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【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザ光を遮断する手段と、
被照射面におけるビームスポットが線状になるように、前記レーザ発振器から射出されたレーザ光を加工する光学系とを有するレーザ照射装置であり、
前記遮断する手段は、切れ目を有した回転する円板状の反射ミラーを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザ光を遮断する手段と、
被照射面におけるビームスポットが線状になるように、前記レーザ発振器から射出されたレーザ光を加工する光学系とを有するレーザ照射装置であり、
前記遮断する手段は、音響光学素子からなるシャッターを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザ光の被照射物を設置した走査ステージと、
前記レーザ光を遮断する手段と、
被照射面におけるビームスポットが線状になるように、前記レーザ発振器から射出されたレーザ光を加工する光学系とを有するレーザ照射装置であり、
前記レーザ光を遮断する手段は、切れ目を有する円板状の反射ミラーを有し、かつ、前記反射ミラーの回転速度は前記走査ステージの運動と同期させることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記レーザ発振器は連続発振の固体レーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記レーザ発振器は連続発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種または複数種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記レーザ発振器は連続発振のＡｒレーザまたはＫｒレーザから選ばれた一種または複数種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記レーザ光は第２高調波であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
基板上に形成した非単結晶半導体膜を走査ステージに設置し、
前記非単結晶半導体膜において線状のビームスポットに成形されたレーザ光で、前記線状のビームスポットの短軸方向に走査して、前記非単結晶半導体膜をアニールする工程を含み、
前記線状のビームスポットの走査速度が一定速度に達していないときには、切れ目を有する円板状の反射ミラーが回転することによりレーザ光を遮断し、
前記線状のビームスポットを、前記基板の一方から他方に向けて、前記レーザ光による前記非単結晶半導体膜上の照射跡が、互いに平行になるように走査することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に形成した非単結晶半導体膜を走査ステージに設置し、
前記非単結晶半導体膜において線状のビームスポットに成形されたレーザ光で、前記線状のビームスポットの短軸方向に走査して、前記非単結晶半導体膜をアニールする工程を含み、
前記線状のビームスポットの走査速度が一定速度に達していないときには、切れ目を有する円板状の反射ミラーが回転することによりレーザ光を遮断し、
前記線状のビームスポットを、前記基板の一方から他方に向けて、または、前記基板の他方から一方に向けて、前記レーザ光による前記非単結晶半導体膜上の照射跡が、互いに平行になるように、該レーザ光の照射領域を重ね合わせながら、連続的に走査することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に形成した非単結晶半導体膜を走査ステージに設置し、
前記非単結晶半導体膜において線状のビームスポットに成形されたレーザ光で、前記線状のビームスポットの短軸方向に走査して、前記非単結晶半導体膜をアニールする工程を含み、
前記線状のビームスポットの走査速度が一定速度に達していないときには、音響光学素子からなるシャッターによりレーザ光を遮断し、
前記線状のビームスポットを、前記基板の一方から他方に向けて、前記レーザ光による前記非単結晶半導体膜上の照射跡が、互いに平行になるように走査することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に形成した非単結晶半導体膜を走査ステージに設置し、
前記非単結晶半導体膜において線状のビームスポットに成形されたレーザ光で、前記線状のビームスポットの短軸方向に走査して、前記非単結晶半導体膜をアニールする工程を含み、
前記線状のビームスポットの走査速度が一定速度に達していないときには、音響光学素子からなるシャッターによりレーザ光を遮断し、
前記線状のビームスポットを、前記基板の一方から他方に向けて、または、前記基板の他方から一方に向けて、前記レーザ光による前記非単結晶半導体膜上の照射跡が、互いに平行になるように、該レーザ光の照射領域を重ね合わせながら、連続的に走査することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８または請求項９において、前記反射ミラーの回転は前記走査ステージの運動と同期させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、前記レーザ光の発振器は連続発振の固体レーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、前記レーザ光の発振器は連続発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、前記レーザ光の発振器は連続発振のＡｒレーザまたはＫｒレーザから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、前記レーザ光は第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板に設けられた第１電極層と、
前記第１電極層に対向する位置に設けられた第２電極層と、
前記第１および第２電極層の間に絶縁層を介して設けられた第３電極層と、
前記第３電極層および前記絶縁層を貫通し、前記第１および第２電極層に結合される多数のカーボン・ナノチューブの束より成る半導体部材
