Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌａを１１０〜２００質量ppm とＰｔ，Ｂｅ，Ｙ，Ｇｄ及びＥｕから選択された少なくとも１種の元素を０．０４質量％以下含有する金合金線の常温伸び率を５〜９％にしたことを特徴とする半導体素子ボンディング用金線。
【請求項２】
請求項１に記載のボンディング用金線を用いて半導体素子をボンディングしたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の選択添加成分はＣａ，Ｂｅ，Ｍｇ等のアルカリ土類金属、Ｓｉ，Ｇｅ等の炭素族、Ｐ，Ｓｂなどの窒素族、Ｐｔ，Ｐｄ等の白金族、Ｃｕ，Ａｇ等の銅族、Ｙ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｇｄ等の希土族の各元素が例示出来る。Ｌａに加えて選択添加成分を含有してもその添加量が０．０４質量％以下であれば本発明のＬａの効果は維持される。本発明で選択添加成分は、常温高強度、低ループ、耐振動性能等その都度要求される課題に対応して選択することが出来る。選択成分の中でもとりわけＰｔ，Ｂｅ，Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕが好ましく、これらの元素のうち少なくとも１種は本発明の必須成分として用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
iii)セカンド側ピール強度試験は、Ａｇめっきを施した銅製リードフレームを用いて前述した通常のボールボンディング法により配線し、図１に示すセカンド側接合点６のピール強度を測定する為に、リード４を固定し、ループ状金線３をファースト側接合点５付近で切断し、セカンド側接合点６に連続した方の金線の先端を保持して上方に引き上げ、接合点６の剥離強度を測定する。１０個の平均値をセカンド側ピール強度として各伸び率の試料ごとに測定結果を表２に示した。
（実施例２〜１２、比較例１〜４）
金合金中組成を表１の様にしたこと以外は実施例１と同様にして金線を製造し、各々の試料について直進性、高温強度及びセカンド側のピール強度を測定し、その測定結果を表２に示した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【表１】
2003142517.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【表２】
2003142517.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
試験結果
（１）本発明の組成を含有し、伸び率が５〜９％である実施例１〜１２のものは、直進性が指数０．１６〜０．６１、高温強度が９．２〜１３．６、セカンド側ピール強度が５．７〜６．３と優れたものであることが判る。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図３においても同様のことが生じる。図３おいて高耐圧ＰＭＯＳ１１０がオンし、Ｖout端子の電圧がロウレベルからハイレベルにプルアップされる際、高耐圧素子用の高圧電源の電圧ＶHVを超える正のサージ電圧が発生すると、高耐圧ＰＭＯＳ１１０のＰ+、Ｐ、Ｐ−層の電位もＶHVを超える正の電圧となる。そして、直下の埋込み絶縁膜３０を介してＰ−支持基板２６内の正孔が押しやられ空乏層２７が発生する。この空乏層２７と埋込み絶縁膜３０は、ＶHVを超える正の電圧と低耐圧素子用のグランド電源の電圧ＶGNDを両端に持つ直列容量を形成する。そして空乏層２７の空乏化領域はサージ電圧の電圧変化に応じて急激に変化する。サージ電圧がピークにおける空乏層２７の容量が埋込み絶縁膜３０の容量と同等かそれ以下では、直列容量の電圧分担によりＶout端子に生じたサージ電圧の半分以上の電圧ピークを持つサージ電圧がＰ−支持基板２６内の空乏化領域に発生する。空乏化領域は低耐圧ＮＭＯＳ１４０直下のＮ−支持基板にも伸びるので、空乏化領域内に発生したサージ電圧は、容量結合により低耐圧ＮＭＯＳ１４０内に伝播し、正のサージ電圧を発生させる。この時、例えば低耐圧ＮＭＯＳ１４０がオン状態にありドレイン電極の出力電圧がＶGNDにあるとすると、正のサージ電圧によって出力電圧がＶGNDよりも瞬時的に上昇し、その電圧が次段の論理しきい値よりも高くなると低圧回路の誤動作を生じることになる。また、低圧回路がアナログ回路の場合には更に誤動作が生じやすい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
電子装置５００は、例えばエアコンや冷蔵庫であり、インバータ４００、圧縮機５１０、その他の部品（図示せず）で構成される。インバータ４００は本発明の半導体装置１０、マイコン等のCPU１５を有し、圧縮機５１０はモータ５２０を有する。そして、モータ５２０の回転数がインバータ４００内の半導体装置１０、CPU１５により制御される。ＡＣ１００Ｖの電子装置では、モータの負荷を駆動する半導体装置１０の出力端子Vout１、Vout２、Vout３には、例えば２００V以上のピーク電圧が発生する。モータの様に負荷に大きなインダクタンスを有する機器を駆動する半導体装置では、本発明の半導体装置を用いることにより半導体装置の誤動作を防げ機器の信頼性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開閉可能な蓋を備え、基板を収納する密閉型の収納器が載置される載置部と、
前記載置部に載置された前記密閉型の収納器の前記蓋を開閉する開閉手段と、
基板を収納する開放型の収納器が載置され、前記載置部に着脱自在に設けられたアダプタと、
を備えた載置装置。
【請求項２】
前記載置部上に前記密閉型の収納器が載置されているか否か、又は、前記載置部上に前記アダプタを介して前記開放型の収納器が載置されているか否かを検出する検出手段を複数備え、いずれかの前記検出手段は、更に、前記載置部上に前記アダプタが装着されているか否かを検出することを特徴とする請求項１に記載の載置装置。
【請求項３】
前記載置部上に前記密閉型の収納器が載置されているか否か、又は、前記載置部上に前記アダプタを介して前記開放型の収納器が載置されているか否かを検出する検出手段を備え、
前記開閉手段は、前記検出手段により前記密閉型の収納器が載置されていることが検出されていない場合には、動作が禁止されることを特徴とする請求項１に記載の載置装置。
【請求項４】
更に、
前記載置部の所定位置に前記密閉型の収納器が載置されているか否かを検出する検出手段を備え、
