Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明または半透明の支持体、透明または半透明の第一の電極、第二の伝導性電極、および該透明または半透明の第一の電極と第二の伝導性電極との間に挟まれたエレクトロルミネッセント蛍燐光体層を含んでなるエレクトロルミネッセント装置であって、該第一および第二の電極が各々同一もしくは異なっていてもよい３，４−ジアルコキシチオフェンの重合体もしくは共重合体を含んでなり、ここで該２個のアルコキシ基は同一もしくは異なっていてもよいか或いは一緒になって場合により置換されていてもよいオキシ−アルキレン−オキシ架橋を表すことを特徴とする装置。
【請求項２】
（３，４−ジアルコキシチオフェン）の該重合体もしくは共重合体がポリ（３，４−メチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−メチレンジオキシチオフェン）誘導体、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）誘導体、ポリ［３，４−（プロピレンジオキシ）チオフェン］、ポリ［３，４−（プロピレンジオキシ）チオフェン］誘導体、ポリ（３，４−ブチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−ブチレンジオキシチオフェン）誘導体およびそれらとの共重合体よりなる群から選択される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置を含んでなるディスプレイ。
【請求項４】
請求項１に記載の装置を含んでなるランプ。
【請求項５】
（ｉ）透明または半透明の支持体を３，４−ジアルコキシチオフェンの重合体もしくは共重合体の溶液、分散液またはペーストでコーティングして該透明または半透明の第一の伝導性層を製造し、（ｉｉ）該第一の伝導性層をエレクトロルミネッセント蛍燐光体を含んでなる層でコーティングし、（ｉｉｉ）場合によりエレクトロルミネッセント蛍燐光体を含んでなる該層を誘電層でコーティングし、そして（ｉｖ）存在するなら該誘電層をまたは誘電層が存在しない場合にはエレクトロルミネッセント蛍燐光体を含んでなる該層を３，４−ジアルコキシチオフェンの重合体もしくは共重合体の溶液、分散液またはペーストでコーティングして該第二の伝導性層を製造する段階を含んでなる請求項１に記載の装置を製造する方法であって、段階（ｉ）で使用される溶液、分散液またはペースト状の該３，４−ジアルコキシチオフェンの該重合体もしくは共重合体は段階（ｉｖ）で使用される溶液、分散液またはペースト状の該３，４−ジアルコキシチオフェンの該重合体もしくは共重合体と同一もしくは異なっていてもよい方法。
【請求項６】
透明または半透明の支持体、透明または半透明の第一の電極、第二の伝導性電極、および該透明または半透明の第一の電極と第二の伝導性電極との間に挟まれたエレクトロルミネッセント蛍燐光体層を含んでなるエレクトロルミネッセント装置であって、該第一および第二の電極が各々同一もしくは異なっていてよい３，４−ジアルコキシチオフェンの重合体もしくは共重合体を含んでなり、該２個のアルコキシ基は同一もしくは異なっていてもよいか或いは一緒になって場合により置換されていてもよいオキシ−アルキレン−オキシ架橋を表す装置を製造するための、（３，４−ジアルコキシチオフェン）の重合体もしくは共重合体、ポリアクリレート濃化剤およびグリコール誘導体、並びに場合により界面活性剤を含んでなる透明ペーストの使用。
【請求項７】
照明されたポスターおよび看板（ｓｉｇｎａｇｅ）における請求項１に記載のエレクトロルミネッセント装置の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接線方向流ファンを含む放電レーザ装置であって、
Ａ）レーザチャンバを有し、該レーザチャンバは、
１）レーザ生成ガスと、
２）前記ガス内に放電領域を形成する放電を生成するように構成された少なくとも２つの長手方向の電極と、
３）前記ガスを循環させるための接線方向流ファン(a tangential fan)と、
を備え、前記ファンは、回転軸と実質的に前記回転軸に同心の周辺とを定め、一体構造のファンブレード構造体とを含んでおり、前記ファンブレード構造体は、
ａ）前記周辺に近接して配置された複数のブレード部材と、
ｂ）前記ブレード部材を支持し、ファンブレード・セグメントを定める複数のハブ部材とからなり、
前記ブレード部材は、ブレード部材からの放電生成音響衝撃波の反射による悪影響が前記放電領域において最小になるように配置されており、
Ｂ）前記電極間に放電を生成するために該電極に高圧の電気パルスを与えるパルス電力源を有することを特徴とする放電レーザ装置。
【請求項２】
複数の前記セグメントの各々の中の前記ブレード部材の数が、奇数の整数であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ブレード部材が、翼型断面形状を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ハブ部材が前記回転軸に対して実質的に横方向に配置され、前記接線方向流ファンの曲げモード振動の固有振動数が制御されるように該ハブ部材の数及び軸方向の配置が選択されたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記接線方向流ファンの曲げモード振動の固有振動数が該接線方向流ファンの回転周波数の２倍より大きくなるように前記ハブ部材が選択されたことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記接線方向流ファンの材料が、６０６１アルミニウム、実質的に３．５−６．５パーセントの銅及び０−２．５パーセントのニッケルからなる付加金属を含むアルミニウム合金、及び実質的に３．５−６．５パーセントの銅及び０−１．５パーセントの銀からなる付加金属を含むアルミニウム合金からなるグループから選択された合金であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ブレード部材が、二重螺旋状に配置にされたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記複数のハブ部材が、１５より多く、２５より少ないことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ブレード部材が、円弧に対応する断面を有することを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記円が、１．０インチより小さい半径により定められることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記ブレードが、複数の前記セグメントの各セグメントの中に非対称に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
