Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
左右一対のメインフレーム(20,20) を具備する車体支持構造体(8) 上に運転部(9) を設けると共に、同車体支持構造体(8) の外周に外骨格を形成するサブフレーム(21)を取付け、同サブフレーム(21)の左右側部を形成する左右側フレーム形成体(25,25) を、運転部(9) の座席(74)の側方位置において屈曲させるとともに、同屈曲部の前部と後部との間にサイドカバー体(90)を架設し、しかも、左右側フレーム形成体(25,25) の屈曲部の外周側方を全周にわたって開放せしめて把持可能な握り部(27,27) を形成したことを特徴とする小型乗用作業車のフレーム構造。
【請求項２】
左右一対のメインフレーム(20,20) の前部と後部に、それぞれ左右一対の前車輪(4,4) と後車輪(7,7) とを取付けて車体支持構造体(8) を形成し、同車体支持構造体(8) 上に運転部(9) を設けると共に、同車体支持構造体(8) の外周に外骨格を形成するサブフレーム(21)を取付け、同サブフレーム(21)の左右側部を形成する左右側フレーム形成体(25,25) に、車体の左右側方を被覆するためのサイドカバー体(90,90) を取付け、同サイドカバー体(90,90) は、下端を車体内側方に向けて伸延させたフェンダー体(90h) を形成して、前車輪(4,4) の上方と後車輪(7,7) の前側上方とを被覆すべく構成したことを特徴とする小型乗用作業車のフレーム構造。
【請求項３】
左右一対のメインフレーム(20,20) を具備する車体支持構造体(8) 上に運転部(9) を設けると共に、同車体支持構造体(8) の外周に外骨格を形成するサブフレーム(21)を取付け、同サブフレーム(21)の左右側部を形成する左右側フレーム形成体(25,25) に、車体の左右側方を被覆するためのサイドカバー体(90,90) 、又は、運転部(9) の座席(74)の周辺部上方を被覆するための座席支持機枠カバー体(81)を着脱自在に取付けたことを特徴とする小型乗用作業車のフレーム構造。
【請求項４】
左右一対のメインフレーム(20,20) を具備する車体支持構造体(8) 上に運転部(9) を設けると共に、同車体支持構造体(8) の外周に外骨格を形成するサブフレーム(21)を取付け、同サブフレーム(21)の前側部を形成する前側フレーム形成体(24)の略中央部に操向操作部(250) を立設するとともに、サブフレーム(21)の左右側部を形成する左右側フレーム形成体(25,25) 間に、門型のロールバー(22)を運転部(9) の直後方位置にて跨架し、同ロールバー(22)の上部を形成する横フレーム形成体(22b)とサブフレーム(21)の前側部を形成する前側フレーム形成体(24)との間には、平面視矩形枠状のガードフレーム(23)を架設し、同ガードフレーム(23)は、前側フレーム形成体(24)から上方へ立上げた左右側立上りフレーム形成体(23b,23b) と、同左右側立上りフレーム形成体(23b,23b)の上端部から後方のロールバー(22)の横フレーム形成体(22b) まで伸延させた左右側前後伸延フレーム形成体(23c,23c) とを形成し、しかも、左右側立上りフレーム形成体(23b,23b) は、前記操向操作部(250) よりも側面視で前方側に配置したことを特徴とする小型乗用作業車のフレーム構造。
【請求項５】
左右一対のメインフレーム(20,20) の前部と後部に、それぞれ左右一対の前車輪(4,4) と後車輪(7,7) とを取付けて車体支持構造体(8) を形成し、同車体支持構造体(8) 上に運転部(9) を設けると共に、同車体支持構造体(8) の外周に外骨格を形成するサブフレーム(21)を取付け、同サブフレーム(21)の左右側部を形成する左右側フレーム形成体(25,25) に運転部(9) の座席(74)の周辺部上方を被覆するための座席支持機枠カバー体(81)を装着し、同座席支持機枠カバー体(81)は、左右側前車輪(4,4) の前側端部から車体の内側後方に向けて傾斜状に形成した左右側壁形成部(81b,81b) を形成して、左右側前車輪(4,4) の内側方に前車輪(4,4) の切角を確保するための前車輪収容空間(260) を形成するとともに、左右側壁形成部(81b,81b) の内側端縁間に前壁形成部(81a) を座席(74)の前端部から下方に向けて略垂直状に形成し、前壁形成部(81a) と左右側壁形成部(81b,81b) とを平面視略コ字状に形成して、オペレータの踵部を収容するための踵収容凹部(82)を形成したことを特徴とする小型乗用作業車のフレーム構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明では、左右一対のメインフレームを具備する車体支持構造体上に運転部を設けると共に、同車体支持構造体の外周に外骨格を形成するサブフレームを取付け、同サブフレームの左右側部を形成する左右側フレーム形成体を、運転部の座席の側方位置において屈曲させるとともに、同屈曲部の前部と後部との間にサイドカバー体を架設し、しかも、左右側フレーム形成体の屈曲部の外周側方を全周にわたって開放せしめて把持可能な握り部を形成したことを特徴とする小型乗用作業車のフレーム構造を提供せんとするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明のうち請求項１にかかる発明は、貨物を収納して運搬するための貨物収納スペース内の天井の奥行き方向に配置され、空気により膨張可能な長尺筒状体と、前記長尺筒状体を前記天井に押しつけるために、前記奥行き方向の所定間隔毎に前記天井に設けられた伸縮ベルトと、前記長尺筒状体に接続され、空気の供給と吸引とに切換可能な送風機又は圧縮機と、を備えてなる荷崩れ防止装置である。ここで、所定間隔とは、天井に沿って配設された長尺筒状体が収縮時に自重によって垂れ下がり、貨物搬送時に邪魔にならない程度に長尺筒状体を天井に張りつけた状態を保つことができる程度をいう。また供給と吸引とに切換可能な送風機又は圧縮機とは、少なくとも０．０３〜０．１５ｋｇｆ／ｃｍ２に昇圧可能なものであれば使用できる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
