【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基体上部に設けられた回路パターン形成のための位相シフトハーフトーンパターン形成領域と上記形成領域の外側周辺に設けられた遮光性レジスト膜とを有するハーフトーン位相シフトマスクに斜入射光を照射することによって上記形成領域のパターンを被加工物の表面に設けられた感光性膜に転写することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
上記被加工物の表面に設けられた感光性膜の異なる近接した部位に対して上記形成領域のパターンを上記感光性膜の位置を部分的に重ならしめて繰り返し露光することを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
複数のマスクを用いて孔パターンとそれよりも少なくとも長手方向の寸法の大きい電極配線パターンを被加工物の表面に形成するに際し、
第１透光性基体の上部に設けられた上記孔パターンに対応するパターンを含む第１の位相シフトハーフトーンパターン形成領域と上記第１の位相シフトハーフトーン形成領域の外側周辺の上記透光性基体の表面上部に設けられた金属遮光膜とを有する第１のハーフトーン位相シフトマスクを用いた第１投影露光処理によって上記孔パターンを上記被加工物の第１表面に形成し、
第２透光性基体の上部に設けられた上記電極配線パターンに対応するパターンを含む第２の位相シフトハーフトーンパターン形成領域と上記第２の位相シフトハーフトーンパターン形成領域の外側周辺に帯状に設けられたレジスト遮光膜とを有する第２のハーフトーン位相シフトマスクを用いた第２投影露光処理によって上記電極配線パターンを上記被加工物の第２表面に形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
複数のマスクを用いて孔パターンとそれよりも少なくとも長手方向の寸法の大きい電極配線パターンを被加工物の表面に形成するに際し、
第１透光性基体の上部に設けられた遮光部と透光部とからなる上記孔パターンに対応するパターンを有するバイナリマスクを用いた第１の投影露光によって上記孔パターンを上記被加工物の第１表面に形成し、
第２透光性基体の上部に設けられた上記電極配線パターンに対応するパターンを含む位相シフトハーフトーンパターン形成領域と上記形成領域の外側周辺に設けられたレジスト遮光膜とを有するハーフトーン位相シフトマスクを用いた第２の露光処理によって上記電極配線パターンを上記被加工物の第２表面に形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
複数の半導体領域を有する半導体基板の上部に設けられた絶縁層に複数の微細孔パターンを形成する際に、
第１透光性基体の上部に設けられた上記微細孔パターンに対応するパターンを含む第１の位相シフトハーフトーン膜パターン形成領域と上記第１の位相シフトハーフトーン膜パターン形成領域の外側周辺の上記透光性基体の表面上部に設けられた金属遮光膜とを有する第１のハーフトーン位相シフトマスクを用いて上記絶縁膜上部に設けられた第１感光性膜を露光し、
上記半導体基板の上部に設けられた導電層に上記微細孔パターンよりも少なくとも長手方向の寸法の大きい複数の電極配線パターンを形成する際に、
第２透光性基体の上部に設けられた上記電極配線パターンに対応するパターンを含む第２の位相シフトハーフトーン膜パターン形成領域と上記第２の位相シフトハーフトーン膜パターン形成領域の外側周辺に設けられたレジスト遮光膜とを有する第２のハーフトーン位相シフトマスクを用いて上記導電層上部に設けられた第２感光性膜を露光することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
上記第１のハーフトーン位相シフトマスクには該マスクの位置合わせマークが上記金属遮光膜に形成され、上記第２のハーフトーン位相シフトマスクには該マスクの位置合わせマークが上記第２の位相シフトハーフトーン膜パターン形成領域に形成され、それらの位置合わせマークを用いて上記半導体基板に対する両マスクの位置合わせが行われることを特徴とする請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
複数の半導体領域を有する半導体基板の上部に設けられた絶縁層に複数の微細孔パターンを形成する際に、
第１透光性基体の上部に設けられた遮光部と透光部とからなる上記微細孔パターンに対応するパターンを有するバイナリマスクを用いて上記絶縁膜上部に設けられた第１感光性膜を露光し、
上記半導体基板の上部に設けられた導電層に上記孔パターンよりも少なくとも長手方向の寸法の大きい複数の電極配線パターンを形成する際に、
