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【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれかに記載の電源冷却構造を備えたプロジェクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１００  電源
１２０  バラスト（安定器）
１０１  基板
１０３  チョッパー用トランジスタ
１０８  出力用トランス
１１０  カバー部材
１１１、１１２、１１３、１１４  カバー部材の通気口
１１６  トランジスタ保持部
１１６ａ  スリット
１１７  トランス保持部
１１７ａ  スリット
１１８  カバー部材の先端折曲部
１３０  基板固定部材
１４０  充填部材
１５０  絶縁部材
２１０  下側外装ケース
２１１、２１２  下側外装ケースの通気口
２１３、２１４  下側外装ケースのボス部
２２０  上側外装ケース
２２１、２２２  上側外装ケースの通気口
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を保持可能な保持ユニットと、前記保持ユニットを水平な平面に沿うＸＹ方向に移送するための移送手段を備え、前記電子部品が保持された状態の前記保持ユニットが、ほぼ水平な平面に沿って移動することによって、電子回路基板上に前記電子部品を搬送して装着する電子部品搭載装置であって、
所定位置と前記保持ユニットとの間を接続する線状部材と、前記線状部材をそれぞれ支持する複数の単位ユニットが連結されて構成され各単位ユニットの連結位置においてほぼ水平な平面に沿う方向に屈曲可能であり、前記保持ユニットが移動するのに合わせて前記所定位置と前記保持ユニットとの間で前記線状部材を支持する支持部材と、を備え、一端部の単位ユニットが可動部に、他端部の単位ユニットが土台部にそれぞれ固定される固定支持部材を含んで構成され、一端部側連結部と他端部側連結部との間に連結される単位ユニットの連結向きが、前記可動部の移動方向に沿う向きになるよう、前記可動部または前記土台部に対して固定されていることを特徴とする電子部品搭載装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、請求項１記載の発明は、例えば、図１および図２に示すように、
電子部品を保持可能な保持ユニット（ヘッドユニット２）と、前記保持ユニットを水平な平面に沿うＸＹ方向に移送するための移送手段（３）を備え、前記電子部品が保持された状態の前記保持ユニットが、ほぼ水平な平面に沿って移動することによって、電子回路基板上に前記電子部品を搬送して装着する電子部品搭載装置（電子部品搭載機１）であって、
所定位置と前記保持ユニットとの間を接続する線状部材と、前記線状部材をそれぞれ支持する複数の単位ユニット（ブロックＢ）が連結されて構成され各単位ユニットの連結位置においてほぼ水平な平面に沿う方向だけに屈曲可能であり、前記保持ユニットが移動するのに合わせて前記所定位置と前記保持ユニットとの間で前記線状部材を支持する支持部材（ケーブルベアＣ）と、を備え、一端部（９１）の単位ユニット（ブロックＢ３）が可動部（Ｘ軸ガイド部３２）に、他端部（９２）の単位ユニット（ブロックＢ４）が土台部にそれぞれ固定される固定支持部材（ケーブルベアＣ２）を含んで構成され、一端部側連結部と他端部側連結部との間に連結される単位ユニット（ブロックＢ５）の連結向きが、前記可動部の移動方向（Ｙ軸方向）に沿う向きになるよう、前記可動部または前記土台部に対して固定されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
これに対し、請求項１記載の発明では、土台部に対する可動部の移動にともなって、前記単位ユニットが連結される端部側の連結部が、各単位ユニットの連結位置において最大屈曲角度でそれぞれ屈曲すると、一端部側連結部と他端部側連結部との間に連結される単位ユニットの連結向きが、可動部の移動方向に沿う向きになる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１のコンポーネントと第２のコンポーネントとを所定の軸に沿って所定の位置に位置決めするために構成された第１の面と第２の面とをそれぞれ有し、前記第１の面と前記第２の面とに配置された導電性の指標である第１のパターンと第２のパターンとを含み、該パターンが、両者間で摺動接触しながら前記軸に沿って相対的に移動するように構成され、それによって、前記指標である前記第１のパターンと前記第２のパターンとが、前記第１の面と前記第２の面とが前記所定の軸に沿った前記移動の前記所定の位置に到達していることに応じて、開いているかまたは閉じているかのうちの１つの状態に少なくとも達している少なくとも１つの導電路を共同して規定している、前記第１のコンポーネントと前記第２のコンポーネントとを相対的に位置決めするための手段。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記パターンの少なくとも一方が、前記少なくとも１つの状態を電気的に検出する検出部材を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の手段。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平方向光閉じ込めリッジ構造を有する窒化物半導体レーザ素子と、
該窒化物半導体レーザ素子に高周波の駆動電流を供給する電流電源部と、
を有し、
前記窒化物半導体レーザ素子の水平方向光閉じ込め係数は８５％以上９９％以下であり、
前記電流電源部が発生する電流波形が、前記窒化物半導体レーザ素子の閾値電流を連続して越える時間が５［ｎｓｅｃ］以上１０００［ｎｓｅｃ］以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
【請求項２】
水平方向光閉じ込めリッジ構造を有する窒化物半導体レーザ素子と、
該窒化物半導体レーザ素子に高周波の駆動電流を供給する電流電源部と、
を有し、
前記窒化物半導体レーザ素子の水平方向ファーフィールドパターンにおける半値全角が５度以上１１度以下であり、
前記電流電源部が発生する電流波形が、前記窒化物半導体レーザ素子の閾値電流を連続して越える時間が５［ｎｓｅｃ］以上１０００［ｎｓｅｃ］以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
【請求項３】
水平方向光閉じ込めリッジ構造を有する窒化物半導体レーザ素子と、
該窒化物半導体レーザ素子に高周波の駆動電流を供給する電流電源部と、
を有し、
前記窒化物半導体レーザ素子の水平方向閉じ込めリッジストライプ構造の幅をＷ［μｍ］とするとともに、該水平方向光閉じ込めリッジストライプ構造のリッジ形状底面から活性層までの距離をｄ［μｍ］としたとき、
