【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
高電圧の検出を行う高電圧検出回路を有する半導体集積回路において、
入力された高電圧を電圧降下させて出力する高電圧降下部と、
複数の基準電圧を生成して出力する基準電圧発生部と、
該基準電圧発生部から入力された複数の基準電圧を切り換えて出力する基準電圧切換部と、
上記高電圧降下部から出力された電圧と上記基準電圧切換部から出力された基準電圧との比較を行って高電圧の検出を行う高電圧検出部と、
上記高電圧降下部における高電圧の電圧降下を制御すると共に、基準電圧切換部による基準電圧の切換制御を行う制御部とを備えることを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
上記高電圧降下部は、ダイオード接続された１つもしくは直列に接続された複数のＭＯＳＦＥＴが上記高電圧降下部の入力と出力の間に接続され、高電圧の電圧降下を行う電圧降下回路部と、該電圧降下回路部に直列に接続された電流源と、電圧降下回路部を形成する各ＭＯＳＦＥＴのドレイン―ソース間をスイッチング動作によってそれぞれ短絡する各スイッチング回路部とで形成され、上記制御部は、該各スイッチング回路部のスイッチング動作を制御して上記電圧降下回路部による電圧降下値を変える請求項１に記載の半導体集積回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
上記高電圧降下部は、複数の抵抗を直列に接続して形成される、高電圧の電圧降下を行う電圧降下回路部と、該電圧降下回路部に直列に接続された電流源と、上記電圧降下回路部を形成する各抵抗にそれぞれ並列に接続された、スイッチング動作によって抵抗を短絡させる各スイッチング回路部とで形成され、上記制御部は、該各スイッチング回路部のスイッチング動作を制御して上記電圧降下回路部による電圧降下値を変える請求項１に記載の半導体集積回路。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
高電圧の検出を行う高電圧検出回路を有する半導体集積回路において、
入力された高電圧を電圧降下させて出力する高電圧降下部と、
基準電圧を生成して出力する基準電圧発生部と、
上記高電圧降下部から出力された電圧と上記基準電圧発生部から出力された基準電圧との比較を行って高電圧の検出を行う高電圧検出部と、
上記高電圧降下部における高電圧の電圧降下を制御する制御部とを備え、
上記高電圧降下部は、所定の電圧の整数倍ごとに電圧降下を行う電圧降下部と、所定の電圧の整数倍未満の電圧降下を行う微調整部と、上記電圧降下部及び微調整部にそれぞれ電流を供給する電流源とからなり、上記制御部は、電圧降下部及び微調整部におけるそれぞれの電圧降下を制御する半導体集積回路。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
上記電圧降下部は、ダイオード接続された１つもしくは直列に接続された複数の第１のＭＯＳＦＥＴが上記高電圧降下部の入力と出力の間に接続された電圧降下回路と、該電圧降下回路を形成する上記各第１のＭＯＳＦＥＴのドレイン―ソース間をスイッチング動作によってそれぞれ短絡する各スイッチング回路からなる第１スイッチング回路とからなり、上記制御部は、第１スイッチング回路におけるそれぞれのスイッチング回路のスイッチング動作を制御して高電圧の電圧降下を制御する請求項４に記載の半導体集積回路。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
上記微調整部は、ソース―ドレイン間に抵抗で形成された分圧回路が接続されると共に該分圧回路によって分圧された電圧がゲートに入力される１つもしくは直列に接続された複数の第２のＭＯＳＦＥＴを含み、上記電圧降下回路と直列に接続される微調整回路と、該微調整回路を形成する上記各第２のＭＯＳＦＥＴのドレイン―ソース間をスイッチング動作によってそれぞれ短絡する各スイッチング回路からなる第２スイッチング回路とからなり、上記制御部は、第２スイッチング回路におけるそれぞれのスイッチング回路のスイッチング動作を制御する請求項５に記載の半導体集積回路。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
上記微調整部は、ソース―ドレイン間に抵抗で形成された分圧回路が接続されると共に該分圧回路によって分圧された電圧がゲートに入力される第２のＭＯＳＦＥＴとスイッチング用の第３のＭＯＳＦＥＴとが直列に接続された直列回路を１つもしくは複数並列に接続して形成される、上記電圧降下回路と直列に接続される微調整回路からなり、上記制御部は、上記スイッチング用の上記第３のＭＯＳＦＥＴのスイッチング動作を制御する請求項５に記載の半導体集積回路。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
上記微調整部は、抵抗とスイッチング用の第２のＭＯＳＦＥＴとが直列に接続された直列回路をゲート―ドレイン間及びゲート―ソース間にそれぞれ接続された第３のＭＯＳＦＥＴからなる、上記電圧降下回路と直列に接続される微調整回路からなり、上記制御部は、上記スイッチング用の上記第２のＭＯＳＦＥＴのスイッチング動作を制御する請求項５に記載の半導体集積回路。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
高電圧の検出を行う高電圧検出回路を有する半導体集積回路において、
第１基準電圧及び第２基準電圧を生成して出力する基準電圧発生部と、
該第１基準電圧と上記高電圧との電圧差を電流に変換する電流変換部と、
上記第２基準電圧に応じて一定の電流を生成して出力する定電流発生部と、
上記電流変換部で変換された電流と、該定電流発生部から出力される定電流との電流差を電圧に変換する電圧変換部と、
