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【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置と、通信回線を介して前記半導体製造装置を制御するホストコンピュータとから構成される半導体製造システムにおいて、
前記半導体製造装置は、
処理する各プロセスにおいて消費された各化学薬品の消費量を各プロセス毎にメモリに格納するとともに、前記ホストコンピュータに報告する生産情報報告手段を有する半導体製造システム。
【請求項２】
半導体製造装置と、通信回線を介して前記半導体製造装置を制御するホストコンピュータとから構成される半導体製造システムにおいて、
前記半導体製造装置は、
各化学薬品の消費量を各化学薬品等の種別毎にメモリに格納するとともに、前記ホストコンピュータに報告する生産情報報告手段を有する半導体製造システム。
【請求項３】
前記半導体製造装置で消費された各化学薬品の消費量をそれらが通過する前記半導体製造装置の構成部分に対応して算出し、前記消費量が予め定められた閾値に達すると前記構成部分が保守すべきタイミングにある旨を表示する保守情報管理手段とを有することを特徴とする請求項１または２記載の半導体製造システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体デバイス製造装置の現在の状態を示す状態データを収集する状態データ収集手段と、
この状態データ収集手段により収集された状態データを順次蓄積する収集データ蓄積手段と、
前記状態データ収集手段により収集された状態データに基づいて、前記固体デバイス製造装置の現在の状態を出力する現在状態出力手段と、
前記データ蓄積手段に蓄積されている収集データに基づいて、前記固体デバイス製造装置の状態の推移を出力する状態推移出力手段とを備えたことを特徴とする固体デバイス製造システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池におけるセパレータとして使用可能なイオン交換膜を、本質的に少なくとも１種のポリマーから構成されるフィルムから製造する方法であって、
（ａ）該フィルムを活性化し、
（ｂ）次いで、溶媒に溶解されたスチレン及びクロロメチルスチレンを、該活性化フィルム上にグラフトし、
（ｃ）次いで、そのようにグラフトした基を、スルホン化剤を含む溶液によるスルホン化及びその後の塩基性溶液による加水分解により官能化させて、
スチレン基にスルホネート部位を形成し、クロロメチルスチレン基にアルコール部位を形成することを特徴とする該製造方法。
【請求項２】
ポリマーがフッ素化オレフィン系ポリマーである請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
フッ素化オレフィン系ポリマーが本質的にエチレン及びテトラフルオロエチレンから構成される請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
活性化を電離線の照射により行う請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
グラフト溶液におけるスチレン：クロロメチルスチレンの容量比が６０：４０〜８５：１５の範囲内にある請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
燃料電池用セパレータを、本質的に少なくとも１種のポリマーから構成されるフィルムから製造する方法であって、
（ａ）該フィルムを、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法によりイオン交換膜に転化し、次いで、
（ｂ）そのようにして得た膜の両面のそれぞれを金属化する
ことを特徴とする該製造方法。
【請求項７】
膜を主に白金及びルテニウムから構成される合金により金属化する請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法により得ることが可能なイオン交換膜。
【請求項９】
請求項６又は７に記載の方法により得ることが可能な燃料電池用セパレータ。
【請求項１０】
アルコールをベースとする燃料が供給される、請求項１〜９のいずれか１項に記載のセパレータを含む燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
膜においてグラフトを行うことにより、プロトン電導基に他の特定の基を添加することにより、メタノールに対する該膜の透過性の低減がなされるだけでなく、更に驚くべきことに、その触媒活性が同時に増加され、それにより、該膜の又は電極の表面積の単位あたりに使用される触媒金属の量の低減が可能となり、従って、触媒金属のコストの低減が可能となることを見出した。
より具体的には、本発明は、燃料電池におけるセパレータとして使用可能なイオン交換膜を、本質的に少なくとも１種のポリマーから構成されるフィルムから製造する方法であって、
（ａ）該フィルムを活性化し、
（ｂ）次いで、溶媒に溶解されたスチレン及びクロロメチルスチレンを、該活性化フィルム上にグラフトし、
（ｃ）次いで、そのようにグラフトした基を、スルホン化剤を含む溶液によるスルホン化及びその後の塩基性溶液による加水分解により官能化させて、
スチレン基にスルホネート部位を形成し、クロロメチルスチレン基にアルコール部位を形成することを特徴とする該製造方法に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム金属又はリチウムを吸蔵放出可能な物質を負極活物質とし、ＬｉｘＣｏＯ２（ただし０＜ｘ≦１．２５）を正極活物質とする非水溶媒二次電池において、前記ＬｉｘＣｏＯ２の結晶のＣ軸格子定数ｃが１．４０４４ｎｍ≦ｃ≦１．４０４７ｎｍであることを特徴とする非水溶媒二次電池。
【請求項２】
