【手続補正書】
【提出日】平成16年2月2日(2004.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】超微粒ダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層、該薄膜層を有する金属材料、及びそれらの製造方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】層中にダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層であって、
（ｉ）該金属薄膜層は、層厚が５ｎｍ（０．００５μｍ）乃至３５０００ｎｍ（３５．０μｍ）であり、
(ii)該ダイヤモンド粒子は、前記金属薄膜層の層厚方向の各レベルに亘ってほぼ均一に分散しており、
(iii)該金属薄膜層中の該ダイヤモンド粒子の含有率が１乃至１２％であり、
(iv）該ダイヤモンド粒子はその粒径分布が、等価円換算で、粒径が１６ｎｍ以下の粒径の粒子の数平均存在率が５０％以上であり、
(ｖ)５０ｎｍを超える粒径の粒子の数平均存在率が実質零％であり、
(vi)２ｎｍ未満の粒径の粒子の数平均存在率が実質零％であることを特徴とする金属薄膜層。
【請求項２】該金属薄膜層の金属材料が、Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｖ又はＷであることを特徴とする請求項１に記載の金属薄膜層。
【請求項３】該金属薄膜層の層厚が３２ｎｍ（０．０３２μｍ）乃至３００００ｎｍ（３０．０μｍ）であることを特徴とする請求項１又は２に記載の金属薄膜層。
【請求項４】前記ダイヤモンド粒子はその粒径分布が、等価円換算で、粒径が１６ｎｍ以下の粒径の粒子の数平均存在率が７０％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の金属薄膜層。
【請求項５】前記ダイヤモンド粒子は、ＳＥＭによる画像解析で長軸の短軸に対する比が２．２以下の存在率の粒子の出現率が、実質１００％であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の金属薄膜層。
【請求項６】前記ダイヤモンド粒子は、ＳＥＭによる画像解析で長軸の短軸に対する比が１．４以下の粒子の出現率が、７０％以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１に記載の金属薄膜層。
【請求項７】請求項１乃至６のいずれか１に記載の金属薄膜層を担体金属表面上に有することを特徴とする金属材料。
【請求項８】メッキ液中にダイヤモンド微粒子を懸濁したメッキ浴を用いて、電解メッキ法により、ダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層を形成する方法であって、該メッキ浴に、(i)粒径分布が、等価円換算で、粒径が１６ｎｍ以下の粒径の粒子の数平均存在率が５０％以上であり、５０ｎｍを超える粒径の粒子の数平均存在率が実質零％であり、２ｎｍ未満の粒径の粒子の数平均存在率が実質零％であるダイヤモンド粒子を金属メッキ液１リットル中に０．０１ｇ〜１２０ｇの濃度で懸濁させ、(ii) 前記ダイヤモンド粒子を該金属薄膜層の層厚方向の各レベルに亘ってほぼ均一に分散している該金属薄膜層の層厚が４０ｎｍ（０．０４μｍ）乃至６００００ｎｍ（６０．０μｍ）になるまで電解を行なう各段階を有することを特徴とするダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層を形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、水性懸濁液に安定に懸濁可能な粒径ナノメーター単位の超微粒ダイヤモンド（一般的に４ｎｍから７０ｎｍ、特に限定的には４ｎｍから４０ｎｍの粒径を有し、ここではナノダイヤモンド又はUltra Dispersed Diamond又はＵＤＤとも云う）、及び/又はこのナノダイヤモンドの数個（最低４個）〜数百個が凝集したＵＤＤ粉末（数平均粒径が一般に３００〜５００ｎｍで、粒径１０００ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以下の粒子の存在は稀れ）を分散した金属薄膜層、該薄膜層を有する金属材料、及びそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、超微粒ダイヤモンド粒子を、例えばメッキ膜のような金属薄膜中に含有させること自体は知られており、また超微粒ダイヤモンド粒子により金属薄膜の物理的強度を増大させようとする試み、潤滑性を向上させて耐摩耗性を改善すること、低誘電率を利用して各種電子部品に用いようとする試みも行われている。  例えば「空気清浄」第３８巻第４号（平成１２年）第２３８頁には、コンピュータ用デバイスとしてのＵＬＳＩ基板の低誘電率化を意図して粒径５ｎｍのダイヤモンド粒子を水コロイド化しこれに界面活性剤としてポリエチレングリコールを加えたものをシリコン基板上に塗布乾燥し得た薄膜はエリプソメトリーによる屈折率測定から２．７程度の誘電率のものであることが記載されており、「塑性と加工」第４１巻第４７４号（２０００−７月）第７１６頁には、固体複合潤滑材料の開発の目的でクラスタダイヤモンド紛をアルミニウムマトリックス材中に分散燒結して複合材料とした場合にはクラスタダイヤモンドの含有率が１ vol ％のときが摩擦係数が最小であるが摩擦係数は意外に改善されなかった点が今後の課題であることが記載されており、「Diamond and Related Materials Vol.9(2000)pp.1600-1603」には、Si基板上に設けた粒径６ｎｍ程度のダイヤモンド微粒子の導電性は温度に依存し２７３°Fまでの温度上昇に伴って低下しその後は温度上昇に伴って上昇して10−8Ω cm程度になることが記載されており、「J.Appl.Phys.Vol.87,No.11(2000)pp.8187-8191」には、５０ｎｍ径の超微粒子ダイヤモンド粒子を基板上に印刷により設ける技術について記載されており、「New Diamond and Frontier Technology(in Rusia) Vol.9,No.4(1999) pp.273-282」には、高爆薬の爆発により製造した超分散ダイヤモンド（ＵＤＤ）の金メッキ浴を用いて作製した金―ダイヤモンド複合膜の場合、金中のUDD濃度は１ｗｔ.％ を超える濃度になることはなく、金薄膜層の深部よりも表面の方がUDD濃度が高いという問題があるものであるが、それでも金の単一薄膜に比較して、金―UDD複合膜は一応の高硬度を示し、耐摩耗性がある程度向上したことが記載されており、「Diamond films technology Vol. 7,No.5/6 (1997)pp.273-276」には、粒径５〜１０ｎｍのダイヤモンドナノ粒子を分散させたコロイド溶液（0.01ct/リットルという希薄液）中で、ｎ型（１００）Ｓｉ基板を陽極、Ｐｔを陰極とし、電極間距離８ｍｍ、印加電圧２５〜１００Vで、０〜３０分間電気泳動を行い、ダイヤモンドナノ粒子を基板上に核生成させたところ、基板上のダイヤモンド種結晶は電気泳動時間と共に増加し、３０分で核密度が７０個／１０ｃｍ２となったことが記載されており、「Journal of Chemical vapor deposition Vol.6,No.1 (1997)pp.35-39」には、ＵＤＤ粉末を蒸留水中に超音波を用いて分散させて遠心分離してコロイド液体を得、これを平滑基板上に塗布乾燥させて作製したヒドロゾルのコロイド薄膜の場合には１５０℃に加熱しても水がとれず、ＵＤＤ粉末の長期保存のため有効な方法であることが記載されている。
【０００３】
また、特公昭６３−３３９８８号公報には、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素等の微小砥粒をカチオン系界面活性剤により親水性を帯びさせ、ニッケル、銅等の電気メッキ浴に分散させて、電解することにより陰極上の台金上に金属と砥粒を同時に析出させることにより電着砥石を製造することが記載され、特開平４−３３３５９９号公報には、潤滑性と耐摩耗性に富み、表面が平滑で、接触時、摺動時に相手部材を傷付けない機器を提供する目的で、ダイヤモンド微粒子を金属マトリックス材料中に含むダイヤモンド微粒子―金属（ニッケル、ニッケルコバルト合金、ニッケルタングステン合金、クロム、コバルト、コバルト合金、銅）共析膜をメッキ法により作成する際、メッキ浴中のダイヤモンド微粒子の分散を安定化するには、メッキ浴に超音波処理を施すこと、メッキ浴中のダイヤモンド微粒子の含有量を２０ｃｔ/リットル以下（１カラットは０．２０５ｇであるので４．１ｇ/リットル以下）の希薄縣濁液に維持すべきこと、界面活性剤を添加することが記載されている。
【０００４】
このように、従来技術においては、いくつかの問題があり、特に、ダイヤモンド微粒子を分散した電気メッキ浴を用いて、メッキ法により、ダイヤモンド微粒子―金属共析膜を作成する際、ダイヤモンド微粒子のメッキ浴中での分散性は乏しく、そのため、金属膜の性質を充分改善するに必要な量のダイヤモンド微粒子を供給するための高い濃度でメッキ浴中に安定に分散させておくことができず、したがって、生成金属膜中のダイヤモンド微粒子の含量を高くすることができず、かつ、ダイヤモンド微粒子を金属膜中に均一に分散したものを形成することができないという問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、上記従来技術に鑑み、ダイヤモンド微粒子を薄膜層中に高濃度でかつ均質に分散したダイヤモンド微粒子―金属共析膜を提供することにある。また、電気メッキ浴を用いて、メッキ法により、ダイヤモンド微粒子―金属共析膜を作成する改善された方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、本発明の（１）「層中にダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層であって、
（ｉ）該金属薄膜層は、層厚が５ｎｍ（０．００５μｍ）乃至３５０００ｎｍ（３５．０μｍ）であり、
(ii)該ダイヤモンド粒子は、前記金属薄膜層の層厚方向の各レベルに亘ってほぼ均一に分散しており、
(iii) 該金属薄膜層中の該ダイヤモンド粒子の含有率が１乃至１２％であり、
(iv）該ダイヤモンド粒子はその粒径分布が、等価円換算で、粒径が１６ｎｍ以下の粒径の粒子の数平均存在率が５０％以上であり、
(ｖ)５０ｎｍを超える粒径の粒子の数平均存在率が実質零％であり、
(vi)２ｎｍ未満の粒径の粒子の数平均存在率が実質零％であることを特徴とする金属薄膜層」、（２）「該金属薄膜層の金属材料が、Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｖ又はＷであることを特徴とする前記第（１）項に記載の金属薄膜層」、（３）「該金属薄膜層の層厚が３２ｎｍ（０．０３２μｍ）乃至３００００ｎｍ（３０．０μｍ）であることを特徴とする前記第（１）項又は第（２）項に記載の金属薄膜層」、（４）「前記ダイヤモンド粒子はその粒径分布が、等価円換算で、粒径が１６ｎｍ以下の粒径の粒子の数平均存在率が７０％以上であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（３）項のいずれか１に記載の金属薄膜層」、（５）「前記ダイヤモンド粒子は、ＳＥＭによる画像解析で長軸の短軸に対する比が２．２以下の存在率の粒子の出現率が、実質１００％であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（４）項のいずれか１に記載の金属薄膜層」、（６）「前記ダイヤモンド粒子は、ＳＥＭによる画像解析で長軸の短軸に対する比が１．４以下の粒子の出現率が、７０％以上であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（５）項のいずれか１に記載の金属薄膜層」により達成される。
【０００７】
また、上記目的は、本発明の（７）「前記第（１）項乃至第（６）項のいずれか１に記載の金属薄膜層を担体金属表面上に有することを特徴とする金属材料」、（８）「メッキ液中にダイヤモンド微粒子を懸濁したメッキ浴を用いて、電解メッキ法により、ダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層を形成する方法であって、該メッキ浴に、(i)粒径分布が、等価円換算で、粒径が１６ｎｍ以下の粒径の粒子の数平均存在率が５０％以上であり、５０ｎｍを超える粒径の粒子の数平均存在率が実質零％であり、２ｎｍ未満の粒径の粒子の数平均存在率が実質零％であるダイヤモンド粒子を金属メッキ液１リットル中に０．０１ｇ〜１２０ｇの濃度で懸濁させ、(ii) 前記ダイヤモンド粒子を該金属薄膜層の層厚方向の各レベルに亘ってほぼ均一に分散している該金属薄膜層の層厚が４０ｎｍ（０．０４μｍ）乃至６００００ｎｍ（６０．０μｍ）になるまで電解を行なう各段階を有することを特徴とするダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層を形成する方法」により達成される。
【０００８】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の該「層中にダイヤモンド粒子を分散した金属薄膜層」は、ナノメーター粒径のダイヤモンド単位が数個〜数百個、分離困難な状態で凝集し、粒度分布が狭い超微粒ダイヤモンド（ＵＤＤ）粉体、及び、このＵＤＤを含み分散安定性に優れた水性懸濁液を用い、メッキ法（電解又は無電解メッキ）により達成することができる。
そして、このような超微粒ダイヤモンド（ＵＤＤ）粉体、及び、このＵＤＤを含み分散安定性に優れた水性懸濁液としては、例えば非限定的に説明すると、我々等が先に開発、提案（特願２００１−２６２３０３号、特願２００２−１７３１６７号）した、新規なＵＤＤ粉末、このＵＤＤを含み分散安定性に優れた水性懸濁液を効果的に用いることができる。これは、充分に精製されグラファイト質炭素及び無定形炭素を実質的に含まず、活性な表面積が従来のダイヤモンドに比し１０倍程大きく、かつ、単位表面積当りの活性部位の密度が従来のダイヤモンドに比し極めて大きいため表面活性に優れ、液中での分散安定性及び金属膜中へ分散安定性に優れたものであるが、本発明で使用される超微粒ダイヤモンド（ＵＤＤ）粉体、及び、その水性懸濁液は、無論、前記特願２００１−２６２３０３号明細書記載のものに限らず、他のほぼ同様のＵＤＤ粉体、及び、ＵＤＤ水性懸濁液を用いることができる。
ところで、該明細書中には、「水９９．９５〜８４重量部中に、（ｉ）７２〜８９．５％の全炭素、０．８〜１．５％の水素、１．５〜２．５％の窒素、１０．５〜２５．０％の酸素の乾燥時元素組成比を有し、(ii)体積平均粒径が５０ｎｍ±２５ｎｍの範囲にあり、粒子径は１０ｎｍ〜１００ｎｍのものがほとんど(数平均で８０％以上、重量平均で７０％以上）であり、(iii)乾燥時、Ｃｕ、Ｋα線を線源とするＸ線回析スペクトル（ＸＤ）におけるブラッグ(Bragg)角（２θ±２°）が４３．９°に最も強いピークを有し、７３．５°、９５°に特徴的な強いピークを有し、１７°に強く偏在したハローがあり、２６．５°にピークが実質的になく、(iv)乾燥時、比表面積が１．５０×１０５ｍ２／ｋｇ以上で、実質的に全ての表面炭素原子がヘテロ原子と結合しており、０．５ｍ３／ｋｇ以上の全吸収空間を有するダイヤモンド粉を、０．０５〜１６重量部含有することを特徴とするダイヤモンド微粒子懸濁液」が開示され、
またこの縣濁液から得られる「（ｉ）７２〜８９．５％の全炭素、０．８〜１．５％の水素、１．５〜２．５％の窒素、１０．５〜２５．０％の酸素の元素組成比を有し、(ii)粒径１０００ｎｍ以上の粒子が存在せず、粒径３０ｎｍ以下の粒子が存在せず、数平均粒径（φＭｎ）が１５０〜６５０ｎｍの狭分散形であり、(iii)Ｃｕ、Ｋα線を線源とするＸ線回析スペクトル（ＸＤ）におけるブラッグ(Bragg)角（２θ±２°）が４３．９°に最も強いピークを有し、７３．５°、９５°に特徴的な強いピークを有し、１７°に強く偏在したハローがあり、２６．５°にピークが実質的になく、(iv)比表面積が１．５０×１０５ｍ２／ｋｇ以上で、実質的に全ての表面炭素原子がヘテロ原子と結合しており、０．５ｍ３／ｋｇ以上の全吸収空間を有することを特徴とするダイヤモンド粉末」が開示されている。
【０００９】
そして、該「ダイヤモンド微粒子懸濁液」及び「ダイヤモンド粉末」は、好ましくは「比密度が３．２０×１０３ｋｇ／ｍ３〜３．４０×１０３ｋｇ／ｍ３であり、  赤外線(ＩＲ)吸収スペクトルにおける吸収が、３５００ｃｍ−１付近に最も強い幅広い帯域を示し、１７３０〜１７９０ｃｍ−１の吸収が、前後に幅広く拡がって偏奇し、１１７０ｃｍ−１付近に強い幅広い帯域を示し、６１０ｃｍ−１付近に中程度の強度の幅広い帯域を示すもの」である。
【００１０】
また、金属薄膜層について、「（ｉ）７２〜８９．５％の全炭素、０．８〜１．５％の水素、１．５〜２．５％の窒素、１０．５〜２５．０％の酸素の元素組成比を有し、(ii)粒径１０００ｎｍ以上の粒子が存在せず、粒径３０ｎｍ以下の粒子が存在せず、数平均粒径（φＭｎ）が１５０〜６５０ｎｍの狭分散形であり、(iii)Ｃｕ、Ｋα線を線源とするＸ線回析スペクトル（ＸＤ）におけるブラッグ(Bragg)角（２θ±２°）が４３．９°に最も強いピークを有し、７３．５°、９５°に特徴的な強いピークを有し、１７°に強く偏在したハローがあり、２６．５°にピークが実質的になく、(iv)比表面積が１．５０×１０５ｍ２／ｋｇ以上で、実質的に全ての表面炭素原子がヘテロ原子と結合しており、０．５ｍ３／ｋｇ以上の全吸収空間を有することを特徴とするダイヤモンド粉末を、金属メッキ液１リットル中に、０．０１ｇ〜１２０ｇの濃度で懸濁してなる金属メッキ液」及び（４０）「（ｉ）７２〜８９．５％の全炭素、０．８〜１．５％の水素、１．５〜２．５％の窒素、１０．５〜２５．０％の酸素の元素組成比を有し、
(ii)平均粒径が２ｎｍ〜７０ｎｍのものがほとんど(数平均で８０％以上、重量平均で７０％以上）であり、
(iii)Ｃｕ、Ｋα線を線源とするＸ線回析スペクトル（ＸＤ）におけるブラッグ(Bragg)角（２θ±２°）が４３．９°に最も強いピークを有し、７３．５°、９５°に特徴的な強いピークを有し、１７°に強く偏在したハローがあり、２６．５°にピークが実質的になく、
(iv)比表面積が１．５０×１０５ｍ２／ｋｇ以上で、実施的に全ての表面炭素原子がヘテロ原子と結合しており、０．５ｍ３／ｋｇ以上の全吸収空間を有するＵＤＤＵ粒子を、０．１〜０．２％含有する厚さ０．１〜３５０μｍの金属膜」等が開示されている。本発明においては、このようなＵＤＤの縣濁液を有利に用いることができる。
【００１１】
前記のように、本発明では、前記分散安定性（縣濁安定性）に優れた粒径ナノメーター単位の超微粒ダイヤモンド（ここではナノダイヤモンドとも云い、このナノダイヤモンドの最低４個、一般的には数十個〜数千個、一般的には数十個〜数百個の分割困難な凝集体をUltra Dispersed Diamond又はＵＤＤとも云う）、および、このＵＤＤを含み分散安定性に優れた水性懸濁液を効果的に使用することができる。
【００１２】
従来技術における径がナノメーター単位の超微粒子ダイヤモンドは、比表面積（ｍ２／ｇ）が小さく、かつ単位表面積当りの活性部位密度が小さいため、また、粒度分布に大きな幅があって比較的大径の粒子も少量含むため、液体媒体中での分散安定性が充分でなく、また活性度が充分とは云えず、また吸着性、他材料との接触安定性、混合安定性の点からも採用することが難かしい。
【００１３】
このような衝撃法により製造したダイヤモンド質微粒子は、Bull.Soc. Chim.Fr.Vol.134(1997).pp875-890にて示されるように、通常、Ｘ線回析(例えば、管電圧３０ｋＶ、管電流１５ｍＡで慣用のＣｕ、Ｋα線による走査)した回析線におけるブラッグ角（２θ）が４４°±２°のダイヤモンドの（１１１）結晶に帰属するピークの他に、未変換のグラファイト構造の存在を示すブラッグ角（２θ）が２６．５°±２°の反射ピークが生じる。
【００１４】
［ＵＤＤ懸濁液、ＵＤＤ粉末、それらの製造］
本発明では、「精製された粒径ナノメーター単位（例えば平均粒径４．２ｎｍ）の超微粒ダイヤモンド（ここではナノダイヤモンド,Ultra Dispersed Diamond又はＵＤＤとも云う）、及びこのナノダイヤモンドの数個（最低４個）〜数百個が凝集した粒子（一般的に４ｎｍから７０ｎｍ粒径、特に限定的には４ｎｍから４０ｎｍ程度の粒径を有するもの）を含み分散安定性に優れた水性懸濁液」、及び「これから水を除去して得られたダイヤモンド粉末」を好ましく用いることができる。
