(57)【要約】  輝度が高く、かつ画像上に白若しくは黒の画像欠陥やひび割れが無く、画像のムラが低減された放射線像変換パネルとその製造方法を提供する。更に、当該放射線像変換パネルを用いたＸ線撮影システムを提供する。本発明の放射線像変換パネルは、基板上に反射層、蛍光体層、保護層の順に配置した放射線像変換パネルであって、当該蛍光体層を構成する蛍光体が柱状結晶であり、かつ当該反射層が２種以上の金属を気相堆積法で積層してなることを特徴とする。
2008117600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に反射層、蛍光体層、保護層の順に配置した放射線画像変換パネルであって、当該蛍光体層を構成する蛍光体が柱状結晶であり、かつ当該反射層が２種以上の金属を気相堆積法で積層してなることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
前記反射層が、２層以上で構成され、そのうちの少なくとも１層は、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含有する金属層であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】
前記反射層の層厚が０．０１〜０．５μｍであり、当該反射層を構成する層のうち、最上層がアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）を含有する金属層であり、かつ最下層がニッケル又はクロムの少なくとも一方を含有する金属層であることを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項４】
前記基板が可とう性を有する基板であり、かつ反射層上に下引層として層厚が０．５〜１５μｍの有機樹脂層を有することを特徴とする請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項５】
前記基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、及びポリイミドより選ばれた高分子化合物からなることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項６】
前記蛍光体が輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項７】
前記蛍光体がＣｓＢｒを母体とする蛍光体であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第６項のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項８】
請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、蛍光体層を気相堆積法により製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項９】
請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、読み取りを行うことを特徴とするＸ線画像撮影システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネル、その製造方法、及び当該放射線画像変換パネルを用いたＸ線画像撮影システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線画像のような放射線画像は、病気診断用などの分野で多く用いられている。このＸ線画像を得る方法としては、被写体を通過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これにより可視光を生じさせた後、この可視光を通常の写真を撮るときと同様にして、ハロゲン化銀写真感光材料（以下、単に「感光材料」ともいう。）に照射し、次いで現像処理を施して可視銀画像を得る、いわゆる放射線写真方式が広く利用されている。【０００３】
しかしながら、近年では、ハロゲン化銀塩を有する感光材料による画像形成方法に代わり、蛍光体層から直接画像を取り出す新たな方法が開示されている。この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出し画像化する方法がある。具体的には、例えば、米国特許第３，８５９，５２７号及び特開昭５５−１２１４４号公報等に記載されているような輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換方法が知られている。この方法は、輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて、その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して、電気信号を得て、この信号を感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等の表示装置上に可視像として再生するものである。【０００４】
上記の放射線画像の再生方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せによる放射線写真法と比較して、はるかに少ない被曝線量で、情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点を有している。【０００５】
これらの輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後、励起光の走査によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後に再度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能である。つまり従来の放射線写真法では、一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線画像変換方法では放射線画像変換パネルを繰り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有利である。【０００６】
更に、近年、診断画像の解析においてより高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されている。鮮鋭性改善の為の手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし、感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。これらの試みの１つとして、例えば、特開昭６１−１４２４９７号公報に記載されている微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。【０００７】