-0.15783+Ｗ×0.11555+Ｗ２×(-0.00884423)≦ｄ≦0.040665×exp(1.1403×Ｗ)且つ  0.5≦Ｗ≦4.0  且つ  0≦ｄ≦0.5
を満たし、
前記電流電源部が発生する電流波形が、前記窒化物半導体レーザ素子の閾値電流を連続して越える時間が５［ｎｓｅｃ］以上１０００［ｎｓｅｃ］以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
【請求項４】
水平方向光閉じ込めリッジ構造を有する窒化物半導体レーザ素子と、
該窒化物半導体レーザ素子に高周波の駆動電流を供給する電流電源部と、
を有し、
前記電流電源部が発生する電流波形が、前記窒化物半導体レーザ素子の閾値電流を連続して越える時間が５［ｎｓｅｃ］以上１０００［ｎｓｅｃ］以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記電流電源部が発生する電流波形において、電流波形の周期に対する、前記窒化物系半導体レーザ素子の閾値電流を連続して越える時間の割合が６０％以下であることを特徴とする、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記電流波形の周期に対する、前記窒化物系半導体レーザ素子の閾値電流を連続して越える時間の割合が、３０％以上５０％以下であることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記電流電源部が発生する電流波形において、前記窒化物系半導体レーザ素子の閾値電流を連続して越える時間を除いた時間における電流値の平均値が、前記窒化物系半導体レーザ素子の閾値電流の８０％以下であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記窒化物系半導体レーザ素子の閾値電流を連続して越える時間を除いた時間における電流値の平均値が、前記窒化物系半導体レーザ素子の閾値電流の５０％以上７０％以下であることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記電流電源部が発生する電源波形が、矩形であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記電流電源部が発生する電源波形が、正弦波形であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子を光源とすることを特徴とする半導体光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にｎ側クラッド層と、活性層と、ｐ側クラッド層とを順に有し、活性層よりも上の層に、対向する共振面に対してほぼ垂直なリッジストライプを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記基板は窒化物半導体基板からなり、前記ｐ側クラッド層は少なくともＡｌを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、該ｐ側クラッド層の膜厚は前記ｎ側クラッド層の膜厚よりも薄いものであって、該ｐ側クラッド層には前記リッジストライプが形成されており、さらに該リッジのストライプ幅の少なくとも一方が共振面に接近するに従って狭くなるように形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記リッジストライプは、レーザ出力側のストライプ幅が全反射側のストライプ幅よりも狭くなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記ｎ側クラッド層は、少なくともＡｌを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、そのｎ側クラッド層全体の厚さが０．５μｍ以上で、かつそのｎ側クラッド層に含まれるＡｌ平均組成を百分率（％）で表した際に、ｎ側クラッド層全体の厚さ（μｍ）とＡｌ平均組成（％）との積が４．４以上となるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記ｐ側クラッド層全体の厚さが２．０μｍ以下であり、かつそのｐ側クラッド層に含まれるＡｌ平均組成を百分率（％）で表した際に、ｐ側クラッド層全体の厚さ（μｍ）とＡｌ平均組成（％）との積が４．４以上となるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３の内のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記ｎ側とｐ側のクラッド層との間にある活性層を含んだ窒化物半導体層の厚さが２００オングストローム以上、１．０μｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至４の内のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上にｎ側クラッド層と、活性層と、ｐ側クラッド層とを順に有し、活性層よりも上の層に、対向する共振面に対してほぼ垂直なリッジストライプを有する窒化物半導体レーザ素子において、前記基板は窒化物半導体基板からなり、前記ｐ側クラッド層は少なくともＡｌを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、該ｐ側クラッド層の膜厚は前記ｎ側クラッド層の膜厚よりも薄いものであって、該ｐ側クラッド層には前記リッジストライプが形成されており、さらに該リッジのストライプ幅の少なくとも一方が共振面に接近するに従って狭くなるように形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンダカラムアレイを有し少なくとも１つの非接続場所を有する回路構成要素を回路基板上で支持する方法であって、前記少なくとも１つの非接続場所において前記回路構成要素と前記回路基板との間に剛性カラムを配設するステップを含む、方法。
【請求項２】
前記回路構成要素が複数の非接続場所を有しており、前記複数の非接続場所のうちの少なくとも幾つかの非接続場所において前記回路構成要素と前記回路基板との間に剛性カラムを配設する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記剛性カラムが、高燐青銅及びコバールの少なくとも一方から作成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ハンダカラムアレイを有し少なくとも１つの非接続場所を有するカラムグリッドアレイ集積回路パッケージをプリント回路基板上に支持する方法であって、前記少なくとも１つの非接続場所において前記プリント回路基板と前記カラムグリッドアレイ集積回路パッケージとの間に剛性カラムを配設するステップを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月22日(2004.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に選択的にレーザー光を照射して第１の結晶化領域を形成し、
