【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書【発明の名称】  過電流検出回路【特許請求の範囲】    【請求項１】  出力トランジスタを用いてドライブした信号を出力する出力回路と、前記出力回路から過電流を検出して判定信号を出力する判定回路と、前記判定回路から入力した判定信号に基づいて前記出力回路に流れる過電流を抑止する制御回路とを備えた過電流検出回路において、  前記判定回路は、ＩＣパッケージに備えられたリード部材と半導体チップに構成された前記出力回路とを接続するワイヤの抵抗成分を利用して前記出力回路に流れる過電流を検出する過電流検出手段と、  前記過電流検出手段の制御動作により過電流検出を示す判定信号を生成するスイッチングトランジスタとを備えたことを特徴とする過電流検出回路。    【請求項２】  過電流検出手段は、出力回路に電源電圧を供給するワイヤの抵抗成分によって生じる電圧降下を監視し、所定の値より大きな前記電圧降下を検出するとスイッチングトランジスタを制御して過電流を検出した旨を示す判定信号を生成させることを特徴とする請求項１記載の過電流検出回路。    【請求項３】  過電流検出手段は、予め設定された参照電圧を生成し、この参照電圧を用いてワイヤの抵抗成分によって生じる電圧降下を検出することを特徴とする請求項２記載の過電流検出回路。    【請求項４】  第１のパッドに直接接続される出力トランジスタと、電源供給端子と前記第１パッドとの間に結合される第１のワイヤとを有する出力回路と、  第２のパッドに結合されるスイッチングトランジスタと、前記電源供給端子と前記第２のパッドとの間に結合される第２ワイヤと、前記第１と前記スイッチングトランジスタの制御ノードとの間に結合され、前記第１パッドと前記スイッチングトランジスタの制御ノードとの間に電圧を発生する電圧生成回路とを有する判定回路と、  前記判定回路と前記出力回路との間に結合され、前記出力トランジスタの制御ノードを制御する制御回路とを備えた過電流検出回路。    【請求項５】  前記出力トランジスタはＭＯＳトランジスタであり、前記スイッチングトランジスタはＰＮＰバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項４記載の過電流検出回路。    【請求項６】  前記第１ワイヤの電圧降下の値と前記第１パッドと前記スイッチングトランジスタの制御ノードとの間に発生される電圧の値の合計値が前記スイッチングトランジスタのベース・エミッタ電圧より大きくなるとき、前記判定回路は前記制御回路に判定信号を出力することを特徴とする請求項５記載の過電流検出回路。【発明の詳細な説明】      【０００１】    【発明の属する技術分野】  この発明は、ディジタルアンプの出力回路に流れる過電流を検出する検出素子として、ＩＣを構成するワイヤを利用した過電流検出回路に関するものである。      【０００２】    【従来の技術】  図２は、従来の過電流検出回路の概略を示す回路図である。図において、１００はＩＣに搭載される半導体チップ、１０１は当該ＩＣに備えられ全体の図示を省略したディジタルアンプの出力回路、１０２は判定回路、１０３は制御回路である。１１１はＩＣの外部電極等のリードなどと半導体チップ１００が備えるパッドとを接続するワイヤが有する抵抗値Ｒ１の抵抗である。１１２は��抗値Ｒ２の抵抗、１１３は抵抗値Ｒ３の抵抗、１１４は抵抗値Ｒ４の抵抗、１１５はＩＣの外部電極などが接続されるリード部材と半導体チップ１００が備えるパッドとを接続するワイヤが有する抵抗値Ｒ５の抵抗、１１６は抵抗値Ｒ６の抵抗、Ｑ１は例えばＰＮＰバイポーラ型のスイッチングトランジスタ、Ｑ２は例えばＮＰＮバイポーラ型のスイッチングトランジスタ、Ｔｒ１，Ｔｒ２はＭＯＳ型の出力トランジスタである。ディジタルアンプの出力回路１０１は、前述のようにＩＣのリード部材と半導体チップとを接続するワイヤの抵抗成分である抵抗１１１と、半導体チップ１００に備えられ抵抗１１１と直列に一端を接続した抵抗１１６と、抵抗１１６の他端に接続した出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２によって構成されている。