(57)【要約】  フェライト内部での磁場分布の乱れを減少させ、挿入損失特性及びアイソレーション特性を改善することのできる非可逆回路素子を得る。  永久磁石により直流磁界が印加されるフェライト（３２）と、該フェライト（３２）に配置された第１及び第２中心電極を備えた非可逆回路素子。フェライト（３２）の上下面（３２ｃ），（３２ｄ）に形成した凹部（３７），（３８）に導電材が充填され、該導電材には第１及び第２中心電極が所定の回路を構成するように電気的に接続される。凹部（３７），（３８）の第１及び第２主面（３２ａ），（３２ｂ）に臨む開口部は、永久磁石による直流磁界の印加方向（Ａ）の上流側の開口部よりも下流側の開口部が大きく形成されている。
2009031380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトの互いに対向する第１及び第２主面に互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された導体膜からなる複数の中心電極と、
を備え、
前記フェライトの第１及び第２主面と直交する端面に形成した凹部に導電材が充填され、該導電材には前記中心電極が電気的に接続され、
前記凹部の第１及び第２主面に臨む開口部は、前記永久磁石による直流磁界の印加方向上流側の開口部よりも下流側の開口部が大きく形成されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記複数の中心電極は、第１及び第２中心電極にて構成され、
前記第１中心電極は、一端が入力ポートに電気的に接続され、他端が出力ポートに電気的に接続され、
前記第２中心電極は、一端が出力ポートに電気的に接続され、他端がグランドポートに電気的に接続され、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第１整合容量が電気的に接続され、
前記出力ポートと前記グランドポートとの間に第２整合容量が電気的に接続され、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に抵抗が電気的に接続されていること、
を特徴とする請求の範囲第１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記凹部は直流磁界の印加方向上流側の開口部から下流側の開口部に向かってテーパ状に広がっていることを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記フェライトと永久磁石は、前記第１及び第２中心電極が配置された第１及び第２主面と平行に両側から一対の永久磁石によって挟着されたフェライト・磁石組立体を構成していることを特徴とする請求の範囲第１項、第２項又は第３項に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
表面に端子電極が形成された回路基板を備え、
前記フェライト・磁石組立体は、前記回路基板上に、第１及び第２主面が該回路基板の表面に対して垂直方向に配置されていること、
を特徴とする請求の範囲第４項に記載の非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、アイソレータは、自動車電話、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部に使用されている。【０００３】
この種の非可逆回路素子として２ポート型アイソレータでは、特許文献１に記載のように、フェライトの互いに対向する第１及び第２主面に第１及び第２中心電極を形成し、フェライトの端面に設けた凹部に充填した導電材を介して第１及び第２中心電極をそれぞれ第１主面側と第２主面側とで電気的に接続したものが知られている。また、３ポート型アイソレータでは、特許文献２に記載のように、フェライトの端面に設けた凹部に充填した導電材と中心電極とを電気的に接続したものが知られている。【０００４】
ところで、アイソレータではフェライトに永久磁石から直流磁界が印加されるが、フェライトに凹部を設けて導電材を充填すると、凹部の形状によってはフェライト内での磁場分布が乱れ、挿入損失特性やアイソレーション特性が劣化するという問題点を有している。
【特許文献１】国際公開第２００７／０４６２２９号パンフレット
