【誤訳訂正書】
【提出日】平成16年7月2日(2004.7.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）単結晶サファイア・チュービングから構成され、１,４００℃で少なくとも４,５００psiの抗破壊圧力と１,４００℃で最大５６,０００psiの引張強度を有し、実質的に円筒形であり、１ｍｍから２５ｍｍの間の内径と少なくとも２ｍｍの外径を有する発光管と、
（ｂ）多結晶アルミナ及び単結晶サファイアのうちの１つを含み、前記発光管の反対側の端部に設けられる複数のエンドプラグと、
（ｃ）前記エンドプラグを介して延長し、少なくとも一部分が前記発光管内に設けられる第１及び第２電極と、
（ｄ）各前記エンドプラグを前記発光管の対応する端部の内壁に密閉するシールと、
（ｅ）アーク・プラズマを生じるために、電圧が前記第１及び第２電極に適用され、該電圧は連続非フラッシュ・モードで作動する電源装置により提供され、該アーク・プラズマは、４,０００°Ｋから９,０００°Ｋの色温度を備える４００ｎｍから７００ｎｍの可視光線を放射することを特徴とする前記発光管内に設けられる充填剤と、
からなる高輝度発生ランプ。
【請求項２】
前記充填剤が水銀及びキセノンのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項３】
前記チュービングは、多結晶アルミナの適切な変換から生じ、表面に細かいうねりがないことを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項４】
エンドプラグは多結晶アルミナを含み、シールはチタン及びタングステンのうちの１つでドープ処理がなされたガラスを含むことを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項５】
前記エンドプラグは単結晶サファイアを含み、該エンドプラグの長軸はＣ軸であり、該Ｃ軸は発光管のＣ軸と平行であることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項６】
前記エンドプラグは単結晶サファイアを含み、エンドプラグと発光管の間のクリアランス距離が０．２ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項７】
エンドプラグの表面は、少なくとも１つのナノ構造を有するアルミナ−シリケート層からなるシール材料で被覆され、該アルミナ−シリケートは、１％から５％の間の二酸化チタンの混合物を有することを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項８】
シール領域が発光管と各エンドプラグの間にあり、１,７００℃から２,０００℃の間で焼結されることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項９】
前記エンドプラグは単結晶サファイアを含み、第１及び第２電極の挿入のために対応するインテグラル・ホールを有することを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項１０】
前記ホールは段階的に準備され、各ホールは第１部分及び第２部分を有し、該第１部分は発光管の内面に面し、該第２部分は発光管の外面に面し、該第１部分は第２部分よりも直径が小さいことを特徴とする請求項９のランプ。
【請求項１１】
前記ホールが、１４７ｎｍ又はそれ未満の規格のレーザーを備えるドリリング工程を用いて作成されることを特徴とする請求項９のランプ。
【請求項１２】
各前記第１及び第２電極が電極ステム及び電極ベースを有し、該ステムは前記ホールの第１部分を介して前記発光管に挿入され、該電極ベースは前記ホールの第２部分に嵌め込まれることを特徴とする請求項１０のランプ。
【請求項１３】
前記シールの作動温度が６００℃から１,４００℃の間であることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項１４】
前記発光管の内径が１ｍｍから２ｍｍの間であり、グラスホフ数が１,４００未満であることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項１５】
前記充填剤の水銀密度が２０mg/cmから６００mg/cmの間であり、キセノンの圧力が０．６気圧から１０気圧であることを特徴とする請求項２のランプ。
【請求項１６】
前記ランプの作動圧力が２０気圧から６００気圧の間であることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項１７】
相関色温度が充填剤に用いられる添加物の種類による作用として決定され、該添加物の種類は発光管の特定の適用に対応し、相関色温度は、ランプの寿命の間、維持されることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項１８】
前記充填剤が水銀を含まない充填剤であることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項１９】
前記充填剤がスキャニオン（Scanion）及び希土類ハロゲン化物のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１８のランプ。
【請求項２０】
前記ランプの視感度が１ワット当り６０ルーメンを超えることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項２１】
前記第１及び第２電極が所定の間隔で分離され、該間隔は２ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項２２】
