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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムにおいて、パイロットチヤンネルの電力レベルに対する通信チヤンネルの電力レベルの比を決定して電力レベル比を生成し、
前記電力レベル比を量子化し、
前記量子化された電力レベル比を通信システムの送信機から受信機へ通信する方法。
【請求項２】
さらに、前記量子化された電力レベル比に基づいて直交振幅変調コンステレーションにおける量子化された直交振幅変調距離を計算し、
前記量子化された直交振幅変調距離を使用して直交振幅変調技術にしたがって前記通信チヤンネルを伝送している信号を変調する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記送信機から前記受信機へ前記変調された信号を送信する請求項２記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記送信機から前記パイロットチヤンネルを受信し、
前記パイロットチヤンネルの受信された電力レベルを決定し、
前記決定されたパイロットチヤンネルの電力レベルおよび前記受信された量子化された電力比に基づいて前記通信チヤンネルの受信された電力レベルを計算する請求項３記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記通信チヤンネルの前記受信された電力レベルに基づいて受信された直交振幅変調距離を計算し、
前記受信された直交振幅変調距離に基づいて前記受信された信号を復調する請求項４記載の方法。
【請求項６】
パイロットチヤンネルの電力レベルに対する通信チヤンネルの電力レベルの比を決定して電力レベル比を生成し、前記電力レベル比を量子化して量子化された電力レベル比を生成するように構成されている第１の制御装置と、
前記第１の制御装置に結合され、前記量子化された電力レベル比を通信するように構成されている送信機とを具備しているシステムにおける装置。
【請求項７】
前記第１の制御装置はさらに、前記量子化された電力レベル比に基づいて量子化された直交振幅変調距離を計算するように構成されている請求項６記載の装置。
【請求項８】
さらに、直交振幅変調コンステレーション中の前記量子化された直交振幅変調距離を使用して前記通信チヤンネルを伝送している信号を直交振幅変調するように構成されている直交振幅変調装置を具備している請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記送信機は前記変調された信号を受信機に送信するように構成されている請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記受信機は前記量子化された電力レベル比を受信するように構成されている請求項９記載の装置。
【請求項１１】
さらに、前記受信機に結合され、前記パイロットチヤンネルの受信された電力レベルを決定し、前記決定されたパイロットチヤンネルの電力レベルおよび前記量子化された電力レベルの比に基づいて前記通信チヤンネルの電力レベルを計算するように構成されている第２の制御装置を具備している請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記第２の制御装置は、前記通信チヤンネルの電力レベルに基づいて受信された変調距離を計算するように構成されている請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
さらに、前記受信された変調距離に基づいて前記受信された信号を復調する復調装置を備えている請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
パイロットチヤンネルに対する通信チヤンネルの量子化された電力レベル比を決定し，さらに、量子化された直交振幅変調距離を決定するように構成されている第１の制御装置と、
直交振幅変調コンステレーション中の量子化された直交振幅変調距離を使用してに直交振幅変調技術にしたがって前記通信チャンネルを伝送している信号を変調するように構成されている変調装置と、
前記変調された信号を受信し、受信された量子化された電力レベル比から受信された直交振幅変調距離を計算するように構成されている第２の制御装置と、
前記受信された直交振幅変調距離に基づいて前記受信された信号を復調するように構成されている復調装置とを具備している通信システム。
【請求項１５】
通信システムにおいて、パイロットチヤンネルの電力レベルに対する通信チヤンネルの電力レベルの比を決定して電力レベル比を生成し、
前記電力レベル比を量子化し、
前記量子化された電力レベル比に基づいて直交振幅変調コンステレーション中における量子化された直交振幅変調距離を計算し、
前記量子化された直交振幅変調距離を使用して直交振幅変調技術にしたがって前記通信チヤンネルを伝送する信号を変調し、
前記変調された信号を送信し、
前記変調された信号と前記量子化された電力レベル比とを受信し、
前記パイロットチヤンネルの受信された電力レベルを決定し、
前記決定されたパイロットチヤンネルの電力レベルおよび前記受信された量子化された電力レベル比に基づいて前記通信チヤンネルの受信された電力レベルを計算し、
前記通信チヤンネルの前記受信された電力レベルから受信された変調距離を計算し、
前記受信された変調距離に基づいて前記受信された信号を復調する通信システムにおける方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＰ電話によりＩＰテレフォニーを実行する方法において、
ＩＰ電話を起動するステップと、
ＩＰ電話とクライアントＤＨＣＰリース交渉を実行するステップであって、ＩＰ電話に割り当てられたポート番号の範囲を決定するためにＩＰ電話の識別子が使用され、ポート番号の範囲には他のＩＰプロトコルによって使用するために予約されていない１つまたは複数のポート番号を含むステップと、
ＩＰ電話を初期化するステップと、
ＩＰ電話を登録するステップと、
割り当てられたポート範囲内の１つまたは複数のポートを使用して、ＩＰ電話を使用したＩＰ通信を実行するステップと
を含む方法。
【請求項２】
ＩＰテレフォニーを実行するシステムにおいて、
ネットワークと、
ＩＰ電話と、
ネットワークを介してＩＰ電話に結合されるように動作可能なサービス・ゲートウェイと、
ネットワークを介してサービス・ゲートウェイとＩＰ電話とに結合されるように動作可能なメディア・ゲートウェイ・コントローラと
を含み、
ＩＰ電話とサービス・ゲートウェイがＤＨＣＰリースを交渉するように動作可能であり、前記ＤＨＣＰリース交渉は、サービス・ゲートウェイが、ＩＰ電話の識別子に基づいてＩＰ電話にポート番号の範囲を割り当てるステップを含み、
ＩＰ電話とサービス・ゲートウェイがＩＰ電話を初期化するように動作可能であり、
メディア・ゲートウェイ・コントローラがＩＰ電話を登録するように動作可能であり、
ＩＰ電話が、割り当てられたポート範囲内の１つまたは複数のポートを使用してＩＰ通信を実行するように動作可能であり、
