(57)【要約】  本発明の樹脂組成物は、板厚方向に貫通し、内部に導体部が設けられた貫通孔を有する半導体基板の少なくとも前記貫通孔を埋め込むための埋め込み材に用いる樹脂組成物であって、前記樹脂組成物が、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むもの、環状オレフィン系樹脂を含むもの、または、これらの混合物である。本発明の埋め込み材は、上記に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されている。本発明の絶縁層は、上記に記載の樹脂組成物の硬化物で構成され、前記半導体基板の機能面と反対側の面に配置された層状の絶縁部と、該絶縁部と一体的に形成され、前記貫通孔に埋め込まれた埋め込み部とを有する。本発明の半導体装置は、上記に記載の絶縁層を有する。
2008153082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板厚方向に貫通し、内部に導体部が設けられた貫通孔を有する半導体基板の少なくとも前記貫通孔を埋め込むための埋め込み材に用いる樹脂組成物であって、
当該樹脂組成物は、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むもの、または、環状オレフィン系樹脂を含むものであることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項２】
前記半導体基板は、機能面と該機能面と反対側の面とを有し、
前記樹脂組成物は、前記貫通孔を埋め込むと共に、前記反対側の面を覆う絶縁層を形成するものである請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記半導体基板は、機能面と該機能面と反対側の面とを有し、
前記樹脂組成物は、前記貫通孔を埋め込むと共に、前記反対側の面を覆う絶縁層を形成し、該絶縁層に対してフォトリソグラフィ法により開口部を形成し得るものである請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
少なくとも前記貫通孔を埋め込むための埋め込み材であって、
請求項１に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されたことを特徴とする埋め込み材。
【請求項５】
前記半導体基板は、機能面と該機能面と反対側の面とを有し、
前記反対側の面に配置された層状の絶縁部と、該絶縁部と一体的に形成され、前記貫通孔に埋め込まれた埋め込み部とを有する絶縁層であって、
請求項１に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されたことを特徴とする絶縁層。
【請求項６】
請求項４に記載の埋め込み材を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５に記載の絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
板厚方向に貫通する貫通孔が形成された半導体基板と、
前記貫通孔の内面および前記半導体基板の一方の面を覆うように形成された第１樹脂層と、該第１樹脂層に接合された第２樹脂層とを備える絶縁層と、
前記貫通孔の内部に、前記第１樹脂層および第２樹脂層を貫通して設けられる導体部とを有し、
前記第１樹脂層の弾性率が、前記第２樹脂層の弾性率よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記第１樹脂層の弾性率は、２，５００ＭＰａ以下である請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１樹脂層は、第１樹脂組成物の硬化物で構成されており、
前記第１樹脂組成物は、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むもの、または、環状オレフィン系樹脂を含むものである請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記環状オレフィン系樹脂は、エポキシ基を有するノルボルネン系樹脂である請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１樹脂層は、光照射によりパターニング可能なものである請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２樹脂層の弾性率は、３，５００ＭＰａ以上である請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２樹脂層のガラス転移温度以下での熱膨張係数が、５０ｐｐｍ以下である請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第２樹脂層の前記第１樹脂層と反対側の面に配線パターンが形成されてなり、前記配線パターンと前記導体部とが電気的に接続しているものである請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記絶縁層は、さらに、前記導体部と前記配線パターンの少なくとも一部とを覆うように設けられた第３樹脂層を備え、該第３樹脂層は、第３樹脂組成物で構成されており、
前記第３樹脂組成物は、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むもの、または、環状オレフィン系樹脂を含むものである請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記半導体基板の前記絶縁層と反対側の面に配線パターンが形成されてなり、前記配線パターンと前記導体部とが電気的に接続しているものである請求項８に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、埋め込み材、絶縁層および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラ、携帯電話等の電子部品等の小型化に対応するために、半導体パッケージも小型化する必要がある。【０００３】
従来の半導体パッケージでは、半導体素子の端子部と、この半導体素子を搭載する基板の配線との間にボンディングワイヤおよびこのボンディングワイヤを配置可能な空間が必要であった。そのため、半導体パッケージの半導体素子と基板との間にスペースが必要となり小型化を妨げる要因となっていた。【０００４】
この半導体パッケージを小型化する方法として、半導体素子が備える半導体基板に貫通電極を形成することにより半導体基板の機能面と、該機能面と反対側の面に設けられた回路配線との電気的接続を行う方法が挙げられる（特許文献１参照）。【０００５】
この特許文献１に記載の方法では、半導体基板に貫通孔を設け、貫通孔の内部を例えば積層板を構成するビルドアップ層を積層して埋め込んだ後、再度ビアを形成する。そして、そのビアの内面に導体層を形成して導体部材（導体部）を設けて、貫通電極を形成している。【０００６】
しかし、このようなビルドアップ層で貫通孔の内部を埋め込む方法を用いた場合、半導体素子の反りが大きくなってしまう場合があった。【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２１６９７０号公報
【発明の開示】
【０００８】
本発明の目的は、半導体基板の反り等の発生を低減しつつ、この半導体基板に形成されている貫通孔の内部を確実かつ十分に埋め込むことが可能な樹脂組成物を提供することにある。また、かかる樹脂組成物で構成される埋め込み材および絶縁層、さらに、これらの埋め込み材および絶縁層を有し、小型で特性に優れた半導体装置を提供することにある。
【０００９】
上記目的を達成するために、下記（１）〜（１７）に記載の本発明は、
（１）板厚方向に貫通し、内部に導体部が設けられた貫通孔を有する半導体基板の少なくとも前記貫通孔を埋め込むための埋め込み材に用いる樹脂組成物であって、
当該樹脂組成物は、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むもの、または、環状オレフィン系樹脂を含むものであることを特徴とする樹脂組成物。
（２）前記半導体基板は、機能面と該機能面と反対側の面とを有し、
前記樹脂組成物は、前記貫通孔を埋め込むと共に、前記反対側の面を覆う絶縁層を形成するものである上記（１）に記載の樹脂組成物。
（３）前記半導体基板は、機能面と該機能面と反対側の面とを有し、
前記樹脂組成物は、前記貫通孔を埋め込むと共に、前記反対側の面を覆う絶縁層を形成し、該絶縁層に対してフォトリソグラフィ法により開口部を形成し得るものである上記（１）に記載の樹脂組成物。
（４）少なくとも前記貫通孔を埋め込むための埋め込み材であって、
上記（１）に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されたことを特徴とする埋め込み材。
（５）前記半導体基板は、機能面と該機能面と反対側の面とを有し、
前記反対側の面に配置された層状の絶縁部と、該絶縁部と一体的に形成され、前記貫通孔に埋め込まれた埋め込み部とを有する絶縁層であって、
上記（１）に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されたことを特徴とする絶縁層。
（６）上記（４）に記載の埋め込み材を有することを特徴とする半導体装置。
（７）上記（５）に記載の絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
（８）板厚方向に貫通する貫通孔が形成された半導体基板と、
前記貫通孔の内面および前記半導体基板の一方の面を覆うように形成された第１樹脂層と、該第１樹脂層に接合された第２樹脂層とを備える絶縁層と、
前記貫通孔の内部に、前記第１樹脂層および第２樹脂層を貫通して設けられる導体部とを有し、
前記第１樹脂層の弾性率が、前記第２樹脂層の弾性率よりも低いことを特徴とする半導体装置。
（９）前記第１樹脂層の弾性率は、２，５００ＭＰａ以下である上記（８）に記載の半導体装置。
（１０）前記第１樹脂層は、第１樹脂組成物の硬化物で構成されており、
前記第１樹脂組成物は、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むもの、または、環状オレフィン系樹脂を含むものである上記（８）に記載の半導体装置。
（１１）前記環状オレフィン系樹脂は、エポキシ基を有するノルボルネン系樹脂である上記（１０）に記載の半導体装置。
（１２）前記第１樹脂層は、光照射によりパターニング可能なものである上記（８）に記載の半導体装置。
（１３）前記第２樹脂層の弾性率は、３，５００ＭＰａ以上である上記（８）に記載の半導体装置。
（１４）前記第２樹脂層のガラス転移温度以下での熱膨張係数が、５０ｐｐｍ以下である上記（８）に記載の半導体装置。
（１５）前記第２樹脂層の前記第１樹脂層と反対側の面に配線パターンが形成されてなり、前記配線パターンと前記導体部とが電気的に接続しているものである上記（８）に記載の半導体装置。
（１６）前記絶縁層は、さらに、前記導体部と前記配線パターンの少なくとも一部とを覆うように設けられた第３樹脂層を備え、該第３樹脂層は、第３樹脂組成物で構成されており、
前記第３樹脂組成物は、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むもの、または、環状オレフィン系樹脂を含むものである上記（１５）に記載の半導体装置。
（１７）前記半導体基板の前記絶縁層と反対側の面に配線パターンが形成されてなり、前記配線パターンと前記導体部とが電気的に接続しているものである上記（８）に記載の半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、スルーホールを有する半導体基板を備える半導体素子の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、スルーホール埋め込み材でスルーホールが埋め込まれている状態の半導体素子の断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態の半導体装置の一部を示す縦断面図である。
【図４】図４は、第２実施形態の半導体装置の一部を示す縦断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の樹脂組成物、埋め込み材、絶縁層および半導体装置について説明する。【００１２】
本発明の樹脂組成物は、板厚方向に貫通し、内部に導体部が設けられた貫通孔を有する半導体基板の少なくとも前記貫通孔を埋め込むための埋め込み材に用いるものであって、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むもの、環状オレフィン系樹脂を含むもの、または、これらの混合物であることを特徴とする。【００１３】
本発明の埋め込み材は、少なくとも前記貫通孔を埋め込むためのものであって、上記に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されたことを特徴とする。【００１４】
本発明の絶縁層は、前記半導体基板が有する機能面と反対側の面に配置された層状の絶縁部と、該絶縁部と一体的に形成され、前記貫通孔に埋め込まれた埋め込み部とを有するものであって、上記に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されたことを特徴とする。【００１５】
本発明の半導体装置は、上記に記載の絶縁層を有することを特徴とする。【００１６】
また、本発明の半導体装置は、板厚方向に貫通する貫通孔が形成された半導体基板と、前記貫通孔の内面および前記半導体基板の一方の面を覆うように形成された第１樹脂層と、該第１樹脂層に接合された第２樹脂層とを備える絶縁層と、前記貫通孔の内部に、前記第１樹脂層および第２樹脂層を貫通して設けられる導体部とを有し、前記第１樹脂層の弾性率が、前記第２樹脂層の弾性率よりも低いことを特徴とする。【００１７】
まず、樹脂組成物および埋め込み材について説明する。
前記樹脂組成物は、例えば図１に示すような半導体素子１００が備える半導体基板１０に設けられたスルーホール（貫通孔）１を少なくとも埋め込むために用いられる。このスルーホール１は、スルーホール１の内部に設けられた導電部材（導体部）１１によって、半導体基板１０の機能面１０１の端子部２と、反対側の面１０２との電気的な接続を図ることができるようになる。これにより、半導体素子１００を用いた半導体装置（半導体パッケージ）５００の小型化を図ることができる。【００１８】
前述したように、本発明の樹脂組成物は、Ａ：ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むもの（Ａ組成）、Ｂ：環状オレフィン系樹脂を含むもの（Ｂ組成）、または、これらの混合物である。【００１９】
以下、Ａ組成の樹脂組成物と、Ｂ組成の樹脂組成物とについて、それぞれ説明する。【００２０】
Ｉ：Ａ組成の樹脂組成物
この樹脂組成物は、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂を含む。これにより、光照射に対して選択的に硬化反応を生じさせることができる。ここで、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂としては光硬化性樹脂（主として光照射により硬化する樹脂）が挙げられる。【００２１】
