【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴと、容量とを有する半導体表示装置であって、
前記ＴＦＴは島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、
前記ＴＦＴは第１の無機絶縁膜で覆われており、
前記第１の無機絶縁膜に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有するポジ型の感光性の有機樹脂膜が形成されており、
前記有機樹脂膜を覆って第２の無機絶縁膜が形成されており、
前記第１及び第２の無機絶縁膜は、前記第１の開口部において接しており、
前記第１の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第１及び第２の無機絶縁膜とに、前記島状の半導体膜が露出するようにコンタクトホールが形成されており、
前記第２の無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記島状の半導体膜に接している配線が形成されており、
前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第２の電極と、前記第２の開口部において前記第１の電極及び前記第２の電極と重なっている前記第１及び第２の無機絶縁膜の一部を有しており、
前記有機樹脂膜の表面の曲率半径は、前記第１及び第２の開口部から離れるに従って連続的に長くなっていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２】
ＴＦＴと、容量とを有する半導体表示装置であって、
前記ＴＦＴは島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、
前記ＴＦＴは第１の無機絶縁膜で覆われており、
前記第１の無機絶縁膜に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有するポジ型の感光性の有機樹脂膜が形成されており、
前記有機樹脂膜を覆って第２の無機絶縁膜が形成されており、
前記第１及び第２の無機絶縁膜は、前記第１の開口部において接しており、
前記第１の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第１及び第２の無機絶縁膜とに、前記島状の半導体膜が露出するようにコンタクトホールが形成されており、
前記第２の無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記島状の半導体膜に接している配線が形成されており、
前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第２の電極と、前記第２の開口部において前記第１の電極及び前記第２の電極と重なっている前記第１及び第２の無機絶縁膜の一部を有しており、
前記有機樹脂膜表面の、前記第１及び第２の開口部の端部における断面形状は、基板と平行な面内に主軸を有する放物線を描いていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３】
画素部と、前記画素部に画像を表示するための信号を生成する半導体回路とを有する半導体表示装置であって
前記画素部と前記半導体回路はＴＦＴを有しており、
前記半導体回路は容量を有しており、
前記ＴＦＴは島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、
前記ＴＦＴは第１の無機絶縁膜で覆われており、
前記第１の無機絶縁膜に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有するポジ型の感光性の有機樹脂膜が形成されており、
前記有機樹脂膜を覆って第２の無機絶縁膜が形成されており、
前記第１及び第２の無機絶縁膜は、前記第１の開口部において接しており、
前記第１の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第１及び第２の無機絶縁膜とに、前記島状の半導体膜が露出するようにコンタクトホールが形成されており、
前記第２の無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記島状の半導体膜に接している配線が形成されており、
前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第２の電極と、前記第２の開口部において前記第１の電極及び前記第２の電極と重なっている前記第１及び第２の無機絶縁膜の一部を有しており、
前記有機樹脂膜の表面の曲率半径は、前記第１及び第２の開口部から離れるに従って連続的に長くなっていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４】
画素部と、前記画素部に画像を表示するための信号を生成する半導体回路とを有する半導体表示装置であって
前記画素部と前記半導体回路はＴＦＴを有しており、
前記半導体回路は容量を有しており、
前記ＴＦＴは島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、
前記ＴＦＴは第１の無機絶縁膜で覆われており、
前記第１の無機絶縁膜に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有するポジ型の感光性の有機樹脂膜が形成されており、
前記有機樹脂膜を覆って第２の無機絶縁膜が形成されており、
前記第１及び第２の無機絶縁膜は、前記第１の開口部において接しており、
前記第１の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第１及び第２の無機絶縁膜とに、前記島状の半導体膜が露出するようにコンタクトホールが形成されており、
前記第２の無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記島状の半導体膜に接している配線が形成されており、
前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第２の電極と、前記第２の開口部において前記第１の電極及び前記第２の電極と重なっている前記第１及び第２の無機絶縁膜の一部を有しており、
前記有機樹脂膜表面の、前記第１及び第２の開口部の端部における断面形状は、基板と平行な面内に主軸を有する放物線を描いていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、前記半導体回路は、昇圧回路、容量分割型のＤ／Ａ変換回路、ＤＲＡＭ、アナログラッチまたは保護回路であることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記有機樹脂膜はアクリルであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記有機樹脂膜は、前記開口部の端部における接線が、基板に対して３０°以上６５°以下で傾いていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項８】
ＴＦＴと、容量と、発光素子とを有する半導体表示装置であって、
