(57)【要約】エネルギーコストが小さく、工業的に効率のよいα−ヒドロキシ酸アンモニウム塩からアンモニアを回収し、遊離のα−ヒドロキシ酸を得る方法を提供するものである。式（Ｉ）ＲＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯ−ＮＨ４＋(式中、ＲはＣ１〜Ｃ６アルキル基等を表す。）で表されるα−ヒドロキシ酸アンモニウム塩の水性溶媒溶液を、薄膜蒸発装置を用いて加熱し、さらに、水性溶媒溶液に対して空気または不活性ガスを向流させることにより、アンモニアを遊離させ、水性溶媒とともに蒸発させ、式（ＩＩ）ＲＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ(式中、Ｒは前記と同じ意味を表す。）で表されるα−ヒドロキシ酸を製造することができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
ＲＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯ−ＮＨ４＋      （Ｉ）
(式中、Ｒは水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は複素環基を表す。）で表されるα−ヒドロキシ酸アンモニウム塩の水性溶媒溶液を、薄膜蒸発装置を用いて、加熱を行いながら不活性ガス又は空気を前記水性溶媒溶液と向流させることで、アンモニアを遊離させ、水性溶媒とともに蒸発させることを特徴とする、式（ＩＩ）
ＲＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ （ＩＩ）
(式中、Ｒは前記と同じ意味を表す。)で表されるα−ヒドロキシ酸の製造方法。 
【請求項２】
薄膜蒸発装置が攪拌式薄膜蒸発装置であることを特徴とする請求項１に記載のα−ヒドロキシ酸の製造方法。
【請求項３】
薄膜蒸発装置が、竪型であることを特徴とする請求項１又は２に記載のα−ヒドロキシ酸の製造方法。
【請求項４】
前記不活性ガス又は空気の流量が、攪拌式薄膜蒸発装置の伝熱部分の塔断面積に対するガス空塔速度を０．０１ｍ／ｓ以上とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のα−ヒドロキシ酸の製造方法。
【請求項５】
前記不活性ガス又は空気の流量が、蒸発装置に添加する前記水性溶媒溶液量１ｇあたり１．６Ｌ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のα−ヒドロキシ酸の製造方法。
【請求項６】
前記不活性ガス又は空気の流量（Ｌ／分）が、蒸発装置に添加する前記水性溶媒溶液量（ｇ／分）よりも大きいことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のα−ヒドロキシ酸の製造方法。
【請求項７】
加熱温度が、１５０〜１７５℃の範囲であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のα−ヒドロキシ酸の製造方法。
【請求項８】
前記薄膜蒸発装置を用いて加熱する前に、前記水性溶媒溶液をその加熱温度以下に加熱しておくことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のα−ヒドロキシ酸の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の医薬・農薬等の合成原料として工業的に重要であり、また、ある種のものは食品添加物や飼料添加剤として利用されているα−ヒドロキシ酸の製造法に関する。 
【背景技術】
【０００２】
微生物を用いる方法等により得られたα−ヒドロキシ酸アンモニウム塩からアンモニアを回収し、遊離のα−ヒドロキシ酸を得る方法としては、例えば、電解透析による方法（特許文献１、２を参照）、α−ヒドロキシ酸アンモニウム塩を無溶媒又は有機溶媒中で加熱してアンモニアを回収し、続いて水を添加し加熱して一部生成したオリゴマー類を加水分解してα−ヒドロキシ酸を製造する方法（特許文献３を参照）等が知られている。また、α−ヒドロキシ酸アンモニウム塩を含む水性溶媒溶液を、加圧加熱することにより、アンモニアを遊離させ、水性溶媒とともに蒸発させる方法が知られている。（特許文献４を参照）【０００３】
【特許文献１】国際公開９８／１８９４１号公報
【特許文献２】特開平１０−１７９１８３号公報
【特許文献３】国際公開９７／３０９６２号公報
【特許文献４】特開２０００−１１９２１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、いずれの方法も、エネルギーコストが高く、工業的には効率のいい反応とはいえなかった。また、特許文献４には、薄膜式蒸発装置を使用できることも記載されているが、その具体的な条件等の記載はない。
