Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被検体の表面を照射する照明手段と、
前記被検体の表面の像を撮像するラインセンサと、
前記ラインセンサに前記被検体表面の像を結像する光学系と、
前記照明手段と前記ラインセンサと前記光学系とを前記被検体に対して相対的に移動させる移動手段と、
前記ラインセンサからの画像信号を処理する画像処理手段と、
前記ラインセンサに供給するクロック信号のクロックレートを変更可能なクロック信号発生手段と、
前記画像処理手段の処理速度に対して前記ラインセンサの画像信号転送速度を合わせるように前記移動手段の移動速度（ｖ）又は前記ラインセンサのクロックレート（ｃ）を
ｖ＝（ｍｘ）／（ｃａ）
ここで、ｍ：前記光学系の倍率
ｘ：前記ラインセンサの撮像素子サイズ
ａ：前記ラインセンサ１ラインの画素数
なる関係式を満たすように制御する制御手段と、
を具備するラインセンサを用いた画像処理システム。
【請求項２】  前記制御手段は、前記移動手段の移動速度（ｖ）、及び前記光学系の倍率（ｍ）の少なくとも一方の変更に伴い前記関係式ｖ＝（ｍｘ）／（ｃａ）満たすように、前記ラインセンサのクロックレートを変更することを特徴とする請求項１記載のラインセンサを用いた画像処理システム。
【請求項３】  前記制御手段は、前記ラインセンサのクロックレートの変更に伴い前記関係式ｖ＝（ｍｘ）／（ｃａ）満たすように、前記移動手段の移動速度（ｖ）、及び前記光学系の倍率（ｍ）の少なくとも一方を変更することを特徴とする請求項１記載のラインセンサを用いた画像処理システム。
【請求項４】  前記クロック信号発生手段は、複数ビットのパラレル出力ポートに対応する複数ビットのパラレル入力ポートが割り当てられ、
前記パラレル出力ポートからのクロック選択信号に基づいてクロック信号を前記ラインセンサに出力するラインセンサクロックジェネレータを用いたことを特徴とする請求項１記載のラインセンサを用いた画像処理システム。
【請求項５】  前記画像処理手段を含むメインセントラルプロセッシング（ＣＰＵ）に前記パラレル出力ポートが割り当てられるとともに、
前記クロック信号発生手段に前記パラレル出力ポートが割り当てられ、
前記パラレル出力ポートと前記パラレル入力ポート間で送受される複数ビットの各クロック選択指示信号を対応するクロックレートパターンが選択されることを特徴とする請求項４記載のラインセンサを用いた画像処理システム。
【請求項６】  前記移動手段は、前記ＣＰＵにより駆動制御されるコントローラを含み、
このコントローラに前記パラレル出力ポートが割り当てられるとともに、
前記クロック信号発生手段に前記パラレル出力ポートが割り当てられ、
前記パラレル出力ポートと前記パラレル入力ポート間で送受される複数ビットの各クロック選択指示信号に対応するクロックレートパターンが選択されることを特徴とする請求項４記載のラインセンサを用いた画像処理システム。
【請求項７】  前記クロック選択指示信号は、前記パラレル出力ポート側に設けられた所定数のトランジスタから前記複数ビットのパラレル出力ポートに送出されることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載のラインセンサ画像処理システム。
【請求項８】  前記ラインセンサクロックジェネレータ内に設けられた所定数のフォトカプラが前記複数ビットのパラレル入力ポートに接続されるとともに、
前記各フォトカプラからそれぞれ増幅器を介してクロック信号が前記ラインセンサに供給されることを特徴とする請求項４記載のラインセンサを用いた画像処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本願発明のラインセンサを用いた画像処理システムは、被検体の表面を照射する照明手段と、前記被検体の表面の像を撮像するラインセンサと、前記ラインセンサに前記被検体表面の像を結像する光学系と、前記照明手段と前記ラインセンサと前記光学系とを前記被検体に対して相対的に移動させる移動手段と、前記ラインセンサからの画像信号を処理する画像処理手段と、
前記ラインセンサに供給するクロック信号のクロックレートを変更可能なクロック信号発生手段と、前記画像処理手段の処理速度に対して前記ラインセンサの画像信号転送速度を合わせるように前記移動手段の移動速度（ｖ）又は前記ラインセンサのクロックレート（ｃ）を
ｖ＝（ｍｘ）／（ｃａ）
ここで、ｍ：前記光学系の倍率
ｘ：前記ラインセンサの撮像素子サイズ
ａ：前記ラインセンサ１ラインの画素数
なる関係式を満たすように制御する制御手段と、備えていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月10日(2005.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
図４は、トラッキングエラー信号生成回路６から出力された直後のトラッキングエラー信号ＴＥ、ホールド部１５から出力される検出信号ＤＳおよびホールド部１５によって生成されるホールド信号ＨＳを示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図４において、期間Ｐ３は、パルス信号ＰＬのパルス幅が基準パルス幅よりも大きい期間を示している。パルス信号ＰＬのパルス幅が基準パルス幅よりも大きいとき、トラッキングエラー信号ＴＥの周波数は低い。例えば、期間Ｐ３は、偏心している光ディスク１の移動方向が往復動の端部において逆方向に変わる期間Ｐ１と一致している。このため、ローパスフィルタ１４のカットオフ周波数が十分に低く設定されていない場合には、期間Ｐ３において、ローパスフィルタ１４から出力される検出信号ＤＳ中に低周波成分ＬＣが残留する。そこで、ホールド処理では、パルス信号ＰＬのパルス幅が基準パルス幅よりも大きくなったとき、検出信号ＤＳをホールドさせる。これにより、図４に示すように、期間Ｐ３において、検出信号ＤＳが、一定の電圧値を維持する直流信号であるホールド信号ＨＳに置き換わる。従って、ローパスフィルタ１４のカットオフ周波数が十分に
