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【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の主面及び裏面に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜上に金属層を構成する金属積層膜を形成する工程と、
前記金属積層膜上に前記金属層を構成する第１金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜の表面に前記金属層を構成する第２金属膜を形成する工程と、
前記複数の金属層のうちの少なくとも一の金属層の主面に、主面に１乃至複数の電極を有する電子部品を裏面を介して固定する工程と、
前記電子部品の電極と他の金属層を導電性のワイヤで接続する工程と、
前記半導体基板の主面に前記電子部品及び前記ワイヤ等を被う絶縁性樹脂からなる樹脂層を形成する工程と、
前記半導体基板の主面の酸化膜を残して前記半導体基板及び前記半導体基板裏面の酸化膜を除去する工程と、
前記樹脂層の裏面に残留する前記酸化膜をエッチングして除去する工程と、
前記樹脂層の裏面に露出する前記金属層の表面に金属メッキ膜を形成する工程と、
前記樹脂層を縦横に切断して複数の半導体装置を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板の主面及び裏面に酸化膜を形成した後、
前記半導体基板の主面に複数箇所窪みを設けるとともに、前記半導体基板の主面に酸化膜を形成し、
その後前記窪み部分に前記金属層を形成し、
ついで前記窪み部分をも含んで絶縁性樹脂によって前記封止体を形成して封止体の裏面に一段同じ長さ突出した突出部を設けることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板の主面に選択的に絶縁膜を形成してスルーホールを複数形成する工程と、
前記スルーホールから前記絶縁膜上に亘って導体層を形成する工程と、
前記導体層に対面するスルーホールを有する絶縁膜を形成する工程と、
前記スルーホールに導体を充填する工程と
前記導体に重ねて前記金属積層膜及び第１金属膜または前記金属積層膜及び第１金属膜並びに第２金属膜を形成して前記金属層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板の主面に選択的に絶縁膜を形成してスルーホールを複数形成する工程と、
前記スルーホール部分及び前記スルーホールから前記絶縁膜上に亘って導体層を形成する工程と、
前記導体層に対面するスルーホールを有する絶縁膜を形成する工程と、
前記スルーホール部分に導体を重ねて形成して前記金属層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記スルーホール部分及び前記スルーホールから前記絶縁膜上に亘って導体層を形成した後、絶縁膜の形成と導体層の形成を１乃至複数回繰り返し、最後にスルーホール部分に導体を重ねて前記金属層を形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂層の裏面に露出する前記金属層の表面に金属メッキ膜を形成した後、前記金属メッキ膜にボール電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板としてシリコン単結晶基板またはポリシリコン基板もしくはシリコン微粉末による焼結基板のいずれかを使用することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記電子部品として上下面に電極を有するダイオードが形成された半導体チップを前記金属層に固定してダイオードを製造することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記一の金属層の主面に、裏面を介して半導体チップを固定し、前記半導体チップの主面の電極と前記他の金属層を導電性のワイヤを介して接続することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
両端に電極を有する電子部品の電極を前記一対の金属層に導電性の接合材を介して実装することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の金属層に一つの半導体チップの複数の電極をフリップチップ方式で接続することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
１乃至複数の半導体チップ及び１乃至複数の受動部品を前記封止体内に組み込むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月7日(2004.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面を有し、且つ前記第１主面上に配設された導電性の接続部を有する支持基板と、
第１導電型の第１ＭＩＳトランジスタを有し、且つ前記第１ＭＩＳトランジスタのソースが裏面に形成され、且つソースが前記接続部と接続するように前記支持基板上に配設される、第１半導体チップと、
第１導電型の第２ＭＩＳトランジスタを有し、且つ前記第２ＭＩＳトランジスタのドレインが裏面に形成され、且つドレインが前記接続部と接続するように前記支持基板上に配設され、且つ前記接続部を介して前記第２ＭＩＳトランジスタのドレインが前記第１ＭＩＳトランジスタのソースと電気的に接続される、第２半導体チップと、
前記第１主面上に配設され、且つ前記第１ＭＩＳトランジスタのゲートおよび前記第２ＭＩＳトランジスタのゲートと接続されるＩＣチップと、
前記支持基板、前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、前記ＩＣチップを覆う絶縁性の外囲器と、
前記外囲器から一部が露出され、且つ接続部、第１半導体チップ、第２半導体チップと電気的に接続される複数の接続端子と、
を具備することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記第１ＭＩＳトランジスタのゲートは前記第１半導体チップの表面に形成され、前記第２ＭＩＳトランジスタのゲートは前記第２半導体チップの表面に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記ＩＣチップは、ＤＣ−ＤＣ変換回路の一部を構成することを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記支持基板は導電性であって、前記接続部は前記支持基板自体であることを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記複数の接続端子の所定の接続端子は、前記第１半導体チップの前記表面に形成されたドレインと電気的に接続されることを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記複数の接続端子の所定の接続端子は、前記第２半導体チップの前記表面に形成されたソースと電気的に接続されることを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記外囲器は、前記支持基板の前記第１主面と反対側の第２主面を一部露出させる開口を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記支持基板は導電性であって、前記接続部は前記支持基板自体であって、前記接続端子は前記支持基板の一部であることを特徴とする請求項７に記載の半導体モジュール。
