【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドでは、第１の端縁の幅が、第２の端縁の幅よりも大きく、かつ、第１および第２の端縁の間の任意の中間位置における磁極端面の幅以上であり、第３または第４の端縁のいずれか一方と第１の端縁とが直角をなすように、磁極層の磁極端面が構成されている。これにより、例えば、第３または第４の端縁のうち、第１の端縁と直角をなす端縁をサイドイレーズの発生状況に基づいて規定すれば、オーバーライト特性の確保とサイドイレーズに起因する悪影響の抑制とを両立可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極層が、磁極端面を有すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分を含み、トラック幅規定部分が、記録媒体対向面に平行な断面の面積が磁極端面に近づくにしたがって小さくなる部分を有するのが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、例えばハードディスクなどの記録媒体に情報を記録することを目的として、ハードディスクドライブなどの磁気記録再生装置に磁気記録用のデバイスとして搭載されるものである。この薄膜磁気ヘッドは、例えば、再生・記録の双方の機能を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料よりなる基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という）よりなる絶縁層２と、磁気抵抗（ＭＲ；Magneto-resistance）効果を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナよりなる非磁性層８と、垂直記録方式により記録処理を実行する記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１５とがこの順に積層された構成をなしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ＭＲ素子５は、例えば、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive ）効果やトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive ）効果などを利用して再生処理を実行するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ギャップ層１０は、補助磁極層９上に配設され、開口１０ＡＫが設けられたギャップ層部分１０Ａと、このギャップ層部分１０Ａ上に配設され、薄膜コイル１１の各巻線間およびその周辺領域を覆うギャップ層部分１０Ｂと、ギャップ層部分１０Ａ，１０Ｂを部分的に覆うように配設され、開口１０ＣＫが設けられたギャップ層部分１０Ｃとを含んで構成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
磁極部分層１３Ａは、主に、磁束の放出部分として機能するものである。この磁極部分層１３Ａは、例えば、ヨーク部分層１３Ｂよりも飽和磁束密度が大きい磁性材料により構成されており、その厚みは約０．１μｍ〜１．０μｍである。磁極部分層１３Ａの構成材料としては、例えば、鉄および窒素を含む材料や、鉄、ジルコニアおよび酸素を含む材料や、鉄およびニッケルを含む材料などが挙げられ、より具体的には、パーマロイ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、窒化鉄（ＦｅＮ）、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）、鉄を含む合金（ＦｅＭ）、鉄およびコバルトを含む合金（ＦｅＣｏＭ）のうちの少なくとも１種を選択可能である。ここで、上記構造式（ＦｅＭ，ＦｅＣｏＭ）中のＭは、例えば、ニッケル、窒素、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、珪素、アルミニウム、チタン（Ｔｉ）、ジルコニア、ハフニウム（Ｈｆ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、銅のうちの少なくとも１種である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
