向かって開孔されるものであり、かつ、上記第２ガス吹き出し孔は上記エッチング用ガスのみを吹き出し、かつ上記誘電体の外周部近傍において上記第１ガス吹き出し孔よりも上記誘電体から遠い位置に、上記真空室の内側に向かって開孔されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
上記堆積防止ガスが、塩素、酸素、窒素、亜酸化窒素、アルゴンの不活性ガスのいずれか、または、これらを含む混合ガスである請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成している。
本発明の第１態様によれば、基板上に堆積させるべき堆積元素を含むガスを真空室内に供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら、上記基板に対向して設けられた誘電体上のコイルに高周波電力を供給することにより、上記真空室内にプラズマを発生させて電極に載置された上記基板に上記堆積元素を含む薄膜を堆積するプラズマ処理方法において、
上記誘電体の表面のうち上記基板に面する表面に、上記堆積元素を含むガスとは異なる堆積防止ガスを供給しながら、上記基板に上記薄膜を堆積することを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。
本発明の第２態様によれば、第１態様において、上記堆積元素を含むガスは上記堆積防止ガスより流量が大きいプラズマ処理方法を提供する。
本発明の第３態様によれば、第１又は２態様において、上記堆積防止ガスが、酸素、窒素、亜酸化窒素、水素、水、アルゴンの不活性ガスのいずれか、または、これらを含む混合ガスであるプラズマ処理方法を提供する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第４態様によれば、真空室内にエッチング用ガスを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら、誘電体に沿って配置されたコイルに高周波電力を供給することにより、上記真空室内にプラズマを発生させて電極に載置された基板をエッチングするプラズマ処理方法において、
上記誘電体の表面のうち上記基板に面する表面に、上記エッチング用ガスとは異なる堆積防止ガスが流れている状態で、上記基板をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。
本発明の第５態様によれば、第４態様において、上記エッチング用ガスは上記堆積防止ガスより流量が大きいプラズマ処理方法を提供する。
本発明の第６態様によれば、第４又は５態様において、上記堆積防止ガスが、塩素、酸素、窒素、亜酸化窒素、アルゴンの不活性ガスのいずれか、または、これらを含む混合ガスであるプラズマ処理方法を提供する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第７態様によれば、基板上に堆積させるべき堆積元素を含む堆積元素含有ガスを真空室内に供給する装置と、上記真空室内を排気する装置と、上記真空室内に上記基板を載置するための電極と、上記電極に対向して設けられたコイルと、上記コイルが配置された誘電体と、上記コイルに高周波電力を供給する装置とを備えたプラズマ処理装置において、
第１ガス吹き出し孔と第２ガス吹き出し孔とを有し、
上記第１ガス吹き出し孔は、上記堆積元素を含む堆積元素含有ガスとは異なる堆積防止ガスのみを吹き出し、かつ上記誘電体の外周部近傍において上記誘電体の内側に向かって開孔されるものであり、かつ、上記第２ガス吹き出し孔は上記堆積元素含有ガスのみを吹き出し、かつ上記誘電体の外周部近傍において上記第１ガス吹き出し孔よりも上記誘電体から遠い位置に、上記真空室の内側に向かって開孔されていることを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第８態様によれば、第７態様において、上記堆積防止ガスが、酸素、窒素、亜酸化窒素、水素、水、アルゴンの不活性ガスのいずれか、または、これらを含む混合ガスであるプラズマ処理装置を提供する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第９態様によれば、基板上でエッチングを行うために使用するエッチング用ガスを真空室内に供給する装置と、上記真空室内を排気する装置と、上記真空室内に上記基板を載置するための電極と、上記電極に対して設けられたコイルと、上記コイルが配置された誘電体と、上記コイルに高周波電力を供給する装置とを備えたプラズマ処理装置において、
第１ガス吹き出し孔と第２ガス吹き出し孔とを有し、
