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【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動板の外周にエッジが設けられ、該エッジの端部がスピーカフレームの外周縁内側に形成された取付面上に取り付けられるスピーカにおいて、
前記端部をエッジ外周より内側に向けて形成したことを特徴とするスピーカ。
【請求項２】
前記端部の外周面を前記スピーカフレームの外周縁に当接させたことを特徴とする請求項１に記載のスピーカ。
【請求項３】
前記取付面上にはスピーカフレームの取付ネジ部が形成され、前記外端部は、該取付ネジ部のネジ頭より厚い肉厚を有すると共に、該取付ネジ部を避ける切り欠きが形成されて成ることを特徴とする請求項１又は２に記載のスピーカ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、音響機器に使用されるスピーカ装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は以下の構成を具備するものである。 一つには、振動板の外周にエッジが設けられ、該エッジの端部がスピーカフレームの外周縁内側に形成された取付面上に取り付けられるスピーカにおいて、前記端部をエッジ外周より内側に向けて形成したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また一つには、前述の特徴を有するスピーカにおいて、前記端部の外周面を前記スピーカフレームの外周縁に当接させたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、一つには、前述したスピーカにおいて、前記取付面上にはスピーカフレームの取付ネジ部が形成され、前記外端部は、該取付ネジ部のネジ頭より厚い肉厚を有すると共に、該取付ネジ部を避ける切り欠きが形成されて成ることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち、本発明によると、エッジの端部をエッジ外周より内側に向けて形成して、この端部をスピーカフレームの取付面上に取り付けるようにしているので、エッジの外周をスピーカフレームの外周縁に近接させることができ、エッジ及び振動板の外径をスピーカフレーム内で最大限拡大することができる。これによって、スピーカフレーム内の面積を振動面積として有効に活用することができ、充分な出力音圧レベルを得ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、エッジの端部の外周面をスピーカフレームの外周縁に当接させてエッジの位置決めを行っているので、特にガスケットを設けた位置決めを行う必要が無くなり、ガスケットを排除して部品点数を削減することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明によると、前述の作用と併せて、スピーカフレームの外周縁の内側に取付ネジ部を設けているので、バッフル板或いはその他の筐体上のスピーカ設置領域を最大限活用してスピーカフレームの大きさを設定することができ、しかもスピーカフレーム内の面積を振動面積として有効に活用することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、エッジの端部は、取付ネジ部のネジ頭より厚い肉厚を有すると共に取付ネジ部を避ける切り欠きが形成されているので、取付ネジがエッジの振動に影響を与えることが無く、更には、エッジの端部が所望の肉厚を有していることで、この端部をスピーカフレームの取付面に接着等により取り付けることにより、ガスケットを設けた場合と同等の気密性を確保することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）  １つ又は複数のシステム要件を満たすために、加入者に関連するチャネル条件と計算されたパワー割り当てに基づいて、加入者機器の組をダウンリンクチャネルにスケジューリングするステップ
を有することを特徴とする無線通信システムのダウンリンクチャネルを介して複数の加入者機器と複数のアンテナとの間で情報を同時に搬送する方法。
【請求項２】
前記加入者の組は、通信システムへのアクセス権を要求している加入者、又は通信システムへのアクセス権が与えられた加入者のいずれかあるいはその両方である
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
チャネル条件は、複数のアンテナにより送信されたパイロット信号の、加入者機器の組により行われた測定値から得られることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記パワー割り当ては、加入者の組から受信したシグナリング情報から決定されたチャネル状態の組に基づいて計算される
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記加入者機器は、携帯電話器、パソコン、個人情報装置（ＰＤＡ）を含む
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
複数のアンテナが、情報を１人あるいは複数の加入者に同時に送信するためにビーム形成動作を実行する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記（Ａ）ステップは、
（Ａ１）  情報を複数の加入者に同時に送信するために。Ｎ本（２以上の整数）のアンテナを用意するステップと、
（Ａ２）  Ｎ本のアンテナで受信した、複数の加入者からのシグナリング情報からチャネル状態を取り出すステップと、
（Ａ３）  複数の加入者に関連するチャネル状態の組を決定するステップと、
（Ａ４）  前記決定されたチャネル状態に基づいて、パワーの割り当てを計算するステップと、
（Ａ５）  前記計算されたパワー割り当てと、チャネル状態の組をスケジューラに与えるステップと
を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
（Ｂ）  与えられたチャネル状態と関連するパワー割り当て計算に基づいて、特定の時間ダウンリンクチャネル対するアクセス権を与える加入者の組を選択するステップ
をさらに有することを特徴とする請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各チャンネルが、振幅を有するオーディオ信号を含む、複数の入力チャネルを有するオーディオ増幅および変換回路に電力を供給するために、ＤＣ電圧電力を供給する電源であって、
ＤＣ電力源と、
前記ＤＣ電力源に電気的に結合され、前記ＤＣ電力源からの前記ＤＣ電力を制御可能ＡＣ電力に変換するために構成および配置されたスイッチング回路であって、前記スイッチング装置からの前記制御可能ＡＣ電力が可変周波数を有するように制御可能である、スイッチング回路と、
