(57)【要約】【課題】  ロウ付けされた半導体装置とプリント配線基板との間隙幅を一定とする際に、ロウの吸い寄せによる接続不良の回避を実現しうるスペーサおよびその製造方法の提供。【解決手段】  電気絶縁性のベース基材と、少なくとも１個のロウ誘導端子とを有するスペーサであって、前記ベース基材の表面が、底面と、上面と、少なくとも１面の側面とで構成され、前記底面と前記上面とが、互いに接しない面であり、前記側面が、前記底面及び前記上面の一方又は両方に接する面であり、前記ロウ誘導端子が、前記底面の一部と、前記上面の一部と、前記側面の一部又は全部とを被覆しており、前記ロウ誘導端子の前記側面を被覆している部分の表面であるロウ誘導面が、前記底面に対して非垂直である、スペーサ。【選択図】図１
2009028463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板とこの基板上に実装される電子部品とのパッド同士を予め決められた量のロウを用いてロウ付けする際にこの実装基板と電子部品との間隙の幅を一定に保つために当該間隙に設置されるスペーサであって、  前記ロウ付けのロウに接合するためのロウ誘導面を有し、  このロウ誘導面は、一端部より他端部を外側に突き出した形状であることを特徴とするスペーサ。
【請求項２】
前記ロウ誘導面とスペーサの面とのなす内角が鋭角であることを特徴とする請求項１に記載のスペーサ。
【請求項３】
前記ロウ誘導面が曲面であることを特徴とする請求項１又は２に記載のスペーサ。
【請求項４】
前記ロウ誘導面が凹曲面であることを特徴とする請求項１又は２に記載のスペーサ。
【請求項５】
前記ロウ誘導面が平担面であることを特徴とする請求項１又は２に記載のスペーサ。
【請求項６】
前記ロウ誘導面を形成する複数の端子を備え、  前記端子に接続する容量素子を内蔵したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のスペーサ。
【請求項７】
前記ロウ誘導面を形成する複数の端子を備え、  前記端子に接続する容量回路を内蔵したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のスペーサ。
【請求項８】
前記容量素子が固体アルミ電界コンデンサであることを特徴とする請求項６に記載のスペーサ。
【請求項９】
前記容量素子がセラミックコンデンサであることを特徴とする請求項６に記載のスペーサ。
【請求項１０】
表面に半導体チップパッドを有する半導体回路チップが、表面にインターポーザパッドを有するインターポーザ上に実装されてなる大規模集積回路であって、  前記インターポーザパッドと前記半導体チップパッドとがロウ付けにより接続され、  前記半導体回路チップと前記インターポーザとの間隙に請求項１乃至９のいずれか一項に記載のスペーサを装備し、  このスペーサのロウ誘導面と前記インターポーザパッドと前記半導体チップパッドとがロウ付けにより接続されたことを特徴とする大規模集積回路。
【請求項１１】
表面にＰＷＢパッドを有するＰＷＢ樹脂の部分を有し、表面に子ボードパッドを有する子ボードを実装したプリント配線基板であって、  前記ＰＷＢパッドと前記子ボードパッドとがロウ付けにより接続され、  前記子ボードの接続位置の間隙に請求項１乃至９のいずれか一項に記載のスペーサを装備し、  このスペーサのロウ誘導面と前記ＰＷＢパッドと前記子ボードパッドとがロウ付けにより接続されたことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項１２】
ベース基材に対し、一方の開口面積と他方の開口面積とが異なる貫通孔を形成し、  この孔の内部表面に金属端子を被覆し、  この孔を分断するように前記ベース基材を切断することを特徴とするスペーサ製造方法。
【請求項１３】
前記孔の内部表面に金属端子を被覆するに際しては、  前記孔を形成されたベース基材の表面に前記金属端子を被覆する部分が開口したマスクを形成し、  このマスクを有するベース基材に対して金属膜を塗布し、  このベース基材から前記マスクとともに当該マスク表面に付された金属膜を除去することを特徴とする請求項１２に記載のスペーサ製造方法。
【請求項１４】
前記ベース基材に孔を形成した後で、この孔の内部表面に金属端子を被覆する前に、  前記孔が形成されたベース基材に熱酸化処理を施してその表面に電気絶縁性を有する酸化膜を形成することを特徴とする請求項１２又は１３に記載のスペーサ製造方法。
【請求項１５】
前記ベース基材を切断した後に、切断されたベース基材を熱酸化処理してその切断面に電気絶縁性を有する酸化膜を形成することを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載のスペーサ製造方法。
【請求項１６】
前記孔の内部表面に金属端子を被覆する前であって、前記孔を形成されたベース基材を熱酸化処理した後に、  前記ベース基材の内部及び／又は表面に容量素子又は容量回路を形成することを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載のスペーサ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、プリント配線基板とプリント配線基板，プリント配線基板と半導体回路，プリント配線基板と各種デバイスなど実装基板と電子部品とを、ハンダ等を用いてロウ付けして接続する際に、ロウ付け対象の間隙の幅を一様に保持するために使用されるスペーサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  近年の技術の発展に伴い、ＬＳＩ（大規模集積回路）においては低電圧、大電力化の傾向と、扱う情報量の増大とから、電源端子及び信号端子の多数端子化が進んでいる。数十から数百の端子を具備するＬＳＩを対象基板（プリント配線基板、インターポーザ等）へ接続する方法として、ハンダ等を使ったロウ付け、及び、導電性接着による接着が挙げられる。【０００３】  このような接続方法では、接続されたＬＳＩと対象基板との間に生じる間隙の幅が不均一になると、接続部分の一部に負荷が集中してしまい、接続不良を起こす可能性があるので、ロウ付けされたＬＳＩと対象基板との間隙は均一の幅にする必要がある。これについて、図面に基づいて具体的に説明する。【０００４】  図６２に、ＬＳＩと対象基板との間隙が不均一になった状態の模式的な断面図を示す。図６２に示されるＬＳＩ３００は、インターポーザ３１０と、半導体回路チップ３３０と、接続用のＬＳＩパッド３２０とを具備する。対象基板であるプリント配線基板４００は、接続用のＰＷＢパッド４２０を具備する。なお、インターポーザ３１０の配線とプリント配線基板４００の配線とは図示を省略した。【０００５】  ＬＳＩ３００をプリント配線基板４００に実装する際に、ＬＳＩ３００が傾いてしまうと、プリント配線基板４００との間隙幅が大きくなる部分９０１と間隙幅が小さくなる部分９０２とを生じてしまい、間隙幅が大きくなる部分９０１では、ＬＳＩパッド３２０とＰＷＢパッド４２０とを接続すべきハンダ５０１が一方のパッドから離れてしまい接続不良９０３を引き起こしていた。【０００６】  このような接続不良をなくすために、対象基板と電子部品との間隙の幅が不均一になるのを防止する技術が特許文献１に開示されている。【０００７】  図６３は、特許文献１に記載された半導体装置４の側面図、底面図及び装置基板への実装側面図である。特許文献１に開示された技術は、半導体装置４と装置基板２とをスペーサ４２で支えることで、半導体装置４と装置基板２との間隙の幅を一定にしている。【０００８】  しかし、特許文献１に開示された関連技術では、半導体装置４の外縁部にスペーサ４２が設けられている分、半導体装置４の外形寸法が必要以上に大きくなり、占有面積が大きくなってしまった。また、スペーサ４２が半導体装置４と一体化しているので、半導体装置４を実装する際の半導体装置４と装置基板２との間隙の幅の自由度がなくなり、ハンダボール１５の大きさ等のロウ付け条件を容易に変更することができなかった。【０００９】  そこで、この特許文献１に開示された技術の不都合な点を改善した技術が、特許文献２に開示されており、特許文献３には、特許文献２に記載された電子部品として用いるのに適するコンデンサが開示されている。【００１０】  図６４は、特許文献２に記載された半導体装置の底面図及び側面図である。特許文献２に開示された技術は、ベース基板５２の底面に設けられたハンダボール５３の間に予め電子部品５４を取り付けることで、このベース基板５２をマザーボードに実装する際に、ベース基板５２とマザーボードとを電子部品５４で支え、ベース基板５２とマザーボードとの間隙の幅を一定にしていた。このように構成することで、ベース基板５２の大きさは通常と変わらない。【００１１】  図６５は、特許文献３に記載されたコンデンサの斜視図及び断面図である。図６５に示すコンデンサは、電極６１，６２，６３及び６４を四隅等に配置する構造としている。このようなコンデンサを特許文献２に記載された電子部品５４として用いて、電極６１，６２，６３及び６４をハンダと接合するように配置すればベース基材５２の端子間に容量を与えることができる。【００１２】
【特許文献１】特開平８−３１６２６８号公報（図１）
【特許文献２】特開２００４−２７３４７５号公報（図１）
【特許文献３】実開昭６３−１５７９１９号公報（第１図及び第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】  しかしながら、本発明者は、特許文献２に開示された関連技術を鋭意検討した結果、この技術にも問題があることを見出した。【００１４】  特許文献２に開示された半導体装置は、スペーサの役割を担っている電子部品５４とハンダボール５３とが接近しているので、溶融したハンダが電子部品５４の側面に引き寄せられて、接続不良を起こしてしまうと言う問題があった。電子部品５４として特許文献３に開示されたコンデンサを適用しても、同様である。【００１５】  この接続不良の発生について説明するため、図６６に、ＬＳＩに電子部品を実装した場合の断面図を示す。図６６に示されるＬＳＩ３００は、インターポーザ３１０と、プリント配線基板４００とを具備する。インターポーザ３１０は、ＬＳＩパッド３２０、３２１及び３２２を有する。プリント配線基板４００は、ＰＷＢ樹脂４１０と、ＰＷＢパッド４２０、４２１及び４２２とを有する。インターポーザ３１０とプリント配線基板４００との間には、電子部品６００が配置され、これらがハンダ５０１、５０２及び５０３で接続されている。【００１６】  図６６においては、電子部品６００の電極６２２がハンダ５０１を吸い寄せている。このため、通常ＬＳＩパッド３２０に接するはずのハンダが不足し、ＬＳＩパッド３２０とＰＷＢパッド４２０とを接続すべきハンダ５０１がＬＳＩパッド３２０から離れている。これは、ハンダが溶融したときにハンダの濡れ性、表面張力等の要因で起こる現象である。なお、電子部品６００の電極６２１もハンダ５０２を吸い寄せているが、ハンダの量が十分であったため、ＬＳＩパッド３２１とＰＷＢパッド４２１とは、ハンダ５０２で接続されている。