Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月24日(2004.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式、Ｒ1Ｒ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＮＲ3Ｒ4のω−［Ｎ−（２−アミノエチル）］アミノアルキルアルコキシシランの調製方法であって、
ここで、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、独立して、水素原子および式Ｒ5Ｓｉ（Ｒ6）3-a（ＯＲ7）a（ここで、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7は、各々独立して、Ｃ1-8アルキルであり、ａは１、２、または３である）のアルコキシシランからなる群から選択されるメンバーであり、Ｒ4は該アルコキシシランであり、該方法は、
エチレンジアミン、エチレンジアミン塩酸塩、および上記のように規定された式ＣｌＲ5Ｓｉ（Ｒ6）3-a（ＯＲ7）aのω−クロロアルキルアルコキシシランを、ω−クロロアルキルアルコキシシラン１モル当たり３〜４０モルの総エチレンジアミンの供給比で、前記ω−［Ｎ−（２−アミノエチル）］アミノアルキルアルコキシシランを生成する条件下で、反応器に添加する工程であって、エチレンジアミンとエチレンジアミン塩酸塩との比率は、前記塩を含有する相が前記ω−［Ｎ−（２−アミノエチル）］アミノアルキル−アルコキシシランを含有する相とは別に前記反応器内に存在するような比率である、工程と、
前記反応の後に、
前記塩を含有する相を、前記アルコキシシランを含有する相から分離する工程と、
前記塩を含有する相の少なくとも一部を、前記エチレンジアミンの一部の供給源および前記エチレンジアミン塩酸塩の供給源として、前記反応器へ戻す工程と、
を包含する、方法。
【請求項２】
前記ω−クロロアルキルアルコキシシランは、３−クロロプロピルトリメトキシシランまたは３−クロロイソブチルメチルジメトキシシランである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＮＨＲ1ＳｉＲ3(3-a)（ＯＲ2）aの調製方法であって、
ここで、Ｒ1は、プロピル基またはイソブチル基であり、Ｒ2およびＲ3は、各々独立して、メチル基またはエチル基であり、該方法は、
エチレンジアミン、エチレンジアミン塩酸塩、および３−Ｃｌ−Ｒ1Ｓｉ（ＯＲ2）3（Ｒ1およびＲ2は、上記規定のとおりである）を、３−Ｃｌ−Ｒ1ＳｉＲ3(3-a)（ＯＲ2）a１モル当たり１２〜３０モルの総エチレンジアミンの供給比で、前記Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＮＨＲ1ＳｉＲ3(3-a)（ＯＲ2）aを生成する条件下で、反応器に添加する工程であって、エチレンジアミンとエチレンジアミン塩酸塩との比率は、前記塩を含有する相が前記Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＮＨＲ1ＳｉＲ3(3-a)（ＯＲ2）aを含有する相とは別に前記反応器内に存在するような比率である、工程と、
前記反応の後に、
前記塩を含有する相を前記Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＮＨＲ1Ｓi（ＯＲ2）3を含有する相から分離する工程と、
前記塩を含有する相の少なくとも一部を、前記エチレンジアミンの一部の供給源および前記エチレンジアミン塩酸塩の供給源として、前記反応器へ戻す工程と、
を包含する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
次の工程（ａ）〜（ｄ）：
（ａ）トール油樹脂をオレフィン性不飽和カルボン酸と反応させることからなる第１工程、
（ｂ）不均化剤を添加することからなる第２工程、
（ｃ）ポリオールを添加することからなる第３工程、および
（ｄ）中和剤を添加することからなる第４工程を含むことを特徴とするトール油樹脂誘導体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
次の工程（ａ）〜（ｄ）：
（ａ）トール油樹脂をオレフィン性不飽和カルボン酸と反応させることからなる第１工程、
（ｂ）不均化剤を添加することからなる第２工程、
（ｃ）ポリオールを添加することからなる第３工程、および
（ｄ）中和剤を添加することからなる第４工程を含むトール油樹脂誘導体の製造方法により製造されることを特徴とするトール油樹脂誘導体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記請求項１１記載のトール油樹脂誘導体および少なくとも１種の添加剤を含むことを特徴とする樹脂組成物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
従来技術に鑑み、本発明の課題は、製造時および加工時の他の特性を損なわず、また接着に関する技術的特性を損なわずに、バルサム樹脂を含有する接着剤と比べて樹脂含有接着剤からの排出量をさらに低減することにある。ここでいう特性とは具体的に、樹脂のポリマー分散体に対する配合性、接着剤の粘度および塗布性、接着剤のオープンタイム、初期接着力、最終接着力、および熱安定性を指す。
【発明を解決するための手段】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の課題は、カルボキシル化トール油樹脂を粘着付与剤樹脂として使用することで達成可能であることが見出された。すなわち、本発明（１）は、水および水分散性ポリマーを含有する低排出の水性分散体接着剤であって、カルボキシル化トール油樹脂カラフォニーを含有する分散体接着剤を提供するものである。
また、本発明（２）は、カルボキシル化トール油樹脂カラフォニーをポリマーの水性分散体と混合する分散体接着剤の製造方法を提供するものである。
