【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）成分：下記一般式（１）；
Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ  …（１）
［式中、Ｒ１はＨ原子若しくはＦ原子、又はＢ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子若しくはＴｉ原子を含む基、又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。但し、ｎが２のとき、各Ｒ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、各Ｘは同一でも異なっていてもよい。］、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、
（ｂ）成分：少なくとも１種の非プロトン性溶媒（但し、アミド系溶媒を除く。）を含む有機溶媒と、
（ｃ）成分：オニウム塩と、
を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項２】
前記非プロトン性溶媒が、エーテル系溶媒及びケトン系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の非プロトン性溶媒を含む、請求項１記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項３】
前記非プロトン性溶媒が、２価アルコールのジアルキルエ−テル、２価アルコールのアルキルエステルエーテル、２価アルコールのジエステル及び環状ケトンからなる群より選ばれる少なくとも１種の非プロトン性溶媒を含む、請求項１記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項４】
前記非プロトン性溶媒の少なくとも１種が、１０以上の比誘電率を有する非プロトン性溶媒である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項５】
前記１０以上の比誘電率を有する非プロトン性溶媒の含有量が、（ｂ）成分の重量基準で５０質量％以上である、請求項４記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項６】
前記非プロトン性溶媒の含有量が、（ｂ）成分の重量基準で８０質量％以上である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項７】
前記（ａ）成分は、Ｓｉ原子１モルに対する、Ｈ原子、Ｆ原子、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子、Ｔｉ原子及びＣ原子から成る群より選ばれる少なくとも一種の原子の総含有割合が０．６５モル以下のものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項８】
前記オニウム塩がアンモニウム塩である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項９】
前記オニウム塩が、テトラメチルアンモニウム硝酸塩、テトラメチルアンモニウム酢酸塩、テトラメチルアンモニウムプロピオン酸塩、テトラメチルアンモニウムマレイン酸塩及びテトラメチルアンモニウム硫酸塩からなる群より選ばれる１種以上のアンモニウム塩である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項１０】
２５０〜５００℃の加熱温度において熱分解又は揮発する空隙形成用化合物を更に含有してなる、請求項１〜９のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項１１】
基板上にシリカ系被膜を形成する方法であって、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜に含まれる有機溶媒を除去した後、該塗布膜を２５０〜５００℃の加熱温度で焼成することを特徴とするシリカ系被膜の形成方法。
【請求項１２】
基板上に設けられており、請求項１１記載のシリカ系被膜の形成方法により形成されてなることを特徴とするシリカ系被膜。
【請求項１３】
前記シリカ系被膜は、前記基板上に設けられた複数の導電性層のうち互いに隣設された導電性層の間に形成されたものであることを特徴とする請求項１２記載のシリカ系被膜。
【請求項１４】
基板上に請求項１２又は１３記載のシリカ系被膜が形成されてなることを特徴とする電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、本発明は、（ａ）成分：下記一般式（１）；
Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ  …（１）
［式中、Ｒ１はＨ原子若しくはＦ原子、又はＢ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子若しくはＴｉ原子を含む基、又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。但し、ｎが２のとき、各Ｒ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、各Ｘは同一でも異なっていてもよい。］、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：少なくとも１種の非プロトン性溶媒（但し、アミド系溶媒を除く。）を含む有機溶媒と、（ｃ）成分：オニウム塩と、を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記非プロトン性溶媒が、エーテル系溶媒及びケトン系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の非プロトン性溶媒を含むことが好ましい。また、上記非プロトン性溶媒は、２価アルコールのジアルキルエ−テル、２価アルコールのアルキルエステルエーテル、２価アルコールのジエステル及び環状ケトンからなる群より選ばれる少なくとも１種の非プロトン性溶媒を含むことが好ましく、上記非プロトン性溶媒の少なくとも１種は、１０以上の非誘電率を有する非プロトン性溶媒であることが好ましい。さらにまた、上記１０以上の比誘電率を有する非プロトン性溶媒の含有量が、（ｂ）成分の重量基準で５０質量％以上であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記非プロトン性溶媒の含有量は、（ｂ）成分の重量基準で８０質量％以上であることが好ましい。（ｂ）成分に占める非プロトン性溶媒の含有割合が少ないと、上記組成物の硬化時における低温度化と短時間化を妨げる恐れがある。また、被膜の比誘電率の上昇や機械強度の低下を招く恐れがある。また、上記（ａ）成分は、Ｓｉ原子１モルに対する、Ｈ原子、Ｆ原子、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子、Ｔｉ原子及びＣ原子から成る群より選ばれる少なくとも一種の原子の総含有割合が０．６５モル以下のものであることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、上記オニウム塩はアンモニウム塩であることが好ましい。かかる構成を有するシリカ系被膜形成用組成物は、該組成物の安定性を高めることができ、シリカ系被膜の電気特性及び機械特性もより向上させることが可能となる。上記オニウム塩は、テトラメチルアンモニウム硝酸塩、テトラメチルアンモニウム酢酸塩、テトラメチルアンモニウムプロピオン酸塩、テトラメチルアンモニウムマレイン酸塩及びテトラメチルアンモニウム硫酸塩からなる群より選ばれる１種以上のアンモニウム塩であることがより好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
非プロトン性溶媒としては、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、エーテルアセテート系溶媒、アセトニトリル、スルホキシド系溶媒等が挙げられる。これらの中では、エーテル系溶媒及びケトン系溶媒が好ましく、２価アルコールのジアルキルエーテル、２価アルコールのアルキルエステルエーテル、２価アルコールのジエステル及び環状ケトンがより好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル及びシクロヘキサノンが特に好ましい。これらの好適な非プロトン性溶媒の中では、シロキサン樹脂との相溶性やシリカ系被膜の機械強度等の観点から、ケトン系溶媒が好ましく、その中でも環状ケトンが好ましく、シクロヘキサノンが特に好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
１０以上の比誘電率を有する非プロトン性溶媒としては、ケトン系溶媒、アセトニトリル、スルホキシド系溶媒等が例示できる。１０以上の比誘電率を有するケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｉｓｏ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン等が挙げられる。１０以上の比誘電率を有するスルホキシド系溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルスルホキシド等が例示できる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。