前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂としては、例えば不飽和ポリエステル、アクリロイル基またはメタクリロイル基を、一分子中に少なくとも１個以上有するアクリル系モノマーやオリゴマー等のアクリル系化合物、スチレン等のビニル系化合物等が挙げられ、これらは単独で用いることも可能であり、また、２種類以上を混合して用いることもできる。【００２２】
これらの中でもアクリル系化合物を主成分とする紫外線硬化性樹脂が好ましい。アクリル系化合物は光を照射した際の硬化速度が速く、これにより、比較的少量の露光量で樹脂をパターニングすることができるからである。【００２３】
前記アクリル系化合物としては、アクリル酸エステルもしくはメタクリル酸エステルのモノマー等が挙げられ、具体的にはジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリル酸エチレングリコール、ジアクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジメタクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジアクリル酸１，１０−デカンジオール、ジメタクリル酸１，１０−デカンジオール等の２官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、トリアクリル酸ペンタエリスリトール、トリメタクリル酸ペンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。【００２４】
これらの中でも（メタ）アクリル酸エステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が１〜１５のアクリル酸エステルまたはメタクリル酸アルキルエステルが好ましい。これにより、反応性を向上することができ、それによって感度が向上する。【００２５】
また、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂（光硬化性樹脂）は、特に限定されないが、常温で液状であることが好ましい。これにより、半導体基板１０に設けられたスルーホール１への埋め込み性を向上することができる。また、紫外線による硬化反応性を向上することができる。また、他の配合成分（例えば、熱硬化性樹脂）との混合作業を容易にすることができる。常温で液状のラジカル重合性二重結合を有する樹脂としては、前述したアクリル化合物を主成分とする紫外線硬化性樹脂等が挙げられる。【００２６】
前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、５，０００以下であることが好ましく、特に１５０〜３，０００が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に埋め込み性に優れる。【００２７】
ここで、重量平均分子量は、例えばＧ．Ｐ．Ｃ．を用いて評価でき、予め、スチレン標準物質を用いて作成された検量線により重量平均分子量を算出することができる。【００２８】
ここで、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５〜６０重量％が好ましく、特に８〜３０重量％が好ましい。特に、樹脂組成物の樹脂成分（無機充填材を除く全部の成分）のうち、９重量％以上が好ましく、特に１３重量％以上であることが好ましい。【００２９】
前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂の含有量が前記上限値を超えると、樹脂組成物の耐熱性が損なわれる場合がある。また、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂の含有量が前記下限値未満であると、樹脂組成物で構成される樹脂層の可撓性が損なわれる場合があり、また光（例えば紫外線）照射により、かかる樹脂層のパターニングを十分に行えない場合が生じるおそれがある。したがって、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂の含有量を上記の範囲にすることで、両者のバランスに優れ、例えば樹脂組成物の硬化物の耐熱性、樹脂組成物で構成される樹脂層の可撓性のバランスを損なわないで、特に、樹脂組成物で構成される樹脂層を接着フィルムに適用したときの保護フィルムなどに対する剥離性が良好な樹脂組成物を提供することができる。【００３０】
前記樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含む。これにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性（具体的には、２４０℃での耐リフロー性）を向上することができる。【００３１】
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が特に好ましい。これにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性および密着性をより向上することができる。【００３２】
ここで、熱硬化性樹脂として、室温で固形のエポキシ樹脂、例えばビスフェノール型エポキシ樹脂と、可撓性エポキシ樹脂、例えば室温で液状のエポキシ樹脂、例えば室温で液状であるシリコーン変性エポキシ樹脂とを併用してもよい。これにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性を維持しつつ、樹脂組成物で構成される樹脂層の可撓性およびフォトリソグラフィ技術によるパターニング時の解像性と、接着性のバランスに優れる樹脂組成物を提供することができる。【００３３】
前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１０〜４０重量％が好ましく、特に１５〜３５重量％が好ましい。熱硬化性樹脂の含有量が前記下限値未満であると、樹脂組成物の硬化物の耐熱性を向上させる効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると、樹脂組成物の硬化物の靭性を向上させる効果が低下する場合がある。したがって、熱硬化性樹脂の含有量を上記の範囲とすることで、両者のバランスに優れる樹脂組成物を提供することができる。【００３４】
また、室温で液状である熱硬化性樹脂を併用する場合、前記の液状であるラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、この液状の熱硬化性樹脂との合計量が、前記樹脂組成物全体の６０重量％以下であることが好ましく、特に５０重量％以下であることが好ましい。特に、樹脂組成物の樹脂成分（無機充填材を除く全部の成分）のうち、１３重量％以上、さらに好ましくは１４重量％以上、より好ましくは１８重量％以上であることが好ましい。液状のラジカル重合性二重結合を有する樹脂と液状の熱硬化性樹脂との合計量を上記の範囲とすることで、樹脂組成物は、特に半導体基板１０のスルーホール１の埋め込み性に優れたものとなり、かかる樹脂組成物で構成される樹脂層（接着層）は、フォトリソグラフィ技術によるパターニング時の解像性および接着性のバランスおよび可撓性に優れたものとなり、また、樹脂組成物の硬化物は、耐熱性に優れたものとなる。【００３５】
前記樹脂組成物は、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なる「アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂」を含む。これにより、樹脂組成物で構成される樹脂層のアルカリ現像が可能となり、光照射によりパターニングすることが可能となる。前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるとは、樹脂の構造が異なることを意味する。前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂としては、例えば光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂を挙げることができる。【００３６】
前記アルカリ可溶性基としては、例えば水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。また、アルカリ可溶性基は熱硬化反応に寄与することもできる。このような樹脂としては、例えばアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基等の光反応基を有する熱硬化性樹脂や、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、酸無水物基等の熱反応基を有する光硬化性樹脂等が挙げられる。なお、光硬化性樹脂は、さらにエポキシ基、アミノ基、シアネート基等の熱反応基を有していてもよい。具体的には、（メタ）アクリル変性フェノール樹脂、（メタ）アクリロイル基含有アクリル酸重合体等が挙げられる。これらの中でも（メタ）アクリル変性フェノール樹脂が好ましい。アルカリ可溶性基を含む樹脂を用いることにより、現像処理時において未反応の樹脂（樹脂組成物）を除去する際に、特にアルカリ可溶性基が二重結合部分を有する場合には、この二重結合部分の存在により、現像液として通常用いられる有機溶剤の代わりに、環境に対する負荷のより少ないアルカリ水溶液を適用することが可能となる。また、この場合、樹脂組成物を硬化させる際には、二重結合部分が硬化反応に寄与し、その結果、樹脂組成物の硬化物の耐熱性を向上することができる。  
なお、前記光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂で前述したものを用いることができ、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂はこれらの光硬化性樹脂に熱反応基を導入したり、あるいは熱硬化性樹脂に光反応基を導入したりすることにより得られる。【００３７】
ここで、光反応基を有する熱硬化性樹脂を用いる場合、前記光反応基の変性率（置換率）は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の反応基全体の２０〜８０％が好ましく、特に３０〜７０％が好ましい。光反応基の変性量を上記の範囲とすることで、特に解像性に優れる樹脂組成物を提供することができる。【００３８】
一方、熱反応基を有する光硬化性樹脂を用いる場合、前記熱反応基の変性率（置換率）は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の反応基全体の２０〜８０％が好ましく、特に３０〜７０％が好ましい。熱反応基の変性量を上記の範囲とすることで、特に解像性に優れる樹脂組成物を提供することができる。【００３９】
前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、３００，０００以下であることが好ましく、特に５，０００〜１５０，０００が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、樹脂組成物を埋め込み性に特に優れるものとすることができる。【００４０】
ここで、重量平均分子量は、例えばＧ．Ｐ．Ｃ．を用いて評価でき、予め、スチレン標準物質を用いて作成された検量線により重量平均分子量を算出することができる。【００４１】
ここで、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１５〜５０重量％が好ましく、特に２０〜４０重量％が好ましい。特に、樹脂組成物の樹脂成分（無機充填材を除く全部の成分）のうち、１０〜８０重量％、好ましくは１５〜７０重量％であってもよい。アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の含有量が前記下限値未満であると、光硬化性樹脂および熱硬化性樹脂との相溶性を向上させる効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると、樹脂組成物で構成される樹脂層は、現像性やフォトリソグラフィ技術によるパターニング時の解像性が低下する場合がある。アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の含有量または樹脂組成物中の液状成分量を上記の範囲とすることで、フォトリソグラフィ法により樹脂組成物で構成される樹脂層をパターニングしたあと、かかる樹脂層に熱圧着できるという機能を付与することができる。【００４２】
また、樹脂組成物には、特に限定されないが、さらに光重合開始剤を併用することが好ましい。これにより、光重合により樹脂を効率良くパターニングすることができる。【００４３】
このような光重合開始剤としては、例えばベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。【００４４】
この光重合開始剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．５〜５重量％が好ましく、特に０．８〜２．５重量％が好ましい。光重合開始剤の含有量が前記下限値未満であると光重合を開始する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応性が高くなりすぎ、使用前における樹脂組成物の保存性や、樹脂組成物で構成される樹脂層が、上記のパターニング後において解像性が低下する場合がある。したがって、光重合開始剤を上記の範囲とすることで、両者のバランスに優れた樹脂組成物を提供することができる。【００４５】
また、樹脂組成物の硬化物に、耐熱性や、寸法安定性、耐湿性等の特性が特に要求される場合には、樹脂組成物は、さらに無機充填材を含有することが好ましい。また、樹脂組成物が無機充填材を含有することにより、樹脂組成物の樹脂層を接着フィルムとして用いた場合の保護フィルムに対する剥離性を向上させることができる。【００４６】
このような無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、結晶シリカ等のシリカ粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。これら無機充填材は、単独でも混合して使用しても良い。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましく、特に球状溶融シリカが好ましい。【００４７】
無機充填材を樹脂組成物に含めることにより、樹脂組成物を硬化させた後の耐熱性、耐湿性、強度等を向上させることができ、また、かかる樹脂組成物の樹脂層を接着フィルムとして用いた場合の保護フィルムに対する剥離性を向上させることができる。なお、無機充填材の形状は、特に限定されないが、真球状であることが好ましく、これにより、特性に異方性の無い接着フィルムの接着層として好適な樹脂組成物を提供することができる。【００４８】
また、無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０５〜３０μｍが好ましく、特に０．１〜１０μｍが好ましい。この平均粒子径が前記下限値未満であると、無機充填材が凝集しやすくなった結果、強度が低下する場合があり、前記上限値を超えると、樹脂組成物で構成させる樹脂層は、露光およびフォトリソグラフィ技術によるパターニング時の解像性が低下する場合がある。【００４９】