また、本発明（３）は、前記本発明（１）記載の分散体接着剤の、床被覆材を接着するための使用を提供するものである。
また、本発明（４）は、次の工程（ａ）〜（ｄ）：
（ａ）トール油樹脂をオレフィン性不飽和カルボン酸と反応させることからなる第１工程、
（ｂ）不均化剤を添加することからなる第２工程、
（ｃ）ポリオールを添加することからなる第３工程、および
（ｄ）中和剤を添加することからなる第４工程を含むトール油樹脂誘導体の製造方法を提供するものである。
また、本発明（５）は、次の工程（ａ）〜（ｄ）：
（ａ）トール油樹脂をオレフィン性不飽和カルボン酸と反応させることからなる第１工程、
（ｂ）不均化剤を添加することからなる第２工程、
（ｃ）ポリオールを添加することからなる第３工程、および
（ｄ）中和剤を添加することからなる第４工程を含むトール油樹脂誘導体の製造方法により製造されるトール油樹脂誘導体を提供するものである。
また、本発明（６）は、前記本発明（５）記載のトール油樹脂誘導体および少なくとも１種の添加剤を含む樹脂組成物を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月16日(2004.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マイクロ流体分離カラム装置および組立方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
第６層４６は、バイア２４Ａから第７層１７に画定されたスリット５２へ送る第２移動相溶媒を受け入れる溝４６を画定し、該溝４６は、スリット５２の下流の溝６４での２つの溶媒の混合を容易にする。さらに第６層に、溝４５Ａ−４５Ｎの上流端へ混合した移動相溶媒を受け入れる第１組の８つのバイア４８Ａ−４８Ｎと、同じ溝４５の下流端に、溝４５Ａ−４５Ｎの下流端からの廃液を移送するための２組の８つのバイア４９が画定される。２つのフリット５０，５１は第６層と第７層１６，１７との間に設置される。第１（移動相溶媒）フリット５０は、第１組の８つのバイア４８の直上に配置され、一方、第２（移動相＋サンプル）フリット５１は、第２組の８つのバイア４８Ａ−４８Ｎの直上および第７層１７に画定された同様の組の８つのバイア６０Ａ−６０Ｎの下に配置される。第７層１７は、溝部５８と、２つの中間分岐溝部５６Ａ−５６Ｂと、フリット５０およびバイア４８Ａ−４８Ｎを通して第５層１５に画定した分離溝４５Ａに移動相溶媒を伝達する８つのバイア５４Ａ−５４Ｎとを確定する。第７層１７は、さらに、分離の間移相溶媒およびサンプルを受け入れ、カラム充填の間（スラリー）溶媒を受け入れ、そのような流体のバイア３０Ａから第１装置層１１に画定した流体排出ポート３０への流れの経路を定める下流のマニホルド溝６２を画定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
マイクロ流体分離装置は、実質的に８つを越える分離溝を含んでもよく、分離溝の数は２の累乗である必要はない。例えば、２４の分離溝６３９Ａ−６３９Ｎを含むマイクロ流体装置６１０が図６および図７Ａ−７Ｅに示されている。マイクロ流体分離装置６１０は、１２の装置層６１１−６２２で構成され、複数の型板層６１４，６１５，６１７，６１８，６２０を含む。１２の装置層６１１−６２２は、それぞれ５つの位置決め穴６２３−６２７を画定し、これらの位置決め穴は、協動して、外部ピン（不図示）とともに用いられて組立ての間、層の整列を助けるのに、或いは、充填工程または装置６１０の運転中、締付器具（不図示）のような外部接合部と装置６１０を合致させるのに使用される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図４Ａに示すように、２つの板３００，３３０は、流体装置１０Ａの周りを挟み込み、ボルト３４０およびナット３４１で締付けてもよい。第１板３００は、第１板３００の側部に沿って配置され、対応する第２板３３０のボルト３４０を受け入れる穴３０２Ｂ，３０４Ｂに一致するように設計された貫通穴３０２Ａ，３０４Ａを有する。２つの板３００，３３０の間で装置１０Ａを整列するのを助けるために、複数の立てられたピン３０８が第１板３００に設けられ、マイクロ流体装置の開口（例えば装置１０の穴２０，２１）を貫通し、第２板３３０の凹部３０６に一致してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月26日(2004.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気圧弁組立体（１０，１１０）であって、
加圧空気源と流体連通状態にある加圧空気供給入口ポート（３０，１３０）を備えた弁体（１２，１１２）と、
前記弁体（１２，１１２）内を軸方向に延びる弁ボア（３６，１３６）と、
加圧空気の流れを前記加圧空気供給入口ポート（３０，１３０）から前記弁ボア（３６，１３６）を通して少なくとも１つの出口ポート（３２，１３２）に選択的に差し向けるよう前記弁ボア（３６，１３６）内において所定の位置相互間で動くことができる弁部材（４６，１４６）と、
前記弁部材（４６，１４６）上に設けられた少なくとも１つの弁要素（５２，１５２）と、を有し、前記少なくとも１つの弁要素に、傾斜した弁密封面（６２，１６２）を構成する弾性材料が一体成形され、
更に、前記弁ボア（３６，１３６）に対して傾斜した角度で前記弁ボア（３６，１３６）に形成された少なくとも１つの弁座（８２，１８２）を有し、
前記傾斜角度は、前記弁部材の中心線から垂直方向外方に延びる半径方向線に対して測定され、前記少なくとも１つの弁座に対応する前記傾斜した弁密封面の角度測定値よりも２〜３°小さく、前記弁密封面及び前記弁座は、前記弁部材（４６，１４６）が閉鎖位置にあるときに前記弁座と前記弁要素（５２，１５２）の弁密封面（６２，１６２）とが面シール接触するように協働して密封面を形成し、それにより、加圧空気の流れを遮ることを特徴とする空気圧弁組立体。
【請求項２】
