【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタンバイ及びアクティブ時に高電圧のレベルを検出することによって前記高電圧のレベルが所望のレベルより低い場合に前記高電圧のレベルを昇圧するためのスタンバイ高電圧発生手段と、
前記アクティブ時にアクティブ命令が印加されると制御信号に応答して昇圧能力を変更して前記高電圧のレベルを昇圧するアクティブ高電圧発生手段とを備え、
前記アクティブ高電圧発生手段は、前記高電圧のレベルが所望のレベルより低いのか高いのかを検出して前記制御信号のレベルを調節することを特徴とする高電圧発生回路。
【請求項２】
前記アクティブ高電圧発生手段は、
前記制御信号に応答して前記昇圧能力を変更し、パルス信号に応答して前記高電圧を昇圧するための可変昇圧回路と、
前記アクティブ命令が印加されると前記高電圧のレベルが所望のレベルより低いか否かを検出してアクティブ高電圧検出信号を発生するためのアクティブ高電圧検出回路と、
前記アクティブ命令が印加されると前記アクティブ高電圧検出信号に応答して前記制御信号のレベルを変更するための可変容量制御信号発生回路と、
前記アクティブ命令が印加されると前記パルス信号を発生するパルス信号発生手段と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の高電圧発生回路。
【請求項３】
前記アクティブ高電圧発生手段は、前記アクティブ高電圧検出信号に応答してイネーブルされて、前記パルス信号に応答して前記高電圧を昇圧するためのアクティブ高電圧昇圧回路をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の高電圧発生回路。
【請求項４】
前記可変昇圧回路は、
前記パルス信号のうち第１パルス信号に応答して昇圧ノードを昇圧するための第１昇圧回路と、
前記制御信号に応答して昇圧能力を変更して前記パルス信号のうち前記第１パルス信号と反対の位相を有する第２パルス信号に応答して前記昇圧ノードを昇圧するための第２昇圧回路と、
前記昇圧ノードの電圧が前記高電圧のレベルより大きい場合に前記高電圧を昇圧するための第３昇圧回路と、
を備えることを特徴とする請求項２に記載の高電圧発生回路。
【請求項５】
前記第２昇圧回路は、前記昇圧ノードと前記第２パルス信号との間に直列連結された第１キャパシタ及びＣＭＯＳ伝送ゲートを備え、
前記ＣＭＯＳ伝送ゲートは、並列連結された第１ＰＭＯＳトランジスタと第１ＮＭＯＳトランジスタを備え、前記第１ＮＭＯＳトランジスタのゲートに電源電圧が印加され、前記第１ＰＭＯＳトランジスタのゲートに前記制御信号が印加されることを特徴とする請求項４に記載の高電圧発生回路。
【請求項６】
前記アクティブ高電圧検出回路は、
電源電圧と接地電圧との間に直列連結されて、各々のゲートに接地電圧、前記高電圧、前記アクティブ命令、及び前記高電圧が印加される第２ＰＭＯＳトランジスタ、及び第２、３、４ＮＭＯＳトランジスタを備え、前記第２、３ＮＭＯＳトランジスタの共通ノードを通して検出信号を発生する電圧フォロアと、
前記検出信号を反転するとともにバッファリングして前記アクティブ高電圧検出信号を発生するインバータと、
を備えることを特徴とする請求項２に記載の高電圧発生回路。
【請求項７】
前記可変容量制御信号発生回路は、
前記アクティブ命令が検出されると所定時間後に所定のパルス幅を有したアクティブ命令検出信号を発生するためのアクティブ命令検出信号発生回路と、
ダウン信号に応答して前記制御信号のレベルを高めるためのプルアップ回路と、
アップ信号に応答して前記制御信号のレベルを低めるためのプルダウン回路と、
前記アクティブ命令が印加されないと前記プルアップ回路をオフするための前記ダウン信号を発生し、前記アクティブ命令が印加されて前記アクティブ高電圧検出信号が発生されないと前記プルアップ回路をオンするための前記ダウン信号を発生し、前記アクティブ命令検出信号がリセットされると前記ダウン信号をリセットするためのダウン信号発生回路と、
前記アクティブ命令が印加されないと前記プルダウン回路をオフするための前記アップ信号を発生し、前記アクティブ命令が印加されて前記アクティブ高電圧検出信号が発生されると前記プルダウン回路をオンするための前記アップ信号を発生し、前記アクティブ命令検出信号がリセットされると前記アップ信号をリセットするためのアップ信号発生回路と、
を備えることを特徴とする請求項２に記載の高電圧発生回路。
【請求項８】
前記可変容量制御信号発生回路は、前記制御信号をフィルタリングして前記制御信号の上昇及び下降傾斜を調節するためのループフィルタをさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の高電圧発生回路。
【請求項９】
前記ループフィルタは、
前記制御信号と接地電圧間に連結された抵抗及び第２キャパシタを備え、
前記抵抗と第２キャパシタの共通ノードを通してフィルタリングされた前記制御信号を発生することを特徴とする請求項８に記載の高電圧発生回路。
