(57)【要約】  多層プリント配線板の絶縁層に用いた場合に、基材を絶縁シートから無理なく剥離することができ、絶縁層のひび割れや脱落などを引き起こすことのない基材付絶縁シート、多層プリント配線板、及び、半導体装置を提供する。  多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に加熱加圧して接着し、且つ、上記絶縁層を加熱硬化させた後に、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．２ｋＮ／ｍ以下であり、絶縁層を加熱硬化後に基材から剥離して用いられるものであることを特徴とする基材付絶縁シート、並びに、樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで０．５〜１５分間、加熱加圧した時に、２０℃において、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．０５ｋＮ／ｍ以下であることを特徴とする基材付絶縁シート。【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、
樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に加熱加圧して接着し、且つ、上記絶縁層を加熱硬化させた後に、２０℃において、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．２ｋＮ／ｍ以下であり、絶縁層を加熱硬化後に基材から剥離して用いられるものであることを特徴とする基材付絶縁シート。
【請求項２】
上記絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで、０．５〜１５分間、加熱加圧することで、上記絶縁層を上記被接着面に接着し、且つ、１４０〜２４０℃で３０〜１２０分間加熱することで、上記絶縁層を加熱硬化させた後に、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．２ｋＮ／ｍ以下である、請求の範囲第１項に記載の基材付絶縁シート。
【請求項３】
上記基材は、剥離処理剤により剥離処理が施されたものである請求の範囲第１項または第２項に記載の基材付絶縁シート。
【請求項４】
上記剥離処理剤は、非シリコーン系の剥離処理剤である請求の範囲第３項に記載の基材付絶縁シート。
【請求項５】
上記剥離処理剤は、ウレタン結合を持つ化合物を含むものである請求の範囲第３項または第４項に記載の基材付絶縁シート。
【請求項６】
上記基材は、ポリエステル樹脂フィルムである請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
【請求項７】
上記ポリエステル樹脂フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリエチレンナフタレートフィルムである、請求の範囲第６項に記載の基材付絶縁シート。
【請求項８】
上記樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有するものである請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
【請求項９】
上記樹脂組成物は、無機充填材を含有するものである請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
【請求項１０】
上記樹脂組成物は、イミダゾール化合物を含有するものである請求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
【請求項１１】
請求の範囲第１項ないし第１０項のいずれかに記載の基材付絶縁シートを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなる多層プリント配線板。
【請求項１２】
請求の範囲第１１項に記載の多層プリント配線板をパッケージ用基板として用いてなる半導体装置。
【請求項１３】
請求の範囲第１項ないし第１０項のいずれかに記載の基材付絶縁シートと、内層回路板とを、該基材付絶縁シートの絶縁層を該内層回路板側にして重ね合わせ、上記樹脂組成物の硬化温度未満で加熱加圧し、多層プリント配線板前駆体を作製する工程と、
上記多層プリント配線板前駆体を、上記樹脂組成物の硬化温度以上に加熱して上記絶縁層を硬化させた後、上記基材を剥離して多層プリント配線板を作製する工程と、
を備える、多層プリント配線板の作製方法。
【請求項１４】
多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、
樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで０．５〜１５分間、加熱加圧した時に、２０℃において上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．０５ｋＮ／ｍ以下であることを特徴とする基材付絶縁シート。
【請求項１５】
上記基材は、剥離処理剤により剥離処理が施されたものである請求の範囲第１４項に記載の基材付絶縁シート。
【請求項１６】
上記剥離処理剤は、非シリコーン系の剥離処理剤である請求の範囲第１５項に記載の基材付絶縁シート。
【請求項１７】
上記剥離処理剤は、ウレタン結合を持つ化合物を含むものである請求の範囲第１５項または第１６項に記載の基材付絶縁シート。
【請求項１８】
上記基材は、ポリエステル樹脂フィルムである請求の範囲第１４項ないし第１７項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
【請求項１９】
上記ポリエステル樹脂フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリエチレンナフタレートフィルムである、請求の範囲第１８項に記載の基材付絶縁シート。
【請求項２０】
上記樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有するものである請求の範囲第１４項ないし第１９項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
【請求項２１】
上記樹脂組成物は、無機充填材を含有するものである請求の範囲第１４項ないし第２０項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
【請求項２２】
上記樹脂組成物は、イミダゾール化合物を含有するものである請求の範囲第１４項ないし第２１項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
【請求項２３】
上記絶縁層を硬化させる前の上記剥離強度が０．０５ｋＮ／ｍ以下であり、絶縁層の硬化前に基材から剥離して用いられるものである、請求の範囲第１４項ないし第２２項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
【請求項２４】
請求の範囲第１４項ないし第２３項のいずれかに記載の基材付絶縁シートを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなる多層プリント配線板。
【請求項２５】
請求の範囲第２４項に記載の多層プリント配線板をパッケージ用基板として用いてなる半導体装置。
【請求項２６】
請求の範囲第１４項ないし第２３項のいずれかに記載の基材付絶縁シートと、内層回路板とを、該基材付絶縁シートの絶縁層を該内層回路板側にして重ね合わせ、上記樹脂組成物の硬化温度未満で加熱加圧し、多層プリント配線板前駆体を作製する工程と、
上記多層プリント配線板前駆体において、上記基材を上記絶縁層から剥離した後、上記樹脂組成物の硬化温度以上に加熱して上記絶縁層を硬化させ、多層プリント配線板を作製する工程と、
を備える、多層プリント配線板の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材付絶縁シート、多層プリント配線板、半導体装置および多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、更には高密度実装化等が進んでおり、これらに使用される高密度実装対応のプリント配線板等は、従来にも増して、小型化かつ高密度化が進んでいる。このプリント配線板等の高密度化への対応として、ビルドアップ方式による多層プリント配線板が多く採用されている（例えば、特許文献１参照。）。【０００３】
