【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】          明細書
【発明の名称】      液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、透明電極膜と、前記透明電極膜を覆い、前記透明電極膜よりも抵抗の低い低抵抗膜とを形成する工程と、
前記透明電極膜及び前記低抵抗膜が形成された基板上に第１の感光性膜を形成する工程と、
前記第１の感光性膜から、第１のラインに対応する第１の残部と透明電極に対応する第２の残部が残るように、前記第１の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、
前記第１のラインと前記透明電極とを形成するために、前記第１の残部と前記第２の残部とをマスクとして前記透明電極膜と前記低抵抗膜とをエッチングする工程と、
前記第１及び第２の残部を剥離する工程と、
前記第１及び第２の残部が剥離された前記基板上に、前記第１のラインに対応する第１のダイオードと前記透明電極に対応する第２のダイオードとのための複数の膜を形成する工程と、
前記複数の膜が形成された基板上に第２の感光性膜を形成する工程と、
前記第２の感光性膜から、前記第１のダイオードに対応する第３の残部と、前記第２のダイオードに対応する第４の残部とが残るように、前記第２の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、
前記第１及び第２のダイオードを形成するために、前記第３及び第４の残部をマスクとして前記複数の膜をエッチングする工程と、
前記第３及び第４の残部を剥離する工程と、
前記第３及び第４の残部が剥離された前記基板上に第３の感光性膜を形成する工程と、
前記第３の感光性膜に、前記第１のダイオードに対応する第１の孔、前記第２のダイオードに対応する第２の孔、及び前記透明電極に対応する第３の孔とを形成するために、前記第３の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、
前記第３の感光性膜に前記第１、第２及び第３の孔が形成された前記基板上に、反射電極膜を形成する工程と、
前記反射電極膜が形成された基板上に第４の感光性膜を形成する工程と、
前記第４の感光性膜から、前記反射電極に対応する第５の残部と、前記第２のラインに対応する第６の残部とが残るように、前記第４の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、
前記反射電極膜から前記反射電極と前記第２のラインとを形成し、且つ前記透明電極を露出するために、前記第５及び第６の残部をマスクとして前記反射電極膜と前記透明電極を覆っている前記低抵抗膜の膜片とをエッチングする工程と、
を備えた液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程が、前記第３の感光性膜の表面に複数の凹部又は凸部を更に形成する請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
基板上に透明電極膜を形成する工程と、
前記透明電極膜が形成された基板上に第１の感光性膜を形成する工程と、
前記第１の感光性膜から、第１のラインに対応する第１の残部と透明電極に対応する第２の残部が残るように、前記第１の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、
前記第１のラインと前記透明電極とを形成するために、前記第１の残部と前記第２の残部とをマスクとして前記透明電極膜をエッチングする工程と、
前記第１及び第２の残部を剥離する工程と、
前記第１及び第２の残部が剥離された前記基板上に、前記第１のラインに対応する第１のダイオードと前記透明電極に対応する第２のダイオードとのための複数の膜を形成する工程と、
前記複数の膜が形成された基板上に第２の感光性膜を形成する工程と、
前記第２の感光性膜から、前記第１のダイオードに対応する第３の残部と、前記第２のダイオードに対応する第４の残部とが残るように、前記第２の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、
前記第１及び第２のダイオードを形成するために、前記第３及び第４の残部をマスクとして前記複数の膜をエッチングする工程と、
前記第３及び第４の残部を剥離する工程と、
前記第３及び第４の残部が剥離された前記基板上に第３の感光性膜を形成する工程と、
前記第３の感光性膜に、前記第１のダイオードに対応する第１の孔、前記第２のダイオードに対応する第２の孔、及び前記透明電極に対応する第３の孔とを形成するために、前記第３の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、
