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【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からの刺激により酸又はラジカルを発生する下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする感刺激性組成物。
【化１】
2004277303.tif 000001
一般式（Ｉ）中、
Ｙは、橋架け環状構造を有する基を表す。
Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。Ｒ1及びＲ2は、結合して環を形成してもよい。
Ｙ1及びＹ2は、各々独立に、アルキル基又はアリール基を表す。Ｙ1及びＹ2は、結合して環を形成してもよい。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項２】
一般式（Ｉ）中のＹが、アダマンタン構造を有する基であることを特徴とする請求項１に記載の感刺激性組成物。
【請求項３】
下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする化合物。
【化２】
2004277303.tif 000002
一般式（Ｉ）中、
Ｙは、橋架け環状構造を有する基を表す。
Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。Ｒ1及びＲ2は、結合して環を形成してもよい。
Ｙ1及びＹ2は、各々独立に、アルキル基又はアリール基を表す。Ｙ1及びＹ2は、結合して環を形成してもよい。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項４】
一般式（Ｉ）中のＹが、アダマンタン構造を有する基であることを特徴とする請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の感刺激性組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【表１】
2004277374.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【表２】
2004277374.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
D2
・  IR (KBr)νcm-1：2946, 1725, 1670, 1593, 1070.
・  1H-NMR(CDCl3) δ：1.04(3H, t, J=7Hz), 1.24(3H, t, J=8Hz), 2.26(2H, q,
J=8Hz), 2.95(2H, m), 5.07(1H, d, J=17Hz), 5.21(1H, d, J=17Hz), 7.25(1H,
s), 7.43(1H, d, J=9Hz), 7.65(1H, s), 7.88(1H, d, J=9Hz).
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
Y-1
・  MS(APCI)：m/z 603 [M+H]＋ (C33H38N4O7：602)
・  1H-NMR(CDCl3) δ：1.01 & 1.03(3H×2, t×2, J=7Hz), 1.44(3H×2, t×2, J
=7Hz), 1.85(2H×2, q×2, J=7Hz), 3.21 & 3.55(4H, m), 4.35 & 4.41(2H×2,
br d×2), 5.24 & 5.25(1H×2, d×2, J=16Hz), 5.66 & 5.67(1H×2, d×2, J=1
6Hz), 7.08 & 7.10(1H×2, s×2), 7.51 & 7.54(1H×2, s×2), 7.54 & 7.56(1H
×2, dd×2, J=10Hz & 3Hz), 7.82 & 7.83(1H×2, d×2, J=3Hz), 8.13 & 8.16(
1H×2, d×2, J=10Hz).
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
Y-2
・IR (KBr) νcm-1：2940, 1715, 1660, 1600, 1180.
・  13C-NMR(CDCl3) δ：173.6(2), 157.4(17), 151.2(23), 150.4(7), 150.0(4,
11), 146.8(6, 8),145.0(14), 131.5(9), 127.0(13, 15), 125.3(10), 118.5(18
), 114.2(12), 97.9(5), 75.5(24), 72.8(3), 66.1(1), 56.1(26), 50.1(16), 4
9.3(29, 33), 36.9(28), 31.9(19), 29.7(25, 27), 27.6(25, 27), 26.0(30, 32
), 24.5(21), 23.0(31), 13.9(22), 7.8(20).
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004277374.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記触媒床の前段、中段及び後段に充填される３種の触媒は、担体へ触媒種の金属もしくは金属酸化物を担持させて構成された担持触媒であることが好ましい。触媒種を担持させる方法は、特に規定しないが、含浸法、固定化法、イオン交換法、平衡吸着法などが好ましく、特に含浸法、固定化法が好ましい。なお、固定化法としては、担体へ触媒種の金属若しくは金属酸化物を担持後、アンモニア水等のアルカリ液で処理する方法を好ましく用いることができる。
また、前段には、酸素による炭化水素の酸化反応（炭化水素を主として二酸化炭素、水素へ変換）に優れた触媒で、未反応の酸素を中段以降へスリップさせることなく、触媒床の前段および中段の温度上昇に適した触媒が充填されることが好ましい。
また、中段には、未反応炭化水素を低温で水蒸気改質（予備改質）し、触媒上へ炭素を析出させることなく主として二酸化炭素、一酸化炭素、メタンなどのＣ１化合物および水素へと転化することに適した触媒が充填されることが好ましい。
また、後段には、メタンおよび少量残存する炭化水素の水蒸気改質反応に適した触媒が充填されることが好ましい。この触媒は、優れた耐熱性、粉化等の抑制に必要な触媒破壊強度を備えることが好ましい。
上記触媒床における前段入口温度は３５０〜５５０℃が適当であり、好ましくは４００〜５００℃、さらに好ましくは４４０〜４７０℃である。温度が３５０℃より低すぎると酸素による酸化反応（部分酸化）が生じても充分な発熱を得ることができずに、充分な触媒活性を得ることができない。逆に５５０℃より高い場合には水蒸気改質反応に必要な温度が充分確保されていることから前段で部分酸化反応を行うことによる技術的意味が希薄になり好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【特許文献１】特開昭62-297236号公報
【特許文献２】特開昭62-223323号公報
【特許文献３】特開平1-183438号公報
【特許文献４】特開平7-126035号公報
【非特許文献１】P.A.Tick, Physics and Chemistry of Glasses, vol.25 No.6, pp.149-154(1984).
【非特許文献２】神谷寛一、作花済夫、田代憲子，窯業協会誌，pp.614−618，84(1976).
【非特許文献３】高橋雅英、新居田治樹、横尾俊信，New Glass, pp.8-13，17(2002).
