Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月18日(2003.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｒ１ＣＨ２ＯＨ、Ｒ１Ｒ２ＣＨＯＨ及びＲ１Ｒ２Ｒ３ＣＯＨから選択される第一のヒドロキシル置換有機化合物を、任意に、式Ｒ４ＣＨ２ＯＨ、Ｒ５Ｒ６ＣＨＯＨ及びＲ７Ｒ８Ｒ９ＣＯＨで表される第二のヒドロキシル置換有機化合物と式Ｒ１０Ｒ１１ＣＯで表されるカルボニル化合物とから選択される１種以上の更なる有機化合物の存在下、溶媒として作用する流体に関する超臨界条件又は近臨界条件下の連続流反応器において、酸源を提供することができる不均質触媒に対して曝し、その結果として、２つのヒドロキシル置換有機化合物分子から脱水反応によってエーテルが生成され、ヒドロキシル置換有機化合物分子と該カルボニル化合物分子との間の反応によってアセタール又はケタールが生成され、及び、単一のヒドロキシル置換有機化合物分子の脱水によってアルケンが生成される方法であって、該方法において、温度、圧力及び流量の条件は得ようとする生成物にしたがって調節され、上記式中において、Ｒ１〜Ｒ１１のそれぞれが、水素又はヒドロキシル基；任意に置換されたアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基又はアリール基；又は複素環式基から独立に選択される、前記方法。
【請求項２】
存在しているときにＲ１〜Ｒ１１のそれぞれが任意に置換されたアルキル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該アルキル基のそれぞれが、独立に、炭素鎖（置換基が存在している場合はその置換基を除き）中に１０個以下の炭素原子を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該有機化合物中にあるアルコール基の総数が３を超えない、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
第一のヒドロキシル置換有機化合物が、式Ｒ１ＣＨ２ＯＨ（式中、Ｒ１はヒドロキシル基で置換されたアルキル基である）で表されるジオールである、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
第一のヒドロキシル置換有機化合物が、１，６−ヘキサンジオールである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
反応を超臨界条件下で行う、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
式Ｒ１ＣＨ２ＯＨ、Ｒ１Ｒ２ＣＨＯＨ又はＲ１Ｒ２Ｒ３ＣＯＨで表される有機化合物と、任意に、式Ｒ４ＣＨ２ＯＨ、Ｒ５Ｒ６ＣＨＯＨ、Ｒ７Ｒ８Ｒ９ＣＯＨ又はＲ１０Ｒ１１ＣＯで表される化合物の１種以上とを、二酸化炭素、プロパン、アルケン、アルキン、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、窒素、又はそれらのいずれかから成る混合物中に溶解させる、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
該有機化合物が、超臨界流体又は近臨界流体である、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
該触媒を、ゼオライト、金属酸化物、モレキュラーシーブ、クレー又はスルホン酸誘導体から選択する、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
該触媒が不活性担体上に担持されている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
該触媒が助触媒を含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
該触媒の酸性度がスルホン酸基によって提供される、請求項１０〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
該反応体分子が脂肪族及び／又は芳香族のアルコールである、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
該生成物がエーテルである、請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
式Ｒ１ＣＨ２ＯＨ（式中、Ｒ１はヒドロキシル基で置換されたアルキル基である）で表されるジオール分子と式Ｒ４ＣＨ２ＯＨで表されるアルコール分子とから脱水反応によってモノエーテルを生成させる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
式Ｒ１ＣＨ２ＯＨ（式中、Ｒ１はヒドロキシル基で置換されたアルキル基である）で表されるジオール分子と２つの式Ｒ４ＣＨ２ＯＨで表されるアルコール分子とから脱水反応によってジエーテルを生成させる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
ジオールが、１，６−ヘキサンジオールである、請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
該反応体（１種又は複数種）及び該生成物が、直鎖ｎ−アルキル分子である、請求項１５〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
脂肪族アルコールをアルケンへと転化させる、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
該反応体（１種又は複数種）が単一の均質相を形成する、請求項１〜２０のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞と、その細胞の外側に付着されている精製された天然のまたは組換え体のグリコサミノグリカン類分解酵素とを生体外で含有し、かくして生体内での前記細胞の血管外滲出、移植、浸潤および／または移動を増大させる、生体内で使用するための生体製剤。
【請求項２】
前記細胞が造血細胞、間質細胞、角化細胞、胚盤胞、神経芽細胞、星状膠細胞、線維芽細胞および遺伝的に修飾された細胞からなる群から選択される請求項１に記載の生体製剤。
【請求項３】
前記グリコサミノグリカン類分解酵素が、ヘパラナーゼ、ヘパリナーゼ、グルコロニダーゼ、ヘパリチナーゼ、ヒアルロニダーゼ、スルファターゼおよびコンドロイチナーゼからなる群から選択される請求項１に記載の生体製剤。
【請求項４】
組織または組織の一部と、それらの外側に付着されている精製された天然のまたは組換え体のグリコサミノグリカン類分解酵素とを生体外で含有し、かくして生体内での前記組織または前記組織の一部の移植を増大させる、生体内で使用するための生体製剤。
【請求項５】
前記組織または前記組織の一部が胚、皮膚移植片および骨スクラップからなる群から選択される請求項４に記載の生体製剤。