正極活物質が、２．５Ｖから４．３Ｖまで定電流で充放電したとき、４．１２〜４．２０Ｖの間で結晶構造変化が生じない請求項１記載の非水溶媒二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、リチウム金属又はリチウムを吸蔵放出可能な物質を負極活物質とし、ＬｉｘＣｏＯ２（ただし０＜ｘ≦１．２５）を正極活物質とする非水溶媒二次電池において、前記ＬｉｘＣｏＯ２の結晶のＣ軸格子定数ｃが１．４０４４ｎｍ≦ｃ≦１．４０４７ｎｍであることを特徴とする非水溶媒二次電池を提供する。また、本発明は、正極活物質が、２．５Ｖから４．３Ｖまで定電流で充放電したとき、４．１２〜４．２０Ｖの間で結晶構造変化が生じない上述の非水溶媒二次電池を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の非水溶媒二次電池では、正極活物質として用いるＬｉｘＣｏＯ２結晶のＣ軸格子定数ｃは、１．４０４４ｎｍ≦ｃ≦１．４０４７ｎｍである。１．４０４７ｎｍを超えると、充放電後の正極活物質が電池の外部環境から加わる熱に対して不安定であり、耐熱安全性が低い。また１．４０４４ｎｍ未満の場合は、電池の外部環境から加わる熱に対しては安定であるが、充放電時の正極活物質層間のＬｉイオンの吸蔵放出する量が著しく少なくなり、非水溶媒二次電池用正極として使用できない。好ましくは、１．４０４５ｎｍ≦ｃ≦１．４０４７ｎｍである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロフォトニクス装置であって、
（Ａ）半導体またはセラミック材料からなる基板であって、プリント回路ではない基板と、
（Ｂ）前記基板上に取り付けられた複数の光学的要素と、
（Ｃ）前記基板上に取り付けられた壁と、
（Ｄ）前記壁に取り付けられた複数の電気的要素と光学的要素と、を備え、
前記壁は、前記複数の電気的要素から、前記複数の光学的要素を物理的に分離して、該光学的要素と該電気的要素の間の電気的干渉および光学的干渉を回避する、
マイクロフォトニクス装置。
【請求項２】
前記壁は、セラミック材料または有機材料から形成される、
請求項１に記載のマイクロフォトニクス装置。
【請求項３】
前記壁は、前記基板の溝内に接着される、
請求項１に記載のマイクロフォトニクス装置。
【請求項４】
前記壁に取り付けられた光学的要素は、光検出器であり、前記基板上に取り付けられた複数の光学的要素は、レーザ、球面レンズ、および光学フィルターを含む、
請求項１に記載のマイクロフォトニクス装置。
【請求項５】
前記基板は、さらに、前記壁を該基板に取り付けたときに前記光検出器の一部が該基板の表面より下になるように、該光検出器を収容する空洞を有する、
請求項４に記載のマイクロフォトニクス装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びデジタルカメラ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、
マトリクス回路と、光電変換部とが積層して形成され、
複数の画素を有し、
前記マトリクス回路は、信号線、電源線、リセット線及び選択線と、前記画素ごとに薄膜トランジスタでなるリセットトランジスタ、選択トランジスタ及び増幅トランジスタとを有し、
隣接する２画素において、前記リセットトランジスタ及び前記増幅トランジスタは共通の前記電源線に電気的に接続され、かつ前記選択トランジスタは前記信号線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、
マトリクス回路と、光電変換部とが積層して形成され、
複数の画素を有し、
前記マトリクス回路は、信号線、電源線、リセット線及び選択線と、前記画素ごとに薄膜トランジスタでなるリセットトランジスタ、選択トランジスタ及び増幅トランジスタとを有し、
隣接する２画素に形成される前記リセットトランジスタ、前記選択トランジスタ及び前記増幅トランジスタの活性層は１つの島状半導体膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に、
マトリクス回路と、光電変換部とが積層して形成され、
複数の画素を有し、
前記マトリクス回路は、信号線、電源線、リセット線及び選択線と、前記画素ごとに薄膜トランジスタでなるリセットトランジスタ、選択トランジスタ及び増幅トランジスタとを有し、
隣接する２画素において、前記リセットトランジスタ及び前記増幅トランジスタは共通の前記電源線に電気的に接続され、前記選択トランジスタは前記信号線に電気的に接続され、
当該隣接する２画素に形成される前記リセットトランジスタ、前記選択トランジスタ及び前記増幅トランジスタの活性層は１つの島状半導体膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に、
マトリクス回路と、光電変換部とが積層して形成され、
複数の画素を有し、
前記マトリクス回路は、信号線、リセット線及び選択線と、前記画素ごとに薄膜トランジスタでなるリセットトランジスタ、選択トランジスタ及び増幅トランジスタとを有し、
前記マトリクス回路の前記信号線、前記リセット線及び前記選択線と前記光電変換部の下部電極との間には導電性層でなるシールド電極が設けられ、
前記リセットトランジスタ及び前記増幅トランジスタは前記シールド電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に、
マトリクス回路と、光電変換部とが積層して形成され、
複数の画素を有し、
前記マトリクス回路は、信号線、リセット線及び選択線と、前記画素ごとに薄膜トランジスタでなるリセットトランジスタ、選択トランジスタ及び増幅トランジスタとを有し、
前記マトリクス回路の前記信号線、前記リセット線及び前記選択線と前記光電変換部の下部電極との間には導電性層でなるシールド電極が設けられ、
前記リセットトランジスタ及び前記増幅トランジスタは前記シールド電極に電気的に接続され、