前記開閉手段は、前記検出手段により前記密閉型の収納器が所定位置に載置されていることが検出されていない場合には、動作が禁止されることを特徴とする請求項１に記載の載置装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月19日(2004.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素化合物を含有する原料を供給する原料供給部と、前記原料から水素を含有する改質ガスを生成する改質部とを備え、前記改質部が前記改質ガス中の一酸化炭素をシフト反応により低減する変成部および燃料電池を備える複数の発電部に前記改質ガスを供給することを特徴とする水素生成装置。
【請求項２】
さらに、改質部から排出される改質ガスを充填する改質ガスタンクを設けたことを特徴とする請求項１に記載の水素生成装置。
【請求項３】
さらに、改質部の上流側に、原料に含まれる硫黄成分を除去する脱硫部を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の水素生成装置。
【請求項４】
改質部で生成した改質ガスと、改質部に供給される原料水との熱交換を行う熱交換部を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の水素生成装置。
【請求項５】
請求項１に記載の水素生成装置から供給される改質ガス中の一酸化炭素をシフト反応により低減する変成部と、燃料電池とを備えることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項６】
さらに、前記変成部から排出される改質ガス中の一酸化炭素を選択酸化反応により低減する浄化部とを備えることを特徴とする請求項５に記載の燃料電池システム。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかに記載の水素生成装置と、請求項５〜６のいずれかに記載の燃料電池システムとを備える分散型燃料電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラファイト、カーボンブラックまたはそれらの混合物、バインダー及び１以上の架橋剤を含むエネルギー貯蔵装置を塗装するための塗料分散液であって、前記塗料分散液は前記エネルギー貯蔵装置上に保護膜を形成する均質な水性分散液として適用され、前記バインダーは、スチレンアクリル系、ブタジエンアクリロニトリル、ブタジエンスチレン、エポキシ及びエポキシエステルを含んでなる群から選択されるものである、前記塗料分散液。
【請求項２】
前記架橋剤がメラミン、カルボジイミド、フェノール系及び酸触媒、またはそれらの混合物を含む、請求項１の塗料分散液。
【請求項３】
バインダーに対するグラファイト、カーボンブラックまたはそれらの混合物の比が１〜６の範囲にある、請求項１の塗料分散液。
【請求項４】
バインダーに対するグラファイト、カーボンブラックまたはそれらの混合物の比が１〜４の範囲にある、請求項３の塗料分散液。
【請求項５】
前記分散液が、３０〜９０質量％の水含量を有する、請求項３の塗料分散液。
【請求項６】
前記グラファイト、カーボンブラックまたはそれらの混合物含量が１０〜６０質量％の乾燥質量を含有する、請求項５の塗料分散液。
【請求項７】
前記分散液が付加的に１以上の脱泡剤、防腐剤、分散剤、湿潤剤、界面活性剤またはそれらの混合物を含む、請求項３の塗料分散液。
【請求項８】
前記１以上の脱泡剤、防腐剤、分散剤、湿潤剤、界面活性剤またはそれらの混合物を０．０５〜５質量％含む、請求項７の塗料分散液。
【請求項９】
前記分散液が０．０５〜５質量％の湿潤剤を含有する、請求項８の塗料分散液。
【請求項１０】
前記分散液が０．０５〜５質量％の界面活性剤を含有する、請求項７の塗料分散液。
【請求項１１】
前記硬化剤が、高級イミノ基を有する、部分的にアルキル化されたメラミンである、請求項６の塗料分散液。
【請求項１２】
０〜５質量％の第２の架橋剤を含む、請求項１０の塗料分散液。
【請求項１３】
前記第２の架橋剤がカルボジイミドである、請求項１２の塗料分散液。
【請求項１４】
前記分散液がｐ−トルエンスルホン酸のアミン塩、エポキシブロック化ジノニルナフタレンスルホン酸またはそれらの混合物からなる群から選択される触媒を含む、請求項１１の塗料分散液。
【請求項１５】
前記分散液が０．０５〜１．２Ｐａ・s（５０〜１２００cＰ）の粘度を有する、請求項１４の塗料分散液。
【請求項１６】
前記バインダーが１０〜１００の酸価のエポキシエステルを含有する、請求項１５の塗料分散液。
【請求項１７】
前記分散液が０．０１〜９の範囲のスチレン／アクリル系比を有するスチレン及びアクリル系を含有する、請求項１５の塗料分散液。
【請求項１８】
前記分散液が０．１〜９の範囲のスチレン／ブタジエン比を有するスチレンブタジエン樹脂及びアクリル系を含有する、請求項１５の塗料分散液。
【請求項１９】
前記分散液が０．０１〜９の範囲の比を有するブタジエンアクリロニトリルを含有する、請求項１５の塗料分散液。
【請求項２０】
１００℃〜２５０℃の範囲の温度で１５秒〜１６分間硬化される、請求項１３の塗料分散液。
【請求項２１】
前記分散液が５〜１００オーム／スクエアの範囲の導電率を有する保護膜を形成する、請求項１の塗料分散液。
【請求項２２】
前記分散液により形成された保護膜の抵抗が前記導電性フィルムを４０％のＫОＨ溶液に８０℃で７２時間曝した後に初期値の２倍以下である、請求項１の塗料分散液。
【請求項２３】
前記エネルギー貯蔵装置が電池、燃料電池または蓄電器である、請求項１の塗料分散液。
【請求項２４】
請求項１の塗料分散液から付着した導電性保護膜を含有するエネルギー貯蔵装置であって、該導電性保護膜が５〜２００ミクロンの範囲の厚さである、前記エネルギー貯蔵装置。
【請求項２５】
請求項１の塗料分散液から付着した導電性保護膜を含有するアルカリ電池であって、該導電性保護膜が２０〜１００ミクロンの範囲の厚さである、前記アルカリ電池。
【請求項２６】
請求項１の塗料分散液から付着した導電性保護膜を含有する燃料電池であって、該導電性保護膜が５〜２００ミクロンの範囲の厚さである、前記燃料電池。
【請求項２７】
請求項１の塗料分散液から付着した導電性保護膜を含有する燃料電池であって、該導電性保護膜が２０〜１００ミクロンの範囲の厚さである、前記燃料電池。
【請求項２８】
請求項１の塗料分散液から付着した導電性保護膜を含有する蓄電器であって、該導電性保護膜が５〜２００ミクロンの範囲の厚さである、前記蓄電器。
【請求項２９】
請求項１の塗料分散液から付着した導電性保護膜を含有する蓄電器であって、該導電性保護膜が２０〜１００ミクロンの範囲の厚さである、前記蓄電器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
