(57)【要約】  光を反射する光反射画素電極および光を透過させる光透過画素電極が各画素部に形成されたアクティブマトリクス基板、対向電極基板、および誘電率異方性が負の液晶材料からなる液晶層を有する垂直配向方式の液晶パネル（３）と、入力階調に応じて該上記液晶パネルを駆動する液晶パネル駆動装置（２）とを備えた液晶表示装置（１）であって、各画素内において光反射部の液晶層の厚さが光透過部の液晶層の厚さよりも小さくなるように上記対向電極基板側に凸部が設けられ、上記光反射部および光透過部の液晶層それぞれに配向状態が形成されるように構成され、液晶パネル駆動装置（２）は階調遷移に応じて入力階調を補正する階調遷移強調処理を行う。これにより、表示品位（特に、動画表示品位）の高い、透過モードと反射モードとで表示を行う液晶表示装置を実現することができる。
2008035505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を反射する光反射画素電極および光を透過させる光透過画素電極が各画素部に形成されたアクティブマトリクス基板、対向電極基板、および誘電率異方性が負の液晶材料からなる液晶層を有する垂直配向方式の液晶パネルと、入力階調に応じて該上記液晶パネルを駆動する液晶パネル駆動装置とを備えた液晶表示装置であって、
各画素内において光反射部の液晶層の厚さが光透過部の液晶層の厚さよりも小さくなるように上記対向電極基板側に凸部が設けられ、光反射部および光透過部の液晶層それぞれに配向状態が形成されるように構成されており、上記液晶パネル駆動装置は階調遷移に応じて入力階調を補正する階調遷移強調処理を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
対向電極基板には、上記光透過画素電極の中央部と重なる位置に電界制御用突起が形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
対向電極基板には、上記光反射画素電極と重なる位置に凸部が設けられ、該凸部に電界制御用突起が形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
上記凸部はアクティブマトリクス基板と対向する面を有し、この面の中央部に上記電界制御用突起が形成されていることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
上記凸部はテーパ形状であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】
上記光透過画素電極はパターニングされていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項７】
上記光反射画素電極はパターニングされていることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項８】
上記液晶層は、光透過画素電極のエッジおよび電界制御用突起によって、配向中心を有し、放射状に配向した配向状態を形成することを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項９】
上記液晶層は、光反射画素電極のエッジおよび電界制御用突起によって、配向中心を有し、放射状に配向した配向状態を形成することを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
光反射画素電極の面積が光透過画素電極の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
上記対向電極基板の表面に垂直配向膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
各画素に、複数の光透過画素電極と各光透過画素電極に対応する電界制御用突起とを備えることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
各画素に、複数の光反射画素電極と各光反射画素電極に対応する電界制御用突起とを備えることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
光反射画素電極への電圧印加から光反射部の応答開始までの時間を第１のサイレントタイム、光透過画素電極への電圧印加から光透過部の応答開始までの時間を第２のサイレントタイムとして、
第１および第２のサイレントタイムの差が、半フレーム期間以内であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
光反射部の応答が１フレームで完了するように階調遷移強調処理を行うことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項記載の液晶表示装置を備えることを特徴とするモバイル電子機器。