【請求項６】
前記グリコサミノグリカン類分解酵素が、ヘパラナーゼ、ヘパリナーゼ、グルコロニダーゼ、ヘパリチナーゼ、ヒアルロニダーゼ、スルファターゼおよびコンドロイチナーゼからなる群から選択される請求項４に記載の生体製剤。
【請求項７】
骨形成を必要とする患者に骨形成を誘導する方法であって、治療的に有効な量のヘパラナーゼを患者に投与することを含む方法。
【請求項８】
前記ヘパラナーゼがプロヘパラナーゼである請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ヘパラナーゼが加工されたヘパラナーゼである請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
患者が骨損失、減少した骨質量又は骨折により特徴付けられる医学的症状を有する請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
患者が骨形成不全症を有する請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
患者が骨粗しょう症を有する請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
患者が骨欠損に関連したムコ多糖症又は歯周疾患を有する請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
患者が骨空隙を有する請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
投与が骨内注射である請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
骨形成を必要とする患者に骨形成を誘導するための医薬組成物であって、有効成分として治療的に有効な量のヘパラナーゼ及び医薬的に許容可能なキャリアーを含む医薬組成物。
【請求項１７】
前記ヘパラナーゼがプロへパラナーゼである請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
前記ヘパラナーゼが加工されたへパラナーゼである請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
容器に入れられ、骨損失、減少した骨質量又は骨折により特徴付けられる医学的症状を有する患者において使用するために印刷により識別された請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
容器に入れられ、骨形成不全症を有する患者において使用するために印刷により識別された請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
容器に入れられ、骨粗しょう症を有する患者において使用するために印刷により識別された請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項２２】
容器に入れられ、骨欠損に関連したムコ多糖症又は歯周疾患を有する患者において使用するために印刷により識別された請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項２３】
容器に入れられ、骨空隙を有する患者において使用するために印刷により識別された請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項２４】
骨内注射を介した投与のために処方される請求項１６に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月13日(2004.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
傾斜床上にスラブを支持するための装置であって、
相互に対して回転自在に連結された、傾斜床上に設置される基部材、および上部材を含む上昇要素、ならびに
前記上部材上に回転自在に設置された第一ディスクおよび前記第一ディスク上に回転自在に設置された第二ディスクを有し、
前記上昇要素が前記上部材に対して前記基部材を連続的に回転することにより高さ調整可能であり、
前記第一ディスクは所定傾斜値に従って連続的に上昇した第一傾斜面を有し、
前記第二ディスクは、前記第一および第二ディスクが共に取付けられたときに前記第一傾斜面に対面する第二傾斜面を有し、
前記第一および第二ディスクは、前記第一ディスクに対して前記第二ディスクを回転することにより傾斜床の床傾斜値に対応する必要傾斜値を設定でき、かつ
前記第一および第二ディスクは、更に、前記上部材に対して前記第一および第二ディスクを回転することにより傾斜方向へ設定される構成である、傾斜床上にスラブを支持するための装置。
【請求項２】
前記必要傾斜値のパーセンテージを確認するための傾斜値確認手段が必要傾斜を設定するために前記第一ディスク上に設けられている、請求項１の装置。
【請求項３】
前記第二ディスクは前記傾斜値確認手段を見るための開口部を有する、請求項２の装置。
【請求項４】
傾斜方向を確認するための他の確認手段が前記第二ディスク上に設けられている、請求項２の装置。
【請求項５】
傾斜方向を確認するための前記他の確認手段は前記第二ディスク上の直径方向対峙位置に等しい数である、請求項４の装置。
【請求項６】
前記第一および第二ディスクは前記第一および第二ディスクを分解可能に組立てるための第一組立手段を含む、請求項１の装置。
【請求項７】
前記第一および第二ディスクは前記上部材に前記第一および第二ディスクを分解可能に組立てるための第二組立手段を含む、請求項６の装置。
【請求項８】
前記第一および第二ディスクは前記上部材に前記第一および第二ディスクを分解可能に組立てるための第二組立手段を含む、請求項１の装置。
【請求項９】
前記上部材は外ネジを有し、かつ前記基部材は前記上部材に対して前記基部材の連続回転を可能にするために共働する内ネジを有する、請求項１の装置。
【請求項１０】
前記装置は、コンクリート、木材、鉄、ルーフィング、ＰＶＣ、ＥＰＤＭ等のいずれかの材料で形成された表面上に適用するように形成されている、請求項１の装置。
【請求項１１】
前記装置は、ポリプロピレン、ポリスチレン、高密度ポリエチレン、ポリカーボネート、ガラス繊維含有または含有しない、または耐火性および自己消炎添加物かつ／または他の合成材料を含有または含有しないポエステルの内の少なくとも一つの材料で形成されている、請求項１の装置。
【請求項１２】
傾斜床上にスラブを支持するための装置であって、
相互に対して回転自在に連結された、傾斜床上に連結される基部材、および上部材を有する調整自在上昇要素、
前記上部材上に回転自在に取付けた、第一傾斜面を有する第一ディスク、ならびに
前記第一ディスク上に回転自在に取付けた、第二傾斜面を有する第二ディスクを含み、
前記上部材に対する前記基部材の回転は前記上昇要素を調整し、
前記第二傾斜面は、前記第一および第二ディスクが一緒に取付けられたときに前記第一傾斜面に隣接しかつ対面し、
