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【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数の波を発生させる電波発生器と処理容器とを備える装置であって、
前記処理容器が、容器に入る水流の第１の部分を波に晒すことにより４を下回るｐＨまたは１０を上回るｐＨで前記容器から排出される第１の処理水流を生成する第１の水流路を有する、装置。
【請求項２】
前記第１の水流路と異なる第２の水流路を更に有し、第２の水流路が、水流の第２の部分を波に晒すことにより４を下回るｐＨまたは１０を上回るｐＨで前記容器から排出される第２の処理水流を生成する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の水流路が、前記第１の水流を少なくとも１０００リットル／時の速度で通過させるサイズで寸法付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記周波数が、１０ｋＨｚから３４ｋＨｚである、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記波発生器が、プラズマ発生器を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記プラズマ発生器が、基本周波数が０．４４ＭＨｚから４０．６８ＭＨｚのコールドプラズマを生成する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記プラズマが１０ｋＨｚから３４ｋＨｚの変調周波数に晒される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第１の水流路が、前記水流の第１の部分を十分な時間の間波にさらに晒すことにより、１クラスター当たり４分子を下回る平均クラスターサイズをもつ前記第１の水流を容器から排出する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の水流路が、前記水流の第１の部分を十分な時間の間波にさらに晒すことにより、−３５０ｍＶを下回る或いは＋８００ｍＶを上回る測定酸化還元電位をもつ前記第１の水流を容器から排出する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
測定ｐＨが少なくとも１０であり、少なくとも２日間にわたって少なくとも８のｐＨを保持する瓶に入れた水。
【請求項１１】
高ｐＨ水として請求項１０に記載の瓶に入れた水を宣伝することを含むマーケティング方法。
【請求項１２】
バクテリア群を有する表面を清浄する方法であって、
水の測定ｐＨを４を下回る値に変化させる無線周波数エネルギ源に水を晒し、
バクテリア群の少なくとも８０％を殺菌する条件下で、前記変化させた水を前記表面に適用する、方法。
【請求項１３】
水を測定ｐＨが２．５を下回る値に変化する程度まで、水を無線周波数源にさらに晒す、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
商業的なプロセスを行なう方法であって、
一時的に極端なｐＨを含むものとして商業的なプロセスを認定し、
流体を、一時的に極めて高い酸性流を有する第１の流れと、一時的に極めて低い酸性流を有する第２の流れとに分離し、
前記商業的なプロセスの間に、少なくとも一方の流体の流れをある量だけ加える、ことを含み、
前記商業的なプロセスが、主に、前記極めて高い酸性流体または前記極めて低い酸性流体の製造に関するものではない、方法。
【請求項１５】
前記流体が、実質的に極性がある流体である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記流体が、実質的に水である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記商業的なプロセスが、分子のイオン構造に影響を及ぼす、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記商業的なプロセスが、酸化／還元反応を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記商業的なプロセスが、酵素反応を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記商業的なプロセスが、医薬製造プロセスを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記商業的なプロセスが、沈殿反応を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記商業的なプロセスが、イオン交換コラムを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記商業的なプロセスが、電気メッキを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
前記商業的なプロセスが、材料採掘を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
前記加えられる流れの流体が、加えられる工程の後３０分以内にその極端な酸性度を失う、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材上の湿潤コーティングの均一性を向上させる方法であって、前記湿潤コーティングを前記基材上の第１位置において、少なくとも２つの回転巻線コーティングロッドの湿潤面部分と接触させる工程と、前記湿潤コーティングを前記第１位置とは異なる前記基材の１つ以上の位置において前記湿潤面部分と再接触させる工程と、を含む方法。
【請求項２】  基材上の異なる位置で湿潤コーティングと周期的に接触し再接触する２つ以上の回転する巻線コーティングロッドを備える装置であって、該装置の周期が、前記湿潤コーティングの均一性が向上するように選択される装置。
【請求項３】  第１基材に不均一なコーティングを施すコーティングステーションと、請求項２に記載の装置を備える改善ステーションと、前記コーティングを前記第１基材から第２基材に転写する転写ステーションと、を備えるコーティング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図３は、５つの非駆動式の同時回転巻線コーティングロッドの列を用いる本発明の装置３０の略側面図を示す。コーティングロッドの列を、「改善ステーション（ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ  ｓｔａｔｉｏｎ）」と呼ぶことができる。コーティングロッドは、ウェブ３１の上面の湿潤コーティングのキャリパ均一性を向上させるように作用する。ウェブ３１を改善ステーション３０に入れる前に、ウェブ３１には、図３に示していないコーティング装置を使用してコーティングが施されている。ウェブ３１上の液体コーティングキャリパは、巻線コーティングロッド３２に近づくにしたがい、いずれかの瞬間にウェブ下流方向に空間的に変化する。固定観測者に対し、コーティングキャリパは時間変動を示す。この変動は、ウェブ下流方向に瞬間的な、ランダムな、周期的なおよび瞬間的周期的な成分を含む場合がある。ウェブ３１は、アイドラロール３５および３８により、ステーション３０を通過する経路に沿って巻線コーティングロッド３２、３３、３４、３６および３７と接触するように案内される。経路は、ウェブの湿潤コーティング面が巻線コーティングロッドと物理的に接触するように選択される。巻線コーティングロッド３２および３４は、同じ直径を有する。