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【手続補正書】
【提出日】平成15年5月29日(2003.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発泡ゴムを含む少なくとも第１の層、及びゴムマット構造体に一体化された複数の突起を含むゴムマット構造体を具備し、前記ゴムマット構造体に一体化された突起の少なくとも１つは、円形、長円形、楕円形、八角形、球状、多角形、文字、数、及びその組み合わせからなる群から選ばれた断面形状を有するクッション性フロアマット。
【請求項２】
前記ゴムマット構造体は、中実ゴムを含む少なくとも第２の層を更に含む請求項１に記載のフロアマット。
【請求項３】
前記ゴムマット構造体内に一体化した前記突起のそれぞれは、円形、長円形、楕円形、八角形、球状、及び多角形からなる群から選ばれた断面形状を有する請求項１又は２に記載のフロアマット。
【請求項４】
前記ゴムマット構造体内に一体化した前記突起の少なくとも１つは、前記マットの上面に位置する請求項１又は２に記載のフロアマット。
【請求項５】
前記ゴムマット構造体は、更に中実ゴムを含む第３の層を含む請求項２に記載のフロアマット。
【請求項６】
前記ゴムマット構造体は、その上面又は底面に、少なくとも１つの滑り止め又は模様を含む請求項１、２及び５のいずれかに記載のフロアマット。
【請求項７】
前記突起は、群状、デザイン状、パターン状、ストライプ状、又はその組合せから選ばれた配列にある請求項１、２及び５のいずれかに記載のフロアマット。
【請求項８】
（ａ）更に少なくとも１種の発泡剤を含む、未硬化ゴムの少なくとも１層及び硬化ゴムの少なくとも１層の少なくとも１部の上に、少なくとも第１および第２の側を有する、溶融ゴムの導入を許容するために除かれた部分を有し、硬化温度および圧力に耐え得る材料からなるダイを配置して、硬化により閉鎖気泡構造体を形成する工程、及び
（ｂ）未硬化ゴムの第１および第２の層およびダイを含む複合体を、硬化温度および圧力に供し、少なくとも２層のゴム層を硬化し、前記ダイの除去された部分を通して、複数のゴム突起を形成する工程
を具備し、前記ゴムマット構造体に一体化された突起の少なくとも１つは、円形、長円形、楕円形、八角形、球状、多角形、文字、数、及びその組み合わせからなる群から選ばれた断面形状を有するクッション性フロアマットを形成する方法。
【請求項９】
前記ダイの除去された部分は、実質的に、文字、数、円、長円、楕円、多角形、及びその組み合わせからなる群から選ばれた形状を有する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項８の方法により製造されたクッション性マット。
【請求項１１】
（ｃ）硬化工程の後、前記ゴム層の少なくとも１つの少なくとも一方の面に接着しない材料で被覆されているか又は含む、クッション性定盤ライナーにより前記装置の金属定盤から任意に分離されている多孔質織布製品を提供する工程、
（ｄ）工程（ｃ）の多孔質織布製品の上に少なくとも１つのゴム層を配置し、任意にその上に繊維パイルを配置する工程、
（ｅ）少なくとも１つのゴム多孔質織布製品を硬化室に輸送する工程、及び
（ｆ）それが多孔質織布製品の上に留まる間、  前記少なくとも１つのゴム層を硬化し、前記多孔質織布製品を通して滑り止めを形成する工程
を具備し、前記織布製品及び前記任意の定盤ライナーは、硬化に伴う温度及び圧力に耐え得る材料を含むか又はそれにより被覆されている、マット製造装置により耐クリープ性滑り止め付フロアマットを製造する工程を更に具備する請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１１の方法により製造された耐クリープ性滑り止め付フロアマット
【請求項１３】
前記ゴムは、その表面に一体的に形成された複数の滑り止めを含み、前記ゴムシートの表面の少なくとも１部は、成形されたゴムの織物パターンをも含む、少なくともゴムシート部品を備える請求項１２に記載のフロアマット。
【請求項１４】
前記ゴムシートに取りつけられたパイル織物を更に具備する請求項１３に記載のフロアマット。
【請求項１５】
前記突起のそれぞれは、円形、長円形、楕円形、八角形、球状、多角形、及びその組み合わせからなる群から選ばれた断面形状を有する請求項１に記載のフロアマット。
【請求項１６】
前記突起を囲む隆起した周縁部を更に具備する請求項１、２、５、及び１５のいずれかに記載のフロアマット。
【請求項１７】
前記突起を囲む前記隆起した周縁部は、傾斜した上面を有する請求項１６に記載のフロアマット。
【請求項１８】
その上面は、ノブ及びバンプの少なくとも一方を更に含む請求項２に記載のフロアマット。
【請求項１９】
前記突起のそれぞれは、円筒状上端部及び円錐状下部を有する請求項１、２、及び５のいずれかに記載のフロアマット。
【請求項２０】
前記突起は、群状、デザイン状、パターン状、ストライプ状、又はその組合せから選ばれた配列にある請求項３に記載のフロアマット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイを含む第一の部分と、少なくとも２つの面とこれら少なくとも２つの面の少なくとも一面上にキーボードとを有する第二の部分とを少なくとも有し、該第二の部分は前記第一の部分と接続されている、電子携帯機器であって、
前記第二の部分が前記第一の部分に沿って平行移動できるようにする平行移動手段と、
前記第二の部分が前記第一の部分周りに回転できるようにする回転手段と、を有することを特徴とする電子携帯機器。
【請求項２】
請求項１記載の電子携帯機器であって、
前記平行移動手段は、スライダがそれに沿ってスライド可能な少なくとも１つのスロットを有し、
前記回転手段は、前記スライダがそれ周りに回転可能な少なくとも１つの回転軸を有し、
前記スロット及び前記回転軸は、前記第一の部分又は前記第二の部分のいずれか一方に属し、前記スライダは他方に属する、ことを特徴とする電子携帯機器。
【請求項３】
請求項１記載の電子携帯機器であって、
前記ディスプレイはタッチスクリーンである、ことを特徴とする電子携帯機器。
【請求項４】
請求項１記載の電子携帯機器であって、
前記第一の部分又は前記第二の部分のいずれか一方はブルートゥースタイプのエミッタを有し、他方はブルートゥースタイプのレセプタを有する、ことを特徴とする電子携帯機器。
【請求項５】
請求項１記載の電子携帯機器であって、
前記第二の部分の前記第一の部分に対する位置を検出する手段と、
前記検出された位置に従って本電子携帯機器の機能を使用可能にする手段とを更に有する、ことを特徴とする電子携帯機器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前述のような従来の動圧軸受適用構造のハードディスク用スピンドルモータは、べースと下部軸受、スピンドル軸と上部軸受が相互組み立てられ、動圧軸受と一定のキャップを維持する構造を有しているため、組立生産性が低下するだけでなく、空気層の厚さも一定に維持できないという問題点がある。また、直接接触する手段によらず、空気層（ギャップ）を境界にしてスピンドル軸の上部にハプが支持されるような構造となっているため、初期起動時、摩擦による起動不良、摩擦による動圧軸受及び軸受体の摩耗、騒音及び振動の原因となる。