ここで、無機充填材の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５〜６０重量％が好ましく、特に１０〜５０重量％が好ましい。無機充填材の含有量が前記下限値未満であると、樹脂組成物の硬化物の耐熱性、寸法安定性、吸湿性を向上させる効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると、樹脂組成物で構成される樹脂層は、フォトリソグラフィ技術によるパターニング時の解像性が低下する場合がある。【００５０】
また、この樹脂組成物において、可撓性エポキシ樹脂をさらに含んでいてもよい。
可撓性エポキシ樹脂をさらに含めることで、樹脂組成物の硬化物の耐熱性を維持しつつ、樹脂組成物で構成される樹脂層およびその硬化物の可撓性を向上させることができ、樹脂組成物の半導体用材料としての信頼性を更に向上することができる。【００５１】
前記可撓性エポキシ樹脂としては、例えばシリコーン変性エポキシ樹脂、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレンジグリシジルエーテル等を挙げることができる。【００５２】
前記可撓性エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の３〜１０重量％が好ましく、特に４〜８重量％が好ましい。可撓性エポキシ樹脂の含有量が前記下限値未満であると、樹脂組成物の半導体用材料の信頼性を向上させる効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると、樹脂組成物で構成される樹脂層の現像性や解像性が低下する場合や、ブリードが発生する場合がある。【００５３】
前記樹脂組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で紫外線吸収剤、レベリング剤等の添加剤を添加することができる。【００５４】
このような樹脂組成物を、適当な有機溶剤（例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、アニソール、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチル等）の中で混合して、例えば支持フィルム等に塗布・乾燥してスルーホール埋め込み材用のフィルムを得ることができる。【００５５】
このようにして得られたスルーホール埋め込み材用のフィルムの室温から１８０℃の温度領域での最低溶融粘度は、特に限定されないが、５０，０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、特に３，０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。埋め込み温度での粘度が、前記範囲内であると、スルーホール埋め込み材用のフィルムは、特に埋め込み性に優れるものとなる。さらに、かかるスルーホール埋め込み材用のフィルムは、適度な流動性を有することに加え、被着体との密着性／濡れ性にも優れる。【００５６】
そして、このスルーホール埋め込み材用のフィルムを、スルーホール１を有する半導体素子１００（半導体基板１０）にラミネートして、前記スルーホール１をスルーホール埋め込み材用のフィルムで埋め込むことができる。そして、スルーホール埋め込み材用のフィルムを加熱硬化させてスルーホール埋め込み材（本発明の埋め込み材）を得ることができる。【００５７】
このような樹脂組成物によれば、接着対象（被着体）である半導体素子と、基板などの接着対象（被着体）である半導体用部品との接着に際し、これらの接着対象のいずれか一方に樹脂組成物を適用した後に、マスクを用いた光照射を行うことで樹脂組成物中のラジカル重合性二重結合を有する樹脂が硬化反応を起こし、硬化反応が起こった部分の樹脂組成物が固定化される。続いて、アルカリ性溶液などの現像液により処理することにより、未反応のアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂が溶解するため、未反応の樹脂組成物が溶解して、半導体素子または基板上に接着層のパターン（硬化後の樹脂組成物の層）が形成される。この光硬化した接着層をスペーサとして用いて、被着体としての半導体素子を保護するガラス板を接着層に冠着した後、熱処理を行うことで後硬化反応を行う。これにより、樹脂組成物中のエポキシ樹脂が反応して、接着層は基板とガラス板との間で硬化するとともに、両者を接着することができる。つまり、樹脂組成物中の熱硬化性樹脂は、パターニング後の段階では殆ど未反応であるため、加圧処理または加熱加圧処理により熱硬化性樹脂が樹脂表面に染み出し被着体と接着することができる。さらに、光照射で硬化した光硬化性樹脂もガラス転移温度以上で圧着することにより、光硬化性樹脂が軟化し、接着層と被着体との接着性の向上に寄与することができる。また、未反応の熱硬化性樹脂部分が、すでに硬化した光硬化性樹脂部分の可塑剤としても作用し、接着層と被着体との接着をより強固にする。フィルム（接着層）の厚みを選択することにより、このようにして二つの被着体の間に形成された接着層は、スペーサとして作用することもできる。【００５８】
ＩＩ：Ｂ組成の樹脂組成物
この樹脂組成物は、環状オレフィン系樹脂を含む。これにより、半導体装置５００の加工プロセスにおける樹脂組成物の硬化物の耐熱性や、組みあがった半導体装置５００の耐熱信頼性を向上することができる。【００５９】
なお、環状オレフィン樹脂に代えて、または、環状オレフィン樹脂と組み合わせて、他の熱可塑性樹脂を用いることもできる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテル・エーテルケトン、ポリフェニレン・スルホン、ポリメチル・ペンテン等が挙げられる。【００６０】
本発明で使用する環状オレフィン系樹脂の重合方法は、ランダム重合、ブロック重合など公知の方法が用いられる。具体例としては、ノルボルネン型モノマ−の（共）重合体、ノルボルネン型モノマ−とα−オレフィン類などの共重合可能な他のモノマ−との共重合体、およびこれらの共重合体の水素添加物などが具体例に該当する。これら環状オレフィン系樹脂は、公知の重合法により製造することが可能であり、その重合方法には付加重合法と開環重合法とがある。このうち、ノルボルネンモノマーを付加（共）重合することによって得られたポリマーが好ましいが、本発明はなんらこれに限定されるものではない。【００６１】
環状オレフィン系樹脂の付加重合体としては、例えばポリノルボルネン系樹脂、つまり（１）ノルボルネン型モノマ−を付加（共）重合させて得られるノルボルネン型モノマ−の付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマ−とエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマ−と非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマ−との付加共重合体が挙げられる。これらの樹脂は公知のすべての重合方法で得ることができる。【００６２】
環状オレフィン系樹脂の開環重合体としては、例えばポリノルボルネン系樹脂、つまり（４）ノルボルネン型モノマ−の開環（共）重合体、及び必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマ−とエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、及び必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマ−と非共役ジエン、又は他のモノマ−との開環共重合体、及び必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂が挙げられる。これらの樹脂は公知のすべての重合方法で得ることができる。
上記のうち、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合させて得られる付加（共）重合体が好ましいが、本発明はなんらこれに限定されるものではない。【００６３】
このような環状オレフィン系樹脂の中でも官能基を有する環状オレフィン系樹脂が好ましい。これにより、半導体装置５００を構成する各種の有機材料や無機材料と、樹脂組成物との密着性を向上することができる。
前記官能基としては、エポキシ基、エステル基、ケトン基、エーテル基等が挙げられる。これらの中でもエポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂が好ましい。これにより、半導体装置５００を構成する各種の有機材料や無機材料と、樹脂組成物とのの密着性を向上させたり、半導体装置５００の加工プロセスにおける耐熱性や組みあがった半導体装置５００の耐熱信頼性を向上させたりすることができる。【００６４】
前記エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂は、一般的には分子内にエポキシ基を含むモノマーを直接重合することによって得ることができるが、重合後に変性反応によって側鎖にエポキシ基を導入する方法によっても同様の重合体を得ることができる。変性反応としては、上記重合体にエポキシ基含有不飽和モノマ−をグラフト反応させる、上記重合体の反応性官能基部位にエポキシ基を有する化合物を反応させる、分子内に炭素−炭素二重結合を有する上記重合体に過酸やハイドロパ−オキサイドなどのエポキシ化剤を用いて直接エポキシ化させる等の公知の方法がある。【００６５】
環状オレフィン系樹脂の付加重合体は、金属触媒による配位重合、又はラジカル重合によって得られる。このうち、配位重合においては、モノマーを、遷移金属触媒存在下、溶液中で重合することによってポリマーが得られる（ＮＩＣＯＬＥ  Ｒ．  ＧＲＯＶＥ  ｅｔ  ａｌ．  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ：ｐａｒｔ  Ｂ，Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，  Ｖｏｌ．３７，  ３００３−３０１０（１９９９））。
配位重合に用いる金属触媒として代表的なニッケルと白金触媒は、ＰＣＴ  ＷＯ  ９７／３３１９８とＰＣＴ  ＷＯ  ００／２０４７２に述べられている。配位重合用金属触媒の例としては、（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、（メシレン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、（ベンゼン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（テトラヒドロ）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（エチルアセテート）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（ジオキサン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケルなどの公知の金属触媒が挙げられる。【００６６】
ラジカル重合技術については、Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ, １３，７０８（１９８８）に述べられている。【００６７】
一般的にはラジカル重合はラジカル開始剤の存在下、温度を５０℃〜１５０℃に上げ、モノマーを溶液中で反応させる。ラジカル開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウリル、アゾビスイソカプトロニトリル、アゾビスイソレロニトリル、ｔ−ブチル過酸化水素などである。【００６８】
環状オレフィン系樹脂の開環重合体は、公知の開環重合法により、チタンやタングステン化合物を触媒として、少なくとも一種以上のノルボルネン型モノマ−を開環（共）重合して開環（共）重合体を製造し、次いで必要に応じて通常の水素添加方法により前記開環（共）重合体中の炭素−炭素二重結合を水素添加して熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂を製造することによって得られる。【００６９】
上述重合系の適当な重合溶媒としては炭化水素や芳香族溶媒が含まれる。炭化水素溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、やシクロヘキサンなどであるがこれに限定されない。芳香族溶媒の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレンやメシチレンなどであるがこれに限定されない。ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチルアセテート、エステル、ラクトン、ケトン、アミドも使用できる。これら溶剤を単独や混合しても重合溶媒として使用できる。【００７０】
本発明の環状オレフィン系樹脂の分子量は、開始剤とモノマーの比を変えたり、重合時間を変えたりすることにより制御することができる。上記の配位重合用が用いられる場合、米国特許Ｎｏ．６，１３６，４９９に開示されるように、分子量を連鎖移動触媒を使用することにより制御することができる。この発明においては、エチレン、プロピレン、１−ヘキサン、１−デセン、４−メチル−１−ペンテン、などα―オレフィンが分子量制御するのに適当である。【００７１】
本発明において重量平均分子量は１０，０００〜５００，０００、好ましくは３０，０００〜１００，０００さらに好ましくは５０，０００〜８０，０００である。重量平均分子量は標準ポリノルボルネンを用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定することができる。（ＡＳＴＭＤＳ３５３６−９１準拠）【００７２】
前記エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂を製造するために使用する環状オレフィンモノマーとしては、一般式（１）で表されるノルボルネン型モノマーが好ましい。【００７３】
【化１】
2008153082.tif 000003
【００７４】
アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル基等が、アルケニル基の具体例としては、ビニル、アリル、ブチニル、シクロヘキシル基等が、アルキニル基の具体例としては、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル基等が、アリール基の具体例としては、フェニル、ナフチル、アントラセニル基等が、アラルキル基の具体例としてはベンジル、フェネチル基等がそれぞれ挙げられるが、本発明は何らこれらに限定されない。【００７５】