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月26日(2005.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  脂肪酸石鹸と顆粒０．１〜５重量％とを含有するクリーム状の洗浄料であって、前記顆粒中にはα−ヒドロキシ酸及び／又はその塩が顆粒全体に対して０．１〜１重量％含有されていることを特徴とする、クリーム状の洗浄料。
【請求項２】  前記α−ヒドロキシ酸がグリコール酸であることを特徴とする、請求項１に記載のクリーム状の洗浄料。
【請求項３】  前記脂肪酸石鹸が脂肪酸カリウム石鹸であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のクリーム状の洗浄料。
【請求項４】  洗顔料であることを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載のクリーム状の洗浄料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、クリーム状の洗浄料に関し、更に詳細には、洗顔しながら刺激感が少なく、古い角質細胞を除去する洗顔料に好適なクリーム状の洗浄料に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
一方、クリーム状の洗浄料において、α−ヒドロキシ酸及び／又はその塩を含有するクリーム状の洗浄料は知られていない。かかる構成のクリーム状の洗浄料が、刺激感が少なく、古い角質細胞を除去しつつ、且つ、皮膚上の汚れ、過酸化物、或いは、代謝物を洗浄する作用に優れることも全く知られていない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、この様な状況下為されたものであり、刺激感少なく、古い角質細胞が除去できる洗顔料に好適なクリーム状の洗浄料を提供することを課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この様な状況に鑑みて、本発明者らは、刺激感少なく、古い角質細胞が除去できるクリーム状の洗浄料を求めて、鋭意研究努力を重ねた結果、脂肪酸石鹸とα−ヒドロキシ酸及び／又はその塩を含有する顆粒とを含有するクリーム状の洗浄料が、その様な特性を備えていることを見出し、発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、以下に示す技術に関するものである。
（１）脂肪酸石鹸と顆粒０．１〜５重量％とを含有するクリーム状の洗浄料であって、前記顆粒中にはα−ヒドロキシ酸及び／又はその塩が顆粒全体に対して０．１〜１重量％含有されていることを特徴とする、クリーム状の洗浄料。
（２）前記α−ヒドロキシ酸がグリコール酸であることを特徴とする、（１）に記載のクリーム状の洗浄料。
（３）前記脂肪酸石鹸が脂肪酸カリウム石鹸であることを特徴とする、（１）又は（２）に記載のクリーム状の洗浄料。
（４）洗顔料であることを特徴とする、（１）〜（３）何れか１項に記載のクリーム状の洗浄料。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
（１）本発明の洗浄料の必須成分であるα−ヒドロキシ酸及び／又はその塩
本発明の洗浄料は、α−ヒドロキシ酸及び／又はその塩を必須成分として含有することを特徴とする。ここで、α−ヒドロキシ酸としては、乳酸、グリコール酸が特に好ましく例示できる。又、それらの塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、カルシウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、トリエタノールアミン塩、トリエチルアミン塩等の有機アミン塩類、リジン塩、アルギニン塩等の塩基性アミノ酸塩等が好ましく例示できる。特に好ましいのは、フリー体乃至はアルカリ金属塩である。かかるα−ヒドロキシ酸及び／又はその塩は、ポリエチレンや結晶性セルロースとともに顆粒に加工して含有させる。かかる顆粒は常法に従って製造すれば良く、グラッド造粒装置などを用いて、湿式で流動層造粒し、その後、送風乾燥すればよい。本発明の洗浄料に於ける、前記α−ヒドロキシ酸及び／又はその塩の含有形態は、０．１〜１重量％のα−ヒドロキシ酸及び／又はその塩を含有する顆粒を０．１〜５重量％含有する形態である。以下に、かかる顆粒の製造例を示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（２）本発明の洗浄料の必須成分である脂肪酸石鹸
本発明の洗浄料は、脂肪酸石鹸を必須成分として含有することを特徴とする。本発明の洗浄料で使用される脂肪酸石鹸としては、例えば、脂肪酸ナトリウム、脂肪酸カリウム、脂肪酸トリエタノールアミン等が挙げられ、これらの内では、脂肪酸カリウム石鹸が好ましい。特に、脂肪酸カリウムを主洗浄剤として、全アニオン性界面活性剤の８０重量％以上、より好ましくは９０重量％以上含有する形態が特に好ましい。これは、この様な構成を取ることにより、粘弾抵抗性の高いクリーム状の形態となり、かかる形態が、刺激無く擦過時に古い角層を剥離させるのに好適であるからである。本発明の洗浄料に於ける脂肪酸石鹸の好ましい含有量は、他のアニオン性界面活性剤を含めたとしても、総量で、２０〜５０重量％が好ましく、更に好ましくは２５〜４０重量％である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の効果】
本発明によれば、刺激感少なく、古い角質細胞が除去できるクリーム状の洗顔料を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）成分：下記式（１）；
Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ  …（１）
（式中、Ｒ１は、Ｈ原子若しくはＦ原子、又はＢ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子若しくはＴｉ原子を含む基、又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。但し、ｎが２のとき、各Ｒ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、各Ｘは同一でも異なっていてもよい）、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、
（ｂ）成分：計算溶解度パラメータの値が（ａ）成分のものより小さく、その差が１０（ＭＪ／ｍ３）１／２以上である溶媒と、
を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項２】