なお、このような従来の技術は、例えば、下記の特許文献にも示されている。
【特許文献１】特開２０００−３２４７７７号公報
【特許文献２】特開平０８−２１２６８６号公報
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
アスコルビン酸中間体は、グルコン酸、２−ケト−Ｄ−グルコン酸、２，５−ジケト−グルコン酸、２−ケト−Ｌ−グロン酸、Ｌ−イドン酸、エリソルビン酸、及び酒石酸塩よりなる群から選択され得る。特定の実施態様では、当該中間体は、２，５−ジケト−Ｄ−グルコン酸である。改変された細菌の菌株は、ｇｌｋ染色体遺伝子の不活性化により得ることができる。改変された細菌の菌株は、また、ｇｎｔｋ染色体遺伝子の不活性化により得ることができる。改変された細菌の菌株は、また、ｇｌｋ及びｇｎｔｋ染色体遺伝子の不活性化により得ることができる。当該細菌の菌株は、Ｐａｎｔｏｅａ、より詳細にはＰａｎｔｏｅａ  ｃｉｔｒｅａであることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
結果
アスコルビン酸中間体に対する酸化経路を図１０に示す。二酸化炭素の生産量（ＣＥＲ）を測定することにより、異化経路に利用される炭素の量を算出することができ、それゆえ、異化経路と生産（酸化）経路の脱共役（ｕｎｃｏｕｐｌｉｎｇ）を評価できる。これは、ＣＯ２についての唯一の炭素源が炭素基質からのものであり、それ以外のＣＯ２は反応器に供給されないからである。野生型微生物を発酵工程に用いた場合、グルコースの６３％がアスコルビン酸中間体へ転化し、一方、ＣＥＲの測定のよると３７％が異化生成物へ転化した（図１３）。本研究の第２段階では、グルコキナーゼの発現をコード化する核酸を当該野生型と同じ条件下で用いた。図１４に示すように、ＣＥＲの測定によると、ＣＯ２の発生率は約１８％に減少した。従って、グルコースの異化は減少したが、しかし、完全に脱共役しているわけではなかった。この原因、すなわち、炭素基質が異化経路に転用されている経路を解明するために、グルコン酸を唯一の炭素源として用いた。図１４と比較した図１５に示すように、グルコン酸は、グルコースが炭素源の場合とほぼ同じ割合で異化された。すなわち、グルコン酸の８３％がアスコルビン酸中間体に転化したのに対し、（ＣＥＲの測定により）グルコン酸の１７％が異化経路に転化された。表２も参照のこと。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
本研究の最終段階は、グルコキナーゼ及びグルコン酸キナーゼをコード化するゲノムが宿主細胞のゲノムから欠失している宿主細胞について、ＯＵＲ及びＣＥＲを評価することである。図１６は、グルコースの３％がＣＯ２に転化し、一方で、対照例（野生型）ではグルコースの４３％がＣＯ２に転化したことを示している。結果として、野生型は、異化経路によるグルコースの高い異化率を示し、これにより収率の減少及び必要なる酸素量の増加がもたらされることが明らかとなった。しかしながら、グルコキナーゼ及びグルコン酸キナーゼの２重欠失により、原則として、異化が、初期炭素基質の１０パーセント未満、５パーセント未満、及び、特に３％未満までに不活性された。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
従って、グリセロールキナーゼ活性を除去するために、当該酵素の構造遺伝子（遺伝子ｇｌｐＫ）を不活性化した。これは実施例３及び５の記載（グルコキナーゼ及びグルコン酸キナーゼ遺伝子の不活性化）に従って実行した。詳細には、Ｐ．ｃｉｔｒｅａからの染色体ＤＮＡ及び図２３（ｇｌｐＫ１）及び（ｇｌｐＫ２）に記載のプライマーを用いるＰＣＲにより、ｇｌｐＫ遺伝子及びフランキング遺伝子を有する２．９ｋｂのＤＮＡ断片を得た。当該２．９ｋｂのＤＮＡ断片は、実施例３及び５に示すようにＲ６Ｋベクターにおいてクローン化した。ｇｌｐＫ遺伝子のＤＮＡ配列を図２４に、ＧｌｐＫのタンパク質配列を図２５に示す。ｇｌｐＫのＤＮＡ配列の検証により、Ｈｐａ１部位の存在が確認され、これをｌｏｘＰ−Ｃａｔ−ｌｏｘＰカセットの挿入に選んだ。所望のプラスミド構築物を得た後、実施例３及び５に記載のように、ｇｌｐＫ分断を相同組換えによりＰ．ｃｉｔｒｅａ菌株１３９−２ａ  ｐｓ−の染色体に移転した。得られたＰ．ｃｉｔｒｅａｇｌｐＫ：：Ｃｍ菌株をＭＤＧ１と名付けた。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図２は、本発明を利用する一つの好適な実施形態のデジタル放送システム１０におけるデジタル放送方法の情報処理の流れを示すブロック図である。先ず、ステップＳ２０において、前記チャンネル・リモコン１１から発するチャンネル・リクエスト信号１３を受信する。前記チャンネル・リクエスト信号１３は、前記チャンネル・リモコン１１がユーザの操作に応じて発するものである。次に、ステップＳ２２において、受信した前記チャンネル・リクエスト信号を対応するスクリプトの記述テキストに変換する。ここで、前記対応するスクリプトの記述テキストは、対応するＩＳＰに接続するリクエストに当たる。さらに、ステップＳ２４において、受信した前記対応するスクリプトの記述テキストに基づいて前記ＩＳＰへの接続を実施する。最後に、ステップＳ２６において、接続している前記ＩＳＰのページ内容をユーザが鑑賞する端末装置１６に表示させる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
複数のポリシー中の第１のポリシー実行ポイントノード及び／又は複数の第２のポリシー判断ポイントノードにおける複数のポリシー判断を告知する方法であって、前記第１及び第２のノードは共通オープンポリシーサービス（ＣＯＰＳ）プロトコルを用いるＩＰネットワークを介して互いに通信するように配置されており、前記方法は、
前記第１のノードにおいて、第２のノードのそれぞれに対して仮想ポリシー実行ポイントを確立する工程と、
前記仮想ポリシー実行ポイントのそれぞれとそれに対応する第２のノードとの間でＣＯＰＳ接続を確立する工程と、
前記それぞれのＣＯＰＳ接続上において、前記複数の仮想ポリシー実行ポイントと前記それぞれの第２のノードとの間で複数の判断及び複数の判断に対する応答を通信する工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１のポリシー実行ポイントノードは移動体通信ネットワーク内のデータネットワークのＧＧＳＮであり、前記複数の第２のポリシー判断ポイントノードはＩＰマルチメディアコアネットワークサブシステム（ＩＭＳ）の複数のＰ−ＣＳＣＦノードであり、その複数のＰ−ＣＳＣＦノードのそれぞれはＧＧＳＮ用ポリシー制御ファンクションを実行することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ノードがＩＰネットワークを介して複数のポリシー判断ポイントに接続された移動体通信ネットワークにおけるパケットスイッチネットワークのゲートウェイサポートノードを動作させる方法であって、
複数のポリシー判断ポイントに位置付けられる複数の仮想ゲートウェイサポートノード機能を実行する工程と、
前記複数の仮想ゲートウェイサポートノード機能のそれぞれとそれに対応する複数のポリシー判断ポイントとの間でＣＯＰＳ接続を確立する工程と、
