【手続補正書】
【提出日】平成16年6月15日(2004.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティブ素子を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極とが配置された画素領域と、を有する電子機器であって、
前記層間絶縁膜には溝部が設けられ、
前記溝部は隣接する前記画素電極の隙間と重なり、絶縁性の光吸収物が埋め込まれていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティブ素子を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極とが配置された画素領域と、を有する電子機器であって、
前記層間絶縁膜には、溝部が設けられ、
前記溝部および隣接する前記画素電極の隙間は隣接する前記画素電極の隙間と重なり、絶縁性の光吸収物が埋め込まれていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタと、
前記第１及び第２の薄膜トランジスタ上の層間絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第１の画素電極及び第２の画素電極と、を有し、
前記第１の薄膜トランジスタのドレイン領域は前記第１の画素電極と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのドレイン領域は前記第２の画素電極と電気的に接続され、
前記層間絶縁膜には溝部が設けられ、
前記溝部は前期第１の画素電極と第２の画素電極の間と重なり、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極の間及び前記溝部には絶縁性の光吸収物が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記光吸収物の表面は前記画素電極の表面と概略同一平面をなすことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記光吸収物の表面は前記画素電極の表面よりも突出していることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記層間絶縁膜の溝部の側面は前記画素電極の端面と概略同一平面をなすことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記光吸収物は顔料またはカーボン系材料が分散された有機樹脂からなることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記光吸収物は顔料またはカーボン系材料が分散された酸化珪素系塗布膜からなることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記層間絶縁膜は有機樹脂からなることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記層間絶縁膜は酸化珪素系塗布膜からなることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項７又は９において、前記有機樹脂は、アクリル，ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、エポキシから選ばれた材料であることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティブ素子を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極とが配置された画素領域と、を有する電子機器の作製方法であって、
前記層間絶縁膜上に前記複数の画素電極を形成し、
隣接する前記画素電極の隙間と重なる部分の前記層間絶縁膜に溝部を形成し、
前記溝部に絶縁性の光吸収物を形成することを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記光吸収物は前記溝部および前記画素電極の隙間に形成することを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１４】
第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタと、
前記第１及び第２の薄膜トランジスタ上の層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電極及び第２の画素電極と、を有し、
前記第１の薄膜トランジスタのドレイン領域は前記第１の画素電極と電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのドレイン領域は前記第２の画素電極と電気的に接続された電子機器の作製方法であって、
基板上に第１及び第２の薄膜トランジスタを形成し、
前記第１及び第２の薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記層間絶縁膜上に導電膜を形成して前記第１及び第２の薄膜トランジスタのドレイン領域と電気的に接続させ、
前記導電膜上にレジストマスクを形成し、前記導電膜をパターニングして、前記第１の薄膜トランジスタのドレイン領域と電気的に接続された第１の画素電極と、前記第２の薄膜トランジスタのドレイン領域と電気的に接続された第２の画素電極を形成し、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極の間と重なる部分の層間絶縁膜に溝部を形成し、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極の間及び前記溝部に絶縁性の光吸収物を形成することを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１５】
複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティブ素子を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極とが配置された画素領域と、を有する電子機器の作製方法であって、
前記層間絶縁膜上に前記複数の画素電極を形成し、隣接する前記画素電極の隙間と重なる部分の前記層間絶縁膜に溝部を形成し、
前記溝部および前記隣接する画素電極の隙間に埋め込まれ、かつ前記複数の画素電極表面を覆う絶縁性の光吸収物を形成し、
前記複数の画素電極表面を覆っている前記光吸収物を除去して、前記画素電極表面を露出することを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記複数の画素電極表面を覆っている前記光吸収物をドライエッチングによって除去することを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５において、前記複数の画素電極表面を覆っている前記光吸収物を化学的機械的研磨によって除去することを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１８】
