Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
所定の基材と、前記基材の一面の所定位置に配置された請求項１又は２に記載のバンプを備えることを特徴とするハンダボール転写シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記導電性材料を構成するインク組成物が、少なくとも導電性材料、有機溶剤、湿潤剤を含有することを特徴とする請求項１５に記載のインク組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、上記課題は、本発明の（３）「所定の基材と、前記基材の一面の所定位置に配置された前記第（１）項又は第（２）項に記載のバンプを備えることを特徴とするハンダボール転写シート」、（４）「所定の基材と、前記基材の一面の所定位置に配置されたバンプと、前記バンプ上に供給された導電性接着剤とを備えることを特徴とする前記第（３）項に記載のハンダボール転写シート」によって解決される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、上記課題は、本発明の（１５）「前記導電性材料を構成するインク組成物の少なくとも一つのインク組成物が、インク組成物を製造する工程の少なくとも一部に超臨界流体もしくは亜臨界流体中で行なわれる工程が含まれる製造工程で製造されたことを特徴とするインク組成物」、（１６）「前記導電性材料を構成するインク組成物が、少なくとも導電性材料、有機溶剤、湿潤剤を含有することを特徴とする前記第（１５）項に記載のインク組成物」、（１７）「前記導電性材料が、金微粒子、銀微粒子、銅微粒子、導電性カーボン微粒子、導電性樹脂、異方性導電樹脂、はんだ微粒子、Ｉｎ微粒子から選ばれることを特徴とする前記第（１５）項又は第（１６）項に記載のインク組成物」、（１８）「前記導電性材料を構成するインク組成物のうち少なくとも一つのインク組成物の粘度が１〜２０ｍＰａ・ｓ、表面張力が２０〜７０ｍＮ／ｍ、インクジェットヘッドのノズル面を構成する材料に対する接触角が３０〜１７０゜であることを特徴とする前記第（１５）項乃至第（１７）項の何れかに記載のインク組成物」、（１９）「前記導電性材料を構成するインク組成物のうち少なくとも一つのインク組成物の固形分濃度が０．０１〜１０．０ｗｔ％であることを特徴とする前記第（１５）項乃至第（１８）項の何れかに記載のインク組成物」、（２０）「前記導電性材料を構成するインク組成物のうち少なくとも一つのインク組成物の蒸気圧が０．００１〜５０ｍｍＨｇ（室温）の少なくとも一種の溶媒を含むことを特徴とする前記第（１５）項乃至第（１９）項の何れかに記載のインク組成物」によって解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板の主面上に形成された絶縁膜に形成された溝部と、前記溝部内に銅を主成分とする導電性膜を埋め込むことで形成された配線とを有する半導体集積回路装置であって、前記導電性膜を形成する結晶のうち、前記配線の表面において結晶面が（１１１）となる第１配向結晶の前記配線中での占有率が５０％以下であり、前記配線の表面において前記結晶面が（１００）となる第２配向結晶の前記配線中での占有率が２０％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、単層もしくは複数層の配線層を有し、同一の前記配線層内にて前記配線が１本以上形成され、そのうちの少なくとも１本の前記配線は幅が４μｍ以上であり、前記幅が４μｍ以上の前記配線においては前記導電性膜を形成する前記結晶の平均結晶粒径が２μｍ以上であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、前記導電性膜を形成する結晶のうち、前記配線の表面において前記結晶面が（１１１）となる前記第１配向結晶の前記配線中での占有率が３５％以下であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】  半導体基板の主面上に形成された絶縁膜に形成された溝部と、前記溝部内に銅を主成分とする導電性膜を埋め込むことで形成された配線とを有する半導体集積回路装置であって、前記導電性膜を形成する結晶のうち、前記配線の表面において結晶面が（１１１）となるものを第１配向結晶とするとき、前記結晶面が（１００）となる第２配向結晶の前記配線中での占有率が２０％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】  半導体基板の主面上に形成された絶縁膜に形成された溝部と、前記溝部内に銅を主成分とする導電性膜を埋め込むことで形成された配線とを有する半導体集積回路装置であって、前記導電性膜を形成する結晶のうち、前記配線の表面において結晶面が（１１１）となる第１配向結晶の前記配線中での占有率が３５％以下であり、前記配線の表面において前記結晶面が（１００）となる第２配向結晶の前記配線中での占有率が２０％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図８に示すように、実験からは、埋め込み配線１５において結晶面が（１００）配向となっているＣｕ結晶粒の占有率を約２０％以上とした場合に埋め込み配線１５の許容電流密度を１ＭＡ／ｃｍ２以上にできることがわかった。前記したように、本実施の形態の半導体集積回路装置においては、埋め込み配線１５の許容電流密度が１ＭＡ／ｃｍ２より小さくなった場合には、埋め込み配線１５が断線（開放）故障を起こしていると見なすので、結晶面が（１００）配向となっているＣｕ結晶粒の占有率を約２０％以上とすることにより、埋め込み配線１５の断線（開放）故障を防ぐことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
なお、シリコンの単結晶炭化シリコン３００への変成は、シリコン基板１００を成膜室の内部に設置し、水素ガスを流しながら、炭化水素系ガスをキャリアガスとしての水素ガスに対して１〜５体積％の割合で流しつつ、成膜室の内部の雰囲気温度を１２００℃〜１４０５℃に加熱することによって行う。また、成膜室の内部は大気圧としておく。なお、炭化水素系ガスとしては、プロパンガス、メタンガス、エチレンガス、ブタンガス等があるが、メタンガスやエチレンガスと比較すると、炭素原子の含有量が多いという点、現時点では最も安価であるという点からプロパンガスが最もすぐれているといえよう。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004179242.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  下記一般式（１）で表される構造を含み、かつ分子量が２０００以下である化合物からなることを特徴とする有機半導体材料。
【化１】
2004179249.tif 000001
〔式（１）中、Ａ及びＢはそれぞれ独立して、置換されていても良い芳香族炭化水素環を含む基又は置換されていても良い芳香族複素環を含む基を表す。ｎは３〜８から選ばれる整数を表す。〕