サービス・ゲートウェイが、前記ＩＰ通信でＩＰ電話に対して送受信されたデータ・パケットに対してＮＡＰＰＴを実行するようにさらに動作可能であるシステム。
【請求項３】
１つまたは複数のメモリ媒体において、
ａ）ＩＰ電話によりクライアントＤＨＣＰリース交渉を実行するステップであって、ＩＰ電話に割り当てられたポート番号の範囲を決定するためにＩＰ電話の識別子が使用されるステップと、
ｂ）ＩＰ電話を初期化するステップと、
ｃ）ＩＰ電話を登録するステップと、
ｄ）割り当てられたポート範囲内の１つまたは複数のポートを使用して、ＩＰ電話を使用したＩＰ通信を実行するステップと
を実行するように実行可能なプログラム命令を記憶する１つまたは複数のメモリ媒体。
【請求項４】
複数のメモリ媒体において、
ＩＰ電話プログラム命令を記憶するＩＰ電話メモリ媒体と、
サービス・ゲートウェイ・プログラム命令を記憶するサービス・ゲートウェイ・メモリ媒体と、
メディア・ゲートウェイ・コントローラ・プログラム命令を記憶するメディア・ゲートウェイ・コントローラ・メモリ媒体とを含み、
ＩＰ電話プログラム命令とサービス・ゲートウェイ・プログラム命令が、
ＩＰ電話に対してクライアントＤＨＣＰリース交渉を実行するステップであって、ＩＰ電話に割り当てられたポート番号の範囲を決定するためにＩＰ電話の識別子が使用されるステップと、
ＩＰ電話を初期化するステップと
を実行するように実行可能であり、
ＩＰ電話プログラム命令とメディア・ゲートウェイ・コントローラ・プログラム命令がＩＰ電話を登録するように実行可能であり、
ＩＰ電話プログラム命令、サービス・ゲートウェイ・プログラム命令、およびメディア・ゲートウェイ・コントローラ・プログラム命令が、ＩＰ電話を使用したＩＰ通信を実行するように実行可能であり、ＩＰ通信を実行する前記ステップが割り当てられたポート範囲内の１つまたは複数のポートを使用する複数のメモリ媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともアンテナの一部として構成された導電性材料を備えているアンテナにおいて、前記導電性材料は、
ポリマーと、
導電性充填剤と、及び
硫黄源
を備えていることを特徴とするアンテナ。
【請求項２】
前記硫黄源は、元素状硫黄を備えていることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項３】
前記硫黄源は、硫黄ドナーを備えていることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項４】
前記導電性充填剤は、カーボンブラックを備えていることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項５】
前記ポリマーは、ポリオレフィンを備えていることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項６】
前記ポリマーは、エラストマーを備えていることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項７】
前記導電性材料は、直接的に電気めっき可能な樹脂（ＤＥＲ）を備えていることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項８】
前記ＤＥＲは、インクの形式で配置されることを特徴とする請求項７に記載のアンテナ。
【請求項９】
前記導電性材料の少なくとも一部に直接接触する金属をベースとする電着物を更に有することを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項１０】
少なくとも一つの追加の金属をベースとする層が前記金属をベースとする電着物に接合されることを特徴とする請求項９に記載のアンテナ。
【請求項１１】
前記金属を基材にした電着物は、ＶＩＩＩ族金属またはＶＩＩＩ族金属をベースとする合金を備えていることを特徴とする請求項９に記載のアンテナ。
【請求項１２】
アンテナを製造する方法であって、前記製造は、
所望の形状に硫黄を備えている電導性ポリマー材料を形成する段階と、
前記電導性ポリマー材料の少なくとも一部に金属を電着させるために該少なくとも一部を電気めっき浴にさらす段階とを具備することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザが複数の無線通信ネットワークの１つにアクセスするのを可能にするユーザ装置であって、
複数の無線通信ネットワークのうちの少なくとも１つを検出する検出器と、
ネットワーク識別データ、及び前記複数のネットワークのそれぞれに関連する動作変数を格納する第１の記憶装置と、
ユーザの選好に関連するデータを格納する第２の記憶装置と、
受け取られた信号特性と前記第１の記憶装置に格納された識別データとの比較により、検出されたネットワークを識別する識別器と、
前記第２の記憶装置に格納されたデータとの比較により、検出され且つ識別されたネットワークのうちの１つを選定する第１の選択器と、
前記第１の記憶装置に格納され且つ前記の選定されたネットワークに関係する動作変数を選択する第２の選択器と、
前記の選択された動作変数を用いて、前記の選定されたネットワークに関して通信チャネルを設定する手段と、
使用可能化プログラムを受け取ることにより前記の選定されたネットワークとの通信を可能にする手段と
を備えるユーザ装置。
【請求項２】
前記使用可能化プログラムを前記の選定されたネットワークから要求する手段を更に備える請求項１記載のユーザ装置。
【請求項３】
前記使用可能化プログラムを格納する第３の記憶装置を更に含む請求項２記載のユーザ装置。
【請求項４】
前記使用可能化プログラムを含むモジュールを更に含む請求項１記載のユーザ装置。
【請求項５】
前記第１の記憶装置が、前記複数の無線通信ネットワークのそれぞれのためのセル選択及び再選択機能を含む請求項１から４のいずれか一項に記載のユーザ装置。
【請求項６】
自己検査手順を実行する手段を更に含む請求項１から５のいずれか一項に記載のユーザ装置。
【請求項７】
自己検査手順を実行する前記手段が、前記使用可能化プログラムを備える前記ユーザ装置の送信電力レベルに応答する請求項６記載のユーザ装置。
【請求項８】
ユーザ装置が複数の無線通信ネットワークの１つにアクセスするのを可能にする方法であって、
前記ネットワークのうちの少なくとも１つを検出するステップと、
前記の検出されたネットワークを識別するステップと、
格納されたユーザ・データとの比較により、前記の検出され且つ識別されたネットワークのうちの１つを選定するステップと、
前記の選定されたネットワークに関係する動作変数をネットワーク変数設定記憶装置から選択するステップと、
前記の選択された動作変数を用いて前記の選定されたネットワークに関して通信チャネルを設定するステップと、
使用可能化プログラムを受け取ることにより、前記ユーザ装置と前記の選定されたネットワークとの間の通信を可能にするステップと
を備える方法。
【請求項９】
前記使用可能化プログラムを前記の選定されたネットワークから要求するステップと、
前記使用可能化プログラムを前記ユーザ装置内に格納するステップと
