Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極層、電解質層、負極層が積層された電池素子と、電池素子の表裏面を封止するラミネート体を備え、ラミネート体が、電池素子側から少なくとも接着層と金属層との積層体からなり、電池素子の表面側の金属層と裏面側の金属層は、異なる材料からなり、電池素子の表面側の金属層が、電子機器の筐体を兼ねることを特徴とする薄型二次電池。
【請求項２】
表面側の金属層が、凹形状を有し、電池素子が、凹形状の内側に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の薄型二次電池。
【請求項３】
表面側の金属層が、アルミ合金、マグネシウム合金から選ばれる金属からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄型二次電池。
【請求項４】
表面側の金属層が、圧延された板材をプレス成形することによって得られたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の薄型二次電池。
【請求項５】
裏面側の金属層が、アルミニウム、ステンレス、ニッケル又は銅から選択される金属からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の薄型二次電池。
【請求項６】
表面側の金属層が、鋳造により得られた層であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の薄型二次電池。
【請求項７】
表面側の金属層の表面のみに保護フィルムが積層されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の薄型二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かくして、本発明によれば、正極層、電解質層、負極層が積層された電池素子と、電池素子の表裏面を封止するラミネート体を備え、ラミネート体が、電池素子側から少なくとも接着層と金属層との積層体からなり、電池素子の表面側の金属層と裏面側の金属層は、異なる材料からなり、電池素子の表面側の金属層が、電子機器の筐体を兼ねることを特徴とする薄型二次電池が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１を示すドア装置の構成図。
【図２】図１のドア制御装置のブロック線図。
【図３】この発明の実施の形態１を示す通常戸閉時のタイムチャート。
【図４】この発明の実施の形態１を示すドアこじ開け時のタイムチャート。
【図５】この発明の実施の形態１を示すモータ速度検出器故障の場合のこじ開け時のタイムチャート。
【図６】この発明の実施の形態１を示す全閉検出スイッチ故障の場合のこじ開け時のタイムチャート。
【符号の説明】
１かご、２かご戸、３ドアモータ、４モータ速度検出器、４ａ速度検出信号、５減速機、７カム、９全閉検出スイッチ、９ａ第１検出信号、９ｂ第２検出信号、１０エレベーター制御装置、１１表示器、１２アナウンス装置、１３ドア制御装置、２１モータ速度指令発生手段、２４速度制御手段、２５モータトルク指令発生手段、２５ａトルク指令値、２６モータ指令発生手段、２７ＰＷＭ信号発生回路、２８ゲート駆動回路、２９駆動回路、Ｐ１第１位置、Ｐ２第２位置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
成分（ａ）、成分（ｂ）、成分（ｃ）、および成分（ｄ）の混合は、それらを溶解する溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、アセトン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルセロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、酢酸チル、アセトニトリル、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジクロロエタン、トリクロロエタン等が挙げられ、これらの中から、各成分が溶解するように種類と量を適宜選択して使用する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の電子部品用接着テープに使用される剥離性フィルムとしては、厚さ１〜２００μｍ、好ましくは、１０〜１００μｍの範囲のものが使用され、仮の支持体として作用する。使用可能な剥離性フィルムとしては、ポリプロピレンフィルム、フッ素樹脂系フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、紙、および場合によってはそれらの表面にシリコーン樹脂を塗布して剥離性を付与したもの等が挙げられる。これらの剥離性フィルムは、９０゜ピール強度が０．０１〜１０．０ｇ／ｃｍ、好ましくは０．１〜７．０ｇ／ｃｍの範囲にあることが望ましい。剥離強度が上記の範囲より小さい場合には接着テープ搬送時に剥離性フィルムが簡単に剥離する等の問題があり、上記の範囲より大きい場合には剥離性フィルムが接着剤層からきれいに剥がれず、作業性が悪くなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（リードフレームの組み立て）
図１に示す半導体パッケージに用いられるリードフレームを、次に示す手順で組み立てた。
（ａ）接着テープの打ち抜き：金型により接着テープをリング状に打ち抜いた。
（ｂ）接着テープの接着：ホットプレート上に２０８ピンＱＦＰ用リードフレームを置き、リング状に打ち抜いたテープを金属ロッドで押し付け仮接着（１４０℃／２秒／４Ｋｇｆ ／ｃｍ２ ）した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
成分（ａ）、成分（ｂ）、成分（ｃ）、および成分（ｄ）の混合は、それらを溶解する溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、アセトン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルセロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、酢酸メチル、酢酸エチル、アセト二トリル、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジクロロエタン、トリクロロエタン等が挙げられ、これらの中から、各成分が溶解するように種類と量を適宜選択して使用する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