【特許文献２】特開２００２−０７６７１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、導電材を充填するためにフェライトに設けた凹部の形状を適切に設定することにより、フェライト内部での磁場分布の乱れを減少させ、挿入損失特性及びアイソレーション特性を改善することのできる非可逆回路素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明の一形態である非可逆回路素子は、
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトの互いに対向する第１及び第２主面に互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された導体膜からなる複数の中心電極と、
を備え、
前記フェライトの第１及び第２主面と直交する端面に形成した凹部に導電材が充填され、該導電材には前記中心電極が電気的に接続され、
前記凹部の第１及び第２主面に臨む開口部は、前記永久磁石による直流磁界の印加方向上流側の開口部よりも下流側の開口部が大きく形成されていること、
を特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、導電材を充填するためにフェライトに設けた凹部の形状を適切に設定することにより、フェライト内部での磁場分布の乱れが減少し、挿入損失が小さくなり、かつ、アイソレーションが高くなる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の第１実施例（２ポート型アイソレータ）を示す分解斜視図である。
【図２】中心電極付きフェライトを示す斜視図である。
【図３】前記フェライトを示す斜視図である。
【図４】フェライト・磁石組立体を示す分解斜視図である。
【図５】２ポート型アイソレータの第１回路例を示す等価回路図である。
【図６】２ポート型アイソレータの第２回路例を示す等価回路図である。
【図７】フェライト内部での磁場分布をシミュレートするためのモデルを示す説明図である。
【図８】フェライト内部での磁場分布の模式図であり、（Ａ）は第１実施例を示し、（Ｂ）は比較例１を示し、（Ｃ）は比較例２を示す。
【図９】（Ａ）は挿入損失特性を示すグラフ、（Ｂ）はアイソレーション特性を示すグラフである。
【図１０】本発明に係る非可逆回路素子の第２実施例（３ポート型アイソレータ）の要部を示す斜視図である。
【図１１】３ポート型アイソレータの等価回路図である。
【符号の説明】
【０００９】
２０…回路基板
３０…フェライト・磁石組立体
３２，１３２…フェライト
３２ａ，３２ｂ，１３２ａ，１３２ｂ…主面
３５…第１中心電極
３６…第２中心電極
３７，３８，１３７，１３８…凹部
４１…永久磁石
１２１，１２２，１２３…中心電極
Ｐ１…入力ポート
Ｐ２…出力ポート
Ｐ３…グランドポート
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る非可逆回路素子の実施例について添付図面を参照して説明する。【００１１】
（第１実施例、図１〜図９参照）
本発明に係る非可逆回路素子の第１実施例である２ポート型アイソレータの分解斜視図を図１に示す。この２ポート型アイソレータは、集中定数型アイソレータであり、概略、平板状ヨーク１０と、回路基板２０と、フェライト３２と永久磁石４１とからなるフェライト・磁石組立体３０とで構成されている。なお、図１において、斜線を付した部分は導電体である。【００１２】
フェライト３２には、図２に示すように、表裏の主面３２ａ，３２ｂに互いに電気的に絶縁された第１中心電極３５及び第２中心電極３６が形成されている。ここで、フェライト３２は互いに対向する平行な第１主面３２ａ及び第２主面３２ｂを有する直方体形状をなし、端面（上面３２ｃ及び下面３２ｄ）を有している。【００１３】
また、永久磁石４１はフェライト３２に対して直流磁界を主面３２ａ，３２ｂに略垂直方向に印加するように主面３２ａ，３２ｂに対向して、例えば、エポキシ系の接着剤４２（図４参照）を介して接着され、フェライト・磁石組立体３０を形成している。永久磁石４１の主面４１ａは前記フェライト３２の主面３２ａ，３２ｂと同一寸法であり、互いの外形が一致するように主面３２ａ，４１ａ、主面３２ｂ，４１ａどうしを対向させて配置されている。【００１４】
