【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマ反応チャンバ内で用いられるシャワーヘッド電極であって、
中央部と、  
前記電極の前記中央部内の複数のガス排出口であって、これを通してプロセスガスが前記電極の露出面から分配可能であるガス排出口と、
前記電極の前記露出面から突き出ているステップであって、前記電極の周辺部に配置され、かつ、前記電極の前記中央部の周りに少なくとも部分的に延びるステップと、
を備え、前記ステップは、前記電極の前記露出面近傍に形成されるプラズマの局所的な密度を制御することを特徴とするシャワーヘッド電極。
【請求項２】  前記電極の前記中央部は、実質的に平らであることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項３】  前記ステップは、前記電極の前記中央部近傍の内面と、前記電極の前記実質的に平らな面に実質的に平行な底面と、前記内面の反対側にある外面と、を有することを特徴とする請求項２に記載の電極。
【請求項４】  前記ステップは、前記電極の一部が前記ステップを越えて延びるように前記電極の外周より内側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項５】  前記ステップの内面は、前記電極の前記実質的に平らな中央部に対して鈍角を形成することを特徴とする請求項３に記載の電極。
【請求項６】  前記内面は、前記電極の前記実質的に平らな中央部に対して９０度又はそれ以上の角度を形成し、前記ステップの前記外面は、前記電極の前記実質的に平らな中央部に平行な平面に対して９０度又はそれ以上の角度を形成することを特徴とする請求項５に記載の電極。
【請求項７】  前記ステップは、ステップのある一体形モノリシック電極の一部分であることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項８】  前記ステップは、分離した部分として形成され、前記電極の前記露出面に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項９】  前記ステップは、前記ステップの厚さが調整可能であるように前記電極の溝に移動可能に搭載された分離した部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項１０】  前記ステップは、前記電極の前記中央部の全周にわたって延びることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項１１】  前記電極は、シリコン、炭化ケイ素、グラファイト、及びアルミニウムで構成される群から選択された材料で作られていることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項１２】  プラズマチャンバ内で半導体基板を処理する方法であって、
前記半導体基板を下部電極上に支持する工程と、
前記チャンバにプロセスガスを供給する工程と、
上部電極の露出面近傍にプラズマを形成する工程であって、前記上部電極が複数のガス排出口を備えるシャワーヘッド電極であり、前記プロセスガスが前記ガス排出口を通して前記チャンバ内に送り出される工程と、
プラズマを用いて前記半導体基板を処理する工程と、
を含み、前記上部電極は、中央部と、前記中央部を取り囲む周辺部とを有し、前記周辺部は、その露出面から突き出して前記中央部の周りに少なくとも部分的に延びているステップを含み、前記ステップは、前記電極の前記露出面近傍に形成された前記プラズマを所定の局所的な密度とすることを特徴とする処理方法。
【請求項１３】  前記ステップは、前記電極の一部が前記ステップを越えて延びるように前記電極の外周より内側に配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記半導体基板は、半導体ウエハを含み、前記処理ステップは、前記プラズマを用いて前記半導体ウエハをエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  前記上部電極は、接地され、前記下部電極は、前記処理ステップ中に電力が供給されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】  前記プラズマチャンバは、更に、前記下部電極上に搭載されたエッジリングを備え、前記エッジリングは、前記下部電極上に搭載された前記半導体基板の外周の下に凹部を含み、前記エッジリングの少なくとも一部は、前記ステップに面し、それと共に前記プラズマを所定の局所的な密度とすることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】  前記ステップは、前記ステップの厚さが調整されるように前記上部電極内の溝に移動可能に搭載された分離した部品を含み、当該方法は、更に、所望のステップ厚さを得るために前記ステップを移動させる工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】  半導体デバイスを製造するために用いられるプラズマチャンバであって、
当該プラズマチャンバは、それぞれ表面を有する上部電極及び下部電極を有し、これらの表面は、互いに向き合うと共に両者の間にギャップを定義するために互いに間隔を置いて配置されており、前記下部電極は基板支持体を備え、
前記上部電極は、複数のガス排出口を備えるシャワーヘッド電極であり、これらのガス排出口を通してプロセスガスが当該チャンバ内に分配可能であり、かつ、中央部を含む露出面と、その周辺部から突き出して前記中央部の周りに少なくとも部分的に延びるステップとを有し、
