Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＣＤセンサー（５）によって、放射線画像に刺激可能な燐光体板（１）を露光することによって刺激可能な燐光体板（１）に記録された放射線画像の電気的表現を得る方法において、
該燐光体板（１）の面積を少なくとも２つの異なった部分に分割すること、
光源（２，１３）からの案内された光によって該板（１）の該異なった部分を刺激すること、該光が、刺激可能な燐光の刺激波長範囲内の波長を有し、該燐光体板（１）の該部分に刺激された光を発光させることと、
２次元ＣＣＤセンサー（５）によって刺激された光が読み出され、検出する間、該燐光体板部分に対して静止した位置に保持された２次元ＣＣＤセンサー（５）に、該燐光体板の該部分から該刺激された光を案内することと、
該検出された刺激された光を、該板の部分の電気的表示に変換することと
によって、該異なった部分の各々を別個に読み出すこと、及び
該異なった板部分の各々の電気的表示を、放射画像の電気的表示に組み合わせること
を備えていることを特徴とする、刺激可能な燐光体板（１）に記録された放射線画像を電気的表現を得る方法。
【請求項２】
該刺激された光の該案内が、該放射光を該貯蔵燐光体板（１）から該ＣＣＤ（５）に伝送するフアイバー−オプチツク手段（４，１１、１２）によって行われる請求項１の方法。
【請求項３】
該燐光体板（１）から該ＣＣＤ（５）への該光案内が、濾過手段としてのドーピングされたガラス繊維を含むフアイバー−オプチック手段（４，１１）を使用して行われる請求項１または２の方法。
【請求項４】
該燐光体板（１）の該刺激が、パルス状の刺激光源（２，１３）を用いて行われ、刺激された光の方向付けが、該刺激光源（２，１３）からの該刺激光のパルスの間において実行される請求項１〜３のいずれか１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイス・デバッグ・インターフェイス端子を有するターゲット・システム・デバッグ・インターフェイスを有している集積回路を検査する方法であって、
信号の第１のパターンを前記ターゲット・システム・デバッグ・インターフェイスに配置することにより複数の組合せ拡張オペレーティング・モードから第１の拡張オペレーション・モードを選択し；
前記選択した組合せ拡張オペレーティング・モードに従って前記集積回路を動作し；
信号の第２のパターンを前記ターゲット・システム・デバッグ・インターフェイスに配置することにより複数のラッチ拡張オペレーティング・モードから第２の拡張オペレーション・モードを選択し；
前記信号の第２のパターンに応答して前記選択したラッチ拡張オペレーティング・モードに従って前記集積回路を動作する、
段階を具備することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、
前記組合せ拡張オペレーティング・モードの第１のものに従って前記集積回路を動作することは、該集積回路をその通常のオペレーティング・モードで動作することを含み；
前記組合せ拡張オペレーティング・モードの第２のものに従って前記集積回路を動作することは、該集積回路をＣＰＵを不能化して周辺だけの構成で動作することを含み；かつ
前記組合せ拡張オペレーティング・モードの第３のものに従って前記集積回路を動作することは、高インピーダンス・モードで複数の出力端子を有する該集積回路を動作することを含む前記方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、
前記ラッチ拡張オペレーティング・モードの第１のものにより前記集積回路を動作することは、該集積回路に関するパラメトリック・データが前記デバッグ・インターフェイス端子の少なくとも一つで利用可能であるように該集積回路を動作することを含み；
前記ラッチ拡張オペレーティング・モードの第２のものにより前記集積回路を動作することは、該集積回路上で実行されているソフトウェアをデバッグするモードで該集積回路を動作することを含み；かつ
前記ラッチ拡張オペレーティング・モードの第３のものにより前記集積回路を動作することは、該集積回路の正しい動作を検証するモードで該集積回路を動作することを含む前記方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、
前記集積回路は、複数のモジュールを含み、該複数のモジュールのそれぞれは、前記ターゲット・システム・デバッグ・インターフェイスに接続されたデバイス・デバッグ・インターフェイスを有し、かつ前記ラッチ拡張オペレーティング・モードに従って前記集積回路を動作することは、前記モジュールの第１のものを選択することを含み；更に、
前記ターゲット・システム・デバッグ・インターフェイスに適用した標準検査シーケンスで前記選択した第１のモジュールを検査し；
前記複数のラッチ拡張オペレーティング・モードから選択した第３の拡張オペレーション・モードを特定する信号の第３の所定のパターンを前記ターゲット・システム・デバッグ・インターフェイスに配置し；
前記信号の第３のパターンに応答して前記複数のモジュールの第２のものを選択し；
前記ターゲット・システム・デバッグ・インターフェイスに適用したのと同じ前記標準検査シーケンスで前記第２の選択したモジュールを検査する、
段階を具備する前記方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法であって、
前記集積回路に検査データを送るかまたはそれから受取るために前記デバッグ・インターフェイス端子の内の同じ一つを用いそして第１の拡張オペレーション・モードを選択する段階を更に具備する前記方法。
【請求項６】
ターゲット・システム・デバッグ・インターフェイスを有する集積回路を設計する方法であって、
それぞれが共通のデバイス・デバッグ・インターフェイスを有するデバイス・モジュールのライブラリを準備し；
前記集積回路に対する複数の前記デバイス・モジュールを選択しかつ前記ターゲット・システム・デバッグ・インターフェイスに前記選択したデバイス・モジュールのそれぞれの前記デバイス・インターフェイスを並列に接続し；
前記ターゲット・システム・デバッグ・インターフェイスに配置された所定のコードに応答してデバッグ・オペレーションに対して前記集積回路に含まれた前記デバイス・モジュールのそれぞれを選択するためのデコード回路を準備する、
段階を具備する前記方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法であって、
前記デバッグ・オペレーションは、
ターゲット・システム回路ボードへの前記集積回路の設置の前の該集積回路の工場検査と；
前記ターゲット・システム回路ボードへの設置の後の該集積回路の回路内エミュレーションと；及び
前記集積回路内のデバイスのパラメトリック検査と、
