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【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（ｉ）少なくとも１の照射硬化可能なオリゴマー；および
（ii）組成物の総重量に対して０〜２０重量％の単官能性反応性希釈剤；
を含む照射硬化可能な組成物であって、２５℃で１０，０００ｃｐｓ未満の粘度および硬化後に５ＭＰａ未満の割線係数を有するところの組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
該組成物が、硬化後に、１．５ＭＰａ未満の割線係数を有する、請求項１〜１２のいずれか１項記載の組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
該組成物が、硬化後に、５ＭＰａ未満の割線係数を有する、請求項１４〜１６のいずれか１項記載の組成物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、オリゴマーおよび、組成物の総重量に対して２０重量％未満の単官能性反応性希釈剤を含み、一方、２５℃で１０，０００ｃｐｓ未満の粘度および５ＭＰａ未満の硬化後の割線モジュラス (＝割線係数、secant modulus) をなおも示す、照射硬化可能な組成物を提供する。本発明はさらに、これらの組成物を硬化することによって得られるコーティングを有する物品、例えば光ファイバー、を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）１種またはそれ以上のカルボキシル化ニトリルゴム、
ｂ）１種またはそれ以上のアクリル酸金属塩、
ｃ）適当な場合には担体に適用されている、１種またはそれ以上の液状アクリレート、
ｄ）１種またはそれ以上のシラン０.０１〜８ｐｈｒ、および
ｅ）適当な場合には、他の添加剤および／またはフィラー
を含んでなるゴム混合物。
【請求項２】
請求項１に記載のゴム混合物を含んでなる架橋性ゴム混合物。
【請求項３】
成分を、混合集成装置内で混合することを特徴とする請求項１または２に記載の混合物の製造方法。
【請求項４】
使用架橋剤が、パーオキシドを、適当な場合には過酸化亜鉛と組合せて含んでなることを特徴とする請求項１または２に記載の混合物の架橋方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法で得られる架橋混合物。
【請求項６】
あらゆる種類の成形品を製造するための、請求項１、２または５に記載のゴム混合物の使用。
【請求項７】
請求項１、２または５に記載のゴム混合物を使用して製造することができる成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
実施例で挙げたゴム混合物は、上記の有利な性質を示す。
カルボキシル化水素化ニトリルゴムと完全／部分水素化ニトリルゴムとをブレンドすること、またはこのカルボキシル化水素化ニトリルゴム単独を使用することにより、機械的性質（特に引張強度）および硬度がさらに向上し、特定の用途のためにこれらのゴム混合物を特に好適にする。
以下、本発明およびその実施態様を記載する。
１．ａ）１種またはそれ以上のカルボキシル化ニトリルゴム、
ｂ）１種またはそれ以上のアクリル酸金属塩、
ｃ）適当な場合には担体に適用されている、１種またはそれ以上の液状アクリレート、
ｄ）１種またはそれ以上のシラン０.０１〜８ｐｈｒ、および
ｅ）適当な場合には、他の添加剤および／またはフィラー
を含んでなるゴム混合物。
２．カルボキシル化ニトリルゴムが、カルボキシル化ＮＢＲ、部分水素化カルボキシル化ＮＢＲ、および完全水素化カルボキシル化ＮＢＲの群、またはこれらの群の中の２種若しくはそれ以上の混合物から選ばれていることを特徴とする、上記１項に記載のゴム混合物。
３．アクリル酸金属塩が、ジアクリル酸亜鉛、ジメタクリル酸亜鉛またはこれらの混合物であることを特徴とする、上記１項または２項に記載のゴム混合物。
４．液状アクリレートが、ブタンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレートまたはこれらの混合物であることを特徴とする、上記１〜３項のいずれかに記載のゴム混合物。
５．使用シランが、ビニルシランを含んでなることを特徴とする上記１〜４項のいずれかに記載のゴム混合物。
６．ケイ酸塩フィラー、カーボンブラック、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまたはこれら成分の２種若しくはそれ以上の混合物を含んでなることを特徴とする、上記１〜５項のいずれかに記載のゴム混合物。
７．加硫遅延剤および／または加硫促進剤を含んでなることを特徴とする、上記１〜６項のいずれかに記載のゴム混合物。
８．上記１〜７項のいずれかに記載のゴム混合物を含んでなる架橋性ゴム混合物。
９．成分を、混合集成装置内で混合することを特徴とする上記１〜８項のいずれかに記載の混合物の製造方法。
１０．使用架橋剤が、パーオキシドを、適当な場合には過酸化亜鉛と組合せて含んでなることを特徴とする上記１〜９項のいずれかに記載の混合物の架橋方法。
１１．上記１０項に記載の方法で得られる架橋混合物。
１２．あらゆる種類の成形品を製造するための、上記１〜８項または１１項のいずれかに記載のゴム混合物の使用。
１３．ローラーカバーの製造のための、上記１２項に記載の使用。
１４．上記１〜８項または１１項のいずれかに記載のゴム混合物を使用して製造することができる成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月16日(2004.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の反応によって得られるポリウレタンエラストマー：
a）  ジ−および/またはポリイソシアネートと、
b）  OH価20〜280および官能価1〜3を有する少なくとも1つのポリエステルポリオール；および任意に
c）  OH価10〜149および官能価2〜8を有する他のポリエーテルポリオールまたはポリエーテルエステルポリオール；および任意に
d）  OH価150〜1870を有する低分子量連鎖延長剤および/または架橋剤；
とを
e）  アミン触媒；
f）  （第1）解離定数が0.5〜4のpK値を有する一または多塩基性カルボン酸のエステル；および任意に
g）  発泡剤；および任意に
h）  添加剤；
の存在下に反応させ、
該反応において、（成分fのエステル基の数）／（成分eのアミノ基の数）の最大比は1.0である。
【請求項２】
請求項1に記載のポリウレタンエラストマーを含有する成形品。
【請求項３】
ローラー、弾性要素または靴底の製造用の、請求項1に記載のポリウレタンエラストマーの使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【表２】
2004526002.tif 000001
本発明の好ましい態様を次に示す。
１．下記の反応によって得られるポリウレタンエラストマー：
a）  ジ−および/またはポリイソシアネートと、
b）  OH価20〜280および官能価1〜3を有する少なくとも1つのポリエステルポリオール；および任意に
c）  OH価10〜149および官能価2〜8を有する他のポリエーテルポリオールまたはポリエーテルエステルポリオール；および任意に
d）  OH価150〜1870を有する低分子量連鎖延長剤および/または架橋剤；
とを
e）  アミン触媒；
f）  （第1）解離定数が0.5〜4のpK値を有する一または多塩基性カルボン酸のエステル；および任意に
g）  発泡剤；および任意に
h）  添加剤；
の存在下に反応させ、