傾斜床の床傾斜値に対応する必要傾斜値が、前記第一ディスクと第二ディスク間の連結を維持しながら前記第一ディスクに対して前記第二ディスクを回転することにより設定され、かつ
傾斜方向が、前記第一ディスクと第二ディスク間の連結を維持しながら前記上部材に対して前記第一および第二ディスクを一緒に回転することにより設定される、傾斜床上にスラブを支持するための装置。
【請求項１３】
前記第一ディスクは必要傾斜値のパーセンテージを確認するための傾斜値確認手段を有する、請求項１２の装置。
【請求項１４】
前記第二ディスクは前記傾斜値確認手段を観察するための少なくとも一つの開口部を有する、請求項１２の装置。
【請求項１５】
前記第二ディスクは傾斜方向を確認するための第二確認手段を有する、請求項１３の装置。
【請求項１６】
前記第二確認手段は前記第一確認手段と直径方向で対峙している、請求項１５の装置。
【請求項１７】
前記第一および第二ディスクは、前記第一および第二ディスクを分解可能に組立てるための第一組立手段を有する、請求項１２の装置。
【請求項１８】
前記第一および第二ディスクは前記上部材に前記第一および第二ディスクを分解可能に組立てるための第二組立手段を有する、請求項１７の装置。
【請求項１９】
前記第一および第二ディスクは前記上部材に前記第一および第二ディスクを分解可能に組立てるための第二組立手段を有する、請求項１２の装置。
【請求項２０】
前記上部材は外ネジを有し、かつ前記基部材は内ネジを有し、前記外ネジは前記上部材に対する前記基部材の連続的回転を可能にするために前記内ネジと共働する構成である、請求項１２の装置。
【請求項２１】
前記装置は、ポリプロピレン、ポリスチレン、高密度ポリエチレン、ポリカーボネート、ポエステル、アルミニウム、スチール、およびステンレススチールの内の少なくとも一つの材料で形成されている、請求項１２の装置。
【請求項２２】
前記第一ディスクは、前記第二ディスク上のスペースの観察を可能にする貫通孔を有する、請求項１２の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  サブパターンのシーケンスを含むパターンを認識する方法であって：
物理的エンティティを表わすデータシーケンスを生成すること；
少なくとも1つのモデルを含むモデルのネットワーク内に活性のモデルを含む１つの組にデータシーケンスを適用することであって、各モデルがサブパターンを表すもの；
所定の第1の基準にしたがって前記組のメンバの出力のサブセットを選択すること；および、
前記サブセットのメンバに依存して前記組へ別のモデルを追加することを含み、
各モデルが、使用の際に入力データのサブシーケンスと表示されたサブパターンとの間の整合の度合いの表示を出力し、別のモデルが入力として関係するサブセットメンバを使用する方法。
【請求項２】  前記組がまだ別のモデルを含んでいないとき、該モデルのみを前記組に加える請求項1記載の方法。
【請求項３】  データシーケンスを要素ごとにネットワークへ適用し、モデルの組の出力におけるサブセットの選択がデータシーケンス要素の継続する適用の各々に対して行われる請求項１または2記載の方法。
【請求項４】  各モデルが有限状態ネットワークを含む請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  前記組のメンバの各状態を評価すること、および継続するデータシーケンス要素の適用中に、所定の第２の基準を満たさない状態を非活動にすることを含む請求項４記載の方法。
【請求項６】  該状態の全てが非活動にされたときに、前記組からモデルを取除く請求項５記載の方法。
【請求項７】  モデル出力に適用される該所定の第1の基準が、モデル内の状態に適用される該所定の第２の基準よりも厳しい請求項５または６記載の方法。
【請求項８】  モデル出力に適用される該所定の第1の基準の適用が、その値に基づいてモデル出力のヒストグラムを生成すること、および整数である最良のｍの値を有する出力を含むヒストグラムのビン内で出力を選択することを含む請求項１ないし７の何れか１項記載の方法。
【請求項９】  所定値に対して選択されない出力を設定することによってモデル出力が選択される請求項８記載の方法。
【請求項１０】  全てのモデル状態に適用される基準の適用が、その値に基づいて状態のヒストグラムを生成すること、および非活動にするために、整数の最適なｎ値を含む状態を構成するヒストグラムのビン内でそれらの状態を選択する請求項５ないし７の何れか１項記載の方法。
【請求項１１】  請求項１ないし１０の何れか１項記載の言語認識方法。
【請求項１２】  モデルが、サブワード音声化モデルを含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】  請求項１１または１２記載の方法を実行すること、および前記方法の実行結果に依存して言語合成器を動作することとを含む言語信号を生成する方法。
【請求項１４】  電話スイッチングセンタが、請求項１１または１２記載の方法を実行すること、および前記方法の実行結果に依存して電話接続を設定するために電話スイッチングセンタに命令することを含む電話スイッチングセンタを動作する方法。
【請求項１５】  コンピュータをサブパターンのシーケンスを含むパターンを認識するように動作する方法であって：
物理的エンティティを表わすデータシーケンスを生成すること；
少なくとも1つのモデルを含むモデルのネットワーク内に活性のモデルを含む１つの組にデータシーケンスを適用することであって、各モデルがサブパターンを表すもの；
所定の第1の基準にしたがって前記組のメンバの出力のサブセットを選択すること；および、
前記サブセットのメンバに依存して前記組へ別のモデルを追加し、それによって前記パターンを認識するのに要求される時間を低減することを含み、
各モデルが、使用の際に入力データのサブシーケンスと表示されるサブパターンとの間の整合度の表示を出力し、別のモデルが関係するサブセットメンバを入力として使用する方法。
【請求項１６】  サブパターンのシーケンスを含むパターンを認識するためのパターン認識装置であって：
物理的エンティティを表わすデータシーケンスを生成する手段と；
少なくとも1つのモデルを含むモデルのネットワーク内に活性のモデルを含む1つの組へデータシーケンスを適用する手段であって、各モデルがサブパターンを表すものと；
所定の第1の基準にしたがって前記組のメンバの出力のサブセットを選択する手段と；
前記サブセットのメンバに依存して前記組へ別のモデルを追加する手段とを含み、
各モデルは、使用の際に入力データのサブシーケンスと表示されたサブパターンとの間の整合の度合いの表示を出力し、別のモデルが入力として関係するサブセットのメンバを使用するパターン認識装置。
【請求項１７】  前記組が別のモデルをまだ含んでいないときに、該モデルのみを該組に追加する請求項１６記載の装置。
【請求項１８】  データシーケンスが要素ごとにネットワークへ適用され、モデルの第１の組における出力のサブセットの選択が連続的なデータシーケンス要素の適用中に実行される請求項１６または１７記載の装置。
