Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月21日(2004.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性基板上の少なくとも１つの電気導体に集積回路（ＩＣ）を電気接続する方法であって：
(a) 基板の第１主面及びそれと反対側の第２主面のうち１つに配置されたＩＣ取付け領域並びに、第１主面に配置された第１導電パターンと第２主面に配置された第２導電パターンを有する少なくとも１つの共振回路を具備する可撓性誘電体基板を準備すること、
但しここで、第１及び第２導電パターンはインダクタとコンデンサを形成し且つインダクタがアンテナとして機能するよう、第１導電パターンが第２導電パターンに電気接続されていること；
(b) 基板のＩＣボンド取付け領域を清浄にすること、
但しＩＣボンド取付け領域は基板の特定の領域と、前記ＩＣ取付け領域に近接し且つこの領域を含む前記共振回路を有すること；
(c) 基板の大きい動きを防止するため可撓性基板を固定位置に固定すること；
(d) 可撓性基板に対するＩＣの動きを最小化するためＩＣを可撓性基板のＩＣ取付け領域に固定すること；
(e) ＩＣを前記共振回路にワイヤボンドし、それにより少なくとも１つのワイヤボンドでＩＣを前記共振回路に電気接続すること；及び
(f) 少なくとも１つのワイヤボンドを外部諸力による損傷から保護するため、少なくとも１つのワイヤボンドに保護カバリングを取り付けること；
の各ステップを具備することを特徴とする方法。
【請求項２】
可撓性基板がポリエチレン層を含む、
請求項１の方法。
【請求項３】
導電パターンがアルミニウムを含む、
請求項２の方法。
【請求項４】
ステップ（d)でエポキシを使用してＩＣが可撓性基板に固定され、且つエポキシがＩＣの周囲を越えて拡がり、それによりＩＣに近接した前記基板に硬い領域を形成する、
請求項１の方法。
【請求項５】
ステップ（e)でＩＣを基板にワイヤボンドする前に、エポキシを硬化させるステップをさらに含む、
請求項４の方法。
【請求項６】
前記エポキシが紫外線で硬化する、
請求項５の方法。
【請求項７】
ステップ（b)でＩＣボンド取付け領域がアセトンを使用して清浄にされる、請求項１の方法。
【請求項８】
ワイヤボンドステップ（e)  を実施する前に、酸化物を除去するため、前記ＩＣ取付け領域に近接した前記共振回路の少なくとも一部を研摩清浄化するステップをさらに有する、
請求項７の方法。
【請求項９】
保護カバーリングが封入物を有するステップを有する、
請求項１の方法。
【請求項１０】
ステップ(f) の後、さらに紫外線による封入物の硬化ステップを有する、
請求項９の方法。
【請求項１１】
前記可撓性基板に関して所定の方向にＩＣを配置するステップをさらに有する、
請求項１の方法。
【請求項１２】
超音波溶接によってＩＣを共振回路にワイヤボンドし、且つＩＣを前記ＩＣ取付け領域に固定し、前記基板を固定位置に確実に保持し、前記基板とＩＣ両方の大きい運動を防止し、それにより溶接プロセス中の過大なエネルギー放散を防止する、
請求項１の方法。
【請求項１３】
真空圧力と接着剤を使用して、ステップ(C)で前記基板をプレナムの固定位置に確実に保持する、
請求項１の方法。
【請求項１４】
ステップ(f) の後に、さらにＩＣを収容するみぞを有するポリマーハウジングに前記可撓性基板を接着取付けするステップを有する、
請求項１の方法。
【請求項１５】
ステップ(f) の後に、さらに所定のデジタルコード化情報でＩＣをプログラミングするステップを有する、
請求項１の方法。
【請求項１６】
ＩＣ取付け領域が第１及び第２導電パターンのどちらか一つの一部を有し、その一つの導電パターンがＩＣを固定する硬い領域となる、
請求項１の方法。
【請求項１７】
所定周波数範囲内の周波数の電磁エネルギーを利用して監視領域内のＲＦＩＤタグの有無を検出するための手段及びＲＦＩＤタグから伝達されたデジタルコード化した情報を受信する手段を有する、通信システムに使用するための無線周波数確認（ＲＦＩＤ）タグであって、このＲＦＩＤが：
可撓性誘電体基板；
可撓性基板の第１主面に配置された第１導電パターンを備えた少なくとも１つの共振回路、及び可撓性基板の反対の第２主面に配置された第２導電パターン、を具備する少なくとも１個の共振回路であって、
但し以上において、第１導電パターンが第２導電パターンに、第１及び第２導電パターンがインダクタとコンデンサーを形成するように電気接続され、そこにおいてインダクタがアンテナとして機能するもの；
前記基板の第１及び第２主面のいずれかの上にあるＩＣ取付け領域；
前記ＩＣ取付けた領域に取付け且つ共振回路に電気接続した集積回路（ＩＣ）、但しそのＩＣはデジタルコード化した情報を記憶しているものであり、但しそこにおいて所定周波数の信号をアンテナが探知すれば、デジタルコード化情報がそこから出力され、所定の周波数でアンテナにより伝送されるようアンテナをしてＩＣに電力を供給させるものであり、ならびに、
ＩＣ並びにＩＣと前記の共振回路の間の電気接続部をカバーする封入材、
を具備しているＲＦＩＤ保安タグ。
【請求項１８】
ＩＣ取付け領域が第１及び第２導電パターンのどれかで形成されるインダクタの肩部を有する、
請求項17の保安タグ。
【請求項１９】
ＩＣがＩＣ取付け領域に接着取付されている、
請求項17の保安タグ。
【請求項２０】
第１及び第２導電パターンがエッチングしたアルミニウムを含む、
請求項17の保安タグ。
【請求項２１】
第１導電パターンとＩＣをカバーするポリマーハウジングをさらに具備し、且つハウジングがＩＣを収容するみぞを有する、
請求項17の保安タグ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月27日(2004.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極性検出器であって、
一連の少なくとも２つのパルスを選択的にサンプリングしかつ得られたサンプルを記憶するための記憶手段、そして
前記記憶手段の出力に結合され前記サンプルを比較して出力信号を提供するデジタル比較器手段、
を具備し、
前記出力信号の変化はその極性および前記サンプルの極性が同じであることに依存して行なわれ、そして
前記サンプルの極性が異なる場合に前記出力信号は不変に留まっていることを特徴とする極性検出器。
【請求項２】
前記記憶手段は前記記憶を遂行するためのクロック入力を有することを特徴とする請求項１に記載の極性検出器。
【請求項３】
前記記憶手段は少なくとも２つのバイステーブル・マルチバイブレータを具備することを特徴とする請求項１に記載の極性検出器。
【請求項４】
前記デジタル比較器手段は前記出力信号を記憶するための出力信号記憶手段を具備し、該出力信号記憶手段は前記記憶手段のクロック入力に結合されてクロック信号の受信に応じて前記出力信号の記憶を遂行することを特徴とする請求項１に記載の極性検出器。
