Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月6日(2004.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーシングと、
前記ケーシング内に設けられたシリンダと、
前記シリンダの外周面に設けられたリニアモータにより、前記シリンダの軸線方向に往復運動可能なように、前記シリンダ内に設けられるピストンと、
前記シリンダ内において前記ピストンとの間に圧縮空間を形成し軸線方向に往復運動可能なように、前記シリンダ内に設けられるディスプレーサと、を備えるスターリング冷凍機であって、
前記リニアモータは、
前記シリンダの外周面に設けられる内側ヨークと、
前記内側ヨークを取囲むように前記ケーシング側に設けられる外側ヨーク組立体と、
前記内側ヨークと前記外側ヨーク組立体との間隙に配置され、前記ピストンに連結される永久磁石と、を有し、
前記外側ヨーク組立体は、前記内側ヨークに対して対向配置されるボビン／コイルと、
前記ボビン／コイルを前記ケーシング側および軸線方向側から覆うように設けられる外側ヨークと、
前記外側ヨークを軸線方向から挟み込むように設けられるリング形状の一対の押え部材と、を含む、スターリング冷凍機。
【請求項２】
ケーシングと、
前記ケーシング内に設けられたシリンダと、
前記シリンダの外方に設けられたリニアモータにより、前記シリンダの軸線方向に往復運動可能なように、前記シリンダ内に設けられるピストンと、
前記シリンダ内において前記ピストンとの間に圧縮空間を形成し軸線方向に往復運動可能なように、前記シリンダ内に設けられるディスプレーサと、を備えるスターリング冷凍機であって、
前記リニアモータは、
前記シリンダの外周部に設けられる内側ヨークと、
前記内側ヨークの外方に対向配置される外側ヨーク組立体と、
前記内側ヨークと前記外側ヨーク組立体との間隙に配置され、前記ピストンに連結される永久磁石と、を有し、
前記外側ヨーク組立体は、前記内側ヨークに対して対向配置されるボビン／コイルと、
前記ボビン／コイルを前記ケーシング側および軸線方向側から覆うように設けられる外側ヨークと、
前記外側ヨークを軸線方向から挟み込むように設けられるリング形状の一対の押え部材と、を含む、スターリング冷凍機。
【請求項３】
前記シリンダ内で往復運動可能なように、前記ディスプレーサを弾性支持するディスプレーサ支持手段をさらに備え、
前記ディスプレーサ支持手段は、
前記ディスプレーサに連結される弾性部材と、
前記弾性部材を支持し、前記外側ヨーク組立体の軸線方向の端面側に設けられる弾性部材支持手段と、を有する請求項１または２に記載のスターリング冷凍機。
【請求項４】
前記シリンダ内で往復運動可能なように、前記ピストンを弾性支持するピストン支持手段と、
前記シリンダ内で往復運動可能なように、前記ディスプレーサを弾性支持するディスプレーサ支持手段と、をさらに備え、
前記ピストン支持手段は、
前記ピストンに連結される第１弾性部材と、
前記第１弾性部材を支持し、前記外側ヨーク組立体の軸線方向の端面側に設けられる第１弾性部材支持手段と、を有し、
前記ディスプレーサ支持手段は、
前記ディスプレーサに連結される第２弾性部材と、
前記第２弾性部材を支持し、前記外側ヨーク組立体の軸線方向の端面側に設けられる第２弾性部材支持手段と、を有する請求項１または２に記載のスターリング冷凍機。
【請求項５】
前記弾性部材支持手段を、または、前記第１弾性部材支持手段および前記第２弾性部材支持手段を、前記押え部材と一体化した、請求項３または４に記載のスターリング冷凍機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に基づいたスターリング冷凍機の１つの局面においては、ケーシングと、上記ケーシング内に設けられたシリンダと、上記シリンダの外周面に設けられたリニアモータにより、上記シリンダの軸線方向に往復運動可能なように、上記シリンダ内に設けられるピストンと、上記シリンダ内において上記ピストンとの間に圧縮空間を形成し軸線方向に往復運動可能なように、上記シリンダ内に設けられるディスプレーサと、を備えるスターリング冷凍機であって、上記リニアモータは、上記シリンダの外周面に設けられる内側ヨークと、上記内側ヨークを取囲むように上記ケーシング側に設けられる外側ヨーク組立体と、上記内側ヨークと上記外側ヨーク組立体との間隙に配置され、上記ピストンに連結される永久磁石と、を有し、上記外側ヨーク組立体は、上記内側ヨークに対して対向配置されるボビン／コイルと、上記ボビン／コイルを上記ケーシング側および軸線方向側から覆うように設けられる外側ヨークと、上記外側ヨークを軸線方向から挟み込むように設けられるリング形状の一対の押え部材とを含む。
また、この発明に基づいたスターリング冷凍機の他の局面においては、ケーシングと、上記ケーシング内に設けられたシリンダと、上記シリンダの外方に設けられたリニアモータにより、上記シリンダの軸線方向に往復運動可能なように、上記シリンダ内に設けられるピストンと、上記シリンダ内において上記ピストンとの間に圧縮空間を形成し軸線方向に往復運動可能なように、上記シリンダ内に設けられるディスプレーサと、を備えるスターリング冷凍機であって、上記リニアモータは、上記シリンダの外周部に設けられる内側ヨークと、上記内側ヨークの外方に対向配置される外側ヨーク組立体と、上記内側ヨークと上記外側ヨーク組立体との間隙に配置され、上記ピストンに連結される永久磁石と、を有し、上記外側ヨーク組立体は、上記内側ヨークに対して対向配置されるボビン／コイルと、上記ボビン／コイルを上記ケーシング側および軸線方向側から覆うように設けられる外側ヨークと、上記外側ヨークを軸線方向から挟み込むように設けられるリング形状の一対の押え部材とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  前記のセルロースアセテートフイルムが、セルロースアセテート１００質量部に対して、さらにポリエステルウレタンを０．１乃至３０質量部含み、ポリエステルウレタンが、下記一般式で表されるポリエステルとジイソシアナートとの反応物であることを特徴とする請求項３に記載の光学補償シート：
H-(-O-(CH2)q-OOC-(CH2)m-CO)n-O-(CH2)q-OH
［式中、ｑは、２乃至４の整数を表し；ｍは、２乃至４の整数を表し；ｎは、１乃至１００の整数を表す］。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（３）酢化度が５９．０乃至６１．５％の範囲にあるセルロースアセテート、およびセルロースアセテート１００質量部に対して、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物を０．０１乃至２０質量部含み、そして厚みが１０乃至７０μｍの範囲にあるセルロースアセテートフイルム上に、液晶性化合物から形成された光学異方性層が設けられてなり、セルロースアセテートフイルムの、下記式（Ｉ）により定義されるＲｅレターデーション値が２０乃至７０ｎｍの範囲にあり、そして下記式（II）により定義されるＲthレターデーション値が７０乃至４００ｎｍの範囲にあることを特徴とする光学補償シート。
