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【手続補正書】
【提出日】平成17年2月10日(2005.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部保持部材と、ピストンと、第１の端部が該上部保持部材に固定され下側の端部が該ピストンに固定されたエラストマーのスリーブと、減衰機構とを備えた空気ばねにおいて、
前記減衰機構は、上部の容積可変チャンバと、下部の容積可変チャンバと、二つの該容積可変チャンバを連通する流路とを有し、減衰液が該減衰機構内に充填されていることを特徴とする空気ばね。
【請求項２】
前記下部の容積可変チャンバは前記ピストン内に配置され、前記上部の容積可変チャンバは、前記固定されたエラストマーのスリーブによって形成されたチャンバ内に配置されている、請求項１に記載の空気ばね。
【請求項３】
前記減衰液は、前記エラストマーのスリーブ内の周囲の空気圧よりも高い圧力を有している、請求項１に記載の空気ばね。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の空気ばねは、上部保持部材と、ピストンと、第１の端部が上部保持部材に固定され下側の端部がピストンに固定されたエラストマーのスリーブと、減衰機構とを備えている。減衰機構は、上部の容積可変チャンバと、下部の容積可変チャンバと、二つの容積可変チャンバを連通する流路とを有し、減衰液が減衰機構内に充填されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の他の形態では、下部の容積可変チャンバはピストン内に配置され、上部の容積可変チャンバは、固定されたエラストマーのスリーブによって形成されたチャンバ内に配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の輪が固定され、回転する他方の輪がクラッチ装置の回転部材に当接するようになっているクラッチレリーズ軸受と、ガイド軸上に摺動自在に嵌合された軸受保持部材と、該軸受保持部材に対して、該クラッチレリーズ軸受の一方の輪を半径方向に移動可能となるよう保持する連結部材と、入力部材から受けた力を前記軸受保持部材のフランジ部に伝達するアンビル部材とからなっているクラッチレリーズ軸受装置において、
前記軸受保持部材のフランジ部は、少なくとも前記アンビル部材が力を受ける面の背後に、肉盛り部を形成してなるクラッチレリーズ軸受装置。
【請求項２】
前記肉盛り部の高さが、前記肉盛り部以外のベース面より０．１〜０．５ｍｍ高くなっている請求項１に記載のクラッチレリーズ軸受装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数のパリティセグメントを計算するよう構成されたパリティ計算モジュールを提供するステップであって、該パリティ計算モジュールは、該パリティセグメントの該計算に使用されるデータを局所的に保持するよう構成された１つまたは複数のローカルメモリ・コンポーネントを備えており、該ローカルメモリ・コンポーネントは、パリティ係数を保持する、ステップと、
前記パリティ計算モジュールが、
前記パリティセグメントを計算するのに使用される１つまたは複数のデータセグメントを受け取り、
前記パリティセグメントを計算するのに使用される１つまたは複数のパリティ係数を受け取り、
前記データセグメントおよび前記パリティ係数を演算して、中間計算結果を生成し、
前記中間計算結果を、１つまたは複数のローカルバッファに書き込み、
関連づけられたクロックの１クロックサイクル中に、（ａ）前記ローカルバッファからの前記中間計算結果、（ｂ）１つまたは複数の追加のデータセグメント、および（ｃ）１つまたは複数の追加のパリティ係数を受け取り、該受け取った中間計算結果、追加のデータセグメント、および追加のパリティ係数を演算して、前記ローカルバッファに格納される結果を生成する、ステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記パリティ計算モジュールは、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ローカルバッファは、ＳＲＡＭを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記パリティ計算モジュールは、特定用途向け集積回路を含み、前記ローカルバッファは、ＳＲＡＭを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ローカルメモリ・コンポーネントは、前記パリティ係数にアクセスするのに使用されるタスク記述ブロックを保持する、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
さらに、
前記ローカルメモリ・コンポーネントに保持される前記タスク記述ブロックに含まれるアドレス情報を更新するステップを含む、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）を備えるパリティセグメント計算モジュールであって、
該特定用途向け集積回路は、さらに、
中間計算結果を保持する１つまたは複数の結果バッファと、
データセグメントおよび該データセグメントに関連する係数を受け取り、該受け取ったデータセグメントおよび係数を演算して、前記結果バッファに書き込まれることのできる中間計算結果を生成するよう構成された、１つまたは複数の数学的演算子コンポーネントと、
前記特定用途向け集積回路に前記係数を局所的に保持するよう構成された１つまたは複数のメモリ・コンポーネントと、
１つまたは複数のフィードバックラインであって、それぞれのラインは、関連する前記結果バッファおよび前記数学的演算子コンポーネントの間を結合し、前記中間計算結果を、パリティセグメントを計算するのに用いるために、前記数学的演算子コンポーネントに提供する、フィードバックラインと、
を備える、パリティセグメント計算モジュール。
【請求項８】
前記結果バッファは、少なくとも１つのＳＲＡＭを備える、
請求項７に記載のパリティセグメント計算モジュール。
【請求項９】