前記（ａ）成分は、Ｓｉ原子１モルに対する、Ｈ原子、Ｆ原子、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子、Ｔｉ原子及びＣ原子から成る群より選ばれる少なくとも一種の原子の総含有割合が０．６５モル以下のものである、請求項１記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項３】
前記（ｂ）成分がアルキレングリコールジアルキルエーテル又はジアルキレングリコールジアルキルエーテルである請求項１又は２に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項４】
２５０〜５００℃の加熱温度で熱分解又は揮発する空隙形成用化合物を更に含有してなる請求項１〜３のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項５】
前記空隙形成用化合物が、オキシプロピレン単位を有する重合体である請求項１〜４のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
【請求項６】
基板上にシリカ系被膜を形成する方法であって、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜に含まれる有機溶媒を除去した後、該塗布膜を２５０〜５００℃の加熱温度で焼成することを特徴とするシリカ系被膜の形成方法。
【請求項７】
基板上に設けられており、請求項６記載のシリカ系被膜の形成方法により形成されてなることを特徴とするシリカ系被膜。
【請求項８】
前記シリカ系被膜は、前記基板上に設けられた複数の導電性層のうち互いに隣接された導電性層の間に形成されたものであることを特徴とする請求項７記載のシリカ系被膜。
【請求項９】
基板上に請求項７又は８記載のシリカ系被膜が形成されてなることを特徴とする電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
また、本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、オニウム塩を更に含有することもできる。オニウム塩を含有することで、（ａ）成分の脱水縮合反応が進み、Ｓｉ−ＯＨ結合が減少することによってシロキサン結合の密度が高められ、空孔形成過程及びシロキサン結合の高密度化と最終加熱時に奏され得るアニール効果とが複合的に作用して膜の応力緩和が生起され得ると考察される。但し、作用はこれらに限定されない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  溶融紡糸したポリエステル繊維糸条を冷却し、油剤を付与した後、加熱引取ローラーで引き取り、連続して加熱引き取りローラーと加熱延伸ローラーとの間で延伸する直接紡糸延伸法において、加熱引き取りローラーの上流部に、糸条流体処理部を設置し、かつ当該流体処理部の前後各々のガイドにより糸条に下記の条件（１）を満たす屈曲を与え、糸条走行位置を規制することを特徴とする糸条流体処理装置を設置することを特徴とするポリエステル繊維の直接紡糸延伸法。
（１）流体処理部前後のガイドＧ１及びＧ１’上の糸条屈曲角θ及びθ’（°）が（ａ）及び（ａ）’式を満足する。
２°  ≦  θ    ≦  １０°  …  （ａ）
２°  ≦  θ’  ≦  １０°  …  （ａ）’
【請求項２】  流体処理部の前後に設置したガイドの配置が下記の条件（２）を満たすことを特徴とする糸条流体処理装置を設置する請求項１記載の直接紡糸延伸法。
（２）流体処理部の前後において、最も内側のガイドＧ１及びＧ１’間の距離Ｌ１（ｍｍ）が（ｂ）式を満足する。
５０ｍｍ  ≦  Ｌ１  ≦  １５０ｍｍ  …  （ｂ）
【請求項３】  ガイドＧ１上流側及びガイドＧ１’の下流側にガイドＧ２及びガイドＧ２’を設けＧ１／Ｇ２間の距離をＬ２（ｍｍ）、Ｇ１’／Ｇ２’間の距離をＬ２’（ｍｍ）とした時にＬ２、Ｌ２’が（ｃ）及び（ｃ）’式を満足することを特徴とする請求項１または２のいずれか１項記載の直接紡糸延伸法。
Ｌ１−４０ｍｍ  ≦  Ｌ２    ≦  Ｌ１−３０ｍｍ  …  （ｃ）
Ｌ１−４０ｍｍ  ≦  Ｌ２’  ≦  Ｌ１−３０ｍｍ  …  （ｃ）’
【請求項４】  流体処理部において、噴出するエアーの圧力Ｐ（ＭＰａ）が（ｄ）式を満たすことを特徴とする糸条流体処理装置を設けた請求項１〜３のいずれか１項記載の直接紡糸延伸法。
０．０３ＭＰａ  ≦  Ｐ  ≦  ０．１５ＭＰａ  …  （ｄ）
【請求項５】  加熱引き取りローラの速度が１０００ｍ／分以上２０００ｍ／分以下であり、一旦巻き取ることなく続けて延伸することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の直接紡糸延伸法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち本発明は、溶融紡糸したポリエステル繊維糸条を冷却し、油剤を付与した後、加熱引取ローラーで引き取り、連続して加熱引き取りローラーと加熱延伸ローラーとの間で延伸する直接紡糸延伸法において、加熱引き取りローラーの上流部に、糸条流体処理部を設置し、かつ当該流体処理部の前後各々のガイドにより糸条に下記の条件（１）を満たす屈曲を与え、糸条走行位置を規制することを特徴とする糸条流体処理装置を設置することを特徴とするポリエステル繊維の直接紡糸延伸法を提案するものである。
（１）流体処理部前後のガイドＧ１及びＧ１’上の糸条屈曲角θ及びθ’（°）が（ａ）及び（ａ）’式を満足する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
２°  ≦  θ  ≦  １０°  …  （ａ）
２°  ≦  θ’≦  １０°  …  （ａ）’
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月21日(2005.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも軟質相と硬質粒子を含み、アルミニウムマトリックスを有する熱間加工アルミニウム合金であって、
上記軟質相が、錫、アンチモン、インジウム及びビスマスから成る第１群から選択した少なくとも１種の元素からなり、
上記硬質粒子が、スカンジウムとジルコニウムとのうち少なくとも１種と、銅、マンガン、コバルト、クロム、亜鉛、マグネシウム、ケイ素及び鉄から成る第２群から選択した少なくとも１種の元素とからなるか、または、スカンジウム及びジルコニウムとアルミニウムとの金属間化合物またはアルミニウムと第２群の元素との金属間化合物と、からなる、
アルミニウムマトリックスを有する熱間加工アルミニウム合金において、