前記弁座（８２，１８２）の傾斜角度は、前記弁座（８２，１８２）の表面の線と前記弁部材（４６，１４６）の中心線から垂直方向外方に延びる半径方向線との間の角度として測定され、前記傾斜角度は、２８〜３２°であることを特徴とする請求項１記載の空気圧弁組立体。
【請求項３】
更に、前記弁体（１２，１１２）に設けられていて、前記弁ボア（３６，１３６）と流体連通状態にある少なくとも１つの排気ポート（３８，１３８）を有し、
前記弁要素（５２，１５２）は、更に、加圧空気の流れを前記少なくとも１つの出口ポート（３２，１３２）から前記弁ボア（３６，１３６）を通して前記少なくとも１つの排気ポート（３８，１３８）に選択的に差し向けるように作動することを特徴とする請求項１記載の空気圧弁組立体。
【請求項４】
更に、前記弁体（１２）に設けられていて、前記弁ボア（３６）と流体連通状態にある複数の出口ポート（３２，３４）を有していることを特徴とする請求項１記載の空気圧弁組立体。
【請求項５】
更に、前記弁部材（４６）上に設けられていて、加圧空気の流れを前記入口ポート（３０）から前記弁ボア（４６）を通して前記複数の出口ポート（３２，３４）に選択的に差し向けるように作動する複数の弁要素（５２，５４，５６，５８）を有していることを特徴とする請求項４記載の空気圧弁組立体。
【請求項６】
更に、各々が前記弁体（１２）に前記弁ボア（３６）と流体連通状態をなして設けられた複数の排気ポート（３８，４０）を有し、前記弁要素（５２，５４，５６，５８）は、更に、加圧空気の流れを前記複数の出口ポート（３２，３４）の各々から前記弁ボア（３６）を通して前記出口ポートの各々に対応する前記複数の排気ポートのうちの排気ポート（３８，４０）に選択的に差し向けるように作動することを特徴とする請求項５記載の空気圧弁組立体。
【請求項７】
前記弁ボア（３６）は、１対の開口端部（４２，４４）を備えるよう前記弁体（１２）を貫通しており、少なくとも１つのリテーナインサート（５０，５１）が、前記弁体（１２）の前記１対の開口端部のうち一方（４４）に受け入れられ、前記リテーナインサート（５０，５１）は、前記弁部材（４６）を前記弁ボア（３６）内に保持することを特徴とする請求項１記載の空気圧弁組立体。
【請求項８】
前記少なくとも１つの弁座（８２）は、前記リテーナインサート（５１）上に設けられていることを特徴とする請求項７記載の空気圧弁組立体。
【請求項９】
更に、前記弁ボア（３６）の一端部（４４）のところに且つ前記弁部材（４６）と前記リテーナインサート（５０）の間に設けられた付勢部材（１０８）を有し、それにより、前記弁部材（４６）に一方向の付勢力を与えることを特徴とする請求項８記載の空気圧弁組立体。
【請求項１０】
前記付勢部材（１０８）は、コイルばねであることを特徴とする請求項９記載の空気圧弁組立体。
【請求項１１】
更に、前記弁部材（４６）を前記弁ボア（３６）内で前記付勢部材（１０８）の付勢力と逆の方向に選択的に作動させるよう前記弁体（１２）に取り付けられた電気機械式アクチュエータ組立体（１４）を有していることを特徴とする請求項９記載の空気圧弁組立体。
【請求項１２】
前記電気機械式アクチュエータ組立体（１４）は、ソレノイドを含むことを特徴とする請求項１１記載の空気圧弁組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のシリンダを有し、そのシリンダの少なくともいくつかは、運転中に停止状態にすることができる内燃機関において、
運転中に停止状態にできる前記シリンダ（３ａ〜３ｄ）が、高負荷運転点用に構成され、残りの前記シリンダ（２ａ〜２ｄ）が、低負荷運転点用に構成され、
前記高負荷運転点用シリンダ（３ａ〜３ｄ）と低負荷運転点用シリンダ（２ａ〜２ｄ）には、それぞれ独立した吸気配管（４、５）及び排気ガス配管（６、７）が接続されることを特徴とする内燃機関。
【請求項２】
前記高負荷運転点用シリンダ（３ａ〜３ｄ）が、前記低負荷運転点用シリンダ（２ａ〜２ｄ）より低い圧縮比（ε）を有することを特徴とする請求項１に記載の内燃機関。
【請求項３】
前記高負荷運転点用シリンダ（３ａ〜３ｄ）に、前記低負荷運転点用シリンダ（２ａ〜２ｄ）の噴射ノズル（８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ）より、高い燃料流量を有する噴射ノズル（９ａ〜９ｄ）を設けることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の内燃機関。
【請求項４】
前記高負荷運転点用シリンダ（３ａ〜３ｄ）と、前記低負荷運転点用シリンダ（２ａ〜２ｄ）には、独立した排気ガスターボチャージャ（１２、１３）から空気を供給することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の内燃機関。
【請求項５】
前記高負荷運転点用の排気ガスターボチャージャ（１３）は、前記低負荷運転点用の排気ガスターボチャージャ（１２）より高い空気流量を有することを特徴とする請求項４に記載の内燃機関。
【請求項６】
前記低負荷運転点用の前記シリンダ（２ａ〜２ｄ）に、排気ガス循環装置（１４）を設けることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の内燃機関。
【請求項７】
高負荷運転点用に構成される前記シリンダ（３ａ〜３ｄ）が、低負荷運転点用に構成されるシリンダ（２ａ〜２ｄ）より多数の摺動バルブ（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ）を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の内燃機関。
【請求項８】
低負荷運転点用に構成される前記シリンダ（２ａ〜２ｄ）に、吸入ダクトを停止状態にするための装置（１５）を設けることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の内燃機関。
【請求項９】
