【手続補正書】
【提出日】平成16年3月8日(2004.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型のＡｌＧａＮまたはＧａＮからなる第１のクラッド層と、
インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、
ＡｌＧａＮからなるキャップ層と、
第２導電型のＡｌＧａＮからなる第２のクラッド層とをこの順に備え、
前記キャップ層は、前記活性層と前記第２のクラッド層との中間のバンドギャップを有し、
前記キャップ層の不純物濃度は、前記第２のクラッド層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記活性層はＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項４】
前記量子井戸層はＩｎs Ｇａ1-s Ｎ（１＞ｓ＞０）からなる
ことを特徴とする請求項３記載の発光素子。
【請求項５】
前記量子井戸構造は量子障壁層をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記量子井戸層はＩｎs Ｇａ1-s Ｎ（１＞ｓ＞０）からなり、前記量子障壁層はＩｎr Ｇａ1-r Ｎ（１＞ｓ＞ｒ≧０）からなることを特徴とする請求項５記載の発光素子。
【請求項７】
前記量子障壁層はＧａＮからなることを特徴とする請求項６記載の発光素子。
【請求項８】
前記キャップ層のＡｌ組成比は前記第２のクラッド層のＡｌ組成比よりも小さいことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記キャップ層のＡｌ組成比は０．１以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記キャップ層はアンドープ層であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記キャップ層の厚さは２００Å以上４００Å以下である
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第２のクラッド層上に第２導電型のコンタクト層をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１３】
第１導電型のＡｌＧａＮまたはＧａＮからなる第１のクラッド層を形成する工程と、
前記第１のクラッド層上にインジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、
前記活性層上にＡｌＧａＮからなるキャップ層を形成する工程と、
前記キャップ層上に第２導電型のＡｌＧａＮからなる第２のクラッド層を形成する工程とを備え、
前記キャップ層は、前記活性層と前記第２のクラッド層との中間のバンドギャップを有し、
前記キャップ層の不純物濃度は、前記第２のクラッド層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記活性層はＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項１３記載の発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記活性層は、量子井戸層を含む量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１３〜１４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１６】
前記量子井戸層はＩｎs Ｇａ1-s Ｎ（１＞ｓ＞０）からなることを特徴とする請求項１５のいずかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記量子井戸構造は量子障壁層をさらに含むことを特徴と
する請求項１５〜１６のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記量子井戸層はＩｎs Ｇａ1-s Ｎ（１＞ｓ＞０）からなり、前記量子障壁層はＩｎr Ｇａ1-r Ｎ（１＞ｓ＞ｒ≧０）からなることを特徴とする請求項１７記載の発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記量子障壁層はＧａＮからなることを特徴とする請求項１８記載の発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記キャップ層のＡｌ組成比は前記第２のクラッド層のＡｌ組成比よりも小さいことを特徴とする請求項１３〜１９のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記キャップ層のＡｌ組成比は０．１以下であることを特徴とする請求項１３〜２０のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２２】
前記キャップ層はアンドープ層であることを特徴とする請求項１３〜２１のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２３】
前記キャップ層の厚さは２００Å以上４００Å以下であることを特徴とする請求項１３〜２２のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２４】
前記第２クラッド層を前記活性層の成長温度よりも高い成長温度で形成することを特徴とする請求項１３〜２３のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２５】
前記キャップ層を前記活性層の成長温度とほぼ等しい成長温度で形成することを特徴とする請求項１３〜２４のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２６】
前記活性層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項１３〜２５のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２７】
前記量子井戸層はＩｎＧａＮ量子障壁層からなり、前記量子障壁層はＧａＮ量子障壁層からなり、
前記ＧａＮ量子障壁層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項１３〜２６のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２８】
前記キャップ層を７００℃以上９５０℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項１３〜２７のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項２９】
前記第２クラッド層を１０００℃以上１２００℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項１３〜２８のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項３０】
前記第２クラッド層上に第２導電型のコンタクト層を形成する工程
をさらに含むことを特徴とする請求項１３〜２９のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明に係る発光素子は、第１導電型のＡｌＧａＮまたはＧａＮからなる第１のクラッド層と、インジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層と、ＡｌＧａＮからなるキャップ層と、第２導電型のＡｌＧａＮからなる第２のクラッド層とをこの順に備え、前記キャップ層は、前記活性層と前記第２のクラッド層との中間のバンドギャップを有し、前記キャップ層の不純物濃度は、前記第２のクラッド層の不純物濃度よりも低いものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
活性層がＩｎＧａＮ層からなってもよい。この場合、インジウムは脱離しやすいので、顕著な効果が得られる。キャップ層はＡｌＧａＮ層からなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
キャップ層のＡｌ組成比は第２のクラッド層のＡｌ組成比よりも小さいことが好ましい。第１のクラッド層は、製造歩留りの観点からＧａＮからなることが好ましい。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
特に、キャップ層のＡｌ組成比がほぼ０．１以下であることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明に係る発光素子の製造方法は、第１導電型のＡｌＧａＮまたはＧａＮからなる第１のクラッド層を気相成長法により形成する工程と、前記第１のクラッド層上にインジウムを含む窒化物系の化合物半導体からなる活性層を気相成長法により形成する工程と、前記活性層上にＡｌＧａＮからなるキャップ層を気相成長法により形成する工程と、前記キャップ層上に第２導電型のＡｌＧａＮからなる第２のクラッド層を気相成長法により形成する工程とを備え、前記キャップ層は、前記活性層と前記第２のクラッド層との中間のバンドギャップを有し、前記キャップ層の不純物濃度は、前記第２のクラッド層の不純物濃度よりも低い。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
キャップ層のＡｌ組成比はクラッド層のＡｌ組成比よりも小さいことが好ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
特に、キャップ層のＡｌ組成比がほぼ０．１以下であることが好ましい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本発明に係る発光素子は、高い発光強度を有するので、本発明に係る発光素子を備えた電子機器の光学的性能が向上する。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の参考例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを図１を用いて詳細に説明する。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
上記の発光ダイオードの製造方法を説明する。本参考例では、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により各層が形成される。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
引き続いて、基板１を活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本参考例では８６０℃に保持した状態で、キャリアガスとしてＨ2 およびＮ2 、原料ガスとしてアンモニアおよびトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いて、ＩｎＧａＮ活性層５上にその活性層５の成長に連続して単結晶のアンドープのＧａＮキャップ層６を成長させる。トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の代わりにトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を用いてもよい。