カルボキシル官能性とメラミンとの間の反応は、ブロックしたスルホン酸を包含する種々の型のスルホン酸により触媒される。より詳細には、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ＴＳＡ）のアミン塩は、例えば、ＢＹＫ触媒４５０、ＢＹＫ触媒４６０（ＢＹＫ  Ｃｈｅｍｉｅ）、Ｎａｃｕｒｅ  ２１０７及びＮａｃｕｒｅ  ２５００、Ｎａｃｕｒｅ  ４９−１１０（Ｋｉｎｇ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ、Ｉｎｃ．）またはエポキブロックしたジノニルナフタレンスルホン酸、例えば、Ｎａｃｕｒｅ  １４１９（Ｋｉｎｇ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ、Ｉｎｃ．）、ＣｙＣａｔ  ２９６−９触媒（Ｃｙｔｅｃ）またはＮａｃｕｒｅ  ４９−１１０を包含する。
好ましいフェノール樹脂は，Ｐｈｅｎｏｄｕｒ  ＰＲ  ３０８、Ｐｈｅｎｏｄｕｒ  ＰＲ  ３０７、Ｐｈｅｎｏｄｕｒ  ＶＰＷ  １９４２／５２ＷＡ（Ｓｏｌｕｔｉａ）を包含する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質の両面にそれぞれ電極を配した電極構造体と、該電極構造体を厚さ方向に挟む一対のセパレータと、前記電極構造体の外周部に配置され、各セパレータと前記電極構造体との間に挟まれて両者間に形成される反応ガス用のガス流路をそれぞれ密封するガスシール部材とから構成された複数の燃料電池セルを、これら燃料電池セル間に形成される冷却媒体流路を密封する冷却面シール部材を挟んで積層してなる燃料電池であって、
前記各セパレータに、前記ガスシール部材の外側にセパレータを厚さ方向に貫通して設けられる反応ガスおよび冷却媒体用の連通孔と、反応ガス用の連通孔とガス流路とを連絡する連絡路とが設けられ、
ガスシール部材および冷却面シール部材が積層方向から見てずれた位置に配置されたセパレータの部位が支持部材によって支持されていることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
前記複数の燃料電池セルにおける、一の燃料電池セルと、該燃料電池セルの積層方向に隣合う燃料電池セルとの、それぞれ対応する連絡路が、積層方向から見て互いにずれた位置に設けられ、
前記支持部材の少なくとも一部が連絡路を形成するセパレータの部位を支持していることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記ガス流路または冷却媒体流路上に設けられた支持部材には、反応ガスまたは冷却媒体を流入可能な通路部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の燃料電池。
【請求項４】
前記冷却媒体流路は、複数の燃料電池セル間に形成されることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載した発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、電解質（例えば、実施の形態における固体高分子電解質膜１０）の両面にそれぞれ電極（例えば、実施の形態におけるアノード電極１１，カソード電極１２）を配した電極構造体（例えば、実施の形態における膜電極構造体３）と、該電極構造体を厚さ方向に挟む一対のセパレータ（例えば、実施の形態におけるセパレータ４Ａ、５Ａ）と、前記電極構造体の外周部に配置され、各セパレータと前記電極構造体との間に挟まれて両者間に形成される反応ガス用のガス流路をそれぞれ密封するガスシール部材（例えば、実施の形態におけるガスシール部材６Ａ、７Ａ）とから構成された複数の燃料電池セル（例えば、実施の形態における燃料電池セル２Ａ）を、これら燃料電池セル間に形成される冷却媒体流路を密封する冷却面シール部材（例えば、実施の形態における冷却面シール部材２７）を挟んで積層してなる燃料電池（例えば、実施の形態における燃料電池１Ａ）であって、前記各セパレータに、前記ガスシール部材の外側にセパレータを厚さ方向に貫通して設けられる反応ガスおよび冷却媒体用の連通孔（例えば、実施の形態における連通孔１７〜２２）と、反応ガス用の連通孔とガス流路とを連絡する連絡路（例えば、実施の形態における連絡路２３Ａ、２５Ａ）とが設けられ、ガスシール部材および冷却面シール部材が積層方向から見てずれた位置に配置されたセパレータの部位が支持部材（例えば、実施の形態における支持部材２９Ａ〜２９Ｄ）によって支持されていることを特徴とする燃料電池である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項３に記載した発明は、前記ガス流路または冷却媒体流路上に設けられた支持部材（例えば、実施の形態における支持部材２９Ｂ）には、反応ガスまたは冷却媒体を流入可能な通路部（例えば、実施の形態における通路部３０）が形成されていることを特徴とする燃料電池である。
請求項４に記載した発明は、前記冷却媒体流路は、複数の燃料電池セル（例えば、実施の形態における燃料電池セル２Ｂ、２Ｃ）間に形成されることを特徴とする燃料電池である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質中に鉛以外の金属もしくは金属化合物を含む鉛蓄電池において、電解液の理論容量Ａと正極活物質の理論容量Ｂとが０．２≦Ａ／Ｂ≦０．４の関係にあることを特徴とする鉛蓄電池。
【請求項２】
前記の鉛以外の金属もしくは金属化合物がＳｂもしくはＳｂ化合物であり、正極活物質中に含まれるＳｂ量が、Ｐｂ質量に対して０．０１〜０．１質量％であること、または／および前記の鉛以外の金属もしくは金属化合物がＳｎもしくはＳｎ化合物であり、正極活物質中に含まれるＳｎ量が、Ｐｂ質量に対して０．０５〜２．０質量％であることを特徴とする請求項１記載の鉛蓄電池。
【請求項３】
前記鉛蓄電池が制御弁式鉛蓄電池であって、該セパレータがシリカ粉体をセパレータ質量に対して１０〜５０質量％含んでいることを特徴とする請求項１、２記載の鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本願発明によれば、理論容量比Ａ／Ｂを０．２≦Ａ／Ｂ≦０．４とすることで、自己放電の少ない電池とすることができる。理論容量比Ａ／Ｂが０．２よりも小さくなると、電解液量が少な過ぎてほとんど放電できなくなるため、放電容量は大きく低下する。０．４より大きい領域では自己放電量が大きくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本願発明は、前記の鉛以外の金属もしくは金属化合物がＳｂもしくはＳｂ化合物であり、正極活物質中に含まれるＳｂ量がＰｂ質量に対して０．０１〜０．１質量％とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願発明によれば、Ｓｂ含有量が０．０１質量％以上とすることで、寿命性能を大きく向上させることができる。Ｓｂ含有量が０．１質量％を越えた領域では、この寿命性能向上の効果は鈍り、コスト等の関係からＳｂ含有量の上限は０．