Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１において、当該光学素子調整装置は、受光レンズ２、集光レンズ３および６、光量測定装置４、ハーフミラー５、撮像素子７、表示装置８、制御装置９、把持治具１０、および位置調整機構１１を備えている。そして、上記光学素子調整装置は、第１および第２の光学素子１２および１３の間の光軸位置を調整して、互いに光接続させるアクティブアライメントを行い、第１および第２の光学素子１２および１３を接合して固定する。ここで、第１の光学素子１２は、半導体レーザ等の発光素子、あるいは半導体レーザ等に接続され光を発光することができる光導波路、光ファイバ、あるいは光ファイバアレイ等で構成される。第２の光学素子１３は、第１の光学素子１２に対して光軸位置が調整される微小径の光導波路１３ａが形成された光導波路基板等で構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
従来の技術で説明したように、第１の光学素子１２から出射された光Ｌは、第２の光学素子１３に形成された光導波路１３ａを伝搬し出射する出射光Ｌｏｕｔと、光導波路１３ａ以外（例えば、クラッド）を伝搬し出射する出射光Ｌｅｘとして、第２の光学素子１３から出射される。受光レンズ２は、出射光Ｌｅｘの出射領域外で、かつ出射光Ｌｏｕｔの出射領域内に配置される。なお、この受光レンズ２の配置方法についての詳細は、後述する。受光レンズ２は、上記領域に配置されることによって、第２の光学素子１３から出射された出射光Ｌｏｕｔのみを受光し、その出射光を略平行光に変換して出射する。この略平行光は、ハーフミラー５で分岐され、ハーフミラー５を透過することによって集光レンズ３に入射し、ハーフミラー５を反射することによって集光レンズ６に入射する。集光レンズ３は、ハーフミラー５を透過した略平行光を集光して出射する。光量測定装置４は、集光レンズ３から出射された集光された光を受光し、その光の光量（強度）を測定するパワーメータ等で構成される。一方、集光レンズ６は、ハーフミラー５を反射した略平行光を集光して出射する。撮像素子７は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ：電荷結合素子）カメラ等で構成され、集光レンズ６から出射された集光された光を受光し、その光の状態を撮像する。以下、受光レンズ２、集光レンズ３および６、光量測定装置４、ハーフミラー５、および撮像素子７を総称する場合には、検出光学系１と記載する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
表示装置８は、撮像素子７と接続されるモニター等で構成され、撮像素子７が撮像した光の状態を表示する。把持治具１０は、第２の光学素子１３を把持し、位置調整機構１１によって図示Ｘ、Ｙ、およびＺ方向に移動させられることによって、第１の光学素子１２に対して第２の光学素子１３の光軸位置を調整し、互いに光接続させる。制御装置９は、光量測定装置４からの光量データと位置調整機構１１からの第２の光学素子１３の座標データとを用いて、第１および第２の光学素子１２および１３の光軸を調整して位置調整機構１１の動作を制御する。なお、上記Ｘ方向は、図１の紙面に対して垂直方向を示し、上記Ｙ方向は、図１の上下方向を示し、上記Ｚ方向は、図１の左右方向（第１および第２の光学素子１２および１３における接合端面を近づける方向）を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、第１の実施形態の説明では、第２の光学素子１３を移動させることにより第１の光学素子１２に対する光軸位置調整を行ったが、第１の光学素子１２を移動させて光軸位置調整を行ってもかまわない。また、第１の実施形態の説明では、第２の光学素子１３の移動を制御するために制御装置９を使用したが、光量測定装置４に表示される光量の値に基づいて手動の移動機構を使用して第２の光学素子１３を移動させても良いことは言うまでもない。さらに、集光レンズ３と光量測定装置４との間にピンホール１４（図９参照）を設置し、光量測定装置４が当該ピンホールを通過した出射光Ｌｏｕｔのみを用いて光量を測定することによって、第２の光学素子１３から出射される不要な出射光（例えば、迷光や広角な出射光）を削除することができ、検出光学系１の精度を向上することによって、さらに、第１の実施形態の効果を向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
なお、第２の実施形態の説明では、第２の光学素子１３を移動させることにより第１の光学素子１２に対する光軸位置調整を行ったが、第１の光学素子１２を移動させて光軸位置調整を行ってもかまわない。また、第２の実施形態の説明では、第２の光学素子１３の移動を制御するために制御装置９を使用したが、光量測定装置４に表示される光量の値に基づいて手動の移動機構を使用して第２の光学素子１３を移動させても良いことは言うまでもない。さらに、集光レンズ３と光量測定装置４との間にピンホール１４（図９参照）を設置し、光量測定装置４が当該ピンホールを通過した出射光Ｌｏｕｔのみを用いて光量を測定することによって、第２の光学素子１３から出射される不要な出射光（例えば、迷光や広角な出射光）を削除することができ、検出光学系１の精度を向上することによって、さらに、第２の実施形態の効果を向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
なお、第３の実施形態の説明では、第２の光学素子１３を移動させることにより第１の光学素子１２に対する光軸位置調整を行ったが、第１の光学素子１２を移動させて光軸位置調整を行ってもかまわない。また、第３の実施形態の説明では、第２の光学素子１３の移動を制御するために制御装置９を使用したが、光量測定装置４に表示される光量の値に基づいて手動の移動機構を使用して第２の光学素子１３を移動させても良いことは言うまでもない。さらに、集光レンズ３と光量測定装置４との間にピンホール１４（図９参照）を設置し、光量測定装置４が当該ピンホールを通過した出射光Ｌｏｕｔのみを用いて光量を測定することによって、第２の光学素子１３から出射される不要な出射光（例えば、迷光や広角な出射光）を削除することができ、検出光学系１の精度を向上することによって、さらに、第３の実施形態の効果を向上させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
