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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報表示システムおよび情報処理方法，記憶媒体，情報表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像信号を発生する映像信号発生部と、上記映像信号発生部からの映像信号を受けて、この映像信号が表す映像を表示するモニタ部と、上記モニタ部が有する表示部に対向して配置され、入力された座標を表す位置情報を生成して出力する座標入力部を有するタブレットとを備えた情報表示システムにおいて、
上記モニタ部は、
上記映像信号発生部から入力された映像信号を上記表示部に表示する表示領域を設定すると共に、この表示領域の設定を表す表示領域情報を生成する表示領域設定手段を有し、
上記座標入力部から入力されて上記座標入力部における上記入力の座標を表す位置情報を、上記表示領域設定手段が生成した上記表示領域情報に基いて、上記表示領域における上記入力の座標を表す補正位置情報に補正して出力する情報補正手段を備えたことを特徴とする情報表示システム。
【請求項２】
請求項１に記載の情報表示システムにおいて、
上記表示領域設定手段は、上記表示領域のサイズ、または、上記表示部における上記表示領域の表示開始位置の少なくとも一方を設定する表示領域情報を生成することを特徴とする情報表示システム。
【請求項３】
請求項１に記載の情報表示システムにおいて、
上記表示領域設定手段は、上記表示領域を上記表示部の中央に設定する表示領域情報を生成することを特徴とする情報表示システム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載の情報表示システムにおいて、
上記表示領域設定手段が生成した表示領域情報を記憶する記憶手段を備えたことを特徴とする情報表示システム。
【請求項５】
映像信号を発生する映像信号発生部と、上記映像信号発生部からの映像信号を受けて、この映像信号が表す映像を表示するモニタ部と、上記モニタ部が有する表示部に対向して配置され、入力された座標を表す位置情報を生成して出力する座標入力部を有するタブレットとを備えた情報表示システムにおける情報処理方法であって、
上記映像信号発生部から上記モニタ部に入力された映像信号を上記表示部に表示する表示領域を設定すると共に、この表示領域の設定を表す表示領域情報を生成し、
上記座標入力部から入力され、上記座標入力部における上記入力の座標を表す位置情報を、上記表示領域情報に基いて、上記表示領域における上記入力の座標を表す補正位置情報に補正することを特徴とする情報処理方法。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載の情報表示システムの情報補正手段を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体。
【請求項７】
表示信号を出力する表示部と、
上記表示部に対向して配置されると共に入力された座標を表す位置情報を生成して出力する座標入力部と、
上記表示部における表示領域の位置を変更する表示位置変更部と、
上記表示位置変更部で位置が変更された表示領域の表示領域情報を記憶する記憶部と、
上記座標入力部から入力される上記位置情報を、上記記憶部に記憶された表示領域情報に基づいて補正する位置情報補正部を備えたことを特徴とする情報表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この実施形態の記憶媒体では、この記憶媒体が記憶したプログラムを、所定のコンピュータで読み出して実行することにより、上記情報表示システムの情報補正手段を実現できる。
また、一実施形態の情報表示装置は、表示信号を出力する表示部と、
上記表示部に対向して配置されると共に入力された座標を表す位置情報を生成して出力する座標入力部と、
上記表示部における表示領域の位置を変更する表示位置変更部と、
上記表示位置変更部で位置が変更された表示領域の表示領域情報を記憶する記憶部と、
上記座標入力部から入力される上記位置情報を、上記記憶部に記憶された表示領域情報に基づいて補正する位置情報補正部を備えた。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月24日(2004.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された複数のストライプ状の蛍光体に電磁波または粒子線を照射し、上記ストライプ状の蛍光体から発光する光を撮像し、上記撮像された画像の信号レベルを検出し、上記信号レベルの所定値以上の信号レベルに相当する部分の平均値を算出し、上記算出した平均値に基づいて上記ストライプ状の蛍光体の塗布むらを検出することを特徴とする蛍光体検査方法。
【請求項２】
請求項１記載の蛍光体検査方法において、上記撮像された画像の信号レベルから最大信号レベル、最小信号レベル、平均値及び偏差を算出し、上記算出結果に基づいて蛍光体ストライプの塗布むらを検出することを特徴とする蛍光体検査方法。
【請求項３】
基板に形成された複数のストライプ状の蛍光体に電磁波または粒子線を照射する電磁波または粒子線照射部と、上記ストライプ状の蛍光体から発光する光を撮像する撮像部と、上記撮像された画像信号を処理する画像処理部とからなる蛍光体検査装置において、上記撮像部は、上記ストライプの方向に移動するラインセンサからなり、上記画像処理部は、上記撮像された画像の信号レベルを検出し、上記信号レベルの所定値以上の信号レベルに相当する部分の平均値を算出し、上記算出した平均値に基づいて上記ストライプ状の蛍光体の塗布むらを検出する機能を有することを特徴とする蛍光体検査装置。
【請求項４】
請求項３記載の蛍光体検査装置において、上記画像処理部は、レベル検出部と塗布むら検出部を有し、上記レベル検出部は、上記撮像された画像の信号レベルから最大信号レベル、最小信号レベル、平均値及び偏差を算出し、上記塗布むら検出部は、上記算出結果に基づいて蛍光体ストライプの塗布むらを検出することを特徴とする蛍光体検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