を有し、前記第３電極層に制御電圧を印加することによって、前記第１および第２電極層間のチャネルが制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置において、前記第１電極層の所定の場所にシード層が形成され、前記カーボン・ナノチューブが前記シード層を起点にして形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  請求項１記載の半導体装置において、前記シード層がシリサイドより成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  基板に設けられた第１電極層と、
前記第１電極層に対向する位置に設けられた第２電極層と、
前記第１電極層に対向する位置に設けられた、前記第２電極とは異なる第３電極層と、
前記第１および第２電極層の間に絶縁層を介して設けられ、前記第１および第３電極層の間に絶縁層を介して設けられた第４電極層と、
前記第４電極層および前記絶縁層を貫通し、前記第１および第２電極層に結合される多数のカーボン・ナノチューブの束より成る第１半導体部材と、
前記第４電極層および前記絶縁層を貫通し、前記第１および第３電極層に結合される多数のカーボン・ナノチューブの束より成る第２半導体部材
を有し、前記第４電極層に制御電圧を印加することによって、前記第１および第２半導体部材によるチャネルが制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  請求項４記載の半導体装置において、前記第１半導体部材および前記第２半導体部材の導電性が異なるよう形成されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に金属層を形成し、
前記金属層と重なるようにゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上に前記ゲート電極と重なるように半導体層を形成し、
前記半導体層にマスクを用いて不純物元素を添加し、
前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜並びに前記不純物元素が添加された半導体層に加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に金属層を形成し、
前記金属層と重なるようにゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上に前記ゲート電極と重なるように第１の非晶質半導体層を形成し、
前記第１の非晶質半導体層に金属元素を添加して加熱することにより結晶性半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層上に第２の非晶質半導体層を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜、並びに前記結晶質半導体層及び前記第２の非晶質半導体層に加熱処理を行って、前記結晶質半導体層に含まれる前記金属元素を前記第２の非晶質半導体層に拡散させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記金属層上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に前記ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記金属層を、珪化タングステン、銀、窒化タンタルのいずれかを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上に前記ゲート電極と重なるように第１の非晶質半導体層を形成し、
前記第１の非晶質半導体層に金属元素を添加して加熱することにより結晶性半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層上に第２の非晶質半導体層を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜、並びに前記結晶質半導体層及び前記第２の非晶質半導体層に加熱処理を行って、前記結晶質半導体層に含まれる前記金属元素を前記第２の非晶質半導体層に拡散させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２又は請求項５において、前記金属元素はニッケルであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜をスパッタリング法により連続的に形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上に前記ゲート電極と重なるように非晶質半導体層を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜並びに前記非晶質半導体層に加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記加熱処理は、ＲＴＡ法により行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記加熱処理は、ランプを用いて６００〜８００度の温度で１〜２４０秒行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記第１のゲート絶縁膜として窒化珪素膜を形成し、前記第２のゲート絶縁膜として酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  片側に配線パターンが形成された３層構造の金属はく２枚が、層間接着用シートを介して対向して配置・積層され、前記配線パターンが層間接着用シートに埋設されたプリント配線板。
【請求項２】  ３層構造の金属はく、第１の銅はくと第２の銅はくの間に薄膜層を備えたものであり、配線パターンは第２の銅はくで形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】  薄膜層は厚さ１〜３μｍの導電層であることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項４】  薄膜層はすず、またはニッケル、はんだで構成されていることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項５】  第１の銅はくの厚みは１２〜１００μｍ、第２の銅はくの厚みは５〜１８μｍであることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項６】  層間接着用シートは、導通孔を備えていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月26日(2004.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に各々が層間絶縁膜を介して複数層積層された多層金属配線層と、