２列（２、３）のシリンダが設けられ、高負荷運転点用に構成される前記シリンダ（３ａ〜３ｄ）が、前記シリンダの１つの列（３）に配置され、低負荷運転点用に構成される前記シリンダ（２ａ〜２ｄ）が、前記シリンダの他の列（２）に配置されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の内燃機関。
【請求項１０】
高負荷運転点用に構成される前記シリンダ（３ａ〜３ｄ）の数が、低負荷運転点用に構成される前記シリンダ（２ａ〜２ｄ）の数に対応することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の内燃機関。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005517115.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データをロギングする方法であって、
ポータブル通信装置内でアプリケーションを実行するステップと、
前記アプリケーションの実行に関するデータを、前記ポータブル通信装置内に常駐するデータログにロギングするステップと、
前記データログからのデータを外部ソースへ送信するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記データの送信は、前記データログにおける前記データがスレッシュホールドを越えたときに行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データの送信は、前記アプリケーションの実行に関する事象に応答して行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記データの送信は、前記外部ソースからの要求に応答して行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ポータブル通信装置と前記外部ソースとの間の接続を開始するステップを更に備え、前記データの送信は、前記接続がなされるのに応答して行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アプリケーションの実行とは独立して前記ポータブル通信装置と前記外部ソースとの間で通信するステップを更に備え、前記データログからの前記データは前記通信で送信される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記通信装置内で第２のアプリケーションを実行するステップを更に備え、データをロギングする前記ステップは、前記第１アプリケーションの実行に関するデータと、前記第２アプリケーションの実行に関するデータとの両方を前記データログにロギングする段階を更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記データログからのデータが前記外部ソースへ送信されるときに前記アプリケーションの実行に関する更に別のデータを第２のデータログにロギングするステップを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記データログを削除するステップを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記データログは、前記外部ソースへのデータ送信の後に自動的に削除される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記データログは、前記ポータブル通信装置内又は前記外部ソースからのトリガー事象に応答して削除される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記データログの発生は、前記データログが存在するかどうかチェックする段階と、前記データログが存在しない場合に前記データログを生成する段階とを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
データログと、
アプリケーションを実行し、該アプリケーションの実行に関するデータを前記データログにロギングするように構成された処理要素と、
前記データログからのデータを外部ソースへ送信するように構成された送信器と、
を備えたポータブル通信装置。
【請求項１４】
前記送信器は、前記アプリケーションの実行に関する事象に応答して前記データを送信するように更に構成されている、請求項１３に記載のポータブル通信装置。
【請求項１５】
前記送信器は、前記外部ソースからの要求に応答して前記データを送信するように更に構成されている、請求項１３に記載のポータブル通信装置。
【請求項１６】
前記処理要素は、前記通信装置と前記外部ソースとの間の接続を開始するように更に構成され、前記送信器は、前記接続がなされるのに応答してデータを送信するように更に構成されている、請求項１３に記載のポータブル通信装置。
【請求項１７】
前記処理要素は、前記アプリケーションの実行とは独立して前記通信装置と前記外部ソースとの間の通信をサポートするように更に構成され、前記送信器は、前記データログからのデータを前記通信で送信するように更に構成されている、請求項１３に記載のポータブル通信装置。
【請求項１８】
前記処理要素は、第２のアプリケーションを実行するように更に構成されると共に、前記処理要素は、該第２のアプリケーションの実行の関数としてデータを発生して、前記第１アプリケーションの実行に関するデータと、前記第２アプリケーションの実行に関するデータとの両方を前記データログに書き込むことにより、前記データを更にロギングする、請求項１３に記載のポータブル通信装置。
【請求項１９】
第２のデータログを更に備え、前記処理要素は、前記送信器が前記データログからデータを送信するときに前記アプリケーションの実行に関する更に別のデータを前記第２のデータログに書き込むように更に構成されている、請求項１３に記載のポータブル通信装置。
【請求項２０】
前記処理要素は、前記データログを削除するように更に構成されている、請求項１３に記載のポータブル通信装置。
