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【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリア層（２３）により結合された複数の量子井戸層（２１）を有する子井戸構造体において
ピエゾ電界とパイロ電界の少なくとも一方が形成され
前記量子井戸構造体は、結合された量子井戸層の基底状態と励起状態の間にフェルミ（Fermi）エネルギーレベルが入るようドーピングされている
ことを特徴とする量子井戸構造体。
【請求項２】
前記量子井戸構造体は、前記２つの量子井戸層の間にある共通のバリア層により結合された２個の量子井戸層を有する
ことを特徴とする請求項１記載の構造体。
【請求項３】
前記量子井戸構造体は、シリコンで密度が約１×１０１９ｃｍ−３，〜約５×１０２０ｃｍ−３でドーピングされる
ことを特徴とする請求項１記載の構造体。
【請求項４】
（Ａ）  複数の量子井戸構造体と、
（Ｂ）  前記複数の量子井戸構造体の間に配置されるバリア領域と
を有する積層半導体構造において、
前記少なくとも１つの量子井戸構造体は、ピエゾ電界とパイロ電界の少なくとも一方が形成されるよう、すくなくとも１つのバリア層により少なくとも２個の量子井戸層が結合され、
前記量子井戸構造体は、結合された量子井戸層の基底状態と励起状態の間に、フェルミエネルギーレベルが入るようドーピングされている
ことを特徴とする積層半導体構造。
【請求項５】
前記バリア領域は、ＡｌＮのモル分率が約０．５から１．０の間にある
ことを特徴とする請求項４記載の半導体。
【請求項６】
（Ａ）  積層半導体構造を含む光学導波路と、
（Ｂ）  前記量子井戸構造体の１つにエネルギーを供給するエネルギーソースと
を有する光学装置において
前記積層半導体構造は
（Ａ）  複数の量子井戸構造体と、
（Ｂ）  前記複数の量子井戸構造体の間に配置されるバリア領域と
を有し、
前記少なくとも１つの量子井戸構造体は、ピエゾ電界とパイロ電界の少なくとも一方が形成されるよう、すくなくとも１つのバリア層により少なくとも２個の量子井戸層が結合され、
前記量子井戸構造体は、結合された量子井戸層の基底状態と励起状態の間に、フェルミエネルギーレベルが入るようドーピングされている
ことを特徴とする光学装置。
【請求項７】
前記光学導波路は、積層半導体構造の周囲に配置されたクラッド層を有する
ことを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記光学導波路は、光学フィードバックデバイスに結合され、レーザーキャビティを形成する
ことを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項９】
量子井戸構造体内の結合された量子井戸層のエネルギーレベルを整合する方法において
前記量子井戸構造体は、バリア層により結合された複数の量子井戸層を有し、  ピエゾ電界とパイロ電界の少なくとも一方が形成され
前記量子井戸構造体は、結合された量子井戸層の基底状態と励起状態の間にFermiエネルギーレベルが入るようドーピングされている
ことを特徴とする結合された量子井戸層のエネルギーレベルを整合する方法。
【請求項１０】
前記量子井戸構造体は、シリコンで密度が約１×１０１９ｃｍ−３〜約５×１０２０ｃｍ−３でドーピングされる
ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＡｓ基板上に、下クラッド層、バリア層と量子井戸層を有する活性領域、及び上クラッド層を積層してなる半導体レーザ装置であって、前記量子井戸層がＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ１−ｙＰｙからなり、ｘが０．６９以上である半導体レーザ装置。
【請求項２】
ｙが０．４０以上である請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記下クラッド層及び前記上クラッド層がＡｌを含有する請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記下クラッド層及び前記上クラッド層がＡｌＧａＡｓ層である請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記バリア層がＩｎＧａＡｓＰ層である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記量子井戸層の前記基板に対する圧縮歪が３．５％以下である請求項１〜５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記量子井戸層厚が６０Å未満である請求項１〜６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記量子井戸層厚が２０Å以上６０Å未満である請求項１〜６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記バリア層が引っ張り歪を有し、前記量子井戸層及び前記バリア層からなる活性領域が歪補償構造を有する請求項１〜８のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
発振波長が７６０ｎｍ以上８００ｎｍ未満である請求項１〜９のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置を用いた光ディスク再生記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と少なくとも一つの活性レーザ層を備えた活性領域とを有する半導体レーザにおいて、
前記基板は、前面を備え、前記活性領域は、前記前面から突出する隆起形状を成す部分に含まれることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記隆起形状を成す部分は、ボンディングパッドを構成するよう横方向へ延びる少なくとも一つの延伸部分を有することを特徴とする、請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記活性領域は、所定の一方向に延びるよう構成され、前記隆起形状は、前記活性領域の前記一方向の長さに沿って配置され、前記ボンディングパッドを構成する前記延伸部分は少なくとも二つ設けられることを特徴とする、請求項２に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
少なくとも二つの前記延伸部分は、前記活性領域の長さに沿って所定の距離をおいて配置されることを特徴とする、請求項３に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記所定の距離は、前記活性領域の長さに関連して決定されることを特徴とする、請求項４に記載の半導体レーザ。
