(57)【要約】  本発明は、ＳＮＲを改善してさらなる高記録密度化が可能な垂直磁気記録媒体を提供する。本発明の媒体は、非磁性基体（１）上に、少なくとも、軟磁性層（２）、第一の配向制御層（３）、非磁性中間層（５）、垂直磁気記録層（６）、保護層（７）が順次積層された構造を有し；第一の配向制御層（３）がｆｃｃ構造を有する薄膜からなり；垂直磁気記録層（６）に接する非磁性中間層（５）が、ｈｃｐ構造を有する、好ましくは、ＲｕまたはＲｕを含む合金薄膜からなり；磁気記録層（６）が、好ましくは、強磁性を有するＣｏＰｔ合金を主体とする強磁性結晶粒とそれを取り巻く酸化物を主体とする非磁性粒界からなるグラニュラー磁性層からなり；第一の配向制御層（３）と非磁性中間層（５）の間に、少なくともＣｏとＣｒを含む合金からなり、非磁性中間層（５）に接する第二の配向制御層（４）を有する。
2008133060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に、少なくとも、軟磁性層、第一の配向制御層、非磁性中間層、垂直磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、
前記非磁性中間層が、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有しており、
前記第一の配向制御層が、面心立方（ｆｃｃ）構造を有しており、
前記第一の配向制御層と前記非磁性中間層との間に、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有し、少なくともＣｏとＣｒとを含む第二の配向制御層を有する
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第二の配向制御層中のＣｒ含有量が１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第二の配向制御層が、Ｍｎをさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第二の配向制御層中のＭｎ含有量が５ａｔ％以上５５ａｔ％以下であることを特徴とする請求項３に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第二の配向制御層の飽和磁束密度Ｂｓが１Ｔ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記第二の配向制御層の飽和磁束密度Ｂｓが０．５Ｔ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記第二の配向制御層が、非磁性であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記非磁性中間層が、ＲｕまたはＲｕを含む合金からなることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体
【請求項９】
前記第一の配向制御層が、少なくともＮｉとＦｅとを含む合金であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記第一の配向制御層が、軟磁性であることを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記垂直磁性層が、強磁性を有するＣｏＰｔ合金を主体とする強磁性結晶粒とそれを取り巻く酸化物あるいは窒化物を主体とする非磁性粒界からなる、少なくとも１つのグラニュラー磁性層を有することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータの外部記憶装置をはじめとする各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が製品化され始めている。【０００３】
垂直磁気記録媒体は、一般に、軟磁性裏打ち層、非磁性中間層、磁気記録層、保護層を順次積層して形成されている。非磁性中間層としては、ＲｕまたはＲｕを含む合金が使用されている。磁気記録層としては、強磁性を有するＣｏＰｔ合金を主体とする強磁性結晶粒とそれを取り巻く酸化物を主体とする非磁性粒界からなる、いわゆるグラニュラー構造を有する材料が広く使用されている。【０００４】