（Ｉ）  Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
（II）  Ｒth＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ
式中、ｎｘは、フイルム面内の遅相軸方向の屈折率であり；ｎｙは、フイルム面内の進相軸方向の屈折率であり；ｎｚは、フイルムの厚み方向の屈折率であり；そして、ｄは、フイルムの厚さである。
（４）前記のセルロースアセテートフイルムが、セルロースアセテート１００質量部に対して、さらにポリエステルウレタンを０．１乃至３０質量部含み、ポリエステルウレタンが、下記一般式で表されるポリエステルとジイソシアナートとの反応物であることを特徴とする（３）に記載の光学補償シート：
H-(-O-(CH2)q-OOC-(CH2)m-CO)n-O-(CH2)q-OH
式中、ｑは、２乃至４の整数を表し；ｍは、２乃至４の整数を表し；ｎは、１乃至１００の整数を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素ガスを含む混合ガスのプラズマをエッチャントとして、あらかじめマスクパターンを形成した被加工物に段差を形成するドライエッチング方法において、上記混合ガスに原子番号が３６以上である不活性ガス、キセノンガス、クリプトンガスから選ばれる少なくとも一つのガスが混合されていることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のドライエッチング方法において、上記炭化水素ガスがメタンガスであることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載のドライエッチング方法において、上記混合ガスが水素ガスを含むことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のドライエッチング方法において、上記被加工物がIII −Ｖ族化合物半導体を含むことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のドライエッチング方法において、上記被加工物がIII −Ｖ族混晶半導体を含むことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載のドライエッチング方法を用いて製造したことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれかに記載のドライエッチング方法を用いて製造したことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体レーザを搭載したことを特徴とする光モジュール。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体レーザを搭載したことを特徴とする光応用システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、上記基板上に形成された第１のサブコレクタ層，第１のコレクタ層，第１のベース層，エミッタ層と、上記第１のコレクタ層とエミッタ層にそれぞれ電気的に接続されたコレクタ電極，エミッタ電極と、上記基板上に形成され、かつ上記第１のサブコレクタ層の側面に接して周囲に形成された絶縁物と、上記絶縁物の少なくとも一部の側面に接して形成された第２のサブコレクタ層と、上記基板上に形成され、かつ上記第２のサブコレクタ層の側面に接して周囲に形成された絶縁物と、上記絶縁物の側面に接して周囲に形成された第３のサブコレクタ層と、上記エミッタ層とエミッタ電極の周囲に形成された上記絶縁物からなる側壁と、上記第２のサブコレクタ層の上方に形成された第２のベース層と、上記第２のベース層と上記第１のベース層とに電気的に接続され、上記絶縁物の上面の少なくとも一部に延在して形成されたベース電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記の第１のサブコレクタ層と第２のサブコレクタ層の間隙，第２のサブコレクタ層と第３のサブコレクタ層の間隙および第１のサブコレクタ層と第３のサブコレクタ層の間隙は、いずれも１μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上記絶縁物はＳｉＯ2 からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、上記基板上に形成された第１のサブコレクタ層，第１のコレクタ層，第１のベース層，エミッタ層と、上記第１のコレクタ層，第１のベース層
，エミッタ層にそれぞれ電気的に接続されたコレクタ電極，ベース電極，エミッタ電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを備えた半導体装置を形成する製造方法において、上記エミッタ電極をマスクとしてエミッタ層を除去し、第１のベース層表面を露出する工程と、上記基板，上記第１のサブコレクタ層と第１のコレクタ層と第１のベース層を異方的にエッチングし、第２のサブコレクタ層と第２のコレクタ層と第２のベース層，第３のサブコレクタ層と第３のコレクタ層と第３のベース層を形成する工程と、上記第１のサブコレクタ層と上記第２のサブコレクタ層により構成される間隙と、上記第２のサブコレクタ層と上記第３のサブコレクタ層により構成される間隙と、上記第１のサブコレクタ層と上記第３のサブコレクタ層により構成される間隙に絶縁物を形成する工程と、上記第１のベース層上の上記絶縁物を除去して上記エミッタ層とエミッタ電極の周囲に絶縁物からなる側壁を形成する工程と、上記第１のベース層と第２のベース層と上記絶縁物の少なくとも一部に延在したベース電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記の第１のサブコレクタ層と第２のサブコレクタ層の間隙，第２のサブコレクタ層と第３のサブコレクタ層の間隙および第１のサブコレクタ層と第３のサブコレクタ層の間隙は、いずれも１μｍ以下であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
上記絶縁物はＳｉＯ2 からなることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数の情報信号が合成された光信号をアナログ電気信号に変換する光電変換手段と、上記アナログ電気信号を増幅するＡＧＣアンプと、上記増幅されたアナログ電気信号をデジタル電気信号に変換する識別器と、上記デジタル電気信号を前記情報信号に基づく信号に分離する分離回路と、上記増幅されたアナログ電気信号を受けて上記識別器および上記分離回路に上記情報信号に基づく信号を抽出するためのタイミング信号を出力するタイミング抽出回路を有する通信機器において、上記ＡＧＣアンプ，上記識別器および上記タイミング抽出回路の中の少なくとも１つは請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置を有していることを特徴とする通信機器。
【請求項８】
