Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月26日(2004.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記１つの光学系スポットは、実質的に小レンズアレイの中央から発し、前記１つの既知の関係を識別するステップは、前記中央の光学系スポットセントロイドとその個々の基準スポットセントロイドとの間の関係を決定するステップを含む請求項１７に記載の収差測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
各基準セントロイドは実質的にその個々のグリッド構成要素内の中心にある請求項２７に記載の収差測定システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３４】
１つのアイ・スポットは、実質的にグリッドの中央にあり、前記ソフトウェア手段は、前記グリッド中央アイ・スポット・セントロイドとその個々の基準スポット・セントロイドとの間の関係を決定することによって、１つの既知の関係を識別する請求項２７に記載の収差測定システム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４４】
前記出力は、実質的に正方形の小レンズアレイからの出力を含み、前記較正マトリクスは、各基準セントロイドの最も近い４つの隣接物へのポインタを含む請求項４３に記載の収差計算ソフトウェアパッケージ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４５】
グリッド縁部に近接していない各基準セントロイドの前記最も近い４つの隣接物は、各基準セントロイドの上下、両側の基準セントロイドを含む請求項４４に記載の収差計算ソフトウェアパッケージ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４６】
前記１つの光学系スポットは、実質的に小レンズアレイの中央から発し、前記１つの既知の関係を決定するルーチンは、前記中央の光学系スポット・セントロイドと、その個々の基準スポット・セントロイドとの間の関係を決定する請求項４５に記載の収差計算ソフトウェアパッケージ。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４７】
前記残余の関係を決定するルーチンは、前記中央の光学系スポットの最も近い４つの隣接物を探索する請求項４６に記載の収差計算ソフトウェアパッケージ。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４８】
前記残余の関係を決定するルーチンはさらに、中央の光学系スポットから最も近い隣接物の各々の距離と角度を計算し、最も近い隣接物のための信頼性のレベルを算出する請求項４７に記載の収差計算ソフトウェアパッケージ。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４９】
前記残余の関係を決定するルーチンはさらに、前記最も近い隣接物から選択された１つの第２の最も近い隣接物を、前記選択された最も近い隣接物の距離と角度に基づいて探索する請求項４８に記載の収差計算ソフトウェアパッケージ。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５０】
前記ソフトウェアはさらに、前記第２の最も近い隣接物の、残余の第３の最も近い隣接物を探索する請求項４９に記載の収差計算ソフトウェアパッケージ。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５１】
前記ソフトウェアはさらに、前記テストマトリクスが完全に形成されるまで、すべての残余の最も近い隣接物を探索する請求項５０に記載の収差計算ソフトウェアパッケージ。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５２】
前記ソフトウェアはさらに、あり得る無効な決定を識別し、ユーザに前記決定の表示を指示し、決定された残余の関係の少なくとも１つを変更するユーザ入力を受け付けるルーチンを有する請求項４３に記載の収差計算ソフトウェアパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図面には、概ね説明のために容量型及び電界型タッチ・スイッチを示すが、本発明の原理は、当業者には、容量型タッチ・スイッチ、赤外タッチ・スイッチ、電界型タッチ・スイッチ、アコースティック・タッチ・スイッチ及び電磁タッチ・スイッチを始め、これらに限らず、如何様のタッチ・スイッチ装置にも適切なものと分かるであろう。具体的例には、いずれもＤａｖｉｄ  Ｗ．Ｃａｌｄｗｅｌｌを発明者とする米国特許第５，５９４，２２２号、第５，８５６，６４６号、第６，３１０，６１１号及び第６，３２０，２８２号に記載のタッチ・スイッチを含む。以上の米国特許の開示をここに本明細書に援用する。また、いずれも２００２年１０月１５日に提出され、Ｄａｖｉｄ  Ｗ．Ｃａｌｄｗｅｌｌを発明者とする米国特許公報ＵＳ２００３／０１２１７６７号「Ｍｏｌｄｅｄ／Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｔｏｕｃｈ  Ｓｗｉｔｃｈ／Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｐａｎｅｌ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｍａｋｉｎｇ  Ｓａｍｅ」、同ＵＳ２００３／０１２２４３２号「Ｔｏｕｃｈ  Ｓｗｉｔｃｈ  ｗｉｔｈ  Ｉｎｔｅｇｒａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｉｒｃｕｉｔ」、同ＵＳ２００３／０１２２７９４号「Ｔｏｕｃｈ  Ｓｅｎｓｏｒ  ｗｉｔｈ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｄｅｃｏｒａｔｉｏｎ」、及び同ＵＳ２００３／０１５９９１０号「Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｔｏｕｃｈ  Ｓｅｎｓｏｒ  ａｎｄ  Ｌｉｇｈｔ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ」をもここに本明細書に援用する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネートの製造方法であって、ポリカーボネート溶融重合条件下において、次式の化合物の存在下、任意にはテトラアルキルアンモニウム及びテトラアルキルホスホニウム塩から選択される助触媒の存在下で、ジアリールオキシ化合物を二価フェノール化合物と接触させることを含んでなる方法。