前記第１の結晶化領域及び前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記第１の結晶化領域及び前記非晶質半導体膜を加熱し、前記非晶質半導体膜を結晶化して第２の結晶化領域を形成し、
前記第１の結晶化領域及び前記第２の結晶化領域をパターニングし、前記第２の結晶化領域に薄膜トランジスタのチャネル形成領域が設けられるように半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に選択的にレーザー光を照射して第１の結晶化領域を形成し、
前記第１の結晶化領域及び前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記第１の結晶化領域及び前記非晶質半導体膜を加熱して、前記非晶質半導体膜を結晶化して第２の結晶化領域を形成し、
前記第１の結晶化領域及び前記第２の結晶化領域をパターニングし、前記第２の結晶化領域に薄膜トランジスタのチャネル形成領域及びＬＤＤ領域が設けられるように半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に選択的にレーザー光を照射して第１の結晶化領域を形成し、
前記第１の結晶化領域及び前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記第１の結晶化領域及び前記非晶質半導体膜を加熱し、前記非晶質半導体膜を結晶化して第２の結晶化領域を形成し、
前記第１の結晶化領域及び前記第２の結晶化領域の一部にリンまたは希ガスを添加し、
前記第１の結晶化領域及び前記第２の結晶化領域を加熱し、前記リンまたは希ガスを添加した領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記第１の結晶化領域及び前記第２の結晶化領域をパターニングし、前記第２の結晶化領域に薄膜トランジスタのチャネル形成領域が設けられるように半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に選択的にレーザー光を照射して第１の結晶化領域を形成し、
前記第１の結晶化領域及び前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記第１の結晶化領域及び前記非晶質半導体膜を加熱処理して、前記非晶質半導体膜を結晶化して第２の結晶化領域を形成し、
前記第１の結晶化領域及び前記第２の結晶化領域の一部にリンまたは希ガスを添加し、
前記第１の結晶化領域及び前記第２の結晶化領域を加熱して、前記リンまたは希ガスを添加した領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記第１の結晶化領域及び前記第２の結晶化領域をパターニングし、前記第２の結晶化領域に薄膜トランジスタのチャネル形成領域及びＬＤＤ領域が設けられるように半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、前記第１の結晶化領域のみに前記リンまたは希ガスを添加し、前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に於いて、選択的にレーザー光を照射して形成される前記第１の結晶化領域は前記第２の結晶化領域の周囲に形成されること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に於いて、前記レーザー光はエキシマレーザー発振装置、ＹＡＧレーザー発振装置、またはＹＶＯ4レーザー発振装置を光源とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に於いて、前記金属元素としてはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種が用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
照射位置は図３の領域３０１のようにＴＦＴ形成領域３０２、チャネル形成領域３０３、ＬＤＤ形成領域３０４を外すように照射してもよく、チャネル形成領域３０３及びＬＤＤ形成領域３０４のみを外すように照射してもよい。（図３）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室と、プラズマ発生装置と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記真空処理室内で処理される試料を保持する試料載置面を有する電極と、前記真空処理室を減圧する真空排気系とを有し、試料のエッチング処理を行うと共に該処理に伴う反応生成物を前記真空排気系で排出するエッチング装置において、
前記真空処理室内で前記試料載置面に対向する位置に配置され、前記処理ガス供給手段から供給される処理ガスを前記真空処理室に導入するための多数の孔を有するプレートと、
前記真空処理室の内壁の一部を構成する部材を１００℃〜２５０℃の範囲に加熱して前記反応生成物の堆積を抑制する加熱手段と、エッチング処理中にガス伝熱により前記部材を放熱する手段を備えた、
ことを特徴とするエッチング処理装置。
【請求項２】
真空処理室と、プラズマ発生装置と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記真空処理室内で処理される試料を保持する試料載置面を有する電極と、前記真空処理室を減圧し試料のエッチング処理に伴う反応生成物を排出する真空排気系と、前記真空処理室の内壁の一部を構成する部材を１００℃〜２５０℃の範囲に加熱して前記反応生成物の堆積を抑制する加熱手段と、エッチング処理中にガス伝熱により前記部材を放熱する機能を備えたエッチング装置用のプレートであって、
前記プレートは、前記真空処理室内で前記試料載置面に対向しプラズマに面する位置に配置され、前記処理ガス供給手段から供給される処理ガスを前記真空処理室に導入するための多数の孔を有することを特徴とするエッチング処理装置用のプレート。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光プリアンプと光ポストアンプとを含む光ノードにおける光アンプの監視制御方法であって、
光ポストアンプを自動利得制御するステップと、
光プリアンプを、立ち上げ時には自動レベル制御で立ち上げ、通常運用時は自動利得制御で制御し、通常運用時の所定期間毎に自動レベル制御を行うステップと、