複数の前記セグメントの各々の中の前記ブレード部材が、隣接するセグメント内のブレードに対して非対称に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月18日(2003.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空を利用して基板をウエハ保持アッセンブリーに保持しながら処理用溶液を用いて基板の前面を処理する方法であって、
収縮可能なシール部材と固定のシール部材とによって基板の裏面をシールする工程と、
処理用溶液を用いて基板の前面を処理する工程とを具備する方法。
【請求項２】
前記収縮可能なシール部材によって基板の裏面をシールする工程は、第１のシールを提供するように収縮可能なシール部材を膨張させる工程を有する請求項１の方法。
【請求項３】
前記膨張させる工程は、流体ラインを介して収縮可能なシール部材に流体源を接続する工程を有する請求項２の方法。
【請求項４】
前記収縮可能なシール部材は、円形ストリップを備えた膨張可能なガスケット膜を有し、前記膨張させる工程は、ガスケット膜を膨張させる工程を有する請求項２の方法。
【請求項５】
前記収縮可能なシール部材のシールを解除するようにガスケット膜を収縮させる工程を更に具備する請求項４の方法。
【請求項６】
前記収縮可能なシール部材によって基板の裏面をシールする工程は、環状のハウジングを基板の裏面に対して動かす工程を有する請求項１の方法。
【請求項７】
前記環状のハウジングは、Ｏ−リングシールを有する請求項６の方法。
【請求項８】
前記環状のハウジングを動かす工程は、環状ハウジングの内径に結合されたスプロケットを回転させる工程を有する請求項６の方法。
【請求項９】
前記収縮可能なシール部材のシールを解除するように環状ハウジングを基板の裏面から離すように動かす工程を更に具備する請求項６の方法。
【請求項１０】
前記基板の裏面に対する収縮可能なシール部材のシールを解除する工程を更に具備する請求項１の方法。
【請求項１１】
前記基板の裏面をクリーニングする工程を更に具備する請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記基板の前面を処理する工程は、パッドを用いて基板の前面の化学機械研磨を行い、この時に、ウエハの前面とパッドとが、互いに接触され、互いに対して動く請求項１の方法。
【請求項１３】
前記基板の前面を処理する工程は、処理用溶液として電解質を用いて導体の電気化学堆積を行う工程を有する請求項１の方法。
【請求項１４】
前記電気化学堆積を行う工程は、パッドを用いた電気化学機械堆積を行う工程を有する請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記基板の前面を処理する工程は、基板の前面の電解研磨を行う工程を有する請求項１の方法。
【請求項１６】
前記電解研磨を行う工程は、基板を研磨するためのパッドを用いた電気化学機械研磨を有する請求項１５の方法。
【請求項１７】
請求項１の方法に従って製造された集積回路。
【請求項１８】
基板の裏面の中央部に接触するように構成された固定のシール部材と、
この固定のシール部材の隣に配置され、基板の裏面の外部と選択的に接触するように構成された収縮可能なシール部材とを具備する、半導体基板の前面を処理するために半導体基板の裏面を保持する基板キャリヤー。
【請求項１９】
前記基板の裏面と基板キャリヤーとの間の流体を排出するように構成された真空源を更に具備し、前記シール部材は、基板を基板キャリヤーに保持するようにシールを提供する請求項１８の基板キャリヤー。
【請求項２０】
前記収縮可能なシール部材は、円形ストリップを備えた膨張可能なガスケット膜を有し、基板キャリヤーから基板の裏面をシール及びシールを解除するために膨張及び収縮させるように構成されている請求項１８もしくは１９の基板キャリヤー。
【請求項２１】
前記収縮可能なシール部材は、可動の環状ガスケットを有し、基板キャリヤーから基板の裏面をシール及び解除するためにこれに対して及びこれから離れるように動くように構成されている請求項１８もしくは１９の基板キャリヤー。
【請求項２２】
環状のハウジングが、環状のハウジングの内径側に設けられたスプロケットを有し、基板キャリヤーから基板の裏面をシール及びシールを解除するために回転するように構成されている請求項２１の基板キャリヤー。
【請求項２３】
前記収縮可能なシール部材が収縮された時に基板の裏面をクリーニングするように構成されたクリーナー機構を更に具備する請求項１８の基板キャリヤー。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月3日(2003.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの集積回路；
前記少なくとも１つの集積回路を取り囲むパッケージ；
熱を除去するために前記少なくとも１つの集積回路に熱的に連結されたマイクロ流体冷却器であって、冷却流体から構成される、マイクロ流体冷却器；および  冷却流体が蒸発冷却を提供するように、前記マイクロ流体冷却器を制御するための制御器；
から構成されることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置であって、前記少なくとも１つの集積回路に接続される消費電力センサからさらに構成され、前記制御器は前記消費電力センサに対応して前記マイクロ流体冷却器を制御する、電子装置
【請求項３】
請求項１に記載の電子装置であって、前記１つの集積回路に接続される温度センサからさらに構成され、前記制御器は前記温度センサに対応して前記マイクロ流体冷却器を制御する、電子装置
【請求項４】
請求項１に記載の電子装置であって、前記マイクロ流体冷却器は、冷却流体の小滴を生成し、且つ前記集積回路に冷却流体の小滴を衝突させるために、少なくとも１つの小滴生成器から構成される、ことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項３に記載の電子装置であって、前記少なくとも１つの小滴生成器は少なくとも１つのマイクロ電気化学ポンプから構成される、ことを特徴とする電子装置。
【請求項６】
請求項１に記載の電子装置であって、前記マイクロ流体冷却器と流体経路により接続され、前記パッケージに支えられる少なくとも１つの熱交換器からさらに構成される、ことを特徴とする電子装置。
【請求項７】
少なくとも１つの集積回路；
前記少なくとも１つの集積回路を取り囲むパッケージであって、第１の一対の対向する主要表面、第２の一対の対向する側面および第３の対向する端面をもつ平行六面体形状を有する、パッケージ；
熱を除去するために前記パッケージにおいて且つ前記少なくとも１つの集積回路に熱的に連結されたマイクロ流体冷却器であって、冷却流体から構成される、マイクロ流体冷却器；および
前記第２の一対の対向する側面に接続され、前記マイクロ流体冷却器と流体経路により接続される一対の熱交換器；
から構成されることを特徴とする電子装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電子装置であって、前記マイクロ流体冷却器は、冷却流体の小滴を生成し、且つ前記集積回路に冷却流体の小滴を衝突させるために少なくとも１つの小滴生成器から構成される、ことを特徴とする電子装置。
