Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月24日(2005.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車載情報端末装置に対して情報を配信する狭域通信用情報配信システムにおける路側システムにおいて、
前記車載情報端末装置へ配信情報を無線送信する情報提供用無線送信装置と、
前記車載情報端末装置への情報提供開始点に設置された開始通知用無線送信装置と、
送信する配信情報に対応させて秘密鍵を自動生成する秘密鍵生成手段と、
前記秘密鍵生成手段が生成した秘密鍵を予め取得した暗号鍵で暗号化した後、前記開始通知用無線送信装置から前記車載情報端末装置へ送信する開始時処理手段と、
前記秘密鍵生成手段が生成した秘密鍵で配信情報を暗号化した後、前記情報提供用無線送信装置から前記車載情報端末装置へ送信する情報送信処理手段と、
を有することを特徴とする狭域通信用情報配信システムにおける路側システム。
【請求項２】
一の配信情報を複数の前記各車載情報端末装置に送信する度に、異なる秘密鍵を前記秘密鍵生成手段に生成させる秘密鍵生成タイミング制御手段を有することを特徴とする請求項１記載の狭域通信用情報配信システムにおける路側システム。
【請求項３】
前記開始時処理手段は、前記情報提供用無線送信装置との無線送信の際に用いる周波数を予め取得した暗号鍵で暗号化した後、前記開始通知用無線送信装置から前記車載情報端末装置へ送信し、
前記車載情報端末装置は、前記開始時処理手段から送信されてきた周波数を、前記情報送信処理手段が送信する配信情報の受信周波数として設定することを特徴とする請求項１記載の狭域通信用情報配信システムにおける路側システム。
【請求項４】
狭域通信用情報配信システムにおける路側システムから無線送信されてくる情報を受信する車載情報端末装置において、
前記路側システムが暗号化に用いた暗号鍵を解読するための復号鍵が格納されている復号鍵格納手段と、
前記路側システムによる情報提供開始点に設置された開始通知用無線送信装置から送られてきた暗号化情報を、前記復号鍵格納手段に格納されている復号鍵で復号化することによって、その暗号化情報に含まれていた秘密鍵を入手する秘密鍵取得処理手段と、
前記路側システムの情報提供用無線送信装置から送られてきた暗号化情報を、前記秘密鍵取得処理手段により取得した秘密鍵によって復号化することによって、その暗号化情報に含まれていた配信情報を取得する情報取得処理手段と、
を有することを特徴とする狭域通信用情報配信システムにおける車載情報端末装置。
【請求項５】
前記復号鍵格納手段には、複数の復号鍵が格納されており、
前記秘密鍵取得処理手段は、前記開始通知用無線送信装置から送られてきた暗号化情報に付加された暗号化されていない復号鍵識別情報に基づき復号化に用いる復号鍵を特定することを特徴とする請求項４記載の狭域通信用情報配信システムにおける車載情報端末装置。
【請求項６】
受信した情報の提供システム先を識別するシステム識別手段を有することを特徴とする請求項４記載の狭域通信用情報配信システムにおける車載情報端末装置。
【請求項７】
車載情報端末装置に対して情報を配信する狭域通信用情報配信システムにおける情報配信方法において、
前記車載情報端末装置へ送信する配信情報に対応させて秘密鍵を自動生成する秘密鍵生成ステップと、
前記秘密鍵生成ステップにおいて生成した秘密鍵を予め取得した暗号鍵で暗号化した後、前記車載情報端末装置へ送信する秘密鍵送信ステップと、
前記秘密鍵生成ステップにおいて生成した秘密鍵で配信情報を暗号化した後、前記車載情報端末装置へ送信する配信情報送信ステップと、
を含むことを特徴とする狭域通信用情報配信システムにおける情報配信方法。
【請求項８】
前記秘密鍵生成ステップは、一の配信情報を複数の前記各車載情報端末装置に送信する度に、異なる秘密鍵を生成することを特徴とする請求項７記載の狭域通信用情報配信システムにおける情報配信方法。
【請求項９】
狭域通信用情報配信システムにおける路側システムから無線送信されてくる情報を受信する情報受信方法において、
前記路側システムから送られてきた暗号化された開始時情報を、予め保持している復号鍵で復号化することによって、その開始時情報に含まれていた秘密鍵を入手する秘密鍵取得ステップと、
前記路側システムから送られてきた暗号化情報を、前記秘密鍵取得ステップにより取得した秘密鍵によって復号化することによって、その暗号化情報に含まれていた配信情報を取得する配信情報取得ステップと、
を含むことを特徴とする狭域通信用情報配信システムにおける情報受信方法。
【請求項１０】
前記秘密鍵取得ステップは、開始時情報に付加された暗号化されていない復号鍵識別情報に基づき復号化に用いる復号鍵を、複数の復号鍵が格納されている復号鍵格納手段から特定することを特徴とする請求項９記載の狭域通信用情報配信システムにおける情報受信方法。
【請求項１１】
受信した情報の提供システム先を識別するシステム識別ステップと、
前記システム識別ステップが識別したシステム処理を実行するステップと、
を含むことを特徴とする請求項９記載の狭域通信用情報配信システムにおける情報受信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、一の配信情報を複数の前記各車載情報端末装置に送信する度に、異なる秘密鍵を前記秘密鍵生成手段に生成させる秘密鍵生成タイミング制御手段を有するものである。
また、前記開始時処理手段は、前記情報提供用無線送信装置との無線送信の際に用いる周波数を予め取得した暗号鍵で暗号化した後、前記開始通知用無線送信装置から前記車載情報端末装置へ送信し、前記車載情報端末装置は、前記開始時処理手段から送信されてきた周波数を、前記情報送信処理手段が送信する配信情報の受信周波数として設定するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
弾性体と、前記弾性体に加圧接触された移動体からなる超    音波モータにおいて、
前記弾性体及び前記移動体の接触部において少なくとも一方の摺動面は、ロータの摺動方向の面内方向に向いた繊維状のフィラー材を含有する樹脂で形成された超音波モータ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋め込み配線構造を有する半導体装置の少なくとも一部に無電解めっきによるめっき膜を形成するのに先だって、
前記配線材料と非固溶で、該配線材料と合金化しても電気抵抗率が上がらない金属触媒で触媒処理を行うことを特徴とする触媒処理方法。
【請求項２】
前記配線材料は銅で、前記金属触媒は銀であることを特徴とする請求項１記載の触媒処理方法。
【請求項３】
配線用の微細な凹部を有する基板の表面に形成したバリアメタルの表面に、無電解めっきによってめっき膜を形成するのに先だって、前記金属触媒による触媒処理を行うことを特徴とする請求項１または２記載の触媒処理方法。
【請求項４】
埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の少なくとも一部に、無電解めっきによってめっき膜からなる保護膜を選択的に形成するのに先だって、前記金属触媒による触媒処理を行うことを特徴とする請求項１または２記載の触媒処理方法。
【請求項５】
埋め込み配線構造を有する半導体装置の少なくとも一部に無電解めっきによるめっき膜を形成するのに先だって、無電解めっきのための触媒を付与するのに使用される触媒処理液であって、
前記配線材料と非固溶で、該配線材料と合金化しても電気抵抗率が上がらない金属の金属イオンを含むことを特徴とする触媒処理液。
【請求項６】
前記配線材料は銅で、前記金属イオンは銀イオンであることを特徴とする請求項５記載の触媒処理液。
【請求項７】
無機酸または有機酸を更に含有することを特徴とする請求項５または６記載の触媒処理液。
【請求項８】
配線用の微細な凹部を設けた基板の表面に無電解めっきによるめっき膜を形成し、前記凹部内に配線材料を埋め込むのに先だって、
前記配線材料と非固溶で、該配線材料と合金化しても電気抵抗率が上がらない金属触媒で触媒処理を行い、この触媒処理後の基板表面に無電解めっきを施したことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出表面の少なくとも一部に、無電解めっきによるめっき膜からなる保護膜を選択的に形成するのに先だって、
前記配線材料と非固溶で、該配線材料と合金化しても電気抵抗率が上がらない金属触媒で触媒処理を行い、この触媒処理後の基板表面に無電解めっきを施して前記保護膜を形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記配線材料は銅で、前記金属触媒は銀であることを特徴とする請求項８または９記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項７に記載の発明は、無機酸または有機酸を更に含有することを特徴とする請求項５または６記載の触媒処理液である。この無機酸または有機酸の濃度は、一般には１×０．００００１〜５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは１×０．０００１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、更に好ましくは１×０．００１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ程度である。
前記銀イオンの供給源は、フッ化銀、硝酸銀、アルカンスルホン酸銀、硫酸銀または塩化銀であることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記無機酸は、フッ酸、硝酸、硫酸または塩酸であることが望ましい。
前記有機酸は、アルカンスルホン酸またはカルボン酸であることが望ましい。このカルカルボン酸には、シュウ酸やクエン酸が含まれる。
ｐＨは、一般的には０．１〜７に調整される。このｐＨは、１〜４であることが好ましく、２〜３であることが更に好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項８に記載の発明は、配線用の微細な凹部を設けた基板の表面に無電解めっきによるめっき膜を形成し、前記凹部内に配線材料を埋め込むのに先だって、前記配線材料と非固溶で、該配線材料と合金化しても電気抵抗率が上がらない金属触媒で触媒処理を行い、この触媒処理後の基板表面に無電解めっきを施したことを特徴とする半導体装置である。
請求項９に記載の発明は、埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出表面に少なくとも一部に、無電解めっきによるめっき膜からなる保護膜を選択的に形成するのに先だって、前記配線材料と非固溶で、該配線材料と合金化しても電気抵抗率が上がらない金属触媒で触媒処理を行い、この触媒処理後の基板表面に無電解めっきを施して前記保護膜を形成したことを特徴とする半導体装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項１０に記載の発明は、前記配線材料は銅で、前記金属触媒は銀であることを特徴とする請求項８または９記載の半導体装置である。
前記触媒処理は、例えば銀イオンを有する触媒処理液に被めっき面を接液させて行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】難エッチング材のエッチング方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された難エッチング材の膜を、前記膜の上に形成したマスクを用いて、プラズマを用いてエッチングする難エッチング材のエッチング方法において、
前記マスクの側壁が前記基板の表面に対してなすテーパー角度を９０度未満になるよう該マスクをエッチングするステップと、エッチングの途中で洗浄を行ない、その後、再び上記マスクのエッチングを行なうステップを有して該マスクを成形するステップと、
該マスクを用いてエッチングするステップを備える
ことを特徴とする難エッチング材のエッチング方法。
【請求項２】
基板上に形成された難エッチング材の膜を、前記膜の上に形成したマスクを用いて、プラズマを用いてエッチングするとともにエッチング装置の壁へ反応生成物を付着させる難エッチング材のエッチング方法において、
前記マスクの側壁が前記基板の表面に対する角度が９０度未満のマスクを用いてエッチングするステップと、
少なくとも１枚のウエハの処理が終了する迄は上記反応生成物を前記エッチング装置の壁へ付着させ続け、それにより基板の上に形成された被エッチング材の側壁が前記基板の表面に対する角度を実質的に９０度とするステップを備える
ことを特徴とするエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置及び処理室内部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内でプラズマを励起して被処理物の表面を微細加工するプラズマ処理装置において、前記処理容器の内壁の表面及び前記処理容器内に配された処理室内部品の表面の少なくとも一方の表面が所定面積に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記所定面積は０．６５ｍ2以上であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記所定面積は０．９１ｍ2以上であることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理室内部品は上部電極又は下部電極から成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
コンタクトプロセスに用いられることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