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【化２】
2004179249.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【化３】
2004179249.tif 000003
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【化４】
2004179249.tif 000004
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【化５】
2004179249.tif 000005
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【化６】
2004179249.tif 000006
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【化７】
2004179249.tif 000007
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
【化８】
2004179249.tif 000008
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
【化９】
2004179249.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
乗算器18は、合成位相誤差16cにループゲインGLを乗算する機能を有している。乗算器18は、端子18aに合成位相誤差16cを入力し、端子18bに図示しないレジスタにあらかじめ格納させておいたループゲインGLを読み出して入力する。乗算器18は、合成位相誤差16cにループゲインGLを乗算し、合成位相誤差16cの振幅をたとえば１に規格化して積分器20に出力する。ループゲインGLは、最大値を１にするように選んでいる。本実施例では、２つの同じ振幅を合成していることから、ループゲインGLを0.5に設定している。これにより、乗算結果である出力データ18cは、｛sinΔ+sin（Δ/2）｝/2になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
積分器20は、供給されるディジタル信号をアナログ信号に変換するD/A変換器である。積分器20は、出力データ｛sinΔ+sin（Δ/2）｝/2（18c）をアナログ信号20aに変換してLPF 26に出力する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
なお、データ変換部12から得られるシンボル値（振幅）は、搬送波に誤差がある場合、逆拡散変換処理をそれぞれ行うことによりチップデータの位相が回転している。このようなチップデータを位相誤差演算部14に供給して演算し、２つの生成した位相誤差14c, 14dを加算すると、加算（合成）演算は、互いに振幅を打ち消すような作用も生む。このため、演算結果のデータ18cは、図２から明らかなように位相誤差が大きいほど振幅が小さくなっている。位相誤差360°では「0」になる。このようにシンボル値の推移を合成していることにより、位相誤差は、大きくなるに従って演算結果が小さくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
データ変換部12は、逆拡散変換部12eを含む。逆拡散変換部12eは、供給される受信チップデータに対して逆拡散変換を行い、複数のシンボルタイミングでシンボルを位相誤差演算部14に出力する機能を有している。逆拡散変換部12eは、拡散符号を巡回させ、図４に示すように従来の１シンボル長による拡散符号（データ）34を出力させるとともに、１シンボルを半分だけ遅延させた１シンボル長の拡散符号（データ）36を出力させる復元処理演算を行う。逆拡散変換部12eは、このような演算を行うため、図示しないがたとえば、システム制御部からの制御信号によりタイミング制御がされている。このように逆拡散変換部12eは、１つの逆拡散器で２種類のシンボルタイミングの復元信号12fを位相誤差演算部14に出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月19日(2004.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
続いてＣＰＵ１４は、撮像部１０、信号処理部１１及びＡ／Ｄ変換部１２を介して得られたディジタルビデオ信号Ｓ３をデータ圧縮伸長部２５に送出する。データ圧縮伸長部２５は、ＣＰＵ１４の制御下において、通常の被写体確認時（すなわち動画撮影時）には、ディジタルビデオ信号Ｓ３をフレーム単位でフレームメモリ２６に順次書き込むと共に、ディジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換部２７を介して所定方式（例えばＮＴＳＣ（National Television System Committee）方式等）のコンポジツト信号Ｓ５に変換した後、これを液晶モニタ５に送出する。これにより液晶モニタ５の表示画面にコンポジツト信号Ｓ５に基づく動画像が表示される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
またユーザがプログラムデータＤ５に基づくアプリケーションプログラムをインストールすると、当該アプリケーションプログラムが実行された際に、ディスプレイ画面上に所定のアプリケーション画面が表示されると共に、シーン名に応じた撮影状況（すなわちシチュエーション識別情報Ｄ６）ごとの画像ファイルが当該アプリケーション画面に関連付けられて表示される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
複数枚の画像数であるシーン表示欄Ｍ１〜Ｍ５について、ユーザによるマウス操作がなされると、当該シーン表示欄Ｍ１〜Ｍ５に含まれる全ての画像が所定サイズに縮小されたインデックス画像（図示せず）として一覧表示される。そしてユーザにより選択されたインデックス画像は、シーン名及び撮影枚数のみ表示された元のシーン表示欄に代えて表示することができるようになされている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
一方、ユーザが所望のアプリケーションプログラムをインストールすると、当該アプリケーションプログラムが実行された際に、ディスプレイ画面上に所定のアプリケーション画面が表示されると共に、撮影状況ごとに画像ファイルが当該アプリケーション画面に関連付けられて表示される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004179881.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月2日(2005.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