７１は、移動機構部７の一部であり、撮像部６及び紫外線照明用光源４を支持するための支持部材である。撮像部６は、一枚のガラス基板の検査の為に、図のようにラインセンサカメラ４台が一列に配置され、巾１０３０ｍｍのガラス基板をカバーするように構成されている。１台のラインセンサカメラの撮影巾は、約２６０ｍｍで、ラインセンサカメラ間の視野範囲は、一部重なるように構成してある。紫外線照明用光源４からの紫外線７２は、ガラス基板２で反射し、赤色（Ｒ）の蛍光体ストライプ３の像を光学系５を介して撮像部６で撮影する。この支持部材７１は、赤色（Ｒ）の蛍光体ストライプ３の長手方向に等速で、例えば、ガラス基板２のＹ軸上を右端から左端へと移動し、ガラス基板全面の走査を行う。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この動作について説明する。プラズマディスプレイ等のガラス基板２に紫外線照明光源４により紫外線７２を照射し、塗布または印刷されたストライプ蛍光体３を発光させる。その発光画像を撮像部６により撮像する。この時、検出すべき蛍光体の種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）により撮像部６には、それぞれの色の蛍光体に対応したカラーフィルタを装着することは、前述の通りである。撮像部６により撮像した画像は、画像処理部８に送出される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2003288843.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
リチウムをドープかつ脱ドープ可能な化合物を含む正極と、リチウムをドープかつ脱ドープ可能な炭素質材料を含む負極と、非水電解質とを備えた非水系二次電池において、電池内に架橋体１ｇ当たり０．８ｇ以上の結合水を有する水溶性高分子の架橋体を備えていることを特徴とする非水系二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、リチウムをドープかつ脱ドープ可能な化合物を含む正極と、リチウムをドープかつ脱ドープ可能な炭素質材料を含む負極と、非水電解質とを備えた非水系二次電池において、電池内に架橋体１ｇ当たり０．８ｇ以上の結合水を有する水溶性高分子の架橋体を備えていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる非水系二次電池は、リチウムをドープかつ脱ドープ可能な化合物を含む正極と、リチウムをドープかつ脱ドープ可能な炭素質材料を含む負極と、非水電解質とを備え、電池内に架橋体１ｇ当たり０．８ｇ以上の結合水を有する水溶性高分子の架橋体を備えていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、リチウムをドープかつ脱ドープ可能な化合物を含む正極と、リチウムをドープかつ脱ドープ可能な炭素質材料を含む負極と、非水電解質とを備えた非水系二次電池において、電池内に架橋体１ｇ当たり０．８ｇ以上の結合水を有する水溶性高分子の架橋体を備えることにより、水溶性高分子の架橋体には浸透圧によって水分が吸収されるようになり、この吸収された水は水溶性高分子と強固に結合された状態となるため、水分と電解質等の他の電池構成材料との反応が抑制され、その結果、寿命性能の優れた非水系二次電池を得ることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ケ−ス部材に固定された一対のリ−ド部材と、このリード部材間に架設したフラックスを被着した低融点可溶合金と、前記絶縁ケ−ス部材の開口をカバーする絶縁キャップ部材とにより構成され、前記絶縁キャップ部材および前記絶縁ケース部材が熱可塑性樹脂の成形体からなりカバ−合体面に係留シ−ル手段を形成して気密パッケージ化したことを特徴とするチップタイプ温度ヒューズ。
【請求項２】
前記一対のリ−ド部材は電極部と導出部を有し、ニッケル、りん青銅、鉄の平板状導体からなり、前記電極部をめっき処理して前記低融点可溶合金の溶着を容易にしたことを特徴とする請求項１に記載のチップタイプ温度ヒュ−ズ。
【請求項３】
請求項１および２に記載のチップタイプ温度ヒューズをプリント基板へ実装する構造であって、前記一対のリ−ド部材の導出部と前記プリント基板の配線パターンとを超音波接合、摩擦圧接、熱圧着、抵抗溶接のいずれかの方法で、かつ印刷金属、アモルファス銅、インジウム、はんだチップなどの低融点化物質を介在させ電気機械的に結合したチップタイプ温度ヒューズの実装構造。
【請求項４】
前記プリント基板は前記チップタイプ温度ヒュ−ズの収納手段を配置位置に形成し、前記一対のリ−ド部材の導出部をほぼフラット状態で前記配線パタ−ン間に結合したことを特徴とする請求項３に記載のチップタイプ温度ヒュ−ズの実装構造。
【請求項５】
前記収納手段が前記チップタイプ温度ヒュ−ズの絶縁ケース部材を収容する切り欠きであり、前記プリント基板の両面から温度検知できるようしたことを特徴とする請求項４に記載のチップタイプ温度ヒューズの実装構造。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
耐火性で透光性の気密容器と；
気密容器の内部に５ｍｍ以下の電極間距離で対向して封装された一対の電極と；
主としてＳｃハロゲン化物およびＮａハロゲン化物からなる第１のハロゲン化物、主としてランプ電圧形成に寄与する第２のハロゲン化物、ならびに温度２５℃で５気圧以上のキセノンを含んで気密容器内に封入されていて、いずれも質量で表したときのＳｃハロゲン化物の封入量をａとし、Ｎａハロゲン化物の封入量をｂとしたとき、ａ／（ａ＋ｂ）が下式を満足するとともに、水銀を本質的に含まない放電媒体と；
を具備し、安定時にランプ電力が６０Ｗ以下で点灯することを特徴とするメタルハライドランプ。
０．２７＜ａ／（ａ＋ｂ）＜０．３７
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を達成するための手段】請求項１の発明のメタルハライドランプは、耐火性で透光性の気密容器と；気密容器の内部に５ｍｍ以下の電極間距離で対向して封装された一対の電極と；主としてＳｃハロゲン化物およびＮａハロゲン化物からなる第１のハロゲン化物、主としてランプ電圧形成に寄与する第２のハロゲン化物、ならびに温度２５℃で５気圧以上のキセノンを含んで気密容器内に封入されていて、いずれも質量で表したときのＳｃハロゲン化物の封入量をａとし、Ｎａハロゲン化物の封入量をｂとしたとき、ａ／（ａ＋ｂ）が下式を満足するとともに、水銀を本質的に含まない放電媒体と；を具備し、安定時にランプ電力が６０Ｗ以下で点灯することを特徴としている。