低く設定されていない場合でも、検出信号ＤＳ中に低周波成分ＬＣが残留するのを防止することができる。この結果、ローパスフィルタ１４のカットオフ周波数を高く設定することができ、ローパスフィルタ１４の時定数を小さくできる。ローパスフィルタ１４の時定数が小さくなると、ローパスフィルタ１４から出力される検出信号ＤＳを素早く安定させることができ、トラッキングエラー信号補正処理の処理時間を短縮させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材中に埋設された幅１μｍ以上５００μｍ未満、板厚１μｍ以上２０μｍ未満の高透磁率を有する合金ファイバーとを具備することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】  前記合金ファイバーは、０．１ｍｍ以上２００ｍｍ以下の長さを有することを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】  前記合金ファイバーは、コバルトを主成分とするアモルファス合金であることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】  前記合金ファイバーとして、異なるキュリー温度を有する少なくとも２種の合金ファイバーを使用することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項５】  前記合金ファイバーは、キュリー温度が−２０℃〜１５０℃の範囲にある合金ファイバーを少なくとも１種含むことを特徴とする請求項１ないし４に記載の情報記録媒体。
【請求項６】  前記合金ファイバーは、鉄を主成分とすることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項７】  前記鉄を主成分とする合金ファイバーは、平均結晶粒径が３０ｎｍ以下の微細結晶を含むことを特徴とする請求項６に記載の情報記録媒体。
【請求項８】  前記基材は非磁性材料の基材シートからなり、前記合金ファイバーは、該基材シートに想定されたマトリックス状の区分領域に選択的に埋設され、該合金ファイバーの埋設の有無を記録情報とすることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置およびその方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を入力するための画像処理装置であって、
画像を入力する際に画像処理を実行する処理手段を有し、
前記画像処理のパラメータを画像の出力先のデバイスからダウンロードすることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
画像入力デバイスから入力される画像を処理する画像処理装置であって、
前記画像入力デバイスをドライブするためのドライバ手段を有し、
前記画像入力デバイスが画像を入力する際に実行する画像処理のパラメータを、前記ドライバ手段を介して前記画像入力デバイスへダウンロードすることを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
前記画像処理パラメータは少なくともガンマ変換、マスキング処理およびカラーマネージメントに関する処理情報を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された画像処理装置。
【請求項４】
画像を入力するための画像入力装置、および、入力される画像を処理する画像処理装置を有する画像処理システムの画像処理方法であって、
前記画像処理装置から前記画像入力装置へ画像処理のパラメータをダウンロードし、
前記画像処理のパラメータに基づき、前記画像入力装置は画像処理を実行することを特徴とする画像処理方法。
【請求項５】
画像を入力するための画像処理方法であって、
画像処理のパラメータを画像の出力先のデバイスからダウンロードし、
前記画像処理パラメータに基づく画像処理を入力画像に施すことを特徴とする画像処理方法。
【請求項６】
画像入力装置により入力される画像を処理する画像処理方法であって、
前記画像入力装置が画像を入力する際に実行する画像処理のパラメータを、前記画像入力装置へダウンロードすることを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
画像処理装置を制御して、請求項4から請求項6の何れかに記載された画像処理を実行するプログラムが記録されたことを特徴とする記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は画像処理装置およびその方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述の問題を解決するもので、画質の劣化を抑えた画像処理を行うことを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、画像を入力するための画像処理装置であって、画像を入力する際に画像処理を実行する処理手段を有し、前記画像処理のパラメータを画像の出力先のデバイスからダウンロードすることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、画像入力デバイスから入力される画像を処理する画像処理装置であって、前記画像入力デバイスをドライブするためのドライバ手段を有し、前記画像入力デバイスが画像を入力する際に実行する画像処理のパラメータを、前記ドライバ手段を介して前記画像入力デバイスへダウンロードすることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、画像を入力するための画像入力装置、および、入力される画像を処理する画像処理装置を有する画像処理システムの画像処理方法であって、前記画像処理装置から前記画像入力装置へ画像処理のパラメータをダウンロードし、前記画像処理のパラメータに基づき、前記画像入力装置は画像処理を実行することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、画像を入力するための画像処理方法であって、画像処理のパラメータを画像の出力先のデバイスからダウンロードし、前記画像処理パラメータに基づく画像処理を入力画像に施すことを特徴とする。また、画像入力装置により入力される画像を処理する画像処理方法であって、前記画像入力装置が画像を入力する際に実行する画像処理のパラメータを、前記画像入力装置へダウンロードすることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図4Aはガンマ特性γ=1.0の場合の画像処理回路124の入力（すなわちA/Dコンバータの10ビット出力）対出力（8ビットデータ）特性曲線で、A/Dコンバータの出力0（黒）〜1023（白）は4ステップ刻みで出力値0（黒）〜255（白）に変換される。図5Aはγ=1.0における入出力の具体的な数値を示している。この変換は次式のように表される。