第２透光性基体の上部に設けられた上記電極配線パターンに対応するパターンを含む位相シフトハーフトーン膜パターン形成領域と上記形成領域の外側周辺に設けられたレジスト遮光膜とを有するハーフトーン位相シフトマスクを用いて上記導電層上部に設けられた第２感光性膜を露光することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
上記ハーフトーン位相シフトマスクには該マスクの位置合わせマークが上記位相シフトハーフトーン膜パターン形成領域に形成され、上記位置合わせマークを用いて上記半導体基板に対する上記マスクの位置合わせが行われることを特徴とする請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
回路パターンを形成するために透光性基体上に設けられた露光光を減光し且つ該露光光の位相をシフトさせるハーフトーン膜パターンを含む回路パターンの形成領域と上記回路パターンの形成領域の外側周辺に設けられたレジスト遮光膜とを有するハーフトーン位相シフトマスクを準備する工程と、
上記位相シフトマスクの上記回路パターンの形成領域に光を照射しその蛍光を観察することによって上記マスクにおけるレジスト残りの有無を検査する工程と、
上記検査された位相シフトマスクを用いて被加工物の一主面上に設けられた感光性膜を露光し上記感光性膜に上記回路パターンを転写する工程とからなることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
透光性基体上に回路パターンが形成され、上記回路パターンが形成された領域の外側周辺に露光光を遮光するレジスト膜からなる領域が設けられたホトマスクを準備し、
上記レジスト膜が部分的に重ね露光されるように上記ホトマスクを斜入射光でステッパ露光又はスキャン露光することにより被加工物の一主面上に設けられた感光性膜に転写場所を変えて上記回路パターンを複数回転写することを有することを特徴とする電子回路デバイスの製造方法。
【請求項１１】
回路パターン及びマスク位置合わせマークを含むハーフトーン位相シフト膜パターン形成領域と、上記ハーフトーン位相シフト膜パターン形成領域の外側周辺に設けられた遮光性のレジスト膜とが透光性基体上に設けられたハーフトーン位相シフトマスクを縮小投影露光装置に装着し、
上記マスク位置合わせマークを参照して上記ハーフトーン位相シフトマスクと被露光物であるウエーハとの位置合わせを行なった後に、被加工物の一主面上に設けられた感光性膜に対し上記ハーフトーン位相シフトマスクを用いて斜入射露光処理を施こすことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
透光性基体上部に設けられた回路パターン形成のための位相シフトハーフトーンパターン形成領域と上記位相シフトハーフトーンパターン形成領域の外側周辺に設けられた遮光性のレジスト膜とを有するハーフトーン位相シフトマスクを準備し、
上記ハーフトーン位相シフトマスクを上記レジスト膜を搬送手段及び支持手段に接触させずに投影露光装置に装着し、
上記マスクに斜入射光を照射することによって上記パターンを被加工物の表面に設けられた感光性膜の異なる近接した部位に対して上記レジスト膜の位置を部分的に重ならしめて複数回露光することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
回路パターンが配置されているパターン形成領域の外側周辺に露光光を遮光するレジスト膜が被着された第１のホトマスクと、
回路パターン形成領域の外側周辺にメタルで露光光を遮光する第２のホトマスクを用いてリソグラフィを行い、電子回路デバイスを製造することを特徴とする電子回路デバイスの製造方法。
【請求項１４】
露光光透過領域に対し露光光を減光し、且つ露光光の位相が反転する領域を有するハーフトーン位相シフトマスクを用いてリソグラフィを行い電子回路デバイスを製造する電子回路デバイスの製造方法において、
回路パターンが配置されているパターン形成領域の外側周辺に露光光を遮光するレジスト膜が被着されたハーフトーン位相シフトマスクと、
パターン形成領域の外側周辺にメタルで露光光を遮光するホトマスクを用いたことを特徴とする電子回路デバイスの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の電子回路デバイスの製造方法において、
上記ハーフトーン位相シフトマスクの適用工程が電子回路デバイスのゲート作成工程及び或いは電子回路デバイスの配線工程であり、
上記ホトマスクの適用工程が導通孔の形成工程であることを特徴とする電子回路デバイスの製造方法。