またトランジスタＴｒ２の一端は接地されている。なお、抵抗１１１，１１５は、前述のようにワイヤの抵抗成分なので、各々抵抗１１１，１１５が有する抵抗値Ｒ１，Ｒ５は、半導体チップ１００に備えられた各抵抗に比べて小さな抵抗値を示すものである。      【０００３】  図２に例示した従来の過電流保護回路は、ディジタルアンプの出力回路１０１に流れる電流Ｉ１を監視し、過電流による出力回路１０１の破壊を保護する回路である。出力回路１０１に流れる電流Ｉ１を検出する抵抗１１１，１１６と、抵抗１１１，１１６に流れる電流Ｉ１が過電流か否かを判定する判定回路１０２と、当該判定回路１０２の判定結果に基づいて出力回路１０１を制御する制御回路１０３によって構成されている。      【０００４】  次に、動作について説明する。  出力回路１０１は、直列に接続された抵抗１１１，１１６を介して電源電圧ＶＤを自ら備える出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に供給してハイレベル側の出力信号とローレベル側の出力信号とを各々別途ドライブして出力する。判定回路１０２は、電源電圧ＶＤＤを用いて動作する制御手段１０３に過電流の判定信号が入力できるように、当該判定信号の出力レベルをシフトする機能を兼ね備えている。      【０００５】  判定回路１０２を構成するスイッチングトランジスタＱ１は、エミッタにワイヤの抵抗成分を利用した抵抗１１５を介して電源電圧ＶＤが供給される。スイッチングトランジスタＱ１のベースは、出力回路１０１の抵抗１１６と出力トランジスタＴｒ１との接続部分に接続され、出力回路１０１に流れる電流Ｉ１が異常な過電流になると、直列接続された抵抗１１１及び抵抗１１６の両端において通常の動作で生じる電圧降下とは異なる大きな電圧降下が発生し、判定回路２のスイッチングトランジスタＱ１に所定値以上の大きなベース電流が流れる。抵抗１１１及び抵抗１１６の両端において発生する電圧降下、即ちＩ１・（Ｒ１＋Ｒ６）の値が判定回路１０２のスイッチングトランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅより大きくなると、スイッチングトランジスタＱ１のベース電流が所定の値より大きくなり、スイッチングトランジスタＱ１，Ｑ２がＯＮ状態になる。      【０００６】  ＯＮ状態になったスイッチングトランジスタＱ２はコレクタ電流が増大し、電源電圧ＶＤＤをスイッチングトランジスタＱ２のコレクタに供給している抵抗１１４によって生じる電圧降下が大きくなることから���抵抗１１４とスイッチングトランジスタＱ２のコレクタとの接続部分の電圧が低下して、判定回路１０２からローレベルの判定信号が制御回路１０３へ出力される。      【０００７】  出力回路１０１が通常動作を行っているときには、直列接続された抵抗１１１及び抵抗１１６の両端の電圧降下が、即ちＲ１＋Ｒ６の抵抗値による電圧降下が小さいことから判定回路１０２のスイッチングトランジスタＱ１，Ｑ２がＯＦＦ状態になり、判定回路１０２はハイレベルの判定信号を制御回路１０３へ出力する。なお、制御回路１０３は、前述のように電源電圧ＶＤＤによって動作していることから、図示したように判定回路１０２を構成する抵抗１１４に電源電圧ＶＤＤを供給し、判定回路１０２から制御回路１０３へ出力する信号レベルを当該電源電圧ＶＤＤに適合するようにレベルシフトしている。      【０００８】  制御回路１０３は、判定回路１０２からハイレベルの判定信号が出力されているときは、通常のゲート電圧を出力回路１０１の出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の各ゲートに供給して、ディジタルアンプの出力回路１０１から出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２によってドライブされた信号を出力する。また、判定回路１０２からローレベルの判定信号が出力されたときには、出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のゲート電圧を制御し、出力回路１０１をハイインピーダンス状態として過電流値による破壊を防止している。      