(57)【要約】【課題】絶縁層へのノッチの発生を抑制できるとともに、高精度な微細加工を実現できるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】本発明に係るドライエッチング方法は、シリコン酸化物からなる絶縁層２３の上に半導体層２１が形成された基板を準備し、半導体層２１に貫通孔２５を形成し、貫通孔２５を介して露出する絶縁層２３の領域をエッチングすることで絶縁層２３に凹所２６を形成しながら、貫通孔２５および凹所２６の側壁に樹脂膜２７を形成する。凹所２６の側壁に樹脂膜２７が形成されることにより、凹所２６の側壁がプラズマ中のイオンの衝突から保護され、凹所側壁へのノッチの発生が抑制される。また、貫通孔２５の側壁に樹脂膜２７が形成されることにより、貫通孔２５の側壁がプラズマ中のイオンの衝突から保護され、貫通孔２５の孔形状の変動が防止される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン酸化物からなる絶縁層の上に半導体層が形成された基板を準備し、
前記半導体層に貫通孔を形成し、
前記貫通孔を介して露出する前記絶縁層の領域をエッチングすることで前記絶縁層に凹所を形成しながら、前記貫通孔および前記凹所の側壁に樹脂膜を形成する
ドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のドライエッチング方法であって、
前記凹所を形成することは、エッチングガスとして、フロロカーボン系ガスを少なくとも含むガスを用いる
ドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項２に記載のドライエッチング方法であって、
エッチング圧力は、０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下である
ドライエッチング方法。
【請求項４】
請求項３に記載のドライエッチング方法であって、
エッチングガスに占めるフロロカーボン系ガスの割合は、２０％以上である
ドライエッチング方法。
【請求項５】
請求項４に記載のドライエッチング方法であって、
前記フロロカーボン系ガスは、Ｃ４Ｆ８である
ドライエッチング方法。
【請求項６】
請求項３に記載のドライエッチング方法であって、
前記基板の温度は、１５０℃以下である
ドライエッチング方法。
【請求項７】
請求項３に記載のドライエッチング方法であって、
前記凹所の側壁に形成される樹脂膜の厚さは、０．１μｍ以上である
ドライエッチング方法。
【請求項８】
請求項１に記載のドライエッチング方法であって、
前記凹所は、磁気中性線放電エッチング法によって形成される
ドライエッチング方法。
【請求項９】
請求項１に記載のドライエッチング方法であって、さらに、
前記凹所の形成後、前記樹脂膜を除去する
ドライエッチング方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のドライエッチング方法であって、
前記樹脂膜は、酸素プラズマによるアッシング処理によって除去される
ドライエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層の上に半導体層が形成された基板のドライエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体記憶素子やＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical System）の製造にＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板が用いられている。このＳＯＩ基板は、シリコン酸化膜からなる絶縁層をシリコン基板で挟み込んだ構成を有している。そして、上層側に位置するシリコン基板および中間の絶縁層をドライエッチング（プラズマエッチング）法で加工し、所定形状の孔（コンタクトホール）や溝（トレンチ）、あるいは可動素子の動作空間を形成するようにしている（例えば下記特許文献１参照）。【０００３】
図８Ａ〜ＣにＳＯＩ基板の一加工例を模式的に示す。ＳＯＩ基板１０は、シリコン基板からなる上層側の第１の半導体層１１と、シリコン基板からなる下層側の第２の半導体層１２と、第１の半導体層１１と第２の半導体層１２との間に介在するシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなる絶縁層１３とを備えている。図８Ａに示すように、第１の半導体層１１の表面には、所定形状にパターニングされたシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）等からなるパターン層１４が形成されており、このパターン層１４をマスクとして第１の半導体層１１のドライエッチングを行うことで、第１の半導体層１１を貫通する貫通孔１５が形成される。【０００４】
