【手続補正書】
【提出日】平成15年6月9日(2003.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】高抵抗率のバルク種ウエハーの断面図である。
【図１Ｂ】上部に高抵抗率のエピタキシャル層を堆積させた、低抵抗率のバルク種ウエハーの断面図である。
【図２Ａ】高抵抗率のＳＯＩ種ウエハーの断面図である。
【図２Ｂ】上部にパッド２０を堆積させた後の、図２Ａに示す高抵抗率のＳＯＩ種ウエハーの断面図である。
【図３Ａ】上部シリコン層にトレンチをエッチングで作製した後の、デバイスの平面図である。
【図３Ｂ】上部シリコン層にトレンチをエッチングで作製した後の、デバイスを幅方向に切断した断面図である。
【図３Ｃ】上部シリコン層にトレンチをエッチングで作製した後の、デバイスを長さ方向に切断した断面図である。
【図３Ｄ】上部シリコン層にトレンチをエッチングで作製した後の、デバイスを切断線３Ｄで切断した等角図である。
【図４Ａ】２回目のシリコンエッチング後の、デバイスの平面図である。
【図４Ｂ】２回目のシリコンエッチング後の、デバイスを幅方向に切断した断面図である。
【図４Ｃ】２回目のシリコンエッチング後の、デバイスを長さ方向に切断した断面図である。
【図４Ｄ】２回目のシリコンエッチング後の、デバイスを切断線４Ｄで切断した等角図である。
【図５Ａ】マスク３の打込みを行った後の、デバイスの平面図である。
【図５Ｂ】マスク３の打込みを行った後の、デバイスを幅方向に切断した断面図である。
【図５Ｃ】マスク３の打込みを行った後の、デバイスを長さ方向に切断した断面図である。
【図５Ｄ】マスク３の打込みを行った後の、デバイスを切断線５Ｄで切断した等角図である。
【図６Ａ】側壁スペーサを形成して注入１１９を行った後の、デバイスの平面図である。
【図６Ｂ】側壁スペーサを形成して注入１１９を行った後の、デバイスを幅方向に切断した断面図である。
【図６Ｃ】側壁スペーサを形成して注入１１９を行った後の、デバイスを長さ方向に切断した断面図である。
【図６Ｄ】側壁スペーサを形成して注入１１９を行った後の、デバイスを切断線６Ｄで切断した等角図である。
【図７Ａ】第１ゲート導体層を形成した後の、デバイスの平面図である。
【図７Ｂ】第１ゲート導体層を形成した後の、デバイスを幅方向に切断した断面図である。
【図７Ｃ】第１ゲート導体層を形成した後の、デバイスを長さ方向に切断した断面図である。
【図７Ｄ】第１ゲート導体層を形成した後の、デバイスを切断線７Ｄで切断した等角図である。
【図８Ａ】上部ゲートマスク（マスク４）を追加した後の、デバイスの平面図である。
【図８Ｂ】上部ゲートマスク（マスク４）を追加した後の、デバイスを幅方向に切断した断面図である。
【図８Ｃ】上部ゲートマスク（マスク４）を追加した後の、デバイスを長さ方向に切断した断面図である。
【図８Ｄ】上部ゲートマスク（マスク４）を追加した後の、デバイスを切断線８Ｄで切断した等角図である。
【図９Ａ】トレンチに絶縁誘電体を再充填した後の、デバイスの平面図である。
【図９Ｂ】トレンチに絶縁誘電体を再充填した後の、デバイスを幅方向に切断した断面図である。
【図９Ｃ】トレンチに絶縁誘電体を再充填した後の、デバイスを長さ方向に切断した断面図である。
【図９Ｄ】トレンチに絶縁誘電体を再充填した後の、デバイスを切断線９Ｄで切断した等角図である。
【図１０Ａ】ローカル接続線のマスク（マスク５）によって絶縁誘電体をパターン化した後の、デバイスの平面図である。
【図１０Ｂ】ローカル接続線のマスク（マスク５）によって絶縁誘電体をパターン化した後の、デバイスを幅方向に切断した断面図である。
【図１０Ｃ】ローカル接続線のマスク（マスク５）によって絶縁誘電体をパターン化した後の、デバイスを長さ方向に切断した断面図である。