【００１７】  そこで、本発明は、上記関連技術の問題を改善し、ロウ付けにより接合された２つの部品間の間隙を均一幅に保ちながら、ロウの吸い寄せによる両部品の接続不良を抑止するスペーサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】  本発明のスペーサは、実装基板とこの基板上に実装される電子部品とのパッド同士を予め決められた量のロウを用いてロウ付けする際にこの実装基板と電子部品との間隙幅を一定に保つために当該間隙に設置されるスペーサであって、ロウ付けのロウに接合するためのロウ誘導面を有し、このロウ誘導面は、一端部より他端部を外側に突き出した形状であることを特徴とする。【００１９】  本発明のスペーサ製造方法は、ベース基材に対し、一方の開口面積と他方の開口面積とが異なる貫通孔を形成し、この孔の内部表面に金属端子を被覆し、この孔を分断するようにベース基材を切断することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】  本発明によれば、実装基板と電子部品とのパッド同士をロウ付けする際に、ロウ誘導面でロウ付けのロウを押し上げて上方に誘導することで、ロウとパッドとの接続不良を効果的に防止できるスペーサおよびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】  以下、本発明のスペーサ及びその製造方法を実施するための好適形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図においては、各部位の説明を容易にするため、実際とは縮尺を異なったものとしている場合がある。例えば、金属端子の厚さは、通常、１μｍ以下であるが、図面で認識することができるように描画している。【００２２】  本実施形態のスペーサは、電気絶縁性のベース基材と、少なくとも１個のロウ誘導端子とを有するスペーサであって、前記ベース基材の表面が、底面と、上面と、少なくとも１面の側面とで構成され、前記底面と前記上面とが、互いに接しない面であり、前記側面が、前記底面及び前記上面の一方又は両方に接する面であり、前記ロウ誘導端子が、前記底面の一部と、前記上面の一部と、前記側面の一部又は全部とを被覆しており、前記ロウ誘導端子の前記側面を被覆している部分の表面であるロウ誘導面が、前記底面に対して非垂直である、スペーサである。【００２３】  図１は、本発明にかかる第１の実施形態のスペーサ１００を示す模式的な斜視図である。図２は、図１中のＡ−Ａ線に沿った模式的な端面図である。図３〜図７は、図１に示す実施形態のスペーサ１００の使用例を示す図であり、ＬＳＩ３００とプリント配線基板４００との間の間隙にスペーサ１００を搭載する場合を示している。【００２４】  図３は、プリント配線基板４００にＬＳＩ３００が実装される前の状態を示す模式的な斜視図である。図４は、図３中のＢ−Ｂ線に沿った模式的な端面図である。図５は、プリント配線基板４００にＬＳＩ３００を実装した状態を示す模式的な斜視図である。図６は、図５中のＣ−Ｃ線に沿った模式的な端面図である。図７は、図６中の領域Ｄのロウ付け後の模式的な拡大端面図である。【００２５】  図１に示されるスペーサ１００は、電気絶縁性のベース基材１５０と、４個のロウ誘導端子１２０とで構成されている。ベース基材１５０は、酸化膜で覆われたシリコンであるが、電気絶縁性であれば、特にこれに限定されない。ロウ誘導端子１２０は、平面形状がほぼ四角形のベース基材１５０の四隅に設けられているが、これに限定されず、ロウ誘導端子１２０は、少なくとも１個あればよい。【００２６】  ベース基材１５０の表面は、上面１６１と、底面１６２と、それ以外の側面とで構成されている。ここで、側面は、上面１６１又は底面１６２の四辺に対応する４面と、上面１６１又は底面１６２の四隅に対応する、ロウ誘導端子１２０が被覆した４面とがある。【００２７】  底面１６２と上面１６１とは、互いに交差しない面であり、側面は、いずれも、底面１６２及び上面１６１の両方に交差する面である。【００２８】  ロウ誘導端子１２０は、ベース基材１５０の側面の一部分から底面１６２の一部と上面１６１の一部とに掛けて被覆している。側面に対応するロウ誘導端子１２０の表面をロウ誘導面１１０とすると、このロウ誘導面１１０は、底面１６２に対して非垂直であり、好ましくは両者のなす角度が鋭角である。【００２９】  図７に示すように、スペーサ１００は、ロウ付けにより接合されたＬＳＩ３００とプリント配線基板４００との間に配置されることで、ＬＳＩ３００をプリント配線基板４００に平行に配置させ���ＬＳＩ３００が傾くことによるロウ付け不良を防止するという基本的な機能を有する。【００３０】  ロウ誘導端子１２０は、ロウ誘導面１１０の形状により、ハンダ等のロウを上方に誘導する機能を有している。また、ロウ誘導端子１２０の表面は、ロウの誘導性を高めるために、金メッキ処理を施されているが、ロウを誘導する機能を有するものであれば特にこれに限定されない。例えば、ロウとしてハンダを用いる場合、スズメッキ等の他の金属表面処理を施されているものであってもよい。表面処理を施されたロウ誘導端子１２０の表面は、ハンダ濡れ性が高く、ハンダがよく付着するため、ロウ誘導端子１２０の表面に沿ってハンダが這い上がる。ロウとして導線性接着剤を用いる場合、ロウ誘導端子１２０の材質は、金属表面処理を施されているものに限定されず、例えば、各種プラスチック、各種セラミック等も好適に用いられる。【００３１】  ロウ誘導端子１２０により、ロウ付けに際し、溶融したロウが表面張力によって誘導されるとともに、その後、温度の低下に伴ってロウが硬化すると、一体となって固定される。ロウとして導線性接着剤を用いる場合でも、ロウ誘導端子１２０は、その形状により、導線性接着剤を上方に誘導する機能を有している。【００３２】  図３〜図７に示されたスペーサ１００の使用例は、電子部品６０１，６０２，６０３及び６０４が実装されているプリント配線基板４００上に、ハンダボール５１０を用いてＬＳＩ３００を実装する際に、スペーサ１００を４個配置し、３６個のハンダボール５１０でＬＳＩ３００をロウ付けする場合を示している。なお、この使用例において、ＬＳＩ３００は、半導体回路チップ３３０をインターポーザ３１０に実装したものであるが、これに限らず、樹脂モールドされたＬＳＩとすることもできる。【００３３】  図４に示されるように、プリント配線基板４００においては、ＰＷＢ樹脂４１０の表面に、絶縁のためのレジスト４４０が塗布され、プリント配線基板４００の内部電気回路へのショートを防止している。ハンダボール５１０は、プリント配線基板４００のＰＷＢパッド４２０の上に配置される。【００３４】  ロウ誘導端子１２０のロウ誘導面１１０は、スペーサ１００の底面１６２に対して非垂直であり、好ましくは両者のなす角度が鋭角である。これにより、ロウ誘導面１１０とハンダボール５１０とが接触した状態で、加熱された場合に、ハンダボール５１０が溶融したハンダ５０１が下方へ流れるためのスペースが小さくなっているので、ハンダ５０１はロウ誘導面１１０に沿って下方へ流れにくくなる（図７参照）。換言すれば、ロウ誘導面１１０を底面１６２に非垂直とし、底面側のロウ誘導端子１２０の占有体積を大きくすることで、溶融時のハンダ５０１が下方へ流れ落ちることが防止され、かつ、ハンダ５０１は上方へ誘導される。その結果、ハンダ５０１がロウ誘導面１１０の下部に吸い寄せられて、ロウ誘導面１１０の上部でハンダ不足となることがなくなり、ＬＳＩパッド３２０とハンダ５０１との確実な接続が実現される。【００３５】  図７に示すハンダ５０２は、ハンダ５０１と同様に、ＰＷＢパッド４２１とＬＳＩパッド３２１とロウ誘導端子１２０とを接続している。ハンダ５０３は、���ＷＢパッド４２２とＬＳＩパッド３２２とを接続している。【００３６】  また、スペーサ１００は、図３に示されるように、複数あるハンダボール５１０の間に設置されるように構成されており、ＬＳＩ３００の外縁部に設置されるものではないので、ＬＳＩ３００の外形寸法が大きくならない。さらに、スペーサ１００は、ＬＳＩ３００に一体化されていないため、ＬＳＩ３００を実装する際の自由度が大きく、ハンダボール５１０等のロウ付け条件を容易に変更することができる。これは、ロウ付けとともに、ロウ誘導端子１２０が硬化後のハンダ５０１及び５０２でＰＷＢパッド４２０及び４２１へ固定されるため、予めスペーサ１００をプリント配線基板４００に強固に接着しておく必要がないためである。【００３７】  図１に示すようにスペーサ１００は、ロウ誘導面１１０が曲面であるのが好ましい態様の一つであり、中でも、凹曲面であるのがより好ましい態様の一つである。このような形状により、球状のロウ（例えば、ハンダボール５１０）を用いる場合に、球状のロウとロウ誘導面１１０との接触面積を大きくすることができ、ロウ溶融時にロウが下へ流れ落ちる量を少なくすることができ、その結果、接続不良が防止される。特に、上方に位置する接続用パッドへのハンダ接続不良を効果的に防止するために、ロウ誘導面１１０は上面側の弧が底面側の弧より短いのが好ましい。【００３８】  ここで、「ロウ誘導面１１０が凹曲面である」とは、ロウ誘導面１１０と底面１６２に垂直な任意の面との交線が、底面側に凸の曲線となる形状をいう。ロウ誘導面１１０の凹曲面の曲率半径は、ハンダボール５１０の半径より若干大きく設定されている。このため、ハンダボール５１０の表面のうちの比較的大きな領域が、ロウ誘導面１１０の表面にほぼ接触している状態となる。【００３９】  図５及び図６に示される、ＬＳＩ３００をプリント配線基板４００の所定の位置に置いた状態においては、ハンダボール５１０は、リフロー前であるため、多少押しつぶされるが、ほぼ原形を保持している。【００４０】  リフロー後は、図７に示されるように、溶融したハンダ５０１がＰＷＢパッド４２０とＬＳＩパッド３２０とロウ誘導端子１２０とを接合して、そのまま硬化する。これは、ハンダボール５１０の下部の表面形状に、ロウ誘導面１１０が対応してほぼ一致しているため、ハンダ溶融時に下へ流れ落ちる量が少なく、ハンダ５０１がロウ誘導端子１２０の表面を這い上がるからである。これにより、上方にあるＬＳＩパッド３２０と接続するのに十分なハンダが確保されることになり、ＬＳＩパッド３２０とＰＷＢパッド４２０との接続不良が効果的に防止される。【００４１】  ロウ誘導面１１０の上面側の縁１３０の長さは、ロウ誘導面１１０の底面側の縁１４０の長さより長くなっている。これにより、ロウ誘導端子１２０の下部がハンダボール５１０の側に出っ張ることになり、ロウ付けに際し、ハンダ溶融時にハンダが下へ流れ落ちる量が少なくなって、十分な量のハンダ５０１がロウ誘導面１１０を這い上がるようになる。なお、このスペーサ１００は、天地をひっくり返し、ロウ誘導面１１０の上端部がその下端部より外側に突き出す形態での使用も可能である。以上の説明では、���ペーサ１１０に形成したロウ誘導面の上面側を一端部とし、底面側を他端部とし、一端部と他端部との長さの違いによってロウ誘導面の一部が外側に突き出す構造としたが、一端部は上面側に限られるものではなく、他端部は底面側に限られるものではない。