Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なった特性を有する部分を備えるカテーテルを製造するための方法において、
挿入可能なカテーテル先端部とカテーテル本体部とを区画するように形成された成形型内に少なくとも二つの異なった流動性のカテーテル材料を射出する段階と、
その後に前記カテーテル材料を前記成形型内で凝固する段階とを有する、カテーテルを製造するための方法。
【請求項２】
前記カテーテル材料は、一つよりも多くの射出サイクルで前記成形型内に射出される、請求項１に記載のカテーテルを製造する方法。
【請求項３】
前記特性における差異は、凝固後の前記カテーテル材料の柔軟性に関するものである、請求項１または請求項２に記載のカテーテルを製造するための方法。
【請求項４】
前記特性の差異は、前記カテーテル材料の色に関するものである、請求項１から請求項３のいずれか一つの請求項に記載のカテーテルを製造するための方法。
【請求項５】
前記特性の差異は、前記カテーテル材料の強度に関するものである、請求項１から請求項４のいずれか一つの請求項に記載のカテーテルを製造するための方法。
【請求項６】
前記特性の差異は、凝固後の前記カテーテル材料の滑り性に関するものである、請求項１から請求項５のいずれか一つの請求項に記載のカテーテルを製造するための方法。
【請求項７】
前記特性の差異は、凝固された前記カテーテル材料が液状物質を吸収する能力に関するものである、請求項１から請求項６のいずれか一つの請求項に記載のカテーテルを製造するための方法。
【請求項８】
請求項１の方法により得られる、射出成形されるカテーテル。
【請求項９】
前記カテーテルの本体部は第一の半径方向の大きさを有し、前記先端部は、前記第一の半径方向の大きさよりも大きな第二の半径方向の大きさを有する中間部分を備える、請求項８に記載のカテーテル。
【請求項１０】
体腔から前記カテーテル内へ体液を排出するために、前記先端部の前記中間部分と前記カテーテル本体部との間に、少なくとも一つの開口部を有する、請求項９に記載のカテーテル。
【請求項１１】
前記先端部は、前記第二の半径方向の大きさよりも小さな第三の半径方向の大きさを有する狭い部分を備え、前記カテーテルは、体腔から前記カテーテル内へ体液を排出するために、前記狭い部分と前記中間部分との間に少なくとも一つの開口部を有する、請求項９または請求項１０に記載のカテーテル。
【請求項１２】
少なくとも一つの前記カテーテル材料は親水性重合体材料である、請求項８から請求項１１のいずれか一つの請求項に記載のカテーテル。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
体腔からの排液のためのカテーテルを準備するためのキットであって、該キットが、通路を中に形成する少なくとも二つのカテーテル部分を具備しており、該少なくとも二つのカテーテル部分が、第一共同構造形と第二共同構造形とに配置されるようにされていて、前記第一共同構造形において、通路が一つの通路になるように接合されて、少なくとも二つのカテーテル部分が、各個々のカテーテル部分の長さより長いカテーテルであってカテーテル部分のうちの少なくとも一つの操作によってカテーテルが操作可能になるような剛性を有するカテーテルを共同して構成し、前記第二共同構造形において、キットが、カテーテル部分が第一共同構造形に配置されているときよりも短いものである、体腔からの排液のためのカテーテルを準備するためのキット。
【請求項２】
カテーテル部分の少なくとも二つが、一つの管状部材に含まれて、前記カテーテル部分が管状部材の構造的遷移により分けられるところの、請求項１に記載のキット。
【請求項３】
少なくとも一つの構造的遷移が、カテーテルの隣接する二つの部分の間に屈曲可能な帯域を形成するところの、請求項１又は２に記載のキット。
【請求項４】
屈曲可能な帯域が、管状部材の一部により形成され、前記管状部材の一部が、管状部材の他の部分とは異なる曲げモーメントを有するところの、請求項３に記載のキット。
【請求項５】
屈曲可能な帯域が、管状部材のベローズ形部分により形成されるところの、請求項３又は４に記載のキット。
【請求項６】
一つのカテーテル部分が他の一つ以上のカテーテル部分の周囲で包まれることを可能にするように、少なくとも一つの構造的遷移が、一つのカテーテル部分の内側が裏返しにされることをできるようにする、請求項２に記載のキット。
【請求項７】
少なくとも二つのカテーテル部分が、接続手段により接合される一対の別個のカテーテル部分に分けられるところの、請求項１〜６のいずれか一項に記載のキット。
【請求項８】
接続手段が、カテーテル部分の中の少なくとも一つの操作を他のカテーテル部分の中の一つの操作により可能にさせる剛性を備えるところの、請求項７に記載のキット。
【請求項９】
接続手段が伸縮式継手を形成するところの、請求項７〜８のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１０】
カテーテル部分の第一部分の少なくとも一部が、第二共同構造形の際にカテーテル部分の第二部分に取り囲まれるところの、請求項９に記載のキット。
【請求項１１】
伸縮式継手が、カテーテル第一部分の近位端部と管状保護部材の内壁との間に生じるほぼ環状で縦方向に延在するキャビティの近位端に液体封止シールを形成するところの、請求項９又は１０に記載のキット。
【請求項１２】
親水性カテーテル表面のための液状膨潤媒体が前記環状キャビティ内に備えられるところの、請求項１１に記載のキット。
【請求項１３】
カテーテル部分の少なくとも一つが、カテーテル部分の少なくとも一つの表面の少なくとも一部に親水性表面を備え、前記親水性表面が、カテーテルの使用前に液状膨潤媒体を使った処理によりカテーテルの前記一部に低摩擦特性を提供することが意図されているところの、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１４】
カテーテル部分が、第二共同構造形でパッケージ内に配置されるところの、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１５】
パッケージがカテーテル部分の少なくとも一つにより少なくとも部分的に形成されるところの、請求項１４に記載のキット。
【請求項１６】
パッケージが、親水性表面部分の処理に対して十分な量の液状膨潤媒体を含んで、前記表面部分に低摩擦表面を提供するところの、請求項１４又は１５に記載のキット。
【請求項１７】
カテーテル部分の少なくとも一つが、潤滑剤で被覆されるところの、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１８】
体液を排出するための屈曲可能なカテーテルであって：
尿を排出するための第一導管を形成する内部断面形状と大きさとをもっていて、挿入端と排出端とを有している可撓性の細長い管と；
前記管の屈曲中の潰れに対抗して前記管を支持するように第一導管の中に導入されていて、曲がることを可能にする可撓性を有している支持部材と；を具備する屈曲可能なカテーテル。
【請求項１９】