前記第３の感光性膜に前記第１、第２及び第３の孔が形成された前記基板上に、反射電極膜を形成する工程と、
前記反射電極膜が形成された基板上に第４の感光性膜を形成する工程と、
前記第４の感光性膜から、前記反射電極に対応する第５の残部と、前記第２のラインに対応する第６の残部とが残るように、前記第４の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、
前記反射電極膜から前記反射電極と前記第２のラインとを形成し、且つ前記透明電極を露出するために、前記第５及び第６の残部をマスクとして前記反射電極膜をエッチングする工程と、
を備えた液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第３の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程が、前記第３の感光性膜の表面に複数の凹部又は凸部を更に形成する請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
バックライト、
第１のライン、
透明電極、
前記第１のラインに接続された第１のダイオード、
前記透明電極に接続された第２のダイオード、
前記第２のダイオードに接続された第２のライン、及び
前記第１のダイオードに接続された反射電極、
を有する液晶表示装置。
【請求項６】  前記液晶表示装置が、前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードの上に、感光性樹脂を用いて形成された膜を有し、
前記感光性樹脂を用いて形成された膜が、前記第１のダイオードと前記反射電極とを接続するための第１の孔と、前記第２のダイオードと前記第２のラインとを接続するため第２の孔と、前記バックライトから発せられる光を透過させるための第３の孔とを有する請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】  前記第１のラインが、前記透明電極の材料を有する第１の部分と、前記第１の部分よりも低抵抗の第２の部分とを有することを特徴とする請求項５又は６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に、反射電極と、第１のダイオードを経由して前記反射電極に電位を付与する第１のラインと、透明電極と、第２のダイオードを経由して前記透明電極に電位を付与する第２のラインとを形成する液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリックス型の液晶表示装置として、１つの画素に対応する領域に２つのダイオードが設けられたいわゆるＤ２Ｒ（Double Diode plus
Reset）型の液晶表示装置（以下、単に「Ｄ２Ｒ」という）が知られている（例えば特許番号２６８３９１４号参照）。Ｄ２Ｒは、ＴＦＴ液晶表示装置と比較して、リーク電流を効率的に抑制することができる等の長所があり、今後、このＤ２Ｒが積極的に使用されることが考えられる。近年、透過型と反射型との両方の機能を備えた半透過型の液晶表示装置が急速に普及してきており、これに伴って、Ｄ２Ｒにも、半透過型の機能を持たせることが考えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
Ｄ２Ｒに半透過型の機能を持たせる場合、透明電極と反射電極との両方の電極を形成する必要がある。したがって、半透過型のＤ２Ｒを単純な製造方法を用いて製造しようとすると、多数のフォトリソ工程を行う必要があり、製造工程の複雑化、製造コストの増大を生じさせるという問題がある。
【０００４】
本発明は、上記の事情に鑑み、製造工程の簡略化が図られた液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の第１の液晶表示装置の製造方法は、基板上に、透明電極膜と、前記透明電極膜を覆い、前記透明電極膜よりも抵抗の低い低抵抗膜とを形成する工程と、前記透明電極膜及び前記低抵抗膜が形成された基板上に第１の感光性膜を形成する工程と、前記第１の感光性膜から、第１のラインに対応する第１の残部と透明電極に対応する第２の残部が残るように、前記第１の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、前記第１のラインと前記透明電極とを形成するために、前記第１の残部と前記第２の残部とをマスクとして前記透明電極膜と前記低抵抗膜とをエッチングする工程と、前記第１及び第２の残部を剥離する工程と、前記第１及び第２の残部が剥離された前記基板上に、前記第１のラインに対応する第１のダイオードと前記透明電極に対応する第２のダイオードとのための複数の膜を形成する工程と、前記複数の膜が形成された基板上に第２の感光性膜を形成する工程と、前記第２の感光