前記第１群の元素が最大で４.５ｗｔ％の合計量で存在し、前記第２群の元素が最大で８.５ｗｔ％の合計量で存在し、スカンジウム及びジルコニウムの少なくとも１種が最大で０．８ｗｔ％の合計量で存在し、且つ残部がアルミニウムと溶製時の通常の不純物であることを特徴とする熱間加工アルミニウム合金。
【請求項２】
前記第２群の元素が最大で３.５ｗｔ％の合計量で存在することを特徴とする請求項１記載のアルミニウム合金。
【請求項３】
前記軟質相の比率が、少なくとも０.１ｗｔ％であることを特徴とする請求項１記載のアルミニウム合金。
【請求項４】
前記第２の元素の比率が、合計量で少なくとも０.１ｗｔ％であることを特徴とする請求項１または２記載のアルミニウム合金。
【請求項５】
スカンジウム及びジルコニウムの少なくとも１種の比率が、合計量で少なくとも０.０５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のアルミニウム合金。
【請求項６】
スカンジウム及びジルコニウムの少なくとも１種の比率が、合計量で少なくとも０.１ｗｔ％であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のアルミニウム合金。
【請求項７】
ジルコニウムの比率が、０.０１〜０.５ｗｔ％の範囲にあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のアルミニウム合金。
【請求項８】
ジルコニウムの比率が、０.０５〜０.２３ｗｔ％の範囲にあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のアルミニウム合金。
【請求項９】
スカンジウムの比率が、０.０５〜０.５ｗｔ％の範囲にあることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のアルミニウム合金。
【請求項１０】
スカンジウムの比率が、０.０５〜０.２５ｗｔ％の範囲にあることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のアルミニウム合金。
【請求項１１】
軸受素子の保護シェルとランニング層との間に配置することができる軸受素子用のアルミニウム合金から作られた基層であって、
前記アルミニウム合金が、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のアルミニウム合金であることを特徴とする軸受素子用のアルミニウム合金から作られた基層。
【請求項１２】
保護シェルとランニング層とこれらの間に配置される基層とを備えた滑り軸受またはスラストリング用の軸受素子であって、
前記基層が、請求項１〜１０のいずれか１項に記載されるアルミニウム合金から作られていることを特徴とする軸受素子。
【請求項１３】
前記基層が、前記保護シェル上に直接配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の軸受素子。
【請求項１４】
前記ランニング層が、鉛基、錫基、ビスマス基、インジウム基または銅基の合金から作られていることを特徴とする請求項１２または１３に記載の軸受素子。
【請求項１５】
前記ランニング層がプラスチックの層であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の軸受素子。
【請求項１６】
前記プラスチックの層が、ポリアミド６、ポリアミド６６、ポリオキシドメチレン、シリコン、ポリオールエーテルケトン、ポリイミド、ポリオールエーテルエーテルケトン、ポリエチレンサルファイド、ポリビニリデン２フッ化物、並びにそれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１５に記載の軸受素子。
【請求項１７】
前記プラスチック層が、ＭｏＳ２、グラファイトのような固体潤滑材を含むことを特徴とする請求項１５または１６に記載の軸受素子。
【請求項１８】
前記ランニング層が、潤滑光沢剤であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の軸受素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Co、Ni及びAlを含有する形状記憶合金において、B2構造のβ相とfcc構造のγ相からなる２相構造を有し、前記β相の結晶粒界の40％以上の面積に前記γ相が存在し、Alを23〜27原子％及びCoを39〜45原子％含有し、残部の28〜38原子％はNi、不可避的不純物からなることを特徴とする形状記憶合金。
【請求項２】
請求項１に記載の形状記憶合金において、前記β相の結晶粒界の45〜80％の面積に前記γ相が存在することを特徴とする形状記憶合金。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の形状記憶合金において、前記γ相の体積分率が５〜50体積％であることを特徴とする形状記憶合金。
【請求項４】
B2構造のβ相とfcc構造のγ相からなる２相構造を有し、前記β相の結晶粒界の40％以上の面積に前記γ相が存在し、Alを23〜27原子％及びCoを39〜45原子％含有し、残部の28〜38原子％はNi、不可避的不純物からなる形状記憶合金を製造する方法であって、1200〜1350℃で0.1〜50時間加熱した後0.1〜1000℃／分で冷却する第１の熱処理工程と、1000〜1320℃で0.1〜50時間加熱した後10〜10000℃／分で冷却する第２の熱処理工程を有することを特徴とする形状記憶合金の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、Co、Ni及びAlを含有する本発明の形状記憶合金は、B2構造のβ相とfcc構造のγ相からなる２相構造を有し、前記β相の結晶粒界の40％以上の面積に前記γ相が存在し、Alを23〜27原子％及びCoを39〜45原子％含有し、残部の28〜38原子％はNi、不可避的不純物からなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
β相の結晶粒界の45〜80％の面積にγ相が存在する（β相粒界に存在するγ相の面積率が45〜80％である）のが好ましい。γ相の体積分率は５〜50体積％であるのが好ましい。β相の平均粒径とγ相の体積分率を調整することにより機械強度と形状回復率に優れた形状記憶合金を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
β相の結晶粒界の40％以上の面積にγ相が存在し、Alを23〜27原子％及びCoを39〜45原子％含有し、残部の28〜38原子％はNi、不可避的不純物からなる形状記憶合金は、1200〜1350℃で0.1〜50時間加熱した後0.1〜1000℃／分で冷却する第１の熱処理工程と、1000〜1320℃で0.1〜50時間加熱した後10〜10000℃／分で冷却する第２の熱処理工程を施すことにより得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