【請求項１０】
制御信号に応答して昇圧能力を変更し、アクティブ命令に応答して発生される反対位相の第１、２パルス信号に応答して高電圧を昇圧するための可変昇圧手段と、
前記アクティブ命令が印加されると前記高電圧のレベルが所望のレベルより低いか否かを検出してアクティブ高電圧検出信号を発生するためのアクティブ高電圧検出手段と、
前記アクティブ命令が印加されると前記アクティブ高電圧検出信号に応答して前記制御信号のレベルを変更するための可変容量制御信号発生手段と、
を備えることを特徴とする高電圧発生回路。
【請求項１１】
前記高電圧発生回路は、前記アクティブ高電圧検出信号に応答してイネーブルされて、前記第１、２パルス信号に応答して前記高電圧を昇圧するためのアクティブ高電圧昇圧回路をさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の高電圧発生回路。
【請求項１２】
前記可変昇圧回路は、
前記第１パルス信号に応答して昇圧ノードを昇圧するための第１昇圧回路とと、
前記制御信号に応答して昇圧能力を変更し、前記第２パルス信号に応答して前記昇圧ノードを昇圧するための第２昇圧回路と、
前記昇圧ノードの電圧が前記高電圧のレベルより大きな場合に前記高電圧を昇圧するための第３昇圧回路と、
を備えることを特徴とする請求項１０に記載の高電圧発生回路。
【請求項１３】
前記第２昇圧回路は、
前記昇圧ノードと前記第２パルス信号との間に直列連結された第１キャパシタ及びＣＭＯＳ伝送ゲートを備え、
前記ＣＭＯＳ伝送ゲートは、並列連結された第１ＰＭＯＳトランジスタと第１ＮＭＯＳトランジスタを備え、前記第１ＮＭＯＳトランジスタのゲートに電源電圧が印加され、前記第１ＰＭＯＳトランジスタのゲートに前記制御信号が印加されることを特徴とする請求項１２に記載の高電圧発生回路。
【請求項１４】
前記アクティブ高電圧検出回路は、
電源電圧と接地電圧との間に直列連結されて、各々のゲートに接地電圧、前記高電圧、前記アクティブ命令、及び前記高電圧が印加される第２ＰＭＯＳトランジスタ、及び第２、３、４ＮＭＯＳトランジスタを備え、前記第２、３ＮＭＯＳトランジスタの共通ノードを通して検出信号を発生する電圧フォロアと、
前記検出信号を反転するとともにバッファリングして前記アクティブ高電圧検出信号を発生するインバータと、
を備えることを特徴とする請求項１０に記載の高電圧発生回路。
【請求項１５】
前記可変容量制御信号発生回路は、
前記アクティブ命令が検出されると所定時間後に所定のパルス幅を有するアクティブ命令検出信号を発生するためのアクティブ命令検出信号発生回路と、
ダウン信号に応答して前記制御信号のレベルを高めるためのプルアップ回路と、
アップ信号に応答して前記制御信号のレベルを低めるためのプルダウン回路と、
前記アクティブ命令が印加されないと前記プルアップ回路をオフするための前記ダウン信号を発生し、前記アクティブ命令が印加されて前記アクティブ高電圧検出信号が発生されないと前記プルアップ回路をオンするための前記ダウン信号を発生し、前記アクティブ命令検出信号がリセットされると前記ダウン信号をリセットするためのダウン信号発生回路と、
前記アクティブ命令が印加されないと前記プルダウン回路をオフするための前記アップ信号を発生し、前記アクティブ命令が印加されて前記アクティブ高電圧検出信号が発生されると前記プルダウン回路をオンするための前記アップ信号を発生し、前記アクティブ命令検出信号がリセットされると前記アップ信号をリセットするためのアップ信号発生回路を備えることを特徴とする請求項１０に記載の高電圧発生回路。
【請求項１６】
前記可変容量制御信号発生回路は、前記制御信号をフィルタリングして前記制御信号の上昇及び下降傾斜を調節するためのループフィルタをさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の高電圧発生回路。
【請求項１７】
前記ループフィルタは、
前記制御信号と接地電圧との間に連結された抵抗及び第２キャパシタを備え、
前記抵抗と第２キャパシタの共通ノードを通してフィルタリングされた前記制御信号を発生することを特徴とする請求項１６に記載の高電圧発生回路。
【請求項１８】
アクティブ命令が印加されると互いに反対位相の第１、２パルス信号を発生し、制御信号に応答して昇圧能力を変更し、前記第１、２パルス信号に応答して前記高電圧を昇圧する段階と、
前記アクティブ命令が印加されると前記高電圧のレベルを検出してアクティブ高電圧検出信号を発生する段階と、
前記アクティブ高電圧検出信号に応答して前記制御信号のレベルを調節する段階と、
を備えることを特徴とする高電圧検出方法。
【請求項１９】
前記高電圧検出方法は、前記アクティブ高電圧検出信号に応答してイネーブルされ、前記第１、２パルス信号に応答して前記高電圧を昇圧する段階をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の高電圧検出方法。