セルフアラインコンタクトプロセスに用いられることを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
処理容器内でプラズマを励起して被処理物の表面を微細加工するプラズマ処理装置の前記処理容器内に配された処理室内部品であって、表面が０．６５ｍ2以上に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されていることを特徴とする処理室内部品。
【請求項８】
前記表面が０．９１ｍ2以上に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されていることを特徴とする請求項７記載の処理室内部品。
【請求項９】
上部電極又は下部電極から成ることを特徴とする請求項７又は８記載の処理室内部品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置及び処理室内部品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、処理室内におけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を低減することができるプラズマ処理装置及び処理室内部品を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項６記載のプラズマ処理装置は、請求項５記載のプラズマ処理装置において、セルフアラインコンタクトプロセスに用いられることを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項７記載の処理室内部品は、処理容器内でプラズマを励起して被処理物の表面を微細加工するプラズマ処理装置の前記処理容器内に配された処理室内部品であって、表面が０．６５ｍ2以上に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されていることを特徴とする。
請求項７記載の処理室内部品によれば、表面が０．６５ｍ2以上に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されているので、Ｙ2Ｏ3溶射被膜とＣＦ系ポリマーとを反応させることができ、特にプラズマ処理装置が直径２００ｍｍ程度以下の被処理物用の場合に処理室内におけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を低減することができる。
請求項８記載の処理室内部品は、請求項７記載の処理室内部品において、前記表面が０．９１ｍ2以上に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されていることを特徴とする。
請求項８記載の処理室内部品によれば、表面が０．９１ｍ2以上に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されているので、装置が直径３００ｍｍ程度以下の被処理物用の場合に処理室内におけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を確実に低減することができる。
請求項９記載の処理室内部品は、請求項７又は８記載の処理室内部品において、上部電極又は下部電極から成ることを特徴とする。
請求項９記載の処理室内部品によれば、該処理室内部品は上部電極又は下部電極から成るので、Ｙ2Ｏ3溶射被膜とＣＦ系ポリマーとを有効に反応させることができ、もって処理室内におけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を有効に低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
請求項５記載のプラズマ処理装置によれば、コンタクトプロセスに用いられるので、シリコンナイトライド及び下地シリコンに対する選択比を向上させることができる。
請求項７記載の処理室内部品によれば、表面が０．６５ｍ2以上に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されているので、Ｙ2Ｏ3溶射被膜とＣＦ系ポリマーとを反応させることができ、特にプラズマ処理装置が直径２００ｍｍ程度以下の被処理物用の場合に処理室内におけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を低減することができる。
請求項８記載の処理室内部品によれば、表面が０．９１ｍ2以上に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されているので、装置が直径３００ｍｍ程度以下の被処理物用の場合に処理室内におけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を確実に低減することができる。
請求項９記載の処理室内部品によれば、該処理室内部品は上部電極又は下部電極から成るので、Ｙ2Ｏ3溶射被膜とＣＦ系ポリマーとを有効に反応させることができ、もって処理室内におけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を有効に低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月19日(2004.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４種類以上の金属元素及び／又は半金属元素の化合物及び／又は複合化合物からなるセラミックを抵抗体材料とするセラミック抵抗器において、
当該抵抗体材料の比抵抗値が１ｋΩｃｍ以下であって、
当該抵抗器が−１１５０ｐｐｍ／℃以上の抵抗温度特性を示すことを特徴とするセラミック抵抗器。
【請求項２】
４種類以上の金属元素及び／又は半金属元素の化合物及び／又は複合化合物からなるセラミックを抵抗体材料とするセラミック抵抗器において、
当該抵抗体材料の比抵抗値が１ｋΩｃｍ〜８ｋΩｃｍであって、
当該抵抗器が−１３００ｐｐｍ／℃以上の抵抗温度特性を示すことを特徴とするセラミック抵抗器。
【請求項３】
４種類以上の金属元素及び／又は半金属元素の化合物及び／又は複合化合物からなるセラミックを抵抗体材料とするセラミック抵抗器において、
当該抵抗体材料の比抵抗値が８ｋΩｃｍ〜３０ｋΩｃｍであって、
当該抵抗器が−１４５０ｐｐｍ／℃以上の抵抗温度特性を示すことを特徴とするセラミック抵抗器。
【請求項４】
４種類以上の金属元素及び／又は半金属元素の化合物及び／又は複合化合物からなるセラミックを抵抗体材料とするセラミック抵抗器において、
当該抵抗体材料の比抵抗値が３０ｋΩｃｍ〜７０ｋΩｃｍであって、
当該抵抗器が−１５３０ｐｐｍ／℃以上の抵抗温度特性を示すことを特徴とするセラミック抵抗器。
【請求項５】
４種類以上の金属元素及び／又は半金属元素の化合物及び／又は複合化合物からなるセラミックを抵抗体材料とするセラミック抵抗器において、
当該抵抗体材料の比抵抗値が７０ｋΩｃｍ以上であって、