【請求項９】
第１主面および前記第１主面と反対側の第２主面を有し、且つ前記第１主面上に配設された導電性の接続部を有する支持基板と、
第１導電型の第１ＭＩＳトランジスタを有し、且つ前記第１ＭＩＳトランジスタのソースが裏面に形成され、且つソースが前記接続部と接続するように前記支持基板上に配設される、第１半導体チップと、
第１導電型の第２ＭＩＳトランジスタを有し、且つ前記第２ＭＩＳトランジスタのドレインが裏面に形成され、且つドレインが前記接続部と接続するように前記支持基板上に配設され、且つ前記接続部を介して前記第２ＭＩＳトランジスタのドレインが前記第１ＭＩＳトランジスタのソースと電気的に接続される、第２半導体チップと、
前記支持基板、前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップを覆い、且つ前記第２主面を一部露出させる開口を有する絶縁性の外囲器と、
前記外囲器から一部が露出され、且つ接続部、第１半導体チップ、第２半導体チップと電気的に接続される複数の接続端子と、
を具備することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項１０】
前記支持基板は導電性であって、前記接続部は前記支持基板自体であることを特徴とする請求項９に記載の半導体モジュール。
【請求項１１】
前記複数の接続端子の所定の接続端子は前記支持基板の一部であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体モジュール。
【請求項１２】
前記複数の接続端子の所定の接続端子と前記第１半導体チップ、および前記複数の接続端子の所定の接続端子と前記第２半導体チップ、はワイヤにより接続されることを特徴とする請求項２または９に記載の半導体モジュール。
【請求項１３】
前記ワイヤの少なくとも１つは金属性プレートであることを特徴とする請求項１２に記載の半導体モジュール。
【請求項１４】
前記第１ＭＩＳトランジスタのドレインにはＤＣ−ＤＣ変換回路の入力電圧が入力される請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項１５】
前記第２ＭＩＳトランジスタのソースにはグランドが接続される請求項１４に記載の半導体モジュール。
【請求項１６】
前記接続部はインダクタンスを介して出力端子に接続される請求項１４に記載の半導体モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、前記半導体チップが搭載されたダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持する吊りリードと、前記ダイパッド部の周囲に配置された複数のリードと、前記半導体チップと前記複数のリードを電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップ、前記ダイパッド部、前記吊りリード、前記複数のリードおよび前記複数のワイヤを封止する封止体とを有する半導体装置であって、
前記複数のリードのそれぞれには、前記封止体の裏面から外部に突出する外部接続端子が選択的に設けられ、
前記吊りリードは、その一部が前記封止体の上面から外部に露出し、
前記封止体の上面から外部に露出した領域の前記吊りリードには、前記外部接続端子を配線基板に位置合わせするための認識マークが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記封止体の上面の一部に切り欠きを設けることによって、前記吊りリードの一部を前記封止体の外部に露出させたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記吊りリードの一部を上方に折り曲げることによって、前記封止体の外部に露出させたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記外部接続端子は、前記複数のリードのそれぞれの一部を下方に折り曲げることによって、前記封止体の裏面から外部に露出させたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記外部接続端子は、前記封止体の裏面の各辺に沿って千鳥状に２列ずつ配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体チップと、前記半導体チップが搭載されたダイパッド部と、前記ダイパッド部の周囲に配置された複数のリードと、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップ、前記ダイパッド部、前記複数のリードおよび前記複数のワイヤを封止する封止体とを有する半導体装置であって、
前記複数のリードのそれぞれには、前記封止体の裏面から外部に突出する外部接続端子が選択的に設けられ、
前記複数のリードの一部は、前記封止体の上面から外部に露出し、
前記封止体の上面から外部に露出した領域の前記リードには、前記外部接続端子を配線基板に位置合わせするための認識マークが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記封止体の上面から外部に露出したリードは、前記半導体チップと電気的に接続されていないことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記封止体の上面の一部に切り欠きを設けることによって、前記リードの一部を前記封止体の外部に露出させたことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体チップと、前記半導体チップが搭載されたシート状のチップ支持体と、前記半導体チップの周囲に配置された複数のリードと、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップ、前記チップ支持体、前記複数のリードおよび前記複数のワイヤを封止する封止体とを有する半導体装置であって、
前記複数のリードのそれぞれには、前記封止体の裏面から外部に突出する外部接続端子が選択的に設けられ、
前記複数のリードの一部は、前記封止体の上面から外部に露出し、
