【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子電界エミッタの電界放出を高めるための方法であって、
（ａ）材料と電子電界エミッタとを接触させ、材料と電子電界エミッタとの間に密着接触を形成し、
（ｂ）この材料を電子電界エミッタから剥離して電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは電子電界エミッタを再配列させ、電子電界エミッタの新たな表面を形成することを含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】  電子電界エミッタの電界放出を高めるための方法であって、電子電界エミッタの面に対して本質的に垂直な方向で電子電界エミッタの表面に力を印加し、電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは電子電界エミッタを破壊し、電子電界エミッタの新たな表面を形成することを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】  電子電界エミッタが針状放出物質を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  電子電界エミッタがカーボンナノチューブを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】  レーザアブレーションによって単壁カーボンナノチューブを成長させてカーボンナノチューブを提供する工程をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  カーボンナノチューブを有機媒体中で超音波混合することでカーボンナノチューブ懸濁液を調製し、カーボンナノチューブを提供する工程をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】  電子電界エミッタがカーボンファイバを含み、各ファイバが、カーボンファイバの周囲がグラフェン平面の縁から本質的になるようにファイバ軸に対して角度をなして配置されたグラフェンの平らな層を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項８】  材料を液体状で適用する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  陽極電圧を正常動作陽極電圧レベルより上に維持しつつ電子電界エミッタを反応性ガスに暴露し、電子電界エミッタにおける放出のホットスポットを減らす工程をさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１０】  請求項１または２に記載の方法で得ることが可能である、電子電界エミッタ。
【請求項１１】  請求項１または２に記載の方法で得ることが可能な電子電界エミッタを含む、電界放出型三極管。
【請求項１２】  請求項１または２に記載の方法で得ることが可能な電子電界エミッタを含む、照明装置。
【請求項１３】  固形分にカーボンナノチューブを含むスクリーン印刷可能なペーストであって、カーボンナノチューブが固形分の総重量に対して９重量パーセント未満を占めることを特徴とする、ペースト。
【請求項１４】  カーボンナノチューブが固形分の総重量に対して０．０１から２重量パーセントを占める、請求項１３に記載のスクリーン印刷可能なペースト。
【請求項１５】  固形分に、カーボンナノチューブと、銀微粒子と、ガラスフリットとを含むスクリーン印刷可能なペーストであって、ペーストの総重量に対して、カーボンナノチューブが０．０１から６．０重量パーセントを占め、銀微粒子が４０から７５重量パーセントを占め、ガラスフリットが３から１５重量パーセントを占めていることを特徴とする、ペースト。
【請求項１６】  光画像形成型モノマーまたはポリマーをさらに含む、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載のスクリーン印刷可能なペースト。
【請求項１７】  陽極電圧を正常動作陽極電圧レベルより上に維持しつつ電子電界エミッタにおいて放出のホットスポットを減らすための方法であって、電子電界エミッタを反応性ガスに暴露することを含むことを特徴とする、方法。
【請求項１８】  反応性ガスが酸素である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  電子電界エミッタを含む陰極アセンブリにおいて、針状炭素を含む光画像形成型の電子電界エミッタ層を印刷することを含むことを特徴とする、陰極アセンブリを作製するための方法。
【請求項２０】  針状炭素がカーボンナノチューブを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  光画像形成型誘電体層と光画像形成型銀ゲート層とを印刷する工程を更に含み、電子電界エミッタ層、誘電体層および銀ゲート層が１回の露光で画像形成処理されるものである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】  （ａ）材料と電子電界エミッタとを接触させて材料と電子電界エミッタとの間に密着接触を形成する工程と、
（ｂ）この材料を電子電界エミッタから剥離して電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは電子電界エミッタを再配列させ、電子電界エミッタの新たな表面を形成する工程と、をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】  電子電界エミッタの面に対して本質的に垂直な方向で電子電界エミッタの表面に力を印加し、電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは電子電界エミッタを破壊し、電子電界エミッタの新たな表面を形成する工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】  光画像形成型の厚いフィルムペーストを用いて通常ゲート三極管アレイを含む陰極アセンブリを作製するための方法であって、
（ａ）基板に光画像形成型銀陰極層を印刷し、光画像形成処理を施し、銀陰極層を現像し、焼成して銀陰極フィードラインを基板上に形成し、
（ｂ）光画像形成型電子電界エミッタ層を銀陰極フィードラインおよび露光基板の上に印刷し、光画像形成処理をほどこし、電子電界エミッタ層を現像して、銀陰極フィードライン上のドット、矩形またはラインとし、
（ｃ）１つ以上の均一な光画像形成型誘電体層を銀陰極フィードラインおよび電子電界エミッタの上に印刷し、誘電体を乾燥させ、
（ｄ）光画像形成型銀ゲートラインの層を誘電体の上に印刷し、この銀ゲートラインの層を乾燥させ、
（ｅ）バイアまたは細溝パターンを含むフォトマスクを用いて銀ゲートと誘電体層の両方を１回の露光で画像形成し、これによって電子電界エミッタのドット、矩形またはラインの上にバイアを形成し、
（ｆ）銀ゲートおよび誘電体層を現像し、バイアの底部に電子電界エミッタ層を現出させ、電子電界エミッタと、誘電体と、銀ゲート層とを、電子電界エミッタに合った条件下で同時焼成することを含むことを特徴とする方法。
【請求項２５】  光画像形成型の厚いフィルムペーストを用いて、反転型ゲート三極管アレイをリブ形状で含む陰極アセンブリを作製するための方法であって、
（ａ）光画像形成型銀ゲート層を基板に印刷し、光画像形成処理をほどこし、銀ゲート層を現像し、焼成して銀ゲートラインを基板上に形成し、各銀ゲートラインの幅が制御対象となる電子エミッタの幅を超えて延在し、ゲートラインの幅が電子エミッタ近辺で基板の大半をカバーし、
（ｂ）１つ以上の均一な光画像形成型誘電体層を銀ゲートラインおよび露光基板の上に印刷し、誘電体を乾燥させ、
（ｃ）光画像形成型銀陰極フィード層を誘電体の上に印刷し、銀陰極フィード層を乾燥させ、
（ｄ）光画像形成型の電子電界エミッタ層を印刷し、電子電界エミッタ層を乾燥させ、
（ｅ）リブパターンを含むフォトマスクを用いて電子電界エミッタと陰極フィードと誘電体層とに１回の露光で画像形成し、これによって、誘電体リブの上で電子電界エミッタと陰極フィードラインとのアライメントを達成し、
（ｆ）電子電界エミッタ、陰極フィードおよび誘電体層を現像し、リブ形状を形成し、電子電界エミッタと、陰極フィードと、誘電体層とを、電子電界エミッタに合った条件下で同時焼成することを含むことを特徴とする方法。