【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた一方の電極に高周波電力を供給して、前記一方の電極とこれに相対向した他方の電極との間に発生したプラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、
前記被処理基板の処理が終了したのちに、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記高周波電力を前記一方の電極に供給して除電プラズマを発生させ、前記被処理基板の帯電量を減少させる第２の工程と、
前記第２の工程が終了したのちに、前記一方の電極に直流電圧を印加しながら前記被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出す第３の工程と、
を備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
第１の工程および第２の工程の少なくとも一方の工程において、高周波電力に直流電圧を重畳して一方の電極に供給するようにした請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
第２の工程において、直流電圧を重畳した高周波電力を一方の電極に供給しながら被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出し、
第３の工程を削減した請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた一方の電極に、高周波電力を所定周期のパルス信号に同期してパルス化した高周波パルスを供給して、前記一方の電極とこれに相対向した他方の電極との間に発生したパルスプラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、
前記被処理基板の処理が終了したのちに、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記高周波パルスを前記一方の電極に供給して除電プラズマを発生させ、前記被処理基板の帯電量を減少させる第２の工程と、
前記第２の工程が終了したのちに、前記被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出す第３の工程と、
を備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
数μｓ〜数ｍｓの周期でパルスを出力するパルス信号を用いて高周波パルスを生成するようにした請求項４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
第２の工程において、除電プラズマを発生させながら被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出し、
第３の工程を削減した請求項４または５に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた第１の電極に第１の高周波電源から高周波電力を供給するとともに、前記第１の電極と相対向した第２の電極におけるコイル状電極部に第２の高周波電源から高周波電力を供給して、前記第１および第２の両電極間に発生した誘導結合型プラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、
前記被処理基板の処理の終了を検出した時点で前記第１の高周波電源から前記第１の電極への高周波電力の供給を停止し、その停止時点から所定時間の経過後に前記第２の高周波電源から前記第２の電極への高周波電力の供給を停止する第２の工程と、
前記第２の工程が終了したのちに、前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出す第３の工程と、
を備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
第１の高周波電源の駆動停止時から第２の高周波電源を駆動停止させるまでの所定時間を0.1 ｓ〜５ｓの範囲内に設定した請求項７に記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
第２の工程において、被処理基板の処理の終了を検出した時点で第１の高周波電源から第１の電極への高周波電力の供給を停止したのちに、第２の高周波電源から第２の電極への高周波電力の供給を継続しながら被処理基板の第１の電極からの離間動作を開始して、所定時間の経過後に前記第２の高周波電源の駆動を停止し、
第３の工程を削減した請求項７または８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた第１の電極に第１の高周波電源から高周波電力を供給するとともに、前記第１の電極と相対向した第２の電極におけるコイル状電極部に第２の高周波電源から高周波電力を供給して、前記第１および第２の両電極間に発生した誘導結合型プラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、
前記被処理基板の処理の終了を検出した時点で前記第１および第２の両高周波電源の駆動を同時に停止したのち、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記第１および第２の両高周波電源から高周波電力を前記第１および第２の両電極にそれぞれ供給して除電プラズマを発生させ、前記被処理基板の帯電量を減少させる第２の工程と、
