Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収納部に電子部品を収納し表面が剥離可能なトップテープで覆われた電子部品供給テープをテープ搬送面に沿って搬送し、電子部品取り出し位置の手前でトップテープをはがし、電子部品取り出し位置では吸着ノズルにて電子部品を前記収納部から取り出す電子部品供給装置において、
テープ搬送面のトップテープの剥離位置から電子部品取り出し位置の範囲に吸引孔を形成した電子部品供給装置。
【請求項２】
吸引孔は、電子部品供給テープの搬送方向に沿ってテープ搬送面に形成された凹部と、前記凹部に連通してエアーを吸引する連通路とからなる請求項１記載の電子部品供給装置。
【請求項３】
電子部品供給テープの底部には、テープ搬送面からの吸引エアーを導入する底孔を設けた請求項１または請求項２記載電子部品供給装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３に記載のいずれかの電子部品供給装置を用いる電子部品供給方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【発明の実施の形態】
請求項１記載の電子部品供給装置は、収納部に電子部品を収納し表面が剥離可能なトップテープで覆われた電子部品供給テープをテープ搬送面に沿って搬送し、電子部品取り出し位置の手前でトップテープをはがし、電子部品取り出し位置では吸着ノズルにて電子部品を前記収納部から取り出す電子部品供給装置において、テープ搬送面のトップテープの剥離位置から電子部品取り出し位置の範囲に吸引孔を形成したことを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項２記載の電子部品供給装置は、請求項１において、吸引孔は、電子部品供給テープの搬送方向に沿ってテープ搬送面に形成された凹部と、前記凹部に連通してエアーを吸引する連通路とからなることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この構成によると、電子部品供給テープをテープ搬送面の側に引き付け易くなる。請求項３記載の電子部品供給装置は、請求項１または請求項２において、電子部品供給テープの底部には、テープ搬送面からの吸引エアーを導入する底孔を設けたことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、静電気に弱い電子部品を用いる場合には、テープ搬送面のトップテープの剥離位置から電子部品取り出し位置の範囲に吸引孔を形成することで、電子部品供給テープを安定的かつ高速に搬送することができる。特に電子部品が小型で軽量な場合においても、電子部品供給テープからの電子部品の飛び出しを解消し、高速表面実装への部品供給に対応することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
供給される部品を部品取り扱い手段による把持または吸着にて保持し、この保持した部品の部品取り扱い中心線まわりの角度位置を認識し、所定の角度位置であればそのまま、所定の角度位置でなければ部品取り扱い手段を部品の取り扱い中心線まわりに回転させて部品を位置決め補正してから装着対象物に装着する部品装着方法において、
部品を保持した部品取り扱い手段を、部品の角度位置を認識する前に、部品取り扱い中心線まわりに一定の方向に予備回転させて位置決めした後、部品の角度位置を認識し、部品が所定の角度位置でないとき部品取り扱い手段を、前記予備回転と同じ方向に部品取り扱い中心線まわりに補正回転させることにより、部品を所定の角度位置となるように位置決め補正してから装着することを特徴とする部品装着方法。
【請求項２】
供給される部品を部品取り扱い手段による把持または吸着にて保持し、この保持した部品の部品取り扱い中心線まわりの角度位置を認識し、所定の角度位置であればそのまま、所定の角度位置でなければ部品取り扱い手段を部品の取り扱い中心線まわりに回転させて部品を位置決め補正してから装着対象物に装着する部品装着方法において、
部品を保持した部品取り扱い手段を、部品の角度位置を認識する前に、部品取り扱い中心線まわりに一定の方向に予備回転させて位置決めした後、部品の角度位置を認識し、部品が所定の角度位置でなく前記予備回転と逆の方向にずれているとき、部品取り扱い手段を前記予備回転と逆の方向に部品取り扱い中心線まわりに所定角度以上回転させた後、前記予備回転と同じ方向に部品取り扱い中心線まわりに補正回転させることにより、部品を所定の角度位置となるように位置決め補正してから装着することを特徴とする部品装着方法。
【請求項３】
部品供給手段と、部品を装着する装着対象物を保持して位置決めし部品の装着に供する部品装着台と、部品取り扱い手段を前記部品供給手段および部品装着台の間を繰り返し移動させ、部品供給手段から供給される部品を部品取り扱い手段による把持または吸着にて保持し、部品装着台にまで持ち運び、装着台上の装着対象物の所定位置にその部品を装着することを繰り返す部品装着機構と、部品取り扱い手段が保持した部品の部品取り扱い中心線まわりの角度位置を認識する認識手段と、この認識手段により認識される前の部品を保持した部品取り扱い手段を、その部品取り扱い中心線まわりに一定の方向に予備回転させて位置決めする予備回転手段と、認識手段によって認識された部品の角度位置が所定の角度位置であるかどうかを判定する判定手段と、判定結果が所定の角度位置でないときだけ、部品装着の前にそれを保持している部品取り扱い手段を予備回転と同じ方向に補正回転させて保持されている部品が所定の角度位置となるように位置決め補正する補正回転手段とを備えたことを特徴とする部品装着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１の発明の部品装着方法は、供給される部品を部品取り扱い手段による把持または吸着にて保持し、この保持した部品の部品取り扱い中心線まわりの角度位置を認識し、所定の角度位置であればそのまま、所定の角度位置でなければ部品取り扱い手段を部品の取り扱い中心線まわりに回転させて部品を位置決め補正してから装着対象物に装着する部品装着方法において、請求項３の発明の部品装着装置を用いるなどして、部品を保持した部品取り扱い手段を、部品の角度位置を認識する前に、部品取り扱い中心線まわりに一定の方向に予備回転させて位置決めした後、部品の角度位置を認識し、部品が所定の角度位置でないとき部品取り扱い手段を、前記予備回転と同じ方向に部品取り扱い中心線まわりに補正回転させて、部品を所定の角度位置となるように位置決め補正してから装着することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