該反応において、（成分fのエステル基の数）／（成分eのアミノ基の数）の最大比は1.0である。
２．4,4'−ジフェニルメタンジイソシアネートとポリエステルポリオールのプレポリマーを、成分a）としてその製造に使用する上記第１項に記載のポリウレタンエラストマー。
３．上記第１項または第２項に記載のポリウレタンエラストマーを含有する成形品。
４．ローラー、弾性要素または靴底の製造用の、上記第１項に記載のポリウレタンエラストマーの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月7日(2005.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィッシャー−トロプシュ合成由来である炭化水素ストリームから可燃性液体燃料を製造する方法であって、
ａ）相対的に過酷な水素化精製のための少なくとも１層の触媒床、及び相対的に穏やかな水素化精製のための少なくとも１層の触媒床を有する水素化精製反応槽を提供すること；
ｂ）フィッシャー−トロプシュ合成由来である炭化水素ストリームから、相対的に高沸点の留分と相対的に低沸点の留分とを分離すること；
ｃ）相対的に高沸点の留分を、相対的に過酷な水素化精製にかけること；
ｄ）相対的に過酷な水素化精製工程からの流出物を、相対的に低沸点の留分と組み合わせて、組み合わされたストリームを形成すること；及び
ｅ）組み合わされたストリームを、相対的に穏やかな水素化精製にかけること、を含み、
水素化精製反応槽の触媒床の少なくとも１層は、フィッシャー−トロプシュ合成由来である炭化水素ストリームから微粒子の汚染物質を除去するために、触媒粒度勾配方式を用いる、上記方法。
【請求項２】
相対的に過酷な水素化精製工程が水素化分解工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
相対的に過酷な水素化精製工程が複数層の触媒床で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
相対的に穏やかな水素化精製工程が水素化処理工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
相対的に穏やかな水素化精製工程が複数層の触媒床で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
フィッシャー−トロプシュ合成由来である炭化水素ストリームからの相対的に高沸点の留分が主としてＣ２０＋炭化水素ストリームを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
フィッシャー−トロプシュ合成由来である炭化水素ストリームからの相対的に低沸点の留分が主としてＣ５−２０炭化水素ストリームを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
相対的に低沸点の留分が少なくとも０．５重量％のアルコール類を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
相対的に高沸点の留分が少なくとも８０重量％のパラフィン類を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
相対的に穏やかな水素化精製工程から生成物ストリームを回収し、回収された生成物ストリームを少なくとも主としてＣ５−２０留分および残油留分に分離する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
残油留分を相対的に過酷な水素化精製のための水素化精製反応槽にリサイクルすることを更に含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
残油留分を潤滑基油原料フィード調製のために使用することを更に含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
残油留分を、残油留分の流動点より低い流動点の生成物を製造するための脱ろう条件で処理することを更に含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
残油留分が、ＳＳＺ−３２、ＺＳＭ−５、ＳＡＰＯ−１１、ＳＡＰＯ−３１又はＳＡＰＯ−４１を含む触媒系を用いて脱ろうされる、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
相対的に過酷な水素化精製を実施するための触媒系が、ＳＳＺ−３２、ゼオライトＹ、ゼオライト超安定Ｙ、ＳＡＰＯ−１１、ＳＡＰＯ−３１、ＳＡＰＯ−３７、ＳＡＰＯ−４１、ＺＳＭ−５、ＺＳＭ−１１又はＺＳＭ−４８を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
触媒粒度勾配方式が、保護床として用いられる最初の１層以上の床、及び触媒床として用いられる後続の床を含む複数の床を包含する、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
触媒粒度勾配方式が、フィッシャー−トロプシュ合成由来である炭化水素ストリームと液体の流通がある最初の粒子充填床であって、炭化水素ストリームの流れ方向に約３インチを超え１８インチまで（７６〜４５７ｍｍ）の厚さを有する最初の粒子充填床を含んでおり、該粒子は約３／８インチ（９．５ｍｍ）の直径を有する、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
触媒粒度勾配方式が、更に、最初の粒子充填床と液体の流通がある２番目の粒子充填床であって、炭化水素ストリームの流れ方向に少なくとも１２インチから４８インチまで（３０５〜１２１９ｍｍ）の厚さを有する２番目の粒子充填床を含んでおり、２番目の粒子充填床中の粒子は約３／１６〜５／１６インチ（４．８〜７．９ｍｍ）の範囲内の直径を有し、該粒子の直径は最初の粒子充填床の粒子の平均径より小さい、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
触媒粒度勾配方式が、更に、２番目の粒子充填床と液体の流通がある３番目の粒子充填床を含んでおり、３番目の粒子充填床は２番目の粒子充填床の下流である、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
３番目の粒子充填床中の粒子の直径が約１／８インチ（３．２ｍｍ）未満である、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
最初の粒子充填床及び２番目の粒子充填床がフィッシャー−トロプシュ合成由来である炭化水素ストリームから固体微粒子を除去する保護床であり、３番目の粒子充填床の粒子が相対的に過酷な水素化精製工程を行うことが可能な触媒を含む、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
最初の粒子充填床及び２番目の粒子充填床がフィッシャー−トロプシュ合成由来である炭化水素ストリームから固体微粒子を除去する保護床であり、３番目の粒子充填床の粒子が相対的に穏やかな水素化精製工程を行うことが可能な触媒を含む、請求項１９又は２０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
