【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性領域と前記活性領域の一端から延在する第１の光学受動領域とを有し、前記第１の光学受動領域は前記活性領域に隣接する内端及び光学活性装置の第１の切開面を規定する外端を有する装置本体と、
前記装置本体と熱的関係に維持されるヒートシンクであって、前記装置の前記第１の切開面が前記ヒートシンクから張り出すように、前記活性領域の少なくとも一部と同延かつ前記第１の光学受動領域の一部のみと同延である前記ヒートシンクと、を備えることを特徴とする光学活性装置。
【請求項２】
前記活性領域は光学的にかつ電気的に活性な領域を有することを特徴とする請求項１に記載の光学活性装置。
【請求項３】
前記活性領域はIII―Ｖ族の半導体材料系で作られる半導体装置であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学活性装置。
【請求項４】
前記III―Ｖ族の半導体材料系は、６００乃至１３００ｎｍの波長範囲で実質的に動作するガリウム-砒素（ＧａＡｓ）を基本とする系及び１２００乃至１７００ｎｍの波長範囲で実質的に動作するインジウム-燐（ＩｎＰ）を基本とする系から選ばれることを特徴とする請求項３に記載の光学活性装置。
【請求項５】
前記装置本体は、レーザ装置、光変調器、光増幅器及び光スイッチから選択される１つであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項６】
更に前記活性領域の反対側の端から延伸し、前記活性領域に隣接する内端及び前記装置の第２の切開面を規定する外端を有する第２の光学受動領域を備え、
前記ヒートシンクは、前記装置の前記第２の切開面が前記ヒートシンクから張り出すように、前記第２の光学受動領域の一部のみと同延であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項７】
前記第２の光学受動領域が前記装置の入力切開面を規定することを特徴とする請求項６に記載の光学活性装置。
【請求項８】
前記光学活性装置は光増幅器であることを特徴とする請求項７に記載の光学活性装置。
【請求項９】
前記半導体装置は基板の上に成長する一体構造であることを特徴とする請求項３〜８のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項１０】
前記半導体装置は第１の光クラッド層と第２の光クラッド層との間に挟まれる活性コア層を有することを特徴とする請求項３〜９のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項１１】
前記半導体装置は少なくとも前記第２の光クラッド層内に形成される峰部を含み、使用中、前記半導体装置における光モードを平行方向で閉じ込めるように、前記峰部は光導波路として働くことを特徴とする請求項１０に記載の光学活性装置。
【請求項１２】
前記活性コア層は前記光学活性領域として形作られる量子井戸（ＱＷ）構造を有する又は含むレーザ光放出材料を有し、前記光学活性領域は前記峰部によって閉じ込められることを特徴とする請求項１１に記載の光学活性装置。
【請求項１３】
それぞれの又は少なくとも１つの光学受動領域は前記光学活性領域と同じように平行方向へ延伸することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項１４】
前記光学受動領域は前記コア層内に第１の組成上無秩序な材料を含むことを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項１５】
前記光学活性領域は前記コア層内の第２の組成上無秩序な材料を有する平行方向領域と平行方向で境を接することを特徴とする請求項１４に記載の光学活性装置。
【請求項１６】
前記第１及び第２の組成上無秩序な材料は実質的には同じであることを特徴とする請求項１５に記載の光学活性装置。
【請求項１７】
前記第１の組成上無秩序な材料は量子井戸混合（ＱＷＩ）技術によって形成されることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項１８】
前記受動領域は長さにおいておよそ１０乃至１００μｍであることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項１９】
前記装置は、また、少なくとも前記第２のクラッド層の上方表面及び前記基板の対向面の一部に接触する電気的接触材料のそれぞれの層を備えることを特徴とする請求項１０〜１８のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項２０】
前記接触材料の１つは前記峰部の表面上に設けられることを特徴とする請求項１９に記載の光学活性装置。
【請求項２１】
前記ヒートシンクは大きな熱伝導の材料から作られることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項２２】
前記大きな熱伝導の材料は少なくとも部分的に銅、ダイヤモンド、シリコン又は窒化アルミニウムを有することを特徴とする請求項２１に記載の光学活性装置。
【請求項２３】
前記ヒートシンクは接触材料の１つに寄せてハンダ接触で置かれることを特徴とする請求項１９〜２２のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項２４】
前記第２のクラッド層は、前記第１のクラッド層よりも前記ヒートシンクに接近するように向けられることを特徴とする請求項１０〜２３のいずれか一項に記載の光学活性装置。
【請求項２５】
（ａ）活性領域と前記活性領域の少なくとも１つの端に設けられる第１の光学受動領域とを有し、少なくとも１つの光学受動領域は前記活性領域に隣接する内端と光学活性装置の第１の切開面を規定する外端とを有する装置本体を製造する工程と、