前記多層金属配線層上に層間絶縁膜を介して形成された上部金属電極、誘電体膜及び下部金属電極から構成されたキャパシタと、
前記キャパシタを被覆するように形成された絶縁膜上に設けられた上層の配線層とを備え、
前記キャパシタは、第１及び第２の素子から構成され、これら第１及び第２の素子は、それぞれ積層された下部金属電極、誘電体膜及び上部金属電極から構成され、各々の上部金属電極は、実質的に同じ大きさ形状であり、且つそれぞれの上部金属電極は、各々前記下部金属電極及び前記誘電体膜が形成配置されている領域内に形成され、前記第１の素子の下部金属電極と前記第２の素子の上部金属電極とは電気的に接続され、前記第１の素子の上部金属電極と前記第２の素子の下部金属電極とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の素子の下部金属電極と前記第２の素子の上部金属電極とは前記上層の配線層を構成する第１の配線により接続され、前記第１の素子の上部金属電極と前記第２の素子の下部金属電極とは前記上層の配線層を構成する第２の配線により接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記キャパシタを構成する誘電体膜は、高誘電体材料からなる第１の膜とリーク電流の低い材料からなる第２の膜とから構成された積層膜からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体素子が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に各々が層間絶縁膜を介して複数層積層された多層金属配線層と、
前記半導体基板上に前記多層金属配線層を被覆するように形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜上に形成された実質的に同じ大きさ形状の第１及び第２の上部金属電極と、
前記第１及び第２の上部金属電極及び誘電体膜を被覆するように形成された絶縁膜上に設けられた上層の配線層とを備え、
前記第１及び第２の上部金属配線、前記誘電体膜及び前記多層金属配線層の最上層の金属配線層はキャパシタを構成し、前記キャパシタは、第１及び第２の素子から構成され、前記第１の素子は、前記第１の上部金属電極、前記誘電体膜及び前記最上層の金属配線層の一部からなる第１の下部金属電極からなり、前記第２の素子は、前記第２の上部金属電極、前記誘電体膜及び前記最上層の金属配線層の一部からなる第２の下部金属電極からなり、前記第１及び第２の上部金属電極は、それぞれ前記第１の下部金属電極、前記第２の下部電極及び前記誘電体膜が形成配置されている領域内に形成され、前記第１の素子の第１の下部金属電極と前記第２の素子の第２の上部金属電極とは電気的に接続され、前記第１の素子の第１の上部金属電極と前記第２の素子の第２の下部金属電極とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記第１の素子の第１の下部金属電極と前記第２の素子の第２の上部電極とは前記上層の配線層を構成する第１の配線により接続され、前記第１の素子の第１の上部金属電極と前記第２の素子の第２の下部金属電極とは前記上層の配線層を構成する第２の配線により接続されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光伝送システム、光送信装置及び光送信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光信号を複数の光増幅器が縦続接続された光ファイバに出力する光送信装置と前記光信号を受信する光受信装置とを備える光伝送システムであって、
前記光送信装置は、
光信号を出力する光送信手段を備え、
前記光送信手段は、前記光増幅器で発生する雑音電力がピークとなる波長に略一致するように前記光信号の光波長を設定し、
前記光受信装置は、
前記光信号を受信する光受信手段を備える光伝送システム。
【請求項２】  光信号を複数の光増幅器が縦続接続された光ファイバに出力する光送信装置と前記光信号を受信する光受信装置とを備える光伝送システムであって、
前記光送信装置は、
第１の光信号を出力する光送信手段と、
第２の光信号を出力する光源と、
前記第１の光信号と前記第２の光信号とを合波する光合波部とを備え、
前記光源は、前記光増幅器で発生する雑音電力がピークとなる波長に略一致するように前記第２の光信号の光波長を設定し、
前記光受信装置は、
前記光信号を受信する光受信手段を備える光伝送システム。
【請求項３】  前記光伝送システムは、前記光ファイバ上に少なくとも１つ以上の光フィルタを備える請求項１または２記載の光伝送システム。
【請求項４】  前記光送信手段は、外部変調方式により出力光信号を生成する請求項１〜３のいずれか１項に記載の光伝送システム。
【請求項５】  前記光源は、前記第１の光信号と前記第２の光信号とのビートによって生じる雑音が、前記第１の光信号を光電気変換した際に得られる電気信号の帯域内に生じないように、前記第２の光信号の波長を設定する請求項２記載の光伝送システム。
【請求項６】  前記光フィルタは、少なくとも最終段の前記光増幅器の入力側に設置する請求項３記載の光伝送システム。
【請求項７】  光信号を複数の光増幅器が縦続接続された光ファイバに出力し、前記光信号を受信する光伝送システムにおいて使用される光送信装置であって、
光信号を出力する光送信手段を備え、
前記光送信手段は、前記光増幅器で発生する雑音電力がピークとなる波長に略一致するように前記光信号の光波長を設定する光送信装置。
【請求項８】  光信号を複数の光増幅器が縦続接続された光ファイバに出力し、前記光信号を受信する光伝送システムにおいて使用される光送信装置であって、
第１の光信号を出力する光送信手段と、
第２の光信号を出力する光源と、
前記第１の光信号と前記光第２の光信号とを合波する光合波部とを備え、
前記光源は、前記光増幅器で発生する雑音電力がピークとなる波長に略一致するように前記第２の光信号の光波長を設定する光送信装置。
【請求項９】  光信号を複数の光増幅器が縦続接続された光ファイバに出力し、前記光信号を受信する光伝送システムにおいて使用される光送信方法であって、
前記光増幅器で発生する雑音電力がピークとなる波長に略一致するように光波長を設定した光信号を送信する光送信方法。
【請求項１０】  光信号を複数の光増幅器が縦続接続された光ファイバに出力し、前記光信号を受信する光伝送システムにおいて使用される光送信方法であって、
第１の光信号を出力し、
第２の光信号を出力し、
前記第１の光信号と前記第２の光信号とを合波し送信し、