０．２７＜ａ／（ａ＋ｂ）＜０．３７
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
０．２７＜ａ／（ａ＋ｂ）＜０．３７
上式の下限は、これ未満になると、ランプ電圧が低くなりすぎて、所要のランプ電力を投入するためには、ランプ電流を大きくしなければならなくなることから、点灯回路に実用上の問題を惹起するとともに、発光効率が低下して全光束が小さくなりすぎることから、定めている。これに対して、上式の上限は、これを超えると、ランプ電圧の上昇が得られるものの、発光効率が再び低下しだすとともに、色度差が自動車前照灯用のメタルハライドランプの規格に対して大きくなりすぎることから、定めている。そうして、上式を満足すれば、所期の目的を達成してなおかつ一層優れた効果を奏することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、要すれば、上記に加えて他の発光金属たとえばインジウムＩｎなどのハロゲン化物を若干量封入することが許容されるが、Ｓｃハロゲン化物およびＮａハロゲン化物の合計に対して質量比で１／５以下のように小さな添加割合にすべきである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
０．２７＜ａ／（ａ＋ｂ）＜０．３７
請求項２の発明によれば、加えて放電媒体は、気密容器のｍｍ３で表した単位内容積に対する第１のハロゲン化物および第２のハロゲン化物の合計が０．００５ｍｇ／ｍｍ３以上であることにより、光束立ち上がりを早くしたメタルハライドランプを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月28日(2004.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク媒体を収納したカートリッジを装着し、該ディスク媒体に対して情報の記録あるいは再生を行うディスク装置において、
前記カートリッジに収容された前記ディスク媒体を回転させるターンテーブルと、
前記ディスク媒体を前記ターンテーブル側に押圧して前記ディスク媒体に前記ターンテーブルからのトルクを伝達させるクランパと、
前記カートリッジを挿入し、回動して閉じた時、前記カートリッジ中の前記ディスク媒体を前記ターンテーブルで回転可能な高さに位置付けるカートリッジホルダとを備え、
前記ディスク媒体を前記ターンテーブル側に押圧する前記クランパは、前記カートリッジを挿入及び排出するために設けられた外蓋と一体的に開閉する部材に係合されていることを特徴とするディスク装置。
【請求項２】
ディスク媒体を収納したカートリッジを装着し、該ディスク媒体に対して情報の記録あるいは再生を行うディスク装置において、
前記カートリッジを挿入及び排出するために設けられた外蓋と、
前記カートリッジに収容された前記ディスク媒体を回転させるターンテーブルと、
前記外蓋の開閉に連動して移動し、前記ディスク媒体を前記ターンテーブル側に押圧して前記ディスク媒体に前記ターンテーブルからのトルクを伝達させるクランパと、
前記カートリッジを挿入し、回動して閉じた時、前記カートリッジ中の前記ディスク媒体を前記ターンテーブルで回転可能な高さに位置付けるカートリッジホルダとを備え、
該カートリッジホルダには、前記クランパの移動を規制するガイド部を有し、該ガイド部は前記カートリッジホルダ上に一体的に形成されていることを特徴とするディスク装置。
【請求項３】
前記ディスク媒体を前記ターンテーブル側に押圧する前記クランパは、前記カートリッジを挿入及び排出するために設けられた外蓋と一体的に開閉する部材に係合されていることを特徴とする請求項２に記載のディスク装置。
【請求項４】
前記カートリッジホルダ上に形成された前記ガイド部は、前記クランパが前記ターンテーブル側に移動する際、前記クランパとの隙間が漸次小さくなるように形成されたことを特徴とする請求項２に記載のディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果素子の媒体対向面側に、磁気記録媒体から磁界を読取り前記磁気抵抗効果素子に該磁界を伝達する磁気伝達膜を備えた磁気ヘッドであって、
前記磁気伝達膜は、前記磁気記録媒体側となる磁化情報読取り面と、前記磁気抵抗効果素子側となる磁化情報伝達面とを有し、
前記磁化情報読取り面が、磁化情報伝達面と比較して、磁気記録媒体のトラック幅方向では薄く、該トラック幅方向と垂直な方向では厚く形成されてなり、
前記磁化情報読取り面の面積が、磁化情報伝達面の面積以上であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子、トンネル型磁気抵抗効果素子及び異方性磁気抵抗効果素子から選択されたいずれか１つである、ことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は請求項１に記載の如く、磁気抵抗効果素子の媒体対向面側に、磁気記録媒体から磁界を読取り前記磁気抵抗効果素子に該磁界を伝達する磁気伝達膜を備えた磁気ヘッドであって、
前記磁気伝達膜は、前記磁気記録媒体側となる磁化情報読取り面と、前記磁気抵抗効果素子側となる磁化情報伝達面とを有し、
前記磁化情報読取り面が、磁化情報伝達面と比較して、磁気記録媒体のトラック幅方向では薄く、該トラック幅方向と垂直な方向では厚く形成されてなり、
前記磁化情報読取り面の面積が、磁化情報伝達面の面積以上である磁気ヘッドにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項２に記載の如く、請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子、トンネル型磁気抵抗効果素子及び異方性磁気抵抗効果素子から選択されたいずれか１つとすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１または２に記載の発明によれば、磁気伝達膜が磁気記録媒体から磁界を磁気抵抗効果素子側に十分に伝達できる形状となるので高感度な再生用の磁気ヘッドを構成できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そして、請求項３に記載の如く、請求項１または２に記載の磁気ヘッドを搭載した磁気記憶装置は、高感度な再生用の磁気ヘッドを少なくとも備えているので、磁気記録媒体に記録された磁気情報を高精度に再生できる磁気記憶装置として提供できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述したところから明らかなように、請求項１または２に記載の発明によれば、磁気抵抗効果素子側に磁気記録媒体からの磁界に基づいた磁化を十分に伝達できる磁気伝達膜を備えているので、磁気記録媒体の磁化情報を高感度に再生できる磁気ヘッドを提供できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、請求項３に記載の発明によれば、上記のように優れた磁気ヘッドを搭載しているので、磁気記録媒体に記録された磁気情報を高精度に再生できる磁気記憶装置として提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶デバイスであって、
複数のワード線と、
複数のビット線と、
メモリセルからなる抵抗性交点アレイであって、各メモリセルが１つのビット線に接続され、かつ分離ダイオードに接続され、前記分離ダイオードがさらに個々のワード線に接続され、また前記分離ダイオードが前記ビット線から前記ワード線への単方向性の導電経路を提供する、抵抗性交点アレイと、及び
前記ワード線に結合され、センス動作中に選択されないワード線にバイアスをかけ、漏れ電流を、前記センス動作中に選択されたワード線に加えられるセンス電流信号から離れるように迂回させる漏れ電流迂回源とを含む、データ記憶デバイス。
【請求項２】
それぞれ個々のビット線によって１つまたは複数のメモリセルのグループに結合され、関連したグループのメモリセルを流れる電流をセンシングするように動作することができる多数の読出し回路をさらに含む、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項３】
各読出し回路が、差動電流センス増幅器を含む、請求項２に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項４】
前記差動電流センス増幅器が、１つまたは複数の基準セルを流れる電流と、選択されたメモリセルを流れる電流とを比較するように動作することができる、請求項３に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項５】
関連する読出し回路にそれぞれ結合され、アナログ差動センス信号をデジタル読出し出力信号に変換するように動作することができる多数の比較器回路をさらに含む、請求項３に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項６】
前記漏れ電流迂回源が、前記ワード線に結合され、前記抵抗性交点メモリセルアレイ内の電圧レベルを設定し、寄生電流が前記選択されたメモリセルに流れるのを実質的に防ぐように動作することができる等電位発生器を含む、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項７】
選択されたワード線のグループ内の選択されないワード線が、互いに接続され、印加されるアレイ電圧に概ね等しい平均電圧が設定される、請求項６のデータ記憶デバイス。
【請求項８】
前記等電位発生器が、１つまたは複数の選択されないワード線からのフィードバックに基づいて、選択されたビット線の等電位分離を確立するように動作することができる、請求項７に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項９】
各分離ダイオードの入力ノードが、個々のボルテージフォロワトランジスタに結合され、前記等電位発生器が、前記ボルテージフォロワトランジスタのゲートに結合される、請求項７に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１０】
演算増幅器回路を有するカレントミラーをさらに含み、その演算増幅器回路が、基準電圧に結合された第１の入力、選択されたビット線に結合された第２の入力、および前記カレントミラーのトランジスタのゲートに結合された出力を有する、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１１】
前記カレントミラーのトランジスタが、センス信号を前記差動電流センス増幅器に伝達する、請求項１０に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１２】
前記演算増幅器回路の第２の入力が、スイッチング回路を介して選択されたビット線に結合される、請求項１０に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１３】
各メモリセルが、磁気ランダムアクセスメモリエレメントからなる、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１４】
データ記憶デバイスを形成する方法であって、
複数のワード線を形成するステップと、
複数のビット線を形成するステップと、
メモリセルからなる抵抗性交点アレイを形成するステップであって、各メモリセルが個々のビット線と個々のワード線とに接続される、ステップと、
前記ビット線から前記メモリセルを介して前記ワード線までの単方向性の導電経路を形成するステップと、
前記複数のワード線のうちの選択されたワード線にセンス信号を加えるステップと、及び
前記複数のワード線のうちの選択されないワード線に漏れ電流迂回信号を加えるステップとからなる、データ記憶デバイスを形成する方法。
【請求項１５】
それぞれ個々のビット線によって１つまたは複数のメモリセルに結合され、それに結合された任意のメモリセルを流れる電流をセンシングするように動作することができる多数の読出し回路を形成するステップをさらに含む、請求項１４に記載のデータ記憶デバイスを形成する方法。
【請求項１６】
各読出し回路が、差動電流センス増幅器を含む、請求項１５に記載のデータ記憶デバイスを形成する方法。
【請求項１７】
前記差動電流センス増幅器が、選択された基準セルを流れる電流と、選択されたメモリセルを流れる電流とを比較するように動作することができる、請求項１６に記載のデータ記憶デバイスを形成する方法。
【請求項１８】
