(57)【要約】処理基板のチャージアップに起因した異常放電の発生を抑制して、大面積の処理基板に対して良好に透明電導膜を形成できるスパッタリング方法を提供する。スパッタ室１２内で処理基板Ｓに対向させかつ所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット４１ａ乃至４１ｈのうち、それぞれ対をなすターゲットに所定の周波数で交互に極性をかえて電力投入し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。スパッタリング中、各ターゲットへの電力投入を間欠停止する。
2009025258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタ室内にプロセスガスを導入しつつ、スパッタ室内で処理基板に対向させかつ所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲットのうちそれぞれ対をなすターゲットに所定の周波数で交互に極性をかえて電力投入し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングし、処理基板表面に所定の透明電導膜を形成するスパッタリング方法において、スパッタリング中、各ターゲットへの電力投入を間欠停止することを特徴とするスパッタリング方法。
【請求項２】
前記間欠停止を、並設した全てのターゲットに対して一定の周期で行うことを特徴とする請求項１記載のスパッタリング方法。
【請求項３】
前記間欠停止の時間の総和を、処理基板表面に一定の膜厚で所定の透明電導膜を形成するために必要なスパッタリング時間の１０％以下の範囲で設定することを特徴とする請求項１または請求項２記載のスパッタリング方法。
【請求項４】
前記ターゲットとしてインジウム及び錫の酸化物ターゲットまたはインジウム及び錫の合金ターゲットを用い、処理室内に導入するプロセスガスとしてＨ２Ｏガスを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のスパッタリング方法。
【請求項５】
スパッタ室内で処理基板に対向させかつ所定の間隔を置いて並設された複数枚のインジウム及び錫の酸化物ターゲットまたはインジウム及び錫の合金ターゲットと、それぞれ対をなす前記ターゲットに所定の周波数で交互に極性をかえて電力投入を可能とする交流電源と、スパッタ室内へのプロセスガスの導入を可能とするガス導入手段とを備え、各交流電源は、一対のターゲットへの電力投入または停止を切換えるスイッチング素子を有し、スパッタリング中、ターゲットへの電力投入が間欠停止されるようにスイッチング素子の切換を制御する制御手段を設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理基板表面に所定の透明電導膜を形成するためのスパッタリング方法及びスパッタリング装置に関し、特に、交流電源を用いたものに関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造工程において、ガラス等の処理基板表面にＩＴＯやＩＺＯなどの透明電導膜を形成する方法の一つとしてスパッタリング（以下、「スパッタ」という）法がある。このスパッタ法は、プラズマ雰囲気中のイオンを、処理基板表面に成膜しようする透明電導膜の組成に応じて所定形状に作製したターゲットに向けて加速させて衝撃させ、スパッタ粒子（ターゲット原子）を飛散させ、処理基板表面に付着、堆積させて所定の透明電導膜を形成するものである。
【０００３】
ここで、近年のＦＰＤの大面積化に伴い、スパッタ装置を次のように構成することが特許文献１で知られている。即ち、特許文献１記載のスパッタ装置は、真空チャンバ内で処理基板に対向させて等間隔で並設した複数枚の同形状のターゲットと、並設したターゲットのうち、それぞれ対をなすターゲットに所定の周波数で交互に極性をかえて交流電圧を印加する交流電源とを有する。そして、真空中で所定のスパッタガスを（ターゲット種によっては反応ガスと共に）導入し、交流電源を介して対をなすターゲットに電力投入し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成することで各ターゲットがスパッタリングされる。