しかし、逆補正方向にずれている場合の補正回転角度が大きくなる。そこで、請求項２に記載するように前記所定の方向と逆の方向に逆補正方向のずれの補正の必要角度よりも、前記ガタツキやバックラッシュなどによる回転方向の遊び分以上回転させた後、前記所定の方向に補正回転させることにより、前記のような遊びの影響のない高精度な位置決め補正ができ、実質的に請求項１の発明の所定方向での補正回転と等価であり、補正時間を短縮できる特徴を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月3日(2004.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板及びこれを用いた接続装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の第１の配線部と複数の第２の配線部とを多層構造に配置した配線基板において、前記第１及び第２の配線部を貫通する複数のスルーホールを備え、各スルーホールは、前記第１の配線部に接続された第１の導電性壁部により形成される第１の穴部と、前記第２の配線部に接続された第２の導電性壁部により形成される第２の穴部とを備える、配線基板。
【請求項２】
前記第１の穴は前記第２の穴部より大きい横断面積を有する、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記スルーホールは、横断面積が前記第１の穴部の側から前記第２の穴部の側に向けて漸次小さくなるテーパホールである、請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１及び第２の穴部の少なくとも一方は、横断面積が前記第１の穴部の側から前記第２の穴部の側に向かう方向の先端側ほど漸次小さくなるテーパホールである、請求項１，２または３に記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された配線基板と、該配線基板のスルーホールに対応された同軸の複数の接続具とを含み、各接続具は、対応するスルーホールに差し込まれる先端部であって対応するスルーホールの形状に対応する形状を有する先端部を有する、接続装置。
【請求項６】
前記接続具は、中心導体と、該中心導体の周りに配置された電気絶縁体と、該電気絶縁体の周りに配置された外部導体とを含み、前記外部導体及び前記中心導体はそれぞれ前記第１及び第２の穴部に接触されている、請求項５に記載の接続装置。
【請求項７】
前記接続具は、さらに、前記外部導体の周りに配置されたケースとを含み、前記中心導体及び前記外部導体は軸線方向へ相対的に移動可能である、請求項５に記載の接続装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
同種の課題は、テストヘッド１０２とパフォーマンスボード１０４とをスプリングピンのような接続具で接続して、通電試験をする検査装置において、テストヘッド１０２側の配線基板と接続具との間においても生じる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の接続装置は、上記のような配線基板と、該配線基板のスルーホールに対応された同軸の複数の接続具とを含む。各接続具は、対応するスルーホールに差し込まれる先端部を有し、該先端部は対応するスルーホールの形状に対応する形状を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図示の例では、各スルーホール２２は、円形の横断面形状（軸線と直角の断面の形状）を有しており、また、横断面積（直径寸法）が第１の穴部２２ａの側から第２の穴部２２ｂの側に向けて漸次小さくなるいわゆる二次元的に見てテーパホール（三次元的には、截頭円錐形の穴）である。第１及び第２及び第３の穴部２２ａ，２２ｂ及び２２ｃの軸線は同じである。第１の導電性壁部２４は、絶縁基板２０の一方の面に形成された導電性のフランジ部２８に一体的に続く。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
接続装置１０によれば、第１及び第２の穴部２２ａ，２２ｂがこれらの軸線方向から見て同軸的であり、テスターランドとして作用する各スルーホール２２をアース用通電路及び信号用通電路の両者に共通に利用するから、フランジ部２８を含む領域の面積を従来のテスターランドに比べて小さくすることができることとあいまって、スルーホール２２の全配置面積を従来のテスターランドに比べて小さくすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
接続具１４は、外部導体３４の先端部のみ第１の穴部５２ａとほぼ同じテーパ状（截頭円錐形状）とされている。接続具１４は、外部導体３４及び中心導体３０がそれぞれ第１及び第２の穴部５２ａ及び５２ｂに位置するように、第１の穴部５２ａの側（上方）から対応するスルーホール５２に挿入される。これにより、外部導体３４は第１の穴部５２ａに接触する。しかし、中心導体３０の直径寸法が第２の穴部５２ｂのそれより大きいから、中心導体３０と第２の穴部５２ｂの内面との間に空間が形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
中心導体３０と第２の穴部５２ｂの内面との間の空間には、導電性を有する筒状の雌ピン５４が下方側から嵌め込まれる。雌ピン５４は、第２の穴部５２ｂを形成する第２の導電性壁部２６と中心導体３０との間に挟み込まれる。これにより、中心導体３０は、雌ピン５４と広い範囲で接触し、また雌ピン５４及び第２の導電性壁部２６を介して第２の配線部１８に電気的に接続される。その結果、中心導体３０と第２の配線部１８との間のインピーダンス整合を取ることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明は、集積回路の検査装置に用いられる配線基板のみならず、液晶表示パネルのような他の平板状被検査体のための検査装置に用いられる配線基板にも適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の(a)及び(b)を設け、半導体モジュール及び電力変換器モジュールに用いる熱消散装置：
(a) 前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュールに熱的に結合されている伝熱層；
(b) 前記伝熱層に接続されたヒートシンク。
【請求項２】
前記ヒートシンクは以下の(b-1)及び(b-2)を有することを特徴とする請求項１記載の熱消散装置：
(b-1) 一連のヒートパイプ；
(b-2) 前記ヒートパイプと協働して熱を前記伝熱層から移すフィンスタック。
【請求項３】