前記結果バッファは、複数のＳＲＡＭを備える、
請求項７に記載のパリティセグメント計算モジュール。
【請求項１０】
前記結果バッファは、２つのＳＲＡＭを備える、
請求項７に記載のパリティセグメント計算モジュール。
【請求項１１】
前記メモリ・コンポーネントは、前記係数にアクセスするのに使用される少なくとも１つのタスク記述ブロックを保持する、
請求項７に記載のパリティセグメント計算モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月14日(2004.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下記一般式（Ｘ）で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、
及び（ｂ）活性放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型電子線、Ｘ線又はＥＵＶ用レジスト組成物。
【化１】
2002323768.tif 000001
一般式（Ｘ）中、Ｒ１及びＲ２は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｚは、置換基を有していてもよいフェニル基又は脂環基を表す。ｍは１〜２０の整数を表す。
【請求項２】
請求項１に記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（式中、Ｒ’1〜Ｒ’9は独立して水素、置換もしくは非置換の脂肪族基、例えば、置換もしくは非置換のアルキル基、（例えば、メチル、ヒドロキシメチル、エチル、ｎープロピル，ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル，ｎ−オクチル、ｉｓｏ−プロピル、ｓｅｃ−ブチル，ｔ−ブチル、メトキシメチル、２−メトキシエチル、３−エトキシプロピル又は４−メトキシブチル、ベンジル、フェネチル、ベンゾヒドリル、１−ナフチルメチル、及び３−フェニルブチル）、置換もしくは非置換のシクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル、シクロペンチルメチル、及び２−ノルボニル）、カルボニル又はアルコキシカルボニル（例えば、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシメチル、３−ヒドロキシブチル、カルボキシメチル、２−カルボキシエチル、及び２−（メトキシカルボニル）エチル）、又は置換もしくは非置換のアリール基、例えば、フェニル、４−ヒドロキシフェニル、１−ナフチル、ｐ−トリル、ｍ−エチルフェニル、ｍ−クメニル、メシチル、２，３−キシリル、ｐ−クロロフェニル、ｏ−ブロモフェニル、ｐ−ヒドロキシフェニル、１−ヒドロキシ−２−ナフチル、ｍ−メトキシフェニル、ｐ−エトキシフェニル、ｐ−カルボキシフェニル、ｏ−（メトキシカルボニル）フェニル、ｍ−（エトキシカルボニル）フェニル、及び４−カルボキシ−１−ナフチルである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
Ｒ1及びＲ2が一緒になった場合、Ｒ3及びＲ4が一緒になった場合、複素環は飽和又は不飽和であってよく、酸素、窒素又はイオウ原子を炭素原子に加えて含有することができる。このタイプの有用環としては、以下に限定されないが、２−イミダゾリジンチオン、２−チオキソ−１−イミダゾリジノン（チオヒダントイン）、１，３，−ジヒドロ−２Ｈ−イミダゾール−２−チオン、１，３−ジヒドロ−２Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−チオン、テトラヒドロー２，２−チオキソ−５−ピリミジン、テトラヒドロ−１，３，５−トリアジン−２（１Ｈ）−チオン、ジヒドロ−２−チオキソ−４，６−（１Ｈ，３Ｈ）ピリミジンジオン、ジヒドロ−１，３，５−トリアジン−２，４−（１Ｈ，３Ｈ）−ジオン及びヘキサヒドロジアゼピン−２−チオン環が挙げられる。これらの環は１個以上のアルキル基（炭素数１〜５）、アリール基（中心環系の炭素数６〜１０）、シクロアルキル基（中心環系の炭素数５〜１０）、カルボニルオキシエステル基、ハロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、スルホン酸エステル基、アルキルチオ基、カルボニル基、アルコキシ基、カルボン酸基、スルホン酸基、ヒドロキシアミノ基、スルホ基、ホスホノ基、及び当業者に容易に明らかな他の基で置換することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９５】
例９：
操作Ｂを用いてフォトサーモグラフィ乳剤及び材料を製造した。本例では、ハロゲン化銀粒子は０．１２μｍの平均粒径を有したが、ＰＭＴの代りに０．５ｇの４−ヒドロキシ−６−メチル−１，３，３ａ，７−テトラザインデン（化合物Ｘ−１）の存在下に成長させた。テトラザインデンは、ハロゲン化銀１モル当り０．１２ｇの比率で存在した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】管状結合部材とその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柔軟な管状プラスチックフィルム、管状織布又は管状不織布の内外周面に、グラウト材又は硬化性樹脂を吸着し得る吸着材又は結合し得る結合材を溶着、接着又はニードルパンチング結合して構成されることを特徴とする管状結合部材。
【請求項２】
前記管状プラスチックフィルムをポリエチレン、ポリプロピレン又はポリウレタンで構成したことを特徴とする請求項１記載の管状結合部材。
【請求項３】
前記管状織布又は管状不織布をポリエステルファイバー、ポリプロピレンファイバー、ナイロンファイバー又はテープ状ポリプロピレンで構成したことを特徴とする請求項１記載の管状結合部材。
【請求項４】
前記吸着材をポリエステル、ビニロン、アクリル又はポリプロピレンのファイバーから成る不織布、マジックテープ（登録商標）又は人工芝で構成したことを特徴とする請求項１記載の管状結合部材。
【請求項５】