（接着テープの評価結果）
（１）作業性：接着テープを上記（ａ）工程後に接着テープのハンドリング性の指標として、表面タックを評価した。その結果、本発明による実施例の接着テ−プは、表面タックが発生しておらず走行性に問題は生じなかった。しかし、比較例４のテープは表面タックが生じテーピングマシンの走行性に問題が生じた。
（２）ボイド：接着剤を硬化させる際に、接着剤内に発生するボイドが実用上問題になるレベルにあるか否かを顕微鏡による視覚判定にて評価した。その結果、本発明による実施例の接着テ−プは、ボイドの発生は認められなかった。しかし、比較例４ではボイドの発生が認められた。
（３）パッケージクラック：上記（ａ）〜（ｆ）の工程で作成したＱＦＰ２０８ピンパッケージを各２０個作成し、３０℃／６０％ＲＨにて１９２時間放置した。そのパッケージを最高温度２６０℃にセットしたリフロー炉を通し超音波顕微鏡でパッケージクラックの有無を確認した。
その結果、本発明による実施例の接着テ−プは、パッケージクラックが発生していなかった。しかし、比較例１で２５％、比較例２で２０％、比較例３で２０％、比較例４で４０％の頻度でパッケージクラックが生じていることが確認された。
（４）接着力測定：銅板に１５０℃で接着テープを貼り付け（テーピング）した後の、１０ｍｍ幅のテープの室温での９０°ピール強度を測定した。その結果、本発明による実施例のテ−プは、３００〜７００ｇという十分な接着力を確認したが、比較例４のテ−プでは５０ｇと非常に低かった。
（５）テーピング可能温度：接着テープを容易且つ迅速に被着体、すなわちリードピンに接着できるか否かの評価を行なった。具体的にはテーピングマシンで各接着テープをリードフレームに接着できる温度域を測定した。その結果、本発明の実施例及び比較例１〜４は１００〜２４０℃の温度域で接着できたが比較例５の場合は３５０℃以上の温度を要した。
（６）リードフレームの酸化：接着剤硬化中に、リードフレーム表面の酸化が起こっているか否かの評価を、リードフレーム表面の変色に対する視覚判定により行った。
その結果、本発明の実施例の接着テープは、酸化は生じなかったが、比較例５の場合は、接着温度が高すぎ、且つ長時間を要するために変色が認められ、リードフレームの酸化が生じていた。
（７）電気的信頼性：前述のようにして得られたパッケージに対して、ＰＣＢＴ試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｏｋｅｒ  Ｂｉａｓｅｄ  Ｔｅｓｔ）を行った。条件は５ボルト印加、１２１℃、２ａｔｍ、１００％ＲＨで実施し、電気的信頼性テストを行った。
その結果、本発明の接着テープは、１０００時間でショートが生じなかった。
このように本発明による電子部品用接着テ−プは、半導体装置に必要な十分な信頼性のレベルを確認することが出来た。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
上記接着剤層が成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）以外に（ｄ）：化７〜化８に示す一般式（２−１）または（２−２）で示されるジアミン化合物を成分として含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品用接着テープ。
【化７】Ｈ２Ｎ−Ｒ１−ＮＨ２ （２−１）
（ただし、式中Ｒ１は、脂肪族基、芳香族基、脂環式基を表す）
【化８】
2004352961.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
成分（ａ）のＮＢＲが、重量平均分子量５０， ０００〜１， ０００， ０００で、アクリロニトリルの含有率が５〜５０重量％であり、且つ有機溶剤に５重量％以上溶解することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品用接着テープ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに請求項４の発明は、上記接着剤層が成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）以外に（ｄ）：化１５〜化１６に示す一般式（２−１）または（２−２）で示されるジアミン化合物を成分として含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品用接着テープ。
【化１５】
Ｈ２Ｎ−Ｒ１−ＮＨ２                   （２−１）
（ただし、式中Ｒ１は、脂肪族基、芳香族基、脂環式基を表す）
【化１６】
2004352961.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、請求項５の発明は、成分（ａ）のＮＢＲが、重量平均分子量５０， ０００〜１， ０００， ０００で、アクリロニトリルの含有率が５〜５０重量％であり、且つ有機溶剤に５重量％以上溶解することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品用接着テープであり、請求項６の発明は、成分（ｂ）がフェノール樹脂で且つ、ｐ−ｔ−ブチルフェノール型、ビスフェノールＡ型、クレゾール型、又はそれらの共縮合型のレゾール型フェノール樹脂であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電子部品用接着テープにして、請求項７の発明は、成分（ｂ）のエポキシ樹脂が、ノボラック型、ビスフェノールＳ型、ビスフェノールＡ型、ビフェニル骨格型、ジシクロペンタジエン型、グリシジルアミン型のいずれかであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品用接着テープであり、請求項８の発明は、成分（ｂ）のうち分子量１０００以下の比率が１５重量％以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電子部品用接着テープであり、請求項９の発明は、上記各成分が、成分（ａ）１００重量部に対して、成分（ｂ）、成分（ｃ）、および成分（ｄ）の総和が２０〜５００重量部であり、かつ成分（ａ）、成分（ｂ）、成分（ｃ）、成分（ｄ）の総和中に占める、成分（ｂ）の重量割合が１０〜５０％であり、成分（ｃ）のマレイミド基１モル当量に対する成分（ｄ）のアミノ基が０．０１〜２．０モル当量であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電子部品用接着テープであり、請求項１０の発明は、粒径１μｍ以下のフィラーが、接着剤層の全樹脂成分１００重量部に対して４〜４０重量部含まれていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の電子部品用接着テープであり、請求項１１の発明は、耐熱性フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の電子部品用接着テープであり、請求項１２の発明は、接着剤層の保護のため剥離用フィルムを設けたことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の電子部品用接着テープで、請求項１３の発明は、請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の電子部品用接着テープをリードフレーム固定用に使用したことを特徴とする電子部品用接着テープである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