図１の集光レンズ３と光量測定装置４との間に設置されるピンホール１４の構成を示す機能ブロック図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
指標線形成面のカーブを接眼光学系のサジタル像面の像面湾曲に略一致させ、視野枠形成面のカーブを接眼光学系のメリディオナル像面の像面湾曲に略一致させることにより、放射状に延びる指標線と周方向に沿って形成される視野枠の双方が明瞭に視認される。また、上述の密封部材を設けることにより、第１および第２の透明板の間隙からの埃等の浸入が防止され、指標線形成面及び視野枠形成面がクリーンに保たれる。したがって、接眼光学系から覗いたときの視野が常時クリアとなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図６は、第２実施形態における指標板３０のガラス板３１の面３１ａ上での接眼光学系２０の非点収差を図４と同様に示すグラフである。図６に示されるように、指標線形成面の面３１ａ（縦軸）は、サジタル像面に略一致している。したがって、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
第６面はガラス板４１の面４１ｂ、第７面はガラス板４１の面４１ａ、第８面はガラス板４２の面４２ａ、第９面はガラス板４２の面４２ｂである。第６面および第７面は同一の曲率半径（−１６．８４０）を有する。この曲率半径の値は第１実施形態の面１１ａと同一である（図１、表１参照）。すなわち、ガラス板４１の面４１ｂを通過した接眼光学系２０のサジタル光線が面４２aに結像するよう定められている。また、第８面および第９面は同一の曲率半径（−７５．０００）を有する。この曲率半径の値は、接眼光学系２０およびガラス板４１を通過した接眼光学系２０の視野周辺部のメリディオナル光線が面４２ａに結像するよう定められている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
従来例の指標板は、２つのガラス板を有し、一方のガラス板の面に指標線が形成され、その指標線形成面が他方のガラス板と接合され、第７面を構成している点で、第４および第５実施形態と同様である。しかし、表８の第６〜第８面のＲが示すように、２つのガラス板は平面であり、図１８に示すように、指標線形成面は、接眼光学系６０のサジタル像面の像面湾曲およびメリディオナル像面の像面湾曲のいずれにも一致しない。したがって、指標線を全体にわたって明瞭に視認することはできない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
球面又は非球面を有するレンズを成形する成形型の製造方法において、
所望のレンズ光学性能に基づいてレンズ形状設計値を決定し、
決定したレンズ形状設計値に基づいて型形状設計値を決定し、
決定した型形状設計値に基づいた加工入力値を加工機に入力することにより暫定型を作製し、
作製した暫定型の成形面の型中心から有効径までの形状を、触針式の形状測定機を用いて、接触子が成形面に沿って上る方向に測定することにより型形状測定値を求め、
求めた型形状測定値と型形状設計値とに差がある場合、その差に基づいて、加工入力値を補正し、かつ
補正した加工入力値を用いて実用成形型を作製し、
求めた形状測定値と型形状設計値とに実質的な差がない場合には、暫定型を実用成形型とする
ことを特徴とするプレス用成形型の製造方法。
【請求項２】
球面又は非球面を有するレンズを成形する成形型の製造方法において、
所望のレンズ光学性能に基づいてレンズ形状設計値を決定し、
決定したレンズ形状設計値に基づいて型形状設計値を決定し、
決定した型形状設計値に基づいて暫定型を作製し、
作製した暫定型を用いて、成形可能な温度に加熱した成形素材を成形することにより、暫定レンズを作製し、
作製した暫定レンズ面の中心部分から有効径までの形状を、触針式の形状測定機を用いて、接触子が暫定レンズ面に沿って上る方向に測定することによりレンズ形状測定値を求め、
求めたレンズ形状測定値とレンズ形状設計値とに差がある場合、その差に基づいて、型形状設計値を補正し、かつ
補正した型形状設計値を用いて実用成形型を作製し、
求めたレンズ形状とレンズ形状設計値とに実質的な差がない場合には、暫定型を実用成形型とする
ことを特徴とする成形型の製造方法。
【請求項３】
球面又は非球面を有するレンズを成形する成形型の製造方法において、
所望のレンズの光学性能に基づいてレンズ形状設計値を決定し、
決定したレンズ形状設計値に基づいて型形状設計値を決定し、
決定した型形状設計値に基づいた加工入力値を、レンズ中心部分より外周部分の補正量が大きくなるように補正し、
補正した加工入力値を用いて加工機により型加工を行うことを特徴とするプレス用成形型の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法により実用成形型を作製し、
得られた実用成形型に成形素材を供給し、
成形素材をプレス成形することによりレンズを得ることを特徴とする
球面又は非球面を有するレンズの製造方法。
【請求項５】
傾き角35度以上の面を有するレンズを製造する請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
得られたレンズの波面収差が0.04λrms以下である請求項４または５に記載の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の製造方法により製造された光ピックアップレンズ。
【請求項８】
傾き角35度以上の面を有するレンズ面の中心部分から有効径までの形状を、接触子を用いる形状測定機を用いて測定する方法であって、前記接触子が前記レンズ面に沿って上る方向に測定することを特徴とする測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
球面又は非球面を有するレンズを成形する設計段階においては、レンズに必要とされる光学性能にもとづき、レンズ素材の光学恒数（屈折率、分散）を決定し、更にレンズの第1面、第２面の形状、レンズ厚を含む、レンズ形状設計値が決定される。そして、得られたレンズ形状設計値に基づいて、レンズを成形するための成形型の形状設計値を決定する。その際、例えばガラスレンズの場合、ガラスの熱膨張係数と成形型の熱膨張係数は異なるので、プレス後のガラスの収縮など、成形に影響する要素を織り込んだうえで、上記レンズ形状設計値をもとにして、型の形状設計値を決定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