を含む前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月3日(2004.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ところで、標尺２の表面には、図２に示すように、縦方向に所定のピッチで等間隔に配置された目盛パターンＭ１・Ｍ２が隣接して表示されている。尚、本実施の形態では目盛パターンＭ１のピッチを目盛パターンＭ２のピッチの半分に設定している。また、両目盛パターンＭ１・Ｍ２の右側には３桁の目盛数値Ｂを表示し、左側には目盛数値Ｂより大きな目盛数値Ａを表示した。尚、目盛数値Ａには１０ｃｍオーダーを示す黒色の目盛数値ＡＦと１ｍオーダーを示す白抜きの目盛数値ＡＲとが表示されている。このような標尺２の画像はデジタル化された画像信号として画像メモリ３２に格納される。ＣＰＵ３０はＲＯＭ３３内の演算処理プログラムに従って画像信号を目盛パターンＭ１・Ｍ２の配列方向である縦方向に沿ってフーリエ変換する。ところで周期関数をフーリエ変換すると高い周波数のスペクトラムが得られ、非周期関数からは低い周波数のスペクトラムしか得られない。従って、図３に示すように周期性の強い目盛パターンＭ１の部分についてフーリエ変換すると高い周波数ｆ１のスペクトラムが得られる。目盛パターンＭ２の部分についてフーリエ変換するとピッチが２倍であるためｆ１の１／２の周波数ｆ２のスペクトラムが得られる。目盛数値Ａ・Ｂの部分は周期性が低いので低い周波数群ｆ０のスペクトラムしか得られない。このフーリエ変換を標尺２の画像信号について左側から順次右方向へと連続して行うと、各フーリエ変換により得られるスペクトラムの周波数の最大値は図４に示すようになる。該図４から明らかなように、標尺２の横方向全幅にわたってフーリエ変換を繰り返すことにより目盛パターンＭ１・Ｍ２の位置を求めることができる。このようにして目盛パターンＭ１・Ｍ２の位置が求められると、その位置を基準に目盛数値Ａ・Ｂの何れかの画像信号とＲＡＭ３４内に格納されている数値パターンデータとを付き合わせ、目盛数値を文字認識する。ところで、標尺２までの距離が長いと目盛パターンＭ１・Ｍ２に対応する画像信号のピッチが細かくなるため上記周波数ｆ１・ｆ２は共に高くなり、逆に標尺２までの距離が短い場合には周波数ｆ１・ｆ２は低くなる。そこで、周波数ｆ１・ｆ２から標尺２までの距離を求める。即ち周波数ｆ１が判れば該ｆ１から目盛パターンＭ１の画像信号におけるピッチが求められ、そのピッチからスタジア方式により標尺２間での距離を求めることができる。また周波数ｆ２についても同様の方法により標尺２間での距離を求めることができ、周波数ｆ１・ｆ２の各々について求めた距離の平均値を最終的に標尺２間での距離とする。そして、その距離が予め設定した所定距離より長い場合には目盛数値Ａを識別し、所定距離より短い場合には目盛数値Ｂを識別することにより文字認識の精度を高くするようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体を水平回転させ鏡筒を垂直回転させてターゲットの位置を検出するための位置検出測量機において、前記鏡筒は、光波距離計と、前記ターゲットに向けて上下方向に扇状光を照射するための発光部と、前記ターゲットからの反射光を検出する受光部とを備え、この受光部が前記ターゲットからの反射光を検出することにより、前記装置本体の水平回転を前記ターゲットに向けて停止させ、前記光波距離計が前記ターゲットからの反射光を検出することにより、前記鏡筒の垂直回転を前記ターゲットに向けて停止させるための演算処理手段とからなる位置検出測量機。
【請求項２】
受光部は、発光部を挟んで水平方向に一対の受光部が配置され、装置本体の水平回転方向と一対の受光部のどちらが先に受光されたかによって、ターゲットであるか、不要反射体であるかを識別する請求項１記載の位置検出測量機。
【請求項３】
発光部の扇状光は、ポインタービームに切り替え可能であって、水平回転と垂直回転を、ターゲットに向けて停止させた後、扇状光からポインタービームに切り替えて、前記ターゲットに向けてポインタービームを投射する請求項１記載の位置検出測量機。
【請求項４】
前記光波距離計に代えて、水平方向に扇状光を照射するための第２の発光部と、該第２の発光部を挟んで垂直方向に一対の受光部を備えており、鏡筒の垂直回転と垂直方向に設けられた一対の受光部のどちらが先に受光されたかにより、ターゲットであるか不要反射体であるかを識別すると共に、前記鏡筒の垂直回転を前記ターゲットに向けて停止させる位置検出測量機。
【請求項５】
水平位置と鉛直位置を角度位置を検出するためのエンコーダを備え、光波距離計の反射光の重心位置と前記エンコーダに基づく角度位置からターゲット位置を検出する位置検出測量機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題に鑑み案出されたもので、装置本体を水平回転させ鏡筒を垂直回転させてターゲットの位置を検出するための位置検出測量機において、前記鏡筒は、光波距離計と、前記ターゲットに向けて上下方向に扇状光を照射するための発光部と、前記ターゲットからの反射光を検出する受光部とを備え、この受光部が前記ターゲットからの反射光を検出することにより、前記装置本体の水平回転を前記ターゲットに向けて停止させ、前記光波距離計が前記ターゲットからの反射光を検出することにより、前記鏡筒の垂直回転を前記ターゲットに向けて停止させるための演算処理手段とからなる位置検出測量機。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明の受光部は、発光部を挟んで水平方向に一対の受光部が配置され、装置本体の水平回転方向と一対の受光部のどちらが先に受光されたかによって、ターゲットであるか、不要反射体であるかを識別する構成にすることもできる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
更に本発明の発光部の扇状光は、ポインタービームに切り替え可能であって、水平回転と垂直回転を、ターゲットに向けて停止させた後、扇状光からポインタービームに切り替えて、前記ターゲットに向けてポインタービームを投射する構成にすることもできる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そして本発明は、前記光波距離計に代えて、水平方向に扇状光を照射するための第２の発光部と、該第２の発光部を挟んで垂直方向に一対の受光部を備えており、鏡筒の垂直回転と垂直方向に設けられた一対の受光部のどちらが先に受光されたかにより、ターゲットであるか不要反射体であるかを識別すると共に、前記鏡筒の垂直回転を前記ターゲットに向けて停止させる構成にすることもできる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更に本発明は、水平位置と鉛直位置を角度位置を検出するためのエンコーダを備え、光波距離計の反射光の重心位置と前記エンコーダに基づく角度位置からターゲット位置を検出する構成にすることもできる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】