当該抵抗器が−１６２０ｐｐｍ／℃以上の抵抗温度特性を示すことを特徴とするセラミック抵抗器。
【請求項６】
抵抗体材料がＭｇ及びＳｉを含む化合物及び／又は複合化合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のセラミック抵抗器。
【請求項７】
Ｍｇ及びＳｉと、Ｃａ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれる少なくとも１種と、Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｇｅから選ばれる少なくとも１種及びＢｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏから選ばれる少なくとも１種の元素を主成分とする化合物及び／又は複合化合物からなるセラミックを抵抗体材料とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のセラミック抵抗器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面にシリコンを含む半導体膜を成膜する第１の工程と、
前記シリコンを含む半導体膜をパターン形成して島状の半導体層を形成する第２の工程と、
前記半導体層を被覆する様にゲート絶縁膜を堆積する第３の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極膜を堆積する第４の工程と、
前記ゲート電極膜をパターン形成してゲート電極を形成する第５の工程と、
一導電型の不純物元素をドーピングすることにより前記ゲート電極の外側に対応する前記半導体層にソース領域及びドレイン領域を形成する第６の工程と、
前記ゲート電極を被覆する様に第１の層間絶縁膜を堆積する第７の工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜を成膜する第８の工程と、
前記第２の層間絶縁膜上にレジストパターンを形成する第９の工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記ゲート絶縁膜と前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜とから成る積層膜をドライエッチング処理しコンタクトホールを形成する第１０の工程と、
前記コンタクトホールの底部に存在する前記島状の半導体層の露出した表面に有機系のレジスト剥離液に対する保護膜を成膜する第１１の工程と、
前記レジスト剥離液により前記レジストパターンを剥離する第１２の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１に於いて、前記保護膜として、シリコン酸化膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２に於いて、前記シリコン酸化膜は、オゾン含有水で処理することにより成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２に於いて、前記シリコン酸化膜は、過酸化水素水で処理することにより成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２に於いて、前記シリコン酸化膜は、酸素を含む雰囲気中での紫外線照射によるオゾン処理で成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１に於いて、前記保護膜として、シリコン酸窒化膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６に於いて、前記シリコン酸窒化膜は、窒素原子と酸素原子を含む反応性ガスの雰囲気中でプラズマ処理することにより成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６に於いて、前記シリコン酸窒化膜は、窒素酸化物の雰囲気中でプラズマ処理することにより成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１に於いて、前記保護膜として、シリコン窒化膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９に於いて、前記シリコン窒化膜は、窒素原子を含み酸素原子を含まない反応性ガスの雰囲気中でプラズマ処理することにより成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９に於いて、前記シリコン窒化膜は、アンモニアガスの雰囲気中でプラズマ処理することにより成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項７、８、１０、１１のいずれか一項に於いて、１００〜２００℃の処理温度で前記プラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に於いて、前記第１の層間絶縁膜として、膜厚５０〜３００ｎｍのシリコン酸窒化膜又はシリコン窒化膜を堆積することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一項に於いて、前記第１の層間絶縁膜として、膜厚１００〜２００ｎｍのシリコン酸窒化膜又はシリコン窒化膜を堆積することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項に於いて、前記第２の層間絶縁膜として、膜厚０．７〜３μｍのアクリル樹脂膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１４のいずれか一項に於いて、前記第２の層間絶縁膜として、膜厚１〜２μｍのアクリル樹脂膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
基体の表面にレジスト剥離液に対する保護膜を成膜する為の成膜手段と、前記基体の表面に形成されているレジストパターンをレジスト剥離液により除去する為のレジスト剥離液処理手段とを備えたことを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項１８】
請求項１７に於いて、前記基体の表面に付着している前記レジスト剥離液を洗浄する為の水洗手段と前記基体を乾燥する為の乾燥手段とを備えたことを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項１９】
請求項１７に於いて、前記基体の表面に付着している前記レジスト剥離液を洗浄する為のイソプロピルアルコール処理手段及び水洗手段と、前記基体を乾燥する為の乾燥手段とを備えたことを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項２０】