性膜から、前記第１のダイオードに対応する第３の残部と、前記第２のダイオードに対応する第４の残部とが残るように、前記第２の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、前記第１及び第２のダイオードを形成するために、前記第３及び第４の残部をマスクとして前記複数の膜をエッチングする工程と、前記第３及び第４の残部を剥離する工程と、前記第３及び第４の残部が剥離された前記基板上に第３の感光性膜を形成する工程と、前記第３の感光性膜に、前記第１のダイオードに対応する第１の孔、前記第２のダイオードに対応する第２の孔、及び前記透明電極に対応する第３の孔とを形成するために、前記第３の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、前記第３の感光性膜に前記第１、第２及び第３の孔が形成された前記基板上に、反射電極膜を形成する工程と、前記反射電極膜が形成された基板上に第４の感光性膜を形成する工程と、前記第４の感光性膜から、前記反射電極に対応する第５の残部と、前記第２のラインに対応する第６の残部とが残るように、前記第４の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、前記反射電極膜から前記反射電極と前記第２のラインとを形成し、且つ前記透明電極を露出するために、前記第５及び第６の残部をマスクとして前記反射電極膜と前記透明電極を覆っている前記低抵抗膜の膜片とをエッチングする工程と、を備えている。
【０００６】
本発明の第１の液晶表示装置の製造方法により、透明電極と反射電極との両方の電極を有するＤ２Ｒが製造される。本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、透明電極と反射電極との両方の電極を形成し終えるまでの間に、第１の感光性膜乃至第４の感光性膜の４つの感光性膜について露光及び現像工程が行われる。つまり、露光及び現像工程は４回行われる。これに対し、Ｄ２Ｒに代えて例えばＴＦＴ型の液晶表示装置に透明電極と反射電極との両方の電極を備える場合、少なくとも５つの感光性膜の各々について露光及び現像工程を行う必要があるため、露光及び現像工程を少なくとも５回行う必要がある。従って、本発明では、ＴＦＴ型の液晶表示装置と比較して、露光及び現像工程が少なくとも１回削減され、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【０００７】
ここで、本発明の第１の液晶表示装置の製造方法は、前記第３の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程が、前記第３の感光性膜の表面に複数の凹部又は凸部を更に形成することが好ましい。複数の凹部又は凸部を形成することにより、反射電極に凹部又は凸部を設けることができる。
【０００８】
また、本発明の第２の液晶表示装置の製造方法は、基板上に透明電極膜を形成する工程と、前記透明電極膜が形成された基板上に第１の感光性膜を形成する工程と、前記第１の感光性膜から、第１のラインに対応する第１の残部と透明電極に対応する第２の残部が残るように、前記第１の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、前記第１のラインと前記透明電極とを形成するために、前記第１の残部と前記第２の残部とをマスクとして前記透明電極膜をエッチングする工程と、前記第１及び第２の残部を剥離する工程と、前記第１及び第２の残部が剥離された前記基板上に、前記第１のラインに対応する第１のダイオードと前記透明電極に対応する第２のダイオードとのための複数の膜を形成する工程と、前記複数の膜が形成された基板上に第２の感光性膜を形成する工程と、前記第２の感光性膜から、前記第１のダイオードに対応する第３の残部と、前記第２のダイオードに対応する第４の残部とが残るように、前記第２の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、前記第１及び第２のダイオードを形成するために、前記第３及び第４の残部をマスクとして前記複数の膜をエッチングする工程と、前記第３及び第４の残部を剥離する工程と、前記第３及び第４の残部が剥離された前記基板上に第３の感光性膜を形成する工程と、前記第３の感光性膜に、前記第１のダイオードに対応する第１の孔、前記第２のダイオードに対応する第２の孔、及び前記透明電極に対応する第３の孔とを形成するために、前記第３の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、前記第３の感光性膜に前記第１、第２及び第３の孔が形成された前記基板上に、反射電極膜を形成する工程と、前記反射電極膜が形成された基板上に第４の感光性膜を形成する工程と、前記第４の感光性膜から、前記反射電極に対応する第５の残部と、前記第２のラインに対応する第６の残部とが残るように、前記第４の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程と、前記反射電極膜から前記反射電極と前記第２のラインとを形成し、且つ前記透明電極を露出するために、前記第５及び第６の残部をマスクとして前記反射電極膜をエッチングする工程と、を備えている。