以上の様に構成された本発明は、装置本体を水平回転させ鏡筒を垂直回転させてターゲットの位置を検出するための位置検出測量機であって、発光部が、ターゲットに向けて上下方向に扇状光を照射させ、受光部が、ターゲットからの反射光を検出する様になっており、演算処理手段が、受光部がターゲットからの反射光を検出することにより、装置本体の水平回転をターゲットに向けて停止させ、光波距離計がターゲットからの反射光を検出することにより、鏡筒の垂直回転をターゲットに向けて停止させることができる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明の受光部は、発光部を挟んで水平方向に一対の受光部が配置され、装置本体の水平回転方向と一対の受光部のどちらが先に受光されたかによって、ターゲットであるか、不要反射体であるかを識別することもできる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
更に本発明の発光部の扇状光は、ポインタービームに切り替え可能であって、水平回転と垂直回転を、ターゲットに向けて停止させた後、扇状光からポインタービームに切り替えて、ターゲットに向けてポインタービームを投射することもできる。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
そして本発明は、光波距離計に代えて、水平方向に扇状光を照射するための第２の発光部と、第２の発光部を挟んで垂直方向に一対の受光部を備えており、鏡筒の垂直回転と垂直方向に設けられた一対の受光部のどちらが先に受光されたかにより、ターゲットであるか不要反射体であるかを識別すると共に、鏡筒の垂直回転をターゲットに向けて停止させることもできる。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
更に本発明は、水平位置と鉛直位置を角度位置を検出するためのエンコーダを備え、光波距離計の反射光の重心位置とエンコーダに基づく角度位置からターゲット位置を検出することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月10日(2004.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光素子を含む測距用センサを有する測距装置において、
上記複数の受光素子の出力を束ねて、上記センサの受光部を複数のブロックに分割可能なスイッチ手段と、
被写体に対して信号光を投光する投光手段と、
上記スイッチ手段を制御して、上記各受光素子の出力を検出して被写体距離を計測する第１の測距モードと、上記投光手段の投光時の上記複数のブロックからの出力を検出して被写体距離を計測する第２の測距モードとを切り換える制御手段と、
を具備したことを特徴とする測距装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の測距装置は、複数の受光素子を含む測距用センサを有する測距装置において、上記複数の受光素子の出力を束ねて、上記センサの受光部を複数のブロックに分割可能なスイッチ手段と、被写体に対して信号光を投光する投光手段と、上記スイッチ手段を制御して、上記各受光素子の出力を検出して被写体距離を計測する第１の測距モードと、上記投光手段の投光時の上記複数のブロックからの出力を検出して被写体距離を計測する第２の測距モードとを切り換える制御手段と、を具備したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月30日(2004.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)ロック位置にあるとき、スキャナの電源コードコンセントが電源コードを受け入れるのを防止し、ロック解除位置にあるとき、前記スキャナの前記電源コードコンセントが前記電源コードを受け入れる電源コード締め出し部材と、
(b)ラッチ位置にあるとき、前記スキャナの光学キャリッジアセンブリが前記スキャナ内を移動することを防止し、ラッチ解除位置にあるとき、前記スキャナの前記光学キャリッジアセンブリが前記スキャナの動作中に前記スキャナ内を意図した通りに移動できるようにしたキャリッジラッチと、
を設け、前記キャリッジラッチがラッチ位置にあるとき、前記電源コート締め出し部材がロック位置となり、前記キャリッジラッチがラッチ解除位置にあるとき、前記電源コード締め出し部材がロック解除位置となるように、前記電源コード締め出し部材と前記キャリッジラッチが取り付けられていることを特徴とするスキャナの光学キャリッジアセンブリがロック位置にあるときスキャナへの電源投入を防止する光学キャリッジロッキング装置。
【請求項２】
ロック解除されるまでは、前記電源コード締め出し部材をロック位置に維持し、前記キャリッジラッチをラッチ位置に維持するロッキング部材を備えていることを特徴とする請求項１記載の光学キャリッジロッキング装置。
【請求項３】
前記電源コードが前記電源コードコンセントに挿入されていないときには、前記キャリッジラッチがラッチ位置になり、前記光学キャリッジアセンブリの前記スキャナ内での移動が防止されるようにばね荷重されたロッキング部材を備えていることを特徴とする請求項１記載の光学キャリッジロッキング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板のいずれか一方の基板の表示領域の外側に配置されて特定波長の光をカットするバンドパスフィルタと、
前記バンドパスフィルタに隣接して配置されて前記一対の基板を接合するシール材と、
前記一対の基板間に封入された液晶と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
一対の基板のいずれか一方の基板の表示領域の外側に特定波長の光をカットするバンドパスフィルタを形成する工程と、
前記一対の基板を前記バンドパスフィルタの外縁に沿って塗布したシール材により接合する工程と、
前記一方の基板側から光を照射して前記シール材を硬化させる工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
一対の基板のいずれか一方の基板の表示領域の外側に配置されて特定波長の光をカットするバンドパスフィルタと、
他方の基板の表示領域の外側に形成された遮光膜と、
前記バンドパスフィルタに隣接して配置されて前記一対の基板を接合するシール材と、
前記一対の基板間に封入された液晶と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
一対の基板のいずれか一方の基板の表示領域の外側に特定波長の光をカットするバンドパスフィルタを形成する工程と、
他方の基板の表示領域外側に遮光膜を形成する工程と、
前記一対の基板を前記バンドパスフィルタの外縁に沿って塗布したシール材により接合する工程と、
