【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの側面（５）に、センサ技術的に能動の、かつ／または放出する少なくとも１つの素子（７）を有する少なくとも１つの半導体要素（３）を備える電子部品（１）の作製方法であって、
ウエハ（３５）上に少なくとも１つのダイを設けるステップと、
前記センサ技術的に能動の、かつ／または放出する素子（７）に対して機能する少なくとも１つの構造（１１）を有する少なくとも１つのパターニングされた支持体（９）を作製するステップと、
前記ウエハ（３５）を前記少なくとも１つの支持体（９）と接合するステップであって、それによって前記ダイの、前記センサ技術的に能動の、かつ／または放出する素子（７）を有する側面（５）が前記支持体（９）と向かい合って配置され、前記方法は、さらに
前記ダイを分離するステップとを含む電子部品の作製方法。
【請求項２】
前記パターニングされた支持体（９）を作製するステップは、パターニングされた多層支持体を作製するステップを含む請求項１に記載の電子部品の作製方法。
【請求項３】
前記パターニングされた多層支持体を作製するステップは、該パターニングされた多層支持体（９）の各層（９１、９２、９３、９４）において、前記センサ技術的に能動の、かつ／または放出する素子（７）に対して機能する少なくとも１つの構造（１１）を作製するステップを含む請求項２に記載の電子部品の作製方法。
【請求項４】
前記ウエハ（３５）を前記少なくとも１つの支持体（９）と接合するステップは、前記層（９１、９２、９３、９４）を前記ウエハ（３５）に連続して接合するステップを含む請求項２または３に記載の電子部品の作製方法。
【請求項５】
前記パターニングされた支持体を作製するステップは、前記ウエハ（３５）と接合されている前記支持体をパターニングするステップを含む請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項６】
前記パターニングされた支持体を作製するステップは、前記支持体（９）の構造（１１）を前もって作製するステップを含む請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項７】
前記パターニングされた支持体（９）を作製するステップは、前記支持体をリソグラフィーによりパターニングするステップを含む請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項８】
前記パターニングするステップは、ドライエッチングおよび／またはウェットケミカルエッチングおよび／または機械研削および／または機械ラッピングによりパターニングするステップを含む請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項９】
前記パターニングするステップは、蒸着および／またはスパッタリングおよび／またはＣＶＤコーティングおよび／またはＰＶＤコーティングおよび／またはメッキにより、かつ／またはステンシル印刷とレジストコーティングによりパターニングするステップを含む請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項１０】
前記パターニングされた支持体を作製するステップは、特に少なくとも１つの光学要素（２３、２５、３１）のスペーサを作製するステップを含む請求項１ないし９のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項１１】
前記パターニングされた支持体を作製するステップは、特に流体、光学要素、圧電部品、超小型電子部品および／または能動または受動電子要素のレセプタクル（１７）を作製するステップを含む請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項１２】
前記パターニングされた支持体を作製するステップは、特に前記センサ技術的に能動の、かつ／または放出する素子（７）の表面または該センサ技術的に能動の、かつ／または放出する素子（７）上に配置された光学要素の表面を取り囲むキャビティからなるか、又は、共振空間からなる少なくとも１つのキャビティを作製するステップを含む請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項１３】
前記パターニングされた支持体を作製するステップは、特にＶ字溝である少なくとも１つのトレンチを作製するステップを含み、該トレンチは好ましくは前記支持体の表面に沿った方向に延びる請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項１４】
前記パターニングされた支持体を作製するステップは、機械嵌合部（２１）を作製するステップを含む請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項１５】
前記機械嵌合部（２１）は、光学要素（２３、２５）、特に導波管（２５）を受け入れる（receive）のに適している請求項１４に記載の電子部品の作製方法。
【請求項１６】
前記パターニングされた支持体を作製するステップは、光学部品（３１）を有する支持体を作製するステップを含む請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項１７】
前記光学部品を有する支持体を作製するステップは、レンズ（３１）、特に凹面および／または凸面レンズおよび／またはフレネルレンズおよび／またはプリズムレンズを作製するステップ、および／または格子、特に位相格子、および／またはプリズムを作製するステップを含む請求項１６に記載の電子部品の作製方法。
【請求項１８】
前記パターニングされた支持体を作製するステップは、前記支持体を貫く少なくとも１つの通路（１７）を作製するステップを含む請求項１ないし１７のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項１９】
前記ウエハ（３５）を前記少なくとも１つのパターニングされた支持体と接合するステップは、スペーサとして働く少なくとも１つのさらなる支持体と接合するステップを含む請求項１ないし１８のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項２０】