【０００９】
本発明の第２の液晶表示装置の製造方法によれば、本発明の第１の液晶表示装置の製造方法と同様に、露光及び現像工程は４回行えばよいため、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【００１０】
ここで、本発明の第２の液晶表示装置の製造方法は、前記第３の感光性膜に対して少なくとも露光及び現像を行う工程が、前記第３の感光性膜の表面に複数の凹部又は凸部を更に形成することが好ましい。複数の凹部又は凸部を形成することにより、反射電極に凹部又は凸部を設けることができる。
【００１１】
また、本発明の液晶表示装置は、バックライト、第１のライン、透明電極、前記第１のラインに接続された第１のダイオード、前記透明電極に接続された第２のダイオード、前記第２のダイオードに接続された第２のライン、及び前記第１のダイオードに接続された反射電極、を有する。
【００１２】
ここで、本発明の液晶表示装置は、前記液晶表示装置が、前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードの上に、感光性樹脂を用いて形成された膜を有し、前記感光性樹脂を用いて形成された膜が、前記第１のダイオードと前記反射電極とを接続するための第１の孔と、前記第２のダイオードと前記第２のラインとを接続するため第２の孔と、前記バックライトから発せられる光を透過させるための第３の孔とを有することが好ましい。
【００１３】
ここで、本発明の液晶表示装置は、前記第１のラインが、前記透明電極の材料を有する第１の部分と、前記第１の部分よりも低抵抗の第２の部分とを有することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１５】
図１は、本発明の液晶表示装置の製造方法を用いて製造された半透過型の液晶表示装置の一部断面図、図２は、図１に示す基板５１の平面図である。
【００１６】
この液晶表示装置５５は、ダイオード１３、１４、カラムライン２０、リセットライン１６１、透明電極２２及び反射電極１６２等が形成された基板（以下、「ダイオード基板」という）５１を有している。このダイオード基板５１表面には、図１に示すように配向膜１９が形成されているが、図２では、この配向膜１９は図示省略されている。また、この液晶表示装置５５は、カラーフィルタ等が形成されたカラーフィルタ基板５２とを有している。カラーフィルタ基板５２の構造は、本実施形態の特徴部分とは無関係であるため、図１には、簡略化して示されている。ダイオード基板５１とカラーフィルタ基板５２との間には液晶層５３が存在している。ダイオード基板５１の背面には、バックライト５４が備えられている。
【００１７】
以下、本実施形態の特徴部分であるダイオード基板５１の製造方法について説明する。
【００１８】
先ず、ガラス基板１上にカラムライン２０及び透明電極２２を形成する。以下、カラムライン２０及び透明電極２２を形成する方法について、図３乃至図６を参照しながら説明する。
【００１９】
図３は、ＩＴＯ膜２及び金属膜３が形成された基板１を示す断面図である。
【００２０】
本実施形態では基板１上にＩＴＯ膜２を形成しているが、ＩＴＯ膜２の代わりに、例えばＩＺＯ膜等の別の透明導電膜を形成してもよい。金属膜３は、ＩＴＯ膜２よりも低抵抗の膜であり、この金属膜３の材料としては例えばＣｒ、Ｍｏを用いることができる。金属膜３を形成した後、ＩＴＯ膜２及び金属膜３をパターニングするために、この金属膜３の上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光、現像及びポストベークする（図４及び図５参照）。
【００２１】
図４は、レジスト膜が露光、現像及びポストベークされた後の平面図、図５は、図４のI−I方向の断面図である。
【００２２】
本実施形態では、レジスト膜を露光、現像及びポストベークすることにより、レジスト膜の一部である第１の残部４と第２の残部５とが残る。第１の残部４はｙ方向に延在するように残り、第２の残部５は矩形状に残っている。図４に示す二点鎖線で囲まれた領域Ｐは１つの画素に対応する領域を示しており、図４には、４つの画素領域が図示されている。残部４及び５が残るようにレジスト膜をパターニングした後、これら２つの残部４及び５をマスクとして、ＩＴＯ膜２及び金属膜３をエッチングする（図６参照）。
【００２３】
図６は、ＩＴＯ膜２及び金属膜３をエッチングした直後の断面図である。