エポキシ樹脂としては、高温時の重量減少を抑え、強じん性、高接着性等の特長からノボラック型、ビスフェノールＳ型、ビフェニル骨格型のものが特に好ましいが本発明ではこれらの材料に限定されない。又、本発明でいうエポキシ樹脂は、一般のエポキシ樹脂以外に、分子構造にエポキシ基を有する物質も使用できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、成分（ｃ）と成分（ｄ）の配合割合は、成分（ｃ）のマレイミド基１モル当量に対する成分（ｄ）のアミノ基が０．０１〜２．０モル当量になるようにすることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．０の範囲に設定する。成分（ｄ）のアミノ基当量が上記範囲の下限より少なくなると、接着剤層をＢステージまで硬化した際に、接着剤層自体が脆くなって作業性が低下したり、支持体である耐熱性フィルムとの密着性が低下する。また上記範囲の上限より多くなると、混合に際してゲル化するため、接着剤層用塗液としての液状接着剤を調製することができなくなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
成分（ａ）、成分（ｂ）、成分（ｃ）、および成分（ｄ）の混合は、それらを溶解する溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、アセトン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルセロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、酢酸メチル、酢酸エチル、アセト二トリル、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジクロロエタン、トリクロロエタン等が挙げられ、これらの中から、各成分が溶解するように種類と量を適宜選択して使用する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車体に対して回動可能に設けられるペダルレバーと、
乗員が踏み込み操作するペダル部材と、
前記ペダルレバーの回動中心から前記ペダル部材までの長さが可変となるように、前記ペダル部材を前記ペダルレバーにスライド可能に支持するスライド支持手段と、
前記ペダルレバーに反力を付加する反力付加手段と、
前記ペダルレバーと前記ペダル部材とのなす角が可変となるように、前記ペダル部材を前記ペダルレバーに回動可能に支持する回動支持手段とを備えることを特徴とするアクセルペダル装置。
【請求項２】
請求項１に記載のアクセルペダル装置において、
前記ペダル部材は、前記ペダルレバーに回動可能に支持される第１のペダル部材と、この第１のペダル部材の上面にスライド可能に支持される第２のペダル部材とを有することを特徴とするアクセルペダル装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のアクセルペダル装置において、
前記ペダル部材のスライドを禁止するスライド禁止手段を備えることを特徴とするアクセルペダル装置。
【請求項４】
請求項３に記載のアクセルペダル装置において、
自車両もしくは自車両周囲のリスク度が所定値以下のとき前記ペダル部材のスライドを禁止し、前記リスク度が所定値を越えると前記ペダル部材のスライドを許容するように前記スライド禁止手段を制御するスライド制御手段とを備えることを特徴とするアクセルペダル装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明によるアクセルペダル装置は、車体に対して回動可能に設けられるペダルレバーと、乗員が踏み込み操作するペダル部材と、ペダルレバーの回動中心からペダル部材までの長さが可変となるように、ペダル部材をペダルレバーにスライド可能に支持するスライド支持手段と、ペダルレバーに反力を付加する反力付加手段と、ペダルレバーとペダル部材とのなす角が可変となるように、ペダル部材をペダルレバーに回動可能に支持する回動支持手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明によれば、ペダルレバーに対してペダル部材をスライド可能かつ回動可能に設けたので、アクセルペダルの踏み込み量に拘わらず、ドライバの足裏とペダルとの力の着力点を一定に保つことができ、反力付加手段により付加された反力をドライバは正確に感じることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操舵系に発生する操舵トルクを検出するトルクセンサと、前記操舵系に操舵補助トルクを付与可能な電動モータと、前記操舵トルクが低減するように前記トルクセンサの検出結果に応じて前記電動モータを駆動させる制御手段と、を備え、
前記電動モータとして、外周面にＳ極及びＮ極が周方向に交互に且つ等間隔に着磁された回転自在のロータと、このロータを包囲する複数相の励磁コイルを有するステータと、前記ロータの回転位置を検出する位置検出センサと、これらロータ，ステータ及び位置検出センサを収容するモータケースと、前記位置検出センサの出力に応じて前記励磁コイルに電流を供給するモータ駆動回路と、を備えたブラシレスモータを用いるとともに、前記ロータを中空の円筒状とし且つ前記操舵系の進退軸と同軸に配設し、前記モータケースを前記進退軸用のハウジングと兼用とし、前記ロータの回転力を軸方向の進退力に変換して前記進退軸に伝達するボールナット機構を設けた電動式パワーステアリング装置において、
前記ハウジング内面のうち前記軸方向に平行な方向を向く所定面との間に空間を形成するように、前記ハウジング内の前記所定面近傍に基板を配設し、前記所定面上に、前記モータ駆動回路を構成するパワー素子を、それを貫通するビスにより固定し、前記基板に、前記ビス用の治具を差し込むための孔を形成したことを特徴とする電動式パワーステアリング装置。