前記支持体は、半導体材料、特にシリコンおよび／またはガリウムヒ素および／またはリン化インジウム、ガラス、特に石英ガラス、フッ化カルシウム、金属、発泡ガラス、発泡金属、低誘電率絶縁膜、サファイア、特にサファイアガラス、合成材料、セラミックおよびプラスチックを含む群から選択された材料を有する請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項２１】
前記ウエハ（３５）および前記支持体（９）は同一材料からなる請求項１ないし２０のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項２２】
前記支持体および前記ウエハは、互いに向かい合う境界面において互いに適合した熱膨張係数を有する請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項２３】
前記ウエハを前記支持体と接合するステップは、前記ウエハを前記支持体に陽極接合するステップを含む請求項１ないし２２のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項２４】
前記ウエハを前記支持体と接合するステップは、前記ウエハを前記支持体に接着剤接合するステップを含む請求項１ないし２３のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項２５】
前記ウエハを前記支持体に接着剤接合するステップは、ポリマーおよび／またはエポキシ接着剤で接着剤接合するステップを含む請求項２４に記載の電子部品の作製方法。
【請求項２６】
前記ウエハを前記支持体に接合するステップは、前記ウエハおよび／または前記支持体の領域を金属化するステップと、該金属化した領域を合金により半田付けするステップとを含む請求項１ないし２５のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項２７】
前記ウエハを前記支持体と接合するステップは、拡散溶接し、かつ／またはガラスにより半田付けするステップを含む請求項１ないし２６のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項２８】
前記少なくとも１つのパターニングされた支持体を作製するステップは、前記少なくとも１つの支持体に分離点（４０）を作製するステップを含む請求項１ないし２７のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項２９】
さらに、前記ダイの、前記センサ技術的に能動の、かつ／または放出する素子（７）を有する側面とは反対の側面にある、該センサ技術的に能動の、かつ／または放出する素子（７）に対して機能する少なくとも１つの構造（１１）を作製するステップを特徴とする請求項１ないし２８のいずれか１項に記載の電子部品の作製方法。
【請求項３０】
少なくとも１つの第１の側面（５）に、センサ技術的に能動の、かつ／または放出する少なくとも１つの素子（７）を有する少なくとも１つの半導体要素（３）を備え、特に請求項１ないし２８のいずれか１項に記載の方法で作製される電子部品（１）であって、前記半導体要素（３）の前記第１の側面（５）は、前記センサ技術的に能動の、かつ／または放出する素子（７）に対して機能する少なくとも１つの構造を有するパターニングされた支持体（９）で被覆される電子部品。
【請求項３１】
前記機能構造は、ドライエッチングおよび／またはウェットケミカルエッチングおよび／または機械研削および／または機械ラッピング、蒸着および／またはスパッタリングおよび／またはＣＶＤコーティングおよび／またはＰＶＤコーティングおよび／またはメッキにより、かつ／またはステンシル印刷および／またはレジストコーティングにより作製される請求項３０に記載の電子部品。
【請求項３２】
前記パターニングされた支持体は、特に少なくとも１つの光学要素（２３、２５、３１）のスペーサを有する請求項３０または３１に記載の電子部品。
【請求項３３】
前記パターニングされた支持体は、特に流体用の少なくとも１つのレセプタクルを有する請求項３０、３１または３２に記載の電子部品。
【請求項３４】
前記パターニングされた支持体は機械嵌合部（２１）を有する請求項３０ないし３３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項３５】
前記機械嵌合部は、光学要素（２３、２５）、特に導波管（２５）、および／または超小型電子部品および／または圧電部品を受け入れるのに適している請求項３４に記載の電子部品。
【請求項３６】
前記支持体は、前記半導体要素（３）と陽極接合によって互いに接続される請求項３０ないし３５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項３７】
前記支持体は、特にポリマーおよび／またはエポキシ接着剤および／またはガラス半田により前記半導体要素（３）に接着剤接合および／または半田付けおよび／または拡散溶接される請求項３０ないし３６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項３８】
前記半導体要素（３）の、前記センサ技術的に能動の、かつ／または放出する素子（７）を有する前記側面（５）とは反対の側面（１０）に少なくとも１つの機能構造（１１）を有する請求項３０ないし３７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項３９】
前記支持体は少なくとも１つの通路（１７）を有する請求項３０ないし３８のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項４０】
前記支持体は複数の層（９１、９２、９３、９４）を有する請求項３０ないし３９のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項４１】
前記層（９１、９２、９３、９４）はそれぞれ、前記センサ技術的に能動の、かつ／または放出する素子に対して機能する少なくとも１つの構造（１１）を有する請求項４０に記載の電子部品。
【請求項４２】
前記支持体は少なくとも１つのキャビティ、特に共振空間を有する請求項３０ないし４１のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項４３】
前記支持体は少なくとも１つのトレンチ、特にＶ字溝を有し、該トレンチは好ましくは前記支持体の表面に沿った方向に延びる請求項３０ないし４２のいずれか１項に記載の電子部品。