請求項１７に於いて、前記成膜手段は、オゾン含有水処理部から成るシリコン酸化膜成膜部で構成されていることを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項２１】
請求項１７に於いて、前記成膜手段は、過酸化水素水処理部から成るシリコン酸化膜成膜部で構成されていることを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項２２】
請求項１７に於いて、前記成膜手段は、酸素を含む雰囲気中で紫外線照射処理する紫外線照射処理部から成るシリコン酸化膜成膜部で構成されていることを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項２３】
請求項１７に於いて、前記成膜手段は、窒素原子と酸素原子を含む反応性ガスの雰囲気中でプラズマ処理するプラズマ処理部から成るシリコン酸窒化膜成膜部で構成されていることを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項２４】
請求項１７に於いて、前記成膜手段は、窒素酸化物の雰囲気中でプラズマ処理するプラズマ処理部から成るシリコン酸窒化膜成膜部で構成されていることを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項２５】
請求項１７に於いて、前記成膜手段は、窒素原子を含み酸素原子を含まない反応性ガスの雰囲気中でプラズマ処理するプラズマ処理部から成るシリコン窒化膜成膜部で構成されていることを特徴とするレジスト剥離装置。
【請求項２６】
請求項１７に於いて、前記成膜手段は、アンモニアガスの雰囲気中でプラズマ処理するプラズマ処理部から成るシリコン窒化膜成膜部で構成されていることを特徴とするレジスト剥離装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の駆動信号を入力することにより機能を発する機能性素子群が、基板上に機能性材料を含有する溶液の液滴を噴射付与し、該溶液中の揮発成分を揮発させ、固形分を前記基板上に残留させることによって形成される機能性素子基板の製造装置であって、前記基板に相対する位置に配され、該基板に対して機能性材料を含有した溶液を噴射する噴射ヘッドと、該噴射ヘッドに液滴付与情報を入力する情報入力手段とを有し、前記基板における前記機能性素子群の形成面と前記噴射ヘッドの溶液噴射口面とが一定の距離を保持し、前記基板と前記噴射ヘッドとが前記機能性素子群の形成面に対して平行に相対移動を行うように構成され、前記噴射ヘッドは、前記情報入力手段により入力された前記液滴付与情報に基づいて前記基板の所望の位置に前記溶液を噴射することにより前記機能性素子群を形成する製造装置において、前記噴射ヘッドと前記基板の位置関係を、前記噴射ヘッドから前記溶液が、ほぼ水平から垂直の範囲に上方に向けて噴射、付与されるとともに、前記溶液の付与時に前記基板面にほぼ垂直方向から付与するようにしたことを特徴とする機能性素子基板の製造装置。
【請求項２】
前記基板は前記溶液の付与面がほぼ下向きに配置されるとともに、前記基板配置領域に重力作用方向のベクトル成分を含む気体流を形成したことを特徴とする請求項１記載の機能性素子基板の製造装置。
【請求項３】
前記噴射ヘッドから前記溶液を噴射、付与する時の速度を前記気体流の速度より大としたことを特徴とする請求項２記載の機能性素子基板の製造装置。
【請求項４】
前記気体流はフィルターによって清浄化された気体流であることを特徴とする請求項２もしくは請求項３に記載の機能性素子基板の製造装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の機能性素子基板の製造装置によって形成されることを特徴とする機能性素子基板。
【請求項６】
請求項５の機能性素子基板と、この機能性素子基板に対向して配置されたカバープレートとを有することを特徴とする画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第３に、上記第２の機能性素子基板の製造装置において、前記噴射ヘッドから前記溶液を噴射、付与する時の速度を前記気体流の速度より大とするようにした。
第４に、上記第２乃至第３の機能性素子基板の製造装置において、前記気体流はフィルターによって清浄化された気体流であるようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第５に、上記第１乃至第４のいずれかの機能性素子基板の製造装置によって機能性素子基板を形成するようにした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第６に、上記第５の機能性素子基板と、この機能性素子基板に対向して配置されたカバープレートとを有するような画像表示装置とした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
請求項３に対応した効果
機能性素子基板の製造装置において、前記噴射ヘッドから前記溶液を噴射、付与する時の速度を前記気体流の速度より大としたので、簡単な構成でありながら、溶液噴射が安定し、その液滴の着弾位置精度が高く、高精度にこのような機能性素子群を形成することができるようになった。
請求項４に対応した効果
前記気体流はフィルターによって清浄化された気体流であるようにしたので、空気中に浮遊する塵埃等の異物の付着をより効果的に防ぐことが可能となり、より信頼性の高い機能性素子基板が製作できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
請求項５に対応した効果
本発明による製造装置によって製作される機能性素子群を形成された機能性素子基板であるので、大型の基板であっても歩留まりが高く低コストで、かつ高精度の機能性素子群を形成した機能性素子基板が実現できるようになった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
請求項６に対応した効果
高品質かつ高精度に形成された機能性素子基板を画像表示装置に使用するようにしたので、高画質の画像表示装置が得られるようになった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商用電源からの交流電圧を直流電圧へ変換させる電源部を本体内部に備え、電気機器本体へ電力を供給するＡＣアダプタ装置であって、前記商用電源からのＡＣ線を機械的に止め付けるとともに前記電源部と電気的に接続する接続部と、前記商用電源からのＡＣ線に接続されたコンセントの雌端子に接触させて前記電源部と電気的に導通する雄端子を前記本体内部に収納可能に突設するプラグ部とを備えたことを特徴とするＡＣアダプタ装置。
【請求項２】
前記接続部は、ＡＣ線を孔に挿入して機械的に止め付けるとともに前記電源部と電気的に接続するＡＣ連結端子を有する連結部で構成され、前記連結部と前記プラグ部とのいずれか一方を前記本体外部へ選択的に露出させる切換え機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載のＡＣアダプタ装置。