続いて、図８Ｂ，Ｃに示すように、貫通孔１５を介して露出する絶縁層１３の領域に凹所１６を形成する。凹所１６の形成に際しては、貫通孔１５を有する第１の半導体層１１をマスクとするドライエッチングが行われる。貫通孔１５および凹所１６の形成には、例えば、ＡｒとＳＦ６の混合ガスがエッチングガスとして用いられる。【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２０３９６７号公報
【特許文献２】特開平１１−２１９９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来のドライエッチング方法においては、貫通孔１５の下部にノッチ（アンダーカット）１７が形成される場合がある（図８Ｂ）。ノッチ１７の主な原因は、貫通孔１５の底部のチャージアップと考えられている。すなわち、エッチング時の基板バイアスによってプラズマ中の電子が貫通孔１５の底部に滞留し、ここにプラズマ中の正イオンが引き込まれ、絶縁膜１３のエッチングが等方的に進行することで、ノッチ１７が発生する。【０００７】
ノッチ１７が生じると、絶縁層１３に形成される凹所１６の形成幅（または径）が、貫通孔１５の形成幅（または径）よりも大きくなる。このため、例えば、貫通孔１５および凹所１６の側壁に導体めっきを形成して層間配線（コンタクトホール）を形成する場合、ノッチ１７の形成部位でのめっき不良を原因として断線不良が発生しやすいという問題がある。【０００８】
また、従来のドライエッチング方法においては、絶縁層１３のエッチング時において、貫通孔１５から露出する絶縁層１３の表面領域だけでなく、貫通孔１５の側壁にもプラズマ中のイオンが衝突するため、凹所１６の形成に伴って貫通孔１５の形成幅（または径）が変動し、高精度な微細加工が行えなくなるという問題もある。【０００９】
ノッチの原因とされる貫通孔底部のチャージアップを防止するために、基板に印加するバイアス電力をパルス変調する方法が知られている（例えば上記特許文献２参照）。しかしながら、この構成ではパルス発生器などの周辺機器の設置コストが必要となる。また、貫通孔の深さや形成幅（径）等に応じてノッチの大きさも変化するため、制御が複雑になるという問題を伴う。【００１０】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、絶縁層へのノッチの発生を抑制できるとともに、高精度な微細加工を実現できるドライエッチング方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一形態に係るドライエッチング方法は、シリコン酸化物からなる絶縁層の上に半導体層が形成された基板を準備することを含む。
上記半導体層に貫通孔が形成される。上記貫通孔を介して露出する上記絶縁層の領域をエッチングすることで前記絶縁層に凹所を形成しながら、前記貫通孔および前記凹所の側壁に樹脂膜が形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の一形態に係るドライエッチング方法は、シリコン酸化物からなる絶縁層の上に半導体層が形成された基板を準備することを含む。
上記半導体層に貫通孔が形成される。上記貫通孔を介して露出する上記絶縁層の領域をエッチングすることで前記絶縁層に凹所を形成しながら、前記貫通孔および前記凹所の側壁に樹脂膜が形成される。【００１３】
上記ドライエッチング方法においては、上記絶縁層に上記凹所を形成しながら、上記貫通孔および上記凹所の側壁に上記樹脂膜が形成される。上記凹所の側壁に上記樹脂膜が形成されることにより、上記凹所の側壁がプラズマ中のイオンの衝突から保護され、当該凹所側壁へのノッチの発生が抑制される。また、上記貫通孔の側壁に上記樹脂膜が形成されることにより、上記貫通孔の側壁がプラズマ中のイオンの衝突から保護され、上記貫通孔の孔形状の変動が防止される。これにより、上記基板に対する高精度な微細加工が実現可能となる。【００１４】
