Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷機シリンダの胴長方向に沿って洗浄液供給管を設け、洗浄液供給手段からの洗浄液を受けて前記洗浄液供給管に設けられた洗浄液供給ノズルから洗浄液を噴霧する印刷シリンダ洗浄装置において、
洗浄液供給管は、洗浄液供給手段からの洗浄液を受ける第１圧力室と、第１圧力室からの洗浄液を受けとり洗浄液を吹きつける洗浄液供給ノズルが設けられた第２圧力室からなることを特徴とする印刷シリンダ洗浄装置。
【請求項２】
洗浄液が供給される第１圧力室の断面積は入口側より奥側が小さいことを特徴とする請求項１記載の印刷シリンダ洗浄装置。
【請求項３】
請求項１記載の印刷シリンダ洗浄装置において、第１圧力室と第２圧力室とが複数の穴により連絡されていることを特徴とする印刷シリンダ洗浄装置。
【請求項４】
請求項３記載の印刷シリンダ洗浄装置において、複数の穴の総面積が洗浄液供給ノズルの総面積よりも大きいことを特徴とする印刷シリンダ洗浄装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的達成のために、本発明に係る印刷シリンダ洗浄装置は、印刷機シリンダの胴長方向に沿って洗浄液供給管を設け、洗浄液供給手段からの洗浄液を受けて前記洗浄液供給管に設けられた洗浄液供給ノズルから洗浄液を噴霧する印刷シリンダ洗浄装置において、洗浄液供給管は、洗浄液供給手段からの洗浄液を受ける第１圧力室と、第１圧力室からの洗浄液を受けとり洗浄液を吹きつける洗浄液供給ノズルが設けられた第２圧力室からなるものである。この場合において、洗浄液が供給される第１圧力室の断面積は入口側より奥側が小さくなるように構成し、あるいは、第１圧力室と第２圧力室とが複数の穴により連絡するように構成することができる。
また、第１圧力室と第２圧力室とが複数の穴により連絡するように構成しつつ、複数の穴の総面積が洗浄液供給ノズルの総面積よりも大きく設定する構成としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、洗浄液供給管の洗浄液供給手段からの洗浄液は第２圧力室で圧力差がなくなり、印刷機シリンダの胴長相当長さ方向に並んだ洗浄液供給ノズルから洗浄液が一様に吹き出されるので、印刷機シリンダの表面をムラなく洗浄作用を行う。これにより綺麗な印刷ができるという効果が得られる。また、第１圧力室の断面積が入口側より奥側が小さくしたので入口側と奥側とに流速の差が少なくなり、第２圧力室の容積が小さくしても圧力の差を無くすことができる。また、第１圧力室に対して第２圧力室を設けるとともに、第１圧力室と第２圧力室とを複数の穴により連絡し、また、複数の穴の総面積を洗浄液供給ノズルの総面積よりも大きいものとしたため、第２圧力室から吹き出される洗浄液は、簡単な構成により胴長相当長さ方向で一様に吹き出されるという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試刷りを開始し、この試刷り中、本刷り開始指令が与えられた場合、試刷りを中止し、そのままの状態で本刷りを開始するようにしたことを特徴とする試刷りから本刷りへの切替方法。
【請求項２】
連続試刷りモードとして試刷りを開始し、この試刷り中、本刷り開始指令が与えられた場合、試刷りを中止し、そのままの状態で本刷りを開始するようにしたことを特徴とする試刷りから本刷りへの切替方法。
【請求項３】
試刷りを開始する際に操作される試刷り開始入力手段と、
本刷りを開始する際に操作される本刷り開始入力手段と、
前記試刷り開始入力手段の操作によって開始されている試刷り中、前記本刷り開始入力手段が操作されると、試刷りを中止し、そのままの状態で本刷りを開始する制御手段と
を備えたことを特徴とする試刷りから本刷りへの切替装置。
【請求項４】
連続試刷りモードへの設定を行う連続試刷りモード設定手段と、
試刷りを開始する際に操作される試刷り開始入力手段と、
本刷りを開始する際に操作される本刷り開始入力手段と、
前記連続試刷りモードへの設定が行われている場合、前記試刷り開始入力手段の操作によって開始されている試刷り中、前記本刷り開始入力手段が操作されると、試刷りを中止し、そのままの状態で本刷りを開始する制御手段と
を備えたことを特徴とする試刷りから本刷りへの切替装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は、試刷りを開始し、この試刷り中、本刷り開始指令が与えられた場合、試刷りを中止し、そのままの状態で本刷りを開始するようにしたものである。この発明によれば、試し刷りを開始し、印刷品質の確認を行い問題がなければ、本刷り開始指令を与えることにより、試刷りが中止され、印刷作業を中断することなく本刷りが開始される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、試刷りを開始し、この試刷り中、本刷り開始指令が与えられた場合、試刷りを中止し、そのままの状態で本刷りを開始するようにしたので、印刷作業を中断することなく試刷りから本刷りへ移行することができ、生産性の向上、生産コストと印刷資材消耗量の削減、オペレータの作業負担の軽減を図ることができるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インキツボ内のインキを着状態とされているインキ着けローラを介して刷版へ供給するインカーにおいて、
前記インキ着けローラを脱状態とし、予め定められた一定枚数の印刷を行うことにより、前記刷版上のインキを取り除くようにした
ことを特徴とする刷版クリーニング方法。
【請求項２】
インキツボ内のインキを着状態とされているインキ着けローラを介して刷版へ供給するインカーにおける刷版クリーニング装置であって、
前記インキ着けローラの前記刷版に対する着脱を行うインキ着けローラ着脱手段と、
前記インキ着けローラを脱状態として予め定められた一定枚数の印刷を行うことにより、前記刷版上のインキを取り除くインキ除去手段と