【請求項９】
マイクロ流体冷却器を収容するパッケージにおける少なくとも１つの集積回路を冷却するための方法であって、マイクロ流体冷却器は冷却流体から構成され：
冷却流体が蒸発冷却を提供するように、マイクロ流体冷却器を制御する段階；
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、制御する段階は、少なくとも１つの集積回路の消費電力をセンシングする手順とセンシングに対応してマイクロ流体冷却器を制御する手順とからさらに構成される、ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、制御する段階は、少なくとも１つの集積回路の温度をセンシングする手順とセンシングに対応してマイクロ流体冷却器を制御する手順とからさらに構成される、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン加速器システムにおける入口端部および加速モジュールの間の経路に沿ってイオンを集めるためのイオン集群器であって、
細長いスリット開口を有し、細長いスリット形状の横軸プロフィールを有するイオンビームの入口開口を形成する第１接地電極と、
スリット開口または円形開口のいずれかを有し、前記加速モジュールに向うイオンビーム経路に沿って配置される第２接地電極と、
細長いスリット開口を有して前記第１、第２接地電極間に配置され、これらの電極間にギャップを形成し、エネルギー源に関連して作動しかつ前記第１、第２接地電極のそれぞれとの間の各ギャップ間に調整電界を形成し、集群したイオンを前記加速モジュールに供給するための励起電極とを備えていることを特徴とするイオン集群器。
【請求項２】
励起電極は、約２〜約１０の間の縦横比を有することを特徴とする請求項１記載のイオン集群器。
【請求項３】
励起電極に関連したスリット開口は、縦方向長さが約２５ｍｍ、横方向長さが約４ｍｍからなることを特徴とする請求項１記載のイオン集群器。
【請求項４】
複数のギャップは、異なる長さを有することを特徴とする請求項１記載のイオン集群器。
【請求項５】
前記ギャップは、調整可能であることを特徴とする請求項４記載のイオン集群器。
【請求項６】
励起電極のエネルギー源は、周波数、位相、及びビーム経路の一部分における調整電界に関連した電界強さの少なくとも１つを変えるために独立して調整可能であることを特徴とする請求項４記載のイオン集群器。
【請求項７】
一方のギャップは、十分小さい距離からなり、その小さいギャップ間をイオンが移動する時間の間、このギャップ内の調整電界がほぼ均一となるように、前記ギャップが選択されることを特徴とする請求項１記載のイオン集群器。
【請求項８】
他方のギャップは、一方のギャップよりも大きな距離を有し、その大きいギャップ間をイオンが移動する時間の間、このギャップ内の調整電界が変化することを特徴とする請求項７記載のイオン集群器。
【請求項９】
イオン集群器に関連した第１接地電極は、イオン加速器システムのための入口開口を形成することを特徴とする請求項４記載のイオン集群器。
【請求項１０】
第１接地電極及び励起電極に関連したスリットの方向は、同一であり、これにより、イオンビームが２つのスリットに対応する縦横比を有して、前記イオンビーム内におけるイオンの集群動作を容易にすることを特徴とする請求項９記載のイオン集群器。
【請求項１１】
イオン加速器システムにおける入口端部から出口端部への経路に沿って移動するイオンを加速するためのリニア加速器システムであって、
加速器のエネルギー源に関連して作動しかつ加速する交流電界を形成してイオンを第１エネルギーから第２エネルギーに加速するための少なくとも１つの励起可能な電極を有する、少なくとも１つの加速モジュールと、
前記入口端部と少なくとも１つの加速モジュールとの間で、ビーム経路に沿ってイオンを集めるためのイオン集群器とを備え、
このイオン集群器は、
細長いスリット開口を有し、細長いスリット形状の横軸プロフィールを有するイオンビームの入口開口を形成する第１接地電極と、
スリット開口または円形開口のいずれかを有し、前記加速モジュールに向うイオンビーム経路に沿って配置される第２接地電極と、
細長いスリット開口を有して前記第１、第２接地電極間に配置され、これらの電極間にギャップを形成し、エネルギー源に関連して作動しかつ前記第１、第２接地電極のそれぞれとの間の各ギャップ間に調整電界を形成し、集群したイオンを前記加速モジュールに供給するための励起電極とを備えていることを特徴とするリニア加速器システム。
【請求項１２】
励起電極に関連したスリット開口は、約２〜約１０の間の縦横比を有することを特徴とする請求項１１記載のリニア加速器システム。
【請求項１３】
励起電極に関連したスリット開口は、縦方向長さが約２５ｍｍ、横方向長さが約４ｍｍからなることを特徴とする請求項１１記載のリニア加速器システム。
【請求項１４】
初期エネルギーを有する荷電されたイオンをビーム経路に沿って導くためのイオン源と、入口端部と出口端部を有するリニア加速器システムと、を含むイオン注入機であって、
イオンを加速するエネルギー源と関連して作動しかつ第１の交流電界を形成して前記イオンを第１エネルギーから第２エネルギーに加速するための少なくとも１つの励起電極を有する少なくとも１つの加速モジュールと、
前記リニア加速器システムの入口と少なくとも１つの前記加速モジュールとの間の珪素に沿ってイオンを集めるためのイオン集群器と含み、
このイオン集群器は、
細長いスリット開口を有し、細長いスリット形状の横軸プロフィールを有するイオンビームの入口開口を形成する第１接地電極と、
スリット開口または円形開口のいずれかを有し、前記加速モジュールに向うイオンビーム経路に沿って配置される第２接地電極と、
細長いスリット開口を有して前記第１、第２接地電極間に配置され、これらの電極間にギャップを形成し、エネルギー源に関連して作動しかつ前記第１、第２接地電極のそれぞれとの間の各ギャップ間に調整電界を形成し、集群したイオンを前記加速モジュールに供給するための励起電極とを備えており、
さらに、第２エネルギーに加速された荷電イオンを加工物に衝突させるように前記加工物を位置決めることができる端部ステーションと、
前記エネルギー源に接続され、前記リニア加速器システムにおける電界の振幅と位相を制御するためのコントローラと、を含んでいることを特徴とするイオン注入機。
【請求項１５】
一方のギャップは、十分小さい距離からなり、その小さいギャップ間をイオンが移動する時間の間、このギャップ内の調整電界がほぼ均一となるように、前記ギャップが選択されることを特徴とする請求項１４記載のイオン注入機。
【請求項１６】
他方のギャップは、一方のギャップよりも大きな距離を有し、その大きいギャップ間をイオンが移動する時間の間、このギャップ内の調整電界が変化することを特徴とする請求項１５記載のイオン注入機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲン化アルカリ金属とハロゲン化アルカリ土類金属とからなる群から選ばれるハロ