触媒粒子の水素化成分は、触媒水素化活性を示すことが知られている元素類から選ばれる。ＶＩＩＩ族（ＩＵＰＡＣ命名法）元素および（または）ＶＩ族（ＩＵＰＡＣ命名法）元素から選ばれた少なくとも１種の金属成分が通常選択される。ＶＩ族の元素には、クロム、モリブデンおよびタングステンが含まれる。ＶＩＩＩ族の元素には、鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび白金が含まれる。水素化成分の触媒中の量は、全触媒１００部中の金属酸化物として計算して、約０．５〜約１０重量％のＶＩＩＩ族の金属成分および約５〜約２５重量％のＶＩ族の金属成分が適当な範囲であるが、ここで、重量パーセントは硫化前の触媒重量を基礎にしている。触媒中の水素化成分は酸化物及び（又は）硫化物の形であってよい。少なくともＶＩ族およびＶＩＩＩ族金属成分の組み合わせが（混合された）酸化物として存在するならば、水素化分解に適切に使用するに先だって硫化処理されるであろう。使用に適している触媒は、１種以上のニッケルおよび（または）コバルト成分、１種以上のモリブデンおよび（または）タングステン成分ならびに１種以上の白金および（または）パラジウム成分を含む。ニッケルおよびモリブデン、ニッケルおよびタングステン、白金および（または）パラジウムを含有する触媒は特に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体触媒の存在下で気液反応を行う方法であって、
気液供給流を、固体触媒により触媒化された多数の反応通路からなるモノリス構造触媒床に通して搬送する工程を有してなり、
前記供給流中の液体を、０．０１〜１０ｃｍ／ｓの範囲の通液線速度で前記反応通路に通して搬送し、
前記供給流中の気体を、１〜４０００気体標準状態リットル／液体リットルの範囲の気体：液体容積比Ｇ：Ｌとなる比率で前記反応通路に通して搬送することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記構造触媒床がハニカム触媒床であり、前記気液反応が水素添加反応であり、前記気体が水素であり、前記液体が、不飽和炭化水素および芳香族炭化水素からなる群より選択される炭化水素化合物を少なくとも一種類含有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ハニカム触媒床が、０．０５〜５．０ｍｍの範囲の厚さを持つ通路壁により境界がつけられた０．０２〜１０．０ｍｍの範囲の水力直径を持つ複数の平行な通路を備え、前記通液線速度が０．１〜５．０ｃｍ／ｓの範囲にあり、前記気体：液体容積比が１０〜５００標準状態リットル／リットルの範囲にあることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記平行な通路が、前記通路の向きに対して垂直なハニカム断面の１０〜３０００通路毎平方インチ（ｃｐｓｉ）（約１．６〜４８０通路毎平方センチメートル）の範囲にあるセル密度で存在し、前記水力直径が０．１〜５．０ｍｍの範囲にあり、前記通路壁が０．２〜２．０ｍｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記セル密度が２５〜４００ｃｐｓｉ（約４〜６４通路毎平方センチメートル）の範囲にあることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記気液反応が水素添加反応であり、前記気体が水素を含有し、前記液体が芳香族炭化水素化合物を含有し、前記反応が１００〜５００℃の範囲の温度で行われ、前記反応が５〜１０００バールの範囲の圧力で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記液体を、０．１〜５．０ｃｍ／ｓの範囲の通液線速度で前記触媒床を通過させ、前記供給流中の気体：液体容積比が１０〜５００標準状態リットル／リットルの範囲にあり、前記反応が、前記芳香族炭化水素化合物の水素添加を少なくとも８０％達成することを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記気液反応が水素添加反応であり、前記気体が水素であり、前記液体がオレフィンを含有し、前記反応を２０〜２５０℃の範囲の温度および５〜３０バールの範囲の圧力で行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記液体を、０．１〜５．０ｃｍ／ｓの範囲の通液線速度で前記触媒床に通過させ、前記供給流中の気体：液体容積比が１０〜５００標準状態リットル／リットルの範囲にあり、前記反応が、前記オレフィンの水素添加を少なくとも８０％達成することを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  フィッシャー−トロプシュ合成から、軽質留分と重質留分を単離する工程、
（ｂ）  各床間に床間再配分装置（inter - bed redistributor）を有する多床式水素化分解反応器中において、該重質留分を水素化分解条件に供する工程、及び、
（ｃ）  上級変更された生成物を回収する工程
を含む、炭化水素流から液体燃料を製造するための方法であって、
該床間再配分装置が、各床からの留出物を冷却するために急冷流体を使用し、かつ、
該軽質留分の少なくとも一部が、該床間再配分装置中の急冷流体の全て又は一部として使用される、前記方法。
【請求項２】
該水素化分解条件が、該重質留分を、高温及び／又は高圧の条件下において、複数の水素化分解触媒床を通過させる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該上級変更された生成物が水素化添加処理（hydrotreat）される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
水素化添加処理が、水素化分解触媒床と同じ反応器内の、１又はそれ以上の水素化添加処理触媒床で行われ、該水素化添加処理触媒床が、該水素化分解触媒床の下に位置しているか、又は、水素化添加処理が、水素化分解触媒床を含んだ反応器とは異なる反応器内の１又はそれ以上の触媒床で行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該上級変更された生成物を、少なくとも軽質留分及び塔底液留分に分離する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該水素化分解反応器を通じて該塔底液留分をリサイクルする工程を更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
該塔底液留分を使用して潤滑油ベース供給原料を調製する工程を更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
該塔底液留分を脱蝋条件に供して該塔底液留分の流動点より低い流動点を有する生成物を製造する工程を更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
該塔底液留分が、ＳＡＰＯ−１１、ＳＡＰＯ−３１、ＳＡＰＯ−４１、ＳＳＺ−３２、又はＺＳＭ−５を含む触媒系を使用して脱蝋される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
該水素化分解反応器が水素化分解触媒系を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
該水素化分解触媒系が、ゼオライトＹ型、ゼオライト超安定性Ｙ型、ＺＳＭ−５、ＺＳＭ−１１、ＺＳＭ−４８、ＳＡＰＯ−１１、ＳＡＰＯ−３１、ＳＡＰＯ−３７、ＳＡＰＯ−４１、又はＳＳＺ−３２を含有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
該重質留分が、パラフィンを少なくとも８０重量％及び含酸素化合物（oxygenate）を約１重量％以下含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