【特許文献１】特開２００５−２９０５５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のものでは、スパッタ中、ターゲット表面に滞留したチャージアップ電荷が、反対の位相電圧が印加されたときに打ち消される。このため、ターゲットとしてインジウム及び錫の酸化物ターゲットを用いる場合でも、酸化物ターゲットのチャージアップに起因した異常放電（アーク放電）の発生が抑制でき、良好に透明電導膜を形成できる。他方で、スパッタ室内で電位的に絶縁またはフローティング状態の処理基板もまたチャージアップするが、通常、処理基板表面のチャージアップ電荷は、例えばスパッタ粒子や電離したスパッタガスイオンによって中和されて消失していく。
【０００５】
ところが、スパッタ速度を高めるために、ターゲットへの投入電力を大きくしたり、ターゲット表面の磁場強度を強くしてターゲット表面付近のプラズマ密度を上げたりした場合、単位時間当たりの処理基板表面へのチャージアップ電荷量が増加して、処理基板表面に滞留し易くなる。特に、ＦＰＤ製造工程において電極を構成する金属膜や絶縁膜が形成された処理基板表面に透明導電膜を形成するときに、処理基板表面の絶縁膜にチャージアップ電荷が滞留し易くなる。
【０００６】
処理基板（または処理基板表面に形成した絶縁膜）にチャージアップ電荷が滞留すると、例えば、処理基板とこの処理基板の周辺部に配置されたアース接地のマスクプレートとの隣接部において、電位差によりマスクプレートにチャージアップ電荷が瞬時に飛び移る場合があり、これに起因して異常放電（アーク放電）が発生する場合がある。異常放電が発生すると、処理基板表面の膜がダメージを受けて製品不良を生じたり、パーティクルが発生する等の問題が生じ、良好な透明電導膜の形成が阻害される。
【０００７】
そこで、本発明の第一の目的は、上記点に鑑み、処理基板のチャージアップに起因した異常放電の発生を抑制し、大面積の処理基板への良好な透明電導膜の形成を可能とするスパッタリング方法を提供することにある。また、本発明の第二の目的は、簡単な構成で処理基板のチャージアップに起因した異常放電の発生を抑制でき、特に大面積の処理基板への良好な透明電導膜の形成を可能とするスパッタリング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１記載のスパッタリング方法は、スパッタ室内にプロセスガスを導入しつつ、スパッタ室内で処理基板に対向させかつ所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲットのうちそれぞれ対をなすターゲットに所定の周波数で交互に極性をかえて電力投入し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングし、処理基板表面に所定の透明電導膜を形成するスパッタリング方法において、スパッタリング中、各ターゲットへの電力投入を間欠停止することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、スパッタリング中、ターゲット前方で電離した電子やスパッタにより生じた二次電子が処理基板表面に移動してチャージアップ電荷が滞留しても、各ターゲットへの電力投入をそれぞれ間欠停止するため、各ターゲットへの電力投入の停止状態で、処理基板に向かって移動する電離電子や二次電子の量が減少することと、処理基板（または処理基板表面に形成した絶縁膜）のチャージアップ電荷が、スパッタ粒子や電離したスパッタガスイオンによって中和される等により消失することとが相俟って、処理基板表面へのチャージアップ電荷の滞留が著しく抑制される。その結果、ＦＰＤ製造工程において電極を構成する金属膜や絶縁膜が形成された処理基板表面に透明導電膜を形成する場合でも、異常放電の発生が抑制されて良好に透明電導膜が形成できる。従って、ＦＰＤ製造の際に製品歩留まりを向上できる。
【００１０】
前記間欠停止を、並設した全てのターゲットに対して一定の周期で行えば、スパッタリング中、各ターゲット前方のプラズマを定期的に消失させることで、プラズマの消失状態では、処理基板に向かう電離電子や二次電子がなくなることで、処理基板表面のチャージアップ電荷の滞留をさらに低減でき、異常放電の発生を確実に防止できる。