つぎに、受信者は、受信コード（＋：水平垂直方向に偏光された光を識別可能な測定器，×：斜め方向に偏光された光を識別可能な測定器）をランダムに決定し、量子通信路上の光を測定する（受信信号）。そして、受信コードと受信信号の組み合わせによって受信データを得る。ここでは、受信データとして、水平方向に偏光された光と＋の組み合わせで０を、垂直方向に偏光された光と＋の組み合わせで１を、４５°方向に偏光された光と×の組み合わせで０を、１３５°方向に偏光された光と×の組み合わせで１を、それぞれ得る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
光子生成部１２にて生成した光信号を受け取った受信側の通信装置の光子受信部３２では、量子通信路上の光を測定する（受信信号）。そして、受信コードと受信信号の組み合わせによって自動的に決まる受信データｍbを得る（ステップＳ１３）。ここでは、受信データｍbとして、水平方向に偏光された光と＋の組み合わせで０を、垂直方向に偏光された光と＋の組み合わせで１を、４５°方向に偏光された光と×の組み合わせで０を、１３５°方向に偏光された光と×の組み合わせで０を、それぞれ得る。なお、受信データｍbは、確率情報付きの硬判定値とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
【数７】
2004179889.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【数９】
2004179889.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
つぎに、シンドローム復号部３３では、一時推定語ｍC´が送信データｍAといえるかどうかを検査する（ステップＳ３５）。ここでは、たとえば、ｍC´＝（ｍC1´，ｍC2´，…，ｍCn´）が「ｍC´×ＨT＝ＳA」という条件を満たしていれば（ステップＳ３６、Ｙｅｓ）、当該ｍC´を推定語ｍC＝（ｍC1，ｍC2，…，ｍCn）として、すなわち、元の送信データｍA＝（ｍA1，ｍA2，…，ｍAn）として出力し、このアルゴリズムを終了する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004179889.tif 000003
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2004179889.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被写体像を撮影する撮像手段と、
上記撮像された画像データが保存される記憶手段と、
撮影している画像及び記憶手段に記憶されている画像を映し出す表示手段とからなるディジタルカメラ装置であって、
更に、プリンタと接続するためのインターフェースを有し、
上記記憶手段に記憶された上記画像データを上記インターフェースに接続されたプリンタで印刷する際に、上記プリンタで印刷する画像を上記表示手段に表示させ、上記プリンタでの印刷の進捗状況に応じて、上記表示手段に表示される画像から上記印刷が終了した情報を消去していく
ようにしたディジタルカメラ装置。
【請求項２】  更に、上記プリンタでの印刷の進捗状況に応じて、上記表示手段に表示される画像から上記印刷が終了した情報を消去し、スライドさせるようにした請求項１に記載のディジタルカメラ装置。
【請求項３】  上記プリンタがラインプリンタの場合には、上記プリンタでライン毎に印刷を行い、上記表示手段に表示される画像から上記印刷が終了したラインの情報を消去し、スライドするようにした請求項１に記載のディジタルカメラ装置。
【請求項４】  上記プリンタが各色毎に印刷を行うプリンタの場合には、上記プリンタで各色毎に印刷を行い、上記表示手段に表示される画像から上記印刷が終了した色を消去するようにした請求項１に記載のディジタルカメラ装置。
【請求項５】  上記プリンタで複数枚の印刷を行う際に、上記表示手段に上記印刷を行う画像の一覧をサムネイル画で表示し、上記プリンタで各画像毎に印刷を行い、上記表示手段に表示される画像の一覧から上記印刷が終了した画像のサムネイル画を消去するようにした請求項１に記載のディジタルカメラ装置。
【請求項６】  被写体像を撮影し、撮像された画像データを記憶手段に記憶させるようにしたディジタルカメラ装置の印刷方法であって、
更に、プリンタと接続するためのインターフェースを有し、
上記記憶手段に記憶された上記画像データを上記インターフェースに接続されたプリンタで印刷する際に、上記プリンタで印刷する画像を表示させ、上記プリンタでの印刷の進捗状況に応じて、上記表示される画像から上記印刷が終了した情報を消去していく
ようにしたディジタルカメラ装置の印刷表示方法。
【請求項７】  更に、上記プリンタでの印刷の進捗状況に応じて、上記表示される画像から上記印刷が終了した情報を消去し、スライドさせるようにした請求項６に記載のディジタルカメラ装置の印刷表示方法。
【請求項８】  上記プリンタがラインプリンタの場合には、上記プリンタでライン毎に印刷を行い、上記表示される画像から上記印刷が終了したラインの情報を消去し、スライドするようにした請求項６に記載のディジタルカメラ装置の印刷表示方法。
【請求項９】  上記プリンタが各色毎に印刷を行うプリンタの場合には、上記プリンタで各色毎に印刷を行い、上記表示される画像から上記印刷が終了した色を消去するようにした請求項６に記載のディジタルカメラ装置の印刷表示方法。
【請求項１０】  上記プリンタで複数枚の印刷を行う際に、上記印刷を行う画像の一覧をサムネイル画で表示し、上記プリンタで各画像毎に印刷を行い、上記表示される画像の一覧から上記印刷が終了した画像のサムネイル画を消去するようにした請求項６に記載のディジタルカメラ装置の印刷表示方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、被写体像を撮影する撮像手段と、
撮像された画像データが保存される記憶手段と、
撮影している画像及び記憶手段に記憶されている画像を映し出す表示手段とからなるディジタルカメラ装置であって、
更に、プリンタと接続するためのインターフェースを有し、
記憶手段に記憶された画像データをインターフェースに接続されたプリンタで印刷する際に、プリンタで印刷する画像を表示手段に表示させ、プリンタでの印刷の進捗状況に応じて、表示手段に表示される画像から印刷が終了した情報を消去していく
ようにしたディジタルカメラ装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発明は、被写体像を撮影し、撮像された画像データを記憶手段に記憶させるようにしたディジタルカメラ装置の印刷方法であって、
更に、プリンタと接続するためのインターフェースを有し、
記憶手段に記憶された画像データをインターフェースに接続されたプリンタで印刷する際に、プリンタで印刷する画像を表示させ、プリンタでの印刷の進捗状況に応じて、表示される画像から印刷が終了した情報を消去していく
