Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄加工された基板と、該基板上に形成された第１の導電体層と、該第１の導電体層上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された第２の導電体層と、該第２の導電体層を覆うように形成された絶縁層とを有する基板埋め込み用キャパシタであって、
前記基板及び前記絶縁層は、それぞれ開口部を有し、これらの開口部により、前記第１の導電体層と前記第２の導電体層とが露出していることを特徴とする基板埋め込み用キャパシタ。
【請求項２】
開口部を有する薄加工された基板と、該基板の開口部を充填する第１の導電体と、前記基板の該開口部分を含む所定の領域上に形成された第２の導電体層と、該第２の導電体層上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された第３の導電体層と、該第３の導電体層を覆うように形成された絶縁層とを有する基板埋め込み用キャパシタであって、
前記基板の開口部に充填された第１の導電体と前記第２の導電体とが電気接続されており、前記第１の導電体層が前記基板の開口部から露出し、かつ、前記絶縁層は開口部を有し、該開口部により、前記第３の導電体層が露出していることを特徴とする基板埋め込み用キャパシタ。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板埋め込み用キャパシタを埋め込んだことを特徴とする回路基板。
【請求項４】
ウエハの主面の所定の領域に、第１の導電体層、誘電体層及び第２の導電体層を、この順により、形成してキャパシタを形成するキャパシタ形成ステップと、
前記第２の導電体層の表面に、絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、
前記絶縁層に開口部を形成して、前記第２の導電体層を露出させる第１の開口ステップと、
前記ウエハを薄加工する薄加工ステップと、
前記薄加工ステップにより薄加工されたウエハの裏面に開口部を形成して、前記第１の導電体層を露出させる第２の開口ステップと、
を有することを特徴とする基板埋め込み用キャパシタの製造方法。
【請求項５】
ウエハの主面の所定の領域に、凹部を形成する凹部形成ステップと、
前記凹部形成ステップにより形成された凹部に第１の導電体を充填する充填ステップと、
前記凹部の部分とその周辺に第２の導電体層を形成する第１の導電体層形成ステップと、
前記第２の導電体層上に、誘電体層を形成する誘電体層形成ステップと、
前記誘電体層上に、第３の導電体層を形成する第２の導電体層形成ステップと、
前記第３の導電体層の表面に、絶縁層を形成する絶縁層形成ステップと、
前記絶縁層に開口部を形成して、前記第３の導電体層を露出させる開口ステップと、
前記ウエハを薄加工して、前記第１の導電体層を露出させる薄加工ステップと、
を有することを特徴とする基板埋め込み用キャパシタの製造方法。
【請求項６】
前記ウエハをダイシングして、個々のキャパシタに個片化する個片化ステップを有することを特徴とする請求項４又は５記載の基板埋め込み用キャパシタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この実施例では、回路Ｅは第１データバスＢＵＳ１のバス０のトルーＴ及びバーＢに対応したものが代表として例示的に示されているように、ドレインが第２データバスＢＵＳ２に接続された二対のＭＯＳＦＥＴＱ８，Ｑ９及びＱ６，Ｑ７から構成される。上記第１データバスＢＵＳ１の中継増幅回路ＩＮＶ１，ＩＮＶ２の出力信号は、上記第２データバスＢＵＳ２に設けられる２つのＭＯＳＦＥＴＱ８，Ｑ９のうちの一方のＭＯＳＦＥＴＱ８とＱ６ゲートに供給される。これらのＭＯＳＦＥＴＱ８とＱ６と対とされるＭＯＳＦＥＴＱ９とＱ７のゲートには、上記第１データバスＢＵＳ１と同様なデータバスからの転送信号が伝えられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図１４には、この発明に係るＳＲＡＭの第１データバスの他の一実施例の回路図が示されている。この実施例では、回路Ｄが左右に分割された第１データバスＢＵＳ１の両方に用いられる。このため、回路Ｄには回路Ｅを挟んで両側に配置される１つのバスからの信号を受ける２つのノアゲート回路が設けられる。回路Ｄで形成されたリセット信号ＲＥＳは、上記回路Ｅを挟んで両側に設けられる回路Ｃに対して共通に供給される。これにより、回路の簡素化が図られるものとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
Ｙ系欠陥救済回路においては、冗長メモリセルアレイがメモリブロック右側にのみ配置し、それを両方に利用できるようにすることにより、効率的な救済が可能になるものである。そして、冗長メモリセルアレイが存在する側と存在しない側の２通りのバスができるが、欠陥救済時には救済回路からリセットパルスを作ることで解決される。また、冗長メモリセルアレイがない側（ブロックＡ）は救済本数＋１対のバス出力からリセット信号を作ることにより、いずれか最低でも１つのバスは必ず動作するのでリセット動作を保証することができる。冗長メモリセルアレイがある側（ブロックＢ）は通常時には特定のバス１対から、救済時には救済回路からそれぞれリセット信号を作る。これにより、通常時／欠陥救済時ともにバスのリセットが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本形態の光ヘッド装置１では、第１のレーザ発光素子４からプリズム６を透過して光記録媒体に至る第１のレーザ光Ｌ１の光路を挟む両側のうち、一方側に第２のレーザ発光素子５が配置され、他方側に光記録媒体を回転駆動するスピンドルモータ２０が配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の一方の面に、非磁性粉と結合剤とを含む非磁性塗料を塗布することにより形成された非磁性層と、この非磁性層上に磁性粉と結合剤とを含む磁性塗料を塗布することにより形成された磁性層とを有する磁気記録媒体であって、
前記磁性粉の数平均粒子径が１０〜１００ｎｍであり、
前記磁性層に、数平均粒子径が５０〜１５０ｎｍで、かつ顕微鏡法で測定した粒度分布の標準偏差が１０ｎｍ以下であるアルミナが含まれており、
前記磁性層の表面を走査型電子顕微鏡により観察した視野像から求められる、前記アルミナの面積占有率が0.３〜1.０％で、かつその空間分布の標準偏差が３以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
