Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査すべき目的物の画像データの組においてボリュームの密度を決める方法であって、前記ボリュームは、当該ボリュームが寄与し得る特徴パラメタを持つ材料を含むことにより環境と区別され、
−異なる照射位置において前記環境と共に前記ボリュームをＸ線に照射させ、各照射位置において、前記Ｘ線の第１のエネルギー及び第２のエネルギーに対応する前記目的物の透過画像の第１の組をＸ線検出器で得るために、前記Ｘ線の前記第１のエネルギー及び前記第２のエネルギーで照射を行うステップを含む方法において、
−二次元の検出器を前記Ｘ線検出器として使用するステップ、
−二重エネルギー法に従って第１の較正を実行し、パラメタの第１の組とパラメタの第２の組とを得るステップ、
−二重エネルギー法に従って第２の較正を実行し、前記環境を特徴とする第３のパラメタと前記材料を特徴とする第４のパラメタとを得るステップ、
−前記パラメタの第１の組と前記パラメタの第２の組とを用いながら、透過画像の前記第１の組に対し第１の演算を行い、密度画像の組を得るステップ、
−前記密度画像の組に前記第３のパラメタを適用し、前記密度画像の組から前記環境を削除するステップ、
−前記密度画像の組の情報を用いて３Ｄ再構成アルゴリズムを実行し、前記ボリュームの画像を得るステップ、及び
−前記ボリュームの画像に前記第４のパラメタを適用し、前記ボリュームにおける前記材料の密度を計算するステップ
も含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、透過画像の第２の組を得るために、前記密度画像に対し演算を行い、フェルドカンプアルゴリズムが前記３Ｄ再構成アルゴリズムとして用いられる方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記第３のパラメタは、軟組織の削除角度であり、前記第４のパラメタは、骨密度因子である方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、使用すべき前記骨密度因子の値は、ルックアップテーブルで調べられる方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法において、該当するボリュームは、前記ボリュームの画像において規定され、前記該当するボリュームは、柱状骨のボリュームの少なくとも一部に対応する方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記密度画像の組のピクセル値は、ダイナミックレンジを高めるために、因子Ｍで乗算される方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、第１及び第２の較正材料は、前記二重エネルギー法に従って前記第１の較正を実行するために使用され、前記第１の較正材料の実効原子番号は、１０よりも低いのに対し、前記第２の較正材料の実効原子番号は、１０よりも大きい方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、決められるべき前記密度は、ミネラル密度であり、前記第１のエネルギーのＸ線を生じさせるためにＸ線管に必要な電圧は、５０〜８０ｋＶの範囲にあるのに対し、前記第２のエネルギーのＸ線を生じさせるためにＸ線管に必要な電圧は、１００から１５０ｋＶの範囲にある方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、前記第１のエネルギー及び前記第２のエネルギーに対応するＸ線を生じさせる前記Ｘ線管の電圧差は、４０ｋＶから５０ｋＶの間にある方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の方法において、Ｘ線源は前記目的物の周りを約１８０°の弧に沿って回転され、各エネルギーに対し、約５０の透過画像が前記弧において異なる角度で取得される方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の方法において、低いエネルギー照射に対する放射Ｘ線量は、対応する高いエネルギー照射に対する放射線量と同じ大きさの次数である方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法を実行するシステムにおいて、前記システムは、Ｘ線を生じさせるＸ線源を備えるＸ線装置と透過画像を検出する対応するＸ線検出器とを有し、前記Ｘ線検出器は二次元の検出器であり、前記Ｘ線のエネルギーを変化させる第１の手段、前記二重エネルギー法に従って較正を実行する較正手段、及び前記透過画像に演算を行い、３Ｄ再構成アルゴリズムも実行する算術手段を備えるシステム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のシステムにおいて、前記較正手段は、適当な第１の較正ファントムと適当な第２の較正ファントムとを含み、さらに前記パラメタを計算する他の算術手段を含むシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  衛生製品、特におむつ、失禁用製品、創傷用接触材料または生理用ナプキンの成分として、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法により製造された薄い吸着性平面構造を使用することを特徴とする、体液を吸収するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月19日(2004.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内部にキャビティが形成されるとともに、接触面を持つ第１金型と、
接触面と、それを貫通する少なくとも１つの第１ゲートと、それを貫通する少なくとも１つの第２ゲートとを有し、前記第１ゲートと第２ゲートが、前記接触面に少なくとも１つの開口をそれぞれに有する金型コアとを用い、
前記金型コアの少なくとも１つの第１ゲートの開口が前記第１金型のキャビティ内部に位置決めされるように、前記第１金型の接触面を前記金型コアの接触面に接触させて配置し、
高熱伝導率材料を前記１つの金型コアの少なくとも第１ゲートを介して射出し、前記第１金型のキャビティを充填して高熱伝導性部分を形成し、
前記第１金型を除去し、
内部にキャビティが形成され、接触面を有する第２金型を用い、
その第２金型の少なくとも１つの第２ゲートの開口が前記第２金型のキャビティ内部に位置決めされるように、また前記第２金型のキャビティが前記高熱伝導性部分の少なくとも一部を包囲するように、前記第２金型接触面を前記金型コア接触面に対して接触させて配置し、
熱伝導性材料を前記金型コアの少なくとも１つの第２ゲートを介して前記第２金型のキャビティ中に射出して第２伝導性部分を形成し、かつ
前記高熱伝導性部分および前記第２伝導性部分を前記第２金型から取り出すことを特徴とする放熱デバイスを製造する方法。
【請求項２】  放熱デバイスを製造する方法であって、第１高熱伝導性部分の射出成形が
内部にキャビティが形成されるとともに、接触面を持つ第１金型と、
