Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １以上の加工物を収容している容器を受け入れてこれを開放するインタフェースであって、容器は、シェル及び少なくとも１つのスロットを有する垂直方向に差し向けられているドアを有し、インタフェースは、容器を支持する位置合わせ特徴部を有し、インタフェースは、
少なくとも１つの穴を有する垂直表面と、
容器を開放し、且つ垂直方向差し向けドアを前記垂直表面に結合するために、前記垂直表面から突き出ていて、前記少なくとも１つのスロットの１つと嵌合できるようになった少なくとも１つのキーと、
少なくとも１本の取外し自在な位置合わせピンと、を有し、この少なくとも１本の取外し自在な位置合わせピンの各々は、前記少なくとも１つの穴の１つと嵌合できるようになっており、前記少なくとも１本の取外し自在な位置合わせピンは、前記位置合わせ特徴部の位置を調節するよう前記少なくとも１つの穴内に位置決めされ、前記少なくとも１本の取外し自在な位置合わせピンは、容器をインタフェース上に渡すために前記インタフェースから取り外されることを特徴とするインタフェース。
【請求項２】  前記垂直表面のところに低圧を生じさせる少なくとも１つの真空源を更に有していることを特徴とする請求項１記載のインタフェース。
【請求項３】  前記少なくとも１つの穴の周りに設けられた少なくとも１つの吸引シールを更に有し、前記低圧は、前記少なくとも１つの穴を介して前記垂直表面のところに得られ、前記吸引シールは、垂直方向差し向けドアに係合して垂直方向差し向けドアを前記垂直表面に当接保持することを特徴とする請求項２記載のインタフェース。
【請求項４】  前記少なくとも１つの吸引シールの周りに境を接して設けられていて、垂直方向差し向けドアと前記垂直表面との摩擦接触を生じさせる少なくとも１つのＯリングを有していることを特徴とする請求項３記載のインタフェース。
【請求項５】  前記少なくとも１つのキーのところ及び（又は）周りに設けられていて、インタフェースから粒子を除去する少なくとも１つの真空ポートを更に有していることを特徴とする請求項２記載のインタフェース。
【請求項６】  前記少なくとも１つの穴は、２つの穴から成り、前記少なくとも１本の取外し自在な位置合わせピンは、２本の取外し自在な位置合わせピンから成ることを特徴とする請求項１記載のインタフェース。
【請求項７】  前記垂直表面内に設けられていて、前記垂直方向差し向けドアを引き付けて保持する磁石を更に有していることを特徴とする請求項１記載のインタフェース。
【請求項８】  前記少なくとも１本の取外し自在な位置合わせピンの各々は、前記少なくとも１つの穴の各々に滑り嵌めされることを特徴とする請求項１記載のインタフェース。
【請求項９】  前記少なくとも１本の取外し自在な位置合わせピンは、前記少なくとも１つの穴と螺合するねじ山を有していることを特徴とする請求項１記載のインタフェース。
【請求項１０】  １以上の加工物を収容し、且つシェル及び垂直方向に差し向けられているドアを有する容器を受け入れてこれを開放するインタフェースを校正する方法であって、前記インタフェースは、容器を支持する位置合わせ特徴部及び１以上の穴を有する垂直表面を有し、前記方法は、
（ａ）位置合わせピンを垂直表面の１以上の穴に嵌合させる段階と、
（ｂ）１以上の位置合わせ穴を備えた校正器具を位置合わせ特徴部上に載置する段階と、
（ｃ）位置合わせ特徴部の位置を１以上の位置合わせ穴が１以上の位置合わせピンと整列するまで調節する段階と、
（ｄ）１以上の位置合わせピンをインタフェース上への容器の載置に先立って、垂直表面から取り外す段階とを有することを特徴とする方法。
【請求項１１】  位置合わせ特徴部の位置を１以上の位置合わせ穴が１以上の位置合わせピンと整列するまで調節する前記段階（ｃ）は、手作業で行われることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】  位置合わせ特徴部の位置を１以上の位置合わせ穴が１以上の位置合わせピンと整列するまで調節する前記段階（ｃ）は、自動的に行われることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  整流器、
前記整流器の一方の側に接続された共通導体、及び
前記共通導体を含み前記整流器から整流された電流を受け取るコンデンサ
の組合せであり、
前記整流器、共通導体及びコンデンサは、単体の整流電荷蓄積素子を備えていることを特徴する電源。
【請求項２】  前記整流器は、ダイオード素子を含み、かつ前記共通導体は、該ダイオード素子の一つであることを特徴とする請求項１に記載の電源。
【請求項３】  前記共通導体は、前記コンデンサに対する一次導体であることを特徴とする請求項１に記載の電源。
【請求項４】  前記整流器は、ダイオード形式の整流器であり、かつ前記共通導体は、該整流器の出力及び前記コンデンサの入力であることを特徴とする請求項１に記載の電源。
【請求項５】  前記整流器は、ダイオード形式の整流器でありかつ有機半導体を含み、前記共通導体は、該半導体に接続されることを特徴とする請求項１に記載の電源。
【請求項６】  アノードと当該アノードに接続された半導体とを有している整流器、
前記半導体に接続された共通導体、
誘電体構成部分を有し、一方の側に前記共通導体を含んでいるコンデンサ、及び
前記誘電体素子の他方の側の導体
の組合せであり、
前記整流器、共通導体及びコンデンサは、単体の整流電荷蓄積素子を備えていることを特徴する電源。
【請求項７】  前記電源の構成部分を支持するフレキシブル基板を含むことを特徴とする請求項６に記載の電源。
【請求項８】  前記半導体は、有機導体でありかつ当該有機導体は、前記共通導体と連通することを特徴とする請求項６に記載の電源。
【請求項９】  前記誘電体構成部分は、有機誘電体であることを特徴とする請求項６に記載の電源。
【請求項１０】  前記電源は、フレキシブル基板に支持され、かつ前記整流器及びコンデンサは、該フレキシブル基板に刷り込みされることを特徴とする請求項６に記載の電源。
【請求項１１】  入力アノードを有している整流器、
前記アノードに接続された半導体構成部分、
前記半導体の下に電気的に連通して配置された共通導体、
前記共通導体の下に配置された誘電体構成部分、及び
前記誘電体構成部分に電気的に連通しかつコンデンサを供給するためにその上に重ね合わされた前記誘電体構成部分を有する別の導体、
の組合せであり、前記アノード及び前記共通導体は、整流可能な電流のソースに電気的に接続されかつ前記共通導体は、前記電源の出力を供給し、
前記整流器、共通導体及びコンデンサは、単体の整流電荷蓄積素子を備えていることを特徴する電源。
【請求項１２】  前記半導体構成部分は、有機導体から製作されることを特徴とする請求項１１に記載の電源。
【請求項１３】  前記誘電体構成部分は、有機材料から製作されることを特徴とする請求項１１に記載の電源。
【請求項１４】  前記半導体及び前記誘電体構成部分は、有機材料から製作されることを特徴とする請求項１１に記載の電源。
【請求項１５】  前記電源の構成部分は、フレキシブル基板に支持されることを特徴とする請求項１１に記載の電源。
【請求項１６】  前記構成部分は、前記フレキシブル基板に刷り込まれることを特徴とする請求項１５に記載の電源。
【請求項１７】  前記整流器及び前記コンデンサは、フレキシブル基板によって支持されることを特徴とする請求項１１に記載の電源。