磁気抵抗効果型素子を利用した再生ヘッドによって磁気記録信号が再生される、請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性塗料は二軸連続式混錬装置を使用して製造される、請求項１または２記載の磁気記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図７は、本発明の第４実施態様としての開口制限素子２０２の断面図である。開口制限素子２０２は、図３に示す第２実施態様の開口制限素子２０１における接着剤１９と透明基板１２との界面に、位相板や回折格子などの光の状態を制御する光学素子２３を挿入した構成である。図７の他の符号で図３と同じものは、同じ要素を示す。第４実施態様の開口制限素子２０２を、光ヘッド装置に搭載する場合、光ヘッド装置を構成する素子の数を減らすこともでき、光ヘッド装置の小型化が実現できて好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このケース６の底面外側には上述した如く両面接着テープ４が貼着されているので、導出された接続切片５を図示する如くクランク状に両面接着テープ４に沿って折曲形成することで、両面接着テープ４の接着力により接続切片５が上記図３（ｂ）でも示したように両面接着テープ４の略中央に配置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、上記図２にも工程を示した如く給電端子部１１の製作が容易で、且つ構造を簡易化したことにより、上記図３で示した従来の給電端子部１であれば必要であった、接着剤の充填と硬化を行なう工程やカバーを取付ける工程等を省略できるため、全体として給電端子部１１の製作に要するコストを大幅に低減できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
同実施の形態に係る端子部の製造工程を説明する斜視図。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置する試料ステージと、
該試料の第一の領域に対して二次元的な広がりを有する面状の電子ビームを照射する電子光学系と、
前記試料を載置する試料ステージと、
前記試料の第一の領域に照射された電子ビームの一部または全てが前記試料に入射せずに反射された電子を検出して画像を形成する画像検出手段と、
該画像検出手段により得られた画像を基に欠陥検査を行なう画像処理手段と、
前記試料ステージに対向して配置された電極とを備え、
前記試料と電極との間に前記電子ビームが前記第一の領域を所望の電位に帯電させるような第一の電界と前記第一の領域には入射せずに反射されるような第二の電界とを形成する手段とを備えることを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の欠陥検査装置において、
前記第一の電界と第二の電界を交互に発生させることを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の欠陥検査装置において、
前記第一と第二の電界を周期的に変化させることを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項４】
請求項１に記載の欠陥検査装置において、
前記試料には負の電位が印加されることを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項５】
請求項１に記載の欠陥検査装置において、
前記電子光学系は前記電子ビームを放射する電子源と、該電子源から放射した電子ビームを集束するコンデンサレンズと、前記コンデンサレンズと前記試料との間に配置された対物レンズとを少なくとも有し、前記コンデンサレンズによって前記対物レンズの電子源側の焦点面近傍に前記電子ビームの焦点を配置して、前記面状の電子ビームを前記試料表面に対して進行方向を略平行にそろえ略垂直に入射させることを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項６】
請求項１に記載の欠陥検査装置において、
連続移動する前記試料ステージの位置を計測するステージ位置計測機構を備え、
前記試料ステージの移動に伴う位置変動を該ステージ位置計測機構により測定し、
前記測定結果を基に前記電子ビームを前記ステージの移動に追従させる手段を備えることを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項７】
請求項１に記載の欠陥検査装置において、
前記電子ビームのエネルギ値は前記試料表面の少なくとも一部を正帯電させるために必要なエネルギ値であることを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項８】
電子源からの電子ビームを２次元的な広がりを有する面状電子ビームとして試料表面の複数の照射領域に照射する第１の電子光学系と、前記試料に向けて照射した前記電子ビームを形成する電子の一部が前記試料に衝突して前記試料を帯電させるとともに残りの電子が前記試料の最表面付近で引き戻されるような電界を発生させるための手段と、前記複数の照射領域から引き戻された電子を結像させて前記複数の照射領域の全域あるいは一部の拡大像を形成するための第２の電子光学系と、前記照射領域の拡大像をそれぞれ電気的な画像信号に変換して検出する画像信号検出手段と、検出された前記試料表面の複数の照射領域の画像信号同士を比較して各照射領域におけるパターン欠陥を検出するための画像信号処理手段とを有し、前記試料に形成されたパターン欠陥を検出することを特徴とするパターン欠陥検査装置。
【請求項９】
請求項８に記載のパターン欠陥検査装置において、
前記試料に衝突した電子で前記試料を一定時間照射して帯電させた後に、前記試料に衝突せずに前記試料の表面付近で引き戻された電子を結像せしめて画像を取り込むことを特徴とするパターン欠陥検査装置。
【請求項１０】
請求項８に記載のパターン欠陥検査装置において、
前記照射領域を画像取得領域より大きく取ることにより、前記試料に衝突した電子で前記試料を一定時間照射して帯電させた後に、前記試料に衝突せずに前記試料の表面付近で引き戻された電子を結像せしめて画像を取り込むことを特徴とするパターン欠陥検査装置。
【請求項１１】
試料を載置する試料ステージと、
該試料の第一の領域に電子ビームを照射する電子光学系と、
前記試料の第一の領域に照射された電子ビームの一部または全てが試料に入射せずに反射されるような電圧を前記試料ステージまたは前記試料に印加する手段と、
前記反射された電子を検出して画像を形成する画像検出手段と、