前記ＤＣ電力源に電気的に結合され、前記可変周波数に応答し、該可変周波数に関連する出力電圧を供給するための電力変換回路と、
前記オーディオ信号のそのときの振幅を示すと同時に、最高振幅を有する最高振幅信号を供給するように構成および配置された装置と、
前記電源が前記そのときの最高振幅を有する前記オーディオ信号を増幅するために十分な電力を供給するように、前記可変周波数を制御する周波数変調器と、
を備えた電源。
【請求項２】
前記電力変換回路は、共振周波数を有する共振回路を備え、それにより前記出力電圧がそのときの可変周波数の前記共振周波数に対する比に関連する、請求項１記載の電源。
【請求項３】
各チャンネルが、振幅を有するオーディオ信号を送信する、複数のチャネルを有するオーディオ増幅および変換システムに電力を供給するために、電源出力の出力電圧を制御する方法であって、
前記複数のチャネルの前記オーディオ信号の振幅をモニタし、
前記オーディオ信号のそのときの最高振幅を表す最高振幅信号を供給し、
前記最高振幅信号によって制御される可変周波数を有するＡＣ電力を供給し、
前記可変周波数を有するＡＣ電力を、前記可変周波数に関連する前記出力電圧を有するＤＣ電圧に変換し、前記ＤＣ電圧を前記チャネルへ送出する、
ことを含む方法。
【請求項４】
前記ＤＣ電力源が、
前記電源をＡＣライン電力源に接続するコネクタと、
該コネクタに電気的に結合され、前記ＡＣライン電力をＤＣ電力に変換するために構成および配置された変換装置と、
を備える請求項１記載の電源。
【請求項５】
前記電力変換回路は、共振周波数を有する共振回路を備え、それにより前記出力電圧はそのときの可変周波数の前記共振周波数に対する比に関連する、請求項４記載の電源。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】開放型ＭＲＩマグネット系（１、１０）と、前記ＭＲＩマグネット系を支持するように適合させた振動隔絶システム（２、２０）と、を備える開放型ＭＲＩシステム。
【請求項２】 （ａ）第１のアセンブリ（１２）であって、（１）長手方向に延びると共に概して垂直に整列させた第１の軸（２２）と、（２）前記第１の軸の周りに配置させると共に第１の主電流を第１の方向に流している少なくとも一つの超伝導主コイル（２４）と、（３）該第１のアセンブリの前記少なくとも一つの超伝導主コイルを囲繞している第１の真空容器（２６）と、を備える第１のアセンブリ（１２）と、（ｂ）前記第１のアセンブリ（１２）から長手方向に離間させて前記第１のアセンブリ（１２）の下に配置させた第２のアセンブリ（１４）であって、（１）前記第１の軸と概して同軸状に整列しており長手方向に延びる第２の軸（２８）と、（２）前記第２の軸の周りに配置させると共に第２の主電流を前記第１の方向に流している少なくとも一つの超伝導主コイル（３０）と、（３）該第２のアセンブリの前記少なくとも一つの超伝導主コイルを囲繞している第２の真空容器（３２）と、を備える第２のアセンブリ（１４）と、（ｃ）前記第１及び第２の真空容器の外部にあって、その第１の端部（３４）が前記第１のアセンブリに取り付けられ、かつその第２の端部（３６）が前記第２のアセンブリに取り付けられている少なくとも一つの支持用ビーム（１６、１８）と、（ｄ）振動隔絶システム（２０）と、を備える開放型ＭＲＩシステム。
【請求項３】 前記振動隔絶システム（２０）のばね定数及び減衰能が調節可能である、請求項１または２に記載の開放型ＭＲＩシステム。
【請求項４】 前記振動隔絶システム（２０）が複数の気体式隔絶体（１２０）を備えている、請求項１または２に記載の開放型ＭＲＩシステム。
【請求項５】 前記振動隔絶システム（２０）が複数の能動的振動抑制隔絶体（１２０）を備えている、請求項１または２に記載の開放型ＭＲＩシステム。
【請求項６】 さらに、調節可能なつりあいおもり（１２８）を備える請求項１または２に記載の開放型ＭＲＩシステム。
【請求項７】 前記振動隔絶システム（２０）が床（４２）に固定されており、かつ前記ＭＲＩマグネット系（１０）が前記振動隔絶システム（２０）を覆うように取り付けられている、請求項１または２に記載の開放型ＭＲＩシステム。
【請求項８】振動隔絶システム及び開放型マグネット系を備える開放型ＭＲＩシステムを提供するステップと、第１の箇所において環境性の外乱及び振動を計測するステップと、前記計測のステップに基づいて振動隔絶システムを選択するステップと、前記ＭＲＩシステムを前記第１の箇所に据え付けるステップと、を含む開放型ＭＲＩシステムの据え付け方法。
【請求項９】 前記選択のステップが、前記第１の箇所において有意の低周波数振動または外乱が計測された場合には高減衰能の隔絶システムを選択すること、前記第１の箇所において高周波数の外乱または振動だけが計測された場合には低減衰能の隔絶システムを選択すること、を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】 既存の開放型ＭＲＩシステムのマグネット系に振動隔絶システムを取り付けするステップを含むような既存の開放型ＭＲＩシステムの後付け方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機の動作を制御する遊技機制御装置であって、
遊技プログラムを記憶したプログラム記憶部と、
該遊技プログラムの真偽を判定するための真偽情報であって、前記遊技機の製造メーカー毎に付与された真偽情報を記憶可能な真偽情報記憶部と、
前記プログラム記憶部および該真偽情報記憶部とは別体に設けられ、少なくとも該プログラム記憶部をアクセスして、前記遊技機の遊技プログラムを実行するコンピュータと、
前記真偽情報記憶部に記憶された真偽情報への外部からのアクセスを不可逆的に禁止する外部アクセス禁止手段と、
所定のタイミングで、前記コンピュータによる前記遊技機の動作の制御を停止すると共に、該コンピュータの停止中に前記真偽情報記憶部に記憶された真偽情報を内部から読み取り、前記遊技プログラムの真偽を判定する判定手段と、
該判定手段により、前記遊技プログラムが該遊技機に対して正当でないと判断された場合には、前記遊技プログラムによる前記遊技機の前記制御の停止を継続する処理停止手段と
を備えた遊技機制御装置。
【請求項２】
請求項１記載の遊技機制御装置であって、
前記真偽情報記憶部は、複数の遊技プログラムの種類に対応して予め用意された個別チェックコードを、他の真偽情報と共に記憶し、
前記判定手段は、前記製造メーカー毎に付与された真偽情報に基づく真偽の判断に加えて、前記プログラム記憶部に記憶された前記遊技プログラムと、前記個別チェックコードとの対応を照合することにより、前記遊技プログラムの真偽を判定する手段である
遊技機制御装置。
【請求項３】
請求項１記載の遊技機制御装置であって、
前記真偽情報記憶部に、予め用意した真偽情報を記憶しておき、
前記遊技機に前記プログラム記憶部を組み付ける際、該予め用意された真偽情報を付加して前記遊技プログラムを記録した
