【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体モジュールと、
前記光半導体モジュールから高周波信号を入力又は、前記光半導体モジュールに高周波信号を出力する高周波回路基板と、
前記光半導体モジュールの駆動を制御する制御回路基板とを備え、
前記高周波回路基板と前記制御回路基板は異なる基板上で構成されており、且つ、互いに周波数領域での干渉、又は空間的な干渉を抑制するシールドが施されており、
前記光半導体モジュールは、前記高周波回路基板と前記制御回路基板に接続されていることを特徴とする光・高周波通信ユニット。
【請求項２】
高周波信号を光信号に変換し出力する第１の光半導体モジュールと、
光信号を高周波信号に変換する第２の光半導体モジュールと、
前記第１の光半導体モジュールに前記高周波信号を入力する第１の高周波回路基板と、
前記第２の光半導体モジュールからの前記高周波信号を得て、出力する第２の高周波回路基板と、
前記第１及び第２の光半導体モジュールの駆動を制御する制御回路基板とを備え、
前記第１の高周波回路基板と、前記第２の高周波回路基板と、前記制御回路基板とは互いに異なる基板上で構成されており、且つ、これら基板間での周波数領域での干渉、又は空間的な干渉を抑制するシールドが施されており、
前記第１の光半導体モジュールは、前記第１の高周波回路基板及び前記制御回路基板と接続されており、且つ、前記第２の光半導体モジュールは、前記第２の高周波回路基板と前記制御回路基板に接続されていることを特徴とする光・高周波通信ユニット。
【請求項３】
前記光半導体モジュールが、レーザダイオードモジュールとフォトダイオードモジュールであり、
前記レーザダイオードモジュールと、前記フォトダイオードモジュールと、前記高周波回路基板と、前記制御回路基板と、前記シールドとを内蔵搭載するためのユニットパッケージと、
前記高周波信号を入力又は出力するための高周波信号端子と、
前記光信号を入力又は出力するための光信号端子と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項４】
前記第１及び第２の光半導体モジュールが、レーザダイオードモジュールとフォトダイオードモジュールであり、
前記レーザダイオードモジュールと、前記フォトダイオードモジュールと、前記第１及び第２の高周波回路基板と、前記制御回路基板と、前記シールドとを内蔵搭載するためのユニットパッケージと、
前記第１の高周波回路基板に信号を入力するための第１の高周波信号端子と、  前記第２の高周波回路基板からの信号を出力するための第２の高周波信号端子と、
前記第１の光半導体モジュールからの光信号を出力するための第１の光信号端子と、
前記第２の光半導体モジュールへ光信号を入力するための第２の光信号端子と、
を備えたことを特徴とする請求項２に記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項５】
前記高周波回路基板は、前記光半導体モジュールと前記高周波信号端子とのインピーダンスを整合させるためのインピーダンス整合回路を含むことを特徴とする請求項３又は４に記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項６】
前記インピーダンス整合回路が、所望の周波数帯域で良好な伝達特性が得られるリアクタンス素子を含む共振型回路であることを特徴とする請求項５記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項７】
前記インピーダンス整合回路が、所望の複数の周波数帯域において伝送効率が良好となるように設定されていることを特徴とする請求項５に記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項８】
前記インピーダンス整合回路によって得られる所望の周波数帯域と、前記光半導体モジュールに接続される高周波回路のインピーダンス整合回路によって得られる所望の周波数帯域とが、異なるように設定されていることを特徴とする請求項５に記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項９】
前記制御回路基板が、前記レーザダイオードモジュールと前記フォトダイオードモジュールの双方を制御し、レーザダイオードモジュールを制御する制御回路とフォトダイオードモジュールを制御する制御回路とが同一の基板上に形成されていることを特徴とする請求１〜５の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項１０】
前記高周波回路基板が、高周波信号を増幅するための増幅器を含むことを特徴とする請求項１から９の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項１１】
