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【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地段差を覆う膜を形成し、
前記膜表面に開口部を形成して、前記膜の表面に複数の凸部が設けられた膜を研磨する方法であって、
前記複数の凸部の面積がそれぞれ等しくなるように、前記開口部を形成することを特徴とする研磨方法。
【請求項２】
下地段差を覆う膜を形成して、前記膜の表面に凹部及び第１の凸部が設けられ、
前記第１の凸部に、前記凹部と深さが等しい開口部を形成して、複数の第２の凸部が設けられた膜を研磨する方法であって、
前記複数の第２の凸部の面積がそれぞれ等しくなるように、前記開口部を形成することを特徴とする研磨方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記下地段差は配線であることを特徴とする研磨方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記膜は酸化珪素、酸化窒化珪素または窒化珪素からなることを特徴とする研磨方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一おいて、前記膜はプラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法またはスパッタ法により形成されることを特徴とする研磨方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、エッチング法により前記開口部を形成することを特徴とする研磨方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記複数の開口部の形状は、線状、円状、格子状または矩形状であることを特徴とする研磨方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、ＣＭＰ法、機械研磨法又はＥＬＩＤ法により前記膜を研磨することを特徴とする研磨方法。
【請求項９】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に接続される配線を形成し、
前記半導体膜上に、前記配線を覆って絶縁膜を形成して、前記絶縁膜の表面に凸部が設けられ、
前記凸部に開口部を形成し、
前記開口部が形成された絶縁膜を研磨する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体装置は駆動回路部と画素部とを有し、
前記駆動回路部上の開口部の数は、前記画素部上の開口部の数より多いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に接続される配線を形成し、
前記半導体膜上に、前記配線を覆って絶縁膜を形成して、前記絶縁膜の表面に凹部及び凸部が設けられ、
前記凸部に、前記凹部と深さが等しい開口部を形成し、
前記開口部が形成された絶縁膜を研磨する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体装置は駆動回路部と画素部とを有し、
前記駆動回路部上の開口部の数は、前記画素部上の開口部の数より多いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に接続される配線を形成し、
前記半導体膜上に、前記配線を覆って絶縁膜を形成して、前記絶縁膜の表面に第１の凹部及び第１の凸部が設けられ、
前記第１の凸部に、前記第１の凹部と深さが等しい開口部を形成して、前記絶縁膜の表面には第２の凸部が設けられ、
前記開口部が形成された絶縁膜を研磨する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体装置は駆動回路部と画素部とを有し、
前記駆動回路部上の前記第２の凸部の面積と、前記画素部上の前記第２の凸部の面積とが等しくなるように、前記開口部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記駆動回路部上の前記第２の凸部の面積と、前記画素部上の前記第２の凸部の面積とが等しくなるように、前記駆動回路部上の開口部の数を前記画素部上の開口部の数より多くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記駆動回路部上の前記第２の凸部の面積と、前記画素部上の前記第２の凸部の面積とが等しくなるように、前記画素部上の開口部の幅を前記駆動回路部上の開口部の幅より広くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁表面上に形成された半導体膜を形成し、
前記半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記半導体膜上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に形成されたコンタクトを介して前記ソース領域及びドレイン領域のそれぞれに接続される配線を形成し、
前記配線を覆って第２の絶縁膜を形成して、前記第２の絶縁膜の表面には凸部が設けられ、
前記凸部に開口部を形成し、
前記開口部が形成された絶縁膜を研磨する半導体装置の作製方法において、
前記半導体装置は駆動回路部と画素部とを有し、
前記駆動回路部上の開口部の数は、前記画素部上の開口部の数より多いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一において、前記絶縁膜は酸化珪素、酸化窒化珪素及び窒化珪素のいずれかからなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項９乃至１５のいずれか一おいて、前記膜はプラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法またはスパッタ法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項９乃至１６のいずれか一において、エッチング法により前記開口部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項９乃至１７のいずれか一において、前記複数の開口部の形状は、線状、円状、格子状または矩形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項９乃至１８のいずれか一において、ＣＭＰ法、機械研磨法又はＥＬＩＤ法により前記膜を研磨することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に素子の少なくとも一部分を形成する工程と、