を備えたことを特徴とする刷版クリーニング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は、インキツボ内のインキを着状態とされているインキ着けローラを介して刷版へ供給するインカーにおいて、インキ着けローラを脱状態とし、予め定められた一定枚数の印刷を行うことにより、刷版上のインキを取り除くようにしたものである。この発明によれば、インキ着けローラを脱状態としての一定枚数の印刷によって、旧刷版上に残されているインキを除去した後、新刷版への交換を行うことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インキツボキーを複数備え、これらインキツボキーの開度調整によってインキツボ内のインキをインキツボローラに供給し、このインキツボローラに供給されたインキをインキローラ群を介して刷版へ供給するインカーにあって前記インキローラ群に付着しているインキを前記インキツボに回収するインキ回収方法において、
前記インキツボキーの上面にインキ回収用ブレードを設け、
このインキ回収用ブレードをインキ回収の間だけ原点位置から前記インキツボローラに対する開き量ゼロの位置まで移動させるようにした
ことを特徴とするインキ回収方法。
【請求項２】
インキツボキーを複数備え、これらインキツボキーの開度調整によってインキツボ内のインキをインキツボローラに供給し、このインキツボローラに供給されたインキをインキローラ群を介して刷版へ供給するインカーにあって前記インキローラ群に付着しているインキを前記インキツボに回収するインキ回収装置において、
前記インキツボキーの上面に設けられたインキ回収用ブレードと、
このインキ回収用ブレードをインキ回収の間だけ原点位置から前記インキツボローラに対する開き量ゼロの位置まで移動させる移動手段と
を備えたことを特徴とするインキ回収装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
またシリンダ１０の先端には、たとえば金属パイプ製の注入部材１２が接続されており、かかる注入部材１２の途中に取り付けた、ゴムなどの柔軟な材料にて形成されたパッキン１２ａを、インクカートリッジ２の上面に設けられている、製造時のインク充てん用の穴２０に圧入することで、当該シリンダ１０が、インクカートリッジ２に、減圧時の気密を維持しつつ接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
インク補給具１のうちシリンダ１０の容量はとくに限定されないが、所定量の補給用のインクＩと、ピストン１１をシリンダ１０から引き出すことによってインクカートリッジ２内から吸引される、上記インクＩの容積の１〜２０倍の空気とを収容しうる容量を有しているのが好ましい。
シリンダ１０の容量が上記の範囲未満である場合、つまり所定量の補給用のインクＩと、当該インクＩの容積の１倍未満の空気とを収容しうる容量しかない場合には、インクカートリッジ２内を十分に減圧できないために、とくに高圧縮のフェルト３を詰めたタイプのインクカートリッジに、補給用のインクを良好に補給できなくなるおそれがある。また逆に、シリンダ１０の容量が上記の範囲を超える場合、つまり所定量の補給用のインクＩと、当該インクＩの容積の２０倍を超える空気とを収容しうる容量を有するインク補給具１は、その大きさが大きくなりすぎて保管や持ち運びなどが不便になるおそれがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
なお、だれでもほぼ一定量の空気を吸引できるようにするためには、前記インクの場合と同様に、シリンダ１０の外面に、空気吸引の際にピストン１１を引き上げる位置の目安となる標線を設けておくのが好ましい。
つぎにこの状態でピストン１１から手を離してやると、減圧状態となったカートリッジ２内と、大気との圧力差によって、図２(b)に黒矢印で示すようにピストン１１が下方へ押し込まれ、それにともなってシリンダ１０内のインクＩが、当該インクＩの液面より上方の領域に収容された空気Ａを介して押圧されて、注入部材１２を通して、減圧状態のインクカートリッジ２内に補給される。この際、ピストン１１を手で押し下げてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
所定量のインクＩが補給されたあとは、インク補給具１をインクカートリッジ２から取り外し、別途、用意しておいたシール（図示せず）を、穴２０をふさぐように、インクカートリッジ２の上面に貼りつけてやればよい。
以上のごとく、図の例のインク補給方法によれば、あらかじめ所定量のインクＩを充てんしたインク補給具１のピストン１１を所定量、引き上げて離してやるだけで、または引き上げたのち、押し下げてやるだけで、あるいは引き上げたピストン１１を抜き取ってやるだけで、当該インクカートリッジ２内に、インクＩを良好に補給することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
たとえば図３に示すインク補給装置４は、インクカートリッジ２に接続されるインクの供給管４０と、減圧手段としての電動式などのポンプ４１と、両者の間に設けた、吸引トラップ状の、外気から密閉された、インク容器としてのインクタンク４２と、切り換え弁４３とを備えている。
このうち供給管４０は、先程と同様にその途中にパッキン４０ａを備えており、かかるパッキン４０ａを穴２０に圧入することで、気密を維持しつつ、インクカートリッジ２と接続される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
供給管５０は、先程と同様にその途中にパッキン５０ａを備えており、かかるパッキン５０ａを穴２０に圧入することで、気密を維持しつつ、インクカートリッジ２と接続される。
切り換え弁５２は、インクカートリッジ２内を減圧する際には、供給管５０をポンプ５１と接続し、減圧されたインクカートリッジ２内にインクを供給する際には、供給管５０をインクタンク５３と接続するように切り換えられる弁である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
なお図中符号５４は、上記のようにして１回のインク補給作業が終了した後、再びインク補給作業を行うべく、切り換え弁５２を操作して供給管５０とポンプ５１とを接続した際に、供給管５０に残っていたインクがポンプ５１に流れ込んで故障の原因となるのを防止するためのトラップである。