【００２４】
ＩＴＯ膜２及び金属膜３をエッチングすることにより、第１の残部４の下には、カラムライン２０が形成される。このカラムライン２０は、直線状に延在するＩＴＯライン２１と、直線状に延在する金属ライン３１とからなる。ＩＴＯライン２１はＩＴＯ膜２から形成され、金属ライン３１は金属膜３から形成される。また、第２の残部５の下には、透明電極２２と、この透明電極２２を覆う金属片３２が形成される。透明電極２２はＩＴＯ膜２から形成され、金属片３２は金属膜３から形成されるものである。尚、カラムライン２０を構成する金属ライン３１は、このカラムライン２０の抵抗を低くするために設けられるものである。従って、この金属ライン３１を設ける目的で金属膜３（図５参照）を形成すると、この金属膜３をエッチングしたときに、金属ライン３１だけでなく、第２の残部５の下に、透明電極２２を覆う金属片３２が形成される。しかしながら、この金属片３２は、金属ライン３１を形成するために金属膜３をエッチングしたときに第２の残部５の下に残った単なる副産物であり、本発明の液晶表示装置の動作に直接的に寄与するものではない。このようにカラムライン２０及び画素電極２２を形成した後、第１及び第２の残部４及び５を剥離し、後述するダイオード１３及び１４（例えば図１０参照）を形成するための複数の膜を形成する（図７参照）。
【００２５】
図７は、ダイオードを形成するための複数の膜６乃至１０を形成した後の基板の断面図である。
【００２６】
本実施形態では、後述するダイオード１３及び１４を形成するために、タングステン膜６、ｐ型水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜７、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜８、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜９及びタングステン膜１０を積層する。タングステン膜６及び１０は、例えばスパッタ法により形成することができ、ｐ型、ｉ型及びｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜７、８及び９は、例えばＰＣＶＤ法を用いて形成することができる。尚、タングステン膜６及び１０の代わりに他の金属膜を用いることもでき、ｐ型、ｉ型及びｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜７、８及び９の代わりに、例えばｐ型、ｉ型及びｎ型ポリシリコン膜を用いることも可能である。また、図７では、図を簡単にするため、タングステン膜６の膜厚は、カラムライン２０及び金属片３２の上の部分の膜厚と、カラムライン２０と金属片３２とで挟まれた部分の膜厚とが異なるように示されているが、実際は、ほぼ同じ膜厚であることに注意されたい。膜６、７、８、９及び１０を形成した後、これら膜６、７、８、９及び１０をパターニングするために、レジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光、現像及びポストベークする（図８及び図９参照）。
【００２７】
図８は、レジスト膜が露光、現像及びポストベークされた後の平面図、図９は、図８のII−II方向の断面図である。
【００２８】
本実施形態では、レジスト膜を露光、現像及びポストベークすることにより、画素領域Ｐの各々に矩形状の第３の残部１１及び第４の１２が残るようにしている。図８には、残部１１及び１２を斜線で示してる。残部１１は、カラムライン２０の上に残り、残部１２は、金属片３２の角部３２ａの上に残るように、レジスト膜が露光、現像及びポストベークされる。次に、これら残部１１及び１２をマスクとして、膜６、７、８、９及び１０をエッチングする（図１０参照）。
【００２９】
図１０は、膜６、７、８、９及び１０をエッチングした後の基板の断面図である。
【００３０】
膜６、７、８、９及び１０をエッチングすることにより、残部１１及び１２の下には、それぞれｐｉｎダイオード１３及び１４が形成される。このようにダイオード１３及び１４を形成した後、残部１１及び１２を剥離し、感光性膜を形成する（図１１参照）。
【００３１】
図１１は、感光性膜１５が形成された後の基板の断面図である。
【００３２】
この感光性膜１５は、例えばアクリル系、ノボラック系等の感光性材料を塗布することにより形成される。この感光性膜１５をパターニングするために、感光性膜１５を露光、現像及びポストベークする（図１２及び図１３参照）。
【００３３】
図１２は、感光性膜１５を露光、現像、及びポストベークした後の基板の平面図、図１３は、図１２に示すIII−III断面図である。尚、図１２及び図１３は、１つの画素領域Ｐのみの平面図及び断面図を示しているが、他の画素領域についても、図１２及び図１３に示す平面図及び断面図と同様の図で示されることに注意されたい。