遊技機制御装置。
【請求項４】
前記判定手段による前記遊技機の動作の制御の停止は、前記コンピュータにバスの使用権を委譲させることにより実現する請求項１記載の遊技機制御装置。
【請求項５】
請求項４記載の遊技機制御装置であって、
前記処理停止手段は、前記遊技機の制御の停止の継続を、前記コンピュータから委譲されたバスの使用権を戻すことなく、前記コンピュータをリセットすることにより実現する遊技機の制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
本発明の遊技機制御装置は、
遊技機の動作を制御する遊技機制御装置であって、
遊技プログラムを記憶したプログラム記憶部と、
該遊技プログラムの真偽を判定するための真偽情報であって、前記遊技機の製造メーカー毎に付与された真偽情報を記憶可能な真偽情報記憶部と、
前記プログラム記憶部および該真偽情報記憶部とは別体に設けられ、少なくとも該プログラム記憶部をアクセス可能なコンピュータと、
前記真偽情報記憶部に記憶された真偽情報への外部からのアクセスを不可逆的に禁止する外部アクセス禁止手段と、
所定のタイミングで、前記コンピュータによる前記遊技機の動作の制御を停止すると共に、該コンピュータの停止中に前記真偽情報記憶部に記憶された真偽情報を内部から読み取り、前記遊技プログラムの真偽を判定する判定手段と、
該判定手段により、前記遊技プログラムが該遊技機に対して正当でないと判断された場合には、前記遊技プログラムによる前記遊技機の制御を停止する処理停止手段と
を備えたことを要旨としている。
このように本発明は、真偽情報記憶部に記憶させる真偽情報は、遊技メーカに固有の情報としているが、遊技メーカに固有の情報と遊技プログラムに１対１に対応した情報との組み合わせとしてもよい。この様に、遊技メーカに固有の情報を真偽情報記憶部に記憶させるならば、遊技メーカが知り得ないアルゴリズムである他の遊技メーカの遊技プログラムをコンピュータが実行する事態が回避されるため、各遊技メーカにて管理される記憶素子や遊技プログラムの交換に配慮するだけで不正を防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導入された遊技球が転動する視認可能な少なくとも１つのステージを備える遊技機であって、
前記ステージは、最下部に配置され中央部の通路が他の通路に比して大きな傾斜となるよう形成された奇数個の通路により遊技球を前面側に誘導する最下部誘導部と、該最下部誘導部の前面側に配置され該最下部誘導部により前面側に誘導された遊技球を下方に導出する導出部と、前記最下部誘導部に少なくとも左右の一方から遊技球を前記導出部から所定距離以上後方の位置に誘導する後方誘導部と、が形成されてなる
遊技機。
【請求項２】
前記ステージの前記導出部から導出された遊技球を受け止め可能な少なくとも１つの下段ステージを備える請求項１記載の遊技機。
【請求項３】
前記ステージは、下段ステージより奥に配置されてなる請求項２記載の遊技機。
【請求項４】
前記下段ステージは、最下部に配置され遊技球を前面側に誘導する下段最下部誘導部と、該下段最下部誘導部の前面側に配置され該下段最下部誘導部により前面側に誘導された遊技球を下方に導出する下段導出部と、前記下段最下部誘導部に少なくとも左右の一方から遊技球を前記下段導出部に誘導する下段後方誘導部と、が形成されてなる請求項２または３記載の遊技機。
【請求項５】
前記ステージ以外から前記下段ステージに遊技球を導入可能な遊技球導入機構を備える請求項２ないし４いずれか記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導入された遊技球が転動する視認可能な少なくとも１つのステージを備える遊技機であって、
前記ステージは、最下部に配置され中央部の通路が他の通路に比して大きな傾斜となるよう形成された奇数個の通路により遊技球を前面側に誘導する最下部誘導部と、該最下部誘導部の前面側に配置され該最下部誘導部により前面側に誘導された遊技球を下方に導出する導出部と、導入された遊技球を少なくとも左右の一方からなめらかな曲面をもって前記最下部誘導部に誘導する曲面誘導部と、が形成されてなる
遊技機。
【請求項２】
請求項１記載の遊技機であって、
前記最下部誘導部は、奇数個の通路が形成されてなり、
前記奇数個の通路のうち中央の通路は、他の通路に比して大きな傾斜となると共に前記導出部に近い部位の方が該導出部から遠い部位より大きな傾斜となるよう形成されてなる
遊技機。
【請求項３】
前記奇数個の通路のうちの中央の通路は、他の通路に比して幅が狭く形成されてなる請求項２記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置より得られた第１の入力画像から撮像視野内の侵入物体を検出する侵入物体検出ステップと、
該検出した侵入物体を基にテンプレート画像を生成して登録するテンプレート画像登録ステップと、
該テンプレート画像と前記撮像装置から前記第１の入力画像の別時刻に得られた第２の入力画像を基にテンプレートマッチングによって撮像視野内の侵入物体を検出して追跡する侵入物体追跡ステップと、
前記入力画像及び追跡処理の画像を画像表示装置の画面に表示する画像表示ステップと、
該画像表示装置の画面上を移動する操作マーカが操作された場合に、該操作マーカによって指定された位置を基準位置として、該基準位置に基づいてテンプレート画像とする領域を算出するテンプレート領域算出ステップと、
該テンプレート算出ステップによって算出された該第２の入力画像中の該領域を新たなテンプレート画像として再登録するテンプレート画像再登録ステップとを有し、
前記侵入物体追跡ステップは、該再登録されたテンプレート画像を基に追跡を実行することを特徴とする侵入物体追跡方法。
【請求項２】
前記検出した侵入物体の見かけの大きさに基づいて前記基準位置が該侵入物体のどの部位を指すのかを判定する対象部位判定ステップが更に設けられ、前記テンプレート領域算出ステップは、判定された基準位置を基にテンプレート画像とする領域を算出することを特徴とする請求項１に記載の侵入物体追跡方法。
【請求項３】
前記検出した侵入物体の見かけの移動量に基づいて前記基準位置が該侵入物体のどの部位を指すのかを判定する対象部位判定ステップが更に設けられ、前記テンプレート領域算出ステップは、判定された基準位置を基にテンプレート画像とする領域を算出することを特徴とする請求項１に記載の侵入物体追跡方法。
【請求項４】
侵入物体の追跡が停止したか否かを判定する追跡停止判定ステップと、該追跡停止判定ステップによって侵入物体の追跡が停止したと判定された場合に、監視員に対して追跡停止警告を出力する追跡停止警告出力ステップとを更に設けたことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一に記載の侵入物体追跡方法。
【請求項５】
