Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に設ける反射板と、該反射板上に設けるカラーフィルターと、該カラーフィルター上に設ける信号電極と、前記第１の基板と所定の間隙を設けて対向する第２の基板上に設けるデーター電極と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入する液晶層とを備える液晶表示装置であって、前記反射板は開口部を有し、前記第１の基板の裏面側には、補助用反射部または光源部を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１の基板の裏面側には、光源部を備え、前記第１の基板との間にレンズ部を有し、前記レンズ部は前記光源部から出射した後、前記反射板で反射した光を前記反射板の開口部より出射する機能を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記信号電極と前記データー電極との交点を表示画素部とし、前記表示画素部間に前記開口部が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記信号電極の幅が、前記カラーフィルターの幅より狭いことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記反射板と前記カラーフィルターと前記信号電極とが、等しい幅を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記反射膜は凹凸を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記反射板と前記第１の基板との間、または前記反射板と前記カラーフィルターの間には、高分子樹脂で構成される散乱層を備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記カラーフィルターと前記信号電極との間には絶縁膜を設けることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射板と前記カラーフィルターとの間には層間絶縁膜を設けることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記層間絶縁膜は前記反射板の酸化膜であることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記反射板は、前記第１の基板の外形とほぼ同一の外形を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第１の基板１と所定の間隙を設けて対向する第２の基板１１上には、透明導電膜からなるデーター電極１２を有する。さらに、第１の基板１と第２の基板１１の間隙には、液晶層２０を有し、液晶層２０は、シール材２１と封口材１５により封入されている。また、第１の基板１上の絶縁膜４と信号電極３上と、第２の基板１１上とデーター電極１２上とには、液晶層２０を規則的に配向するための配向膜１４を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の液晶表示装置は、 第１の基板上に設ける反射板と、この反射板上に設けるカラーフィルターと、このカラーフィルター上に設ける信号電極と、第１の基板と所定の間隙を設けて対向する第２の基板上に設けるデーター電極と、第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶層とを備える液晶表示装置であって、反射板は開口部を有し、第１の基板の裏面側には、補助用反射部または光源部を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
または、カラーフィルター上に設ける保護用絶縁膜と保護用絶縁膜上に設ける信号電極と、第１の基板と所定の間隙を設けて対向する第２の基板上に設けるデーター電極と、第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶層を有する構造を採用する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
または、カラーフィルター上に設ける保護用絶縁膜と保護用絶縁膜上に設ける薄膜絶縁膜と薄膜絶縁膜上に設ける信号電極と、第１の基板と所定の間隙を設けて対向する第２の基板上に設けるデーター電極と、第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶層を有する構造を採用する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
または、信号電極とデーター電極の交点を表示画素部とし、複数の表示画素部からなる表示領域を構成し、表示画素部の間の反射板には開口部を有する構造を採用する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
または、信号電極とデーター電極の交点を表示画素部とし、複数の表示画素部からなる表示領域を構成し、表示画素部の間の反射板には開口部を有し、反射板と前記カラーフィルターとの開口部とが同一な場所であってもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
または、信号電極とデーター電極の交点を表示画素部とし、複数の表示画素部からなる表示領域を構成し、表示画素部の間の反射板には開口部を有し、前記反射板と前記カラーフィルターとの開口部とが同一な場所であり、さらに、隣接する信号電極の間の下部と前記反射板の下部とが同一であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露呈した操作表面を指によりカメラ本体外面に略直交して押圧操作することにより上記押圧の方向に対して略垂直に設けられた回転軸を中心に回動されて第１カメラ機能を作動させるように構成された第１の操作部材と、
上記回転軸近傍に配置され、露呈した操作表面を指によりカメラ本体外面に略直交して押圧操作することにより第２カメラ機能を作動させる第２の操作部材と、
を具備することを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明によるカメラは、露呈した操作表面を指によりカメラ本体外面に略直交して押圧操作することにより上記押圧の方向に対して略垂直に設けられた回転軸を中心に回動されて第１カメラ機能を作動させるように構成された第１の操作部材と、上記回転軸近傍に配置され、露呈した操作表面を指によりカメラ本体外面に略直交して押圧操作することにより第２カメラ機能を作動させる第２の操作部材と、を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ／ｎ（ｎは自然数、ｍはｎの自然数倍）個の記憶回路と、第１のスイッチ回路と、第２のスイッチ回路と、Ｄ／Ａ変換回路と、ｍ／ｎ本のソース信号線とを有するｎ個のグループを有し、