該電圧変換部で変換された電圧から高電圧値の検出を行う高電圧検出部とを備えることを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
上記電流変換部は、ダイオード接続された１つもしくは直列に接続された複数のＭＯＳＦＥＴを含む電圧レベル変換回路と、該電圧レベル変換回路の出力に接続されると共にゲートに第１基準電圧が入力され、電流変換部の出力をなすＭＯＳＦＥＴとで形成され、上記電圧レベル変換回路の入力は負の高電圧が入力されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体集積回路。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
高電圧の検出を行う高電圧検出回路を有する半導体集積回路において、
ダイオード接続された１つもしくは直列に接続された複数の第１のＭＯＳＦＥＴを含み、入力が接地される第１電圧降下回路部と、
ダイオード接続された１つもしくは直列に接続された複数の第２のＭＯＳＦＥＴを含み、入力に負の高電圧が印加される第２電圧降下回路部と、
所定の基準電圧を生成して出力する基準電圧発生部と、
該第１電圧降下回路部の出力が上記所定の基準電圧になるように一定の電流を生成すると共に、上記第１及び第２電圧降下回路部にそれぞれ電流を供給する定電流発生部と、
上記第１電圧降下回路部の出力電圧と第２電圧降下回路部の出力電圧とを比較して高電圧値を検出する高電圧検出部とを備えることを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体集積回路は、高電圧の検出を行う高電圧検出回路を有する半導体集積回路において、入力された高電圧を電圧降下させて出力する高電圧降下部と、複数の基準電圧を生成して出力する基準電圧発生部と、該基準電圧発生部から入力された複数の基準電圧を切り換えて出力する基準電圧切換部と、上記高電圧降下部から出力された電圧と上記基準電圧切換部から出力された基準電圧との比較を行って高電圧の検出を行う高電圧検出部と、上記高電圧降下部における高電圧の電圧降下を制御すると共に、基準電圧切換部による基準電圧の切換制御を行う制御部とを備えるものである。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、この発明に係る半導体集積回路は、請求項１において、上記高電圧降下部は、ダイオード接続された１つもしくは直列に接続された複数のＭＯＳＦＥＴが上記高電圧降下部の入力と出力の間に接続され、高電圧の電圧降下を行う電圧降下回路部と、該電圧降下回路部に直列に接続された電流源と、電圧降下回路部を形成する各ＭＯＳＦＥＴのドレイン―ソース間をスイッチング動作によってそれぞれ短絡する各スイッチング回路部とで形成され、上記制御部は、該各スイッチング回路部のスイッチング動作を制御して上記電圧降下回路部による電圧降下値を変えるものである。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、この発明に係る半導体集積回路は、請求項１において、上記高電圧降下部は、複数の抵抗を直列に接続して形成される、高電圧の電圧降下を行う電圧降下回路部と、該電圧降下回路部に直列に接続された電流源と、上記電圧降下回路部を形成する各抵抗にそれぞれ並列に接続された、スイッチング動作によって抵抗を短絡させる各スイッチング回路部とで形成され、上記制御部は、該各スイッチング回路部のスイッチング動作を制御して上記電圧降下回路部による電圧降下値を変えるものである。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、この発明に係る半導体集積回路は、高電圧の検出を行う高電圧検出回路を有する半導体集積回路において、入力された高電圧を電圧降下させて出力する高電圧降下部と、基準電圧を生成して出力する基準電圧発生部と、高電圧降下部から出力された電圧と上記基準電圧発生部から出力された基準電圧との比較を行って高電圧の検出を行う高電圧検出部と、上記高電圧降下部における高電圧の電圧降下を制御する制御部とを備え、上記高電圧降下部は、所定の電圧の整数倍ごとに電圧降下を行う電圧降下部と、所定の電圧の整数倍未満の電圧降下を行う微調整部と、上記電圧降下部及び微調整部にそれぞれ電流を供給する電流源とからなり、上記制御部は、電圧降下部及び微調整部におけるそれぞれの電圧降下を制御するものである。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、この発明に係る半導体集積回路は、請求項４において、上記電圧降下部は、ダイオード接続された１つもしくは直列に接続された複数の第１のＭＯＳＦＥＴが上記高電圧降下部の入力と出力の間に接続された電圧降下回路と、該電圧降下回路を形成する上記各第１のＭＯＳＦＥＴのドレイン―ソース間をスイッチング動作によってそれぞれ短絡する各スイッチング回路からなる第１スイッチング回路とからなり、上記制御部は、第１スイッチング回路におけるそれぞれのスイッチング回路のスイッチング動作を制御して高電圧の電圧降下を制御するものである。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、この発明に係る半導体集積回路は、請求項５において、上記微調整部は、ソース―ドレイン間に抵抗で形成された分圧回路が接続されると共に該分圧回路によって分圧された電圧がゲートに入力される１つもしくは直列に接続された複数の第２のＭＯＳＦＥＴを含み、上記電圧降下回路と直列に接続される微調整回路と、該微調整回路を形成する上記各第２のＭＯＳＦＥＴのドレイン―ソース間をスイッチング動作によってそれぞれ短絡する各スイッチング回路からなる第２スイッチング回路とからなり、上記制御部は、第２スイッチング回路におけるそれぞれのスイッチング回路のスイッチング動作を制御するものである。


