【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に複数の電極が配置された半導体チップと、
前記半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数のリードと、
前記半導体チップ及び前記複数のリードを封止する樹脂封止体とを有し、
前記複数のリードは、前記樹脂封止体の実装面から露出し、かつ前記樹脂封止体の側面側に位置する第１の外部接続部を有する第１のリードと、前記第１のリードと隣り合う第２のリードであって、前記樹脂封止体の実装面から露出し、かつ前記第１の外部接続部よりも前記半導体チップ側に位置する第２の外部接続部を有する第２のリードとを含み、
前記第１及び第２のリードは、前記半導体チップに接着固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のリードは、一端側が前記半導体チップの主面に接着固定され、前記一端側とは反対側の他端側が前記樹脂封止体の側面側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のリードは、半導体チップの外周の辺を横切って延在し、
前記第１及び第２の外部接続部は、前記半導体チップの周囲における前記第１及び第２のリードの部分に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のリードは、前記半導体チップの主面上を延在する第１の部分と、前記第１の部分から前記樹脂封止体の実装面側に折れ曲がる第２の部分と、前記第２の部分から前記樹脂封止体の側面に向かって延びる第３の部分とを有し、
前記第１及び第２の外部接続部は、前記第１及び第２のリードの夫々の第３の部分に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のリードの夫々の第１の部分は、半導体チップの主面に接着固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの主面は、前記樹脂封止体の実装面側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの主面と反対側の裏面は、前記樹脂封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの主面と反対側に裏面は、樹脂封止体の実装面側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の外部接続部の幅は、前記第１及び第２のリードの第３の部分の幅よりも広くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の外部接続部の間隔は、前記第１及び第２のリードの第３の部分の間隔よりも狭くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の外部接続部の厚さは、前記第１及び第２のリードの厚さよりも厚くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の外部接続部は、前記樹脂封止体の実装面から突出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数のリードは、ボンディングワイヤを介して前記半導体チップの複数の電極と夫々電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップは、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状で形成され、
前記複数の電極は、前記半導体チップの主面の２つの中心線のうちの一方の中心線に沿う中央配列になっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップは、その厚さ方向と交差する平面形状が長方形で形成され、
前記複数の電極は、前記半導体チップの主面の長辺方向と同一方向の中心線に沿う中央配列になっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のリードは、絶縁性テープを介在して前記半導体チップに接着固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
主面に複数の電極が配置された半導体チップと、
前記半導体チップの第１の辺に沿って配置され、かつ前記半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数のリードからなる第１のリード群と、
前記半導体チップの第１の辺と反対側の第２の辺に沿って配置され、かつ前記半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数のリードからなる第２のリード群と、
前記半導体チップ、前記第１及び第２のリード群を封止する樹脂封止体とを有し、
前記第１及び第２のリード群は、前記樹脂封止体の実装面から露出し、かつ前記樹脂封止体の側面側に位置する第１の外部接続部を有する第１のリードと、前記第１のリードと隣り合う第２のリードであって、前記樹脂封止体の実装面から露出し、かつ前記第１の外部接続部よりも前記半導体チップ側に位置する第２の外部接続部を有する第２のリードとを含み、
前記第１及び第２のリードは、前記半導体チップに接着固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体装置において、
前記第１のリード群の第１及び第２のリードは、一端側が前記半導体チップの主面に接着固定され、前記一端側とは反対側の他端側が前記樹脂封止体の第１の側面側に配置され、
前記第２のリード群の第１及び第２のリードは、一端側が前記半導体チップの主面に接着固定され、前記一端側とは反対側の他端側が前記樹脂封止体の第１の側面とは反対側の第２の側面側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１７に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のリードは、前記半導体チップの主面上を延在する第１の部分と、前記第１の部分から前記樹脂封止体の実装面側に折れ曲がる第２の部分と、前記第２の部分から前記樹脂封止体の側面に向かって延びる第３の部分とを有し、
前記第１及び第２の外部接続部は、前記第１及び第２のリードの夫々の第３の部分に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
第１のリードと、前記第１のリードと隣り合う第２のリードと、前記第１のリードに設けられた第１の外部接続部と、前記第２のリードに設けられ、かつ前記第１の外部接続部よりも前記リードの一端側に位置する第２の外部接続部とを有するリードフレームを準備する工程と、
第１の合わせ面に第１のクランプ部及びこの第１のクランプ部に連なるキャビティを有する第１の型と、前記第１の合わせ面と向かい合う第２の合わせ面に前記第１のクランプ部と向かい合う第２のクランプ部を有する第２の型とを有する成形型を準備する工程と、
