【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  間に一定の電圧（Ｕ１）を供給可能なカソード装置（１７，４１）及びアノード装置（１９）と、
電離可能な気体で充填可能であり、かつ少なくともその一部が前記カソード装置及びアノード装置の間に設けられる空間（１３）と、
電離放射線（１）が、前記電離可能な気体を電離するために、前記カソード装置とアノード装置との間の前記空間に入射可能とすべく配置されている放射線入射口（３３）と、
読み出し装置（１９）とからなり、
前記電圧は前記電離可能な気体の電離中に発生した浮遊電子を前記アノード装置へと指向させるために供給可能であり、
前記読み出し装置は、前記アノード装置へと指向する電子、又は対応する生成イオンを検出するために配置されている、電離放射線を検出するための検出装置（９）において、
前記カソード装置は、表面層のうち少なくとも前記アノード装置に対向する部分が１×１０−３Ωｍ〜１×１０８Ωｍの比抵抗を有する材料からなることを特徴とする検出装置。
【請求項２】  前記アノード装置に対向している前記カソード装置の前記表面は部分的に複数の導体素子（４１；４１ａ−ｃ）で覆われている、請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】  前記複数の導体素子（４１；４１ａ−ｃ）は相互に独立している請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】  前記複数の導体素子は１×１０−３Ωｍ〜１×１０８Ωｍの比抵抗を有する前記材料によって抵抗で相互に接続されている、請求項２又は３のいずれかに記載の検出装置。
【請求項５】  前記カソード装置と前記アノード装置との間に前記電圧を供給するための高圧電源ユニットからなり、前記高圧電源ユニットは１×１０−３Ωｍ〜１×１０８Ωｍの比抵抗を有する前記材料に電気接続されている、請求項１〜４のいずれかに記載の検出装置。
【請求項６】  前記材料は１×１０−２Ωｍ〜１Ωｍ、最適には１×１０−２Ωｍ〜１×１０−１Ωｍの間の比抵抗を有する、請求項１〜５のいずれかに記載の検出装置。
【請求項７】  前記材料が半導体材料である請求項１〜６のいずれかに記載の検出装置。
【請求項８】  前記半導体材料は周期表ＩＶ族及び／又は周期表ＩＩＩ及びＶ族から選択した元素からなる請求項７に記載の検出装置。
【請求項９】  前記半導体材料はシリコンである請求項８に記載の検出装置。
【請求項１０】  前記半導体材料はドーピングされている請求項８又は９に記載の検出装置。
【請求項１１】  前記カソード装置全体が半導体材料からなる請求項１〜１０のいずれかに記載の検出装置。
【請求項１２】  １×１０−３Ωｍ〜１×１０８Ωｍの比抵抗を有する前記材料は電気絶縁体である、請求項２又は３に記載の検出装置。
【請求項１３】  前記複数の導体素子は各抵抗（４３；４１ｂ）を通じて相互に接続されている、請求項１２に記載の検出装置。
【請求項１４】  前記カソード装置と前記アノード装置との間に前記電圧を供給するための高圧電源ユニット（７）からなり、前記複数の導体素子は各抵抗（４３；４１ｂ）を通して前記高圧電源ユニット（７）にそれぞれ接続されている、請求項１２に記載の検出装置。
【請求項１５】  前記複数の各導体素子及び前記複数の各抵抗は、前記導体素子を形成する長尺部分（４１ａ）と、抵抗を形成している狭いくびれた部分（４１ｂ）と、前記高圧電源ユニットへ接続するためのより幅広な接続部分（４１ｃ）とを有するように端部に狭いくびれた部分（４１ｂ）を有したストライプ（４１）の形状として、前記アノード装置に対向する前記カソード装置の前記表面上に設けられる、請求項１４に記載の検出装置。
【請求項１６】  各長尺部分が第２の比抵抗の材料組成を有し、前記狭いくびれた部分が第３の比抵抗の材料組成を有し、同第３の比抵抗は前記第２の比抵抗より高くなるように、前記各ストライプの材料組成が均等でない、請求項１５に記載の検出装置。
【請求項１７】  前記アノード装置は前記読み出し装置からなる、請求項１〜１６のいずれかに記載の検出装置。
【請求項１８】  前記カソード装置に対向する前記アノード装置の表面は、複数の導体素子又は半導体素子（３５）からなる、請求項２〜４及び請求項１２〜１６のいずれかに記載の検出装置。
【請求項１９】  前記カソード装置の前記複数の導体素子はほぼ第１の方向に延伸し、前記アノード装置の前記複数の導体素子又は半導体素子はほぼ第２の方向に延伸し、同第１及び第２の方向はほぼ平行でない、請求項１８に記載の検出装置。
【請求項２０】  前記第１及び第２の方向はほぼ垂直である、請求項１９に記載の検出装置。
【請求項２１】  前記検出装置は、前記電離可能な気体が電離する間に発生した電子をアバランシェ増幅するための電子アバランシェ増幅器からなり、前記読み出し装置は、前記アバランシェ増幅した電子、又は対応する生成イオンを検出すべく配置されている、請求項１〜２０のいずれかに記載の検出装置。