【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、この発明に係る半導体集積回路は、請求項５において、上記微調整部は、ソース―ドレイン間に抵抗で形成された分圧回路が接続されると共に該分圧回路によって分圧された電圧がゲートに入力される第２のＭＯＳＦＥＴとスイッチング用の第３のＭＯＳＦＥＴとが直列に接続された直列回路を１つもしくは複数並列に接続して形成される、上記電圧降下回路と直列に接続される微調整回路からなり、上記制御部は、上記スイッチング用の上記第３のＭＯＳＦＥＴのスイッチング動作を制御するものである。


【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、この発明に係る半導体集積回路は、請求項５において、上記微調整部は、抵抗とスイッチング用の第２のＭＯＳＦＥＴとが直列に接続された直列回路をゲート―ドレイン間及びゲート―ソース間にそれぞれ接続された第３のＭＯＳＦＥＴからなる、上記電圧降下回路と直列に接続される微調整回路からなり、上記制御部は、上記スイッチング用の上記第２のＭＯＳＦＥＴのスイッチング動作を制御するものである。


【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、この発明に係る半導体集積回路は、高電圧の検出を行う高電圧検出回路を有する半導体集積回路において、第１基準電圧及び第２基準電圧を生成して出力する基準電圧発生部と、該第１基準電圧と上記高電圧との電圧差を電流に変換する電流変換部と、上記第２基準電圧に応じて一定の電流を生成して出力する定電流発生部と、上記電流変換部で変換された電流と、該定電流発生部から出力される定電流との電流差を電圧に変換する電圧変換部と、該電圧変換部で変換された電圧から高電圧値の検出を行う高電圧検出部とを備えるものである。


【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、この発明に係る半導体集積回路は、請求項１０において、上記電流変換部は、ダイオード接続された１つもしくは直列に接続された複数のＭＯＳＦＥＴを含む電圧レベル変換回路と、該電圧レベル変換回路の出力に接続されると共にゲートに第１基準電圧が入力され、電流変換部の出力をなすＭＯＳＦＥＴとで形成され、上記電圧レベル変換回路の入力は負の高電圧が入力されるものである。


【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、この発明に係る半導体集積回路は、高電圧の検出を行う高電圧検出回路を有する半導体集積回路において、ダイオード接続された１つもしくは直列に接続された複数の第１のＭＯＳＦＥＴを含み、入力が接地される第１電圧降下回路部と、ダイオード接続された１つもしくは直列に接続された複数の第２のＭＯＳＦＥＴを含み、入力に負の高電圧が印加される第２電圧降下回路部と、所定の基準電圧を生成して出力する基準電圧発生部と、該第１電圧降下回路部の出力が上記所定の基準電圧になるように一定の電流を生成すると共に、上記第１及び第２電圧降下回路部にそれぞれ電流を供給する定電流発生部と、上記第１電圧降下回路部の出力電圧と第２電圧降下回路部の出力電圧とを比較して高電圧値を検出する高電圧検出部とを備えるものである。