該画像検出手段により得られた画像を基に欠陥検査を行なう画像処理手段とを備えることを特徴とする欠陥検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
一般に、燃料電池を直接冷却水を用いて冷却する燃料電池用の冷却水循環供給システムにおいては、冷却水を介した液絡現象（燃料電池内部の冷却水に接する高圧帯電部から冷却水を通じて燃料電池を支えている構造体と「地絡」を起こす場合がある。この「地絡」を「液絡」という。）を防止するため、冷却水には高度な電気絶縁性が要求される。
そのためイオン交換器を冷却水循環経路のバイパス経路に設け、全循環流量のうちの一定割合の冷却水を前記イオン交換器のイオン交換樹脂層に通水・循環させて冷却水中の電離イオンを分離することによって冷却水の電気絶縁性を維持しており、その通水量をシステムの状況に応じて増減することも知られている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
いわゆる電気回路または電子回路といわれている回路を電子回路と称することにして、前記電子回路に用いることができる回路部品であって、前記回路部品はその電気的主要部分が金属で形成されており、少なくとも前記電気的主要部分が、前記回路部品用の電気的主要部分としての形状に加工されて後に、あるいは、回路部品材料とも称する前記回路部品用の電気的主要部分としての形状に近い形状の材料に加工されて後に、零下７０度Ｃ以下の所定温度以下の低温に放置して後常温に戻すという低温処理を施されていることを特徴とする回路部品。
【請求項２】
請求項１に記載の回路部品において、前記所定温度が零下１２０度Ｃ以下の低温であることを特徴とする回路部品。
【請求項３】
請求項１または２に記載の回路部品において、前記回路部品が電子回路の配線部材であることを特徴とする回路部品。
【請求項４】
請求項３に記載の回路部品において、前記配線部材がヒューズであることを特徴とする回路部品。
【請求項５】
請求項４に記載の回路部品において、前記ヒューズが自動車用ヒューズであることを特徴とする回路部品。
【請求項６】
請求項４に記載の回路部品において、前記ヒューズが音響装置用ヒューズであることを特徴とする回路部品。
【請求項７】
請求項１または２に記載の回路部品において、前記回路部品が電子回路としての機能を有する部分を含んでいることを特徴とする回路部品。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路部品において、前記回路部品がいわゆる極性を有すること、すなわち、前記回路部品を用いる電子回路における前記回路部品の接続の方向を反転させることによってその効果が変わるという性質を有する回路部品であることを特徴とする回路部品。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の回路部品において、前記回路部品が、前記回路部品の少なくとも一つの端子を電子回路の一部に接続することによって、該電子回路の電気的特性が変化するという性質を有する回路部品であることを特徴とする回路部品。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の回路部品において、前記所定温度以下の低温に所定時間放置して後常温に戻す低温処理が、少なくとも、前記所定温度以下の低温環境を有する器内に前記回路部品あるいは前記電気的主要部分あるいは前記回路部品材料を放置してから前記器内で徐々に器内の温度が上昇して器外の雰囲気にさらしても前記回路部品としての品質に支障を生じない温度まで放置する工程と前記器から前記回路部品あるいは前記電気的主要部分あるいは前記回路部品材料を取り出して放置する工程とを含むことを特徴とする回路部品。
【請求項１１】
いわゆる電気回路または電子回路といわれている回路を電子回路と称することにして、前記電子回路に用いることができる回路部品の製造方法であって、前記回路部品はその電気的主要部分が金属で形成されており、前記回路部品の製造工程には、前記電気的主要部分が前記回路部品用の電気的主要部分としての形状に加工されて後に、または、回路部品材料とも称する前記回路部品用の電気的主要部分としての形状に近い形状の材料に加工されて後に、少なくとも前記電気的主要部分を零下１２０度Ｃ以下の低温に放置して後常温に戻す低温処理工程が含まれていることを特徴とする回路部品の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の回路部品の製造方法において、前記回路部品が電子回路の配線部材であることを特徴とする回路部品の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の回路部品の製造方法において、前記配線部材がヒューズであることを特徴とする回路部品の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の回路部品の製造方法において、前記回路部品が電子回路としての機能を有する部分を含んでいることを特徴とする回路部品の製造方法。
【請求項１５】
いわゆる電気回路または電子回路といわれている回路を電子回路と称することにして、前記電子回路に用いることができる回路部品を含む装置であって、少なくとも、前記回路部品がその電気的主要部分が金属で形成されており、前記回路部品がそれを用いる装置に装着されて後、前記装置とともに零下１２０度Ｃ以下の低温に放置されて後再び常温に戻されるという低温処理を施されていることを特徴とする装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置において、前記低温処理が、前記装置を零下１２０度Ｃ以下の低温環境を有する器内に放置する工程と前記器から前記装置を取り出して放置する工程とからなることを特徴とする装置。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の装置において、前記装置が自動車用の電子回路であることを特徴とする装置。
【請求項１８】
請求項１５または１６に記載の装置において、前記装置が音響用装置であることを特徴とする装置。
【請求項１９】
請求項１５または１６に記載の装置において、前記装置がコンピュータであることを特徴とする装置。
【請求項２０】
請求項１５または１６に記載の装置において、前記装置が通信装置であることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正・負極板間にセパレータを介して巻回した極板群を備えた円筒型蓄電池を複数組み合せてなる組電池において、前記円筒型蓄電池は容器の外周部の一部が円筒外径よりも大きい多角形形状であるとともに、正負極端子が蓋部に配されたことを特徴とする組電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は組電池に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決するための手段】
