Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオ及び／又はビデオ信号のパルス状妨害を抑制する方法であって、
上記オーディオ及び／又はビデオ信号のサンプルを受信することと、
上記受信サンプルに適応フィルタリング及び補間を行うことと、
上記受信サンプルと上記適応フィルタリング及び補間を行われたサンプルとの間の差によって与えられる誤差信号を導くことと、
上記誤差信号のパワーを測定することと、
上記誤差信号のパワーを用いて閾値を計算することと、
上記誤差信号が上記閾値を超える場合に、受信サンプルを歪みがあると認めることと、
上記歪みがあると認められた受信サンプルを上記適応フィルタリング及び補間の出力信号によって置き換えることと、
上記歪みがあると認められた受信サンプルを上記誤差信号のパワーの測定が１次ローパスフィルタを有する適応フィルタの入力サンプルの中で置き換えることと、を有する方法。
【請求項２】
上記閾値の計算は不変の値を有する上記誤差信号のパワーを乗じることを有することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
上記誤差信号のパワーの測定は歪みが無いと認められたサンプル値だけに対し継続されることと、歪みが無いと認められたサンプルは出力不変であることとを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
オーディオ及び／又はビデオ信号のパルス状妨害を抑制する装置であって、
上記オーディオ及び／又はビデオ信号のサンプルを受信する手段と、
上記受信サンプルに適応フィルタリング及び補間を行う手段と、
上記受信サンプルと上記適応フィルタリング及び補間を行われたサンプルとの間の差によって与えられる誤差信号を導く手段と、
上記誤差信号のパワーを測定する手段と、
上記誤差信号のパワーを用いて閾値を計算する手段と、
上記誤差信号が上記閾値を超える場合に、受信サンプルを歪みがあると認める手段と、
上記歪みがあると認められた受信サンプルを上記適応フィルタリング及び補間の出力信号によって置き換える切り替え手段と、
上記歪みがあると認められた受信サンプルを適応フィルタの入力サンプルの中で置き換える手段とを有し、
上記誤差信号のパワーの測定が１次ローパスフィルタを有する前記手段を特徴とする装置。
【請求項５】
上記閾値の計算手段は、不変の値を有する上記誤差信号の測定されたパワー値を乗じるための乗算器を有することを特徴とする、請求項４記載の装置。
【請求項６】
上記誤差信号のパワーの測定の上記手段は歪みが無いと認められたサンプル値だけに対し継続されることと、上記切り替え手段は歪みが無いと認められたサンプルを不変のまま出力することとを特徴とする、請求項４又は５記載の装置。
【請求項７】
上記切り替え手段の出力信号をデジタルデータ記憶媒体に記録する記録手段を更に有する、請求項４乃至６のうちの一項記載の装置。
【請求項８】
アナログデータ記録媒体用の再生手段、及び再生されたアナログデータをデジタルデータサンプルに変換する変換手段を更に有する、請求項４乃至７のうちの一項記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の図柄を変動表示可能な第１図柄表示部および第２図柄表示部と、遊技者にとって有利な状態と不利な状態とに変化可能な第１入賞装置および第２入賞装置とが設置されており、所定条件の充足によって第１図柄表示部に表示された図柄が変動を開始し、所定時間後に停止表示となり、停止表示となった図柄が所定の図柄である場合に、第１入賞装置が開成状態になるとともに、第１入賞装置に遊技球が入賞した場合に、第２図柄表示部に表示された図柄が変動を開始し、所定時間後に停止表示となり、停止表示となった図柄が特定の図柄である場合に、第２入賞装置が開成状態となり、かつ、第２図柄表示部に所定図柄が停止表示される確率が高い高確率状態と、前記確率が低い低確率状態とが生起する遊技機であって、
前記確率状態が高確率状態である場合にのみ信号を出力する確率状態出力手段と、
前記第１入賞装置の開成後、閉成状態となった場合に信号を出力する第１入賞装置作動出力手段と、
第１入賞装置の開成中に確率状態が低確率状態から高確率状態へと変化した場合には、第１入賞装置が閉成状態となった時点で信号を出力する一方、第１入賞装置の閉成中に確率状態が高確率状態から低確率状態へと変化した場合には、第１入賞装置が閉成状態となるまで信号を出力し続ける第２確率状態出力手段とが設けられていることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
かかる本発明の構成は、複数の図柄を変動表示可能な第１図柄表示部および第２図柄表示部と、遊技者にとって有利な状態と不利な状態とに変化可能な第１入賞装置および第２入賞装置とが設置されており、所定条件の充足によって第１図柄表示部に表示された図柄が変動を開始し、所定時間後に停止表示となり、停止表示となった図柄が所定の図柄である場合に、第１入賞装置が開成状態になるとともに、第１入賞装置に遊技球が入賞した場合に、第２図柄表示部に表示された図柄が変動を開始し、所定時間後に停止表示となり、停止表示となった図柄が特定の図柄である場合に、第２入賞装置が開成状態となり、かつ、第２図柄表示部に所定図柄が停止表示される確率が高い高確率状態と、前記確率が低い低確率状態とが生起する遊技機であって、前記確率状態が高確率状態である場合にのみ信号を出力する確率状態出力手段と、前記第１入賞装置の開成後、閉成状態となった場合に信号を出力する第１入賞装置作動出力手段と、第１入賞装置の開成中に確率状態が低確率状態から高確率状態へと変化した場合には、第１入賞装置が閉成状態となった時点で信号を出力する一方、第１入賞装置の閉成中に確率状態が高確率状態から低確率状態へと変化した場合には、第１入賞装置が閉成状態となるまで信号を出力し続ける第２確率状態出力手段とが設けられていることにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
【発明の効果】
