Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月22日(2004.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、該光源からの光を反射可能な内壁を備えたハウジングと、該ハウジングの前方に開口した光出射用開口部と、該光出射用開口部に装着された光透過性のランプカバーとを備えた車両用灯具において、
前記ランプカバーの、前記光源からの光の出射に実質的に関与しない非発光領域に、消灯時、外側からの光が透過して前記ハウジングの内壁で反射され、着色された反射光が再び外側に出射可能な光透過性の着色部材が設けられていることを特徴とする車両用灯具。
【請求項２】
前記着色部材が、光透過性の着色フィルム、光透過性の着色塗料の塗膜、光透過性の着色樹脂シート、光透過性の着色塗料を塗布したかもしくは光透過性の着色フィルムを積層した樹脂シート又は前記ランプカバーの一部を構成する着色樹脂成形体であることを特徴とする請求項１に記載の車両用灯具。
【請求項３】
前記着色フィルムが、少なくとも着色層を含む多層構造フィルムであることを特徴とする請求項２に記載の車両用灯具。
【請求項４】
前記ランプカバーの外面に前記着色フィルムが貼付されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の車両用灯具。
【請求項５】
前記ランプカバーの内面に前記着色フィルムが貼付されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の車両用灯具。
【請求項６】
前記着色フィルムが、アクリル系接着剤からなる接着剤層をさらに有していることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の車両用灯具。
【請求項７】
前記着色フィルムが、前記ランプカバーの外面に貼付して使用される時、その最外層としてクリア層をさらに有していることを特徴とする請求項２〜４及び６のいずれか１項に記載の車両用灯具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の着色フィルムはまた、それをランプカバーの外面に貼付して使用する場合、その最外層としてクリア層をさらに有していることが好ましい。クリア層は、それを保護膜として作用させる観点から、本来必須の性質である透明性に加えて、耐候性及び耐熱性を有することが望ましい。また、クリア層は、その下地との良好な密着性を有することも望ましい。クリア層の形成のために適当な樹脂としては、以下に列挙するものに限定されないけれども、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素系樹脂（ＰＶｄＦ、ＥＴＦＥ等）などを挙げることができる。これらの樹脂は、必要に応じて、混合物もしくは共重合体として使用してもよい。さらに、クリア層は、ランプカバーの表面に対して光沢を付与し、外観を向上させることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に少なくとも１灯の光源が配置されかつ光出射用開口を有するランプ室を備えた車両用灯具であって、
前記ランプ室の光出射用開口に、前記灯具の光出射面を少なくとも覆う形状及びサイズを備えた透明なランプカバーが装着されているとともに、前記ランプカバーの内面に、微細な凹凸構造面をもった構造部及びそのような凹凸構造を有しない非構造部が予め定められたパターンで形成された選択偏光層が、さらに設けられていることを特徴とする車両用灯具。
【請求項２】
前記選択偏光層において、前記構造部は、Ｐ偏光を透過させ、Ｓ偏光を反射させるが、反射されたＳ偏光は、多重反射によってその偏光が解消された後に該構造部を透過することを特徴とする請求項１に記載の車両用灯具。
【請求項３】
前記選択偏光層において、前記構造部の凹凸構造は、直線状の３角形プリズム、もしくは直線状の３角形プリズムのプリズム頂角か隣合う３角形間の角のいずれかもしくは両者が丸められている疑似３角形プリズム、もしくはそれら３角形プリズムか疑似３角形プリズムから一部分を取り除いたものに相当する形状からなるプリズム、かまぼこ形プリズム、ピラミッド状の３角錐形もしくは４角錐形プリズム又はその組み合わせからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の車両用灯具。
【請求項４】
前記構造部の凹凸構造において、前記プリズムのピッチｐは、１ｍｍ以下であり、かつ前記プリズムの頂角αは、１５０°以下であることを特徴とする請求項３に記載の車両用灯具。
【請求項５】
前記ランプカバーの内面に、前記構造部に対応する凹凸構造面をもった偏光フィルムを部分的に施すことによって前記選択偏光層を形成したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の車両用灯具。
【請求項６】
前記ランプカバーの内面に、前記構造部及び前記非構造部のパターンをもった偏光フィルムを施すことによって前記選択偏光層を形成したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の車両用灯具。
【請求項７】
前記偏光フィルムが、輝度上昇フィルムであることを特徴とする請求項５又は６に記載の車両用灯具。
【請求項８】
前記選択偏光層において、前記非構造部又は前記構造部が、ストライプ、格子、ドット又はそれらの組み合わせからなる群から選ばれたパターンで形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の車両用灯具。
【請求項９】
それぞれにランプが配置された少なくとも２つのランプ室を備えた分割タイプのランプ構造体であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の車両用灯具。
【請求項１０】
車両のリアコンビネーションランプとして用いられるものであって、ストップランプ兼テールランプ、ターンシグナルランプ及びバックアップランプの少なくとも２灯が任意のパターン及び組み合わせで組み込まれていることを特徴とする請求項９に記載の車両用灯具。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドスライダの端子部に電気的に信号を接続する２対の薄膜配線パターンと、この薄膜配線パターンに設けた絶縁層と、この絶縁層を介し前記２対の薄膜配線パターン間にこの薄膜配線パターンと並進する金属体とを有する構造のフレクシャを備えたヘッド支持機構体。
【請求項２】
前記薄膜配線パターン下を通り、前記金属体と十字状に交差する第２の金属体を更に備えた請求項１記載のヘッド支持機構体。
【請求項３】
前記薄膜配線パターン下を通り、前記金属体とＴ字状に交差する第２の金属体を更に備えた請求項１記載のヘッド支持機構体。
【請求項４】