前記それぞれのＣＯＰＳ接続上において、前記複数のポリシー判断ポイントと複数の判断及び判断に対する応答を交換する工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項４】
移動体通信ネットワークのパケットスイッチネットワークにおいて使用するためのゲートウェイサポートノードであって、
前記パケットスイッチネットワークに接続する第１の入力／出力手段と、
複数のポリシー判断ポイントが接続されるＩＰネットワークに接続する第２の入力／出力手段と、
複数の仮想ゲートウェイサポートノード機能を実行する前記第１及び第２の入力／出力手段に接続され、前記複数の仮想ゲートウェイサポートノード機能のそれぞれとそれに対応する複数のポリシー判断ポイントとの間でＣＯＰＳ接続を確立し、前記それぞれのＣＯＰＳ接続上において前記複数のポリシー判断ポイントと複数の判断及び判断に対する応答を交換する１以上のプロセッサと、
を備えることを特徴とするゲートウェイサポートノード。
【請求項５】
前記ゲートウェイサポートノードは、ＧＰＲＳパケットスイッチサービスを提供する際に使用するＧＰＲＳゲートウェイサポートノードであることを特徴とする請求項４に記載のゲートウェイサポートノード。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月25日(2004.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極及び陰極からなる一対の電極と、前記一対の電極間に備えられている有機化合物層とから少なくとも構成されている発光素子であって、
前記陰極電極と電気的に実質接している前記有機化合物層が、少なくとも有機化合物と炭酸塩とから構成されており、かつ、前記有機化合物と有機炭酸塩との共蒸着層であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記有機化合物層における前記有機化合物と前記炭酸塩とのモル比が１：０．０１〜１：１００の範囲である請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記モル比は１：０．４〜1：０.６の範囲である請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記炭酸塩とは、陽イオンがアルカリ金属イオンあるいはアルカリ土類金属イオンである請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記炭酸塩は、炭酸セシウムである請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記炭酸塩は、炭酸リチウムである請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記陰極は、可視光に透明である請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記陰極は、ＩＴＯ電極である請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記陰極は、金あるいは銀あるいはアルミニウムの少なくともいずれかの電極である請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記有機化合物層と前記陽極との間に、前記有機化合物層とは別の発光層を有する請求項１に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記有機化合物層と前記発光層の間に別の有機化合物層を有する請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記別の有機化合物層とは、電子輸送層あるいはホールブロッキング層の少なくとも何れか一方である請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記陰極から光を取り出す請求項１に記載の発光素子。
【請求項１４】
請求項１に記載の発光素子を面内に複数有する発光装置。
【請求項１５】
前記発光装置は、ディスプレイの情報表示部である請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１６】
前記発光装置は、電子写真方式の画像形成装置における感光体を露光する露光装置である請求項１４に記載の発光装置。
【請求項１７】
陽極と陰極とからなる一対の電極と、前記一対の電極間に備えられる有機化合物層とを有する発光素子の製造方法であって、陰極側に、前記有機化合物層を構成する少なくとも有機化合物と炭酸塩とを設ける有機化合物層形成工程と、前記有機化合物層に電気的に実質接して陰極を設ける工程とを少なくとも有し、前記有機化合物層形成工程は、前記有機化合物と前記炭酸塩とを共蒸着により前記有機化合物層を形成する工程であることを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記有機化合物層形成工程は、前記有機化合物と炭酸塩とのモル比が１：０．０１〜１：１００の範囲である前記有機化合物層を形成する工程である請求項１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記モル比は１：０．４〜1：０．６の範囲である請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記有機化合物層形成工程は、７００℃以下の温度領域において前記炭酸塩を、前記有機化合物と共蒸着する請求項１７に記載の製造方法。
【請求項２１】
陽極及び陰極からなる一対の電極と、前記一対の電極間に備えられている有機化合物層とから少なくとも構成されている発光素子であって、
前記陰極電極と電気的に実質接している前記有機化合物層が少なくとも有機化合物と炭酸塩とから構成されており、前記陰極が可視光に対して透過であることを特徴とする発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
低抵抗から高抵抗へのこの遷移が生じる温度はスイッチング温度Ｔｓである。ＴｓはＰＴＣ要素の抵抗のｌｏｇを温度関数としたプロットの実質的に直線状の部分の伸長部（これらは傾きが急激に変化する曲線部分の両側にある）の交点における温度として定義される。スイッチング温度はデバイスに使用した導電性ポリマー組成物のタイプに依存する。概してＴｓはポリマー成分の融点Ｔｍよりわずかに低い。ここで、Ｔｍは示差走査熱量計の吸熱ピークとして定義される。１つより多いピークが存在する場合、Ｔｍは最大量、即ち、組成物中の主成分のピーク温度として定義される。従って、用途および想定される温度環境に応じて、特定のＴｓを有する特定の組成をベースとするＰＴＣデバイスが選択される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の回路保護アレンジメントは、互いに電気的に直列であるが、好ましくは互いに熱的に分離（または分断）された第１および第２ＰＴＣデバイスを含む。第１および第２ＰＴＣデバイスは、用途および組込みに利用可能な空間にもよるが、同様の概略形状を有することが好ましく、これらは異なっていてもよい。