たとえば、Oikawa et al. “High Performance CoPtCrO Single Layered Perpendicular Media with No Recording Demagnetization” IEEE Transactions on Magnetics, Vol.36, No.5, P.2393-2395, September 2000には、Ｒｕからなる非磁性中間層と、いわゆるグラニュラー構造を有するＣｏＰｔＣｒ−Ｏ合金からなる磁気記録層とを有する垂直記録媒体が記載されている（非特許文献１参照）。ここでは、非磁性中間層であるＲｕの膜厚を増加させるにしたがって、磁気記録層において、ＣｏＰｔＣｒ−Ｏ合金のｃ軸配向性が向上するとともに、磁性結晶粒の孤立が促進される。それに伴い、優れた磁気特性と電磁変換特性が得られている。【０００５】
また、米国特許第７，０６７，２０６号明細書には、軟磁性裏打ち層と、面心立方（ｆｃｃ）構造を有する合金からなる配向制御層と、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有するＲｕからなる非磁性中間層と、グラニュラー構造を有するＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２合金からなる磁気記録層とをこの順に有する垂直磁気記録媒体が記載されている（特許文献１参照）。ここでは、配向制御層の付与により、非磁性中間層および磁気記録層におけるさらなる微細構造制御が可能になることで、さらに優れた電磁変換特性が実現できている。【０００６】
さらに、特開２００４−２８８３４８号公報には、軟磁性裏打ち層とＲｕまたはＲｕ基合金を含む非磁性中間層との間に、軟磁性パーマロイ系材料からなる下地層と軟磁性Ｃｏ層または軟磁性Ｃｏ基合金層とを設けた垂直磁気記録媒体が記載されている（特許文献２参照）。ここでは、軟磁性Ｃｏ層または軟磁性Ｃｏ基合金層を設けることにより、磁気記録層の保磁力が増大し、媒体の角型比が向上し、同時に、非磁性中間層であるＲｕまたはＲｕ基合金膜厚を低減することが可能となっている。その結果、媒体ノイズが低減し、ＳＮＲが向上している。【０００７】
一方、特許第３５８８０３９号公報には、下地膜と垂直磁性膜との間に、ｈｃｐ構造を有するＣｏＣｒ合金からなる非磁性中間層を設けた垂直磁気記録媒体が記載されている（特許文献３参照）。【０００８】
【特許文献１】米国特許第７，０６７，２０６号明細書
【特許文献２】特開２００４−２８８３４８号公報
【特許文献３】特許第３５８８０３９号公報
【非特許文献１】Oikawa et al. “High Performance CoPtCrO Single Layered Perpendicular Media with No Recording Demagnetization” IEEE Transactions on Magnetics, Vol.36, No.5, P.2393-2395, September 2000
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
磁気記録媒体にはさらなる高記録密度化が求められており、上述の技術を用いて製品化された最初の垂直磁気記録媒体の記録密度が１４０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２程度であったのに対し、現時点ではその数倍以上の記録密度が要求されている。そのためには、さらなる電磁変換特性の向上、すなわち磁気ヘッドで記録再生を行なった際の対信号雑音比ＳＮＲの向上が求められる。【００１０】
ＳＮＲの向上のためには、磁気記録層の磁性結晶粒の磁気的な孤立の促進（酸化物粒界と合金結晶粒の分離の促進）、結晶粒径の微細化、均一化、ならびにｃ軸配向性の向上が必要であるとされ、そのためには非磁性中間層の精密な構造制御が必要である。上述の特許文献１に記載された従来技術では、非磁性中間層の構造制御のために配向制御層を用いているが、それだけではさらなる高記録密度化を実現することが困難となりつつある。また、上述の特許文献２に記載された従来技術では、非磁性中間層と軟磁性裏打ち層との間に、軟磁性を有する下地層と軟磁性を有するＣｏ層または軟磁性を有するＣｏ基合金層とを設けているが、軟磁性Ｃｏ層を設けた磁気記録媒体は、耐食性が低い（Ｃｏ溶出量が多い）という問題があった。【００１１】
本発明は、上述の点に鑑み、耐食性に優れ、ＳＮＲを改善してさらなる高記録密度化が可能な垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、垂直磁気記録媒体において、高記録密度化のためのＳＮＲ改善のために鋭意検討した結果、好ましくはＲｕまたはＲｕ合金からなる、ｈｃｐ構造を有する非磁性中間層と、ｆｃｃ構造を有する第一の配向制御層の間に、第二の配向制御層を形成し、そして、この第二の配向制御層を、ｈｃｐ構造を有し、少なくともＣｏとＣｒとを含む合金とすることで、高いＳＮＲを有し、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体が実現できることが明らかとなった。第一の配向制御層および非磁性中間層の構造制御を通じて磁気記録層の微細構造を精緻に制御するために、第二の配向制御層が、非磁性中間層および第一の配向制御層と接していることが望ましい。【００１３】