記録媒体に磁気情報を記録・再生する磁気ヘッドスライダと、この磁気ヘッドスライダを支持するヘッド支持機構体と、キャリッジを介してこのヘッド支持機構体を位置決め駆動するモータとを備えた磁気ディスク装置であって、
前記ヘッド支持機構体は磁気ヘッドスライダの端子部に電気的に信号を接続する２対の薄膜配線パターンと、この薄膜配線パターンに設けた絶縁層と、この絶縁層を介し前記２対の薄膜配線パターン間でこの薄膜配線パターンと並進する金属体と、この薄膜配線パターン下を通り前記金属体と十字状に交差する第２の金属体とがある構造のフレクシャとを備えた磁気ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月20日(2004.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、下部保護層、非晶質相と結晶相との間で可逆的相変化をする記録層、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２からなる上部保護層、Ａｌを主要元素とする反射層の順に積層された光記録媒体。
【請求項２】
透明基板上に、下部保護層、非晶質相と結晶相との間で可逆的相変化をする記録層、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２からなる上部保護層、硫化防止層、Ａｇを主要元素とする反射層の順に積層された光記録媒体。
【請求項３】
透明基板上に、下部保護層、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２からなる下部第２保護層、非晶質相と結晶相との間で可逆的相変化をする記録層、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２又はＺｎＳ、ＳｉＯ２からなる上部保護層、硫化防止層、Ａｇを主要元素とする反射層の順に積層された光記録媒体。
【請求項４】
下部第２保護層の膜厚が３〜１０ｎｍである請求項３記載の光記録媒体。
【請求項５】
硫化防止層がＳｉＣ、Ｓｉ、Ｇｅの何れかからなる請求項２〜４の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項６】
硫化防止層の膜厚が３〜１０ｎｍである請求項２〜５の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項７】
ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２からなる上部保護層の組成式を
（ＺｒＯ２）ａ（Ｙ２Ｏ３）ｂ（ＳｉＯ２）ｃ（ＺｎＳ）１００−（ａ＋ｂ＋ｃ）
として（式中のａ、ｂ、ｃは各成分のｍｏｌ％）、
５＜ａ＜７０
２＜ｂ＜８
０≦ｃ＜２０
という条件を満足する請求項１〜６の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項８】
記録層の組成式を
ＧａαＧｅβＳｂδＸεＴｅ１００−（α＋β＋δ＋ε）として（式中のＸはＡｇ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｍｎの少なくとも一つ、α、β、δ、εは各成分のａｔ％）、
０＜α＜１０
０＜β＜１０
６０＜δ＜８０
０＜ε＜１０
という条件を満足する請求項１〜７の何れかに記載の光記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜８）の発明（以下、本発明１〜８という）によって解決される。
１）  透明基板上に、下部保護層、非晶質相と結晶相との間で可逆的相変化をする記録層、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２からなる上部保護層、Ａｌを主要元素とする反射層の順に積層された光記録媒体。
２）  透明基板上に、下部保護層、非晶質相と結晶相との間で可逆的相変化をする記録層、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２からなる上部保護層、硫化防止層、Ａｇを主要元素とする反射層の順に積層された光記録媒体。
３）  透明基板上に、下部保護層、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２からなる下部第２保護層、非晶質相と結晶相との間で可逆的相変化をする記録層、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２又はＺｎＳ、ＳｉＯ２からなる上部保護層、硫化防止層、Ａｇを主要元素とする反射層の順に積層された光記録媒体。
４）  下部第２保護層の膜厚が３〜１０ｎｍである３）記載の光記録媒体。
５）  硫化防止層がＳｉＣ、Ｓｉ、Ｇｅの何れかからなる２）〜４）の何れかに記載の光記録媒体。
６）  硫化防止層の膜厚が３〜１０ｎｍである２）〜５）の何れかに記載の記録媒体。
７）  ＺｎＳ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＯ２からなる上部保護層の組成式を
（ＺｒＯ２）ａ（Ｙ２Ｏ３）ｂ（ＳｉＯ２）ｃ（ＺｎＳ）１００−（ａ＋ｂ＋ｃ）として（式中のａ、ｂ、ｃは各成分のｍｏｌ％）、
５＜ａ＜７０
２＜ｂ＜８
０≦ｃ＜２０
という条件を満足する１）〜６）の何れかに記載の光記録媒体。
８）  記録層の組成式を
ＧａαＧｅβＳｂδＸεＴｅ１００−（α＋β＋δ＋ε）として（式中のＸはＡｇ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｍｎの少なくとも一つ、α、β、δ、εは各成分のａｔ％）、
０＜α＜１０
０＜β＜１０
６０＜δ＜８０
０＜ε＜１０
という条件を満足する１）〜７）の何れかに記載の光記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
なお、第１及び第２の実施例の光磁気記録用磁気ヘッドは、フライング方式の光磁気記録装置に適用することもできる。この場合には、反磁性体層上にスライダを設ければよい。スライダを設けることにより、光磁気記録媒体の回転で発生する空気流で浮遊することが可能となる。このように、フライング方式の光磁気記録装置に適用した場合にも、磁界の無駄な損失が極めて少ないという効果を得ることが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に軟磁性層を形成する方法において、該基板に直流バイアス電圧を加えながらスパッタリングを行うことを特徴とする軟磁性層を形成した基板の製造方法。
【請求項２】
直流バイアス電圧が５０Ｖ以上かつ５００Ｖ以下である請求項１の軟磁性層を形成した基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法により形成されたことを特徴とする軟磁性層を形成した基板。
【請求項４】
