【手続補正書】
【提出日】平成16年5月6日(2004.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１導電性電極材料を形成する工程と、
この第１導電性電極材料上に、Ａx Ｓｅy を含むカルコゲニド含有材料であって、「Ａ」が周期律表の第１３族、第１４族、第１５族又は第１７族から選択した少なくとも１種の元素を有するカルコゲニド含有材料を形成する工程と、
このカルコゲニド含有材料上に銀含有層を形成する工程と、
この銀含有層を照射して、銀含有層とカルコゲニド含有材料との界面におけるカルコゲニド含有材料のカルコゲニド結合を破断させ、少なくとも少量の銀を前記カルコゲニド含有材料中に拡散させ、カルコゲニド含有材料の外側面を形成する工程と、
銀含有層を照射した後に、前記カルコゲニド含有材料の外側面をヨウ素含有流体にさらし、このカルコゲニド含有材料の外側面の粗さをヨウ素含有流体にさらす前の状態から低減させる工程と、
このヨウ素含有流体にさらす処理を行った後に、前記カルコゲニド含有材料上に第２導電性電極材料を堆積し、この第２導電性電極材料は連続層とするとともに少なくとも前記カルコゲニド含有材料を完全に被覆するようにし、且つこの第２導電性電極材料を成形して装置の電極にする工程と
を有する不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体を液体とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体をヨウ化物溶液とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項４】
請求項１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体をヨウ化カリウム溶液とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項５】
請求項４に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ化カリウム溶液が、１リットルの２０％〜５０％ヨウ化カリウム溶液あたり５〜３０グラムのＩ2 を含むようにする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項６】
請求項１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記銀含有層を主として元素状態の銀とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項７】
請求項１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、銀含有層を照射する前記工程により前記カルコゲニド含有材料の外側面の少なくとも一部としてＡｇ2 Ｓｅを形成し、このＡｇ2 Ｓｅの少なくとも少量をエッチング処理により除去することにより前記カルコゲニド含有材料の外側面の粗さを低減させる前記工程に少なくとも部分的に寄与するようにする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項８】
請求項１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記「Ａ」がＧｅを有する不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項９】
請求項１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、当該方法が、前記不揮発性抵抗可変装置をメモリ回路のプログラマブルメモリセルに形成する工程を有する不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記第１及び第２導電性電極材料を異なる材料とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項１１】
基板上に第１導電性電極材料を形成する工程と、
この第１導電性電極材料上に、Ａx Ｓｅy を含むカルコゲニド含有材料であって、「Ａ」が周期律表の第１３族、第１４族、第１５族又は第１７族から選択した少なくとも１種の元素を有するカルコゲニド含有材料を形成する工程と、
カルコゲニド含有材料を形成した後に、当該カルコゲニド含有材料上にＡｇ2 Ｓｅを形成する工程と、
前記Ａｇ2 Ｓｅをヨウ素含有流体にさらし少なくとも少量のＡｇ2 Ｓｅをエッチング除去する工程と、
このヨウ素含有流体にさらす処理を行った後に、前記カルコゲニド含有材料上に第２導電性電極材料を堆積し、この第２導電性電極材料を成形して装置の電極にする工程と
を有する不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記「Ａ」がＧｅを有するようにする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、当該方法が、前記不揮発性抵抗可変装置をメモリ回路のプログラマブルメモリセルに形成する工程を有する不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体を液体とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体をヨウ化物溶液とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体をヨウ化カリウム溶液とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ化カリウム溶液が、１リットルの２０％〜５０％ヨウ化カリウム溶液あたり５〜３０グラムのＩ2 を含むようにする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項１８】
請求項１１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、当該方法が、前記第２導電性電極材料を、連続層となるように且つ少なくとも前記カルコゲニド含有材料を完全に被覆するように堆積する工程を有する不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項１９】
請求項１１に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体にさらす処理工程により実質的に前記Ａｇ2 Ｓｅの全てをエッチング除去する不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項２０】
基板上に第１導電性電極材料を形成する工程と、
この第１導電性電極材料上に、Ａx Ｓｅy を含むカルコゲニド含有材料であって、「Ａ」が周期律表の第１３族、第１４族、第１５族又は第１７族から選択した少なくとも１種の元素を有するカルコゲニド含有材料を形成する工程と、
