【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザチップと、該レーザチップと接続され該レーザチップのレーザ光を受光する第１の光ファイバーと、該第１の光ファイバーの光を伝達する送信用の第２の光ファイバーと、該第２の光ファイバーの光を受光する第３の光ファイバーと、該第３の光ファイバーの光を受光する受光手段を備えた光送受信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、若しくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で、該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層の厚さを、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたことを特徴とする光送受信システム。
【請求項２】
レーザチップと、該レーザチップと接続され該レーザチップのレーザ光を受光する第１の光ファイバーと、該第１の光ファイバーの光を伝達する送信用の第２の光ファイバーと、該第２の光ファイバーの光を受光する第３の光ファイバーと、該第３の光ファイバーの光を受光する受光手段を備えた光送受信システムにおいて、前記レーザチップは、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、若しくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたことを特徴とする光送受信システム。
【請求項３】
レーザチップと、該レーザチップと接続され該レーザチップのレーザ光を受光する第１の光ファイバーと、該第１の光ファイバーの光を伝達する送信用の第２の光ファイバーと、該第２の光ファイバーの光を受光する第３の光ファイバーと、該第３の光ファイバーの光を受光する受光手段を備えた光送受信システムにおいて、前記レーザチップは、発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、若しくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で、該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたことを特徴とする光送受信システム。
【請求項４】
レーザチップと、該レーザチップと接続され該レーザチップのレーザ光を受光する第１の光ファイバーと、該第１の光ファイバーの光を伝達する送信用の第２の光ファイバーと、該第２の光ファイバーの光を受光する第３の光ファイバーと、該第３の光ファイバーの光を受光する受光手段よりなる光送受信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上でそれを構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたことを特徴とする光送受信システム。
【請求項５】
前記レーザチップにはｎ個の半導体レーザ素子が形成されているとともに、前記第１の光ファイバー、第２の光ファイバー、第３の光ファイバーならびに受光手段をそれぞれｎ個ずつ有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光送受信システム。
【請求項６】
前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対することを識別する手段を有することを特徴とする請求項５に記載の光送受信システム。
【請求項７】
前記半導体レーザ素子の発光面と光ファイバーの受光面が互いに平行であることを特徴とする請求項６に記載の光送受信システム。
【請求項８】
前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有することを特徴とする請求項５に記載の光送受信システム。
【請求項９】
前記ｎ個の第１、第２、第３のそれぞれの光ファイバー群の光送出面および受光面が互いに１対１に相対することを識別する手段を有することを特徴とする請求項５に記載の光送受信システム。
【請求項１０】
前記ｎ個の第１、第２、第３のそれぞれの光ファイバー群の光送出面および受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有することを特徴とする請求項５に記載の光送受信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】    【課題を解決するための手段】  本発明はかかる課題を解決するために、請求項１は、レーザチップと、該レーザチップと接続され該レーザチップのレーザ光を受光する第１の光ファイバーと、該第１の光ファイバーの光を伝達する送信用の第２の光ファイバーと、該第２の光ファイバーの光を受光する第３の光ファイバーと、該第３の光ファイバーの光を受光する受光手段を備えた光送受信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、若しくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で、該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層の厚さを、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたことを特徴とする。  コンピュータ・ネットワーク、長距離大容量通信の幹線系など光ファイバー通信が期待されているレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の分野において、動作電圧、発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができる面発光型半導体レーザおよびそれを用いた通信システムが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫することにより、動作電圧、発振閾値電流等を低くでき、レーザ素子の発熱も少なく安定した発振ができ、また低コストで実用的な光通信システムが実現できた。すなわち、従来このような用途に使用できるレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の長波長帯面発光半導体レーザが存在しなかったが、本発明のように半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫した面発光型半導体レーザ素子チップにより、動作電圧、発振閾値電流等を低くでき、発熱も少ない省エネルギー、低コストの安定した光送受信システム実現できた。かかる発明によれば、半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫した面発光型半導体レーザ素子チップにより、動作電圧、発振閾値電流等を低くでき、発熱も少ない省エネルギー、低コストの安定した光送受信システム実現できた。  