【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水、酸化チタニウム微粒子、研磨促進剤からなる磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項２】
酸化チタニウム微粒子の二次粒子の平均粒子径が、０．１〜１．０μｍである請求項１に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項３】
酸化チタニウム微粒子の二次粒子の粒度分布における累積９０重量％の粒子径と１０重量％の粒子径の比Ｄ９０／Ｄ１０が、３．７以内である請求項１または２に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項４】
酸化チタニウム微粒子の一次粒子径の平均値が、０．０１〜０．６μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項５】
酸化チタニウム微粒子が、２〜２０重量％含まれる請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項６】
酸化チタニウムのルチル化率が、１０〜８０重量％である請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項７】
研磨促進剤が、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、蓚酸アルミニウム、硝酸鉄、乳酸アルミニウム、グルコン酸、及びリンゴ酸から選ばれる少なくとも１種である請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項８】
研磨促進剤が、アルミニウム塩である請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項９】
アルミニウム塩が、硝酸アルミニウムである請求項８に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項１０】
研磨促進剤が、１〜２０重量％含まれる請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項１１】
さらに水溶性の酸化剤を含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項１２】
水溶性の酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過マンガン酸カリウム、過塩素酸、過塩素酸ソーダ、及び次亜塩素酸ソーダから選ばれる少なくとも１種である請求項１１に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項１３】
水溶性の酸化剤の濃度が、１０重量％以下である請求項１１または１２に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項１４】
さらに界面活性剤または防腐剤を含む請求項１〜１３のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項１５】
研磨組成物のｐＨが、２〜５である請求項１〜１４のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項１６】
研磨組成物が、スラリー状である請求項１〜１５のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項１７】
水、酸化チタニウム微粒子、研磨促進剤を含む濃厚な組成物であって、薄めることにより請求項１〜１６のいずれか１項に記載の研磨用組成物となる磁気ディスク基板研磨用組成物。
【請求項１８】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いることを特徴とする磁気ディスク基板の研磨方法。
【請求項１９】
磁気ディスク基板が、アルミニウム基板である請求項１８に記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
【請求項２０】
アルミニウム基板が、ＮｉＰを無電解メッキしたアルミニウム基板である請求項１９に記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
【請求項２１】
磁気ディスク基板を、請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の研磨方法を用いて研磨することを特徴とする磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の磁気ディスク基板の製造方法により製造される磁気ディスク基板。
【請求項２３】
請求項２１に記載の磁気ディスク基板の製造方法により製造され、研磨傷深さ１５ｎｍ未満に研磨された磁気ディスク基板。
【請求項２４】
請求項２１に記載の磁気ディスク基板の製造方法により製造される５００Ｍｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度を有する磁気ディスク基板。
【請求項２５】
請求項２２〜２４のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板のより得られる表面荒さ（Ｒａ）が３〜６Åの磁気ディスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、
［１］  水、酸化チタニウム微粒子、研磨促進剤からなる磁気ディスク基板研磨用組成物、
［２］  酸化チタニウム微粒子の二次粒子の平均粒子径が、０．１〜１．０μｍである上記［１］に記載の研磨用組成物、
［３］  酸化チタニウム微粒子の二次粒子の粒度分布における累積９０重量％の粒子径と１０重量％の粒子径の比Ｄ９０／Ｄ１０が、３．７以内である上記［１］または［２］に記載の研磨用組成物、
［４］  酸化チタニウム微粒子の一次粒子径の平均値が、０．０１〜０．６μｍである上記［１］〜［３］のいずれかに記載の研磨用組成物、
［５］  酸化チタニウム微粒子が、２〜２０重量％含まれる上記［１］〜［４］のいずれかに記載の研磨用組成物、
［６］  酸化チタニウムのルチル化率が、１０〜８０重量％である上記［１］〜［５］のいずれかに記載の研磨用組成物、
［７］  研磨促進剤が、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、蓚酸アルミニウム、硝酸鉄、乳酸アルミニウム、グルコン酸、及びリンゴ酸から選ばれる少なくとも１種である上記［１］〜［６］のいずれかに記載の研磨用組成物、
［８］  研磨促進剤が、アルミニウム塩である上記［１］〜［６］のいずれかに記載の研磨用組成物、
［９］  アルミニウム塩が、硝酸アルミニウムである上記［８］に記載の研磨用組成物、
［１０］  研磨促進剤が、１〜２０重量％含まれる上記［１］〜［９］のいずれかに記載の研磨用組成物、
［１１］  さらに水溶性の酸化剤を含む上記［１］〜［１０］のいずれかに記載の研磨用組成物、
［１２］  水溶性の酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過マンガン酸カリウム、過塩素酸、過塩素酸ソーダ、及び次亜塩素酸ソーダから選ばれる少なくとも１種である上記［１１］に記載の研磨用組成物、
［１３］  水溶性の酸化剤の濃度が、１０重量％以下である上記［１１］または［１２］に記載の研磨用組成物、
［１４］  さらに界面活性剤または防腐剤を含む上記［１］〜［１３］のいずれかに記載の研磨用組成物、
［１５］  研磨組成物のｐＨが、２〜５である上記［１］〜［１４］のいずれかに記載の研磨用組成物、
［１６］  研磨組成物が、スラリー状である上記［１］〜［１５］のいずれか１項に記載の研磨用組成物、
［１７］  水、酸化チタニウム微粒子、研磨促進剤を含む濃厚な組成物であって、薄めることにより請求項１〜１６のいずれか１項に記載の研磨用組成物となる磁気ディスク基板研磨用組成物、
［１８］  上記［１］〜［１６］のいずれかに記載の研磨用組成物を用いることを特徴とする磁気ディスク基板の研磨方法、
［１９］  磁気ディスク基板が、アルミニウム基板である上記［１８］に記載の磁気ディスク基板の研磨方法、
［２０］  アルミニウム基板が、ＮｉＰを無電解メッキしたアルミニウム基板である上記［１９］に記載の磁気ディスク基板の研磨方法、
［２１］  磁気ディスク基板を、上記［１８］〜［２０］のいずれかに記載の研磨方法を用いて研磨することを特徴とする磁気ディスク基板の製造方法、
［２２］  ［２１］に記載の磁気ディスク基板の製造方法により製造される磁気ディスク基板、
［２３］  ［２１］に記載の磁気ディスク基板の製造方法により製造される研磨傷深さ１５ｎｍ未満の磁気ディスク基板、
［２４］  ［２１］に記載の磁気ディスク基板の製造方法により製造される５００Ｍｂｉｔ／ｉｎｃｈ２  以上の記録密度を有する磁気ディスク基板、及び
［２５］  上記［２２］〜［２４］のいずれかに記載の磁気ディスク基板のより得られる表面荒さ（Ｒａ）が３〜６Åの磁気ディスク、を完成することにより上記の課題を解決した。