【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素流体と接触する炭化水素加工装置の高温区域で汚れ及びコーク形成を防止する方法であって、前記炭化水素流体にそれがそのような炭化水素加工装置の高温区域と接触するに先立って、トリ−ｔ−ブチルフェノールホスフェートエステル及び次式Ｉで示される化合物及びこれらの混合物からなる群から選ばれる有効量の防汚剤をその蒸気相で加えることを含む方法：
【化１】
1998176174.tif 000001
ここに、ＱはＺ及びＲから選ばれ、ここに、Ｑの内の２つはＺであり、Ｒは水素、又は炭素原子数１〜７の直鎖もしくは分枝のアルキル基であり、Ｒの内の１個又は２個のみがアルキルであり得；
Ｚは次式IIで示され：
【化２】
1998176174.tif 000002
ここに、Ｒ２及びＲ３はＲと同じであり、各Ｒ２及びＲ３の各々の１個又は２個のみがアルキルであり得、“ｎ”は１〜９の整数である。
【請求項２】
前記炭化水素加工装置の前記高温区域が少なくとも２４０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記防汚剤が、前記防汚剤の炭化水素流体への添加に先立って、前記炭化水素流体の質量を基準として５ppm〜２０００ppmの量で、空気、スチーム、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる流れに加えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記炭化水素加工装置が、ビスブレーカー、ディレードコーカー、予備加熱器、炉、トランスファーライン、交換器、流動接触装置、水素化処理装置、水素化分解装置、及び炉コイルからなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
“ｎ”が１〜５の整数である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
“ｎ”が１〜３の整数である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
“ｎ”が１である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
Ｒ、Ｒ２、及びＲ３のそれぞれが水素である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも２４０℃の温度の炭化水素流体と接触する炭化水素加工装置の高温区域の表面で汚れ及びコーク形成を防止する方法であって、トリ−ｔ−ブチルフェノールホスフェートエステル及び次式Ｉで示される化合物及びこれらの混合物からなる群から選ばれる有効量の防汚剤を、その蒸気相で、その該炭化水素加工装置との接触前にキャリヤー流に加えることを含む方法：
【化３】
1998176174.tif 000003
ここに、ＱはＺ及びＲから選ばれ、ここに、Ｑの内の２つはＺであり、Ｒは水素、又は炭素原子数１〜７の直鎖もしくは分枝のアルキル基であり、Ｒの内の１個又は２個のみがアルキルであり得；
Ｚは次式IIで示され：
【化４】
1998176174.tif 000004
ここに、Ｒ２及びＲ３はＲと同じであり、各Ｒ２及びＲ３の各々の１個又は２個のみがアルキルであり得、“ｎ”は１〜９の整数である。
【請求項１０】
前記防汚剤が、次のものからなる群から選ばれるキャリヤー流の中にあって前記加工装置に加えられる、請求項９に記載の方法。
ａ．スチーム；
ｂ．空気；
ｃ．炭化水素ガス；
ｄ．不活性ガス；及び
ｅ．これらの混合物。
【請求項１１】
前記防汚剤を含むキャリヤー流が、炭化水素流体に、それが前記炭化水素加工装置の高温区域と接触するに先立って加えられる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記防汚剤が加えられる流れの体積を基準として０．０００５容量％〜１０容量％が加えられる、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記炭化水素加工装置が、ビスブレーカー、ディレードコーカー、予備加熱器、炉、トランスファーライン、交換器、流動接触分解装置、水素化処理装置、水素化分解装置、及び炉コイルからなる群から選ばれる、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