Ni-Co-Al系合金は構成する元素の比率により磁性が変化し、Alの比率が高いと磁性が弱くなり、Co及びNiの比率が高いと強磁性となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
β相粒界に存在するγ相の面積率が40％以上であるためには形状記憶合金のAl含有量は27原子％以下であり、Co含有量は39原子％以上である。機械強度及び形状回復率をともに高く維持するためには、Ni-Co-Al系合金はAlを23〜27原子％及びCoを39〜45原子％含有する。残部の28〜38原子％はNi、不可避的不純物等からなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月13日(2004.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録装置に装着されて記録ヘッドにインクを供給するとともに、顧客サービス用のデータを格納した半導体記憶手段が付帯されたインクジェット記録装置用インクカートリッジにおいて、
前記インクカートリッジに前記半導体記憶手段のデータを補完する第２の情報を非電気的に記録した記憶手段を有するインクジェット記録装置用インクカートリッジ。
【請求項２】
前記第２の情報が、少なくとも記録装置の印刷動作を可能ならしめるデータで構成されている請求項１に記載のインクジェット記録装置用インクカートリッジ。
【請求項３】
前記半導体記憶手段が回路基板に実装され、また前記第２の情報が前記回路基板に記録されている請求項１に記載のインクジェット記録装置用インクカートリッジ。
【請求項４】
前記第２の情報が、前記半導体記憶手段のデータを検証するためのデータを含む請求項１に記載のインクジェット記録装置用インクカートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
このような課題を達成するために本発明においては、記録装置に装着されて記録ヘッドにインクを供給するとともに、顧客サービス用のデータを格納した半導体記憶手段が付帯されたインクジェット記録装置用インクカートリッジにおいて、前記インクカートリッジに前記半導体記憶手段のデータを補完する第２の情報を非電気的に記録した記憶手段を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、インクカートリッジに半導体記憶手段のデータを補完する第２の情報を記憶手段に非電気的に記録したので、半導体記憶手段のデータが破壊された場合にでも、静電気等による破壊を受けない記憶手段の第２の情報に基づいて記録装置を作動させることができ、信頼性を向上することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上にインク受容層が塗設されてなるインクジェット用記録材料において、前記記録材料が、（Ａ）水溶性多価金属塩の少なくとも１種と、（Ｂ）チオウレア系化合物、（Ｃ）糖類、（Ｄ）ピリジン系化合物、（Ｆ）ジスルフィド系化合物、及び（Ｇ）チアジン系化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有することを特徴とするインクジェット用記録材料。
【請求項２】
支持体上にインク受容層が塗設されてなるインクジェット用記録材料において、前記記録材料が、（Ｂ）チオウレア系化合物の少なくとも１種と、（Ｃ）糖類、（Ｄ）ピリジン系化合物、（Ｆ）ジスルフィド系化合物、及び（Ｇ）チアジン系化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有することを特徴とするインクジェット用記録材料。
【請求項３】
支持体上にインク受容層が塗設されてなるインクジェット用記録材料において、前記記録材料が、（Ｃ）糖類の少なくとも１種と、（Ｄ）ピリジン系化合物、及び（Ｆ）ジスルフィド系化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有することを特徴とするインクジェット用記録材料。
【請求項４】
支持体上にインク受容層が塗設されてなるインクジェット用記録材料において、前記記録材料が、（Ｄ）ピリジン系化合物の少なくとも１種と、（Ｆ）ジスルフィド系化合物、及び（Ｇ）チアジン系化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有することを特徴とするインクジェット用記録材料。
【請求項５】
支持体上にインク受容層が塗設されてなるインクジェット用記録材料において、前記記録材料が、（Ｆ）ジスルフィド系化合物の少なくとも１種と、（Ｇ）チアジン系化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有することを特徴とするインクジェット用記録材料。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月31日(2005.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ここで、画像記録制御装置１６は、１ページ分の画像データを記憶するフレームメモリ２６と、このフレームメモリ２６に記憶されている２次元画像データを１次元画像データ毎に記憶するラインメモリ２８と、前記１次元画像データの採り得る全画像データを後述する方法で分割した分割画像データを記憶する分割画像データメモリ、すなわちラインメモリ３６ａ，３６ｂ，３６ｃと、前記分割画像データに基づきサーマルヘッド１４を駆動して、感熱記録材料Ｓに画像を記録するサーマルヘッド駆動部２４と、これらを制御する制御部１８とを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月31日(2005.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、図８（ａ）に示すように、いま空間光変調素子８０上にＧ０、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、・・・、Ｈ０、Ｈ１、・・・、Ｉ０、・・・、Ｊ０、・・・、Ｋ０、・・・という変調データがあり、この変調データにより画像記録を行っているとする。また、Ｇ０、Ｈ０、Ｉ０、Ｊ０、Ｋ０という画素の配列方向（列方向）が記録媒体８４の移動方向Ａと一致しており、Ｇ０、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、・・・という画素の配列方向（行方向）が記録媒体８４の移動方向Ａに直交する方向であるとする。このとき記録媒体８４は、図８（ａ）の下方（矢印Ａ方向）へ移動しているため、空間光変調素子８０がこのままこの変調データを保持していては、記録媒体８４上で、画像が記録媒体８４の移動方向に流れてしまう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、ＤＭＤ１８には、その制御パターンを切り換えて、１コマ毎の画像データ（変調データ）をＤＭＤ１８に供給する変調データ制御手段２２が設けられている。変調データ制御手段２２は、入力される画像信号から変調データを発生させ、ＤＭＤ１８に供給するとともに、変調データを制御する。