第１中心電極３５は導体膜にて形成されている。即ち、図２に示すように、フェライト３２の第１主面３２ａにおいて右下から立ち上がって２本に分岐した状態で左上に長辺に対して比較的小さな角度で傾斜して形成され、左上方に立ち上がり、上面３２ｃ上の中継用電極３５ａを介して第２主面３２ｂに回り込み、第２主面３２ｂにおいて第１主面３２ａと透視状態で重なるように２本に分岐した状態で形成され、その一端は下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｂに接続されている。また、第１中心電極３５の他端は下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃに接続されている。このように、第１中心電極３５はフェライト３２に１ターン巻回されている。そして、第１中心電極３５と以下に説明する第２中心電極３６とは、間に絶縁膜が形成されて互いに絶縁された状態で交差している。【００１５】
第２中心電極３６は導体膜にて形成されている。まず、０．５ターン目３６ａが第１主面３２ａにおいて右下から左上に長辺に対して比較的大きな角度で傾斜して第１中心電極３５と交差した状態で形成され、上面３２ｃ上の中継用電極３６ｂを介して第２主面３２ｂに回り込み、１ターン目３６ｃが第２主面３２ｂにおいて略垂直に第１中心電極３５と交差した状態で形成されている。１ターン目３６ｃの下端部は下面３２ｄの中継用電極３６ｄを介して第１主面３２ａに回り込み、１．５ターン目３６ｅが第１主面３２ａにおいて０．５ターン目３６ａと平行に第１中心電極３５と交差した状態で形成され、上面３２ｃ上の中継用電極３６ｆを介して第２主面３２ｂに回り込んでいる。以下同様に、２ターン目３６ｇ、中継用電極３６ｈ、２．５ターン目３６ｉ、中継用電極３６ｊ、３ターン目３６ｋ、中継用電極３６ｌ、３．５ターン目３６ｍ、中継用電極３６ｎ、４ターン目３６ｏ、がフェライト３２の表面にそれぞれ形成されている。また、第２中心電極３６の両端は、それぞれフェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃ，３６ｐに接続されている。なお、接続用電極３５ｃは第１中心電極３５及び第２中心電極３６のそれぞれの端部の接続用電極として共用されている。【００１６】
即ち、第２中心電極３６はフェライト３２に螺旋状に４ターン巻回されていることになる。ここで、ターン数とは、中心電極３６が主面３２ａ，３２ｂをそれぞれ１回横断した状態を０．５ターンとして計算している。そして、中心電極３５，３６の交差角は必要に応じて設定され、入力インピーダンスや挿入損失が調整されることになる。【００１７】
また、接続用電極３５ｂ，３５ｃ，３６ｐや中継用電極３５ａ，３６ｂ，３６ｄ，３６ｆ，３６ｈ，３６ｊ，３６ｌ，３６ｎはフェライト３２の上下面３２ｃ，３２ｄに形成された凹部３７（図３参照）に銀、銀合金、銅、銅合金などの電極用導電材を充填して形成されている。また、上下面３２ｃ，３２ｄには各種電極と平行にダミー凹部３８も形成され、かつ、ダミー電極３９ａ，３９ｂ，３９ｃが形成されている。この種の電極は、マザーフェライト基板に予めスルーホールを形成し、このスルーホールを電極用導電材で充填した後、スルーホールを分断する位置でカットすることによって形成される。【００１８】
凹部３７，３８は、第１及び第２主面３２ａ，３２ｂに臨んで開口する断面略半円形状又は断面略長円形状をなし、永久磁石４１，４１による直流磁界の印加方向Ａに対して、上流側（第２主面３２ｂ側）の開口部よりも下流側（第１主面３２ａ側）の開口部が大きく形成されている。より具体的には、上流側（第２主面３２ｂ側）の開口部から下流側（第１主面３２ａ側）の開口部に向かってテーパ状に広がっている。このような形状を有する凹部３７，３８による作用効果は後述する。【００１９】
フェライト３２としてはＹＩＧフェライトなどが用いられている。第１及び第２中心電極３５，３６や各種電極は銀や銀合金の厚膜又は薄膜として印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。中心電極３５，３６の絶縁膜としてはガラスやアルミナなどの誘電体厚膜、ポリイミドなどの樹脂膜などを用いることができる。これらも印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。【００２０】