該軽質留分が、含酸素化合物を少なくとも０．１重量％含有する、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月3日(2004.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
製紙機械内のロール表面に作用するよう構成されたサイドエッジを有する細長いドクタブレード構造体であって、前記ブレードが請求項１４の複合構成物から成る、ドクタブレード構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月13日(2004.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
混合気の通過を許す少なくとも１つの有孔エレメントと、プロペラを駆動するための動力源に結合されているプロペラと、少なくとも１つの有孔エレメント及びプロペラを機関の吸気マニホルドに取付ける手段とを有する内燃機関用吸気調整器。
【請求項２】
有孔エレメントを加熱する手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の吸気調整器。
【請求項３】
加熱する手段は有孔エレメントに直接結合されることを特徴とする請求項２に記載の吸気調整器。
【請求項４】
加熱する手段は有孔エレメントに間接的に結合されることを特徴とする請求項３に記載の吸気調整器。
【請求項５】
加熱する手段は電池電源を有することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の吸気調整器。
【請求項６】
加熱する手段は、調整器の使用時に、内燃機関を通過する混合気の温度の影響を受けないことを特徴とする請求項２〜５のうちのいずれか１つに記載の吸気調整器。
【請求項７】
プロペラを加熱する手段を有することを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれかに記載の吸気調整器。
【請求項８】
過剰未気化燃料を保持する少なくとも１つの頂部が開いたリザーバを有することを特徴とする請求項１〜７のうちのいずれかに記載の吸気調整器。
【請求項９】
頂部が開いたリザーバは多孔列を有することを特徴とする請求項８に記載の吸気調整器。
【請求項１０】
有孔エレメントの少なくとも一部分は、少なくとも部分的にスカートにより囲まれ、スカートの高さは有孔エレメントの１つの箇所では他の箇所での高さよりも大きいことを特徴とする請求項１〜９のうちのいずれか１つに記載の吸気調整器。
【請求項１１】
構成する内燃機関のために、取付け手段は支持ストラップを含み、支持ストラップは、１端が有孔エレメントに固定され、各ストラップに対して折り曲げたフランジを各他端に有し、各ストラップの長さは有孔エレメントの周囲長のほぼ半分となるように選択されることを特徴とする請求項１〜１０のうちのいずれか１つに記載の吸気調整器。
【請求項１２】
取付け手段は支持ストラップを含んでおり、支持ストラップは、１端が有孔エレメントに固定され、各々それぞれのストラップに対して折り曲げたフランジを各他端に有し、フランジは可鍛材料から製造されることを特徴とする請求項１〜１１のうちのいずれか１つに記載の吸気調整器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼機関（４）により駆動される車両用のエンジン回転計であって、実エンジン回転数を示すように構成された第１指示装置（１，１３）を有するエンジン回転計において、
第２指示装置（７ａ，７ｂ，８ａ，１４）をさらに有しており、該第２指示装置は、燃焼機関（４）の動作中の車両からの少なくとも１種類の排出ガスの最小排出量が得られる回転数または回転数域を示すように構成されていることを特徴とするエンジン回転計。
【請求項２】
実エンジン回転数での前記排出ガスの排出量を示すように構成された第３指示装置（８ｂ，１５）をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のエンジン回転計。
【請求項３】
前記第１指示装置が、可動に配置された指示要素（１）を含み、該指示要素（１）が、目盛りを付された経路（２）に沿って実回転数値を示すように構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエンジン回転計。
【請求項４】
前記第２指示装置が、前記経路（２）に沿って固定的に設けられた指示要素（７ａ，７ｂ，７ｃ，８ａ）を含み、該指示要素（７ａ，７ｂ，７ｃ，８ａ）は、前記排出ガスの最小排出量が得られる回転数または回転数域を示すことを特徴とする請求項３に記載のエンジン回転計。
【請求項５】
前記第３指示装置が少なくとも１つの発光素子（８）を含み、該発光素子（８）が、異なる色によって、実回転数での前記排出ガスの排出レベルを指示することを特徴とする請求項２から請求項４までのいずれか１項に記載のエンジン回転計。
【請求項６】
前記発光素子が発光ダイオード（８）であることを特徴とする請求項５に記載のエンジン回転計。
【請求項７】
制御ユニット（６）が、エンジン回転数と伝達エンジン出力とに関する情報を受信するように構成されており、その後前記制御ユニット（６）は、現在のエンジン出力における前記排出ガスの最小排出量が得られる回転数または回転数域内を示すように前記第２指示装置（８ａ，１４）を作動させることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載のエンジン回転計。
【請求項８】
画像面と、ポインタ（１３）の形式の第１指示装置とを有するディスプレー（１２）をさらに含み、前記画像面上における前記ポインタの位置が、実エンジン回転数と伝達エンジン出力とを指示することを特徴とする請求項７に記載のエンジン回転計。
【請求項９】
前記ディスプレー（１２）がグラフ（１４）の形式の第２装置を含み、該グラフ（１４）は、前記排出ガスの最小排出量が得られる、伝達エンジン出力の関数である回転数または回転数域を示すことを特徴とする請求項８に記載のエンジン回転計。
【請求項１０】
前記ディスプレー（１２）が少なくとも１つの輪郭線（１５）の形式の第３装置を含み、該輪郭線（１５）が、エンジン出力域を前記排出ガスの特定の排出量に結びつけていることを特徴とする請求項９に記載のエンジン回転計。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置の構成要素の表面をコーティングするための方法であって、半導体処理装置の構成要素の表面に高靭性ジルコニアセラミック層を成膜し、前記セラミック層が最も外側の表面に形成される工程を備え、
前記構成要素が、プラズマチャンバー壁、チャンバーライナー、ガス供給板、ガスリング、ペデスタル、誘電体ウィンドウ、静電チャック、及びフォーカスリングの中から選択されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記セラミック層が、本質的に正方晶ジルコニア多結晶体(TZP)材料からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記セラミック層が、スパッタリング、スパッタ成膜、浸漬めっき、化学気相成長法、物理気相成長法、熱間等静圧圧縮成形、冷間等静圧圧縮成形、圧縮成形、鋳込成形、成形と焼結、プラズマ溶射、及び溶射のうちから選択される技術により適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記セラミック層が、約０.００１から約０.０５０インチの範囲の厚さに成膜されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記セラミック層が、本質的に部分安定化ジルコニア(PSZ)からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記セラミック層が、本質的にジルコニア分散高靭性セラミック(ZTC)からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記セラミック層が、本質的にジルコニア強化アルミナ(ZTA)からなることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記構成要素の表面に中間層を成膜し、前記中間層の上に前記セラミック層を成膜する工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記セラミック層を成膜する前に前記表面に表面ラフ化処理を行い、前記ラフ化された表面上に前記セラミック層を成膜する工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記表面が金属表面であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