前記第１の電極にのみ直流電圧を印加しながら前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出す第３の工程と、
を備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１１】
第１の工程および第２の工程の少なくとも一方の工程において、第１の高周波電源の高周波電力に直流電圧を重畳して第１の電極に供給し、
第２の工程において、真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、第１の高周波電源の高周波電力に直流電圧を重畳して前記第１の電極に供給し、且つ第２の高周波電源の高周波電力を第２の電極に供給して除電プラズマを発生させながら被処理基板を前記第１の電極から離間させる動作を開始するとともに、所定時間の経過後に前記両電極への電力供給を停止し、
第３の工程を削減した請求項１０に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた第１の電極に第１の高周波電源から高周波電力を所定周期のパルス信号に同期してパルス化した高周波パルスを供給するとともに、前記第１の電極と相対向した第２の電極におけるコイル状電極部に第２の高周波電源から高周波電力を供給して、前記第１および第２の両電極間に発生した誘導結合型プラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、
前記被処理基板の処理の終了を検出した時点で前記第１および第２の両高周波電源の駆動を同時に停止したのち、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記第１の電極に高周波パルスを、且つ前記第２の電極に高周波電力をそれぞれ供給して除電プラズマを発生させる第２の工程とを備え、
前記第２の工程と同時または前記第２の工程の終了後に、前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出すようにしたことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１３】
排気手段によって内部が真空に排気される真空チャンバと、
前記真空チャンバの内部に設けられて被処理基板が取り付けられる第１の電極と、
前記第１の電極に相対向する配置で前記真空チャンバの内部に設けられ、ガスをガス吹出孔から前記真空チャンバの内部に導入するガス供給部を兼ねる他方の電極と、
前記第１の電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
所定の直流電力を出力する直流電源と、
前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出す基板リフトアップユニットと、
前記被処理基板への処理が終了したのちの除電プラズマによる除電プロセスの終了時に前記高周波電源の駆動を停止するとともに、前記被処理基板の処理の開始時または前記除電プロセスの開始時或いは前記基板リフトアップユニットによる前記被処理基板の取り出し開始時の何れかのタイミングで前記直流電源の直流電圧を前記高周波電源の高周波電力に重畳して前記第１の電極に供給、或いは前記直流電力をそのまま前記第１の電極に供給するよう制御する制御部とを備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１４】
直流電源に代えて、数μｓ〜数ｍｓの周期でパルスを出力するパルス発生回路と、高周波電源の高周波電力を前記パルス発生回路の出力パルスに同期してパルス化することにより、高周波電力をパルス化した高周波パルスを生成して第１の電極に対し供給する高周波パルス生成回路とを設けたことを特徴とする請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
他方の電極に代えて、真空チャンバの内部一端部に誘電体の仕切板により形成された真空封止空間に配置されているコイル状電極部を有する第２の電極を設け、
前記第２の電極に高周波電力を供給する第２の高周波電源と、
被処理基板が取り付けられる第１の電極に高周波電力を供給する高周波電源および前記第２の高周波電源を所定のタイミングで駆動および駆動停止させる制御部とを備えていることを特徴とする請求項１３または１４に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１に係るプラズマ処理方法は、真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた一方の電極に高周波電力を供給して、前記一方の電極とこれに相対向した他方の電極との間に発生したプラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、前記被処理基板の処理が終了したのちに、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記高周波電力を前記一方の電極に供給して除電プラズマを発生させ、前記被処理基板の帯電量を減少させる第２の工程と、前記第２の工程が終了したのちに、前記一方の電極に直流電圧を印加しながら前記被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出す第３の工程と、を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このプラズマ処理方法では、第２の工程の除電プロセスの終了後に被処理基板を一方の電極から取り外す際に、直流電圧を一方の電極に印加することにより、被処理基板の帯電量がゼロに近づく方向に低減して残留帯電が殆ど無くなるため、被処理基板を一方の電極から離間させるときに、剥離帯電の発生による絶縁薄膜の絶縁破壊の発生が確実に防止される。