【００１１】
前記間欠停止の時間の総和を、処理基板表面に一定の膜厚で所定の透明電導膜を形成するために必要なスパッタリング時間の１０％以下の範囲で設定することが好ましい。ターゲットへの電力投入の停止時間を長く設定すれば、それに応じて処理基板表面へのチャージアップ電荷の滞留を抑制できるが、スパッタリング時間の１０％を超えた時間では、透明電導膜形成のためのスパッタ時間が長くなって生産性が悪い。
【００１２】
前記ターゲットとしてインジウム及び錫の酸化物ターゲットまたはインジウム及び錫の合金ターゲットを用い、処理室内に導入するプロセスガスとしてＨ２Ｏガスを含むものであれば、各ターゲットへの電力投入の間欠停止時に、処理室に導入したＨ２Ｏガス（反応性ガス）が、局所的に消費されることなく処理基板表面全体に亘って供給されることで、透明導電膜が局所的に微結晶化することが防止され、より安定して非晶質な透明導電膜が得られる。
【００１３】
また、上記課題を解決するために、請求項５記載のスパッタリング装置は、スパッタ室内で処理基板に対向させかつ所定の間隔を置いて並設された複数枚のインジウム及び錫の酸化物ターゲットまたはインジウム及び錫の合金ターゲットと、それぞれ対をなす前記ターゲットに所定の周波数で交互に極性をかえて電力投入を可能とする交流電源と、スパッタ室内へのプロセスガスの導入を可能とするガス導入手段とを備え、各交流電源は、一対のターゲットへの電力投入または停止を切換えるスイッチング素子を有し、スパッタリング中、ターゲットへの電力投入が間欠停止されるようにスイッチング素子の切換を制御する制御手段を設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明のスパッタリング方法及びスパッタリング装置では、交流電源を用いたスパッタリングにより大面積の処理基板に対して透明電導膜を形成する場合に、処理基板のチャージアップに起因した異常放電の発生が抑制され、良好な透明電導膜の形成が可能になるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１及び図２を参照して、１は、大面積の処理基板表面に透明電導膜を形成するための本実施の形態のマグネトロン方式のスパッタリング（以下、「スパッタ」という）装置である。スパッタ装置１は、インライン式のものであり、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプなどの真空排気手段（図示せず）を介して所定の真空圧（例えば、１０−５Ｐａ）に保持できる真空チャンバ１１を有し、スパッタ室（処理室）１２を構成する。真空チャンバ１１の上部には基板搬送手段２が設けられている。この基板搬送手段２は、公知の構造を有し、電位的にフローティング状態で処理基板Ｓを保持するキャリア２１を有し、図示しない駆動手段を間欠駆動させて後述するターゲットに対向した位置に処理基板Ｓを順次搬送する。
【００１６】
また、スパッタ室１２には、ターゲットに対向した位置に搬送されてきた処理基板Ｓに対し透明電導膜を形成する際に、キャリア２１の表面などにスパッタ粒子が付着することを防止するため、基板搬送手段２とターゲットとの間に、処理基板Ｓが臨む開口１３ａが形成されたアース接地のマスクプレート１３が取付けられている。真空チャンバ１１にはまた、プロセスガスをスパッタ室１２内に導入するガス導入手段３が設けられている。ガス導入手段３は、例えば真空チャンバ１１の側壁に一端が取付けられたガス管３１を有し、ガス管３１の他端は、マスフローコントローラ３２を介してガス源３３に連通している。プロセスガスには、Ａｒ等の希ガスからなるスパッタガスと、反応性スパッタにより透明電導膜を形成する場合に処理基板Ｓ表面に形成しようとする透明電導膜の組成に応じて適宜選択されるＯ２、Ｎ２やＨ２Ｏなどの反応ガスとが含まれる。さらに、真空チャンバ１１の下側にはカソード電極Ｃが配置されている。  
【００１７】