前記一方の基板側から光を照射して前記シール材を硬化させる工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記特定波長が紫外線波長であることを特徴とする請求項１又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記バンドパスフィルタは、青のカラーフィルタであることを特徴とする請求項１又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記バンドパスフィルタを構成する青のカラーフィルタは、表示領域内に形成された青のカラーフィルタよりも膜厚が薄いことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記液晶は、滴下注入法により前記一対の基板間に封入されたものであることを特徴とする請求項１又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記特定波長が紫外線波長であることを特徴とする請求項２又は４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記バンドパスフィルタは、青のカラーフィルタであることを特徴とする請求項２又は４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記バンドパスフィルタを構成する青のカラーフィルタは、表示領域内に形成する青のカラーフィルタよりも膜厚を薄く形成することを特徴とする請求項２又は４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記一対の基板間には、滴下注入法により液晶を封入することを特徴とする請求項２又は４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、一対の基板のいずれか一方の基板の表示領域の外側に配置されて特定波長の光（例えば紫外線）をカットするバンドパスフィルタと、前記バンドパスフィルタに隣接して配置されて前記一対の基板を接合するシール材と、前記一対の基板間に封入された液晶とを有することを特徴とする液晶表示装置、
又は一対の基板のいずれか一方の基板の表示領域の外側に配置されて特定波長の光（例えば紫外線）をカットするバンドパスフィルタと、他方の基板の表示領域の外側に形成された遮光膜と、前記バンドパスフィルタに隣接して配置されて前記一対の基板を接合するシール材と、前記一対の基板間に封入された液晶とを有することを特徴とする液晶表示装置により解決する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記した課題は、一対の基板のいずれか一方の基板の表示領域の外側に特定波長の光（例えば紫外線）をカットするバンドパスフィルタを形成する工程と、前記一対の基板を前記バンドパスフィルタの外縁に沿って塗布したシール材により接合する工程と、前記一方の基板側から光を照射して前記シール材を硬化させる工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法、
又は一対の基板のいずれか一方の基板の表示領域の外側に特定波長の光（例えば紫外線）をカットするバンドパスフィルタを形成する工程と、他方の基板の表示領域外側に遮光膜を形成する工程と、前記一対の基板を前記バンドパスフィルタの外縁に沿って塗布したシール材により接合する工程と、前記一方の基板側から光を照射して前記シール材を硬化させる工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法により解決する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月4日(2004.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本実施形態においては、偏光マスク５に用いられたのと同じ２種類の直線偏光板が用いられており、垂直直線偏光を透過する横長の偏光板（垂直直線偏光板）２−１と、水平直線偏光を透過する横長の偏光板（水平直線偏光板）２−２が交互に垂直方向Ｖに並べられた配置となっている。横長の偏光板２−２の縦方向Ｖの幅ＤＶ２−２は液晶ディスプレイ１の１表示画素の縦方向の幅ＤＶ−１に一致している。一方、検光子３にも図３に示す画像照明光選択手段２と同じ構成のものを使用している。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図９は従来のレンチキュラー方式を用いた立体画像表示装置の一部を上方より拡大観察した概略図である。図中６１はレンチキュラーレンズ（シリンドリカルレンズ）、９は画像表示面、ＢＭはブラックマトリクス、Ｒ，Ｇ，Ｂはそれぞれ赤、緑、青の三原色カラーフィルターである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
従来のレンチキュラー方式の場合、画像表示面９の前面にレンチキュラーレンズ６１があるため、観察者は一般的な２Ｄディスプレイ（２次元画像）を見るかのごとく画像表示面９を見ることは出来ない。特に画素の周辺部に存在する微小なブラックマトリクスＢＭも、ある方向では非常に目立って観察されてしまう。図中の実線はブラックマトリクスＢＭを照明する光線の軌跡である。図中Ａの方向よりこの画像表示面９を観察すると、これらの光線しか観察されないので、画面全体が黒く色づいて見えることがわかる。よって観察者が画像表示面９を見続けたまま位置Ａを横切ると、黒いモアレが画面を横切るように見える。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
1998221644.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像と、該動画像の各フレームの画像内における各物体の領域情報と、各画素の動きを示す動きベクトルとを入力し、
動画像中における特定の物体を指定する制御信号に応じて、入力される各画素の動きを示す動きベクトルから、指定物体によって隠された背景の画素の動きを示す動きベクトルを推定し、
該推定した背景画素の動きベクトルを用いて背景の画素値を推定し、前記指定物体によって隠された背景の画素値を推定により求めた画素に置き替える
ことを特徴とする背景画像復元方法。
【請求項２】
前記動きベクトル推定は、指定物体によって隠された背景画素の動きベクトルを、入力される各画素の動きを示す動きベクトル中における前記指定物体の境界周辺の画素の動きベクトルをもとに推定することを特徴とする請求項１に記載の背景画像復元方法。
【請求項３】
前記動きベクトル推定は、指定物体によって隠された背景画素の動きベクトルを、入力される各画素の動きを示す動きベクトル中における前記背景画素の位置から最も近い指定物体境界の画素の動きベクトルを推定ベクトルとすることを特徴とする請求項１に記載の背景画素復元方法。
【請求項４】
前記動きベクトル推定は、指定物体に隠された背景画素の動きベクトルを、入力される各画素の動きを示す動きベクトル中における、指定物体の境界周辺の画素の動きベクトルのうち、前記背景画素の位置から最も近い境界の画素を含む有限個の画素の動きベクトルに対して、それぞれの前記背景画素からの距離を重みとして加重平均をとって得られた値を推定ベクトルとすることを特徴とする請求項１に記載の背景画像復元方法。
【請求項５】