半導体チップに前記第１及び第２のリードの一端側を接着固定する工程と、
前記半導体チップの主面に配置された複数の電極と前記第１及び第２のリードとを夫々電気的に接続する工程と、
前記第１及び第２のリードの一端側とは反対側の他端側を前記第１及び第２のクランプ部で上下方向から挟み込み、前記第１及び第２のリードと前記第２の合わせ面との間に配置された樹脂シートに前記第１及び第２の外部接続部を接触させた状態で前記キャビティの内部に樹脂を注入して、前記半導体チップ、前記第１及び第２のリードを樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２のリードは、一端側が前記半導体チップの主面に接着固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２のリードは、半導体チップの外周の辺を横切って延在し、
前記第１及び第２の外部接続部は、前記半導体チップの周囲における前記第１及び第２のリードの部分に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２のリードは、前記半導体チップの主面上を延在する第１の部分と、前記第１の部分から前記第２の合わせ面側に折れ曲がる第２の部分と、前記第２の部分から前記第１及び第２のクランプ部に向かって延びる第３の部分とを有し、
前記第１及び第２の外部接続部は、前記第１及び第２のリードの夫々の第３の部分に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２のリードの夫々の第１の部分は、半導体チップの主面に接着固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項２０に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの主面は、前記樹脂シートと向かい合っていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップの主面と反対側の裏面は、前記キャビティの内壁面に接触していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップの主面と反対側の裏面は、前記樹脂シートと向かい合っていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の外部接続部の幅は、前記第１及び第２のリードの第３の部分の幅よりも広くなっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の外部接続部の厚さは、前記第１及び第２のリードの厚さよりも厚くなっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップの電極と前記第１及び第２のリードとの電気的な接続は、ボンディングワイヤで行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップは、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状で形成され、
前記複数の電極は、前記半導体チップの主面の２つの中心線のうちの一方の中心線に沿う中央配列になっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
請求項２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２のリードは、絶縁性テープを介在して前記半導体チップに接着固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
（ａ）第１の端部と、前記第１の端部に対向し、かつ外部接続部を含む第２の端部とを備えた第１及び第２のリードを有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）主面上に配置された複数の電極を有する半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）前記第１及び第２のリード夫々の前記第１の端部が前記半導体チップの前記主面に固定するように前記半導体チップを前記リードフレームに接着する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体チップを含む前記リードフレームを、前記半導体チップと前記第１及び第２のリード夫々の前記第１の端部が成形金型の上型と下型により規定されるキャビティ内に位置するように配置し、前記第１及び第２のリード夫々の前記第２の端部側を前記成形金型の前記上型と前記下型により挟み込む工程と、
（ｅ）トランスファ・モールディング法により樹脂を前記成形金型の前記キャビティ内に注入し、前記半導体チップと前記第１及び第２のリード夫々の前記第１の端部を封止する樹脂封止体を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
請求項３３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の後であり、かつ前記（ｃ）工程の前に、前記第１及び第２のリード夫々の前記第１の端部と前記半導体チップの複数の電極とを複数のボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３５】
請求項３３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２のリード夫々の前記第２の端部は、前記半導体チップの外側に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３６】
請求項３３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記リードフレームと前記成型金型の前記下型との間に樹脂シートを配置した後、前記第１及び第２のリード夫々の前記外部接続部を前記樹脂シートに食い込ませるように前記第１及び第２のリード夫々の前記第２の端部側を前記成型金型の前記上型と前記下型により挟み込む工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３７】
請求項３３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程の後、前記第１及び第２のリード夫々の前記外部接続部が前記樹脂封止体の裏面から露出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３８】
請求項３３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程の後、前記第１及び第２のリード夫々の前記外部接続部が前記樹脂封止体の裏面から突出することを特徴とする半導体装置の製造方法。