【請求項５】
前記デジタル比較器手段は前記記憶された出力信号を受信し該出力信号を前記サンプルと比較するよう構成された論理回路を具備することを特徴とする請求項４に記載の極性検出器。
【請求項６】
一連のパルスの極性を検出する方法であって、
ａ）前記パルスを選択的にサンプリングしサンプルを記憶する段階、そして
ｂ）前記サンプルを比較して前記サンプルが極性において同じであることを示す出力信号を提供する段階、
を具備することを特徴とする一連のパルスの極性を検出する方法。
【請求項７】
前記選択的にサンプリングしかつ記憶する段階（ａ）はクロック信号により遂行されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記比較を行う段階（ｂ）は前記クロック信号の少なくとも１つのサイクルの間前記出力信号を記憶する段階をさらに具備することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記比較を行う段階（ｂ）はさらに前記サンプルおよび前記出力信号を比較する段階を具備することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に作動ガスを封入したシリンダと、該シリンダ内部を圧縮空間と膨張空間とに仕切るピストン及びディスプレーサと、該ピストンを駆動するリニアモータと、前記ピストンと前記ディスプレーサとを互いに共振させるバネと、を有し、前記ピストンと前記ディスプレーサの往復運動に伴う前記作動ガスの圧縮・膨張を利用して低温を得るスターリング冷凍機において、
前記ピストンの往時に限り、前記リニアモータを駆動することを特徴とするスターリング冷凍機。
【請求項２】
前記リニアモータを単一のスイッチ素子によって駆動することを特徴とする請求項１に記載のスターリング冷凍機。
【請求項３】
装置停止時における前記ピストンの保持位置を、前記ピストンの動作中心位置よりも後退側とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスターリング冷凍機。
【請求項４】
内部に作動ガスを封入したシリンダと、該シリンダ内部を圧縮空間と膨張空間とに仕切るピストン及びディスプレーサと、該ピストンを駆動するリニアモータと、前記ピストンと前記ディスプレーサとを互いに共振させるバネと、を有し、前記ピストンと前記ディスプレーサの往復運動に伴う前記作動ガスの圧縮・膨張を利用して低温を得るスターリング冷凍機において、
前記リニアモータに供給するパルス幅変調波形を正負非対称とすることで、前記リニアモータへの印加電圧に擬似的な直流バイアス分を付加することを特徴とするスターリング冷凍機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内周面に外輪軌道を有する外輪と、外周面に内輪軌道を有する内輪と、前記外輪軌道と前記内輪軌道との間に転動自在に設けられた複数個の転動体と、前記外輪の内周面と前記内輪の外周面との間で前記転動体を設けた空間の軸方向開口部を塞ぐシール装置とを備えた密封軸受のシール装置において、前記シール装置が、芯金と、弾性材料からなりリップが形成されたシールと、少なくとも前記リップと摺接するスリンガとを有し、かつ前記スリンガの少なくとも前記リップと摺接する部分がビッカース硬さ（Ｈｖ）で５００以上であることを特徴とするシール装置。
【請求項２】
スリンガの少なくともリップと摺接する部分がビッカース硬さ（Ｈｖ）で５００以上２０００以下であることを特徴とする請求項１記載のシール装置。
【請求項３】
スリンガが冷延鋼板製で、かつ硬質皮膜が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載のシール装置。
【請求項４】
スリンガがステンレス鋼板製で、かつ部分硬化熱処理されていることを特徴とする請求項１または２記載のシール装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ボールジョイントおよびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタッド部の一端側にボール部が形成され、スタッド部の他端側にねじ部が形成され、さらにこれら各部の間にねじ部側に臨む座面部が形成されたボールスタッドと、前記ボール部が摺動自在に嵌合されて前記ボールスタッドをユニバーサルに軸支する軸支部材とを具備し、前記スタッド部が取付部材に挿通され、該取付部材から突出する前記ねじ部にナットが螺合され、該ナットを取付部材に締め付けることにより前記座面部が取付部材に当接して締結されるボールジョイントにおいて、
前記取付部材に当接する前記座面部に、前記ナットの締め付け時にナットとともにボールスタッドが共回りすることを防ぐ共回り防止加工が施され、前記共回り防止加工は、前記取付部材に食い込む突起の形成であって、
前記突起は、前記座面部の周縁部に円周方向に沿って複数配置され、かつ、その平面視および側面視において尖った先端が前記座面部の軸心に向かって延びる三角錐状をなすことを特徴とするボールジョイント。
【請求項２】
前記突起の高さは０．０３〜０．１２ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載のボールジョイント。
【請求項３】
スタッド部の一端側にボール部が形成され、スタッド部の他端側にねじ部が形成され、さらにこれら各部の間にねじ部側に臨む座面部が形成されたボールスタッドと、前記ボール部が摺動自在に嵌合されて前記ボールスタッドをユニバーサルに軸支する軸支部材とを具備し、前記スタッド部が取付部材に挿通され、該取付部材から突出する前記ねじ部にナットが螺合され、該ナットを取付部材に締め付けることにより前記座面部が取付部材に当接して締結されるボールジョイントにおいて、
前記取付部材に当接する前記座面部に、前記ナットの締め付け時にナットとともにボールスタッドが共回りすることを防ぐ共回り防止加工が施され、前記共回り防止加工は、前記取付部材に対する摩擦抵抗力を増大させる粗面加工であり、  粗面加工により得られた粗面の面粗度はＲａ２．０〜５．０であることを特徴とするボールジョイント。
【請求項４】
スタッド部の一端側にボール部を形成し、スタッド部の他端側にねじ部を形成し、さらにこれら各部の間にねじ部側に臨む座面部を形成したボールスタッドと、前記ボール部が摺動自在に嵌合されて前記ボールスタッドをユニバーサルに軸支する軸支部材とを具備し、前記スタッド部が取付部材に挿通され、該取付部材から突出する前記ねじ部にナットが螺合され、該ナットを取付部材に締め付けることにより前記座面部が取付部材に当接して締結されるボールジョイントの製造方法において、