０．０１ＭＰａ〜０．２ＭＰａの内圧を作用させたときの外径が管路の内径よりも３％以上小さい値に維持されることを特徴とする請求項１記載の管状結合部材。
【請求項６】
外表面に流体輸送ホースを取り付けたことを特徴とする請求項１記載の管状結合部材。
【請求項７】
柔軟なシート状プラスチックフィルム、シート状織布又はシート状不織布の内外周面に、グラウト材又は硬化性樹脂を吸着し得る吸着材又は結合し得る結合材を溶着、接着又はニードルパンチング結合してシート状部材を製作し、該シート状部材を管状に丸めてその端部同士を接合して管状結合部材を製造することを特徴とする管状結合部材の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、管ライニング材と管路とを強固に結合するための管状結合部材とその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、管路と管ライニング材を強固に結合させることができる管状結合部材とその製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、管状結合部材とグラウト材によって管ライニング材と管路内壁が強固に結合されるため、管体のジョイント部を除く本体部分は健全であるが、ジョイント部が不良であるために管路全体の状態が悪化しているような場合であっても、管ライニング材に作用する負荷を管体のジョイント部を除く健全な本体部分に負担させることができ、管ライニング材自体が負担すべき負荷が減少するためにその板厚を小さく抑えることができ、該管ライニング材のコストダウンを図ることができるという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラスチックパイプの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性樹脂を含浸して成る管状樹脂吸着材を流体圧によって管状に押し広げた状態で該管状樹脂吸着材に含浸された硬化性樹脂を硬化させることによって、管路全長よりも長さが短く、管路内径よりも小さな外径を有するプラスチックパイプを得ることを特徴とするプラスチックパイプの製造方法。
【請求項２】
前記管状樹脂吸着材を管路の入口部に導入し、該管状樹脂吸着材の内部にインライナーを流体圧によって反転挿入し、該インライナーの内部に流体圧を作用させて管状樹脂吸着材を管状に押し広げることを特徴とする請求項１記載のプラスチックパイプの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、老朽化した管路の内周面にライニングを施して該管路を更生したり、シールド工法や推進工法等によって構築されたコンクリート製又は金属製管路を防食するための管ライニング工法に用いられるプラスチックパイプの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、大口径で長大な管路に対しても作業性良く短時間でライニングを施してこれを更生或は防食処理することができる管ライニング工法に用いられるプラスチックパイプの製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子炉圧力容器（１０）がシュラウド（１４）と、前記シュラウドを貫通するスパージャＴボックス（２６、２８）と、少なくとも１つのスパージャノズル（１４２）を有し前記スパージャＴボックスに結合する複数のスパージャ散水ヘッダパイプ（３０）と、降水パイプ（２２、２４）とを具備し、降水パイプカップリング（５２）と、スパージャＴボックスクランプ（５４）とを具備する炉心スプレースパージャＴボックス装着アセンブリ（５０）において、前記降水パイプカップリングは、
第１の端部（５８）と、第２の端部（６０）とを有し、前記第１の端部は降水パイプに結合するように構成され、前記第２の端部からはフランジ（６２）が延出している円筒形の外側ハウジング（５６）と、
ねじ山が形成された軸方向の孔（６８）が貫通している中心部分（６６）と、
前記外側ハウジングの内面（７２）から前記中心部分へ延出する複数の羽根（７０）と、
前記中心部分の前記軸方向の孔と螺合し、前記降水パイプカップリングを前記スパージャＴボックスクランプに結合する引き締めボルト（７４）とを具備する装着アセンブリ（５０）。
【請求項２】
前記スパージャＴボックスクランプ（５４）は、
引き締めボルト開口部（７８）を具備するアンカ（７６）と、
前記アンカに結合し、互いにほぼ整列されており、各々が、ねじ山が形成された貫通する止めボルト開口部（１００）を具備する第１及び第２のクランプブロック（８８、９０）と、
前記第１のクランプブロックに結合する第１のクランプ要素（１０８）及び前記第２のクランプブロックに結合する第２のクランプ要素（１１０）と、
前記第１及び第２のクランプブロックの前記止めボルト開口部をそれぞれ貫通する第１及び第２の止めボルト（１０２）とを具備する請求項１記載の装着アセンブリ（５０）。
【請求項３】
複数の調整ねじ（１４６）によって前記アンカ（７６）に結合されたシールプレート（１４４）を更に具備し、前記シールプレートは複数の調整ねじ開口部（１４８）と、前記引き締めボルト（７４）を受け入れるような大きさに形成された引き締めボルト開口部（７８）とを具備し、前記アンカは、それを貫通し、ねじ山が形成された複数の調整ねじ開口部（１５４）を更に具備する請求項２記載の装着アセンブリ（５０）。
【請求項４】
前記調整ねじ（１４６）の各々の末端部（１５４）は周囲溝（１５６）を具備し、前記調整ねじの各々はダボピン（１５８）により前記シールプレート（１４４）に結合されており、前記ダボピンの少なくとも一部は前記シールプレートの調整ねじ開口部（１４８）に侵入し且つ前記調整ねじ溝と境を接するように位置決めされる請求項３記載の装着アセンブリ（５０）。
【請求項５】
前記アンカ（７６）はその面（８２）から延出する複数の脚部（８０）を更に具備し、前記複数の脚部はシュラウド（１４）の内面（８４）と係合するように構成されている請求項２記載の装着アセンブリ（５０）。
【請求項６】
原子炉の原子炉圧力容器（１０）の炉心スプレー配管システムにおいて、
炉心スプレーノズル（４４）と、
前記炉心スプレーノズルに結合する降水パイプ（２２、２４）と、