この変調データを制御するタイミングを計るために、主走査位置検出手段２４がドラム１４に設けられている。この主走査位置検出手段２４としては、例えば、ドラム１４の回転位置を検出するロータリエンコーダを用いることができる。また、副走査位置を検出するために副走査位置検出手段２６が、副走査駆動手段２０に設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ところで、上で説明した例では、副走査方向への変調データの１回のシフト量は、１画素であったが、１画素に限定されるものではない。もちろん、１画素のみシフトする場合が、左端が最も直線状に近く見え、好ましい。
このシフト量は、図６に示すように、記録媒体１２の画像記録範囲の主走査方向の画素数をＬ、ＤＭＤ１８によって記録される１コマのサイズが、主走査方向Ｍ画素、副走査方向Ｎ画素とすると、次のように計算される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
更に、本発明において、画像形成部１で両面画像形成を可能とするには、記録材の両面に対して作像エンジン２による画像形成を可能とする記録材両面搬送部（図示せず）を具備させることが可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本実施の形態において、ラッチ機構５１０は、特に、図１８及び図１９に示すように、プラテンカバー５０６の一側部にラッチレバー５１２を回動支点５１１周りに回動自在に設け、このラッチレバー５１２と同軸にロックレバー５１３を固着すると共に、このロックレバー５１３には時計回り方向に開口した略Ｕ字状の係止溝５１４を形成する一方、前記原稿載置台５０３の一側部には前記ロックレバー５１３の係止溝５１４に係脱するロックピン５１５を固定的に突設したものである。
更に、このロック機構５２０は、図１８及び図１９に示すように、プリンタユニット２０側にロック突片５２１を突設すると共に、このロック突片５２１には水平方向に開口した略Ｕ字状の係止溝５２２を設ける一方、前記原稿載置台５０３側には二本のリンクアーム５２３ａ，５２３ｂが用いられたリンク機構５２３を設け、このリンク機構５２３の一方のリンクアーム５２３ｂの先端にロックピン５２４を突出形成すると共に、原稿載置台５０３の例えばフレームの一部に形成される水平方向に延びる長孔５２５に前記ロックピン５２４を摺動自在に係合させ、ロック突片５２１の係止溝５２２とロックピン５２４とを係脱させるようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002154705.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレベータかご内部に配置され、かご内部の所定臭い成分が所定値以上に成ったことを検出する臭い検出センサと、
前記かご内の所定臭い成分を消臭する消臭剤を放出する消臭手段と、
前記臭い検出センサの臭い検出信号が入力され、かつエレベータ乗場呼出信号が入力された場合に、呼び出された目標階に到着するまでに消臭処理が完了するように前記消臭手段を動作させる制御手段と、
を含むことを特徴とする消臭機能付きエレベータ装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
前記消臭手段は、かご内部に消臭剤を拡散させる拡散手段を有することを特徴とする消臭機能付きエレベータ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の装置において、
前記消臭手段は、所定臭い成分の濃度に基づいて消臭剤放出量を変化させる調整手段を有することを特徴とする消臭機能付きエレベータ装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の装置において、
前記消臭手段は、さらに、芳香手段を含み、消臭後、かご内に芳香剤を放出することを特徴とする消臭機能付きエレベータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、エレベータかご内部に配置され、かご内部の所定臭い成分が所定値以上に成ったことを検出する臭い検出センサと、前記かご内の所定臭い成分を消臭する消臭剤を放出する消臭手段と、前記臭い検出センサの臭い検出信号が入力され、かつエレベータ乗場呼出信号が入力された場合に、呼び出された目標階に到着するまでに消臭処理が完了するように前記消臭手段を動作させる制御手段と、を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月23日(2005.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゴマノハグサ科の植物であるエウフラシア・ロストコヴィアナ（Euphrasia rostkoviana）又はエウフラシア・ストリクタ（Euphrasia stricta）のエキスと多価アルコールとを含有することを特徴とする、皮膚外用剤。
【請求項２】
多価アルコールが、グリセリン、ポリエチレングリコール、イソプレングリコール及び１，２−ペンタンジオールから選ばれる１種乃至は２種以上であることを特徴とする、請求項１に記載の皮膚外用剤。
【請求項３】
肌改善用であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の皮膚外用剤。
【請求項４】
更に、ヒアルロン酸及びその塩、トレハロース及びその類縁体、コンドロイチン硫酸及びその塩、へパリン類似物質、糖鎖を側鎖に有する高分子及びコラーゲンから選ばれる１種乃至は２種以上を含有することを特徴とする、請求項１〜３何れか１項に記載の皮膚外用剤。
【請求項５】
化粧料であることを特徴とする、請求項１〜４何れか１項に記載の皮膚外用剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、この様な状況に鑑みて、新たな肌改善用の皮膚外用剤を求めて鋭意研究努力を重ねた結果、特定のゴマノハグサ科の植物のエキスと多価アルコールとを含有することを特徴とする、皮膚外用剤にその様な作用を有することを見出し、発明を完成させるに至った。即ち、本発明は以下に示す技術に関するものである。