露出面２０Ｍの構成についてより具体的に説明すると、この露出面２０Ｍは、上端縁Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、下端縁Ｅ２を短い方の対辺とすると共に、側端縁Ｅ３と上端縁Ｅ１とのなす角（底角）の角度θ１と、側端縁Ｅ４と上端縁Ｅ１とのなす角（底角）の角度θ２とが互いに異なる左右非対称の逆台形状をなしている。すなわち、上端縁Ｅ１の幅Ｗ１は、下端縁Ｅ２の幅Ｗ２よりも大きく（Ｗ１＞Ｗ２）、かつ、上端縁Ｅ１と下端縁Ｅ２との間の任意の中間位置における露出面２０Ｍの幅Ｗ３以上となっている（Ｗ１≧Ｗ３）。ここでは、例えば、側端縁Ｅ４が直線状をなし、幅拡大領域Ｒ２が直角三角形状をなしており、すなわち角度θ１が直角をなし、かつ角度θ２が鋭角をなしている。なお、角度θ１と角度θ２との関係が逆転し、角度θ１が鋭角をなし、かつ角度θ２が直角をなす場合もあり、角度θ１または角度θ２のいずれが直角をなすかに関しては、上記「一方の側」と同様に、サイドイレーズの発生状況に基づいて決定される。角度θ２は、例えば、約８１度〜８３度である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１３Ａの一部をなす先端部１３Ａ１の露出面２０Ｍが、矩形領域Ｒ１のうち、側端縁Ｅ４側から直角三角形状の幅拡大領域Ｒ２が除かれてなる左右非対称の逆台形状をなすようにしたので、以下の理由により、オーバーライト特性の確保とサイドイレーズに起因する悪影響の抑制とを両立させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
第１の比較例における露出面１２０Ｍは、図４に示したように、側端縁Ｅ３と上端縁Ｅ１とがなす底角のみでなく、側端縁Ｅ４と上端縁Ｅ１とがなす底角も直角をなし、全体として矩形をなしている点を除き、本実施の形態における露出面２０Ｍと同様の構成をなしている。また、第２の比較例としての露出面２２０Ｍは、図５に示したように、側端縁Ｅ４と上端縁Ｅ１とがなす底角のみでなく、側端縁Ｅ３と上端縁Ｅ１とがなす底角も鋭角をなし、全体として左右対称な逆台形状をなしている点を除き、露出面２０Ｍと同様の構成をなしている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
第１の比較例の場合（図７参照）には、スキューが生じると、サイドイレーズに起因する悪影響が比較的大きくなる。すなわち、位置Ｐ１では、図７（Ａ）に示したように、露出面１２０Ｍがハードディスク３００の内側方向（中心点Ｎに近づく方向；以下、単に「内側方向」という）に大きく傾くため、上端縁Ｅ１において記録対象トラックＳＴに書き込まれるだけでなく、記録対象トラックＳＴからハードディスク３００の外側方向（中心点Ｎから遠ざかる方向；以下、単に「外側方向」という）にはみ出した側端縁Ｅ４において、記録対象トラックＳＴに対して外側に位置する隣接トラックＡＴにも意図せずに広範囲に渡って上書きされてしまう。位置Ｐ２では、図７（Ｂ）に示したように、位置Ｐ１と同様に露出面１２０Ｍが内側方向に傾くため、記録対象トラックＳＴに対して外側に位置する隣接トラックＡＴに意図せずに上書きされることとなるが、露出面１２０Ｍの傾き角度が位置Ｐ１と比較して小さくなるため、隣接トラックＡＴへの上書き範囲は狭くなる。位置Ｐ３では、図７（Ｃ）に示したように、位置Ｐ１，Ｐ２とは異なり、露出面１２０Ｍが外側方向に傾くため、記録対象トラックＳＴから内側方向にはみ出した側端縁Ｅ３において、記録対象トラックＳＴに対して内側に位置する隣接トラックＡＴに意図せずに僅かに上書きされてしまう。これらのことから、第１の比較例の薄膜磁気ヘッドを使用して記録処理を行った場合には、特に、記録対象トラックＳＴの曲率半径が最も小さい位置Ｐ１において、隣接トラックＡＴに対する上書き範囲が著しく拡大するため、正常な記録動作が阻害される可能性が高くなる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