【請求項１９】  各モデルが有限状態ネットワークを含む請求項１６乃至請求項１８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２０】  前記組のメンバの各状態ごとに値を評価し、連続するデータシーケンスの適用中に所定の第２の基準をみたさない状態を非活動にする手段を含む請求項１９記載の装置。
【請求項２１】  前記組からモデルを取除くことによって、該状態の全てが非活動にされる請求項２０記載の装置。
【請求項２２】  モデル出力に適用される該所定の第1の基準がモデル内の状態に適用される該所定の第２の基準よりも厳しい請求項２０または２１記載の装置。
【請求項２３】  請求項１６ないし２２の何れか１項記載の言語認識装置。
【請求項２４】  モデルがサブワードの音声化のモデルを含む請求項２３記載の装置。
【請求項２５】  請求項２３または２４記載の装置を実行することを含む言語信号を生成する装置、および言語認識装置の動作に依存して動作に対して構成される言語合成器。
【請求項２６】  請求項２３または２４記載の装置を含む電話ネットワーク装置であって、電話スイッチングセンタが言語認識装置の動作に依存して電話接続を設定するように動作する電話ネットワーク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）チタネート粒子を含む溶液またはスラリーを、セルロース官能価を含まない有機結合剤の存在下もしくは不存在下で、噴霧乾燥させ、粒径が１〜５００マイクロメータの範囲である単分散した実質的に球形の収着剤チタネート粒子を理論収量の少なくとも７０パーセントの収量で製造することによってチタネート粒子を提供する工程であって、前記チタネート収着剤が周期表（ＣＡＳ版）のＩＡ、ＩＩＡ、ＩＢ、ＩＩＢ、ＩＩＩＢ、及びＶＩＩＩ族の金属イオンに対して活性である工程と、
ｂ）噴霧乾燥されたチタネート粒子を、溶液で平衡させられた、上記の通りの金属イオンを含有する溶液中に導入し、次に収着した及び／または交換金属イオンから分離する工程と、を含む、金属イオンを溶液から除去する方法。
【請求項２】  前記チタネート収着剤が、結晶性シリコチタネート及びアルカリ金属チタネートからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記アルカリ金属チタネートが、チタン酸ナトリウムである請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記溶液またはスラリーが更に前記結合剤を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記結合剤が、オレフィンポリマー及びアクリレート（コ）ポリマーからなる群から選択される有機結合剤である請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記結合剤がスチレンブタジエンコポリマーである請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記結合剤が、ビニリデンハリドエマルジョン、アクリレートコポリマー、アクリルコロイド分散系、及びスチレンアクリル溶液からなる群から選択される請求項５に記載の方法。
【請求項８】  前記収着剤チタネート粒子が粗いまたは凝集された形である請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記チタネート粒子が多孔性母材、膜またはウェブに混入される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  前記噴霧乾燥が、
ａ）前記チタネートを微粒化する工程と、
ｂ）微粒化されたチタネートから水分を除去する工程と、
ｃ）乾燥したチタネートを分離する工程と、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  平均粒径が１〜１００マイクロメータの範囲である単分散した実質的に球形のチタネート粒子をその中に組み入れた不織ウェブ、母材または膜を含む複合物品。
【請求項１２】  前記粒子が更に結合剤を含み、かつ前記結合剤が、オレフィンまたはアクリレートモノマーのポリマーである請求項１１に記載の複合物品。
【請求項１３】  前記チタネート粒子が、結晶性シリコチタネート及びアルカリ金属チタネートからなる群から選択される請求項１１に記載の複合物品。
【請求項１４】  周期表のＩＡ、ＩＩＡ、ＩＢ、ＩＩＢ、ＩＩＩＢ及びＶＩＩＩ族から選択される金属イオンを含有する溶液中に存在している請求項１１に記載の複合物品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このいわゆるＲＤＳに関しては、例えば、日本国発行の特許公報第２５９３０７８号「ＲＤＳラジオ受信機の自動音質調整装置」などに開示されている。この文献に開示された装置では、現在受信中のメッセージデータの中の番組タイプ（プログラムタイプ；ＰＴＹ）コードを利用して音質調整回路の利得が自動調整される。見えるラジオに関しては特開平５−１４５５００号公報に「ＦＭ多重放送信号の復号方式」などとして開示されている。この文献に開示された復号方式では、現在受信中のメッセージデータの中のインフォメーションワードの誤りがそのチェックワードを用いて訂正される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このＭＤ記録再生装置にはジョグダイヤル等の入力手段が設けられ、このジョグダイヤルを用いて、ミニ・ディスクに記録した録音情報に対してディスクタイトルやトラックタイトルなどの文字情報が手動で入力できるようになされている。例えば、使用者はジョグダイヤルを回して、数字などを１文字ずつ入力したり、更に入力を切り換えて、アルファベットの大文字、小文字や記号などを入力することができる。このＭＤ記録再生装置にもディスプレイ等が設けられる。このディスプレイを使用して、録音情報の再生時にこれらの文字情報を表示することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の操作は、使用者がＭＤ記録再生装置の入力手段を使用して、使用者の好みで文字情報を選択して入力できるという利点はあるが、使用者はジョグダイヤルを使用して数字、アルファベットを手動入力しなければならず、面倒である。また、その入力切り換えにある程度時間を要するので、文字多重放送録音時のＭＤ記録再生装置への付加情報の書き込みに関しては、非常に操作性が悪いものとなっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この受信手段１では、ＦＭチューナ１１から出力された中間周波検出信号Ｓ２に基づいてチューナコントローラ１３からＰＬＬ回路１２へ周波数設定信号Ｓ１が与えられる。チューナコントローラ１３はマイクロコンピュータ（ＭＰＵ）を有している。放送局を選局する同調周波数はこの周波数設定信号Ｓ１によって決定される。アンテナ１４で受信されたＦＭ多重信号はＦＭチューナ１１によって復調された後、コンポジット信号Ｓ３となって出力される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、ラジオテキスト（ＲＴ）に関して、グループタイプ２Ａでは最大６４個のキャラクタが５秒間に１回の繰り返しレートで送信される。ラジオテキスト（ＲＴ）は「現在、受信機が同調している曲名が何で作曲者が誰か」等をリスナーに知らせるための情報である。グループタイプ２Ｂでは最大３２個のキャラクタが５秒間に１回の繰り返しレートで送信される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