前記伝熱層は前記ＣＰＵモジュールと前記電力変換器モジュールの間の電力接続のための通路を備えていることを特徴とする請求項１記載の熱消散装置。
【請求項４】
以下の(a)及び(b)を設け、電力ケーブルとセンス線により電気的に接続されている半導体モジュール及び電力変換器モジュールに用いるヒートシンク組立体：
(a) 前記半導体モジュールに及び前記電力変換器モジュールに結合され、前記電力変換器モジュールと前記半導体モジュールとの間で電力を伝達するための前記接続のための通路を備えている伝熱層；
(b) 前記半導体モジュール、前記電力ケーブル及び前記センス線を取り囲み、ＥＭＩ放出を減衰させるチャンバ。
【請求項５】
前記伝熱層は以下の(a-1)及び(a-2)と熱的に連絡していることを特徴とする請求項４記載のヒートシンク組立体：
(a-1) ヒートパイプ；
(a-2) 前記ヒートパイプ及び前記伝熱層と協働して熱を消散するフィンスタック。
【請求項６】
前記伝熱層は熱伝導性インターフェースにより前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュールに接触していることを特徴とする請求項４記載のヒートシンク組立体。
【請求項７】
前記半導体モジュールはマイクロプロセッサモジュールであり、
前記電力変換器モジュールは前記通路を通して電力を前記半導体モジュールに供給する、
ことを特徴とする請求項４記載のヒートシンク組立体。
【請求項８】
以下の(a)及び(b)を設け、電力変換器モジュールに電気的に接続されている半導体モジュールのＥＭＩ放出を減らすための組立体：
(a) 通路を有する共有取付け点；
(b) 前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュールを取り囲むＥＭＩ容器。
【請求項９】
前記共有取付け点は、前記半導体モジュール及び前記電力変換器モジュールのための熱消散を行なう伝熱層であることを特徴とする請求項８記載の組立体。
【請求項１０】
前記伝熱層は以下の(a-1)及び(a-2)と熱的に連絡していることを特徴とする請求項８記載の組立体：
(a-1) 一連のヒートパイプ；
(a-2) 前記ヒートパイプと協働して熱を消散するフィンスタック。
【請求項１１】
前記ＥＭＩ容器は以下の(b-1)ないし(b-3)を有することを特徴とする請求項８記載の組立体：
(b-1) 前記電力変換器モジュールを取り囲む前記共有取付け点に接続されたＥＭＩ缶；
(b-2) 接地平面を有するプリント回路板；
(b-3) 前記プリント回路板の前記接地平面と前記半導体モジュールを取り囲む前記共有取付け点との間に接続されたＥＭＩ減衰スリーブ。
【請求項１２】
前記半導体モジュールはマイクロプロセッサモジュールを備えていることを特徴とする請求項８記載の組立体。
【請求項１３】
前記電力変換器モジュールは前記半導体モジュール用電力変換器モジュールを備えていることを特徴とする請求項８記載の組立体。
【請求項１４】
以下の(a)ないし(e)を設け、ＣＰＵモジュール、前記ＣＰＵモジュールが取り付けられているプリント回路板、電力コネクタ、センス線及び前記ＣＰＵモジュール用電力変換器モジュールに用いるヒートシンクとＥＭＩ容器の組立体：
(a) 前記電力変換器モジュールに熱的に接続され、前記ＣＰＵモジュールに熱的に接続され、前記電力変換器モジュールと前記ＣＰＵモジュールとの間に挟まれている等温層；
(b) 前記等温層内にあり、前記ＣＰＵモジュールと前記電力変換器モジュールの間の前記電力コネクタ用の通路を有するスロット；
(c) 前記等温層に挿入され、前記等温層と熱的に連絡している一連のヒートパイプ；
(d) 前記一連のヒートパイプと熱的に連絡しているフィンスタック；
(e) 前記プリント回路板に接続され、それによりファラデーケージを形成しているＥＭＩ容器。
【請求項１５】
前記電力変換器モジュール及び前記ＣＰＵモジュールは、熱接触積層材料により前記等温層に接続されていることを特徴とする請求項１４記載のヒートシンクとＥＭＩ容器の組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月29日(2004.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に対して、レーザー光またはそれと同等の強度をもつ強光を照射することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして島状の結晶性半導体膜にした後、ソース電極とドレイン電極を形成し、
前記ソース電極とドレイン電極をマスクとして、前記島状の結晶性半導体膜の一部をエッチングしてチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に対して、ランプアニールまたはファーネスアニールにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして島状の結晶性半導体膜にした後、ソース電極とドレイン電極を形成し、
前記ソース電極とドレイン電極をマスクとして、前記島状の結晶性半導体膜の一部をエッチングしてチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に対して、レーザー光またはそれと同等の強度をもつ強光を照射することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に対してＮ型の不純物を添加して導電層を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記導電層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記島状の結晶性半導体膜の一部をエッチングしてチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に対して、ランプアニールまたはファーネスアニールにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に対してＮ型の不純物を添加して導電層を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記導電層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記島状の結晶性半導体膜の一部をエッチングしてチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に対して、レーザー光またはそれと同等の強度をもつ強光を照射することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に対してＮ型の不純物を添加して、前記不純物を高濃度で含む第１の導電層及び前記不純物を低濃度