内面（８４）及び外面を有するシュラウド（１４）と、
前記シュラウドを貫通し、前記シュラウドの外面に、前記シュラウドを貫通している部分と同心の溝（６４）が形成されているスパージャＴボックス（３２）と、
前記スパージャＴボックスに結合し、少なくとも１つのスパージャノズル（１４２）を具備する複数のスパージャ散水ヘッダパイプ（３０）と、
降水パイプカップリング（５２）及びスパージャＴボックスクランプ（５４）を具備するスパージャＴボックス装着アセンブリ（５０）とを具備し、前記降水パイプカップリングは、
第１の端部（５８）と、第２の端部（６０）とを有し、前記第１の端部は降水パイプに結合し、前記第２の端部からはフランジ（６２）が延出している円筒形の外側ハウジング（５６）と、
ねじ山が形成された軸方向の孔（６８）が貫通している中心部分（６６）と、
前記外側ハウジングの内面（７２）から前記中心部分へ延出する複数の羽根（７０）と、
前記中心部分の前記軸方向の孔と螺合し、前記降水パイプカップリングを前記スパージャＴボックスクランプに結合する引き締めボルト（７４）とを具備する炉心スプレー配管システム。
【請求項７】
前記スパージャＴボックスクランプ（５４）は、
引き締めボルト開口部（７８）を具備するアンカ（７６）と、
前記アンカに結合し、互いにほぼ整列されており、各々が、ねじ山が形成された貫通する止めボルト開口部（１００）を具備する第１及び第２のクランプブロック（８８、９０）と、
前記第１のクランプブロックに結合する第１のクランプ要素（１０８）及び前記第２のクランプブロックに結合する第２のクランプ要素（１１０）と、
前記第１及び第２のクランプブロックの前記止めボルト開口部をそれぞれ貫通する第１及び第２の止めボルト（１０２）とを具備する請求項６記載の炉心スプレー配管システム。
【請求項８】
前記第１及び第２のクランプ要素（１０８、１１０）は、それぞれ、土台部分（１３２、１３４）と、前記土台部分から延出する係合部分（１３６、１３８）とを具備し、前記係合部分はスパージャノズル（１４２）を受け入れるような大きさに形成された少なくとも１つの切り欠き（１４０）を具備する請求項７記載の炉心スプレー配管システム。
【請求項９】
前記第１及び第２の止めボルト（１０２）は円錐形の末端部（１０４）を具備し、且つ前記スパージャ散水ヘッダパイプ（３０）は、前記第１及び第２の止めボルトの前記円錐形の末端部を受け入れるように位置決めされ且つ大きさを定められている円錐形の開口部（１０６）を具備する請求項７記載の炉心スプレー配管システム。
【請求項１０】
前記アンカ（７６）は前記アンカの第２の面（１６８）に矩形の凹部（１６６）を更に具備し、前記引き締めボルト開口部（７８）は前記矩形の凹部に配置されており、前記降水パイプカップリング（５２）は、前記アンカの第２の面にある前記矩形の凹部に受け入れられるように大きさ及び形状を定められた引き締めボルトキーパ（１７０）を更に具備する請求項７記載の炉心スプレー配管システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
許容できないほどの漏れを防止し且つ炉心スプレーシステムが炉心に必要な体積流量を確実に送り出せるように保証するために、スパージャＴボックスに構造上の一体性を与え且つ溶接継ぎ目の１つ以上に欠陥が生じた場合に、それらの継ぎ目を一体に保持するためのクランプシステムを提供することが望ましいであろう。
【特許文献１】特開２０００−２２７４９３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一体に組み立てられた、プラスチック材料製の直線キュベット配列であって、
配列内のすべてのキュベットが同一の形状及び寸法を有し、隣接するキュベットが単一の腕で相互に連結しており、
上記キュベット配列が、
（ａ）個々の上記単一の腕が湾曲した形状を有し、
（ｂ）上記キュベット配列を構成しているすべてのキュベットの対称軸が、上記キュベット配列の対称面である同平面と実質的に同一の平面内にあり、
上記キュベット配列の一の端部にある第１のキュベットと上記キュベット配列の反対側の端部にある第２のキュベットとの間にある中間キュベットの上部は、上記中間キュベットの一方の側に隣接するキュベットに、第１の単一の腕１５によって連結し、中間キュベットの反対側に隣接するキュベットに、第２の単一の腕によって連結していることを特徴とする、直線キュベット配列。
【請求項２】
前記第１及び第２の単一の腕が、任意に、前記対称面を挟んで反対側にあることを特徴とする、請求項１に記載の直線キュベット配列。
【請求項３】
前記キュベット配列が、箔状層を作る第２の選ばれた材料と組み合わせて使用されるのに適する、第１の選ばれたプラスチック材料から作られ、上記層が、個々のキュベットの少なくとも一の開口部を塞ぐために、キュベット配列の個々のキュベットに密接に取り付けられるのに適していることを特徴とする、請求項１に記載の直線キュベット配列。
【請求項４】
上記キュベット配列の少なくとも１つのキュベットは、上記少なくとも１つキュベットをキュベットホルダーの対応する開口部に正確に位置づけるための手段を有する、請求項１〜３の何れか１項に記載の直線キュベット配列。
【請求項５】
上記キュベット配列の少なくとも１つのキュベットは、それと一体をなし、上記キュベットホルダーへ上記少なくとも１つのキュベットを取り外し可能に取り付けるための寄与する手段を有することを特徴とする、請求項１〜４の何れか１項に記載の直線キュベット配列。
【請求項６】
（ａ）各キュベットは、両チャンバーの中心を通る共通の対称軸Ｙ−Ｙを有する、上部チャンバー及び下部チャンバーを有し、
上記上部チャンバー及び下部チャンバーは、各々実質的に円筒状の形状を有し、上部チャンバーの、その中央部における断面は、下部チャンバーの同断面より大きく、
（ｂ）上記下部チャンバーは、開口した下端を有し、
（ｃ）上記上部チャンバーは、開口した上端と、上記上部チャンバーを下部チャンバーに連結している円形の開口部を中央に有する、環状の底面壁とを有し、
上記底面壁の内面は、その断面がキュベットの対称軸Ｙ−Ｙに対して、約８０度の角度を形成している円錐面の一部であり、この結果、上記上部チャンバー１７と上記下部チャンバーとの間で、断面の急激な変化があることを特徴とする、請求項１〜５の何れか１項に記載の直線キュベット配列。