Ｃｓ+Ａｎ-
式中、Ａｎは弱酸の陰イオン又は遷移金属酸化物陰イオンである。
【請求項２】
Ａｎ-が、ＣＨ3ＳＯ3-、ＮＨ2ＳＯ3-、Ｃ2Ｈ2Ｏ4-、ＢＦ4-、Ｂ（Ｃ6Ｈ5ＣＨ3）4-及びＣＨ3Ｃ6Ｈ4ＳＯ3-からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ジアリールオキシ化合物が次式の化合物である、請求項１記載の方法。
【化１】
2004521177.tif 000001
式中、Ｒはハロゲン、一価炭化水素及び一価炭化水素オキシ基から独立に選択され、
Ｒ1はハロゲン、一価炭化水素及び一価炭化水素オキシ基から独立に選択され、
ｎ及びｎ1は０〜４の値を有する整数から独立に選択される。
【請求項４】
ジアリールオキシ化合物が、ジアリールカーボネート化合物、ジアルキルカーボネート化合物及びアルキルアリールカーボネート化合物から選択される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
ジアリールオキシ化合物が、ジフェニルカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−ニトロフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）カーボネート、ジトリルカーボネート、ｍ−クレゾールカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項３記載の方法。
【請求項６】
二価フェノール化合物が次式の化合物である、請求項１記載の方法。
ＨＯ−Ｄ−ＯＨ
式中、Ｄは二価芳香族基である。
【請求項７】
Ｄが次式を有する、請求項６記載の方法。
【化２】
2004521177.tif 000002
式中、Ａ1はフェニレン、ビフェニレン及びナフタレンから選択される芳香族基を表し、
Ｅは、メチレン、エチレン、エチリデン、プロピレン、プロピリデン、イソプロピリデン、ブチレン、イソブチレン、アミレン及びイソアミリデンから選択されるアルキレンもしくはアルキリデン基、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン、メチルシクロヘキシリデン、２−［２．２．１］−ビシクロヘプチリデン、ネオペンチリデン、シクロペンタデシリデン、シクロデシリデン及びアダマンチリデンから選択される環式脂肪族基、スルフィド、スルホキシドもしくはスルホンから選択される含イオウ結合、ホスフィニルもしくはホスホニル基、エーテル結合、カルボニル基、第三窒素基、又はシランもしくはシロキシから選択される含ケイ素結合を表し、
Ｒ2は水素、又はアルキル、アリール、アラルキル、アルカリールもしくはシクロアルキルから選択される一価炭化水素基を表し、
Ｙ1はハロゲン、ニトロ、上記で定義したＲ2、又は式−ＯＲ2の基から選択され、
ｓ、ｔ及びｕは各々独立に零又は正の整数である。
【請求項８】
二価フェノールが次式のスピロビインダン化合物から選択される、請求項６記載の方法。
【化３】
2004521177.tif 000003
式中、各Ｒ3は一価炭化水素基及びハロゲン基から独立に選択され、各Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は独立にＣ1〜Ｃ6アルキルであり、各Ｒ8及びＲ9は独立にＨ又はＣ1〜Ｃ6アルキルであり、各ｎは０〜３の値を有する正の整数から独立に選択される。
【請求項９】
さらに、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−クミルフェノールカーボネート、ウンデカン酸、ラウリン酸、ステアリン酸、フェニルクロロホルメート、ｔ−ブチルフェニルクロロホルメート、ｐ−クミルクロロホルメート、クロマンクロロホルメート、オクチルフェニルクロロホルメート、ノニルフェニルクロロホルメート又はこれらの混合物からなる群から選択される１種以上の末端封鎖モノマーを利用することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
ポリカーボネートの製造方法であって、
（ａ）二価フェノール及びジアリールオキシ化合物を、メルトが形成するのに十分な時間溶融させた後、任意にはテトラアルキルアンモニウム及びテトラアルキルホスホニウム塩基から選択される助触媒の存在下で、触媒有効量の次式の化合物を含む触媒組成物を導入する段階、
Ｃｓ+Ａｎ-
（式中、Ａｎは弱酸の陰イオン又は遷移金属酸化物陰イオンである。）
（ｂ）段階（ａ）の生成物を、温度約２１０〜約２９０℃で運転される直列の１以上の連続反応器を含む反応系でオリゴマー化する段階であって、該反応器から得られる生成物が約１０００〜約５５００の数平均分子量を有する段階、及び
（ｃ）段階（ｂ）の生成物を、温度約２８０〜３１５℃で運転される直列の１以上の連続重合反応器を含む反応系で重合する段階であって、該段階（ｃ）で得られる生成物が約６５００以上の数平均分子量を有する段階
を含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月15日(2003.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スチレン、スチレン以外のビニル化合物、約０．５ｗｔ％〜約５ｗｔ％の多官能架橋剤、及び開始剤の反応生成物を含む形状記憶ポリマー。
【請求項２】
前記反応生成物が更に、改質ポリマーを含むことを特徴とする請求項１に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項３】
前記ビニル化合物が、ビニルネオデカノエート（vinyl neodecanoate）、安息香酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ビニルステアレート、メチルスチレン、４−（ビニルオキシ）ブチルステアレート、またはビニルピリジンであることを特徴とする請求項１に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項４】
前記架橋剤が２官能架橋剤であることを特徴とする請求項１に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項５】
前記２官能架橋剤が、ジビニルベンゼン、ビス（４−（ビニルオキシ）ブチル）テレフタレート（bis(4-(vinyloxy)butyl)terephthalate）、またはビス（４−（（ビニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）メチルテレフタレート（bis(4-((vinyloxy)methyl)cyclohexyl)methyl terephthalate）であることを特徴とする請求項４に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項６】