そして、ステップＰ４で使用者がスイッチ７のＭＤ録音ボタンを押すと、ステップＰ５で記録再生手段５はミニ・ディスク６へオーディオ信号Ｓ４の録音を開始する。この録音動作開始と共に、ステップＰ６でこのＭＤ録音ボタンを押した時点の文字データＤ１の中から、予め選択された放送局名サービス（ＰＳ）コード及びラジオテキスト（ＲＴ）などの文字情報Ｄ２がコントローラ２２によって抽出される。この文字情報Ｄ２はＲＡＭ３の他のメモリ領域に一時待避される。これにより、ミニ・ディスク６への文字情報Ｄ２の記録がスタンバイされる（スタンバイ状態）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
具体的には、ＲＡＭ３から読み出された文字情報Ｄ２は、システムコントローラ５９からの制御データＤ５１，Ｄ５２を受けたショックプルーフメモリコントロールユニット５４及びＥＦＭ＆ＣＩＲＣユニット５６の双方によってＭＤ書き込みデータＤ４２に変換される。その文字情報Ｄ２に関するＭＤ書き込みデータＤ４２はヘッド駆動回路５７でＭＤ書き込み信号Ｓ５に変換された後、記録ヘッド５８を経由してミニ・ディスク６のリンクセクタに記録される。この例では、ラジオテキスト（ＲＴ）の４０文字を超える部分が切り捨てられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
なお、ステップＰ２で記録モード（２）が選択された場合には、ステップＰ８で８個のキャラクタで放送局名のみがミニ・ディスク６のリンクセクタに記録される。ステップＰ２で記録モード（３）が選択された場合には、ステップＰ８で最大５０個のキャラクタでラジオテキスト（ＲＴ）がミニ・ディスク６のリンクセクタに記録される。この例では、ラジオテキスト（ＲＴ）の５０文字を超える部分が切り捨てられる。ステップＰ２で記録モード（４）が選択された場合には、ステップＰ７で文字情報Ｄ２に関して記録が行われない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
この録音動作と並行して使用者はそのオーディオ信号の放送が終了する前に、ステップＱ６で４つの記録モードの中から１つの記録モードを選択する。本例では使用者の意志で例えば放送局名はともかく、曲名や作曲者等のラジオテキスト（ＲＴ）を付加情報として記録すべく、記録モード（３）が選択されたものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月14日(2003.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属表面を被覆するための導電性の溶着可能な抗腐食性の被覆組成物であって、以下の成分を含有することを特徴とする組成物：
(ａ)１０〜４０重量％の、以下の成分を含む有機バインダー：
(aa)少なくとも１つのエポキシ樹脂、
(ab)少なくとも１つの、グアニジン、置換グアニジン、置換尿素、環式第三アミンおよびこれらの混合物から選択される硬化剤、
(ac)少なくとも１つのブロック化ポリウレタン樹脂；
(ｂ)０〜１５重量％のシリケートに基づく抗腐食性顔料；
(ｃ)４０〜７０重量％の粉末化した亜鉛、アルミニウム、グラファイトおよび／または二硫化モリブデン、カーボンブラック、リン化鉄；
(ｄ)０〜３０重量％の溶媒。
【請求項２】
少なくとも８００の分子量を持つビスフェノールＡグリシジルエーテルに基づく少なくとも１つのエポキシをエポキシ樹脂として用いる請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
使用する置換グアニジンがメチルグアニジン、ジメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、メチルイソビグアニジン、テトラメチルイソビグアニジン、ヘプタメチルイソビグアニジンまたはシアノグアニジンであり、使用する置換尿素がＮ'-ジクロロフェニル-Ｎ,Ｎ-ジメチル尿素またはＮ'-クロロフェニル-Ｎ,Ｎ-ジメチル尿素であり、そして／または使用する環式第三アミンがイミダゾール、アルキルまたはアリールイミダゾールである請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
使用するポリウレタン樹脂が、既知のブロック化剤でイソシアネート末端基がブロックされた、芳香族および／または脂肪族のジまたはポリイソシアネートに基づく１またはそれ以上のポリエステルプレポリマーを含んでなる請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
コイル被覆法において薄板金を被覆するための、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
導電性の有機抗腐食性層で金属表面を被覆するための方法であって、以下の段階を特徴とする方法：
・清浄化、所望によるリン酸塩処理、所望によるクロム酸塩処理、所望によるクロム不含の前処理からなる通常の前処理；
・１〜１０μｍ、好ましくは２〜５μｍの皮膜厚みへの、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物による被覆；
・１６０〜２６０℃のピーク金属温度(ＰＭＴ)での有機被覆の焼付け。
【請求項７】
金属表面が、鉄(薄鋼板)、亜鉛メッキまたは合金メッキした鋼板、アルミニウムまたはマグネシウムである請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フックアンドループファスナのループ部分として使用可能な不織ループテープファスナ材料(12)の多層シートの１枚あるいは複数枚を具備する不織ループテープ材料アセンブリ(10)であって、該不織ループテープファスナ材料(12)が順に、（１）（ａ）該フックアンドループファスナの相補形であるフック部分に着脱自在に係合されるように適合された複数の可撓性繊維ループおよび、（ｂ）該不織ループを配設される基層および／または支持層(16)を具備して、その第１の主面を形成する不織ループ層と、（２）その第２の主面を形成する感圧接着剤層(18)とを具備し、