また、被処理基板の取り外し時に直流電圧を印加して被処理基板の帯電量をゼロに近づくように制御することから、除電プロセスの終了時に多少の残留帯電が存在していても支障がないので、除電プロセスは絶縁破壊の発生を確実に防止できる設定として実施できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の請求項２に係るプラズマ処理方法では、上記発明において、第１の工程および第２の工程の少なくとも一方の工程において、高周波電力に直流電圧を重畳して一方の電極に供給するようにした。これにより、第１の工程において直流電圧を高周波電力に重畳しながら一方の電極に印加してプラズマを励起するようにすれば、被処理基板の処理中における被処理基板の帯電量を大幅に減少させることができるので、被処理基板のデバイスの絶縁薄膜の処理中での絶縁破壊をも確実に防止できる。一方、第２の工程において直流電圧を高周波電力に重畳しながら一方の電極に印加して除電プラズマを励起するようにすれば、被処理基板が静電吸着している一方の電極の電位を直流電圧の印加により逆の電位に移行させることができ、これにより、被処理基板と一方の電極との静電吸着を解除できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項３に係るプラズマ処理方法では、上記発明の第２の工程において、直流電圧を重畳した高周波電力を一方の電極に供給しながら前記被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出し、第３の工程を削減した。これにより、被処理基板が一方の電極から離間される際に剥離帯電が発生しないから、絶縁薄膜の絶縁破壊を確実に防止しながら、除電プロセスと被処理基板の取り外しとを同時に行って生産性の向上を図ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項４に係るプラズマ処理方法は、真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた一方の電極に、高周波電力を所定周期のパルス信号に同期してパルス化した高周波パルスを供給して、前記一方の電極とこれに相対向した他方の電極との間に発生したパルスプラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、前記被処理基板の処理が終了したのちに、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記高周波パルスを前記一方の電極に供給して除電プラズマを発生させ、前記被処理基板の帯電量を減少させる第２の工程と、前記第２の工程が終了したのちに、前記被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出す第３の工程と、を備えているを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このプラズマ処理方法では、パルス放電によるパルスプラズマにより被処理基板の処理を行うので、放電が高周波パルスの周期に同期してオン・オフを繰り返すから、被処理基板の帯電量が直線的に増大することがなく、処理後の被処理基板の表面電位をゼロに近い低い電位に抑制できる。したがって、処理中に被処理基板に帯電する電位がデバイスの絶縁薄膜のしきい値を超えることが絶無となり、絶縁薄膜の絶縁破壊が生じることがない。また、第２の工程の除電プロセスでは、高周波パルスを供給して除電プラズマを励起させるので、被処理基板の帯電量が反対側の電位に大きく移行することがなく、第２の工程が終了した時点では残留帯電が殆ど無くなって被処理基板の表面電位が一層ゼロに近い値となる。そのため、被処理基板を一方の電極から取り外す際には、残留電荷が無い状態つまり静電吸着が解消された状態になっているから、剥離帯電が発生することがなく、絶縁薄膜の絶縁破壊も生じない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の請求項５に係るプラズマ処理方法では、上記発明において、数μｓ〜数ｍｓの周期でパルスを出力するパルス信号を用いて高周波パルスを生成するようにした。これにより、パルス放電は、数μｓ〜数ｍｓの極めて短い間隔で断続的にオフするだけであるから、パルスプラズマを、被処理基板の処理に支障が生じない状態に維持できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の請求項６に係るプラズマ処理方法は、上記発明の第２の工程において、除電プラズマを発生させながら被処理基板を前記一方の電極から離間させて取り出し、第３の工程を削減した。