第２の比較例の場合（図８参照）には、左右対称な逆台形状をなす露出面２２０Ｍの特徴的な構成に基づき、図８（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、スキューの発生時に露出面２２０Ｍが内側方向または外側方向のいずれに傾いた場合においても、記録対象トラックＳＴから隣接トラックＡＴに側端縁Ｅ３，Ｅ４ともはみ出すことがない。すなわち、第２の比較例の薄膜磁気ヘッドを使用して記録処理を行った場合には、位置Ｐ１〜Ｐ３の全てにおいてサイドイレーズに起因する悪影響を良好に抑制可能となる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本実施の形態の場合（図９参照）には、左右非対称の逆台形状をなす露出面２０Ｍの特徴的な構成に基づき、スキューの発生時に露出面２０Ｍが内側方向に傾くこととなる位置Ｐ１，Ｐ２では、図９（Ａ），（Ｂ）に示したように、記録対象トラックＳＴに対して外側に位置する隣接トラックＡＴに側端縁Ｅ４がはみ出さないが、露出面２０Ｍが外側方向に傾くこととなる位置Ｐ３では、図９（Ｃ）に示したように、記録対象トラックＳＴに対して内側に位置する隣接トラックＡＴに側端縁Ｅ３がはみ出すため、この側端縁Ｅ３において隣接トラックＡＴに意図せずに僅かに上書きされてしまう。すなわち、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを使用して記録処理を行った場合には、位置Ｐ１，Ｐ２においてサイドイレーズに起因する悪影響を良好に抑制可能になると共に、位置Ｐ３では、正常な記録動作が阻害されない程度にサイドイレーズに起因する悪影響を抑制し得る。なお、上記した「一方の側」ならびに「角度θ１または角度θ２のいずれが直角をなすか」は、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示したサイドイレーズの発生状況、すなわちサイドイレーズの発生領域（露出面２０Ｍに対して内側または外側のいずれに発生するか）や発生範囲（内側または外側のいずれで広範囲化するか）などの条件に基づいて決定される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
以上説明したサイドイレーズに起因する悪影響の抑制ならびにオーバーライト特性の確保に関する双方の観点を考慮すると、以下の結論が導き出される。すなわち、露出面１２０Ｍが矩形状をなす第１の比較例では、オーバーライト特性を確保し得るものの、特にハードディスク３００の内側領域においてサイドイレーズに起因する悪影響が深刻となる。一方、露出面２２０Ｍが左右対称の逆台形状をなす第２の比較例では、サイドイレーズに起因する悪影響を抑制し得るものの、オーバーライト特性の劣化が問題となる。したがって、第１および第２の比較例のそれぞれの長所を抽出し、露出面２０Ｍが左右非対称の逆台形状をなすようにすれば、サイドイレーズに起因する出力信号の劣化等の悪影響を抑制することにより正常な記録動作を担保することができると共に、オーバーライト特性を確保することにより情報の上書き処理を正常に実行することができるのである。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
続いて、例えば、図１４および図１８に示したように、バッファ層１４をマスクとして用いて、基礎磁極層１３Ｓの延在面に対する垂線Ｐから角度（照射角度）ω１＝約３７．５度±７．５度をなす方向からイオンビームを照射しながら基礎磁極層１３Ｓにエッチング処理を施す。このエッチング処理を行う際には、例えば、図１８に示したように、揺動角度α＝約１８０度±３０度となるように、垂線Ｐと平行な基礎磁極層１３Ｓの中心線Ｕ１を軸として全体を両幅方向に揺動させるようにする。ただし、エッチング処理時に必ずしも全体を搖動させなければならないわけではなく、例えば、全体を回転（ローテーション）させるようにしてもよい。このエッチング処理を経て基礎磁極層１３Ｓがパターニングされることにより、図１５および図１９に示したように、マスク層３０とほぼ同様の平面形状をなすように前駆磁極層１３Ｚが選択的に形成される。この前駆磁極層１３Ｚは、後工程においてエッチング処理を施されることにより磁極部分層１３Ａとなる前準備層であり、一定幅Ｗ４をなす対応部分１３Ｚ１を含むように形成される。なお、エッチング時には、例えば、高さ方向のエッチング作用により、ギャップ層部分１０Ｃが部分的に掘り下げられる。ここで、前駆磁極層１３Ｚの一部をなす対応部分１３Ｚ１が本発明における「一定幅部分」の一具体例に対応する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