【請求項６】
Ｃを前記活性領域の前記長さとし、Ｗを前記延伸部分の横方向寸法としたとき、前記所定の距離は、Ｃ／２−Ｗに略等しいことを特徴とする、請求項５に記載の半導体レーザ。
【請求項７】
少なくとも二つの前記延伸部分は、互いに前記活性領域の反対側に配置されることを特徴とする、請求項３乃至請求項６のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の半導体レーザを製造する方法であって、
前記半導体レーザのための基板を設け、
少なくとも一つの活性レーザ層を含む活性領域を備えた複数の層を前記基板上に成長させ、
該基板上に成長された前記複数の層の少なくとも一部分を選択的に除去して、前記基板の前面と前記活性領域を含む隆起形状を形成し、前記活性領域が前記隆起形状に含まれるようにしたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月1日(2004.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
上記筐体に収容され、発熱体を有する回路基板と、
上記筐体に収容され、上記発熱体を冷却するファンと、を具備し、
上記ファンは、上記回路基板と重なり合うファンケーシングと、上記ファンケーシングに形成され、少なくとも上記回路基板と向かい合う吸気口と、上記ファンケーシングに収容され、上記吸気口から空気を吸い込む羽根車とを含み、
上記回路基板に上記ファンケーシングと向かい合う少なくとも一つの通孔を形成したことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
筐体と、
上記筐体に収容され、発熱体を有する回路基板と、
上記筐体に収容され、上記発熱体を冷却するための冷却ユニットと、を具備し、
上記冷却ユニットは、上記発熱体の熱を受ける受熱部と、上記発熱体の熱を放出する放熱部と、上記受熱部の熱を上記放熱部に移送するヒートパイプと、上記放熱部に冷却風を送風するファンとを含み、
上記ファンは、上記回路基板と重なり合うファンケーシングと、上記ファンケーシングに形成され、少なくとも上記回路基板と向かい合う吸気口と、上記ファンケーシングに収容され、上記吸気口から空気を吸い込むとともに、この空気を上記放熱部に送風する羽根車とを有し、
上記回路基板に上記ファンケーシングと向かい合う少なくとも一つの通孔を形成したことを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１又は請求項２の記載において、上記通孔は、上記ファンケーシングの吸気口の近傍に位置することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項１又は請求項２の記載において、上記筐体は、上記回路基板に対し上記ファンケーシングが位置する側とは反対側から上記回路基板と向かい合う外壁を有し、この外壁と上記回路基板との間および上記ファンケースと上記回路基板との間に夫々隙間が形成されているとともに、上記通孔は上記隙間に開口することを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項２の記載において、上記ファンケーシングは、上記羽根車から吐き出された空気が流れる冷却風通路と、この冷却風通路の下流端に位置する吐出口とを有し、上記放熱部は上記吐出口に位置することを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項５の記載において、上記筐体は排気口を有し、上記冷却ユニットの放熱部は、上記ファンケーシングの吐出口と上記排気口との間に位置することを特徴とする電子機器。
【請求項７】
底壁を有する筐体と、
上記筐体に収容され、上記底壁と向かい合う回路基板と、
上記回路基板に実装された発熱体と、
上記筐体に収容され、上記発熱体を冷却するファンと、を具備し、
上記ファンは、上記回路基板と重なり合うとともに少なくとも上記回路基板と向かい合う位置に吸気口を有するファンケーシングと、このファンケーシングに収容され、上記吸気口から空気を吸い込む羽根車と、を含み、
上記回路基板に上記ファンケーシングと向かい合う少なくとも一つの通孔を形成し、この通孔は上記回路基板と上記底壁との間の隙間に開口することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項７の記載において、上記通孔は、上記ファンケーシングと上記回路基板との間に形成された隙間に開口することを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項７又は請求項８の記載において、上記羽根車は、その回転軸線を上記筐体の厚み方向に沿わせた横置きの姿勢で上記ファンケーシングに収容されていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、このような事情にもとづいてなされたもので、筐体の薄形化を妨げることなく発熱体を効率良く冷却できる電子機器の提供を目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の一つの形態に係る電子機器は、
筐体と、
上記筐体に収容され、発熱体を有する回路基板と、
上記筐体に収容され、上記発熱体を冷却するファンと、を具備している。
上記ファンは、上記回路基板と重なり合うファンケーシングと、上記ファンケーシングに形成され、少なくとも上記回路基板と向かい合う吸気口と、上記ファンケーシングに収容され、上記吸気口から空気を吸い込む羽根車とを含み、上記回路基板に上記ファンケーシングと向かい合う少なくとも一つの通孔を形成したことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような構成において、ファンの羽根車が回転すると、回路基板とファンケーシングとの間の空気が吸気口に吸い込まれ、この回路基板とファンケーシングとの間に吸気口に向かう空気流が形成される。また、回路基板の通孔を通じて回路基板と筐体との間の空気がファンケーシングの吸気口に吸い込まれる。このため、筐体内の空気がファンケーシングの吸気口に流れ込み易くなる。よって、ファン動作時の吸気抵抗を小さく抑えて、ファンケーシングに吸い込まれる吸入空気量を充分に確保することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、上記構成によれば、ファンは回路基板と筐体との間の空気を吸引できるので、ファンケーシングと回路基板との間の間隔を狭めても、吸入空気量が不足することはない。この結果、ファンケーシングと回路基板とを可能な限り近づけて、筐体内部のスペースを減じることができ、筐体のコンパクト化を図る上で好都合となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、ファンケーシングに吸い込まれる吸入空気量を充分に確保することができ、発熱体を効率良く冷却することができる。さらに、ファンケーシングと回路基板との間隔を可能な限り狭めて、筐体を薄くコンパクトに形成できるといった利点がある。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