隣接する２画素に形成された前記リセットトランジスタ、前記選択トランジスタ及び前記増幅トランジスタの活性層は１つの島状半導体膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、前記導電性層はクロム膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、前記シールド電極は、前記複数の画素に共通な電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、前記シールド電極は固定された電位である電源電位に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記リセットトランジスタはマルチゲイト構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記選択トランジスタはマルチゲイト構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記リセットトランジスタ及び前記選択トランジスタはマルチゲイト構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記リセットトランジスタ、前記選択トランジスタ及び前記増幅トランジスタの半導体膜は多結晶シリコンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記光電変換部の光電変換層は水素化非晶質シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、前記光電変換部の光電変換層は非晶質シリコンゲルマニュームを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項の半導体装置を具備するデジタルカメラ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
1999121731.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも表面及び裏面に対して形成された酸化窒化珪素膜と、
前記酸化窒化珪素膜上に形成された結晶性半導体薄膜をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタとを有し、
前記結晶性半導体薄膜上に接するように形成されたゲート絶縁膜は、前記ガラス基板の少なくとも表面および裏面に対して形成され、酸化窒化珪素膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ガラス基板の歪点は７５０℃以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記ガラス基板の歪点は９５０℃以上〜１１００℃であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ガラス基板は結晶化ガラスであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記半導体装置を用いた液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記半導体装置を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記半導体装置を用いた電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記半導体装置を用いたビデオカメラ、電子スチルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュターまたは情報端末機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、光検出装置およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、スイッチＴＦＴと、該スイッチＴＦＴに接続された配線と、を有する半導体装置において、
前記配線の少なくとも一部と多層構造を有する配線として同一の機能を有し、前記配線の少なくとも一部とコンタクトホールを介して電気的に接続され、前記配線の少なくとも一部と前記多層構造の別々の層として構成されている冗長配線を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に、光電変換素子と該光電変換素子に対応したスイッチＴＦＴとを含む画素と、該画素に接続された配線と、を有する光検出装置において、
前記配線の少なくとも一部と多層構造を有する配線として同一の機能を有し、前記配線の少なくとも一部とコンタクトホールを介して電気的に接続され、前記配線の少なくとも一部と前記多層構造の別々の層として構成されている冗長配線を有することを特徴とする光検出装置。
【請求項３】
前記光電変換素子は、前記基板上に順次設けられた、第１の電極層と、絶縁層と、第１の半導体層と、キャリア注入素子層と、第２の電極層と、を有し、前記配線は前記第１の電極層又は前記第２の電極層を用いて形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光検出装置。
【請求項４】
前記スイッチＴＦＴは、前記基板上に順次設けられた、第１の電極層と、絶縁層と、第２の半導体層と、オーミックコンタクト層と、第２の電極層と、を有し、前記配線は、前記第１の電極層又は前記第２の電極層を用いて形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の光検出装置。
【請求項５】
前記第１半導体層と第２半導体層とが、同時に形成された非晶質シリコン膜であることを特徴とする請求項４に記載の光検出装置。
【請求項６】
前記キャリア注入阻止層とオーミックコンタクト層とが、同時に形成されたｎ+型非晶質シリコン膜であることを特徴とする請求項４に記載の光検出装置。
【請求項７】
前記配線は、前記スイッチＴＦＴの第１の電極層と接続された第１の配線であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の光検出装置。
【請求項８】
前記配線は、前記スイッチＴＦＴの第２の電極層と接続された第２の配線であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の光検出装置。
【請求項９】
基板上に順次設けられた、第１の電極層と、絶縁層と、半導体層と、ｎ+型半導体層と、第２の電極層と、によって構成されたスイッチＴＦＴと、
前記スイッチＴＦＴの前記第１の電極層と接続する第１の配線層と、
前記スイッチＴＦＴの前記第２の電極層と接続する第２の配線層と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１の電極、前記第１の配線層、及び第１の冗長配線を形成する工程と、
前記第１の電極、前記第１の配線層、及び第１の冗長配線上に前記絶縁層と、前記半導体層と、前記ｎ+型半導体層とを順次積層する工程と、
前記第１の配線層上に第１のコンタクトホールを、前記第１の冗長配線上に第２のコンタクトホールを設ける工程と、