前記取付部材に当接する前記座面部に、前記ナットの締め付け時にナットとともにボールスタッドが共回りすることを防ぐ共回り防止加工をショットピーニングにより施し、前記共回り防止加工は、前記取付部材に対する摩擦抵抗力を増大させる粗面加工であり、  粗面加工により粗面の表面面粗度をＲａ２．０〜５．０とすることを特徴とするボールジョイントの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のボールジョイントは、スタッド部の一端側にボール部が形成され、スタッド部の他端側にねじ部が形成され、さらにこれら各部の間にねじ部側に臨む座面部が形成されたボールスタッドと、ボール部が摺動自在に嵌合されてボールスタッドをユニバーサルに軸支する軸支部材とを具備し、スタッド部が取付部材に挿通され、該取付部材から突出するねじ部にナットが螺合され、該ナットを取付部材に締め付けることにより座面部が取付部材に当接して締結されるボールジョイントにおいて、取付部材に当接する座面部に、ナットの締め付け時にナットとともにボールスタッドが共回りすることを防ぐ共回り防止加工が施され、共回り防止加工は、取付部材に食い込む突起の形成であって、突起は、座面部の周縁部に円周方向に沿って複数配置され、その平面視および側面視において尖った先端が座面部の軸心に向かって延びる三角錐状をなすことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る共回り防止加工は、締結状態で取付部材に食い込む突起の形成である。この場合、ナットを締め付けて座面部が取付部材に締結されると、突起が取付部材に食い込みボールスタッドの共回りが防止される。突起は取付部材に食い込みやすい鋭利な三角錐状であり、取付部材に塗装が施されている場合には塗膜に食い込む状態で十分に共回りが防止される。突起の高さに関しては、低すぎると共回り防止効果が薄れ、高すぎると共回りは防止されるものの緩みが発生するので、適度な高さが求められる。例えば締め付けトルクの規定値が４０〜６０Ｎ・ｍとされるナットを用いる場合、この締め付けトルクに対応する突起の高さとしては、０．０３〜０．１２ｍｍが適当である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、他の共回り防止加工の態様としては、取付部材に対する摩擦抵抗力を増大させる粗面加工が挙げられる。粗面加工は面粗度を上げることであり、その面粗度は、Ｒａ２．０〜５．０である。粗面加工の方法としては、ショットピーニング等が好適に採用される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記移動端末は、その一部として着脱自在なメモリーカードを含み、
前記経路情報記憶手段および前記更新地図情報記憶手段は、前記メモリーカード内に設けられ、
前記サーバは、前記メモリーカードを装着可能であり、
前記メモリーカードを介して前記移動端末と前記サーバとの間で情報の授受が行われる、請求項１に記載の地図情報提供システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記移動端末は、その一部として着脱自在なメモリーカードを含み、
前記基本地図情報記憶手段、前記経路情報記憶手段および前記更新地図情報記憶手段は、前記メモリーカード内に設けられ、
前記サーバは、前記メモリーカードを装着可能であり、
前記メモリーカードを介して前記移動端末と前記サーバとの間で情報の授受が行われる、請求項１に記載の地図情報提供システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
サーバから移動端末に対して最新の地図情報を提供する地図情報提供システムであって、
前記サーバは、
前記最新の地図情報を記憶する最新地図情報記憶手段と、
前記最新地図情報記憶手段が記憶している最新の地図情報を移動端末に対して送信する地図情報送信手段とを備え、
前記移動端末は、
ユーザの車両が走行した経路に基づいて、経路情報を作成する経路情報作成手段と、
前記経路情報作成手段が作成した経路情報を記憶する経路情報記憶手段と、
基本情報として用いられる地図情報を記憶する基本地図情報記憶手段と、
前記地図情報送信手段から送信されてくる最新の地図情報を受信する地図情報受信手段と、
前記経路情報記憶手段が記憶している経路情報に対応する最新の地図情報であってかつ、ユーザに対してまだ提供されていない最新の地図情報を、前記地図情報受信手段が受信している最新の地図情報の中から抽出する地図情報抽出手段と、
前記地図情報抽出手段が抽出した最新の地図情報を記憶する更新地図情報記憶手段と、
前記基本地図情報記憶手段に記憶されている地図情報および前記更新地図情報記憶手段に記憶されている最新の地図情報を参照して、ユーザが指示した位置付近または前記車両の現在位置付近の最新の地図情報を作成する情報作成手段と、
前記情報作成手段が作成した地図情報を表示する表示手段とを備える、地図情報提供システム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第２の発明は、第１の発明に従属する発明であって、移動端末は、その一部として着脱自在なメモリーカードを含み、
経路情報記憶手段および更新地図情報記憶手段は、メモリーカード内に設けられ、
サーバは、メモリーカードを装着可能であり、
メモリーカードを介して移動端末とサーバとの間で情報の授受が行われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第３の発明は、第１の発明に従属する発明であって、移動端末は、その一部として着脱自在なメモリーカードを含み、
基本地図情報記憶手段、経路情報記憶手段および更新地図情報記憶手段は、メモリーカード内に設けられ、
サーバは、メモリーカードを装着可能であり、
メモリーカードを介して移動端末とサーバとの間で情報の授受が行われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第９の発明は、サーバから移動端末に対して最新の地図情報を提供する地図情報提供システムであって、
サーバは、
最新の地図情報を記憶する最新地図情報記憶手段と、
最新地図情報記憶手段が記憶している最新の地図情報を移動端末に対して送信する地図情報送信手段とを備え、
移動端末は、
ユーザの車両が走行した経路に基づいて、経路情報を作成する経路情報作成手段と、
経路情報作成手段が作成した経路情報を記憶する経路情報記憶手段と、
基本情報として用いられる地図情報を記憶する基本地図情報記憶手段と、
地図情報送信手段から送信されてくる最新の地図情報を受信する地図情報受信手段と、
経路情報記憶手段が記憶している経路情報に対応する最新の地図情報であってかつ、ユーザに対してまだ提供されていない最新の地図情報を、地図情報受信手段が受信している最新の地図情報の中から抽出する地図情報抽出手段と、
地図情報抽出手段が抽出した最新の地図情報を記憶する更新地図情報記憶手段と、
基本地図情報記憶手段に記憶されている地図情報および更新地図情報記憶手段に記憶されている最新の地図情報を参照して、ユーザが指示した位置付近または車両の現在位置付近の最新の地図情報を作成する情報作成手段と、