前記開始剤が、フリーラジカル開始剤またはイオン開始剤であることを特徴とする請求項１に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項７】
前記開始剤がフリーラジカル開始剤であることを特徴とする請求項６に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項８】
前記フリーラジカル開始剤が有機過酸化物であることを特徴とする請求項７に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項９】
前記開始剤が陽イオン開始剤であることを特徴とする請求項６に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項１０】
前記改質ポリマーが、前記スチレン及び前記ビニル化合物の反応生成物によって形成された前記ポリマーと相溶性の熱可塑性ポリマーであることを特徴とする請求項２に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項１１】
ビニルネオデカノエート、安息香酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ビニルステアレート、メチルスチレン、ビニルピリジン、及び４−（ビニルオキシ）ブチルステアレートからなる群から選択されるビニル化合物、スチレン、２官能架橋剤、及びフリーラジカル開始剤若しくは陽イオン開始剤の重合反応生成物を含むことを特徴とする形状記憶ポリマー。
【請求項１２】
前記２官能架橋剤が、ジビニルベンゼン、ビス（４−（ビニルオキシ）ブチル）テレフタレート、及びビス（４−（（ビニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）メチルテレフタレートからなる群から選択されることを特徴とする請求項１０に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項１３】
前記フリーラジカル開始剤または前記イオン開始剤が、ｔ−ブチルペルオキシド、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド、過酸化ベンゾイル、ジクミルペルオキシド、過酸化ラウロイル、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（2,2'-axobisisobutyronitrile）、３フッ化ホウ素、３フッ化ホウ素ジエチルエーテラート（boron trifluoride diethyl etherate）、三塩化アルミニウム、及び塩化スズＩＶからなる群から選択されることを特徴とする請求項１２に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項１４】
前記反応生成物が、前記スチレン及び前記ビニル化合物の反応生成物と相溶性の熱可塑性プラスチックを含むことを特徴とする請求項１３に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項１５】
前記熱可塑性プラスチックが、ポリスチレンまたはポリオレフィンであることを特徴とする請求項１３に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項１６】
前記ビニル化合物がビニルネオデカノエートであり、前記２官能架橋剤がジビニルベンゼンであり、前記開始剤が、ジクミルペルオキシド、過酸化ベンゾイル、及びラウロイルベンゼン（lauroyl benzen）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１３に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項１７】
前記反応生成物がポリスチレンを含むことを特徴とする請求項１６に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項１８】
前記反応混合物の重合が、温度が約２０℃〜約１５０℃の範囲、圧力が約１０１．３６ｋＰａ〜約３４４．７５ｋＰａ（約１４．７ｐｓｉ〜約５０ｐｓｉ）の範囲、時間が約２秒〜約４日の範囲の条件で行われることを特徴とする請求項１に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項１９】
前記形状ポリマー反応混合物の成分割合は、前記スチレンが約３０ｗｔ％〜９５ｗｔ％の範囲、前記ビニル化合物が約５ｗｔ％〜約６０ｗｔ％の範囲、前記２官能架橋剤が約０．５ｗｔ％〜約５ｗｔ％の範囲、前記開始剤が約０．１ｗｔ％〜約４ｗｔ％の範囲であることを特徴とする請求項１１に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項２０】
前記形状ポリマー反応混合物の成分割合は、前記スチレンが約４０ｗｔ％〜８５ｗｔ％の範囲、前記ビニル化合物が約５ｗｔ％〜約２０ｗｔ％の範囲、前記２官能架橋剤が約０．６ｗｔ％〜約３ｗｔ％の範囲、前記開始剤が約０．５ｗｔ％〜約３ｗｔ％の範囲、前記熱可塑性プラスチックが約５ｗｔ％〜約５０ｗｔ％の範囲であることを特徴とする請求項１４に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項２１】
スチレン、スチレン以外のビニル化合物、多官能架橋剤、開始剤、及び改質ポリマーの反応生成物を含む形状記憶ポリマー。
【請求項２２】
前記ビニル化合物が、ビニルネオデカノエート、安息香酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ビニルステアレート、メチルスチレン、４−（ビニルオキシ）ブチルステアレート、またはビニルピリジンであることを特徴とする請求項２１に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項２３】
前記架橋剤が２官能架橋剤であることを特徴とする請求項２１に記載の形状記憶ポリマー。
【請求項２４】
前記２官能架橋剤が、ジビニルベンゼン、ビス（４−（ビニルオキシ）ブチル）テレフタレート、またはビス（４−（（ビニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）メチルテレフタレートであることを特徴とする請求項２３に記載の形状記憶ポリマー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
関連出願
本出願は、２００１年１月２４日に出願の米国仮特許出願第６０／２６３，９８６号の優先権を主張するものであり、この特許出願に言及することを以ってその内容を本明細書の一部とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