前記漏れ電流迂回信号を加えるステップが、前記ワード線および前記ビット線に結合され、前記抵抗性交点メモリセルアレイ内の電圧レベルを設定し、寄生電流がセンス電流信号と干渉するのを実質的に防ぐように動作することができる等電位発生器を形成するステップを含む、請求項１４に記載のデータ記憶デバイスを形成する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ここで図７ｂを参照すると、センス増幅器２４の１つの入力は選択されたビット線１６に接続され、センス増幅器の他の入力には電圧Ｖａが印加され、それゆえ、選択されたビット線は電位Ｖａにバイアスされる。選択されたワード線１４にはグランド電位が印加され、全ての他の選択されないワード線は、Ｖａに概ね等しい電圧源Ｖｇに接続される。選択されたメモリセル１２ａおよび１２ｂには、これらのビットセル（メモリセル）を流れる電流Ｉｓが発生し、これらの電流Ｉｓは増幅器２４によってセンシングされ、選択されたビット線の抵抗状態が判定される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素系原燃料ガスを水蒸気改質して得られた燃料ガスと酸化剤ガスとしての空気との電気化学反応に基づいて電気を発生する燃料電池と、燃料改質系機器と、燃料電池の冷却水系機器と、燃料電池の排空気および燃料改質器の燃焼排ガス中の水を回収する回収水系機器とを有する燃料電池発電装置において、
前記回収水系機器は、回収水タンクと、この回収水タンク内上部に設けた散水装置と、回収水冷却器と、回収水タンク内の液面を検出する液面計と、この液面計の液位計測結果に基づき精製水を補給する精製水補給容器とを備えたことを特徴とする燃料電池発電装置。
【請求項２】
請求項１に記載の燃料電池発電装置において、前記回収水タンクは、回収水タンク内上部における散水装置と排空気導入口および燃焼排ガス導入口との間に、冷却水直接接触式凝縮器としてのラシヒリング等の充填層を備えたことを特徴とする燃料電池発電装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の燃料電池発電装置において、前記回収水タンクは、過剰な回収水を排出するためのオーバーフロー管を備えたことを特徴とする燃料電池発電装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の燃料電池発電装置の運転方法であって、前記液面計の液位計測結果が所定レベル（Ｌ）より高位を示す定常運転時には、精製水を補給することなく回収水による水自立運転を行ない、前記液位計測結果が所定レベル（Ｌ）に到達した際には、精製水補給容器から精製水を所定レベル（Ｈ）まで補給して運転を継続することを特徴とする燃料電池発電装置の運転方法。
【請求項５】
請求項４に記載の運転方法において、何らかの原因で前記水自立運転が不可能となって、前記液面計の液位計測結果が所定の最下限レベル（ＬＬ）に到達した際には、精製水の補給を停止し、かつ燃料電池発電装置の運転を停止することを特徴とする燃料電池発電装置の運転方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１，２において，バッテリ式電源装置１はほぼ直方体状をなすボックス２と，そのボックス２内に設置されたバッテリ集合体３とを備えている。ボックス２は鋼板製基台４と合成樹脂製（または金属製）カバー５とよりなる。基台４は，ほぼ直方体形ブロック状にまとめられたバッテリ集合体３を載せる支持板６と，その支持板６の一側縁から立上がると共にバッテリ集合体３の一側面側と対向する遮蔽板７とよりなる。支持板６は，間隔をとって配置された２つの凸条８を有し，各凸条８は遮蔽板７に対して直角をなすと共にその頂面９を平坦に形成されている。各凸条８の高さは，遮蔽板７側が最も低く，その遮蔽板７から離れるに従って漸増するようになっている。基台４は各凸条８の頂面９が水平になるように設置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第３整流板３４は第３バッテリモジュール群２１3 の各棒状バッテリモジュール２２外周面に対向する複数，実施例では各棒状バッテリモジュール２２の軸線方向に延び，且つ途中で分断された７つのスリット４３を有する。ただし，入口１４に最も近い１つのスリット４３に対応する棒状バッテリモジュール２２は無い。また棒状バッテリモジュール２２の外径ｄとその外径ｄに対応するスリット４３の幅ｗ3 とがｄ＞ｗ3 の関係にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図２，３に示すように，２つの鋼製フレーム部材４４の一端に存する取付部４５が，２つの凸条８の，遮蔽板７と反対側の端部頂面９において，それら凸条８にボルト４６ａおよびナット４６ｂによりそれぞれ固着される。図８にも示すように，各取付部４５から立上がる鉛直部４７はチャンネル形をなし，そのチャンネル４８に各グロメット２７の側部が嵌められている。図９にも示すように，各鉛直部４７から折曲がる水平部４９もチャンネル形をなし，そのチャンネル５０は第１整流板３６のチャンネル材４０に被せられており，水平部４９とチャンネル材４０との間には複数の板ばね５１が配置される。それら板ばね５１の弾発力で，第１〜第３整流板３６〜３４および３つのグロメット２７が支持板６に押圧される。各水平部４９の端部に連設された取付部５２は遮蔽板７に連なる上縁板１３上に載置されて，それにボルト５４およびナット５５によって固着される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１０に矢印で示すように，冷却風ａが第１整流板３６の各スリット３８から，第１，第２バッテリモジュール群２１1 ，２１2 の相隣る両棒状バッテリモジュール２２間を流通すると，短冊状部３７およびそれと対向する棒状バッテリモジュール２２外周面のほぼ４分の１の部分間に冷却能の低い冷却風の淀みｓが形成され，また第１バッテリモジュール群２１1 の棒状バッテリモジュール２２外周面下側のほぼ４分の１の部分およびその下方においてそれと隣接する棒状バッテリモジュール２２外周面上側のほぼ４分の１の部分間に冷却能の低い冷却風の淀みｓが形成される。これにより，第１バッテリモジュール群２１1 においては，それを構成する６つの棒状バッテリモジュール２２が，それらの両側を流れる冷却風ａに，それらの外周面のぼぼ４分の２を曝すことによって冷却される。第１バッテリモジュール群２１1 において，対応する短冊状部３７の無い棒状バッテリモジュール２２は，入口１４より最も遠い位置に在って冷却風量が少ないことから，その下側に形成される冷却風の淀みｓに臨む部分を除き，その外周面のほぼ４分の３が冷却風ａに曝される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003288952.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003288952.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2003288952.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2003288952.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2003288952.tif 000005