また、特開昭６１−１４２５００号公報に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して、更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いる方法、更には支持体の面に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法（特許文献１参照）、更には支持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されている（特許文献２参照）。更に、気相成長法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されている（特許文献３参照）。【０００８】
最近では、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案され、特にＥｕを賦活剤とすることで従来得られていなかった高いＸ線変換効率を導き出すことが可能となった。【０００９】
また、基板としてアルミニウムのような高反射率材料を選択することにより、励起光や輝尽発光が反射され、高輝度の放射線画像変換パネルが得られることが知られている。【００１０】
しかしながら、一般に放射線画像変換パネルの作製に使用される基板は基板面の面積が大きく（例えば３００ｍｍ×３００ｍｍ以上）、上記基板面の面積に比して厚さが薄いため、蒸着装置内に支持されて輝尽性蛍光体の蒸着が施される際に、基板の中央部が重力により下方に撓んでしまい、均一な輝尽性蛍光体層を基板上に形成することが難しいという問題がある。【００１１】
一方、上記基板と輝尽性蛍光体層との間に反射層を設けて輝尽性蛍光体層から輝尽発光光を効率良く射出させる反射層形成手法と、多数の微細な凸部を有する基板上に輝尽性蛍光体の柱状構造を気相堆積させて鮮鋭性の高い放射線像を得る柱状構造形成手法とを組み合わせて、すなわち、凹凸表面を有する基板の表面に反射層を積層するとともに、この反射層上に輝尽性蛍光体の柱状構造からなる輝尽性蛍光体層を形成し、画質の良い放射線像が得られる放射線画像変換パネルを作製したいという要請がある。【００１２】
上記問題・状況等を鑑みて、多数の微細な凸部が形成された凹凸表面を有する基板上に、輝尽発光光を反射する反射層を、凸部の壁面を含む上記凹凸表面の略全面に形成し、上記反射層上に輝尽性蛍光体の柱状構造からなる輝尽性蛍光体層を気相法により形成し、この輝尽性蛍光体層上に保護層を積層した放射線画像変換パネルであって、当該反射層として、金属層と透明薄層とが積層されたものが提案されている（特許文献４参照）。【００１３】
しかし、この提案に基づく放射線画像変換パネルでは、一定の画質の改良効果はあるものの、まだ不十分であり、単独の金属層では欠陥が多くなりやすく、画像上に濃度ムラ等の欠陥が発生しやすいという問題がある。
【特許文献１】特開昭６２−３９７３７号公報
【特許文献２】特開昭６２−１１０２００号公報
【特許文献３】特開平２−５８０００号公報
【特許文献４】特開２００４−１６３３８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、輝度が高く、かつ画像上に白若しくは黒の画像欠陥やひび割れが無く、画像のムラが低減された放射線画像変換パネルとその製造方法を提供することである。更に、当該放射線画像変換パネルを用いたＸ線撮影システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る上記課題は下記の手段により解決される。【００１６】
１．基板上に反射層、蛍光体層、保護層の順に配置した放射線画像変換パネルであって、当該蛍光体層を構成する蛍光体が柱状結晶であり、かつ当該反射層が２種以上の金属を気相堆積法で積層してなることを特徴とする放射線画像変換パネル。【００１７】
２．前記反射層が、２層以上で構成され、そのうちの少なくとも１層は、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含有する金属層であることを特徴とする前記１に記載の放射線画像変換パネル。【００１８】
３．前記反射層の層厚が０．０１〜０．５μｍであり、当該反射層を構成する層のうち、最上層がアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）を含有する金属層であり、かつ最下層がニッケル又はクロムの少なくとも一方を含有する金属層であることを特徴とする前記１又は２に記載の放射線画像変換パネル。【００１９】
４．前記基板が可とう性を有する基板であり、かつ反射層上に下引層として層厚が０．５〜１５μｍの有機樹脂層を有することを特徴とする前記１乃至３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。【００２０】
５．前記基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、及びポリイミドより選ばれた高分子化合物からなることを特徴とする前記１乃至４のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。【００２１】
６．前記蛍光体が輝尽性蛍光体であることを特徴とする前記１乃至５のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。【００２２】
７．前記蛍光体がＣｓＢｒを母体とする蛍光体であることを特徴とする前記１乃至６のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。【００２３】
８．前記１乃至７のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、蛍光体層を気相堆積法により製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。【００２４】
９．前記１乃至７のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、読み取りを行うことを特徴とするＸ線画像撮影システム。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の上記手段により、輝度が高く、かつ画像上に白若しくは黒の画像欠陥やひび割れが無く、画像のムラが低減された放射線画像変換パネルとその製造方法を提供することができる。更に、当該放射線画像変換パネルを用いたＸ線撮影システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】支持体上に形成した柱状結晶形状の一例を示す概略図。
【図２】支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子の一例を示す概略図。
【図３】放射線画像変換パネルと放射線画像読み取り装置の構成の一例を示す概略図。
【図４】蒸着装置の一例の概略構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００２７】
１  基板
２  柱状結晶
３  結晶成長方向の中心を通る線
４  結晶先端断面部の接線
５  柱状結晶の結晶径
１５  基板支持部
１６  輝尽性蛍光体蒸気流
２１  放射線発生装置
２２  被写体
２３  放射線画像変換パネル
２４  輝尽励起光源
２５  光電変換装置
２６  画像再生装置
２７  画像表示装置
２８  フィルタ
１３０  断熱材
１４０  輝尽性蛍光体原料
１５０  ルツボ
１６０  （蒸着装置の）真空槽