ビルドアップ方式による多層プリント配線板は、通常、樹脂組成物で構成される厚さ１００μｍ以下の絶縁シートと導体回路層とを積層成形して製造される。また、導体回路層間の接続方法としては、従来のドリル加工に代わって、レーザー法、フォト法等の加工により、ビアホールの形成し、金属メッキ処理等により絶縁層間の導通を図る等の方法が挙げられる。これらの方法は、小径のビアホールを自由に配置することで高密度化を達成するものであり、各々の方法に対応した各種ビルドアップ用層間絶縁材料が提案されている。【０００４】
これらのビルドアップ方式用の基材付絶縁シートは、導体回路層に加熱圧着し、絶縁層を半硬化させる前または半硬化させた後または硬化させた後、ビアホール形成の前に基材を絶縁シートから剥離することになるが、絶縁シートと基材との密着力が強すぎると、剥離のプロセスが困難になる上、絶縁層のひび割れや脱落などを引き起こすという問題があった。特に、基材を剥離せずに絶縁層の硬化を行い、その後に基材を剥離する場合、絶縁層の硬化が均一に進み、絶縁層の平坦性が向上するというメリットがあるが、硬化時の加熱により、絶縁シートと基材との密着力が強くなりすぎ、剥離のプロセスが困難になる上、絶縁層のひび割れや基材の付着残りなどを引き起こすという問題があった。【０００５】
【特許文献１】特開平０７-１０６７６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、多層プリント配線板の絶縁層に用いた場合に、作業性が良く、信頼性の高い多層プリント配線板を製造することができる基材付絶縁シート、多層プリント配線板、半導体装置および多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明［１］〜［２６］により達成される。
［１］多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に加熱加圧して接着し、且つ、上記絶縁層を加熱硬化させた後に、２０℃において、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．２ｋＮ／ｍ以下であり、絶縁層を加熱硬化後に基材から剥離して用いられるものであることを特徴とする基材付絶縁シート。
［２］上記絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで、０．５〜１５分間、加熱加圧することで、上記絶縁層を上記被接着面に接着し、且つ、１４０〜２４０℃で３０〜１２０分間加熱することで、上記絶縁層を加熱硬化させた後に、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．２ｋＮ／ｍ以下である、［１］項に記載の基材付絶縁シート。
［３］上記基材は、剥離処理剤により剥離処理が施されたものである［１］または［２］項に記載の基材付絶縁シート。
［４］上記剥離処理剤は、非シリコーン系の剥離処理剤である［３］項に記載の基材付絶縁シート。
［５］上記剥離処理剤は、ウレタン結合を持つ化合物を含むものである［３］または［４］項に記載の基材付絶縁シート。
［６］上記基材は、ポリエステル樹脂フィルムである［１］から［５］項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
［７］上記ポリエステル樹脂フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリエチレンナフタレートフィルムである、［６］項に記載の基材付絶縁シート。
［８］上記樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有するものである［１］から［７］項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
［９］上記樹脂組成物は、無機充填材を含有するものである［１］から［８］項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
［１０］上記樹脂組成物は、イミダゾール化合物を含有するものである［１］から［９］項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。【０００８】
［１１］ ［１］から［１０］項のいずれかに記載の基材付絶縁シートを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなる多層プリント配線板。【０００９】
［１２］ ［１１］項に記載の多層プリント配線板をパッケージ用基板として用いてなる半導体装置。【００１０】
［１３］ ［１］から［１０］項のいずれかに記載の基材付絶縁シートと、内層回路板とを、該基材付絶縁シートの絶縁層を該内層回路板側にして重ね合わせ、上記樹脂組成物の硬化温度未満で加熱加圧し、多層プリント配線板前駆体を作製する工程と、上記多層プリント配線板前駆体を、上記樹脂組成物の硬化温度以上に加熱して上記絶縁層を硬化させた後、上記基材を剥離して多層プリント配線板を作製する工程と、を備える、多層プリント配線板の作製方法。
［１４］多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで０．５〜１５分間、加熱加圧した時に、２０℃において、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．０５ｋＮ／ｍ以下であることを特徴とする基材付絶縁シート。
［１５］上記基材は、剥離処理剤により剥離処理が施されたものである［１４］項に記載の基材付絶縁シート。
［１６］上記剥離処理剤は、非シリコーン系の剥離処理剤である［１５］項に記載の基材付絶縁シート。
［１７］上記剥離処理剤は、ウレタン結合を持つ化合物を含むものである［１５］または［１６］項に記載の基材付絶縁シート。
［１８］上記基材は、ポリエステル樹脂フィルムである［１４］ないし［１７］項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
［１９］上記ポリエステル樹脂フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリエチレンナフタレートフィルムである、［１８］項に記載の基材付絶縁シート。
［２０］上記樹脂組成物は、エポキシ樹脂を含有するものである［１４］ないし［１９］項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
［２１］上記樹脂組成物は、無機充填材を含有するものである［１４］ないし［２０］項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
［２２］上記樹脂組成物は、イミダゾール化合物を含有するものである［１４］ないし［２１］項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。
［２３］上記絶縁層を硬化させる前の上記剥離強度が０．０５ｋＮ／ｍ以下であり、絶縁層の硬化前に基材から剥離して用いられるものである［１４］ないし［２２］項のいずれかに記載の基材付絶縁シート。【００１１】
［２４］ ［１４］から［２３］項のいずれかに記載の基材付絶縁シートを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなる多層プリント配線板。【００１２】
［２５］ ［２４］項に記載の多層プリント配線板をパッケージ用基板として用いてなる半導体装置。【００１３】
［２６］ ［１４］から［２３］項のいずれかに記載の基材付絶縁シートと、内層回路板とを、該基材付絶縁シートの絶縁層を該内層回路板側にして重ね合わせ、上記樹脂組成物の硬化温度未満で加熱加圧し、多層プリント配線板前駆体を作製する工程と、上記多層プリント配線板前駆体において、上記基材を上記絶縁層から剥離した後、上記樹脂組成物の硬化温度以上に加熱して上記絶縁層を硬化させ、多層プリント配線板を作製する工程と、を備える、多層プリント配線板の作製方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に加熱加圧して接着し、且つ、上記絶縁層を加熱硬化させた後に、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．２ｋＮ／ｍ以下であり、絶縁層を加熱硬化後に基材から剥離して用いられるものであることを特徴とする基材付絶縁シート、並びに、多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで０．５〜１５分間、加熱加圧した時に、２０℃において、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．０５ｋＮ／ｍ以下であることを特徴とする基材付絶縁シートを提供するものである。