上記問題を解決する手段として、請求項１によれば、正・負極板間にセパレータを介して巻回した極板群を備えた円筒型蓄電池を複数組み合せてなる組電池において、前記円筒型蓄電池容器の外周部の一部が円筒外径よりも大きい多角形形状であるとともに、正負極端子が蓋部に配されたことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒型蓄電池を複数組み合せてなる組電池において、前記円筒型蓄電池は電槽外径より大きい外径を有する蓋部を備えたことを特徴とする組電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は組電池に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決するための手段】
上記問題を解決する手段として、請求項１によれば、円筒型蓄電池を複数組み合せてなる組電池において、前記円筒型蓄電池は電槽外径より大きい外径を有する蓋部を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月6日(2005.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質上アンチモンを含まない純鉛あるいは鉛合金からなる圧延シートを加工して得た格子を用いた鉛蓄電池において、格子を形成する桟幅が前記シート厚みの１．２５倍以上である格子を備えたことを特徴とする鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
課題を解決するための手段は、請求項１によれば、実質上アンチモンを含まない純鉛あるいは鉛合金からなる圧延シートを加工して得た格子を用いた鉛蓄電池において、格子を形成する桟幅が前記シート厚みの１．２５倍以上である格子を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
発明者は、前記、実質上アンチモンを含まない純鉛あるいは鉛合金からなる圧延シートを加工して得た格子を用いた鉛蓄電池の正極格子の腐食形態を観察・調査し、腐食がシートの厚み方向よりも桟幅に沿って進行することを見出した。本発明はその知見に基くもので、正極格子の腐食が格子の横方向、すなわち、シートの厚み方向よりも桟幅に沿って優先的に進行することから格子を形成する桟幅をシート厚みの１．２５倍以上にすることが格子の劣化を低減するのに効果的であることがわかった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図示するように、従来は横桟２ａおよび縦桟２ｂの幅とシート厚み３とがほぼ同じ寸法に製作されていた。この場合、特に横桟幅に沿って腐食が進行する傾向があり、桟が折損され寿命になることがあった。したがって、本発明では、シート厚みに対して桟幅を１．２５倍以上にすることによって腐食の進行による格子劣化を低減しようとするものである。以下、実施例により詳細に説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
試験結果を図２に示す。結果が示すように、シート厚みに対する桟幅の比率を現状の１．０から１．２５および１．４２にしたものは過充電寿命特性が改善された。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
８００ｈの時点で各試験蓄電池１個を解体して正極格子の腐食状態を調査した結果、桟幅に沿って層状腐食が進行しており、桟幅を０．６ｍｍ（桟幅／シート厚み＝１．０）とした従来品は桟部に金属の鉛分が残っておらず完全に腐食されていた。本発明の桟幅／シート厚み＝１．２５以上にした他の蓄電池では桟部にまだ金属の鉛分が残っていた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【発明の効果】
アンチモンを実質上含まない純鉛あるいは鉛合金からなる圧延シートを加工して得た格子において、シート厚みに対する格子を形成する桟幅の比率を１．２５以上にすることにより正極格子の腐食による劣化が低減されより長寿命性能の蓄電池が得られ、その工業的効果が大である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池外装体に形成された開口孔の内外両周縁部に配された絶縁材封止材であって貫通孔を有するものと、
内側の絶縁封止材に重ねて配された集電接続体であって、端子孔と端子孔に沿って垂下する突設体とを有するものと、
鍔部から突設したリベット部を有するリベット端子であって、リベット部が電池外装体外側から内外の絶縁封止材材の貫通孔と電池外装体の開口孔と集電接続体のリベット端子孔とを貫通するものとを備え、
リベット部が突設体を押圧するようかしめられているとともに、リベット部と突設体とが溶接されたことを特徴とする電池。
【請求項２】
突設体の根元に凹部が形成されたことを特徴とする、請求項１記載の電池。
【請求項３】
リベット端子のリベット部を電池外装体外側から内外の絶縁封止材材の貫通孔と電池外装体の開口孔と集電接続体のリベット端子孔とに貫通させ、リベット部と突設体とを溶接した後にリベット部をかしめるか、リベット部をかしめた後にリベット部と突設体とを溶接することを特徴とする、請求項１又は２記載の電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３の発明は、鍔部から突設したリベット部を有する端子のリベット部を電池外装体外側から内外の絶縁封止材材の貫通孔と電池外装体の開口孔と集電接続体の端子孔とに貫通させ、リベット部と突設体とを溶接した後にリベット部をかしめるか、リベット部をかしめた後にリベット部と突設体とを溶接することを特徴とする、請求項１又は２記載の電池の製造方法である。リベット部と突設体とを溶接した後にリベット部をかしめる方法によれば、リベット部と突設体とが溶接されているので、かしめ作業のため、鍔部から突設したリベット部を有する端子のリベット部を電池外装体外側から内外の絶縁封止材材の貫通孔と電池外装体の開口孔と集電接続体の端子孔とに貫通させたものを倒置しても、端子が脱落することがなく、かしめ作業が容易に行える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、リベット部をかしめた後にリベット部と突設体とを溶接する方法によれば、リベット部と突設体とをより確実に溶接することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の蓄電池を直列に接続し、冷却風取入口からの冷却風により各蓄電池を冷却し、冷却後の冷却風を冷却風排出口より排出する電池パックであって、