請求項１５乃至１７のいずれか一項において、前記溝部に埋め込まれた前記光吸収物は残存されることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至１７のいずれか一項において、前記溝部および隣接する前記画素電極の隙間に埋め込まれた前記光吸収物は残存されることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項２０】
複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティブ素子を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極とが配置された画素領域と、を有する電子機器の作製方法であって、
前記層間絶縁膜上に導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストマスクを形成し前記導電膜をパターニングして、前記複数の画素電極を形成し、前記レジストマスクを残存させた状態で、隣接する前記画素電極の隙間と重なる部分の前記層間絶縁膜に溝部を形成し、
前記溝部および隣接する前記画素電極の隙間に埋め込まれ、かつ前記レジストマスク表面を覆う絶縁性の光吸収物を形成し、
前記レジストマスク表面を覆っている絶縁性の光吸収物と前記レジストマスクとを除去して、前記画素電極表面を露出させることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項２１】
請求項２０において、前記溝部に埋め込まれた前記光吸収物は残存されることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項２２】
請求項２０において、前記溝部および前記画素電極の隙間に埋め込まれた前記光吸収物は残存されることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項２３】
請求項２０乃至２２のいずれか一項において、前記溝部および前記画素電極の隙間に埋め込まれた前記光吸収物は残存され、残存された前記光吸収物の表面は前記画素電極の表面よりも突出していることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項２４】
請求項１２乃至２３のいずれか一項において、前記層間絶縁膜に形成された溝部の側面は隣接する前記画素電極の端面と概略同一平面をなすように形成されることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項２５】
請求項１２乃至２４のいずれか一項において、前記光吸収物は顔料またはカーボン系材料が分散された有機樹脂からなることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項２６】
請求項１２乃至２４のいずれか一項において、前記光吸収物は顔料またはカーボン系材料が分散された酸化珪素系塗布膜からなることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項２７】
請求項１２乃至２６のいずれか一項において、前記層間絶縁膜は有機樹脂からなることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項２８】
請求項１２乃至２６のいずれか一項において、前記層間絶縁膜は酸化珪素系塗布膜からなることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項２９】
請求項２５又は２７において、前記有機樹脂は、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、エポキシから選ばれた材料であることを特徴とする電子機器の作製方法。
【請求項３０】
請求項１乃至請求項２９のいずれか一項において、前記電子機器として、ビデオカメラ、スチルカメラ、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲイション、パーソナルコンピュータ又は携帯情報端末のいずれかであることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
なおここでは、溝部１２０は層間絶縁膜１１４に凹状に形成したが、深さｔ0を稼ぐため層間絶縁膜１１４を貫通するように形成してもよい。この場合は、溝部１２０はゲイト配線１０５、ソース配線１１２が成す格子（図４参照）に沿って形成されるので、層間絶縁膜１１４を貫通するとソース配線１１２表面がエッチングガスに曝される。この場合には、ソース配線１１２表面はエッチングガスによって変質されない材料であることが必要である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
なお、図１では、光吸収物１２２の表面と画素電極１１５が一致するように図示されているが、上記したようにＯ２アッシングでは画素電極１１５表面を覆う絶縁物層１２１を完全に除去する必要がある。このため、図６（Ａ）において、１５０で示すように、画素電極１１５の隙間の絶縁物層１２１が一部除去される場合もある。しかし図６（Ａ）のように、光吸収物１２２の表面が画素電極１１５の表面よりも低くなっていても、画素電極１１５の隙間を通過する光は光吸収物１２２によって遮光できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
先ず、実施例１と同様の工程に従って、図５（Ｂ）に示す構造を作製する。そしてＣＭＰによって、画素電極１１５表面を覆う余分な絶縁物層１２１を研磨し除去する。ＣＭＰの条件は絶縁物層１２１は研磨するが画素電極１１５をできるだけ研磨しないように、スラリの種類や研磨布の回転数を設定することで、画素電極１１５表面が露出したときにＣＭＰを終了させることが可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
このため、画素電極１１５表面の硬度と絶縁物層１２１の硬度差ができるだけ大きくなるようにする。例えば、実施例１のようにアルミニウム材料で画素電極１１５を形成した場合、その表面を陽極酸化処理等によって酸化してアルミナを形成すればよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
また図７に示す工程では、絶縁物層２０１とレジストマスク１１６のエッチングレートがほぼ同じ、もしくは絶縁物層２０１のエッチングレートが高い場合に特に有効であり、レジストマスク１１６を厚さｈだけ残すことで、光吸収物２０２を画素電極１１５から突出させることができる。