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の放射線画像変換パネルは、基板上に反射層、蛍光体層、保護層の順に配置した放射線画像変換パネルであって、当該蛍光体層を構成する蛍光体が柱状結晶であり、かつ当該反射層が２種以上の金属を気相堆積法で積層してなることを特徴とする。この特徴は、請求の範囲第１項乃至第９項に係る発明に共通する技術的特徴である。【００２９】
以下、本発明、その構成要素、及び本発明を実施するための最良の形態・態様等について詳細な説明をする。【００３０】
〔基板〕
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる基板としては、各種のガラス、高分子材料、金属等が挙げられる。例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、高分子フィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。これらのうち、特に高分子フィルムが好ましい。【００３１】
本発明に用いることができる高分子フィルムとしては、セルロースアセテートフィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンサルファイド、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム（プラスチックフィルム）を用いることができる。特に、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンサルファイド、及びポリイミドより選ばれた高分子化合物を含有する高分子フィルムが、気相法にて蛍光体柱状結晶を形成する場合に耐熱性の観点より好適である。【００３２】
なお、本発明に係る基板としての高分子フィルムは、厚さ５０〜５００μｍであること、更に可とう性を有する高分子フィルムであることが好ましい。【００３３】
ここで、「可とう性を有する基板」とは、１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００〜６０００Ｎ／ｍｍ2である基板をいい、かかる基板としてポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。【００３４】
なお、「弾性率」とは、引張試験機を用い、ＪＩＳ−Ｃ２３１８に準拠したサンプルの標線が示すひずみと、それに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めたものである。これがヤング率と呼ばれる値であり、本明細書では、かかるヤング率を弾性率と定義する。【００３５】
本発明に用いられる基板は、上記のように１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００Ｎ／ｍｍ2〜６０００Ｎ／ｍｍ2であることが好ましい。より好ましくは１２００Ｎ／ｍｍ2〜５０００Ｎ／ｍｍ2である。【００３６】
具体的には、ポリエチレンナフタレート（Ｅ１２０＝４１００Ｎ／ｍｍ2）、ポリエチレンテレフタレート（Ｅ１２０＝１５００Ｎ／ｍｍ2）、ポリブチレンナフタレート（Ｅ１２０＝１６００Ｎ／ｍｍ2）、ポリカーボネート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ2）、シンジオタクチックポリスチレン（Ｅ１２０＝２２００Ｎ／ｍｍ2）、ポリエーテルイミド（Ｅ１２０＝１９００Ｎ／ｍｍ2）、ポリアリレート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ2）、ポリスルホン（Ｅ１２０＝１８００Ｎ／ｍｍ2）、ポリエーテルスルホン（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ2）等からなる高分子フィルムが挙げられる。【００３７】
これらは単独で用いてもよく積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、特に好ましい高分子フィルムとしては、上述のように、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。【００３８】
〔反射層〕
本発明に係る反射層は、２種以上の金属を気相体積法で積層してなることを特徴とする。当該反射層は、蛍光体から発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものであるが、反射性、欠陥防止等を考慮して、２層以上の重層構成とする。積層することにより反射効率が高く、更にスリキズに対する耐性や反射層のヌケ等の欠陥が大幅に低減し、信頼性が向上する。【００３９】
本発明に係る反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、動（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）からなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料（金属単体及び合金等）により形成されることが好ましい。特に、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｇ（銀）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）が好ましい。【００４０】
反射層の層厚が０．０１〜０．５μｍ（１０〜５００ｎｍ）であることが好ましく、０．０１〜０．３が更に好ましい。また、蒸着またはスパッタにより形成することが好ましい。【００４１】
本発明においては、反射層の層厚が０．０１〜０．５μｍであり、かつ当該反射層を構成する層のうち、最上層にアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含有していること、最下層にニッケル又はクロムの少なくとも一方を含有している金属層とすることが好ましい。【００４２】
〔下引層〕
本発明においては、反射層と蛍光体層の間に、膜付等の観点から、下引層として、有機樹脂層を設けることが好ましい。当該有機樹脂層は、高分子結合材（バインダー）、分散剤、着色剤等を含有することが好ましい。なお、有機樹脂層の厚さは、鮮鋭性、熱処理適性なども考慮して、０．５〜１５μｍとすることが好ましい。更に好ましくは１〜１０μｍとすることが好ましい。【００４３】
以下、当該下引層すなわち有機樹脂層の構成要素について説明する。【００４４】
〈高分子結合材〉
本発明に係る下引層は、溶剤に溶解又は分散した高分子結合材（以下「バインダー」ともいう。）を塗布、乾燥して形成することが好ましい。高分子結合材としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。【００４５】
本発明に係る高分子結合材としては、特に蛍光体層との密着の点でポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースなどが好ましい。また、ガラス転位温度（Ｔｇ）が３０〜１００℃のポリマーであることが、蒸着結晶と基板との膜付の点で好ましい。この観点からは、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。【００４６】