【０００９】  従来の過電流検出回路は、前述のようにワイヤの抵抗成分である抵抗１１１の抵抗値Ｒ１が小さいので、電流Ｉ１の変化に伴って抵抗１１１の両端に生じる電圧降下の変化も微細なものとなることから、確実に過電流を出力回路１０１から検出できるように抵抗１１６の抵抗値Ｒ６を調整している。      【００１０】    【発明が解決しようとする課題】  従来の過電流検出回路は、以上のように構成されているので、出力回路の信号経路に存在する抵抗値をできる限り小さくし、また、ハイレベル側の出力信号をドライブする出力トランジスタとローレベル側の出力信号をドライブする出力トランジスタとの出力動作状態における抵抗比を１：１に揃えなければ、ディジタルアンプのＳ／Ｎ比、及び歪み率などの出力特性が悪化する。このように従来の過電流検出回路は過電流を検出する抵抗素子の抵抗値が、出力回路の各特性に悪影響を及ぼし、過電流を確実に検出するために備えた抵抗素子によって出力回路が有する総抵抗値が大きくなることから、特にハイレベル側の出力信号について出力特性が悪化するという課題があった。      【００１１】  この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、ＩＣに備えられたリード部材と半導体チップとを接続するワイヤの抵抗成分を過電流検出用の抵抗として利用し、過電流の検出対象である、例えば出力回路の特性に与える影響を最小限に抑制した過電流検出回路を得ることを目的とする。      【００１２】    【課題を解決するための手段】  この発明に係る過電流検出回路は、判定回路がＩＣパッケージに備えられたリード部材と半導体チップに構成された出力回路とを接続するワイヤの抵抗成分を利用して出力回路に流れる過電流を検出する過電流検出手段と、過電流検出手段の制御動作により過電流検��を示す判定信号を生成するスイッチングトランジスタとを備えたものである。      【００１３】  この発明に係る過電流検出回路は、過電流検出手段が出力回路に電源電圧を供給するワイヤの抵抗成分によって生じる電圧降下を監視し、所定の値より大きな電圧降下を検出するとスイッチングトランジスタを制御して過電流を検出した旨を示す判定信号を生成させるものである。      【００１４】  この発明に係る過電流検出回路は、過電流検出手段が予め設定された参照電圧を生成し、この参照電圧を用いてワイヤの抵抗成分によって生じる電圧降下を検出するものである。      【００１５】 この発明に係る過電流検出回路は、第１のパッドに直接接続される出力トランジスタと、電源供給端子と前記第１パッドとの間に結合される第１のワイヤとを有する出力回路、  第２のパッドに結合されるスイッチングトランジスタと、前記電源供給端子と前記第２のパッドとの間に結合される第２ワイヤと、前記第１と前記スイッチングトランジスタの制御ノードとの間に結合され、前記第１パッドと前記スイッチングトランジスタの制御ノードとの間に電圧を発生する電圧生成回路とを有する判定回路、  前記判定回路と前記出力回路との間に結合され、前記出力トランジスタの制御ノードを制御する制御回路、を備えたものである。      【００１６】 この発明に係る過電流検出回路は、出力トランジスタはＭＯＳトランジスタであり、スイッチングトランジスタはＰＮＰバイポーラトランジスタである。      【００１７】 この発明に係る過電流検出回路は、第１ワイヤの電圧降下の値と第１パッドとスイッチングトランジスタの制御ノードとの間に発生される電圧の値の合計値がスイッチングトランジスタのベース・エミッタ電圧より大きくなるとき、判定回路は前記制御回路に判定信号を出力するものである。      【００１８】    【発明の実施の形態】  以下、この発明の実施の一形態を説明する。実施の形態１．  図１は、この発明の実施の形態１による過電流検出回路の概略を示す回路図である。