【請求項１７】
請求項１〜１５のいずれか１項記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする車載用電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直配向（ＶＡ）方式の、透過モードと反射モードとで表示を行う液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、垂直配向方式の液晶表示装置の構成が開示されている（図１２参照）。図１２に示されるように、液晶表示装置３０３は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が画素毎に形成されたＴＦＴ基板２５１と、ＴＦＴ基板２５１に液晶層２０４を介して対向配置された対向基板２５２とを備える。ＴＦＴ基板２５１は、ＴＦＴや配線２１１に加え、ガラス基板２０２上に保護絶縁膜２１７を介して形成される透明電極２１４と、保護絶縁膜２１７および層間絶縁膜２２２を介して形成される反射電極２１５とを備える。この層間絶縁膜２２２は、反射領域Ｈにおける液晶層の厚さを調整するために設けられる。なお、反射電極２１５、透明電極２１４、および層間絶縁膜２２２は、垂直配向膜２１８（例えばポリイミド）により覆われている。そして、各画素において、層間絶縁膜２２２が設けられていない領域は透過領域Ｔとなり、層間絶縁膜２２２および反射電極２１５が設けられている領域は反射領域Ｈとなる。反射電極２１５は、反射率の高いアルミニウム等により構成され、透明電極２１４は、透過率の高いＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等により構成される。なお、透明電極２１４および反射電極２１５はともにＴＦＴのドレイン電極に接続されており、ＴＦＴを駆動することにより、透明電極２１４および反射電極２１５に所望の電圧が印加される。【０００３】
一方、対向基板２５２は、ガラス基板２０１にカラーフィルタ２２１と、対向電極２１９である透明電極（例えばＩＴＯ）とを備える。さらに、対向基板２５２には、液晶分子２０３の配向規制方向を制御するためのリベット２１６が形成されている。リベット２１６は、透過領域Ｔおよび反射領域Ｈの双方に設けられており、対向電極２１９と共に垂直配向膜２１８によって覆われている。【０００４】
液晶層２０４は、ＴＦＴ基板２５１と対向基板２５２との間隙に封入された液晶組成物により構成されている。また、各ガラス基板２０１、２０２の外側表面には、図示省略の偏光板及び位相差補償フィルムが貼り付けられている。【０００５】
液晶表示装置３０３では、各画素のＴＦＴを介して反射領域Ｈおよび透過領域Ｔの液晶分子２０３の配向方向を制御して液晶層の電気光学効果によって偏光板を通過する光量を可変させ、画像表示を行う。【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示されているように、上記の液晶表示装置では、透過領域Ｔの応答速度を高めるのが困難であるという問題があった。これに対し、特許文献１では、透過領域Ｔの特定部分（液晶分子の配向が不安定となる透過領域Ｔの両端部）で液晶分子の応答速度が低くなっている点に着目し、この特定部分を遮光領域としている。すなわち、透過領域Ｔの両端部を遮光領域して透過表示に寄与しないようにすることで表示品位を高めている。
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２００５−３３１９２６号公報（２００５年１２月２日公開」
【発明の開示】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示の構成は、透過領域のうち応答が遅い部分を遮光するものであって、透過領域の応答速度自体を高めるものではないため、特に動画の表示品位の向上には自ずと限界があった。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示品位（特に、動画表示品位）の高い液晶表示装置を提供する点にある。
【０００９】
本発明の液晶表示装置は、上記課題を解決するために、光を反射する光反射画素電極および光を透過させる光透過画素電極が各画素部に形成されたアクティブマトリクス基板、対向電極基板、および誘電率異方性が負の液晶材料からなる液晶層を有する垂直配向方式の液晶パネルと、入力階調に応じて該上記液晶パネルを駆動する（入力階調に応じた信号電位を上記液晶パネルに供給する）液晶パネル駆動装置とを備えた液晶表示装置であって、各画素内において光反射部の液晶層の厚さが光透過部の液晶層の厚さよりも小さくなるように上記対向電極基板側に凸部が設けられ、上記光反射部および光透過部の液晶層それぞれに配向状態が形成されるように構成され（上記光反射部および光透過部の液晶層それぞれに配向状態が形成され）、上記液晶パネル駆動装置は階調遷移に応じて入力階調を補正する階調遷移強調処理（オーバードライブ）を行うことを特徴とする。なお、本発明では、光反射画素電極が形成された（光反射画素電極と重なる）領域で、実際の表示に寄与する部分を「光反射部」と称し、光透過画素電極が形成された（光透過画素電極と重なる）領域で、実際の表示に寄与する部分を「光透過部」と称する。
