【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液状物質を噴霧化するための小液滴噴霧デバイスであって、以下
少なくとも１つの第１基材（１５）からなるハウジングであって、該第１基材（１５）が、少なくとも１つの膜セクション（１５ａ）を有し、該基材セクション（１５ａ）が、該第１基材（１５）の残りよりも薄い、ハウジング、
該液状物質を含むためのハウジング内の空間（１２）、
該液状物質を該空間（１２）に供給するための手段、
出口手段であって、該膜セクション（１５ａ）内に配置され、そして少なくとも１つの出口ノズル（１９）および少なくとも１つの出力チャネル（２０）を備え、該出口ノズル（１９）が、該第１基材（１５）の第１主面内に配置され、そして該出力チャネル（２０）が、該空間（１２）を該少なくとも１つの出口ノズル（１９）のそれぞれに接続する、出口手段、および
振動エレメント（１８）であって、該空間（１２）において液体を振動させて、該出口ノズル（１９）を通る噴霧として該液状物質を排出するために配置される、振動エレメント、
を備え、
各出力チャネル（２０）が、下側部分（２０ａ）および上側部分（２０ｂ）を有するステップ型形状を有し、該下側部分が、該空間（１２）に近接して配置され、そして該上側部分（２０ｂ）よりも大きな直径であり、該出力チャネル部分（２０ａ、２０ｂ）の各々が、真っ直ぐな側壁を有し、そして
該第１基材（１５）の該残りが、該膜セクション（１５ａ）より厚いセクションからなり、これらのセクションは、該第１基材（１５）の第１主面の側面に位置付けられる、
ことを特徴とする、小液滴噴霧デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の小液滴噴霧デバイスであって、さらに、前記第１基材（１５）の前記残りが、前記膜セクション（１５ａ）から離れるように至る側壁を備える厚いセクションからなる、という点で特徴付けられる、小液滴噴霧デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載の小液滴噴霧デバイスであって、前記第１基材（１５）が、その他の主面に凹部を有し、該凹部が該空間（１２）を構成する、という点でさらに特徴付けられる、小液滴噴霧デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の小液滴噴霧デバイスであって、さらに、前記振動エレメント（１８）が、円形であり、前記空間（１２）よりも小さな断面であり、そしてその基本共鳴振動数または続く調和振動数で作動して、該出口ノズル（１９）を通る噴霧として前記液状物質を排出するように配置される、小液滴噴霧デバイス。
【請求項５】
請求項３に記載の小液滴噴霧デバイスであって、ここで、前記ハウジングが、第２基材（１６）をさらに備え、そしてここで、前記凹部によって構成される空間（１２）が、該第２基材（１６）によって閉鎖する、小液滴噴霧デバイス。
【請求項６】
請求項１または２に記載の小液滴噴霧デバイスであって、ここで、前記ハウジングが、第２基材（１６）をさらに備え、そしてここで、前記空間（１２）が、前記第２基材（１６）に提供される、小液滴噴霧デバイス。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の小液滴噴霧デバイスであって、受動性バルブ（１２ｂ）をさらに備え、該受動性バルブ（１２ｂ）が、前記液状物質の前記空間（１２）への均一な充填を提供することによって、該デバイスの均一な操作を容易にするために該空間（１２）と物理的に組み合わされて配置される、小液滴噴霧デバイス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の小液滴噴霧デバイスであって、ここで、前記空間が、主容積（１２）および緩衝容量（１２ａ）からなり、該緩衝容量（１２ａ）とともに該主容積（１２）の合計容積が最大投薬量に対応するような容積に、該緩衝容量の容積が合わせられ、その結果、該噴霧デバイスの特定の用途に依存して所望の可変投薬量が、該空間に含まれ得、該可変投薬量が、該最大投薬量以下である、小液滴噴霧デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載の液状物質を噴霧化するための小液滴噴霧デバイスを作製する方法であって、該方法が、以下の工程：
ａ．前記第１基材（１５）を形成するシリコン基材の両方の主面上に、酸化物マスクを堆積する工程、
ｂ．該第１基材（１５）の上主面をエッチングして、より薄い膜セクション（１５ａ）を得る工程、
ｃ．前記出力チャネル（２０）の下側部分（２０ａ）に対応する大きな開口を規定する該第１基材（１５）の下主面に、第１フォトレジストを適用し、次いで、該酸化物マスクをエッチングで除いて、該第１基材（１５）の該シリコンへのアクセスを開く、工程、