４…筐体、４ａ…底壁、１５…回路基板、１６…隙間（第１の隙間）、１７…発熱体（半導体パッケージ）、２２…冷却ユニット、２４…放熱部、２５…ファン、２６…受熱部（受熱ブロック）、２７…ヒートパイプ、３１…ファンケーシング、３２…羽根車、４５，４６…吸気口（第１および第２の吸気口）、４８ａ，４８ｂ…通孔。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルであって、
第１の方向に延在する上部導体と、
第２の方向に延在する底部導体であって、前記上部導体と前記底部導体との間の交差部分において交点が画定され、前記底部導体が前記上部導体との電気的接続性を有する、底部導体と、
前記上部導体と前記底部導体との電気的接続性を有する前記交点に形成された縦形ヒューズと、及び
前記ヒューズに電気的に直列に形成されたダイオードとからなる、メモリセル。
【請求項２】
前記縦形ヒューズが、その縦形ヒューズの概ね中央部の周囲の前記縦形ヒューズ内に空隙が存在するような形状を有する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記縦形ヒューズが、前記交点付近の閉じられた領域を概ね占有し、前記メモリセル（100、300）は、
前記閉じられた領域の中央部を概ね占有する絶縁性プラグであって、前記縦形ヒューズの内壁が前記絶縁性プラグと境界を接する、絶縁性プラグと、及び
前記閉じられた領域の周囲に形成された絶縁体であって、前記縦形ヒューズの外壁が前記絶縁体と境界を接する、絶縁体とをさらに含む、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項４】
前記縦型ヒューズの垂直の高さと横方向の厚みとの比が、１またはそれより大きい、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項５】
前記縦形ヒューズが、前記交点付近の閉じられた領域を概ね占有し、前記メモリセルは、
前記縦形ヒューズとダイオードとの間の前記閉じられた領域に形成された薄い導体をさらに含む、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項６】
前記縦形ヒューズが前記第１の方向および前記第２の方向の一方に延在する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項７】
前記縦型ヒューズの外側領域に形成された絶縁体と、及び
前記縦型ヒューズの内部領域に形成された絶縁性プラグとをさらに含む、請求項６に記載のメモリセル。
【請求項８】
前記ダイオードと前記縦型ヒューズとの間に形成された薄い導体をさらに含む、請求項６に記載のメモリセル。
【請求項９】
前記ダイオードが、アモルファスおよび多結晶性Ｓｉ、ＧｅおよびＧｅ−Ｓｉのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項１０】
前記縦形ヒューズが、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒおよびそれらの任意の合金のうちの少なくとも１つから形成される、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項１１】
ワンタイムプログラマブルメモリアレイであって、
行方向に延在する１つまたは複数の行導体と、
列方向に延在する１つまたは複数の列導体であって、前記行導体と前記列導体との間の各交差部分に交点が形成されるようになっている、１つまたは複数の列導体と、及び
少なくとも１つの交点に形成された状態エレメントとからなり、前記状態エレメントが互いに直列に接続される縦形ヒューズとダイオードとを含み、前記状態エレメントが前記行導体と前記列導体とに電気的に接触している、ワンタイムプログラマブルメモリアレイ。
【請求項１２】
前記状態エレメントを取り囲む絶縁体をさらに含む、請求項１１に記載のワンタイムプログラマブルメモリアレイ。
【請求項１３】
前記状態エレメントが、前記縦型ヒューズと前記ダイオードとの間に配置された薄い導体をさらに含む、請求項１１に記載のワンタイムプログラマブルメモリアレイ。
【請求項１４】
前記状態エレメントの前記縦型ヒューズが、前記行方向および列方向の一方に沿って延在する、請求項１１に記載のワンタイムプログラマブルメモリアレイ。
【請求項１５】
１つまたは複数の前記状態エレメントの前記縦型ヒューズが、その縦形ヒューズの概ね中央部の周囲に空隙が存在するような形状を有する、請求項１１に記載のワンタイムプログラマブルメモリアレイ。
【請求項１６】
ワンタイムプログラマブルメモリであって、
１つまたは複数のメモリアレイであって、各メモリアレイが、
行方向に延在する１つまたは複数の行導体と、
列方向に延在する１つまたは複数の列導体であって、前記行導体と前記列導体との間の各交差部分に交点が形成されるようになっている、１つまたは複数の列導体と、
少なくとも１つの交点に形成された状態エレメントとからなり、前記状態エレメントが互いに直列に接続された縦形ヒューズとダイオードとを含み、前記状態エレメントが前記行導体と前記列導体とに電気的に接触している、１つまたは複数のメモリアレイと、
前記メモリ内の前記メモリアレイの行を選択するために、前記行導体のそれぞれに接続される行アドレス指定回路と、及び
前記メモリ内の前記メモリアレイの列を選択するために、前記列導体のそれぞれに接続される列アドレス指定回路とを含む、ワンタイムプログラマブルメモリ。
【請求項１７】
前記メモリ内の前記メモリアレイに関連付けられる前記行アドレス指定回路および前記列アドレス指定回路が、前記メモリアレイの下側に少なくとも部分的に配置される、請求項１６に記載のメモリ。
【請求項１８】
前記メモリアレイが積み重ねられる、請求項１６に記載のメモリ。
【請求項１９】
行導体および列導体の組み合わせられた層の数が、前記メモリアレイの数より１だけ大きい、請求項１８に記載のメモリ。
【請求項２０】
行導体および列導体の組み合わせられた層の数が、前記メモリアレイの数の２倍である、請求項１８に記載のメモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月16日(2004.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルであって、
第１の方向に延びる上部導体と、