該不織ループ層(14)が、少なくとも１５デニールの繊維(15)で少なくとも部分的に形成され、上側不織ループテープファスナ材料(12a)の該接着剤層(18a)が、下側ループを形成する下側不織ループテープファスナ材料(12b)の該不織ループ層(14b)に直接接触するように、該不織ループテープファスナ材料(12)が該アセンブリ(10)内に配置され、該上側不織ループテープファスナ材料(12a)が該アセンブリ(10)から引き剥がされると該下側ループが係合可能状態になって現れるようになっているアセンブリ。
【請求項２】  前記下側ループが、前記アセンブリ(10)内に配置された前記上側不織ループテープファスナ材料(12a)によって圧搾され、該上側不織ループテープファスナ材料(12a)が引き剥がされた後、該圧搾された下側ループが係合可能状態まで復元される請求項１に記載のアセンブリ(10)。
【請求項３】  さらに、前記上側不織ループテープファスナ材料(12a)の前記接着剤層(18a)が、前記下側ループ層(14b)に対して約４〜約２５０ｇ／ｃｍ幅の剥離力を呈する請求項１に記載のアセンブリ(10)。
【請求項４】  さらに、前記上側不織ループテープファスナ材料(12a)の前記接着剤層(18a)が、前記下側ループ層(14b)に対して約８〜約８０ｇ／ｃｍ幅の剥離力を呈し、前記アセンブリ(10)が、前記不織ループテープファスナ材料(12)のシートの１枚あるいは複数枚を自シート上に巻き取って具備するロールであり、該ロール上の該不織ループテープファスナ材料(12)のシートが約８〜約１２０ｇ／ｃｍ幅の巻戻し力を呈する請求項１に記載のアセンブリ(10)。
【請求項５】  前記ロールが最大５０ｃｍのロール半径を有する請求項４に記載のアセンブリ(10)。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面の少なくとも１つが実質的に基材表面全体にわたり複数の連続気泡を有し、連続気泡が相互に連結した空隙で画定されるコーティングできる表面を有する、第１および第２の主要基材表面を有する可撓性および弾性フォーム基材、および
前記連続気泡の前記コーティングできる表面に実質的に均一になるように接着する複数の研磨粒子
を含む可撓性研磨製品であって、前記粒子が硬化した硬質の非エラストマー接着剤を使用して前記コーティングできる表面に接着する可撓性研磨製品。
【請求項２】  硬化した硬質の非エラストマー接着剤が、フェノール樹脂、側鎖α，β−不飽和カルボニル基を有するアミノプラスト樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、エチレン性不飽和樹脂、アクリル化イソシアヌル酸樹脂、ユリアホルムアルデヒド樹脂、イソシアヌル酸樹脂、アクリル化ウレタン樹脂、アクリル化エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、フルオレン変性エポキシ樹脂、およびそれらの組み合わせから成る群より選択される硬化した熱硬化性接着剤である請求項１に記載の可撓性研磨製品。
【請求項３】  硬化した熱硬化性接着剤が、フォーム基材の前記連続気泡のコーティングできる表面上に実質的に均一な樹脂層を提供する請求項２に記載の可撓性研磨製品。
【請求項４】  実質的に均一な樹脂層が、別々のメークおよびサイズコーティングを構成する請求項３に記載の可撓性研磨製品。
【請求項５】  フォーム基材が、連続気泡フォーム基材である請求項１に記載の可撓性研磨製品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月3日(2005.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）表面研磨に所望する特性を備えた加工表面と背面とを具備する略平坦な支持体を含む表面処理構成要素と、
ｂ）該背面上に配置された留め具と、
を具備し、該留め具が、
ｉ）該支持体に対向する第１の端部と、
ｉｉ）該支持体に隣接する第２の端部と、
ｉｉｉ）該第１の端部から該第２の端部に向けて断面積を拡大する先細り状部分と、
ｉｖ）該先細り状部分と該第２の端部との間に位置する溝と、
ｖ）円形以外の断面を有する嵌合部分と、
を具備する表面処理物品。
【請求項２】  前記嵌合部分が多角形断面を有する請求項１に記載の表面処理物品。
【請求項３】  回転式表面処理構成要素を連結するための留め具であって、正面および背面を含む基部と、該背面から延出する留め具部材とを具備し、該留め具部材が、該基部に対向する第１の端部と、該基部に隣接する第２の端部と、該第１の端部から該第２の端部に向けて断面積を拡大する先細り状部分と、該先細り状部分と該第２の端部との間に位置する溝と、円形以外の断面を有する嵌合部分とを含む留め具。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月3日(2004.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  焼結した超硬合金若しくはサーメット、セラミックス、又は高速度鋼の基材の本体を備えた切削工具であって、前記基材上の少なくとも前記本体の表面の機能する部分に０．５〜２０μｍの厚みの付着性、硬質かつ耐摩耗性の被膜が施されている切削工具において、
上記被膜が１又は複数の耐熱化合物層の組織を備え、該耐熱化合物層のうちの０．５〜１５μｍの厚みを有する少なくとも１つの層が、時間平均で少なくとも１０Ｗ／ｃｍ2のマグネトロンターゲット電力密度で、被覆される前記工具本体の材料に依存して４５０〜７００℃の基材温度にて、反応性パルスマグネトロンスパッタリング法で形成され、上記被膜が０．１μｍ未満の結晶粒サイズを有する微細結晶粒の結晶質γ−Ａｌ2Ｏ3相からなり、上記微細結晶粒の結晶質γ−Ａｌ2Ｏ3の層が、（４４０）及び（４００）結晶面の少なくとも１つから有意なＸ線回折反射を示し、少なくとも２０ＧＰａの硬さ、少なくとも１ＧＰａの圧縮応力を有し、ハロゲン不純物を含まないことを特徴とする切削工具。
【請求項２】  前記Ａｌ2Ｏ3層が、［４４０］方向の優先成長方位を有し、以下の式、
TC(hkl)=｛I(hkl)/I0(hkl)｝｛1/nΣI(hkl)/I0(hkl)｝-1
ここで、
Ｉ（ｈｋｌ）は、（ｈｋｌ）反射の測定した強度
ＩO（ｈｋｌ）は、ＡＳＴＭ標準粉末回折パターンデータの標準強度
ｎは、計算に使用する反射の数
取り扱う（ｈｋｌ）反射は、（１１１）、（３１１）、（２２２）、（４００）及び（４４０）
で定義される集合組織係数が１．５より大きいことを特徴とする、請求項１に記載の切削工具。
【請求項３】  前記微細結晶粒の結晶質γ−Ａｌ2Ｏ3層が、Ａｌ2Ｏ3多形物のうちのγ系に属する別のアルミナ相をＸ線回折反射法で検出可能な量で含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の切削工具。
【請求項４】  前記の別のアルミナ相がθ相であることを特徴とする、請求項３に記載の切削工具。
【請求項５】  Ｔｉ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ及びＡｌから選択した金属元素を有する金属窒化物及び炭化物の少なくとも１種を含む、厚み０．１〜１μｍの層を少なくとも１つ有することを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の切削工具。
