【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路（ＩＣ）に実装される装置（ＩＣＩＤ）であって、それが実装された集積回路を識別する識別番号（ＩＤ）を発生するもので、
その装置が、
前記ＩＣ内に形成された複数の識別セルであって、それぞれのセルが前記ＩＣのランダムなパラメータの変動の実質的な関数である出力を有するものと、
前記複数の識別セルの出力を監視し、そして、それに応じて前記ＩＤを発生する測定手段を有するが、前記ＩＤもまた前記セル内のランダムなパラメータの変動の実質的な関数である装置。
【請求項２】  前記複数の識別セルのそれぞれの出力に応じて前記測定手段が前記ＩＤの値を確定することを特徴とする前記請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記識別セルのそれぞれが少なくとも一つのトランジスタを有し、
各セルの出力がそのトランジスタの動作特性の関数であり、その関数が順次前記ＩＣの前記ランダムなパラメータの変動の関数となることを特徴とする前記請求項２に記載の装置。
【請求項４】  前記識別セルのそれぞれが前記ＩＣの前記ランダムなパラメータの変動に起因して動作特性に差を有する二つのトランジスタを有し、前記セルの前記出力が前記動作特性の差の関数であることを特徴とする前記請求項２に記載の装置。
【請求項５】  前記トランジスタが金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）であることを特徴とする前記請求項４に記載の装置。
【請求項６】  更に、前記ＩＣ内に形成された複数のタイプセルであって、それぞれのタイプセルが前記ランダムなパラメータの変動とは実質的に無関係である出力を有するものを有し、
前記測定手段が、また、前記複数のタイプセルのそれぞれの出力を監視し、そして、また、前記複数の前記タイプセルの前記出力に応じて前記ＩＤを発生することを特徴とする前記請求項２に記載の装置。  
【請求項７】  前記測定手段によって発生された前記ＩＤが、前記複数の識別セルの監視されている出力のパターンを反映する第１のフィールドと、前記複数のタイプセルの監視されている出力のパターンを反映した第２のフィールドを有することを特徴とする前記請求項６に記載の装置。
【請求項８】  前記測定手段が、
前記識別セルの監視されている出力の大きさを逐次比較し、連続するビットであって、その連続ビットのそれぞれが前記識別セルの出力の比較結果を示すものを発生する手段と、
前記連続ビットに応じて前記ＩＤを発生する手段を有することを特徴とする前記請求項１に記載の装置。
【請求項９】  前記セルのそれぞれの出力が、前記ランダムなパラメータの変動の関数である二つの出力信号を有し、前記測定手段によって監視された前記出力が前記二つの出力信号の差を有することを特徴とする前記請求項１に記載の装置。
【請求項１０】  前記測定手段が、
前記識別セルのうちの連続するものの出力信号の間の前記差を比較する手段であって、連続するビットを発生するが、そのそれぞれのビットが前記比較の個別のものの結果を示すものと、
前記連続ビットに応じて前記ＩＤを発生する手段とを有することを特徴とする前記請求項９に記載の装置。
【請求項１１】  集積回路（ＩＣ）に識別番号（ＩＤ）を提供する方法であって、その方法が、
複数の識別セルであって、それぞれのセルが前記ＩＣのランダムなパラメータの変動の実質的な関数である出力を有するものを前記ＩＣ内に形成する工程と、
それぞれのセルの出力に応じて前記ＩＤを発生する工程を有するが、前記ＩＤがまた前記ＩＣ内のランダムなパラメータの変動の実質的な関数である方法。
【請求項１２】  前記複数の識別セルのそれぞれの出力に応じて前記ＩＤの値が確定されることを特徴とする前記請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記識別セルのそれぞれが少なくとも一つのトランジスタを有し、
前記出力が、そのトランジスタの動作特性の関数であり、その関数が順次前記ＩＣの前記ランダムなパラメータの変動の関数となることを特徴とする前記請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記識別セルのそれぞれが前記ＩＣの前記ランダムな変動に起因して動作特性に差を有する二つのトランジスタを有し、前記出力が前記トランジスタの前記動作特性の前記差の関数であることを特徴とする前記請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  前記トランジスタが金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）であることを特徴とする前記請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  集積回路（ＩＣ）に識別番号（ＩＤ）を提供する方法であって、その方法が、
複数の識別セルであって、それぞれのセルが前記ＩＣのランダムなパラメータの変動の実質的な関数である出力を有するものを前記ＩＣ内に形成する工程と、
複数のタイプセルであって、それぞれのタイプセルが前記ランダムなパラメータの変動とは実質的に無関係である出力を有するものを前記ＩＣ内に形成する工程と、
前記複数の識別セルと前記複数のタイプセルの出力の組み合わせに応じて前記ＩＤを発生する工程を有するが、前記ＩＤの値が前記複数の識別セルと前記複数のタイプセルの出力の組み合わせに応じて確定され、前記値が前記ＩＣ内のランダムなパラメータの変動の実質的な関数である方法。  
【請求項１７】  前記発生されたＩＤが、前記複数の識別セルの出力のパターンを反映する第１のフィールドと、前記複数のタイプセルの出力のパターンを反映した第２のフィールドを有することを特徴とする前記請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  出力に応じて前記ＩＤを発生する工程が、
前記識別セルの対の監視されている出力を比較するサブ工程と、
連続するビットであって、その連続ビットのそれぞれが前記比較の個々の結果を示すものを発生するサブ工程と、