ゲン化金属粒子を対応する１種又は複数種の硫酸塩へ変換する方法であって、ハロゲン化
金属粒子を二酸化硫黄と水蒸気と空気とを含む流動気体と十分な速度で接触させてハロゲ
ン化金属粒子の流動床を形成させ、この流動床を約２０４℃（約４００°Ｆ）から約８７
１℃（約１６００°Ｆ）の範囲の温度で十分な時間維持して、気体を生成させるとともに
、ハロゲン化金属粒子を対応する１種又は複数種の硫酸塩に変換させることを特徴とする
ハロゲン化金属粒子を硫酸塩へ変換する方法。
【請求項２】
前記ハロゲン化金属粒子の１種又は複数種のハロゲン化物は、塩化物、フッ化物、臭化
物およびそれらの混合物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ハロゲン化金属粒子の１種又は複数種の金属は、カリウム、ナトリウム、カルシウ
ムおよびそれらの混合物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記流動床は約３０ｃｍから約１．２ｍ（約１２インチから４フィート）の範囲の深さ
を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記流動気体とハロゲン化金属粒子との接触を十分な時間維持して、前記流動床から出
る流動気体から実質的に全ての硫黄含有気体を除去することを特徴とする請求項４の方法
。
【請求項６】
前記二酸化硫黄は元素硫黄を燃焼して製造したことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記流動気体はＳＯ3 を含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項８】
ハロゲン化アルカリ金属とハロゲン化アルカリ土類金属とからなる群から選ばれるハロ
ゲン化金属粒子を対応する１種又は複数種の硫酸塩へ変換する方法であって、二酸化硫黄
と水蒸気と空気とを含む流動気体をハロゲン化金属粒子に十分な速度で通過させてハロゲ
ン化金属粒子を流動させこの流動を維持することによって、一連の複数のハロゲン化金属
粒子流動床を形成し、一連の複数流動床の最後の流動床を出る流動気体は硫黄を実質的に
含まずかつ一連の複数流動床の最初の流動床を出る粒子はハロゲン化物を実質的に含まな
いようになるまで、一連の複数流動床おける一つの流動床から出る流動気体をもう一つの
流動床に通過させることを特徴とするハロゲン化金属粒子を硫酸塩へ変換する方法。
【請求項９】
前記粒子は一連の複数流動床における流動床から流動床へ移送されることを特徴とする
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記流動気体は、前記粒子の移送方向と対向する方向に流動させることを特徴とする請
求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記ハロゲン化金属粒子の１種又は複数種のハロゲン化物は、塩化物、フッ化物、臭化
物およびそれらの混合物からなる群から選ばれ、前記ハロゲン化金属粒子の１種又は複数
種の金属は、カリウム、ナトリウム、カルシウムおよびそれらの混合物からなる群から選
ばれることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
各流動床は約３０ｃｍから約１．２ｍ（約１２インチから４フィート）の範囲の深さを
有することを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記流動気体における二酸化硫黄は元素硫黄を燃焼して製造したことを特徴とする請求
項８記載の方法。
【請求項１４】
前記流動気体中の硫黄はＳＯ3 を含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の流動床は単一の容器中に垂直に配列され、一つの流動床からの粒状物質がよ
り低い位置の流動床へと流下し、より低い位置の流動床から出る気体がより高い位置の流
動床を通って流れるようにしたことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の流動床が垂直に配列され、粒子は流動気体に対して対向するように流れ、ハ
ロゲン化物含有量の最も高い粒子は酸化硫黄含有量の最も低い気体と接触するようにした
ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１７】
ハロゲン化物は塩化物であり、金属はカリウム又はカルシウムであることを特徴とする
請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月14日(2004.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学プロセスを行う化学処理デバイスであって、
少なくともプロセスの一部を実行する、平列に動作可能な複数のサブシステムモジュールであって、該モジュールの各々がプロセスを行う細長いリアクタチャンバを備え、該サブシステムモジュールが第１の端部と第２の端部とを有し、該端部がプロセス流体を受け入れかつ放出する開口を有する、複数のサブシステムモジュールと、
該複数のモジュールの各々の一方の端部に接続された少なくとも１つのマニホールドであって、少なくとも１つの流体ストリームを、該モジュールの各々のプロセス空間のうちの第１のプロセス空間と該プロセス空間のうちの第２のプロセス空間との間で導く、少なくとも１つのマニホールドと、
該マニホールドを介して該プロセス流体の流れを制御する、少なくとも１つの流体流コントローラと、
を備えた化学処理デバイス。
【請求項２】
前記化学プロセスが複数のサブプロセスで行われ、前記複数のサブシステムモジュールが各々、少なくとも２つの細長いリアクタチャンバを備え、該２つの細長いリアクタチャンバの一方がその内部で該サブプロセスうちの第１のサブプロセスを行い、他方がその内部で該サブプロセスのうちの別のサブプロセスを行う、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記デバイスが、前記サブシステムモジュールの各々の前記他端に接続された第２のマニホールドを備え、該第２のマニホールドが流体源から前記プロセス流体を受け取って該サブシステムモジュール間に該流体を分配する、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記少なくとも２つのチャンバの一方の少なくとも一部が、該少なくとも２つのチャンバの他方の内部に含まれている、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記少なくとも２つの細長いリアクタチャンバが、細長い管状部材の内部に形成されている、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記細長い管状部材の少なくとも１つが、少なくとも部分的に、他方の細長い管状部材の内部に含まれている、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記管状部材が概略円形の断