すなわち例えば上記のように「（ｉ）７２〜８９．５％の全炭素、０．８〜１．５％の水素、１．５〜２．５％の窒素、１０．５〜２５．０％の酸素の元素組成比を有し、水９９．９５〜８４重量部中に、（ｉ）７２〜８９．５％の全炭素、０．８〜１．５％の水素、１．５〜２．５％の窒素、１０．５〜２５．０％の酸素の乾燥時元素組成比を有し、(ii)平均粒径が２ｎｍ〜７０ｎｍの範囲にあり(数平均で８０％以上、重量平均で７０％以上）、(iii)乾燥時、Ｃｕ、Ｋα線を線源とするＸ線回析スペクトル（ＸＤ）におけるブラッグ(Bragg)角（２θ±２°）が４３．９°に最も強いピークを有し、７３．５°、９５°に特徴的な強いピークを有し、１７°に強く偏在したハローがあり、２６．５°にピークが実質的になく、(iv)比表面積が１．５０×１０５ｍ２／ｋｇ以上で、実質的に全ての表面炭素原子がヘテロ原子と結合しており、０．５ｍ３／ｋｇ以上の全吸収空間を有するダイヤモンド粒子を、０．０５〜１６重量部含有するダイヤモンド微粒子懸濁液)」、及び「この懸濁液から得られ該ナノダイヤモンド又はＵＤＤが一般的には数個（最低４個）〜数十個〜数千個、一般的には数十個〜数百個、擬似凝集したＵＤＤ粉末（数平均粒径が一般に３００〜５００ｎｍで、粒径１０００ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以下の粒子が存在しない好ましくは１５０〜６５０ｎｍの狭分散形）」を好ましく用いることができる。
前記擬似凝集したＵＤＤ粉末は、酸性雰囲気の水媒体中で、例えば超音波分散処理することにより元のＵＤＤ粒子に分解させることができる。１〜５％の収率で製造することができる。
【００１５】
Chemical Physics Letters,222(May,1994), pp.343-346(超ディスパースダイヤモンド(Ultra-Disperse Diamond)からのタマネギ状炭素)に記載されるように、粒径３．０〜７．０ｎｍ、平均粒径４．５ｎｍのＵＤＤ自体は、従来公知である。
即ち、ダイヤモンド結晶のうち最も安定形の立方８面体のダイヤモンド粒子は、１６８３個の炭素原子からなり、このうち５３０個の炭素原子が表面原子であってこの場合の粒径は２．１４ｎｍであり、１６８３個の炭素原子からなる同じサイズの立方体ダイヤモンドは４３４個の炭素原子が表面原子であるのに対し、該文献には、粒径３．０〜７．０ｎｍ、平均粒径４．５ｎｍ、基本セル定数α＝０．３５７３ｎｍのＵＤＤを爆薬のデトネイション法で作成することが記載されている。また、Ｘ線回析データから計算されるこのＵＤＤの（１１１）反射の面間隔は０．２０６３ｎｍ（ダイヤモンド塊のＤ（１１１）反射の面間隔は０．２０５ｎｍ）であることが記載されている。
但し、密度の点だけ見ても、通常のダイヤモンド塊の基本セル定数α＝０．３５６６７ｎｍで、前記先願明細書の実施例３の記載によれば、本発明で好ましく用いられるＵＤＤは、基本セル定数α＝０．３５６５ｎｍであって、通常のダイヤモンド塊よりも低密度であるが非ダイヤモンド質炭素の除去精製がより完全であるためα＝０．３５７３ｎｍよりも高密度でありながら、活性度が高い。
【００１６】
本発明におけるナノダイヤモンド粒子及びＵＤＤ粒子の粒径は、電気泳動光散乱光度計モデルＥＬＳ−８０００を用いた動的光散乱測定の結果によるものである。この電気泳動光散乱法の測定範囲は１．４ｎｍ〜５μｍであり、この範囲にある粒子は、液中で並進、回転、屈折等のブラウン運動(Brownian motion)により、その位置、方位、形態を時云刻云生えているので、この現象を利用し、媒体中を沈降する粒子の大きさと沈降速度の関係から粒径を測定するものであり、ブラウン運動をしている粒子にレーザ光を照射すると粒子からの散乱光はそれぞれの粒径に対応したユラギが出るので、光子検出法を用いてこのユラギを観測し、結果を光子相関法（ランダム変動の解析手法の一つ；理化学k辞典）を用いて解析する。
また、本発明のナノダイヤモンド粒子及びＵＤＤ−金属の複合膜中におけるナノダイヤモンド粒子及びＵＤＤの平均粒径及び粒度分布はＳＥＭ写真像の画像解析に基くものである。
【００１７】
本発明におけるＵＤＤ、ＵＤＤ懸濁液は、粗ダイヤモンドから製造することができる。この粗ダイヤモンド(以下、ブレンドダイヤモンド又はＢＤとも云う）は、前記特願２００１−２６２３０３号に説明されているように、[Science,Vol.133,No.3467(1961), pp1821-1822]、特開平１−２３４３１１号公報、特開平２−１４１４１４号公報、[Bull.Soc. Chim.Fr.Vol.134(1997).pp875-890]、[Diamond and Related materials Vol.9(2000),pp861-865]、[Chemical Physics Letters,222(1994) pp343-346]、[Carbon,Vol.33, No.12(1995), pp1663-167]1、[Physics of the Solid State,Vol.42,No.8(2000),PP1575-1578]、[Carbon Vol.33, No.12(1995), pp1663-1671]、[K.Xu.Z.Jin,F.Wei and T.Jiang,Energetic Materials, 1,19(1993)(in Chinese)]、特開昭６３−３０３８０６号公報、特開昭５６−２６７１１号公報、英国特許第１１５４６３３号公報、特開平３−２７１１０９号公報、特表平６−５０５６９４号（ＷＯ９３／１３０１６号）公報、[炭素]，第２２巻，Ｎｏ．２，１８９〜１９１頁（１９８４）、Van Thiei. M. & Rec.,F. H.[J. Appl. Phys. 62, pp. 1761〜1767(1987)]、特表平７−５０５８３１号（ＷＯ９４／１８１２３号）又は米国特許第５８６１３４９号明細書に記載の、爆薬を用いた爆射法により製造することができる。好ましい製法の具体例については後程詳述する。
【００１８】
このような爆射法で製造された粗ダイヤモンド（Blended Diamond:ＢＤ）は、数１０−数１００ｎｍ、場合によっては数百ｎｍ径から数千ｎｍまでの、ＵＤＤ及び非グラフアイトからなる形のものであり、さらに、１．５−７ｎｍ径の極く小さいナノクラスターサイズのダイヤモンド単位（ナノダイヤモンド）が強固に凝集し、機械的に破壊することが不能又は極く困難な凝集体である。換言すれば、最低４個、普通１０数個から数百のナノダイヤモンドの強固な凝集体であり、ＢＤはＵＤＤの集合物であって、極く少量の微小（１．５ナノミクロン以下）アモルファスダイヤモンド及びグラフアイト、非グラファイト炭素超微粒子が検出される。
【００１９】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤの製造においては、爆薬の爆射による転移によって生じた縮合炭素相を、液相中で段階的に酸化処理することにより非ダイヤモンド構造の部分を分解する。酸化には好ましくは硝酸が用いられる。所望により、金属酸化物の不純物を溶出するため、予じめ塩酸で処理することもできる。先ず初めに、粗ダイヤモンド（ＢＤ）を包接する縮合炭素相を酸化分解してダイヤモンド部分を炭素相から分離採取する。
【００２０】
次に、粗ダイヤモンド（ＢＤ）の表面部分を覆う非ダイヤモンド炭素を酸化分解及び酸化エッチングして除去し、更に、ダイヤモンド表面の１部を形成している非ダイヤモンド炭素を酸化エッチングして除去する。酸化エッチングの後には非ダイヤモンド質炭素のより完全な除去のため、小規模爆発を系内で伴う中和精製を行なう。ダイヤモンド部分表面を覆う非ダイヤモンド炭素及びダイヤモンド表面の１部を形成している非ダイヤモンド炭素は、主に、ダイヤモンド合成反応としての爆薬の爆射による転移の過程で、一旦合成されたダイヤモンドが、速やかに減少した圧力及び未だ充分に高い温度の影響により、元のグラファイトに再度戻る転移反応によって生じたものと思われる。ダイヤモンドの表面部分を覆う非ダイヤモンド炭素及びナノダイヤモンドの表面層の１部を形成している非ダイヤモンド炭素の、酸化分解及び酸化エッチングによる除去は、同時に遂行することができ、又は好ましく順次遂行することができる。
【００２１】
精製された生成物（ＵＤＤ）を構成するナノダイヤモンドは、コヒーレント光電場散乱（ＣＳＦ）による平均粒径が42±2×10−１０ｍであり、ダイヤモンド格子構造を有するＵＤＤ核部の性質、及びＵＤＤ全体に分散し格子を形成せず1.5×10−１０ｍ未満の原子間隔を有する微少量の炭素原子の凝集体も、測定の結果検知されたが、１方、別法の測定結果によれば、精製された生成物の粒子内部界面にも極微少量の炭素原子の凝集体の性質が検知され、その相互原子間隔はガウス分布をとることから、粒子内部界面の炭素原子の凝集体はアモルファスであることが分かった。
【００２２】
従来のこの種のＵＤＤは、一般に、(2.5〜3.5)×10３ｍ２／ｇの比表面積、及び、(0.3〜1.0)×10−３ｍ３／ｋｇの孔部容積を有する。また、1273Ｋに加熱したときに比表面積の減少がない。また、従来のＵＤＤは、サスペンジョンの場合、粒子サイズは最大1000×10−６ｍであるが、これを乾燥した場合、凝集して粒径分布が多分散の粉体となり、不活性雰囲気中で加熱した場合、873Ｋからスフェロールライト(sphrollite)の形をとるＵＤＤ粒子が増えはじめるが、このスフェロールライト形のＵＤＤ粒子は、(100〜150)×10６Paの圧力印加で崩壊させることができる。その後は再凝集による再度の多分散粉体を生じる可能性が少なくなる。
【００２３】
これに対して、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ粒子は、合成過程における非均一な条件のため、高密度の欠陥、大きい比表面（従来のものとは桁違いの１．５０×１０５ｍ２／ｋｇ以上の大きさ）を有し、かつこの大きな表面全体が、発達した高活性度を有し、過剰なエンタルピーを有する。また、ｐ／ｐｓ＝０．９９５(ここで、ｐはＮ２ガスにより充填された孔内部の表面積を、ｐｓはＮ２ガスの単層を形成するための窒素ガス分圧を、それぞれ表す）に基く全吸収空間が０．５ｍ３／ｋｇ以上であって、この値も従来のこの種のものにおける値とは大きく異なる。これら性質は、本発明で好ましく使用されるＵＤＤの有用性を裏付けるものである。
【００２４】
さらなる特徴として、本発明で好ましく使用されるＵＤＤには、非常に過酷な条件下でなければ除去することが困難な著しい数、量の揮発性物質及び固体不純物が表面に存在する。揮発性物質はＣＯ、ＣＯ２、Ｎ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３のような酸からの残存物(化学的精製後)であり、固体不純物は非ダイヤモンド、金属の酸化物、カーバイドのような不溶性化合物、塩不純物である。結局、本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、７２〜８９．５％の全炭素、０．８〜１．５％の水素、１．５〜２．５％の窒素、１０．５〜２５．０％の酸素(従来の一般的なダイヤモンドは普通90〜99％の全炭素、０．５〜１．５％の水素、２〜３％の窒素、１０％未満の酸素)の元素組成を有する。全炭素のうち９０〜９７％がダイヤモンド結晶であり、１０〜３％が非ダイヤモンド炭素である。
【００２５】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤのためのＢＤの不純物は、理論上（ｉ）水溶性電解質(ionized)、(ii)ダイヤモンド表面に化学結合した加水分解性及びイオン性のもの(官能性表面基の塩の形のもの)、(iii)水不溶性のもの(表面のメカニカルな不純物、不溶性塩、不溶性酸化物)、(iV)ダイヤモンド結晶格子中に包含されるか又はカプセル化されたもの、に分けることができるが、前記（ｉ）及び(ii)は、ＵＤＤの精製過程で形成されたものであり、基本的な（ｉ）の水溶性電解質は水洗により除去することができるが、より効果的に除去するにはイオン交換樹脂で処理することが好ましい。
【００２６】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤのためのＢＤの表面官能性基は、イオン源としての−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＳＯ３Ｈ、−ＮＯ３、−ＮＯ２、−ＮＨ２のようなタイプの基であり、これら基は、少なくとも精製してＵＤＤとした後にも残存し得るものであり、また精製工程でも設けられ得るものである。
而して、このダイヤモンドそれ自体、イオン交換剤と考えることができるので、このＵＤＤの水性懸濁液をイオン交換剤により処理して表面基を非塩状態にすることは、後の使用を考えると効果的である。
【００２７】
上記(iii)の水不溶性の不純物は、金属、金属酸化物、金属カーバイド、金属塩（硫酸塩、シリケート、カーボネート）のような分離したミクロ粒子と、分離できない表面塩、表面金属酸化物の双方からなる。これらを除去するため、即ち可溶性の形に変換するため、本発明においては酸が用いられる。
【００２８】
本発明においては、各種方法を用いて、前記（ｉ）乃至(iii)の不純物を４０〜９５％除去することができるが、しかし、不純物を完全に除去することはできず、また、本発明において、不純物を完全に除去することは必要不可欠ではない。前記(iii)の不純物の完全除去を別にしても、化学的方法による前記(iV)の不純物の除去は実質的でない。不純物を構成する基本的元素は、珪素、カルシウム、鉄、硫黄、チタン、銅、クロム、カリウムであり、これらは常に少量が実質的に存在する。発達した活性表面を有し本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、溶液中から不純物を吸収除去する能力を有するものあり、そのような用途に使用することができる。それ故逆に、幾つかの不純物、すなわち珪素、カリウム及び鉄の一部は、ＵＤＤの精製技術で用いられる水の硬度を低下させることができる。鉄は基本的な技術的不純物（つまり、爆射法に使用し易い材料）であり、１．０乃至０．５重量％以下の濃度に除去することは難かしい。鉄のそのような不純物量は主に表面に存在する。
【００２９】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤ粒子は、かなりの数及び量の揮発性不純物（最高１０重量％）を含むが、０．０１Ｐａの真空中で熱処理によってこれらを精製することができ又は含有量を減少させることができる。この場合、適当な加熱温度は現時点では４００℃まで、最適な加熱温度は２５０℃までである。
【００３０】
ＢＤを、硝酸を基にした各種酸化系で処理し、また、有機溶剤（炭化水素、アルコール）を基にした各種非酸化系で処理して、生成ＵＤＤの組成及び特性を検討した結果を次表に纏めて示す。
【００３１】
【表１】
2004018909.tif 000001
【００３２】
有機溶剤（炭化水素ＣnＨ2n+2、及びアルコールＣnＨ2n+1ＯＨ）によるＢＤの非酸化性処理は、ＵＤＤ粒子の炭素スケルトンに影響を及ぼさず、表面官能基の変化を生じて、ＢＤの元素組成を変化させる。即ち炭化水素及びアルコールのＵＤＤへの結合、消費に伴って水素含有分及び酸素含有分が相対的に増加し、合計ヘテロ元素（水素、窒素、酸素）の数量は約２倍に増加する。
【００３３】
［ＵＤＤの製造］
本発明において好ましく用いられるＵＤＤ懸濁液は、爆薬の爆射による爆射式でダイヤモンド−非ダイヤモンド混合物（初期ＢＤ）を製造し、該ダイヤモンド−非ダイヤモンド混合物を酸化処理し、生成した懸濁液からダイヤモンドを含有する相を分離する各段階を含むダイヤモンド粒子の懸濁水性液を製造する際に、前記酸化処理の後に、それ自身揮発性の又はその分解反応生成物が揮発性の塩基性材料を加えて、硝酸との間で分解反応を生起させて中和することにより得ることができる。
【００３４】
前記酸化処理段階は、１５０℃〜２５０℃、１４気圧〜２５気圧で、少なくとも１０〜３０分間ずづ、複数回行なわれることが好ましい。また、前記酸化処理段階は、硝酸による酸化性分解処理と、該酸化性分解処理の後の硝酸による酸化性エッチング処理とからなり、前記硝酸との間で分解反応を生起させて中和する処理が、酸化性エッチング処理の後に行なわれることが好ましい。
【００３５】
さらに、前記酸化性エッチング処理は、酸化性分解処理の際の圧力及び温度よりも高い圧力及び温度で行なわれることが好ましく、さらに、前記酸化性エッチング処理は、１次酸化性エッチング処理と、２次酸化性エッチング処理とからなり、該２次酸化性エッチング処理が、前記１次酸化性エッチング処理の際の圧力及び温度よりも高い圧力及び温度で行なわれることが好ましい。また、前記塩基性材料による中和段階で中和され生成した懸濁液からダイヤモンドを含有する相を分離する段階は、水を加えて傾斜することによりダイヤモンドを含有する相を、ダイヤモンドを含有しない相と分離することが好ましい。
【００３６】
さらに、前記水で傾斜することにより得られダイヤモンドを含有する相を、ダイヤモンドを含有しない相と分離する処理の後さらに、懸濁液に硝酸を加え洗浄処理し、生成ダイヤモンド微粒子を含む下層懸濁液と上層排液とに分層処理し、生成ダイヤモンド微粒子を含む下層懸濁液を上層排液から分離する処理を行なうことが好ましい。また、前記生成ダイヤモンド微粒子を含む下層懸濁液を上層排液から分離する処理は、前記硝酸洗浄処理後の懸濁液を静置する処理であることができる。
【００３７】
さらに、前記生成ダイヤモンド微粒子を含む下層懸濁液に、さらにＰＨ調節及び濃度調節処理を施して、懸濁液が１．０〜７．９のＰＨ値、好ましくは１．５〜６．９５のＰＨ値、より好ましくは２〜６．０のＰＨ値、０．０５〜１６％のダイヤモンド微粒子濃度、好ましくは０．１〜１２％のダイヤモンド微粒子濃度、より好ましくは１％〜１０％のダイヤモンド微粒子濃度に調整することができる。
【００３８】
したがって、本発明で好ましく用いられる改良されたＵＤＤ懸濁液は、爆薬の爆射による爆射式でダイヤモンド−非ダイヤモンド混合物（初期ＢＤ）を製造し、該ダイヤモンド−非ダイヤモンド混合物を酸化性分解処理し、精製された該ダイヤモンド−非ダイヤモンド混合物を酸化性エッチング処理し、生成物を含む硝酸水溶液に、それ自身揮発性の又はその分解反応生成物が揮発性の塩基性材料を加えて、硝酸との間で分解反応を生起させて中和し、生成した懸濁液を水により傾斜し、傾斜段階を経た懸濁液に硝酸を加え洗浄して静置し、生成ダイヤモンド微粒子を含む下層懸濁液を上層排液から抜き取り、硝酸により洗浄し、洗浄された懸濁液を所望により遠心分離し、分離された懸濁液に、必要に応じてＰＨ調節及び濃度調節を施してダイヤモンド懸濁水性液を調製する各段階を含む方法により得ることが出来る。
【００３９】
また、本発明で好ましく用いられるダイヤモンド粉末は、前記ダイヤモンド微粒子懸濁液を、遠心分離してダイヤモンド微粒子を懸濁液から取り出し、４００℃以下、好ましくは２５０℃以下の温度で、好ましくは非酸化性雰囲気下で乾燥することにより得ることができる。
【００４０】
しかしながら、本発明のＵＤＤ水性懸濁液の場合には、長期間保存のための界面活性剤の添加は、必要不可欠でない。界面活性剤を添加しても分散安定性が保持されることもあるが、界面活性剤を添加すると、ＵＤＤ水性懸濁液の分散安定性を損なうこともある。特に該ＵＤＤ水性懸濁液がペーステイな濃厚懸濁液を長期間保存する場合その傾向が強い。而して、本発明のＵＤＤ―金属複合膜は、典型的には例えば、該ＵＤＤ水性懸濁液を含むメッキ浴の使用により好適に得ることができる。
【００４１】
本発明のＵＤＤ―金属複合膜は、撮影したＳＥＭ画像の画像解析による層厚が５ｎｍ（０．００５μｍ）乃至３５０００ｎｍ（３５．０μｍ）であり、好ましくは３２ｎｍ（０．０３２μｍ）乃至３００００ｎｍ（３０．０μｍ）である。５ｎｍより薄い金属薄膜は、蒸着法やスパッタ法では制御可能であるがメッキ法では制御することが難かしく、即ち、作成手段に限りがある。また、３５．０μｍを超える膜厚の金属膜も、無論、長時間メッキや電鋳により作成することができるけれども、３５．０μｍを超える膜厚の金属膜の場合には、いわゆるスケールリダクションのための小型軽量、かつ膜の物理的強度、耐摩耗性向上が厳しく要求されるケースは比較的少なくなってくる。
【００４２】
本発明のＵＤＤ―金属複合膜における「ダイヤモンド粒子が金属薄膜層の層厚方向の各レベルに亘ってほぼ均一に分散している」とは、後の詳細かつ具体的説明から明らかなように、ダイヤモンド粒子が平面方向に均一分散しているだけでなく、金属薄膜層中の基板側でも表面側でも同様に均一の濃度で分散していることを意味する。
【００４３】