を備えることを特徴とする光アンプの監視制御方法。
【請求項２】
前記光ポストアンプの入力光パワーが所定範囲内になり、かつ、光ポストアンプの利得が規定範囲になった場合に、次ノードに対し、光ポストアンプの動作が通常状態であることを、送信される光信号の波長多重数と共に、監視制御信号を用いて送信するステップを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の光アンプの監視制御方法。
【請求項３】
前記光プリアンプは、前ノードの光ポストアンプから、波長多重数と、通常状態であることの通知を受けて、自動レベル制御によって立ち上がり、立ち上がった後の光プリアンプの利得をメモリに格納するステップを更に備えることを特徴とする請求項２に記載の光アンプの監視制御方法。
【請求項４】
前記光プリアンプは、通常運用時の所定期間毎の自動レベル制御において、所定の出力レベルが得られた時の利得をメモリに格納することを特徴とする請求項１に記載の光アンプの監視制御方法。
【請求項５】
前記光プリアンプは、自動利得制御中に、定期的に自動レベル制御に切り替え、光プリアンプの出力が目標出力範囲内に一定時間以上入った場合に、その時点での利得を保持し、前ノードから通常状態であることの通知を所定時間継続して受信した場合に、自動利得制御に戻ることを特徴とする請求項２に記載の光アンプの監視制御方法。
【請求項６】
光プリアンプが自動レベル制御から自動利得制御に移る場合に、メモリに利得値が格納されていない場合には、光プリアンプの出力をシャットダウンすることを特徴とする請求項３に記載の光アンプの監視制御方法。
【請求項７】
前記光プリアンプにおいて、電源断が発生した後、復旧した場合の光プリアンプの再起動時に、有効な光プリアンプの利得値がメモリに格納されている場合には、該利得値を用いて該光プリアンプを自動利得制御して再起動することを特徴とする請求項３に記載の光プリアンプの監視制御方法。
【請求項８】
前記光プリアンプのシリアル番号と該光プリアンプが収容されるシェルフのシリアル番号をメモリに格納し、電源断からの光プリアンプ起動時に光プリアンプ及びシェルフのシリアル番号と、格納された光プリアンプ及びシェルフのシリアル番号を比較し、一致している場合に、格納されている利得値に基づいて、該光プリアンプを自動利得制御によって起動することを特徴とする請求項１に記載の光プリアンプの監視制御方法。
【請求項９】
光プリアンプと光ポストアンプとを含む光ノードにおける光アンプの監視制御システムであって、
自動利得制御される光ポストアンプと、
立ち上げ時には自動レベル制御で立ち上げ、通常運用時は自動利得制御で制御し、通常運用時の所定期間毎に自動レベル制御される光プリアンプと、
を備えることを特徴とする光アンプの監視制御システム。
【請求項１０】
前記光ポストアンプの入力光パワーが所定範囲内になり、かつ、光ポストアンプの利得が規定範囲になった場合に、次ノードに対し、光ポストアンプの動作が通常状態であることを、送信される光信号の波長多重数と共に、監視制御信号を用いて送信することを特徴とする請求項９に記載の光アンプの監視制御システム。
【請求項１１】
前記光プリアンプは、前ノードの光ポストアンプから、波長多重数と、通常状態であることの通知を受けて、自動レベル制御によって立ち上がり、立ち上がった後の光プリアンプの利得をメモリに格納するメモリを更に備えることを特徴とする請求項１０に記載の光アンプの監視制御システム。
【請求項１２】
前記光プリアンプは、通常運用時の所定期間毎の自動レベル制御において、所定の出力レベルが得られた時の利得をメモリに格納することを特徴とする請求項９に記載の光アンプの監視制御システム。
【請求項１３】
前記光プリアンプは、自動利得制御中に、定期的に自動レベル制御に切り替え、光プリアンプの出力が目標出力範囲内に一定時間以上入った場合に、その時点での利得を保持し、前ノードから通常状態であることの通知を所定時間継続して受信した場合に、自動利得制御に戻ることを特徴とする請求項１０に記載の光アンプの監視制御システム。
【請求項１４】
光プリアンプが自動レベル制御から自動利得制御に移る場合に、メモリに利得値が格納されていない場合には、光プリアンプの出力をシャットダウンすることを特徴とする請求項１１に記載の光アンプの監視制御システム。
【請求項１５】
前記光プリアンプにおいて、電源断が発生した後、復旧した場合の光プリアンプの再起動時に、有効な光プリアンプの利得値がメモリに格納されている場合には、該利得値を用いて該光プリアンプを自動利得制御して再起動することを特徴とする請求項１１に記載の光プリアンプの監視制御システム。
【請求項１６】
前記光プリアンプのシリアル番号と該光プリアンプが収容されるシェルフのシリアル番号をメモリに格納し、電源断からの光プリアンプ起動時に光プリアンプ及びシェルフのシリアル番号と、格納された光プリアンプ及びシェルフのシリアル番号を比較し、一致している場合に、格納されている利得値に基づいて、該光プリアンプを自動利得制御によって起動することを特徴とする請求項９に記載の光プリアンプの監視制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の光アンプの監視制御方法は、光プリアンプと光ポストアンプとを含む光ノードにおける光アンプの監視制御方法であって、光ポストアンプを自動利得制御するステップと、光プリアンプを、立ち上げ時には自動レベル制御で立ち上げ、通常運用時は自動利得制御で制御し、通常運用時の所定期間毎に自動レベル制御を行うステップとを備えることを特徴とする。
本発明の光アンプの監視制御システムは、光プリアンプと光ポストアンプとを含む光ノードにおける光アンプの監視制御システムであって、自動利得制御される光ポストアンプと、立ち上げ時には自動レベル制御で立ち上げ、通常運用時は自動利得制御で制御し、通常運用時の所定期間毎に自動レベル制御される光プリアンプとを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】基地局および移動端末をリンクするマルチパス伝送チャネルの経路のフェージング係数を求める方法であって、
最尤法を用いて前記フェージング係数の第１の推定値（ｃML）を求めるステップと、
前記フェージング係数について既知である自己相関関数（J０）を使用して、前記移動端末の移動速度および信号電力について予め求めた異なる値のいくつかのセットのそれぞれについて、事前計算されたウィーナー・フィルタの係数のいくつかのセットを格納するステップと、
前記移動端末の移動速度および各経路の信号の電力を推定するステップと、
前記移動端末の移動速度および前記信号電力について前記推定された値と、該移動端末の移動速度および信号電力について予め求められた値の前記いくつかのセットとの比較結果に基づき、各経路について、前記事前計算されたウィーナー・フィルタの係数（Ｎｗ）のセットを選択するステップと、