本発明の遊技機は、確率状態が「高確率状態」である場合にのみ信号を出力する確率状態出力手段と、第１入賞装置の開成後、閉成状態となった場合に信号を出力する第１入賞装置作動出力手段と、第１入賞装置の開成中に確率状態が「低確率状態」から「高確率状態」へと変化した場合には、第１入賞装置が閉成状態となった時点で信号を出力する一方、第１入賞装置の閉成中に確率状態が「高確率状態」から「低確率状態」へと変化した場合には、第１入賞装置が閉成状態となるまで信号を出力し続ける第２確率状態出力手段とが設けられているため、当該確率状態出力手段、第１入賞装置作動出力手段、第２確率状態出力手段によって出力される信号を利用して、開成開始時点が「高確率状態」である第１入賞装置の開成回数、開成開始時点が「低確率状態」である第１入賞装置の開成回数を、非常に容易に、かつきわめて正確に計測することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者によって制御される第１のオブジェクトと、コンピュータ若しくは対戦者によって制御される第２のオブジェクトとが、仮想空間内で展開するゲームの様子をモニタ画面に表示するゲーム装置における画像表示方法であって、前記仮想空間における前記第１のオブジェクトの周囲の様子を表示した小画面を前記モニタ画面中に形成する小画面形成過程と、前記仮想空間におけるゲームの展開において、前記小画面の表示を拡大表示叉は縮小表示とすべき条件に該当するかどうかを判別する判別過程と、前記条件に該当するときに、前記小画面の表示を拡大表示叉は縮小表示に変更する表示変更過程と、を含むゲーム装置の画像表示方法。
【請求項２】
前記所定の条件は、(a)前記第１及び第２のオブジェクト相互間の離間距離が基準値を越えること、(b)前記第１のオブジェクトの移動速度が基準値を越えること、(c)前記第１のオブジェクトが前記仮想空間内の予め定められた場所に移動すること、(d)前記仮想空間内に予め定められたイベントが発生したかどうかであること、のうち少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１記載のゲーム装置の画像表示方法。
【請求項３】
前記表示変更過程は、更に、前記小画面の表示倍率を徐々に変えることによって、前記小画面全体の大きさを変えずに、前記小画面に表示される前記第１のオブジェクトを含む領域の外囲を緩やかに拡大叉は縮小する、ことを特徴とする請求項１記載のゲーム装置の画像表示方法。
【請求項４】
前記小画面形成過程は、更に、ゲームのコース地図上に前記第１及び第２のオブジェクトをシンボルで表示し、前記表示変更過程は、更に、前記第１及び第２のオブジェクト相互間の離間距離に応じて前記コース地図の縮尺を設定する、ことを特徴とする請求項１記載のゲーム装置の画像表示方法。
【請求項５】
遊技者によって制御される第１のオブジェクトと、コンピュータ若しくは対戦者によって制御される第２のオブジェクトとが、仮想空間内で展開するゲームの様子をモニタ画面に表示するゲーム装置であって、前記第１のオブジェクトの制御を支援する情報を表示する小画面を前記モニタ画面中に形成する支援画面形成手段と、前記仮想空間におけるゲームの展開において前記小画面の表示倍率を変更すべき所定の条件に該当するかどうかを判別する表示モード変更判別手段と、前記判別結果に基づいて前記小画面の表示倍率を設定する表示倍率設定手段と、を備えるゲーム装置。
【請求項６】
前記所定の条件は、（ａ）前記第１及び第２のオブジェクト相互間の離間距離が基準値を越えることである、（ｂ）前記第１のオブジェクトの移動速度が基準値を越えることである、（ｃ）前記第１のオブジェクトが前記仮想空間内の予め定められた場所に移動するかどうかである、そして、（ｄ）前記仮想空間内に予め定められたイベントが発生したかどうかである、のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項５記載のゲーム装置。
【請求項７】
遊技者によって制御される第１のオブジェクトと、コンピュータ若しくは対戦者によって制御される第２のオブジェクトとが、仮想空間内で展開するゲームの様子をモニタ画面に表示するゲーム装置であって、前記第１のオブジェクトを中心とする周囲の状況を表す小画面を前記モニタ画面中に形成する支援画面形成手段と、前記仮想空間における第１のオブジェクトと第２のオブジェクトとの離間距離を計算する距離計算手段と、前記小画面について予め定められた複数の表示倍率から前記離間距離に対応した表示倍率を設定する表示倍率設定手段と、前記設定に際し、前記表示倍率を現在値から増加する場合と減少する場合とで、前記離間距離と前記表示倍率との対応付けを異ならしめて前記表示倍率の設定に履歴動作を行わせる履歴動作手段と、を備えるゲーム装置。
【請求項８】
前記表示倍率設定手段は、前記表示倍率の設定に際し、前記表示倍率を現在値から設定すべき表示倍率に徐々に移行する、ことを特徴する請求項５又は７記載のゲーム装置。
【請求項９】
前記小画面にはコース図が含まれ、前記表示倍率設定手段は、前記離間距離に応じて前記コース図の縮尺を設定する、ことを特徴とする請求項５又は７に記載のゲーム装置。
【請求項１０】
前記第２のオブジェクトは複数存在し、前記距離計算手段は、前記第１のオブジェクトと前記複数の第２のオブジェクト各々との各離間距離を計算し、そのうち最も最短の離間距離を出力する、ことを特徴とする請求項７に記載のゲーム装置。
【請求項１１】
コンピュータシステムに請求項１乃至４の何れか１項記載の前記過程を実行させるためのプログラムが記載された情報記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織の切開と開創のための手術装置であって、
内部に内視鏡を収めるためのスコープホルダと、
前記スコープホルダに連結するハンドルと、
前記スコープホルダに連結され、内部に作業空間を区画する凹型ヘッドと、
前記凹型ヘッドに操作可能に連結され、前記作業空間から粒子群を取り除くためにこの作業空間と連通する流体運搬システムであって、前記流体運搬システムは前記スコープホルダの手前端に連結するスコープシールと、前記スコープシールに連結されるパージ用チューブを備えた手術装置。
【請求項２】
前記凹型ヘッドは、透明材料から作られる請求項１記載の手術装置。
【請求項３】
前記スコープシールとパージ用チューブは、前記ハンドルに位置する請求項２記載の手術装置。
【請求項４】
前記流体運搬システムはさらに、流体源に連結するルアーコネクタを含む請求項３記載の手術装置。
【請求項５】
前記流体運搬システムはさらに、前記ルアーコネクタと前記パージ用チューブの間に位置するルアーシールを含む請求項４記載の手術装置。
【請求項６】
前記手術装置はさらに、前記スコープホルダに収められ、前記スコープシールによってスコープホルダ中に封止される内視鏡を含む請求項５記載の手術装置。
【請求項７】
前記スコープホルダと内視鏡は、両者の間に流体用ギャップを区画する請求項６記載の手術装置。
【請求項８】
前記流体用ギャップは、前記スコープホルダの手前端からその遠方端まで軸方向に延びる前記請求項７記載の手術装置。
【請求項９】
前記手術装置はさらに、前記スコープホルダに連結されるカバーを含む請求項８記載の手術装置。
【請求項１０】
