Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なるクラスのデータを伝送するパケット・ベースの通信ネットワークにおいてデータ・トラフィックを分類する方法であって、
（ａ）データ・トラフィックに関する通信ネットワークをモニタし、送信元アドレスと宛先アドレスの間で伝送される未知のクラスのデータ・パケット・シーケンスを識別するステップと、
（ｂ）前記パケット・シーケンスの少なくとも有意部分の少なくとも１つのパラメータを測定するステップであって、前記パラメータが、
前記シーケンス内のパケットの符号化属性と、
使用される転送プロトコルのタイプと、
使用されるエラー防止プロトコルのタイプと、
前記シーケンスの持続期間と、
前記シーケンスにおけるトラフィックと、前記宛先アドレスから前記送信元アドレスに返送される別のシーケンスにおけるトラフィックとの相関
とのうちの任意のものであることからなる、ステップと、
（ｃ）前記測定されたパラメータから、前記パケット・シーケンスで伝送されるデータの確率的分類を導出するステップ
を含む、方法。
【請求項２】
前記分類が、ネットワークにおける実時間データ・トラフィックと他のデータとの間でなされる、請求項１の方法。
【請求項３】
前記分類によって、音声トラフィックであるか他のトラフィックであるかが識別される、請求項２の方法。
【請求項４】
前記分類によって、ビデオ・トラフィックであるか他のトラフィックであるかが識別される、請求項１の方法。
【請求項５】
前記測定されるパラメータは、前記シーケンスの持続時間であり、持続時間がより長いシーケンスが、実時間トラフィックの確率が高いことを示す、請求項１の方法。
【請求項６】
前記測定されるパラメータが、前記シーケンスにおけるトラフィックと、前記宛先アドレスから前記送信元アドレスに返送される他のシーケンスにおけるトラフィックとの相関であり、一方の方向における活動状態の期間と逆方向における不活動状態の期間との相関が、音声またはビデオ会議トラフィックの指標として用いられる、請求項１の方法。
【請求項７】
複数のパラメータが測定され、前記パラメータが、前記シーケンス内における個々のパケットのタイミング・パラメータを含む、請求項１の方法。
【請求項８】
複数のパラメータが測定され、前記パラメータが、前記シーケンス内の事象のタイミング・パラメータを含む、請求項１の方法。
【請求項９】
前記測定が、全二重接続の対向する方向におけるトラフィックのパラメータ間の相関を測定することをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項１０】
１つの方向における高トラフィックの期間と他方の方向における低トラフィックの期間との相関が、音声トラフィックの指標として用いられる、請求項９の方法。
【請求項１１】
異なるクラスのデータを伝送するパケット・ベースの通信ネットワークにおいてデータ・トラフィックを分類するための装置であって、
（ａ）データ・トラフィックに関する通信ネットワークをモニタし、送信元アドレスと宛先アドレスの間で伝送される未知のクラスのデータ・パケット・シーケンスを識別するためのモニタ手段と、
（ｂ）前記パケット・シーケンスの少なくとも有意部分の少なくとも１つのパラメータを測定するための測定手段であって、前記パラメータが、
前記シーケンス内のパケットの符号化属性と、
使用される転送プロトコルのタイプと、
使用されるエラー防止プロトコルのタイプと、
前記シーケンスの持続期間と、
前記シーケンスにおけるトラフィックと、前記宛先アドレスから前記送信元アドレスに返送される別のシーケンスにおけるトラフィックとの相関
とのうちの任意のものであることからなる、測定手段と、
（ｃ）前記測定されたパラメータから、前記パケット・シーケンスで伝送されるデータの確率的分類を導出するための分類手段
を備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の能動素子チップを配線を設けた回路基板上に搭載した高周波モジュールにおいて、個々の能動素子チップを被覆樹脂層を介して、１０10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層で被覆したことを特徴とする素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
【請求項２】
上記金属粒子が、Ｎｉ或いはＡｇのいずれかからなり、且つ、その表面に樹脂コート層が設けられたマイクロカプセル型金属粒子であることを特徴とする請求項１記載の素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
【請求項３】
複数の能動素子チップを、配線を設けた回路基板上に搭載した高周波モジュールにおいて、個々の能動素子チップを、前記能動素子チップ側から熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の積層構造からなる積層フィルムによって別個に被覆することを特徴とする素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、１０10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層６の代わりに、熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の積層構造からなる積層フィルムを用いても良いものであり、特に、金属箔の膜厚が、１００〜２００μｍの積層構造フィルムを用いることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ここで、再び図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  複数の能動素子チップ３を配線２が設けられた回路基板１上に搭載した高周波モジュールにおいて、個々の能動素子チップ３を被覆樹脂層５を介して、１０10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層６で被覆したことを特徴とする素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
（付記２）  上記金属粒子の直径が、１０〜３０μｍであることを特徴とする付記１記載の素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
（付記３）  上記金属粒子が、Ｎｉ或いはＡｇのいずれかからなり、且つ、その表面に樹脂コート層が設けられたマイクロカプセル型金属粒子であることを特徴とする付記１または２に記載の素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
（付記４）  上記電磁波吸収体層６が、スプレー塗布膜であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