前記ｎ個のグループ各々において、前記ｍ／ｎ個の記憶回路各々はｘ（ｘは自然数）ビットのデジタル階調信号を記憶し、前記第１のスイッチ回路は前記ｍ／ｎ個の記憶回路を１個ずつ順に選択して前記Ｄ／Ａ変換回路に接続し、前記第２のスイッチ回路は前記ｍ／ｎ本のソース信号線を１本ずつ順に選択して前記Ｄ／Ａ変換回路に接続することを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２】
ｍ／ｎ（ｎは自然数、ｍはｎの自然数倍）個の記憶回路と、第１のスイッチ回路と、第２のスイッチ回路と、Ｄ／Ａ変換回路と、ｍ／ｎ本のソース信号線とを有するｎ個のグループと、複数の画素とを有し、
前記ｎ個のグループ各々において、前記ｍ／ｎ個の記憶回路各々はｘ（ｘは自然数）ビットのデジタル階調信号を記憶し、前記第１のスイッチ回路は前記ｍ／ｎ個の記憶回路を１個ずつ順に選択して前記Ｄ／Ａ変換回路に接続し、前記第２のスイッチ回路はｍ／ｎ本のソース信号線を１本ずつ順に選択して前記Ｄ／Ａ変換回路に接続し、
前記ｍ／ｎ本のソース信号線は前記複数の画素のいずれかに信号を出力することを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記複数の画素各々は印加電圧に応答して光学的特性が変調される媒体を有することを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記複数の画素各々は液晶を有することを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５】
請求項２において、
前記複数の画素各々はエレクトロルミネセンス素子またはエレクトロクロミクス素子を有することを特徴とする半導体表示装置。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ｎ個のグループと前記複数の画素とは同一基板上に形成されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体表示装置を用いることを特徴とするビデオカメラ、スチルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ、携帯端末、モバイルコンピュータまたは携帯電話。
【請求項８】
ｎ（ｎは自然数）個のＤ／Ａ変換回路と、マトリクス状に配置された複数の画素と、ｍ（ｍはｎの自然数倍）本のソース信号線とを有し、
前記複数の画素の１ライン分の画素に対応するｍ個のｘビットのデジタル階調信号を記憶し、
前記ｎ個のＤ／Ａ変換回路各々が、１ライン期間において、前記ｍ個のｘビットのデジタル階調信号のうちのｍ／ｎ個の前記ｘビットのデジタル階調信号を順にアナログ変換し、当該アナログ変換された信号を前記ｍ本のソース信号線のうちの対応するｍ／ｎ本のソース信号線に順に出力し、
前記複数の画素各々は、前記ｍ本のソース信号線のうちの互いに異なる１本のソース信号線から当該アナログ変換された信号が入力されて、階調が制御されることを特徴とする半導体表示装置の駆動方法。
【請求項９】
シフトレジスタと、ｎ（ｎは自然数）個のＤ／Ａ変換回路と、マトリクス状に配置された複数の画素と、ｍ（ｍは自然数）本のソース信号線とを有し、
前記シフトレジスタからのタイミング信号によって、前記複数の画素の１ライン分の画素に対応するｍ個のｘビットのデジタル階調信号をサンプリングし、
前記サンプリングされた前記ｍ個のｘビットのデジタル階調信号を記憶し、
前記ｎ個のＤ／Ａ変換回路各々が、１ライン期間において、前記ｍ個のｘビットのデジタル階調信号のうちのｍ／ｎ個の前記ｘビットのデジタル階調信号を順にアナログ変換し、当該アナログ変換された信号を前記ｍ本のソース信号線のうちの対応するｍ／ｎ本のソース信号線に順に出力し、
前記複数の画素各々は、前記ｍ本のソース信号線のうちの互いに異なる１本のソース信号線から当該アナログ変換された信号が入力されて、階調が制御されることを特徴とする半導体表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月8日(2004.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続したメモリのブロックを有する装置内における表示のためにスケーリング済み画像を形成するため、複数の画像データから形成される、画像の事前に選択された部分をスケーリングし、複数のスケーリング済み画像データを生成する方法であって、
第１のメモリブロックを、複数のテーブルデータを記憶するための参照テーブルにするべく割り当てるステップと、
第２のメモリブロックを、前記複数のスケーリング済み画像データを記憶するためのスケーリング済み画像バッファにするべく割り当てるステップと、
複数のテーブルデータを生成するために画像データを処理するステップと、
各テーブルデータが、対応する前記画像データの値によって指示されるメモリアドレスに存在するように、前記参照テーブル内に前記複数のテーブルデータを格納するステップと、
前記スケーリング済み画像バッファから読み取るように前記装置に指示するステップと、
前記複数の画像データを、前記複数のテーブルデータの存在位置を決定するためのアドレスインデックスとして使用して、前記参照テーブルから前記複数のテーブルデータをアクセスするステップと、
前記スケーリング済み画像バッファへの格納のため、前記複数のテーブルデータを前記複数のスケーリング済み画像データに変換するステップ
とからなる方法。
【請求項２】
前記画像の事前に選択された部分を形成する、前記複数の画像データに対する変更を定期的に検査するステップをさらに含むことからなる請求項１の方法。
【請求項３】
前記複数の画像データを、前記複数のテーブルデータの存在位置を決定するためのアドレスインデックスとして使用して、前記参照テーブルから前記複数のテーブルデータをアクセスし、前記スケーリング済み画像バッファへの格納のため、前記複数のテーブルデータを前記複数のスケーリング済み画像データに変換することによって、前記複数の画像データにおける変更の検出の際に、前記スケーリング済み画像バッファを更新するステップをさらに含むことからなる請求項２の方法。
【請求項４】
前記複数の画像データを処理する前記ステップが、各画像データがｎ画素からなる複数のｎ画素画像データを処理することをさらに含む、前記複数のスケーリング済み画像データを生成するための請求項１の方法。
【請求項５】
前記複数のテーブルデータを前記複数のスケーリング済み画像データに変換する前記ステップが、水平スケーリング動作用である、請求項４の方法。
【請求項６】
前記複数のｎ画素画像データを処理する前記ステップが、各スケーリング済み画像データがｍ画素からなる複数のｍ画素スケーリング済み画像データを生成するステップをさらに含む、前記複数のスケーリング済み画像データを生成するための請求項５の方法。