┌      ┐ ┌           ┐
│r'/255│ │(r/1023)γ │
│g'/255│=│(g/1023)γ │    …(1)
│b'/255│ │(b/1023)γ │
└      ┘ └           ┘
ここで、r,g,b: 注目画素のA/Dコンバータ出力値（10ビット）
γ: ガンマ係数
r',g',b': 注目画素のγ変換後の値（8ビット）
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、色特性に関しては入力機器、コンピュータおよび出力機器からなるシステムを総括したカラーマネージメントシステム(CMS)が実用化されていて、CMSに対応する入出力機器においては、それらの組み合わせに関わらず原稿画像と同じ色味を得ることができる。これは、入出力機器の個々の色特性を表すカラープロファイルと呼ばれるデータをコンピュータ上に置き、このプロファイルに基づき画像データを処理することで色特性を正規化するものである。コンピュータが入力機器から画像データを得るとき、それぞれのプロファイルに基づいた、前述のガンマ変換や色変換に類似した次式に示す8ビット→8ビットのデータ変換が行われる。
┌  ┐ ┌        ┐┌     ┐
│R'│ │A1 B1 C1││Rγ' │
│G'│=│A2 B2 C2││Gγ' │    …(3)
│B'│ │A3 B3 C3││Bγ' │
└  ┘ └        ┘└     ┘
ここで、   R,G,B: 画像読取装置から出力される注目画素の値
Ai,Bj,Ck: CMSの色変換係数
γ': CMSのガンマ係数
R',G',B': CMSにより正規化された注目画素の値
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
以上説明したように、本発明によれば、画質の劣化を抑えた画像処理を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの上面に導体層を形成する導体層形成工程と、
前記導体層の上面にネガ型レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
ステップ式投影露光装置により、前記ネガ型レジスト層を所定領域毎に露光する第１の露光工程と、
前記第１の露光工程の実施後に、前記ネガ型レジスト層の外周部を露光する第２の露光工程と、
露光された前記ネガ型レジスト層に対し現像処理を行ない所定のめっきパターンを形成する現像工程と、
前記めっきパターンにめっきを行なうめっき工程と、
を備えることを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
請求項１記載のめっき方法において、
前記ネガ型レジスト層として、１０μｍ以上の厚さを有するものを用いたことを特徴とするめっき方法。
【請求項３】
請求項２記載のめっき方法において、
前記ネガ型レジスト層として、ドライフィルムレジストを用いたことを特徴とするめっき方法。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載のめっき方法において、
前記めっき工程で実施されるめっき処理時に、シールめっき治具を用いることを特徴とするめっき方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハにめっきにより導電性ポスト等を形成する際に必要となるめっきの形成方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図６は、露光工程が終了した後に現像処理を行った状態の半導体ウェハ６００を拡大して示している。同図に示すように、半導体ウェハ６００の上面には導通メタル層６１０が形成され、更に導通メタル層６１０の上部にはレジスト層６２０（梨地で示す）が形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ところで近年では、再配線パターンの電気的特性を向上させるため、半導体ウェハ６００上に形成される再配線パターンの厚さを厚くすることが行われている。従来では、ネガ型またはポジ型の液状レジストを塗布してレジスト層を形成していた。しかし、この方法では、１０μｍ未満の薄いレジスト層しか形成できず、再配線パターンを厚くしたいという要求に答えることが困難であった。このため、近年では再配線パターンを厚くしたいという要求に答えるために、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）が用いられるようになってきている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そこで、図７に示される半導体ウェハ６００の最外周位置に注目すると、最外周位置にある溝状のめっきパターン６５０は連通部６５１により外部に連通した状態（即ち、ネガ型またはポジ型のレジスト層６２０の側面に孔が空いた状態）となっている。よって、めっき工程においてめっき液はこのめっきパターン６５０の内側部６５２から連通部６５１に流れ出し、これによりめっき液はシールゴム６３５の存在に拘わらずシールゴム６３５の外側に漏洩していた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
尚、ネガ型またはポジ型のレジスト層６２０が薄い（例えば、１０μｍ未満の厚さ）場合には、シールゴム６３５をレジスト層６２０に押し付けた状態で、樹脂であるレジスト層６２０が可撓し、またゴムであるシールゴム６３５がめっきパターン６５０内に弾性変形により入り込むことや、毛細管現象によりシールが行われ、これによりめっき液の漏洩が発生しなかったものと思われる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１記載の発明に係るめっき方法は、
半導体ウェハの上面に導体層を形成する導体層形成工程と、