（付記５）  複数の能動素子チップ３を、配線２が設けられた回路基板１上に搭載した高周波モジュールにおいて、個々の能動素子チップ３を前記能動素子チップ３側から、熱可塑性の接着樹脂／金属箔／耐熱性樹脂の積層構造からなる積層フィルムによって別個に被覆することを特徴とする素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
（付記６）  上記金属箔の膜厚が、１００〜２００μｍであることを特徴とした付記５記載の素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
（付記７）  上記能動素子チップ３と回路基板１との間に下部樹脂層４が設けられていることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１に記載の素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
（付記８）  上記能動素子チップ３が、少なくとも２０ＧＨｚ以上の高周波で動作する高周波素子を含んでいることを特徴とする付記１乃至７のいずれか１に記載の素子間干渉電波シールド型高周波モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の第１の面の表面部に前記第１導電型ベース層よりも実質的に高い不純物濃度を有するように選択的に形成された第１導電型バリア層と、
前記第１導電型バリア層の表面部に選択的に形成された第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面部に選択的に形成された第１導電型エミッタ層と、
前記第１導電型バリア層、前記第２導電型ベース層および前記第１導電型エミッタ層に対向するようにゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第２導電型ベース層と前記第１導電型エミッタ層に接するように形成された第１の主電極と、
前記第１導電型ベース層の前記第１の面とは反対の面である第２の面に形成された第２導電型エミッタ層と、
前記第２導電型エミッタ層に接するように形成された第２の主電極と、
を備える高耐圧半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は、前記第１導電型バリア層に対向する部分が前記第１導電型バリア層の一部の領域に対向するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の高耐圧半導体装置。
【請求項３】
第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の第１の面の表面部に前記第１導電型ベース層よりも実質的に高い不純物濃度を有するように形成された第１導電型バリア層と、
前記第１導電型バリア層の表面であって前記第１導電型ベース層と接する面とは反対の面に形成された第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層を貫通して前記第１導電型バリア層内に至るように形成されたトレンチ溝内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜に接して前記第２導電型ベース層の表面部に選択的に形成された第１導電型エミッタ層と、
前記第２導電型ベース層と前記第１導電型エミッタ層に接するように形成された第１の主電極と、
前記第１導電型ベース層の前記第１の面とは反対の面である第２の面に形成された第２導電型エミッタ層と、
前記第２導電型エミッタ層に接するように形成された第２の主電極と、
を備える高耐圧半導体装置。
【請求項４】
前記トレンチ間の領域であって前記第１導電型エミッタ層が形成された領域を除く領域の前記第２導電型ベース層を覆うように形成された第１の絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の高耐圧半導体装置。
【請求項５】
前記第１導電型バリア層は、前記第１導電型ベース層の前記第１の面から前記第２の面に向かう方向と同一の方向において１０μｍ以上の厚さを有する請求項１乃至４に記載の高耐圧半導体装置。
【請求項６】
前記第１導電型バリア層は、前記第１導電型ベース層の周辺部を除く領域の表面部に選択的に形成され、
前記第１導電型ベース層の前記第１の面の周辺部の表面部において前記第１導電型バリア層と離隔して選択的に形成され、前記第１導電型バリア層および前記第２導電型ベース層を取り囲むように配設された第２導電型リング層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の高耐圧半導体素子。
【請求項７】
前記第１導電型ベース層の前記第１の面の表面部であって前記第２導電型リング層の外側に形成され、前記第２導電型リング層に接し、かつ、前記第２導電型リング層から素子の周縁部に向かって延在するように配設された第２導電型リサーフ層をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の高耐圧半導体装置。
【請求項８】
前記第１導電型ベース層の前記第１の面の表面部であって前記第２導電型リング層の外側から素子の周縁近傍に至る領域に選択的に形成され、前記第２導電型リング層に離隔して、かつ、互いに離隔するように配設された複数の第２導電型ガードリング層をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の高耐圧半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の第２の態様によれば、
第１導電型ベース層と、この第１導電型ベース層の第１の面の表面部に上記第１導電型ベース層よりも実質的に高い不純物濃度を有するように形成された第１導電型バリア層と、この第１導電型バリア層の表面であって上記第１導電型ベース層と接する面とは反対の面に形成された第２導電型ベース層と、この第２導電型ベース層を貫通して上記第１導電型バリア層内に至るように形成されたトレンチ溝内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、上記ゲート絶縁膜に接して上記第２導電型ベース層の表面部に選択的に形成された第１導電型エミッタ層と、上記第２導電型ベース層と上記第１導電型エミッタ層に接するように形成された第１の主電極と、上記第１導電型ベース層の上記第１の面とは反対の面である第２の面に形成された第２導電型エミッタ層と、上記第２導電型エミッタ層に接するように形成された第２の主電極と、を備える高耐圧半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
まず、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０ＭＨｚ以上に設定した場合、ドライエッチングの際に供給されるエッチングイオンと電子のうち、帯電を中和させる電子は電界方向に追従して進行方向が変化するが、エッチングイオンの進行方向は変化しないため、トレンチ底部には電子よりもエッチングイオンが多量に供給され、酸化膜の表面を帯電させることができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