本発明の基材付絶縁シートを多層プリント配線板の絶縁層に用いることにより、作業性が良く、不具合を起こすことなく、高密度で微細な回路形成が可能な多層プリント配線板を製造することができる。また特に、システム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）等に用いられるパッケージ基板と呼ばれる基板に好適に用いることができる。パッケージ基板は、プリント配線板と半導体素子との間で、プリント配線板と半導体素子との信号伝達の仲介役として働くため、高密度な微細回路形成が要求されるが、本発明の基材付絶縁シートを用いることでパッケージ基板に要求される高密度な微細回路形成が可能となる。さらに本発明の基材付絶縁シートを用い製造されたパッケージ基板に半導体素子を搭載してなる半導体装置は信頼性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明の基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置について詳細に説明する。
本発明の第１の基材付絶縁シートは、多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に加熱加圧して接着し、且つ、上記絶縁層を加熱硬化させた後に、２０℃において、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．２ｋＮ／ｍ以下であり、絶縁層を加熱硬化後に基材から剥離して用いられるものであることを特徴とするものである。【００１６】
また、本発明の第１の多層プリント配線板は、上記本発明の第１の基材付絶縁シートを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなるものである。
さらに、本発明の第１の半導体装置は、上記本発明の第１の多層プリント配線板をシステム・イン・パッケージ等の半導体装置を構成するパッケージ用基板として好適に使用することができるものであり、該パッケージ用基板に半導体素子を実装してなる半導体装置は信頼性に優れる。
また、本発明の第１の多層プリント配線板の製造方法は、上記本発明の第１の基材付絶縁シートと、内層回路板とを、該基材付絶縁シートの絶縁層を該内層回路板側にして重ね合わせ、上記樹脂組成物の硬化温度未満で加熱加圧し、多層プリント配線板前駆体を作製する工程と、上記多層プリント配線板前駆体を、上記樹脂組成物の硬化温度以上に加熱して上記絶縁層を硬化させた後、上記基材を剥離して多層プリント配線板を作製する工程と、を備えるものである。【００１７】
本発明の第２の基材付絶縁シートは、多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで０．５〜１５分間、加熱加圧した時に、２０℃において、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．０５ｋＮ／ｍ以下であることを特徴とするものである。【００１８】
また、本発明の第２の多層プリント配線板は、上記本発明の第２の基材付絶縁シートを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなるものである。
さらに、本発明の第２の半導体装置は、上記本発明の第２の多層プリント配線板をシステム・イン・パッケージ等の半導体装置を構成するパッケージ用基板として好適に使用することができるものであり、該パッケージ用基板に半導体素子を実装してなる半導体装置は信頼性に優れる。
また、本発明の第２の多層プリント配線板の製造方法は、上記本発明の第２の基材付絶縁シートと、内層回路板とを、該基材付絶縁シートの絶縁層を該内層回路板側にして重ね合わせ、上記樹脂組成物の硬化温度未満で加熱加圧し、多層プリント配線板前駆体を作製する工程と、上記多層プリント配線板前駆体において、上記基材を上記絶縁層から剥離した後、上記樹脂組成物の硬化温度以上に加熱して上記絶縁層を硬化させ、多層プリント配線板を作製する工程と、を備えるものである。【００１９】
まず、本発明の基材付絶縁シートについて説明する。
本発明の基材付絶縁シートは、基材上に樹脂組成物よりなる絶縁層を形成することで得られる。なお本発明に用いる「基材」とは金属箔または樹脂フィルムを意味し、後に具体例を挙げて説明する。
また、本発明において、剥離強度の測定は、例えば、精密万能試験機（オートグラフＡＧ−ＩＳ、島津製作所製）を用い測定することができる。剥離強度は、２０℃において、幅１ｃｍの基材の端を一部引き剥がして、その先端をつかみ具でつかみ、引っ張り方向が被接着面に接着した絶縁層に対して垂直になる方向に、５ｍｍ／ｍｉｎの速さで連続的に３０ｍｍ剥がしたときの平均値（ｎ＝２以上）とした。
また、本発明において、被接着面とは、基材付絶縁シートの絶縁層と接着させる面であり、絶縁層と基材とを剥離する際に、絶縁層と剥離しない剥離強度で該絶縁層を接着する。被接着面を提供するものとしては、多層プリント配線板を構成する内層回路板の他、特に限定されず用いることができる。絶縁層と基材の剥離強度を測定するために、上記条件を満たす被接着面を提供する試験用ピース基板を用いることもできる。【００２０】
本発明の第１の基材付絶縁シートは、多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に加熱加圧して接着し、且つ、上記絶縁層を加熱硬化させた後に、２０℃において、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．２ｋＮ／ｍ以下であり、絶縁層を加熱硬化後に基材から剥離して用いられるものであることを特徴とするものである。【００２１】
樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなる基材付絶縁シートにおいて、該絶縁層を被接着面に加熱加圧して接着し、且つ、上記絶縁層を加熱硬化させた後、該絶縁層から基材を剥離する場合、上記剥離強度が上記上限値（０．２ｋＮ／ｍ）を超えると、多層プリント配線板製造時において、基材と絶縁層とを剥離することが非常に困難で、基材を絶縁層から剥離することができない場合や、剥離の際に絶縁層にひび割れが発生する場合がある。
これに対して本発明の第１の基材付絶縁シートは、該絶縁層を被接着面に加熱加圧して接着し、且つ、上記絶縁層を加熱硬化させた後においても、絶縁層から基材を無理なく剥離することができるため、作業性に優れると共に、絶縁層のひび割れや脱落などが生じにくい。すなわち、表面平滑性の高い絶縁層を提供することができる。ゆえに、本発明により提供される絶縁層の表面には、微細な配線回路を精度よく形成することができ、また、後述の粗化処理工程においてその表面に微細な凹凸形状を高い均一性で多数形成することができる。【００２２】
本発明の第１の基材付絶縁シートにおいて、上記剥離強度は、０．００１〜０．１ｋＮ／ｍの範囲であることが好ましく、０．００５〜０．０５ｋＮ／ｍの範囲であることが最も好ましい。上記剥離強度が上記下限値未満であると、基材と絶縁層との密着力が弱く、例えば、多層プリント配線板製造時において、内層回路基板に基材付絶縁シートを積層後、加熱硬化を行う前に、基材が剥離して、絶縁層の表面に異物が付着し、不具合が生じる場合がある。
本発明の第１の基材付絶縁シートにおいて、絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで０．５〜１５分間、加熱加圧した後であって、絶縁層の加熱硬化前における、絶縁層と基材との剥離強度は、０．００１〜０．０５ｋＮ／ｍの範囲、特に０．００５〜０．０３ｋＮ／ｍの範囲であることが好ましい。【００２３】
本発明の第１の基材付絶縁シートにおいて、絶縁層を被接着面に加圧加熱して接着させる条件は特に限定されないが、加熱温度６０〜１６０℃、加圧０．２〜５ＭＰａで、０．５〜１５分間保持することが好ましく、特に加熱温度８０〜１２０℃、加圧１〜３ＭＰａで、１〜５分間保持することが好ましい。
また、絶縁層を加熱硬化させる硬化温度条件は、特に限定されないが、１４０℃〜２４０℃で絶縁層を硬化させることが好ましく、更に好ましくは１５０℃〜２００℃、最も好ましくは１６０℃〜１８０℃である。加熱時間は、特に限定されないが、３０〜１２０分間が好ましく、特に、４５〜９０分間が好ましい。【００２４】