前記導体層の上面にネガ型レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
ステップ式投影露光装置により、前記ネガ型レジスト層を所定領域毎に露光する第１の露光工程と、
前記第１の露光工程の実施後に、前記ネガ型レジスト層の外周部を露光する第２の露光工程と、
露光された前記ネガ型レジスト層に対し現像処理を行ない所定のめっきパターンを形成する現像工程と、
前記めっきパターンにめっきを行なうめっき工程とを備えることを特徴とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、請求項４記載の発明は、
請求項１乃至３の何れか１項に記載のめっき方法において、
前記めっき工程で実施されるめっき処理時に、シールめっき治具を用いることを特徴とするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図８及び図９は、本実施形態のめっき方法における第１の工程（導体層形成工程）を説明するための図であり、図８は半導体ウェハ１００の平面図、図９は図８のＡ−Ａ´線断面図である。この第１の工程では、半導体ウェハ１００（例えば、直径８インチのシリコンウェハ等）上面に、再配線を形成する銅からなる導通メタル層１１０が形成される。導通メタル層１１０の形成においては、例えば、アルゴン等の放電用ガスの雰囲気下でグロー放電を利用し、ターゲットである半導体ウェハ１００の上面にイオンを打ち込むスパッタ処理が採用される。尚、半導体ウェハ１００の上面にエポキシやポリイミド等の樹脂からなる絶縁層を形成し、この絶縁層上に導通メタル層１１０を設ける場合もある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この外周露光領域１４０が存在することにより、最外周位置にある溝状のめっきパターン（符号１５０Ａで示す）であっても外部に連通しない構成となっている。即ち、従来（図６参照）において連通部６５１が形成されていた部分は、本実施の形態では外周露光領域１４０となっており、この部分はネガ型レジスト層１２０が現像されないで残った構成となっている。即ち、外周露光領域１４０は、めっきパターン１５０Ａの端部が外部に連通するのを防止するダムとしての機能を奏している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
前記したように本実施例では、第４の工程（第２の露光工程）においてネガ型レジスト層１２０の外周部に露光処理が行われ、よって半導体ウェハ１００の最外周部分に環状に外周露光領域１４０が形成されている。この外周露光領域１４０が形成されることにより、外周露光領域１４０はダムとして機能し、最外周位置にあるめっきパターン１５０Ａの外周側は外周露光領域１４０により塞がれ、内側部１５２は外部に対し閉塞した状態となる。また、シールゴム１６７の半導体ウェハ１００に対する当接位置は、外周露光領域１４０よりも内側に位置しないよう設定されている。具体的には、外周露光領域１４０の形成位置上で、かつ給電電極１１５より内側位置上にあるよう設定されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記エチレン・α- オレフィン・非共役ポリエン共重合体ゴム（Ａ）を含有してなる、本発明に係るゴム組成物は、常温での架橋が可能で室温架橋ゴム（ＲＴＶ）用に好適に用いることができるし、また、反応射出成形（ＲＩＭ）用に好適に用いられる。また、水架橋ゴムの原料に用いることができる。さらに、熱可塑性エラストマーの製造の際に用いることができるし、熱可塑性樹脂の改質やエンジニアリングプラスチックの改質にも用いることができる。前記室温架橋ゴム（ＲＴＶ）用のゴム組成物は、建築用シーラントまたは接着剤として用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
実施例３
液晶ポリエステルを流動開始温度が３１４℃のものに変更するほかは実施例１と同様にして測定を行った。結果を表１に示す。
表１から明らかなように、これらの組成物は、良好な機械的特性、耐熱性を示すうえ、漆黒度に優れていた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【表１】
2001279066.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともセラミックスの原材料の一部となる原料種の微粒子であるミストと、活性種と、を混合した後に基体に供給して、該基体上にセラミックス膜を形成する工程を含む、セラミックスの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ミストは、径が０．１μｍ以下である、セラミックスの製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記ミストは、径が０．０１μｍ以下である、セラミックスの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記ミストは、電荷がチャージされている、セラミックスの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記活性種は、ラジカルまたはイオンである、セラミックスの製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記活性種は、前記セラミックスの原材料の一部となる原料種のラジカルまたはイオンである、セラミックスの製造方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記活性種は、酸素または窒素のラジカルまたはイオンである、セラミックスの製造方法。
【請求項８】
請求項５において、
前記活性種は、不活性ガスを活性化させて得られるイオンである、セラミックスの製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記不活性ガスは、アルゴンまたはキセノンである、セラミックスの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかにおいて、
少なくとも前記活性種は、加速された状態で前記基体に供給される、セラミックスの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかにおいて、