そして、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以下に設定した場合、電子の進行方向だけでなく、エッチングイオンの進行方向も電界方向に追従して変化するため、トレンチ底部にはエッチングイオンと電子がほぼ同量供給され、この供給された電子により酸化膜の表面の帯電を緩和することができる。尚、この酸化膜の表面の帯電を緩和するエッチングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発振によって実現している。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
よって、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すトレンチ形成工程のドライエッチング及び可動部形成工程を実行した後に行うアッシングにおいては、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以下に設定すると、酸化膜１３の表面が帯電しないエッチングを実現することができ、図３（ｄ）に示す可動部形成工程においては、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０Ｈｚ以上に設定すると、酸化膜１３の表面が帯電するエッチングを実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層上に絶縁層を介して第２の半導体層を積層してなる積層体と、前記第２の半導体層に形成され力学量の印加に応じて変位可能な可動部とを備える半導体装置の製造方法において、前記積層体を用意し、前記第２の半導体層の表面から前記絶縁層に達するように、前記可動部を画定するためのトレンチを形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチ形成工程を実行した後に、エッチングを行い、前記トレンチの底部の前記絶縁層の表面を帯電させ、前記エッチングのイオンを前記トレンチの底部の横方向に位置する前記第２の半導体層へ当てて当該横方向に位置する前記第２の半導体層を除去することにより、前記可動部を形成する可動部形成工程と、前記可動部形成工程を実行した後に、前記絶縁層の表面が帯電しない条件でアッシングを行うアッシング工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層の表面が帯電しない条件は、前記アッシング工程を行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以下に設定したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層の表面が帯電しない条件で行うアッシングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発振で行うことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、絶縁層の表面が帯電しない条件は、アッシング工程を行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以下に設定したことを特徴としている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、アッシング工程を行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以下に設定したことにより、絶縁層の表面を帯電させずにアッシングを行うことができるため、請求項１に記載の製造方法を実現することができる。尚、この絶縁層の表面が帯電しない条件で行うアッシングは、請求項３に記載のように、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発振によって実現することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
まず、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０ＭＨｚ以上に設定した場合、ドライエッチングの際に供給されるエッチングイオンと電子のうち、帯電を中和させる電子は電界方向に追従して進行方向が変化するが、エッチングイオンの進行方向は変化しないため、トレンチ底部には電子よりもエッチングイオンが多量に供給され、酸化膜の表面を帯電させることができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
そして、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以下に設定した場合、電子の進行方向だけでなく、エッチングイオンの進行方向も電界方向に追従して変化するため、トレンチ底部にはエッチングイオンと電子がほぼ同量供給され、この供給された電子により酸化膜の表面の帯電を緩和することができる。尚、この酸化膜の表面の帯電を緩和するエッチングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発振によって実現している。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
よって、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すトレンチ形成工程のドライエッチング及び可動部形成工程を実行した後に行うアッシングにおいては、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以下に設定すると、酸化膜１３の表面が帯電しないエッチングを実現することができ、図３（ｄ）に示す可動部形成工程においては、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０Ｈｚ以上に設定すると、酸化膜１３の表面が帯電するエッチングを実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層上に絶縁層を介して第２の半導体層を積層してなる積層体と、前記第２の半導体層に形成され力学量の印加に応じて変位可能な可動部とを備えた半導体装置の製造方法において、前記積層体を用意し、前記絶縁層の表面が帯電しないエッチング条件でエッチングを行い、前記可動部を画定するためのトレンチを、前記第２の半導体層の表面から前記絶縁層に達するように形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチ形成工程を実行した後に、前記トレンチの底部の前記絶縁層の表面が帯電するエッチング条件でエッチングを行い、前記エッチングのイオンを前記トレンチの底部の横方向に位置する前記第２の半導体層へ当てて当該横方向に位置する前記第２の半導体層を除去することにより、前記可動部を形成する可動部形