前記選択された事前計算のウィーナー・フィルタ係数のセットを使用して、対応する前記第１の推定値をフィルタリングすることにより、前記フェージング係数（ｃ）を求めるステップと、
を含む、方法。
【請求項２】フェージング係数について既知である前記自己相関関数は、第１種ゼロ次のベッセル関数を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】フェージング係数の前記第１の推定値は、様々な経路からの信号を、既知のシンボルの複素共役で乗算することによって得られる、
請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】送信チャネル上で搬送される情報は、複数のチップから構成され、かつ、予め定められた数のスロットにそれぞれが細分される連続したフレーム上で搬送され、
フェージング係数の前記第１の推定値を求めるステップは、それぞれの該スロットの予め定められた数のチップについて前記第１の推定値を求めることを含む、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】基地局と移動端末とをリンクするマルチパス伝送チャネルの経路のフェージング係数を推定するための装置であって、
最尤法を用いてフェージング係数の第１の推定値を求めるよう適合された第１の計算手段（ＭＣＬ１）と、
フェージング係数について既知である自己相関関数を使用して、前記移動端末の移動速度および信号電力について予め求めた異なる値のいくつかのセットのそれぞれについて、事前計算されたウィーナー・フィルタの係数のいくつかのセットを格納するメモリ（ＭＭ）と、
前記移動端末の移動速度を推定するよう適合された第１の推定手段（ＭＳＶ）と、
各経路の信号の電力を推定するよう適合された第２の推定手段（ＭＰＵ）と、
前記移動端末の移動速度および前記信号電力について前記推定された値と、該移動端末の移動速度および該信号電力について予め求めた値の前記いくつかのセットとの比較結果に基づいて、各経路について前記事前計算されたウィーナー・フィルタ係数のセットを選択する選択手段（ＭＳＥＬ）と、
前記選択された事前計算のウィーナー・フィルタ係数のセットを使用して、対応する前記第１の推定値をフィルタリングすることによって前記フェージング係数を求める第２の計算手段（ＭＣＬ２）と、
を備える装置。
【請求項６】前記フェージング係数についての自己相関関数は、第１種ゼロ次のベッセル関数を含む、
請求項５に記載の装置。
【請求項７】前記第１の計算手段は、異なる経路からの信号を、既知のシンボルの複素共役で乗算する乗算手段を含む、
請求項５または請求項６に記載の装置。
【請求項８】送信チャネル上で搬送される情報は、複数のチップから構成され、かつ、予め定められた数のスロットにそれぞれが細分される連続したフレーム上で搬送され、
前記第１の計算手段は、それぞれの前記スロットの予め定められた数のチップについて前記第１の推定値を求めるよう適合された第３の推定手段（ＭＳＴ３）を含む、
請求項５から請求項７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】請求項５から請求項８のいずれかに記載の装置を組み入れた移動端末。
【請求項１０】前記移動端末は、セルラ移動電話である、
請求項９に記載の移動端末。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末から信号を受信するアンテナと、
前記アンテナによって受信された信号を復調する復調器と、
前記復調された信号を基にして、前記端末固有の情報を識別する識別手段と、
前記識別手段によって識別された情報を基にして、前記端末の利用者が要求する条件を受取る条件取得手段と、
前記条件取得手段が受け取った条件に基づいて、前記端末に対して信号を送信する信号送信手段とを有することを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
請求項１に記載の無線通信装置において、
自無線通信装置は、前記端末から報告される前記端末の通信状態に基づいて前記端末に対して送信される信号の電力の大きさを決定して、時分割されたパケットスロットに対して信号を割り当てて、前記端末に対して信号を送信するものであり、前記通信状態に基づいて、前記端末に対して送信する信号の速度を変化させる信号速度変更手段とを有することを特徴とする無線通信装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の無線通信装置において、
前記条件は、前記端末に対して送信される信号の電力の大きさに関する条件であり、
前記信号送信手段は、前記条件に従った大きさの電力で前記端末に対して信号を送信するものであることを特徴とする無線通信装置。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載の無線通信装置において、
前記端末固有の情報は、前記端末の機体番号であり、
前記条件は、前記機体番号に対応して定められるものであることを特徴とする無線通信装置。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載の無線通信装置において、
前記通信状態は、搬送波対雑音電力比Ｃ／Ｉ（Ｃａｒｒｉｅｒ−ｔｏ−Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ  Ｐｏｗｅｒ  Ｒａｔｉｏ）に関するものであることを特徴とする無線通信装置。
【請求項６】
請求項１乃至５に記載の無線通信装置において、
自無線通信装置は、Ｈｉｇｈ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅ携帯電話接続に利用される無線通信装置であることを特徴とする無線通信装置。
【請求項７】
端末から報告された前記端末の通信状態に基づいて決定された電力の大きさで前記端末に対して信号を送信する通信システムに用いられる無線通信装置であって、
自無線通信装置に比べて前記端末側に位置する下位局と接続され、前記下位局から送信される信号を受信し、前記下位局に対して信号を送信する下位局間接続部と、
記憶装置と接続され、前記記憶装置に対して信号を送信する記憶装置間接続部と、
前記下位局間接続部または前記記憶装置間接続部に接続されており、前記下位局間接続部において受信される信号の内容を判断し、前記内容が前記端末の位置に関するものである場合には前記端末の位置を前記記憶装置間接続部を介して前記記憶装置に対して通知するように制御し、前記内容が前記端末の利用者が要求する条件に関するものである場合には前記条件を前記記憶装置間接続部を介して前記記憶装置に対して照会するように制御する制御部とを有することを特徴とする通信装置。
【請求項８】