要は、ロウ誘導面の一端部と他端部との長さの違いによってロウ誘導面の一部が突き出る構造であればいずれのものであってもよい。【００４２】  また、スペーサ１００のロウ誘導端子１２０は、ロウ誘導面１１０が底面１６２と鋭角をなすのであれば、ロウ誘導面１１０が平面であってもよい。この場合、スペーサ１００の製造が容易となる。中でも、上方に位置する接続用パッドへのハンダ接続不良を効果的に防止するため、ロウ誘導面１１０は上底より下底が短い台形であるのが好ましい。【００４３】  次に、本第１実施形態のスペーサ１００の製造方法について説明する。【００４４】  ここで、本第１実施形態のスペーサ１００の製造方法は、ベース基材に孔を形成する削孔工程と、この孔を形成されたベース基材の孔の縁及び孔の内部表面に金属端子を形成させる金属端子形成工程と、金属端子を有するベース基材を切断する切断工程とを具備する。【００４５】  図８は、本第１実施形態のスペーサ１００の製造方法を示す製造工程図である。【００４６】  図８に示される製造工程図においては、削孔工程（図８のｓ１）、熱酸化工程（図８のｓ２）、マスク形成工程（図８のｓ３）、金属端子形成工程（図８のｓ４）、マスク除去工程（図８のｓ５）、切断工程（図８のｓ６）及び再熱酸化工程（図８のｓ７）の各工程をこの順に行い、スペーサ１００を得る。以下、この各工程について説明する。【００４７】ａ．削孔工程（図８のｓ１）  削孔工程は、ベース基材に、孔を形成する工程である。本第１実施形態においては、ベース基材であるシリコンウェハ１５１と先端工具８１０とを準備する（図９参照）。シリコンウェハ１５１のサイズは、特に限定されないが、本実施形態では、直径６インチ（約１５０ｍｍ）、厚さ約０．５ｍｍのものを用いている。【００４８】  先端工具８１０の先端の直径は、孔の直径を規定するものであり、ハンダボールの直径（本実施形態では、０．６ｍｍ）より少し大きい程度とする。先端工具８１０の先端部（刃先）の形状は、形成する孔の表面形状を考慮して選定する。本実施形態では、直径が約０．８ｍｍであり、回転軸を含む断面における先端部の形状が凸状の曲線、より具体的には、ほぼ円弧である先端工具８１０を用いている。換言すると、先端工具８１０の回転軸の横方向への投射形状の先端は円弧に近い。【００４９】  孔の間隔は、特に限定されないが、本実施形態では、１．１ｍｍとしている。なお、孔の直径及び間隔は、後述する切断工程（図８のｓ６）での切り代に応じて調整するのが好ましい。【００５０】  図１０は、削孔工程中のシリコンウェハ１５１の断面図である。図１０には、シリコンウェハ１５１の形成済みの孔１５２と、削孔中の先端工具８１０とが示されている。このように削孔を繰り返すことにより、孔１５２を有するシリコンウェハ１５１ａ（図１１参照）を得ることができる。なお、本第１実施形態において、削孔は、先端工具に超音波振動と回転運動とを与え���砥粒を含む溶液を注ぎながら行うが、この方法と、サンドブラスト法、レーザー加工法、エッチング等とを組み合わせて行うこともできる。【００５１】ｂ．熱酸化工程（図８のｓ２）  熱酸化工程は、孔が形成されたベース基材を熱酸化して、その表面に酸化膜を形成させる工程である。本第１実施形態においては、削孔工程後に得られたシリコンウェハ１５１ａを熱酸化して、その表面に酸化膜（例えば、酸化ケイ素膜）を形成させる。シリコンは絶縁物でないため、電気絶縁性の酸化膜を表面に形成させるのである。具体的には、シリコンウェハ１５１ａを電気炉に入れて加熱する。電気炉の条件は、酸化ケイ素膜が十分に形成されるものであれば特に限定されないが、例えば、設定温度９５０℃で、酸素を送気しつつ、１６時間維持する。これにより、表面に酸化膜を有するシリコンウェハ１５１ｂ（図１２参照）を得る。【００５２】ｃ．マスク形成工程（図８のｓ３）  マスク形成工程は、ベース基材の上面の孔を除く部分にマスクを形成する工程である。本第１実施形態においては、表面に酸化膜を有するシリコンウェハ１５１ｂの上面の孔１５２を除く部分にマスクを形成する。図１３は、マスクが形成されたシリコンウェハ１５１ｃの模式的な斜視図である。シリコンウェハ１５１ｂの上面のうち、孔１５２の内部表面と孔１５２の縁１５３とを除く部分にレジスト１８０を塗布しマスクを形成する。レジスト１８０は、シリコンウェハ１５１ｂの両面に塗布する。これにより、マスクが形成されたシリコンウェハ１５１ｃを得る。【００５３】  レジスト１８０の種類は、後の工程で除去することができるものであれば、特に限定されない。レジスト１８０は、再熱酸化工程（図８のｓ７）までに除去するのが好ましい。この理由は、レジスト１８０が再熱酸化工程（図８のｓ７）で高温にさらされると、発火又は酸化による体積増大という問題が生じるからである。【００５４】ｄ．金属端子形成工程（図８のｓ４）  金属端子形成工程は、ベース基材の孔の縁及び孔の内部表面に金属端子を形成する工程である。本実施形態においては、マスクが形成されたシリコンウェハ１５１ｃに対してＤＣスパッタを行い、シリコンウェハ１５１ｃの表面に金属膜を付する。これにより、金属膜が形成されたシリコンウェハ１５１ｄを得る（図１４参照）。本実施形態における金属膜の構成は、下地が厚さ５０ｎｍのチタン、最上層が厚さ３００ｎｍの金である。下地と最上層との間には、中間層を存在させることができる。中間層に用いられる金属及び最上層に用いられる金属は、いずれも、再熱酸化工程（図８のｓ７）で溶融したり、変質したりしない物質であれば特に限定されず、ロウ付けの濡れ性を考慮して選定することができる。【００５５】ｅ．マスク除去工程（図８のｓ５）  マスク除去工程は、ベース基材に形成されたマスクを除去する工程である。本第１実施形態においては、シリコンウェハ１５１ｄの表面のレジスト１８０からなるマスクをマスクはく離剤で除去する。この際、マスクとともに、マスクの表面に付された金属膜も除去される。これにより、金属端子１５４を有するシリコンウェハ１５１ｅ（図１５参照）を得る。【００５６】ｆ．切断工程（図８のｓ６）  切断工程は、金属端子を���するベース基材を切断する工程である。図１６に、切断工程の説明図を示す。本第１実施形態での切断工程においては、図１６に示す線１８１、１８２、１８３及び１８４のそれぞれに沿って、金属端子１５４を有するシリコンウェハ１５１ｅを切断する。これにより、シリコンウェハ片１５１ｆ（図１７参照）を得る。図１７に示されるように、シリコンウェハ片１５１ｆの切断面１８５においては、シリコンが露出している。【００５７】ｇ．再熱酸化工程（図８のｓ７）  再熱酸化工程は、切断されたベース基材を熱酸化して切断面に酸化膜を形成させて、スペーサを得る工程である。本第１実施形態における再熱酸化工程は、シリコンウェハ片１５１ｆの切断面１８５に酸化膜を形成するため、熱酸化工程（図８のｓ２）と同様の手順で実施する。これにより、シリコンウェハ片１５１ｆの切断面１８５に酸化膜が形成され、電気的に絶縁化される。そして、外形寸法が、幅約１ｍｍ、奥行き約１ｍｍ、高さ約０．５ｍｍのスペーサ１００（図１参照）を得る。【００５８】  このように本第１実施形態のスペーサ１００の製造方法は、一般的な半導体製造工程と同様の手法を採用している部分があるので、ロウ誘導端子１２０（金属端子１５４）の寸法精度を数μｍの単位で制御することができる。また、外形寸法を少なくとも１００μｍの精度で製作することができる利点もある。なお、削孔工程（図８のｓ１）及び切断工程（図８のｓ６）においては、レーザーを使用すれば、１μｍの精度で製作することができる。【００５９】  また、ベース基材の材料として、シリコンを用いたが、これに限定されず、例えば、プラスチック等の樹脂を用いることもできる。樹脂製のベース基材は、型に樹脂原料を流し込み、熱又は化学的反応により硬化させる方法により、得ることができる。ベース基材の材料として用いられる樹脂が、絶縁性である場合には、電気絶縁性の酸化膜を形成させる熱酸化工程（図８のｓ２）を省略することができる。スペーサ１００の寸法を数ｍｍ以上にすることができる場合は、樹脂製の板材に削孔する工程と、金属端子を無電解メッキ法等で形成させる工程と、切断する工程とにより、スペーサ１００を製造することもできる。【００６０】  次に、スペーサ１００の使用例について説明する。【００６１】  スペーサ１００は、上述したように、ＬＳＩ３００をプリント配線基板４００へロウ付けする際のＬＳＩ３００とプリント配線基板４００との間隙を支えるスペーサとして用いることができる（図３〜図７参照）。【００６２】  また、スペーサ１００は、半導体回路チップをインターポーザに実装してＬＳＩを得る際の半導体回路チップとインターポーザとの間隙を支えるスペーサとしても用いることができる。図２５は、半導体回路チップ３３０をインターポーザ３１０に実装した構成のＬＳＩの模式的な断面図である。【００６３】  図２５に示すように、ＬＳＩ３００は、半導体回路チップ３３０をインターポーザ３１０に実装したものである。インターポーザ３１０は、表面にインターポーザパッド３１１を有しており、半導体回路チップ３３０は、表面に半導体チップパッド３３１を有している。ハンダボール５１１を用いて、インターポーザパッド３１１と半導体チップパ��ド３３１とをロウ付けして接続することにより、半導体回路チップ３３０をインターポーザ３１０に実装する。この実装の際に、半導体回路チップ３３０とインターポーザ３１０との間にスペーサ１００が設置される。【００６４】  スペーサ１００は、ロウ誘導端子１２０のロウ誘導面１１０が底面１６２に非垂直で、ロウ誘導面１１０と底面１６２とのなす角が鋭角であるため、ハンダボール５１１の溶融時のハンダが下方へ流れ落ちることが防止され、かつ、ハンダは上方へ誘導される。その結果、ロウ誘導面の上部でハンダ不足となることがなくなり、半導体チップパッド３３１とハンダとの確実な接続が実現される。【００６５】  また、スペーサ１００は、子ボードをプリント配線基板に実装する際のスペーサとして用いることもできる。図２６は、子ボード４０１をプリント配線基板４００に実装した状態の模式的な断面図である。【００６６】  図２６に示すとおり、プリント配線基板４００のＰＷＢ樹脂４１０の部分は、表面にＰＷＢパッド４２０を有しており、子ボード４０１は、表面に子ボードパッド４２５を有している。ハンダボール５１０を用いて、ＰＷＢパッド４２０と子ボードパッド４２５とをロウ付けして接続することにより、子ボード４０１をプリント配線基板４００に実装している。この実装の際に、子ボード４０１とプリント配線基板４００との間にスペーサ１００が設置される。スペーサ１００は、ロウ誘導端子１２０のロウ誘導面１１０が底面１６２に非垂直で、ロウ誘導面１１０と底面１６２とのなす角が鋭角であるため、ハンダボール５１０の溶融時のハンダが下方へ流れ落ちることが防止され、かつ、ハンダは上方へ誘導される。その結果、ロウ誘導面の上部でハンダ不足となることはなく、子ボードパッド４２５とハンダとの確実な接続が実現される。【００６７】  このように本第１実施形態のスペーサ１００は、上下２つの電子部品のパッド同士をロウ付けして接続する際にこの両電子部品間に配置されるスペーサであって、このロウとの濡れ性を良くするための表面処理が施されたロウ誘導面１１０を側面に有し、このロウ誘導面１１０が、上端部より下端部を外側に突き出した形状であることが特徴である。