【手続補正書】
【提出日】平成16年6月24日(2004.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子装置に関連する情報を記憶するための１つ又はそれ以上のメモリアレーを含むメモリと、
前記光電子装置から該光電子装置の作動条件に対応する複数のアナログ信号を受信し、前記受信アナログ信号をデジタル値に変換し、該デジタル値を前記メモリ内の所定の領域に記憶するように構成されたアナログ／デジタル変換回路と、
前記デジタル値を限界値と比較して、前記光電子装置の作動中に前記メモリ内の所定のフラッグ記憶領域に記憶されるフラッグ値を発生させるように構成された比較論理と、
ホストから受信した指令に従って、該ホストが前記所定のフラッグ記憶領域を含む前記メモリ内のホスト特異領域から読み取ることを可能にするように構成されたインタフェースと、
を含むことを特徴とする、光電子装置をモニタするための回路。
【請求項２】
前記アナログ／デジタル変換回路は、電力レベル信号をデジタル電力レベル値に変換し、該デジタル電力レベル値を前記メモリ内の所定の電力レベル領域に記憶するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記比較論理は、前記デジタル電力レベル値を電力限界値と比較し、該デジタル電力信号と該電力限界値との比較に基づいて電力フラッグ値を発生させ、該電力フラッグ値を前記メモリ内の所定の電力フラッグ領域に記憶するための論理を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路。
【請求項４】
前記アナログ／デジタル変換回路は、温度信号をデジタル温度値に変換し、該デジタル温度値を前記メモリ内の所定の温度領域に記憶するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記比較論理は、前記デジタル温度値を温度限界値と比較し、該デジタル温度信号と該温度限界値との比較に基づいて温度フラッグ値を発生させ、該温度フラッグ値を前記メモリ内の所定の温度フラッグ領域に記憶するための論理を含むことを特徴とする請求項４に記載の回路。
【請求項６】
前記複数のアナログ信号は、レーザバイアス電流、レーザ出力電力、及び受信電力から成る組から選択された２つのアナログ信号を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路。
【請求項７】
前記アナログ／デジタル変換回路は、前記モニタリング回路に外付けの電源から電圧信号を受信し、該電圧信号をデジタル電圧値に変換し、該デジタル電圧値を前記メモリ内の対応する所定の領域に記憶するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の回路。
【請求項８】
光電子装置に関連する情報を記憶するための１つ又はそれ以上のメモリアレーを含むメモリと、
前記光電子装置から該光電子装置の作動条件に対応する複数のアナログ信号を受信し、前記受信アナログ信号をデジタル値に変換し、該デジタル値を前記メモリ内の所定の領域に記憶するように構成されたアナログ／デジタル変換回路と、
前記デジタル値を限界値と比較して、前記光電子装置の作動中に前記メモリ内の所定のフラッグ記憶領域に記憶されるフラッグ値を発生させるように構成された比較論理と、
ホストから受信した指令に従って、該ホストが前記所定のフラッグ記憶領域を含む前記メモリ内のホスト特異領域から読み取ることを可能にするように構成されたインタフェースと、
を含み、
前記複数のアナログ信号は、レーザバイアス電流、レーザ出力電力、及び受信電力を含む、
ことを特徴とする、光電子装置をモニタするための回路。
【請求項９】
光電子装置から該光電子装置の作動条件に対応する複数のアナログ信号を受信し、前記受信アナログ信号をデジタル値に変換し、該デジタル値をメモリ内の所定の領域に記憶する段階と、
前記デジタル値を限界値と比較してフラッグ値を発生させ、該フラッグ値を前記メモリ内の所定のフラッグ領域に記憶する段階と、
ホスト装置から受信した命令に従って、該ホスト装置が前記所定のフラッグ領域を含む前記メモリ内のホスト特異領域から読み取ることを可能にする段階と、
を含むことを特徴とする、光電子装置をモニタする方法。
【請求項１０】