ようにしたディジタルカメラ装置の印刷表示方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記ソルダーレジストは、配線基板本体の第１主面及び第２主面のうちの少なくともいずれかを覆うとともに、前記パッドを露出させる開口部を有している。かかるソルダーレジストとしては、例えば熱硬化性樹脂が好適である。前記ソルダーレジストは、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択されることができる。熱硬化性樹脂の好適例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイド−トリアジン樹脂）、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂、けい素樹脂等がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
コア基板３１の上面３２及び下面３３には、感光性エポキシ樹脂を用いて内層の樹脂絶縁層４１，４２が形成されている。樹脂絶縁層４１の表面（即ち第１主面）上には、ダイパッド２３のほかに配線パターン５１も形成されている。樹脂絶縁層４２の表面（即ち第２主面）上には、前記パッド２４のほかに配線パターン５２が形成されている。樹脂絶縁層４１，４２にはブラインドビアホール導体５３，５４が形成されている。上側のブラインドビアホール導体５３は、配線パターン３４と配線パターン５１とを接続導通している。下側のブラインドビアホール導体５４は、配線パターン３５と配線パターン５２とを接続導通している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
続く第１はんだバンプ形成工程では、上面１３側のダイパッド２３上のニッケル−金メッキ層２６上に、はんだバンプ２８を形成する。具体的には、ソルダーレジスト２１上に、所定パターンのマスクを載置し、ダイパッド２３上にはんだペーストを印刷する。その後、このはんだペーストをリフローして、はんだバンプ２８を形成する。以上のようにして、本実施形態の配線基板１１が完成する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１の絶縁膜として熱酸化ＳｉＯ２膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に積層される第２の絶縁膜としてＳｉＮ膜あるいはＣＶＤ法によるＳｉＯＮ膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を非選択的にエッチングする第１のエッチング工程と、
前記第１の絶縁膜に対し前記第２の絶縁膜を選択的にエッチングする第２のエッチング工程とを有し、
前記第１および第２のエッチング工程にフッ素イオンと二フッ化水素イオンに解離する同一の組成物の水溶液をエッチング液として用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング液の組成物をフッ化水素、フッ化アンモニウムまたはバッファードフッ酸としたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング液を、フッ化水素の濃度が０．０２〜０．２５ｗｔ％で温度が５０°C以上のフッ化水素水溶液とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上に第１の絶縁膜として熱酸化ＳｉＯ２膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に積層される第２の絶縁膜としてＳｉＮ膜を形成する工程と、
フッ化水素の濃度が実質０．１ｗｔ％で温度が６０°C〜７０°Cのフッ化水素水溶液をエッチング液として用いて、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を非選択的にエッチングする工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を貫通して前記半導体基板の中まで達するトレンチを形成する工程をさらに有し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を非選択的にエッチングする工程により、前記トレンチに露出する前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜の内壁面を前記トレンチに露出する前記半導体基板の内壁面から一様に後退させることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様によれば、半導体基板上に第１の絶縁膜として熱酸化ＳｉＯ２膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に積層される第２の絶縁膜としてＳｉＮ膜あるいはＣＶＤ法によるＳｉＯＮ膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を非選択的にエッチングする第１のエッチング工程と、前記第１の絶縁膜に対し前記第２の絶縁膜を選択的にエッチングする第２のエッチング工程とを有し、前記第１および第２のエッチング工程にフッ素イオンと二フッ化水素イオンに解離する同一の組成物の水溶液をエッチング液として用いることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の別の一態様によれば、半導体基板上に第１の絶縁膜として熱酸化ＳｉＯ２膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に積層される第２の絶縁膜としてＳｉＮ膜を形成する工程と、フッ化水素の濃度が実質０．１ｗｔ％で温度が６０°C〜７０°Cのフッ化水素水溶液をエッチング液として用いて、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を非選択的にエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記半導体材料はシリコンであり、
前記各ガード溝は前記成長層表面に対して垂直に掘削され、内部が略直方体形状に形成され、