前記ｎ+型半導体層上に、前記第２の電極層と、前記第１のコンタクトホールを介して前記第１の配線層と電気的に接続する第２の冗長配線と、前記第２のコンタクトホールを介して前記第１の冗長配線と電気的に接続する前記第２の配線層と、を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に順次設けられた、第１の電極層と、絶縁層と、半導体層と、ｎ+型半導体層と、第２の電極層と、によって構成された光電変換素子及びスイッチＴＦＴとからなる画素と、
前記スイッチＴＦＴの前記第１の電極層と接続する第１の配線層と、
前記スイッチＴＦＴの前記第２の電極層と接続する第２の配線層と、
を有する光検出装置の製造方法であって、
前記第１の電極、前記第１の配線層、及び第１の冗長配線を形成する工程と、
前記第１の電極、前記第１の配線層、及び第１の冗長配線上に前記絶縁層と、前記半導体層と、前記ｎ+型半導体層とを順次積層する工程と、
前記第１の配線層上に第１のコンタクトホールを、前記第１の冗長配線上に第２のコンタクトホールを設ける工程と、
前記ｎ+型半導体層上に、前記第２の電極層と、前記第１のコンタクトホールを介して前記第１の配線層と電気的に接続する第２の冗長配線と、前記第２のコンタクトホールを介して前記第１の冗長配線と電気的に接続する前記第２の配線層と、を形成する工程と、
を有することを特徴とする光検出装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、絶縁基板上に、ＭＩＳ型光電変換素子として、第１の電極層、絶縁層、光電変換半導体層、該半導体層へのキャリア注入阻止層、第２の電極層を構成すると共に、スイッチＴＦＴとして、第１の電極層、絶縁層、半導体層、該半導体層へのオーミックコンタクト層、第２の電極層を構成し、同一で、かつ、簡略化された製造方法にすることにより、高Ｓ／Ｎ比、低価格の光検出装置を実現するのである。
また、本発明は、基板上に、スイッチＴＦＴと、該スイッチＴＦＴに接続された配線と、を有する半導体装置において、前記配線の少なくとも一部と多層構造を有する配線として同一の機能を有し、前記配線の少なくとも一部とコンタクトホールを介して電気的に接続され、前記配線の少なくとも一部と前記多層構造の別々の層として構成されている冗長配線を有することを特徴とする。
また、本発明は、基板上に、光電変換素子と該光電変換素子に対応したスイッチＴＦＴとを含む画素と、該画素に接続された配線と、を有する光検出装置において、前記配線の少なくとも一部と多層構造を有する配線として同一の機能を有し、前記配線の少なくとも一部とコンタクトホールを介して電気的に接続され、前記配線の少なくとも一部と前記多層構造の別々の層として構成されている冗長配線を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路メモリであって、
第１の蓄積モードによるデータを蓄積するメモリセルのアレイを備え、
前記メモリセルは、半導体基板のチャネル領域におけるチャネルを有し、且つ前記チャネル領域のドープ濃度に依存するスレッショルド電圧を有するトランジスタを有し、前記アレイは前記チャネル領域のベースドープ濃度を有するメモリセルの第１セットと前記チャネル領域のドープ濃度を変更するコード注入を伴うアレイにおけるメモリセルの第２セットを有し、
前記アレイに蓄積されたデータを読み取るために、アレイにおけるメモリセルの行と列にそれぞれ結合する複数のワードラインとビットライン、及び
前記メモリセルが特定のスレッショルド電圧を有する第１の読み取りモード中に、アレイにおけるメモリセルのトランジスタのチャネル領域に第１のバイアス電位を与え、且つ前記第１の蓄積モードによって蓄積されたデータを感知し、また前記メモリセルの前記スレッショルドにおいて、前記コード注入によるメモリセルの第１のセットにおけるよりメモリセルの第２のセットにおいて異なっているシフトを行うために、第２の読み取りモード中に、前記アレイにおけるメモリセルのチャネル領域に第２のバイアス電位を与え、且つコード注入によって蓄積されたデータを感知する資源、
を備えることを特徴とする集積回路メモリ。
【請求項２】
前記メモリセルのトランジスタは、フローティングゲートトランジスタを有し、前記メモリセルのスレッショルド電圧は、第１の読み取りモード中に、また前記第２のバイアス電位が前記アレイにおいて読み取られるべきセルのフローティングアレイの電荷が補償されチャネル領域に与えられる第２のモードにおいて、前記フローティングゲートにおける電荷によって主に決定され、且つ前記メモリセルのスレッショルド電圧がコード注入の有無によって主に決定されることを特徴とする請求項１に記載の集積回路メモリ。
【請求項３】
前記メモリセルは、ｎチャネルフローティングゲートトランジスタを有し、且つ前記第２のバイアス電位は負であり、第１のバイアス電位は接地されていることを特徴とする請求項１に記載の集積回路メモリ。
【請求項４】
第２のバイアス電位は、前記第１のバイアス電位より大きな絶対値を有することを特徴とする請求項１に記載の集積回路メモリ。
【請求項５】
前記メモリセルのアレイにおけるトランジスタは、ベースドープ濃度を確立するためにベース注入を含むことを特徴とする請求項１に記載の集積回路メモリ。
【請求項６】
前記コード注入はｐ型ドーパントを有することを特徴とする請求項１に記載の集積回路メモリ。
【請求項７】
前記コード注入はホウ素を含み、１７５−５００ｋｅＶの範囲にあるエネルギーでイオン注入プロセスを有する注入によるメモリセルの第２のセットのチャネル領域に深さを有することを特徴とする請求項１に記載の集積回路メモリ。
【請求項８】
前記コード注入はホウ素を含み、２００−２５０ｋｅＶの範囲にあるエネルギーでイオン注入プロセスを有する注入によるメモリセルの第２のセットのチャネル領域に深さを有することを特徴とする請求項１に記載の集積回路メモリ。
【請求項９】
前記メモリセルのアレイはベースドープ濃度を確立するためにベース注入を含むことを特徴とする請求項１に記載の集積回路メモリ。
【請求項１０】
前記メモリセルのアレイは複数のセクターと前記第２のバイアス電位を与える資源が前記複数のセクターに結合され、セクター毎のバイアス上で行われることを特徴とする請求項１に記載の集積回路メモリ。
【請求項１１】