前記封止体の上面から外部に露出した領域の前記リードには、前記外部接続端子を配線基板に位置合わせするための認識マークが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記封止体の上面から外部に露出したリードは、前記半導体チップと電気的に接続されていないことを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記チップ支持体は、前記複数のリードによって支持されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信情報に応じて時間軸方向に光強度変化を有する光信号を発生する送信装置と、
上記光信号を受光する２次元受光面を有する受光部と、上記受光部に対して上記光信号を集光する光学装置と、上記受光部からの電気出力信号を処理し、受光強度に対応する出力信号を発生し、上記出力信号より送信情報を再生する信号処理部とから構成される受信装置とを備えた通信システム。
【請求項２】
請求項１において、
上記光学装置は、上記２次元受光面付近に焦点を結ぶレンズまたはミラーであり、上記レンズまたはミラーの焦点位置を、上記光信号を受信し信号を出力する画素数が予め設定した範囲になるように調整する調整装置を備えた通信システム。
【請求項３】
請求項１において、
上記光学装置は、上記２次元受光面に対する入射光量を減衰させる絞りまたは光学フィルタである通信システム。
【請求項４】
請求項１において、
上記光学装置は、不要入射光を遮るレンズフードを備える通信システム。
【請求項５】
請求項１において、
上記光学装置は、最適の光学装置を選択的に使用可能とするマウント機構を備える通信システム。
【請求項６】
請求項１において、
上記光学装置は、あおり機構である通信システム。
【請求項７】
請求項１において、
上記２次元受光面に対して、光ファイバを介して光信号が入射される通信システム。
【請求項８】
請求項１において、
上記光学装置は、複数の収差のうちで少なくとも一つ以上が意識的にずらせてある通信システム。
【請求項９】
請求項１において、
上記光学装置は、複数の平面または曲面の組合せにより構成され、光線を集光する特性が均一でない通信システム。
【請求項１０】
請求項１において、
上記光学装置は、上記２次元受光面上に、１つの光源に対応した複数の像を生じさせる通信システム。
【請求項１１】
請求項１において、
上記光学装置が用いるスペクトラム帯域が可視光外のものである通信システム。
【請求項１２】
時間軸方向の光強度変化を有する光信号を受信し、送信情報を受信した光信号から得るようになされた受信装置において、
上記光信号を受光する２次元受光面を有する受光部と、上記受光部に対して上記光信号を集光する光学装置と、上記受光部からの電気出力信号を処理し、受光強度に対応する出力信号を発生し、上記出力信号より送信情報を再生する信号処理部とから構成される受信装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
上記光学装置は、上記２次元受光面付近に焦点を結ぶレンズまたはミラーであり、上記レンズまたはミラーの焦点位置を、上記光信号を受信し信号を出力する画素数が予め設定した範囲になるように調整する調整装置を備えた受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月5日(2005.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子メモリ構造であって、
基板と、
該基板の最も近くに形成される平坦な第１の導体と、
該第１の導体に隣接して形成される配線層と、
該配線層に隣接して形成される相変化材料素子と、
該相変化材料素子に隣接して形成される平坦な第２の導体とを含み、
前記配線層は、前記第１の導体から前記相変化材料素子まで延在する導電性配線構造を含み、該導電性配線構造は前記第１の導体に物理的に接続される第１の表面を有し、また前記導電性配線構造は前記相変化材料素子に取り付けられる第２の表面を有し、前記第２の表面の表面積は、前記第１の表面の表面積よりも小さい電子メモリ構造。
【請求項２】
前記相変化材料素子は、前記配線層に物理的に接続され、相変化表面積を有する相変化表面を含み、前記相変化表面積のうちのマイノリティ領域が前記導電性配線構造に物理的に接続される請求項１に記載の電子メモリ構造。
【請求項３】
前記導電性配線構造の前記第２の表面積のうちのマイノリティ領域が前記相変化表面積に物理的に接続される請求項１に記載の電子メモリ構造。
【請求項４】
前記導電性配線構造の前記第１の表面のうちの全てが前記第１の導体に物理的に接続される請求項１に記載の電子メモリ構造。
【請求項５】
前記配線層と前記第２の導体との間に共通して配置される複数の相変化素子をさらに含む請求項１に記載の電子メモリ構造。
【請求項６】
前記相変化素子間に絶縁体材料をさらに含む請求項５に記載の電子メモリ構造。
【請求項７】
前記絶縁体材料は誘電体である請求項６に記載の電子メモリ構造。
【請求項８】
前記第１の導体および前記第２の導体は、ワード線およびビット線として指定される請求項１に記載の電子メモリ構造。
【請求項９】
電子メモリ構造であって、
基板と、
該基板に隣接して形成される平坦な第１の導体と、
該第１の導体に隣接して形成される配線層と、
該配線層に隣接して形成される相変化材料素子と、
該相変化材料素子に隣接して形成される平坦な第２の導体とを含み、
前記配線層は、前記第１の導体から前記相変化材料素子まで延在する導電性配線構造を含み、該導電性配線構造は前記第１の導体に物理的に接続される第１の表面を有し、また前記導電性配線構造は前記相変化材料素子に取り付けられる第２の表面を有し、
前記相変化材料素子は前記配線層に物理的に接続される相変化表面を含み、該相変化表面は相変化表面積を有し、前記相変化表面積のうちのマイノリティ領域が前記導電性配線構造に物理的に接続される電子メモリ構造。
【請求項１０】
前記配線層と前記第２の導体との間に共通して配置される複数の相変化素子をさらに含む請求項９に記載の電子メモリ構造。
【請求項１１】
前記相変化素子間に絶縁体材料をさらに含む請求項１０に記載の電子メモリ構造。
【請求項１２】
前記絶縁体材料は誘電体である請求項１１に記載の電子メモリ構造。
【請求項１３】
前記第１の導体および前記第２の導体は、ワード線およびビット線として指定される請求項９に記載の電子メモリ構造。
【請求項１４】
演算処理システムであって、
処理ユニットと、
該処理ユニットが情報を格納しアクセス可能なＲＡＭメモリ構造と、を含み、
該ＲＡＭメモリ構造は、
基板と、
該基板に隣接して形成される平坦な第１の導体と、
該第１の導体に隣接して形成される配線層と、
該配線層に隣接して形成される相変化材料素子と、を含み、
前記配線層は、前記第１の導体から前記相変化材料素子まで延在する導電性配線構造を含み、該導電性配線層は前記第１の導体に物理的に接続される第１の表面を有し、また前記導電性配線構造は前記相変化材料素子に取り付けられる第２の表面を有し、前記第２の表面の表面積は、前記第１の表面の表面積よりも小さい、前記配線層と、
