【手続補正書】
【提出日】平成15年10月29日(2003.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
核の一部に金属カチオンを有する有機金属デンドリマーを含有する発光装置において、前記核はマグネイウムキレートポリフィリンを有しないことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記デンドリマーが発光層である請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記デンドリマーが発光材料である請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記デンドリマーが均質層として使用される請求項１，２又は３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記デンドリマーが固体状態で蛍光性を有する請求項１ないし４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記デンドリマーが固体状態で燐光性を有する請求項１ないし４のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記デンドリマーが少なくとも１つの本質的に部分的に共役されたデンドロンを有する請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記デンドリマーが少なくとも２つの本質的に部分的に共役されたデンドロンを有する請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
全てのデンドロンが本来的に少なくとも部分的に共役されている請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記デンドリマーが少なくとも１つの他のデンドリマー及び／又はポリマー及び／又は低分子材料と混合されている請求項１ないし９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記有機金属デンドリマーが固体状態で燐光性であり、有機金属デンドリマーに同じ樹枝分岐構造を有する調和する非金属デンドリマーと混合されている請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
有機金属デンドリマーの他の成分に対する比率が１：１から１：１００である請求項１０又は１１に記載の装置。
【請求項１３】
発光層に加えて、少なくとも１つの電荷輸送及び／又は放射層を有する請求項２ないし１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
前記有機金属デンドリマーが、次の（Ｉ）式で表される請求項１ないし１３のいずれかに記載の装置。
（化１)      核−［デンドライト］n     （Ｉ）
この式において、「核」は金属イオン又は金属イオンを含む基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表し、各「デンドライト」は、互いに同じであっても、又は異なっていても良いが、（ヘテロ）アリールビニル及びアセチレニル基のＳＰ2又はＳＰ2混成軌道炭素原子によって、又は、Ｎ及び（ヘテロ）アリール基間の単一結合によって、接続されたアリール及び／又はヘテロアリール基又は窒素、選択的にビニル又はアセチレニル基からなる、本質的に少なくとも部分的に共役したデンドライト分子構造を表し、「核」は、少なくとも２以上の部分的に共役した樹脂分岐が付着した第一（ヘテロ）アリール基又は窒素に対する第一結合のＳＰ2混成環炭素原子に結合した第一の一重結合で終結し、当該環炭素原子又は窒素原子が「デンドライト」の一部を形成している。
【請求項１５】
前記有機金属デンドリマーが、次の（II）式で表される請求項１ないし１３のいずれかに記載の装置。
（化２）      核−［デンドライト1］n［デンドライト2］m       （II）
この式において、「核」は金属イオン又は金属イオンを含む基を表し、ｎ及びｍは、互いに同じことも異なることもあり、それぞれが少なくとも１の整数を表し、各「デンドライト1」は、ｎが２以上のとき互いに同じことも異なることもあり、各「デンドライト2］は、ｍが２以上のとき互いに同じことも異なることもあり、少なくともその構造の１部が完全に共役されており、アリール及び／又はヘテロアリール基又は窒素、並びに選択的に、ビニル及び／又はアセチレニル基からなり、前記（ヘテロ）アリール、ビニル及びアセチレニル基のＳＰ2又はＳＰ2混成軌道炭素原子、又はＮ及び（ヘテロ）アリール基の間の単一結合によって結合されており、「デンドライト1」における少なくとも１つの分岐点及び／又は分岐点間の結合が［デンドライト2］のそれと異なり、「核」が２以上の共役樹枝分岐が付着された第１（ヘテロ）アリール基又は窒素に対する単一結合のＳＰ2混成（環状）炭素（該環状炭素又は窒素は前記完全に共役された「デンドライト1」又は［デンドライト2］の一部を形成する）に結合している単一結合で終結しており、「核」は前記「デンドライト1」又は［デンドライト2］の他方の第１分岐点の結合で終結し、少なくとも「核」、「デンドライト1」又は［デンドライト2］は冷光放射性を有している。