人の膀胱から排液するためのカテーテルを準備するためのキットであって、該キットが少なくとも二つのカテーテル部分を具備しており、該カテーテル部分がその中に縦に延在する通路を形成していて、該カテーテル部分が、該カテーテル部分の近位の第一部分を取り囲む管状保護部材と共に延在する方式で配置されていて、キットがカテーテル第一部分及び第二部分を相互接続するための継手を具備していて、継手が、液体をほぼ封止するシールをカテーテル第一部分の近位端部と管状保護部材の内壁との間に生じるほぼ環状で縦方向に延在するキャビティの遠位端に形成していて、管状保護部材が継手及び/又はカテーテル第二部分に取り外し可能に結合されており、その結果、管状保護部材が取り外されたときカテーテル第一部分の近位端部が露出されて人の尿道の中への挿入の準備が整う、カテーテルを準備するためのキット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンドル部分と、
第１耳と、第２耳と、前記耳を貫いて形成された、ラチェット機構を受け入れるための孔とを有するヘッド部分と、
そこに形成された孔と、前記孔の円周に沿って形成された歯とを有し、前記１対の耳の間に配置されたヨークと、
上方表面と、下方表面と、前記下方表面から延びている駆動スクエアと、その端部に形成された歯を有する少なくとも１つのつめとを有している前記ラチェット機構と、
前記ラチェット機構を前記ヘッド部分の前記耳の一方に隣接して外部で係合させる機械式留め具と、
前記ヘッドに隣接した少なくとも１つの磨耗ワッシャと、
少なくとも１つの張力付加手段を含み、
前記機械式留め具が前記ラチェット機構を前記ヘッド部分内に保持し、
前記少なくとも１つの張力付加手段が、コイル・スプリングと前記コイル・スプリングと接続した摩擦装置を含んで構成されるラチェット・レンチ。
【請求項２】
前記摩擦装置がボールで構成される、請求項１に記載のラチェット・レンチ。
【請求項３】
前記摩擦装置が円筒形プランジャで構成される、請求項１に記載のラチェット・レンチ。
【請求項４】
ハンドルと、
第１耳と、第２耳と、これらの耳を貫いて形成された、ラチェット機構を受け入れるための孔とを有するヘッドと、
そこに形成された孔と、孔の円周に沿って形成された歯とを有し、前記耳の間に配置されたヨークと、
上方表面と、ミッドラインと、下方表面と、下方表面から垂直に延びている駆動スクエアとを有している、前記ラチェット機構と、
前記ラチェット機構を前記ヘッド内に保持する手段を含み、前記手段が、前記第１及び第２耳の外部で前記ラチェット機構に係合するように適合された第１及び第２スナップ・リングを含んでおり、
前記第１及び第２スナップ・リングが、前記第１及び第２耳が外に向かって広がるのを防ぎ、
さらに、ラチェット機構を保持手段に逆らって偏倚させる手段と、
前記ラチェット機構と接続した少なくとも１つの交換可能な磨耗ワッシャとを含むラチェット・レンチ。
【請求項５】
ハンドルと、
第１耳と、第２耳と、これらの耳を貫いて形成された、ラチェット機構を受け入れるための孔とを有するヘッドと、
そこに形成された孔と、孔の円周に沿って形成された歯とを有し、前記耳の間に配置されたヨークと、
上方表面と、ミッドラインと、下方表面と、下方表面から延びている駆動スクエアと、前記ラチェット機構と接続し、その端部に形成された歯を有する少なくとも１つのつめとを有している、前記ラチェット機構と、
前記ラチェット機構を前記ヘッド内に保持する手段であって、前記ラチェット機構を前記第１耳の外部に係合させる第１機械式留め具と、前記ラチェット機構を前記第２耳の外部に係合させる第２機械式留め具とを含む保持手段と、
保持手段に逆らってラチェット機構に張力を加える手段とを含み、
前記第１及び第２機械式留め具が、前記ラチェット機構を前記ヘッドの前記耳のそれぞれの外部に係合させるスナップ・リングであるラチェット・レンチ。
【請求項６】
ハンドル部分と、
第１耳と、第２耳と、前記耳を貫いて形成された、ラチェット機構を受け入れるための孔とを有するヘッド部分と、
そこに形成された孔と、前記孔の円周に沿って形成された歯とを有し、前記耳の間に配置されたヨークと、
上方表面と、ミッドラインと、下方表面と、前記下方表面から垂直に延びている駆動スクエアと、前記ラチェット機構と接続し、その端部に形成された歯を有する少なくとも１つのつめとを有している、前記ラチェット機構と、
前記ラチェット機構を前記ヘッド内に保持する手段であって、前記ヘッドの外部にある手段と、
前記ヘッドに隣接した少なくとも１つの磨耗ワッシャであって、前記ラチェット機構の回転に連動して回転しないように適合された磨耗ワッシャとを含むラチェット・レンチ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの磨耗ワッシャが、前記ヘッドの前記耳の少なくとも１つの外表面に隣接して配置される、請求項６に記載のラチェット・レンチ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの磨耗ワッシャが、前記ヘッドの前記耳の少なくとも１つの内表面に隣接して配置される、請求項６に記載のラチェット・レンチ。
【請求項９】
前記ヘッドの前記耳のそれぞれの外表面に隣接して配置された磨耗ワッシャと、前記ヘッドの前記耳の少なくとも１つの内表面に隣接した少なくとも１つの磨耗ワッシャとをさらに含む、請求項６に記載のラチェット・レンチ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの磨耗ワッシャが交換可能である、請求項６に記載のラチェット・レンチ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月24日(2003.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部を有する上昇管と、
底部と少なくとも１つの側面スロットとを有し、前記上昇管とキャップとの間の空間に液体流体および気体流体が同時に上向きに流れるように前記上昇管に対して設けられたキャップと、
前記空間に設けられ、前記上昇管の上部と前記キャップの底部との間で測定された距離の少なくとも５０％の長さに及ぶ仕切りとを含む、バブルキャップ。
【請求項２】
前記仕切りの長さは、前記上昇管の上部と前記キャップの底部との間の距離の少なくとも７０％である、請求項１に記載のバブルキャップ。
【請求項３】
前記仕切りの長さは、前記上昇管の上部と前記キャップの底部との間の距離の少なくとも９０％である、請求項１に記載のバブルキャップ。
【請求項４】
前記仕切りの長さは、前記上昇管の上部と前記キャップの底部との間の距離の１００％である、請求項１に記載のバブルキャップ。
【請求項５】
前記仕切りは、前記上昇管に取り付けられる、請求項１に記載のバブルキャップ。
【請求項６】
前記仕切りは、前記キャップに取り付けられる、請求項１に記載のバブルキャップ。
【請求項７】
前記仕切りは、前記上昇管と前記キャップの両方に取り付けられる、請求項１に記載のバブルキャップ。
【請求項８】
少なくとも２個の仕切りを有する、請求項１に記載のバブルキャップ。
【請求項９】
少なくとも３個の仕切りを有する、請求項１に記載のバブルキャップ。
【請求項１０】
少なくとも６個の仕切りを有する、請求項１に記載のバブルキャップ。