前記相変化材料素子に隣接して形成される平坦な第２の導体と、
を含む演算処理システム。
【請求項１５】
電子メモリ構造の形成方法であって、
基板上に第１の導体を堆積するステップと、
該第１の導体と前記基板の上に配線層絶縁体を堆積するステップと、
前記第１の導体まで前記配線層絶縁体にトレンチをエッチングするステップと、
前記トレンチの上に配線層導体を堆積するステップと、
該配線層導体上に第２の配線層絶縁体を堆積するステップと、
該第２の配線層絶縁体を研磨して前記配線層導体の一部を露出させるステップと、
露出した一部の前記配線層導体の一部に相変化材料を堆積するステップと、
前記相変化材料上に第２の導体を堆積するステップと、
を含む電子メモリ構造を形成する方法。
【請求項１６】
複数の相変化材料素子を形成する前記相変化材料をエッチングするステップをさらに含む請求項１５記載の電子メモリ構造を形成する方法。
【請求項１７】
前記相変化材料素子のそれぞれの表面は、前記トレンチの上に形成された前記配線層の縁部に物理的に接続されている請求項１６記載の電子メモリ構造を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
B1w=(2μ0a2NI1/π)/[{(d/2+w)2+a2}・{(d/2+w)2+2a2}1/2]            （１）
B２w=(2μ0a2NI２/π)/[{(d/2-w)2+a2}・{(d/2-w)2+2a2}1/2]          （２）
ここで、
μ0：真空中の透磁率
w  ：Ｘ軸上におけるループコイル１２Ａ及び１２Ｂから等距離の点Ｏと点Ｐとの間の距離
N  ：ループコイル１２Ａ及び１２Ｂの巻数
d  ：ループコイル１２Ａとループコイル１２Ｂとの間の距離
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この取付時、マザー基板１６上に設けられた凸上の雄型の第２コネクタ１８が孔７に挿通されて、第１コネクタ１４に嵌合、接続されて、そして、電子回路ユニットに形成された回路がこの第１，第２コネクタ１４，１８を介してマザー基板１６上の回路に接続されるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
すると、熱風は、脚部５の根本近傍に設けられた開口部６を通して、脚部５の先端部に位置するクリーム半田に至って、クリーム半田を溶かした後、半田を固化して、脚部５が回路基板１１の配線パターン１２に半田付けされて、電子回路ユニットの製造が完了する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に表面から元素を導入する工程と、基板の表面に水素ラジカルを照射する工程とを含むことを特徴とする半導体基板表面の凹凸形成方法。
【請求項２】
前記半導体基板は、純度６−ｎｉｎｅ以上のシリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板表面の凹凸形成方法。
【請求項３】
半導体基板にその表面から元素を導入する前記工程は、熱拡散法により行なうことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板表面の凹凸形成方法。
【請求項４】
基板の表面に水素ラジカルを照射する前記工程は、ＣＡＴＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により行なうことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板表面の凹凸形成方法。
【請求項５】
凹凸形成後の半導体基板表面の凹凸の振幅が、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板表面の凹凸形成方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかの方法により得られた半導体を用いて製造される太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
凹凸形成後の半導体基板表面の凹凸の振幅は、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決する手段】
第１の目的を達成するために、この発明の積層型固体電解コンデンサの製造方法では、長尺体から導電性のスペ−サを所定長に切断し、キャリアバ−上の単体コンデンサの陽極部材にスペ−サを電気溶接で固着し、陰極部材に導電性接着剤を付着し、キャリアバ−から単体コンデンサを切断してから、インデックステ−ブルで単体コンデンサを保持し、インデックステ−ブルを間欠送りして、インデックステ−ブル上の単体コンデンサをリ−ドフレ−ムに溶接、積み重ね、単体コンデンサの溶接、積み重ねを同一基準面、同一条件で繰り返して積層型固体電解コンデンサを成形している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ここで、上の溶接電極４２２は、１枚目の単体コンデンサ２０−１の積み重ね時と同じ距離ａ１の位置に下降する。他方、下の溶接電極４２３は、１枚目の単体コンデンサ２０−１の積み重ね時の距離ｂ１に単体コンデンサの厚さｔを加えた距離の位置まで上昇している。このように、１枚目の積み重ねの場合に対して
、上下の溶接電極４２２、４２３の間隔はｔだけ増加して、この増加した間隔に厚さｔの単体コンデンサ２０が位置する。このように、リードフレーム１５（リード端子１５１）、下の溶接電極４２３の位置を調整することにより、１枚目の単体コンデンサ２０−１と２枚目の単体コンデンサ２０−２の電気溶接が常に同じ面（基準面Ｘ）、同じ条件でなされ、２枚目の単体コンデンサが１枚目の単体コンデンサの上に積み重ねられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
上述した実施例は、この発明を説明するためのものであり、この発明を何ら限定するものでなく、この発明の技術範囲内で変形、改造などの施されたものも全てこの発明に包含されることはいうまでもない。
実施例ではインデックステーブル１２が昇降するものとしているが、インデックステーブルに吸着アームを設け、この吸着アームが単体コンデンサ２０を吸着、保持して昇降する構成としてもよく、インデックステーブル１２の昇降は、インデックステーブル１２の本体を昇降させずに、吸着アームを昇降させる場合も含むものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
請求項８に記載のように、キャリアバ−からの単体の固体電解コンデンサの切断を、所定長より長く切断する一次切断と所定長に切断する二次切断とに分割し、一次切断のみをキャリアバ−の搬送路に沿った位置で行なえば、搬送路上での切断（一次切断）に要する時間が短縮化されるから、単体コンデンサの切断を理由としてキャリアバ−の搬送速度が遅くなることはなく、高速で維持されるため、高い生産性が維持できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
