【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】自発光装置及びその駆動方法、並びに電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光素子と、
前記自発光素子の輝度を検出する光電変換素子と、
前記光電変換素子の出力を記憶する記憶回路と、
前記記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力に応じて、第１の信号を補正して第２の信号を生成する補正回路とを有し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光することを特徴とする自発光装置。
【請求項２】
自発光素子と、前記自発光素子の輝度を検出する光電変換素子を含む画素を複数有する画素部と、
前記光電変換素子の出力を記憶する記憶回路と、
前記記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力に応じて、第１の信号を補正して第２の信号を生成する補正回路とを有し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光することを特徴とする自発光装置。
【請求項３】
自発光素子と、前記自発光素子の輝度を検出する光電変換素子とを含む画素を複数有する画素部と、
前記光電変換素子の出力を記憶する第１の記憶回路と、
補正用データを記憶する第２の記憶回路と、
前記第１の記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力と前記第２の記憶回路に記憶された前記補正用データに応じて、第１の信号を補正して第２の信号を生成する補正回路とを有し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光することを特徴とする自発光装置。
【請求項４】
自発光素子と、前記自発光素子の輝度を検出する光電変換素子とを含む画素を複数有する画素部と、
前記光電変換素子の出力を記憶する第１の記憶回路と、
補正用データを記憶する第２の記憶回路と、
前記第１の記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力と前記第２の記憶回路に記憶された前記補正用データに応じて、第１の信号を補正して第２の信号を生成する補正回路とを有し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光し、
前記第２の信号は、前記第１の信号の階調を上げた信号又は前記第１の信号の階調を下げた信号であることを特徴とする自発光装置。
【請求項５】
自発光素子と、前記自発光素子の輝度を検出する光電変換素子とを含む画素を複数有する画素部と、
前記光電変換素子の出力を記憶する第１の記憶回路と、
補正用データを記憶する第２の記憶回路と、
テストパターンのデータを記憶する第３の記憶回路と、
前記第１の記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力と前記第２の記憶回路に記憶された前記補正用データに応じて、第１の信号を補正して第２の信号を生成する補正回路とを有し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光し、
前記第３の記憶回路に記憶された前記テストパターンのデータに応じて、前記画素部は前記テストパターンを表示し、
前記光電変換素子は、前記画素部が前記テストパターンを表示したとき、前記自発光素子の輝度を検出することを特徴とする自発光装置。
【請求項６】
自発光素子と、前記自発光素子の輝度を検出する光電変換素子とを含む画素を複数有する画素部と、
前記光電変換素子の出力を記憶する第１の記憶回路と、
補正用データを記憶する第２の記憶回路と、
テストパターンのデータを記憶する第３の記憶回路と、
前記第１の記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力と前記第２の記憶回路に記憶された前記補正用データに応じて、第１の信号を補正して第２の信号を生成する補正回路とを有し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光し、
前記第３の記憶回路に記憶された前記テストパターンのデータに応じて、前記画素部は前記テストパターンを表示し、
前記光電変換素子は、前記画素部が前記テストパターンを表示したとき、前記自発光素子の輝度を検出し、
前記第２の信号は、前記第１の信号の階調を上げた信号又は前記第１の信号の階調を下げた信号であることを特徴とする自発光装置。
【請求項７】
請求項１又は請求項２において、
前記記憶回路には、スタティック型記憶回路（ＳＲＡＭ）、ダイナミック型記憶回路（ＤＲＡＭ）、強誘電体記憶回路（ＦｅＲＡＭ）及び不揮発性メモリから選択された１つ又は複数を用いることを特徴とする自発光装置。
【請求項８】
請求項３又は請求項４において、
前記第１の記憶回路と前記第２の記憶回路の各々には、スタティック型記憶回路（ＳＲＡＭ）、ダイナミック型記憶回路（ＤＲＡＭ）、強誘電体記憶回路（ＦｅＲＡＭ）及び不揮発性メモリから選択された１つ又は複数を用いることを特徴とする自発光装置。
【請求項９】
請求項５又は請求項６において、
前記第１の記憶回路と前記第２の記憶回路と前記第３の記憶回路の各々には、スタティック型記憶回路（ＳＲＡＭ）、ダイナミック型記憶回路（ＤＲＡＭ）、強誘電体記憶回路（ＦｅＲＡＭ）及び不揮発性メモリから選択された１つ又は複数を用いることを特徴とする自発光装置。
【請求項１０】
請求項１において、
前記発光素子、前記光電変換素子、前記記憶回路及び前記補正回路は、同一の絶縁表面上に設けられることを特徴とする自発光装置。
【請求項１１】
請求項２において、
前記画素部、前記記憶回路及び前記補正回路は、同一の絶縁表面上に設けられることを特徴とする自発光装置。
【請求項１２】
請求項３又は請求項４において、
前記画素部、前記第１の記憶回路、前記第２の記憶回路及び前記補正回路は、同一の絶縁表面上に設けられることを特徴とする自発光装置。
【請求項１３】
請求項５又は請求項６において、
前記画素部、前記第１の記憶回路、前記第２の記憶回路、前記第３の記憶回路及び前記補正回路は、同一の絶縁表面上に設けられることを特徴とする自発光装置。
【請求項１４】
請求項１において、
前記発光素子と前記光電変換素子は、前記記憶回路及び前記補正回路と異なる絶縁表面上に設けられることを特徴とする自発光装置。
【請求項１５】
請求項２において、
前記画素部は、前記記憶回路及び前記補正回路と異なる絶縁表面上に設けられることを特徴とする自発光装置。
【請求項１６】
請求項３又は請求項４において、
前記画素部は、前記第１の記憶回路、前記第２の記憶回路及び前記補正回路と異なる絶縁表面上に設けられることを特徴とする自発光装置。
【請求項１７】
請求項５又は請求項６において、