上記ドライエッチング方法において、前記凹所を形成することは、エッチングガスとして、フロロカーボン系ガスを少なくとも含むガスを用いることができる。この種のガスとしては、フロロカーボン系ガス単体、あるいは、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｈ２、Ｎ２などにフロロカーボン系ガスを添加した混合ガスを用いることができる。これにより、上記絶縁層に凹所を形成する過程で上記貫通孔および上記凹所の各々の側壁への上記樹脂膜の形成が可能となる。フロロカーボン系ガスとしては、例えば、ＣＦ４、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３などが挙げられる。【００１５】
上記ドライエッチング方法において、エッチング圧力は、０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下とすることができる。
これにより、上記樹脂膜を安定して形成することが可能となる。【００１６】
上記ドライエッチング方法において、エッチングガスに占めるフロロカーボン系ガスの割合は、２０％以上とすることができる。
これにより、比較的高い成膜レートを得ることが可能となる。【００１７】
上記ドライエッチング方法において、前記基板の温度は、１５０℃以下とすることができる。
これにより、上記樹脂膜の成膜レートを向上させることが可能となる。【００１８】
上記ドライエッチング方法において、前記凹所の側壁に形成される樹脂膜の厚さは、０．１μｍ以上とすることができる。
これにより、上記凹所の形成時に入射するイオンの衝突作用から、上記貫通孔および上記凹所の側壁を保護することが可能となる。【００１９】
上記ドライエッチング方法において、前記凹所は、磁気中性線放電エッチング法によって形成されることができる。
磁気中性線放電エッチング法を採用することにより、１Ｐａ以下の比較的低圧の下でも所望とするエッチング特性を得ることができる。【００２０】
上記ドライエッチング法は、さらに、前記凹所の形成後、前記樹脂膜を除去することを含んでいてもよい。
これにより、上記基板に対して、上記貫通孔と上記凹所からなるコンタクトホールを形成することができる。【００２１】
上記ドライエッチング法において、前記樹脂膜は、酸素プラズマによるアッシング処理によって除去することができる。
これにより、エッチングガスをアッシングガスの切り替えのみで上記樹脂膜の除去を容易に実施することができる。【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。【００２３】
図１Ａ〜Ｄは、本発明の一実施形態によるドライエッチング方法を説明する要部の概略工程断面図である。【００２４】
本実施形態では、エッチング対象基板として、シリコン基板からなる第１の半導体層２１と、シリコン基板からなる第２の半導体層２２と、これら第１，第２の半導体層２１，２２の間に形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなる絶縁層２３とを備えたＳＯＩ構造の基板２０が用いられている。【００２５】
第１の半導体層２１および第２の半導体層２２はそれぞれ、あらかじめ各種素子が形成されたシリコン基板で構成することができる。本実施形態では、第１の半導体層２１および絶縁層２３にエッチング処理が順次施され、基板２０にコンタクトホール２８が形成される。第２の半導体層２２には、例えば、コンタクトホール２８の形成位置に対応して配線層が設けられている。以下、本発明を用いたコンタクトホール２８の形成方法について説明する。【００２６】
まず、上述した構成の基板２０を準備する。基板２０は、絶縁層２３を挟んで第１の半導体層２１と第２の半導体層２２を貼り合わせて構成される。第１の半導体層２１の厚さは２５０μｍ、第２の半導体層２２の厚さは５０μｍ、絶縁層２３の厚さは１．０μｍである。絶縁層２３は当初、第１の半導体層２１側に形成されていてもよいし、第２の半導体層２２側に形成されていてもよい。また、第１，第２の半導体層２１，２２の各々にあらかじめ絶縁膜を形成しておき、これら絶縁膜どうしの貼り合わせによって絶縁層２３を構成してもよい。【００２７】
第１の半導体層２１と第２の半導体層２２の貼り合わせは、公知の手法を採用することができる。具体的には、陽極接合などの常温接合法や、減圧雰囲気中におけるイオン照射による接合面の活性化処理を伴う基板接合法などが適用可能である。これらの基板接合法は、接着剤を使用せずに基板の貼り合わせが可能である。【００２８】