【請求項７】
キュベットを受け入れるための開口部のマトリックス配列を有するキュベットホルダーを含む２次元キュベット配列において、
請求項１に記載の少なくとも１個の直線キュベット配列であって、上記キュベット配列の個々のキュベットが、上記キュベットホルダーの上記開口部の１個に、ぴったりと収まる形状及び寸法を有する直線キュベット配列をさらに含むことを特徴とする、２次元キュベット配列。
【請求項８】
上記キュベットホルダー及び上記少なくとも１個の直線キュベット配列のキュベットは、少なくとも１個の直線キュベット配列を保有する２個以上のキュベットホルダーが、各々のホルダー内で同一の相対的位置を占めるキュベットをそれらの対称軸を一致させて上下に正確に位置づけさせ、上記キュベットの１個が上側キュベットに位置し、他のキュベットが下側キュベットに位置するように、かつ、上側キュベットの下端が、下側キュベットの上部チャンバーの底面壁からの予め決められた距離にあるように、積み重ねることができるような形状及び寸法を有することを特徴とする、請求項７に記載の２次元キュベット配列。
【請求項９】
上記キュベットの、その下端にある開口を塞ぐための、個々のキュベットの下端に取り付けられた箔を更に含むことを特徴とする、請求項７又は８記載の２次元キュベット配列。
【請求項１０】
上記箔がフィルターであることを特徴とする、請求項９記載の２次元キュベット配列。
【請求項１１】
上記箔が透明であることを特徴とする、請求項９記載の２次元キュベット配列。
【請求項１２】
上記箔が、マイクロスポッティング（ｍｉｃｒｏｓｐｏｔｔｉｎｇ）により、上記箔上に沈積した遺伝子又は遺伝子フラグメントを保有することを特徴とする、請求項９記載の２次元キュベット配列。
【請求項１３】
上記キュベットホルダーが、実質的に長方形の形状であり、かつ、上記キュベットホルダーの隅の１つの外面上に各々が位置する、４本の心出しリブを有する、請求項７又は８に記載の２次元キュベット配列。
【請求項１４】
上記キュベットホルダーが、上記２次元キュベット配列が遠心分離機内で使用されるのに適するような形状及び寸法を有する、請求項７又は８記載の２次元キュベット配列。
【請求項１５】
多数の液体試料に対して、拡散又は濾過プロセスを同時に行うためのシステムであって、上記システムが、請求項７から１４のいずれかに記載の１つ以上の２次元キュベット配列を含むことを特徴とする、システム。
【請求項１６】
請求項６〜１３の何れかに記載の第１の２次元キュベット配列と、請求項６〜１３の何れかに記載の第２の２次元キュベット配列とを含む、請求項１５に記載のシステムであって、
上記キュベット配列は相互に積み重ねられており、
上記キュベットホルダー及び上記２次元キュベット配列のキュベットは、各々のホルダー内で同一の相対的位置を占めるキュベットが、それらの対称軸を一致させて上下に正確に位置づけされ、上記キュベットの１個が上側キュベットに位置し、他のキュベットが下側キュベットに位置するように、且つ上側キュベットの下部の一部が下側キュベットの上部チャンバー内にあり、上側キュベットの下端が、下側キュベットの上部チャンバーの底面壁からの予め決められた距離にあるように、積み重ねられるような形状及び寸法を有することを特長とする、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行と列をなし、検出器に衝突する放射線に基づいて信号を生成するように構成された画素アレイと、
各走査ラインが複数の画素行に接続されるように適合された複数の走査ラインと、
前記信号を読み出すために、選択的に前記画素行をそれぞれの走査ラインに接続するマルチプレクス回路を備える撮像システム用検出器。
【請求項２】
複数の画素列に接続された複数の列読出ラインをさらに備えることを特徴とする請求項１の検出器。
【請求項３】
各列読出ラインは２本の画素列に接続されることを特徴とする請求項２の検出器。
【請求項４】
前記マルチプレクス回路は、読み出すための画素行を選択する第１のスイッチセットを備えることを特徴とする請求項１の検出器。
【請求項５】
前記マルチプレクス回路は、読み出すための画素列を選択する第２のスイッチセットを含むことを特徴とする請求項１の検出器。
【請求項６】
各走査ラインは２画素行に接続されることを特徴とする請求項１の検出器。
【請求項７】
前記検出器は、前記画素に接続された複数の列読出ラインを備え、前記画素の数は、走査ラインと列読出ラインの合計ライン数の少なくとも２倍であることを特徴とする請求項１の検出器。
【請求項８】
前記マルチプレクス回路の切り換えを制御する制御回路をさらに備えることを特徴とする請求項１の検出器。
【請求項９】
前記画素の各々は、薄膜トランジスタとフォトダイオードを含むことを特徴とする請求項１の検出器。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の検出器と、
放射線源と、
前記放射線源を制御する制御回路とを具備するデジタル撮像システムであって、
前記検出器は、前記放射線源から放射線を受け取って、それから信号を生成することを特徴とするデジタル撮像システム。
【請求項１１】
前記放射線源はＸ線源であることを特徴とする請求項１０のデジタル撮像システム。
【請求項１２】
前記検出器が生成した信号を受け取って、それに基づいて有用な画像を再生するためのデータ獲得回路をさらに備えることを特徴とする請求項１０のデジタル撮像システム。
【請求項１３】
検出器の離散画素から信号を獲得する方法であって、前記検出器は画素の行と列のマトリクスを含み、各画素は、受け取った放射線に基づいて信号を生成するように構成され、
前記画素の行と列の所望の画素を付勢化用走査ラインに選択的に接続するようにマルチプレクス回路に命令する工程と、
前記所望の行と列の画素から信号を読み出す工程を備える方法。
【請求項１４】
前記走査ラインの各々は、前記マルチプレクス回路を介して複数の画素行に接続されるように適合されることを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記マルチプレクス回路に命令する工程は、読み出すために各走査ラインの画素を所望の画素列に接続するように第１のマルチプレクス回路に命令する工程を含むことを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１６】