前記光増幅器で発生する雑音電力がピークとなる波長に略一致するように前記第２の光信号の光波長を設定する光送信方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、光信号を複数の光増幅器が縦続接続された光ファイバに出力する光送信装置と前記光信号を受信する光受信装置とを備える光伝送システムであって、前記光送信装置は、光信号を出力する光送信手段を備え、前記光送信手段は、前記光増幅器で発生する雑音電力がピークとなる波長に略一致するように前記光信号の光波長を設定し、前記光受信装置は、前記光信号を受信する光受信手段を備えることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第２の発明は、光信号を複数の光増幅器が縦続接続された光ファイバに出力する光送信装置と前記光信号を受信する光受信装置とを備える光伝送システムであって、前記光送信装置は、第１の光信号を出力する光送信手段と、第２の光信号を出力する光源と、前記第１の光信号と前記第２の光信号とを合波する光合波部とを備え、前記光源は、前記光増幅器で発生する雑音電力がピークとなる波長に略一致するように前記第２の光信号の光波長を設定し、前記光受信装置は、前記光信号を受信する光受信手段を備えることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第３の発明は、第１または第２の前記光伝送システムの前記光ファイバ上に少なくとも１つ以上の光フィルタを備えることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第４の発明は、第１〜第３の光伝送システムにおいて、前記光送信手段が外部変調方式により出力光信号を生成することを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第５の発明は、第２の光伝送システムにおいて、前記光源は、前記第１の光信号と前記第２の光信号とのビートによって生じる雑音が、前記第１の光信号を光電気変換した際に得られる電気信号の帯域内に生じないように、前記第２の光信号の波長を設定することを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第６の発明は、第３の光伝送システムにおいて、前記光フィルタは、少なくとも最終段の前記光増幅器の入力側に設置することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月13日(2005.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
家庭内機器と通信する機器側通信手段と、制御機器と通信する制御側通信手段とを備えた遠隔制御装置であって、前記機器側通信手段が、前記家庭内機器に接続された機器側インターフェイスユニットと、前記機器側インターフェイスユニットに接続され前記制御側通信手段と双方向の無線通信を行う機器側双方向無線通信ユニットとを備え、前記制御側通信手段が、前記制御機器に接続された制御側インターフェイスユニットと、この制御側インターフェイスユニットに接続され前記機器側通信手段と双方向の無線通信を行う制御側双方向無線通信ユニットとを備え、前記制御機器が、前記機器側双方向無線通信ユニットおよび前記制御側双方向無線通信ユニットを介して双方向無線通信により前記家庭内機器を制御するようにしたことを特徴とする遠隔制御装置。
【請求項２】
前記機器側インターフェイスユニットは、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ａインターフェイスを有することを特徴とする請求項１に記載の遠隔制御装置。
【請求項３】
前記機器側インターフェイスユニットは、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ｓインターフェイスを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の遠隔制御装置。
【請求項４】
前記制御側インターフェイスユニットは、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ａインターフェイスを有することを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の遠隔制御装置。
【請求項５】
前記制御側インターフェイスユニットは、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ｓインターフェイスを有することを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の遠隔制御装置。
【請求項６】
前記機器側双方向無線通信ユニットおよび前記制御側双方向無線通信ユニットが、それぞれ赤外線通信部を備え、前記制御機器が、双方向赤外線通信により前記家庭内機器を制御するようにしたことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の遠隔制御装置。
【請求項７】
前記機器側双方向無線通信ユニットおよび前記制御側双方向無線通信ユニットが、それぞれ複数の単方向赤外線通信部を備え、前記制御機器が、複数の単方向赤外線通信により前記家庭内機器を制御するようにしたことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の遠隔制御装置。
【請求項８】
家庭内機器と通信する機器側通信手順と、制御機器と通信する制御側通信手順とを含み、前記機器側通信手順および前記制御側通信手順が、双方向の無線通信を行う双方向無線通信工程を含むことを特徴とする遠隔制御方法。
【請求項９】
家庭内機器と通信する機器側通信手順と、制御機器と通信する制御側通信手順とを含み、前記機器側通信手順および前記制御側通信手順が、双方向の赤外線通信を行う双方向赤外線通信工程を含むことを特徴とする遠隔制御方法。
【請求項１０】
家庭内機器と通信する機器側通信手順と、制御機器と通信する制御側通信手順とを含み、前記機器側通信手順および前記制御側通信手順において、コンピュータに双方向無線通信工程を実行させるための遠隔制御プログラム。
【請求項１１】
