【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式［１］又は［３］で示されるトリフェニルスルホニウム塩化合物。
2002193925.tif 000001
（式中、Ｒ1及びＲ2は夫々独立して水素原子又は低級アルキル基を表し、少なくとも一方は低級アルキル基を表し、ｎ個のＲ3は夫々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、ｎは０〜３の整数を表し、ｉは１〜３の整数を表し、ｊは０〜２の整数を表し、ｉ＋ｊ＝３であり、Ｙ-は一般式［２］
2002193925.tif 000002
［式中、Ｒ4はアルキル基又はアルキル基を置換基として有していてもよいアリール基を表す。］で示されるスルホン酸由来のアニオンを表す。）
2002193925.tif 000003
〔式中、Ｘはオルト位及び／又はメタ位に置換基を有するフェニル基を表し、ｍは１〜３の整数を表し、ｑは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｑ＝３であり、ｐは１又は２を表し、Ｚp-は一般式［４］
2002193925.tif 000004
（式中、Ｒ５は水素原子又は置換基を有していてもよい一価の炭化水素基を表す。）又は一般式［５］
2002193925.tif 000005
（式中、Ｒ６は結合手又は置換基を有していてもよい二価の炭化水素基を表す。）で示されるカルボン酸由来のアニオンを表す。〕
【請求項２】
一般式［１］に於ける、Ｒ1が低級アルキル基であり、Ｒ2が水素原子である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
低級アルキル基がメチル基或いはエチル基である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
一般式［１］の部分構造である
2002193925.tif 000006
が、ｏ−メチルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、ｏ−エチルフェニル基、ｍ−エチルフェニル基、２，３−ジエチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
一般式［２］に於けるＲ4が、炭素数１〜２０のアルキル基、フェニル基又はナフチル基である、請求項１〜４の何れかに記載の化合物。
【請求項６】
一般式［２］に於けるＲ4が炭素数１〜１０のアルキル基を１〜３個置換基として有するフェニル基である、請求項１〜４の何れかに記載の化合物。
【請求項７】
Ｒ4が４−メチルフェニル基である、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
一般式［３］に於けるＸで示されるフェニル基の置換基が、一般式［６］、［７］、［８］又は［９］
2002193925.tif 000007
2002193925.tif 000008
2002193925.tif 000009
2002193925.tif 000010
（式中、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は夫々独立してハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表し、Ｒ10及びＲ28は夫々独立してハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基又はアシル基を表し、また、Ｒ10、Ｒ28及びそれらが結合する窒素原子とでヘテロ環を形成してもよい。）で示される基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項９】
一般式［３］に於けるＸで示されるフェニル基の置換基が、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシル基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項１０】
一般式［４］に於けるＲ5で表される一価の炭化水素基が、炭素数１〜２０のアルキル基、フェニル基又はナフチル基である、請求項１、８又は９の何れかに記載の化合物。
【請求項１１】
一般式［５］に於けるＲ6で表される二価の炭化水素基が、炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数２〜１０のアルケニレン基、フェニレン基又はナフチレン基である、請求項１、８又は９の何れかに記載の化合物。
【請求項１２】
一般式［４］に於けるＲ５で表される一価の炭化水素基又は一般式［５］に於けるＲ６で表される二価の炭化水素基の置換基が、ハロゲン原子、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基又はニトロ基である、請求項１０又は１１に記載の化合物。
【請求項１３】
一般式［１］で示される化合物が、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム ｐ-トルエンスルホネート又はジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム 1-オクタンスルホネートである、請求項１に記載の化合物。
【請求項１４】
一般式［３］で示される化合物が、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム １-パーフルオロオクタン酸塩又はジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム ｐ-トリフルオロメチル安息香酸塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項１５】
請求項１〜１４に記載の化合物の何れかを含んで成る化学増幅型レジスト用酸発生剤。
【請求項１６】
請求項１〜１４の何れかに記載の化合物とジアゾジスルホン化合物とを含んで成る化学増幅型レジスト用酸発生剤。
【請求項１７】
酸の作用を受けてアルカリ現像液に可溶となる保護基を懸垂するポリマーと、請求項１〜１４に記載の化合物の何れかとを含んで成るレジスト組成物。
【請求項１８】
アルカリ現像液に可溶なポリマーと、酸の作用を受けてアルカリ現像液に可溶となる保護基を懸垂する溶解阻害剤と、請求項１〜１４に記載の化合物の何れかとを含んで成るレジスト組成物。
【請求項１９】
アルカリ現像液に可溶なポリマーと、酸の存在下で加熱処理することによりポリマーを架橋しアルカリ現像液に不溶とする架橋剤と、請求項１〜１４に記載の化合物の何れかとを含んで成るレジスト組成物。
【請求項２０】
請求項１〜１４に記載の化合物の何れかを含んで成る光カチオン性重合開始剤。
【請求項２１】
請求項２０に記載の重合開始剤を用いることを特徴とする、α，β−エチレン性不飽和モノマーの重合方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
2002193925.tif 000011
