【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己組織化相分離性ブロックコポリマーを熱分解して多数のカーボンナノ構造体を形成することを含み、カーボンナノ構造体は、カーボンナノ繊維、カーボンナノチューブ及び約１０〜約１００ｎｍの範囲の孔からなるカーボンナノ構造体の少なくとも一つであり、ブロックコポリマーは、少なくとも一つのカーボン前駆体ブロックおよび少なくとも一つの犠牲ブロックを含み、相分離性ブロックコポリマーが、前駆体ブロックと犠牲ブロックとの非混和性のために、分子スケールで少なくとも一つの前駆体相と少なくとも一つの犠牲相に分離される、ナノ構造材料の製造方法。
【請求項２】
さらに
前駆体を含むフィルムを作成し；そして
該フィルムを加熱する
ことを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項３】
さらに
コポリマーを相分離させる条件を付与する
ことを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項４】
ポリマーを相分離させる条件が、ポリマーを、塊状で、溶液中で、相選択的溶剤の存在下で、界面で、表面で、重合媒質中で、真空下で、大気圧より高い圧力で、酸素の不存在下で、およびアニールにより相分離させる少なくとも１つを含む、請求項３に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項５】
コポリマーが相分離形態を形成する、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項６】
自己組織化相分離性ブロックコポリマーが、球状、ラメラ状、円筒状およびらせん状よりなる群から選択される形態を有する少なくとも１つの相を含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項７】
さらに
自己組織化相分離性ブロックコポリマー前駆体を酸素の不存在下でアニールすることを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項８】
さらに
相分離形態の少なくとも１つの相にドープすることを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項９】
相分離形態の少なくとも１つの相にドープすることが、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｂおよび遷移金属の少なくとも１種を含む少なくとも１種類の物質をドープすることを含む、請求項８に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項１０】
さらに
酸素の存在下で加熱することによって相分離した形態を安定化することを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項１１】
相分離したコポリマーが、ＡＢブロックコポリマー、ＡＢＡブロックコポリマー、ＡＢＣブロックコポリマー、多重ブロックコポリマー、グラフトコポリマー、対称および非対称スターコポリマー、多枝ブロックコポリマー、（超）枝分かれコポリマー、ブラシコポリマー、ならびにポリマーブレンドよりなる群から選択される少なくとも１種類のコポリマーを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項１２】
相分離したコポリマーが、少なくとも１つのポリマーセグメント中にアクリロニトリルモノマー単位を含む、請求項１１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項１３】
さらに
相分離したコポリマー材料をアニールし；そして
相分離したコポリマーを安定化する；ことを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項１４】
さらに
ナノ構造材料を成形することを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項１５】
ナノ構造材料の特性が、相分離したコポリマー材料のブロックの分子量および炭化条件により影響を受ける、請求項１４に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項１６】
さらに
相分離性コポリマーを含む前駆体のフィルムで表面を被覆することを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項１７】
さらに
表面にカーボンナノ構造体の二次元アレイを形成することを含む、請求項１６に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項１８】
表面に塩類、色素および反応性有機物質のうち少なくとも１種類を組織化するために二次元アレイを使用する、請求項１７に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項１９】
さらに
カーボンナノ構造体の二次元アレイに反応性種を浸入させることを含む、請求項１７に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項２０】
浸入した反応性種が電解質を形成する、請求項１９に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項２１】
さらに
イオン種を添加して電解質を形成することを含む、請求項１９に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項２２】
反応性種が重合性である、請求項１９に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項２３】
さらに
反応性種を重合させることを含む、請求項２２に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項２４】
反応性種が絶縁体を含む、請求項１９に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項２５】
表面が支持体上にあり、該表面を部分的にフィルムで被覆する、請求項１６に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項２６】
部分的被覆がパターンを含む、請求項２５に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項２７】
表面を、相分離性材料の超薄膜、薄膜または厚膜のいずれかで被覆する、請求項１６に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項２８】
ナノ構造材料が、吸着容量を有するカーボンナノ構造体を含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項２９】
ナノ構造材料がカーバイドを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項３０】
相分離したコポリマー材料が、少なくとも２種類の異なるモノマー単位から誘導されたブロックを有するブロックコポリマーを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項３１】
少なくとも２種類の異なるモノマー単位のうち少なくとも１種類が、相分離したポリマー材料中にコアを形成する、請求項３０に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項３２】
少なくとも２種類の異なるモノマー単位から誘導されたブロックが勾配コポリマーブロックである、請求項３０に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項３３】
相分離したコポリマー材料が遷移金属を含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項３４】
請求項３３に記載の方法で製造した、高表面積カーボンナノ構造材料。
【請求項３５】
さらに
ナノ構造体の三次元アレイを形成し、ナノ構造体が膜、顆粒、ならびにナノポア、メソポアおよびマクロポアの少なくとも１種類を含む構造体の少なくとも１つである、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項３６】
ナノ構造材料が、光電池、スーパーコンデンサー、電池、燃料電池、コンピューターメモリー、炭素電極、カーボンフォーム、アクチュエーターおよび水素貯蔵材料の作成のためのものである、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項３７】
さらに
ナノ構造材料を遷移金属と接触させ；そして
ナノ構造材料を遷移金属と共に熱分解してカーバイドを形成する；
ことを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項３８】
ナノ構造材料がカーボンナノチューブの二次元アレイを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項３９】
ナノ構造材料の少なくとも一部がフラットパネルディスプレーに組み込まれている、請求項３８に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項４０】
ナノ構造材料をスーパーコンデンサー電極に使用する、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項４１】
相分離したコポリマーを含む前駆体を熱分解して、高い有効表面積、均一なポア密度および均一なポア直径を有するカーボンをベースとするナノ構造材料を形成することを含む方法で製造したスーパーコンデンサー電極。
【請求項４２】
請求項１に記載の方法で製造した、高表面積カーボンナノ構造材料。
【請求項４３】
支持体上にカーボンナノ構造体のアレイを形成する；
ことを含み、さらに
アレイに遷移金属を浸入させ；そして
該アレイを熱分解する；
ことを含む、請求項１に記載のナノ構造材料の製造方法。
【請求項４４】
遷移金属が支持体上に半導体を形成する、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
遷移金属が支持体上に導体を形成する、請求項４３に記載の方法。