一方、本発明の第２の基材付絶縁シートは、多層プリント配線板の絶縁層を形成するために用いられる基材付絶縁シートであって、樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなり、該絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで０．５〜１５分間、加熱加圧した時に、２０℃において、上記絶縁層から上記基材を剥離する剥離強度が、０．０５ｋＮ／ｍ以下であることを特徴とするものである。第２の基材付絶縁シートは、典型的には、絶縁層の硬化前において、上記剥離強度が０．０５ｋＮ／ｍ以下であり、絶縁層を硬化前に基材から剥離して用いられるものである。【００２５】
樹脂組成物からなる絶縁層が基材上に設けられてなる基材付絶縁シートにおいて、絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで０．５〜１５分間、加熱加圧した時の上記剥離強度、特に、硬化前の絶縁層から基材を剥離する剥離強度が、上記上限値（０．０５ｋＮ／ｍ）を超えると、多層プリント配線板製造時において、基材と絶縁層とを剥離することが非常に困難で、基材を絶縁層から剥離することができない場合や、剥離の際に絶縁層にひび割れが発生する場合がある。
これに対して本発明の第２の基材付絶縁シートは、絶縁層を被接着面に６０〜１６０℃、０．２〜５ＭＰａで０．５〜１５分間、加熱加圧した後、絶縁層から基材を無理なく剥離することができるため、作業性に優れると共に、絶縁層のひび割れや脱落などが生じにくい。すなわち、表面平滑性の高い絶縁層を提供することができる。ゆえに、本発明により提供される絶縁層の表面には、微細な配線回路を精度よく形成することができ、また、後述の粗化処理工程においてその表面に微細な凹凸形状を高い均一性で多数形成することができる。【００２６】
本発明の第２の基材付絶縁シートにおいて、上記剥離強度は、０．００１〜０．０３ｋＮ／ｍの範囲であることが好ましく、０．００５〜０．０２ｋＮ／ｍの範囲であることが最も好ましい。また、第２の基材付絶縁シートは、絶縁層と被接触面との加熱加圧条件が、８０〜１２０℃、１〜３ＭＰａで１〜５分間の場合でも、上記剥離強度が上記範囲内であることが好ましい。
剥離強度が上記下限値未満であると、基材と絶縁層との密着力が弱く、例えば、多層プリント配線板製造時において、内層回路基板に基材付絶縁シートを積層後、絶縁層の加熱硬化前に、基材が剥離して、絶縁層の表面に異物が付着し、不具合が生じる場合がある。また、剥離強度が上記下限値未満であると、基材付絶縁シートの保管時などに基材が以前剥離し、取り扱い性の低下や絶縁層の表面に異物が付着するという問題が生じ易い。【００２７】
以下、本発明の第１及び第２の基材付絶縁シートを構成する基材及び絶縁層について説明していく。
本発明の基材付絶縁シートに用いる基材は、剥離処理剤により剥離処理が施されていることが好ましい。剥離処理が施されていない場合、絶縁層を構成する樹脂組成物によっては、基材と絶縁層との剥離強度が大きくなりすぎる場合があり、基材を絶縁層から剥離することができないことや、剥離の際に絶縁層にひび割れが発生することがある。【００２８】
上記剥離処理剤は、特に限定されないが、例えば、非シリコーン系の剥離処理剤を好適に用いることができる。非シリコーン系の剥離処理剤は剥離強度が大きくなりすぎることが無く、また小さくなりすぎることもないため好適である。非シリコーン系の剥離処理剤としては熱硬化型ポリエステル樹脂、アミノアルキレッド樹脂、ウレタン系樹脂等が挙げられる。【００２９】
中でも、非シリコーン系の剥離処理剤として、ウレタン結合を持つ化合物を含むことが好ましい。ウレタン結合を持つ化合物は絶縁シートの成分と反応して不具合を起こすことがなく、時間の経過による密着力の変化が小さい。ウレタン結合を持つ化合物としてはエチレン／ビニルアルコール共重合体とアルキルイソシアネートの反応生成物やエチレンオキシド付加ポリエチレンイミンとアルキルイソシアネートの反応生成物等が挙げられる。【００３０】
基材を上記剥離処理剤で剥離処理する方法としては、特に限定されないが、例えば、剥離処理剤を適当な有機溶媒に溶解または分散させた塗工液を調製し、該塗工液をロールコーター、キスコーター、グラビアコーター、スロットダイコーター、スクイズコーターなどの適宜の塗工手段で、剥離処理すべき面に塗工し乾燥する方法が挙げられる。
剥離処理層の処理量は、特に制限されないが、例えば、０．０１〜５ｇ／ｍ２、好ましくは０．１〜２ｇ／ｍ２の範囲である。この範囲であれば、剥離処理層を均一に形成しやすく、またべたつきも防止でき、取扱いが容易である。【００３１】
本発明の基材付絶縁シートに用いられる基材は、特に限定されないが、例えば、ポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルム、あるいは、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金等の金属箔などを用いることが出来る。これらの中でもポリエステル樹脂フィルムが最も好ましい。ポリエステル樹脂は強度や耐熱性が高く、吸湿性が少ないなど、絶縁シートの基材として適した特性を持つ。ポリエステル樹脂フィルムとしてはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート等が挙げられる。
上記基材の厚みは、特に限定されないが、１０〜７０μｍのものを用いると、基材付絶縁シートを製造する際の取扱い性が良好であり好ましい。
なお、本発明の基材付絶縁シートを製造するにあたっては、絶縁シートと接合される側の絶縁基材表面の凹凸は極力小さいものであることが好ましい。これにより、本発明の作用を効果的に発現させることができる。【００３２】
本発明の基材付絶縁シートの絶縁層を形成する樹脂組成物は、エポキシ樹脂を１種以上含有することが好ましい。これにより、耐熱性、熱分解性を付与することができるとともに、基材付絶縁シートを製造する時の製膜性や、多層プリント配線板製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。【００３３】
上記エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂など公知慣用のものを、単独あるいは２種以上組み合わせて使用することができる。また、反応性希釈剤としての単官能エポキシ樹脂を含有していてもよい。これらの中でも特にフェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、難燃性、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。【００３４】
上記エポキシ樹脂の含有量としては、特に限定されないが、樹脂組成物全体に対して５〜８０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは１０〜６０重量％である。
エポキシ樹脂の含有量が上記下限値未満であると、吸湿半田耐熱性、密着性を向上させる効果が小さい場合がある。また、上記上限値を超えると、分散性が悪くなることがあるため好ましくない。エポキシ樹脂の含有量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。【００３５】
本発明の基材付絶縁シートの絶縁層を形成する樹脂組成物は、一種類以上の無機充填材を含有することが好ましい。無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、ガラス、マイカ、水酸化アルミニウム等があげられる。無機充填材としては、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。中でもシリカが好ましい。さらに好ましくは溶融シリカである。溶融シリカは他の無機充填材と比較して低膨張性に優れている。シリカの形状としては例えば、破砕状、球状などがあるが、球状であるものが好ましい。球状であると樹脂組成物中における無機充填材含有量を多くすることができ、その場合でも流動性に優れている。また、必要に応じて他の無機充填材も含有させることができる。【００３６】
上記無機充填材の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中に２０重量％以上８０重量％以下の割合であることが好ましい。さらに好ましい含有量は、２５重量％以上７０重量％以下であり、最も好ましくは３０重量％以上６０重量％以下である。無機充填材含有量が上記上限値を超えると樹脂組成物の流動性が極めて悪くなるため好ましくない場合があり、上記下限値未満であると樹脂組成物からなる絶縁層の強度が十分でなく、好ましくない場合がある。【００３７】