１質量％程度が適当である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そして、本願発明は、前記の鉛以外の金属もしくは金属化合物がＳｎもしくはＳｎ化合物であり、正極活物質中に含まれるＳｎ量がＰｂ質量に対して０．０５〜２．０質量％とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本願発明によれば、正極活物質中のＳｎ含有量を０．０５質量％以上とすることにより、高率（３ＣＡ）放電容量を飛躍的に増大させることができる。ただし、さらにＳｎ含有量を増やしても放電容量の増大効果は鈍く、コスト等の関係からＳｎ含有量の上限は２質量％程度とするのが適当である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、本願発明は、前記の鉛以外の金属もしくは金属化合物がＳｂもしくはＳｂ化合物とＳｎもしくはＳｎ化合物化合物とからなり、正極活物質中に含まれるＳｂ量がＰｂ質量に対して０．０１〜０．１質量％であり、かつ正極活物質中に含まれるＳｎ量がＰｂ質量に対して０．０５〜２．０質量％とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本願発明によれば、自己放電量に変化がないものの、３ＣＡ放電容量と寿命性能とをともに著しく向上させることができる。この理由は明らかでないが、Ｓｂ、Ｓｎそれぞれ元素含有に伴う効果が相乗的に現れたものと思われる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本願発明においては、前記の鉛蓄電池が制御弁式鉛蓄電池であり、該セパレータがシリカ粉体をセパレータ質量に対し１０〜５０質量％含んでいる微細繊維であるものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この本願発明によれば、前記理論容量比、および前記の鉛以外の金属もしくは金属化合物における構成比の最適化に加えて、セパレータにシリカ粉体を適量混抄させたものを使用することにより、自己放電量をさらに減少させることができる。適正なシリカ混抄量としては１０％〜５０％である。シリカの混抄量が質量比で５０％以上になると、セパレータ強度が低下して、破れやすくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水電解質中に１，４，７−トリオキソニンおよび／またはこの誘導体を含有することを特徴とする非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の非水電解質二次電池の製造方法において、１，４，７−トリオキソニンおよび／またはこの誘導体を添加する工程を有することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで近年、チップ部品を小型化する技術は著しく進歩しており、例えば外形寸法が0.6×0.3mm程度の超小型のチップ抵抗やチップコンデンサも実用化されている。したがって、前述した従来の電子回路ユニットにおいても、このような超小型のチップ部品を使用し、これらチップ部品をその部品間ピッチを狭めた状態で基板上に実装すれば、電子回路ユニットをある程度まで小型化することは可能となる。しかしながら、チップ部品の小型化には限界があり、しかも、複数のチップ部品を基板上に実装する際に、各チップ部品の半田付け部分が短絡しないようにしなければならないため、これらのことが電子回路ユニットの更なる小型化を妨げる要因となっていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このように構成すると、複数のチップ部品をリジッド基板とフレキシブル基板との間に起立状態で配置することにより、リジッド基板の上方空間を部品実装エリアとして立体的に有効利用することができるため、チップ部品の実装密度が著しく高められて電子回路ユニットを小型化することができる。その際、基板上に平行状態で配置された他のチップ部品を実装しても良く、このように構成すると、同一基板上に実装される複数のチップ部品のうち、起立状態に配置したチップ部品はリジッド基板とフレキシブル基板の各配線パターンに接続され、平行状態に配置したチップ部品はリジッド基板上の配線パターンに接続されるため、回路設計上の自由度を高めることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このように構成すると、チップ部品を基板とシールドカバーとの間に起立状態で配置することにより、基板の上方空間を部品実装エリアとして立体的に有効利用することができるため、チップ部品の実装密度が著しく高められて電子回路ユニットを小型化することができる。その際、基板上に平行状態で配置された他のチップ部品を実装することが好ましく、このように構成すると、同一基板上に実装される複数のチップ部品のうち、起立状態に配置したチップ部品はシールドカバーを介してアース接続され、平行状態に配置したチップ部品は基板上の配線パターンに接続されるため、回路設計上の自由度を高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
チップ部品３は直方体形状をなし、その長軸方向に沿う両端に一対の電極３ａ，３ｂが形成されている。チップ部品３は一方の電極３ａを第１の配線パターン４のランド部４ａに半田７付けすることにより、その長軸がリジッド基板１と直交するように配置されている。そして、フレキシブル基板２をリジッド基板１の上方に延出するように撓め、チップ部品３の上端側に位置する他方の電極３ｂを第２の配線パターン５のランド部５ａに半田８付けすることにより、チップ部品３はリジッド基板１とフレキシブル基板２との間に起立状態に実装される。なお、説明を簡略化するために図１，２には２個のチップ部品３しか示されていないが、回路設計に応じて３個以上のチップ部品３を実装する場合も、全てのチップ部品３をリジッド基板１とフレキシブル基板２との間に起立状態に実装すれば良い。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月13日(2004.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材内へ第１電子部品を埋設し、該埋設された上記第１電子部品の電極と電気的に接続する第１回路パターンを上記基材の回路形成面に形成して上記電極と上記第１回路パターンとの電気的接続を行った電子部品実装済部品を作製した後、
上記電子部品実装済部品における上記基材の上記第１回路パターン上に第２電子部品を実装することを特徴とする、電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項２】