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2003288952.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月24日(2005.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
起動時に必要となるプログラムまたはデータが不揮発性記憶装置に格納された情報処理装置であって、
揮発性記憶装置と、
起動時に前記不揮発性記憶装置の内容を読出して前記揮発性記憶装置に転送し、該揮発性記憶装置の内容に応じて動作する制御手段とを含み、
前記制御手段は、前記不揮発性記憶装置の内容を読出して前記揮発性記憶装置に書込むとともに、前記読出した不揮発性記憶装置の内容に応じて前記不揮発性記憶装置の診断を行なう、情報処理装置。
【請求項２】
前記不揮発性記憶装置は、前記不揮発性記憶装置の内容の一部を前記揮発性記憶装置に転送し、前記不揮発性記憶装置の内容の一部を診断するプログラムを格納する領域を含み、
前記制御手段は、前記不揮発性記憶装置から前記揮発性記憶装置へ前記プログラムを転送して実行する、請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記不揮発性記憶装置は複数の記憶領域に分割され、
前記制御手段は、前記プログラムを実行して前記不揮発性記憶装置の複数の記憶領域の中から任意の領域の内容を前記揮発性記憶装置に転送するとともに、前記不揮発性記憶装置の前記任意の領域の内容の診断を行なう、請求項２記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記不揮発性記憶装置はさらに、前記不揮発性記憶装置から転送された前記揮発性記憶装置の内容を読出し、該揮発性記憶装置に正しく書込まれたか否かを診断するプログラムを記憶する領域を含み、
前記制御手段は、前記プログラムを前記揮発性記憶装置に転送して実行し、揮発性記憶装置の内容を診断する、請求項２または３記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記不揮発性記憶装置は、前記不揮発性記憶装置の第１の領域の内容を診断した後、前記不揮発性記憶装置の第２の領域の内容を前記揮発性記憶装置に転送しながら当該第２の領域を診断する第１のプログラムを格納する領域と、
前記不揮発性記憶装置の第３の領域の内容を前記揮発性記憶装置に転送しながら当該第３の領域を診断する第２のプログラムを格納する領域とを含み、
前記制御手段は、前記不揮発性記憶装置に格納される前記第１のプログラムを実行して、前記不揮発性記憶装置の前記第１のプログラムが格納される領域を診断した後、前記不揮発性記憶装置から前記揮発性記憶装置へ前記第２のプログラムを転送し、
前記揮発性記憶装置に転送された第２のプログラムを実行して、前記不揮発性記憶装置の前記第１のプログラムおよび第２のプログラムが格納される領域以外の領域の内容を前記揮発性記憶装置に転送しながら当該領域の内容を診断する、請求項１記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記情報処理装置はさらに、該情報処理装置の回路の一部を構成するプログラマブルロジックデバイスを含み、
前記揮発性記憶装置は、前記プログラマブルロジックデバイス内のメモリ素子を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の情報処理装置は、起動時に必要となるプログラムまたはデータが不揮発性記憶装置に格納された情報処理装置であって、揮発性記憶装置と、起動時に不揮発性記憶装置の内容を読出して揮発性記憶装置に転送し、揮発性記憶装置の内容に応じて動作する制御手段とを含み、制御手段は、不揮発性記憶装置の内容を読出して揮発性記憶装置に書込むとともに、読出した不揮発性記憶装置の内容に応じて不揮発性記憶装置の診断を行なう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
制御手段は、不揮発性記憶装置の内容を読出して、転送と不揮発性記憶装置の診断とを行なうので、アクセス速度が遅い不揮発性記憶装置からの読出しの回数を減らすことができ、起動に要する時間を短縮することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【発明の効果】
請求項１に記載の情報処理装置によれば、制御手段が不揮発性記憶装置の内容を読出して、転送と不揮発性記憶装置の診断とを行なうので、アクセス速度が遅い不揮発性記憶装置からの読出しの回数を減らすことができ、起動に要する時間を短縮することが可能となった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信回線を通じて接続される複数の記憶装置間において、データパスの障害を検出すべく重負荷のデータ転送の処理を実行し、該データ転送の処理の結果に応じて障害を検出することを特徴とする記憶装置間の障害検出方法。
【請求項２】
前記データ転送の処理では、ある前記記憶装置から他の前記記憶装置に対し、データの読み出し処理及び書き込み処理の双方を合わせて行うことを特徴とする請求項１記載の記憶装置間の障害検出方法。
【請求項３】
前記データ転送の処理では、ランダムに発生させたデータを転送することを特徴とする請求項１記載の記憶装置間の障害検出方法。
【請求項４】
前記データ転送の処理は、前記各記憶装置が有する障害検出用のディスク装置間において実行されることを特徴とする請求項１記載の記憶装置間の障害検出方法。
【請求項５】
検出した前記障害の結果に基づき、該障害の診断処理を実行することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の記憶装置間の障害検出方法。
【請求項６】