コントロールボックス７には、圧力スイッチ４と、供給−切−吸引の３接点を有するトグルスイッチ７ａとが設けられている。圧力スイッチ４は長尺筒状体８ａ、８ｂ内の空気の圧力を検知するものであり、前記分岐部１９よりの圧力検知用配管２０が前記圧力スイッチ４に戻されている。またコントロールボックス７には配線Ｆ１によりバッテリー等の車載電源からの電力が導入され、配線Ｆ２を経てブロア６のモータを駆動し、配線Ｆ３を経て電動弁５を駆動する。配線Ｆ４は荷崩れ防止装置２の作動状況を知らせるための運転席確認ランプに対する配線である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このようなブロア６にあっては、図４のように静圧と空気量が略逆比例関係にあって、長尺筒状体に対して初期には大量の空気を送り込み、膨張後期には高い圧力を付与できるという好ましい特性を有している。また、正転の供給（図示の実線）と逆転の吸込（図示の一点鎖線）との間には多少の効率の低下があるもの、ほぼ同じ特性を有しており、羽根車の回転方向の正転と逆転により簡単に供給と吸込とに切り換えられる。このブロア６は、車載電源で作動する。車載電源は通常２４Ｖの直流であり、プラス又はマイナスの接続形態を変えるだけで、正転又は逆転に切り換えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月5日(2004.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】缶容器液面レベル分布検出装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送られてくる空の缶容器にＮｏ．１〜Ｎｏ．ｍの複数のバルブにより連続的に液注入するフィラと、液注入を終えて主コンベアで送られてくる缶容器の液面レベルを検査する液面レベルチェッカとを備えてなる液缶製品の生産ラインにおいて、
液注入を終えて主コンベアで送られてくる缶容器を各々その液注入をしたバルブのＮｏ．に対応付ける缶容器−バルブＮｏ．対応付け手段と、この缶容器−バルブＮｏ．対応付け手段及び前記液面レベルチェッカからの信号に基づき、液面レベル検査を終えた各缶容器の液面レベルの高低の分類をＮｏ．１〜Ｎｏ．ｍの各バルブ対応で行い、バルブ毎の缶容器液面レベルの高低分類を累積したバルブ対応液面レベル分布情報を得る対バルブ液面分布検出手段とを具備することを特徴とする缶容器液面レベル分布検出装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液体を缶容器に密封してなる液缶製品、主としてビール、ジュース等の缶入り飲料の生産ラインにおいて、缶容器に液注入するフィラのバルブ毎の缶容器の液面レベル分布を取得する缶容器液面レベル分布検出装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように従来は、フィラバルブ毎の缶容器の液面レベルの分布を取得する技術については未だに実現されていなかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、フィラバルブ毎の缶容器の液面分布を得ることができ、液缶製品の生産管理上、極めて有効な缶容器液面レベル分布検出装置を提供することにある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、送られてくる空の缶容器にＮｏ．１〜Ｎｏ．ｍの複数のバルブにより連続的に液注入するフィラと、液注入を終えて主コンベアで送られてくる缶容器の液面レベルを検査する液面レベルチェッカとを備えてなる液缶製品の生産ラインにおいて、液注入を終えて主コンベアで送られてくる缶容器を各々その液注入をしたバルブのＮｏ．に対応付ける缶容器−バルブＮｏ．対応付け手段と、この缶容器−バルブＮｏ．対応付け手段及び前記液面レベルチェッカからの信号に基づき、液面レベル検査を終えた各缶容器の液面レベルの高低の分類をＮｏ．１〜Ｎｏ．ｍの各バルブ対応で行い、バルブ毎の缶容器液面レベルの高低分類を累積したバルブ対応液面レベル分布情報を得る対バルブ液面分布検出手段とを設けることにより達成される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図１は本発明による缶容器液面レベル分布検出装置が適用された液缶製品の生産ラインの一例を示す構成図、図２は同じくブロック図である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
本発明によれば、フィラバルブ毎の缶容器の液面分布を得ることができ、液缶製品の生産管理上、極めて有効な缶容器液面レベル分布検出装置を提供という効果がある。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明による缶容器液面レベル分布検出装置が適用された液缶製品の生産ラインの一例を示す構成図である。
【図２】
同じくブロック図である。
【図３】
フィラバルブ毎の缶容器の液面分布例を一部省略して示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月20日(2004.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
（５）  バネ式矯正装置１２の長所は、長尺タオル生地１の全幅部分を一斉にかつ強力に矯正引出できる点と、サイドヘム部１ｄにおける曲りも矯正できる点にある。一方、短所は、強力なために平織部１ａとパイル部１ｂとの境界部１ｃが位置決め装置８の掛止部８０１，８０２を抜けてしまうおそれがある点と、各対の押下作用部材１３５の微妙なバネ調整が難しい点にある。特に、平織部１ａとパイル部１ｂとの厚さの差が小さい場合には、前記抜けが起きやすい。
一方、ローラ式矯正装置１７の長所は、ラチェット付き送りローラ１７４がクリック感を伴って回転し、それによる長尺タオル生地１の送り力が適当であることから、前記抜けが起きにくい点にある。一方、短所は、分割された送りローラ１７４が各幅部分を引出すので、長尺タオル生地１の全幅部分を一斉に引出すことが苦手である点と、前述したように、サイドヘム部１ｄを避けて押えローラ１７３を設けなければならない点にある。
本実施形態では、矯正引出を、上記のように、バネ式矯正装置１２とローラ式矯正装置１７とにより交互に行うので、上記バネ式矯正装置とローラ式矯正装置の両長所を併せ持ち、且つ両短所を補うことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２４】
1999093063.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維の表面に凹凸が存在するポリエステル繊維において、上記ポリエステル繊維が実質的にポリトリメチレンテレフタレートからなり、かつガラス転移点温度が４５〜８０℃であり、上記凹凸が繊維軸方向に０．００１〜５．０μm、繊維軸と直交する方向に０．００１〜３．０μｍ、最大深さ０．０１〜０．５μｍの、大きさと深さの異なる孔からなり、かつ独立にあるいは部分的に繋がって存在することを特徴とする発色性に優れたポリエステル繊維。
【請求項２】