【請求項７】
前記複数のｎ画素画像データを処理するステップにおいて前記複数のｍ画素スケーリング済み画像データを生成する前記ステップが、１より大きいｍ：ｎのスケーリング比を使用することをさらに含むことからなる請求項６の方法。
【請求項８】
前記ｎ画素画像データからの全画素を、前記ｍ画素スケーリング済み画像データにコピーして複製画素を形成するステップをさらに含むことからなる請求項７の方法。
【請求項９】
複数のストレッチ画素を生成するステップをさらに含み、前記ストレッチ画素および前記複製画素が、前記ｍ画素スケーリング済み画像データを形成することからなる請求項８の方法。
【請求項１０】
前記複数の複製画素の間に、前記複数のストレッチ画素を実質的に均等の間隔に配置するステップをさらに含むことからなる請求項９の方法。
【請求項１１】
前記複数のストレッチ画素のそれぞれが、それに対応する隣接する複製画素を使用することによって生成されることからなる請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記複数のストレッチ画素のそれぞれが、それに隣接する複製画素の表示輝度値の平均を実質的にとることによって得られる表示輝度値を有して生成されることからなる請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記複数のストレッチ画素のそれぞれが、それに隣接する複製画素のうちの１つからコピーされた表示輝度値を有して生成されることからなる請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記複数のテーブルデータを生成する際に、前記ｎ画素画像データの可能な異なる値を使用するステップをさらに含むことからなる請求項４の方法。
【請求項１５】
前記複数のテーブルデータのそれぞれが、前記ｎ画素画像データの値に対応することからなる請求項１４の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体に残留した現像剤を除去するクリーナーブレードと、前記ブレードに対して像担持体の回転方向の上流側に位置し像担持体の幅方向にわたって接触するシール部材と、前記ブレードと前記シール部材との両端側を固定し且つ一部が像担持体の周面に沿った面を有する側板と、前記面に設けた前記現像剤の漏洩を防止するサイドシールとを有するクリーニング装置において、前記シール部材は前記面に重なる位置に延設され、且つこのシール部材の側縁が前記サイドシールの側縁に接触するように該サイドシールを略Ｌ字状に形成し、前記シール部材の側縁と前記サイドシールの側縁とにより画成される略長方形の領域であって且つシール部材の幅方向の側縁と接触しない領域に前記側板を前記像担持体への押圧時に前記サイドシール部材の厚みより薄くなるような弾性部材を設け、更に前記サイドシールの一端を前記ブレードの幅方向内側に向かって突出させるように前記面に固定し、この突出した部分を前記ブレードと前記像担持体との間に位置させ、且つ前記サイドシールの一端に前記ブレードの面に均一に接触するエッジ部を設けたことを特徴とするクリーニング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】  
【課題を解決するための手段】  
上記課題を解決するため、本発明は、像担持体に残留した現像剤を除去するクリーナーブレードと、前記ブレードに対して像担持体の回転方向の上流側に位置し像担持体の幅方向にわたって接触するシール部材と、前記ブレードと前記シール部材との両端側を固定し且つ一部が像担持体の周面に沿った面を有する側板と、前記面に設けた前記現像剤の漏洩を防止するサイドシールとを有するクリーニング装置において、前記シール部材は前記面に重なる位置に延設され、且つこのシール部材の側縁が前記サイドシールの側縁に接触するように該サイドシールを略Ｌ字状に形成し、前記シール部材の側縁と前記サイドシールの側縁とにより画成される略長方形の領域であって且つシール部材の幅方向の側縁と接触しない領域に前記側板を前記像担持体への押圧時に前記サイドシール部材の厚みより薄くなるような弾性部材を設け、更に前記サイドシールの一端を前記ブレードの幅方向内側に向かって突出させるように前記面に固定し、この突出した部分を前記ブレードと前記像担持体との間に位置させ、且つ前記サイドシールの一端に前記ブレードの面に均一に接触するエッジ部を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像捕獲回路であって：
画像からの光に応答し、端子において画素信号を生成する光活性素子；並びに
信号処理回路であって：
（１）第１および第２入力、並びに第１および第２出力を有する増幅器；
（２）第１、第２、第３、第４、第５および第６コンデンサであって、前記第１コンデンサは前記増幅器の前記第１入力および前記第１出力の間に結合され、かつ前記第２コンデンサは前記増幅器の前記第２入力および前記第２出力の間に結合されているもの；および
（３）前記光活性素子によって発生された信号を、第１時間期において前記第３コンデンサの電極に、かつ第２時間期において前記第５コンデンサの電極に切り替えるスイッチング回路であって、前記スイッチング回路は第３時間期において前記第３および第５コンデンサの電極を前記増幅器の前記第１および第２入力に結合して前記増幅器の前記第１および第２出力間に第１の値の検出信号を生成し、前記スイッチング回路はさらに前記信号を前記第３時間期において前記第４コンデンサの電極に、かつ第４時間期において前記第６コンデンサの電極に切り替え、前記スイッチング回路は前記第４および第６コンデンサの前記端子を前記増幅器の前記第１および第２入力に結合して第２の値の検出信号を生成するスイッチング回路；
を具備することを特徴とする画像捕獲回路。
【請求項２】  検出回路であって：
クロック信号（ＶＨＦ）に応答し、入力信号（ＶＰＩＸＥＬ）の複数のタイム・スロット（ＴＳ１ないしＴＳ１６）を発生するクロック駆動発振器（５２）であって、前記複数のタイム・スロットの第１タイム・スロットの間第１制御信号（ＶＳ１）を与える第１出力を有するクロック駆動発振器；
前記第１制御信号に応答し、前記入力信号の第１の値を格納し、第１サンプル信号を生成する第１サンプリング回路；および
前記第１サンプル信号を受信するように結合された第１入力，基準信号を受信するように結合された第２入力，および前記第１サンプル信号と前記基準信号との間の差を表す出力信号（ＶＰＰ−ＶＰＮ）を与える出力を有する減算回路（３０２）；
を具備することを特徴とする検出回路。
【請求項３】  検出回路であって：
第１、第２、第３、第４、第５および第６コンデンサ；
第１および第２入力、並びに、第１および第２出力を有し出力信号を提供する増幅器であって、前記第１コンデンサは前記第１入力および前記第１出力の間に結合され、かつ前記第２コンデンサは前記第２入力および前記第２出力の間に結合されている増幅器；