ｄ．該出力チャネル（２０）の上側部分（２０ｂ）に対応する小さな開口を規定するために、第２フォトレジストを適用し、次いで、該シリコンの部分プラズマエッチングを使用して、実際の上側部分（２０ｂ）よりも狭くそして短い狭いチャネルを得、そして該第２フォトレジストを剥ぐ工程、
ｅ．該基材（１５）をほぼ貫通するまで、異なるプラズマエッチングを使用することによって、該開いたシリコンをエッチングする工程、
ｆ．プラズマエッチングを使用して前記第１基材（１５）の下主面に、該基材（１５）を貫通する工程であって、該上側部分（２０ｂ）のノズル開口に対応する面に対する、該空間に対応するエッチングされる面の比が、該ノズルのエッチングスピードが、該出口ノズル（１９）のノッチングを避けるために十分遅くなるような比である、工程、
ｇ．第２シリコン基材をエッチングして、その中に空間（１２）を有する前記第２基材（１６）を形成する工程、
ｈ．該第１基材（１５）および該第２基材（１６）をともに結合して、該小液滴噴霧デバイスのハウジングを形成する工程、
ｉ．該液状物質を該空間（１２）に供給するための手段を提供する工程、および
ｊ．前記振動エレメント（１８）を提供する工程、
を包含する、方法。
【請求項１０】
請求項３に記載の液状物質を噴霧化するための小液滴噴霧デバイスを作製する方法であって、該方法が、以下の工程：
ａ．前記第１基材（１５）を形成するシリコン基材の両方の主面上に、酸化物マスクを堆積する工程、
ｂ．該第１基材（１５）の上主面をエッチングして、より薄い膜セクション（１５ａ）を得る工程、
ｃ．前記出力チャネル（２０）の下側部分（２０ａ）に対応する大きな開口を規定する該第１基材（１５）の下主面に、第１フォトレジストを適用し、次いで、該酸化物マスクをエッチングで除いて、該第１基材（１５）の該シリコンへのアクセスを開く、工程、
ｄ．該出力チャネル（２０）の上側部分（２０ｂ）に対応する小さな開口を規定するために第２フォトレジストを適用し、次いで、該シリコンの部分プラズマエッチングを使用して、実際の上側部分（２０ｂ）よりも狭くそして短い狭いチャネルを得、そして該第２フォトレジストを剥ぐ工程、
ｅ．該基材（１５）をほぼ貫通するまで、異なるプラズマエッチングを使用することによって、該開いたシリコンをエッチングする工程、
ｆ．該空間（１２）に対応する大きな開口を規定するために第３フォトレジストを提供し、次いで、プラズマエッチングを使用して該空間（１２）を構成する前記凹部を得、そして該基材（１５）を貫通する工程であって、該上側部分（２０ｂ）のノズル開口に対応する面に対する、該空間に対応するエッチングされる面の比が、該ノズルのエッチングスピードが、該出口ノズル（１９）のノッチングを避けるように十分遅くなるような比である、工程、
ｇ．該液状物質を該空間（１２）に供給するための手段を提供する工程、
ｈ．前記振動エレメント（１８）を提供する工程、および
ｉ．該第１基材（１５）および該振動エレメント（１８）をともに結合して、該小液滴噴霧デバイスのハウジングを形成する工程、
を包含する、方法。
【請求項１１】
請求項３に記載の液状物質を噴霧化するための小液滴噴霧デバイスを作製する方法であって、該方法が、以下の工程：
ａ．前記第１基材（１５）を形成するシリコン基材の両方の主面上に、酸化物マスクを堆積する工程、
ｂ．該第１基材（１５）の上主面をエッチングして、より薄い膜セクション（１５ａ）を得る工程、
ｃ．前記出力チャネル（２０）の下側部分（２０ａ）に対応する大きな開口を規定する該第１基材（１５）の下主面に、第１フォトレジストを適用し、次いで、該酸化物マスクをエッチングで除いて、該第１基材（１５）の該シリコンへのアクセスを開く、工程、
ｄ．該出力チャネル（２０）の上側部分（２０ｂ）に対応する小さな開口を規定するために、第２フォトレジストを適用し、次いで、該シリコンの部分プラズマエッチングを使用して、実際の上側部分（２０ｂ）よりも狭くそして短い狭いチャネルを得、そして該第２フォトレジストを剥ぐ工程、
ｅ．該基材（１５）をほぼ貫通するまで、異なるプラズマエッチングを使用することによって、該開いたシリコンをエッチングする工程、
ｆ．該空間（１２）に対応する大きな開口を規定するために第３フォトレジストを提供し、次いで、プラズマエッチングを使用して該空間（１２）を構成する前記凹部を得、そして該基材（１５）を貫通する工程であって、該上側部分（２０ｂ）のノズル開口に対応する面に対する、該空間に対応するエッチングされる面の比が、該ノズルのエッチングスピードが、該出口ノズル（１９）のノッチングを避けるように十分遅くなるような比である、工程、
ｇ．第２シリコン基材をエッチングして、前記第２基材（１６）を形成する工程、
ｈ．該第１基材（１５）および該第２基材（１６）をともに結合して、該小液滴噴霧デバイスのハウジングを形成する工程、
ｉ．該液状物質を該空間（１２）に供給するための手段を提供する工程、および
ｊ．前記振動エレメント（１８）を提供する工程、
を包含する、方法。
【請求項１２】