上記以外のインク補給装置としては、たとえばインクカートリッジの全体を収容する密閉式の減圧室（簡単な気密構造でよい）を備えた装置なども採用できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1999207989.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1999207989.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ついで、スペーサー３および接着フィルム４を覆うように真空バッグフィルム５が配置され、真空バッグフィルム５と定盤１の間がシーラント６でシールされる。これにより、真空バッグフィルム５の内部に密封空間が形成される。真空バッグフィルム５に取付けられた真空口金７は、図１（ｂ）で示すように、真空ライン１４に接続される。真空ライン１４は図示しない真空装置に接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第２の実施の形態においては、第１の実施の形態の図１と同様に、定盤１上にダブラー／オーバーパッチ２を取り囲むようにスペーサー３が配置され、スペーサー３の上に膜を張るように接着フィルム４が固定され、その上から真空バッグフィルム５で被い、シーラント６でシールし、真空口金７に真空ライン１４を接続し、徐々に真空を引くと、中央部からダブラー／オーバーパッチ２に接着フィルム４の密着が始まる。さらに、真空度を上げることにより、ダブラー／オーバーパッチ２と接着フィルム４の密着範囲が徐々に広がり、最終的に、接着フィルム４の密着範囲がダブラー／オーバーパッチ２の端部まで達したところで真空バッグフィルム５から取り出される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999207911.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インキツボ内のインキをインキローラ群を介して刷版へ供給するインキ供給装置において、
前記インキローラ群に前記刷版の絵柄に応じたインキ膜厚分布を事前に設定するにあたって、
その時の印刷機の関連する各部のあるべき状態と実際の状態とが一致しているか否かをチェックし、一致していない場合、異常である旨を知らせるようにした
ことを特徴とするインキ膜厚の制御方法。
【請求項２】
インキツボ内のインキをインキローラ群を介して刷版へ供給するインキ供給装置において、
印刷機の各部の状態を検知する検知手段と、
前記インキローラ群に前記刷版の絵柄に応じたインキ膜厚分布を事前に設定するインキ分布事前設定手段と、
このインキ分布事前設定手段によるインキ膜厚分布の事前設定時の印刷機の関連する各部のあるべき状態を記憶する手段と、
前記インキ分布事前設定手段によるインキ膜厚分布の事前設定時、前記記憶手段が記憶している印刷機の関連する各部のあるべき状態と前記検知手段によって検知される実際の状態とが一致しているか否かをチェックし、一致していない場合、異常である旨を知らせる異常警告手段と
を備えたことを特徴とするインキ供給装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
以上のごとく、本発明において、酸化分解反応されて生じた微細微粒子やコロイド物質が、凝集物となり、濾過で除去可能な懸濁物質に改質されることは、例えば反応槽１２０入口における原水１１８のＦＩ(15)値が３．５〜４．０だったものが、反応槽頂部出口の処理後の原水１２３ではＦＩ(15)値４．０〜５．０となることより明確に示される。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
以上のごとくして、被処理原水の前処理が終了する。なお、特筆すべきことは、本発明の前処理後の原水は、膜モジュール２１０に供給される段階において、溶解酸素濃度が１０〜５０ｍｇ／ｌ、好ましくは２０〜４０ｍｇ／ｌ( １５℃ )と高いことである。これは、反応槽における高濃度のオゾンが溶解有機物等を酸化分解するに伴い、または、その自己分解のため、多量の酸素を生成させることによって、すでに述べたように、反応槽出口における原水中の溶解酸素濃度が、３０〜５０ｍｇ／ｌと非常に高くなるためと考えられる。前処理後の原水の溶解酸素濃度が高いことにより、後記実施例で説明するように、膜処理後の脱塩水、濃縮塩水中の溶解酸素濃度も高くなり、そのｐＨの変動を抑える作用をしていると考えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
高圧ポンプ２０５としては、プランジャー型ポンプ、多段タービン型ポンプ等が使用でき、前処理後の原水を３０〜７０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇに加圧し、濃縮塩水の濃度に対応する浸透圧以上の圧力とし、逆浸透膜法脱塩装置に供給する。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
反応槽１２０は、５００ｍｍφ×２０００ｍｍＨの透明なアクリル樹脂による円筒型の空塔であり、ミキサー１１０からの被処理原水は、２．１ｍ3 ／ｈｒの流量で槽下部側面から槽内へ通水し、原水の空塔基準の滞留時間１１．３分で、オゾン微細気泡と原水を並流で緩やかに上昇させながら、殺菌、溶解性有機物の酸化・分解・不溶化および凝集を行わせた。ＦＩ(15)値は、反応槽の入口１１８では３．５〜４．０、塔頂部出口１２３では４．０〜５．０であった。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
活性炭塔１５０は４００ｍｍφ×２０００ｍｍＨの縦型槽で、ヤシ殻活性炭(（株）クラレ製 )を、層高約１０００ｍｍＨに充填したものである。圧密型液体濾過器からの濾液をさらに処理し、残留オゾンの分解と有機物の吸着・除去を行い、最終的にＦＩ(15)値が１．８〜２．８の濾液( 前処理後の原水１５７ )を得て、前処理後の原水貯留槽１６０に貯留した。 
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
【表１】
1999207394.tif 000001
（２）逆浸透膜法脱塩処理