有機樹脂層の調製に用いることができる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。【００４７】
なお、本発明に係る下引層には、蛍光体が発光する光の散乱の防止し、鮮鋭性等を向上させるために顔料や染料を含有させても良い。【００４８】
〔蛍光体層〕
本発明に係る蛍光体層を形成するための蛍光体としては、従来公知の種々の蛍光体を用いることができる。本発明においては、特に蛍光体が輝尽性蛍光体であることが好ましい。  また、蛍光体層を気相堆積法により製造することが好ましい。【００４９】
以下、典型的な例として、本発明に係る輝尽性蛍光体層について図面を用いて説明する。【００５０】
図１は、基板上に形成した柱状結晶形状の一例を示す概略図である。図１のａ）、ｂ）において、２は気相堆積法により、基板１上に形成された輝尽性蛍光体の柱状結晶であり、その結晶先端部において、結晶成長方向の中心を通る垂線３と結晶先端断面部の接線４とのなす角度（θ）が２０°〜８０°であることが好ましく、より好ましくは４０°〜８０°である。図１のａ）は、柱状結晶のほぼ中心部に尖角部を有する一例であり、また図１のｂ）は、柱状結晶の先端部が一定の傾斜を有し、柱状結晶の側面部に尖角部を有する一例である。【００５１】
また、本発明においては、柱状結晶の平均結晶径が０．５〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１〜１０μｍである。上記で規定する柱状結晶の平均結晶径とすることにより、輝尽性蛍光体層ｂのヘイズ率を低下することができ、結果として優れた鮮鋭性を実現することができる。柱状結晶の平均結晶径とは、柱状結晶を支持体と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶を視野中に含む電子顕微鏡写真から計算する。【００５２】
柱状結晶径は、支持体温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶を形成することができる。例えば、支持体温度については、温度が低くなるほど細くなる傾向にあるが、低すぎると柱状状態の維持が困難となる。好ましい支持体の温度としては、５０〜３００℃であり、より好ましくは１５０〜２００℃である。蒸気流の入射角度としては、０〜５０°が好ましい。また、真空度については、０．５Ｐａ以下であることが好ましい。【００５３】
〔気相堆積法〕
本発明に係る気相堆積法（「気相成長法」ともいう。）で形成する輝尽性蛍光体層で用いることのできる輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭４８−８０４８７号に記載されているＢａＳＯ4：Ａxで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ4：Ａxで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ4：Ａxで表される蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されているＮａ2ＳＯ4、ＣａＳＯ4及びＢａＳＯ4等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂの中少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ、ＭｇＳＯ4及びＣａＦ2等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されているＬｉ2Ｂ4Ｏ7：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬｉ2Ｏ・（Ｂｅ2Ｏ2）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、米国特許第３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ及び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎｘで表される蛍光体があげられる。【００５４】
また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘＡｌ2Ｏ3：Ｅｕであげられるアルミン酸バリウム蛍光体及び一般式がＭ（II）Ｏ・ｘＳｉＯ2：Ａで表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体があげられる。【００５５】
また、特開昭５５−１２１４３号に記載されている一般式が（Ｂａ1-x-yＭｇxＣａy）Ｆx：Ｅｕ2+で表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式がＬｎＯＸ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されている一般式が（Ｂａ1-xＭ（II）x）Ｆx：ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されている一般式がＭ（II）ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表される希土類元素賦活二価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ＺｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Ｘで表される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載されている下記の何れかの一般式で表される蛍光体、
一般式
ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ
ｘＭ3（ＰＯ4）2：ｙＡ
特開昭５９−１５５４８７号公報に記載されている下記の何れかの一般式で表される蛍光体、
一般式
ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ
ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ，ｙＳｍ
特開昭６１−７２０８７号に記載されている下記一般式、
Ｍ（Ｉ）Ｘ・ａＭ（II）Ｘ′2・ｂＭ（III）Ｘ″3：ｃＡ
で表されるアルカリハライド蛍光体及び特開昭６１−２２８４００号に記載されている
一般式
Ｍ（Ｉ）Ｘ：ｘＢｉ
で表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等があげられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。【００５６】
また、本発明においては、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体も好ましい。【００５７】
一般式（１）  Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2：ｅＡ、Ａ″