上記電子部品実装済部品の作製後、上記第２電子部品の実装前に、上記電子部品実装済部品の上記回路形成面に対向する対向面側より上記電子部品実装済部品のラミネート処理を行う、請求項１記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項３】
互いに対向する第１基板側第１回路パターン及び第１基板側第２回路パターン並びに上記第１基板側第１回路パターン及び上記第１基板側第２回路パターンを電気的に接続する第１基板貫通穴を有する第１基板の上記第１基板側第２回路パターンと、上記電子部品実装済部品における上記第２電子部品とが電気的に接続するように上記電子部品実装済部品及び上記第１基板を互いの厚み方向にさらに重ね合わせる、請求項１又は２記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項４】
上記基材は、厚み方向に当該基材を貫通し導電性を有して上記第１回路パターンに電気的に接続する貫通穴を有する、請求項１から３のいずれかに記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項５】
互いに対向する第２基板側第１回路パターン及び第２基板側第２回路パターン並びに上記第２基板側第１回路パターン及び上記第２基板側第２回路パターンを電気的に接続する第２基板貫通穴を有する第２基板の上記第２基板側第２回路パターンと、上記基材の上記貫通穴とが電気的に接続するように上記電子部品実装済部品及び上記第２基板を互いの厚み方向に重ね合わせ、その後、上記第２基板側第１回路パターンに第３電子部品を実装する、請求項４記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項６】
さらに上記電子部品実装済部品は、上記回路形成面に対向する対向面に上記導電性貫通穴と電気的に接続される第２回路パターンを有する、請求項４記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項７】
上記第２回路パターン上に第３電子部品を実装する、請求項６記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項８】
上記導電性貫通穴を有する上記電子部品実装済部品を複数積層し、該積層された電子部品実装済部品と上記第２基板とを重ね合わせる、請求項５記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項９】
基材内へ第１電子部品を埋設し、該埋設された上記第１電子部品の電極と電気的に接続する第１回路パターンを上記基材の回路形成面に形成して上記電極と上記第１回路パターンとの電気的接続を行った電子部品実装済部品を作製した後、
互いに対向する第１基板側第１回路パターン及び第１基板側第２回路パターン並びに上記第１基板側第１回路パターン及び上記第１基板側第２回路パターンを電気的に接続する第１基板貫通穴を有する第１基板の上記第１基板側第２回路パターンと上記第１回路パターンとが電気的に接続するように上記電子部品実装済部品及び上記第１基板を互いの厚み方向に重ね合わせる、
ことを特徴とする電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項１０】
上記電子部品実装済部品及び上記第１基板を互いに重ね合わせて上記第１基板側第２回路パターンと上記第１回路パターンとを電気的に接続した後、上記第１基板側第１回路パターンに第２電子部品を実装する、請求項９記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項１１】
上記第１基板側第１回路パターンには、第２電子部品が予め実装済である、請求項９記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項１２】
上記電子部品実装済部品の作製後、上記電子部品実装済部品の上記回路形成面に対向する対向面側より上記電子部品実装済部品のラミネート処理を行い、該ラミネート処理済の上記電子部品実装済部品における上記第１回路パターンと上記第１基板側第２回路パターンとの電気的接続を行う、請求項９から１１のいずれかに記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項１３】
上記基材は、厚み方向に当該基材を貫通し導電性を有して上記第１回路パターンに電気的に接続する貫通穴を有する、請求項９から１２のいずれかに記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項１４】
互いに対向する第２基板側第１回路パターン及び第２基板側第２回路パターン並びに上記第２基板側第１回路パターン及び上記第２基板側第２回路パターンを電気的に接続する第２基板貫通穴を有する第２基板の上記第２基板側第２回路パターンと、上記基材の上記貫通穴とが電気的に接続するように上記電子部品実装済部品及び上記第２基板を互いの厚み方向に重ね合わせ、その後、上記第２基板側第１回路パターンに第３電子部品を実装する、請求項１３記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項１５】
上記電子部品実装済部品と、上記第１基板との接合は、接合剤を介して行われる、請求項９から１３のいずれかに記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項１６】
上記電子部品実装済部品と、上記第１基板及び第２基板との接合は、接合剤を介して行われる、請求項１４記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項１７】
上記基材内への上記第１電子部品の埋設後、上記第１回路パターンの形成前に、埋設された上記第１電子部品の上記電極を上記回路形成面に露出させる、請求項１から１６のいずれかに記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれかに記載の電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする電子部品実装済完成品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時間管理情報とイベントデータとを含む音楽コンテンツデータに基づいて、音源ハードウェア制御データを生成するソフトウェア処理手段と、
所定量の前記音源ハードウェア制御データを記憶することのできるバッファメモリ手段と音源手段とを内蔵し、前記ソフトウェア処理手段から供給される音源ハードウェア制御データに基づいて楽音を生成する音源ハードウェア手段とを備え、