逆浸透膜法による脱塩処理は図２に示した装置を使用した。
〔表１〕に示した水質を有する前処理後の原水を、送水ポンプ１６３で、一段目１０μｍおよび二段目２μｍの二段カートリッジタイプの保安フィルター２０１( 日本メムテック（株）製 )を通した後、プランジャータイプの高圧ポンプ２０５により、５４〜６０Ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの範囲で昇圧し、逆浸透膜法脱塩装置（膜モジュール）で処理した。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
例えば、圧力５４Ｋｇ／ｃｍ2 Ｇで、前処理後の原水( ＦＩ(15)値２．５、ｐＨ８．０、ＴＤＳ３５，５００ｍｇ／ｌ、水温２０℃ )を流量１．１１ｍ3 ／ｈｒで膜装置( 膜モジュール )に供給したところ、脱塩率Ｄ９９．６％、脱塩水透過率Ｔ２９．５％で、脱塩水０．４５ｍ3 ／ｈｒ( ｐＨ６．２ )、濃縮塩水０．６６ｍ3 ／ｈｒ( ｐＨ７．８ )が得られた( ここで、脱塩水透過率Ｔとは( 脱塩水量／逆浸透膜モジュールへの供給原水量 )×１００で算出される値である。)。また、逆浸透膜装置の運転は４８時間連続して問題なく行うことができた。 
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
なお、本発明においては、前処理後の原水( 膜モジュールへの供給塩水 )のｐＨと、濃縮塩水のｐＨがほぼ同じか、または後者がやや低くなることが注目される。一般的には、濃縮塩水のｐＨは上昇するので、逆浸透膜装置の場合、モジュールの膜面に炭酸カルシウム等のスケーリングが起こるのを防止するため、酸を添加してｐＨを下げなければならないが、本発明においては、この酸添加の必要がないことがわかる。 
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
また、本発明によれば、前処理後の原水のｐＨと、濃縮塩水のｐＨがほとんど変わらないため、逆浸透膜法に適用する場合、モジュールの膜面へのスケーリング防止のため、原水に酸を添加してｐＨを下げる必要がない。 
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０１ 被処理原水
１０３ 前濾過器
１０５ 原水貯留槽
１０７ 送水ポンプ
１１０ エジェクター型ミキサー等のミキサー
１１３ オゾン
１１５ オゾン発生機
１１８ 微細気泡含有被処理原水
１２０ 反応槽
１２３ 反応槽上部の溢流原水
１２７ 未反応オゾン
１３０ オゾンキラー装置
１４０ 圧密型液体濾過器
１５０ 活性炭塔
１５７ 前処理後の原水
１６０ 前処理後の原水貯留槽
１６３ 送水ポンプ
２０１ 保安フィルター
２０５ 高圧ポンプ
２１０ 逆浸透膜法脱塩装置（膜モジュール）
２１１ 脱塩水
２１３ 濃縮塩水
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、前記抽出キャップ３０の貫通孔３２の下部には光触媒フィルタ（光触媒機能を有するフィルタ）２５が圧入されている（図２参照）。すなわち、この光触媒フィルタ２５は、金属あるいはプラスチック製の網状物、通気性と通水性を有する不織布あるいは金属あるいはプラスッチク粉末集合体を焼き固めたポーラスな粉末焼結体に、酸化チタン結晶、特にアナターゼ型結晶の溶融物を低温で溶射し表面に酸化チタン膜を形成したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月14日(2005.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
分離膜を用いた流体分離素子においては、流体分離素子の端面に、原液が通過する際に生じる圧力損失によって流体分離素子が望遠鏡（テレスコープ）状に変形することを防止するために、テレスコープ防止板が取り付けられ、流体分離素子組立体として用いられている。テレスコープ防止板は、圧力損失により発生する荷重で簡単に分解しないように流体分離素子に結合され、一体化されている。したがって、流体分離素子組立体が分離膜などの性能低下により使用することができなくなると、テレスコープ防止板や集水管などが部材としては使用することができるにも関わらず、再利用されることなく全てが廃棄処分にされる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
カセットテープやそれを収納する保護ケース、光ディスク等の記録媒体やそれを収納するケース等のプラスチック製物品は、デザインの美的外観が商品の品位を左右するにもかかわらず、パッド印刷法によりデザインを印刷した場合、デザイン印刷面の表面輝度と透明度は低く高級感を満足できないものであった。
従来例においてのトップコートの目的は、トップコート下面のデザイン印刷面の保護を目的としていることから、トップコートインキによっては表面輝度感や透明度等の外観の向上は余り期待できなかった。
上記のように従来例のようにトップコートをパッド印刷で形成すると、仕上がり面の輝度感や透明感が不十分となる問題がある。
そこで本発明の目的は、プラスチック製品の成形品の印刷において、デザイン等の印刷面の保護を行うだけでなく、プラスチック製物品に施した色印刷の表面輝度感と透明感を良好にすることにより商品品位のイメージアップを行うことにある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷ヘッドに配設された複数の印刷素子の印刷エネルギ−を測定した測定値に応じて印刷エネルギ−を補正する印刷エネルギ−の補正方法において、
測定した印刷素子の印刷エネルギーから目標印刷エネルギーを演算し、
該測定した印刷エネルギーおよび目標印刷エネルギーから、目標印刷エネルギーに対する補正予定印刷素子の補正値を決定し、
補正値による補正後の補正予定印刷素子の印刷エネルギーと目標印刷エネルギーとの差を演算し、
該エネルギ−の差を補正予定印刷素子近傍の次の補正予定印刷素子の印刷エネルギーに加算してその印刷エネルギーとし、
該加算した印刷エネルギーおよび目標印刷エネルギーから、目標印刷エネルギーに対する該次の補正予定印刷素子の補正値を決定し、
順次補正予定印刷素子の補正値を決定することを特徴とする