請求項１６に記載のように、キャリアバ−からの単体の固体電解コンデンサの切断手段を、所定長より長く切断する一次切断手段と所定長に切断する二次切断手段とに分割し、一次切断手段のみをキャリアバ−の搬送路に沿った位置に設ければ、搬送路上での切断（一次切断）に要する時間が短縮化されるから、単体コンデンサの切断を理由としてキャリアバ−の搬送速度が遅くなることはなく、高速で維持されるため、高い生産性が維持できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ＰＣＢ入り絶縁油の抜き取りの一例は、図１１の如く変圧器本体５の二次端子１２，１２を当該二次端子１２に流れる二次電流Ｉ2に十分耐え得る太さを持った導体２４で短絡し、ＣＴ２５及び電流計で一次側を計測しながら電源２６から一次端子１１，１１へ定格値の一次電流Ｉ1を供給するものである。尚、電源としては変圧器の定格周波数を満足する交流電源を用い、その調整には、インバータ、ＩＶＲ或いは発電機など既存の手法を用いれば良い。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図９は１６個のサブビームＳＢを形成するサブビーム選択照射系３４を示す図である。このサブビーム選択照射系３４は、４個のレーザ発振器３０と、２つのサブビーム分割アセンブリ６２と、２つのサブビームフォーカスアセンブリ６４とを含む。２つのレーザ発振器３０は図８の２つのレーザ発振器３０、３０ａに相当する。１つのサブビーム分割アセンブリ６２は２つのレーザ発振器３０，３０ａから出たレーザビームＬＢを８つのサブビームＳＢに分割するものであり、図８のハーフミラー５１からＮＤフィルタ５６までの光学部材を含む。１つのサブビームフォーカスアセンブリ６４は１つのサブビーム分割アセンブリ６２に光学的に接続され、図８のミラー５７からフォーカスユニット５９までの光学部材を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１０は図９のサブビームフォーカスアセンブリ６４の具体例を示す平面図、図１１は図１０のサブビームフォーカスアセンブリ６４を示す正面図、図１２は図１０のサブビームフォーカスアセンブリ６４を示す側面図である。図１０から図１２において、８個のミラー５７，５８及び８個のフォーカスユニット５９がフレーム６４Ｆに取りつけられている。各フォーカスユニット５９は電動ステージ５９Ｓによってフレーム６４Ｆに取りつけられており、図８の矢印Ｃで示される方向に許容範囲内で移動可能である。５９Ｇはガイド機構である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の表面に色素を付着した色素増感型光電変換素子において、半導体がブルーカイト型酸化チタンを主体とする酸化チタンであることを特徴とする色素増感型光電変換素子。
【請求項２】
半導体がブルーカイト型酸化チタンを５０質量％以上含む酸化チタンである請求項１に記載の色素増感型光電変換素子。
【請求項３】
半導体がブルーカイト型酸化チタンを７０質量％以上含む酸化チタンである請求項１に記載の色素増感型光電変換素子。
【請求項４】
ブルーカイト型酸化チタンが、四塩化チタンまたは三塩化チタンを加水分解する工程を含む方法によって製造されたブルーカイト型酸化チタンを含む酸化チタンゾルからなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の色素増感型光電変換素子。
【請求項５】
ブルーカイト型酸化チタンを含む酸化チタンゾルが、アナターゼ型酸化チタンを５０質量%未満含むアナターゼ型／ブルーカイト型混晶物ゾルである請求項４に記載の色素増感型光電変換素子。
【請求項６】
ブルーカイト型酸化チタンを含む酸化チタンゾルが、ルチル型酸化チタンを５０質量%未満含むルチル型／ブルーカイト型混晶物ゾルである請求項４に記載の色素増感型光電変換素子。
【請求項７】
ブルーカイト型酸化チタンを含む酸化チタンゾルが、アナターゼ型酸化チタンとルチル型酸化チタンを両者の合計で５０質量%未満含むアナターゼ型／ルチル型／ブルーカイト型３成分混晶物ゾルである請求項４に記載の色素増感型光電変換素子。
【請求項８】
酸化チタンの平均粒子径が０．０５μｍ以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載の色素増感型光電変換素子。
【請求項９】
色素が、ルテニウム錯体およびポルフィリン誘導体の中から選ばれたものである請求項１〜８のいずれか１項に記載の色素増感型光電変換素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載した色素増感型光電変換素子を製造する方法であって、ブルーカイト型酸化チタンを主体とする酸化チタンの表面層を有する基板を、色素を含む溶液に浸漬して該色素を該酸化チタンに付着させることを特徴とする色素増感型光電変換素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】    ０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、半導体の表面に色素を付着した色素増感型光電変換素子において、半導体がブルーカイト型酸化チタンを主体とする酸化チタンであることを特徴とする色素増感型光電変換素子を提供する。
この色素増感型光電変換素子において、半導体は、ブルーカイト型酸化チタンを５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上含む酸化チタンである。
本発明は、さらに、上記の色素増感型光電変換素子を製造する方法であって、ブルーカイト型酸化チタンを主体とする酸化チタンの表面層を有する基板を、色素を含む溶液に浸漬して該色素を該酸化チタンに付着させることを特徴とする色素増感型光電変換素子の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  未化成の負極板のみを充電する工程と、前記充電後の負極板と未化成の正極板を用いて電池を構成する工程と、前記電池を電槽化成する工程を経ることを特徴とする制御弁式鉛蓄電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月15日(2004.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極および電解質を有する非水二次電池において、上記正極が、正極活物質として少なくともＬｉｘ ＣｏＯ２ （ｘは、電池組立時の値であり、１．０１≦ｘ≦１．１０）とＬｉｙ Ｎｉｓ Ｃｏ１−ｓＯ２ （ｙは、電池組立時の値であり、１．０１≦ｙ≦１．１０、０．６５≦ｓ≦０．９０）を含有し、上記Ｌｉｙ Ｎｉｓ Ｃｏ１−ｓＯ２ の含有量がＬｉｘ ＣｏＯ２とＬｉｙ Ｎｉｓ Ｃｏ１−ｓＯ２ との合計量中において１０〜３５重量％であることを特徴とする非水二次電池。
