【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタの製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、トランジスタ、電気光学装置、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する工程と、
前記ゲート電極の少なくとも一面を陽極酸化させる工程と、
前記ゲート電極の陽極酸化した面をマスクとして前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングし前記半導体膜の少なくとも一部を露出させる工程と、
不純物原子を含有する液状材料を前記半導体膜の前記少なくとも一部に接触配置する工程と、を有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項２】
基材上に、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する工程と、
前記ゲート電極の少なくとも一面を陽極酸化させる工程と、
前記ゲート電極の陽極酸化した面をマスクとして前記ゲート絶縁膜の一部と前記半導体膜の一部とをエッチングし前記半導体膜の少なくとも一部を露出させる工程と、
不純物原子を含有する液状材料を前記半導体膜の前記少なくとも一部に接触配置する工程と、を有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のトランジスタの製造方法において、
前記液状材料を接触配置する際に、該液状材料を液滴状に吐出する液滴吐出方式を用いることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
前記液状材料は、リン原子又はボロン原子を含むＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を含有していることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
前記液状材料は、リン原子又はボロン原子とＳｉ原子を含むシクロシランを含有していることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
さらに、前記液状材料を接触配置したあと該液状材料を熱処理して不純物含有薄膜を形成する工程と、
前記不純物含有薄膜と前記半導体膜とを接触配置させた状態で熱処理を施し、前記不純物原子を前記半導体膜内に拡散させる工程と、を有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のトランジスタの製造方法において、
前記熱処理は強光を照射することにより行われることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載のトランジスタの製造方法において、
前記不純物原子は、リン原子またはボロン原子のいずれかであることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８に記載のトランジスタの製造方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置の製造方法を用いることを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１１】
基材上に、
ソース及びドレイン領域と、チャネル領域と、を含む半導体膜と、
前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有し、
前記ソース及びドレイン領域の膜厚は前記チャネル領域の膜厚よりも大きく、
前記ゲート絶縁膜は前記チャネル領域と接触する第１の面と、前記ソース及びドレイン領域と接触する前記第１の面とは異なる第２の面と、を有し、
前記ゲート電極の少なくとも一面には該ゲート電極の酸化膜が形成されていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のトランジスタを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランジスタの製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、トランジスタ、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のトランジスタの製造方法においては、基材上に、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する工程と、前記ゲート電極の少なくとも一面を陽極酸化させる工程と、前記ゲート電極の陽極酸化した面をマスクとして前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングし前記半導体膜の少なくとも一部を露出させる工程と、不純物原子を含有する液状材料を前記半導体膜の前記少なくとも一部に接触配置する工程と、を有することを特徴としている。
ここで、陽極酸化とは、ゲート電極が形成された基材をクエン酸溶液等に浸漬し、かつゲート電極に電流を流すことで、ゲート電極表面に酸化膜が形成されることである。
上記の方法によれば、陽極酸化によってゲート電極表面に絶縁膜を形成することができる。
また、ゲート電極の陽極酸化した面をマスクとして、ゲート絶縁膜の一部をエッチングするので、フォトレジスト塗布工程、露光工程及び現像工程等が省略され、工程の簡略化ができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のトランジスタの製造方法においては、基材上に、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する工程と、前記ゲート電極の少なくとも一面を陽極酸化させる工程と、前記ゲート電極の陽極酸化した面をマスクとして前記ゲート絶縁膜の一部と前記半導体膜の一部とをエッチングし前記半導体膜の少なくとも一部を露出させる工程と、不純物原子を含有する液状材料を前記半導体膜の前記少なくとも一部に接触配置する工程と、を有することを特徴としている。
上記の方法によれば、ゲート電極の陽極酸化した面をマスクとして、ゲート絶縁膜の一部と半導体膜の一部とをエッチングするので、フォトレジスト塗布工程、露光工程及び現像工程等が省略され、更に工程の簡略化ができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のトランジスタの製造方法においては、前記液状材料を接触配置する際に、該液状材料を液滴状に吐出する液滴吐出方式を用いることを特徴としている。
上記の方法によれば、液滴吐出方式で液状材料を半導体膜に塗布するので、液状材料を所望の領域だけに塗布することができ、液状材料を節約させることが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のトランジスタの製造方法においては、前記液状材料は、リン原子又はボロン原子を含むＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を含有していることを特徴としている。