第２の方向に延びる底部導体であって、前記上部導体と該底部導体との間に重複領域を画定し、及び前記上部導体との電気的接続を有する、底部導体と、
前記上部導体及び前記底部導体との電気的接続を有する、前記重複領域内に形成されたヒューズと、
該ヒューズと電気的に直列に形成されたアンチヒューズと
を含む、メモリセルメモリセル。
【請求項２】
前記ヒューズが、その中央部を実質的に中心として該ヒューズ内に空隙が存在するような形状を有している、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記ヒューズが、前記重複領域付近の閉じられた領域を実質的に占有し、前記メモリセルが更に、
前記閉じられた領域の中央部を実質的に占有する絶縁性プラグであって、前記ヒューズの内壁が該絶縁性プラグに隣接する、絶縁性プラグと、
前記閉じられた領域の周囲に形成された絶縁体であって、前記ヒューズの外壁が該絶縁体に隣接する、絶縁体と
を含む、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項４】
前記ヒューズが垂直方向に配向されたヒューズである、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項５】
前記垂直方向に配向されたヒューズの垂直方向の高さと横方向の厚さとの比が１又はそれよりも大きい、請求項４に記載のメモリセル。
【請求項６】
前記ヒューズが、前記第１の方向及び前記第２の方向の一方に延びている、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項７】
前記アンチヒューズが、前記第１の方向及び前記第２の方向の他方に延びている、請求項６に記載のメモリセル。
【請求項８】
前記ヒューズの外側領域に形成された絶縁体と、
前記ヒューズの内側領域に形成された絶縁性プラグと
を更に含む、請求項６に記載のメモリセル。
【請求項９】
前記ヒューズが、前記重複領域付近の閉じられた領域を実質的に占有し、前記メモリセルが更に、
前記ヒューズと前記アンチヒューズとの間で前記閉じられた領域内に形成された薄い導体を含む、
請求項１に記載のメモリセル。
【請求項１０】
前記薄い導体が第１の薄い導体であり、前記メモリセルが更に、
前記アンチヒューズと前記底部導体及び前記上部導体の一方との間で前記閉じられた領域内に形成された第２の薄い導体を含む、
請求項９に記載のメモリセル。
【請求項１１】
前記アンチヒューズが、絶縁体材料、導電性材料により分離された絶縁体材料からなる多層積層体、導電性の含有物を内部に分散させた絶縁性材料のマトリックス、非晶質及び結晶質の半導体材料、相変化材料、及びSi及びシリサイド形成金属の多層積層体の組み合わせのうちの少なくとも１つから形成され、
前記絶縁体材料が、ダイヤモンド等の炭素、SiOX、SiNX、SiOXNy、AlOX、TaOX、TiOX、及びAlNXのうちの少なくとも１つを含み、
前記非晶質及び結晶質の半導体材料が、Si、Ge、Si及びGeの混合物、及びGaAsのうちの少なくとも１つを含み、
前記相変化材料が、Si、Ge、As、Se、In、Sn、Sb、Te、Pb、及びBiのうちの少なくとも２つを含み、
前記シリサイド形成金属が、W、Pt、Pd、Co、Ni、及びTiのうちの少なくとも１つを含む、
請求項１に記載のメモリセル。
【請求項１２】
前記アンチヒューズのための前記絶縁体材料が、実質的に0.5〜50nmの厚さを有する、請求項１１に記載のメモリセル。
【請求項１３】
前記アンチヒューズのための前記非晶質及び結晶質の半導体材料が、実質的に1〜100nmの厚さを有する、請求項１１に記載のメモリセル。
【請求項１４】
前記ヒューズが、Si、Ge、Al、Cu、Zn、Xn、Pb、Ag、Au、Pt、In、Ta、W、Ni、Cr、及びそれらの合金のうちの少なくとも１つから形成される、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項１５】
メモリセルを形成するための方法であって、
第１の方向に延びる上部導体を形成し、
第２の方向に延びる底部導体を形成して、前記上部導体と前記底部導体との間の交点に重複領域を画定し、該底部導体が前記上部導体との電気的接続を有し、
前記上部導体及び前記底部導体との電気的接続を有するヒューズを前記重複領域内に形成し、
該ヒューズと電気的に直列にアンチヒューズを形成する、
という各ステップを含む方法。
【請求項１６】
前記ヒューズが、前記重複領域付近の閉じられた領域を実質的に占有し、前記方法が更に、
前記閉じられた領域の中央部を実質的に占有する絶縁性プラグを形成して、該絶縁性プラグに前記ヒューズの内壁が隣接するようにし、
前記閉じられた領域の周囲に絶縁体を形成して、該絶縁体に前記ヒューズの外壁が隣接するようにする、
という各ステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ヒューズと前記アンチヒューズとの間で前記閉じられた領域内に薄い導体を形成するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記薄い導体が第１の薄い導体であり、前記方法が更に、
前記アンチヒューズと前記底部導体及び前記上部導体の一方との間で前記閉じられた領域内に第２の薄い導体を形成するステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ヒューズが、前記第１の方向及び前記第２の方向の一方に延びている、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記アンチヒューズが、前記第１の方向及び前記第２の方向の他方に延びている、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記絶縁性プラグをエッチングして、前記垂直方向に配向されたヒューズの中央部を実質的に中心として空隙を形成する、というステップを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
前記ヒューズの垂直方向の高さと横方向の厚さとの比が１又はそれよりも大きい、請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
前記アンチヒューズの端子間電圧の変化に応じて該アンチヒューズの抵抗値が変化する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項２４】
前記アンチヒューズの端子間電圧が増大するにつれて該アンチヒューズの抵抗値が低下する、請求項２３に記載のメモリセル。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図２において、各クロックはその両側にグランド線を配置している。これにより、信号伝送時のクロックのノイズ及びクロストークの低減と、ＣＩＳ側のグランドの強化を行っている。なお、ｃｈｉｐの個数、及び出力本数は本発明を限定するものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、画素電極と、