最後に、例えば、図１５および図１９に示したように、引き続きバッファ層１４をマスクとして用いて、幅方向における一方の側（例えば図中の左側）から照射角度ω２＝約６０度±１０度の方向からイオンビームを照射しながら前駆磁極層１３Ｚにエッチング処理を施す。このエッチング処理を行う際には、例えば、図１９に示したように、前駆磁極層１３Ｚのうちの対応部分１３Ｚ１の左側面部にエッチング処理が局所的に施されるように、中心線Ｕ２を揺動軸として前駆磁極層１３Ｚを揺動させる。このときの揺動角度βは、例えば、前駆磁極層１３Ｚのフレア角度γ、すなわち前駆磁極層１３Ｚの幅の広がり角度に基づいて設定可能であり、フレア角度γ＝約４５度のとき揺動角度β＝約１３５度±５度、またはフレア角度γ＝約６０度のとき揺動角度β＝約１２０度±５度とする。このエッチング処理において、主に、幅方向のエッチング作用により上方部よりも下方部において対応部分１３Ｚ１が左側方から追加エッチングされ、これにより対応部分１３Ｚ１の上端幅がＷ４からこれより小さいＷ１（Ｗ１＜Ｗ４）に狭められると共に、下端幅がＷ４から上記Ｗ１よりさらに小さいＷ２（Ｗ２＜Ｗ１＜Ｗ４）に狭められる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
このエッチング処理により、図１６および図２０に示したように、一側方（例えば左側方）にテーパ面ＴＭを有し、左右非対称の逆台形状の断面をなす先端部１３Ａ１と、これに連結された後端部１３Ａ２とを含むように、磁極部分層１３Ａが選択的に形成される。この磁極部分層１３Ａを形成する場合には、例えば、対応部分１３Ｚ１の上端部近傍を左側方から約０．０５μｍ〜０．２μｍ程度エッチングすることにより、図３に示したように、角度θ１が９０度で、かつ側端縁Ｅ４と上端縁Ｅ１とのなす角度θ２が約８１度〜８３度となるようにする。なお、エッチング時には、マスク層３０自体がエッチングされ、その厚みが目減りする。図１６および図２０では、例えば、エッチング処理によりマスク層３０が目減りして消失したのち、バッファ層１４自体がエッチングされて目減りした状態を示している。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
なお、より詳細には、磁極部分層１３Ａは、エッチング処理によりテーパ面ＴＭが形成されたのち、前駆磁極層１３Ｚを含む積層構造の端面が研磨されてエアベアリング面２０が形成され、このエアベアリング面２０の形成に伴い露出面２０Ｍが形成されることにより、最終的に形成される。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、前駆磁極層１３Ｚ上にバッファ層１４を形成したのち、このバッファ層１４をマスクとして用いて、斜め上方からイオンビームを照射しながら前駆磁極層１３Ｚの一側面部に選択的にエッチング処理を施すようにしたので、前駆磁極層１３Ｚのうちの対応部分１３Ｚ１の一側面部が局所的にエッチングされる際、高さ方向のエッチング作用よりも幅方向のエッチング作用が優先されると共に、対応部分１３Ｚ１の上端近傍部分に対するエッチング処理を抑制するためのエッチング抑制層としてバッファ層１４が機能することにより、対応部分１３Ｚ１に対するエッチング量は上端部近傍部分よりも下端部近傍部分において大きくなる。すなわち、このエッチング処理によれば、上記したように、対応部分１３Ｚ１の上端幅がＷ４からこれより小さいＷ１（Ｗ１＜Ｗ４）に狭められると共に、下端幅がＷ４から上記Ｗ１よりさらに小さいＷ２（Ｗ２＜Ｗ１＜Ｗ４）に狭められることとなるため、先端部１３Ａ１が一側方にテーパ面ＴＭを有し、かつその露出面２０Ｍが図３に示した左右非対称の逆台形状をなす特徴的な構成をなすように、磁極部分層１３Ａが形成される。しかも、本実施の形態では、露出面２０Ｍが特徴的な構成をなす磁極部分層１３Ａを形成するために、例えばＦＩＢなどの量産性の低い製造技術を使用することがなく、量産性の高い既存の薄膜プロセスしか使用しない。したがって、本実施の形態では、磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍが左右非対称の逆台形状をなす薄膜磁気ヘッドを量産性よく製造することができる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