【請求項２】
前記パワー素子を複数個備え、各パワー素子は個別にそれを貫通するビスにより固定され、前記ビス用の治具を差し込むための孔は、前記ビスの各位置に対応して複数形成した請求項１記載の電動式パワーステアリング装置。
【請求項３】
前記ハウジングは、肉厚の円筒部と、この肉厚の円筒部の外周面に一端がかしめ止めされた肉薄の円筒部と、を備え、前記所定面は、前記肉厚の円筒部の前記軸方向に平行な方向を向く面である請求項１又は請求項２記載の電動式パワーステアリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明は、操舵系に発生する操舵トルクを検出するトルクセンサと、前記操舵系に操舵補助トルクを付与可能な電動モータと、前記操舵トルクが低減するように前記トルクセンサの検出結果に応じて前記電動モータを駆動さ
せる制御手段と、を備え、前記電動モータとして、外周面にＳ極及びＮ極が周方向に交互に且つ等間隔に着磁された回転自在のロータと、このロータを包囲する複数相の励磁コイルを有するステータと、前記ロータの回転位置を検出する位置検出センサと、これらロータ，ステータ及び位置検出センサを収容するモータケースと、前記位置検出センサの出力に応じて前記励磁コイルに電流を供給するモータ駆動回路と、を備えたブラシレスモータを用いるとともに、前記ロータを中空の円筒状とし且つ前記操舵系の進退軸と同軸に配設し、前記モータケースを前記進退軸用のハウジングと兼用とし、前記ロータの回転力を軸方向の進退力に変換して前記進退軸に伝達するボールナット機構を設けた電動式パワーステアリング装置において、前記ハウジング内面のうち前記軸方向に平行な方向を向く所定面との間に空間を形成するように、前記ハウジング内の前記所定面近傍に基板を配設し、前記所定面上に、前記モータ駆動回路を構成するパワー素子を、それを貫通するビスにより固定し、前記基板に、前記ビス用の治具を差し込むための孔を形成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、請求項２に係る発明は、上記請求項１に係る発明である電動式パワーステアリング装置において、前記パワー素子を複数個備え、各パワー素子は個別にそれを貫通するビスにより固定され、前記ビス用の治具を差し込むための孔は、前記ビスの各位置に対応して複数形成した。
そして、請求項３に係る発明は、上記請求項１又は請求項２に係る発明である電動式パワーステアリング装置において、前記ハウジングは、肉厚の円筒部と、この肉厚の円筒部の外周面に一端がかしめ止めされた肉薄の円筒部と、を備え、前記所定面は、前記肉厚の円筒部の前記軸方向に平行な方向を向く面とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る電動式パワーステアリング装置によれば、モータケースと兼用の進退軸用のハウジング内面のうち軸方向に平行な方向を向く所定面との間に空間を形成するように、ハウジング内の所定面近傍に基板を配設し、所定面上に、モータ駆動回路を構成するパワー素子を、それを貫通するビスにより固定し、基板に、ビス用の治具を差し込むための孔を形成したため、容易にドライバ等の治具を差し込むことができ、組立時の作業性向上にとって有利であるという効果がある。
また、電動モータとしてブラシレスモータを用いるとともに、モータ駆動回路を、モータケースと兼用の進退軸用のハウジング内に配設したため、高出力が可能で且つ信頼性も向上するという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  天然ゴムおよび／またはジエン系合成ゴム１００重量部に対して、圧電材料を１〜１５０重量部含有するタイヤ用ゴム組成物。
【請求項２】  前記圧電材料の平均粒径が０．０１〜５０μｍである請求項１記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項３】  請求項１または２記載のタイヤ用ゴム組成物を用いたタイヤ。
【請求項４】  天然ゴムおよび／またはジエン系合成ゴム１００重量部に対して、圧電材料を１〜１５０重量部含有するゴム組成物。
【請求項５】  前記圧電材料の平均粒径が０．０１〜５０μｍである請求項４記載のゴム組成物。
【請求項６】  請求項４または５記載のゴム組成物を用いたタイヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、天然ゴムおよび／またはジエン系合成ゴム１００重量部に対して、圧電材料を１〜１５０重量部含有するタイヤ用ゴム組成物に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、前記タイヤ用ゴム組成物を用いたタイヤに関する。さらに、本発明は、天然ゴムおよび／またはジエン系合成ゴム１００重量部に対して、圧電材料を１〜１５０重量部含有するゴム組成物に関する。前記圧電材料の平均粒径が０．０１〜５０μｍであることが好ましい。また、本発明は、ゴム組成物を用いたタイヤに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多層構造電極およびその形成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ターゲットを熔融して金属を蒸着させる方法により、第１の金属層上に第２の金属層を連続的に積層する工程を有する多層構造電極の形成方法において、
前記第１の金属層の下部層を形成する工程と、
前記第２の金属層の金属ターゲットの脱ガス処理を行う工程と、
前記第１の金属層の上部層を形成する工程と、
前記第２の金属層を形成する工程と、を順次行うことを特徴とする多層構造電極の形成方法。
【請求項２】
前記第１の金属層は、半導体層上に該半導体層と反応して化合物を形成する反応用電極であり、前記第２の金属層はバリア電極であることを特徴とする請求項１に記載の多層構造電極の形成方法。
【請求項３】
前記半導体層は、II−VI族化合物半導体あるいは窒化ガリウム系化合物半導体のいずれかであり、
前記反応用電極は、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｎｉのいずれかからなる金属であり、
前記バリア電極は、Ｐｔ、Ｍｏのいずれかからなる金属であることを特徴とする請求項２に記載の多層構造電極の形成方法。
【請求項４】
前記第１の金属層は、半導体層上に該半導体層と反応して化合物を形成する反応用電極であり、前記第２の金属層は上部電極であることを特徴とする請求項１に記載の多層構造電極の形成方法。
【請求項５】
前記半導体層は、窒化ガリウム系化合物半導体であり、
前記反応用電極は、Ｔｉからなる金属であり、