家庭内機器と通信する機器側通信手順と、制御機器と通信する制御側通信手順とを含み、前記機器側通信手順および前記制御側通信手順において、コンピュータに双方向赤外線通信工程を実行させるための遠隔制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の遠隔制御装置は、家庭内機器と通信する機器側通信手段と、制御機器と通信する制御側通信手段とを備えた遠隔制御装置であって、前記機器側通信手段が、前記家庭内機器に接続された機器側インターフェイスユニットと、前記機器側インターフェイスユニットに接続され前記制御側通信手段と双方向の無線通信を行う機器側双方向無線通信ユニットとを備え、前記制御側通信手段が、前記制御機器に接続された制御側インターフェイスユニットと、この制御側インターフェイスユニットに接続され前記機器側通信手段と双方向の無線通信を行う制御側双方向無線通信ユニットとを備え、前記制御機器が、前記機器側双方向無線通信ユニットおよび前記制御側双方向無線通信ユニットを介して双方向無線通信により前記家庭内機器を制御する構成を有している。この構成により、前記制御機器が、前記機器側双方向無線通信ユニットおよび前記制御側双方向無線通信ユニットを介して双方向無線通信により前記家庭内機器を制御するので、通信ケーブルの配線が不要になり、家庭内機器の移動、増設等を容易に行うことができる。
また、本発明の遠隔制御装置は、前記機器側インターフェイスユニットが、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ａインターフェイスを有する構成である。この構成により、通信ケーブルの配線が不要になり、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ａインターフェイスを備えた家庭内機器の移動、増設等を容易に行うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の遠隔制御装置は、前記機器側インターフェイスユニットが、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ｓインターフェイスを有する構成である。この構成により、前記制御機器が、前記機器側双方向無線通信ユニットおよび前記制御側双方向無線通信ユニットを介して双方向無線通信により前記家庭内機器を制御するので、通信ケーブルの配線が不要になり、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ｓインターフェイスを備えた家庭内機器の移動、増設等を容易に行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の遠隔制御装置は、前記制御側インターフェイスユニットが、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ａインターフェイスを有する構成である。この構成により、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ａインターフェイスを有する前記制御機器が、前記機器側双方向無線通信ユニットおよび前記制御側双方向無線通信ユニットを介して双方向無線通信により前記家庭内機器を制御するので、通信ケーブルの配線が不要になり、家庭内機器の移動、増設等を容易に行うことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の遠隔制御装置は、前記制御側インターフェイスユニットが、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ｓインターフェイスを有する構成である。この構成により、日本電機工業会規格のＪＥＭ−Ｓインターフェイスを有する前記制御機器が、前記機器側双方向無線通信ユニットおよび前記制御側双方向無線通信ユニットを介して双方向無線通信により前記家庭内機器を制御するので、通信ケーブルの配線が不要になり、家庭内機器の移動、増設等を容易に行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
複数の画像から構成される立体画像を伝送する立体画像伝送方法であって、前記立体画像の表示に必要な制御情報を伝送する伝送ステップを備え、前記制御情報は、立体表示時間と共に増加する累積値に関するしきい値を含み、前記しきい値が所定の値の場合は、立体画像を平面画像として表示することを示し、前記しきい値が前記所定の値以外の場合は、立体画像を平面画像あるいは立体画像のいずれかとして表示することを示す立体画像伝送方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
複数の画像から構成される立体画像を伝送する立体画像伝送方法であって、前記立体画像の表示に必要な制御情報を伝送する伝送ステップを備え、前記制御情報は、立体表示の制御に用いるしきい値を含み、前記しきい値が所定の値の場合は、立体画像を平面画像として表示することを示し、前記しきい値が前記所定の値以外の場合は、立体画像を平面画像あるいは立体画像のいずれかとして表示することを示す立体画像伝送方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
観察者の左右眼別に画像を表示する立体画像表示装置において、複数の画像から立体画像を作成する立体画像作成手段と、前記立体画像作成手段に対して前記立体画像の視差を調節する視差調整手段とを備え、立体画像表示時間が第１の所定時間を超えた場合、前記視差調整手段が前記立体画像作成手段に対して作成する立体画像の視差を小さくすることを特徴とする立体画像表示装置。
【請求項２】
観察者の左右眼別に画像を表示する立体画像表示装置において、複数の画像から立体画像を作成する立体画像作成手段と、前記立体画像作成手段に対して警告表示を作成する警告表示制御手段とを備え、立体画像の表示時間が第１の所定時間を超えた場合、前記警告表示制御手段が前記立体画像作成手段に対して前記警告表示を作成することを特徴とする立体画像表示装置。
【請求項３】
観察者の左右眼別に画像を表示する立体画像表示装置において、複数の画像から立体画像を作成する立体画像作成手段と、前記複数の画像から平面画像を作成する平面画像作成手段と、前記立体画像作成手段が作成した立体画像あるいは前記平面画像作成手段が作成した平面画像を表示する表示手段とを備え、立体画像表示時間が第１の所定時間を超えた時、少なくとも前記表示手段の電源を含む電源を自動的に遮断し、前記表示手段の電源自動遮断後、立体画像を表示していない時間が第２の所定時間を超えるまでに前記遮断された電源を復帰させる操作が行われた場合は、前記表示手段に前記平面画像作成手段によって作成した平面画像を表示することを特徴とする立体画像表示装置。
【請求項４】
複数の画像から成る立体画像を符号化する立体画像符号化装置において、立体画像を符号化する符号化手段と、立体画像の表示を制御するための制御情報を生成する生成手段と、前記符号化手段により得られる符号化データと前記生成手段により得られる制御情報を多重化する多重化手段を備え、前記制御情報は、立体画像の立体強度を示す情報と、立体表示時間と共に増加する累積値に関するしきい値の少なくともいずれかを含むことを特徴とする立体画像符号化装置。
【請求項５】