接触面と、それを貫通する少なくとも１つの第１ゲートと、それを貫通する少なくとも１つの第２ゲートとを有し、前記第１ゲートと第２ゲートが、前記接触面に少なくとも１つの開口をそれぞれに有する金型コアとを用い、
前記金型コアの少なくとも１つの第１ゲートの開口が前記第１金型のキャビティ内部に位置決めされるように、前記第１金型の接触面を前記金型コアの接触面に接触させて配置し、
高熱伝導率材料を前記１つの金型コアの少なくとも第１ゲートを介して射出し、前記第１金型のキャビティを充填して高熱伝導性部分を形成することを含み、
第２熱伝導性部分の射出成形が、
前記第１金型を除去し、
内部にキャビティが形成され、接触面を有する第２金型を用い、
その第２金型の少なくとも１つの第２ゲートの開口が前記第２金型のキャビティ内部に位置決めされるように、また前記第２金型のキャビティが前記高熱伝導性部分の少なくとも一部を包囲するように、前記第２金型接触面を前記金型コア接触面に対して接触させて配置し、
前記第２熱伝導性部分が前記第１高熱伝導性部分に接触するように第２熱伝導性部分を射出成形することであって、熱伝導性材料を前記金型コアの少なくとも１つの第２ゲートを介して前記第２金型のキャビティ中に射出して第２伝導性部分を形成することを含むことを特徴とする放熱デバイスを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも１つの開放端部を有する中空加工部材（３）を変形する方法であって、加工部材（３）がクランプ装置（２）内で締め付けられ、少なくとも一つの成形工具（６，６）が加工部材(3)の壁に接触して配置され、該加工部材及び該成形工具は互いに軸の周りを回転され、加工部材（３）は該成形工具（６，６）によって変形されるところの方法において、変形操作の少なくとも一部の間に、軸（５）の周りでの加工部材（３）の変形された部分又は変形されるべき部分の回転周波数あるいはその倍数に実質的に等しい回転周波数で、該工具（６，６）が軸（５）に対して前後に動かされうることを特徴とする方法。
【請求項２】  加工部材（３）は回転され、一方、工具（６，６）は実質的に並進様式で駆動され、その間に工具は回転方向で静止したままである請求項１に記載の方法。
【請求項３】  該工具（６，６）が、軸（５）と少なくとも実質的に交差する方向で前後に動く請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】  加工部材（３）の変形された部分の中心軸が加工されていない部分に対して角度を持って延びるまたは偏心して位置づけられるように加工部材（３）が変形される請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  工具（６、６、６）の数が上記倍数に対応し、該成形ロール（６、６、６）の接触点が好ましくは加工部材（３）の外周上に等間隔に分布されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】  操作の前または間に挿入物（18）が加工部材（３）の開放端部内に置かれる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  挿入物（18）がその中で固定されるおよび／又は締め付けられる様式で加工部材（３）が変形される請求項６に記載の方法。
【請求項８】  加工部材（３）および工具（６，６）が互いにその周りで回転するところの軸（５）が、加工部材（３）の変形されていない部分の中心軸と一致する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】  変形されるべき少なくとも一つの開放端部を持つ中空加工部材（３）を締め付けるための回転可能な締付装置（２）、加工部材の加工の間に加工部材（３）の外表面と接触して配置されることが出来、かつそれによって加工部材（３）が変形されることが出来るところの第一の加工工具（６，６）、該加工部材（３）および該加工工具（６，６）を相対的に動かす手段、該加工工具（６，６）が加工部材（３）を加工するための一以上の所望のパスを追随できるような様式で該加工部材（３）および該加工工具（６，６）を相対的に動かす手段（８−１２）、および該手段のための制御装置を少なくとも有する成形機（1）において、変形操作の少なくとも一部の間に、軸（５）の周りでの加工部材（３）の変形された部分又は変形されるべき部分の回転周波数あるいはその倍数に実質的に等しい回転周波数で、該工具（６，６）を軸（５）に対して前後に移動させるように該制御装置が配置されていることを特徴とする成形機（1）。
【請求項１０】  成形工具（６、６、６）の数が上記倍数に対応する請求項９に記載の成形機（１）。
【請求項１１】  加工部材の開放端部に置かれるべき挿入物（１８）のための回転可能な支持体が、締付装置（２）と対向して置かれている請求項９または１０に記載の成形機（１）。
【請求項１２】  請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法を用いて得られた加工部材（３）を有する、車両のための触媒コンバーター装置（２１）。
【請求項１３】車両のための触媒コンバーター装置（２１）において、内側ハウジング（１８）を有することを特徴とする触媒コンバーター装置（２１）。
【請求項１４】  内側ハウジング（１８）が触媒コンバーター装置の両端部の間を延びている請求項13記載の触媒コンバーター装置（２１）。
【請求項１５】  内側ハウジング（１８）が両端部で締め付けられている請求項13または１４記載の触媒コンバーター装置（２１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記図示した配置を用いる代わりに、Ｘ方向の並進運動が可能なように該ハウジングを位置づけることも出来る。その場合、成形工具は、この方向に静止したままでありうる。成形ローラおよびそれに伴うスライドと駆動手段の適当なアセンブリのより詳細のために、ヨーロッパ特許出願ＥＰ0 125 720が引用される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図3は、矩形の断面を有する中空金属円筒の端部の変形を示し、そこでは該断面形状が、（相当に）より小さい直径を有する円形断面へと徐々に変えられていく。この場合にも、成形ロール６、６は、夫々Ｒ１およびＲ２で示されている該矩形のリブ（rib）の半分および対角線の半分に夫々対応する二つの端点位置の間で動く。加工部材３に沿う成形ロール６、６の最初の通過の間に、上記値は数パーセントだけ減少され、かつ更に角がすでに少し丸められた断面形状が与えられる。この動きを繰り返し、端の方向に減少してゆく直径及び徐々に丸くなる断面形状を与えることによって、最終的に、図3a〜3cに示されたような形が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月5日(2003.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５３】