本発明のＵＤＤ―金属複合膜におけるＵＤＤ粒子の含有率は、０．８％以上１２％以下であることが好ましく、より好ましくは１％乃至８％の範囲である。０．８％未満の場合にはＵＤＤ粒子を含有させた効果が一般的に乏しく、１２％を超えると金属薄膜層中に均一に分散含有させるための制御が難かしくなる。
【００４４】
使用するＵＤＤ粒子は好ましくは、等価円換算で、粒径が１６ｎｍ以下の粒径の粒子の数平均存在率が５０％以上と小粒径である上に、５０ｎｍを超える粒径の粒子、及び２ｎｍ未満の粒径の粒子が実質存在しない程に粒径分布が狭分散のものである。かつ、粒子の投影像における長軸と短軸の比が２．２以下のものが好ましく、１．４以下のほぼ粒径に近いものがより好ましい。
【００４５】
本発明のＵＤＤ―金属複合膜を構成する金属としては、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｖ又はＷが挙げられ、このうち特にＡｕ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、ＶはＵＤＤをメッキ法により簡単に含ませることができ、かつＵＤＤを含ませることにより物理的強度が著しく改善されるので実用的である。
【００４６】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、ダイヤモンド特有の高硬度、低導電性であるにも拘らず低誘電性、低感磁性等の優れた電気的磁気的特性、高潤滑性、高い熱伝導度及び優れた耐熱性、粒度分布幅が小さい超微粉末特有の優れた分散特性を有し、また、優れた表面活性、イオン特にカチオン交換性、金属材料及びセラミックとの高い親和性等を示す他、ダイヤモンド結晶のうち双方形結晶を除く特有の粒形、つまり、粒子の形が長方形又は板状の偏平形でなく、例えば立方体のように纏まった体積の形をしていることが多く、かつ、ＢＤからの酸化性分解処理や酸化性エッチング処理により多孔質の活性表面が丸みを有していることが多い。
【００４７】
このＵＤＤは、無色透明であって、他材料に混合しても均一に充分分散しているので外観上ほとんどその存在を目視できず、また、固形組成物中に分散されていてもほとんど触知することができない。そのため、自動車部品金型、宇宙産業用機器材及び航空機用機器材、化学プラント、コンピュータ用又は電子機器要素及び部品又はＯＡ機器用又はカメラ等の光学機器用要素及び部品及び磁気テープ又はＣＤ等記録媒体等の摺動性、潤滑性、耐摩耗性、耐熱性、耐熱膨張性、耐剥離性、耐水耐薬品及び耐ガス腐食性の改善、外観及び触感の改善、色調の改善、比重密度の改善のため用いることができるが、このＵＤＤは、基本的な利点として、懸濁液、特に水性懸濁液とした場合に優れた分散安定性を示す。
【００４８】
本発明の金属薄膜は、後ほど具体的かつ詳細な説明から明らかなように、高い機械的強度を示すが、これは、超微粒かつ粒径分布範囲が狭いＵＤＤを高密度で含有するためであり、即ち、含有されるＵＤＤが高い活性を有するものであるので薄膜層中に高濃度で導入可能であるためであり、かつ、粒径が極小さく粒径分布範囲が狭いためであると思われる。
【００４９】
即ち、金属―ダイヤ複合メッキ膜には、耐摩耗性、マイクロ硬度、耐食性、低い多孔性、摩擦係数の低下、付着及び凝集、電解液の高い散乱性等の特性があるといわれており、UDDと金属との共折膜は、機械製作、造船、飛行機製作、工具製造、電子工学、電気技術、無線技術、医学、宝石産業で、使用が検討され、一部実用化されている。換言すれば、電気メッキでのUDDの利用は以下のような特徴ある優位性がある。
１．品質の向上、及び製品の競争力。
（Ｉ）優れた耐摩耗性及び高いマイクロ硬度（次表参照）
2004018909.tif 000002
(２）吸着性の向上及び摩擦係数の低下
(３）低い多孔性(UDDとＺnとのメッキの場合、多孔性は6-8倍低下する。Snとの場合は、7倍、Auとは6倍、Agとは8倍、Cuとは気孔のないメッキが得られる)。
(４）陽極酸化アルミ膜の高い絶縁性(この膜の重量増加は2.0-3.5倍)
(５）耐食性(UDDとCuとのメッキ、重量の減少は通常のテストでは、見られない、Znとの耐食性は2-4倍となる)。
(６）電解液の散乱性の増加(UDDとCuとのメッキで3倍、Znとのメッキで1.5-2.0倍)
(７）弾性の向上(UDDとCuとのメッキで、弾性が2-4倍)
(II）製品の寿命が2-10倍となる。
(III) 材料、エネルギー、労力が節約(メッキの厚さが2-3倍となる)。
(IV) メッキラインの生産性が20-50％向上する。メッキ厚さの減少と膜形成速度の増加による。
(V) メッキ工程の環境特性が向上する。
(1) 化学ニッケルメッキの電解液にUDDを添加することにより、ニッケルメッキの寿命が4-9倍となる。
(2) 金属板でのUDD含有量は、全ての金属に対して0.1〜1.5重量％であり陽極酸化膜では0.5〜40重量％である。
金属層の厚さ1・10-6mにおいてUDDの比消費は、1カラット(2X10-4kg)／1ｍ２当りである。
(VI) 開発されたメッキは、以下の誘電特性を有する。
(1)−4000MHzで、誘電損失角tanδは膜厚に依存し、2.58-2.71に等しい。
(2)−5000MHzでは通過係数は、15.0、反射係数は12.4膜厚に依存する。
(3)−11000MHzでは、通過係数は、14.3であり、反射係数は12.4であり、膜厚に依存する。
(4) メッキは、物理機械特性及び仕事能力は、荷重2・106kg・m-2で保存される。
【００５０】
微粒子集合体の変形に関し、一般に、固体材料例えば薄膜を構成する多数の微粒子からなる固体材料例えば薄膜や、微粒子を多層状態で充填含有する固体材料例えば薄膜において、これを変形するための応力を考えると、いま、微粒子含有多層構造内部にズレを生じる面に関して上下の微粒子群の２層に分け、上の微粒子群の層を下の微粒子群の層に対してｘだけずらすための応力τは、簡単化して各層を構成する微粒子間の間隔ｂの周期的関数としておくことができ、次式、即ち、τ＝ｋｓｉｎ（２πｘ／ｂ）の式で表わすことができる。
この「微粒子間隔ｂ」は、或る特定粒子とこの粒子に隣接する他の粒子との間の距離であり、該「或る粒子」の中心と該「隣接粒子」の中心との間の距離であるが、両粒子が同じ粒径ものであれば、即ち「粒径」と換言することができることは勿論である（後程の垂直方向についての「微粒子面間距離ａ」についても同様である）。
ここで、ｘが小さい場合にはフックの法則が成り立つので、剛性率をμ、微粒子面間距離をａとおけば、τ＝μ（ｘ／ａ）の関係が成り立つ。また、前記のτ＝ｋｓｉｎ（２πｘ／ｂ）の式において、ズレｘが微粒子間隔ｂより充分小さい場合（ズレｘが極小の場合）には、該式は、τ〜ｋ（２πｘ／ｂ）となる（昭和５８年１月２０日（株）培風館管発行、井形直道著「材料強度学」、第３８頁参考）。
つまり、一般に、ズレに要する応力は、含有される微粒子の微粒子面間距離ａ、微粒子間隔ｂに反比例する。換言すれば、微粒子を多く充填含有する固体材料例えば薄膜においては、少なくとも機械的ズレに要する応力は、含有される微粒子の粒径に反比例して、大きくなるということになる。
【００５１】
また、微粒子の多数充填物の該微粒子を内部転移するために要する応力については、別に、Hall‐Petchの関係式（前記「材料強度学」、第１０８頁参考）もある。
該Hall‐Petchの関係式は、内部転移に要する応力σｙと微粒子間の初期摩擦力σ０と微粒子の粒径ｄとの関係について、次式即ちσｙ＝σ０＋ｋｙｄ−１／２で表わされるとして、内部転移に要する応力σｙは、微粒子の粒径ｄの平方根に依存することを示している。ここで、ｋｙは温度により異なる定数である。
関係式によれば、内部転移に要する応力σｙは、粒子相互間の初期摩擦力σ０の大きさにもより、定数ｋｙにもよるが、いずれにしても、微粒子の粒径ｄが小さくなれば、内部転移に要する応力σｙがより必要になることを示している点は否めない。
そして、本発明の金属薄膜は、超微粒かつ粒径分布範囲が狭いＵＤＤを高密度で含有するため、高い機械的強度を示すという事実は、微粒子集合体の変形に関するこれら従来説によく符合している。
【００５２】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤ微粒子懸濁液は、乾燥微粉末としたときのＵＤＤ炭素含有率が９８．２２％、酸化精製処理における酸化可能な残存炭素が０．９３％、不燃焼性残渣が０．８５％のＵＤＤを水性相中に１５．５％濃度で含有する１１００ｇ（ＵＤＤ含有量１７０ｇ）水性ＵＤＤ懸濁液商品としたときに２４ケ月の寿命を保証され、乾燥微粉末としたときのＵＤＤ炭素含有率が９８．４０％、酸化精製処理における酸化可能な残存炭素が０．８５％、不燃焼性残渣が０．７５％のＵＤＤを水性相中に１２．５％濃度で含有する２０１０ｇ（ＵＤＤ含有量２５１ｇ）の他の水性ＵＤＤ懸濁液も、商品としたときに２４ケ月の寿命を保証される。
また、乾燥微粉末としたときのＵＤＤ炭素含有率が９８．８７％、酸化精製処理における酸化可能な残存炭素が０．７３％、不燃焼性残渣が０．４％のＵＤＤを水性相中に１１．０％濃度で含有する５５２ｇ（ＵＤＤ含有量５６ｇ）の他の水性ＵＤＤ懸濁液も、商品としたときに２４ケ月の寿命を保証される。
さらに、乾燥微粉末としたときのＵＤＤ炭素含有率が９８．８％、酸化精製処理における酸化可能な残存炭素が０．８％、不燃焼性残渣が０．４％のＵＤＤを水性相中に１１．５％濃度で含有する１０４４ｇ（ＵＤＤ含有量１２０ｇ）の他の水性ＵＤＤ懸濁液も、商品としたときに２４ケ月の寿命を保証されるものである。
【００５３】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、水性懸濁液であるときに、最高１６％の濃度で、室温（１５℃〜２５℃）で約６ケ月間保存しても、ＵＤＤの凝集、沈殿を生じない。一般的に、水性組成物の品質低下程度は、保管温度が約１０℃上昇する毎に倍増する。例えば、現在のメッキ処理は殆ど、加熱された高温操作下で行われるので、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ水性懸濁液のこのような高温耐久性は、非常に有利となる。しかしながら通常は５℃〜７０℃で保存するのが有利である。
【００５４】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、その表面の各種カルボニル基の存在のためと思われるが、上記のような優れた分散安定性及び高い活性度を有し、Ｎ型半導体と類似の挙動を示し、水性懸濁液としたときに、弱酸性を示し、若干の導電性を有し、通常６０℃或いは７０℃の条件下での使用に耐えるが、そのような温度を超える条件下での使用は、避けることが好ましい。本発明で好ましく使用されるＵＤＤ水性懸濁液は、ｐＨ４〜１０、好ましくは６〜７．５に調製される。懸濁液のｐＨが１０を超えると不安定になり易い。
【００５５】
特公昭６３−３３９８８号公報、特開平４−３３３５９９号公報、特開平８−２０８３０号公報、材料試験技術、第４０巻、第４号第９５頁、及び、色材、第７１巻第９号、第５４１頁〜５４７頁に記載されるように、ダイヤモンド微粒子のような粉体を懸濁するメッキ用電解液には、懸濁微粒子の分散安定化を図るため、通常、界面活性剤の添加が必須である。
【００５６】
しかしながら、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ水性懸濁液の場合には、界面活性剤の添加は、必要不可欠でない。界面活性剤を添加しても分散安定性が保持されることもあるが、多くの場合、界面活性剤を添加すると、ＵＤＤ水性懸濁液の分散安定性を損なう。したがって、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ水性懸濁液は、例えば、典型的には電解メッキに好適に使用することができる。
【００５７】
［ＵＤＤ―金属の複合膜、その形成法］
前記のように、本発明のＵＤＤ―金属複合膜は、例えばメッキ法により前記ＵＤＤ懸濁液を添加したメッキ浴を用いて作成することができる。
本発明で好ましく使用されるＵＤＤ水性懸濁液をメッキに使用する場合、対象金属としては、周期律表Ｉａ族の金属、IIIａ族の金属、Ｖｂ族の金属、ＶＩａ族の金属、ＶＩｂ族の金属、VIII族の金属を挙げることができ、Ｉａ族の金属としてはＣｕ、Ａｕを、IIIａ族の金属としてはＩｎを、Ｖｂ族の金属としてはＶを、ＶＩａ族の金属としてはＳｎを、ＶＩｂ族の金属としてはＣｒ、Ｍｏ、Ｗを、VIII族の金属としてはＮｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｌｕを好ましく用いることができ、又はこれらの合金を好ましく用いることができる。これらは通常、水溶性金属塩又は錯塩の形で用いられる。酸根は例えば塩酸、硫酸、硼酸、スズ酸、硼フッ化酸、クロム酸、シアン酸のような無機酸由来のものであっても或いはスルファミン酸、酢酸、ベンゼンジスルホン酸、クレゾールスルホン酸、ナフトールジスルホン酸のような有機酸由来のものであってもよい。
【００５８】
本発明におけるメッキには、電解メッキ、無電解メッキ、及び電鋳が含まれ、メッキ浴（メッキ液）には、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ水性懸濁液を、メッキ液１リットル中のＵＤＤの濃度が０．０１ｇ〜１２０ｇ、好ましくは０．０５ｇ〜３２ｇ、より好ましくは、１．０ｇ〜１６ｇになるように加えることができる。このようなＵＤＤ濃度は、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ懸濁液の上記濃度からみて、非常に簡単に調整可能であることが明らかである。本発明のメッキ液はＵＤＤの凝集がないので、従来に比し高濃度でＵＤＤを含有していても、メッキ処理中に電極近傍に発生するガス泡によってもＵＤＤの沈殿が回避され、また、メッキ処理中に通常施される撹拌によっても沈殿がより確実に回避される。メッキによる膜厚は、メッキ条件、メッキ膜の使用目的及び被メッキ支持体にもよるが、通常０．１〜３５０μｍの範囲、好ましくは０．２〜１００μｍの範囲であり、例えば電解メッキではＡｕメッキの場合０．１〜０．５μｍ、Ｒｈメッキの場合０．１〜１０μｍ、Ｎｉメッキの場合３〜３０μｍ、Ｃｒメッキの場合５〜１００μｍであり、膜厚が厚い電鋳ではＮｉ電鋳の場合最大３５０μｍである。
図１に示されるように、しかしながら、Ａｌメッキの場合は、アノード（陽極）酸化によりＡｌ２Ｏ３が形成され、このＡｌ２Ｏ３膜は多孔性であるので、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ粒子は孔中に不可逆的に入り込み、Ａｌ２Ｏ３膜の特性を改善する。
【００５９】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤ水性懸濁液は、上記のように、攪拌なしの長期間保存下で最高１６％の濃度で安定して使用することができる。メッキに用いる場合、懸濁液中のＵＤＤ濃度が高いと、メッキ膜中により多くの量を含有させることができ、例えば、１リットル中ＵＤＤを１ｇ含有するＮｉメッキ液によればメッキ膜中のＵＤＤ含有量を０．２％／メッキ膜重量含有させることができ、１リットル中ＵＤＤを１０ｇ含有するＮｉメッキ液によればメッキ膜中のＵＤＤ含有量を０．７％／メッキ膜重量含有させることができ、懸濁液中のＵＤＤ含有率（ｇ／メッキ液１リットル）の常用対数にほぼ比例してメッキ膜中のＵＤＤ含有率（１０−２ｇ／メッキ膜ｇ）を増加させることができる。Ｎｉメッキの場合、１リットル中ＵＤＤを通常含有率１％／メッキ膜重量、最高含有率１２％／メッキ膜重量（攪拌下）に近い量を含有させることができる。同様に、Ａｇメッキの場合は通常含有率０．１〜０．２％／メッキ膜重量、最高含有率５％／メッキ膜重量（攪拌下）、Ｃｒメッキの場合は最高７.０％／メッキ膜重量（攪拌下）含有させることができる。
【００６０】
しかしながら、極めて高濃度のＵＤＤ懸濁液は、ＵＤＤの沈殿、または凝集を生じ易く、安定性に欠け、また、低濃度のＵＤＤ懸濁液は、メッキ膜中のＵＤＤ含有率を低下し勝ちであるので、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ懸濁液の濃度は、０．０５〜１６％のＵＤＤである必要があり、好ましくは０．１〜１２％の濃度、より好ましくは１〜１０％の濃度である。０．０５％未満の濃度ではメッキ金属膜の特性を改善するに充分な割合のＵＤＤを金属膜中に含有させることが困難であり、１６％を超える濃度では懸濁液の安定性に支障を生じることが多い。
【００６１】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、表面に多量に存在するマイナス荷電性官能基のため、表面活性、親和性に優れ、また、粒径分布に大径粒子を含まず、狭い粒度分布を有するため、従来のダイヤモンド超微粒子と異なり沈殿を生じ難く、水性懸濁液中で、安定に懸濁している。先に記述したように、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ懸濁液が水性のものである場合には界面活性剤の添加は必要不可欠ではなく、逆に、懸濁安定性を損なうことがある。これは、次のような機構に基くものと推測される。
【００６２】
即ち、従来のダイヤモンド超微粒子の場合はカチオン性界面活性剤が添加されていたが、本発明の懸濁液にカチオン性界面活性剤を添加すると、図２（Ａ）に模式的に示されるように、界面活性剤は、カチオン部位がＵＤＤ表面のマイナス荷電性の官能基に吸引され、界面活性剤の疎水性長鎖炭化水素基末端が外側を向いて配向されるため、親水和性がなくなる。
【００６３】
一方、図２（Ｂ）に模式的に示されるように、本発明のマイナス荷電性ＵＤＤ粒子は、メッキ液中でカチオン性の金属原子と引き合い一体化して、壊れ易くかつ再構築され易い擬似ネット構造を形成し、この擬似ネット構造体（擬似クラスター構造）は、印加電圧の影響を受けてメッキ液中でカソード（陰極）に向け泳動し、陰極近傍でクラスターが破壊されてそのまま混合金属メッキとして共析する。
【００６４】
したがって、図３（Ａ）に模式的に示されるように、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ含有金属膜は、ＵＤＤ粒子を膜中均一に、かつ高密度に分散している。これに対して従来のＵＤＤ含有金属膜は、図３（Ｂ）に模式的に示されるように、金属膜厚さ方向について、被メッキ基質側のＵＤＤ含有率は低く金属膜表面側のＵＤＤ含有率が高く、かつＵＤＤ粒子が全て金属膜中に埋没されず膜表面から露出していることもある。これは、従来の界面活性剤を必須成分として添加したＵＤＤ含有メッキ液中に存在する金属原子イオンとＵＤＤとの荷電状態及び粒径の相違に基く輸率差のためである。本発明をこのような理論により拘束するつもりはないが、界面活性剤添加した本発明で好ましく使用されるＵＤＤ粉末を炭化水素系有機溶剤の樹脂液中で使用する際の充分な混和性は、これを支持するものであると考えられる。
【００６５】
ところで、本発明のＵＤＤ―金属複合膜を、前記ＵＤＤ懸濁液を添加したメッキ浴を用いてメッキ法により作成する場合も、通常の合金メッキ（共析メッキ）と同様に、(i)陰極界面における電荷通過移行反応の遅れがないこと、(ii)陰極近傍におけるそれぞれ析出材料の濃度差変動が少ないこと（浴中の濃度勾配が激しくないこと、即ちそれぞれの拡散速度に差がないこと）、(iii)輸率を支配する陰陽両イオンの局所濃度変動がないこと、(iv)陰極における金属析出を妨げ、(v)過剰析出をもたらし、(vi)或いは析出状態を乱す（メッキ地肌を荒らす）抵抗皮膜の形成がないこと、が好ましい。
【００６６】
そこで、本発明の場合も、ＵＤＤ含有率の高い金属複合膜を得んとするときには、適切な界面活性剤を少量添加することが好ましい。通常メッキに用いられる界面活性剤は、その化学的構造、性質、に鑑みて、前記(i)〜(vi)のような阻害原因を抑制し、又は少なくとも前記(i)〜(vi)のような阻害原因になるものと
断じ得ないのは明らかである。そのための界面活性剤は、金属イオンの周囲を取り囲む４個のＨ２Ｏ分子をＵＤＤ粒子（これは上記のように金属イオンと対をなす負電荷を有する）に置換する働きをし、また、例えば自己双極子による分子内分極によって金属イオンとＵＤＤ粒子との間を電気的にブリッジし、又は（共析を難かしくする）それぞれの間の析出電位の乖離を防止するクラスタ内電荷平均化の働き等をするものと推量される。
【００６７】
また、前記(i)陰極界面における電荷通過移行反応の遅れがないこと、(ii)陰極近傍におけるそれぞれ析出材料の濃度差変動が少ないこと（浴中の濃度勾配が激しくないこと、即ちそれぞれの拡散速度に差がないこと）、(iii)輸率を支配する陰陽両イオンの局所濃度変動がないこと、(iv)陰極における金属析出を妨げ、(v)過剰析出をもたらし、(vi)或いは析出状態を乱す（メッキ地肌を荒らす）抵抗皮膜の形成がないことのためには、浴の攪拌が行なわれることが好ましく、そのための手段として、前記の超音波攪拌を好ましく用いることができる。