軟磁性層の保磁力が１０Ｏｅ（７９０Ａ／ｍ）以下である請求項３に記載の軟磁性層を形成した基板。
【請求項５】
軟磁性層が少なくともＦｅＮｉ、ないしＣｏＺｒＸ（ＸはＮｂ、Ｔａより選ばれる一種以上の元素）を含有することを特徴とする請求項３または４に記載の軟磁性層を形成した基板。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれかに記載の軟磁性層上に少なくとも磁気記録層が形成されてなる磁気記録媒体。
【請求項７】
磁気記録層が垂直磁化膜である請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
基板上に軟磁性層、磁気記録層を含む磁気記録媒体の製造方法であって、基板に直流バイアス電圧を加えながらスパッタリングを行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
直流バイアス電圧が５０Ｖ以上かつ５００Ｖ以下である請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項６または７に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘッドと磁気記録媒体に対して相対移動させる手段と、磁気ヘッドの記録信号入力と磁気ヘッドからの再生信号出力を行うための記録信号処理手段を有することを特徴とする磁気記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月20日(2004.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラム領域を有する相変化型光ディスクのフォーマットにおいて、プログラム領域をフォーマットする時の記録パワーよりも高い記録パワーでプログラムメモリーエリア領域の記録を行なうことを特徴とする相変化型光ディスクのフォーマット方法。
【請求項２】
プログラムメモリーエリア領域の記録を、パワーキャリブレーションを行なった後に行ない、その後、フォーマットを行うための記録パワーを設定し、プログラム領域をフォーマットすることを特徴とする請求項１記載のフォーマット方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のフォーマット方法によりフォーマットされた相変化型光ディスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜３）の発明によって解決される。
１）  プログラム領域を有する相変化型光ディスクのフォーマットにおいて、プログラム領域をフォーマットする時の記録パワーよりも高い記録パワーでプログラムメモリーエリア領域の記録を行なうことを特徴とする相変化型光ディスクのフォーマット方法。
２）  プログラムメモリーエリア領域の記録を、パワーキャリブレーションを行なった後に行ない、その後、フォーマットを行うための記録パワーを設定し、プログラム領域をフォーマットすることを特徴とする１）記載のフォーマット方法。
３）  １）又は２）記載のフォーマット方法によりフォーマットされた相変化型光ディスク。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の効果】
本発明によれば、プログラム領域を有する相変化型光ディスクのフォーマットにおいてＰＭＡ領域及びプログラム領域にそれぞれ最適な記録を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月24日(2004.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンガン本体のイオンビーム照射口から所定の空間位置に、ニュートラライザーユニット及びイオンビーム貫通穴を有するイオンコレクターユニットからなる付属部品を取り付ける方法であって、
（ａ）前記イオンガン本体に対する所定の位置に位置決め板と、前後、左右及び上下方向の位置の調節ができる支持部材とを介して、前記付属部品を前後、左右又は上下方向のいずれにも遊びを持たせて仮止めする工程、
（ｂ）前記イオンガン本体と前記付属部品との間に介在させた取付け治具を使用して、前記イオンビーム照射口と前記イオンビーム貫通穴が同軸となるように、前記付属部品を該イオンガン本体に対して固定する工程、
（ｃ）前記取付け治具、前記位置決め板、前記支持部材及び前記付属部品を互いに固定した状態で前記イオンガン本体及び前記所定の位置から取り外す工程、
（ｄ）前記取付け治具を前記付属部品から取り外す工程、及び
（ｅ）前記位置決め板を前記所定の位置に再度取り付ける工程
からなる方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記工程（ａ）、（ｃ）及び（ｅ）における前記所定の位置が、前記イオンガン本体に固定された水冷ジャケットに設けられたの所定の個所であることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、
前記工程（ａ）において、前記支持部材が取付け板及び絶縁支柱からなり、
該工程（ａ）が、
前記位置決め板を前記水冷ジャケットの予め決められた位置に固定する工程、
該取付け板を該位置決め板に、該取付け板の位置を該位置決め板に対して所定の第1及び第２の方向に調整し得るように該取付け板に設けた長穴にねじを通して仮止めする工程、及び
該絶縁支柱を該取付け板に、該絶縁支柱の位置を該取付け板に対して該第1及び第2の方向とは異なる第３の方向に調整し得るように該絶縁支柱に設けた長穴にねじを通して仮止めする工程
からなることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３いずれか一項に記載の方法であって、
前記工程（ｂ）において、前記取付け治具がベース板、四角柱ブロック及びカラーからなり、
該工程（ｂ）が、
前記イオンガン照射口の上部に前記イオンガン本体の中心に合わせて該ベース板、該四角柱ブロック、該カラーの順に配置する工程、
配置された該取付け治具の中心に中央位置決めピンを貫通する工程、
該四角柱ブロックと前記ニュートラライザーユニットを固定する工程、
前記イオンコレクターユニットを、前記貫通穴を前記中央位置決めピンに合わせて配置する工程、及び
前記仮止めする工程によって仮止めされた箇所を固定する工程
からなることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項２から請求項４いずれか一項に記載の方法であって、
前記工程（ｃ）において、該位置決め板を前記水冷ジャケットから取り外すことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５記載の方法であって、
前記工程（ｄ）において、前記ベース板、前記四角柱ブロック、前記カラー及び前記中央位置決めピンのみを前記イオンコレクターユニット及び前記ニュートラライザーユニットから取り外すことを特徴とする方法。