請求項４５に記載の方法において、前記第２ケーシングをシールできない場合に、少なくとも一つの雄相互係止構造及び複数の雌相互係止構造凹所を持つ第３ケーシングを、前記第３ケーシングの前記少なくとも一つの雄相互係止体が前記第１ケーシングの第２雌相互係止構造凹所によって受入れられるように前記第１ケーシングと隣接して据え付けることによって、前記第２ケーシングの周囲に前記障壁を設置し続ける工程、及び
前記第１ケーシングと前記第３ケーシングとの間にシールを形成し、連続した地表下障壁を形成する工程を更に含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  加工物の表面を造形する方法であって、プラズマトーチを含むプラズマ加工チャンバ内に加工物を配置する工程と、加工物及びプラズマトーチのうち少なくとも一方を並進させる工程と、プラズマ加工チャンバ内にプラズマ反応の平衡状態を生じさせ、それにより、プラズマトーチからの放出物で材料を加工物の表面から除去してこれを加工物の表面上に再付着させる工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項２】  加工物の表面を平坦化する方法であって、プラズマトーチを含む大気圧状態にあるプラズマ加工チャンバ内に加工物を配置する工程と、加工物及びプラズマトーチのうち少なくとも一方を並進させる工程と、反応性原子プラズマを利用して加工物の表面から材料を除去すると同時に、除去した材料を加工物の表面上に戻して再付着させる工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項３】  加工物を造形する方法であって、プラズマトーチを含むプラズマ加工チャンバ内い加工物を配置する工程と、加工物及びプラズマトーチのうち少なくとも一方を並進させる工程と、反応性原子プラズマ加工を利用してプラズマトーチからの放出物で加工物の表面を造形する工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項４】  加工品が光学品、或いは高い損傷閾値の光学品である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  反応性プラズマ加工法を用いて、加工品の表面を造形する段階は、表面の下の加工品に対して最小の損傷或いは損傷なし、及び加工品の表面からの材料の除去のうち少なくとも１つの段階を引き起こす請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前駆体のプラズマトーチの中への質量流れを約０ml/minと約２０００ml/minとの間、或いは約０ml/minと約５００００ml/minとの間に制御する段階をさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】  加工品をプラズマトーチに対して回転させる段階と、
反応性種をプラズマトーチ内で生成する段階と、
前駆体をプラズマトーチの中央チャンネル内に配置する段階と、
前駆体をプラズマトーチ内に配置して、プラズマトーチ内に反応性種を生成する段階と、
前駆体をプラズマトーチ内に配置する段階と、
前駆体の質量流れをプラズマトーチの中に向かうように制御する段階と、
プラズマトーチの中央チャンネルの中に導入されるべき前駆体の濃度を選択する段階と、
プラズマガスをプラズマトーチの外管中に導入する段階と、
エネルギーをプラズマトーチの環状領域内の放出物に結合させる段階と、
プラズマトーチの外管の内径を選択することにより、放出物の大きさを制御する段階と、
を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】  補助ガスを前記プラズマトーチ内の３つの同心管の二番目の中に導入する段階と、
補助ガスを用いて、高温プラズマをプラズマトーチの中央チャンネルから遠ざけておく段階と、
補助ガスを用いて、放出物の位置を調整する段階と、
プラズマガスを接線方向に導入する段階と、
ガス流れをプラズマトーチ内で計量する段階と、
プラズマトーチの温度を5000℃及び15000℃の間に維持する段階と、
加工品の表面上に揮発性反応物を生成する段階と、
加工用チャンバを約大気圧に維持する段階と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】  加工品の表面をプラズマトーチで洗浄する段階、加工品の表面をプラズマトーチで研磨する段階、及び加工品の表面をプラズマトーチで平坦化する段階のうち少なくとも１つを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  プラズマトーチのエッチング速度を増大するための多重ヘッドを備えたプラズマトーチ、プラズマトーチのエッチング速度を制御するための前駆体溶液、及びプラズマトーチのエッチング速度を制御するための、固体、液体及び気体のいずれかである前駆体のうち少なくとも１つを用いることをさらに有する請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面の造形方法であって、環状或いはトロイダルプラズマを発生する段階と、種の流れを前記環状或いはトロイダルプラズマの環状中心の中に注入して、少なくとも１つの反応性種を生成する段階と、反応性原子プラズマ加工法を用いて、損傷のない表面の造形を行う段階とを有することを特徴とする表面の造形方法。
【請求項２】  表面の造形方法であって、プラズマトーチの先端から所定距離に、膜或いは内部領域を有するプラズマを発生する段階と、反応性ガスの流れをプラズマの該膜を通して、或いは該内部領域の中に注入して、少なくとも１つの反応性種が解離を始める段階と、前記少なくとも１つの反応性種と前記表面との間の化学反応により表面を造形する段階と、を有することを特徴とする方法。
【請求項３】  プラズマを発生する段階と、種を選択して、表面を構成する選択した材料を造形するが、該表面の他の材料を造形しない段階と、種の流れをプラズマの中心に注入して、少なくとも１つの反応性種を生成する段階と、前記表面のどの材料が造形されるかを反応性原子プラズマ加工法において少なくとも１つの反応性種の使用をすることにより制御して、前記少なくとも１つの反応性種をして、前記表面の他の材料を除去する目的なしに、前記表面を構成する少なくとも１つの材料と反応させることにより、前記表面を選択的に造形する段階とを有することを特徴とする方法。
【請求項４】  プラズマを発生する段階と、種の流れを前記プラズマの中心に注入して、少なくとも１つの種を生成する段階と、前記表面の一部を選択的に造形する段階、前記表面上で造形すべき材料を選択する段階、及び造形中に前記表面上の材料の除去率を制御する段階のうち少なくとも以下の段階の１つにより、表面を決定的且つ損傷なしに造形することを特徴とする方法。
【請求項５】  光学素子、シリコン素子、石英ガラス光学部品、及び非球面光学部品のうちから少なくとも１つを造形する請求項１に記載の方法。
【請求項６】  表面の粗さ及び／又は先行の加工工程によって導入される損傷を除去及び／又は汚染された再付着層を後に残さない請求項１に記載の方法。
【請求項７】  プラズマを発生させるために、四フッ化炭素（ＣＦ4）、Ｃ2Ｆ6、及び六フッ化ケイ素（ＳＦ6）から少なくとも１つを用いる請求項１に記載の方法。