該画素電極に電気的に接続される半導体層と、該半導体層のチャネル領域に対応して、該半導体層の上方に第1の絶縁膜を介して配置される島状のゲート電極と、
該半導体層の下方に第２の絶縁膜を介して配置される走査線と、
前記ゲート電極と前記走査線とを電気的に接続する接続部と、
を備える電気光学装置であって、
前記チャネル領域は、その長さ方向に交わる断面内で高低差を有し、
前記ゲート電極は、前記断面内で前記チャネル領域の高低差に対応する高低差を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は、光吸収性の導電膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記ゲート電極は、相異なる複数の材料からなる積層構造を有することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記半導体層は、前記チャネル領域に隣接するチャネル隣接領域においても前記断面内で高低差を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
基板上に、画素電極と、該画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された走査線とを備えた電気光学装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
その長さ方向に交わる断面内で高低差を有するチャネル領域を含む半導体層と、
前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向配置されるとともに前記走査線の一部からなり又は前記走査線に電気的に接続されており、前記断面内で前記チャネル領域の高低差に対応する高低差を有するゲート電極と
を備え、
前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域の下側に他のゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と電気的に接続された予備ゲート電極を更に備えており、
該予備ゲート電極も、前記断面内で前記半導体層の高低差に対応する高低差を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
基板上に、画素電極と、該画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された走査線とを備えた電気光学装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
その長さ方向に交わる断面内で高低差を有するチャネル領域を含む半導体層と、
前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向配置されるとともに前記走査線の一部からなり又は前記走査線に電気的に接続されており、前記断面内で前記チャネル領域の高低差に対応する高低差を有するゲート電極と
を備え、
前記走査線に並行して設けられる予備走査線と、該予備走査線の一部からなり又は該予備走査線に接続されているとともに前記チャネル領域の下側に他のゲート絶縁膜を介した予備ゲート電極とを更に備え、
該予備ゲート電極も、前記断面内で前記半導体層の高低差に対応する高低差を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記予備ゲート電極は、相異なる複数の材料からなる積層構造を有することを特徴とする請求項５または６のいずれか一方に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記長さ方向から前記チャネル領域を臨んだ該チャネル領域の形状は、凹形状を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記長さ方向から前記チャネル領域を臨んだ該チャネル領域の形状は、凸形状を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
基板上に、画素電極と、
該画素電極に電気的に接続される半導体層と、該半導体層のチャネル領域に対応して該半導体層の上方に第1の絶縁膜を介して配置される島状のゲート電極と、
該半導体層の下方に第２の絶縁膜を介して配置される走査線と、
前記ゲート電極と前記走査線とを電気的に接続する接続部と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、画素
電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接
続された走査線とを備えた電気光学装置であって、前記薄膜トランジスタは、そ
の長さ方向に交わる断面内で高低差を有するチャネル領域を含む半導体層と、前
記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向配置されるとともに前記走査線の一
部からなり又は前記走査線に接続されており、前記断面内で前記半導体層の高低
差に対応する高低差を有するゲート電極とを備える。
また、本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、画素
電極と、該画素電極に電気的に接続される半導体層と、該半導体層のチャネル領
域に対応して該半導体層の上方に第1の絶縁膜を介して配置される島状のゲート
電極と、該半導体層の下方に第２の絶縁膜を介して配置される走査線と、前記ゲ
ート電極と前記走査線とを電気的に接続する接続部と、を備える。
また、本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、画素
電極と、該画素電極に電気的に接続される半導体層と、該半導体層のチャネル領
域に対応して、該半導体層の上方に第1の絶縁膜を介して配置される島状のゲー
ト電極と、該半導体層の下方に第２の絶縁膜を介して配置される走査線と、前記
ゲート電極と前記走査線とを電気的に接続する接続部と、を備える電気光学装置
であって、
前記チャネル領域は、その長さ方向に交わる断面内で高低差を有し、前記ゲー
ト電極は、前記断面内で前記チャネル領域の高低差に対応する高低差を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
（第５実施形態の変形形態）
なお、この第５実施形態においても、上述した第２乃至第４実施形態と同様に
して、図１２から図１４に示すように、各種の変形形態をとることができる。こ
