【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置の構成部品の表面を被覆する処理であって、
（ａ）半導体処理装置の構成部品の表面上に第１の中間被膜を随意的に成膜する工程と、
（ｂ）前記第１の中間層上に又は前記表面上に第２の中間被膜を随意的に成膜する工程と、
（ｃ）耐食性の外面を形成するために前記構成部品上に窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜を成膜する工程と、
を含むことを特徴とする被覆処理。
【請求項２】
前記構成部品の前記表面は、金属、セラミック又はポリマー表面を含むことを特徴とする請求項１に記載の被覆処理。
【請求項３】
前記表面は、陽極酸化アルミウムであることを特徴とする請求項２に記載の被覆処理。
【請求項４】
前記第１の中間被膜は、随意的ではないことを特徴とする請求項１に記載の被覆処理。
【請求項５】
前記第１の中間被膜は、金属、セラミック又はポリマー被膜を含むことを特徴とする請求項４に記載の被覆処理。
【請求項６】
前記構成部品は、プラズマエッチングチャンバのチャンバ壁を含むことを特徴とする請求項１に記載の被覆処理。
【請求項７】
前記構成部品上に粗い面を形成する工程を更に含み、前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜は前記粗い面の上に成膜されていることを特徴とする請求項１に記載の被覆処理。
【請求項８】
前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜は、立方晶相、六方晶相又はその混合体を含むことを特徴とする請求項１に記載の被覆処理。
【請求項９】
前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜は、窒化ホウ素又はイットリアの他に少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の被覆処理。
【請求項１０】
前記他の材料は、金属、セラミック又はポリマーであることを特徴とする請求項９に記載の被覆処理。
【請求項１１】
前記他の材料は、ジルコニアを含むことを特徴とする請求項１０に記載の被覆処理。
【請求項１２】
前記他の材料は、炭化チタン、ホウ化チタン、窒化チタン、炭化シリコン、ホウ化シリコン、窒化シリコン又はこれらの混合物を含むことを特徴とする請求項１０に記載の被覆処理。
【請求項１３】
前記イットリアは、前記複合材料の重量で約６０〜約８０％を占めることを特徴とする請求項９に記載の被覆処理。
【請求項１４】
前記窒化ホウ素は、前記複合材料の重量で約２０〜約４０％を占めることを特徴とする請求項１３に記載の被覆処理。
【請求項１５】
前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜は、化学気相成長法、プラズマ溶射、昇華、レーザ蒸発、スパッタリング、スパッタリング成膜、イオンビーム蒸着、スプレー被覆、浸漬被覆、蒸発被覆、ロールオン被覆又はブラシ被膜によって成膜されることを特徴とする請求項１に記載の被覆処理。
【請求項１６】
半導体処理装置の被覆された構成部品であって、
（ａ）表面と、
（ｂ）前記表面上の随意的な第１の中間被膜と、
（ｃ）前記第１の中間被膜上の又は前記表面上の随意的な第２の中間被膜と、
（ｄ）前記表面を覆って耐侵食性の外面を形成する窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜と、
を備え、
前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜は、前記装置内でプラズマ及び腐食性ガスの少なくとも一方に晒されることを特徴とする半導体装置の構成部品。
【請求項１７】
前記表面は、金属、セラミック又はポリマー表面であることを特徴とする請求項１６に記載の構成部品。
【請求項１８】
前記表面は、陽極酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項１７に記載の構成部品。
【請求項１９】
前記第１の中間被膜は、随意的ではないことを特徴とする請求項１６に記載の構成部品。
【請求項２０】
前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料は、立方晶相、六方晶相又はその混合体を含むことを特徴とする請求項１６に記載の構成部品。
【請求項２１】
前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜は、窒化ホウ素又はイットリアの他に少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする請求項１６に記載の構成部品。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの材料は、金属、セラミック又はポリマーの少なくとも１つであることを特徴とする請求項２１に記載の構成部品。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの材料は、ジルコニアであることを特徴とする請求項２２に記載の構成部品。
【請求項２４】