繊維内部に平均粒径１．５μｍ以下の微粒子が０．０１〜３重量％含有されたガラス転移点温度が４５〜８０℃であるポリエステル繊維であって、上記ポリエステル繊維が実質的にポリトリメチレンテレフタレートからなり、かつ繊維内部に含有される微粒子がコロイダルシリカ、シリカゲル、乾式シリカ、アルミナ、酸化チタン、カリオン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カリウム、酢酸カルシウム、酢酸ナトリウム、酢酸マグネシウムの群から選ばれる少なくとも１種の無機塩であることを特徴とするポリエステル繊維。
【請求項３】
ポリエステル繊維の処理方法であって、繊維内部に平均粒径１．５μｍ以下の微粒子が０．０１〜３重量％含有されたガラス転移点温度が４５〜８０℃であるポリエステル繊維であって、上記ポリエステル繊維が実質的にポリトリメチレンテレフタレートからなり、かつ繊維内部に含有される微粒子がコロイダルシリカ、シリカゲル、乾式シリカ、アルミナ、酸化チタン、カリオン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カリウム、酢酸カルシウム、酢酸ナトリウム、酢酸マグネシウムの群から選ばれる少なくとも１種の無機塩であるポリエステル繊維をアルカリ水溶液を用いて、減量率が２〜４０％になるようにアルカリ減量を行うことを特徴とするポリエステル繊維の処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発色性に優れたポリエステル繊維及びポリエステル繊維の処理方法
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制電性を有するポリエステル繊維であって、当該ポリエステル繊維は鞘部がテレフタル酸を酸成分とし、トリメチレングリコールをグリコール成分とするポリエステル、芯部が制電剤の導入された繊維形成性ポリエステル重合体から構成されることを特徴とする鞘芯型複合繊維。
【請求項２】
制電性を有する鞘芯型複合繊維が下記（Ａ）〜（Ｃ）を満足することを特徴とする請求項１記載のポリエステル繊維。
（Ａ）制電剤の繊維全体に占める割合が０．１〜１０重量％
（Ｂ）損失正接のピーク温度が８５〜１１５℃
（Ｃ）繊維の弾性率Ｑ（ｇ／ｄ）と弾性回復率Ｒ（％）との関係が下記式（１）を満足する
０．１８≦Ｑ／Ｒ≦０．３５    ・・・    （１）
【請求項３】
制電性を有する鞘芯型複合繊維の芯部に導入された制電剤がトリメチレングリコール又はエチレングリコールをグリコール成分とするポリエステルに第三成分として平均分子量が４０００〜２００００のポリエチレングリコールが１０〜８０重量％共重合されたポリエステル共重合であることを特徴とする請求項１または２記載のポリエステル繊維。
【請求項４】
制電性を有する鞘芯型複合繊維の芯部に導入された制電剤がトリメチレングリコール又はエチレングリコールをグリコール成分とするポリエステルに第三成分として平均分子量が４０００〜２００００のポリエチレングリコールが１０〜８０重量％共重合されたポリエステル共重合が分散した繊維形成能のあるポリエステル系重合体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポリエステル繊維。
【請求項５】
制電性を有する鞘芯型複合繊維の芯部に導入された制電剤が糸長方向にすじ状分散して存在することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポリエステル繊維。
【請求項６】
制電性を有する鞘芯型複合繊維の芯部の断面構造が繊維形成性ポリエステル系重合体と制電剤が３層以上積層した構造を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポリエステル繊維。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載されたポリエステル繊維から構成される布帛であって、当該布帛の摩擦帯電圧が２０００V以下、半減期が２０秒以下であることを特徴とする布帛。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ポリエステル系複合繊維及びそれを用いた布帛
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【数１】
1999093022.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月5日(2004.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部駆動源により駆動される駆動軸と、この駆動軸に連結されたシリンダブロックと、このシリンダブロックに形成した複数個の円筒状の穴のそれぞれに挿入され、端部が球状に形成された複数のピストンと、このピストンの球状の端部に当接するピストンシューとを有する可変容量型油圧ポンプにおいて、前記ピストンの軸方向中間部であってシリンダブロックに挿入される挿入部の端部外周面に、このピストンの軸方向に平行かまたは軸方向から傾いた複数の溝を形成したことを特徴とする油圧ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上のような従来の技術的事情に鑑みてなされたもので、クランクシャフトの軸受部やコネクティングロッドとの連結部に対しては潤滑油を供給して耐久性を確保し得るとともに、クロスヘッドタイプのように寸法的に大きくならずに、吐出エア中に対する潤滑油の混入を阻止し得るように改良したエアコンプレッサを提供することを目的とするものである。また、前記ピストンの往復動に伴って派生する前記脈圧を削減することを目的とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
図２に示すように、ピストン３の上方には圧縮室１４が形成され、その圧縮エア圧により排気バルブ１１を開弁して排気口１０から圧縮エアを吐出するように構成されている。また、クランクシャフト６は、クランクケース７に設置されたベアリング等からなる軸受部１５，１６により回転自在に支持され、クランクピン１７とピストンピン１８間に配設された前記コネクティングロッド５を介してピストン３をシリンダ２の内面に沿って上下動させるように構成されている。さらに、クランクケース７内には所定量の潤滑油が収容され、クランクシャフト６の軸受部１５，１６及びコネクティングロッド５とクランクピン１７との連結部が油潤滑されるように構成されている。なお、図中、１９はクランクシャフト６の接続部で、この接続部１９に連結用のキー２０を介して、例えばエンジン側の回転軸を接続することにより本エアコンプレッサ１を駆動することになる。また、図中、２１はピストンリングである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼室に供給される空気量としてスロットル開度を燃料噴射制御に提供するスロットルセンサ信号の処理装置において、