【００６８】
ここで、カチオン性活性剤はアルカリ性浴で、アニオン性活性剤は酸性浴で、ノニオン活性剤は弱酸性浴又は中性浴で、それぞれ使用されるが、本発明においてはアニオン性活性剤、ノニオン活性剤が特に好ましく用いられる。
【００６９】
【発明の実施の形態】
［ＵＤＤの製造］
以下、本発明を図面に基いて具体的に説明する。
図４は、本発明による改良されたＵＤＤ懸濁液の製造方法の１例を説明する模式図である。この例のＵＤＤ懸濁液の製造方法においては、（Ａ）爆薬の爆射による爆射式で初期ＢＤを製造する段階、（Ｂ）生成した初期ＢＤを回収して酸化性分解により炭素等の夾雑物を分解するＢＤの酸化性分解処理段階、（Ｃ）酸化性分解処理により精製されたＢＤを酸化性エッチング処理して主にＢＤ表面を被覆する硬質炭素を除去する１次酸化性エッチング処理段階、（Ｄ）１次酸化性エッチング処理されたＢＤをさらに酸化性エッチング処理して主にＢＤ凝集体を構成する個々のＵＤＤ間のイオン透過性ギャップ及びＵＤＤ表面の結晶欠陥部に存在する硬質炭素を除去する２次酸化性エッチング処理段階、（Ｅ）２次酸化性エッチング処理されたＢＤを含む硝酸水溶液に、それ自身揮発性の又はその分解反応生成物が揮発性の塩基性材料を加えて、硝酸との間で２次凝集体であるＢＤ凝集体を１次凝集体である個々のＵＤＤに解体する小爆発を伴なう分解反応を生起させる激しい中和反応段階、（Ｆ）中和反応段階を経て生成されたＵＤＤの反応懸濁液を水により充分にデカンテーションする傾斜段階、（Ｇ）傾斜段階を経たＵＤＤ懸濁液に硝酸を加え洗浄して静置し、得られたＵＤＤを含む下層懸濁液を上層排液から抜き取る、ＵＤＤ反応懸濁液の硝酸による洗浄段階、（Ｈ）洗浄されたＵＤＤ懸濁液を遠心分離する遠心分離段階、（Ｊ）遠心分離されたＵＤＤから所望ＰＨ、所望濃度の精製済みＵＤＤ懸濁水性液を調製するＵＤＤ懸濁水性液調製段階、及び（Ｋ）遠心分離されたＵＤＤから、２５０℃以下、好ましくは１３０℃以下の温度で乾燥して、ＵＤＤ微粉末を作成するＵＤＤ微粉末作成段階、を包含する。（Ｊ）の調整段階を経た本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、通常、ｐＨ４〜１０、好ましくは６〜７．５を有する。
【００７０】
本発明のこの例による（Ａ）の爆射式初期ＢＤ製造段階においては、水と多量の氷（１）を満たした純チタン製の耐圧容器（２）に、電気雷管（６）を装着した爆薬（５）（この例ではＴＮＴ(トリニトロトルエン)／ＨＭＸ(シクロテトラメチレンテトラニトラミン）＝５０／５０を使用）を胴内に収納せる片面プラグ付き鋼鉄製パイプ（４）を水平に沈め、この鋼鉄製パイプ（４）に鋼鉄製のヘルメット（３）を被覆して、爆薬（５）を爆裂させ、反応生成物としての初期ＢＤを容器（２）中の水及び氷中から回収する。
【００７１】
しかしながら、ＢＤの合成過程における温度条件は重要であり、冷却された条件下で合成されたＢＤは、活性因又は吸着中心としての酸素含有官能基が結合すべき構造欠陥の密度が少なくなる傾向があるので、氷の使用量は避けるか又は制限されたものであることができる。
【００７２】
回収された生成ＢＤ（初期ＢＤ）は、（Ｂ）のＢＤの酸化性分解処理段階において、オートクレーブ（７）中で５５〜５６重量％の濃ＨＮＯ３に分散され、１４気圧１５０〜１８０℃の温度で１０〜３０分間、酸化性分解処理に付されることにより、炭素系夾雑物、無機夾雑物等を分解する。（Ｂ）の酸化性分解処理段階を経たＢＤは、次に、（Ｃ）の１次酸化性エッチング処理を施す。この（Ｃ）の１次酸化性エッチング処理段階では、主にＢＤ表面を被覆する硬質炭素を除去するため、処理条件は、１８気圧、２００〜２４０℃と厳しくなる。
【００７３】
つぎに、（Ｄ）の２次酸化性エッチング処理を施す。２次酸化性エッチング処理段階は、主にＢＤ凝集体を構成する個々のＵＤＤ間のイオン透過性界面ギャップ及びＵＤＤ表面の結晶欠陥部に除去し難い状態で存在する極く少量の硬質炭素を除去するためのものであるので、処理条件は、２５気圧、２３０〜２５０℃とさらに厳しくなる。本発明において、このような１４気圧１５０〜１８０℃、１８気圧２００〜２４０℃、２５気圧２３０〜２５０℃は必ずしも順守すべき基準条件ではないが、少なくとも処理条件に傾斜を設けることが好ましい。（Ｄ）の２次酸化性エッチング処理を経た被処理液は、ＰＨが通常２〜６．９５の酸性液である。
【００７４】
本発明における（Ｅ）の中和反応段階は、従来法にない本発明独自の操作の１つである。この中和反応の際、揮発性の分解生成物を生じる塩基性物質の添加により、被処理液は、ＰＨが２〜６．９５から７．０５〜１２に上昇する。この説明により本発明を制限するつもりはないが、本発明における（Ｅ）の中和反応段階では、２次酸化性エッチング処理されたＢＤを含む硝酸水溶液に、それ自身揮発性の又はその分解反応生成物が揮発性の塩基性材料を加えて中和反応させる。この中和反応は、ＢＤを含む硝酸水性懸濁液中のＢＤ内に残存する硝酸まで、アニオンより一般的にイオン半径が小さいカチオンが浸透して攻撃することにより、各反応部位で反応相手との間で小爆発を伴なう激しい中和反応、分解反応、不純物脱離溶解反応、ガス生成反応、表面官能基生成反応を生起し、ガスが発生し系の昇圧昇温も生じ得るものと考えられ、その結果、ＢＤ凝集体を個々のＵＤＤに解体する。また、主に（Ｅ）の小爆発を伴う中和反応段階で、本発明で好ましく使用されるＵＤＤにおける大きな比表面積及び孔部吸着空間が形成されるものと思われる。
【００７５】
このような塩基性材料としては、ヒドラジン、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エタノールアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ジプロピルアミン、アリルアミン、アニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジイソプロピルアミン、ジエチレントリアミンやテトラエチレンペンタミンのようなポリアルキレンポリアミン、２−エチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ピペリジン、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−メチルホルムアミド、尿素等を挙げることができる。例えば、塩基性材料がアンモニアである場合、酸と
2004018909.tif 000003
のような各種ガス発生反応が生じ、発生したＮ２、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、Ｈ２、ＳＯ２ガスを系外に放出できるので、残存物による系に対する影響はほとんどなくなる。
【００７６】
（Ｆ）の傾斜段階では、中和反応段階を経て生成されたＵＤＤの反応懸濁液に水を加えて充分にデカンテーションすることが必要回数（例えば３回以上）繰り返される。（Ｇ）の洗浄段階では、傾斜段階を経たＵＤＤ懸濁液に硝酸を加え撹拌（この例の場合はメカニカルマグネチックスターラーを使用）、洗浄して静置して上層排液と下層懸濁液に分け、得られたＵＤＤを含む下層懸濁液を上層排液から抜き取る。この場合（ＵＤＤ含有液１ｋｇに対して水５０ｋｇ加えた場合）、上層排液と下層懸濁液とは明瞭に層分離してないが、ＵＤＤを含む下層懸濁液の容量は、上層排液の容量のほぼ１／４程度である。上層排液中にはダイヤモンド形の１．２〜２．０ｎｍ径程度の超々微粒子が存在し得るが、この超々微粒子は液層中の不純部を巻き込んで凝集して機械的圧力では分解不能な不良ＵＤＤを生成し勝ちな可能性があるので、本発明においては回収操作が不可欠ではない。
【００７７】
槽の底部から回収されたＵＤＤ懸濁液は、つぎに、（Ｈ）の遠心分離段階で２００００ＲＰＭの超高速遠心分離機により遠心脱水分離され、所望により（Ｊ）のＵＤＤ懸濁水性液調製段階でＵＤＤ懸濁水性液を調製し、または、（Ｋ）のＵＤＤ微粉末作成段階で乾燥によりＵＤＤ微粉末を作成する。このようにして得られた本発明で好ましく使用されるＵＤＤ懸濁液は２ｎｍ〜７０ｎｍの粒径を有するＵＤＤ粒子を縣濁するものであり、懸濁液から微粉体としたときには、粒径分布範囲が極めて狭く、測定の結果、１０００ｎｍ以上の粒子が存在せず(従来の粉末は、通常、１０００ｎｍ以上の粒子が１５％以上混在)、かつ、３０ｎｍ以下の擬凝集超微粒子が存在せず、体積平均粒径が１５０〜６５０ｎｍ、典型的には３００〜５００ｎｍの狭分散形であって、水性分散液の形にして、例えば超音波分散することにより比較的簡単に擬似凝集体を分割して、元のＵＤＤ懸濁液に戻すことができる。
【００７８】
このような本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、３．２０×１０３ｋｇ／ｍ３〜３．４０×１０３ｋｇ／ｍ３の比密度を有する。アモルフアス炭素の比密度は（１．８〜２．１）×１０３ｋｇ／ｍ３、グラファイト炭素の比密度は２．２６×１０３ｋｇ／ｍ３、天然ダイヤモンドの比密度は３．５１×１０３ｋｇ／ｍ３であり、静的な圧力印加法(非爆射法)による人工ダイヤモンドの比密度は３．４７〜３．５０であるから、本発明におけるＵＤＤは、天然ダイヤモンドや静的圧力法によるダイヤモンドよりも比密度が小さいということができる。
【００７９】
一方、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ懸濁液は、前記のように、ｐＨ４〜１０、好ましくはｐＨ６〜７．５に調製される。液中に懸濁しているＵＤＤ粒子の平均粒径は、２ｎｍから７０ｎｍのものがほとんど(数平均で８０％以上、重量平均で７０％以上）であって、狭分散形である。懸濁液中のＵＤＤ濃度は０．０５〜１６％、好ましくは０．１〜１２％、より好ましくは１〜１０％である。０．０５％未満の濃度であると、この懸濁液を含むメッキ液を用い作成した金属膜中のＵＤＤ含有率を充分高くできず、この懸濁液を含む塗工用樹脂組成物を用い作成した樹脂膜中のＵＤＤ含有率を充分高くできない。また、１６％を超える濃度であると、この懸濁液の保存安定性に支障をきたすことが多い。
【００８０】
図４では便宜上、例えば（Ｂ）段階、（Ｃ）段階、（Ｄ）段階を別の場所で別の容器で実行するかのように示されているが、これら各段階は、同一場所、同一容器で実行しても、無論さしつかえない。（Ｆ）段階、(Ｇ)段階の場合も同様である。容器は耐圧容器である。
【００８１】
図５に概念的に示されるように、本発明におけるこのような操作により、粒径（１０〜１０００）×１０−８ｍオーダーの初期ＢＤから、平均粒径（４．２±２）ｎｍオーダーのナノダイヤモンド個体が最低限４個、通常数１０個〜数１００個、凝集し、粒径２〜７０ｎｍのものがほとんどで粒度分布の巾が小さく、平均粒径が約１６ｎｍ以下の小粒子が大部分（数平均で６０％以上）を占める精製済みＵＤＤ縣濁液を得ることができ、このＵＤＤは、ヘテロ原子のうち、窒素以外のヘテロ原子（水素、酸素）の含有率が高く、比表面積が高く、孔面積が大きく孔部分が多いためもあって、表面活性が極めて高く、分散安定性に非常に優れている。精製済みＵＤＤの収率（対爆薬使用量）は１％以上５％程度である。
【００８２】
【実施例】
［ＵＤＤ、ＵＤＤ懸濁液、それらの製造］
以下の実施例は、本発明の理解を助けるための具体例の説明であって、本発明を制限するためのものではない。
［製造例１］
上記図４に示される製造方法により得られた、本発明で好ましく使用されるＵＤＤについて、酸化性分解処理及び酸化性エッチング処理の程度に依存する、使用サンプルの元素分析の結果は炭素１００原子当り慣用の元素組成としてつぎの表に示される。
【００８３】
【表２】
2004018909.tif 000004
【００８４】
表中、酸化の程度αは、前記意味と同じ意味を有する。
【００８５】
本発明におけるこの製造例の結果は重要かつ興味ある技術的知見を開示している。つまり、ＢＤの酸化性分解生成物は、炭素元素含有量とヘテロ原子含有量との組成比を大きく変化させる。この表２の結果から、ＢＤ又はＵＤＤ中のヘテロ元素の含有率は、処理条件（酸化の程度α）と単純な比例関係にないことが分かる。またこの表２及び前記表１の結果から、ＢＤ又はＵＤＤ中のヘテロ元素としての水素原子の含有率は、１００個の炭素原子当り５個〜３５個の広い範囲に亘って変化し、酸素原子の含有率も、１００個の炭素原子当り４個〜２４個の広い範囲に亘って変化するが、しかし、窒素原子の含有率については、１００個の炭素原子当り２個〜４個の狭い範囲であり、処理条件（酸化の程度α）によって殆ど変化しないことが分かる。
【００８６】
またこの表２への記載は省略しているが、二酸化炭素ガスの発生は、ＢＤの表面状態に密接な関係があると思われるので、確認試験を行ない、温度上昇、酸濃度上昇等の処理条件の違いによって、ＢＤ中の炭素原子の二酸化炭素ガスへの変換割合は徐々に変化することを確認した。
【００８７】
本発明で好ましく用いられるＵＤＤのための酸化性エッチング処理においては、最初、炭素の乱れのあるアモルファス部分が酸化され、次にミクログラファイト構造が酸化され、順々に、ＵＤＤ自身の炭素の非ダイヤモンドの形から、更なる酸化をすることが難かしい化学的に不活性な材料である実質的に完全なＢＤの精製生成物が得られる。
しかしながら、本発明においては、特定の厳しい酸化条件下で長時間エッチング処理することによって、ダイヤモンド材質の一部を分解することができる。本エッチングの程度は、ＵＤＤの約４５％または初期ＢＤの７６．５％が限度である。
【００８８】
［製造例２］
本発明により、初期ＢＤを製造例１と同様に酸化処理し、図６に示されるような酸化程度がそれぞれ異なる１２のサンプルを得た。
図６のグラフに示されるように、酸化分解及びエッチングの程度と、ＢＤ組成のとの関係は複雑であり、ＢＤ組成は、酸化程度に一律に依存性していない。
炭素１００原子当りの初期ＢＤに相当するヘテロ原子の含有量は最低であり、部分酸化された（α＝２６〜３１％）ＢＤの炭素１００原子当りのヘテロ原子の含有量は、５５．９であり、部分エッチングされた（α＝６５〜７５％）ＢＤの炭素１００原子当りのヘテロ原子の含有量は、４５．７であった。酸化が進むにつれて、水素原子及び酸素原子の含量が変化するので、表面官能基の化学的組成が一定に近づく。
【００８９】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤについて、部分酸化されたＢＤ生成物又は部分エッチングされたＵＤＤ生成物のような準安定(metastable)構造物については、反応媒体により硬い表面状態を弛緩させ、最大限のヘテロ結合を形成することにより、活性度を高めることができる。本発明で好ましく使用されるＢＤ及びＵＤＤのような、より安定な形のものは最少量のヘテロ原子を有するが、しかし、これらの活性度は、純度が高い周知の静的合成ダイヤモンド（Ｃ１００Ｈ１．１Ｏ２．２）又はすす（Ｃ１００Ｈ５．１Ｏ４．１）の同様な特性(活性度)をはるかに超えている。
【００９０】
上記得られた結果から、各相の連続的な変化である酸化性分解過程は、１）炭素マトリックスの構造欠陥及び粒子間結合のエッチングが最初に起こり、次に反応表面が拡大した後、セミ酸化生成物で表面が飽和し、２）さらに、弛緩した表面のエッチング、表面酸化反応の生成物のガス化及び除去が生じるものであることが、化学的見地から理解される。また、各相変化が循環性を有するのは、構造的に不均一な物質が分解され、而して、酸化剤の効果は、異なる構造形に対して選択的であることを示している。
【００９１】
本発明で好ましく使用されるＢＤ及びＵＤＤ中のヘテロ原子のかような高存在度は、炭素の結合特性が偏在している可能性を示している。計算の結果、約４×１０−９ｍ径のサイズのダイヤモンド粒子は、最高１２×１０３個の炭素原子からなり、そのうちの３×１０３個の炭素原子が表面露出原子である。したがって、例えば本発明で好ましく使用されるＵＤＤの全体組成式はつぎのとおりである。
【００９２】
【表３】
2004018909.tif 000005
【００９３】
さらに、ここに記載を省略している他の実験結果の場合も同様であった。
したがって、このような見地から、本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、実質的に全ての表面炭素原子がヘテロ結合していることになる。本発明で好ましく使用されるＵＤＤにおける「実質的に全ての表面炭素原子がヘテロ原子と結合している」とはこのような意味である。
【００９４】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤ表面の活性水素（Ｈａｃｔ）の濃度についての検討の結果、水素原子は、炭素原子以外のいずれかの元素の原子に結合しているときには、活性であると考えることができる。炭素表面の活性水素（Ｈａｃｔ）について、ヒドロキシ基、カルボニル基、アミノ基、スルホン基のような官能基上のＨａｃｔの状態を特定することができる。
【００９５】
ＢＤ及びＵＤＤ表面の官能基と、アニソール存在下でのメチルマグネシウムアイオダイドとの相互作用について、３段階のプロセス、すなわち、１）不純物分子と外面（よりアクセスし易い官能基）との相互作用、２）開孔表面との相互作用、３）ＵＤＤ凝集体の機械的崩壊によるフリーになった表面との相互作用、を象徴的に摘出した。
【００９６】
ＢＤ及びＵＤＤの処理条件により、これらＵＤＤ中の官能基因子源(protogenic group)の濃度は０．３４〜２．５２マイクロｋｇ当量／ｍ２であり、活性水素元素の量は０．４９〜７．５２マイクロｋｇ当量／ｍ２であった。したがって、これらＵＤＤ表面及びＢＤ表面上の遊離可能な水素原子の量は、粉体ＵＤＤ表面及びＢＤ中の全水素含量のうちの４〜２２％であった。
【００９７】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤ表面は、水性液への分散濃度、親和性、電解質因子濃度を左右し、ｐＨ値を決定する電荷を、水性溶液中でＵＤＤに与える各種酸素含有基を有する。全ての検体粉末の懸濁液のｐＨに基いて、表面に存在する酸性基の分離程度の増加に依存した比吸収値を判定することができる。炭素材料の分解、エッチングによる比吸収値の変化は、連続的な単調子でなく、極端かつ急激である。
【００９８】
当初ＢＤの低い比吸収値は、非酸化性媒体中でＢＤが合成され、したがってその表面には僅かの酸素含有基のみが存在していることを示している。本発明において、ＢＤを同時に酸化剤に露らす２段階反応の進行結果によれば、表面が酸素含有基により飽和し、炭素がエッチングされる。一方、酸化性作用が増加すると、酸素含有基による炭素表面の飽和が起こり、比吸収値が最大になって後、変化が生じないようになる。しかし酸化可能な残存炭素の含量が１８〜２０％を超えると、比吸収値の低下が生じる。
【００９９】
これは、ロシア特許第２０４６０９４号,[Bjuljuten izobretenij,(29),189(1995)],「合成ダイヤモンド含有材料」に示される結果とも一致している。参考のため、図７に、該ロシア文献記載の技術の１部を示す。
図７のカーブの著しい特性は、酸化剤処理下におけるＢＤ表面の構造的な特性変化、即ち、グラファイト状の構造からダイヤモンド状炭素への構造変化を示している（本発明においても同様）。材料は、変遷途中の状態では高い吸収性を有する。ＢＤの強力な酸化条件下での酸化によれば、安定ダイヤモンド形のみが残る。温和な酸化性エッチング条件ではダイヤモンド状炭素と非ダイヤモンド状炭素との境界が置き変わる。実際、ダイヤモンド状の相（即ち真正のダイヤモンドに似た相）としての最後の酸化可能な残存炭素含量１８〜２０％は、ダイヤモンドクラスターの周辺部を構成する炭素である。
【０１００】
［製造例３］
つぎに、製造例３により、本発明で好ましく使用されるＵＤＤが有する優れた表面特性を具体的に説明する。
