【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域を少なくとも含む半導体層を有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｐ型不純物元素、及び希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一基板上にｐチャネル型ＴＦＴおよびｎチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域を少なくとも含む半導体層を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｎ型不純物元素が含まれており、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｐ型不純物元素、及び希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、低濃度不純物領域を含む半導体層を有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｐ型不純物元素、及び希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
同一基板上にｐチャネル型ＴＦＴおよびｎチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、低濃度不純物領域を含む半導体層を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｎ型不純物元素が含まれており、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｐ型不純物元素、及び希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域を少なくとも含む半導体層、前記半導体層上にゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｐ型不純物元素、及び希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域を少なくとも含む半導体層、前記半導体層上にゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｎ型不純物元素が含まれており、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｐ型不純物元素、及び希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、基板上にゲート電極、該ゲート電極上にゲート絶縁膜および該ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域を含む半導体層を有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｐ型不純物元素、及び希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、基板上にゲート電極、該ゲート電極上にゲート絶縁膜および該ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域を含む半導体層を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｎ型不純物元素を含まれており、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｐ型不純物元素、及び希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
同一基板上に駆動回路部および画素部を有し、
前記駆動回路部は第１のｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、第１の濃度のｎ型不純物元素を含む不純物領域を含む半導体層、前記半導体層上にゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、
該ゲート電極は、第１の導電膜および第２の導電膜の積層からなり、
前記第１の導電膜の一部は、前記第１の濃度のｎ型不純物元素を含む不純物領域と前記ゲート絶縁膜を介して重なっており、
前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、低濃度不純物領域を含む半導体層、前記半導体層上にゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、
前記画素部は第２のｎチャネル型ＴＦＴを有し、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、第２の濃度のｎ型不純物元素を含む不純物領域を含む半導体層、前記半導体層上にゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴおよび前記第２のｎチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｎ型不純物元素が含まれており、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域には、ｐ型不純物元素、及び希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層、および前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層には、触媒元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層、および前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層における前記触媒元素の濃度は、前記チャネル形成領域よりも前記ソース領域または前記ドレイン領域の方が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域における前記ｎ型不純物元素の濃度は、５×１０19〜５×１０21／ｃｍ3であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域における前記ｐ型不純物元素の濃度は、１×１０19〜５×１０21／ｃｍ3であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記ソース領域または前記ドレイン領域における前記希ガス元素の濃度は、１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、前記ｎ型不純物元素は、周期表の１５族に属する元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、前記ｐ型不純物元素は、周期表の１３族に属する元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、前記希ガス元素は、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域を少なくとも含む半導体層を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記半導体層は触媒元素を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記半導体層の全域において、前記触媒元素はシリコン格子間に固溶した状態で存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、低濃度不純物領域を含む半導体層を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記半導体層は、触媒元素を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記半導体層の全域において、前記触媒元素はシリコン格子間に固溶した状態で存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域を少なくとも含む半導体層、前記半導体層上にゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記半導体層は、触媒元素を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記半導体層の全域において、前記触媒元素はシリコン格子間に固溶した状態で存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、基板上にゲート電極、該ゲート電極上にゲート絶縁膜および該ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域を少なくとも含む半導体層を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記半導体層は、触媒元素を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴ及び前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記半導体層の全域において、前記触媒元素はシリコン格子間に固溶した状態で存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
同一基板上に駆動回路部および画素部を有し、
前記駆動回路部は第１のｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、第１の濃度のｎ型不純物元素を含む不純物領域を含む半導体層、前記半導体層上にゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、
該ゲート電極は、第１の導電膜および第２の導電膜の積層からなり、
前記第１の導電膜の一部は、前記第１の濃度のｎ型不純物元素を含む不純物領域と前記ゲート絶縁膜を介して重なっており、
前記ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、低濃度不純物領域を含む半導体層、前記半導体層上にゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、
前記画素部は第２のｎチャネル型ＴＦＴを有し、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、第２の濃度のｎ型不純物元素を含む不純物領域を少なくとも含む半導体層、前記半導体層上にゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴ、前記ｐチャネル型ＴＦＴ、及び前記第２のｎチャネル型ＴＦＴの前記半導体層は、触媒元素を含み、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴ、前記ｐチャネル型ＴＦＴ、及び前記第２のｎチャネル型ＴＦＴの前記半導体層の全域において、前記触媒元素はシリコン格子間に固溶した状態で存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１０乃至請求項２２のいずれか一項において、  前記半導体層は、ＦＰＭ液によるエッチング試験により、前記ソース領域および前記ドレイン領域にエッチピットが発生しない半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１乃至請求項２３のいずれか一項において、前記ＦＰＭ液によるエッチング試験は、フッ酸濃度０．５％、過酸化水素濃度０．５％を含む水溶液をＦＰＭ液として用い、液温１５℃から３０℃で、３０分から６０分間行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項１乃至請求項２４のいずれか一項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴの前記半導体層、および前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記半導体層における触媒元素の濃度は、チャネル領域よりもソース領域又はドレイン領域の方が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
請求項１乃至請求項２５のいずれか一項において、  前記触媒元素は、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐａ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｎ型不純物元素を添加し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第２のマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｐ型不純物元素および希ガス元素を添加し、