巻線コーティングロッド３３、３６および３７の直径はすべて、互いに異なりコーティングロッド３２および３４の直径と異なる。コーティングロッドの各々は、非駆動式であり、ウェブ３１の移動によって回転する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図７は、一定の長さの基材をコーティングする本発明の装置１１０を示す。巻線コーティングロッド１１２および１１４は、基部１１８の上部の軸受台１１５および１１６に収容された低摩擦軸受（図７には図示せず）によって支持される。コーティングロッド１１２および１１４は、水平面にかつ平行に互いから間隔が空けられている。図７に示す実施形態では、コーティングロッド１１２および１１４はサイズが同じである。望ましい場合は、コーティングロッドは異なるサイズを有することが可能である。さらに、３つ以上のコーティングロッドを用いることができる。コーティングロッド１１２または１１４もしくは両方を、図７に図示しない可変駆動装置によってたとえば１〜１０００回転／分の速度で駆動することができる。回転支持材または取付ロール１２０は、ゴムカバー１２２およびシート１２４によって包囲される。シート１２４は、一定の長さを有し、シート１２４の端部１２６、１２８は、領域１３０においてわずかにオーバラップする。ロール１２０は、コーティングロッド１１２および１１４の間の間隙にあり、それらによって支持される。コーティングロッド１１２および１１４ならびに取付ロール１２０の直径および軸は、好ましくは、±１０μｍの直径および直線度の許容差が好ましいように、慎重に制御され位置合せされる。ロール１２０の重量は、ニップ点１３２および１３４におけるシート１２４とコーティングロッド１１２および１１４との間の密な接触を促進するニッピング力を提供する。リテーナ止め１３６とロール１２０の他端の追加のリテーナ止め（図７には図示せず）とにより、ロールの横向きの軸移動が防止される。駆動式コーティングロッド１１２が回転すると、コーティングロッド１１４とロール１２０とは、コーティングロッド１１２とほぼ同じ表面速度で表面牽引力によって駆動される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明の他の長所は、本発明の装置および方法が、基材上の揮発性液体を乾燥させる速度を増大させる、ということである。乾燥は、しばしば、基材が洗浄することによるかまたは処理液を通過させることにより処理された後に行われる。ここで、主なプロセス目標は、液体コーティングを施すことではなく、液体を除去することである。たとえば、一般に、エレクトロニクス産業における洗浄および清掃と同様に、めっき、コーティング、エッチング、化学処理、印刷およびすり割り等の作業において、液体の液滴、斑点または被膜がもたらされる。液体が均一性の異なる液滴、斑点またはコーティングの形態で基材上に配置されるかまたは存在する場合であって、乾燥した基材が望ましい場合、液体を除去しなければならない。この除去を、たとえば、蒸発によるかまたは液体を固体残留物または被膜に変えることによって行うことができる。工業的な環境では、乾燥は通常、炉を使用して行われる。乾燥した基材をもたらすために必要な時間は、存在する最も厚いキャリパを乾燥させるために必要な時間によって制約される。従来の強制空気炉は、均一な熱伝導をもたらし、キャリパの厚い場所に他より高い乾燥速度を提供することはない。したがって、炉の設計およびサイズは、予期される最高の乾燥負荷を考慮しなければならない。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月18日(2003.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの基材上で有機材料および／または無機材料からなる液晶溶液から異方性フィルムを製造する装置であって、
前記液晶溶液を供給するための手段と、
溶液および／または溶液の分子および／または超分子錯体に外部の整列影響を与えるための手段と、
基材上へ溶液をつけるための溶液方向付け要素と、
前記基材と、前記溶液方向付け要素との間で相対移動を行わせるための手段と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
溶液方向付け要素が、平坦なプレートとして実装され、基材の平面に対して０度〜９０度の角度で取り付けてあることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
溶液方向付け要素が、円筒状表面を含むプレートとして実装されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
相対移動の方向に対して直角な方向において、プレートの寸法が、形成されたフィルムの幅の寸法より大きいことを特徴とする請求項２または３に記載の装置。
【請求項５】
少なくともプレートの一部が、親水性または疎水性であることを特徴とする請求項２または３に記載の装置。
【請求項６】
少なくともプレート表面の一部が、逃げを有することを特徴とする請求項２または３に記載の装置。
【請求項７】
プレートが、高分子材料で作られることを特徴とする請求項２または３に記載の装置。
【請求項８】
プレートが、ゴムで作られることを特徴とする請求項２または３に記載の装置。
【請求項９】
プレートが、２つの異なった材料で作ってあることを特徴とする請求項２または３に記載の装置。
【請求項１０】
整列手段が、円筒状ロッド、ローラおよびドクターブレードからなるグループから選択した要素を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
整列手段が、さらに、第２のプレートを含み、基材に対する第２のプレートの移動中に、第２のプレートの表面の少なくとも一部が、整列手段の直後で基材表面に沿って自由に並進移動するように第２のプレートの一端が固定してあることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
整列手段が、表面逃げを含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
さらに、フィルムから溶媒を除去するための手段を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項１４】
フィルムから溶媒を除去するための手段が、加熱要素、ブロワーおよび輻射ユニットからなるグループから選択された要素を含み、そして、少なくとも基材表面の一部を処理するように取付けられることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
供給手段が、インジェクタ、送りローラセット、溶液供給量を計る計量器を備えるロットからなるグループから選択された要素を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
さらに、一定の状態を与えるための手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
さらに、振動防止手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
有機材料および／または無機材料の液晶溶液から基材上に異方性フィルムを製造する方法であって、
溶液方向付け要素の表面上に液晶溶液を供給する段階と、
基材の表面上に溶液方向付け要素の表面に沿って溶液を流れさせる段階と、
溶液方向付け要素に対して基材を並進移動させる段階と、
基材が並進移動されているときに、整列手段によって基材上の溶液に外部の整列影響を与える段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