撮像装置より得られた第１の入力画像から撮像視野内の侵入物体を差分法を用いて検出する侵入物体検出ステップと、
該入力画像を画像表示装置の画面に表示する画像表示ステップと、
該検出した侵入物体の中から、該画像表示装置の画面上を移動する操作マーカによる位置指定によって特定の侵入物体を選択する侵入物体選択ステップと、
該選択した侵入物体を基にテンプレート画像を生成して登録するテンプレート画像登録ステップと、
該テンプレート画像と前記撮像装置から前記第１の入力画像の別時刻に得られた第２の入力画像を基にテンプレートマッチングによって撮像視野内の侵入物体を検出して追跡する侵入物体追跡ステップとを有することを特徴とする侵入物体追跡方法。
【請求項６】
撮像装置が取得した映像を逐次入力画像に変換する画像入力インタフェースと、該入力画像を記憶する画像記憶手段と、該入力画像を処理する画像処理手段と、操作マーカを該入力画像に重畳して画像表示装置に表示するための画像信号を出力する画像出力インタフェースと、該画像表示装置の画面上の該操作マーカを移動させ、該操作マーカを操作して画面中に位置を指定するための操作信号を入力する操作入力インタフェースとを有し、
前記画像処理手段は、前記画像入力インタフェースが出力する第１の入力画像と前記画像メモリに予め記録しておいた基準背景画像とから、差分法を用いて侵入物体を検出する侵入物体検出手段と、該検出した侵入物体と該第１の入力画像に基づいてテンプレート画像を生成して該画像メモリに登録するテンプレート画像登録手段と、該テンプレート画像と該画像インタフェースから該第１の入力画像の別時刻に得られた第２の入力画像とに基づいてテンプレートマッチングにより侵入物体を検出して追跡する侵入物体追跡手段と、画面中に位置を指定する操作信号が前記操作入力インタフェースから出力された場合に、該位置を基準位置として算出される該第２の入力画像中のテンプレート画像となる領域を、侵入物体を追跡するための新たなテンプレート画像として該画像メモリに再登録するテンプレート画像再登録手段とを有していることを特徴とする侵入物体監視装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月19日(2005.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モザイク処理されているイメージのモザイクを解除する方法であって、
関心のあるシーンを表す前記モザイク処理されているイメージを受信するステップ（８０４）と、
前記モザイク処理されているイメージのブロックに対してモザイク解除オペレータ（２０６、７０８）を用いることによって、前記モザイク処理されているイメージを処理して（８０８）、モザイクが解除されたイメージの表現を得るステップ
を含み、
前記モザイク解除オペレータに、後続の周波数ベースの圧縮プロセスを考慮するために、周波数ベースの変換オペレータが組み込まれていることからなる、方法。
【請求項２】
前記モザイク処理されているイメージを処理する前記ステップ（８０８）に使用される前記モザイク解除オペレータ（２０６、７０８）に、もとの色空間から異なる色空間に変換するための色空間変換オペレータが含まれていることからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記モザイク処理されているイメージを処理する前記ステップ（８０８）に、前記モザイク解除オペレータ（２０６、７０８）を用いて前記モザイク処理されているイメージを補間するステップが含まれ、前記モザイク解除オペレータが、変換関連係数の選択された係数（４０２）を０に等しいと定義することによって導き出されることからなる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記選択された係数（４０２）が、前記変換関連係数の残りの係数よりも高い周波数成分である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記モザイク処理されているイメージを処理する前記ステップ（８０８）に、前記モザイク解除オペレータ（２０６、７０８）を用いて前記モザイク処理されているイメージを補間するステップが含まれ、前記モザイク解除オペレータが、変換関連係数を、それが事前規定確率分布を有するものとして定義することによって導き出されることからなる、請求項１、２、３、または４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
モザイク処理されているイメージを処理するためのシステムであって、
周波数ベースの変換オペレータが組み込まれているモザイク解除オペレータ（２０６、７０８）を用いて、前記モザイク処理されているイメージのモザイクを解除して、モザイクが解除されたイメージの表現を生成するためのモザイク解除モジュール（１０８、７０４）と、
周波数ベースの圧縮プロセスを実施するように構成されており、前記モザイクが解除されたイメージの前記表現を圧縮して、圧縮イメージ・ファイルを生成するための圧縮モジュール（１１２、７０６）
を備える、システム。
【請求項７】
前記モザイク解除モジュール（１０８、７０４）によって用いられる前記モザイク解除オペレータ（２０６、７０８）に、Ｙｃｒｃｂ色空間に変換するための色空間変換オペレータが含まれる、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記モザイク解除オペレータ（２０６、７０８）が、前記圧縮モジュール（１１２、７０６）によって実施される前記周波数ベースの圧縮プロセスに関連した変換関連係数を定義することによって導き出されることからなる、請求項６または７に記載のシステム。
【請求項９】
前記モザイク解除オペレータ（２０６、７０８）が、前記変換関連係数の選択された係数（４０２）を０に等しいと定義することによって導き出されることからなる、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記モザイク解除オペレータ（２０６、７０８）が、前記変換関連係数を、それが、事前規定確率分布を有するものとして定義することによって導き出されることからなる、請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
接点４６ａ、４６ｅは、減衰器４２に接続され、接点４６ｃ、４６ｇは減衰器４４に接続され、接触子４６ｄ、４６ｈは、ローパスフィルタ３８の所定位置に接続されている。従って、接触子４６ｄ、４６ｈが接点４６ａ、４６ｅに接続されているとき、可変減衰器４０における減衰量は５ｄＢとなり、接触子４６ｄ、４６ｈが接点４６ｂ、４６ｆに接続されているとき、減衰量は０ｄＢとなり、接触子４６ｄ、４６ｈが接点４６ｃ、４６ｇに接続されているとき、減衰量は２０ｄＢとなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