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（式中、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は夫々独立してハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表し、Ｒ10及びＲ28は夫々独立してハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基又はアシル基を表し、また、Ｒ10、Ｒ28及びそれらが結合する窒素原子とでヘテロ環を形成してもよい。）で示されるものが挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
一般式［６］〜［９］において、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ28で表されるハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ28で表される置換基を有していてもよいアルキル基のアルキル基としては、直鎖状でも分枝状でも或いは環状でもよく、通常炭素数１〜６、好ましくは１〜４のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ-ブチル基、ｔｅｒｔ-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ-ペンチル基、ｔｅｒｔ-ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。置換基としては、例えば塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基等が挙げられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ28で表される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基等が挙げられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
Ｒ10、Ｒ28及びそれらが結合する窒素原子とで形成されていてもよいヘテロ環としては、例えばピリジン環、ピロール環、ピロリジン環、ピロリン環、ピペリジン環、キノリン環、インドール環、イソインドリン環、カルバゾール環等が挙げられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ28で表される置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基としては、通常炭素数７〜１０のものが挙げられ、具体的には、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等が挙げられる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
Ｒ10及びＲ28で表されるアシル基としては、脂肪族カルボン酸由来の通常炭素数２〜７のものが挙げられ、具体的には、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等が挙げられる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
組み合わせて使用するジアゾジスルホン化合物としては、例えば一般式［２３］
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
2002193925.tif 000012
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
（式中、Ｒ２９及びＲ３０は夫々独立してアルキル基を表す。）で示されるもの等が挙げられる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
一般式［２３］に於いて、Ｒ２９で示されるアルキル基としては、直鎖状でも分枝状でも或いは環状でもよく、通常炭素数１〜８のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ-ブチル基、ｔｅｒｔ-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ-ペンチル基、ｔｅｒｔ-ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、ｎ-ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ-ヘプチル基、ｎ-オクチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ-オクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
Ｒ３９で示されるアルキル基としては、分枝状又は環状のものが好ましく、通常炭素数３〜８のものが挙げられ、具体的には、例えばイソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ-ブチル基、ｔｅｒｔ-ブチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ-ペンチル基、ｔｅｒｔ-ペンチル基、ネオペンチル基、イソヘキシル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1,2-ジメチルブチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ-ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ-オクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
一般式［２３］で示されるジアゾジスルホン化合物の具体例としては、例えばビス（エチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（1-メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（1,1-ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル-1-メチルエチルスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニル-1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニルシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、エチルスルホニル-1-メチルエチルスルホニルジアゾメタン、エチルスルホニル-1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、エチルスルホニルシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビス（オクタンスルホニル）ジアゾメタン、メチルエチルスルホニル-1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、1-メチルエチルスルホニルシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、1,1-ジメチルエチルスルホニルシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。中でも、例えばビス（1-メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（1,1-ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン等を本発明のスルホニウム塩と組み合わせて用いる場合には、微粒子発生の抑制及び各種レジスト性能の点で優れた効果が期待できる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
