【手続補正書】
【提出日】平成16年12月8日(2004.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たすことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にはＮ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にはＨ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜は下地膜として機能し、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜と前記結晶性珪素膜との間に、膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にはＮ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にはＨ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜は下地膜として機能し、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜と前記結晶性珪素膜との間に、膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜を有し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たすことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中には、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜は下地膜として機能し、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜と前記結晶性珪素膜との間に、膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜を有し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にはＮ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜は下地膜として機能し、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜と前記結晶性珪素膜との間に、膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜を有し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にはＨ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中には、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜は下地膜として機能し、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜と前記結晶性珪素膜との間に、膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜を有し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中には、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜は下地膜として機能し、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜と前記結晶性珪素膜との間に、膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜を有し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中には、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜は下地膜として機能し、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜と前記結晶性珪素膜との間に、膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜を有し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中には、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
ガラス基板上に、島状にパターニングされた結晶性珪素膜を有し、
前記結晶性珪素膜の上下は、第１のＳｉＯxＮy薄膜と第２のＳｉＯxＮy薄膜とで挟まれ、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜は下地膜として機能し、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜と前記結晶性珪素膜との間に、膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜を有し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中には、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にＮ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にＨ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にＮ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にＨ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にＮ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中にＨ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３３】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３４】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３５】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３６】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３７】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３８】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３９】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４０】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４１】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４２】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４３】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜または前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のいずれか一方は、ゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４４】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４５】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４６】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４７】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４８】
ガラス基板上に第１のＳｉＯxＮy薄膜と、前記第１のＳｉＯxＮy薄膜上の膜厚が１〜２０ｎｍの酸化珪素膜とを連続的に形成し、
前記酸化珪素膜上に島状にパターニングされた結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に、第２のＳｉＯxＮy薄膜を形成し、
前記第２のＳｉＯxＮy薄膜はゲイト絶縁膜として機能し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）及び一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて形成し、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜のエネルギーバンドギャップは５．３〜７．０ｅＶであり、比誘電率は４〜６であり、かつｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ＜２及び０＜ｙ＜４／３を満たし、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜中に、Ｎ（窒素）が１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3含まれ、Ｈ（水素）が１×１０20〜１×１０22ｃｍ-3含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４９】
請求項１７乃至請求項４８のいずれか一項において、
前記第１のＳｉＯxＮy薄膜及び前記第２のＳｉＯxＮy薄膜は、原料ガスとしてクロールシランまたはジクロールシランを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。