面を有し、互いに概略同軸状の関係でエンドブロック間に取り付けられている、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記サブシステムモジュールからの流体ストリームが、前記マニホールドのうちの少なくとも一方の内の流体チャネル内で組み合わされる、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記デバイスの出力が、需要に応じて前記サブシステムモジュールのうちの少なくとも１つの動作状態を変更するようにバルブを選択的に制御することによって制御され、それによって該デバイスの該出力が絞り込まれ、かつ、該サブシステムモジュールが概略所望の出力レベルで機能することが可能になる、請求項３に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記管状部材の材料および壁厚が、前記少なくとも２つのリアクタチャンバのうちの一方から該チャンバのうちの他方への所望のレベルの熱伝導を提供するように選択される、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記デバイス内で行われるプロセス内で行われるプロセスが、水素リッチな出力ストリームを生成するための炭化水素の蒸気改質を含み、該出力ストリームが水素燃料電池に連通し、前記制御が、水素センサと燃料電池電気出力センサとからなる群より選択された少なくとも１つのセンサを備え、該各センサは制御論理回路に接続されて出力信号を該制御論理回路に送り、該制御論理回路は該出力信号に応じて前記バルブを動作する出力信号を生成する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記コントローラが出力を提供するセンサをさらに備え、前記バルブがセンサ出力に基づいて動作する、請求項２に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記サブシステムモジュールが複数の入れ子式管を備えた、請求項３に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記サブシステムモジュールが複数の入れ子式管を備えた、請求項２に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記制御が１以上のバルブアレイからなる、請求項２に記載のデバイス。
【請求項１６】
熱交換、流混合、および流分割からなる群より選択されたプロセスが、前記マニホールドのうちの少なくとも一方内で実行される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１７】
少なくとも１つのプロセスストリームが複数のストリームに分割され、該ストリーム内の流れは前記制御によって独立して制御され、該ストリームのうちの少なくとも１つは前記複数のサブシステムモジュールと連通するためにさらに分割される、請求項３に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記バルブが、形状記憶合金作動、圧電作動、熱気圧作動、静電作動、および２つの異なる金属の接合部の温度変化による作動からなる群より選択された作動によって作動する、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１９】
少なくとも１つのエンドブロックが、複数のサブシステムモジュールの各々のリアクタまで、および該リアクタから、流体を連通させるチャネルを内部に有する複数の層を備えた、請求項３に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相補的な複数の流体コネクターを有するレセプターからロックされるように、およびロック解除されるように構成された分離モジュールであって、
ハウジングと、
互いに排他的でありハウジングの一端に位置する流体入口および流体出口と、
入口および出口と流体連通してハウジング内にある分離エレメントと、
前記ハウジング内に固定されているラッチであって、前記入口および前記出口が、前記相補的な複数の流体コネクターと流体連通するように前記ハウジングがロック位置にあるとき、前記ハウジングを保持するラッチとを有する、分離モジュール。
【請求項２】
前記ラッチを移動させるように力が印加され得るレバーを含む、請求項１に記載の分離モジュール。
【請求項３】
旋回軸面を含む、請求項１に記載の分離モジュール。
【請求項４】
第３の流体コネクターを含む、請求項１に記載の分離モジュール。
【請求項５】
流体入口と流体出口とが平行である、請求項１に記載の分離モジュール。
【請求項６】
第３の流体コネクターがベントである、請求項４に記載の分離モジュール。
【請求項７】
第３の流体コネクターが流体入口および流体出口と平行である、請求項４に記載の分離モジュール。
【請求項８】
ラッチがハウジングの形に基づいて形作られる、請求項１に記載の分離モジュール。
【請求項９】
相補的な分離装置を受け入れるように構成されたレセプターであって、
分離装置に固定されたラッチを受け入れるように構成されたスロットであって、スロットを画定する構造はレセプターにロックされたときに分離装置を保持するようにさらに構成されたものである、スロットと、
互いに排他的でありかつ前記分離装置の流体コネクターと相補的である少なくとも２つの流体コネクターとを含む、レセプター。
【請求項１０】
旋回軸面を含む、請求項９に記載のレセプター。
【請求項１１】
分離モジュール上の第３の流体コネクターと相補的である第３の流体コネクターをさらに含む、請求項９に記載のレセプター。
【請求項１２】
ポンプ装置に固定されている、請求項９に記載のレセプター。
【請求項１３】
壁にスライド可能に固定されるように構成された架台をさらに含む、請求項９に記載のレセプター。
【請求項１４】
分離装置をさらに含む、請求項１３に記載のレセプター。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月10日(2004.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸性気体流からＨ２Ｓガスを触媒反応により除去するための方法において、
ａ）Ｈ２Ｓ含有の酸性気体流と、金属キレート錯体を含有する水溶液とを反応させることにより酸性気体流中のＨ２Ｓ量を低減させ、その際、一般式（Ｉ）
【化１】
2005501709.tif 000001
［式中、
Ｘは水素、アルカリ金属またはＮＨ４＋であり、
ｎは１、２または３であり、かつ
基Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つはアルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、カルボキシ基またはヒドロキシル基であり、かつ残りの基は水素であり、かつ金属キレート錯体の金属は１より大きい酸化状態で存在することができる多価の金属である］のキレートリガンドを使用し、その際、金属の少なくとも一部はＨ２Ｓを含有する酸性気体流との反応後に、反応前よりも低い酸化状態（還元体）で存在し、
