【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】エッチング方法及びエッチング装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素とフッ素とを含むガス、酸素ガス、及び不活性ガスを含む混合ガスを使用してマスク材のパターン形状に基づいてシリコン含有酸化物をエッチングするエッチング方法であって、
不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が０．０２以下で、
エッチングによってシリコン含有酸化物中に、略平坦でシリコン含有酸化物からなる底部と、略垂直でシリコン含有酸化物からなる側壁部とを有し、前記側壁部と前記底部によって形成される角部が略直角な凹部を形成し、
前記角部の前記底部側に細溝状のマイクロトレンチが形成されることを抑制することを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
請求項１記載のエッチング方法において、
前記不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が０．０１５以下であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のエッチング方法において、
前記不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が０．００３以上であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載のエッチング方法において、
前記不活性ガスがアルゴンであることを特徴とするエッチング方法。
【請求項５】
請求項４記載のエッチング方法において、
前記炭素とフッ素とを含むガスが、Ｃ5 Ｆ8 であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項記載のエッチング方法において、
上部電極と下部電極が対向して配置されたエッチング装置の前記下部電極に、前記シリコン含有酸化物を有する被処理物を載置し、前記下部電極に高周波電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。
【請求項７】
請求項６記載のエッチング方法において、
前記シリコン含有酸化物がシリコン酸化膜であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載のエッチング方法において、
前記高周波電力によって形成される高周波電界に対して略垂直な磁場を形成した状態でエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。
【請求項９】
請求項１〜８いずれか１項記載のエッチング方法において、
前記凹部の前記角部以外のシリコン含有酸化物のエッチング深さに対する前記角部のシリコン含有酸化物のエッチング深さの比（角部のシリコン含有酸化物のエッチング深さ／角部以外のシリコン含有酸化物のエッチング深さ）で表されるマイクロトレンチ係数が１．１０〜１．００であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１０】
炭素とフッ素とを含むガス、酸素ガス、及び不活性ガスを含む混合ガスを使用してマスク材のパターン形状に基づいてシリコン含有酸化物をエッチングするエッチング装置であって、
不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が０．０２以下の前記混合ガスを供給し、
エッチングによってシリコン含有酸化物中に、略平坦でシリコン含有酸化物からなる底部と、略垂直でシリコン含有酸化物からなる側壁部とを有し、前記側壁部と前記底部によって形成される角部が略直角な凹部を形成し、
前記角部の前記底部側に細溝状のマイクロトレンチが形成されることを抑制することを特徴とするエッチング装置。
【請求項１１】
請求項１０記載のエッチング装置において、
前記不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が０．０１５以下の前記混合ガスを供給することを特徴とするエッチング装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１記載のエッチング装置において、
前記不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が０．００３以上の前記混合ガスを供給することを特徴とするエッチング装置。
【請求項１３】
請求項１０〜１２いずれか１項記載のエッチング装置において、
前記不活性ガスがアルゴンであることを特徴とするエッチング装置。
【請求項１４】
請求項１３記載のエッチング装置において、
前記炭素とフッ素とを含むガスが、Ｃ5 Ｆ8 であることを特徴とするエッチング装置。
【請求項１５】
請求項１０〜１４いずれか１項記載のエッチング装置において、
上部電極と、前記上部電極に対向して配置された下部電極とを具備し、前記下部電極に前記シリコン含有酸化物を有する被処理物を載置し、前記下部電極に高周波電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするエッチング装置。
【請求項１６】
請求項１５記載のエッチング装置において、
前記シリコン含有酸化物がシリコン酸化膜であることを特徴とするエッチング装置。