前記蓄電池の少なくとも負極缶外周を覆う絶縁シートに複数の穴を設けると共に絶縁シートの内側に複数の突起を設けて負極缶と絶縁シートの間に隙間を介在させたことを特徴とする電池パック。
【請求項２】
複数の蓄電池を直列に接続し、冷却風取入口からの冷却風により各蓄電池を冷却し、冷却後の冷却風を冷却風排出口より排出する電池パックであって、
前記蓄電池の少なくとも負極缶外周を覆う絶縁シートに複数の穴を設けると共に前記冷却風の風上側の蓄電池の絶縁シートに設けられた穴の大きさまたは数を、風下側の蓄電池の絶縁シートに設けられた穴の大きさまたは数より小さくまたは少なくしたことを特徴とする電池パック。
【請求項３】
少なくとも負極缶外周が絶縁シートにより覆われた蓄電池の複数を直列に接続し、冷却風取入口からの冷却風により各蓄電池を冷却し、冷却後の冷却風を冷却風排出口より排出する電池パックであって、
前記冷却風取入口に近い蓄電池の絶縁シートには穴を設けず、冷却風取入口から遠い蓄電池の絶縁シートに複数の穴を設けたことを特徴とする電池パック。
【請求項４】
少なくとも負極缶外周が絶縁シートにより覆われた蓄電池の複数を直列に接続し、冷却風取入口からの冷却風により各蓄電池を冷却し、冷却後の冷却風を冷却風排出口より排出する電池パックであって、
前記冷却風取入口に近い蓄電池の絶縁シートに設けられた穴の大きさまたは数を、冷却風取入口から遠い蓄電池の絶縁シートに設けられた穴の大きさまたは数より小さくまたは少なくしたことを特徴とする電池パック。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月31日(2005.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のリード部材間に接続された低融点可溶合金に、フラックスを被覆し、フラックスの表面を成形用樹脂材により被覆することを特徴とする保護素子。
【請求項２】
前記フラックスと前記成形用樹脂材との間に成形用樹脂材と異なる保護用樹脂材を介在させたことを特徴とする請求項１に記載の保護素子。
【請求項３】
前記成形用樹脂材が室温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂のいずれかから選択される樹脂材であることを特徴とする請求項１または２に記載の保護素子。
【請求項４】
前記成形用樹脂材が熱可塑性樹脂、ホットメルト樹脂および液晶ポリマーのいずれかから選択される樹脂材であり、インサート成形により被覆したことを特徴とする請求項１または２に記載の保護素子。
【請求項５】
前記フラックスが固形フラックスであることを特徴とする請求項１乃至４に記載の保護素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
要約すると、本発明は、一対のリード部材間に接続された低融点可溶合金に、フラックスを被覆し、フラックスの表面を成形用樹脂材により被覆することを特徴とする保護素子であり、低融点可溶合金を使用する温度ヒューズ、電流ヒューズ、温度ヒューズと電流ヒューズを兼ねた複合ヒューズ、あるいは基板型温度ヒューズとして機能する保護素子である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施例の温度ヒューズを示す縦断面図
【図２】本発明に係る他の実施例の温度ヒューズを示す縦断面図
【図３】本発明に係る別の実施例の温度ヒューズを示す縦断面図
【図４】従来の絶縁筒体を用いた低融点合金型温度ヒューズの縦断面図
【図５】従来の絶縁基板を用いた絶縁基板型温度ヒューズの縦断面図

【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１、２、１１、１２、３１、３２…リード部材
３、１３、３３…低融点合金
４、１４…フラックス
５、１５、３５…被覆樹脂成形による外郭部（成形用樹脂材）
１６、３６…被覆コーティング層（保護用樹脂材）
３７…保護用樹脂による外部被覆コーティング層
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源と、半導体スイッチングデバイスを有し上記直流電源に接続されて直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路と、このインバータ回路の出力側と一次巻線が接続された高電圧変圧器と、この高電圧変圧器の二次巻線側と入力側が接続された高電圧整流器と、この高電圧整流器の出力側と接続されるＸ線管と、このＸ線管に接続されその管電圧を検出する管電圧検出器と、この管電圧検出器による検出値を目標値と比較して上記インバータ回路の各半導体スイッチングデバイスに位相シフトＰＷＭ信号を与える管電圧フィードバック制御回路とを備えたインバータ式Ｘ線高電圧装置において、上記インバータ回路の出力側に上記インバータ回路の出力電圧が正負非対称であることを検出する正負非対称検出器と、少なくともこの正負非対称検出器による検出があったとき上記インバータ回路の出力電圧が正負対称となるように上記位相シフトＰＷＭ信号に補正を与える補正手段と、を備えたことを特徴とするインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項２】
前記補正手段は、前記インバータ回路を形成する半導体スイッチングデバイスの時比率を前記インバータ回路の出力電流における平均の偏りに応じて変化させることを特徴とする請求項１に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電位側電源の入力端子と、低電位側電源の入力端子と、上記高電位側電源の電圧よりも低いレベルの内部回路用電源が供給されることによって動作可能な内部回路とを含む半導体集積回路装置であって、
それぞれ不所望なレベルの電圧をクランプするための第１クランプ回路と、それに縦積みされた第２クランプ回路とが、上記高電位側電源と上記低電位側電源との間に設けられ、上記第１クランプ回路と上記第２クランプ回路との縦積みによる中間ノードは、上記内部回路用電源に結合されてなり、
上記内部回路は、上記内部回路用電源に結合された薄膜トランジスタによって形成された論理回路と、上記内部回路用電源と上記低電位側電源との間に設けられたノイズ低減用キャパシタと、を含む半導体集積回路装置。
【請求項２】
