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【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上にガス・デポジション法を用いて圧電体膜を形成する圧電素子の製造方法であって、
ペロブスカイト構造を有する圧電材料の超微粒子を吐出手段から吐出する工程と、
前記吐出手段から吐出された超微粒子が前記基板に達する間、該超微粒子に電界を印加する工程と、
を含むことを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項２】  印加される電界が０．５〜３ｋＶ／ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項３】  印加される電界が１〜２ｋＶ／ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求項２に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項４】  前記基板が金属からなることを特徴とする請求項１に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項５】  前記基板が樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の圧電素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、次に記載する事項により特定することができる。
（1）    基板上にガス・デポジション法を用いて圧電体膜を形成する圧電素子の製造方法であって、ペロブスカイト構造を有する圧電材料の超微粒子を吐出手段から吐出する工程と、前記吐出手段から吐出された超微粒子が前記基板に達する間、該超微粒子に電界を引加する工程と、を含むことを特徴とする圧電素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本実施例においては、基板１０として、０．３ｍｍ厚のＳＵＳ製（ステンレス製）の基板を使用した。膜形成室の温度は室温とした。基板１０はステージ９と電気的、機械的に結合されており、ステージ９を動作させることで基板１０の上にＰＺＴ超微粒子を用いてラインを描画した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負の電圧が印加された試料に、１次電子線を低いエネルギーにして照射し、該試料から放出された２次電子線を分離器で１次電子線から分離するように偏向させ、該２次電子線を検出することにより画像形成することが可能な電子線装置において、
前記分離器は、前記試料から所定範囲の方向に放出された２次電子線のみを検出可能に偏向させるための偏向量に設定可能であり、
前記分離器を前記偏向量に設定した状態で前記試料の画像を形成することにより立体的なＳＥＭ像を得ることを可能とする、電子線装置。
【請求項２】
１次電子線を試料に照射し、該試料から放出された２次電子線を検出して画像形成する、電子線装置において、
前記試料から放出された２次電子線のうち特定の方向へ放出された２次電子線の検出効率を低くすることにより、立体的なＳＥＭ像を得ることを特徴とする、電子線装置。
【請求項３】
熱電子放出カソードを有する電子銃から放出される電子線を細く絞って試料上を走査し、該試料から放出された２次電子の検出効率に放出方位角依存性を持たせることにより、凹凸のあるパターンの段部に明暗をつけたＳＥＭ像を得る電子線装置において、
前記電子銃を空間電荷制限条件で動作させることを特徴とする、電子線装置。
【請求項４】
熱電子放出カソードを有する電子銃から放出された電子線を細く絞って試料上を走査し、該試料から放出される２次電子の検出効率に方位角依存性を持たせることにより、立体的なＳＥＭ像を得る電子線装置において、
前記電子銃は、輝度がラングミュア制限より一桁以上高輝度になる条件で動作されることを特徴とする、電子線装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子線装置を用いて、ウェーハプロセス途中又は少なくとも１つのウェーハプロセス終了後のウェーハの欠陥候補の分類を行うことを特徴とする、デバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の一態様は、負の電圧が印加された試料に、１次電子線を低いエネルギーにして照射し、該試料から放出された２次電子線を分離器で１次電子線から分離するように偏向させ、該２次電子線を検出することにより画像形成することが可能な電子線装置において、分離器は、試料から所定範囲の方向に放出された２次電子線のみを検出可能に偏向させるための偏向量に設定可能であり、分離器をその偏向量とした状態で試料の画像を形成することにより立体的なＳＥＭ像を得ることを可能としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の更なる態様では、１次電子線を試料に照射し、該試料から放出された２次電子線を検出して画像形成する、電子線装置において、試料から放出された２次電子線のうち特定の方向へ放出された２次電子線の検出効率を低くすることにより、立体的なＳＥＭ像を得ることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の別の態様によれば、熱電子放出カソードを有する電子銃から放出される電子線を細く絞って試料上を走査し、該試料から放出された２次電子の検出効率に放出方位角依存性を持たせることにより、凹凸のあるパターンの段部に明暗をつけたＳＥＭ像を得る電子線装置において、電子銃を空間電荷制限条件で動作させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄電池の蓋に凹部を形成し、この凹部内に状態判定装置をその上面が蓋表面より突出しない状態に収納し、この状態判定装置を蓋に設けられたブッシング端子に導電体を介して導通させてなり、
前記状態判定装置は、蓄電池の充電状態（ＳＯＣ）と劣化状態（ＳＯＨ）を測定する状態判定回路と、この状態判定回路を動作させるスイッチ機構と、状態判定回路による測定結果を表示する表示部とを１枚の基板上に配設してなり、その基板の両端部に前記状態判定回路に導通する端子部を有し、
前記ブッシング端子は、ブッシング部および導電体を一体に有し、前記ブッシング部および導電体が蓋に一体的に鋳込まれ、前記導電体は前記ブッシング部の軸方向中間部からその側方に延出するとともに上下にクランク状に屈曲し、その延出端部が前記凹部内に突出して露出し、この露出部に前記凹部内に収納された状態判定装置の端子部が接続されていることを特徴とする状態判定装置付蓄電池。