通信回線を通じて接続される記憶装置に対して、データパスの障害を検出すべく重負荷のデータ転送の処理を実行し、該データ転送の処理の結果に応じて障害を検出することを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
前記データ転送の処理では、ある前記記憶装置から他の前記記憶装置に対し、データの読み出し処理及び書き込み処理の双方を合わせて行うことを特徴とする請求項６記載の記憶装置。
【請求項８】
前記データ転送の処理では、ランダムに発生させたデータを転送することを特徴とする請求項６記載の記憶装置。
【請求項９】
前記データ転送の処理は、前記各記憶装置が有する障害検出用のディスク装置間において実行されることを特徴とする請求項６記載の記憶装置。
【請求項１０】
検出した前記障害の結果に基づき、該障害の診断処理を実行することを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の記憶装置。
【請求項１１】
データパスを介して接続される第１および第２のディスクアレイ装置の間において、ランダムに発生させたデータを前記第１のディスクアレイ装置が備える障害検出用のドライブから前記第２のディスクアレイ装置に重負荷のデータ転送を行うデータ読み出し処理と、前記第２のディスクアレイ装置が備える障害検出用のドライブから前記第１のディスクアレイ装置に重負荷のデータ転送を行うデータ書き込み処理とを行うデータ転送の処理を行い、前記データ転送の処理の結果に応じて障害を検出することを特徴とするディスクアレイ装置間の障害検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
通信回線を通じて接続される複数の記憶装置間において、データパスの障害を検出すべく重負荷のデータ転送の処理を実行し、該データ転送の処理の結果に応じて障害を検出することを特徴とする。
ここで、重負荷とは、前記データ転送の処理の実行にあたり、実稼動に近い障害検出の試験を行うべく、転送するデータ量をできるだけ大きくして高負荷とすることを意味する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前述した保守作業の具体的な一例について、簡単に図３のフローチャートを参照して説明する。なお、図３において、『Ｓ』はステップ（ＳＴＥＰ）を示す。まず、障害としてパスの閉塞が発生すると、保守端末のディスプレイのメッセージを表示する画面には、パス閉塞の要因が表示され、これを保守作業員が確認する（Ｓ１００）。この確認において、パス閉塞の要因が判らない場合には（Ｓ２００：ＹＥＳ）、パスに関する情報を表示する画面をディスプレイに表示させ、パス閉塞の要因を確認する（Ｓ３００）。そして、保守作業員が確認したパス閉塞の要因に対する保守作業を実施する（Ｓ４００）。一方、パス閉塞の要因が解った場合にも（Ｓ２００：ＮＯ）、このＳ４００の保守作業を実施する。この保守作業を実施後、保守作業員が、パスに関する情報を表示する画面を通じて保守済みのパスを再度有効化する操作を実行する（Ｓ５００）。この再度の有効化が正常に終了したか否かを確認し、正常に終了していない場合には（Ｓ６００：ＮＯ）、前述したＳ３００の処理を実行する。反対に、パスの再度の有効化が正常に終了した場合には（Ｓ６００：ＹＥＳ）、警告情報を表示するディスプレイ画面で、パス閉塞が復旧した否かを確認する（Ｓ７００）。次に、他の伝送系統のパスにおいて閉塞の発生の有無を確認する（Ｓ８００）。他の伝送系統のパスにおいて閉塞が発生している場合（Ｓ８００：Ｎｏ）には、前述したＳ１００の処理に戻り、前述したＳ１００乃至Ｓ８００の処理手順を繰り返す。他の伝送系統のパスにおいて閉塞が発生している場合（Ｓ８００：Ｙｅｓ）には、一連の保守作業を完了させる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置と、
この記憶装置に通信可能に接続し前記記憶装置が提供する記憶領域に対してデータ入出力を行う利用装置と、
前記記憶装置に通信可能に接続し前記記憶装置が提供する記憶領域を拡張する記憶領域を提供する他の記憶装置と、
前記記憶装置および前記利用装置と通信可能に接続し前記利用装置に対する前記記憶領域の割り当てを行う管理装置と、
を備えて構成される記憶装置システムの制御方法であって、
前記記憶装置は、自身が提供可能な記憶領域の容量と前記他の記憶装置により提供される記憶領域の容量とにより算出した算出容量を前記管理装置に送信し、
前記管理装置は、前記算出容量を受信してこれを前記記憶装置もしくは前記他の記憶装置が前記利用装置に対して割り当て可能な上限容量として認知することを特徴とする記憶装置システムの制御方法。
【請求項２】
記憶装置と、
この記憶装置に通信可能に接続し前記記憶装置が提供する記憶領域に対してデータ入出力を行う利用装置と、
前記記憶装置に通信可能に接続し前記記憶装置が提供する記憶領域を拡張する記憶領域を提供する他の記憶装置と、
を備えて構成される記憶装置システムの制御方法であって、
前記記憶装置は、当該記憶装置が提供可能な記憶領域の容量と前記他の記憶装置が提供可能な記憶領域の容量とにより算出した算出容量を前記利用装置に送信し、
前記利用装置は、前記記憶装置もしくは前記他の記憶装置により提供される前記記憶領域の割り当てに際し、受信した前記算出容量を自身に割り当て可能な上限容量として用いることを特徴とする記憶装置システムの制御方法。
【請求項３】
前記記憶装置は、前記記憶装置もしくは前記他の記憶装置が提供する物理的な記憶領域上に論理的に編成した論理ボリュームを単位として前記利用装置に記憶領域を提供すること、
を特徴とする請求項１または２に記載の記憶装置システムの制御方法。
【請求項４】
前記記憶装置は、前記論理ボリュームごとに設定した前記算出容量を前記管理装置もしくは前記利用装置に送信することを特徴とする請求項３に記載の記憶システムの制御方法。
【請求項５】
前記記憶装置は複数の前記論理ボリュームのそれぞれについて設定された容量を前記管理装置もしくは前記利用装置に送信し、
前記記憶装置は、前記他の記憶装置を用いて編成される前記論理ボリュームについての前記算出容量を、前記他の記憶装置を用いて編成される前記論理ボリュームとは別の前記論理ボリュームについて設定されている容量に基づいて設定することを特徴とする請求項４に記載の記憶システムの制御方法。
【請求項６】
前記管理装置は、前記上限容量を限度として前記利用装置に割り当てる記憶容量を指定させるユーザインタフェースを備えることを特徴とする請求項１に記載の記憶装置システムの制御方法。