前記光電子装置の電源電圧レベルに対応する電力レベル信号を発生させ、該電力レベル信号をデジタル電力レベル値に変換し、該デジタル電力レベル値を前記メモリ内の所定の電力レベル領域に記憶する段階を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記デジタル電力レベル値を電力レベル限界値と比較し、デジタル電力レベル信号と該電力レベル限界値との比較に基づいて電力レベルフラッグ値を発生させ、該電力レベルフラッグ値を前記メモリ内の所定の電力レベルフラッグ領域に記憶する段階を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記光電子装置の温度に対応する温度信号を発生させ、該温度信号をデジタル温度値に変換し、該デジタル温度値を前記メモリ内の所定の温度領域に記憶する段階を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記デジタル温度値を温度限界値と比較し、デジタル温度信号と該温度限界値との比較に基づいて温度フラッグ値を発生させ、該温度フラッグ値を前記メモリ内の所定の温度フラッグ領域に記憶する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数のアナログ信号は、レーザバイアス電流、レーザ出力電力、及び受信電力から成る組から選択された２つのアナログ信号を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記光電子装置に外付けの電源から電圧信号を受信し、該電圧信号をデジタル電圧値に変換し、該デジタル電圧値を前記メモリ内の対応する所定の領域に記憶する段階を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
光電子装置から該光電子装置の作動条件に対応する複数のアナログ信号を受信し、前記受信アナログ信号をデジタル値に変換し、該デジタル値をメモリ内の所定の領域に記憶する段階と、
前記デジタル値を限界値と比較してフラッグ値を発生させ、該フラッグ値を前記メモリ内の所定のフラッグ領域に記憶する段階と、
ホスト装置から受信した命令に従って、該ホスト装置が前記所定のフラッグ領域を含む前記メモリ内のホスト特異領域から読み取ることを可能にする段階と、
を含み、
前記複数のアナログ信号は、レーザバイアス電流、レーザ出力電力、及び受信電力を含む、
ことを特徴とする、光電子装置をモニタする方法。
【請求項１７】
光電子装置から該光電子装置の作動条件に対応する複数のアナログ信号を受信し、前記受信アナログ信号をデジタル値に変換し、該デジタル値を該光電子装置内の所定のメモリマップ領域に記憶するように構成されたアナログ／デジタル変換回路と、
前記デジタル値を限界値と比較して、前記光電子装置の作動中に該光電子装置内の所定のメモリマップフラッグ記憶領域に記憶されるフラッグ値を発生させるように構成された比較論理と、
ホストが前記所定のメモリマップフラッグ記憶領域を含む前記光電子装置内のホスト特異メモリマップ領域から読み取ることを可能にするように構成されたインタフェースと、
を含むことを特徴とする、光電子装置をモニタするための回路。
【請求項１８】
前記アナログ／デジタル変換回路は、電力レベル信号をデジタル電力レベル値に変換し、該デジタル電力レベル値を前記光電子装置内の所定のメモリマップ電力レベル領域に記憶するように構成されることを特徴とする請求項１７に記載の回路。
【請求項１９】
前記比較論理は、前記デジタル電力レベル値を電力限界値と比較し、該デジタル電力信号と該電力限界値との比較に基づいて電力フラッグ値を発生させ、該電力フラッグ値を前記光電子装置内の所定のメモリマップ電力フラッグ領域に記憶するための論理を含むことを特徴とする請求項１８に記載の回路。
【請求項２０】
前記アナログ／デジタル変換回路は、温度信号をデジタル温度値に変換し、該デジタル温度値を前記光電子装置内の所定のメモリマップ温度領域に記憶するように構成されることを特徴とする請求項１７に記載の回路。
【請求項２１】
前記比較論理は、前記デジタル温度レベル値を温度限界値と比較し、該デジタル温度信号と該温度限界値との比較に基づいて温度フラッグ値を発生させ、該温度フラッグ値を前記光電子装置内の所定のメモリマップ温度フラッグ領域に記憶するための論理を含むことを特徴とする請求項２０に記載の回路。
【請求項２２】
前記複数のアナログ信号は、レーザバイアス電流、レーザ出力電力、及び受信電力から成る組から選択された２つのアナログ信号を含むことを特徴とする請求項１７に記載の回路。
【請求項２３】