これにより、ロウ誘導面１１０がロウ付け部分の押し入るようにスペーサ１００を配置すると、ロウ誘導面１１０に吸い寄せられたロウが上方に誘導されるので、上側のパッドとロウとの接合不良を防止することができる。なお、このスペーサ１００は、天地をひっくり返し、ロウ誘導面１１０の上端部がその下端部より外側に突き出す形態での使用も可能である。【００６８】  次に、本発明にかかる第２の実施形態について説明する。【００６９】  図１８は、本発明にかかる第２の実施形態のスペーサ１０１の形状を示す斜視図である。図１８に示すように、本第２実施形態のスペーサ１０１は、６個のロウ誘導端子１２０，１２１，１２２，１２３，１２４、１２５を有している。このような形状のスペーサ１０１を、スペーサ１００に代えて図２５又は図２６に示す使用例に適用した場合、第１実施形態のスペーサ１００と比べて、ロウで固定される箇所が多いうえ、間隙を支える上面及び底面の面積が大きいので、部品同士の接続状態を更に安定させる��とができる。【００７０】  本第２実施形態のスペーサ１０１の製造方法は、基本的に、上述した第１実施形態と同様であるが、削孔工程（図８のｓ１）、熱酸化工程（図８のｓ２）、マスク形成工程（図８のｓ３）、金属端子形成工程（図８のｓ４）及びマスク除去工程（図８のｓ５）の各工程をこの順に行い、切断工程（図８のｓ６）において、切断する位置を線１８４（図１６参照）に代えて線１８４ａ（図１９参照）とする。その後、切断工程で得られたシリコンウェハ片１５１ｆを用いて、再熱酸化工程（図８のｓ７）を行う。これにより、スペーサ１０１を得る。このように、削孔位置と切断位置とを適宜選択することにより、所望の数のロウ誘導端子を有するスペーサを得ることができる。【００７１】  次に、本発明にかかる第３の実施形態について説明する。【００７２】  図２０は、本発明にかかる第３の実施形態のスペーサ１０２の形状を示す斜視図である。本第３実施形態のスペーサ１０２は、図１に示す第１実施形態のスペーサ１００と比べて、ロウ誘導端子１２０、１２１、１２２及び１２３のロウ誘導面１１０の形状が異なる。図２０に示すように、スペーサ１０２のロウ誘導端子１２０、１２１、１２２及び１２３のロウ誘導面１１０の形状は、上面側の縁１３０及び底面側の縁１４０がそれぞれ円弧で、側部の縁１３５が直線であり、上下逆の円錐台状の孔を鉛直方向に切って得られる面形状である。【００７３】  本第３実施形態のスペーサ１０２の製造方法は、削孔工程（図８のｓ１）で、回転軸を含む断面における先端部の形状がほぼ直線状である先端工具（換言すると、先端部（刃先）の回転軸の横方向への投射形状の先端が直線である先端工具）を用いる以外は、上述した第１実施形態のスペーサ１００の製造方法と同様である。【００７４】  削孔工程（図８のｓ１）後に、熱酸化工程（図８のｓ２）、マスク形成工程（図８のｓ３）、金属端子形成工程（図８のｓ４）、マスク除去工程（図８のｓ５）、切断工程（図８のｓ６）及び再熱酸化工程（図８のｓ７）を行う。これにより、スペーサ１０２を得る。【００７５】  本第３実施形態のスペーサ１０２の製造方法においては、先端部（刃先）が直線である先端工具を用いるので、製造設備の維持管理が容易となるという利点がある。【００７６】  また、削孔工程（図８のｓ１）において、レーザーによる仕上げを行うことができる。なお、ロウ誘導面の平坦度は、特に限定されない。【００７７】  次に、本発明にかかる第４の実施形態について説明する。【００７８】  図２１は、本発明にかかる第４の実施形態のスペーサ１０３の形状を示す斜視図である。本第４実施形態のスペーサ１０３は、図１に示す第１実施形態のスペーサ１００と比べて、ロウ誘導端子１２０、１２１、１２２及び１２３のロウ誘導面１１０の形状が異なる。図２１に示すように、スペーサ１０３のロウ誘導端子１２０、１２１、１２２及び１２３のロウ誘導面１１０の形状は、平面である。【００７９】  本第４実施形態のスペーサ１０３の製造方法は、基本的に、上述した第１の実施形態と同様であるが、削孔工程（図８のｓ１）で先端工具を用いる代わりに、レーザーを斜めから照射し、シリコンウェハに略四角錘状の孔を形成する。【００８０】  図２２に、削孔工程（図８のｓ１）で得られる、略四角錘状の孔１５２ａを有するシリコンウェハ１５１ａａの斜視図及び斜視図中の領域Ｅの拡大図を示す。また、図２３に、平面図及び断面図を示す。【００８１】  略四角錘状の孔１５２ａは、シリコンウェハ１５１ａａの上面側の縁１５２１及び底面側の縁１５２３がいずれも四角形であり、２個の四角形の対応する頂点を結ぶ斜辺１５２２を有する。【００８２】  シリコンウェハ１５１ａａの上面側の縁１５２１及び底面側の縁１５２３の四角形は、本実施形態では正方形であるが（図２３参照）、長方形、菱形等とすることができる。【００８３】  その後、第１の実施形態と同様に、熱酸化工程（図８のｓ２）、マスク形成工程（図８のｓ３）、金属端子形成工程（図８のｓ４）、マスク除去工程（図８のｓ５）、切断工程（図８のｓ６）及び再熱酸化工程（図８のｓ７）を行う。これにより、スペーサ１０３を得る。【００８４】  スペーサ１０３のロウ誘導端子１２０、１２１、１２２及び１２３のロウ誘導面の形状は、平面である（図２１参照）。【００８５】  本第４の実施形態においては、ロウ誘導面が平面であるので、製造が容易となる。具体的には、レーザーの移動を直線的に行うことができ、加工精度が優れたものとなる。また、本第４の実施形態において、ベース基材の材料として樹脂を用いる場合、製造が容易な直線的な形状の型を用いることができる。【００８６】  次に、本発明にかかる第５の実施形態について説明する。【００８７】  図２４は、本発明にかかる第５の実施形態のスペーサ１０４の形状を示す斜視図である。図２４に示すように、スペーサ１０４は、２個のロウ誘導端子１２０及び１２１を有している。ロウ誘導端子１２０及び１２１の端子面は、第４実施形態のスペーサ１０３と同様に、平面である。【００８８】  本第５の実施形態のスペーサ１０４の製造方法においては、第４の実施形態と同様に、削孔工程（図８のｓ１）、熱酸化工程（図８のｓ２）、マスク形成工程（図８のｓ３）、金属端子形成工程（図８のｓ４）及びマスク除去工程（図８のｓ５）の各工程をこの順に行い、切断工程（図８のｓ６）において、切断する方向を変更する。その後、得られたシリコンウェハ片を用いて、第４の実施形態と同様に、再熱酸化工程（図８のｓ７）を行う。これにより、スペーサ１０４を得る。【００８９】  なお、削孔工程（図８のｓ１）において、削孔位置を第４の実施形態とは異なる位置に変更することもできる。【００９０】  このように、切断工程（図８のｓ６）での切断線を便宜変更することで、ロウ誘導端子を１つだけ有するスペーサを製造することも可能である。【００９１】  次に、本発明にかかる第６の実施形態について説明する。【００９２】  図２７は、本第６の実施形態のスペーサ１０５の形状を示す模式的な斜視図である。図２８は、図２７に開示したスペーサ１０５のＦ−Ｆ線に沿った模式的な断面図である。【００９３】  図２７に示されるスペーサ１０５は、電気絶縁性のベース基材１５０と、４個のロウ誘導端子１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ及び１２１ｄと、ベース基材１５０の内部に形成された容量素子であるキャパシタ７１０とで構成されている。【００９４】  このスペーサ１０５におけるロウ誘導端子１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄのロウ誘導面１１０が、ベース基材１５０の底面１６２に対して非垂直であり、好ましくは両者のなす角度が鋭角である。【００９５】  また、本第６実施形態のスペーサ１０５においては、ロウ誘導端子１２１ａ及び１２１ｃが、それぞれ引出端子７２０を有し、この引出端子７２０がキャパシタ７１０に接続されている。これにより、ＬＳＩ３００の電源端子等の所望の端子に容量を付加することができる。【００９６】  このようにスペーサ１０５は、図１に示す第１実施形態のスペーサ１００と比較して、ベース基材１５０の内部にキャパシタ７１０が形成されていることと、２つのロウ誘導端子１２１ａ及び１２１ｃが引出端子７２０を有し、引出端子７２０がキャパシタ７１０に接続されていることが異なる。【００９７】  キャパシタ７１０は、図２８に示すように、電極端子Ａ７３０上に誘電体層７５０を積層し、その上に電極端子Ｂ７４０を設けた構造を有しており、電極端子Ａ７３０がロウ誘導端子１２１ａの引出端子７２０と接続し、電極端子Ｂ７３０がロウ誘導端子１２１ｃの引出端子７２０と接続している。【００９８】  また、キャパシタ７１０は、電極端子Ａ７３０と電極端子Ｂ７４０との間の誘電体層７５０のない部分に、電極端子Ａ７３０と電極端子Ｂ７４０とで短絡することを防止し電気的絶縁を維持するための絶縁マスク１８０ｂを有している。【００９９】  本実施形態においては、固体アルミ電解コンデンサと同じ材料で形成されたキャパシタ７１０が用いられているものとするが、これに限定されず、電極端子Ａ７３０と誘電体層７５０と電極端子Ｂ７４０との材料を変えて、他の種類の容量素子（例えば、固体タンタル電解コンデンサ、固体ニオブ電解コンデンサ、セラミックコンデンサ、ダイオードに類する容量）としてもよい。【０１００】  図２９〜図３３は、図２７に示す実施形態のスペーサ１０５の使用例を示す図であり、ＬＳＩ３００とプリント配線基板４００との間の間隙にスペーサ１００を搭載する場合を示している。【０１０１】  図２９は、プリント配線基板４００にＬＳＩ３００が実装される前の状態を示す模式的な斜視図である。図３０は、図３中のＧ−Ｇ線に沿った模式的な端面図である。図３１は、プリント配線基板４００にＬＳＩ３００を実装した状態を示す模式的な斜視図である。図３２は、図３１中のＨ−Ｈ線に沿った模式的な端面図である。図３３は、図３２中の領域Ｄ´のロウ付け後の模式的な拡大端面図である。【０１０２】  図２９〜図３３に示されたスペーサ１０５の使用例は、電子部品６０１，６０２，６０３及び６０４が実装されているプリント配線基板４００上に、ハンダボール５１０を用いてＬＳＩ３００を実装する際に、実装位置にスペーサ１０５を４個配置し、３６個のハンダボール５１０でＬＳＩ３００をロウ付けする場合を示している。なお、この使用例において、ＬＳＩ３００は、半導体回路チップ３３０をインターポーザ３１０に実装したものであるが、これに限らず、樹脂モールドされたＬＳＩであってもよい。【０１０３】  図３０に示されるように、プリント配線基板４００は、ＰＷＢ樹脂４１０の表面に、絶縁のためのレジスト４４０が���布され、プリント配線基板４００の内部電気回路へのショートを防止している。ハンダボール５１０は、プリント配線基板４００のＰＷＢパッド４２０の上に配置される。【０１０４】  ロウ誘導端子１２１ａ〜ｄのロウ誘導面１１０は、スペーサ１０５の底面１６２に対して非垂直であり、好ましくは両者のなす角度が鋭角である。これにより、ロウ誘導面１１０とハンダボール５１０とが接触した状態で、加熱された場合に、ハンダボール５１０が溶融したハンダ５０１が下方へ流れるためのスペースが小さくなっているので、ハンダ５０１はロウ誘導面１１０に沿って下方へ流れにくくなる（図３３参照）。