複数のデジタル電気信号と、上記デジタル電気信号を複合化デジタル電気信号に変換する複合化回路と、上記複合化デジタル信号を増幅する変調器ドライバと、光素子から発せられた光を変調して上記複合化デジタル信号を光信号に変換する変調器とを有する通信機器において、上記変調器および上記変調器ドライバの少なくとも１つは請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置を有していることを特徴とする通信機器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、請求項３記載の構成のとおり、炭素材料に対して特定の比率で結着剤（Ａ）および結着剤（Ｂ）を用いることで、なお一層、低温放電特性、合剤剥がれにおいて優れた強度をもつ非水電解液二次電池用負極を提供することができる。その比率は炭素材料１００に対して、結着剤（Ａ）を０．３以上５以下及び結着剤（Ｂ）を０．３以上５以下にすることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月13日(2004.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード用エピタキシャルウェハの表面に、溝で囲まれ周囲の領域と電気的に分離された小領域を形成し、該小領域に電流を流し発光させることにより発光特性を評価する発光ダイオード用エピタキシャルウェハの発光特性評価方法において、該発光ダイオード用エピタキシャルウェハが、表面から３μｍ乃至１５μｍの深さにある発光層と該発光層上に形成されたバンドギャップが発光層より小さい表面層とを少なくとも有し、前記小領域が直径１００μｍ以上３００μｍ以下の円形であり、表面からの前記溝の深さが、発光層の深さより３μｍ以上深くかつ表面から２０μｍ以下であることを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウェハの発光特性評価方法。
【請求項２】
前記溝の断面形状が略半円形であり、かつ該溝の側面が鏡面であることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの発光特性評価方法。
【請求項３】
前記溝が、エッチャントとして臭素のメタノール溶液を用いた化学的エッチングにより形成されたものであることを特徴とする請求項１または２記載の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの発光特性評価方法。
【請求項４】
エピタキシャルウェハがＡｌＧａＩｎＰ層を積層したエピタキシャルウェハであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの発光特性評価方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｉ含有ガスとＳｉ含有ガスとＮ２ ガス及び還元ガスを処理容器内に供給する工程と、
Ｔｉ含有ガスとＳｉ含有ガスとＮ２ ガス及び還元ガスを用いてプラズマを生成する工程と、を有し、
前記プラズマにより、被処理体上にＴｉＳｉＮ膜を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記Ｓｉ含有ガスとＮ２ ガスと還元ガスとの内の少なくとも１つの供給量を変化させることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記Ｔｉ含有ガスは、ＴｉＣｌ４ からなる事を特徴とする請求項１又は２記載の成膜方法。
【請求項４】
前記Ｓｉ含有ガスは、シラン、ジシラン、ジクロルシランから選択される事を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項５】
前記Ｓｉ含有ガスはＳｉＨ４ からなり、前記還元ガスはＨ２ からなる事を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項６】
前記ＳｉＨ４ の流量が１〜１０ｓｃｃｍである事を特徴とする請求項５記載の成膜方法。
【請求項７】
前記ＴｉＣｌ４ の流量が３〜１０ｓｃｃｍ、Ｈ２ の流量が１００〜１０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ の流量が１０００〜３０００ｓｃｃｍである事を特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項８】
前記被処理体の温度が、３５０〜４００℃である事を特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記処理容器内の圧力が、１〜３Ｔｏｒｒ（１３３〜４００Ｐａ）である事を特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記ＴｉＳｉＮ膜の組成比が、Ｔｉを１６〜４０％、Ｓｉを１０〜４０％、Ｎを２６〜３８％の組成からなる事を特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記ＴｉＳｉＮ膜は非結晶状態である事を特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記ＴｉＳｉＮ膜中にＳｉ−Ｎ結合を有する事を特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１３】
前記ＴｉＳｉＮ膜の形成は、ＣＶＤで形成される事を特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１４】
組成比が、Ｔｉを１６〜４０％、Ｓｉを１０〜４０％、Ｎを２６〜３８％の組成を有する事を特徴とするＴｉＳｉＮ膜。
【請求項１５】
シリコン層或いはシリコンを含む層と銅層との間に介在されたバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層として、組成比が、Ｔｉを１６〜４０％、Ｓｉを１０〜４０％、Ｎを２６〜３８％の組成からなるＴｉＳｉＮ膜を用いた事を特徴とするバリヤメタル層。
【請求項１６】
シリコン層或いはシリコンを含む層と銅層との間に介在されたバリヤメタル層を形成するに際して、シラン系ガスとチタンを含むチタン含有ガスと窒素ガスとを少なくとも原料ガスとして使用し、プラズマＣＶＤにより、組成比が、Ｔｉを１６〜４０％、Ｓｉを１０〜４０％、Ｎを２６〜３８％の組成からなるＴｉＳｉＮ膜を形成するようにした事を特徴とするバリヤメタル層の形成方法。
【請求項１７】
前記シラン系ガスはＳｉＨ４ であり、前記チタン含有ガスはＴｉＣｌ４ である事を特徴とする請求項１６記載のバリヤメタル層の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題点を解決するために、シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層と銅層との間に介在されたバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてＴｉＳｉＮ膜を用いるようにしたものである。