複数の画像から成る立体画像を復号する立体画像復号装置において、入力データから立体画像の符号化データと立体画像の表示を制御するための制御情報を分離する逆多重化手段と、前記符号化データを復号する復号手段と、前記制御情報を解析する解析手段を備え、前記制御情報は、立体画像の立体強度を示す情報と、立体表示時間と共に増加する累積値に関するしきい値の少なくともいずれかを含むことを特徴とする立体画像復号装置。
【請求項６】
複数の画像から成る立体画像を記録する立体画像記録において、立体画像の表示を制御するための制御情報を記録する記録ステップを備え、前記制御情報は、立体画像の立体強度を示す情報と、立体表示時間と共に増加する累積値に関するしきい値の少なくともいずれかを含むことを特徴とする立体画像記録方法。
【請求項７】
複数の画像から成る立体画像を伝送する立体画像伝送方法において、立体画像の表示を制御するための制御情報を伝送する伝送ステップを備え、前記制御情報は、立体画像の立体強度を示す情報と、立体表示時間と共に増加する累積値に関するしきい値の少なくともいずれかを含むことを特徴とする立体画像伝送方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】カメラからの映像信号を間欠的に記録媒体に記録し、該記録媒体に記録された映像信号を再生する記録再生装置において、
時系列再生時に次の映像を更新するまでの時間を変更する更新間隔変更手段と、
を備え、
前記時系列再生手段によって映像信号が再生されている場合に更新間隔を短くする操作がされたとき、再生間隔を短くするとともに次の映像に更新し、
前記時系列再生手段によって映像信号が再生されている場合に更新間隔を長くする操作がされたときには、次の映像に更新しないまま再生間隔のみを長くすることを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】前記更新間隔を変更するときは、前記記録再生装置を操作するためのジョグダイヤルによって行うことを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図１９は、上記実施の形態１〜５の変形例を示す上面図である。上記実施の形態１〜５では、１つの貫通孔２がモールド樹脂筐体１の略中央部に形成されていたが、図１９に示すように、複数（この例では２つ）の貫通孔２ａ，２ｂがモールド樹脂筐体１の非周縁部に形成されていてもよい。図２０は、モールド樹脂筐体１を省略して図１９に示した電力用半導体装置の構造を示す上面図であり、図２１は、図２０に示した電力用半導体装置の回路図である。図２０，２１に示すように、電力用半導体装置は、ＩＧＢＴ７１〜７６、環流ダイオード８１〜８６、及び電極Ｐ，Ｎ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｇ１〜Ｇ６を有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
2004165406.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体の集積回路素子に使用されるエピタキシャルシリコンウェーハの改良に関し、抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍの単結晶育成時に、高温酸化処理を施した場合に結晶内に発生する酸化誘起積層欠陥領域を消滅させる特定の引上げ速度となして単結晶を育成し、得られたウェーハに特定の熱処理後にシリコンエピタキシャル層を成膜することで、酸素析出物密度の面内均一性が良好で、かつｌＧ（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）効果にすぐれたエピタキシャルシリコンウェーハを提供できるエピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法並びに半導体装置に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明は、抵抗率０．０２５〜０．００８  Ωｃｍのシリコン単結晶から作製された、ｐ／ｐ＋エピタキシャルシリコンウェーハにおいてもエピタキシャル欠陥の発生がなく、かつ酸素析出物密度の面内均一性が良好で、ＩＧ効果に優れたエピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法並びにエピタキシャルシリコンウェーハを用いた半導体装置の提供を目的としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この発明において、上述の製造方法にて得られたエピタキシャルシリコンウェーハは、実施例で明らかにするように目的のエピタキシャル欠陥の個数が低減され、酸素析出物密度の面内均一性が良好でかつ高いゲッタリング能力を付与でき、さらに安定的に抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍの性状を有している。従って、このエピタキシャルシリコンウェーハを基板として用い、これに公知のデバイスプロセスを適用して、ＭＯＳ型トランジスタ、ＭＯＳＦＥＴなどＭＯＳ構造を有する公知の種々構成のデバイスを作製し、所要の半導体装置となすことで、デバイスの特性や製造歩留りの向上効果が得られ、すぐれた半導体装置を製造することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
各サンプルウェーハに対して、鏡面研磨処理のみを施したサンプルウェーハと、鏡面研磨処理前に８５０℃で１時間の熱処理を施したサンプルウェーハを用意した。次に、全てのサンプルウェーハに、エピタキシャル成膜装置を用いて１１５０℃で１分間の水素ベークに引き続き、ＳｉＨＣｌ３ガスを供給して堆積温度が１０７５℃の条件で、５μｍ厚のシリコンエピタキシャル層を形成した。得られた各エピタキシャルシリコンウェーハ麦面を表面欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、ＳＰ−１）で検査し、０．０９μｍサイズ以上の表面欠陥（エピタキシャル欠陥）密度をカウントした。その測定結果を表１に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
表１におけるエピタキシャル欠陥の個数は、２５枚のエピタキシャルウェーハを測定した累計の個数を示している。サンプル１とサンプル２の比較からＯＳＦリング部を含むウェーハでは、エピタキシャル欠陥の個数がＯＳＦ部を含まないものと比較して高いことが分かる。エピタキシャル前の熱処理を施した場合、サンプル３のＯＳＦ部を含むウェーハ、またサンプル４の含まないウェーハでは、エピタキシャル前の熱処理を施していないサンプル１、サンプル２と比較して高密度なＢＭＤ密度が得られているが、サンプル３のＯＳＦ部を含むウェーハではエピタキシャル欠陥が多発したことがわかる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】