さらに、フィルムを乾燥させる段階を含むことを特徴とする請求項１７の方法。
【請求項２０】
溶液が基材上に層状に流れるような、基材および配向要素からの距離のところに溶液方向付け要素を配置することを特徴とする請求項１８または１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月6日(2004.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  環境及び用途特定部品に関する顧客からの問い合わせを処理する方法であって、
（ａ）改良、廃棄、及び取り替えを含む、環境及び用途特定部品に関する情報を部品データベースに格納し、
（ｂ）部品（１６、１８）に関する顧客の問い合わせを受け取り、
（ｃ）前記部品に関連する情報について前記部品データベースを検索し、
（ｄ）顧客向け表示のために前記情報を出力する、
段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  前記段階（ｂ）が、予想される部品の用途についての顧客表示を受け取ることによって実行され、前記段階（ｃ）が、前記予想される部品の用途に基づいて前記部品データベースを検索することによって実行されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記予想される部品の用途が、地理的位置を含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記予想される部品の用途が、環境を含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項５】  顧客からの問い合わせを処理する方法であって、
（ａ）予想される用途についての情報を含む製品問い合わせ（１６、１８）を顧客から受け取り、
（ｂ）前記製品の問合わせに基づいて製品のデータベースを検索し、
（ｃ）検索結果を出力する、
段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】  前記段階（ａ）が、製品の識別子又は記述（１６）を含む第１の問い合わせを受け取り、前記第１の問い合わせを処理して一致する製品の種類を出力し、付加的な技術情報と予想される用途情報のうちの少なくとも一つを含む第２の問い合わせを少なくとも受け取ることによって実行されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記付加的な技術情報が、規制組織、認可状態、前記部品が安全性問題を有する状態で使用されることが予想されるかどうか、保管寿命、陳腐化情報、購入の選択肢、納入サイクル、及び連絡担当者のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記購入の選択肢が、新品、再製品及び改良品を含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  環境及び用途特定部品に関する顧客からの問い合わせを処理するコンピュータ・システムであって、
入力された製品問い合わせに従って予想される使用情報を含む情報を要求するコンピュータ・プログラムを実行する少なくとも一つのユーザ・コンピュータ（２０１）と、
サーバ・プログラムを実行し、コンピュータ・ネットワーク（２５２、２５８）によって前記少なくとも一つのユーザ・コンピュータと相互接続され、前記入力された製品問い合わせに従って製品のデータベースを検索し、前記要求された情報を前記コンピュータ・ネットワークを介して送信するシステム・サーバと、
を備えることを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項１０】  環境及び用途特定部品に関する顧客からの問い合わせを処理するためのコンピュータ読み取り可能な媒体に組み入れられたコンピュータ・プログラムであって、
予想される用途情報を含む製品問い合わせ（１６、１８）を顧客から受け取るための手段と、
前記製品問い合わせに基づいて製品のデータベースを検索する手段と、
検索結果を出力する手段と、
を備えることを特徴とするコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマエッチングチャンバのチャンバ壁をコーティングするプロセスであって、
前記プロセスは、
（ａ）随意に前記チャンバ壁に第１の中間的なコーティングを成膜し、
（ｂ）随意に前記第１の中間的なコーティング或いは前記チャンバ壁上に第２の中間的なコーティングを成膜し、
（ｃ）前記チャンバ壁上に炭窒化物を含むコーティングを成膜し、耐腐食外表面を形成し、
前記炭窒化物を含むコーティングは、周期表のIIＢ族、IIIＢ族、IVＢ族、ＶＢ族、VIＢ族、或いはVIIＢ族の元素から選択された少なくとも１つの元素を含む化合物を有することを特徴とするプロセス。
【請求項２】  前記チャンバ壁は、金属、セラミック、或いはポリマ表面であることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】  前記第１の中間的なコーティングは、随意的ではないことを特徴とする請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】  前記第１の中間的なコーティングは、金属、セラミック、或いはポリマコーティングを有することを特徴とする請求項３に記載のプロセス。
【請求項５】  さらに前記チャンバ壁上に粗表面を形成し、
前記粗表面は、前記炭窒化物を含むコーティングの接着を促進にするのに効果的であることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】  前記炭窒化物を含むコーティングは、０．００１から約０．０５０インチの範囲の厚さに成膜されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】  前記炭窒化物を含むコーティングは、化学気相蒸着、プラズマスプレイコーティング、昇華、レーザ蒸着、スパッタリング、スパッタリング成膜、イオンビームコーティング、スプレイコーティング、浸せきコーティング、蒸発コーティング、ロールオンコーティング、或いはブラッシュコーティングにより成膜されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】  プラズマエッチングチャンバのチャンバ壁をコーティングするプロセスであって、
前記プロセスは、
（ａ）随意に前記チャンバ壁に第１の中間的なコーティングを成膜し、
（ｂ）随意に前記第１の中間的なコーティング或いは前記チャンバ壁上に第２の中間的なコーティングを成膜し、
（ｃ）前記チャンバ壁上に炭窒化物を含むコーティングを成膜し、耐腐食外表面を形成し、
前記炭窒化物を含むコーティングにおける前記炭窒化物は、炭窒化ホウ素、炭窒化シリコン、炭窒化ジルコニウム、或いは炭窒化チタニウムを有することを特徴とするプロセス。
【請求項９】  前記炭窒化物を含むコーティングにおける炭窒化物は、炭窒化チタニウムを有することを特徴とする請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】  前記炭窒化物を含むコーティングにおける炭窒化物は、炭窒化シリコンを有することを特徴とする請求項８に記載のプロセス。
【請求項１１】  プラズマエッチングチャンバのチャンバ壁であって、
前記チャンバ壁上の随意的な第１の中間的コーティングと、
前記第１の中間的コーティング或いは前記チャンバ壁上の随意的な第２の中間的コーティングと、
前記チャンバ壁上に、耐侵食外表面を形成する炭窒化物を含むコーティングを有し、