前記スロットル開度のランプ変化時に前記スロットル開度を補正するスロットル開度信号補正部と、
前記スロットル開度信号補正部に応答遅れを補正するためのなまし値を提供するなまし値格納部とを備えることを特徴とするスロットルセンサ信号の処理装置。
【請求項２】
さらに、前記燃料噴射制御における空燃比が目標値となるように前記なまし値格納部が前記スロットル開度信号補正部に提供するなまし値を決定するなまし決定部とを備えることを特徴とする、請求項１に記載のスロットルセンサ信号の処理装置。
【請求項３】
前記なまし値格納部は前記スロットル開度のランプ変化に対して、小さなスロットル開度に対してなましを大きくし、大きなスロットル開度に対してなましを小さくするようになまし値を格納することを特徴とする、請求項１に記載のスロットルセンサ信号の処理装置。
【請求項４】
前記なまし値格納部は、一定のエンジン回転数に応じて、前記スロットル開度のランプ変化に対してなまし値を有し、エンジン回転数が大きくなるに従ってなましが大きくなることを特徴とする、請求項３に記載のスロットルセンサ信号の処理装置。
【請求項５】
前記なまし値格納部は前記スロットル開度のランプ変化が大きくなるにしたがってなましが大きくなるようになまし値を格納することを特徴とする、請求項１に記載のスロットルセンサ信号の処理装置。
【請求項６】
前記スロットル開度信号補正部は前記スロットル開度のランプ変化の終了時に前記補正されたスロットル開度を実際のスロットル開度に戻すことを特徴とする、請求項１に記載のスロットルセンサ信号の処理装置。
【請求項７】
前記スロットル開度信号補正部は、車両が停止しスロットルが全閉である場合に、スピードコントロールバルブの開度の補正を行い、前記なまし値格納部はスピードコントロールバルブの開度を補正するなまし値を格納することを特徴とする、請求項１に記載のスロットルセンサ信号の処理装置。
【請求項８】
前記なまし値格納部はスピードコントロールバルブの開度のなましは前記スロットルの開度のなましよりも大きくなるようになまし値を格納することを特徴とする、請求項７に記載のスロットルセンサ信号の処理装置。
【請求項９】
前記スロットル開度信号補正部はスロットル開度のランプ変化が所定値よりも大きい場合にのみ補正を行うことを特徴とする、請求項１に記載のスロットルセンサ信号の処理装置。
【請求項１０】
前記スロットル開度信号補正部は、スロットル開度が全開になると、なまし処理を禁止することを特徴とする、請求項１に記載のスロットルセンサ信号の処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸部にリング状の節部を所定間隔で一体に突設してなるコンクリート製の節杭において、前記軸部に、プレストレスを導入したＰＣ鋼棒及び構造鉄筋その他の鋼棒を埋設したことを特徴とする節付き杭。
【請求項２】
軸部の杭頭部にのみ構造鉄筋を埋設した請求項１記載の節付き杭。
【請求項３】
構造鉄筋を、軸部の上端からフーチングと連結できる長さ宛て突出させた請求項１又は２記載の節付き杭。
【請求項４】
軸部にリング状の節部を所定間隔で一体に突設してなる節杭用の型枠内に、複数のＰＣ鋼棒と必要な構造鉄筋とを配置し、前記ＰＣ鋼棒を選択してストレスを導入し、前記ストレスの導入に前後してコンクリートを打設して固化させることを特徴とした節付き杭の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ちこの発明は、軸部にリング状の節部を所定間隔で一体に突設してなるコンクリート製の節杭において、前記軸部に、プレストレスを導入したＰＣ鋼棒及び構造鉄筋その他の鋼棒を埋設したことを特徴とする節付き杭である。また、前記において、軸部の杭頭部にのみ構造鉄筋を埋設した節付き杭である。また、前記において、構造鉄筋を、軸部の上端からフーチングと連結できる長さ宛て突出させた節付き杭である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記金属がＣｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｏから選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、請求項５に記載の半導体製造装置用保持体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
セラミックスヒータ上に設ける金属製保持部は、被処理物保持面の均熱性を高める点から、熱伝導率５０Ｗ／ｍＫ以上の金属で構成することが好ましい。具体的には、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｏから選ばれた少なくとも１種が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記絶縁表面及び前記複数の凸部に半導体の結晶化を促進する元素を付着させた後、当該絶縁表面及び複数の凸部を覆う非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記絶縁表面及び前記複数の凸部に半導体の結晶化を促進する元素を付着させた後、当該絶縁表面及び複数の凸部を覆う非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を固相成長により結晶化させ、
前記固相成長させた半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記絶縁表面及び前記複数の凸部に半導体の結晶化を促進する元素を付着させた後、当該絶縁表面及び複数の凸部を覆う非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記絶縁表面と前記複数の凸部の側面とのなす角が１４５±５°となるように前記複数の凸部が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記絶縁表面及び前記複数の凸部に半導体の結晶化を促進する元素を付着させた後、当該絶縁表面及び複数の凸部を覆う非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を固相成長により結晶化させ、
前記固相成長させた半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記絶縁表面と前記複数の凸部の側面とのなす角が１４５±５°となるように前記複数の凸部が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記半導体の結晶化を促進する元素を含むプラズマに前記絶縁表面及び前記複数の凸部を曝すことにより、前記絶縁表面及び前記複数の凸部に半導体の結晶化を促進する元素を付着させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記絶縁表面及び前記複数の凸部に前記半導体の結晶化を促進する元素を含む溶液を塗布した後、当該溶液中の溶媒を乾燥させることにより、前記絶縁表面及び前記複数の凸部に半導体の結晶化を促進する元素を付着させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁表面は、酸化アルミニウム膜の表面であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
