【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光ダイオード
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基を１分子中に少なくとも２個含有する化合物、及び／又は、その部分縮合物、並びに（Ｅ）水及び／又は水を生成する化合物を必須成分として含有することを特徴とする光学材料用組成物をあらかじめ混合し、組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部を反応させ、金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基を加水分解縮合反応させることによって硬化させてなる光学材料を用いた発光ダイオード。
【請求項２】
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基を１分子中に少なくとも２個含有する化合物、及び／又は、その部分縮合物、並びに（Ｅ）水及び／又は水を生成する化合物を必須成分として含有する硬化性組成物を用いて発光素子が被覆された発光ダイオード。
【請求項３】
（Ａ）成分は、ＳｉＨ基と反応性を有するビニル基を１分子中に少なくとも１個含有する有機化合物であることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項４】
（Ａ）成分は、ＳｉＨ基と反応性を有するアリル基を１分子中に少なくとも１個含有する有機化合物であることを特徴と請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項５】
（Ａ）成分は、１，２−ポリブタジエン、ビニルシクロヘキセン、シクロペンタジエン、ジシクロペンタジエン、ジビニルビフェニル、またはビスフェノールＡジアリルエーテルであることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項６】
（Ａ）成分は、トリアリルイソシアヌレート、またはトリビニルシクロヘキサンであることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記硬化性組成物は、さらに（Ｆ）縮合触媒を必須成分として含有することを特徴とする請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項８】
（Ｆ）縮合触媒は、Ｔｉ系縮合触媒であることを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項９】
（Ｄ）成分の金属原子は、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、及びＺｒからなる群より選ばれる一種あるいは複数の原子であり、半金属原子は、Ｂ及び／又はＳｉであることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
（Ｄ）成分の加水分解性基は、アルコキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、及びハロゲン基からなる群より選ばれる一種あるいは複数の基であることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記硬化性組成物は、前記発光素子を被覆する前にあらかじめ混合されて組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部が反応し金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基が加水分解縮合反応していることを特徴とする請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記発光素子は、珪素を含有する無機化合物層を表面に有し、前記無機化合物層に接して、前記硬化性組成物から得られる透光性封止材が設けられていることを特徴とする請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記無機化合物層は、前記発光素子から発光される光の少なくとも一部を吸収して他の波長を有する光を発光することが可能な蛍光物質を有することを特徴とする請求項１２記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基を１分子中に少なくとも２個含有する化合物、及び／又は、その部分縮合物、並びに（Ｅ）水及び／又は水を生成する化合物を必須成分として含有する硬化性組成物を用いて発光素子が被覆された発光ダイオードの製造方法であって、
前記硬化性組成物は、前記発光素子を被覆する前にあらかじめ混合されて組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部が反応し金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基が加水分解縮合反応していることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明は、
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基を１分子中に少なくとも２個含有する化合物、及び／又は、その部分縮合物、並びに（Ｅ）水及び／又は水を生成する化合物を必須成分として含有することを特徴とする光学材料用組成物をあらかじめ混合し、組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部を反応させ、金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基を加水分解縮合反応させることによって硬化させてなる光学材料を用いた発光ダイオードである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の発光ダイオードは、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基を１分子中に少なくとも２個含有する化合物、及び／又は、その部分縮合物、並びに（Ｅ）水及び／又は水を生成する化合物を必須成分として含有する硬化性組成物を用いて発光素子が被覆された発光ダイオードであり、
（Ａ）成分は、ＳｉＨ基と反応性を有するビニル基を１分子中に少なくとも１個含有する有機化合物とすることもできる。
（Ａ）成分は、ＳｉＨ基と反応性を有するアリル基を１分子中に少なくとも１個含有する有機化合物とすることもできる。
（Ａ）成分は、１，２−ポリブタジエン、ビニルシクロヘキセン、シクロペンタジエン、ジシクロペンタジエン、ジビニルビフェニル、またはビスフェノールＡジアリルエーテルを用いることができる。
（Ａ）成分は、トリアリルイソシアヌレート、またはトリビニルシクロヘキサンを用いることができる。
前記硬化性組成物が、さらに（Ｆ）縮合触媒を必須成分として含有することが好ましい。
（Ｆ）縮合触媒は、Ｔｉ系縮合触媒であることが好ましい。
（Ｄ）成分の金属原子は、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、及びＺｒからなる群より選ばれる一種あるいは複数の原子であり、半金属原子は、Ｂ及び／又はＳｉであることが好ましい。
（Ｄ）成分の加水分解基は、アルコキシ基、シロキシ基、アシロキシ基、及びハロゲン基からなる群より選ばれる一種あるいは複数の基であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の発光ダイオードは、前記硬化性組成物が、前記発光素子を被覆する前にあらかじめ混合されて組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部が反応し金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基が加水分解縮合反応していることが好ましい。
前記発光素子は、珪素を含有する無機化合物層を表面に有し、前記無機化合物層に接して、前記硬化性組成物から得られる透光性封止材が設けられていることが好ましい。
前記無機化合物層は、前記発光素子から発光される光の少なくとも一部を吸収して他の波長を有する光を発光することが可能な蛍光物質を有することが好ましい。
また、発光ダイオードの製造方法は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基を１分子中に少なくとも２個含有する化合物、及び／又は、その部分縮合物、並びに（Ｅ）水及び／又は水を生成する化合物を必須成分として含有する硬化性組成物を用いて発光素子が被覆された発光ダイオードの製造方法であって、
前記硬化性組成物は、前記発光素子を被覆する前にあらかじめ混合されて組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部が反応し金属原子及び／又は半金属原子に結合した加水分解性基が加水分解縮合反応していることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
（実施例１５）
実施例１１と同様に順次積層された窒化物半導体において、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置でｐ型窒化物半導体層側からエッチングを行い、負電極が形成されるｎ型コンタクト層の表面を露出させる。次に、最上層にあるｐ型コンタクト層上のほぼ全面にリフトオフ法によりＮｉ／Ａｕを膜厚６０／２００Åにて積層し、オーミック接触が良好で且つ優れた透過性を有する第一の正電極を形成する。また、上記透光性第一の正電極上の一部にＡｕを膜厚１μｍ積層し、正極側ボンディング部となる第二の正電極を形成する。