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【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂（１）とフィラー（２）とを含み、全体質量に対する該フィラー（２）の質量割合が０．１％以上５％未満である、微生物固定化担体。
【請求項２】
熱可塑性樹脂（１）とフィラー（２）とを含み、該フィラー（２）が炭素質（３）とガラス質（４）とを含んでなる、微生物固定化担体。
【請求項３】
熱可塑性樹脂（１）とフィラー（２）とを含み、該フィラー（２）が炭素質（３）とガラス質（４）とを含んでなる、請求項１に記載の微生物固定化担体。
【請求項４】
前記炭素質（３）の質量を前記ガラス質（４）の質量で割った値が０．０２〜２の範囲である、請求項２又は３に記載の微生物固定化担体。
【請求項５】
前記フィラー（２）が粒状、棒状、板状、及び繊維状から選ばれる形状を有し、その長さが５０μｍ〜３ｍｍである、請求項１〜４いずれか一項に記載の微生物固定化担体。
【請求項６】
前記フィラー（２）が棒状及び／又は繊維状の形状を有し、その太さが１〜２５μmである請求項１〜５いずれか一項に記載の微生物固定化担体。
【請求項７】
熱可塑性樹脂（１）と、フィラー（２）と熱可塑性樹脂（５）とで成型されたマスターペレット（６）とを混合し、加熱成型する微生物固定化担体の製造方法。
【請求項８】
前記マスターペレット（６）の質量に対する前記フィラー（２）の質量割合が、１５〜６５％である請求項７に記載の微生物固定化担体の製造方法。
【請求項９】
前記マスターペレット（６）として、前記炭素質（３）及び前記ガラス質（４）をペレット中に含むものを使用する請求項７又は８に記載の微生物固定化担体の製造方法。
【請求項１０】
前記マスターペレット（６）として、前記炭素質（３）をペレット中に含むものと、前記ガラス質（４）をペレット中に含むものとを使用する請求項７又は８に記載の微生物固定化担体の製造方法。
【請求項１１】
前記炭素質（３）の質量を前記ガラス質（４）の質量で割った値が０．０２〜２の範囲である、請求項９〜１０いずれか一項に記載の微生物固定化担体の製造方法。
【請求項１２】
前記マスターペレット（６）中の前記フィラー（２）が粒状、棒状、板状、及び繊維状から選ばれる形状を有し、その長さが３〜１５ｍｍである請求項７〜１１いずれか一項に記載の微生物固定化担体の製造方法。
【請求項１３】
前記マスターペレット（６）中の前記フィラー（２）が棒状及び／又は繊維状の形状を有し、その太さが１〜２５μmである請求項７〜１２いずれか一項に記載の微生物固定化担体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜６に記載の微生物固定化担体を流動床として使用する排水処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記炭素質（３）の質量を前記ガラス質（４）で割った値が０．０２〜２であると、排水処理性能がさらに向上するためより好ましい。
また、前記フィラー（２）が繊維であると、強度に優れるため好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記熱可塑性樹脂（１）がポリプロピレンからなると、成型性及び流動性に優れるため好ましい。
また、前記フィラー（２）が粒状、棒状、板状、及び繊維状から選ばれる形状を有し、その長さが５０μｍ〜３ｍｍであるか、前記フィラー（２）が棒状及び／又は繊維状の形状を有し、その太さが１〜２５μmであると、強度に優れるため好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第三の要旨は、熱可塑性樹脂（１）と、フィラー（２）と熱可塑性樹脂（５）とで成型されたマスターペレット（６）とを混合し、加熱成型する微生物固定化担体の製造方法、である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ここで、本発明の微生物固定化担体を製造する際に、フィラー（２）と熱可塑性樹脂（５）とで成型されたマスターペレット（６）を使用すると、取り扱い性と成型性に優れるため好ましく、前記マスターペレット（６）の質量に対する前記フィラー（２）の質量割合が、１５〜６５％であると更に好ましい。
また、前記マスターペレット（６）として、前記炭素質（３）及び前記ガラス質（４）をペレット中に含むものを使用するか、又は前記炭素質（３）をペレット中に含むものと、前記ガラス質（４）をペレット中に含むものとを使用すると、取り扱い性が更に向上するため好ましい。
また、前記炭素質（３）の質量を前記ガラス質（４）の質量で割った値が０．０２〜２であると、排水処理性能が高いため好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記フィラー（２）が繊維であると、強度に優れるため好ましい。
また、前記熱可塑性樹脂（１）及び／又は前記熱可塑性樹脂（５）がポリプロピレンであると、及び流動性に優れるため好ましい。
また、前記フィラー（２）が粒状、棒状、板状、及び繊維状から選ばれる形状を有し、その長さが３〜１２mmであるか、前記フィラー（２）が棒状及び／又は繊維状の形状を有し、その太さが１〜２５μmであると、製造が容易で、成型後の強度に優れるため好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第四の要旨は、前記微生物固定化担体を流動床として使用する排水処理方法、である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の微生物固定化担体に使用するフィラー（２）とは、粒状、棒状、板状、繊維状等の形状を有するものを充填材として使用するものであり、強度、微生物との親和性等、微生物固定化担体としての性能を向上させることを目的として添加する。
フィラー（２）は、熱可塑性樹脂（１）の成型温度において、溶融、分解等が起こらないものであれば使用することができ、天然や合成の各種フィラーを用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機に取り付けられるケース本体部材と、前記ケース本体部材に装着されるケース蓋部材とを備え、前記ケース本体部材に前記ケース蓋部材を装着して形成されるケース内部に制御基板を収容する基板ケースにおいて、