【請求項１１】
前記上昇管に取り付けられた回転ディレクタをさらに含む、請求項１に記載のバブルキャップ。
【請求項１２】
請求項１に記載のバブルキャップを複数含む、混合デバイス。
【請求項１３】
少なくとも１つのスロットを有するバブルキャップは、分配プレートに対して配置され、前記キャップの底部は、前記分配プレートから少なくとも１．５インチの位置に配置される、請求項１に記載のバブルキャップを有する混合デバイス。
【請求項１４】
少なくとも１つのスロットと、少なくとも１．５インチのスカート高さをキャップに与えるように構成された上昇管とを有するキャップを含み、前記上昇管と前記キャップとの間の空間に液体流体および気体流体が同時に上向きに流れるように前記キャップが設けられた、バブルキャップ。
【請求項１５】
前記スカート高さは、少なくとも２．５インチである、請求項１４に記載のバブルキャップ。
【請求項１６】
前記スカート高さは、少なくとも４インチである、請求項１４に記載のバブルキャップ。
【請求項１７】
前記キャップは、少なくとも３つのスロットを含む側面を有する、請求項１４に記載のバブルキャップ。
【請求項１８】
前記スロットの長さは、少なくとも２．５インチである、請求項１４に記載のバブルキャップ。
【請求項１９】
前記スロットの長さは、少なくとも３．５インチである、請求項１４に記載のバブルキャップ。
【請求項２０】
前記スロットの長さは、少なくとも５インチである、請求項１４に記載のバブルキャップ。
【請求項２１】
流れを再方向付けする複数のベーンと、
少なくとも１つの流体入口オリフィスを有する上側プレートと、
下側プレートと、
前記下側プレートの下に設けられた分配トレイとを含み、
前記上側プレート及び前記下側プレートは、流体がそれらの間の空間を通って外向きに流れ、前記上側プレート及び前記下側プレートと前記ベーンにより画定された流体出口オリフィスを介して放出されるように前記ベーンに対して設けられている、分配デバイス。
【請求項２２】
前記流れ再方向付けベーンは、山形タイプのベーンである、請求項２１に記載の分配デバイス。
【請求項２３】
前記分配トレイは、有孔プレートである、請求項２１に記載の分配デバイス。
【請求項２４】
前記分配トレイは、バブルキャップトレイである、請求項２１に記載の分配デバイス。
【請求項２５】
前記分配トレイは、上昇管トレイである、請求項２１に記載の分配デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材およびコーティングを含む疎油性フィルターであって、該基材がポリマーを含み、および該コーティングが該ポリマーと共有結合可能なフルオロスルホンオリゴマーを含み、
ここで該基材は、フルオロスルホンオリゴマーの該基材へのグラフトによって疎油性が与えられる、疎油性フィルター。
【請求項２】
前記ポリマーがポリアルキルスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリールスルホンおよびこれらの混合物からなる群から選択されるポリスルホンを含む、請求項１記載の疎油性フィルター。
【請求項３】
前記ポリマーが、ポリエチレン、ポリ(テトラフルオロエチレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン-コ-エチレン)、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリプロピレン、ナイロン、ポリウレタン、およびポリビニリデンフルオリドからなる群から選択される、請求項１の疎油性フィルター。
【請求項４】
前記基材が多孔性膜を有する、請求項１記載の疎油性フィルター。
【請求項５】
前記多孔性膜が等方性膜を含む、請求項４記載の疎油性フィルター。
【請求項６】
前記多孔性膜が異方性膜を含む、請求項４記載の疎油性フィルター。
【請求項７】
前記異方性膜が非対称膜を含む、請求項６記載の疎油性フィルター。
【請求項８】
前記非対称膜が、支持構造体、第１多孔性面および第２多孔性面を有し、各多孔性面がそれぞれ孔直径を有し、ここで第１多孔性面および第２多孔性面の孔直径の間の非対称性が少なくとも２：１である、請求項７記載の疎油性フィルター。
【請求項９】
第１多孔性面および第２多孔性面の孔直径の間の非対称性が少なくとも５：１である、請求項８記載の疎油性フィルター。
【請求項１０】
第１多孔性面および第２多孔性面の孔直径の間の非対称性が少なくとも１０：１である、請求項８記載の疎油性フィルター。
【請求項１１】
前記支持構造体が前記第２多孔性面に隣接する等方性領域を有し、該等方性領域が実質的に一定の孔サイズを有し、該支持構造体がさらに等方性領域に隣接する非対称領域を有する、請求項８記載の疎油性フィルター。
【請求項１２】
前記非対称領域が前記支持構造体の少なくとも５０％に通じて広がるが、しかし支持構造体の８５％を超えない、請求項８記載の疎油性フィルター。
【請求項１３】
前記第２多孔性面の孔の平均直径が０．０１μｍ〜５０μｍである、請求項８記載の疎油性フィルター。
【請求項１４】
前記第２多孔性面の孔の平均直径が０．０１μｍ〜１０μｍである、請求項８記載の疎油性フィルター。
【請求項１５】
前記第２多孔性面の孔の平均直径が０．０１μｍ未満である、請求項８記載の疎油性フィルター。
【請求項１６】
前記重合基材が、不織材料、織材料および溶融吹込材料からなる群から選択される材料を含む、請求項１記載の疎油性フィルター。
【請求項１７】
前記フルオロスルホンオリゴマーがポリフルオロスルホンアクリレートを含む、請求項１記載の疎油性フィルター。
【請求項１８】
さらに支持体を含み、前記基材が該支持体に結合される、請求項１記載の疎油性フィルター。
【請求項１９】
前記支持体がファブリックを含む、請求項１８記載の疎油性フィルター。
【請求項２０】
前記支持体が、ポリスルホン、ポリエチレン、ポリ(テトラフルオロエチレン)、ポリ(テトラフルオロエチレン-コ-エチレン)、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリプロピレン、ナイロンおよびポリウレタンからなる群から選択されるポリマーを含む、請求項１８記載の疎油性フィルター。
【請求項２１】
前記フルオロスルホンオリゴマーが、式：
【化１】
2004530536.tif 000001
［式中、ｎは５〜２０の整数であり、およびｍは２〜１０の整数である。］
の構造を有する、請求項１記載の疎油性フィルター。
【請求項２２】
重合基材を供する工程；
該基材と、フルオロスルホンオリゴマーを含むグラフト配合物とを接触させる工程；
フルオロスルホンオリゴマーを該基材にグラフトさせる工程；および
疎油性フィルターを回収する工程
を包含する、疎油性フィルターの製造方法。
【請求項２３】
さらに、
支持体を供する工程；および
前記基材と該支持体とを結合させる工程、
を包含する、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記基材と前記支持体とを結合させる工程が、基材とグラフト配合物とを接触させる前に行なわれる、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記基材と前記支持体とを結合させる工程が、基材とグラフト配合物とを接触させた後に行なわれる、請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