図において、１は全体の図示を省略したディジタルアンプの出力回路、２は出力回路１に流れる電流Ｉ１が過電流か否かを判定する判定回路、３は出力回路１を制御する制御回路、４は判定回路２に備えられた参照電圧生成回路（過電流検出手段）、４ａは出力回路１と接続させる参照電圧生成回路４の接続部、４ｂは判定回路２のスイッチングトランジスタＱ１のベースと接続させる参照電圧生成回路４の接続部、１１は抵抗値Ｒ１の抵抗（ワイヤの抵抗成分）、１２は抵抗値Ｒ２の抵抗、１３は抵抗値Ｒ３の抵抗、１４は抵抗値Ｒ４の抵抗、１５は抵抗値Ｒ５の抵抗、Ｔｒ１，Ｔｒ２はＭＯＳ型の出力トランジスタ、Ｑ１は例えばＮＰＮバイポーラ型のスイッチングトランジスタ、Ｑ２は例えばＰＮＰバイポーラ型のスイッチングトランジスタ、２０はＩＣに搭載される半導体チップ、Ｘ１は参照電圧生成回路４の接続部４ａと接続され出力回路の抵抗１１によって生じる電圧降下を監視し、出力回路１の過電流を検出する検出点である。      【００１９】  抵抗１１，１５はＩＣのパッケージに備えられたリード部材等と半導体チップ２０に備えられたパッド等とを接続するワイヤで、実施の形態１による過電流検出回路では��該ワイヤの抵抗成分を各回路に備えられた抵抗１１，１５として利用している。      【００２０】  図示したディジタルアンプの出力回路１は、一端に電源電圧ＶＤが供給される抵抗１１と、この抵抗１１の他端と接続されてハイレベル（以下、Ｈと記載する）側の出力信号をドライブする出力トランジスタＴｒ１と、出力トランジスタＴｒ１と接続され、ローレベル（以下、Ｌと記載する）側の出力信号をドライブする出力トランジスタＴｒ２から成る。なお、出力トランジスタＴｒ２は、出力トランジスタＴｒ１が接続されていない他方のソースあるいはドレインのいずれかを接地している。また、出力トランジスタＴｒ１のソースあるいはドレインのいずれかと抵抗１１が接続されている部分には、判定回路２の参照電圧生成回路４の接続部４ａが接続され、検出点Ｘ１が設けられている。      【００２１】  判定回路２は、エミッタに抵抗１５を介して電源電圧ＶＤが供給され、ベースを参照電圧生成回路４の接続部４ｂに接続させ、コレクタを直列接続された抵抗１２，１３を介して接地させたスイッチングトランジスタＱ１と、ベースを抵抗１２と抵抗１３との接続部分に接続させ、エミッタを接地させ、コレクタに抵抗１４を介して電源電圧ＶＤＤを供給させたスイッチングトランジスタＱ２と、参照電圧生成回路４とを備えたものである。      【００２２】  制御回路３は、判定回路２に備えられたスイッチングトランジスタＱ２のコレクタから判定信号を入力するように接続され、また出力回路１に備えられた出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の各ゲート電圧を制御するように各出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のゲートに各々接続されたものである。      【００２３】  次に、動作について説明する。  出力回路１は、電源電圧ＶＤをワイヤの抵抗成分である抵抗１１を介して出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２に供給し、例えばＨ側出力信号を出力トランジスタＴｒ１がドライブし、Ｌ側出力信号を出力トランジスタＴｒ２がドライブして、出力トランジスタＴｒ１と出力トランジスタＴｒ２の各々のソースまたはドレインが接続された部分から出力信号を取り出し、半導体チップ２０から出力される。      【００２４】  判定回路２に備えられた参照電圧生成回路４は、例えば出力回路１が通常動作を行っているときに出力トランジスタＴｒ１のソースあるいはドレインに供給される電圧、即ち抵抗１１と出力トランジスタＴｒ１が接続された部分の電圧と等しい参照電圧Ｖｒｅｆ１を生成する。また、参照電圧生成回路４の接続部４ａは前述のように出力回路１の検出点Ｘ１に接続され、抵抗１１によって生じた電圧降下、即ち出力トランジスタＴｒ１に供給される電圧を検出点Ｘ１にて監視し、検出点Ｘ１の電圧と参照電圧Ｖｒｅｆ１とを比較して、抵抗１１に流れる電流Ｉ１の変化を監視する。      