前記メモリセルの第２のセットは、複数のセクターにおける単一のセクターのセルからなることを特徴とする請求項１０に記載の集積回路メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧水中で酸素と水素の混合ガスを燃焼させ、その燃焼ガスで貴金属を溶融して、水中に超微粒子貴金属を微分散させて得られる貴金属分散水よりなることを特徴とする化粧水。
【請求項２】
水中に超微粒子貴金属が微分散した貴金属分散水を水成分として含有することを特徴とする請求項１の化粧料。
【請求項３】
クリーム状の石鹸、薬剤を含有する化粧水、乳液、クリーム、シャンプー、リンス、ヘアートニック、ヘアクリームより選ばれた請求項２の化粧料。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成する方法のための装置として、縦方向に延びる筒型の精製塔の下部に原料の供給口と上部に精製後の結晶を製品として取り出すための取出口とをそれぞれ設け、原料の攪拌のための撹拌装置を上記精製塔内に配置した精製塔を用いて、精製が行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
かかるラクチドを精製してラクチドのＬ体又はＤ体の光学純度の高い製品として得るためには、粗ラクチドを精製する。精製に際しては、下述する図１そして図２に示されるいずれの形式の装置も使用することが可能である。尚、粗ラクチドの製造方法については、後で詳述する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
本発明を実施するための精製装置の一例を示し、図１（Ａ）は縦断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＢ−Ｂ拡大断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
さらに、図２０及び図２１に示したような態様で整列巻きを行うこともできる。図２０は複本数の糸を整経する場合の第３の態様の枕部材及び整列巻きの状態を示す説明図である。図２１は、図２０の整列巻きにおいて巻き始めにおける第１周目の糸層の状態を示す説明図である。第１セクションの同時整経本数が５本（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ）であるが糸Ｃの直径が他の糸Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅよりも大である場合に、図２１に示すごとく、指定された５本のヤーンガイド８８が整経糸ピッチＲA（ＲA≧ｒA（ｒA＝直前に巻き付けられた糸の半径＋巻き付けられる糸の半径）分の間隔を有して糸配列順に糸の巻き付けを行うことによって第１セクションの第１周目の糸層を作成する。この第１セクションにおいて、さらに各ヤーンガイド８８がヤーンガイド１回転当たり整経糸ピッチＲAの１／２以上のピッチＰR（ＰR≧ＲA／２）分変位しながら糸巻き付けを行うとともに糸の巻き付けが予め設定した整経長（巻回数）に達すると該ヤーンガイド８８が糸巻き付け開始位置に復帰するように動作させることによって残りの第２周目以降の糸層を作成する。なお、図２１に示した糸の巻き始めの状態では、整経糸ピッチＲ1は糸Ａ1の半径＋糸Ｂ1の半径又は糸Ｄ1の半径＋糸Ｅ1の半径等であり、ピッチＲ2は糸Ｂ1の半径＋糸Ｃ1の半径以上又は糸Ｃ1の半径＋糸Ｄ1の半径以上である。但し、図２１に示した状態は糸の巻き始めだけであって、第２周目の糸が巻かれると、太い糸Ｃ2は糸Ｂ1と糸Ｃ1の間に滑り落ちて、図２０に示した状態、即ち、糸Ｃ1と糸Ｃ2とが並んだ状態となる。第３周目〜第６周目の糸Ｃ3〜Ｃ6も同様に、図２０に示したように糸Ｃ3と糸Ｃ4及び糸Ｃ5と糸Ｃ6が並んだ状態となる。このように、糸Ｃ1〜Ｃ6は上述したように巻き付けられるが、残りの糸Ａ1，Ｂ1，Ｄ1，Ｅ1，Ｆ1は図１８の場合と同様に、ｎ（ｎ≧１）層の糸層を有する第１セクションの整列巻き整経を行う。次いで、図１８の場合と同様に、第２セクション（糸Ｆ，Ａ，Ｃ）及び第３セクション（糸Ｄ，Ｇ，Ｆ，Ｂ）についても図２０に示したような整列巻きを行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、プレス以外の工程が同じである試料ＦとＧ、及び回転する収容体でのレッティングの後、高圧洗浄して作成した試料ＩとＪについて歩留まりを調べた。
この結果、プレスをしないで分離した靭皮繊維の歩留まりは８０．３％だったのに対し、プレスをして分離した靭皮繊維の歩留まりは９５．６％であった。このことから、プレスにより、歩留まりの良い、すなわち品質の良い靭皮繊維を短時間で得られることが明らかとなった。さらに、手洗いで洗浄した靭皮繊維の歩留まりは８５．４％であったのに対し、高圧洗浄した靭皮繊維の歩留まりは９４．８％であり、高圧洗浄により、広範な用途で使用できる靭皮繊維とすることができることがあきらかとなった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素燃料をコーキング温度以下で加熱する工程と、前記炭化水素燃料とは別に水を加熱する工程と、加熱した炭化水素燃料と加熱した水とを水が超臨界又は亜臨界状態となる条件下で混合する混合工程とを含むことを特徴とする合成燃料の製造方法。
【請求項２】
炭化水素燃料を20℃〜コーキング温度以下で加熱する工程と、前記炭化水素燃料とは別に水を加熱する工程と、加熱した炭化水素燃料と加熱した水とを別々の配管により混合器に供給する工程と、混合器に供給された炭化水素燃料と水とを水が超臨界又は亜臨界状態となる条件下で混合する混合工程とを含むことを特徴とする合成燃料の製造方法。
【請求項３】
前記炭化水素燃料を加熱する工程において、使用する炭化水素燃料油種に応じて加熱温度を制御することを特徴とする請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
炭化水素燃料をコーキング温度以下で加熱する手段と、前記炭化水素燃料とは別に水を加熱する手段と、加熱した炭化水素燃料と加熱した水とを水が超臨界又は亜臨界状態となる条件下で混合する混合手段とを備えたことを特徴とする合成燃料の製造装置。
【請求項５】