前記グラフト配合物がフルオロスルホンオリゴマー用の溶媒を含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２７】
前記溶媒が非極性溶媒を含む、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記溶媒が極性溶媒を含む、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記溶媒がイソプロピルアルコール、水またはそれらの混合物を含む、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記グラフト配合物がフルオロスルホンオリゴマー０．０５〜４０重量％を含む、請求項２２記載の方法。
【請求項３１】
前記グラフト配合物がフルオロスルホンオリゴマー０．１〜１０重量％を含む、請求項２２記載の方法。
【請求項３２】
前記グラフト配合物がフルオロスルホンオリゴマー０．５〜５重量％を含む、請求項２２記載の方法。
【請求項３３】
前記グラフト配合物がフルオロスルホンオリゴマー１〜２重量％を含む、請求項２２記載の方法。
【請求項３４】
前記グラフト工程が、コートされた基材を紫外線に曝す工程を包含する、請求項２２記載の方法。
【請求項３５】
医療デバイスであって、
該デバイスが疎油性フィルターを有し、該疎油性フィルターが基材およびコーティングを含み、該基材がポリマーを含み、および該コーティングが該ポリマーと共有結合可能なフルオロスルホンオリゴマーを含み、ここで該基材はオリゴマーの該基材へのグラフトによって疎油性が与えられる、医療デバイス。
【請求項３６】
前記疎油性フィルターが静脈注射流体ベントフィルターを含む、請求項３５記載の医療デバイス。
【請求項３７】
静脈注射流体のベント方法であって、該方法が：
静脈注射流体を供する工程；
容器を供する工程であって、該容器が静脈注射流体を含み、該容器がベントを有し、該ベントが基材およびコーティングを含む疎油性フィルターを有し、該基材がポリマーを含みおよび該コーティングが該ポリマーと共有結合可能なフルオロスルホンオリゴマーを含み、ここで該基材は、フルオロスルホンオリゴマーの該基材へのグラフトによって疎油性が与えられる；および
疎油性フィルターを通して流体をベントする工程、
を包含する、方法。
【請求項３８】
前記疎油性フィルターをスチーム滅菌する工程をさらに包含する、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
電離放射線を用いて疎油性フィルターを滅菌する工程をさらに包含する、請求項３７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体のバックサイドから延びる少なくとも１つのビアを有する基体；
前記ビア中に形成される電気コンタクト：および
前記基体上に形成される窒化ガリウム材料領域
を含む半導体構造物。
【請求項２】
前記電気コンタクトが前記基体のバックサイドから前記半導体構造物の伝導領域まで延びる、請求項１に記載の半導体構造物。
【請求項３】
前記電気コンタクトが前記基体のバックサイドから前記窒化ガリウム材料領域まで延びる、請求項２に記載の半導体構造物。
【請求項４】
さらに前記基体と前記窒化ガリウム材料領域との間に形成される非伝導層を含む、請求項１に記載の半導体構造物。
【請求項５】
前記ビアが前記非伝導層を通して形成され、前記電気コンタクトが前記非伝導層を通して延びる、請求項４に記載の半導体構造物。
【請求項６】
前記非伝導層が組成的に勾配をつけた遷移層を含む、請求項４に記載の半導体構造物。
【請求項７】
前記ビアが前記基体を通して形成され、前記電気コンタクトが前記基体を通して延びる、請求項１に記載の半導体構造物。
【請求項８】
前記電気コンタクトが前記基体のバックサイドから前記窒化ガリウム材料領域内の領域まで延びる、請求項１に記載の半導体構造物。
【請求項９】
前記電気コンタクトが前記基体のバックサイドから前記窒化ガリウム材料領域内に形成されるソース領域まで延びる、請求項１に記載の半導体構造物。
【請求項１０】
さらに前記半導体構造物のトップサイド上に形成されるトップサイド電気コンタクトを含む、請求項１に記載の半導体構造物。
【請求項１１】
前記半導体構造物が垂直伝導が可能である、請求項１に記載の半導体構造物。
【請求項１２】
前記窒化ガリウム材料領域が約０．００１μｍ／μｍ2未満のクラックレベルを有する、請求項１に記載の半導体構造物。
【請求項１３】
半導体デバイスが前記窒化ガリウム材料領域中に形成される、請求項１に記載の半導体構造物。
【請求項１４】
前記基体がシリコン基体を含む、請求項１に記載の半導体構造物。
【請求項１５】
シリコン基体のバックサイドから延びる少なくとも１つのビアを有するシリコン基体；および
前記シリコン基体上に形成される窒化ガリウム材料領域
を含む半導体構造物。
【請求項１６】
前記ビアがその中に形成される電気コンタクトを有しない、請求項１５に記載の半導体構造物。
【請求項１７】
前記ビアがその中に形成されるいかなる材料も有さない、請求項１５に記載の半導体構造物。
【請求項１８】
シリコン基体；および
前記シリコン基体上に形成される窒化ガリウム材料領域
を含み、垂直伝導が可能である垂直伝導半導体デバイス。
【請求項１９】
基体上に窒化ガリウム材料領域を形成し；
半導体構造物のバックサイドから延びるビアを形成し；そして
前記ビア内に電気コンタクトを形成する
ことを含む、半導体構造物を形成する方法。
【請求項２０】
前記基体がシリコン基体を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
シリコン基体上に窒化ガリウム材料領域を形成し；そして
半導体構造物のバックサイドから延びるビアを形成する
ことを含む、半導体構造物を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学電池のアノード缶であって、このアノード缶が０．１２７ミリメートル（０．００５０インチ）以下の厚さであり、銅層とステンレス鋼層とを含むこと、および銅層厚さのステンレス鋼厚さに対する比が少なくとも０．１０：１であることを特徴とするアノード缶。
【請求項２】
前記銅層厚さのステンレス鋼厚さに対する比が少なくとも０．１２：１である請求項１に記載のアノード缶。
【請求項３】
前記銅層厚さのステンレス鋼厚さに対する比が少なくとも０．１５：１である請求項１または２のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項４】
前記銅層厚さのステンレス鋼厚さに対する比が少なくとも０．１７：１である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項５】
前記銅層厚さのステンレス鋼厚さに対する比が少なくとも０．２０：１である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項６】