近年、形状記憶ポリマーの新たな利用法が見出された。その利用法とは、コンタクトレンズの製造に利用するコンタクトレンズの型の材料として用いることである。この利用方法については、言及することを以って本明細書の一部とする、本出願と同時出願で同時係属の米国特許出願第１０／０５６，７７３号に開示されている。更に、形状記憶ポリマーは、言及することを以って本明細書の一部とする米国特許出願第１０／０５６，７７３号及び同第０９／６４９，６３５号に開示されているような機敏な型の成形面として機敏な型に用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月10日(2004.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  バイオマスガス化システムであって、
流動化された粒状材料を加熱するための燃焼器と、
バイオマス供給原料および加熱され流動化された粒状材料を、前記燃焼器から受けるよう配置されたガス化装置とを含み、前記加熱され流動化された材料は、前記バイオマス供給原料を加熱して生産ガスを生産し、
前記ガス化装置は、前記燃焼器内に同軸に完全に収容される、バイオマスガス化システム。
【請求項２】  前記バイオマス供給原料の少なくとも一部分は、前記ガス化装置において木炭に転換され、前記木炭は、前記流動化された粒状材料における噴流によって前記ガス化装置から運び出される、請求項１に記載のバイオマスガス化システム。
【請求項３】  前記木炭の少なくとも一部分は、前記燃焼器に運ばれ、燃焼されて前記流動化された粒状材料を加熱する、請求項２に記載のバイオマスガス化システム。
【請求項４】  前記生産ガスは、前記燃焼器に運ばれ、燃焼されて前記流動化された粒状材料を加熱する、請求項１に記載のバイオマスガス化システム。
【請求項５】  供給原料がそこを通ってガス化装置に入るバイオマス供給原料入口開口部をさらに含み、前記バイオマス供給原料入口開口部はガス化装置の底部に近接して位置し、前記ガス化装置は、約１００〜４４００ｌｂ／ｆｔ2−ｈｒの範囲のバイオマス供給原料スループットを有する、請求項１に記載のバイオマスガス化システム。
【請求項６】  前記ガス化装置は、約５００〜４４００ｌｂ／ｆｔ2−ｈｒの範囲のバイオマス供給原料スループットを有する、請求項１に記載のバイオマスガス化システム。
【請求項７】  前記ガス化装置はさらに、約０．５〜７．０ｆｔ／ｓｅｃの範囲の流入速度を有する流入ガスを受ける、請求項１に記載のバイオマスガス化システム。
【請求項８】  前記ガス化装置はさらに、約０．８〜２．０ｆｔ／ｓｅｃの範囲の流入速度を有する流入ガスを受ける、請求項１に記載のバイオマスガス化システム。
【請求項９】  バイオマスガス化システムであって、
流動化された粒状材料を加熱するための燃焼器と、
前記燃焼器からバイオマス供給原料および加熱され流動化された粒状材料を受けるよう配置されたガス化装置とを含み、
前記加熱され流動化された材料は前記バイオマス供給原料を加熱して生産ガスを生産し
、
前記ガス化装置は、前記燃焼器内に同軸に完全に収容され、
前記バイオマス供給原料は、前記ガス化装置において、約０．５秒〜３分の範囲の平均滞留時間を有する、バイオマスガス化システム。
【請求項１０】  前記バイオマス供給原料は、前記ガス化装置において、約１０〜２０秒の範囲の平均滞留時間を有する、請求項９に記載のバイオマスガス化システム。
【請求項１１】  バイオマスガス化方法であって、
流動化された粒状材料を燃焼器において加熱するステップと、
加熱され流動化された粒状材料をガス化装置に運ぶステップと、
供給原料をガス化装置に注入するステップとを含み、前記流動化された粒状材料からの熱により、前記供給原料の少なくとも一部分のガス化が生産ガスを作り出し、
前記ガス化装置は前記燃焼器内に同軸に完全に収容される、バイオマスガス化方法。
【請求項１２】  前記流動化された粒状材料に、前記ガス化装置の下方部分においてより高密度の領域と、前記ガス化装置の上方部分においてより低密度の領域とを形成させるステップをさらに含む、請求項１１に記載のバイオマスガス化方法。
【請求項１３】  バイオマスガス化方法は、
前記より低密度の領域において、混入した混合物を形成するステップを含み、前記混入した混合物は、前記流動化された粒状材料と、前記バイオマス供給原料のガス化から形成された木炭と、生産ガスとの混合物を含み、前記バイオマスガス化方法はさらに、
前記混入した混合物を、前記より低密度の領域からセパレータへと継続的に除去するステップと、
粒状材料および木炭を前記生産ガスから分離するステップと、
熱を生じさせるために、前記燃焼器において前記木炭を燃焼させるステップとをさらに含む、請求項１２に記載のバイオマスガス化方法。
【請求項１４】  熱を生じさせるために、前記燃焼器において前記生産ガスの少なくとも一部分を燃焼させるステップをさらに含む、請求項１１に記載のバイオマスガス化方法。
【請求項１５】  前記ガス化装置は、約１００〜４４００ｌｂ／ｆｔ2−ｈｒの範囲のバイオマス供給原料スループットを有する、請求項１１に記載のバイオマスガス化方法。
【請求項１６】  前記ガス化装置は、約５００〜４４００ｌｂ／ｆｔ2−ｈｒの範囲のバイオマス供給原料スループットを有する、請求項１１に記載のバイオマスガス化方法。
【請求項１７】  流入ガスを、約０．５〜７．０ｆｔ／ｓｅｃの範囲の流入速度で前記ガス化装置に注入するステップをさらに含む、請求項１１に記載のバイオマスガス化方法。
【請求項１８】  流入ガスを、約０．８〜２．０ｆｔ／ｓｅｃの範囲の流入速度で前記ガス化装置に注入するステップをさらに含む、請求項１１に記載のバイオマスガス化方法。
【請求項１９】  前記バイオマス供給原料は、前記ガス化装置において、約０．５秒〜３分の範囲の平均滞留時間を有する、請求項１１に記載のバイオマスガス化システム。
【請求項２０】  前記バイオマス供給原料は、前記ガス化装置において、約１０〜２０秒の範囲の平均滞留時間を有する、請求項１１に記載のバイオマスガス化システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エラストマー又はゴムの１００重量部当りの重量部（ｐｈｒ）に基づき、
（ａ）スチレン−ブタジエン共重合体およびブタジエン−アクリロニトリル共重合体を含有している加硫性エラストマーと、ポリ塩化ビニルを含有する少なくとも１種の熱可塑性ポリマー若しくは熱可塑性エラストマーとの混合物、
を１００ｐｈｒと、
（ｂ）少なくとも１種の鉱物充填剤を約１５０ｐｈｒ〜約５００ｐｈｒと、
（ｃ）少なくとも１種の顔料又は着色剤を約０．１ｐｈｒ〜約１０ｐｈｒと、
（ｄ）少なくとも１種の加硫剤を、前記加硫性エラストマーを実質的に加硫するのに十分な量と、