【請求項１８】  前記フレキシブル基板は、誘電体構成部分であることを特徴とする請求項１７に記載の電源。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】前記第１の論理ユニットが、負論理でトリガされる他の双安定ユニット及び論理ゲートを有し、前記入力クロック信号が、前記負論理でトリガされる他の双安定ユニットのためのクロック信号として働き、前記論理ゲートが、前記中間クロック信号を前記負論理でトリガされる他の双安定ユニットを介して第１の入力信号として受け取り、前記入力クロック信号を第２の入力信号として受け取ることを特徴とする、請求項３に記載のクロック生成回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  非磁性下地層と、
初期磁性層と、
該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
該非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
該初期磁性層は該最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
該初期及び最上層磁性層は互いに異なる組成を有し反強磁性結合され、
該初期磁性層の飽和磁化をＭｓｉ、該最上層磁性層の飽和磁化をＭｓｆとすると、該初期及び最上層磁性層はＭｓｉ≠Ｍｓｆなる関係を満足する、磁気記録媒体。
【請求項２】  該初期磁性層の保磁力をＨｃｉ、該最上層磁性層の保磁力をＨｃｆとすると、該初期及び最上層磁性層はＨｃｉ≠Ｈｃｆなる関係を満足する、請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】  非磁性下地層と、
初期磁性層と、
該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
該非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
該初期磁性層は該最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
該初期及び最上層磁性層は、反強磁性結合されており、該初期磁性層の飽和磁化をＭｓｉ、該最上層磁性層の飽和磁化をＭｓｆとすると、Ｍｓｉ＞Ｍｓｆなる関係を満足する、磁気記録媒体。
【請求項４】  非磁性下地層と、
初期磁性層と、
該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
該非磁性スペーサ層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
該初期磁性層は該最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
該初期及び最上層磁性層は、反強磁性結合されており、該初期磁性層の保磁力をＨｃｉ、該最上層磁性層の保磁力をＨｃｆとすると、該初期及び最上層磁性層はＨｃｉ＞Ｈｃｆなる関係を満足する、磁気記録媒体。
【請求項５】  該初期磁性層、該非磁性スペーサ層及び該最上層磁性層からなる構成が、スペーサ磁性層を介して複数対設けられている、請求項１〜４のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項６】  該初期及び最上層磁性層は、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＢＡｇ，ＣｏＣｒＰｔＢＲｅ，ＣｏＣｒＰｔＡｕ，ＣｏＣｒＰｔＷ，ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ及びその合金からなるグループから選択された材料からなる、請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項７】  該非磁性スペーサ層は、Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ及びその合金からなるグループから選択された材料からなる、請求項１〜６のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項８】  非磁性下地層と、
初期磁性層と、
該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
該非磁性スペーサ層上に設けられた中間磁性層と、
該中間磁性層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
該初期磁性層は該中間及び最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
該初期及び中間磁性層は反強磁性結合され、
該中間及び最上層磁性層は強磁性結合され、
該初期、中間及び最上層磁性層のうち、少なくとも２つの層は互いに異なる組成を有する、磁気記録媒体。
【請求項９】  該初期磁性層の飽和磁化をＭｓｉ、該中間磁性層の飽和磁化をＭｓｍ、該最上層磁性層の飽和磁化をＭｓｆとすると、該初期、中間及び最上層磁性層はＭｓｉ≠Ｍｓｍ、Ｍｓｍ≠Ｍｓｆ及びＭｓｉ≠Ｍｓｆなる関係のうち少なくとも２つの関係を満足する、請求項８記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】  該初期磁性層の保磁力をＨｃｉ、該中間磁性層の保磁力をＨｃｍ、該最上層磁性層の保磁力をＨｃｆとすると、該初期、中間及び最上層磁性層はＨｃｉ≠Ｈｃｍ、Ｈｃｍ≠Ｈｃｆ及びＨｃｉ≠Ｈｃｆなる関係のうち少なくとも２つの関係を満足する、請求項８記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】  非磁性下地層と、
初期磁性層と、
該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
該非磁性スペーサ層上に設けられた中間磁性層と、
該中間磁性層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
該初期磁性層は該中間及び最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
該初期及び中間磁性層は反強磁性結合され、
該中間及び最上層磁性層は強磁性結合され、
該初期、中間及び最上層磁性層は、該初期磁性層の飽和磁化をＭｓｉ、該中間磁性層の飽和磁化をＭｓｍ、該最上層磁性層の飽和磁化をＭｓｆとすると、Ｍｓｉ≦Ｍｓｍ＜Ｍｓｆなる関係を満足する、磁気記録媒体。
【請求項１２】  非磁性下地層と、
初期磁性層と、
該初期磁性層上に設けられた非磁性スペーサ層と、
該非磁性スペーサ層上に設けられた中間磁性層と、
該中間磁性層上に設けられた最上層磁性層とを備え、
該初期磁性層は該中間及び最上層磁性層より該非磁性下地層の近傍に配置され、
該初期及び中間磁性層は反強磁性結合され、
該中間及び最上層磁性層は強磁性結合され、
該初期、中間及び最上層磁性層は、該初期磁性層の保磁力をＨｃｉ、該中間磁性層の保磁力をＨｃｍ、該最上層磁性層の保磁力をＨｃｆとすると、Ｈｃｉ≦Ｈｃｍ＜Ｈｃｆなる関係を満足する、磁気記録媒体。