【請求項７】
イオンガン本体に対して所定の位置に付属部品を取り付ける構造であって、
該イオンガン本体に対する所定の位置に着脱可能な位置決め板、該位置決め板上に取り付けられた支持部材、及び該支持部材に固定された付属部品からなり、
前記支持部材は前記付属部品を前記イオンガン本体に対して前後、左右又は上下への遊びを持たせて該位置決め板に仮止めすることができ、かつ、該イオンガン本体と該付属部品の間に治具を介在させて前記付属品の所望の取付け位置を決定することができ、更に、前記位置決め板を一旦前記所定の位置から取り外して前記治具を取り去った後、再度前記所定の位置に取り付けることができるように構成されていることを特徴とする構造。
【請求項８】
請求項７記載の構造であって、前記所定の位置が該イオンガン本体に固定された水冷ジャケットに設けられた所定の個所であることを特徴とする構造。
【請求項９】
請求項７又は請求項８記載の構造において、
前記支持部材が、位置決め板に対して前後及び左右方向に位置を変えて取り付けることができる取付け部及び立ち上がり部からなる断面Ｌ形の取付け板、並びに、該取付け板の立ち上がり部に対して上下方向に位置を変えて取り付けることができるように装着された付属部品固定用の絶縁支柱で構成されていることを特徴とする構造。
【請求項１０】
イオンビーム貫通穴を有するイオンコレクターユニットを含む付属部品のイオンガン本体に対する取付け位置を決めるための部材であって、
各々が貫通穴を有する少なくともベース板及びカラーからなる治具、並びに、中央位置決めピンからなり、
前記ベース板が、該ベース板の貫通穴の中心が前記イオンガン本体の照射口の中心と一致するように該イオンガン本体の所定位置に配置され、前記カラーが前記ベース板と前記イオンコレクターユニット間に配置され、前記中央位置決めピンが前記イオンビーム貫通穴、並びに、前記カラー及び前記ベース板の貫通穴を貫通するように構成されたことを特徴とする部材。
【請求項１１】
ニュートラライザーユニットを含む付属部品のイオンガン本体に対する取付け位置を決めるための部材であって、
各々が貫通穴を有する少なくともベース板及び四角柱ブロックからなる治具、並びに、中央位置決めピンからなり、
前記ベース板が、該ベース板の貫通穴の中心が前記イオンガン本体の照射口の中心と一致するように該イオンガン本体の所定位置に配置され、前記四角柱ブロックが前記ニュートラライザーユニットの予め決められた位置に固定され、前記中央位置決めピンが前記四角柱ブロックの貫通穴及び前記ベース板の貫通穴を貫通するように構成されたことを特徴とする治具。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
更に、始動時にまず上記恒温槽の加熱を開始し、恒温槽、真空チャンバ又はフライトチューブが所定温度に達した時点で上記真空チャンバの真空引きを開始するように制御を行う制御部を備える請求項１又は２に記載の飛行時間型質量分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子源からの一次荷電粒子線を回路パターンが形成された基板に照射・走査する工程と、
回路パターン基板に光を照射する工程と、
回路パターン基板からの二次荷電粒子を検出する工程と、
検出した信号のコントラスの変化から回路パターンの導通・非導通を検査する工程と、を具備したことを特徴とする荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査方法。
【請求項２】
第１の荷電粒子源からの一次荷電粒子線を用いて予め回路パターンが形成された基板を帯電させる工程と、
第２の荷電粒子源からの一次荷電粒子線を回路パターンが形成された基板に照射・走査する工程と、
回路パターン基板に光を照射する工程と、
回路パターン基板からの二次荷電粒子を検出する工程と、
検出した信号のコントラスの変化から回路パターンの導通・非導通を検査する工程と、を具備したことを特徴とする荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の回路パターン用基板検査方法において、
前記光を照射する工程として、赤外光をウエハの裏面から照射することを特徴とした荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査方法。
【請求項４】
荷電粒子源からの一次荷電粒子線を回路パターンが形成された基板に照射・走査する工程と、
回路パターン基板に光を照射する工程と、
回路パターン基板からの二次荷電粒子を検出する工程と、
基板上に形成された回路パターンを構成する絶縁膜の種類に応じて、選択的に絶縁膜表面を導伝化する工程を含み、前記基板からの二次荷電粒子からの信号に基づいて、検出した信号のコントラスの変化から回路パターンの導通・非導通を検査する工程と、を具備したことを特徴とする荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査方法。
【請求項５】
請求項４記載の回路パターン用基板検査方法において、
前記絶縁膜表面を導伝化する工程として、光照射を行なうことを特徴とした荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査方法。
【請求項６】
請求項１から３または５のいずれか１項に記載の回路パターン用基板検査方法において、
回路パターンを形成する絶縁膜の吸収端より短い波長の光を用いたことを特徴とする荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査方法。
【請求項７】
基板を載置する試料台と、
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源からの一次荷電粒子線を回路パターンが形成された基板上を走査する偏向器と、
一次荷電粒子線を基板上に照射する対物レンズと、
基板に光を照射するための光源と、
前記光源からの光を回路パターン基板に照射し基板から得られる二次荷電粒子を検出しそれに基づいて二次荷電粒子像を記憶し記憶された像のコントラストから回路パターンの導通・非導通を検査する検査部と、を具備したことを特徴とする荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置。
【請求項８】
請求項７に記載の回路パターン用基板検査装置において、