【請求項７】
前記利用装置は、前記上限容量を限度として自身に割り当てる記憶容量を指定させるユーザインタフェースを備えることを特徴とする請求項２に記載の記憶装置システムの制御方法。
【請求項８】
前記他の記憶装置は、前記記憶装置から遠隔した場所に設置されることを特徴とする請求項１または２に記載の記憶装置システムの制御方法。
【請求項９】
前記利用装置を前記記憶装置に通信可能に接続する手段は、ＳＡＮであることを特徴とする請求項１に記載の記憶装置システムの制御方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の記憶装置システムの制御方法における前記記憶装置として機能する記憶装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の記憶装置システムの制御方法における前記他の記憶装置として機能する記憶装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の記憶装置システムの制御方法における前記管理装置として機能する管理装置。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれかに記載の前記利用装置もしくは管理装置に、前記記憶装置から送信されてくる前記算出容量を受信する機能と、前記算出容量を前記利用装置が割り当て可能な上限容量として認知する機能と、を実現させるためのプログラム。
【請求項１４】
情報処理装置からの要求に基づいてデータの書き込みまたは読み出しを行う複数の記憶装置がファイバーチャネルによって接続され、前記ファイバーチャネルに接続された前記複数の記憶装置を前記情報処理装置に対して割り付ける管理装置を含む記憶装置システムにおける前記記憶装置であって、前記記憶装置は、前記記憶装置からの要求に応答してデータの書き込みまたは読み出しを行う他の記憶装置と専用線で接続され、当該他の記憶装置の使用状況を管理する情報を有し、
前記記憶装置は、前記使用状況を管理する情報を参照して、当該記憶装置が前記情報処理装置に対して提供可能な記憶容量と、前記他の記憶装置の記憶容量とを加算もしくは減算して、前記情報処理装置への割り付け可能容量を前記管理装置に送信することを特徴とする記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するための本発明の主たる発明は、この記憶装置に通信可能に接続し前記記憶装置が提供する記憶領域に対してデータ入出力を行う利用装置と、前記記憶装置に通信可能に接続し前記記憶装置が提供する記憶領域を拡張する記憶領域を提供する他の記憶装置と、前記記憶装置および前記利用装置と通信可能に接続し前記利用装置に対する前記記憶領域の割り当てを行う管理装置と、を備えて構成される記憶装置システムの制御方法であって、前記記憶装置は、自身が提供可能な記憶領域の容量と前記他の記憶装置により提供される記憶領域の容量とにより算出した算出容量を前記管理装置に送信し、前記管理装置は、前記算出容量を受信してこれを前記記憶装置もしくは前記他の記憶装置が前記利用装置に対して割り当て可能な上限容量として認知することとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この制御方法において、前記算出には、加算や減算などの演算が含まれる。また、算出方法としては、例えば、前記記憶装置自身が提供可能な記憶領域の容量の全部もしくは一部を用いる場合、前記他の記憶装置により提供される記憶領域の容量の全部もしくは一部を用いる場合がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記記憶装置は複数の前記論理ボリュームのそれぞれについて設定された容量を前記管理装置もしくは前記利用装置に送信し、前記記憶装置は、前記他の記憶装置を用いて編成される前記論理ボリュームについての前記算出容量を、前記他の記憶装置を用いて編成される前記論理ボリュームとは別の前記論理ボリュームについて設定されている容量に基づいて設定するようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
実施の形態２のエネルギー供給システムは、エネルギー受容側装置２において、ＣＰＵ２９に本発明のエネルギー計量手段の一例である、ガスメータ２１１、電力量計２１２、灯油流量計１３、および表示装置１２が接続されている点が実施の形態１と異なる点である。また、入力装置１０には、「経済性優先」、および「経済性非優先」の選択項目を有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【表６】
2003288391.tif 000001
ここで、実需要値とは、後述のようにガスメータ２１１から送られる値の時間あたりの積算値とし、予測需要値とは、過去のパターンから推測される需要の予測値から決定される値である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ガスメータ２１１、電力量計２１２、灯油流量計１３は、顧客側で使用されるガス、電気、灯油の量を連続的に計量し、得られたガス量、電力利用、灯油量の情報を電気信号に変換する。そして、ＣＰＵ２９は、電気信号に変換されたガス量、電力量、灯油量の信号の情報を取り込み、記憶装置５に連続的に格納する。従って記憶装置５には、使用している時点での更新されたガス量、電力量、および灯油量が記憶されている。表６（ａ）に示される実需要値はガスメータ２１１から連続的に更新されている１時間毎の累積使用量を示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
なお、以上までの説明では、本発明の第２格納手段は、エネルギー供給側装置１の記憶装置４が有し、本発明の演算手段は、エネルギー供給側装置１のＣＰＵが有するとして説明してきたが、本発明の第２格納手段、または本発明の演算手段は、外部の装置が有していてもよい。例えばインターネットに接続されたサーバーに格納され、所定のエネルギーの量を料金的に等価な他のエネルギーの量に換算するときに、このサーバーは、エネルギー供給側装置１またはエネルギー受容側装置２と通信しながら換算する構成、動作であってもよく、その場合も上記と同様の効果を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003288391.tif 000002