球面又は非球面を有するレンズを成形するための成形型の成形面ような曲面を精密に測定するためには、触針式の測定機が用いられる。触針式の測定機には、例えば、図２に示すような先端形状を有し、先端角度が１２〜９０°であり、先端Ｒ（曲率半径）が２〜５００μｍであり、ダイヤモンド、ルビー、サファイア、超硬などの材料で形成されたスタイラス（接触子）を用いる。そして、図１に示すように、スタイラスの先端を成形面の斜面を下り、底部からは斜面を上って形状を測定する。既存の触針式の測定機では、図３に示すように、スタイラスが接触する、測定対象の面との間の傾き角（θ）に制約がある。θ≦３５°程度の場合には正確な測定が行なえるが、３５°を超えると測定機の測定値は保証外となり、正確なデータが得られないか、又は測定して得たデータの信頼性が保証されていない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月22日(2005.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被撮像物に対してＸ線を照射するＸ線発生器と、前記被撮像物を透過したＸ線により該被撮像物の透過画像を得るＸ線透過画像撮像器とを備えるＸ線画像撮像装置において、
複数種類の被撮像物の形状に合わせて予め製作された複数の遮蔽体と、
該複数の遮蔽体の中から被撮像物に応じた形状のものを選択する選択手段と、
該選択手段により選択された遮蔽体を、前記Ｘ線発生器の照射光軸又は前記Ｘ線透過画像撮像器の撮像光軸に交叉する面内で移動させる駆動手段と
を備えることを特徴とするＸ線画像撮像装置。
【請求項２】
前記被撮像物の反射画像を得る反射画像撮像器と、
該反射画像撮像器が得た反射画像に基づいて前記被撮像物の形状を判別する判別手段と
を更に備え、
前記選択手段は、前記判別手段が判別した前記被撮像物の形状に応じた遮蔽体を選択すべくなしてある
ことを特徴とする請求項１記載のＸ線画像撮像装置。
【請求項３】
被撮像物に対してＸ線を照射するＸ線発生器と、前記被撮像物を透過したＸ線により該被撮像物の透過画像を得るＸ線透過画像撮像器とを備えるＸ線画像撮像装置において、
それぞれ独立して移動可能に設けられた複数の遮蔽体と、
各遮蔽体を、前記Ｘ線発生器の照射光軸又は前記Ｘ線透過画像撮像器の撮像光軸に交叉する面内で移動させる駆動手段と
を備えることを特徴とするＸ線画像撮像装置。
【請求項４】
前記被撮像物の反射画像を得る反射画像撮像器と、
該反射画像撮像器が得た反射画像に基づいて前記被撮像物の形状を判別する判別手段と
を更に備え、
前記駆動手段は、前記判別手段が判別した前記被撮像物の形状に応じて各遮蔽体を移動させるべくなしてある
ことを特徴とする請求項３記載のＸ線画像撮像装置。
【請求項５】
前記複数の遮蔽体のそれぞれは、その移動方向に長い棒状又は帯状をなしていることを特徴とする請求項３又は４記載のＸ線画像撮像装置。
【請求項６】
前記複数の遮蔽体は、その幅方向に互いに平行に且つ２列に設けられ、これら２列の遮蔽体群を、前記Ｘ線発生器の照射光軸又は前記Ｘ線透過画像撮像器の撮像光軸を挟むように対向配置してあることを特徴とする請求項５記載のＸ線画像撮像装置。
【請求項７】
被撮像物に対してＸ線を照射するＸ線発生器と、前記被撮像物を透過したＸ線により該被撮像物の透過画像を得るＸ線透過画像撮像器とを備えるＸ線画像撮像装置において、
前記Ｘ線発生器及び前記Ｘ線透過画像撮像器の間に設置され、前記被撮像物を収容する容器と、
前記被撮像物の周囲を覆うべく前記容器内に充填されたＸ線遮蔽物質と
を備えることを特徴とするＸ線画像撮像装置。
【請求項８】
前記Ｘ線遮蔽物質は、鉄粉又は液体金属であることを特徴とする請求項７記載のＸ線画像撮像装置。
【請求項９】
被撮像物に対してＸ線を照射するＸ線発生器と、前記被撮像物からの後方散乱Ｘ線により該被撮像物の透過画像を得るＸ線透過画像撮像器とを備えることを特徴とするＸ線画像撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によるサンプルループ１の取り付け方を示す。まず、流路切り替えバルブ３の近傍でサンプルループ１を固定し、インジェクションポート２に接続する。インジェクションポート２は流路切り替えバルブ３の一つのポートに接続されている。固定部８に水平方向になるようにサンプルループ１を固定する。次に、注入用ニードル５をインジェクションポート２より最も遠い位置にして、サンプルループ１の曲率がなめらかになるようにサンプルループ１の長さを規定し、固定部９により注入用ニードル支持部６に固定する。固定部９にサンプルループ１を固定する。サンプルループ１は注入用ニードル５に接続されている。流路切り替えバルブ３の他のポートには図４で示したのと同じ配管が接続されており、図４の場合と同じ動作により試料の吸引および試料のカラムへの導入を行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004085499.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004085499.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本発明は以上に述べた実施形態に限られるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の変更が可能である。
説明では、水中航走体に適用した例を説明したがこれに限定されず、固定式やえい航式の水中音響機器に適用してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機材料をペレット状に加工してその融点を利用した温度センサにおいて、ペレット表面に有機絶縁材のコーティング膜を形成したことを特徴とする温度センサ用ペレット。
【請求項２】
前記コーティング膜がポリパラキシリレン樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の温度センサ用ペレット。