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記トレンチは、開口幅が広い第１のトレンチと前記第１のトレンチに比して開口幅が狭い第２のトレンチを備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層の表面が帯電しないエッチング条件は、前記トレンチ工程におけるエッチングを行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以下に設定したことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層の表面が帯電するエッチング条件は、前記可動部形成工程におけるエッチングを行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０ＭＨｚ以上に設定したことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１つに記載の半導装置の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層の表面が帯電しない条件で行うエッチングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発振で行うことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層の表面が帯電する条件で行うエッチングは、高周波ＲＦ電源を用いた連続発振で行うことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、絶縁層の表面が帯電しないエッチング条件は、トレンチ工程におけるエッチングを行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以下に設定したことを特徴している。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項３に記載の発明によれば、トレンチ工程におけるエッチングを行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以下に設定したことにより、絶縁層の表面を帯電させずにエッチングを行うことができるため、請求項１に記載の製造方法を実現することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項４に記載の発明によれば、可動部工程におけるエッチングを行う際に印加する周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０ＭＨｚ以上に設定したことにより、絶縁層の表面を帯電させてエッチングを行うことができるため、請求項１に記載の製造方法を実現することができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
まず、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０ＭＨｚ以上に設定した場合、ドライエッチングの際に供給されるエッチングイオンと電子のうち、帯電を中和させる電子は電界方向に追従して進行方向が変化するが、エッチングイオンの進行方向は変化しないため、トレンチ底部には電子よりもエッチングイオンが多量に供給され、酸化膜の表面を帯電させることができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
そして、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以下に設定した場合、電子の進行方向だけでなく、エッチングイオンの進行方向も電界方向に追従して変化するため、トレンチ底部にはエッチングイオンと電子がほぼ同量供給され、この供給された電子により酸化膜の表面の帯電を緩和することができる。尚、この酸化膜の表面の帯電を緩和するエッチングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発振によって実現している。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
よって、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すトレンチ形成工程においては、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以下に設定すると、酸化膜１３の表面が帯電しないエッチングを実現することができ、図３（ｄ）に示す可動部形成工程においては、エッチング時に印加される周波数を５ＭＨｚ以上、望ましくは１０Ｈｚ以上に設定すると、酸化膜１３の表面が帯電するエッチングを実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された所定の不純物拡散層と、
前記不純物拡散層の上に形成された層間絶縁膜と、
前記不純物拡散層上の前記層間絶縁膜の所定部に形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホール内の深さ方向のうちの上側所定部を除いた部分に埋め込まれた導電性プラグと、
前記コンタクトホール内のうちの前記上側所定部に埋め込まれた、イリジウムシリサイド膜、モリブデン膜、白金膜及びルテニウム膜のいずれかによりなる酸素拡散防止導電膜と、
前記酸素拡散防止導電膜の上に形成されたキャパシタ用の下部電極と、
前記下部電極の上に形成された前記キャパシタ用の強誘電体膜と、
前記強誘電体膜の上に形成された前記キャパシタ用の上部電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記導電性プラグは、グルー膜及びタングステン膜により構成される積層膜、又は導電型不純物を含むシリコン膜からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された所定の不純物拡散層と、
前記不純物拡散層の上に形成された層間絶縁膜と、
前記不純物拡散層上の前記層間絶縁膜の所定部に形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホール内の深さ方向のうちの上側所定部を除いた部分に埋め込まれた導電性プラグと、
前記コンタクトホール内のうちの前記上側所定部に埋め込まれた、イリジウムシリサイド膜よりなる酸素拡散防止導電膜と、
前記酸素拡散防止導電膜の上に形成されたキャパシタ用の下部電極と、
前記下部電極の上に形成された前記キャパシタ用の強誘電体膜と、
前記強誘電体膜の上に形成された前記キャパシタ用の上部電極とを有し、
前記導電性プラグは、グルー膜及びタングテン膜により構成される積層膜からなると共に、前記酸素拡散防止導電膜は、前記イリジウムシリサイド膜と前記タングステン膜との間にタングステンシリサイド膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体基板の所定部に不純物拡散層を形成する工程と、