【００３４】
感光性膜１５を露光、現像及びポストベークすることにより、感光性膜１５には、画素領域Ｐの各々について孔１５ａ、１５ｂ及び１５ｃが形成され、更に、凹凸部１５ｄ（図１３参照）が形成される。尚、図１２では、凹凸部１５ｄは図示省略されているが、この凹凸部１５ｄは、感光性膜１５の表面全体に渡って形成されていることに注意されたい。孔１５ａは、ダイオード１３の表面を露出するように形成され、孔１５ｂは、ダイオード１４の表面を露出するように形成される。孔１５ｃは、金属片３２の一部を露出するように形成される。また、凹凸部１５ｄは、後述する反射電極１６２（例えば図１９参照）の表面に凹凸を持たせるために形成されるものである。反射電極１６２の表面に凹凸を持たせることにより、反射電極１６２の反射特性を向上させることができる。尚、反射電極１６２に十分な反射特性を持たせることができるのであれば、感光性膜１５に必ずしも凹凸部１５ｄを備える必要はない。感光性膜１５をポストベークした後、反射電極を形成するための反射電極膜を形成する（図１４参照）。
【００３５】
図１４は、反射電極膜１６を形成した後の断面図である。
【００３６】
この反射電極膜１６の材料には、例えばＡｌ合金等を用いることができる。この反射電極膜１６の下に形成された感光性膜１５には、凹凸部１５ｄ（図１３参照）が形成されているため、この凹凸部１５ｄに対応して、反射電極膜１６にも凹凸部１６ａが形成される。反射電極膜１６を形成した後、この反射電極膜１６をパターニングするために、レジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光、現像及びポストベークする（図１５及び図１６参照）。
【００３７】
図１５は、レジスト膜が露光、現像及びポストベークされた後の平面図、図１６は、図１５のIV−IV断面図である。
【００３８】
本実施形態では、レジスト膜を露光、現像及びポストベークすることにより、画素領域Ｐの各々に、略矩形状の残部１７と、ｙ方向に延在する残部１８とが残るようにしている。図１５では、残部１７及び残部１８を白抜きで示し、残部１７及び残部１８が存在しない部分をハッチングで示してある。残部１７は、ダイオード１３の上にまで広がるように残っており、この残部１７には、反射電極膜１６の一部を露出するための矩形状の孔１７ａが設けられている。残部１８は、ダイオード１４の上を通過するようにｙ方向に延在した状態で残っている。これら残部１７及び１８をマスクとして、反射電極膜１６をエッチングする（図１７参照）。
【００３９】
図１７は、反射電極膜１６をエッチングした後の断面図である。
【００４０】
反射電極膜１６をエッチングすることにより、残部１８の下には、ダイオード１４に接続されたリセットライン１６１が形成され、残部１７の下には反射電極１６２が形成される。残部１７は、反射電極膜１６の一部を露出するための孔１７ａ（図１５及び図１６参照）を有しているため、この反射電極膜１６の孔１７ａに対応する部分もエッチングされ、反射電極１６２には、金属片３２を露出するための窓１６２ａが形成される。以上の工程により、リセットライン１６１が形成されるとともに、画素領域の各々に反射電極１６２が形成される。
【００４１】
ところで、図１７では、透明電極２２の上には、この透明電極２２の全面を覆うようにして金属片３２が形成されている。従って、この金属片３２が透明電極２２の全面を覆っている状態では、液晶表示装置を透過型モードで使用しようとしたときに、バックライト５４（図１参照）の光が金属片３２で遮蔽されてしまい、バックライト５４の光を液晶層に入射させることができない。そこで、反射電極１６２の窓１６２ａを形成した後、金属片３２に、バックライト５４の光を通過させるための通過窓を形成する（図１８参照）。
【００４２】
図１８は、金属片３２に通過窓３２ａを形成した後の断面図である。
【００４３】
金属片３２をエッチングすることにより、この金属片３２にバックライト５４の光を通過させるための通過窓３２ａが形成され、透明電極２２が露出する。透明電極２２をこのようにして露出させることにより、液晶表示装置を透過型のモードで用いるときに、バックライト５４の光を液晶層５３に入射させる領域を確保することができる。金属片３２に通過窓３２ａをエッチングした後、残部１７及び１８を剥離する。残部１７及び１８を剥離することにより、図２に示すように、リセットライン１６１及び反射電極１６２が露出する。残部１７及び１８を剥離したら、配向膜１９（図１参照）を印刷しラビング処理を行う。このようにして、ダイオード基板５１が形成される。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態では、ダイオード基板５１を製造するために、露光及び現像を含む一連の工程を４回行えばよい。