【手続補正書】
【提出日】平成16年7月1日(2004.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タンタル焼結体及びその焼結体を用いたコンデンサ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のピークを有する細孔径分布を持つことを特徴とするタンタル焼結体。
【請求項２】  複数のピークの内、相対強度の大きい方から２つのピークの細孔直径が、０.２〜０.７μｍ及び０.７〜３μｍである請求項１に記載のタンタル焼結体。
【請求項３】複数のピークの内、最も相対強度の大きいピークの細孔直径が、０.７〜３μｍである請求項１に記載のタンタル焼結体。
【請求項４】焼結体が、細孔空隙容積を含めて１０ｍｍ3以上の体積を持つ請求項１乃至３のいずれか１項に記載のタンタル焼結体。
【請求項５】  焼結体が、０.２〜７ｍ2／ｇの比表面積を持つ請求項１乃至４のいずれか１項に記載のタンタル焼結体。
【請求項６】  焼結体の一部が窒化している請求項１乃至５のいずれか１項に記載のタンタル焼結体。
【請求項７】  焼結体が、１３００℃で焼結した場合４００００〜２０００００μＦＶ／ｇのＣＶ値を持つ焼結体を与えるタンタル粉成形体より得られる焼結体である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のタンタル焼結体。
【請求項８】  請求項１乃至７のいずれか１項に記載の焼結体を電極とし、その表面上に形成された誘電体と、この誘電体上に形成された対電極とから構成されたコンデンサ。
【請求項９】  誘電体の主成分が酸化タンタルである請求項８に記載のコンデンサ。
【請求項１０】  酸化タンタルが、電解酸化により形成されたものである請求項９に記載のコンデンサ。
【請求項１１】  対電極が、下記式（１）または式（２）
【化１】
2005505933.tif 000001
（式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、アルコキシ基あるいはアルキルエステル基、またはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、１級、２級もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。Ｒ1とＲ2及びＲ3とＲ4の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と共に少なくとも１つ以上の３〜７員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成してもよい。前記環状結合鎖には、カルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノの結合を任意の位置に含んでもよい。Ｘは酸素、硫黄または窒素原子を表わし、Ｒ5はＸが窒素原子の時のみ存在して、独立して水素または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基を表わす。）で示される繰り返し単位を含む重合体に、ドーパントをドープした導電性高分子である請求項８乃至１０のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１２】  重合体が、ポリピロール、ポリチオフェンおよびこれらの置換誘導体から選ばれる少なくとも一種である請求項１１に記載のコンデンサ。
【請求項１３】  重合体が、下記式（３）
【化２】
2005505933.tif 000002
（式中、Ｒ6及びＲ7は、各々独立して水素原子、炭素数１乃至６の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、または該アルキル基が互いに任意の位置で結合して、２つの酸素元素を含む少なくとも１つ以上の５〜７員環の飽和炭化水素の環状構造を形成する置換基を表わす。また、前記環状構造には置換されていてもよいビニレン結合を有するもの、置換されていてもよいフェニレン構造のものが含まれる。）で示される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体である請求項１２に記載のコンデンサ。
【請求項１４】  ポリチオフェン誘導体が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である請求項１３に記載のコンデンサ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
すなわち、本発明は、以下のタンタル焼結体及びそれを用いたコンデンサに関する。
１.複数のピークを有する細孔径分布を持つことを特徴とするタンタル焼結体。
２．複数のピークの内、相対強度の大きい方から２つのピークの細孔直径が、０.２〜０.７μｍ及び０.７〜３μｍである前項１に記載のタンタル焼結体。
３．複数のピークの内、最も相対強度の大きいピークの細孔直径が、０.７〜３μｍである前項１に記載のタンタル焼結体。
４．焼結体が、細孔空隙容積を含めて１０ｍｍ3以上の体積を持つ前項１乃至３のいずれか１項に記載のタンタル焼結体。
５．０.２〜７ｍ2／ｇの比表面積を持つ前項１乃至４のいずれか１項に記載のタンタル焼結体。
６．焼結体の一部が窒化している前項１乃至５のいずれか１項に記載のタンタル焼結体。
７．焼結体が、１３００℃で焼結した場合４００００〜２０００００μＦＶ／ｇのＣＶ値を持つ焼結体を与えるタンタル粉成形体より得られた焼結体である前項１乃至６のいずれか１項に記載のタンタル焼結体。
８．前項１乃至７のいずれか１項に記載の焼結体を電極とし、その表面上に形成された誘電体と、この誘電体上に形成された対電極とから構成されたコンデンサ。
９．誘電体の主成分が酸化タンタルである前項８に記載のコンデンサ。
１０．酸化タンタルが、電解酸化により形成されたものである前項９に記載のコンデンサ。
１１．対電極が、下記式（１）または式（２）
【化３】
2005505933.tif 000003
（式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、アルコキシ基あるいはアルキルエステル基、またはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、１級、２級もしくは３級アミノ基、ＣＦ3基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。Ｒ1とＲ2及びＲ3とＲ4の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と共に少なくとも１つ以上の３〜７員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成してもよい。前記環状結合鎖には、カルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノの結合を任意の位置に含んでもよい。Ｘは酸素、硫黄または窒素原子を表わし、Ｒ5はＸが窒素原子の時のみ存在して、独立して水素または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基を表わす。）で示される繰り返し単位を含む重合体に、ドーパントをドープした導電性高分子である前項８乃至１０のいずれか１項に記載のコンデンサ。
１２．重合体が、ポリピロール、ポリチオフェンおよびこれらの置換誘導体から選ばれた少なくとも一種である前項１１に記載のコンデンサ。
１３．重合体が、下記式（３）
【化４】
2005505933.tif 000004
（式中、Ｒ6及びＲ7は、各々独立して水素原子、炭素数１乃至６の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、または該アルキル基が互いに任意の位置で結合して、２つの酸素元素を含む少なくとも１つ以上の５〜７員環の飽和炭化水素の環状構造を形成する置換基を表わす。また、前記環状構造には置換されていてもよいビニレン結合を有するもの、置換されていてもよいフェニレン構造のものが含まれる。）で示される繰り返し単位を含むポリチオフェン誘導体である前項１２に記載のコンデンサ。
１４．ポリチオフェン誘導体が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である前項１３に記載のコンデンサ。