前記連続ビットに応じて前記ＩＤを発生するサブ工程を有することを特徴とする前記請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】  前記セルのそれぞれが、前記ランダムなパラメータの変動の関数である二つの出力信号を生成し、前記セルの前記出力が前記二つの出力信号の差を有することを特徴とする前記請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】  監視されている出力に応じて前記ＩＤを発生する工程が、
前記識別セルの対の出力信号の間の比較を行うサブ工程と、
連続するビットであって、その連続ビットのそれぞれが前記比較の個々の結果を示すものを発生するサブ工程と、
前記連続ビットに応じて前記ＩＤを発生するサブ工程を有することを特徴とする前記請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  半導体デバイスに識別番号（ＩＤ）を提供する方法であって、
前記半導体デバイス内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数である各信号を出力する識別回路を前記半導体デバイス内に形成する工程と、
前記各信号に応じて、前記半導体デバイス内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数である前記ＩＤを発生する工程とからなることを特徴とする方法。
【請求項２２】  前記半導体デバイスが集積回路を構成することを特徴とする前記請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】 半導体デバイスに識別番号（ＩＤ）を提供する方法であって、
前記半導体デバイス内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数である各信号を出力する識別回路を前記半導体デバイス内に形成する工程と、
前記のランダムなパラメータ変動の影響を実質的に受けないタイプコードを出力するタイプコード回路を前記半導体デバイス内に形成する工程と、
前記識別信号回路と前記タイプコード回路の各出力に応じて前記ＩＤを発生する工程とからなることを特徴とする方法。
【請求項２４】  前記半導体デバイスが集積回路を構成することを特徴とする前記請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  集積回路を製造並びに識別する方法であって、
前記集積回路を複数の集積回路の一つとして製造する工程であり、それぞれの集積回路が複数の識別セルを有し、前記複数の識別セルのそれぞれが特定の集積回路内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数である出力を有するものと、
前記複数の集積回路のそれぞれに対して識別番号（ＩＤ）を発生する工程であり、前記ＩＤにより前記集積回路が識別されると共に、前記複数の集積回路のうちの他の集積回路から前記集積回路を区別し、各ＩＤが各集積回路内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数であるものとからなることを特徴とする方法。
【請求項２６】  前記複数の集積回路のそれぞれに対する各ＩＤが記録されることを特徴とする前記請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】  前記各ＩＤがデータベース内に記録されることを特徴とする前記請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】  前記集積回路に対して固有のＩＤを提供して、前記固有のＩＤを集積回路の追跡のために用いることを特徴とする前記請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】  前記複数の識別セルがＩＤを発生するために使用されていないときには、前記識別セルにかかる電気的ストレスを取り除く電圧を前記識別セルに印加することを特徴とする前記請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】  前記複数の識別セルの数が識別されるべき集積回路の総数に基づいて決められることを特徴とする前記請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】  前記識別セルの数が前記集積回路を製造するために使用される製造方法のドリフトの量に基づいて決定される特徴とする前記請求項３０に記載の方法。  
【請求項３２】  前記集積回路をシステムの識別に用いることを特徴とする前記請求項２５に記載の方法。
【請求項３３】  前記ＩＤがタイプコードであり、該タイプコードが前記集積回路のＩＤ発生回路の欠陥検出に用いられることを特徴とする前記請求項２５に記載の方法。
【請求項３４】  発生された前記ＩＤがメモリに記憶されることを特徴とする前記請求項２５に記載の方法。
【請求項３５】  半導体デバイスを識別する方法であって、
半導体デバイス内の識別回路が前記半導体デバイス内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数である出力を提供し、その出力に基づいて前記半導体デバイスに対する識別番号（ＩＤ）を発生する工程であって、該半導体デバイスに対するＩＤが前記半導体デバイス内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数であるものと、
前記発生されたＩＤに基づいて前記半導体デバイスを識別する工程とからなる方法。
【請求項３６】前記発生されたＩＤがデータベース内に記録されることを特徴とする前記請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】  前記半導体デバイスに対して固有のＩＤを提供し、該固有のＩＤを前記半導体デバイスの追跡のために用いることを特徴とする前記請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】  前記識別回路がＩＤを発生するために前記識別回路に制御信号を入力することを特徴とする前記請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】  前記識別回路が複数の出力を有し、前記識別回路の該出力の数が識別されるべき半導体デバイスの総数に基づいて決められることを特徴とする前記請求項３５に記載の方法。