【請求項６】  上記層がＴｉＣ、ＴｉＣＮ、ＴｉＮまたはＴｉＡｌＮからなることを特徴とする、請求項５に記載の切削工具。
【請求項７】  最外層がＡｌ2Ｏ3であることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の切削工具。
【請求項８】  最外層がＴｉＮであることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の切削工具。
【請求項９】  被覆切削工具の製造方法であって、請求項１記載の微細結晶粒の結晶質γ−Ａｌ2Ｏ3からなる少なくとも１つの耐熱層を、真空中を移動する基材上にマグネトロンスパッタリングにより堆積させる製造方法において、
前記Ａｌ2Ｏ3層を０．１〜０．５Ｐａの圧力でアルゴンと酸素の混合ガス中での反応性パルスマグネトロンスパッタリングにより形成し、パルス周波数を１０〜１００ＫＨｚに調節し、固定して配置した基材について堆積速度が少なくとも１ｎｍ／秒であり、時間平均でのマグネトロンターゲット電力密度を少なくとも１０ｗ／ｃｍ2に調節し、被覆される工具本体の材料に依存して基材温度を４５０〜７００℃に調節することを特徴とする、被覆切削工具の製造方法。
【請求項１０】  マグネトロンスパッタリング装置のカソード及びアノードとして交互に切り替わるＡｌターゲットを備えた、２つのマグネトロンのスパッタリングにより前記Ａｌ2Ｏ3層を形成することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  Ａｌ2Ｏ3でない別の層も物理的気相成長、特にパルスマグネトロンスパッタリングにより形成することを特徴とする、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】  Ａｌ2Ｏ3及びＡｌ2Ｏ3でない層の全ての層を、真空引きの中断なしに、同じ被覆装置内で形成することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  Ａｌ2Ｏ3でない別の層を化学的気相成長により形成することを特徴とする、請求項９又は１０に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年5月12日(2004.5.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
前述のように、本明細書で説明するプロセスは、前加工工程からの熱を利用するので、圧力容器12内の加工物22を加熱する必要がない。このため、圧力容器の有効容量を最大化することができる。熱を使用する例には、溶融材料から加工物22を成形し、加工物を熱間圧延、焼鈍又はその他の熱処理を行うシステムが含まれる。従来では、過剰な材料を取除き、出荷に対する取扱い又は他の取扱いの前に熱処理された加工物22をまず冷却した。しかしながら、本発明では、加熱された加工物は加熱された状態で圧力容器内に移動される。
加工物22は等圧のガス等静圧鍛造圧が加えられる前は全体的に均一な温度であり、圧力加工物の等静圧加圧と均一な塑性変形が可能となり、従って他のプロセスで要求される温度より低い50〜400℃の範囲の温度を使用できる。更に、その温度及びその高い等圧ガス等静圧鍛造圧での保圧時間は、通常、約8〜約30秒である。これにより、加工物22のミクロ組織を制御すると共に、加工物全体に均一な最適特性を与えることができる。
前述のように、容器12は、いくつかの利点を与える高速加圧を使用して加圧される。即ち、第１に、高速加圧は加工物22内の空隙の最終的閉鎖を助長する充分に高い歪速度を達成することができる。その高い歪速度により、気体媒体が加工物内に侵入せずまた所望の差圧を乱さないように加工物22内の空隙を閉鎖することができる。
更に、高速加圧が容器12内の気体を高密度化するのに役立つことにより、加工物22中への気体の吸収を実質的に低減するか又は完全に防止しながら、気体の粘度が増加する。加工物22内への気体の吸収を防止することにより、加工物の内圧と表面圧の差異が維持され、これにより、加工物22を構成する材料の「気泡破壊」を行い、塑性変形又は空隙の除去を行うことができる。また、加熱プロセスから移動した後に加工物22に全く熱を供給しないので、高速加圧により加工物22から熱を強制的に除去し、よって高密度化後の加工物22を取出すため容器12を開く前に必要な冷却時間が減少する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  三次元コンピュータグラフィックイメージをシェーディングする装置であって、
（ａ）上記イメージ内へ挿入されるオブジェクトを定義するデータを、上記イメージ内の各々の画素ごとに供給する手段を備え、上記データは上記オブジェクトに関する深さデータを含み、
（ｂ）上記イメージ内へ既に挿入済みのオブジェクトのための深さデータを、上記イメージ内の各々の画素ごとに格納する手段と、
（ｃ）上記イメージに挿入されるオブジェクトによってカバーされる各画素において、上記挿入されるオブジェクトの深さデータと、現在格納されている深さデータとを比較する手段と、
（ｄ）上記比較の結果にもとづいて、オブジェクトの深さデータ及び格納されている深さデータに適用する深さ動作を選択する手段と、
（ｅ）選択した深さ動作を、オブジェクトの深さデータ及び格納されている深さデータに適用する手段と、
（ｆ）オブジェクトの深さデータと格納されている深さデータの間の比較結果にもとづいて、上記オブジェクトと上記イメージとを組合わせるためのブレンディング値を各画素毎に選択する手段と、
（ｇ）各画素毎に、選択されたブレンディング値と上記イメージに挿入するオブジェクトのブレンディング値とを組み合わせる手段と、
（ｈ）上記のように各画素毎に組み合わされたブレンディング値に依存する割合で、オブジェクトをイメージと組み合わせる手段と、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】  上記シェードされるオブジェクトは可変半透明性であり、上記選択されるブレンディング値はある画素における上記オブジェクトの上記半透明性に依存することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】  上記半透明オブジェクトは先ず前及び後向きの部分に分割され、最初に上記後向きの部分が上記深さ比較手段へ供給され、上記深さ動作選択手段は、上記後向きの表面が上記現在格納されている表面よりも目に近い場合は上記深さ格納手段を更新し、次いで上記前向きの表面が上記深さ格納手段へ供給され、上記深さ動作選択手段は、上記新しい深さから上記現在格納されている深さを減算した結果を用いて上記深さ記憶装置を更新し、この値に依存して上記ブレンディング値を導くことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】  上記選択されたブレンディング値は、上記減算の結果に比例することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】  ブレンディング値にオフセット及びスケーリング機能を適用する手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】  画素のステンシルバッファ値をオブジェクトのステンシル値と組み合わせる手段と、前記比較の結果に依存してステンシル動作を選択する手段とを含み、前記深さ動作を選択する手段はまたステンシル比較の結果に応じたものである、請求項１に記載の装置。