換言すれば、ロウ誘導面１１０を底面１６２に非垂直とし、底面側のロウ誘導端子１２１ａ〜ｄの占有体積を大きくすることで、溶融時のハンダ５０１が下方へ流れ落ちることが防止され、かつ、ハンダ５０１は上方へ誘導される。その結果、ロウ誘導面１１０の上部でハンダ不足となることがなくなり、ＬＳＩパッド３２０とハンダ５０１との確実な接続が実現される。【０１０５】  図３３に示すハンダ５０２は、ハンダ５０１と同様に、ＰＷＢパッド４２１とＬＳＩパッド３２１とロウ誘導端子１２０とを接続している。ハンダ５０３は、ＰＷＢパッド４２２とＬＳＩパッド３２２とを接続している。【０１０６】  また、スペーサ１０５は、図２９に示されるように、複数あるハンダボール５１０の間に設置されるように構成されており、ＬＳＩ３０の外縁部に設置されないので、ＬＳＩ３００の外形寸法を大きくすることはない。またさらに、スペーサ１０５は、ＬＳＩ３００に一体化されていないため、ＬＳＩ３００を実装する際の自由度が大きく、ハンダボール５１０等のロウ付け条件を容易に変更することができる。これは、ロウ付けとともに、ロウ誘導端子１２１ａ〜ｄが硬化後のハンダ５０１及び５０２でＰＷＢパッド４２０及び４２１へ固定されるため、予めスペーサ１０５をプリント配線基板４００に強固に接着しておく必要がないからである。【０１０７】  図１に示すスペーサ１００と同様に、スペーサ１０５は、ロウ誘導面１１０が曲面であるのが好ましい態様の一つであり、中でも、凹曲面であるのがより好ましい態様の一つである。このような形状により、球状のロウ（例えば、ハンダボール５１０）を用いる場合に、球状のロウとロウ誘導面１１０との接触面積が大きくなり、ロウ溶融時にロウが下へ流れ落ちる量を少なくすることができ、その結果、接続不良を防止することができる。特に、上方に位置する接続用パッドへのハンダ接続不良を効果的に防止するために、ロウ誘導面１１０は上面側の弧が底面側の弧より短いのが好ましい。【０１０８】  ここで、「ロウ誘導面１１０が凹曲面である」とは、ロウ誘導面１１０と底面１６２に垂直な任意の面との交線が、底面側に凸の曲線となる形状をいう。ロウ誘導面１１０の凹曲面の曲率半径は、ハンダボール５１０の半径より若干大きく設定されている。このため、ハンダボール５１０の表面のうちの比較的大きな領域が、ロウ誘導面１１０の表面にほぼ接触している状態となる。【０１０９】  図３１及び図３２のように、ＬＳＩ３００をプリント配線基板４００の所定の位置に置いた状態においては、ハンダボール５１０���、リフロー前であるため、多少押しつぶされるが、ほぼ原形を保持している。リフロー後は、図３３に示されるように、溶融したハンダ５０１がＰＷＢパッド４２０とＬＳＩパッド３２０とロウ誘導端子１２１ａ〜ｄとを接合して、そのまま硬化する。これは、ハンダボール５１０の下部の表面形状に、ロウ誘導面１１０が対応してほぼ一致しているため、ハンダ溶融時に下へ流れ落ちる量が少なく、ハンダ５０１がロウ誘導端子１２１ａ〜ｄの表面を這い上がるからである。これにより、上方にあるＬＳＩパッド３２０と接続するのに十分なハンダが確保されることになり、ＬＳＩパッド３２０とＰＷＢパッド４２０との接続不良を効果的に防止することができる。【０１１０】  ロウ誘導面１１０の上面側の縁１３０の長さは、ロウ誘導面１１０の底面側の縁１４０の長さより長くなっている。これにより、ロウ誘導端子１２１ａ〜ｄの下部がハンダボール５１０の側に出っ張ることになり、ロウ付けに際し、ハンダ溶融時にハンダが下へ流れ落ちる量が少なくなって、十分な量のハンダ５０１がロウ誘導面１１０を這い上がるようになる。【０１１１】  このように、スペーサ１０５は、前述した第１実施形態と同様に、ロウ誘導面１１０と底面１６２とのなす角を鋭角とし、底面側のロウ誘導端子１２０の占有体積を大きくしているので、図３３に示すように、ＬＳＩ３００とプリント配線基板４００との間隙に設置された場合に、溶融時のハンダが下方へ流れ落ちることが防止され、かつ、ハンダを上方へ誘導する。その結果、ロウ誘導面１１０の上部でハンダ不足となることがなくなり、ＬＳＩパッド３２０とハンダとの確実な接続が実現される。【０１１２】  次に、本第６実施形態のスペーサ１０５の製造方法は、ベース基材に孔を形成する削孔工程と、孔を形成されたベース基材の孔の縁及び孔の内部表面並びに引出端子となる部分に金属端子を形成させる金属端子形成工程と、ベース基材の内部及び／又は表面に容量素子又は容量回路を配置する容量配置工程とを具備する。【０１１３】  容量配置工程は、削孔工程及び金属端子形成工程の後に行ってもよいし、削孔工程及び金属端子形成工程の前に行ってもよいし、削孔工程と金属端子形成工程との間に行ってもよい。しかし、ベース基材の内部に容量素子又は容量回路を有するスペーサを得るためには、容量配置工程を、削孔工程及び金属端子形成工程の後に行う方法又は削孔工程と金属端子形成工程との間に行う方法が、削孔工程において、金属端子の形成のための孔と同時に、容量素子又は容量回路を内蔵するための穴を設けることができる点で、好ましい。【０１１４】  また、スペーサ１０５の製造方法においては、上記各工程のほか、削孔用マスク形成工程、マスク除去工程、熱酸化工程、金属端子用マスク形成工程、金属端子形成工程、マスク除去工程、封止樹脂形成工程、切断工程等の各種の工程を適宜具備することができる。【０１１５】  図３４は、本第６実施形態のスペーサ１０５の製造方法を示す製造工程図である。【０１１６】  図３４に示すように、スペーサ１０５の製造方法では、削孔用マスク形成工程（図３４のｐ１）、削孔工程（図３４のｐ２）、マスク除去工程（図３４のｐ３）、熱酸化工程（図３４のｐ４）、電極端子��用マスク形成工程（図３４のｐ５）、電極端子Ａ形成工程（図３４のｐ６）、マスク除去工程（図３４のｐ７）、容量用マスク形成工程（図３４のｐ８）、誘電体層形成工程（図３４のｐ９）、電極端子Ｂ用マスク形成工程（図３４のｐ１０）、電極端子Ｂ形成工程（図３４のｐ１１）、マスク除去工程（図３４のｐ１２）、金属端子用マスク形成工程（図３４のｐ１３）、金属端子形成工程（図３４のｐ１４）、マスク除去工程（図３４のｐ１５）、封止樹脂形成工程（図３４のｐ１６）及び切断工程（図３４のｐ１７）の各工程がこの順序で実行される。【０１１７】  ここで、電極端子Ａ用マスク形成工程（図３４のｐ５）、電極端子Ａ形成工程（図３４のｐ６）、マスク除去工程（図３４のｐ７）、容量用マスク形成工程（図３４のｐ８）、誘電体層形成工程（図３４のｐ９）、電極端子Ｂ用マスク形成工程（図３４のｐ１０）、電極端子Ｂ形成工程（図３４のｐ１１）及びマスク除去工程（図３４のｐ１２）は、ベース基材の内部に容量素子を形成する工程である容量配置工程に該当する。以下、上述した各工程について説明する。【０１１８】＜削孔用マスク形成工程（図３４のｐ１）＞  削孔用マスク形成工程は、ベース基材の表面の円孔準備穴位置及びエッチング削穴位置以外の部分にマスクを形成する工程である。まず、ベース基材であるシリコンウェハ１５１の表面に、円孔準備穴位置１８６及びエッチング削穴位置１８７が開口したマスクを形成する。シリコンウェハ１５１のサイズは、特に限定されないが、本実施形態では、直径６インチ（約１５０ｍｍ）、厚さ約０．５ｍｍのものを用いている。【０１１９】  図３５は、マスクが形成されたシリコンウェハ１５１ｇの模式的な斜視図である。後述する円孔準備穴１８８を形成する部分を円孔準備穴位置１８６、容量素子を内蔵するための穴（後述のエッチング削穴１８９）をエッチングにより形成する部分をエッチング削穴位置１８７とする。これらの部分以外にレジスト１８０ａを塗布し、マスクとする。マスクは、シリコンウェハ１５０の両面に形成させる。これにより、マスクが形成されたシリコンウェハ１５１ｇを得る。【０１２０】  なお、レジスト１８０ａは、後の工程で除去できるものであれば、特に限定されない。また、レジスト１８０ａは、熱酸化工程（図３４のｐ４）までに一端除去するのが好ましい。その理由は、レジスト１８０ａが熱酸化工程で高温にさらされ、発火又は酸化による体積増大が生じることを防止するためである。【０１２１】＜削孔工程（図３４のｐ２）＞  削孔工程は、ベース基材に、孔を形成する工程である。図３６に示されるように、マスクが形成されたシリコンウェハ１５１ｇを、容器８４１中のエッチング液８５１に浸せきさせ、シリコンウェハ１５１ｇをエッチングする。シリコンウェハ１５１ｇのエッチング削穴位置１８７に所望の深さのエッチング削穴１８９がエッチングされたら、シリコンウェハ１５１ｇをエッチング液８５１から引き上げ、洗浄及び乾燥を行う。円孔準備穴１８８は、この後にドリルにより円孔を容易に切削するための穴であり、完全に貫通させる必要はない。これにより、円孔準備穴１８８とエッチング削穴１８９とを有するシリコンウェハ１５１ｈ（図３７参照）を���る。【０１２２】  続いて、図３７に示すように、シリコンウェハ１５１ｈを削孔する先端工具８１０を準備する。この先端工具８１０の先端の直径は、シリコンウェハ１５１ｈに形成される孔の直径を規定するものであり、図４に示すハンダボール５１０の直径（本実施形態では、０．６ｍｍ）より少し大きい程度とする。【０１２３】  先端工具８１０の先端部（刃先）の形状は、形成する孔の表面形状を考慮して選定する。本実施形態では、直径が約０．８ｍｍであり、回転軸を含む断面における先端部の形状が凸状の曲線、より具体的には、ほぼ円弧である先端工具８１０を用いている。換言すると、先端工具８１０の回転軸の横方向への投射形状の先端は円弧に近い。孔の間隔は、特に限定されないが、本実施形態では、１．１ｍｍとしている。なお、孔の直径及び間隔は、後述する切断工程（図３４のｐ１７）での切り代に応じて調整するのが好ましい。【０１２４】  図３８は、削孔工程を示す説明図である。図３８は、削孔工程途中のシリコンウェハ１５１Ｉの断面図であり、形成済みの孔１５２と、削孔中の先端工具８１０とが示されている。このように削孔を繰り返すことにより、孔１５２を有するマスク付きシリコンウェハ１５１ｊ（図３９参照）を得ることができる。なお、本実施形態において、削孔は、先端工具８１０に超音波振動と回転運動とを与え、砥粒を含む溶液を注ぎながら行うが、この方法と、サンドブラスト法、レーザー加工法、エッチング等とを組み合わせて行うこともできる。【０１２５】＜マスク除去工程（図３４のｐ３）＞  マスク除去工程は、ベース基材に形成されたマスクを除去する工程である。本実施形態においては、孔１５２を有するマスク付きシリコンウェハ１５１ｊを、はく離液に浸せきさせることにより、レジスト１８０ａからなるマスクを除去し、洗浄及び乾燥を行って、孔１５２を有するシリコンウェハ１５１ｋ（図４０参照）を得る。【０１２６】＜熱酸化工程（図３４のｐ４）＞  熱酸化工程は、孔を形成されたベース基材を熱酸化して、その表面に酸化膜を形成させる工程である。本実施形態においては、シリコンウェハ１５１ｋを熱酸化させて、その表面に酸化膜（酸化ケイ素膜）を形成する。シリコンは絶縁物でないため、電気絶縁性の酸化膜を表面に形成させるのである。【０１２７】  具体的には、シリコンウェハ１５１ｋを電気炉に入れて加熱する。