これにより、被処理基板がパルスプラズマによって処理されることから、加工終了時点での被処理基板の表面電位がゼロに近い低い電位に抑制されているので、第２の工程において除電プロセスを行うのと同時に被処理基板を一方の電極から取り外しても、剥離帯電が発生することがなく、除電プロセスと被処理基板の取り出し動作とを同時に行うことが可能となって生産性の一層の向上を図ることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の請求項７に係るプラズマ処理方法は、真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた第１の電極に第１の高周波電源から高周波電力を供給するとともに、前記第１の電極と相対向した第２の電極におけるコイル状電極部に第２の高周波電源から高周波電力を供給して、前記第１および第２の両電極間に発生した誘導結合型プラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、前記被処理基板の処理の終了を検出した時点で前記第１の高周波電源から前記第１の電極への高周波電力の供給を停止し、その停止時点から所定時間の経過後に前記第２の高周波電源から前記第２の電極への高周波電力の供給を停止する第２の工程と、前記第２の工程が終了したのちに、前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出す第３の工程と、を備えている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このプラズマ処理方法では、被処理基板の表面に一方の電位の電荷を帯電させる第１の電極への高周波電力の供給が先に停止された時点から所定時間が経過するまでの間は第２の電極のみに高周波電力が供給されるので、この第２の電極に供給される高周波電力によって被処理基板上に帯電している電荷が一方の電位から他方の電位に移行するため、被処理基板の帯電量は、所定時間の経過中に大幅に減少してほぼゼロに近づく。したがって、このプラズマ処理方法では、第２のガスを導入しての除電プロセスを実施する必要がなく、第２の電極への高周波電力の供給を停止させたのちに、被処理基板を第１の電極から取り外しても、残留電荷が存在しないことから、剥離帯電が生じない。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の請求項８に係るプラズマ処理方法では、上記発明において、第１の高周波電源の駆動停止時から第２の高周波電源を駆動停止させるまでの所定時間を0.1 ｓ〜５ｓの範囲内に設定した。これにより、両高周波電源の駆動停止の時間差である所定時間は、被処理基板上に形成されるデバイスの種類や構造によって適宜選択して設定するのが好ましいが、0.1 ｓ〜５ｓの時間範囲内に設定すれば、種々の種類または構造のデバイスに対しても所定時間を最適化することができ、被処理基板の帯電量を減少させて表面の電位をほぼ完全に除去することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の請求項９に係るプラズマ処理方法では、上記発明における第２の工程において、被処理基板の処理の終了を検出した時点で第１の高周波電源から第１の電極への高周波電力の供給を停止したのちに、第２の高周波電源から第２の電極への高周波電力の供給を継続しながら被処理基板の第１の電極からの離間動作を開始して、所定時間の経過後に前記第２の高周波電源の駆動を停止し、第３の工程を削減した。これにより、第１の高周波電源の駆動を停止させたタイミングで被処理基板の取り外し動作を開始しても、第２の電極に供給される高周波電力によって被処理基板上の一方の電位の電荷が他方の電位に移行して、被処理基板の帯電量が大幅に減少してほぼゼロに近づくので、絶縁薄膜の絶縁破壊を確実に防止することができ、第３の工程を削減できる分だけ生産性の向上を図ることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の請求項１０に係るプラズマ処理方法は、真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた第１の電極に第１の高周波電源から高周波電力を供給するとともに、前記第１の電極と相対向した第２の電極におけるコイル状電極部に第２の高周波電源から高周波電力を供給して、前記第１および第２の両電極間に発生した誘導結合型プラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、前記被処理基板の処理の終了を検出した時点で前記第１および第２の両高周波電源の駆動を同時に停止したのち、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記第１および第２の両高周波電源から高周波電力を前記第１および第２の両電極にそれぞれ供給して除電プラズマを発生させ、前記被処理基板の帯電量を減少させる第２の工程と、前記第１の電極にのみ直流電圧を印加しながら前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出す第３の工程と、を備えている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このプラズマ処理方法では、誘導結合型プラズマにより被処理基板を処理する場合においても、請求項１に係るプラズマ処理方法の上述したと同様の効果を得ることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の請求項１１に係るプラズマ処理方法では、上記発明において、第１の工程および第２の工程の少なくとも一方の工程において、第１の高周波電源の高周波電力に直流電圧を重畳して第１の電極に供給し、第２の工程において、真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、第１の高周波電源の高周波電力に直流電圧を重畳して前記第１の電極に供給し、且つ第２の高周波電源の高周波電力を第２の電極に供給して除電プラズマを発生させながら被処理基板を前記第１の電極から離間させる動作を開始するとともに、所定時間の経過後に前記両電極への電力供給を停止し、第３の工程を削減した。