また本発明方法は、Ｔｉ含有ガスとＳｉ含有ガスとＮ２ ガス及び還元ガスを処理容器内に供給する工程と、Ｔｉ含有ガスとＳｉ含有ガスとＮ２ ガス及び還元ガスを用いてプラズマを生成する工程と、を有し、前記プラズマにより、被処理体上にＴｉＳｉＮ膜を形成するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層と銅層との間にバリヤメタル層としてＴｉＳｉＮ膜を用いることにより、比抵抗が高く、しかもシリコンの吸い上げ、或いは銅の拡散もほとんど発生させることなく、高いバリヤ性を発揮させることができる。
また、このＴｉＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤにより成膜すれば、プロセス温度は通常のＣＶＤ成膜温度よりも低い３５０〜４５０℃程度の温度で良く、従って、銅線配線時に用いる低誘電率膜よりなる絶縁層に対して熱的ダメージを与えることが少なくて済む。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鏡筒部分と、該鏡筒部分を支持する搭載接続部とを有する投影光学系と；
被搭載接続部を有する支持台であって、前記搭載接続部を前記被搭載接続部に接続して前記投影光学系を支持する支持台と；
前記鏡筒部分と、前記搭載接続部と、前記支持台と、の少なくとも一つに設けられた温度制御装置とを備えることを特徴とする；
投影露光装置。
【請求項２】
前記温度制御装置は、前記搭載接続部と前記被搭載接続部との接続箇所近傍の前記鏡筒部分に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項３】
前記温度制御装置が冷却媒体を介して、熱を吸収するように構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の投影露光装置。
【請求項４】
前記温度制御装置が、温度調整器を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の投影露光装置。
【請求項５】
前記温度制御装置は、前記鏡筒部分と、前記搭載接続部と、前記支持台との少なくとも一つの設置部に接続される廃熱部を有し、該廃熱部と前記設置部との間に、熱伝導部材を設けたことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の投影露光装置。
【請求項６】
前記投影光学系は光学素子を有し、該光学素子の温度を調整する光学素子温度制御部材をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の投影露光装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の投影露光装置内に、パターンの形成されたレチクルを載置する工程と；
前記投影光学系に関して前記レチクルと共役な位置に、半導体デバイス用の基板を載置する工程と；
前記投影露光装置を用いて前記パターンを前記基板に投影露光する工程とを備えることを特徴とする；
半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
それぞれ複数の光学素子を含む複数の光学素子群と、前記光学素子群をそれぞれ保持する複数の保持部材とを有する投影光学系を備え；
前記複数の保持部材は、前記光学素子の温度を調整する光学素子温度制御部材を各個別に有することを特徴とする；
露光装置。
【請求項９】
前記光学素子群の少なくとも一つはミラー部を有することを特徴とする請求項８に記載する露光装置。
【請求項１０】
前記光学素子温度制御部材は、所定の温度に温度調整された液体が内部を流動することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の露光装置。
露光装置。
【請求項１１】
前記投影光学系を所定の支持部で支持する支持台を備え；
前記支持台は、前記支持部における前記投影光学系との連結位置の近傍に温度制御装置を有することを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記温度制御装置は、所定の温度に温度調整された液体が内部を流動する廃熱部を有することを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】  上記目的を達成するために、請求項７に係る発明による半導体デバイスの製造方法は、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の投影露光装置内に、パターンの形成されたレチクルを載置する工程と；前記投影光学系に関して前記レチクルと共役な位置に、半導体デバイス用の基板を載置する工程と；前記投影露光装置を用いて前記パターンを前記基板に投影露光する工程とを備えることを特徴とする。 また、請求項８に記載の発明に係る露光装置は、それぞれ複数の光学素子を含む複数の光学素子群と、前記光学素子群をそれぞれ保持する複数の保持部材とを有する投影光学系を備え；前記複数の保持部材は、前記光学素子の温度を調整する光学素子温度制御部材を各個別に有することを特徴とする。これによれば、光学素子の温度変動を抑えることができる。  この場合において、請求項９に記載の発明のように、前記光学素子群の少なくとも一つはミラー部を有するようにしてもよい。  また、請求項１０に記載の発明のように、前記光学素子温度制御部材は、所定の温度に温度調整された液体が内部を流動することを特徴とする。  更に、請求項１１に記載の発明のように、前記投影光学系を所定の支持部で支持する支持台を備え；前記支持台は、前記支持部における前記投影光学系との連結位置の近傍に温度制御装置を有するようにすることができる。これによれば、温度制御装置によって、連結位置を経て伝わる熱を効率よく吸収することができる。  更に、請求項１２に記載の発明のように、前記温度制御装置は、所定の温度に温度調整された液体が内部を流動する廃熱部を有するようにすることができる。これによれば、液体によって運ばれる熱を廃熱部から効率よく廃棄することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月20日(2005.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成されたアモルファス半導体膜上に開口部を有するマスクを形成する工程と、
ニッケルを含む溶液をスピンコート法により塗布する工程と、
第１の加熱処理を行い、前記アモルファス半導体膜を結晶化させる工程と、
前記開口部の底部に前記結晶化した膜を露呈させる工程と、
前記開口部の底部に露呈した前記結晶化した膜の表面に酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記マスク及び前記酸化シリコン膜上にＮ型導電性を有するアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
第２の加熱処理を行い、前記Ｎ型導電性を有するアモルファスシリコン膜中に前記ニッケルをゲッタリングさせる工程と、
前記Ｎ型導電性を有するアモルファスシリコン膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成されたアモルファスシリコン膜上に開口部を有するマスクを形成する工程と、
ニッケルを含む溶液をスピンコート法により塗布する工程と、
第１の加熱処理を行い、前記アモルファスシリコン膜を結晶化させてポリシリコン膜を形成する工程と、