【請求項２】
前記電解質が、有機溶媒にリチウム塩を溶解させた非水溶媒系の電解液であり、前記有機溶媒は、鎖状エステルを主溶媒とし環状構造のエステルを１０体積％以上混合して用いたものである請求項１記載の非水二次電池。
【請求項３】
前記正極が、集電体となる導電性基体上に正極合剤層を形成したものであり、前記正極合剤層の充填密度が２．８〜３．５ｇ／ｃｍ３である請求項１または２に記載の非水二次電池。
【請求項４】
セパレータとして、厚さが１０〜２５μｍの微孔性フィルムを用いた請求項１〜３のいずれかに記載の非水二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面の開口部、開口部に対向して設けられる背面部を有する器具本体と；
誘導表示パネル、この表示パネルの背部に配設された導光体および導光体の側部に配設され前記導光体の側部から光を導入する光源を有し、前記開口部に配設される表示手段と；
前記光源を点灯させる光源点灯手段、キセノンランプユニット及び端子台を有し、器具本体から着脱可能である電気部品取付シャーシと；
を具備していることを特徴とする誘導灯器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、光源点灯部品の影が表示パネルに現れにくくなるような照明装置および誘導灯器具を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、前面の開口部、開口部に対向して設けられる背面部を有する器具本体と；誘導表示パネル、この表示パネルの背部に配設された導光体および導光体の側部に配設され前記導光体の側部から光を導入する光源を有し、前記開口部に配設される表示手段と；前記光源を点灯させる光源点灯手段、キセノンランプユニット及び端子台を有し、器具本体から着脱可能である電気部品取付シャーシと；
を具備していることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】請求項１の誘導灯器具によると、器具本体に着脱可能に装着される電気部品取付シャーシに点灯手段、キセノンユニット及び端子台を設けたので、組み立て作業が容易となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
さらに、表示手段は導光体を有するものであり、表示手段背面側の電気部品取付シャーシに光源点灯手段、キセノンユニット及び端子台を配設しても光源点灯手段、キセノンユニット、キセノンユニット及び端子台の影が表示パネルに現れることがないので、意匠性および薄形化を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表面電位に基づく孤立パターン検出方法及びその電子顕微鏡
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料表面に大電流電子ビームを浅い入射角度で照射し、試料表面各部位とアース間の電気伝導度の差に基づく電位差分布を発生させた該試料表面に、高分解能の観察用電子ビームを異なる方向から照射して二次電子顕微鏡画像を得、該画像に基づいて孤立パターンを検出する方法。
【請求項２】
試料表面のある部分に一定時間大電流電子ビームを照射した後その部分に観察用電子ビームを照射して二次電子情報を検出する作業を実行し、続いて隣の部分に照射並びに検出作業の位置を順次シフトして行く走査によって観察領域の二次電子顕微鏡画像を得る請求項１に記載の孤立パターンを検出する方法。
【請求項３】
試料ステージ上の試料に向けて電子ビームを照射する観察用電子ビーム照射鏡筒と二次電子検出器と画像表示用のディスプレイからなる電子顕微鏡において、前記試料に対し、前記観察用電子ビーム照射鏡筒の電子ビームより浅い角度で電子ビームを照射する大電流電子ビーム照射鏡筒を別途配備し、両電子ビームの走査と両電子ビームの照射のＯＮ／ＯＦＦを互いに関連付けて制御することができる手段とを有する孤立パターン検出用電子顕微鏡。
【請求項４】
二次電子検出器の前にエネルギーフィルターを配設し、該エネルギーフィルタには両ビーム走査と照射のＯＮ／ＯＦＦに関連付けて電圧が印加される請求項３に記載の孤立パターン検出用電子顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
台紙テープの一側面にＡＣＦを貼り付けたＡＣＦテープを供給リールから繰り出して、貼り付けローラで基板表面に所定の長さ貼り付けた後、台紙テープをＡＣＦから剥離して回収手段により回収する装置において、
少なくとも前記基板へのＡＣＦ貼り付け長さに相当する距離だけ往復移動させる走行手段に前記貼り付けローラを装着し、
前記貼り付けローラによる前記基板へのＡＣＦ貼り付け終端位置から前記ＡＣＦ貼り付け時の走行方向前方側の位置に前記台紙テープを保持する剥離時保持チャックを配置し、
前記剥離時保持チャックは、前記走行手段の走行方向に所定ストロークだけ往復移動させるテープ弛み発生手段を備える
構成としたことを特徴とするＡＣＦ貼着装置。
【請求項２】
前記走行手段は、昇降手段を備えており、この昇降手段によって、前記貼り付けローラは、前記ＡＣＦテープを前記基板表面に所定の荷重をもって押圧しながら転動する作動位置と、前記基板から所定の間隔だけ離間する退避位置との間に変位可能な構成としたことを特徴とする請求項１記載のＡＣＦ貼着装置。
【請求項３】
前記走行手段には、さらに前記台紙テープをチャックして前記ＡＣＦテープを前記供給リールから繰り出すテープ送りチャックと、前記台紙テープを前記ＡＣＦから剥離する剥離兼ガイドローラが装着されていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のＡＣＦ貼着装置。
【請求項４】
前記走行手段は、ＡＣＦ貼り付け時走行方向の前方側から順に、前記テープ送りチャック、前記剥離兼ガイドローラ及び前記貼り付けローラが装着されていることを特徴とする請求項３記載のＡＣＦ貼着装置。
【請求項５】