画素信号を第１サンプリング時間の間に前記第３コンデンサの端子に、かつ第２サンプリング時間の間に前記第５コンデンサの端子に切り替えるスイッチング回路であって、該スイッチング回路は前記第３および第５コンデンサの前記端子を前記増幅器の前記第１および第２入力に結合して第１の値の出力信号を生成し、前記スイッチング回路はさらに前記画素信号を第３サンプリング時間の間に前記第４コンデンサの端子に、かつ前記第４サンプリング時間の間に前記第６コンデンサの端子に切り替えるよう応答し、前記スイッチング回路は前記第４および第６コンデンサの前記端子を前記増幅器の前記第１および第２入力に結合して第２の値の出力信号を生成するスイッチング回路；
を具備することを特徴とする検出回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ・システムであって、
プロセッサと、
ＳＤＲＡＭメモリの第１及び第２のバンクを少なくとも含むメモリ・アレイと、
ホスト・バスを通じてプロセッサに結合されたメモリ・コントローラであって、
第１のクロック信号を発生して、これをＳＤＲＡＭメモリの第１のバンクに供給し、第２のクロック信号を発生して、これをＳＤＲＡＭメモリの第２のバンクに供給するメモリ・クロック発生器と、
ＳＤＲＡＭメモリの第１及び第２のバンクの各々とプロセッサとの間で転送されるデータをバッファ記憶するための第１のデータ・キューであって、プロセッサからＳＤＲＡＭメモリの第１及び第２のバンクへのライト・サイクルの間、一時的にデータを格納する第１のデータ・キューと、
ＳＤＲＡＭメモリからプロセッサへのリード・サイクルの間、データ信号をバッファ記憶する第２のデータ・キューと、
第１及び前記第２データ・キューに接続され、従属接続された２つのフリップ・フロップからなる信号同期部であって、第１及び第２のクロック信号間で信号の同期を取るための信号同期部と
を備えるメモリ・コントローラと
を含むことを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項２】
請求項１記載のコンピュータ・システムにおいて、第１のデータ・キューが、プロセッサからのライト・データを格納するための複数のライト・バッファを含み、該ライト・バッファに、システム・クロック信号によりライト・データが格納されることを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項３】
請求項２記載のコンピュータ・システムにおいて、ライト・データは、メモリ・クロック信号により、ライト・バッファからＳＤＲＡＭメモリに書き込まれることを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項４】
請求項３記載のコンピュータ・システムにおいて、第１のデータ・キューが入力キュー・ロジック及び出力キュー・ロジックを含み、入力キュー・ロジックが、ライト・バッファに対する入力キュー・ポインタを含み、出力キュー・ロジックがライト・バッファに対する出力キュー・ポインタを含むことを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項５】
請求項４記載のコンピュータ・システムにおいて、入力キュー・ロジックが、各ライト・バッファに関連付けられたバッファ・ステータス・ビットを含み、該バッファ・ステータス・ビットにより、関連するバッファ内のライト・データがＳＤＲＡＭメモリに書き込まれたか否かを示すことを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項６】
請求項５記載のコンピュータ・システムにおいて、出力キュー・ロジックが、各ライト・バッファに関連付けられた有効ビットを含み、該有効ビットにより、関連するバッファ内のライト・データがＳＤＲＡＭメモリに書き込まれたか否かを示すことを特徴とするコンピュータ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月22日(2004.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直径０．２〜２ｍｍの円形断面のファイバの海部に直径２０〜３００μｍの光伝送性の芯部が３〜３２４０個配置されてなるプラスチック製マルチ光ファイバの外周に樹脂被覆層を設けたマルチ光ファイバケーブルであって、ケーブル断面での樹脂被覆層の面積占有率が４０〜９５％であり、半径１ｍｍの棒に１回巻き付けたときの光量が巻き付けないときの光量の９０％以上を保持し、かつ曲げ弾性率Ｅが３５０ＭＰａ以下であることを特徴とするプラスチック製マルチ光ファイバケーブル。
【請求項２】
樹脂被覆層の樹脂が、塩化ビニル系重合体又は塩化ビニル重合体とエチレン／酢酸ビニル共重合体とのブレンド物である請求項１記載のプラスチック製マルチ光ファイバケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】２波長反射防止膜及び光学素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に順次積層する多層膜の２波長反射防止膜において、
前記基板上に光学的膜厚がｋ1λ1／４の中間屈折率層、光学的膜厚がｋ2λ1／２の高屈折率層、光学的膜厚がｋ3λ1／４の低屈折率層を順次積層してなる２波長反射防止膜。ただし、ｋ1、ｋ2、ｋ3は正の整数で、λ1は設計中心波長
【請求項２】
基板上に順次積層する多層膜の２波長反射防止膜において、
前記基板上に光学的膜厚が（２ｋ1−１）λ1／４の中間屈折率層、光学的膜厚がｋ2λ1／２の高屈折率層、光学的膜厚がｋ3λ1／２中間屈折率層、光学的膜厚が（２ｋ4−１）λ1／４の低屈折率層を順次積層してなる２波長反射防止膜。ただし、ｋ1、ｋ2、ｋ3、ｋ4は正の整数で、λ1は設計中心波長
【請求項３】
前記低屈折率層の材料がＭｇＦ2、Ｎａ3ＡｌＦ6、ＬｉＦ、ＢａＦ3、ＳｒＦ3、ＣａＦ2、ＮａＦ、ＳｉＯ2及びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分であり、
前記中間屈折率層の材料がＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分であり、
前記高屈折率層の材料がＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｓｃ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分であり、かつ各層の屈折率が低屈折率層＜中間屈折率層＜高屈折率層の関係が成り立つように選択されることを特徴とする請求項１又は２記載の２波長反射防止膜。
【請求項４】
基板と該基板上に順次積層される２波長反射防止膜とを備える光学素子において、