を更に含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記使用可能化プログラムを含むモジュールを前記ユーザ装置に接続するステップを更に含む請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記の格納されたユーザ・データがネットワーク性能能力に関連する請求項８から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
自己検査手順を実行するステップを更に含む請求項８から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記自己検査手順が、前記使用可能化プログラムを備える前記ユーザ装置の送信電力レベルに応答することを含む請求項１２記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ユーザ装置はまた、使用可能化プログラムが首尾良くダウンロードされたこと、及びユーザ装置がダウンロードの結果として正しく再構成されたことを検査するため自己検査を実行し得るのは任意である。自己検査手順には、上記の使用可能化プログラムを備えるユーザ装置の送信電力レベルに応答することが含まれるのが好ましい。特に、レベルが、ネットワークにより指令された正しい値に設定されなかった場合、ユーザ装置がその送信を停止し、そしてユーザに知らせるのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の動作モードをもつターボデコーダ回路であって、
（ａ）第１の動作モードで使用するための第１の機能ループであって、
（１）入力と出力とをもつ書込みインターリーバ、
（２）入力と出力とをもつデュアルポート外部メモリであって、デュアルポート外部メモリの入力が書込みインターリーバの出力に接続されたデュアルポート外部メモリ、
（３）入力と出力とをもつ読出しインターリーバであって、読出しインターリーバの入力がデュアルポート外部メモリの出力に接続された読出しインターリーバ、
（４）入力と出力とをもつバッファ回路であって、バッファ回路の入力が読出しインターリーバの出力に接続されたバッファ回路、および、
（５）入力と出力とをもつｌｏｇ−ＭＡＰデコーダであって、ｌｏｇ−ＭＡＰデコーダの入力がバッファの出力に接続され、ｌｏｇ−ＭＡＰデコーダの出力が書込みインターリーバに接続されたｌｏｇ−ＭＡＰデコーダを含む第１の機能ループと、
（ｂ）第２の動作モードで使用するための第２の機能ループであって、
（１）デュアルポート外部メモリ、
（２）バッファ回路であって、バッファ回路の入力がデュアルポート外部メモリの出力に接続されたバッファ回路、および、
（３）ｌｏｇ−ＭＡＰデコーダであって、ｌｏｇ−ＭＡＰデコーダの入力がバッファ回路の出力に接続され、ｌｏｇ−ＭＡＰデコーダの出力がデュアルポート外部メモリの入力に接続されたｌｏｇ−ＭＡＰデコーダを含む第２の機能ループとを含むターボデコーダ回路。
【請求項２】
ターボデコーダ回路であって、
（ａ）出力、第１の入力、および第２の入力をもつマルチプレクサであって、マルチプレクサの第１の入力が書込みインターリーバに接続され、マルチプレクサの第２の入力がｌｏｇ−ＭＡＰデコーダの出力に接続され、マルチプレクサの出力がデュアルポート外部メモリの入力に接続されたマルチプレクサと、
（ｂ）マルチプレクサに接続されたタイミング回路とをさらに含み、
マルチプレクサおよびタイミング回路が、第１の機能ループと第２の機能ループとを切換えることによって、第１の動作モードおよび第２の動作モードを設定する請求項１記載のターボデコーダ回路。
【請求項３】
第２のマルチプレクサをさらに含むターボデコーダ回路であって、第２のマルチプレクサが、出力、第１の入力、および第２の入力をもち、第２のマルチプレクサの第１の入力が読出しインターリーバの出力に接続され、第２のマルチプレクサの第２の入力がデュアルポート外部メモリの出力に接続され、第２のマルチプレクサの出力がバッファ回路の入力に接続された請求項２記載のターボデコーダ回路。
【請求項４】
第１のメモリが、ｌｏｇ−ＭＡＰアルゴリズムを実行するためのループによって用いられる唯一の外部メモリである請求項３記載のシステム。
【請求項５】
空間効率のよいターボデコーダであって、
（ａ）デコーダ、書込みインターリーバ、読出しインターリーバ、および第１のメモリを含み、ｌｏｇ−ＭＡＰアルゴリズムを実行するように構成されたループと、
（ｂ）デコーダと第１のメモリとの間に接続された第１のマルチプレクサ、および読出しインターリーバの出力に接続された第２のマルチプレクサであって、制御信号に応答して、書込みインターリーバまたは読出しインターリーバを選択的にバイパスし、デコーダ、書込みインターリーバ、読出しインターリーバ、および第１のメモリにｌｏｇ−ＭＡＰアルゴリズムを実行させる第１のマルチプレクサおよび第２のマルチプレクサとを含む空間効率のよいターボデコーダ。
【請求項６】
第１および第２のマルチプレクサを制御する制御信号を生成するための制御装置をさらに含む請求項５記載の空間効率のよいターボデコーダ。
【請求項７】
空間効率のよいターボデコーダであって、
（ａ）第１のメモリに通じているチャンネルデインターリーバと、
（ｂ）メモリの出力に接続されたｌｏｇ−ＭＡＰデコーダであって、ｌｏｇ−ＭＡＰデコーダの出力がハード決定回路に接続され、ハード決定回路の出力が空間効率のよいターボデコーダの出力を与えるｌｏｇ−ＭＡＰデコーダと、
（ｃ）ｌｏｇ−ＭＡＰデコーダの出力に接続された書込みインターリーバであって、書込みインターリーバの出力が第１のマルチプレクサの第１の入力に接続され、第１のマルチプレクサの第２の入力がｌｏｇ−ＭＡＰデコーダの出力に接続され、第１のマルチプレクサの出力が第２のメモリの入力に接続された書込みインターリーバと、
（ｄ）第２のメモリの出力に接続された読出しインターリーバであって、読出しインターリーバの出力が第２のマルチプレクサの第１の入力に接続され、第２のマルチプレクサの第２の入力が第２のメモリの出力に接続され、第２のマルチプレクサの出力が第１のメモリの入力に接続され、ｌｏｇ−ＭＡＰデコーダ、書込みインターリーバ、第２のメモリ、および読出しインターリーバがｌｏｇ−ＭＡＰアルゴリズムを実行するように構成されている読出しインターリーバと、
（ｅ）マルチプレクサの入力を選択的にイネーブルして、ｌｏｇ−ＭＡＰデコーダ、書込みインターリーバ、第２のメモリ、および読出しインターリーバにｌｏｇ−ＭＡＰアルゴリズムを実行させる制御装置とを含む空間効率のよいターボデコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ実行可能命令を記憶したコンピュータ可読媒体を含む物品であって、前記命令が、
ソース・ビデオ・シーケンスによって表される品質よりも低品質の視聴可能ビデオ・シーケンスを生成する第１のデータ本体を生成すること、および
前記第１のデータ本体から生成される視聴可能ビデオ・シーケンスの品質を向上させる第２のデータ本体を生成することをコンピュータに行わせ、前記第２のデータ本体が、前記ソース・ビデオ・シーケンスのサブセクションから再構築済みデータ本体を引くことによって生成され、前記再構築済みデータ本体が、少なくとも２つの別々の再構築済みデータ本体からなるグループから選択される、コンピュータ可読媒体を含む物品。