ｂ）工程ａ）で得られ、元素の硫黄および、その中で金属の少なくとも一部が還元された形で存在する金属キレート錯体を含有する混合物を酸化剤により再生し、その際、金属の還元体を本来の酸化状態の金属へと酸化し、かつ
ｃ）再生された多価金属キレート錯体を工程ａ）へと返送する
工程を包含し、その際、工程ａ）およびｂ）を単一の反応容器中で実施することができる、酸性気体流からＨ２Ｓガスを触媒反応により除去するための方法。
【請求項２】
一般式（Ｉ）のキレートリガンド中で基Ｒ６がアルキル基、ヒドロキシル基またはカルボキシ基であり、かつ基Ｒ１〜Ｒ５が水素である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ｎが１であり、かつＲ６がＣ１〜Ｃ３−アルキル基である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
ｎが２であり、かつＲ６がヒドロキシル基である、請求項２記載の方法。
【請求項５】
式（Ｉ）の化合物がメチルグリシン二酢酸または相応する一ナトリウム塩、二ナトリウム塩または三ナトリウム塩である、請求項３記載の方法。
【請求項６】
金属が鉄、銅、コバルト、ニッケルおよびマンガンから選択されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
金属が鉄である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
水溶液が安定化試薬を含有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
安定化試薬がチオ硫酸アンモニウム、チオ硫酸アルカリ金属塩、チオ硫酸アルカリ土類金属塩、チオスルフェートイオンの前駆物質および一価、二価または多価のアルコールから選択されている、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
請求項１から７までのいずれか１項記載の金属キレート錯体を少なくとも１種含有する、酸性気体流からＨ２Ｓガスを除去するための混合物。
【請求項１１】
さらに安定化試薬を含有する、請求項１０記載の混合物。
【請求項１２】
請求項１から７までのいずれか１項記載のＨ２Ｓ含有酸性気体流と、金属キレート錯体とを反応させる工程を包含する、酸性気体流からＨ２Ｓを除去するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月16日(2004.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口と該開口の近傍の外面と内面とを有する成形品を成形後に冷却する冷却装置であって、該冷却装置は、
フレーム上に配置され、使用時において、冷却すべき該成形品の該開口の直近であるが外側である位置に配置可能な偏向器を備え、
該偏向器は、使用時に、冷媒が流動するように配置されるガイド流路を構成する壁面を有し、
該偏向器と該ガイド流路は該成形品の該外面に該冷媒を導いて供給する一方、該成形品の内部から離れて配置され、これにより該成形品の該開口の少なくとも近傍における該外面を他より冷却することを特徴とする冷却装置。
【請求項２】
請求項１に記載の冷却装置であって、さらに、
冷媒の供給をうけるための入口ポートと、
該冷媒を、使用時に、該入口ポートから該冷媒を排出するための出口ポートまで導くための室とを備えることを特徴とする冷却装置。
【請求項３】
請求項２に記載の冷却装置であって、さらに、インサートを受容するように配置されたベースを備え、
該入口ポートは該ベース内に配置され、該室は該ベースと該インサートとの間で画定され、該出口ポートは該ベースまたは該インサートとの少なくとも一方に配置されていることを特徴とする冷却装置。
【請求項４】
請求項１に記載の冷却装置であって、さらに、該インサート上に取り付けられた冷却管を備え、該冷却管は、使用時において、該成形品の首処理部の外表面が該冷媒に暴露される際に該成形品の内部にまで延在し、該冷却管は該冷媒を該内面に供給するための該室と連通する開口流路を含むことを特徴とする冷却装置。
【請求項５】
請求項２または３に記載の冷却装置であって、さらに、冷却される箇所は該暴露面に限られることを特徴とする冷却装置。
【請求項６】
請求項５に記載の冷却装置であって、さらに、該暴露面上に該冷媒を排出するために内部に向けて配置されている複数の出口ポートを有していることを特徴とする冷却装置。
【請求項７】
請求項６に記載の冷却装置であって、さらに、該出口ポートは該暴露面の周辺まわりに配置されている複数のコラムであることを特徴とする冷却装置。
【請求項８】
請求項６に記載の冷却装置であって、該出口ポートは該外面に対して鋭角で該外面に該冷媒を排出することを特徴とする冷却装置。
【請求項９】
請求項６に記載の冷却装置であって、さらに、該出口ポートはベース部に排出流路を備えていることを特徴とする冷却装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の冷却装置であって、該ベースはカップ形状の構造であって、
該インサートは該ベース内に取り付けられ、周方向ずる流路は該インサートと該ベースとの間に配置され、
該ギャップは、ホルダに保持されている成形品の外面を横切って冷却する冷却路に冷気を導くための隙間を介して該冷媒を排出されるために、該インサートと該ベース上でテーパ面によって画定されていることを特徴とする冷却装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の冷却装置であって、該ノズルの間隙はベンチュリノズルを形成していることを特徴とする冷却装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１に記載の冷却装置であって、該暴露された外面はの首処理部であることを特徴とする冷却装置。
【請求項１３】
成形品の成形装置のための引取プレートであって、該引取プレートは、
プレート上に取付けられた複数のホルダーであって、各ホルダーは、使用時に、暴露される部分を残して成形品を保持するホルダーと、
該成形品ホルダーに隣接して取り付けられる冷媒散布器と、
該プレート内に配置される流路であって、該流路は該散布装置内に開口を含み、該流路は、使用時に、該散布装置に該冷媒供給する流路と、
使用時に、該成形品の隣の部分に配置される各散布装置上の出口ポートであって、該出口ポートは、使用時に、該ホルダーに保持される成形品の露出部に冷媒を供給するために該ホルダーに隣接して、上側に配置されていることを特徴とすることを特徴とする引取プレート。
【請求項１４】
請求項１３に記載の引取プレートであって、該冷媒は加圧されて供給されていることを特徴とする引取プレート。
【請求項１５】
請求項１３に記載の引取プレートであって、該散布装置は位置併せ装置により結合されていることを特徴とする引取プレート。
【請求項１６】
請求項３に記載の冷却装置であって、該偏向装置は、ベースを備え、該ベースは、