前記光源と前記試料台の間に設けられたフイルタを有することを特徴とする荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板と、前記第一の基板と間隔を置いて対向配置された第二の基板とを有する外囲器と、前記外囲器内に配置された画像表示手段とを備える画像表示装置であって、前記第一の基板または前記第二の基板の周辺部において、前記第一の基板と前記第二の基板とが、その内部に高融点材料からなる部材を有する低融点金属の接合部材により封着されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記高融点材料からなる部材は、金属であることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記高融点材料からなる部材が、前記間隔方向において、前記接合部材の厚みと同じ厚みを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記高融点材料からなる部材は、酸化しにくい金属を母材表面にコーティングしたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記高融点材料からなる部材は、水素を吸蔵させた金属であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記画像表示手段は、電子放出素子と蛍光体とを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
第一の基板と、前記第一の基板と間隔を置いて対向配置された第二の基板とを有する外囲器と、前記外囲器内に配置された画像表示手段とを備える画像表示装置の製造方法であって、第一の基板または第二の基板の周辺部において、前記第一の基板と前記第二の基板とを、その内部に高融点材料からなる部材を有する低融点金属の接合部材により封着する工程を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記高融点材料からなる部材は、金属であることを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記画像表示手段は、電子放出素子と蛍光体とを有することを特徴とする請求項７又は８に記載の画像表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、第一の本発明は、「前記高融点材料からなる部材は、金属であること」、「前記高融点材料からなる部材が、前記間隔方向において、前記接合部材の厚みと同じ厚みを有すること」、「前記高融点材料からなる部材は、酸化しにくい金属を母材表面にコーティングしたものであること」、「前記高融点材料からなる部材は、水素を吸蔵させた金属であること」、「前記画像表示手段は、電子放出素子と蛍光体とを有すること」、のそれぞれをより好ましい形態として含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、第二の本発明は、第一の基板と、前記第一の基板と間隔を置いて対向配置された第二の基板とを有する外囲器と、前記外囲器内に配置された画像表示手段とを備える画像表示装置の製造方法であって、第一の基板または第二の基板の周辺部において、前記第一の基板と前記第二の基板とを、その内部に高融点材料からなる部材を有する低融点金属の接合部材により封着する工程を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
かかる第二の本発明は、接合部材がその内部に、接合部材よりも高融点の材料からなる部材を有しているので、封着に際して、接合部材の表面酸化膜を高融点の材料からなる部材によって破ることができ、接合面から酸化膜を排除することができるので、基板の接合面と接合部材との良好な密着性（接合性）を得ることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、第二の本発明は、「前記高融点材料からなる部材は、金属であること」、「前記画像表示手段は、電子放出素子と蛍光体とを有すること」、のそれぞれをより好ましい形態として含むものである。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月13日(2005.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、一対の素子電極と電子放出部を有する導電性薄膜からなる電子放出素子と、該素子電極に接続され、該素子電極と異なる組成からなる金属配線と、を有する電子源基板であって、前記導電性薄膜と前記金属配線との間にある前記素子電極と前記基板との界面に沿った最短距離が、５０μｍ以上であることを特徴とする電子源基板。
【請求項２】
前記最短距離が、１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子源基板。
【請求項３】
基板上に、一対の素子電極と電子放出部を有する導電性薄膜からなる電子放出素子と、該素子電極に接続され、該素子電極と異なる組成からなる金属配線と、を有する電子源基板であって、前記導電性薄膜と前記金属配線との直線最短経路上に、前記素子電極の存在しない領域を有することを特徴とする電子源基板。
【請求項４】
前記導電性薄膜と前記金属配線との直線最短経路上に、前記素子電極の存在する領域と存在しない領域とを有することを特徴とする請求項３に記載の電子源基板。
【請求項５】
前記電子放出部を有する導電性薄膜は、ＰｄないしＰｄＯ、あるいはそれらの混合物よりなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子源基板。
【請求項６】
基板上に、一対の素子電極と該素子電極間に電子放出部を有する電子放出素子と、該素子電極に接続され、該素子電極と異なる組成からなる金属配線と、を有する電子源基板であって、前記電子放出部と前記金属配線との直線最短経路上に、前記素子電極の存在しない領域を有することを特徴とする電子源基板。
【請求項７】
前記素子電極は、少なくとも白金材料を含んだ金属材料であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子源基板。
【請求項８】
前記基板は、ナトリウムを含有するガラス基体と、該ガラス基体上に形成されたナトリウム拡散防止層よりなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子源基板。
【請求項９】
前記ナトリウム拡散防止層は、厚さが５００ｎｍ以上のシリカ被膜よりなることを特徴とする請求項８に記載の電子源基板。
【請求項１０】
前記金属配線は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕのいずれかの金属、あるいは、該いずれかの金属を含む合金からなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電子源基板。
【請求項１１】
前記電子放出素子は、表面伝導型電子放出素子であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電子源基板。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電子源基板の製造方法であって、前記金属配線は、金属ぺーストの印刷と加熱焼成によって形成されることを特徴とする電子源基板の製造方法。