【請求項２】
前記少なくとも２つの別々の再構築済みデータ本体からなるグループが、前記ソース・ビデオ・シーケンスによって表される品質よりも低品質の視聴可能ビデオ・シーケンスを生成する第１の再構築済みデータ本体、前記第１のデータ本体から生成される視聴可能ビデオ・シーケンスの品質を向上させる第２の再構築済みデータ本体、および、前記第１と第２の再構築済みデータ本体の結合のうちから選択される請求項１に記載のコンピュータ可読媒体を含む物品。
【請求項３】
前記ソース・ビデオ・シーケンスのサブセクションから前記再構築済みデータ本体を引くことによって生成される前記第２のデータ本体を生成する前に、前記第１の再構築済みデータ本体を空間的に再構築およびクリッピングし、かつ前記第２の再構築済みデータ本体を空間的に再構築およびクリッピングすることをコンピュータに行わせる追加の命令をさらに含む請求項２に記載のコンピュータ可読媒体を含む物品。
【請求項４】
前記第２のデータ本体が、前記ソース・ビデオ・シーケンスのマクロブロックから再構築済みデータ本体を引くことによって生成される請求項２に記載のコンピュータ可読媒体を含む物品。
【請求項５】
前記少なくとも２つの別々の再構築済みデータ本体を前記ソース・ビデオ・シーケンスと比較して、前記第１の再構築済みデータ本体、前記第２の再構築済みデータ本体、および前記第１と第２の再構築済みデータ本体の結合のうちから適応的に選択することをコンピュータに行わせる追加の命令をさらに含む請求項２に記載のコンピュータ可読媒体を含む物品。
【請求項６】
前記再構築済みデータ本体の選択が、エンコーダから送られるビットストリームのシンタックス中で指摘される請求項２に記載のコンピュータ可読媒体を含む物品。
【請求項７】
第１の動きベクトル・セットを使用して前記第１のデータ本体が生成され、前記第１の動きベクトル・セットを使用して前記第２のデータ本体が生成される請求項２に記載のコンピュータ可読媒体を含む物品。
【請求項８】
前記第１のデータ本体と前記第２のデータ本体が単一のハードウェア・コンポーネントによって生成される請求項２に記載のコンピュータ可読媒体を含む物品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月19日(2004.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
干渉源にさらされている適応接続されるトランジスタへの歪みを軽減するための線形化回路であって、干渉源があるときに、トランジスタの入力端子と共通端子とを横切る制御電圧により、（ｉ）トランジスタへの２つの入力信号の差周波数と（ｉｉ）トランジスタへの入力搬送波の変調周波数との少なくとも一方を実質的にゼロにするように動作し、
トランジスタの共通端子と接地との間に接続された第１の直列ＬＣネットワークと、
トランジスタの入力端子と接地との間に接続された第２の直列ＬＣネットワークとを含む線形化回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月9日(2004.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定在光波と１つの透明支持体（７）と該支持体に割当てられた２つの実質的に透明な半導体素子（９、１１）と少なくとも１つのコンタクト層（９．５）または絶縁層（１３）とを有し、第１半導体素子（９）が該コンタクト層（９．５）または該絶縁層（１３）を介して第２半導体素子（１１）と接続されているものであり、前記第１半導体素子（９）は第１透明光電不活性半導体層（９．２、９．４）と第１透明光電活性半導体層（９．３）とを有し、前記第２半導体素子（１１）は、相互に固定位相関係にある第１透明光電不活性半導体層（１１．２、１１．４）と第２透明光電活性半導体層（１１．３）とを含み、前記第１半導体素子（９）の前記第１光電活性半導体層（９．３）は、定在波（４）の伝搬方向と平行に層厚ｄs1がｄs1≦λ／４ｎs1であり、前記第２半導体素子（１１）の前記第２光電活性半導体層（１１．３）は、定在波（４）の伝搬方向と平行に層厚ｄs2がｄs2≦λ／４ｎs2であり、ここで、λは使用されるコヒーレント光波の波長、ｎs1、ｎs2はそれぞれ第１または第２の光電活性半導体層（９．３、１１．２）の屈折率であることを特徴とする、強度分布内の強度極大および強度極小の移動方向を検出するための透過光用光検出器。
【請求項２】
前記固定位相関係が
【数１】
2004533127.tif 000001
であり、ここで、ｋは奇数、λは使用されるコヒーレント光の波長、ｌは半導体素子１、２（９、１１）の活性半導体層の間で使用される半導体層の数、ｄS1は第１光電活性半導体層（９．３）の層厚、ｄS2は第２光電活性半導体層（１１．２）の層厚、ｄ1…ｄ1は第２光電不活性半導体層の層厚、ｎ1…ｎ1は実質的に光電不活性な第１半導体層（９．２、９．４、１１．１、１１．３）の屈折率、ｎS1は第１光電活性半導体層の屈折率、ｎS2は第２光電活性半導体層の屈折率であることを特徴とする請求項１に記載の光検出器。
【請求項３】
半導体部品が、光導電体、ショットキーダイオードとして、もしくはｐｉｎ‐、ｎｉｐ‐、ｐｉｐ‐、ｎｉｎ‐、ｎｐｉｎ‐、ｐｎｉｐ‐、ｐｉｎｐ‐、ｎｉｐｎ構造体として、またはこれら構造体の組合せから実現され、透明光検出器内部での電荷移動が定在波の伝搬方向に対して平行にも垂直にも起きることができることを特徴とする請求項１または２に記載の光検出器。
【請求項４】
前記第１半導体素子（９）を被着された前記透明支持体（７）が、波長λのコヒーレント光に対して透明であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光検出器。
【請求項５】
前記半導体層（９．２、９．３、９．４、１１．１、１１．２、１１．３）の少なくとも１つが、非晶質材料、微晶質材料、多結晶質材料、結晶質材料の群から選択される１種の材料により構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光検出器。
【請求項６】
前記半導体層（９．２、９．３、９．４、１１．１、１１．２、１１．３）の少なくとも１つが、ケイ素、ゲルマニウム、炭素、酸素、窒素、これら材料の合金、透明導電性酸化物、金属薄膜の群から選択される１種の材料により構成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光検出器。
【請求項７】
前記透明支持体（７）が、ガラス、石英、プラスチックフィルムの群から選択された１種の材料により構成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光検出器。
【請求項８】
前記各コンタクト層（９．１、９．５、１１．４）が、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｆの群から選択された１種の元素を添加されたＮＯ2、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｃｄ2ＳｎＯ4、金属薄膜、半導体層の群から選択された１種の材料により構成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光検出器。
