【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素原子を含有するハロゲン化合物を媒体として、電子線により情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
【請求項２】
フッ素原子を含有するハロゲン化合物を含有し、電子線により情報を記録されることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】
前記ハロゲン化合物は、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｍ、Ｓｒの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含有することを特徴とする請求項２項に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記ハロゲン化合物は、媒体の支持基板上に膜厚が１００ｎｍ以下で成膜されていることを特徴とする請求項２または３項に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記支持基板の電気抵抗率が１００Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項４項に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
電子線発生手段、記録信号に応じて電子線照射量を変調させる手段、電子線を偏向させる手段、収束させる手段、記録媒体の位置制御手段および電子線検出手段を備えることを特徴とする情報記録装置。
【請求項７】
請求項６に記載の情報記録装置において、前記電子線検出手段は２次電子検出器であることを特徴とする情報記録装置。
【請求項８】
レーザビームを照射し記録部分と未記録部分での反射光量もしくは透過光量の少なくとも一方の記録・未記録部分での強度変化を検出することにより請求項２から５のいずれか１項に記載の情報記録媒体に記録された情報を再生することを特徴とする情報再生装置。
【請求項９】
前記レーザビームの波長は、１３０ｎｍから４５０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項８項に記載の情報再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４記載の発明は、請求項２または３の情報記録媒体において、前記ハロゲン化合物は、媒体の支持基板上に膜厚が１００ｎｍ以下で成膜されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項５記載の発明は、請求項４の情報記録媒体において、前記支持基板の電気抵抗率が１００Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項８記載の情報再生装置の発明は、レーザビームを照射し記録部分と未記録部分での反射光量もしくは透過光量の少なくとも一方の記録・未記録部分での強度変化を検出することにより請求項２から５のいずれか１項に記載の情報記録媒体に記録された情報を再生することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ＣａＦ2 はバルク状であってもよい。また、薄膜状態で支持基板上に形成しても構わない。この場合、ＣａＦ2 の膜厚は、１００ｎｍ以下であることが好ましく、特に、５から５０ｎｍの範囲内であることが望ましい。この膜厚範囲では、電子線の膜厚方向での拡散が制限でき、より微小な記録ドメインが形成できる。支持基板としてはポリカーボネトなどの合成樹脂やガラス、石英などの透明基板を用いることができる。また、電気抵抗が１００Ω・ｃｍ以下、好ましくは１Ω・ｃｍ以下の低抵抗基板を用いてもよい。低抵抗基板としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓなどの半導体材料や、Ａｌ、ＡｌＭｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの金属材料などの内の少なくとも１つ、または複数を採用できる。低抵抗基板は電子線による媒体のチャージアップを抑制する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（実施例）
以下に実施例を示すが、本発明は実施例に限定されて解釈されるものではない。
図２には情報記録媒体の構成２０〜２３を示す。
２０には、媒体の構成を示す。２０１はＡｌ基板であり、厚みは０. ８ｍｍである。基板の電気抵抗率は、１×１０Ｅ- ３Ω・ｃｍである。２０２はＲＦスパッタ法により成膜したＣａＦ2 層であり、膜厚は５０ｎｍである。板厚１ｍｍのバルク状のＣａＦ2 で測定した透過率は、波長１５０ｎｍで８０% 、２００ｎｍで９０% 、４００ｎｍで９５% であり、短波長領域においても高い透光性を有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図３は再生結果を示す。３１は記録信号（２１２）であり、電子線変調電極１０２により電子線をＯＮ／ＯＦＦする。３１３がＯＮレベルであり３１１がマークになる。３１４はＯＦＦレベルであり、３１２はスペースになる。どちらも１００ｎｍである。
３２は２次電子検出器（１０９）による検出信号（２２１）である。３２１に示すように、マーク部分はＣａであり２電子放出効率が高く信号強度が強い。一方３２２に示すように、スペース部分は絶縁体のＣａＦ2 であり２電子放出効率が低く信号強度が弱い。ビーム径１０ｎｍの電子線で再生することから、ほぼ信号に対応する矩形波が得られる。３３はフォトダイオード（２３５）での検出信号（２３６）である。記録後に媒体を記録装置から取り出し、開口径が１００ｎｍである近接場ヘッドにより、反射光量の変化を検出することから記録信号を再生した。ＣａＦ2 であるスペース部分では透過した光がＡｌ基板で反射し反射光量が増加する（３３１）。一方、マーク部分では吸収が大きく反射光量が減少する（３３２）。反射光量の変化を検出することにより、記録信号が再生できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、本発明によれば、電子線検出器を設けることで記録情報がその場（in-situ ）で再生できる。従来のＲＯＭ開発では、露光したレジストパターンを現像し、ＡＦＭ（atomic force microscopy ）など他の観察手段で仕上がり具合を確認していた。露光具合の確認に手間・時間がかかる。これに対して、本方法では記録と同じ電子線を照射し、２次電子の変化を検出することで記録情報が再生できる。In-situ で瞬時に露光具合が確認できる。本発明による情報記録媒体は、従来の凹凸により情報を記録するＲＯＭのオーサリング用の記録媒体にも適する。
特に、上述したように、近接場ヘッド用のＲＯＭ媒体として有用である。媒体表面に凹凸が存在しないことから、ヘッドと媒体間の間隙制御が従来の凹凸基板よりも容易に行える。近接場ヘッドに限らす、開口数（ＮＡ）が０. ８５〜１.５に達する高ＮＡ対物レンズなど、ワーキングディスタンスが狭い光学系用のＲＯＭ媒体としても用いることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
２０  記録媒体（断面図）
２１  記録媒体（記録状態の説明用の断面図）
２２  記録媒体（２次電子検出器による再生状態の説明図）
２３  記録媒体（近接場ヘッドによる再生状態の説明図）
１０１  電子銃
１０２  ビーム変調電極（電子線変調電極）
１０３  アパーチャ
１０４  偏向電極
１０５  対物レンズ
１０６  記録媒体
１０７  スピンドルモータ
１０８  ステージ
１０９  電子線検出手段（二次電子検出器）
２０１  Ａｌ基板
２０２  ＣａＦ2層
２１２  記録信号
２１３  記録部分（マーク）
２１４  未記録部分（スペース）
２１５  媒体の移動方向
２２１  検出信号
２３１  アパーチャー型の近接場光学ヘッド
２３２  集光レンズ
２３３  ビームスプリッタ
２３４  レーザダイオード
２３５  フォトダイオード
２３６  再生信号
３１  記録信号
３１１  マーク
３１２  スペース
３１３  ＯＮ状態
３１４  ＯＦＦ状態
３２  二次電子検出器による検出信号
３２１  マーク部分の信号強度
３２２  スペース部分信号強度
３３  フォトダイオード検出信号
３３２  マーク部分の信号強度
３３３  スペース部分の信号強度