【請求項２】
凹部は蓋の上面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の状態判定装置付蓄電池。
【請求項３】
蓋の上面に形成された凹部は、蓋の側面上端より少なくとも１０ｍｍ以上離れていることを特徴とする請求項２に記載の状態判定装置付蓄電池。
【請求項４】
状態判定装置のスイッチ機構は釦スイッチからなり、この釦スイッチを押すことにより状態判定回路が動作し、蓄電池の状態が表示部を介して表示されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の状態判定装置付蓄電池。
【請求項５】
蓋の凹部の状態判定装置の端子部と導電体との接続部近傍の内壁面にはプライマー処理が施され、この凹部内に収納された状態判定装置と凹部の内壁面との間の空隙内に樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の状態判定装置付蓄電池。
【請求項６】
凹部内に充填された樹脂の状態判定装置の端子部と導電体との接続部を覆う部分の樹脂層の上面には凹溝が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の状態判定装置。
【請求項７】
状態判定装置の基板は、透明なケースで覆われていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の状態判定装置付蓄電池。
【請求項８】
状態判定装置の端子部は、その表面と裏面とに２つずつ端子を有し、その表裏面の４つの端子を介して導電体に導通する接続構造で導電体に接続され、その端子部の表面の２つの端子は端子部の長手方向に沿う線を境にしてその両側に２分され、裏面の２つの端子は端子部の幅方向に沿う線を境にしてその両側に２分されてその表面および裏面の端子が互いに直交する関係にあることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の状態判定装置付蓄電池。
【請求項９】
導電体と状態判定装置の端子部とは、突起と小孔との嵌合により接続されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の状態判定装置付蓄電池。
【請求項１０】
導電体と状態判定装置の端子部とは、突起と小孔との嵌合およびその両者の半田付けにより接続されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の状態判定装置付蓄電池。
【請求項１１】
状態判定装置の端子部はリード線からなり、そのリード線からなる端子部が凹部内に突出して露出した導電体に接続されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の状態判定装置付蓄電池。
【請求項１２】
凹部内に収納された状態判定装置の上方部にはその凹部の開口面を覆うラベルが設けられていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の状態判定装置付蓄電池。
【請求項１３】
請求項１に記載の状態判定装置付蓄電池を製造するにあたり、蓋の凹部内に状態判定装置を収納して組み付ける工程は、蓄電池の製造工程の最終段階において行なうことを特徴とする状態判定装置付蓄電池の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【表３】
2004200234.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
次いで、この基板を熱リン酸に浸すことにより、積層欠陥部分を選択的にエッチングした。３０分の熱リン酸エッチングで約５μｍのエッチピットが形成される（図７（ｂ））。次に表３の条件を用いて、さらにｃ−ＧａＮのホモエピタキシャル成長を実施した（２次成長）。この際、エッチピットの側壁が横方向＜１１０＞方位に成長するため、｛１１１｝面に平行な積層不正の伝搬が終端され、エッチピットの深さである５μｍ以内の領域で積層不正密度がゼロとなる（図７（ｃ））。積層不正の密度勾配は７ｘ１０12／ｃｍ3である。この半導体の高欠陥密度領域の電子濃度は４×１０18／ｃｍ3であり、低欠陥密度領域の電子濃度は８×１０14／ｃｍ3であった。その後、１２００℃、１時間のアニーリングにより、ＧａＡｓ基板を融かして除去した。最後にＧａＡｓ基板側に形成されていた面の全面にＧｅドープのＡｕ電極を形成し、２次成長を施した面に直径３００μｍ、厚み３０００ÅのＰｔ電極を形成した（図８）。ＧａＡｓ基板側のＡｕ電極はオーミックな特性を示し、その接触抵抗は１．４ｘ１０-8／ｃｍ2であった。
また、２次成長面のＰｔ電極は非オーミックな特性を示し、その障壁高さは０．５４ｅＶを示した。素子の降伏電圧は２次成長層の膜厚によって変化した。表４に示すように、本方法により作製したショットキーバリアダイオードは、不純物プロファイルを有していないにも関わらす、２次成長層の膜厚で、その降伏電圧を制御することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体レーザを過電流から保護するための半導体レーザの保護回路であって、
駆動電流源から半導体レーザへの電流供給路に設けられた電流制限手段と、
前記電流制限手段の出力電流に基づいて前記電流制限手段の動作特性を評価する評価回路部と、
前記電流制限手段と前記半導体レーザとの間に接続されたバイパス回路部と、
前記電流制限手段と前記バイパス回路部との間を接続又は遮断する切替回路部とを備えた
ことを特徴とする半導体レーザの保護回路。
【請求項２】  前記電流制限手段が、トランジスタ、定電流ダイオード又はこれらを組み合わせた定電流回路からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの保護回路。
【請求項３】  前記評価回路部が、前記バイパス回路部に供給された前記電流制限手段の出力電流に基づいて前記電流制限手段の動作特性を評価する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの保護回路。
【請求項４】  前記評価回路部が、前記電流供給路に供給された前記電流制限手段の出力電流に基づいて前記電流制限手段の動作特性を評価し、
前記切替回路部は、前記電流制限手段の出力電流が許容範囲を越えていると前記評価回路部によって評価されたときに、前記電流制限手段と前記バイパス回路部との間を接続する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの保護回路。