減衰量が０ｄＢの状態では、端子２０ａに供給された上り信号及び雑音は、そのままのレベルでセンター装置２側に伝送される。この減衰量が０ｄＢの状態が非減衰状態である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003111043.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月8日(2005.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号：４で表されるアミノ酸配列と同一または実質的に同一のアミノ酸配列を含有することを特徴とするポリペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩。
【請求項２】
配列番号：４で表されるアミノ酸配列からなる請求項１記載のポリペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩。
【請求項３】
請求項１記載のポリペプチドの部分ペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩。
【請求項４】
請求項１記載のポリペプチドをコードする塩基配列を有するポリヌクレオチドを含有するポリヌクレオチド。
【請求項５】
ＤＮＡである請求項４記載のポリヌクレオチド。
【請求項６】
配列番号：３で表される塩基配列を有するポリヌクレオチドを含有する請求項４記載のポリヌクレオチド。
【請求項７】
請求項３記載の部分ペプチドをコードする塩基配列を有するポリヌクレオチドを含有するポリヌクレオチド。
【請求項８】
請求項４または請求項７記載のポリヌクレオチドを含有する組換えベクター。
【請求項９】
請求項８記載の組換えベクターで形質転換された形質転換体。
【請求項１０】
請求項９記載の形質転換体を培養し、請求項１記載のポリペプチドまたは請求項３記載の部分ペプチドを生成・蓄積せしめることを特徴とする請求項１記載のポリペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩、または請求項３記載の部分ペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩の製造法。
【請求項１１】
請求項１記載のポリペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩、または請求項３記載の部分ペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩に対する抗体。
【請求項１２】
配列番号：４で表されるアミノ酸配列と同一または実質的に同一のアミノ酸配列を含有するポリペプチドまたはその部分ペプチドをコードするポリヌクレオチドに相補もしくは実質的に相補な塩基配列またはその一部を有するポリヌクレオチド。
【請求項１３】
請求項１記載のポリペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩、または請求項３記載の部分ペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩を用いることを特徴とする請求項１記載のポリペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩、または請求項３記載の部分ペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩の活性を促進または阻害する化合物またはその塩のスクリーニング方法。
【請求項１４】
請求項１記載のポリペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩、または請求項３記載の部分ペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩を含有してなる請求項１記載のポリペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩、または請求項３記載の部分ペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩の活性を促進または阻害する化合物またはその塩のスクリーニング用キット。
【請求項１５】
請求項１記載のポリペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩、または請求項３記載の部分ペプチド、そのアミドもしくはそのエステルまたはその塩を含有してなる医薬。
【請求項１６】
請求項４記載のポリヌクレオチドを含有してなる医薬。
【請求項１７】
請求項４記載のポリヌクレオチドを含有してなる診断薬。
【請求項１８】
請求項１１記載の抗体を含有してなる医薬。
【請求項１９】
請求項１１記載の抗体を含有してなる診断薬。
【請求項２０】
請求項１２記載のポリヌクレオチドを含有してなる医薬。
【請求項２１】
請求項１２記載のポリヌクレオチドを含有してなる診断薬。
【請求項２２】
神経変性疾患または脳機能障害の予防・治療剤である請求項１５または１６記載の医薬。
【請求項２３】
アルツハイマー病、パーキンソン病、ダウン症、筋萎縮性側索硬化症、プリオン病、クロイツフェルト−ヤコブ病、ハンチントン舞踏病、糖尿病性ニューロパチー、多発性硬化症、脳梗塞、脳出血、クモ膜下出血、虚血性脳疾患、硬膜外血腫または硬膜下血腫の予防・治療剤である請求項２２記載の医薬。
【請求項２４】
アルツハイマー病の予防・治療剤である請求項２２記載の医薬。
【請求項２５】
細胞死抑制剤である請求項１５または１６記載の医薬。
【請求項２６】
神経変性を伴う疾病の診断薬である請求項１７、１９または２１記載の診断薬。
【請求項２７】
アルツハイマー病、パーキンソン病、ダウン症、筋萎縮性側索硬化症、プリオン病、クロイツフェルト−ヤコブ病、ハンチントン舞踏病、糖尿病性ニューロパチー、多発性硬化症、脳梗塞、脳出血、クモ膜下出血、虚血性脳疾患、硬膜外血腫または硬膜下血腫の診断薬である請求項２６記載の診断薬。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月18日(2004.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【実施例】
（比較例１，参考例１及び実施例１）
下記組成の樹脂組成物を用いて、０．１５ｍｍ厚の農業用ポリオレフィン系フィルム（試験フィルム）を作成し、下記の実験を行った。尚、この試験では単層のフィルムを用いたが、多層のポリオレフィン系基体フィルムの両面に、塗布膜を形成したポリオレフィン系農業用フィルムにおいても、本試験と同様の結果であることを確認している。
（樹脂組成）
ポリエチレン樹脂                １００重量部
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤    ０．１５重量部
ヒンダードアミン系光安定剤      ０．５重量部
ハイドロタルサイト系保温剤          ５重量部
上記試験フィルムを用いて、１）受けレールの内側底面に両面粘着テープを貼付し、第１のフィルムの端部を粘着テープで貼付し、第２のフィルム端部を重ねた後、その上をスプリングで固定した試験片（比較例１）、２）受けレールの上に第１と第２のフィルム端部を重ねてスプリングで固定したのみの試験片（参考例１）、３）受けレールの内側底面に両面粘着テープを貼付し、第１のフィルムを貼付し、第２のフィルム端部を重ねた上を、アルミ製の保護カバーで覆い、スプリングで固定した試験片（実施例１）、の３試験片を用意し、促進耐候性試験機にて、３０００時間に至るまで、それらのフィルムを曝露し、外観で劣化の程度を観察した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
不安定化要素はＨＩＶゲノムに由来する請求項３〜５のいずれかに記載のレポーター遺伝子構築物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
トランスフェクションから２４時間後に細胞を収集し、ＰＢＳに再懸濁した後、ＦＡＣＳ分析に供した（ＦＡＣＳプロット：図Ｆ４を参照）。分析はベクトンディッキンソン社製のＣａｌｉｂｕｒＦＡＣＳ装置およびＣｅｌｌＱｕｅｓｔソフトウェアを用いて実施した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
区画された複数の敷地内に建造された複数の建造物とそれぞれの居住者とを併記した住宅地図であって、
前記建造物の形状を表す建造物枠表記と、
前記建造物の居住者を表す居住者表記とを有し、
前記建造物枠表記と前記居住者表記は、明度、色相、彩度の少なくとも一部を有意に異ならせることで前記居住者表記が見やすくなるように記載され、かつ、前記居住者表記が、前記敷地に沿って記載されている住宅地図。
【請求項２】
請求項１に記載の住宅地図であって、
前記居住者表記の最初および最後の文字は、前記敷地の図心に略点対称に配置されていることを特徴とする住宅地図。
【請求項３】
請求項１または２に記載の住宅地図であって、
前記居住者表記は、前記敷地内に複数の建造物が存在する場合、該敷地内の全建造物にわたって表記されることを特徴とする住宅地図。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の住宅地図であって、
前記居住者表記および前記建造物枠は、異なる明度で単色表示される住宅地図。
【請求項５】
請求項４記載の住宅地図であって、
前記居住者表記は黒色、前記建造物枠の内部は、マンセル指標において、明度９．０以上９．７以下である住宅地図。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の住宅地図であって、
同一敷地内に複数の建造物が存在するとき、少なくとも一部の建造物は、重要度に応じた表示態様で他の建造物と区別して表記することを特徴とする住宅地図。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の住宅地図を表す電子地図を、コンピュータ読み取り可能に記録した記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月26日(2005.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
しかしながら、対物レンズおよびレンズホルダを小型化、薄型化して軽量化を図ると、サーボ性能は向上させることができるが、対物レンズをトラッキング方向に移動させたとき、対物レンズの有効径の外側をレーザ光が通過して光記録媒体に到達し、それが光記録媒体で反射して受光素子に入射してしまう。このような不要光は、受光素子で受光されても、記録ピットによる変調を受けていないので、再生情報を含まず、情報再生に役立たないうえに、再生信号に大きなオフセットを発生させてしまい、情報の再生時にレベル変動などのエラーの原因となる。また、不要光は、トラッキングエラー信号やフォーカシングエラー信号に対しても、オフセットを発生させてしまう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、ここに開示の光ヘッド装置では、遮光板１０３を対物レンズ１０１の光軸Ｌに対して直交するように配置し、遮光板１０３の遮光面１０５には、遮光性塗料を塗布したり、その表面を荒らして光が散乱するような粗面化処理が施されている。従って、不要光が遮光面１０５で反射して受光素子に向かうことがないので、不要光に起因する情報再生時のエラーなどを防止できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
レンズホルダ５１は、筒状で角型の胴部５１１と、この胴部５１１の内側に配置された円筒状の軸受け部５１２を備えている。胴部５１１と軸受け部５１２とは４本のリブ５１３で繋がっている。胴部５１１の上端からは、リング状の対物レンズ取付部５１４が側方に張り出しており、このレンズ取付部５１４の上に対物レンズ５が接着剤５５で固定されている。また、軸受け部５１２の内周面は軸孔５１５となっている
ホルダ支持部材５２は、角形の底壁５２１と、その底壁５２１の外周縁から立ち上がっている左右一対の外ヨーク５２２、５２３とを備えている。底壁５２１の中央からは支軸５２４が直立しており、この支軸５２４がレンズホルダ５１の軸孔５１５が差し込まれていることにより、ホルダ支持部材５２は、レンズホルダ５１を支軸５２４の周り（トラッキング方向Ｔ）に回転可能、かつ、その軸線方向（フォーカシング方向Ｆ）に摺動可能な状態で支持している。支軸５２４で支持されたレンズホルダ５１における胴部５１１と軸受け部５１２の間には、内ヨーク５２５、５２６が位置している。レンズホルダ５１を２点鎖線で示す図２（Ｃ）を見ると分かるように、内ヨーク５２５、５２６は、底板５２７の両端縁を立ち上げたものであり、底板５２７をホルダ支持部材５２の底壁５２１に重ねて取り付けることにより、外ヨーク５２２、５２３と支軸５２４の間にそれぞれ立設されている。また、支軸５２４は、底壁５２１の上に底板５２７を重ねた部分に取り付けられる別部品となっている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性半導体記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電気的にデータを書換可能な複数の不揮発性半導体メモリセルが行列状に配置され、正規のメモリセル群から構成される正規のメモリ空間とは別に冗長なメモリセル群から構成される冗長なメモリ空間が付加され、前記メモリセルの記憶データが電気的に一括消去されるセルブロックを単位として基盤が複数に分割されたメモリセルアレイと、