【請求項１３】  該初期磁性層、該非磁性スペーサ層、該中間磁性層及び該最上層磁性層からなる構成が、スペーサ磁性層を介して複数対設けられている、請求項８〜１２のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】  該初期及び中間磁性層はＣｏＣｒｘ１系合金からなり１５＜ｘ１＜２７であり、該最上層磁性層はＣｏＣｒｙ１系合金からなり１０＜ｙ１＜２４である、請求項８〜１３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】  該初期及び中間磁性層はＣｏＣｒＢｘ２系合金からなり１＜ｘ２＜１５であり、該最上層磁性層はＣｏＣｒＢｙ２系合金からなり０≦ｙ２＜１０である、請求項８〜１３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】  該初期及び最上層磁性層は、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＢＡｇ，ＣｏＣｒＰｔＢＲｅ，ＣｏＣｒＰｔＡｕ，ＣｏＣｒＰｔＷ，ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ及びその合金からなるグループから選択された材料からなる、請求項８〜１３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１７】  該非磁性スペーサ層は、Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈ及びその合金からなるグループから選択された材料からなる、請求項８〜１６のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】  請求項１〜１７のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備えた磁気記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電気システム内で汎用目的インターフェースを与え、様々な特性を有する入力電気信号を受け入れ、且つ様々な特性を有する出力電気信号を与える集積回路であって、前記集積回路は、様々な特性を有する前記入力電気信号を受け入れ且つ様々な特性を有する前記出力電気信号を与えることができる複数の信号条件付けセルを備え、該各セルは、
１対の物理的リード線と、
前記１対の物理的リード線に接続され、様々な特性を有する前記入力電気信号を標準の特性を有する入力電気信号になるようバッファすることができる入力条件付け回路と、
標準の特性を有する出力電気信号を、様々な特性を有する電気信号になるようバッファすることができ、且つ電圧ドライバ、電流ドライバ、前記電圧ドライバと電流ドライバを前記物理的リード線に接続する伝送ゲートを含む出力条件付け回路と、を備え、
前記集積回路は、各複数の信号条件付けセルに接続された前記信号変換セルを備え、該信号変換セルは、標準の特性を有する入力電気信号を複数の入力デジタル値に変換するアナログ／デジタル変換回路と、複数の出力デジタル値を標準の特性を有する出力電気信号に変換するデジタル／アナログ変換回路と、外部のコンピュータによりアクセス可能であり且つデジタル値を記憶する複数のレジスタと、前記信号条件付けセルのうちの特定の信号条件付けセルに対応する前記レジスタからのアドレスにマップするための復号器と、前記集積回路において動作を調整するためのシーケンサおよび制御回路とを含み、
前記集積回路は入力信号マルチプレクサを含み、該入力信号マルチプレクサは、アナログ入力信号バスと、前記信号条件付けセルのひとつと前記入力信号バスの間に接続された複数の伝送ゲートを含み、
前記集積回路は出力信号マルチプレクサを含み、該出力信号マルチプレクサは、アナログ出力信号バスと、各前記信号条件付けセルと前記アナログ出力信号バスの間に接続されたサンプル兼ホールド回路を含む、
集積回路。
【請求項２】  前記入力信号マルチプレクサは更に、前記アナログ入力信号バスと前記信号変換セルの前記アナログ／デジタル変換回路の間に介挿された入力サンプル兼ホールド回路を含む、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】  前記電圧ドライバは入力および出力を有し、前記電流ドライバは入力および出力を有し、該電流ドライバの入力は前記電圧ドライバの入力に接続され、前記伝送ゲートは前記電圧ドライバと電流ドライバのの出力を前記物理的リード線に接続する、請求項１に記載の集積回路。
【請求項４】  前記出力信号マルチプレクサは更に、前記アナログ信号出力バスと前記電圧および電流ドライバの前記入力の間に介挿された複数のサンプル兼ホールド回路を含む、請求項１に記載の集積回路。
【請求項５】  前記レジスタのひとつは、前記アナログ／デジタル変換回路の入力デジタル値を記憶する入力レジスタであり、前記復号器のひとつは、入力ディジタル値を、前記信号条件付けセルの特定のひとつに対応する前記入力レジスタにおけるアドレスにマップするための入力デジタル復号器である、請求項１に記載の集積回路。
【請求項６】  前記レジスタのひとつは、出力デジタル値を記憶する出力レジスタであり、前記復号器のひとつは、前記信号条件付けセルの特定のひとつに対応する前記出力レジスタにおけるアドレスから前記デジタル／アナログ変換回路に出力デジタル値をマップするための出力デジタル復号器である、請求項１に記載の集積回路。
【請求項７】  様々な特性を有する前記入力及び出力電気信号と関連した１組の構成データを格納し、且つ外部のコンピュータによりアクセス可能である構成レジスタをさらに含み、前記シーケンサおよび制御回路は前記構成レジスタに格納された構成データに基づいて前記集積回路における動作を調整する、請求項１に記載の集積回路。
【請求項８】  各前記入力条件付け回路は更に、前記入力電気信号をバッファし、且つ第１の入力、第２の入力及び出力を含む入力増幅器と、要求に応じて前記入力増幅器の第１の入力と第２の入力との間で選択的に切り換えられて、入力電流電気信号を前記入力増幅器のための電圧レベル入力に変換することができる負荷抵抗器と、様々な特性を有する前記入力電気信号の電圧レベルを標準の特性電圧レベルに調整することができるプログラム可能な利得モジュールとを備える、請求項１に記載の集積回路。
【請求項９】  前記信号条件付けセルの前記入力条件付け回路が更に、（ａ）前記入力増幅器の出力に接続されたプログラム可能な低域通過フィルタを備える、請求項１に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月11日(2003.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースプレート上に回転自在に取付けられたデータディスクと、
前記データディスクからデータを読取り、また前記データディスクにデータを書込むヘッドを有する、前記データディスクに隣接するアクチュエータアームと、
前記データディスク上において前記アクチュエータアームを移動させるために前記アクチュエータアームと操作可能な通信を行うサーボ制御装置を有する、前記ベースプレートに固着されたプリント回路板（ＰＣＢ）と、
前記ＰＣＢに接続され、前記サーボ制御装置への制御信号を発生し、またオペレーティングシステムを走らせる中央処理装置（ＣＰＵ）と、
アプリケーションプログラムを記憶するメモリであって、前記ＣＰＵに操作可能に接続され、それにより前記アプリケーションプログラムが前記ＣＰＵにより実行される前記メモリと、