この発明によると、シリコン単結晶の育成に際して特定の引上げ速度を最適化して、高温酸化処理を施した場合に結晶内に発生する酸化誘起積層欠陥領域を結晶中心部で消滅させてなる結晶領域を有するシリコンウェーハとすることで、目的のエピタキシャル欠陥の個数が低減され、酸素析出物密度の面内均一性が良好でかつ高いゲッタリング能力を付与でき、さらに安定的に抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍのｐ／ｐ＋エピタキシャルシリコンウェーハを提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  記憶データに応じた方向に磁化される磁性体層を各々が有する複数の磁気メモリセルが配置されたメモリセルアレイと、
前記複数の磁気メモリセルの所定区分にそれぞれ対応して設けられた複数のビット線と、
データ書込時に、前記磁性体層を磁化するデータ書込磁界を発生させるデータ書込電流を前記複数のビット線の少なくとも１本へ流すために、前記複数のビット線の両端にそれぞれ対応して設けられる複数の第１および第２のビット線ドライバと、
前記複数のビット線と交差する方向に沿って、前記複数のメモリセルのうちの選択メモリセルからの読出データを伝達するために設けられる読出データ線と、
データ読出時に、前記複数のビット線のうちの、前記選択メモリセルと接続された１本と前記読出データ線とを接続するための読出選択ゲートとを備え、
前記読出選択ゲートは、前記メモリセルアレイに対して、前記複数の第１および第２のビット線ドライバの一方よりも外側に配置される、薄膜磁性体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】  前記データ書込磁界は、前記磁性体層において磁化容易軸に沿った方向に作用し、
前記複数の電流駆動回路の各々は、
前記対応する１本のデータ線の両端にそれぞれ対応して設けられ、前記データ書込時に、前記対応する１本のデータ線に対して書込データに応じた方向の前記データ書込電流を流すための第１および第２のビット線ドライバを含む、請求項１１に記載の薄膜磁性体記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明のさらに他の構成に従う薄膜磁性体記憶装置は、記憶データに応じた方向に磁化される磁性体層を各々が有する複数の磁気メモリセルが配置されたメモリセルアレイと、複数の磁気メモリセルの所定区分にそれぞれ対応して設けられた複数のビット線と、データ書込時に、磁性体層を磁化するデータ書込磁界を発生させるデータ書込電流を複数のビット線の少なくとも１本へ流すために、複数のビット線の両端にそれぞれ対応して設けられる複数の第１および第２のビット線ドライバと、複数のビット線と交差する方向に沿って、複数のメモリセルのうちの選択メモリセルからの読出データを伝達するために設けられる読出データ線と、データ読出時に、複数のビット線のうちの、選択メモリセルと接続された１本と読出データ線とを接続するための読出選択ゲートとを備え、読出選択ゲートは、メモリセルアレイに対して、複数の第１および第２のビット線ドライバの一方よりも外側に配置される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
なお、十分なデータ書込電流を供給するために電源電圧Ｖｃｃ２は、電源電圧Ｖｃｃ１よりも高い電圧に設定される。一方、電源電圧Ｖｃｃ１は、データ読出時におけるトンネル膜ＴＢ（図２）への印加電圧に相当するため、信頼性の観点から高い電圧とすることができない。すなわち、データ読出回路系の電源電圧Ｖｃｃ１とデータ書込回路系の電源電圧Ｖｃｃ２とを独立した電圧とし、かつ、Ｖｃｃ２＞Ｖｃｃ１とすることによって、データ読出およびデータ書込の双方を安定的に実行できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
すなわち奇数行のライトディジット線ＷＤＬ（１），ＷＤＬ（３），…は、電源配線９０と電気的に結合され、偶数行のライトディジット線ＷＤＬ（２），ＷＤＬ（４），…は、電源配線９０♯と電気的に結合されている。ライトディジット線ＷＤＬの各々には、対応する電源配線９０，９０♯と定常部分９３との間に、図４または図５（ｂ），（ｃ）で示したのと同様の強化部分９５が設けられている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
さらに、ビット線ＢＬ（１）のうちのＭＴＪメモリセルの配置領域に対応する定常部分１４３と、コンタクト１３５ｂ，１３５ｃとの間には、配線断面積が定常部分１４３よりも大きく設計された強化部分１４５が設けられる。ビット線ＢＬを流れるデータ書込電流は、書込データのレベルに応じて変化するので、ビット線ＢＬの一端および他端のいずれも電源電圧Ｖｃｃ２と結合される可能性がある。既に説明したように、配線断面積の大きい強化部分１４５は、データ書込電流の供給時に電子が流入する電源電圧Ｖｃｃ２側に設ける必要があるので、ビット線ＢＬに対しては、両端にそれぞれ対応して強化部分１４５を設ける必要がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
なお、図１２および図１３の構成例においては、奇数列および偶数列のビット線が異なる読出データバスＲＤＢ１，ＲＤＢ２と接続される例を示したが、各ビット線ＢＬが共通の読出データバスと接続される構成や、３本以上の読出データバスがビット線ＢＬの一部ずつと接続される構成においても、ビット線ドライバおよび読出選択ゲートを同様に配置することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
また、薄膜磁性体記憶装置において、複数のメモリブロックへ分割されたアレイ構成において、隣接するメモリブロック間に当該メモリブロック間で共有される読出選択ゲートおよびデータ読出回路を配置することにより、回路面積を削減してチップサイズを低減することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月6日(2004.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を被覆用樹脂によって被覆するための樹脂被覆方法において、
貫通穴を有する前記被覆用樹脂をシート状に成形し、
前記半導体素子が前記貫通穴に収納されるように前記被覆用樹脂を置き、