印刷エネルギー補正方法。
【請求項２】
各印刷素子の印刷エネルギーを測定し、その測定値を求める請求項１の印刷エネルギー補正方法。
【請求項３】
補正後の印刷エネルギーと目標印刷エネルギーとの差を、近接した1つの印刷素子の印刷エネルギーに加える請求項１の印刷エネルギー補正方法。
【請求項４】
補正後の印刷エネルギーと目標印刷エネルギーとの差を、近接した複数の印刷素子の印刷エネルギーに割り振って加算する請求項１の印刷エネルギー補正方法。
【請求項５】
印刷ヘッドに配設された複数の印刷素子の印刷エネルギ−を測定した測定値に応じて印刷エネルギ−を補正する印刷エネルギ−の補正装置において、
測定した印刷エネルギーを格納する記憶部と、
該測定した印刷エネルギーを演算して目標印刷エネルギーを求める目標印刷エネルギー演算部と、
該測定した印刷エネルギーおよび目標印刷エネルギーから、目標印刷エネルギーに対する補正予定印刷素子の補正値を決定する補正値決定部と、
補正値による補正後の補正予定印刷素子の印刷エネルギーと目標印刷エネルギーとの差を演算するエネルギー差演算部と、
該エネルギ−の差を補正予定印刷素子近傍の次の補正予定印刷素子の印刷エネルギーに加算してその印刷エネルギーとする加算部と、
該加算した印刷エネルギーおよび目標印刷エネルギーから、目標印刷エネルギーに対する該次の補正予定印刷素子の補正値を決定する次の補正値決定部とを設け、
順次補正予定印刷素子の補正値を決定することを特徴とする
印刷エネルギー補正装置。
【請求項６】
該加算部に代えて、補正値による補正後の補正予定印刷素子の印刷エネルギーと目標印刷エネルギーとの差を、補正予定印刷素子近傍の複数の次の補正予定印刷素子の印刷エネルギーに割り振って加算する割振加算部を設けた請求項５記載の印刷エネルギー補正装置。
【請求項７】
印刷エネルギ−補正可能な複数の印刷素子を設けた印刷ヘッドにより印刷する印刷装置に組み込み、印刷エネルギーを補正する請求項５または６記載の印刷エネルギー補正装置。
【請求項８】
印刷ヘッドに配設された複数のＬＥＤ素子の印刷エネルギ−を測定した測定値に応じて印刷エネルギ−を補正する印刷エネルギ−の補正方法において、
測定したＬＥＤ素子の印刷エネルギーから目標印刷エネルギーを演算し、
該測定した印刷エネルギーおよび目標印刷エネルギーから、目標印刷エネルギーに対する補正予定ＬＥＤ素子の補正値を決定し、
補正値による補正後の補正予定ＬＥＤ素子の印刷エネルギーと目標印刷エネルギーとの差を演算し、
該エネルギ−の差を補正予定ＬＥＤ素子近傍の次の補正予定ＬＥＤ素子の印刷エネルギーに加算してその印刷エネルギーとし、
該加算した印刷エネルギーおよび目標印刷エネルギーから、目標印刷エネルギーに対する該次の補正予定ＬＥＤ素子の補正値を決定し、
順次補正予定ＬＥＤ素子の補正値を決定することを特徴とする
印刷エネルギー補正方法。
【請求項９】
印刷ヘッドに配設された複数のＬＥＤ素子の印刷エネルギ−を測定した測定値に応じて印刷エネルギ−を補正する印刷エネルギ−の補正装置において、
測定した印刷エネルギーを格納する記憶部と、該測定した印刷エネルギーを演算して目標印刷エネルギーを求める目標印刷エネルギー演算部と、
該測定した印刷エネルギーおよび目標印刷エネルギーから、目標印刷エネルギーに対する補正予定ＬＥＤ素子の補正値を決定する補正値決定部と、
補正値による補正後の補正予定ＬＥＤ素子の印刷エネルギーと目標印刷エネルギーとの差を演算するエネルギー差演算部と、
該エネルギ−の差を補正予定ＬＥＤ素子近傍の次の補正予定ＬＥＤ素子の印刷エネルギーに加算してその印刷エネルギーとする加算部と、
該加算した印刷エネルギーおよび目標印刷エネルギーから、目標印刷エネルギーに対する該次の補正予定ＬＥＤ素子の補正値を決定する次の補正値決定部とを設け、
順次補正予定ＬＥＤ素子の補正値を決定することを特徴とする
印刷エネルギー補正装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
得られた成形品の表面は、平滑であり、幅５０．５μｍ、深さ４９．７μｍ、断面積が１９５０マイクロｍ2である。従って、金型に対して幅および深さが±２％以内、断面積が±４％以内の寸法精度で溝が転写されていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
実施例２
図６に示す金型装置を用い、金型キャビティ表面温度１２０℃の金型内に、二酸化炭素を５．０ＭＰａの圧力に満たし、樹脂温度３００℃のポリカーボネートを射出し、シリンダ内樹脂圧力１２０ＭＰａで１０秒間保圧し、２０秒間冷却した後成形品を取り出した。金型に満たした二酸化炭素は、樹脂充填完了と同時に大気中に開放して、キャピラリー電気泳動用チップを成形した。得られた成形品の表面は平滑であり、幅および深さが９８金型寸法に対して±２％以内、断面積が±４％以内の寸法精度で溝が転写されていた。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に配された発光素子と、該発光素子上に発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収し蛍光を発する蛍光体とを有する発光ダイオードの形成方法であって、
前記基体上に配された発光素子(202)と該発光素子に対向する帯電部(211)との間隙に、正又は負に帯電された蛍光体(201)を保持する工程と、
前記基体上に配された発光素子(202)と帯電部(211)との間に電圧を印加して、発光素子側を前記蛍光体の帯電と異なる負極又は正極にさせることにより、前記蛍光体を発光素子上に配置させる工程とを有することを特徴とする発光ダイオードの形成方法。
【請求項２】