本発明の基材付絶縁シートの絶縁層を形成する樹脂組成物は、硬化促進剤としてイミダゾール化合物を含有することが好ましい。さらに好ましくは、樹脂組成物に含有される樹脂成分と相溶性のあるイミダゾール化合物である。このようなイミダゾール化合物を用いることにより、エポキシ樹脂の反応を効果的に促進させることができ、また、イミダゾール化合物の配合量を少なくしても同等の特性を付与することができる。
さらに、このようなイミダゾール化合物を用いた樹脂組成物は、樹脂成分との間で微小なマトリックス単位から高い均一性で硬化させることができる。これにより、多層プリント配線板に形成された樹脂層の絶縁性、耐熱性を高めることができる。【００３８】
上記イミダゾール化合物としては、特に限定されないが、例えば、１‐ベンジル‐２‐メチルイミダゾール、１‐ベンジル‐２-フェニルイミダゾール、２-フェニル-４-メチルイミダゾール、２‐エチル‐４‐メチルイミダゾール、２，４‐ジアミノ‐６‐［２'‐メチルイミダゾリル‐（１'）］‐エチル‐ｓ‐トリアジン、２，４‐ジアミノ‐６‐（２'‐ウンデシルイミダゾリル）‐エチル‐ｓ‐トリアジン、２，４‐ジアミノ‐６‐［２'‐エチル‐４‐メチルイミダゾリル‐（１'）］‐エチル‐ｓ‐トリアジン等を挙げることができる。【００３９】
これらの中でも、１‐ベンジル‐２‐メチルイミダゾール、１‐ベンジル‐２‐フェニルイミダゾール、及び、２‐エチル‐４‐メチルイミダゾールから選ばれるイミダゾール化合物であることが好ましい。これらのイミダゾール化合物は、特に優れた相溶性を有することで、均一性の高い硬化物が得られるとともに、絶縁層表面に微細かつ均一な粗化面を形成することができるので、絶縁層表面に微細な導体回路を容易に形成することができるとともに、多層プリント配線板に高い耐熱性を発現させることができる。イミダゾール化合物の含有量としては特に限定されないが、絶縁層中の樹脂成分の合計に対して、０．０１〜５重量％が好ましく、特に０．０５〜３重量％が好ましい。これにより、特に耐熱性を向上させることができる。【００４０】
本発明の基材付絶縁シートの絶縁層を形成する樹脂組成物は、必要に応じてフェノキシ樹脂を含有することができる。フェノキシ樹脂は、分子量が１．０×１０４以上の高分子量エポキシ樹脂であり、エポキシ樹脂と構造が似ているため相溶性が良く、また接着性も良好な特徴を有する。分子量が大きいほどフィルム形成性が容易に得られ、また接着時の流動性に影響する溶融粘度を広範囲に設定できる。分子量は１．０×１０４〜７．０×１０４の範囲のものが好ましい。分子量が上限値を超えると溶剤への溶解性が悪くなり、樹脂ワニスの調製が困難になるため好ましくない。
フェノキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜４０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは５〜３０重量％である。これにより、製膜性が良く、外観上も均一な絶縁シートを得ることができる。【００４１】
本発明の基材付絶縁シートの絶縁層を形成する樹脂組成物は、必要に応じてシアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有することができる。これらの成分は、樹脂組成物の難燃性を向上させるのに有効である。シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーの入手方法としては特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。【００４２】
上記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーは、特に限定されないが、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。
本発明の基材付絶縁シートにおいて、上記シアネート樹脂の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物全体に対して５〜５０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは１０〜４０重量％である。これにより、シアネート樹脂が有する耐熱性、難燃性をより効果的に発現させることができる。【００４３】
本発明の基材付絶縁シートの絶縁層を形成する樹脂組成物は、必要に応じてフェノール系硬化剤を含有することができる。フェノール系硬化剤としては、特に限定されないが、例えばフェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ポリビニルフェノール類など公知慣用のものを、単独あるいは２種以上組み合わせて使用することができる。フェノール系硬化剤を使用すれば難燃性、接着性が向上する。【００４４】
本発明の基材付絶縁シートの絶縁層を形成する樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系、シランカップリング剤等の密着性付与剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤及び／又はレベリング剤、酸化チタン、カーボンブラック等の着色剤といった添加剤を含有することができる。【００４５】
ここで、樹脂組成物からなる絶縁層を基材上に形成する方法としては特に限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤などに溶解・分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法、樹脂ワニスをスプレー装置により基材に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法、などが挙げられる。
樹脂ワニスを調製する方法としては、例えば、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて、樹脂組成物と溶剤を混合、攪拌する方法が挙げられる。また、上記コーター装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いることが好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁樹脂層の厚みを有する基材付絶縁シートを効率よく製造することができる。【００４６】
上記樹脂ワニスの調製に用いられる溶剤としては特に限定されないが、例えば、アルコール類、エーテル類、アセタール類、ケトン類、エステル類、アルコールエステル類、ケトンアルコール類、エーテルアルコール類、ケトンエーテル類、ケトンエステル類、及び、エステルエーテル類などを用いることができる。
上記樹脂ワニス中の固形分含有量としては特に限定されないが、３０〜８０重量％が好ましく、特に４０〜７０重量％が好ましい。【００４７】
本発明の基材付絶縁シートにおいて、樹脂組成物から構成される絶縁層の厚さとしては特に限定されないが、１０〜１００μｍであることが好ましい。さらに好ましくは２０〜８０μｍである。これにより、この基材付絶縁シートを用いて多層プリント配線板を製造する際に、内層回路の凹凸を充填して成形することができるとともに、好適な絶縁層厚みを確保することができる。また、基材付絶縁シートにおいては、絶縁層の割れ発生を抑え、裁断時の粉落ちを少なくすることができる。【００４８】
次に、本発明の基材付絶縁シートを用いた多層プリント配線板について説明する。
上記多層プリント配線板は、上記基材付絶縁シートを内層回路板の片面又は両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなるものである。【００４９】
具体的には、上記本発明の第１または第２の基材付絶縁シートの絶縁層側と内層回路板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置等で絶縁層を加熱硬化させることにより多層プリント配線板を得ることができる。
ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度６０〜１６０℃、圧力０．２〜５ＭＰａで実施することができる。このとき、加熱加圧保持時間としては、例えば、０．５〜１５分間程度でよい。また、絶縁層を加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度１４０〜２４０℃、時間３０〜１２０分間で実施することができる。