すなわち、上述の目的を達成するため、本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体上に、少なくとも、軟磁性層、第一の配向制御層、非磁性中間層、垂直磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において：第一の配向制御層が、面心立方（ｆｃｃ）構造を有する薄膜からなり；垂直磁気記録層に接する非磁性中間層が、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有し；第一の配向制御層と非磁性中間層の間に、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有し、少なくともＣｏとＣｒとを含む合金からなる第二の配向制御層を有することを特徴とする。【００１４】
ここで、さらなる耐食性の改善ならびに優れたＳＮＲの維持という観点から、第二の配向制御層のＣｒの含有量は、１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることが望ましい。【００１５】
また、第二の配向制御層が、Ｍｎをさらに含むことが望ましい。さらなるＳＮＲの改善ならびに耐食性の改善の観点から、Ｍｎの含有量は、５ａｔ％以上５５ａｔ％以下であることが望ましい。加えて、さらなるＳＮＲの改善の観点から、第二の配向制御層の飽和磁束密度Ｂｓが１Ｔ以下、好ましくは０．５Ｔ以下であり、さらには、非磁性（Ｂｓが０Ｔ）であることが望ましい。【００１６】
また、さらなるＳＮＲの改善の観点から、非磁性中間層が、ＲｕまたはＲｕを含む合金からなることが望ましい。【００１７】
また、さらなるＳＮＲの改善の観点から、第一の配向制御層が、少なくともＮｉとＦｅを含む軟磁性合金であることが望ましい。【００１８】
また、さらなるＳＮＲの改善の観点から、垂直磁気記録層が、強磁性を有するＣｏＰｔ合金を主体とする強磁性結晶粒とそれを取り巻く酸化物あるいは窒化物を主体とする非磁性粒界からなる、少なくとも１つの磁性層（グラニュラー磁性層）を有することが望ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ｈｃｐ構造を有する非磁性中間層と、ｆｃｃ構造を有する第一の配向制御層の間に、ｈｃｐ構造を有し、少なくともＣｏとＣｒとを含む合金からなる第二の配向制御層を形成することで、耐食性に優れ、高いＳＮＲを有する優れた垂直磁気記録媒体が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の実施形態の構成を示す断面模式図である。
【図２】図２は、実施例の媒体のＳＮＲのＭｎ添加量依存性を、Ｃｒ添加量をパラメータとして示した図である。
【図３】図３は、高温高湿環境下に放置した実施例の媒体のＣｏ溶出量のＭｎ添加量依存性を、Ｃｒ添加量をパラメータとして示した図である。
【符号の説明】
【００２１】
１    非磁性基体
２    軟磁性層
３    第一の配向制御層
４    第二の配向制御層
５    非磁性中間層
６    垂直磁気記録層
７    保護層
８    液体潤滑剤層
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明の好ましい実施形態について説明する。図１は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の実施形態の構成を示す断面模式図である。図１に示すように、本発明の実施形態の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１上に、軟磁性層２、第一の配向制御層３、第二の配向制御層４、非磁性中間層５、磁気記録層６および保護層７が順次形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑剤層８が形成されている。【００２３】
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、あるいは強化ガラス、結晶化ガラスなどを用いることができる。【００２４】