【００１０】
まず、従来技術である図１２に示す液晶表示装置３０３では、電圧印加時に、光透過部におけるリベット２１６近傍では液晶分子２０３ａがリベット２１６表面の垂直配向膜２１８の影響を強く受ける一方、層間絶縁膜２２２の傾斜面２５５近傍では液晶分子２０３ｂが傾斜面２５５の垂直配向膜２１８の影響を強く受け、光透過部Ｔと光反射部Ｈの境界部分近傍の液晶分子が、光透過部Ｔ内の液晶分子と逆向きの配向規制力を受けることになる。これにより、図１２に示す液晶表示装置３０３において電圧を印加した場合、傾斜面２５５部近傍の液晶層の配向が光透過部の液晶層の応答を阻害する。これに起因して、光反射画素電極への電圧印加から光反射部の応答開始までの時間と、光透過画素電極への電圧印加から光透過部の応答開始までの時間との差（光反射部および光透過部のサイレントタイムの差）が拡大し、１フレーム以上となることもあった。
【００１１】
一方、液晶の表示品位向上を目指した高速応答化技術として、階調遷移強調処理（オーバードライブ）が知られている。この技術においては、適切な強調信号を１フレームの期間印加して、液晶を強制的に１フレームの期間で応答させる技術である。しかしながら、図１２に示す液晶表示装置３０３においては、上記理由により、光反射部および光透過部のサイレントタイムの差が大き過ぎて、液晶表示装置３０３に階調遷移強調処理を行っても、階調遷移強調処理による表示品位向上が図れないという問題が見出された。
【００１２】
すなわち、１フレーム期間内のある階調遷移強調処理信号に対し、サイレントタイムの長い光透過部は反応が鈍く、サイレントタイムの短い光反射部は反応が速い。このため、サイレントタイムの長い透過部にあわせて入力階調を補正するとサイレントタイムの短い光反射部が過剰応答となってしまい、白光り等が発生してしまう。一方、サイレントタイムの短い光反射部にあわせて入力階調を補正すると光透過部のサイレントタイムがほとんど変わらず、階調遷移強調処理による効果が得られない。
【００１３】
したがって、図１２に示す液晶表示装置３０３に対しては光透過部と光反射部の双方に効果をもたらす階調遷移強調処理を行える条件が存在しない。このため、液晶表示装置３０３において、階調遷移強調処理を行うことによる応答速度の向上は困難であり、動画表示品位の向上が困難であった。
【００１４】
そこで、本発明では、各画素内において光反射部の液晶層の厚さを光透過部の液晶層の厚さよりも小さくする凸部が対向電極基板側に設けられ、光反射部および光透過部それぞれに配向状態が形成される構成としている。すなわち、上記凸部をアクティブマトリクス基板側ではなく対向電極基板側に設けることで、光透過部と光反射部の境界部分（凸部の傾斜部）近傍の液晶分子が、光透過部内の液晶分子と同じ方向の配向規制力を受けるようにしている。
【００１５】
このような液晶表示装置に電圧を印加した場合には、傾斜部の液晶層の配向が光透過部の液晶層の応答を阻害しない。したがって、光透過部および光反射部のサイレントタイムの差が大幅に縮小される。これに階調遷移強調処理を行うと、１フレーム期間内の階調遷移強調処理信号に、光透過部の液晶層と光反射部の液晶層とがともに反応することができるので、効果のある階調遷移強調処理（オーバードライブ）を行うことができる。すなわち、光透過部と光反射部の液晶層に接する絶縁層の位置や構造を最適化することで、配向規制の方向を制御し、両部のサイレントタイムを縮小させておき、この状態で、階調遷移強調処理を行っている。これにより、液晶表示装置の応答速度を高め、その表示品位（特に、動画表示品位）を向上させることができる。
【００１６】
本液晶表示装置においては、対向電極基板には、上記光透過画素電極の中央部と重なる位置に、絶縁層からなる電界制御用突起が形成されていてもよい。
【００１７】
本液晶表示装置においては、対向電極基板には、上記光反射画素電極と重なる位置に凸部が設けられ、該凸部に電界制御用突起が形成されてもよい。この場合、上記凸部はアクティブマトリクス基板と対向する面を有し、この面の中央部に上記電界制御用突起が形成されていてもよい。
【００１８】
本液晶表示装置においては、上記凸部はテーパ形状（周囲に傾斜面を有する構造）であることが望ましい。こうすれば、光透過部および光反射部の境界近傍の液晶分子が光透過部の中心部方向の配向規制を受け易くなるため、光透過部のサイレントタイムをより縮めることができる。
【００１９】