尚、上記のように、多層プリント配線板の製造工程において、基材付絶縁シートと内層回路板とを真空加熱加圧成形した後、絶縁層を加熱硬化する場合、第２の基材付絶縁シートを用いる場合には、典型的には、真空加熱加圧成形後であって、絶縁層の加熱硬化前に、絶縁層から基材を剥離することになる。【００５０】
あるいは、上記本発明の第１または第２の基材付絶縁シート（第２の基材付絶縁シートを用いる場合には、典型的には、基材付絶縁シートから基材を剥離したもの）の絶縁層側を内層回路板に重ね合わせ、これを平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形することにより、絶縁層を硬化させ、多層プリント配線板を得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度１４０〜２４０℃、圧力１〜４ＭＰａで実施することができる。【００５１】
上記多層プリント配線板を得る際に用いられる内層回路板は、例えば、銅張積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路を形成し、導体回路部分を黒化処理したものを好適に用いることができる。【００５２】
上記で得られた多層プリント配線板は、さらに、絶縁層の硬化前又は硬化後、基材を剥離除去して、絶縁樹脂層表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより粗化処理した後、金属メッキにより新たな導電配線回路を形成することができる。本発明の基材付絶縁シートから形成された絶縁樹脂層は、上記粗化処理工程において、その表面に微細な凹凸形状を高い均一性で多数形成することができ、また、絶縁樹脂層表面の平滑性が高いため、微細な配線回路を精度よく形成することができるものである。【００５３】
次に、本発明の多層プリント配線板をパッケージ用基板として用いた半導体装置について説明する。
上記半導体装置は、上記にて得られた多層プリント配線板に配線回路を形成したパッケージ用基板に半導体チップを実装し、封止樹脂によって封止することによって製造する。半導体チップの実装方法、封止方法は特に限定されない。例えば、半導体素子とパッケージ用基板とを用い、フリップチップボンダーなどを用いて基板上の接続用電極部と半導体素子の金属バンプの位置合わせを行ったあと、ＩＲリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、基板上の多層プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続し、基板と半導体素子との間に液状封止樹脂を充填し、硬化させることで半導体装置を得ることができる。
本発明の多層プリント配線板は、製造時、微細配線加工が容易なためパッケージ用基板として使用することにより、実装信頼性に優れ、且つ熱衝撃性に優れた半導体装置を製造することができる。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明を実施例および比較例により詳細に説明する。
実施例及び比較例において用いた原材料は以下の通りである。
（１）剥離処理剤Ａ／非シリコーン系剥離処理剤：一方社油脂工業株式会社製・「ピーロイル１０５０」
（２）剥離処理剤Ｂ／シリコーン系剥離処理剤：信越化学工業株式会社製・「ＫＳ−７７６Ａ」
（３）無機充填材／アドマテックス社製・「ＳＯ-２５Ｈ」、平均粒子径０．５μｍ
（４）エポキシ樹脂Ａ／ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂：日本化薬株式会社製・「ＮＣ-３０００」、エポキシ当量２７５、重量平均分子量１０００
（５）エポキシ樹脂Ｂ／テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン株式会社製・「ＹＸ−４０００」、エポキシ当量１８５、重量平均分子量７００
（６）フェノキシ樹脂／ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン株式会社製・「ｊＥＲ４２７５」重量平均分子量６００００
（７）シアネート樹脂／ノボラック型シアネート樹脂：ロンザジャパン株式会社製・「プリマセットＰＴ‐３０」、重量平均分子量７００
（８）フェノール系硬化剤／ビフェニルアルキレン型ノボラック樹脂：明和化成株式会社製「ＭＥＨ−７８５１−３Ｈ」、水酸基当量２２０
（９）硬化促進剤／イミダゾール化合物：四国化成工業株式会社製・「キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１‐ベンジル‐２‐フェニルイミダゾール）」
（１０）カップリング剤Ａ：エポキシシラン型カップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）【００５５】
＜実施例１＞
（１）基材の剥離処理
アセトンで希釈した剥離処理剤Ａの溶液を、基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製、厚さ３８μｍ）の片面に、グラビアコーターを用いて０．５ｇ／ｍ２となるよう塗工し、９０℃の乾燥装置で１分間乾燥して、基材の剥離処理を行った。【００５６】
（２）樹脂ワニスの調製
エポキシ樹脂Ａ４０．０重量部、フェノキシ樹脂１９．８重量部、硬化促進剤０．２重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材４０．０重量部とカップリング剤Ａ０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【００５７】
（３）基材付絶縁シートの製造
上記で表面処理した基材の剥離処理面に、上記で得られた樹脂ワニスを、コンマコーター装置を用いて乾燥後の絶縁フィルムの厚さが４０μｍとなるように塗工し、これを１５０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、基材付絶縁シートを製造した。【００５８】
（４）多層プリント配線板の製造
所定の内層回路が両面に形成された内層回路基板の表裏に、上記で得られた基材付絶縁シートの絶縁層面を内側にして重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて１分間真空加熱加圧成形させ、絶縁シートから基材を剥離した。これを、熱風乾燥装置にて１７０℃で６０分間加熱し絶縁層を硬化させた。
なお、内層回路基板としては、下記のものを使用した。
・絶縁層：ハロゲンフリー  ＦＲ-４材、厚さ０．４ｍｍ
・導体層：銅箔厚み１８μｍ、Ｌ／Ｓ＝１２０／１８０μｍ、クリアランスホール１ｍｍφ、３ｍｍφ、スリット２ｍｍ【００５９】
（５）パッケージ基板の製造
上記多層プリント配線板の絶縁層に炭酸レーザー装置を用いて開口部を設け、電解銅めっきにより絶縁層表面に外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図った。なお、外層回路は、半導体素子を実装するための接続用電極部を設けた。
その後、最外層にソルダーレジスト（太陽インキ社製ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８）を形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切断し、パッケージ基板を得た。【００６０】
（６）半導体装置の製造
半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚み０．８ｍｍ）は、半田バンプはＳｎ／Ｐｂ組成の共晶で形成され、回路保護膜はポジ型感光性樹脂（住友ベークライト社製ＣＲＣ−８３００）で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、上記パッケージ基板上に加熱圧着により搭載した。次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂は、温度１５０℃、１２０分の条件で硬化させた。【００６１】
＜実施例２＞
エポキシ樹脂Ａ３５．０重量部、エポキシ樹脂Ｂ１５．０重量部、フェノール硬化剤１４．９重量部、硬化促進剤０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材３５．０重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用い、実施例１と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００６２】
