【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気テープ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記スピンバルブ膜は、濃度０．１mol／LのＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔V vs SHE〕以上であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】
上記スピンバルブ膜を構成する上記反強磁性層、上記磁化固定層、上記磁化自由層、上記非磁性層の各単層膜が、それぞれ濃度０．１mol／LのＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔V vs SHE〕以上であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項３】
上記非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ１），ａ１（ａ１は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ１＜１００であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】
上記非磁性層は、Ａｕからなることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項５】
上記非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ３），ａ３（ａ３は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ３≦２５であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項６】
上記非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ４），ａ４（ａ４は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ４≦２０であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項７】
上記非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ５），ａ５（ａ５は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ５≦１５であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項８】
上記非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ６），ａ６（ａ６は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ６≦５０であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項９】
上記非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ７），ａ７（ａ７は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ７≦２０であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項１０】
上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
ド。
【請求項１１】
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項１０記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項１２】
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項１０記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項１３】
回転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式により磁気テープと摺動しながら磁気信号の検出を行うことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項１４】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ１），ａ１（ａ１は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ１＜１００であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項１５】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性層は、Ａｕからなり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項１６】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ３），ａ３（ａ３は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ３≦２５であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項１７】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ４），ａ４（ａ４は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ４≦２０であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項１８】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ５），ａ５（ａ５は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ５≦１５であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項１９】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ６），ａ６（ａ６は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ６≦５０であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２０】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ７），ａ７（ａ７は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ７≦２０であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２１】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２２】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２３】
回転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式により磁気テープと摺動しながら磁気信号の検出を行うことを特徴とする請求項１４から２２のうち何れか一項記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２４】
磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
上記スピンバルブ膜は、濃度０．１mol／LのＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔V vs SHE〕以上であることを特徴とする磁気テープ装置。
【請求項２５】
上記スピンバルブ膜を構成する上記反強磁性層、上記磁化固定層、上記磁化自由層、上記非磁性層の各単層膜が、それぞれ濃度０．１mol／LのＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔V vs SHE〕以上であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
【請求項２６】
上記非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ１），ａ１（ａ１は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ１＜１００であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
【請求項２７】
上記非磁性層は、Ａｕからなることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
【請求項２８】
上記非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ３），ａ３（ａ３は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ３≦２５であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
【請求項２９】
上記非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ４），ａ４（ａ４は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ４≦２０であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
【請求項３０】
上記非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ５），ａ５（ａ５は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ５≦１５であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
【請求項３１】
上記非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ６），ａ６（ａ６は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ６≦５０であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
【請求項３２】
上記非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ７），ａ７（ａ７は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ７≦２０であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
【請求項３３】
上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
ド。
【請求項３４】
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項３３記載の磁気テープ装置。
【請求項３５】
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする請求項３３記載の磁気テープ装置。
【請求項３６】
回転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式により磁気テープと摺動しながら磁気信号の検出を行うことを特徴とする請求項２４記載の磁気テープ装置。
【請求項３７】
磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
上記非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ１），ａ１（ａ１は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ１＜１００であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
【請求項３８】
磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
上記非磁性層は、Ａｕからなり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
【請求項３９】
磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
上記非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ３），ａ３（ａ３は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ３≦２５であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
【請求項４０】
磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
