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【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室とガス供給路とを仕切る抵抗板にガスを通過させる複数の流路を設け、上記流路の途中に設けた絞り部を通過するガスの流速が、流路出口から噴出する際の抵抗板法線方向へのガス流速より速くなるように流路を構成し、上記抵抗板を介して被加工物であるウエハにガスを供給しながら処理することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】
反応室とガス供給路とを仕切る抵抗板にガスを通過させる複数の流路を設け、上記流路の途中に設けた絞り部の断面積が、流路出口断面積より小さくなるように流路を構成し、上記抵抗板を介して被加工物であるウエハにガスを供給しながら処理することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体製造方法において、二枚の板を重ね合わせることによって形成した隙間を上記絞り部として用いることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項４】
反応室とガス供給路とを仕切る抵抗板にガスを通過させる複数の流路を設け、上記流路の途中に設けた絞り部を通過するガスの流速が、流路出口から噴出する際の抵抗板法線方向へのガス流速より速くなるように流路を構成し、上記抵抗板を介して被加工物であるウエハにガスを供給しながら処理することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
反応室とガス供給路とを仕切る抵抗板にガスを通過させる複数の流路を設け、上記流路の途中に設けた絞り部の断面積が、流路出口断面積より小さくなるように流路を構成し、上記抵抗板を介して被加工物であるウエハにガスを供給しながら処理することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
請求項４又は５記載の半導体製造装置において、二枚の板を重ね合わせることによって形成した隙間を上記絞り部として用いることを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一導電型の半導体基板の所定領域に形成された、前記半導体基板と逆導電型の第１のウェル領域と、
前記第１のウェル領域に覆われるように前記第１のウェル領域の表面領域に形成された、前記第１のウェル領域と逆導電型の第２のウェル領域とを備えた半導体装置であって、
前記第２のウェル領域上に第１の絶縁膜を介して形成された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜の両側における前記第２のウェル領域の表面領域に形成された一対の第１の不純物拡散層とを有し、
前記第１の不純物拡散層の一方及び前記第２のウェル領域を貫通し前記第１のウェル領域に達する開孔部が形成されており、
前記開孔部の内壁面を覆うように形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜を介して前記開孔部に充填された第２の導電膜と、
前記誘電体膜を介して前記第２の導電膜と対向する前記第１及び第２のウェル領域とからキャパシタが構成され、
前記第１の不純物拡散層の一方及び前記第２の導電膜上を覆うように第３の導電膜が形成されて、前記第１の不純物拡散層の一方と前記第２の導電膜とが接続されており、
前記第２のウェル領域の側面から下面にかけての領域が前記第１のウェル領域によって覆われ、前記第１のウェル領域と前記第２のウェル領域が電気的に分離されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１のウェル領域に印加される電位と前記第２のウェル領域に印加される電位が異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のウェル領域に印加される電位と前記半導体基板に印加される電位が異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のウェル領域の一部が前記第１のウェル領域を貫通して前記半導体基板と接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２のウェル領域の下層に前記第２のウェル領域と同じ導電型で前記第２のウェル領域よりも不純物濃度が高い第２の不純物拡散層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１のウェル領域は上層に比して下層の不純物濃度が高く形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記開孔部が貫通する前記第１の不純物拡散層の一方と前記第１のウェル領域の間に前記開孔部に形成された前記誘電体膜を囲むように前記第２のウェル領域と同じ導電型の第３の不純物拡散層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体基板はシリコン単結晶基板であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、一導電型の半導体基板の所定領域に形成された、前記半導体基板と逆導電型の第１のウェル領域と、前記第１のウェル領域に覆われるように前記第１のウェル領域の表面領域に形成された、前記第１のウェル領域と逆導電型の第２のウェル領域とを備えた半導体装置であって、前記第２のウェル領域上に第１の絶縁膜を介して形成された第１の導電膜と、前記第１の導電膜の両側における前記第２のウェル領域の表面領域に形成された一対の第１の不純物拡散層とを有し、前記第１の不純物拡散層の一方及び前記第２のウェル領域を貫通し前記第１のウェル領域に達する開孔部が形成されており、前記開孔部の内壁面を覆うように形成された誘電体膜と、前記誘電体膜を介して前記開孔部に充填された第２の導電膜と、前記誘電体膜を介して前記第２の導電膜と対向する前記第１及び第２のウェル領域とからキャパシタが構成され、前記第１の不純物拡散層の一方及び前記第２の導電膜上を覆うように第３の導電膜が形成されて、前記第１の不純物拡散層の一方と前記第２の導電膜とが接続されており、前記第２のウェル領域の側面から下面にかけての領域が前記第１のウェル領域によって覆われ、前記第１のウェル領域と前記第２のウェル領域が電気的に分離されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌもしくはＡｌを含む材料からなる第１の導電膜と、
上記第１の導電膜上に形成されたＴｉを含まない材料からなる第１のバリアメタル膜と、