軟磁性層２としては、ＦｅＣｏ合金、ＮｉＦｅ合金、あるいはＣｏ合金系のアモルファス材料など、通常使用されている軟磁性材料がいずれも好適に使用できる。【００２５】
第一の配向制御層３は、面心立方（ｆｃｃ）の結晶構造を有する金属または合金であることが必要である。その中でも、１）Ｃｕ、Ａｕ、ＰｄまたはＰｔのいずれかの金属、２）Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、ＰｔまたはＩｒのうちの少なくとも一種を含む合金、または、３）少なくともＮｉとＦｅとを含む合金であることが望ましい。ＮｉＦｅ系合金のような軟磁性材料を用いた場合，磁気記録ヘッドと軟磁性層２との距離を広げることなく非磁性中間層５の構造制御が出来るため、少なくともＮｉとＦｅとを含み、軟磁性を有する合金が非常に好ましい。【００２６】
非磁性中間層５は、六方最密充填（ｈｃｐ）の結晶構造を有する金属または合金であることが必要であり、その中でも純ＲｕまたはＲｕを含む合金であることが非常に望ましい。【００２７】
垂直磁気記録層６は、強磁性を有する結晶粒とそれを取り巻く非磁性粒界からなり、かつその非磁性粒界が、金属の酸化物または窒化物からなる、いわゆるグラニュラー磁性層であることが望ましい。グラニュラー磁性層は、たとえば非磁性粒界を構成する酸化物を含有する強磁性金属をターゲットとするスパッタリング、または酸素を含有するＡｒガス中で強磁性金属をターゲットとする反応性スパッタリングにより作製することができる。【００２８】
強磁性を有する結晶粒を構成する材料は特に制限されないが、ＣｏＰｔ系合金が好適に用い得る。特にＣｏＰｔ合金にＣｒ、ＮｉまたはＴａのうちの少なくとも１種の元素を添加することが、媒体ノイズの低減のためには望ましい。一方、非磁性粒界を構成する材料としては、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、ＨｆまたはＺｒのうちの少なくとも１種の元素の酸化物を用いることが、安定なグラニュラー構造を形成するためには特に望ましい。グラニュラー磁性層の膜厚は特に制限されるものではなく、記録再生時に十分なヘッド再生出力と記録再生分解能を得るための膜厚が必要とされる。【００２９】
また、本発明の垂直磁気記録層６は、少なくとも１つのグラニュラー磁性層に加えて、１つまたは複数の磁性層をさらに有してもよい。すなわち、上述のグラニュラー磁性層の上に、酸化物含有量が相対的に少ないか、または酸化物を含有しないＣｏＰｔ合金を積層することで、電磁変換特性のさらなる改善が図られる場合があり、そのような積層構造をもつ垂直磁気記録層６を用いても、本発明の効果が損なわれることはない。【００３０】
保護層７は、たとえばＣＶＤ法やスパッタ法によるカーボンを主体とする薄膜が用いられる。【００３１】
液体潤滑剤層８は、たとえばパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。【００３２】
以下、第二の配向制御層４について説明する。第二の配向制御層４は、少なくともＣｏおよびＣｒを含む合金であり、非磁性中間層５に接し、かつ第一の配向制御層３と接していることが、第一の配向制御層３および非磁性中間層５の構造制御を通じて垂直磁気記録層６の微細構造を精緻に制御するために必要である。【００３３】
なお、耐食性の改善ならびに優れたＳＮＲの維持という観点から、第二の配向制御層４中のＣｒの含有量は１０ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることが望ましい。さらに、目的とするＳＮＲの改善ならびに耐食性の改善の観点から、第二の配向制御層４中にＭｎを含み、Ｍｎの含有量は、５ａｔ％以上５５ａｔ％以下であることが望ましい。【００３４】
第一の配向制御層３、第二の配向制御層４および非磁性中間層５の膜厚は、必要な媒体特性を達成するために適宜調整が可能である。第一および第二の配向制御層３，４の膜厚を３ｎｍ以上、１５ｎｍ以下に制御することが望ましい。そのような範囲内の膜厚を有する第一および第二の配向制御層３，４を用いることによって、高価なＲｕを用いる場合の非磁性中間層５の膜厚を少なくとも２０ｎｍ以下、望ましくは１５ｎｍ以下にすることができ、生産コストの低減も図ることができる。
【実施例】
【００３５】
以下に、上述の実施形態を具体化した本発明の実施例について説明する。【００３６】
［実施例１］