電気炉の条件は、酸化ケイ素膜が十分に形成されるものであれば特に限定されないが、例えば、設定温度９５０℃で、酸素を送気しつつ、１６時間維持する。これにより、表面に酸化膜を有するシリコンウェハ１５１ｌ（図４１参照）を得る。【０１２８】＜電極端子Ａ用マスク形成工程（図３４のｐ５）＞  電極端子Ａ用マスク形成工程は、孔を形成されたベース基材の電極端子Ａを形成しない部分に、マスクを形成する工程である。本実施形態においては、表面に酸化膜を有するシリコンウェハ１５１ｌの電極端子Ａを形成させる部分以外に、マスクを形成する。図４２に、マスクが形成されたシリコンウェハ１５１ｍの模式的な斜視図を示す。図４３は、図４２中のＩ−Ｉ線に沿った模式的な端面図である。シリコンウェハ１５１ｌの表面の電極端子Ａ７３０を形成する部分を除き、レジスト��８０ａを塗布し、マスクとする。これにより、電極端子Ａ用マスクを有するシリコンウェハ１５１ｍを得る。なお、レジスト１８０ａは、後工程で除去できるものであれば、特に限定されない。【０１２９】＜電極端子Ａ形成工程（図３４のｐ６）＞  電極端子Ａ形成工程は、孔を形成されたベース基材のマスクを形成されていない部分に、電極端子Ａを形成する工程である。本実施形態においては、電極端子Ａ用マスクを有するシリコンウェハ１５１ｍの電極端子Ａ用マスクを形成されていない部分に、アルミニウムを蒸着させ、電極端子Ａ７３０を形成する。これは、半導体回路でアルミニウム配線を形成する手法であるが、これ以外の手法を用いることもできる。また、本実施形態においては、陽極酸化により誘電体を形成させるため、弁作用を有する金属（例えば、タンタル、ニオブ）を用いるが、誘電体を別の材料とすれば、電極材料は限定されない。これにより、マスク付き電極端子Ａ７３０を有するシリコンウェハ１５１ｎ（図４４参照）を得る。【０１３０】＜マスク除去工程（図３４のｐ７）＞  マスク除去工程は、ベース基材の電極端子Ａを形成させない部分に形成されたマスクを除去する工程である。本実施形態においては、シリコンウェハ１５１ｎをはく離液に浸せきさせることにより、レジスト１８０ａからなるマスクを除去し、洗浄及び乾燥を行って、電極端子Ａ７３０を有するシリコンウェハ１５１ｏ（図４５参照）を得る。【０１３１】＜容量用マスク形成工程（図３４のｐ８）＞  容量用マスク形成工程は、電極端子Ａを有するベース基材の容量を形成させない部分に、マスクを形成する工程である。本実施形態においては、電極端子Ａを有するシリコンウェハ１５１ｏの表面に、容量用マスク１８０を形成して、容量用マスク１８０を有するシリコンウェハ１５１ｐ（図４６参照）を得る。【０１３２】  具体的には、光硬化型レジストをシリコンウェハ１５１ｏの上面に塗布する。この際、シリコンウェハ１５１ｏをスピンさせると、レジストを一様に塗布することができる点で好ましい。ついで、マスク形成部を遮光するフィルムをシリコンウェハ１５１ｏに載せ、光を照射してレジストを感光させる。その後、洗浄及び乾燥を行うと、硬化していないレジストが洗い流され、容量用マスク１８０を有するシリコンウェハ１５１ｐを得ることができる。なお、電極端子Ａ７３０の表面の粗さの程度が大きくない場合には、光を照射した部分が除去されるレジストも好適に用いられる。レジストは、容量用マスク１８０を形成することができるものであれば、材料を特に限定されない。【０１３３】＜誘電体層形成工程（図３４のｐ９）＞  誘電体層形成工程は、容量用マスクを有するベース基材のマスクを形成されていない部分に、誘電体層を形成させる工程である。本実施形態においては、図４７に示されるように、容量用マスクを有するシリコンウェハ１５１ｐを、容器８４１中の化成液８５３に浸せきさせ、可変電源８９１の陽極配線８９２をシリコンウェハ１５１ｐの電極端子Ａ７３０に接続し、可変電源８９１の陰極配線８９３を化成液８５３中の陰極板８９４に接続する。可変電源８９１の出力電圧を徐々に高くし、電極端子Ａ７３０の表面に酸化皮膜からなる誘電体層７５０を���成する。電極端子Ａ７３０がアルミニウムである場合は、誘電体層７５０は酸化アルミニウムである。これにより、誘電体層７５０を有するシリコンウェハ１５１ｑ（図４８参照）を得る。【０１３４】＜電極端子Ｂ用マスク形成工程（図３４のｐ１０）＞  電極端子Ｂ用マスク形成工程は、誘電体層を有するベース基材の誘電体層の表面の一部に、マスクを形成させる工程である。本実施形態においては、誘電体層７５０を有するシリコンウェハ１５１ｑの誘電体層７５０の表面の一部に、マスクを形成する。電極端子Ａと電極端子Ｂとは、電気的な絶縁を維持する必要がある。そのため、絶縁用の絶縁マスク１８０ｂを形成する。絶縁マスク１８０ｂは除去する必要はなく、本実施形態においては、エポキシ樹脂を基材とする熱硬化樹脂を用いる。これにより、電極端子Ｂ用マスクを有するシリコンウェハ１５１ｒ（図４９参照）を得る。【０１３５】＜電極端子Ｂ形成工程（図３４のｐ１１）＞  電極端子Ｂ形成工程は、誘電体層を有するベース基材の誘電体層の表面のマスクを形成されていない部分に、電極端子Ｂを形成させる工程である。本実施形態においては、電極端子Ｂ用マスクを有するシリコンウェハ１５１ｒの誘電体層７５０の表面の絶縁マスク１８０ｂを形成されていない部分に、導電性高分子を形成し、ついで、カーボンペースト及び銀ペーストを順次塗布して、電極端子Ｂ７４０を形成する。これにより、マスク付き電極端子Ｂ７４０を有するシリコンウェハ１５１ｓ（図５０参照）を得る。【０１３６】＜マスク除去工程（図３４のｐ１２）＞  マスク除去工程は、ベース基材の電極端子Ｂを形成させない部分に形成されたマスクを除去する工程である。本実施形態においては、マスク付き電極端子Ｂを有するシリコンウェハ１５１ｓをはく離液に浸せきさせることにより、容量用マスク１８０を除去し、洗浄及び乾燥を行って、電極端子Ｂ７４０を有するシリコンウェハ１５１ｔ（図５１参照）を得る。【０１３７】＜金属端子用マスク形成工程（図３４のｐ１３）＞  金属端子用マスク形成工程は、電極端子Ｂを有するベース基材の金属端子を形成させない部分に、マスクを形成させる工程である。本実施形態においては、電極端子Ｂ７４０を有するシリコンウェハ１５１ｔの上面及び底面の金属端子を形成させない部分に、レジスト１８０ａでマスクを形成する。これにより、マスク付き電極端子Ｂ７４０を有するシリコンウェハ１５１ｕ（図５２参照）を得る。【０１３８】＜金属端子形成工程（図３４のｐ１４）＞  金属端子形成工程は、ベース基材の孔の縁及び孔の内部表面並びに引出端子となる部分に金属端子を形成させる工程である。本実施形態においては、シリコンウェハ１５１ｐに対してＤＣスパッタを行い、シリコンウェハ１５１ｕの両面の孔の縁１５３及び孔１５２の内部表面並びに引出端子７２０となる部分に金属端子を形成させる。これにより、金属端子を有するシリコンウェハ１５１ｖを得る（図５３参照）。金属端子の構成は、本実施形態においては、下地が厚さ５０ｎｍのチタン、最上層が厚さ３００ｎｍの金である。下地と最上層との間には、中間層を存在させることができる。中間層に用いられる金属及び最上層に用いられる金属は、いずれも、ロウ付けに際し、変質しない物質であれば特に限定されず、ロウ付けの濡れ性を考慮して選定することができる。【０１３９】＜マスク除去工程（図３４のｐ１５）＞  マスク除去工程は、ベース基材の金属端子を形成しない部分に形成されたマスクを除去する工程である。本実施形態においては、マスク付き金属端子を有するシリコンウェハ１５１ｖをはく離液に浸せきさせることにより、レジスト１８０ａからなるマスクを除去し、洗浄及び乾燥を行って、金属端子を有するシリコンウェハ１５１ｗ（図５４参照）を得る。【０１４０】＜封止樹脂形成工程（図３４のｐ１６）＞  封止樹脂形成工程は、ベース基材のエッチング削穴に封止樹脂を充填する工程である。本実施形態では、シリコンウェハ１５１ｗのエッチング削穴１８９に封止樹脂１８０ｃを充填し、封止樹脂１８０ｃを有するシリコンウェハ１５１ｘ（図５５参照）を得る。本実施形態においては、封止樹脂１８０ｃとしてエポキシ系熱硬化型樹脂を用いたが、ウレタン系樹脂を用いることもできる。中でも、半導体パッケージやコンデンサの封止に用いられる樹脂は、酸化や水分による腐食を防止することができる点で好ましい。【０１４１】＜切断工程（図３４のｐ１７）＞  切断工程は、金属端子を有するベース基材を切断する工程である。図５６に、本実施形態での切断工程の説明図を示す。本実施形態においては、あらかじめ切り代１７０（図２７参照）を設け、図５６に示す破線１７１、１７２、１７３及び１７４のそれぞれに沿って、シリコンウェハ１５１ｘをダイサーで切断する。この際、ロウ誘導端子１２０（図２７参照）がダイサーの刃に巻き込まれないようする。これは、シリコンウェハ１５１ｘを切断すると、切断面に導電性のシリコンが露出するため、ロウ誘導端子１２０と短絡することを防止する必要があるからである。これにより、スペーサ１０５（図２７参照）を得る。【０１４２】  スペーサ１０５は、外形寸法を特に限定されないが、例えば、幅約１ｍｍ、奥行き約１ｍｍ、高さ約０．５ｍｍとすることができる。【０１４３】  このように本第６実施形態のスペーサ１０５の製造方法は、半導体製造工程と同様の手法を採用している部分があるので、金属端子の寸法精度を数μｍの単位で制御することができる。また、外形寸法を少なくとも１００μｍの精度で製作することができる利点もある。なお、削孔工程（図３４のｐ２）及び切断工程（図３４のｐ１７）においては、レーザーを使用すれば、１μｍの精度で製作することができる。【０１４４】  また、ベース基材の材料として、シリコンを用いたが、これに特に限定されず、例えば、プラスチック等の樹脂を用いることもできる。樹脂製のベース基材は、型に樹脂原料を流し込み、熱又は化学的反応により硬化させる方法により、得ることができる。ベース基材の材料として用いられる樹脂が、絶縁性である場合には、電気絶縁性の酸化膜を形成させる熱酸化工程（図３４のｐ４）を省略することができる。【０１４５】  スペーサ１０５の寸法を数ｍｍ以上にすることができる場合は、樹脂製の板材に削孔する工程と、金属端子を無電解メッキ法等で形成させる工程と、切断する工程により、容量内蔵のスペーサ１０５を製造することもできる。【０１４６】  ここで、本第６実施形��のスペーサ１０５に内蔵されるキャパシタ７１０は、図２８に示す構成に限らず、図５７に示されるように、誘電体層７５０及び電極端子Ｂ７４０を２層ずつ有し、電極端子Ｂ７４０／誘電体層７５０／電極端子Ａ７３０／誘電体層７５０／電極端子Ｂ７４０の順に積層されているような構成であってもよい。【０１４７】  この場合のスペーサ１０５の製造方法は、削孔工程（図３４のｐ２）、マスク除去工程（図３４のｐ３）及び熱酸化工程（図３４のｐ４）の後に、容量配置工程として、電極端子Ａ用マスク形成工程（図３４のｐ５）、電極端子Ａ形成工程（図３４のｐ６）、マスク除去工程（図３４のｐ７）、容量用マスク形成工程（図３４のｐ８）、誘電体層形成工程（図３４のｐ９）、電極端子Ｂ用マスク形成工程（図３４のｐ１０）、電極端子Ｂ形成工程（図３４のｐ１１）及びマスク除去工程（図３４のｐ１２）を行う代わりに、あらかじめ製作しておいたキャパシタをエッチング削穴１８９に配置する工程を行う。