【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて成膜をする第１の段階と、
高周波放電を維持した状態で、チャンバー内の圧力を一定にしながら前記成膜ガスの供給の停止を開始すると同時に放電ガスの供給を開始する第２の段階と、
前記成膜ガスの供給の停止後、前記放電ガスを供給し続けて高周波放電を維持する第３の段階と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて成膜をする第１の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記成膜ガスの供給の停止を開始すると同時に水素ガスの供給を開始する第２の段階と、
前記成膜ガスの供給の停止後、前記水素ガスを供給し続けて高周波放電を維持する第３の段階と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
放電ガスを供給して高周波放電を開始する第１の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記放電ガスの供給の停止を開始すると同時に成膜ガスの供給を開始する第２の段階と、
前記成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて成膜をする第３の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記成膜ガスの供給の停止を開始すると同時に前記放電ガスの供給を開始する第４の段階と、
前記成膜ガスの供給の停止後、前記放電ガスを供給し続けて高周波放電を維持する第５の段階と、
高周波放電を停止する第６の段階と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
水素ガスを供給して高周波放電を開始する第１の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記水素ガスの供給の停止を開始すると同時に成膜ガスの供給を開始する第２の段階と、
前記成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて成膜をする第３の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記成膜ガスの供給の停止を開始すると同時に前記水素ガスの供給を開始する第４の段階と、
前記成膜ガスの供給の停止後、前記水素ガスを供給し続けて高周波放電を維持する第５の段階と、
高周波放電を停止する第６の段階と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記成膜される膜は、半導体膜、絶縁膜または化合物膜であることを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
絶縁膜を成膜するための成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて基板上に絶縁膜を成膜する第１の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記絶縁膜を成膜するための成膜ガスの供給の停止を開始すると同時に第１の放電ガスを供給する第２の段階と、
前記絶縁膜を成膜するための成膜ガスの供給の停止後、前記第１の放電ガスを供給し続けて高周波放電を維持する第３の段階と、
高周波放電を停止する第４の段階と、
前記第１の放電ガスの供給を停止する第５の段階と、
珪素膜を成膜するための成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて前記絶縁膜上に珪素膜を成膜する第６の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記珪素膜を成膜するための成膜ガスの供給の停止を開始すると同時に第２の放電ガスを供給する第７の段階と、
前記珪素膜を成膜するための成膜ガスの供給の停止後、前記第２の放電ガスを供給し続けて高周波放電を維持する第８の段階と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
珪素膜を成膜するための成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて基板上に珪素膜を成膜する第１の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記珪素膜を成膜するための成膜ガスの供給の停止を開始すると同時に第１の放電ガスを供給する第２の段階と、
前記珪素膜を成膜するための成膜ガスの供給の停止後、前記第１の放電ガスを供給し続けて高周波放電を維持する第３の段階と、
高周波放電を停止する第４の段階と、
前記第１の放電ガスの供給を停止する第５の段階と、
絶縁膜を成膜するための成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて前記珪素膜上に絶縁膜を成膜する第６の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記絶縁膜を成膜するための成膜ガスの供給の停止を開始すると同時に第２の放電ガスを供給する第７の段階と、
前記絶縁膜を成膜するための成膜ガスの供給の停止後、前記第２の放電ガスを供給し続けて高周波放電を維持する第８の段階と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
第１の放電ガスを供給して高周波放電を開始する第１の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記第１の放電ガスの供給の停止を開始すると同時に絶縁膜を成膜するための成膜ガスの供給を開始する第２の段階と、
前記絶縁膜を成膜するための成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて基板上に絶縁膜を成膜をする第３の段階と、
前記絶縁膜の成膜を終了する第４の段階と、
第２の放電ガスを供給して高周波放電を開始する第５の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記第２の放電ガスの供給の停止を開始すると同時に珪素膜を成膜するための成膜ガスの供給を開始する第６の段階と、
前記珪素膜を成膜するための成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて前記絶縁膜上に珪素膜を成膜をする第７の段階と、
前記珪素膜の成膜を終了する第８の段階と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項９】
第１の放電ガスを供給して高周波放電を開始する第１の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記第１の放電ガスの供給の停止を開始すると同時に基板上に珪素膜を成膜するための成膜ガスの供給を開始する第２の段階と、
前記珪素膜を成膜するための成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて珪素膜を成膜をする第３の段階と、
前記珪素膜の成膜を終了する第４の段階と、
第２の放電ガスを供給して高周波放電を開始する第５の段階と、
高周波放電を維持した状態で、前記第２の放電ガスの供給の停止を開始すると同時に絶縁膜を成膜するための成膜ガスの供給を開始する第６の段階と、
前記絶縁膜を成膜するための成膜ガスを供給しながら高周波放電を用いて前記珪素膜上に絶縁膜を成膜をする第７の段階と、
前記絶縁膜の成膜を終了する第８の段階と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
請求項１または請求項２において、前記第３の段階を持続させる時間は、前記第２の段階で雰囲気が入れ代わる時間よりも長いことを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
請求項３または請求項４において、前記第５の段階を持続させる時間は、前記第４の段階で雰囲気が入れ代わる時間よりも長いことを特徴とする成膜方法。
【請求項１２】
請求項１または請求項２において、前記第２の段階及び前記第３の段階では被成膜面に自己バイアスが加わった状態を維持することを特徴とする成膜方法。
【請求項１３】
請求項３または請求項４において、前記第４の段階及び前記第５の段階では被成膜面に自己バイアスが加わった状態を維持することを特徴とする成膜方法。
【請求項１４】
請求項６において、前記第２の段階及び前記第３の段階では被成膜面に自己バイアスが加わった状態を維持し、第７の段階及び第８の段階では前記絶縁膜に自己バイアスが加わった状態を維持することを特徴とする成膜方法。
【請求項１５】
請求項７において、前記第２の段階及び前記第３の段階では被成膜面に自己バイアスが加わった状態を維持し、第７の段階及び第８の段階では前記珪素膜に自己バイアスが加わった状態を維持することを特徴とする成膜方法。
【請求項１６】
請求項２または請求項４において、前記成膜ガスはシランであることを特徴とする成膜方法。
【請求項１７】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、前記第６の段階において、電力を段階的に小さくして高周波放電を停止することを特徴とする成膜方法。
【請求項１８】
請求項６または請求項７において、前記第４の段階において、電力を段階的に小さくして高周波放電を停止することを特徴とする成膜方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、高周波放電は、平行平板型の電極間において行われ、被成膜面は接地電位に保持された電極側に配置されていることを特徴とする成膜方法。