情報作成手段が作成した地図情報を表示する表示手段とを備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
移動端末１００は、ユーザが運転する車両の位置を検出して、車両が位置する付近の地図情報を当該ユーザに提示する。更に、移動端末１００は、車両が走行した経路に関する情報を、メモリーカード１１０に経路情報として記録する。経路情報を格納したメモリーカード１１０は、移動端末１００から取り外されて、サーバ１１５に装着される。サーバ１１５は、最新の更新地図情報を蓄積しており、メモリーカード１１０に格納されている経路情報に基づいて、最新の更新地図情報をメモリーカード１１０に記録する。この更新地図情報とは、新たな道路の開通といった地図の変化が反映された地図情報である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
本発明の一実施形態において、更新地図情報記憶部２２０に最新の更新地図情報が記録されるときにサーバ１１５が行う処理の手順を示したフローチャートである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出対象を検出する検出部と、この検出部で検出された信号を処理する回路部品が実装された回路基板と、前記検出部と前記回路基板とを収容する容器と、この容器に充填されて前記検出部と前記回路基板とを固定する充填材とを備えたことを特徴とするセンサ。
【請求項２】
検出対象を検出する検出部と、この検出部で検出された信号を処理する回路部品と、前記検出部と前記回路部品とが実装された回路基板と、前記検出部と１以上の前記回路部品の内の少なくともいずれか１つを覆う軟質樹脂と、この軟質樹脂を覆って設けられた硬質樹脂とを備えたことを特徴とするセンサ。
【請求項３】
検出対象を検出する検出部と、この検出部で検出された信号を処理する回路部品と、前記検出部と前記回路部品とが実装された回路基板と、前記検出部と１以上の前記回路部品の内の少なくともいずれか１つを覆う軟質樹脂と、前記検出部と前記回路基板とを収容した容器と、この容器に充填されて前記検出部及び前記回路基板を固定する硬質樹脂とを備えたことを特徴とするセンサ。
【請求項４】
検出対象を検出する検出部と、この検出部で検出された信号を処理する回路部品が実装された回路基板と、前記検出部と前記回路基板とを収容する容器と、前記検出部と１以上の前記回路部品の内の少なくともいずれか１つを覆う軟質樹脂と、この軟質樹脂を覆って設けられた硬質樹脂とを備えたことを特徴とするセンサ。
【請求項５】
検出対象を検出する検出部と、この検出部で検出された信号を処理する回路部品が実装された回路基板と、前記検出部と前記回路基板とを収容する容器と、前記検出部または１以上の前記回路部品の内の少なくともいずれか１つを覆うカバーと、前記容器に充填されて前記検出部及び前記回路基板を固定する硬質樹脂とを備えたことを特徴とするセンサ。
【請求項６】
前記検出部が、温度と振動と回転速度の内の少なくともいずれか１つを検出することを特徴とする請求項１から請求項５の内のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項７】
回転輪と、固定輪と、転動体とを有する転がり軸受の、前記回転輪または前記固定輪の少なくともいずれか一方またはこれに取り付けられた部材に設けられた収容部に、請求項１から請求項６の内のいずれか１項のセンサを収容したことを特徴とするセンサ付軸受装置。
【請求項８】
前記軟質樹脂の一部は、前記硬質樹脂から露出していることを特徴とする請求項２から請求項４の内のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項９】
前記軟質樹脂は、一部に独立気泡を含有することを特徴とする請求項２から請求項４の内のいずれか１項に記載のセンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、本発明の第２の実施形態について、図３を参照して説明する。図３に示すセンサ付軸受装置３１は、回転輪である内輪３２と、固定輪である外輪３３と、転動体３４を有する転がり軸受の外輪３３に収容部である凹部３５が設けられ、この凹部３５に振動や温度を検出する検出部３６とその検出信号を処理する回路部品３７とを回路基板３８に実装し、充填材である硬質樹脂（一例としてエポキシ樹脂）４１でモールドされてセンサ３９が固定されている。回路基板３８の検出部３６や回路部品３７が取り付けられた部分は、軟質樹脂（一例としてシリコーン樹脂）４０で覆われている。また、図示しない位置で軟質樹脂４０の一部が硬質樹脂４１から露出している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月8日(2005.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】反応器、反応器で使用するためのポンプ及び酸化反応を実施する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
絞りギャップ（１１）を介して熱交換媒体（３）の全流量の２〜３０％、有利には５〜１０％の漏損流が許容される、請求項１から３までのいずれか１項記載の反応器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
前記形式の反応器の通常の構造様式は、一般に円筒状容器からなり、該容器内に触媒チューブの束、即ち複数の触媒チューブが通常鉛直配置で組み込まれている。場合により担体触媒を収容することができる前記の触媒チューブは、それらの端部でチューブ底内に堅固に固定されておりかつ上方端部及び下方端部で容器と結合されたそれぞれ１つのフード内に開口している。これらのフードを介して、触媒チューブを経て流動する反応混合物は供給及び排出される。特にかなりの反応熱を伴う反応においては、熱均衡を補償するために、触媒チューブを包囲するスペースを経て熱交換媒体循環流が導かれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