【請求項２１】
前記処理要素は、前記送信器からのデータを前記外部ソースへ送信した後に前記データログを自動的に削除するように更に構成されている、請求項２０に記載のポータブル通信装置。
【請求項２２】
前記処理要素は、当該ポータブル通信装置内又は前記外部ソースから開始されたトリガー事象に応答して前記データログを削除するように更に構成されている、請求項２０に記載のポータブル通信装置。
【請求項２３】
前記処理要素は、前記データログが存在するかどうかチェックし、前記データログが存在しない場合に前記データログを生成するように更に構成されている、請求項１３に記載のポータブル通信装置。
【請求項２４】
ポータブル通信装置内でアプリケーションを実行するステップと、該アプリケーションの実行に関するデータをデータログにロギンするステップと、前記データログからのデータを、外部装置への送信のために抽出するステップとを備えたデータロギング方法を実行するように、前記ポータブル通信装置内で動作するプロセッサにより実行される命令のプログラムを実施するコンピュータ読み取り可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振振動子の振幅を測定するための装置であって、
駆動ユニット（１４）が振動軸（２）を中心に周期Ｔで振動させる第１ミラー面（８）を有する共振振動子と、
第１ミラー面（８）に対向して配置され、また、光軸（２１）に沿って第１ミラー面（８）に測定光（３）を発するレーザダイオード（４）であって、第１ミラー面（８）が測定光（３）を偏向し、光軸（２１）が、振動軸（２）と交差し、また、駆動されていない時の、従って、静止している時の第１ミラー面（８）を基準にして角度（γ）で延在する、前記レーザダイオード（４）と、
光軸（２１）から既知の距離”ａ”において、また、第１ミラー面（８）から既知の距離“ｂ”において、第１ミラー面（８）に対向して配置された第１受光器（６）であって、受光器が測定光（３）と偏向測定光（５）とによって画成される面内に配置され、偏向測定光（５）が、周期の象限（０、・・・、Ｔ／４又は０、・・・、π／２）内において、また、この周期の後続の象限（Ｔ／４、・・・、Ｔ／２又はπ／２、・・・、π）内において、受光器（６）上を移動し、第１受光器（６）は、共振振動子の偏向が、振動の最大振幅（ｎ＊２π＋π／２；ｎ＝０、１、２、３、・・・）でなく、また、振動のゼロ交差（ｎ＊π；ｎ＝０、１、２、３、・・・）でもない時、偏向測定光（５）によって照射されるように配置される、前記第１受光器（６）と、が含まれ、
前記受光器（６）は、受光器が照射される関数としてパルスを発生する評価電子回路（１１）に接続され、
評価電子回路（１１）は、前記パルスを用いて、時点（ｔ１、ｔ２）を算出し、また、これらを基に、時間間隔Δｔ＝ｔ２−ｔ１を算出し、
最大振幅の実際値は、評価電子回路（１１）において、式ΦＩＳＴ＝ａｒｃｔａｎ（ａ／ｂ）／ｓｉｎπ（１／２−Δｔ／Ｔ）に基づき算出される、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記画成された面において、第２受光器（７）が、測定光（３）の光軸（２１）を基準にして、第１受光器（６）に対称に配置されていることを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の装置であって、
共振振動子は、有用な光を偏向するために第１ミラー面（８）に対向して配置された第２ミラー面（９）を有することを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
評価電子回路（１１）は、閉ループ制御手段（１２）に接続され、閉ループ制御手段（
１２）は、共振振動子のための駆動ユニット（１４）に接続されていることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項４に記載の装置であって、
評価電子回路（１１）は、演算回路（１７）とメモリ（１８）とを含む映像電子回路（１３）に接続され、前記映像電子回路（１３）は、駆動電子回路（１５）に接続され、駆動電子回路（１５）は、変調可能なレーザ光源（１６）に接続されていることを特徴とする装置。
【請求項６】
共振振動子の振幅を測定するための方法であって、
ａ）共振振動子を振動軸を中心に周期Ｔで振動させ、
ｂ）振動の半波内において、所定の偏向（β１）が起こる時点（ｔ１、ｔ２）を決定し、前記所定の偏向は、振動の最大振幅（ｎ＊２π＋π／２；ｎ＝０、１、２、３、・・・）でなく、また、振動のゼロ交差（ｎ＊π；ｎ＝０、１、２、３、・・・）でもなく、
ｃ）時間間隔Δｔ＝ｔ２−ｔ１を時点（ｔ１、ｔ２）に基づき算出し、
ｄ）最大振幅の実際値を、式ΦＩＳＴ＝２β１／ｓｉｎπ（１／２−Δｔ／Ｔ）に基づき算出する、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記ステップｂ）及びｃ）を、振動の後続の周期において繰返し、
所定の偏向（β１）が起こる２つの後続の周期において得られる２つの時点（ｔ１、ｔ３）間の時間差に基づき、周期ＴをＴ＝ｔ３−ｔ１として算出することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の方法であって、
最大振幅の実際値を、共振振動子における最大振幅の所望の値を調整するための閉ループ制御手段（１２）に供給し、制御装置出力を閉ループ制御手段によって駆動ユニット（１４）に供給することを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、
角度２β１の大きさを、算出される時間Δｔが、映像画像の後続ラインの書込み時における帰線消去間隔に対応するように、設定することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月19日(2004.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  研磨パッドであって：