１％に希釈したフッ化水素酸でエッチング洗浄を行い、前記開口部の底部に前記ポリシリコン膜を露呈させる工程と、
前記開口部の底部に露呈した前記ポリシリコン膜の表面に酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記マスク及び前記酸化シリコン膜上にＮ型導電性を有するアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
第２の加熱処理を行い、前記Ｎ型導電性を有するアモルファスシリコン膜中に前記ニッケルをゲッタリングさせる工程と、
前記Ｎ型導電性を有するアモルファスシリコン膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に形成されたアモルファスシリコン膜上に開口部を有するマスクを形成する工程と、
シリコンの結晶化を助長するニッケル膜を気相法により形成する工程と、
第１の加熱処理を行い、前記アモルファスシリコン膜を結晶化させてポリシリコン膜を形成する工程と、
エッチング処理を行い、前記ニッケル膜を除去し、前記開口部の底部に前記ポリシリコン膜を露呈させる工程と、
前記開口部の底部に露呈した前記ポリシリコン膜の表面に酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記マスク及び前記酸化シリコン膜上にＮ型導電性を有するアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
第２の加熱処理を行い、前記Ｎ型導電性を有するアモルファスシリコン膜中に前記ニッケルをゲッタリングさせる工程と、
前記Ｎ型導電性を有するアモルファスシリコン膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記第２の加熱処理は５５０〜７５０℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記Ｎ型導電性を有するアモルファスシリコン膜には１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上のリンが含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記Ｎ型導電性を有するアモルファスシリコン膜を除去する工程は、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチング法により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記前記Ｎ型導電性を有するアモルファスシリコン膜を除去する工程は、ウェットエッチング法により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、
面方位は｛１１０｝配向であり、且つ、結晶粒界では結晶格子に連続性があることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項２】
複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、
面方位は｛１１０｝配向であり、且つ、結晶粒界を横切る様にして観測される格子縞が、前記結晶粒界を形成する異なる結晶粒間で直線的に連続していることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項３】
複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、
｛１１０｝配向比率が０．９以上であり、且つ、結晶粒界では結晶格子に連続性があることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項４】
複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、
｛１１０｝配向比率が０．９以上であり、且つ、結晶粒界を横切る様にして観測される格子縞が、前記結晶粒界を形成する異なる結晶粒間で直線的に連続していることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項５】
電子線回折パターンには｛１１０｝配向による特定の規則性が観測されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体薄膜。
【請求項６】
複数の棒状または偏平棒状結晶はいずれも｛１１１｝面を先頭に〈１１１〉軸方向に沿って結晶成長したものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体薄膜。
【請求項７】
複数の棒状または偏平棒状結晶は互いに概略平行に特定の方向性をもって並んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体薄膜。
【請求項８】
膜中に存在するＣ、Ｎ、Ｏ、Ｓの濃度は５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体薄膜。
【請求項９】
膜中にはＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅから選ばれた一種または複数種の元素が、５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下の濃度で存在することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体薄膜。
【請求項１０】
珪素または珪素を主成分とする元素からなることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体薄膜。
【請求項１１】
少なくともチャネル形成領域が複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記半導体薄膜の面方位は｛１１０｝配向であり、且つ、結晶粒界では結晶格子に連続性があることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
少なくともチャネル形成領域が複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記半導体薄膜の面方位は｛１１０｝配向であり、且つ、結晶粒界を横切る様にして観測される格子縞が、前記結晶粒界を形成する異なる結晶粒間で直線的に連続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
少なくともチャネル形成領域が複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記半導体薄膜は｛１１０｝配向比率が０．９以上であり、且つ、結晶粒界では結晶格子に連続性があることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