前記動きベクトル推定は、動画像の各フレームが動きベクトルの情報を利用して有限個の領域に分割されているとき、各指定物体の領域の周囲に存在する隠されていない背景領域の動きベクトルの代表値を、指定物体によって隠されたすべての背景画素の動きベクトルの推定ベクトルとすることを特徴とする請求項１に記載の背景画素復元方法。
【請求項６】
前記動きベクトル推定は、動画像中の各フレームが動きベクトルの情報を用いて有限個の領域に分割されている場合であって、指定物体の領域の周囲に存在する隠されていない背景領域が複数個存在する場合、指定物体に隠された各背景画素に対して、最も距離が近い指定物体境界の画素が属する隠されていない背景領域の動きベクトルの代表値を推定ベクトルとすることを特徴とする請求項１に記載の背景画像復元方法。
【請求項７】
前記画素値推定は、動画像中の時刻ＴのフレームＦ（Ｔ）における指定物体に隠された各背景画素Ｐについて、次の時刻のフレームＦ（Ｔ＋１）における、処理画素位置Ｌ（Ｐ）から前記動きベクトル推定によって得られた動きベクトルΔＬだけ移動した位置（Ｌ（Ｐ）＋ΔＬ）の画素Ｐ’の値を、前記背景画素の推定画素値とする後方画素値推定によることを特徴とする請求項１に記載の背景画像復元方法。
【請求項８】
前記後方画素値推定は、動画像中の時刻ＴのフレームＦ（Ｔ）における指定物体に隠された各背景画素Ｐについて、次の時刻のフレームＦ（Ｔ＋１）の、処理画素位置Ｌ（Ｐ）から前記動きベクトルの推定によって得られた動きベクトルΔＬだけ移動した位置（Ｌ（Ｐ）＋ΔＬ）の画素Ｐ’が、指定物体の領域内である場合には、次の時刻のフレームＦ（Ｔ＋１）の動きベクトルを用いて画素Ｐ’の動きベクトルΔＬ’を推定して、さらに次の時刻のフレームＦ（Ｔ＋２）から画素推定を行なう処理を、推定位置が指定物体の領域外になるまで再帰的に行なうことを特徴とする請求項７に記載の背景画像復元方法。
【請求項９】
前記画素値推定は、動画像中の時刻ＴのフレームＦ（Ｔ）における指定物体に隠された各背景画素Ｐについて、前の時刻のフレームＦ（Ｔ−１）における処理画素位置Ｌ（Ｐ）から前記動きベクトル推定によって得られた動きベクトルΔＬの反転（−ΔＬ）だけ移動した位置（Ｌ（Ｐ）−ΔＬ）の画素Ｐ’の値を、前記背景画素の推定画素値とする前方画素値推定によることを特徴とする請求項１に記載の背景画像復元方法。
【請求項１０】
前記前方画素値推定は、動画像中の時刻ＴのフレームＦ（Ｔ）における指定物体に隠された各背景画素Ｐについて、前の時刻のフレームＦ（Ｔ−１）の処理画素位置Ｌ（Ｐ）から前記動きベクトル推定によって得られた動きベクトルΔＬの反転（−ΔＬ）だけ移動した位置（Ｌ（Ｐ）−ΔＬ）の画素Ｐ’が、指定物体の領域内である場合には、前の時刻のフレームＦ（Ｔ−１）の動きベクトルを用いて画素Ｐ’の動きベクトルΔＬ’を推定して、さらに前の時刻のフレームＦ（Ｔ−２）から画素推定を行なう処理を、推定位置が指定物体の領域外になるまで再帰的に行なうことを特徴とする請求項９に記載の背景画像復元方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の背景画像復元方法において、動画像の各時刻Ｔの処理フレームＦ（Ｔ）の処理結果を保存し、次の時刻のフレームＦ（Ｔ＋１）における前方画素値推定処理において使用する再帰的画素値推定処理を含むことを特徴とする背景画像復元方法。
【請求項１２】
前記画素値推定は、動画像中の時刻ＴのフレームＦ（Ｔ）における指定物体に隠された各背景画素Ｐについて、次の時刻のフレームＦ（Ｔ＋１）の、処理画素位置Ｌ（Ｐ）から前記動きベクトル推定によって得られた動きベクトルΔＬだけ移動した位置（Ｌ（Ｐ）＋ΔＬ）の画素Ｐ’の値を、前記背景画素の推定画素値とする後方画素値推定処理と、動画像中の時刻ＴのフレームＦ（Ｔ）における指定物体に隠された各背景画素Ｐについて、前の時刻のフレームＦ（Ｔ−１）の、処理画素位置Ｌ（Ｐ）から前記動きベクトル推定によって得られた動きベクトルΔＬの反転（−ΔＬ）だけ移動した位置（Ｌ（Ｐ）−ΔＬ）の画素Ｐ’の値を、前記背景画素の推定画素値とする前方画素値推定処理との両方の推定処理を適応的に使用して推定画素値を求める両方向画素値推定処理を含むことを特徴とする請求項１に記載の背景画像復元方法。
【請求項１３】
動画像と、該動画像の各フレームの画像内における各物体の領域情報と各画素の動きを示す動きベクトルとを入力し、各画素の動きを示す動きベクトルを使用して指定物体に隠された背景画素の動きベクトルを推定する動きベクトル推定部と、該動きベクトル推定部からの動きベクトル出力を使用して他のフレームでの対応位置を計算して該位置における画素値から背景画素の値を推定する画素値推定部とを有し、
動画像中における特定の物体を指定する制御信号に応じて、該動画像中の指定物体中の全画素に対して、該指定物体に隠された背景画素の値を推定して該画素値と置き替える構成を備えたことを特徴とする背景画像復元装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月7日(2004.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクを回転させる回転手段と、
光ビームを照射する照射手段と、
前記回転手段により回転される前記光ディスク上の目的半径位置の線速度を検出する線速度検出手段と、
前記線速度検出手段による線速度の検出結果に応じて、前記照射手段から照射される光ビームの強度を制御し、この光ビームを前記光ディスク上の前記目的半径位置に対して照射させる光ビーム制御手段と、
前記光ディスクからの前記光ビームの反射光を検出して、この反射光の検出信号に基づき再生信号を生成し、前記光ディスクに記録されている情報を再生する再生手段と、
を備えたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記光ビーム制御手段は、
所定の線速度より遅い線速度が検出されたときに、前記光ビームの強度を所定レベルより低いレベルに下げる、
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記線速度検出手段は、
前記光ビーム制御手段により前記光ビームの強度を所定レベルに制御したとき、前記再生手段により生成される前記検出信号から線速度を検出する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記線速度検出手段は、
前記光ディスクの回転速度を検出して、この回転速度の検出結果から目的半径位置の線速度を検出する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記反射光の検出信号に基づき、前記光ビームの照射位置を制御する位置制御手段と、
前記光ビーム制御手段により光ビームの強度が所定レベルより低いレベルに制御されたとき、前記反射光の検出信号のレベルを増幅させる増幅部のゲインを所定レベルより高くするゲイン制御手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項６】
光ディスクを回転させる回転手段と、
光ビームを照射する照射手段と、