【請求項４０】  前記識別回路の出力の数が前記半導体デバイスを製造するために使用される製造方法のドリフトの量に基づいて決定されることを特徴とする前記請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】  前記半導体デバイスをシステムの識別に用いることを特徴とする前記請求項３５に記載の方法。  
【請求項４２】  前記ＩＤがタイプコードであり、該タイプコードが前記集積回路のＩＤ発生回路の欠陥検出に用いられることを特徴とする前記請求項３５に記載の方法。
【請求項４３】  発生された前記ＩＤがメモリに記憶されることを特徴とする前記請求項３５に記載の方法。
【請求項４４】  前記半導体デバイスが集積回路を構成することを特徴とする前記請求項３５に記載の方法。
【請求項４５】  複数の識別セルを有する半導体デバイスであり、各識別セルが前記半導体デバイスのランダムなパラメータ変動の実質的な関数である出力を有するものを具備するシステムを作動する方法であって、
前記複数の識別セルの各出力に応じて、前記半導体デバイス内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数である識別番号（ＩＤ）を発生する工程と、
該ＩＤを用いて前記システムを作動する工程とからなることを特徴とする方法。    
【請求項４６】  前記半導体デバイスが集積回路を構成することを特徴とする前記請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】  複数の識別セルを有する集積回路であって、前記複数の識別セルの各々が前記集積回路内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数である出力を有するものを追跡する方法であって、
前記集積回路の製造後に、前記集積回路を識別するための第１の識別番号（ＩＤ）を第１の時点で発生する工程であって、前記第１のＩＤが前記集積回路内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数であるものと、
前記第１の時点で発生された前記集積回路に対する前記第１のＩＤを識別レコードに記憶する工程と、
前記第１の時点の後の第２の時点で、第２の識別番号（ＩＤ）を発生する工程と、
前記第２の時点で発生された前記第２のＩＤを前記識別レコードに記録された第１のＩＤと比較する工程と、  
前記第１と第２のＩＤの比較結果に基づいて、集積回路を識別する工程とからなる方法。
【請求項４８】 前記第１のＩＤがデータベース内に記録されることを特徴とする前記請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】  前記集積回路に対して固有の第１と第２のＩＤを提供し、前記固有の第１と第２のＩＤを前記集積回路の追跡のために用いることを特徴とする前記請求項４７に記載の方法。
【請求項５０】  前記複数の識別セルがＩＤを発生するために使用されていないときには、前記識別セルにかかる電気的ストレスを取り除く電圧を前記識別セルに印加することを特徴とする前記請求項４７に記載の方法。
【請求項５１】  前記複数の識別セルの数が識別されるべき集積回路の総数に基づいて決められることを特徴とする前記請求項４７に記載の方法。
【請求項５２】  前記複数の識別セルの数が前記集積回路を製造するために使用される製造方法のドリフトの量に基づいて決定されることを特徴とする前記請求項５１に記載の方法。  
【請求項５３】  前記集積回路をシステムの識別に用いることを特徴とする前記請求項４７に記載の方法。
【請求項５４】  前記ＩＤがタイプコードであり、該タイプコードが前記集積回路のＩＤ発生回路の欠陥検出に用いられることを特徴とする前記請求項４７に記載の方法。
【請求項５５】  発生された前記ＩＤがメモリに記録されることを特徴とする前記請求項４７に記載の方法。
【請求項５６】  識別番号（ＩＤ）に基づいてシステムを識別する方法であって、
前記システムに用いられている半導体デバイス内の複数の識別セルが、前記半導体デバイス内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数である前記識別セルの出力に基づいてＩＤを発生する工程であって、前記ＩＤが前記半導体デバイス内のランダムなパラメータ変動の実質的な関数であるものと、
前記ＩＤに基づいて前記システムを識別する工程とからなる方法。
【請求項５７】  前記発生されたＩＤがデータベース内に記録されることを特徴とする前記請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】  前記半導体デバイスに対して固有のＩＤを提供し、該固有のＩＤを前記システムの追跡のために用いることを特徴とする前記請求項５６に記載の方法。
【請求項５９】  前記複数の識別セルがＩＤを発生するために使用されていないときには、前記複数の識別セルにかかる電気的ストレスを取り除く電圧を前記識別セルに印加することを特徴とする前記請求項５６に記載の方法。
【請求項６０】  前記複数の識別セルの数が識別されるべきシステムの総数に基づいて決められることを特徴とする前記請求項５６に記載の方法。
【請求項６１】  前記複数の識別セルの数が前記半導体デバイスを製造するために使用される製造方法のドリフトの量に基づいて決定されることを特徴とする前記請求項５６に記載の方法。
【請求項６２】  前記半導体デバイスをシステムの識別に用いることを特徴とする前記請求項５６に記載の方法。  
【請求項６３】  前記ＩＤがタイプコードであり、該タイプコードが前記半導体デバイスの識別セルの欠陥検出に用いられることを特徴とする前記請求項５６に記載の方法。
【請求項６４】  発生された前記ＩＤがメモリに記録されることを特徴とする前記請求項５６に記載の方法。
【請求項６５】  前記半導体デバイスが集積回路を構成することを特徴とする前記請求項５６に記載の方法。