上記第１のバリアメタル膜上に形成された層間絶縁膜と、
上記第１のバリアメタル膜が露出するように上記層間絶縁膜に形成された開口部と、
上記開口部を埋めるように設けられ、上記第１の導電膜と同じ材料からなり、第１のバリアメタル層と直接コンタクトされる埋め込み層及びこの埋め込み層上に設けられた配線膜とから構成される第２の導電膜と
を具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１のバリアメタル膜がＷ膜、Ｎｂ膜、Ｔａ膜のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の導電膜の下層には第２のバリアメタル膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のバリアメタル膜が、Ｔｉ膜及びその上に形成されたＴｉＮ膜からなる積層膜で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２のバリアメタル膜がＷ、Ｎｂ、Ｔａのうちのいずれか１つからなる膜であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
少なくとも前記第１のバリアメタル膜上にさらに絶縁膜が形成され、前記開口部はこの絶縁膜を貫通して形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁膜がＳｉＮ膜であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁膜がＳｉＯ2 膜であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板上にＡｌもしくはＡｌを含む材料からなる第１の導電膜を形成する工程と、
上記第１の導電膜上にＴｉを含まない材料からなる第１のバリアメタル膜を形成する工程と、
上記第１の導電膜及び第１のバリアメタル膜からなる積層膜を所望の形状にパターニングして第１の配線を形成する工程と、
全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
選択エッチング法により上記層間絶縁膜に上記第１のバリアメタル膜が露出するような開口部を形成する工程と、
上記開口部を埋めて上記第１の配線と同じ材料からなり、第１のバリアメタル膜と直接コンタクトされる埋め込み層及びこの埋め込み層上に配線膜を設けて第２の配線を形成する工程
とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のバリアメタル膜はＷ、Ｎｂ、Ｔａのいずれかを堆積して形成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の導電膜を形成する工程の前に、前記半導体基板上に第２のバリアメタル膜を形成する工程をさらに具備したことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２のバリアメタル膜を形成する工程は、
Ｔｉ膜を形成する工程と、
このＴｉ膜上にＴｉＮ膜を形成する工程とからなることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２のバリアメタル膜はＷ、Ｎｂ、Ｔａのうちのいずれか１つからなるを堆積して形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の配線を形成する工程が、
選択成長法により前記開口部内に成長させて埋め込み層を形成する工程と、
全面に第２の導電膜を形成する工程と、
上記第２の導電膜をパターニングする工程
とを有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１のバリアメタル膜を形成する工程の後に前記第１のバリアメタル膜上に絶縁膜を形成する工程をさらに具備し、
前記開口部を形成する際に前記開口部はこの絶縁膜を貫通するように形成されることを特徴とする請求項９ないし１４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁膜はＳｉＮを堆積して形成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁膜はＳｉＯ2 を堆積して形成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体装置は、ＡｌもしくはＡｌを含む材料からなる第１の導電膜と、上記第１の導電膜上に形成されたＴｉを含まない材料からなる第１のバリアメタル膜と、上記第１のバリアメタル膜上を含む全面に形成された層間絶縁膜と、上記第１のバリアメタル膜が露出するように上記層間絶縁膜に形成された開口部と、上記開口部を埋めるように設けられ、上記第１の導電膜と同じ材料からなり、第１のバリアメタル層と直接コンタクトされる埋め込み層及びこの埋め込み層上に設けられた配線膜とから構成される第２の導電膜とを具備したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による半導体装置の製造方法は、半導体基板上にＡｌもしくはＡｌを含む材料からなる第１の導電膜を形成する工程と、上記第１の導電膜上にＴｉを含まない材料からなる第１のバリアメタル膜を形成する工程と、上記第１の導電膜及び第１のバリアメタル膜からなる積層膜を所望の形状にパターニングして第１の配線を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、選択エッチング法により上記層間絶縁膜に上記第１のバリアメタル膜が露出するような開口部を形成する工程と、上記開口部を埋めて上記第１の配線と同じ材料からなり、第１のバリアメタル層と直接コンタクトされる埋め込み層及びこの埋め込み層上に設けられた配線膜とから構成される第２の配線を形成する工程とを具備したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記少なくとも１つの出力データは２以上の所定数の出力データを含み、前記少なくとも１つの期待値データは所定数の期待値データを含み、
前記比較回路は、前記所定数の出力データと前記所定数の期待値データとをそれぞれ比較して、不一致が１つでも存在すると故障を指示する前記比較結果データを出力する、
請求項１記載の半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