０．１０２ミリメートル（０．００４０インチ）以下の厚さである請求項１乃至５のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項７】
０．０６４ミリメートル（０．００２５インチ）以下の厚さである請求項１乃至６のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項８】
前記銅層が実質的に純銅から成る請求項１乃至７のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項９】
前記ステンレス鋼層が３０４ステンレス鋼を含む請求項１乃至８のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項１０】
前記ステンレス鋼層が実質的に３０４ステンレス鋼から成る請求項１乃至９のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項１１】
ニッケル層をさらに含む請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項１２】
ステンレス鋼層と銅層とを合わせた厚さ（a）のニッケル層厚さ（b）に対する比が約４９：１である請求項１１記載のアノード缶。
【請求項１３】
前記電気化学電池が金属空気電池である請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項１４】
前記金属空気電池が亜鉛空気電池である請求項１３に記載のアノード缶。
【請求項１５】
前記亜鉛空気電池がボタン電池である請求項１４に記載のアノード缶。
【請求項１６】
前記銅層が少なくとも０．０１０ミリメートルの厚さである請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のアノード缶。
【請求項１７】
電気化学電池のアノード缶であって、このアノード缶が０．００５０インチ以下の厚さであり、隣接する２層の銅層とステンレス鋼層とを含むこと、および銅層の２層を合わせた厚さのステンレス鋼層厚さに対する比が少なくとも０．１０：１であることを特徴とするアノード缶。
【請求項１８】
電気化学電池のアノード缶製造方法であって
（a）銅層をステンレス鋼層に付けて多層シートを形成し、ここで銅層厚さのステンレス鋼層厚さに対する比が少なくとも０．１０：１である工程と、
（b）前記多層シートからディスクを打ち抜く工程と、そして
（c）前記ディスクをアノード缶に延伸し、ここで延伸されたこのアノード缶厚さが０．１２７ミリメートル（０．００５０インチ）以下である工程とを含むことを特徴とする製造方法。
【請求項１９】
第２銅層を延伸された前記アノード缶の少なくとも一部に付けて、仕上げされたアノード缶を形成する工程をさらに含む請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２０】
仕上げされた前記アノード缶厚さが０．１２７ミリメートル（０．００５０インチ）以下である請求項１８または１９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２１】
第１および第２銅層を合わせた厚さ（a）のステンレス鋼層厚さ（b）に対する比が少なくとも０．１０：１である請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２２】
第１および第２銅層を合わせた厚さ（a）のステンレス鋼層厚さ（b）に対する比が少なくとも０．１５：１である請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２３】
第１および第２銅層を合わせた厚さ（a）のステンレス鋼層厚さ（b）に対する比が少なくとも０．２０：１である請求項２２に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターミナルにおいてコンテンツを機密裡にレンダリングするためのコンテンツデリバリーシステムであって、このシステムは、機密コンテンツサーバーからコンテンツのデリバリーを要求するように動作できる移動ターミナルを備え、上記サーバーは、上記要求において識別された上記コンテンツを、データベースに記憶された少なくとも１つのデリバリー条件に関連させるように動作でき、上記少なくとも１つのデリバリー条件は、レンダリング位置を定義し、上記サーバーは、更に、上記ターミナルの位置を得て、そのターミナルの位置が上記レンダリング位置に対応する場合に、上記ターミナルにコンテンツをデリバリーするよう動作できるコンテンツデリバリーシステム。
【請求項２】
上記移動ターミナルは、更に、上記機密コンテンツサーバーへのアクセスを与え且つ上記ターミナルの位置を決定するように動作できるネットワークへの接続を確立するように動作でき、上記サーバーは、上記ネットワークから上記ターミナルの位置を得るように動作できる請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
上記移動ターミナルは、更に、自分の位置を決定し且つネットワークへの接続を確立して機密コンテンツサーバーからのコンテンツのデリバリーを要求するように動作でき、上記ネットワークは、上記機密コンテンツサーバーへのアクセスを与えるように動作でき、上記サーバーは、上記ターミナルから上記ターミナルの位置を得るように動作できる請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
上記ネットワークは、上記ターミナルの位置を決定するように動作でき、上記サーバーが上記ネットワークからターミナルの位置を選択的に得るようにする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
上記移動ターミナルは、更に、アクセスポイントへの接続を確立して上記機密コンテンツサーバーからのコンテンツのデリバリーを要求するように動作でき、上記アクセスポイントは、上記機密コンテンツサーバーへのアクセスを与えるように動作でき、上記サーバーは、上記アクセスポイントから上記ターミナルの位置を得るように動作できる請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
上記移動ターミナルは、更に、自己の位置を決定するように動作できる請求項１または２または５に記載のシステム。
【請求項７】
上記アクセスポイントは、ネットワークを介して上記サーバーに接続される請求項５または６に記載のシステム。
【請求項８】
上記ネットワークは、ワイヤレスネットワークである請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
上記アクセスポイントは、上記ターミナルの位置を決定して上記サーバーが上記アクセスポイントから上記ターミナルの位置を選択的に得るように動作できる請求項５から８のうちのいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
上記ターミナルは、レンダリングマシンを含む請求項１から９のうちのいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１１】