【請求項３】
前記コーティング膜が化学蒸着方法（ＣＶＤ法）により形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の温度センサ用ペレット。
【請求項４】
金属ケースにかしめ固定されたリード線と、前記金属ケースに収容された感温ペレット、弱圧縮スプリング、強圧縮スプリングおよび可動電極と、前記金属ケースの開口部を閉塞するセラミック碍管を貫通してその内方向端が前記可動電極と接触するリード線とを具備する感温ペレット型温度ヒューズにおいて、前記感温ペレットはその表面に有機絶縁材のコーティング膜を有する請求項１ないし３に記載の温度センサ用ペレットを組み込んだ温度センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  相互接続構造であって、この相互接続構造が：
（ａ）基板を含み、この基板上にトポロジカル構造が堆積され、この構造が誘電材とこの中に形成された後退部を含み；この相互接続構造がさらに
（ｂ）前記後退部の表面に沿って堆積されたタングステンシリサイド膜；
（ｃ）前記タングステンシリサイド膜を覆うタングステン膜；及び
（ｄ）前記後退部内の前記タングステン膜上に堆積されたタングステンプラグ；及び
（ｅ）前記タングステン膜とタングステンプラグ間に配置された第２のタングステンシリサイド膜
を含むことを特徴とする相互接続構造。
【請求項２】  さらに前記タングステン膜内にタングステンシリサイド勾配が堆積されることを特徴とする請求項１記載の相互接続構造。
【請求項３】  前記タングステンシリサイド膜がタングステンシリサイドターゲットから堆積チャンバー内で遂行されるスパッタリング過程を利用して堆積されることを特徴とする請求項１記載の相互接続構造。
【請求項４】  前記タングステン膜がタングステンコイルから堆積チャンバー内で遂行されるスパッタリング過程を利用して堆積されることを特徴とする請求項３記載の相互接続構造。
【請求項５】  前記タングステンシリサイド膜が２：１より大きなシリコン対タングステン（Ｓｉ：Ｗ）比を持つことを特徴とする請求項１記載のバリア層。
【請求項６】  相互接続構造上にバリア層を形成するための方法であって、この方法が：
（ａ）半導体基板上のトポロジカル構造上に形成された後退部内に第一のタングステンシリサイド膜を形成するステップ；
（ｂ）前記第一のタングステンシリサイド膜上にタングステン膜を形成するステップ
（ｃ）前記後退部内の前記タングステン膜上にタングステンプラグを形成するステップ；及び
（ｄ）前記タングステン膜とタングステンプラグ間で、前記後退部内に第２のタングステンシリサイド膜を形成するステップ
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】  前記バリア層の第一のタングステンシリサイド膜を形成するステップが堆積チャンバー内でタングステンシリサイドターゲットからタングステンシリサイドをスパッタリングする過程を含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】  半導体製造システムであって、このシステムが：
（ａ）内部でスパッタ堆積が遂行されるチャンバー；
（ｂ）前記チャンバー内に搭載されたタングステンシリサイドターゲット；
（ｃ）前記チャンバー内の前記タングステンシリサイドターゲットの下方に搭載されたタングステンコイル；
（ｄ）前記タングステンコイルの下方に配置された前記半導体デバイスをサポートするためのペデスタル；及び
（ｅ）前記チャンバーと関連する前記チャンバー内で前記半導体デバイスの上方プラズマを生成するための手段を備えることを特徴とする半導体製造システム。
【請求項９】  さらに前記タングステンシリサイドターゲットに結合されたＤＣ−電源を備えることを特徴とする請求項８記載の半導体製造システム。
【請求項１０】  前記プラズマ生成手段が前記チャンバーに接続されたアルゴングロー放電のソースを備えることを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１１】  さらに前記タングステンコイルに結合されたＲＦ−電源を備えることを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１２】  さらに前記ペデスタルに結合されたＲＦ−電源を備えることを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１３】  基板上に形成された誘電材と前記誘電材中に形成された後退部を有する半導体デバイス上にタングステンプラグを形成する方法において、前記タングステンプラグは前記後退部内に形成されるべきものであり、前記方法は、
前記後退部壁に沿って所定の堆積速度で実質的に均一な所定の厚さまでタングステンシリサイドを順応的に堆積させて第１の膜を形成するステップ；
おおよそ同じ時間で前記第１の膜用のタングステンシリサイドの堆積速度を減少させながら、又は、前記後退部内の第２の膜用のタングステンの堆積を開始した後に、及び、前記タングステンシリサイドが所定の厚さに達した後に、前記後退部内で前記タングステンシリサイド上に実質的に均一な所定の厚さまでタングステンを順応的に堆積させて第２の膜を形成するステップ;
前記タングステンが前記後退部に堆積される一方で、前記後退部内にタングステンシリサイドを堆積させて、前記第２の膜内にタングステンシリサイド勾配を形成するステップ;及び
前記第２の膜上で前記後退部内にタングステンを堆積させて前記タングステンプラグを形成するステップを含む
ことを特徴とする方法。
【請求項１４】  前記方法は更に、
前記タングステンシリサイド及びタングステンの堆積が行われるチャンバを準備し、
前記チャンバ内に前記半導体デバイスを位置づけ、
前記チャンバ内にタングステンシリサイドターゲット及びタングステンコイルを提供し、
前記ターゲットからタングステンシリサイドのスパッタ堆積及び前記コイルからタングステンのスパッタ堆積のために、前記半導体デバイスに隣接する前記チャンバ内にプラズマを発生させるステップを含む