本発明は、エネルギーコストが小さく、工業的に効率のよいα−ヒドロキシ酸アンモニウム塩からアンモニアを回収し、遊離のα−ヒドロキシ酸を得る方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、薄膜蒸発装置を用い、さらに、添加する溶液に対して、不活性ガス又は空気を向流させることで、常圧又は減圧下に効率よくアンモニアを除去できることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００６】
即ち本発明は、式（Ｉ）
ＲＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯ−ＮＨ４＋     （Ｉ）
（式中、Ｒは水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は複素環基を表す。）で表されるα−ヒドロキシ酸アンモニウム塩の水性溶媒溶液を、薄膜蒸発装置を用いて加熱を行いながら不活性ガス又は空気を前記水性溶媒溶液と向流させることでアンモニアを遊離させ、水性溶媒とともに蒸発させることを特徴とする式（ＩＩ）
ＲＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ  （ＩＩ）
（式中、Ｒは前記と同じ意味を表す。）で表されるα−ヒドロキシ酸の製造方法に関し、薄膜蒸発装置は撹拌式薄膜蒸発装置であることが好ましく、また、竪型であることが好ましい。【０００７】
また、前記不活性ガス又は空気の流量が、薄膜蒸発装置の伝熱部分の塔断面積に対するガス空塔速度を０．０１ｍ／ｓ以上とするのが好ましく、前記不活性ガス又は空気の流量が、薄膜蒸発装置に添加する前記水性溶媒溶液量１ｇあたり１．６Ｌ以上であるのが好ましく、さらに前記不活性ガス又は空気の流量（Ｌ／分）が、薄膜蒸発装置に添加する前記水性溶媒溶液量（ｇ／分）よりも大きいのが好ましい。【０００８】
また、加熱温度が、１５０〜１７５℃の範囲であるのが好ましく、前記水性溶媒溶液を加熱温度以下に加熱しておくことが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明で使用される式（Ｉ）で表される化合物中、Ｒとして具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシル基等のＣ１〜Ｃ６アルキル基、ビニル基、アリル基、３−ブテニル基、シクロブテニル基、シクロブテニルメチル基等のＣ２〜Ｃ６アルケニル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基等のＣ１〜Ｃ６アルコキシ基、フェニル基、１−ナフチル基、９−アントラニル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基、フラン−２−イル基、フラン−３−イル基、チオフェン−２−イル基、チオフェン−３−イル基、ピロール−２−イル基、ピロール−３−イル基、オキサゾール−２−イル基、オキサゾール−４−イル基、オキサゾール−５−イル基、チアゾール−２−イル基、チアゾール−４−イル基、チアゾール−５−イル基、イソオキサゾール−３−イル基、イソオキサゾール−４−イル基、イソオキサゾール−５−イル基、イソチアゾール−３−イル基、イソチアゾール−４−イル基、イソチアゾール−５−イル基、イミダゾール−２−イル基、イミダゾール−４−イル基、イミダゾール−５−イル基、ピラゾール−３−イル基、ピラゾール−４−イル基、ピラゾール−５−イル基、１，３，４−オキサジアゾール−２−イル基、１，３，４−チアジアゾール−２−イル基、１，２，３−トリアゾール−４−イル基、１，２，４−トリアゾール−３−イル基、１，２，４−トリアゾール−５−イル基、ピリジン−２−イル基、ピリジン−３−イル基、ピリジン−４−イル基、ピリダジン−３−イル基、ピリダジン−４−イル基、ピラジン−２−イル基、ピリミジン−２−イル基、ピリミジン−４−イル基、ピリミジン−５−イル基、１，３，５−トリアジン−２−イル基、１，２，４−トリアジン−３−イル基、２−フルフリルメチル基、３−チエニルメチル基、１−メチル−３−ピラゾロメチル基、ピリジン−２−イル基、ピリジン−３−イル基、ピリジン−４−イル基、ピリダジン−３−イル基、ピリダジン−４−イル基、ピラジン−２−イル基、ピリミジン−２−イル基、ピリミジン−４−イル基、ピリミジン−５−イル基、１，３，５−トリアジン−２−イル基、１，２，４−トリアジン−３−イル基、２−ピリジルメチル基、３−ピリジルメチル基、６−クロル−３−ピリジルメチル基、２−ピリミジルメチル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、テトラヒドラピラン−４−イル基、ピペリジン−３−イル基、ピロリジン−２−イル基、モルホリノ基、ピペリジノ基、Ｎ−メチルピペラジニル基、２−テトラヒドラフラニルメチル基、３−ピペラジルメチル基、Ｎ−メチル３−ピロリジルメチル基、モルホリノメチル基等の複素環基を具体的に例示することができる。【００１０】
これらの官能基は、化学的に許容される範囲で、置換基を有していてもよく、そのような置換基として具体的には、以下のような置換基を例示することができる。【００１１】