【請求項９】
前記各半導体素子（９）を光学的に適合するための層が当該半導体素子上に形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の光検出器。
【請求項１０】
光検出器が一次元または二次元の検出範囲として構成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の光検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月8日(2004.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
Levi’s ICD+のジャケット類は、衣料産業に対するよりも電気又は電子産業に対してより一般的に関連する構成要素、この場合、電気ケーブルを必要とする軟質商品の一例である。しかし、このようなケーブル（又はより合せケーブル）は電流又は電気信号を伝達する機能を実行する必要があるが、これを衣料に用いるには、ケーブルが他の特性を有するようにする必要がある。このようなケーブルは衣料の使用中に充分に曲がるように可撓性にする必要があるとともに、ケーブルを衣料の外面上に位置させた場合にもケーブルの存在が衣料の外観又は感触を損なわないように充分に目立たないようにする必要がある。更に、ケーブルの存在が衣料を使用している人に不快感を与えないようにする必要がある。これらの特性の幾つかは、ケーブルを布製アクセサリーや、軟質の家具や、その他の布を主体とする軟質の製品のようなその他の製品に用いる場合にも望ましいことである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月10日(2005.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グループ通信ネットワークにおいて動作するコントローラにおいて、下記を具備する、ネットを休眠モードにするための方法：
前記ネットが所定の第１の期間非アクティブであったかどうか決定する；
前記ネットが前記所定の第１の期間非アクティブであったと決定されるなら、前記ネットの各メンバーを制御保持モードに入らせる、前記ネットの前記各メンバーはその専用トラヒックチャネルを維持する；
前記ネットの前記各メンバーが所定の第２の期間前記制御保持モードであったかどうか決定する；および
前記ネットの前記各メンバーが前記所定の第２の期間、前記制御保持モードであったと決定されるなら、前記ネットの前記各メンバーを休眠モードに入らせる、前記ネットの前記各メンバーは、その専用トラヒックチャネルを開放する。
【請求項２】
前記ネットの前記各メンバーが前記所定の第２の期間前記制御保持モードでなかったと決定されるなら、前記ネットの前記各メンバーをアクティブモードに戻らせることをさらに含む、前記ネットの一メンバーがグループ呼び出しを要求するなら、前記ネットの前記各メンバーは、その専用トラヒックチャネルを維持する、請求項１の方法。
【請求項３】
グループ通信ネットワークにおいて動作するコントローラにおいて、ネットを休眠モードにする方法を具現化するコンピュータ読み出し可能媒体において、前記方法は下記を具備する：
前記ネットが所定の第１の期間、非アクティブであったかどうか決定する；
前記ネットが前記所定の第１の期間非アクティブであったと決定されるなら、前記ネットの各メンバーを制御保持モードに入らせる、前記ネットの前記各メンバーはその専用トラヒックチャネルを維持する；
前記ネットの前記各メンバーが所定の第２の期間、前記制御保持モードであったかどうか決定する；および
前記ネットの前記各メンバーが前記所定の第２の期間前記制御保持モードであったと決定されるなら、前記ネットの前記各メンバーを休眠モードに入らせる、前記ネットの前記各メンバーは、その専用トラヒックチャネルを開放する。
【請求項４】
前記ネットの前記各メンバーが前記所定の第２の期間、前記制御保持モードでなかったと決定されるなら、前記方法は、さらに、前記ネットの前記各メンバーをアクティブモードに戻らせることを含み、前記ネットの一メンバーがグループ呼び出しを要求するなら前記ネットの前記各メンバーはその専用トラヒックチャネルを維持する請求項３のコンピュータ読み出し可能媒体。
【請求項５】
下記を具備する、グループ通信ネットワークにおいて動作するコントローラ：
前記ネットが所定の第１の期間、非アクティブであったかどうか決定する手段；
前記ネットが前記所定の第１の期間、非アクティブであったと決定されるなら、前記ネットの各メンバーを制御保持モードに入らせる手段、前記ネットの前記各メンバーはその専用トラヒックチャネルを維持する；
前記ネットの前記各メンバーが所定の第２の期間前記制御保持モードであったかどうか決定する手段；
前記ネットの前記各メンバーが前記所定の第２の期間前記制御保持モードにあったと決定されるなら、前記ネットの前記各メンバーを休眠モードに入らせる手段、前記ネットの前記各メンバーは、その専用トラヒックチャネルを開放する。
【請求項６】
前記ネットの前記各メンバーが前記初所定の第２の期間前記制御保持モードでなかったと決定されるなら、前記ネットの前記各メンバーをアクティブモードに戻らせる手段をさらに含む、前記ネットの一メンバーがグループ呼び出しを要求するなら、前記ネットの前記各メンバーは、その専用トラヒックチャネルを維持する、請求項５のコントローラ。
【請求項７】
下記を具備する、休眠モードを供給するためのコントローラ：
受信器；
送信器；および
前記受信器および送信器と通信可能に接続され、下記を行うことができるプロセッサ：
前記ネットが所定の第１の期間非アクティブであったかどうか決定する；
前記ネットが前記所定の第１の期間、非アクティブであったと決定されるなら、前記ネットの各メンバーを制御保持モードに入らせる、前記ネットの前記各メンバーは、その専用トラヒックチャネルを維持する；
前記ネットの前記各メンバーが所定の第２の期間前記制御保持モードであったかどうか決定する；および
前記ネットの前記各メンバーが前記所定の第２の期間前記制御保持モードであったと決定されるなら、前記ネットの前記各メンバーを休眠モードに入らせる、前記ネットの前記各メンバーは、その専用トラヒックチャネルを開放する。
【請求項８】
前記ネットの前記各メンバーが前記所定の第２の期間前記制御保持モードでなかったと決定されるなら、前記プロセッサは、前記ネットの前記各メンバーをアクティブモードに戻らせることができ、前記ネットの一メンバーがグループ呼び出しを要求するなら、前記ネットの前記各メンバーは、その専用トラヒックチャネルを維持する、請求項７のコントローラ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月5日(2005.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の金属のケミカルメカニカル研磨に用いる水性研磨組成物であって、