前記基板の少なくとも周縁部を、研磨面が、前記基板の周縁部の被研磨表面に摺接するように、前記周縁部の回りで前記基板の面内方向に張設された研磨部材を用いて、研磨する工程と
を有することを特徴する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記素子の少なくとも一部分は、前記研磨の前に、ドライエッチングにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板の少なくとも周縁部を研磨する工程は、前記素子の前記一部分を前記ドライエッチにより形成する工程時に前記基板の周縁部に生じた表面荒れを除去することを含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記素子の一部分は、トレンチキャパシタのトレンチであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記素子の一部分を形成するときに、前記素子の一部分の構成材料からなる付着膜が前記基板の少なくとも周縁部上に付着することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記付着膜は、後続の工程で汚染源となる膜であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記素子の一部分は、スタックキャパシタの下部電極、プラグおよび配線の少なくとも一つであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板の裏面上の前記付着膜を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記研磨は、固定砥粒方式を用いた温式研磨であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記固定砥粒方式は、前記研磨部材として研磨フィルムを用いたものであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記研磨フィルムは、張力を有する部材によって、前記基板の少なくとも周縁部に押し付けられることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記研磨フィルムは、張力を有する変形可能な弾性体によって、前記基板の少なくとも周縁部に押し付けられることを特徴する請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記研磨を乾式で行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板の少なくとも周縁部を研磨する工程は、前記基板の少なくとも周縁部を粗研磨する工程と、前記基板の少なくとも周縁部を細研磨する工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
基板の少なくとも周縁部と接触する研磨面を有する研磨手段と、
前記周縁部の回りの前記研磨部材を前記基板の面に対して９０°未満の角度で前記基板の面内方向に張設する張設部材と
を具備してなることを特徴とする研磨装置
【請求項１６】
前記張設部材は、前記研磨部材を前記基板の周縁部に押し付けるための弾性カバーを含むことを特徴とする請求項１５に記載の研磨装置。
【請求項１７】
前記弾性カバーを前記基板の周縁部に押し付けるための剛体部材をさらに備えていることを特徴とする請求項１６に記載の研磨装置。
【請求項１８】
前記張設部材は、前記研磨部材を前記基板の前記周縁部に押し付ける、薄い弾性体で形成され、流体が密閉されたクッションを含むことを特徴する請求項１５に記載の研磨装置。
【請求項１９】
前記基板上に気流を吹き付ける手段および前記基板上に液体を流す手段の少なくとも一方をさらに備えていることを特徴とする請求項１５に記載の研磨装置。
【請求項２０】
前記研磨部材は、一端が送り出しローラ、他端が巻き取りローラに巻き取られた長尺のテープ形状を有することを特徴とする請求項１５に記載の研磨装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向へ移動するステージと、該ステージと独立して移動可能なサブステージと、前記ステージを前記所定方向へ加減速する際に駆動力を発生する多相型の第１のアクチュエータと、前記ステージおよび前記サブステージの少なくとも一方に設けられ、前記ステージの等速移動時に前記ステージに前記所定方向への駆動力を発生する単相型の第２のアクチュエータとを有することを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記第１のアクチュエータは１つの固定子に対し前記ステージとサブステージを独立して移動させ得る複数の可動子を有する多相リニアモータであり、前記第２のアクチュエータは前記ステージに前記サブステージに対する駆動力を与える単相リニアモータであることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
所定方向に個別に移動可能な複数のステージと、前記複数のステージを駆動する電磁アクチュエータとを有し、前記電磁アクチュエータは固定子１つに対し複数のステージにそれぞれ締結された複数の可動子を有し、前記複数のステージの少なくとも１対の間はハード的実装手段でつながれていることを特徴とするステージ装置。
【請求項４】
前記複数のステージの各々の位置を計測する手段を有することを特徴とする請求項３に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記複数のステージの少なくとも１対の間で非接触で給電および通信を行なう手段を有することを特徴とする請求項４に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記複数のステージを案内するための前記所定方向に自由度のあるガイド面を有することを特徴とする請求項４または５に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記ガイド面が前記電磁アクチュエータの固定子か、または該固定子と機械的に締結された部材に形成されていることを特徴とする請求項６に記載のステージ装置。
【請求項８】
前記複数のステージのガイドが共通であることを特徴とする請求項６または７に記載のステージ装置。
【請求項９】
前記複数の可動部のガイドが別であることを特徴とする請求項６または７に記載のステージ装置。
【請求項１０】