前記反射防止膜は、光学的膜厚がｋ1λ1／４の中間屈折率層、光学的膜厚がｋ2λ1／２の高屈折率層、光学的膜厚がｋ3λ1／４の低屈折率層を順次積層してなることを特徴とする光学素子。ただし、ｋ1、ｋ2、ｋ3は正の整数で、λ1は設計中心波長
【請求項５】
基板と該基板上に順次積層される２波長反射防止膜とを備える光学素子において、
前記反射防止膜は、光学的膜厚が（２ｋ1−１）λ1／４の中間屈折率層、光学的膜厚がｋ2λ1／２の高屈折率層、光学的膜厚がｋ3λ1／２中間屈折率層、光学的膜厚が（２ｋ4−１）λ1／４の低屈折率層を順次積層してなることを特徴とする光学素子。ただし、ｋ1、ｋ2、ｋ3、ｋ4は正の整数で、λ1は設計中心波長
【請求項６】
前記低屈折率層の材料がＭｇＦ2、Ｎａ3ＡｌＦ6、ＬｉＦ、ＢａＦ3、ＳｒＦ3、ＣａＦ2、ＮａＦ、ＳｉＯ2及びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分であり、
前記中間屈折率層の材料がＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分であり、
前記高屈折率層の材料がＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｓｃ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分であり、かつ各層の屈折率が低屈折率層＜中間屈折率層＜高屈折率層の関係が成り立つように選択されることを特徴とする請求項５又は６記載の光学素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、信号を入力するための複数の入力端と、この信号を出力するための複数の出力端と、これら入出力端に電気的に接続された複数の導体とが形成されたコネクタにおいて、上記複数の導体は、魚骨状パターンが形成された第１導体と櫛状パターンが形成された第２導体及び第３導体とを有し、この第１導体の魚骨状パターンは、第２導体と第３導体の櫛状パターンの間に形成されると共に、これら櫛状パターンと互い違いに絶縁を取りながら噛み合わされていることを特徴とするコネクタ。
【請求項２】
上記魚骨状パターンと櫛状パターンとが上記入出力端を電気的に接続する信号伝送線に形成されていることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項３】
上記魚骨状パターンと櫛状パターンとがプリント基板の表裏両面に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項１の発明は、基板に、信号を入力するための複数の入力端と、この信号を出力するための複数の出力端と、これら入出力端に電気的に接続された複数の導体とが形成されたコネクタにおいて、上記複数の導体は、魚骨状パターンが形成された第１導体と櫛状パターンが形成された第２導体及び第３導体とを有し、この第１導体の魚骨状パターンは、第２導体と第３導体の櫛状パターンの間に形成されると共に、これら櫛状パターンと互い違いに絶縁を取りながら噛み合わされているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項２の発明は、上記魚骨状パターンと櫛状パターンとが上記入出力端を電気的に接続する信号伝送線に形成されているものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項３の発明は、上記魚骨状パターンと櫛状パターンとがプリント基板の表裏両面に形成されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月20日(2004.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミ磁気ディスク基板の製造工程におけるＮｉ−Ｐめっき処理後の研磨工程において、Ｒａ＝１５Å以下、Ｒｍａｘ＝２００Å以下まで加工した後、０．０１％以上の過酸化水素を含有しかつ粒径０．５μｍ以下のシリカ粒子を含有したコロイド状研磨剤を用いて研磨することを特徴とする磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項２】
Ｒａ＝１０Å以下、Ｒｍａｘ＝１００Å以下まで加工した後、前記コロイド状研磨剤を用いて研磨する請求項１記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
【請求項３】
前記シリカ粒子がケイ酸水溶液から生成される方法で得られたものである請求項１または２記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項４】
前記シリカ粒子は０．０５〜０．３μｍの球状もしくは楕球状シリカ砥粒を用いる請求項１〜３のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項５】
過酸化水素の含有量が０．０１〜３０％である請求項１または２記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項６】
Ｎｉ−Ｐめっき処理したアルミ磁気ディスク基板の研磨工程に用いられるコロイド状研磨剤であって、０．０１〜４０％の過酸化水素を含有し、かつケイ酸水溶液から生成させた粒径０．５μｍ以下のシリカ粒子を含有することを特徴とするコロイド状研磨剤。
【請求項７】
前記シリカ粒子は０．０５〜０．３μｍの球状もしくは楕球状シリカ砥粒を用いる請求項６に記載のコロイド状研磨剤。
【請求項８】
過酸化水素の含有量が０．０１〜３０％である請求項６または７記載のコロイド状研磨剤。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インドロカルバゾールを含む光伝導性の画像形成部材及びインドロカルバゾール類の調製法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式の（Ｉａ）、（IIａ）、（IIIａ）、（IVａ）、（Ｖａ）、または（VIａ）で表されるインドロカルバゾール、または必要に応じてそれらの混合物を含む電荷輸送層を含む光伝導性の画像形成部材であって、前記インドロカルバゾールの下記式中のＲ及びＲ'は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル、アルコキシル、及びアリールからなる群から独自に選ばれ、ｍ及びｎは０ないし４の数字、Ｒ1及びＲ2は、アルキル、アリール、ビニル、及びジアリールアミノアリールからなる群から独自に選ばれ、Ｒ3及びＲ4は、水素原子、アルキル、アルコキシ、アリール、またはハロゲン、及びｐは１ないし３の数字であることを特徴とする光伝導性の画像形成部材。
【化１】
1999167215.tif 000001
【請求項２】
請求項１に記載の部材において、Ｒ1またはＲ2が、次式（VII）で表されるジアリールアミノアリールであって、下記式中のＡはアリーレン、Ａｒ1及びＡｒ2はアリールであることを特徴とする光伝導性の画像形成部材。