【請求項７】  オリジナルの深さバッファの値を復帰させてさらなる動作に用いる二次深さバッファを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】  三次元コンピュータグラフィックイメージをシェーディングする装置であって、上記イメージは少なくとも部分的に半透明であるオブジェクトを含み、上記装置は、
（ａ）上記イメージ内へ挿入されるオブジェクトを定義するデータを各画素ごとに供給する手段と、
（ｂ）上記イメージ内のオブジェクトのための深さデータを、上記イメージ内の各画素ごとに格納する手段と、
（ｃ）上記オブジェクトによってカバーされる各画素において、上記挿入されるオブジェクトの深さデータと、上記画素のために現在格納されている深さデータとを比較する手段と、
（ｄ）上記比較の結果と、上記画素における上記オブジェクトの半透明性とに依存して、上記オブジェクトと上記イメージとを組合わせるためのブレンディング値を選択する手段と、
（ｅ）上記選択されたブレンディング値に依存して、上記オブジェクトと上記イメージとを組合わせる手段と、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項９】  少なくとも一部は半透明であるオブジェクトを含む三次元コンピュータグラフィックイメージをシェーディングする方法であって、上記方法は、
（ａ）上記イメージへ挿入されるオブジェクトを定義するデータを各画素ごとに供給するステップと、
（ｂ）上記イメージ内のオブジェクトのための深さデータを各画素ごとに格納するステップと、
（ｃ）上記オブジェクトによってカバーされる各画素において、上記挿入されるオブジェクトの深さと、上記画素のために現在格納されている深さデータとを比較するステップと、
（ｄ）上記比較の結果と、上記画素における上記オブジェクトの半透明性とに依存して、上記オブジェクトと上記イメージとを組合わせるためのブレンディング値を選択するステップと、
（ｅ）上記選択されたブレンディング値に依存して、上記オブジェクトと上記イメージとを組合わせるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】  三次元コンピュータグラフィックイメージをシェーディングする方法であって、
（ａ）上記イメージへ挿入されるオブジェクトを定義するとともに、当該オブジェクト関する深さデータを含んでいるデータを、上記イメージ内の各画素ごとに供給し、
（ｂ）上記イメージ内の各画素ごとに、上記イメージにすでに挿入されているオブジェクトの深さデータを格納し、
（ｃ）上記画像に挿入される上記オブジェクトによってカバーされる各画素において、挿入されるオブジェクトの深さデータと現在格納されている深さデータとを比較し、
（ｄ）前記比較の結果に依存して、オブジェクトの深さデータ及び格納されている深さデータに適用する深さ動作を選択し、
（ｅ）前記オブジェクトの深さデータ及び前記格納されている深さデータに選択した深さ動作を適用し、
（ｆ）オブジェクトの深さデータと格納されている深さデータの間の比較の結果に依存してオブジェクトをイメージと組み合わせるために、各画素ごとにブレンディング値を選択し、
（ｇ）各画素毎に、選択されたブレンディング値と上記イメージに挿入するオブジェクトのブレンディング値とを組み合わせ、
（ｈ）上記のように各画素毎に組み合わされたブレンディング値に依存する割合で、オブジェクトをイメージと組み合わせる、
ことを含んでいる方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１エラストマー材料と、導電性の第２エラストマー材料との少なくとも３個の交互の区域から成り、各前記区域は長さ、幅、及び厚さの寸法を有し、各前記区域の前記厚さの寸法はほぼ同一であり、前記第１エラストマー材料の各前記区域の幅の寸法は前記第２エラストマー材料の各前記区域の幅の寸法より十分に大きいことを特徴とする電磁放射を遮蔽するガスケット装置。
【請求項２】  前記幅の寸法の合計が前記厚さの寸法より十分に大きい請求項１のガスケット装置。
【請求項３】  前記第１エラストマー材料の前記区域の少なくとも１個が電気コネクタを収容するようにした切除部を有し、この切除部の幅の寸法は前記第１エラストマー材料の前記区域の前記幅の寸法に少なくとも等しく、これにより、前記第２エラストマー材料の少なくとも２個の区域が前記切除部内に露出している請求項２のガスケット装置。
【請求項４】  前記幅の寸法の合計が前記厚さの寸法と同一程度の大きさである請求項１のガスケット装置。
【請求項５】  第２エラストマー材料の各前記区域の前記幅の寸法が0.5 〜２０ミルの範囲内である請求項１のガスケット装置。
【請求項６】  第２エラストマー材料の各前記区域の前記幅の寸法が２〜６ミルの範囲内である請求項１のガスケット装置。
【請求項７】  第２エラストマー材料の各前記区域の前記幅の寸法が0.5 〜２０ミルの範囲内である請求項３のガスケット装置。
【請求項８】  第２エラストマー材料の各前記区域の前記幅の寸法が２〜６ミルの範囲内である請求項３のガスケット装置。
【請求項９】  前記第１エラストマー材料が熱硬化性ゴムから成る請求項１のガスケット装置。
【請求項１０】  前記熱硬化性ゴムがシリコーン材料である請求項９のガスケット装置。
【請求項１１】  前記第１エラストマー材料が熱可塑性材料から成る請求項１のガスケット装置。
【請求項１２】  前記第２エラストマー材料が熱硬化性ゴム結合剤と、導電金属とから成る請求項１のガスケット装置。
【請求項１３】  前記熱硬化性結合剤がシリコーン材料である請求項１２のガスケット装置。
【請求項１４】  前記導電金属が銀である請求項１２のガスケット装置。
【請求項１５】  各区域が導電端部を有する請求項１のガスケット装置。
【請求項１６】  前記第１エラストマー材料と第２エラストマー材料との前記区域が同時押出しによって形成されている請求項１のガスケット装置。
【請求項１７】  前記第１エラストマー材料と第２エラストマー材料との前記区域が押出しにより、次に相互に積層させることによって、別個に形成されている請求項１のガスケット装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
発明の要約
本発明によれば、導電エラストマー材料の薄いストリップ、即ちバーを第１ガスケット材料内に介挿し、導電バーが露出しているガスケットの両側の導電表面間に導電路を生ぜしめる。