【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
先ず、育成されたシリコン単結晶インゴットは、先端部及び終端部を切断してブロック状とし、インゴットの直径を均一にするためにインゴットの外径を研削してブロック体とする。特定の結晶方位を示すために、このブロック体にオリエンテーションフラットやオリエンテーションノッチを施す。このプロセスの後、図１に示すように、ブロック体は棒軸方向に対して所定角度をもってスライスされる（工程１０）。
スライスされたウェーハは、ウェーハの周辺部の欠けやチップを防止するためにウェーハ周辺に面取り加工する（工程１１）。この面取りを施すことにより、例えば面取りされていないシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル成長するときに周辺部に異常成長が起こり環状に盛り上がるクラウン現象を抑制することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第１エッチング工程１３ａを施すことにより、ラッピング工程等の機械的な工程を経ることによりウェーハ表裏面に生じた加工変質層とも呼ばれる加工歪みの一部を取除く。第１エッチング工程１３ａにおける酸エッチングのエッチング液はフッ酸及び硝酸をそれぞれ含み、酢酸、硫酸又はリン酸を少なくとも１種更に含むことが好ましい。第１エッチング工程１３ａにおける酸エッチングの合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で２０〜２５μｍとする。第１エッチング工程での合計取り代を２０〜２２μｍとすることが好ましい。第１エッチング工程での合計取り代が２０μｍ未満であると、エッチング後のラフネス低減効果が小さくなり、２５μｍを越えるとナノトポグラフィーの悪化が懸念される。
第１エッチング工程１３ａを終えたウェーハ表裏面は、図２（ａ）に示すように、加工変質層が一部残留し、更にｍｍオーダーのうねりやピール等の凹凸が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、第１エッチング工程１３ａで形成されたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程を行う（工程１４）。図２（ｂ）に示すように、この裏面軽研磨をウェーハ裏面に施すことにより裏面の粗さを低減する。
本発明の裏面軽研磨工程１４及び後に続く表面鏡面研磨工程１６では片面研磨方法が用いられる。図３に基づいて片面研磨方法について述べる。この研磨装置２０は回転定盤２１とウェーハ保持具２２を備える。回転定盤２１は大きな円板であり、その底面中心に接続されたシャフト２３によって回転する。回転定盤２１の上面には研磨布２４が貼付けられる。ウェーハ保持具２２は加圧ヘッド２２ａとこれに接続して加圧ヘッド２２ａを回転させるシャフト２２ｂからなる。加圧ヘッド２２ａの下面には研磨プレート２６が取付けられる。研磨プレート２６の下面には複数枚のシリコンウェーハ２７が貼付けられる。回転定盤２１の上部には研磨液２８を供給するための配管２９が設けられる。この研磨装置２０によりシリコンウェーハ２７を研磨する場合には、加圧ヘッド２２ａを下降してシリコンウェーハ２７に所定の圧力を加えてウェーハ２７を押さえる。配管２９から研磨液２８を研磨布２４に供給しながら、加圧ヘッド２２ａと回転定盤２１とを同一方向に回転させて、ウェーハ２７の表面を平坦に研磨する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、図１に戻って、第２エッチング工程１３ｂを施すことにより、ウェーハ表面の加工変質層を除去するとともに、ウェーハ裏面では裏面軽研磨１４で制御した表面粗さを維持しつつ残りの加工変質層を取除く。第２エッチング工程１３ｂにおけるアルカリエッチングのエッチング液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムである。第２エッチング工程１３ｂにおけるアルカリエッチングの合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で５〜１０μｍとする。第２エッチング工程での合計取り代を５〜８μｍとすることが好ましい。第２エッチング工程での合計取り代が５μｍ未満であると、エッチング後のウェーハ光沢度低減効果が小さくなり、１０μｍを越えるとラフネス悪化が懸念される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【実施例】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