本液晶表示装置は、上記光透過画素電極および光反射画素電極がパターニングされている（すなわち、上記光透過画素電極および光反射画素電極が電気的に接続されつつ別体構成されている）構成とすることができる。この場合、上記液晶層は、光透過画素電極のエッジおよび電界制御用突起によって、配向中心を有し、放射状に配向した配向状態を形成する。また、上記液晶層は、光反射画素電極のエッジおよび電界制御用突起によって、配向中心を有し、放射状に配向した配向状態を形成する。
【００２０】
本液晶表示装置においては、光反射画素電極の面積が光透過画素電極の面積よりも大きいことが望ましい。
【００２１】
本液晶表示装置においては、上記対向電極基板の表面に垂直配向膜が形成されていてもよい。
【００２２】
本液晶表示装置においては、各画素に、複数の光透過画素電極と各光透過画素電極に対応する電界制御用突起とを備えていてもよい。また、各画素に、複数の光反射画素電極と各光反射画素電極に対応する電界制御用突起とを備えていてもよい。
【００２３】
本液晶表示装置においては、光反射画素電極への電圧印加から光反射部の応答開始までの時間を第１のサイレントタイム、光透過画素電極への電圧印加から光透過部の応答開始までの時間を第２のサイレントタイムとして、第１および第２のサイレントタイムの差が、半フレーム期間以内であることが好ましい。
【００２４】
本液晶表示装置においては、光反射部の応答が１フレームで完了するように階調遷移強調処理を行うことが好ましい。
【００２５】
本発明のモバイル電子機器および車載用の電子機器は、上記液晶表示装置を備えることを特徴とする。
【００２６】
以上のように、本液晶表示装置によれば、対向基板側に凸部（段差部）が設けられた構造によって光透過部および光反射部のサイレントタイムの差を大幅に縮めることができるため、効果のある階調遷移強調処理（オーバードライブ）を行うことができる。これにより、液晶表示装置の応答速度を高め、その表示品位（特に、動画表示品位）を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施形態の一例である液晶表示装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態の一例である液晶表示装置に用いられる液晶パネルの断面図である。
【図３】本発明の実施形態の一例である液晶パネルにおいて、１画素の構成を示す平面図である。
【図４】本発明の実施形態の一例である液晶パネルにおいて、配向状態を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態の一例である液晶パネルにおいて、配向状態を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態の一例である液晶パネルにおいて、配向状態を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態の一例である液晶表示装置の応答特性を示すグラフである。
【図８】従来の代表的な液晶パネルの主要部の構成を示す断面図である。
【図９】図８の液晶パネルでの配向状態を示す断面図である。
【図１０】図８の液晶パネルでの配向状態を示す断面図である。
【図１１】図８の液晶パネルを有する液晶表示装置の応答特性を示すグラフである。
【図１２】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２８】
１    液晶表示装置
２    液晶パネル駆動装置
３    液晶パネル
１８  液晶コントローラ
２０  ソースドライバ
２４  ＬＵＴ
３０  アクティブマトリクス基板
３１  対向電極基板
３２  液晶層
３４  凸部
３５ａ・３５ｂ  光反射画素電極
３６ａ・３６ｂ  光透過画素電極
３８  階調遷移強調処理部
４５ａ・４５ｂ  リベット
４６ａ・４６ｂ  リベット
６６  対向電極
７７  ＴＦＴ
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の実施の一形態を図１〜図１１に基づいて説明すれば以下の通りである。【００３０】
本液晶表示装置１は、図１に示されるように、垂直配向（ＶＡ）のノーマリーブラック液晶パネル３と、これを駆動する液晶パネル駆動装置２とを備える。【００３１】
液晶パネル駆動装置２は、階調遷移強調処理部３８、ルックアップテーブル（ＬＵＴ）２４、液晶コントローラ１８、ソースドライバ２０、およびゲートドライバ２１を備える。【００３２】
なお、階調遷移強調処理部３８の各部や液晶コントローラ１８がＡＳＩＣ等のプロセッサによって実現されていてもよい。液晶パネル３は、１つの画素に２つの光反射画素電極と２つの光透過画素電極とを備え、４つの画素電極それぞれに対応して配向状態が形成される。【００３３】