【請求項２２】  Ｘ線源（３）と、同Ｘ線源と画像形成される対象物（７）との間に設けられほぼ平面状のＸ線ビーム（１）を形成するための手段（５）と、前記対象物を透過又は前記対象物から反射した前記平面状Ｘ線ビームの検出のために配置され、及び設定されている請求項１〜２１のいずれかに記載の前記検出装置（９）とからなることを特徴とする、平面状ビームＸ線撮影に使用するための装置。
【請求項２３】  請求項１〜２１のいずれかに記載の第２のさらなる検出装置（９）と、同複数の検出装置は検出装置ユニットを形成すべく組み立てられることと、各検出装置に対してほぼ平面状Ｘ線ビーム（１）を形成するための手段（５）とからなり、前記手段は前記Ｘ線源（３）と前記対象物（７）との間に設けられ、各検出装置は前記対象物を透過又は前記対象物から反射された平面状各Ｘ線ビームの検出のために配置され、及び設定されている、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】  前記表面層の前記少なくとも一部には、同表面層の少なくとも一部の酸化を防止するための保護層が設けられている、請求項１〜２１のいずれかに記載の検出装置。
【請求項２５】  カソード装置（１７，４１）とアノード装置（１９）とを設ける工程と、
放射線を、放射線入射口（３３）から、前記カソード装置と前記アノード装置との間に位置する電離可能な気体で充填された空間（１３）へと入射させることによって前記電離可能な気体を電離する工程と、
前記カソード装置（１７，４１）と前記アノード装置（１９）との間に一定の電圧（Ｕ１）を供給することによって、前記電離可能な気体の電離の際に発生した電子を前記アノード装置の方に引き寄せる工程と、
読み出し装置（１９）によって、前記アノード装置の方に移動する前記電子又は対応する生成イオンを検出する工程とからなり、
前記カソード装置表面層の前記アノード装置に対向した少なくとも一部に１×１０−３Ωｍ〜１×１０８Ωｍの比抵抗を有する材料を設ける工程からなることを特徴とする、電離放射線を検出するための方法。
【請求項２６】  前記材料はシリコンである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】  前記表面層の前記少なくとも一部上に位置する任意の酸化シリコンを放射線を入射する工程の前に除去する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】  酸化シリコンを除去する工程の後で、及び放射線の入射工程、電圧の供給工程、及び電子の検出工程の間に、前記表面層の前記少なくとも一部が酸素に接触することを防止する、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】  酸化シリコン除去工程の後に前記表面層の前記少なくとも一部には保護層が設けられる、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】  前記表面層の前記少なくとも一部には、以降のすべての酸化を低減するために、随意にアンモニア又は弗化アンモニウムと混合したＨＦ浴内に浸漬することによって、前記表面層の前記少なくとも一部に保護膜を形成する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】  電子を引き寄せるためにその間に一定の電圧（Ｕ１）を印加することが可能なカソード装置（１７，４１）及びアノード装置（１９）と、前記カソード装置と前記アノード装置の間の少なくとも一部に設けられ、電離可能な気体を充填可能な密封空間（１３）と、前記電離可能な気体を電離するために電離放射線（１）が前記カソード装置と前記アノード装置との間の前記空間に入射可能とすべく配置されている放射線入射口（３３）と、浮遊電子又は対応する生成イオンを検出するためのｇ−ｏｕｔ装置（１９）とを有する種類の平行プレート放射線気体検出装置の製造方法であって、
前記アノード装置に対向する表面層の少なくとも一部が１×１０−３Ωｍ〜１×１０８Ωｍの比抵抗を有し、好適にはシリコンの半導体材料からなる前記カソード装置を提供する工程と、
前記表面層の前記少なくとも一部上に成長したすべての酸化物を除去する工程と、
前記表面層の前記少なくとも一部が、酸化物を除去する前記工程の後で、酸素に触れることを防止する工程とからなることを特徴とする方法。
【請求項３２】  前記表面層の前記少なくとも一部を、酸素を含有しない雰囲気内に維持することにより、前記表面層の前記少なくとも一部が、酸素と触れることを防止する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】  前記表面層の前記少なくとも一部を保護層で被覆する手段によって、前記表面層の前記少なくとも一部が酸素と接触することを防止する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】  以降のすべての酸化を低減するために、前記表面層の前記少なくとも一部を随意にアンモニア又は弗化アンモニウムと混合したＨＦ浴内に浸漬することにより、前記表面層の前記少なくとも一部に保護膜を形成する、請求項３１に記載の方法。