＜実施例３＞
アセトンで希釈した剥離処理剤Ａの溶液を、基材であるポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポンフィルム製、厚さ３８μｍ）の片面に、グラビアコーターを用いて０．５ｇ／ｍ２となるよう塗工し、９０℃の乾燥装置で１分間乾燥して、基材の剥離処理を行った。
エポキシ樹脂Ａ５０．０重量部、フェノキシ樹脂１５．０重量部、フェノール硬化剤４．７重量部、硬化促進剤０．３重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材３０．０重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
その後、この樹脂ワニスと上記剥離処理剤Ａによって剥離処理された基材を用い、実施例１と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００６３】
＜実施例４＞
アセトンで希釈した剥離処理剤Ｂの溶液を、基材であるポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製、厚さ３８μｍ）の片面に、グラビアコーターを用いて０．５ｇ／ｍ２となるよう塗工し、９０℃の乾燥装置で１分間乾燥して、基材の剥離処理を行った。
その後、実施例１の樹脂ワニスと、上記剥離処理剤Ｂによって剥離処理された基材を用い、実施例１と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００６４】
＜実施例５＞
アセトンで希釈した剥離処理剤Ｂの溶液を、基材であるポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム製、厚さ３８μｍ）の片面に、グラビアコーターを用いて０．５ｇ／ｍ２となるよう塗工し、９０℃の乾燥装置で１分間乾燥して、基材の剥離処理を行った。
エポキシ樹脂Ａ１５．０重量部、フェノキシ樹脂５．０重量部、シアネート樹脂１４．９重量部、硬化促進剤０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材６５．０重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスと、上記剥離処理剤Ｂによって剥離処理された基材を用い、実施例１と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００６５】
＜比較例１＞
実施例１の樹脂ワニスと、剥離処理されていない基材（ポリエチレンテレフタレートフィルム、三菱化学ポリエステルフィルム製、厚さ３８μｍ）を用い、実施例１と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００６６】
＜比較例２＞
実施例２の樹脂ワニスと、剥離処理されていない基材（ポリエチレンテレフタレートフィルム、三菱化学ポリエステルフィルム製、厚さ３８μｍ）を用い、実施例１と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００６７】
＜比較例３＞
実施例３の樹脂ワニスと、剥離処理されていない基材（ポリエチレンナフタレートフィルム、帝人デュポンフィルム製、厚さ３８μｍ）を用い、実施例１と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００６８】
実施例１〜５および比較例１〜３で得られた基材付絶縁シート、及び、多層プリント配線板、半導体装置について、特性の評価を行った。結果を表１に示す。【００６９】
【表１】
2008123248.tif 000002
【００７０】
評価方法は下記のとおりである。
（１）基材の剥離強度
上記多層プリント配線板の製造工程において、基材付絶縁シートを内層回路基板に積層し、絶縁層から基材を引き剥がす際の引き剥がし強度を精密万能試験機（オートグラフＡＧ−ＩＳ、島津製作所製）を用い、２０℃の環境において、幅１ｃｍの基材の先端を一部引き剥がして、つかみ具でつかみ、引っ張り方向が試料面（内層回路基板に接着した絶縁層）に垂直になる方向に、５ｍｍ／ｍｉｎの速さで連続的に３０ｍｍ剥がして、その平均値を取ることにより測定した。
（２）基材への樹脂転写
上記多層プリント配線板の製造工程において、基材を剥離後に、顕微鏡にて基材表面を観察し、基材への樹脂転写の有無を確認した。
各符号は以下の通りである。
○：樹脂の転写が観察されなかったもの
×：転写が観察されたもの【００７１】
（３）絶縁層の外観評価
上記多層プリント配線板の絶縁層について、顕微鏡にて観察を行った。
各符号は以下の通りである。
○：外観の良好なもの
×：ひび割れや欠損などの不良が観察されたもの
（４）実装信頼性試験
実装信頼性は、上記半導体装置を、温度８５℃、湿度８５％の雰囲気下で１００時間放置後、２６０℃リフローを３回行い、超音波深傷検査装置で半導体素子裏面の剥離、および半田バンプの欠損を評価した。
各符号は以下の通りである。
◎：良好  剥離、バンプ欠損なし
○：実質上問題なし  アンダーフィル周辺に微小剥離のみ、バンプ欠損なし
△：実質上使用不可  １０％以上の剥離およびバンプ欠損
×：使用不可  ８０％以上の剥離、およびバンプ欠損【００７２】
（５）熱衝撃性試験
上記半導体装置をフロリナート中で−５５℃１０分、１２５℃１０分、−５５℃１０分を１サイクルとして、１０００サイクル処理し、テストピースにクラックが発生していないか目視で観察した。
各符号は以下の通りである。
○：クラック発生なし
×：クラック発生【００７３】
実施例１〜５は、絶縁層と基材との剥離強度が０．０５ｋＮ／ｍ以下である本発明の基材付絶縁シートと、これを用いた多層プリント配線板、半導体装置である。
実施例１〜５はいずれも、基材への樹脂転写がなく、絶縁層の外観が良好であり、信頼性の高い半導体装置の作製が可能なものであった。
比較例１〜３は、絶縁層と基材との剥離強度が０．０５ｋＮ／ｍを超えるため、絶縁シートがひび割れたり、基材へ樹脂転写が起こったりするという問題があり、半導体装置の評価において、（４）実装信頼性試験、（５）熱衝撃性試験ともに不良が見られた。【００７４】
＜実施例６＞
（１）基材の剥離処理
アセトンで希釈した剥離処理剤Ａの溶液を、ポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製、厚さ３８μｍ）の片面に、グラビアコーターを用いて０．５ｇ／ｍ２となるよう塗工し、９０℃の乾燥装置で１分間乾燥して、基材の剥離処理を行った。【００７５】
（２）樹脂ワニスの調製
エポキシ樹脂Ａ３５．０重量部、シアネート樹脂２４．８重量部、硬化促進剤０．２重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材４０．０重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。【００７６】
（３）基材付絶縁シートの製造
上記で表面処理した基材の剥離処理面に、上記で得られた樹脂ワニスを、コンマコーター装置を用いて乾燥後の絶縁フィルムの厚さが４０μｍとなるように塗工し、これを１５０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、基材付絶縁シートを製造した。【００７７】
（４）多層プリント配線板の製造
所定の内層回路が両面に形成された内層回路基板の表裏に、上記で得られた基材付絶縁シートの絶縁シート面を内側にして重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて１分間、真空加熱加圧成形させた。これを、熱風乾燥装置にて１７０℃で６０分間加熱し硬化させた後、絶縁シートから基材を剥離し、評価用の多層プリント配線板を得た。
なお、内層回路基板としては、下記のものを使用した。
絶縁層：ハロゲンフリー  ＦＲ-４材、厚さ０．４ｍｍ
導体層：銅箔厚み１８μｍ、Ｌ／Ｓ＝１２０／１８０μｍ、クリアランスホール１ｍｍφ、３ｍｍφ、スリット２ｍｍ【００７８】
（５）パッケージ基板の製造
上記多層プリント配線板の絶縁層に炭酸レーザー装置を用いて開口部を設け、電解銅めっきにより絶縁層表面に外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図った。なお、外層回路は、半導体素子を実装するための接続用電極部を設けた。
その後、最外層にソルダーレジスト（太陽インキ社製ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８）を形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切断し、パッケージ基板を得た。【００７９】