前記不純物拡散層の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記不純物拡散層の上の前記層間絶縁膜の所定部にコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内の深さ方向のうちの上側所定部を除いた部分に導電性プラグを形成する工程と、
前記コンタクトホール内のうちの前記上側所定部であって、前記導電性プラグの上にイリジウムシリサイド膜、モリブデン膜、白金膜及びルテニウム膜のいずれかによりなる酸素拡散防止導電膜を形成する工程と、
前記酸素拡散防止導電膜の上に、キャパシタ用の下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の上に前記キャパシタ用の強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜の上に前記キャパシタ用の上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板の所定部に不純物拡散層を形成する工程と、
前記不純物拡散層及び前記半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記不純物拡散層上の前記層間絶縁膜の所定部にコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内の深さ方向のうちの上側所定部を除いた部分に、グルー膜及びタングステン膜により構成される積層膜からなる導電性プラグを形成する工程と、
前記コンタクトホール内のうちの前記上側所定部であって、前記導電性プラグの上にキャップシリコン膜を形成する工程と、
前記キャップシリコン膜に接触するイリジウム膜を少なくとも含む、キャパシタ用の下部電極を形成する工程と、
前記半導体基板を熱処理することにより、前記キャップシリコン膜と前記イリジウム膜とを反応させてイリジウムシリサイド膜を形成する工程と、
前記下部電極の上に前記キャパシタ用の強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜の上に前記キャパシタ用の上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、本発明は半導体装置に係り、半導体基板と、前記半導体基板に形成された所定の不純物拡散層と、前記不純物拡散層の上に形成された層間絶縁膜と、前記不純物拡散層上の前記層間絶縁膜の所定部に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内の深さ方向のうちの上側所定部を除いた部分に埋め込まれた導電性プラグと、前記コンタクトホール内のうちの前記上側所定部に埋め込まれた、イリジウムシリサイド膜、モリブデン膜、白金膜及びルテニウム膜のいずれかによりなる酸素拡散防止導電膜と、前記酸素拡散防止導電膜の上に形成されたキャパシタ用の下部電極と、前記下部電極の上に形成された前記キャパシタ用の強誘電体膜と、前記強誘電体膜の上に形成された前記キャパシタ用の上部電極とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、上記問題を解決するため、本発明は半導体装置に係り、半導体基板と、前記半導体基板に形成された所定の不純物拡散層と、前記不純物拡散層の上に形成された層間絶縁膜と、前記不純物拡散層上の前記層間絶縁膜の所定部に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内の深さ方向のうちの上側所定部を除いた部分に埋め込まれた導電性プラグと、前記コンタクトホール内のうちの前記上側所定部に埋め込まれた、イリジウムシリサイド膜よりなる酸素拡散防止導電膜と、前記酸素拡散防止導電膜の上に形成されたキャパシタ用の下部電極と、前記下部電極の上に形成された前記キャパシタ用の強誘電体膜と、前記強誘電体膜の上に形成された前記キャパシタ用の上部電極とを有し、前記導電性プラグは、グルー膜及びタングテン膜により構成される積層膜からなると共に、前記酸素拡散防止導電膜は、前記イリジウムシリサイド膜と前記タングステン膜との間にタングステンシリサイド膜が形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルハイブリッドメモリエレメントからなるメモリ装置であって、そのフレキシブルハイブリッドメモリエレメントが、
フレキシブル基板に隣接して形成される第１のフレキシブル導電層と、
前記第１のフレキシブル導電層に隣接して形成されるフレキシブルダイオード構造と、
前記フレキシブルダイオード構造に隣接して形成されるフレキシブルスイッチ層と、および
前記フレキシブルスイッチ層に隣接して形成される第２のフレキシブル導電層とからなる、メモリ装置。
【請求項２】
前記フレキシブルスイッチ層が有機材料からなる、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項３】
前記フレキシブルダイオード構造が、無秩序な無機材料からなる、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項４】
前記フレキシブルダイオード構造が、非有機、非結晶性材料からなる、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項５】
前記フレキシブル有機スイッチ層は、閾値の量の電流が前記フレキシブル有機スイッチ層に流れる際に高抵抗の経路を形成する、請求項２に記載のメモリ装置。
【請求項６】
前記フレキシブル有機スイッチ層は、閾値の量の電流が前記フレキシブル有機スイッチ層に流れる際に低抵抗の経路を形成する、請求項２に記載のメモリ装置。
【請求項７】
前記フレキシブル有機スイッチ層を形成するために必要とされるスイッチ処理温度が、前記フレキシブルダイオード構造を形成するために必要とされるダイオード処理温度より低い、請求項２に記載のメモリ装置。
【請求項８】
前記フレキシブル有機スイッチ層と前記フレキシブルダイオード構造との間に形成されたバッファ層をさらに含む、請求項２に記載のメモリ装置。
【請求項９】
前記バッファ層が、前記フレキシブル有機スイッチ層によって生成されるエネルギーを散逸し、それにより前記フレキシブルダイオード構造を保護する、請求項８に記載のメモリ装置。
【請求項１０】
複数のハイブリッドメモリエレメントをさらに含む、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項１１】
前記複数のハイブリッドメモリエレメントが互いから物理的に分離され、前記ハイブリッドメモリエレメント間に電気的な絶縁を与える、請求項１０に記載のメモリ装置。
【請求項１２】
前記フレキシブル有機スイッチ層が異方性であり、それにより前記ハイブリッドメモリエレメント間に電気的な絶縁を与える、請求項１０に記載のメモリ装置。
【請求項１３】
前記第１のフレキシブル導電層および前記第２のフレキシブル導電層がパターニングされて、交点アレイを形成する、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項１４】