前記被覆用樹脂を加熱して固化し、半導体素子の側面に固着させることを特徴とする半導体素子の樹脂被覆方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体素子の樹脂被覆方法において、
前記被覆用樹脂の前記貫通穴は、前記半導体素子よりわずかに大きいことを特徴とする半導体素子の樹脂被覆方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体素子の樹脂被覆方法において、
前記半導体素子は、液晶表示装置に用いるものであって、
前記液晶表示装置は、液晶を挟んで互いに対向する一対の基板と、少なくとも一方の基板上に直接に接合された前記半導体素子とを有しており、
前記被覆用樹脂は、前記半導体素子が接合されている基板上に置かれることを特徴とする半導体素子の樹脂被覆方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体素子の樹脂被覆方法において、
前記液晶表示装置は、前記半導体素子に接続されてなる配線と、前記配線に接続されてなるＦＰＣと、を有し、
前記被覆用樹脂は、前記配線と前記ＦＰＣとの接続部上に置かれることを特徴とする半導体素子の樹脂被覆方法。
【請求項５】
液晶を挟んで互いに対向する一対の基板と、少なくとも一方の基板上に直接に接合された半導体素子とを有する液晶表示装置において、
前記半導体素子は、シート状に成形され、貫通穴を有する被覆用樹脂を前記半導体素子が前記貫通穴に収納されるように置き、前記被覆用樹脂を加熱して固化することによって、前記半導体素子の側面に前記被服用樹脂が固着してなることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子の樹脂被覆方法及び液晶表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明に係る半導体素子の樹脂被覆方法は、半導体素子を被覆用樹脂によって被覆するための樹脂被覆方法において、貫通穴を有する前記被覆用樹脂をシート状に成形し、前記半導体素子が前記貫通穴に収納されるように前記被覆用樹脂を置き、前記被覆用樹脂を加熱して固化し、半導体素子の側面に固着させることを特徴とする。
本発明に係る半導体素子の樹脂被覆方法は、前記被覆用樹脂の前記貫通穴は、前記半導体素子よりわずかに大きいことを特徴とする。
本発明に係る半導体素子の樹脂被覆方法は、被覆用樹脂をシート状に成形し、その被覆用樹脂を半導体素子のまわりに置き、そして、その被覆用樹脂を硬化して半導体素子を被覆することが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る樹脂被覆方法は、任意の構造の液晶表示装置に適用できる。しかしながら請求項６に記載のように、半導体素子をガラス基板上に直接に固着する形式の、いわゆるＣＯＧ型の液晶表示装置に関しては特に有利である。何故ならば、被覆用樹脂は容易にガラス基板に接着する性質を有するからである。
本発明に係る樹脂被覆方法は、前記液晶表示装置は、前記半導体素子に接続されてなる配線と、前記配線に接続されてなるＦＰＣと、を有し、前記被覆用樹脂は、前記配線と前記ＦＰＣとの接続部上に置かれることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
又、本発明の半導体素子を被覆するための被覆用樹脂はシート状に成形されていることが望ましい。そして被覆用樹脂は上記半導体素子を収納可能な貫通穴又は凹部を有することが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の液晶表示装置は、液晶を挟んで互いに対向する一対の基板と、少なくとも一方の基板上に直接に接合された半導体素子とを有する液晶表示装置において、前記半導体素子は、シート状に成形され、貫通穴を有する被覆用樹脂を前記半導体素子が前記貫通穴に収納されるように置き、前記被覆用樹脂を加熱して固化することによって、前記半導体素子の側面に前記被服用樹脂が固着してなることを特徴とする。
又、本発明の液晶表示装置は、液晶を挟んで互いに対向する一対の基板と、少なくとも一方の基板上に直接に接合された半導体素子とを有する液晶表示装置において、前記半導体素子は、被覆用樹脂をシート状に成形し、その被覆用樹脂を前記半導体素子のまわりに置き、そして、その被覆用樹脂を硬化することによって被覆されていることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
［第３実施形態］
図１７〜図２１は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。第２実施形態では、ＰＭＯＳにおいて、仕事関数調整メタル含有Ａｌ材２８上に置換Ａｌ材２６を積層したままアニールをしてメタル置換を行った。第３実施形態では、ＮＭＯＳ用に形成される置換Ａｌ材２６と、ＰＭＯＳ用に形成される仕事関数調整メタル含有Ａｌ材２８とがオーバーラップしないように配置し、互いに独立して対応するポリシリコンゲート１４とメタル置換させる。これにより、オーバーラップによる置換メタル材の混入を防止しつつ、一度のアニール処理で双方のＭＯＳトランジスタのゲート電極のメタル置換を行う。なお、工程（１）〜（９）については、第１実施形態と同様であり、その説明を省略する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
これらの場合も、メタル置換の原理は同じであり、作成工程に変化はないが、一方のトランジスタにおいて、仕事関数調整メタル含有メタル電極あるいはシリサイド電極に代えて、他方の置換メタル電極と異なる仕事関数の第２置換メタルゲート電極が形成されることになる。結果として、仕事関数が調整された２つのゲート電極を有する動作バランスのとれた低抵抗のデュアルゲート構成が実現される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
上述した実施形態では、現状のＣＭＯＳの設計におけるＰ型トランジスタとＮ型トランジスタの少なくとも一方のポリシリコンゲート電極を、仕事関数調整メタル含有の置換メタル材で置換する例に基づいて説明したので、仕事関数調整メタルは、対応する導電型のポリシリコンの仕事関数とほぼ等しくなるように選択された。しかし本発明はこの例に限定されず、置換後のＮＭＯＳとＰＭＯＳが動作するしきい値電圧Ｖthの対称性を維持できればよいので、設計に応じて、ＰＭＯＳとＮＭＯＳとのしきい値電圧Ｖthのバランスが維持できるような仕事関数を選択することができる。しきい値電圧Ｖthは、仕事関数にも依存するが、半導体表面の不純物濃度や界面の電荷量にも依存するので、これらも考慮して最終的にＰＭＯＳとＮＭＯＳが、符号（プラスまたはマイナス）が反対で絶対値が等しくなるようなしきい値電圧で動作するような仕事関数を選択すればよい。