（ｂ）前記少なくとも１つの光学受動領域の前記内端がヒートシンクの領域内に設けられ、前記少なくとも１つの光学受動領域の前記外端が前記ヒートシンクの前記領域外に設けられるように前記ヒートシンクと前記装置本体を熱的関係で位置付ける工程であって、前記ヒートシンクは前記第１の切開面が前記ヒートシンクから張り出すように前記活性領域の少なくとも一部と同延かつ前記第１の光学受動領域の一部のみと同延であるように、前記ヒートシンク及び前記装置本体を熱的関係で位置付ける工程と、
を有することを特徴とする光学活性装置を形成する方法。
【請求項２６】
前記工程（ａ）は、
（ｉ）第１の光クラッド・荷電キャリア閉じ込め層と、随意に量子井戸（ＱＷ）構造が形成される光学及び・又は電気的活性層を有する活性層と、第２の光クラッド・荷電キャリア閉じ込め層とを順に形成し、
（ｉｉ）光学受動領域を前記活性層に形成し、
（ｉｉｉ）前記光学受動領域の少なくとも１つ及び前記活性層を閉じ込めるために、前記第２のクラッド層の少なくとも一部から峰部を形成する、
ことを有することを特徴とする請求項２５に記載の光学活性装置を形成する方法。
【請求項２７】
前記工程（ｉ）は、分子ビームエピタクシ（ＭＢＥ）及び有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）から選択される成長技術によって実施されることを特徴とする請求項２６に記載の光学活性装置を形成する方法。
【請求項２８】
前記工程（ｉｉ）で、前記受動領域は、前記受動領域で空隙を生成し、成長したとき前記量子井戸構造より大きな禁制帯幅を有する前記光学活性層の組成上無秩序な領域を作るために、更にアニールすることを有する量子井戸混合（ＱＷＩ）技術によって形成されることを特徴とする請求項２６又は２７に記載の光学活性装置を形成する方法。
【請求項２９】
前記工程（ｉｉｉ）はエッチングによって達成されることを特徴とする請求項２６〜２８のいずれか一項に記載の光学活性装置を形成する方法。
【請求項３０】
前記ヒートシンクは前記第２のクラッド層に隣接する面に固定されることを特徴とする請求項２６〜２９のいずれか一項に記載の光学活性装置を形成する方法。
【請求項３１】
前記方法の前記工程（ｉｉ）は、
ダイオードスパッター装置の使用によって実質的にアルゴン雰囲気で、シリカ（ＳｉＯ2）などの誘電体層を前記半導体レーザ装置材料の表面の少なくとも一部分上に、少なくとも誘電体層に隣接するその材料の一部分に点構造欠陥をもたらすように、堆積する工程と、
プラズマ強化化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）のような非スパッタリング技術によって、更なる誘電体層をその材料の表面の少なくとも他の部分上に随意に堆積する工程と、
その材料をアニールし、それによってイオン又は原子をその材料から誘電体層へ移す工程と、
を含むことを特徴とする請求項２６〜３０のいずれか一項に記載の光学活性装置を形成する方法。
【請求項３２】
前記方法は、第１及び第２の電気的接触層を前記基板の表面及び前記峰部の対向面にあてがう工程を含むことを特徴とする請求項２６〜３１のいずれか一項に記載の光学活性装置を形成する方法。
【請求項３３】
前記工程（ｉｉ）は、
第１に、第１の領域を選択し、第１の組成上無秩序な材料をその領域で形成し、
第２に、第２の領域を選択し、第２の組成上無秩序な材料をその領域で形成し、
第１及び第２の組成上無秩序な材料は、前記装置本体の第１及び第２の端で第１及び第２の受動領域を設けることを特徴とする請求項２６〜３２のいずれか一項に記載の光学活性装置を形成する方法。
【請求項３４】
前記方法は前記活性層と平行方向に境を接する組成上無秩序な材料の領域を形成することを含むことを特徴とする請求項２５〜３３のいずれか一項に記載の光学活性装置を形成する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の第１の側面によれば、活性領域と前記活性領域の一端から延在する第１の光学受動領域とを有し、前記第１の光学受動領域は前記活性領域に隣接する内端及び光学活性装置の第１の切開面を規定する外端を有する装置本体と、
前記装置本体と熱的関係に維持されるヒートシンクであって、前記装置の前記第１の切開面が前記ヒートシンクから張り出すように、前記活性領域の少なくとも一部と同延かつ前記第１の光学受動領域の一部のみと同延である前記ヒートシンクと、を備えることを特徴とする光学活性装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る半導体レーザ装置を有する光学活性装置は、ヒートシンクの端・縁・側を越えて延伸する１つの光学受動領域を有する。本発明に係る光増幅器は、ヒートシンクの対向する端・縁・側のそれぞれ１つを越えてそれぞれが延伸する２つの光学受動領域を有してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の第２の側面によれば、
（ａ）活性領域と前記活性領域の少なくとも１つの端に設けられる第１の光学受動領域とを有し、少なくとも１つの光学受動領域は前記活性領域に隣接する内端と光学活性装置の第１の切開面を規定する外端とを有する装置本体を製造する工程と、
（ｂ）前記少なくとも１つの光学受動領域の前記内端がヒートシンクの領域内に設けられ、前記少なくとも１つの光学受動領域の前記外端が前記ヒートシンクの前記領域外に設けられるように前記ヒートシンクと前記装置本体を熱的関係で位置付ける工程であって、前記ヒートシンクは前記第１の切開面が前記ヒートシンクから張り出すように前記活性領域の少なくとも一部と同延かつ前記第１の光学受動領域の一部のみと同延であるように、前記ヒートシンク及び前記装置本体を熱的関係で位置付ける工程と、を有することを特徴とする光学活性装置を形成する方法を提供する。