研磨表面を有する研磨層と；
前記研磨層内の固定透過性固体ウインドウであって、前記研磨面と実質的に同一平面にある最上面を有し、かつ、内部に少なくとも一つの凹部が形成された底部表面を有する、前記ウインドウ、前記研磨層に固定された誘導コイルまたは前記研磨層に固定された強磁性体のうちの少なくとも一つと；
を備える、前記研磨パッド。
【請求項２】  前記透過性ウインドウを備える、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】  前記研磨表面の向かい合う前記研磨層の側部上に位置決めされたバッキング層を更に備える、請求項２記載の研磨パッド。
【請求項４】  アパーチャが前記バッキング層内に形成され、前記ウインドウに整列している、請求項３記載の研磨パッド。
【請求項５】  前記誘導コイルを備える、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項６】  前記誘導コイルは、前記研磨パッド内に埋め込まれている、請求項５記載の研磨パッド。
【請求項７】  前記研磨層は、その底部表面に形成された凹部を含み、前記コイルは、前記凹部内に位置決めされている、請求項５記載の研磨パッド。
【請求項８】  前記強磁性体を備える、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項９】  前記研磨層は、その底部表面内に形成された凹部を含み、前記強磁性体は、前記凹部内で位置決めされている、請求項８記載の研磨パッド。
【請求項１０】  前記研磨層の表面に関する前記強磁性体の位置は、調節可能である、請求項８記載の研磨パッド。
【請求項１１】  研磨システムであって：
研磨表面を有する研磨パッドと；
前記研磨パッドの前記研磨表面に対し基板を保持する為のキャリアと；
前記基板の向かい合う前記研磨面の側部上で位置決めされた誘導コイルであって、前記研磨パッドを少なくとも部分的に通って延びる前記誘導コイル、または、前記基板の向かい合う前記研磨面の側部に位置決めされた強磁性体であって、前記研磨パッドを少なくとも部分的に通って延びる、前記強磁性体のうち、少なくとも一つを含む、渦電流モニタシステムと；を備える、前記研磨システム。
【請求項１２】  前記誘導コイルを備える、請求項１１記載の研磨システム。
【請求項１３】  前記コイルは、前記研磨パッドに固定されている、請求項１２記載の研磨システム。
【請求項１４】  前記コイルは、前記研磨パッド内に埋め込まれている、請求項１３記載の研磨システム。
【請求項１５】  透過性ウインドウを含む光学モニタリングシステムを更に備え、前記コイルは、前記透過性ウインドウを少なくとも部分的に通って延びている、請求項１２記載の研磨システム。
【請求項１６】  前記強磁性体を備える、請求項１１記載の研磨システム。
【請求項１７】  前記強磁性体は、前記研磨パッドに固定されている、請求項１６記載の研磨システム。
【請求項１８】  前記強磁性体は、前記研磨パッド内に埋め込まれている、請求項１７記載の研磨システム。
【請求項１９】  透過性ウインドウを含む光学モニタリングシステムを更に備え、前記強磁性体は、前記透過性ウインドウを少なくとも部分的に通って延びている、請求項１６記載の研磨システム。
【請求項２０】  前記研磨パッドに対して前記強磁性体を付勢する手段を更に備える、請求項１６記載の研磨システム。
【請求項２１】  研磨システムの為のキャリアヘッドであって：
基板受容面と；
前記基板受容面の向かい合う側部上のキャリアヘッド内の強磁性体と；
を備える、前記キャリアヘッド。
【請求項２２】  研磨方法であって：
研磨パッドの研磨表面に基板を接触させるステップと；
誘導コイルが前記研磨パッドを少なくとも部分的に通って延びるように、前記基板の向かい合う前記研磨表面の側部で前記誘導コイルを位置決めするステップと；
前記基板と前記研磨パッドとの間に相対運動を引き起こすステップと；
前記誘導コイルを使用して磁界をモニタするステップと；
を備える、前記研磨方法。
【請求項２３】  研磨方法であって：
研磨パッドの研磨表面に基板を接触させるステップと；
強磁性体が前記研磨パッドを少なくとも部分的に通って延びるように、前記基板の向かい合う前記研磨表面の側部で前記強磁性体を位置決めするステップと；
前記基板と前記研磨パッドとの間に相対運動を引き起こすステップと；
前記強磁性体に磁気結合する誘導コイルを使用して磁界をモニタするステップと；
を備える、前記研磨方法。
【請求項２４】  研磨パッドを製造する方法であって：
固体透過性ウインドウの底部表面内に凹部を形成するステップと；
前記固体透過性ウインドウの最上面が前記研磨パッドの研磨表面と実質的に同一平面になるように研磨層内に前記固体透過性ウインドウを設置するステップと；
を備える、前記方法。
【請求項２５】  前記凹部を形成するステップは、前記凹部を機械加工する工程を含む、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】  前記凹部を形成するステップは、前記ウインドウを成型する工程を含む、請求項２４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を製造する方法であって、
ＧａＡｓからなる第１の層とＩｎＧａＰからなる第２の層を含み、かつ前記第１および第２の層がＩｎＧａＡｓＰからなる共通の境界面を介して接合された基板を提供するステップと、
前記境界面の少なくとも一部が露出するまで、第１の液体組成物で前記第１の層をエッチングするステップと、
液体媒体中に含有された酸化剤を含み、かつＩｎＧａＰに対してエッチング停止反応を示す第２の組成物で、前記境界面をエッチングするステップと、
から成る方法。
【請求項２】