前記ソフトウェア処理手段は、前記音楽コンテンツデータに含まれる少なくとも前記イベントデータを前記音源ハードウェア手段が処理可能な固有のデータに変換し、前記音源ハードウェア制御データを前記変換された変換データと時間管理情報とを含んだデータとして生成し、
前記音源ハードウェア手段は、前記バッファメモリ手段に未だ読み出されていない音源ハードウェア制御データが常に存在するように前記ソフトウェア処理手段に対して音源ハードウェア制御データの転送を要求すると共に、前記バッファメモリ手段から読み出した前記音源ハードウェア制御データに基づいて、前記時間管理情報に基づくタイミングに達する毎に前記変換データに基づいて楽音を生成することを特徴とする楽音生成装置。
【請求項２】
前記音楽コンテンツデータを記憶する記憶手段を備え、
前記ソフトウェア処理手段は、処理に余裕がある時間を利用して前記記憶手段に記憶されている前記音楽コンテンツデータを前記音源ハードウェア制御データに変換する処理を実行し、変換された前記音源ハードウェア制御データを前記記憶手段に記憶するようにしたことを特徴とする請求項１記載の楽音生成装置。
【請求項３】
前記音源ハードウェア手段は基準時間単位毎に発生されるクロック信号をカウントするカウンタ手段を備え、前記ソフトウェア処理手段から供給されたスタート信号に応じてカウントを開始する前記カウンタ手段のカウント値が、前記音源ハードウェア制御データ中に含まれている時間管理情報が示す値以上になった際に、該時間管理情報に続く音源ハードウェア制御データ中の楽音生成用のパラメータを音源制御レジスタに書き込むようにしたことを特徴とする請求項１記載の楽音生成装置。
【請求項４】
任意の演奏開始位置のデータを記憶するポイントレジスタ手段を備えており、前記音源ハードウェア手段は、該ポイントレジスタ手段に記憶されている演奏開始位置のデータに対応する位置からの音源ハードウェア制御データに基づいて楽音を生成するようにしたことを特徴とする請求項１記載の楽音生成装置。
【請求項５】
前記ソフトウェア処理手段において、前記音楽コンテンツデータを前記音源ハードウェア制御データに変換する際に、時間管理情報が同値とされると共に、楽音生成用のパラメータを音源制御レジスタに書き込むアドレスを示すインデックス情報が連続する場合は、前記時間管理情報に続くインデックス情報を先頭のインデックス情報とし、該インデックス情報に続く楽音生成用のパラメータを、連続するインデックス情報に対応している複数のパラメータとするように変換することを特徴とする請求項１記載の楽音生成装置。
【請求項６】
前記音源ハードウェア手段は基準時間単位毎に発生されるクロック信号をカウントするカウンタ手段を備え、前記ソフトウェア処理手段から供給されたスタート信号に応じてカウントを開始する前記カウンタ手段のカウント値が、前記音源ハードウェア制御データ中に含まれている時間管理情報が示す値以上になった際に、該時間管理情報に続く音源ハードウェア制御データ中の楽音生成用のパラメータを音源制御レジスタに書き込む場合に、前記パラメータが複数のパラメータデータから構成されている場合は、前記インデックス情報が示すアドレスを１づつインクリメントしながらそれぞれのパラメータデータを、前記音源制御レジスタに書き込むようにしたことを特徴とする請求項５記載の楽音生成装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の楽音生成装置を備える携帯端末装置であって、
前記ソフトウェア処理手段は、携帯端末機能処理をメイン処理として実行するようになされていることを特徴とする携帯端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的を達成するために、本発明の楽音生成装置は、時間管理情報とイベントデータとを含む音楽コンテンツデータに基づいて、音源ハードウェア制御データを生成するソフトウェア処理手段と、所定量の前記音源ハードウェア制御データを記憶することのできるバッファメモリ手段と音源手段とを内蔵し、前記ソフトウェア処理手段から供給される音源ハードウェア制御データに基づいて楽音を生成する音源ハードウェア手段とを備え、前記ソフトウェア処理手段は、前記音楽コンテンツデータに含まれる少なくとも前記イベントデータを前記音源ハードウェア手段が処理可能な固有のデータに変換し、前記音源ハードウェア制御データを前記変換された変換データと時間管理情報とを含んだデータとして生成し、前記音源ハードウェア手段は、前記バッファメモリ手段に未だ読み出されていない音源ハードウェア制御データが常に存在するように前記ソフトウェア処理手段に対して音源ハードウェア制御データの転送を要求すると共に、前記バッファメモリ手段から読み出した前記音源ハードウェア制御データに基づいて、前記時間管理情報に基づくタイミングに達する毎に前記変換データに基づいて楽音を生成している。
また、上記本発明の楽音生成装置において、前記音楽コンテンツデータを記憶する記憶手段を備え、前記ソフトウェア処理手段は、処理に余裕がある時間を利用して前記記憶手段に記憶されている前記音楽コンテンツデータを前記音源ハードウェア制御データに変換する処理を実行し、変換された前記音源ハードウェア制御データを前記記憶手段に記憶するようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、上記本発明の楽音生成装置において、前記音源ハードウェア手段は基準時間単位毎に発生されるクロック信号をカウントするカウンタ手段を備え、前記ソフトウェア処理手段から供給されたスタート信号に応じてカウントを開始する前記カウンタ手段のカウント値が、前記音源ハードウェア制御データ中に含まれている時間管理情報の値以上になった際に、該時間管理情報に続く音源ハードウェア制御データ中の楽音生成用のパラメータを音源制御レジスタに書き込むようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
液晶パネルの各データ線に対応したアナログ信号をサンプリング用スイッチのオン制御によりコンデンサにサンプル・ホールドさせるとともに、ボルテージホロワ接続の演算増幅器に供給し、この演算増幅器から出力用スイッチのオン制御により出力するサンプル・ホールド回路を、各データ線に対応して２系統並列接続し、２系統間でサンプリング用スイッチと出力用スイッチのオン制御を１水平期間ごとに互い違いに行わせるようにした液晶駆動装置において、
１系統のサンプル・ホールド回路の演算増幅器と出力用スイッチとの間に反転回路を挿入し、
奇数データ線に対応するサンプル・ホールド回路と偶数データ線に対応するサンプル・ホールド回路とで、１水平期間ごとに、アナログ信号の反転を交互に行わせるようにしたことを特徴とする液晶駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置及び作像ユニット