（ａ）約２０，０００〜１，５００，０００の数平均分子量を有する重合した不飽和カルボン酸モノマーを含むカルボン酸ポリマー、
（ｂ）酸化剤１〜１５重量％、
（ｃ）腐食抑制剤５０〜５，０００ppm（百万分率）、
（ｄ）錯化剤３．０重量％以下、
（ｅ）界面活性剤０．１〜５．０重量％、及び
（ｆ）５．０以下のｐＨ
を特徴とする組成物。
【請求項２】
界面活性剤が、アルカリ金属有機スルホネートを含む、請求項１記載の水性組成物。
【請求項３】
界面活性剤が、オクタンスルホン酸ナトリウムである、請求項２記載の水性研磨用組成物。
【請求項４】
抑制剤が、芳香族化合物である、請求項３記載の水性研磨用組成物。
【請求項５】
抑制剤が、ベンゾトリアゾールである、請求項４記載の水性研磨用組成物。
【請求項６】
組成物の重量に基づいて０．０１〜３．０重量％の研磨粒子を含有する、請求項５記載の水性研磨用組成物。
【請求項７】
半導体基板上の金属のケミカルメカニカル研磨に用いる水性研磨組成物であって、
５．０以下のｐＨ、
金属のイオンを供給するための前記ｐＨでの金属の酸化剤、
イオンを溶解させるための錯化剤、
金属と反応性のカルボン酸ポリマー、及び
金属腐食抑制剤と界面活性剤との組み合わせ
を含む水性組成物。
【請求項８】
界面活性剤が、アニオン界面活性剤を含む、請求項７記載の水性組成物。
【請求項９】
界面活性剤が、少なくとも６個の炭素原子を有する分子で構成されたスルファネート界面活性剤を含む、請求項７記載の水性組成物。
【請求項１０】
界面活性剤が、アルカリ金属有機スルホネートを含む、請求項７記載の水性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４７】
前記シリコン含有層形成ステップは、集積素子用の、高くなったエミッタを形成することを含む請求項３７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
リアクタ１０はまた、好ましくはチャンバ１２の上流に配置される、種を励起させるジェネレータ６０をさらに含むことが好ましい。ここで示した実施形態の励起種ジェネレータ６０は、ガスラインに沿ったマグネトロン発電機およびアプリケータを含む、遠隔プラズマジェネレータを備える。典型的な遠隔プラズマジェネレータは、ドイツ国ミュンヘンのラピッド  リアクティブ  ラジカル  テクノロジー（R3T）  ゲーエムベーハーよりTR-850の商品名の市販品を入手可能である。ここで示した実施形態では、マグネトロンからのマイクロ波エネルギーが、ガスラインに沿ったアプリケータ内を流れるガスに結合する。プラズマソースガス６３が、励起種ジェネレータ６０の上流に配置される。当該技術において知られているように、プラズマソースガス６３は、反応物種の形態および揮発性により異なる、反応物、キャリアガス、ガスタンク、バブラーなどを備え得る。各ガスラインには、個別の流量制御装置（ＭＦＣ）およびバルブを設けることができ、これによって、励起種ジェネレータ６０へ、そこから反応チャンバ１２内へ導入されるキャリアおよび反応物種の相対量を選択可能となる。他の構成では、処理チャンバ内において励起種を生成可能であることが理解されるだろう。しかしながら、後述の好ましいプロセスでは、励起した種を使用せず、熱ＣＶＤの種を使用する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
シリコンウェハを、超純水でリンスした後、図４のスピン乾燥ステップ１３０において乾燥させる。様々なスピン乾燥装置は乾燥ステップ１３０に適しているが、ヴェルテック１８００が、典型的なスピン／リンス乾燥機であり、カリフォルニア州サンタナのヴェルテック  インコーポレイテッドから市販品を入手可能である。シリコンウェハは、インサイチューリンスステップ１２０でリンスした後にスピン／リンス乾燥機に搬送される。回転のみの乾燥ステップ１３０では、高温でイオン化した窒素を乾燥機内へ約１５ｓｌｍと２５ｓｌｍとの間の速度で流しながら、シリコンウェハをスピン乾燥させる。高温の窒素ガスは、好ましくは６０℃から８０℃の温度で、さらに好ましくは約７０℃の温度である。機械のリンスサイクルを使用せずに、乾燥サイクルのみを、好ましくは４００ｒｐｍから６００ｒｐｍで行う。窒素流は、フィルタを通過し、このフィルタは、０．００３μｍより大きなパーティクルを乾燥機に入る前に除去する。回転のみによる乾燥ステップ１３０は、ベアシリコンウェハについては典型的には約２４０秒、パターン形成済みウェハについては約４８０秒で、シリコンウェハが乾燥するまで、行う。回転のみによる乾燥ステップ１３０は、シリコンウェハ上のパーティクルを中性にし表面終端を安定させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ここで示すように、堆積２５０は、標準のエピタキシャルシリコンプロセスよりも低温で行う。好ましくは、ウェハ温度は、４５０℃と９５０℃との間、さらに好ましくは約５５０℃と８００℃との間、最も好ましくは６００℃と７００℃との間である。部分的にはベーク２４０を最大限低い温度で急速に行うことによって、温度は、昇温後１分未満で、好ましくはベーク２４０の後約４５秒未満で、所望の堆積温度に安定することが好ましい。典型的なプロセスでは、温度は、ベークステップ２４０を含めて、４５秒で６５０℃に安定する。対照的に、従来の９００℃から６５０℃のベーク温度から本システム用温度を低下させることに、通常は、ベーク時間を含めずに、約２分かかる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークの所望温度以下の温度を有する温度制御型ベースと、
該ベース上に配置される断熱材の層と、を有し、前記断熱材は、約１Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有し、
ワークを支持する静電チャックを更に有し、前記チャックは、前記断熱材の層の上に配置され、前記チャックは、前記断熱材の層によって前記ベースに結合され、処理中にプラズマから進入する熱流束を受け入れ、
前記静電チャック内に埋設されたヒータを更に有し、前記ヒータおよび前記静電チャックは、単一の平らな層を形成することを特徴とする支持体。
【請求項２】
前記熱制御型ベースおよび前記断熱材の層は、複数の隣接する開口を更に有することを特徴とする請求項１に記載のチャック。
【請求項３】
前記静電チャックとワークとの間に配置される熱伝導体を更に有することを特徴とする請求項１記載のチャック。
【請求項４】
前記断熱材の層は、約０．０５Ｗ／ｍＫから約０．２０Ｗ／ｍＫの範囲の熱抵抗を有することを特徴とする請求項１に記載のチャック。
【請求項５】
前記断熱材の層は、約２ｍｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項４に記載のチャック。
【請求項６】
前記温度制御型ベースは、約２０℃以下の一定温度に維持されることを特徴とする請求項５に記載のチャック。
【請求項７】
前記ヒータの出力は、約３Ｗ／ｃｍ2であることを特徴とする請求項６に記載のチャック。
【請求項８】
前記ヒータは、複数の平加熱要素を更に有することを特徴とする請求項７に記載のチャック。
【請求項９】