（ｅ）少なくとも１種の臭気マスキング剤を約０．０１〜約１０ｐｈｒと、
を含有する混合物を形成することによって調製され、
加硫により、天然粘土のルックアンドフィールを有することを特徴とする組成物。
【請求項２】
前記加硫性のエラストマーとして、さらに加えて天然ゴム及び合成ゴムから成る群から選ばれる少なくとも１種の追加のエラストマーを含むことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記合成ゴムが、エチレン−プロピレンの共重合体及び三元共重合体、水素化スチレン含有ブロック共重合体、ポリブタジエン；ポリイソプレン、並びに、ブチルゴムから成る群から選ばれる、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記ブタジエン−アクリロニトリル共重合体とポリ塩化ビニルとの混合物が、ポリ塩化ビニルを約５０重量％〜約２０重量％含有している、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記ブタジエン−アクリロニトリル共重合体に対するスチレン−ブタジエン共重合体の比が、約４０：６０〜約６０：４０である、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
熱硬化性樹脂を更に含有している、請求項５記載の組成物。
【請求項７】
前記熱硬化性樹脂がクマロン・インデン樹脂である、請求項６記載の組成物。
【請求項８】
少なくとも１種の前記臭気マスキング剤が、天然香料及び人工香料から成る群から選ばれている、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
少なくとも１種の前記臭気マスキング剤が、バニラの抽出物である、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
少なくとも１種の前記鉱物充填剤が、ホワイチング、硬質粘土、軟質粘土、カオリン、水和ケイ酸アルミニウム、および、ケイ砂から成る群から選ばれる、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
天然粘土のルックアンドフィールを有する加硫された成形品であって、
（１）エラストマー又はゴムの１００重量部当りの重量部（ｐｈｒ）に基づき、
（ａ）スチレン−ブタジエン共重合体およびブタジエン−アクリロニトリル共重合体を含有している加硫性エラストマーと、ポリ塩化ビニルを含有する少なくとも１種の熱可塑性ポリマー若しくは熱可塑性エラストマーとの混合物、を１００ｐｈｒ、
（ｂ）少なくとも１種の鉱物充填剤を約１５０ｐｈｒ〜約５００ｐｈｒ、
（ｃ）少なくとも１種の顔料又は着色剤を約０．１ｐｈｒ〜約１０ｐｈｒ、
（ｄ）少なくとも１種の加硫剤を、前記の少なくとも１種の加硫性エラストマーを実質的に十分に加硫するのに十分な量、および、
（ｅ）少なくとも１種の臭気マスキング剤を約０．０１〜約１０ｐｈｒ、
を含有する、成形材料の混合物を形成する工程と、
（２）結果として得られた混合物を所望の形状に成形する工程と、
（３）前記成形済み混合物を、硬化するか又は加硫する工程と
によって調製されることを特徴とする成形品。
【請求項１２】
熱硬化性樹脂を更に含有している、請求項１１に記載の成形品。
【請求項１３】
前記熱硬化性樹脂がクマロン・インデン樹脂である、請求項１２に記載の成形品。
【請求項１４】
少なくとも１種の前記鉱物充填剤が、ホワイチング及び硬質粘土を含有する混合物である、請求項１３に記載の成形品。
【請求項１５】
成形品が、園芸用の容器及び受け皿、並びに飲料ボトル用保冷容器から成る群から選ばれる容器構造体である、請求項１１記載の成形品。
【請求項１６】
前記容器構造体が、園芸用容器又はワインボトル用保冷容器である、請求項１５に記載の成形品。
【請求項１７】
低温特性及び機械安定性が改善されている、請求項１１に記載の成形品。
【請求項１８】
少なくとも１種の加硫剤が、植物の根の成長を抑制することができ、且つ、少なくとも１種の加硫性エラストマーを実質的に十分に加硫するのに必要な量より多い量で存在し、しかも、成形品が園芸用容器である、請求項１１に記載の成形品。
【請求項１９】
少なくとも１種の前記加硫剤が、２−メルカプトベンゾチアゾール及び／又はジメチルジチオカルバミン酸亜鉛を含有している、請求項１８に記載の成形品。
【請求項２０】
エラストマー又はゴムの１００重量部当りの重量部（ｐｈｒ）に基づき、
（ａ）スチレン−ブタジエン共重合体およびブタジエン−アクリロニトリル共重合体を含有している加硫性エラストマーと、ポリ塩化ビニルを含有する少なくとも１種の熱可塑性ポリマー若しくは熱可塑性エラストマーとの混合物、を１００ｐｈｒと、
（ｂ）少なくとも１種の鉱物充填剤を約１５０ｐｈｒ〜約５００ｐｈｒと、
（ｃ）少なくとも１種の顔料又は着色剤を約０．１ｐｈｒ〜約１０ｐｈｒと、
（ｄ）少なくとも１種の加硫剤を、前記加硫性エラストマーを実質的に加硫するのに十分な量と、
（ｅ）少なくとも１種の臭気マスキング剤を約０．０１〜約１０ｐｈｒと、
を含有する混合物を形成するとともに、
加硫により、天然粘土のルックアンドフィールを有する、天然粘土の代用品又は天然テラコッタの代用品を製造する方法。
【請求項２１】
前記混合物が熱硬化性樹脂を更に含有している、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記熱硬化性樹脂がクマロン・インデン樹脂である、請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
天然粘土又は天然テラコッタのルックアンドフィールを有する、天然粘土の代用品又は天然テラコッタの代用品を製造する方法であって、
（１）エラストマー又はゴムの１００重量部当りの重量部（ｐｈｒ）に基づき、
（ａ）スチレン−ブタジエン共重合体およびブタジエン−アクリロニトリル共重合体を含有している加硫性エラストマーと、ポリ塩化ビニルを含有する少なくとも１種の熱可塑性ポリマー若しくは熱可塑性エラストマーとの混合物、を１００ｐｈｒ、
（ｂ）少なくとも１種の鉱物充填剤を約１５０ｐｈｒ〜約５００ｐｈｒ、
（ｃ）少なくとも１種の顔料又は着色剤を約０．１ｐｈｒ〜約１０ｐｈｒ、
（ｄ）少なくとも１種の加硫剤を、前記の少なくとも１種の加硫性エラストマーを実質的に十分に加硫するのに十分な量、および、
（ｅ）少なくとも１種の臭気マスキング剤を約０．０１〜約１０ｐｈｒ、
を含有する、混合物を形成する工程と、
（２）結果として得られた混合物を所望の形状に成形する工程と、