前記蛍光体を前記発光素子上に配置させる前に、予め前記発光素子の上に結着剤を形成させる工程を有する請求項１に記載の発光ダイオードの形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は基体上に配された発光素子と、発光素子上に発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収し蛍光を発する蛍光体とを有する発光ダイオードの形成方法である。特に、蛍光体の発光素子上への配置に際し、基体上に配された発光素子と該発光素子に対向する帯電部との間隙に、正又は負に帯電された蛍光体を保持する工程と、基体上に配された発光素子と帯電部との間に電圧を印加して、発光素子側を蛍光体の帯電と異なる負極又は正極にさせることにより、蛍光体を発光素子上に配置させる工程とを有する発光ダイオードの形成方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気−機械エネルギー変換機能を有する材料で構成される圧電体層と、電極材料の電極層とを交互に複数重ねて積層したものを一次積層体とし、この一次積層体を焼結して積層圧電素子を形成する積層圧電素子の製造方法において、
各電極層に対する平面内２次元方向の位置ずれを検出する印を前記圧電体層上に設けたことを特徴とする積層圧電素子の製造方法。
【請求項２】
電気−機械エネルギー変換機能を有する材料で構成される圧電体層と、複数個の積層圧電素子分の電極材料の電極層とを交互に複数重ねて積層したものを一次積層体とし、所定位置で切断することにより、複数個の二次積層体を得る積層圧電素子の製造方法において、
各電極層に対する平面内２次元方向の位置ずれを検出する印を前記圧電体層上に設けたことを特徴とする積層圧電素子の製造方法。
【請求項３】
前記印は、前記一次積層体の外縁に露出するように設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の積層圧電素子の製造方法。
【請求項４】
前記印は、前記二次積層体の外縁に露出するように設けられていることを特徴とする請求項２に記載の積層圧電素子の製造方法。
【請求項５】
電気−機械エネルギー変換機能を有する材料で構成される圧電体層と、複数個の積層圧電素子分の電極材料の電極層とを交互に複数重ねて積層したものを一次積層体とし、所定位置で切断することにより複数の二次積層体を得、この二次積層体を原形の積層圧電素子に加工して複数個の積層圧電素子を得る積層圧電素子の製造方法において、
各電極層に対する平面内２次元方向の位置ずれを検出する印を前記原形積層圧電素子の外縁に露出するように設けたことを特徴とする積層圧電素子の製造方法。
【請求項６】
前記印は、電極層の形成と同時に印刷によって圧電体層上に形成されることを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の積層圧電素子の製造方法。
【請求項７】
前記印は、各層の電極層接続するためのスルーホールによって圧電体層内に形成されることを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の積層圧電素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本実施の形態では、各グリーンシートの位置ずれは基本的にグリーンシート面内の平面内（２次元方向）であることから、Ｘ，Ｙ方向の位置ずれがわかるように、長方形状（例えば長さ２ｍｍ、幅０．５ｍｍ）の位置ずれ検出マーク１，２および丸形状（例えば直径１ｍｍ）のスルーホール電極であるマーク３，４を用い、各々Ｙ方向をみるためのマーク１，３、Ｘ方向をみるためのマーク２，４を設けている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長抑制構造上への結晶成長により得られる成長抑制構造直上領域を含む連続膜半導体層と、光を発生させる活性層とを有する半導体発光素子であって、
該活性層の内、電流注入により光を発生する発光領域が前記成長抑制構造直上領域以外の領域に形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記発光領域は成長抑制構造直上領域から３０μｍ以上離れた位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記発光領域と前記成長抑制構造直上領域との間の領域では、前記活性層が除去されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
基板上に成長抑制構造を形成する第１工程と、
前記基板および前記成長抑制構造の両方を連続して覆うように前記基板と格子定数または熱膨張係数が異なる連続膜半導体層を形成する第２工程と、
前記連続膜半導体層の上に光を発生させる活性層を含む多層構造体を形成する第３工程と、
前記成長抑制構造部の直上領域を除いて前記活性層における発光領域を規定するための構造を形成する第４工程と、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
半導体発光素子をウェハーから複数個の半導体発光素子に分割する工程を有する半導体発光素子の製造方法であって、
前記第４工程後、前記成長抑制構造直上の前記活性層が半導体発光素子に含まれないように半導体発光素子をウェハーから分割する第５工程とを含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記第５工程において、前記成長抑制構造直上の端から３０μｍ以内の領域に残存する前記活性層が、半導体発光素子に含まれないように半導体発光素子を分割することを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源を受電しこれを整流するコンバータ回路と，このコンバータ回路の出力電圧を高周波の交流に変換するインバータ回路と，このインバータ回路の出力電圧を昇圧する高電圧変圧器と，この高電圧変圧器の出力電圧を整流する高電圧整流回路と，この高電圧整流回路の出力電圧である直流高電圧を印加してＸ線を放射するＸ線管とを備えたインバータ式Ｘ線高電圧装置において、
上記コンバータ回路は、上記交流電源の電圧と電流の位相を一致させると共に上記インバータ回路への入力電圧を所定の設定値と等しくなるよにすることを特徴とするインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項２】