カソード電極Ｃは、大面積の処理基板Ｓに対し効率よく透明電導膜の形成ができるように、処理基板Ｓに対向させて等間隔で配置した複数枚（本実施の形態では８枚）のターゲット４１ａ乃至４１ｈを有する。各ターゲット４１ａ乃至４１ｈは、インジウム及び錫の酸化物ターゲットまたはインジウム及び錫の合金ターゲットなど、処理基板Ｓ表面に形成しようとするＩＴＯやＩＺＯ等の透明電導膜の組成に応じて公知の方法で適宜作製され、例えば略直方体（上面視において長方形）など同形状に形成されている。各ターゲット４１ａ乃至４１ｈは、スパッタ中、ターゲット４１ａ乃至４１ｈを冷却するバッキングプレート４２に、インジウムやスズなどのボンディング材を介して接合されている。各ターゲット４１ａ乃至４１ｈは、未使用時のスパッタ面４１１が処理基板Ｓに平行な同一平面上に位置するように、絶縁部材を介してカソード電極Ｃのフレーム（図示せず）に取付けられ、並設したターゲット４１ａ乃至４１ｈの周囲には、アース接地のシールド４３が設けられている。
【００１８】
また、カソード電極Ｃは、ターゲット４１ａ乃至４１ｈの後方（スパッタ面４１１と背向する側）にそれぞれ位置させて磁石組立体５を有する。同一構造の各磁石組立体５は、各ターゲット４１ａ乃至４１ｈに平行に設けられた支持板（ヨーク）５１を有する。ターゲット４１ａ乃至４１ｈが正面視で長方形であるとき、支持板５１は、各ターゲット４１ａ乃至４１ｈの横幅より小さく、ターゲット４１ａ乃至４１ｈの長手方向両側から延出するように形成された長方形の平板から構成され、磁石の吸着力を増幅する磁性材料製である。支持板５１上には、その中央部で長手方向に沿って線状に配置した中央磁石５２と、中央磁石５２の周囲を囲うように支持板５１の外周に沿って配置した周辺磁石５３とがスパッタ面４１１側の極性を変えて設けられている。
【００１９】
中央磁石５２の同磁化に換算したときの体積は、例えば周辺磁石５３の同磁化に換算したときの体積の和（周辺磁石：中心磁石：周辺磁石＝１：２：１）に等しくなるように設計され、各ターゲット４１ａ乃至４１ｈのスパッタ面４１１の前方に、釣り合った閉ループのトンネル状の磁束がそれぞれ形成される。これにより、各ターゲット４１ａ乃至４１ｈの前方（スパッタ面４１１）側で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉することで、各ターゲット４１ａ乃至４１ｈ前方での電子密度を高くしてプラズマ密度が高まり、スパッタレートを高くできる。各磁石組立体５は、モータやエアーシリンダなどから構成される駆動手段Ｄの駆動軸Ｄ１にそれぞれ連結され、ターゲット４１ａ乃至４１ｈの並設方向に沿った２箇所の位置の間で平行かつ等速で一体に往復動できる。これにより、スパッタレートが高くなる領域をかえて各ターゲット４１ａ乃至４１ｈの全面に亘って均等に侵食領域が得られる。
【００２０】
各ターゲット４１ａ乃至４１ｈは、隣り合う２枚で一対のターゲット（４１ａと４１ｂ、４１ｃと４１ｄ、４１ｅと４１ｆ、４１ｇと４１ｈ）を構成し、一対のターゲット毎に割当てて交流電源Ｅ１乃至Ｅ４が設けられ、交流電源Ｅ１乃至Ｅ４からの出力ケーブル７５ａ、７５ｂが一対のターゲット４１ａ、４１ｂ（４１ｃ及び４１ｄ、４１ｅ及び４１ｆ、４１ｇ及び４１ｈ）に接続されている（図２参照）。これにより、交流電源Ｅ１乃至Ｅ４によって、各一対のターゲット４１ａ乃至４１ｈに対し交互に極性をかえて交流電圧を印加できる。
【００２１】
交流電源Ｅ１乃至Ｅ４は、同一構造であり、電力の供給を可能とする電力供給部６と、所定の周波数で交互に極性をかえて交流電圧を、一対のターゲット４１ａ、４１ｂ（４１ｃ及び４１ｄ、４１ｅ及び４１ｆ、４１ｇ及び４１ｈ）に出力する発振部７とから構成される。各ターゲット４１ａ乃至４１ｈへの出力電圧の波形については、略正弦波であるが、これに限定されるものではなく、例えば略方形波でもよい。電力供給部６は、第１のＣＰＵ回路６１と、商用の交流電圧（３相ＡＣ２００Ｖ又は４００Ｖ）が入力される入力部６２と、入力された交流電圧を整流して直流電圧に一旦変換する６個のダイオード６３とを有し、直流電圧ライン６４ａ、６４ｂを介して直流電圧を発振部７に出力する。直流電圧ライン６４ａ、６４ｂ間には、スイッチングトランジスタ６５が設けられ、第１のＣＰＵ回路６１に通信自在に接続されたドライバー回路６６によって、スイッチングトランジスタ６５のオン、オフの切換えが制御される。
【００２２】
