【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の成分：
（ａ）ポリマーマトリックス；および
（ｂ）ネマチック液晶ドロップレット
を含むとともに成分（ｂ）が前記ポリマーマトリックスに分散されてなるデータ記憶材料を含むことを特徴とする三次元光学データ記憶装置。
【請求項２】
前記データ記憶材料が、前記ポリマーマトリックスに分散された感光材料をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項３】
前記データ記憶材料が、前記ポリマーマトリックスに分散された可塑剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項４】
ポリマーマトリックスが、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニルまたはポリビニルカルバゾールを含むことを特徴とする請求項１に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項５】
ネマチック液晶ドロップレットが、Ｅ４９、Ｅ４４およびＥ７から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項６】
感光材料が、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノンおよびバックミンスターフラーレンから選ばれることを特徴とする請求項２に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項７】
可塑剤が、Ｎ−エチルカルバゾール、蟻酸イソブチルおよびイソブチル酸メチルから選ばれることを特徴とする請求項３に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項８】
約１０〜約７０重量％のポリマーマトリックスと、
約２０〜約９０重量％のネマチック液晶ドロップレットと、
約５重量％以下の感光材料とを含むことを特徴とする請求項２に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項９】
約４０重量％以下の可塑剤をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項１０】
前記データ記憶装置が、その上にまたはそれについて前記データ記憶材料が位置する基材をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項１１】
前記データ記憶材料の厚さが約１０〜約２０００μｍであることを特徴とする請求項１０に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項１２】
前記基材が前記データ記憶材料を保護するように囲むとともに、該基材の少なくとも一部が、前記データ記憶材料への可視および赤外放射および該データ記憶材料からの可視および赤外放射を透過することを特徴とする請求項１０に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項１３】
前記基材の少なくとも一部が、前記データ記憶材料への紫外放射および該データ記憶材料からの紫外放射を透過することを特徴とする請求項１２に記載の三次元光学データ記憶装置。
【請求項１４】
三次元光学データ記憶装置におけるデータ記憶材料が、以下の成分：
（ａ）ポリマーマトリックス；および
（ｂ）ネマチック液晶ドロップレット
を含むとともに成分（ｂ）が前記ポリマーマトリックスに分散されてなり、
前記データ記憶材料内のゾーンに、前記データ記憶材料内の前記ネマチック液晶ドロップレットの光照射されたゾーンにおける配向子を整列させるために十分な波長および出力を有するコヒーレントな偏光を感光させ、
前記コヒーレントな偏光が、記憶させるためのデータをエンコードすることを特徴とする光学データを記憶する方法。
【請求項１５】
前記データ記憶材料が、前記ポリマーマトリックスに分散された感光材料をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記データ記憶材料が、前記ポリマーマトリックスに分散された可塑剤をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
ポリマーマトリックスが、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニルまたはポリビニルカルバゾールを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
ネマチック液晶ドロップレットが、Ｅ４９、Ｅ４４およびＥ７から選ばれることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
感光材料が、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノンおよびバックミンスターフラーレンから選ばれることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
可塑剤が、Ｎ−エチルカルバゾール、蟻酸イソブチルおよびイソブチル酸メチルから選ばれることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記データ記憶材料が、約１０〜約７０重量％のポリマーマトリックスと、
約２０〜約９０重量％のネマチック液晶ドロップレットと、
約５重量％以下の感光材料とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記データ記憶材料が、約４０重量％以下の可塑剤をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記データ記憶装置が、その上にまたはそれについて前記データ記憶材料が位置する基材をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
前記基材が前記データ記憶材料を保護するように囲むとともに、該基材の少なくとも一部が、前記データ記憶材料への紫外、可視および赤外放射および該データ記憶材料からの紫外、可視および赤外放射を透過することを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記偏光の波長が約５００〜約１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２６】
前記偏光の波長が約８５０〜約９５０ｎｍであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２７】
前記偏光の波長が約９００ｎｍであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２８】
前記偏光の出力が約３０〜約１００ｍＷであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２９】
前記偏光の出力が約４０〜約８０ｍＷであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項３０】
前記偏光の出力が約６０ｍＷであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項３１】
前記偏光が超短パルスレーザにより与えられることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項３２】
三次元光学データ記憶装置におけるデータ記憶材料が、以下の成分：
（ａ）ポリマーマトリックス；および
（ｂ）ネマチック液晶ドロップレット
を含むとともに成分（ｂ）が前記ポリマーマトリックスに分散されてなり、
記憶された光学データを有する前記データ記憶材料に、前記データ記憶材料内のネマチック液晶ドロップレットの配向子が整列したゾーンから、配向子が非整列なゾーンと比較して検知可能な程度に大きい強度の蛍光を生じさせるために十分な波長および出力を有するコヒーレントな偏光を感光させ、
前記配向子が整列したゾーンからの蛍光を検知することを特徴とする三次元光学データ記憶装置から光学データを読み出す方法。
【請求項３３】
