【手続補正書】
【提出日】平成16年11月15日(2004.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置及びリング部材
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置台が内部に設けられた処理容器と、前記載置台上の被処理体を取り囲むように設けられた導電性の第１のリングと、この第１のリングを取り囲むように設けられた絶縁性の第２のリングと、を備え、前記載置台上に載置された被処理体をプラズマにより処理するプラズマ処理装置において、
前記第１のリングは、内縁から外側に向かって前記被処理体の被処理面と略同じ高さに設定された平坦面部と、この平坦面部の外側に前記第２のリングよりも高くなるように設けられた凸部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１のリングは、前記平坦面部と、前記凸部とを結ぶ傾斜部を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
載置台が内部に設けられた処理容器と、前記載置台上の被処理体を取り囲むように設けられた導電性の第１のリングと、この第１のリングを取り囲むように設けられた絶縁性の第２のリングと、を備え、前記載置台上に載置された被処理体をプラズマにより処理するプラズマ処理装置において、
前記第１のリングは、内縁から外側に向かって前記被処理体の被処理面と略同じ高さに設定された平坦面部を備え、
前記第２のリングは、前記平坦面部よりも低い位置に設けられることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記平坦面部の幅は、１０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
被処理体の略全面と対向するようにガス供給領域を有する上部電極を設けると共に、載置台を下部電極として構成し、上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第２のリングは、第１のリングを押さえる役割を有するものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記第２のリングは、処理容器内のガスの流れを調整する役割を有するものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記第２のリングは、石英からなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
プラズマ処理は、レジストマスクが形成された被処理体に対して行うエッチングであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
プラズマ処理装置の処理容器の内部に設けられた載置台上の被処理体を周囲から取り囲むように設けられた第１のリングと、この第１のリングを取り囲むように設けられた石英からなる第２のリングと、を備えたリング部材であって、
前記第１のリングは、
内縁から外側に向かって前記被処理体の被処理面と略同じ高さに設定された平坦面部と、
プラズマ環境下において、前記第２のリングがエッチングされることにより発生する酸素ラジカルの前記被処理体への飛散を抑えるために、前記平坦面部の外側に前記第２のリングよりも高くなるように設けられた凸部と、を備えたことを特徴とするリング部材。
【請求項１１】
プラズマ処理装置の処理容器の内部に設けられた載置台上の被処理体を周囲から取り囲むように設けられた第１のリングと、この第１のリングを取り囲むように設けられた石英からなる絶縁性の第２のリングと、を備えたリング部材であって、
前記第１のリングは、内縁から外側に向かって前記被処理体の被処理面と略同じ高さに設定された平坦面部を備え、
前記第２のリングは、プラズマ環境下において、当該第２のリングがエッチングされることにより発生する酸素ラジカルの前記被処理体への飛散が前記第１のリングにより抑えられるようにするために、前記平坦面部よりも低い位置に設けられたことを特徴とするリング部材。
【請求項１２】
プラズマ処理装置の処理容器の内部に設けられた載置台上の被処理体を周囲から取り囲むように設けられた導電性の第１のリングと、この第１のリングを取り囲むように設けられた絶縁性の第２のリングと、を備えたリング部材であって、
前記第１のリングは、内縁から外側に向かって前記被処理体の被処理面と略同じ高さに設定された平坦面部と、この平坦面部の外側に前記第２のリングよりも高くなるように設けられた凸部と、を備えたことを特徴とするリング部材。
【請求項１３】
前記平坦面部の幅は、１０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１２に記載のリング部材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板に対して例えばエッチング処理などのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置及びこの装置に用いられるリング部材に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような構成では、前記第１のリングは、内縁から外側に向かって前記被処理体の被処理面と略同じ高さに設定された平坦面部を備えているので、被処理体の面内に亘って均一なプラズマ領域を形成することできて、均一なプラズマ処理を行うことができる。前記第１のリングは、前記平坦面部と前記凸部とを結ぶ傾斜部を有していてもよい。また第２のリングがプラズマによりエッチングされることにより発生する活性種が被処理体の周縁領域に飛散することが抑えられるので、この活性種による被処理体の表面への悪影響の発生を抑えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここで前記平坦面部の幅は１０ｍｍ以上であることが好ましい。また前記第２のリングは、第１のリングを押さえる役割や処理容器内のガスの流れを調整する役割を有するものであり、例えば石英より構成されている。
更に他の発明は、プラズマ処理装置の処理容器の内部に設けられた載置台上の被処理体を周囲から取り囲むように設けられた第１のリングと、この第１のリングを取り囲むように設けられた石英からなる第２のリングと、を備えたリング部材であって、
前記第１のリングは、
内縁から外側に向かって前記被処理体の被処理面と略同じ高さに設定された平坦面部と、
プラズマ環境下において、前記第２のリングがエッチングされることにより発生する酸素ラジカルの前記被処理体への飛散を抑えるために、前記平坦面部の外側に前記第２のリングよりも高くなるように設けられた凸部と、を備えたことを特徴とする。またこの発明において、第１のリングは、前記凸部を設ける代わりに、内縁から外側に向かって前記被処理体の被処理面と略同じ高さに設定された平坦面部を備え、前記第２のリングは、前記平坦面部よりも低い位置に設けられた構成としてもよい。
更にまた他の発明は、プラズマ処理装置の処理容器の内部に設けられた載置台上の被処理体を周囲から取り囲むように設けられた導電性の第１のリングと、この第１のリングを取り囲むように設けられた絶縁性の第２のリングと、を備えたリング部材であって、
前記第１のリングは、内縁から外側に向かって前記被処理体の被処理面と略同じ高さに設定された平坦面部と、この平坦面部の外側に前記第２のリングよりも高くなるように設けられた凸部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この内側リング６の周囲にはベースプレート４６の上面に絶縁体例えば石英（ＳｉＯ2）により形成された第２のリングをなす環状の外側リング７が設けられており、これら内側リング６及び外側リング７は、例えば図２に示すように、夫々例えば下部電極４に載置されたウエハＷと同心円状に配設され、リング部材を構成している。