【００２５】  参照電圧生成回路４は、例えば出力回路１の検出点Ｘ１の電圧が参照電圧Ｖｒｅｆ１と等しい場合には、出力回路１に通常の動作電流Ｉ１が流れていると判断し、接続部４ｂと接続させた判定回路２のスイッチングトランジスタＱ１のベースに電流が流れないようにして、判定回路２を構成するスイッチングトランジスタＱ１，Ｑ２をＯＦＦ状態にする。スイッチングトランジスタＱ２がＯＦＦ状態のときは、当該スイッチングトランジスタＱ２のコレクタ電流が流れないため、電源電圧ＶＤＤが抵抗１４の抵抗値Ｒ４によって電圧降下されたＨ判定信号が制御回路３へ出力される。なお、図１に例示した判定回路２は、出力回路１の抵抗１１に流れている電流Ｉ１が通常の値である場合に信号レベルがハイレベルのＨ判定信号を出力し、抵抗１１に流れている電流Ｉ１が過電流となった場合に信号レベルがローレベルのＬ判定信号を出力する。      【００２６】  参照電圧生成回路４は、出力回路１の抵抗１１に流れる電流Ｉ１が過電流となった場合、例えば検出点Ｘ１の電圧と参照電圧Ｖｒｅｆ１が等しくなくなった場合には接続部４ａの電圧が変動するので、判定回路２のスイッチングトランジスタＱ２のベース電流をドライブしてスイッチングトランジスタＱ１をＯＮ状態にする。詳しくは、出力回路１に過電流が流れると抵抗１１の両端において発生するＩ１・Ｒ１で表される電圧降下が増大し、検出点Ｘ１の電圧と参照電圧Ｖｒｅｆ１との均衡が崩れ、参照電圧回路４の接続部４ａの電圧に変化が生じる。参照電圧生成回路４は、接続部４ａの電圧変化に基づいて接続部４ｂからスイッチングトランジスタＱ１のベース電流をドライブして、当該スイッチングトランジスタＱ１をＯＮ状態にする。      【００２７】  なお、参照電圧Ｖｒｅｆ１の値は、出力回路１が通常の電流Ｉ１によって流れている場合に検出点Ｘ１の電圧と等しいものに限定されず、一定の差を有するように設定し、過電流が流れた場合に参照電圧Ｖｒｅｆ１と検出点Ｘ１の電圧の関係が変化して参照電圧生成手段４が過電流を検出できるものであればよい。      【００２８】  参照電圧生成回路４を用いて行う出力回路１の過電流検出を、視点を変えて説明すると、抵抗１１の抵抗値Ｒ１が小さいことから、電流Ｉ１が大きく変化しても当該抵抗１１の両端において生じる電圧降下は明瞭に変化しない。そこで、参照電圧Ｖｒｅｆ１を抵抗１１の電圧降下分に加え、即ちＩ１・Ｒ１＋Ｖｒｅｆ１で表される電位が見かけ上スイッチングトランジスタＱ１のベースに印加されるように参照電圧生成回路４を構成する。電流Ｉ１の値が過電流になると通常に比べてＩ１・Ｒ１＋Ｖｒｅｆ１の値が大きくなる。この値が当該スイッチングトランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅより大きくなると、スイッチングトランジスタＱ１がＯＮ状態に切り替わりベース電流が流れる。例えば、スイッチングトランジスタＱ１のＯＮ／ＯＦＦ状態が切り替わる閾値近傍となるように参照電圧Ｖｒｅｆ１を設定し、抵抗１１による電圧降下Ｉ１・Ｒ１の値が微小変化したことによってスイッチングトランジスタＱ１のＯＮ／ＯＦＦ状態が切り替わるように当該参照電圧生成回路４を構成する。      【００２９】  判定回路２は、前記説明のように参照電圧生成回路４を用いて抵抗１１の電圧降下の変化を監視し、この電圧降下から求められる抵抗１１に流れる電流Ｉ１が過電流か否かを判定し、スイッチングトランジスタＱ１のＯＮ／ＯＦＦ状態を切り替える。電流Ｉ１が過電流となった場合には、参照電圧生成回路４がスイッチングトランジスタＱ１のベース電流をドライブし、当該スイッチングトランジスタＱ１をＯＮ状態にして、当該スイッチン���トランジスタＱ１のエミッタに抵抗１５を介して供給されている電源電圧ＶＤをコレクタ側へ導通させ、抵抗１２，１３を用いてスイッチングトランジスタＱ２をバイアスしてスイッチングトランジスタＱ２をＯＮ状態にする。ＯＮ状態になったスイッチングトランジスタＱ２はコレクタ電流が増加し、当該コレクタに接続された抵抗１４において生じる電源電圧ＶＤＤの電圧降下が大きくなり、抵抗１４とスイッチングトランジスタＱ２のコレクタとの接続部分の電圧がローレベルとなり、判定回路２からＬ判定信号が出力される。      