上記コンテンツは、ネットワークを経て上記ターミナルへデリバリーされる請求項１から１０のうちのいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１２】
上記コンテンツは、上記データベースに記憶される請求項１から１１のうちのいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１３】
上記コンテンツは、条件をメタデータとして含む請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
上記データベースは、ネットワークを経てアクセスされる請求項１から１３のうちのいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１５】
電子的バウチャーは、上記移動ターミナルが上記機密コンテンツサーバーからのコンテンツのデリバリーを要求することができるようにする請求項１から１４のうちのいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１６】
上記ターミナルへの上記コンテンツのダリバリーの前に上記バウチャーの認証が行われる請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
上記コンテンツは、所定の条件が妥当である間のみ上記ターミナルによってレンダリングされる請求項１から１６のうちのいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１８】
上記所定の条件は、少なくとも位置の条件および時間の条件を含む請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
コンテンツに関連した少なくとも１つのデリバリー条件が記憶されたデータベースを含む機密コンテンツサーバーであって、このサーバーは、ターミナルからのコンテンツの要求に応答して、上記コンテンツのレンダリング位置を定義する上記少なくとも１つのデリバリー条件を上記データベースから決定するように動作でき、更に、上記サーバーは、上記ターミナルの位置を得て、そのターミナルの位置が上記レンダリング位置に対応する場合に、上記ターミナルにコンテンツをデリバリーするよう動作できる機密コンテンツサーバー。
【請求項２０】
上記コンテンツは、上記データベースに記憶される請求項１９に記載のサーバー。
【請求項２１】
上記コンテンツは、上記条件をメタデータとして含む請求項２０に記載のサーバー。
【請求項２２】
上記データベースは、ネットワークを経てアクセスされる請求項１９から２１のうちのいずれか１項に記載のサーバー。
【請求項２３】
ターミナルにおいてコンテンツを機密裡にレンダリングするためのコンテンツデリバリー方法であって、コンテンツをデリバリーするための要求をターミナルから受け取り、その要求において識別された上記コンテンツを、データベースに記憶された少なくとも１つのデリバリー条件に関連させ、上記少なくとも１つのデリバリー条件は、レンダリング位置を定義し、更に、上記ターミナルの位置を得て、そのターミナルの位置が上記レンダリング位置に対応する場合に、上記ターミナルに上記コンテンツをデリバリーするという段階を備えた方法。
【請求項２４】
コンピュータにロードされたときに実行するための実行可能なコードを備えたコンピュータプログラムであって、上記コンピュータが上記コードに基づいて、請求項２３に記載の方法を実行するように動作できるようにするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月7日(2003.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程（ａ）〜（ｇ）を含む、メモリセルアレイのビット線（４，４０）の製造方法。
（ａ）トランジスタ溝（１２）が表面に設けられている基板（１０）と、この基板（１０）の表面に備えられている格納媒体層列（２０）と、この格納媒体層列（２０）に配置されているゲート領域層（２２）とを含む層構造を構築する工程。
（ｂ）酸化物−窒化物−酸化物層列である上記格納媒体層（２０）に達するビット線溝（３０）を、上記ゲート領域層（２２）に設ける工程。
（ｃ）上記ビット線溝（３０）の側面に、絶縁間隔層（３６）を設ける工程。
（ｄ）上記ビット線溝（３０）の領域にある格納媒体層列（２０）を、完全に、または、部分的に除去する工程。
（ｅ）上記ビット線溝（３０）の領域に、ソース／ドレイン注入部（３８）を、設ける工程。
（ｆ）上記格納媒体層列（２０）が上記工程（ｄ）において完全に除去されていなかった場合、ビット線溝（３０）の領域にある上記格納媒体層列（２０）を完全に除去する工程。
（ｇ）金属性ビット線（４０）を設けるために、ソース／ドレイン注入の対象となる領域に、絶縁間隔層（３６）によりゲート領域層（３４）から絶縁されている金属被膜を設ける工程。
【請求項２】
上記金属性ビット線（４０）を、シリコン化物処理によって設ける、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記工程（ｃ）の前に、ビット線溝（３０）の領域における、トランジスタ溝（１２）のドープ型に相当するドープ型の注入部（３２）を基板に設ける、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
上記基板（１０）はシリコンからなり、上記ゲート領域層（２２）は多結晶シリコンからなる、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
上記工程（ｄ）の前に、ハードマスク層（２４）を上記ゲート領域層（２２）に設ける、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
請求項１に記載の工程（ａ）〜（ｇ）を実施し、かつ、以下の工程を含む、メモリセルアレイの製造方法。
（ｈ）金属性ビット線（４０）を設けた後、残余のビット線溝（３０）に絶縁物質（４２）を充填する工程。
（ｉ）上記ビット線（４，４０）に対してほぼ垂直であり、多数のゲート領域とそれぞれ接続されているワード線（２，４８）を設ける工程であって、上記ゲート領域を、ワード線（２，４８）を設ける際、ゲート領域層（２２）の残余部分を適切にパターン化することにより生成する、工程。
【請求項７】
上記工程（ｉ）が、以下の工程（ｉ１）〜（ｉ３）を含む、請求項６に記載の方法。
（ｉ１）多結晶層（４６）を全面に設ける工程。
（ｉ２）多結晶層（４６）にシリコン化物層（４８）を設ける工程。
（ｉ３）ゲート領域およびワード線を設けるために、シリコン化物層（４８）、多結晶層（４６）、およびゲート領域層（２２）を、パターン化する工程。
【請求項８】
ワード線を設けた後、基板上のワード線の間に、突き抜け防止注入部（５４）を設ける工程をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記工程（ｉ）の後、ワード線およびゲート領域の側面に、絶縁層を側方から設置する工程をさらに含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