【請求項１３】
入力信号にもとづいて画像を形成する装置であって、少なくとも、画像形成部材と請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電子源基板より構成されたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示電極と少なくとも前記表示電極を覆う保護膜とを有する透光性前面基板と、背面基板と、透光性前面基板と背面基板とを貼り合わせて形成される放電空間と、前記放電空間内に露出するように設けられた蛍光体層とを備えたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護膜が、前記表示電極を覆うように形成された第一の金属酸化膜と、
前記第一の金属酸化膜を被覆する第二の金属酸化膜よりなり、前記第二の金属酸化膜の線熱膨張係数が前記第一の金属酸化膜より大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記表示電極と保護膜との間に誘電体層を有し、前記保護膜の第一の金属酸化膜の線熱膨張係数が前記誘電体層の線熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記保護膜が表示電極上に直接成膜されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第一金属酸化膜と第二の金属酸化膜とを合わせた膜全体の厚みが少なくとも２μｍであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記第二の金属酸化膜は、ＭｇＯもしくはＭｇＯを主成分として含む金属酸化膜であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記第一の金属酸化膜は、ＣｅＯ2、ＣａＯ及びＴｉＯ2の中から選ばれる少なくとも１種を含む金属酸化膜、もしくは前記少なくとも１種の金属酸化物を主成分として含む金属酸化膜であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記透光性前面基板は、少なくともガラス基板と、その表面に形成されたＸ−Ｙ表示電極と、前記表示電極表面を覆うように形成された金属酸化膜からなる保護膜とを有しており、前記背面基板上にはアドレス電極と、前記アドレス電極上に誘電体と隔壁とで仕切られた空間と前記空間内に設けられた蛍光体層とを有しており、前記Ｘ−Ｙ表示電極とアドレス電極とが立体交差するように前記透光性前面基板と背面基板とを貼り合わせ、前記空間を放電空間として形成すると共に、前記空間内にプラズマ放電用希ガスを封入してなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載のＡＣ面放電型プラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
請求項１乃至３の何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルを駆動する少なくとも制御回路を含む駆動装置とを具備してなることを特徴とする画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月17日(2004.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】遠隔制御された発電所の保守業務方法および被制御発電所の保守業務システムおよび保守組織の有する計算機の保守業務方法ならびに保守組織の有する計算機
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電所での異常警報発生時に、前記発電所と通信手段を介して接続された中央制御所は通信手段を介して接続された保守組織の有する計算機へ警報を送信し、前記計算機は受信した前記警報に基づいて通信手段を介して接続される保守員の有する携帯機へ警報を送信し、前記計算機から送信された警報を受信した前記携帯機は、前記中央制御所から送信される対応策に基づいて前記保守員が実行した異常部位の処理の結果を中央制御所へ送信し、前記保守組織の有する計算機は保守作業の費用に関する課金データにより課金を計算することを特徴とする遠隔制御された発電所の保守業務方法。
【請求項２】
前記保守組織の有する計算機が課金を計算する方法は、異常発生から異常処置完了までの経過時間により課金の金額を算出する請求項１の遠隔制御された発電所の保守業務方法。
【請求項３】
前記計算機が前記携帯機へ警報を送信する方法は、異常内容の要約を送信する請求項１の遠隔制御された発電所の保守業務方法。
【請求項４】
集中制御を行う中央制御所と被制御発電所とを通信手段を介して接続し、中央制御所が被制御発電所から通信手段を介して送られてきた運転情報に基づいて被制御発電所を通信手段を介して遠隔制御する発電系統における被制御発電所の保守業務システムにおいて、
被制御発電所での異常発生時に通信手段を介して警報を送信する機能および異常の対応策を送信する機能を有する監視制御装置と、前記送信された警報を受信し、当該警報の内容を通信手段を介して送信する機能および保守作業の費用に関する課金データより課金を計算する機能を有する保守組織の計算機と、中央制御所から送信された前記対応策を受信する機能および前記対応策に基づいて保守員が実行した異常部位の処理の結果を中央制御所へ送信する機能を有する保守員の携帯機とを有することを特徴とする被制御発電所の保守業務システム。
【請求項５】
発電所での異常警報発生時に中央制御所から送信された警報を受信し、受信した前記警報に基づいて通信手段を介して接続される保守員の有する携帯機へ警報を送信し、前記携帯機へ送信された警報に基づいて保守員が異常部位の処理を実行した場合に、保守作業の費用に関する課金データに基づいて課金を計算することを特徴とする保守組織の有する計算機の保守業務方法。
【請求項６】
発電所での異常警報発生時に中央制御所から送信された警報を受信する機能と、受信した前記警報に基づいて通信手段を介して接続される保守員の有する携帯機へ警報を送信する機能と、前記携帯機へ送信された警報に基づいて保守員が異常部位の処理を実行した場合に、保守作業の費用に関する課金データに基づいて課金を計算する機能を有することを特徴とする保守組織の有する計算機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
