【手続補正書】
【提出日】平成15年10月7日(2003.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）液体キャリア、（ｉｉ）少なくとも１種の酸化剤、（ｉｉｉ）系が基体の少なくとも１つの層を研磨する速度を増加させる少なくとも１種の研磨添加剤、（ｉｖ）第１の金属層：第２の層の研磨選択性を少なくとも３０：１にする少なくとも１種の停止化合物、並びに（ｖ）研磨パッド及び／又は研磨材を含み、前記停止化合物が、アミン、イミン、アミド、イミド及びそれらの混合物を含む化合物から選択されるカチオン性の窒素含有化合物である、第１の金属層及び第２の層を有する多層基体の１又は複数の層を研磨する系。
【請求項２】
前記液体キャリアが非水性溶媒である、請求項１に記載の系。
【請求項３】
前記液体キャリアが水である、請求項１に記載の系。
【請求項４】
前記系が前記液体キャリアに懸濁されている研磨材を含有している、請求項３に記載の系。
【請求項５】
前記研磨材が前記研磨パッドに固定されている、請求項３に記載の系。
【請求項６】
系に研磨材が存在せず、且つ前記研磨パッドが非研磨性のパッドである、請求項３に記載の系。
【請求項７】
前記少なくとも１種の停止化合物が、第１アミン、第２アミン、第３アミン、第４アミン、エーテルアミン、オリゴマーアミン、オリゴマーイミン、オリゴマーアミド、オリゴマーイミド、ポリマーアミン、ポリマーイミン、ポリマーアミド、ポリマーイミド、及びそれらの混合物を含む化合物から選択される、請求項３に記載の系。
【請求項８】
前記少なくとも１種の停止化合物が、アミノ酸、アミノアルコール、アミノエーテルアルコール、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項３に記載の系。
【請求項９】
前記少なくとも１種の停止化合物が、ポリエーテルアミン、ポリエチレンイミン、Ｎ4−アミノ（Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−アミノプロピル］エチレンジアミン）、４，７，１０−トリオキサトリデカン−１，１３−ジアミン、３，３−ジメチル−４，４−ジアミノジシクロヘキシルメタン、２−フェニルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルジプロピレントリアミン、３−［２−メトキシエトキシ］プロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、１，４−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項７に記載の系。
【請求項１０】
前記停止化合物が、イソホロンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、シクロヘキシル−１，３−プロパンジアミン、チオミカミン、（アミノプロピル）−１，３−プロパンジアミン、テトラエチレン−ペンタアミン、テトラメチルブタンジアミン、プロピルアミン、ジアミノプロパノール、アミノブタノール、（２−アミノエトキシ）エタノール、又はそれらの混合物からなる群より選択される、請求項７に記載の系。
【請求項１１】
前記少なくとも１種の停止化合物が、５ｗｔ％又はそれ未満の濃度で前記液体キャリア中に存在する、請求項３に記載の系。
【請求項１２】
前記少なくとも１種の停止化合物が、３ｗｔ％又はそれ未満の濃度で前記液体キャリア中に存在する、請求項１１に記載の系。
【請求項１３】
前記少なくとも１種の研磨添加剤が、リン含有化合物、窒素含有化合物、硫黄含有化合物、カルボキシル酸、およびそれらの混合物からなる群より選択される、請求項３に記載の系。
【請求項１４】
ポリエチレンイミンを含む少なくとも１種の停止化合物と、ジ−カルボキシル酸、トリ−カルボキシル酸、ポリ−カルボキシル酸、ピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、縮合リン酸塩、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸、及びそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種の研磨添加剤を含有する、請求項３に記載の系。
【請求項１５】
前記少なくとも１種の酸化剤がペルオキシドであり、且つ前記研磨系が、５〜６員ヘテロ窒素含有環を１又は複数有する少なくとも１種の不動態フィルム形成剤を更に含有する、請求項１４に記載の系。
【請求項１６】