通信ネットワークに接続可能である入出力モジュールと、
を特徴とするデータ記憶装置。
【請求項２】
前記入出力モジュールは、ハイパーテキストトランスポートプロトコルを用いて前記ネットワーク上のノードへ通信する動作を行いうるネットワークインタフェースモジュールを含む請求項１記載のデータ記憶装置。
【請求項３】
前記入出力モジュールは、前記通信ネットワークを経てビデオモニタを駆動する動作を行いうるビデオインタフェースモジュールをさらに含む請求項２記載のデータ記憶装置。
【請求項４】
前記データディスク上に記憶されたファイルデータを管理するファイルシステムをさらに含み、前記ファイルシステムは前記サーボ制御装置と直接通信する請求項３記載のデータ記憶装置。
【請求項５】
コネクタポートを含むドッキングステーションと、
マイクロプロセッサと、アプリケーションプログラムを実行する動作を行いうる前記マイクロプロセッサに操作可能に接続されたオペレーティングシステムを記憶するメモリであって、前記マイクロプロセッサは前記オペレーティングシステムを実行する前記メモリと、通信ネットワークと通信するようにされた入出力モジュールと、データ記憶ディスクと、を有するデータ記憶装置であって、前記記憶装置は前記コネクタポートに取外し可能なように接続されている前記データ記憶装置と、
を含むコンピュータシステム。
【請求項６】
前記入出力モジュールは、ハイパーテキストトランスポートプロトコルを用いて前記通信ネットワーク上のノードと操作可能に通信する請求項５記載のコンピュータシステム。
【請求項７】
コンピュータ処理タスクを分散する方法において、
複数のインテリジェント記憶素子を通信バスに接続するステップであって、それぞれのインテリジェント記憶素子はマイクロプロセッサ、コネクタポート、入出力モジュール、データディスク、および前記データディスクから読取り、また前記データディスクに書込むためのサーボ制御装置を含む前記接続するステップと、
前記複数のインテリジェント記憶素子のそれぞれにタスクを割当てるステップと、
前記タスクを割当てるステップに基づき前記複数のインテリジェント記憶素子間にデータを分散するステップと、
を含む前記方法。
【請求項８】
１次マスタインテリジェント記憶素子が破損しているかどうかを決定するステップと、
もし１次マスタインテリジェント記憶素子が破損していれば、２次マスタインテリジェント記憶素子へスイッチするステップと、
をさらに含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記割当てるステップは、
第１のアプリケーションプログラムを選択するステップと、
前記第１のアプリケーションプログラムを第１のインテリジェント記憶素子に割当てるステップと、
第２のアプリケーションプログラムを選択するステップと、
前記第２のアプリケーションプログラムを第２のインテリジェント記憶素子に割当てるステップと、
を含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
アプリケーションプログラムを実行するマイクロプロセッサと、
データディスクと、
前記データディスクに隣接して回転自在に取付けられ、読書きヘッドを前記データディスクに対して位置決めするアクチュエータアセンブリと、
前記アクチュエータアセンブリを制御するサーボ制御モジュールと、
オペレーティングシステムを含むメモリであって、マイクロプロセッサに操作可能に接続され、前記マイクロプロセッサは前記オペレーティングシステムを走らせる前記メモリと、
通信ネットワークに操作可能に接続できる入出力モジュールを特徴とする通信手段と、
を特徴とするデータ記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月8日(2004.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ブラウザ含むクライアントシステム（14）とデータ格納装置（18）を含み、前記クライアントシステムと前記データ記憶装置に接続され、前記サーバシステムからアクセス可能であり、複数の標準正投影ルールとコンピュータ生成部品モデルが前記データ記憶装置に格納しているサーバシステム（12）を用いて少なくとも1つのデジタル図面を作成する方法であって、
前記サーバシステムを用いて、事前に格納された前記標準投影ルールとコンピュータ生成モデルに基づく複数のデジタル図面ビューを作成する（70）工程と、
前記サーバシステムを用いて前記複数のデジタル図面ビューを編集する（120）工程と
を備える方法。
【請求項２】  複数のデジタル図面ビューを作成する（70）前記工程は、
作成された複数の図面ビューに寸法をラベル付けする工程と、
前記コンピュータ生成モデルに基づいて、部品リストへの部品クロスリファレンスを作成する工程とをさらに備える、請求項１の方法。
【請求項３】  部品クロスリファレンスを作成する前記工程は、前記複数の図面ビューに前記部品クロスリファレンスを適用する工程をさらに備える、請求項２の方法。
【請求項４】  複数のデジタル図面ビューを編集する（120）前記工程は、
前記デジタル図面の作成中に自動作成された項目バルーンを移動する（122）工程と、
前記デジタル図面の作成中に自動作成されたコールアウトを移動する（126）工程と、
前記デジタル図面の作成中に自動作成された余分なコールアウトを削除する（128）工程とをさらに備える、請求項１の方法。
【請求項５】  前記コンピュータモデルは二次元であって、複数のデジタル図面ビューを作成する（70）前記工程は、前記コンピュータモデルを表す複数の正投影ビューを作成する工程をさらに備える、請求項１の方法。
【請求項６】  コンピュータ生成部品モデルのデジタル図面を作成する（70）システム（10）であって、
ブラウザを備えるクライアントシステム（14）と、
複数のユーザに関連する情報を格納するデータ格納装置（18）と、
前記コンピュータ生成モデルに基づいて複数のデジタル図面ビューを作成するようにさらに構成され、前記クライアントシステムと前記データ格納装置に接続されるサーバシステム（12）とを備えるシステム。
【請求項７】  前記サーバシステム（12）は、複数のデジタル図面ビューを作成するために、標準ルールを適用するように構成される、請求項６のシステム（10）。
【請求項８】  前記サーバシステム（12）は、作成された複数の図面ビューの寸法ラベルを作成するようにさらに構成される、請求項７のシステム（10）。
【請求項９】  前記サーバシステム（12）は、前記コンピュータ生成モデルに基づいて部品リストへの部品クロスリファレンスを作成するようにさらに構成される、請求項７のシステム（10）。
【請求項１０】  前記サーバシステム（12）は、前記複数の図面ビューに前記部品のクロスリファレンスを適用するようにさらに構成される、請求項９のシステム（10）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
現在、ブラケットは、コンピュータ支援設計（CAD）システムを用いて設計される。例えば、特許文献１を参照されたい。特に、動作時にCADプログラムから入力を要求されると、システムユーザは、選択面や部品位置やその他の属性などの情報を提供する。その後、システムは、その入力情報を用いてブラケットモデルを生成する。