少なくともチャネル形成領域が複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記半導体薄膜は｛１１０｝配向比率が０．９以上であり、且つ、結晶粒界を横切る様にして観測される格子縞が、前記結晶粒界を形成する異なる結晶粒間で直線的に連続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
半導体薄膜の電子線回折パターンには｛１１０｝配向による特定の規則性が観測されることを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１６】
複数の棒状または偏平棒状結晶はいずれも｛１１１｝面を先頭に〈１１１〉軸方向に沿って結晶成長したものであることを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１７】
複数の棒状または偏平棒状結晶は互いに概略平行に特定の方向性をもって並んでいることを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１８】
半導体薄膜中に存在するＣ、Ｎ、Ｏ、Ｓの濃度は５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満であることを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１９】
半導体薄膜中にはＮｉ、Ｃｉ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅから選ばれた一種または複数種の元素が、５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下の濃度で存在することを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項２０】
半導体薄膜は珪素または珪素を主成分とする元素からなることを特徴とする請求項１１乃至請求項１９のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項２１】
請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体薄膜を有し、
前記半導体薄膜にはソース領域、チャネル形成領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域が設けられ、
前記ソース領域及びドレイン領域にはシリサイドが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体薄膜を有し、
前記半導体薄膜にはソース領域、チャネル形成領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域が設けられ、
前記半導体薄膜上にはゲイト絶縁膜が設けられ、
前記ゲイト絶縁膜上にはゲイト電極が設けられ、
前記ソース領域及びドレイン領域には金属シリサイドが形成され、
前記ゲイト電極上面には金属シリサイドが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定器が送信してくる種々の測定データを受信してデータ加工を行う半導体製造装置の群管理システムにおいて、
前記測定データを加工する計算式を予め登録しておき、前記測定データを受信したとき、前記登録された計算式の中から前記測定データを加工するのに適する少なくとも一つの計算式を選択し、
前記受信された測定データを前記選択された計算式に適用して計算し、計算結果を記憶することを特徴とする半導体製造装置の群管理システム。
【請求項２】
測定器が送信してくる種々の測定データを受信してデータ加工を行う半導体製造装置の群管理システムにおいて、
前記測定データを加工する計算式を予め登録しておき、前記測定データを受信したとき、前記測定データが有するレシピ名称に基づいて前記登録された計算式の中から前記測定データを加工するのに適する同じレシピ名称を持つ少なくとも一つの計算式を選択し、
前記受信された測定データを前記選択された計算式に適用して計算し、計算結果を記憶することを特徴とする半導体製造装置の群管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月21日(2004.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極、電解液等および前記正極と前記負極と接続したリード線を封入袋にて封入し、前記リード線夫々の一部を外部に取り出してなる非水電解質電池用リード線であって、前記リード線夫々には絶縁が施されており、前記絶縁の材料が酸トラップ機能を有することを特徴とする非水電解質電池用リード線。
【請求項２】
熱可塑性樹脂１００重量部と、カルボン酸金属塩、金属酸化物、ハイドロタルサイト類より選ばれた１種類、あるいは、複数種類の、合計で、２０重量部以上、１００重量部以下とを主体とする樹脂組成物を、前記リード線夫々の前記絶縁の材料として使用することを特徴とする請求項１に記載の非水電解質電池用リード線。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂が、酸変性ポリエチレン、酸変性ポリプロピレン、アイオノマーより選ばれた１種類であることを特徴とする請求項２に記載の非水電解質電池用リード線。
【請求項４】
正極、負極、電解液等および前記正極と前記負極と接続した請求項１に記載のリード線を封入袋にて封入し、前記リード線夫々の一部を外部に取り出してなることを特徴とする非水電解質電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ミラクロンＰＣは、ガラス表面層をＬｉ+←→Ｎａ+ のイオン交換して得られる化学強化ガラスであり、特に曲げ強度は５２００ｋｇｆ／ｃｍ2と極めて強いという特徴がある。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
次に、第２の変形例に係る発光素子１０Ｂｂは、図１７に示すように、上側ハウジング部材１２のみに凹部３０が設けられ、下側ハウジング部材１４の一主面１４ａに薄膜５０及び５２による陽極及び陰極が形成されている点で異なる。この場合も、図１８に示すように、前記凹部３０と下側ハウジング部材１４の一主面１４ａとでキャビティ１６が形成されることになり、特に、陽極及び陰極を構成する薄膜５０及び５２の先端を尖鋭状に形成すると、放電効率を高める点で一層好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月8日(2005.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部空間における被測定ガス中の被測定ガス成分の量を測定するガスセンサであって、少なくとも、
前記外部空間に接する固体電解質と、
前記固体電解質内部に形成された内部空所と、
前記外部空間からガス導入口を介して所定の拡散抵抗の下に前記被測定ガスを導入するための拡散律速手段と、
前記内部空所の内外に形成された内側ポンプ電極と外側ポンプ電極を有し、かつ、前記外部空間から導入された前記被測定ガスに含まれる酸素を前記電極間に印加される制御電圧に基づいてポンピング処理するポンプ手段とを具備したガスセンサにおいて、
前記拡散律速手段は、前記ガス導入口から前記内部空所に連通し、且つ、上下に並んだ２つのスリットを有し、