前記画素から信号を読み出す工程は、読出ラインの各列に接続された複数の画素列のうちの一つから信号を読み出す工程を含むことを特徴とする請求項１３の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月5日(2004.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に現像剤を担持し搬送する現像剤担持部材において、該現像剤担持部材が、基板、基板表面より平滑な表面を有する中間層、接合層、および電気硬質メッキ層を有し、該接合層がＣｕメッキ層およびＡｌメッキ層から選択されたものであることを特徴とする現像剤担持部材。
【請求項２】
基板が、Ｒｚ（十点平均粗さ）１〜８μｍ又はＲａ（算術均粗さ）０．１〜１．２μｍの表面粗さを有することを特徴とする請求項１に記載の現像剤担持部材。
【請求項３】
基板がアルミニウム、アルミニウム合金又は銅合金から形成されており、ビッカース硬度Ｈｖが４０〜１８０であることを特徴とする請求項１に記載の現像剤担持部材。
【請求項４】
中間層が３〜３０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の現像剤担持部材。
【請求項５】
中間層が無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層であることを特徴とする請求項１に記載の現像剤担持部材。
【請求項６】
電気硬質メッキ層が０．２〜５μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の現像剤担持部材。
【請求項７】
電気硬質メッキ層の厚さが中間層よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の現像剤担持部材。
【請求項８】
接合層の厚さが０．２〜２μｍである請求項１に記載の現像剤担持部材。
【請求項９】
電気硬質メッキ層がＣｒメッキ層であることを特徴とする請求項１に記載の現像剤担持部材。
【請求項１０】
中間層が無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層、および、電気硬質メッキ層がＣｒメッキ層であることを特徴とする請求項１に記載の現像剤担持部材。
【請求項１１】
接合層がＣｕメッキ層であることを特徴とする請求項１０に記載の現像剤担持部材。
【請求項１２】
表面に静電像を形成する静電像担持体、および、該静電像担持体に対向して配置された現像剤を担持し搬送する現像剤担持部材を有する現像装置において、該現像剤担持部材が、請求項１記載の現像剤担持部材であることを特徴とする現像装置。
【請求項１３】
現像剤担持部材の基板が、円筒基板であり、該円筒内に磁界発生手段を有することを特徴とする請求項１２に記載の現像装置。
【請求項１４】
表面に静電像を形成する静電像担持体、および、該静電像担持体に対向して配置された現像剤担持部材を有し、現像剤担持部材上に担持された現像剤を静電像担持体対向部に搬送し、静電像を現像する画像形成装置において、該現像剤担持部材が、請求項１記載の現像剤担持部材であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１５】
現像剤担持部材の基板が、円筒基板であり、該円筒内に磁界発生手段を有することを特徴とする請求項１４に記載の画像形成装置。
【請求項１６】
現像剤担持部材は、周速度が５７０ｍｍ・ｓ-1以上となるよう回転駆動されることを特徴とする請求項１５に記載の画像形成装置。
【請求項１７】
静電像担持体は、アモルファスシリコンを主体とする感光層を有することを特徴とする請求項１５に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面に現像剤を担持し搬送する現像剤担持部材において、該現像剤担持部材が、基板、基板表面より平滑な表面を有する中間層、接合層、および電気硬質メッキ層を有し、該接合層がＣｕメッキ層およびＡｌメッキ層から選択されたものであることを特徴とする現像剤担持部材に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明による現像剤担持部材は中間層と電気硬質メッキ層との密着性向上のために、両層の間に設けられる接合層が実質的に非磁性の層であり、これによって尾引きの問題を解決できたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
従来のＮｉメッキ接合層の場合、Ｎｉが強磁性で、これが原因で尾引きが生じていたものと考えられる。即ち、Ｎｉメッキ接合層は、強磁性であるため、現像剤担持部表面に担持されたトナーの穂の形状に影響を及ぼし、トナーの穂が長いまま静電像担持体にトナーが飛翔するためと考えられる。尾引きは、高速化するほど悪化する。その理由は、トナーが現像剤担持部材近傍において受ける機械的ストレスや摩擦熱が大きくなるために、トナーが凝集しやすくなるためと考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
接合層は、実質的に非磁性の物質で形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
この点で、磁性が極めて弱い銅メッキを、接合層として設けることで、尾引きを抑制しつつ、中間層と電気硬質メッキ層の熱膨張特性の差異に起因する内部残留応力を低減し、現像剤電荷制御層の剥離を防止できる。接合層の磁性を弱めても他の層が磁性を帯びていれば、尾引きは悪化する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明は、接合層を実質的に非磁性の物質で形成することにより、尾引きの問題を解決できたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アドレス信号を所定サイクルで出力するとともに、待機信号に基づいてアドレス信号の出力サイクルを延長するアドレス信号生成部と、
