【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる第２画素電極とが順次積層されて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される第１および第２の画素電極とを備え、
前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の前記第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる前記第２画素電極とが順次積層されて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される第１および第２の画素電極とを備え、
前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の前記第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる前記第２画素電極とが順次積層されて形成され、
前記第１画素電極と材料層の合計膜厚とゲート信号線の層厚はそれぞれ１００ｎｍ以下に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される第１および第２の画素電極とを備え、
前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の前記第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる前記第２画素電極とが順次積層されて形成され、
前記第１画素電極と材料層の合計膜厚とゲート信号線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される第１および第２の画素電極とを備え、
前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の前記第１画素電極と、この第１画素電極と接続され前記光反射部の大部分に形成された前記薄膜トランジスタのソース電極の延在層と、前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射部に形成され前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース電極と接続された反射膜を兼ねる前記第２画素電極とが順次積層されて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される第１および第２の画素電極とを備え、
前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の前記第１画素電極と、この第１画素電極と接続され前記光反射部の大部分に形成された前記薄膜トランジスタのソース電極の延在層と、前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射部に形成され前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース電極と接続された反射膜を兼ねる前記第２画素電極とが順次積層されて形成され、
前記第１画素電極と前記ソース電極の延在層の合計膜厚とゲート信号線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される第１および第２の画素電極とを備え、
前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の前記第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる前記第２画素電極とが順次積層されて形成され、
前記第２画素電極は前記一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号線に重畳されて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される第１および第２の画素電極とを備え、
前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の前記第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、前記光透過部に開口が形成された絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる前記第２画素電極とが順次積層されて形成されているとともに、
前記第２画素電極は前記一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号線に重畳されて形成され、光反射部における第２画素電極の基板に対する高さと前記他方のゲート信号線に重畳されて形成された第２画素電極の基板に対する高さの差を０．１μｍ以下にするための高さ調整材料が前記光反射部および他方のゲート信号線上の少なくともいずれか一方に介在されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される第１および第２の画素電極とを備え、
前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の前記第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、前記光反射部および前記光透過部に形成された絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる前記第２画素電極とが順次積層されて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される第１および第２の画素電極とを備え、
前記画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の前記第１画素電極と、前記光反射部の大部分に形成された材料層と、前記光反射部および前記光透過部に形成された絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる前記第２画素電極とが順次積層されて形成され、
前記第１画素電極と材料層との合計膜厚とゲート信号線の層厚との差は０．１μｍ以下に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１画素電極と材料層の合計膜厚とゲート信号線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１画素電極は、前記光反射部の大部分に形成されていることを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
バックライトを備えることを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に光反射部と光透過部に区分された画素領域を備え、
この画素領域には、その光反射部と光透過部に形成された透光性の第１画素電極と、前記光反射部のうち容量部を除く大部分に形成された材料層と、絶縁層と、前記光反射部に形成された反射膜を兼ねる第２画素電極とが順次積層されて形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
前記画素領域は一対のゲート信号線と一対のドレイン信号線に囲まれた領域として形成され、かつ前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線からの走査信号によって作動される薄膜トランジスタを備え、
第１および第２の画素電極には、前記薄膜トランジスタを介して一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１画素電極と材料層の合計膜厚とゲート信号線の層厚はそれぞれ１００ｎｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１画素電極と材料層の合計膜厚とゲート信号線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記材料層は前記薄膜トランジスタのソース電極の延在層であることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第１画素電極と前記ソース電極の延在層の合計膜厚とゲート信号線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第２画素電極は前記一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号線に重畳されて形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第１画素電極と材料層の合計膜厚とゲート信号線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記容量部を除く光反射部における第２画素電極の基板に対する高さと前記他方のゲート信号線に重畳されて形成された第２画素電極の基板に対する高さの差を０．１μｍ以下にするための高さ調整材料が前記光反射部および他方のゲート信号線上の少なくともいずれか一方に介在されていることを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
容量素子線を備え、前記第２画素電極は前記容量素子線に重畳されて形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第１画素電極と材料層の合計膜厚と容量素子線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記容量部を除く光反射部における第２画素電極の基板に対する高さと前記容量素子線に重畳されて形成された第２画素電極の基板に対する高さの差を０．１μｍ以下にするための高さ調整材料が前記光反射部および容量素子線上の少なくともいずれか一方に介在されていることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記材料層は前記薄膜トランジスタのソース電極の延在層であることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記第１画素電極と前記ソース電極の延在層の合計膜厚と容量素子線の層厚の差は０．１μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項２６に記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記絶縁層は、前記光透過部に開口が形成されていることを特徴とする請求項１４から２７の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
前記絶縁層は、前記光透過部および前記光反射部に形成されていることを特徴とする請求項１４から２７の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３０】
前記第１画素電極は、前記光反射部のうち容量部を除く大部分に形成されていることを特徴とする請求項１４から２９の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項３１】
バックライトを備えることを特徴とする請求項１４から３０の何れかに記載の液晶表示装置。