前記少なくとも１つの材料は、炭化チタン、ホウ化チタン、窒化チタン、炭化シリコン、ホウ化シリコン、窒化シリコン又はこれらの混合物を含むことを特徴とする請求項２２に記載の構成部品。
【請求項２５】
前記イットリアは、前記複合材料の重量で約６０〜約８０％を占めることを特徴とする請求項１６に記載の構成部品。
【請求項２６】
前記窒化ホウ素は、前記複合材料の重量で約２０〜約４０％を占めることを特徴とする請求項１６に記載の構成部品。
【請求項２７】
少なくとも１つの追加的な窒化ホウ素若しくはイットリア複合材料含有被膜又は中間被膜を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の構成部品。
【請求項２８】
半導体処理装置の被覆された構成部品であって、
表面と、
前記表面上の随意的な第１の中間被膜と、
前記第１の中間被膜上の又は前記表面上の随意的な第２の中間被膜と、
前記表面を覆って耐侵食性の外面を形成する窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜と、
を備え、
前記窒化ホウ素又はイットリアは、前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜内で連続マトリックス相を形成し、前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜は、前記装置内でプラズマ及び腐食性ガスの少なくとも一方に晒されることを特徴とする半導体装置の構成部品。
【請求項２９】
前記構成部品は、前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有材料で本質的に構成されることを特徴とする請求項１６に記載の構成部品。
【請求項３０】
半導体処理装置の被覆された構成部品であって、
表面と、
前記表面上の随意的な第１の中間被膜と、
前記第１の中間被膜上の又は前記表面上の随意的な第２の中間被膜と、
前記第１の中間被膜及び前記第２の中間被膜の一方の上に形成され、前記表面の上には形成されない窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜と、
を備え、
前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜は、耐侵食性の外面を形成し、前記装置内でプラズマ及び腐食性ガスの少なくとも一方に晒されることを特徴とする半導体装置の構成部品。
【請求項３１】
前記窒化ホウ素又はイットリア複合材料含有被膜は、
（i）前記表面全体の上に形成されて、（ii）前記耐侵食性の外面全体を形成することを特徴とする請求項１６に記載の構成部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
半導体処理装置の金属構成部品に対して様々な被膜が提案されている。例えば、米国特許第5,879,523号は、熱的に溶射されたＡｌ２Ｏ３の被膜が、随意的にその間にＮｉＡｌｘがボンドコーティング（bondcoating）されたステンレス鋼又はアルミニウム等の金属に適用されるスパッタリングチャンバを開示している。米国特許第5,522,932号及び同5,891,253号は、その間に随意的なニッケル被膜を含んだ、基板のプラズマ処理に用いられる装置の金属構成部品用のロジウム被膜を開示している。米国特許第5,680,013号は、プラズマ処理チャンバ内で金属表面を保護するためのボンディングされていないセラミックを開示しており、好適なセラミック材料は、酸化アルミニウム、フッ化マグネシウム及び酸化マグネシウムが含むそれほど好適でない材料を含む焼結ＡｌＮである。米国特許第5,904,778号は、チャンバ壁、チャンバ上盤又はウエハ周りのつば（collar）として用いられるフリースタンディングのＳｉＣ上を被覆するＳｉＣ ＣＶＤを開示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
シャワーヘッドガス供給システム等のプラズマ反応器の構成部品に関しては、シャワーヘッドの材料に関して様々な提案がなされてきている。例えば、本願と同じ出願人による米国特許第5,569,356号は、シリコン、グラファイト又は炭化シリコンのシャワーヘッドを開示している。米国特許第5,494,713号は、アルミニウム電極上にアルマイト膜を形成し、アルマイト膜上に酸化シリコン又は窒化シリコン等のシリコン被膜を形成することを開示している。'７１３特許は、アルミニウム被膜、アルマイト被膜及びシリコン被膜が異なる線膨張率を有し、シリコン被膜の厚さが薄すぎると簡単にひびが入るため、シリコン被膜の厚さは１０μｍ又はそれ以下、好適には約５μｍにすべきであることを示している。しかしながら、アルミニウム基板の保護が不十分であるので、５μｍ以下の厚さは好ましくないことが示されている。米国特許第4,534,816号は、ステンレス鋼、アルミニウム、銅等の上部シャワーヘッド電極を開示している。米国特許第4,612,077号は、マグネシウムのシャワーヘッド電極を開示している。米国特許第5,888,907号は、非晶質カーボン、ＳｉＣ又はＡｌのシャワーヘッド電極を開示している。米国特許第5,006,220号及び同5,022,979は、全体がＳｉＣで作られたシャワーヘッド電極、或いは、高純度ＳｉＣの表面層を提供するためにＣＶＤによって成膜されたＳｉＣで被覆された炭素のベースを開示している。