前記各ガード溝の側面及び底面には、｛１  ０  ０｝面が露出された請求項５記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記ガード拡散層は、前記ガード溝よりも浅く形成された請求項３乃至請求項６のいずれか１項記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】  一般に、基板１１１には、切り欠き(オリエンテーションフラット)等の方向を示す目印が形成されており、ここでは、その目印によって、成長層１１２表面の｛１  ０  ０｝方向が分かるようにした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】  しかしながら、このようにガード溝１２２ｂの四隅に丸みを形成すると、図３９(ｂ)に示すように、ガード溝１２２ｂの、図面横方向に直線状に伸びる部分の側面Ｓ1と、縦方向に直線状に伸びる部分の側面Ｓ2は、面方位が｛１  ０  ０｝になっていても、側面Ｓ1、Ｓ2を接続する曲がった部分では、面方位は｛１  ０  ０｝にはならない。例えば、中間部分の側面Ｓ3は、面方位は｛１  １  ０｝になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】    【課題を解決するための手段】  上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、半導体材料で構成され、第１導電型の成長層と、前記成長層に形成されたガード領域と、少なくとも第２導電型の拡散層を含む活性領域とを有する半導体装置であって、前記ガード領域は、前記成長層に形成された幅の狭い溝であるガード溝と、前記各ガード溝内に配置された半導体結晶から成り、第２導電型のガード溝内充填物とを有し、前記ガード溝は、前記活性領域を囲む仮想的な直角四角形の四辺の各辺に少なくとも一本ずつ、互いに非接触に配置された半導体装置である。  請求項２記載の発明は、リング状の前記ガード領域を複数有し、前記各ガード領域は前記活性領域を同心状に取り囲むように配置された請求項１記載の半導体装置である。  請求項３記載の発明は、前記ガード領域は、第２導電型の拡散層から成るガード拡散層を有し、同一の前記仮想的な直角四角形上に位置する前記ガード溝内充填物は、前記ガード拡散層によって互いに電気的に接続された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の半導体装置である。  請求項４記載の発明は、前記ガード領域の四隅の外周部分には丸みを有する前記ガード拡散層が配置された請求項３記載の半導体装置である。  請求項５記載の発明は、前記成長層と前記ガード溝内充填物とは同じ半導体単結晶から成る請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の半導体装置である。  請求項６記載の発明は、前記半導体材料はシリコンであり、前記各ガード溝は前記成長層表面に対して垂直に掘削され、内部が略直方体形状に形成され、前記各ガード溝の側面及び底面には、｛１  ０  ０｝面が露出された請求項５記載の半導体装置である。  請求項７記載の発明は、前記ガード拡散層は、前記ガード溝よりも浅く形成された請求項３乃至請求項６のいずれか１項記載の半導体装置である。  請求項８記載の発明は、前記活性領域に形成された第２導電型の拡散領域から成るベース拡散層と、前記ベース拡散層内に形成された第１導電型の拡散層から成るソース拡散層と、前記ソース拡散層と前記成長層の間に位置する前記ベース拡散層に接触したゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜と接触したゲート電極とを有するＭＯＳトランジスタのセルが、前記活性領域に少なくとも一個以上配置された請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の半導体装置である。  請求項９記載の発明は、前記活性領域には、前記成長層とショットキー接合を形成するショットキー電極が密着形成された請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の半導体装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】  従って、一本のガード溝内周の一側面の面方位が｛１  ０  ０｝面である場合、他の三本を含み、全てのガード溝の内周の側面の面方位は｛１  ０  ０｝面になる。また、底面は成長層の表面に対して平行に形成されるから、成長層の表面が｛１  ０  ０｝面である場合は、底面の面方位も｛１  ０  ０｝面になる。  本発明では｛１  ０  ０｝面は、実質的に｛１  ０  ０｝面であればよく、｛１  ０  ０｝面から±１deg以下の範囲で傾いた面も、｛１  ０  ０｝面に含まれる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】  ソース拡散層３９の横方向拡散はゲート絶縁膜５１で終了し、ソース拡散層３９の活性溝２２ａ側の縁はゲート絶縁膜５１と接触する。ソース拡散層３９の反対側の縁は、オーミック領域３８と接触している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月29日(2005.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上方側における触媒金属元素濃度が下方側における触媒金属元素濃度よりも高い濃度勾配を有する第１の結晶質半導体膜を形成する第１の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜の上方側に含まれる触媒金属元素及び／又は前記触媒金属元素の半導体化合物を除去し、第２の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
上方側における触媒金属元素濃度が下方側における触媒金属元素濃度よりも高い濃度勾配を有する第１の結晶質半導体膜を形成する第１の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜の上方側に含まれる触媒金属元素及び／又は前記触媒金属元素の半導体化合物を除去し、第２の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の結晶質半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
前記第１の結晶質半導体膜は、触媒金属元素を含む結晶質半導体膜を溶融させた後、固化させて形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項４】
前記触媒金属元素を含む結晶質半導体膜を下方側から固化させることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記溶融はパルスレーザー光を前記触媒金属元素を含む結晶質半導体膜に照射して行うことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項６】
前記パルスレーザー光は前記触媒金属元素を含む結晶質半導体膜の任意の一点につい、複数回、連続的に照射されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項７】
前記除去は、常温下で湿式方法により行うことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項８】
前記湿式方法においてフッ酸含有溶液を用いることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項９】
前記第１の工程と前記第２の工程とを交互に繰り返し行うことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
前記触媒金属元素は、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選ばれた一種または複数種の元素を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