前記各セルブロックに行列状に配置され、前記正規のメモリセルを選択するための複数本の正規のワード線、前記冗長なメモリセルを選択するための複数本の冗長なワード線および複数本のビット線と、
前記複数のセルブロックのうちで選択された少なくとも１つのセルブロックの基盤を動作条件に応じて所定の電圧状態に設定するために設けられ、選択されたセルブロックの消去動作時には、セルブロックの基盤に正の第１電圧を印加するウェル制御回路と、
前記セルブロック内のワード線を選択し、選択したセルブロック内のワード線を動作条件に応じて所定の電圧状態に設定するために設けられ、選択したセルブロックの消去動作時には、セルブロック内の正常なメモリセルに対応する正規のワード線に負の第２電圧を印加してチャネル消去を制御し、不良メモリセルに対応する正規のワード線もしくは置換使用されなかった冗長なワード線には、前記第１電圧と第２電圧との電位差よりも前記第１電圧との電位差が小さくなるように設定された第３電圧を印加する行デコーダ
とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】  前記第３電圧は、前記第１電圧以下の正の電圧であることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】  前記セルブロックにおける不良のメモリセルに対応する不良のローアドレスを記憶する不良アドレス記憶回路と、
外部アドレス入力と前記不良アドレス記憶回路の記憶データを比較して一致／不一致を示す比較結果を出力する比較回路と、
前記比較結果が一致である場合には前記不良のメモリセルに対応する正規のワード線を前記冗長なワード線に置換するためのアドレスを選択し、前記比較結果が不一致である場合には前記外部アドレス入力を選択し、内部アドレス信号として出力するアドレスマルチプレクサと、
前記各セルブロックのビット線の選択動作を制御し、選択されたビット線を動作条件に応じて所定の電圧状態に設定するために設けられたカラム制御回路
とをさらに具備することを特徴とする請求項１または２記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】  前記行デコーダは、二重ワード線方式によって前記セルブロック内のワード線を選択駆動することを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】  前記行デコーダは、
前記各セルブロックに共通に設けられ、前記内部アドレス信号に含まれる上位のローアドレスに基づいて各セルブロックのワード線を複数本単位で選択制御するための選択信号を出力する第１の行デコーダ回路と、
前記各セルブロックに対応して設けられ、前記内部アドレス信号に含まれる下位のローアドレスに基づいてセルブロックを選択制御するための選択信号を出力する第２の行デコーダ回路と、
前記第１の行デコーダ回路の出力信号および前記第２の行デコーダ回路の出力信号に基づいてセルブロックのワード線を個別に選択制御し、選択したセルブロックの消去動作時には、セルブロック内の正常なメモリセルに対応する正規のワード線もしくは置換使用された冗長なワード線には前記第２電圧を印加してチャネル消去を制御し、不良メモリセルに対応する正規のワード線もしくは置換使用されなかった冗長なワード線には前記第３電圧を印加する行デコーダする第３の行デコーダ回路
とを具備することを特徴とする請求項４記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】  前記第３の行デコーダ回路は、
前記各ワード線に対応して直列に挿入接続されて書き込み／読み出し／消去動作時に選択的にオン状態に制御される第１のトランスファゲートと、前記第２電圧を有する消去バイアス電圧源と前記各ワード線との間にそれぞれ接続された第２のトランスファゲートとを具備し、
消去動作時には、正常なメモリセルに対応する正規のワード線もしくは置換使用された冗長なワード線に接続されている前記第１のトランスファゲートは、一端に印加される前記第２電圧を通過させ、前記不良メモリセルに対応する正規のワード線もしくは置換使用されなかった冗長なワード線に接続されている前記第１のトランスファゲートは、一端に印加される前記第３電圧を通過させ、
一括消去動作時に、正常なメモリセルに対応する正規のワード線もしくは置換使用された冗長なワード線に接続されている前記第２のトランスファゲートは、オン状態に制御されて前記第２電圧を通過させ、前記不良メモリセルに対応する正規のワード線もしくは置換使用されなかった冗長なワード線に接続されている前記第２のトランスファゲートは、オフ状態に制御される
ことを特徴とする請求項４または５記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明は上記の問題点を解決すべくなされたもので、メモリセルのW/E を繰り返してもワード線・基盤間が短絡してしまうようなビット不良に絡んだ市場不良を防止可能なチャネル消去型フラッシュメモリを実現し得る不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、メモリセルのW/E を繰り返してもワード線・基盤間が短絡してしまうようなビット不良に絡んだ市場不良を防止可能なチャネル消去型フラッシュメモリを実現し得る不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
磁気記録層と、
基板と磁気記録層の間に配設された軟磁性膜と有し、その軟磁性膜が
各々が第１の強磁性層と非磁性のスペーサ層を有する複数の層群であって、前記第１の強磁性層が前記各層群内で前記非磁性のスペーサ層の上に配設されている複数の層群と、
第２の強磁性層とを有し、前記非磁性スペーサ層の１つが、前記第１の強磁性層の１つと前記第２の強磁性層との間に反強磁性結合を誘起させるように、前記第１の強磁性層の１つと前記第２の強磁性層との間に配設され、かつ各層群の前記第１の強磁性層が、その上側に存在する層群の第１の強磁性層よりも厚い厚さを有することを特徴とする垂直磁気記録ディスク。
【請求項２】
基板の上に第１の軟磁性層を堆積すること、
前記第１の軟磁性層の上に第１のスペーサ層を堆積すること、
前記第１スペーサ層の上に第２の軟磁性層を堆積すること、
前記第２の軟磁性層の上に第２のスペーサ層を堆積すること、
前記第２のスペーサ層の上に第３の軟磁性層を堆積すること、
磁気記録層が前記第３の軟磁性層の上に形成されることを含み、
前記第１の軟磁性層の厚さがが前記第２の軟磁性層の厚さより厚く、かつ前記第２の軟磁性層の厚さが前記第３の軟磁性層の厚さより厚いことを特徴とする垂直磁気記録ディスク。
【請求項３】
磁気抵抗読み取り要素を有するヘッドと、
前記ヘッドに作用するように結合した磁気記録ディスクとを有するディスクであって、前記磁気記録ディスクが、
基板と、
磁気記録層と、
前記基板と前記磁気記録層の間に配設された軟磁性膜とを有し、
前記軟磁性膜が、
