【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調レーザデバイスであって、
少なくとも第１のモードの光を増幅するために内部に形成された利得領域を有する第１の導波路と、
第２の導波路であって、該第２導波路が、主に該第２導波路内を伝搬する第２のモードの光を変調するために内部に形成された変調器を有し、該第２導波路が前記第１導波路に関して垂直に配置され、前記第１導波路が、前記第１導波路と前記第２導波路の間で前記第１モードの光を伝達するために内部に形成された横方向テーパを有し、前記第１モードの光が、前記第２モードの光とは異なる実効屈折率を有する、前記の第２の導波路と、
を備えた変調レーザデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２モードの光が、前記第１モードの光のものより小さい実効屈折率を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、前記第２導波路の上に垂直に配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記利得領域が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記変調器が電界吸収型変調器であること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項７】
請求項６に記載のレーザデバイスにおいて、前記多重量子井戸領域にわたる順バイアスが、前記第２モードの光を変調させること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項８】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路がさらに、主に１つの周波数の光を反射する回折格子を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項９】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、ｐドープ領域と、ｎドープ領域と、前記ｐドープ領域と前記ｎドープ領域との間に配置された多重量子井戸とを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｐ＋ドープ基板を備え、前記第２導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第２導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１１】
請求項９に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｎ＋ドープ基板を備え、前記第２導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第２導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路の前記ｎドープ領域が、前記変調器を変調するためのｐ−ｎ接合を作成するため内部に形成されたｐ型ドープ領域を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１３】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１４】
レーザデバイスであって、
少なくとも第１のモードの光を増幅するために内部に形成された利得領域を有する第１の導波路と、
主に第２のモードの光を案内するための第２の導波路であって、該第２導波路が、前記第１導波路に関して垂直に配置され、前記第１導波路が、前記第１導波路と前記第２導波路の間で前記第１モードの光を伝達するために内部に形成された横方向テーパを有し、前記第１モードの光が、前記第２モードとは異なる実効屈折率を有する、前記の第２の導波路と、
第３の導波路であって、該第３導波路が、主に該第３導波路内を伝搬する第３のモードの光を変調するために内部に形成された変調器を有し、該第３導波路が前記第２導波路に関して垂直に配置され、前記第２導波路が、前記第２導波路と前記第３導波路の間で前記第２モードの光を伝達するために内部に形成された横方向テーパを有し、前記第２モードの光が、前記第３モードの光とは異なる実効屈折率を有する、前記の第３の導波路と、
を備えたレーザデバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２モードの光が、前記第１モードの光よりも小さい実効屈折率を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１６】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第３モードの光が、前記第２モードの光よりも小さい実効屈折率を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１７】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、前記第２導波路の上に垂直に配置され、前記第２導波路が、前記第３導波路の上に垂直に配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１８】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記利得領域が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１９】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記変調器が電界吸収型変調器であること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２０】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第３導波路が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２１】
請求項２０に記載のレーザデバイスにおいて、前記多重量子井戸領域にわたる逆バイアスが、前記第３モードの光を変調させること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２２】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路が、主に１つの周波数の光を反射するための回折格子を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２３】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、ｐドープ領域と、ｎドープ領域と、前記ｐドープ領域と前記ｎドープ領域との間に配置された多重量子井戸とを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２４】
請求項２３に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｐ＋ドープ基板を備え、前記第３導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第３導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２５】
請求項２３に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｎ＋ドープ基板を備え、前記第３導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第２導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２６】
請求項２５に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路の前記ｎドープ領域が、前記変調器を変調するためのｐ−ｎ接合を作成するため内部に形成されたｐ型ドープ領域を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２７】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２８】
変調レーザデバイスであって、
少なくとも第１のモードの光を増幅するための利得領域、および主に１つの周波数の光を反射するための回折格子領域を備える第１の導波路と、
第２の導波路であって、該第２導波路が、主に前記第２導波路内を伝搬する第２のモードの光を変調するために内部に形成された変調器を有し、該第２導波路が前記第１導波路に関して垂直に配置され、前記第１導波路が、前記第１導波路と前記第２導波路の間で前記第１モードの光を伝達するために内部に形成された横方向テーパを有し、前記第１モードの光が、前記第２モードの光とは異なる実効屈折率を有する、前記の第２の導波路と、
を備えた変調レーザデバイス。
【請求項２９】
請求項２８に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２モードの光が、前記第１モードの光よりも小さい実効屈折率を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３０】
請求項２９に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、前記第２導波路の上に垂直に配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３１】
請求項２８に記載のレーザデバイスにおいて、前記利得領域が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３２】
請求項２７に記載のレーザデバイスにおいて、前記変調器が電界吸収型変調器であること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３３】
請求項２８に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３４】
請求項３３に記載のレーザデバイスにおいて、前記多重量子井戸領域にわたる逆バイアスが、前記第２モードの光を変調させること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３５】
請求項２８に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、ｐドープ領域と、ｎドープ領域と、前記ｐドープ領域と前記ｎドープ領域との間に配置された多重量子井戸とを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３６】
請求項２８に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｐ＋ドープ基板を備え、前記第２導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第２導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３７】
請求項２８に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｎ＋ドープ基板を備え、前記第２導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第２導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されていること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３８】
請求項３７に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路の前記ｎドープ領域が、前記変調器を変調するためのｐ−ｎ接合を作成するため内部に形成されたｐ型ドープ領域を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３９】
請求項２８に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザを備えること、を特徴とするレーザデバイス。