【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域に電気的に接続し、
前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１の半導体層の前記第３の不純物領域に電気的に接続し、
前記発光素子は、前記第２の半導体層の前記第４の不純物領域に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域と、前記第２の半導体層の前記第５の不純物領域とに電気的に接続し、
前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１の半導体層の前記第３の不純物領域に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域に電気的に接続し、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記発光素子は、前記第２の半導体層の前記第４の不純物領域に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域と、前記第２の半導体層の前記第５の不純物領域とに電気的に接続し、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域に電気的に接続し、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１の半導体層の前記第３の不純物領域に電気的に接続し、
前記発光素子は、前記第２の半導体層の前記第４の不純物領域に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域と、前記第２の半導体層の前記第５の不純物領域とに電気的に接続し、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１の半導体層の前記第３の不純物領域に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子と、コンデンサとを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域に電気的に接続し、
前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１の半導体層の前記第３の不純物領域に電気的に接続し、
前記発光素子は、前記第２の半導体層の前記第４の不純物領域に電気的に接続し、
前記コンデンサの一方の電極は前記第２の配線に電気的に接続し、他方の電極は前記第３のトランジスタの前記ゲート電極に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子と、コンデンサとを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域と、前記第２の半導体層の前記第５の不純物領域とに電気的に接続し、
前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１の半導体層の前記第３の不純物領域に電気的に接続し、
前記コンデンサの一方の電極は前記第２の配線に電気的に接続し、他方の電極は前記第３のトランジスタの前記ゲート電極に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子と、コンデンサとを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域に電気的に接続し、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記発光素子は、前記第２の半導体層の前記第４の不純物領域に電気的に接続し、
前記コンデンサの一方の電極は前記第２の配線に電気的に接続し、他方の電極は前記第３のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子と、コンデンサとを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域と、前記第２の半導体層の前記第５の不純物領域とに電気的に接続し、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記コンデンサの一方の電極は前記第２の配線に電気的に接続し、他方の電極は前記第３のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子と、コンデンサとを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域に電気的に接続し、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１の半導体層の前記第３の不純物領域に電気的に接続し、
前記発光素子は、前記第２の半導体層の前記第４の不純物領域に電気的に接続し、
前記コンデンサの一方の電極は前記第２の配線に電気的に接続し、他方の電極は前記第３のトランジスタの前記ゲート電極に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上の画素部は、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、発光素子と、コンデンサとを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは第１の半導体層を有し、前記第１の半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び第３の不純物領域を有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは前記第３の不純物領域を共有し、
前記第３のトランジスタは、第４の不純物領域と第５の不純物領域を有する第２の半導体層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の半導体層の前記第１の不純物領域に電気的に接続し、
前記第２の配線は、前記第１の半導体層の前記第２の不純物領域と、前記第２の半導体層の前記第５の不純物領域とに電気的に接続し、
前記第３の配線は、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第４の配線は、前記第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続し、
前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１の半導体層の前記第３の不純物領域に電気的に接続し、
前記コンデンサの一方の電極は前記第２の配線に電気的に接続し、他方の電極は前記第３のトランジスタの前記ゲート電極に電気的に接続し、
前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向は、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層に照射されたレーザー光の走査方向と同一方向であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記基板上に複数のトランジスタを含み、前記画素部を駆動する駆動回路を有し、前記駆動回路の前記トランジスタのチャネル長方向と、前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向とは同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、前記基板上に複数のトランジスタを含むバッファ回路を有し、前記バッファ回路の前記トランジスタのチャネル長方向と、前記第１乃至前記第３のトランジスタのチャネル長方向とは同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、前記発光素子はエレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】  請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。