上記工程（ｉ）の後、ワード線とゲート領域との間の中間領域を、絶縁物質で完全に充填する工程をさらに含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１１】
メモリセルアレイの製造と並行して、このメモリセルアレイの領域外に周辺トランジスタを設ける、請求項７〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
上記工程（ｉ）が以下の工程（ｉ１）〜（ｉ４）を含む、請求項６に記載の方法。
（ｉ１）多結晶層（４６）を全面に設置する工程。
（ｉ２）結果的にゲート領域を設けるような、多結晶層（４６）およびゲート領域層（２２）の残余部分を、ワード線のパターンに応じてパターン化する工程。
（ｉ３）多結晶層（４６）およびゲート領域層（２２）に、上記工程（ｉ２）において設ける溝を、絶縁物質（６０，６２，６６）で充填する工程。
（ｉ４）金属性ワード線を設けるために、ワード線パターンによりパターン化された多結晶層（４６）に、シリコン化物層（７０）を選択的に設けるシリコン化物処理を行う工程。
【請求項１３】
上記工程（ｉ２）において、周辺トランジスタのゲート領域を、メモリセルアレイの領域の外側にさらに設け、上記工程（ｉ３）において、このゲート領域の側面に、絶縁層（６０，６２，６４）を備え、上記工程（ｉ４）において、シリコン化物層（７０）を、ゲート領域上、および、周辺トランジスタのソース／ドレイン領域（７２）にさらに設ける、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記工程（ｉ２）の後に、周辺トランジスタのソース／ドレイン領域（５８，６８）を基板に注入する工程を含み、この注入工程の際に、多結晶層（４６）の残余部分を同時にドープする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
二次元配列に配置されており、基板に形成される電解効果トランジスタによって実現される多数のメモリセル（６）であって、それぞれのメモリセルが、酸化物−窒化物−酸化物層列である格納媒体層列（２０）と、この格納媒体層列（２０）上に配置されているゲート領域（３４）と備えている多数のメモリセル（６）と、
メモリセルアレーに関する第１方向に配置され、メモリセル（６）のゲート領域（３４）と電気的に接続されているワード線（２；４８；７０）と、
第１方向に対してほぼ垂直な第２方向において、メモリセル（６）の間に延長するビット線（４，４０）とを備えるメモリセルアレイであって、
上記ビット線（４；４０）は、メモリセルのソース／ドレイン領域（３８）に直接的に設けられる金属性構造により形成されており、このビット線（４；４０）の金属性構造と、メモリセルのゲート領域（３４；４６）との間に、絶縁手段（３６）が備えられており、
この絶縁手段（３６）が、ゲート領域（３４）の側面上に形成されている絶縁間隔層によって形成されており、この絶縁間隔層は、記憶セルの格納媒体層列（２０）上の、基板から離れた側部に配置されている、メモリセルアレー。
【請求項１６】
ビット線の金属性構造（４０）は、シリコン化物構造である、請求項１５に記載のメモリセルアレー。
【請求項１７】
上記基板（１０）はシリコンからなり、ゲート領域が、ポリシリコンにより構成されており、上記絶縁手段（３６）は、ゲート領域に側方から設けられている酸化物間隔層である、請求項１５または１６のいずれかに記載のメモリセルアレー。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月6日(2005.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的接続及び機械的連結の双方を確実にするバックルにおいて、
電気コネクタの多重ピン付き雄形部分と、
電気コネクタの前記雄形部分を収容して電気的接続を生ずる手段と、
前記多重ピン付き雄形部分及びこの多重ピン付き雄形部分を収容する手段のうちの一方を包囲し、挿入可能な第１保護ハウジングと、
多重ピン付き雄形部分を収容する手段及び前記多重ピン付き雄形部分のうちの一方を包囲する第２保護ハウジングであって、前記第１保護ハウジングを収容して機械的連結を生じるようにした第２保護ハウジングと
を具え、前記第１保護ハウジング及び第２の保護ハウジングには、バックルを迅速に着脱する少なくとも１個の迅速釈放機構を設けたことを特徴とするバックル。
【請求項２】
機械的連結は、前記第１及び第２の保護ハウジングのうちの一方の少なくとも１個の可撓性部分により構成し、この可撓性部分は挿入の際に押し下げ、前記第１及び第２の保護ハウジングのうちの他方に設けた少なくとも１個の開口に整列する際にほぼ元の位置に復帰し、前記可撓性部分及び前記開口が前記連結を生ずるようにした請求項１記載のバックル。
【請求項３】
前記第１保護ハウジング及び第２の保護ハウジングには、更に、多重ピン付き雄形部分及びこの多重ピン付き雄形部分を収容する手段の周囲を接続時に保護シールを生ずるシール手段を設けた請求項１記載のバックル。
【請求項４】
前記シール手段は、シールカップにより構成した請求項３記載のバックル。
【請求項５】
前記第１保護ハウジング及び第２の保護ハウジングのうちの少なくとも一方に、多重ピン付き雄形部分及びこの多重ピン付き雄形部分を収容する手段の少なくとも一方の周囲を非接続時に保護シールを生ずるシール手段を設けた請求項１記載のバックル。
【請求項６】
前記シール手段は、シールカップにより構成した請求項５記載のバックル。
【請求項７】
シール手段は、多重ピン付き雄形部分及びこの多重ピン付き雄形部分を収容する手段が挿入時に電気的接続を生ずることができるよう移動可能にした請求項５記載のバックル。
【請求項８】
シール手段は、接続時に、多重ピン付き雄形部分及びこの多重ピン付き雄形部分を収容する手段の周りに保護シールを生ずることがきでるよう移動可能にした請求項７記載のバックル。
【請求項９】
前記第１保護ハウジング及び第２の保護ハウジングのうちの少なくとも一方を、衣類に取り付ける請求項１記載のバックル。
【請求項１０】
多重ピン付き雄形部分及びこの雄形部分を収容する手段のうちの少なくとも一方を衣類に電気的に接続した請求項９記載のバックル。
【請求項１１】
前記第１保護ハウジング及び第２の保護ハウジングのうちの少なくとも一方を、電気装置に取り付けた請求項１記載のバックル。
【請求項１２】
多重ピン付き雄形部分及びこの雄形部分を収容する手段のうちの少なくとも一方を、電気装置に電気的に接続した請求項１１記載のバックル。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
図３は多層カード構造体の断面図である。前記カード構造体は、コイル終端部３１、３２、３３および３１’、３３’を備えるコイル２および２１（図示せず）を担持する担体箔１１から成る。コイル終端部３２および３３の表面に配されているのが金属箔４および４１であり、導電接着剤でコイル終端部３２および３３に接続されている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
