【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部入力される外部電源電圧から、論理回路が動作する内部電源電圧を生成する内部電源電圧生成手段と、
前記論理回路から入出力される信号の電圧振幅レベルを変換するレベルシフト手段とを備え、
前記内部電源電圧生成手段は、
前記外部電源電圧の高電位側外部電源から、高電位側内部電源を生成する高電位側電源生成部と、
前記外部電源電圧の低電位側外部電源から、低電位側内部電源を生成する低電位側電源生成部とよりなり、
前記高電位側電源生成部、および前記低電位側電源生成部が生成した高電位側内部電源と低電位側内部電源とを内部電源電圧とし前記論理回路に供給することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記高電位側電源生成部は、
第１の基準電圧と前記高電位側電源生成部が生成した高電位側内部電源との電圧レベルを比較し、その電圧レベルの差分に応じて電圧を変化させる第１の内部制御信号を出力する第１の電圧比較部と、
前記高電位側外部電源と前記高電位側内部電源との間に複数の電源用トランジスタが並列接続され、前記複数の電源用トランジスタのゲートには前記第１の電圧比較部が出力した第１の内部制御信号がそれぞれ入力される構成からなり、前記第１の内部制御信号に応じて前記複数の電源用トランジスタを駆動させて前記高電位側内部電源を生成する第１の内部電源制御部とよりなり、
前記低電位側電源生成部は、
第２の基準電圧と前記低電位側電源生成部が生成した低電位側内部電源との電圧レベルを比較し、その電圧レベルの差分に応じて電圧を変化させる第２の内部制御信号を出力するする第２の電圧比較部と、
前記低電位側外部電源と前記低電位側内部電源との間に複数の電源用トランジスタが並列接続され、前記複数の電源用トランジスタのゲートには前記第２の電圧比較部が出力した前記第２の内部制御信号がそれぞれ入力される構成からなり、前記第２の内部制御信号に応じて前記複数の電源用トランジスタを駆動させて前記低電位側内部電源を生成する第２の内部電源生成部とよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体集積回路装置において、
前記高電位側電源生成部が、
第１の基準電圧と前記高電位側電源生成部が生成した高電位側内部電源との電圧レベルを比較し、その電圧レベルの差分に応じて電圧を変化させる第１の内部制御信号を出力する第１の電圧比較部と、
前記第１の電圧比較部から出力される第１の内部制御信号に応じて、任意のデューティ比のパルス信号を生成する第１のデューティ制御回路と、前記高電位側外部電源と前記高電位側内部電源との間に並列接続され、前記第１のデューティ制御回路が出力したパルス信号がゲートにそれぞれ入力される複数の電源用トランジスタとを設けた第１の内部電源制御部とからなり、
前記第１の内部電源制御部は、前記パルス信号に応じて前記複数の電源用トランジスタを駆動させて前記高電位側内部電源を生成し、
前記低電位側電源生成部が、
第２の基準電圧と前記低電位側電源生成部が生成した低電位側内部電源との電圧レベルを比較し、その電圧レベルの差分に応じて電圧を変化させる第２の内部制御信号を出力する第２の電圧比較部と、
前記第２の電圧比較部から出力される第２の内部制御信号に応じて、任意のデューティ比のパルス信号を生成する第２のデューティ制御回路と、前記低電位側外部電源と前記低電位側内部電源との間に並列接続され、前記第２のデューティ制御回路が出力したパルス信号がゲートにそれぞれ入力される複数の電源用トランジスタとを設けた第２の内部電源制御部とからなり、
前記第２の内部電源制御部は、前記パルス信号に応じて前記複数の電源用トランジスタを駆動させて前記低電位側内部電源を生成することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項３または４記載の半導体集積回路装置において、
前記第１、および第２の電圧比較部は、入力された設定信号に基づいて、前記複数の電源用トランジスタを停止させ、高電位側外部電源と高電位側内部電源、および低電位側外部電源と低電位側内部電源とをそれぞれ電気的に分離することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体集積回路装置において、
前記高電位側電源生成部は、
前記高電位側内部電源と低電位側外部電源との間に接続され、前記第１の電圧比較部が制御信号に基づいて高電位側外部電源と高電位側内部電源とを電気的に分離した際に、導通する第１のトランジスタを備え、
前記低電位側電源生成部は、
前記低電位側内部電源と低電位側外部電源との間に接続され、前記第２の電圧比較部が制御信号に基づいて低電位側外部電源と低電位側内部電源とを電気的に分離した際に、導通する第２のトランジスタを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記内部電源電圧生成手段が生成した内部電源電圧間に電源間容量となる静電容量素子を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１の内部電源制御部、前記第２の内部電源制御部、ならびに前記静電容量素子をそれぞれ複数設け、半導体チップに分散して配置したことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項２〜７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１、および第２の基準電圧を生成する基準電圧生成部を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記レベルシフト手段は、
前記論理回路から出力された内部電源電圧レベルの信号振幅を、外部電源電圧レベルの信号振幅に変換する第１のレベルシフト部と、
外部から入力された外部電源電圧レベルの信号振幅を前記論理回路が動作する内部電源電圧レベルの信号振幅に変換する第２のレベルシフト部とよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
外部入力される外部電源電圧から、論理回路が動作する内部電源電圧を生成する内部電源電圧生成手段を備えた半導体集積回路装置と、
前記半導体集積回路装置を搭載する電子部品搭載基板とを用いて構成され、
前記内部電源電圧生成手段は、
前記電子部品搭載基板に形成された電源配線を介して供給された外部電源電圧の高電位側外部電源から、高電位側内部電源を生成する高電位側電源生成部と、
前記電子部品搭載基板に形成された電源配線を介して供給された外部電源電圧の低電位側外部電源から、低電位側内部電源を生成する低電位側電源生成部とよりなり、
前記高電位側電源生成部、および前記低電位側電源生成部が生成した高電位側内部電源と低電位側内部電源とを内部電源電圧とし前記論理回路に供給することを特徴とする電子システム。
【請求項１１】
請求項１０記載の電子システムにおいて、
前記高電位側電源生成部が、
第１の基準電圧と前記高電位側電源生成部が生成した高電位側内部電源との電圧レベルを比較し、その電圧レベルの差分に応じて電圧を変化させる第１の内部制御信号を出力する第１の電圧比較部と
前記高電位側外部電源と前記高電位側内部電源との間に複数の電源用トランジスタが並列接続され、前記複数の電源用トランジスタのゲートには前記第１の電圧比較部が出力した第１の内部制御信号がそれぞれ入力される構成からなり、前記第１の内部制御信号に応じて前記複数の電源用トランジスタを駆動させて前記高電位側内部電源を生成する第１の内部電源制御部とよりなり、
前記低電位側電源生成部が、
第２の基準電圧と前記低電位側電源生成部が生成した低電位側内部電源との電圧レベルを比較し、その電圧レベルの差分に応じて電圧を変化させる第２の内部制御信号を出力する第２の電圧比較部と、
前記低電位側外部電源と前記低電位側内部電源との間に複数の電源用トランジスタが並列接続され、前記複数の電源用トランジスタのゲートには前記第２の電圧比較部が出力した第２の内部制御信号がそれぞれ入力される構成からなり、前記第２の内部制御信号に応じて前記複数の電源用トランジスタを駆動させて前記低電位側内部電源を生成する第２の内部電源制御部とよりなることを特徴とする電子システム。