【請求項３】
前記切換え機構は、前記本体に設けた操作部と、この操作部の回転操作でシーソー動作するアーム部材と、このアーム部材のシーソー動作に連動して前記連結部及び前記プラグ部を前記本体内部から進退させる収納室と、前記連結部及び前記プラグ部のいずれか一方が本体内部の前記収納室から前進して本体外部へ突出したときにのみその突出した端子の一部と電気的に接触して電源部と導通する接触子とを備えたことを特徴とする請求項２に記載のＡＣアダプタ装置。
【請求項４】
前記切換え機構は、前記連結部及び前記プラグ部が搭載され前記本体のステージ面に沿って回動可能な回転部材と、この回転部材が特定位置まで回動移動すると、前記連結部が本体内から露出して前記ＡＣ連結端子が電気的に接触し前記電源部と導通する接触子と、この回転部材が前記特定位置とは別の位置まで回動移動すると、前記プラグ部が本体内から露出して前記雄端子と電気的に接触し前記電源部と導通する別の接触子とを備えたことを特徴とする請求項２に記載のＡＣアダプタ装置。
【請求項５】
前記接続部は、ＡＣ線をねじに巻きつけて機械的に止め付けるとともに前記電源部と電気的に接続するＡＣねじ端子を有し、前記プラグ部は、前記雄端子を前記本体内部に折畳んで収納し、前記ＡＣねじ端子と収納した前記雄端子を隠蔽する蓋部材を備えたことを特徴とする請求項１記載のＡＣアダプタ装置。
【請求項６】
前記接続部は、ＡＣ線を孔に挿入して機械的に止め付けるとともに前記電源部と電気的に接続するＡＣ連結端子を有する連結部で構成され、前記プラグ部は、前記雄端子を前記本体内部に折畳んで収納し、前記ＡＣ連結端子と収納した前記雄端子を隠蔽する蓋部材を備えたことを特徴とする請求項１記載のＡＣアダプタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、第１に、商用電源からの交流電圧を直流電圧へ変換させる電源部を本体内部に備え、電気機器本体へ電力を供給するＡＣアダプタ装置であって、前記商用電源からのＡＣ線を機械的に止め付けるとともに前記電源部と電気的に接続する接続部と、前記商用電源からのＡＣ線に接続されたコンセントの雌端子に接触させて前記電源部と電気的に導通する雄端子を前記本体内部に収納可能に突設するプラグ部とを備えたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、第２に、前記接続部は、ＡＣ線を孔に挿入して機械的に止め付けるとともに前記電源部と電気的に接続するＡＣ連結端子を有する連結部で構成され、前記連結部と前記プラグ部とのいずれか一方を前記本体外部へ選択的に露出させる切換え機構を備えたことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、第３に、前記切換え機構は、前記本体に設けた操作部と、この操作部の回転操作でシーソー動作するアーム部材と、このアーム部材のシーソー動作に連動して前記連結部及び前記プラグ部を前記本体内部から進退させる収納室と、前記連結部及び前記プラグ部のいずれか一方が本体内部の前記収納室から前進して本体外部へ突出したときにのみその突出した端子の一部と電気的に接触して前記電源部と導通する接触子とを備えてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、第４に、前記切換え機構は、前記連結部及び前記プラグ部が搭載され前記本体のステージ面に沿って回動可能な回転部材と、この回転部材が特定位置まで回動移動すると、前記連結部が本体内から露出して前記ＡＣ連結端子が電気的に接触し前記電源部と導通する接触子と、この回転部材が前記特定位置とは別の位置まで回動移動すると、前記プラグ部が本体内から露出して前記雄端子と電気的に接触し前記電源部と導通する別の接触子とを備えてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
同様に、簡単な操作でＡＣ直結方式とＡＣコンセント方式を簡単に切換えることができる。
また、第５に、前記接続部は、ＡＣ線をねじに巻きつけて機械的に止め付けるとともに前記電源部と電気的に接続するＡＣねじ端子を有し、前記プラグ部は、前記雄端子を前記本体内部に折畳んで収納し、前記ＡＣねじ端子と収納した前記雄端子を隠蔽する蓋部材を備えたことを特徴としている。
これにより、ショートや感電事故を防止でき、１種類のＡＣアダプタ装置で、ＡＣ直結方式とＡＣコンセント方式の双方に対応することができる。
また、第６に、前記接続部は、ＡＣ線を孔に挿入して機械的に止め付けるとともに前記電源部と電気的に接続するＡＣ連結端子を有する連結部で構成され、前記プラグ部は、前記雄端子を前記本体内部に折畳んで収納し、前記ＡＣ連結端子と収納した前記雄端子を隠蔽する蓋部材を備えたことを特徴としている。
これにより、ＡＣ連結端子で簡単にＡＣ線を接続可能で、ショートや感電事故を防止でき、ＡＣ直結方式とＡＣコンセント方式の双方に対応することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（ｂ）ＡＣ直結方式での使用：
この場合には、第１の実施形態と同じよう、初めに、ねじ１２Ｄ（図２参照）をゆるめて蓋部材１２Ｃを取り外し、連結部１４を外部に露出させる（図７参照）。
そして、図７に示すように、プラグ部１３の雄端子１３Ａを本体１０へ折畳んで収納するとともに、室内配線Ｌ１の端部を図示外の孔に挿入して機械的に止め付け、ＡＣ連結端子１４Ａを商用電源Ａと電気的に接続する。これにより、連結部１４を介して、電源部１１が商用電源Ａと電気的に接続される。
最後に、図８に示すように、ねじ１２Ｄで蓋部材１２Ｃを再び止め付ける。これにより、プラグ部１３と連結部１４とが蓋部材１２Ｃで隠蔽され、ショートや感電事故を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明装置、照明装置の制御方法、画像表示装置、および画像表示装置の制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数色の半導体発光素子を備えた光源と、前記半導体発光素子に対し、通常は前記半導体発光素子をオフとする駆動信号を供給する駆動装置とを有する照明装置。
【請求項２】
請求項１において、前記駆動装置は、前記駆動信号を各色毎の前記半導体発光素子に対し供給する照明装置。
【請求項３】
請求項１において、前記駆動装置は、前記駆動信号を複数のサブパルスにより構成し、単位時間当りの発光時間を制御する照明装置。
【請求項４】
複数色の半導体発光素子を備えた光源に対し、通常は前記半導体発光素子をオフとする駆動信号を供給する照明装置の制御方法。
【請求項５】
請求項１に記載の照明装置と、この照明装置から出力される各色の光束を変調して画像を形成する光変調部と、形成された前記画像を投射する投射レンズとを有する画像表示装置。
【請求項６】
請求項５において、前記駆動装置は、前記光変調部と同期して前記駆動信号を制御する画像表示装置。
【請求項７】