こに、図１２は、上記第２実施形態と同様に、上部ゲート電極５００と下部ゲー
ト電極５０１とを電気的に接続する接続部５１０が設けられている。また、図１
３は、上記第３実施形態と同様に、上部走査線３Ｕが設けられず、いわば孤立し
た状態で上部ゲート電極５００´が形成され、図１４は、上記第４実施形態と同
様に、下部走査線３Ｄが設けられず、いわば孤立した状態で上部ゲート電極５０
１´が形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月15日(2004.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
例えば、金属嵌合部材を第１端子リング１４としたときの該接触抵抗の測定方法は次のようにする。まず、図７（ａ）に示すように、グロープラグ５０から第１端子リング１４が取り付けられたままの状態のセラミックヒータ１を取り出す。このとき、第１ヒータ端子１２ａと第１端子リング１４とは導通状態である。ついで、第１端子リング１４と第２ヒータ端子１２ｂとの間に電流を通電し抵抗を測定して、その測定値を分解前抵抗Ｒ１（Ω）とする。次に、図７（ｂ）に示すように、接合している第１端子リング１４をセラミックヒータ１から取り外して分解状態とする。そして、セラミックヒータ１の外周面に露出された第１ヒータ端子１２ａと第２ヒータ端子１２ｂとの間の抵抗を測定し、分解後抵抗Ｒ２（Ω）とする。金属嵌合部材としての第１端子リング１４と第１ヒータ端子１２ａとの接触抵抗は、Ｒ１−Ｒ２（Ω）として表す。また、第２端子リング３においても、同様の方法において、接触抵抗を測定することができる。なお、分解前抵抗は、第１端子リング１４及び第２端子リング３とを取り付けたままでの通電抵抗として、これに基づいて第１端子リング１４及び第２端子リング３の両者に起因する接触抵抗を、本明細書中の接触抵抗としてもよい。そしてこの接触抵抗は、（Ｒ１−Ｒ２）／Ｒ２×１００≦２０（％）を満足するようにしてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
第２端子リング３を第２ヒータ端子１２ｂの露出部面積Ｓより大なる面積ｓで金属層４１が当接するように嵌合させたように第１端子リング１４を第１ヒータ端子１２ａより大なる面積の金属層が当接するように勘合させたもの、即ちＳ＝ｓなる図９（ｂ）の実験例Ａにおいては、８０万サイクルを超えても接触抵抗の上昇が全く見られず、導通確実なものであった。図９（ｂ）の実験例Ｂは実験例Ａと同様なＳ＝ｓであるが、第１ヒータ端子１２ａを覆いうる最小の大きさの金属層であったために、くり返し試験を行うことによって、第１ヒータ端子１２ａの最外縁（図９（ｂ）の実験例Ｂにおいて、図面上下端）より微少な酸化膜形成が認められた。故に実験例Ａ縒りも劣る結果となっているが、信頼性の高いグロープラグとしての判断基準は、本試験において２０万サイクルを超えても接触抵抗が上昇しないことであるため、接触抵抗の上昇を低減する効果は十分に有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
金属層４１を形成していない比較例３−１については、室温（初期）での接触抵抗も金属層４１を形成した他の実施例（３−１〜３−７）に比べると若干劣り、熱試験を行うに伴って次第に抵抗値が増大した。これではグロープラグとしての十分な耐久性を期待することはできない。また、金属層４１を施したものであっても、実施例３−２に示した第１端子リング１４に施した金属層４１の厚さが０．１μｍのものでは十分な耐久性を持ち合わせていない。その厚さが０．２μｍ(実施例３−３)であれば、６００℃、１００時間後の熱試験後では若干接触抵抗が上昇するものの、グロープラグとして十分な耐久性を持っていることがわかる。もちろん、実施例３−４〜３−７に示す金属層４１の厚さが０．３〜１０μｍであれば、熱試験後であっても接触抵抗の上昇はほとんど無く（あったとしても微量増加であり、耐久性に問題を生じさせない。）、より望ましい。しかし、この金属層４１の厚さが１０μｍを超えてしまうと、金属層４１を施した第１端子リング１４とセラミックヒータ１とを勘合させる際に、クリアランスが不足するため、金属層４１が欠けてしまうという問題が生じる。たとえ金属層４１が欠けることが無く、熱試験における耐久性がグロープラグの耐久性として十分に満足するとしても、実質的な問題としてコストが嵩むという問題がある。したがってグロープラグとしては実施例３−２〜３−７に示す０．２〜１０μｍ程度の金属層４１が形成されていればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月20日(2004.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記先端面30Ｂには、前記第一の板バネ21が当接する。この第一の板バネ21は、前記先端面30Ｂに当接した状態で前記腕部30とスペーサー31との間で挟持される。なお、前記スペーサー31は、その本体31Ａが正六角柱状に形成されており、その一端に前記螺子孔30Ｃの雌螺子と螺合する雄螺子31Ｂが前記本体31Ａと同軸に形成されていると共に、その他端面31Ｃに雌螺子を有する螺子孔31Ｄが前記本体31Ａと同軸に形成されている。そして、前記第一の板バネ21の外周部に形成された螺子孔21Ａを介して、前記スペーサー31の一端の雄螺子31Ｂを腕部30の螺子孔30Ｃの雌螺子と螺合させることで、前記第一の板バネ21が前記腕部30とスペーサー31との間で挟持される。このとき、前記スペーサー31の外面31Ａが正六角柱状に形成されているので、スパナ等で締め付けることで簡単に腕部30に取り付けられる。また、前記複数の先端面30Ｂが前記シリンダ７の軸方向と直交するように同一面上に形成されているため、これらの先端面30Ｂに当接する第一の板バネ21も前記シリンダ７の軸方向に対して直交することになる。更に、前記スペーサー31を前記複数の腕部30にそれぞれ取り付けた状態において、前記スペーサー31の他端面31Ｃは、前記シリンダ７の軸方向と直交するように同一面上に形成されており、この他端面31Ｃに前記第二の板バネ23が当接する。そして、この第二の板バネ23は、前記他端面31Ｃに当接した状態で、前記第二の板バネ23の外周部に形成された螺子孔23Ａを介して、ビス32をスペーサー31の螺子孔31Ｄの雌螺子と螺合させることで、前記第二の板バネ23が前記スペーサー31に固定される。そして、このように前記腕部30に対してスペーサー31を取り付けることで第一の板バネ21を挟持すると共に、前記スペーサー31に第二の板バネ23を取り付けるように構成することで、独立した前記第一の板バネ21及び第二の板バネ23を前記シリンダ７に対して簡単に固定することができるばかりでなく、これらの板バネ21，23が共通の腕部30に対して取り付けられることで、前記第一の板バネ21及び第二の板バネ23の固定のための構造を単純化することができ、スターリングサイクル機関全体を小型化することができる。