熱交換媒体循環に関しては、できる限り全ての触媒チューブを均等に反応に関与させるために、反応器の各水平断面において熱交換媒体の十分に均一な温度分布が望ましいことが知られている。例えばＤＥ−Ｂ−３４０９１５９に記載されているように、それぞれ反応器端部に取り付けられかつ多数のジャケット開口を有する外部リング状導管を介する熱の供給又は熱の導出は、温度分布を平坦化にするために役立つ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ＤＥ−Ａ１９８３６７９２．９には、上端部で支承されかつ駆動され、かつ熱交換媒体を下向きに搬送する、垂直なポンプ軸を有するポンプの実証済みの配置で反応混合物と熱交換媒体を並流で導く反応器が記載されており、この場合には、上方環状導管及び下方環状導管にそれぞれ１つの円筒ジャケット状中間壁を配置しかつ熱交換媒体流の偏向のために上方環状導管と下方環状導管の間のスペースを使用することによって、外側の下方環状導管の熱交換媒体は、下方と上方の環状導管の間のスペース内の領域を介して内部の上方導管に、かつ上方導管のジャケット開口を介して触媒チューブを包囲するスペースに供給され、ジャケット開口を介して内側の下方環状導管内にかつ引き続き下方と上方の環状導管の間の領域内のスペースを介して外側上方導管に取り出される。このことは、ポンプによる下向きの熱交換媒体の実証された搬送において、熱交換媒体が下向きに、従って同様に下向きに触媒チューブを経て導かれる反応混合物と並流で触媒チューブの周りを流れることを保証する構造技術的解決手段を提供する。しかしながら、この解決手段は、設計が複雑である反応器の適合、特に上方と下方の環状導管、並びに上方と下方の環状導管の間のスペースの多数のチャンバへの相応する分割を前提とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
斜交羽根車の幾何学的形状は、斜交羽根車ポンプの搬送量及び搬送高さが中間範囲内にあることを可能にするが、それに対して軸流搬送ポンプ及び半径流搬送ポンプは再び極限値を示す、即ち軸流搬送ポンプは小さいポンピングヘッドで大きな搬送量を処理し、一方半径流搬送ポンプは大きなポンピングヘッドを有するが、搬送量は少ない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に基づき漏損通過性であるシールは、熱交換媒体の圧力低下をもたらし、それにより圧力は軸導出部では大気圧に近い。本発明による漏損通過性の絞りギャップにより、ある程度の漏損流が許容され、これは吐出側の熱交換媒体の分流により形成されかつ有利にはポンプの吸込側に再循環せしめられる。有利には、熱交換媒体の全流量の２〜３０％、特に５〜１０％の漏損流が許容される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
有利には、熱交換媒体の分流、特に熱交換媒体の全流量の５〜５０％、有利には１０〜２０％を上方環状導管から取り出し、単数又は複数の外部に位置する熱交換器を介して導きかつ引き続き下方環状導管に新たに供給することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気アセンブリーと組み合わされた遮蔽用カバーであって、
前記電気アセンブリーが、電気接地、前記電気アセンブリーに電気的に接続された少なくとも１つの電子部品、及びこの電子部品の周りに配置され、前記電気接地に電気的に接続され、且つ少なくとも１つの装着面を有する導電性フレームを有し、
前記遮蔽用カバーが、フタ、及び前記導電性フレームの装着面と前記フタとの間に連続的に配置された導電性接着剤を備え、この導電性接着剤が前記フタを前記導電性フレームに装着し、それによって前記電子部品を電磁障害と無線周波数妨害から遮蔽する、遮蔽用カバー。
【請求項２】
前記導電性接着剤が、基材の一方の面から他方の面まで基材の中を通る多数の通路を有する平坦な基材を含んでなり、
前記通路が、前記基材を形成する材料の複数の壁によって画定されており、
前記壁が、導電性金属の連続層で覆われており、
前記層が、前記壁を覆いつつ、前記基材の一方の面から他方の面までの通路を開口したままにし、且つ
前記開口したままにされている通路が接着剤樹脂で満たされており、
それによって前記フタから前記平坦な基材を通って前記導電性フレーム及び電気接地まで電流が流れることを可能にする導電性フィルムが形成されている、
請求項１に記載の遮蔽用カバー。
【請求項３】
前記フタが実質的に平坦である、請求項１に記載の遮蔽用カバー。
【請求項４】
前記フタが金属からなる、請求項１に記載の遮蔽用カバー。
【請求項５】
前記フタが、環境条件に対する抵抗性を高めるための表面処理を有する、請求項４に記載の遮蔽用カバー。
【請求項６】
前記フタが、金属化されていないプラスチック材料から構成されている、請求項１に記載の遮蔽用カバー。
【請求項７】
前記フタが、その１つの面に配置された前記導電性接着剤の連続層を有し、この連続層が、電磁障害と無線周波数妨害の遮蔽を提供し、且つ前記導電性フレームに前記フタを電気的接着によって装着する結合メカニズムを提供する、請求項６に記載の遮蔽用カバー。
【請求項８】
装着面を有するフタ、及びその装着面の少なくとも周囲に配置された導電性接着剤を含んでなり、
前記導電性接着剤が、基材の一方の面から他方の面まで基材の中を通る多数の通路を有する平坦な基材によって画定されており、
前記通路が、前記基材を形成する材料の複数の壁によって画定されており、
前記壁が、導電性金属の連続層で覆われており、
前記層が、前記壁を覆いつつ、前記基材の一方の面から他方の面までの通路を開口したままにし、
前記開口通路が接着剤樹脂で満たされており、
それによって前記フタから平坦な基材を通って前記フレームまで電流が流れることを可能する導電性フィルムが形成されている、
導電性アセンブリー。
【請求項９】
前記フタが金属からなる、請求項８に記載の導電性アセンブリー。
【請求項１０】
前記フタが、環境条件に対する抵抗性を高めるための表面処理を有する、請求項９に記載の導電性アセンブリー。
【請求項１１】
前記フタが、金属化されていないプラスチック材料から構成されている、請求項８に記載の導電性アセンブリー。
【請求項１２】
前記フタが、その１つの面に取り付けられた前記導電性接着剤の連続層を有し、この連続層が、電磁障害と無線周波数妨害の遮蔽を提供し、且つ問題とする対象物に前記導電性アセンブリーを電気的接着によって装着する結合メカニズムを提供する、請求項１１に記載の導電性アセンブリー。
【請求項１３】
少なくとも１つの装着面を有する導電性フレーム、
前記フレームの装着面に取り付けられたフタ、及び
前記フタを前記導電性フレームに取り付けるための、前記導電性フレームの装着面と前記フタとの間に連続的に配置された導電性接着剤、
を含んでなる、電磁障害と無線周波数妨害の遮蔽用アセンブリー。
【請求項１４】
前記フタが金属化されたプラスチック材料からなる、請求項１に記載の遮蔽用カバー。
【請求項１５】
前記フタが金属化されたプラスチック材料からなる、請求項８に記載の導電性アセンブリー。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月14日(2004.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ伝導型の領域に電気的接続を有する発光装置において、
互いに対向する第１及び第２の表面を備えた第１の伝導型の化合物半導体材料による基板領域、前記第１の表面に配置され、前記基板領域から遠い方の表面を含む、第１の伝導型とは逆の型の第２の伝導型の化合物半導体材料によるバッファ領域、及び前記基板領域と前記バッファ領域との間に位置するトンネル接合が含まれている基板構造と、