上記高電位側電源を降圧することによって上記内部回路用電源を生成する内部回路用電源生成回路を含む請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
高電位側電源の入力端子と、低電位側電源の入力端子と、上記高電位側電源の電圧よりも低いレベルの内部回路用電源が供給されることによって動作可能な内部回路とを含む半導体集積回路装置であって、
それぞれ不所望なレベルの電圧をクランプするための第１クランプ回路と、それに縦積みされた第２クランプ回路とが、上記高電位側電源と上記低電位側電源との間に設けられ、上記第１クランプ回路と上記第２クランプ回路との縦積みによる中間ノードは、上記内部回路用電源に結合されてなり、
上記内部回路用電源とは異なる入出力回路用電源が供給されることによって信号の外部出力を可能とする出力回路と、
上記入出力回路用電源と上記低電位側電源との間に設けられ、不所望なレベルの電圧をクランプするための第３クランプ回路と、を含む半導体集積回路装置。
【請求項４】
入力端子と、上記内部回路用電源が供給されることによって動作され、上記入力端子を介して伝達された信号を取り込むための入力回路と、を含み、
上記入力回路は、入力端子を介して取り込まれた信号を取り込むための入力トランジスタと、上記入出力回路用電源への導通経路を形成する静電破壊防止用ダイオードと、を含む請求項３に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
上記第１クランプ回路と上記第２クランプ回路とは互いに構成が等しい請求項１または請求項３に記載の半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記周辺回路領域の前記トランジスタと前記メモリセルの間に設けられたダミーの分離絶縁膜と、
前記ダミーの分離絶縁膜の上に設けられたダミーのゲート電極と、
前記ダミーのゲート電極の上に絶縁膜を介在させて設けられた、窒素原子を含む膜と、を備えた請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
図１５を参照して、シリコン基板１の上にトンネル酸化膜３を設ける。トンネル酸化膜３の上に、ポリシリコンで形成された第１ゲート電極４を設ける。第１ゲート電極４は、フローティングゲート電極のもとになるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図１９は、図１８におけるＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面図である。図２０以下の断面図は、図１８におけるＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面から見た方向の断面図である。図１９中、ポリシリコン層７とＷＳｉ層８は、両者を含めて、コントロールゲート電極と呼ばれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図２１を参照して、周辺領域のコントロールゲート電極の側壁およびメモリセルの側壁にサイドウォールスペーサ１０を形成する。次に、ソースライン１６をエッチングにより、形成する。このとき、ＴＥＯＳ膜９の一部も削られる。さらに、コントロールゲート電極およびメモリセルを被覆するように、シリコン基板１の上に第１層目の層間絶縁膜１１を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この発明によれば、半導体基板の主表面からパターン表面までの高さが第１のパターンより低い第３のパターンを有していても、第１のパターン上の第２のパターンが第４のパターンより膜厚が薄く、層間絶縁膜も薄いので、第２の導電層のメモリセル領域と周辺回路とでの配線の段差が改善され、平坦性がよく、信頼性の高い第２の導電層となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図２を参照して、シリコン基板１の上にトンネル酸化膜３を設ける。トンネル酸化膜３の上に、ポリシリコンで形成された第１ゲート電極４を設ける。第１ゲート電極４は、フローティングゲート電極のもとになるものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図５を参照して、シリコン基板１の上に、ポリシリコン層７、ＷＳｉ層８、ＴＥＯＳ膜９を形成し、さらに、シリコン窒化膜１４を形成する。なお、本明細書では、ポリシリコン層７とＷＳｉ層８の積層構造から形成されるパターンを第１のパターンまたは第３のパターンということがある。これらは、コントロールゲート電極のもとになるものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図８を参照して、周辺トランジスタのコントロールゲート電極およびメモリセルの側壁にサイドウォールスペーサ１５を形成する。その後、ソースライン１６をエッチングにより形成する。周辺トランジスタおよびメモリセルを覆うように、ＳｉＯ2で形成された第１層目の層間絶縁膜１１をシリコン基板１の上に形成する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
実施の形態２
図１２は、図５および図６で示す工程において、周辺トランジスタとメモリセルの間に、ダミーのシャロートレンチ分離膜（ＳＴＩ）２ａとダミーの第１ゲート電極４ａを形成したときの断面図である。ダミーのシャロートレンチ分離膜（ＳＴＩ）２ａとダミーの第１ゲート電極４ａをところどころに入れることにより、第１層目の層間絶縁膜１１の表面はより平坦化される。シリコン窒化膜１４が、ダミーの第１ゲート電極４ａの上にも、ＴＥＯＳ膜９を介在させて形成されている。なお、ダミーゲート電極は回路動作に直接関係しないゲートパターンである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したとおり、請求項１に係る半導体装置によれば、半導体基板の主表面からパターン表面までの高さが第１のパターンより低い第３のパターンを有していても、第１のパターン上の第２のパターンが第４のパターンより膜厚が薄く、層間絶縁膜も薄いので、第２の導電層のメモリセル領域と周辺回路とで配線の段差が改善され、平坦性がよく、信頼性の高い第２の導電層となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記円弧部と前記ツール取付部との間に空隙を形成したことを特徴とする請求項９に記載の電子部品の接合装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを熱処理する加熱炉の温度を検知する熱電対と、熱電対の検知情報に基づいて加熱炉の温度を制御する温度コントローラとを備えた半導体製造装置において、