製造例５のＮｏ１３のサンプル（α＝４９％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ａ）、製造例５のＮｏ１４のサンプル（α＝５６％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ｂ）、製造例１のＮｏ４のサンプル（α＝５５％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ｃ）、製造例１のＮｏ５のサンプル（α＝６４．９％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ｄ）、製造例１のＮｏ６のサンプル（α＝７４．４％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ｅ）、製造例１のＮｏ１、製造例５のＮｏ８のサンプル（α＝０％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ｆ）、従来法による典型的なＵＤＤサンプル（乾燥粉末、サンプル、図８中ではＯＵＤＤ）、の７サンプルに用いて、Ｃｕ、Ｋα線を線源とするＸ線回析スペクトル（ＸＤ）におけるブラッグ(Bragg)角（２θ±２°）を測定した結果を纏めて図８に、これらサンプルのうち、サンプルＮＵＤＤ−Ａを用いて測定した結果を図９に、サンプルＮＵＤＤ−Ｂを用いて測定した結果を図１０に、それぞれ示す。図８、９、１０のチャートから、本発明で好ましく使用されるＵＤＤのサンプルは、ブラッグ角（２θ±２°）が最も強い４４°の（１１１）結晶に帰属する反射強度のピークは８５．０％であり、７３．５°の（２２０）結晶に帰属する反射強度のピークは１４．０％であり、９１°の（３１１）結晶に帰属する反射強度のピークは０．２％であり、（４００）結晶に帰属する反射強度のピークは０．２％であり、２６．５°±２°のグラファイト(００２）結晶に帰属するピークは実質的にないことが分かる。
【０１０１】
測定の結果、Ｓｐ３結合した炭素濃度の特定パターンが多数現われたことで、ＵＤＤ中の極小アモルファスグラファィト相の周囲にダイヤモンド相が存在することが示された。
【０１０２】
本発明の前記定義の酸化度（α）＝６４．９％のＵＤＤ中心とするサンプルをＸ線回析グラフにおいて、ローレンツ(Lorenz)の回析スペクトルピークにおける幅広い対象形の回析スペクトル形としての（１１１）結晶に帰属する２θ＝４３．９°のスペクトル、（２２０）結晶に帰属する２θ＝７３．５°のスペクトル、（３１１）結晶に帰属するブラッグ角２θ＝９１．０°のスペクトルが記録された。
【０１０３】
これらスペクトルは、結晶格子パラメーター（α）＝(３．５６５±０．００５)×１０−１０ｍを有するダイヤモンド型を反映したものである。これら３つのスペクトル曲線の半幅値から、シェラー(Scherrer)の式によりこのＵＤＤの平均粒径を定めたところ、平均粒径(Ｌ)＝(４２±２)×１０−１０ｍであった。
【０１０４】
また、ブラッグ角２θ＝１７°付近に強く偏在したハローがあり、さらに１次ビームをドローイングした場合は散乱放射の強度が強く安定していた。１次ビーム近くの強い散乱は、不規則なアモルファス構造に基く回析特性である。観測できるハローが、マクロ構造に基く回析光を明確に示さないことは明らかであり、分子レベルのサイズ（例えば、グラフィンのサイズまたはベンゼン環のサイズ）と同様なサイズを有する構造単位による散乱と関係があることはもちろんである。このような構造物は、４×１０−９ｍ以下の周囲粒子（ダイヤモンド構造）のみならず、規則的な炭素鎖又は規則的に積層された平面体であり得る。（３３３）結晶構造のピークの強度に比較して、このような高いハロー強度があることから、上記分子サイズの構造も存在する可能性がある。ハローの半値幅に基き（シェラー(Scherrer)の式によって）、このような構造物のサイズは約１．５×１０−９ｍであると推定される。このような小さい粒径オーダーの粒子（４×１０−９ｍ以下）の存在は、ラーマン散乱スペクトルで現れるアモルファスのダイヤモンド及びグラファイトの存在を暗示している。
【０１０５】
また、これらＸ線回析スペクトルチャートの解析から、Cu、K α線を線源とするＸ線回析スペクトル（ＸＲＤ）におけるブラッグ(Bragg)角（２θ±２°）の前記最も強いピーク４３．９°の強度に対する、その余のブラッグ(Bragg)角（２θ±２°）のピークの合計強度が、１１／８９〜１９／８１であること、即ち、（１１１）線が８１〜８９と高いことが分かる。
【０１０６】
［製造例４］
同様に、表２に示される元素分析結果を有する製造例１のα＝６４．９％のＢＤ試料、α＝７４．４％のＢＤ試料、α＝７５．５％のＢＤ試料を用い、ＫＢｒ結晶を標準としてＦＴＩＲスペクトルを測定した結果を(Dolmatov report p30,ｌ23,Ref.[27])、図１１、図１２、図１３に、それぞれ示す。図１１、１２、１３のチャートから、充分に精製されてないＵＤＤサンプルは、炭素表面に含れる多種類の基により、カルボニル基に帰属する１７３０〜１７９０ｃｍ−１の吸収が、前後に幅広く拡がって偏奇しており、炭素表面に含れる多種類の基の影響を受け、ヒドロキシ基に帰属する１６４０ｃｍ−１の吸収、及び３４００ｃｍ−１の吸収が共に、前後にシフトしている。１６４０ｃｍ−１以上の吸収はまた、結合水及び遊離水により影響を受ける。１７５０ｃｍ−１の吸収中はＯＨ基の振動に関係している。１１００〜１１４０ｃｍ−１の吸収の幅広い吸収は、不純物ニトロ基に帰属する吸収と、≡Ｃ−Ｏ−Ｃ≡基の振動に帰属する吸収が合成されたものであり、吸収率の大きさから、ニトロ基（これは本来は１５４０ｃｍ−１及び１３３０ｃｍ−１）のみでなく≡Ｃ−Ｏ−Ｃ≡基が存在するとみるのが妥当である。カルボニル基に帰属する１７３０〜１７９０ｃｍ−１の吸収バンドの中には、本来は１７５０ｃｍ−１付近のＲ−ＣＯＯΦ基、本来は１７４０ｃｍ−１付近の−ＲＣＯＯＲ’(エステル又はラクトン)基、−ＲＣＯＯＨ基（カルボン酸）基が含まれ、また、本来は１７１０ｃｍ−１付近の＝Ｃ＝Ｏ基が含まれる。また、本来は６８０ｃｍ−１付近の−ＣＯ・Ｎ基が含まれる可能性が大である。
【０１０７】
上記結果から明らかなように、本発明で好ましく使用されるＵＤＤにおいて、各種カルボニル基の吸収強度及び吸収帯域の位置は、ＵＤＤの変性処理条件により著しく影響を受ける。窒素ガス中で７００℃に加熱すると、カルボニル基、カルボキシル基が分解して、相当する吸収帯の強度が減少する。また、６７３Ｋに加熱した後には１７３０ｃｍ−１の吸収は、１７８０〜１７９０ｃｍ−１の位置に移動するので、これから、Ｏ＝Ｃ−Ｏ−Ｃ＝Ｏ構造が生成したことが分かる。
【０１０８】
本発明におけるＵＤＤは、硝酸処理後に、処理前の位置からシフトして、つぎの位置及びパターンの吸収を示す。
【０１０９】
【表４】
2004018909.tif 000006
【０１１０】
このうち、３５００ｃｍ−１付近のバンドが、最も強く、１７４０ｃｍ−１付近のバンドは、１６４０ｃｍ−１付近のバンドよりも強度が小さいが、複雑かつ凹凸がほぼ平らで、多くのバンドが密集したものからなり、１６４０ｃｍ−１付近のバンドは、２番目に強いものであり、１１７０ｃｍ−１付近のバンドは３番目に強く、かつ長波長側に少なくとも２つの小さいピーク又は少なくとも２つのショルダー部を有してなだらかに勾配しており、６１０ｃｍ−１付近のバンドは複雑な中程度の強度の幅広いバンドである。
さらに、本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、２９４０ｃｍ−１付近（Ｃ−Ｈ、飽和に帰属）、１５０５ｃｍ−１、１３９０付近ｃｍ−１及び６５０付近ｃｍ−１付近に、小さいピーク又は少なくともショルダー部を有している。
これらの結果から、本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、図１４に示されるように、表面炭素が、−ＣＯＯＨ基、−Ｃ−Ｏ−Ｃ−基、−ＣＨＯ基、−ＯＨ基等の活性な官能基により覆われていると確信される。
【０１１１】
［製造例５］
製造例１と同様にして作成され、ただし、製造例１と異なる次表に示されるような酸化度、すなわちサンプルＮｏ．８（α＝０．０％）、サンプルＮｏ．９（α＝１７％）、サンプルＮｏ．１０（α＝２８％）、サンプルＮｏ．１１（α＝３２％）、サンプルＮｏ．１２（α＝４８％）、サンプルＮｏ．１３（α＝４９％）、サンプルＮｏ．１４（α＝５６％）、サンプルＮｏ．１５（α＝６３％）、サンプルＮｏ．１６（α＝８１％；比較サンプルＮｏ１）、サンプルＮｏ．１７（α＝８５％；比較サンプルＮｏ２）、サンプルＮｏ．１８（α＝９４％；比較サンプルＮｏ３）、Ｎｏ．１９（α＝９８％；比較サンプルＮｏ４）の酸化性分解及びエッチング度の各サンプルの表面特性について、測定した結果を表５に示す。
【０１１２】
【表５】
2004018909.tif 000007
【０１１３】
この表から、ＵＤＤの吸収能は、必ずしも孔部サイズ、限界孔部サイズに依存しないこと、ＵＤＤ表面の活性化率、及び全表面積中の高活性化された面積に、より依存することが分かる。
【０１１４】
従来、ＵＤＤの表面活性についての研究としては、GP.Bogatiryonva, M.N.Voloshin, M.A.Mirinich, V.G.Malogolovets, V.L.Gvyazdovskaya, V.S.Gavrilova[Sverhtvjordii materiali,No.6,pp42(1999)]Surface and electrophysical properties of dynamic synthesis nanodiamondに記載されたものがある。比較、参考のため、次表に、該従来ＵＤＤの表面活性を示す。
【０１１５】
【表６】
2004018909.tif 000008
【０１１６】
これら表５及び表６の結果から、ＢＥＴ法による窒素ガス脱吸着量を測定の結果、α＝８１％未満の本発明の各サンプルは、従来サンプル(比較サンプル)に比し、活性度が充分に発達し、最高４．５×１０５ｍ２／ｋｇ程度の大きな比表面積を有し、また大きな表面炭素割合（Ｃｓｕｒｆａｃｅ／Ｃｔｏｔａｌ）を有し、かつ、Ｃｓｕｒｆａｃｅが有する官能基の濃度がほとんど１００％と極めて高いことが分かった。従来のこの種のダイヤモンドにおいては、全表面炭素原子中、ヘテロ原子と結合する炭素原子の比率は１５％程度である。
【０１１７】
［製造例６］
本発明において、このＵＤＤサンプルについて、空気及び不活性ガス雰囲気中で示差熱分析をも行なった。結果は、次のとおりである。
即ち、空気中で毎分１０Ｋの割合で加熱した場合、７０３Ｋで酸化が始まる。一方、文献によれば、従来の静的合成方法により合成されたあるダイヤモンド、静的合成方法により合成された他のダイヤモンド及び従来爆射法によるＵＤＤの１サンプルの場合は、それぞれ、酸化開始温度は８６３Ｋ、８４３Ｋ、８２３Ｋであった。本発明で好ましく使用されるＵＤＤの酸化性は高いということができる。
【０１１８】
中性雰囲気中で、１２７３Ｋまで加熱した場合の重量損失は３乃至４％であった。このサンプルを温度範囲４４３〜７５３Ｋの間で炭酸ガス雰囲気中で加熱した場合には、重量増加が５％まで達し、その後、更に高温に加熱すると重量が減少する。水素ガス雰囲気中で加熱した場合には、ＨＣＮガスの分離が生ずる。次に、このＵＤＤを複合示差熱分析した。次の結果が得られた。
すなわち、次の（ａ）〜（ｃ）の３つの特徴を有するサーモグラフ曲線が得られた。
（ａ）３７３〜３８３Ｋで若干の発熱を伴う重量損失５〜７％（（α）＝６３％のＵＤＤ、（α）＝２７％のＵＤＤの２サンプル）を生じる。このプロセスは可逆的である。脱吸着されたガス生成物を分析した結果、これら温度で脱吸着されたガスの９７〜９８％は窒素ガスであった。これは空気中から吸収されたガスの脱着であると考えられる。
（ｂ）５２３ＫにおけるサンプルＵＤＤの重量の減少。これは吸熱を伴ったものである。
（ｃ）７５３〜１０２３Ｋ間での発熱を伴なう重量損失。７５３〜７７３Ｋにおける大きな発熱を伴った強い重量損失（９５％まで）を生じる。これは１０２３〜１０５３Ｋまで続き、それ以降の温度では、もはや変化は見られず、通常の方法によって測定し、最高１０％までの初期材料中の灰分に相当する不燃性残渣が検出された。７７３〜１０２３Ｋまでの間の温度においては、炭素の強力な酸化が行なわれ、最後に不燃焼残渣が生じるものと考えられる。また、この酸化過程においては、強いグローが観察される。
【０１１９】
［製造例７］
次に、前記Ｎｏ．９のサンプル、Ｎｏ．１０のサンプル、Ｎｏ．１１のサンプル、Ｎｏ．１２のサンプルを二酸化炭素気流中で毎分１０Ｋの温度上昇率で１２７３Ｋまで加熱した後、各サンプルの重量の増減割合を測定し、また各サンプルの比表面積を製造例５の場合と同様に測定した。各サンプルの重量の増減は殆どなかった（Ｎｏ．９のサンプルは０．２５％の重量減少を、Ｎｏ．１０のサンプルは０．２２％の重量増加を、Ｎｏ．１１のサンプルは０．１５％の重量減少を、Ｎｏ．１２のサンプルは０．２２％の重量増加を示した）。また、各サンプルの比表面積にもほとんど変化はなかった。これは、本発明におけるＵＤＤは、孔部中の非グラファイト状態の炭素原子縮合体が安定しており、また、エレクトロンドナーとしてのヒドロキシ、カルボキシ、カルボニル、アルデヒド、等の親水性基がほとんど加熱消滅しないことを示している。
【０１２０】
［製造例８］
前記製造例５のＮｏ１３のサンプル（α＝４９％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ａ）、製造例５のＮｏ１４のサンプル（α＝５６％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ｂ）、製造例１のＮｏ４のサンプル（α＝５５％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ｃ）、製造例１のＮｏ５のサンプル（α＝６４．９％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ｄ）、製造例１のＮｏ６のサンプル（α＝７４．４％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ｅ）、製造例１のＮｏ１、製造例５のＮｏ８のサンプル（α＝０％のサンプル、図８中ではＮＵＤＤ−Ｆ）、従来法による典型的なＵＤＤサンプル（乾燥粉末、図８中ではＯＵＤＤ）、の７サンプルについて、粒度分布を測定した。
これら、サンプルＮＵＤＤ−Ａ〜ＮＵＤＤ−Ｆ、ＯＵＤＤの結果は、順に、図１５（サンプルＮＵＤＤ−Ａ）、図１６（サンプルＮＵＤＤ−Ｂ）、図１７（サンプルＮＵＤＤ−Ｃ）、図１８（サンプルＮＵＤＤ−Ｄ）、図１９（サンプルＮＵＤＤ−Ｅ）、図２０（サンプルＮＵＤＤ−Ｆ）、図２１（サンプルＯＵＤＤ）に示される。
【０１２１】
この結果から、従来ＵＤＤ粉末（サンプルＯＵＤＤ）及び未酸化処理ＵＤＤ粉末（サンプルＮＵＤＤ−Ｆ）は、１００００ｎｍ以上の大径粒子を含みかつ、粒度分布の範囲が広いのに対して、本発明によるサンプル（サンプルＮＵＤＤ−Ａ、ＮＵＤＤ−Ｂ、ＮＵＤＤ−Ｃ、ＮＵＤＤ−Ｄ、ＮＵＤＤ−Ｅ）は、粒度分布の範囲が狭く、かつ１００００ｎｍ以上の大径粒子を全く含まないことが分かる。
【０１２２】
［製造例９］
他方、本発明のウエットなＵＤＤ材料は、４０３〜４３３Ｋで基本的な水分量を消失する。それ以降の温度においては、パラメーターの変化は予備乾燥されたサンプルの場合と同様である。不活性ガス（Ｈｅ）雰囲気中で３８３〜３９３Ｋに加熱した場合には、空気中から吸収した窒素の脱着が生じる。６７３〜１１７３Ｋの間の温度においては、発熱を伴い１０％の重量損失があった。その後、二酸化炭素及び窒素が発生する（モル比は４：１）。この過程は、ＵＤＤ材料の形態変化を伴う。１１５３〜１１６３Ｋにおいては、質量の変化が観測されず、若干の吸熱効果が見られる。この過程はＵＤＤ材料の形態及び色調の変化なしに行なわれる。これに反して、従来の文献に記載されたデータによれば、このような不活性雰囲気中でのアニーリングの際に、これらと同じ温度域で表面の各種基が実質的に完全に除去される。
【０１２３】
［製造例１０］
構造欠陥部の容積率の検討。
上記製造例４の広範な赤外分析を通じて、広義の意味でダイヤモンドと考えられる全ての結晶状態について、ＵＤＤにおける構造欠陥部の容積率を陽性部位−電子消滅法(positron-electron annihilation method)により検討した。
高分散ＲＤＸの５〜７０重量％を含むＴＮＴ／ＲＤＸアロイの水中での爆射変換によってＵＤＤを製造した。
このＵＤＤのシンタリングプロセスにおけるＵＤＤの構造欠陥部の濃度、容積及び分散状態を見るため、爆薬中の炭素−水素比のみならず、衝撃波の印加直径（高い圧力及び温度の存在状態）、硬化状態を変化させた。化学精製の後、ＵＤＤの結晶構造を、陽性部位−電子消滅法により構造欠陥部の容積率を測定し、また、窒素の低温吸収によって比表面積を測定した。
構造欠陥部の最大密度の容積（(３．０５−３．１０×１０３kg）／ｍ３）をもつＵＤＤのシンタリング過程を検討するため、コヒレント散乱法による平均粒径((１．５−２．０）×１０−９ｍ)及び最大分散性(４．２×１０５ｍ２／ｋｇの比表面積)を選択した。ＵＤＤ粉末を４〜１２ＧＰａの圧力下でシンタリングし、得られた多結晶粉末凝結物のマクロ硬度及び圧縮破壊強度を測定した。
【０１２４】
炭素含有爆薬の爆射において、爆薬中の炭素含有率及び爆射温度が高くなっていくにつれ、クラスターの欠落密度及び孔部の密度の分布曲線には最大点が存在し、その点を過ぎるとクラスターの欠落密度及び孔部の密度が減少し始める。最大点は３９００Ｋの温度領域に相当する。ＵＤＤ中のクラスターの欠落密度が最大値に増加するにつれて、（１〜２）×１０−９ｍのサイズの孔径を有するサブマイクロ孔部の濃度も最大値に増加する。電子を捕獲して消滅する電子捕獲中心は、欠陥部の総計であり、各欠陥部は結局、各サブマイクロ孔部の核である。このＵＤＤに出現した電子捕獲性陽性部位(positronium)は、ダイヤモンド中に形成されたものでなく、サブマイクロ孔部の内面に形成されたものであり、これらは結局、欠陥部から形成されたものである。
ＴＮＴから結晶化されたＵＤＤにおけるサブマイクロ孔部が欠乏し、また構造欠陥の容積が欠乏(３．３×１０３ｋｇ／ｍ３の比重密度）すると、静的合成法によるダイヤモンドに近づく。従来報告されている各種ＵＤＤ粉末のＩＲスペクトル分析結果もこれを物語っている。
【０１２５】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤの構造欠陥の容積部分が形成される機構は、つぎのように推測（ただし、この仮説は、説明のための推測であって、本発明を限定するためのものではない）される。すなわち、炭素含有爆薬を爆射したときのＵＤＤの形成プロセスは、不均一な各相変化、つまり、１）炭素含有爆薬の最初のプラズマ状濃厚状態（各イオン、自由電子、励起された粒子、最も単純なラジカル等の高濃度状態を特徴とする）の相の形成、２）該プラズマ状濃厚状態相から、水素を含有する炭素の最初の小クラスター状態相への変化、３）該最初の小クラスター状態相から、超分散ダイヤモンド（ＵＤＤ）への相変化、の結果と表わすことができる。全ての相変化は１０−８〜１０−９秒の短時間内に進行する。そして、諸粒子の電子的サブスシテムが励起されたときに新たなメカニズムによりダイヤモンドの超高速形成のため付随的な条件が整い、順次、爆薬の化学的変換領域及びその外側領域の双方が高温高圧領域に変化し、より緩慢な合体の拡散プロセスが起こり、再結晶及びダイヤモンド相と孔部の成長が進行し、水素の分離及び拡散が生じ、欠落部が形成され、つぎに、欠落部のあるクラスター及びサブミクロン孔部の集積化が進行する。この過程はＵＤＤの結晶構造の形成を終了する低速度過程であり、粉末の硬化により妨げられて１０−６秒以下の長時間で進行する。
【０１２６】
［製造例１１］
本発明で好ましく使用されるＵＤＤサンプルについて、磁気的性質を静的合成法によるダイヤモンドのそれと比較検討した。
ダイヤモンドは、磁化率（χ）＝−０．６２×１０−８ｍ３／ｋｇの定数値を有する反磁性材料である。しかし、本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、これとは違う値の磁化率（χ）を有する。粉体状材料の比磁化率は、粉体の全容積の磁気的性質の量的特性であり、粉体を構成する全ての成分の比磁化率（χｉ）の加成強度である。次表は、本発明における前記ＵＤＤサンプル中の不純物の磁化率を示す。
【０１２７】
【表７】
2004018909.tif 000009
【０１２８】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤについての検討結果によれば、ＵＤＤの導電率は５７３Ｋに加温されたサンプルの場合、最小で、約１０１２Ω・ｍの値であり、加熱を続けると導電率が６．０×１０１０Ω・ｍ〜２．０×１０１１Ω・ｍに低下し、二酸化炭素中で、グラファイト化開始温度の境界と思われる1173Ｋに加熱すると導電率が２．３×１０４Ω・ｍまで低下する。
【０１２９】
前記ＵＤＤサンプルの誘電定数又は透磁率はＥ０１で２．４〜２．７、Ｅ１０で１．７〜２．０、Ｅ１．５で１．７〜２．０であり、高周波損失(tanδ）は約０．５×１０−３〜１．０×１０−２であった。
【０１３０】
このように、本発明で好ましく使用されるＵＤＤは、従来の静的合成法によるダイヤモンドと多くの性質が全く異なり、また、従来の爆射法によるＵＤＤに比較して炭素のダイヤモンド状の相は、その高い反応性にも拘らず、中性雰囲気及び還元性雰囲気中で安定な物理的化学的諸性質を示す。