第１の伝導型の化合物半導体材料による上部領域、第２の伝導型の化合物半導体材料による下部領域、及び前記上部領域と前記下部領域の間の発光領域が含まれており、前記上部領域に前記下部領域から遠い方の表面が含まれていて、前記下部領域が前記バッファ領域の表面に隣接するようにして前記基板構造上に配置されている発光構造と、
前記基板領域の第２の表面に配置された第１の電極と、
前記上部領域の表面に配置された第２の電極とが含まれていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記基板構造は、前記トンネル接合の一方の側に、縮退状態になるようにドープされた、歪み仮像半導体材料の層をさらに含み、該歪み仮像半導体材料は、前記基板領域及び前記バッファ領域の化合物半導体材料よりも狭い禁止帯幅を備えていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
基板領域をなすｎ型化合物半導体材料がＧａＡｓ材料であり、
バッファ領域をなすｐ型化合物半導体材料がＧａＡｓ材料であり、
歪み仮像半導体材料がＩｎＧａＡｓ材料であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
同じ伝導型の領域に対して電気的接続を有する発光装置を製造する方法において、
対向する第１及び第２の表面を含む、第１の伝導型の化合物半導体材料による基板領域を設けるステップ、前記第１の表面に隣接した前記基板領域に、縮退状態になるように第１の伝導型の不純物をドープするステップ、及び前記基板領域の前記第１の表面に、第１の伝導型とは逆の第２の伝導型の不純物をドープした化合物半導体材料の層を被着させて、前記基板領域から遠い方の表面を含むバッファ領域を形成するステップにして、化合物半導体材料の少なくとも前記基板領域に隣接した部分に、縮退状態になるように第２の伝導型の不純物をドープして、前記基板領域と前記バッファ領域の間にトンネル接合を形成するステップを有する基板構造を形成するステップと、
第１の伝導型の化合物半導体材料による上部領域、第２の伝導型の化合物半導体材料による下部領域、及び、前記上部領域と前記下部領域の間に挟まれた発光領域が含まれており、前記上部領域に、前記下部領域から遠い方の表面が含まれていて、前記下部領域が前記バッファ領域の表面と接触するようになっている発光構造を、前記基板構造の前記バッファ領域の表面上に形成するステップと、
前記基板領域の第２の表面に第１の電極を形成するステップと、
前記上部領域の表面に第２の電極を形成するステップを含むことを特徴とする製造方法。
【請求項５】
前記トンネル接合の一方の側に、縮退状態にドープされた、縮小された禁止帯幅を有する歪み仮像半導体材料の層を被着させるステップが含まれることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第１の伝導型の化合物半導体材料による前記基板領域を設けるステップで、半導体材料にＧａＡｓが含まれることと、
第２の伝導型の不純物をドープした化合物半導体材料の層を被着させて、前記バッファ領域を形成するステップで、ＧａＡｓを含む層が被着させられることと、
前記トンネル接合の一方の側に、縮退状態にドープされた歪み仮像半導体材料の層を被着させるステップで、被着させられる歪み仮像半導体材料にＩｎＧａＡｓが含まれることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月14日(2004.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学軸に沿って高輝度単モード光ビームを放射するためのＶＣＳＥＬであって、
光学損失を有する光学空洞であって、伝導性であり逆の伝導モードを有する第１のミラー領域及び第２のミラー領域と、前記第１のミラー領域と前記第２のミラー領域の間に挟まれ、光学軸に対して垂直である面発光領域と、該面発光領域の平面に前記光学空洞の側方限界を形成するための手段とを備える光学空洞、及び
該光学空洞に結合され、前記光学軸からの側方距離が増すのに応じて前記光学空洞の光学損失を漸進的に増大させる損失決定手段を有することを特徴とするＶＣＳＥＬ。
【請求項２】
前記損失決定手段には、屈折、側方拡散、又は、集束ずれによって、前記光学軸からの側方距離が増すのに応じて、前記光学空洞の前記光学損失を漸進的に増大させるための手段が含まれることを特徴とする、請求項１に記載のＶＣＳＥＬ。
【請求項３】
前記損失判定手段には、前記光学軸からの側方距離が増すのに応じて漸進的に増大する反射損失を前記光学空洞の光に加えるための手段が含まれることを特徴とする、請求項１に記載のＶＣＳＥＬ。
【請求項４】
前記発光領域に、量子井戸が１つだけしか含まれないことを特徴とする、請求項１に記載のＶＣＳＥＬ。
【請求項５】
光学軸に沿って高輝度単モード光ビームを放射するためのＶＣＳＥＬであって、
光学損失を有する光学空洞であって、伝導性であり逆の伝導モードを有する第１のミラー領域及び第２のミラー領域と、前記第１のミラー領域と前記第２のミラー領域の間に挟まれ、光学軸に対して垂直である面発光領域と、該面発光領域の平面に前記光学空洞の側方限界を形成するための手段とを備える光学空洞、及び
前記第１のミラー領域の表面上に設けられ、前記発光領域から遠隔であり、前記第１のミラー領域から遠隔となる部分を含み中心がほぼ光学軸に位置する湾曲表面を含む輪郭形成損失制御層を有することを特徴とするＶＣＳＥＬ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インバータ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続した半導体スイッチング素子をオンオフ制御して直流電圧を任意電圧に変換出力するインバータ装置において、
前記下段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第１の駆動回路と、
前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第２の駆動回路と、
前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフするための指令信号を前記直流電圧の負極側から前記第２の駆動回路にエッジ信号により伝送する高耐圧伝送手段と、
前記高耐圧伝送手段を介してオン指令、オフ指令の順に前記第２の駆動回路に信号伝送し、前記第２の駆動回路のオン駆動ラッチ状態を解除する解除手段を備えたことを特徴とするインバータ装置。
【請求項２】
直列接続した半導体スイッチング素子をオンオフ制御して直流電圧を任意電圧に変換出力するインバータ装置において、
前記下段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第１の駆動回路と、