請求項６において、前記駆動装置は、前記光変調部の少なくとも１つの画像素子がオンおよびオフになるときに、前記半導体発光素子をオンおよびオフする画像表示装置。
【請求項８】
請求項６において、前記駆動装置は、前記駆動信号を各色毎の前記半導体発光素子に対し供給し、前記光変調部の画像素子がオンおよびオフになるときに、その画像素子に対応する色の前記半導体発光素子をオンおよびオフする画像表示装置。
【請求項９】
複数色の半導体発光素子を光源とする照明装置から出力される各色の光束を変調して画像を形成する光変調部を有する画像表示装置の制御方法であって、前記半導体発光素子に対し通常はオフとする駆動信号を供給する画像表示装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の無線通信局が配置された無線通信網上で、送信側無線基地局と受信側無線基地局との間で無線通信を行う際の通信制御方法であって、
各無線基地局から、自局が利用している無線回線の周波数に関する情報を報知する報知信号を送出するステップと、
前記受信側無線基地局において受信される信号の受信電力量を測定するとともに、該信号の周波数を検出するステップと、
測定若しくは検出された前記信号の受信電力量及び周波数を、無線信号データとして送信側無線基地局に送信するステップと、
送信側無線基地局において、受信された各報知信号の受信電力量を測定するとともに、報知信号によって報知される各無線基地局が利用している無線回線の周波数を検出するステップと、
送信側無線基地局において、前記無線信号データに含まれている情報と、前記各報知信号の受信電力量及びこれに含まれている情報とに基づいて、送信側無線基地局と受信側無線基地局との間で使用可能な周波数帯域を判定するステップとを有することを特徴とする通信制御方法。
【請求項２】
前記無線回線として、情報データを伝送する伝送用周波数帯域と、制御信号を伝送する制御用周波数帯域を設け、
前記自局が利用している周波数は、前記伝送用周波数帯域において使用している周波数とし、
前記報知信号は、前記制御用周波数帯域を介して送信される
ことを特徴とする請求項１に記載の通信制御方法。
【請求項３】
前記伝送用周波数帯域における周波数と、前記制御用周波数帯域における周波数とを関連付けて設定しておき、
各無線通信局は、報知信号を受信した前記制御用周波数帯域における周波数を検出ことにより、当該報知信号を送出した無線通信局が利用している伝送用周波数帯域における周波数を検出することを特徴とする請求項２に記載の通信制御方法。
【請求項４】
前記各無線通信局は、前記報知信号を、自局が利用している伝送用周波数帯域における周波数の情報を含む情報信号で変調して送出し、
他の無線通信局は、受信した報知信号を復調して周波数情報を取得することを特徴とする請求項２に記載の通信制御方法。
【請求項５】
前記複数無線通信局は、計測された前記搬送波対干渉電力比の情報を含む情報信号で報知信号を変調して送出し、
他の無線通信局は、受信した報知信号を復調して前記搬送波対干渉電力比を取得することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の通信制御方法。
【請求項６】
前記送信側無線通信局は、伝送されるデータ量に基づいて伝送すべき伝送速度を決定し、使用可能と判定された前記周波数帯域の中から、前記決定された伝送速度で伝送可能な周波数帯域を無線回線へ割り当てることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の通信制御方法。
【請求項７】
複数の無線通信局が配置された無線通信網上で、送信側無線基地局と受信側無線基地局との間で無線通信を行う際の通信制御システムであって、
各無線基地局から、自局が利用している無線回線の周波数に関する情報を報知する報知信号を送信する報知信号送信部と、
受信された前記報知信号の受信電力量を測定するとともに、報知信号により報知される周波数を検出する報知信号測定部と、
受信側の基地局において受信されている信号の受信電力量及びその周波数を、無線信号データとして送信側無線基地局に送信する無線信号データ送信部と、
送信側無線基地局において、受信された前記無線信号データに含まれている情報と、前記各報知信号の受信電力量及びこれに含まれている情報とに基づいて、送信側無線基地局と受信側無線基地局との間で使用可能な周波数帯域を判定する周波数帯域判定部と
を有することを特徴とする通信制御システム。
【請求項８】
前記無線回線として、情報データを伝送する伝送用周波数帯域と、制御信号を伝送する制御用周波数帯域を設け、
前記報知信号送信部は、
前記自局が利用している周波数を、前記伝送用周波数帯域において使用している周波数として、前記報知信号を、前記制御用周波数帯域を介して送信することを特徴とする請求項７に記載の通信制御システム。
【請求項９】
前記伝送用周波数帯域における周波数と、前記制御用周波数帯域における周波数とを関連付けて設定しておき、
前記報知信号測定部は、報知信号を受信した前記制御用周波数帯域における周波数を検出することにより、当該報知信号を送出した無線通信局が利用している伝送用周波数帯域における周波数を検出することを特徴とする請求項８に記載の通信制御システム。
【請求項１０】
前記報知信号を、自局が利用している伝送用周波数帯域における周波数の情報を含む情報信号で変調する報知信号変調部と、
受信した報知信号を復調して周波数情報を取得する報知信号復調部と
を有することを特徴とする請求項８に記載の通信制御システム。
【請求項１１】
前記報知信号送信部は、前記報知信号を所定時間以下の時間長内で、ランダムな間隔をあけて送信することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の通信制御システム。
【請求項１２】
前記報知信号送信部は、利用している無線回線の搬送波対干渉電力比を計測し、この計測された搬送波対干渉電力比に応じた送信電力量で前記報知信号を送信することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の通信制御システム。
【請求項１３】
前記報知信号送信部は、計測された前記搬送波対干渉電力比の情報を含む情報信号で報知信号を変調して送出し、
前記報知信号測定部は、受信した報知信号を復調して前記搬送波対干渉電力比を取得することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の通信制御システム。
【請求項１４】
伝送されるデータ量に基づいて伝送すべき伝送速度を決定する伝送速度決定部と、
使用可能と判定された前記周波数帯域の中から、前記決定された伝送速度で伝送可能な周波数帯域を無線回線へ割り当てる周波数帯域制御部と
を有することを特徴とする請求項７乃至１３のいずれかに記載の通信制御システム。
【請求項１５】
前記周波数帯域制御部は、使用可能と判定された前記周波数帯域の中から、周波数の低い周波数帯域を優先して無線回線へ割り当てることを特徴とする請求項１４に記載の通信制御システム。