（式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａ及びＡ″はＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ及びＹからなる群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素であり、またａ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。）
前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、ＭIは、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくはＣｓ原子である。【００５８】
Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。【００５９】
Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。【００６０】
ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。【００６１】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲンで原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が更に好ましい。【００６２】
また、一般式（１）において、ｂ値は０≦ｂ＜０．５を表すが、好ましくは、０≦ｂ≦１０-2である。【００６３】
一般式（１）で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。蛍光体原料としては、
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物が用いられる。【００６４】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣＩ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。【００６５】
（ｃ）前記一般式（１）において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。【００６６】
一般式（Ｉ）で表される化合物において、ａは０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．０１、ｂは０≦ｂ＜０．５、好ましくは０≦ｂ≦１０-2、ｅは０＜ｅ≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１である。【００６７】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。【００６８】
次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ルツボ又はアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。【００６９】
焼成温度は２００〜１０００℃が適当である。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、一般には０．５〜６時間が適当である。【００７０】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。【００７１】
尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めることができ好ましい。【００７２】
また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気又は中性雰囲気のままで冷却してもよい。【００７３】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。【００７４】
また、本発明はＣｓＩ：Ｔｌと言った、輝尽発光を有しない通常の柱状結晶蛍光体においても有効であり、同様の効果を得ることができる。【００７５】
また、輝尽性蛍光体層は気相成長法によって形成されることを特徴としている。【００７６】
輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他の方法を用いることができる。【００７７】
本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。第１の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とする。【００７８】
次いで、アルゴンガス、窒素ガスを導入し、所望の真空度に設定することが好ましい。通常は１．０×１０-3以上１．０Ｐａ以下が好ましい。次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。【００７９】
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。【００８０】
蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線画像変換パネルが製造されることが好ましい。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。【００８１】
さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体（支持体、保護層又は中間層）を冷却あるいは加熱してもよい。【００８２】
また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。【００８３】
第２の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層又は中間層を有する支持体をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して０．０１Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。【００８４】
前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。【００８５】
第３の方法としてＣＶＤ法があり、又、第４の方法としてイオンプレーティング法がある。【００８６】
また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は０．０５μｍ／分〜３００μｍ／分であることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／分未満の場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く好ましくない。また成長速度が３００μｍ／分を越える場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましくない。【００８７】
放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着法、スパッタリング法などにより得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネルが得られ、好ましい。【００８８】