ガラス基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部に半導体の結晶化を促進する元素を付着させた後、当該第１の絶縁膜及び複数の凸部を覆う非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜と前記複数の凸部の側面とのなす角が１４５±５°となるように前記複数の凸部が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
ガラス基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜でなる直線状のストライプパターンで延在する複数の凸部を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部に半導体の結晶化を促進する元素を付着させた後、当該第１の絶縁膜及び複数の凸部を覆う非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を固相成長により結晶化させ、
前記固相成長させた半導体膜にレーザー光を照射して平坦な表面を有する結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜と前記複数の凸部の側面とのなす角が１４５±５°となるように前記複数の凸部が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または９において、前記半導体の結晶化を促進する元素を含むプラズマに前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部を曝すことにより、前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部に半導体の結晶化を促進する元素を付着させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８または９において、前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部に前記半導体の結晶化を促進する元素を含む溶液を塗布した後、当該溶液中の溶媒を乾燥させることにより、前記第１の絶縁膜及び前記複数の凸部に半導体の結晶化を促進する元素を付着させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記結晶性半導体膜のうち前記複数の凸部それぞれの間に形成された領域を、トランジスタのチャネル形成領域として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記レーザー光は、パルス発振または連続発振の線状レーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記レーザー光の照射領域を、前記複数の凸部に対して斜め方向に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１３において、前記レーザー光の照射領域を、前記複数の凸部に対して斜めに傾けた状態で、前記複数の凸部に沿った方向に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、前記複数の凸部を、それぞれの間隔を０．０１μｍ以上２μｍ以下に、厚さを０．０１μｍ以上３μｍ以下に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、前記半導体の結晶化を促進する元素として、ニッケル、コバルト、鉄、白金、金またはパラジウムを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記半導体として、シリコン、シリコンゲルマニウムまたはシリコンカーバイドを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程(10)と、
前記スライス工程(10)によって得られたウェーハを面取りする面取り工程(11)と、
前記面取りされたウェーハを平面化するラッピング工程(12)と、
前記面取り工程(11)及びラッピング工程(12)により導入されたウェーハ裏面の加工歪みの一部を研削する軽ラッピング工程(13)と、
前記軽ラッピングされた前記ウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程(14)と、
前記ウェーハ表裏面の加工歪みの残部をアルカリエッチングするエッチング工程(16)と、
前記エッチングされたウェーハの表面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程(17)と、
前記表面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程(18)と
を含むシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
軽ラッピング工程(13)における研削代を０．１〜１．０μｍとする請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
裏面軽研磨工程(14)によるウェーハ裏面の研磨時間を３０〜４５秒又は裏面軽研磨後のウェーハ裏面光沢度を１２０〜１４０％とする請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
エッチング工程(16)におけるアルカリエッチングの合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で２５〜３０μｍとする請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