【特許文献１】米国特許番号5,689,435号公報
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月28日(2003.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と陽極とを有する一対の放電電極を備え、前記陽極は、放電を生じさせる前記陰極の面積より実質的に大きくないプラズマ放電を発生させ得る表面積を与えるようになっており、該陰極をｒｆ信号供給部に結合させるように該陰極に作動的に接続された結合手段が設けられ、前記電極の間隔を調整するために一方又は両方の電極を操作するための手段をさらに備え、作動中に前記プラズマ放電を制御することができるようになったことを特徴とするｒｆイオン源。
【請求項２】
前記一方又は両方の電極を操作するための手段が、３つの垂直な移動方向に一方又は両方の電極を操作することができることを特徴とする請求項１に記載のｒｆイオン源。
【請求項３】
０ｍｍから５ｍｍまでの隙間を間に定めるように、前記電極を動かすことができることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のｒｆイオン源。
【請求項４】
前記一方又は両方の電極を操作するための手段が、均一で一定のイオン源をもたらすように、フィードバック機構に作動的に接続されたことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載のｒｆイオン源。
【請求項５】
前記電極が、高い融点と優れた熱伝導率とを有し、空気中における腐食が最小限である材料で作られたことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載のｒｆイオン源。
【請求項６】
前記材料がタンタルであることを特徴とする請求項５に記載のｒｆイオン源。
【請求項７】
前記電極が、針先に形成されたことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載のｒｆイオン源。
【請求項８】
線形構成に配置された、前記請求項のいずれかによる一連の放電電極対と、各陰極をｒｆ信号供給部に結合するように各陰極に作動的に接続された結合手段とを備える拡張されたｒｆイオン源であって、前記源が、電極の間隔を調整するように前記電極の一部又は全てを操作するための手段をさらに備え、作動中にプラズマ放電を制御できるようになったことを特徴とする拡張されたｒｆイオン源。
【請求項９】
円形構成に配置された、請求項１から請求項７までのいずれかによる一連の放電電極対と、各陰極をｒｆ信号供給部に結合するように各陰極に作動的に接続された結合手段とを備える拡張されたｒｆイオン源であって、前記源が、電極の間隔を調整するように前記電極の一部又は全てを操作するための手段をさらに備え、作動中にプラズマ放電を制御できるようになったことを特徴とする拡張されたｒｆイオン源。
【請求項１０】
各々の電極対が、独自のｒｆ信号供給部と結合手段とを有することを特徴とする請求項８又は請求項９のいずれかに記載の拡張されたｒｆイオン源。
【請求項１１】
前記一連の電極対内の異なる電極対が、異なる放電特性を提供するように配置されたことを特徴とする請求項８から請求項１０までのいずれかに記載の拡張されたｒｆイオン源。
【請求項１２】
ｒｆ周波数が固定されたことを特徴とする請求項８から請求項１１までのいずれかに記載の拡張されたｒｆイオン源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
電極対を線形構成又は円形構成に配置することができる。円形構成は、大きな断面積を通って流れるガスのイオン化が必要とされる状況に有用である。
線形に構成された拡張された配置は、源が、例えば分子／超音波ビームのような高速ガス流システムと関連し、単独の源からのイオン化の機会が確実でないが、一連の源が優れたイオン化可能性を保証する場合において有用である。そのような配置において、各々の電極対は、それぞれのｒｆ信号供給部及び結合手段を有する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
線形に構成された拡張された配置のさらに別の利点は、異なる放電特性をもたらすように異なる電極対を構成できることであり、従って、システムは、一つの領域から別の領域に迅速に切り換えることができる。これは、システムがイオン移動度分光計のような機器に接続される場合には、利点となる。例えば、これは、正及び負両方のイオン生成について最適条件を与えるように適応性をもたらし、或いは特定の組の条件（例えば、ＲＦ周波数、ＲＦ振幅、又はさらに電極材料）が必要とされるより具体的な場合において、特定の化合物又は化合物のクラスの生成（よって、検出）を選択的に高める。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ＲＦ周波数／振幅の変化は、複雑な電子機器を必要とする可能性があり、これらは、費用とより複雑さを付加しがちである。拡張された源に関するように、固定された振幅／周波数システムは、簡単な電子機器を必要とし、安価で、使用、維持、構成がより簡単である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式（Ｉ）：
【化１】
2004515500.tif 000001
（式中、
Ｘは、−ＣＨＲ3−、−ＣＨＲ3−アルキル−、または−ＣＨＲ3−アルケニル−であり、
Ｚは、−Ｓ−、−ＳＯ−、または−ＳＯ2−であり、
Ｒ1は、
−アルキル、
−アリール、
−ヘテロアリール、
−ヘテロシクリル、
−アルケニル、
−Ｒ4−アリール、
−Ｒ4−ヘテロアリール
−Ｒ4−ヘテロシクリル
からなる群より選択され、
Ｒ2は、
−水素、
−アルキル、
−アルケニル、
−アリール、
−ヘテロアリール、
−ヘテロシクリル、
−アルキル−Ｙ−アルキル、
−アルキル−Ｙ−アルケニル、
−アルキル−Ｙ−アリール、ならびに
−ＯＨ、
−ハロゲン、
−Ｎ（Ｒ3）2、
−ＣＯ−Ｎ（Ｒ3）2、
−ＣＯ−Ｃ1-10アルキル、
−ＣＯ−Ｏ−Ｃ1-10アルキル、
−Ｎ3、
−アリール、
−ヘテロアリール、
−ヘテロシクリル、
−ＣＯ−アリール、および
−ＣＯ−ヘテロアリール
からなる群より選択される１以上の置換基により置換された
−アルキルまたはアルケニル
からなる群より選択され、
Ｒ3はそれぞれ独立してＨまたはＣ1-10アルキルであり、
Ｒ4はそれぞれ独立してアルキルまたはアルケニルであり、
Ｙはそれぞれ独立して−Ｏ−または−Ｓ（Ｏ）0-2−であり、
ｎは０から４までであり、そして
存在する各Ｒはそれぞれ独立して、Ｃ1-10アルキル、Ｃ1-10アルコキシ、ヒドロキシ、ハロゲンおよびトリフルオロメチルからなる群より選択される）
の化合物、またはその薬学的に許容可能な塩。
【請求項２】  Ｚが−Ｓ−または−ＳＯ2−である、請求項１に記載の化合物またはその塩。
【請求項３】  Ｒ1が−アルキル、−アリールまたはヘテロアリールである、請求項１に記載の化合物またはその塩。
【請求項４】  Ｘが−（ＣＨ2）2-6−である、請求項１に記載の化合物またはその塩。