前記セラミックス膜は、前記基体に対して部分的に形成される、セラミックスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記基体の表面に、成膜されるセラミックスに対して親和性を有する膜形成部と、成膜されるセラミックスに対して親和性を有しない非膜形成部とを形成し、自己整合的に前記膜形成部にセラミックス膜を形成する工程を含む、セラミックスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかにおいて、
前記セラミックス膜は、ＬＳＭＣＤ法によって形成される、セラミックスの製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかにおいて、
前記セラミックス膜は、誘電体からなる、セラミックスの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記誘電体は、６００℃以下の温度で形成される、セラミックスの製造方法。
【請求項１６】
請求項１４において、
前記誘電体は、４５０℃以下の温度で形成される、セラミックスの製造方法。
【請求項１７】
セラミックスが形成される基体の配置部と、
前記基体を所定温度に加熱するための加熱部と、
少なくともセラミックスの原材料の一部となる原料種をミストの状態で供給するための原料種供給部と、
活性種を供給するための活性種供給部と、
前記原料種供給部から供給された原料種と、前記活性種供給部から供給された活性種と、を混合するための混合部と、を含み、
前記原料種および前記活性種を混合した後に前記基体に供給して成膜が行われる、セラミックスの製造装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記成膜は、ＬＳＭＣＤ法によって行われる、セラミックスの製造装置。
【請求項１９】
請求項１７または１８において、
前記原料種供給部によって、前記ミストは、径が０．１μｍ以下にされる、セラミックスの製造装置。
【請求項２０】
請求項１７または１８において、
前記原料種供給部によって、前記ミストは、径が０．０１μｍ以下にされる、セラミックスの製造装置。
【請求項２１】
請求項１７〜２０のいずれかにおいて、
前記ミストは、電荷がチャージされている、セラミックスの製造装置。
【請求項２２】
請求項１７〜２０のいずれかにおいて、
前記原料種供給部は、原料貯蔵部と、原料貯蔵部から供給された原料をミストにするミスト化部と、を含む、セラミックスの製造装置。
【請求項２３】
請求項１７〜２２のいずれかにおいて、
前記活性種供給部は、ラジカルまたはイオンからなる活性種を供給する、セラミックスの製造装置。
【請求項２４】
請求項２３において、
前記活性種は、前記セラミックスの原材料の一部となる原料種のラジカルまたはイオンである、セラミックスの製造装置。
【請求項２５】
請求項２３において、
前記活性種は、酸素または窒素のラジカルまたはイオンである、セラミックスの製造装置。
【請求項２６】
請求項２３において、
前記活性種は、不活性ガスを活性化させて得られるイオンである、セラミックスの製造装置。
【請求項２７】
請求項２６において、
前記不活性ガスは、アルゴンまたはキセノンである、セラミックスの製造装置。
【請求項２８】
請求項１７〜２７のいずれかにおいて、
少なくとも前記活性種は、加速された状態で前記基体に供給される、セラミックスの製造装置。
【請求項２９】
請求項１〜１６に記載の製造方法によって形成された誘電体膜を含むキャパシタを有する、半導体装置。
【請求項３０】
請求項２９において、
ＣＭＯＳ領域と、強誘電体を含むキャパシタを有するキャパシタ領域と、を含む、強誘電体メモリ装置。
【請求項３１】
請求項１〜１６に記載の製造方法によって形成された誘電体膜を含む圧電素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着性樹脂と、硬化剤と、無機粉末とを含有する封止材料であって、
前記無機粉末の添加量は３０ｗｔ％〜８０ｗｔ％の範囲である、
封止材料。
【請求項２】
請求項１に記載された封止材料であって、前記無機粉末は、金属酸化物である、
封止材料。
【請求項３】
請求項１乃至２の何れかに記載された封止材料であって、前記無機粉末は、粒径が５μｍ以下である、
封止材料。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された封止材料であって、
前記接着性樹脂は、熱硬化性樹脂を含み、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、変性樹脂またはアクリル樹脂から選択された少なくとも一種を含む、
封止材料。
【請求項５】
接着性樹脂と、硬化剤と、無機粉末とを含有するはんだ付け用フラックスであって、
前記無機粉末の添加量は３０ｗｔ％〜８０ｗｔ％の範囲である、
はんだ付け用フラックス。
【請求項６】
請求項５に記載されたフラックスであって、前記無機粉末は、金属酸化物である、
フラックス。
【請求項７】
請求項５乃至６の何れかに記載されたフラックスであって、前記無機粉末は、粒径が５μｍ以下である、
フラックス。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れかに記載されたフラックスであって、
前記接着性樹脂は、熱硬化性樹脂を含み、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、変性樹脂またはアクリル樹脂から選択された少なくとも一種を含む、
フラックス。
【請求項９】
請求項５乃至８の何れかに記載されたフラックスであって、
前記硬化剤は、カルボン酸を含む、
フラックス。
【請求項１０】
はんだ粉末と、フラックスとを含むはんだペーストであって、
前記フラックスは、接着性樹脂と、硬化剤と、無機粉末とを含有し、
前記無機粉末の添加量は３０ｗｔ％〜８０ｗｔ％の範囲であり、
前記はんだ粉末は、前記フラックスと混合されている、
はんだペースト。
【請求項１１】
請求項１０に記載されたはんだペーストであって、
前記はんだ粉末は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｉｎ、ＺｎまたはＢｉから選択された少なくとも一種を含む、
はんだペースト。
【請求項１２】