上記非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ４），ａ４（ａ４は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ４≦２０であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
【請求項４１】
磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
上記非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ５），ａ５（ａ５は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ５≦１５であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
【請求項４２】
磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
上記非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ６），ａ６（ａ６は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ６≦５０であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
【請求項４３】
磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
上記非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ７），ａ７（ａ７は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ７≦２０であり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
【請求項４４】
磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
【請求項４５】
磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、
上記非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、
上記磁化固定層及び上記磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴とする磁気テープ装置。
【請求項４６】
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、回転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式により上記磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行うことを特徴とする請求項３７から４５のうち何れか一項記載の磁気テープ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子としてスピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、並びにそのような磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いて磁気テープに対する信号の再生動作を行う磁気テープ装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
そこで、本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、優れた耐食性を示し且つ高い磁気抵抗変化率を維持したスピンバルブ膜を備えることによって、磁気録媒体に対する適切な再生動作を行うことを可能とした磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気テープ装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、スピンバルブ膜は、濃度０．１mol／LのＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔V vs SHE〕以上であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ１），ａ１（ａ１は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ１＜１００であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、Ａｕからなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ３），ａ３（ａ３は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ３≦２５であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ４），ａ４（ａ４は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ４≦２０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ５），ａ５（ａ５は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ５≦１５であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ６），ａ６（ａ６は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ６≦５０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ７），ａ７（ａ７は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ７≦２０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、スピンバルブ膜は、濃度０．１mol／LのＮａＣｌ溶液中に液浸されたときに測定される標準水素電極に対する腐食電位が、＋０．４〔V vs SHE〕以上であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕからなり、Ｃｕ，Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ１），ａ１（ａ１は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ１＜１００であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、Ａｕからなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＰｄからなり、Ｃｕ，Ｐｄの組成比を、それぞれ（１００−ａ３），ａ３（ａ３は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ３≦２５であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＰｔからなり、Ｃｕ，Ｐｔの組成比を、それぞれ（１００−ａ４），ａ４（ａ４は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、５≦ａ４≦２０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＲｕからなり、Ｃｕ，Ｒｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ５），ａ５（ａ５は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、３≦ａ５≦１５であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＮｉからなり、Ｃｕ，Ｎｉとの組成比を、それぞれ（１００−ａ６），ａ６（ａ６は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２５≦ａ６≦５０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＲｈからなり、Ｃｕ，Ｒｈの組成比を、それぞれ（１００−ａ７），ａ７（ａ７は、原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、７≦ａ７≦２０であり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、０≦ｂ≦３５，６０≦ｃ≦９５，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
また、本発明に係る磁気テープ装置は、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、反強磁性層と、この反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、これら磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有するスピンバルブ膜を備え、非磁性層は、ＣｕＡｕ、Ａｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＲｕ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｈの何れかにより形成されてなり、磁化固定層及び磁化自由層は、ＣｏＮｉＦｅからなり、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの組成比を、それぞれｂ，ｃ，ｄ（ｂ，ｃ，ｄは、それぞれ原子％を表す。）としたときに、その組成範囲が、２０≦ｂ≦７５，１５≦ｃ≦４０，５≦ｄ≦４０（ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００原子％）であることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気テープ装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
図２２に示した高い耐食性の示すＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅのうち、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅの組成範囲が、０≦ｂ≦３５、６０≦ｃ≦９５、５≦ｄ≦４０となる、すなわちＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの組成比が、図２３中、点Ａ（Ｃｏ＝０原子％、Ｎｉ＝９５原子％、Ｆｅ＝５原子％）、点Ｂ（Ｃｏ＝０原子％、Ｎｉ＝６０原子％、Ｆｅ＝４０原子％）、点Ｉ（Ｃｏ＝３５原子％、Ｎｉ＝６０原子％、Ｆｅ＝５原子％）の３点で囲まれた領域、又は、ＣｏＮｉＦｅのうち、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅの組成範囲が、２０≦ｂ≦７５、１５≦ｃ≦４０、５≦ｄ≦４０となる、すなわちＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの組成比が、図２３中、点Ｃ（Ｃｏ＝４５原子％、Ｎｉ＝１５原子％、Ｆｅ＝４０原子％）、点Ｄ（Ｃｏ＝７５原子％、Ｎｉ＝１５原子％、Ｆｅ＝１０原子％）、点Ｅ（Ｃｏ＝７５原子％、Ｎｉ＝２０原子％、Ｆｅ＝５原子％）、点Ｊ（Ｃｏ＝６５原子％、Ｎｉ＝３０原子％、Ｆｅ＝５原子％）、点Ｇ（Ｃｏ＝２０原子％、Ｎｉ＝４０原子％、Ｆｅ＝４０原子％）の６点で囲まれた実線の範囲内にあれば磁歪が＋１．０×１０−５以下となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
上述した耐食性と磁歪の検討結果から、ＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅの組成範囲が０≦ｂ≦３５、６０≦ｃ≦９５、５≦ｄ≦４０、又は、ＣｏＮｉＦｅの組成範囲が２０≦ｂ≦７５、１５≦ｃ≦４０、５≦ｄ≦４０であれば、耐食性に優れ、かつ磁歪が小さくノイズの低減化を図ることが可能である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明では、スピンバルブ膜の標準水素電極に対する腐食電位を特定し、優れた耐食性を示し、かつ高い磁気抵抗変化率を維持することによって、磁気記録媒体と摺接される面に保護膜を形成しない場合においても、高温高湿下や海水雰囲気中等の厳しい使用条件下においても腐食の発生を防止することが可能であり、磁気記録媒体に対する適切な再生動作を行うことが可能である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
また、本発明では、スピンバルブ膜を構成する各層の材料及びその組成を適切に選定することによって、腐食の発生を回避すると共に、優れた耐食性を得ることが可能である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
また、本発明では、スピンバルブ膜を構成する磁化固定層及び磁化自由層の材料組成を適切に選定することによって、ノイズの低減化を図ることが可能である。