【請求項８】  大気圧より上或いは大気圧より下のいずれかで使用可能な請求項１に記載の方法。
【請求項９】  室温より上或いは室温より下のいずれかで使用可能な請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  導電性表面、非導電性表面及び半導体表面の１つに使用可能な請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】  完全な水和に達するまで前記少なくとも１つのバレル内で水和が継続される請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）熱可塑性樹脂または熱硬性樹脂、および
（ｂ）金属ケイ酸塩、シリカ、金属炭酸塩、および金属硫酸塩からなる群から選択される無機の抗目つまり剤から本質的になる層によりトップコートされる研磨材。
【請求項２】
金属ケイ酸塩がケイ酸マグネシウム、ケイ酸カリウムアルミニウム、ケイ酸アルミニウム、およびケイ酸カルシウムからなる群から選択される請求項１に記載の研磨材。
【請求項３】
ケイ酸マグネシウムがタルクを含む請求項２に記載の研磨材。
【請求項４】
ケイ酸カリウムアルミニウムがマイカを含む請求項２に記載の研磨材。
【請求項５】
ケイ酸アルミニウムがクレイを含む請求項２に記載の研磨材。
【請求項６】
ケイ酸カルシウムが珪灰石を含む請求項２に記載の研磨材。
【請求項７】
シリカが溶融石英、ヒュームド・シリカ、および沈降非晶質シリカからなる群から選択される請求項１に記載の研磨材。
【請求項８】
金属炭酸塩が炭酸カルシウムを含む請求項１に記載の研磨材。
【請求項９】
金属硫酸塩が水和硫酸カルシウムまたは無水硫酸カルシウムを含む請求項１に記載の研磨材。
【請求項１０】
抗目つまり剤が約７未満のモース硬度値を有する請求項１に記載の研磨材。
【請求項１１】
抗目つまり剤が約３０マイクロメートル未満の平均粒径を有する請求項１に記載の研磨材。
【請求項１２】
抗目つまり剤が１〜２０マイクロメートルの範囲内の平均粒径を有する請求項１１に記載の研磨材。
【請求項１３】
抗目つまり剤がトップコート層において主に濃縮される請求項１に記載の研磨材。
【請求項１４】
抗目つまり剤がトップコート層の少なくとも１０体積％を提供する請求項１に記載の研磨材。
【請求項１５】
抗目つまり剤がトップコート層の少なくとも６０体積％を提供する請求項１４に記載の研磨材。
【請求項１６】
抗目つまり剤の粒子が、研磨布紙を用いて塗装表面を磨いて研磨屑を生成すると、こうした削り屑粒子と結合しこれらの凝集を抑制する抗目つまり剤の粒子が放出されるような粒径からなる、請求項１に記載の研磨材。
【請求項１７】
研磨材が研磨布紙および研磨複合材からなる群から選択される請求項１に記載の研磨材。
【請求項１８】
その層が、熱可塑性樹脂、および金属ケイ酸塩、シリカ、金属炭酸塩、および金属硫酸塩からなる群から選択される無機の抗目つまり剤から本質的になる、請求項１に記載の研磨材。
【請求項１９】
熱可塑性樹脂がラテックスを含む請求項１に記載の研磨材。
【請求項２０】
熱硬化性樹脂がユリアホルムアルデヒド、フェノール、エポキシ、ウレタン、および放射線硬化樹脂系からなる群から選択される請求項１に記載の研磨材。
【請求項２１】
（ａ）第１表面を有する基材層、
（ｂ）基材層の第１表面上に配置された複数の砥粒を有する研磨層、および
（ｃ）研磨層上に配置された熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂、および無機の抗目つまり剤から本質的になる層
を含む研磨材。
【請求項２２】
抗目つまり剤が金属ケイ酸塩、シリカ、金属炭酸塩、および金属硫酸塩からなる群から選択される請求項２１に記載の研磨材。
【請求項２３】
金属ケイ酸塩がケイ酸マグネシウム、ケイ酸カリウムアルミニウム、ケイ酸アルミニウム、およびケイ酸カルシウムからなる群から選択される請求項２２に記載の研磨材。
【請求項２４】
抗目つまり剤の粒子が、研磨布紙を用いて塗装表面を磨いて研磨屑を生成すると、こうした削り屑粒子と結合しこれらの凝集を抑制する抗目つまり剤の粒子が放出されるような粒径からなる、請求項２１に記載の研磨材。
【請求項２５】
（ａ）基材層の第１表面に複数の砥粒を付着させること、および
（ｂ）砥粒上に（ｉ）熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂、および
（ii）金属ケイ酸塩、シリカ、金属炭酸塩、および金属硫酸塩からなる群から選択される抗目つまり剤から本質的になる層を堆積させることを含む、研磨材を形成するための方法。
【請求項２６】
金属ケイ酸塩がケイ酸マグネシウム、ケイ酸カリウムアルミニウム、ケイ酸アルミニウム、およびケイ酸カルシウムからなる群から選択される請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
ケイ酸マグネシウムがタルクを含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
さらに、その層を堆積させる段階（ｂ）の前に、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を含む中間層を砥粒上に堆積させる段階を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
さらに、抗目つまり剤が主にその上にあるように研磨材の研磨用表面を形成する段階を含む請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
さらに、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂中に抗目つまり剤を分散する段階を含む請求項２５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  緩衝パッドを作成し、該パッドを所定の排出方向に排出する緩衝材変換装置と、
パッド受取位置と少なくとも１つのパッド排出位置との間で移動可能なパッド・サポートと、を有し、
前記パッド受取位置において、前記パッド・サポートは前記変換装置から前記排出方向に排出された緩衝パッドをその上で受け取るように前記変換装置に対して方向付けられ、
前記パッド排出位置において、前記パッド・サポートは前記緩衝パッドの排出のために水平に対して傾けられる、ことを特徴とする緩衝材変換システム。
【請求項２】  請求項１記載の緩衝材変換システムであって、
前記緩衝パッドが前記パッド・サポートからスライド方向に排出されたときに通る傾斜面を更に有することを特徴とする緩衝材変換システム。
【請求項３】  請求項２記載の緩衝材変換システムであって、
前記パッド・サポート及び前記変換装置のオペレーションを調整するコントローラと、
前記傾斜面に対して方向付けられ、該傾斜面上の所定位置に緩衝パッドが存在するか否かを検知するパッド・センサと、を更に有することを特徴とする緩衝材変換システム。
【請求項４】  請求項１記載の緩衝材変換システムであって、
前記少なくとも１つのパッド排出位置は、１組のパッド排出位置を含み、