発光管内の総放射流束が１００watt/cm2から１５０watt/cm2であることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項２３】
各前記エンドプラグは単結晶サファイア・チューブを含み、該チューブは、前記第１及び第２電極の挿入のためのインテグラル・ホールを提供するエッジ形成結晶化工程によって作成されることを特徴とする請求項９のランプ。
【請求項２４】
電源装置は、０．１ボルトから６００ボルトの間の電圧範囲、２アンペアから１５０アンペアの電流範囲で作動することを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項２５】
前記電源装置が直流の電源装置であることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項２６】
前記電源装置が交流の電源装置であることを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項２７】
前記電源装置が、１秒当り１６サイクルから１,０００サイクル以上の範囲の周波数で作動することを特徴とする請求項１のランプ。
【請求項２８】
（ａ）単結晶サファイア・チュービングから構成され、１,４００℃で少なくとも４,５００psiの抗破壊圧力と１,４００℃で最大５６,０００psiの引張強度を有し、実質的に円筒形であり、１ｍｍから２５ｍｍの間の内径と少なくとも２ｍｍの外径を有する発光管と、
（ｂ）多結晶アルミナ及び単結晶サファイアのうちの１つを含み、前記発光管の反対側の端部に設けられる複数のエンドプラグと、
（ｃ）前記エンドプラグを介して延長し、少なくとも一部分が前記発光管内に設けられる第１及び第２電極と、
（ｄ）各前記エンドプラグを前記発光管の対応する端部の内壁に密閉するシールと、
（ｅ）アーク・プラズマを生じるために、電圧が前記第１及び第２電極に適用され、該電圧は連続非フラッシュ・モードで作動する電源装置により提供され、前記ランプは特定の規格で作動し、アーク・プラズマが２００ｎｍから４００ｎｍの放射線スペクトルの紫外領域で放射することを特徴とする前記発光管内に設けられる充填剤と、
からなる高輝度発生ランプ。
【請求項２９】
前記充填剤が水銀及びキセノンのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２８のランプ。
【請求項３０】
前記チュービングは、多結晶アルミナの適切な変換から生じ、表面に細かいうねりがないことを特徴とする請求項２８のランプ。
【請求項３１】
前記充填剤がキセノン及び水素を含むことを特徴とする請求項２８のランプ。
【請求項３２】
ランプ作動の特定の規格が９,０００°Ｋから１５,０００°Ｋの温度範囲であることを特徴とする請求項２８のランプ。
【請求項３３】
ランプ作動の特定の規格が０．５気圧から２００気圧の圧力範囲であることを特徴とする請求項２８のランプ。
【請求項３４】
前記発光管は、塩化鉄、臭化鉄、塩化クロム、ホウ化クロム、カドミウム及びバナジウムのうち少なくとも１つを含むＷ放射充填剤材料のドープ処理がなされることを特徴とする請求項２８のランプ。
【請求項３５】
２００ｎｍから４００ｎｍの間の添加原子からの直線放射を最大にするプラズマの温度が６,０００°Ｋから７,０００°Ｋの範囲であり、プラズマの圧力が５気圧から５０気圧であることを特徴とする請求項３４のランプ。
【請求項３６】
（ａ）単結晶サファイア・チュービングから構成され、１,４００℃で少なくとも４,５００psiの抗破壊圧力と１,４００℃で最大５６,０００psiの引張強度を有し、実質的に円筒形であり、１ｍｍから２５ｍｍの間の内径、少なくとも２ｍｍの外径を有する発光管と、
（ｂ）多結晶アルミナ及び単結晶サファイアのうちの１つを含み、前記発光管の反対側の端部に設けられる複数のエンドプラグと、
（ｃ）前記エンドプラグを介して延長し、少なくとも一部分が前記発光管内に設けられる第１及び第２電極と、
（ｄ）各前記エンドプラグを前記発光管の対応する端部の内壁に密閉するシールと、
（ｅ）アーク・プラズマを生じるために、電圧が前記第１及び第２電極に適用され、該電圧は連続非フラッシュ・モードで作動する電源装置により提供され、前記ランプは特定の規格で作動し、アーク・プラズマが７００ｎｍから２,５００ｎｍの放射線スペクトルの紫外領域で放射することを特徴とする前記発光管内に設けられる充填剤と、
からなる高輝度発生ランプ。
【請求項３７】
前記発光管が、セシウム、ポタシウム及びルビジウムのうち少なくとも１つを含む赤外線放射材料でドープ処理がなされることを特徴とする請求項３６のランプ。
【請求項３８】
７００ｎｍから２,５００ｎｍの間の添加原子からの直線放射を最大ためのプラズマの温度が４,０００°Ｋから６,０００°Ｋの範囲であり、プラズマの圧力が５気圧から５０気圧であることを特徴とする請求項３６のランプ。
【請求項３９】
（ａ）前記エンドプラグと前記発光管の間のクリアランス距離が０．２ｍｍ未満であり、各エンドプラグの長いＣ軸が前記発光管の軸と平行となるようにする、エンドプラグを研磨加工する段階と、
（ｂ）アルミナ−シリケートが１％から５％の間の二酸化チタンの混合物を有する少なくとも１つのナノ構造を有するアルミナ−シリケート層で各エンドプラグの表面を被覆する段階と、
（ｃ）１,７００℃から２,０００℃の熱を適用することにより、前記発光管と各エンドプラグ内にあるシール領域を焼結する段階と、
からなる複数の単結晶サファイア・エンドプラグを単結晶サファイア高輝度発生ランプへ密閉するための方法。
【請求項４０】
前記エンドプラグが、前記ランプの第１及び第２電極の挿入に対応するホールを有することを特徴とする請求項３９の方法。