２又はそれよりも多くのアミン基を有する少なくとも１種の停止化合物と、ジ−カルボキシル酸、トリ−カルボキシル酸、ポリ−カルボキシル酸、ピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、縮合リン酸塩、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸、及びそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種の研磨添加剤を含有する、請求項３に記載の系。
【請求項１７】
２又はそれよりも多くの第１アミン基を有する少なくとも１種の停止化合物、並びにジ−カルボキシル酸、トリ−カルボキシル酸、ポリ−カルボキシル酸、ピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、縮合リン酸塩、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸及びそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種の研磨添加剤を含有する請求項１６に記載の系。
【請求項１８】
前記少なくとも１種の停止化合物が２又はそれよりも多くの第１アミン基を有し、且つ前記少なくとも１種の研磨添加剤が、ジ−カルボキシル酸、トリ−カルボキシル酸、ポリ−カルボキシル酸及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１７に記載の系。
【請求項１９】
前記少なくとも１種の酸化剤がペルオキシドであり、且つ前記系が、５〜６員ヘテロ窒素含有環を１又は複数有する少なくとも１種の不動態フィルム形成剤を更に含有している、請求項１８に記載の系。
【請求項２０】
前記少なくとも１種の停止化合物が、２又はそれよりも多くの第１アミン基を有し、且つ前記少なくとも１種の研磨添加剤が、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１７に記載の系。
【請求項２１】
前記少なくとも１種の酸化剤がペルオキシドであり、且つ前記系が、５〜６員ヘテロ窒素含有環を１又は複数有する少なくとも１種の不動態フィルム形成剤を更に含有している、請求項２０に記載の系。
【請求項２２】
前記少なくとも１種の停止化合物の分子量が１００超である、請求項１６に記載の系。
【請求項２３】
前記少なくとも１種の停止化合物がアミノプロピル基を有する、請求項１６に記載の系。
【請求項２４】
前記少なくとも１種の停止化合物が３又はそれよりも多くの炭素原子を有する、請求項１６に記載の系。
【請求項２５】
ペルオキシド、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、及び１，４−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジンを含有している、請求項３に記載の系。
【請求項２６】
ペルオキシド、酒石酸、及びポリエチレンイミンを含有している、請求項３に記載の系。
【請求項２７】
前記基体に結合した少なくとも１つの層の研磨速度を低下させる少なくとも１種のポリマー化合物を更に含有している、請求項３に記載の系。
【請求項２８】
少なくとも１種の不動態フィルム形成剤を更に含有している、請求項３に記載の系。
【請求項２９】
前記研磨材が金属酸化物研磨材である、請求項３に記載の系。
【請求項３０】
前記研磨材が、アルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、及びそれらの共生成物、並びにそれらの混合物からなる群より選択される、請求項２９に記載の系。
【請求項３１】
前記研磨材がアルミナである、請求項３０に記載の系。
【請求項３２】
前記少なくとも１種の研磨添加剤がポリ−カルボキシル酸から選択される、請求項１６に記載の系。
【請求項３３】
前記少なくとも１種の停止化合物がポリエーテルアミンである、請求項１６に記載の系。
【請求項３４】
前記少なくとも１種の酸化剤がペルオキシドであり、且つ前記系が、５〜６員ヘテロ窒素含有環を１又は複数有する少なくとも１種の不動態フィルム形成剤を更に含有している、請求項１６に記載の系。
【請求項３５】
前記少なくとも１種の研磨添加剤が、ポリ−カルボキシル酸から選択される、請求項２４に記載の系。
【請求項３６】
前記少なくとも１種の研磨添加剤がカルボキシル酸であり、且つ前記少なくとも１種の停止化合物の分子量が、２５０又はそれよりも大きい、請求項１に記載の系。
【請求項３７】
請求項１〜３６のいずれかに記載の系を基体の表面に接触させること、及びこの系によって前記基体の少なくとも一部を研磨することを含む、基体の研磨方法。
【請求項３８】
（ａ）請求項１〜３６のいずれかに記載の系を、第１の金属層に接触させること、及び
（ｂ）前記基体から前記第１の金属層の少なくとも一部が除去されるまで、前記第１の金属層を前記系で研磨すること、