前記２つのスリットの各断面形状を形成するそれぞれ１因子の寸法が、１０μｍ以下であることを特徴とするガスセンサ。
【請求項２】
請求項１記載のガスセンサにおいて、
前記２つのスリットは、各断面形状がそれぞれ横型のスリットで形成され、前記１因子は、前記２つのスリットにおけるそれぞれの縦方向の長さであることを特徴とするガスセンサ。
【請求項３】
請求項１記載のガスセンサにおいて、
前記２つのスリットは、各断面形状がそれぞれ縦型のスリットで形成され、前記１因子は、前記２つのスリットにおけるそれぞれの横方向の長さであることを特徴とするガスセンサ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のガスセンサにおいて、
前記ガス導入口と前記拡散律速手段との間に緩衝空間が設けられていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項５】
請求項４記載のガスセンサにおいて、
前記ガス導入口と前記内部空所との間に目詰まり防止部と緩衝空間とがシリーズに設けられ、
前記目詰まり防止部の前面開口で前記ガス導入口を構成し、
前記目詰まり防止部と前記緩衝空間の間に、前記被測定ガスに対して所定の拡散抵抗を付与する拡散律速部が設けられていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のガスセンサにおいて、
前記ポンプ手段は、前記内部空所に導入された前記外部空間からの被測定ガスに含まれる酸素をポンピング処理して、前記内部空所における酸素分圧を前記被測定ガス中の所定ガス成分が分解され得ない所定の値に制御することを特徴とするガスセンサ。
【請求項７】
請求項６記載のガスセンサにおいて、
前記ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス中に含まれる所定ガス成分を触媒作用及び／又は電気分解により分解させ、該分解によって発生した酸素をポンピング処理する測定用ポンプ手段とを具備し、
前記測定用ポンプ手段のポンピング処理によって該測定用ポンプ手段に流れるポンプ電流に基づいて前記被測定ガス中の前記所定ガス成分を測定することを特徴とするガスセンサ。
【請求項８】
請求項６記載のガスセンサにおいて、
前記ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス中に含まれる所定ガス成分を触媒作用により分解させ、該分解によって発生した酸素の量と基準ガスに含まれる酸素の量との差に応じた起電力を発生する酸素分圧検出手段とを具備し、
前記酸素分圧検出手段にて検出された起電力に基づいて前記被測定ガス中の前記所定ガス成分を測定することを特徴とするガスセンサ。
【請求項９】
外部空間における被測定ガス中の窒素酸化物成分の量を測定する窒素酸化物センサであって、少なくとも、
前記外部空間に接する酸素イオン伝導性固体電解質からなる基体と、
前記固体電解質内に形成され、前記外部空間と連通した第１の内部空所と、
前記外部空間からガス導入口を介して所定の拡散抵抗の下に前記被測定ガスを前記第１の内部空所へ導入するための第１の拡散律速手段と、
前記第１の内部空所内外に形成された第１の内側ポンプ電極と第１の外側ポンプ電極を有し、かつ、前記外部空間から導入された前記被測定ガスに含まれる酸素を前記電極間に印加される制御電圧に基づいてポンピング処理して、前記第１の内部空所内の酸素分圧を実質的にＮＯが分解され得ない所定の値に制御する主ポンプ手段と、
前記第１の内部空所と連通した第２の内部空所と、
所定の拡散抵抗の下に前記第１の内部空所内でポンピング処理された雰囲気を前記第２の内部空所へ導入するためのスリットで形成された第２の拡散律速手段と、
前記第２の内部空所内外に形成された第２の内側ポンプ電極と第２の外側ポンプ電極を有し、かつ、前記第１の内部空所から導入された前記雰囲気中に含まれるＮＯを触媒作用及び／又は電気分解により分解させ、該分解によって発生した酸素をポンピング処理する測定用ポンプ手段とを具備し、
前記測定用ポンプ手段のポンピング処理によって該測定用ポンプ手段に流れるポンプ電流に基づいて前記被測定ガス中の窒素酸化物の量を測定する窒素酸化物センサにおいて、
前記第１の拡散律速手段は、前記ガス導入口から前記内部空所に連通し、且つ、上下に並んだ２つのスリットを有し、
前記２つのスリットの各断面形状を形成するそれぞれ１因子の寸法が、１０μｍ以下であることを特徴とする窒素酸化物センサ。
【請求項１０】
外部空間における被測定ガス中の窒素酸化物成分の量を測定する窒素酸化物センサであって、少なくとも、
前記外部空間に接する酸素イオン伝導性固体電解質からなる基体と、
前記固体電解質内に形成され、前記外部空間と連通した第１の内部空所と、
前記外部空間からガス導入口を介して所定の拡散抵抗の下に前記被測定ガスを前記第１の内部空所へ導入するための第１の拡散律速手段と、
前記第１の内部空所内外に形成された第１の内側ポンプ電極と第１の外側ポンプ電極を有し、かつ、前記外部空間から導入された前記被測定ガスに含まれる酸素を前記電極間に印加される制御電圧に基づいてポンピング処理して、前記第１の内部空所内の酸素分圧を実質的にＮＯが分解され得ない所定の値に制御する主ポンプ手段と、
前記第１の内部空所と連通した第２の内部空所と、
所定の拡散抵抗の下に前記第１の内部空所内でポンピング処理された雰囲気を前記第２の内部空所へ導入するためのスリットで形成された第２の拡散律速手段と、
前記第２の内部空所内外に形成された第２の内側測定電極と第２の外側測定電極を有し、かつ、前記第１の内部空所から導入された前記雰囲気中に含まれるＮＯを触媒作用により分解させ、該分解によって発生した酸素の量と基準ガスに含まれる酸素の量との差に応じた起電力を発生する酸素分圧検出手段とを具備し、
前記酸素分圧検出手段にて検出された起電力に基づいて前記被測定ガス中の窒素酸化物の量を測定する窒素酸化物センサにおいて、
前記第１の拡散律速手段は、前記ガス導入口から前記内部空所に連通し、且つ、上下に並んだ２つのスリットを有し、
前記２つのスリットの各断面形状を形成するそれぞれ１因子の寸法が、１０μｍ以下であることを特徴とする窒素酸化物センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着剤層を有した粘着シートを、その粘着剤が剥離シートに接するように重ねてなり、前記粘着シートに、その一部を切り離して所要の箇所に貼り付けて使用するためのラベル切り離し用スリットが形成されたラベル用シートにおいて、
前記剥離シートには、その端縁から前記ラベル切り離し用スリットに囲まれた領域の内部にかけて剥離シート剥離用スリットが形成されており、
前記ラベル切り離し用スリットによって囲まれた領域以外の領域において、前記粘着シート又は前記剥離シートには、それらの端縁と前記ラベル切り離し用スリットとをつなぐ切断可能線が形成され、前記剥離シートには、前記切断可能線と前記剥離シート剥離用スリットとをつなぐように補助スリットが形成されていることを特徴とするラベル用シート。
【請求項２】
粘着剤層を有した粘着シートを、その粘着剤が剥離シートに接するように重ねてなり、前記粘着シートに、その一部を切り離して所要の箇所に貼り付けて使用するためのラベル切り離し用スリットが形成されたラベル用シートにおいて、