前記環状オレフィン系樹脂を製造するために使用する環状オレフィンモノマーとしては、例えば、アルキル基を有するものとして、５−メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−プロピル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネン、５−ペンチル−２−ノルボルネン、５−ヘキシル−２−ノルボルネン、５−ヘプチル−２−ノルボルネン、５−オクチル−２−ノルボルネン、５−ノニル−２−ノルボルネン、５−デシル−２−ノルボルネンなど、アルケニル基を有するものとしては、５−アリル−２−ノルボルネン、５−メチリデン−２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（２，３−ジメチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−エチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（３，４−ジメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（７−オクテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−メチル−６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２−ジメチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（５−エチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２，３−トリメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネンなど、アルキニル基を有するものとしては、５−エチニル−２−ノルボルネンなど、シリル基を有するものとしては、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ジメチルビス（（２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル）トリシロキサンなど、アリール基を有するものとしては、５−フェニルー２−ノルボルネン、５−ナフチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニル−２−ノルボルネンなど、アラルキル基を有するものとしては、５−ベンジル−２−ノルボルネン、５−フェネチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニルメタン−２−ノルボルネン、５−（２−ペンタフルオロフェニルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−ペンタフルオロフェニルプロピル）−２−ノルボルネンなど、アルコキシシリル基を有するものとしてはジメチルビス(（５−ノルボルネン−２−イル）メトキシ)シラン、５−トリメトキシシリル−２−ノルボルネン、５−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、５−（２−トリメトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（２−トリエトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−トリメトキシプロピル）−２−ノルボルネン、５−（４−トリメトキシブチル）−２−ノルボルネン、５ートリメチルシリルメチルエーテル−２−ノルボルネンなど、ヒドロキシル基、エーテル基、カルボキシル基、エステル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するものとしては、５−ノルボルネン−２−メタノール、及びこのアルキルエーテル、酢酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、プロピオン酸５−ノルボルネン−２���メチルエステル、酪酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、吉草酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプロン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプリル酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、ラウリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、ステアリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、オレイン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、リノレン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸エチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｔ−ブチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｉ−ブチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリメチルシリルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリエチルシリルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸イソボニルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシエチルエステル、５−ノルボルネン−２−メチル−２−カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、５−ノルボルネン−２−メチルエチルカルボネート、５−ノルボルネン−２−メチルｎ−ブチルカルボネート、５−ノルボルネン−２−メチルｔ−ブチルカルボネート、５−メトキシ−２−ノルボルネン、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−エチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｎ−ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｎ―プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｉ−ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｉ−プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−オクチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−デシルエステルなど、エポキシ基を有するものとしては、５−[（２，３−エポキシプロポキシ）メチル]−２−ノルボルネンなど、またテトラシクロ環から成るものとして、８−メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−エトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−ｎ−プロピルカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−ｉ−プロピルカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−（２−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−（１−メチルプロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−（４’−ｔ−ブチル��クロヘキシロキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]−３−ドデセン、８−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−エトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｉ−プロポキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（２−メチルポロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（１−メチルポロポキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−（４’−ｔ−ブチルシクロヘキシロキシ）カルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−フェノキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチル−８−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]−３−ドデセン、８−メチル−８−アセトキシテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８，９−ジ（メトキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８，９−ジ（エトキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｎ−プロポキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｉ−プロポキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｎ−ブトキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８，９−ジ（ｔ−ブトキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８，９−ジ（シクロへキシロキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８，９−ジ（フェノキシロキシカロボニル）テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８，９−ジ（テトラヒド���フラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]−３−ドデセン、８，９−ジ（テトラヒドロピラニロキシカルボニル）テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]−３−ドデセン、８，９−テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、テトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン−８−カルボン酸、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン−８−カルボン酸、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−エチルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデック−３−エン、８−メチルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．０１，６]ドデック−３−エン、８−エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１２]ドデック−３−エン、８−エチリデンテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１００１，６]ドデック−３−エンなどが挙げられる。【００７６】
前記エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂は、好ましくは一般的に式（２）で表されるように、ノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体である。【００７７】
【化２】
2008153082.tif 000004
【００７８】
前記エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）としては、式（３）および（４）で表される重合体が硬化後のポリマー特性（低弾性率・高伸び率・低吸水率等）の点から好ましい。式（４）のように、アラルキル基を有するノルボルネンモノマーをポリマーに導入することで、ネガ型現像液の溶媒として用いられているシクロペンタノンやヘプタノンなどの極性溶媒への溶解性を向上させることが可能となり、作業性に優れるという利点を有する。【００７９】
【化３】
2008153082.tif 000005
【００８０】
【化４】
2008153082.tif 000006
【００８１】
前記エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）として、式（５）で表される重合体が硬化後のポリマー特性の点から更に好ましい。デシル基を有するモノマーを導入することにより低弾性な膜が得られ、また、フェニルエチル基を有するモノマーを導入することにより低吸水性、耐薬品性、極性溶媒溶解性に優れる膜が得られる。【００８２】
【化５】
2008153082.tif 000007
【００８３】
共重合体中のエポキシ基を有するモノマーの含有率としては、露光により架橋し、現像液に耐えうる架橋密度が得られることで決めることができる。エポキシ基を有するモノマー含有率がポリマー中に５〜９５モル％、好ましくは、２０〜８０モル％、さらに好ましくは３０〜７０％の割合で使用する。こうして得られるポリマーは低吸水性（＜０．３ｗｔ％）、低誘電率（＜２．６）、低誘電損失（０．００１）、ガラス転移点（１７０〜４００℃）などの優れた物理特性を示す。【００８４】
このようなＢ組成の樹脂組成物で構成される樹脂層は、光照射によりパターニング可能なものであることが好ましい。これにより、高精度かつ低コストで必要な箇所だけに樹脂層を配置することができる。【００８５】
前記樹脂層を光照射によりパターニング可能とするためには、前記Ｂ組成の樹脂組成物には、光酸発生剤、増感剤、酸捕捉剤等を添加することが好ましい。【００８６】