目的に応じて、前記照射手段から照射される光ビームの強度を制御し、この光ビームを前記光ディスク上の前記目的半径位置に対して照射させる光ビーム制御手段と、
前記光ディスクからの前記光ビームの反射光を検出して、この反射光の検出信号に基づき再生信号を生成し、前記光ディスクに記録されている情報を再生する再生手段と、
を備えたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項７】
光ディスクを回転させる回転手段と、
光ビームを照射する照射手段と、
目的に応じて、前記照射手段から照射される光ビームのフォーカスを制御し、この光ビームを前記光ディスク上の前記目的半径位置に対して所定のビームスポットサイズで照射させる光ビーム制御手段と、
前記光ディスクからの前記光ビームの反射光を検出して、この反射光の検出信号に基づき再生信号を生成し、前記光ディスクに記録されている情報を再生する再生手段と、
を備えたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
回転中の光ディスク上の目的半径位置の線速度を検出する第１のステップと、
前記第１のステップによる線速度の検出結果に応じて、光ビームの強度を制御し、この光ビームを前記光ディスク上の前記目的半径位置に対して照射させる第２のステップと、
を備えたことを特徴とする光ディスク処理方法。
【請求項９】
光ディスクから情報を再生するときには光ビームを第１のレベルの強度に制御し、光ディスクの目的トラックにアクセス制御するときには光ビームを前記第１のレベルの強度より低い第２のレベルの強度に制御して、光ビームを照射させる、
ことを特徴とする光ディスク処理方法。
【請求項１０】
光ディスクから情報を再生するときには光ビームのフォーカスを制御して目的半径位置のビームスポットサイズを第１のサイズに制御し、光ディスクの目的トラックにアクセス制御するときには光ビームのフォーカスを制御して目的半径位置のビームスポットサイズを前記第１のサイズより大きい第２のサイズに制御して、光ビームを照射させる、
ことを特徴とする光ディスク処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であって、
第１の多層反射鏡と、
第２の多層反射鏡と、
前記第１の多層反射鏡と前記第２の多層反射鏡との間に配置されるとともに活性領域を含む共振器領域と、
欠陥源と、及び
前記欠陥源に対して配置され、一つ又は複数のＶＣＳＥＬ領域の、欠陥により誘導された劣化を低減する信頼性強化層とを含む、垂直共振器面発光レーザ。
【請求項２】
前記信頼性強化層が、前記欠陥源と前記共振器領域との間に配置されている、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項３】
前記信頼性強化層が、前記欠陥源内に配置されている、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項４】
前記信頼性強化層が、前記欠陥源に非常に接近して配置されている、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項５】
前記欠陥源が、前記信頼性強化層と前記共振器領域との間に配置されている、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項６】
一つ又は複数の他の層により第１の前記信頼性強化層から分離された第２の信頼性強化層をさらに含む、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項７】
前記信頼性強化層が、インジウム、ホウ素、リン、アンチモン、及び窒素の一つ又は複数の元素を含む、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項８】
前記信頼性強化層が、周囲の層に対して格子整合されている、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項９】
前記信頼性強化層が一つ又は複数のひずみ層を含む、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項１０】
前記信頼性強化層が超格子を含む、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項１１】
前記超格子がひずみを受けている、請求項１０の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項１２】
前記超格子が、周囲の層に対して格子整合されている、請求項１０の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項１３】
前記超格子が、前記周囲の層に対してひずみを補償されている、請求項１０の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項１４】
前記欠陥源がＶＣＳＥＬの酸化部分を含む、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項１５】
前記欠陥源がＶＣＳＥＬの打ち込み領域を含む、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項１６】
前記欠陥源がＶＣＳＥＬの露出された領域を含む、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項１７】
前記欠陥源が一つ又は複数の誘電体層を含む、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項１８】
前記欠陥源がＶＣＳＥＬのドーピングされた領域を含む、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項１９】
前記欠陥源が基板を含む、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項２０】
前記信頼性強化層が、前記欠陥源によって生じた少なくとも部分的なひずみを均衡させるように構成されている、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項２１】
前記欠陥源が、圧縮ひずみの場を誘導する酸化物領域を含み、前記信頼性強化層が、前記圧縮ひずみの場内に配置され、引っ張りひずみによって特性を与えられている、請求項２０の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項２２】
前記欠陥源が、欠陥の移動を含む濃度勾配を生成し、前記信頼性強化層が、誘導された欠陥の移動を低減するように構成されている、請求項１の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項２３】
前記欠陥源が、比較的高いグループＶ空孔濃度によって特徴付けられ、前記信頼性強化層が、低いグループＶ空孔拡散速度によって特徴付けられる、請求項２２の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項２４】
垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を製造する方法であって、
第１の多層反射鏡、第２の多層反射鏡、及びこれらの間に配置される共振器領域を形成するステップであって、前記共振器領域が活性領域を含む、ステップと、
欠陥源を形成するステップと、及び
前記欠陥源に対して配置され、一つ又は複数のＶＣＳＥＬ領域の、欠陥により誘導された劣化を低減する信頼性強化層を形成するステップとを含む、方法。
【請求項２５】
前記信頼性強化層が、前記欠陥源と前記共振器領域との間に配置されている、請求項２４の方法。
【請求項２６】
前記信頼性強化層が、前記欠陥源内に配置されている、請求項２４の方法。
【請求項２７】
前記信頼性強化層が、前記欠陥源に非常に接近して配置されている、請求項２４の方法。
【請求項２８】
前記欠陥源が、前記信頼性強化層と前記共振器領域との間に配置されている、請求項２４の方法。
【請求項２９】
一つ又は複数の他の層により第１の前記信頼性強化層から分離された第２の信頼性強化層を形成するステップをさらに含む、請求項２４の方法。
【請求項３０】
前記信頼性強化層が、インジウム、ホウ素、リン、アンチモン、及び窒素の一つ又は複数の元素を含む、請求項２４の方法。
【請求項３１】
前記信頼性強化層が、周囲の層に対して格子整合されている、請求項２４の方法。
【請求項３２】
前記信頼性強化層が一つ又は複数のひずみ層を含む、請求項２４の方法。
【請求項３３】
前記信頼性強化層が超格子を含む、請求項２４の方法。
【請求項３４】
前記超格子がひずみを受けている、請求項３３の方法。
【請求項３５】
前記超格子が周囲の層に対して格子整合されている、請求項３３の方法。
【請求項３６】
前記超格子が、前記周囲の層に対してひずみを補償されている、請求項３３の方法。
【請求項３７】
前記欠陥源がＶＣＳＥＬの酸化部分を含む、請求項２４の方法。
【請求項３８】
前記欠陥源がＶＣＳＥＬの打ち込み領域を含む、請求項２４の方法。
【請求項３９】
前記欠陥源がＶＣＳＥＬの露出された領域を含む、請求項２４の方法。
【請求項４０】
前記欠陥源が一つ又は複数の誘電体層を含む、請求項２４の方法。
【請求項４１】
前記欠陥源がＶＣＳＥＬのドーピングされた領域を含む、請求項２４の方法。
【請求項４２】
前記欠陥源が基板を含む、請求項２４の方法。
【請求項４３】
前記信頼性強化層が、前記欠陥源によって生じた少なくとも部分的なひずみを均衡させるように構成されている、請求項２４の方法。
【請求項４４】
前記欠陥源が、圧縮ひずみの場を誘導する酸化物領域を含み、前記信頼性強化層が、前記圧縮ひずみの場内に配置され、引っ張りひずみによって特性を与えられている、請求項４３の方法。
【請求項４５】
前記欠陥源が、欠陥の移動を含む濃度勾配を生成し、前記信頼性強化層が、誘導された欠陥の移動を低減するように構成されている、請求項２４の方法。
【請求項４６】
前記欠陥源が、比較的高いグループＶ空孔濃度によって特徴付けられ、前記信頼性強化層が、低いグループＶ空孔拡散速度によって特徴付けられる、請求項４５の方法。
【請求項４７】
添付図面のそれぞれに関連して本明細書で実質的に説明されたような、垂直共振器面発光レーザ。
【請求項４８】
添付図面のそれぞれに関連して本明細書で実質的に説明されたような、垂直共振器面発光レーザを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子電極を有する一方の配線基板と端子電極を有する他方の配線基板とを各々に設けられる左右一対のマーカを基準に、前後左右の位置合わせを行いつつ両端子電極を電気的に接続する配線基板の接続構造において、一方の配線基板に左右一対の正円状の基準マーカを設け、他方の配線基板に上記正円形状の基準マーカに対応するアライメントマーカを一対の平行な長辺部分を有する長穴形状又は楕円形状又は一方の対角線が他方の対角線より長い四角形形状として左右一対設け、この一対の平行な長辺部分を有する長穴形状又は楕円形状又は一方の対角線が他方の対角線より長い四角形形状は、基準マーカを内包できる大きさであり、かつ前後方向は狭く、左右方向は長く形成されていることを特徴とする配線基板の接続構造。
【請求項２】
液晶表示パネルの外周に配され液晶表示パネルを表示するための駆動用半導体素子を設けたプリント配線基板と、液晶表示パネルとプリント配線基板の間に配され表示パネルの駆動用半導体素子とプリント配線基板の駆動用半導体素子とを電気接続するフレキシブル配線板からなり、端子電極を有する液晶表示パネルの一方の配線基板と端子電極を有するフレキシブル配線基板とを各々に設けられる左右一対のマーカを基準に、前後左右の位置合わせを行いつつ両端子電極を電気的に接続する配線基板の接続構造において、フレキシブル配線基板又はプリント配線基板に左右一対の正円状の基準マーカを設け、他方、これらに対応するプリント配線基板又はフレキシブル配線基板に上記正円形状の基準マーカに対応するアライメントマーカを一対の平行な長辺部分を有する長穴形状又は楕円形状又は一方の対角線が他方の対角線より長い四角形形状として左右一対設け、この一対の平行な長辺部分を有する長穴形状又は楕円形状又は一方の対角線が他方の対角線より長い四角形形状は、基準マーカを内包できる大きさであり、かつ前後方向は狭く、左右方向は長く形成されていることを特徴とする液晶表示パネルの接続構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項２記載の液晶表示パネルの接続構造は、液晶表示パネルの外周に配され液晶表示パネルを表示するための駆動用半導体素子を設けたプリント配線基板と、液晶表示パネルとプリント配線基板の間に配され表示パネルの駆動用半導体素子とプリント配線基板の駆動用半導体素子とを電気接続するフレキシブル配線板からなり、端子電極を有する液晶表示パネルの一方の配線基板と端子電極を有するフレキシブル配線基板とを各々に設けられる左右一対のマーカを基準に、前後左右の位置合わせを行いつつ両端子電極を電気的に接続する配線基板の接続構造において、フレキシブル配線基板又はプリント配線基板に左右一対の正円状の基準マーカを設け、他方、これらに対応するプリント配線基板又はフレキシブル配線基板に上記正円形状の基準マーカに対応するアライメントマーカを一対の平行な長辺部分を有する長穴形状又は楕円形状又は一方の対角線が他方の対角線より長い四角形形状として左右一対設け、この一対の平行な長辺部分を有する長穴形状又は楕円形状又は一方の対角線が他方の対角線より長い四角形形状は、基準マーカを内包できる大きさであり、かつ前後方向は狭く、左右方向は長く形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクセスパネル（13）が取り付けられているエンクロージャ（12）用の静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）であって、
掛け金（30）と、
前記掛け金（30）に接続されている掛け金解除部材（31）と、