前記炭窒化物を含むコーティングは、周期表のIIＢ族、IIIＢ族、IVＢ族、ＶＢ族、VIＢ族、或いはVIIＢ族の元素から選択された少なくとも１つの元素を含む化合物を有することを特徴とするプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【請求項１２】  前記チャンバ壁は、金属、セラミック、或いはポリマ表面を有することを特徴とする請求項１１に記載のプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【請求項１３】  前記第１の中間的なコーティングは、随意的ではないことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【請求項１４】  前記炭窒化物を含むコーティングは、０．００１から約０．０５０インチの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【請求項１５】  １つ以上の付加的な炭窒化物を含むコーティング或いは中間的なコーティングをさらに有することを特徴とする請求項１１に記載のプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【請求項１６】  前記炭窒化物は、前記炭窒化物を含むコーティングおける連続的なマトリクス相を形成することを特徴とする請求項１１に記載のプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【請求項１７】  プラズマエッチングチャンバのチャンバ壁であって、
（ａ）前記チャンバ壁上の随意的な第１の中間的コーティングと、
（ｂ）前記第１の中間的コーティング或いは前記チャンバ壁上の随意的な第２の中間的コーティングと、
（ｃ）前記チャンバ壁上に、耐侵食外表面を形成する炭窒化物を含むコーティングを有し、
前記炭窒化物を含むコーティングにおける炭窒化物は、炭窒化ホウ素、炭窒化シリコン、炭窒化ジルコニウム、炭窒化チタニウム、或いはそれらの混合物を有することを特徴とするプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【請求項１８】  前記炭窒化物を含むコーティングにおける前記炭窒化物は炭窒化ホウ素を有し、
前記炭窒化ホウ素は窒化ホウ素或いは炭化ホウ素との合成物で存在することを特徴とする請求項１７に記載のプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【請求項１９】  前記炭窒化物を含むコーティングにおける炭窒化物は、炭窒化チタニウムを有することを特徴とする請求項１７に記載のプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【請求項２０】  前記炭窒化物を含むコーティングにおける炭窒化物は、炭窒化シリコンを有することを特徴とする請求項１７に記載のプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【請求項２１】  チャンバにおいてプラズマに露出した少なくとも１つの表面をもつプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁であって、
前記チャンバ壁は、前記チャンバにおいてプラズマに露出する表面を形成する炭窒化物を含む物質を有し、
前記炭窒化物を含む物質は、周期表のIIＢ族、IIIＢ族、IVＢ族、ＶＢ族、VIＢ族、或いはVIIＢ族の元素から選択された少なくとも１つの元素を含む化合物を有することを特徴とするプラズマエッチングチャンバのチャンバ壁。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月29日(2003.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光配向装置であって、
発光素子のアレイを含む発光層と、
前記発光層に隣接する光配向層であって、前記発光素子のアレイを持つ実質的なレジストリに光配向素子のアレイを含む光配向層と、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記光配向素子のアレイは、複数の円筒状レンズを含む請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記各円筒状レンズは、各発光素子とそれに隣接する発光素子との間の距離のおよそ１から３倍の距離だけ、各発光素子から離間されている請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記光配向層に関して前記発光層の角度を割り出す手段を更に含む請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記角度を割り出す手段は、前記発光層と、前記発光層を前記光配向層と一直線になるよう構成される前記光配向層とに相補的成形構造を含む請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記発光素子は、複数の平行なストライプを形成するために、基板に沿って配列され、前記光配向素子は、各レンズがそれぞれのストライプに平行な長軸を有する円筒状レンズである請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記光配向装置の不活性領域内に形成されたコントラストを向上するコーティングを更に含む請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記光配向層に隣接する光学結合プレートを更に含む請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記光配向層と前記光学結合プレートの間に光学接着剤を更に含む請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記光学接着剤は、前記光配向層の屈折率と前記光学結合プレートの屈折率との間にある屈折率を有する請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記光配向素子の中心は、前記発光素子の中心からずらされて置かれる請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
隣接する前記光配向素子の中心間の距離は、隣接する前記発光素子の中心間の距離と異なる請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
隣接する前記光配向素子の中心間の前記距離は、隣接する前記発光素子の中心間の前記距離よりも小さい請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
光配向装置であって、
複数のＲＧＢトリプレットグループを形成するために、基板に沿って縦に配列されるＲＧＢ発光ダイオードを有するＬＥＤアレイと、
複数の小型レンズ構造を有する小型レンズアレイであって、該各小型レンズ構造はそれぞれ対応する前記ＲＧＢトリプレットグループに隣接して置かれ、該小型レンズ構造は、前記各ＲＧＢトリプレットグループに角度を割り出される複数の円筒状レンズを各ＲＧＢトリプレットグループのために含み、該円筒状レンズは、該ＲＧＢ発光ダイオード構造に平行に縦方向に配列される、小型レンズアレイと、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項１５】