特に、本実施の形態では、磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍが左右非対称な逆台形状をなす点に基づき、薄膜磁気ヘッドの製造歩留まりを向上させることも可能となり、この観点においても量産性の向上に寄与する。その理由は、以下の通りである。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
すなわち、例えば、オーバーライト特性が劣化することを承知の上、サイドイレーズに起因する悪影響を抑制することを重要視する場合には、図５に示した露出面２２０Ｍを有する第２の比較例としての薄膜磁気ヘッドを使用するケースが考えられる。しかしながら、この場合には、角度θ１，θ２が小さくなって下端縁Ｅ２の幅Ｗ２が狭くなりすぎると、先端部２１３Ａ１のうちの下端縁Ｅ２の近傍部分Ｄが細く尖り、その物理的強度が低下するため、製造工程中において生じる振動やエッチング処理等の影響に起因して近傍部分Ｄが欠損するおそれがある。この近傍部分Ｄが欠損した磁極部分層２１３Ａは不良となるため、薄膜磁気ヘッドの歩留まり低下を招くこととなる。また、例えば１００ギガビット／（インチ）2 を越える記録密度を実現する上では、オーバーライト可能な程度に先端部２１３Ａ１の厚み（約０．１５ｎｍ〜０．２５ｎｍ）を最低限確保しつつ、上端縁Ｅ１の幅Ｗ１を極狭小化する必要があるが、上端縁Ｅ１の幅Ｗ１を極微小化した場合には角度θ１，θ２を制御することが困難になるため、この点もまた、歩留まり低下を招く要因となり得る。これに対して、本実施の形態では、図３に示したように、角度θ１が直角をなしているため、角度θ２が小さくなり、かつ上端縁Ｅ１の幅Ｗ１が極狭小化したとしても、露出面２０Ｍの下端縁Ｅ２の幅Ｗ２は第２の比較例の場合よりも広くなる。これにより、近傍部分Ｄの物理的強度が確保され、その近傍部分Ｄが欠損する可能性が低下する。したがって、本実施の形態では、磁極部分層１３Ａの不良発生確率が低下するため、薄膜磁気ヘッドの製造歩留まりが向上するのである。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
なお、本実施の形態では、図１５および図１９に示したように、幅方向における一方の側からイオンビームを照射して前駆磁極層１３Ｚをエッチングすることにより、図３に示したように、露出面２０Ｍの角度θ１が直角をなし、かつ角度θ２が鋭角をなすようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図２１に示したように、幅方向における両側から互いに異なるエッチング角度（イオンビームの照射角度ω３，ω４）で前駆磁極層１３Ｚをエッチングすれば、図１２に示したように、角度θ１，θ２の双方が鋭角をなすように露出面２０Ｍを形成可能となる。照射角度ω３，ω４と角度θ１，θ２との関係としては、例えば、バッファ層１４がアルミナよりなり、前駆磁極層１３Ｚが鉄コバルト合金よりなる場合、照射角度ω３，ω４＝５０度，６０度，７０度のときに、それぞれ角度θ１，θ２＝８４度〜８７度，７９度〜８２度，７４度〜７７度となる。すなわち、例えば、照射角度ω３＝５０度，ω４＝７０度とすれば、角度θ１＝約８６度，θ２＝約７６度となる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
