【手続補正書】
【提出日】平成17年7月21日(2005.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＳｉvＯwＣxＨyＦz（ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｙは１０〜５０原子％、ｘは２〜３０原子％、およびｚは０．１〜１５原子％）で表わされ、実質的にフッ素は炭素に結合されていない、３．０未満の誘電率を有する、膜。
【請求項２】
大部分の水素が炭素に結合されている請求項１記載の膜。
【請求項３】
２．０ｇ／ｃｃ未満の嵩密度を有する請求項１記載の膜。
【請求項４】
１．５ｇ／ｃｃ未満の嵩密度を有する請求項１記載の膜。
【請求項５】
小角中性子散乱もしくは陽電子消滅寿命分光法により測定された相当球径５ｎｍ未満の細孔径を有する請求項１記載の膜。
【請求項６】
小角中性子散乱もしくは陽電子消滅寿命分光法により測定された相当球径２．５ｎｍ未満の細孔径を有する請求項１記載の膜。
【請求項７】
集積回路において、絶縁層、層間絶縁膜、金属間絶縁膜、キャッピング層、化学的機械平坦化もしくはエッチングストップ層、バリア層または接着層として与えられる請求項１記載の膜。
【請求項８】
Ｎ2中で４２５℃の等温下に１．０wt％／ｈｒより小さい平均減量を有する請求項１記載の膜。
【請求項９】
空気中で４２５℃の等温下に１．０wt％／ｈｒより小さい平均減量を有する請求項１記載の膜。
【請求項１０】
１．５ｇ／ｃｃ未満の嵩密度、小角中性子散乱もしくは陽電子消滅寿命分光法により測定された相当球径２．５ｎｍ未満の細孔径を有し、大部分の水素は炭素に結合され、そして膜は集積回路において、絶縁層、層間絶縁膜、金属間絶縁膜、キャッピング層、化学的機械平坦化もしくはエッチングストップ層、バリア層または接着層として基板上に堆積される請求項１記載の膜。
【請求項１１】
ｘ／ｚ＞０．２５である請求項１記載の膜。
【請求項１２】
式ＳｉvＯwＣxＨyＦz（ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｙは１０〜５０原子％、ｘは１〜３０原子％、およびｚは０．１〜１５原子％）で表わされ、ｘ／ｚ＞０．２５であり実質的にフッ素は炭素に結合されていない、３．０未満の誘電率を有する、膜。
【請求項１３】
１．５ｇ／ｃｃ未満の嵩密度、小角中性子散乱もしくは陽電子消滅寿命分光法により測定された相当球径２．５ｎｍ未満の細孔径を有し、大部分の水素は炭素に結合され、そして膜は集積回路において、絶縁層、層間絶縁膜、金属間絶縁膜、キャッピング層、化学的機械平坦化もしくはエッチングストップ層、バリア層または接着層として基板上に堆積される請求項１２記載の膜。
【請求項１４】
請求項１記載の膜を製造するための化学的気相堆積法であり、その方法は：
ａ．真空チャンバ内に基板を用意すること；
ｂ．フッ素を供給するガス、酸素を供給するガス、ならびにオルガノシランおよびオルガノシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも１つの前駆体ガスを含むガス状試薬を真空チャンバに導入すること；ならびに
ｃ．該チャンバ内のガス状試薬にエネルギーを加えてガス状試薬の反応を引き起こさせ、そして基板上に膜を形成させること、
を含む方法。
【請求項１５】
少なくとも１つの前駆体ガスが一般式Ｒ1nＳｉＲ24-nのアルキルシラン（ここでｎは１〜３の整数；Ｒ1およびＲ2は独立して、少なくとも１つの分枝もしくは直鎖Ｃ1〜Ｃ8のアルキル基、Ｃ3〜Ｃ8の置換もしくは非置換シクロアルキル基、Ｃ2〜Ｃ10の部分置換アルキル基、Ｃ6〜Ｃ12の置換もしくは非置換芳香族、アルコキシ基を含有する対応する線状、分枝、環状、部分非置換アルキル、もしくは芳香族、ならびにあるいはＲ2は水素化物である）である請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