前記パッド・サポートは、前記パッド受取位置と前記１組のパッド排出位置のいずれかとの間で選択的に移動可能である、ことを特徴とする緩衝材変換システム。
【請求項５】  請求項４記載の緩衝材変換システムであって、
前記パッド受取位置は、前記１組の排出位置の中間に配置されることを特徴とする緩衝材変換システム。
【請求項６】  緩衝パッドを移行面上へ提供する方法であって、
緩衝材変換装置を用いてシート素材を緩衝パッドへ変換する工程と、
前記変換装置からパッド・サポート上へ前記緩衝パッドを排出する工程と、
前記緩衝パッドを前記パッド・サポートから前記移行面上へ排出するために前記パッド・サポートを傾ける工程と、を有することを特徴とする方法。
【請求項７】  請求項６記載の方法であって、
前記緩衝パッドを前記パッド・サポートから排出するために該パッド・サポートを傾ける工程の後、後続の緩衝パッドを前記変換装置から受け取るために前記パッド・サポートを傾け、次いで、該後続の緩衝パッドを前記パッド・サポートから第二の移行面上へ排出するために前記パッド・サポートを傾ける、ことを特徴とする方法。
【請求項８】  緩衝材変換装置の排出口に配置された緩衝パッド・トランスファー機構であって、
パッド受取位置とパッド排出位置との間で移動可能なパッド・サポートと、
該パッド・サポートに隣接し、該パッド・サポートがそのパッド受取位置からそのパッド排出位置へ傾けられたときに前記パッド・サポートからパッドを受け取る移行スライドと、を有することを特徴とする緩衝パッド・トランスファー機構。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  帯状材料を巻き付けるための巻取シャフトであって、モータで駆動可能なコアシャフトと、前記巻取シャフトの上に押し込み可能な、かつそれから引き抜き可能な帯ロール用の巻取スリーブを固定するためのテンション要素と、同一またはほぼ同一の帯張力を有する前記個々の帯を巻き付ける際に前記コアシャフトのトルクを個々の前記巻取スリーブに伝達するための構成要素とを有する前記巻取シャフトにおいて、シャフト軸線（５−５）の方向に延在する平坦部（６）を有するコアシャフト（４）であって、シャフト軸線（５−５）の方向に延在する少なくとも１つの円筒状の溝（７）が、外歯（９）付きの隣接するピニオン（８）用の軸受として平坦部（６）内に形成されるコアシャフト（４）と、コアシャフト（４）上に回転可能に軸受けされる内歯（１１）付きのリングギヤ（１０）であって、内歯（１１）が、個々のリングギヤ（１０）に割り当てられたピニオン（８）の外歯（９）と係合するリングギヤ（１０）と、リングギヤ（１０）の外周に配設された、巻取スリーブ（１６）を張り渡すためのテンション要素と、を特徴とし、ピニオン（８）およびリングギヤ（１０）はそれぞれ互いにおよびコアシャフト（４）の両方の端部に対して液密にシールされて、リングギヤ（１０）と共にコアシャフト（４）が、油圧液（オイル１５）が充填された閉鎖油圧チャンバ（１２）を形成するようにする、巻取シャフト。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月24日(2003.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ねじ部（１３）と、球の一部として形成された部分として設計される頭部（１５）とを含むねじ（１２）を備え、さらに、前記ねじ（１２）をロッド（１９）に接続するための受け部（１）を備えた固定要素であって、前記受け部（１）は、第１の端（２）および第１の端に対向する第２の端（３）と、前記２つの端（２，３）を通過する長手方向軸（４）と、前記長手方向軸（４）と同軸の内腔（５）と、前記第１の端（２）に隣接し、挿入されるべきロッド（１９）を受けるためのねじ山を含む２つの自由アーム（８，９）を備えた本質的にＵ字形の断面（７）を有する第１の領域と、他方端（３）に隣接し、前記頭部（１５）を受けるための領域と、ロッド（１９）上または頭部（１５）上に圧力を加える要素（２２，１７）とを含み、
前記ねじ部（１３）と前記頭部（１５）とは個別の部分として設計され、さらに、前記頭部（１５）は前記ねじ部（１３）と対面する側に、ばねで撓む縁を含むことを特徴とする、固定要素。
【請求項２】
前記ねじ部（１３）は頭部側においてシャンク（１４）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の固定要素。
【請求項３】
前記ねじ部に対面する縁（３４）は、前記対称軸（４）に対して平行に方向付けられて円周方向に配設される、１つ以上の開口部または凹み（２８，２９，３３）を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の固定要素。
【請求項４】
開口部（３３）は前記対称軸（４）に対して平行方向に見ると壁の全長にわたって延びることを特徴とする、請求項３に記載の固定要素。
【請求項５】
前記頭部（１５）は前記対称軸と同軸の内腔（２７）を含むことを特徴とする、請求項１から４のいずれか１つに記載の固定要素。
【請求項６】
前記内腔（２７）は円筒状であることを特徴とする、請求項５に記載の固定要素。
【請求項７】
前記シャンク（１４）は粗面を含むことを特徴とする、請求項２から６のいずれか１つに記載の固定要素。
【請求項８】
前記シャンク（１４）は多角形であることを特徴とする、請求項２から７のいずれか１つに記載の固定要素。
【請求項９】
前記頭部（１５）は内腔内に雌ねじを含み、シャンク（３５）はそれと噛み合う雄ねじを含む、請求項１から５のいずれか１つに記載の固定要素。
【請求項１０】
前記頭部（１５）は内腔内で円周方向に波形を付けられ、シャンク
（３７）はその外側に、対応する波形を含むことを特徴とする、請求項１から５のいずれか１つに記載の固定要素。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ヒートシール可能なポリマーフィルムの製造方法であって、
（ａ）ポリマー材料からなる基材層を溶融押出する工程と、
（ｂ）基材層を第１の方向に延伸する工程と、
（ｃ）任意選択で、基材層を第２の、直交する方向に延伸する工程と、
（ｄ）任意選択で、延伸されたフィルムをヒートセットする工程と、
（ｅ）基材の表面上に、直接、溶融ポリマー材料をメルトコートすることによりヒートシール可能なコーティング層を形成する工程と、
（ｆ）コートされた基材を冷却する工程と