【図１０Ｄ】ローカル接続線のマスク（マスク５）によって絶縁誘電体をパターン化した後の、デバイスを切断線１０Ｄで切断した等角図である。
【図１１Ａ】ゲート構造を完成させた後の、デバイスの平面図である。
【図１１Ｂ】ゲート構造を完成させた後の、デバイスの幅方向の断面図である。
【図１１Ｃ】ゲート構造を完成させた後の、デバイスの長さ方向の断面図である。
【図１１Ｄ】ゲート構造を完成させた後の、デバイスを切断線１１Ｄで切断した等角図である。
【図１２Ａ】慣例の接点及び第２の金属処理に続く、デバイスの平面図である。
【図１２Ｂ】慣例の接点及び第２の金属処理に続く、デバイスの幅方向の断面図である。
【図１２Ｃ】慣例の接点及び第２の金属処理に続いて、デバイスを切断線１２Ｃで切断した等角図である。
【図１２Ｄ】慣例の接点及び第２の金属処理に続いて、デバイスを切断線１２Ｄで切断した等角図である。
【図１３Ａ】接触孔がミスアライメントのデバイスの平面図である。
【図１３Ｂ】接触孔がミスアライメントのデバイスの幅方向の断面図である。
【図１３Ｃ】接触孔がミスアライメントのデバイスの長さ方向の断面図である。
【図１３Ｄ】接触孔がミスアライメントのデバイスを切断線１３Ｄで切断した等角図である。
【図１４Ａ】デバイスの長さ方向の断面図であり、図１２Ａとの比較のために示す。
【図１４Ｂ】デバイスの端子接続を図式的に示す図である。
【図１５Ａ】デバイスの浮遊ボディ構成を示す図である。
【図１５Ｂ】デバイスの端子接続を図式的に示す図である。
【図１６Ａ】デバイスの動的しきい値構成を示す図である。
【図１６Ｂ】デバイスの端子接続を図式的に示す図である。
【図１７Ａ】実施例１００''の基板の断面図である
【図１７Ｂ】エッチング前の、実施例１００''の断面図である。
【図１８】エッチング後の、実施例１００''の断面図である。
【図１９Ａ】実施例１００''についての、側壁スペーサを堆積させてエッチングするステップの完了後の、デバイスの断面図である。
【図１９Ｂ】実施例１００''についての、相補的なカウンタ・ドーピングのイオン打込みを指向させるステップの完了後の、デバイスの断面図である。
【図１９Ｃ】実施例１００''についての、相補的なカウンタ・ドーピングのイオン打込みを指向させるステップ後の、デバイスの断面図である。
【図２０】実施例１００''についての、ゲート絶縁体を堆積させるステップ後のデバイスの断面図である。
【図２１】実施例１００''についての、第１ゲート導体を堆積させるステップ後の、デバイスの断面図である。
【図２２Ａ】実施例１００''のチャンネルの長さ方向に沿って絶縁トレンチを満たすステップ後の、デバイスの幅方向の断面図である。
【図２２Ｂ】実施例１００''のチャンネルの幅方向に沿って絶縁トレンチを満たすステップ後の、デバイスの断面図である。
【図２３Ａ】ボックス層１３に向かって下向きに、酸化物をエッチングするステップ後の、デバイスの幅方向の断面図である。
【図２３Ｂ】ボックス層１３に向かって下向きに、酸化物をエッチングするステップ後の、デバイスの長さ方向の断面図である。
【図２４Ａ】ダマシン・ダブルゲート・トランジスタを、チャンネルの長さ方向に切断した断面図である。
【図２４Ｂ】ダマシン・ダブルゲート・トランジスタを、チャンネルの幅方向に切断した断面図である。
【図２５Ａ】ダマシン・ダブルゲート・トランジスタの他の実施例の断面図である。
【図２５Ｂ】図２５Ａに示す実施例の、チャンネル内及びボディ/ウエル内のドーピング特性を示す図である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３Ａ】
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