請求項２は、レーザチップと、該レーザチップと接続され該レーザチップのレーザ光を受光する第１の光ファイバーと、該第１の光ファイバーの光を伝達する送信用の第２の光ファイバーと、該第２の光ファイバーの光を受光する第３の光ファイバーと、該第３の光ファイバーの光を受光する受光手段を備えた光送受信システムにおいて、前記レーザチップは、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、若しくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたことを特徴とする。  請求項３は、レーザチップと、該レーザチップと接続され該レーザチップのレーザ光を受光する第１の光ファイバーと、該第１の光ファイバーの光を伝達する送信用の第２の光ファイバーと、該第２の光ファイバーの光を受光する第３の光ファイバーと、該第３の光ファイバーの光を受光する受光手段を備えた光送受信システムにおいて、前記レーザチップは、発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、若しくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で、該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  請求項４は、レーザチップと、該レーザチップと接続され該レーザチップのレーザ光を受光する第１の光ファイバーと、該第１の光ファイバーの光を伝達する送信用の第２の光ファイバーと、該第２の光ファイバーの光を受光する第３の光ファイバーと、該第３の光ファイバーの光を受光する受光手段よりなる光送受信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層を、主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上でそれを構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたことを特徴とする。  コンピュータ・ネットワーク、長距離大容量通信の幹線系など光ファイバー通信が期待されているレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の分野において、安定して使用できる長波長帯面発光半導体レーザおよびそれを用いた通信システムが存在しなかったが、本発明のように、非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とすることにより、実用的な光送受信システムが実現できた。  すなわち、従来このような用途に使用できるレーザ発振波長が１．１μｍ帯〜１．７μｍ帯の長波長帯面発光半導体レーザが存在しなかったが、本発明のように非発光再結合防止層を設けた面発光型半導体レーザ素子チップにより、半導体分布ブラッグ反射鏡構成材料のＡｌに起因する結晶欠陥、発光効率低下をなくすことが可能となり、安定したレーザ発振を行うことが可能な長波長帯面発光半導体レーザが実現し、実用的な光送受信システムが実現できた。  かかる発明によれば、非発光再結合防止層を設けた面発光型半導体レーザ素子チップにより、半導体分布ブラッグ反射鏡構成材料のＡｌに起因する結晶欠陥、発光効率低下をなくすことが可能となり、安定したレーザ発振を行うことが可能な長波長帯面発光半導体レーザが実現し、実用的な光送受信システムが実現できた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】  請求項５は、前記レーザチップにはｎ個の半導体レーザ素子が形成されているとともに、前記第１の光ファイバー、第２の光ファイバー、第３の光ファイバーならびに受光手段をそれぞれｎ個ずつ有することも本発明の有効な手段である。このような光送受信システムにおいて、レーザ発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍの長波長帯面発光半導体レーザの特徴を活かして、チップ上に複数のレーザ発振素子を形成し、それに対応して複数の光ファイバーを接続させた光送受信システムとしたので、大容量、かつ高速のデータ送受信が可能となる光送受信システムを実現できた。  かかる発明によれば、前記レーザチップにはｎ個の半導体レーザ素子が形成されているとともに、前記第１の光ファイバー、第２の光ファイバー、第３の光ファイバーならびに受光手段をそれぞれｎ個ずつ有するようにして、大容量、かつ高速のデータ送受信が可能となる光送受信システムを実現できた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  請求項６は、前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対することを識別する手段を有することをも本発明の有効な手段である。このようなレーザ発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍの長波長帯面発光半導体レーザの特徴を活かして、チップ上に複数のレーザ発振素子を形成し、それに対応して複数の光ファイバーを接続させた大容量の光送受信システムにおいて、複数個の半導体レーザ素子の発光面と複数個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対することを識別する手段を有するようにしたので、半導体レーザ素子と光ファイバー群間の接続を効率よくできるようになり、このようなシステムを構築する際の工事が手際よく行えるようになった。  かかる技術手段によれば、前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対することを識別する手段を有するので、半導体レーザ素子と光ファイバー群間の接続を効率よくできるようになり、このようなシステムを構築する際の工事が手際よく行えるようになった。  請求項７は、前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有することも本発明の有効な手段である。このようなレーザ発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍの長波長帯面発光半導体レーザの特徴を活かして、チップ上に複数のレーザ発振素子を形成し、それに対応して複数の光ファイバーを接続させた大容量の光送受信システムにおいて、半導体レーザ素子の発光面と光ファイバーの受光面が互いに平行であるようにしたので、半導体レーザ素子から出射したレーザ光が効率よく光ファイバーに入射できるようになり、ロスの少ない高効率の光送受信システムが実現できた。  