炭化水素燃料をコーキング温度以下で加熱する加熱器と、前記炭化水素燃料とは別に水を加熱する加熱器と、加熱した炭化水素燃料と加熱した水とを別々に混合器に供給する配管と、炭化水素燃料と水とを水が超臨界又は亜臨界状態となる条件下で混合する混合器とを備えたことを特徴とする合成燃料の製造装置。
【請求項６】
前記炭化水素燃料を加熱する手段が、使用する炭化水素燃料油種に応じて加熱温度を制御するものであることを特徴とする請求項４又は５記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、重質油等の比較的燃焼し難い炭化水素燃料と水とを用いる合成燃料の製造において、コーキングの防止並びに炭素の析出防止が可能な合成燃料の製造方法及びその装置を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【発明の効果】
本発明によれば、水、炭化水素燃料の加熱を別々にすることにより各流体を最適温度条件に保つことができ、コーキングの防止並びに炭化水素燃料加熱器での炭素析出防止が可能な合成燃料の製造方法及びその装置を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月18日(2004.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明にかかるプリンタ１６においては、スキャナ１２によって読み取られたフィルムＦの画像以外にも、反射原稿の画像を読み取る画像読取装置、デジタルカメラやデジタルビデオカメラ等の撮像デバイス、ＬＡＮ(Local Area Network)やコンピュータ通信ネットワーク等の通信手段、メモリカードやＭＯ（光磁気記録媒体）やフォトＣＤ等のメディア（記録媒体）等の、各種の画像読取手段や撮像手段、画像データの記憶手段等の、各種の画像データ供給源から画像データを受け取り、その画像を再生したプリントを作成してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
以上の例においては、空間度数Ｆ（ｕ，ｖ）を圧縮画像として記憶手段７８に記憶しているが、本発明は、これに限定はされず、さらに、ハフマン技法や算術技法を用いて、さらに圧縮してもよい。
圧縮画像を空間度数のまま記憶手段７８に記憶することにより、圧縮処理を短縮化できると共に、検索時に、デコード（伸張）することなく直接検索を行うことができるので、検索時間も短縮することができ、プリントの作成効率等の点で好ましい。すなわち、図４の第４ステップＳ４におけるＹＣＣ画像の空間度数の圧縮では、検索時に直接、デコードする必要のないデータを参照するのが簡単であり、検索も容易であり、また、圧縮時間、検索時間ともに短縮でき、好ましいので、上述したハフマン技法や算術技法による圧縮は用いない方が良い。しかしながら、記憶手段７８の容量の点では、これらの技法を用いて、空間度数をさらに圧縮して、圧縮画像とするのが好ましい。
従って、このようなさらなる圧縮を行うか否かは、フォトプリンタ１０の性能（要求されるプリント作成能力）、記憶手段７８の容量等に応じて、適宜決定すればよい。
このようにして、検索用圧縮画像は生成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
上述したように、画像圧縮部７２によって生成された圧縮画像は、パラメータ統合部７６によって、そのコマの画像処理の情報と対応付けされて、共に記憶手段７８に記憶される。
なお、図示例においては、記憶手段７８に画像処理の情報と圧縮画像がデータベースとして記憶されるが、本発明は、これに限定はされず、両者の対応付けができていれば、画像処理の情報を記憶するデータベース（記憶手段）と、圧縮画像を記憶するデータベース（記憶手段）とを、別のものとしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
本スキャンは、可変絞り２４の絞り値等の読取条件が設定された本スキャンの読取条件となる以外はプレスキャンと同様に行われ、イメージセンサ３４からの出力信号はアンプ３６で増幅されて、Ａ／Ｄ変換器３８でデジタル信号とされ、処理装置１４のデータ処理部４６で処理されて、Ｌｏｇ変換器４８で本スキャンデータとされ、本スキャンメモリ５２に送られる。
本スキャンデータが本スキャンメモリ５４に送られると、本スキャン処理部５８によって読み出され、処理部６６において確定した画像処理条件で画像処理され、次いで、信号変換部６８で変換されて出力用の画像データとされ、プリンタ１６に出力され、この画像データを再生したプリントが作成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
この例においては、この本スキャン処理部５６への画像処理条件の設定で、画像処理条件が確定し、本スキャンが開始される。あるいは、必要に応じて、同時プリントと同様に検定を行って、画像処理条件を確定してもよい。
本スキャンは、基本的に同時プリントと同様に行われ、スキャナ１２は、供給された本スキャンの読取条件の基、イメージセンサ３４からの出力信号はアンプ３６で増幅されて、Ａ／Ｄ変換器３８でデジタル信号とされ、処理装置１４のデータ処理部４６で処理されて、Ｌｏｇ変換器４８で本スキャンデータとされ、本スキャンメモリ５２に送られ、記憶される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０  （デジタル）フォトプリンタ
１２  スキャナ
１４  画像処理装置
１６  プリンタ
１８  操作系
２０  ディスプレイ
２２  光源
２４  可変絞り
２８  拡散ボックス
３０  キャリア
３２  結像レンズユニット
３４  イメージセンサ
３６  アンプ
３８  Ａ／Ｄ変換器
４６  データ処理部
４８  Ｌｏｇ変換器
５０  プレスキャン（フレーム）メモリ
５２  本スキャン（フレーム）メモリ
５４  プレスキャン処理部
５６  本スキャン処理部
５８  条件設定部
６２，６６  （画像）処理部
６４，６８  信号変換部
７０  セットアップ部
７２  画像圧縮部
７４  キー補正部
７６  パラメータ統合部
７８  記憶手段