一般に、第１および第２ＰＴＣデバイスはいずれも、導電性ポリマー組成物から構成されるＰＴＣ抵抗要素（または素子）を含む。このような組成物はポリマー成分およびその内部で分散した粒状導電性フィラー（例えばカーボンブラックまたは金属）を含む。導電性ポリマー組成物は米国特許第４，２３７，４４１号（van Konynenburgら）、同第４，５４５，９２６号（Foutsら）、同第４，７７４，０２４号（Deepら）、同第４，９３５，１５６号（van Konynenburgら）、同第５，０４９，８５０号（Evansら）、同第５，３７８，４０７号（Chandlerら）、同第５，４５１，９１９号（Chuら）、同第５，５８２，７７０号（Chuら）、同第５，７４７，１４７号（Wartenbergら）、同第５，８０１，６１２号（Chandlerら）、同第６，１３０，５９７号（Tothら）、同第６，３５８，４３８号（Isozakiら）および同第６，３６２，７２１号（Chenら）に記載されている。これら特許の各開示内容は参照することにより本明細書に組み込まれる。第１ＰＴＣデバイスは第１導電性ポリマー組成物から構成される第１抵抗要素を含み、他方、第２ＰＴＣデバイスは第２導電性ポリマー組成物から構成される第２抵抗要素を含む。第１ＰＴＣデバイスのスイッチング温度Ｔｓ１は第２ＰＴＣデバイスのスイッチング温度Ｔｓ２より高く、よって、第１導電性ポリマー組成物のポリマー成分は概して、第２ポリマー組成物のポリマー成分の融点よりも高い（例えば少なくとも１０℃高い）融点を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１および第２ＰＴＣデバイスは正の温度係数（positive temperature coefficient：ＰＴＣ）挙動を示し、即ち、これは比較的狭い温度範囲において温度に対し急峻な抵抗増加を示す。用語「ＰＴＣ」は少なくとも２．５のＲ１４値および／または少なくとも１０のＲ１００値を有する組成物またはデバイスを意味するものとして用い、組成物またはデバイスは少なくとも６のＲ３０値を有すべきことが好ましい。ここで、Ｒ１４とは１４℃の範囲の最後と最初における抵抗の比であり、Ｒ１００とは１００℃の範囲の最後と最初における抵抗の比であり、Ｒ３０とは３０℃の範囲の最後と最初における抵抗の比である。本発明のデバイスに用いる組成物は、２０℃から（Ｔｍ＋５℃）までの範囲の少なくとも１つの温度において少なくとも１０３．０、好ましくは少なくとも１０３．５、特に少なくとも１０４．０のＰＴＣ特異性（anomaly：または変則性）を示すこと、即ち、ｌｏｇ［（Ｔｍ＋５℃）における抵抗／２０℃における抵抗］が少なくとも３．０、好ましくは少なくとも３．５、特に少なくとも４．０であることが好ましい。最大抵抗が（Ｔｍ＋５℃）より低い温度Ｔｘにて得られるならば、ＰＴＣ特異性はｌｏｇ［（Ｔｘにおける抵抗）／２０℃における抵抗］によって定義される。第１ＰＴＣデバイスが第２ＰＴＣデバイスよりも大きいＰＴＣ特異性を有することが特に好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図３は図４の概略図に示す回路保護アレンジメント１を組み込んだ回路図である。第１ＰＴＣデバイス３および第２ＰＴＣデバイス５は温度ヒューズ要素７およびバッテリ９と電気的に直列になっている。温度ヒューズ要素７は比較的低い融点を有する導電性金属、例えばハンダであってよい。第１および第２ＰＴＣデバイス３、５は、電気絶縁性であるがデバイス間の電気接続が可能なように表面に適当な導電性トレース（または配線）を有するハウジング１１に配置される。このハウジングは、例えば成型液晶ポリマーまたは他の適切な材料であってよい。第１電気リード１３は第１ＰＴＣデバイス３に電気接続されており、第２電気リード１５は第２ＰＴＣデバイス５に電気接続されており、そしてこれら第１および第２リードはバッテリ９または別の電源に接続するために用いられる。電流は第１リード１３から第１ＰＴＣデバイス３、第２ＰＴＣデバイス５、温度ヒューズ要素７、そして第２リード１５を通って順に流れる。温度ヒューズ要素７は第２ＰＴＣデバイス５と直接に物理的に接触していてよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の化合物（Ｉ）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）の少なくとも１つを含有する発光装置。
【化１】
2005510036.tif 000001
【化２】
2005510036.tif 000002
【化３】
2005510036.tif 000003
ここで、Ｒ1及びＲ2は、同じか異なり、Ｈを含まない有機置換基である。
ここで、Ｒ3及びＲ5は、それぞれ、ハロゲン及びＨを含まない有機置換基から独立して選択される。
ここで、Ｒ4、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ、Ｈ、ハロゲン及び有機置換基から独立して選択される。
ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5，Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10の２又はそれ以上は還系を形成するために選択的に縮合される。ただし、Ｒ3及びＲ5の１つが縮合環の一部ではなく、また、Ｒ1及びＲ2は環を形成するために互いに縮合しない。
ここで、（ａ）Ｒ3及びＲ4、又は（ｂ）Ｒ5及びＲ6の両方ではなくどちらかは、環を形成するために互いに縮合される。
【請求項２】
化合物（１）を有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6が有機置換基である請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10が独立してＨ又は有機置換基である請求項１ないし３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5，Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は、各基が置換され又は置換されないアルキル、アリール、又はヘテロアリール置換基から独立して選択される請求項１ないし４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
アルキル置換基がＣ1-6アルキルである請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
Ｒ1及びＲ2がアリール基を含む請求項５又は６に記載の発光装置。
【請求項８】
縮合環を形成しない（ａ）Ｒ3及びＲ4、又は（ｂ）Ｒ5及びＲ6のどちらかはそれぞれ置換され又は置換されないアリールである請求項１ないし７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
縮合環を形成しない（ａ）Ｒ3及びＲ4、又は（ｂ）Ｒ5及びＲ6のどちらかはそれぞれフェニルである請求項１ないし８のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１０】