基板２０には、あらかじめ、コンタクトホール形成用のマスクパターン層２４が形成される。マスクパターン層２４は、第１の半導体層２１の表面に形成したシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）をフォトリソグラフィ技術によって所定形状にパターニングすることで形成される。上記シリコン酸化膜は、第１の半導体層２１の表面に形成された熱酸化膜でもよいし、プラズマＣＶＤ法等によって形成された蒸着膜でもよい。【００２９】
そして、まず図１Ａに示すように、マスクパターン層２４をマスクとして第１の半導体層２１のドライエッチング（反応性イオンエッチング）を行い、第１の半導体層２１の内部に貫通孔２５を形成する。本実施形態において、貫通孔２５は直径２０μｍで形成されるが、これに限られず、更に小さい孔径であってもよい。エッチングガスとしては、ＳＦ６、あるいはＳＦ６とＡｒ等の希ガス又は不活性ガスとの混合ガスが用いられる。【００３０】
次に、図１Ｂ，Ｃに示すように、貫通孔２５を介して露出する絶縁層２３の領域に凹所２６を形成する。凹所２６の形成に際しては、貫通孔２５を有する第１の半導体層２１をマスクとするドライエッチング（反応性イオンエッチング）が行われる。本実施形態において、凹所２６の形成には、エッチングガスにＣ４Ｆ８とＡｒの混合ガスが用いられる。【００３１】
本実施形態では、凹所２６を形成しながら、貫通孔２５および凹所２６の側壁に樹脂膜２７を形成する工程が同時に行われる。樹脂膜２７は、エッチングガスの分解反応で生成されたフッ素系樹脂からなり、凹所２６の側壁と貫通孔２５の側壁に同時に形成される。なお、凹所２６の底部にも同様な樹脂膜が形成され得るが、この樹脂膜は、エッチング処理中に基板２０に印加される高周波バイアス電力で基板２０に引き込まれるプラズマ中のイオンによって除去される。すなわち、このイオンは、凹所２６の底部へ付着した樹脂膜を除去しながら凹所２６をその深さ方向にエッチングする。凹所２６の形成は、凹所２６の底部が第２の半導体層２２の表面に達した時点で終了する。【００３２】
本実施形態によれば、凹所２６の形成と同時に形成される樹脂膜２６を貫通孔２５および凹所２６の側壁保護膜として機能させることで、凹所２６の側壁がプラズマ中のイオンの衝突から保護され、凹所２６側壁へのノッチの発生が抑制される。また、貫通孔２５の側壁に樹脂膜２６が形成されることにより、貫通孔２６の側壁がプラズマ中のイオンの衝突から保護され、貫通孔２６の孔形状の変動が防止される。以上により、基板２０に対する高精度な微細加工が実現可能となる。【００３３】
貫通孔２５および凹所２６の側壁に形成される樹脂膜２７の膜厚は、特に制限されないが、少なくとも、凹所２６の形成時に入射するイオンの衝突作用から、貫通孔２５および凹所２６の側壁を保護し得る厚さが必要である。具体的に、樹脂膜２７の厚さは０．１μｍ以上とされる。【００３４】
凹所２６の形成後は、図１Ｃに示すように、樹脂膜２６を除去する工程が行われる。樹脂膜２６の除去は、酸素雰囲気中におけるアッシング処理を用いることができる。これにより、基板２０に対して、貫通孔２５と凹所２６からなるコンタクトホール２８が形成される。【００３５】
図２は、上述した基板２０のドライエッチング方法に用いられるドライエッチング装置３０の概略構成図である。このドライエッチング装置３０は、ＮＬＤ（磁気中性線放電）プラズマエッチング装置として構成されている。【００３６】
ドライエッチング装置３０は、真空チャンバ３１を備えている。真空チャンバ３１には、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）等の真空ポンプが接続され、真空チャンバ３１の内部が所定の真空度に真空排気されている。【００３７】
真空チャンバ３１は、プラズマ発生部３１ａと基板処理部３１ｂを有している。プラズマ発生部３１ａを構成する石英製の筒状壁３２の周囲には、第１の高周波電源ＲＦ１に接続されたプラズマ発生用の高周波コイル（アンテナ）３３と、この高周波コイル３３の外周側に配置された三つの磁気コイル３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃがそれぞれ配置されている。【００３８】
磁気コイル３４Ａと磁気コイル３４Ｂには同一方向に電流が供給され、磁気コイル３４Ｂには他の磁気コイル３４Ａ，３４Ｃと逆方向に電流が供給される。その結果、プラズマ発生部３１ａにおいて、リング状に磁気中性線３５が形成され、高周波コイル３３により磁気中性線３５に沿って誘導電場が印加されることで、放電プラズマが形成される。【００３９】