テストモード時に比較制御信号ＣＭＰを“１”にするとテスト有効状態となり、入力データＤと期待値データＥＸＰとが比較され、両者が一致した場合、ＥＸ−ＯＲゲート２０２の出力が“０”となりコンパレータ２０１の出力である比較結果データが“１”となるため、Ｄ−ＦＦ２０７のラッチデータが保持される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一方、両者が不一致の場合、ＥＸ−ＯＲゲート２０２の出力が“１”となりコンパレータ２０１の出力が“０”となるため、Ｄ−ＦＦ２０７には強制的に“０”がラッチされる（リセットされる）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図４４は、従来のテスト回路付きＲＡＭの構成を示す回路図である（ＲＡＭのデータ出力ＤＯ＜０＞〜ＤＯ＜４＞に接続される回路のみを示している）。図４４に示すように、テスト回路２１６は、各々が図４３で示した回路構成のスキャン・フリップフロップＳＦＦ＜０＞〜ＳＦＦ＜４＞を５個直列接続してＲＡＭテスト用のスキャンパスを有している。以下、スキャン・フリップフロップＳＦＦ＜＞を単にＳＦＦ＜＞と略する場合がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、請求項１０記載の半導体集積回路装置において、前記少なくとも１つの出力データは２以上の所定数の出力データを含み、前記少なくとも１つの期待値データは所定数の期待値データを含み、前記比較回路は、前記所定数の出力データと前記所定数の期待値データとをそれぞれ比較して、不一致が１つでも存在すると故障を指示する前記比較結果データを出力している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
テストモード時に比較制御信号ＣＭＰを“１”にするとテスト有効状態となり、入力データＤ０と期待値データＥＸＰとが比較され、両者が一致した場合、ＥＸ−ＯＲゲート２２の出力である比較結果データが“０”となりコンパレータ２１の出力が“１”となる。そして、シリアル入力ＳＩとＤ−ＦＦ２７のＱ出力（ラッチデータ）とのＡＮＤ演算結果がＤ−ＦＦ２７のＤ入力に帰還する。一方、両者が不一致の場合、ＥＸ−ＯＲゲート２２の出力が“１”となり比較結果データが“０”となるため、Ｄ−ＦＦ２７には強制的に“０”がラッチされる（リセットされる）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
そして、ＯＲゲート２１５の出力がデータ入力ＤＩ＜０＞に付与され、セレクタ２３４〜２３６の出力がデータ入力ＤＩ＜１＞〜ＤＩ＜３＞に付与され、冗長データ出力ＸＤＯ＜３＞がそのままデータ入力ＤＩ＜４＞に付与される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３４】
そして、カラム選択信号ＣＳＬ＜０＞〜ＣＳＬ＜１５＞のうち一のカラム選択信号ＣＳＬ＜ｍ＞によって活性状態とされた４つのセンスアンプＳＡ（4*m）〜ＳＡ（4*m＋３）の増幅出力がローカル入出力線ＬＩＯ０〜ＬＩＯ３におけるローカル入出に与えられる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７６】
さらに、実施の形態１２のＳ−ＦＦ９Ａは、図４３で示した従来のＳ−ＦＦ２００と比較しても、その回路構成要素（論理ゲートが２個、セレクタが１個、Ｄ−ＦＦが１個）を減少させて実現できるという効果を奏する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９３】
また、セレクタＳＥＬＰ＜０＞及びＳＥＬＰ＜１＞並びにフリップフロップＦＦＰ＜０＞及びＦＦＰ＜１＞を追加して、出力Ｐ＜０＞及び出力Ｐ＜１＞のみをフェイルビットマップ情報用の出力とすることにより、テスト回路１９はテスト回路１８に比べ外部のテスト装置と接続する信号数を８→２に減少させることができるため、テストコストの削減を図ることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ディスク基板は、かかる成形特性に着目して、図７に示した成形金型１２０によってセンタ穴１０１がその内周壁の面精度を少なくとも位置決め用ボール１１０が相対係合する装着基準面１０２ａから０．６ｍｍ以下の部位において要求仕様に適合されて成形される。成形金型１２０は、固定金型１２１と、この固定固定金型１２１に相対向して配置されるとともに接離動作される可動金型１２２とから構成されている。成形金型１２０は、固定金型１２１が図示しない取付ボルト等を介して固定金型ブロック１２３に取り付けられるとともに、可動金型１２２が図示しない取付ボルト等を介して可動金型ブロック１２４に取り付けられる。成形金型１２０は、固定金型１２１と可動金型１２２との相対する主面にそれぞれキャビティ構成部が形成されており、型締め状態においてディスク基板２の成形空間部であるキャビティ１２５が構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
固定金型１２１には、キャビティ１２５の中心に位置してスプルブッシュ１２６が組み付けられている。スプルブッシュ１２６には、後述する可動金型１２２側のセンタパンチ１２８によって打ち抜き除去されるディスク基板のセンタ穴１０１に対応する部位に開口するノズル１２７が設けられている。ノズル１２７は、射出成形機側から射出供給される溶融された合成樹脂材料、例えば透明なポリカーボネート樹脂をキャビティ１２５内に射出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この目的を達成する本発明にかかる円盤状記録媒体は、合成樹脂を素材として成形金型によってディスク基板が成形されるとともに、記録／再生装置に装填されるとマグネットチャッキング手段によりディスク基板に取り付けたクランピングプレートがチャッキングされかつ位置決め手段が係合するセンタ穴で回転中心を位置決めされた状態でディスク駆動機構によって回転駆動されて情報信号等の記録／再生が行われる。円盤状記録媒体は、合成樹脂を素材として成形金型によって成形され先端部を予めキャビティ内に突出させたセンタパンチによって中心部に回転中心を構成するセンタ穴が打抜き形成されてなるディスク基板と、金属板を素材として外周部に取付フランジ部が折曲形成されることにより全体略浅皿状に形成されディスク基板のセンタ穴を囲む中央領域に形成された凹陥部内に取り付けられたクランピングプレートとを備える。円盤状記録媒体は、凹陥部のクランピングプレート取付面側のセンタ穴の開口縁に沿ってクランピングプレートの取付フランジ部よりも小径とされてその内周面を係止する環状の係止凸部が一体に形成されてなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