ことを特徴とする請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図４７を参照して、次に、ＣＶＤ法によって、銅の拡散防止膜として機能する緻密なシリコン窒化膜１７２ａと、シリコン酸化膜等の絶縁膜１７２ｂとをこの順に全面に形成することにより、保護絶縁膜１７２を形成する。次に、ＣＶＤ法によって、バッファコート膜１７３を全面に形成する。次に、写真製版法及び異方性ドライエッチング法によって、バッファコート膜１７３及び保護絶縁膜１７２を部分的に除去することにより、開孔部１７４を形成する。これにより、ボンディングパッド１７１の上面の一部が露出する。次に、ダイシングによって半導体ウェハを個々のチップに分割し、樹脂や半田によってチップの裏面をリードフレームや実装基板（いずれも図示せず）に接着する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
実施の形態４．
図２２は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置の構造を示す断面図である。第２の層間絶縁膜１４上には、上記実施の形態３と同様の金属膜７１が形成されている。第３の層間絶縁膜６３、第４の層間絶縁膜６７、及びシリコン窒化膜７２ａ内には、上記実施の形態３と同様の開孔部３０が形成されている。開孔部３０内は、金等の貴金属やアルミニウムから成る金属膜４０によって充填されている。そして、金属膜４０と金属膜７１とによってボンディングパッドが構成されている。ボンディングワイヤ７５は、金属膜４０にボンディングされている。ボンディングワイヤ７５との接続部分を除き、金属膜４０上にはシリコン酸化膜等の絶縁膜７２ｂが形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
次に、ダイシングによって半導体ウェハを個々のチップに分割し、樹脂や半田によってチップの裏面をリードフレームや実装基板（いずれも図示せず）に接着する。次に、開孔部７４内に挿通したボンディングワイヤ７５を金属膜４０にボンディングする。最後に、全体をモールド樹脂７７で封止することにより、図２２に示した構造が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の周波数分割されたチャネルを持つ信号を受信する受信装置において、
利得可変ループを含み、変動する受信信号レベルをあるレベルに保つための利得可変回路と、
前記利得可変回路の出力に基づいて、複数の隣接チャネルから目的の周波数の信号だけを取出すための複数段の帯域通過フィルタとを含み、
前記複数段の帯域通過フィルタの一部を前記利得可変回路の利得可変ループ内に取り込んだことを特徴とする、受信装置。
【請求項２】
さらに、前記利得可変回路の後段に接続され、前記受信信号のレベルを制限するためのリミッタ回路と、
前記利得可変回路の利得制御信号のレベルと、前記リミッタ回路の信号レベル検出信号とに基づいて受信信号レベルを検出する受信レベル検出回路とを備えたことを特徴とする、請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】
前記複数段の帯域通過フィルタのうち、前記利得可変ループ内に取込む段数と前記利得可変回路の出力側に接続される段数を可変にしたことを特徴とする、請求項１に記載の受信装置。
【請求項４】
さらに、制御信号に応じて前記利得可変ループ内の帯域通過フィルタをバイパスするためのバイパス回路を含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の受信装置。
【請求項５】
さらに、受信信号を第１の中間周波数信号に変換する第１の周波数変換回路と、
前記第１の中間周波数信号を第２の中間周波信号に変換して前記利得可変回路に出力する第２の周波数変換回路とを含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明は、複数の周波数分割されたチャネルを持つ信号を受信する受信装置において、利得可変ループを含み、変動する受信信号レベルをあるレベルに保つための利得可変回路と、利得可変回路の出力に基づいて、複数の隣接チャネルから目的の周波数の信号だけを取出すための帯域通過フィルタとを含み、帯域通過フィルタの一部を利得可変回路の利得可変ループ内に取り込んだことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号をゲートで受け、該入力信号に応じた入力電流を出力するソースフォロワー回路と、
前記入力電流を受け、該入力電流と第１ノードに供給する出力電流との和を一定にする電流伝達回路と、
前記入力信号をゲートで直接受ける第１トランジスタ、および前記第１ノードをゲートに接続した第２トランジスタで構成されたプッシュプル回路とを備え、
前記電流伝達回路は、
前記入力電流がドレインおよびゲートに供給される第１入力トランジスタと、ドレインが第２ノードに接続され、前記入力電流と同じ値の第１出力電流を発生する第１出力トランジスタとで構成された第１カレントミラー回路と、
ドレインおよびゲートが前記第２ノードに接続され、第２入力電流を発生する第２入力トランジスタと、ドレインが前記第１ノードに接続され、前記第２入力電流と同じ値の前記出力電流を前記第１ノードに供給する第２出力トランジスタとで構成された第２カレントミラー回路と、
前記第２ノードに定電流を供給する定電流源とを備えていることを特徴とするプッシュプル増幅回路。
【請求項２】
入力信号をゲートで受け、該入力信号に応じた入力電流を出力するソースフォロワー回路と、
前記入力電流を受け、該入力電流と第１ノードに供給する出力電流との和を一定にする電流伝達回路と、
前記入力信号をゲートで直接受ける第１トランジスタ、および前記第１ノードをゲートに接続した第２トランジスタで構成されたプッシュプル回路と、
前記ソースフォロワー回路の出力と前記電流伝達回路の入力との間に配置され、ゲートが定電圧源に接続された負荷トランジスタとを備えていることを特徴とするプッシュプル増幅回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、電流伝達回路は、第１カレントミラー回路と、第２カレントミラー回路と、第２ノードに定電流を供給する定電流源とを有している。第１カレントミラー回路は、入力電流がドレインおよびゲートに供給される第１入力トランジスタと、ドレインが第２ノードに接続され、入力電流と同じ値の第１出力電流を発生する第１出力トランジスタとで構成されている。第２カレントミラー回路は、ドレインおよびゲートが第２ノードに接続され、第２入力電流を発生する第２入力トランジスタと、ドレインが第１ノードに接続され、第２入力電流と同じ値の出力電流を第１ノードに供給する第２出力トランジスタとで構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項２のプッシュプル増幅回路では、請求項１のプッシュプル増幅回路と同様に、入力信号に対する第２トランジスタのゲート電圧の利得を小さくできる。第１トランジスタと第２トランジスタとの電圧利得の差を小さくできるため、安定して動作するプッシュプル増幅回路を容易に設計できる。