前記複数のステージの少なくとも１対の間に互いに力を伝達可能な第２のアクチュエータを有することを特徴とする請求項４〜９のいずれか１つに記載のステージ装置。
【請求項１１】
原版のパターンの一部を投影光学系を介して基板上に投影し、前記原版のパターンの所定の露光領域を前記基板上に露光する露光手段と、前記露光のために前記原版および／または基板を移動させる請求項１〜１０のいずれか１つに記載のステージを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】
上記の目的を達成するため、本発明に係る第１のステージ装置は、所定方向へ移動するステージと、該ステージと独立して移動可能なサブステージと、前記ステージを前記所定方向へ加減速する際に駆動力を発生する多相型の第１のアクチュエータと、前記ステージおよび前記サブステージの少なくとも一方に設けられ、前記ステージの等速移動時に前記ステージに前記所定方向への駆動力を発生する単相型の第２のアクチュエータとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る第２のステージ装置は、所定方向に個別に移動可能な複数のステージと、前記複数のステージを駆動する電磁アクチュエータとを有し、前記電磁アクチュエータは固定子１つに対し複数のステージにそれぞれ締結された複数の可動子を有し、前記複数のステージの少なくとも１対の間はハード的実装手段でつながれていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
露光装置において、装置基盤または基準構造体とレチクルやウエハを搭載するステージとの間は、給電のための配線、通信ケーブル、冷却水などの流体が流れる配管などのハード的実装手段で接続される。しかし、この第２のステージ装置においては、これらの実装手段を先ず他のステージ（サブステージ）に繋ぎ、このサブステージで中継して、レチクルやウエハを搭載するステージ（メインステージ）に接続し、これらのステージの相対位置を変えないようにして、メインステージに外乱が入らないようにする。これにより、メインステージの等速スキャン露光中の制御精度の向上が図れ像性能と重ね合わせ精度向上が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のウエハを保持するウエハカセットと、ウエハに対して処理を施す処理室と、ツィーザの基端側が取付ブロックに支持されており、ウエハをツィーザの先端側で保持して取付ブロックの移動により搬送するウエハ搬送装置と、を備えている半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記ウエハ搬送装置の前記ツィーザの振動を前記ツィーザに取り付けた振動センサにより検出するステップと、前記振動センサにより検出された検出出力と予め設定した設定値とを比較し異常の有無を判定する判定ステップと、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数のウエハを保持するウエハカセットと、ウエハに対して処理を施す処理室と、ツィーザの基端側が取付ブロックに支持されており、ウエハをツィーザの先端側で保持して取付ブロックの移動により搬送するウエハ搬送装置と、を備えている半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記ウエハ搬送装置の前記複数のツィーザの振動を前記ツィーザにそれぞれ取り付けた複数の振動センサにより検出するステップと、前記各振動センサにより検出された検出出力同士を比較し異常の有無を判定する判定ステップとを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数のウエハを保持するウエハカセットと、ウエハに対して処理を施す処理室と、ツィーザの基端側が取付ブロックに支持されており、ウエハをツィーザの先端側で保持して取付ブロックの移動により搬送するウエハ搬送装置と、を備えている半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記ツィーザの振動を前記ツィーザに取り付けたツィーザ用振動センサにより検出するステップと、前記ウエハカセットの振動を前記カセットに取り付けたカセット用振動センサにより検出するステップと、前記処理室の振動を前記処理室に取り付けた処理室用振動センサにより検出するステップと、前記ツィーザ用振動センサの検出出力と前記カセット用振動センサの検出出力とを比較して異常の有無を判定する第一の判定ステップと、前記ツィーザ用振動センサの検出出力と前記処理室用振動センサの検出出力とを比較して異常の有無を判定する第二の判定ステップとを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、特に、ウエハをツィーザによって保持して搬送する技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）を製造する半導体製造方法において半導体ウエハ（以下、ウエハという。）を搬送する工程に利用して有効なものに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、ウエハの搬送に伴う異常を検出することができる半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
複数のウエハを保持するウエハカセットと、ウエハに対して処理を施す処理室と、ツィーザの基端側が取付ブロックに支持されており、ウエハをツィーザの先端側で保持して取付ブロックの移動により搬送するウエハ搬送装置と、を備えている半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記ウエハ搬送装置の前記ツィーザの振動を前記ツィーザに取り付けた振動センサにより検出するステップと、前記振動センサにより検出された検出出力と予め設定した設定値とを比較し異常の有無を判定する判定ステップと、を備えていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
