【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構造１を有する、少なくとも１種のエチレン性不飽和多環式化合物から誘導される繰り返し単位を有することを特徴とするフッ素含有ポリマー。
【化１】
2004526844.tif 000001
［式中、
Ｒ1〜Ｒ8は、同一であるかまたは異なり、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、または１〜２０個の炭素原子および少なくとも１個の酸素、硫黄、もしくは窒素原子を有する置換された炭化水素基を表し、
ｍは０、１、または２である］
【請求項２】
フォトレジストであって、
（Ｉ）以下の構造１を有する、少なくとも１種のエチレン性不飽和多環式化合物から誘導される繰り返し単位を有するフッ素含有ポリマーと、
【化２】
2004526844.tif 000002
［式中、Ｒ1〜Ｒ8は、同一であるかまたは異なり、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、または１〜２０個の炭素原子および少なくとも１個の酸素、硫黄、もしくは窒素原子を有する置換された炭化水素基を表し、ｍは０、１、または２である］
（ＩＩ）光活性成分と、
を含むことを特徴とするフォトレジスト。
【請求項３】
基板上にフォトレジスト画像を作成する方法であって、順に、
（Ｗ）基板上にフォトレジスト組成物を塗布する工程であって、
前記フォトレジスト組成物が、
（Ｉ）請求項１に記載のフッ素含有ポリマーと、
（ＩＩ）光活性成分と、
（ＩＩＩ）溶媒と、
を含むものである工程と、
（Ｘ）前記溶媒を実質的に除去することによって、前記被覆されたフォトレジスト組成物を乾燥させ、前記基板上にフォトレジスト層を形成する工程と、
（Ｙ）前記フォトレジスト層を画像状に露光させて、画像形成された領域と画像形成されていない領域とを形成する工程と、
（Ｚ）画像形成された領域と画像形成されていない領域とを有する前記露光されたフォトレジスト層を現像することにより、前記基板上にレリーフ画像を形成する工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
フォトレジスト組成物で表面が被覆された基板を含む製造物品であって、
前記フォトレジスト組成物が、
（Ｉ）以下の構造を有する、少なくとも１種のエチレン性不飽和多環式化合物から誘導される繰り返し単位を有するフッ素含有ポリマーと、
【化３】
2004526844.tif 000003
［式中、Ｒ1〜Ｒ8は、同一であるかまたは異なり、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、または１〜２０個の炭素原子および少なくとも１個の酸素、硫黄、もしくは窒素原子を有する置換された炭化水素基を表し、ｍは０、１、または２である］
（ＩＩ）光活性成分と、
を含むことを特徴とする、物品。
【請求項５】
ビシクロ−［２．２．１］ヘプタ−１，５−ジエンと、テトラフルオロエチレンおよびクロロトリフルオロエチレンからなる群から選択されるフルオロオレフィンとの付加環化反応生成物の重合生成物を含むことを特徴とするポリマー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
実施例８と同様に処理を実施した。最小露光量が約３４ｍＪ／ｃｍ2のポジ画像パターンを得た。以下に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  構造１［式中、Ｒ1〜Ｒ8は、同一であるかまたは異なり、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、または１〜２０個の炭素原子および少なくとも１個の酸素、硫黄、もしくは窒素原子を有する置換された炭化水素基を表し、ｍは０、１、または２である］を有する、少なくとも１種のエチレン性不飽和多環式化合物から誘導される繰り返し単位を有することを特徴とするフッ素含有ポリマー。
２．  Ｒ1〜Ｒ8がそれぞれ水素原子であり、かつｍがゼロであることを特徴とする１．に記載のフッ素含有ポリマー。
３．  フルオロオレフィンから誘導される繰り返し単位を更に有することを特徴とする１．に記載のフッ素含有ポリマー。
４．  前記フルオロオレフィンが、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、ペルフルオロ−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール）、ペルフルオロ−（２−メチレン−４−メチル−１，３−ジオキソラン）、ＣＦ2＝ＣＦＯ（ＣＦ2）tＣＦ＝ＣＦ2［式中、ｔは１または２］、またはＲfＯＣＦ＝ＣＦ2［式中、Ｒfは、１〜１０個の炭素原子を有する飽和フルオロアルキル基］であることを特徴とする３．に記載のフッ素含有ポリマー。
５．  以下の構造：
−Ｃ（Ｒf）（Ｒf’）ＯＨ
［式中、ＲfおよびＲf’は、同一であるかまたは異なる１〜約１０個の炭素原子を有するフルオロアルキル基であるか、または一緒に（ＣＦ2）n[式中、ｎは２〜１０]となり、ＲfおよびＲf’で表されるこれらのフルオロアルキル基は、部分的にフッ素化されたアルキル基であるか、または完全にフッ素化されたアルキル基（即ちペルフルオロアルキル基）であってもよい］