で含む第２の導電層を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の導電層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記島状の結晶性半導体膜の一部をエッチングしてチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に対して、ランプアニールまたはファーネスアニールにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に対してＮ型の不純物を添加して、前記不純物を高濃度で含む第１の導電層及び前記不純物を低濃度で含む第２の導電層を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして島状の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の導電層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記島状の結晶性半導体膜の一部をエッチングしてチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に導電膜を形成し、
前記導電膜に第１のパターニングをしてゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に対して、レーザー光またはそれと同等の強度をもつ強光を照射することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にＮ型の不純物を添加して、前記不純物を高濃度で含む第１の導電層及び前記不純物を低濃度で含む第２の導電層を形成し、
前記結晶性半導体膜に第２のパターニングをして島状にし、
前記第２のパターニングによって露出したゲイト絶縁膜に第３のパターニングをして前記ゲイト電極とのコンタクトホールを形成し、
前記結晶性半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜に第４のパターニングをしてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクにして結晶性半導体膜のうち、前記不純物を含む領域をエッチングしてチャネル形成領域を形成し、
前記ソース電極、ドレイン電極及びチャネル形成領域上に保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に導電膜を形成し、
前記導電膜に第１のパターニングをしてゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に対して、ランプアニールまたはファーネスアニールにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にＮ型の不純物を添加して、前記不純物を高濃度で含む第１の導電層及び前記不純物を低濃度で含む第２の導電層を形成し、
前記結晶性半導体膜に第２のパターニングをして島状にし、
前記第２のパターニングによって露出したゲイト絶縁膜に第３のパターニングをして前記ゲイト電極とのコンタクトホールを形成し、
前記結晶性半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜に第４のパターニングをしてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクにして結晶性半導体膜のうち、前記不純物を含む領域をエッチングしてチャネル形成領域を形成し、
前記ソース電極、ドレイン電極及びチャネル形成領域上に保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項３乃至８のいずれか１項において、前記Ｎ型の不純物の添加は、イオン注入法またはイオンドーピング法によって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月2日(2004.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に第１の半導体島領域及び第２の半導体島領域を形成し、
前記第１の半導体島領域及び前記第２の半導体島領域上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１の半導体島領域上に第１のゲイト電極を、前記第２の半導体島領域上に第２のゲイト電極を形成し、
前記第１のゲイト電極及び前記第２のゲイト電極をマスクとして、前記第１の半導体島領域及び第２の半導体島領域中に第１の不純物を注入し、
前記ゲイト絶縁膜と、前記第１のゲイト電極及び前記第２のゲイト電極を覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に前記第１のゲイト電極が露呈するような開孔を形成し、
前記第１のゲイト電極および前記層間絶縁膜をマスクとして、前記第１の半導体島領域中に第２の不純物を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体基板上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を形成し、
前記第１のゲイト電極及び前記第２のゲイト電極をマスクとして、前記半導体基板中に第１の不純物を注入し、
前記ゲイト絶縁膜と、前記第１のゲイト電極と、前記第２のゲイト電極と、を覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に前記第１のゲイト電極が露呈するような開孔を形成し、
前記第１のゲイト電極及び前記層間絶縁膜をマスクとして、前記半導体基板中に第２の不純物を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁基板上に第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を形成し、
前記第１のゲイト電極及び前記第２のゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜を介して前記第１のゲイト電極上に第１の半導体島領域を、前記第２のゲイト電極上に第２の半導体島領域を形成し、
前記ゲイト絶縁膜と、前記第１の半導体島領域と、前記第２の半導体島領域と、を覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に前記第１の半導体島領域の一部が露呈するような開孔を形成し、
前記層間絶縁膜をマスクとして、前記一部が露呈された第１の半導体島領域に第１の不純物を注入し、