前記剥離シートには、その端縁から前記ラベル切り離し用スリットに囲まれた領域の内部にかけて剥離シート剥離用スリットが形成されており、
前記ラベル切り離し用スリットによって囲まれた領域以外の領域において、前記粘着シート又は前記剥離シートには、それらの端縁から前記ラベル切り離し用スリットと剥離シート剥離用スリットとの交点の近傍にかけて延びる切断可能線が形成されていることを特徴とするラベル用シート。
【請求項３】
前記切断可能線は、前記剥離シート剥離用スリットと同一方向を向いて延びるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のラベル用シート。
【請求項４】
前記ラベル切り離し用スリットは前記粘着シートに複数並べて形成され、前記剥離シート剥離用スリットは前記ラベル切り離し用スリットによって囲まれる複数の領域を連続的に横断するように前記剥離シートの一方の端縁から他方の端縁にかけて形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のラベル用シート。
【請求項５】
前記切断可能線は、前記粘着シートのうち前記ラベル切り離し用スリットに囲まれた領域以外の領域において前記剥離シート剥離用スリットと重なる位置に形成されていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載のラベル用シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載のラベル用シートにおいて、前記ラベル切り離し用スリットは前記粘着シートに複数並べて形成され、前記剥離シート剥離用スリットは前記ラベル切り離し用スリットによって囲まれる複数の領域を連続的に横断するように前記剥離シートの一方の端縁から他方の端縁にかけて形成されていることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項２ないし４のいずれかに記載のラベル用シートにおいて、前記切断可能線は、前記粘着シートのうち前記ラベル切り離し用スリットに囲まれた領域以外の領域において前記剥離シート剥離用スリットと重なる位置に形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
これにより、例えば封筒等にラベルを貼り付ける際、ラベル一枚毎に剥離シートを剥がし取る場合に比べて、貼り付け作業を連続的に行うことができる。
＜請求項５の発明＞
請求項５の発明によれば、切断可能線は粘着シートのうちラベル切り離し用スリットに囲まれた領域以外の領域において剥離シート剥離用スリットと重なる位置に形成されているので、ラベル用シート全体の構成を簡単にすることができる。また、この切断可能線は、スリットと比較して若干切断され難い（切断に多少の力を要する）例えばミシン目等で構成されるので、ラベル用シートの印刷途中でシートの湾曲や摩擦等で自然に切断が開始されることが防止される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ベース部材と、
正多角形に形成されて各周面に反射面を有するポリゴンミラーと、
前記ポリゴンミラーを保持して前記ベース部材に対して回転するフランジ部材と、
前記ポリゴンミラーを前記フランジ部材に押圧する押圧部材と、
を備えた光偏光装置において、
前記ポリゴンミラーを保持する前記フランジ部材の保持面、若しくは該保持面によって保持される前記ポリゴンミラーの被保持面の少なくとも何れか一方の表面粗さが下記の条件式を満足するように粗面処理され、且つ前記保持面と前記被保持面とが接着剤にて接着されていることを特徴とする光偏光装置。
３μｍ≦Ｒｙ≦２０μｍ
但し、Ｒｙ：最大高さ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１）
【請求項２】  前記粗面処理がブラスト処理であることを特徴とする請求項１に記載の光偏光装置。
【請求項３】  前記接着剤のヤング率が１，４００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光偏光装置。
【請求項４】  請求項１〜３の何れか１項に記載の光偏光装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】  軸受にフランジ部材を嵌入して一体化する工程と、
複数の反射面を有するポリゴンミラーを保持すべく設けられた前記フランジ部材の保持面を、前記軸受の回転軸と垂直面となるように平面加工する工程と、
前記フランジ部材の保持面の表面粗さが下記の条件式を満足するように粗面処理する工程と、
前記フランジ部材の保持面と、該保持面によって保持される前記ポリゴンミラーの被保持面との間に接着剤を塗布する工程と、
前記ポリゴンミラーを前記フランジ部材に押圧する押圧部材を装着する工程と、
を有することを特徴とする光偏光装置の製造方法。
３μｍ≦Ｒｙ≦２０μｍ
但し、Ｒｙ：最大高さ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１）
【請求項６】  前記粗面処理がブラスト処理であることを特徴とする請求項５に記載の光偏光装置の製造方法。
【請求項７】  前記接着剤のヤング率が１，４００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の光偏光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（１）ベース部材と、正多角形に形成されて各周面に反射面を有するポリゴンミラーと、前記ポリゴンミラーを保持して前記ベース部材に対して回転するフランジ部材と、前記ポリゴンミラーを前記フランジ部材に押圧する押圧部材と、を備えた光偏光装置において、前記ポリゴンミラーを保持する前記フランジ部材の保持面、若しくは該保持面によって保持される前記ポリゴンミラーの被保持面の少なくとも何れか一方の表面粗さが下記の条件式を満足するように粗面処理され、且つ前記保持面と前記被保持面とが接着剤にて接着されていることを特徴とする光偏光装置。
３μｍ≦Ｒｙ≦２０μｍ
但し、Ｒｙ：最大高さ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（２）（１）に記載の光偏光装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
（３）軸受にフランジ部材を嵌入して一体化する工程と、複数の反射面を有するポリゴンミラーを保持すべく設けられた前記フランジ部材の保持面を、前記軸受の回転軸と垂直面となるように平面加工する工程と、前記フランジ部材の保持面の表面粗さが下記の条件式を満足するように粗面処理する工程と、前記フランジ部材の保持面と、該保持面によって保持される前記ポリゴンミラーの被保持面との間に接着剤を塗布する工程と、前記ポリゴンミラーを前記フランジ部材に押圧する押圧部材を装着する工程と、を有することを特徴とする光偏光装置の製造方法。
３μｍ≦Ｒｙ≦２０μｍ
但し、Ｒｙ：最大高さ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１）