【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
さらに、本参考例のＧａＮキャップ層６は、故意にドーパントを使用することなく形成される所謂アンドープ層であるので、ＩｎＧａＮ活性層５への不所望な不純物の拡散が十分に抑制される。


【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
このように、本参考例の場合、活性層５からの構成元素の脱離が抑制されて活性層５の結晶欠陥数が低減したことによる活性層５への不純物の拡散抑制効果と、キャップ層６がアンドープ層であることによる活性層５への不純物の拡散抑制効果の両効果により、活性層５への不所望な不純物拡散が顕著に抑制される。


【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
したがって、キャップ層６がない以外は本参考例と同じ発光ダイオードでは、発光波長のばらつきが大きく、また不発光あるいは低発光になる発光ダイオードの数が多いのに比べて、本参考例の発光ダイオードでは、発光波長のばらつきが小さく、発光強度が顕著に大きくなる。


【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
特に、本参考例の発光ダイオードの製造時には、ＩｎＧａＮ活性層５の全面直上にアンドープのＧａＮキャップ層６をＩｎＧａＮ活性層５の成長温度以下の温度、本参考例では８６０℃で成長させるので、このキャップ層６を形成する際に、ＩｎＧａＮ活性層５の構成元素の脱離を抑制できるとともに、キャップ層６を形成した後にＩｎＧａＮ活性層５からの構成元素の脱離を防止できる。したがって、本参考例の製造方法は好ましい製造方法である。


【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
特に、本参考例では、ＩｎＧａＮ活性層５およびＧａＮキャップ層６の成長温度をほぼ同じとしてこれらを連続的に成長させるので、ＩｎＧａＮ活性層５からの構成元素の脱離を十分に抑制できるとともに、量産性も向上する。