なお、フェライト３２を絶縁膜及び各種電極を含めて磁性体材料にて一体的に焼成することが可能である。この場合、各種電極としては高温焼成に耐えるＰｄ又はＰｄ／Ａｇを用いることになる。【００２１】
永久磁石４１は、通常、ストロンチウム系、バリウム系、ランタン−コバルト系のフェライトマグネットが用いられる。永久磁石４１とフェライト３２とを接着する接着剤４２としては、一液性の熱硬化型エポキシ接着剤を用いることが最適である。【００２２】
回路基板２０は、複数枚の誘電体シート上に所定の電極を形成して積層し、焼結した積層型基板であり、その内部には、等価回路である図５及び図６に示すように、整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｐ１，Ｃｐ２が内蔵され、終端抵抗Ｒが回路基板２０上に外付けされている。また、上面には端子電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃが、下面には外部接続用端子電極２６，２７，２８がそれぞれ形成されている。【００２３】
これらの整合用回路素子と前記第１及び第２中心電極３５，３６との接続関係は、例えば、第１回路例である図５及び第２回路例である図６に示すとおりである。ここで、図５に示す第１回路例に基づいて接続関係を説明する。【００２４】
回路基板２０の下面に形成された外部接続用端子電極２６が入力ポートＰ１として機能し、この端子電極２６は整合用コンデンサＣ１と終端抵抗Ｒとに接続されている。また、この電極２６は回路基板２０の上面に形成された端子電極２５ａ及びフェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｂを介して第１中心電極３５の一端に接続されている。【００２５】
第１中心電極３５の他端及び第２中心電極３６の一端は、フェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃ及び回路基板２０の上面に形成された端子電極２５ｂを介して終端抵抗Ｒ及びコンデンサＣ１，Ｃ２に接続され、かつ、回路基板２０の下面に形成された外部接続用端子電極２７に接続されている。この電極２７が出力ポートＰ２として機能する。【００２６】
第２中心電極３６の他端は、フェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３６ｐ及び回路基板２０の上面に形成された端子電極２５ｃを介してコンデンサＣ２及び回路基板２０の下面に形成された外部接続用端子電極２８と接続されている。この電極２８はグランドポートＰ３として機能する。【００２７】
また、図６に示す第２回路例では、入力ポートＰ１側にコンデンサＣｓ１，Ｃｐ１が接続され、出力ポートＰ２側にコンデンサＣｓ２，Ｃｐ２が接続されており、これらのコンデンサはインピーダンス調整用として用いられている。【００２８】
前記フェライト・磁石組立体３０は、回路基板２０上に載置され、フェライト３２の下面３２ｄの各種電極が回路基板２０上の端子電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃとリフローはんだ付けなどによって一体化されるとともに、永久磁石４１の下面が回路基板２０上に接着剤にて一体化される。【００２９】
平板状ヨーク１０は、電磁シールド機能を有するもので、前記フェライト・磁石組立体３０の上面に誘電体層（接着剤層）１５を介して固定されている。平板状ヨーク１０の機能は、フェライト・磁石組立体３０から磁気の漏れ、高周波電磁界の漏れを抑えること、外部からの磁気の影響を抑えること、本アイソレータをチップマウンタを用いて図示しない基板に搭載する際に、バキュームノズルでピックアップする場所を提供することである。なお、平板状ヨーク１０は必ずしも接地されている必要はないが、はんだ付けや導電性接着剤などで接地してもよく、接地すると高周波シールドの効果が向上する。【００３０】
