【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成され、前記薄膜トランジスタのドレイン電極の一部を露呈する開孔部を有する層間絶縁膜と、
前記開孔部を埋め込むように形成された溶液塗布系導電膜と、
前記層間絶縁膜及び前記溶液塗布系導電膜上に接して形成された、アルミニウムを主成分とする材料、タンタル、タングステン又はモリブデンからなる画素電極とを有し、
前記層間絶縁膜の上面と前記溶液塗布系導電膜の上面は同一平面をなすことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極を覆うように形成された窒化珪素膜と、
前記窒化珪素膜上に形成され、前記窒化珪素膜を誘電体として前記ドレイン電極との間で補助容量を形成する金属膜と、
前記金属膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、
前記窒化珪素膜、前記第２の層間絶縁膜及び前記第３の層間絶縁膜に形成され、前記ドレイン電極の一部を露呈する開孔部と、
前記開孔部を埋め込むように形成された溶液塗布系導電膜と、
前記第３の層間絶縁膜及び前記溶液塗布系導電膜上に接して形成された、アルミニウムを主成分とする材料、タンタル、タングステン又はモリブデンからなる画素電極とを有し、
前記第３の層間絶縁膜の上面と前記溶液塗布系導電膜の上面は同一平面をなすことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極を覆うように形成された窒化珪素膜と、
前記窒化珪素膜上に形成され、前記窒化珪素膜を誘電体として前記ドレイン電極との間で補助容量を形成する金属膜と、
前記金属膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、
前記窒化珪素膜、前記第２の層間絶縁膜及び前記第３の層間絶縁膜に形成され、前記ドレイン電極の一部を露呈する開孔部と、
前記開孔部を埋め込むように形成された溶液塗布系導電膜と、
前記溶液塗布系導電膜上に接して形成された、アルミニウムを主成分とする材料、タンタル、タングステン又はモリブデンからなる画素電極とを有し、
前記溶液塗布系導電膜は前記画素電極と同一形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、前記層間絶縁膜は有機樹脂膜の単層又は積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記開孔部の断面形状はテーパー状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記溶液塗布系導電膜は酸化物導電層でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記溶液塗布系導電膜はＩＴＯ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、前記ＩＴＯ膜はカーボン系材料または顔料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記半導体装置はアクティブマトリクス型液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記半導体装置はＥＬ表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、スチルカメラ、リア型プロジェクター、フロント型プロジェクター、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
絶縁層、半導体層または導電層でなる下地膜上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に前記第１の導電層の一部を露出する開孔部を形成し、
前記第１の絶縁層と前記開孔部を覆うようにスピンコート法により溶液塗布系導電膜を形成し、
前記溶液塗布系導電膜をエッチングすることにより、前記開孔部のみを前記溶液塗布系導電膜で充填し、
前記溶液塗布系導電膜及び前記第１の絶縁層上に接して第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜上にドレイン電極を形成し、
前記ドレイン電極上に第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜に、前記ドレイン電極の一部を露出する開孔部を形成し、
前記第２の層間絶縁膜と前記開孔部を覆うようにスピンコート法により溶液塗布系導電膜を形成し、
前記溶液塗布系導電膜をエッチングすることにより、前記開孔部のみを前記溶液塗布系導電膜で充填し、
前記溶液塗布系導電膜及び前記第２の層間絶縁膜上に接して画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜上にドレイン電極を形成し、
前記ドレイン電極上に第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜に、前記ドレイン電極の一部を露出する開孔部を形成し、
前記第２の層間絶縁膜と前記開孔部を覆うようにスピンコート法により溶液塗布系導電膜を形成し、
前記溶液塗布系導電膜を研磨することにより、前記開孔部のみを前記溶液塗布系導電膜で充填し、
前記溶液塗布系導電膜及び前記第２の層間絶縁膜上に接して画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜上にドレイン電極を形成し、
前記ドレイン電極上に第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜に前記ドレイン電極の一部を露出する開孔部を形成し、
前記第２の層間絶縁膜と前記開孔部を覆うようにスピンコート法により溶液塗布系導電膜を形成し、
前記溶液塗布系導電膜上に接して画素電極を形成し、
前記画素電極をマスクとして前記溶液塗布系導電膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２において、前記エッチングは、前記第１の絶縁層の上面と前記溶液塗布系導電膜の上面が同一平面になるよう行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１３において、前記エッチングは、前記第２の層間絶縁膜の上面と前記溶液塗布系導電膜の上面が同一平面になるよう行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４において、前記研磨は、前記第２の層間絶縁膜の上面と前記溶液塗布系導電膜の上面が同一平面になるよう行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至請求項１８のいずれか一項において、前記溶液塗布系導電膜はＩＴＯ膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
そして、上記工程によってゲイト電極２１６、２１７が確定する。なお、画素マトリクス回路ではゲイト電極の形成と同時に１ライン毎に各ゲイト電極を接続するゲイト線も形成されている。（図３（Ａ））
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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