非晶質半導体膜に触媒金属元素を添加した後加熱処理を行い、第１の結晶質半導体膜を形成する第１の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜に含有されている前記触媒金属元素を前記第１の結晶質半導体膜の上方側へと移動させ、上方側における触媒金属元素濃度が下方側における触媒金属元素濃度よりも高い濃度勾配を有する第２の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の結晶質半導体膜の上方側に含まれる前記触媒金属元素及び／又は前記触媒金属元素の半導体化合物を除去し第３の結晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
非晶質半導体膜に触媒金属元素を添加した後加熱処理を行い、第１の結晶質半導体膜を形成する第１の工程と、
前記第１の結晶質半導体膜に含有されている前記触媒金属元素を前記第１の結晶質半導体膜の上方側へ偏析させ、上方側における触媒金属元素濃度が下方側における触媒金属元素濃度よりも高い濃度勾配を有する第２の結晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の結晶質半導体膜の上方側に含まれる前記触媒金属元素及び／又は前記触媒金属元素の半導体化合物を除去し第３の結晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
前記第３の工程後、前記第２の結晶質半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程を有することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
前記第２の結晶質半導体膜は、前記第１の結晶質半導体膜を溶融させた後、固化させて形成することを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
前記第１の結晶質半導体膜を下方側から固化させることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
前記溶融はパルスレーザー光を前記触媒金属元素を含む結晶質半導体膜に照射して行うことを特徴とする請求項１４乃至請求項１５のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
前記パルスレーザー光は前記触媒金属元素を含む結晶質半導体膜の任意の一点につい、複数回、連続的に照射されることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
前記除去は、常温下で湿式方法により行うことを特徴とする請求項１１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
前記湿式方法においてフッ酸含有溶液を用いることを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
前記第２の工程と前記第３の工程とを交互に繰り返し行うことを特徴とする請求項１１乃至請求項１９のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
前記第１の工程において、前記触媒金属元素は前記非晶質半導体膜の一部に選択的に添加し、添加された触媒金属元素を、添加された領域からその周辺部へと結晶成長させることにより行うことを特徴とする請求項１１乃至請求項２０のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
前記触媒金属元素は、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選ばれた一種または複数種の元素を用いることを特徴とする請求項１１乃至請求項２１のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法において形成された第２の結晶質半導体膜を素子分離することによって形成された半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１１乃至請求項２２のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法において形成された第２の結晶質半導体膜を素子分離することによって形成された半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
前記半導体層の表面における平均面粗さ（Ｒａ）が５．０〜４０．０ｎｍであることを特徴とする請求項２３または請求項２４に記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記半導体層の結晶面配向は、＜００１＞晶帯面及び＜０１１＞晶帯面よりも＜１１１＞晶帯面の割合が高いことを特徴とする請求項２３または請求項２４に記載の半導体装置。
【請求項２７】
前記半導体層の結晶面配向は、（１１０）面配向及び／又は（２１１）面配向の割合が、他の面配向よりも高いことを特徴とする請求項２３または請求項２４に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月29日(2005.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶化を助長する触媒金属元素を用いて非晶質半導体膜を結晶化し第１の結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第１の結晶質半導体膜に膜表面側からのパルスレーザー光の照射により再結晶化した第２の結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第２の結晶質半導体膜の表面を酸化して酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を選択的に除去する工程と
を有することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項２】
結晶化を助長する触媒金属元素を用いて非晶質半導体膜を結晶化し第１の結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第１の結晶質半導体膜を溶融した後、凝固させ第２の結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第２の結晶質半導体膜の表面を酸化して酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を選択的に除去する工程と
を有することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３】