上記コンバータ回路は、自己消弧可能なスイッチング素子とこのスイッチング素子と逆並列に接続されたダイオードから成る二組のスイッチングモジュールを直列に接続したスイッチングモジュール直列接続体と，このスイッチングモジュール直列接続体と並列に二つのコンデンサを直列に接続したコンデンサ直列接続体とで構成され、前記スイッチングモジュール直列接続体の接続点に交流リアクトルの一端を接続し、この交流リアクトルの他の一端と前記コンデンサ直列接続体の接続点に上記交流電源を接続し、この交流電源の電圧と電流の位相差及び前記コンデンサ直列接続体の両端の電圧の設定値との誤差に応じて上記二組のスイッチングモジュールをパルス幅変調制御して前記交流電源の電圧と電流の位相を一致させると共に前記コンデンサ直列接続体の両端の電圧を設定値に制御するパルス幅変調制御回路を具備し、前記コンデンサ直列接続体の両端の電圧を前記インバータ回路に入力することを特徴とする請求項１に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項３】
上記スイッチングモジュール直列接続体を二組並列に接続若しくは一組で上記インバータ回路を構成し、これら二組並列に接続若しくは一組のスイッチングモジュール直列接続体と上記コンバータ回路のスイッチングモジュール直列接続体とを並列に接続して三相スイッチングモジュール若しくは単相スイッチングモジュールを構成し、これを上記コンバータ回路及びインバータ回路に用いたことを特徴とする請求項２に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、交流電源を受電しこれを整流するコンバータ回路と、このコンバータ回路の出力電圧を高周波の交流に交換するインバータ回路と，このインバータ回路の出力電圧を昇圧する高電圧変圧器と，この高電圧変圧器の出力電圧を整流する高電圧整流回路と，この高電圧整流回路の出力電圧である直流電圧を印加してＸ線を放射するＸ線管とを備えたインバータ式Ｘ線高電圧装置において、上記コンバータ回路は、上記交流電源の電圧と電流の位相を一致させると共に上記インバータ回路への入力電圧を所定の設定値と等しくなるよにすることによって達成される。
特に、上記コンバータ回路は、自己消弧可能なスイッチング素子とこのスイッチング素子と逆並列に接続されたダイオードから成る二組のスイッチングモジュールを直列に接続したスイッチングモジュール直列接続体と、このスイッチングモジュール直列接続体と並列に二つのコンデンサを直列に接続したコンデンサ直列接続体とで構成され、前記スイッチングモジュール直列接続体の接続点に交流リアクトルの一端を接続し、この交流リアクトルの他の一端と前記コンデンサ直列接続体の接続点に上記交流電源を接続し、この交流電源の電圧と位相差及び前記コンデンサ直列接続体の両端の電圧の設定値との誤差に応じて上記二組のスイッチングモジュールをパルス幅変調制御して前記交流電源の電圧と電流の位相を一致させると共に前記コンデンサ直列接続体の両端の電圧を設定値に制御するパルス幅変調制御回路を具備し、前記コンデンサ直列接続体の両端の電圧を上記インバータ回路に入力することによって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１ドーピング濃度を有する第１導電型の基板（１１）；
前記第１導電型と、前記第１ドーピング濃度よりも大きい前記第１導電型の第２ドーピング濃度とを有する、前記基板上の第１ウェル（１６）であって、前記基板内に第１深さ（２４）を有する、ところの第１ウェル（１６）；
前記基板上で、前記第１ウェル（１６）から横方向に間隔を隔てる第１MOSトランジスタ（３２）；
前記第１ウェル（１６）上に形成された第２MOSトランジスタ（３１）；
前記基板内で、前記第１MOSトランジスタに隣接する第２導電型の導電領域（２６）であって、前記導電領域の一部が前記第１MOSトランジスタのソースを形成し、前記導電領域（２６）が前記基板内に第２深さ（２９）を有する、ところの導電領域（２６）；および
前記導電領域（２６）内に形成される第１部分と、前記導電領域から横方向に、前記第１MOSトランジスタ（２６）から離れる方向に延在する第２部分とを有する前記第１導電型の、ピニング層（３７）；
を具備することを特徴とする画像センサ。
【請求項２】  アクティブ・ピクセル・センサを形成する方法であって：
第１導電型の表面と前記第１導電型の第１領域（１６）とを有する基板（１１）を設ける段階；
前記第１導電型の第２領域（１４）内にピンド・フォトダイオードを設ける段階であって、前記第２領域が前記第１領域（１６）に対する第１ドーピング濃度よりも小さい第２ドーピング濃度を有するようにし、前記ピンド・フォトダイオードは前記表面から第１深さ（２９）において第１P-N接合部を有し、前記第１深さよりも小さい第２深さにおいて第２P-N接合部を有するピンド・フォトダイオードを設ける段階；
前記第１領域内に少なくとも１つのMOSトランジスタ（３１）を形成する段階；および
前記第２領域内に少なくとも１つのMOSトランジスタ（３２）を形成する段階であって、前記ピンド・フォトダイオードが前記第２領域内に前記MOSトランジスタの一部を形成し、前記第２領域内のMOSトランジスタのゲートは前記第２領域内にありかつ前記MOSトランジスタのドレインは前記第１領域および前記第２領域内にあるよう形成する段階；
を具備することを特徴とする方法。
【請求項３】  前記ピンド・フォトダイオードを設ける段階が、さらに、前記第１導電型と反対の第２導電型のドーパントを、前記基板に対して垂直の角度に、前記第２領域における前記MOSトランジスタのゲート下に延在するよう注入する段階を具備することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】  第１導電型の表面を有し、前記第１導電型のより大きな濃度の第１領域（１６）と、前記第１領域よりも小さい濃度の前記第１導電型の第２領域（１４）とを有する基板（１１）；
前記第１領域に隣接して、前記第２領域（１４）内に形成されるピンド・フォトダイオード；
前記ピンド・フォトダイオードに隣接して形成される前記第１領域（１６）内の少なくとも１つのMOSトランジスタ（３１）；および
前記第２領域内のMOSトランジスタのゲートは前記第２領域内にありかつ前記MOSトランジスタのドレインは前記第１領域および前記第２領域内に、そして前記ピンド・フォトダイオードが前記第２領域内のMOSトランジスタの一部を形成するよう形成された前記第２領域内の少なくとも１つのMOSトランジスタ（３２）；
を具備することを特徴とするアクティブ・ピクセル・センサ。