上記第１ガス吹き出し孔は、上記エッチング用ガスとは異なる堆積防止ガスのみを吹き出し、かつ上記誘電体の外周部近傍において上記誘電体の内側に向かって開孔されるものであり、かつ、上記第２ガス吹き出し孔は上記エッチング用ガスのみを吹き出し、かつ上記誘電体の外周部近傍において上記第１ガス吹き出し孔よりも上記誘電体から遠い位置に、上記真空室の内側に向かって開孔されていることを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第１０態様によれば、第９態様において、上記堆積防止ガスが、塩素、酸素、窒素、亜酸化窒素、アルゴンの不活性ガスのいずれか、または、これらを含む混合ガスであるプラズマ処理装置を提供する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理方法によれば、真空室内に堆積元素含有ガスを供給しつつ真空室内を排気し、真空室内を所定の圧力に制御しながら、上記基板に対向して設けられた誘電体上のコイルに高周波電力を供給することにより、真空室内にプラズマを発生させて、電極に載置された基板に薄膜を堆積するプラズマ処理方法において、上記堆積元素を含むガスとは異なる堆積防止ガス、例えば、上記堆積元素例えば金属元素を含まないガスあるいは堆積元素例えば金属元素を含まない数種のガスから成る混合ガスが、上記誘電体の表面のうち上記基板に面する表面に沿って層流状に流れている状態で、基板に薄膜を堆積するため、誘電体表面に膜が堆積するのを抑制できる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のプラズマ処理方法によれば、真空室内にエッチング用ガスを供給しつつ真空室内を排気し、真空室内を所定の圧力に制御しながら、誘電体に沿って配置されたコイルに高周波電力を供給することにより、真空室内にプラズマを発生させて、電極に載置された基板をエッチングするプラズマ処理方法において、上記エッチング用ガスとは異なる堆積防止ガス、例えば、水素元素または炭素元素を含まないガスあるいは水素元素または炭素元素を含まない数種のガスから成る混合ガスが、上記誘電体の表面のうち上記基板に面する表面に沿って層流状に流れ、かつ、エッチング用ガス例えば少なくとも１種類の水素元素または炭素元素を含むガスを含む混合ガスが例えば誘電体の表面に沿わずに流れている状態で、基板をエッチングするため、誘電体表面に膜が堆積するのを抑制できる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明のプラズマ処理装置によれば、真空室内に堆積元素含有ガスを供給する装置と、真空室内を排気する装置と、真空室内に基板を載置するための電極と、上記電極に対向して設けられたコイルと、コイルが配置された誘電体と、コイルに高周波電力を供給する装置を備えたプラズマ処理装置において、第１ガス吹き出し孔と第２ガス吹き出し孔とを有し、上記第１ガス吹き出し孔は、上記堆積元素を含む堆積元素含有ガスとは異なる堆積防止ガス、例えば金属元素を含まないガスあるいは金属元素を含まない数種のガスから成る混合ガスのみを吹き出し、かつ誘電体の外周部近傍において誘電体の内側に向かって開孔されるものであり、かつ、上記第２ガス吹き出し孔は、堆積元素含有ガス例えば金属元素を含むガスあるいは金属元素を含むガスと金属元素を含まないガスとから成る混合ガスのみを吹き出し、かつ誘電体の外周部近傍において第１ガス吹き出し孔よりも誘電体から遠い位置に誘電体の内側に向かって開孔されているため、誘電体表面に膜が堆積するのを抑制できる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明のプラズマ処理装置によれば、真空室内にエッチング用ガスを供給する装置と、真空室内を排気する装置と、真空室内に基板を載置するための電極と、上記電極に対して設けられたコイルと、コイルが配置された誘電体と、コイルに高周波電力を供給する装置を備えたプラズマ処理装置において、第１ガス吹き出し孔と第２ガス吹き出し孔とを有し、上記第１ガス吹き出し孔は、上記エッチング用ガスとは異なる堆積防止ガス、例えば水素元素または炭素元素を含まないガスあるいは水素元素または炭素元素を含まない数種のガスから成る混合ガスのみを吹き出し、かつ誘電体の外周部近傍において誘電体の内側に向かって開孔されるものであり、かつ、上記第２ガス吹き出し孔はエッチング用ガス例えば少なくとも１種類の水素元素または炭素元素を含むガスを含む混合ガスのみを吹き出し、かつ誘電体の外周部近傍において第１ガス吹き出し孔よりも誘電体から遠い位置に誘電体の内側に向かって開孔されているものであるため、誘電体表面に膜が堆積するのを抑制できる。