【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
絶縁体上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された窒化珪素膜またはＤＬＣ膜と、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に形成された画素電極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記画素電極は、透明導電膜が用いられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１または２において、前記画素電極は、酸化インジウムと酸化亜鉛とが混合された透明導電膜またはＩＴＯが用いられていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記画素電極の表面の平均面粗さは、０．９ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
絶縁体上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された陽極と、
前記ＴＦＴと前記陽極とを電気的に接続する配線と、
前記陽極の端部を覆って形成された絶縁膜と、
前記陽極及び前記絶縁膜上に形成された有機化合物を含む膜と、
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
絶縁体上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された窒化珪素膜またはＤＬＣ膜と、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に形成された陽極と、
前記ＴＦＴと前記陽極とを電気的に接続する配線と、
前記陽極の端部を覆って形成された絶縁膜と、
前記陽極及び前記絶縁膜上に形成された有機化合物を含む膜と、
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６または７において、前記絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、または酸化珪素膜が用いられていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
絶縁体上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された陽極と、
前記ＴＦＴと前記陽極とを電気的に接続する配線と、
前記陽極の端部を覆って形成された第１の絶縁膜と、
前記陽極及び前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された有機化合物を含む膜と、
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
絶縁体上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された平坦化された無機絶縁膜と、
前記平坦化された無機絶縁膜上に形成された窒化珪素膜またはＤＬＣ膜と、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に形成された陽極と、
前記ＴＦＴと前記陽極とを電気的に接続する配線と、
前記陽極の端部を覆って形成された第１の絶縁膜と、
前記陽極及び前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された有機化合物を含む膜と、
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項９または１０において、前記第１の絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、または酸化珪素膜が用いられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれか一において、前記陽極は、透明導電膜が用いられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項６乃至１１のいずれか一において、前記陽極は、酸化インジウムと酸化亜鉛とが混合された透明導電膜またはＩＴＯが用いられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項６乃至１３のいずれか一において、前記陽極の表面の平均面粗さは、０．９ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記平坦化された無機絶縁膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層膜が用いられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項１７】
請求項１乃至１５のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする携帯電話。
【請求項１８】
請求項１乃至１５のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とするモバイルコンピュータ。
【請求項１９】
請求項１乃至１５のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とするビデオカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯型ゲーム機、電子書籍、または画像再生装置。
【請求項２０】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に画素電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２１】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に、窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に画素電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項２０または２１において、前記画素電極として、透明導電膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項２０または２１において、前記画素電極として、酸化インジウムと酸化亜鉛とが混合された透明導電膜またはＩＴＯを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２０乃至２３のいずれか一において、前記画素電極を形成した後に、当該画素電極を拭浄することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２０乃至２３のいずれか一において、前記画素電極を形成した後に、ＰＶＡ系の多孔質材料を用いて当該画素電極を拭浄することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２６】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２７】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に陽極を形成し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２８】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２９】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に陽極を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項２６乃至２９のいずれか一において、前記絶縁膜として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、または酸化珪素膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３１】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３２】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に陽極を形成し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３３】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３４】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に陽極を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３５】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に帯電防止膜を形成し、
前記ＴＦＴが形成された絶縁体を第１の処理室から第２の処理室に搬送し、
前記帯電防止膜を除去し、
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３６】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に陽極を形成し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、
前記陽極、前記配線、前記平坦化された無機絶縁膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に帯電防止膜を形成し、
前記ＴＦＴが形成された絶縁体を第１の処理室から第２の処理室に搬送し、
前記帯電防止膜を除去し、
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３７】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴに接続された配線を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記配線に接続された陽極を形成し、
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に帯電防止膜を形成し、
前記ＴＦＴが形成された絶縁体を第１の処理室から第２の処理室に搬送し、
前記帯電防止膜を除去し、
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３８】
絶縁体上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜を平坦化し、
前記平坦化された無機絶縁膜上に窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に陽極を形成し、
前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜上に、前記ＴＦＴ及び前記陽極に接続された配線を形成し、
前記陽極、前記配線、前記窒化珪素膜またはＤＬＣ膜を覆って第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に帯電防止膜を形成し、
前記ＴＦＴが形成された絶縁体を第１の処理室から第２の処理室に搬送し、
前記帯電防止膜を除去し、
前記第１の絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成し、
前記露出された陽極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に有機化合物を含む膜を形成し、
前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３９】
請求項３５乃至３８のいずれか一において、水洗により前記帯電防止膜を除去することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４０】
請求項３１乃至３９のいずれか一において、前記第１の絶縁膜として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、または酸化珪素膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４１】
請求項３１乃至４０のいずれか一において、前記陽極として、透明導電膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４２】
請求項３１乃至４０のいずれか一において、前記陽極として、酸化インジウムと酸化亜鉛とが混合された透明導電膜またはＩＴＯを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４３】
請求項３１乃至４２のいずれか一において、前記開口部を形成した後に、当該陽極を拭浄することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４４】
請求項３１乃至４２のいずれか一において、前記開口部を形成した後に、ＰＶＡ系の多孔質材料を用いて当該陽極を拭浄することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４５】
請求項２０乃至４４のいずれか一において、前記無機絶縁膜をＣＭＰ法を用いて平坦化することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４６】
請求項２０乃至４４のいずれか一において、前記無機絶縁膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。