前記光酸発生剤としては、公知のあらゆる化合物を用いることができる。光酸発生剤はエポキシ基の架橋を行うとともに、その後の硬化により基板との密着性を向上する。好ましい光酸発生剤としてはオニウム塩、ハロゲン化合物、硫酸塩やその混合物である。例えばオニウム塩としては、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、スルフォニウム塩、リン酸塩、アルソニウム塩、オキソニウム塩などである。前記のオニウム塩とカウンターアニオンを作ることができる化合物である限り、カウンターアニオンの制限はない。カウンターアニオンの例としては、ホウ酸、アルソニウム酸、リン酸、アンチモニック酸、硫酸塩、カルボン酸とその塩化物であるがこれに限定されない。オニウム塩の光酸発生剤としては、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロアルセナート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロサルフェート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアーセナート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、４−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォニウム、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオロフォスフォネート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオスルフォネート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムトリフルオロボレート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロアーセネート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルフォスフェート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロスルフォネート、トリス（４−メトキシフェニル）スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオアンチモネート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムヘキサフルオフォスフェート、トリス（４−メチルフェニル）スルフォニウムトリフルオロスフォネート、トリフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアーセネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリフェニルヨードニウムトリフルオロスルフォネート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアーセネイト、３，３−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアーセネイト、４，４−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネートを単独で使用しても混合して使用しても良い。【００８７】
ハロゲンを含有している光酸発生剤の例としては、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）トリアジン、２−アリル−４，６−ビス（トリクロロメチル）トリアジン、α,β,α−トリブロモメチルフェニルスルフォン、α、α―２，３，５，６−ヘキサクロロキシレン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロキシレン、１，１，１−トリス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）エタンとそれらの混合物である。
スルフォネート系の光酸発生剤としては、２−ニトロベンジルトシレート、２，６−ジニトロベンジルトシレート、２，４−ジニトロベンジルトシレート、２−ニトロベンジルメチルスフォネート、２−ニトロベンジルアセテート、９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルフォネート、１，２，３−トリス（メタンスルフォニルロキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（エタンスルフォニルロキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（プロパンスルフォニルロキシ）ベンゼンなどであるがこれに限定されない。【００８８】
好ましくは、光酸発生剤としては４，４’−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、４，４’，４”−トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４，４’−ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（ｔ−ブチルフェニル）スルフォニムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、（４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートとそれらの混合物である。【００８９】
本発明における光酸発生剤の配合割合としては、環状オレフィン系樹脂１００重量部に対して０．１〜１００重量部であり、より好ましくは０．１〜１０重量部である。【００９０】
前記増感剤は、光酸発生剤を活性化することが可能な波長の範囲を広げることが可能で、ポリマーの架橋反応に直接影響を与えない範囲で加えることができる。最適な増感剤としては、使用された光源近くに最大吸光係数を持ち、吸収したエネルギーを効率的に光酸発生剤に渡すことができる化合物である。光酸発生剤の増感剤としては、アントラセン、パイレン、パリレン等のシクロ芳香族である。例えば２−イソプロピル−９Ｈ―チオキサンテン−９−エン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサンテン、フェノチアジンとそれらの混合物である。本発明における光酸発生剤の配合割合としては、例えば環状オレフィン系樹脂１００重量部に対して０．１〜１０重量部であり、より好ましくは０．２〜５重量部である。光源がｇ線（４３６ｎｍ）とｉ線(３６５ｎｍ)などの長波長の場合、増感剤は光酸発生剤を活性化するのに有効である。【００９１】
前記酸捕捉剤は、かかる樹脂組成物で構成される樹脂層の解像度を向上する効果を有するものである。すなわち、光化学反応の間に酸捕捉剤は未露光部へ拡散する酸を吸収する。酸捕捉剤としては、例えばピリジン、ルチジン、フェノチアジン、トリ−ｎ−プロピルアミンとトリエチルアミン等の第二、第三アミンであるがこれに限定されない。酸捕捉剤の配合割合としては、例えば環状オレフィン系樹脂１００重量部に対して０．１〜０．０５重量部である。【００９２】
このようなＢ組成の樹脂組成物には、必要に応じてレベリング剤、酸化防止剤、難燃剤、可塑剤、シランカップリング剤等の添加剤を添加することができる。【００９３】
かかるＢ組成の樹脂組成物を用いて、前記Ａ組成の樹脂組成物と同様にして、スルーホール埋め込み材用のフィルムを作成することができる。このスルーホール埋め込み材用のフィルムを、スルーホール１を有する半導体素子１００（半導体基板１０）にラミネートして、前記スルーホール１をスルーホール埋め込み材用のフィルムで埋め込むことができる。そして、スルーホール埋め込み材用のフィルムを加熱硬化させてスルーホール埋め込み材（本発明の埋め込み材）を得ることができる。
また、上述した各Ａ組成およびＢ組成の樹脂組成物は、スルーホール１を有する半導体素子１００（半導体基板１０）に、ワニスの状態で塗布して乾燥後、硬化させて、スルーホール埋め込み材（本発明の埋め込み材）を得るようにしてもよい。【００９４】
次に、絶縁層について説明する。
上述のスルーホール埋め込み材用のフィルムを、図２に示すようにスルーホール１を埋め込むと共に、半導体基板１０の機能面１０１と反対側の面１０２を覆うように、半導体基板１０に貼着し、硬化する。これにより、反対側の面１０２に配置された層状の絶縁部３’と、この絶縁部３’とが一体的に形成され、スルーホール１に埋め込まれた埋め込み部３とを有する絶縁層（スルーホール埋め込み材）が形成される。かかる絶縁層を設けることにより、スルーホール１中に存在する導電部材１１を保護すると共に、半導体基板１０の機能面１０１と反対側の面１０２に存在する再配線回路を保護することができる。【００９５】
また、スルーホール埋め込み材用のフィルムを、上述したような光照射によりパターニング可能な樹脂組成物（例えば、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂、熱硬化性樹脂、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂を含むＡ組成の樹脂組成物）で構成する場合、光照射によりパターニングすることが可能となる。したがって、この場合、スルーホール埋め込み材用のフィルムを硬化させる前に、任意のパターンにパターニングすることにより、任意の回路配線を形成することが、レジスト材料を用いることなく可能となる。例えばフォトマスク等を用いてスルーホール埋め込み材用のフィルムに光を選択的に照射すると、照射された部分のスルーホール埋め込み材用のフィルムを構成する樹脂組成物に含まれる光硬化性樹脂が光硬化する。このため、現像液、例えばアルカリ水溶液、有機溶剤などで、光照射（露光）後のスルーホール埋め込み材用のフィルムを現像すると、光照射された部分のみが、現像液に溶解せずに残り、目的の形状に、位置合わせ精度よく、スルーホール埋め込み材用のフィルムをパターニングする（残す）ことができ、それによって、得られる絶縁層には、後述する図３に示すような開口部３１’を形成することができる。【００９６】
このような絶縁部３’の厚さは、特に限定されないが、１０〜６０μｍが好ましく、特に１５〜５５μｍが好ましい。絶縁部３’の厚さが前記範囲内であると、特に、半導体素子１００の温度サイクル試験や、耐リフロー試験の信頼性に優れる。【００９７】
次に、半導体装置について説明する。
まず、本発明の半導体装置の第１実施形態について説明する。【００９８】
図３は、第１実施形態の半導体装置の一部を示す縦断面図である。【００９９】
図３に示すように、半導体装置５００は、上述した半導体素子１００と、透明基板４とが、スペーサ５を介して接合されている。【０１００】
半導体素子１００が備える半導体基板１０の機能面１０１側の中央部には、マイクロレンズ６０が搭載されており、透明基板を透過した光エネルギーを受光し、半導体素子１００に送信する。マイクロレンズ６０が設けられている部分以外の半導体基板１０の機能面１０１には、保護膜２１が形成されている。【０１０１】
半導体素子１００と、透明基板４との外周部をスペーサ５で接合しているので、マイクロレンズ６０の上側（透明基板側）は、空隙８が形成される（中空構造となっている）。これにより、半導体装置の生産工程においてマイクロレンズ６０に埃等が付着するのを防止することができる。
半導体基板１０は、上述したようにスルーホール１を有しており、その内部に導電部材１１が設けられている。半導体基板１０の機能面１０１と反対側の面１０２には、回路配線１２が設けられている。そして、スルーホール１の内周面および半導体基板の面１０２には、導電部材１１および回路配線１２に対する絶縁状態を保持するための絶縁処理が施されている。かかる絶縁処理としては、例えば、半導体基板１０の表面を選択的に酸化する、熱処理、酸素プラズマ処理のような酸化処理、後述する第２実施形態のように、樹脂材料で絶縁層を形成する処理等が挙げられる。【０１０２】
導電部材１１の内部には、埋め込み部３が充填されている。そして、埋め込み部３と一体化されている層状の絶縁部３’が、回路配線１２を覆っている。本実施形態では、これらの埋め込み部３と絶縁部３’とにより、絶縁層が構成されている。【０１０３】
なお、本発明においては、必要に応じて、絶縁部３’を省略して、スルーホール１を埋め込む埋め込み部を単独で形成するようにしてもよい。この場合、埋め込み部が本発明の埋め込み材となる。【０１０４】
本実施形態では、かかる絶縁層を形成するのに、上述したような光照射によりパターニング可能な樹脂組成物で構成されるスルーホール埋め込み材用のフィルムを用いるので、フォトリソグラフィ法により開口部を形成できるようになっている。すなわち、スルーホール埋め込み材用のフィルムは、硬化前にパターニングされ、絶縁層の絶縁部３’には、開口部３１’が形成されている。そして、開口部３１’の内部および絶縁層の半導体基板と反対側の面には回路配線１２が設けられている。【０１０５】
また、回路配線１２の下側（図３中の下側）には、さらに絶縁層３１が配置されている。絶縁層３１には、半田バンプ７１が配置される開口部が形成されている。【０１０６】
また、スペーサ５を構成する樹脂組成物と、絶縁層（埋め込み部３および絶縁部３’）とを構成する樹脂組成物とは、同じであっても異なっていても良いが、同じ樹脂組成物であることが好ましい。これにより、半導体装置５００の反りを低減することができる。【０１０７】
したがって、スペーサ５を構成する樹脂組成物は、上述したようなラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むＡ組成の樹脂組成物、環状オレフィン系樹脂を含むＢ組成の樹脂組成物またはこれらの混合物を含むことが好ましい。【０１０８】
また、絶縁層３１も、特に限定されないが、上述の絶縁層（埋め込み部３および絶縁部３’）を構成する樹脂組成物と同様の樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、フォトリソグラフィ法により開口部を形成することが可能となる。【０１０９】
次に、本発明の半導体装置の第２実施形態について説明する。
図４は、第２実施形態の半導体装置の一部を示す縦断面図である。【０１１０】
以下、第２実施形態の半導体装置について説明するが、前記第１実施形態の半導体装置との相違点を中心に説明し、同様の事項については、適宜省略する。【０１１１】
図４に示すように半導体装置５００は、半導体基板１０を備える半導体素子１００と、透明基板（ガラス基板）４と、半導体基板１０と透明基板４との間に空隙（中空部）８を形成するように設けられたスペーサ（枠部材）５とで構成されている。
半導体基板１０には、板厚方向に貫通するスルーホール（貫通孔）１が形成されており、そのスルーホール１の内部に貫通電極（導体部）６が設けられている。【０１１２】
この貫通電極６は、半導体基板１０に設けられたスルーホール１の内面および面（機能面１０１と反対側の面）１０２を覆うように形成された第１樹脂層３１と、第１樹脂層３１に接合された第２樹脂層３２とを貫通して設けられている。そして、半導体基板１０の機能面（他方の面）１０１に設けられた配線パターンの端子部２と電気的に接続されている。【０１１３】
一方、第２樹脂層３２の第１樹脂層３１と反対側の面（図４中の下側の面）には、配線パターン７が形成されており、貫通電極６と電気的に接続されている。また、貫通電極６および配線パターン７を覆うように、第３樹脂層（ソルダーレジスト層）３３が形成されており、配線パターン７の一部には、第３樹脂層３３を貫通して半田バンプ７１が形成されている。【０１１４】
本実施形態では、第１樹脂層３１、第２樹脂層３２および第３樹脂層３３により、絶縁層が構成されている。【０１１５】
前述したように、第１樹脂層３１は、スルーホール１の内面および半導体基板１０の一方の面１０２（図４中の下側の面）を覆うように形成されている。
また、第２樹脂層３２は、第１樹脂層３１と接合するように設けられている。【０１１６】
このような半導体装置５００において、本発明は第１樹脂層３１の弾性率が、第２樹脂層３２の弾性率よりも低いことを特徴とする。これにより、第２樹脂層３２が硬化する際に発生する応力を第１樹脂層３１が吸収することができ、それによって半導体装置５００の反りを低減することかができる。【０１１７】
このような第１樹脂層３１の弾性率は、特に限定されないが、２，５００ＭＰａ以下であることが好ましく、特に２，０００ＭＰａ以下であることが望ましく、最も１，０００〜１，８００ＭＰａであることが好ましい。第１樹脂層３１の弾性率が前記範囲内であると、特に第２樹脂層３２が硬化する際に生じる応力を吸収する作用に優れる。【０１１８】