前記熱電対の検出温度に基づく所定の情報を無線回線を介して前記温度コントローラに供給することを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
このような急冷合金粉末の組成は、組成式Ｔ100-x-yＱxＲy（Ｔは、Ｆｅまたは、ＣｏおよびＮｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素とＦｅとを含む遷移金属元素、ＱはＢおよびＣからなる群から選択されたすくなくとも１種の元素、Ｒは希土類元素（Ｙを含む）の内でＬａおよびＣｅを実質的に含まない少なくとも１種の希土類金属元素）で表され、組成比率ｘおよびｙが、それぞれ、１０原子％≦ｘ≦３０原子％、１原子％≦ｙ＜１０原子％を満足するものであることが好ましく、さらに、１０原子％≦ｘ≦２０原子％、３原子％≦ｙ＜１０原子％を満足することが好ましい。なお、上記組成式では省略したが、全体の１０原子％以下の範囲でＦｅの一部をＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ａｕからなる群から選択される少なくとも１種の元素などで置換してもよく、また、不可避不純物を含むことがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このような急冷合金粉末の組成は、組成式Ｔ100-x-yＱxＲy（Ｔは、Ｆｅまたは、ＣｏおよびＮｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素とＦｅとを含む遷移金属元素、ＱはＢおよびＣからなる群から選択されたすくなくとも１種の元素、Ｒは希土類元素（Ｙを含む）の内でＬａおよびＣｅを実質的に含まない少なくとも１種の希土類金属元素）で表され、組成比率ｘおよびｙが、それぞれ、３原子％≦ｘ＜１０原子％、５原子％≦ｙ≦１１原子％を満足するものであることが好ましく、さらに、５原子％≦ｘ＜１０原子％、６原子％≦ｙ≦１０原子％を満足することが好ましい。なお、上記組成式では省略したが、全体の１０原子％以下の範囲でＦｅの一部をＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ａｕからなる群から選択される少なくとも１種の元素などで置換してもよく、また、不可避不純物を含むことがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
なお、急冷合金粉末中の粒径が１０６μｍ超の第２粒子のアスペクト比は、ＪＩＳ  Ｚ８８０１準拠のふるいを用いて、粒径が１０６μｍ以下の粒子を取り除いた後、電子顕微鏡など、粒子形状がわかる装置を用いて、個々の粒子のアスペクト比を計測し、（アスペクト比が０．４以上の粒子数／計測した粒子の総数）から求めた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、急冷合金粉末の質量基準の粒度分布が少なくとも２つのピークを有し、そのうちの少なくとも一方が１０６μｍ以下にあるように、粒度分布を調整すると、緻密性をさらに向上することが出来る。なお、質量基準の粒度分布は、ＪＩＳ  Ｚ８８０１準拠のふるいを用いて求める。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
上記急冷合金の薄帯をパワーミルおよびピンディスクミルを用いて粉砕した後、ＪＩＳ  Ｚ８８０１準拠の標準ふるいを用いて分級し、表１のように粒度調整を行い、実施例１、２および比較例１の急冷合金粉末とした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
次に、上記急冷合金ピンディスクミルを用いて粉砕した後、ＪＩＳ  Ｚ８８０１の標準ふるいを用いて分級を行った後、表４のような粒度分布を持つ磁粉になるように調整した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌが形成された処理物をプラズマ処理する際に、He，N2，02又はArの少なくとも一種のガスのプラズマを発生させ、その際のプラズマの発光波長及び発光強度をリアルタイムに検知し、発光波長及び発光強度の少なくとも一方を発光データとして抽出する第１の工程と、抽出した発光データを蓄積する第２の工程と、蓄積した過去の発光データと現在抽出した発光データとを常時比較し、被処理物のプラズマ処理により発せられる発光波長以外の波長の発光強度の増加を検知する第３の工程と、第３の工程で検知した発光強度の増加があらかじめ設定された許容値を超えた場合、異常を警告する第４の工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプ電極を有する半導体装置であって、
前記バンプ電極の電極表面には、前記半導体装置に設けられた配線電極上のパッシベーション膜に形成された凹凸形状に倣って形成された前記配線電極と導通する複数の凹部が設けられ、
前記凹部は、電極表面側の凹部開口側面積が凹部底面側面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
バンプ電極を有する半導体装置であって、
前記バンプ電極の電極表面には、前記半導体装置に設けられた配線電極上のパッシベーション膜に形成された凹凸形状に倣って形成された前記配線電極と導通する複数の凹部が、同心状に設けられ、
前記凹部は、電極表面側の凹部開口側面積が凹部底面側面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
実装基板側の電極に導電性粒子を含む異方性導電膜を介して導通可能に接続させるバンプ電極を有する半導体装置であって、
前記バンプ電極の電極表面には、前記半導体装置の配線電極上のパッシベーション膜に形成された凹凸形状に倣って形成された凹凸部が設けられ、
前記凹凸部の凹部は、前記半導体装置に設けた配線電極に導通され、前記凹部の電極表面側の凹部開口側面積が、凹部底面側面積より大きく形成され、
前記電極表面側の凹部の差し渡し寸法が、前記導電性粒子の平均粒径より小さく設定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
バンプ電極を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置の配線電極上に設けたパッシベーション膜に、パッシベーション膜表面側の開口面積が、配線電極側の開口面積より大きくなるように、前記配線電極上に通じる孔部を設ける工程と、