非磁性基体１として、ＮｉＰめっきを施したＡｌ基板を用い、これを洗浄後にスパッタ装置内に導入した。圧力５ｍＴｏｒｒ（約０．６７Ｐａ）のＡｒガス中で、Ｃｏ８７Ｚｒ５Ｎｂ８ターゲットを用い、ＣｏＺｒＮｂアモルファス合金からなる膜厚１００ｎｍの軟磁性層２を形成した。続いて、圧力１０ｍＴｏｒｒ（約１．３３Ｐａ）のＡｒガス中で、Ｎｉ８３Ｆｅ１２Ｃｒ５ターゲットを用い、ｆｃｃ構造のＮｉＦｅＣｒ軟磁性合金からなる膜厚１０ｎｍの第一の配向制御層３を形成した。引き続いて、圧力５ｍＴｏｒｒ（約０．６７Ｐａ）のＡｒガス中で、表１に示す組成からなるターゲットを用いて、膜厚１０ｎｍの第二の配向制御層４を形成した。【００３７】
その後、圧力３０ｍＴｏｒｒ（約４．００Ｐａ）のＡｒガス中で、Ｒｕからなるｈｃｐ構造および１５ｎｍの膜厚を有する非磁性中間層５を形成した。続いて磁気記録層６として、圧力３０ｍＴｏｒｒ（約４．００Ｐａ）のＡｒガス中で、ＳｉＯ２を１２ｍｏｌ％添加したＣｏ７９Ｃｒ７Ｐｔ１４ターゲットを用い、膜厚１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラー磁性層を形成し、圧力５ｍＴｏｒｒ（約０．６７Ｐａ）のＡｒガス中で、Ｃｏ６６Ｃｒ２０Ｐｔ１０Ｂ４ターゲットを用い膜厚５ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金磁性層を形成することによって、２層積層構造の垂直磁気記録層６を形成した。ついで、ＣＶＤ法により、カーボンを主体とする膜厚５ｎｍの保護層７を積層した後、積層体を真空中から取り出した。その後、パーフルオロポリエーテル液体潤滑剤を塗布して膜厚１．５ｎｍの液体潤滑剤層８を形成し、図１に示す構成の垂直磁気記録媒体を作製した。【００３８】
第二の配向制御層４および各層の結晶構造は、第二配向制御層および各層を形成する前後のものを測定用試料として、Ｘ線回折法により求めた。第二の配向制御層４の飽和磁束密度Ｂｓは、ＮｉＰめっきを施したＡｌ基板に単層膜を形成したものを測定用試料として、ＶＳＭを用いて算出した。垂直磁気記録媒体の電磁変換特性は、スピンスタンドテスター（Ｇｕｚｉｋ社製）を用い書込みトラック幅０．１２μｍの垂直記録用シールドポールヘッドを用いて、記録密度７００ｋＦＣＩでのＳＮＲ（信号対ノイズ比）にて比較検討した。また、磁気記録媒体の耐食性を示す、高温高湿環境下での放置後のＣｏ溶出量の測定を実施した。Ｃｏ溶出量は、垂直磁気記録媒体を８０℃８５％ＲＨの環境下に９６時間にわたって放置したのち、純水中に１０分間浸漬して溶出したＣｏの量を、ＩＣＰ−ＭＳ装置により測定した。結果を第１表に記載した。【００３９】
【表１】
2008133060.tif 000003
【００４０】
第二の配向制御層４がＣｏもＣｒも含まない場合には、第二の配向制御層４のＢｓが０．５Ｔ以下でも、垂直磁気記録媒体のＳＮＲは１０ｄＢ以下の低い値となる。また、第二の配向制御層４がＣｏを含み、Ｃｒを含まず、０．５T以上、特に、１Ｔ以上のＢｓを有する場合には、第二の配向制御層に起因するノイズが増加するため、良好なＳＮＲが得られない。または、第二の配向制御層４が１Ｔ以下のＢｓを有する場合であっても、結晶構造がｈｃｐでない場合には、やはり良好な特性は得られない。第二の配向制御層４が、ＣｏＮｂ系の場合には、結晶構造がｈｃｐであり、かつＢｓが０．８Ｔ未満であるものは得られなかった。【００４１】
少なくともＣｏとＣｒとを含み、ｈｃｐ構造を有する第二の配向制御層４を用いた場合でも、Ｂｓが低い方がＳＮＲが良好であることが分かる。さらに良好なＳＮＲを望む場合には、Ｂｓを０．５Ｔ以下とすることが望ましいことが分かる。さらに、Ｂｓが０Ｔになる程度（すなわち、第二の配向制御層４が非磁性となる程度）までＣｒを添加したものにおいて良好なＳＮＲが得られている。【００４２】
したがって、第二の配向制御層４としては、少なくともＣｏとＣｒとを含むｈｃｐ構造を有し、好ましくは１Ｔ以下、さらには、０．５Ｔ以下のＢｓを有する合金薄膜を用いる必要がある。さらに好ましくは、Ｂｓを０Ｔ（すなわち、非磁性）とする必要がある。また、ＣｏとＣｒとを含む第二の配向制御層４にＭｎを添加することにより、Ｍｎを添加しない場合よりも、より良好なＳＮＲが得られることが分かる。【００４３】
一方、耐食性を示すＣｏ溶出量は、Ｃｒ添加量の減少に伴い増加する傾向にあり、Ｍｎの添加により増加する傾向にあることがわかる。【００４４】
［実施例２］