前記ケース本体部材に前記ケース蓋部材を取り付けた状態で前記ケース本体部材と前記ケース部材を一体結合するための結合部材と、
前記ケース蓋部材に形成され、前記ケース蓋部材を前記ケース本体に結合させるために前記結合部材を挿入する挿入孔と、
前記挿入孔を覆って前記ケース蓋部材に取り付けられる遮蔽部材とを備えて構成され、
前記挿入孔に前記結合部材を挿入するとともに前記挿入孔を通して外部から前記結合部材を結合操作して前記結合部材により前記ケース蓋部材を前記ケース本体に結合させた後、前記遮蔽部材を前記挿入孔に取り付けて前記結合部材の結合解除操作を阻止するように構成されており、
前記遮蔽部材は前記挿入孔に一旦取り付けた後においては前記ケース蓋部材から取り外すことができず、且つ前記遮蔽部材の少なくとも一部を破壊しない限り前記挿入孔を介して外部から前記結合部材の結合解除操作ができないように構成されていることを特徴とする基板ケースの不正開放防止機構。
【請求項２】
前記遮蔽部材は、前記挿入孔を覆って前記ケース蓋部材に取り付けられたときに前記挿入孔を覆う部分に容易に破壊可能な破壊部を有し、前記破壊部を破壊すれば前記挿入孔を介して外部から前記結合部材の結合解除操作を行うことができるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板ケースの不正開放防止機構。
【請求項３】
前記挿入孔を覆って前記ケース蓋部材に取り付けられた前記遮蔽部材は、前記ケース蓋部材が前記ケース本体部材に対して開放状態にあるときに前記ケース蓋部材から取り外すことができるように構成されていることを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の基板ケースの不正開放防止機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
なお、このように構成された基板ケースの不正開放防止機構において、遮蔽部材は、挿入孔を覆ってケース蓋部材に取り付けられたときに挿入孔を覆う部分に容易に破壊可能な破壊部を有し、破壊部を破壊すれば挿入孔を介して外部から結合部材の結合解除操作を行うことができるように構成されるのが好ましい。また、挿入孔を覆ってケース蓋部材に取り付けられた遮蔽部材は、ケース蓋部材がケース本体部材に対して開放状態にあるときにケース蓋部材から取り外すことができるように構成されているのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発射装置によって発射された遊技球が案内され、当該遊技球が流下可能な遊技領域を具備した遊技盤に、遊技球が入賞可能な特定入賞装置を備え、
前記特定入賞装置が、遊技球が入賞不能又は入賞困難となる閉塞位置と、遊技球が入賞可能又は入賞容易となる開放位置との間で開閉動作可能な少なくとも１つの開閉部材を備え、
前記特定入賞装置への遊技球の入賞に基づいて所定の遊技価値が付与される遊技機であって、
前記特定入賞装置は、所定の第１位置と第２位置との間で特定の第１軸線に沿って直線駆動可能な駆動部材を有する特定駆動手段と、
前記第１位置から第２位置へと向かう特定駆動方向への前記駆動部材の直線駆動に連動して、前記第１軸線と略直交する第２軸線を軸心として回動する駆動伝達部材とを備え、
前記特定駆動方向への前記駆動部材の直線駆動に連動した前記駆動伝達部材の回動に連動して、前記開閉部材が前記閉塞位置から前記開放位置へと回動するように構成され、
前記駆動部材が前記第１位置にある場合には、当該駆動部材によって前記駆動伝達部材の回動が規制され、前記開閉部材が回動不能又は回動困難となるようにしたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記駆動部材が前記第１位置にある場合には、
前記駆動伝達部材のうち前記駆動部材が前記第２位置から前記第１位置へと向かう際に力を加える部位に対し前記駆動部材が略当接することで、前記駆動伝達部材の特定回動方向への回動が規制されることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記開閉部材は、前記駆動伝達部材の回動に連動して、前記閉塞位置から前記開放位置へと前記第１軸線と略平行な第３軸線を軸心として回動するように構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記開閉部材は、前記駆動伝達部材の回動に連動して、前記閉塞位置から前記開放位置へと前記第２軸線と略平行な第３軸線を軸心として回動するように構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項５】
前記駆動部材を前記第１位置に付勢する付勢手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ロボット装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ロボット装置に関し、特に、ロボットに、人間と同じように、かつ、ユーザを飽きさせないように、行動させることができるようにしたロボット装置に関する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力情報に応じて行動を行うロボット装置において、
新たな行動である探査的行動を決定する探索的行動決定手段と、
既存の知識に基づく知識的行動を決定する知識的行動決定手段と、
前記探索的行動決定手段と前記知識的行動決定手段を、前記入力情報に応じて変更される行動選択確率に基づいて選択する行動管理手段と、
前記行動管理手段により選択された前記探索的行動決定手段または前記知識的行動決定手段により決定された行動を実行する行動実行手段と
を備えることを特徴とするロボット装置。
【請求項２】
前記入力情報として、前記行動実行手段により実行された行動に対する報酬を受け付ける報酬受付手段と、
前記報酬に基づいて行動価値を算出する行動価値算出手段と、