光磁気ディスク１は、上述したようにセンタ穴４が装着基準面５ｃから少なくとも０．６ｍｍまでの部位の内周壁が凹凸を１０μｍｐｐ程度と高面精度を以って形成されている。一方、ディスクテーブル１０は、この光磁気ディスク１のセンタ穴４に対して位置決め用ボール１５が軸方向に上限０．６ｍｍ以上の位置に圧接しないように構成されている。したがって、光磁気ディスク１は、センタ穴４の内周壁面に何らかの原因によって凹部が生じ、この凹部に位置決め用ボール１５が係合しても、回転中心が大きく偏芯することも無く、ディスクテーブル１０上に正確に位置決めされてマグネットチャックされる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に独立したフローティングゲートを有し、このフローティングゲートに蓄積される電荷の量に応じてオン抵抗値を変化させるメモリセルトランジスタと、上記メモリセルトランジスタに書き込み電流を供給してフローティングゲートへ電荷を注入させる書き込み制御回路と、上記メモリセルトランジスタに読み出し電流を供給する読み出し制御回路と、上記読み出し制御回路に対して上記メモリセルトランジスタと並列に接続され、書き込みデータの内容に応じて電流容量を変化させる電流制限回路と、を備え、上記読み出し制御回路から上記メモリセルトランジスタへ流れる電流と上記電流制限回路へ流れる電流との和が所定の量に達するまで、上記書き込み回路からの書き込み電流の供給と上記読み出し制御回路からの読み出し電流の供給とを交互に繰り返すことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
【請求項２】
上記電流制限回路は、一定の電流容量を有し、それぞれ上記読み出し制御回路に並列に接続される複数の電流制御トランジスタを含み、上記複数の電流制御トランジスタが上記書き込みデータの内容に応じて選択的にオンすることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
【請求項３】
上記電流制限回路は、上記読み出し制御回路に接続され、ゲート・ソース間に印加される電位差に応じて電流容量を変化させる電流制御トランジスタを含み、上記書き込みデータの内容に応じた電位差が上記電流制御トランジスタのゲート・ソース間に与えられることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
【請求項４】
上記メモリセルトランジスタと同一の構造を成し、上記メモリセルトランジスタと並列に接続されるダミーセルトランジスタと、上記読み出し制御回路から上記メモリセルトランジスタ及び上記電流制限回路へ読み出し電流を流したときに上記メモリセルトランジスタの接続されたビット線側に生じる電位変動を、上記読み出し制御回路から上記ダミーセルトランジスタへ読み出し電流を流したときに上記ダミーセルトランジスタの接続されたビット線側に生じる電位変動と比較する比較回路と、をさらに備え、上記比較回路の比較結果に応答して、上記書き込み回路からの書き込み電流の供給及び上記読み出し制御回路からの読み出し電流の供給の繰り返しを停止することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月17日(2005.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶するメモリセルと、
マスタラッチ回路のみを有する第１のデータ記憶手段と、
マスタラッチ回路とスレーブラッチ回路を有する第２のデータ記憶手段と、
前記メモリセルと前記第１のデータ記憶手段及び第２のデータ記憶手段との接続関係を設定された条件に従って選択することにより、前記メモリセルから同時に読み出した２つのデータのうち、先に出力することが必要とされるデータを前記第１のデータ記憶手段に出力し、この第１のデータ記憶手段からのデータ出力の後に出力することが必要とされるデータを第２のデータ記憶手段に出力するデータバス制御手段と、
前記第１のデータ記憶手段及び第２のデータ記憶手段に記憶されたデータを順次出力するマルチプレクサ手段と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
データを記憶するメモリセルと、
第１のレジスタ回路を有する第１のデータ記憶手段と、
前記第１のレジスタ回路の電流駆動力よりも小さい電流駆動力を有する第２のレジスタ回路を有する第２のデータ記憶手段と、
前記メモリセルと前記第１のデータ記憶手段及び第２のデータ記憶手段との接続関係を設定された条件に従って選択することにより、前記メモリセルから同時に読み出した２つのデータのうち、先に出力することが必要とされるデータを前記第１のデータ記憶手段に出力し、この第１のデータ記憶手段からのデータ出力の後に出力することが必要とされるデータを第２のデータ記憶手段に出力するデータバス制御手段と、
前記第１のデータ記憶手段及び第２のデータ記憶手段に記憶されたデータを順次出力するマルチプレクサ手段と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
データを記憶するメモリセルと、
動作タイミングを制御するクロック信号のサイクルの始まりに入力されたデータを前記サイクルの前半の期間中、記憶するラッチ回路を有する第１のデータ記憶手段と、
前記クロック信号のサイクルの始まりに入力された前記データを前記サイクルの全期間中、記憶するレジスタ回路を有する第２のデータ記憶手段と、
前記メモリセルから同時に読み出した２つのデータのうち、先に出力することが必要とされるデータを前記第１のデータ記憶手段に出力し、この第１のデータ記憶手段からのデータ出力の後に出力することが必要とされるデータを第２のデータ記憶手段に出力するデータバス制御手段と、
前記クロック信号の一サイクルのうち、前半の期間では前記第１のデータ記憶手段に記憶されたデータを選択して出力し、後半の期間では前記第２のデータ記憶手段に記憶されたデータを選択して出力するマルチプレクサ手段と、
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第２のデータ記憶手段は、前記第１のデータ記憶手段の電流駆動力よりも小さい電流駆動力を有することを特徴とする請求項１または３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記第１のデータ記憶手段と前記マルチプレクサ手段との間に設けられた第１のバッファ手段と、
前記第２のデータ記憶手段と前記マルチプレクサ手段との間に設けられた第２のバッファ手段をさらに具備し、