縮合環が縮合芳香族環を含む請求項１ないし９のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１１】
縮合芳香族環がベンゼン環である請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
少なくとも１つが次の化合物を含む請求項１ないし１１のいずれかに記載の発光装置。
【化４】
2005510036.tif 000004
【化５】
2005510036.tif 000005
【化６】
2005510036.tif 000006
【請求項１３】
次の化合物（ＩＶ）を含む請求項１ないし１２のいずれかに記載の発光装置。
【化７】
2005510036.tif 000007
【請求項１４】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5及びＲ6は、各基が置換され又は置換されないアリール、ベンジル又はアルキルから独立して選ばれ、これらがアルキルである場合はＣ1-6アルキルである請求項１２又は１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ、置換され又は置換されないアリールである請求項１２ないし１４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１６】
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ、置換され又は置換されないアリールである請求項１２ないし１５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１７】
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ、フェニルである請求項１６に記載の発光装置。
【請求項１８】
化合物が、減圧下２００〜４００℃の範囲で蒸発又は昇華する請求項１ないし１７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１９】
減圧が１０-6ｍｂａｒである請求項１８に記載の発光装置。
【請求項２０】
化合物のガラス転移温度が８０℃以上である請求項１ないし１９のいずれかに記載の発光装置。
【請求項２１】
化合物の融点が１００℃以上である請求項１ないし２０のいずれかに記載の発光装置。
【請求項２２】
化合物の融点が１３０℃以上である請求項１ないし２１のいずれかに記載の発光装置。
【請求項２３】
前記化合物（Ｉ）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）の少なくとも１つがアノードとカソードの間に挟まれているアノード及びカソードを含む請求項１ないし２２のいずれかに記載の発光装置。
【請求項２４】
前記化合物（Ｉ）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）を冷光放射材料として使用した請求項１ないし２３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項２５】
前記化合物（Ｉ）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）を電子輸送材料として使用した請求項１ないし２４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項２６】
前記（Ｉ）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）を正孔輸送材料として使用した請求項１ないし２５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項２７】
次の一般式（Ｖ）の化合物。
【化８】
2005510036.tif 000008
ここで、Ｒ3及びＲ4は置換又は置換されない芳香族環を形成するために互いに縮合し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5及びＲ6は、同じか異なり、アリール又はヘテロアリールから独立して選択され、これらは、アリール、ヘテロアリール、ジアリールアミン、アルキル、シクロアルキル、縮合環、ハロゲン、ハロアルキル、シアノ及びアルキロキシ基であり、ただし、Ｒ1とＲ2は環を形成するために互いに縮合されておらず、Ｒ5とＲ6は環を形成するために互いに縮合しておらず、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5及びＲ6は全てがフェニルではない。
【請求項２８】
アリールがＣ6-15アリールである請求項２７に記載の化合物。
【請求項２９】
ヘテロアリールが、オキサジアゾール、カルバゾール、チアゾール、オキサゾール、チアゾール又はベンゾチアゾールから選択される請求項２７又は２８に記載の化合物。
【請求項３０】
アルキル置換基が、Ｃ1-6直鎖、又は分岐鎖アルキル基である請求項２７ないし２９のいずれかに記載の化合物。
【請求項３１】
縮合環置換基が炭化水素環である請求項２７ないし３０のいずれかに記載の化合物。
【請求項３２】
縮合環置換基の少なくとも１つが芳香族である請求項２７ないし３１のいずれかに記載の化合物。
【請求項３３】
Ｒ3及びＲ4が互いに縮合して６員芳香族環を形成する請求項２７ないし３２のいずれかに記載の化合物。
【請求項３４】
次の化合物。
【化９】
2005510036.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このような本発明の実施例による薄膜トランジスタの製造方法では、まず図６Ａのように、基板１０の上部に非晶質シリコンを低圧化学気相蒸着またはプラズマ化学気相蒸着またはスパッタリング方法で積層して非晶質シリコン薄膜２５を形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に、図６Ｂのように、図３のようなマスクを利用して非晶質シリコン薄膜にレーザビームを照射して液相領域を形成した後、グレーンを成長させる順次的側方凝固結晶工程を進行して多結晶シリコン層を形成しパターニングして半導体層２０を形成する。このようにすれば、多結晶シリコンからなる半導体層のグレーンを所望の大きさに形成することができるので、薄膜トランジスタの電流移動度を極大化することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６Ａ】
2005510063.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な壁体部分（３４）と、複数の開口部（４０）及び前記各開口部の間に延在するリブ（４２）を有し、前記壁体部分（３４）にある、開口された通過プレート（３８）と、を備えている、換気されるべき装置のためのハウジング（３０）部品において、前記開口部（４０）は、平坦な前記壁体部分（３４）の平面に位置しており、前記リブ（４２）は、平坦な前記壁体部分（３４）の平面に対して少なくとも部分的にオフセットされていることを特徴とするコンポーネント。
【請求項２】
前記リブ（４２）は、前記壁体部分（３４）の面から突出するように湾曲していることを特徴とする請求項１に記載の部品。
【請求項３】