次に、以上の構成に係るバッチ式ＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法における搬送工程を説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法に用いられるウエハ搬送装置を備えたバッチ式ＣＶＤ装置を示す一部切断正面図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造方法に用いられるウエハ搬送装置を備えた枚葉式ＣＶＤ装置を示す各一部切断正面図であり、（ａ）はウエハをカセットから取り出す場合を示し、（ｂ）はウエハをチャンバから取り出す場合を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月19日(2004.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の装置と、第１の装置と伝送媒体を介して接続され、前記第１の装置からのデータの量が所定のデータ量を超えたときに前記第１の装置に対して制御信号を送信する第２の装置および第３の装置とを有し、前記第１の装置は、前記制御信号を受信した後所定の時間データの送信を中断するものであり、前記第２の装置からの前記制御信号の受信回数が所定の頻度を超えたときに、前記第２の装置に送信予定のデータを前記第３の装置に対して送信するものであることを特徴とするネットワークシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のネットワークシステムにおいて、前記第１の装置と伝送媒体を介して接続された端末とを有し、前記第１の装置は、前記端末からの指示にしたがい前記第２の装置に送信予定のデータを前記第３の装置に対して送信するものであることを特徴とするネットワークシステム。
【請求項３】
第１のフロアに設けられた第１の装置と、第２のフロアに設けられた第２の装置と、第１の装置または第２の装置の各々に伝送媒体を介して接続され、前記第１の装置または前記第２の装置毎に制御信号を送信して、前記第１の装置または前記第２の装置からのデータの量を前記第１の装置または前記第２の装置毎に設定された帯域量に制御する第３の装置と、前記第１の装置に伝送媒体を介して接続され、前記第１の装置または前記第２の装置の各々に対する制御信号の送信回数を表示するネットワーク監視装置とを有することを特徴とする構内ネットワークシステム。
【請求項４】
請求項３に記載の構内ネットワークシステムにおいて、前記第１の装置または前記第２の装置毎に接続された複数の端末とを有し、前記第１の装置または前記第２の装置は、前記複数の端末毎に制御信号を送信して、前記複数の端末からのデータの量を前記複数の端末毎に設定された帯域量に制御するものであり、前記ネットワーク監視装置は、前記第１の装置または前記第２の装置の各々に伝送媒体を介して接続され、前記複数の端末の各々に対する制御信号の送信回数を表示するものであることを特徴とする構内ネットワークシステム。
【請求項５】
複数の加入者の各々から送られるデータを、ネットワークに対して中継するデータ中継方法であって、前記ネットワークに対して中継されるデータの量の所定値、および前記複数の加入者の各々が要求する要求データ量を設定しておき、前記複数の加入者から送られるデータの量が前記所定値以上である場合に、前記複数の加入者の各々から送られるデータの量を前記要求データ量を下限として低減させることを特徴とするデータ中継方法。
【請求項６】
請求項５に記載のデータ中継方法であって、前記複数の加入者から送られるデータの量が前記所定値以下である場合に、前記複数の加入者の各々から前記要求データ量を超えて送られるデータを前記ネットワークに対して中継することを特徴とするデータ中継方法。
【請求項７】
請求項５に記載のデータ中継方法において、前記複数の加入者に対して、前記要求データ量の要求を促し、前記複数の加入者から前記要求データ量の要求を受け取った後、前記要求データ量の設定を行うことを特徴とするデータ中継方法。
【請求項８】
請求項５に記載のデータ中継方法において、前記複数の加入者から送られるデータの量が前記所定値以上である場合、前記複数の加入者のうち前記要求データ量を超えた量でデータを送信する加入者を特定し、前記特定された加入者からのデータの量を前記要求データ量を下限として低減させることを特徴とするデータ中継方法。
【請求項９】
複数の加入者の各々から送られるデータを、ネットワークに対して中継するデータ中継装置であって、前記ネットワークに対して中継されるデータの量の所定値、および前記複数の加入者の各々が要求する要求データ量を設定する設定手段と、前記複数の加入者から送られるデータの量が前記所定値以上である場合に、前記複数の加入者の各々から送られるデータの量を前記要求データ量を下限として低減させる制御手段とを有することを特徴とするデータ中継装置。
【請求項１０】
複数の加入者の各々が有する加入者装置と、複数の前記加入者装置から送られるデータをネットワークに対して中継する中継装置とを有し、前記中継装置は、前記ネットワークに対して中継されるデータの量の所定値および前記複数の加入者の各々が要求する要求データ量が設定されて、前記複数の加入者装置から送られるデータの量が前記所定値以上である場合に、前記複数の加入者装置の各々から送られるデータの量を前記要求データ量を下限として低減させるものであることを特徴とするデータ中継システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、図１には示していないが、一般的に回り込みキャンセラにおいて使用しているデジタル信号処理のためのＡＤ（Ａｎａｌｏｇ  ｔｏ  Ｄｉｇｉｔａｌ）変換器ならびにＤＡ（Ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｏ  Ａｎａｌｏｇ）変換器の挿入位置は、本発明の原理とは無関係であり、これらＡＤ変換器ならびにＤＡ変換器の挿入位置によって本実施形態の効果が損なわれるものでないことは言うまでもない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月19日(2004.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の装置の回路にあっては、
第１のキー情報でスクランブルされた秘匿データを含む機器毎に異なるデータを格納する第１のメモリと、
前記第１のメモリから前記秘匿データを受け取り、前記スクランブルされた秘匿データを前記第１のキー情報でデスクランブルするデスクランブラと、
前記デスクランブラでデスクランブルされた前記秘匿データを用いてデータ処理を行う処理回路とを有した第１の回路とを有し、
第２の装置の回路にあっては、
前記第１のキー情報とは異なる第２のキー情報でスクランブルされた秘匿データを含む機器毎に異なるデータを格納する第２のメモリと、
前記第２のメモリから前記秘匿データを受け取り、前記スクランブルされた秘匿データを前記第２のキー情報でデスクランブルする前記デスクランブラと、
前記デスクランブラでデスクランブルされた前記秘匿データを用いてデータ処理を行う処理回路とを有した前記回路とを有し、
たことを特徴とする複数の秘匿データ処理装置。