前記層間絶縁膜に前記第２の半導体島領域の一部が露呈するような開孔を形成し、
前記層間絶縁膜をマスクとして、一部が露呈された前記第１の半導体島領域及び前記第２の半導体島領域中に第２の不純物を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁基板上に半導体島領域を形成し、
前記半導体島領域上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして、前記半導体島領域中に第１の濃度の不純物を注入し、
前記ゲイト絶縁膜及び前記ゲイト電極を覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に前記ゲイト電極の一部が露呈するような開孔を形成するとともに、前記ゲイト電極の側面にスペーサーを形成し、
前記ゲイト電極および前記スペーサーをマスクとして、前記半導体島領域中に前記第１の濃度よりも大きい第２の濃度の不純物を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
半導体基板上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして、前記半導体基板中に第１の濃度の不純物を注入し、
前記ゲイト絶縁膜及び前記ゲイト電極を覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に前記ゲイト電極の一部が露呈するような開孔を形成するとともに、前記ゲイト電極の側面にスペーサーを形成し、
前記ゲイト電極および前記スペーサーをマスクとして、前記半導体基板中に前記第１の濃度よりも大きい第２の濃度の不純物を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記層間絶縁膜は膜厚が０．３μｍ以上になるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記層間絶縁膜は窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜と酸化珪素膜との積層、有機樹脂膜、窒化珪素膜と有機樹脂膜との積層又は酸化珪素膜と有機樹脂膜との積層のいずれかでなるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記ゲイト電極はタンタル膜、アルミニウム膜又はアルミニウム膜にスカンジウム、チタン又はシリコンが添加された膜を用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
そして、再び層間絶縁膜をパターニングし、Ｎチャネル型トランジスタとなる半導体層の一部６１２、６１３を露呈する。その後、層間絶縁膜をマスクとして、露呈した半導体層６１２、６１３にリン（Ｐ）イオンを１×１０14〜９×１０14原子／ｃｍ2のドーズ量で注入し、ｎ型不純物領域６１２、６１３（ソース／ドレイン領域）６０９、６１０及びチャネル形成領域６１４を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
まず、絶縁基板８０１上に形成された下地膜８０２上に半導体島領域８０３、８０４を形成する。その後、ゲイト絶縁膜８０５を形成し、ゲイト電極８０６、８０７を形成する。（図８（Ａ））
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月1日(2004.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に非単結晶膜を形成し、
前記非単結晶膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上面に接して薄膜を形成し、
前記導電膜及び前記薄膜をパターニングして、前記薄膜を上面に有するゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクにして前記非単結晶膜に不純物ドーピングを行い、
前記ゲイト電極及び前記薄膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を異方性エッチングし、前記薄膜及び前記ゲイト電極の側面に接してサイドウォールを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に非単結晶膜を形成し、
前記非単結晶膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上面に接して薄膜を形成し、
前記導電膜及び前記薄膜をパターニングして、前記薄膜を上面に有するゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクにして前記非単結晶膜に第１次不純物ドーピングを行い、
前記ゲイト電極及び前記薄膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を異方性エッチングし、前記薄膜及び前記ゲイト電極の側面に接してサイドウォールを形成し、
第1次不純物ドーピングより高濃度の第２次不純物ドーピングを前記非単結晶膜に行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第２次不純物ドーピングを行うことによって、前記非単結晶膜には、チャネル領域、ソース領域、ドレイン領域、前記ソース領域と前記チャネル領域の間及び前記ドレイン領域と前記チャネル領域の間に低濃度不純物領域が形成され、前記低濃度不純物領域は前記ゲイト絶縁膜を挟んで前記サイドウォールの下に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に非単結晶膜を形成し、
前記非単結晶膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上面に接して薄膜を形成し、
前記導電膜及び前記薄膜をパターニングして、前記薄膜を上面に有するゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクにして前記非単結晶膜に不純物ドーピングを行い、
前記ゲイト電極及び前記薄膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜及び前記ゲイト絶縁膜を異方性エッチングし、前記薄膜及び前記ゲイト電極の側面に接してサイドウォールを形成するとともに、前記非単結晶膜のソース領域及びドレイン領域となる領域を露出し、
前記露出した領域上に接して金属膜を形成し、