アルキルシランが、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、フェニルシラン、メチルフェニルシラン、シクロへキシルシラン、ｔｅｒｔ−ブチルシラン、エチルシラン、ジエチルシラン、テトラエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、メチルジエトキシシラン、トリエトキシシラン、トリメチルフェノキシシランおよびフェノキシシランからなる群より選ばれる１員である請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
フッ素を供給するガスおよびその少なくとも１つの前駆体の少なくとも１つが式Ｒ1nＳｉＦ4-n（ここでｎは１〜３の整数；Ｒ1およびＲ2は独立して、少なくとも１つの分枝もしくは直鎖Ｃ1〜Ｃ8のアルキル基、Ｃ3〜Ｃ8の置換もしくは非置換シクロアルキル基、Ｃ2〜Ｃ10の部分置換アルキル基、Ｃ6〜Ｃ12の置換もしくは非置換芳香族、アルコキシ基を含有する対応する線状、分枝、環状、部分非置換アルキル、もしくは芳香族である）を有する請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
フッ素を供給するガスおよびその少なくとも１つの前駆体の少なくとも１つがフルオロトリメチルシラン、ジフルオロジメチルシラン、メチルトリフルオロシラン、フルオロトリエトキシシランもしくはジフルオロジメトキシシランである請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの前駆体が式Ｉ：Ｒ1（Ｒ22ＳｉＯ）nＳｉＲ23の線状オルガノシロキサン（ｎは１〜１０の整数である）または式II：（Ｒ1Ｒ2ＳｉＯ）nの環状オルガノシロキサン（ｎは２〜１０の整数である）
（ここでＲ1およびＲ2は独立して、少なくとも１つの分枝もしくは直鎖Ｃ1〜Ｃ8のアルキル基、Ｃ3〜Ｃ8の置換もしくは非置換シクロアルキル基、Ｃ2〜Ｃ10の部分置換アルキル基、Ｃ6〜Ｃ12の置換もしくは非置換芳香族、アルコキシ基を含有する対応する線状、分枝、環状、部分非置換アルキル、もしくは芳香族、ならびにあるいはＲ2は水素化物である）
である請求項１４記載の方法。
【請求項２０】
オルガノシロキサンが、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，２，２−テトラメチルジシロキサンおよびオクタメチルトリシロキサンからなる群より選ばれる請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
オルガノシランおよびフッ素を供給するガスの少なくとも１つが、少なくとも１つのＳｉ−Ｆ結合を含有する環状もしくは線状オルガノシロキサンである請求項１４記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも１つの前駆体が一般式Ｒ2（ＳｉＲ1Ｒ2）nＲ2の線状オルガノシランオリゴマー（ｎは２〜１０の整数である）、または一般式（ＳｉＲ1Ｒ2）nの環状オルガノシランオリゴマー（ｎは３〜１０の整数）
（ここでＲ1およびＲ2は独立して、少なくとも１つの分枝もしくは直鎖Ｃ1〜Ｃ8のアルキル基、Ｃ3〜Ｃ8置換もしくは非置換シクロアルキル基、Ｃ2〜Ｃ10の部分置換アリキル基、Ｃ6〜Ｃ12の置換もしくは非置換芳香族、アルコキシ基を含有する対応する線状、分枝、環状、部分非置換アルキル、もしくは芳香族、ならびにあるいはＲ2は水素化物である）
である請求項１４記載の方法。
【請求項２３】
線状オルガノシランオリゴマーが１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジメチル−１，１，２，２−ジメトキシジシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルトリシラン、１，２，３，４，５，６−ヘキサフェニルヘキサシラン、１，２−ジメチル−１，２−ジフェニルジシランおよび１，２−ジフェニルジシランからなる群より選ばれる請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