前記第１のバッファ手段の最終段の回路サイズと前記第２のバッファ手段の最終段の回路サイズとが等しく設定されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記第２のバッファ増幅回路は、直列接続された多段のバッファを有していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記マルチプレクサ手段は、読み出しの動作タイミングを制御するクロック信号の一サイクルのうち、前半の期間では前記第１のデータ記憶手段に記憶されたデータを選択して出力し、後半の期間では前記第２のデータ記憶手段に記憶されたデータを選択して出力することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
外部よりメモリセルを選択するための第１のアドレス信号を受け取り、前記第１のアドレス信号を一時的に記憶するアドレスレジスタと、
外部より前記第１のアドレス信号を受け取り、定められた規則に従って前記第１のアドレス信号に基づいてメモリセルを選択するための第２のアドレス信号を自己生成するバーストカウンタと、
前記アドレスレジスタから出力される前記第１のアドレス信号と前記バーストカウンタにより生成される前記第２のアドレス信号の各々の信号に基づいて選択された２つのメモリセルのデータを読み出し、前記データバス制御手段に出力するセンスアンプをさらに具備することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記半導体記憶装置の周辺部に分散して配置され、前記マルチプレクサ手段からの出力信号を外部に出力する外部出力端子と、
前記半導体記憶装置の中央部に配置され、前記第１のデータ記憶手段及び第２のデータ記憶手段の動作タイミングを制御するクロック信号を発生するクロック信号発生回路をさらに具備し、
前記第１のデータ記憶手段及び第２のデータ記憶手段は前記外部出力端子の近傍に配置されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体基板を含む複数の被処理基体群を半導体製造装置を用いて一群ずつ処理する方法であって、前記方法は、
順次処理される少なくとも第１及び第２の被処理基体群を含む前記複数の被処理基体群を用意し、
前記第１及び第２の被処理基体群の処理タイプに基づいて、前記第２の被処理基体群を処理する前に前記半導体製造装置に対して所定の措置を施す必要があるか否かを判断し、
所定の措置を施す必要がない場合、前記所定の措置を施さずに前記第２の被処理基体群を処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
半導体基板を含む複数の被処理基体群を半導体製造装置を用いて一群ずつ処理する方法であって、前記方法は、
複数の被処理基体群を用意し、
最初の被処理基体群の後に処理する、残りの被処理基体群のうち、前記最初の被処理基体群の処理が終了した後に、前記半導体製造装置に対して所定の措置を施さずに処理を行える少なくとも１つの被処理基体群を抽出し、この抽出した被処理基体群を前記最初の被処理基体群の後に処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（実施例２）
表面が（１００）面であるＰ型シリコン結晶基板を、5%以下の酸素雰囲気中で900℃に加熱し、前記シリコン結晶基板表面に平均膜厚が13.5nmとなるように酸化膜を形成した。この時、平均の表面粗さは0.36nm、酸化膜とシリコン結晶基板間の界面の平均粗さは0.45nmであった。実施例１と同様にして、この酸化膜を形成したシリコン結晶基板表面に極浅い角度で照射した赤外線の反射光を分光し、50cm-1以上4000cm-1以下の範囲で吸収スペクトルを測定したところ、波数が1750cm-1以上2400cm-1以下の範囲に、図３に示すような吸収特性を得た。この領域の赤外線吸収の原因と帰属は、実施例１と同様な量子化学計算解析や分析解析手法で解明を繰り返し行った結果、上記波数領域の吸収は、シリコン酸化物中およびシリコン酸化膜とシリコン結晶の界面付近に存在するシリコン原子に属する電子で他の原子との結合に預からない電子（以下ダングリング電子と呼ぶ）が、雰囲気中に混在する水分子から奪った水素原子と結合した結果生成した結合に関係する吸収群であることが判明した。この酸化膜を形成したシリコン結晶基板を、窒素雰囲気中900℃でアニーリングを行った後、再び上記と同様に基板表面に極浅い角度で照射した赤外線の反射光を分光したところ、波数が1750cm-1以上2400cm-1以下の範囲に、図１に示すように吸収強度が大きくなった。この原因も、実施例１と同様に解析した結果、窒素中に微量に混入している水分子から奪った水素原子とダングリング電子を持ったシリコン原子との結合度合いが増加していることであることが判明した。したがって、界面電荷の発生等の電気的特性を悪化させる、シリコン酸化膜やシリコン酸化膜とシリコン基板との界面中に存在するダングリング電子を水素原子で結合させて補償し、電気的特性を向上させている度合いを、本発明の方法を用いて吸光係数を比較することで、容易に判定することが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地された真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられたアンテナに、周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、
外周部のほぼ全部が接地され、かつ、基板電極から真空容器内壁面に向かって放射状に伸びた多数の導体薄板からなるシールド板によって、真空容器が基板のある側と基板の無い側に分離され、多数の導体薄板の間の空隙からガスを基板のある側から基板の無い側へと排気し、基板の無い側にプラズマが回り込んでいない状態で基板を処理すること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
接地された真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられたアンテナに、周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、
外周部のほぼ全部が接地され、かつ、基板電極から真空容器内壁面に向かって放射状に伸びた多数の導体棒からなるシールド板によって、真空容器が基板のある側と基板の無い側に分離され、多数の導体棒の間の空隙からガスを基板のある側から基板の無い側へと排気し、基板の無い側にプラズマが回り込んでいない状態で基板を処理すること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
多数の導体薄板の間の空隙の幅をｐ、アンテナに印加する高周波電力の周波数をｆ、光速をｃとしたとき、
ｐ＜０．００３×ｃ／ｆ
なる関係式を満たすこと
を特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