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月20日(2004.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、このように回折限界近くまで小さなスポット径として光を集光した場合には、光検出器の分割線の影響が無視できなくなる。この光検出器の分割線上では、光信号の電気信号への変換効率が低い問題や、この分割線上に入射した光により発生するキャリヤの移動速度が遅いために、応答速度が低下する問題があった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアントコンピュータに格納されたクライアントアプリケーションによって使用されるデータを変更するための方法であって、
（ａ）前記クライアントコンピュータからサーバコンピュータに情報を送信するステップであって、前記送信された情報は、前記クライアントアプリケーションにおけるデータの意図された用途を定義するとともに、前記データが印刷されることを指定することからなる、ステップと、
（ｂ）前記送信された情報に基づいて、前記データを変更するステップであって、かかる変更は、前記データを、前記送信された情報によって定義された、前記クライアントアプリケーションによる前記データの意図された用途に対して最適化するためになされ、かかる変更は、前記サーバコンピュータに格納されたサービスアプリケーションによって実施されることからなる、ステップと、
（ｃ）前記変更されたデータを前記クライアントコンピュータに送信するステップ
を含む、方法。
【請求項２】
サービスアプリケーションによって実施される方法であって、
（ａ）リモートコンピューティングシステムで実行されているクライアントアプリケーションから情報を受け取るステップであって、この受け取った情報は、前記クライアントアプリケーションによって要求されたデータの意図された用途を示し、当該受け取った情報は、前記データが印刷されることを指定することからなる、ステップと、
（ｂ）前記受け取った情報に基づいて前記データを変更するステップであって、かかる変更は、前記データを、前記受け取った情報によって示された、前記クライアントアプリケーションによる前記データの意図された用途に対して最適化するためになされ、かかる変更は、前記サービスアプリケーションによって実施されることからなる、ステップと、
（ｃ）前記変更されたデータを前記リモートコンピューティングシステムに送信するステップ
を含む、方法。
【請求項３】
サービスアプリケーションを格納する記憶媒体であって、前記サービスアプリケーションはコンピューティングシステムで実行されるときに、以下のステップ（ａ）乃至（ｃ）を含む方法を実施することからなる、記憶媒体。
（ａ）リモートコンピューティングシステムで実行されているクライアントアプリケーションから情報を受け取るステップであって、この受け取った情報は、前記クライアントアプリケーションによって要求されたデータの意図された用途を示し、当該受け取った情報は、前記データが印刷されることを指定することからなる、ステップ。
（ｂ）前記受け取った情報に基づいて前記データを変更するステップであって、かかる変更は、前記データを、前記受け取った情報によって示された、前記クライアントアプリケーションによる前記データの意図された用途に対して最適化するためになされ、かかる変更は、前記サービスアプリケーションによって実施されることからなる、ステップ
（ｃ）前記変更されたデータを前記リモートコンピューティングシステムに送信するステップ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜を備え、前記層間絶縁膜に所定のピッチで配列され且つ開口された複数の窓に対応する位置であって、前記半導体基板内に形成された第２導電型の不純物からなる複数の第２導電型の拡散領域と、前記層間絶縁膜上及び各拡散領域上に所定のパターンで形成され、前記各拡散領域にそれぞれ接続する複数の個別電極を備えるＬＥＤアレイチップにおいて、
前記各個別電極は、前記拡散領域とのオーミック接続のために前記拡散領域の一部を覆うように前記拡散領域上及びその近傍の層間絶縁膜上に形成されるコンタクト部と、該コンタクト部と接続された配線部とを有し、
前記コンタクト部の電極膜厚は、前記配線部の電極膜厚より薄く形成したことを特徴とするＬＥＤアレイチップ。
【請求項２】
請求項１記載のＬＥＤアレイチップにおいて、前記層間絶縁膜は、第２導電型の拡散領域を形成するための拡散マスクと、該拡散マスク上に設けられた、さらに他の絶縁膜とからなることを特徴とするＬＥＤアレイチップ。
【請求項３】
第１導電型の半導体基板上に、所定のピッチで配列され且つ開口された複数の拡散窓を有する拡散マスクを層間絶縁膜の全部若しくは一部として形成する工程と、
前記各拡散窓を介して第２導電型の不純物を前記半導体基板に拡散することにより複数の第２導電型の拡散領域を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上及び前記各拡散領域上に所定のパターンで形成され、前記各拡散領域にそれぞれ接続する複数の個別電極を形成する工程を具備し、
前記個別電極形成工程は、前記拡散領域とのオーミック接続のために前記拡散領域の一部を覆うように前記拡散領域上及びその近傍の層間絶縁膜上に形成されるコンタクト部と、前記層間絶縁膜上に形成され前記コンタクト部と接続された配線部とからなる個別電極を形成し、前記コンタクト部の電極膜厚を、前記配線部の電極膜厚より薄く形成することを特徴とするＬＥＤアレイチップの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のＬＥＤアレイチップの製造方法において、
前記個別電極形成工程は、
先ず、少なくとも、前記コンタクト部の形成予定領域と、それに連なる配線部の形成予定領域の一部に対応する領域に、膜厚の薄い導体膜のパターンを形成する第１の工程と、
次いで、前記配線部の形成予定領域に、膜厚の厚い導体膜のパターンを形成する第２の工程とを、具備することを特徴とするＬＥＤアレイチップの製造方法。
【請求項５】
請求項３記載のＬＥＤアレイチップの製造方法において、
前記個別電極形成工程は、
先ず、前記配線部の形成予定領域に、膜厚の厚い導体膜のパターンを形成する第１の工程と、
次いで、少なくとも、前記コンタクト部の形成予定領域と、それに連なる配線部の形成予定領域の一部に対応する領域に、膜厚の薄い導体膜のパターンを形成する第２の工程とを、具備することを特徴とするＬＥＤアレイチップの製造方法。
【請求項６】