【化２】
1999167215.tif 000002
【請求項３】
請求項１又は２に記載の部材において、前記インドロカルバゾールは、５，１１−ジ−ｍ−トリル−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ジ−１−ナフチル−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、５，１１−ビス（３−メトキシフェニル）−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾール、または５，１１−ビス［４'−（３−メチルジフェニルアミノ）−１，１'−ビフェニル−４−イル］−５，１１−ジヒドロインドロ［３，２−ｂ］カルバゾールであることを特徴とする画像形成部材。
【請求項４】
次式（Ｉａ）、（IIａ）、（IIIａ）、（IVａ）、（Ｖａ）、または（VIａ）で表されるインドロカルバゾール類の調製法であって、銅触媒の存在下で、下記ジヒドロインドロカルバゾール（Ｉｂ）、（IIｂ）、（IIIｂ）、（IVｂ）、（Ｖｂ）または（VIｂ）とハロゲン化アリールとを縮合させることを特徴とするインドロカルバゾール類の調製法。
【化３】
1999167215.tif 000003
［上記式中のＲ及びＲ'は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル、アルコキシル、及びアリールからなる群から独自に選ばれ、ｍ及びｎは０ないし４の数字を表し、Ｒ1及びＲ2は、アルキル、アリール、ビニル、及びジアリールアミノアリールからなる群から独自に選ばれ、Ｒ3及びＲ4は、水素原子、アルキル、アルコキシ、アリール、またはハロゲン、及びｐは１ないし３の数字である。］
【化４】
1999167215.tif 000004
［上記式中、Ｒ及びＲ'は、水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシル、ジアリールアミノアリール、及びアリールからなる群から独自に選ばれ、ｍ及びｎは０ないし４の数字を表し、Ｒ3及びＲ4は、水素、アルキル、アルコキシ、アリール、またはハロゲンを表し、ｐは１ないし３の数字である。］
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素溶媒中、有機リチウム化合物を開始剤として共役ジエン及びビニル芳香族炭化水素を重合して得られた、ビニル芳香族炭化水素含有量が１０〜９５重量％であるブロック共重合体又はその水添物の溶液から溶媒を除去してブロック共重合体又はその水添物を製造するにあたり、１）ブロック共重合体又はその水添物の活性重合体溶液を失活する工程、２）前記ブロック共重合体又はその水添物の溶液のＰＨを６．５〜８．５の範囲に調整する工程、３）前記ブロック共重合体又はその水添物の溶液を１００〜５００メッシュサイズのフィルターを通した後、Ｐ／Ｖ値≧３×１０4の噛み合わせ構造を有する回転分散機内を滞留時間０．０１〜０．５秒の間通過する工程、（但し、Ｐは回転分散機の動力（ＫＷ）、Ｖは溶液通過部の空間容積（ｍ3）である。）４）前記ブロック共重合体又はその水添物の溶液から溶媒を除去する工程、からなり、溶媒を除去した後のブロック共重合体又はその水添物の５０ｇ中のトルエン不溶分ゲルの大きさが０．０２〜０．７ｍｍの範囲にあって、その全個数が１５０個未満で、しかも、０．０２〜０．１４ｍｍの個数が全個数の８０〜１００％、０．１４ｍｍを超え０．２８ｍｍ未満の個数が全個数の０〜２０％、０．２８〜０．７ｍｍの個数が全個数の０〜１％となすことを特徴とするブロック共重合体の製造方法。
【請求項２】
該ブロック共重合体又はその水添物の活性重合体溶液を失活する方法が活性水素を有する化合物を添加することであり、該活性水素を有する化合物の添加量が該有機リチウム化合物に対して０．６〜１．５倍当量であることを特徴とする請求項１記載のブロック共重合体の製造方法。
【請求項３】
該ブロック共重合体又はその水添物の溶液のＰＨを６．５〜８．５の範囲に調整する方法が、ブロック共重合体又はその水添物１００質量部に対して、０．００５〜３質量部の水と、炭酸ガス、有機酸、無機酸の少なくとも１種を添加することを特徴とする請求項１記載のブロック共重合体の製造方法。
【請求項４】
安定剤を添加する工程が、該ブロック共重合体又はその水添物の溶液のＰＨを６．５〜８．５の範囲に調整する工程の後であることを特徴とする請求項１記載のブロック共重合体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
包装フィルムをフォーマによってフラット部とその両側の起立部とから成る形状に成形すると共に前記フォーマによって横方向に走行案内し，横方向に走行する前記包装フィルムの前記フラット部に包装物を載置すると共に前記包装物の付属物を付着し，前記付属物が付着された前記包装フィルムを前記包装物の周りに筒状に成形し，前記包装フィルムに縦シールを施すと共に前記包装物間で前記包装フィルムに横シールを施すことにより，前記付属物を内側に付着した前記包装フィルムによって前記包装物を包装することから成る逆ピロー包装方法。
【請求項２】
包装フィルムをフラット部とその両側の起立部とから成る形状に成形すると共に前記包装フィルムを横方向に走行案内するフォーマ，包装物が載置される前記包装フィルムの前記フラット部に前記包装物の付属物を付着させる付属物付着手段，前記付属物付着手段の後流に配置され，前記付属物が付着された前記包装フィルムを前記包装物の周りに筒状に成形すると共に前記包装フィルムを走行させる筒状フィルム成形手段，前記筒状フィルム成形手段の後流に配置されると共に筒状に成形された前記包装フィルムに縦シールを施す縦シール手段，及び前記縦シール手段の後流に配置されると共に前記包装物間で前記包装フィルムをシールする横シール手段から成る逆ピロー包装機。
【請求項３】
前記付属物付着手段は，前記付属物を前記フラット部に滑り投下させるシュート，又は前記付属物の供給手段から受け取った前記付属物を前記フラット部の上方で解放投下する把持具と，前記フラット部上に載置された状態の前記付属物を前記フラット部に押圧する押圧手段とを有していることから成る請求項２に記載の逆ピロー包装機。
【請求項４】