第１樹脂層３１は、特に限定されないが、光照射によりパターニング可能であることが好ましい。これにより、高精度かつ低コストで必要な箇所だけに樹脂層を配置することができる。【０１１９】
また、第２樹脂層３２の弾性率も特に限定されないが、３，５００ＭＰａ以上であることが好ましく、特に４，０００ＭＰａ以上であることが好ましく、最も４，５００〜５，５００ＭＰａであることが好ましい。第２樹脂層３２の弾性率が前記範囲内であると、絶縁性が高く、かつ信頼性に優れる半導体装置５００を得ることができる。これは、前記範囲内の弾性率を有するような第２樹脂層３２は、結果として熱膨張係数が小さく、かつ耐熱性が高い樹脂を使用することになる。そのため、レーザーで貫通穴を加工する際の穴側壁の損傷を小さくすることができる（耐レーザー加工性）からである。【０１２０】
また、第２樹脂層３２のガラス転移温度以下での熱膨張係数は、特に限定されないが、１００ｐｐｍ以下であることが好ましく、特に８０ｐｐｍ以下が好ましく、最も２０〜６０ｐｐｍが好ましい。第２樹脂層３２のガラス転移温度以下での熱膨張係数が前記範囲にあると、半導体装置５００を製造する各プロセスにおける熱による伸び縮みが小さくなるため、半導体基板１０と第２樹脂層３２との間の伸び縮みの差が小さくなり、半導体装置５００の反りを低減できる。さらに、後工程の歩留まりを向上できると共に、信頼性の高い半導体装置５００を得ることが出来る。【０１２１】
前記第１樹脂層３１の弾性率をＡとし、第２樹脂層３２の弾性率をＢとしたとき、弾性率の比（Ａ／Ｂ）は、特に限定されないが、０．２〜０．８であることが好ましく、特に０．２〜０．５であることが好ましい。弾性率の比が前記範囲内であると、信頼性に優れる第２樹脂層３２を用いつつも、半導体装置５００の反りを低減することができる。さらに、かかる第３樹脂層３２は、耐レーザー加工性に優れ、それによって信頼性の高い半導体装置５００を得ることができる。【０１２２】
次に、このような第１樹脂層３１、第２樹脂層３２および第３樹脂層３３について詳細に説明する。【０１２３】
（第１樹脂層３１）
第１樹脂層３１は、上述した樹脂組成物、すなわち、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むＡ組成、環状オレフィン系樹脂を含むＢ組成、または、これらの混合物と同様の第１樹脂組成物で構成される。【０１２４】
スルーホール１を有する半導体基板１０に、上述の第１樹脂組成物を１）ワニスの状態で塗布して乾燥する方法、２）フィルム状態でラミネートする方法等により、スルーホール１の内面および半導体基板１０の一方の面１０２を覆うことができる。その後、例えば、フォトリソグラフィ法等により第１樹脂層３１を選択的に除去して、第１樹脂層３１から端子部２を露出させる。【０１２５】
ここで、第１樹脂層３１は、後述する第２樹脂層３２と比較して耐熱性の低い材料で構成されるが、端子部２を露出させる際にフォトリソグラフィ法を用いることができ、レーザー加工を用いる場合のように第１樹脂層３１を加熱する必要がないため、端子部２を露出させた近傍で第１樹脂層３１に変質・劣化を生じることなく、第１樹脂層３１を除去することができる。【０１２６】
（第２樹脂層３２）
第２樹脂層３２は、例えば硬化性樹脂と、硬化剤等とを含む第２樹脂組成物で構成されている。
硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。  これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用してもよい。
これらの中でも、特に、シアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。これにより、第２樹脂層３２の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、第２樹脂層３２の電気特性（低誘電率、低誘電正接）等にも優れる。【０１２７】
前記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度増加による耐熱性向上と、第２樹脂組成物等の難燃性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、第２樹脂層３２を薄膜化（厚さ３５μｍ以下）した場合であっても第２樹脂層３２に優れた剛性を付与することができる。特に加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも特に優れる。【０１２８】
前記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば式（６）で示されるものを使用することができる。【０１２９】
【化６】
2008153082.tif 000008
【０１３０】
前記式（６）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低下し、加熱時に低量体が脱離、揮発する場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、第２樹脂層３２の成形性が低下する場合がある。【０１３１】
前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜４，５００が好ましく、特に６００〜３，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると第２樹脂層３２を作製した場合にタック性が生じ、第２樹脂層３２同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が前記上現値を超えると反応が速くなりすぎ、基板（特に回路基板）とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。
前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。【０１３２】
また、特に限定されないが、前記シアネート樹脂は、１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。【０１３３】
前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第２樹脂組成物全体の５〜５０重量％が好ましく、特に２０〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると第２樹脂層３２を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えると第２樹脂層３２の強度が低下する場合がある。【０１３４】
また、前記第２樹脂組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。これにより、最終的に得られる回路基板を薄膜化（厚さ０．５ｍｍ以下）にしても強度に優れることができる。さらに、回路基板の低熱膨張化を向上することもできる。
前記無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。無機充填材として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、シリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために第２樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。【０１３５】
前記無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０１〜５．０μｍが好ましく、特に０．１〜２．０μｍが好ましい。無機充填材の粒径が前記下限値未満であるとワニスの粘度が高くなるため、第２樹脂層３２作製時の作業性に影響を与える場合がある。また、前記上限値を超えると、ワニス中で無機充填剤の沈降等の現象が起こる場合がある。
この平均粒子径は、例えば粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定す
ることができる。【０１３６】
また前記無機充填材は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることができる。さらに平均粒子径が単分散及び／または、多分散の無機充填材を１種類または２種類以上とを併用したりすることもできる。【０１３７】
更に平均粒子径５．０μｍ以下の球状シリカ（特に球状溶融シリカ）が好ましく、特に平均粒子径０．０１〜２．０μｍの球状溶融シリカが好ましい。これにより、無機充填剤の充填性を向上させることができる。【０１３８】
前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、第２樹脂組成物全体の２０〜８０重量％が好ましく、特に３０〜７０重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に低熱膨張、低吸水とすることができる。【０１３９】
前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を用いることが好ましい。前記エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
これらエポキシ樹脂の中でも特にアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。【０１４０】
前記アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式（７）で示すことができる。【０１４１】
【化７】
2008153082.tif 000009
【０１４２】
前記式（７）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜５が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原因となる場合がある。【０１４３】
前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、第２樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に２〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる半導体素子１００（製品）の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると、第２樹脂層３２の耐熱性が低下する場合がある。【０１４４】
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜２０，０００が好ましく、特に８００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると、第２樹脂層３２にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると、第２樹脂層３２作製時に、第２樹脂組成物をスルーホール１内へ十分に供給できなくなり、均一な半導体素子１００（製品）が得られない場合がある。  
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。【０１４５】
前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、フェノール樹脂を用いることが好ましい。前記フェノール樹脂としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂等が挙げられる。フェノール樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも特に、アリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、さらに、半導体素子１００の吸湿半田耐熱性を向上させることができる。【０１４６】
前記アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えばキシリレン型フェノール樹脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂等が挙げられる。ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂は、例えば式（８）で示すことができる。【０１４７】
【化８】
2008153082.tif 000010
【０１４８】
前記式（８）で示されるビフェニルジメチレン型フェノール樹脂の繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１２が好ましく、特に２〜８が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であると、第２樹脂層３２の耐熱性が低下する場合がある。また、前記上限値を超えると他の樹脂との相溶性が低下し、作業性が低下する場合がある。【０１４９】
前述のシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）とアリールアルキレン型フェノール樹脂との組合せにより、架橋密度をコントロールし、反応性を容易に制御できる。【０１５０】
前記フェノール樹脂の含有量は、特に限定されないが、第２樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると、第２樹脂層３２の耐熱性が低下する場合があり、前記上限値を超えると、第２樹脂層３２の低熱膨張の特性が損なわれる場合がある。【０１５１】
前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量４００〜１８，０００が好ましく、特に５００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると、第２樹脂層３２にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると、第２樹脂層３２作製時、シート状基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。  
前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。【０１５２】
更に、前記シアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）と前記フェノール樹脂（アリールアルキレン型フェノール樹脂、特にビフェニルジメチレン型フェノール樹脂）と前記エポキシ樹脂（アリールアルキレン型エポキシ樹脂、特にビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂）との組合せを用いて第２樹脂層３２を作製した場合、特に優れた寸法安定性を有する第２樹脂層３２を得ることが出来る。【０１５３】
前記第２樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい。前記カップリング剤は、前記熱硬化性樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、得られる第２樹脂層３２において、熱硬化性樹脂等および無機充填材を均一に定着させることができるため、耐熱性、特に吸湿後の耐熱性を向上させることができる。