ところで、以上の構成からなる２ポート型アイソレータにおいては、第１中心電極３５の一端が入力ポートＰ１に接続され他端が出力ポートＰ２に接続され、第２中心電極３６の一端が出力ポートＰ２に接続され他端がグランドポートＰ３に接続されているため、挿入損失の小さな２ポート型の集中定数型アイソレータとすることができる。さらに、動作時において、第２中心電極３６に大きな高周波電流が流れ、第１中心電極３５にはほとんど高周波電流が流れない。従って、第１中心電極３５及び第２中心電極３６によって生じる高周波磁界の方向は第２中心電極３６の配置によってその方向が決まる。高周波磁界の方向が決まることにより、挿入損失をより低下させる対策が容易になる。【００３１】
また、本第１実施例において、図２に示したように、フェライト３２の上下面３２ｃ，３２ｄに形成した凹部３７，３８は、永久磁石４１，４１による直流磁界の印加方向Ａに対して、上流側（第２主面３２ｂ側）の開口部よりも下流側（第１主面３２ａ側）の開口部が大きく形成されている。より具体的には、凹部３７，３８は上流側（第２主面３２ｂ側）の開口部から下流側（第１主面３２ａ側）の開口部に向かって滑らかにテーパ状に広がっている。【００３２】
このような凹部３７，３８はフェライト３２の母材にスルーホールを形成する際に、ブラスト加工又はレーザ加工などによって形成される。ブラスト加工は、母材の表面にマスクを介して微小な粒径の粉体を吹き付けることで、マスキングされていない箇所にテーパ状のスルーホールが形成され、該スルーホールを分断カットすることで凹部３７，３８を得る。レーザ加工は、フェライト３２の母材の表面にレーザを照射することで所定箇所にテーパ状のスルーホールが形成され、該スルーホールを分断カットすることで凹部３７，３８を得る。【００３３】
前記凹部３７，３８に対しては導電材が充填され、開口部の面積の小さい側から大きい側に永久磁石４１，４１から直流磁界が印加されるため、フェライト３２内部の磁場分布の乱れが低減される。ここで、図７に示すモデルを用いて本発明者がシミュレートした磁場分布を図８に示す。【００３４】
図７に示すモデルは、フェライト３２の上面３２ｃに第２主面３２ｂから第１主面３２ａに向かって滑らかにテーパ状に貫通する凹部３７を想定し、第１主面３２ａ側の開口部を大きく、第２主面３２ｂ側の開口部を小さく設定して導電材を充填し、かつ、テーパ部の中央位置での平面Ｂでの磁場分布を観測するようにした。【００３５】
図８（Ａ）は、永久磁石４１，４１による直流磁界の印加方向Ａを開口部の小さい側から大きい側に設定した場合（第１実施例）の前記平面Ｂでの磁場分布のシミュレーション結果を示している。図８（Ｂ）は、永久磁石４１，４１による直流磁界の印加方向Ａを開口部の大きい側から小さい側に逆方向に設定した場合（比較例１）の前記平面Ｂでの磁場分布のシミュレーション結果を示している。図８（Ｃ）は、凹部３７をテーパ状ではなく第１主面３２ａの開口部と同径のストレート状とした場合（比較例２）の前記平面Ｂでの磁場分布のシミュレーション結果を示している。比較例１，２（図８（Ｂ），（Ｃ）参照）においては、いずれの点線Ｃで囲った部分（凹部３７に近い部分）において磁場分布に乱れが生じている。これに対して、第１実施例（図８（Ａ）参照）においてはこのような磁場の乱れは生じていない。【００３６】
図９（Ａ）にアイソレータの挿入損失特性を示し、図９（Ｂ）にアイソレーション特性を示す。いずれも曲線Ｄ１は第１実施例（図８（Ａ）参照）での特性であり、曲線Ｄ２は比較例１（図８（Ｂ）参照）での特性である。また、比較例２の特性は曲線Ｄ２とほぼ一致している。第１実施例では比較例１，２に比べて磁場の乱れが少ない分、８００ＭＨｚ帯域での挿入損失及びアイソレーションが改善されている。特に、凹部３７，３８がテーパ状に滑らかに形成されていることにより、フェライト３２の内部での磁場分布の乱れを最小限に抑え、良好な特性を得ることができる。【００３７】
さらに、本第１実施例において、フェライト・磁石組立体３０は、フェライト３２と一対の永久磁石４１が接着剤４２で一体化されていることで、構造的に安定となり、振動や衝撃で変形・破損しない堅牢なアイソレータとなる。【００３８】
また、回路基板２０は多層誘電体基板で構成されている。これにて、内部にコンデンサや抵抗などの回路網を内蔵することができ、アイソレータの小型化、薄型化が達成でき、回路素子間の接続が基板内で行われるために信頼性の向上が期待できる。勿論、回路基板２０は必ずしも多層である必要はなく、単層であってもよく、整合用コンデンサなどをチップタイプとして外付けしてもよい。【００３９】
（第２実施例、図１０及び図１１参照）