水酸基；チオール基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；ホルミル基；アミノ基、メチルアミノ基、ベンジルアミノ基、アニリノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、フェニルエチルアミノ基等の無置換又は置換アミノ基；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基（Ｃ１−６アルキル基が好ましい）；ビニル基、アリル基、２−メトキシ−エテニル基等のアルケニル基；エチニル基、１−プロピニル基、２−フェニルエチニル基、プロパルギル基等のアルキニル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基（Ｃ１−６アルコキシ基が好ましい）；ビニルオキシ基、アリルオキシ基等のアルケニルオキシ基；エチニルオキシ基、プロパルギルオキシ基等のアルキニルオキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基、２−ピリジルオキシ基等のアリールオキシ基；クロロメチル基、フルオロメチル基、ブロモメチル基、ジクロロメチル基、ジフルオロメチル基、ジブロモメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ブロモジフルオロメチル基、トルフルオロエチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチルペンタフルオロエチル基等のハロアルキル基（Ｃ１−６ハロアルキル基が好ましい）；フルオロメトキシ基、クロロメトキシ基、ブロモメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、ジクロロメトキシ基、ジブロモメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリブロモメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロプロポキシ基等のハロアルコキシ基（Ｃ１−６ハロアルコキシ基が好ましい）；メチルチオカルボニル基、エチルチオカルボニル基、プロピルチオカルボニル基、イソプロピルチオカルボニル基、ブチルチオカルボニル基、イソブチルチオカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルチカルボニル基、ｔ−ブチルチオカルボニル基等のアルキルチオカルボニル基（Ｃ１−６アルキルチオカルボニル基が好ましい）；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、ｔ−ブチルスルホニルアミノ基等のアルキルスルホニルアミノ基（Ｃ１−６アルキルスルホニルアミノ基が好ましい）；フェニルスルホニルアミノ基、ピペラジニルスルホニルアミノ基等のアリールスルホニルアミノ基（Ｃ６−１２アリールスルホニルアミノ基が好ましい）；メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基等のアルキルカルボニルアミノ基（Ｃ１−６アルキルカルボニルアミノ基が好ましい）；メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、プロポキシカルボニルアミノ基、イソプロポキシカルボニルアミノ基等のアルコキシカルボニルアミノ基（Ｃ１−６アルコキシカルボニルアミノ基が好ましい）；フルオロメチルスルホニルアミノ基、クロロメチルスルホニルアミノ基、ブロモメチルスルホニルアミノ基、ジフルオロメチルスルホニルアミノ基、ジクロロメチルスルホニルアミノ基、ジフルオロメチルスルホニルアミノ基、トリフルオロメチルスルホニルアミノ基、トリフルオロエチルスルホニルアミノ基、ペンタフルオロエチルスルホニルアミノ基等のハロアルキルスルホニルアミノ基（Ｃ１−６ハロアルキルスルホニルアミノ基が好ましい）；ビス（メチルスルホニル）アミノ基、ビス（エチルスルホニル）アミノ基、（メチルスルホニル）（エチルスルホニル）アミノ基、ビス（プロピルスルホニル）アミノ基、ビス（イソプロピルスルホニル）アミノ基、ビス（ブチルスルホニル）アミノ基、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）アミノ基等のビス（アルキルスルホニル）アミノ基（ビス（Ｃ１−６アルキルスルホニル）アミノ基が好ましい）；ビス（フルオロメチルスルホニル）アミノ基、ビス（クロロメチルスルホニル）アミノ基、ビス（ブロモメチルスルホニル）アミノ基、ビス（ジフルオロメチルスルホニル）アミノ基、ビス（ジクロロメチルスルホニル）アミノ基、ビス（ジフルオロメチルスルホニル）アミノ基、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）アミノ基、ビス（トリフルオロエチルスルホニル）アミノ基、