前記上部電極は、Ａｌからなる金属であることを特徴とする請求項４に記載の多層構造電極の形成方法。
【請求項６】
化合物半導体発光素子の多層構造電極であって、
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成されているＴｉ、Ｎｉのいずれかからなる反応用電極と、該反応用電極上に形成されているＰｔ、Ｍｏのいずれかからなるバリア電極と、該バリア電極上に形成されているＡｕからなる上部電極とを備えることを特徴とする多層構造電極。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの多層構造電極およびその電極形成方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属ターゲットを熔融して金属を蒸着させる方法により、第１の金属層上に第２の金属層を連続的に積層する工程を有する多層構造電極の形成方法において、第１の金属層の下部層を形成する工程と、第２の金属層の金属ターゲットの脱ガス処理を行う工程と、第１の金属層の上部層を形成する工程と、第２の金属層を形成する工程と、を順次行うことを特徴とする多層構造電極の形成方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明にかかる多層構造電極の形成方法において、第１の金属層を、半導体層上にこの半導体層と反応して化合物を形成する反応用電極とし、第２の金属層をバリア電極とすることができる。さらに、上記半導体層をＩＩ−ＶＩ族化合物半導体あるいは窒化ガリウム系化合物半導体のいずれかとし、上記反応用電極をＰｄ、Ｔｉ、Ｎｉのいずれかからなる金属とし、バリア電極をＰｔ、Ｍｏのいずれかからなる金属とすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明にかかる多層構造電極の形成方法において、第１の金属層を、半導体層上にこの半導体層と反応して化合物を形成する反応用電極とし、第２の金属層を上部電極とすることができる。さらに、上記半導体層を窒化ガリウム系化合物半導体とし、上記反応用電極をＴｉからなる金属とし、上記上部電極をＡｌからなる金属とすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明は、化合物半導体発光素子の多層構造電極であって、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成されているＴｉ、Ｎｉのいずれかからなる反応用電極と、この反応用電極上に形成されているＰｔ、Ｍｏのいずれかからなるバリア電極と、このバリア電極上に形成されているＡｕからなる上部電極とを備えることを特徴とする多層構造電極である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
1998242588.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
1998242588.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月24日(2004.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエットエッチングまたは反応性ガスを用いたドライエッチングを用いて窒化物半導体膜を化学的にエッチングして端面を形成する工程と、形成した端面を収束イオンビームにより加工する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体の反射鏡端面の形成方法。
【請求項２】
ドライエッチングに用いる反応性ガスとして、塩素ガスを用いることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の反射鏡端面の形成方法。
【請求項３】
窒化物半導体膜に形成された端面を収束イオンビームにより加工することによって、より凹凸の少ない反射鏡となる端面に仕上げる工程を含むことを特徴とする窒化物半導体の反射端面の形成方法。
【請求項４】
収束イオンビームの径が、加工端面上で０．３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の窒化物半導体の反射鏡端面の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明による窒化物半導体の反射鏡端面の形成方法は、ウエットエッチングまたは反応性ガスを用いたドライエッチングを用いて窒化物半導体膜を化学的にエッチングして端面を形成する工程と、形成した端面を収束イオンビームにより加工する工程とを含むことを特徴としている。ドライエッチングに用いる反応性ガスとしては、塩素ガスが好ましく用いられ得る。本発明による窒化物半導体の反射鏡端面の形成方法はまた、窒化物半導体膜に形成された端面を収束イオンビームにより加工することによって、より凹凸の少ない反射鏡となる端面に仕上げることを特徴としている。なお、収束イオンビームの径は、加工端面上で０．３０μｍ以下であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月9日(2004.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にＰ型ボンディング用電極と透光性電極が形成され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の該Ｐ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、該透光性電極と該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される構造とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される前記構造が、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と該Ｐ型ボンディング用電極との間に形成されたショットキー電極と、該Ｐ型ボンディング用電極及び該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該透光性電極で構成されている請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される前記構造が、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該透光性電極と、該透光性電極の表面の隅部を切り欠いて形成されたショットキー電極及び該Ｐ型ボンディング用電極の積層構造で構成されている請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項４】
Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される前記構造が、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域に形成されたショットキー電極と、該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該透光性電極と、該透光性電極上の該ショットキー電極の上方に相当する部分に形成された該Ｐ型ボンディング用電極で構成されている請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項５】
前記ショットキー電極がＴｉ、前記Ｐ型ボンディング用電極がＡｕ、前記透光性電極がＮｉ及びＡｕの積層構造である請求項２〜請求項４のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項６】
基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、
該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域にショットキー電極及びＰ型ボンディング用電極をこの順に形成する工程と、
該ショットキー電極及び該Ｐ型ボンディング用電極を覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極を形成する工程とを包含する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、
該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極を形成する工程と、
該透光性電極の表面の隅部を切り欠き、この部分にショットキー電極とＰ型ボンディング用電極からなる積層構造を形成する工程とを包含する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、
該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域にショットキー電極を形成する工程と、
該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極を形成する工程と、
該透光性電極上の該ショットキー電極の上方に相当する部分に該Ｐ型ボンディング用電極を形成する工程とを包含する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にＰ型ボンディング用電極と透光性電極が形成され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と該Ｐ型ボンディング用電極との間にショットキー電極が形成されており、該透光性電極と該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしていることを特徴てする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記ショットキー電極がＴｉである請求項９に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セットトップボックスの顧客宅内データ端末を介して遠隔のデータネットワークから無線通信でデータを受信し、そしてＣＤＰＤネットワークへデータを通信する顧客宅内端末システムであって、
セットトップ・ボックスのデータ端末に結合されたデータ受信インタフェースデバイスと、
該インタフェースデバイスに接続されたデータプロセッサ・ルータとからなり、該プロセッサ・ルータは、入来データパケットをルータ特定出力へ向かうように方向的に処理するものであり、更に、
データプロセッサ・ルータを顧客宅内ＬＡＮデータプロセッサに２方向無線結合する、アンテナを含む無線広帯域デュプレクス・パケットＬＡＮと、
該ルータからパケットを受信し、顧客宅内ＬＡＮデータプロセッサが生成した無線ＣＤＰＤパケットを送信する、該データプロセッサ・ルータに接続されたＣＤＰＤ無線モデムとからなることを特徴とするシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
データ信号をケーブルモデムからデータプロセッサルータへ、そしてルータからモデムへ送信する、ケーブルモデムとデータプロセッサルータに結合されたEtherNetステーション・インタフェース・ユニットを含み、該EtherNetステーション・インタフェースはアクティブなＬＡＮステーションであることを特徴とするシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、
データプロセッサルータに接続された状況表示パネルを含むことを特徴とするシステム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、
使用者からの赤外線制御信号を受信する赤外線インタフェースを有する、セットトップ・ボックスとテレビジョン受信機とに接続された制御カードを含むことを特徴とするシステム。
【請求項５】
セットトップ・ボックスのデータ端末を介して無線ネットワークからデータを送受信し、及び無線送信端末を介して無線ＬＡＮへ、そしてルータを介して無線ＬＡＮへデータを通信する方法であって、
セットトップ・ボックスを介してパケット形式で広帯域データ信号を受信する段階と、
受信した広帯域データ・パケット信号を方向感知ルータに結合し、ルータの方向性制御に従ってデータ・パケットをＬＡＮに向ける段階と、
ルータにおいてＬＡＮからパケットを受信し、受信した該パケットを、ルータの方向性制御に従って、ＣＤＰＤ無線ネットワークへの伝送のためのＣＤＰＤモデムに結合する段階からなることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
ルータにより受信されたパケットを、ＬＡＮへの無線伝送のために無線機に向ける段階と、
アプリケーションに対するＬＡＮからルータへのパケットを無線伝送により受信する段階とを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、
DirecTVセットトップ・ボックスによりデータを受信し、該データを、ＣＤＰＤセルラネットワークへの送信のためのＣＤＰＤモデムに直接結合する段階を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１外部端子と第２外部端子と第３外部端子とを有する半導体装置であって、
上記第３外部端子に接続された第１端子と、上記第１外部端子に接続された第２端子と、制御端子とを有し、該第１端子がそのボディに接続された第１トランジスタと、