前記リブ（４２）は、前記壁体部分の面形状に従うリブ（２２）に比較して長くなっていることを特徴とする請求項２に記載の部品。
【請求項４】
前記リブ（４２）は、前記平坦な壁体部分の平面に対して約５乃至１５％だけ長くなっていることを特徴とする請求項３に記載の部品。
【請求項５】
前記リブ（４２）は、楕円切片又は波形の形態で湾曲していることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の部品。
【請求項６】
前記リブ（４２）は、捩れていることを特徴とする請求項１に記載の部品。
【請求項７】
開口された前記通過プレート（３８）の総面積に対する開口面積の割合が６０％よりも大きく、特に６８％よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の部品。
【請求項８】
前記壁体部分（３４）は、二次元又は三次元の面を形成していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の部品。
【請求項９】
前記壁体部分（３４）は、金属でできていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の部品を備えていることを特徴とする、電気装置又は電子装置のためのハウジング。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の部品を備えていることを特徴とする、送風機により冷却される電源供給部のためのハウジング。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月16日(2004.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導装置であって、
少なくともその一部が透磁性材料を含む少なくとも１つのコアと、
複数の巻数を有し、少なくともその一部が前記少なくとも１つのコアの回りに設けられる第１の導電巻線対と、
複数の巻数を有し、少なくともその一部が前記少なくとも１つのコアの回りに設けられて前記第１の導電巻線対に近接する第２の導電巻線対と、
少なくともその一部が透磁性材料を含み、前記少なくとも１つのコアの少なくとも一部の上に取りつけられるスリーブと、
を備える誘導装置。
【請求項２】
前記第１および第２の巻線の組は個々の導体の２本巻線対を含む、請求項１記載の誘導装置。
【請求項３】
組み立てられたときに前記スリーブと前記少なくとも１つのコアとで端ギャップを形成し、前記端ギャップは前記装置の差動インダクタンスを制御する、請求項１記載の誘導装置。
【請求項４】
組み立てられたときに前記スリーブと前記少なくとも１つのコアとで側面ギャップを更に形成し、前記側面ギャップは前記装置のコモンモード・インダクタンスを制御する、請求項３記載の誘導装置。
【請求項５】
組み立てられたときに前記スリーブと前記少なくとも１つのコアとでＬ型のエア・ギャップを形成し、前記エア・ギャップの寸法を最小にして前記装置と他の構成要素との間の磁気漏話を最小にする、請求項２記載の誘導装置。
【請求項６】
組み立てられたときに前記スリーブと前記少なくとも１つのコアとでＬ型のエア・ギャップを形成し、前記エア・ギャップの寸法を最小にして前記装置と他の構成要素との間の磁気漏話を最小にする、請求項５記載の誘導装置。
【請求項７】
誘導装置であって、
ベースと実質的に円筒形の中心部材とを有する透磁性コア要素と、
複数の導電端子と前記中心部材の少なくとも一部を受ける開口とを有する巻線要素と、
前記巻線要素の回りに実質的に巻かれ、その端は前記各端子と電気的に連絡する少なくとも１つの巻線と、
透磁性カップ要素であって、その中に凹所を形成し、前記凹所は前記コア要素と巻線要素と巻線との少なくとも一部をその中に受け、前記中心部材と前記凹所の内面との間の近接を制御して前記装置内に望ましい性能特性を作る透磁性カップ要素と、
を備える誘導装置。
【請求項８】
前記ベースはその中に形成された複数の凹所を更に備え、前記凹所は前記巻線要素の対応する部分を受け、前記対応する部分は前記各端子の少なくとも一部を保持する、請求項７記載の誘導装置。
【請求項９】
前記巻線要素は主としてポリマ材料から形成されるボビンを備える、請求項７記載の誘導装置。
【請求項１０】
前記ボビンはその中心軸に沿って設けられる前記開口を有するスプール状の構造を備える、請求項９記載の誘導装置。
【請求項１１】
前記装置は親装置に実質的に垂直方向に取りつけられる、請求項７記載の誘導装置。
【請求項１２】
前記端子は親ＰＣＢに貫通穴取りつけされる、請求項１１記載の誘導装置。
【請求項１３】
前記端子は親ＰＣＢに表面取りつけされる、請求項１１記載の誘導装置。
【請求項１４】
前記中心部材と前記内面との間の前記制御された近接はその間に第１のギャップを含む、請求項７記載の誘導装置。
【請求項１５】
前記カップ要素の底部と前記コア要素の前記ベースとの間に形成される第２のギャップを更に備える、請求項１４記載の誘導装置。
【請求項１６】
前記第２のカップは前記コア要素の前記ベースの周辺の回りに形成される実質的に「Ｌ」形のギャップを含む、請求項１５記載の誘導装置。
【請求項１７】
前記第１および第２のギャップは差動インダクタンスと漏れインダクタンスの少なくとも一方を制御する、請求項１４記載の誘導装置。
【請求項１８】
前記コア要素のものとは異なる磁気抵抗を有する材料で前記第１のギャップを充填することを更に含む、請求項１４記載の誘導装置。
【請求項１９】
前記コア要素のものとは異なる磁気抵抗を有する材料で前記第２のギャップを充填することを更に含む、請求項１５記載の誘導装置。
【請求項２０】
誘導装置であって、
実質的に周辺の山と実質的に垂直な中心部材とを持つベースを有する透磁性コア要素と、
前記中心部材の少なくとも一部を受ける開口を有する巻線要素と、
外部装置と電気的に接続する複数の導電端子と、
前記巻線要素の回りに実質的に巻かれ、その端は前記各端子と電気的に連絡する少なくとも１つの巻線と、
透磁性スリーブ要素であって、その中に凹所を形成し、前記凹所は前記ベースの前記実質的に周辺の山と共に第１のギャップを形成し、前記コア要素と巻線要素と巻線との少なくとも一部をその中に受け、前記中心部材と前記凹所の内面とで第２のギャップを形成し、前記第１および第２のギャップは前記装置の電気的特性を制御するスリーブ要素と、
を備える透磁性誘導装置。
【請求項２１】
簡易化された低コストの誘導装置であって、
ベースと実質的に縦の中心部材とを有する透磁性コア要素と、
前記中心部材の回りに実質的に周辺方向に設けられる巻線要素と、
実質的に前記ベースの平面外に設けられて外部装置と電気的に接続する部分をそれぞれ有する複数の導電端子と、
前記巻線要素の回りに実質的に巻かれ、その端は前記各端子と電気的に連絡する少なくとも１つの巻線と、
透磁性スリーブ要素であって、その中に凹所を形成し、前記凹所は前記コア要素と巻線要素と巻線との少なくとも一部をその中に受け、前記中心部材と前記凹所の内面とで第１のギャップを形成し、前記第１のギャップは前記装置の少なくとも１つの電気的特性を制御するスリーブ要素と、
を備える誘導装置。
【請求項２２】
誘導装置を製作する方法であって、
ベースと実質的に縦の中心部材とを有する透磁性コア要素を与え、
巻線要素を与え、前記巻線要素を前記中心部材の回りに実質的に周辺方向に設け、