（３）前記成形済み混合物を加硫する工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記混合物が熱硬化性樹脂を更に含有している、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記熱硬化性樹脂がクマロン・インデン樹脂である、請求項２４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月25日(2004.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
反応性賦形剤の例には、ポリ（エチレンオキシド）-テトラスクシンイミジルグルタレート（P4-SG）と反応可能なホスファチジルエタノールアミンがある。反応性賦形剤の別の例には、主鎖に複数のシステインを含むポリ（アミノ酸）である（例えばポリ（システイン）、またはポリ（arg-lys-cys-グアニン-arg-cys-cys-lys-cys（配列番号：１）などのペプチド）。システインの遊離の-SHは、P4-SGと容易に反応可能である。別の例はポリ（リシン）であり、その側鎖アミノ基は、P4-SGと容易に反応可能である。P4-SGおよび/またはポリ（エチレングリコール）-テトラアミン（P4-AM）は、新規の製剤の成分である。単にシステインまたはリシンを賦形剤として使用することもできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
β-galのアミノ酸876-884にわたった天然に処理されたH-2Ld制限T細胞エピトープを示す合成ペプチドのTPHPARIGL（配列番号：２）、およびB型肝炎表面Ag（HBsAg）の残基S28〜39に対応するH-2Ldエピトープを示すIPQSLDSWWTSL（配列番号：３）は、多重ペプチドシステム（Multiple Peptide Systems）（San Diego, CA）によって合成し、逆相高圧液体クロマトグラフィー（RP-HPLC）によって評価して純度>90％にした。それぞれのペプチドの同一性は、マススペクトル解析によって確認した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
δＰＫＣの細胞内転移を活性化または阻害するためのペプチドであって、該ペプチドは、δＶ１−１ペプチド、δＶ１−２ペプチド、ψδＲＡＣＫペプチドおよびδＶ１−５ペプチドから選択される、ペプチド。
【請求項２】
δＰＫＣの細胞内転移を阻害するためのぺプチドであって、該ペプチドは、δＶ１−１ペプチド、δＶ１−２ペプチドおよびδＶ１−５ペプチドから選択される、ペプチド。
【請求項３】
前記ペプチドが配列番号４と約８０％以上同一である配列を有する、請求項１〜２のいずれか１項に記載のペプチド。
【請求項４】
前記ペプチドが配列番号５、配列番号６または配列番号７と約７０％以上同一である配列を有する、請求項１〜２のいずれか１項に記載のペプチド。
【請求項５】
前記ペプチドが組換え生成または化学合成される、請求項１〜２のいずれか１項に記載のペプチド。
【請求項６】
前記ペプチドがポリヌクレオチドによりコードされる、請求項１〜２のいずれか１項に記載のペプチド。
【請求項７】
前記ペプチドが、細胞膜を通じた輸送を容易にするのに有効な部分に連結されている、請求項１〜２のいずれか１項に記載のペプチド。
【請求項８】
前記部分が、Ｔａｔ由来ペプチド、Ａｎｔｅｎｎａｐｅｄｉａペプチド、またはポリアルギニンペプチドである、請求項７に記載のペプチド。
【請求項９】
末端システインを含むように改変された、請求項１〜２のいずれか１項に記載のぺプチド。
【請求項１０】
虚血性または低酸素性の現象によって引き起こされる損傷からの組織の保護における使用のための組成物であって、請求項２に記載のペプチドおよび適切な送達ビヒクルを含む、組成物。
【請求項１１】
前記虚血性の現象が発作であって、前記組成物が、該発作前、該発作中、および／または該発作後に提供される、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記虚血性の現象が心臓虚血であり、前記組成物が、該心臓虚血前、該心臓虚血中、および／または該心臓虚血後に提供される、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１３】
前記組成物が非経口投与される、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１４】
前記組成物が再灌流の間に投与される、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１５】
虚血性または低酸素性の現象によって引き起こされる損傷から組織を保護するための医薬の調製における使用のための、請求項２、３、４、７、８または９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１６】
低酸素性損傷または虚血性損傷からの細胞の保護を誘導するのに有効な化合物を同定する方法であって、
試験化合物の存在下および非存在下で、δＲＡＣＫ結合部位を含むδＰＫＣペプチドを、請求項２に記載のδＰＫＣアンタゴニストペプチドと接触させる工程、および
（ｉ）該試験化合物の存在下での結合が、該試験化合物の非存在下での結合と比較して減少している場合、または（ｉｉ）該試験化合物の触媒活性が、該試験化合物の非存在下での活性と比較して増大している場合に、保護を誘導するのに有効であると該試験化合物を同定する工程、
を包含する、方法。
【請求項１７】
細胞における低酸素性損傷または虚血性損傷を増強するのに有効な化合物を同定する方法であって、
試験化合物の存在下および非存在下で、ψδＲＡＣＫアゴニストペプチドを、ＲＡＣＫ結合部位を含むδＰＫＣペプチドと接触させる工程、および
（ｉ）該試験化合物の存在下での結合が、該試験化合物の非存在下での結合と比較して減少している場合、または（ｉｉ）該試験化合物の存在下での該δＰＫＣの触媒活性が、該試験化合物の非存在下での触媒活性と比較して増大している場合に、虚血性損傷を増大するのに有効であると該試験化合物を同定する工程、
を包含する、方法。
【請求項１８】
前記接触工程が、配列番号６として同定される配列を有するψδＲＡＣＫペプチドと接触させる工程を包含する、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
新血管形成の抑制を必要とする患者の標的組織における新血管形成を抑制する方法であって、該患者の標的領域に、pRb2/p130を発現するベクターを含む組成物を、標的領域における新血管形成を抑制するのに十分なレベルで投与することを含んでなる、上記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浚渫カッタヘッドであって、
（ａ）ハブと、リングと、前記ハブと前記リングを相互に連結する複数の螺旋アームと、を有し、
（ｂ）前記螺旋アームは各々、切歯の取付けのための前縁と、後縁と、前記前縁と前記後縁との間に位置し、かつ前記螺旋アームに沿って前記リングに向かって延びるトラフ部分とを有し、前記トラフ部分は前記螺旋アームに沿って前記リングに向かう物体の運動をほぼ妨げず、