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にトナー像が形成される像担持体と、該トナー像を転写材に転写したあとの像担持体表面に付着するトナーを除去するクリーニング装置と、該クリーニング装置により除去されたトナーが通るトナー移送面と、該トナー移送面上を通るトナーに対して衝撃を与えるトナー堆積防止部材とを具備する画像形成装置において、
前記トナー堆積防止部材が、ほぼトナー移送面に沿って往復動を繰り返すと共に、該トナー堆積防止部材のトナー移送方向下流側端部がトナー移送面に対して接近、離隔する動作を繰り返すように、当該トナー堆積防止部材を駆動する駆動手段を具備することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記トナー堆積防止部材は、そのトナー移送方向中間部がトナー移送面に対して突出する向きに曲折形成されている請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記トナー移送面に、トナー堆積防止部材が往復動しながら当接する小突部が形成されている請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記トナー堆積防止部材は、そのトナー移送方向下流側端部以外の部分が前記小突部に当接し、かつ該トナー移送方向下流側端部が前記トナー移送面に当接した状態と、トナー堆積防止部材の曲折部又はその近傍の部分が前記小突部に当接し、かつトナー移送方向下流側端部がトナー移送面から最も離れた状態とを交互に繰り返すように、前記駆動手段によって駆動される請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記トナー移送面よりもトナー移送方向下流側の部分に、トナー移送面上を送られたトナーが落下するトナー落下口が形成され、前記トナー堆積防止部材のトナー移送方向下流側端部が、前記トナー落下口の周辺部に当接又は離隔する動作を繰り返す請求項１乃至４のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記クリーニング装置により像担持体から除去されたトナーを前記トナー移送面に搬送する回転搬送部材を有し、該回転搬送部材に前記トナー堆積防止部材が係合して、前記回転搬送部材が前記駆動手段を構成しており、前記トナー移送面は、そのトナー移送方向上流側からトナー移送方向下流側へ向けて低くなる向きに傾斜している請求項１乃至５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項７】
表面にトナー像が形成される像担持体と、該トナー像を転写材に転写したあとの像担持体表面に付着するトナーを除去するクリーニング装置と、該クリーニング装置により除去されたトナーが通るトナー移送面と、該トナー移送面上を通るトナーに対して衝撃を与えるトナー堆積防止部材とを備え、該トナー堆積防止部材は、ほぼトナー移送面に沿って往復動を繰り返すと共に、該トナー堆積防止部材のトナー移送方向下流側端部がトナー移送面に対して接近、離隔する動作を繰り返すように駆動される作像ユニット。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面にトナー像が形成される像担持体と、該トナー像を転写材に転写したあとの像担持体表面に付着するトナーを除去するクリーニング装置と、該クリーニング装置により除去されたトナーが通るトナー移送面と、該トナー移送面上を通るトナーに対して衝撃を与えるトナー堆積防止部材とを具備する画像形成装置及び作像ユニットに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、トナー堆積防止部材のトナー堆積防止効果を従来よりも高めることのできる冒頭に記載した形式の画像形成装置及び作像ユニットを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、上記請求項１乃至５のいずれかに記載の画像形成装置において、前記クリーニング装置により像担持体から除去されたトナーを前記トナー移送面に搬送する回転搬送部材を有し、該回転搬送部材に前記トナー堆積防止部材が係合して、前記回転搬送部材が前記駆動手段を構成しており、前記トナー移送面は、そのトナー移送方向上流側からトナー移送方向下流側へ向けて低くなる向きに傾斜していると有利である（請求項６）。
また、本発明は、前述の目的を達成するため、表面にトナー像が形成される像担持体と、該トナー像を転写材に転写したあとの像担持体表面に付着するトナーを除去するクリーニング装置と、該クリーニング装置により除去されたトナーが通るトナー移送面と、該トナー移送面上を通るトナーに対して衝撃を与えるトナー堆積防止部材とを備え、該トナー堆積防止部材は、ほぼトナー移送面に沿って往復動を繰り返すと共に、該トナー堆積防止部材のトナー移送方向下流側端部がトナー移送面に対して接近、離隔する動作を繰り返すように駆動される作像ユニットを提案する（請求項７）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  作像ユニット
２１  クリーニング装置
２５  回転搬送部材
２８  トナー移送面
３５  トナー落下口
３７  トナー堆積防止部材
３７Ａ  端部
４０  小突部
４１  周辺部
Ｔ  トナー
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
フィルタプレス配置に組み立てられた複数のエレメンタリ・セルを備える膜電解槽又は膜電気化学電流ジェネレータであって、前記の複数のセルは一連のバイポーラ・プレートとガスケットと電極と膜とを備え、前記ガスケット及び前記バイポーラ・プレート、又は前記ガスケット又は前記バイポーラ・プレートに、各セルの電極の区画における反応体の供給及び生成物の取り出しのために縦ダクトに前記エレメンタリ・セルを接続するのに適切な分配チャネルが設けられる膜電解槽又は膜電気化学電流ジェネレータの、正しく作動しないエレメンタリ・セルを除外する方法において、
正しく作動しない膜を含む前記エレメンタリ・セルの前記ガスケット及び前記バイポーラ・プレートの周辺範囲、又は前記ガスケット又は前記バイポーラ・プレートの周辺範囲に穴を作成して前記分配チャネルにアクセスできるようにするステップと、
硬化したときに前記分配チャネルに及び前記穴にそれぞれ閉塞を形成するシーリング手段を前記穴を通じて注入するステップと
を備える方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記穴は両方の前記バイポーラ・プレート及び／又は両方の前記ガスケットに作成されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ＧＥ９０型エンジンについての着氷試験の際、圧縮機入口温度センサに氷が堆積または集積することが判った。集積した氷の大きさは圧縮機の第１段の羽根にとって重要である。この集積した氷は、剥離または離脱したとき、圧縮機の羽根に重大な損傷を生じるおそれがある。羽根へ至る軌跡に関連して、センサ上の氷集積体の位置も重要である。この氷が単一の塊として離脱し又は氷の上側すなわち柱状部分が離脱すると、圧縮機の羽根に重大な損傷が生じるおそれがある。
