【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体が障壁エンベロープに入れられており、該エンベロープが
i)有機基板層と、
ii)有機基板層上の多層浸透障壁とを含む多層構造であって、該障壁が、
a)該基板層の表面に接触する第1の無機コーティングと、
b)第1の無機コーティングの表面に接触する第1の有機コーティングとを含む多層構造を含む、有機発光装置または光起電力装置。
【請求項２】
無機コーティングは、連続コーティングとして形成されたときに気体に対して不浸透性であり、無機コーティングに偶然不連続部が生じた場合に、不連続性制御浸透性を示し、有機コーティングは、水蒸気および酸素の拡散制御浸透を示す、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
コーティングa)およびb)は、多層浸透障壁の第1の浸透障壁を形成し、多層浸透障壁はさらに、少なくとも1つの無機コーティングおよび少なくとも1つの有機コーティングを、第1の浸透障壁の該コーティングと交互の関係になるように含む、請求項1または2に記載の装置。
【請求項４】
コーティングa)およびb)は、多層浸透障壁の第1の浸透障壁を形成し、多層浸透障壁はさらに、第1の複数の無機コーティングおよび第2の複数の有機コーティングを、第1の複数の接触するコーティングb)の無機コーティングと交互の関係になるように含む、請求項1または2に記載の装置。
【請求項５】
無機コーティングは厚さが1nmから1μmである、請求項1または2に記載の装置。
【請求項６】
無機コーティングは厚さが45nmから350nmである、請求項1、2、または5に記載の装置。
【請求項７】
有機コーティングは厚さが5nmから10μmである、請求項1、2、5、または6に記載の装置。
【請求項８】
有機コーティングは厚さが20nmから500nmである、請求項1、2、5、6、または7に記載の装置。
【請求項９】
各無機コーティングは厚さが45nmから350nmである、請求項3または4に記載の装置。
【請求項１０】
各有機コーティングは厚さが20nmから500nmである、請求項3、4、または9に記載の装置。
【請求項１１】
各有機コーティングは厚さが20nmから500nmであり、第2の浸透障壁の少なくとも1つの有機コーティングは、厚さが1μmよりも厚く最大で10μmである、請求項3、4、または9に記載の装置。
【請求項１２】
有機コーティングは厚さが5μmから5000μmである、請求項1から11のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
基板は、
a)単層プラスチック膜、多層プラスチック膜、または共押出されたプラスチック膜、
b)表面が、以下の技術、すなわち、コロナ放電処理、低圧または大気圧グロー放電、火炎処理および加熱処理、および放射がUV、VUV、X線、γ線、およびイオン衝撃などの粒子放射から成る群から選択される放射処理のうちの少なくとも1つによって修飾されたプラスチック膜、
c)表面が、ハード・コーティング、引っ掻き傷防止コーティング、耐磨耗コーティング、反射防止コーティング、感光防止コーティング、化学活性コーティング、酸素掃気コーティング、乾燥コーティング、UV保護コーティング、および色調整コーティングから選択された機能コーティングで被覆されたプラスチック膜
から成る群から選択される、請求項1から12のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
各無機コーティングは、SiO2、SiOx、SiOxCy、Si3N4、SixNyCz、SiOxNy、TiO2、TiOx、ZrO2、ZrOx、Al2O3、SnO2、In2O3、ITO、PbO、PbO2、B2O3、P2O5、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、無定形炭素、硫黄、セレン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、酸化カルシウム、それらの混合物、それらの合金または化合物から成る群から選択される無機材料で完全にまたは基本的に作られ、この場合xは1から3までの整数を表し、yは0.01から5の範囲の数を表し、zは0.01から5の範囲の数を表す、請求項1から13のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
各有機コーティングは、不活性気体または反応性気体の寄与によってまたはその寄与なしで、標準圧力で少なくとも1つの有機物質、すなわち気体または蒸気を含む混合物から得られるプラズマ付着させたコーティングを含む群から選択される有機材料で完全にまたは基本的に作られ、該有機物質は、炭化水素、1つまたは複数のヘテロ原子を含む有機化合物、アルコール、エーテル、エステル、またはそれらの組合せ、有機ケイ素化合物、および有機金属化合物から成る群から選択される、請求項1から14のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
基板は剛性である、請求項1から15のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
基板は可とう性である、請求項1から16のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
浸透障壁供与コーティングは透明である、請求項1から17のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１９】
ASTM法F1927およびD3985によって測定された酸素浸透度が2cm3/m2日よりも低い、請求項1から18のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２０】
ASTM法F1927およびD3985によって測定された酸素浸透度が0.01cm3/m2日よりも低い、請求項1から18のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２１】
多層障壁は硬度が2GPa未満である、請求項1から20のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２２】
基板は、第1の無機コーティングに直接接触する平滑で平坦な表面を有する、請求項1から21に記載の装置。
【請求項２３】
光起電力装置または有機発光装置を製造する際の、請求項1から22のいずれか一項に定義された多層構造の使用。
【請求項２４】
請求項1から22のいずれか一項に定義される、発光ダイオードが障壁エンベロープに入れられている有機発光装置。
【請求項２５】
以下の段階により、多層浸透障壁構造の調製を含む有機発光装置または光起電力装置を作製するプロセス：
a)有機基板上に無機材料を付着させて、有機基板の表面に接触する無機コーティングを形成する段階；
b)無機コーティング上に有機コーティングを付着させる段階；および
c)該装置のための有機半導体を、該障壁構造を含むエンベロープで覆う段階。
【請求項２６】
i)における付着は、部分真空、大気圧、または大気圧よりも高い圧力での、PECVD、CVD、PVD、蒸着、反応性蒸着、スパッタリング、反応性ッスパッタリング、陰極アーク蒸着もしくは陽極アーク蒸着、またはウエット・ケミカル（たとえば、ゾル-ゲル）によって行われ、ii)における付着は、浸漬塗装、吹付け塗装、キャスト・コーティング、スパッタリング、反応性スパッタリング、蒸着、反応性蒸着、PECVD、熱分解／凝縮、または熱分解／重合法を用いて、部分真空、大気圧、または大気圧よりも高い圧力で行われる、請求項25に記載のプロセス。
【請求項２７】
請求項1から21のいずれか一項に記載の装置を作製する、請求項25または26に記載のプロセス。
【請求項２８】
無機材料の付着は、部分真空においてPECVDまたはPVDを用いることによって行われ、有機材料の付着は、部分真空においてPECVDまたは熱分解／重合法を用いて行われる、請求項25に記載のプロセス。