を有し、コーティング工程（ｅ）は工程（ｂ）の前または工程（ｂ）と（ｃ）との間であり、コーティング層の厚さは約８μｍより薄く、コーティング層の溶融ポリマー材料はコポリエステルを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  基材はポリエステルを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  基材はポリ（エチレンテレフタレート）を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  基材は層Ａおよび層Ｂを含み、層Ｂはその上にコーティング層組成物が塗布される層であり、層Ａはポリエチレンテレフタレートを含み、層Ｂは１種または複数のジカルボン酸と１種または複数のグリコールから誘導されるコポリエステルを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  層Ｂは、エチレングリコール、テレフタル酸およびイソフタル酸から誘導され、テレフタル酸成分とイソフタル酸成分のモル比は、好ましくは６３：３５から８５：１５の範囲にあり、より好ましくは約８２：１８であるコポリエステルを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】  層Ｂは、テレフタル酸、エチレングリコールおよび１，４−シクロヘキサンジメタノールから誘導され、１，４−シクロヘキサンジメタノールとエチレングリコールのモル比は、好ましくは３０：７０から３５：６５の範囲にあり、より好ましくは約３３：６７であるコポリエステルを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】  コーティング層は、芳香族ジカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸および化学量論的な量の１種または複数のグリコールから誘導されるコポリエステルを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】  コポリエステル中の前記芳香族ジカルボン酸の濃度は、コポリエステルの全ジカルボン酸成分を基準として４０から７０モル％の範囲にあり、コポリエステル中の前記脂肪族ジカルボン酸の濃度は、コポリエステルの全ジカルボン酸成分を基準として３０から６０モル％の範囲にあることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】  コポリエステル中の前記芳香族ジカルボン酸の濃度は、コポリエステルの全ジカルボン酸成分を基準として５０から５５モル％の範囲にあり、コポリエステル中の前記脂肪族ジカルボン酸の濃度は、コポリエステルの全ジカルボン酸成分を基準として４５から５０モル％の範囲にあることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  前記芳香族ジカルボン酸はテレフタル酸であることを特徴とする請求項７、８または９に記載の方法。
【請求項１１】  前記脂肪族ジカルボン酸は、セバシン酸、アジピン酸およびアゼライン酸から選択されることを特徴とする請求項７から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】  前記ジカルボン酸はセバシン酸であることを特徴とする請求項７から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】  コーティング層のコポリエステルのグリコール成分は、脂肪族グリコールであることを特徴とする請求項７から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】  コーティング層のコポリエステルのグリコール成分は、１，４−ブタンジオールであることを特徴とする請求項７から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】  コーティング層は、
（ｉ）アゼライン酸およびテレフタル酸と、エチレングリコールとのコポリエステル；
（ｉｉ）アジピン酸およびテレフタル酸と、エチレングリコールとのコポリエステル；および
（ｉｉｉ）セバシン酸およびテレフタル酸と、ブチレングリコールとのコポリエステル
から選択されるポリマーを含むことを特徴とする請求項７から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】  コーティング層は、
（ｉ）ガラス転移点（Ｔg）が−４０℃、融点（Ｔm）が１１７℃である、セバシン酸／テレフタル酸／ブチレングリコール（５０／５０／１００）のコポリエステル；および
（ｉｉ）Ｔgが−１５℃、Ｔmが１５０℃である、アゼライン酸／テレフタル酸／エチレングリコール（４５／５５／１００）のコポリエステル
から選択されるポリマーを含むことを特徴とする請求項１から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】  コーティング層の溶融ポリマー材料の粘度は０．００５から５０Ｐａ．ｓの範囲にあることを特徴とする請求項１から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】  コーティング層の溶融ポリマー材料の粘度が０．００５から２０Ｐａ．ｓの範囲にあることを特徴とする請求項１から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】  コーティング工程の前にコーティング層のポリマー材料に水を添加する工程をさらに含み、前記水は、コーティング層のコポリエステルの重量に対して、約６００ｐｐｍから約２５００ｐｐｍの範囲の量で添加されることを特徴とする請求項１から１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】  水は約１０００ｐｐｍから約２０００ｐｐｍの範囲の量で添加されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  水は約１３００ｐｐｍから約１６００ｐｐｍの範囲の量で添加されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】  基材層は前記直交する方向に延伸され、また前記工程（ｅ）は前記工程（ｂ）と（ｃ）との間に実施されることを特徴とする請求項１から２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】  前記ヒートシール可能なポリマーフィルムは剥離可能であることを特徴とする請求項１から２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】  請求項１から１８のいずれかに記載のように、その表面にヒートシール性コポリエステル含有コーティング層を有する、ポリマー材料の基材層を含み、コーティング層の厚さは約８ミクロンより薄く、コーティング層の結晶化度は少なくとも５％であることを特徴とするヒートシール可能なポリマーフィルム。
【請求項２５】  請求項１から２３のいずれかの方法により得ることができることを特徴とするヒートシール可能なポリマーフィルム。
【請求項２６】  前記ヒートシール可能なポリマーフィルムは剥離可能であることを特徴とする請求項２４または２５に記載のポリマーフィルム。
【請求項２７】  食品もしくは飲料を含む入れ物、および請求項２４、２５または２６に記載のポリマーフィルムから形成される蓋を備えることを特徴とするシールされた容器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  接着材料と、
前記接着材料内に、複数の細長構造体として配置される分散相材料と、