前記行動価値算出手段により算出された前記行動価値に基づいて、前記行動実行手段により実行された行動の前記行動選択確率を変更する行動確率変更手段と
をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載のロボット装置。
【請求項３】
前記行動選択確率は、前記行動価値およびボルツマン分布に基づいて算出される
ことを特徴とする請求項２に記載のロボット装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のロボット装置は、新たな行動である探査的行動を決定する探索的行動決定手段と、既存の知識に基づく知識的行動を決定する知識的行動決定手段と、探索的行動決定手段と知識的行動決定手段を、入力情報に応じて変更される行動選択確率に基づいて選択する行動管理手段と、行動管理手段により選択された探索的行動決定手段または知識的行動決定手段により決定された行動を実行する行動実行手段とを備えることを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このロボット装置には、入力情報として、行動実行手段により実行された行動に対する報酬を受け付ける報酬受付手段と、報酬に基づいて行動価値を算出する行動価値算出手段と、行動価値算出手段により算出された行動価値に基づいて、行動実行手段により実行された行動の行動選択確率を変更する行動確率変更手段とをさらに設けることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この行動選択確率は、行動価値およびボルツマン分布に基づいて算出される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のロボット装置においては、新たな行動である探査的行動を決定する探索的行動決定手段と、既存の知識に基づく知識的行動を決定する知識的行動決定手段とを備え、探索的行動決定手段と知識的行動決定手段を、入力情報に応じて変更される行動選択確率に基づいて選択し、その選択された探索的行動決定手段または知識的行動決定手段により決定された行動を実行する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月12日(2004.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
緯糸を構成する極細繊維の単繊維繊度は、ポリエステルが０．０５〜０．１ｄｔｅｘ、ポリアミドが０．０２〜０．０５ｄｔｅｘであることが必要である。繊度が細いほど糸の表面積が増大し研磨粒子の保持力が大きくなると同時に布帛の空隙も増加し研磨屑の捕捉力も向上する。しかしながらポリアミドの繊度が０．０２ｄｔｅｘ未満又はポリエステルの繊度が０．０５ｄｔｅｘ未満になると強力が低くなり使用時に繊維が切断され屑の発生になり、基板の大きな傷（スクラッチ）の原因にもなる。又、ポリアミドの繊度が０．０５ｄｔｅｘを超えるかポリエステルの繊度が０．１ｄｔｅｘを超えると研磨屑の捕捉力が低下し基板に研磨屑が残置されスクラッチの原因となると同時に磁性特性の低下にもなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
親機と子機とから成り、前記子機の送信電力を制御可能なコードレス電話装置であって、
前記親機は、ＲＳＳＩ値と第１または第２の所定値とを比較するＲＳＳＩ判定手段と、エラーレートの判定を行う判定手段と、子機への要求や通知を行う通知手段とを有し、
前記通知手段は、
前記エラーレートが所定値以下であると判定され、かつ前記ＲＳＳＩ値が前記第１の所定値以上であると判定されたときには子機へ送信電力を下げるよう要求し、
前記ＲＳＳＩ値が前記第２の所定値以下であると判定されたときには子機へ送信電力を上げるよう要求し、
前記ＲＳＳＩ値が前記第２の所定値よりも大きい場合であっても前記エラーレートが所定値よりも大きいと判定されたときには子機へ送信電力を上げるよう要求し、
前記子機は、
前記親機からの要求に基づいて送信電力を設定することを特徴とするコードレス電話装置。
【請求項２】
全体を制御する親機制御部を有する親機と全体を制御する子機制御部を有する子機とから成り、送信電力を高電力の「高」または低電力の「低」に制御可能な前記子機と前記親機との間で無線通信を行うコードレス電話装置であって、
前記親機制御部は、子機パワー情報が「高」か「低」かを判定する子機判定手段と、親機におけるＲＳＳＩ値と第１または第２の所定値とを比較するＲＳＳＩ判定手段と、ＣＲＣに基づくエラーレートであるＣＲＣエラーレートと所定エラーレートとを比較するＣＲＣ判定手段と、子機への要求や通知を行う通知手段とを有し、前記通知手段は、子機パワー情報が「高」であると判定され、前記ＣＲＣエラーレートが所定エラーレート以下であると判定され、かつ前記ＲＳＳＩ値が前記第１の所定値以上であると判定されたときにはパワーを「低」とするように前記子機へ要求し、また、子機パワー情報が「低」であると判定され、前記ＲＳＳＩ値が前記第２の所定値以下であると判定されたときにはパワーを「高」とするように前記子機へ要求し、さらに、子機パワー情報が「低」であると判定され、前記ＲＳＳＩ値が前記第２の所定値よりも大きいと判定され、かつ前記ＣＲＣエラーレートが所定エラーレートよりも大きいと判定されたときにはパワーを「高」とするように前記子機へ要求し、
前記子機制御部は、前記親機からの要求に基づいて又は自らの判定に基づいて子機パワーを設定することを特徴とするコードレス電話装置。
【請求項３】
前記子機制御部は、子機パワー情報を判定するパワー情報判定手段と、前記子機におけるＲＳＳＩ値と第１または第２の所定値とを比較するＲＳＳＩ判定手段と、親機からのデータを判定する親機判定手段と、子機パワーを設定する設定手段とを有し、前記設定手段は、子機パワー情報が「低」であると判定され、かつ前記子機におけるＲＳＳＩ値が前記第２の所定値以下と判定されたときには子機パワーを「高」に設定し、また、子機パワー情報が「高」であると判定され、かつ前記子機におけるＲＳＳＩ値が前記第１の所定値よりも大きいと判定されたときには子機パワーを「低」に設定し、さらに、前記親機からの要求に応じて「高」または「低」に設定することを特徴とする請求項２に記載のコードレス電話装置。