【請求項５】  ２−ブチル−１−［４−（フェニルチオ）ブチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−ブチル−１−［２−（フェニルチオ）エチル］−６，７，８，９−テトラヒドロ−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−ブチル−１−［４−（フェニルスルホニル）ブチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−ブチル−１−［４−（メチルチオ）ブチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−ブチル−１−［４−（メチルスルホニル）ブチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
１−［２−（フェニルチオ）エチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
１−［４−（フェニルスルホニル）ブチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
１−［４−（メチルスルホニル）ブチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
１−［４−（フェニルチオ）ブチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
１−［４−（メチルチオ）ブチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−ブチル−１−［５−（メチルスルホニル）ペンチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−メチル−１−［５−（メチルスルホニル）ペンチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−エチル−１−［５−（メチルスルホニル）ペンチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
１−［５−（メチルスルホニル）ペンチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−ヘキシル−１−［５−（メチルスルホニル）ペンチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−（２−メトキシエチル）−１−［５−（メチルスルホニル）ペンチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−ブチル−１−［５−（メチルチオ）ペンチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−ブチル−１−［５−（メチルスルフィニル）ペンチル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、
２−ブチル−１−［３−（メチルスルホニル）プロピル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン、および
２−ブチル−１−［３−（フェニルスルホニル）プロピル］−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］キノリン−４−アミン
からなる群より選択される化合物、またはその薬学的に許容可能な塩。
【請求項６】  式（ＩＩ）：
【化２】
2004515500.tif 000002
（式中、
Ｘは、−ＣＨＲ3−、−ＣＨＲ3−アルキル−、または−ＣＨＲ3−アルケニル−であり、
Ｚは、−Ｓ−、−ＳＯ−、または−ＳＯ2−であり、
Ｒ1は、
−アルキル、
−アリール、
−ヘテロアリール、
−ヘテロシクリル、
−アルケニル、
−Ｒ4−アリール、
−Ｒ4−ヘテロアリール、および
−Ｒ4−ヘテロシクリル
からなる群より選択され、
Ｒ2は、
−水素、
−アルキル、
−アルケニル、
−アリール、
−ヘテロアリール、
−ヘテロシクリル、
−アルキル−Ｙ−アルキル、
−アルキル−Ｙ−アルケニル、
−アルキル−Ｙ−アリール、ならびに
−ＯＨ、
−ハロゲン、
−Ｎ（Ｒ3）2、
−ＣＯ−Ｎ（Ｒ3）2、
−ＣＯ−Ｃ1-10アルキル、
−ＣＯ−Ｏ−Ｃ1-10アルキル、
−Ｎ3、
−アリール、
−ヘテロアリール、
−ヘテロシクリル、
−ＣＯ−アリール、および
−ＣＯ−ヘテロアリール
からなる群より選択される１以上の置換基により置換された
−アルキルまたはアルケニル
からなる群より選択され、
Ｒ3はそれぞれ独立してＨまたはＣ1-10アルキルであり、
Ｒ4はそれぞれ独立してアルキルまたはアルケニルであり、
Ｙはそれぞれ独立して−Ｏ−または−Ｓ（Ｏ）0-2−であり、
ｎは０から４までであり、そして
Ｒはそれぞれ独立して、Ｃ1-10アルキル、Ｃ1-10アルコキシ、ヒドロキシ、ハロゲンおよびトリフルオロメチルからなる群より選択される）
の化合物、またはその薬学的に許容可能な塩。
【請求項７】  Ｒ1がフェニルである、請求項１、３または６に記載の化合物またはその塩。
【請求項８】  Ｒ2がＨ、アルキルまたは−アルキル−Ｏ−アルキルである、請求項１または６に記載の化合物またはその塩。
【請求項９】  請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物またはその塩の治療有効量と、薬学的に許容可能なキャリアとを含む医薬組成物。
【請求項１０】  請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物またはその塩の治療有効量を動物に投与することを含む、動物においてサイトカイン生合成を誘導する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式：
【化１】
2004515495.tif 000001
（式中、
R1は、OR、NHR、NRR'、SR、SOR、SO2R、COOH、CONH2、CONRR'、PO(OH)2、SH、SO3X、非カチオン性ヘテロ環、Cl、Br及びIから選択される少なくとも１個の置換基を有する、直鎖若しくは分岐C1−C6アルキル基又はC2−C6アルケニル基を表し、
Xは、H、Na、K又はNH4を表し、
R及びR'は、同一又は異なってよく、無置換又はOH、NH2、OR、NHR、NRR'、SR、SOR、SO2R、COOH、CONH2、CONRR'、PO(OH)2、SH、SO3X、非カチオン性ヘテロ環、Cl、Br及びIから選択される１個以上の官能基で置換されている、直鎖若しくは分岐C1−C6アルキル基又はC2−C6アルケニル基を表し、X、R及びR'は上記意味を有し、
R2は、H、或いは無置換又はOH、NH2、OR、NHR、NRR'、SR、SOR、SO2R、COOH、CONH2、CONRR'、PO(OH)2、SH、SO3X、非カチオン性ヘテロ環、Cl、Br及びIから選択される１個以上の官能基で置換されている、直鎖若しくは分岐C1−C6アルキル基又はC2C6アルケニル基を表し、X、R及びR'は上記定義を有する）のジアミノピラゾール誘導体及びその生理学的に許容性の塩。
【請求項２】
R1が、SO3H、COOH、CONH2、メトキシ、2-ヒドロキシエチルオキシ、2-ヒドロキシエチルアミノ、モノ−若しくはジメチルアミノ、1-ピロリジニル-3-オール、1-イミダゾリジニル、1-ピペラジニル、1-ピペリジニルエタノール、2-テトラヒドロフリル又は2-テトラヒドロピラニル基で置換されている直鎖C1−C3アルキル基であり、かつR2が、H、メチル、エチル、2-ヒドロキシエチル、2-メトキシエチル、2-アミノエチル又はカルボキシメチルを表すことを特徴とする請求項１に記載の式（Ｉ）の化合物。