エッチング工程(16)におけるアルカリエッチングのエッチング液が水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムである請求項１又は４記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、図１に示すように、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程１０と、スライス工程１０によって得られたウェーハを面取りする面取り工程１１と、面取りされたウェーハを平面化するラッピング工程１２と、面取り工程１１及びラッピング工程１２により導入されたウェーハ裏面の加工歪みの一部を研削する軽ラッピング工程１３と、軽ラッピングされたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程１４と、ウェーハ表裏面の加工歪みの残部をアルカリエッチングするエッチング工程１６と、エッチングされたウェーハの表面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程１７と、表面鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程１８とを含むシリコンウェーハの製造方法である。
請求項１に係る発明では、軽ラッピング工程１３によりウェーハ裏面の加工歪みの一部を取除き、軽ラッピング工程１３の後に裏面軽研磨工程１４を施してウェーハ裏面の凹凸の一部を取除き、その後にアルカリエッチングを施して加工変質層を除去することにより、従来のエッチング代よりも小さいエッチング代とすることができるため、エッチング後のウェーハ裏面に形成されるファセットの形状を大きくかつ少なくすることができ、深いピットの発生も抑制されるため、ウェーハ両面がラッピングで得られた高い表面平坦度を維持でき、かつ表裏面を目視により識別可能なウェーハを得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
先ず、育成されたシリコン単結晶インゴットは、先端部及び終端部を切断してブロック状とし、インゴットの直径を均一にするためにインゴットの外径を研削してブロック体とする。特定の結晶方位を示すために、このブロック体にオリエンテーションフラットやオリエンテーションノッチを施す。このプロセスの後、図１に示すように、ブロック体は棒軸方向に対して所定角度をもってスライスされる（工程１０）。
スライスされたウェーハは、ウェーハの周辺部の欠けやチップを防止するためにウェーハ周辺に面取り加工する（工程１１）。この面取りを施すことにより、例えば面取りされていないシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル成長するときに周辺部に異常成長が起こり環状に盛り上がるクラウン現象を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
次に、図１に戻って、軽ラッピングされたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程を行う（工程１４）。図２（ｂ）に示すように、この裏面軽研磨をウェーハ裏面に施すことにより裏面の粗さを低減する。
この裏面軽研磨工程１４及び後に続く表面鏡面研磨工程１７では片面研磨方法が用いられる。図３に基づいて片面研磨方法について述べる。この研磨装置２０は回転定盤２１とウェーハ保持具２２を備える。回転定盤２１は大きな円板であり、その底面中心に接続されたシャフト２３によって回転する。回転定盤２１の上面には研磨布２４が貼付けられる。ウェーハ保持具２２は加圧ヘッド２２ａとこれに接続して加圧ヘッド２２ａを回転させるシャフト２２ｂからなる。加圧ヘッド２２ａの下面には研磨プレート２６が取付けられる。研磨プレート２６の下面には複数枚のシリコンウェーハ２７が貼付けられる。回転定盤２１の上部には研磨液２８を供給するための配管２９が設けられる。この研磨装置２０によりシリコンウェーハ２７を研磨する場合には、加圧ヘッド２２ａを下降してシリコンウェーハ２７に所定の圧力を加えてウェーハ２７を押さえる。配管２９から研磨液２８を研磨布２４に供給しながら、加圧ヘッド２２ａと回転定盤２１とを同一方向に回転させて、ウェーハ２７の表面を平坦に研磨する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次に、図１に戻って、アルカリエッチングを施すことにより、ウェーハ表面の加工変質層を除去するとともに、ウェーハ裏面では裏面軽研磨工程１４で制御した表面粗さを維持しつつ残りの加工変質層を取除く（工程１６）。エッチング工程１６におけるアルカリエッチングのエッチング液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムである。エッチング工程１６におけるアルカリエッチングの合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で２５〜３０μｍとする。エッチング工程での合計取り代を２５〜２８μｍとすることが好ましい。エッチング工程での合計取り代が２５μｍ未満であると、エッチング後のウェーハ光沢度低減効果が小さくなり、３０μｍを越えるとラフネス悪化が懸念される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明のシリコンウェーハの製造方法を示す工程図。
【図２】
(a) 軽ラッピング工程を終えたウェーハの状態を示すウェーハ裏面部分拡大断面図。
(b) 裏面軽研磨工程を終えたウェーハの状態を示すウェーハ裏面部分拡大断面図。
【図３】
裏面軽研磨工程及び表面鏡面研磨工程に用いる片面研磨装置の概略図。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶基板の表面上に、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素系半導体層を気相成長させるリン化硼素系半導体層の製造方法に於いて、結晶基板の表面に、硼素またはリンの何れかを含む粒子を予め形成し、その後結晶基板の表面上に、リン化硼素系半導体層を気相成長させることを特徴とするリン化硼素系半導体層の製造方法。
【請求項２】
硼素またはリンの何れかを含む粒子の直径が、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
【請求項３】
結晶基板が、ｎ形またはｐ形の導電性の単結晶からなることを特徴とする請求項１または２に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
【請求項４】
硼素またはリンの何れかを含む粒子が、多結晶から形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
【請求項５】
硼素またはリンの何れかを含む粒子が、結晶基板の表面との接合界面の領域に非晶質体を含む多結晶体から形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
【請求項６】