前記ユニットパッケージが、ニッケル、鉄、コバルトを主原料とする合金、若しくは銅、タングステンを主原料とする合金、又は、アルミニウムを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項１から９の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項１２】
前記ユニットパッケージが、アルミナを主原料とするセラミック、もしくは樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１から９の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項１３】
前記高周波信号端子が、同軸型コネクタであることを特徴とする請求項１から１２の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。
【請求項１４】
前記高周波信号端子が、金属を主材料とするリードラインであることを特徴とする請求項１から１２の何れか一つに記載の光・高周波通信ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の光／高周波通信で使用される光送信部と光受信部は、別構成となっていた。そのため、光送信部ユニットと光受信部ユニットが個別に存在することとなり、装置サイズが大きくなるという課題を有していた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第１０の本発明（請求項１０記載の発明に対応）は、上記高周波回路基板が、高周波信号を増幅するための増幅器を含む上記第１〜９の何れか一つの発明の光・高周波通信ユニットである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の実施の形態１にかかる光・高周波通信ユニットの構成図
【図２】
本発明の実施の形態１にかかる光・高周波通信ユニットの部品実装図
【図３】
本発明の実施の形態１にかかる高周波回路５１の整合回路図
【図４】
本発明の実施の形態１にかかる高周波回路５２の整合回路図
【図５】
本発明の実施の形態１にかかる光・高周波通信ユニットの高周波信号伝送効率を示す図
【図６】
本発明の実施の形態２にかかる光・高周波通信ユニットの構成図
【図７】
本発明の実施の形態２にかかる光・高周波通信ユニットの高周波／光信号変換効率を示す図
【図８】
本発明の実施の形態３にかかる光・高周波通信ユニットの構成図
【図９】
本発明の実施の形態３にかかる光・高周波通信ユニットの光／高周波信号変換効率を示す図
【図１０】
本発明の実施の形態４にかかる光・高周波通信ユニットの高周波信号伝送効率を示す図
【図１１】
本発明の実施の形態５にかかる光通信システムの構成図
【図１２】
本発明の実施の形態５にかかる光通信システムの構成図
【図１３】
本発明の実施の形態５にかかる光・高周波通信ユニットの高周波信号伝送効率を示す図
【図１４】
本発明の実施の形態１にかかる高周波回路５１の回路図
【図１５】
本発明の実施の形態１にかかる高周波回路５２の回路図
【図１６】
従来の構成にかかる光・高周波通信ユニットが用いられる光通信システムの構成図
【図１７】
従来の構成にかかる光・高周波通信の構成図
【図１８】
従来の構成にかかる光・高周波通信の構成の高周波信号伝送効率を示す図
【符号の説明】
１ 高周波／光信号変換素子
２ 光／高周波信号変換素子
６ 制御回路基板
７ ユニットパッケージ
９ シールド
３１、３２ 高周波信号端子
４１、４２ 光信号端子
５１ 送信器側の高周波回路基板
５２ 受信器側の高周波回路基板
７１ 親局側の光・高周波通信ユニット
７２ 子局側の光・高周波通信ユニット
８１、８２ 高周波回路と制御回路が混合配線された回路基板
１０１ 親局
１０２ 子局
１０３、１０４ 光ファイバ
１０５ 移動局
１０６ モデム
１０７ 共用器
１１０ アンテナ
２０１ 同軸パッケージの半導体レーザモジュール
２０２ 同軸パッケージの半導体フォトダイオードモジュール
２３１、２３２ 同軸コネクタ
２４１、２４２ 光ファイバ
２４３ 光ファイバの余長処理部
２５１ 光送信器側の高周波回路基板
２５２ 光受信器側の高周波回路基板
２０６ 制御回路基板
２０７ ユニットパッケージ
２０９ シールド
３０１、３０２、４０１、４０２ 信号伝送路
３０３、４０３ インダクタンス素子
３０４、３０５、３０６、４０４、４０５、４０６ キャパシタンス素子
３０７、４０７ 増幅器
１０８１ 親局側の光送信器
１０８２ 子局側の光送信器
１０９１ 親局側の光受信器
１０９２ 子局側の光受信器