【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
さらに、本参考例では、基板１上に非単結晶のＡｌＧａＮバッファ層２を形成した後、単結晶成長条件でアンドープのＧａＮ単結晶下地層３を形成するので、容易に下地層３の表面性を顕著に良好にできる。この結果、素子のリーク電流を抑制でき、素子の製造歩留りを向上できる。


【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
次に、本発明の第１の実施例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを説明する。


【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
本実施例が第１の参考例と異なるのは、キャップ層６としてアンドープのＧａＮ層に代えて層厚２００ÅのアンドープのＡｌu Ｇａ1-u Ｎ層を用いた点である。ここで、ｕはほぼ０．１および０．２である。このＡｌu Ｇａ1-u Ｎ層もＭＯＣＶＤ法により形成され、成長温度は、活性層５の成長温度と同じかもしくはこれよりも低い温度、本実施例では８６０℃である。キャリアガスとしてはＨ2 およびＮ2 、原料ガスとしてはアンモニア、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いる。トリメチルガリウム（ＴＭＧ）の代わりにトリエチルガリウム（ＴＥＧ）を用いてもよい。


【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
しかしながら、第１の参考例で層厚２００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層６の発光強度が４５０（任意単位）であるとした場合に比べて、第１の実施例でＡｌ組成比ｕが約０．１であるアンドープのＡｌu Ｇａ1-u Ｎキャップ層６を用いた場合の発光強度は、半分以下の１９０（任意単位）であった。


【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
上述からキャップ層６としてＧａＮ層を用いることが最も好ましく、Ａｌu Ｇａ1-u Ｎ層を使用する場合にもＡｌ組成比ｕがほぼ０．１と小さい方が好ましいことがわかる。ＡｌＧａＮでは、Ａｌ組成比が大きい程バンドギャップが大きくなる。ｐ型クラッド層７のＡｌ組成比は、第１の参考例で述べたように０．２である。キャップ層６のＡｌ組成比が０．１であると、キャップ層６のバンドギャップはｐ型クラッド層７のバンドギャップよりも小さいことになる。このことから、キャップ層６のバンドギャップは、活性層５のバンドギャップとｐ型クラッド層７のバンドギャップの間の大きさが好ましいことが理解できる。


【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
次に、本発明の第２の参考例におけるIII −Ｖ族窒化物系半導体からなる発光ダイオードを図２を用いて説明する。


【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
本参考例が第１の参考例と異なるのは、ＧａＮ下地層３を用いない点であり、製造方法もこのＧａＮ下地層３の形成工程がない点を除いて第１の参考例と同様である。


【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
本参考例の発光ダイオードでは、第１の参考例の発光ダイオードと比べて製造歩留りが低下するが、キャップ層６を有さない発光ダイオードに比べて発光強度が大きくなる。


【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
なお、上記実施例及び各参考例の発光ダイオードはｎ型コンタクト層４上に活性層５を備えた構造を有するが、ｎ型コンタクト層４と活性層５との間にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層を設けてもよい。また、ｎ型コンタクト層４と活性層５との間にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層およびｎ型ＩｎＧａＮ層を設けてもよい。


【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
上記実施例及び各参考例では、活性層５として量子井戸構造でない非量子井戸構造の活性層を用いたが、もちろん、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層を用いてもよい。例えば、活性層５をＩｎs Ｇａ1-s Ｎ（１＞ｓ＞０）量子井戸層からなる単一量子井戸構造としてもよく、あるいはＩｎs Ｇａ1-s Ｎ（１＞ｓ＞０）量子井戸層とＩｎr Ｇａ1-r Ｎ（１＞ｓ＞ｒ≧０）量子障壁層とからなる多重量子井戸構造としてもよい。


【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
また、上記実施例及び各参考例の発光ダイオードでは、ＳｉおよびＺｎがドープされた活性層５を用いているが、アンドープの活性層を用いてもよい。


【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
次に、本発明の第３の参考例における屈折率導波型半導体レーザ素子を図３を用いて説明する。この半導体レーザ素子はセルフアライン型半導体レーザ素子である。


【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
本参考例の半導体レーザ素子においても、キャップ層１７を有さない半導体レーザ素子に比べて発光強度が大きくなる。


【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
次に、本発明の第４の参考例における屈折率導波型半導体レーザ素子を図４を用いて説明する。この半導体レーザ素子はリッジ埋め込み型導体レーザ素子である。