他方、発振部７は、第１のＣＰＵ回路６１に通信自在に接続された第２のＣＰＵ回路７１と、直流電圧ライン６４ａ、６４ｂ間に設けた発振用スイッチ回路７２を構成する４個の第１乃至第４のスイッチングトランジスタ７２ａ乃至７２ｄと、第２のＣＰＵ回路７１に通信自在に接続され、各スイッチングトランジスタ７２ａ乃至７２ｄのオン、オフの切換えを制御する他のドライバー回路７３とから構成されている。そして、第１のＣＰＵ回路６１からの出力信号を受けたドライバー回路６６によって、スイッチングトランジスタ６５をオンにすると、直流電圧ライン６４ａ、６４ｂを介して直流電圧が発振部７に出力され、次いで、第２のＣＰＵ回路７１からの出力信号を受けたドライバー回路７３によって、第１及び第４のスイッチングトランジスタ７２ａ、７２ｄと、第２及び第３のスイッチングトランジスタ７２ｂ、７２ｃとのオン、オフの切換えのタイミングが反転するように各スイッチングトランジスタ７２ａ乃至７２ｄを制御すると、発振用スイッチ回路７２からトランス７４を経た交流電圧ライン７５ａ、７５ｂを介して、一定の電圧で正弦波の交流電圧が一対のターゲット４１ａ、４１ｂに出力される。各交流電源Ｅ１乃至Ｅ４の第１のＣＰ回路６１は、相互に通信自在に接続されており、いずれか１個のＣＰＵ回路６１からの出力信号で、各交流電源Ｅ１乃至Ｅ４が同期して運転できる。
【００２３】
処理基板Ｓ表面に透明電導膜を形成する場合、基板搬送手段２によって処理基板Ｓを各ターゲット４１ａ乃至４１ｈと対向した位置に搬送し、スパッタ室１２が所定の真空圧に到達した後、ガス導入手段３を介して所定のスパッタガス（及び反応ガス）を導入する。次いで、交流電源Ｅ１乃至Ｅ４を作動させて、各一対のターゲット４１ａ乃至４１ｈに交流電圧を印加し、各ターゲット４１ａ乃至４１ｈをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成する。これにより、プラズマ雰囲気中のイオンがカソード電極となった一方のターゲット４１ａ乃至４１ｈに向けて加速されて衝撃し、スパッタ粒子が飛散されることで、処理基板Ｓ表面に透明電導膜が形成される。
【００２４】
ところで、上記のようにスパッタ装置１を構成すると、ターゲット４１ａ乃至４１ｈがインジウム及び錫の酸化物ターゲットである場合でも、ターゲット４１ａ乃至４１ｈ表面に滞留したチャージアップ電荷は、反対の位相電圧が印加されたときに打ち消され、ターゲット４１ａ乃至４１ｈのチャージアップに起因した異常放電の発生は防止できる。他方で、フローティング状態の処理基板Ｓ表面もまたチャージアップし、特に、処理基板ＳとしてＦＥＤ製造工程において電極を構成する金属膜や絶縁膜が形成されたものを用いた場合、この絶縁膜にチャージアップ電荷が滞留し易くなることから、処理基板Ｓのチャージアップに起因して異常放電が発生しないようにする必要がある。
【００２５】
本実施の形態では、図３に示すように、スパッタ中、スパッタ開始から一定の周期で、いずれかの１個のＣＰＵ回路６１からの出力信号によって各交流電源Ｅ１乃至Ｅ４の各スイッチングトランジスタ６５を一定の時間だけオフに切換え、各交流電源Ｅ１乃至Ｅ４から全ターゲット４１ａ乃至４１ｈへの電力投入を同時に間欠停止することとした。ここで、同時の間欠停止とは、全ターゲット４１ａ乃至４１ｈへの電力投入が一定時間停止されている状態があることをいい、各スイッチングトランジスタ６５のオン、オフの切換えによる電力投入停止時期や再度の電力投入開始時期が、互いに一致することが要求されるものではない（つまり、電力投入停止時期や再度の電力投入開始時期が各交流電源Ｅ１乃至Ｅ４で不一致であってもよい）。
【００２６】
これにより、スパッタ中、ターゲット４１ａ乃至４１ｈ前方で電離した電子やスパッタリングによって生じた二次電子が供給されて処理基板Ｓがチャージアップしても、定期的な全ターゲット４１ａ乃至４１ｈへの電力投入の停止状態では、ターゲット４１ａ乃至４１ｈ前方のプラズマが一旦消失して処理基板Ｓに向かう電離電子や二次電子がなくなることと、処理基板Ｓ表面のチャージアップ電荷が、例えばスパッタ粒子や電離したスパッタガスイオンによって中和されて消失することとが相俟って、処理基板Ｓ表面でのチャージアップ電荷の滞留が著しく抑制される。その結果、処理基板Ｓのチャージアップに伴う異常放電の発生が防止され、透明電導膜を良好に形成できる。また、ターゲット４１ａ乃至４１ｈへの電力投入や停止を切換えるスイッチングトランジスタ６５を、ターゲット４１ａ乃至４１ｈへの電力投入を間欠停止するためスイッチング素子として兼用することで、別個の部品を追加することなく、簡単な構成でターゲット４１ａ乃至４１ｈへの電力投入の間欠停止が実現できる。