また、プッシュプル増幅回路をオペアンプの出力段に使用した場合、差動増幅回路の出力をこの出力段に伝える回路の利得を小さくできる。このため、入力端子と出力端子との間に挿入される位相補償用の容量の容量値を小さくできる。この結果、プッシュプル増幅回路およびオペアンプのレイアウト面積（チップ面積）を削減でき、製造コストを削減できる。さらに、高域での利得が上がるため、広帯域で増幅が可能になる。
さらに、ゲートが定電圧源に接続された負荷トランジスタが、ソースフォロワー回路の出力と電流伝達回路の入力との間に配置されている。負荷トランジスタのゲートに定電圧源を直接接続することで、負荷トランジスタのゲート・ソース間電圧は一定になる。このため、常に飽和領域で動作する負荷トランジスタにより、ソースフォロワー回路に供給される電源電圧が変動した場合にも、その変動が第１カレントミラー回路に影響することを防止できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この実施形態では、nMOS１によりソースフォロワー回路１４が構成されている。nMOS９（負荷トランジスタ）および定電圧源１３により負荷回路１５が構成されている。nMOS２、１１、１２、４および定電流源１０により電流伝達回路１６が構成されている。電流伝達回路１６は、nMOS２（第１入力トランジスタ）およびnMOS１１（第１出力トランジスタ）で構成される第１カレントミラー回路１６ａと、nMOS１２（第２入力トランジスタ）およびnMOS４（第２出力トランジスタ）で構成される第２カレントミラー回路１６ｂとを有している。また、pMOS５（第１トランジスタ）およびnMOS６（第２トランジスタ）によりプッシュプル回路１７（出力段）が構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
第１および第２カレントミラー回路１６ａ、１６ｂを並列に接続して、電流伝達回路１６を構成したので、入力電流（Id1=Id2）と出力電流（Id4）の和が一定になる電流伝達回路１６を容易に構成できる。
ゲートが定電圧源１３に接続されたnMOS９を、ソースフォロワー回路１４の出力（ノードND1）と電流伝達回路１６の入力（ノードND2）との間に配置した。このため、ソースフォロワー回路１４に供給される電源電圧VDDが変動した場合にも、その変動が第１カレントミラー回路１６ａに影響することを防止できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
請求項１のプッシュプル増幅回路では、安定して動作するプッシュプル増幅回路を容易に設計できる。プッシュプル増幅回路およびプッシュプル増幅回路を出力段に使用するオペアンプのレイアウト面積（チップ面積）を削減でき、製造コストを削減できる。さらに、高域の利得が上がるため、広帯域で増幅が可能になる。
また、入力電流と出力電流の和が一定になる電流伝達回路を容易に構成できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
請求項２のプッシュプル増幅回路では、安定して動作するプッシュプル増幅回路を容易に設計できる。プッシュプル増幅回路およびプッシュプル増幅回路を出力段に使用するオペアンプのレイアウト面積（チップ面積）を削減でき、製造コストを削減できる。さらに、高域の利得が上がるため、広帯域で増幅が可能になる。
また、ソースフォロワー回路に供給される電源電圧が変動した場合にも、その変動が第１カレントミラー回路に影響することを防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スイッチングアンプ装置及びスイッチングアンプの制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力したオーディオ信号波形に基づいて、スピーカ駆動用のパルス信号を得るスイッチング手段と、
上記スイッチング手段の入力又は出力の異常を検出した場合に、上記スイッチング手段のスイッチング動作を停止させる保護手段と、
上記保護手段によるスイッチング動作の停止を検出する検出手段と、
上記検出手段がスイッチング動作が停止していることを検出したとき、上記保護手段による保護動作をリセットさせて、上記スイッチング手段によるパルス信号の出力を再開させる制御手段とを備えた
スイッチングアンプ装置。
【請求項２】
請求項１記載のスイッチングアンプ装置において、
上記検出手段は、上記スイッチング手段が出力するパルス信号を平滑化するフィルタ手段と、このフィルタ手段の出力電圧を判定する判定手段とで構成し、
上記判定手段がパルス信号無しの状態の電圧を検出したとき、スイッチング動作が停止していることを検出するようにした
スイッチングアンプ装置。
【請求項３】
請求項２記載のスイッチングアンプ装置において、
上記スイッチング手段が出力するスピーカ駆動用のパルス信号は、上記検出手段が備えるフィルタ手段とは別のフィルタ手段で高周波成分を除去して、スピーカに供給するようにした
スイッチングアンプ装置。
【請求項４】
請求項１記載のスイッチングアンプ装置において、
所定の回数連続してスイッチング動作が停止していることを上記検出手段が検出したとき、上記制御手段は上記保護手段による保護動作をリセットさせる
スイッチングアンプ装置。
【請求項５】
請求項４記載のスイッチングアンプ装置において、
上記制御手段は、上記リセットの直後に、さらに上記スイッチング動作が停止していることを上記検出手段が検出したときには、上記制御手段はリセットを行わないようにした
スイッチングアンプ装置。
【請求項６】
入力したオーディオ信号波形に基づいて、スピーカ駆動用のパルス信号を得るスイッチングステップと、
上記スイッチングステップの入力又は出力の異常を検出した場合に、上記スイッチングステップのスイッチング動作を停止させる保護ステップと、