外部装置と電気的に接続する複数の導電端子を与え、前記各端子は実質的に前記ベースの平面外に設けられる部分を有するように設け、
少なくとも１つの巻線を与え、前記少なくとも１つの巻線を実質的に前記巻線要素の回りに設け、
前記少なくとも１つの巻線の端を前記各端子で電気的に終端し、
その中に凹所を有する透磁性スリーブ要素を与え、前記凹所は前記コア要素と巻線要素と巻線との少なくとも一部をその中に受け、前記中心部材と前記凹所の内面とで第１のギャップを形成し、前記第１のギャップは前記装置の少なくとも１つの電気的特性を制御し、
前記スリーブ要素を前記コア要素と合わせる、
誘導装置を製作する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１ａ】
2005510050.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６ａ−３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６ａ−３】
2005510050.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械的支持の機能を有する基板（11,61）と該基板上に別個の堆積物（13,13',…；63,63'…）の形状で堆積された気体吸収物質を含み、該別個の堆積物は支持体（10,60）の近くに存在する雰囲気に少なくとも部分的に暴露された、マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための支持体（10,60）であって、前記気体吸収物質の別個の堆積物は中空部（65,65'…）に収容され、前記基板（61）は、マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスまたはその部品が形成され得る材料、または前記デバイスの製造用の材料を体積可能な材料、またはマイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスの最終封止のための半田を実施できる材料からなることを特徴とするマイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための支持体（10,60）。
【請求項２】
機械的支持の機能を有する基板（11）と該基板上に別個の堆積物（13,13',…）の形状で堆積された気体吸収物質を含み、該別個の堆積物は支持体（10）の近くに存在する雰囲気に少なくとも部分的に暴露された、マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための支持体（10）であって、前記基板は前記堆積物（13,13',…）を該支持体の近くに存在する雰囲気に連結する通路（15,15'…）を有する層で覆われ、前記層（14）は、マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスまたはその部品が形成され得る材料、または前記デバイスの製造用の材料を体積可能な材料、またはマイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスの最終封止のための半田を実施できる材料からなることを特徴とするマイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための支持体（10）。
【請求項３】
該基板(11;61)が実現される物質が、金属、セラミック、ガラスまたは半導体の中から選択されることを特徴とする請求項１または２記載の支持体。
【請求項４】
該物質がシリコンであることを特徴とする請求項３記載の支持体。
【請求項５】
該気体吸収物質がゲッター物質であることを特徴とする請求項１または２記載の支持体。
【請求項６】
該ゲッター物質が、金属Zr、Ti、Nb、Ta、V、これらの金属間の合金または、これらの金属と、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Al、Y、Laおよび希土類の中から選ばれる１種以上の元素との間の合金から選択される請求項５記載の支持体。
【請求項７】
該ゲッター物質がチタンであることを特徴とする請求項６記載の支持体。
【請求項８】
該ゲッター物質がジルコニウムであることを特徴とする請求項６記載の支持体。
【請求項９】
該ゲッター物質が、Zr84%-Al16%の重量百分率組成を有する合金であることを特徴とする請求項６記載の支持体。
【請求項１０】
該ゲッター物質が、Zr70%-V24.6%-Fe5.4%の重量百分率組成を有する合金であることを特徴とする請求項６記載の支持体。
【請求項１１】
該ゲッター物質が、Zr80.8%-Co14.2%-TR5%の重量百分率組成を有する合金であり、TRは希土類、イットリウム、ランタンまたはこれらの混合物を意味することを特徴とする請求項６記載の支持体。
【請求項１２】
該気体吸収物質が乾燥剤物質であることを特徴とする請求項１または２記載の支持体。
【請求項１３】
該乾燥剤物質が、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の酸化物の中から選択されることを特徴とする請求項12記載の支持体。
【請求項１４】
該乾燥剤物質が酸化カルシウムであることを特徴とする請求項13記載の支持体。
【請求項１５】
気体吸収物質の該別個の堆積物(13、13’、…;63、63’、…)が、0.1〜5μmの範囲内の厚みを有することを特徴とする請求項１または２記載の支持体。
【請求項１６】
該マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスもしくはマイクロメカニクスのデバイスまたはその部品の製造と適合性の物質が半導体物質である請求項２記載の支持体。
【請求項１７】
該物質がシリコンである請求項12記載の支持体。
【請求項１８】
前記層（14）が、１〜20μmの範囲内の厚みを有する請求項２記載の支持体。
【請求項１９】
請求項１又は２記載の支持体を、マイクロメカニクスのデバイスの製造において被覆要素として使用する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図２にまた示されるように、堆積物13、13’、…と対応する層14には、気体吸収物質を支持体10の周りの雰囲気にさらす機能を有する通路15、15’、…が次に実現される。通路15、15’、…は、当技術分野で公知の除去技術による、堆積物13、13’、…の上の層14の選択的除去によって作ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