【請求項４】
全体を制御する親機制御部を有する親機と全体を制御する子機制御部を有する子機とから成り、送信電力を高電力の「高」または低電力の「低」に制御可能な前記子機と前記親機との間で無線通信を行うコードレス電話装置における子機パワー制御方法であって、
親機制御ステップと、子機制御ステップとを有し、
前記親機制御ステップは、子機パワー情報が「高」か「低」かを判定する子機判定ステップと、親機におけるＲＳＳＩ値と第１または第２の所定値とを比較するＲＳＳＩ判定ステップと、ＣＲＣに基づくエラーレートであるＣＲＣエラーレートと所定エラーレートとを比較するＣＲＣ判定ステップと、子機への要求や通知を行う通知ステップとを有し、前記通知ステップにおいては、子機パワー情報が「高」であると判定され、前記ＣＲＣエラーレートが所定エラーレート以下であると判定され、かつ前記ＲＳＳＩ値が前記第１の所定値以上であると判定されたときにはパワーを「低」とするように前記子機へ要求し、また、子機パワー情報が「低」であると判定され、前記ＲＳＳＩ値が前記第２の所定値以下であると判定されたときにはパワーを「高」とするように前記子機へ要求し、さらに、子機パワー情報が「低」であると判定され、前記ＲＳＳＩ値が前記第２の所定値よりも大きいと判定され、かつ前記ＣＲＣエラーレートが所定エラーレートよりも大きいと判定されたときにはパワーを「高」とするように前記子機へ要求し、
前記子機制御ステップは、前記親機からの要求に基づいて又は自らの判定に基づいて子機パワーを設定することを特徴とする子機パワー制御方法。
【請求項５】
前記子機制御ステップは、子機パワー情報を判定するパワー情報判定ステップと、前記子機におけるＲＳＳＩ値と第１または第２の所定値とを比較するＲＳＳＩ判定ステップと、親機からのデータを判定する親機判定ステップと、子機パワーを設定する設定ステップとを有し、前記設定ステップは、子機パワー情報が「低」であると判定され、かつ前記子機におけるＲＳＳＩ値が前記第２の所定値以下と判定されたときには子機パワーを「高」に設定し、また、子機パワー情報が「高」であると判定され、かつ前記子機におけるＲＳＳＩ値が前記第１の所定値よりも大きいと判定されたときには子機パワーを「低」に設定し、さらに、前記親機からの要求に応じて「高」または「低」に設定することを特徴とする請求項４に記載の子機パワー制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信システム、端末装置、加入者装置、及び、関門装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加入者装置と、該加入者装置との通信手段を有する複数の関門装置とを有し、
上記加入者装置は、端末装置からの通信要求を受け取ると、上記通信要求に対応する関門装置を選択し、
上記選択された関門装置は、上記通信要求に対応する通信網または通信網上の装置を特定するとともに、上記選択された関門装置のアドレス情報を上記端末装置に通知することを特徴とする通信システム。
【請求項２】
上記端末装置の加入者情報を記憶したサービス制御装置をさらに有し、
上記関門装置は、上記加入者情報から上記通信要求に対応する通信網または通信網上の装置を特定する請求項１記載の移動体通信システム。
【請求項３】
移動体通信網の加入者装置にAPNを含む通信要求を行い、
上記APNにより特定される関門装置から該関門装置のアドレス情報を受取り、該アドレス情報を利用してパケットのIPv6ヘッダ及びIPv6経路制御ヘッダを組み立てて、該パケットを送信する端末装置。
【請求項４】
接続先となる通信網または通信網上の装置を特定する情報を上記通信要求に含める請求項３に記載の端末装置。
【請求項５】
上記移動体通信網に特定サービスを要求しない場合には、通常のＩＰｖ６パケットを送信する請求項４記載の端末装置。
【請求項６】
通信網を介して端末装置と接続され、他の通信網を介して他の端末装置とも接続され、
上記端末装置に自装置のアドレスを送信する送信部と、
上記アドレスを受信した上記端末装置から、ヘッダに上記自装置のアドレスを含む上記他の端末装置宛てのパケットを受信する受信部とを備え、
上記受信したパケットを上記他の端末装置に送信する関門装置。
【請求項７】
上記他の端末装置宛てのパケットを受信すると、上記端末装置用に上記他の端末装置と自装置の間にコネクションを設定する機能を有する請求項６記載の関門装置。
【請求項８】
上記端末装置からの通信要求を検出すると、上記端末装置に上記自装置のアドレスを送信する請求項６記載の関門装置。
【請求項９】
端末装置と接続され、関門装置を介して他の端末装置とも接続され、
上記端末装置に上記関門装置のアドレスを送信する送信部と、
上記アドレスを受信した上記端末装置から、上記関門装置のアドレスを含む上記他の端末装置宛てのパケットを受信する受信部とを備え、
上記受信したパケットを上記関門装置に送信する加入者装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コンピュータの階層情報管理方法および装置ならびにその処理プログラムを記録した記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコンピュータにおける論理的な階層関係を表す階層情報を管理する階層情報管理方法において、
前記コンピュータの下位階層に位置する第１の下位コンピュータから第１の階層情報を受信し、前記コンピュータの下位階層に位置する第２の下位コンピュータから第２の階層情報を受信し、
前記第１の階層情報と前記第２の階層情報に基づいて第３の階層情報を作成し、
前記第３の階層情報を前記コンピュータの上位階層に位置する上位コンピュータに送信することを特徴とするコンピュータの階層情報管理方法。
【請求項２】
複数のコンピュータにおける論理的な階層関係を表す階層情報を管理する階層情報管理方法において、
前記コンピュータの下位階層に位置する第１の下位コンピュータから第１の階層情報を受信し、第２の下位コンピュータから第２の階層情報を受信し、
前記第１の階層情報と前記第２の階層情報に基づいて第３の階層情報を作成し、