硼素またはリンの何れかを含む粒子を形成する温度を超え、且つ、１２００℃以下の温度で、結晶基板の表面上にリン化硼素系半導体層を気相成長させることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
【請求項７】
硼素またはリンの何れかを含む粒子を形成するのに用いる硼素原料またはリン原料と同一の原料を用いて、硼素またはリンの何れかを含む粒子を形成するのと同一の気相成長手段により、リン化硼素系半導体層を気相成長させることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
【請求項８】
気相成長手段が有機金属化学的気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法であることを特徴とする請求項７に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法を用いて作製したリン化硼素系半導体層。
【請求項１０】
請求項９に記載のリン化硼素系半導体層を用いた半導体素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体素子を用いたＬＥＤ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月6日(2004.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンの上に絶縁するための酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上の凹凸を平坦にするために研磨工程を有し、
前記研磨工程において、パッドが貼られたプラテンと、前記半導体基板を固定するキャリアと、前記パッド表面を切削するドレスと、研磨剤を前記プラテン上で保持する機構を有する化学的機械的研磨を用いており、
ドレス方法は、前記凹凸のある半導体基板の研磨と同時に実施し、ドレス時に間欠動作を入れることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記ドレス方法は、ドレス時間の研磨時間に対する比率を２／３にし、ドレスなしの状態を１／３にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記ドレス方法は、７５％が研磨＋ドレスで２５％が研磨のみとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記ドレス方法は、ドレス時間を１５秒以上６０秒以下とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記ドレスは、前記パッドより硬度の高い粒子によりパッド表面を切削し、該粒子１個が描く軌跡長は４０ｍ以上となることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記粒子はダイヤモンドからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記ドレスの台金の平坦性を２０μｍ以下にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体基板上に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンの上に絶縁するための酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上の凹凸を平坦にするために研磨工程を有し、
前記研磨工程において、パッドが貼られたプラテンと、前記半導体基板を固定するキャリアと、前記パッド表面を切削するドレスと、研磨剤を前記プラテン上で保持する機構を有する化学的機械的研磨を用いており、
ドレス方法は、前記凹凸のある半導体基板の研磨と同時に実施し、ドレス領域を前記キャリアのリテーナーリングの平坦面から３．５ｍｍ以上離すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テーブル上に吸着させた半導体ＣＭＰ加工用パッドに細溝を切削加工するに際し、切削により前記パッド及び切粉に帯電した静電気を中和させるイオンを切削工具の刃先近傍から圧力空気とともに噴出させて前記パッド及び工具に付着する切粉を分離させることを特徴とする半導体ＣＭＰ加工用パッドの溝加工方法。
【請求項２】
前記切削工具が旋削用多刃工具であって、同心円の細溝を同時に切削加工する場合において、前記旋削用多刃工具の工具ホルダの導通穴を通った前記イオンを工具刃先の方向に複数の噴出口から放出させ、切粉の発生個所に均等に中和用イオンを噴出させ強制的に切粉と衝突させて帯電を中和させることにより切刃と切刃の間に切粉が付着するのを防ぐ請求項１に記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの溝加工方法。
【請求項３】
前記切削工具が溝フライスカッタを所定のピッチに積層して構成した溝フライス加工ユニットであって、複数の平行な細溝を同時に切削加工する場合において、切刃の近傍に設けたノズルから切粉の静電気を中和する逆極性の帯電イオンをパッド面と切粉及び内部に吹き付けて付着を防ぐようにした請求項１に記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの溝加工方法。
【請求項４】
前記切削工具の刃先近傍から圧力空気とともに噴出させて切粉の電荷を中和し前記パッドおよび工具に付着する切粉を分離させ、該分離した切粉をエアブローノズルと切粉吸い込みノズルの働きによりパッド上に切粉を散在させておかないようにした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの溝加工方法。
【請求項５】
半導体ＣＭＰパッドを切削工具を用い細溝を加工する場合のイオンブロー装置であって、イオン発生源を有し発生したイオンを圧力空気と共に供給可能なイオンブロー流路と、前記切削工具を保持しその刃先方向に前記イオンブロー流路のイオンを噴出させる噴出口が並設された工具ホルダと、切粉と逆極性の前記イオンを吹き当て静電気が中和された切粉を排出する吸引ノズルとを含んでなり、切粉の電荷を中和させ付着性を失った切粉を吸引回収することを特徴とするイオンブロー装置。
【請求項６】
テーブル上に吸着させたパッドに細溝を切削加工することにより半導体ＣＭＰ加工用パッドを製造するに際し、
切削により前記パッド及び切粉に帯電した静電気を中和させるイオンを切削工具の刃先近傍から圧力空気とともに噴出させることを特徴とする半導体ＣＭＰ加工用パッドの製造方法。
【請求項７】
前記切削工具として旋削用多刃工具を用い、前記イオンを前記圧力空気とともに該旋削用多刃工具の旋削方向後方から工具刃先の方向に放出させる請求項６に記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの製造方法。