前記配線電極上に、前記孔部を介して前記配線電極側に導通可能に前記孔部の段差に倣ったバンプ電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
バンプ電極を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置の配線電極上に設けたパッシベーション膜に、等方性エッチング処理を施して、前記配線電極上に、断面錐状または断面台形状のパッシベーション膜を断続的に残す工程と、
前記配線電極上に、断面錐状あるいは断面台形状のパッシベーション膜を断続的に残した状態で、前記配線電極上に、前記断面錐状あるいは断面台形状に倣ったバンプ下地金属層を設ける工程と、
前記バンプ下地金属層上に、メッキによりバンプ電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そのため、このようにして形成されたバンプ電極では、電極表面に、パッシベーション膜をエッチングして配線電極を露出させた際のパッシベーション膜面と配線電極面との段差を反映した窪みが形成されることとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そこで、かかる対策として、パッシベーション膜を薄膜化することで、パッシベーション膜面と配線電極面との段差を小さく抑える手段が提案されている。しかし、パッシベーション膜を薄くすることは、逆に、その絶縁性を低下させることにも繋がり、かかるパッシベーション膜の薄膜化を行わずにバンプ電極と実装基板側の電極との導通性を確保する技術の開発が望まれている。
なお、バンプ表面と異方性導電膜との接触を向上する方法として、特開平１０−１１２４７９号公報には、バンプ表面を、凹凸を有するツールに押し付けて当該バンプ表面に凹凸を形成することの開示があり、特開平６−２８３５３７号公報には、バンプ表面を研磨シートに押し付けて超音波振動を与えて当該バンプ表面に凹凸を形成することの開示があり、特開２００１−１９６４１８号公報には、バンプ表面の平坦度および表面粗さの最大高さを管理することにより異方性導電膜の導電粒子が確実に導通するようにすることの開示があり、特開平１１−１６９４６号公報には、バンプ電極の表面を金属板に押し付けて凹凸を形成することの開示がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明は、半導体装置のバンプ電極の電極表面に、半導体装置の表面に設けられた配線電極上のパッシベーション膜に形成された凹凸形状に倣って形成された配線電極に導通可能な複数の凹部を設け、バンプ電極の電極表面側の凹部開口側面積を凹部底面側面積より大きく構成することにより、導電性粒子を含む異方性導電膜を介してのバンプ電極と実装基板側電極との導通性の確保を良好に行えるようにするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の温度調節機構により系１を第１の温度に制御し、前記系１に備えられた蒸発材料を気化し、
前記気化した蒸発材料を、前記系１と連結され且つ開口部が設けられた系２に移動させ、
第２の温度調節機構により前記系２を前記第１の温度よりも低い第２の温度に制御し、前記気化した蒸発材料を第１の気体と第１の固体の状態に分離し、
前記系２の開口部から前記第１の気体を除去し、
前記系２を反転して開口部が設けられた系３と連結し、
前記第２の温度調節機構により前記系２を前記第１の温度に制御し、前記第１の固体を気化させた後に前記系３に移動させ、
第３の温度調節機構により前記系３を前記第２の温度よりも低い第３の温度に制御し、前記気化させた第１の固体を第２の気体と第２の固体の状態に分離し、
前記系３の開口部から放出される前記第２の気体を用いて基板に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
第１の温度調節機構により系１を第１の温度に制御し、前記系１に備えられた蒸発材料を気化し、
前記気化した蒸発材料を、前記系１と連結され且つ開口部が設けられた系２に移動させ、
第２の温度調節機構により前記系２を前記第１の温度よりも低い第２の温度に制御し、前記気化した蒸発材料を第１の気体と第１の固体の状態に分離し、
前記系２の開口部から前記第１の気体を除去し、
前記系２の上部に設けられた第１のシャッターを開いて前記系２を系３と連結し、
前記第２の温度調節機構により前記系２を前記第１の温度に制御し、前記第１の固体を気化させた後に前記系３に移動させ、
第３の温度調節機構により前記系３を前記第２の温度よりも低い第３の温度に制御し、前記気化した第１の固体を第２の気体と第２の固体の状態に分離し、
前記系３の上部に設けられた第２のシャッターを開いて前記系３の開口部から
放出される前記第２の気体を用いて基板に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記系１、系２及び系３では前記蒸発材料の固体−気体間の状態変化が行われていることを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
材料室に備えられた蒸発材料を前記材料室に備えられた加熱機構により気化し、
前記気化した蒸発材料をキャリアーガスとともに、前記気化した蒸発材料が流れてくる方向から徐々に温度が低くなるように設定された分離管へ移動させて冷却し、
前記分離管内部を第１のゲート及び第２のゲートにより分離して形成された蒸発源分離室に高純度蒸発材料のみを析出させ、
前記蒸発源分離室と、前記蒸発源分離室の上部に設けられた成膜室と、を連結する第３のゲートを開き、
前記蒸発源分離室に析出した高純度蒸発材料を用いて基板に成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項４において、前記加熱機構の温度は前記温度調節機構の高温部分よりも高いことを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、前記キャリヤーガスは不活性ガスであることを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記蒸発材料はＥＬ材料であることを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記蒸発材料は金属材料であることを特徴する成膜方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2002206163.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2002206163.tif 000002