【０１３１】
本発明によれば、室温で密実なタブレットに成形したＵＤＤの比抵抗は１０６〜１０７Ω・ｍの値であり、湿めらせたときには比抵抗の値は急激に減少し、水分含量５％ときの比抵抗は１０３Ω・ｍ未満となるが、さらに水分を増加させても比抵抗の値はもはや変化しないので、水分含量５％は、水分吸収の限界であると考えることができる。また水分含量５％は、ＵＤＤの残存水分含量の測定法の開発の基本点になると思われる。
【０１３２】
ダイヤモンド表面の重要な性質の１つに、電気熱力学的ポテンシャル、換言すれば界面電位（ζ電位又はゼータ電位）がある。このζ電位はナノダイヤモンドの表面状態に著しく依存することを考慮すると、同じ品位のＵＤＤ間のζ電位の差異は、両ＵＤＤが異なる精製法及び変性法によるものであることを予想させる。
S．I．Chuhaeva等(S.I.Chuhaeva,P.Ya.Detkov,A.P.Tkachenko,A.D.Toropov.Physico-chemical properties of fracitons isolated from ultradispersed diamonds(nanodiamonds).[Sverhtvjordii materiali,vol.42,pp29(1998)]は、電流の影響下、液相に関連した分散媒体中の粒子の志向運動に基く電気泳動法によりζ電位を測定している。彼らはRussian Federal Nuclear Center製のＵＤＤから得られた３層に分離した小区分の各部分、すなわち沈殿部分、中間層部分、懸濁層部分、のζ電位を測定し、沈殿部分について＋１６×１０−３Ｖ、中間層部分について＋３２×１０−３Ｖ、懸濁層部分について＋３９×１０−３Ｖのζ電位を記録している。Chuhaeva等は、サンクトペテルブルグのＪＳＣダイヤモンドセンター製造のＵＤＤ−ＴＡＨ（品種−ＴＵ  ０５１２１４４１−２７５−９５）の濃厚ＵＤＤ水性懸濁液のＵＤＤサンプルについてもζ電位を測定し報告している。
【０１３３】
前記３層に分離した小区分の各部分について、次表８に示す。
【０１３４】
【表８】
2004018909.tif 000010
【０１３５】
表８のような報告(V.L.Kuznetsov, A.L.Chuvilin, Yu.V.Butenkov, I.Yu.Malkov, A.K.Gutakovskii, S.V.Stankus, R.Kharulin[Mat.Res.Soc.Symp.Proc.396,pp105(1995)]もあり、従来、層分離された３つの小区分ＵＤＤ懸濁液は、特性が互いに異なることが知られているが、主に、液中のＵＤＤ粒子の組成、ＵＤＤ粒子の粒径に基く沈降速度差によると考えられており、ＵＤＤ粒子表面の官能基がＵＤＤ特性に与える影響は正確には知られていなかった。
【０１３６】
［製造例１２］
本発明において、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ懸濁液サンプルをイオン交換樹脂で精製した後、２９７〜２９８Ｋの温度でζ電位を３度測定した。(３２〜３４)×１０−３Ｖの測定結果が得られた。比較のため、従来の製法により製造した爆射法ＢＤ（３層の小区分に未分離）のＵＤＤ液のζ電位を測定したところ、(２５〜２６)×１０−３Ｖの測定結果が得られた。
【０１３７】
従来の層分離操作は、懸濁液の組成及び粒径に基いて単純に撹拌することによって所定の液体及び沈殿物からなる各小区分へ分離するものであったが、本発明で好ましく使用されるＵＤＤの場合、高度に分散されたコロイド系を各小区分へ分離すること、特にＵＤＤ懸濁液の重力によって各小区分へ分離することは、適切な分離操作であるとは云えない。本発明で好ましく使用されるＵＤＤ懸濁液から得られた凝集物の粒径は最低３×１０−７ｍ以上であった。最適の場合、デカンテーションにより極微細な分離物を生じた。この極微細な分離物は乾燥時に凝集し、この乾燥した凝集物を再分解することは必ずしも常に容易であるとは云えない。
【０１３８】
また、ナノダイヤモンドは高い有機溶剤吸収能を有するので有機溶剤の使用も適当ではない。他方、本発明で好ましく使用されるＵＤＤにおいて、上記ＵＤＤのサンプルから得られた乾燥粉末を超音波処理により水性懸濁とした場合、１ケ月以上の保存後にも分散性は変化しなかった。
【０１３９】
本発明で好ましく使用される各種純度のＵＤＤ組成物において、諸官能基の典型的な１セットがあり、このセットはダイヤモンド構造が破壊されるまでコンスタントに残存する。これらは−ＯＨ基、−ＮＨ基、−Ｃ＝Ｏ基、−Ｃ−Ｈ基、−Ｃ＝Ｎ基のような極性の官能基である。これら基のうち特に−Ｃ＝Ｏ基、−ＯＨ基は懸濁液中のＵＤＤ粒子の凝集傾向を決定する重要なパラメータのように思われる。分離された各ＵＤＤ小区分サンプルのＩＲ分析の結果、これら各サンプルは、同様な多くの官能基を含有していたが、各サンプルは、これら各官能基の含有率に違いがあった。
【０１４０】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤ懸濁液は、例えば、ω，ω’型の両末端ジカチオン性基を有する短鎖界面活性物質等の１部の界面活性物質を除いて、各種界面活性物質による懸濁安定化は概して適当でない。懸濁液中のＵＤＤ粒子は、添加された界面活性物質の分子に囲まれた形になる。これにより、界面活性物質分子の疎水性部分である尾部分（長鎖脂肪族部分）が水性媒体に面するようになるため、ＵＤＤ粒子が撥水性に変化し、水中分散安定性が減少するものと思われる。
【０１４１】
［製造例１３］
本発明で好ましく使用されるＵＤＤについて、ＵＤＤ粒子とその分散媒の種類との関係に関し検討したところ、アセトン＜ベンゼン＜イソプロパノール＜水の順に、ＵＤＤ粒子の親和性が増加して分散安定性が増すことが確認された。ＵＤＤ粒子の分散のためには、分散媒の極性が重要であるだけでなく、分散媒のＵＤＤ粒子との間のπ−複合体の形成能は、ＵＤＤクラスターの活性表面の親和化及び分散安定化を促進することが分かる。非極性有機溶媒を用いたＵＤＤ懸濁液は、実用上の観点から非常に重要である。このようなナノダイヤモンド懸濁液作成が可能であれば、エラストマーに基くクラスターの現実的な開発促進が可能になる。この問題を実際に解決する１つの方法は、ＵＤＤ粒子の表面を親水性から疎水性に変換することである。この目的のため１例として、ナノダイヤモンドの乾燥粉末をポリジメチルシラン及びポリイソプレンからなるエラストマーをベンゼン溶液中に添加する。すなわち、ポリマーの疎水性鎖をダイヤモンドクラスターの表面に吸着させて、懸濁液を安定化させることを考え付いた。実際に、有機溶媒中へのＵＤＤの分散性が増大することが観察された。ＵＤＤ表面の最適な変性剤は現状ではポリイソプレン等のジエン材料の重合体であることが見いだされ、ＵＤＤ表面の変性法及び懸濁液の最適化法が開発された。ポリイソプレン等によるＵＤＤクラスター表面の変性により、この場合には、約３００ｎｍ径の最大基本径を有するＵＤＤ懸濁液の作成が可能になる。この懸濁液の耐沈殿安定性は１０日以上であった。
【０１４２】
［製造例１４］
本発明で好ましく使用されるＵＤＤについて、ＵＤＤ中のダイヤモンド相−グラファイト相の変換を検討した。この相変換は７２０〜１４００Ｋの温度間で不活性媒体中で加熱したときに生じたものである。相変換を識別するため、ラーマン散乱法(Raman Scattering(RS)）及びＸ線スペクトル法を用いた。ＲＳスペクトル及びＸ線回析の結果から、ＵＤＤは約４．３×１０−９ｍのサイズのナノクリスタル特性のダイヤモンドの結晶構造を有するクラスター物質であると結論された。
【０１４３】
多くの場合、（４〜５）×１０−９ｍサイズの狭い範囲のＵＤＤナノクラスターが観測された。これから、小さいナノクリスタルサイズにおいてはグラファイトでなく、ダイヤモンドが熱的に安定な形であるということができる。このような推測は、M.Gamarnik, Phys.Rev.Vol.54,PP2150(1996)により支持される。
【０１４４】
ダイヤモンド及びグラファイトの格子振動子密度の最大機能と一致しているＲＳスペクトル中の特定の形部分は、サンプル材料中の少量のアモルファスダイヤモンド及びグラファイトの存在を示している。
公知(G.V.Sakovich, V.D.Gubarevich, F.Z.Badaev, P.M.Brilyakov, O.A.Besedina.[Proceedings of Science of USSR,Vol.310,No.402(1990].Aggregation of diamonds obtained from explosives)のように、ＵＤＤクラスター、及び同様な他の超分散した物質は単凝集体であるので、アモルファス相はダイヤモンド核の表面上の凝集体であると思われる。
【０１４５】
前記Ｘ線回析データにより、粒径特性が約１．５×１０−９ｍサイズのアモルファス相の存在が確認された。ＲＳスペクトルにおけるアニーリング温度(Ｔａｎｎ)＝１０００Ｋまで示された１３２２ｃｍ−１のピークの位置が不変であることにより、この温度までのアニーリング温度ではダイヤンドの構造変化は生じないことが判明した。これは、Ｘ線回析の分析結果によっても確認され、Ｘ線回析の分析結果はグラファイト相の概念はＴａｎｎ＞１２００Ｋでのみ確認された。ダイヤモンド相−グラファイト相間の相変化は不活性雰囲気中でのアニーリング時にクラスター表面から始まる。このＸ線回析データによれば、このグラファイト相は、４×１０−９ｍ以下の特定サイズを有する等間隔のグラファイトのナノプレートのセットであり、このグラファイト相はＴａｎｎ＞１２００Ｋの温度で基本的にダイヤモンド核の消費により生じることが確信された。
【０１４６】
前記V.L.Kuznetsov, A.L.Chuvilin, Yu.V.Butenkov, I.Yu.Malkov, A.K.Gutakovskii, S.V.Stankus, R.Kharulin[Mat.Res.Soc.Symp.Proc.396,pp105(1995)]によれば、測定された初期相変換温度(Ｔｐｔ)は、電子顕微鏡の観測データと一致している。本発明において、Ｔ＞１３００Ｋでの測定データにより、ナノクリスタリンダイヤモンドの核は、Ｔ＞１３００Ｋで、炭素の球根様形状を経てサイズ減少する。ＲＳスペクトル分析において１５７５ｃｍ−１に、このような特定の形が出現し、これは、Ｔ＝１４００Ｋで明確に示されるので、当該温度が炭素の球根様形状の出現温度である旨の前記V.L.Kuznetsov他の報告内容は正確であった。
【０１４７】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤにおいて、ダイヤモンド−グラファイト間の相転換の開始は、Ｔａｎｎ＞１９００Ｋで、ダイヤモンドの容積的なモノクリスタル化温度よりも低い温度であることが分かった。このような相転換の開始温度の低下は、例えば融点低下は、金属クラスターの場合にも見られたことが報告(E.L.Nagaev,[Uspehi fizicheskoi nauki. No.162.pp.49(1992)])されている。
【０１４８】
Ｔａｎｎ＞７２０Ｋで、ダイヤモンドクラスターのコア上におけるグラファイト相の形成と共に、ＵＤＤ中のｓｐ２部分の規則化が最初に起こる。このｓｐ２調整された結晶化は、ダイヤモンドの結晶核の外側で生じ、ｓｐ２結合したアモルファス炭素ヘの変換である。これは、約１３５０〜１６００ｃｍ−１の領域のＲＳスペクトル帯の強度増加、Ｔａｎｎ＞１３００ＫでのＸ線回析の小さい角度及び中程度の角度域における散乱パターンに基く微小構造の出現で示される。
【０１４９】
クラスターを形成しているＵＤＤ粒子は、比較的高密度かつ規則化した結晶様コア、及び、ゆるく化学的に破壊され易い殻（シェル）からなる。ダイヤモンドコアはＵＤＤの基本的なダイヤモンド特性、すなわち熱安定性及び化学的安定性、高伝熱性、高熱拡散性、低導電性、低Ｘ線回析性、擬似耐摩耗性、擬似硬度を担保する。クラスターのシェル構造は、ＵＤＤ粒子の表面電荷のマイナス記号及び電荷量、吸収性、吸着性、化学的収着性、表面官能基の化学的組成、液中及びたの媒体中でのＵＤＤ粒子コロイドの安定性に寄与する。コア及びリーガンドシェルが化学的に異質元素からなる、すなわち、金属原子及びコンプレックス形成イオンからなる旧来の金属クラスターとは対象的に、ＵＤＤクラスターの場合にはコア及び安定化されたシェルの双方が基本的に炭素原子からなる。そのため、ダイヤモンド格子構造から、ポリヘドロンフレーム系、多環構造系、ネット構造系を経て、非ダイヤモンド構造の周囲殻に変換することが可能である。クラスターの境界は周囲殻の炭素原子と爆薬による爆射のガス状生成物、空気、酸化性混合物、変性剤のような物質の雰囲気との相互生成物により安定化することができる。周囲殻は、ダイヤモンドクラスターの凝集過程で、主な役割を演じ、爆薬材料のマトリックス物質及び被覆材料と相互反応する。このようなＵＤＤ粒子中の２種類の炭素成分の存在は、上記実験結果以外にも、T.M.Gubarevich, Yu.V.Kulagina, L.I.Poleva[Sverhtvjordii materali,No.2,pp34(1993)]Oxidation of ultradispersed diamonds in liquid mediaに示されており、上記実験結果は、該文献が開示する内容と同様なものであった。
【０１５０】
A.I.Lyamkin, E.A.Petrov, A.P.Ershov, G.V.Sakovich, A.M.STaver, V.M.Titov[In Proceedings of Academy of Science of USSR,No.302,pp611(1988)]、A.M.Staver, N.V.Gubareva, A.I.Lyamkin, E.A.Petrov[Phisika Gorenniya Ivzriva,Vol.20,No.5,pp100(1984)]Ultradispersed diamond powders obtained with the use of explosives、及び、N.V.Kozirev, P.M.Brilyakov, Sen Chel Su, M.A.Stein[In Proceedings of Academy of Science DAH USSR,Vol.314,No.4,pp889(1990)]Investigation of synthesis of ultradispersed diamonds by mean of tracer method にも示されるように、爆薬による爆射の凝縮生成物の構造は、基本的過程すなわち爆射の衝撃波による化学反応の帯域中での基本的爆射過程、及び、反応相の放散過程すなわち爆発生成物の放散期間と衝撃波の反射波がこの爆発生成物を通過する期間、の双方の期間で形成される。上記N.V.Kozirev等の場合には、ダイヤモンドのグラファイト化及び結晶相のアモルフアス化のような２次過程の大きな可能性が示唆されている。粒子中の炭素フレームに影響を与える構造的変換及び相変換を別にして、爆破室内では凝縮物とガス状物質との間で反応が起こる。広範な温度値、及び合成反応器中での炭素凝縮物の種々の寿命に伴う広範な衝撃印加時間のため、化学的な相互作用は大きく異なる。
【０１５１】
爆射生成物からのダイヤモンド物質の凝集時間がマイクロ秒単位であることを考慮すると、本発明で好ましく使用されるＵＤＤにおいては、１）化学反応帯域では高度爆薬の第１爆発分解生成物の均一化が完了せず、２）爆射生成物の凝集物と分子状成分との分離を完了するための充分な時間がないことが想定される。この推定によれば、爆射生成物からの凝集物中に、ダイヤモンド形成プロセスの化学的マーク、すなわち、爆薬の遊離炭素の凝集メカニズムと炭素原子それ自体の再構築メカニズムについて判断できる分子化合物及び凝集構造の破片物質、が保存されている可能性があることになる。
【０１５２】
化学的マークは次の４つのカテゴリー、すなわち、(ｉ）ｓｐ３状態炭素であることを特徴とするダイヤモンド構造物及びダイヤモンド様構造物の破片としてのフレーム、ブリッジ、脂環式炭素化合物、(ii)グラファイト様構造物(ｓｐ２混成軌道のもの)の破片としての単環及び多環芳香族化合物の誘導体、(iii)炭素クラスターの周囲部境までのアモルファス化物の破片、及びカルビン構造(Ｒ−ＣＨ２−構造)の存在の兆候物の破片としての脂肪族直鎖状及び分枝状化合物、(iv)炭素粒子の表面層の破片としての−Ｃ−Ｎ結合又は−Ｃ−Ｏ結合含有化合物、に分けて考えることができる。
【０１５３】
［製造例１５］
かような化学的マークを明らかにし解析するため、本発明で好ましく使用されるＵＤＤについて、ＵＤＤ、ＢＤの温和な熱分解生成物及びＵＤＤとＢＤの非ダイヤモンド相の超臨界状態有機溶媒中での分解生成物(所謂オルガノリシス性分解の生成物)について検討した。
すなわち、ソックスレー(Soxhlet)装置中で、固体:液体＝1:10の割合で、(３．６０〜４．３２）×１０５秒の抽出時間、冷抽出を行なった。液体の抽出力が最大のとき、超臨界状態で所謂オルガノリシス性分解を行なった。４×１０−４ｍ３容積のオートクレーブ中で５ＭPa以上の圧力、573〜673Ｋで処理した。得られた抽出物を低温蛍光Ｘ線スペクトル分析法、ガス−液相クロマトグラフィ、クロマトマススペクトル分析、ＩＲスペクトル分析、及び、常磁性共鳴スペクトル分析法で解析した。各冷抽出物を得るため、ダイヤモンドを含有しない標準サンプルを含む異なるタイプの爆射混合物を用いた。合成条件の違いにより、各爆射混合物は異なる数の抽出された物質を含んでいた。これらは、環構造上に１個又はそれ以上の置換基をもつ二環性芳香族炭化水素、及び多環性芳香族炭化水素であった。さらに、混合物からの低温抽出による分子状生成物中から、ｓｐ２混成軌道のもの及びｓｐ３混成軌道のものを含む各種化合物が得られた。しかしながら、超分散されたグラファイト及びターボストレート(turbostrate:スメクタイトや石炭のように集合原子により構成される各層が平行であり、かつ、各層が互いに不規則な方向を向いて及び／又は不規則な間隔で重なったメソ状態の相)炭素が、ダイヤモンドよりも、このような化合物を含む天然物に類似していることは明らかである。冷抽出の条件下では、固体炭素マトリックスは破壊せず、有機溶媒に溶解しうる化合物分子の脱吸着及び洗い出し(所謂抽出)のみが生じる。そのため、同定された化合物は、最初の爆射生成物から炭素凝集物に移る過程の中間状態の炭素化合物であると結論することができる。前記混合物中の抽出材中に排出される多芳香族性化合物と、ダイヤモンド相の完成された構造物及びその含有量との関係が測定された。即ちダイヤモンドを含有しない爆射生成物からは、可溶性物質の最大５％の排出が測定された。
【０１５４】
［製造例１６］
固体物質の部分分解を伴う、より強力な抽出を、２００〜４００℃及び昇圧条件下、即ち使用した有機溶剤の超臨界状態下で行なった。最も活性な溶剤の１つとして知られるピリジン中で、炭素の最大の超臨界液化を行なった。比較的穏やかな溶剤（炭化水素）を用いて熱抽出された組成物に関する単純で詳細な結果は、次表のとおりであった。
【０１５５】
【表９】
2004018909.tif 000011
【０１５６】
実際に、得られた抽出物は、色調が淡黄色（ｎ−炭化水素）から暗褐色（ヒドロナフタレン）まで異なっていた。抽出処理後のダイヤモンド相−グラファイト相の炭素物質の比率は変化し、表面の性質も著しく変っていた。３０分間のこの超臨界液化により、炭素含有ダイヤモンドの１０％以上の質量が可溶性の状態に変化し得る。この場合、炭素の活性化学結合への分解は比較的ゆるやかに進行し、クラスターの表面層付近の表面に影響を与え不均一化する。安定構造のユニット、例えば溶液中に排出された固体炭素のような顕微鏡的なユニット、個々の分子のようなマクロユニットは、影響を受けずに残る。この個々のユニットのうち、１個乃至２個の窒素原子を環中に有する４環までの窒素含有多環式複素環分子が同定された。
【０１５７】