その電流経路が上記第２外部端子と上記第１トランジスタの制御端子との間に設けられた第２トランジスタと、
上記第２トランジスタのボディに接続された第１端子と、上記第２外部端子に接続された第２端子と、上記第３外部端子に接続された制御端子とを有し、該第１端子がそのボディに接続された第３トランジスタと、
上記第２トランジスタのボディに接続された第１端子と、上記第３外部端子に接続された第２端子と、上記第２外部端子に接続された制御端子とを有し、該第１端子がそのボディに接続された第４トランジスタと、
上記第２トランジスタのボディに接続された第１端子と、上記第２外部端子に接続された第２端子と、制御端子とを有し、該第１端子がそのボディに接続された第５トランジスタとを有し、
上記第５トランジスタの制御端子は、その電位が上記第２外部端子の電位と上記第３外部端子の電位の間の電位となるノードに接続された半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
そのアノードが上記第３外部端子に接続され、そのカソードが上記第５トランジスタの制御端子に接続された第１ダイオードと、
上記第１ダイオードと並列に接続された第１抵抗とを有する半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
そのアノードが上記第５トランジスタの制御端子に接続され、そのカソードが上記第１外部端子に接続された第２ダイオードを有する半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
上記第１外部端子と上記第５トランジスタの制御端子との間に、上記第２ダイオードと直列接続される第２抵抗を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、
上記第３トランジスタ及び上記第４トランジスタとがオフ状態となり、上記第３外部端子の電位が上記第１外部端子の電位が高くなったときに、上記第５トランジスタが導通する半導体装置。
【請求項６】
請求項１において、
その電流経路が上記第３外部端子と上記第１トランジスタの制御端子との間に設けられた第６トランジスタと、
上記第１トランジスタの過負荷状態または過熱状態を検出する保護回路とを有し、
上記保護回路は上記過負荷状態または過熱状態を検出したとき、上記第２トランジスタのオン抵抗を増大させ、上記第６トランジスタのオン抵抗を低下させる半導体装置。
【請求項７】
請求項１において、
第１導電型の第１半導体領域と、
上記第１半導体領域と接する第２導電型の第２半導体領域と、
上記第２半導体領域に覆われた第１導電型の第３半導体領域と、
上記第１半導体領域と接する第２導電型の第４半導体領域と、
上記第４半導体領域に覆われた第１導電型の第５及び第６半導体領域とを有し、
上記第１トランジスタは上記第１乃至第３半導体領域を含んで構成され、上記第２トランジスタは上記第４乃至第６半導体領域とを含んで構成され、
上記第１外部端子は上記半導体領域に接続され、上記第２外部端子は上記第５半導体領域に接続され、上記第３外部端子は上記第３半導体領域に接続された半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
上記第１導電型はｎ型であり、上記第２導電型はｐ型である半導体装置。
【請求項９】
第１外部端子と第２外部端子と第３外部端子とを有する半導体装置であって、
上記第３外部端子に接続された第１端子と、上記第１外部端子に接続された第２端子と、制御端子とを有し、該第１端子がそのボディに接続された第１トランジスタと、
その電流経路が上記第２外部端子と上記第１トランジスタの制御端子との間に設けられた第２トランジスタと、
上記第２外部端子と上記第２トランジスタのボディとの間に設けられた第１スイッチ回路とを有し、
上記第１スイッチ回路は、上記第２外部端子と上記第３外部端子との間の第１電圧または上記第１外部端子と上記第３外部端子との間の第２電圧のいずれかにより制御される半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
上記第３外部端子と上記第２トランジスタのボディとの間に設けられた第２スイッチ回路とを有し、
上記第２スイッチ回路は上記第１電圧により制御される半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
上記第２外部端子の電位が上記第３外部端子の電位に対して負となったときに、上記第１スイッチ回路はオン状態となり、上記第２スイッチ回路はオフ状態となり、
上記第２外部端子の電位が上記第３外部端子の電位に対して正となったときに、上記第１スイッチ回路はオフ状態となり、上記第２スイッチ回路はオン状態となり、
上記第１外部端子の電位が上記第３外部端子の電位に対して正となったときに、上記第１スイッチ回路はオン状態となり、上記第２スイッチ回路はオフ状態となる半導体装置。
【請求項１２】
請求項９において、
上記第１スイッチ回路は、上記第２トランジスタのボディに接続された第１端子と、上記第２外部端子に接続された第２端子と、制御端子とを有し、該第１端子がそのボディに接続された第３トランジスタを含み、
上記第３トランジスタの制御端子は、その電位が上記第２外部端子の電位と上記第３外部端子の電位の間の電位となるノードに接続された半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
上記第１スイッチ回路は、上記第２トランジスタのボディに接続された第１端子と、上記第２外部端子に接続された第２端子と、上記第３外部端子に接続された制御端子とを有し、該第１端子がそのボディに接続された第４トランジスタを含む半導体装置。
【請求項１４】
請求項９において、
上記第１スイッチ回路は、上記第２トランジスタのボディに接続された第１端子と、上記第２外部端子に接続された第２端子と、上記第３外部端子に接続された制御端子とを有し、該第１端子がそのボディに接続された第４トランジスタと、
上記第２外部端子と上記第２トランジスタのボディとの間に設けられた抵抗とを含む半導体装置。
【請求項１５】
請求項１０において、
上記第２スイッチ回路は、上記第２トランジスタのボディに接続された第１端子と、上記第３外部端子に接続された第２端子と、上記第２外部端子に接続された制御端子とを有し、該第１端子がそのボディに接続された第５トランジスタを含む半導体装置。
【請求項１６】
請求項１０において、
上記第２スイッチ回路は、そのアノードが上記第２トランジスタのボディに接続され、そのカソードが上記第３外部端子に接続されたダイオードを含む半導体装置。
【請求項１７】