前記アナログ／デジタル変換回路は、前記モニタリング回路に外付けの電源から電圧信号を受信し、該電圧信号をデジタル電圧値に変換し、該デジタル電圧値を前記光電子装置内の対応する所定のメモリマップ領域に記憶するように構成されることを特徴とする請求項１７に記載の回路。
【請求項２４】
光電子装置から該光電子装置の作動条件に対応する複数のアナログ信号を受信し、前記受信アナログ信号をデジタル値に変換し、該デジタル値を該光電子装置内の所定のメモリマップ領域に記憶するように構成されたアナログ／デジタル変換回路と、
前記デジタル値を限界値と比較して、前記光電子装置の作動中に該光電子装置内の所定のメモリマップフラッグ記憶領域に記憶されるフラッグ値を発生させるように構成された比較論理と、
ホストから受信した指令に従って、該ホストが前記所定のメモリマップフラッグ記憶領域を含む前記光電子装置内のホスト特異メモリマップ領域から読み取ることを可能にするように構成されたインタフェースと、
を含み、
前記複数のアナログ信号は、レーザバイアス電流、レーザ出力電力、及び受信電力を含む、
ことを特徴とする、光電子装置をモニタするための回路。
【請求項２５】
光電子装置から該光電子装置の作動条件に対応する複数のアナログ信号を受信し、前記受信アナログ信号をデジタル値に変換し、該デジタル値を該光電子装置メモリ内の所定のメモリマップ領域の記憶する段階と、
前記デジタル値を限界値と比較してフラッグ値を発生させ、該フラッグ値を前記光電子装置内の所定のメモリマップフラッグ領域に記憶する段階と、
ホスト装置から受信した命令に従って、該ホスト装置が前記所定のメモリマップフラッグ領域を含む前記光電子装置内のホスト特異メモリマップ領域から読み取ることを可能にする段階と、
を含むことを特徴とする、光電子装置をモニタする方法。
【請求項２６】
前記光電子装置の電源電圧レベルに対応する電力レベル信号を発生させ、該電力レベル信号をデジタル電力レベル値に変換し、該デジタル電力レベル値を前記光電子装置内の所定のメモリマップ電力レベル領域に記憶する段階を更に含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記デジタル電力レベル値を電力レベル限界値と比較し、該デジタル電力レベル信号と該電力レベル限界値との比較に基づいて電力レベルフラッグ値を発生させ、該電力レベルフラッグ値を前記光電子装置内の所定のメモリマップ電力レベルフラッグ領域に記憶する段階を更に含むことを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記光電子装置の温度に対応する温度信号を発生させ、該温度信号をデジタル温度値に変換し、該デジタル温度値を前記光電子装置内の所定のメモリマップ温度領域に記憶する段階を更に含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記デジタル温度値を温度限界値と比較し、該デジタル温度信号と該温度限界値との比較に基づいて温度フラッグ値を発生させ、該温度フラッグ値を前記光電子装置内の所定のメモリマップ温度フラッグ領域に記憶する段階を含むことを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記複数のアナログ信号は、レーザバイアス電流、レーザ出力電力、及び受信電力から成る組から選択された２つのアナログ信号を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
前記光電子装置に外付けの電源から電圧信号を受信し、該電圧信号をデジタル電圧値に変換し、該デジタル電圧値を前記光電子装置内の対応する所定のメモリマップ領域に記憶する段階を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】
光電子装置から該光電子装置の作動条件に対応する複数のアナログ信号を受信し、前記受信アナログ信号をデジタル値に変換し、該デジタル値を該光電子装置内の所定のメモリマップ領域に記憶する段階と、
前記デジタル値を限界値と比較してフラッグ値を発生させ、該フラッグ値を前記光電子装置内の所定のメモリマップフラッグ領域に記憶する段階と、
ホスト装置から受信した命令に従って、該ホスト装置が前記所定のメモリマップフラッグ領域を含む前記光電子装置内のホスト特異メモリマップ領域から読み取ることを可能にする段階と、
を含み、
前記複数のアナログ信号は、レーザバイアス電流、レーザ出力電力、及び受信電力を含む、
ことを特徴とする、光電子装置をモニタする方法。