（ｃ）前記螺旋アームは各々、前記カッタヘッドが回転されるとき、前記トラフ部分内の浚渫物に加わる正味の力が前記浚渫物を全体として前記トラフ部分の中心に沿い前記リングに向かって押し出すように形作られていることを特徴とする浚渫カッタヘッド。
【請求項２】
前記螺旋アームは各々、前記ハブよりも前記リングに近くにある、前記螺旋アームの各々の少なくともそれぞれの部分に沿って全体として増大する曲率度を有していることを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項３】
前記螺旋アームは各々、最大の曲率度及び最小の曲率度を有し、前記最大曲率度は、前記最小曲率度が位置するよりも前記リングの近くに位置していることを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項４】
前記螺旋アームは各々、前記リングの近くに位置する曲率度及び前記ハブの近くに位置する曲率度を有し、前記リングの近くの前記曲率度は、前記ハブの近くの前記曲率度の少なくとも１．５倍であることを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項５】
前記螺旋アームは各々、前記ハブの近くよりも前記リングに近くにおいて幅が広いことを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項６】
前記前縁のねじれ角は、前記リングの近くで少なくとも１４０°であることを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項７】
前記カッタヘッドのアスペクト比は、少なくとも２．０であることを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項８】
前記トラフ部分は、前記螺旋アームの各々の先導部分よりも薄いことを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項９】
前記リングは、複数の切欠きを更に備え、前記切欠きは各々、それぞれ対応関係にあるトラフ部分と連通していることを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項１０】
前記後縁は、前記カッタヘッドの内部へ内方に湾曲していることを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項１１】
前記リングは、前記リングの内部に沿って環状に延び、かつ前記リングから前記カッタヘッドの回転軸に向かって内方に向いたチャネルを構成していることを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項１２】
前記螺旋アームは各々、前記リングの近くの曲率度が少なくとも１０％であることを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項１３】
前記リングの近くの曲率度が少なくとも１５％であることを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項１４】
前記曲率度は、前記ハブよりも前記リングに近くにある、前記アームの少なくともそれぞれの部分にわたって全体として増大していることを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項１５】
前記螺旋アームは各々、最大の曲率度及び最小の曲率度を有し、前記最大曲率度は、前記最小曲率度のが位置するよりも前記リングの近くに位置していることを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項１６】
前記最小の曲率度は、前記ハブの近くに位置し、前記最大の曲率度は、前記リングの近くに位置していることを特徴とする請求項１５記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項１７】
前記リングの近くの場所の前記曲率度は、前記ハブの近くの別の場所の前記曲率度の１．５倍であることを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項１８】
前記螺旋アームは各々、前記ハブの近くよりも前記リングに近くにおいて幅が広いことを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項１９】
前記前縁のねじれ角は、少なくとも１４０°であることを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項２０】
前記カッタヘッドのアスペクト比は、少なくとも１．７であることを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項２１】
前記螺旋アームの少なくとも１つの前記トラフ部分は、前記螺旋アームの各々の先導部分よりも薄いことを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項２２】
前記リングは、複数の切欠きを更に備え、前記切欠きは各々、前記螺旋アームのそれぞれのトラフ部分と連通していることを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項２３】
前記後縁は、前記カッタヘッドの内部へ内方に湾曲していることを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項２４】
前記リングは、前記リングの内部に沿って環状に延び、かつ前記リングから前記カッタヘッドの回転軸に向かって内方に向いたチャネルを構成していることを特徴とする請求項１２記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項２５】
前記リングは、前記リングの内部に沿って環状に延び、かつ前記リングから、ばらばらになった物体を捕捉するための前記カッタヘッドの回転軸に向かって内方に向いたチャネルを構成していることを特徴とする請求項１記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項２６】
前記チャネルの断面は、ハーフパイプの形をしていることを特徴とする請求項２５記載の浚渫カッタヘッド。
【請求項２７】
前記リングは、前記螺旋アームのそれぞれの前記トラフ部分及び前記チャネルと連通した切欠きを備えていることを特徴とする請求項２５記載の浚渫カッタヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004521199.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