＜実施例１＞
先ず、シリコン単結晶インゴットをスライスし、面取り、ラッピングに続いて洗浄を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを用意した。フッ酸、硝酸、酢酸及び水を体積比（ＨＦ：ＨＮＯ3：ＣＨ3ＣＯＯＨ：Ｈ2Ｏ）が１：５：５：１となるように混合して酸エッチング液を調製した。調製した酸エッチング液をエッチング槽に貯え、液温を９０℃に維持した。４８重量％の水酸化カリウムを含むアルカリエッチング液を調製し、このアルカリエッチング液をエッチング槽に貯え、液温を９０℃に維持した。
次いで、酸エッチング槽内のエッチング液を撹拌しながら上記ウェーハを浸漬してウェーハの取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で２０μｍを目安にして３分間浸漬してエッチングを行った。酸エッチングを終えたウェーハを超純水に浸漬してリンスを行った。
乾燥したウェーハ裏面を図３に示す片面研磨装置により研磨圧力７．８４×１０3Ｐａ、スラリー流量２．８ｌ／分で裏面光沢度が１２０〜１４０％となるように裏面軽研磨を行った。
次に、アルカリエッチング槽内のエッチング液を撹拌しながら上記ウェーハを浸漬してウェーハの取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で１０μｍを目安にして３分間浸漬してエッチングを行った。アルカリエッチングを終えたウェーハを超純水に浸漬してリンスした後、乾燥した。乾燥したウェーハの表面を鏡面研磨し、表面研磨されたウェーハを洗浄してウェーハを得た。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の処理方法を示す工程図。
【図２】
(a) 第１エッチング工程を終えたウェーハの状態を示すウェーハ裏面部分拡大断面図。
(b) 裏面軽研磨工程を終えたウェーハの状態を示すウェーハ裏面部分拡大断面図。
【図３】
裏面軽研磨工程及び表面鏡面研磨工程に用いる片面研磨装置の概略図。
【図４】
実施例１及び比較例１，２のＬＰＤサイズに応じたＬＰＤ数を示す図。
【図５】
実施例１の各工程を終えた光沢度と平方根平均ラフネスＲmsとの関係を示す図。
【図６】
(a) 実施例１のウェーハ端面における倍率２００倍走査型電子顕微鏡写真図。
(b) 比較例１のウェーハ端面における倍率２００倍走査型電子顕微鏡写真図。
(c) 比較例２のウェーハ端面における倍率２００倍走査型電子顕微鏡写真図。
(d) 比較例３のウェーハ端面における倍率２００倍走査型電子顕微鏡写真図。
【図７】
(a) 実施例１のウェーハ端面における倍率４００倍走査型電子顕微鏡写真図。
(b) 比較例１のウェーハ端面における倍率４００倍走査型電子顕微鏡写真図。
(c) 比較例２のウェーハ端面における倍率４００倍走査型電子顕微鏡写真図。
(d) 比較例３のウェーハ端面における倍率４００倍走査型電子顕微鏡写真図。
【図８】
(a) 実施例１のウェーハ端面における倍率８００倍走査型電子顕微鏡写真図。
(b) 比較例１のウェーハ端面における倍率８００倍走査型電子顕微鏡写真図。
(c) 比較例２のウェーハ端面における倍率８００倍走査型電子顕微鏡写真図。
(d) 比較例３のウェーハ端面における倍率８００倍走査型電子顕微鏡写真図。
【図９】
(a) 実施例１のウェーハ端面における倍率１７５倍ＣＣＤイメージセンサー図。
(b) 比較例１のウェーハ端面における倍率１７５倍ＣＣＤイメージセンサー図。
(c) 比較例２のウェーハ端面における倍率１７５倍ＣＣＤイメージセンサー図。
(d) 比較例３のウェーハ端面における倍率１７５倍ＣＣＤイメージセンサー図。
【図１０】
(a) 端面に欠けを生じたウェーハの部分拡大断面図。
(b) 図１０(a)に示すウェーハを酸エッチングした後のウェーハ端面の部分拡大断面図。
(c) 図１０(a)に示すウェーハをアルカリエッチングした後のウェーハ端面の部分拡大断面図。