前記筒状フィルム成形手段の上流近傍には，前記包装フィルムを幅方向に拡開し前記包装フィルム上への前記包装物の供給範囲を拡大する拡開ガイドが設けられており，前記拡開ガイドは，前記包装フィルム上に付着された状態で通過する前記付属物を前記包装フィルムに押し付けることから成る請求項２に記載の逆ピロー包装機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また，付属物付着手段をシュート又は把持具とした逆ピロー包装機において，前記付属物付着手段は，更に，前記フラット部上に載置された状態の前記付属物を前記フラット部に押圧する押圧手段を備えることができる。この場合，シュート又は把持具によって包装フィルムのフラット部に置かれた付属物は，付着が不確かであっても押圧手段によって包装フィルムのフラット部に対して積極的に押圧されるので，付属物の包装フィルム上への付着が確実になり，後の工程で包装フィルムが筒状に成形されるときに付属物が包装フィルムから剥がれる虞がなくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また，この逆ピロー包装機において，前記筒状フィルム成形手段の上流近傍には，前記包装フィルムを幅方向に拡開し前記包装フィルム上への前記包装物の供給範囲を拡大する拡開ガイドが設けられている。包装フィルムのフラット部に置かれた付属物はその付着が不確かであっても，拡開ガイドが通過する付属物を包装フィルムに積極的に押圧するので，付属物の包装フィルム上への付着が確実になり，後の工程で包装フィルムが筒状に成形されるときに付属物が包装フィルムから剥がれる虞がなくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
厚みが１０〜６０ミクロンの二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルム、厚みが１０〜８０ミクロンの未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルム、および塩化ビニリデン成分を７０〜９７重量％含有するポリ塩化ビニリデン系樹脂からなる厚みが、１〜５０ミクロンのフィルムを含有する積層フィルムを、該未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルムが袋の最も内側になるように位置させて、袋の外周の縁部に巾３〜１０ミリのヒートシール線が位置してなるようにヒートシールしてなる開封容易な包装用袋。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を達成するために本発明をなすに至った。すなわち、本発明は、厚みが１０〜６０ミクロンの二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルム、厚みが１０〜８０ミクロンの未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルム、および塩化ビニリデン成分を７０〜９７重量％含有するポリ塩化ビニリデン系樹脂からなる厚みが、１〜５０ミクロンのフィルムを含有する積層フィルムを、該未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルムが袋の最も内側になるように位置させて、袋の外周の縁部に巾３〜１０ミリのヒートシール線が位置してなるようにヒートシールしてなる開封容易な包装用袋である。以下、本発明を詳細に説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
厚みが１０〜６０ミクロンの二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルムと厚みが１０〜８０ミクロンの未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルムとの間に厚みが３〜７０ミクロンのアルミ箔を配されてなる少なくとも３層の積層フィルム（Ａ）と、厚みが１０〜６０ミクロンの二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルム、厚みが１０〜８０ミクロンの未延伸ポリオレフィンフィルム、および厚さ１〜５０ミクロンのポリ塩化ビニリデン系樹脂フィルムの少なくとも３層からなる積層フィルム（Ｂ）とを、該未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルムを袋の最も内側になるように位置させ、袋の外周の縁部に巾３〜１０ミリのヒートシール線が位置するようにヒートシールしてなることを特徴とする開封容易な包装用袋。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を達成するために鋭意検討した結果、本発明をなすに至った。すなわち、本発明は、厚みが１０〜６０ミクロンの二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルムと厚みが１０〜８０ミクロンの未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルムとの間に厚みが３〜７０ミクロンのアルミ箔を配されてなる少なくとも３層の積層フィルム（Ａ）と、厚みが１０〜６０ミクロンの二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルム、厚みが１０〜８０ミクロンの未延伸ポリオレフィンフィルム、および厚さ１〜５０ミクロンのポリ塩化ビニリデン系樹脂フィルムの少なくとも３層からなる積層フィルム（Ｂ）とを、該未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルムを袋の最も内側になるように位置させ、袋の外周の縁部に巾３〜１０ミリのヒートシール線が位置するようにヒートシールしてなることを特徴とする開封容易な包装用袋である。
アルミ箔には二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルムと未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルムとの接着性を上げるため、ウレタン系、イミン系、ブタジエン系等のアンカーコート剤を塗布しておくことが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以下、本発明を説明する。本発明が、従来技術と最も相違するところは、二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルムと未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルムとの積層フィルムをヒートシールし得られる包装袋において、二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルムと未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルム間に厚みが３〜７０ミクロンのアルミ箔を配した積層フィルム（Ａ）と、二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルムの少なくとも片面に厚さ１〜５０ミクロンのポリ塩化ビニリデンフィルムが積層された積層体（Ｂ）の、（Ａ）と（Ｂ）をヒートシールすることである。上記従来技術と相違するところの本発明の構成要件の役割は、容易に手で開封できるといった効果を有したままで、内容物の保存安定性、透明性、装飾性や意匠性にも優れた包装用袋が得られることである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