【特許文献１】特開昭５７−１４９９３０号
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月15日(2004.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一般式（１）
1998121091.tif 000001
【化１】
［Ｘ、Ｙはそれぞれ独立に酸性アミノ酸残基を表し、Ｒ1 は炭素数７〜２１の直鎖又は分岐鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、Ｍ1 は水素原子、アルカリ金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、アルカノールアンモニウム又は塩基性アミノ酸を示す。］
で表されるＮ−長鎖アシルジペプチドもしくはその塩、及び（Ｂ）Ｎ−長鎖アシル酸性アミノ酸もしくはその塩を含有することを特徴とする洗浄剤組成物。
【請求項２】
酸性アミノ酸がグルタミン酸、アスパラギン酸のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の洗浄剤組成物（前記一般式（１）において、Ｘがグルタミン酸残基の場合、Ｙとの結合はαカルボニル基、γカルボニル基のいずれを介していてもよく、Ｘがアスパラギン酸残基の場合、Ｙとの結合はαカルボニル基、βカルボニル基のいずれを介していてもよい）。
【請求項３】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の重量比が（Ａ）／（Ｂ）＝０. １／１００〜２０／１００の割合であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の洗浄剤組成物。
【請求項４】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の重量比が（Ａ）／（Ｂ）＝０. ５／１００〜２０／１００の割合であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【請求項５】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の重量比が（Ａ）／（Ｂ）＝５／１００〜２０／１００の割合であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【請求項６】
更に（Ｃ）成分として高級脂肪酸またはその塩を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【請求項７】
（Ｃ）成分が重量比で（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の合計量の３０重量％以下であることを特徴とする請求項６に記載の洗浄剤組成物。
【請求項８】
一般式（２）
1998121091.tif 000002
【化２】
［Ｒ2は炭素数７〜２１の直鎖又は分岐鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、ｋは１又は２の整数を示し、Ｍ2 とＭ3 及びＭ4 はそれぞれ独立に水素原子、アルカリ金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、アルカノールアンモニウム又は塩基性アミノ酸を示す。］
で表されるＮ−長鎖アシルジペプチド又はその塩。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
水性組成物を増粘することが知られているレオロジー調節剤の別のクラスは、会合性調節剤として通常に参照されるものである。このような会合性調節剤は米国特許第４，７４３，６９８号、第４，６００，７６１号、再発行特許第３３，１５６号、第４，７９２，３４３号、第４，３８４，０９６号、第３，６５７，１７５号、第５，１０２，９３６号および第５，２９４，６９２号に報告されている。記載の通り、「アルカリ膨潤性」増粘剤は、塩基を添加し、それにより、増粘された組成物のｐＨはアルカリ性へと上がった時に有効になるが、増粘剤は酸性ｐＨを有する水性組成物を増粘しない。これらのタイプの増粘剤は、また、カチオン性成分を含む系において相溶性でないと信じられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月2日(2004.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コバルト単独またはコバルトとニッケルからなるバインダー相と共に９６〜８８ｗｔ％のＷＣを有し、最大２５％のＮｉであるバインダーを有し、任意に超硬合金総組成量の最大２％までのＣｅ及びＹのような希土類元素を微量添加する岩石採掘目的用の超硬合金であって、
ＷＣ粒子は球状であり、且つ再結晶をせず、または粒成長を示さず、または非常に鋭く角張った粒子でなく、平均粒子径は８〜３０μｍであり、最大粒子径は平均値の２倍を越えず且つ組織中の平均粒子径の半分より小さい粒子が２％を越えないことを特徴とする超硬合金。
【請求項２】
ＷＣ骨格の連続性（Ｃ）が、０．５以上であり、
連続性Ｃは、次の線型解析により決定され、
Ｃ＝２×ＮWC/WC／（２×ＮWC/WC＋ＮWC/binder）
ＮWC/WCは、参照ラインの単位長さ当たりの炭化物／炭化物の数であり、ＮWC/binderは、炭化物／バインダー粒界の数であることを特徴とする請求項１記載の超硬合金。
【請求項３】
６〜８％のバインダー相含有量及び１２〜１８μｍの平均粒子径を特徴とする請求項１または２記載の超硬合金。
【請求項４】
５〜６％のバインダー相含有量及び８〜１０μｍの平均粒子径を特徴とする請求項１または２記載の超硬合金。
【請求項５】
５〜７％のＣＯに対して＞１３０Ｗ／ｍ℃の熱伝導率を特徴とする請求項１または２記載の超硬合金。
【請求項６】
８〜３０μｍの平均ＷＣ粒子径を有する岩石採掘用の超硬合金の製造方法であって、
細粒及び粗粒を除去して狭い粒子径分布を有する粉末に、粗いＷＣ粉末をふるい分けしてまたはふるい分けせずにジェットミルすること、
得られたＷＣ粉末をＣｏで被覆すること、
被覆されたＷＣ粉末をミリングすることなく、所望の最終組成を得るためと、増粘剤と、任意にさらにＣｏとを湿式混合してスラリーにすること、及び
標準実施にしたがって粉末超硬合金ボディーを加圧成形及び焼結をする粉末にスラリーをスプレー乾燥すること
を特徴とする超硬合金の製造方法。