前記複数の平加熱要素は、対応する複数の加熱ゾーンをワーク上に形成することを特徴とする請求項８に記載のチャック。
【請求項１０】
前記平加熱要素の各々の出力は独立的に制御されることを特徴とする請求項９記載のチャック。
【請求項１１】
前記複数の加熱ゾーンに対応する複数のセンサを更に有し、各センサは、各加熱ゾーンの温度を表す信号を測定しかつ出力することを特徴とする請求項１０に記載のチャック。
【請求項１２】
前記センサから前記信号を受け、各加熱ゾーンについての設定位置に基いて各平加熱要素の出力を調節するコントローラを更に有することを特徴とする請求項８に記載のチャック。
【請求項１３】
前記ヒータは、電気抵抗ヒータを更に有することを特徴とする請求項７に記載のチャック。
【請求項１４】
前記ヒータは、誘導ヒータを更に有することを特徴とする請求項７に記載のチャック。
【請求項１５】
前記ヒータは、加熱ランプを更に有することを特徴とする請求項７に記載のチャック。
【請求項１６】
前記ヒータは、複数の熱電モジュールを更に有することを特徴とする請求項７に記載のチャック。
【請求項１７】
多ゾーンを有するワークを横切る温度制御方法であって、該方法は、
ワークを支持体の頂面に当接させて保持する段階を有し、前記支持体は、
ワークの所望温度以下の温度を有する温度制御型ベースと、
該ベース上に配置される断熱材の層と、を有し、前記断熱材は、約１Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率を有し、
ワークを支持する静電チャックを更に有し、前記チャックは、前記断熱材の層の上    に配置され、前記チャックは、前記断熱材の層によって前記ベースに結合され、処理中にプラズマから入って来る熱流束を受け入れ、
前記静電チャック内に埋設されたヒータを更に有し、前記ヒータおよび前記静電チャックは、単一の平らな層を形成し、
前記ワークを横切る温度を制御するために、前記それぞれのヒータにより、ワークの各ゾーンを独立的に加熱する段階を更に有することを特徴とする、多ゾーンを有するワークを横切る温度制御方法。
【請求項１８】
多ゾーンの温度を、各ゾーンのセンサによりモニタリングする段階を更に有することを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記モニタリングに基いて各ゾーンの温度を調節する段階を更に有することを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記ヒータは、電気抵抗ヒータを更に有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記ヒータは、誘導ヒータを更に有することを特徴とする請求項１７に記載のチャック。
【請求項２２】
前記ヒータは、加熱ランプを更に有することを特徴とする請求項１７に記載のチャック。
【請求項２３】
前記ヒータは、複数の熱電モジュールを更に有することを特徴とする請求項１７に記載のチャック。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月22日(2004.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  認証機能のセキュリティを改善する装置であって、
１つのイベントに使用する認証機能を起動するインタフェースを備え、
前記認証機能は、当該認証機能を実施するアクチュエータをトリガすることにより起動される装置。
【請求項２】  前記認証機能はディジタル署名機能である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  インディケータが、前記認証機能が起動されていることを示す、請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記認証機能を起動する前に、前記イベントを検閲する手段をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】  前記アクチュエータはユーザによってトリガされる、請求項１に記載の装置。
【請求項６】  ユーザの同一性が、セキュリティ識別子を使用して確認された後、前記認証機能を起動するセキュリティ識別子技術をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】  前記セキュリティ識別子は、パスワードおよびバイオメトリック識別子からなる群から選択される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】  前記ディジタル署名機能の起動を取り消す能力が、証明書取り消しリストまたは危殆化鍵リストを使用して達成される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】  前記認証機能は、ディジタル署名機能、暗号機能、およびハッシュ機能からなる群の１つまたは２つ以上から選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】  前記イベントに使用する認証機能は公開鍵基盤の一部である、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】  前記イベントに使用する認証機能は認証基盤の一部である、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】  前記認証機能は１つの使用後に無効にされる、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】  唯一の認証機能がそれぞれのイベントに使用される、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】  当該装置は、スマートカード、ＵＳＢトークン、コンピュータ周辺デバイス、および無線通信デバイスからなる群から選択されるデバイスの形で実施される、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】  前記イベントは、クレジット取引、デビット取引、銀行取引、ＡＴＭ取引、インターネット取引、任意の通信ネットワーク上の取引、コンピュータログイン、リモートログイン、ネットワークログイン、契約取引、設備アクセス取引、デバイス有効化取引、車両有効化取引、およびユーザ識別からなる群から選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】  認証機能のセキュリティを改善する方法であって、
認証機能を有効にするアクチュエータをトリガするステップ、
１つのイベントに使用する前記認証機能の起動を認可するステップ、
前記認証機能を前記イベントに適用するステップ、
を有する方法。
【請求項１７】  前記認証機能が起動されていることを示すステップをさらに有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記トリガするステップは、ユーザによって発効される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】  前記トリガするステップの認可は、セキュリティ識別子技術を使用してユーザの同一性が検証された後に、前記認証機能を起動するステップを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】  認証機能のセキュリティを改善するビジネスプロセスであって、