前記輝尽性蛍光体層の層厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０μｍ〜１ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１００〜６００μｍであり、更に好ましくは１００〜４００μｍである。【００８９】
上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、１００℃以上に設定することが好ましく、更に好ましくは、１５０℃以上であり、特に好ましくは１５０〜４００℃である。【００９０】
本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は、支持体上に前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を気相成長させて形成されることが好ましく、層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成することがより好ましい。【００９１】
蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成するためには、前記一般式（１）で表される化合物（輝尽性蛍光体）が用いられるが、中でもＣｓＢｒ系蛍光体が特に好ましく用いられる。【００９２】
また、本発明においては、柱状結晶が、主成分として下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。【００９３】
一般式（２）：ＣｓＸ：Ａ
一般式（２）において、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、Ｔｂ又はＣｅを表す。【００９４】
本発明においては、輝度、保存性等の観点から、特に蛍光体がＣｓＢｒを母体とする蛍光体であることが好ましい態様である。【００９５】
支持体上に、気相堆積法により蛍光体層を形成する方法としては、輝尽性蛍光体の蒸気又は該原料を供給し、蒸着等の気相成長（堆積）させる方法によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる。【００９６】
これらの場合において、支持体と坩堝との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて通常１０〜６０ｃｍに設置するのが好ましい。【００９７】
蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃により発した電子ビームの走査により行われるが、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。【００９８】
また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体単体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。【００９９】
また、蛍光体の母体に対して賦活剤を後からドープしてもよい。例えば、母体であるＲｂＢｒのみを蒸着した後、賦活剤であるＴｌをドープしてもよい。即ち、結晶が独立しているため、層（膜）が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからである。【０１００】
ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によって行うことが出来る。【０１０１】
また、各柱状結晶間の間隙の大きさは３０μｍ以下がよく、更に好ましくは５μｍ以下がよい。即ち、間隙が３０μｍを越える場合は蛍光体層中のレーザー光の散乱が増加し、鮮鋭性が低下してしまう。【０１０２】
〔輝尽性蛍光体層の形成〕
次に、本発明に係る輝尽性蛍光体層の形成を図２を用いて説明する。【０１０３】
図２は、支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示す図であるが、輝尽性蛍光体蒸気流１６を支持体面の法線方向に対する入射角度として０〜５°の範囲で入射することにより、柱状結晶が形成される。【０１０４】
この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルより層厚を薄くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。【０１０５】
また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。【０１０６】
高反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。【０１０７】
高感度である放射線画像変換パネルを得る観点から、本発明に係る輝尽性蛍光体層の反射率は２０％以上であることが好ましく、より好ましくは３０％以上であり、特に好ましくは４０％以上である。尚、上限は１００％である。【０１０８】
高反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属などが好ましい。【０１０９】
本発明においては、基板上にアルミニウム等の光を反射するような鏡面処理（例えば、蒸着等）が行われている場合は、輝尽性蛍光体層の反射率を測定する。【０１１０】
ここで、反射率の測定は、下記の測定装置を用い、同様の測定条件にて行うことができる。【０１１１】
装置：ＨＩＴＡＣＨＩ５５７型、Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ
（測定条件）
測定光の波長        ：６８０ｎｍ
スキャンスピード    ：１２０ｎｍ／ｍｉｎ
繰り返し回数        ：１０回
レスポンス          ：自動設定
なお、本発明は、輝尽性蛍光体に限らず、種々の蛍光体の応用態様に適応可能であるが、例えば、蛍光体をシンチレータとして用いる場合においても、蛍光体層（「シンチレータ層」ともいう。）を形成する材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができる。本発明においては、蛍光体材料として、特にヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が好ましい。Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であるからである。【０１１２】
但し、ＣｓＩのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号公報の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開２００１−５９８９９号公報に開示されているようなＣｓＩを蒸着で、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、インジウム（Ｉｎ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質を含有するＣｓＩが好ましい。本発明においては、特に、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）が好ましい。更に、タリウム（Ｔｌ）が好ましい。【０１１３】