請求項７に記載の通信装置において、
データネットワークと接続され、前記データネットワークとの間で信号を送受信するデータネットワーク間接続部とを有し、
前記制御部は、前記下位局から送信される信号を前記データネットワーク間接続部を介して前記データネットワークに対して送信するように制御し、前記データネットワークから前記データネットワーク間接続部を介して受信される信号を前記下位局間接続部を介して前記下位局に対して送信するように制御するものであることを特徴とする通信装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の通信装置において、
前記条件は、前記端末に対して送信される信号の電力の大きさに関する条件であり、
前記端末の通信状態は、搬送波対雑音電力比Ｃ／Ｉ（Ｃａｒｒｉｅｒ−ｔｏ−Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ  Ｐｏｗｅｒ  Ｒａｔｉｏ）に関するものであることを特徴とする通信装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９に記載の通信装置において、
前記制御部は、前記内容が前記端末の利用者から前記条件の変更を要求するものである場合、前記端末の利用者によって変更された条件の設定を、前記記憶装置間接続部を介して前記記憶装置に対して要求するように制御するものであることを特徴とする通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに接続される複数の送信ノードによって実行されるデータ送信管理方法であって、
前記複数の送信ノードは各々、
前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに送信するデータを管理するキューと、
所定の周期内に送信可能なデータのバイト数を記憶する記憶手段とを有し、
前記複数の送信ノードは各々、
前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに送信するデータの送信順を、前記キューを用いて管理するステップと、
前記所定の周期毎に、前記キューに従って前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに送信するデータの量を、前記記憶手段に記憶されたバイト数以下に制限するステップとを実行することを特徴とするデータ送信管理方法。
【請求項２】
請求項１記載のデータ送信管理方法であって、
更に前記複数の送信ノードは各々、
前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに接続される他の送信ノードが、所定の周期内に送信するデータのデータ量に応じて、前記記憶手段に記憶されているバイト数を変更するステップを実行することを特徴とするデータ送信管理方法。
【請求項３】
請求項２記載のデータ送信管理方法であって、
前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークには更にマスタノードが接続されており、
前記マスタノードは、前記複数の送信ノード各々が、所定の周期内に送信するデータのデータ量を管理しており、
前記複数の送信ノードは各々、
前記マスタノードからの通知に基づいて、前記記憶手段に記憶されているバイト数を変更することを特徴とするデータ送信管理方法。
【請求項４】
請求項３記載のデータ送信管理方法であって、
前記複数の送信ノードは各々、
前記複数の送信ノード各々が所定の周期内に送信するデータのデータ量の合計が、前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークの物理帯域を超えないよう、前記記憶手段に記憶されているバイト数を変更することを特徴とするデータ送信管理方法。
【請求項５】
請求項４記載のデータ送信管理方法であって、
前記複数の送信ノードは各々、
更に、前記マスタノードに帯域予約要求を送信するステップと、
前記マスタノードからの応答に応じて、予約された通信帯域を用いてデータをＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに送信するステップと、
他の送信ノードによって予約された帯域の帯域幅に基づいて、前記記憶手段に記憶されているバイト数を変更するステップとを実行することを特徴とするデータ送信管理方法。
【請求項６】
ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに接続される送信ノードであって、
前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに送信するデータを管理するキューと、
所定の周期内に送信可能なデータのバイト数を記憶する記憶手段と、
所定の周期内に送信するデータの量を、前記記憶手段に記憶されたバイト数以下に制限しながら、前記キューに従って、データを前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに送信する制御手段とを有することを特徴とする送信ノード。
【請求項７】
請求項６記載の送信ノードであって、
更に、前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに接続される他の送信ノードが、所定の周期内に送信するデータのデータ量に応じて、前記記憶手段に記憶されているバイト数を変更する帯域情報管理手段を有することを特徴とする送信ノード。
【請求項８】
請求項７記載の送信ノードであって、
前記帯域情報管理手段は、前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに接続される複数の送信ノード各々が所定の周期内に送信するデータのデータ量の合計が、前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークの物理帯域を超えないよう、前記記憶手段に記憶されているバイト数を変更することを特徴とする送信ノード。
【請求項９】
請求項７記載の送信ノードであって、
前記帯域情報管理手段は、前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに接続されている複数の送信ノード各々が所定の周期内に送信するデータのデータ量を管理している前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに接続されたマスタノードからの通知に基づいて、前記記憶手段に記憶されているバイト数を変更することを特徴とする送信ノード。
【請求項１０】
請求項９記載の送信ノードであって、
更に、前記マスタノードに帯域予約要求を送信する帯域予約手段を有し、