前記第１のフレキシブル導電層および前記第２のフレキシブル導電層のパターンが、前記フレキシブルダイオード構造および前記フレキシブル有機スイッチ層に形成されたパターンと一致する、請求項１３に記載のメモリ装置。
【請求項１５】
前記フレキシブルダイオード構造が、アモルファスシリコン、微晶質シリコン、アモルファスシリコンゲルマニウムのうちの少なくとも１つから形成される、請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１６】
フレキシブル有機スイッチ層が、ポリピロール、パリレン（登録商標）、ポリアセタール、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、およびアミノピリジンのうちの少なくとも１つから形成される、請求項２に記載のメモリ装置。
【請求項１７】
複数のフレキシブルハイブリッドメモリエレメントを形成する方法であって、
フレキシブル基板上に第１のフレキシブル導電層を堆積するステップと、
前記第１のフレキシブル導電層上に無秩序なフレキシブル無機材料を堆積して、複数のダイオード構造を形成するステップと、
前記無秩序なフレキシブル無機材料上にフレキシブル有機材料を堆積して、前記複数のフレキシブルダイオード構造に隣接した複数のフレキシブルスイッチを形成するステップと、および
前記フレキシブル有機材料上に第２のフレキシブル導体を堆積するステップとを含む、複数のフレキシブルハイブリッドメモリエレメントを形成する方法。
【請求項１８】
前記フレキシブル有機材料をパターニングして、前記フレキシブルハイブリッドメモリエレメント間の分離を行うステップをさらに含む、請求項１７に記載の複数のフレキシブルハイブリッドメモリエレメントを形成する方法。
【請求項１９】
前記無秩序なフレキシブル無機材料をパターニングして、前記フレキシブルハイブリッドメモリエレメント間のさらなる分離を行うステップをさらに含む、請求項１８に記載の複数のフレキシブルハイブリッドメモリエレメントを形成する方法。
【請求項２０】
前記フレキシブル有機材料が異方性である、請求項１７に記載の複数のフレキシブルハイブリッドメモリエレメントを形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気メモリデバイスであって、
第１および第２の軟らかい基準層と、
第１および第２の障壁層と、および
前記第１の障壁層と前記第２の障壁層との間に画定されたセンス層であって、前記第１の障壁層と前記第２の障壁層とが、さらに前記第１の軟らかい基準層と前記第２の軟らかい基準層とにより画定される、センス層とからなる、磁気メモリデバイス。
【請求項２】
前記第１および第２の軟らかい基準層が、互いに無関係に動的に設定され得る、請求項１に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項３】
前記磁気メモリデバイスは、２つの接合を有する磁気トンネル接合セルであり、一方が前記第１の障壁層を含み、もう一方が前記第２の障壁層を含む、請求項１に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項４】
前記第１の接合が第１の磁気ビットを定義し、前記第２の接合が第２の磁気ビットを定義する、請求項１に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項５】
前記第１の磁気ビットが、前記第２の磁気ビットとは無関係に配向され得る、請求項４に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項６】
磁気メモリデバイスであって、
センス層と、第１の動的に設定可能な基準層と、前記センス層と前記第１の基準層との間に挟まれた第１の障壁層とによって画定された第１の接合と、および
前記センス層と、第２の動的に設定可能な基準層と、前記センス層と前記第２の基準層との間に挟まれた第２の障壁層とによって画定された第２の接合とからなる、磁気メモリデバイス。
【請求項７】
前記第１の基準層と第２の基準層が磁気的に軟らかい、請求項６に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項８】
前記第１の接合が第１の磁気トンネル接合ビットを定義し、前記第２の接合が第２の磁気トンネル接合ビットを定義する、請求項６に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項９】
前記第１の磁気トンネル接合ビットが、前記第２の磁気トンネル接合ビットとは無関係に配向され得る、請求項８に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項１０】
前記第１の基準層に電気的に結合された第１の書込み層と、前記第２の基準層に電気的に結合された第２の書込み層とをさらに含む、請求項６に記載の磁気メモリデバイス。
【請求項１１】
メモリセルのアレイを含む情報記憶デバイスであって、各メモリセルが、
センス層と、第１の動的に設定可能な基準層と、前記センス層と前記第１の基準層との間に挟まれた第１の障壁層とによって画定された第１の接合と、および
前記センス層と、第２の動的に設定可能な基準層と、前記センス層と前記第２の基準層との間に挟まれた第２の障壁層とによって画定された第２の接合とからなる、情報記憶デバイス。
【請求項１２】
前記第１の基準層と第２の基準層が磁気的に軟らかい、請求項１１に記載の情報記憶デバイス。
【請求項１３】
前記第１の接合が第１の磁気トンネル接合ビットを定義し、前記第２の接合が第２の磁気トンネル接合ビットを定義する、請求項１１に記載の情報記憶デバイス。
【請求項１４】
前記第１の磁気トンネル接合ビットが、前記第２の磁気トンネル接合ビットとは無関係に配向され得る、請求項１３に記載の情報記憶デバイス。
【請求項１５】
前記アレイに沿って第１の方向に延在する複数の第１のトレースと、前記アレイに沿って前記複数の第１のトレースと平行に前記第１の方向に延在する複数の第２のトレースとをさらに含み、前記複数の第１のトレースのそれぞれが前記第１の基準層の一部に電気的に結合され、前記複数の第２のトレースのそれぞれが前記第２の基準層の一部に電気的に結合される、請求項１１に記載の情報記憶デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
そして、ＮＯＲ回路２８において信号ＳＸ３がＬレベルで、かつ、信号ＳＹ３がＨレベルであることが検知されてこのときにデータ信号ＤＡＴＡの周期がクロック信号よりも長いと判断され制御信号ＵＰ２がＨレベルに活性化される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
ＮＯＲ回路２９においては、信号ＳＸ３がＨレベルで、かつ、信号ＳＹ３がＬレベルであることが検知されて、この場合にデータ信号ＤＡＴＡの周期がクロック信号よりも短いと判断され制御信号ＤＮ２がＨレベルに活性化される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