認証機能を実施するステップ、
１つのイベントで使用する前記認証機能の起動を認可するステップ、
前記認証機能を前記イベントに適用するステップ、
前記認証機能に基づいて前記イベントを行うステップ、
を有するビジネスプロセス。
【請求項２１】  前記認証機能が起動されていることを示すステップをさらに有する、請求項２０に記載のビジネスプロセス。
【請求項２２】  前記実施するステップはユーザによって発効される、請求項２０に記載のビジネスプロセス。
【請求項２３】  前記実施するステップの前記認証機能は、セキュリティ識別子技術を使用してユーザの同一性が認証された後に、前記認証機能を起動するステップを含む、請求項２０に記載のビジネスプロセス。
【請求項２４】  前記イベントは、認可基盤によって取り消されるか、または、認可されることが可能である、請求項２０に記載のビジネスプロセス。
【請求項２５】  前記認可基盤は公開鍵基盤を使用して実施される、請求項２０に記載のビジネスプロセス。
【請求項２６】  前記公開鍵基盤は、証明取り消しリストまたは危殆化鍵リストを使用して、イベントまたはユーザを取り消す、請求項２５に記載のビジネスプロセス。
【請求項２７】  前記イベントは、クレジット取引、デビット取引、銀行取引、ＡＴＭ取引、インターネット取引、任意の通信ネットワーク上の取引、コンピュータログイン、リモートログイン、ネットワークログイン、契約取引、設備アクセス取引、デバイス有効化取引、車両有効化取引、およびユーザ識別からなる群から選択される、請求項２０に記載のビジネスプロセス。
【請求項２８】  認証インディケータのセキュリティを改善するプログラムを記憶するコンピュータ読み取り可能な媒体であって、前記プログラムは、
ユーザが認証インディケータを有効にすることを可能にする機能、
イベントに使用する前記認証インディケータの起動を認可する機能、
前記認証インディケータを前記イベントに適用する機能、
を備えるコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項２９】  ディジタル署名のセキュリティを改善する装置であって、
取引に使用する前記ディジタル署名を有効にするアクチュエータをトリガする手段、
前記取引に使用する前記ディジタル署名の起動を認可する手段、
前記ディジタル署名を前記取引に適用する手段、
を備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程：
ａ）半導体材料の表面に予め決められた形状の周期的に繰り返される空所を有するパターンを製造する工程
ｂ）前記材料の表面の閉鎖された層の下に周期的に繰り返される空所を有する層が形成されるまで表面にパターン化された材料を熱処理する工程
ｃ）空所層に沿って半導体材料の残りから表面の閉鎖された層を分離する工程
からなる半導体材料の皮膜または層を製造する方法。
【請求項２】
半導体材料がシリコン、シリコン−ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、炭化珪素およびインジウムリン化物からなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項３】
空所がホールまたはトレンチである請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
空所が実質的に円形または正方形の横断面のホールであり、すべてのホールが同じ形状を有し、ホールからホールまでの距離が一定の規則的なパターンに配置されている請求項３記載の方法。
【請求項５】
空所の幾何学的寸法が製造すべき皮膜または層の所望の厚さの関数として選択される請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
工程ｂ）の熱処置中に、個々の空洞が一緒に融合し、より大きい空洞を形成せずに、空所から形成される個々の空洞の層の上に閉鎖された表面を形成することができるように、空所の幾何学的寸法および空所間の距離を選択する請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
工程ｂ）の熱処理を、半導体材料での酸化物層の形成を阻止する雰囲気で実施する請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
雰囲気が水素および／またはアルゴンを有する請求項７記載の方法。
【請求項９】
工程ｂ）の熱処理を、２００〜１５００℃の温度で３秒〜６時間の時間行う請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
工程ａ）およびｂ）により空所層が製造された近くの表面を、工程ｃ）により半導体材料の残りから空所層を分離する前に、担体材料の表面と結合する請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
担体材料が、シリコン、シリコン−ゲルマニウム、炭化珪素、ヒ化ガリウム、石英、プラスチック、ガラスおよびセラミックからなる群から選択される請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
担体材料が表面に絶縁層を有する請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
工程ｃ）の分離を、機械的処理、化学的処理または熱処理またはこれらの組み合わせにより実施する請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
工程ｃ）の熱処理が工程ｂ）で製造した空洞の融合、従って分離を生じる請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
工程ｃ）の熱処理を、８００〜１３７０℃の温度で、大気圧または減圧で、３秒〜４時間行う請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
薄い層の欠陥密度がＨＦ欠陥の場合に０.１／ｃｍ２未満であり、Ｓｅｃｃｏエッチ欠陥の場合に１０／ｃｍ２未満であることを特徴とする半導体材料の皮膜または層。
【請求項１７】
分離後にシリコン層が０.２ｎｍ  ｒｍｓ未満の表面粗さを有し、ＨＦ欠陥の場合に０.１／ｃｍ２未満の欠陥密度およびＳｅｃｃｏエッチ欠陥の場合に１０／ｃｍ２未満の欠陥密度を有することを特徴とする、担体ウェーハおよびシリコンの薄い層を有するＳＯＩウェーハ。
【請求項１８】
シリコンの薄い層が２０ｎｍ以下の厚さを有し、５％以下の厚さの変動を有することを特徴とする、担体ウェーハおよびシリコンの薄い層を有するＳＯＩウェーハ。
【請求項１９】
シリコンの薄い層が放射線に誘発される欠陥を含まず、薄い層のＨＦ欠陥の密度が０.１／ｃｍ２未満である請求項１８記載のＳＯＩウェーハ。