前記各小型レンズ構造は、対応する前記各ＲＧＢトリプレットグループから等しい量だけずらされる請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記小型レンズ構造の第１の小型レンズ構造は、前記小型レンズ構造の第２の小型レンズ構造と前記ＲＧＢトリプレットグループの第２のＲＧＢトリプレットグループの間のオフセット量と異なる量だけ、前記ＲＧＢトリプレットグループの第１のＲＧＢトリプレットグループからずらされる請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記光配向装置の不活性領域内に形成されたコントラストを向上するコーティングを更に含む請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
複数の発光ピクセル素子を含むディスプレイから光を配向する方法であって、
第１の光配向素子を通して前記複数の発光ピクセル素子の第１の発光ピクセル素子から光を配向するステップと、
第２の光配向素子を通して前記複数の発光ピクセル素子の第２の発光ピクセル素子から光を配向するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１９】
第１の優先的な方向に前記第１の光配向素子から光を配向するステップと、
前記第１の優先的な方向とは異なる第２の優先的な方向に前記第２の光配向素子から光を配向するステップと、
を更に有する請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記発光素子のアレイは、前記各発光素子が前記光配向素子を組み込むディスプレイに渡って列を形成する複数色の発光サブ素子を含む発光素子の行列を含み、前記発光素子のアレイは、該発光サブ素子の列に平行な前記発光素子の列を持つ実質的なレジストリにある請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体処理装置の要素の表面をコーティングするプロセスであって、
前記プロセスは、
（ａ）随意に半導体処理装置の要素の表面に第１の中間的なコーティングを成膜し、
（ｂ）随意に前記第１の中間的な層或いは前記表面上に第２の中間的なコーティングを成膜し、
（ｃ）前記要素の上にフラーレンを含むコーティングを成膜し、耐腐食外表面を形成することを特徴とするプロセス。
【請求項２】  前記半導体処理装置の要素の表面は、金属、セラミック、或いはポリマ表面であることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】  前記第１の中間的なコーティングは、随意的ではないことを特徴とする請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】  前記第１の中間的なコーティングは、金属、セラミック、或いはポリマコーティングを有することを特徴とする請求項３に記載のプロセス。
【請求項５】  前記要素は、プラズマエッチングチャンバのチャンバ壁を有することを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】  さらに前記要素上に粗表面を形成し、
前記フラーレンを含むコーティングは前記粗表面に成膜されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】  前記フラーレンを含むコーティングに存在するフラーレンは、Ｃ60フラーレン、Ｃ70フラーレン、或いはその混合物であることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】  前記フラーレンのコーティングは、約０．００１から約０．０５０インチの範囲の厚さに成膜されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】  前記フラーレンを含むコーティングに存在するフラーレンは、ドープされたフラーレンであることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】  前記フラーレンを含むコーティングは、化学気相蒸着、プラズマスプレイコーティング、昇華、レーザ蒸着、スパッタリング、スパッタリング成膜、イオンビームコーティング、スプレイコーティング、浸せきコーティング、蒸発コーティング、ロールオンコーティング、或いはブラッシュコーティングにより成膜されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】  １つ以上の付加的なフラーレンを含むコーティング或いは中間的なコーティングは、前記要素に適用されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項１２】  半導体処理装置の要素であって、
（ａ）表面と、
（ｂ）前記表面上の随意的な第１の中間的コーティングと、
（ｃ）前記第１の中間的コーティング或いは前記表面上の随意的な第２の中間的コーティングと、
（ｄ）前記要素上に、耐侵食外表面を形成するフラーレンを含むコーティングを有することを特徴とする半導体処理装置の要素。
【請求項１３】  前記表面は、金属、セラミック、或いはポリマ表面であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項１４】  前記第１の中間的なコーティングは、随意的ではないことを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項１５】  前記第１の中間的なコーティングは、金属、セラミック、或いはポリマコーティングであることを特徴とする請求項１４に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項１６】  前記要素は、プラズマエッチングチャンバのチャンバ壁を有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項１７】  前記フラーレンを含むコーティングに存在するフラーレンは、Ｃ60フラーレン、Ｃ70フラーレン、或いはその混合物であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項１８】  前記フラーレンを含むコーティングは、約０．００１から約０．０５０インチの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項１９】  前記フラーレンを含むコーティングに存在するフラーレンは、ドープされたフラーレンであることを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項２０】  １つ以上の付加的なフラーレンを含むコーティング或いは中間的なコーティングをさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項２１】  フラーレンは、前記フラーレンを含むコーティングの連続的なマトリクス相を形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項２２】  プラズマに露出した少なくとも１つの表面をもつ半導体処理装置の要素であって、前記要素は、前記装置においてプラズマに露出する表面を形成するフラーレンを含む物質を有することを特徴とする半導体処理装置の要素。
【請求項２３】
前記半導体処理装置は、プラズマ反応室を有し、
前記表面はプラズマに対して耐腐食性があり、前記要素を有する前記プラズマ反応室で半導体基板をプラズマ処理する間での分子汚染を低減することを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項２４】
前記要素の表面は、セラミック表面であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項２５】
