【手続補正書】
【提出日】平成15年8月20日(2003.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の無機材料の第１の層を成膜する工程と、
前記第１の無機材料と第２の無機材料との合金は同第１の材料又はいずれの前記第２の材料の融点よりも低い融点を有するように、１つ以上の前記第２の無機材料の１つ以上の層を前記第１の層上に成膜する工程と、
前記層を像により露光することによって、露光されなかった領域では複数の層からなるとともに、露光された領域では前記第１の無機材料と前記１つ以上の第２の無機材料との合金からなる合成材料からなる連続した層を形成する工程とからなる、無機パターン層を形成するための方法。
【請求項２】
前記合成材料が前記層のいずれとも異なるエッチング特性を有するエッチャントにおいて、前記像に従って露光された層をエッチングする工程からなる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記合成材料は、前記露光されなかった材料のいずれとも異なる光学的透過特性を有する請求項１，２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記合成材料は、前記露光されなかった材料のうちのいずれとも異なる光学的特性を有することにより光学的照射による照明で視認可能な可視像を前記レジスト表面に形成する請求項１，２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の無機材料及び前記第２の無機材料はそれぞれ金属であり、前記合成材料は前記第１及び第２の無機材料の共晶合金である請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記共晶合金は３００℃未満の融点を有する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記共晶合金は、前記第１及び第２の無機材料のそれぞれを少なくとも５％含有する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記像に従って露光する工程は、前記第１及び第２の無機材料が酸素、窒素、又は酸素及び窒素の両方と反応することを可能とし、前記合成材料は前記第１の無機材料及び１つ以上の前記第２の無機材料の合金の１つ以上の酸化物、窒化物、又は水素化物からなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記露光は周囲ガスとの反応を生じさせる請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記像による露光は１００ミクロン未満の波長を有した直接照射により行われる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記像による露光は１０ｎｍ〜１００ミクロンの範囲内の波長を有した直接照射により行われる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記像による露光は、電子又はイオンの直接粒子ビームにより行われる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記合成材料はＡｓＰｂ，ＢｉＣｄ，ＢｉＣｏ，ＢｉＩｎ，ＢｉＰｂ，ＢｉＳｎ，ＢｉＺｎ，ＣｄＩｎ，ＣｄＰｂ，ＣｄＳｂ，ＣｄＳｎ，ＣｄＴｌ，ＣｄＺｎ，ＧａＩｎ，ＧａＭｇ，ＧａＳｎ，ＧａＺｎ，ＩｎＳｎ，ＩｎＺｎ，ＭｇＰｂ，ＭｇＳｎ，ＭｇＴｌ，ＰｂＰｄ，ＰｂＰｔ，ＰｂＳｂ，ＰｂＳｎ，ＳｂＴｌ，ＳｅＴｌ，ＳｎＴｌ，ＳｎＺｎからなるグループから選択された２元合金からなる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
像による露光は前記層の選択された領域を前記第１の無機材料又は前記第２の無機材料のいずれかの融点よりも低い温度に加熱する工程からなる請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記合成材料はほぼ透明であり、前記露出されない領域は第１の波長の範囲にある波長を有した光をほぼ透過しない請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記層に対して像による露光を行う前に同層の上方に透明な保護オーバーコートを塗布する工程からなる請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記オーバーコートは架橋ポリマからなる請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の方法によって形成されたフォトマスク。
【請求項１９】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法によって形成されたパターンマスク。
【請求項２０】
複数の材料の複数の層と、同複数の層は基板上にある第１の材料の少なくとも第１の層、及び同第１の層上にある第２の材料の第２の層を有することとからなる感熱無機レジストにおいて、
前記複数の層の材料は共晶合金を有し、
前記層は複数の層の材料を合金化させることが前記共晶合金の組成に近い組成を生じるような厚さを有し、及び
前記レジストの選択された領域を加熱することによる同感熱無機レジストの像による露光は、前記層の材料が前記選択領域において新しい組成物を生成すべく反応している連続層を生成するとともに、前記選択領域の外側では前記第１及び第２の材料の複数の層が保持されている、感熱無機レジスト。
【請求項２１】
前記第１の層と前記基板との間に保護層を有する請求項２０に記載の感熱無機レジスト。
【請求項２２】
前記保護層はアモルファス炭素材料の層からなる請求項２１に記載の感熱無機レジスト。
【請求項２３】
前記第１及び第２の材料は１対の金属からなる請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の感熱無機レジスト。
【請求項２４】
前記一対の金属はＡｓＰｂ，ＢｉＣｄ，ＢｉＣｏ，ＢｉＩｎ，ＢｉＰｂ，ＢｉＳｎ，ＢｉＺｎ，ＣｄＩｎ，ＣｄＰｂ，ＣｄＳｂ，ＣｄＳｎ，ＣｄＴｌ，ＣｄＺｎ，ＧａＩｎ，ＧａＭｇ，ＧａＳｎ，ＧａＺｎ，ＩｎＳｎ，ＩｎＺｎ，ＭｇＰｂ，ＭｇＳｎ，ＭｇＴｌ，ＰｂＰｄ，ＰｂＰｔ，ＰｂＳｂ，ＰｂＳｎ，ＳｂＴｌ，ＳｅＴｌ，ＳｎＴｌ，ＳｎＺｎからなるグループから選択される、請求項２３に記載の感熱無機レジスト。
【請求項２５】
前記一対の金属はＢｉＩｎである請求項２３に記載の感熱無機レジスト。
【請求項２６】
前記共晶合金は３００℃未満の融点を有する請求項２０〜２５のいずれか一項に記載の感熱無機レジスト。
【請求項２７】
前記共晶合金は前記第１及び第２の材料とは異なるエッチング特性を有する請求項２０〜２６のいずれか一項に記載の感熱無機レジスト。
【請求項２８】
基板上に第１の材料の第１の層を成膜する工程と、
前記第１の無機材料と第２の無機材料との合金は同第１の材料又はいずれの前記第２の材料の融点よりも低い融点を有するように、１つ以上の前記第２の無機材料の１つ以上の層を前記第１の層上に成膜する工程と、
露光された領域に合成材料を生成すべく前記層を像によって露光する工程とからなり、前記合成材料は前記第１の無機材料及び１つ以上の前記第２の無機材料の合金からなる、無機パターン層の形成方法。
【請求項２９】
前記共晶合金は前記第１及び第２の無機材料のうちの１つを少なくとも５％含有する請求項６に記載の方法。
【請求項３０】
前記像による露光は１５０ｎｍ以下の波長を有する光の直接照射によって行われる請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
複数の材料の複数の層と、同複数の層は基板上にある第１の材料の少なくとも第１の層、及び同第１の層上にある第２の材料の第２の層を有することとからなる感熱無機レジストにおいて、
前記複数の層の材料は共晶合金を有し、
前記層は複数の層の材料を合金化させることが前記共晶合金の組成に近い組成を生じるような厚さを有し、及び
前記レジストの選択された領域を加熱することによる同感熱無機レジストの像による露光は、前記層の材料が前記選択領域において新しい組成物を生成するとともに、前記選択領域の外側では前記第１及び第２の材料の複数の層が保持されている、感熱無機レジスト。