有機化学の原則に従うこのような化合物の形成は、多分、窒素が、炭素−窒素結合を有する窒素含有モノマーの多縮合過程で消費され、ＵＤＤ合成の第１反応のダイヤモンドを含む凝集炭素中に包含されることによるものと考えられる。この点、ダイヤモンド格子中の炭素と置換した不純物窒素原子によるＵＤＤのＥＰＲスペクトル中に、特徴的なトリプレットの信号がない旨のA.L.Vereshagin, V.F.Komarov, V.M.Mastihin, V.V.Novosyolov, L.A.Petrova, I.I.Zolotuhina, N.V.Vichin, K.S.Baraboshikin, A.E.Petrov[Published Documents for the Conference Entitled name of In Proceeding of 5th All-Union meeting on detonation,Held in Krasnoyarsk,Jan.1991.pp99]Investigation of properties of detonation synthesis diamond phase 記載のデータとは相違するが、しかし、これは、本発明で好ましく使用されるＵＤＤにおける「爆射期間中のUDD形成のための多縮合」と通常の「ダイヤモンド結晶の拡散成長」との差異によるものである。ダイヤモンド結晶の拡散成長の場合には、形成されたダイヤモンド結晶への不純物窒素の捕獲と結晶中への拡散が観測されるが、本発明で好ましく使用されるＵＤＤ合成の場合には、不純物窒素（正確には窒素−炭素結合）が最初に（芳香族構造の環状体の高い結合エネルギーを有する）芳香族環中に入り、次にこれが予備縮合したパッキング中に包含される。この場合、窒素の常磁性特性が、単原子状の不純物窒素のそれとは異なる。
【０１５８】
ダイヤモンドクラスターの外周シェルの外側表面の構造は、熱吸収データから、両者共同様であると思われる。本発明においては、クロマトマススペクトルメータＬＫＢ−２０９（スエーデン）を用いて熱吸収測定が行なわれた。ヘリウム気流中５７３Ｋで熱脱吸着が行なわれ、生成物は、液体窒素で冷却された毛細管中に連続的に捕獲された。次に、ヘリウムキャリアー(ＶＨｅ＝２．５×１０−６ｍ３/sec）の気流中で弱極性の相（ＳＰＢ-5,ｌｋ＝６０ｍ，ｄｃ＝３．２×１０−４ｍ）の毛細管カラムで、４Ｋ／分の加熱速度で２９３Ｋから５４３Ｋまでプログラム加熱し、熱脱吸着生成物を蒸発させた。
【０１５９】
［製造例１７］
マススペクトルライブラリーを用いた電算機によりマススペクトル処理し、生成物を同定した。ダイヤモンド含有混合物及びＵＤＤの表面から脱吸着された物質の組成は次表に示される。
【０１６０】
【表１０】
2004018909.tif 000012
【０１６１】
ＢＤ表面からは炭化水素のみ、即ち、飽和Ｃ８〜Ｃ１１炭化水素、不飽和Ｃ８〜Ｃ９炭化水素、脂環式炭化水素及び芳香族炭化水素が脱収着された。Ｃ１０のアルカンの含有量は顕著であり、脱収着生成物中でｎ−デカンＣ１０Ｈ２２自身が主である。これは、爆射生成物におけるキュムレン結合（Ｃ３Ｈ７・Ｃ６Ｈ４・ＣＨ＝の結合）形の消費でＣ１０〜Ｃ１２の炭化水素鎖がパッキングされるときに熱力学的に効率的な構造としてのカルビン構造(Ｒ・ＣＨ２−構造)がある旨のデータと一致する。本発明により、ＢＤ自身中の多環芳香族ネットの存在が確認されたが、しかし、Ｃ１０のアルキルベンゼンを含む芳香族炭化水素は、ＢＤ物質から脱吸着された全質量のうちの充分に小さい区分にすぎない。それ故、sp２型炭素の縮合程度は充分に高い。しかし、多環芳香族ネットは強く不整合化され、主に脂肪族性の周囲基、いわゆる炭化水素フリンジを有する。ＢＤ表面から脱吸着された生成物中の水素は、Ｃ−Ｈ型結合の非活性水素である。これは、ロシア特許第２０４６０９４号(合成炭素ダイヤモンド材料)、Bjuljuten izobretnji,(29),pp189(1995)記載の超分散された炭素表面の活性水素の分析結果とも齟齬がない。
【０１６２】
ＵＤＤ表面からの脱吸着生成物の組成は大変複雑で多岐に亘る。炭化水素を別にして、炭素表面の酸化の結果として窒素含有化合物及び酸素含有化合物が挙げられる。ベンゼン及びＣ７〜Ｃ１０の同族体が広く作られ、それらからＣ１０のアルカンが得られる。そのうち、ｎ−デカンが優勢である。ブリッジ脂環類はカンフェン及びテルパジエンＣ１０Ｈ１６として存在する。脱吸着生成物のこのような組成は、ダイヤモンド構造の相境界面が露出する可能性は少ないことを示している。
【０１６３】
種々の過度性炭素構造により、ＵＤＤクラスター構造を安定化することができる。水素気流中で４００℃でＵＤＤを処理（前記表中の水素処理したＵＤＤ）すると、Ｃ８〜Ｃ１１の大量の炭化水素を非可逆的に脱吸着する。しかし、表面炭素構造を分解すると、Ｃ２〜Ｃ７の炭化水素の形成を伴って、連続的な表面、すなわち準安定(metastable)な表面を再生する。
【０１６４】
爆射法によるダイヤモンド粒子は、フラクタルルール(集合体を構成する個々の画像要素の形とその集合体画像の形とが相似形であることが大、中、小と繰り返されている無限等比級数系のルール)が適用され、小粒子が非連続に凝集したクラスターからなり、該小粒子１個はまた種々の大きさの小片が結合したものからなることは従来から知られ(G.V.Sakovich, V.D.Gubarevich, F.Z.Badaev, P.M.Brilyakov, O.A.Besedina[In Proceedings of Science of USSR,Vol.310g,No.2,pp402(1990)]Aggregation of diamonds obtained form explosives、及びLuciano Pietronero, Erio Tosatti[Fractals in Physics:Proc.of the Sixth Trieste International Symposium of fractals in physics(1985), ICTP,Trieste,Italy]Invetigation of synthesis of Ultradispersed diamonds、及びA.V.Igonatchenko, A.B.Solohina[Published Documents for the Conference Entitled name of In Proceeding of 5th All-Union meeting on detonation,Held in Krasnoyarsk,Jan.1991.pp164]Fractal structure of ultradispersed diamonds参照)ている。
【０１６５】
本発明で好ましく使用されるＵＤＤ懸濁物のイオン強度はｐＨ４乃至１０の範囲のものであるが、温度上昇、ｐＨ上昇はこの懸濁粒子のフロキュレーションを生じ易くする。本発明で好ましく使用されるＵＤＤについて、ＵＤＤの凝集メカニズムは２段階であると考えることができる。最初の段階は化学的精製期間にＢＤの非ダイヤモンド成分の酸化条件下で粒子のクラスター化により、比較的コンパクトな第１の凝集体が形成される。第２の段階は、クラスター−クラスター間の凝集であり、これは、より破壊され易い第２の構造を形成する。この第２段階は、第１の凝集体のフロキュレーションを生じるまでが限度である。ある場合にはクラスター−粒子間の凝集、第２構造のクラスター相互間の凝集等好ましくない凝集を生じ得る。
【０１６６】
［製造例１８］
つぎに、静的製造法（製法Ｉ：非爆射法）によるＵＤＤ、従来の爆射法(G.A.Adadurov, A.V.Baluev, O.N.Breusov, V.N.Drobishev, A.I.Rogechyov, A.M.Sapegin, B.F.Tatsji[Proceedigs of Academy of Science of USSR,Inorganic materials,Vol.13,No.4,pp649(1977)]Some properties of diamonds obtained by explosion method、製法II)によるＵＤＤ、及び本発明で好ましく使用されるＵＤＤの製造方法（製法III)によるＵＤＤの諸性質を比較した。結果は次表に示される。
【０１６７】
【表１１−１】
2004018909.tif 000013
【０１６８】
【表１１−２】
2004018909.tif 000014
【０１６９】
上の表から、製法IIIによるＵＤＤは、炭素含有率が９０％未満であって低く、水素含有率が０．８％以上であって高く、酸素含有率が６．８％以上であって高いことが分かる。他のダイヤモンドと異なる顕著な点として、比表面積がほぼ１０倍程度に大きいこと、収着能が３８４×１０３Ｊ／ｋｇ以上であってほぼ１０倍程度に大きいこと、表面電位がマイナス７７．４４×１０３Ｖ以上であってほぼ１０倍程度に大きいことが挙げられる。若干の表面導電性を有すること、吸水率は他のものに比し倍程度高いことが次に挙げられるが、他方、空中酸化開始温度、真空中でのグラファイト化開始温度は相対的に低い。電気的、磁気的物理特性は他のダイヤモンドとさほどの違いがない。従来の製法IIによるＵＤＤは、２つの相、すなわち、結晶定数ａ＝３．５７×１０−１０ｍの立方晶形の相と、結晶定数ａ＝２．５２×１０−１０ｍの六方晶形の相を含むが、本発明の製法IIIによるＵＤＤは、結晶定数ａ＝３．５７×１０−１０ｍの立方晶形の相のみからなる。
【０１７０】
［ＵＤＤ−金属の複合膜、その作成］
以下、本発明によるメッキ浴について具体的に説明する。
これら各メッキ浴には、むろん、本発明においては、前記のようなＵＤＤ濃度即ち、メッキ液１リットル中０．０５〜１２０ｇ、好ましくは０．１〜３２ｇ、より好ましくは１〜１６ｇの濃度になるようにＵＤＤを添加する。本発明の典型的な１リットルのメッキ液中におけるＵＤＤ濃度は、ニッケルメッキの場合実務上は２ｇ以上であることが好ましく、より好ましくは３ｇ〜１４ｇである。
【０１７１】
［実施例１〜実施例８］
［ＵＤＤ−ニッケル金属の複合膜］
製造例１のＮｏ６のサンプル(α＝７４．４％のサンプル、サンプルＥ)の縣濁液（２５ｍｌ）を、装飾用ニッケルメッキ浴として、つぎの組成のワット(Watt)浴、及び作業条件、即ち、光沢ニッケルメッキ（４７５ｍｌ；分散剤としてライオノール９３５を使用）に添加し、５００ｍｌのニッケル−ＵＤＤメッキ液を建浴した。
2004018909.tif 000015
その後、分散剤としてノニオン系界面活性剤（ライオノール）を１滴（０．１ｍｌ／１Ｌ）以下の割合で添加し該ニッケル−ＵＤＤメッキ溶液を調整した。
以上のように調整したメッキ液を５５℃に昇温した後、被塗物（メッキ処理材料）を前処理（脱脂→水洗→酸洗い→水洗）→メッキ処理（ニッケル−ＵＤＤ）→後処理（水洗→乾燥）の順に処理を行なった。このときのその他のメッキ条件は、メッキ時間は５ｍｉｎ、メッキ液の攪拌にはマグネチック・スターラーを使用し、メッキ時に緩やかな速度で攪拌を行なった。メッキ後の乾燥には純水洗浄後にエアー吹き乾燥を行なった。なお本実施例では上記のような条件でメッキしたが、例えばつぎのような処方のメッキ浴を用いることもできる。
硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ）          ３００ｇ／ｌ
塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）             ３０ｇ／ｌ
硼酸（Ｈ３ＢＯ３）                               ２５ｇ／ｌ
他の主要条件はつぎのとおりであった。
ＵＤＤ縣濁液                                      表１２のとおり
界面活性剤                                        表１２のとおり
光沢剤適量（２種類）ピット防止剤                      適量
ピット防止剤                                          適量
ｐＨ                                            ３．５〜４．０
温度                                                ５５℃
電圧(V)                                           表１２のとおり
陰極電流密度(Ａ／ｄｍ２)                          表１２のとおり
撹拌                                              スターラーで緩攪拌
メッキ時間                                           ５分
上記ＵＤＤ縣濁液を含むメッキ浴で、ハルセル（登録商標）試験器を使用して、通常メッキ前処理によりよく洗浄したハルセル（登録商標）試験用黄銅板に対してメッキ作業を行なった。メッキ浴は念のため、陰極ガスによる自然撹拌だけでなくマグネチックスターラーにて緩やかに攪拌した。メッキ後の乾燥には純水洗浄後にエアー吹き付け乾燥を行なった。
【０１７２】
【表１２】
2004018909.tif 000016
【０１７３】
このようにして得られた実施例１〜実施例８のメッキ膜サンプルのメッキ膜厚を、メッキ膜厚測定の常法（蛍光Ｘ線による膜厚測定）により、ハルセル（登録商標）電流密度早見板にしたがって、２個所の高電流密度位置（５．０Ａ／ｄｍ２）、２個所の中電流密度位置（２．０Ａ／ｄｍ２）、２個所の低電流密度位置（１．０Ａ／ｄｍ２）、の計６個所の膜厚を測定し、その平均値を求めた。結果はつぎの表１３に示される。
【０１７４】
【表１３】
2004018909.tif 000017
【０１７５】
なお、上記表１３中には示してないが、実施例６、７、８で得られた３サンプルについては、０．１Ａ／ｄｍ２の電流密度の個所についても膜厚（μｍ）を測定し、それぞれ、平均膜厚０．２２３０μｍ（実施例６）、平均膜厚０．３３９３μｍ（実施例７）、平均膜厚０．２５８２μｍ（実施例８）の結果を得た。
【０１７６】
これらの結果から、膜厚は電流密度にほぼ比例して大きくなること、及び、０．１Ａ／ｄｍ２の電流密度では薄い膜厚しか得られないことが分かる。
【０１７７】
次に実施例１〜実施例８で得られた各メッキサンプルのメッキ膜中におけるＵＤＤ粒子の分散状態及びＵＤＤ粒子のサイズ分布を以下のように検査した。すなわち、前記ハルセル（登録商標）試験用黄銅板の高電流密度位置、中電流密度位置、低電流密度位置をＳＥＭ撮影するため白金の薄膜を設けた後、ＳＥＭにて表面撮影した。また、前記ハルセル（登録商標）試験用黄銅板の高電流密度位置、中電流密度位置、低電流密度位置をメトラ型カッタで切断し、メッキ皮膜の断面のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）の拡大写真（１０．０００倍率）で撮影した。ハルセル（登録商標）試験用黄銅板には、ＵＤＤ−ニッケル複合メッキ皮膜上に硫酸銅メッキにてマスキングを施し、カッタで切断し、樹脂に埋め込み、硬化させた後に撮影面（切断面）を研磨し、エッチングし、そしてＳＥＭ撮影用にスパッタにて白金の薄膜をコ―ティングした後、ＳＥＭにて撮影された。
ＳＥＭ撮影された断面は、図２２（実施例６、７のサンプルの表面ＳＥＭの１００００倍拡大）、図２３（実施例６、７のサンプルの断面ＳＥＭの１０００倍拡大）、図２４（実施例８のサンプルの断面ＳＥＭの５０００、１００００倍拡大）、図２５（実施例２のサンプルの電流密度＝１Ａ／ｄｍ２にあたる位置、２Ａ／ｄｍ２にあたる位置、５Ａ／ｄｍ２にあたる位置、のＳＥＭ写真の１００００倍の拡大図）、図２６（実施例２のサンプルの断面ＳＥＭの２０００００倍拡大）に示される。
【０１７８】
これらの結果から、本発明のＵＤＤ−金属の複合薄膜層においては、粒径分布が狭分散（２ｎｍ〜６０ｎｍの範囲）のＵＤＤ粒子が金属薄膜表面に均一かつ高密度に分散しているだけでなく、金属薄膜の層の深さ方向の各レベルにおいて均一かつ高密度に分散していることが分かる。また、特に、高電流密度部では綿密に均一分散していることが分かる。更に、実施例６、７の結果から攪拌（実施例６）が、無攪拌（実施例７）に比し、より効果的であることが分かる。
【０１７９】
そして、次に実施例１〜実施例８で得られた各メッキサンプルのメッキ膜中におけるＵＤＤ粒子の分散状態及びＵＤＤ粒子のサイズ分布を、前記ＳＥＭ画像に基く以下のような画像解析法により測定した。
すなわち、一定面積(４ｃｍ×１０ｃｍ)の前記ハルセル（登録商標）板ごとにメッキ皮膜を常法により酸で溶解し、その溶液をフイルタでろ過し、ろ過したフイルタに捕集された粒子の重量を測定することで、本発明のＵＤＤ−金属の複合薄膜層中のＵＤＤ量を求めた。そしてこれを基に、ニッケル皮膜中に析出したＵＤＤの析出割合を次の計算式（Ｉ）、（II）から求めた。
【０１８０】
Ｎｉ皮膜の重量＝平均膜厚×表面積×Ｎｉの密度…計算式（Ｉ）
ＵＤＤ析出割合＝（ＵＤＤ析出重量／Ｎｉ皮膜の重量）…計算式（II）
【０１８１】
次に図２２（ＳＥＭ画像の拡大写真）を１．０×１．０μｍ２の単位面積で区切り、その中からランダムで数ヶ所抜き取り、ＵＤＤ数量を計測し、その平均値を求めて１．０×１．０μｍ２あたりのＵＤＤの共析量を換算した。これをもとにニッケル皮膜中のＵＤＤ析出割合を求めた。その計算式をつぎの式（III）〜（VI）に示す。ここでｒ＝１５［ｎｍ］、ＵＤＤ密度＝３．２０×１０３［ｋｇ／ｍ３］である。また、その結果を表１４に示す。
１粒子あたりのＵＤＤ重量＝４πｒ３／３×ＵＤＤの密度      …（III）
皮膜中の総ＵＤＤ数量＝体積×単位体積あたりのＵＤＤ数量    …（IV）
ＵＤＤ析出重量＝皮膜中の総ＵＤＤ数量×１粒子あたりのＵＤＤ数量…（Ｖ）
ＵＤＤ析出割合＝（ＵＤＤ析出重量／ニッケル皮膜の重量）×１００…（VI）
【０１８２】
【表１４】
ニッケル皮膜中のＵＤＤ析出割合
2004018909.tif 000018
【０１８３】
表１４から、本発明のＵＤＤ―ニッケル金属複合薄膜におけるＵＤＤ析出割合（含有量）は、１％以上であることがわかる。しかし、ノニオン系界面活性剤はメッキ溶液中でＵＤＤの凝集を抑制する効果がより大きい等の理由のため、０．２μｍのフィルターで捕集できないものもあると思われる。特に実施例２の場合その効果が顕著に表われている。
【０１８４】
［カチオン系界面活性剤の使用例］
上記サンプルのＵＤＤ２５ｍｌ、純水２５ｍｌをビーカーに取り混合した。それにカチオン系界面活性剤のエソカード０．１ｍｌ入れ、攪拌した。その後そのＵＤＤ溶液をニッケルメッキ４５０ｍｌに添加し、さらに攪拌してＵＤＤ−ニッケル金属メッキ溶液を調整建浴した。その後ハルセル試験器を使用して、通常メッキ前処理により良く洗浄したハルセル（登録商標）試験用黄銅板に電気メッキをした。この皮膜作製時のメッキ条件は以下のように決めた。予備試験により、温度は最適であると思われる５５℃、メッキ時間は５ｍｉｎ、電流値は１．０Ａに統一した。そしてメッキ液の攪拌にはマグネチック・スターラーを使用し、メッキ時に緩やかな速度で攪拌を行なった。また、無攪拌でのメッキ時は、電解直前まで攪拌を行ない、電解と同時に攪拌を停止してメッキを行なった。メッキ後の乾燥には純水洗浄後にエアー吹き乾燥を行なった。
【０１８５】
このようにして得られたメッキ皮膜の表面の拡大写真をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により、１０，０００倍率で撮影した。それらはハルセル電流密度早見板により、１．０、２．０、５．０Ａ／ｄｍ２にあたる位置の拡大写真である。その拡大写真を図２３に示す。
次に、拡大写真を１．０×１．０μｍ２の単位面積で区切り、その中からランダムに数ヶ所抜き取り、ＵＤＤ数量を計測し、その平均値を求めて１．０×１．０μｍ２あたりのＵＤＤの共析量を換算した。これをもとにニッケル皮膜中のＵＤＤ析出割合を求めた。その計算式は式（III）〜（VI）と同様である。ここでｒ＝１５［ｎｍ］，ＵＤＤ密度＝３．２０×１０３［ｋｇ／ｍ３］である。その結果を次の表１５に示す。
【０１８６】
【表１５】
ニッケル皮膜中のＵＤＤ析出割合
2004018909.tif 000019
【０１８７】
図２３の１０００倍率のＳＥＭ拡大写真から、攪拌有り無しでは無攪拌の方が均一分散していることがわかる。これは攪拌（流速・メッキ液の流れ方向）による影響である。また、強電流密度部ほど大きく凝集したものが析出し、析出粒径にもバラツキが見られる。電流密度が１．０Ａ／ｄｍ２の部分では１００ナノメーター前後に凝集したＵＤＤが均一分散し、析出粒径のバラツキ範囲も狭いことがわかる。従って、電流密度により析出粒径が異なり、低電流密度部ほど緻密なＵＤＤ−ニッケル金属メッキ複合皮膜であることがわかる。しかし、高電流密度部において応力を加えるとメッキ割れの現象が発生した。これはＵＤＤの析出増加により、メッキ皮膜の硬度が上昇するという物性変化によるものであると思われる。
【０１８８】
［ＵＤＤ粒子のＳＥＭ画像の画像解析］