前記ＴＦＴは島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、
前記ＴＦＴは第１の無機絶縁膜で覆われており、
前記第１の無機絶縁膜に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有するポジ型の感光性の第１の有機樹脂膜が形成されており、
前記第１の有機樹脂膜を覆って第２の無機絶縁膜が形成されており、
前記第１及び第２の無機絶縁膜は、前記第１の開口部において接しており、
前記第１の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第１及び第２の無機絶縁膜とに、前記島状の半導体膜が露出するようにコンタクトホールが形成されており、
前記第２の無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記島状の半導体膜に接している配線が形成されており、
前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第２の電極と、前記第２の開口部において前記第１の電極及び前記第２の電極と重なっている前記第１及び第２の無機絶縁膜の一部を有しており、
前記配線に接して前記発光素子の画素電極が形成されており、
前記配線、前記画素電極及び前記第２の電極を覆って、前記第２の無機絶縁膜上に第２の有機樹脂膜が形成されており、
前記第２の有機樹脂膜は第３の開口部を有しており、
前記第２の有機樹脂膜上に第３の無機絶縁膜が形成されており、
前記第３の無機絶縁膜は前記第３の開口部において第４の開口部を有しており、
前記第４の開口部において前記画素電極に接するように、前記第３の無機絶縁膜上に電界発光層と、対向電極とが積層されており、
前記第１、第２及び第３の有機樹脂膜の表面の曲率半径は、前記第１、第２及び第３の開口部から離れるに従って、それぞれ連続的に長くなっていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項９】
ＴＦＴと、容量と、発光素子とを有する半導体表示装置であって、
前記ＴＦＴは島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、
前記ＴＦＴは第１の無機絶縁膜で覆われており、
前記第１の無機絶縁膜に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有するポジ型の感光性の第１の有機樹脂膜が形成されており、
前記第１の有機樹脂膜を覆って第２の無機絶縁膜が形成されており、
前記第１及び第２の無機絶縁膜は、前記第１の開口部において接しており、
前記第１の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第１及び第２の無機絶縁膜とに、前記島状の半導体膜が露出するようにコンタクトホールが形成されており、
前記第２の無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記島状の半導体膜に接している配線が形成されており、
前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第２の電極と、前記第２の開口部において前記第１の電極及び前記第２の電極と重なっている前記第１及び第２の無機絶縁膜の一部を有しており、
前記配線に接して前記発光素子の画素電極が形成されており、
前記配線、前記画素電極及び前記第２の電極を覆って、前記第２の無機絶縁膜上に第２の有機樹脂膜が形成されており、
前記第２の有機樹脂膜は第３の開口部を有しており、
前記第２の有機樹脂膜上に第３の無機絶縁膜が形成されており、
前記第３の無機絶縁膜は前記第３の開口部において第４の開口部を有しており、
前記第４の開口部において前記画素電極に接するように、前記第３の無機絶縁膜上に電界発光層と、対向電極とが積層されており、
前記第１、第２及び第３の有機樹脂膜表面の、前記第１、第２及び第３の開口部の端部における断面形状は、基板と平行な面内に主軸を有する放物線を描いていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記第１、第２または第３の有機樹脂膜はアクリルであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記第１、第２または第３の有機樹脂膜は、前記開口部の端部における接線が、基板に対して３０°以上６５°以下で傾いていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか１項において、前記第３の無機絶縁膜は、窒化珪素、酸化窒化珪素または酸化窒化アルミニウムであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、前記第１または第２の無機絶縁膜は、窒化珪素、酸化窒化珪素または酸化窒化アルミニウムであることを特徴とする半導体表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
生成されたタイミング信号は、レベルシフト回路１１５＿２に供給される。一方、昇圧回路１２１において生成された電源電圧は、レベルシフト回路に供給されており、レベルシフト回路１１５＿２では、供給された電源電圧を用いて、タイミング信号の電圧の振幅を増幅する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
図１４（Ａ）に示す発光装置は、第２の無機絶縁膜７６１０を形成した後、陰極よりも抵抗の低い金属材料からなる導電膜を成膜した後、パターニングすることで補助電極７６３４を形成する。そして、ゲート絶縁膜７６１２、第１の無機絶縁膜７６１３及び第２の無機絶縁膜７６１０を、有機樹脂膜７６１４の開口部においてエッチングしてコンタクトホールを形成し、ＴＦＴ及び補助電極７６３４と電気的に接続する配線７６１６を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003302917.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2003302917.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003302917.tif 000003
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2003302917.tif 000004
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2003302917.tif 000005
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2003302917.tif 000006
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
2003302917.tif 000007
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2003302917.tif 000008