前記ステップは、前記上部電極の前記露出面近傍に形成された前記プラズマの局所的な密度を制御することを特徴とするプラズマチャンバ。
【請求項１９】  前記上部電極の前記中央部は、実質的に平らであることを特徴とする請求項１８に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２０】  前記下部電極上に搭載されたエッジリングを更に含み、前記エッジリングは、前記下部電極上に搭載された半導体基板の外周の下に凹部を含むことを特徴とする請求項１８に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２１】  前記ステップは、前記上部電極の前記中央部近傍の内面と、前記上部電極の前記実質的に平らな中央部に実質的に平行な底面と、前記内面の反対側にある外面と、を有することを特徴とする請求項１９に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２２】  前記ステップの前記内面及び前記ステップの前記外面は、前記実質的に平らな中央部に平行な平面に対して９０度又はそれ以上の角度を形成することを特徴とする請求項２１に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２３】  前記ステップは、前記ステップの厚さが調整可能であるように前記上部電極内の溝に移動可能に搭載された分離した部分を含むことを特徴とする請求項１８に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２４】  前記ステップは、分離した部分として形成され、前記上部電極の前記露出面に接合されることを特徴とする請求項１８に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２５】  当該プラズマチャンバは、半導体エッチング装置であることを特徴とする請求項２０に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２６】  前記上部電極は、シリコン、炭化ケイ素、グラファイト、及びアルミニウムで構成される群から選択された材料で作られ、前記エッジリングは、石英、シリコン、炭化ケイ素、グラファイト、及びアルミニウムで構成される群から選択された材料で作られていることを特徴とする請求項２０に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２７】  前記エッジリングは、前記凹部の近傍に傾斜した面を含むことを特徴とする請求項２０に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２８】  前記傾斜した面は、前記下部電極の表面に垂直な平面に対して５〜６０度の角度を形成し、その上で基板が支持されることを特徴とする請求項２７に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２９】  前記エッジリングは、石英、シリコン、炭化ケイ素、グラファイト、及びアルミニウムで構成される群から選択された材料で作られていることを特徴とする請求項２０に記載のプラズマチャンバ。
【請求項３０】  前記電極が基板支持体上に搭載される基板の上方に配置される大きさであることによって、前記ステップが前記基板支持体上に搭載されるエッジリングの上方に配置されることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項３１】  前記電極は、外側のエッジを有し、前記ステップは、前記中央部と前記外側のエッジとの間の位置にある前記電極に沿って延びることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項３２】  前記ステップは、０．１インチ〜０．１２５インチの厚さを有し、前記電極の付加的な露出面を形成し、その中にガス排出口を含まないことを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項３３】  前記ステップは、導電性材料からなることを特徴とする請求項１に記載の電極。
【請求項３４】  前記電極が基板支持体上に搭載される基板の上方に配置される大きさであることによって、前記ステップが前記基板支持体上に搭載されるエッジリングの上方に配置されることを特徴とする請求項１８に記載のプラズマチャンバ。
【請求項３５】  前記電極は、外側のエッジを有し、前記ステップは、前記中央部と前記外側のエッジとの間の位置にある前記電極に沿って延びることを特徴とする請求項１８に記載のプラズマチャンバ。
【請求項３６】  前記ステップは、０．１インチ〜０．１２５インチの厚さを有し、前記電極の付加的な露出面を形成し、その中にガス排出口を含まないことを特徴とする請求項１８に記載のプラズマチャンバ。
【請求項３７】  前記ステップは、導電性材料からなることを特徴とする請求項１８に記載のプラズマチャンバ。
【請求項３８】  プラズマ反応チャンバ内で用いられるシャワーヘッド電極の製造方法であって、
前記電極の前記中央部内に複数のガス排出口を形成する工程であって、前記ガス排出口を通してプロセスガスが前記電極の露出面から分配可能である工程と、
前記電極の前記露出面から突き出ているステップを形成する工程であって、前記ステップが、前記電極の周辺部に配置され、前記電極の前記中央部の周りに少なくとも部分的に延び、かつ、前記電極の前記露出面近傍に形成される前記プラズマの局所的な密度を制御可能な構成を有することを特徴とする製造方法。