前記カバーは、前記スコープホルダに沿って、前記ハンドルから前記凹型ヘッドまで軸方向に延びる請求項９記載の手術装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体内に超音波を送受信する探触子と、この探触子を駆動して超音波を送信させると共に受信した反射エコー信号を増幅する超音波送受信部と、この超音波送受信部からの画像信号を書き込むと共に読み出し表示座標系に変換して出力するディジタルスキャンコンバータと、表示画像面に対し任意の線分を入力する入力部と、この入力部で入力された線分情報を画像表示のために処理するグラフィック表示部と、上記ディジタルスキャンコンバータとグラフィック表示部からの画像情報を合成する合成回路と、この合成回路からの画像信号を表示する画像表示装置とを有して成る超音波診断装置において、
上記入力部及びグラフィック表示部により臓器を含む断層像の表示画像上で該臓器を横切って指定された複数の線分上における画素情報を読み出し、この読み出された画素情報について検知した該画素情報の変化度合いに基づいて臓器の境界を判定し、この判定された該臓器の境界に基づいてその臓器の容積を演算する臓器容積演算部を備えたことを特徴とする超音波診断装置。
【請求項２】
上記臓器容積演算部で求めた臓器容積の演算値又はその演算値の時間経過に伴う変化波形を画像表示装置に表示するようにしたことを特徴とする請求項１記載の超音波診断装置。
【請求項３】
上記臓器容積演算部に対し、上記入力部及びグラフィック表示部により、臓器を含む断層像の表示画像上で該臓器の形状上の特徴を示す補助線の情報を入力するようにしたことを特徴とする請求項１又は２記載の超音波診断装置。
【請求項４】
上記臓器容積演算部で求めた臓器容積の演算値を時間で微分して容積変化率を求め、時間経過に伴う容積変化率の波形として画像表示装置に表示するようにしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の超音波診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による超音波診断装置は、被検体内に超音波を送受信する探触子と、この探触子を駆動して超音波を送信させると共に受信した反射エコー信号を増幅する超音波送受信部と、この超音波送受信部からの画像信号を書き込むと共に読み出し表示座標系に変換して出力するディジタルスキャンコンバータと、表示画像面に対し任意の線分を入力する入力部と、この入力部で入力された線分情報を画像表示のために処理するグラフィック表示部と、上記ディジタルスキャンコンバータとグラフィック表示部からの画像情報を合成する合成回路と、この合成回路からの画像信号を表示する画像表示装置とを有して成る超音波診断装置において、上記入力部及びグラフィック表示部により臓器を含む断層像の表示画像上で該臓器を横切って指定された複数の線分上における画素情報を読み出し、この読み出された画素情報について検知した該画素情報の変化度合いに基づいて臓器の境界を判定し、この判定された該臓器の境界に基づいてその臓器の容積を演算する臓器容積演算部を備えたものである。
また、上記臓器容積演算部で求めた臓器容積の演算値又はその演算値の時間経過に伴う変化波形を画像表示装置に表示するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに、上記臓器容積演算部で求めた臓器容積の演算値を時間で微分して容積変化率を求め、時間経過に伴う容積変化率の波形として画像表示装置に表示するようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【発明の効果】
本発明は以上のように構成されたので、請求項１に係る発明によれば、臓器容積演算部を設けたことにより、表示画像面に対し任意の線分を入力する入力部及びグラフィック表示部により臓器を含む断層像の表示画像上で該臓器を横切って指定された複数の線分上における画素情報を読み出し、この読み出された画素情報について検知した該画素情報の変化度合いに基づいて臓器の境界を判定し、この判定された該臓器の境界に基づいてその臓器の容積を演算することができる。この場合、従来のように入力部で目的の臓器のおおまかな形状を手動操作で入力したり、その臓器の形状をトレースしたりしないので、操作者の個人差の影響により最終的に算出される臓器の容積が不正確になることを防止できる。したがって、目的とする臓器を含む断層像の表示画像上で該臓器の容積を正確に計測することができる。このことから、臓器容積の計測結果の信頼性を向上することができる。
また、請求項２に係る発明によれば、上記臓器容積演算部で求めた臓器容積の演算値又はその演算値の時間経過に伴う変化波形を画像表示装置に表示することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、請求項３に係る発明によれば、上記臓器容積演算部に対し、上記入力部及びグラフィック表示部により、臓器を含む断層像の表示画像上で該臓器の形状上の特徴を示す補助線の情報を入力するようにしたものにおいては、目的とする臓器が断層像の表示領域の隅部に位置するなどしてその形状が欠けている場合でも、臓器を横切って指定された複数の線分の線分長、及び該線分と補助線とのなす角度の情報に基づいて該臓器の容積計算を行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
さらに、請求項４に係る発明によれば、上記臓器容積演算部で求めた臓器容積の演算値を時間で微分して容積変化率を求め、時間経過に伴う容積変化率の波形として画像表示装置に表示するようにしたものにおいては、時間経過に伴う容積変化率の変化を一目瞭然に把握できると共に、臓器の微妙な動きも観察することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して他の電子機器と情報の送信または受信を行うことができる電子機器であって、
人の移動を検出する手段と、前記ネットワークを介して前記他の電子機器に電子環境情報を問い合わせる手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１記載において、
前記人の移動を検出する手段として、
センサによる検出によって判断する手段、またはリモコン位置の検出によって判断する手段、またはそれらを組み合わせて判断する手段を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１または２に記載において、
前記電子環境情報を問い合わせた場合に、前記ネットワークを介して前記他の電子機器からの電子環境情報を受信する手段を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項３記載において、