を有するフルオロアルコール基を有する少なくとも１種のエチレン性不飽和化合物から誘導されるフルオロアルコール基を更に含むことを特徴とする１．に記載のフッ素含有ポリマー。
６．  以下の構造：
（−ＣＨ２−Ｃ（Ｅ１）（Ｅ２）−）
［式中、Ｅ1は、ＨまたはＣ1−Ｃ12アルキル、Ｅ2は、ＣＯ2Ｅ3、ＳＯ3Ｅ、または他の酸性基、ＥおよびＥ3は、Ｈまたは無置換もしくはヘテロ原子で置換されたＣ1−Ｃ12アルキルである］
を有する酸含有モノマーを更に含むことを特徴とする１．に記載のフッ素含有ポリマー。
７．  フォトレジストであって、
（Ｉ）構造１［式中、Ｒ1〜Ｒ8は、同一であるかまたは異なり、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、または１〜２０個の炭素原子および少なくとも１個の酸素、硫黄、もしくは窒素原子を有する置換された炭化水素基を表し、ｍは０、１、または２である］を有する、少なくとも１種のエチレン性不飽和多環式化合物から誘導される繰り返し単位を有するフッ素含有ポリマーと、
（ＩＩ）光活性成分と、
を含むことを特徴とするフォトレジスト。
８．  Ｒ1〜Ｒ8がそれぞれ水素原子であり、かつｍがゼロであることを特徴とする７．に記載のフォトレジスト。
９．  前記フッ素含有ポリマーが、フルオロオレフィンを更に含むことを特徴とする７．に記載のフォトレジスト。
１０．  前記フルオロオレフィンが、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、ペルフルオロ−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール）、ペルフルオロ−（２−メチレン−４−メチル−１，３−ジオキソラン）、ＣＦ2＝ＣＦＯ（ＣＦ2）tＣＦ＝ＣＦ2［式中、ｔは１または２］、またはＲfＯＣＦ＝ＣＦ2［式中、Ｒfは１〜１０個の炭素原子を有する飽和フルオロアルキル基］であることを特徴とする９．に記載のフォトレジスト。
１１．  前記フッ素含有ポリマーが、以下の構造：
−Ｃ（Ｒf）（Ｒf’）ＯＨ
［式中、ＲfおよびＲf’は、同一であるかまたは異なる１〜約１０個の炭素原子を有するフルオロアルキル基であるか、または一緒に（ＣＦ2）n[式中、ｎは２〜１０]となり、ＲfおよびＲf’で表されるこれらのフルオロアルキル基は、部分的にフッ素化されたアルキル基であるか、または完全にフッ素化されたアルキル基（即ちペルフルオロアルキル基）であってもよい］
を有するフルオロアルコール基を有する少なくとも１種のエチレン性不飽和化合物から誘導されるフルオロアルコール基を更に含むことを特徴とする、７．に記載のフォトレジスト。
１２．  前記フッ素含有ポリマーが、以下の構造：
（−ＣＨ２−Ｃ（Ｅ１）（Ｅ２）−）
［式中、Ｅ1は、ＨまたはＣ1−Ｃ12アルキル、Ｅ2は、ＣＯ2Ｅ3、ＳＯ3Ｅ、または他の酸性基、ＥおよびＥ3は、Ｈまたは無置換もしくはヘテロ原子で置換されたＣ1−Ｃ12アルキルである］
を有する酸含有モノマーを更に含むことを特徴とする７．に記載のフォトレジスト。
１３．  溶媒を更に含むことを特徴とする７．に記載のフォトレジスト。
１４．  溶解阻害剤を更に含むことを特徴とする７．に記載のフォトレジスト。
１５．  前記光活性成分が、光酸発生剤であることを特徴とする７．に記載のフォトレジスト。
１６．  基板上にフォトレジスト画像を作成する方法であって、順に、
（Ｗ）基板上にフォトレジスト組成物を塗布する工程であって、
前記フォトレジスト組成物が、
（Ｉ）１．に記載のフッ素含有ポリマーと、
（ＩＩ）光活性成分と、
（ＩＩＩ）溶媒と、
を含むものである工程と、
（Ｘ）前記溶媒を実質的に除去することによって、前記被覆されたフォトレジスト組成物を乾燥させ、前記基板上にフォトレジスト層を形成する工程と、
（Ｙ）前記フォトレジスト層を画像状に露光させて、画像形成された領域と画像形成されていない領域とを形成する工程と、
（Ｚ）画像形成された領域と画像形成されていない領域とを有する前記露光されたフォトレジスト層を現像することにより、前記基板上にレリーフ画像を形成する工程と
を含むことを特徴とする方法。
１７．  前記露光された層が、水性アルカリ性現像液を用いて現像されることを特徴とする１６．に記載の方法。
１８．  フォトレジスト組成物で表面が被覆された基板を含む製造物品であって、
前記フォトレジスト組成物が、
（Ｉ）構造１［式中、Ｒ1〜Ｒ8は、同一であるかまたは異なり、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、または１〜２０個の炭素原子および少なくとも１個の酸素、硫黄、もしくは窒素原子を有する置換された炭化水素基を表し、ｍは０、１、または２である］を有する、少なくとも１種のエチレン性不飽和多環式化合物から誘導される繰り返し単位を有するフッ素含有ポリマーと、
（ＩＩ）光活性成分と、
を含むことを特徴とする、物品。
１９．  前記基板がマイクロエレクトロニクス用ウエハ（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｗａｆｅｒ）であることを特徴とする１８．に記載の物品。
２０．  ビシクロ−［２．２．１］ヘプタ−１，５−ジエンと、テトラフルオロエチレンおよびクロロトリフルオロエチレンからなる群から選択されるフルオロオレフィンとの付加環化反応生成物の重合生成物を含むことを特徴とするポリマー。