半導体処理装置の構成要素であって、前記構成要素は、本質的に正方晶ジルコニア多結晶体(TZP)材料、又は、部分安定化ジルコニア(PSZ)からなる高靭性ジルコニアセラミック材料で形成された最外表面を備え、
前記セラミック材料は、プラズマ環境、又は、プラズマ環境に関連するバイアス電圧にさらされ、前記セラミック材料は、前記構成要素に前記プラズマ及び前記バイアス電圧に対する侵食耐性を与えることを特徴とする構成要素。
【請求項１２】
前記セラミック材料が、基板上にセラミック層を備えることを特徴とする請求項１１に記載の構成要素。
【請求項１３】
プラズマ環境にさらされる部分を備えることを特徴とする請求項１１に記載の構成要素。
【請求項１４】
本体が本質的に前記高靭性ジルコニアセラミック材料からなるバルク部分を備えることを特徴とする請求項１１に記載の構成要素。
【請求項１５】
前記構成要素が、プラズマチャンバー壁、チャンバーライナー、ガス供給板、ガスリング、ペデスタル、誘電体ウィンドウ、静電チャック、およびフォーカスリングのうちから、選択されるものであることを特徴とする請求項１１に記載の構成要素。
【請求項１６】
前記セラミック材料が、本質的に前記正方晶ジルコニア多結晶体(TZP)材料からなることを特徴とする請求項１１に記載の構成要素。
【請求項１７】
セラミック材料が、本質的に前記部分安定化ジルコニア(PSZ)からなることを特徴とする請求項１１に記載の構成要素。
【請求項１８】
前記セラミック層が、約０.００１から約０.０５０インチの範囲の厚さを持つことを特徴とする請求項１２に記載の構成要素。
【請求項１９】
請求項１１に記載の構成要素を含むプラズマチャンバーを用いた半導体基板処理方法であって、前記半導体基板の露出表面をプラズマに接触させる工程を備えることを特徴とする方法。
【請求項２０】
高靭性ジルコニアセラミック材料で構成される半導体処理装置の構成要素を製造する方法であって、
高靭性ジルコニアセラミックのスラリーを準備する工程と、
所望の形状の圧粉体を形成する工程と、
前記圧粉体を焼結する工程と、を備え、
前記高靭性ジルコニアセラミックは、部分安定化ジルコニア及び正方晶ジルコニア多結晶体材料からなるグループの中から選択されることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法によって製造される半導体処理装置の構成要素。
【請求項２２】
前記スラリーは、ＭｇＯ、ＣａＯ、及びＹ2Ｏ3から構成されるグループの中から選択される安定剤を備えることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記スラリーは、約２〜３mole％のＹ２Ｏ３、又は、約２０〜１２mole％のＣｅＯ２からなることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
半導体処理装置の構成要素であって、前記構成要素は、本質的に正方晶ジルコニア多結晶体(TZP)材料、又は、部分安定化ジルコニア(PSZ)からなる高靭性ジルコニアセラミック材料で形成された最外表面を備え、
前記構成要素が、プラズマチャンバー壁、チャンバーライナー、ガス供給板、ガスリング、ペデスタル、誘電体ウィンドウ、静電チャック、及びフォーカスリングの中から選択されることを特徴とする構成要素。
【請求項２５】
前記構成要素は、プラズマチャンバー壁であることを特徴とする請求項２４に記載の構成要素。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月14日(2005.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
亜鉛回収用の亜鉛含有珪質原料リーチング方法において、該珪質原料は硫酸溶液を用いて行なう酸性リーチングへ送り、該リーチングの開始時に酸含有量を最高とし、したがってpH値は最低とし、これによって前記原料中の珪酸塩を分解し、溶解させ、シリカとして沈殿させ、前記リーチングが進行するにつれて酸含有量を低くし、該リーチングの終了時には前記溶液のpH値をおよそ1.5〜２の範囲とすることを特徴とするリーチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記珪質原料のリーチング温度を60〜100℃の間とすることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記酸性リーチングの終了時には、前記溶液内にSiＯ２核を存在させることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記亜鉛含有珪質原料を先ず中性リーチング工程へ送り、該中性リーチング工程では該原料のうち容易に溶解可能な亜鉛化合物を分解し、更に該原料を分離して得られる硫化亜鉛溶液は電解工程へ送り、該分離して得られる沈殿物は、複数の反応装置でリーチングを行なう前記酸性リーチング工程へ送り、該酸性リーチング工程では流れの方向に沿ってスラリのpH値を上昇させて最後の反応装置でおよそ1.5〜２の範囲とする、連続工程でリーチングを行なうことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、前記酸性リーチングでは電解戻り酸を用い、該戻り酸の全部を一連の反応装置における最初の反応装置）へ送り、前記沈殿物は複数の反応装置へ供給し、該リーチング工程のpH値を最後の反応装置へ向かうに従って徐々に上昇させるように、珪質含有沈殿物をリーチングすることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法において、珪酸塩含有沈殿物は、前記酸性リーチング工程の各反応装置へ等量ずつ供給することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項４に記載の方法において、珪酸塩含有沈殿物を前記酸性リーチング工程の最後の反応装置には供給しないことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項４に記載の方法において、前記酸性リーチング工程からのスラリは、前記流れの方向に沿って最終端部にある反応装置のうちのいくつかから、該工程の最初の反応装置へ再循環させることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項４に記載の方法において、珪酸塩含有沈殿物のリーチング時間を３〜15時間の範囲とすることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項４に記載の方法において、前記酸性リーチング工程の最後の反応装置からのスラリを溶液・固体分離工程へ送り、該工程で得られた溶液は珪酸塩含有原料の中性リーチングへ送り、該工程で得られたシリカ含有沈殿物はリーチング循環路から除去することを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項４に記載の方法において、前記酸性リーチング工程の分離工程から到来する沈殿物は、該酸性リーチング工程の最初の反応装置へ再循環させることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法において、前記硫酸溶液のpH値を段階的に上昇させるように珪酸塩含有原料の全部を前記硫酸溶液の中へ投入するバッチ原理に基づいて珪酸塩含有原料をリーチングすることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法において、前記珪酸塩含有原料は亜鉛鉱であることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法において、前記珪酸塩含有原料は亜鉛含有鉱滓であることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ、中心及びエッジを有している耐火金属板において、前記の中心から前記のエッジへの前記の厚さを通して均一な集合組織を有していることを特徴とする、厚さ、中心及びエッジを有している耐火金属板。
【請求項２】
スパッタリング用ターゲットを製造する方法において、次の段階：
ａ）３までの長さ対直径比を有するインゴットを準備する段階；
ｂ）所望の微細な粒子及び集合組織に十分である減少率及び伸びを有するインゴットを冷間鍛造する段階；
ｃ）冷間鍛造された生成物をクロスローリングにかける段階；及び
ｄ）クロスロールされた生成物をスパッタリング用ターゲットへ生産する段階
を含むことを特徴とする、スパッタリング用ターゲットを製造する方法。
【請求項３】
耐火金属板を製造する方法において、少なくとも４回の減少操作及び再結晶温度を上回る温度での少なくとも３回のアニール熱処理操作を含むことを特徴とする、耐火金属板を製造する方法。
【請求項４】
耐火金属板を製造する方法において、次の段階：
（ａ）少なくとも９９．９９％純度の耐火金属出発物を準備する段階；
（ｂ）第一の、耐火金属出発物の長さを減少させて、第一の加工物を形成させる段階；
（ｃ）第一の加工物を真空又は不活性ガス中で少なくとも１３７０℃の第一の温度にアニールする段階；
（ｄ）第二の、第一の加工物の直径を耐火金属出発物の直径と実質的に同じ直径に減少させて、第二の加工物を形成させる段階；
（ｅ）第二の加工物を真空又は不活性ガス中で少なくとも８７５℃の第二温度にアニールする段階；
（ｆ）段階（ｂ）〜（ｅ）を必要に応じて繰り返して、所望の粒子構造及び集合組織均一性を達成する段階；
（ｇ）第三の、第二の加工物を第一の厚さに減少させて、第一の板を形成させる段階；
（ｈ）第四の、第一の板の第一の厚さを第二の厚さに減少させて、第二の板を形成させる段階；及び
（ｉ）第二の板を真空又は不活性ガス中で少なくとも８７５℃の第二の温度にアニールする段階
を含むことを特徴とする、耐火金属板を製造する方法。
【請求項５】
微細な冶金学的構造及び均一な集合組織を有する金属物品を製造する方法において、次の段階：
ａ．金属ビレットを準備する段階；
ｂ．ビレットを、減少率約３５％〜５０％を有する所望のビレット厚さに鍛造する段階；
ｃ．ビレットを再結晶アニールする段階；
ｄ．鍛造されたビレットをほぼ室温にする段階；
ｅ．ビレットを金属ビレットの長さと実質的に同じ長さに側部鍛造する段階；
ｆ．ビレットを再結晶アニールする段階；
ｇ．鍛造されたビレットをほぼ室温にする段階；
ｈ．ビレットを、ほぼ均質なひずみ分布を提供するのに十分である圧延パス当たりの厚さの減少率で板に圧延する段階；及び
ｉ．板を再結晶アニールする段階
を含むことを特徴とする、微細な冶金学的構造及び均一な集合組織を有する金属物品を製造する方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法により製造されるようなスパッタリング用ターゲット。
【請求項７】
ターゲット表面を有しており、鍛造、圧延及びアニーリングを含む方法により製造されたスパッタリング用ターゲットにおいて、
ａ）約４０μｍ未満の粒度；及び
ｂ）任意の位置で実質的に均一な構造及び集合組織
を含むことを特徴とする、スパッタリング用ターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月23日(2004.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング装置で使用するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットを１つ以上選択する方法であって、
ａ）前記スパッタリング装置でのプラズマシートの厚みを決定する工程と、
ｂ）複数のＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットの各ターゲットの表面に沿ってＡｌ2Ｏ3表面介在物の直径を決定する工程と、
ｃ）前記プラズマシートの厚み未満であるＡｌ2Ｏ3表面介在物直径を有するようなスパッタリングターゲットのみを前記複数のＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットから選択する工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１における工程ａ）は、前記スパッタリング装置中、イオン質量を規定するガス中でスパッタリング電圧をかけて、Ａｌ2Ｏ3介在物を実質上含まないＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットをスパッタリングし；前記イオン質量を決定し；前記スパッタリング電圧を決定し；前記ＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットの表面でのイオン電流密度を決定し；前記イオン質量、前記スパッタリング電圧、および前記イオン電流密度を用いて、前記プラズマシートの厚みを計算することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１における工程ａ）は、前記スパッタリング装置中、イオン質量Ｍiを規定するガス中でスパッタリング電圧Ｖをかけて、Ａｌ2Ｏ3介在物を実質上含まないＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットをスパッタリングし；前記イオン質量Ｍiを決定し；前記スパッタリング電圧Ｖを決定し；前記ＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットの表面でのイオン電流密度Ｊiを決定し；方程式ｓ＝４．７×１０-11Ｖ3/4（Ｍi・Ｊi）1/4を使用して、前記プラズマシートの厚みｓを計算することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プラズマシースの厚みは略３００μｍから６００μｍの間にあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記スパッタリング装置は、略８Ｗ／ｃｍ2から６０Ｗ／ｃｍ2の間のスパッタリング電力を用いアルゴン雰囲気下でスパッタリングできることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
Ａｌ2Ｏ3介在物を有するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲット中のアーキングを防止する方法であって、