請求項９、１０または１１に記載の小液滴噴霧デバイスを作製する方法であって、工程「ｅ」の後かつ工程「ｇ」の前に、選択的親水性コーティングを適用して、空間（１２）および／または出力チャネル（２０）の内側面の周りに保護層を提供し、これらの面の物質による液状物質のいかなる汚染も避け、そして特定の部分における湿潤性を改善する工程をさらに包含する、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の小液滴噴霧デバイスを作製する方法であって、親水性コーティングを含まない前記空間（１２）の領域内および前記第１基材（１５）の外側面上に、選択的疎水性コーティングを適用する工程をさらに包含する、方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の小液滴噴霧デバイスを作製する方法であって、前記第１基材（１５）の上面をプラズマエッチングするさらなる工程をさらに包含し、該工程が、前記他の異なるプラズマエッチング工程と同じ作製装置を使用して疎水性表面品質を提供するために、パシベーションモードで停止する、方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の小液滴噴霧デバイスを作製する方法であって、堅い無定形炭素フィルムを前記疎水性コーティング上に適用する工程をさらに包含する、方法。
【請求項１６】
請求項３に記載の液状物質を噴霧化するための小液滴噴霧デバイスを作製する方法であって、該方法が、以下の工程：
ａ．前記第１基材（１５）を形成するシリコン基材の両方の主面上に、酸化物マスクを堆積する工程、
ｂ．該第１基材（１５）の上主面をエッチングして、より薄い膜セクション（１５ａ）を得る工程、
ｃ．前記出力チャネル（２０）の上側部分（２０ｂ）に対応する狭い開口を規定する該第１基材（１５）の下主面に、第１フォトレジストを適用し、次いで、該酸化物マスクをエッチングで除いて、該第１基材（１５）の該シリコンへのアクセスを開く、工程、
ｄ．ノッチングが起こらないように、該シリコンをエッチングして、該第１基材（１５）を通るスルーホールを得る工程、
ｅ．保護コーティング（２５）を該スルーホールの内側側壁に適用する工程、
ｆ．前記出力チャネル（２０）の下側部分（２０ａ）に対応する大きな開口を規定する該第１基材（１５）の下主面に、第２フォトレジストを適用し、次いで、該シリコンをエッチングして、該下側部分（２０ａ）に対応する大きなチャネルを得、そして該第２フォトレジストを剥ぐ、工程、
ｇ．保護コーティング（２５）を、該ステップ型出力チャネル（２０）に対応する目下のステップ型のスルーホールの内側側壁に適用する工程、
ｈ．該空間（１２）に対応する大きな開口を規定するために、該第１基材（１５）の下面上に第３フォトレジストを適用し、次いで、該シリコンをエッチングして、該空間（１２）を構成する該ステップ型凹部を得る工程、
ｉ．該保護コーティングを該スルーホールの該内側側壁から除去する工程、
ｊ．該液状物質を該空間（１２）に供給するための手段を提供する工程、
ｋ．前記振動エレメント（１８）を提供する工程、および
ｌ．該第１基材（１５）および該振動エレメント（１８）をともに結合して、該小液滴噴霧デバイスのハウジングを形成する工程、
を包含する、方法。
【請求項１７】
小液滴噴霧デバイスのノズル本体を作製する方法であって、該ノズル本体が、少なくとも１つの膜セクションを有する基材からなり、該膜セクションが、該基材の残りよりも薄く、ここで、出口手段が、該膜セクション内に配置され、該膜セクションが、少なくとも１つの出口ノズル（１９）および少なくとも１つの出力ステップ型チャネル（２０）を備え、該出口ノズル（１９）が、該第１基材（１５）の第１主面に配置され、そして該出力ステップ型チャネル（２０）が、該基材の１つの主面を該基材の他の主面に接続し、該出力チャネル（２０）が、真っ直ぐな側壁を有し、そして下側広部分（２０ａ）および上側狭窄部分（２０ｂ）を有し、
該方法が、以下の工程：
ａ．該ノズル本体を形成する該基材の両面上に、酸化物マスクを堆積する工程、
ｂ．該基材の上面をエッチングして、より薄い膜セクション（１５ａ）を得る工程、
ｃ．該出力チャネル（２０）の下側部分（２０ｂ）に対応する大きな開口を規定する該基材の下面に、第１フォトレジストを適用し、次いで、該酸化物マスクをエッチングで除いて、該基材のシリコンへのアクセスを開く、工程、
ｄ．該出力チャネル（２０）の上側部分（２０ｂ）に対応する小さな開口を規定するために第２フォトレジストを適用し、次いで、該シリコンの部分プラズマエッチングを使用して、実際の上側部分（２０ｂ）よりも狭くそして短い狭いチャネルを得、そして該第２フォトレジストを剥ぐ工程、
ｅ．該基材をほぼ貫通するまで、異なるプラズマエッチングを使用することによって、該開いたシリコンをエッチングする工程、
ｆ．該基材（１５）を貫通するように該基材の下面をプラズマエッチングする工程であって、該上側部分（２０ｂ）のノズル開口に対応する面に対する、該基材のエッチングされる面の比が、該ノズルのエッチングスピードが、該ノズルのノッチングを避けるように十分遅くなるような比である、工程、
を包含する、方法。