【００３０】  また判定回路２は、出力回路１から過電流が検出されていない、即ち通常の電流Ｉ１が抵抗１１に流れ、抵抗１１による電圧降下と参照電圧Ｖｒｅｆ１との関係が一定となって均衡している場合には、参照電圧生成回路４はスイッチングトランジスタＱ１がＯＦＦ状態となるようにベース電流を制御し、当該スイッチングトランジスタＱ１及びスイッチングトランジスタＱ２をＯＦＦ状態にする。スイッチングトランジスタＱ２がＯＦＦ状態となることから、当該スイッチングトランジスタＱ２のコレクタ電流が遮断される。すると、抵抗１４とスイッチングトランジスタＱ２のコレクタの接続部分には電源電圧ＶＤＤが抵抗１４を介して印加されることになって、この部分がハイレベルを示すようになり、判定回路２からＨ判定信号が出力される。      【００３１】  また、前記説明にもあるように判定回路２は、制御回路３が出力回路１及び判定回路２のスイッチングトランジスタＱ１等に供給されている電源電圧ＶＤに比べて小さな電源電圧ＶＤＤを用いて動作しているため、スイッチングトランジスタＱ２及び抵抗１４を用いてＨ，Ｌ判定信号が制御回路３に入力できるようにレベルシフトも行っている。      【００３２】  制御回路３は、判定回路２から出力されたＨ判定信号またはＬ判定信号に基づいて、出力回路１に備えられた出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のゲート電圧を制御する。判定回路２から過電流が検出されていないことを示すＨ判定信号を入力した場合には、出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のゲートにディジタルアンプのＨ側出力信号及びＬ側出力信号を各々ドライブさせるゲート電圧を供給する。また、判定回路２から過電流が検出されたことを示すＬ判定信号を入力した場合には、出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の各ゲート電圧を制御し、出力回路１がハイインピーダンス状態となるようにして、過電流による出力回路１の破壊を防止する。      【００３３】  実施の形態１による過電流保護装置では、ワイヤの抵抗成分を抵抗１１として使用しているので、抵抗１１の抵抗値Ｒ１が小さいことから抵抗１１の両端にて生じる電圧降下も小さい。抵抗値Ｒ１を調整しても検出する過電流の値を有効な範囲で調整することは困難である。そこで、出力回路１において過電流とする電流値は、参照電圧生成回路４において生成される参照電圧Ｖｒｅｆ１を適切に設定し、また参照電圧Ｖｒｅｆ１を考慮して、適切なスイッチング特性を有するスイッチングトランジスタＱ１を判定回路２に使用して設定する。      【００３４】  以上のように、実施の形態１によれば、ＩＣを構成するワイヤの抵抗成分を抵抗１１として使用し、抵抗１１の抵抗値Ｒ１によって生じる小さな電圧降下を参照電圧生成回路４によって監視して出力回路１の過電流を検出するようにしたので、出力回路１が有する総抵抗値を小さくすることができ、出力回路１に備えられた出力トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の動特性に及ぼす影響を抑制することができ、出力回路１の出力特性を劣化させることなく過電流を検出することができるという効果がある。      【００３５】    【発明の効果】  以上のように、この発明によれば、過電流の検出に用いる抵抗値を小さくすることができ、過電流の検出対象となる回路に及ぼす影響を最小限にすることができるという効果がある。【図面の簡単な説明】    【図１】  この発明の実施の形態１による過電流検出回路の概略を示す回路図である。    【図２】  従来の過電流回路の概略を示す回路図である。    【符号の説明】  １  出力回路、２  判定回路、３  制御回路、４  参照電圧生成回路（過電流検出手段）、１１  抵抗（ワイヤの抵抗成分）、１２〜１５  抵抗、２０  半導体チップ、１００  半導体チップ、１０１  出力回路、１０２  判定回路、１０３  制御回路、１１１〜１１６  抵抗、Ｑ１，Ｑ２  スイッチングトランジスタ、Ｔｒ１，Ｔｒ２  出力トランジスタ。