【請求項５】  前記ピンド・フォトダイオードが、前記基板に対して垂直の角度から注入される前記第１導電型と反対の第２導電型のドーパント（２６）をさらに備え、前記第２導電型の前記ドーパントが前記第２領域内の前記MOSトランジスタ（３２）のゲート（２２）の下に延在することを特徴とする請求項４記載のアクティブ・ピクセル・センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板上にゲイト絶縁膜及びゲイト電極を形成し、
前記単結晶シリコン基板に対して〈１１０〉軸方向から１３族又は１５族から選ばれた不純物を添加し、
前記不純物を添加することにより、前記単結晶シリコン基板中の前記ゲイト電極の下の領域に不純物領域を形成し、
前記不純物領域はパンチスルーストッパとして機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記不純物領域は、前記単結晶シリコン基板の表面から深さ２０〜１５０ｎｍの範囲に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記単結晶シリコン基板の表面から１０ｎｍ以内の範囲に含まれる前記不純物の濃度が、前記不純物領域に含まれる前記不純物の濃度の１／１００〜１／１０であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記単結晶シリコン基板の表面から１０ｎｍ以内の範囲にチャネル形成領域が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記不純物は、前記ゲイト電極の長手方向に垂直な２方向から添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記不純物領域に含まれる前記不純物の濃度は１×１０18〜１×１０19  ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記単結晶シリコン基板の表面から１０ｎｍ以内の範囲に含まれる前記不純物の濃度は１×１０16〜１×１０17  ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記不純物は露出した前記単結晶シリコン基板の表面に対して添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記半導体装置は、集積化回路であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記半導体装置は、マイクロプロセッサであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記マイクロプロセッサは、ＲＩＳＣプロセッサ又はＡＳＩＣプロセッサであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月28日(2004.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
この半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第１導電型の高抵抗半導体からなる活性層と、
この活性層内に形成された第１導電型の第１の不純物領域と、
前記活性層内に形成された第２導電型の第２の不純物領域と、
前記第１の不純物領域内に形成された高濃度の第１導電型の第３の不純物領域と、
前記第１の不純物領域内に形成された高濃度の第２導電型の第４の不純物領域と、
前記第３の不純物領域および第４の不純物領域にオーミックコンタクトする第１の電極と、
前記第２の不純物領域にショットキーコンタクトする第２の電極と、
を具備することを特徴とする高耐圧半導体素子。
【請求項２】
半導体基板と、
この基板上に絶縁膜を介して形成された第１導電型の高抵抗半導体からなる活性層と、
この活性層内に形成された第１導電型の第１の不純物領域と、
前記活性層内に形成された第２導電型の第２の不純物領域と、
前記第１の不純物領域内に形成された高濃度の第１導電型の第３の不純物領域と、
前記第１の不純物領域内に形成された高濃度の第２導電型の第４の不純物領域と、
前記第３の不純物領域および第４の不純物領域にコンタクトする第１の電極と、
前記第２の不純物領域にコンタクトする第２の電極と、
を具備し、
前記第２の不純物領域の表面不純物濃度は、２．０×１０18ｃｍ-2以下であることを特徴とする高耐圧半導体素子。
【請求項３】
前記第１の不純物領域の終端部における湾曲部分に、前記第３および第４の不純物領域が交互に放射状に配置していることを特徴とする請求項１または２に記載の高耐圧半導体素子。
【請求項４】
前記第２の不純物領域内に形成された高濃度の第２導電型の第５の不純物領域を更に具備し、前記第２の電極は、前記第５の不純物領域にオーミックコンタクトすることを特徴とする請求項１または２に記載の高耐圧半導体素子。
【請求項５】
前記第２の不純物領域の終端部に、前記第５の不純物領域が所定の間隔を隔てて放射状に配置していることを特徴とする請求項４に記載の高耐圧半導体素子。
【請求項６】
前記第２の不純物領域の拡散深さは、２μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の高耐圧半導体素子。
【請求項７】
前記第３の不純物領域、第１の不純物領域および活性層は、直線上に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の高耐圧半導体素子。
【請求項８】
半導体基板と、
この半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第１導電型の高抵抗半導体からなる活性層と、
この活性層内に形成された第１導電型の第１の不純物領域と、
前記活性層内に形成された第２導電型の第２の不純物領域と、
前記第２の不純物領域内に形成された、前記第２の不純物領域の不純物濃度よりも高濃度の第１導電型の第３の不純物領域と、
前記第１の不純物領域にオーミックコンタクトする第１の電極と、
前記第２の不純物領域にショットキーコンタクトし、前記第３の不純物領域にオーミックコンタクトする第２の電極と、
を具備することを特徴とする高耐圧半導体素子。