【請求項３】
ケラチン線維の酸化染色用組成物であって、該組成物が、染色に適切な媒体中に、酸化剤として、少なくとも１種の、下記式（Ｉ）：
【化２】
2004515495.tif 000002
（式中、
R1は、OR、NHR、NRR'、SR、SOR、SO2R、COOH、CONH2、CONRR'、PO(OH)2、SH、SO3X、非カチオン性ヘテロ環、Cl、Br及びIから選択される少なくとも１個の置換基を有する、直鎖若しくは分岐C1−C6アルキル基又はC2C6アルケニル基を表し、
Xは、H、Na、K又はNH4を表し、
R及びR'は、同一又は異なってよく、無置換又はOH、NH2、OR、NHR、NRR'、SR、SOR、SO2R、COOH、CONH2、CONRR'、PO(OH)2、SH、SO3X、非カチオン性ヘテロ環、Cl、Br及びIから選択される１個以上の官能基で置換されている、直鎖若しくは分岐C1−C6アルキル基又はC2−C6アルケニル基を表し、X、R及びR'は上記意味を有し、
R2は、H、或いは無置換又はOH、NH2、OR、NHR、NRR'、SR、SOR、SO2R、COOH、CONH2、CONRR'、PO(OH)2、SH、SO3X、非カチオン性ヘテロ環、Cl、Br及びIから選択される１個以上の官能基で置換されている、直鎖若しくは分岐C1−C6アルキル基又はC2C6アルケニル基を表し、X、R及びR'は上記定義を有する）の4,5-ジアミノピラゾール、又はその生理学的に許容性の酸若しくは塩基の付加塩を含有することを特徴とする組成物。
【請求項４】
該組成物が、パラ-フェニレンジアミン、ビス(フェニル)アルキレンジアミン、パラ-アミノフェノール、オルト-アミノフェノール及び式（Ｉ）のジアミノピラゾール以外のヘテロ環式基剤、並びにそれらの酸の付加塩から選択される、少なくとも１種の追加の酸化基剤を含有することを特徴とする請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
該組成物が、少なくとも１種の発色剤及び／又は少なくとも１種の直接染料を含有することを特徴とする請求項３又は４に記載の組成物。
【請求項６】
ケラチン線維を染色するための方法であって、請求項３〜５のいずれか１項に記載の少なくとも１種の染料組成物を、所望の着色を発現させるのに十分な時間、空気中で又は酸化剤を用いて、前記線維に適用することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項３〜５のいずれか１項に記載の染料組成物を含有する第１区画と、酸化組成物を含有する第２区画との多区画装置又は多区画染色キット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体構造素子のための窒化ケイ素を基礎とする支持体において、この支持体が結晶相として窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）およびオキシ窒化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ２Ｏ）を含有し、結晶性ケイ素の含量が存在する結晶相の全体に対して５％以下であり、製造の際の収縮率が５％未満であり、支持体の開放型の多孔率が１５体積％未満であることを特徴とする、半導体構造素子のための窒化ケイ素を基礎とする支持体。
【請求項２】  請求項１記載の支持体の製造法において、出発混合物を強力に混合し、圧縮、スラリー注型、熱間圧縮、押出またはフィルム注型によって成形し、不活性の雰囲気中で架橋し、熱分解し、引続き窒化し、場合によっては焼結させることを特徴とする、請求項１記載の支持体の製造法。
【請求項３】  半導体構造素子の製造のための請求項１記載の支持体の使用。
【請求項４】  薄膜太陽電池を製造するための請求項１記載の支持体の使用。
【請求項５】  請求項１記載の支持体を含む半導体構造素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  二酸化イオウおよび酸素を含むガスからの、および該ガスに含まれる硫酸蒸気からの水銀除去方法において、前記ガスを、洗浄液として水を用いて洗浄し、液体のセレンコンパウンドを該洗浄液に供給し、セレン含有量は、50℃より低い温度において、100〜1000mg Se/1であるようにすることを特徴とする水銀除去方法。
【請求項２】  請求項１に記載の水銀除去方法において、前記液体から生成される金属セレンに関して、すべての状態においてセレン含有量が飽和するように、セレンの量を調整することを特徴とする水銀除去方法。
【請求項３】  請求項１に記載の水銀除去方法において、セレン含有量の調節は、連続供給を用いて行うことを特徴とする水銀除去方法。
【請求項４】  請求項１に記載の水銀除去方法において、塩素なしの環境で水銀をセレン化水銀HgSeとして回収することを特徴とする水銀除去方法。
【請求項５】  請求項１に記載の水銀除去方法において、塩素含有環境で水銀を複塩化物HgSe*HgC12として回収することを特徴とする水銀除去方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのブレーキ回路の圧力を制御するマスターシリンダ（２）と、マスターシリンダ内に摺動可能に装架されて内部に圧力の変動を生じさせ、手動操作部材（４）により発揮される入力及びこの手動操作部材（４）に結合されるブースタ（６）により発揮されるブースト力からなる作動力を受けるプライマリピストン（３）と、非常補助弁（ＶＡ）とを包含しており、非常補助弁（ＶＡ）が、休止位置に戻す弾性復帰手段（２２）の作用を受け、マスターシリンダの内部容積（５）に前部（２０ａ）で連通するプライマリピストンの孔（２０）内を密封態様で摺動する反動ピストン（１９）と；対応する直径の他の孔（３３）内を密封態様で摺動する反動ピストン（１９）の断面よりも小さい断面の急速ピストン（３２）と；手動操作部材（４）により駆動されるプランジャディストリビュータ（１０）によって作動される比率制御装置（２７）とを包含し、アセンブリが、非常制動の下で、液圧反力が前記急速ピストン（３２）の断面だけに発揮されるようになっている自動車用ブーストブレーキ装置において、反動ピストン（１９）を復帰させる弾性復帰手段が、プライマリピストン（３）の外部に配置され、伝達要素（Ｔ）が、弾性手段（２２）の復帰力を反動ピストン（１９）に伝達するために設けられていることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項２】
請求項１記載のブレーキ装置において、反動ピストンを復帰させる弾性復帰手段（２２）が、前記ブースタ（６）の内部に配置されていることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のブレーキ装置において、ブースタ（６）が、前方に面する空所（９ａ）を備えた空気圧ピストン（９）を包含し、弾性復帰手段が、この空所（９ａ）に配置されている圧縮スプリング（２２）あるいはジャンプスプリングからなることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項４】