多数の導体薄板の間の空隙の幅をｐ、アンテナに印加する高周波電力の周波数をｆ、光速をｃとしたとき、
ｐ＜０．００１×ｃ／ｆ
なる関係式を満たすこと
を特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
多数の導体棒の間の空隙の幅をｐ、アンテナに印加する高周波電力の周波数をｆ、光速をｃとしたとき、
ｐ＜０．０１×ｃ／ｆ
なる関係式を満たすこと
を特徴とする請求項２記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
多数の導体棒の間の空隙の幅をｐ、アンテナに印加する高周波電力の周波数をｆ、光速をｃとしたとき、
ｐ＜０．００３×ｃ／ｆ
なる関係式を満たすこと
を特徴とする請求項２記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
接地された真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御する調圧弁と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられたアンテナと、アンテナに周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
外周部のほぼ全部が接地され、かつ、基板電極から真空容器内壁面に向かって放射状に伸びた多数の導体薄板からなるシールド板によって真空容器が基板のある側と基板の無い側に分離されていること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
接地された真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御する調圧弁と、真空容器内に基板を載置する基板電極と、基板電極に対向して設けられたアンテナと、アンテナに周波数１００ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、
外周部のほぼ全部が接地され、かつ、基板電極から真空容器内壁面に向かって放射状に伸びた多数の導体棒からなるシールド板によって真空容器が基板のある側と基板の無い側に分離されていること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
多数の導体薄板の間の空隙の幅をｐ、アンテナに印加する高周波電力の周波数をｆ、光速をｃとしたとき、
ｐ＜０．００３×ｃ／ｆ
なる関係式を満たすこと
を特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
多数の導体薄板の間の空隙の幅をｐ、アンテナに印加する高周波電力の周波数をｆ、光速をｃとしたとき、
ｐ＜０．００１×ｃ／ｆ
なる関係式を満たすことを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
多数の導体棒の間の空隙の幅をｐ、アンテナに印加する高周波電力の周波数をｆ、光速をｃとしたとき、
ｐ＜０．０１×ｃ／ｆ
なる関係式を満たすこと
を特徴とする請求項８記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
多数の導体棒の間の空隙の幅をｐ、アンテナに印加する高周波電力の周波数をｆ、光速をｃとしたとき、
ｐ＜０．００３×ｃ／ｆ
なる関係式を満たすこと
を特徴とする請求項８記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基材と、
前記パッケージ基材内に形成され、外部装置との接続に使用される実装端子と、
前記パッケージ基材上に形成され、前記実装端子に電気的に接続された配線層と、
前記パッケージ基材上に搭載され、前記配線層に電気的に接続された半導体チップと、
モールド樹脂層と前記配線層との間および前記パッケージ基材と前記モールド樹脂層との間であって、前記半導体チップの外周から予め定めた距離だけ離れた位置から縁まで形成され、半導体パッケージの外周で端面が露出している低弾性樹脂層と、
前記パッケージ基材、前記配線層、前記半導体チップ、および前記低弾性樹脂層を封止する前記モールド樹脂層と、を備え、
前記低弾性樹脂層の弾性率が前記モールド樹脂層の弾性率よりも小さいことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
パッケージ基材と、
前記パッケージ基材内に形成され、外部装置との接続に使用される実装端子と、
前記パッケージ基材上に形成され、前記実装端子に電気的に接続された配線層と、
前記パッケージ基材上に搭載され、前記配線層に電気的に接続された半導体チップと、
モールド樹脂層と前記配線層との間であって、前記半導体チップの外周から予め定めた距離だけ離れた位置から縁まで形成され、半導体パッケージの外周で端面が露出している低弾性樹脂層と、
前記パッケージ基材、前記配線層、前記半導体チップ、および前記低弾性樹脂層を封止する前記モールド樹脂層と、を備え、
前記低弾性樹脂層の弾性率が前記モールド樹脂層の弾性率よりも小さいことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
前記低弾性樹脂層が前記実装端子上の前記配線層と前記モールド樹脂層との間に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記低弾性樹脂層が最大ひずみが発生する前記実装端子上の前記配線層と前記モールド樹脂層との間に形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記配線層と前記半導体チップとの電気的接続部が、アンダーフィル樹脂層によって封止されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記低弾性樹脂層が、エポキシ系熱硬化樹脂またはアクリル系熱硬化樹脂からなることを特徴とする請求項項１から５のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記低弾性樹脂層が、−５５℃のときに熱膨張係数αが３０から１００ｐｐｍであり、弾性率Ｅが１から６ＧＰａである樹脂からなることを特徴とする請求項項１から６のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴は、パッケージ基材と、前記パッケージ基材内に形成され、外部装置との接続に使用される実装端子と、前記パッケージ基材上に形成され、前記実装端子に電気的に接続された配線層と、前記パッケージ基材上に搭載され、前記配線層に電気的に接続された半導体チップと、モールド樹脂層と前記配線層との間および前記パッケージ基材と前記モールド樹脂層との間であって、前記半導体チップの外周から