前記第３の階層情報に基づいて前記コンピュータが保持する階層情報を更新することを特徴とするコンピュータの階層情報管理方法。
【請求項３】
請求項２記載のコンピュータの階層情報管理方法において、
前記更新した階層情報を前記コンピュータの上位階層に位置する上位コンピュータに送信することを特徴とする請求項２記載の階層情報管理方法。
【請求項４】
請求項３記載のコンピュータの階層情報管理方法において、
前記更新した階層情報を前記コンピュータの上位コンピュータに送信する処理を、前記コンピュータの論理階層の最下位の階層のコンピュータから行うことを特徴とする請求項３記載のコンピュータの階層情報管理方法。
【請求項５】
複数のコンピュータにおける論理的な階層関係を表す階層情報を管理する階層情報管理方法において、
前記コンピュータの下位階層の少なくとも一つの下位コンピュータから前記階層情報を受信し、
前記受信した階層情報に基づき、前記コンピュータが保持する階層情報を更新し、
前記更新した階層情報を前記コンピュータの上位階層に位置する上位コンピュータへ送信することを特徴とするコンピュータの階層情報管理方法。
【請求項６】
請求項５記載のコンピュータの階層情報管理方法において、前記コンピュータが保持する階層情報は、
前記コンピュータの上位階層に位置する前記上位コンピュータを特定する上位コンピュータ識別情報と、前記コンピュータの下位階層に位置する前記下位コンピュータを特定する下位コンピュータ識別情報とを含むことを特徴とする請求項５記載のコンピュータの階層情報管理方法。
【請求項７】
複数のコンピュータにおける論理的な階層関係を表す階層情報を管理する階層情報管理方法において、
前記コンピュータの下位階層の少なくとも一つの下位コンピュータから前記階層情報を受信し、
前記コンピュータの保持する階層情報を前記コンピュータの上位階層に位置する上位コンピュータに送信し、
前記受信した階層情報に基づき、前記コンピュータが保持する階層情報を更新することを特徴とするコンピュータの階層情報管理方法。
【請求項８】
複数のコンピュータにおける論理的な階層関係を表す階層情報を管理する論理階層情報管理装置において、
前記コンピュータの下位階層の少なくとも一つの下位コンピュータから前記階層情報を受信する受信処理手段と、
前記受信した階層情報に基づき、前記コンピュータが保持する階層情報を更新する更新処理手段と、
前記更新した階層情報を前記コンピュータの上位階層に位置する上位コンピュータに送信する送信処理手段とを有することを特徴とするコンピュータの論理階層情報管理装置。
【請求項９】
複数のコンピュータにおける論理的な階層関係を表す階層情報を管理する階層情報管理装置を機能させるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、
コンピュータの下位階層の少なくとも一つの下位コンピュータから前記階層情報を受信するステップと、
前記受信した階層情報に基づき、前記コンピュータが保持する階層情報を更新するステップと、
前記更新した階層情報を前記コンピュータの上位階層に位置する上位コンピュータに送信するステップとを有することを特徴とするプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
図３０は、側面側から眺めた場合の、従来のパワーモジュールの全体構成を模式的に示す断面図である。パワー半導体素子１０５に外部から印加される直流電源電圧を平滑化するための平滑コンデンサ１２０が、パワーモジュール本体部１００の上方に配設されている。平滑コンデンサ１２０のＮ電極１２１Ｎ及びＰ電極１２１Ｐ（図３０における符号１２１）と、パワーモジュール本体部１００のＮ端子１０８Ｎ及びＰ端子１０８Ｐ（図３０における符号１０８）とは、接続導体１２４によって互いに接続されている。接続導体１２４は、絶縁板１２３を挟んで対向する導体板１２２Ｎ，１２２Ｐを有している。導体板１２２Ｎ，１２２ＰとＮ端子１０８Ｎ及びＰ端子１０８Ｐとは、ネジ１２５によってそれぞれ固定されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
実施の形態７．
図２０は、本発明の実施の形態７に係るパワーモジュールに関して、Ｎ端子８Ｎが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。本実施の形態７に係るパワーモジュールは、上記実施の形態６に係るパワーモジュールを基礎として、シールド板５６に、特にプリント基板から成るシールド板６３を採用したものである。ケース枠６には、その内面に沿って、シールド板６３の周縁に接触する階段状構造が設けられている。シールド板６３の裏面は熱伝導シート６４によって全面が覆われており、平滑コンデンサ６０は、シールド板６３の中央部において、熱伝導シート６４上に配設されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
このように本実施の形態８に係るパワーモジュールによれば、上記実施の形態６に係るパワーモジュールと同様に、回路のインダクタンスの低減、及び耐環境性の向上を図ることができる。また、平滑コンデンサ５５を、金属製のシールド板６５の裏面上に配設したため、平滑コンデンサ５５における発熱を、シールド板６５及びケース枠６を介して外部に効果的に放熱することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