前記フラーレンを含むコーティングは、前記要素の表面と接触していることを特徴とする請求項２４に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項２６】
前記フラーレンを含むコーティングは、前記要素の表面と接触しており、前記フラーレンを含むコーティングは、少なくとも１つのフラーレンの連続的なマトリクス相を有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項２７】
前記フラーレンを含むコーティングは、実質的には少なくとも１つのフラーレンから成り立っていることを特徴とする請求項２６に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項２８】
前記フラーレンを含むコーティングは、少なくとも１つのフラーレンと、カーバイド、ホウ化物、窒化物、及び炭窒化物からなる族から選択された少なくとも１つの物質とを有する合成物であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項２９】
前記フラーレンを含むコーティングは、実質的には少なくとも１つのフラーレンと前記少なくとも１つの物質とからなることを特徴とする請求項２８に記載の半導体処理装置の要素。
【請求項３０】
前記半導体処理装置は、プラズマ反応室を有し、
前記表面はプラズマに対して耐腐食性があり、前記要素を有する前記プラズマ反応室で半導体基板をプラズマ処理する間での分子汚染を低減することを特徴とする請求項２２に記載の半導体処理装置の要素。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ユーザが装置を操作するための入力領域にユーザ入力部材を配置した操作面を有する携帯用通信装置のケースであって、
前記配置された各ユーザ入力部材を操作するための入力領域に窪みを有する操作面を含み、
前記操作面は、横方向の切れ目を有するように構成された分割層を含むことを特徴とするケース。
【請求項２】  請求項１に記載のケースにおいて、
前記分割層が、フレキシブルな材料から形成された基板上に配置されることを特徴とするケース。
【請求項３】  請求項２に記載のケースにおいて、
前記基板は、前記操作面の範囲をはみ出す唇状部を備えていることを特徴とするケース。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれかに記載のケースにおいて、
前記操作面と前記基板とが光学的に同質であることを特徴とするケース。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれかに記載のケースにおいて、
前記横方向の切れ目が、前記キー配列のキーを取り付けられる形状であることを特徴とするケース。
【請求項６】  請求項１乃至５のいずれかに記載のケースにおいて、
前記分割部分は、前記基板と比較して脆い材料から形成されることを特徴とするケース。
【請求項７】  請求項１乃至６のいずれかに記載のケースにおいて、
前記横方向の切れ目は、前記基板の横幅全体に広がることを特徴とするケース。
【請求項８】  請求項７に記載のケースにおいて、
前記操作面が、前記唇状部を前記携帯用装置のケース部材の間にグリップすることで所定の位置に保持されることを特徴とするケース。
【請求項９】  請求項１乃至８のいずれかに記載のケースにおいて、
前記操作面は、横方向よりも縦方向に長いことを特徴とするケース。
【請求項１０】  請求項１乃至９のいずれかに記載のケースにおいて、
前記操作面が光透過性を有することを特徴とするケース。
【請求項１１】  請求項１乃至１０のいずれかに記載のケースにおいて、
前記操作面が半透明であることを特徴とするケース。
【請求項１２】  請求項１乃至１１のいずれかに記載のケースにおいて、
前記操作面を照らす光源が、前記操作面の反対側に位置することを特徴とするケース。
【請求項１３】  請求項１乃至１２のいずれかに記載のケースにおいて、
前記操作面が、サファイアまたはダイアモンドまたはガラスを含むことを特徴とするケース。
【請求項１４】  請求項１乃至１３のいずれかに記載のケースにおいて、
前記操作面が鉱物を含むことを特徴とするケース。
【請求項１５】  請求項１乃至１４のいずれかに記載のケースにおいて、
前記操作面が貴石または準貴石を含むことを特徴とするケース。
【請求項１６】  請求項１乃至１５のいずれかに記載のケースにおいて、
前記材料が水晶を含むことを特徴とするケース。
【請求項１７】  請求項１乃至１６のいずれかに記載のケースにおいて、
前記材料が宝石を含むことを特徴とするケース。
【請求項１８】  請求項１乃至１７のいずれかに記載のケースにおいて、
前記ユーザ入力部材が前記操作面に配置されていることを特徴とするケース。
【請求項１９】  請求項１乃至１８のいずれかに記載のケースにおいて、
前記ユーザ入力部材が個々にケースに取り付けられることを特徴とするケース。
【請求項２０】  請求項１乃至１９のいずれかに記載のケースにおいて、
前記ユーザ入力部材が、それぞれ操作部分を貫通するように構成されたキー軸を有するキーであって、
前記キーは、表層に対してキーストロークを行うように動くことを特徴とするケース。
【請求項２１】  請求項１乃至２０のいずれかに記載のケースを具備する携帯用通信装置。
【請求項２２】  請求項２１に記載の携帯用通信装置において、
前記携帯用通信装置が無線電話機を含むことを特徴とする携帯用通信装置。
【請求項２３】  ユーザが装置を操作するための入力領域にユーザ入力部材を配置した操作面を有する携帯用通信装置のケースであって、
前記配置された各ユーザ入力部材を操作するための入力領域に窪みを有する操作面を含み、
前記操作面はサファイアで形成されていることを特徴とするケース。
【手続補正書】
【提出日】平成14年9月25日(2002.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非同期メモリ設計を多数のマクロで特定し、
前記マクロの少なくとも１つを選択して前記非同期メモリ設計に同期メモリを含ませ、
前記マクロの少なくとも他の１つを選択して、前記同期メモリへのアクセスを非同期制御する非同期制御回路を前記非同期メモリ設計に含ませる、
同期メモリを非同期動作させる方法。
【請求項２】
前記マクロによる非同期メモリを含むアプリケーション特定集積回路の製造をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マクロの前記少なくとも１つは、前記特定の前に、１つまたはそれ以上の集積回路内で実現される同期メモリ設計に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記マクロの前記少なくとも１つにより定義された前記同期メモリはクロック入力端を備え、前記マクロの前記少なくとも他の１つにより定義された前記非同期制御回路は、
１つまたはそれ以上のメモリアドレス入力に応答してトリガ信号を生成する検出回路と、
前記トリガ信号に応答して、前記クロック入力端に供給された制御信号を第１状態から第２状態に変更する単安定マルチバイブレータ回路と
を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
クロック入力端を含む同期メモリを用意し、
前記クロック入力端を、１つまたはそれ以上のメモリアドレス入力に応答する非同期制御回路に接続し、
前記同期メモリを、前記非同期制御回路により、前記クロック入力端を介して非同期動作させる
同期メモリを非同期動作させる方法。
【請求項６】
前記非同期制御回路は検出回路とワンショット回路を含み、さらに、
前記検出回路により、前記１つまたはそれ以上のアドレス入力の状態変化を検出し、