前記画素部は、前記第１の記憶回路、前記第２の記憶回路、前記第３の記憶回路及び前記補正回路と異なる絶縁表面上に設けられることを特徴とする自発光装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記光電変換素子として、ＰＮ型フォトダイオード、ＰＩＮ型フォトダイオード又はアバランシェ型フォトダイオードを用いることを特徴とする自発光装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、
複数のトランジスタを有することを特徴とする自発光装置。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、
複数のトランジスタを有し、
前記光電変換素子は前記複数のトランジスタ上に設けられ、
前記自発光素子は前記光電変換素子上に設けられ、
前記光電変換素子の受光面の一部と、前記自発光素子の発光面の一部は重なるように設けられることを特徴とする自発光装置。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、
複数のトランジスタを有し、
前記自発光素子は前記複数のトランジスタ上に設けられ、
前記光電変換素子は前記自発光素子上に設けられ、
前記光電変換素子の受光面の一部と、前記自発光素子の発光面の一部は重なるように設けられることを特徴とする自発光装置。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項２１のいずれか一項において、
前記自発光素子を制御するＥＬ用ソース信号線駆動回路及びＥＬ用ゲート信号線駆動回路と、前記光電変換素子を制御する光電変換素子用信号線駆動回路及び光電変換素子用走査線駆動回路とを有することを特徴とする自発光装置。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項２２のいずれか１項に記載の前記自発光装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項２４】
自発光素子、光電変換素子、記憶回路及び補正回路を有し、
前記光電変換素子は、前記自発光素子が発光したとき、前記自発光素子の輝度を検出し、
前記記憶回路は前記光電変換素子の出力を記憶し、
前記補正回路は、前記記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力に応じて、第１の信号を補正して第２の信号を生成し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光することを特徴とする自発光装置の駆動方法。
【請求項２５】
自発光素子と光電変換素子を含む画素を複数備えた画素部、記憶回路及び補正回路を有し、
前記光電変換素子は、前記自発光素子が発光したとき、前記自発光素子の輝度を検出し、
前記記憶回路は前記光電変換素子の出力を記憶し、
前記補正回路は、前記記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力に応じて、第１の信号を補正して第２の信号を生成し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光することを特徴とする自発光装置の駆動方法。
【請求項２６】
自発光素子と光電変換素子を含む画素を複数備えた画素部、第１の記憶回路、第２の記憶回路及び補正回路を有し、
前記光電変換素子は、前記自発光素子が発光したとき、前記自発光素子の輝度を検出し、
前記第１の記憶回路は前記光電変換素子の出力を記憶し、
前記補正回路は、前記第１の記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力と前記第２の記憶回路に記憶された前記補正用データに応じて、第１の信号を補正して第２の信号を生成し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光することを特徴とする自発光装置の駆動方法。
【請求項２７】
自発光素子と光電変換素子を含む画素を複数備えた画素部、第１の記憶回路、第２の記憶回路及び補正回路を有し、
前記光電変換素子は、前記自発光素子が発光したとき、前記自発光素子の輝度を検出し、
前記第１の記憶回路は前記光電変換素子の出力を記憶し、
前記補正回路は、前記第１の記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力と前記第２の記憶回路に記憶された前記補正用データに応じて、第１の信号を補正して、前記第１の信号の階調を上げた第２の信号又は前記第１の信号の階調を下げた第２の信号を生成し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光することを特徴とする自発光装置の駆動方法。
【請求項２８】
自発光素子と光電変換素子を含む画素を複数備えた画素部、第１の記憶回路、第２の記憶回路、第３の記憶回路及び補正回路を有し、
前記第３の記憶回路はテストパターンのデータを前記画素部に出力し、
前記光電変換素子は、前記画素部が前記テストパターンを表示したとき、前記自発光素子の輝度を検出し、
前記第１の記憶回路は前記光電変換素子の出力を記憶し、
前記補正回路は、前記第１の記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力と前記第２の記憶回路に記憶された補正用データに応じて、第１の信号を補正して第２の信号を生成し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光することを特徴とする自発光装置の駆動方法。
【請求項２９】
自発光素子と光電変換素子を含む画素を複数備えた画素部、第１の記憶回路、第２の記憶回路、第３の記憶回路及び補正回路を有し、
前記第３の記憶回路はテストパターンのデータを前記画素部に出力し、
前記光電変換素子は、前記画素部が前記テストパターンを表示したとき、前記自発光素子の輝度を検出し、
前記第１の記憶回路は前記光電変換素子の出力を記憶し、
前記補正回路は、前記第１の記憶回路に記憶された前記光電変換素子の出力と前記第２の記憶回路に記憶された補正用データに応じて、第１の信号を補正して、前記第１の信号の階調を上げた第２の信号又は前記第１の信号の階調を下げた第２の信号を生成し、
前記自発光素子は、前記補正回路から出力された前記第２の信号に応じた輝度で発光することを特徴とする自発光装置の駆動方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
次いで、第１の層間絶縁膜５０３４および平坦化膜５０３５にコンタクトホールを形成し、配線５０３６〜５０４１を形成する。本実施例においては、膜厚５０[nm]のＴｉ膜と、膜厚５００[nm]の合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜をパターニングして形成するが、他の導電膜を用いても良い。またこのとき、配線と同材料で、ゲート信号線５０４２も同時に形成される。