かかる技術手段によれば、前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有するので、半導体レーザ素子から出射したレーザ光が効率よく光ファイバーに入射できるようになり、ロスの少ない高効率の光送受信システムが実現できた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】  請求項８は、前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有することも本発明の有効な手段である。このようなレーザ発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍの長波長帯面発光半導体レーザの特徴を活かして、チップ上に複数のレーザ発振素子を形成し、それに対応して複数の光ファイバーを接続させた大容量の光送受信システムにおいて、複数個の半導体レーザ素子の発光面と複数個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有するようにしたので、半導体レーザ素子と光ファイバー間の接続を高精度にできるようになり、このようなシステムが長期にわたり安定して稼動できるようになった。  かかる技術手段によれば、前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有するので、半導体レーザ素子と光ファイバー間の接続を高精度にできるようになり、このようなシステムが長期にわたり安定して稼動できるようになった。  請求項９は、前記ｎ個の第１、第２、第３のそれぞれの光ファイバー群の光送出面および受光面が互いに１対１に相対することを識別する手段を有することも本発明の有効な手段である。このようなレーザ発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍの長波長帯面発光半導体レーザの特徴を活かして、チップ上に複数のレーザ発振素子を形成し、それに対応して複数の光ファイバーを接続させた大容量の光送受信システムにおいて、それぞれの光ファイバー群の光送出面および受光面が互いに１対１に相対することを識別する手段を有するようにしたので、光ファイバー間どうしの接続を効率よくできるようになり、このようなシステムを構築する際の工事が手際よく行えるようになった  かかる技術手段によれば、前記ｎ個の第１、第２、第３のそれぞれの光ファイバー群の光送出面および受光面が互いに１対１に相対することを識別する手段を有するので、光ファイバー間どうしの接続を効率よくできるようになり、このようなシステムを構築する際の工事が手際よく行えるようになった。  請求項１０は、前記ｎ個の第１、第２、第３のそれぞれの光ファイバー群の光送出面および受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有することも本発明の有効な手段である。このようなレーザ発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍの長波長帯面発光半導体レーザの特徴を活かして、チップ上に複数のレーザ発振素子を形成し、それに対応して複数の光ファイバーを接続させた大容量の光送受信システムにおいて、それぞれの光ファイバー群の光送出面および受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有するようにしたので、光ファイバー間どうしの接続を高精度にできるようになり、このようなシステムが長期にわたり安定して稼動できるようになった。  かかる技術手段によれば、前記ｎ個の第１、第２、第３のそれぞれの光ファイバー群の光送出面および受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有するので、光ファイバー間どうしの接続を高精度にできるようになり、このようなシステムが長期にわたり安定して稼動できるようになった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】    【発明の効果】  以上記載のごとく請求項１〜３の発明によれば、半導体分布ブラッグ反射鏡を工夫した面発光型半導体レーザ素子チップにより、動作電圧、発振閾値電流等を低くでき、発熱も少ない省エネルギー、低コストの安定した光送受信システム実現できた。  また請求項４では、非発光再結合防止層を設けた面発光型半導体レーザ素子チップにより、半導体分布ブラッグ反射鏡構成材料のＡｌに起因する結晶欠陥、発光効率低下をなくすことが可能となり、安定したレーザ発振を行うことが可能な長波長帯面発光半導体レーザが実現し、実用的な光送受信システムが実現できた。  また請求項５では、前記レーザチップにはｎ個の半導体レーザ素子が形成されているとともに、前記第１の光ファイバー、第２の光ファイバー、第３の光ファイバーならびに受光手段をそれぞれｎ個ずつ有するようにして、大容量、かつ高速のデータ送受信が可能となる光送受信システムを実現できた。  また請求項６では、前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対することを識別する手段を有するので、半導体レーザ素子と光ファイバー群間の接続を効率よくできるようになり、このようなシステムを構築する際の工事が手際よく行えるようになった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】  また請求項７では、前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有するので、半導体レーザ素子から出射したレーザ光が効率よく光ファイバーに入射できるようになり、ロスの少ない高効率の光送受信システムが実現できた。  また請求項８では、前記ｎ個の半導体レーザ素子の発光面とｎ個の第１の光ファイバー群の受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有するので、半導体レーザ素子と光ファイバー間の接続を高精度にできるようになり、このようなシステムが長期にわたり安定して稼動できるようになった。  また請求項９では、前記ｎ個の第１、第２、第３のそれぞれの光ファイバー群の光送出面および受光面が互いに１対１に相対することを識別する手段を有するので、光ファイバー間どうしの接続を効率よくできるようになり、このようなシステムを構築する際の工事が手際よく行えるようになった。  また請求項１０では、前記ｎ個の第１、第２、第３のそれぞれの光ファイバー群の光送出面および受光面が互いに１対１に相対するようにした位置決め／結合手段を有するので、光ファイバー間どうしの接続を高精度にできるようになり、このようなシステムが長期にわたり安定して稼動できるようになった。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2002324941.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2002324941.tif 000002