該加圧された冷媒を該外面部に排出するための環状ノズルを形成するために、リム部と該リム部内にはめ込まれるインサートの組合わせと、
リム部と、使用時に、加圧された冷媒を所定の方向で該外面部に排出するインサートとの組合わせと、
のうちの一の組合わせを備えることを特徴とする冷却装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の冷却装置であって、該所定の方向は、該外面部に冷媒の渦流を引起こすために該外表面に対して角度をもった方向であることを特徴とする冷却装置。
【請求項１８】
請求項１に記載の冷却装置であって、インサート内の開口が加圧された冷媒を該外表面に対してほぼ垂直尚方向に導くことを特徴とする冷却装置。
【請求項１９】
請求項１に記載の冷却装置であって、使用時に、該成形品を支持するための隆起部を有するホルダーと、該隆起部は暴露されるべき外周面に加圧された冷媒の流れを誘起することを特徴とする冷却装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成15年12月18日(2003.12.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
図３を参照すると、船を確実に固定するために船２００が近づいた時に前方係留面１１２から真空カップ１、１’が突出される。アーム２、２’は後退した位置（図示せず）の間から部分的に延出した位置（図３に示す）に対して角度Ａだけ突出する。この角度Ａは最大水平方向移動において約９０度である。係留ロボット１００は真空カップ１、１’を外方に突出させて船体の平面部分と係合させる。各真空カップ１、１’は周辺シール４０と多数の当接部４１（図１参照）を有しこれらはシール４０の過度な変形を防止する。真空カップ１、１’は船体のあらゆるカーブに合致するように回転することができる。特に、多くの貨物、乗客およびコンテナー船は実質的に平面であって、かつ係留ロボット１００による係留には用いられない船尾および船首にほぼ近い部分を除いてはドック１１２の前面に平行な側面を有している。センサー（図示せず）が船体との係合を指示する。次いで公知の形態で真空カップ１、１’が真空にされ、係留ロボット１００を作動させて船を所定の係留位置に移動させる前に船に固定する。所定の係留位置に達すると真空ポンプが停止されそして真空カップ１、1’へのライン中の真空アキュムレータ（図示せず）が真空を維持する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図２には、機械的なモード選択スイッチを使用することが示されている。主操舵スタンドに配置された機械的なモード選択スイッチ３３は、典型的には、自動、ヘルム、およびリモートの３つの位置を含む。モード選択スイッチ３３が自動の位置にあるときは、ＡＩＵ１７のオートパイロット機能部１７ａが選択された操舵モードであり、ヘルムの位置にあるときには、オートパイロット機能部１７ａが無視されてヘルム操舵のためのフォローアップ機能部１７ｄが選択され、リモートの位置にあるときには、以下で説明するように、操舵システムの操作は離れた場所に移される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
オートパイロット機能が故障した場合には、操舵システムをヘルムモードまたはＮＦＵモードにすることがいつも望ましいとは限らない。このような故障の影響は、図３に示されるような第２のＡＩＵ１７を追加することによって最小限に抑制される。オートパイロット機能部１７ａをそれぞれ含む２つのＡＩＵ１７が、バス１３に接続される。ヘルム１９は、上述したように、両方のＡＩＵに接続される。操舵システム選択スイッチ３５によってＡＩＵ１７のどちらか一方を選択することができる。ＡＩＵが選択されてしまえば、操舵システムは通常通りに動作する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
バス上の２つの送信の間の優先順位は、調停フィールドにおけるビット処理の調停によって解決される。データフレーム内の調停フィールド５０は、図５に示されるようなものであってもよい。この調停を実行するとき、「０」が「１」よりも優性なものとして選択されてもよく、また、「１」が「０」よりも優性なものとして選択されてもよい。図５に示される例においては、「０」が「１」よりも優性である。例においては、２つの同時に送信されるデータフレームにおいて、調停フィールド５０が調停フィールド５２と比較される。２つの調停フィールドにおける最初の７つのビットは同じであり、続いて８番目のビットが比較される。調停フィールド５０は８番目のビットに「０」を含み、調停フィールド５２は８番目のビットに「１」を含む。「０」が優性であるので、調停フィールド５２を送信するユニットは送信を中止し、図では調停フィールド５４として示されている調停フィールド５０を送信するユニットは、優性ユニットであり、送信を続行する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図６には、２つの舵を有する船で使用可能な構成が示される。ＡＩＵ５３およびＡＩＵ５５は、それぞれ、ＮＦＵモードスイッチ６１およびＮＦＵモードスイッチ６３を介して舵取機５７および５９に接続される。自動モードにあるとき、ＡＩＵの一方が、所有メッセージの調停を通して、マスターの地位を主張する。そして、マスターは船首方位命令信号を受信し、舵命令を計算し、これらの命令をスレーブステーションに中継する。ＡＩＵの両方がヘルム６５に直接に接続され、ヘルムモードにあるときには、他方に関係なく、舵命令を計算する。上述したように、破局的故障が発生すれば、システムはＮＦＵスイッチ６９を作動することによってＮＦＵモードにされ、それによって、ＮＦＵが舵取機５７および５９のそれぞれに接続する。図６においては、１つのＡＩＵだけが１つの舵に対応しているように示されているが、複数のＡＩＵがそれぞれの舵に対応してもよいことに注意されたい。動作しているＡＩＵが故障した場合には、余分のユニットの１つを動作状態にすることができ、システム動作を支障なく続行することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上述した動作のフローチャートが、図７に示される。システムが自動モードにあると判定されると（７１）、ＡＩＵはマスターの地位を調停する（７３）。マスターであることを主張するＡＩＵは船首方位命令を受信し（７５）、舵命令を計算し（７７）、それに対応する舵取機にその命令を発し（７９）、その命令をスレーブユニットに中継する（８１）。マスターの地位が主張されなければ、そのＡＩＵは送信を中止し、スレーブモードに入る（８３）。そして、スレーブモードに入ればそのＡＩＵは舵命令をマスターから受信する準備ができた状態にあり（８５）、その命令を舵取機に中継する（７９）。システムが自動モードでなければ、ヘルム命令がヘルムまたは操舵ユニットから受信され（７８）、その船首方位命令から舵命令が決定され（８０）、舵取機へ提供される（７９）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月2日(2005.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）複数の酸性反復ユニットを有するが、重合可能なビニル基を実質的に含まないポリマーと、