前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第２の駆動回路と、
前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフするための指令信号を前記直流電圧の負極側から前記第２の駆動回路にエッジ信号により伝送する高耐圧伝送手段と、
インバータ動作開始時にまず前記高耐圧伝送手段を介してオン指令、オフ指令の順に前記第２の駆動回路に信号伝送する初期指令発生手段を備えたことを特徴とするインバータ装置。
【請求項３】
直列接続した半導体スイッチング素子をオンオフ制御して直流電圧を任意電圧に変換出力するインバータ装置において、
前記下段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第１の駆動回路と、
前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第２の駆動回路と、
前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフするための指令信号を前記直流電圧の負極側から前記第２の駆動回路にエッジ信号により伝送する高耐圧伝送手段と、
前記第２の駆動回路用の電源コンデンサと、
前記下段側半導体スイッチング素子のオン動作により前記電源コンデンサへの充電を行うブートストラップ回路構成による充電手段と、
通常動作開始前に前記第１の駆動回路に繰り返し短時間オン指令を信号伝送して前記電源コンデンサを充電し、前記第１の駆動回路への各短時間オン指令前には前記高耐圧伝送手段を介してオン指令とオフ指令とをこの順に前記第２の駆動回路に信号伝送する第１の初期充電手段を備えたことを特徴とするインバータ装置。
【請求項４】
直列接続した半導体スイッチング素子をオンオフ制御して直流電圧を任意電圧に変換出力するインバータ装置において、
前記下段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第１の駆動回路と、
前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第２の駆動回路と、
前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフするための指令信号を前記直流電圧の負極側から前記第２の駆動回路にエッジ信号により伝送する高耐圧伝送手段と、
前記第２の駆動回路用の電源コンデンサと、
前記下段側半導体スイッチング素子のオン動作により前記電源コンデンサへの充電を行うブートストラップ回路構成による充電手段と、
通常動作開始前に前記第１の駆動回路にオン指令を信号伝送して前記電源コンデンサを充電し、前記第１の駆動回路へのオン指令前には前記高耐圧伝送手段を介してオン指令とオフ指令とをこの順に前記第２の駆動回路に信号伝送する第２の初期充電手段を備えたことを特徴とするインバータ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のインバータ装置は、直列接続した半導体スイッチング素子をオンオフ制御して直流電圧を任意電圧に変換出力するインバータ装置において、前記下段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第１の駆動回路と、前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第２の駆動回路と、前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフするための指令信号を前記直流電圧の負極側から前記第２の駆動回路にエッジ信号により伝送する高耐圧伝送手段と、前記高耐圧伝送手段を介してオン指令、オフ指令の順に前記第２の駆動回路に信号伝送し、前記第２の駆動回路のオン駆動ラッチ状態を解除する解除手段を備えたことを特徴としている。
また直列接続した半導体スイッチング素子をオンオフ制御して直流電圧を任意電圧に変換出力するインバータ装置において、前記下段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第１の駆動回路と、前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第２の駆動回路と、前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフするための指令信号を前記直流電圧の負極側から前記第２の駆動回路にエッジ信号により伝送する高耐圧伝送手段と、インバータ動作開始時にまず前記高耐圧伝送手段を介してオン指令、オフ指令の順に前記第２の駆動回路に信号伝送する初期指令発生手段を備えたことを特徴としている。
さらには、直列接続した半導体スイッチング素子をオンオフ制御して直流電圧を任意電圧に変換出力するインバータ装置において、前記下段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第１の駆動回路と、前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第２の駆動回路と、前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフするための指令信号を前記直流電圧の負極側から前記第２の駆動回路にエッジ信号により伝送する高耐圧伝送手段と、前記第２の駆動回路用の電源コンデンサと、前記下段側半導体スイッチング素子のオン動作により前記電源コンデンサへの充電を行うブートストラップ回路構成による充電手段と、通常動作開始前に前記第１の駆動回路に繰り返し短時間オン指令を信号伝送して前記電源コンデンサを充電し、前記第１の駆動回路への各短時間オン指令前には前記高耐圧伝送手段を介してオン指令とオフ指令とをこの順に前記第２の駆動回路に信号伝送する第１の初期充電手段を備えたことを特徴としている。
あるいは、直列接続した半導体スイッチング素子をオンオフ制御して直流電圧を任意電圧に変換出力するインバータ装置において、前記下段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第１の駆動回路と、前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフ駆動する第２の駆動回路と、前記上段側半導体スイッチング素子をオンオフするための指令信号を前記直流電圧の負極側から前記第２の駆動回路にエッジ信号により伝送する高耐圧伝送手段と、前記第２の駆動回路用の電源コンデンサと、前記下段側半導体スイッチング素子のオン動作により前記電源コンデンサへの充電を行うブートストラップ回路構成による充電手段と、通常動作開始前に前記第１の駆動回路にオン指令を信号伝送して前記電源コンデンサを充電し、前記第１の駆動回路へのオン指令前には前記高耐圧伝送手段を介してオン指令とオフ指令とをこの順に前記第２の駆動回路に信号伝送する第２の初期充電手段を備えたことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月11日(2004.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）及び水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）を有するビデオ信号のＶＢＩの不可視ライン上で伝送される補助的なデータのシーケンスの回復動作における同期の誤りを修正する方法であって、