少なくとも１つの電子部品と、部品搭載基板と、封止剤層とを含む電子部品装置であって、
前記電子部品は、部品搭載基板の上にはんだ付けされており、
前記封止剤層は、請求項１乃至４の何れかに記載された封止材料でなり、前記電子部品と前記部品搭載基板との間に介在し、両者を接着している、
電子部品装置。
【請求項１３】
少なくとも１つの電子部品と、部品搭載基板と、封止剤層とを含む電子部品装置の製造方法であって、
前記部品搭載基板上に所定のパターンでランドを形成し、
前記ランドの周囲に、請求項１乃至４の何れかに記載された封止材料からなる封止剤層を形成し、
前記電子部品を搭載し、熱処理を行う、
方法。
【請求項１４】
少なくとも１つの電子部品と、部品搭載基板と、フラックスとを含む電子部品装置であって、
前記電子部品は、部品搭載基板の上にはんだ付けされており、
前記フラックスは、請求項５乃至９の何れかに記載されたものでなり、前記電子部品と前記部品搭載基板との間に介在し、両者を接着している、
電子部品装置。
【請求項１５】
半導体チップと、チップ搭載基板と、封止剤層とを含む電子回路モジュールであって、
前記半導体チップは、少なくとも１つの半導体素子を含み、チップ搭載基板の上にはんだ付けされており、
前記封止剤層は、請求項１乃至４の何れかに記載された封止材料でなり、前記半導体チップと前記チップ搭載基板との間に介在し、両者を接着している、
電子回路モジュール。
【請求項１６】
半導体チップと、チップ搭載基板と、フラックスとを含む電子回路モジュールであって、
前記半導体チップは、少なくとも１つの半導体素子を含み、チップ搭載基板の上にはんだ付けされており、
前記フラックスは、請求項５乃至９の何れかに記載されたものでなり、前記半導体チップと前記チップ搭載基板との間に介在し、両者を接着している、
電子回路モジュール。
【請求項１７】
電子回路モジュールと、マザー基板と、封止剤層とを含む電子回路装置であって、
前記電子回路モジュールは、前記マザー基板上にはんだ付けされており、
前記封止剤層は、請求項１乃至４の何れかに記載された封止材料でなり、前記電子回路モジュールと前記マザー基板との間に介在し、両者を接着している、
電子回路装置。
【請求項１８】
電子回路モジュールと、マザー基板と、フラックスとを含む電子回路装置であって、
前記電子回路モジュールは、前記マザー基板上にはんだ付けされており、
前記フラックスは、請求項５乃至９の何れかに記載されたものでなり、前記電子回路モジュールと前記マザー基板との間に介在し、両者を接着している、
電子回路装置。
【請求項１９】
請求項１７または１８の何れかに記載された電子回路装置であって、
前記電子回路モジュールは、請求項１５または１６の何れかに記載されたものでなる、
電子回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、産業機械、鉄道車両、荷物車両、自動車等に用いられる摩擦摺動材（ブレーキパッド、ブレーキライニング、クラッチフェーシーング等）に関するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
＜２＞目視による評価試験
得られた上記の摩擦材の評価は以下（１）〜（４）の項目について行った。
（１）摩擦材の外観評価
摩擦材の外観評価は、摩擦材を熱成形後に、摩擦材表面のひびの程度と、摩擦材と裏板との間の隙間の程度を目視により評価することにより行った。そして、以下の三基準、「普通：△」、「良好：○」、「優秀：◎」により評価した。
（２）摩擦材の接着強度
摩擦材の接着強度は、摩擦材から機械的に剥離する時の強度を測定し評価した。評価は上記（１）の三基準により行った。
（３）摩擦材の接着割合
摩擦材の接着強度は、アムスラー試験機を使用し、摩擦材から機械的に剥離した時に裏板側に残る摩擦材の面積の割合を目視により評価した。評価は上記（１）の三基準により行った。
（４）摩擦材の耐クラック性
摩擦材の耐クラック性は、以下の方法により評価した。摩擦材を加熱炉にて３００℃×３０分間加熱後、予め準備したバケツ等の水の中に３０秒間入れた。その後、摩擦材を取り出し、摩擦材側面のヒビの程度と摩擦材と裏板との間の隙間の程度を目視により評価した。そして、上記の操作を１サイクルとして、１０サイクルを実施して、耐クラック性を評価した。評価は上記（１）の三基準により行った。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【表１】
2001279230.tif 000001
＜４＞摩耗テストによる評価
上記の目視による評価において最も好ましい実施例４の摩擦材と、比較例１の摩擦材について、１００〜４００℃において摩耗テスト（ＪＡＳＯ：Ｎ＝１０００回相当、Ｖ＝５０ｋｍ／ｈ α＝２．９ｍ／ｓ2）を行い、摩擦材の耐摩耗性を評価した。具体的には、上記条件の摩耗テストの終了後に摩擦材の厚さを測定し、予め測定した初期の値から差引いて、その摩耗量を求めた。結果を表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月18日(2004.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子を備え被検体に対し超音波を送波し反射波を受信する探触子と、
前記探触子の各素子からの受信信号に対して整相加算処理を行って受信ビームを形成するビーム形成部と、
前記受信ビームの間隔と前記受信ビームの幅に基づいて除数を出力する除数出力部と、
前記ビーム形成部から出力された受信ビームのサンプルデータを記憶する信号記憶部と、
前記ビーム形成部から出力された受信ビームと前記信号記憶部に記憶された当該受信ビームに隣接する受信ビームの対応するサンプルデータを加算し前記除数で除算することによって補間受信ビームを作成するビーム補間部と、
前記受信ビーム及び前記補間受信ビームを画像信号に変換する画像処理部と、
前記画像処理部の出力を断層像として表示する表示部とを備えることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項２】
請求項１記載の超音波診断装置において、前記除数出力部の出力数値は、前記ビーム形成部から出力される受信ビームの強度と、前記ビーム補間部から出力される補間受信ビームの強度とが略等しくなるように決定されることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項３】