具体的には、この一連の工程は、残部４及び５を残す段階（図４及び図５参照）、残部１１及び１２を残す段階（図８及び図９参照）、感光性膜１５に孔１５ａ、１５ｂ及び１５ｃを形成する段階（図１２及び図１３参照）、残部１７及び１８を残す段階（図１５及び１６参照）で行われる。このように、半透過型の液晶表示装置をダイオードを用いて製造する場合、ダイオード基板５１を製造するために必要となる露光、現像及びポストベークを含む一連の工程は４回だけで済み、低コストでダイオード基板を製造することが可能となる。これに対し、半透過型の液晶表示装置をダイオードの代わりに例えばＴＦＴを用いて製造した場合、上記の一連の工程は少なくとも５回行う必要があり、製造コストが高くなる。以下に、半透過型の液晶表示装置をダイオードの代わりにＴＦＴを用いて製造した場合の一例について、図１９を参照しながら説明する。
【００４５】
図１９は、ＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板を示す断面図である。
【００４６】
ＴＦＴ基板１００を製造する場合、露光及び現像を含む一連の工程を５回行う必要がある。具体的には、ゲート電極１０１を形成する段階、ソース電極１０２及びドレイン電極１０３等を有するアイランド１０４を形成する段階、透明電極１０５を形成する段階、絶縁膜１０６及び平坦化膜１０７を形成する段階、反射電極１０８を形成する段階で行われる。
【００４７】
これに対し、本実施形態では、ダイオード基板５１を製造するために、露光及び現像を含む一連の工程を４回行えばよい。従って、図１９に示す例と比較して、製造工程数及び製造コストの削減が可能となる。
【００４８】
尚、本実施形態では、カラムライン２０は、ＩＴＯライン２１と金属ライン３１とから構成される。しかしながら、このカラムライン２０をＩＴＯライン２１のみで構成することも可能である。以下に、カラムライン２０をＩＴＯライン２１のみで構成する場合の例について、図２０乃至図２３を参照しながら説明する。
【００４９】
図２０は、ＩＴＯ膜２が形成された基板１を示す断面図である。
【００５０】
カラムライン２０を、ＩＴＯライン２１と金属ライン３１とから構成する場合は、ＩＴＯ膜２に加えて金属膜３を形成する必要があるが（図３参照）、カラムライン２０をＩＴＯライン２１のみで構成する場合は、図２０に示すように、ＩＴＯ膜２のみを形成すればよく、金属膜３を形成する必要がない。図２０に示すようにＩＴＯ膜２を形成した後、図４乃至図６に示した方法に従って残部４及び５をマスクとしてＩＴＯ膜２をエッチングする（図２１参照）。ＩＴＯ膜２をエッチングすることにより、ＩＴＯ膜２から、ＩＴＯラインからなるカラムライン２０と、透明電極２２とが形成される。尚、図２１では、１つの画素領域のみの断面図を示しているが、他の画素領域も同様の断面図で示される。
【００５１】
カラムライン２０と、透明電極２２とを形成した後、図７乃至図１０を参照しながら説明した方法に従って、画素領域の各々にダイオード１３及び１４を形成する（図２２参照）。次に、図１１乃至図１７を参照しながら説明した方法に従って、リセットライン１６１と反射電極１６２とを形成する（図２３参照）。反射電極１６２には窓１６２ａが形成されているため、バックライト５４からの光をこの窓１６２ａを介して液晶層５３に入射させることができる。リセットライン１６１及び反射電極１６２を形成した後、残部１７及び１８を剥離することにより、ダイオード基板５１が形成される。
【００５２】
以上説明したように、カラムライン２０をＩＴＯラインのみで構成しても、ダイオード基板を製造するために必要となる露光及び現像を含む一連の工程は、カラムライン２０をＩＴＯライン２１と金属ライン３１とから構成する場合と同様に４回だけで済む。従って、カラムライン２０をＩＴＯラインのみで構成しても、やはり製造工程数及び製造コストの削減が可能となる。
【００５３】
尚、本実施形態では、ダイオード１３及び１４を形成するために、タングステン膜６、ｐ型水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜７、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜８、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜９及びタングステン膜１０が順次に形成されている。つまり、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜７をｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜８の下に形成し、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜９をｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜８の上に形成している。