前記制御手段は、前記マスタノードからの応答に基づいて、予約された帯域を用いて前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークにデータを送信し、
前記帯域情報管理手段は、前記ＣＳＭＡ/ＣＤネットワークに接続された他の送信ノードによって予約された帯域幅に基づいて、前記記憶手段に記憶されているバイト数を変更することを特徴とする送信ノード。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像符号化装置及び映像復号化装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力される映像信号を符号化して符号化映像情報を出力する情報源符号化手段と、
該情報源符号化手段からの符号化映像情報を所定のフォーマットの伝送符号列として出力する伝送符号列生成手段と、
種別の異なる情報の境界に境界符号を挿入する境界符号挿入手段とを備える映像符号化装置であって、
前記伝送符号列生成手段は、複数の符号化単位領域に対応する前記符号化映像情報を少なくとも動きベクトル情報を含む第１の情報と直交変換係数の低域成分を含む第２の情報と直交変換係数の高域成分を含む第３の情報とに分類し、当該分類された同一種別の情報が連続するように整列するとともに、前記伝送符号列において誤りが発生した際に同期を回復するための同期マーカ符号を前記複数の符号化単位領域の符号化映像情報を挟むように挿入し、
前記境界符号挿入手段は、前記整列された符号化映像情報の前記第１の情報の直後の境界に境界符号を挿入することを特徴とする映像符号化装置。
【請求項２】
入力される伝送符号列を解析する伝送符号列解析手段と、
該伝送符号列解析手段の解析に基づいて伝送符号列を復号化し映像信号を出力する情報源復号化手段とを備える映像復号化装置であって、
前記伝送符号列解析手段は、伝送符号列において誤りが発生した際に同期を回復するための同期マーカ符号であって複数の符号化単位領域に対応する符号化映像情報を挟むように挿入された同期マーカ符号を検出するとともに、種別の異なる情報の境界に挿入される境界符号であって少なくとも動きベクトル情報を含む第１の情報と直交変換係数の低域成分を含む第２の情報と直交変換係数の高域成分を含む第３の情報とに分類され同一種別の情報が連続するように整列された前記符号化映像情報において前記第１の情報の直後の境界に挿入された境界符号を検出し、
前記情報源復号化手段は、前記検出された同期マーカ符号と境界符号に基づいて前記入力された伝送符号列を映像信号に復号することを特徴とする映像復号化装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は映像（動画像）信号に含まれる情報量を圧縮削減して、符号化するための映像符号化装置及び、符号化された情報を復号して映像信号を復元するための映像復号化装置に関するものであり、特にモバイル通信網など、伝送誤りに耐性が必要な装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、入力される映像信号を符号化して符号化映像情報を出力する情報源符号化手段と、該情報源符号化手段からの符号化映像情報を所定のフォーマットの伝送符号列として出力する伝送符号列生成手段と、種別の異なる情報の境界に境界符号を挿入する境界符号挿入手段とを備える映像符号化装置であって、前記伝送符号列生成手段は、複数の符号化単位領域に対応する前記符号化映像情報を少なくとも動きベクトル情報を含む第１の情報と直交変換係数の低域成分を含む第２の情報と同高域成分を含む第３の情報とに分類し、当該分類された同一種別の情報が連続するように整列するとともに、前記伝送符号列において誤りが発生した際に同期を回復するための同期マーカ符号を前記複数の符号化単位領域の符号化映像情報を挟むように挿入し、前記境界符号挿入手段は、前記整列された符号化映像情報の前記動きベクトル情報の直後の境界に境界符号を挿入することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明によれば、入力される伝送符号列を解析する伝送符号列解析手段と、該伝送符号列解析手段の解析に基づいて伝送符号列を復号化し映像信号を出力する情報源復号化手段とを備える映像復号化装置であって、前記伝送符号列解析手段は、伝送符号列において誤りが発生した際に同期を回復するための同期マーカ符号であって複数の符号化単位領域に対応する符号化映像情報を挟むように挿入された同期マーカ符号を検出するとともに、種別の異なる情報の境界に挿入される境界符号であって少なくとも動きベクトル情報を含む第１の情報と直交変換係数の低域成分を含む第２の情報と同高域成分を含む第３の情報とに分類され同一種別の情報が連続するように整列された前記符号化映像情報において前記動きベクトル情報の直後の境界に挿入された境界符号を検出し、前記情報源復号化手段は、前記検出された同期マーカ符号と境界符号に基づいて前記入力された伝送符号列を映像信号に復号することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、複数種別の符号化映像情報において、種別の異なる情報の境界に境界符号を挿入して、複数種別の情報を合成した伝送符号列を生成し、また、それを復元することにより、伝送誤りなどによって符号化映像情報が正確に伝送できない場合でも、ある種別の情報にだけ、誤りの影響が生じるようにして、かつ誤りの影響を局所化できるため、簡単な手段で伝送誤りの影響を減少させ、映像品質の劣化を防止することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
本発明によれば、上記の境界符号に加えて、ほぼ所定のデータ数ごととなるように、同期マーカ符号を挿入し、その同期マーカ符号に基づいて、画像情報の復元を行うために、可変長符号の同期はずれによる画像情報への誤りの影響を局所化することができ、さらに誤りに対する耐性を強化できる。また、所定のデータ数ごとに同期マーカ符号及び境界符号が挿入されているために、復元時に同期マーカ符号及び境界符号の位置をある程度予測づけて復元が可能であり、符号の見逃し、誤検出を低減できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜の一部にレーザー光を照射して結晶化させ、第１領域を形成し、
前記非晶質半導体膜の表面から前記金属元素を除去し、
前記第１領域及び前記非晶質半導体膜を加熱して、前記第１領域から前記非晶質半導体膜へと基板と平行に結晶成長した第２領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜の一部にレーザー光を照射して結晶化させ、第１領域を形成し、
前記非晶質半導体膜の表面から前記金属元素を除去し、