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）アミノ基等のビス（ハロアルキルスルホニル）アミノ基（ビス（Ｃ１−６ハロアルキルスルホニル）アミノ基が好ましい）；ヒドラジノ基、Ｎ'-フェニルヒドラジノ基、Ｎ'-メトキシカルボニヒドラジノ基等の無置換もしくは置換ヒドラジノメトキシカルボニル基；エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基（Ｃ１−６アルコキシカルボニル基が好ましい）；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基（Ｃ６−１２アリール基が好ましい）；フラン−２−イル基、フラン−３−イル基、チオフェン−２−イル基、チオフェン−３−イル基、ピロール−２−イル基、ピロール−３−イル基、オキサゾール−２−イル基、オキサゾール−４−イル基、オキサゾール−５−イル基、チアゾール−２−イル基、チアゾール−４−イル基、チアゾール−５−イル基、イソオキサゾール−３−イル基、イソオキサゾール−４−イル基、イソオキサゾール−５−イル基、イソチアゾール−３−イル基、イソチアゾール−４−イル基、イソチアゾール−５−イル基、イミダゾール−２−イル基、イミダゾール−４−イル基、イミダゾール−５−イル基、ピラゾール−３−イル基、ピラゾール−４−イル基、ピラゾール−５−イル基、１，３，４−オキサジアゾール−２−イル基、１，３，４−チアジアゾール−２−イル基、１，２，３−トリアゾール−４−イル基、１，２，４−トリアゾール−３−イル基、１，２，４−トリアゾール−５−イル基、５−フェニル−５−トリフルオロメチル−イソオキサゾリン−３−イル基、２−フルフリルメチル基、３−チエニルメチル基、１−メチル−３−ピラゾロメチル基等の不飽和複素５員環基；ピリジン−２−イル基、ピリジン−３−イル基、ピリジン−４−イル基、ピリダジン−３−イル基、ピリダジ��−４−イル基、ピラジン−２−イル基、ピリミジン−２−イル基、ピリミジン−４−イル基、ピリミジン−５−イル基、１，３，５−トリアジン−２−イル基、１，２，４−トリアジン−３−イル基、２−ピリジルメチル基、３−ピリジルメチル基、６−クロル−３−ピリジルメチル基、２−ピリミジルメチル基等の不飽和複素６員環基；テトラヒドロフラン−２−イル基、テトラヒドラピラン−４−イル基、ピペリジン−３−イル基、ピロリジン−２−イル基、モルホリノ基、ピペリジノ基、Ｎ−メチルピペラジニル基、２−テトラヒドラフラニルメチル基、３−ピペラジルメチル基、Ｎ−メチル３−ピロリジルメチル基、モルホリノメチル基等の飽和複素環基；Ｎ−ジメチルアミノイミノメチル基、１−Ｎ−フェニルイミノエチル基、Ｎ−ヒドロキシイミノメチル基、Ｎ−メトキシイミノメチル基等のＮ無置換もしくはＮ置換イミノアルキル基；Ｎ’−メチルヒドラジノカルボニル基、Ｎ’−フェニルヒドラジノカルボニル基、ヒドラジノカルボニル基等のＮ無置換もしくはＮ置換ヒドラジノカルボニル基；アミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノカルボニル基等のＮ無置換もしくはＮ置換アミノカルボニル基；ヒドラジノ基、Ｎ’−アセチルヒドラジノ基、Ｎ’−メチルヒドラジノ基、Ｎ’−フェニルヒドラジノ基、Ｎ’−メトキシカルボニルヒドラジノ基、Ｎ’−２−プロピリデンヒドラジノ基等のＮ無置換もしくはＮ置換ヒドラジノ基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基等のアルキルチオ基；ビニルチオ基、アリルチオ基等のアルケニルチオ基；エチニルチオ基、プロパルギルチオ基等のアルキニルチオ基；フェニルチオ基、４−クロロフェニルチオ基、ベンジルチオ基、フェネチルチオ基、２−ピリジルチオ基等のアリールチオ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｔ−ブチルスルホニル基等のアルキルスルホニル基；アリルスルホニル基等のアルケニルスルホニル基；プロパルギルスルホニル基等のアルケニルスルホニル基；フェニルスルホニル基、ベンジルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等のアリールスルホニル基等。【００１２】
これらの置換基は、１の置換基上に他の１の置換基を置換して２種以上を合体させて新たな置換基として同様に用いることができる。【００１３】
本発明に使用される式（Ｉ）で表されるα−ヒドロキシ酸アンモニウム塩として具体的には、グリコール酸、乳酸、マンデル酸、α−ヒドロキシ酪酸、α−ヒドロキシイソ酪酸、α−ヒドロキシ−４−メチルチオ酪酸、α−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸、α−ヒドロキシ−２−フェニルプロピオン酸、α，β−ジヒドロキシ−３，３−ジメチル酪酸、α−ヒドロキシ−３−ブテン酸、α−ヒドロキシ−３−メチル−３−ブテン酸、２−ピリジニル−α−ヒドロキシ酢酸等のアンモニウム塩を例示することができる。【００１４】