前記金属膜と前記露出した領域を反応させてシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記導電膜は、モリブデン、タングステン、プラチナ、クロム、チタン、コバルト、アルミニウム、または、これらの内少なくとも１種類を主成分とする合金で形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記導電膜は、チタンまたはモリブデンを主成分とする膜とアルミニウム膜との積層で形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記薄膜は１０〜３０ｎｍの厚さを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、図１（Ｂ）の工程において、島状の半導体層を覆う絶縁膜１１７を形成する。この絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法によって、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）とモノシラン（ＳｉＨ4）との混合ガスを原料ガスにして、厚さ１２０ｎｍに形成した。その後、スパッタ法でアルミニウム膜を２００〜５００ｎｍの厚さに形成し、アルミニウム膜の表面に、ヒロックやウィスカーの発生を防ぐ薄膜１０３を１０〜３０ｎｍの厚さに形成する。この薄膜は、陽極酸化によって形成することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月2日(2004.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲイト電極は３価又は５価の不純物を含む結晶性珪素でなり、
前記第２のトランジスタのゲイト電極は、３価又は５価の不純物を含む結晶性珪素と、前記結晶性珪素上の少なくとも一部に該結晶性珪素より導電率が高い物質とが形成されてなり、
前記第１のトランジスタのゲイト電極の幅は前記第２のトランジスタのゲイト電極の幅より細いことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
基板上に第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはそれぞれ活性層と該活性層上にゲイト絶縁膜を介してゲイト電極とを有し、
前記第１のトランジスタのゲイト電極及び前記第２のトランジスタのゲイト電極それぞれの側面にサイドウォールを有し、
前記第１のトランジスタの活性層及び前記第２のトランジスタの活性層はそれぞれ前記サイドウォールの下側にＬＤＤ領域を有し、
前記第１のトランジスタのゲイト電極は３価又は５価の不純物を含む結晶性珪素でなり、
前記第２のトランジスタのゲイト電極は、３価又は５価の不純物を含む結晶性珪素と、前記結晶性珪素上の少なくとも一部に該結晶性珪素より導電率が高い物質とが形成されてなり、
前記第１のトランジスタのゲイト電極の幅は前記第２のトランジスタのゲイト電極の幅より細く、
前記ＬＤＤ領域のチャネル長方向の長さは、前記第１のトランジスタのＬＤＤ領域よりも前記第２のトランジスタのＬＤＤ領域の方が長いことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
基板上に第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはそれぞれ活性層と該活性層上にゲイト絶縁膜を介してゲイト電極とを有し、
前記第１のトランジスタのゲイト電極及び前記第２のトランジスタのゲイト電極それぞれの側面にサイドウォールを有し、
前記第１のトランジスタの活性層及び前記第２のトランジスタの活性層はそれぞれ前記サイドウォールの下側にＬＤＤ領域を有し、
前記第１のトランジスタのゲイト電極は３価又は５価の不純物を含む結晶性珪素でなり、
前記第２のトランジスタのゲイト電極は、３価又は５価の不純物を含む結晶性珪素と、前記結晶性珪素上の少なくとも一部にアルミニウム、タンタル、モリブデン、タングステン、チタン、又は銅を主成分としたものとが形成されてなり、
前記第１のトランジスタのゲイト電極の幅は前記第２のトランジスタのゲイト電極の幅より細く、
前記ＬＤＤ領域のチャネル長方向の長さは、前記第１のトランジスタのＬＤＤ領域よりも前記第２のトランジスタのＬＤＤ領域の方が長いことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、前記結晶性珪素より導電率が高い物質は金属又は金属を主成分とするものであることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第２のトランジスタのゲイト電極の結晶性珪素の厚さは前記第１のトランジスタのゲイト電極の厚さと同一であることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第２のトランジスタは前記アクティブマトリクス表示回路の画素スイッチング素子として用いられ、前記第１のトランジスタは前記アクティブマトリクス表示回路を駆動する周辺回路に用いられてなることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第２のトランジスタは前記アクティブマトリクス表示回路の画素スイッチング素子として用いられ、前記第１のトランジスタは前記アクティブマトリクス表示回路を駆動するシフトレジスタに用いられてなることを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
ＴＦＴ１５３の金属または該金属を主成分とする物質１１３としては、アルミニウム、タンタル、モリブデン、タングステン、チタン、銅等の金属が利用できる。さらに、これらの金属の少なくとも一種を主成分として、他種の金属、例えばシリコン、タングステン等を混合したものを用いてもよい。あるいは、チタン／アルミニウム／チタン等の異種金属の積層膜として、コンタクト特性の向上を図ってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
安全性を向上させ、少なくとも一種のリチウム含有導電性塩および少なくとも一種の電解質液を含むリチウム電池用電解質システムであって、一般式（Ｉ）
【化１】
1999097060.tif 000001
（式中、Ｒ1およびＲ2は互いに独立して同一または異なり、線状Ｃ1〜Ｃ6−アルキル、分枝状Ｃ3〜Ｃ6アルキル、Ｃ3〜Ｃ7シクロアルキルまたはＲ1およびＲ2が直接にもしくは一以上の追加の窒素および／または酸素原子を介して結合して３〜７員環を形成し、環中に存在する追加の窒素原子はＣ1〜Ｃ3−アルキルで飽和されており環の炭素原子も同様にＣ1〜Ｃ3−アルキルを有することがあり、Ｒ1およびＲ2基中の存在し得る一以上の水素原子がフッ素原子により置換されており、Ｒ3は１〜６個の炭素原子を有する部分的にフッ素化されたか過フッ素化された直鎖状アルキル基であるか、３〜６個の炭素原子を有する部分的にフッ素化されたか過フッ素化された分枝状アルキル基かまたは３〜７個の炭素原子を有する部分的にフッ素化されたシクロアルキル基であり、Ｃ1〜Ｃ6−アルキルで一置換または多置換されていてもいなくてもよい。）の少なくとも一種の部分的にフッ素化されたカルバメートの有効量を含む、当該電解質システム。