その後に、金属端子用マスク形成工程（図３４のｐ１３）以降の工程を行う。これにより、キャパシタ７１０の構成は、特に限定されず、高性能な容量素子とすることが容易となり、図５７に示すような、多層構造のキャパシタとすることができる。【０１４８】  また、キャパシタ７１０については、容量素子に限らず、容量回路（例えば、低域通過フィルタ、広域通過フィルタ、バンドパスフィルタ、ダイオードブリッジ、整流回路）であってもよい。この容量素子又は容量回路は、ベース基材１５０の内部及び表面の一方に存在していてもよく、両方に存在していてもよい。【０１４９】  次に、本第６実施形態の別の例を図５８〜５６に示す。【０１５０】  図５８は、６個のロウ誘導端子１２１ａ、１２１ｂ、１２２、１２３、１２４及び１２５を有し、容量素子を内蔵したスペーサ１０６の外観を示す斜視図である。このスペーサ１０６は、前述した第２実施形態のスペーサ１０１（図１８参照）にキャパシタなどの容量素子を内蔵させた構成である。図５８に示すように、スペーサ１０６は、ロウ誘導端子１２１ａとロウ誘導端子１２４とに引出端子７２０を設けて、この両引出端子７２０間に容量素子を接続した構成である。【０１５１】  このスペーサ１０６の製造方法は、前述したスペーサ１０５の製造方法における切断工程（図３４のｐ１７）で、切断する位置を、破線１７２に代えて破線１７２ａ（図５６参照）にする。これにより、スペーサ１０６を得る。【０１５２】  このスペーサ１０６は、ロウ誘導端子を６個有しているので、ロウ付けにより更に強固に固定されるうえ、ＬＳＩを支える上面及び底面の面積が大きくなるので、更に安定させることができる。また、このような製造方法を応用して、削孔工程での孔１５２の位置や切断工程での切断位置を適宜選択することにより、所望の数のロウ誘導端子を有するスペーサを得ることができる。【０１５３】  図５９は、スペーサ１０５とロウ誘導面の形状が異なるスペーサ１０７の外観を示す斜視図である。このスペーサ１０７は、前述した第３実施形態のスペーサ１０２（図２０参照）にキャパシタ等の容量素子を内蔵させた構成である。図５９に示すように、スペーサ１０７に装備されたロウ誘導端子１２０，１２１，１２２，１２３のロウ誘導面は、スペーサ上面との交線１３０及び底面との交線１４０がそれぞれ円弧であり、別の側面との交線１３５が直線である。また、ロウ誘導端子１２０とロウ誘導端子１２２とに引出端子７２０を設けて、この両引出端子７２０間に容量素子を接続した構成である。【０１５４】  このスペーサ１０７の製造方法は、基本的に、上述したスペーサ１０５の製造方法と同じであるが、削孔工程で用いる先端工具を、その回転軸を含む断面における先端部の形状がほぼ直線状である工具（換言すると、先端部（刃先）の回転軸の横方向への投射形状の先端が直線である先端工具）にする。【０１５５】  図６０は、ロウ誘導面が平面のスペーサ１０８の外観を示す斜視図である。このスペーサ１０８は、前述した第４実施形態のスペーサ１０３（図２１参照）にキャパシタ７１０を内蔵させた構成である。図６０に示すように、スペーサ１０７に装備されたロウ誘導端子１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，１２３ｄのロウ誘導面は、平面であり、スペーサ上面との交線１３０及び底面との交線１４０がともに直線であり、隣の側面との交線１３５も直線である。また、ロウ誘導端子１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，１２３ｄに引出端子７２０を設けて、この引出端子７２０間に容量素子を接続した構成である。【０１５６】  このスペーサ１０８の製造方法は、基本的に、上述したスペーサ１０５の製造方法と同じであるが、削孔工程で先端工具を用いる代わりに、レーザーを斜めから照射し、シリコンウェハに略四角錘状の孔を形成する。このように、スペーサ１０８は、ロウ誘導面１１０が平面であるので、製造が容易となる。【０１５７】  図６１は、２つのロウ誘導端子１２０，１２１を有するスペーサ１０９の外観を示す斜視図である。このスペーサ１０９は、前述した第５実施形態のスペーサ１０４（図２４参照）にキャパシタ等の容量素子を内蔵させた構成である。図６１に示すように、スペーサ１０９は、２個のロウ誘導端子１２０及び１２１を有している。ロウ誘導端子１２０及び１２１の端子面は、第４実施形態と同様に、平面である。ロウ誘導端子１２０，１２１に引出端子７２０を設けて、この引出端子７２０間に容量素子を接続した構成である。【０１５８】  このスペーサ１０９の製造方法は、基本的に、上述したスペーサ１０８の製造方法と同じであるが、切断工程において、切断する線を変更する。【０１５９】  以上のように、本第６実施形態のスペーサ１０５〜１０９は、上述した第１〜第５実施形態のスペーサ１００〜１０４にキャパシタ等の容量素子を内蔵したものであり、このようにすることで、スペーサが装備されるスペースを有効に利用して、ＬＳＩの電源端子等の所望の端子に容量を付加することができる。【０１６０】  次に、本発明にかかる他の実施形態のスペーサは、電気絶縁性のベース基材とロウ誘導端子とを有し、ロウ誘導面をスペーサの底面に対して非垂直とする。このスペーサを、半導体装置とプリント配線基板との間隙のロウとロウの間に設置することで、半導体装置の外形寸法を必要以上に大きくすることはなくなる。  また、本実施形態のスペーサの厚さを変えてやれば、半導体装置とプリント配線基板との間隙幅を自由に設定でき、ハ��ダボールの材質や大きさ等のロウ付け条件を容易に変更することができるようになる。さらに、このスペーサは、ロウ誘導面を非垂直にすることで、ロウ誘導面へのロウの吸い寄せによって生じる半導体装置とプリント配線基板との接続不良を防止する。  この実施形態のスペーサは、電気絶縁性のベース基材と、少なくとも１個のロウ誘導端子とを有するスペーサであって、前記ベース基材の表面が、底面と、上面と、少なくとも１面の側面とで構成され、前記底面と前記上面とが、互いに接しない面であり、前記側面が、前記底面及び前記上面の一方又は両方に接する面であり、前記ロウ誘導端子が、前記底面の一部と、前記上面の一部と、前記側面の一部又は全部とを被覆しており、前記ロウ誘導端子の前記側面を被覆している部分の表面であるロウ誘導面が、前記底面に対して非垂直である。  また、この実施形態のスペーサは、前記ロウ誘導面が曲面であってもよく、前記ロウ誘導面が凹曲面であってもよい。さらに、この実施形態のスペーサは、前記ロウ誘導面が平面であってもよい。  この実施形態のスペーサの製造方法は、ベース基材に孔を形成する削孔工程と、前記孔を形成された前記ベース基材の前記孔の縁及び前記孔の内部表面に金属端子を形成させる金属端子形成工程と、前記金属端子を有する前記ベース基材を熱酸化して、切断面に酸化膜を形成させて、スペーサを得る再熱酸化工程とからなる。  この製造方法は、前記削孔工程と前記金属端子形成工程との間に、前記孔を形成された前記ベース基材のロウ誘導端子を形成しない部分に、マスクを形成させるマスク形成工程を含み、かつ、前記金属端子形成工程と前記再熱酸化工程との間に、前記ベース基材のロウ誘導端子を形成しない部分に形成された前記マスクを除去するマスク除去工程を含んでもよい。  また、前記削孔工程の直後に、前記孔を形成された前記ベース基材を熱酸化して、その表面に酸化膜を形成させる熱酸化工程を含めてもよい。再熱酸化工程の直前に、前記金属端子を有する前記ベース基材を切断する切断工程を含めてもよい。前記削孔工程が、先端工具を用いて行われ、前記先端工具の回転軸を含む断面における先端部の形状が凸状の曲線であってもよい。【０１６１】  さらに、本発明にかかる他の実施形態のスペーサは、電気絶縁性のベース基材と、少なくとも１個のロウ誘導端子と、前記ベース基材の内部及び／又は表面に存在する容量素子又は容量回路とを有する容量内蔵スペーサであって、前記ベース基材の表面が、底面と、上面と、少なくとも１面の側面とで構成され、前記底面と前記上面とが、互いに接しない面であり、前記側面が、前記底面及び前記上面の一方又は両方に接する面であり、前記ロウ誘導端子が、前記底面の一部と、前記上面の一部と、前記側面の一部又は全部とを被覆しており、前記ロウ誘導端子の前記側面を被覆している部分の表面であるロウ誘導端子面が、前記底面に対して非垂直であり、前記ロウ誘導端子の一部又は全部が前記容量素子又は前記容量回路に接続されている、容量内蔵スペーサである。  この容量内蔵スペーサは、前記ロウ誘導端子面と前記底面とのなす角度が鋭角であってもよく、前記ロウ誘導端子面が曲面であってもよい。また、前記ロウ誘導端子面が凹曲面であってもよく、前記ロウ誘導端子面が平面であってもよい。  この実施形態のスペーサに内蔵された前記容量素子は、固体アルミ電解コンデンサ又はセラミックコンデンサであればよい。  次に、本実施形態の容量内蔵スペーサの製造方法は、ベース基材に孔を形成する削孔工程と、前記孔を形成された前記ベース基材の前記孔の縁及び孔の内部表面並びに引出端子となる部分に金属端子を形成させる金属端子形成工程と、前記ベース基材の内部及び／又は表面に容量素子又は容量回路を配置する容量配置工程とからなる。  前記削孔工程では、先端工具を用いてベース基材に孔を形成しており、前記先端工具の回転軸を含む先端部の断面形状が凸状の曲線である。  本実施形態の大規模集積回路は、表面に半導体チップパッドを有する半導体回路チップを、表面にインターポーザパッドを有するインターポーザに実装した大規模集積回路であって、ハンダボールを用いて、前記インターポーザパッドと前記半導体チップパッドとを接続することにより前記半導体回路チップを前記インターポーザに実装する際に、上述した容量内蔵スペーサが用いられた大規模集積回路である。  本実施形態のプリント配線基板は、表面にＰＷＢパッドを有するＰＷＢ樹脂の部分を有し、表面に子ボードパッドを有する子ボードを実装したプリント配線基板であって、ハンダボールを用いて、前記ＰＷＢパッドと前記子ボードパッドとを接続することにより前記子ボードを実装する際に、上述した容量内蔵スペーサが用いられたプリント配線基板である。【０１６２】以上、実施形態（及び実施例）を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態（及び実施例）に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。【０１６３】  この出願は２００７年８月２４日に出願された日本出願特願２００７−２１８５４６と２００７年１０月１０日に出願された日本出願特願２００７−２６４８３５を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【産業上の利用可能性】
【０１６４】  本発明によれば、プリント配線基板とプリント配線基板，プリント配線基板と半導体回路，プリント配線基板と各種デバイスなど実装基板と電子部品とを、ハンダ等を用いてロウ付けして接続する際に、ロウ付け対象の間隙の幅を一様に保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】本発明にかかる第１実施形態のスペーサの形状を示す模式的な斜視図である。