を含む、第１の金属層及び第２の層を有する多層基体の１又は複数の層を研磨する方法。
【請求項３９】
前記第１の金属層が、銅、アルミニウム、チタン、タングステン、白金、ルテニウム、イリジウム又はそれらの組み合わせを含有する、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記第１の金属層が白金、ルテニウム又はイリジウムであり、且つ前記停止化合物がポリエチレンイミンである、請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
（ｉ）液体キャリア、（ｉｉ）少なくとも１種の酸化剤、（ｉｉｉ）系が基体の少なくとも１つの層を研磨する速度を増加させる少なくとも１種の研磨添加剤、並びに（ｉｖ）第１の金属層：第２の層の研磨選択性を少なくとも３０：１にする少なくとも１種の停止化合物を含有し、前記停止化合物が、アミン、イミン、アミド、イミド及びそれらの混合物を含む化合物から選択されるカチオン性の窒素含有化合物であり、（ｖ）研磨パッド及び／又は研磨材と共に使用される、第１の金属層及び第２の層を有する多層基体の１又は複数の層を研磨する組成物。
【請求項４２】
前記少なくとも１種の停止化合物がポリエチレンイミンであり、且つ前記少なくとも１種の研磨添加剤が、ジ−カルボキシル酸、トリ−カルボキシル酸、ポリ−カルボキシル酸、ピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、縮合リン酸塩、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項４１に記載の組成物。
【請求項４３】
前記少なくとも１種の停止化合物が２又はそれよりも多くのアミン基を有し、且つ前記少なくとも１種の研磨添加剤が、ジ−カルボキシル酸、トリ−カルボキシル酸、ポリ−カルボキシル酸、ピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、縮合リン酸塩、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項４１に記載の組成物。
【請求項４４】
前記少なくとも１種の停止化合物が２又はそれよりも多くの第１アミン基を有し、且つ前記少なくとも１種の研磨添加剤が、ジ−カルボキシル酸、トリ−カルボキシル酸、ポリ−カルボキシル酸、ピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、縮合リン酸塩、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項４３に記載の組成物。
【請求項４５】
前記少なくとも１種の停止化合物が２又はそれよりも多くの第１アミン基を有し、且つ前記少なくとも１種の研磨添加剤が、ジ−カルボキシル酸、トリ−カルボキシル酸、ポリ−カルボキシル酸及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項４４に記載の組成物。
【請求項４６】
前記少なくとも１種の停止化合物が２又はそれよりも多くの第１アミン基を有し、且つ前記少なくとも１種の研磨添加剤が、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項４４に記載の組成物。
【請求項４７】
前記少なくとも１種の停止化合物の分子量が、１００よりも大きい、請求項４３に記載の組成物。
【請求項４８】
前記少なくとも１種の停止化合物がアミノプロピル基を有する、請求項４３に記載の組成物。
【請求項４９】
前記少なくとも１種の酸化剤がペルオキシドであり、且つ前記組成物が、５〜６員ヘテロ窒素含有環を１又は複数有する不動態フィルム形成剤を更に含有する、請求項４３に記載の組成物。
【請求項５０】
請求項４１〜４９のいずれかに記載の組成物を基体の表面に接触させること、及びこの組成物によって前記基体の少なくとも一部を研磨することを含む、基体の研磨方法。
【請求項５１】
（ａ）請求項４１〜４９のいずれかに記載の組成物を、第１の金属層に接触させること、及び
（ｂ）前記基体から前記第１の金属層の少なくとも一部が除去されるまで、前記第１の金属層を前記組成物で研磨すること、
を含む、第１の金属層及び第２の層を有する多層基体の１又は複数の層を研磨する方法。
【請求項５２】
前記第１の金属層が、銅、アルミニウム、チタン、タングステン、白金、ルテニウム、イリジウム又はそれらの組み合わせを含有する、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
前記第１の金属層が、白金、ルテニウム又はイリジウムであり、且つ前記停止化合物がポリエチレンイミンである、請求項５１に記載の方法。