本発明に係る非可逆回路素子の第２実施例である３ポート型アイソレータの要部を図１０に示し、図１１にその等価回路を示す。図１０では、中心電極組立体１３０を示しており、フェライト１３２の第１主面１３２ａ上に２本ずつの中心電極１２１，１２２，１２３を絶縁膜１２５，１２６を介して導体膜で形成したものである。【００４０】
中心電極組立体１３０に対して、図示しない永久磁石は第１主面１３２ａ側に配置され、直流磁界を第１主面１３２ａに対して略直交する方向（矢印Ａ参照）に印加する。フェライト１３２の第２主面１３２ｂにはグランドパターンが略全面に形成されており、各中心電極１２１，１２２，１２３の両端部は、フェライト１３２の四つの端面１３２ｃに設けた凹部１３７，１３８に充填された導電材からなる接続用電極にて第２主面１３２ｂに延長されている。中心電極１２１，１２２，１２３のそれぞれの一端は凹部１３７に充填した電極を介してグランドパターンに電気的に接続され、それぞれの他端は凹部１３８に充填した電極を介して第２主面１３２ｂに臨んでいるが、ギャップ１２８によってグランドパターンとは電気的に分離されている。【００４１】
また、図１１の等価回路に示すように、ポートＰ１とグランドパターンとの間には中心電極１２２と並列に整合用コンデンサＣ１１が挿入されている。ポートＰ２とグランドパターンとの間には中心電極１２１と並列に整合用コンデンサＣ１２が挿入されている。ポートＰ３とグランドパターンとの間には中心電極１２３と並列に整合用コンデンサＣ１３が挿入されている。【００４２】
なお、このような非可逆回路素子の構成は前記特許文献２（特開２００２−０７６７１１号公報）に詳しく記載されている。【００４３】
ところで、凹部１３７，１３８は、前記第１実施例と同様に、フェライト１３２の第１及び第２主面１３２ａ，１３２ｂに臨んで開口し、永久磁石による直流磁界の印加方向Ａに対して、上流側（第１主面１３２ａ側）の開口部よりも下流側（第２主面１３２ｂ側）の開口部が大きく形成されている。より具体的には、凹部１３７，１３８は上流側（第１主面１３２ａ側）の開口部から下流側（第２主面１３２ｂ側）の開口部に向かって滑らかにテーパ状に広がっている。従って、第１実施例と同様に、フェライトの内部での磁場分布の乱れが減少し、挿入損失が小さくなり、かつ、アイソレーションが高くなる。【００４４】
（実施例のまとめ）
前記非可逆回路素子においては、中心電極と接続する導電材を充填するために、フェライトの第１及び第２主面と直交する端面に設けた凹部の形状を、永久磁石による直流磁界の印加方向上流側の開口部よりも下流側の開口部を大きく形成したため、フェライト内部での磁場分布の乱れが減少し、これにて、挿入損失特性及びアイソレーション特性が改善される。【００４５】
特に、第１中心電極及び第２中心電極を前記凹部に充填した導電材にて電気的に接続してフェライトの周囲に巻回することにより、挿入損失の小さな２ポート型の集中定数型アイソレータを得ることができる。【００４６】
また、前記凹部は直流磁界の印加方向上流側の開口部から下流側の開口部に向かってテーパ状に広がっていることが好ましい。フェライト内部の磁場分布の乱れを最小限にすることができる。【００４７】
（他の実施例）
なお、本発明に係る非可逆回路素子は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。【００４８】
例えば、永久磁石４１のＮ極とＳ極を反転させれば、入力ポートＰ１と出力ポートＰ２が入れ替わる。また、第１及び第２中心電極３５，３６の形状は種々に変更することができる。例えば、前記第１実施例では、第１中心電極３５はフェライト３２の主面３２ａ，３２ｂ上で２本に分岐したものを示したが、分岐していなくてもよい。また、第２中心電極３６は１ターン以上巻回されていればよい。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上のように、本発明は、非可逆回路素子に有用であり、特に、フェライト内部での磁場分布の乱れを減少させ、挿入損失特性及びアイソレーション特性を改善できる点で優れている。
【図１】
2009031380.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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2009031380.tif 000015