【００２７】
電力投入の停止時間や周期（スパッタリング中の停止回数）は、ターゲット種や処理基板Ｓの種類に応じて、間欠停止時間の総和がスパッタ時間の１０％以下の範囲で適宜設定される。間欠停止時間の総和がスパッタ時間の１０％を超えると、スパッタ時間が長くなって生産性が悪くなる。例えば、ＦＥＤ製造工程においてターゲット４１ａ乃至４１ｈとしてインジウム及び錫の酸化物を用い、電極を構成する金属膜や絶縁膜が形成された処理基板Ｓ表面に、７２０Åの膜厚でＩＴＯの透明導電膜を形成する場合には、１．０〜５．０ｍｓの範囲で設定すればよい。
【００２８】
ところで、ターゲット４１ａ乃至４１ｈとして、インジウム及び錫の酸化物ターゲットまたはインジウム及び錫の合金ターゲットを用い、反応性ガスとしてＨ２ＯガスまたはＨ２ＯガスとＯ２ガスとの混合ガスを用い、反応性スパッタによりＩＴＯ膜を形成する際、スパッタ室１２に導入したＨ２Ｏガスが、局所的に消費されたのでは、処理基板表面に形成したＩＴＯ膜に微結晶化した箇所が局所的に発生する。ＩＴＯ膜に微結晶化した箇所が局所的に発生すると、導電性が低下するだけでなく、後工程でＩＴＯ膜をエッチングしたときに単位時間当たりのエッチング速度が処理基板面内で不均一になる場合があり、これでは、生産性が悪い。
【００２９】
それに対し、本発明のように各ターゲット４１ａ乃至４１ｈへの電力投入を間欠停止すれば、電源投入の停止時に、スパッタ室１２に導入したＨ２Ｏガスが処理基板Ｓ表面の全体に亘って供給され、その結果、透明導電膜が局所的に微結晶化することが防止され、より安定して非晶質な透明導電膜が得られると共に、後工程でＩＴＯ膜をエッチングする場合でも単位時間当たりのエッチング速度を処理基板面内で略均等にできる。
【００３０】
尚、本実施の形態では、８枚のターゲットを用い、隣り合うターゲット毎に交流電源を割当てて、電力投入するものについて説明したが、これに限定されるものではなく、ターゲットの枚数や対をなすターゲットの組合せは、透明電導膜形成プロセスに応じて適宜設定できる。また、各ターゲット４１ａ乃至４１ｈへの電力投入を同時に間欠停止するものについて説明したが、処理基板Ｓのチャージアップに伴う異常放電の発生が防止されるものであれば、これに限定されるものではない。例えば、図４に示すように、並設した８枚のターゲットのうち隣り合う４枚をターゲット群とし、一方のターゲット群４１ａ乃至４１ｄへの電力投入の停止状態では、他方のターゲット群４１ｅ乃至４１ｈへの電力投入を継続し、一方のターゲット群４１ａ乃至４１ｄへの電力投入が再開された後で、他方のターゲット群４１ｅ乃至４１ｈへの電力投入を停止するように制御してもよい。これにより、処理基板Ｓへのチャージアップ電荷の滞留を制御できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明のスパッタリング装置を模式的に示す図。
【図２】図１に示すスパッタリング装置の交流電源を説明する図。
【図３】交流電源からターゲットへの電力投入の制御を説明する図。
【図４】（ａ）乃至（ｃ）は、交流電源からターゲットへの電力投入の他の制御を説明する図。
【符号の説明】
【００３２】
１  スパッタリング装置
１２  スパッタ室
３  ガス導入手段
４１ａ乃至４１ｈ  ターゲット
Ｅ１乃至Ｅ４  交流電源
６５  スイッチング素子
Ｓ  処理基板
【図１】
2009025258.tif 000003
【図２】
2009025258.tif 000004
【図３】
2009025258.tif 000005
【図４】
2009025258.tif 000006
【国際調査報告】
2009025258.tif 000007
2009025258.tif 000008
2009025258.tif 000009
2009025258.tif 000010