前記アドレス信号に基づいて活性化信号を生成する活性化信号生成部と、
前記活性化信号及び前記アドレス信号に基づいて書き込み動作あるいは読み出し動作を行うメモリ領域と、
前記活性化信号に基づいて、前記待機信号を生成する待機信号生成部と
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
アドレス信号を更新して出力するとともに、待機信号に基づいてアドレス信号の更新を停止するアドレス信号生成部と、
前記アドレス信号に基づいて活性化信号を生成する活性化信号生成部と、
前記活性化信号及び前記アドレス信号に基づいて書き込み動作あるいは読み出し動作を行うメモリ領域と、
前記活性化信号に基づいて前記待機信号を生成する待機信号生成部と
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
前記アドレス信号をデコードして前記活性化信号生成部に出力するアドレスデコーダを備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記待機信号生成部は、
前記活性化信号に基づいて待機信号を活性化させ、該活性化された待機信号に基づいて該活性化された待機信号を不活性化させることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記アドレス信号生成部の動作クロック信号の周波数が所定周波数以上であるか否かを判定し、判定結果を前記待機信号生成部に出力する周波数判定回路を備えたことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
所定のアクセス回数分のアドレス信号を生成して連続して出力するとともに，前記アクセス回数値を出力するアドレス信号生成部と、
前記アドレス信号をデコードしてデコード信号を出力するアドレスデコーダと、
前記アドレス回数値の入力に基づいて活性化信号を出力するとともに、前記デコード信号に基づいてアクセス回数をカウントし、該アクセス回数が該アクセス回数値と一致したときに該活性化信号の出力を停止するアクセス回数判定部と、
前記活性化信号及び前記アドレス信号に基づいて、書き込み動作あるいは読み出し動作を行うメモリ領域と
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
前記アクセス回数判定部は、
前記アクセス回数をカウントするカウンタ回路を備え、
前記カウンタ回路のカウント値が所定値となったとき、前記活性化信号の出力を停止することを特徴とする請求項６記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
図１は、請求項１の原理説明図である。すなわち、アドレス信号生成部４は、アドレス信号Ａｄｄを所定サイクルで出力するとともに、待機信号ＷＡＩＴに基づいてアドレス信号Ａｄｄの出力サイクルを延長する。
活性化信号生成部６は、前記アドレス信号Ａｄｄに基づいて活性化信号ＣＳを生成する。メモリ領域１は、前記活性化信号ＣＳ及び前記アドレス信号Ａｄｄに基づいて書き込み動作あるいは読み出し動作を行う。待機信号生成部３は、前記活性化信号ＣＳに基づいて、前記待機信号ＷＡＩＴを前記アドレス信号生成部３に出力する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、図４に示す構成では、アドレス信号生成部は、あらかじめ設定されたアクセス回数分のアドレス信号を生成して連続して出力するとともに、前記アドレス信号の出力に先立って、前記アクセス回数値を出力する。アドレスデコーダは、前記アドレス信号をデコードしてデコード信号を出力する。アクセス回数判定部は、前記アドレス回数値の入力に基づいて活性化信号を出力するとともに、前記デコード信号の入力に基づいてアクセス回数をカウントし、該アクセス回数が前記アクセス回数値と一致したとき、前記活性化信号の出力を停止する。メモリ領域は、前記活性化信号及び前記アドレス信号に基づいて、書き込み動作あるいは読み出し動作を行う。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
上記実施の形態は、次に示すように変更することもできる。
・第一の実施の形態において、メモリ領域は一つとし、アドレスデコーダ、活性化信号生成部及び待機信号生成部を一つのメモリ領域に対応するように構成してもよい。
・第二の実施の形態において、メモリ領域を複数とし、アドレスデコーダ及びレジスタを複数のメモリ領域に対応するように構成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】商品情報提供システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利用者に対して、商品に関する商品情報を提供する商品情報提供システムにおいて、
当該ＩＣメモリの識別子が記録されたＩＣメモリが装着され、広告対象の商品が表示された広告媒体と、
前記利用者の操作に応じて、前記ＩＣメモリから前記識別子を読み出す読み出し手段と、読み出された前記識別子を送信する送信手段とを有する携帯型情報端末と、
予め識別子毎に、広告に対応する商品の商品情報を対応付けて記憶している記憶装置と、前記携帯型情報端末から識別子を受信する受信手段と、受信した前記識別子に対応する商品情報を前記記憶装置から検索する検索手段と、前記携帯型情報端末に検索された前記商品情報を送信する送信手段とを有する商品情報提供装置とを
備えたことを特徴とする商品情報提供システム。
【請求項２】
請求項１に記載の商品情報提供システムにおいて、
さらに、商品の販売のための情報処理を実行する商品販売処理システムを備え、
前記携帯型情報端末の送信手段は、前記利用者の操作に応じて、前記商品情報提供装置へ、前記広告媒体に表示された商品の購入要求を送信し、
前記商品情報提供装置は、前記受信手段で前記購入要求を受信した場合、前記購入要求を、前記商品販売処理システムに通知する決済処理連携手段を有し、
前記商品販売処理システムは、前記購入要求に応じた商品の引当処理を実行する手段を有することを特徴とする商品情報処理システム。
【請求項３】