“ｎ”が１〜５の整数である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
“ｎ”が１〜３の整数である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
“ｎ”が１である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
Ｒ、Ｒ２、及びＲ３のそれぞれが水素である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
Ｒが水素又は炭素原子数１〜４のアルキル基であり、Ｒの内の少なくとも１つがアルキルである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記防汚剤がそれをエチレン炉中に導入するに先立ってキャリヤー流に加えられる、請求項９に記載の方法。
【請求項２０】
前記防汚剤がそれをビスブレーカーに導入するに先立ってキャリヤー流に加えられる、請求項９に記載の方法。
【請求項２１】
次のことを含む、炭化水素流体と接触する炭化水素加工装置の高温区域の表面でのコークの形成を抑制する方法：
ａ．前記炭化水素加工装置を脱コークすること；
ｂ．炭化水素流体を加工するに先立って、次のものからなる群から選ばれる防汚剤をその蒸気相の中にあって前記加工装置に加えること：
１．トリ−ｔ−ブチルフェノールホスフェートエステル；
２．次式Ｉで示される化合物：
【化５】
1998176174.tif 000005
（ここに、ＱはＺ及びＲから選ばれ、ここに、Ｑの内の２つはＺであり、Ｒは水素、又は炭素原子数１〜７の直鎖もしくは分枝のアルキル基であり、Ｒの内の１個又は２個のみがアルキルであり得；
Ｚは次式IIで示され：
【化６】
1998176174.tif 000006
ここに、Ｒ２及びＲ３はＲと同じであり、各Ｒ２及びＲ３の各々の１個又は２個のみがアルキルであり得、“ｎ”は１〜９の整数である。）；並びに
３．これらの混合物；
ｃ．この加工装置の表面上に薄いコーク層を形成すること；そして次に
ｄ．前記加工装置に炭化水素流体を供給すること。
【請求項２２】
前記防汚剤の添加を、前記炭化水素流体の加工の間に停止する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記防汚剤の添加を、前記炭化水素流体の加工に先立って停止する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記防汚剤を、前記炭化水素流体の加工に先立って間欠的に加える、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記防汚剤を、前記炭化水素流体の加工に先立って連続的に加える、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記防汚剤を、前記炭化水素流体の加工の間に間欠的に加える、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記防汚剤を、前記炭化水素流体の加工の間に連続的に加える、請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
前記炭化水素流体が、次のものからなる群から選ばれる少なくとも１つの留分を含む、請求項２１に記載の方法：
ａ．エタン；
ｂ．プロパン；
ｃ．ブタン；
ｄ．ナフサ；
ｅ．灯油；
ｆ．軽油；及び
ｇ．残渣。
【請求項２９】
前記防汚剤が、次のものからなる群から選ばれるキャリヤー流の中にあって加工装置に添加される、請求項２１に記載の方法：
ａ．スチーム；
ｂ．空気；
ｃ．炭化水素ガス；
ｄ．不活性ガス；及び
ｅ．これらの混合物。
【請求項３０】
前記防汚剤が、前記炭化水素流体の加工に先立ってキャリヤー体積流を基準として０．０００５容量％〜１０容量％の範囲で加えられる、請求項２１に記載の方法。
【請求項３１】
前記防汚剤が、前記炭化水素流体の加工の間に炭化水素流体質量流を基準として５ppm〜２０００ppmの範囲で加えられる、請求項２１に記載の方法。
【請求項３２】
前記防汚剤の添加の間に、加工装置を少なくとも２４０℃の温度に維持する、請求項２１に記載の方法。
【請求項３３】
前記防汚剤の添加の間に、加工装置を２００℃〜１２００℃の温度に維持する、請求項２１に記載の方法。
【請求項３４】