高速動作可能な保護回路を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月4日(2004.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】洗浄装置と洗浄方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被洗浄物を収容するための容器と、この容器を密閉するための蓋とを有する洗浄槽であって、給液配管及び排液配管をそれぞれ着脱可能な第１及び第２の配管装着孔が設けられたものと、
それぞれ前記給液配管及び前記排液配管として用いられる第１及び第２の配管を有する洗浄手段であって、前記容器に前記被洗浄物が収容され且つ前記容器が前記蓋で密閉された状態で前記第１及び第２の配管装着孔に前記第１及び第２の配管をそれぞれ装着して前記第１及び第２の配管を介して前記洗浄槽に洗浄液を循環させることにより前記被洗浄物を洗浄するものと
を備えた洗浄装置。
【請求項２】
被洗浄物を収容するための容器と、この容器を密閉するための蓋とを有する洗浄槽であって、給液配管及び排液配管をそれぞれ着脱可能な第１及び第２の配管装着孔が設けられたものと、
それぞれ前記給液配管及び前記排液配管として用いられる第１及び第２の配管を有する第１の洗浄手段であって、前記容器に前記被洗浄物が収容され且つ前記容器が前記蓋で密閉された状態で前記第１及び第２の配管装着孔に前記第１及び第２の配管をそれぞれ装着して前記第１及び第２の配管を介して前記洗浄槽に第１種の洗浄液を循環させることにより前記被洗浄物を洗浄し、その洗浄の終了後に前記第２の配管を介して前記洗浄槽から前記第１種の洗浄液を抜取り且つ前記洗浄槽から前記第１及び第２の配管を取外すものと、
前記第１及び第２の配管装着孔の一方及び他方にそれぞれ着脱可能な第３及び第４の配管を有する第２の洗浄手段であって、前記第１の洗浄手段による配管取外しの終了後に前記第１及び第２の配管装着孔の一方及び他方に前記第３及び第４の配管をそれぞれ装着して前記第３及び第４の配管を介して前記洗浄槽に前記第１種の洗浄液とは異なる第２種の洗浄液を循環させることにより前記被洗浄物を洗浄するものと
を備えた洗浄装置。
【請求項３】
前記洗浄槽を第１の洗浄位置からそれとは別の第２の洗浄位置に搬送する搬送手段を更に備え、前記第１の洗浄手段は前記第１の洗浄位置において前記第１種の洗浄液による洗浄と前記第１種の洗浄液の抜取りと前記第１及び第２の配管の取外しとを行ない、前記第２の洗浄手段は前記第２の洗浄位置において前記第２種の洗浄液による洗浄を行ない、前記第１の洗浄手段は、前記第２の洗浄手段が洗浄を行なっているときに前記第１の洗浄位置において前記洗浄槽と同様の構成の他の洗浄槽の複数の配管装着孔に前記第１及び第２の配管をそれぞれ装着して前記第１及び第２の配管を介して該他の洗浄槽に前記第１種の洗浄液を循環させることにより該他の洗浄槽内の被洗浄物を洗浄するものである請求項２記載の洗浄装置。
【請求項４】
被洗浄物を収容するための容器と、この容器を密閉するための蓋とを有する洗浄槽であって、給液配管及び排液配管をそれぞれ着脱可能な第１及び第２の配管装着孔が設けられたものと、
それぞれ前記給液配管及び前記排液配管として用いられる第１及び第２の配管を有する洗浄手段であって、前記容器に前記被洗浄物が収容され且つ前記容器が前記蓋で密閉された状態で前記第１及び第２の配管装着孔に前記第１及び第２の配管をそれぞれ装着して前記第１及び第２の配管を介して前記洗浄槽に洗浄液を循環させることにより前記被洗浄物を洗浄し、その洗浄の終了後に前記第２の配管を介して前記洗浄槽から前記洗浄液を抜取り且つ前記洗浄槽から前記第１及び第２の配管を取外すものと、
前記第１及び第２の配管装着孔の一方及び他方にそれぞれ着脱可能な第３及び第４の配管を有する乾燥手段であって、前記洗浄手段による配管取外しの終了後に前記第１及び第２の配管装着孔の一方及び他方に前記第３及び第４の配管をそれぞれ装着して前記第３及び第４の配管を介して前記洗浄槽に乾燥ガスを循環させることにより前記被洗浄物を乾燥させるものと
を備えた洗浄装置。
【請求項５】
前記洗浄槽を洗浄位置からそれとは別の乾燥位置に搬送する搬送手段を更に備え、前記洗浄手段は前記洗浄位置において前記洗浄液による洗浄と前記洗浄液の抜取りと前記第１及び第２の配管の取外しとを行ない、前記乾燥手段は前記乾燥位置において前記被洗浄物の乾燥を行ない、前記洗浄手段は、前記乾燥手段が乾燥を行なっているときに前記洗浄位置において前記洗浄槽と同様の構成の他の洗浄槽の複数の配管装着孔に前記第１及び第２の配管をそれぞれ装着して前記第１及び第２の配管を介して該他の洗浄槽に洗浄液を循環させることにより該他の洗浄槽内の被洗浄物を洗浄するものである請求項４記載の洗浄装置。
【請求項６】
第１の被洗浄物が収容された状態で密閉された第１の洗浄槽に対して第１の洗浄位置にて第１の給液配管及び第１の排液配管を接続して第１種の洗浄液を循環させて前記第１の被洗浄物を洗浄すると共に、第２の被洗浄物が収容された状態で密閉された第２の洗浄槽に対して第２の洗浄位置にて第２の給液配管及び第２の排液配管を接続して第２種の洗浄液を循環させて前記第２の被洗浄物を洗浄するステップと、
前記第１の被洗浄物の洗浄の終了後に前記第１の洗浄槽から前記第１の排液配管を介して前記第１種の洗浄液を抜取り且つ前記第１の洗浄槽から前記第１の給液配管及び前記第１の排液配管を取外すと共に、前記第２の洗浄物の洗浄の終了後に前記第２の洗浄槽から前記第２の排液配管を介して前記第２種の洗浄液を抜取り且つ前記第２の洗浄槽から前記第２の給液配管及び前記第２の排液配管を取外すステップと、
前記取外すステップの後、前記第１の洗浄槽を前記第２の洗浄位置に搬送すると共に、この搬送に同期して前記第２の洗浄槽を乾燥位置に搬送するステップと
を含む洗浄方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウェハ等の被洗浄物の洗浄、乾燥等の処理を行なう洗浄装置及び洗浄方法に関し、特に被洗浄物を収容して密閉した洗浄槽に給液配管及び排液配管を介して洗浄液を循環させて被洗浄物の洗浄を行なうことにより設置スペースの低減及び処理効率の向上を図ったものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
箱体１０は、処理室１０Ａを構成するもので、上部には搬入口１０ａ及び搬出口１０ｂが設けられている。搬入口１０ａから処理室１０Ａの底部に向けて垂直方向に延長するように一対の搬送路１２ａ，１２ｂが設けられている。搬送路１２ａ，１２ｂは、処理室１０Ａの底部において水平方向に延長すると共に処理室１０Ａの底部から搬出口１０ｂに向けて垂直方向に延長し、さらに箱体１０の上部において搬出口１０ｂから搬入口１０ａに向けて水平方向に延長しており、全体として閉ループ状に設けられている。