被制御発電所３を監視・制御しているときに、被制御発電所３に異常が発生したと判断した場合、保守会社５に警報発生を自動通知するとともに、発生した異常の内容および対応などを連絡する。この時点が時刻１である。連絡を受けた保守会社５は、携帯電話回線９１を介して保守員６に警報発生を自動通報して、警報発生を受信した保守員６を被制御発電所３に派遣する。携帯電話機７の画面７１で図３に示す異常に関する情報などを取得して、被制御発電所３へ移動した保守員６は、異常箇所の確認および状況を中央制御所１へ報告する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の閾値を超えた速度で走行する違反車両のナンバープレート及び運転者を視野に含む画像を撮影する第１の撮影手段と、
前記画像から、前記車両のナンバープレート情報を検出する画像処理手段と、
前記第１の撮影手段とは異なる位置に設置され走行する車両のナンバープレートを読み取る第２の撮影手段と、
前記画像処理手段によって検出されたナンバープレート情報と、前記第２の撮影手段により読み取られたナンバープレート情報とのうち、共通するナンバープレート情報を検索する検索手段と、
検索された共通するナンバープレート情報と前記第１および第２の撮影手段の位置情報とを互いに関連づけて違反車両のデータを出力する出力手段と、
を備えた速度違反取締支援システム。
【請求項２】
前記撮影の時刻を示す撮影時刻情報と、前記位置情報とに基づいて、前記違反車両の移動方向を判定する判定手段を更に備えた請求項１に記載の速度違反取締支援システム。
【請求項３】
前記判定手段の判定結果に基づいて、前記移動方向における下流側の所定領域で待機する取締要員に対して取締指示を出力する指示手段を更に備えた請求項２に記載の速度違反取締支援システム。
【請求項４】
前記ナンバープレート情報を通信回線を通じて受信可能な移動体端末を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の速度違反取締支援システム。
【請求項５】
前記移動体端末が、前記第１の撮影手段によって撮影された画像を受信可能であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の速度違反取締支援システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る速度違反取締支援システムは、所定の閾値を超えた速度で走行する違反車両のナンバープレート及び運転者を視野に含む画像を撮影する第１の撮影手段と、前記画像から、前記車両のナンバープレート情報を検出する画像処理手段と、前記第１の撮影手段とは異なる位置に設置され走行する車両のナンバープレートを読み取る第２の撮影手段と、前記画像処理手段によって検出されたナンバープレート情報と、前記第２の撮影手段により読み取られたナンバープレート情報とのうち、共通するナンバープレート情報を検索する検索手段と、検索された共通するナンバープレート情報と前記第１および第２の撮影手段の位置情報とを互いに関連づけて違反車両のデータを出力する出力手段と、を備えたものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また本発明に係る速度違反取締支援システムは、前記撮影の時刻を示す撮影時刻情報と、前記位置情報とに基づいて、前記違反車両の移動方向を判定する判定手段を更に備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なるアドレス信号に基づいてそれぞれ動作し、データを記憶可能な複数の半導体記憶回路と、
上記複数の半導体記憶回路が共有し、上記半導体記憶回路における不良を救済するための冗長回路とを備え、
上記冗長回路は、上記複数の半導体記憶回路に関わる冗長情報に応じて、何れか１つの上記半導体記憶回路内の一部として動作可能であり、
上記複数の異なるアドレス信号をそれぞれデコードして得られる制御信号および入出力されるデータを授受するための複数のスイッチング回路を介して、上記複数の半導体記憶回路と上記冗長回路とがそれぞれ接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記冗長回路は、複数のメモリセルを有する冗長メモリセルアレイと、
当該冗長メモリセルアレイに付帯する周辺回路とを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記冗長情報に応じて、上記複数の異なるアドレス信号をそれぞれデコードして得られる上記複数の半導体記憶回路の制御信号を選択的に上記冗長回路に供給することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記冗長情報に応じて、上記スイッチング回路を制御する冗長制御回路をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記冗長制御回路は、上記冗長情報を記憶する冗長情報記憶回路を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記冗長制御回路は、上記冗長情報に応じて、何れか１つの上記半導体記憶回路と上記冗長回路との間で、上記制御信号および入出力されるデータが授受されるように上記複数のスイッチング回路を同期して切り替えることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記半導体記憶回路は、複数のメモリセルアレイと、
上記複数のメモリセルアレイにデータを入出力する入出力経路を選択的に切り替えるための複数のデータ経路切替スイッチング回路とを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記複数の半導体記憶回路および上記冗長回路は、回路素子を配置する領域の輪郭の形状が矩形をなし、上記複数の異なるアドレス信号をそれぞれデコードした制御信号および入出力されるデータを供給する信号線が、上記複数の半導体記憶回路と上記冗長回路との間でそれぞれ接続可能なように、上記複数の半導体記憶回路と上記冗長回路とを隣接して配置したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
異なるアドレス信号に基づいてそれぞれ動作し、データを記憶可能な複数の半導体記憶回路と、
上記複数の半導体記憶回路が共有し、上記半導体記憶回路における不良を救済するための冗長回路とを備え、
上記冗長回路は、上記複数の半導体記憶回路に関わる冗長情報に応じて、何れか１つの上記半導体記憶回路内の一部として動作可能であり、
上記冗長回路内の信号線が不活性化状態のときには、上記信号線に一定の電位を供給することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