図２６（実施例２のサンプルの電流密度＝１Ａ／ｄｍ２にあたる位置、２Ａ／ｄｍ２にあたる位置、５Ａ／ｄｍ２にあたる位置、のＳＥＭ写真の２×１０５倍の拡大図）の該３箇所を、１００ ｌｉｎｅ／ｉｎｃｈの較正値（解像力）、０．６８４９２ｎｍ／ｐｉｘｅｌ，１．４６ｐｉｘｓｅｌ／ｎｍの画素切取寸法で、８００×９５０ pixelの画素数範囲の面積についてスキャナー読み取りを行ない、読み取られた各画素情報を常用のコンピュータ画像処理に供した。すなわち、読み取られた画像情報をコンピュータにより２値化処理し、得られた数値データをコンピュータにより統計処理してヒストグラム化し、ヒストグラムに基いて、画素の大小集合からなる各明部領域を暗部から区別するための閾値をコンピュータにより統計的に求め、該閾値に基いて画素の集合としてのそれぞれ大きさが異なる各明部領域をコンピュータにより切り出し、メモリに記憶させ、画素の集合として切り出された各明部領域データをメモリから読み出して、それらの縦軸及び横軸に等面積処理を施してそれら各径をコンピュータにより計算し、該それぞれ明部領域データの統計上の特異点を基本統計量として算出すると共に、それぞれの径の分布状態を大きさ毎に分類した。
【０１８９】
結果はつぎの表１６（ＵＤＤ粒子等面積円径の基本統計量（３視野合計））、表１７（粒径―個数分布）、表１８（長軸／短軸比の基本統計量）、表１９（長軸／短軸の個数分布）、表２０（等面積円径の基本統計量）、表２１（等面積円径―個数分布）に示され、グラフとして図２７（粒径―個数分布）、図２８（長軸／短軸比―個数分布）、図２９（３視野の等面積円径―個数分布）に示される。
【０１９０】
【表１６】
ＵＤＤ粒子等面積円径の基本統計量（３視野合計）
平均                    １３．７８７６６１６１
標準誤差                ０．３６９４９９３４６
中央値（メジアン）      １２．８８９４５９９７
最頻値（モード）        ５．４１１４０８９２
標準偏差                ６．２１５９４１１１６
分散                    ３８．６３７９２３９６
尖度                  −０．２８５３２０９９２
歪度                    ０．６３１５０１２１１
範囲                    ２７．１７８４３５４７
最小                    ４．５７３４７５４５２
最大                    ３１．７５１９１０９２
合計                    ３９０１．９０８２３４
標本数                                  ２８３
最大値（１）            ３１．７５１９１０９２
最小値（１）            ４．５７３４７５４５２
信頼区間（９５．０％）  ０．７２７３２６３１４
【０１９１】
【表１７】
粒径―個数分布
2004018909.tif 000020
【０１９２】
【表１８】
長軸／短軸比の基本統計量（３視野合計）
平均                    １．３３４３６５６３８
標準誤差                ０．０１２９０４７５９
中央値（メジアン）      １．２８７８７７４９５
最頻値（モード）        ＃Ｎ／Ａ
標準偏差                ０．２１７０９１６５７
分散                    ０．０４７１２８７８７
尖度                      １．１６１２７９６３
歪度                    １．１２１９３７４７８
範囲                    １．０９９５４９２７７
最小                    １．０００００７２６８
最大                    ２．０９９５５６５４４
合計                    ３７７．６２５４７５６
標本数                                  ２８３
最大値（１）            ２．０９９５５６５４４
最小値（１）            １．０００００７２６８
信頼区間（９５．０％）  ０．０２５４０１８６１
【０１９３】
【表１９】
長軸/短軸の個数分布
2004018909.tif 000021
【０１９４】
【表２０】
2004018909.tif 000022
【０１９５】
【表２１−１】
等面積円径―個数分布（各視野毎）
2004018909.tif 000023
【０１９６】
【表２１−２】
その累積割合
2004018909.tif 000024
【０１９７】
図２７におけるバーグラフは、各チャンネル（データ区間）毎の個数分布頻度を、折線グラフは、合計個数分布頻度を、それぞれ表わし、図２８におけるバーグラフは、各チャンネル（データ区間）毎の個数分布頻度を、折線グラフは、合計個数分布頻度を、それぞれ表わし、図２９におけるバーグラフは、各チャンネル（データ区間）毎の個数分布頻度を、折線グラフは、合計個数分布頻度を、それぞれ表わす。
【０１９８】
これらの結果から、本発明のＵＤＤ―ニッケル金属複合薄膜におけるＵＤＤは、金属薄膜層の層厚方向の各レベルに亘ってほぼ均一に分散している（図２２乃至２６）ことが分かり、該ＵＤＤはその粒径分布が、等価円換算で、粒径が１６ｎｍ以下の粒径の粒子の数平均存在率が少なくとも５０％以上、例えば６２．５４％（表１７）の小粒径のものであり、５０ｎｍを超える粒径の粒子の数平均存在率及び)２ｎｍ未満の粒径の粒子の数平均存在率が実質零％（表１７）の狭分散ものであることが分かる。
【０１９９】
また、該金属薄膜層のＳＥＭによる層厚が３２ｎｍ（０．０３２μｍ）乃至３００００ｎｍ（３０．０μｍ）の範囲、例えば０．１０μｍ（０．１１３２μｍ）〜５．００μｍ（４．９８５０μｍ）の範囲（表１３）のもので、その中に含まれるＵＤＤはその粒径分布が、等価円換算で、粒径が１６ｎｍ以下の粒径の粒子の数平均存在率が７０％以上である場合がある（表１６、１７）こと、ＳＥＭによる画像解析で長軸の短軸に対する比が２．２以下の存在率の粒子の出現率が、実質１００％で、長軸の短軸に対する比が１．４以下の粒子の出現率が、７０％以上（表１８、１９）のほぼ球体の丸いものであり、潤滑性に優れたものであることが分かる。
【０２００】
［ＵＤＤ―ニッケル金属複合薄膜の硬度測定］
製造例１で得られた上記サンプルのＵＤＤを２５ｍｌニッケルメッキに超音波を当てながら添加し、５％のニッケル−ＵＤＤメッキ溶液を５００ｍｌ調整し建浴した。ここで使用した光沢ニッケルメッキの液組成を表２２に示す。さらに分散剤としてポリオキシエチレンラウリルエーテル（東信油化工業社製）を０．１ｍｌ添加して調整した。
【０２０１】
【表２２】
2004018909.tif 000025
【０２０２】
以上のように調整したメッキ液を５５℃に昇温した後、黄銅板テストピースを前処理（脱脂→水洗→酸洗い→水洗）→メッキ処理（ニッケル−ＵＤＤ）→後処理（水洗→乾燥）の順に処理を行なった。テストピースのサイズは２０ｍｍ×１００ｍｍで実際メッキ処理する部分は２０ｍｍ×７０ｍｍである。硬度測定を行なうためには、メッキ膜厚が２０μｍ前後必要であり、それ以下だと素地（母材）の影響を受けてしまう。そのため皮膜作製時のメッキ条件は以下のように決めた。前報より、温度は最適であると思われる５５℃、電流値は０．５６Ａ（電流密度＝２．０Ａ／ｄｍ２）に統一した。そしてメッキ液の攪拌には超音波（超音波洗浄器：ＳＵ−６ＴＨ  柴田科学株式会社製）を使用（実施例３改）し、また、マグネチック・スターラーを使用（実施例３）した。また、メッキ時間を超音波の場合（実施例３改）は５０ｍｉｎ、マグネチック・スターラーの場合（実施例３）は７０ｍｉｎとし、メッキ時間で膜厚の調整を行なった。メッキ後の乾燥には純水洗浄後にエアー吹き乾燥を行なった。
【０２０３】
次に硬度測定の評価方法として微小硬さ試験方法によるビッカース硬さを用いた。ビッカース硬さとは対面角１３６°のダイアモンド四角すい圧子を用い、一定の荷重で圧子を試料表面に押し込んで試料面にピラミッド形のくぼみをつけ、その対角線の長さを測定し、それから求めた表面積で除した値で算出するものである。次式によりビッカース硬さを算出した。また、硬度測定の詳細を以下に示す。
【０２０４】
硬度測定の詳細
方法：微小硬さ試験方法（ＪＩＳ  Ｚ  ２２５１−１９８０）によるビッカース硬さ
測定器：明石製作所  超軽荷重微小硬度計（形式  ＭＶＫ−１）
条件：荷重；２０．０［ｇｆ］，荷重保持時間；１５［ｓｅｃ］
負荷速度；０．０１［０．０１ｍｍ／ｓｅｃ］
【０２０５】
Ｈｖ＝Ｆ／Ｓ＝２Ｆｓｉｎ（θ／２）／ｄ２＝１８５４．４Ｆ／ｄ２…（VII）
Ｈｖ；ビッカース硬さ，Ｆ；荷重［ｇｆ］，
Ｓ；くぼみの表面積［μｍ］，ｄ；対角線の平均長さ［μｍ］
【０２０６】
結果、実施例３の方は、くぼみの大きさにバラツキが見られたため、最も群が多い値で行なった。結果を表２３に示す。
【０２０７】
【表２３】
ＵＤＤ−ニッケル複合膜の硬度測定結果
2004018909.tif 000026
【０２０８】
超音波を用いてメッキを行なったもの（実施例３改）はＵＤＤの影響により皮膜硬度が増加している。また、スターラーによる攪拌の場合（実施例３）は通常ニッケルメッキとの差は見られなかった。しかし、上述したようにくぼみの大きさが一定しなかったことから、ＵＤＤが皮膜中に存在するが均一に分散していないと思われる。参考までにニッケルの硬度は一般的にＨｖ＝２００〜４００ほどである。
【０２０９】
上記ＵＤＤ―ニッケル金属複合薄膜の硬度測定の結果、ニッケル硬度変化について、ワッツ浴に添加剤なしでは１００〜２５０（ＨＶ）程度であり、ワッツ浴に光沢用光沢剤添加では２００〜４００（ＨＶ）程度と言われているが、ＵＤＤ皮膜は５３８（ＨＶ）が実験では確保できた。この硬度は通常のほぼ２倍程度の
硬度増加と云える。
【０２１０】
［実施例９〜実施例１０］
［ＵＤＤ−金の複合膜］
（実施例９；分散剤としてライオノール９３５使用）
製造例１のＮｏ６のサンプル（α＝７４．４％のサンプル、ＮＵＤＤ−Ｅ）の縣濁（１０ｍｌ）を、次の組成を有する光沢厚付純金メッキ（４９０ｍｌ）に添加し、５００ｍｌの金−ＵＤＤメッキ液を建浴した。
2004018909.tif 000027
その後の分散剤としてカチオン系界面活性剤（エソカード）を１０滴（１．０ｍｌ／１Ｌ）以下の割合で添加し金−ＵＤＤメッキ溶液を調整した。
以上のように調整したメッキ液を６０℃に昇温した後、被塗物（メッキ処理材料）を前処理（脱脂→水洗→酸洗い→水洗）→メッキ処理（金−ＵＤＤ）→後処理（水洗→乾燥）の順に処理を行なった。このときのその他のメッキ条件は、メッキ時間は５ｍｉｎ、メッキ液の攪拌にはマグネチック・スターラーを使用し、メッキ時に沈殿物が生じない程度の速度で攪拌を行なった。メッキ後の乾燥には純水洗浄後にエアー吹き乾燥を行なった。
【０２１１】
（実施例１０；分散剤としてレオコン使用）
製造例１のＮｏ６のサンプル（α＝７４．４％のサンプル、ＮＵＤＤ−Ｅ）の縣濁（１０ｍｌ）を、次の組成を有する光沢厚付純金メッキ（４９０ｍｌ）に添加し、５００ｍｌの金−ＵＤＤメッキ液を建浴した。
2004018909.tif 000028
その後分散剤としてノニオン系界面活性剤（レオコン）を１滴（０．１ｍｌ／１Ｌ）以下の割合で添加し金−ＵＤＤメッキ溶液を調整した。
以上のように調整したメッキ液を，６０℃に昇温した後、被塗物（メッキ処理材料）を前処理（脱脂→水洗→酸洗い→水洗）→次表に示される作業条件で、メッキ処理（金−ＵＤＤ）→後処理（水洗→乾燥）の順に処理を行なった。このときのその他のメッキ条件は、メッキ時間は５ｍｉｎ、メッキ液の攪拌にはマグネチック・スターラーを使用し、メッキ時に沈殿物が生じない程度の速度で攪拌を行なった。メッキ後の乾燥には純水洗浄後にエアー吹き乾燥を行なった。
【０２１２】
【表２４】
2004018909.tif 000029
【０２１３】
得られたＵＤＤ−金複合薄膜層のサンプルを、ニッケル複合薄膜層の場合と同様に、皮膜の膜厚の測定を行なった。結果は次の表２５に示される。ニッケル複合薄膜層の場合と全く同様の傾向が示された。
【０２１４】
【表２５】
2004018909.tif 000030
【０２１５】
［ＵＤＤ−金複合薄膜層のＳＥＭ画像の画像解析］
次に、得られたＵＤＤ−金複合薄膜層のサンプルを、ニッケル複合薄膜層の場合と同様に、ＳＥＭ写真を撮影した。結果は図３０に示される。両金メッキサンプルのメッキ膜中におけるＵＤＤ粒子の分散状態及びＵＤＤ粒子のサイズ分布を検査した結果、ツヤがあり、明度が高く、金特有の若干赤味を帯びた金複合薄膜表面が得られ、ニッケル複合薄膜層の場合と同様に、良好な結果が得られた。
【０２１６】
［実施例１１］
さらに、実施例１０において、攪拌に用いたマグネチックスターラーを超音波分散に代えた以外は、実施例１０と全く同様にして実施例１１のＵＤＤ−金複合薄膜層のサンプルを得た。
［ＵＤＤ−金複合薄膜層のＴＥＭ画像の画像解析］
さらに、この実施例１１によるＵＤＤ−金複合薄膜層のサンプルを、実施例９及び実施例１０のサンプルのＳＥＭ画像と同様、ＴＥＭ写真を撮影し解析した。即ち、実施例１１のサンプルの断面を研磨（終仕上げ；アルミナ０．１μｍ）し、イオンエッチング（ＢＡＬ−ＴＥＣ  ＲＥＳ１００）し、日立Ｈ−９０００ＵＨＲ（３００ｋＶ）を用いてＴＥＭ写真を撮影し、観察した。Ａｕ−ＵＤＤ層は表裏面、及び同一面でも場所によって膜厚に若干の違いが認められたが、膜厚の薄い厚いに拘らずＵＤＤ粒子は球に近い形状で、２ｎｍ〜４０ｎｍ程度の粒子がＡｕ層中に広く均一分布しているのが観察された。結果は図３１に示される。また、薄膜層をより詳細に観察するため、倍率８０万倍のＴＥＭ写真像を撮影した。結果は図３２に示される。この図からＵＤＤをほぼ均一に分散している金複合薄膜層が、そのモアレ模様と共に明瞭に示される。
また、このＴＥＭ写真像に基いて、ＵＤＤ粒子画像をつぎのような条件下で画像解析した。即ち、
（１）画像入力  ２視野  スキャナー入力  100line/inch
画像の大きさ  800×1000Pixel  較正値  0.31646nm/Pixel  3.16Pixel/nm
（２）等面積円径（２視野合計）
【０２１７】
つぎのような結果が得られた。
基本統計量
平均                    ５．６１８６８４２５３
標準誤差                ０．２９０７９６０７９
中央値（メジアン）      ４．２８６０７０７５９
最頻値（モード）            ２．８７９６１７３
標準偏差                ４．４１９７１７７６３
分散                      １９．５３３９０５１
尖度                    １７．３３４７８８２６
歪度                    ３．７５７７２５８３７
範囲                      ３２．０３９３３１１
最小                    ２．１４３０３５３７９
最大                    ３４．１８２３６６４８
合計                    １２９７．９１６０６２
標本数                                  ２３１
最大値（１）            ３４．１８２３６６４８
最小値（１）            ２．１４３０３５３７９
信頼区間（９５．０％）  ０．５７２９６４０４２
【０２１８】
【表２６】
2004018909.tif 000031
（結果は図３３に纏められる）
【０２１９】
（３）長軸／短軸（２視野合計）
基本統計量
平均                    １．２６７６７１９０４
標準誤差                ０．０１１６５６８６５
中央値（メジアン）        １．２３２７８９１７
最頻値（モード）        ＃Ｎ／Ａ
標準偏差                ０．１７７１６９０１３
分散                    ０．０３１３８８８５９
尖度                    １．２０６７８３９４２
歪度                    １．０６３０５５７４４
範囲                    ０．８８３８１４７８４
最小                    １．００００１２０４８
最大                    １．８８３８２６８３２
合計                    ２９２．８３２２０９７
標本数                                  ２３１
最大値（１）            １．８８３８２６８３２
最小値（１）            １．００００１２０４８
信頼区間（９５．０％）  ０．０２２９６７８６３
【０２２０】
【表２７】
2004018909.tif 000032
（結果は図３４に纏められる）
【０２２１】
この実施例１１（超音波攪拌）のＴＥＭ写真による解析結果と、先の実施例１０（マグネチックスターラ）のＳＥＭ写真による解析結果とを比較した。すなわち、両画像をスキャナーにて入力（１００ line/inch）し、入力画像を２値化し、それに基いて各粒子部の等面積円径を計算し、またこれと共に各粒子の長軸、短軸を計測し、長軸/短軸を計算した。結果は次のとおりである。
【０２２２】
【表２８】
2004018909.tif 000033
【０２２３】
これらの結果、超音波振動により激しく攪拌した実施例１１によるサンプルは、マグネチックスターラにより攪拌した先の実施例１０によるサンプルに比較し、より優れた結果が得られた。
【０２２４】
【発明の効果】
以上、詳細かつ具体的な説明から明らかなように、本発明によれば、充分に精製され、粒度分布が狭く、表面活性に優れた粒径ナノメーター単位の超微粒ダイヤモンドを含み分散安定性に優れた水性懸濁液を用いる結果、ダイヤモンド微粒子を薄膜層中に高濃度でかつ均質に分散し、硬度に優れたダイヤモンド微粒子―金属共析膜が提供され、また、電気メッキ浴を用いて、メッキ法により、ダイヤモンド微粒子―金属共析膜を作成する改善された方法が提供されるという優れた効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＵＤＤで変性した陽極酸化アルミニウム膜の断面図である。
【図２】メッキ液中の本発明のＵＤＤの働きを説明する模式図である。
【図３】本発明のＵＤＤ含有金属膜の断面模型図である。
【図４】本発明のＵＤＤ粉末の製造方法及びＵＤＤ水性懸濁液の製造方法の１例を説明する概念図である。
【図５】本発明のＵＤＤ粉末の生成過程を説明する図である。
【図６】本発明のＵＤＤの酸化程度と元素組成との関係を示す図である。
【図７】本発明のＵＤＤのＰＨと活性度との関係を示す図である。
【図８】本発明のＵＤＤ粉末サンプルのＸ線回析チャートである。
【図９】本発明のＵＤＤ粉末１サンプルの詳細なＸ線回析チャートである。
【図１０】本発明のＵＤＤ粉末の他の１サンプルの詳細なＸ線回析チャートである。
【図１１】本発明のＵＤＤ粉末サンプルのＩＲ測定チャートである。
【図１２】本発明のＵＤＤ粉末サンプルのＩＲ測定チャートである。
【図１３】本発明の更に別のＵＤＤ粉末サンプルのＩＲ測定チャートである。
【図１４】本発明のＵＤＤ粒子の拡大模型図である。
【図１５】本発明のＵＤＤ粉末サンプルの粒度分布測定結果を示すグラフである。
【図１６】本発明の別のＵＤＤ粉末サンプルの粒度分布測定結果を示すグラフである。
【図１７】本発明の更に別のＵＤＤ粉末サンプルの粒度分布測定結果を示すグラフである。
【図１８】本発明の更に別のＵＤＤ粉末サンプルの粒度分布測定結果を示すグラフである。
【図１９】本発明の更に別のＵＤＤ粉末サンプルの粒度分布測定結果を示すグラフである。
【図２０】爆射法による粗ダイヤモンドの不完全酸化処理粉末サンプルの粒度分布測定結果を示すグラフである。
【図２１】従来のＵＤＤ粉末サンプルの粒度分布測定結果を示すグラフである。
【図２２】本発明のＵＤＤ含有金属（ニッケル）薄膜例の表面ＳＥＭ写真である。
【図２３】本発明のＵＤＤ含有金属（ニッケル）薄膜例の断面ＳＥＭ写真である。
【図２４】本発明の他のＵＤＤ含有金属（ニッケル）薄膜例の断面ＳＥＭ写真である。
【図２５】本発明の更に他のＵＤＤ含有金属（ニッケル）薄膜例のＳＥＭ写真である。
【図２６】本発明の更に他のＵＤＤ含有金属（ニッケル）薄膜例の断面ＳＥＭ写真である。
【図２７】本発明のＵＤＤ粒子の粒径―個数分布を示す図である。
【図２８】本発明のＵＤＤ粒子の長軸／短軸比―個数分布を示す図である。
【図２９】本発明のＵＤＤ粒子の３視野の等面積円径―個数分布を示す図である。
【図３０】本発明のＵＤＤ含有金属（金）薄膜例のＳＥＭ写真である。
【図３１】本発明の他のＵＤＤ含有金属（金）薄膜例のＴＥＭ写真である。
【図３２】本発明の他のＵＤＤ含有金属（金）薄膜例のＴＥＭ写真である。
【図３３】本発明の他のＵＤＤ粒子の等面積円径―個数分布を示す図である。
【図３４】本発明の他のＵＤＤ粒子の長軸／短軸比―個数分布を示す図である。
【符号の説明】
１    多量の氷
２    純チタン製耐圧容器
３    ヘルメット
４    片面プラグされたパイプ
５    爆薬
６    電気雷管
７    オートクレーブ