【請求項２】
第１の回路群は、
第１のキー情報でスクランブルされた秘匿データを含む機器毎に異なるデータを格納する第１のメモリと、
前記第１のメモリから前記秘匿データを受け取り、前記スクランブルされた秘匿データを前記第１のキー情報でデスクランブルするデスクランブラと、
前記デスクランブラでデスクランブルされた前記秘匿データを用いてデータ処理を行う処理回路とをもつ、第１ロットで生産された前記第１の回路群であり、
第２の回路群では、
前記第１のキー情報とは異なる第２のキー情報でスクランブルされた秘匿データを含む機器毎に異なるデータを格納する第２のメモリと、
前記第２のメモリから前記秘匿データを受け取り、前記スクランブルされた秘匿データを前記第２のキー情報でデスクランブルするデスクランブラと、
前記デスクランブラでデスクランブルされた前記秘匿データを用いてデータ処理を行う処理回路とをもつ、第１ロットとは異なる第２ロットで生産された第２の回路群である、
ことを特徴とする複数の秘匿データ処理装置。
【請求項３】
第１の回路群は、
第１のキー情報でスクランブルされた秘匿データを含む機器毎に異なるデータを格納する第１のメモリと、
前記第１のメモリから前記秘匿データを受け取り、前記スクランブルされた秘匿データを前記第１のキー情報でデスクランブルするデスクランブラと、
前記デスクランブラでデスクランブルされた前記秘匿データを用いてデータ処理を行う処理回路とをもつ、第１仕向先へ出荷されるべく製造された第１の回路群であり、
第２の回路群は、
前記第１のキー情報とは異なる第２のキー情報でスクランブルされた秘匿データを含む機器毎に異なるデータを格納する第２のメモリと、
前記第２のメモリから前記秘匿データを受け取り、前記スクランブルされた秘匿データを前記第２のキー情報でデスクランブルする前記デスクランブラと、
前記デスクランブラでデスクランブルされた前記秘匿データを用いてデータ処理を行う前記処理回路とをもつ、第１仕向先とは異なる第２仕向先へ出荷されるべく製造された第２の回路群である、
ことを特徴とする複数の秘匿データ処理装置。
【請求項４】
第１のキー情報を格納するための第１のメモリと、
第２のキー情報を格納するための第２のメモリと、
前記第１のキー情報でスクランブルされた秘匿データを含む機器毎に異なるデータを格納する第３のメモリと、
第１のキー情報を供給するべく前記第１のメモリを選択する選択手段と、
前記第３のメモリから前記秘匿データを受け取り、前記選択手段が選択した前記第１キー情報に基づき、前記スクランブルされた秘匿データをデスクランブルするデスクランブラと、
前記デスクランブラでデスクランブルされた前記秘匿データを用いてデータ処理を行う処理回路と、
を具備することを特徴とする秘匿データ処理装置。
【請求項５】
前記選択手段は、前記第１と第２のメモリを前記第１のスクランブラに選択的接続を行うためにスイッチと、このスイッチを制御するための選択データを格納した選択回路とを有することを特徴とする請求項４記載の秘匿データ処理装置。
【請求項６】
前記第３メモリは、前記秘匿データと共に選択データが書き込まれており、前記選択手段は、前記第１と第２のメモリを前記第１のスクランブラに選択的接続を行うためにスイッチと、前記第３メモリに書き込まれた前記選択データに応じてこのスイッチを制御して前記第１メモリを選択することを特徴とする請求項４記載の秘匿データ処理装置。
【請求項７】
第１のキー情報を格納するための第１のメモリと、
第２のキー情報を格納するための第２のメモリと、
前記第１のメモリのみに結線されており、前記第１のキー情報でスクランブルされた機器毎に異なる秘匿データを外部から受け取り、前記選択手段が選択した前記第１キー情報に基づき、前記スクランブルされた秘匿データをデスクランブルするデスクランブラと、
前記デスクランブラでデスクランブルされた前記秘匿データを用いてデータ処理を行う処理回路と、
を具備する１つのＬＳＩ装置で構成されることを特徴とする秘匿データ処理装置。
【請求項８】
第１のキー情報を格納するための第１のメモリと、
第２のキー情報を格納するための第２のメモリと、
前記第１のメモリと前記第２のメモリとに結線されており、その後に選択される方のキー情報に基づいて、外部から与えられるスクランブルされた秘匿データをデスクランブルするデスクランブラと、
前記デスクランブラでデスクランブルされた前記秘匿データを用いてデータ処理を行う処理回路と、
を具備する１つのＬＳＩ装置で構成されることを特徴とする秘匿データ処理装置。
【請求項９】
第１のキー情報を格納するための第１のメモリと、
第２のキー情報を格納するための第２のメモリと、
前記第１のメモリと前記第２のメモリとには電気的には接続されてはおらず、その後に選択される方のキー情報に基づいて、外部から与えられるスクランブルされた秘匿データをデスクランブルするデスクランブラと、
前記デスクランブラでデスクランブルされた前記秘匿データを用いてデータ処理を行う処理回路と、
を具備する１つのＬＳＩ装置で構成されることを特徴とする秘匿データ処理装置。
【請求項１０】
所定キー情報でスクランブルされた秘匿データを含む機器毎に異なるデータを格納するメモリと前記スクランブルされた秘匿データを前記所定キー情報でデスクランブルしてデータ処理を行うＬＳＩ（大規模集積回路）とを有する情報機器の秘匿データの暗号化・復号化方法において、
前記スクランブル及びデスクランブルの前記所定キー情報を、一定の事項に応じて異ならせることを特徴とする秘匿データ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月22日(2004.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディスク包装材
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属反射色を有するディスクを収納するディスク包装材において、
表面又は裏面にシボ面と光沢面の組み合わせで文字や模様が形成され、
前記ディスクの金属反射色を前記光沢面から見えるようにして形成された文字や模様を浮き上がらせて見えるようにしたことを特徴とするディスク包装材。
【請求項２】
前記文字や模様に、商品名、メーカー名、品質の少なくとも１つが含まれていることを特徴とする請求項１に記載のディスク包装材。
【請求項３】
前記ディスク包装材の面に複数の溝が形成されてディスク包装材に伝わる固有振動が減衰されることを特徴とする請求項１に記載のディスク包装材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決する為の手段】