しかしながら、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜７とｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜９との形成順序を逆にし、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜９をｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜８の下に形成し、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜７をｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜８の上に形成してもよい。この場合、カラムライン２０とリセットライン１６１との役割が逆転し、カラムライン２０がリセットラインの役割を果たし、リセットライン１６１がカラムラインの役割を果たすことになる。
【００５４】
また、本実施形態では、ダイオード１３及び１４はｐｉｎダイオードである。しかしながら、ｐｉｎダイオード１３及び１４を、ｐｉｎダイオードではなく、例えばｐｎダイオード等の他のダイオードにすることも可能である。
【００５５】
更に、本実施形態では、ダイオード１３及び１４を、膜６乃至１０の組み合わせから形成している。しかしながら、ダイオード１３及び１４は、上記の膜６乃至１０の組み合わせとは別の複数の膜の組み合わせから形成することも可能である。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、製造工程の簡略化が図られた液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の液晶表示装置の製造方法を用いて製造された半透過型の液晶表示装置の一部断面図である。
【図２】
図１に示す基板５１の平面図である。
【図３】
ＩＴＯ膜２及び金属膜３が形成された基板１を示す断面図である。
【図４】
レジスト膜が露光、現像及びポストベークされた後の平面図である。
【図５】
図４のI−I方向の断面図である。
【図６】
ＩＴＯ膜２及び金属膜３をエッチングした直後の断面図である。
【図７】
ダイオードを形成するための複数の膜を形成した後の基板の断面図である。
【図８】
レジスト膜が露光、現像及びポストベークされた後の平面図である。
【図９】
図８のII−II方向の断面図である。
【図１０】
膜６、７、８、９及び１０をエッチングした後の基板の断面図である。
【図１１】
感光性膜１５が形成された後の基板の断面図である。
【図１２】
感光性膜１５を露光、現像、及びポストベークした後の基板の平面図である。
【図１３】
図１２に示すIII−III断面図である。
【図１４】
反射電極膜１６を形成した後の断面図である。
【図１５】
レジスト膜が露光、現像及びポストベークされた後の平面図である。
【図１６】
図１５のIV−IV断面図である。
【図１７】
反射電極膜１６をエッチングした後の断面図である。
【図１８】
金属片３２に通過窓３２ａを形成した後の断面図である。
【図１９】
ＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板を示す断面図である。
【図２０】
ＩＴＯ膜２が形成された基板１を示す断面図である。
【図２１】
カラムライン２０と透明電極２２とが形成された基板１を示す断面図である。
【図２２】
ダイオード１３及び１４が形成された基板１を示す断面図である。
【図２３】
リセットライン１６１と反射電極１６２とが形成された基板１を示す断面図である。
【符号の説明】
２  ＩＴＯ膜
３  金属膜
４、５、１１、１２、１７、１８  残部
６、１０  タングステン膜
７  ｐ型水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜
８  ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜
９  ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜
１３、１４  ダイオード
１５  感光性膜
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１７ａ  孔
１５ｄ、１６ａ  凹凸部
１６  反射電極膜
２０  カラムライン
２１  ＩＴＯライン
２２  透明電極
３１  金属ライン
３２  金属片
３２ａ  隅
５１  ダイオード基板
５２  カラーフィルタ基板
５３  液晶層
５４  バックライト
５５  液晶表示装置
１６１  リセットライン
１６２  反射電極
１６２ａ  窓