特に、ＮＬＤ方式のエッチング装置においては、磁気コイル３４Ａ〜３４Ｃに流す電流の大きさによって、磁気中性線３５の形成位置および大きさを調整することができる。すなわち、磁気コイル３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃに流す電流をそれぞれＩＡ，ＩＢ，ＩＣとしたとき、ＩＡ＞ＩＣの場合は磁気中性線３５の形成位置は磁気コイル３４Ｃ側へ下がり、逆に、ＩＡ＜ＩＣの場合は磁気中性線３５の形成位置は磁気コイル３４Ａ側へ上がる。また、中間の磁気コイル３４Ｂに流す電流ＩＢを増していくと、磁気中性線３５のリング径は小さくなると同時に、磁場ゼロの位置での磁場の勾配が緩やかになる。これらの特性を利用することで、プラズマ密度分布の最適化を図ることができる。【００４０】
一方、真空チャンバ３１の基板処理部３１ｂには、基板２０（図１）を支持するステージ３６が設置されている。このステージ３６は、図示せずとも、その上面に載置される基板２０の温度を調節可能な温度調整機構を内蔵している。ステージ３６は、コンデンサ３７を介してバイアス電源としての第２の高周波電源ＲＦ２に接続されている。また、ステージ３６の対向電極としてプラズマ発生部３１ａの上部に形成される天板３８には、コンデンサ３９を介して第３の高周波電源ＲＦ３が接続されている。【００４１】
天板３８の近傍には、真空チャンバ３１へプロセスガスを導入するためのガス導入管４０が設置されている。プロセスガスには、基板２０をエッチング処理する各種ガスが含まれ、第１の半導体層２１をエッチング処理するためのエッチングガス（ＳＦ６ガスとＡｒガスの混合ガス）、絶縁層２３をエッチング処理するためのエッチングガス（Ｃ４Ｆ８ガスとＡｒガスの混合ガス）、および樹脂膜２７をアッシング除去するための酸素ガス等が該当する。【００４２】
以上のように構成される本実施形態のドライエッチング装置３０においては、ステージ３６上に載置された基板２０に対して、第１の半導体層２１のエッチング工程（貫通孔２５の形成工程）、絶縁層２３のエッチング工程（凹所２６の形成工程）および樹脂膜２７の除去工程が、ガスの切換えによって連続的に行われる。【００４３】
次に、図３は、凹所２６の形成工程に際して使用されるエッチングガスの全体に占めるＣ４Ｆ８ガスの割合（混合比）と、凹所２６（貫通孔２５）の側壁に形成される樹脂膜２７の成膜レートとの関係を示している。図３に示すように、樹脂膜２７の成膜レートはＣ４Ｆ８ガスの混合比に依存する。特に、Ｃ４Ｆ８ガスの含有量が１０％以上で２００［ｎｍ／ｍｉｎ］、２０％以上で約３００［ｎｍ／ｍｉｎ］以上の成膜レートが得られることがわかる。側壁に対する樹脂膜２７の成膜レートは、含有するフロロカーボン系ガスの種類にも関係し、例えばＣ３Ｆ８ガスの場合は、０．２〜０．３％の混合比で３００［ｎｍ／ｍｉｎ］（０．３［μｍ／ｍｉｎ］）の成膜レートが得られることが確認されている。【００４４】
貫通孔２５および凹所２５の側壁に形成される樹脂膜２７の成膜レートは、上述したエッチングガス中のフロロカーボン系ガスの混合比以外に、エッチング処理時の真空チャンバの圧力や基板温度にも依存する。【００４５】
図４は、チャンバ内圧力と樹脂膜２７の成膜レートとの関係を示している。チャンバ内圧力が１．０Ｐａ以下で０．３［μｍ／ｍｉｎ］以上の成膜レートが得られることがわかる。０．１Ｐａ未満で成膜レートの低下が認められるのは、エッチングガス量の低下によるものである。したがって、０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下、あるいは、０．１Ｐａ以上０．７Ｐａ以下のチャンバ内圧力で絶縁層２３のエッチング処理を行うことによって、保護膜２７の安定した成膜が得られるようになる。【００４６】
一方、図５は、基板温度と樹脂膜２７の成膜レートとの関係を示している。基板温度の低下に伴って成膜レートが向上することがわかる。基板温度が１５０℃以下で、０．３［μｍ／ｍｉｎ］以上の成膜レートが得られることが確認された。基板温度が低温なほど樹脂膜２７の形成に寄与する活性種の基板への吸着量が増加するためと考えられる。【００４７】
また、本実施形態によれば、図１Ｂ，Ｃに示すように、樹脂膜２７が貫通孔２５および凹所２６の側壁だけでなくマスクパターン層２４の表面にも同様に形成されるため、絶縁層２３への凹所２６の形成に際して、絶縁層２３と同じシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）で形成されるマスクパターン層２４のエッチングを回避することができる。【００４８】