前記他の電子機器から受信した情報に基づいて、移行元から移行先への電子環境移行の可否を判断する手段を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項４記載において、
前記した移行元から移行先への電子環境移行の可否を判断する手段によって、電子環境を移行できないと判断された場合には、その理由を示す情報を通知手段に送信する手段を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
ネットワークを介して他の電子機器と情報の送信または受信を行うことができる電子機器であって、
人の移動を検出する手段と、前記ネットワークを介して前記他の電子機器から送信される電子環境情報の問い合わせに対して、前記ネットワークを介して前記他の電子機器に電子環境情報を送信する手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項６記載において、
前記人の移動を検出する手段として、
センサによる検出によって判断する手段、またはリモコン位置の検出によって判断する手段、またはそれらを組み合わせて判断する手段を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項８】
ネットワークを介して他の電子機器と情報の送信または受信を行うことができる電子機器であって、
人の移動を検出する手段と、前記電子機器の設置場所情報を記憶する手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項８記載において、
前記人の移動を検出する手段として、
センサによる検出によって判断する手段、またはリモコン位置の検出によって判断する手段、またはそれらを組み合わせて判断する手段を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
ネットワークを介して他の電子機器と情報の送信または受信を行うことができる電子機器であって、
人の移動を検出する手段と、移行先に前記電子機器の電子環境を移行した後に、移行元の前記電子機器の電源を遮断もしくはセーブする手段を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１０記載において、
前記人の移動を検出する手段として、
センサによる検出によって判断する手段、またはリモコン位置の検出によって判断する手段、またはそれらを組み合わせて判断する手段を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
ネットワークに接続されている少なくとも２つの電子機器のうち、人の移動を検出する手段を備えた第１の電子機器が、前記ネットワークを介して人の移動を検出する手段を備えた第２の電子機器に、電子環境の移行ができるかどうかの問い合わせ情報を送信し、前記第２の電子機器は、この問い合わせ情報に基づいて電子環境移行の可否の判断を行い、電子環境移行が可である場合には、前記第２の電子機器は、前記第１の電子機器から送られてくる電子環境情報に基づき、電子環境を移行することを特徴とする電子機器の制御方法。
【請求項１３】
請求項１２記載において、
前記人の移動を検出する手段として、
センサによる検出によって判断する手段、またはリモコン位置の検出によって判断する手段、またはそれらを組み合わせて判断する手段を備えたことを特徴とする電子機器の制御方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３記載において、
前記第２の電子機器は、前記した電子環境移行ができない場合には、電子環境移行ができない理由を示す情報を通知手段に送信し、この通知手段によって理由を通知させることを特徴とする電子機器の制御方法。
【請求項１５】
電子機器の操作手段としてのリモコンに、自位置を前記電子機器との通信によって検出する手段と、前記電子機器の電子環境情報を記憶する手段と、前記電子機器の電子環境情報を送受信する手段とを備えことを特徴とする電子機器システム。
【請求項１６】
複数の電子機器がネットワークに接続されてなる電子機器システムであって、
人の移動を検出することにより、電子環境の移行元の電子機器と電子環境の移行先の電子機器とを決定し、移行先の電子機器は、移行元の電子機器からの電子環境の移行ができるかどうかの問い合わせ情報に基づき、電子環境移行の可否判断を行い、電子環境移行が可である場合には、移行先の電子機器は、移行元の電子機器から送られてくる電子環境情報に基づき、電子環境を移行することを特徴とする電子機器システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔をパターニングして得られる回路パターンを半硬化状態にある絶縁性基板、又は、セラミックグリーンシートに転写するのに用いられる回路形成用転写材であって、
基材と、
前記基材上に付与されており、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有し、かつ、刺激により接着力が低下する接着剤層と、
前記接着剤層上に積層されており、パターニングされることにより回路を構成するための金属箔とを備える
ことを特徴とする回路形成用転写材。
【請求項２】
金属箔をパターニングして得られる回路パターンを半硬化状態にある絶縁性基板、又は、セラミックグリーンシートに転写するのに用いられる回路形成用転写材であって、
基材と、
前記基材上に付与されており、光による刺激により気体を発生する気体発生剤を含有し、かつ、光による刺激により接着力が低下する接着剤層と、
前記接着剤層上に積層されており、パターニングされることにより回路を構成するための金属箔とを備える
ことを特徴とする回路形成用転写材。
【請求項３】
金属箔をパターニングして得られる回路パターンを半硬化状態にある絶縁性基板、又は、セラミックグリーンシートに転写するのに用いられる回路形成用転写材であって、
基材と、
前記基材上に積層されており、熱による刺激により気体を発生する気体発生剤を含有し、かつ、熱による刺激により接着力が低下する接着剤層と、
前記接着剤層上に形成された、パターニングされることにより回路を構成するための金属箔とを備える
ことを特徴とする回路形成用転写材。
【請求項４】
接着剤層は、表層部分にのみ気体発生剤を含有することを特徴とする請求項１、２又は３記載の回路形成用転写材。
【請求項５】
接着剤は、熱可塑性を有することを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の回路形成用転写材。
【請求項６】
請求項１、２、３、４又は５記載の回路形成用転写材を用いた回路基板の製造方法であって、
前記回路形成用転写材を用意する工程と、
前記回路形成用転写材の金属箔をパターニングすることにより回路パターンを形成する工程と、