アルミ箔には二軸延伸ポリスチレン系樹脂フィルムと未延伸ポリオレフィン系樹脂フィルムとの接着性を上げるため、ウレタン系、イミン系、ブタジエン系等のアンカーコート剤を塗布しておくことが好ましい。本発明で用いられるポリ塩化ビニリデン系樹脂フィルムは、塩化ビニリデン成分を好ましくは７０〜９７重量％、より好ましくは８０〜９６重量％含有するフィルムである。７０重量％未満ではガスバリアー性が不十分であり、９７重量％を超えると高結晶化が進みフィルムを形成することはできない。塩化ビニリデン以外の成分としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリロニトリル、塩化ビニル、スチレン等があり、この他に本発明の目的を損なわない範囲で熱安定剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、着色剤、可塑剤、オリゴマー、その他慣用の添加剤等を含むことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の状態で充填間隔からアンダーカップ充填を行うと、噴射剤を充填する際の強い充
填圧力により、弧状部とフランジ部とで構成される凹部にも、噴射剤が入り込んで、これ
らを外方向に強く加圧する。すると、弧状部(１)は、図７にも示すように、フランジ部(
２)よりも先端を長く外側に配置する事により、露出面(３)が形成されているので、噴射
剤は、この弧状部(１)の露出面(３)を強く加圧する。そして、この露出面(３)を加圧した
噴射剤が、図７の矢印で示す如く、露出面(３)に沿ってフランジ部(２)の先端側に流動し
、この先端面を強く加圧して、内方に湾曲変形させる。この湾曲によって、弧状部(１)と
フランジ部(２)の先端との間に隙間(４)を生じさせ、噴射剤の強い充填圧が、この隙間(
４)を押し広げるので、図７に示す如く、内袋内に噴射剤が侵入するものとなっていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、工業用としては、潤滑防錆剤、接着剤、金属探傷剤、離型剤、コーテング剤等に
用いる事ができる。また、自動車用としては、防曇剤、解氷剤、パンク修理剤、エンジン
クリーナー等に用いる事ができる。その他、動物用品、趣味娯楽用品、食品、例えばコー
ヒー、ジュース、クリーム、チーズ等に用いる事ができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、第３工程では、図４に示す如く、内袋(１０)のフランジ部(１１)下面と外容器
(１３)のビード部(１５)の上面との間の充填間隔(２１)から、噴射剤のアンダーカップ充
填を行う。すると、噴射剤は、内袋(１０)の外周面と、外容器(１３)の開口部(１４)の内
周面との間の流通間隔(２６)を通過して、外容器(１３)内に流入し、充填が行われる。ま
た、噴射剤は、図４の矢印で示す如く、フランジ部(１１)の内面で構成する凹部を外方向
に加圧する。このフランジ部(１１)は、先端を弧状部(１８)の先端と面一に配置している
ので、噴射剤の加圧力は、このフランジ部(１１)の内面のみに加えられるが、弧状部(１
８)の内面に充填圧が直接に掛かる事はない。そのため、従来例の特開平９−１１８３８
０号の如く、フランジ部(１１)の先端面を垂直に加圧する方向に噴射剤が流動する事がな
く、フランジ部(１１)と弧状部(１８)とを分離する事はないものとなる。従って、内袋(
１０)内への噴射剤の侵入を確実に防止する事ができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｉ
【化１】
1999171618.tif 000001
（式中、Ｍは各々独立に水素、アルカリ金属、アンモニウム塩またはアミン塩を示し；Ｙは炭素数１〜５の２価アルキル基を示し、その２価アルキル基は水酸基またはＣＯＯＭ基で置換されてもよく、Ｍは水素、アルカリ金属、アンモニウム塩またはアミン塩を示し；Ｗは水素、水酸基またはＣＯＯＭ基を示し、Ｍは水素、アルカリ金属、アンモニウム塩またはアミン塩を示す。）で表わされるイミノジ酢酸（塩）類の少なくとも１種以上を含むことを特徴とするセメント組成物混和剤。
【請求項２】
前記イミノジ酢酸（塩）類の少なくとも１種以上を含むことを特徴とするセメント組成物凝結遅延剤。
【請求項３】
前記イミノジ酢酸（塩）類がグルタミン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸塩であることを特徴とする請求項１に記載のセメント組成物混和剤。
【請求項４】
前記イミノジ酢酸（塩）類がグルタミン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸塩であることを特徴とする請求項２に記載のセメント組成物凝結遅延剤。
【請求項５】
イミノジ酢酸（塩）類をセメントに対して０．００５〜３重量％添加することを特徴とする請求項１または３に記載のセメント組成物混和剤。
【請求項６】
イミノジ酢酸（塩）類をセメントに対して０．００５〜３重量％添加することを特徴とする請求項２または４に記載のセメント組成物凝結遅延剤。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
これら図において１は装置本体で、床面ＦＬより低い位置に設置された基礎２上に架台３を介して真空室４が設置されている。
上記真空室４は、底面が床面ＦＬとほぼ同じ高さに位置するメインチャンバ４ａと、このメインチャンバ４ａの上面開口を開閉自在に閉鎖するトップチャンバ４ｂより構成されており、トップチャンバ４ｂは、メインチャンバ４ａ内に設けられたルツボ（図示せず）内にシリコンなどの材料を投入する際、水平方向に旋回自在となっている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
そしてプルチャンバ５が所定高さに達したら、旋回手段６の旋回モータ７を回転させて、旋回軸６ａを中心にプルチャンバ５をインゴット取出し位置Ｂまで旋回させる。
このときも、結晶のネック部１６がショックにより折損して半導体インゴット１０が落下しないよう、旋回開始時と旋回時（等速）及び旋回停止時にショックが発生しないようサーボモータよりなる旋回モータ７を加減速制御すると共に、プルチャンバ５がインゴット取出し位置Ｂに達すると、旋回筒６ｂ側に設けられたドグ２５がリミットスイッチよりなる取出し位置検出器２６を動作させるため、旋回モータ７が停止されて、プルチャンバ５はインゴット取出し位置Ｂに停止される。
なおこのときの停止位置はあまり精度を必要としないため、取出し位置検出器２６は旋回軸６ａの近傍に設置してある。