【図２】図１に開示した実施形態のスペーサのＡ−Ａ線に沿った模式的な端面図である。
【図３】図１に開示した実施形態のスペーサの使用例を示す模式的な斜視図である。
【図４】図３中のＢ−Ｂ線に沿った模式的な端面図である。
【図５】図１に開示した実施形態のスペーサの使用例を示す模式的な斜視図である。
【図６】図５中のＣ−Ｃ線に沿った模式的な端面図である。
【図７】図６中の領域Ｄのロウ付け後の模式的な拡大端面図である。
【図８】図１に開示した実施形態のスペーサの製造方法を示す製造工程図である。
【図９】図１に開示した実施形態のスペーサの製造方法に用いるシリコンウェハ及び先端工具の模式的な斜視図である。
【図１０】図１に開示した実施形態のスペーサの製造方法における削孔工程の説明図である。
【図１１】図１に開示した実施形態のスペーサの製造方法における削孔工程語のシリコンウェハを示す模式的な斜視図である。
【図１２】図１に開示した実施形態のスペーサの製造方法における熱酸化工程後のシリコンウェハを示す模式的な斜視図である。
【図１３】図１に開示した実施形態のスペーサの製造方法におけるマスク形成工程後のシリコンウェハを示す模式的な斜視図である。
【図１４】図１に開示した実施形態のスペーサの製造方法における金属端子形成工程後のシリコンウェハを示す模式的な斜視図である。
【図１５】図１に開示した実施形態のスペーサの製造方法におけるマスク除去工程後のシリコンウェハを示す模式的な斜視図である。
【図１６】図１に開示した実施形態のスペーサの製造方法における切断工程の説明図である。
【図１７】図１に開示した実施形態のスペーサの製造方法における切断工程後のシリコンウェハ片を示す模式的な斜視図である。
【図１８】本発明にかかる第２実施形態のスペーサの形状を示す模式的な斜視図である。
【図１９】図１８に開示した実施形態のスペーサの製造工程の一部を示す説明図である。
【図２０】本発明にかかる第３実施形態のスペーサの形状を示す模式的な斜視図である。
【図２１】本発明にかかる第４実施形態のスペーサの形状を示す模式的な斜視図である。
【図２２】図２１に開示して実施形態のスペーサの製造工程の一部を示す説明図である。
【図２３】図２２に示す孔の形状を示す平面図及び断面図である。
【図２４】本発明にかかる第５実施形態のスペーサの形状を示す模式的な斜視図である。
【図２５】図１に開示した実施形態のスペーサを装備したＬＳＩの模式的な断面図である。
【図２６】図１に開示した実施形態のスペーサをプリント配線基板と子ボードの間に装備した場合の模式的な断面図である。
【図２７】本発明にかかる第６実施形態のスペーサの形状を示す模式的な斜視図である。
【図２８】図２７に開示した実施形態のスペーサのＦ−Ｆ線に沿った模式的な端面図である。
【図２９】図２７に開示した実施形態のスペーサの使用例を示す模式的な斜視図である。
【図３０】図２９中のＧ−Ｇ線に沿った模式的な端面図である。
【図３１】図２７に開示した実施形態のスペーサの使用例を示す模式的な斜視図である。
【図３２】図３１中のＨ−Ｈ線に沿った模式的な端面図である。
【図３３】図３２中の領域Ｄ´のロウ付け後の模式的な拡大端面図である。
【図３４】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法を示す製造工程図である。
【図３５】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における削孔用マスク形成工程後のシリコンウェハを示す模式的な斜視図である。
【図３６】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における削孔工程の説明図である。
【図３７】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における削孔工程に用いられるシリコンウェハ及び先端工具の模式的な斜視図である。
【図３８】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における削孔工程の説明図である。
【図３９】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における削孔工程後のシリコンウェハの模式的な斜視図である。
【図４０】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法におけるマスク除去工程後のシリコンウェハの模式的な斜視図である。
【図４１】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における熱酸化工程後のシリコンウェハの模式的な斜視図である。
【図４２】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における電極端子Ａ用マスク形成工程後のシリコンウェハの模式的な斜視図である。
【図４３】図４２中のＩ−Ｉ線に沿った模式的な端面図である。
【図４４】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における電極端子Ａ形成工程後のシリコンウェハの模式的な端面図である。
【図４５】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法におけるマスク除去工程後のシリコンウェハの模式的な端面図である。
【図４６】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における容量用マスク形成工程後のシリコンウェハの模式的な端面図である。
【図４７】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における誘電体層形成工程の説明図である。
【図４８】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における誘電体層形成工程後のシリコンウェハの模式的な端面図である。
【図４９】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における電極端子Ｂ用マスク形成工程後のシリコンウェハの模式的な端面図である。
【図５０】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における電極端子Ｂ形成工程後のシリコンウェハの模式的な端面図である。
【図５１】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法におけるマスク除去工程後のシリコンウェハの模式的な端面図である。
【図５２】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における金属端子用マスク形成工程後のシリコンウェハの模式的な端面図である。
【図５３】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における金属端子形成工程後のシリコンウェハを示す模式的な端面図である。
【図５４】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法におけるマスク除去工程後のシリコンウェハを示す模式的な端面図である。
【図５５】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における封止樹脂形成工程後のシリコンウェハを示す模式的な端面図である。
【図５６】図２７に開示した実施形態のスペーサの製造方法における切断工程の説明図である。
【図５７】本発明にかかる第６実施形態のスペーサの別の構成を示す断面図である。
【図５８】本発明にかかる第６実施形態のスペーサの別の構成を示す斜視図である。
【図５９】本発明にかかる第６実施形態のスペーサの別の構成を示す斜視図である。
【図６０】本発明にかかる第６実施形態のスペーサの別の構成を示す斜視図である。
【図６１】本発明にかかる第６実施形態のスペーサの別の構成を示す斜視図である。
【図６２】関連技術におけるＬＳＩと対象基板との接合状態を示す模式的な断面図である。
【図６３】特許文献１に開示された技術を示す図である。
【図６４】特許文献２に開示された技術を示す図である。
【図６５】特許文献３に開示された技術を示す図である。
【図６６】特許文献２に開示された技術を適用した場合のＬＳＩと対象基板との接合状態を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【０１６６】  １００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８，１０９  スペーサ  １１０  ロウ誘導面  １２０，１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２１ａ，１２１ｂ，１２１ｃ，１２１ｄ，１２２，１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，１２２ｄ  ロウ誘導端子  １３０  ロウ誘導面と上面との交線  １３５  ロウ誘導面と他の側面との交線  １４０  ロウ誘導面と底面との交線  １５０  ベース基材  １５１，１５１ａ〜１５１ｅ，１５１ａａ，１５１ｇ〜１５１ｘ  シリコンウェハ  １５１ｆ  シリコンウェハ片  １５２、１５２ａ  孔  １５３  孔の縁  １５４  金属端子  １６１  上面  １６２  底面  １７１，１７２，１７３，１７４，１７２ａ  切断線  １８０，１８０ａ  レジスト  １８０ｂ  絶縁マスク  １８０ｃ  封止樹脂  １８１、１８２、１８３、１８４、１８４ａ  切断線  １８５  切断面  １８６  円孔準備穴位置  １８７  エッチング削穴位置  １８８  円孔準備穴  １８９  エッチング削穴  ３００  ＬＳＩ  ３１０  インターポーザ  ３１１  インターポーザパッド  ３２０，３２１，３２２  ＬＳＩパッド  ３３０  半導体回路チップ  ３３１  半導体チップパッド  ４００  プリント配線基板  ４０１  子ボード  ４１０  ＰＷＢ樹脂  ４２０，４２１，４２２  ＰＷＢパッド  ４２５  子ボードパッド  ４４０  レジスト  ５０１，５０２，５０３  ハンダ  ５１０，５１１  ハンダボール  ６００，６０１，６０２，６０３，６０４  電子部品  ６２１，６２２  電極端子  ７１０  キャパシタ  ７２０  引出端子  ７３０  電極端子Ａ  ７４０  電極端子Ｂ  ７５０  誘電体層  ８１０  先端工具  ８４１  容器  ８５１  エッチング液  ８５３  化成液  ８９１  可変電源  ８９２  陽極配線  ８９３  陰極配線  ８９４  陰極板  １５２１  孔の内面とベース基材上面との交線  １５２３  孔の内面とベース基材底面との交線  １５２２  孔の内面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【国際調査報告】
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