ａ）前記Ａｌ2Ｏ3介在物を含まないスパッタリング表面を有するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットを所定のスパッタリング環境下でスパッタリングするときに既知の厚みのプラズマシースを伴うプラズマを有するスパッタリング装置を準備する工程と、
ｂ）前記プラズマシースの前記既知の厚み未満の直径を含む１つ以上のＡｌ2Ｏ3介在物と、前記所定のスパッタリング環境下において前記スパッタリング装置中でスパッタリングするためのスパッタリング表面とを有するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットを準備する工程と、
ｃ）前記１つ以上のＡｌ2Ｏ3介在物を有する前記ＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットを、前記所定のスパッタリング環境下において前記スパッタリング装置中でスパッタリングする工程とを含み、このようにすることでアーキングが発生しなくなる
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記プラズマはアルゴンであることを特徴とする請求項６に記載のＡｌ2Ｏ3介在物を有するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲット中のアーキングを防止する方法。
【請求項８】
前記１つ以上のＡｌ2Ｏ3介在物の前記直径は、前記１つ以上のＡｌ2Ｏ3介在物を有する前記ＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットの前記スパッタリング表面と実質上平行な面に位置することを特徴とする請求項６に記載のＡｌ2Ｏ3介在物を有するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲット中のアーキングを防止する方法。
【請求項９】
前記１つ以上のＡｌ2Ｏ3介在物はアスペクト比略１を有することを特徴とする請求項６に記載のＡｌ2Ｏ3介在物を有するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲット中のアーキングを防止する方法。
【請求項１０】
前記Ａｌ2Ｏ3介在物を含まないスパッタリング表面を有する前記ＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲット、および前記１つ以上のＡｌ2Ｏ3介在物を含み前記ターゲット面を有する前記ＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットは、表面汚染されていないことを特徴とする請求項６に記載のＡｌ2Ｏ3介在物を有するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲット中のアーキングを防止する方法。
【請求項１１】
前記プラズマシースの前記既知の厚みは、３００から６００μｍの間にあることを特徴とする請求項６に記載のＡｌ2Ｏ3介在物を有するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲット中のアーキングを防止する方法。
【請求項１２】
前記スパッタリング環境は、０．５Ｐａのアルゴン圧力および８Ｗ／ｃｍ2から６０Ｗ／ｃｍ2までのスパッタリング電力を含むことを特徴とする請求項６に記載のＡｌ2Ｏ3介在物を有するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲット中のアーキングを防止する方法。
【請求項１３】
請求項６におけるｂ）工程において、前記ＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットは、前記Ａｌ2Ｏ3介在物を含まないスパッタリング表面を有する前記ＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットと形および寸法が類似していることを特徴とする請求項６に記載のＡｌ2Ｏ3介在物を有するＡｌスパッタリングターゲットまたはＡｌ合金スパッタリングターゲット中のアーキングを防止する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月24日(2005.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
非導電の基板表面を直接電解金属被覆するための方法において、
ａ．上記基板表面を水溶性ポリマーと接触させること、
ｂ．上記基板表面を過マンガン酸塩溶液で処理すること、
ｃ．上記基板表面を、少なくとも一種のチオフェン化合物と、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸及びエタンジスルホン酸を含む群から選択された少なくとも一種のアルカンスルホン酸とを含有する、酸性水溶液か水ベースの酸性ミクロエマルジョンかで処理すること、
ｄ．上記基板表面を電解めっきすること
を順に行う方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月24日(2005.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのアクリル樹脂のマトリックスと、前記マトリックスに分散された充填剤とを含む充填アクリル固体表面材料であって、前記アクリル樹脂がエポキシ官能基を有するアクリルポリマーを含み、前記ポリマーが直鎖もしくは分岐鎖脂肪族カルボン酸またはそのような酸の無水物により架橋されていることを特徴とする材料。
【請求項２】
前記アクリル樹脂がメタクリル酸メチルを含み、前記ジカルボン酸が直鎖脂肪族架橋剤であることを特徴とする請求項１に記載の材料。
【請求項３】
前記アクリルポリマーがポリ（メタクリル酸メチル／メタクリル酸グリシジルを含むことを特徴とする請求項１に記載の材料。
【請求項４】
樹脂の架橋を防ぐために低温で、エポキシ官能基を有するアクリル樹脂を充填剤と混合する工程と、得られた混合物を押出して前記シート材料を形成する工程と、その後、前記樹脂を高温で、直鎖もしくは分岐鎖カルボン酸またはその無水物を利用して架橋する工程とを含むことを特徴とする充填固体表面シート材料の製造方法。
【請求項５】
前記押出し工程前に混合物に触媒を添加することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記アクリル樹脂が６５〜９２重量％のメタクリル酸メチルと８〜３５重量％のメタクリル酸グリシジルとを含み、前記充填剤が、材料を基準として２０〜７５重量％の量で存在することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の表において、さまざまな用語および記号は、以下の意味をもつ：