続いて、サイドイレーズの発生状況について調べたところ、図２３に示した結果が得られた。図２３は、図６に示したハードディスクドライブに一連の薄膜磁気ヘッドを搭載した場合におけるサイドイレーズの発生状況に関する実験結果を表しており、「縦軸」はアジャセントトラックイレーズＡＴＥ（％）を示している。このアジャセントトラックイレーズとは、隣接トラックに既に記録されている情報の残存率を表すものであり、サイドイレーズが全く発生しない場合が１００％に相当する。図２３において、（Ａ）〜（Ｃ）は図６に示したハードディスク３００上の位置Ｐ１〜Ｐ３にそれぞれ対応していると共に、２３Ｘは第２の比較例（図５参照），２３Ｙは本実施の形態（図３参照），２３Ｚは第１の比較例（図４参照）をそれぞれ表している。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
特に、上記実施の形態では、図３に示したように、磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍが、矩形領域Ｒ１のうち、側端縁Ｅ４側から幅拡大領域Ｒ２を除いてなる左右非対称の逆台形状をなすようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、上記したように、矩形領域Ｒ１から幅拡大領域Ｒ２が除かれることとなる側は、サイドイレーズの発生状況に基づいて変更可能である。具体的には、図２４に示したように、露出面２０Ｍが、矩形領域Ｒ１のうち、側端縁Ｅ３側、すなわちハードディスク３００に対して主磁極層１３が対向した場合、そのハードディスク３００の半径方向における中心点から遠い側から幅拡大領域Ｒ２が除いてなる左右非対称の逆台形状をなすようにしてもよい。以下、図２４に示したように露出面２０Ｍを構成した場合においても、上記実施の形態の場合と同様の利点が得られる理由について、主にサイドイレーズに起因する悪影響の抑制の観点に言及して説明する。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
第１の比較例の場合（図２６参照）には、例えば、図２６（Ａ）に示したように、位置Ｐ１において、スキューの発生時に露出面１２０Ｍが隣接トラックにはみ出さないように誘導軸Ｋの位置を調整したとしても、位置Ｐ２，Ｐ３では、記録対象トラックＳＴに対して内側の隣接トラックＡＴに露出面１２０Ｍがはみ出すためため、サイドイレーズに起因する悪影響が大きくなる。すなわち、位置Ｐ２では、例えば、図２６（Ｂ）に示したように、露出面１２０Ｍが外側方向に傾くため、記録対象トラックＳＴから内側方向にはみ出した側端縁Ｅ３において、隣接トラックＡＴに意図せずに上書きされてしまう。位置Ｐ３では、例えば、図２６（Ｃ）に示したように、外側方向への露出面１２０Ｍの傾きがより大きくなるため、側端縁Ｅ３において隣接トラックＡＴがより広範囲に渡って上書きされてしまう。これらのことから、第１の比較例の薄膜磁気ヘッドを使用して記録処理を行った場合には、特に、記録対象トラックＳＴの曲率半径が最も大きい位置Ｐ３において、隣接トラックＡＴに対する上書き範囲が著しく拡大するため、正常な記録動作が阻害される可能性が高くなる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
第２の比較例の場合（図２７参照）には、左右対称な逆台形状をなす露出面２２０Ｍの特徴的な構成に基づき、例えば、図２７（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、スキューの発生時に露出面２２０Ｍが外側方向に傾き、さらにその傾きが大きくなった場合においても、記録対象トラックＳＴから隣接トラックＡＴに側端縁Ｅ３がはみ出すことがないため、ハードディスク３００上の位置に関係することなく、サイドイレーズに起因する悪影響が良好に抑制される。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