非磁性基体１として、公称直径２．５インチのディスク形状の強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ５基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入した。圧力５ｍＴｏｒｒ（約０．６７Ｐａ）のＡｒガス中で、Ｃｏ８５Ｚｒ１０Ｎｂ５ターゲットを用い、ＣｏＺｒＮｂアモルファス合金からなる膜厚８０ｎｍの軟磁性層２を８０ｎｍ形成した。続いて、圧力１０ｍＴｏｒｒ（約１．３３Ｐａ）のＡｒガス中で、Ｎｉ８３Ｆｅ１２Ｃｒ５ターゲットを用い、ｆｃｃ構造のＮｉＦｅＣｒ軟磁性合金からなる膜厚１０ｎｍの第一の配向制御層３を形成した。引き続いて、圧力５ｍＴｏｒｒ（約０．６７Ｐａ）のＡｒガス中で、表１に示す組成からなるターゲットを用いて、膜厚１０ｎｍの第二の配向制御層４を形成した。【００４５】
その後、圧力３０ｍＴｏｒｒ（約４．００Ｐａ）のＡｒガス中で、ｈｃｐ構造のＲｕからなる膜厚１５ｎｍの非磁性中間層５を形成した。続いて、磁気記録層６として、圧力３０ｍＴｏｒｒ（約４．００Ｐａ）のＡｒガス中で、ＳｉＯ２を７ｍｏｌ％添加したＣｏ７６Ｃｒ１２Ｐｔ１２ターゲットを用い、膜厚１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラー磁性層を形成し、圧力５ｍＴｏｒｒ（約０．６７Ｐａ）のＡｒガス中で、Ｃｏ６６Ｃｒ２０Ｐｔ１０Ｂ４ターゲットを用い、膜厚５ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金磁性層を形成することによって、２層積層構造の磁気記録層６を形成した。ついで、ＣＶＤ法により、カーボンを主体とする膜厚５ｎｍの保護層７を積層した後、積層体を真空中から取り出した。その後パーフルオロポリエーテル液体潤滑剤を塗布して膜厚１．５ｎｍの液体潤滑剤層８を形成し、図１に示す構成の垂直磁気記録媒体を作製した。なお、成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。【００４６】
第２表には、第二の配向制御層４の成膜に用いたターゲット組成と、ＳＮＲおよびＣｏ溶出量の関係を示した。【００４７】
【表２】
2008133060.tif 000004
【００４８】
さらに図２および図３に、Ｃｒ添加量をパラメータとするＳＮＲおよびＣｏ溶出量のＭｎ添加量依存性をそれぞれ示した。【００４９】
図２より、Ｍｎを５ａｔ％以上添加することによりＳＮＲが向上していることがわかる。すなわち、Ｍｎ添加量が３ａｔ％の場合はＳＮＲが１４ｄＢ以下であるのに対し、５ａｔ％以上の添加で１５ｄＢ以上となる。また、Ｃｒ含有量を３０ａｔ％から増加させていくとＳＮＲが低下していく傾向にあり、Ｃｒ含有量が５５ａｔ％の場合、ＳＮＲが１４ｄＢ程度へと劣化している。【００５０】
したがって、Ｍｎを５ａｔ％以上添加すること、ならびにＣｒの添加量を５０ａｔ％以下にすることが、高記録密度化のためには望ましいことがわかる。【００５１】
一方、図３より、耐食性を示すＣｏ溶出量は、Ｍｎ添加量の増加、ならびにＣｒ添加量の減少に伴い増加する傾向にあることがわかる。磁気記録媒体の耐食性としては、この評価におけるＣｏ溶出量が０．１ｎｇ／ｃｍ２以下であることが必要である。そのような観点から、Ｃｒの添加量が１０ａｔ％以上であることが望ましく、Ｍｎの添加量が５５ａｔ％以下であることが望ましいことがわかる。
【図１】
2008133060.tif 000005
【図２】
2008133060.tif 000006
【図３】
2008133060.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
［実施例２］
非磁性基体１として、公称直径２．５インチのディスク形状の強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ５基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入した。圧力５ｍＴｏｒｒ（約０．６７Ｐａ）のＡｒガス中で、Ｃｏ85Ｚｒ10Ｎｂ5ターゲットを用い、ＣｏＺｒＮｂアモルファス合金からなる膜厚８０ｎｍの軟磁性層２を８０ｎｍ形成した。続いて、圧力１０ｍＴｏｒｒ（約１．３３Ｐａ）のＡｒガス中で、Ｎｉ83Ｆｅ12Ｃｒ5ターゲットを用い、ｆｃｃ構造のＮｉＦｅＣｒ軟磁性合金からなる膜厚１０ｎｍの第一の配向制御層３を形成した。引き続いて、圧力５ｍＴｏｒｒ（約０．６７Ｐａ）のＡｒガス中で、第２表に示す組成からなるターゲットを用いて、膜厚１０ｎｍの第二の配向制御層４を形成した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【表２】
2008133060.tif 000008
【国際調査報告】
2008133060.tif 000009
2008133060.tif 000010
2008133060.tif 000011
2008133060.tif 000012