前記第１領域及び前記非晶質半導体膜を加熱して、前記第１領域から前記非晶質半導体膜へと基板と平行に結晶成長した第２領域を形成し、
前記第２領域をパターニングすることにより、前記第２領域に薄膜トランジスタのチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜の一部にレーザー光を照射して結晶化させ、複数の第１領域を形成し、
前記非晶質半導体膜の表面から前記金属元素を除去し、
前記第１領域及び前記非晶質半導体膜を加熱して、前記第１領域から前記非晶質半導体膜へと基板と平行に結晶成長した第２領域を形成し、
前記第２領域をパターニングすることにより、隣接する前記第１領域からの前記結晶成長同士が衝突する領域を避けて前記第２領域に薄膜トランジスタのチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記非晶質半導体膜はシリコン膜またはシリコン膜を主成分とする膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記レーザー光はエキシマレーザー発振装置、ＹＡＧレーザー発振装置、またはＹＶＯ4レーザー発振装置を光源とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２領域を形成後、前記第２領域から前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記非晶質半導体膜の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄することにより、前記金属元素の除去を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、本発明は図１の構造に限定されず、必要があればチャネル形成領域とドレイン領域（またはソース領域）との間にＬＤＤ領域を有する低濃度ドレイン構造としてもよい。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をＬＤＤ領域と呼んでいる。さらにゲート絶縁膜を介してＬＤＤ領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるＧＯＬＤ構造としてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、絶縁膜２０３ｂを形成した後、絶縁膜表面を化学的及び機械的に研磨する処理（代表的にはＣＭＰ技術）等）により平坦化してもよい。（図２（Ｂ））例えば、絶縁膜表面の最大高さ（Ｒmax）が０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下となるようにする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次いで、ゲート電極２１５および容量配線２１６をマスクとして自己整合的にリンを低濃度に添加する。（図５（Ｃ１））ここでの画素上面図を図５（Ｃ２）に示す。図５（Ｃ２）において、点線Ｄ−Ｄ’で切断した断面図が図５（Ｃ１）に相当する。この低濃度に添加された領域のリンの濃度が、１×１０16〜５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（代表的には３×１０17〜３×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）となるように調整する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
次いで、マスク２２０を形成してリンを高濃度に添加し、ソース領域またはドレイン領域となる高濃度不純物領域２１８を形成する。（図６（Ａ））この高濃度不純物領域のリンの濃度が１×１０20〜１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（代表的には２×１０20〜５×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）となるように調整する。なお、活性層２１０のうち、ゲート電極２１５と重なる領域はチャネル形成領域２１９となり、マスク２２０で覆われた領域は低濃度不純物領域２１７となりＬＤＤ領域として機能する。そして、不純物元素の添加後、マスク２２０を除去する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ソフトウェア更新方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザからのソフトウェア更新指示に応じて、ユーザ側装置が記憶部内に格納された識別情報をサーバに送信し、
前記ユーザ側装置から送信された識別情報が登録済みであれば、前記サーバが当該ユーザ側装置の接続を許可し、
前記接続の確立後に、前記サーバが前記ユーザ側装置へ新たなソフトウェアを転送し、
前記ソフトウェアの転送後に、前記サーバが前記ユーザ側装置の記憶部内の識別情報を更新することを特徴とするソフトウェア更新方法。
【請求項２】
接続確立後に前記サーバが前記ユーザ側装置のソフトウェアのバージョンをチェックし、更新の必要があれば、新たなバージョンのソフトウェアを転送することを特徴とする請求項１記載のソフトウェア更新方法。
【請求項３】
前記ユーザ側装置の記憶部が着脱可能な記憶媒体であることを特徴とする請求項１記載のソフトウェア更新方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ユーザ側装置において、装置内の制御、動作、表示等のプログラムＢｕｇ修正及び操作説明オンラインマニュアル等の内容更新を伴うソフトウェア更新方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、ソフトウェアの更新遅れや現場で不都合が発生した場合の対応遅れを防ぐことができるソフトウェア更新方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のソフトウェア更新方法は、ユーザからのソフトウェア更新指示に応じて、ユーザ側装置が記憶部内に格納された識別情報をサーバに送信し、前記ユーザ側装置から送信された識別情報が登録済みであれば、前記サーバが当該ユーザ側装置の接続を許可し、前記接続の確立後に、前記サーバが前記ユーザ側装置へ新たなソフトウェアを転送し、前記ソフトウェアの転送後に、前記サーバが前記ユーザ側装置の記憶部内の識別情報を更新することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、頻繁に発生するソフト変更に対応するため迅速なサービスを提供することができる。又、ソフトウェアの転送毎に、サーバがユーザ側装置の記憶部内の識別情報を更新することにより、不正なアクセスに対するセキュリティを高めることができる。