予め定めた距離だけ離れた位置から縁まで形成され、半導体パッケージの外周で端面が露出している低弾性樹脂層と、前記パッケージ基材、前記配線層、前記半導体チップ、および前記低弾性樹脂層を封止する前記モールド樹脂層と、を備え、前記低弾性樹脂層の弾性率Ｅが前記モールド樹脂層の弾性率Ｅよりも小さいことにある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記犠牲層がシリコン酸化膜で構成され、かつ前記絶縁膜がシリコン窒化膜で構成され、前記犠牲層のエッチングを弗化水素（ＨＦ）とメタノール（ＣＨ３ＯＨ）の混合エッチングガスで行うことを特徴とする請求項７記載の赤外線イメージセンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、本発明に係る赤外線イメージセンサの製造方法は、犠牲層がシリコン酸化膜で構成され、かつ絶縁膜がシリコン窒化膜で構成され、犠牲層のエッチングを弗化水素（ＨＦ）とメタノール（ＣＨ３ＯＨ）の混合エッチングガスで行うこととしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
また、本発明に係る赤外線イメージセンサの製造方法では、犠牲層がシリコン酸化膜で構成され、かつ絶縁膜がシリコン窒化膜で構成され、犠牲層のエッチングを弗化水素（ＨＦ）とメタノール（ＣＨ３ＯＨ）の混合エッチングガスで行うので、半導体基板中に設けられた中空部分の形状を保持しつつ、犠牲層のみをエッチングにより除去することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な表面を有する単結晶シリコンからなる半導体基板と、
前記表面から所定の深さに埋め込まれた第１埋め込み絶縁膜を有する第１素子形成領域と、
前記表面から前記第１埋め込み絶縁膜よりも浅い位置に埋め込まれた第２埋め込み絶縁膜を有する第２素子形成領域と、
前記表面から当該表面に対向する裏面まで単結晶シリコンで構成された第３素子形成領域と、
前記第１乃至第３素子形成領域毎に形成された用途の異なる半導体素子と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第３素子形成領域に配置された前記半導体素子は、前記裏面を電流経路の一端とすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３素子形成領域に配置された前記半導体素子は、前記電流経路を流れる過剰な電流を前記裏面を介して外部へ逃がす用途を有する保護ダイオードであることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記用途の異なる半導体素子は、
前記第１素子形成領域に配置されたバイポーラトランジスタと、
前記第２素子形成領域に配置されたＭＯＳ型トランジスタと、
前記第３素子形成領域に配置された、前記電流経路を流れる過剰な電流を前記裏面を介して外部へ逃がす用途を有する保護ダイオードと
を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１及び第２埋め込み絶縁膜の一部が、前記表面側から見て互いに重複していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の特徴は、平坦な表面を有する単結晶シリコンからなる半導体基板と、平坦な表面から所定の深さに埋め込まれた第１埋め込み絶縁膜を有する第１素子形成領域と、平坦な表面から第１埋め込み絶縁膜よりも浅い位置に埋め込まれた第２埋め込み絶縁膜を有する第２素子形成領域と、平坦な表面から平坦な表面に対向する裏面まで単結晶シリコンで構成された第３素子形成領域と、第１乃至第３素子形成領域毎に形成された用途の異なる半導体素子とを有する半導体装置であることである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体膜と、この圧電体膜の両面を挟んで配置される下部電極および上部電極とを備えた圧電体素子であって、前記圧電体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面優先配向であり、電界方向の格子定数が面内の格子定数より大きいことを特徴とする圧電体素子。
【請求項２】
圧電体膜と、この圧電体膜の両面を挟んで配置される下部電極および上部電極とを備えた圧電体素子であって、前記圧電体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面優先配向であり、前記圧電体膜は、面方向に圧縮応力を有することを特徴とする圧電体素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、電歪領域で駆動されることを特徴とする圧電体素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の圧電体素子を駆動素子として備えた電気機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられている半導体積層構造と
を有する半導体発光素子であって、
前記半導体積層構造は、窒化物半導体からなるｐ型半導体層と、窒化物半導体からなるｎ型半導体層と、前記ｐ型半導体層及びｎ型半導体層に挟まれており窒化物半導体からなる活性層とを有し、
前記基板の前記半導体層構造が形成されている側の面の裏面は、複数の、六角錐状ファセット、六角錐台状ファセット、又は柱状孔が形成されている凹凸面である半導体発光素子。
【請求項２】
前記基板の前記半導体積層構造が形成されている面は＋Ｃ極性面である請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記基板の裏面の面方位は−Ｃ極性方向である請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記基板の電気的伝導型がｎ型である請求項１から３のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記基板の裏面に形成されている六角錐状または六角錐台状ファセットは、直径が１０μｍから数１００μｍであり、深さが１μｍから１０μｍの六角錐または六角錐台からなる請求項１から４のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記基板の裏面に形成されている柱状孔は、断面が六角形又は円形であり、深さが１０μｍから２０μｍである請求項１から５のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記基板の裏面には、前記裏面の凹凸面を覆うように電極が形成されている請求項１から６のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記電極はＴｉを含む請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の半導体発光素子が実装されている半導体発光装置であって、前記発光素子は前記基板の半導体積層構造が形成されている面側がサブマウント又はヒートシンクに固着されている半導体発光装置。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれかに記載の半導体発光素子が実装されている半導体発光装置であって、前記発光素子は基板の裏面側がサブマウント又はヒートシンクに固着されている半導体発光装置。