【請求項１６】
前記周波数帯域制御部は、使用可能と判定された前記周波数帯域の中から、周波数の高い周波数帯域を優先して無線回線へ割り当てることを特徴とする請求項１４に記載の通信制御システム。
【請求項１７】
前記周波数帯域制御部は、連続する周波数帯域を無線回線へ割り当てることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれかに記載の通信制御システム。
【請求項１８】
前記周波数帯域制御部は、複数の周波数帯域を無線回線へ割り当てることを特徴とする請求項１４乃至１７のいずれかに記載の通信制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基地局と移動局とを無線接続することによって構築され、上記基地局からスロット単位で送信された送信信号を上記移動局が受信し、上記移動局の移動に伴って上記送信信号を受信すべき無線接続先の上記基地局を順次切換えることによりハンドオフを行うセルラー無線通信システムにおいて、
上記基地局は、
当該基地局及び上記移動局間における個別の回線接続制御情報と実データとを基に上記スロット単位の上記送信信号を生成する送信信号生成手段と、
上記送信信号を上記移動局へ送信する送信手段と
を具え、
上記移動局は、
上記複数の基地局からの上記送信信号を受信信号としてそれぞれ受信する受信手段と、
上記受信信号を構成している上記回線接続制御情報及び上記実データの電力比を上記受信信号毎に算出する電力比測定手段と、
上記電力比測定手段による上記受信信号毎の算出結果に基づいて上記複数の基地局の中から上記実データを実際に送信している主要基地局を判定する主要基地局判定手段と、
上記主要基地局判定手段による判定結果に基づいて上記主要基地局から受信した受信信号のみを復調する復調手段と
を具えることを特徴とするセルラー無線通信システム。
【請求項２】
上記電力比測定手段は、上記回線接続制御情報及び上記実データ間の電力差を補正した上で上記電力比を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載のセルラー無線通信システム。
【請求項３】
上記復調手段は、上記複数の基地局から受信した上記受信信号の上記実データを個別に復調する複数の復調器を有し、上記判定結果に基づいて上記主要基地局に該当する基地局から受信した受信信号を復調するための復調器のみを動作させ、それ以外の復調器の動作を停止する
ことを特徴とする請求項１に記載のセルラー無線通信システム。
【請求項４】
複数の基地局と無線接続され、上記基地局からスロット単位で送信された送信信号を受信し、上記送信信号を受信すべき無線接続先の上記基地局を移動に伴って順次切換えることによりハンドオフを行う携帯無線端末装置において、
上記基地局及び上記携帯無線端末装置間における個別の回線接続制御情報と実データとを基に生成された上記スロット単位の上記送信信号を上記複数の基地局から受信信号としてそれぞれ受信する受信手段と、
上記受信信号を構成している上記回線接続制御情報及び上記実データの電力比をそれぞれの上記受信信号毎に算出する電力比測定手段と、
上記電力比測定手段による上記受信信号毎の算出結果に基づいて上記複数の基地局の中から上記実データを実際に送信している主要基地局を判定する主要基地局判定手段と、
上記主要基地局判定手段による判定結果に基づいて上記主要基地局から受信した受信信号のみを復調する復調手段と
を具えることを特徴とする携帯無線端末装置。
【請求項５】
上記電力比測定手段は、上記回線接続制御情報及び上記実データ間の電力差を補正した上で上記電力比を算出する
ことを特徴とする請求項４に記載の携帯無線端末装置。
【請求項６】
上記復調手段は、上記複数の基地局から受信した上記受信信号の上記実データを個別に復調する複数の復調器を有し、上記判定結果に基づいて上記主要基地局に該当する基地局から受信した受信信号を復調するための復調器のみを動作させ、それ以外の復調器の動作を停止する
ことを特徴とする請求項４に記載の携帯無線端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこでセルラー無線通信システムでは、携帯電話機が複数の基地局と同時に無線接続して最小伝播損失の基地局を事前に取り込んでおくことにより上述の不都合を回避する手法が用いられており、これを一般的にソフトハンドオフと呼んでいる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明においては、複数の基地局と移動局とを無線接続することによって構築され、基地局からスロット単位で送信された送信信号を移動局が受信し、移動局の移動に伴って送信信号を受信すべき無線接続先の基地局を順次切換えることによりハンドオフを行うセルラー無線通信システムにおいて、基地局は、当該基地局及び移動局間における個別の回線接続制御情報と実データとを基にスロット単位の送信信号を生成する送信信号生成手段と、当該送信信号を移動局へ送信する送信手段とを具え、移動局は、複数の基地局からの送信信号を受信信号としてそれぞれ受信する受信手段と、受信信号を構成している回線接続制御情報及び実データの電力比を受信信号毎に算出する電力比測定手段と、電力比測定手段による受信信号毎の算出結果に基づいて複数の基地局の中から実データを実際に送信している主要基地局を判定する主要基地局判定手段と、当該主要基地局判定手段による判定結果に基づいて主要基地局から受信した受信信号のみを復調する復調手段とを設けることにより、いずれの基地局から実データが送信されていることが不明であっても、実際に受信した受信信号の回線接続制御情報及び実データの電力比に基づいて主要基地局を判定しているので、主要基地局の判定を正確に行うことができると共に実データを確実に復調することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また本発明においては、複数の基地局と無線接続され、基地局からスロット単位で送信された送信信号を受信し、送信信号を受信すべき無線接続先の基地局を移動に伴って順次切換えることによりハンドオフを行う携帯無線端末装置において、基地局及び携帯無線端末装置間における個別の回線接続制御情報と実データとを基に生成されたスロット単位の送信信号を複数の基地局から受信信号としてそれぞれ受信する受信手段と、受信信号を構成している回線接続制御情報及び実データの電力比をそれぞれの受信信号毎に算出する電力比測定手段と、当該電力比測定手段による受信信号毎の算出結果に基づいて複数の基地局の中から実データを実際に送信している主要基地局を判定する主要基地局判定手段と、当該主要基地局判定手段による判定結果に基づいて主要基地局から受信した受信信号のみを復調する復調手段とを設けることにより、いずれの基地局から実データが送信されていることが不明であっても、実際に受信した受信信号の回線接続制御情報及び実データの電力比に基づいて主要基地局を判定しているので、主要基地局の判定を正確に行うことができると共に実データを確実に復調することができる。