【請求項５】  前記評価回路部が、前記電流制御手段の出力電流から電圧を検出するための抵抗と、前記検出した電圧を基準電圧と比較する比較器とを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの保護回路。
【請求項６】  前記電流制限手段が、その出力電流値の変更手段を備えている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの保護回路。
【請求項７】  前記切替回路部が、フォトＭＯＳリレーを含む回路からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの保護回路。
【請求項８】  前記半導体レーザ近傍の電流供給路には、高周波ノイズ除去手段が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの保護回路。
【請求項９】  半導体レーザの電気的及び光学的特性を測定するための測定器と、前記半導体レーザへ駆動電流を供給する駆動電流源とを備えた半導体レーザの測定装置において、
前記駆動電流源から前記測定器への電流供給路に設けられた電流制限手段と、
前記電流制限手段の出力電流に基づいて前記電流制限手段の動作特性を評価する評価回路部と、
前記電流制限手段と前記測定器との間に接続されたバイパス回路部と、
前記電流制限手段と前記バイパス回路部との間を接続又は遮断する切替回路部とを有する保護回路を備えた
ことを特徴とする半導体レーザの測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理方法および装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力した画像から算出した輝度ヒストグラムに基づいてその画像の補正を行う画像処理方法であって、
前記算出した輝度ヒストグラムの概略形状を解析する解析ステップと、
前記輝度ヒストグラムの解析結果に基づいて、前記画像の補正量を算出する補正量算出ステップと、
算出した補正量に基づいて前記画像の補正を行う補正ステップと、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
前記解析ステップは、
前記輝度ヒストグラムを平滑化する平滑化ステップと、
平滑化された前記輝度ヒストグラムを、山部領域と平坦部領域とに分割する分割ステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項３】
前記平滑化ステップは、
前記輝度ヒストグラムを正規化して正規化輝度ヒストグラムを得る正規化ステップと、
前記正規化輝度ヒストグラムを移動平均法により平均化する平均化ステップと、
平均化された前記正規化輝度ヒストグラムの小変位を除去する小変位除去ステップと、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の画像処理方法。
【請求項４】
前記分割ステップは、
前記平滑化ステップで平滑化された前記輝度ヒストグラムを、単調増加領域から単調減少領域までの区間を山部領域として粗分割する粗分割ステップと、
前記粗分割ステップで得られた各山部領域における平坦部領域を更に分割する平坦部分割ステップと、
隣接する２つの山部領域それぞれの最大度数となる輝度レベルで挟まれる区間における度数がすべて、それら２つの最大度数のうち大きい方の最大度数であるとしたときのヒストグラム面積における、当該区間における実際のヒストグラム面積が占める割合に基づいて、当該２つの山部領域を１つの山部領域に統合する統合ステップと、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の画像処理方法。
【請求項５】
前記分割ステップでの分割結果に基づいて前記画像が逆光か否かを判定する判定ステップを更に有し、
前記判定ステップで逆光と判定されたときに、前記補正量算出ステップおよび補正ステップを実行することを特徴とする請求項２に記載の画像処理方法。
【請求項６】
前記判定ステップは、前記分割ステップによる分割の結果、山部領域が２つ以上あり、かつ、輝度の最も明るい側にある第１の山部領域が最大輝度レベルＭを含み、かつ、輝度の明るい側から２つ目にある第２の山部領域と前記第１の山部領域との間に平坦部領域があるときに、前記画像が逆光であると判定することを特徴とする請求項５に記載の画像処理方法。
【請求項７】
前記補正量算出ステップは、前記第２の山部領域における最大輝度レベルＳと前記最大輝度レベルＭとの間に目標レベルＴを設定し、入力レベルが前記第２の山部領域における最大輝度レベルＳであるときの出力レベルが前記目標レベルＴとなるγ曲線を算出することを特徴とする請求項６に記載の画像処理方法。
【請求項８】
前記目標レベルＴを、前記第２の山部領域における最大輝度レベルＳと前記最大輝度レベルＭとの２分値に設定することを特徴とする請求項７に記載の画像処理方法。
【請求項９】
前記目標レベルＴを、前記第２の山部領域における最大輝度レベルＳ以上におけるヒストグラム面積に基づいて設定することを特徴とする請求項７に記載の画像処理方法。
【請求項１０】
前記補正量算出ステップは、
前記第２の山部領域に係る所定の参照レベルを算出するステップと、
入力が最小輝度レベルから前記第２の山部領域における最大輝度レベルＳまでの範囲では、出力が最小輝度レベルから前記目標レベルＴの範囲の値をとり、入力が前記第２の山部領域における最大輝度レベルＳより大きい範囲では、出力が前記目標レベルＴから前記最大輝度レベルまでの範囲の値をとる、第１の補正曲線を算出するステップと、
前記参照レベルと所定の目標レベルＴ’とに基づいて第２の補正曲線を算出するステップと、
を有することを特徴とする請求項６に記載の画像処理方法。
【請求項１１】
前記第２の補正曲線は、入力レベルが前記参照レベルであるときの出力レベルが前記目標レベルＴ’となるγ曲線であることを特徴とする請求項１０に記載の画像処理方法。
【請求項１２】
入力した画像から算出した輝度ヒストグラムに基づいてその画像の補正を行う画像処理装置であって、
前記算出した輝度ヒストグラムの概略形状を解析する解析手段と、
前記輝度ヒストグラムの解析結果に基づいて、前記画像の補正量を算出する補正量算出手段と、
算出した補正量に基づいて前記画像の補正を行う補正手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項１３】
コンピュータにより実行可能なプログラムであって、
入力した画像から輝度ヒストグラムを算出するためのコードと、
前記算出した輝度ヒストグラムの概略形状を解析するためのコードと、
前記輝度ヒストグラムの解析結果に基づいて、前記画像の補正量を算出するためのコードと、
算出した前記補正量に基づいて前記画像の補正を行うためのコード、