信号ＳＡには、３，１３，２２番目のＨデータが取込まれていない状態が示される。信号ＳＢでは、８，１８番目のＨデータが取込まれていない場合が示されている。信号ＳＣには１，１０，２０番目のＨデータが取込まれていない場合が示されている。信号ＳＤには６，１５番目のデータが取込まれていない状態が示されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
ヒステリシス生成部１０は、さらに、信号ＳＷとＯＲ回路１２６の出力とを受けるＮＯＲ回路１２８と、ＯＲ回路１２６がＨレベルで、かつ、リセット信号ＲＥＳＥＴがＬレベルである場合に出力をＨレベルに活性化させるゲート回路１３０と、ＮＯＲ回路１２８の出力をリセット入力に受けゲート回路１３０の出力をセット入力に受けてＱ出力からロック検出信号ＬＯＬを出力するＳＲラッチ回路１３２とを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
図２で説明した周波数比較器２にランダムなデータ信号ＤＡＴＡが入力された場合には、信号ＳＸ，信号ＳＹも全くランダムな出力となる。そのとき、信号ＵＰ２またはＤＮ２が出力される頻度は、２つのフリップフロップ８４、８８の保持値がＮＯＲ回路２８，２９で演算された結果となることから、平均として１／４となると考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部ネットワークに接続された装置に対してＩＰアドレスを割振る割振り機能を備えた、アドレス割当装置であって、
前記内部ネットワークに接続された装置に対して、外部ネットワークで用いられる前記内部ネットワークを識別するための単一のパブリックＩＰアドレスを割振ることを特徴とした、アドレス割当装置。
【請求項２】
外部ネットワークに接続するための、グローバルインターフェイスと、
内部ネットワークに接続するための、ローカルインターフェイスと、
前記外部ネットワークで用いられるパブリックＩＰアドレスと、前記内部ネットワークで用いられるプライベートＩＰアドレスとを相互に変換する変換手段と、
前記内部ネットワークに接続された第１の装置に対して、前記内部ネットワークを識別するための単一のパブリックＩＰアドレスを割振る第１の割振り手段とを備えた、ルータ。
【請求項３】
前記第１の割振り手段は、前記ルータに割振られたパブリックＩＰアドレスと同じアドレスを、前記第１の装置に対して割振る、請求項２に記載のルータ。
【請求項４】
前記内部ネットワークに接続された第２の装置に対して、プライベートＩＰアドレスを割振る第２の割振り手段をさらに備えた、請求項２または３に記載のルータ。
【請求項５】
中継を行なうＩＰパケットに対してフィルタリングを行なう送受信フィルタをさらに備えた、請求項２〜４のいずれかに記載のルータ。
【請求項６】
外部ネットワークに接続するための、グローバルインターフェイスと、
内部ネットワークに接続するための、ローカルインターフェイスと、
前記外部ネットワークで用いられるパブリックＩＰアドレスと、前記内部ネットワークで用いられるプライベートＩＰアドレスとを相互に変換する変換手段と、
前記内部ネットワークに接続された第１の装置に対して、パブリックＩＰアドレスを割振る第１の割振り手段とを備え、
前記第１の割振り手段は、前記ルータに割振られたパブリックＩＰアドレスと同じアドレスを、前記第１の装置に対して割振る、ルータ。
【請求項７】
前記内部ネットワークに接続された第２の装置に対して、プライベートＩＰアドレスを割振る第２の割振り手段をさらに備えた、請求項６に記載のルータ。
【請求項８】
中継を行なうＩＰパケットに対してフィルタリングを行なう送受信フィルタをさらに備えた、請求項６または７に記載のルータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明のある局面に従うと、アドレス割当装置は、内部ネットワークに接続された装置に対してＩＰアドレスを割振る割振り機能を備えた、アドレス割当装置であって、内部ネットワークに接続された装置に対して、外部ネットワークで用いられる内部ネットワークを識別するための単一のパブリックＩＰアドレスを割振ることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明に従うと、内部ネットワークに接続された装置に対して、外部ネットワークで用いられる内部ネットワークを識別するための単一のパブリックＩＰアドレスを割振ることが可能となるため、当該装置を用いた通信の不具合を解消することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明の他の局面に従うとルータは、外部ネットワークに接続するためのグローバルインターフェイスと、内部ネットワークに接続するためのローカルインターフェイスと、外部ネットワークで用いられるパブリックＩＰアドレスと、内部ネットワークで用いられるプライベートＩＰアドレスとを相互に変換する変換手段と、内部ネットワークに接続された第１の装置に対して、内部ネットワークを識別するための単一のパブリックＩＰアドレスを割振る第１の割振り手段とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明に従うと、内部ネットワークに接続された第１の装置に対して、内部ネットワークを識別するための単一のパブリックＩＰアドレスを割振ることができるため、当該装置を用いた通信の不具合を解消することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自端末を親機として他の無線通信装置と近距離無線通信機能を用いてネットワークを形成する無線通信装置において、
前記自端末と子機である前記無線通信装置との位置関係を測定する位置関係測定部と、
前記位置関係から通信形態の切り替えのタイミングを判断する切り替えタイミング判断部と、
前記無線通信装置に前記ネットワークを形成する各端末と該無線通信装置との位置関係を示す位置関係情報の通知を要求し、該無線通信装置から通知された前記位置関係情報を受信する位置関係情報処理部と、
前記位置関係情報を用いて切り替え対象先の無線通信装置を選定する切り替え対象端末決定部と、
切り替え対象先の前記無線通信装置を新たな親機とする通信形態に切り替える通信形態切り替え処理部と
を具備することを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記自端末のバッテリ残量を測定するバッテリ残量測定部と、
前記無線通信装置にバッテリ残量を示すバッテリ情報の通知を要求し、該無線通信装置から通知された前記バッテリ情報を受信するバッテリ情報処理部と、
をさらに具備し、
前記判断部は、前記位置関係および前記バッテリ残量から通信形態の切り替えのタイミングを判断し、
前記切り替え対象端末決定部は、前記位置関係情報及び前記バッテリ情報を用いて切り替え対象先の無線通信装置を選定する
ことを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項３】