【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
図４において、サファイア絶縁基板３１上に、層厚１００〜２００ÅのアンドープのＡｌＧａＮバッファ層３２、層厚０．４μｍのアンドープのＧａＮ下地層３３、層厚４μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層３４、および層厚０．１〜０．５μｍのｎ型ＡｌＧａＮ層クラッド層３５が順に形成されている。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３５上には、ＩｎＧａＮ活性層３６、層厚２００〜４００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層３７、および層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３８が順に形成されている。なお、ＩｎＧａＮ活性層３６の構造および層厚は第３の参考例のＩｎＧａＮ活性層１６と同様である。


【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
本参考例の半導体レーザ素子においても、キャップ層３７を有さない半導体レーザ素子に比べて発光強度が大きくなる。


【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
次に、本発明の第５の参考例における利得導波型半導体レーザ素子を図５を用いて説明する。


【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５５上には、ＩｎＧａＮ活性層５６、層厚２００〜４００ÅのアンドープのＧａＮキャップ層５７、層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５８、および層厚０．１〜０．５μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層５９が順に形成されている。なお、ＩｎＧａＮ活性層５６の構造および層厚は、第３の参考例のＩｎＧａＮ活性層１６と同様である。


【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
本参考例の半導体レーザ素子は、ＭＯＣＶＤ法等の化学気相成長法を用いて１回の結晶成長で作製される。製造の際には、アンドープのＡｌＧａＮバッファ層５２の成長温度を６００℃とし、アンドープのＧａＮ下地層５３、ｎ型ＧａＮコンタクト層５４およびｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５５の成長温度を１１５０℃とし、ＩｎＧａＮ活性層５６およびアンドープのＧａＮキャップ層５７の成長温度を７００〜９５０℃とし、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５８およびｐ型ＧａＮコンタクト層５９の成長温度を１１５０℃とする。


【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
本参考例の半導体レーザ素子においても、キャップ層５７を有さない半導体レーザ素子に比べて発光強度が大きくなる。


【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
上記第１の実施例及び第１〜第５の参考例では、絶縁基板上に半導体層を備えた発光素子について説明したが、本発明は、ＳｉＣ基板等の導電性基板上に半導体層を備え、この半導体層の最上層の上面と基板の下面に電極を有する発光素子にも同様に適用することができる。


【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
また、上述では、ｎ型クラッド層上に活性層、キャップ層およびｐ型クラッド層をこの順序で形成しているが、ｐ型クラッド層上に活性層、キャップ層およびｎ型クラッド層をこの順序で形成してもよく、すなわち、第１の実施例及び第１〜第５の参考例において各層の導電型を逆にしてもよい。


【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
上記第１の実施例及び第１〜第２の参考例の発光ダイオードは、光ファイバ通信システム用光源、フォトカプラ用光源、単色または多色パイロットランプ、数字表示器、レベルメータ、ディスプレイ等の表示装置用の光源、ファクシミリ装置用光源、プリンタヘッド、信号機、ハイビームランプ等の自動車用ランプ、液晶テレビジョン装置、液晶表示装置用バック光源、アミューズメントシステム等に用いることができる。


【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
また、上記第３〜第５の参考例の半導体レーザ素子は、レーザメス、光通信システム用光源、ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）等のディスクシステムの光ピックアップ装置用光源、カラーレーザビームプリンタ用光源、レーザ加工装置用光源、レーザホログラフィ用光源、レーザディスプレイ用光源、アミューズメントシステム用光源等に用いることができる。


【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の参考例及び第１の実施例における発光ダイオードの模式的断面図である。
【図２】本発明の第２の参考例における発光ダイオードの模式的断面図である。
【図３】本発明の第３の参考例における半導体レーザ素子の模式的断面図である。
【図４】本発明の第４の参考例における半導体レーザ素子の模式的断面図である。
【図５】本発明の第５の参考例における半導体レーザ素子の模式的断面図である。
【図６】本発明を適用可能な構造の一例を示す模式的断面図である。
【図７】本発明を適用可能な構造の他の例を示す模式的断面図である。
【図８】従来の発光ダイオードの模式的断面図である。