前記テープ弛み発生手段は、前記剥離時保持チャックを前記台紙テープの前記ＡＣＦ貼り付け時のチャック位置から前記ＡＣＦ貼り付け時走行方向の後方側の前記貼り付けローラによるＡＣＦテープの基板への貼り付け終端位置までの間に弛みを生じさせるように構成したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のＡＣＦ貼着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前述の目的を達成するために、本発明は、少なくとも基板へのＡＣＦ貼り付け長さに相当する距離だけ往復移動させる走行手段に貼り付けローラを装着し、貼り付けローラによる基板へのＡＣＦ貼り付け終端位置からＡＣＦ貼り付け時の走行方向前方側の位置に台紙テープを保持する剥離時保持チャックを配置し、剥離時保持チャックは、走行手段の走行方向に所定ストロークだけ往復移動させるテープ弛み発生手段を備えるように構成したことをその特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この状態から、貼り付けユニット２６におけるモータ３２を作動させて、図７に矢印Ｆで示したように、走行ブロック３０を前進させる。これによって、テープ送りチャック３４にチャックされたＡＣＦテープ１２のうち、ＡＣＦ１０が剥離された台紙テープ１１が回収手段２８により回収され、ＡＣＦ１０が積層されている部分が液晶パネル１に対面する位置まで送り出される。次に、貼り付けユニット２６を最前進位置に保持した状態で、テープ送りチャック３４によるＡＣＦテープ１２のチャックを解除し、かつ剥離時保持チャック２７によりＡＣＦテープ１２におけるＡＣＦ１０が剥離されている部分をチャックさせる。この後に、貼り付けユニット２６を後退させ、次いで昇降ブロック３９を下降させて、貼り付けローラ３７によりＡＣＦテープ１２を下基板２に押圧させ、かつこれと同時に後方側ガイドローラ３８が下降するから、ＡＣＦテープ１２におけるこの貼り付けローラ３７の当接位置より後方側における所定長さ分を貼り付けローラ３７とほぼ同じ位置にまで押し下げられる。これが図８の状態であり、この状態を保持しながら、貼り付けユニット２６を前進させることによって、貼り付けローラ３７が所定の荷重をもってＡＣＦテープ１２を下基板２に押圧しながら、このＡＣＦテープ１２の裏面側に沿って転動することになる。この結果、貼り付けユニット２６が最前進位置にまで変位した時に、ＡＣＦテープ１２が下基板２の所定の位置に貼り付けられる。これが図９に示した状態である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次に、このようにして下基板２にＡＣＦテープ１２が貼り付けられた後に、その台紙テープ１１をＡＣＦ１０から剥離する。このために、図９の状態から昇降ブロック３９を上昇させて、貼り付けローラ３７及び後方側ガイドローラ３８を退避位置に変位させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、図９の状態から、エアシリンダ４３を作動させて、往復動ブロック４２を後方に変位させる。この結果、図１０に示したように、ＡＣＦテープ１２におけるＡＣＦ１０の下基板２への貼り付け終端位置から剥離時保持チャック２７によるチャック位置までの間の台紙テープ１１に余長が生じて、この余長分だけ弛むようになる。この図１０の状態から、貼り付けユニット２６における走行ブロック３０を後退させる。台紙テープ１１には前述した弛みが生じているので、図１１に示したように、剥離兼ガイドローラ３５がある程度後退した時に、台紙テープ１１に弛みがなくなって、張りを持った状態になる。これによって、ＡＣＦテープ１２における下基板２への貼り付け終端位置から剥離兼ガイドローラ３５を経て剥離時保持チャック２７による保持位置までにおける台紙テープ１１は概略Ｚ状の経路を取るようになり、台紙テープ１１の貼り付け終端位置からの角度は９０°以上となる。ここで、この台紙テープ１１の角度は往復動ブロック４２の移動ストロークに依存するものであって、その角度は１３０°程度となるように移動ストロークを設定するのが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に２種類の深さＤ１、Ｄ２を有するピットが形成され、再生光の波長をλ、基板の屈折率をｎとしたとき、３λ／１６ｎ＜Ｄ１＜５λ／１６ｎかつλ／１６ｎ＜Ｄ２＜３λ／１６ｎを満たすように構成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
基板上に２種類の深さＤ１、Ｄ２を有するピットが形成され、再生光の波長をλ、基板の屈折率をｎとしたとき、Ｄ１≒λ／４ｎかつＤ２≒λ／８ｎを満たすように構成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項３】
基板上に２種類の深さＤ１、Ｄ２を有するピットが形成され、再生光の波長をλ、基板の屈折率をｎとしたとき、３λ／１６ｎ＜Ｄ１＜５λ／１６ｎかつ５λ／１６ｎ＜Ｄ２＜７λ／１６ｎを満たすように構成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項４】
基板上に２種類の深さＤ１、Ｄ２を有するピットが形成され、再生光の波長をλ、基板の屈折率をｎとしたとき、Ｄ１≒λ／４ｎかつＤ２≒３λ／８ｎを満たすように構成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の光情報記録媒体において、深さＤ１及びＤ２のピットが同心円あるいはスパイラル状に形成され、深さＤ１及びＤ２のピットが同一トラック上に形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項６】
請求項５の光情報記録媒体において、深さＤ１のピットが主情報あるいは主情報と主情報の再生に必要な副情報からなり、深さＤ２のピットが主情報の再生に必要な副情報からなることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項７】
請求項６の光情報記録媒体において、深さＤ２を構成している主情報の再生に必要な副情報がアドレス情報、エラー訂正情報及びコピープロテクト情報の少なくとも何れかひとつからなることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項８】
請求項５の光情報記録媒体において、深さＤ１のピットが主情報と主情報の再生に必要な副情報からなり、前記主情報と副情報の変調方式が異なり、前記主情報と副情報の間に深さＤ２のピットがあり、前記主情報から副情報の間にある深さＤ２のピット配列と前記副情報から主情報にある深さＤ２のピット配列が異なることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれかに記載の光情報記録媒体において、深さＤ１及びＤ２のピットが同心円あるいはスパイラル状に形成され、深さＤ１のピットが形成されているトラック間に深さＤ２のピットが形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１０】
請求項９の光情報記録媒体において、深さＤ１のピットが主情報あるいは主情報と主情報の再生に必要な副情報からなり、深さＤ２のピットが主情報の再生に必要な副情報からなることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１１】
請求項１０の光情報記録媒体において、深さＤ２を構成している主情報の再生に必要な副情報がアドレス情報、エラー訂正情報及びコピープロテクト情報の少なくとも何れかひとつからなることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１２】