前記回路パターン上に、半硬化状態にある絶縁性基板、又は、セラミックグリーンシートを熱プレスする工程と、
前記熱プレス前又は熱プレス後に前記回路形成転写材上の接着剤層に刺激を与え、金属箔に対する接着力を刺激を与える前よりも低下させるようにする工程と、前記接着剤層の接着力を低下させた後に、前記回路パターンを接着剤層から剥離し、前記回路パターンを前記絶縁性基板又はセラミックグリーンシートに転写する工程とを備える
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項７】
半硬化状態にある絶縁性基板は、半硬化状態にある熱硬化性樹脂よりなることを特徴とする請求項３記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
金属箔のパターニングは、フォトリソグラフィーエッチング法により行われることを特徴とする請求項６又は７記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
基材と、
前記基材上に付与されており、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有し、
かつ、刺激により接着力が低下する接着剤層と、
前記接着剤層上に積層された金属箔とからなることを特徴とする金属箔付き積層体。
【請求項１０】
請求項９記載の金属箔付き積層体を用いることを特徴とする回路基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  約４０℃〜１２０℃の溶融温度を有する一定量のインジウム含有合金を選択し、
（ｂ）  前記合金を粉砕状に分散させる処理をし、
（ｃ）  前記分散合金と熱伝導性粒子とを一緒にし、この一緒にしたものを混合してペーストを形成し、そして
（ｄ）  前記分散合金含有ペーストと一定量の流動化可能なプラスチック樹脂材料とを一緒にし、熱伝導性の機械的に順応性のあるパッドを形成し、然も、前記熱伝導性の機械的順応性パッドが、前記一緒にした分散金属合金及び熱伝導性粒子を約１０体積％〜９０体積％、残余として流動化可能なプラスチック樹脂を含有する、工程からなる熱伝導性機械的順応性パッドの製造方法。
【請求項２】
当該熱伝導性粒子の固体を構成する粒子が、約１〜４０μｍの直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
当該液体合金が当該熱伝導性粒子を実質的に包み、その上の被覆を形成し、前記液体金属対熱伝導性粒子の体積比が少なくとも３：１である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
当該混合したペーストを、更にマイクロワックス又はシリコーンワックスと混合し、順応性パッドを形成し、前記パッドが、均質ペーストを約１０体積％〜９０体積％、残余としてマイクロワックス又はシリコーンワックスを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
当該液体金属合金が、６０℃より高い温度で液体状になることを特に特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
請求項１の工程に従い製造された順応性熱伝導性パッド。
【請求項７】
当該ペーストを形成するときに、当該分散合金と相溶性表面活性剤を混合することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
（ａ）約１０体積％〜９０体積％のペーストであって、
（１）約４０℃〜１２０℃の溶融温度を有するインジウム含有合金、及び
（２）熱伝導性粒子であって、少なくともその一部が前記インジウム含有合金の少なくとも一部に分散している熱伝導性粒子、
の混合物を含むペースト、及び、
（ｂ）残余として流動化可能なプラスチック樹脂、
の混合物を含有する、熱伝導性機械的順応性パッド。
【請求項９】
（ａ）約４０℃〜１２０℃の溶融温度を有し、約１〜１００μｍの直径を有する粉砕された粒子状であるインジウム含有合金、及び、
（ｂ）約４０℃〜１２０℃の溶融温度を有する重合体樹脂物質、
を含有する熱伝導性機械的順応性パッド。
【請求項１０】
相溶性表面活性剤を含む、請求項９に記載の熱伝導性機械的順応性パッド。
【請求項１１】
当該重合体樹脂物質の溶融温度が、当該インジウム含有合金の溶融温度よりも約１０℃低い、請求項９に記載の熱伝導性機械的順応性パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月5日(2005.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
図１９において、ｎ導電型ＩｎＰ基板１の上に、第１の光分布調整層となるｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層２が位置し、その上にｎ導電型ＩｎＰ層３が設けられている。さらにその上に活性層のＩｎＧａＡｓＰ層４が位置し、その活性層の上にｐ導電型ＩｎＰ層５が設けられている。その上にｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層２と同じバンドギャップを有するｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層から形成された回折格子１６が位置し、その上に回折格子の桟状格子の間の溝を埋め込むように、ｐ導電型ＩｎＰ層７，８が設けられている。このｐ導電型ＩｎＰ層７，８の上には、第２の光分布調整層となるｐ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層１２が位置し、その上にｐ導電型ＩｎＰ層１０が設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
第１の光分布調整層であるｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層２と、回折格子が形成されるｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ膜１６とは、いずれも上記エッチング前に成膜処理される。このため、これら２つのｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層は、同一組成であり、また連続した成膜処理によって形成される。このため、層厚および組成、または屈折率の設計値からずれる割合は、これら２つのｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層において、ほぼ同じである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
ｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ膜１６が厚く形成された場合、従来の分布帰還レーザ装置では、光結合係数は増大する。しかし、本実施の形態では、ｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層２も同じ割合で厚くなるため、導波路厚み方向に沿う電界強度分布は、設計における電界強度分布Ｅdesignよりもｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層２の方に、すなわち回折格子から遠ざかる方向に引き寄せられる（図２２）。このような電界強度分布のずれは、光結合係数を減少させる方向に作用するため、上記２つのｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層の厚みを適切に選ぶことにより、これら２つの厚み変動に起因する光結合係数の変動を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
一方、ｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ膜１６が薄く形成された場合、光結合係数は小さくなる。しかし、このときｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層２も、上記理由に基づき薄く形成される。このため、導波路厚さ方向に沿う電界強度分布は、回折格子の側に引き寄せられる（図２３）。この電界強度分布の移動により、光結合係数は増大する。したがって、この場合も上記２つのｎ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層の厚みを適切に選ぶことにより、これら２つの層の厚み変動に起因する光結合係数の変動を補償することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
（実施の形態５）
図２９は、本発明の実施の形態５における分布帰還型レーザ装置を示す図である。本実施の形態では、実施の形態４と同様に、分布帰還型レーザ装置に２つの光分布調整層１２ａ，１２ｂを設けた点に特徴がある。すなわち、実施の形態２の分布帰還型レーザ装置における光分布調整層１２ａと、実施の形態３の分布帰還型レーザ装置における光分布調整層１２ｂとを備えている。２つの光分布調整層１２ａ，１２ｂは、ともにクラッド層１８ａ内に配置されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
図２９において、ｎ導電型ＩｎＰ基板１の上に、ｎ導電型ＩｎＰ層３が位置し、その上に活性層のＩｎＧａＡｓＰ層４が設けられている。活性層の上にはｐ導電型ＩｎＰ層５が位置し、その上に第１の光分布調整層となるｐ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層１２ａが位置し、その上にｐ導電型ＩｎＰ層７が設けられている。そのｐ導電型ＩｎＰ層７の上には、回折格子１６が位置し、次いでｐ導電型ＩｎＰ層８，９、および第２の光分布調整層となるｐ導電型ＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂが位置し、その上にｐ導電型ＩｎＰ層１０が設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】  回折格子が薄くなるようにばらついた場合に、光の電界強度分布が回折格子に近づくようにずれることを示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨テープと、前記研磨テープを支持する弾性体を備えた研磨ヘッドと、前記研磨ヘッドを所定の押圧力で押圧して前記研磨テープを基板の所定の箇所に押圧する押圧機構とを備え、
前記研磨テープと前記基板との摺動により基板の研磨を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記押圧機構は、研磨中に前記押圧力を調整可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
研磨テープと、
前記研磨テープを支持すると共に内部に加圧流体が供給される変形自在の流体バッグと、前記流体バッグを収容すると共に該流体バッグを支持する支持部とを有し、基板の所定の箇所に前記研磨テープを押圧する研磨ヘッドとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記研磨テープを研磨フィルムにより形成したことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記研磨テープを研磨布により形成し、
前記基板の表面に研磨材又はエッチング液を供給しつつ前記基板の研磨を行うことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記流体バッグに任意の圧力の流体を供給する流体供給源を更に備えたことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記研磨テープにより前記流体バッグを構成したことを特徴とする請求項３乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の好ましい他の一態様は、上記流体バッグに任意の圧力の流体を供給する流体供給源を更に備えたことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空に保持可能なチャンバー内で載置台に載置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記載置台とその上の被処理体との間にガスを導入するガス導入機構であって、
前記載置台と載置台に保持された被処理体との間に伝熱用ガスを供給するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインの圧力を測定する圧力測定器と、
前記ガス供給ラインに設けられた開閉バルブと、
前記圧力測定器の圧力をモニタするモニタ手段と、
前記開閉バルブの開動作が行われた際の前記モニタ手段がモニタしている圧力の低下量がしきい値より低い場合に、アラームを発生させる制御手段と
を具備することを特徴とするガス導入機構。
【請求項２】
前記開閉バルブの開動作が行われた際は、前記開閉バルブの開動作から所定時間後であることを特徴とする請求項１に記載のガス導入機構。