【請求項１６】
前記有機金属デンドリマーが、次の（III）式で表される請求項１ないし１３のいずれかに記載の装置。
（化３）        核−［デンドライト］n      （III）
この式において、「核」は金属イオン又は金属イオンを含む基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表し、各「デンドライト」は互いに同じことも異なることもあり、本来的に少なくとも部分的に共役された樹枝分岐構造を有し、前記構造はアリール及び／又はヘテロアリール基又は窒素、並びに選択的に、ビニル及び／又はアセチレニル基からなり、これらは前記（ヘテロ）アリール、ビニル及びアセチレニル基のＳＰ2又はＳＰ2混成軌道炭素原子によって、又は、Ｎ及び（ヘテロ）アリール基の間の単一結合によって結合されており、ここで、前記デンドライトにおける隣接する分岐点は必ずしも全て同じでなく、「核」が２以上の共役樹枝分岐が付着された第１（ヘテロ）アリール基または窒素のＳＰ2混成（環状）炭素（該環状炭素は前記完全に共役された「デンドライト」の一部を形成する）に結合している単一結合で終結しており、「核」及び／又は「デンドライト」は冷光放射性を有している。
【請求項１７】
前記「デンドライト」、前記「デンドライト1」及び／又は前記［デンドライト2］が、分岐点としてＮを含まず、少なくとも部分的に共役された樹枝分岐低分子構造を有する請求項１４ないし１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
前記有機金属デンドリマーが少なくとも１つの樹枝分岐構造でない等配位基を有する請求項１ないし１７のいずれかに記載の装置。
【請求項１９】
前記核の一部としての金属がマグネシウムではない請求項１ないし１８のいずれかに記載の装置。
【請求項２０】
前記金属カチオンがｄ−障壁金属のカチオンである請求項１ないし１９のいずれかに記載の装置。
【請求項２１】
前記金属がイリジウム又はレニウムである請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
核が金属イオン及びポルフィリン又はカルボキシレート又はフェニルピリジンからなる請求項１ないし２１のいずれかに記載の装置。
【請求項２３】
前記金属イオンが中心を独占している請求項１ないし２２のいずれかに記載の装置。
【請求項２４】
核のホモ−ルモ（ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ）エネルギーギャップがデンドロンにおける共役部分のそれより低い請求項１ないし２３のいずれかに記載の装置。
【請求項２５】
デンドライトの部分におけるホモ−ルモ（ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ）エネルギーギャップが、表面から核の付着点に向かって減少している請求項１ないし２４のいずれかに記載の装置。
【請求項２６】
少なくとも１つの前記表面基がデンドライトの末端基に付着している請求項１ないし２５のいずれかに記載の装置。
【請求項２７】
前記表面基が、更なる反応性アルケン、（メス）アクリレート、硫黄含有又はシリコン含有基、スルフォニル基、ポリエーテル基、Ｃ1からＣ15までのアルキル基、アミノ基、モノ−、ジ−若しくはトリＣ１からＣ１５までのアルキルアミノ基、ＣＯＯＲ基（ここで、Ｒは水素又はＣ１からＣ１５までのアルキル）、ＯＲ基（ここで、Ｒは水素、アリール、又はＣ1からＣ15までのアルキル若しくはアルケニル）、Ｏ2ＳＲ基（ここで、ＲはＣ1からＣ15までのアルキル又はアルケニル）、−ＳｉＲ3基（ここで、Ｒ基は同一又は異なり、水素、Ｃ1からＣ15までのアルキル又はアルケニル）、又はＳＲ’基（Ｒ’はアリール若しくはＣ1からＣ15までのアルキル又はアルケニル）、アリール、又はヘテロアリールである請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
前記金属有機デンドリマーを含有する層が溶液プロセスによって積層される請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記表面基が溶液プロセスを許容する請求項２７に記載の装置。
【請求項３０】
前記表面基がデンドリマーの感光パターン化を可能にする請求項２７に記載の装置。
【請求項３１】