本発明は、前記目的を達成する為に、金属反射色を有するディスクを収納するディスク包装材において、表面又は裏面にシボ面と光沢面の組み合わせで文字や模様が形成され、前記ディスクの金属反射色を前記光沢面から見えるようにして形成された文字や模様を浮き上がらせて見えるようにしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の請求項４の発明は、入力信号切替えスイッチ、出力をオンオフするミ
ュート機能のスイッチ、各パワーセーブ手段のスイッチ、単信号と差動信号の切
り替えスイッチなどのスイッチ手段と、これらのスイッチ手段を制御するスイッ
チ制御手段とを具備し、シリアル制御データ入力手段で入力されるシリアル制御
データによってスイッチ制御手段のスイッチ制御をコントロールすることを特徴
とする。
これにより、外部からの回路の制御を容易にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を読取る読取手段と、
ユーザを特定する認証情報を入力する入力手段と、
この入力手段による認証情報の入力が開始された際、上記読取手段による原稿の読取りを開始する制御を行う制御手段と、
この制御手段により開始された上記読取手段による原稿の読取画像を一時格納する一時格納手段と、
上記入力手段により入力された認証情報からユーザを特定する認証情報かを認証する認証手段と、
この認証手段により上記入力手段で入力された認証情報が特定のユーザを示すと認証された際、上記認証手段により特定されたユーザに対して使用が許可される保存先に上記一時格納手段により格納されている画像を保存する保存手段と、
を具備したことを特徴とする画像処理システム。
【請求項２】
上記制御手段は、上記認証手段によるユーザの認証が行われるのを待たない、ことを特徴とする上記請求項１に記載の画像処理システム。
【請求項３】
さらに、複数の原稿を順次、上記読取手段に供給する供給手段を具備し、
上記制御手段は、上記供給手段により原稿を供給して原稿の読取りを開始する、ことを特徴とする上記請求項１に記載の画像処理システム。
【請求項４】
原稿を読取る読取手段と、
ユーザを特定する認証情報を入力する入力手段と、
この入力手段による認証情報の入力が開始された際、上記読取手段による原稿の読取りを開始する制御を行う制御手段と、
この制御手段により開始された上記読取手段による原稿の読取画像を一時格納する一時格納手段と、
上記入力手段により入力された認証情報からユーザを特定する情報かを認証する認証手段と、
この認証手段により上記入力手段で入力された認証情報が認証されなった際、上記読取手段による原稿の読取りを継続したまま、上記入力手段による認証情報の再入力を案内する案内手段と、
上記認証手段により上記入力手段で入力された認証情報、あるいは上記案内手段による再入力の案内に基づいて再入力された認証情報が特定のユーザを示すと認証された際、上記認証手段により特定されたユーザに対して使用が許可される保存先に上記一時格納手段により格納された画像を保存する保存手段と、
を具備したことを特徴とする画像処理システム。
【請求項５】
上記案内手段による再入力が案内されてから所定時間内に認証情報が入力されなかった際、上記読取手段による読取りを中止し、上記一時格納手段に格納された画像を削除する処理を行う処理手段をさらに具備したことを特徴とする上記請求項５に記載の画像処理システム。
【請求項６】
原稿を読取る読取手段と、
ユーザを特定する認証情報を入力する入力手段と、
この入力手段による認証情報の入力が開始された際、上記読取手段による原稿の読取りを開始する制御を行う制御手段と、
この制御手段により開始された上記読取手段による原稿の読取画像を一時格納する一時格納手段と、
上記入力手段により入力された認証情報からユーザを特定する情報かを認証する認証手段と、
この認証手段により上記入力手段で入力された認証情報が特定のユーザを示すと認証された際、上記認証手段により特定されたユーザに対するユーザ情報を案内してユーザが正しく認証されたかを確認する確認手段と、
この確認手段により上記認証手段で特定されたユーザが正しいと確認された際、上記確認手段により確認されたユーザに対して使用が許可される保存先に上記一時格納手段により格納されている画像を保存する保存手段と、
を具備したことを特徴とする画像処理システム。
【請求項７】
原稿を読取る第１の読取手段と、
ユーザの指画像を読取る第２の読取手段と、
この第２の読取手段によるユーザの指画像の読取りが開始された際、上記第１の読取手段による原稿の読取りを開始する制御を行う制御手段と、
この制御手段により開始された上記第１の読取手段による原稿の読取画像を一時格納する一時格納手段と、
上記第２の読取手段により読取られた指画像が特定のユーザを示す指画像かを認証する認証手段と、
この認証手段により第２の読取手段で読取った指画像が特定のユーザを示すものであると認証された際、上記認証手段により特定されたユーザに対して使用が許可される保存先に上記一時格納手段により格納されている画像を保存する保存手段と、
を具備したことを特徴とする画像処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハから作られる半導体装置であって、前記半導体ウエハに対して実行される検査によって得られる前記半導体装置の信頼性を低下させる原因となり得る情報を記録する記録手段を備える半導体装置。
【請求項２】
前記情報には、前記半導体ウエハに対するウエハプロセス工程において実行される、パターンの欠陥検査の検査結果が含まれる、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記情報には、前記半導体ウエハに対するウエハプロセス工程において実行される、チップ表面の異物検査の検査結果が含まれる、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記情報には、前記半導体ウエハに対するウエハテストのテスト結果が含まれる、請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記情報には、前記半導体ウエハに対するバーンインテストのテスト結果が含まれる、請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
Ｉ／Ｏピンと、
前記Ｉ／Ｏピンを用いて電気的に情報の書き込み及び読み出しが可能な不揮発性の半導体記憶装置と
を備え、
前記半導体記憶装置には、チップの生産された日時、ロット番号、ウエハ番号、及びウエハ内におけるチップの位置情報のうちの少なくとも一つの情報が書き込まれており、
特定のモードエントリでのみ前記半導体記憶装置への前記情報の書き込み及び読み出しが実行可能に設定されている、半導体装置。
【請求項７】
