【手続補正書】
【提出日】平成17年7月13日(2005.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲート配線、ゲート絶縁膜、半導体膜及び当該半導体膜を覆う層間絶縁膜を含むＴＦＴで形成された回路を有し、
前記ゲート配線と前記ＴＦＴとが重なる部分では、前記ゲート配線は当該ゲート配線の酸化物、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜及び前記層間絶縁膜の多層構造で覆われ、
前記ゲート配線のゲートコンタクト部では、前記ゲート配線は前記層間絶縁膜の単層構造で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項1において、前記ゲート配線はタンタル又はタンタルを主成分とする材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記ゲートコンタクト部では、前記ゲート配線が当該ゲート配線と異なる元素でなる金属膜又は半導体膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記半導体装置は電気光学装置、半導体回路又は前記電気光学装置又は前記半導体回路を含む電子機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記電気光学装置とは液晶表示装置、EL表示装置、EC表示装置又はイメージセンサであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４において、前記半導体回路とはマイクロプロセッサ、信号処理回路又は高周波回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４において、前記電子機器とはビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグルディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ又は携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜、半導体膜及び保護膜を順次大気開放しないで積層形成し、
前記半導体膜に対して紫外光又は赤外光を照射して結晶を含む半導体膜を形成し、
前記保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に不純物領域を形成し、
前記結晶を含む半導体膜を島状にパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
ゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜、半導体膜及び保護膜を順次大気開放しないで積層形成し、
前記半導体膜に対して紫外光又は赤外光を照射して結晶を含む半導体膜を形成し、
前記保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に不純物領域を形成し、
前記結晶を含む半導体膜を島状にパターニングし、
前記島状にパターニングされた半導体膜をマスクとして前記ゲート絶縁膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上にゲート配線を形成し、
前記ゲート配線を酸化して当該ゲート配線の表面にゲート酸化膜を形成し、
前記ゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜、半導体膜及び保護膜を順次大気開放しないで積層形成し、
前記半導体膜に対して紫外光又は赤外光を照射して結晶を含む半導体膜を形成し、
前記保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に不純物領域を形成し、
前記結晶を含む半導体膜を島状にパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上にゲート配線を形成し、
前記ゲート配線を酸化して当該ゲート配線の表面にゲート酸化膜を形成し、
前記ゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜、半導体膜及び保護膜を順次大気開放しないで形成し、
前記半導体膜に対して紫外光又は赤外光を照射して結晶を含む半導体膜を形成し、
前記保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に不純物領域を形成し、
前記結晶を含む半導体膜を島状にパターニングし、
前記島状にパターニングされた半導体膜をマスクとして前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート酸化膜を順次エッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
ゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜、半導体膜及び第１保護膜を順次大気開放しないで積層形成し、
前記半導体膜に対して紫外光又は赤外光を照射して結晶を含む半導体膜を形成し、
前記第１保護膜をパターニングし第２保護膜を形成し、
前記第２保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に第１不純物領域を形成し、
前記第２保護膜をパターニングし第３保護膜を形成し、
前記第３保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に第２不純物領域を形成し、
前記結晶を含む半導体膜を島状にパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
ゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜、半導体膜及び第１保護膜を順次大気開放しないで積層形成し、
前記半導体膜に対して紫外光又は赤外光を照射して結晶を含む半導体膜を形成し、
前記第１保護膜をパターニングし第２保護膜を形成し、
前記第２保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に第１不純物領域を形成し、
前記第２保護膜をパターニングし第３保護膜を形成し、
前記第３保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に第２不純物領域を形成し、
前記結晶を含む半導体膜を島状にパターニングし、
前記島状にパターニングされた半導体膜をマスクとして前記ゲート絶縁膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
基板上にゲート配線を形成し、
前記ゲート配線を酸化して当該ゲート配線の表面にゲート酸化膜を形成し、
前記ゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜、半導体膜及び保護膜を順次大気開放しないで積層形成し、
前記半導体膜に対して紫外光又は赤外光を照射して結晶を含む半導体膜を形成し、
前記第１保護膜をパターニングし第２保護膜を形成し、
前記第２保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に第１不純物領域を形成し、
前記第２保護膜をパターニングし第３保護膜を形成し、
前記第３保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に第２不純物領域を形成し、
前記結晶を含む半導体膜を島状にパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上にゲート配線を形成し、
前記ゲート配線を酸化して当該ゲート配線の表面にゲート酸化膜を形成し、
前記ゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜、半導体膜及び保護膜を順次大気開放しないで形成し、
前記半導体膜に対して紫外光又は赤外光を照射して結晶を含む半導体膜を形成し、
前記第１保護膜をパターニングし第２保護膜を形成し、
前記第２保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に第１不純物領域を形成し、
前記第２保護膜をパターニングし第３保護膜を形成し、
前記第３保護膜をマスクとして前記結晶を含む半導体膜に第２不純物領域を形成し、
前記結晶を含む半導体膜を島状にパターニングし、
前記島状にパターニングされた半導体膜をマスクとして前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート酸化膜を順次エッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項８乃至請求項１５のいずれか一項において、前記ゲート配線はタンタル膜又はタンタル膜と窒化タンタル膜との積層膜を含んで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項８乃至請求項１５のいずれか一項において、前記ゲート絶縁膜として窒化シリコン膜をいずれかの層に含む積層膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項８乃至請求項１５のいずれか一項において、前記ゲート絶縁膜としてＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）をいずれかの層に含む積層膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１０、請求項１１、請求項１４及び請求項１５のいずれか一項において、前記ゲート酸化膜はプラズマ酸化法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。