また、前記腕部30の先端面30Ｂに雌螺子を有する螺子孔30Ｃを形成し、この螺子孔30Ｃと螺合する雄螺子31Ｂをスペーサー31に形成したことで、第一の板バネ21と第二の板バネ23を順次固定してゆくことができるので、これら第一の板バネ21及び第二の板バネ23をより簡単に前記シリンダ７に対して固定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月24日(2005.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、請求項５に係る発明においては、前記摺動層は、０．１〜１０体積％のモース硬度４以下の無機化合物を含むことを特徴とする。ここで、無機化合物としては、リン酸カルシウム、炭酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、硫酸カルシウムに代表されるリン酸塩、炭酸塩、ケイ酸塩、硫酸塩等からなるアルカリ土類金属塩（アルカリ土類金属としては、上記のカルシウム（Ｃａ）やマグネシウム（Ｍｇ）以外にもベリリウム（Ｂｅ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ランタン（Ｌａ）がある）であり、このアルカリ土類金属塩は、非焼付性の向上効果や移着膜形成効果を有する。摺動組成物総量に対するアルカリ土類金属塩の比率が０．１体積％未満では十分な摩擦摩耗特性が期待できず、１０体積％を超えると耐摩耗性が急激に低下してしまう。また、アルカリ土類金属塩の粒径としては、０．１〜２０μｍが好ましい。０．１μｍ未満では、十分な摩擦摩耗特性が得られず、２０μｍを超えると、表面形状に影響を及ぼし、平滑な摺動面を得ることができない。また、モース硬度が４をこえる場合、相手材を傷付けやすくなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【表３】
2004251363.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月31日(2005.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
［その他の実施の形態］
図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、大流量制御用弁体６１のシール部材６２と対向する側の面に溝６６を形成しておき、大流量制御用弁体６１とシール部材６２とが当接した状態でシール部材６２と大流量制御用弁体６１との間に、開口部５の開度を大流量制御用弁体６１によって最小としたときの流量と等しい流量を確保する溝状流路を確保しておくことが好ましい。小流量領域から大流量領域に切り換る際、シール部材６２と大流量制御用弁体６１とが当接し、小流量領域で確保されていた流路が急に絶たれると、図５に一点鎖線Ｌ１１で示すような流量の急激な変動が発生するおそれがあるが、溝６６によって溝状流路を確保しておけば、小流量領域から大流量領域に切り換る際の急激な流量変化を防止することができる。なお、溝状流路については、シール部材６２の大流量制御用弁体６１と対向する側の面に形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
一方に加圧液体を供給する一次側通路（１１）を有し、他方にこの液体を送出する二次側通路（１２）を形成したケーシング（１０）を設け、このケーシング内の前記一次側通路と二次側通路とを結ぶ中心線上に一次側通路の周囲端面に当接する弁座（２１）を一方に有する逆止弁体（２０）を配置し、この弁体の他方に前記二次側通路側に取り付けられているとともに、外周に液体が通過する流路（２５）が形成された断面Ｔ字形状の第１ストッパ部材（２３）との間において、この弁体を一次側通路側に押圧する弾発力を有する第１スプリング（２４）を設け、一方、前記逆止弁体の中心線上に形成された段付き穴に一次側通路側の圧力が高いと閉塞するとともに、二次側通路側の内圧が高くなると開放される背圧弁体（３０）を内蔵し、一次側通路から液体を供給する時は逆止弁体が開放され、二次側通路側の圧力が上昇すると、背圧弁体が開放される構成を特徴とする背圧弁を内蔵する逆止弁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の目的は、一方に加圧液体を供給する一次側通路１１を有し、他方にこの液体を送出する二次側通路１２を形成したケーシング１０を設け、このケーシング１０内の前記一次側通路１１と二次側通路１２とを結ぶ中心線上に一次側通路の周囲端面に当接する弁座２１を一方に有する逆止弁体２０を配置し、この弁体２０の他方に前記二次側通路側に取り付けられているとともに、外周に液体が通過する流路２５が形成された断面Ｔ字形状の第１ストッパ部材２３との間において、この弁体２０を一次側通路側に押圧する弾発力を有する第１スプリング２４を設け、一方、前記逆止弁体２０の中心線上に形成された段付き穴に一次側通路側の圧力が高いと閉塞するとともに、二次側通路側の内圧が高くなると開放される背圧弁体３０を内蔵し、一次側通路１１から液体を供給する時は逆止弁体２０が開放され、二次側通路側の圧力が上昇すると、背圧弁体３０が開放される構成の背圧弁を内蔵する逆止弁を提供することで達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸込口と吹出口との間を連通する通風路と、
前記通風路内を通過する空気に正負両方のイオンを放出するイオン発生装置とを備え、
前記イオン発生装置から前記吹出口に至る部分の通風路を１秒以上かけて空気が通過するように構成するとともに、前記イオン発生装置から前記吹出口に至る部分の通風路内における正負それぞれのイオン濃度が平均１×１０5個／ｃｍ3以上となるように構成された、空気調節装置。
【請求項２】
吸込口と吹出口との間を連通する通風路と、
前記通風路内を通過する空気に正負両方のイオンを放出するイオン発生装置とを備え、
前記通風路は、正負それぞれのイオン濃度が平均１×１０5個／ｃｍ3以上の領域を少なくとも含み、
前記領域を少なくとも１秒以上かけて空気が通過するように構成された、空気調節装置。
【請求項３】
アレルゲンを失活してなる、請求項１または２に記載の空気調節装置。
【請求項４】
前記通風路内に空気流を発生させる送風手段を備えた、請求項１から３のいずれかに記載の空気調節装置。
【請求項５】
前記通風路内に、塵埃を集塵するための集塵手段を備えた、請求項１から４のいずれかに記載の空気調節装置。
【請求項６】
堆積した塵埃を前記通風路内に舞い上がらせるための舞い上げ手段を備えた、請求項１から５のいずれかに記載の空気調節装置。
【請求項７】