上記の方法によれば、Ｎ型又はＰ型の高濃度不純物領域を形成することができると共に、量産ラインを従来に比較して極めて少ない投資で構築することができ、また、製造装置のスループットを高くし、製造コストを大幅に削減することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のトランジスタの製造方法においては、前記液状材料は、リン原子又はボロン原子とＳｉ原子を含むシクロシランを含有していることを特徴としている。
上記の方法によれば、Ｎ型又はＰ型の高濃度不純物領域を形成することができると共に、量産ラインを従来に比較して極めて少ない投資で構築することができ、また、製造装置のスループットを高くし、製造コストを大幅に削減することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明のトランジスタの製造方法においては、さらに、前記液状材料を接触配置したあと該液状材料を熱処理して不純物含有薄膜を形成する工程と、前記不純物含有薄膜と前記半導体膜とを接触配置させた状態で熱処理を施し、前記不純物原子を前記半導体膜内に拡散させる工程と、を有することを特徴としている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記の方法によれば、不純物原子を含有する液状材料と半導体膜の露出部分とが接触配置した状態で、熱処理が施され、液状材料に含まれる溶剤が除去され、不純物含有薄膜が半導体膜上に残留した状態となる。更に、熱処理を施すことによって、不純物が半導体膜内に拡散する。従って、スピンコート法等の容易な塗布方法と、熱処理によって、露出した半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成することが可能となる。また、真空処理装置によらないので、小型で安価な装置により、生産性が高く、欠陥が少なく、歩留まりが高く、段差部で断線等がなく、低コストで、半導体膜内への不純物原子の拡散を行い、ソース領域及びドレイン領域を形成することが可能となる。
また、上記の方法によれば、熱処理によって、半導体膜への不純物原子の拡散を効率的に行い、ソース領域及びドレイン領域の結晶化を施すことができ、好適なソース領域及びドレイン領域を形成することが可能となる。
また、イオン打ち込み法を用いることなく、更にプラズマ処理を行うことなく、不純物原子を半導体膜内に拡散することができるので、大型な装置が不要になり、装置のコストダウンを達成することができる。また、不純物含有の雰囲気を作り出す必要がなく、従って毒性及び可燃性のガスが不要にできる。また、半導体膜の下地膜へのダメージを防ぐことができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明のトランジスタの製造方法においては、前記熱処理は強光を照射することにより行われることを特徴としている。
ここで、強光を照射する処理方法としては、レーザアニール、ランプアニール及びフラッシュアニール等の光を照射する処理方法が挙げられる。
上記の方法によれば、強光を用いることによって、高温、かつ、微小時間で熱を加えることができるので、更に効率的に半導体膜への不純物原子の拡散を行い、ソース領域及びドレイン領域の結晶化を施すことができると共に、ガラス基板等の他の膜に悪影響を及ぼすことが少ないという効果がある。また、これらのアニール法は短時間ではあるが、半導体膜を高温にすることが出来るため、半導体膜の結晶性を向上させる効果がある。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明のトランジスタの製造方法においては、前記不純物原子は、リン原子またはボロン原子のいずれかであることを特徴としている。
上記の方法によれば、Ｎ型又はＰ型の高濃度不純物領域を形成することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の電気光学装置の製造方法においては、上記のトランジスタの製造方法を用いることを特徴としている。
上記の方法によれば、低コストのトランジスタを備えた薄膜トランジスタを形成することができ、即ち、低コストの電気光学装置を形成することが可能となる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の電子機器の製造方法においては、上記の電気光学装置の製造方法を用いることを特徴としている。
上記の方法によれば、電気光学装置が低コストとなるので、電子機器も低コストとすることが可能となる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明のトランジスタにおいては、基材上に、ソース及びドレイン領域と、チャネル領域と、を含む半導体膜と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有し、前記ソース及びドレイン領域の膜厚は前記チャネル領域の膜厚よりも大きく、前記ゲート絶縁膜は前記チャネル領域と接触する第１の面と、前記ソース及びドレイン領域と接触する前記第１の面とは異なる第２の面と、を有し、前記ゲート電極の少なくとも一面には該ゲート電極の酸化膜が形成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、ソース領域及びドレイン領域に形成するコンタクトホールに導電性材料を埋設した際には、良好な導電性を得ることが可能となる。また、チャネル領域がソース領域及びドレイン領域よりも薄くなり、好適なスイッチング特性を得ることが可能となる。
また、上記の構成によれば、陽極酸化膜によってゲート電極と、ソース領域及びドレイン領域とが電気的に絶縁され、良好な絶縁性を得ることが可能となる。
また、本発明のトランジスタが、上記の製造方法によって製造されることにより、液滴吐出方式等の容易な塗布方法でソース領域及びドレイン領域の形成を行うことが可能となる。また、真空処理装置によらないので、小型で安価な装置により、生産性が高く、欠陥が少なく、歩留まりが高く、段差部で断線等がなく、低コストでトランジスタを形成することが可能となる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の電気光学装置においては、上記のトランジスタを有することを特徴としている。
上記の構成によれば、低コストのトランジスタを備えた薄膜トランジスタを形成することができ、即ち、低コストの電気光学装置を形成することが可能となる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の電子機器においては、上記の電気光学装置を有することを特徴としている。
上記の構成によれば、電気光学装置が低コストとなるので、電子機器も低コストとすることが可能となる。