液晶コントローラ１８は、ソースドライバ２０と、ゲートドライバ２１とを制御する。なお、ソースドライバ２０はＤＡＣ回路（図示せず）を備え、このＤＡＣ回路は液晶コントローラ１８から出力された階調（出力階調）をアナログの出力電圧に変換する。このソースドライバ２０およびゲートドライバ２１によって液晶パネル３に配されたソースラインおよびゲートラインが駆動される。これにより上記ソースラインおよびゲートラインの交差点近傍にマトリクス状に配された画素に上記出力電圧が書き込まれ、液晶パネル３の表示が行われる。【００３４】
階調遷移強調処理部３８は、ＬＵＴ２４を参照し、フレームメモリ（図示せず）からの１フレーム前のデータとフレームメモリを通らない現フレームのデータの２種類のデータを比較して、１フレーム応答を前提とする階調遷移強調処理を行う。すなわち、前回の入力階調と今回の入力階調から今回の出力階調を決定する。例えば、前回の入力階調が０で今回の入力階調が２４階調であれば、３７階調を出力する。本液晶表示装置１では、ＬＵＴ２４として、光反射部を１フレームで応答させるようなテーブルを使用する。これは、液晶層の厚さの関係上、光透過部のほうが応答が遅くなるため、光透過部を１フレーム応答させるような条件では光反射部が過剰応答（白光り）するためである。なお、図１に示すように、階調遷移強調処理部３８に温度センサからの信号が入力される構成とし、温度に応じた階調遷移強調処理を行うこともできる。この場合、温度ごとにＬＵＴ２４を設けておくことが好ましい。【００３５】
以下に、本液晶パネル３について説明する。【００３６】
液晶パネル３はバックライトと組合せて透過モードと反射モードとで表示を行う液晶パネルであり、図２に示すように、２枚の偏光板６１・６２と、アクティブマトリクス基板３０と、対向電極基板３１と、液晶層３２とを備え、バックライト５８側から順に、偏光板６１、アクティブマトリクス基板３０、液晶層３２、対向電極基板３１、偏光板６２が配される。なお、図示していないが、必要に応じて、位相差板も設置される。【００３７】
アクティブマトリクス基板３０では、図３に示すように、１つの画素領域に、ＴＦＴ７７、光反射画素電極３５ｂ、光反射画素電極３５ａ、光透過画素電極３６ｂ、および光透過画素電極３６ａが設けられ、ＴＦＴ７７は、直交するデータ信号線５０および走査信号線５１それぞれに接続される。光反射画素電極３５ｂ、光反射画素電極３５ａ、光透過画素電極３６ｂ、および光透過画素電極３６ａが、データ信号線５０に沿うように（図中縦方向に）１列に並べられ、光反射画素電極３５ｂがコンタクトホール（図示せず）を介してＴＦＴ７７に接続されている。なお、図２は図３の破線による断面図である。【００３８】
光反射画素電極３５ａ・３５ｂおよび光透過画素電極３６ａ・３６ｂは、それぞれ、回転対称を有する形状（正方形、円形、または、角部が丸みを帯びた正方形など）にパターンニングされて個別の画素電極を形成する一方、ブリッジ配線７８を介して互いに接続されている。これにより、データ信号線５０に与えられた信号電位は、ＴＦＴ７７を介して、４つの個別の画素電極（光反射画素電極３５ａ・３５ｂおよび光透過画素電極３６ａ・３６ｂ）に書き込まれる。なお、光反射画素電極は反射率の高いアルミニウム等により構成され、光透過画素電極は透過率の高いＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等により構成される。【００３９】
対向電極基板３１は、カラーフィルタ基板６５と、カラーフィルタ基板上に形成された対向電極６６と、対向電極６６を覆う垂直配向膜（図示せず）とを備える。ここで、対向電極基板３１は、光反射画素電極（３５ａ・３５ｂ）と対向する位置に凸部３４を備える。この凸部３４は、光反射画素電極と対向する位置に、液晶層３２側に出っ張るような絶縁増からなる段差部材５５（アクリル樹脂等の透明樹脂）を設けておき、これを覆うように対向電極６６を形成することによって得られる。この凸部３４によって、光反射部の液晶層の厚さを光透過部の液晶層の厚さより小さくすることができ、光反射部および光透過部の光路差を設定することができる。なお、段差部材５５は各反射画素電極（３５ａ・３５ｂ）に設けてもよいし、２つの反射画素電極（３５ａ・３５ｂ）に跨るように（共通して）設けてもよい。さらに、複数画素の反射画素電極に跨るように（共通して）設けてもよい。【００４０】
凸部３４はテーパを有する形状であり、アクティブマトリクス基板３０と対向する面を有し、この面の中央にリベット４５ａ・４５ｂ（電界制御用突起）が設けられている。さらに、対向電極基板３１は、光透過画素電極（３６ａ・３６ｂ）の中央部と重なる（対向する）位置に、リベット４６ａ・４６ｂ（電界制御用突起）を備える。【００４１】
液晶層３２は誘電率異方性が負の液晶材料からなり、電圧が印加されないときは、基板に対してほぼ垂直に配向し、電圧が印加されると、リベット（電界制御用突起）を中心に放射状に液晶分子が傾く。【００４２】