【請求項３】
前記制御手段は、前記開閉バルブの開動作が行われた際の前記モニタ手段がモニタしている圧力の低下量がしきい値より低い場合に、前記プラズマ処理装置の処理を停止させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のガス導入機構。
【請求項４】
前記ガス供給ラインの前記開閉バルブの下流側に設けられ、前記伝熱用ガスを一時貯留するアキュームレータをさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のガス導入機構。
【請求項５】
前記ガス供給ラインに接続された排出ラインと、前記排出ラインに設けられ、前記圧力測定器が所定の圧力になるように前記伝熱用ガスの排気量を制御する圧力制御バルブとをさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のガス導入機構。
【請求項６】
真空に保持可能なチャンバー内で載置台に載置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記載置台とその上の被処理体との間にガスを導入するガス導入方法であって、
前記載置台と載置台に保持された被処理体との間に伝熱用ガスを供給するガス供給ラインの圧力を測定し、前記ガス供給ラインに設けられた開閉バルブの開動作が行われた際に、前記ガス供給ラインの圧力の低下量がしきい値より低い場合に、アラームを発生させることを特徴とするガス導入方法。
【請求項７】
前記開閉バルブの開動作が行われた際は、前記開閉バルブの開動作から所定時間後であることを特徴とする請求項６に記載のガス導入方法。
【請求項８】
前記ガス供給ラインの圧力の低下量がしきい値より低い場合に、前記プラズマ処理装置の処理を停止させることを特徴とする請求項６または請求項７に記載のガス導入方法。
【請求項９】
真空に保持可能なチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられかつその表面に被処理体が載置保持される載置台と、
前記チャンバー内を排気する排気手段と、
前記チャンバー内で被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理手段と、
前記載置台の温度を調節する温度調節機構と、
前記載置台から被処理体に伝熱用ガスを前記載置台と載置台に保持された被処理体との間に導入するガス導入機構と
を具備するプラズマ処理装置であって、
前記ガス導入機構は、
前記載置台と載置台に保持された被処理体との間に伝熱用ガスを供給するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインの圧力を測定する圧力測定器と、
前記ガス供給ラインに設けられた開閉バルブと、
前記圧力測定器の圧力をモニタするモニタ手段と、
前記開閉バルブの開動作が行われた際の前記モニタ手段がモニタしている圧力の低下量がしきい値より低い場合に、アラームを発生する制御手段と
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記開閉バルブの開動作が行われた際の前記モニタ手段がモニタしている圧力の低下量がしきい値より低い場合に、前記プラズマ処理装置の処理を停止させることを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記ガス供給ラインの前記開閉バルブの下流側に設けられ、前記伝熱用ガスを一時貯留するアキュームレータをさらに備えることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記ガス供給ラインに接続された排出ラインと、前記排出ラインに設けられ、前記圧力制御器が所定の圧力になるように前記伝熱用ガスの排気量を制御する圧力制御バルブとをさらに備えることを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体層と導体パターンを積層し、積層体内に該導体パターンによって回路素子が形成された積層型電子部品の製造方法において、
支持体上に、感光剤入りの絶縁材料で形成された絶縁体層と感光性導電ペーストを用いフォトリソ技術によって形成された導体パターンとが積み重ねられる工程と、該絶縁体層と該導体パターンの積層体を該支持体から剥離した後、該積層体の少なくとも一方の表面にセラミックグリーンシートを積層し、これらを一体焼成する工程を有することを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
【請求項２】
絶縁体層と導体パターンを積層し、積層体内に該導体パターンによって回路素子が形成された積層型電子部品の製造方法において、
支持体上に、感光剤入りの絶縁材料で形成された絶縁体層と感光性導電ペーストを用いフォトリソ技術によって形成された導体パターンとが積み重ねられる工程、該支持体上に形成された絶縁体層と導体パターンの積層体と、セラミックグリーンシートとを積層、圧着した後、該支持体を該積層体から剥離する工程及び、該積層体の該支持体が付着していた表面上にセラミックグリーンシートを積層、圧着し、これらを一体焼成する工程を有することを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁体層間の所定の導体パターンが前記絶縁体層のスルーホール内の導体を介して接続され、積層体内に該導体パターンによって回路素子が形成された請求項１又は２に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記スルーホールがフォトリソ技術又はレーザ加工によって形成される請求項３に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記積層体と前記セラミックグリーンシート間に接着層が設けられた請求項１、２、３、４のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記セラミックグリーンシートが、絶縁性セラミックグリーンシート、磁性体セラミックグリーンシート、非磁性体セラミックグリーンシート、誘電体セラミックグリーンシートのいずれかである請求項１、２、３、４、５のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月25日(2004.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルケースにセンターコア，一次ボビンに巻かれた一次コイル，二次ボビンに巻かれた二次コイルを内装した点火コイル装置で、エンジンの各点火プラグホール内に装着されて個々の点火プラグに直結して使用される独立点火型のエンジン用点火コイル装置において、