（１）ゴマノハグサ科の植物であるエウフラシア・ロストコヴィアナ（Euphrasia rostkoviana）又はエウフラシア・ストリクタ（Euphrasia stricta）のエキスと多価アルコールとを含有することを特徴とする、皮膚外用剤。
（２）多価アルコールが、グリセリン、ポリエチレングリコール、イソプレングリコール及び１，２−ペンタンジオールから選ばれる１種乃至は２種以上であることを特徴とする、（１）に記載の皮膚外用剤。
（３）肌改善用であることを特徴とする、（１）又は（２）に記載の皮膚外用剤。
（４）更に、ヒアルロン酸及びその塩、トレハロース及びその類縁体、コンドロイチン硫酸及びその塩、へパリン類似物質、糖鎖を側鎖に有する高分子及びコラーゲンから選ばれる１種乃至は２種以上を含有することを特徴とする、（１）〜（３）何れか１つに記載の皮膚外用剤。
（５）化粧料であることを特徴とする、（１）〜（４）何れか１つに記載の皮膚外用剤。
以下、本発明について、実施の形態を中心に更に詳細に説明を加える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】
（１）本発明の皮膚外用剤の必須成分であるゴマノハグサ科の植物のエキス
本発明の皮膚外用剤はゴマノハグサ科の植物であるエウフラシア・ロストコヴィアナ（Euphrasia rostkoviana）又はエウフラシア・ストリクタ（Euphrasia stricta）のエキスを含有することを特徴とする。ここで、本発明で言うエキスとは、かかる植物の植物体それ自身、植物体を乾燥或いは細切、粉砕など加工した加工物、植物体乃至はその加工物を溶媒で抽出した抽出物、抽出物の溶媒を除去した、溶媒除去物、抽出物乃至はその溶媒除去物をカラムクロマトグラフィーや液液抽出で精製した精製分画物などの総称を意味する。これらの内、本発明の必須成分のエキスとしては、全草の溶媒抽出物乃至はその溶媒除去物が好ましく例示でき、かかる溶媒としては、極性溶媒が特に好ましく例示できる。この様な極性溶媒としては、例えば、水、エタノール、メタノール、１，３−ブタンジオール、プロピレングリコールなどのアルコール類、酢酸エチルや蟻酸メチルなどのエステル類、アセトンやメチルエチルケトンなどのケトン類、クロロホルムや塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素類、アセトニトリル等のニトリル類、ジエチルエーテルやテトラヒドロフランなどのエーテル類から選ばれる１種乃至は２種以上が好ましく例示できる。これらの内、特に好ましいものは、水及び／又はアルコール類である。この様な抽出物を作成するには、植物体乃至はその加工物に１〜１０倍量の溶媒を加え、室温であれば数日、沸点付近の温度であれば数時間浸漬すればよい。しかる後に、不溶物を濾過などで除去し、必要に応じて減圧濃縮や凍結乾燥により溶媒除去することが出来る。又、この様なエキスを作製するのに用いることのできるゴマノハグサ科の植物であるエウフラシア・ロストコヴィアナ（Euphrasia rostkoviana）又はエウフラシア・ストリクタ（Euphrasia stricta）は、セイヨウココメグサ、ココメグサ（和名）或いはアイブライト（英名）の名で総称されている。これらは既に日本に帰化、自生しているので入手はたやすい。又、好ましい部位としては全草が例示できる。かくして得られたエキスは、後記に示す多価アルコールとともに皮膚外用剤に含有させると優れた肌改善作用を発揮する。かかるエキスは唯一種を含有させることもできるし、２種以上を組み合わせて含有させることもできる。本発明の皮膚外用剤に於けるかかるエキスの好ましい含有量は、皮膚外用剤全量に対して、総量で０．０１〜１０重量％であり、更に好ましくは０．０５〜５重量％である。これは少なすぎると肌改善効果を発揮しない場合があり、多すぎても効果が頭打ちになり、かえって処方の自由度を損なう場合があるからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
〈実施例１４〜２１〉
本発明の皮膚外用剤の構成に対する保湿成分の添加効果を調べた。処方は下記に示す。作成方法、評価は上記の実施例と同様に行った。結果を表３に示す。これより保湿成分は、本発明の皮膚外用剤の肌改善効果を更に相加的に向上させていることがわかる。
エキス１                          ０．１重量部
エタノール                        ３    重量部
グリセリン                        ７    重量部
シラカバエキス                    ０．１重量部
燐酸ナトリウム                    ０．１重量部
塩化ベンザルコニウム１０％水溶液  ０．２重量部
ポリオキシエチレン硬化ひまし油    ０．１重量部
保湿成分＊＊＊                    ０．１重量部
水                              ８９．３重量部
＊＊＊詳細は表３に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
坪量35〜45ｇ／ｍ２で、23℃、50%ＲＨで調湿後の横方向の平均純曲げ剛度が1〜11μＮ・ｍ２／ｍであることを特徴とする新聞用紙。
【請求項２】
ＪＩＳ  P8133に規定される冷水抽出法による紙のｐＨ試験方法でｐＨ5〜9.5であることを特徴とする請求項１記載の新聞用紙。
【請求項３】
ＪＩＳ  P8133に規定される冷水抽出法による紙のｐＨ試験方法でｐＨ6.5〜9.5であることを特徴とする請求項１記載の新聞用紙。
【請求項４】
全パルプ成分当たり古紙パルプの配合率が50重量%以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項３記載の新聞用紙。
【請求項５】
灰分率が4〜10重量%であることを特徴とする請求項１ないし請求項４記載の新聞用紙。
【請求項６】
新聞用紙中の填料が炭酸カルシウムとホワイトカーボンであることを特徴とする請求項１ないし請求項５記載の新聞用紙。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】管路修復用ブロック体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管路の内径よりも小さな外径を有する短管体の一部を構成する円弧状のブロック体であって、前記短管体の周方向に複数の孔を穿設して成ることを特徴とする管路修復用ブロック体。
【請求項２】
外面の少なくとも一部に樹脂吸着材を接着したことを特徴とする請求項１記載の管路修復用ブロック体。
【請求項３】