前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。【０１５４】
前記カップリング剤の添加量は、前記無機充填材の比表面積に依存するので特に限定されないが、無機充填材１００重量部に対して０．０５〜３重量部が好ましく、特に０．１〜２重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると第２樹脂層３２において無機充填材を十分に被覆できないため、第２樹脂層３２の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、第２樹脂層３２の曲げ強度等が低下する場合がある。【０１５５】
前記第２樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を用いても良い。前記硬化促進剤としては公知の物を用いることが出来る。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用したりすることもできる。【０１５６】
前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、前記第２樹脂組成物全体の０．０５〜５重量％が好ましく、特に０．２〜２重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると第２樹脂組成物の硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えると第２樹脂層３２の保存性が低下する場合がある。【０１５７】
前記第２樹脂組成物では、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体等のポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマー等の熱可塑性エラストマ−、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエン等のジエン系エラストマーを併用しても良い。
また、前記第２樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加しても良い。【０１５８】
第１樹脂層３１に、上述の第２樹脂組成物を１）ワニスの状態で塗布して乾燥する方法、２）フィルム状態でラミネートする方法等により、スルーホール１の内部を埋め込むように半導体基板１の一方の面１０２を覆うことができる。その後、例えば、レーザー加工等により第２樹脂層３２を選択的に除去して、第２樹脂層３２から端子部２を露出させる。【０１５９】
ここで、上記のように第１樹脂層３１から端子部２が露出した状態で、第２樹脂層３２を選択的に除去して、再び端子部２を露出させて第２樹脂層３２を得る構成とすれば、レーザー加工により除去すべき部分は、第２樹脂層３２だけで構成されることとなる。第２樹脂層３２は、耐熱性に優れた材料で構成されているため、たとえレーザー加工により除去したとしても、端子部２を露出させた近傍で第２樹脂層３２が変質・劣化してしまうのを確実に防止することができる。【０１６０】
（第３樹脂層３３）
第３樹脂層３３は、上述した樹脂組成物、すなわち、ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と、熱硬化性樹脂と、前記ラジカル重合性二重結合を有する樹脂と異なるアルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂とを含むＡ組成、環状オレフィン系樹脂を含むＢ組成、または、これらの混合物と同様の第３樹脂組成物で構成するのが好ましい。これにより、半導体基板１０に反りが生じるのを的確に低減しつつ、この半導体基板１０に形成されているスルーホール（貫通孔）１の内部を確実かつ十分に埋め込むことができる。【０１６１】
また、第３樹脂層３３も、前記第１樹脂層３１と同様にして形成することができる。【０１６２】
このように、第２実施形態の半導体装置５００は、半導体基板１０に設けられたスルーホール（貫通孔）１を、弾性率が異なる第１樹脂層３１および第２樹脂層３２とで埋め込むものである。これにより、半導体基板１０の反りを低減することができるものである。すなわち、半導体基板１０側に設けられる第１樹脂層３１としては弾性率の低いものを用い、基板への応力を緩和させる機能を付与し、第１樹脂層３１に接合して設けられる第２樹脂層３２としては弾性率の高いものを用いて、結果として、熱膨張係数が小さく、かつ耐熱性が高い樹脂を使用することになり、そのため、レーザー加工でスルーホール１を加工する際の穴側壁の損傷を小さくすることができる（耐レーザー加工性）機能を付与するものである。
【実施例】
【０１６３】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１Ａ）
１．アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂（光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂：メタクリル変性ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂：ＭＰＮ）の合成
ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂（フェノライトＬＦ−４８７１、大日本インキ化学社製）の固形分６０％ＭＥＫ溶液５００ｇを、２Ｌフラスコ中に投入し、これに触媒としてトリブチルアミン１．５ｇ、および重合禁止剤としてハイドロキノン０．１５ｇを添加し、１００℃に加温した。その中へ、グリシジルメタクリレート１８０．９ｇを３０分間で滴下し、１００℃で５時間攪拌反応させることにより、不揮発分７４％のメタクリル変性ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂（メタクリル変性率５０％）を得た。【０１６４】
２．樹脂ワニスの調製
アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂として上記のメタクリル変性ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂（ＭＰＮ）３１．７４重量％と、光重合性樹脂として室温で液状のアクリル樹脂モノマー（新中村化学社製、ＮＫエステル  ３Ｇ）９．８３重量％と、熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡ型ノボラック型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、エピクロンＮ−８６５）１９．８４重量％、シリコーンエポキシ樹脂（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製、ＢＹ１６−１１５）３．６３重量％、粒子状の充填材としてシリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｅ２、平均粒子径：０．５μｍ、最大粒径：２μｍ）３３．７１重量％とを秤量し、さらにメチルエチルケトン（ＭＥＫ、大伸化学社製）を添加し、樹脂成分濃度が７１％となるように調製した。そして、ビスフェノールＡ型ノボラック型エポキシ樹脂（Ｎ−８６５）が溶解するまで攪拌した。【０１６５】
次に、ビーズミル（ビーズ直径４００μｍ、処理速度６ｇ／ｓ、５パス）を用いて、シリカを分散させた。【０１６６】
そして、さらに、硬化剤（感光剤）（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュア６５１）１．２５重量％を添加し、攪拌羽根（４５０ｒｐｍ）にて、１時間攪拌することにより樹脂ワニスを得た。【０１６７】
３．スルーホール埋め込み材用のフィルムの製造
上述の樹脂ワニスをコンマコーターで支持基材ポリエステルフィルム（三菱ポリエステルフィルム社製、Ｔ１００Ｇ、厚さ２５μｍ）に塗布し、８０℃で、１０分乾燥してフィルム化し、膜厚５０μｍのスルーホール埋め込み材用のフィルムを得た。【０１６８】
４．半導体装置の製造
スルーホールの内周面がメッキ処理されたスルーホールを有する半導体素子を用意した。この半導体素子はスルーホール内面のメッキにより、半導体素子が備える半導体基板の機能面と裏面が導通されていた。この半導体素子（半導体基板）に、上述のポリエステルフィルム上のスルーホール埋め込み材用のフィルムを６０℃で真空ラミネートして、スルーホールを埋め込むと共に、半導体基板の裏面側に位置する部分の厚さを５０μｍとした。【０１６９】
次に、スルーホール埋め込み材用のフィルムに所定形状のマスクをし、波長３６５ｎｍの光が２００ｍＪ／ｃｍ２照射されるようにパターン露光した。そして、３％ＴＭＡＨを用いて、スプレー圧０．２ＭＰａで１２０秒間現像し、開口部を形成した。次に１５０℃で９０分間熱処理することによりスルーホール埋め込み材用のフィルムを硬化した。これにより、スルーホールを埋め込む埋め込み部と、半導体基板の裏面を覆う層状の絶縁部とで構成されるスルーホール埋め込み材（絶縁層）を得た。続いて、開口部に半田ボールを搭載して、半導体装置を得た。【０１７０】
なお、スルーホール埋め込み材用のフィルムの室温〜１８０℃での最低溶融粘度は、８０１Ｐａ・ｓであった。【０１７１】
（実施例２Ａ）
無機充填材の配合量を多くして、樹脂ワニスの調製を下記のようにした以外は、実施例１Ａと同様にした。【０１７２】
アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂として上記のメタクリル変性ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂（ＭＰＮ）２３．９４重量％と、光重合性樹脂として室温で液状のアクリル樹脂モノマー（新中村化学社製、ＮＫエステル  ３Ｇ）７．４１重量％と、熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡ型ノボラック型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、エピクロンＮ−８６５）１４．９７重量％と、シリコーンエポキシ樹脂（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製、ＢＹ１６−１１５）２．７４重量％と、粒子状の充填材としてシリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｅ２、平均粒子径：０．５μｍ、最大粒径：２μｍ）５０．００重量％とを秤量し、さらにメチルエチルケトン（ＭＥＫ、大伸化学社製）を添加し、樹脂成分濃度が７１％となるように調製した。そして、ビスフェノールＡ型ノボラック型エポキシ樹脂（Ｎ−８６５）が溶解するまで攪拌した。【０１７３】
次に、ビーズミル（ビーズ直径４００μｍ、処理速度６ｇ／ｓ、５パス）を用いて、シリカを分散させた。【０１７４】
そして、さらに、硬化剤（感光剤）（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュア６５１）０．９４重量％を添加し、攪拌羽根（４５０ｒｐｍ）にて、１時間攪拌することにより樹脂ワニスを得た。【０１７５】
なお、スルーホール埋め込み材用のフィルムの室温〜１８０℃での最低溶融粘度は、３，１０６Ｐａ・ｓであった。【０１７６】
（比較例１Ａ）
アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂を用いずに、樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１Ａと同様にした。【０１７７】
光重合性樹脂として室温で液状のアクリル樹脂モノマー（新中村化学社製、ＮＫエステル  ３Ｇ）１４．４０重量％と、熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡ型ノボラック型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、エピクロンＮ−８６５）２９．０７重量％と、シリコーンエポキシ樹脂（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製、ＢＹ１６−１１５）５．３２重量％と、粒子状の充填材としてシリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｅ２、平均粒子径：０．５μｍ、最大粒径：２μｍ）４９．３８重量％とを秤量し、さらにメチルエチルケトン（ＭＥＫ、大伸化学社製）を添加し、樹脂成分濃度が７１％となるように調製した。そして、ビスフェノールＡ型ノボラック型エポキシ樹脂（Ｎ−８６５）が溶解するまで攪拌した。【０１７８】
次に、ビーズミル（ビーズ直径４００μｍ、処理速度６ｇ／ｓ、５パス）を用いて、シリカを分散させた。【０１７９】
そして、さらに、硬化剤（感光剤）（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュア６５１）１．８３重量％を添加し、攪拌羽根（４５０ｒｐｍ）にて、１時間攪拌することにより樹脂ワニスを得た。【０１８０】
この樹脂ワニスを用いて、スルーホール埋め込み材用のフィルムの製造を行ったが、フィルムに亀裂が入り製膜性が不十分であった。そのため、他の評価を行うことができなかった。【０１８１】
各実施例および比較例で得られたスルーホール埋め込み材用のフィルムおよび半導体装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を、表１に示す。
１．スルーホール埋め込み性
得られたスルーホール埋め込み材用のフィルムを、スルーホールを有する半導体素子が備える半導体基板に６０℃でラミネートして、スルーホールに埋め込んだ後、２００ｍＪ／ｃｍ２の条件で露光し、１５０℃で９０分間硬化して。次に、この半導体素子のスルーホール部分の断面を研磨し、バフ仕上げした。得られた半導体素子を顕微鏡で観察し、スルーホールの深さに対して、どの程度スルーホール埋め込み材が充填されているかを評価した。各符号は、以下の通りである。【０１８２】
◎：スルーホール埋め込み材が、スルーホールの９５％以上充填していた。【０１８３】
○：スルーホール埋め込み材が、スルーホールの８０％以上、９５％未満充填していた。【０１８４】
△：スルーホール埋め込み材が、スルーホールの５０％以上、８０％未満充填していた。【０１８５】
×：スルーホール埋め込み材が、スルーホールの５０％未満しか充填していなかった。【０１８６】
２．現像性
得られたスルーホール埋め込み材用のフィルムの現像性を、２５℃、３％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）に浸け、３分以内に樹脂が溶解し、支持基材ポリエステルフィルム上に残っていなければ、「現像性有り（可能）」と判断し、樹脂が残っていれば「現像性無し（不可能）」と判断した。各符号は、次の通りである。【０１８７】
○：現像性有り
×：現像性無し【０１８８】
３．解像性（開口率）
スルーホール埋め込み材用のフィルムのパターニングの解像性は、以下のように開口率で評価した。【０１８９】