【請求項１１】
窒化物半導体からなる基板上に半導体発光素子を製造する方法であっ
て、前記基板裏面を異方性エッチングすることにより凹凸面を得る工程を含む半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
窒化物半導体からなる基板上に半導体発光素子を製造する方法であって、少なくともリン酸を含有する薬液を用いて前記基板裏面を処理する工程を含む半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記薬液が含有するリン酸は、トリリン酸、メタリン酸、トリメタリン酸、テトラメタリン酸、ピロリン酸、オルトリン酸の内から選ばれる少なくとも一つである請求項１２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記薬液は、オルトリン酸、硝酸および水を含有する請求項１２または１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記薬液の温度が１００℃以上２５０℃以下である請求項１４に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの透明な突起と、
前記透明な突起上に、かつ、前記透明な突起に沿って形成された画素電極と、
前記画素電極の上方に、かつ、前記画素電極の一部が接するように形成された有機層と、
前記有機層上に、かつ、前記有機層に沿って設けられた陰極とを有する発光装置において、
前記透明な突起を有することにより、前記有機層と接する前記陰極の表面が凹凸であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１の発光装置において、
前記透明な突起の横方向に、光の吸収性の高い絶縁膜が形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２において、前記光の吸収性の高い絶縁膜は、カーボンブラックであることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記透明な突起は、マイクロレンズであることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタのドレイン領域と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と対向するように有機層を介して設けられた陰極と、を有し、
前記有機層と接する前記陰極の表面は凹凸を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタのドレイン領域と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と対向するように有機層を介して設けられた陰極と、
前記陰極上に形成された保護電極と、を有し、
前記有機層と接する前記陰極の表面は凹凸を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６において、前記保護電極の材料としてアルミニウムを主成分とする金属膜が用いられていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項において、前記絶縁膜は有機樹脂材料からなることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項８において、前記有機樹脂材料はポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミドのいずれか一であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項５乃至７のいずれか一項において、前記絶縁膜は無機絶縁物材料からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項５乃至７のいずれか一項において、前記絶縁膜は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜のいずれか一またはこれらの積層膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項５乃至１１のいずれか一項において、前記絶縁膜上であって前記画素電極の下方には少なくとも１つの透明な突起を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１、２又は１２において、前記透明な突起の材料は、ＳｉＯ2、ＳｉＮＯ、ＡｌＮＯ、窒化シリコン、ポリイミド、ポリカーボーネートのいずれか一であることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に有することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
請求項１４において、前記電子機器は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、車載用後方確認用のモニター、テレビ電話、カーナビゲーションまたは電子遊技機器であることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】複数の反応ガス導入用の穴が設けられ、被処理基板の表面に向かい合うように配置したシャワーヘッドを有する半導体製造装置において、
上記被処理基板の中心に１番近い第１の円周上にある第１の穴からガスの流量Ａが吹き出され、
上記第１の円周の外側にある第２の円周上の第２の穴の位置までに、上記ガスが反応してガスの流量が上記流量Ａから、流量Ａ−流量Ｂとなり、
上記流量Ａ−流量Ｂとなったガスの流量を上記流量Ａに戻すため、上記第２の円周上の第２の穴位置で、流量Ｂを足し、
このように穴のある各円周上で流量をＡに戻すことにより、上記被処理基板面内でのガスの流量が略変わらないようにしたことを特徴とする半導体製造装置。