図３において、前記集積回路の終端部領域には、モジュール５、即ちモジュール５の終端部７を接続するための異方性導電接着剤６が配されている。同様に、金属箔４および４１とコイル終端部３２および３３との間にそれぞれ導電接着剤を配することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光データキャリア（１）により反射され、光検出器（１０）により検出されるメインスキャニングビーム（３）によって、前記光データキャリア（１）をスキャニングする装置であり、該光データキャリア（１）は少なくとも、スキャンされるべき第１の層（１１）および第２の層（１２）を備えており、前記第２の層（１２）は前記第１の層（１１）を通してスキャンされ、前記第１の層（１１）を通過する光は、前記第１の層（１１）の局所的な特性に応じて減衰される装置において、
前記装置は、
−前記第２の層（１２）をスキャンする減衰検出ビーム（３´）を発生するためのビーム発生器（７）と、
−前記減衰検出ビーム（３´）を検出するための光検出領域（９´）と、
−前記光検出領域（９´）により検出される信号（Ｄ´）をフィルタリングするための低域通過フィルタ（１６）とを備え、
低域通過フィルタリングされた信号（ＤＬ）は、前記光検出器（１０）の出力信号（Ｄ）が前記第１の層（１１）の減衰の低い周波数の変化に依存しないように保つために使用されることを特徴とする装置。
【請求項２】  前記装置は、可変強度制御を備えたスキャニングビーム発生手段（２）または、可変利得（Ｇ、Ｇ´、Ｇ´´）の出力信号増幅器（１７、１７´、１７´´）を更に有しており、前記可変強度制御または前記可変利得（Ｇ、Ｇ´、Ｇ´´）またはその両方が、検出された減衰の量に比例して変化することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記装置は、前記光検出領域（９´）の前記出力信号（Ｄ´、ＤＬ）を遅延するための遅延手段（１８）を更に有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の装置。
【請求項４】  前記ビーム発生器は、光源であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】  前記ビーム発生器は、前記メインスキャニングビーム（３）から前記減衰検出ビーム（３´）をスプリットするための光スプリット手段（７）であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】  光データキャリア（１）により反射され、光検出器（１０）により検出されるメインスキャニングビーム（３）によって、前記光データキャリア（１）をスキャニングする方法であって、該光データキャリア（１）は少なくとも、スキャンされるべき第１の層（１１）および第２の層（１２）を備えており、前記第２の層（１２）は前記第１の層（１１）を通してスキャンされ、前記第１の層（１１）を通過する光は、前記第１の層（１１）の局所的な特性に応じて減衰される、方法において、
前記方法は、
−前記第２の層（１２）をスキャンする減衰検出ビーム（３´）を発生するステップと、
−前記減衰検出ビーム（３´）を光検出領域（９´）で検出するステップと、
−前記光検出領域（９´）により検出される信号（Ｄ´）を低域通過フィルタにかけるステップと、
−前記低域通過フィルタをかけられた信号（ＤＬ）を、前記光検出器（１０）の出力信号（Ｄ）が前記第１の層（１１）の減衰の低い周波数の変化に依存しないように保つために使用するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項７】  前記方法が、前記メインスキャニングビーム（３）の強度または前記光検出器の出力信号（Ｄ、Ｄ´、Ｄ´´）の増幅またはその両方を、検出された減衰の量に比例して変えるステップを更に有することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記方法が、前記減衰検出ビーム（３´）と前記メインスキャニングビーム（３）の距離に応じて、前記減衰検出信号（Ｄ´、ＤＬ）を遅延するステップを更に有することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記方法が、既知の第１の指示位置と第２の減衰位置の距離に応じて、前記強度信号（Ｄ´、ＤＬ）を遅延するステップを更に有することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  請求項６〜請求項９に基づく方法を実行する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のビット線と第２のビット線に結合された第１のメモリセルと、
第３のビット線と第４のビット線に結合された第２のメモリセルと、
前記第１及び第２のメモリセルに結合され、該第１及び第２のメモリセルへのアクセスを可能にするアドレスデコーダと、
前記第１及び第３のビット線に結合され、前記第１のビット線上の前記第１のメモリセルから及び前記第３のビット線の前記第２のメモリセルからデータが出力されたときに、前記第１のビット線の電圧レベルを前記第３のビット線の電圧レベルと比較する第１のコンパレータ回路と、
前記第２及び第４のビット線に結合され、前記第１のビット線及び第３ビット線上の出力であるデータの補数が、第２のビット線上の前記第１のメモリセルから及び前記第４のビット線上の第２のメモリセルから出力されたときに、前記第２のビット線の電圧レベルを前記第４のビット線の電圧レベルと比較する第２のコンパレータ回路と
を備える装置。
【請求項２】
第１及び第２のメモリセルに同じ値を書き込み、
第１のメモリセルを第１のビット線に結合し、
第１のメモリセルを第２のビット線に結合し、
第２のメモリセルを第３のビット線に結合し、
第２のメモリセルを第４のビット線に結合し、
前記第１及び第３のビット線を第１のコンパレータ回路の入力に結合し、
前記第２及び第４のビット線を第２のコンパレータ回路の入力に結合し、
前記第１のビット線を介して前記第１のメモリセルから、及び前記第３のビット線を介して前記第２のメモリセルから同じ値を読み出し、
前記第２のビット線を介して前記第１のメモリセルから、及び前記第４のビット線を介して前記第２のメモリセルから前記第１及び第３ビット線を介して読み出された値の補数である同じ値を読み出し、
前記第１及び第３のビット線の電圧レベルを比較し、かつ
前記第２及び第４のビット線の電圧レベルを比較する
ことを含む方法。
【請求項３】
装置であって、
メモリアレイ内の第１のメモリセルに結合された第１のビット線と、
前記メモリアレイ内の第２のメモリセルに結合された第２のビット線と、
前記メモリアレイ内の第１のメモリセルに結合された第３のビット線と、
前記第２ビット線と第３ビット線に結合されたマルチプレクサと、
前記第１ビット線に接続された第１入力と、前記マルチプレクサに結合され、そのマルチプレクサによって選択されて第２ビット線か第３ビット線のいずれかが選択的に結合される第２入力とを有するコンパレータ回路と
を有する装置。