上記保護ステップによるスイッチング動作の停止を検出する検出ステップとを備え、
上記検出ステップがスイッチング動作が停止していることを検出したとき、上記保護ステップによる保護動作をリセットさせて、上記スイッチングステップによるパルス信号の出力を再開させるようにした
スイッチングアンプの制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オーディオ信号をスピーカ駆動用に増幅させるオーディオパワーアンプ装置に関し、特にＰＷＭ（Pulse Width Modulation：パルス幅変調）方式などに変調された信号でスイッチング手段を直接駆動して電源増幅を行うスイッチングアンプ装置及びスイッチングアンプの制御方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の段からなるマルチプレクサであって、各段がデータ入力、電源入力およびデータ出力を有し、各段が、
前記データ出力に接続された記憶素子と、
前記データ入力と前記電源入力との間に接続された第１のダイオードと、
前記電源入力と前記データ出力との間に接続された第２のダイオードと
を含む、マルチプレクサ。
【請求項２】
前記第１のダイオードの陰極が前記データ入力に接続され、前記第１のダイオードの陽極が前記電源入力に接続され、前記第２のダイオードの陰極が前記データ出力に接続され、前記第２のダイオードの陽極が前記電源入力に接続される、請求項１のマルチプレクサ。
【請求項３】
前記記憶素子が電荷蓄積素子である、請求項１のマルチプレクサ。
【請求項４】
整数Ｍ＞１およびＮ＞１としたとき、Ｍ個のラッチからなるマルチプレクサであって、各ラッチがＮ個の段を有し、前記段の各々がデータ入力、電源入力およびデータ出力を有し、前記段の各々が、前記データ出力に接続された電荷蓄積素子、前記データ入力と前記電力供給入力との間に接続された第１のダイオード、および前記電力供給入力と前記データ出力との間に接続された第２のダイオードを含む、マルチプレクサ。
【請求項５】
各ラッチがＮ段のデータ入力によって形成されたＮビット幅の入力を有し、各ラッチがＮ段のデータ出力によって形成されたＮビット幅の出力を有する、請求項４のマルチプレクサ。
【請求項６】
前記ラッチのうちの少なくとも１つを一度に有効にするための論理回路を更に含む、請求項４のマルチプレクサ。
【請求項７】
各段が、クロック入力、および該クロック入力と前記電源入力との間に接続された第３のダイオードを更に有し、前記段のクロック入力が互いに接続される、請求項４のマルチプレクサ。
【請求項８】
各段が、データクリア入力、および該データクリア入力と前記データ出力との間に接続された第３のダイオードのダイオードを更に有し、前記段のデータクリア入力が互いに接続される、請求項４のマルチプレクサ。
【請求項９】
入力データによって前記第１のダイオードが順方向にバイアスされるか逆方向にバイアスされるかが決まり、それによって、前記第１のダイオードが順方向にバイアスされた場合、前記ラッチが第１の論理状態に設定され、前記第１のダイオードが逆方向にバイアスされた場合、前記ラッチが第２の論理状態に設定される、請求項４のマルチプレクサ。
【請求項１０】
ダイオードベースのメインメモリと、
前記メインメモリ用の、ダイオードベースのアドレス論理回路と、
前記メインメモリおよび前記アドレス論理回路のうちのいずれか一方のためのマルチプレクサであって、複数のラッチを有し、整数Ｎ＞１としたときに、各ラッチがＮ個の段を有し、各段がデータ入力、電源入力、およびデータ出力を有し、各段が前記データ出力に接続された電荷蓄積素子、前記データ入力と前記電源入力との間に接続された第１のダイオード、および前記電源入力と前記データ出力との間に接続された第２のダイオードを含む、マルチプレクサと
からなる固体メモリ素子。
【請求項１１】
前記アドレス論理回路用のアドレスラインを更に含み、該アドレスラインが前記段のデータ出力に接続される、請求項１０の固体メモリ素子。
【請求項１２】
各ラッチがＮビットの出力を有し、前記アドレス論理回路が複数のグループに分割され、異なるＮビット出力が異なるグループに対応する、請求項１１の固体メモリ素子。
【請求項１３】
前記メインメモリ用のデータラインを更に含み、該データラインが前記段のデータ出力に接続される、請求項１０の固体メモリ素子。
【請求項１４】
各ラッチがＮビットの出力を有し、前記メインメモリが複数のグループに分割され、異なるＮビット出力が異なるグループに対応する、請求項１３の固体メモリ素子。
【請求項１５】
前記メインメモリおよび前記アドレス論理回路を形成するための土台となる基板であって、前記ラッチに対してタイミング信号を生成するための論理回路を含む基板と、
前記基板上に形成され、前記タイミング信号に応じて前記ラッチを有効にするため、ゲートとを更に含む、請求項１０の固体メモリ素子。
【請求項１６】
各段が、クロック入力、および該クロック入力と前記電源入力との間に接続された第３のダイオードを更に有し、前記段のクロック入力が互いに接続される、請求項１０の固体メモリ素子。
【請求項１７】
各段が、データクリア入力、および該データクリア入力と前記データ出力との間に接続さた第３のダイオードを更に有し、前記段のデータクリア入力が互いに接続される、請求項１０の固体メモリ素子。
【請求項１８】
前記メインメモリおよび前記アドレス論理回路のうちの他方のための第２のマルチプレクサを更に含む、請求項１０の固体メモリ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
各段１１０には、データ出力（Ｑn）に接続された電荷蓄積素子（例えばコンデンサ）１１４、データ入力（Ｄn）と電源入力（Ｐn）との間に接続された第１のダイオード１１６、及び、電源入力（Ｐn）とデータ出力（Ｑn）との間に接続された第２のダイオード１１８が含まれる。第１のダイオード１１６の陰極はデータ入力（Ｄn）に接続され、第１のダイオード１１６の陽極は電源入力（Ｐn）に接続される。第２のダイオード１１８の陰極はデータ出力（Ｑn）に接続され、第２のダイオード１１８の陽極は電源入力（Ｐn）に接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力回路を含む半導体装置であって、