請求項３記載のブレーキ装置において、反動ピストン（１９）の通過のための中央開口（１８）を有するディスク（１５）からなる空気圧ピストン補強部材を包含しており、このディスクが空気圧ピストン（９）に接続され、ジャンプスプリング（２２）を配置した室をこのピストンとで画定し、ディスク（１５）がプライマリピストン（３）に対して前方で当接することを特徴とするブレーキ装置。
【請求項５】
請求項４記載のブレーキ装置において、ディスク（１５）が空気圧ピストン（９）内に保持され、空気圧ピストンの肩部（１６）に対して後方で当接することを特徴とするブレーキ装置。
【請求項６】
請求項５記載のブレーキ装置において、ディスク（１５）が、その外周部に、雄ねじを形成され空気圧ピストン（９）のシリンダ部の内面に設けた結合ねじにねじ込まれる前方突出円筒状スカート（１７）を包含することを特徴とするブレーキ装置。
【請求項７】
請求項５記載のブレーキ装置において、ディスク（１５）が、前部で、空気圧ピストン（９）の溝（９ｂ）に固定される分割弾性リング（１５ａ）によって保持されることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のブレーキ装置において、伝達要素（Ｔ）が、比率制御装置（２７）の通過のための中央開口（２１ａ、４０）を含むプレート（２１、１２１）を包含し、このプレートが、反動ピストン（１９）に対して一方の側面で当接し、弾性復帰手段（２２）に対して他方の側面で当接することを特徴とするブレーキ装置。
【請求項９】
請求項４及び８記載のブレーキ装置において、プレート（２１、１２１）が、空気圧ピストン（９）内でピストン補強部材（１５）の後部まで移動できるように配置されていることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載のブレーキ装置において、プレート（２１、１２１）が、プランジャディストリビュータ（１０）に向かう少なくともその面に、プレートとプランジャディストリビュータ（１０）との接触を弱める反動弱化手段（２４）を包含することを特徴とするブレーキ装置。
【請求項１１】
請求項１０のブレーキ装置において、弱化手段（２４）が、プレート（２１、１２１）に結合され、プランジャディストリビュータ（１０）に向かって後方に突出する少なくとも１つのバルジ（２５ａ、２５ｂ）を有する多数の弾性材料（２５）からなることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項１２】
請求項１１記載のブレーキ装置において、多数の弾性材料（２５）が、前方に突出する他のバルジ（２５ｃ）を備えることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項１３】
請求項８ないし１２のいずれか１項に記載のブレーキ装置において、プレート（１２１）を案内する案内手段（３９、４１）が、プランジャディストリビュータ（１０）に対してプレートを案内するために設けられていることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項１４】
請求項１３記載のブレーキ装置において、案内手段が、プレート（１２１）に固定され、プランジャディストリビュータに向かって突出する中央円筒状スリーブ（３９）を包含し、このスリーブ（３９）が、前部に開いているプランジャディストリビュータの盲孔（４１）に摺動可能に収容されることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項１５】
請求項１４記載のブレーキ装置において、スリーブ（３９）が、プランジャディストリビュータに設けられたプッシュロッド（４２）及び比率制御装置（２７）のための中央通路（４０）を備えていることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項１６】
可動隔壁（８）によって２つの空気圧室（７ａ、７ｂ）に分割される剛性ケーシング（６）を包含しており、この可動隔壁が、手動操作部材（４）によって作動される弁（Ｂ）の作用のもとで室間の圧力差を受けることができ、空気圧ピストン（９）を駆動する、請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の非常弁を備えたブースト式ブレーキ装置のための空気圧ブースタにおいて、非常弁のためのジャンプスプリング（２２）がブースタ内に収容され、ジャンプスプリングの力を伝達する伝達要素（Ｔ）がブースタ（６）に設けられていることを特徴とする空気圧ブースタ。
【請求項１７】
請求項１６記載のブースタにおいて、空気圧ピストン（９）が、前方に面する空所（９ａ）を有し、空気圧ピストンに接続されたピストン補強部材（１５）が、この空所の前部に配置され、ジャンプスプリング（２２）が空所の底部とプレート（２１、１２１）との間の空所（９ａ）内に配置され、このプレートが、空気圧ピストン内を移動でき、ピストン補強部材（１５）を介して前部で停止されることを特徴とするブースタ。
【請求項１８】
請求項１７記載のブースタにおいて、ピストン補強部材（１５）が、非常弁の反動ピストン（１９）の通過のための中央開口（１８）を備えるのに対し、プレート（２１、１２１）が、非常弁の比率制御装置の通過のための中央開口（２１ａ、４０）を備えることを特徴とするブースタ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ケーシング（７）を有するモータ（２）と、油圧ブロック（４）と、モータ（２）を制御または調整するためのモータ電子機器（６）とが備えられ、モータ電子機器（６）の少なくとも一部がモータ（２）のケーシング（７）内において端板（１４）上に配置され、モータ電子機器（６）がプラグコネクタ（５）を介してコントローラケーシング（９）内の電子部品および補助電子機器に導電的に接続されていることを特徴とする、異なる性能のユニット（１）のためのモジュール構造を有するユニット（１）、特に電子制御式車両ブレーキ装置のブレーキユニット。
【請求項２】  モータ電子機器（６）がモータ（２）の油圧ブロック（４）側に設けられていることを特徴とする請求項１記載のユニット（１）。
【請求項３】  モータ電子機器（６）が別個の部品（１０，１４）に配置され、この部品がモータ（２）と油圧ブロック（４）の間に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載のユニット（１）。
【請求項４】  モータ電子機器（６）が回路基板（１０）上に設けられ、この回路基板がモータ（２）の端板（１４）に配置されていることを特徴とする請求項３記載のユニット（１）。
【請求項５】  モータ電子機器（６）の近くにおいて特に回路基板（１０）上に、少なくとも１個の回転数センサ（１３）が配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のユニット（１）。
【請求項６】  モータ（２）と油圧ブロック（４）の間に伝熱手段（８）が設けられ、この伝熱手段が特にモータ電子機器（６）および／または回路基板（１０）に直接連結されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のユニット（１）。
【請求項７】  油圧ブロック（４）が熱伝導材料、特にアルミニウムから作られていることを特徴とする請求項６記載のユニット（１）。