（６）半導体装置の製造
半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚み０．８ｍｍ）は、半田バンプはＳｎ／Ｐｂ組成の共晶で形成され、回路保護膜はポジ型感光性樹脂（住友ベークライト社製ＣＲＣ−８３００）で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、上記パッケージ基板上に加熱圧着により搭載した。次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂は、温度１５０℃、１２０分の条件で硬化させた。【００８０】
＜実施例７＞
エポキシ樹脂Ａ３０．０重量部、エポキシ樹脂Ｂ２０．０重量部、フェノール硬化剤１４．９重量部、硬化促進剤０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材３５．０重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用い、実施例６と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００８１】
＜実施例８＞
アセトンで希釈した剥離処理剤Ａの溶液を、基材であるポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム製、厚さ３８μｍ）の片面に、グラビアコーターを用いて０．５ｇ／ｍ２となるよう塗工し、９０℃の乾燥装置で１分間乾燥して、基材の剥離処理を行った。
エポキシ樹脂Ａ５０．０重量部、フェノキシ樹脂１０．０重量部、フェノール硬化剤９．７重量部、硬化促進剤０．３重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材３０．０重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスと、上記剥離処理剤Ａによって剥離処理された基材を用い、実施例６と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００８２】
＜実施例９＞
アセトンで希釈した剥離処理剤Ｂの溶液を、ポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製、厚さ３８μｍ）の片面に、グラビアコーターを用いて０．５ｇ／ｍ２となるよう塗工し、９０℃の乾燥装置で１分間乾燥して、基材の剥離処理を行った。
その後、実施例６の樹脂ワニスと、上記剥離処理剤Ｂによって剥離処理された基材を用い、実施例６と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００８３】
＜実施例１０＞
アセトンで希釈した剥離処理剤Ｂの溶液を、基材であるポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム製、厚さ３８μｍ）の片面に、グラビアコーターを用いて０．５ｇ／ｍ２となるよう塗工し、９０℃の乾燥装置で１分間乾燥して、基材の剥離処理を行った。
エポキシ樹脂Ａ１５．０重量部、フェノキシ樹脂１０．０重量部、シアネート樹脂９．９重量部、硬化促進剤０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材６５．０重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスと、上記剥離処理剤Ｂによって剥離処理された基材を用い、実施例６と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００８４】
＜比較例４＞
実施例６の樹脂ワニスと、剥離処理されていない基材（ポリエチレンテレフタレートフィルム、三菱化学ポリエステルフィルム製、厚さ３８μｍ）とを用い、実施例６と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００８５】
＜比較例５＞
実施例７の樹脂ワニスと、剥離処理されていない基材（ポリエチレンテレフタレートフィルム、三菱化学ポリエステルフィルム製、厚さ３８μｍ）とを用い、実施例６と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００８６】
＜比較例６＞
実施例８の樹脂ワニスと、剥離処理されていない基材（ポリエチレンナフタレートフィルム、帝人デュポンフィルム製、厚さ３８μｍ）とを用い、実施例６と同様にして、基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置を得た。【００８７】
実施例６〜１０および比較例４〜６で得られた基材付絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置について、特性の評価を行った。結果を表２に示す。【００８８】
【表２】
2008123248.tif 000003
【００８９】
評価方法は下記のとおりである。
（１）基材の剥離強度
上記多層プリント配線板の製造工程において、基材付絶縁シートを内層回路基板に積層し、絶縁層を硬化させた後、絶縁層から基材を引き剥がす際の引き剥がし強度を精密万能試験機（オートグラフＡＧ−ＩＳ、島津製作所製）を用い、２０℃の環境において、幅１ｃｍの基材の先端を一部引き剥がして、つかみ具でつかみ、引っ張り方向が試料面（内層回路基板に接着した絶縁層）に垂直になる方向に、５ｍｍ／ｍｉｎの速さで連続的に３０ｍｍ剥がして、その平均値を取ることにより測定した。
（２）回路上の平坦性
上記多層プリント配線板の絶縁層表面の凹凸を表面粗さ測定装置で計測した。
各符号は以下の通りである。
○：段差が１μｍ未満のもの
×：段差が１μｍ以上のもの
なお、段差とは絶縁層下に内層回路がある部分と絶縁層下に内層回路のない部分に生じる高さの差である。【００９０】
（３）基材の付着
基材を剥離した後、顕微鏡にて、剥離後の基材表面を観察し、基材の付着残りの有無を確認した。
各符号は以下の通りである。
○：付着残りの無いもの
×：付着残りが見られたもの
（４）リフロー耐熱性試験
上記半導体装置の半導体素子を実装する前のパッケージ用基板を用い、２６０℃リフロー炉に通し、パッケージ基板の膨れの有無を目視にて確認した。パッケージ用基板は、リフロー炉に１０回通した。
各符号は以下の通りである。
◎：１０回繰り返しても膨れなし
○：７〜９回目で膨れ発生
△：４〜６回目で膨れ発生
×：３回目までに膨れ発生【００９１】
（５）実装信頼性試験
実装信頼性は、上記半導体装置を、温度８５℃、湿度８５％の雰囲気下で１００時間放置後、２６０℃リフローを３回行い、超音波深傷検査装置で半導体素子裏面の剥離、および半田バンプの欠損を評価した。
各符号は以下の通りである。
◎：良好  剥離、バンプ欠損なし
○：実質上問題なし  アンダーフィル周辺に微小剥離のみ、バンプ欠損なし
△：実質上使用不可  １０％以上の剥離およびバンプ欠損
×：使用不可  ８０％以上の剥離、およびバンプ欠損
（６）熱衝撃性試験
上記半導体装置をフロリナート中で−５５℃１０分、１２５℃１０分、−５５℃１０分を１サイクルとして、１０００サイクル処理し、テストピースにクラックが発生していないか目視で確認した。
各符号は以下の通りである。
○：クラック発生なし
×：クラック発生【００９２】
実施例６〜１０は、絶縁層を加熱硬化後に、絶縁層から基材を剥離する際の剥離強度が０．２ｋＮ／ｍ以下である本発明の基材付絶縁シートと、これを用いた多層プリント配線板及び半導体装置である。
実施例６〜１０はいずれも、回路上の平坦性が良好であり、基材の付着残りがなく、リフロー耐熱性にも優れ、信頼性の高い半導体装置の作製が可能なものであった。
比較例４〜６は、絶縁層を加熱硬化させた後に、絶縁層から基材を剥離する際の剥離強度が０．２ｋＮ／ｍを超えるため、基材の付着残りが起こるという問題があり、リフロー耐熱性試験において膨れが見られた。また半導体装置の評価において、（５）実装信頼性試験、（６）熱衝撃性試験ともに不良が見られた。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明の基材付絶縁シートによれば、小型化、薄型化要求へ対応し、かつ低コストで取扱いに優れたプリント配線板を提供でき、また高密度で微細配線が要求される半導体パッケージ用基板を提供することもできる。
【国際調査報告】
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