前記データ記憶材料が、前記ポリマーマトリックスに分散された感光材料をさらに含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記データ記憶材料が、前記ポリマーマトリックスに分散された可塑剤をさらに含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
ポリマーマトリックスが、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニルまたはポリビニルカルバゾールを含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
ネマチック液晶ドロップレットが、Ｅ４９、Ｅ４４およびＥ７から選ばれることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
感光材料が、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノンおよびバックミンスターフラーレンから選ばれることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３８】
可塑剤が、Ｎ−エチルカルバゾール、蟻酸イソブチルおよびイソブチル酸メチルから選ばれることを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３９】
前記データ記憶材料が、約１０〜約７０重量％のポリマーマトリックスと、
約２０〜約９０重量％のネマチック液晶ドロップレットと、
約５重量％以下の感光材料とを含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４０】
前記データ記憶材料が、約４０重量％以下の可塑剤をさらに含むことを特徴とする請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記データ記憶装置が、その上にまたはそれについて前記データ記憶材料が位置する基材をさらに含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４２】
前記基材が前記データ記憶材料を保護するように囲むとともに、該基材の少なくとも一部が、前記データ記憶材料への紫外、可視および赤外放射および該データ記憶材料からの紫外、可視および赤外放射を透過することを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記偏光の波長が約５００〜約１０００ｎｍであることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４４】
前記偏光の波長が約５００〜約９５０ｎｍであることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４５】
前記偏光の波長が約９００ｎｍであることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４６】
前記偏光の出力が約１０〜約１００ｍＷであることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４７】
前記偏光の出力が約２０〜約６０ｍＷであることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４８】
前記偏光の出力が約３０ｍＷであることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４９】
前記偏光が超短パルスレーザにより与えられることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項５０】
前記蛍光を光電子増倍管、ＣＣＤカメラ、フォトダイオードまたは分割フォトダイオード検知器で検知することを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項５１】
三次元光学データ記憶装置におけるデータ記憶材料が、以下の成分：
（ｃ）ポリマーマトリックス；および
（ｄ）ネマチック液晶ドロップレット
を含むとともに成分（ｂ）が前記ポリマーマトリックスに分散されてなり、
前記データ記憶材料内におけるビットデータが記憶されたゾーンに、
前記ビットデータを記憶するために使用したコヒーレントな偏光の方向に対して約３０〜約１５０度の角度で回転され、前記データ記憶材料内の光照射されたゾーンにおける前記ネマチック液晶ドロップレットの、光照射されたゾーンの配向子を再整列するために十
分な波長および出力を有するコヒーレントな偏光を感光させ、
この回転された光が、以前に書き込まれていた前記ビットデータを消去することを特徴とする三次元光学データ記憶装置からビット光学データを消去して新しいデータを上書きする方法。
【請求項５２】
前記データ記憶材料が、前記ポリマーマトリックスに分散された感光材料をさらに含むことを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
前記データ記憶材料が、前記ポリマーマトリックスに分散された可塑剤をさらに含むことを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項５４】
ポリマーマトリックスが、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニルまたはポリビニルカルバゾールを含むことを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項５５】
ネマチック液晶ドロップレットが、Ｅ４９、Ｅ４４およびＥ７から選ばれることを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項５６】
感光材料が、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノンおよびバックミンスターフラーレンから選ばれることを特徴とする請求項５２に記載の方法。
【請求項５７】
可塑剤が、Ｎ−エチルカルバゾール、蟻酸イソブチルおよびイソブチル酸メチルから選ばれることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５８】
前記データ記憶材料が、約１０〜約７０重量％のポリマーマトリックスと、
約２０〜約９０重量％のネマチック液晶ドロップレットと、
約５重量％以下の感光材料とを含むことを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項５９】
前記データ記憶材料が、約４０重量％以下の可塑剤をさらに含むことを特徴とする請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】
前記データ記憶装置が、その上にまたはそれについて前記データ記憶材料が位置する基材をさらに含むことを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項６１】
前記基材が前記データ記憶材料を保護するように囲むとともに、該基材の少なくとも一部が、前記データ記憶材料への紫外、可視および赤外放射および該データ記憶材料からの紫外、可視および赤外放射を透過することを特徴とする請求項６０に記載の方法。
【請求項６２】
前記回転された光の波長が約８００〜約１０００ｎｍであることを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項６３】
前記回転された光の波長が約８５０〜約９５０ｎｍであることを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項６４】
前記回転された光の波長が約９００ｎｍであることを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項６５】
前記回転された光の出力が約１０〜約１００ｍＷであることを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項６６】
前記回転された光の出力が約２０〜約６０ｍＷであることを特徴とする請求項５１に記
載の方法。
【請求項６７】
前記回転された光の出力が約３０ｍＷであることを特徴とする請求項５１に記載の方法。
【請求項６８】
前記偏光が超短パルスレーザにより与えられることを特徴とする請求項５１に記載の方法。