なお、特に、１種類以上のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシウムとを原材料とすることが好ましい。すなわち、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）は４００ｎｍから７５０ｎｍまでの広い発光波長をもつことから好ましい。【０１１４】
本発明に係る１種類以上のタリウム化合物を含有する添加剤のタリウム化合物としては、種々のタリウム化合物（＋Ｉと＋IIIの酸化数の化合物）を使用することができる。【０１１５】
本発明において、好ましいタリウム化合物は、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）、塩化タリウム（ＴｌＣｌ）、又はフッ化タリウム（ＴｌＦ，ＴｌＦ3）等である。【０１１６】
また、本発明に係るタリウム化合物の融点は、４００〜７００℃の範囲内にあることが好ましい。７００℃以内を超えると、柱状結晶内での添加剤が不均一に存在してしまい、発光効率が低下する。なお、本発明での融点とは、常温常圧下における融点である。【０１１７】
本発明に係る蛍光体層において、当該添加剤の含有量は目的性能等に応じて、最適量にすることが望ましいが、ヨウ化セシウムの含有量に対して、０．００１ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％、更に０．１〜１０．０ｍｏｌ％であることが好ましい。【０１１８】
ここで、ヨウ化セシウムに対し、添加剤が０．００１ｍｏｌ％未満であると、ヨウ化セシウム単独使用で得られる発光輝度と大差なく、目的とする発光輝度を得ることができない。また、５０ｍｏｌ％を超えるとヨウ化セシウムの性質・機能を保持することができない。【０１１９】
なお、高分子フィルム上に蛍光体（シンチレータ）の原料の蒸着により蛍光体層を形成した後に、蛍光体表面を温度２００℃以上４４０℃以下の熱ローラーによる圧熱処理を実施し、蛍光体柱状結晶の先端部を平坦化することが好ましい。【０１２０】
これにより、基板である高分子フィルムの耐熱温度以上の温度で蛍光体表面を熱処理することが可能となり、鮮鋭性に寄与の大きい表面部の輝度を向上できる。好ましくは、基板である高分子フィルム側を低温化しておくことで、高分子フィルム側のダメージは軽減される。またこの圧縮処理により蛍光体表面の均一性が向上し、粒状性も向上する。これにより輝度、鮮鋭性、粒状性にすぐれたシンチレータパネルを実現することができる。【０１２１】
〔保護層〕
本発明に係る輝尽性蛍光体層は、保護層を有していることを要する。【０１２２】
保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層としてもちいることもできる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には０．１〜２０００μｍ程度が好ましい。【０１２３】
〔放射線画像変換パネルの応用例〕
本発明の放射線画像変換パネルは、種々の態様のＸ線画像撮影システムに応用することができるが、特に、当該放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、読み取りを行うＸ線画像撮影システムに応用する態様が好ましい。【０１２４】
図３は、本発明の放射線画像変換パネル及び放射線画像読み取り装置の構成の１例を示す概略図である。【０１２５】
図３において２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、２４は放射線画像変換パネル２３の放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起光源、２５は放射線画像変換パネル２３より放出された輝尽発光を検出する光電変換装置、２６は光電変換装置２５で検出された光電変換信号を画像として再生する画像再生装置、２７は再生された画像を表示する画像表示装置、２８は輝尽励起光源２４からの反射光をカットし、放射線画像変換パネル２３より放出された光のみを透過させるためのフィルタである。尚、図３は被写体の放射線透過像を得る場合の例であるが、被写体２２自体が放射線を放射する場合には、前記放射線発生装置２１は特に必要ない。【０１２６】
また、光電変換装置２５以降は放射線画像変換パネル２３からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、前記に限定されない。【０１２７】
図３に示されるように、被写体２２を放射線発生装置２１と放射線画像変換パネル２３の間に配置し放射線Ｒを照射すると、放射線Ｒは被写体２２の各部の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像ＲＩ（すなわち放射線の強弱の像）が放射線画像変換パネル２３に入射する。この入射した透過像ＲＩは放射線画像変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによって輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した数の電子及び／又は正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透過像のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち可視あるいは赤外領域の光を照射する輝尽励起光源２４によって輝尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積された電子及び／又は正孔を追い出し、蓄積されたエネルギーを輝尽発光として放出せしめる。この放出された輝尽発光の強弱は蓄積された電子及び／又は正孔の数、すなわち放射線画像変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置２５で電気信号に変換し、画像再生装置２６によって画像として再生し、画像表示装置２７によってこの画像を表示する。画像再生装置２６は単に電気信号を画像信号として再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、画像の記憶、保存等が出来るものを使用するとより有効である。【０１２８】
また、光エネルギーで励起する際、輝尽励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放出される発光を受光する光電変換器は一般に６００ｎｍ以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったものが望ましい。本発明に係る輝尽性蛍光体の発光波長域は３００〜５００ｎｍであり、一方輝尽励起波長域は５００〜９００ｎｍであるので前記の条件を同時に満たすが、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射線画像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザーが好まれ、そのレーザー光の波長は６８０ｎｍであり、本発明の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、６８０ｎｍの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すものである。【０１２９】