２成分系レジストは、酸の作用を受けてアルカリ現像液に可溶となる保護基を懸垂するポリマー（又は樹脂）１種以上、本発明のスルホニウム塩１種以上、要すれば前記一般式［２３］で示される酸発生剤等のその他の酸発生剤１種以上、必要に応じて使用される塩基性化合物、酸性化合物、紫外線吸収剤、界面活性剤、及びこれらを溶解可能な溶剤とから成る。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
３成分系レジストは、アルカリ現像液に可溶なポリマー（又は樹脂）１種以上、酸の作用を受けてアルカリ現像液に可溶となる保護基を懸垂する溶解阻害剤１種以上、本発明のスルホニウム塩１種以上、要すれば前記一般式［２３］で示される酸発生剤等のその他の酸発生剤１種以上、必要に応じて使用される塩基性化合物、酸性化合物、紫外線吸収剤、界面活性剤、及びこれらを溶解可能な溶剤とから成る。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
一方、本発明のスルホニウム塩を利用した化学増幅ネガ型レジストは、アルカリ現像液に可溶なポリマー（又は樹脂）１種以上、酸の存在下で加熱処理することによりポリマーを架橋しアルカリ現像液に不溶とする架橋剤、本発明のスルホニウム塩１種以上、要すれば前記一般式［２３］で示される酸発生剤等のその他の酸発生剤１種以上、必要に応じて使用される塩基性化合物、酸性化合物、紫外線吸収剤、界面活性剤、及びこれらを溶解可能な溶剤とから成る。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
酸の作用を受けてアルカリ現像液に可溶となる保護基を懸垂するポリマー（又は樹脂）としては例えば下記一般式［２４］
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
2002193925.tif 000013
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
一般式［２４］に於て、Ｒ15、Ｒ16及びＲ18で表される低級アルキル基としては、直鎖状でも分枝状でも或いは環状でもよく、通常炭素数１〜６のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
一般式［２４］で示されるポリマーの具体例としては、例えばポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-イソプロポキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-ベンゾイルオキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-ピバロイルオキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸 2-アダマンチル）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸 イソボルニル）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸シクロヘキシル）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／メタクリル酸メチル）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸 tert-ブチル）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸 tert-アミル）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸 1-メチルシクロヘキシル）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸メバロラクトンエステル）、ポリ（p-1-エトキシプロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシプロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシプロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシプロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン）、ポリ（p-1-イソブトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）、ポリ（p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）、ポリ（p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシスチレン）、ポリ（p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン）、ポリ（p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン）、ポリ（p-tert-ブトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）、ポリ（p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）、ポリ（p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）、ポリ（p-ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸 tert-ブチル）、ポリ（p-ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸 tert-アミル）、ポリ（p-ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸 1-メチルシクロヘキシル）、ポリ（p-ヒドロキシスチレン／スチ���ン／アクリル酸メバロラクトンエステル）、ポリ（p-ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸 2-メチル-2-アダマンチル）、ポリ（p-1-オクチルオキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-アセチルオキシスチレン）、ポリ(p-1-ベンジルオキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-アセチルオキシスチレン)、ポリ［p-1-（3-シクロベンジルプロピル）オキシエトキシ／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン］、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-アセチルオキシスチレン）等が挙げられる。これらのポリマーは単独でも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