本実施の形態の場合（図２８参照）には、左右非対称の逆台形状をなす露出面２０Ｍの特徴的な構成に基づき、例えば、図２８（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、スキューが発生したとしても、第２の比較例と同様に記録対象トラックＳＴから隣接トラックＡＴに側端縁Ｅ３がはみ出さないため、サイドイレーズに起因する悪影響が良好に抑制される。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドによれば、進行方向における媒体流出側から媒体流入側に向かって連続的または段階的に幅が拡大する幅拡大領域を、矩形領域の幅方向におけるいずれか一方の側から除いてなる形状を有するように磁極端面を構成したので、例えば、矩形領域から幅拡大領域が除かれることとなる一方の側を、サイドイレーズが発生する側、すなわち磁極端面から記録媒体の記録対象トラックに向けて放出された磁束により隣接トラックに既に記録されている情報が意図せずに上書きされることとなる側に対応させれば、隣接トラックへの磁極端面のはみ出しが防止または抑制されると共に、磁束の放出口としての磁極端面の面積が確保されるために十分な垂直磁界強度が得られる。したがって、オーバーライト特性の確保とサイドイレーズに起因する悪影響の抑制とを両立させることができる。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
また、請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、一定幅部分を含む前駆磁極層上に、この前駆磁極層よりもエッチング速度が遅い材料よりなるバッファ層を形成したのち、このバッファ層をマスクとして用いて、前駆磁極層の延在面と直交する方向に対して所定の角度をなすようにイオンビームを照射しながら、前駆磁極層の一定幅部分を幅方向におけるいずれか一方の側から選択的にエッチングするようにしたので、この既存のエッチングプロセスを経て最終的に形成される磁極層の磁極端面は、第１の端縁の幅が第２の端縁の幅よりも大きく、かつ、第１および第２の端縁の間の任意の中間位置における磁極端面の幅以上になると共に、第３または第４の端縁のいずれか一方と第１の端縁とが直角となる。したがって、磁極層の磁極端面が上記した特徴的な構成をなす薄膜磁気ヘッドを量産性よく製造することができる。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
また、請求項１５ないし請求項１７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、一定幅部分を含む前駆磁極層上に、この前駆磁極層よりもエッチング速度が遅い材料よりなるバッファ層を形成したのち、このバッファ層をマスクとして用いて、前駆磁極層の延在面と直交する方向に対して所定の角度をなすようにイオンビームを照射しながら、前駆磁極層の一定幅部分を幅方向における少なくとも一方の側から選択的にエッチングするようにしたので、この既存のエッチングプロセスを経て最終的に形成される磁極層の磁極端面は、進行方向における媒体流出側に位置する第１の端縁を、互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、進行方向における媒体流入側に位置する第２の端縁を短い対辺とすると共に、第１の端縁における一方の底角の角度と他方の底角の角度とが互いに異なる台形状となる。したがって、磁極層の磁極端面が上記した特徴的な構成をなす薄膜磁気ヘッドを量産性よく製造することができる。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４…シールドギャップ膜、５…ＭＲ素子、７…上部シールド層、８…非磁性層、９…補助磁極層、１０…ギャップ層、１０Ａ〜１０Ｃ…ギャップ層部分、１１…薄膜コイル、１２…連結部、１３…主磁極層、１３Ａ…磁極部分層、１３Ａ１…先端部、１３Ａ２…後端部、１３Ｂ…ヨーク部分層、１３Ｓ…基礎磁極層、１３Ｚ…前駆磁極層、１３Ｚ１，３０Ａ１…対応部分、１４…バッファ層、１４Ｚ…前駆バッファ層、１５…オーバーコート層、２０…エアベアリング面、２０Ｍ…露出面、３０…マスク層、３０Ｚ…前駆マスク層、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…記録ヘッド部、３００…ハードディスク、３００Ｍ…記録面、Ａ…アーム、ＡＴ…隣接トラック、Ｅ１…上端縁、Ｅ２…下端縁、Ｅ３，Ｅ４…側端縁、Ｋ…誘導軸、Ｒ１…矩形領域、Ｒ２…幅拡大領域、Ｒ３…残存領域、Ｓ…スライダ、ＳＴ…記録対象トラック、ＴＭ…テーパ面、α，β…搖動角度、γ…フレア角度、ω１〜ω４…照射角度。