この場合、貫通孔２５および凹所２６の側壁に入射するイオンの数に比べて、マスクパターン層２４の表面に入射するイオンの数が多い分、樹脂膜２７のエッチングレートに差が生じることにはなるが、貫通孔２５および凹所２６の側壁に比べて、マスクパターン層２４の表面の方が樹脂膜２７の成膜レートが高いため、マスクパターン層２４がイオンの衝突から効果的に保護される。【００４９】
したがって、マスクパターン層２４上にあらかじめ金属配線層が形成された基板２０のエッチング加工にも、本発明は効果的である。図６Ａ〜Ｄに、その適用例を概略的に示す。なお、図において図１と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。【００５０】
図６Ａに示すように、第１の半導体層２１に貫通孔２５を形成するためのマスクパターン層２４の表面に金属層２９が形成されている。この例においても、図６Ｃに示すように、凹所２６の形成と同時に、金属層２９の表面および貫通孔２５、凹所２６の各側壁に樹脂膜２７が形成される。したがって、エッチングによる金属層２９の膜減りを効果的に防止することができるので、配線層２９の信頼性が確保される。【００５１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。【００５２】
例えば以上の実施形態では、コンタクトホール２８の形成後、貫通孔２５および凹所２６の側壁に形成された樹脂膜２７を除去したが、この樹脂膜２７を除去せず絶縁膜として基板２０内に残留させても構わない。【００５３】
一方、図７Ａ〜Ｃに、本発明のドライエッチング方法が適用される基板の構成例を示す。図７Ａは、上述の実施形態と同様に、一対の半導体層４１，４２で絶縁層４３を挟み込んだ基板構造を示している。この場合、上層の第１の半導体層４１および絶縁層４３の加工後、下層の第２の半導体層４２に対してエッチング加工を施してもよい。【００５４】
図７Ｂは、第２の半導体層４２と絶縁層４３との間に金属層４４を備えた基板構造を有している。この場合、第１の半導体層４１および絶縁層４３を貫通するコンタクトホールの形成後、導体めっき等の導体化処理を施すことで、第１の半導体層４１と第２の半導体層４２との間を電気的に連絡する層間接続層を形成することができる。【００５５】
図７Ｃは、絶縁層４３の上に第１の半導体層４１が形成された２層構造基板を示している。この場合、絶縁層２３としては、石英等のガラス基板（シリコン酸化物）で構成され、半導体層４１を支持する機能を果たす。絶縁層２３は、例えば、ＭＥＭＳ部品の筺体部品として用いることができる。【００５６】
さらに、以上の実施形態では、ドライエッチング装置としてＮＬＤ方式のエッチング装置を用いたが、これに限られず、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）方式のドライエッチング装置、ＣＣＰ（容量結合プラズマ）方式のドライエッチング装置を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施形態によるドライエッチング方法を説明する要部の工程断面図である。
【図２】本発明の実施形態に用いられるドライエッチング装置の概略構成図である。
【図３】絶縁層のエッチングガスのガス組成と樹脂膜の成膜レートとの関係を示す図である。
【図４】絶縁層のエッチング時におけるチャンバ圧力と樹脂膜の成膜レートとの関係を示す図である。
【図５】絶縁層のエッチング時における基板温度と樹脂膜の成膜レートとの関係を示す図である。
【図６】本発明の他の実施形態によるドライエッチング方法を説明する要部の工程断面図である。
【図７】本発明に適用される基板の構成例を示す概略断面図である。
【図８】従来のドライエッチング方法を説明する要部の工程断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
２０  基板
２１  第１の半導体層
２２  第２の半導体層
２３  絶縁層
２４  マスクパターン層
２５  貫通孔
２６  凹所
２７  樹脂膜
２８  コンタクトホール
２９  金属層
３０  ドライエッチング装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008126891.tif 000009
【図８】
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【国際調査報告】
2008126891.tif 000011
2008126891.tif 000012
2008126891.tif 000013
2008126891.tif 000014