前記二次コイルを巻いた二次ボビンが前記一次ボビンの内側に配置され、
この二次ボビン側に一次コイル一端と二次コイル一端を電源に接続するための一次・二次コイル兼用のコイル端子と、一次コイル他端を点火制御の駆動素子に接続するための一次コイル端子とが設けられ、
点火制御の駆動回路を収容し且つ電源及び点火信号入力用のコネクタ端子を有する回路ケースが前記コイルケースと別個に成形され、前記回路ケースは前記コイルケースの上端に嵌合・接着により結合され、
この結合状態で前記回路ケース内に収容された前記駆動回路の金属ベースが前記二次ボビンのヘッド直上に位置すると共に、該回路ケースのコネクタ端子の一端及び前記駆動回路の引出し端子の各一端が前記二次ボビンヘッドに設けた前記一次・二次コイル兼用のコイル端子及び一次コイル端子と回路ケース内で重なり合うように設定されて、これらの重なり合う端子同士が溶接されていることを特徴とするエンジン用点火コイル装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜上にバリア層を形成する第１工程と、
成膜室に導入する希ガスとモノシランの流量比（ＳｉＨ４：希ガス）を０．１：９９．９〜１：９に制御して、プラズマＣＶＤ法により前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成する第２工程と、
加熱処理を行い、前記第２の半導体膜に前記第１の半導体膜中の金属元素をゲッタリングする第３工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第４工程と、
前記バリア層を除去する第５工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜上にバリア層を形成する第１工程と、
成膜室に希ガスとモノシランを導入して、プラズマＣＶＤ法により前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成すると同時に、前記第２の半導体膜に前記第１の半導体膜中の金属元素をゲッタリングする第２工程と、
加熱処理を行い、前記第２の半導体膜に前記第１の半導体膜中の前記金属元素をゲッタリングする第３工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第４工程と、
前記バリア層を除去する第５工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
結晶構造を有する第１の半導体上にバリア層を形成する第１工程と、
成膜室に希ガスとモノシランを導入して、プラズマＣＶＤ法により前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成すると同時に、前記第１の半導体中の金属元素を前記第２の半導体膜にゲッタリングする第２工程と、
加熱処理を行い、前記第２の半導体膜に前記第１の半導体膜中の前記金属元素をゲッタリングする第３工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第４工程と、
前記バリア層を除去する第５工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加する第２工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成する第４の工程と、
成膜室に導入する希ガスとモノシランの流量比（ＳｉＨ４：希ガス）を０．１：９９．９〜１：９に制御して、プラズマＣＶＤ法により前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成する第５工程と、
加熱処理を行い、前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングする第６工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第７工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加する第２工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜上にバリア層を形成する第４工程と、
成膜室に希ガスとモノシランを導入して、プラズマＣＶＤ法により前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成すると同時に、前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングする第５工程と、
加熱処理を行い、前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングする第６工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第７工程と、
前記バリア層を除去する第８工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２、３または５において、前記成膜室に導入する前記希ガスと前記モノシランの流量比（ＳｉＨ４：希ガス）を０．１：９９．９〜１：９に制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２、３または５において、前記成膜室に導入する前記希ガスと前記モノシランの流量比（ＳｉＨ４：希ガス）を１：９９〜５：９５に制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４または５において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記プラズマＣＶＤ法におけるプラズマを発生させるＲＦパワー密度は、０．００１７Ｗ／ｃｍ２〜０．４８Ｗ／ｃｍ２であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記プラズマＣＶＤ法により前記第２の半導体膜を形成する際の前記成膜室内における圧力は、１．３３３Ｐａ〜６６．６５Ｐａであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記第２の半導体膜に含まれる前記希ガス元素の濃度は、１×１０１８／ｃｍ３〜１×１０２２／ｃｍ３であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記プラズマＣＶＤ法による前記第２の半導体膜の形成は、成膜温度３００℃〜５００℃で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。