前記検出の結果に応答して前記ワンショット回路をトリガする
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記同期メモリを定義して前記非同期制御回路にインターロック信号を供給する請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記定義は、前記インターロック信号を生成するために、同期メモリ設計への複数のトランジスタ・デバイスの追加を含み、前記トランジスタ・デバイスはその１パーセント以下が、同期メモリ設計を備えるトランジスタ・デバイスの総数を増加させる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記インターロック信号で前記非同期制御回路の動作タイミングを調整する請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
クロック回路を含む同期メモリと、
１つまたはそれ以上のメモリアドレス入力に応答して制御信号を生成する非同期制御回路と
を備え、前記制御信号は前記クロック回路に供給されて前記同期メモリに非同期アクセスする
同期メモリを非同期動作させる装置。
【請求項１１】
前記同期メモリは、前記非同期制御回路に少なくとも１つの信号を供給するように動作することができ、前記非同期アクセスを可変的に時間調整する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
同期メモリと、
前記同期メモリに非同期アクセスするための非同期制御回路とを備え、
前記同期メモリは、前記非同期制御回路で前記非同期アクセスを可変的に時間調整するために、前記非同期制御回路に少なくとも１つの信号を供給するように動作することができる
同期メモリを非同期動作させる装置。
【請求項１３】
前記同期メモリはクロック回路を備え、前記非同期制御回路が前記クロック回路に制御信号を供給する請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記非同期制御回路は、前記少なくとも１つの信号のアクティブ状態を選択するための論理回路を含む請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記同期メモリと前記非同期制御回路に接続されたアドレスバスをさらに備える請求項１０から１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記同期メモリ、前記非同期制御回路、および前記アドレスバスが１つの集積回路内に含まれている請求項１０から１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記非同期制御回路は、
１つまたはそれ以上のメモリアドレス入力に応答してトリガパルスを生成する検出回路と、
前記少なくとも１つの信号および前記トリガパルスに応答する単安定マルチバイブレータと
を備える請求項１１または請求項１３に記載の装置。
【請求項１８】
前記単安定マルチバイブレータは、前記トリガパルスに応答して、前記制御信号を第１状態から第２状態へと変更し、さらに前記単安定マルチバイブレータは、前記少なくとも１つの信号に応答して、前記制御信号を前記第２状態から前記第１状態に変更する請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記検出回路は、多数の遷移検出器と、前記遷移検出器どうしを接続するエッジ検出器とを備え、前記エッジ検出器は前記トリガパルスを供給し、
前記単安定マルチバイブレータは、少なくとも３つの論理インバータと、抵抗装置と、キャパシタンス装置とを含んでいる
請求項１７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体製造プロセス（１００）においてウェハ（１１５）を処理するための方法であって、処理進度データの組が、マルチステーション処理ツール（１０５）における少なくとも２つのステーション（１１０）から収集され、コントローラ（１４５）に送られ、各ステーションは処理パラメータおよび処理終点を有し、前記方法は、
各ステーションの処理進度データを自律的に比較するステップと、
比較結果に依存して、少なくとも１つのステーション（１１０）の少なくとも１つの処理パラメータを調節して少なくとも１つのステーションのそれぞれの終点を少なくとも別のステーションの処理終点と一致させるステップとを含む、方法。
【請求項２】  マルチステーション処理ツール（１０５）から処理データの組を収集するステップは、化学機械研磨ツールおよびマルチチャンバエッチャからなるグループから選択される処理ツール（１０５）から処理データの組を収集するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  処理進度データの組を収集するステップは、処理終点までの経過時間に関するデータを収集するステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  処理進度データの組を収集するステップは、
予め規定された時間期間の間プロセス（１００）中に生成されたデータをサンプリングするステップと、
サンプリングされたデータを記憶するステップと、
記憶されたデータを、予め規定された時間期間の終わりにコントローラ（１４５）に報告するステップとを含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】  処理進度データの組を収集するステップは、第１の操業時に処理データの組を収集するステップを含み、
少なくとも１つの処理パラメータを調節するステップは、第２の操業時に少なくとも１つのパラメータを調節するステップを含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】  命令が符号化されたプログラム記憶媒体（３２５、３３０）であって、前記命令は、計算装置（１４５）により実行されると、請求項１から５のいずれかに記載の方法を行なう、プログラム記憶媒体。
【請求項７】  請求項１から５のいずれかに記載の方法を行なうようにプログラムされた、計算装置（１４５）。
【請求項８】  半導体製造プロセス（１００）は高度プロセス制御システムの部分において行なわれる、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項９】  処理進度データの組を収集するステップは、データ収集計画、持続期間計画、報告計画、およびサンプリング計画のうちの少なくとも１つを発行するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【背景技術】
ＷＯ−Ａ−００／６０６５７号は、半導体装置の製作における終点検出のための方法および機器を開示している。処理チャンバには、放射線源および放射線検出器を備える終点検出システムが設けられる。放射線源は、半導体基板上の層の厚みにおいて予め定められたパス長で実質的に吸収される波長を有する放射線を放射する。放射線検出器は、反射された放射線トレースを検出する。終点検出は、この反射された放射線トレースのコンピュータ分析によって行なわれる。
半導体装置の製造は一般的に、さまざまな処理層の形成、これらの層の一部の選択的除去またはパターニング、および半導体基板の表面上へのさらなる処理層の堆積を伴う。基板および堆積された層を集合的に「ウェハ」と呼ぶ。このプロセスは、半導体装置が完全に構成されるまで続く。処理層は、たとえば、絶縁層、ゲート酸化物層、導電層、および金属またはガラスの層、などを含み得る。ウェハ製造プロセスのある種のステップにおいては、処理層の最上部表面が、後続の層の堆積のためにほぼ平面状、すなわち平坦であることが一般的に望ましい。ほぼ平坦な最上部表面をウェハ上に製造するために用いられる作業を「平坦化」と呼ぶ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月1日(2003.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタライゼーション配線と、