本発明で使用される式（Ｉ）で表されるα−ヒドロキシ酸アンモニウム塩の製造方法は、特に限定はされないが、具体的には、特公昭５８−１５１２０号公報、特開昭６３−２２２６９６号公報、特開昭６４−１０９９６号公報、特開平４−４０８９７号公報、特開平４−４０８９８号公報、特表平１０−５０７６３１号公報等に記載されているようにα−ヒドロキシニトリル類から微生物によって製造する方法を例示することができる。かかる微生物としては、アルスロバクター属に属する Arthrobacter sp. NSSC104 等を挙げることができる。【００１５】
本発明の製造方法に用いられる薄膜蒸発装置は、熱効率を上げるために蒸発缶内部又は上部に水性溶媒溶液の液滴を供給して、薄膜を形成することができる装置であれば、特に限定されないが、攪拌式薄膜蒸発装置が好ましく、具体的には、環境ソリューション社製のワイプレン（登録商標）を例示することができ、また、竪型であるのが好ましい。【００１６】
また、蒸発時に蒸発缶内部に、不活性ガス、又は空気を、投入する溶液と向流させるのが好ましい。不活性ガスとして具体的には、窒素ガス、アルゴンガスを例示することができる。【００１７】
流すガスの流量は、特に限定されないが、流量が少ない場合、アンモニアの分離が悪くなる傾向にあり、薄膜蒸発装置の伝熱部分の塔断面積に対するガス空塔速度を０．０１ｍ／ｓ以上とするのが好ましい。上限については、フラッディングを引き起こさない範囲であれば、分離効率、及び処理能力が落ちない限り、特に制限されない。【００１８】
また、水性溶媒溶液に対するガスの量は、フラッディングを引き起こさない範囲であれば、特に限定されないが、蒸発装置に投入する水性溶媒溶液１ｇに対して１．６Ｌ以上が好ましく、これにより分離効率、及び処理能力が向上する。【００１９】
薄膜蒸発装置に投入される水性溶媒溶液の量は、加熱温度、撹拌速度、ガスの流量等の装置の設定値によって適宜選択することが可能であるが、少なくともＬ／分を単位とするガスの流量の数値とｇ／分を単位とする水性溶媒溶液の投入量の数値を比較した場合に、ガス流量の数値が大きくなるように設定するのが好ましい。また、投入される水性溶媒溶液は、熱効率を上げるために予め蒸発缶の加熱温度付近まで加熱しておくのが好ましい。【００２０】
薄膜蒸発装置の加熱温度は、化合物によって適宜設定することができるが、水性溶媒溶液であることから、１００℃以上が好ましく、さらに、１５０℃以上が好ましい。上限は化合物の熱安定性によって適宜設定することができるが、１７５℃以下が好ましい。
【実施例】
【００２１】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の範囲は、実施例に限定されるものではない。
(実施例１〜７及び比較例１)【００２２】
薄膜蒸発機として環境ソリューション社製ワイプレンテスト機を使用した。そのテスト機の仕様は以下の通りである。
・型式：撹拌式竪型接触式薄膜蒸発機
・シェルの内径：１５６ｍｍ
・直胴部の長さ：６０５ｍｍ
・伝熱面積：０．２ｍ２
・ワイパー回転数：９３〜３６７ｒｐｍ
３２．４重量％の２−ヒドロキシ−４−メチルチオブタン酸アンモニウム塩水溶液を原料として用いた。原料を原料槽に仕込み、表に示す所定温度に加温した。原料が所定温度に到達したら、ワイプレン本体を加熱し、表に示す所定の温度に達したところで、原料ポンプを運転させ、本体に原料を供給開始した。原料供給開始とともに、ワイパーの回転を開始した。処理された液は、残留液受器に貯められた。空気は、ワイプレン本体の下部から供給し、発生ガス（アンモニア、水蒸気）とともに上部から排出され、硫酸トラップ、次亜塩素酸ソーダトラップ、洗浄塔を経由して大気に放出した。なお、アンモニアの遊離蒸発後のα−ヒドロキシ酸とα−ヒドロキシ酸アンモニウム塩の定量は、両方の合計量を高速液体クロマトグラフィーにより定量し、アンモニア分をＮＡＤＨ〜グルタミン酸脱水素酵素を用いる紫外部吸光度測定法（Methods of Enzymatic Analysis, BergmeyerH.
U.ed., 3rd ed., vol.8, pp.454-461）により定量し、その当量分をα−ヒドロキシ酸アンモニウム塩とした。【００２３】
【表１】
2009013909.tif 000002
ａ：高速液体クロマトグラフィを用いて定量した値を表す。ＨＭＢＡは、酸とアンモニウム塩の合計量を表す。二量体は、水を加えて加水分解することで単量体として回収可能である。また、その他の多量体も同様に加水分解して回収可能である。
空気流量(ｍ／秒)：攪拌式薄膜蒸発装置の伝熱部分の塔断面積に対するガス空塔速度
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明によると、α−ヒドロキシ酸のアンモニウム塩からその遊離酸であるα−ヒドロキシ酸をエネルギーコストを低く抑えて、工業的に有利に効率よく製造することができる。
【国際調査報告】
2009013909.tif 000003
2009013909.tif 000004