【請求項２】
式Ｉ中のＲ1およびＲ2は、線状の場合Ｃ1〜Ｃ4−アルキルを、分枝状の場合Ｃ3〜Ｃ4−アルキルを、シクロプロピル、シクロブチルを表し、存在し得る一以上の水素原子がフッ素原子により置換されている請求項１記載の電解質システム。
【請求項３】
式Ｉ中のＲ1およびＲ2基が結合して直接に、または追加の窒素原子もしくは酸素原子を介して５または６員環を形成する請求項１記載の電解質システム。
【請求項４】
Ｒ3が、１〜４個の炭素原子を有する部分フッ素化もしくは過フッ素化直鎖状アルキル基、または３もしくは４個の炭素原子を有する部分フッ素化もしくは過フッ素化分枝状アルキル基である請求項１〜３のいずれかに記載の電解質システム。
【請求項５】
Ｒ3基の組成が、ＣnＨ2n+1-mＦm（式中，ｎ＝１〜６およびｍ＝１〜１３）である請求項１〜４の一以上に記載の電解質システム。
【請求項６】
式Ｉのカルバメート含量が、総電解質システムを基準に、５〜１００、好ましくは２０〜７０容量％である請求項１〜５のいずれかに記載の電解質システム。
【請求項７】
一般式Ｉの少なくとも一種のカルバメート成分に加えて、カルボネート類、エステル類、ラクトン類および／またはニトリル類、好ましくは炭酸エチレン類および／または炭酸プロピレンの追加成分を含む請求項１〜６のいずれかに記載の電解質システム。
【請求項８】
ＳＯ2またはＣＯ2で飽和されている請求項１〜７のいずれかに記載の電解質システム。
【請求項９】
最初の水含有量が１０，０００ｐｐｍまで許容される請求項１〜８のいずれかに記載の電解質システム。
【請求項１０】
安全性の向上したリチウム二次電池であって、請求項１〜８のいずれかに記載の電解質システムを含む当該二次電池。
【請求項１１】
リチウム二次電池の安全性向上方法であって、使用する電解質が請求項１〜８のいずれかに記載のシステムである当該安全性向上方法。
【請求項１２】
リチウム電池の安全な電解質システムにおける、請求項１〜８のいずれかに記載の一般式Ｉの化合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極にアンチモン合金格子を使用した密閉形鉛蓄電池の多段定電流充電方法において、少なくとも初段において所定の一定電流で充電中の電圧が２．３〜２．４Ｖ／セル（標準温度３０℃）を検出後、所定時間充電を継続したのち次段に移行することを特徴とする正極にアンチモン合金格子を使用した密閉形鉛蓄電池の多段定電流充電方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、正極にアンチモン合金を使用した密閉形鉛蓄電池の多段定電流充電方法において、少なくとも初段において所定の一定電流で充電中の電圧が２．３〜２．４Ｖ／セル（標準温度）を検出後、所定時間充電を継続したのち次段に移行することを特徴とする。前記標準温度で定めた電圧値を電池温度または大気温度をもとに、その温度に見合った温度補正を行なうのが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
Ｓｂ合金格子を極板に用いた電池は寿命の進行に伴って水素過電圧が低下していく。３０℃中において、定格容量３０Ａｈの電池を５０％（１５Ａｈ）放電後、６Ａで充電したときの電池の端子電圧の変化の一例を示したのが図１である。図１において、１は新品時、２は寿命進行が中間期、３は寿命期もしくは寿命に極近い時の充電中の電圧変化である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】両面読取機能を有するファクシミリ装置及び両面読取制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）原稿を搬送するための搬送路と、
（ｂ）該搬送路の両側にそれぞれ配設され、前記原稿の両面上の各画像をそれぞれ読み取り、画データを発生させる第１読取センサ及び第２読取センサと、
（ｃ）前記第１読取センサによって読み取られた画像の画データ、及び前記第２読取センサによって読み取られた画像の画データを処理する画像処理部とを有することを特徴とする両面読取機能を有するファクシミリ装置。
【請求項２】
前記画像処理部は、第１読取センサによって読み取られた画像の画データを処理する第１の画像処理手段、及び第２読取センサによって読み取られた画像の画データを処理する第２の画像処理手段から成る請求項１に記載の両面読取機能を有するファクシミリ装置。
【請求項３】
前記画像処理部は、第１読取センサによって読み取られた画像の画データ、及び第２読取センサによって読み取られた画像の画データを処理する単一の画像処理手段から成る請求項１に記載の両面読取機能を有するファクシミリ装置。
【請求項４】
前記第１読取センサ及び前記第２読取センサは、原稿の搬送方向において、前後に離れた位置に配設される請求項１〜３のいずれか１項に記載の両面読取機能を有するファクシミリ装置。
【請求項５】
（ａ）原稿を搬送するための搬送路の両側にそれぞれ配設された第１読取センサ及び第２読取センサによって、前記原稿の両面上の各画像をそれぞれ読み取り、センサ出力を発生させ、
（ｂ）前記第１読取センサ及び前記第２読取センサの各センサ出力を交互に受けて、画像の画データを発生させ、
（ｃ）該画データを処理することを特徴とする両面読取制御方法。
【請求項６】
前記各センサ出力は、互いに１／２周期ずれたタイミングで受けられる請求項５に記載の両面読取制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、両面読取機能を有するファクシミリ装置及び両面読取制御方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、前記従来の両面読取機能を有するファクシミリ装置の問題点を解決して、構造を簡素化することができ、コストを低くすることができるとともに、ファクシミリ装置の信頼性を向上させることができる両面読取機能を有するファクシミリ装置及び両面読取制御方法を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置と画像処理装置とをインターフェイスを介して接続し、上記画像処理装置の読取部により読み取った画像データを上記情報処理装置に転送する機能を有する画像処理システムにおいて、
上記画像処理装置の読取部により読み取った画像データを情報処理端末に転送する場合に、所定の転送条件を判定する判定手段と；