ここで、液晶パネル３に階調遷移強調処理を行った場合について説明する。【００４３】
本液晶パネルでは、図４に示すように、光透過部のほとんどの液晶層は、リベット４６ｂ（電界制御用突起）の影響を受けて配向する方向が決定されるが、光透過部と光反射部の境界近傍の液晶層は、凸部３４の傾斜面の配向膜の影響を受けて配向する方向が決定される。すなわち、液晶パネル３の光透過部の液晶層では、その内側とその端部（光反射部との境界近傍）とで配向規制方向が同じ向きになっている（図５参照）。【００４４】
したがって、液晶パネル３に電圧が印加された場合（図６参照）、液晶層の厚さが薄い光反射部の液晶層が先に応答し、放射状の配向状態を形成する。ついで、光透過部の液晶層が応答しようとするが、上記のとおり光透過部では内側と端部（光反射部との境界近傍）とで配向規制方向が同じ向きになっているため、速やかに応答する。このときの応答波形を図７に示す。図７と図１１（後述）におけるグラフＡの比較から、透過部のサイレントタイムが大幅に低減し、電圧印加開始から光透過部が９０％応答するまでの時間が大幅に短縮されることがわかる。【００４５】
このように、本実施例の液晶パネル３では、光透過部と光反射部とでサイレントタイムに大きさが差がないことから、階調遷移強調処理するにあたり、光透過部と光反射部の液晶層の厚さの違いを考慮して階調遷移強調処理信号を適宜調整して光透過部と光反射部の応答バランスをとれば（最適な階調遷移強調処理信号の条件を決定すれば）、階調遷移強調処理による高速応答可能な液晶表示装置を実現することができる。【００４６】
〔比較例〕
ここでは、比較例として、光透過部および光反射部の液晶層の厚みを調整する絶縁層がアクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）側に形成された液晶パネルに、電圧を印加した場合について説明する。【００４７】
まず、比較例の液晶パネルの代表的な構成を図８に示す。同図に示すように、液晶パネル３０３では、アクティブマトリクス基板２０２に、液晶層の厚さを調整する絶縁層２２２がテーパ形状に設けられ、絶縁層２２２上に光反射画素電極２１５が形成され、絶縁層がない部分に光透過画素電極２１４が形成される。【００４８】
液晶パネル３０３では、光透過部のほとんどの液晶層は、リベット２１６の影響を受けて配向する方向が決定されるのに対し、光透過部と光反射部の境界近傍の液晶層は、アクティブマトリクス基板２０２側に存在する絶縁層２２２の斜面上の配向膜の影響を受けて配向する方向が決定される。すなわち、液晶パネル３０３の光透過部の液晶層ではその内側とその端部（光反射部との境界近傍）とで配向規制方向が逆向きになっている（図９参照）。【００４９】
液晶パネル３０３に電圧が印加された場合（図１０参照）、液晶層の厚さが薄い光反射部の液晶層が先に応答し、放射状の配向状態を形成する。ついで、光透過部の液晶層が応答しようとするが、光透過部では内側と端部（光反射部との境界近傍）とで配向規制方向が逆向きになっているため、両者の間で配向状態の競合が発生し、速やかに応答できない。そして、配向状態の競合が解消された後、光透過部の液晶層が応答し始めて、放射状の配向状態を形成する。このときの応答波形を図１１に示す。同図に示されるように、電圧印加開始から応答開始までのサイレントタイムが、１フレーム期間以上の長期にわたることがわかる。【００５０】
したがって、液晶パネル３０３を階調遷移強調処理した（１フレーム期間過剰信号を入力し、液晶層を強制的に高速応答させた）ときには、光透過部のサイレントタイムが長過ぎ、信号印加後１フレームでは光透過部の液晶層がほとんど応答しない。反面、光反射部は液晶層の厚さが薄く、応答阻害要因がないため、１フレーム後で応答する。【００５１】
このように、１フレーム期間の階調遷移強調処理信号（過剰信号）に反応するのは主に光反射部であり、光透過部を強制応答させるためには、非常に大きな階調遷移強調処理信号が必要である。しかし、光透過部を強制応答させるような大きな階調遷移強調処理信号を印加した場合、光反射部が過剰応答となり光ってしまう。【００５２】
一方、光反射部が過剰応答しない程度の階調遷移強調処理信号では、光透過部において階調遷移強調処理の効果がない。すなわち、光透過部と光反射部を同時に満足できる条件（階調遷移強調処理信号）が存在せず、階調遷移強調処理による高速応答化ができない。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明の液晶表示装置は、例えば、モバイル電子機器、車載用の電子機器に好適に用いられる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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