とを含むことを特徴とするプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、本発明の画像処理方法は、次の構成を有する。すなわち、入力した画像から算出した輝度ヒストグラムに基づいてその画像の補正を行う画像処理方法であって、前記算出した輝度ヒストグラムの概略形状を解析する解析ステップと、前記輝度ヒストグラムの解析結果に基づいて、前記画像の補正量を算出する補正量算出ステップと、算出した補正量に基づいて前記画像の補正を行う補正ステップとを有することを特徴とする。
また、上記した目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、次の構成を有する。すなわち、入力した画像から算出した輝度ヒストグラムに基づいてその画像の補正を行う画像処理装置であって、前記算出した輝度ヒストグラムの概略形状を解析する解析手段と、前記輝度ヒストグラムの解析結果に基づいて、前記画像の補正量を算出する補正量算出手段と、算出した補正量に基づいて前記画像の補正を行う補正手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏面に電極を有する複数の太陽電池素子を接続タブで電気的に接続して透光性基板の裏面側に配置した太陽電池モジュールにおいて、前記接続タブと前記電極が接続されていない部分の接続タブの幅を他の部分に比べて広くしたことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
表裏面に電極を有する複数の太陽電池素子を接続タブで電気的に接続して透光性基板の裏面側に配置した太陽電池モジュールにおいて、前記接続タブと前記電極が接続されていない部分の接続タブの厚みを他の部分に比べて厚くしたことを特徴とする太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月17日(2005.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝達される熱を放熱させる放熱体の製造方法において、
鉄ニッケル系合金の粉末と、金属製の高熱伝導材の粉末とを一体形成して放熱体を形成することを特徴とする放熱体の製造方法。
【請求項２】
伝達される熱を放熱させる放熱体の製造方法において、
鉄ニッケル系合金の粉末と、金属製の高熱伝導材の粉末とを一体形成してコア体を形成し、
次いで、前記コア体を高熱伝導材からなる金属板で挟着して放熱体を形成することを特徴とする放熱体の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の放熱体の製造方法において、
前記金属板は、熱間圧延又は冷間圧延によりコア体を挟着することを特徴とする放熱体の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の放熱体又は請求項２記載のコア体は、ガス雰囲気中で焼結形成されることを特徴とする放熱体の製造方法。
【請求項５】
伝達される熱を放熱させる放熱体において、
鉄ニッケル系合金の粉末と、金属製の高熱伝導材の粉末とで一体に形成することを特徴とする放熱体。
【請求項６】
伝達される熱を放熱させる放熱体において、
鉄ニッケル系合金の粉末及び金属製の高熱伝導材を一体に形成してなるコア体と、該コア体を挟着し、かつ高熱伝導材からなる金属板とにより形成することを特徴とする放熱体。
【請求項７】
請求項６記載の放熱体において、
前記金属板は、熱間圧延又は冷間圧延によりコア体を挟着することを特徴とする放熱体。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか記載の放熱体において、
前記鉄ニッケル系合金は、放熱体における体積含有率が３０％以上であることを特徴とする放熱体。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれか記載の放熱体において、
前記高熱伝導材は、Ｃｕ又はその合金からなることを特徴とする放熱体。
【請求項１０】
請求項５〜９のいずれか記載の放熱体を、絶縁基板に取り付けることを特徴とするパワーモジュール用基板。
【請求項１１】
請求項１０記載のパワーモジュール用基板の絶縁基板上にチップを搭載してなることを特徴とするパワーモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明に係る放熱体の製造方法によれば、鉄ニッケル系合金の粉末と高熱伝導材の粉末との一体形成によってコア体を形成し、これを金属板で挟着して放熱体を形成するので、構成材料が全て金属となる放熱体を確実に形成することができ、従って、全ての構成材料が金属となるので、加工性が良好になると共に、構成材料間の接合性も良好となり、かつ放熱体自体を軽量化することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項１記載の放熱体又は請求項２記載のコア体は、ガス雰囲気中で焼結形成されることを特徴とする。
この発明に係る放熱体の製造方法によれば、ガス雰囲気中で焼結することで放熱体又はコア体を形成すると、高熱伝導材に付着する表面酸化膜が除去され、鉄ニッケル系合金と高熱伝導材とを確実かつ良好に一体化させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明に係る放熱体によれば、鉄ニッケル系合金の粉末と高熱伝導材の粉末とを一体化することで形成されるので、構成材料が全て金属となる放熱体を確実に形成することができ、従って、全ての構成材料が金属となることで、加工性が良好になると共に、構成材料間の接合性も良好となり、かつ放熱体自体を軽量化することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明に係る放熱体によれば、鉄ニッケル系合金の粉末及び高熱伝導材の粉末の一体化によって形成したコア体と、これを挟着する金属板とで形成されるので、構成材料が全て金属となる放熱体を確実に形成することができ、従って、全ての構成材料が金属となることで、加工性が良好になると共に、構成材料間の接合性も良好となり、かつ放熱体自体を軽量化することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項８に係る発明は、請求項５〜７のいずれか記載の放熱体において、前記鉄ニッケル系合金は、放熱体における体積含有率が３０％以上であることを特徴とする。
この発明に係る放熱体によれば、体積含有率３０％以上であるので、熱伝導率を高めることができ、これにより、低熱膨張係数の特性を有する材質で形成されてあっても、良好な熱伝導を得ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