得られたスルーホール埋め込み材用のフィルムをポリイミドフィルムに６０℃でラミネートし、直径２００μｍのビアが開口できるようなネガティブタイプのフィルムマスクを用いて、波長３６５ｎｍの光が２００ｍＪ／ｃｍ２照射されるようにパターン露光した。【０１９０】
その後、３％ＴＭＡＨを用いて、スプレー圧０．１ＭＰａで９０秒間現像し、測長顕微鏡でパターニングされたビア（試験用の孔）の直径を測定し、下記の式を用いて開口率を算出した。
開口率（％）＝実測された開口部の直径（μｍ）／マスクの直径２００（μｍ）×１００【０１９１】
【表１】
2008153082.tif 000011
【０１９２】
表１から明らかなように、実施例１Ａおよび２Ａのスルーホール埋め込み材は、半導体素子のスルーホールの埋め込み性に優れていた。【０１９３】
また、実施例１Ａおよび２Ａのスルーホール埋め込み材用のフィルムは、現像性および解像性にも優れていた。【０１９４】
（実施例１Ｂ）
１．第１樹脂層を形成する第１樹脂ワニスの調製
光反応性官能基を有する環状オレフィン系樹脂として、デシルノルボルネン／グリシジルメチルノルボルネン／フェネチルノルボルネン＝３１／３０／３９の共重合体を使用した。この共重合体は、次のような方法により得た。すべてのガラス機器を６０℃、０．１Ｔｏｒｒ下で１８時間乾燥した。その後、ガラス機器をグローボックス内に備え付けた。次に、エチルアセテート（９１７ｇ）、シクロヘキサン（９１７ｇ）、デシルノルボルネン（７３ｇ、０．３１ｍｏｌ）、グリシジルメチルエーテルノルボルネン（１７７ｇ、０．３０ｍｏｌ）、フェネチルノルボルネン（７７．２ｇ、０．３９ｍｏｌ）を反応フラスコに加えた。その反応フラスコをグローボックスから取り出し、その溶液中に窒素ガスを３０分間通して脱気した。次に、グローボックス中で触媒であるビストルエンビスパーフルオロフェニルニッケル９．３６ｇ（１９．５ｍｍｏｌ）をトルエン１５ｍｌに溶解し、２５ｍｌのシリンジに入れ、グローボックスから取り出し、反応フラスコに加えた。その後、２０℃で５時間攪拌して反応させ、さらに、過酢酸溶液（９７５ｍｍｏｌ）を加え１８時間攪拌した。攪拌を止め、水層と溶媒層に分離した後、水層を取り除いた。残った溶液に１ｌの蒸留水を加え、２０分間攪拌した後、分離した水層を取り除いた。この洗浄工程を３回行った。その洗浄された反応溶液をメタノールに投入し、沈殿物を濾集し、水で充分洗浄した後、真空下で乾燥した。乾燥後３０９ｇ（収率９２％）のポリマー（共重合体）を回収した。得られたポリマーの分子量はＧＰＣによりＭｗ＝７１，０００、Ｍｎ＝３２，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２であった。ポリマー組成はＨ−ＮＭＲからデシルノルボルネンが４５モル％、エポキシノルボルネンが３０モル％、フェネチルノルボルネンが２５モル％であった。
なお、上述の樹脂ワニスを用いて得られた第１樹脂層の弾性率は、１，５００ＭＰａ、熱膨張係数は１４０ｐｐｍ（１００〜２００℃）であった。【０１９５】
２．第２樹脂層を形成する第２樹脂フィルムの調製
シアネート樹脂（ノボラック型シアネート樹脂：ロンザ社製・プリマセットＰＴ-３０、重量平均分子量７００）３０重量部、エポキシ樹脂（ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂：日本化薬社製・ＮＣ-３０００、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２０００）１５重量部、フェノキシ樹脂（ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・ＹＸ-８１００Ｈ３０、重量平均分子量３００００）１５重量部、硬化触媒（イミダゾール化合物：四国化成工業社製・キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール））０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材（球状溶融シリカ：アドマテックス社製・ＳＯ-２５Ｈ、平均粒径０．５μｍ）４０重量部とカップリング剤（エポキシシランカップリング剤：日本ユニカー社製・Ａ-１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
上記で得られた樹脂ワニスを、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の絶縁フィルムの厚さが４０μｍとなるように塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、基材付き絶縁シートを製造した。
なお、上述の樹脂ワニスを用いて得られた第２樹脂層の弾性率は４，０００ＭＰａ、熱膨張係数は３０ｐｐｍであった。【０１９６】
３．半導体装置の製造
板厚方向にスルーホール（φ１００μｍ）を有する半導体基板（φ２００ｍｍ、厚さ１５０μｍ）に、上述した第１樹脂ワニスを塗布、乾燥させて貫通孔を埋め込むと共に半導体基板の下側を覆い、厚さ４０μｍの第１樹脂層を形成した。
次に、第１樹脂層を必要な箇所かつ、貫通孔の壁面にのみ樹脂層が残るように一般的な露光（ｉ線）／現像プロセスを用いてパターニングをし、さらに第１樹脂層をオーブンで１６０℃×１ｈｒで硬化させた。
次に、上述した第１樹脂層を覆うように第２樹脂フィルムを真空ラミネートして、貫通孔を埋め込みとともに、厚さ４０μｍの第２樹脂層を形成した。この第２樹脂層に、第１樹脂層のスルーホールに相当する部分の中央にＵＶ（波長３５５ｎｍ）レーザーを用いて孔を空け、更に第２樹脂層をオーブンで２００℃×１．５ｈｒで硬化させて、半導体装置を得た。【０１９７】
（実施例２Ｂ）
第１樹脂層を構成する樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１Ｂと同様にした。
実施例１のデシルノルボルネン、グリシジルノルボルネン、フェネチルノルボルネンの仕込み量をデシルノルボルネン（１０６ｇ、０．４５ｍｏｌ）、グリシジルメチルエーテルノルボルネン（１７７ｇ、０．３０ｍｏｌ）、フェネチルノルボルネン（４９．５ｇ、０．２５ｍｏｌ）に変えた以外は、実施例1と同様にして、デシルノルボルネン／グリシジルメチルノルボルネン／フェネチルノルボルネン＝４５／３０／２５の共重合体を得た。重合、再沈殿を行い、乾燥後３１９ｇ（収率９５％）のポリマーを回収した。得られたポリマーの分子量はＧＰＣによりＭｗ＝６９０００、Ｍｎ＝３１０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２であった。ポリマー組成はＨ−ＮＭＲからデシルノルボルネンが４４モル％、エポキシノルボルネンが３１モル％、フェネチルノルボルネンが２５モル％であった。
なお、上述の樹脂ワニスを用いて得られた第１樹脂層の弾性率は、９００ＭＰａ、熱膨張係数は、２００ｐｐｍ(１００〜２００℃)であった。【０１９８】
（実施例３Ｂ）
第２樹脂層を構成する樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１Ｂと同様にした。
シアネート樹脂（ノボラック型シアネート樹脂：ロンザ社製・プリマセットＰＴ-３０、重量平均分子量７００）４０重量部、エポキシ樹脂（ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂：日本化薬社製・ＮＣ-３０００、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２０００）２０重量部、フェノキシ樹脂（ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・ＹＸ-８１００Ｈ３０、重量平均分子量３００００）２０重量部、硬化触媒（イミダゾール化合物：四国化成工業社製・キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール））０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材（球状溶融シリカ：アドマテックス社製・ＳＯ-２５Ｈ、平均粒径０．５μｍ）２０重量部とカップリング剤（エポキシシランカップリング剤：日本ユニカー社製・Ａ-１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
上記で得られた樹脂ワニスを、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の絶縁フィルムの厚さが４０μｍとなるように塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、基材付き絶縁シートを製造した。
なお、上述の樹脂ワニスを用いて得られた第２樹脂層の弾性率は３，５００ＭＰａ、熱膨張係数は４２ｐｐｍであった。【０１９９】
（実施例４Ｂ）
第１樹脂層として、１２−アミノドデカン酸の脱水重縮合により得られるポリアミド樹脂（ナイロン１２）を用いて得られた第１樹脂層の弾性率は、１，０８０ＭＰａ、熱膨張係数は、１２ｐｐｍ(１００〜２００℃)であった。【０２００】
（実施例５Ｂ）
第２樹脂層を構成する樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１Ｂと同様にした。
フェノール樹脂（ノボラック型フェノール樹脂：住友ベークライト社製・ＰＲ−ＨＦ−３、水酸基当量１０５）１５重量部、エポキシ樹脂（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：大日本インキ社製・８３０−Ｓ、エポキシ当量１７５）２５重量部、フェノキシ樹脂（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・４０１０Ｐ、エポキシ当量４４００）２０重量部、硬化触媒（イミダゾール化合物：四国化成工業社製・キュアゾール２ＰＨＺ（２-フェニルー４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール））０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材（球状溶融シリカ：アドマテックス社製・ＳＯ-２５Ｈ、平均粒径０．５μｍ）４０重量部とカップリング剤（エポキシシランカップリング剤：日本ユニカー社製・Ａ-１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
上記で得られた樹脂ワニスを、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の絶縁フィルムの厚さが４０μｍとなるように塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、基材付き絶縁シートを製造した。
なお、上述の樹脂ワニスを用いて得られた第２樹脂層の弾性率は４，８００ＭＰａ、熱膨張係数は４０ｐｐｍであった。【０２０１】
（比較例１Ｂ）
第１樹脂層を用いずに、第２樹脂層のみでスルーホールの内部の穴埋めを行った以外は、実施例１Ｂと同様にした。【０２０２】
（比較例２Ｂ）
第１樹脂層を構成する樹脂ワニスの配合を以下のようにして、第１樹脂層を形成する際に塗布ではなくラミネートする以外は、実施例１Ｂと同様にした。
シアネート樹脂（ノボラック型シアネート樹脂：ロンザ社製・プリマセットＰＴ-３０、重量平均分子量７００）２０重量部、エポキシ樹脂（ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂：日本化薬社製・ＮＣ-３０００、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２０００）１０重量部、フェノキシ樹脂（ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・ＹＸ-８１００Ｈ３０、重量平均分子量３００００）１０重量部、硬化触媒（イミダゾール化合物：四国化成工業社製・キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール））０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材（球状溶融シリカ：アドマテックス社製・ＳＯ-２５Ｈ、平均粒径０．５μｍ）６０重量部とカップリング剤（エポキシシランカップリング剤：日本ユニカー社製・Ａ-１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
上記で得られた樹脂ワニスを、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の絶縁フィルムの厚さが４０μｍとなるように塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、基材付き絶縁シートを製造した。
なお、上述の樹脂ワニスを用いて得られた第１樹脂層の弾性率は５，５００ＭＰａ、熱膨張係数は２０ｐｐｍであった。【０２０３】
各実施例および比較例で得られた半導体装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表２に示す。
１．反り
半導体装置の反りは、接触式の反り測定装置で評価した。【０２０４】
２．信頼性
半導体装置の信頼性は、１８０℃×５ｈｒの熱処理と、２６０℃のＩＲリフロー×１０回での、樹脂膨れ、剥離の有無で評価した。なお評価は、ｎ＝２０で行った。各符号は、以下の通りである。
◎：１８〜２０／２０個の半導体装置で、樹脂膨れ、剥離が無かった。
○：１６〜１７／２０個の半導体装置で、樹脂膨れ、剥離が無かった。
△：１３〜１５／２０個の半導体装置で、樹脂膨れ、剥離がわずかに有った。
×：１〜１２／２０個の半導体装置で、樹脂膨れ、剥離が発生した。【０２０５】
３．レーザー加工性
第１樹脂層のスルーホールに相当する部分の中央にＵＶ（波長３５５ｎｍ）レーザーを用いて孔を空けた際の加工性を評価した。各符号は、以下の通りである。
○：穴の壁面を観察／分析した結果、酸化／炭化が認められなかった
×：穴の壁面を観察／分析した結果、酸化／炭化が認められた【０２０６】
【表２】
2008153082.tif 000012
【０２０７】
表２から明らかなように、実施例１Ｂ〜５Ｂは反り量が低減されていた。
また、実施例１Ｂ〜４Ｂは、信頼性に特に優れていた。
また、実施例１Ｂ〜５Ｂは、レーザー加工性にも優れていた。
【産業上の利用可能性】
【０２０８】
本発明によれば、半導体基板の反り等の発生を低減しつつ、この半導体基板に形成されている貫通孔の内部を確実かつ十分に埋め込むことが可能な樹脂組成物を提供することができる。【０２０９】
また、本発明によれば、かかる樹脂組成物で構成される埋め込み材および絶縁層を有し、反りが低減された半導体装置を得ることができる。かかる半導体装置は、小型で特性に優れたものとなる。【０２１０】
また、特定の第２樹脂層を用いた場合、特にレーザー加工性を向上することができる。したがって、産業上の利用可能性を有する。
【図１】
2008153082.tif 000013
【図２】
2008153082.tif 000014
【図３】
2008153082.tif 000015
【図４】
2008153082.tif 000016
【国際調査報告】
2008153082.tif 000017
2008153082.tif 000018
2008153082.tif 000019
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