第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｐ型不純物元素および希ガス元素を添加し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第２のマスクを形成し、ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｎ型不純物元素を添加し、
第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｎ型不純物元素を添加し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｐ型不純物元素および希ガス元素を添加し、
第２の加熱処理を行って前記結晶質半導体膜に含まれる前記不純物元素の活性化および前記触媒元素のゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｐ型不純物元素および希ガス元素を添加し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第２のマスクを形成し、ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｎ型不純物元素を添加し、
第２の加熱処理を行って前記結晶質半導体膜に含まれる前記不純物元素の活性化および前記触媒元素のゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
加熱した不活性気体雰囲気中において第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｎ型不純物元素を添加し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第２のマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｐ型不純物元素および希ガス元素を添加し、
第２の加熱処理を行って前記結晶質半導体膜に含まれる前記不純物元素の活性化および前記触媒元素のゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
加熱した不活性気体雰囲気中において第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｐ型不純物元素および希ガス元素を添加し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第２のマスクを形成し、ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域にｎ型不純物元素を添加し、
第２の加熱処理を行って前記結晶質半導体膜に含まれる前記不純物元素の活性化および前記触媒元素のゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３３】
絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
加熱した不活性気体雰囲気中において第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に５×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｎ型不純物元素を添加し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第２のマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に１×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｐ型不純物元素および１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の希ガス元素を添加し、
加熱した不活性気体雰囲気中において第２の加熱処理を行い、前記結晶質半導体膜に含まれる前記不純物元素の活性化および前記触媒元素のゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３４】
絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
加熱した不活性気体雰囲気中において第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に１×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｐ型不純物元素および１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の希ガス元素を添加し、
前記結晶質半導体膜上に開口部を有する第２のマスクを形成し、ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に５×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｎ型不純物元素を添加し、
加熱した不活性雰囲気中において第２の加熱処理を行い、前記結晶質半導体膜に含まれる前記不純物元素の活性化および前記触媒元素のゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３５】
絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
加熱した不活性雰囲気中において第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜からなる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜、該第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を第１のエッチング処理を行って第１の形状の導電層を形成し、
前記第１の形状の導電層を第２のエッチング処理を行って第２の形状の導電層を形成し、
ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域上に第１のマスクを形成し、ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に５×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｎ型不純物元素を添加し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域上に第２のマスクを形成し、前記ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に１×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｐ型不純物元素および１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の希ガス元素を添加し、
加熱した不活性雰囲気中において第２の加熱処理を行い、前記半導体層に含まれる前記不純物元素の活性化および前記触媒元素のゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３６】
絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
加熱した不活性雰囲気中において第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜からなる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜、該第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を第１のエッチング処理を行って第１の形状の導電層を形成し、
前記第１の形状の導電層を第２のエッチング処理を行って第２の形状の導電層を形成し、
ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域上に第１のマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に１×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｐ型不純物元素および１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の希ガス元素を添加し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域上に第２のマスクを形成し、前記ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に５×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｎ型不純物元素を添加し、
加熱した不活性雰囲気中において第２の加熱処理を行い、前記半導体層に含まれる前記不純物元素の活性化および前記触媒元素のゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３７】
請求項３５または請求項３６において、
前記第２の加熱処理を行う前に、前記第２の形状の導電層上に第１層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３８】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
第１の加熱処理を行い結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に保護膜を形成し、
前記結晶質半導体膜のうち、後のｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に、５×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｎ型不純物元素を添加し、
後のｎチャネル型ＴＦＴとなる領域上にマスクを形成し、後のｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に１×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｐ型不純物元素および１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の希ガス元素を添加し、
第２の加熱処理を行って前記結晶質半導体膜に含まれる前記不純物元素の活性化および前記触媒元素のゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３９】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
第１の加熱処理を行い結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に保護膜を形成し、
前記結晶質半導体膜のうち、後のｎチャネル型ＴＦＴとなる領域上にマスクを形成し、後のｐチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に１×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｐ型不純物元素および１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3の濃度の希ガス元素を添加し、
後のｎチャネル型ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域となる領域に、５×１０19〜５×１０21／ｃｍ3の濃度のｎ型不純物元素を添加し、
第２の加熱処理を行って前記結晶質半導体膜に含まれる前記不純物元素の活性化および前記触媒元素のゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４０】
請求項２７乃至請求項３９のいずれか一項において、前記ｎ型不純物元素は、周期表の１５族に属する元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４１】
請求項２７乃至請求項４０のいずれか一項において、前記ｐ型不純物元素は、周期表の１３族に属する元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４２】
請求項２７乃至請求項４１のいずれか一項において、前記希ガス元素は、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４３】
請求項２７乃至請求項４２のいずれか一項において、前記触媒元素は、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐａ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。