利用者が利用する利用者端末とネットワークを介して接続され、前記利用者端末に対して、商品に関する商品情報を提供するための商品情報提供装置において、
予め識別子毎に、広告に対応する商品の商品情報を対応付けて記憶している記憶装置と、
前記利用者端末により、前記利用者の操作に応じて読み出された、広告対象の商品が表示された広告媒体に装着されたＩＣメモリに記録された識別子を受信する受信手段と、
受信した前記識別子に対応する商品情報を前記記憶装置から検索する検索手段と、
前記携帯型情報端末に、検索された前記商品情報を送信する送信手段とを有する商品情報提供装置。
【請求項４】
請求項３に記載の商品情報提供装置において、
さらに、商品の販売のための情報処理を実行する商品販売処理システムとネットワークを介して接続する決済処理連携手段を有し、
前記受信手段は、前記利用者端末から、前記広告媒体に表示された商品の購入要求を受信し、
前記決済処理連携手段は、前記購入要求に応じた商品の引当処理を実行する指示を前記商品販売処理システムに通知することを特徴とする商品情報提供装置。
【請求項５】
請求項３または４のいずれかに記載の商品情報提供装置において、
前記識別子は、前記広告媒体の識別子、前記商品の識別子および前記商品のホームページのアドレスのいずれかであることを特徴とする商品情報提供装置。
【請求項６】
請求項３または４のいずれかに記載の商品情報提供装置において、
前記識別子は、前記商品のホームページのアドレスであり、
前記送信手段は、前記ホームページの内容を送信することを特徴とする商品情報提供装置。
【請求項７】
請求項３または４のいずれかに記載の商品情報提供装置において、
前記受信手段は、前記利用者端末から認証用コードデータを受信し、
ＩＣメモリ毎に設けられ、当該ＩＣメモリの認証を行うための認証コードデータを記憶する認証用コードデータ記憶装置と、
送信された前記認証用コードデータが、前記認証用コードデータ記憶装置に含まれるかを確認する手段とを有することを特徴とする商品情報提供装置。
【請求項８】
請求項７に記載の商品情報提供装置において、
前記認証コードデータは、前記識別子に基づいて生成されることを特徴とする商品情報提供装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月14日(2004.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応媒体中の３価のアクチノイドと３価のランタノイドの選択的分離方法において、反応媒体が過テクネチウム酸イオンを含有する水性媒体であることを特徴とする方法。
【請求項２】
過テクネチウム酸イオンは０．０１〜０．５モル／ｌの濃度で存在する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
過テクネチウム酸イオンは過テクネチウム酸アンモニウム又は過テクネチウム酸の形で供給される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
アクチノイドとランタノイドを含有する水性媒体を抽出剤を含有する有機溶媒と接触させて、アクチノイドの選択的抽出を行い、アクチノイドに富んだ有機抽出相と、ランタノイドに富んだ水性抽出相を得る、請求項１記載の方法。
【請求項５】
抽出剤は窒素供与原子のみ又は窒素供与原子と酸素供与原子とを含む中性抽出剤である、請求項４記載の方法。
【請求項６】
抽出剤は親油性の２，４，６−トリス（２−ピリジル）−１，３，５−トリアジン（ＴＰＴＺ）、ピコリンアミド及びこれらの誘導体から選択される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
ピコリンアミドは下記の式（ＩＩ）：
【化１】
1998115695.tif 000001
（式中、Ｒ、Ｒ′、Ｒ″は同一又は異なるもので、水素原子又は炭素原子数が１〜１５の直鎖状又は分岐状のアルキル基又は疎水性／親油性を生じる基であって、ＣＨＯＮ原則に関係している基、即ち炭素原子、水素原子、窒素原子及び酸素原子から選択された原子のみからなる基を表わす）の化合物である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
ピコリンアミドはジブチルメチルピコリンアミド（ＤＢＭＰＣ）とＮ−Ｎ−ジヘキシルピコリンアミド（ＤＨＰＣ）から選択される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
有機溶媒は更にニトロベンゼン、ニトリル、脂肪族カーバイド及びこれらの混合物から選択される有機希釈剤を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
抽出剤濃度が０．５〜１．５モル／ｌの溶媒である、請求項４記載の方法。
【請求項１１】
水性媒体と有機溶媒の体積比は０．１〜１０である、請求項４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月12日(2004.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【関連出願】本出願は、特開平１０−３８２７６号、及び特開平特開平１０−７６３３５号に関連し、その記載をここに参考にする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
冷却用特徴部の配置及び厚さの精度がセラミック型芯鋳造よりもかなり高いので、ここに参考に挙げる特許文献１及び特許文献２に記載されているパウダー・フォイル法（ｐｏｗｄｅｒ ｆｏｉｌ ｐｒｏｃｅｓｓ）が壁寸法の公差をかなり減少するであろう。これらの性能は翼とは異なる円筒形に出来る燃焼器、又遷移部材のようなより不規則形状の構成部材を作る場合に又重要である。これらの構造では、鍛練用合金を用いることが出来るが、かなりの（衝突スリーブのような）冷却特徴部の鑞接且つ／又溶接を要する。これら冷却特徴部の配置の精度並びに溶接中の強超合金の機械的挙動を維持すること及び構造的破損を避けることは、考慮しなければならない材料に対する厳しい制限となるであろう。
【特許文献１】米国特許第５，４２７，７３６号
【特許文献２】米国特許第５，４８０，４６８号