カルコゲニド含有材料を形成した後に、当該カルコゲニド含有材料上にＡｇ2 Ｓｅの不連続層を形成する工程と、
前記Ａｇ2 Ｓｅをヨウ素含有流体にさらし少なくとも少量のＡｇ2 Ｓｅをエッチング除去する工程と、
このヨウ素含有流体にさらす処理を行った後に、前記カルコゲニド含有材料上に第２導電性電極材料を堆積して、この第２導電性電極材料が、連続層となるとともに少なくとも前記カルコゲニド含有材料を完全に被覆するようにし、この第２導電性電極材料を成形して装置の電極にする工程と
を有する不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体を液体とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体をヨウ化物溶液とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項２３】
請求項２０に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体をヨウ化カリウム溶液とする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ化カリウム溶液が、１リットルの２０％〜５０％ヨウ化カリウム溶液あたり５〜３０グラムのＩ2 を含むようにする不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項２５】
請求項２０に記載の不揮発性抵抗可変装置の形成方法において、前記ヨウ素含有流体にさらす処理により実質的に前記Ａｇ2 Ｓｅの全てをエッチング除去する不揮発性抵抗可変装置の形成方法。
【請求項２６】
基板上に第１導電性電極材料を形成する工程と、
この第１導電性電極材料上に、Ａx Ｓｅy を含む実質的に非晶質のカルコゲニド含有材料であって、「Ａ」が周期律表の第１３族、第１４族、第１５族又は第１７族から選択した少なくとも１種の元素を有するカルコゲニド含有材料を形成する工程と、
このカルコゲニド含有材料上に銀含有層を形成する工程と、
この銀含有層を照射して、銀含有層とカルコゲニド含有材料との界面におけるカルコゲニド材料のカルコゲニド結合を破断させ、少なくとも少量の銀を前記カルコゲニド含有材料中に拡散させ、この照射処理により、前記カルコゲニド含有材料上にＡｇ2 Ｓｅの不連続層を形成するとともにこのＡｇ2 Ｓｅの下にあるカルコゲニド含有材料を実質的に非晶質の状態に維持する工程と、
この照射処理の後に、前記Ａｇ2 Ｓｅをヨウ素含有流体にさらしてこのＡｇ2 Ｓｅの少なくとも大部分をエッチング除去する工程と、
このヨウ素含有流体にさらす処理を行った後に、前記カルコゲニド含有材料上に第２導電性電極材料を堆積して、この第２導電性電極材料が、連続層となるとともに少なくともカルコゲニド含有材料を完全に被覆するようにし、この第２導電性電極材料を成形して装置の電極にする工程と
を有するメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載のメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法において、前記ヨウ素含有流体を液体とするメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法。
【請求項２８】
請求項２６に記載のメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法において、前記ヨウ素含有流体をヨウ化物溶液とするメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法。
【請求項２９】
請求項２６に記載のメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法において、前記ヨウ素含有流体をヨウ化カリウム溶液とするメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法。
【請求項３０】
請求項２９に記載のメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法において、前記ヨウ化カリウム溶液が、１リットルの２０％〜５０％ヨウ化カリウム溶液あたり５〜３０グラムのＩ2 を含むようにするメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法。
【請求項３１】
請求項２６に記載のメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法において、前記銀含有層を主として元素状態の銀とするメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法。
【請求項３２】
請求項２６に記載のメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法において、前記「Ａ」がＧｅを有するようにするメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法。
【請求項３３】
請求項２６に記載のメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法において、前記ヨウ素含有流体にさらす処理により実質的に前記Ａｇ2 Ｓｅの全てをエッチング除去するメモリ回路のプログラマブルメモリセルの形成方法。
【請求項３４】
カルコゲニドガラス層を形成する工程と、
このカルコゲニドガラス層上に金属含有層を形成する工程と、
この金属含有層を照射して、金属含有層とカルコゲニドガラス層との界面におけるカルコゲニドガラス層のカルコゲニド結合を破断させ、この金属含有層の少なくとも一部を前記カルコゲニドガラス層中に拡散させる工程と、
この照射処理工程の後に、前記カルコゲニドガラス層の外側面をヨウ素含有流体にさらし、照射した前記外側面の少なくとも一部をこのヨウ素含有流体により除去する工程と
を有するカルコゲニド構造体の形成方法。
【請求項３５】
請求項３４に記載のカルコゲニド構造体の形成方法において、前記ヨウ素含有流体を液体とするカルコゲニド構造体の形成方法。
【請求項３６】
請求項３４に記載のカルコゲニド構造体の形成方法において、前記ヨウ素含有流体をヨウ化物含有溶液とするカルコゲニド構造体の形成方法。
【請求項３７】
請求項３４に記載のカルコゲニド構造体の形成方法において、前記ヨウ素含有流体をヨウ化カリウム溶液とするカルコゲニド構造体の形成方法。
【請求項３８】
請求項３７に記載のカルコゲニド構造体の形成方法において、前記ヨウ化カリウム溶液が、１リットルの２０％〜５０％ヨウ化カリウム溶液あたり５〜約３０グラムのＩ2 を含むようにするカルコゲニド構造体の形成方法。