【手続補正書】
【提出日】平成16年2月18日(2004.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板の第１の主面上に第１の絶縁膜を堆積する工程、（ｂ）前記第１の絶縁膜に配線開口部を形成する工程、（ｃ）前記配線開口部内を含む前記第１の絶縁膜上に、配線形成用の第１の導体膜および銅を主成分とする配線形成用の第２の導体膜を順に堆積する工程、（ｄ）前記配線形成用の第１，第２の導体膜を研磨することにより絶縁膜上の前記第１，第２の導体膜を除去し、前記配線開口部内に配線を形成する研磨工程、（ｅ）前記研磨工程後の半導体基板の前記配線および絶縁膜の表面に対して洗浄処理を施す工程、（ｆ）前記洗浄処理後の半導体基板に対して水素ガス雰囲気中においてプラズマ処理を施す工程、（ｇ）前記洗浄処理後の半導体基板に対してアンモニアガス雰囲気中においてプラズマ処理を施す工程、（ｈ）前記水素ガスプラズマおよびアンモニアガスプラズマ処理後、前記第１の絶縁膜および前記配線上に第２の絶縁膜を堆積する工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、アルカリ性溶液を用いた洗浄処理および酸性溶液を用いた洗浄処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記アルカリ性溶液がアミノエタノールを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、前記アルカリ性溶液を用いた洗浄処理、還元性処理および前記酸性溶液を用いた洗浄処理を順に施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨工程後、前記洗浄処理前に、還元性処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨工程後、前記酸性溶液を用いた洗浄処理の前に、還元性処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記還元性処理は、前記半導体基板に対して水素ガス雰囲気中において熱処理を施すものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記還元性処理は、前記半導体基板に対して水素ガスプラズマ処理を施すものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記還元性処理は、前記半導体基板に対してアンモニアガスプラズマ処理を施すものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理は、酸性溶液を用いた洗浄処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨工程後、前記酸性溶液を用いた洗浄処理の前に、還元性処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記洗浄処理後であって、前記水素ガスプラズマおよびアンモニアガスプラズマ処理前に、前記半導体基板に対して還元性ガス雰囲気中において熱処理を施すことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記銅を主成分とする配線形成用の第２の導体膜をメッキ法によって堆積することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の絶縁膜が低誘電率な絶縁膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記水素ガスプラズマおよびアンモニアガスプラズマ処理後、大気開放せずに連続して、前記第１の絶縁膜および前記配線上に、前記第２の絶縁膜を堆積することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン膜または炭化シリコン膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨工程における処理は砥粒フリー化学機械研磨処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板の第１の主面上に第１の絶縁膜を堆積する工程、（ｂ）前記第１の絶縁膜に配線開口部を形成する工程、（ｃ）前記配線開口部内を含む前記第１の絶縁膜上に、銅を主成分とする配線形成用の導体膜を堆積する工程、（ｄ）前記銅を主成分とする配線形成用の導体膜を研磨することにより絶縁膜上の前記導体膜を除去し、前記配線開口部内に配線を形成する研磨工程、（ｅ）前記研磨工程後の半導体基板の前記配線および絶縁膜の表面に対して洗浄処理を施す工程、（ｆ）前記洗浄処理後の半導体基板に対して水素ガス雰囲気中においてプラズマ処理を施す工程、（ｇ）前記洗浄処理後の半導体基板に対してアンモニアガス雰囲気中においてプラズマ処理を施す工程、（ｈ）前記水素ガスプラズマおよびアンモニアガスプラズマ処理後、前記第１の絶縁膜および前記配線上に第２の絶縁膜を堆積する工程。
【請求項１９】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板の第１の主面上に第１の絶縁膜を堆積する工程、（ｂ）前記第１の絶縁膜に配線開口部を形成する工程、（ｃ）前記配線開口部内を含む前記第１の絶縁膜上に、配線形成用の第１の導体膜および銅を主成分とする配線形成用の第２の導体膜を順に堆積する工程、（ｄ）前記配線形成用の第１，第２の導体膜を研磨することにより絶縁膜上の前記第１，第２の導体膜を除去し、前記配線開口部内に配線を形成する工程、（ｅ）前記研磨工程後の半導体基板の前記配線および絶縁膜の表面に対して、アルカリ性溶液を用いた洗浄処理、還元性処理および酸性溶液を用いた洗浄処理を順に施す工程、（ｆ）前記第１の絶縁膜および前記配線上に第２の絶縁膜を堆積する工程。