請求項２に係る発明によれば、鉄ニッケル系合金の粉末と高熱伝導材の粉末とを一体化してコア体を形成し、これを金属板で挟着して放熱体を形成するので、請求項１と同様、加工性が良好で構成材料間の接合性も良好となり、かつ放熱体自体の軽量化できる結果、熱伝導と放熱特性に優れた良好な放熱体を製造できる効果が得られる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
請求項４に係る発明によれば、ガス雰囲気中で焼結形成することで、高熱伝導材に付着する表面酸化膜が除去されるので、鉄ニッケル系合金と高熱伝導材とを確実かつ良好に一体化できるという効果が得られる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
請求項５に係る発明によれば、鉄ニッケル系合金の粉末及び高熱伝導材の粉末を一体化して形成するので、加工性が良好で、構成材料間の接合性も良好となり、かつ放熱体自体の軽量化できる結果、熱伝導と放熱特性に優れる効果が得られる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
請求項８に係る発明によれば、鉄ニッケル系合金は、放熱体における体積含有率が３０％以上であるので、良好な熱伝導を得ることができるという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、内面に電子源を有する背面基板と、前記前面基板と前記背面基板の間で前記表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持するための支持体と、
この支持体の端面と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ気密封着する封着部材と、ゲッターとを有する表示装置であって、
前記ゲッターを、前記支持体と、この支持体より内側で前記支持体と略平行に延在して配置された隔壁体との間に固定配置したことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記隔壁体は前記支持体と略同じ高さを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記隔壁体は前記ゲッター対向面が凹凸形状を呈することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ゲッターは分散ゲッターであることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の表示装置。
【請求項５】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、電子源を有する背面基板と、前記前面基板と前記背面基板の間で前記表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持するための支持体と、
この支持体の端面と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ気密封着する封着部材と、ゲッターとを有する表示装置であって、
前記ゲッターを前記支持体と前記制御電極間に配置すると共に、前記支持体と前記制御電極間に前記他方向に延在して前記陰極配線を覆う絶縁膜を配置したことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記ゲッターは分散ゲッターであることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中枢神経系（ＣＮＳ）腫瘍の増殖のおそれがある哺乳類の対象者に有効な用量のＣＮＳ腫瘍抑制メチロール転移薬剤を投与することを含む、哺乳類でＣＮＳの腫瘍を治療する方法。
【請求項２】
前記薬剤がタウロリジン、タウラルタムまたはその混合物である請求項１の方法。
【請求項３】
前記薬剤が、注射または輸液によって投与される請求項１の方法。
【請求項４】
前記薬剤が、微量透析を用いる消息子によって局所的に投与される請求項１の方法。
【請求項５】
前記消息子が、ニューロナビゲーション、ＭＲＩガイダンス、または超音波ガイダンスを用いて配置される請求項４の方法。
【請求項６】
前記薬剤の投与と同じ操作時に腫瘍から診断用生検材料が採取される請求項４の方法。
【請求項７】
前記消息子によって前記腫瘍領域から体液を入手する請求項４の方法。
【請求項８】
前記薬剤が、埋め込まれたカテーテルによって投与される請求項１の方法。
【請求項９】
前記薬剤が、摘出腫瘍領域の灌注によって局所的に投与される請求項１の方法。
【請求項１０】
前記薬剤が、１日当たり約５０−５００ｍｇ／ｋｇの用量範囲で静脈内に投与される請求項１の方法。
【請求項１１】
前記薬剤が、前記薬剤の等張溶液の投与によって局所的に投与される請求項１の方法。
【請求項１２】
前記腫瘍が神経膠腫、神経膠芽腫、星状細胞腫、上衣細胞腫、神経叢癌腫、神経叢乳頭腫、髄芽腫、神経芽腫、神経節膠腫、神経節細胞腫、松果体芽腫、悪性髄膜腫、大脳神経膠腫症、松果体の奇形腫、網膜芽腫および混合細胞性腫瘍から選ばれる請求項１の方法。
【請求項１３】
前記哺乳動物に細胞毒性抗新形成薬剤、アルキル化剤または腫瘍代謝薬剤をさらに投与することを含む請求項１の方法。
【請求項１４】
インターロイキン−１、インターロイキン−２またはインターフェロンをさらに投与することを含む請求項１の方法。
【請求項１５】
さらに、前記哺乳類の腫瘍腔内に適用したマトリックスに前記薬剤を投与することを含む請求項１の方法。
【請求項１６】
前記薬剤がタウラルタム−グルコースである請求項１の方法。
【請求項１７】
中枢神経系腫瘍増殖のおそれがある哺乳類に投与するための、メチロール転移薬剤と、少なくとも１つの抗新形成薬剤、免疫調節剤または中枢神経系腫瘍代謝薬剤とを含む医薬組成物。
【請求項１８】
前記薬剤がタウロリジン、タウラルタムまたはその混合物である請求項１７の組成物。
【請求項１９】
前記薬剤がタウラルタム−グルコースである請求項１７の組成物。
【請求項２０】
腫瘍抑制メチロール転移薬剤および５−フルオロウラシル（５−ＦＵ）を含む、抗新形成医薬の組み合わせ。
【請求項２１】
前記薬剤がタウロリジン、タウラルタム、またはこれらの混合物である、請求項２０の医薬の組み合わせ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に剥離層、中間層および感熱転写層を有し、該感熱転写層が着色剤と複数のポリエステル樹脂とを含むことを特徴とする感熱転写記録媒体。
【請求項２】
感熱転写層中の複数のポリエステル樹脂が、第１のポリエステル樹脂と、該第１のポリエステル樹脂より数平均分子量の大きい第２のポリエステル樹脂である請求項１記載の感熱転写記録媒体。