【請求項８】
前記切削工具として旋削用多刃工具を用い、同心円の細溝を同時に切削加工すると共に、該旋削用多刃工具の工具ホルダに対してイオンブロー噴出用の導通穴を形成し、該導通穴を通った前記イオンを前記圧力空気とともに工具刃先の方向に複数の噴出口から放出させる請求項６又は７に記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの製造方法。
【請求項９】
前記パッドの切削加工に際して発生する切粉を吸引して排除する切粉吸い込みノズルを設けた請求項６乃至８の何れかに記載の半導体ＣＭＰ加工用パッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室を形成し縦形に設置されたプロセスチューブと、このプロセスチューブの外部に敷設されて前記処理室を加熱するヒータと、複数枚の被処理基板を保持して前記処理室に搬入搬出するボートと、このボートを回転させるボート回転装置とを備えており、前記ボート回転装置は固定された内軸とこの内軸に同心円に配置されて回転される外軸とを備えており、前記内軸の上端にはサブヒータが内部にヒータ素線の両端部を該サブヒータの中央部で下向きに屈曲して設置され、前記外軸には前記ボートと断熱部とが設置されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記サブヒータの給電配線は前記内軸の内部において分離可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記断熱部は前記サブヒータの下方に設置された断熱板によって構成されており、この断熱板には水平方向に引き出せるように半径方向に切欠部が切設されていることを特徴とする請求項１または２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
処理室を形成し縦形に設置されたプロセスチューブと、このプロセスチューブの外部に敷設されて前記処理室を加熱するヒータと、複数枚の被処理基板を保持して前記処理室に搬入搬出するボートとを備えており、前記ボートは断熱部の上に設置されてこの断熱部と共に回転されるように構成されており、前記断熱部の内部または上方にはサブヒータが内部にヒータ素線の両端部を該サブヒータの中央部で下向きに屈曲して設置され、このサブヒータの給電配線は前記ボートの回転中心軸に敷設されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
復数枚の被処理基板をボートに装填する工程と、縦形に配置されたプロセスチューブの処理室に前記ボートを搬入する工程と、前記ボートの処理室への搬入途中または搬入後に、前記ボートの延長線で同心円に固定された内軸に設置されている内部にヒータ素線の両端部を中央部で下向きに屈曲したサブヒータによって加熱し、前記内軸の外側に設置された外軸によって前記ボートを回転させる工程と、処理ガスを前記処理室へ流し、前記被処理基板を処理する工程と、前記処理室から前記ボートを搬出する工程と、前記ボートから前記復数枚の被処理基板を脱装する工程と、を備えている半導体製造方法。
【請求項６】
処理室を形成し縦形に設置されたプロセスチューブと、このプロセスチューブの外部に敷設されて前記処理室を加熱するヒータと、複数枚の被処理基板を保持して前記処理室に搬入搬出するボートと、このボートを回転させるボート回転装置とを備えており、前記ボートに保持された被処理基板と前記ボート回転装置との間にはサブヒータが設置され、前記ボートに保持された被処理基板を前記処理室から搬出途中に前記サブヒータによる加熱制御することを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】
前記ボートに保持された被処理基板を前記処理室から搬出する際の前記サブヒータによる加熱制御は前記ボートの下部領域の前記被処理基板と上部領域の前記被処理基板との間での熱履歴を一致させるように加熱制御することを特徴とする請求項６の熱処理装置。
【請求項８】
復数枚の被処理基板をボートに装填する工程と、縦形に配置されたプロセスチューブの処理室に前記ボートを搬入する工程と、前記ボートの処理室への搬入途中または搬入後に、前記ボートとボート回転装置との間に設置されるサブヒータによって加熱し、前記ボート回転装置により前記ボートを回転させる工程と、処理ガスを前記処理室へ流し、前記被処理基板を処理する工程と、前記処理室から前記ボートを搬出しつつ前記サブヒータにより加熱制御する工程と、前記ボートから前記復数枚の被処理基板を脱装する工程と、を備えている半導体製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記補正回路は、前記高周波電力を前記チャンバに供給する系に設けられる、請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
［実施の形態２］
図３を参照して、実施の形態２によるプラズマ処理装置１０１は、チャンバ１と、下部電極２と、絶縁体３と、上部電極６と、高周波整合器９と、高周波電源１０と、発光検知器１３と、窓１４と、モニタ１５と、給電ライン１６と、制御装置２０とを備える。なお、プラズマ処理装置１０１においては、ガスラインおよび排気口は省略されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５６】
そこで、モニタ１５が検出した高周波電圧Ｖのピーク間電圧Ｖｐｐの不連続な変化を検出する。高周波電力を増加させ、チャンバ１内でプラズマが発生すると、上述したインピーダンスＺにプラズマのインピーダンスが加わるため、ピーク間電圧Ｖｐｐは、プラズマの発生により不連続に変化する。したがって、制御装置２０，２０Ａは、モニタ１５から受けた高周波電圧Ｖに基づいてピーク間電圧Ｖｐｐを求め、その求めたピーク間電圧Ｖｐｐが不連続に変化するとチャンバ１におけるプラズマの発生を検知する。そして、制御装置２０，２０Ａは、チャンバ１におけるプラズマの発生を検知すると、高周波電源１０を強制的に停止して、プロセス性能の評価を終了する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
したがって、実施の形態３によるプラズマ処理装置は、装置固有の高周波特性を検出するために、チャンバ１内にプラズマが発生しない範囲の高周波電力を発生する高周波電源を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６５】
図２７は、定期メンテナンス時にインピーダンスＺを測定した１７台のプラズマ処理装置におけるエッチング速度の１ヶ月の平均値を示したものである。図２２に示す場合に比べ、エッチング速度のバラツキは大幅に減少し、チップの歩留まりも向上した。