また、この発明のうち請求項６に係るものによれば、平滑コンデンサを凹部内にはめ込む際の押圧力や、平滑コンデンサの発熱に伴う熱応力に起因する、平滑コンデンサの破損を防止できる。また、Ｎ端子と第１電極、及びＰ端子と第２電極とをそれぞれ確実に接触させることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成され、前記半導体基板の表面から、０．２μｍ以上、１．０μｍ以下の厚さを有する第２導電型の不純物層と、前記不純物層内に形成され、前記半導体基板の表面から０．２μｍ以下の厚さを有し、前記不純物層の厚さよりも薄く、不純物濃度のピークが前記不純物層のそれよりも高い第２導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成される第１電極と、前記半導体基板の他面側に形成される第２電極とを具備し、前記第１及び第２電極の間に電流が流れることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成される第２導電型の不純物層と、前記不純物層内に形成され、前記不純物層の厚さよりも薄く、前記不純物層の不純物濃度よりも濃い第２導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成される第１電極と、前記第１電極と前記コンタクト層の間に形成されるシリサイド層とを具備し、前記シリサイド層の前記コンタクト層側の面は、前記コンタクト層の濃度プロファイルのピーク位置に実質的に一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記不純物層は、前記不純物層から前記半導体基板へキャリアを注入することを目的に設けられ、前記コンタクト層は、前記第１電極と前記不純物層のコンタクト抵抗を下げることを目的に設けられ、前記キャリアの注入に寄与しないことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体装置は、ＩＧＢＴであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記不純物層は、前記半導体基板の表面から、０．２μｍ以上、１．０μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記コンタクト層は、前記半導体基板の表面から０．２μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項７】
前記シリサイド層は、前記半導体基板の表面から０．２μｍ以下の厚さを有し、前記コンタクト層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記不純物層は、前記半導体基板の一面側の全体に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項９】
前記不純物層は、前記半導体基板の一面側の一部分に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項１０】
第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成される第２導電型のベース領域と、前記ベース領域内に形成される第１導電型の第１不純物領域と、前記第１不純物領域に接続される第１電極と、絶縁膜を介して前記ベース領域に接続されるゲート電極と、前記半導体基板の他面側に形成され、前記半導体基板の他面側の表面から、０．２μｍ以上、１．０μｍ以下の厚さを有する第２導電型の第２不純物領域と、前記第２不純物領域内に形成され、前記半導体基板の他面側の表面から０．２μｍ以下の厚さを有し、前記第２不純物領域の厚さよりも薄く、不純物濃度のピークが前記第２不純物領域のそれよりも高い第２導電型のコンタクト領域と、前記コンタクト領域上に形成される第２電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面側に形成される第２導電型のベース領域と、前記ベース領域内に形成される第１導電型の第１不純物領域と、前記第１不純物領域に接続される第１電極と、絶縁膜を介して前記ベース領域に接続されるゲート電極と、前記半導体基板の他面側に形成される第２導電型の第２不純物領域と、前記第２不純物領域内に形成され、前記第２不純物領域の厚さよりも薄く、前記第２不純物領域の不純物濃度よりも濃い第２導電型のコンタクト領域と、前記コンタクト領域上に形成される第２電極と、前記第２電極と前記コンタクト層の間に形成されるシリサイド領域とを具備し、前記シリサイド領域の前記コンタクト領域側の面は、前記コンタクト領域の濃度プロファイルのピーク位置に実質的に一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記第２不純物領域は、前記第２不純物領域から前記半導体基板へキャリアを注入することを目的に設けられ、前記コンタクト領域は、前記第２電極と前記第２不純物領域のコンタクト抵抗を下げることを目的に設けられ、前記キャリアの注入に寄与しないことを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体装置は、ＩＧＢＴであることを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２不純物領域は、前記半導体基板の表面から、０．２μｍ以上、１．０μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記コンタクト領域は、前記半導体基板の表面から０．２μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記シリサイド領域は、前記半導体基板の表面から０．２μｍ以下の厚さを有し、前記コンタクト領域の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１５記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第２不純物領域は、前記半導体基板の一面側の全体に形成されていることを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第２不純物層は、前記半導体基板の一面側の一部分に形成されていることを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  装着されたディスクの一部がはみ出すように切り欠いた形状に形成されたトレーと、該トレー及び前記トレーの片側からはみ出したディスクを覆うカバー部とを有し、該カバー部の前記はみ出したディスクを覆う部分の下方に空間を形成したディスク装置と、該ディスク装置の外周を覆う筐体とによって構成される外付け用ディスク装置において、