【請求項３】
第１のポリエステル樹脂の数平均分子量が１，５００〜５，０００であり、第２のポリエステル樹脂の数平均分子量が５，０００〜８，０００である請求項２記載の感熱転写記録媒体。
【請求項４】
第１のポリエステル樹脂と第２のポリエステル樹脂との重量比が、９：１〜１：９である請求項２または３記載の感熱転写記録媒体。
【請求項５】
複数のポリエステル樹脂のそれぞれのガラス転移点が、４０℃以上である請求項１〜４のいずれかに記載の感熱転写記録媒体。
【請求項６】
さらに、金属蒸着層を中間層と感熱転写層との間に有する請求項１〜５のいずれかに記載の感熱転写記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
［基材］
本発明において使用される基材としては、ポリスルホンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなポリエステルフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、トリアセテートフィルム、コンデンサー紙、グラシン紙のような薄葉紙等が挙げられる。特に、ポリエステルフィルムが、価格、機械的強度、寸法安定性、耐熱性等の見地から好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の感熱転写記録媒体は、基材上に、剥離層、中間層、金属蒸着層および感熱接着層を有し、この感熱接着層が複数のポリエステル樹脂を含むことを特徴とする。この感熱記録媒体によれば、金属色の転写パターンを形成することができる。ここで、基材、剥離層および中間層は上述したものと同じものを使用することができる。ただし、ここでの中間層は上述した場合と異なり、熱転写時に、剥離層中のワックス等が金属蒸着層に移行するのを防止するため、剥離層と金属蒸着層との中間に設けるものであると共に、ワックス等を含有する剥離層の上に直接金属を蒸着することができないために、金属蒸着層をつなぎ止めておくために設ける層としての役割も果たす。以下、その他の層について説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
［比較例７］
実施例１と同様にして、耐熱保護層、剥離層を形成した。次に、下記組成９の溶液を塗布量１．８ｇ／ｍ２で塗布して感熱転写層を形成し、感熱転写記録媒体を製造した。
（組成９）
メチルエチルケトン                                  １５０重量部
エリーテルＵＥ３３８０                            １２．５重量部
（ポリエステル樹脂、数平均分子量８，０００、ガラス転移点６０℃、ユニチカ製）
エリーテル試作品Ｂ                                １２．５重量部
（ポリエステル樹脂、数平均分子量２，０００、ガラス転移点３０℃、ユニチカ製）
ＭＡ−８（カーボンブラック、三菱化成製）              ２５重量部
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、巻き替え機や裁断機に適用され、巻芯へのフイルムの巻き付け方法および装置に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本体部１２４の側部には、スライドベース１４８が長尺フイルム２４の幅方向に進退自在に配置されるとともに、このスライドベース１４８上にプーリ１５０が配置される。このプーリ１５０にベルト１５２を介してアーム１５４が揺動可能に支持されており、このアーム１５４の上部にライダローラ１５６が回転自在に支持される。第１および第２揺動アーム１３６、１４２の間には製品３０ａを払い出すためのコンベア１５８が配設されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2001010751.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子装置をケースに収納する電子装置の収納方法において、
前記ケース内面に、収納する電子装置の外形形状に対応した複数の係止部が設けられ、前記ケースはカバーにより覆われ、前記ケースを覆うカバーにも前記ケースの係止部に対応した係止部が設けられており、前記ケースに設けられた係止部間或いは前記カバーに設けられた係止部間に電子装置を位置させて、前記ケース内に電子装置を収納することを特徴とする電子装置の収納方法。
【請求項２】
前記カバーに設けられる系止部は、ケース内面に設けられる係止部の形状とは異なる形状の係止部であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置の収納方法。
【請求項３】
前記係止部をケースの対向する側面に夫々設けることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子装置の収納方法。
【請求項４】
前記係止部をケースの底面と前記カバーとに夫々設けることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の電子装置の収納方法。
【請求項５】
夫々の前記係止部が単数或いは複数の凸部によって構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の電子装置の収納方法。
【請求項６】
ケースに収納した複数の電子装置を運搬する電子装置の運搬方法において、
前記ケース内面に、収納する電子装置の外形形状に対応した複数の係止部が設けられており、前記ケースはカバーにより覆われ、前記ケースを覆うカバーにも前記ケースの係止部に対応した係止部が設けられており、前記ケースに設けられた係止部間或いは前記カバーに設けられた係止部間に電子装置を位置させて、
前記ケース内に電子装置を収納し、この状態で電子装置を運搬することを特徴とする電子装置の運搬方法。
【請求項７】
前記カバーに設けられる系止部は、ケース内面に設けられる係止部の形状とは異なる形状の係止部であることを特徴とする請求項６に記載の電子装置の運搬方法。
【請求項８】
前記係止部をケースの対向する側面に夫々設けることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の電子装置の運搬方法。
【請求項９】
前記係止部をケースの底面と前記カバーとに夫々設けることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の電子装置の運搬方法。
【請求項１０】
夫々の前記係止部が単数或いは複数の凸部によって構成されていることを特徴とする請求項６乃至請求項９の何れか一項に記載の電子装置の運搬方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