(ａ)  シェル内に収容し、かつこのシェルに対して相対回転可能なシリンダと、
(ｂ)  前記シリンダの回転に選択的に干渉することができ、ソレノイドコイル及びソレノイドプランジャを有するソレノイドを設けた電気的動作のロック機構であって、このロック機構が前記シリンダの回転に干渉するとき前記ソレノイドプランジャが第１位置をとり、前記シリンダが自由に回転するとき前記ソレノイドプランジャが第２位置をとる構成としたロック機構と、
(ｃ)  前記ソレノイドプランジャを収容する開口を有する強磁性のエンクロージャであって、前記ソレノイドプランジャが前記第２位置をとるとき、前記ソレノイドコイル及び前記ソレノイドプランジャの少なくとも一部を包囲して、前記シリンダの前面に外部から加わる磁界により前記ソレノイドプランジャが前記第１位置から前記第２位置に押しやられるのを阻止するようにしたエンクロージャと
を具えたことを特徴とする電子ロック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記シリンダは、前記強磁性のエンクロージャの外部に非強磁性の部分を設け、前記ソレノイドプランジャが前記第１位置をとるとき、前記ソレノイドプレートの少なくとも一部が前記非強磁性の部分内に収容される構成とした請求項１６記載の電子ロック。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004521200.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2004521200.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2004521200.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2004521200.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月10日(2005.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式（Ｉ）：
【化１】
2004521126.tif 000001
（式中、
Ｒ1及びＲ2は独立してハロゲン、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、カルボキシ（Ｃ1〜Ｃ3）アルコキシ、ヒドロキシ、（Ｃ2〜Ｃ6）ヒドロキシアルキル、ホスホナト、アミノ、（Ｃ1〜Ｃ6）アシルアミノ、スルファミル、アセトキシ、ジ（Ｃ1〜Ｃ6）アルキルアミノ（Ｃ2〜Ｃ6アルコキシ）及びトリフルオルメチルよりなる群から選択され、
Ｒ3及びＲ4は独立して水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、カルボキシ（Ｃ1〜Ｃ3）アルコキシ、ヒドロキシ、（Ｃ2〜Ｃ6）ヒドロキシアルキル、ホスホナト、アミノ、（Ｃ1〜Ｃ6）アシルアミノ、スルファミル、アセトキシ、ジ（Ｃ1〜Ｃ6）アルキルアミノ（Ｃ2〜Ｃ6アルコキシ）及びトリフルオルメチルよりなる群から選択される）
の化合物又は薬剤として許容できるその塩。
【請求項２】
次式（II）：
【化２】
2004521126.tif 000002
（式中、Ｒ1及びＲ2は独立してハロゲン、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、ヒドロキシ及びアセトキシよりなる群から選択され、Ｒ3及びＲ4は水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ及びアミノよりなる群から選択される）
である請求項１に記載の化合物又は薬剤として許容できるその塩。
【請求項３】
薬剤として許容できるキャリヤー及び請求項１又は２に記載の少なくとも１種の化合物を含む医薬組成物。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の化合物の、細胞増殖性障害の治療用薬剤の製造のための使用。
【請求項５】
細胞増殖性障害が癌、新生児の血管腫症、二次進行型多発性硬化症、慢性進行性脊髄変性疾患、神経線維腫症、神経節神経腫症、ケロイド形成、骨パジェット病、乳房線維嚢胞病、ペロニー・デュプトレン線維症、再狭窄及び硬変症よりなる群から選択される請求項４に記載の使用。
【請求項６】
次式（III）：
【化３】
2004521126.tif 000003
（式中、
Ｒ1及びＲ2は独立してハロゲン、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、カルボキシ（Ｃ1〜Ｃ3）アルコキシ、ヒドロキシ、（Ｃ2〜Ｃ6）ヒドロキシアルキル、ホスホナト、アミノ、（Ｃ1〜Ｃ6）アシルアミノ、スルファミル、アセトキシ、ジ（Ｃ1〜Ｃ6）アルキルアミノ（Ｃ2〜Ｃ6アルコキシ）及びトリルフルオルメチルよりなる群から選択され、
Ｒ3及びＲ4は独立して水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、カルボキシ（Ｃ1〜Ｃ3）アルコキシ、ヒドロキシ、（Ｃ2〜Ｃ6）ヒドロキシアルキル、ホスホナト、アミノ、（Ｃ1〜Ｃ6）アシルアミノ、スルファミル、アセトキシ、ジ（Ｃ1〜Ｃ6）アルキルアミノ（Ｃ2〜Ｃ6アルコキシ）及びトリフルオルメチルよりなる群から選択される）
の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月2日(2003.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第XIII因子を含んで成る、フォン・ヴィレブランド病を有する個体の処理のための医薬組成物。
【請求項２】
前記第XIII因子が、出血症状の発現の間、前記個体に投与される請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
第VIII因子濃縮物、血漿寒冷沈降物、デスモプレシン及び１−デスアミノ−８−D−アルギニンデソプレシン（DDAVP）から成る群から選択される１又は複数の追加の治療剤と組み合わせて投与するための、第XIII因子を含んで成る、フォン・ヴィレブランド病を有する個体を処理するための医薬組成物。
【請求項４】
前記第XIII因子が、追加の治療剤の投与の前に投与される、請求項３記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記第XIII因子が、追加の治療剤の投与の後に投与される、請求項３記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記第XIII因子が、追加の治療剤の投与と同時に投与される、請求項３記載の医薬組成物。