上記メタライゼーション配線とＣｕパッド（１１）を取り囲むＣｕ合金（１２）とを分離する下地膜（１４）と、
上記下地膜（１４）を取り囲む誘電体（１３）と、を含み、
上記Ｃｕパッド（１１）が、Ｃｕ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｍｇ、および、Ｃｕ−Ｌｉからなる群から選択されたＣｕ合金（１２）を含むワイヤ（１０）に接着される集積回路構造において、
自己不動態化領域が、
ａ）上記Ｃｕ合金（１２）と上記下地膜（１４）との間のドーパントリッチ境界面と、
ｂ）上記Ｃｕパッド（１１）の表面と、
ｃ）上記Ｃｕパッド（１１）と上記ワイヤとの間の接着部（１８）の表面と、
ｄ）上記ワイヤの表面と、に位置することを特徴とする構造。
【請求項２】
酸化物、窒化物、または、窒化物の化合物の不動態化層が、上記誘電体（１３）上に備えられる請求項１に記載の構造。
【請求項３】
上記不動態化領域が、上記Ｃｕ合金（１２）の０．１〜約５．０原子量％の範囲で存在している請求項１または２に記載の構造。
【請求項４】
上記Ｃｕ合金がＣｕ−Ａｌである請求項１〜３のいずれかに記載の構造。
【請求項５】
上記Ｃｕ合金がＣｕ−Ｍｇである請求項１〜３のいずれかに記載の構造。
【請求項６】
上記Ｃｕ合金がＣｕ−Ｌｉである請求項１〜３のいずれかに記載の構造。
【請求項７】
上記ワイヤ（１０）が、上記Ｃｕ合金の内核とＣｕ単体の外部領域とを有する２層ワイヤである請求項１〜６のいずれかに記載の構造。
【請求項８】
上記Ｃｕパッド（１１）が、上記Ｃｕ合金（１２）によって形成される請求項１〜７のいずれかに記載の構造。
【請求項９】
上記接着部（１８）が、ボンドボールまたはボンドウェッジである請求項１〜８のいずれかに記載の構造。
【請求項１０】
パッド（１１）に接着されたワイヤを含む集積回路構造の形成方法において、
酸化および腐食に対する抵抗力を有する自己不動態化Ｃｕパッド、Ｃｕワイヤ部材が形成され、上記方法が、
ａ）ワイヤおよび接着パッドを形成するために、誘電体（１３）にダマシン構造をパターン化するステップと、
ｂ）最終的にＣｕを充填するためにＣｕ合金（１２）を種層として蒸着するステップと、
ｃ）上記ダマシン構造にＣｕ単体を充填するステップと、
ｄ）長いＣｕ粒子によって低抵抗Ｃｕ膜を形成するために、低温（＜２００℃）で、ＣＭＰを行う前にアニールし、Ｃｕ合金（１２）のドーパントの外への拡散を防ぐステップと、
ｅ）充填しすぎたＣｕを除去し、その後に、下地膜のＣＭＰを行うステップと、
ｆ）上記Ｃｕ表面およびＣｕ下地膜境界面で、自己不動態化ドーパントリッチ層を形成するために、約２５０℃〜約４５０℃の温度範囲でアニールするステップと、
ｇ）ポリイミド層を蒸着するステップと、
ｈ）上記ポリイミドをパターン化し、精査するための不要なものが取り除かれたＣｕ表面を提供するために、パッド領域を開口するリソグラフィー工程およびエッチング工程を行って、不動態化を完了するステップと、
ｉ）上記チップを精査するステップと、
ｊ）上記精査されたチップとＣｕ合金ワイヤとをワイヤによって接着するステップと、
ｌ）上記開口Ｃｕパッド表面およびワイヤ上に自己不動態化層を形成するために、約２５０℃〜約４５０℃の温度で接着されたチップをアニールするステップと、を含む集積回路構造の形成方法。
【請求項１１】
ステップｅ）とステップｆ）との間で、誘電体キャップ層を蒸着する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ステップａ）とステップｃ）との間で、金属下地膜（１４）を蒸着する請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
最終自己不動態化層を形成するために、下地膜（１４）とキャップ層との間の境界面に誘電体キャップ層が蒸着された後、３００℃〜４５０℃の温度範囲でポストキャップ層アニールを行う請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ワイヤ接着のステップが、銅合金からなる内核と、銅単体の外部領域とを備えたワイヤ（１０）を用いて行う請求項１０〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
上記銅合金が、Ｃｕ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｍｇ、および、Ｃｕ−Ｌｉからなる群のうちの１つである請求項１０〜１４のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  携帯通信装置のエンジンを収容するための内部空間を区画するケースであって、
前記ケースは、ユーザ入力部材を有する操作面を備え、
前記ケースがたわみに対して強化されるように、スペーサ部材に対する動きに対抗するように配置され、前記スペーサ部材に分離される一対の強化部材を含むことを特徴とするケース。
【請求項２】  請求項１に記載のケースにおいて、
前記強化部材が細長いことを特徴とするケース。
【請求項３】  請求項２に記載のケースにおいて、
前記細長い強化部材がケース全周に広がることを特徴とするケース。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれかに記載のケースにおいて、
前記一対の強化部材の少なくとも１つが、前記スペーサ部材に取り付けられていることを特徴とするケース。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれかに記載のケースにおいて、
前記強化部材が前記ケースの外側に広がることを特徴とするケース。
【請求項６】  請求項１乃至５のいずれかに記載のケースにおいて、
前記強化部材が、前記ケースを形成するハウジング部材の端部を、組み立てられたハウジングの外観から隠すことを特徴とするケース。
【請求項７】  請求項１乃至６のいずれかに記載のケースにおいて、
前記強化部材がレールであることを特徴とするケース。
【請求項８】  請求項１乃至７のいずれかに記載のケースにおいて、
前記強化部材が個々のケース部材の間に挟まれることを特徴とするケース。
【請求項９】  請求項１乃至８のいずれかに記載のケースにおいて、
前記操作面がディスプレイを備え、前記ケースが、個々のハウジング部材と、隣り合う前記ハウジングの交差部分に沿って、ハウジングの外面に切れ目を形成するように前記ハウジング部材を相対的に位置させる手段とを備え、さらに、前記強化部材が、前記ハウジング部材の端部を、組み立てられたハウジングの外観から隠すための手段を提供することを特徴とするケース。
【請求項１０】  請求項１乃至９のいずれかに記載のケースにおいて、
前記一対の強化部材の少なくとも１つが、前記ハウジングの前記端部の少なくとも１つの全体に沿って継ぎ目を持たないことを特徴とするケース。
【請求項１１】  請求項１乃至１０のいずれかに記載のケースにおいて、
前記一対の強化部材の少なくとも１つが、前記強化部材に対して位置決めするスペーサ部材上の対応する突起に嵌合する穴を有することを特徴とするケース。
【請求項１２】  請求項１乃至１１のいずれかに記載のケースを備えた携帯通信装置。
【請求項１３】  請求項１２に記載の携帯通信装置であって、
前記装置が無線電話機であることを特徴とする装置。