前記半導体装置は電界効果トランジスタである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記半導体装置はヘテロ接合バイポーラトランジスタである、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第２の組成物は、ＨＣｌとＨ２Ｏ２を含む水溶液である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第２の組成物は希釈水溶液である、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記溶液中のＨ２Ｏ２：ＨＣｌのモル比が、約１：２０から約５：４の範囲内にある、請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記溶液中のＨ２Ｏ２：ＨＣｌのモル比は、約１：１２から約３：４の範囲内にある、請求項４記載の方法。
【請求項８】
前記溶液中のＨ２Ｏ２：ＨＣｌのモル比は、約１：１２から約１：４の範囲内にある、請求項４記載の方法。
【請求項９】
前記ＩｎＧａＡｓＰは、式ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ（ここで、０＜ｘ，ｙ＜１）を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記ＩｎＧａＰは、式ＩｎｘＧａ（１−ｘ）Ｐ（ここで、０＜ｘ＜１）を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記液体媒体は水である、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の組成物は、ＩｎＧａＰに対してエッチング停止反応を示す、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記第１および第２の層は、エピタキシャル層である、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記基板は、ＩｎＧａＡｓＰからなる複数の境界面を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
各前記複数の境界面は、ＧａＡｓからなる層によって第１の面側に境界を接し、ＩｎＧａＰからなる層によって第２の面側に境界を接している、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記第１と第２層は、実質的に平行である、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
第３の液体組成物で前記第２の層をエッチングするステップをさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
前記第３の組成物は、Ｈ３ＰＯ４とＨＣｌの混合物からなる、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
半導体装置を製造する方法であって、
異なる組成物を有して隣接する第１および第２のエピタキシャル層を含み、かつ第１および第２の層がそれぞれＧａＡｓおよびＩｎＧａＰからなり、それらの間にＩｎＧａＡｓＰからなる境界面が配置された、ＩＩＩ−Ｖ族化合物より構成されるヘテロ構造を提供すること、
前記ヘテロ構造を、前記第１の層を選択的にエッチングする第１のエッチング液にさらすこと、
前記ヘテロ構造を、ｐＨ７未満のＨ２Ｏ２の水溶液からなり、かつ境界面を選択的にエッチングする第２のエッチング液にさらすこと、
から成る方法。
【請求項２０】
前記第２のエッチング液のｐＨは、約５よりも大きい請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のエッチング液は、ＨＣｌをさらに含む請求項１９記載の方法。
【請求項２２】
前記第２のエッチング液中のＨ２Ｏ２：ＨＣｌのモル比は、約１：２０から約５：４の範囲内にある、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記第２のエッチング液中のＨ２Ｏ２：ＨＣｌのモル比は、約１：１２から約３：４の範囲内にある、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
基板をエッチングする方法であって、
ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ（ここで、０＜ｘ，ｙ＜１）の組成からなる基板を提供するステップと、
前記組成の基板をＨ２Ｏ２とＨＣｌの希釈水溶液であって前記組成をＩｎＧａＰについて選択的にエッチングする希釈水溶液からなる組成物でエッチングするステップと、から成る方法。
【請求項２５】
前記溶液中のＨ２Ｏ２：ＨＣｌのモル比が、約１：２０から約５：４の範囲内にある、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記溶液中のＨ２Ｏ２：ＨＣｌのモル比は、約１：１２から約３：４の範囲内にある、請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
前記溶液中のＨ２Ｏ２：ＨＣｌのモル比は、約１：１２から約１：４の範囲内にある、請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
前記溶液中のＨＣｌの濃度が、約０．５Ｍ未満である、請求項２５記載の方法。
【請求項２９】
電界効果トランジスタを製造する方法であって、
ＧａＡｓからなる第１の層とＩｎＧａＰからなる第２の層を含む複数のエピタキシャル層を有し、かつ前記第１と第２の層がＩｎＧａＡｓＰからなる共通の境界面を有する基板を得るステップと、
液体媒体中に含有された酸化剤からなる組成物であってＩｎＧａＡｓＰをＩｎＧａＰについて選択的にエッチングする組成物で前記境界面をエッチングするステップと、
から成る方法。
【請求項３０】
前記酸化剤は過酸化物である、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
