【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構成要素をベースに埋め込み、前記構成要素との電気的接触を形成する方法であって、
前記ベースとしてベースボードを選択するステップと、
前記ベースボードにおいてホールを形成するステップと、
前記ホール内に構成要素を、前記構成要素がその第１表面において電気的接触を形成する接触領域又は接触突起を有するように配置するステップと、
前記ベースボードにおいて形成された前記ホール内の前記構成要素をその場所に固定するステップと、
前記ベースの少なくとも１つの表面において形成された絶縁層を、前記絶縁層が前記構成要素を覆うように形成するステップと、
前記絶縁層において前記構成要素に関する接触開口を形成するステップと、
導体を、前記接触開口まで、前記絶縁層の上部において、前記構成要素との電気的接触を形成するために形成するステップとを含む方法において、
前記ベースボードにおいて導電パターンを形成するステップと、
前記ベースボードにおいて形成された導電パターンに関連して前記穴の位置を選択し、前記構成要素を整列させるステップと、
テープ又はテープ様フィルムを前記ベースボードの第２の表面上に積層するステップと、
前記構成要素を前記ベースボードに形成されたホール中に前記ベースボードの第１の表面側から配置し、前記構成要素の第１の表面が前記テープ又はテープ様フィルムに向かい合って位置すると共に、前記ベースボードの第２の表面と同じレベルになるようにするステップと、
前記ベースボードにおいて形成されたホール中の前記構成要素を、前記ホールを充填材料で満たすことによって、その場所で固定するステップと、
前記構成要素を固定した後、前記ベースボードの第２の表面上に積層された前記テープ又はテープ様フィルムを除去するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、構成要素に関する回路ボードのベースボードにおいて形成されたホールは、スルーホールであることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、前記構成要素の周囲に干渉保護を形成するために、絶縁材料は、構成要素に関して形成されたホールの側壁において成長されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法において、前記ホール内に配置されるべき構成要素は、マイクロ回路であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、前記マイクロ回路の固定後、
前記ベースボードの第２の表面において積層されたテープ又はテープ様フィルムは、除去され、
ＲＣＣホイルは、前記ベースボードの第２の表面上に積層され、
導電パターン及び前記構成要素用の接触開口は、前記ＲＣＣホイルにおいて形成されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法において、ホールは貫通接続に関して形成され、前記マイクロ回路の固定後、
前記ベースボードの第２の表面において積層されたテープ又はテープ様フィルムは、除去され、
ＲＣＣホイルは、前記ベースボードの第１及び第２の表面上に積層され、
導電パターン及び前記構成要素用の接触開口と、貫通接続とは、前記ベースボードの第２の表面上に積層された前記ＲＣＣホイルにおいて形成され
導電パターン及び前記貫通接続用の接触開口は、前記ベースボードの第２の表面上に積層された前記ＲＣＣホイルにおいて形成されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項４に記載の方法において、前記マイクロ回路の固定後、
前記ベースボードの第２の表面において積層されたテープ又はテープ様フィルムは、除去され、
プリプレグエポキシホイルは、前記ベースボードの第２の表面において形成され、
前記構成要素用の接触開口は、前記エポキシホイルにおいて形成され、
導電パターンは、前記エポキシホイルの上部において形成されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項４に記載の方法において、貫通接続に関するホールは、前記ベースにおいて形成され、前記マイクロ回路の固定後、
前記ベースボードの第２の表面において積層されたテープ又はテープ様フィルムは、除去され、
プリプレグエポキシホイルは、前記ベースボードの第１及び第２の表面において形成され、
前記構成要素用の接触開口と、貫通接続とは、前記ベースボードの第２の表面の前記エポキシホイルにおいて形成され、
前記貫通接続用の接触開口は、前記ベースボードの第１の表面の前記エポキシホイルにおいて形成されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項４ないし８のいずれか１項に記載の方法において、前記マイクロ回路が前記ベースボードにおいて形成されたホール内に配置された後、電気的接触は、前記ベースボードの第２の表面の方向から前記マイクロ回路に対して形成されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項４ないし９のいずれか１項に記載の方法において、電気的接触は、前記マイクロ回路に対して、前記マイクロ回路の接触領域又はその接触突起の上部において導電材料を成長させることによって形成されることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項４ないし１０のいずれか１項に記載の方法において、前記マイクロ回路との電気的接触は、回路ボード製造技術を使用して半田無しに形成されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の方法において、２つ以上の構成要素は、対応する方法において前記ベースに埋め込まれることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、分離ホールは、前記ベースに埋め込まれるべき構成要素ごとに前記ベースボードにおいて形成され、前記ベースに埋め込まれるべき各々の構成要素は、それ自身のホールにおいて配置されることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の方法において、少なくとも２つのマイクロ回路は、前記ベースにおいて埋め込まれ、導電層は成長し、前記導電層は、前記マイクロ回路を互いに電気的に接続して、動作的な全体性を形成するために、前記少なくとも２つのマイクロ回路の接触領域又は接触突起に直接接続されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の方法において、少なくとも４つの導電層が互いの上部において存在する多層構造が製造されることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の方法において、第１ベースと、少なくとも１つの第２ベースとが製造され、これらのベースは、これらのベースが互いに関して整列されるように、互いの上部において組み立てられ、固定されることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の方法において、
第１及び第２ベースと、中間層とが製造され、
前記第２ベースは、前記第１ベースの上に配置され、前記第２ベースは、前記第１ベースに関して整列され、
前記中間層は、前記第１ベースと前記第２ベースとの間に配置され、
前記第１及び第２ベースは、前記中間層の援助によって互いに積層されることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、
少なくとも１つの第３ベースと、各々の第３ベースに関する中間層とが製造され、
各々の第３ベースは、前記第１及び第２ベースの上に配置され、各々の第３ベースは、より下のベースの一方に関して整列され、
中間層は、各々の第３ベースの下に配置され、
前記第１及び第２ベースと各々の第３ベースとは、前記中間層の援助によって互いに積層されることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１６ないし１８のいずれか１項に記載の方法において、貫通接続用のホールは、互いの上部において固定されたベースを通じて穴あけされ、導体は、前記穴あけされたホールにおいて、各々のベースの電子回路を互いに接続し、動作的な全体性を形成するために形成されることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の方法において、前記ベースボードと、構成要素と、前記構成要素に直接接続された導電層との温度は、前記プロセス中、２００℃未満、好適には２０−８５℃の範囲内であることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１ないし２０のいずれか１項に記載の方法を使用して製造された電子モジュール。