前記水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）は、所定の瞬間（ＷＩＮ２）の後に前記データを回復する時間ウィンドウの開始を同期させるのに使用される複数の同期パルス（ｈ，ｈ１，ｈ２，ｈ３）を含み、
Ｈを信号Ｈｓｙｎｃの期間であり、ΔＨをＨよりも短い第１の所定の時間の経過であるとしたとき、Ｈ＋ΔＨに等しい期間の終わりに水平同期パルス（ｈ２）がない場合に、補助的なデータを回復するために時間ウィンドウの開始を同期させるよう人為的なパルス（ｈａ）が発生され、
人為的な同期パルス（ｈａ）は短くされた瞬間（ＷＩＮ１）の後に発生され、短くされた瞬間（ＷＩＮ１）は所定の瞬間（ＷＩＮ２）よりも短く、それにより前記瞬間を回復されるべき補助的なデータのシーケンスの開始と一致するようにすることを特徴とする方法。
【請求項２】
水平同期パルス（ｈ）が検出されると同時に、ΔＨ１が第２の所定の時間の経過であるとすると、Ｈ−ΔＨ１に等しい期間Ｍの間に検出されるべきいかなる信号もマスクする信号（ＳＭ）が発生されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
人為的な同期パルス（ｈａ）が発生する場合、欠けている水平同期パルス（ｈ２）に続く正しい水平同期パルス（ｈ３）をマスクしないよう、マスク信号の持続時間（ＳＭ２）は減少されることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
第２の時間の経過ΔＨ１がΔＨ／２に等しいことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】
期間Ｍの間に少なくとも１つの同期パルスが検出される場合及び、期間Ｈ＋ΔＨの間に同期パルスが検出されない場合は、誤ったラインを示すパルス（ＢＴＬ）が発生されることを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
第１の時間の経過ΔＨは、４マイクロ秒に等しいように選択されることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
複合ビデオベースバンド信号（ＣＶＢＳ）信号を受信し、複合同期信号（Ｃｓｙｎｃ）をディジタル計算ユニット（４）へ供給する閾値検出器（２）を有する、補助的なデータを回復する装置であって、前記ディジタル計算ユニット（４）は、前記複合信号（Ｃｓｙｎｃ）から垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）及び水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）を抽出するよう設計され、前記計算ユニットは、Ｈを水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）の期間であり、ΔＨをＨよりも短い所定の時間経過であるとすると、Ｈ＋ΔＨに等しい期間の間に水平同期パルス（ｈ２）がない場合には、同期パルス（ｈ，ｈ１，ｈ２，ｈ３）及び人為的なパルス（ｈａ）を発生し、
前記ディジタル計算ユニット（４）はまた、少なくとも２つの異なる第１及び第２の瞬間（ＷＩＮ１，ＷＩＮ２）から、探索されたラインに含まれる補助的なデータの回復のための時間ウィンドウの開始の瞬間を選択するよう設計された多重化手段（７）を含み、前記瞬間の選択は同期パルス（ｈ）の有無に従って行われることを特徴とする装置。
【請求項８】
ディジタル計算ユニット（４）は並行に機能する２つのユニット、即ち垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）の抽出を行う第１のユニット（１２）と、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）の抽出を行う第２のユニット（１４）とを有し、前記第１及び第２のユニットの夫々の出力は閾値検出器（２）の出力（Ｓ）に接続され、前記第１及び第２のユニットの夫々の出力は、論理ＡＮＤゲート（１６）の第１の入力（ｅ１）及び第２の入力（ｅ２）に夫々接続されていることを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項９】
第１のユニット（１２）は、閾値検出器（２）の出力（Ｓ）に接続された入力と、第１のカウンタ（８）のゼロ化入力（ＣＬＲ）に接続された出力とを有するディジタル積分器（２０）を有し、前記第１のカウンタ（８）の出力は、ラインデコーダ（２２）を通り、論理ＡＮＤゲート（１６）の第１の入力（ｅ１）に接続されることを特徴とする、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
第２のユニット（１４）は、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）を分離する手段（２４）を有し、前記水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）を分離する手段（２４）は、閾値検出器（２）の出力Ｓに接続された入力と、多重化手段（７）の第１の入力（２８）へ接続された第１の出力（２６）と、一方で第１のカウンタ（８）の入力（３２）に、他方で第２のカウンタ（９）のゼロ化入力（ＣＬＲ）に接続された第２の出力（３０）とを有することを特徴とする、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
第２のカウンタ（９）は、クロックによって供給された周期的なパルスを受信し、多重化手段（７）へ、第１の瞬間（ＷＩＮ１）と補助的なデータを回復するウィンドウの開始の第２の瞬間（ＷＩＮ２）とを夫々示す少なくとも２つのディジタル値を供給することを特徴とする請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
多重化手段（７）は、分離手段（２４）から受信された制御信号と相関的に、第１の瞬間（ＷＩＮ１）を復号化するよう設計された第１のデコーダ（４０）と、第２の瞬間（ＷＩＮ２）を復号化するよう設計された第２のデコーダ（４２）とを有し、前記多重化手段（７）の出力は、論理ＡＮＤゲート（１６）の第２の入力（ｅ２）に接続されていることを特徴とする請求項１１記載の装置。