ＲＣＰ２８１７０＝コポリ（ＭＭＡ／２２％ＧＭＡ）分子量約１１,０００〜１５,０００；ＲＣＰ２８２２２＝コポリ（ＭＭＡ／１０％ＧＭＡ）分子量約８０００；ＶＸＬ＝デカンジカルボン酸無水物（ヘキスト社（Ｈｏｅｃｈｓｔ  Ｃｏ．））；ＭＴＰＰＢ＝メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（アルドリッチ社（Ａｌｄｒｉｃｈ  Ｃｏ．））；ＤＤＤＡ＝１,１２−ドデカン二酸；アルマテックス（Ａｌｍａｔｅｘ）ＰＤ９２００＝コポリ（ＭＭＡ／２２％ＧＭＡ）分子量約１１０００〜１５０００（アンダーソンディベロップメント社（Ａｎｄｅｒｓｏｎ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  Ｃｏ．））；アルマテックス（Ａｌｍａｔｅｘ）６１００＝コポリ（ＭＭＡ／１５％ＧＭＡ）分子量約１２０００〜１５０００（アンダーソンディベロップメント社（Ａｎｄｅｒｓｏｎ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  Ｃｏ．））；Ｔ１２＝ジブチルスズ二ラウリン酸（エアープロダクツ社（Ａｉｒ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  Ｃｏ．））；イルガノックス（Ｉｒａｇａｎｏｘ）（登録商標）（チバガイキー社（Ｃｉｂａ  Ｇｅｉｇｙ  Ｃｏｒｐ．））１０７６＝オクタデシル３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシナメート；イルガホス（ＩＲＧＡＦＯＳ）（登録商標）１６８（チバガイキー社（Ｃｉｂａ  Ｇｅｉｇｙ  Ｃｏｒｐ．））＝トリス（２,４−ジ−第三ブチルフェニル）ホスファイト；ＳＳ−Ｃｒｕｎｃｈｉｅ＝コリアン（Ｃｏｒｉａｎ）（登録商標）研磨粒子（デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）コリアン（Ｃｏｒｉａｎ）（登録商標））；ＡＴＨ＝アルミニウム三水和物（アルコア（Ａｌｃｏａ））；ＭＭＡ＝メタクリル酸メチル；ＧＭＡ＝メタクリル酸グリシジル。
なおここで、本発明の好ましい実施態様を以下に記載する。
１．少なくとも１つのアクリル樹脂のマトリックスと、前記マトリックスに分散された充填剤とを含む充填アクリル固体表面材料であって、前記アクリル樹脂がエポキシ官能基を有するアクリルポリマーを含み、前記ポリマーが直鎖もしくは分岐鎖脂肪族カルボン酸またはそのような酸の無水物により架橋されていることを特徴とする材料。
２．前記アクリル樹脂がメタクリル酸メチルを含み、前記ジカルボン酸が直鎖脂肪族架橋剤であることを特徴とする前記１．に記載の材料。
３．前記アクリルポリマーがポリ（メタクリル酸メチル／メタクリル酸グリシジルを含むことを特徴とする前記１．に記載の材料。
４．前記充填剤が炭酸カルシウムであることを特徴とする前記１．に記載の材料。
５．前記アクリルポリマーが６５〜９２重量％のメタクリル酸メチルと８〜３５重量％のメタクリル酸グリシジルとを含むことを特徴とする前記３．に記載の材料。
６．前記充填剤が、材料の全重量を基準として２０〜７５重量％の量で存在することを特徴とする前記５．に記載の材料。
７．前記コポリマーが１,１２−ドデカン二酸により架橋していることを特徴とする前記５．に記載の材料。
８．樹脂の架橋を防ぐために低温で、エポキシ官能基を有するアクリル樹脂を充填剤と混合する工程と、得られた混合物を押出して前記シート材料を形成する工程と、その後、前記樹脂を高温で、直鎖もしくは分岐鎖カルボン酸またはその無水物を利用して架橋する工程とを含むことを特徴とする充填固体表面シート材料の製造方法。
９．前記押出し工程前に混合物に触媒を添加することを特徴とする前記８．に記載の方法。
１０．前記アクリル樹脂が６５〜９２重量％のメタクリル酸メチルと８〜３５重量％のメタクリル酸グリシジルとを含み、前記充填剤が、材料を基準として２０〜７５重量％の量で存在することを特徴とする前記８．に記載の方法。
１１．前記充填剤が炭酸カルシウムであることを特徴とする前記８．に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キュービック液晶相前駆体であって、
（Ａ）ヒドロトロープ、
（Ｂ）キュービック液晶相を形成する能力がある両親媒性物質、
（Ｃ）任意の溶媒、及び
（Ｄ）アンカー(anchor)、テザー(tether)及びそれらの組み合わせから成る群から選択される添加剤、を含むことを特徴とし、
その際（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び（Ｄ）が互いに次のような関係の質量分率で存在することを特徴とし、
１．０＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ
式中ａは（Ａ）の質量分率であり、ｂは（Ｂ）の質量分率であり、ｃは（Ｃ）の質量分率であり、ｄは（Ｄ）の質量分率であることを特徴とし、１．０＞ａ＞０、１．０＞ｂ＞０、１．０＞ｃ≧０、１．０＞ｄ＞０であることを特徴とするが、ａ、ｂ、ｃ及びｄは（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の相挙動を表す相図上のキュービック液晶相領域内に入らないことを条件とする、キュービック液晶相前駆体。
【請求項２】
（Ａ）が低分子量アルコール；ポリオール；アルコールエトキシレート；単糖類及び多糖類から誘導される界面活性剤；エチレンオキシド及びプロピレンオキシドのコポリマー；脂肪酸エトキシレート；ソルビタン誘導体；酪酸ナトリウム；ニコチンアミド；塩酸プロカイン；並びにエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール、及びポリグリセリルエステル、及びそのエトキシル化誘導体；並びにそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の前駆体。
【請求項３】
（Ｂ）が次の式を有するモノグリセリドであることを特徴とし、
【化１】
2004526830.tif 000001
式中Ｒが、６〜２２個の炭素原子を有する一価の炭化水素基、及び６〜２２個の炭素原子を有する一価のハロゲン化炭化水素基から成る群から選択されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の前駆体。
【請求項４】
（Ｄ）が正に荷電した界面活性剤、負に荷電した界面活性剤、両性界面活性剤、生物起源の脂質、及びそれらの組み合わせから成る群から選択されるアンカーであることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の前駆体。
【請求項５】
前記アンカーが、第四級界面活性剤、イミダゾリンベースの界面活性剤、置換アミノ酸、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される正に荷電した界面活性剤であることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の前駆体。
【請求項６】
（Ｄ）が、誘導体化された多糖類、直鎖置換ポリマー、スターポリマー、ポリペプチド、及びポリヌクレオチド、及びそれらの組み合わせから成る群から選択されるテザーであることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の前駆体。
【請求項７】
前記テザーが、セルロース誘導体、キチン誘導体、デンプン誘導体、グリコーゲン、グリコアミノグリカン、糖タンパク質、リグナンベースのポリマー、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される誘導体化された多糖類であることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の前駆体。
【請求項８】
（Ｃ）が存在することを特徴とし、及び（Ｃ）が極性及び無極性溶媒から成る群から選択されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の前駆体。
【請求項９】
活性成分（Ｅ）をさらに含むことを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の前駆体。
【請求項１０】
（Ｃ）が存在することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の前駆体。