前記空間に外部機器と接続するケーブル等を収納する収納部と、該収納部を覆う蓋を有し、該蓋は前記筐体に着脱可能であって、かつ前記筐体より取り外して前記筐体を縦向きに保持する保持部を有することを特徴とする外付け用ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為に本発明においては、装着されたディスクの一部がはみ出すように切り欠いた形状に形成されたトレーと、該トレー及び前記トレーの片側からはみ出したディスクを覆うカバー部とを有し、該カバー部の前記はみ出したディスクを覆う部分の下方に空間を形成したディスク装置と、該ディスク装置の外周を覆う筐体とによって構成される外付け用ディスク装置において、
前記空間に外部機器と接続するケーブル等を収納する収納部と、該収納部を覆う蓋を有し、該蓋は前記筐体に着脱可能であって、かつ前記筐体より取り外して前記筐体を縦向きに保持する保持部を有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）化学機械研磨処理に用いる研磨スラリを静止放置することによって、前記研磨スラリ中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度を２０万個／０．５ｃｃ以下にする工程、
（ｂ）量産プロセスを流れる各ウエハの被処理面に、前記（ａ）工程を経た研磨スラリを供給して化学機械研磨処理を行う工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨スラリ中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度を５万個／０．５ｃｃ以下にすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨スラリ中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度を２万個／０．５ｃｃ以下にすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記凝集粒子は、シリカを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記シリカは、フュームドシリカを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理を行う工程は、前記各ウエハの主面に研磨平坦化絶縁膜分離溝を形成する工程であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨スラリ中に含まれる凝集粒子の径を測定することによって、前記粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度を判定することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ａ）工程の途中、または前記（ａ）工程の後、前記（ｂ）工程に先立って、前記研磨スラリをフィルタリング処理することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
（ａ）ウエハの主面上に形成した耐酸化性絶縁膜をマスクに用いて前記ウエハの主面の素子分離領域をエッチングすることにより、前記ウエハの主面の前記素子分離領域に溝を形成する工程、
（ｂ）前記溝の内部を含む前記ウエハの主面上に酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記耐酸化性絶縁膜を研磨のストッパに用いて前記酸化シリコン系絶縁膜を化学機械研磨し、前記酸化シリコン系絶縁膜を前記溝の内部に選択的に残すことによって、前記ウエハの主面の前記素子分離領域に研磨平坦化絶縁膜分離溝を形成する工程を含み、
前記酸化シリコン系絶縁膜を化学機械研磨する際、粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度が２０万個／０．５ｃｃ以下になるまで静止放置した研磨スラリを使用することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度が５万個／０．５ｃｃ以下になるまで静止放置した研磨スラリを使用することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度が２万個／０．５ｃｃ以下になるまで静止放置した研磨スラリを使用することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨スラリ中に含まれる凝集粒子の径を測定することによって、前記粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度を判定することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記凝集粒子は、シリカを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）ウエハの主面上に形成した耐酸化性絶縁膜をマスクに用いて前記ウエハの主面の素子分離領域をエッチングすることにより、前記ウエハの主面の前記素子分離領域に溝を形成する工程、
（ｂ）前記溝の内部を含む前記ウエハの主面上に酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記耐酸化性絶縁膜を研磨のストッパに用いて前記酸化シリコン系絶縁膜を化学機械研磨し、前記酸化シリコン系絶縁膜を前記溝の内部に選択的に残すことによって、前記ウエハの主面の前記素子分離領域に研磨平坦化絶縁膜分離溝を形成する工程を含み、
前記酸化シリコン系絶縁膜を化学機械研磨する際、あらかじめ３０日以上静止放置した研磨スラリを使用することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、４０日以上静止放置した研磨スラリを使用することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、４５日以上静止放置した研磨スラリを使用することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記凝集粒子は、シリカを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）化学機械研磨処理に用いる研磨スラリを静止放置することによって、前記研磨スラリ中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度を２０万個／０．５ｃｃ以下にする工程、
