【手続補正書】
【提出日】平成16年6月17日(2004.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体からなる第１導電型クラッド層と、窒化物半導体からなる活性層と、窒化物半導体からなる第２導電型クラッド層とを備え、
該第１導電型クラッド層および該第２導電型クラッド層は、レーザ発振モードの等価屈折率よりも低い屈折率を有する層を総膜厚０．４μｍ以上含むと共に、レーザ発振モードの等価屈折率よりも高い屈折率を有する層を含まないか、または１層もしくは２層以上からなる層を各々層厚０μｍより大で０．０２μｍ以下で含む、連続した層からなり、
該第１導電型クラッド層は、該活性層に近い主面側から、互いに組成が異なる第１の第１導電型クラッド層と第２の第１導電型クラッド層とを少なくともこの順に含み、
該第１の第１導電型クラッド層および該第２の第１導電型クラッド層は、いずれもレーザ発振モードの等価屈折率よりも低い屈折率を有する材料からなり、
該第１の第１導電型クラッド層は、該第２の第１導電型クラッド層に比べて、低い屈折率を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
少なくとも前記第１導電型クラッド層における前記活性層から遠い主面側に、窒化物半導体からなる第１導電型層を備え、
該第１導電型層は、レーザ発振モードの等価屈折率よりも高い屈折率を有し、レーザ発振波長に対して透明な材料からなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第２の第１導電型クラッド層と前記活性層との距離が、層厚方向に０．３４μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１の第１導電型クラッド層と該活性層との距離が、層厚方向に０．０５μｍ以上０．２４μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第１の第１導電型クラッド層は、層厚が０．０２μｍ以上０．１５μｍ以下であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第２導電型クラッド層は、前記活性層に近い主面側から、互いに組成が異なる第１の第２導電型クラッド層と第２の第２導電型クラッド層とを少なくともこの順に含み、
該第１の第２導電型クラッド層は、該第２の第２導電型クラッド層に比べて、低い屈折率を有することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記第２の第２導電型クラッド層と前記活性層との距離が、層厚方向に０．３４μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記第１の第２導電型クラッド層と前記活性層との距離が、層厚方向に０．０５μｍ以上０．２４μｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記第１の第２導電型クラッド層は、層厚が０．０２μｍ以上０．１５μｍ以下であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記活性層の一方側に水平方向光閉じ込めリッジ構造が設けられ、前記第１導電型クラッド層は、該水平方向光閉じ込めリッジ構造側に設けられていることを特徴とする請求項２乃至請求項９のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記第１の第１導電型クラッド層は、平坦部とストライプ状凸構造部とを有し、
該ストライプ状凸構造部の上側概略全面に、少なくとも前記第２の第１導電型クラッド層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記平坦部の上面と、前記ストライプ状凸構造部の側面と、前記第２の第１導電型クラッド層の側面とを覆って、第２導電型または高抵抗の埋め込み層が設けられ、
該埋め込み層は、前記第１の第１導電型クラッド層と概略等しい屈折率を有することを特徴とする請求項１１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記埋め込み層は、前記第１の第１導電型クラッド層と概略等しい組成のＩｎＧａＡｌＮまたはＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項１２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記埋め込み層は、前記第１の第１導電型クラッド層と概略等しい屈折率を有するＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＺｎＭｇＣｄＳＳｅのいずれかからなることを特徴とする請求項１２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１５】
前記第１の第１導電型クラッド層および前記第２の第１導電型クラッド層は、少なくともＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項１４に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１６】
前記第１の第１導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ１、前記第２の第１導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ２、および該第１の第１導電型クラッド層の層厚ｄ［μｍ］が、
０．０２≦ｄ≦０．０５、かつ、
−０．５５７＋１１．１２８×ｙ１−７５．５８３×ｙ１＾２
＋２２４．６７×ｙ１＾３−２４６．６７×ｙ１＾４≦ｙ２
≦０．００３６＋０．９０１６９×ｙ１、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
または、
０．０５≦ｄ≦０．１０、かつ、
ｙ２≦０．００８６＋０．８９×ｙ１、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
または、
０．１０≦ｄ≦０．１５、かつ、