すなわち、本発明に係る輝尽性蛍光体はいずれも５００ｎｍ以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を固めることができる。【０１３０】
輝尽励起光源２４としては、放射線画像変換パネル２３に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザー光を用いると光学系が簡単になり、又、輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率をあげることができ、より好ましい結果が得られる。【０１３１】
本発明においては、輝尽性蛍光体層に照射されるレーザー径が１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは８０μｍ以下である。【０１３２】
レーザーとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、Ａｒイオンレーザー、Ｋｒイオンレーザー、Ｎ2レーザー、ＹＡＧレーザー及びその第２高調波、ルビーレーザー、半導体レーザー、各種の色素レーザー、銅蒸気レーザー等の金属蒸気レーザー等がある。通常はＨｅ−ＮｅレーザーやＡｒイオンレーザーのような連続発振のレーザーが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザーを用いることもできる。又、フィルタ２８を用いずに特開昭５９−２２０４６号公報に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザーを用いて変調するよりもパルス発振のレーザーを用いる方が好ましい。【０１３３】
上記の各種レーザー光源の中でも、半導体レーザーは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。【０１３４】
フィルタ２８としては放射線画像変換パネル２３から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカットするものであるから、これは放射線画像変換パネル２３に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起光源２４の波長の組合わせによって決定される。【０１３５】
例えば、輝尽励起波長が５００〜９００ｎｍで輝尽発光波長が３００〜５００ｎｍにあるような実用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては、例えば、東芝社製Ｃ−３９、Ｃ−４０、Ｖ−４０、Ｖ−４２、Ｖ−４４、コーニング社製７−５４、７−５９、スペクトロフィルム社製ＢＧ−１、ＢＧ−３、ＢＧ−２５、ＢＧ−３７、ＢＧ−３８等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置２５としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。
【実施例】
【０１３６】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。【０１３７】
《放射線画像変換パネルの作製》
金属ブロックに貼り付けた１００ｃｍ×１００ｃｍサイズの基板上にスパッタ装置を使用し、表１に示すように、アルミニウム、銀、ニッケル、クロムターゲットを使用し、所望の層厚の反射層を設けた。なお、２種のターゲットを使用する場合は、ターゲットを途中で交換し、層厚が半分になるように設定し、反射層を設けた。また、合金の場合は同時にスパッタを行うことができるよう、ターゲットに２種の金属を設けた。これらをスパッタすることにより反射層を設けた。その後、ポリエステル樹脂をメチルエチルケトンに溶解させ、スピンコーターで、反射層上に塗布し下引層を設け、恒温槽の中で１００℃１０時間乾燥し固化させた。【０１３８】
次に、上記で得た各種基板をそれぞれ金属ブロックに貼り付けて、蒸着装置の真空槽に設置し、図４に示す蒸着装置を使用して、以下に示す方法で各基板上に柱状結晶の輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）からなる輝尽性蛍光体層を形成した。【０１３９】
先ず、前記基板を真空槽内に設置し、次いで、蛍光体原料（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を蒸着源としてプレス成形し水冷したルツボにいれた。その後、真空槽内を一旦排気し、その後にアルゴンガスを導入し０．１３３Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で下引き樹脂層塗布済み試料を回転させながら、下引き樹脂層塗布済み試料の温度（基板温度ともいう。）を約１４０℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層の層厚が３００μｍとなったところで蒸着を終了させた。次いで、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層が密封された構造の、アルミ基板に対応した各種放射線画像変換パネル試料を得た。【０１４０】
《評価》
以上のようにして作製した各放射線画像変換パネルを用いて、以下の評価を行った。得られた結果を表１に示す。【０１４１】
《輝度、輝度分布の評価》
輝度はコニカミノルタエムジー（株）製Ｒｅｇｉｕｓ１９０を用いて評価を行った。可搬性容器であるＲｅｇｉｕｓ１９０カセッテにプレートを貼り付けた。Ｘ線をタングステン管球にて８０ｋＶｐ、１０ｍＡｓで爆射線源とプレート間距離２ｍで照射した後、Ｒｅｇｉｕｓ１９０にカセッテを挿入し、信号を読み取った。得られたデーターはＲｅｇｉｕｓ１９０に付属したＣＳ−３ソフトを使用し求めた。【０１４２】
《画像欠陥の評価》
上記画像をモニター上で再現し、画像上に白若しくは黒の画像欠陥を５０ｍｍ×５０ｍｍのサイズ内で数え、当該欠陥の個数で評価した。  《ひび割れの評価》
コニカミノルタエムジー（株）製レジウスカセッテにプレートを装着し、７５ｃｍの高さより１００回落下させた。落下前後の画像を目視観察し、下記の評価基準に基づいて評価した。
１：ひび割れが増加し、使用に耐えない
２：ひび割れは明らかに増加している
３：ひび割れは増加しているが、使用に耐えうる
４：ひび割れは少ない
５：ひび割れは無い
上記評価結果を表１に示す。【０１４３】
【表１】
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【０１４４】
表１の結果から明らかなように、本発明に係る実施例では、輝度が高く、画像欠陥、ひび割れが少なく、従って画像ムラがなく、優れていることが分かる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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