請求項５の光情報記録媒体にレーザを照射してその反射光を検出する光情報再生方法において、前記反射光を検出する検出器がレーザの進行方向に対し２分割に構成されており、前記２分割の検出器からの出力信号がＡとＢであり、前記出力信号のＲＦ信号（Ａ＋Ｂ）で深さＤ１のピット情報を検出し、前記出力信号のＴＰＰ信号（Ａ−Ｂ）で深さＤ２のピット情報を検出することを特徴とする光情報再生方法。
【請求項１３】
請求項８の光情報記録媒体にレーザを照射してその反射光を検出する光情報再生方法において、深さＤ２のピットからの信号により深さＤ２のピットに連続して再生される深さＤ１のピットが主情報、副情報のどちらかであるかを判断し、それぞれの情報の変調方式に対応した復調に切り替えることを特徴とする光情報再生方法。
【請求項１４】
請求項９の光情報記録媒体にレーザを照射してその反射光を検出する光情報再生方法において、前記反射光を検出する検出器がレーザの進行方向に対し垂直な方向に２分割に構成されており、前記２分割の検出器からの出力信号がＡとＢであり、前記出力信号のＲＦ信号（Ａ＋Ｂ）で深さＤ１のピット情報を検出し、前記出力信号のＲＰＰ信号（Ａ−Ｂ）で深さＤ２のピット情報を検出することを特徴とする光情報再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、基板上に２種類の深さＤ１、Ｄ２を有するピットが形成され、再生光の波長をλ、基板の屈折率をｎとしたとき、３λ／１６ｎ＜Ｄ１＜５λ／１６ｎかつλ／１６ｎ＜Ｄ２＜３λ／１６ｎを満たすように構成されている光情報記録媒体を最も主要な特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２記載の発明は、基板上に２種類の深さＤ１、Ｄ２を有するピットが形成され、再生光の波長をλ、基板の屈折率をｎとしたとき、Ｄ１≒λ／４ｎかつＤ２≒λ／８ｎを満たすように構成されている光情報記録媒体を最も主要な特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３記載の発明は、基板上に２種類の深さＤ１、Ｄ２を有するピットが形成され、再生光の波長をλ、基板の屈折率をｎとしたとき、３λ／１６ｎ＜Ｄ１＜５λ／１６ｎかつ５λ／１６ｎ＜Ｄ２＜７λ／１６ｎを満たすように構成されている光情報記録媒体を最も主要な特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項４記載の発明は、基板上に２種類の深さＤ１、Ｄ２を有するピットが形成され、再生光の波長をλ、基板の屈折率をｎとしたとき、Ｄ１≒λ／４ｎかつＤ２≒３λ／８ｎを満たすように構成されている光情報記録媒体を最も主要な特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。図８にピット深さとＲＦ信号とＰｕｓｈＰｕｌｌ信号の関係を示す。再生光の波長をλ、基板の屈折率をｎとしたとき、ＲＦ信号振幅はピット深さがλ／４ｎのときに最大値をとり、ＰｕｓｈＰｕｌｌ信号振幅はピット深さがλ／８ｎのときに最大値をとるので、図８の縦軸はそれぞれの最大値を１として規格化して示している。ＰｕｓｈＰｕｌｌ信号はピット深さλ／４ｎを境にして極性が反転するので、それを表すために図８において、λ／４ｎ〜λ／２ｎのピット深さでＰｕｓｈＰｕｌｌ信号の値を負にしている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から入力される第１のデータ信号と、前記第１のデータ信号と相補であり、かつ、外部から入力される第２のデータ信号と、参照信号とを受け、内部データ信号を生成する入力バッファと、
前記第２のデータ信号および前記参照信号のうち、前記入力バッファが前記内部データ信号を生成するときに利用する信号を選択する選択手段とを含む、半導体記憶装置。
【請求項２】
前記選択手段は、アドレス信号に応じて前記利用する信号を選択する、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記入力バッファは、
前記第１および第２のデータ信号を受けて、前記内部データ信号を生成する第１差動増幅手段と、
前記第１のデータ信号と前記参照信号とを受けて、前記内部データ信号を生成する第２差動増幅手段とを含み、
前記選択手段は、前記アドレス信号に応答して、前記第１および第２差動増幅手段のいずれか一方を選択する、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記入力バッファは、
前記第１のデータ信号を受ける第１の差動入力ノードと、
前記第２のデータ信号を受ける第２の差動入力ノードと、
前記参照信号を受ける第３の差動入力ノードとを含み、
前記選択手段は前記アドレス信号に応答して前記第２および第３の差動入力ノードのいずれか一方を選択し、前記入力バッファは選択された差動入力ノードに入力される信号と前記第１の差動入力ノードに入力される前記第１のデータ信号とから前記内部データ信号を生成する、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記入力バッファはフューズを含む、請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記半導体記憶装置はさらに、第３のデータ信号を外部へ出力し、前記選択手段からの指示に応答して前記第３のデータ信号と相補の第４のデータ信号を出力する出力バッファを含む、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記選択手段は、書込動作時および読出動作時に応答して前記利用する信号を選択する、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記選択手段は、書込動作時に前記第２のデータ信号を選択し、
前記半導体記憶装置はさらに、
前記第１および第２のデータ信号を受け、前記第１および第２のデータ信号を取り込むためのストローブ信号を生成するストローブ信号発生手段と、
前記ストローブ信号を受け、前記入力バッファから出力される内部データ信号を並列な複数のデータ信号に並べ替えて出力するシリアルパラレル変換手段とを含む、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
外部から入力される第１のデータ信号と参照信号とを受け、第１の内部データ信号を生成する第１入力バッファと、
外部から入力され、かつ、前記第１のデータ信号と相補な第２のデータ信号と、前記参照信号とを受け、第２の内部データ信号を生成する第２入力バッファと、
外部から入力され、前記第１および第２のデータ信号を取込むためのストローブ信号を受け、前記第１および第２の内部データ信号を受ける内部回路とを含む、半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
好ましくは、入力バッファはフューズを含む。
これにより、入力バッファは、フューズを切断することで、シングルデータバスと相補データバスに対応できる。