発光色が稼動電気パルスの持続時間及び周波数によって制御される請求項１ないし３０のいずれかに記載の装置。
【請求項３２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）である請求項１ないし３１のいずれかに記載の装置。
【請求項３３】
核の一部として金属カチオン及び２または３以上のデンドロンからなり、前記デンドロンの少なくとも１つは共役されており、デンドリマーは固体状態で冷光放射性であり、核は、マグネシウムキレートポルフィリンを含まない有機金属デンドリマー。
【請求項３４】
前記核が金属の錯体及び２又は３以上の配位基であり、少なくとも２つの前記配位基はそれぞれデンドロンに付着している請求項３４に記載の有機金属デンドリマー。
【請求項３５】
次の式で表される有機金属デンドリマー。
（化４）        核−［デンドライト］n 
この式において、「核」、「デンドライト」及びｎは、請求項１４に記載の（Ｉ）式及び請求項１６に記載の（III）式で定義され、「核」は、マグネシウムキレートポルフィリンを含有しない有機金属デンドリマー。
【請求項３６】
次の（II）式で表される有機金属デンドリマー。
（化５）      核−［デンドライト1］n［デンドライト2］m    （II）
この式において、「核」、［デンドライト1］、［デンドライト2］ｎ及びｍは、請求項１５で定義される。
【請求項３７】
前記「核」が（IV）式で表される請求項３５又は３６に記載の有機金属デンドリマー。
（化６）          Ｍ［Ｘ−］qＹr    （IV）
この式において、Ｍは金属カチオンであり、それぞれの［Ｘ−］は同じか異なり、核が終結する単一結合に付着する配位基であり、各Ｙは同じか異なる配位基であり、ｑは整数であり、ｒは０又は整数であり、ａ.ｑとｂ．rの合計はＭ上で有効な配位数に等しく、ここでａは［Ｘ−］上の配位数であり、ｂはＹ上の配位数である。
【請求項３８】
固体状態で燐光性である請求項３３ないし３４のいずれかに記載の有機金属デンドリマー。
【請求項３９】
核の一部としての金属がマグネシウムではない請求項３３ないし３８のいずれかに記載のデンドリマー。
【請求項４０】
金属イオンが排他的に中心に存在する請求項３３ないし３９のいずれかに記載のデンドリマー。
【請求項４１】
請求項３３ないし４０のいずれかに記載の有機金属デンドリマーと有機金属デンドリマーと同じ樹枝分岐構造を有する調和する非金属デンドリマーの混合物。
【請求項４２】
有機金属デンドリマーと非有機金属デンドリマーのモル分率が１：１から１：１００であう混合物。
【請求項４３】
（ａ）金属カチオンと２又は３以上の配位基の間で、少なくとも前記基が反応性の配位性を有するように錯体を形成することによって核を提供し、かつ、
（ｂ）２又は３以上のデンドロンが、核に存在する反応性配位基に向かって反応性を有するように配位されるように核を処理する、
プロセスからなる請求項３３ないし４０のいずれかに記載のデンドリマーを製造する方法。
【請求項４４】
少なくとも１つの配位基が反応性配位を有せず、その結果、上記（ｂ）のプロセスにおけるデンドロンへの付着から離脱していることを特徴とする請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
それぞれのデンドライトが請求項１４又は１６において記載される「デンドライト」、及び／又は請求項１５において記載される「デンドライト1」及び「デンドライト2」によって表されることを特徴とする請求項４３又は４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記プロセス（ａ）によって提供される核が請求項３７に記載の式で表わされ、この式において、各［Ｘ］が反応性配位を含むことを特徴とする請求項４３ないし４５のいずれかに記載の方法。
【請求項４７】
（ａ）２又は３以上の各デンドロンに配位基を付着させ、かつ
（ｂ）配位基と得られる錯体に残留する１又は２以上のリガンドに選択的に結合した金属カチオンとの間に錯体を形成する、
プロセスからなる請求項３３ないし４０のいずれかに記載されたデンドリマーを製造する方法。
【請求項４８】
（ａ）２又は３以上のデンドロンに配位基を付着させる、
（ｂ）配位基と金属カチオンの間に錯体を形成する、
（ｃ）選択的に、更に、前記錯体に１又は２以上の追加の配位リガンドを処理する、
プロセスからなる請求項３３ないし４０のいずれかに記載されたデンドリマーを製造する方法。
【請求項４９】
それぞれのデンドロンが請求項１４又は１６において記載される「デンドライト」、及び／又は請求項１５において記載される「デンドライト1」及び「デンドライト2」によって表されることを特徴とする請求項４７又は４８に記載の方法。
【請求項５０】
配位基と上記プロセス（ｂ）における金属カチオンとの間に形成された錯体が請求項３７に記載される（IV）式で表されることを特徴とする請求項４７又は４８に記載の方法。