ｂ）複数の酸性反復ユニット、並びにアクリレート基及びメタクリレート基の群から選ばれる複数の重合可能なビニル基を有するポリマーと、
ｃ）フルオロアルミノシリケートガラスと、
ｄ）ビニル基の暗硬化を開始できる酸化還元硬化システムと、
ｅ）水と
を含むグラスアイオノマーセメント。
【請求項２】
ａ）複数の酸性反復ユニットを有するが、重合可能なビニル基を実質的に含まないポリマーと、
ｂ）複数の酸性反復ユニット、並びにアクリレート基及びメタクリレート基の群から選ばれる複数の重合可能なビニル基を有するポリマーと、
ｃ）フルオロアルミノシリケートガラスと、
ｄ）ビニル基の暗硬化を開始できる酸化還元硬化システムと、
ｅ）水とを
内容物が集合的に含む２つ以上の容器を、セメントキットの使用説明書と共に含むグラスアイオノマーセメントキット。
【請求項３】
ａ）複数の酸性反復ユニットを有するが、重合可能なビニル基を実質的に含まないポリマーと、
ｂ）複数の酸性反復ユニット、並びにアクリレート基及びメタクリレート基の群から選ばれる複数の重合可能なビニル基を有するポリマーと、
ｃ）フルオロアルミノシリケートガラスと、
ｄ）ビニル基の暗硬化を開始できる酸化還元硬化システムと、
ｅ）水と
を含むセメント構成要素を混合するステップと、
得られる混合物を硬化させるステップと
を含む、グラスアイオノマーセメントを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月2日(2004.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３−シアノ−３，５，５−トリメチルシクロヘキサノン（イソホロンニトリル、ＩＰＮ）、ＮＨ３及びＨ２から少なくとも７０／３０のシス／トランス異性体比を有する３−アミノメチル−３，５，５−トリメチルシクロヘキシルアミン（イソホロンジアミン、ＩＰＤＡ）を製造する方法であって、その際に、その都度酸化物として計算して及び触媒の全質量に対して、コバルト５５〜９８質量％、リン０．２〜１５質量％及びマンガン０．２〜１５質量％を含有している水素化触媒の存在で５０〜２００℃の温度及び５０〜３００barの圧力で水素化する方法において、
水素化触媒のアルカリ金属含量が、アルカリ金属酸化物として計算して及び触媒の全質量に対して、≦０．０３質量％であることを特徴とする、少なくとも７０／３０のシス／トランス異性体比を有する３−アミノメチル−３，５，５−トリメチルシクロヘキシルアミンを製造する方法。
【請求項２】
方法を二段階で、次の工程：
Ａ）ＩＰＮ、ＮＨ３及びＨ２を、２０〜１５０℃の温度及び５０〜３００barの圧力で、場合によりイミノ化触媒の存在で反応させる工程；
Ｂ）工程Ａ）において得られた反応混合物を、水素化触媒の存在で、６０〜１００℃の温度及び５０〜３００barの圧力で反応させる工程
で実施し；
その際、工程Ａ）及び工程Ｂ）を、同じ反応空間中又は空間的に互いに別個の２つの反応空間中で実施する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
方法を空間的に互いに別個の３つの反応空間中で、次の反応工程：
ａ）ＩＰＮを、第一の反応空間中で過剰のアンモニアと、２０〜１５０℃の温度及び５０〜３００barの圧力で、場合により酸性金属酸化物触媒上で反応させて、本質的に３−シアノ−３，５，５−トリメチルシクロヘキサノンイミンに変換する工程、
ｂ）工程ａ）において得られた反応生成物を、第二の反応空間中で、過剰のアンモニアの存在で水素と、水素化触媒上で、６０〜１００℃の温度及び５０〜３００barの圧力で水素化する工程、及び
ｃ）工程ｂ）において得られた反応生成物を、第三の反応空間中で水素及びアンモニアの存在で、水素化触媒上で、１１０〜１６０℃の温度及び５０〜３００barの圧力で水素化する工程
で実施する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
工程ａ）を、３０〜１３０℃の温度及び／又は１００〜２５０barの圧力で実施する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
工程ｂ）及び／又は工程ｃ）を、１００〜２５０barの圧力で実施する、請求項３又は４記載の方法。
【請求項６】
水素化触媒のアルカリ金属含量が、アルカリ金属酸化物として計算して及び触媒の全質量に対して、≦０．０１５質量％である、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
請求項１又は６のいずれか１項に定義されている、水素化触媒。
【請求項８】
請求項７記載の水素化触媒を製造する方法であって、次の工程：
ｉ） 前記の遷移金属の少なくとも１つをその炭酸塩、水酸化物及び／又は酸化物の形で、前記の遷移金属の１つの少なくとも１つの水溶性塩を含有している水溶液から、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、アンモニウムカルバメート、シュウ酸アンモニウム、マロン酸アンモニウム、アンモニア及びウロトロピンのグループから選択される少なくとも１つの物質を含有している水溶液で、撹拌しながら−場合により助触媒をそれらの水溶性化合物の形で添加しながら、沈殿させる工程；
ｉｉ） 工程ｉ）において得られた沈殿を分離する工程；
ｉｉｉａ） こうして得られた沈殿を５０〜２００℃の温度で乾燥させ、触媒粉末に粉砕する工程、又は
ｉｉｉｂ） 場合により助触媒をそれらの塩の形で添加しながら、こうして得られた沈殿をスラリー化し、こうして得られた懸濁液を１００〜６００℃の温度で噴霧して触媒噴霧粉末に変換する工程；
ｉｖ） 工程ｉｉｉａ）又はｉｉｉｂ）において製造された触媒粉末を３００〜１０００℃の温度でか焼し、触媒成形体に成形する工程、その際に、場合により触媒成形体に成形する前又はその間又はその後に、助触媒をそれらの塩の形で添加し；
ｖ） 工程ｉｖ）において製造された触媒成形体を乾燥させ、か焼する工程；
ｖｉ） 乾燥させ、か焼した触媒成形体を、Ｈ２／Ｎ２雰囲気中で高められた温度で還元する工程、その際に、Ｈ２／Ｎ２雰囲気の組成及び温度は変化する；
ｖｉｉ）還元した触媒成形体を２０〜６０℃の温度で場合により不動態化する工程、その際に、場合により引き続き助触媒をそれらの塩の形で触媒成形体上に塗布する、
を含んでいる、請求項７記載の水素化触媒を製造する方法。
【請求項９】
工程ｉ）において、炭酸アンモニウムを含有している水溶液で沈殿させる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
工程ｉ）において、１つ又はそれ以上の水溶性Ｃｏ塩を使用する、請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
工程ｉ）において、助触媒として１つ又はそれ以上の水溶性Ｍｎ塩並びに１つ又はそれ以上の水溶性リン化合物を使用する、請求項８から１０までのいずれか１項記載の方法。