正イオンがＨ3Ｏ+（Ｈ2Ｏ）n（ｎは０または自然数）であり、負イオンがＯ2-（Ｈ2Ｏ）m（ｍは０または自然数）である、請求項１から６のいずれかに記載の空気調節装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の局面に基づく空気調節装置は、通風路と、イオン発生装置とを備える。通風路は、吸込口と吹出口との間を連通する。イオン発生装置は、通風路内を通過する空気に正負両方のイオンを放出する。この空気調節装置においては、イオン発生装置から吹出口に至る部分の通風路を１秒以上かけて空気が通過するように構成されるととともに、イオン発生装置から吹出口に至る部分の通風路内における正負それぞれのイオン濃度が平均１×１０5個／ｃｍ3以上となるように構成されている。
また、本発明の第２の局面に基づく空気調節装置は、通風路と、この通風路内を通過する空気に正負両方のイオンを放出するイオン発生装置とを備える。この空気調節装置においては、通風路が正負それぞれのイオン濃度が平均１×１０5個／ｃｍ3以上の領域を少なくとも含んでおり、この領域を少なくとも１秒以上かけて空気が通過するように構成されている。
なお、本明細書において「イオン濃度」とは、臨界移動度が１ｃｍ2／Ｖ・秒以上の小イオンの濃度を意味し、この小イオン濃度の測定には、空気イオンカウンタ（たとえば、ダン科学製空気イオンカウンタ（品番８３−１００１Ｂ））を用いて行なう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
このように、装置内に吸引した空気が、正負それぞれのイオン濃度が平均１×１０5個／ｃｍ3以上である領域を１秒以上かけて移動するように構成することにより、装置内部においてアレルゲンを効果的に失活させることが可能になる。このため、吹出口から吹き出されるアレルゲンはもはや高い活性度を有しておらず、室内空間をより確実に清浄化することが可能である。この結果、アレルギー疾患の発症を大幅に低減することが可能になると思われる。また、アレルゲンを失活させるために供される正負イオンは人体に対して無害であり、この点で安全性にも優れている。なお、ここでイオン濃度が平均１×１０5個／ｃｍ3以上とは、イオン発生装置を動作させた状態において、所定の空間内に含まれる正負それぞれのイオン濃度が、単位立方センチメートルあたり平均１×１０5個以上であることを指すものであり、局所的にイオン濃度が１×１０5個／ｃｍ3未満であっても構わない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記本発明に基づく空気調節装置にあっては、たとえば、通風路内に塵埃を集塵する集塵手段を備えていることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
このように、通風路内に集塵手段を配置することにより、比較的粒径の大きい塵埃（花粉等）を効果的に除去することが可能になるため、イオン処理を施す空気中に含まれる塵埃が粒径の小さいアレルゲン等のみとなる。このため、イオン発生装置から放出されたイオンが効果的にアレルゲンに作用するようになり、アレルゲンを失活させ易い空気調節装置とすることが可能になる。なお、集塵手段としては、たとえば、フィルタや電気集塵装置が利用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗原性物質に対して正イオンと負イオンとを作用させることにより、抗原性物質を失活させる方法であって、抗原性物質の失活率を略５０％以上とすることを特徴とする、抗原性物質を失活させる方法。
【請求項２】
抗原性物質に対して正イオンと負イオンとを作用させることにより、抗原性物質を失活させる方法であって、抗原性物質の失活率を略７５％以上とすることを特徴とする、抗原性物質を失活させる方法。
【請求項３】
正負両イオンの濃度が、それぞれ略１０万個／ｃｍ３以上となる雰囲気中において、正イオンと負イオンとを作用させることを特徴とする、請求項１または２に記載の抗原性物質を失活させる方法。
【請求項４】
正イオンがＨ３Ｏ＋（Ｈ２Ｏ）ｎ（ｎは０または自然数）であり、負イオンがＯ２−（Ｈ２Ｏ）ｍ（ｍは０または自然数）であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の抗原性物質を失活させる方法。
【請求項５】
正イオンと負イオンとが、化学反応することによって過酸化水素Ｈ２Ｏ２、二酸化水素ＨＯ２またはヒドロキシラジカル・ＯＨの少なくとも１種を生成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の抗原性物質を失活させる方法。
【請求項６】
抗原性物質の失活率が略５０％以上となるように、正イオンと負イオンとを空気中に送出する機構を有することを特徴とする、抗原性物質を失活させる装置。
【請求項７】
抗原性物質の失活率が略７５％以上となるように、正イオンと負イオンとを空気中に送出する機構を有することを特徴とする、抗原性物質を失活させる装置。
【請求項８】
過酸化水素Ｈ２Ｏ２、二酸化水素ＨＯ２またはヒドロキシラジカル・ＯＨの少なくとも１種を生成することを特徴とする、請求項６または７に記載の抗原性物質を失活させる装置。
【請求項９】
正負両イオンの濃度が、それぞれ略１０万個／ｃｍ３以上となる雰囲気を提供するように、正イオンと負イオンとを空気中に送出することを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の抗原性物質を失活させる装置。
【請求項１０】
空気調節機構を備えていることを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の抗原性物質を失活させる装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数個のウェルが設けられたサンプル用マイクロプレートと、沈殿物以外の液を抽出する抽出用マイクロプレートと、フロートを保持した試薬を中継充填する試薬槽と、沈殿物以外の液を排除／又は抽出する際に使用する着脱可能なチップを保持したチッププレートを載置する棚と、上下左右・回転動作及び該プレートの着脱を実施する搬送手段と、前記フロートの信号より試薬の有無検知を行う操作／制御部とを有する自動分離抽出装置において、前記試薬槽に試薬充填動作後に試薬の充填が検出されない場合に該搬送手段にて試薬槽に振動を与えることを特徴とする自動分離抽出装置。
【請求項２】
前記試薬が検出されない場合の前記試薬槽に振動を与える動作の実行及び動作回数を任意に選択・設定できることを特徴とする請求項１記載の自動分離抽出装置。
【請求項３】
前記試薬が検出されない場合あるいは前記試薬槽に振動を与える動作実施後に試薬がないと検知した場合にアラームを発生し、動作を停止することを特徴とする請求項１又は請求項２の何れか記載の自動分離抽出装置。