結晶化を助長する触媒金属元素を用いて非晶質半導体膜を結晶化し第１の結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第１の結晶質半導体膜の膜表面に触媒金属元素が偏析した第２の結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第２の結晶質半導体膜の表面を酸化して酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を選択的に除去する工程と
を有することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第２の結晶質半導体膜を形成する工程から前記酸化膜を除去する工程までを繰り返し行うことを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を除去する工程とを繰り返し行うことを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項５のいずれか一項において、前記酸化膜除去後に前記第２の結晶質半導体膜の膜厚測定を行い、前記第２の結晶質半導体膜の膜厚をモニターする工程を有することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項における一連の処理後、前記酸化膜を除去した状態にある第２の結晶質半導体膜にパルスレーザー光を照射する工程を有することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項８】
結晶化を助長する触媒金属元素を用いて非晶質半導体膜を結晶化し第１の結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第１の結晶質半導体膜の膜表面に触媒金属元素が偏析した第２の結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第２の結晶質半導体膜の触媒金属元素が偏析した領域をドライエッチングにより除去する工程と
を有することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記第１の結晶質半導体膜の膜表面に触媒金属元素が偏析した第２の結晶質半導体膜を形成する工程と、前記第２の結晶質半導体膜の触媒金属元素が偏析した領域をドライエッチングにより除去する工程とを繰り返し行うことを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項１０】
結晶化を助長する触媒金属元素を用いて非晶質半導体膜を結晶化し第１の結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第１の結晶質半導体膜の膜表面に触媒金属元素が偏析した再結晶化した第２の結晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第２の結晶質半導体膜の触媒金属元素が偏析した領域を化学機械的研磨により除去する工程と
を有することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第１の結晶質半導体膜の膜表面に触媒金属元素が偏析した第２の結晶質半導体膜を形成する工程と、前記第２の結晶質半導体膜の触媒金属元素が偏析した領域を化学機械的研磨により除去する工程とを繰り返し行うことを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項１２】
パルスレーザー光発振機と、前記パルスレーザー光を整形するための光学系と、パルスレーザー光照射と酸化膜形成と酸化膜除去とを施す為の処理基板用載置台を備えた処理室とを有する結晶質半導体膜の製造装置において、
前記処理室には水平方向および垂直方向に移動可能であり且つ回転可能な処理基板用載置台と、開閉可能なパルスレーザー光の導入口と、酸化膜形成処理用溶液を添加するための第１のノズルと、酸化膜除去処理用溶液を添加するための第２のノズルとが具備されている
ことを特徴とする結晶質半導体膜の製造装置。
【請求項１３】
パルスレーザー光発振機と、前記パルスレーザー光を整形するための光学系と、パルスレーザー光照射するための第１の処理室と、酸化膜形成するための第２の処理室と、酸化膜除去するための第３の処理室とを有する結晶質半導体膜の製造装置において、
各処理室は共通したひとつの搬送室と連結している
ことを特徴とする結晶質半導体膜の製造装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記第２の処理室と前記第３の処理室は共通したひとつの処理室となっていることを特徴とする結晶質半導体膜の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月27日(2005.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ半導体を直接被覆する半導体用合金材料であって、Ａｕを主成分とし、Ａｇを３ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下の範囲で含有することを特徴とする半導体用合金材料。
【請求項２】
Ａｕ及びＡｇが３Ｎ以上の純度である請求項１に記載の合金材料。
【請求項３】
合金材料が、スパッタリングターゲット材料、蒸着用材料及びボンディング用ワイヤー材料の形態である請求項１又は２に記載の合金材料。
【請求項４】
半導体基板上に請求項１又は２に記載の合金材料による金属膜が形成されてなることを特徴とする半導体チップ。
【請求項５】
金属膜が、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲の膜厚である請求項４に記載の半導体チップ
【請求項６】
金属膜が、配線、電極、バンプ、遮光膜として形成されてなる請求項４又は５に記載の半導体チップ。
【請求項７】
金属膜がＡｇペーストを介して形成されてなる請求項４〜６のいずれか１つに記載の半導体チップ。
【請求項８】
半導体基板上に、請求項１又は２の合金材料を用いて金属膜を形成することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項９】
合金材料を、スパッタリング法又は蒸着により金属膜とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
金属膜を形成した後、３００℃以上５２０℃以下の温度範囲により加熱処理する請求項８又は９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、Ｓｉ半導体を直接被覆する半導体用合金材料であって、Ａｕを主成分とし、Ａｇを３ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下の範囲で含有してなる半導体用合金材料が提供される。
また、本発明によれば、半導体基板上に上記合金材料による金属膜が形成されてなる半導体チップが提供される。