ｙ２≦０．０１７９７４＋０．９０１６９×ｙ１、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項１５に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１７】
前記第１の第１導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ１、前記第２の第１導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ２、および該第１の第１導電型クラッド層の層厚ｄ［μｍ］が、
０．０２≦ｄ≦０．０５、かつ、
０．０３０８５１×ｙ１＾（−０．２７４４２）≦ｙ２、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
または、
０．０５≦ｄ≦０．１０、かつ、
０．０１６１３７×ｙ１＾（−０．５２３２３）≦ｙ２
≦０．０９４２３４×ｙ１＾（−０．３５１１９）、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
または、
０．１０≦ｄ≦０．１５、かつ、
ｙ２≦０．０３１７９２×ｙ１＾（−０．９５０８４）、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項１５に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１８】
前記第１の第１導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ１、前記第２の第１導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ２、および該第１の第１導電型クラッド層の層厚ｄ［μｍ］が、
０．０５≦ｄ≦０．１５、かつ、
０．０４≦ｙ１≦０．０８、かつ、
０．１０≦ｙ２≦０．２０
の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項１５に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１９】
前記第１の第２導電型クラッド層および前記第２の第２導電型クラッド層は、少なくともＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２０】
前記第１の第２導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ１、前記第２の第２導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ２、および該第１の第２導電型クラッド層の層厚ｄ［μｍ］が、
０．０２≦ｄ≦０．０５、かつ、
−０．５５７＋１１．１２８×ｙ１−７５．５８３×ｙ１＾２
＋２２４．６７×ｙ１＾３−２４６．６７×ｙ１＾４≦ｙ２
≦０．００３６＋０．９０１６９×ｙ１、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
または、
０．０５≦ｄ≦０．１０、かつ、
ｙ２≦０．００８６＋０．８９×ｙ１、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
または、
０．１０≦ｄ≦０．１５、かつ、
ｙ２≦０．０１７９７４＋０．９０１６９×ｙ１、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項１９に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２１】
前記第１の第２導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ１、前記第２の第２導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ２、および該第１の第２導電型クラッド層の層厚ｄ［μｍ］が、
０．０２≦ｄ≦０．０５、かつ、
０．０３０８５１×ｙ１＾（−０．２７４４２）≦ｙ２、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
または、
０．０５≦ｄ≦０．１０、かつ、
０．０１６１３７×ｙ１＾（−０．５２３２３）≦ｙ２
≦０．０９４２３４×ｙ１＾（−０．３５１１９）、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
または、
０．１０≦ｄ≦０．１５、かつ、
ｙ２≦０．０３１７９２×ｙ１＾（−０．９５０８４）、かつ、
ｙ２＜ｙ１≦０．３０、かつ、０．０４≦ｙ２≦０．１５
の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項１９に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２２】
前記第１の第２導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ１、前記第２の第２導電型クラッド層のＡｌ混晶比ｙ２、および該第１の第２導電型クラッド層の層厚ｄ［μｍ］が、
０．０５≦ｄ≦０．１５、かつ、
０．０４≦ｙ１≦０．０８、かつ、
０．１０≦ｙ２≦０．２０
の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項１９に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２３】
前記第２の第１導電型ｐ型クラッド層のＡｌ混晶比は、０．０３以上０．１０以下であることを特徴とする、請求項１乃至請求項２２のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２４】
情報記録面を有する光ディスクに照射されたレーザ光の反射光を変換することにより、該光ディスクに記録された記録情報を再生する光学式情報再生装置であって、
請求項１乃至請求項２３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子を光源として用いることを特徴とする光学式情報再生装置。