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記アルカリ性溶液がアミノエタノールを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記還元性処理は、前記半導体基板に対して水素ガス雰囲気中において熱処理を施すものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記還元性処理は、前記半導体基板に対して水素ガスプラズマ処理を施すものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記還元性処理は、前記半導体基板に対してアンモニアガスプラズマ処理を施すものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記銅を主成分とする配線形成用の第２の導体膜をメッキ法によって堆積することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の絶縁膜は低誘電率な絶縁膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｅ）工程後、前記第２の絶縁膜の形成工程前に、前記半導体基板に対してアンモニアガスプラズマ処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第２の絶縁膜は、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜またはＳｉＯＣ膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項１９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨工程の処理は砥粒フリー化学機械研磨処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２９】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板の第１の主面上に第１の絶縁膜を堆積する工程、（ｂ）前記第１の絶縁膜に配線開口部を形成する工程、（ｃ）前記配線開口部内を含む前記第１の絶縁膜上に、配線形成用の第１の導体膜および銅を主成分とする配線形成用の第２の導体膜を順に堆積する工程、（ｄ）前記配線形成用の第１，第２の導体膜を研磨することにより絶縁膜上の前記第１，第２の導体膜を除去し、前記配線開口部内に配線を形成する工程、（ｅ）前記研磨工程後の半導体基板の前記配線および絶縁膜の表面に対して、還元性処理および酸性溶液を用いた洗浄処理を順に施す工程、（ｆ）前記第１の絶縁膜および前記配線上に第２の絶縁膜を堆積する工程。
【請求項３０】
請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記還元性処理は、前記半導体基板に対して水素ガス雰囲気中において熱処理を施すものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３１】
請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記還元性処理は、前記半導体基板に対して水素ガスプラズマ処理を施すものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３２】
請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記還元性処理は、前記半導体基板に対してアンモニアガスプラズマ処理を施すものであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３３】
請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記銅を主成分とする配線形成用の導体膜をメッキ法によって堆積することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３４】
請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の絶縁膜は低誘電率な絶縁膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３５】
請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｅ）工程後、前記第２の絶縁膜の形成工程前に、前記半導体基板に対してアンモニアガスプラズマ処理を施す工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３６】
請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第２の絶縁膜は、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜またはＳｉＯＣ膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３７】
請求項２９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨工程の処理は砥粒フリー化学機械研磨処理を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３８】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板の第１の主面上に第１の絶縁膜を堆積する工程、（ｂ）前記第１の絶縁膜に配線開口部を形成する工程、（ｃ）前記配線開口部内を含む前記第１の絶縁膜上に、銅を主成分とする配線形成用の導体膜を堆積する工程、（ｄ）前記銅を主成分とする配線形成用の導体膜を研磨することにより絶縁膜上の前記導体膜を除去し、前記配線開口部内に配線を形成する工程、（ｅ）前記研磨工程後の半導体基板の前記配線および絶縁膜の表面に対して、アルカリ性溶液を用いた洗浄処理、還元性処理および酸性溶液を用いた洗浄処理を順に施す工程、（ｆ）前記第１の絶縁膜および前記配線上に第２の絶縁膜を堆積する工程。
【請求項３９】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板の第１の主面上に第１の絶縁膜を堆積する工程、（ｂ）前記第１の絶縁膜に配線開口部を形成する工程、（ｃ）前記配線開口部内を含む前記第１の絶縁膜上に、銅を主成分とする配線形成用の導体膜を堆積する工程、（ｄ）前記銅を主成分とする配線形成用の導体膜を研磨することにより絶縁膜上の前記導体膜を除去し、前記配線開口部内に配線を形成する工程、（ｅ）前記研磨工程後の半導体基板の前記配線および絶縁膜の表面に対して、還元性処理および酸性溶液を用いた洗浄処理を順に施す工程、（ｆ）前記第１の絶縁膜および前記配線上に第２の絶縁膜を堆積する工程。