前記出力回路に出力制御信号を与える半導体回路、
外部から前記半導体回路に与えられる第１の電源電位が供給される第１の電源端子、
外部から前記半導体回路に与えられる第２の電源電位が供給される第２の電源端子、および
前記第１の電源電位を前記第２の電源電位側にシフトさせることによって得られた所定の電源電位を前記出力回路に供給する電源回路を含み、
前記電源回路は、制御用トランジスタを含み、出力電位と前記第２の電源電位との間の電圧を分圧し、前記分圧動作によって得られた電位と出力電位との電位差を用いて前記制御用トランジスタのオン抵抗を制御し、かつ前記所定の電源電位を出力する、半導体装置。
【請求項２】
前記電源回路は、前記半導体回路から与えられる活性信号に応じて、前記第１の電源電位を前記第２の電源電位側にシフトすることによって得られた前記所定の電源電位を前記出力回路に供給するスイッチングトランジスタを含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
各々が前記半導体回路と前記出力回路とを含む複数の半導体チップが配列されていて、
前記電源回路は前記複数の半導体チップに対して共通に設けられる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の電源電位はＶＤＤであり、前記第２の電源電位はＶＳＳである、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の電源電位はＶＳＳであり、前記第２の電源電位はＶＤＤである、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
出力回路を含む半導体装置であって、
前記出力回路に出力制御信号を与える半導体回路、
外部から前記半導体回路に与える電源電圧が供給される電源端子、および
前記出力回路に与える出力電位と予め定める参照電位とを比較する比較回路と、前記比較回路の比較出力に応じて前記出力電位を前記電源端子に与えられる電源電圧よりも低い一定の電源電位となるように制御するドライブトランジスタを含む出力回路専用電源回路を備えた、半導体装置。
【請求項７】
前記電源回路は、前記半導体回路から与えられる活性信号に応じて前記電源電圧より低い一定の電源電位を前記出力回路に供給するスイッチングトランジスタを含むことを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
出力回路を含む半導体装置であって、
前記出力回路に出力制御信号を与える半導体回路、
外部から前記半導体回路と前記出力回路とに与える電源電圧が供給される電源端子、
外部の接地電位に接続される接地端子、および
前記出力回路に与える出力接地電位と予め定める参照電位とを比較する比較回路と、前記比較回路の比較出力に応じて前記出力接地電位を前記接地端子の接地電位よりも高い一定の電位となるように制御するドライブトランジスタを含む電源回路を備えた、半導体装置。
【請求項９】
前記電源回路は、前記半導体回路から与えられる活性信号に応じて前記接地端子の接地電位よりも高い一定の接地電位を前記出力回路に供給するスイッチングトランジスタを含むことを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記出力回路は複数の設けられていて、
前記電源回路のドライブトランジスタは各出力回路のそれぞれに対応して設けられていることを特徴とする、請求項６または８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ドライブトランジスタはその入力電極に前記比較出力が与えられ、その第１の電極に前記電源電圧が与えられ、その第２の電極から前記出力電圧を出力して前記出力回路に与え、さらに
前記ドライブトランジスタの入力電極と第２の電極との間に接続される帰還容量と、
前記ドライブトランジスタの入力電極と前記比較出力との間に接続される第１の抵抗と、
前記ドライブトランジスタの第２の電極と前記比較回路の比較入力との間に接続される第２の抵抗とを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記参照電位は、入力信号用の基準電位が用いられることを特徴とする、請求項６ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
さらに、前記比較回路の比較入力に与えられる信号を分圧するための分圧抵抗を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
各々が前記半導体回路と前記出力回路とを含む複数の半導体チップが複数配列されていて、
前記電源回路は前記複数の半導体チップに対して共通に設けられることを特徴とする、請求項６ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を放射する複数の主放射部と、
これらの主放射部の全てと接続された導体板と、
この導体板に給電を行う給電部材と
を有し、
前記主放射部は、相互に所定の距離だけ離れた位置に配置されている
ことを特徴とするアンテナ。
【請求項２】
前記主放射部は、逆Ｆアンテナの短絡部である
ことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項３】
前記給電部材は、前記導体板に電磁結合による給電を行う
ことを特徴とする請求項１または２に記載のアンテナ。
【請求項４】
前記導体板は、複数の層に渡って形成されている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のアンテナ。
【請求項５】
アンテナにおいて、
所定の間隔で相互に対向するように配置される複数の導体板と、
前記複数の導体板のうちの一つに接続された電磁波を放射する主放射部と、
前記複数の導体板の全てに給電を行う一つの給電部材と
を含むことを特徴とするアンテナ。
【請求項６】
前記給電部材は、前記導体板に電磁結合による給電を行う
ことを特徴とする請求項５に記載のアンテナ。
【請求項７】
アンテナにおいて、
相互に所定の間隔で２層化された複数の導体板と、
前記複数の導体板の全てに給電を行う一つの給電部材と
を含むことを特徴とするアンテナ。
【請求項８】
前記給電部材は、前記導体板に電磁結合による給電を行う
ことを特徴とする請求項７に記載のアンテナ。