前記樹脂吸着材に熱硬化性樹脂を塗布又は含浸せしめたことを特徴とする請求項２記載の管路修復用ブロック体。
【請求項４】
ブロック体本体をプラスチックで構成したことを特徴とする請求項１，２又は３記載の管路修復用ブロック体。
【請求項５】
ブロック体本体を繊維強化プラスチックで構成したことを特徴とする請求項１，２又は３記載の管路修復用ブロック体。
【請求項６】
前記ブロック体本体に浮力体を組み込んだことを特徴とする請求項４又は５記載の管路修復用ブロック体。
【請求項７】
ブロック体本体を気泡体又は中空ビーズを含む樹脂材で構成したことを特徴とする請求項１，２又は３記載の管路修復用ブロック体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、管路修復用ブロック体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、大口径の管路に対しても供用水を流しながら所望の修復作業を行うことができる管路修復用ブロック体を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、管路修復用ブロック体に形成された各孔に挿通するボルトにて管路の長さ方向に隣接する管路修復用ブロック体同士を連結できるので、大口径の管路に対しても供用水を流しながら所望の修復作業を行うことができるという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスポンダからベースステーションに情報を伝送するに当たり、一定の搬送波信号がベースステーションのアンテナコイルに供給されるとともに、伝送された情報に応答して、前記アンテナコイルによって誘導された電界及び／又は磁界が、前記ベースステーションに誘導的に結合したトランスポンダによって減衰され、前記伝送された情報が、前記アンテナコイルから得られたアンテナ信号からベースステーションで回復される情報伝送方法において、前記アンテナ信号の実数成分及び虚数成分の二つの相違する組み合わせが前記アンテナ信号から個別に復調され、これら両方の成分が個別にデジタル化され、前記トランスポンダの前記伝送された情報が、論理組み合わせによって両方のデジタル化された成分から回復されることを特徴とする情報伝送方法。
【請求項２】
前記両方のデジタル化されたアンテナ信号の成分の縁からパルスを取り出し、復調された信号の縁に関連して以前に現れる一方の成分のパルスが他方の成分の次のパルスを抑制し、前記渡された情報を非抑制パルスから得ることを特徴とする請求項１記載の情報伝送方法。
【請求項３】
復調を二つの搬送波信号によって行い、その位相を、全搬送波発振の一部によって互いに位相シフトすることを特徴とする請求項１又は２記載の情報伝送方法。
【請求項４】
トランスポンダから伝送された情報を受け取るベースステーションであって、
少なくとも短くて一定な周波数及び振幅を有する搬送波信号を発生させる発生器と、
この発生器に結合した第１アンテナコイルと、
この第１アンテナコイルに結合するとともに前記伝送された情報を出力する復調装置とを含み、
前記トランスポンダが、前記第１アンテナコイルに誘導的に結合することができる第２アンテナコイルと、この第２アンテナコイルに結合するとともに伝送すべき情報にしたがって制御可能であるインピーダンスとを含む、ベースステーションにおいて、
前記復調装置は二つの枝路を含み、これら枝路の各々は、前記第１アンテナコイルから得られる信号の実数成分及び虚数成分の相違する組み合わせを各々の枝路で復調する復調器と、復調された信号の各々から２値信号を形成する弁別器とを含み、
前記復調回路は、前記伝送された情報を二つの２値信号の組み合わせから形成するために前記二つの枝路に結合して装置の出力部に前記情報を供給する決定部を更に含むことを特徴とするベースステーション。
【請求項５】
前記枝路の各々の弁別器は、関連の枝路の２値信号の各エッジから、これら２値信号のエッジ間の最短距離より十分短いパルス持続時間を有するパルスを形成する、エッジ検出器を含み、
前記決定部は、前記二つの枝路のパルス用の二つの入力部及び結合したパルスを発生させる出力部を有する結合回路と、この結合回路の出力部に結合した双安定記憶回路とを含み、前記結合したパルスの各々に応答して、前記装置の出力部に結合した出力部の信号状態を変化させるようにしたことを特徴とする請求項４記載のベースステーション。
【請求項６】
前記双安定記憶回路を、少なくとも一つの出力部を有するＲ−Ｓフリップフロップとし、そのＲ入力部及びＳ入力部を、各ゲートに先行させ、各ゲートの各々の第１入力部を、前記結合回路の出力部に結合し、各ゲートの第２出力部を、遅延回路を介して前記Ｒ−Ｓフリップフロップの出力部に結合し、前記Ｒ−Ｓフリップフロップの出力部を、前記装置の出力部に結合したことを特徴とする請求項５記載のベースステーション。
【請求項７】
前記決定部は、前記二つの枝路のパルスに対するラッチ回路を含み、これにより、一方の枝路で第１パルスをイネーブルするとともに他方の枝路で次の第２パルスを抑制し、それに続いて前記二つの枝路枝路のうちの一方で第３パルスをイネーブルし、前記結合回路は、前記二つの枝路のイネーブルされたパルスを受信して、それから前記渡された情報を形成し、それを前記装置の出力部に供給するようにしたことを特徴とする請求項５記載のベースステーション。
【請求項８】
前記ラッチ回路は同一構造の二つの区分を含み、それら区分の各々は、
前記二つの枝路のうちの他方のパルス用の入力部と、
出力部及び二つの入力部を有し、その二つの入力部のうちの一つをこれらパルス用の関連の入力部に接続した第１ゲートと、
二つの入力部及び少なくとも一つの出力部を有し、一方の入力部を前記第１ゲートに接続し、前記出力部を他方の区分の第１ゲートの他方の入力部に結合したＲ−Ｓフリップフロップと、
二つの入力部及び一つの出力部を有し、一方の入力部をパルス用の関連の入力部に結合し、他方の入力部をパルス用の他方の区分の入力部に結合し、出力部を前記Ｒ−Ｓフリップフロップの他方の入力部に結合した第２ゲートとを含み、
前記第１ゲートの出力部を、前記結合回路の入力部に接続し、前記双安定記憶回路を、前記結合回路の出力部に接続したＴ入力部を有するＴフリップフロップとしたことを特徴とする請求項７記載のベースステーション。
【請求項９】
前記ラッチ回路の区分の各々について、前記第１ゲートの出力部を前記第３ゲートの出力部結合し、その第２入力部を、他方の区分の入力部に結合し、その出力部を、前記Ｒ−Ｓフリップフロップの一方の入力部に接続したことを特徴とする請求項８記載のベースステーション。
【請求項１０】
各枝路の復調通話は、サンプル−ホールド回路を含み、そのサンプルホールド回路を、搬送波信号の各発振内の相違する瞬時で駆動するようにしたことを特徴とする請求項４から９のうちのいずれかに記載のベースステーション。