複数の層群を含み、各複数の層群が、第１の強磁性層とスペーサ層を有し、第１の強磁性層が各層群中のスペーサ層に隣接して配設されており、
さらに前記軟磁性膜が第２の強磁性層を含み、スペーサ層の１つが、第１の強磁性層の１つと第２の強磁性層との間に配設され、それらの間に反強磁性結合を誘起させるように構成され、各層群の第１の強磁性層が、その上に存在する層群の第１の強磁性層よりも厚い厚さを有することを特徴とするディスク。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月26日(2005.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
光ディスク上のデータトラックにレーザビームを収束させてデータを読み取りまたは書き込む光学装置を搬送体に搭載し、前記搬送体を駆動軸と副軸によって前記光ディスクの記録面と平行な平面内を直線移動するように案内して前記光ディスクをラジアル方向に走査する光ピックアップ装置において、前記搬送体は、前記駆動軸に摺動自在に支持される第一軸受部と、前記副軸に摺動自在に支持される第二軸受部とを備え、前記第二軸受部は、前記副軸との摺動部分を樹脂材料により形成した別部材を配設したことを特徴とする光ピックアップ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係わる光ピックアップ装置は、光ディスク上のデータトラックにレーザビームを収束させてデータを読み取りまたは書き込む光学装置を搬送体に搭載し、前記搬送体を駆動軸と副軸によって前記光ディスクの記録面と平行な平面内を直線移動するように案内して前記光ディスクをラジアル方向に走査する光ピックアップ装置において、前記搬送体は、前記駆動軸に摺動自在に支持される第一軸受部と、前記副軸に摺動自在に支持される第二軸受部とを備え、前記第二軸受部は、前記副軸との摺動部分を樹脂材料により形成した別部材を配設した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月19日(2005.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  
前記一対の第２のスイッチ、前記電流電圧変換用抵抗器対および前記差動スイッチ対が、それぞれ、対称な回路を構成している
ことを特徴とする請求項９に記載の磁気メモリデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子を用いて構成される磁気メモリデバイス、および、磁気メモリデバイスからの情報の読み出しに適用するセンスアンプ回路、ならびに磁気メモリデバイスにおける情報の読出方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
なお、本発明の磁気メモリデバイスにおいては「接続され」とは、少なくとも電気的に接続された状態を指し、物理的に直接に接続されていることを必ずしも条件としない。また、本発明において、「電源」とは、回路動作に必要な電流ないし電圧の供給源であり、磁気メモリデバイスの内部電源ラインを意味する。また、「差動スイッチ対」とは、例えば、一方のスイッチ素子に１６０μＡが流れ他方のスイッチ素子に電流が流れないといった、完全にオン−オフの関係となる差動動作を行うものにとどまらず、動作時に生じる相対的な２状態、例えば、一方のスイッチ素子に１１０μＡが流れ他方のスイッチ素子に５０μＡの電流が流れるといった、一方により多くの電流が流れ、他方はより少ない電流しか流せない中間状態において差動動作を行うものをも意味する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この磁気メモリデバイスでは、記憶セルを構成する一対の磁気抵抗効果素子の各々に対し、その和が常に一定であるような一対の読出電流が供給され、これら読出電流の差分に基づいて記憶セルから情報が読み出される。この方式によれば、読出電流は差動出力されるため、読出線の各々に生じる雑音や、磁気抵抗効果素子ごとの出力値に含まれるオフセット成分が相殺される。また、その際に、読出電流の差分は、センスアンプ回路により電圧差として差動増幅される。センスアンプ回路は、差動スイッチ対、バイアス抵抗器対を含む部分については読出線対ごとに複数設けられるが、読出電流の総和を一定化するための定電流回路を共用とすることから、定電流回路の特性ばらつきに起因するセンスアンプ出力のばらつきが抑えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図２は、記憶セル群とその読み出し回路からなる回路系の構成図である。この読み出し回路系は、記憶セル１２が１対の磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂからなる差動増幅型である。ここでは、各記憶セル１２の情報読み出しを、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂそれぞれに流すセンシング電流（センス用ビットデコード線２１Ａ、２１Ｂから磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂそれぞれに流入し、共通のセンス用ワードデコード線３１に流出する電流）の差分値を出力として行うようになっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、センスビット線２１Ａ，２１Ｂに接続された抵抗器２３Ａ，２３Ｂの電源Ｖccとは反対側の端部における結節点からは、センスアンプ入力線４０Ａ，４０Ｂ（以後、入力線４０Ａ，４０Ｂ）が導出されている。抵抗器２３Ａ，２３Ｂは、センスアンプ１０６Ｂのバイアス抵抗として機能する。すなわち、自身の電圧降下によって、電源Ｖccからセンスビット線２１Ａ，２１Ｂを流れ下るセンシング電流を電圧に変換し、入力線４０Ａ，４０Ｂよりセンスアンプ１０６Ｂに導くために設置される。また、抵抗器２３Ａ，２３Ｂは、電源Ｖccの供給電圧よりも−φだけ低い中間電圧レベルを作り出す機能も兼ね備えている。ここでは、センシング電流が微弱なために、抵抗器２３Ａ，２３Ｂで大きな電圧降下を得て、入力線４０Ａ，４０Ｂに入力する電圧値をできるだけ大きくするには、抵抗器２３Ａ，２３Ｂの抵抗値を大きくする必要がある。よって、抵抗器２３Ａ，２３Ｂは、例えば１００ｋΩ程度の高い抵抗値を有することが望ましく、少なくとも、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂの抵抗値よりも大きい抵抗値を有することが望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
2004348775.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２８】
2004348775.tif 000002