請求項３記載のＬＥＤアレイチップの製造方法において、前記拡散マスク上に、さらに他の絶縁膜を形成し、前記拡散マスク及び前記他の絶縁膜とで前記層間絶縁膜を構成したことを特徴とするＬＥＤアレイチップの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器用バッテリパック
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体に対して表示部を開閉可能に支持する少なくとも一対の開閉機構部の間に配置され、前記本体へ駆動電源を供給する電子機器用バッテリパックであって、
前記バッテリパックの両端には前記本体に前記バッテリパックを挿入、抜去するための凹又は凸状の第１のガイド機構が設けられており、
前記バッテリパックの前記第１のガイド機構は、前記一対の開閉機構部の前記本体側の部分に設けられた第２のガイド機構に案内され、
前記バッテリパックの前記第１のガイド機構と、前記一対の開閉機構部に設けられた前記第２のガイド機構とが篏合されることで、前記バッテリパックが前記本体の厚さ方向の中心線に沿う仮想平面と平行な方向へ案内されて前記本体に対して着脱自在に装着されることを特徴とする電子機器用バッテリパック。
【請求項２】
前記一対の開閉機構部を構成する略円柱形状のヒンジ機構の直径とほぼ同じ直径の略円柱形状に形成され、前記本体に対して装着した状態で、中心軸線と前記ヒンジ機構の回転中心とが一致することを特徴とする請求項１に記載の電子機器用バッテリパック。
【請求項３】
前記本体に対して装着した状態で固定するバッテリ側固定機構部を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子機器用バッテリパック。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外付バッテリに起因する薄型化の阻害要因を全て解消し、かつ本体に対して表示部を１８０度以上の回転範囲に渡って開閉することができる電子機器に用いられるバッテリパックに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、本発明にあっては、本体に対して表示部を開閉可能に支持する少なくとも一対の開閉機構部の間に配置され、前記本体へ駆動電源を供給する電子機器用バッテリパックであって、前記バッテリパックの両端には前記本体に前記バッテリパックを挿入、抜去するための凹又は凸状の第１のガイド機構が設けられており、前記バッテリパックの前記第１のガイド機構は、前記一対の開閉機構部の前記本体側の部分に設けられた第２のガイド機構に案内され、前記バッテリパックの前記第１のガイド機構と、前記一対の開閉機構部に設けられた前記第２のガイド機構とが篏合されることで、前記バッテリパックが前記本体の厚さ方向の中心線に沿う仮想平面と平行な方向へ案内されて前記本体に対して着脱自在に装着されることを特徴とする電子機器用バッテリ(バッテリパック)により、達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の窓ガラス板に、アンテナ導体と、このアンテナ導体に接続される給電点とを設けてなる車両用ガラスアンテナにおいて、
アンテナ導体は、給電点から窓ガラス板の開口縁に沿って延び且つ先端が給電点から開放される外側開放導体と、少なくとも一端が給電点に接続され且つ外側開放導体の内側にループ状に延びる内側ループ導体とを備えたことを特徴とする車両用ガラスアンテナ。
【請求項２】
前記窓ガラス板上には、アース点及びこのアース点に接続されるアース導体を設けるとともに、このアース導体の先端と前記外方開放導体の先端とを相互に影響しない距離を置いて対向配置することを特徴とする請求項１記載の車両用ガラスアンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このような技術的手段において、ガラスアンテナのインビダンス調整を容易にするという観点からすれば、窓ガラス板上にアース点に接続されるアース導体を設ける態様が好ましく、特に、アース導体とアンテナ導体とを所定距離隔てて略平行に配置する態様が好ましい。
この場合において、アンテナ導体とアース導体との距離は相互に影響し合う範囲（通常５ｍｍ〜７０ｍｍ）で適宜選定して差し支えない。
更に、アース導体の先端とアンテナ導体の外側開放導体の先端とは相互に影響しない距間隔を置いて対向配置されることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
更に、アンテナ導体２とアース導体３との位置は、アンテナ導体２とアース導体３とが略平行の部分を有することが好ましいが、アンテナ導体２とアース導体３の大部分が略平行でない場合であっても使用できる。また、アンテナ導体２とアース導体３とが略平行でない場合であってもよい。例えば、アンテナ導体２とアース導体３とが直角状に配設されててもよい。また、アンテナ導体２とアース導体３とが直線上に配設されててもよい。
例えばアンテナ導体２の内側ループ導体２２とアース導体３とが略平行の部分を有する場合、最短間隔ｄ1のより好ましい範囲は５〜７０ｍｍの範囲であり、この範囲内である場合には、この範囲外である場合と比較してＦＭ放送帯などの高周波帯の感度が向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、アンテナ導体パターンを工夫することで、ＦＭ放送帯などの高周波帯の感度を向上させることができる。
従って、アンテナ導体パターン側で、ＦＭ放送帯などの高周波帯の感度を十分に高く設定するようにすれば、給電点と受信機などの通信端末との間に受信信号を増幅するための増幅器を使用せずに従来技術と同等以上の性能を確保することも可能である。
更に、本発明によれば、ＦＭ放送帯などの高周波帯で感度の平坦性が優れていることも認められる。
また、本発明において、アンテナ導体とは別にアース点に接続されるアース導体を設ける態様によれば、アース導体がアンテナ導体と共にアンテナとして機能することになり、電波信号を効率良く受信することができ、しかも、アース導体と内側ループ導体との間の最短距離を調整することでインピダンス調整を容易に行うことができる。
特に、アース導体の先端と外側開放導体の先端とを相互に影響しない間隔を置いて対向配置する態様にあっては、アース導体、外側開放導体の長さを個々的に調整し、ＦＭ放送帯などの高周波帯の感度を向上させることができる。