一般式［２４］で示されるポリマーの重量平均分子量（Mw）は、通常3,000〜50,000、好ましくは5,000〜25,000、より好ましくは5,000〜20,000である。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
一般式［２４］で示されるポリマーの分散度（Mw/Mn）は、通常1.0〜3.5、好ましくは1.0〜2.5、より好ましくは1.0〜1.5である。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８０】
反応後の後処理等は、この分野に於いて通常行われる後処理法に準じて行えばよい。
尚、本発明は、以下のようにも表される。
（１）  一般式［１］又は［３］で示されるトリフェニルスルホニウム塩化合物
2002193925.tif 000014
（式中、Ｒ1及びＲ2は夫々独立して水素原子又は低級アルキル基を表し、少なくとも一方は低級アルキル基を表し、ｎ個のＲ3は夫々独立してアルキル基を表し、ｎは０〜３の整数を表し、ｉは１〜３の整数を表し、ｊは０〜２の整数を表し、ｉ＋ｊ＝３であり、Ｙ-は一般式［２］
2002193925.tif 000015
［式中、Ｒ4はアルキル基又はアルキル基を置換基として有していてもよいアリール基を表す。］で示されるスルホン酸由来のアニオンを表す。）
2002193925.tif 000016
（式中、Ｘはオルト位及び／又はメタ位に置換基を有するフェニル基を表し、ｍは１〜３の整数を表し、ｑは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｑ＝３であり、ｐは１又は２を表し、Ｚp-はカルボン酸由来のアニオンを表す。）
（２）一般式［１］
2002193925.tif 000017
（式中、Ｒ1及びＲ2は夫々独立して水素原子又は低級アルキル基を表し、少なくとも一方は低級アルキル基を表し、ｎ個のＲ3は夫々独立してアルキル基を表し、ｎは０〜３の整数を表し、ｉは１〜３の整数を表し、ｊは０〜２の整数を表し、ｉ＋ｊ＝３であり、Ｙ-は一般式［２］
2002193925.tif 000018
［式中、Ｒ4はアルキル基又はアルキル基を置換基として有していてもよいアリール基を表す。］で示されるスルホン酸由来のアニオンを表す。）で示される化合物。
（３）一般式［３］
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（式中、Ｘはオルト位及び／又はメタ位に置換基を有するフェニル基を表し、ｍは１〜３の整数を表し、ｑは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｑ＝３であり、ｐは１又は２を表し、Ｚp-はカルボン酸由来のアニオンを表す。）で示される化合物。
（４）Ｚp-で表されるカルボン酸由来のアニオンが導かれる当該カルボン酸が、一般式［４］又は［５］
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（式中、Ｒ５は水素原子又は置換基を有していてもよい一価の炭化水素基を表す。）
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（式中、Ｒ６は結合手又は置換基を有していてもよい二価の炭化水素基を表す。）で示される化合物である上記（３）に記載の化合物。
（５）Ｒ1が低級アルキル基であり、Ｒ2が水素原子である上記（２）に記載の化合物。
（６）低級アルキル基がメチル基或いはエチル基である上記（５）に記載の化合物。
（７）ｎが０である上記（５）又は（６）に記載の化合物。
（８）Ｒ3が炭素数１〜１０のアルキル基である上記（５）又は（６）に記載の化合物。
（９）一般式［１］の部分構造である
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が、ｏ−メチルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、ｏ−エチルフェニル基、ｍ−エチルフェニル基、２，３−ジエチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基である上記（２）に記載の化合物。
（１０）Ｒ4が炭素数１〜２０のアルキル基、フェニル基又はナフチル基である上記（２）、（５）〜（９）の何れかに記載の化合物。
（１１）Ｒ4が炭素数１〜１０のアルキル基を１〜３個置換基として有するフェニル基である上記（２）、（５）〜（９）の何れかに記載の化合物。
（１２）Ｒ4が４−メチルフェニル基である上記（１１）に記載の化合物。
（１３）Ｘで示されるフェニル基の置換基が一般式［６］、［７］、［８］又は［９］
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（式中、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は夫々独立してハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表し、Ｒ10及びＲ28は夫々独立してハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基又はアシル基を表し、また、Ｒ10、Ｒ28及びそれらが結合する窒素原子とでヘテロ環を形成してもよい。）で示される基である上記（３）又は（４）に記載の化合物。
（１４）Ｘで示されるフェニル基の置換基が炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシル基である上記（３）又は（４）に記載の化合物。
（１５）Ｒ5で表される一価の炭化水素基が炭素数１〜２０のアルキル基である上記（４）、（１３）又は（１４）の何れかに記載の化合物。
（１６）Ｒ5で表される一価の炭化水素基がフェニル基又はナフチル基である上記（４）、（１３）又は（１４）の何れかに記載の化合物。
（１７）一価の炭化水素基の置換基がハロゲン原子、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基又はニトロ基である上記（１５）又は（１６）に記載の化合物。
じょうき１８）Ｒ6で表される二価の炭化水素基が炭素数１〜１０のアルキレン基又は炭素数２〜１０のアルケニレン基である上記（４）、（１３）又は（１４）の何れかに記載の化合物。
