【手続補正書】
【提出日】平成15年8月21日(2003.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・少なくとも１種のエチレン性不飽和モノマー、
・フリーラジカル源、
・下記一般式（ＩＡ）又は（ＩＢ）の少なくとも１種の化合物（Ｉ）：
【化１】
2004509181.tif 000001
・次式（II）の化合物
【化２】
2004509181.tif 000002
を含む組成物のフリーラジカル重合工程を含む、一次発生ポリマーの製造方法。
［ここで、Ｒ1はアルキル、アシル、アリール、アルアルキル、アルケン若しくはアルキン基、飽和、不飽和若しくは芳香族の炭素環若しくはヘテロ環、又はポリマー鎖から選択される基を表わし、
Ｚ及びＺ1は同一であっても異なっていてもよく、次のもの：
・アルキル、アシル、アリール、アルアルキル、アルケン若しくはアルキン基又は飽和、不飽和若しくは芳香族の炭素環若しくはヘテロ環（これらは置換されていてもよい）；
・基−ＯＲ2
〔ここで、Ｒ2はアルキル、アシル、アリール、アルアルキル、アルケン若しくはアルキン基、飽和、不飽和若しくは芳香族の炭素環若しくはヘテロ環、ポリマー鎖、−ＣＨ2ＣnＦ2n+1（ここで、ｎは１〜２０の範囲である）又は基−ＣＲ5Ｒ6ＰＯ(ＯＲ7)2であり、
ここで、Ｒ5及びＲ6は、それぞれが独立的に水素原子、ハロゲン、アルキル基、ヘテロ環式基、基−ＮＯ2、−ＳＯ3Ｒ8、−ＮＣＯ、ＣＮ、Ｒ8、−ＯＲ8、−ＳＲ8、−ＮＲ82、−ＣＯＯＲ8、Ｏ2ＣＲ8、−ＣＯＮＲ82、−ＮＣＯＲ82若しくはＣnＦ2n+1
｛ここで、ｎは１〜２０の範囲であり、
Ｒ8は同一であっても異なっていてもよく、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルケニル、シクロアルキニル、アリール（これは芳香族若しくは非芳香族ヘテロ環と縮合していてもよい）、アルカリール、アルアルキル及びヘテロアリール基より成る群から選択され、このＲ8は、ハロゲン、＝Ｏ、＝Ｓ、ＯＨ、アルコキシ、ＳＨ、チオアルコキシ、ＮＨ2、モノ−若しくはジアルキルアミノ、ＣＮ、ＣＯＯＨ、エステル、アミド及びＣnＦ2n+1（ここで、ｎは１〜２０の範囲である）から選択される１個以上の同一であっても異なっていてもよい基で置換されていることもでき、且つ／又は、Ｏ、Ｓ、Ｎ及びＰから選択される１個以上の原子で随意に中断されていてもよい｝
であるか、或はＲ5及びＲ6とそれらが結合している炭素原子とが一緒になって基＝Ｏ若しくは＝Ｓ又は炭化水素環若しくはヘテロ環を形成するかのいずれかであり、
Ｒ7は同一であっても異なっていてもよく、上で定義した基Ｒ8を表わすか又は２個のＲ7が一緒になってＣ2〜Ｃ4炭化水素鎖（Ｏ、Ｓ及びＮから選択されるヘテロ原子で随意に中断されていてよい）を形成するかのいずれかである〕；
・基−ＮＲ3Ｒ4
｛ここで、Ｒ3及びＲ4は同一であっても異なっていてもよく、随意に置換されたアルキル、アシル、アリール、アルアルキル、アルケン若しくはアルキン基及び飽和、不飽和若しくは芳香族の炭素環若しくはヘテロ環（これらは置換されていてもよい）から選択されるか、又はＲ3とＲ4とが一緒になって随意に置換された少なくとも５員の環を形成するかのいずれかであり、追加条件として、Ｒ3及びＲ4は窒素原子の電子密度に対して非局在化又は電子求引効果をもたらすものとする｝：
から選択される基を表わし、
ｐは１以上の整数である。］
【請求項２】
化合物（II）の量が化合物（Ｉ）のモル数に対して０．１〜２０モル％の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｚがアルキル、ハロアルキル、フェニル、アルケン及びアルキン基から選択される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
Ｚが−ＯＲ2であり、Ｒ2がアルキル基である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
Ｚが−ＮＲ3Ｒ4であり、Ｒ3及びＲ4が同一であっても異なっていてもよく、アルキル基である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
Ｒ1が置換アルキル基である、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
モノマーに対する化合物（Ｉ）の移動定数が１０より小さい、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
