【手続補正書】
【提出日】平成16年7月2日(2004.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線用レチクルの製造方法において、
正規配線パターン間のスペースが狭く、ダミー配線の挿入が許されない箇所において、前記正規配線パターンを太らせることを特徴とする配線用レチクルの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ダミー配線の挿入が許されない箇所に、所定幅の仮想配線パターンを発生させ、
該発生させた仮想配線パターンを、当該配線間スペースに面する正規配線パターンのいずれかに密着させ、
該密着後の配線パターンのうち、最小配線幅に至らなかった部分を消去することにより、前記正規配線パターンを太らせることを特徴とする配線用レチクルの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、更に、配線折れ曲がり部において、外側の配線コーナーを隅付けすることを特徴とする配線用レチクルの製造方法。
【請求項４】
請求項３において、前記配線折れ曲がり部において、更に、内側の配線コーナーを隅切りすることを特徴とする配線用レチクルの製造方法。
【請求項５】
多層配線が行われる半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に配線用金属を堆積する工程と、
ダミー配線の挿入が許される正規配線間スペースにはダミー配線が設けられ、ダミー配線の挿入が許されない正規配線間スペースは、該正規配線間スペースに面する正規配線パターンを太らせることによって減少された配線パターンに、該配線用金属のパターニングを行うことによって配線層を形成する工程と、
前記配線層の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の表面を平坦化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、前記層間絶縁膜の表面を平坦化する工程が、化学的機械的研摩工程である半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６において、前記配線パターンは、更に、配線折れ曲がり部の配線間隔が、単純な折れ曲がりパターンの場合よりも狭められていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５又は６において、前記配線パターンは、更に、配線折れ曲がり部において、外側の配線コーナーの隅付けがなされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
多層配線が行われる半導体装置において、
該多層配線の少なくとも１層の、ダミー配線の挿入が許される正規配線間スペースにはダミー配線が設けられ、ダミー配線の挿入が許されない正規配線間スペースは、該正規配線間スペースに面する正規配線パターンを太らせることによって減少されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線用レチクル及び半導体装置の製造方法に係り、特に、多層配線構造を有する半導体装置に用いるのに好適な、表面を平坦化することが可能な配線用レチクル及び半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本願の第１発明は、配線用レチクルの製造方法において、正規配線パターン間のスペースが狭く、ダミー配線の挿入が許されない箇所において、前記正規配線パターンを太らせることにより、前記第１及び第２の課題を解決したものである。
又、前記ダミー配線の挿入が許されない箇所に、所定幅の仮想配線パターンを発生させ、該発生させた仮想配線パターンを、当該配線間スペースに面する正規配線パターンのいずれかに密着させ、該密着後の配線パターンのうち、最小配線幅に至らなかった部分を消去することにより、前記第１及び第２の課題を解決したものである。
更に、前記配線折れ曲がり部において、外側の配線コーナーに隅付けすることにより、前記第３の課題を解決したものである。
又、前記配線折れ曲がり部において、更に、内側の配線コーナーを隅切りすることにより、同じく前記第３の課題を解決したものである。
又、本願の第２発明は、多層配線が行われる半導体装置の製造方法において、半導体基板上に配線用金属を堆積する工程と、ダミー配線の挿入が許される正規配線間スペースにはダミー配線を設け、ダミー配線の挿入が許されない正規配線間スペースは、該正規配線間スペースに面する正規配線パターンを太らせることによって減少された配線パターンに、該配線用金属のパターニングを行うことによって配線層を形成する工程と、前記配線層の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の表面を平坦化する工程とを含むことにより、前記第１及び第２の課題を解決したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
又、前記配線パターンは、更に、配線折れ曲がり部の配線間隔を単純な折れ曲がりパターンの場合よりも狭めることにより、前記第３の課題を解決したものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
又、前記配線パターンは、更に、配線折れ曲がり部において、外側の配線コーナーの隅付けがなされているようにしたものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明は、又、多層配線が行われる半導体装置において、該多層配線の少なくとも１層の、ダミー配線の挿入が許される正規配線間スペースにはダミー配線を設け、ダミー配線の挿入が許されない正規配線間スペースは、該正規配線間スペースに面する正規配線パターンを太らせることによって減少されるようにして、前記第１及び第２の課題を解決したものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
次に、第１発明に係る具体例である第３実施形態を詳細に説明する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
まず、Ｘ方向の配線幅を太らせる作業を行う。図９に示すように、図２の配線領域の反転パターンをＴ1 ／２＝２．６／２＝１．３μｍアンダーサイズした、Ｘ方向の第１の仮想配線パターン５０を発生させる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
第２発明の半導体装置の製造方法においては、この作業により設計され、作成された配線用レチクルを用いて、配線層を形成する。具体的には、半導体基板上に予め形成されたＭＯＳトランジスタ上に第１の絶縁膜を設け、この第１の絶縁膜にコンタクトホールを開口し、例えば、アルミニウムの配線層を堆積させ、図１８のようなパターンに基づいてパターニングを行う。次に、１層目の配線と２層目の配線を分離する層間絶縁膜を、例えば塗布絶縁膜等により形成し、所定のヴィアホールを開口する。それ以降の上層配線の形成においても、１層目と同様な手法を用いて形成し、半導体チップを完成することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
次に、第１及び第２発明に係る第４実施形態を詳細に説明する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
なお、配線折れ曲がり部の配線間隔を、図３３に示したような、単純な折れ曲がりパターンの場合よりも狭める方法は、これに限定されず、図２３に示す第５実施形態のように、外側の配線コーナーに隅付けをすると共に、内側の配線コーナーを隅切りすることも可能である。この場合には、折れ曲がり部の配線間隔を、直進部の配線間隔に近い間隔とすることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
第１及び第２発明に係る第４実施形態による配線パターンの例を示す平面図
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
第１及び第２発明に係る第５実施形態による配線パターンの例を示す平面図