請求項１記載の超音波診断装置において、前記除数出力部の出力数値が√２以上２以下であることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項４】
探触子から被検体中に超音波ビームを送波するステップと、
被検体から反射されてきた反射波を前記探触子で受信するステップと、
前記探触子の各素子からの受信信号に対して整相加算処理を行い目的方向からの超音波信号を増幅して受信ビームを形成するステップと、
空間的に隣接する受信ビームの対応するサンプルデータ同士を加算し、それを受信ビームの間隔と受信ビームの幅に基づいて定められる除数で除算することによって補間受信ビームを作成するステップと、
前記受信ビーム及び前記補間受信ビームを画像信号に変換するステップと、
前記画像信号に基づいて被検体の断層像を表示するステップとを含むことを特徴とする被検体の断層像形成方法。
【請求項５】
探触子から被検体中に超音波ビームを送波するステップと、
被検体から反射されてきた反射波を前記探触子で受信するステップと、
前記探触子の各素子からの受信信号に対して整相加算処理を行い目的方向からの超音波信号を増幅して受信ビームを形成するステップと、
空間的に隣接する受信ビームの対応するサンプルデータ同士を加算し、それを所定の除数で除算することによって補間受信ビームを作成するステップと、
前記受信ビーム及び前記補間受信ビームを画像信号に変換するステップと、
前記画像信号に基づいて被検体の断層像を表示するステップとを含み、
前記除数は前記受信ビームで形成される断層像のラスタと前記補間受信ビームによって形成される断層像のラスタの間に輝度差が生じないように定められることを特徴とする被検体の断層像形成方法。
【請求項６】
請求項１記載の超音波診断装置において、前記除数出力部は、前記受信ビームの間隔と前記受信ビームの幅の大小関係に基づいて除数を出力することを特徴とする超音波診断装置。
【請求項７】
請求項４記載の断層像形成方法において、前記補間受信ビームを作成するステップは、空間的に隣接する前記受信ビームの対応するサンプルデータ同士を加算し、それを前記受信ビームの間隔と前記受信ビームの幅の大小関係に基づいて定められる除数で除算することによって補間受信ビームを作成することを特徴とする被検体の断層像形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
身体の脈拍を計測する脈拍計において、計測中の所定時間の脈拍数の変化量が所定値より変化した場合に、脈拍変化の異常と判定する判定手段と、前記判定手段で脈拍変化の異常と判定された場合に、脈拍変化の異常を知らせる報知手段を設けたことを特徴とする脈拍変化判定機能付き脈拍計。
【請求項２】
身体の脈拍を計測する脈拍計において、運動終了時から所定時間経過後の脈拍数の変化量が所定値より変化しなかった場合に、脈拍変化の異常と判定する判定手段と、前記判定手段で脈拍変化の異常と判定された場合に、脈拍変化の異常を知らせる報知手段を設けたことを特徴とする脈拍変化判定機能付き脈拍計。
【請求項３】
身体の脈拍を計測する脈拍計において、運動終了時の運動強度が所定値以上であり且つ運動終了時から所定時間経過後の脈拍数の変化量が所定値より変化しなかった場合に、脈拍変化の異常と判定する判定手段と、前記判定手段で脈拍変化の異常と判定された場合に、脈拍変化の異常を知らせる報知手段を設けたことを特徴とする脈拍変化判定機能付き脈拍計。
【請求項４】
身体の脈拍を計測する脈拍計において、計測中の所定時間の脈拍数の変化量が所定値より変化した場合、または運動終了時から所定時間経過後の脈拍数の変化量が所定値より変化しなかった場合に、脈拍変化の異常と判定する判定手段と、前記判定手段で脈拍変化の異常と判定された場合に、脈拍変化の異常を知らせる報知手段を設けたことを特徴とする脈拍変化判定機能付き脈拍計。
【請求項５】
身体の脈拍を計測する脈拍計において、計測中の所定時間の脈拍数の変化量が所定値より変化した場合、または運動終了時の運動強度が所定値以上であり且つ運動終了時から所定時間経過後の脈拍数の変化量が所定値より変化しなかった場合に、脈拍変化の異常と判定する判定手段と、前記判定手段で脈拍変化の異常と判定された場合に、脈拍変化の異常を知らせる報知手段を設けたことを特徴とする脈拍変化判定機能付き脈拍計。
【請求項６】
前記計測中の所定時間の脈拍数の変化量が所定値より変化した場合が、サンプリングした脈拍数と前記サンプリングした脈拍数から３秒後にサンプリングした脈拍数との差の絶対値が２０拍／分未満でない場合であることを特徴とする請求項１記載の脈拍変化判定機能付き脈拍計。
【請求項７】
前記運動終了時から所定時間経過後の脈拍数の変化量が所定値より変化しなかった場合が、サンプリングした運動中の最後の脈拍数と前記サンプリングした運動中の最後の脈拍数から１分後にサンプリングした脈拍数との差の絶対値が１２拍／分以下である場合であることを特徴とする請求項２記載の脈拍変化判定機能付き脈拍計。
【請求項８】
前記運動終了時の運動強度が所定値以上であり且つ運動終了時から所定時間経過後の脈拍数の変化量が所定値より変化しなかった場合が、運動中の最後の運動強度が４０％以上であり且つサンプリングした運動中の最後の脈拍数と前記サンプリングした運動中の最後の脈拍数から１分後にサンプリングした脈拍数との差の絶対値が１２拍／分以下である場合であることを特徴とする請求項３記載の脈拍変化判定機能付き脈拍計。
【請求項９】
前記計測中の所定時間の脈拍数の変化量が所定値より変化した場合が、サンプリングした脈拍数と前記サンプリングした脈拍数から３秒後にサンプリングした脈拍数との差の絶対値が２０拍／分未満でない場合であり、前記運動終了時から所定時間経過後の脈拍数の変化量が所定値より変化しなかった場合が、サンプリングした運動中の最後の脈拍数と前記サンプリングした運動中の最後の脈拍数から１分後にサンプリングした脈拍数との差の絶対値が１２拍／分以下である場合であることを特徴とする請求項４記載の脈拍変化判定機能付き脈拍計。
【請求項１０】