を含む高分子組成物であって、細長構造体は、それぞれ主軸を有し、前記細長構造体の主軸が、実質的に配列され、前記分散相材料の屈折率が、前記接着材料の屈折率と、少なくとも０．０１異なる高分子組成物。
【請求項２】  前記接着材料中に配置される非配向の散乱材料を更に含む、請求項１に記載の高分子組成物。
【請求項３】  前記細長構造体の断面寸法が、０．１〜３μｍの範囲である、請求項１に記載の高分子組成物。
【請求項４】  基材と、
前記基材上に配置される請求項１に記載の高分子組成物と、
を含む物品。
【請求項５】  前記高分子組成物が光導波路に接着し、前記高分子組成物が光導波路から光を抽出する、光導波路を更に含む、請求項４に記載の物品。
【請求項６】  前記接着剤組成物が、ディスプレイ上に配置される、発光ディスプレイを更に含む、請求項４に記載の物品。
【請求項７】  前記接着剤組成物が、投影スクリーン上に配置される、投影スクリーンを更に含む、請求項４に記載の物品。
【請求項８】  前記接着剤組成物が、レンチキュラー拡散板素子上に配置される、レンチキュラー拡散板素子を更に含む、請求項４に記載の物品。
【請求項９】  前記物品が、液晶ディスプレイ中の拡散素子として使用される、液晶ディスプレイを更に含む、請求項４に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月24日(2005.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式：炭化水素−ポリエーテル−ポリアミド−ポリエーテル−炭化水素のブロックコポリマー。
【請求項２】  ポリアミドブロックが、式：
【化１】
2004518006.tif 000001
［式中、Ｒ３は炭化水素を表し、Ｒ４は炭化水素およびポリエーテルから選択されたものを表す］からなり、
その際、特にＲ３基はダイマー酸から２つのカルボン酸基を取り去った場合に生じる二価の基であり、
その際、特にＲ４基が炭化水素であり、
特に、Ｒ４基がポリエーテルであり、
特に、ポリエーテルブロックが式
【化２】
2004518006.tif 000002
［式中、Ｒ２は炭化水素を表す］からなり、
特に、コポリマーがコポリマーのどちらかの末端に独立して選択されたＣ１〜Ｃ２２−炭化水素基を有し、
特に、炭化水素基がアルキル基、アルアルキル基、アリール基およびアルカリール基から選択されており、
特に、このコポリマーが、式
【化３】
2004518006.tif 000003
［式中、相互に独立して、Ｒ１はＣ１−２２炭化水素基であり；Ｒ２は二価のＣ２−６炭化水素基であり；Ｒ３は二価のＣ２−５２炭化水素基であり、その際二価のＲ３基の少なくとも５０％が炭素原子少なくとも３４個を有し；Ｒ４は二価のＣ２−３６炭化水素基および二価のＣ４〜Ｃ１００ポリエーテル基から選択されており；ＺはＯおよびＮＨから選択されており；かつｘは２〜１００の整数であり；ｙは１〜１０の整数である］を有し、
特に、その際、ＺがＮＨであり、
特に、Ｒ２が二価のＣ２炭化水素基であり、
特に、二価のＲ３基の少なくとも８０％が炭素原子少なくとも３４個を有し、
このコポリマーは、特に、２５未満の酸価を有する、請求項１記載のブロックコポリマーを含有する組成物の形で存在し、
特に、この組成物が５未満のアミン価を有し、
特に、この組成物が軟化点５０〜１５０℃を有し、
特に、この組成物が質量平均分子量２０００〜３００００を有し、
特に、この組成物が５０℃を越える融点、１６０℃での粘度５０００ｃｐｓ未満を有し、
特に、この組成物が１００ｃｐｓ未満の粘度を有し、
特に、このブロックコポリマーはダイマー酸、ジアミン、および炭化水素末端とアミン、ヒドロキシルおよびカルボキシルから選択された末端との両方を有するポリエーテルからなる反応成分を一緒に反応させることからなる製法により製造されており、
その際、特にポリエーテルが式Ｒ１−（Ｏ−Ｒ２）ｘ−Ｗ［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ２２−ヒドロカルビルから選択されたものであり、Ｒ２はＣ２〜Ｃ６−ヒドロカルビルから選択されたものであり、Ｗはアミン、ヒドロキシルおよびカルボキシルから選択されたものであり、ｘは２〜約１００の整数である］を有し、
特に、ポリエーテルが数または質量平均分子量１００〜４０００を有し、
特に、ジアミンが式：Ｈ２Ｎ−Ｒ４−ＮＨ２を有し、Ｒ４が二価のＣ２〜Ｃ３６炭化水素基であり、
特に、ジアミンがエチレンジアミンであり、
特に、ジアミンが式：Ｈ２Ｎ−Ｒ４−ＮＨ２を有し、Ｒ４が式：−Ｒ５−Ｏ−Ｒ５−を有し、式中Ｒ５は二価のＣ１〜Ｃ６炭化水素基であり、
特に、その際、反応成分を１００℃を越える反応温度に曝し、
特に、次亜リン酸を１種以上の反応成分に添加し、
特に、反応成分を以下の基準：生成物が２５未満の酸価を有する；生成物が５未満のアミン価を有する；生成物が軟化点５０〜１５０℃を有する；生成物が質量平均分子量２０００〜３００００を有する；生成物が１６０℃で５０００ｃｐｓ未満の粘度を有する、
の少なくとも１つを満たすまで、一緒に反応させ、
特に、この製法は組成物を生じ、
特にゲル組成物は、請求項１記載の炭化水素末端ブロックコポリマーおよび溶剤からなり、この溶剤がジメチルスルホキシドであるかまたはヒドロキシルおよび／またはエーテル官能基を有する溶剤であり、
特にこのゲル組成物は、この製法により得られた炭化水素末端ブロックコポリマー、およびヒドロキシルおよび／またはエーテル官能基を有する溶剤からなり、
特に、上昇させた温度で、請求項１記載の炭化水素末端ブロックコポリマーとヒドロキシルおよび／またはエーテル官能基を有する液体とを合して混合物とし、かつこの混合物を室温に冷却してゲルを形成することからなるゲルの製法により製造されており、
特に、このゲル組成物は水、極性有機溶剤および請求項１記載のコポリマーからなる組成物の形で存在しており、
特に、マイクロエマルジョンの形である、
請求項１記載のブロックコポリマー。
【請求項３】  ポリオキシアルキレンアミン、ポリオキシアルキレンジアミンおよびダイマー酸からなる反応成分を縮合し、数平均分子量が１００００未満の炭化水素末端ブロックコポリマーにする方法により製造された生成物であって、
特に、その際ポリオキシアルキレンアミンが式
Ｒ−Ｏ−［（Ｒａ−Ｏ）ｎ−（Ｒｂ−Ｏ）ｍ］−Ｒｃ−ＮＨ２
［式中、（Ｒａ−Ｏ）ｎ−（Ｒｂ−Ｏ）ｍは任意の順列で配置された複数のＲａ−ＯおよびＲｂ−Ｏ単位を表し、ｎとｍとの合計は１５００〜２５００ｇ／モルの分子量を提供し、ｍまたはｎは０であってもよく、ＲはＣ１〜Ｃ６−アルキルであり、Ｒａは−ＣＨ２ＣＨ２−であり、Ｒｂは−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−であり、およびＲｃはＲａおよびＲｂから選択されたものである］を有し、
特に、ポリオキシアルキレンアミンがJEFFAMINE M2070の構造を有し、
特に、ポリオキシアルキレンジアミンが式
ＮＨ２−［（Ｒａ−Ｏ）ｎ−（Ｒｂ−Ｏ）ｍ］−Ｒｃ−ＮＨ２
［式中、（Ｒａ−Ｏ）ｎ−（Ｒｂ−Ｏ）ｍは任意の順列で配置された複数のＲａ−ＯおよびＲｂ−Ｏ単位を表し、ｎとｍとの合計は２００〜８００ｇ／モルの分子量を提供し、ｍまたはｎは０であってもよく、Ｒａは−ＣＨ２ＣＨ２−であり、Ｒｂは−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−であり、ＲｃはＲａおよびＲｂから選択されたものである］を有し、