複数の電子装置をケースに収納する電子装置の収納方法に関して、前記ケース内面に、収納する電子装置の外形形状に対応した複数の係止部を設け、前記ケースを覆うカバーにも前記ケースの係止部に対応した係止部を設け、前記ケースに設けられた係止部間或いは前記カバーに設けられた係止部間に電子装置を位置させて、前記ケース内に電子装置を収納する。更に、この収納状態で電子装置の運搬を行なう。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録再生可能な情報媒体に所定フォーマットのデータ形式で静止画を含む映像情報を記録するものにおいて、
静止画を連続して取り込む静止画連続取込モードを指定するモード指定手段と；
１以上の静止画情報を含む映像情報を受信する映像情報受信手段と；
前記モード指定手段により前記静止画連続取込モードが指定されると、前記映像情報受信手段で受信された前記映像情報の映像内容をチェックし、この映像内容に変化が生じたらその変化を検知する映像変化検知手段と；
前記映像変化検知手段が変化を検知した映像内容に相当する１フレームまたは１フィールドの静止画情報を、ＭＰＥＧのＩピクチャにエンコードするエンコード手段と；
前記エンコード手段でエンコードされたＩピクチャを含むデジタル情報を、前記所定フォーマットのデータ形式に変換するデータ形式変換手段と；
複数の前記静止画を、静止画グループ毎にまとめる管理情報を作成する管理情報作成手段と
を具備したことを特徴とするデジタル映像情報装置。
【請求項２】
記録再生可能な情報媒体に所定フォーマットのデータ形式で静止画を含む映像情報を記録するものにおいて、
静止画を連続して取り込む静止画連続取込モードを指定するモード指定手段と；
１以上の静止画情報を含む映像情報を受信する映像情報受信手段と；
前記モード指定手段により前記静止画連続取込モードが指定されると、前記映像情報受信手段で受信された前記映像情報の映像内容をチェックし、この映像内容に変化が生じたらその変化を検知する映像変化検知手段と；
前記映像変化検知手段が映像内容変化を検知した後、前記映像情報に含まれる映像フレームが指定フレーム数分経過したかどうかをチェックし、指定フレーム数分経過したらこのフレーム経過を検知する指定フレーム経過検知手段と；
前記指定フレーム経過検知手段が指定フレーム数経過を検知したときの映像内容に相当する１フレームまたは１フィールドの静止画情報を、ＭＰＥＧのＩピクチャにエンコードするエンコード手段と；
前記エンコード手段でエンコードされたＩピクチャを含むデジタル情報を、前記所定フォーマットのデータ形式に変換するデータ形式変換手段と；
複数の前記静止画を、静止画グループ毎にまとめる管理情報を作成する管理情報作成手段と
を具備したことを特徴とするデジタル映像情報装置。
【請求項３】
記録再生可能な情報媒体に所定フォーマットのデータ形式で静止画を含む映像情報を記録するものにおいて、
静止画を連続して取り込む静止画連続取込モードを指定するモード指定手段と；
１以上の静止画情報を含む映像情報を受信する映像情報受信手段と；
前記モード指定手段により前記静止画連続取込モードが指定されると、前記映像情報受信手段で受信された前記映像情報の映像内容をチェックし、この映像内容に変化が生じたらその変化を検知する映像変化検知手段と；
前記映像変化検知手段が映像内容変化を検知した後、前記映像情報に含まれる同じ内容の映像フレームが所定数連続したかどうかをチェックし、同じ内容の映像フレームが所定数連続したら同一フレーム連続を検知する同一フレーム連続検知手段と；
前記同一フレーム連続検知手段が同一フレーム連続を検知したときの映像内容に相当する１フレームまたは１フィールドの静止画情報を、ＭＰＥＧのＩピクチャにエンコードするエンコード手段と；
前記エンコード手段でエンコードされたＩピクチャを含むデジタル情報を、前記所定フォーマットのデータ形式に変換するデータ形式変換手段と；
複数の前記静止画を、静止画グループ毎にまとめる管理情報を作成する管理情報作成手段と
を具備したことを特徴とするデジタル映像情報装置。
【請求項４】
日時データを入力するキー入力部と、前記キー入力部で入力された日時データを記録日時の管理情報として設定する記録日時設定部とをさらに具備したことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記変換手段で変換されたデータ形式の情報を前記情報媒体に記録する記録手段をさらに具備したことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記情報媒体から記録情報を再生する再生手段をさらに具備したことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
記録再生可能な情報媒体に所定フォーマットのデータ形式で静止画を含む映像情報を記録する方法において、
静止画を連続して取り込む静止画連続取込モードを指定し；
１以上の静止画情報を含む映像情報を受信し；
前記静止画連続取込モードが指定されると、受信された前記映像情報の映像内容をチェックして、この映像内容に変化が生じたらその変化を検知し；
前記変化を検知した前記映像内容に相当する１フレームまたは１フィールドの静止画情報を、ＭＰＥＧのＩピクチャにエンコードし；
前記エンコードされたＩピクチャを含むデジタル情報を、前記所定フォーマットのデータ形式に変換し；
複数の前記静止画を、静止画グループ毎にまとめる管理情報を作成するように構成した
ことを特徴とする複数静止画記録方法。
【請求項８】
前記情報媒体の前記データ記録エリアに連続して記録された前記複数静止画の枚数が前記静止画グループの設定において定められた前記所定枚数に達したときに、前記連続記録された複数静止画に関する情報を、前記管理情報に登録することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記情報媒体の前記データ記録エリアに連続して記録された前記複数静止画の記録時間が変化したときに、前記連続記録された複数静止画に関する情報を、前記管理情報に登録することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記情報媒体の前記データ記録エリアに連続して記録された前記複数静止画の記録時間が所定の時間に達したときに、前記連続記録された複数静止画に関する情報を、前記管理情報に登録することを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記情報媒体の前記データ記録エリアに対する前記複数静止画の連続記録がユーザ操作により切り替えられたときに、前記連続記録された複数静止画に関する情報を、前記管理情報に登録することを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記情報媒体の前記データ記録エリアに記録される前記複数静止画のソースの属性が変化したときに、前記連続記録された複数静止画に関する情報を、前記管理情報に登録することを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  請求項７に記載のデジタルカメラにおいて、該デジタルカメラは、前記二次電池を充電する充電回路を含み、該二次電池を該充電回路および前記アダプタ接続手段を介した充電用アダプタのいずれかから選択的に充電させる第2の切替え手段を含むことを特徴とするデジタルカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