前記エンクロージャ（12）に取り付けられている導体レセプタクル（24）であって、当該掛け金解除部材（31）がその導体レセプタクル（24）内に突出している、導体レセプタクル（24）と、及び
前記導体レセプタクル（24）に挿入されて、前記掛け金解除部材（31）をずらすことが可能な、接地ストラップ（22）に接続されている導電性端子（23）を含む静電気放電防止装置（20）とからなる、
静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）。
【請求項２】
前記掛け金解除部材（31）が、前記掛け金（30）に接触するボルトをさらに含み、そのボルトの位置に応じて、前記掛け金（30）が操作される請求項１に記載の静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）。
【請求項３】
前記掛け金解除部材（31）が、掛け金操作装置に電気的に接続されている掛け金保持スイッチをさらに含み、その掛け金保持スイッチの位置に応じて、前記掛け金（30）が操作される請求項１に記載の静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）。
【請求項４】
前記静電気放電防止装置（20）が、第１の端部に取り付けられている接地ストラップ（22）と、第２の端部に取り付けられている導電性端子（23）とを有する導体をさらに含む請求項１に記載の静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）。
【請求項５】
前記静電気放電防止装置（20）が、第１の端部に取り付けられている静電気放散マットと、第２の端部に取り付けられている導電性端子（23）とを有する導体をさらに含む請求項１に記載の静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）。
【請求項６】
静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）アセンブリであって、
アクセスパネル（13）が取り付けられているエンクロージャ（12）と、
前記エンクロージャ（12）に接続されている掛け金（30）と、
前記掛け金（30）に接続されている掛け金解除部材（31）と、
前記エンクロージャ（12）に取り付けられている導体レセプタクル（24）であって、当該掛け金解除部材（31）がその導体レセプタクル（24）内に突出している、導体レセプタクル（24）と、及び
前記導体レセプタクル（24）に挿入されて、前記掛け金解除部材（31）をずらすことが可能な、接地ストラップ（22）に接続されている導電性端子（23）を含む静電気放電防止装置（20）とからなる、
静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）アセンブリ。
【請求項７】
前記掛け金解除部材（31）が、前記掛け金（30）に接触するボルトをさらに含み、そのボルトの位置に応じて、前記掛け金（30）が操作される請求項６に記載の静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）。
【請求項８】
前記掛け金解除部材（31）が、掛け金操作装置に電気的に接続されている掛け金保持スイッチをさらに含み、その掛け金保持スイッチの位置に応じて、前記掛け金（30）が操作される請求項６に記載の静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）。
【請求項９】
前記静電気放電防止装置（20）が、第１の端部に取り付けられている接地ストラップ（22）と、第２の端部に取り付けられている導電性端子（23）とを有する導体をさらに含む請求項６に記載の静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）。
【請求項１０】
前記静電気放電防止装置（20）が、第１の端部に取り付けられている静電気放散マットと、第２の端部に取り付けられている導電性端子（23）とを有する導体をさらに含む請求項６に記載の静電気放電防止装置によって使用可能な掛け金（10）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月7日(2004.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Li、PおよびSで実質的に構成されて、Siを含有していないことを特徴とする無機固体電解質。
【請求項２】
Liを20原子％以上60原子％以下含み、残部が実質的にPおよびSで構成されることを特徴とする請求項1に記載の無機固体電解質。
【請求項３】
前記無機固体電解質が硫化リチウム（Li2S）と硫化リン（P2S5）の化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載の無機固体電解質。
【請求項４】
リチウム（Li）の組成比をXとし、リン（P）の組成比をYとしたとき、X/Yが1.0以上で19以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の無機固体電解質。
【請求項５】
前記無機固体電解質が、さらに酸素および窒素の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の無機固体電解質。
【請求項６】
前記無機固体電解質が、Li3PO4、Li2SO4、Li2O、P2O5のうち、1つ以上を含むことを特徴とする請求項5に記載の無機固体電解質。
【請求項７】
前記無機固体電解質の厚さが0.01μm以上10μm以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の無機固体電解質。
【請求項８】
前記無機固体電解質が非晶質であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の無機固体電解質。
【請求項９】
リチウム金属またはリチウム合金の表面に請求項1〜8のいずれかに記載の無機固体電解質が形成されたことを特徴とするリチウム電池部材。
【請求項１０】
分析室を1.33×10-9hPa以下の超高真空に保持できるXPSによる分析で、リチウム金属またはリチウム合金と無機固体電解質との境界で、酸素量が無機固体電解質からリチウム金属またはリチウム合金に向かって漸次的に変化していることを特徴とする請求項9に記載のリチウム電池部材。
【請求項１１】
リチウム金属またはリチウム合金の表面と無機固体電解質との間に窒化物層が介在されていることを特徴とする請求項10に記載のリチウム電池部材。
【請求項１２】
負極が請求項9〜11のいずれかに記載の電池部材であることを特徴とするリチウム２次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
イオンビーム停止後、成膜は継続し、3分以内にアルゴンガス圧力を2.7×10-3hPa（2×10-3Torr）、温度を室温から140℃に上昇させた。この条件で無機固体電解質を厚さ0.5μmに形成した。成膜に使用したレーザはKrFエキシマレーザーであり、レーザ発振周波数は5Hzとした。