特に、ポリオキシアルキレンジアミンがJeffamine D-400の構造を有し、
特に、生成物が１０未満の酸価および１０未満のアミン価を有する樹脂であり、
特に、反応成分が更にエチレンジアミンを含有し、
特に、ポリオキシアルキレンアミンが反応成分の２５〜４７質量％であり、ポリオキシアルキレンジアミンが反応成分の６〜１２質量％であり、ダイマー酸が反応成分の４５〜６０質量％であり、
特に、ポリオキシアルキレンアミンが反応成分の２５〜４７質量％であり、ポリオキシアルキレンジアミンが反応成分の６〜１２質量％であり、ダイマー酸が反応成分の４５〜６０質量％であり、かつエチレンジアミンが反応成分の１〜６質量％である、
生成物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月16日(2003.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイス基板上の複数の金属層を析出する、以下に記載の方法。
ａ）第１の金属源と第１とは異なる第２の金属源を有する電解めっき組成物と電子デバイス基板を接触させ、
ｂ）第１の還元電位で基板上の第１の金属層を電解析出し、
ｃ）第１とは異なる第２の還元電位で基板上の第２の金属層を電解析出する。
【請求項２】
半導体基板上の複数の金属層を析出する、以下に記載の方法。
ａ）銅の金属源と銅以外の第２の金属源を有する電解めっき組成物と半導体基板を接触させ、
ｂ）第１の還元電位で半導体基板上の銅である第１の金属層を電解析出し、
ｃ）第１とは異なる第２の還元電位で半導体基板上の第２の金属層を電解析出する。
【請求項３】
電気回路を有するプリント回路基板上の複数の金属層を析出する、以下に記載の方法。
ａ）銅の金属源と銅以外の第２の金属源を有する電解めっき組成物とプリント回路基板を接触させ、
ｂ）第１の還元電位でプリント回路基板上の銅である第１の金属層を電解析出し、
ｃ）第１とは異なる第２の還元電位でプリント回路基板上の第２の金属層を電解析出する。
【請求項４】
第１の金属層が有用な導電性で、第２の金属層が第１の金属層より導電性が低い請求項１、２、又は３に記載の方法。
【請求項５】
複数の第１の金属層と複数の第２の金属層が相互に析出された請求項１、２、又は３に記載の方法。
【請求項６】
第１の金属層が電気回路として機能し、第２の金属層が絶縁層である請求項１、２、又は３に記載の方法。
【請求項７】
第１と第２の還元電位が少なくとも０．２Ｖ異なる請求項１、２、又は３に記載の方法。
【請求項８】
第２の金属層が銅の合金である請求項１、２、又は３に記載の方法。
【請求項９】
第２の金属層が少なくとも１種の亜鉛、タンタル、ベリリウム、マグネシウム、ニッケル、チタン、スズ、パラジウム、銀、又は、カドミウムを有する請求項１、２、又は３に記載の方法。
【請求項１０】
第２の金属層がスズ及び銀の合金を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第２の層が、少なくとも１種の亜鉛、タンタル、ベリリウム、マグネシウム、ニッケル、チタン、スズ、パラジウム、銀、又は、カドミウムを有する銅の合金である請求項１、２、又は３に記載の方法。
【請求項１２】
第１の金属層が均一な銅層である請求項２又は３に記載の方法。
【請求項１３】
第１の金属層が均一なスズの金属層である請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
基板が、半導体、半導体パッケージ、マルチチップモジュール、コンデンサチップ、抵抗チップ、リードフレーム、又は、オプトエレクトロニックデバイスを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
第２の金属層が少なくとも１種の亜鉛、ニッケル、銀、アンチモン、ビスマス、インジウム、コバルト、又は銅を有する請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月15日(2003.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高い安定性および純度を有するゲル状陽イオン交換体の製造法において、
ａ）種ポリマーの懸濁液を連続水相中で形成させ、
ｂ）種ポリマーを活性モノマー混合物中で膨潤させ、
ｃ）モノマー混合物を種ポリマー中で重合し、
ｄ）形成されたコポリマーを膨潤剤の不在下でのスルホン化によって官能化させ、その際活性化されたモノマー混合物は、
ｉ）ビニル芳香族化合物７１〜９５．９５質量％、
ｉｉ）ジビニルベンゾール３〜２０質量％、
ｉｉｉ）メチルアクリレート１〜６質量％および
ｉｖ）ラジカル開始剤０．０５〜１質量％からなることを特徴とする、ゲル状陽イオン交換体の製造法。
【請求項２】
種ポリマーは、体積分布関数の９０％の値と１０％の値との商が２未満である粒径分布を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
種ポリマーが０．５〜６％のＤＶＢ含量を有する架橋されたポリマーである、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
種ポリマーがマイクロカプセル化されている、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
種ポリマーとモノマー混合物との比が１：０．５〜１：１２である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
ａ）種ポリマーの懸濁液を連続水相中で形成させ、
ｂ）種ポリマーを活性化されたモノマー混合物中で膨潤させ、
ｃ）モノマー混合物を種ポリマー中で重合させ、
ｄ）形成されたコポリマーを膨潤剤の不在下でのスルホン化によって官能化することによって得ることができ、その際活性化されたモノマー混合物は、
ｉ）ビニル芳香族化合物７１〜９５．９５質量％、
ｉｉ）ジビニルベンゾール３〜２０質量％、
ｉｉｉ）メチルアクリレート１〜６質量％および
ｉｖ）ラジカル開始剤０．０５〜１質量％からなるゲル状陽イオン交換体。
【請求項７】
陽イオン交換体が酸の形からナトリウムの形への転位によって変換されたものである、請求項６記載の陽イオン交換体。
【請求項８】
ナトリウムの形の陽イオン交換体を清浄化する方法において、この陽イオン交換体を脱イオン水または塩水溶液で処理することを特徴とする、ナトリウムの形の陽イオン交換体を清浄化する方法。
【請求項９】
飲料水の精製のため、純水の製造のため、糖のクロマトグラフィー処理による分離のためまたは化学反応の触媒としての請求項６から８までのいずれか１項に記載の陽イオン交換体の使用。
【請求項１０】
マイクロチップの製造のため、ビスフェノールＡの製造のためまたは糖分離のための方法において、これらの処理の間に請求項６から８までのいずれか１項に記載の陽イオン交換体を使用することを特徴とする、マイクロチップの製造のため、ビスフェノールＡの製造のためまたは糖分離のための方法。