次のことを含む、炭化水素流体と接触する炭化水素加工装置の高温区域の表面でのコークの形成を抑制する方法：
ａ．次のものからなる群から選ばれる防汚剤をその蒸気相で存在させて炭化水素流体を加工すること：
１．トリ−ｔ−ブチルフェノールホスフェートエステル；
２．次式Ｉで示される化合物：
【化７】
1998176174.tif 000007
（ここに、ＱはＺ及びＲから選ばれ、ここに、Ｑの内の２つはＺであり、Ｒは水素、又は炭素原子数１〜７の直鎖もしくは分枝のアルキル基であり、Ｒの内の１個又は２個のみがアルキルであり得；
Ｚは次式IIで示され：
【化８】
1998176174.tif 000008
ここに、Ｒ２及びＲ３はＲと同じであり、各Ｒ２及びＲ３の各々の１個又は２個のみがアルキルであり得、“ｎ”は１〜９の整数である。）；並びに
３．これらの混合物；
ｂ．この加工装置の表面上に薄いコーク層を形成し、これによって、この加工装置の表面を、炭化水素流体を加工する間、追加のコークの形成を抑制すること。
【請求項３５】
前記防汚剤を、前記炭化水素流体の加工の間に間欠的に加える、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記防汚剤を、前記炭化水素流体の加工の間に連続的に加える、請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
前記炭化水素流体が、次のものからなる群から選ばれる少なくとも１つの留分を含む、請求項３４に記載の方法：
ａ．エタン；
ｂ．プロパン；
ｃ．ブタン；
ｄ．ナフサ；
ｅ．灯油；
ｆ．軽油；及び
ｇ．残渣。
【請求項３８】
前記防汚剤が、前記炭化水素流体の加工の間に炭化水素流体質量流を基準として５ppm〜２０００ppmの範囲で加えられる、請求項３４に記載の方法。
【請求項３９】
前記防汚剤の添加の間に、加工装置を少なくとも２４０℃の温度に維持する、請求項３４に記載の方法。
【請求項４０】
次のことを含む、炭化水素流体を加工するのに使用される炭化水素加工装置の運転長さを増加する方法：
ａ．炭化水素加工装置を脱コークすること；
ｂ．炭化水素流体を加工するに先立って、次のものからなる群から選ばれる防汚剤をその蒸気相の中において前記加工装置に加えること：
１．トリ−ｔ−ブチルフェノールホスフェートエステル；
２．次式Ｉで示される化合物：
【化９】
1998176174.tif 000009
（ここに、ＱはＺ及びＲから選ばれ、ここに、Ｑの内の２つはＺであり、Ｒは水素、又は炭素原子数１〜７の直鎖もしくは分枝のアルキル基であり、Ｒの内の１個又は２個のみがアルキルであり得；
Ｚは次式IIで示され：
【化１０】
1998176174.tif 000010
ここに、Ｒ２及びＲ３はＲと同じであり、各Ｒ２及びＲ３の各々の１個又は２個のみがアルキルであり得、“ｎ”は１〜９の整数である。）；並びに
３．これらの混合物；
ｃ．前記炭化水素流体と接触するこの加工装置の表面上に薄いコーク層を形成すること；そして次に
ｄ．前記加工装置に炭化水素流体を供給すること、
これによって、炭化水素流体の加工の間、前記加工装置の表面での追加のコークの形成を抑制し、これによって前記加工装置の運転長さを増加すること。
【請求項４１】
次のことを含む、炭化水素加工装置による炭化水素流体の加工から製品収量を増加する方法：
ａ．炭化水素加工装置を脱コークすること；
ｂ．炭化水素流体を加工するに先立って、次のものからなる群から選ばれる防汚剤をその蒸気相の中において前記加工装置に加えること：
１．トリ−ｔ−ブチルフェノールホスフェートエステル；
２．次式Ｉで示される化合物：
【化１１】
1998176174.tif 000011
（ここに、ＱはＺ及びＲから選ばれ、ここに、Ｑの内の２つはＺであり、Ｒは水素、又は炭素原子数１〜７の直鎖もしくは分枝のアルキル基であり、Ｒの内の１個又は２個のみがアルキルであり得；
Ｚは次式IIで示され：
【化１２】
1998176174.tif 000012
ここに、Ｒ２及びＲ３はＲと同じであり、各Ｒ２及びＲ３の各々の１個又は２個のみがアルキルであり得、“ｎ”は１〜９の整数である。）；並びに
３．これらの混合物；
ｃ．前記炭化水素流体と接触するこの加工装置の表面上に薄いコーク層を形成すること；そして次に
ｄ．前記加工装置に炭化水素流体を供給すること、
これによって、炭化水素流体の加工の間、前記加工装置の表面での追加のコークの形成を抑制し、これによって前記炭化水素加工装置による炭化水素流体の加工からの製品収量を増加すること。