【請求項１７】
請求項１５又は１６記載のエッチング装置において、
前記高周波電力によって形成される高周波電界に対して略垂直な磁場を形成する磁場形成機構を具備したことを特徴とするエッチング装置。
【請求項１８】
請求項１０〜１７いずれか１項記載のエッチング装置において、
前記凹部の前記角部以外のシリコン含有酸化物のエッチング深さに対する前記角部のシリコン含有酸化物のエッチング深さの比（角部のシリコン含有酸化物のエッチング深さ／角部以外のシリコン含有酸化物のエッチング深さ）で表されるマイクロトレンチ係数が１．１０〜１．００であることを特徴とするエッチング装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細な回路構造を有する半導体装置や、その他の微細構造を有する装置を製造する際に用いられるエッチング方法及びエッチング装置に係り、特に、マスク材のパターン形状に基づいてシリコン酸化物をエッチングして略垂直な角部を有する溝等を形成するエッチング方法及びエッチング装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、マイクロトレンチの発生を抑制することができ、精度良く所望形状のエッチングを行うことのできるエッチング方法及びエッチング装置を提供しようとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
すなわち、請求項１記載の発明は、炭素とフッ素とを含むガス、酸素ガス、及び不活性ガスを含む混合ガスを使用してマスク材のパターン形状に基づいてシリコン含有酸化物をエッチングするエッチング方法であって、不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が０．０２以下で、エッチングによってシリコン含有酸化物中に、略平坦でシリコン含有酸化物からなる底部と、略垂直でシリコン含有酸化物からなる側壁部とを有し、前記側壁部と前記底部によって形成される角部が略直角な凹部を形成し、前記角部の前記底部側に細溝状のマイクロトレンチが形成されることを抑制することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項８の発明は、請求項６又は７記載のエッチング方法において、前記高周波電力によって形成される高周波電界に対して略垂直な磁場を形成した状態でエッチングを行うことを特徴とする。
請求項９の発明は、請求項１〜８いずれか１項記載のエッチング方法において、前記凹部の前記角部以外のシリコン含有酸化物のエッチング深さに対する前記角部のシリコン含有酸化物のエッチング深さの比（角部のシリコン含有酸化物のエッチング深さ／角部以外のシリコン含有酸化物のエッチング深さ）で表されるマイクロトレンチ係数が１．１０〜１．００であることを特徴とする。
請求項１０の発明は、炭素とフッ素とを含むガス、酸素ガス、及び不活性ガスを含む混合ガスを使用してマスク材のパターン形状に基づいてシリコン含有酸化物をエッチングするエッチング装置であって、不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が０．０２以下の前記混合ガスを供給し、エッチングによってシリコン含有酸化物中に、略平坦でシリコン含有酸化物からなる底部と、略垂直でシリコン含有酸化物からなる側壁部とを有し、前記側壁部と前記底部によって形成される角部が略直角な凹部を形成し、前記角部の前記底部側に細溝状のマイクロトレンチが形成されることを抑制することを特徴とする。
請求項１１の発明は、請求項１０記載のエッチング装置において、前記不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が０．０１５以下の前記混合ガスを供給することを特徴とする。
請求項１２の発明は、請求項１０又は１１記載のエッチング装置において、前記不活性ガス流量に対する炭素とフッ素とを含むガス流量と酸素ガス流量との合計流量の比率（（炭素とフッ素とを含むガス流量＋酸素ガス流量）／不活性ガス流量）が０．００３以上の前記混合ガスを供給することを特徴とする。
請求項１３の発明は、請求項１０〜１２いずれか１項記載のエッチング装置において、前記不活性ガスがアルゴンであることを特徴とする。
請求項１４の発明は、請求項１３記載のエッチング装置において、前記炭素とフッ素とを含むガスが、Ｃ5 Ｆ8 であることを特徴とする。
請求項１５の発明は、請求項１０〜１４いずれか１項記載のエッチング装置において、上部電極と、前記上部電極に対向して配置された下部電極とを具備し、前記下部電極に前記シリコン含有酸化物を有する被処理物を載置し、前記下部電極に高周波電力を印加してエッチングを行うことを特徴とする。
請求項１６の発明は、請求項１５記載のエッチング装置において、前記シリコン含有酸化物がシリコン酸化膜であることを特徴とする。
請求項１７の発明は、請求項１５又は１６記載のエッチング装置において、前記高周波電力によって形成される高周波電界に対して略垂直な磁場を形成する磁場形成機構を具備したことを特徴とする。
請求項１８の発明は、請求項１０〜１７いずれか１項記載のエッチング装置において、前記凹部の前記角部以外のシリコン含有酸化物のエッチング深さに対する前記角部のシリコン含有酸化物のエッチング深さの比（角部のシリコン含有酸化物のエッチング深さ／角部以外のシリコン含有酸化物のエッチング深さ）で表されるマイクロトレンチ係数が１．１０〜１．００であることを特徴とする。