上記判定手段の判定結果に応じて上記読取部における読み取り速度を制御する制御手段と；
を有することを特徴とする画像処理システム。
【請求項２】
請求項１において、
上記所定の転送条件は、上記情報処理装置と上記画像処理装置とを接続する複数のインターフェイスのうちで、いずれを用いてデータ転送するかという条件であることを特徴とする画像処理システム。
【請求項３】
請求項１において、
上記所定の転送条件は、上記データ転送の転送速度であることを特徴とする画像処理システム。
【請求項４】
請求項１において、
上記判定手段は、上記読取部により読み取った画像データが、多値データであるか２値データであるかを判定する手段であることを特徴とする画像処理システム。
【請求項５】
画像データを転送する画像処理装置において、
画像データを読み取る読取手段と；
転送速度が異なる複数の転送モードのうちのいずれかを設定する設定手段と；
上記設定手段が設定した転送モードに応じて、上記読取手段による画像データの読取速度を制御する制御手段と；
上記読取手段が読み取った画像データを、上記設定手段が設定した転送モードに応じた転送速度で転送する転送手段と；
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
請求項５において、
上記画像処理装置と情報処理装置とを接続するためのインターフェイス手段を有し、
上記転送手段は、上記インターフェイス手段を介して上記画像データを上記情報処理装置へ転送する手段であることを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】
請求項５において、
上記インターフェイス手段を複数有し、
上記転送手段は、上記設定手段が設定した転送モードに応じた上記インターフェイス手段を用いて上記画像データを転送する手段であることを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
画像データを情報処理装置へ転送する画像処理装置において、
画像データを読み取る読取手段と；
上記読取手段が読み取った画像データが、多値データであるか２値データであるかを判定する判定手段と；
上記判定手段の判定結果に基づいて、上記情報処理装置と上記画像処理装置とを接続する複数のインターフェイス手段のうちで、いずれのインターフェイス手段を用いてデータ転送するかを選択する選択手段と；
上記選択手段が選択したインターフェイス手段を介して、上記画像データを転送する転送手段と；
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
請求項８において、
上記転送手段は、上記選択手段が選択したインターフェイス手段に応じて、データ転送速度を異ならせる手段であることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
画像処理装置の読取部が読み取った画像データを情報処理装置へ転送する画像処理方法において、
上記読取部が読み取った画像データを、上記情報処理装置に転送する場合に、所定の転送条件を判定する判定工程と；
上記判定工程の判定結果に応じた読取速度によって、上記読取部に画像データを読み取らせる読取工程と；
上記読取工程で読み取った画像データを、上記情報処理装置へ転送する転送工程と；
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
画像データを転送する画像処理装置における画像処理方法において、
転送速度が異なる複数の転送モードのうちで、いずれかの転送モードを設定する設定工程と；
上記設定工程で設定された転送モードに応じた読取速度によって、上記画像処理装置の読取部に画像データを読み取らせる読取工程と；
上記読取工程で読み取った画像データを、上記設定工程で設定された転送モードで転送する転送工程と；
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
情報処理装置へ画像を転送する画像処理装置における画像処理方法において、
画像データを読み取る読取工程と；
上記読取工程で読み取った画像データが、多値データであるか２値データであるかを判定する判定工程と；
上記判定工程での判定結果に基づいて、上記情報処理装置と上記画像処理装置とを接続する複数のインターフェイス手段のうちで、いずれのインターフェイス手段を用いてデータ転送するかを選択する選択工程と；
上記選択工程で選択されたインターフェイス手段を介して、上記画像データを転送する転送工程と；
を有することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、情報処理装置と画像処理装置とをインターフェイスを介して接続し、上記画像処理装置の読取部により読み取った画像データを上記情報処理装置に転送する機能を有する画像処理システムにおいて、上記画像処理装置の読取部により読み取った画像データを情報処理端末に転送する場合に、所定の転送条件を判定する判定手段と、上記判定手段の判定結果に応じて上記読取部における読み取り速度を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、画像データを転送する画像処理装置において、画像データを読み取る読取手段と、転送速度が異なる複数の転送モードのいずれかを設定する設定手段と、上記設定手段が設定した転送モードに応じて、上記読取手段による画像データの読取速度を制御する制御手段と、上記読取手段が読み取った画像データを、上記設定手段が設定した転送モードに応じた転送速度で転送する転送手段とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、画像処理装置から情報処理装置への画像データの転送条件に応じて、画像データの読取速度を制御するので、転送条件に応じた適切な読取速度によって、画像データを読み取ることができるという効果を奏する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、本発明によれば、画像データの転送速度が異なる複数の転送モードのうち、いずれの転送モードで画像データを転送するかに応じて画像データの読取速度を制御するので、転送速度に見合った読取速度で画像データを読み取ることができるという効果を奏する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
さらに、本発明によれば、画像データが多値データであるか２値データであるかに応じて画像データを転送するインターフェイス手段を選択するので、画像データの種類（多値であるか２値であるか）に応じた適切なインターフェイス手段によって画像データを転送することができるという効果を奏する。