これにより、２種の高周波電源を設けて誘導結合型プラズマにより被処理基板を処理する場合においても、請求項２に係るプラズマ処理方法および請求項３に係るプラズマ処理方法の上述したと同様の効果を得ることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の請求項１２に係るプラズマ処理方法は、真空チャンバ内を真空に排気するとともに第１のガスを導入した雰囲気中において、被処理基板が取り付けられた第１の電極に第１の高周波電源から高周波電力を所定周期のパルス信号に同期してパルス化した高周波パルスを供給するとともに、前記第１の電極と相対向した第２の電極におけるコイル状電極部に第２の高周波電源から高周波電力を供給して、前記第１および第２の両電極間に発生した誘導結合型プラズマによって前記被処理基板を処理する第１の工程と、前記被処理基板の処理の終了を検出した時点で前記第１および第２の両高周波電源の駆動を同時に停止したのち、前記真空チャンバ内に第２のガスを導入して所定の圧力に調整するとともに、前記第１の電極に高周波パルスを、且つ前記第２の電極に高周波電力をそれぞれ供給して除電プラズマを発生させる第２の工程とを備え、前記第２の工程と同時または前記第２の工程の終了後に、前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出すようにした。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このプラズマ処理方法では、２種の高周波電源を設けて誘導結合型プラズマにより被処理基板を処理する場合においても、請求項４に係るプラズマ処理方法および請求項６に係るプラズマ処理方法の上述したと同様の効果を得ることができる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の請求項１３に係るプラズマ処理装置は、排気手段によって内部が真空に排気される真空チャンバと、前記真空チャンバの内部に設けられて被処理基板が取り付けられる第１の電極と、前記第１の電極に相対向する配置で前記真空チャンバの内部に設けられ、ガスをガス吹出孔から前記真空チャンバの内部に導入するガス供給部を兼ねる他方の電極と、前記第１の電極に高周波電力を供給する高周波電源と、所定の直流電力を出力する直流電源と、前記被処理基板を前記第１の電極から離間させて取り出す基板リフトアップユニットと、前記被処理基板への処理が終了したのちの除電プラズマによる除電プロセスの終了時に前記高周波電源の駆動を停止するとともに、前記被処理基板の処理の開始時または前記除電プロセスの開始時或いは前記基板リフトアップユニットによる前記被処理基板の取り出し開始時の何れかのタイミングで前記直流電源の直流電圧を前記高周波電源の高周波電力に重畳して前記第１の電極に供給、或いは前記直流電力をそのまま前記第１の電極に供給するよう制御する制御部とを備えていることを特徴としている。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
このプラズマ処理装置では、第１の電極に高周波電力を供給する高周波電源と、直流電圧を出力する直流電源と、高周波電源の高周波電力に直流電源の直流電圧を重畳させて第１の電極に供給するとともに、高周波電源と直流電源とを所定のタイミングで駆動および駆動停止させるよう制御する制御部とを備えているので、請求項１ないし３にそれぞれ係るプラズマ処理方法を忠実に具現化して、その処理方法と同様の効果を確実に得ることができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の請求項１５に係るプラズマ処理装置は、請求項１３または１４に係る発明における他方の電極に代えて、真空チャンバの内部一端部に誘電体の仕切板により形成された真空封止空間に配置されているコイル状電極部を有する第２の電極を設け、前記第２の電極に高周波電力を供給する第２の高周波電源と、被処理基板が取り付けられる第１の電極に高周波電力を供給する高周波電源および前記第２の高周波電源を所定のタイミングで駆動および駆動停止させる制御部とを備えていることを特徴としている。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
このプラズマ処理装置では、第１の高周波電源の他に、真空チャンバの内部一端部に誘電体の仕切板により形設された真空封止空間に配置されているコイル状電極部を有する第２の電極を設けて、誘導結合型プラズマを励起できるとともに、第１の電極に高周波電力を供給する高周波電源および前記第２の高周波電源を所定のタイミングで駆動および駆動停止させる制御部とを備えているので、請求項７ないし１２にそれぞれ係るプラズマ処理方法を忠実に具現化して、その処理方法と同様の効果を確実に得ることができる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【発明の効果】
以上のように本発明のプラズマ処理方法によれば、大型ガラス基板などの被処理基板のプラズマによる処理に際して、電極に直流電圧を印加しながら被処理基板を電極から取り外す手段、直流電圧を重畳した高周波電力を電極に供給して励起させたプラズマで被処理基板の処理を行う手段、パルスプラズマで被処理基板の処理を行う手段、誘導結合型プラズマで被処理基板の処理を行ったのちに被処理基板が取り付いている側の電極への高周波電力の供給を所定時間だけ早く停止させる手段などを用いたことにより、被処理基板を、これに形成されたデバイスの絶縁薄膜の絶縁破壊を確実に防止しながら処理を行ったのちに支障無く取り外すことができる。また、本発明のプラズマ処理装置によれば、本発明の種々のプラズマ処理方法を忠実に具現化して、その処理方法と同様の効果を確実に得ることができる。