（１９）Ｒ6で表される二価の炭化水素基がフェニレン基又はナフチレン基である上記（４）、（１３）又は（１４）に記載の化合物。
（２０）二価の炭化水素基の置換基がハロゲン原子、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基又はニトロ基である上記（１８）又は（１９）に記載の化合物。
（２１）一般式［１］で示される化合物が、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム ｐ-トルエンスルホネートである上記（２）に記載の化合物。
（２２）一般式［１］で示される化合物が、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム 1-オクタンスルホネートである上記（２）に記載の化合物。
（２３）一般式［３］で示される化合物が、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム １-パーフルオロオクタン酸塩である上記（３）に記載の化合物。
（２４）一般式［３］で示される化合物が、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム ｐ-トリフルオロメチル安息香酸塩である上記（３）に記載の化合物。
（２５）上記（１）〜（２４）に記載の化合物の何れかを含んで成る化学増幅型レジスト用酸発生剤。
（２６）上記（１）〜（２４）の何れかに記載の化合物とジアゾジスルホン化合物とを含んで成る化学増幅型レジスト用酸発生剤。
（２７）酸の作用を受けてアルカリ現像液に可溶となる保護基を懸垂するポリマーと、上記（１）〜（２４）に記載の化合物の何れかとを含んで成るレジスト組成物。
（２８）アルカリ現像液に可溶なポリマーと、酸の作用を受けてアルカリ現像液に可溶となる保護基を懸垂する溶解阻害剤と、上記（１）〜（２４）に記載の化合物の何れかとを含んで成るレジスト組成物。
（２９）アルカリ現像液に可溶なポリマーと、酸の存在下で加熱処理することによりポリマーを架橋しアルカリ現像液に不溶とする架橋剤と、上記（１）〜（２４）に記載の化合物の何れかとを含んで成るレジスト組成物。
（３０）酸の作用を受けてアルカリ現像液に可溶となる保護基を懸垂するポリマーが、一般式［２４］
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（式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は夫々独立して水素原子又はメチル基を表し、Ｒ15は水素原子又は低級アルキル基を表し、Ｒ16は低級アルキル基を表し、Ｒ15、Ｒ16及びそれらが結合する炭素原子で脂肪族環を形成してもよい。Ｒ17はアルキル基又はアラルキル基を表し、Ｒ18は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ基、tert-アミルオキシカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基又はtert-ブトキシカルボニルメチルオキシ基を表し、Ｒ19は水素原子又はシアノ基を表し、Ｒ20はシアノ基又はエステル化されていてもよいカルボキシル基を表し、ｒ、ｅ及びｇは０又は自然数を表し、ｔは自然数を表す。但し、０≦ｒ／ｒ＋ｔ＋ｅ＋ｇ≦0.5であり、０≦ｅ／ｒ＋ｔ＋ｅ＋ｇ≦0.3であり、０≦ｇ／ｒ＋ｔ＋ｅ＋ｇ≦0.3であり、且つ0.2＜ｒ＋ｅ＋ｇ／ｒ＋ｔ＋ｅ＋ｇ≦0.8である。）で示されるものである上記（２７）に記載のレジスト組成物。
（３１）アルカリ現像液に可溶なポリマーが、一般式［１０］
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（式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は夫々独立して水素原子又はメチル基を表し、Ｒ15は水素原子又は低級アルキル基を表し、Ｒ16は低級アルキル基を表し、Ｒ15、Ｒ16及びそれらが結合する炭素原子で脂肪族環を形成してもよい。Ｒ17はアルキル基又はアラルキル基を表し、Ｒ18は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ基、tert-アミルオキシカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基又はtert-ブトキシカルボニルメチルオキシ基を表し、Ｒ19は水素原子又はシアノ基を表し、Ｒ20はシアノ基又はエステル化されていてもよいカルボキシル基を表し、ｒ’、ｅ’及びｇ’は０又は自然数を表し、ｔ’は自然数を表す。但し、０≦ｒ’／ｒ’＋ｔ’＋ｅ’＋ｇ’≦0.2であり、０≦ｅ’／ｒ’＋ｔ’＋ｅ’＋ｇ’≦0.2であり、０≦ｇ’／ｒ’＋ｔ’＋ｅ’＋ｇ’≦0.2であり、且つ0≦ｒ’＋ｅ’＋ｇ’／ｒ’＋ｔ’＋ｅ’＋ｇ’≦0.2である。）で示されるものである上記（２８）又は（２９）に記載のレジスト組成物。
（３２）酸の作用を受けてアルカリ現像液に可溶となる保護基を懸垂する溶解阻害剤が、一般式［１１］、［１２］又は［１３］
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（式中、Ｒ21は夫々独立して酸不安定基を表す。）
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（式中、Ｒ22は水素原子又はメチル基を表し、ａは自然数を表し、Ｒ21は前記と同じ。）
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（式中、Ｒ21は前記と同じ。）で示される化合物である上記（２８）に記載のレジスト組成物。
（３３）酸の存在下で加熱処理することによりポリマーを架橋しアルカリ現像液に不溶とする架橋剤が、一般式［１４］又は［１５］
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（式中、Ｒ23は夫々独立して水素原子又は低級アルキル基を表す。）
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（式中、Ｒ24は夫々独立して水素原子又は低級アルコキシメチル基を表す。）で示される化合物である上記（２９）に記載のレジスト組成物。
（３４）上記（１）〜（２４）記載の化合物の何れかを含んで成る組成物に、光を照射することを特徴とする酸発生方法。
（３５）照射される光が、遠紫外光、ＫｒＦエキシマレーザ光、ｉ線光、ＡｒＦエキシマレーザ光、Ｆ2レーザ光、電子線或いは軟Ｘ線である上記（３４）に記載の酸発生方法。
（３６）上記（２７）〜（３３）の何れかに記載のレジスト組成物を＜１＞基板上に塗布する工程と、＜２＞加熱処理の後、マスクを介して２２０ｎｍ以下の光で露光する工程と、＜３＞必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程、とを含んで成るパターン形成方法。
（３７）上記（１）〜（２４）に記載の化合物の何れかを含んで成る光カチオン性重合開始剤。
（３８）上記（３７）に記載の重合開始剤を用いることを特徴とする、α，β−エチレン性不飽和モノマーの重合方法。
（３９）光照射の下に行う上記（３８）に記載の重合方法。