従来技術及び本発明の一実施態様によるＯＬＥＤのエネルギーバンドダイヤグラムを、それぞれ図３ａ及び３ｂに示す。図３ａ及び３ｂのエネルギーバンドに示した参照番号は、そのエネルギーバンドが、図２において同じ参照番号で示されたエネルギーバンドであることを示す。図３ａに示すように、従来のＯＬＥＤでは、陽極１２、正孔注入層１４、正孔輸送層１６、そして発光層２０のイオン化ポテンシャルが段階的に増加して、正孔を前記発光層２０に自然に誘導し、そして従来のＯＬＥＤでは、陰極２２、電子注入層２４、電子輸送層２６、そして前記発光層２０の電子親和性が段階的に増加して、電子を発光層２０に自然に誘導する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明において、陽極１２は、高い仕事関数を有する材料〔例えば、インジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）、ポリアニリン、及び銀（Ａｇ) 〕から製造することができ、そして陰極２２は、低い仕事関数を有する材料（例えば、Ａｌ、Ｍｇ−Ａｇ、Ｌｉ及びＣａ）から製造することができる。有機発光層２０は、電子阻止層２８及び／又は正孔誘導層１８を製造するための材料との間で前記エネルギー関係を満足する限り、各種従来の有機化合物から製造することができる。前記有機発光層２０を製造するための前記有機化合物は、例えば、トリス(８−キノリノレート)アルミニウム（Ａｌｑ３）、１０−ベンゾ[ｈ]キノリノール−ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ２）、又はトリス(４−メチル−８−キノリノレート)アルミニウム（Ａｌｍｑ）であり、これは緑色光(５５０ｎｍ)を発する。青色（４６０ｎｍ）発光単一化合物は、例えば、金属錯体〔例えば、ビス[２−(２−ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)（ＺｎＰＢＯ）又はビス(２−メチル−８−キノリノラト)(パラ−フェニル−フェノラト)アルミニウム（Ｂａｌｑ）〕又は有機化合物〔例えば、スチリルアリーレン誘導体、４，４’−ビス(２，２’−ビフェニルビニル)−１，１’−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、又はビススチリルアントラセン系の誘導体（例えば、(４，４’−ビス（（２−カルバゾール)ビニレン)ビフェニル）〕である。赤色（５９０ｎｍ）発光有機化合物は、例えば、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−(ｐ−ジメチルアミノスチリル)−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）又はＤＣＭ系の４−ジシアノメチレン−６−ｃｐ−ユロリジノスチリル−２−ｔｅｒｔ−ブチル−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）である。これらの化合物に加えて、各種の他の有機化合物又は共役オリゴマー若しくは共役ポリマーを用いて、前記有機発光層２０を形成することができる。更に、良好な電子／正孔移動性及び良好な発光効率を有するホスト材料と、多様な色彩を有するドーパントとを混合して、前記有機発光層２０を形成することができ、これはゲスト−ホストドーピングシステムと一般に称されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
正孔注入層１４及び正孔輸送層を形成するための材料は、例えば、ポルフィリン化合物〔例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ; 米国特許第４３５６４２９号參照）〕、トリ（フェニルジアミン）誘導体〔例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス(３−メチルフェニル)−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス[３−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス(１−ナフチルフェニル)−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス(ｍ−メチルフェニル)−１，３−ジアミノベンゼン（ＰＤＡ）、１，１−ビス[Ｎ，Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノフェニル]シクロヘキサン（ＴＰＡＣ）〕、スチリルアミン誘導体、及び芳香族縮合環をもつアミン誘導体〔例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス−(1−ナフチル)−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン〕である。電子注入層２４及び電子輸送層２６を形成するための材料は、例えば、ＬｉＦ、１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、キノリン誘導体、及びＡｌｑ３である。正孔誘導層１８又は電子阻止層２８を形成するための材料は、前記正孔誘導層１８及び／又は電子阻止層２８を製造するための材料が発光層２０を製造するための材料との前記エネルギー関係を満たす条件下で、正孔注入層１４、正孔輸送層１６、電子注入層２４、及び電子輸送層２６を形成する材料であることができる。正孔誘導層１８及び／又は電子阻止層２８は、前記エネルギー関係を満足させるために必要に応じて、１つ又はそれ以上の材料で製造することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
《実施例》
インジウムチンオキサイド(ＩＴＯ)をコーティングしたガラス基板を、超音波洗浄し、それから脱イオン水で洗浄した。前記洗浄した基板上の油分を気相トルエンで除去し、そして乾燥した。ＯＬＥＤを製造するために、厚さ４００Åの正孔注入層を、ＩＴＯ層上にｍ−ＭＴＤＡＴＡを真空蒸着することによって形成し、そして厚さ３００Åの正孔輸送層を、正孔注入層上にα−ＮＰＤを真空蒸着することによって形成した。次に、α−ＮＰＤとＴＡＺとの混合物を正孔輸送層上に真空蒸着することにより、厚さ約２００Åの正孔誘導層を形成した。α−ＮＰＤ：ＴＡＺの重量比は、１：０.５〜１：１.５であることができ、そして本実施例では前記比は、１:１であった。有機発光化合物としてのＡｌｑ３を厚さ６００Åで真空蒸着して、有機発光層を形成した。次に、ＴＡＺ〔（３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール〕を厚さ３８０Åで真空蒸着して、有機発光層上に電子輸送層を形成し、そしてその後、電子輸送層上にＬｉＦを厚さ７Åで蒸着し、銀（Ａｇ）を厚さ２０００Åで蒸着して、電子注入層及び陰極を形成した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
比較例及び実施例によるＯＬＥＤの印加電圧対電流密度及び輝度の関係を測定して、それぞれを図４ａ及び４ｂに示した。図４ａ及び４ｂにおいて、記号「□」は輝度を示し、記号「■」は電流密度を示す。図４ａ及び４ｂに示すように、実施例（図４ｂ）のＯＬＥＤの輝度は、比較例(図４ａ)のＯＬＥＤの輝度と比較して非常に高い。比較例及び実施例による前記ＯＬＥＤの印加電圧対発光効率の関係を測定して、それぞれを図５ａ及び５ｂに示した。前記発光効率ηは、式：
η= π×Ｌ／（Ｖ×Ｊ）
（式中、Ｌは輝度であり、Ｖは印加電圧であり、そしてＪは電流密度である）を用いて算出した。図５ａ及び５ｂに示すように、実施例（図５ｂ）のＯＬＥＤの発光効率は、比較例(図５ａ)のＯＬＥＤと比較して非常に高い（特に低い印加電圧において）。