ところで、デジタルカメラ100とパーソナルコンピュータ200がカメラインタフェース部150およびパーソナルコンピュータインタフェース部250により接続されていて、画像データの転送等が行われず、いわゆるスタンバイ状態にあると、パーソナルコンピュータ200からの制御信号311によりカメラ100側の中央処理装置106は、スタンバイ状態にあることを認識する。そこで中央処理装置106は、充電回路140への電源回路115からの給電を行ない、DC/DCコンバータ109への給電を行なわないようにさせる制御信号307を電源回路115へ出力する。これによって、電源回路115からの出力117は充電回路140にのみ供給される。中央処理装置106はまた、充電指示信号306を充電回路140のスイッチ141に送出し、スイッチ141は、これに応動して充電回路140の出力185を二次電池である内部電源112に接続する。これによって内部電源112は、パーソナルコンピュータ200からの給電により充電される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、この動作説明では、メモリ105に蓄積されている画像データをパーソナルコンピュータ200に返送する例であったが、たとえばCCD撮像素子102を駆動して撮像し、その画像データをCCD撮像素子102から直接読み出してパーソナルコンピュータ200へ転送する動作モードで動作することもできる。その場合も、パーソナルコンピュータ200が接続されている限り、切替え回路110の接続が電源回路115の側に選択され、デジタルカメラ100の各部は、パーソナルコンピュータ200の電源供給回路215から給電を受けることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月13日(2004.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と該電子部品を装着する回路形成体との間にて少なくとも上記電子部品に対応して配置され、かつ上記電子部品を上記回路形成体に装着するとき上記電子部品と上記回路形成体とを接合する電子部品接合用シートであって、
上記回路形成体又は上記電子部品に形成され上記電子部品と上記回路形成体との上記装着のときの位置合わせに使用される認識用パターンに対応して形成され、かつ上記回路形成体又は上記電子部品上に当該電子部品接合用シートを載置したとき上記認識用パターンを露出させ該認識用パターンの検出を可能とする検出用窓を備えたことを特徴とする電子部品接合用シート。
【請求項２】
上記認識用パターンは、上記回路形成体上に形成されている位置合わせ用マークである、請求項１記載の電子部品接合用シート。
【請求項３】
上記認識用パターンは、上記電子部品の電極に対応して上記回路形成体上に形成されている電極部である、請求項１又は２記載の電子部品接合用シート。
【請求項４】
上記認識用パターンは、上記回路形成体上に形成されている配線である、請求項１から３のいずれかに記載の電子部品接合用シート。
【請求項５】
請求項１記載の電子部品接合用シートに備わる上記検出用窓を上記回路形成体又は上記電子部品上に形成されている上記認識用パターンに対応させた状態で上記回路形成体又は上記電子部品上に載置された上記電子部品接合用シートの上記検出用窓を通して、露出している上記認識用パターンを検出し、
該検出にて得た検出情報に基いて上記回路形成体と上記電子部品との位置合わせを行った後、上記回路形成体と上記電子部品との接合を行なう、
ことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項６】
請求項１記載の電子部品接合用シートに備わる上記検出用窓を上記回路形成体又は上記電子部品上に形成されている上記認識用パターンに対応させた状態で上記回路形成体又は上記電子部品上に載置された上記電子部品接合用シートの上記検出用窓を通して、露出している上記認識用パターンを検出する検出装置と、
上記検出装置から得た検出情報に基いて上記回路形成体と上記電子部品との位置合わせを行い上記回路形成体と上記電子部品との接合を行なう接合装置と、
を備えたことを特徴とする電子部品実装装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背景から対象の画像を区別する方法であって、
背景画像を形成するために、複数の背景を走査するステップと、
前記背景画像それぞれの特徴を抽出するステップと、
前記背景画像それぞれの前記特徴をメモリにセーブするステップと、
前記対象の画像と、前記複数の背景画像のうちの１つの少なくとも一部の画像とを含む複合画像を走査するステップと、
前記複合画像の特徴を抽出するステップと、
前記複合画像の前記特徴と、前記メモリ内の前記背景画像のうちの１つの前記特徴とを比較し、相関をとるステップと、
前記メモリ内の前記背景画像のうちの１つの特徴と一致する特徴を有する前記複合画像の部分を削除するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記背景画像それぞれの特徴を抽出するステップはさらに、前記背景画像それぞれのエッジを検出するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複合画像の特徴を抽出するステップはさらに、前記複合画像のエッジを検出するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複合画像の前記特徴と、前記メモリ内の前記背景画像のうちの１つの前記特徴とを比較し、相関をとるステップの前に、前記背景画像のうちの１つを少なくとも１次元に変換するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記背景画像のうちの少なくとも１つをメモリにセーブするステップをさらに含む請求項１に記載の方法。