オルガノシランはフッ素を供給するガスの少なくとも１つが、少なくとも１つのＳｉ−Ｆ結合を有する線状もしくは環状オルガノシランである請求項１４記載の方法。
【請求項２５】
少なくとも１つの前駆体が環状アルキルシラン、環状アルコキシシランであるか、または一対のＳｉ原子の間に少なくとも１つのアルコキシもしくはアルキル架橋を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも１つの前駆体が、１，２−ジシラノエタン、１，３−ジシラノプロパン、ジメチルジシラシクロブタン、１，２−ビス（トリメチルシロキシ）シクロブテン、１，１−ジメチル−１−シラ−２，６−ジオキサシクロへキサン、１，１−ジメチル−１−シラ−２−オキサシクロへキサン、１，２−ビス（トリメチルシロキシ）エタン、１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンまたは１，３−ジメチルシラシクロブタンである請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１つの前駆体が、エポキシド、カルボン酸塩、アルキン、ジエン、フェニルエチニル、ひずんだ環状基、および少なくとも１つの前駆体ガスを立体的に妨害またはひずませうるＣ4〜Ｃ10の基からなる群より選ばれる反応性側基を含有する請求項１４記載の方法。
【請求項２８】
フッ素を供給するガスがＳｉＦ4、ＮＦ3、Ｆ2、ＨＦ、ＳＦ6、ＣｌＦ3、ＢＦ3、ＢｒＦ3、ＳＦ4、ＮＦ2Ｃｌ、ＦＳｉＨ3、Ｆ2ＳｉＨ2、Ｆ3ＳｉＨ、オルガノフルオロシランおよびそれらの混合物からなる群から選ばれ、オルガノフルオロシランはいかなるＦ−Ｃ結合をも含有しない、請求項１４記載の方法。
【請求項２９】
酸素を供給するガスが、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、オゾン、過酸化水素、ＮＯ、ＮＯ2、Ｎ2Ｏ4もしくはそれらの混合物である請求項１４記載の方法。
【請求項３０】
半導体基板上に厚さ０．００２〜１０μｍで膜を堆積することをさらに含む請求項１４記載の方法。
【請求項３１】
集積回路において、絶縁層、層間絶縁膜、金属間絶縁膜、キャップ層、化学的機械平坦化もしくはエッチストップ層、バリア層または接着層として膜を用いることをさらに含む請求項１４記載の方法。
【請求項３２】
膜が嵩密度、小角中性子散乱もしくは陽電子消滅寿命分光法により測定された相当球径２．５ｎｍ未満の細孔径を有し、大部分の水素は炭素に結合され、そして膜は集積回路において、絶縁層、層間絶縁膜、金属間絶縁膜、キャッピング層、化学的機械平坦化もしくはエッチングストップ層、バリア層または接着層として基板上に堆積される請求項１４記載の方法。
【請求項３３】
ガス状試薬がフッ素を供給するガス、酸素を供給するガスおよび少なくとも１つの前駆体ガス、の少なくとも２つとして機能する少なくとも１分子を含む請求項１４記載の方法。
【請求項３４】
ガス状試薬がフッ素を供給するガス、酸素を供給するガスおよび少なくとも１つの前駆体ガスとして機能する少なくとも１分子を含む請求項１４記載の方法。
【請求項３５】
該膜が化学的機械平坦化、アルミニウム低減法、銅ダマシン法、もしくは異方エッチングに供される請求項１記載の膜。
【請求項３６】
該膜がシリコン、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＯＳＧ、ＦＳＧ、炭化ケイ素、反射防止被覆、フォトレジスト、有機ポリマー、多孔質有機および無機材料、金属および金属バリア層に接着しうる請求項１記載の膜。
【請求項３７】
オルガノシリカガラス膜を製造するためにオルガノシランもしくはオルガノシロキサンの化学的気相堆積を含むオルガノシリカガラス製造方法において、無機フッ素源が実質的に有機フッ素を含まない膜を製造するためのオルガノシランもしくはオルガノシロキサンの少なくとも１部の堆積の間に無機フッ素を共堆積することを特徴とするオルガノシリカガラスの製造方法。