（ｂ）量産プロセスを流れる各ウエハの被処理面に、前記（ａ）工程を経た研磨スラリを供給して化学機械研磨処理を行うことにより、前記各ウエハの主面に研磨平坦化絶縁膜分離溝を形成する工程。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨スラリ中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度を５万個／０．５ｃｃ以下にすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨スラリ中に含まれる粒径１μｍ以上の凝集粒子の濃度を２万個／０．５ｃｃ以下にすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨スラリを３０日以上静止放置することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨スラリを４０日以上静止放置することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨スラリを４５日以上静止放置することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記凝集粒子は、シリカを主成分とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月28日(2004.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像する撮像装置本体部と、
上記撮像装置本体部に撮影中の被写体像を接眼部を通して見ることのできる電子ビューファインダーと、
上記撮像装置本体部に表示画面を外側にして収納可能とされて取り付けられ、上記表示画面上にタッチパネルを備えている表示モニタと、
上記電子ビューファインダーによる撮影ではファインダー画面の所定位置に少なくとも１個以上の操作ボタンがアイコン表示されるようにしたアイコン表示手段と、
上記ファインダー画面上の上記アイコン表示された操作ボタン位置と対応する上記タッチパネル位置が上記操作ボタンの感知エリアとしてタッチ操作できるようにしたタッチパネル操作手段と
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、
上記操作ボタンは、上記ファインダー画面の四隅にアイコン表示され、上記アイコン表示位置と対応する上記タッチパネルの四隅に上記操作ボタンを選択的に操作する感知エリアを設けたことを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１に記載の撮像装置において、
上記感知エリアは、上記ファインダー画面上の操作ボタン位置に対応するエリアより広いことを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像装置において、
上記表示モニタは、液晶モニタであり、上記電子ビューファインダーを撮影可能状態にすると、上記液晶モニタのバックライトが消灯し、タッチパネルとして機能することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
被写体を撮像する撮像装置本体部と、
上記撮像装置本体部に撮影中の被写体像を接眼部を通して見ることのできる電子ビューファインダーと、
上記撮像装置本体部に表示画面を外側にして収納可能とされて取り付けられ、上記表示画面上にタッチパネルを備えている表示モニタと、
を備え、
上記電子ビューファインダーによる撮影では、ファインダー画面の所定位置に少なくとも１個以上の操作ボタンがアイコン表示され、上記ファインダー画面上の上記アイコン表示位置と対応する上記タッチパネル位置をタッチ操作することによって上記操作ボタンを選択的に操作できるようにしたことを特徴とする撮像装置の操作方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため本発明による請求項１の撮像装置は、被写体を撮像する撮像装置本体部と、撮像装置本体部に撮影中の被写体像を接眼部を通して見ることのできる電子ビューファインダーと、撮像装置本体部に表示画面を外側にして収納可能とされて取り付けられ、表示画面上にタッチパネルを備えている表示モニタと、電子ビューファインダーによる撮影ではファインダー画面の所定位置に少なくとも１個以上の操作ボタンがアイコン表示されるようにしたアイコン表示手段と、ファインダー画面上のアイコン表示された操作ボタン位置と対応するタッチパネル位置が操作ボタンの感知エリアとしてタッチ操作できるようにしたタッチパネル操作手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明による請求項５の撮像装置の操作方法は、電子ビューファインダーによる撮影では、ファインダー画面の所定位置に少なくとも１個以上の操作ボタンがアイコン表示され、ファインダー画面上のアイコン表示位置と対応するタッチパネル位置をタッチ操作することによって操作ボタンを選択的に操作できるようにしたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明による請求項１の撮像装置は、タッチパネルのタッチ操作が明確になりブラインドタッチ操作を確実に行えることができ、信頼性の高い撮像装置となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、本発明による請求項５の撮像装置の操作方法によれば、電子ビューファインダーによる撮影のとき、ファインダー画面にアイコン表示されている操作ボタンの位置と対応するタッチパネル位置をブラインドタッチすることによって、それぞれの操作ボタンを選択決定することができるので、操作の煩雑さが解消され、操作性の向上を図ることができる。