モノマーに対する化合物（Ｉ）の移動定数が１より小さい、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記エチレン性不飽和モノマーが次式：
ＣＸＸ'(＝ＣＶ−ＣＶ')b＝ＣＨ2
（ここで、Ｖ及びＶ'は同一であっても異なっていてもよく、水素原子、アルキル基又はハロゲンを表わし、
Ｘ及びＸ'は同一であっても異なっていてもよく、Ｈ、ハロゲン又は基Ｒ4、ＯＲ4、Ｏ2ＣＯＲ4、ＮＨＣＯＨ、ＯＨ、ＮＨ2、ＮＨＲ4、Ｎ(Ｒ4)2、(Ｒ4)2Ｎ+Ｏ-、ＮＨＣＯＲ4、ＣＯ2Ｈ、ＣＯ2Ｒ4、ＣＮ、ＣＯＮＨ2、ＣＯＮＨＲ4若しくはＣＯＮ(Ｒ4)2を表わし、
ここで、Ｒ4はアルキル、アリール、アルアルキル、アルカリール、アルケン 又はオルガノシリル基から選択され、これらはペルフッ素化されていてもよく、カルボキシ、エポキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、アミノ、ハロゲン又はスルホン基の１個以上で置換されていてもよく、
ｂは０又は１である）
に相当する、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
・次のもの：
・・少なくとも１種のエチレン性不飽和モノマー、
・・フリーラジカル源、
・・請求項１〜９のいずれかに記載の一般式（ＩＡ）又は（ＩＢ）の少なくとも１種の化合物（Ｉ）
を含む組成物を用いる一次発生ポリマーを生成させるための第１のフリーラジカル重合工程；並びに
・各回において次のもの：
・・少なくとも１種のエチレン性不飽和モノマー、
・・フリーラジカル源、及び
・・前の重合工程で得られたポリマー
を含む組成物を用いる（Ｎ−１）回のフリーラジカル重合工程
を含むフリーラジカル重合による、Ｎ次発生ブロックコポリマー（Ｎは２以上である）の製造方法であって、
前記のエチレン性不飽和モノマーが、ある工程において生成されるブロックがその次の工程において生成されるブロックとは性状の点で異なるものとなるようなものであり、
前記の第１の重合工程及び／又はその後の重合工程が請求項１〜９のいずれかに記載の少なくとも１種の式（II）の化合物の存在下で実施される、前記方法。
【請求項１１】
第１の重合を化合物（II）の存在下で実施する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
（Ｎ−１）回の工程の内の少なくとも１つを化合物（II）の存在下で実施する、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
・少なくとも１種のエチレン性不飽和モノマー、
・フリーラジカル源、及び
・前記の一次発生ポリマー
を含む組成物のフリーラジカル重合を含む、二次発生ブロックコポリマーを製造するための、請求項１０〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記エチレン性不飽和モノマーがスチレン又はその誘導体、ジエン類、（メタ）アクリル酸エステル、ビニルニトリル類及びビニルエステル類から選択される、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記の二次発生ブロックコポリマーが次の組合せ：
・ポリスチレン／ポリ（メチルアクリレート）、
・ポリスチレン／ポリ（エチルアクリレート）、
・ポリスチレン／ポリ（ｔ−ブチルアクリレート）、
・ポリ（エチルアクリレート）／ポリ（ビニルアセテート）、
・ポリ（ブチルアクリレート）／ポリ（ビニルアセテート）、
・ポリ（エチルアクリレート）／ポリ（ｔ−ブチルアクリレート）、
・ポリ（ｔ−ブチルアクリレート）／ポリ（ビニルアセテート）、
・ポリ（エチルアクリレート）／ポリ（ブチルアクリレート）、
・ポリ（ブチルアクリレート）／ポリ（ビニルアルコール）,
・ポリ（アクリル酸）／ポリ（ビニルアルコール）
から選択される２つのブロックを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記の二次発生コポリマーがエチレン性不飽和モノマーの混合物を用いて得られるランダムポリマーか成る少なくとも１つのブロックを含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
１つの具体例に従えば、開始剤の使用量は、ラジカルの発生量が化合物（Ｉ）の量に対してせいぜい５０モル％、好ましくはせいぜい２０モル％となるように決定される。