自端末を子機として他の無線通信装置と近距離無線通信機能を用いてネットワークを形成する無線通信装置において、
前記自端末とネットワークを形成する各端末との位置関係を測定する位置関係測定部と、
前記位置関係測定部により測定された位置関係を親機である前記無線通信装置に通知する位置関係情報処理部と、
前記無線通信装置からの指示に応じて前記自端末を親機とする通信形態に切り替える通信形態切り替え処理部と
を具備することを特徴とする無線通信装置。
【請求項４】
自端末のバッテリ残量を測定するバッテリ残量測定部と、
前記バッテリ残量測定部により測定されたバッテリ残量を親機である前記無線通信装置に通知するバッテリ情報処理部と
をさらに具備することを特徴とする請求項３記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記切り替えタイミング判別部は、
子機である前記無線通信装置が親機である前記無線通信装置の通信範囲外となったとき、通信形態を切り替えるべきタイミングであると判別する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の無線通信装置。
【請求項６】
前記切り替え対象端末決定部は、
前記ネットワークを形成する前記端末が通信範囲内に最も多く含まれる前記無線通信装置を前記切り替え対象先の無線通信装置として決定する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の無線通信装置。
【請求項７】
前記切り替え対象端末決定部は、
前記ネットワークを形成する前記無線通信装置が通信範囲内に最も多く含まれる子機の中で最もバッテリ残量の多い該無線通信装置を切り替え対象先の無線通信装置として決定する
ことを特徴とする請求項２記載の無線通信装置。
【請求項８】
前記通信形態切り替え処理部は、
切り替え対象先の前記無線通信装置に通信形態の切り替え要求を通知し、
前記無線通信装置が切り替えに同意した後に、前記ネットワークを形成する端末の識別子を切り替え対象先の前記無線通信装置に通知し、
前記識別子を通知した後に前記ネットワークを切断し、
切り替え対象先の前記無線通信装置を親機とする通信形態に切り替える
ことを特徴とする請求項１又は２記載の無線通信装置。
【請求項９】
前記通信形態切り替え処理部は、
切り替え対象先の前記無線通信装置に通信形態の切り替えを命令し、
前記ネットワークを形成する端末の識別子を通知し、
前記識別子を通知した後に前記ネットワークを切断し、
切り替え対象先の前記無線通信装置を親機とする通信形態に切り替える
ことを特徴とする請求項１又は２記載の無線通信装置。
【請求項１０】
前記通信形態切り替え処理部は、
親機である前記無線通信装置のネットワークからの切断をきっかけとして、自端末を親機とする通信形態に切り替える
ことを特徴とする請求項３又は４記載の無線通信装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈曲モードで振動する音叉腕と音叉基部とを具えて構成される音叉形状の屈曲水晶振動子で、前記音叉腕は上面と下面と側面とを有し、前記音叉形状の音叉腕に溝が設けられ、前記溝と前記音叉腕の側面に電極が配置され、前記溝の側面の電極とその電極に対抗する音叉腕の側面の電極とが互いに異極であることを特徴とする水晶振動子。
【請求項２】
前記音叉形状の屈曲水晶振動子の２次高調波モード振動の等価直列抵抗Ｒ２が基本波モード振動の等価直列抵抗Ｒ１より大きく、かつ、基本波モード振動のフイガーオブメリットＭ１が２次高調波モード振動のフィガーオブメリットＭ２より大きいことを特徴とする請求項１に記載の水晶振動子。
【請求項３】
前記音叉形状の屈曲水晶振動子の音叉基部に切り欠き部が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の水晶振動子。
【請求項４】
屈曲モードで振動する音叉腕と音叉基部とを具えて構成される音叉形状の屈曲水晶振動子の製造方法で、
前記音叉腕の上下面に各々１個の溝を設ける工程と、
前記各々１個の溝と前記音叉腕の側面に電極が配置され、前記溝の側面の電極とその電極に対抗する音叉腕の側面の電極とが互いに異極となるように電極を形成する工程と、
前記屈曲水晶振動子の発振周波数を調整する工程と、
前記屈曲水晶振動子を表面実装型、又は円筒型のユニットに収納する工程と、を有することを特徴とする水晶振動子の製造方法。
【請求項５】
音叉腕の上下面に設けられた各々１個の溝は溝の厚みｔ１がｔ１＝０である貫通穴であることを特徴とする請求項４に記載の水晶振動子の製造方法。
【請求項６】
音叉腕と音叉基部とを具えて構成される音叉形状の屈曲水晶振動子が水晶ウエハに形成され、前記屈曲水晶振動子の音叉腕に溝が設けられ、前記音叉腕と前記溝は別々の工程により形成され、かつ、前記音叉腕は前記溝が形成される前に形成されることを特徴とする請求項４に記載の水晶振動子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】  即ち、本発明の水晶振動子の第１の態様は、屈曲モードで振動する音叉腕と音叉基部とを具えて構成される音叉形状の屈曲水晶振動子で、前記音叉腕は上面と下面と側面とを有し、前記音叉形状の音叉腕に溝が設けられ、前記溝と前記音叉腕の側面に電極が配置され、前記溝の側面の電極とその電極に対抗する音叉腕の側面の電極とが互いに異極である水晶振動子である。
本発明の水晶振動子の第２の態様は、前記音叉形状の屈曲水晶振動子の２次高調波モード振動の等価直列抵抗Ｒ２が基本波モード振動の等価直列抵抗Ｒ１より大きく、かつ、基本波モード振動のフイガーオブメリットＭ１が２次高調波モード振動のフイガーオブメリットＭ２より大きい第１の態様に記載の水晶振動子である。
本発明の水晶振動子の第３の態様は、前記音叉形状の屈曲水晶振動子の音叉基部に切り欠き部が設けられている第２の態様に記載の水晶振動子である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】  本発明の水晶振動子の製造方法の第１の態様は、屈曲モードで振動する音叉腕と音叉基部とを具えて構成される音叉形状の屈曲水晶振動子の製造方法で、前記音叉腕の上下面に各々１個の溝を設ける工程と、前記各々１個の溝と前記音叉腕の側面に電極が配置され、前記溝の側面の電極とその電極に対抗する音叉腕の側面の電極とが互いに異極となるように電極を形成する工程と、前記屈曲水晶振動子の発振周波数を調整する工程と、前記屈曲水晶振動子を表面実装型、又は円筒型のユニットに収納する工程と、を有する水晶振動子の製造方法である。
本発明の水晶振動子の製造方法の第２の態様は、音叉腕の上下面に設けられた各々１個の溝は溝の厚みｔ１がｔ１＝０である貫通穴である第１の態様に記載の水晶振動子の製造方法である。
本発明の水晶振動子の製造方法の第３の態様は、音叉腕と音叉基部とを具えて構成される音叉形状の屈曲水晶振動子が水晶ウエハに形成され、前記屈曲水晶振動子の音叉腕に溝が設けられ、前記音叉腕と前記溝は別々の工程により形成され、かつ、前記音叉腕は前記溝が形成される前に形成される第１の態様に記載の水晶振動子の製造方法である。