抵抗素子を介して電源またはグランドに上記信号線を接続したことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、異なるアドレス信号に基づいてそれぞれ動作する複数の半導体記憶回路と、複数の半導体記憶回路に共有される冗長回路とを備える。上記冗長回路は、半導体記憶回路の冗長情報に応じて、何れか１つの半導体記憶回路内の一部として動作可能であり、上記複数の半導体記憶回路と上記冗長回路とが制御信号およびデータを授受するための複数のスイッチング回路を介してそれぞれ接続される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記のように構成した本発明によれば、複数の半導体記憶回路が冗長回路を共有するとともに、これらを接続するスイッチング回路を冗長情報に応じて制御することで、１つの半導体記憶回路当たりの冗長回路の付加に要する回路面積を抑制しながらも、複数の半導体記憶回路に欠陥救済機能をそれぞれ付加することができるようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、異なるアドレス信号に基づいてそれぞれ動作する複数の半導体記憶回路と、半導体記憶回路における不良を救済する冗長回路とを備え、制御信号およびデータを授受するための複数のスイッチング回路を介して複数の半導体記憶回路と冗長回路とがそれぞれ接続され、複数の半導体記憶回路が冗長回路を共有し、半導体記憶回路に関わる冗長情報に応じて、何れか１つの上記半導体記憶回路内の一部として冗長回路を動作可能にする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不等式（２ｗ＋ｔ＋１）≦ｎを満足する一定重みコードワードの集合を割り当てるステップを含んでおり、ここで、ｗが該コードワードの重みであり、ｎがアドレスラインの数であり、ｔが欠陥アドレスラインの最大許容可能数である、隣接排反アドレス構成をアドレス要素の集合に割り当てる方法。
【請求項２】
アドレス構成が、前記集合からランダムに選択されて前記アドレス要素に割り当てられている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
不等式（２ｗ＋ｔ＋１）≦ｎを満足する一定重みコードワードの集合からアドレス構成が取得されるよう、固体メモリデバイス用のアドレス構成を形成するステップであって、ここで、ｗが該コードワードの重みであり、ｎがアドレスラインの数であり、ｔが欠陥アドレスラインの最大許容可能数であり、
各アドレス構成がメモリラインに対応し、メモリラインのアドレス要素が対応する前記アドレス構成に従って形成されるように、メモリラインと該メモリラインに接続されたアドレス要素とを形成するステップと
を含んでなる方法。
【請求項４】
アドレス構成が、前記集合からランダムに選択されて前記アドレス要素に割り当てられている請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記アドレス要素の通電能力が、前記コードワードのビット値によって決定される請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記アドレス要素に電流を与えることによって前記アドレス要素をプログラミングするステップをさらに含み、該電流によって、いくつかの電荷運搬能力の低い要素に抵抗状態を変化させ、電荷運搬能力の高い要素を不変のままにする請求項５に記載のアドレスロジック。
【請求項７】
前記高通電能力素子は、前記低通電能力素子より３倍大きい請求項１４に記載のアドレスロジック。
【請求項８】
前記アドレス素子は間隔が空けられた２つの集合へと分離され、各集合が前記コードワードの前記第１のコードワードビット値と前記第２のコードワードビット値とに対応するアドレス素子を有する請求項５に記載のアドレスロジック。
【請求項９】
前記高通電能力素子が、前記低通電能力素子より５倍大きい請求項８に記載のアドレスロジック。
【請求項１０】
不等式（２ｗ＋ｔ＋１）≦ｎを満足する一定重みコードワードの集合に従って構成された複数の隣接排反アドレス素子を含み、ここで、ｗがコードワードの重みであり、ｎがアドレスラインの数であり、ｔが欠陥アドレスラインの最大許容可能数である固体メモリデバイス用アドレスロジック。
【請求項１１】
前記アドレス素子がダイオードを含む請求項１０に記載のアドレスロジック。
【請求項１２】
プログラミング後に、前記アドレス素子がワイヤード組合せロジックを提供する請求項１０に記載のアドレスロジック。
【請求項１３】
プログラミング後に、不変のアドレス素子が第１のコードワードビット値に対応し、可変のアドレス素子が第２のコードワードビット値に対応する請求項１０に記載のアドレスロジック。
【請求項１４】
プログラミング前に、第１のコードワードビット値に対応するアドレス素子が、第２のコードワードビット値に対応するアドレス素子より大きい通電能力を有する請求項１０に記載のアドレスロジック。
【請求項１５】
前記第１のコードワードビット値に対応する前記アドレス素子は、前記第２のコードワードビット値に対応する前記アドレス素子より３倍大きい請求項１４に記載のアドレスロジック。
【請求項１６】
前記アドレス素子は間隔が空けられた２つの集合へと分離され、各集合が前記コードワードの前記第１の集合と第２の集合とに対応するアドレス素子を有する請求項１４に記載のアドレスロジック。
【請求項１７】
前記第１のビット値に対応する前記素子が、前記第２のビット値に対応する前記素子より５倍大きい請求項１６に記載のアドレスロジック。
【請求項１８】
各レベルが、
メインメモリと、
ｗがコードワードの重みであり、ｎがアドレスラインの数であり、ｔが欠陥アドレスラインの最大許容可能数である不等式（２ｗ＋ｔ＋１）≦ｎを満足する一定重みコードワードの集合に従って構成された、前記メインメモリ用のアドレスロジックと
を含んでなる、少なくとも１つのレベルを含む固体メモリデバイス。
【請求項１９】
前記アドレス素子がダイオードを含む請求項１８に記載の固体メモリデバイス。
【請求項２０】
プログラミング後に、前記アドレス素子がワイヤード組合せロジックを提供する請求項１８に記載の固体メモリデバイス。
【請求項２１】
プログラミング後に、不変のアドレス素子が第１のコードワードビット値に対応し、可変のアドレス素子が第２のコードワードビット値に対応する請求項１８に記載の固体メモリデバイス。
【請求項２２】
プログラミング前に、第１のコードワードビット値に対応するアドレス素子が、第２のコードワードビット値に対応するアドレス素子より大きい通電能力を有する請求項１８に記載の固体メモリデバイス。
【請求項２３】
前記第１のコードワードビット値に対応する前記アドレス素子が、前記第２のコードワードビット値に対応する前記アドレス素子より３倍大きい請求項１８に記載の固体メモリデバイス。
【請求項２４】
前記アドレス素子は間隔が空けられた２つの集合へと分離され、各集合が前記コードワードの前記第１の集合と第２の集合とに対応するアドレス素子を有する請求項１８に記載の固体メモリデバイス。
【請求項２５】
前記第１のビット値に対応する前記素子は、前記第２のビット値に対応する前記素子より５倍大きい請求項２４に記載の固体メモリデバイス。