前記半導体記憶装置には、ウエハプロセス工程で実行される検査の結果に関する情報がさらに書き込まれている、請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体記憶装置に書き込まれている前記情報は、前記チップのパッケージを破壊することなく電気的に読み出し可能である、請求項６又は７記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、この発明のうち請求項５に係る半導体装置は、請求項１記載の半導体装置であって、情報には、半導体ウエハに対するバーンインテストのテスト結果が含まれることを特徴とするものである。
また、この発明のうち請求項６に係る半導体装置は、Ｉ／Ｏピンと、Ｉ／Ｏピンを用いて電気的に情報の書き込み及び読み出しが可能な不揮発性の半導体記憶装置とを備え、半導体記憶装置には、チップの生産された日時、ロット番号、ウエハ番号、及びウエハ内におけるチップの位置情報のうちの少なくとも一つの情報が書き込まれており、特定のモードエントリでのみ半導体記憶装置への情報の書き込み及び読み出しが実行可能に設定されている。
また、この発明のうち請求項７に係る半導体装置は、請求項６記載の半導体装置であって、半導体記憶装置には、ウエハプロセス工程で実行される検査の結果に関する情報がさらに書き込まれていることを特徴とするものである。
また、この発明のうち請求項８に係る半導体装置は、請求項６又は７記載の半導体装置であって、半導体記憶装置に書き込まれている情報は、チップのパッケージを破壊することなく電気的に読み出し可能であることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
更にまた、好ましくは、β型のＳｉＣからなり、ＳｉＣ中の不純物濃度が０．５〜０．０１ｐｐｍとされている。β型のＳｉＣは、ＣＶＤ法によって形成できるので、高純度のものを作りやすいという特徴がある。また、純度が上記範囲よりも低いと、半導体ウエハへの汚染を十分に防止できず、純度が上記よりも高いと原料等の製造が難しく、コスト高となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
表１に示されるように、ブラスト処理により、平均表面粗さＲａが１．０１〜４．６μｍとされた実施例１〜４のダミーウエハは、ブラスト処理をせず、平均表面粗さＲａが０．４μｍの比較例のダミーウエハに比べて、パーティクル汚染が発生するＣＶＤ膜の膜厚が顕著に厚くなることがわかる。したがって、実施例１〜４のダミーウエハでは、表面に付着したＣＶＤ膜を洗浄して除去する作業の回数を減らすことができ、半導体製造工程におけるＣＶＤ処理の作業性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
シリコンの第１導電型半導体基板（１）を酸化して前記第１導電型半導体基板（１）の第１の面と第2の面に、フィールド酸化膜（２）を形成する第1の工程と、前記第１の面のフィールド酸化膜（２）を一部除去し、ストリップ状の第２導電型不純物領域（３）を形成する第2の工程と、前記第２の面のフィールド酸化膜（２）を一部除去し、前記第１導電型半導体基板より不純物濃度の高いストリップ状の第１導電型不純物領域（４）を形成する第3の工程と、前記第２導電型不純物領域（３）と前記第１導電型不純物領域（４）に誘電体膜（５）を形成する第4の工程と、前記誘電体膜（５）の上に、その下の前記第２導電型不純物領域（３）または第１導電型不純物領域（４）より小さくゲート電極（６）を形成する第5の工程と、前記フィールド酸化膜（２）または前記第２導電型不純物領域（３）または第１導電型不純物領域（４）の上に抵抗体（７）を形成する第6の工程と、前記第１導電型半導体基板（１）の第１の面及び第２の面に層間絶縁膜（８）を形成する第7の工程と、前記ゲート電極（６）の上、及び第２導電型不純物領域（３）の端部、及び第１導電型不純物領域（４）の端部、及び前記抵抗体（７）の両端にコンタクトホール（９）を形成する第8の工程と、前記ゲート電極（６）上の第１のアルミ配線（１０）と、前記第２導電型不純物領域（３）または第１導電型不純物領域（４）を前記抵抗体（７）の一方の端部に結線する第２のアルミ配線（１１）と、前記第２導電型不純物領域（３）と結線される前記抵抗体（７）の他方の端部を全て結線する第2導電型領域のバイアスアルミ配線（１２）と、前記第１導電型不純物領域（４）と結線される前記抵抗体（７）の他方の端部を全て結線する第１導電型領域のバイアスアルミ配線（１３）を形成する第9の工程と、からなり、前記第4の工程で形成する前記誘電体膜（５）の膜厚と前記第５の工程で形成する前記ゲート電極の膜厚との和より、前記第1の工程で形成する前記フィールド酸化膜（２）の膜厚を厚く形成することを特徴とする、半導体光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
第１導電型の半導体基板の一方の面に第２導電型不純物領域と、前記半導体基板の前記第２導電型不純物領域を有しない面上に酸化膜と、前記第２導電型不純物領域上に誘電体膜と、前記誘電体膜上にゲート電極を有し、前記酸化膜の膜厚が、前記誘電体膜の膜厚と前記ゲート電極の膜厚の和より大きい光電変換装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1999238901.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタロセン触媒上における重合により製造されたポリプロピレン、またはメタロセン触媒上における重合により製造されたポリプロピレンコポリマー、ならびに
（Ａ）次式（Ａ−Ｉ）
【化１】
2002128971.tif 000001
〔式中、Ａ1、Ａ3、Ａ4およびＡ5は互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル−置換炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、−ＯＨ−および／もしくは炭素原子数１ないし１０のアルキル−置換フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、フェニル基上で−ＯＨおよび／もしくは炭素原子数１ないし１０のアルキル基により置換された炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または次式（ａ−１）
【化２】
2002128971.tif 000002