前記計測中の所定時間の脈拍数の変化量が所定値より変化した場合が、サンプリングした脈拍数と前記サンプリングした脈拍数から３秒後にサンプリングした脈拍数との差の絶対値が２０拍／分未満でない場合であり、前記運動終了時の運動強度が所定値以上であり且つ運動終了時から所定時間経過後の脈拍数の変化量が所定値より変化しなかった場合が、運動中の最後の運動強度が４０％以上であり且つサンプリングした運動中の最後の脈拍数と前記サンプリングした運動中の最後の脈拍数から１分後にサンプリングした脈拍数との差の絶対値が１２拍／分以下である場合であることを特徴とする請求項５記載の脈拍変化判定機能付き脈拍計。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月17日(2004.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手装置との認証処理を無線通信を介して実行する無線通信装置において、
装置と着脱可能に設けられたアンテナと、
前記アンテナの取り外しを検知する検知手段と、
前記検知手段により前記アンテナが取り外されたことが検知されると認証処理を実行する制御手段とを具備したことを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
相手装置との認証処理を無線通信を介して実行する無線通信装置において、
無線通信用アンテナと、
通信回路と、
前記無線通信用アンテナと前記通信回路との接続と切断を切り替えるスイッチと、
前記スイッチによる前記無線通信用アンテナと前記通信回路との切断を検知して、この切断と連動して認証処理を実行する制御手段とを具備したことを特徴とする無線通信装置。
【請求項３】
相手装置との認証処理を無線通信を介して実行する無線通信装置において、
無線通信用アンテナと、
通信回路と、
前記無線通信用アンテナと前記通信回路との接続と切断を切り替えるスイッチと、
所定のタイミングで前記スイッチによる前記無線通信用アンテナと前記通信回路との接続または切断の状態を検知する検知手段と、
前記検知手段により前記スイッチによって前記無線通信用アンテナと前記通信回路とが切断されていることを検知した場合に認証処理を実行する制御手段とを具備したことを特徴とする無線通信装置。
【請求項４】
相手装置との認証処理を無線通信を介して実行する無線通信装置において、
認証処理の実行を指示するためのスイッチと、
前記スイッチの操作に連動して無線通信の出力レベルを所定値にまで低下させる出力制御手段と、
前記出力制御手段により出力レベルを低下させた後、認証処理を実行する制御手段とを具備したことを特徴とする無線通信装置。
【請求項５】
相手装置との認証処理を無線通信を介して実行してネットワークを確立する無線通信方法において、
装置に対して着脱可能に設けられたアンテナが取り外されたことを検知し、
この検知に対応して相手装置とのネットワークを確立するための認証処理を実行することを特徴とする無線通信方法。
【請求項６】
相手装置との認証処理を無線通信を介して実行してネットワークを確立する無線通信方法において、
認証処理の実行の指示を受け付け、
この受け付けに連動して無線通信の出力レベルを所定値にまで低下させ、
この後、相手装置とのネットワークを確立するための認証処理を実行することを特徴とする無線通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月1日(2004.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一連の遊技プログラムの実行完了が、一定の割り込み時間内に収まるように構成され、一定の割込信号毎に、前記遊技プログラムを予め定められた所定のアドレスから実行することで遊技制御を行う遊技制御手段を備えた遊技機において、
一連の遊技プログラムの末尾で前記割込信号が入力されるまでの残余時間において、乱数を繰返し更新することで乱数を生成する乱数生成手段と、
前記乱数生成手段による乱数の生成を不特定に実行あるいは不実行することにより乱数生成を攪乱させる乱数生成攪乱手段と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記乱数生成攪乱手段は、前記遊技制御手段が有するいずれかのレジスタもしくはタイマの値に基づいて前記乱数生成手段による乱数生成の実行あるいは不実行の判断をすることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明は、一連の遊技プログラムの実行完了が、一定の割り込み時間内に収まるように構成され、一定の割込信号毎に、前記遊技プログラムを予め定められた所定のアドレスから実行することで遊技制御を行う遊技制御手段（遊技制御装置２００）を備えた遊技機において、一連の遊技プログラムの末尾で前記割込信号が入力されるまでの残余時間において、乱数を繰返し更新することで乱数を生成する乱数生成手段（図４のステップＳ４）と、前記乱数生成手段による乱数の生成を不特定に実行あるいは不実行することにより乱数生成を撹乱させる乱数生成撹乱手段（図４のステップＳ２，Ｓ３）と、を備えるようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記乱数生成手段による乱数生成は割込信号により次の処理が始まるまでの残余時間に繰返し実行されるため、割込信号によりリセットが掛かり次の処理が開始される場合にも、必ずリセットの前後で乱数が更新されるため、同じ乱数値が継続して用いられる事態を回避することができ、遊技内容等のランダム性を高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
さらに、前記乱数生成撹乱手段は、前記遊技制御手段が有するいずれかのレジスタもしくはタイマの値に基づいて前記乱数生成手段による乱数生成の実行あるいは不実行の判断をするようにする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【発明の効果】
本発明によれば、乱数生成手段により乱数の生成が、割込信号が入力されるまでの残余時間内で繰り返して行われ、乱数生成攪乱手段により乱数生成が攪乱されるので、選択される乱数値に規則性が現れる事態を回避することができるという効果がある。したがって、例えば変動表示ゲームにおいて似たような停止図柄が繰り返し出現する状態を有効に回避することができ、遊技者の興趣が削がれるのを抑制することができる。また、例えば大当たり乱数において、本発明を適用する場合には、乱数の更新時期を不特定に変化させることができるので、乱数値の規則性や周期性を解析して行われる不正行為を抑制することができるという効果がある。