さらに、本発明によれば、半導体基板上に、上記合金材料を用いて金属膜を形成する半導体チップの製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の半導体用合金材料は、半導体基板上に種々の方法により金属膜として形成して用いることができる。例えば、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、ボンディング法等の既存の半導体プロセス等に柔軟かつ幅広く対応することができる。
具体的には、蒸着法では、例えば、１ｍｍφの線径を有するＡｕＡｇ合金線としてルツボに設置し、３×１０-6Torr程度の真空度を維持して加熱することにより均質な組成のＡｕＡｇ合金膜を形成することができる。メッキ法では、例えば、アルカリシアン浴のＡｕＡｇ合金メッキ浴を用い、２５℃程度の浴温にて０．５Ａ／ｄｍ2程度の電流密度でメッキを施すことによりＡｕＡｇ合金膜を析出させることができる。ボンディングワイヤー法では、溶解鋳造法によりＡｕＡｇ合金のインゴットを作製し、押し出し、伸線を繰り返すことにより最終的に線径２０〜３０μｍ程度の細線を形成し、具体的には、半導体チップ上の電極とリードフレーム上の外部電極との接続用ボンディングワイヤー用合金線を形成し、使用することができる。また、ＡｕＡｇ合金材料を、配線、電極、バンプ材料等としてパターンニングして用いる場合には、リフトオフ法による加工のほか、ＡｕＡｇ合金材料の組成比に応じて、ヨウ化カリウム水溶液又はヨウ化カリウム水溶液とリン酸系エッチングとの混合液等により、容易にエッチング加工を行うことができる。ＡｕＡｇ合金を適当な位置に、適当な大きさ等で加工することにより、配線、電極、バンプ、遮光膜、接点等の２種以上、例えば、配線と電極、遮光膜と電極、バンプと電極、配線と接点等を、同一工程で形成することが可能である。
なお、本発明の半導体用合金材料は、スパッタリング法、蒸着法等のどのような方法で使用した場合でも、得られた合金材料はほぼ同一の抵抗値、応力、伸び率、強度等を示し、簡易かつ確実に成膜することが可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
実施例２：合金材料の作製
純度４ＮのＡｕのインゴット７．５ｋｇと、純度４ＮのＡｇのインゴット２．５ｋｇとをルツボに入れ、高周波溶解で溶解した後、鋳型に入れ、Ａｕ：Ａｇが７５ｗｔ％：２５ｗｔ％のインゴットを作製した。
このようにして得られたＡｕＡｇ合金材料は、Ａｕの加工性と、Ａｇの展延性をもちあわせている。
得られたインゴットを圧延して、厚さ８ｍｍの板材とした。この板材を旋盤にて直径２５０ｍｍの円盤とし、Ｃｕ製バッキングプレートに接合して、ＡｕＡｇ合金のターゲットを作製した。
なお、比較のために、ＡｕＡｇ合金のターゲットと同様に、Ａｕターゲット、Ａｇターゲットを作製した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
実施例５：合金膜の成膜
実施例４と同様に、実施例２で得られた合金材料を用いて、スパッタリング法にてシリコン基板上に２００ｎｍに成膜したＡｕＡｇ合金膜と、２００ｎｍに成膜したＡｕ膜とに対して、それぞれ窒素雰囲気下、３００℃、３８０℃、４２０℃及び４７０℃で４０分間加熱処理し、それらの膜の最表面側からオージェ分析を行うとともに、最表面の状態を電子顕微鏡にて観察した。
その結果を図５〜図９及び図１０〜図１４にそれぞれ示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の吸引孔および複数の空孔を有するステージに基板を固定する基板固定方法であって、
前記空孔の各々に挿入された吸着ユニットを第１の方向に移動させて、前記ステージに載置された基板を離間させる過程と、
離間した状態の基板を前記吸着ユニットの各々に吸着させる過程と、
前記吸着ユニットを、前記第１の方向とは反対方向に移動させて、前記基板を前記ステージに当接させる過程と、
前記ステージ上に当接させた基板を、前記複数の吸引孔で吸引する過程とを有することを特徴とする基板固定方法。
【請求項２】
複数の吸引孔および複数の空孔を有するステージに基板を固定する方法であって、
前記ステージに載置された基板を前記複数の吸引孔で吸引することを開始する過程と、
前記複数の吸引孔の各々が、前記基板を吸引しているか否かを判別する過程と、
前記複数の吸引孔のうち、当該判別結果が否定的となる吸引孔の近傍に位置する空孔を検出する過程と、
当該検出した空孔に挿入された吸着ユニットを第１の方向に移動させて、前記基板を吸着させる過程と、
前記基板を吸着した吸着ユニットを、前記第１の方向とは反対方向に移動させて、前記基板を前記ステージに当接させる過程と
を有することを特徴とする基板固定方法。
【請求項３】
複数の吸引孔および複数の空孔を有するステージと、
前記複数の空孔の各々に挿入される吸着ユニットと、
前記吸着ユニットを第１の方向および前記第１の方向とは反対の方向に移動させるリフトと、
を備えることを特徴とする基板固定装置。
【請求項４】
前記吸着ユニットが吸着パッドを有することを特徴とする請求項３記載の基板固定装置。
【請求項５】
前記吸着パッドが伸縮性を有することを特徴とする請求項４記載の基板固定装置。
【請求項６】
前記吸着ユニットを複数有することを特徴とする請求項３乃至５の何れかに記載の基板固定装置。
【請求項７】
前記複数の吸引口に圧力検出手段を有することを特徴とする請求項３に記載の基板固定装置。
【請求項８】
請求項３ないし７のいずれか1項に記載の基板固定装置と、
前記ステージの上方から前記基板に対して液滴を吐出することにより当該基板上に印刷をするヘッドと
を備えることを特徴とする印刷装置。
【請求項９】
請求項８に記載の印刷装置において、
前記液滴は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）材料を含む溶液であることを特徴とする印刷装置。
【請求項１０】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の基板固定方法を用いて表示装置を製造する表示装置製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の構成は、複数の吸引孔および複数の空孔を有するステージに基板を固定する基板固定方法であって、前記空孔の各々に挿入された吸着ユニットを第１の方向に移動させて、前記ステージに載置された基板を離間させる過程と、離間した状態の基板を前記吸着ユニットの各々に吸着させる過程と、前記吸着ユニットを、前記第１の方向とは反対方向に移動させて、前記基板を前記ステージに当接させる過程と、前記ステージ上に当接させた基板を、前記複数の吸引孔で吸引する過程とを有することを特徴とする。
また、本発明の構成は、複数の吸引孔および複数の空孔を有するステージと、前記複数の空孔の各々に挿入される吸着ユニットと、前記吸着ユニットを第１の方向および前記第１の方向とは反対の方向に移動させるリフトと、を備えることを特徴とする。さらに、前記吸着ユニットが吸着パッドを有することが好ましい。さらにまた、前記吸着パッドが伸縮性を有することが好ましい。また、前記吸着ユニットを複数有することが好ましい。また、前記複数の吸引口に圧力検出手段を有することが好ましい。