（式中、Ａ6は水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、−Ｏ・、−ＯＨ、−ＣＨ2ＣＮ、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルコキシ基、炭素原子数３ないし６のアルケニル基、未置換の、もしくはフェニル基上で炭素原子数１ないし４のアルキル基の１、２もしくは３個により置換された炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または炭素原子数１ないし８のアシル基を表す。）で表される基を表し、
Ａ2は炭素原子数２ないし１８のアルキレン基、炭素原子数５ないし７のシクロアルキレン基または炭素原子数１ないし４のアルキレンジ（炭素原子数５ないし７のシクロアルキレン）基を表すか、あるいは
基Ａ1、Ａ2およびＡ3は、それらが結合している窒素原子と一緒になって５−ないし１０員の複素環式環を形成するか、あるいは
Ａ4およびＡ5は、それらが結合している窒素原子と一緒になって５ないし１０員の複素環式環を形成し、
ｎ1は２ないし５０の数であり、そして
基Ａ1、Ａ3、Ａ4およびＡ5の少なくとも１個は式（ａ−１）で表される基を表す。〕で表される化合物、あるいは
次式（Ａ−ＩＩ−１）
【化３】
2002128971.tif 000003
（式中、ｎ’2、ｎ’’2およびｎ’’’2は互いに独立して２ないし１２の数である。）
で表されるポリアミンを塩化シアヌルと反応させることにより得られる生成物を、次式（Ａ−ＩＩ−２）
【化４】
2002128971.tif 000004
（式中、Ａ7は水素原子、炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表し、そして
Ａ8はＡ6の意味の一つを有する。）で表される化合物と反応させることにより得ることが可能な生成物（Ａ−ＩＩ）、あるいは
次式（Ａ−ＩＩＩ）
【化５】
2002128971.tif 000005
〔式中、Ａ9およびＡ13は互いに独立して、水素原子または炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表し、
Ａ10、Ａ11およびＡ12は互いに独立して、炭素原子数２ないし１０のアルキレン基を表し、そして
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6、Ｘ7およびＸ8は互いに独立して、次式（Ｖ）
【化６】
2002128971.tif 000006
（式中、Ａ14は水素原子、炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルキル−置換炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、−ＯＨ−および／または炭素原子数１ないし１０のアルキル置換フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、フェニル基上で−ＯＨおよび／もしくは炭素原子数１ないし１０のアルキル基により置換された炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または前記の通り定義された式（ａ−１）で表される基を表し、そしてＡ15はＡ6の意味の一つを有する。）で表される基を表す。〕で表される化合物、および
（Ｂ）次式（Ｂ−Ｉ）
【化７】
2002128971.tif 000007
〔式中、Ｅ1は水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、−Ｏ・、−ＯＨ、−ＣＨ2ＣＮ、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、−ＯＨにより置換された炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルコキシ基、炭素原子数３ないし６のアルケニル基、未置換の、もしくはフェニル基上で炭素原子数１ないし４のアルキル基の１、２もしくは３個により置換された炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、または炭素原子数１ないし８のアシル基を表し、
ｍ1は１、２または４であり、
ｍ1が１である場合、Ｅ2は炭素原子数１ないし２５のアルキル基を表し、
ｍ1が２である場合、Ｅ2は炭素原子数１ないし１４のアルキレン基または次式（ｂ−１）
【化８】
2002128971.tif 000008
（式中、Ｅ3は炭素原子数１ないし１０のアルキル基または炭素原子数２ないし１０のアルケニル基を表し、
Ｅ4は炭素原子数１ないし１０のアルキレン基を表し、そして
Ｅ5およびＥ6は互いに独立して炭素原子数１ないし４のアルキル基、シクロヘキシル基またはメチルシクロヘキシル基を表す。）で表される基を表し、そして
ｍ1が４である場合、Ｅ2は炭素原子数４ないし１０のアルカンテトライル基を表す。〕で表される化合物、
次式（Ｂ−ＩＩ）
【化９】
2002128971.tif 000009
〔式中、基Ｅ7のうち２個は−ＣＯＯ−（炭素原子数１ないし２０のアルキル）基を表し、そして
基Ｅ7のうち他の２個は次式（ｂ−２）
【化１０】
2002128971.tif 000010
（式中、Ｅ8はＥ1の意味の一つを有する。）で表される基を表す。〕で表される化合物、あるいは
次式（Ｂ−ＩＩＩ）
【化１１】
2002128971.tif 000011
（式中、基Ｅ9は互いに独立してＥ1の意味の一つを有し、そして
Ｅ10は炭素原子数２ないし２２のアルキレン基、炭素原子数５ないし７のシクロアルキレン基、炭素原子数１ないし４のアルキレンジ（炭素原子数５ないし７のシクロアルキレン）基、フェニレン基またはフェニレンジ（炭素原子数１ないし４のアルキレン）基を表す。）で表される化合物
を含む安定剤混合物からなる組成物。
【請求項２】
付加的に更なる成分として
（Ｘ−１）顔料、もしくは
（Ｘ−２）紫外線吸収剤、または
（Ｘ−３）顔料および紫外線吸収剤
を含む、請求項１記載の安定剤混合物。
【請求項３】
付加的に更なる成分として
（ＸＸ）カルシウムの有機塩、カルシウムの無機塩、酸化カルシウムまたは水酸化カルシウム
を含む、請求項１記載の安定剤混合物。
【請求項４】
付加的に更なる成分として
（ＸＸＸ）少なくとも亜鉛の有機塩、亜鉛の無機塩、酸化亜鉛、水酸化亜鉛、マグネシウムの有機塩、マグネシウムの無機塩、酸化マグネシウムまたは水酸化マグネシウム
を含む、請求項１記載の安定剤混合物。
【請求項５】
メタロセン触媒上における重合により製造されたポリプロピレン、またはメタロセン触媒上における重合により製造されたポリプロピレンコポリマーの安定化方法であって、該ポリプロピレンまたはポリプロピレンコポリマーに請求項１で定義された安定剤混合物を配合することからなる方法。