前記過酸化物はＨ２Ｏ２である、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記液体媒体は水である、請求項２９記載の方法。
【請求項３３】
前記組成物は、Ｈ２Ｏ２と、ＨＣｌと、Ｈ２Ｏからなる請求項２９記載の方法。
【請求項３４】
前記液体媒体中のＨＣｌの濃度は、約０．５Ｍ未満である、請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
前記液体媒体中のＨＣｌの濃度は、約０．２Ｍから約０．５Ｍの範囲内にある、請求項３３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月18日(2004.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面と外面と壁を持つ少なくとも一つの開口部とを有する底部と、側壁と、を備えた金属本体と、
上記底部の上記開口部を通して長手方向に延びた電流伝導ピンと、
少なくとも上記本体の上記底部の上記開口部の上記壁と上記内面と上記外面との各部分を覆っており、上記本体と上記ピンの両方ともを直接的に固定し、上記ピンが延びている上記底部の上記開口部と上記ピンとの間に約１×１０−７ｃｃ／ｓｅｃ  Ｈｅのシールを備えている一体構造の誘電性のプラスチック樹脂と、
を有することを特徴とする密封端子部品。
【請求項２】
上記プラスチック樹脂は、上記本体の上記底部の上記開口部を取り囲んでいる頸状部を有していることを特徴とする請求項１に記載の密封端子部品。
【請求項３】
上記プラスチック樹脂は、上記ピンを取り囲んでおり、上記本体を超えて上記ピンの長手方向に沿って延びているスリーブ部を有していることを特徴とする請求項２に記載の密封端子部品。
【請求項４】
上記ピンは、上記本体の上記底部の上記開口部を貫通して通じている軸部を有しており、上記ピンの上記軸部はそこを通過する電流の所定の電流量に応じて開くヒューズを備えていることを特徴とする請求項１に記載の密封端子部品。
【請求項５】
上記ヒューズは、上記ピン近接部の直径未満の直径を有することを特徴とする請求項４に記載の密封端子部品。
【請求項６】
上記ヒューズは、上記プラスチック樹脂と上記ピンとの固定を改善する傾向にあるでこぼこの外面を有することを特徴とする請求項４に記載の密封端子部品。
【請求項７】
上記ピンは、上記本体の上記底部の上記開口部を貫通して通じている軸部を有しており、上記ピンの軸部は上記プラスチック樹脂と上記ピンとの固定を改善する傾向にあるでこぼこの外面を有することを特徴とする請求項１に記載の密封端子部品。
【請求項８】
上記でこぼこした外面は、ネジ(screw thread)山であることを特徴とする請求項７に記載の密封端子部品。
【請求項９】
上記ピンはそこを通過する所定の電力量に応じて開くヒューズを備えており、このヒューズは上記軸部以外の位置に上記ピンを配置していることを特徴とする請求項７に記載の密封端子部品。
【請求項１０】
側壁と、貫通して開口部を形成している底部の周縁部と、を有しており、上記周縁部は、上記側壁から長手方向の中心に対して内側へ延びており、さらに、上記周縁部は、内面と外面と長手方向に延びる壁とを有している金属本体と、
上記本体の上記開口部を通して長手方向に延びた電流伝導ピンと、
少なくとも上記底部の周辺縁の上記長手方向に広がった壁と上記内面と上記外面の各部分を覆っており、上記本体と上記ピンとの両方を直接的に固定し、上記ピンが延びている上記底部の上記開口部と上記ピンとの間に約１×１０−７ｃｃ／ｓｅｃ  Ｈｅのシールを備えている一体構造のプラスチック樹脂と、
有することを特徴とする端子部品。
【請求項１１】
上記プラスチック樹脂は、上記ピンを取り囲んでおり、上記本体を超えて上記ピンの長手方向に沿って延びているスリーブ部を有していることを特徴とする請求項１０に記載の端子部品。
【請求項１２】
上記ピンは、上記本体の上記開口部を貫通して通じている軸部を有しており、上記ピンの上記軸部はそこを通過する電流の所定の電流量に応じて開くヒューズを備えていることを特徴とする請求項１０に記載の端子部品。
【請求項１３】
上記ヒューズは、上記ピンの近接部の直径未満の直径を有することを特徴とする請求項１２に記載の端子部品。
【請求項１４】
上記ヒューズは、上記プラスチック樹脂と上記ピンとの固定を改善する傾向にあるでこぼこの外面を有することを特徴とする請求項１２に記載の端子部品。
【請求項１５】
上記ピンは、上記本体の上記底部の上記開口部を貫通して通じている軸部を有しており、上記ピンの軸部は上記プラスチック樹脂と上記ピンとの固定を改善する傾向にあるでこぼこの外面を有することを特徴とする請求項１０に記載の端子部品。
【請求項１６】
上記でこぼこした外面はネジ山(screw thread)であることを特徴とする請求項１５に記載の端子部品。
【請求項１７】
上記ピンはそこを通過する所定の電力量に応じて開くヒューズを備えており、このヒューズは上記軸部以外の位置に上記ピンを配置していることを特徴とする請求項１５に記載の端子部品。
【請求項１８】
上記プラスチック樹脂は、ポリフェニレン硫化物、液体結晶ポリマー、ポリプロピレン、熱可塑性ポリオレフィンからなる群から選ばれたものであることを特徴とする請求項１に記載の密封端子部品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
精製二酸化炭素を適用例に送達する方法であって、
ａ）適用例における前記精製二酸化炭素の使用が、許容される製品をもたらすように、精製二酸化炭素中の不揮発性有機残留物の許容レベルを求めるステップ、
ｂ）前記精製二酸化炭素を生成するように制御された温度で、二酸化炭素を少なくとも１種の触媒に曝露するステップであって、前記精製二酸化炭素が、１０ｐｐｂ未満の不揮発性有機残留物濃度を有するステップ、及び
ｃ）前記精製二酸化炭素を前記適用例に送るステップを含む方法。
【請求項２】
前記二酸化炭素を前記触媒に曝露する前に、酸化剤を前記二酸化炭素と混合するステップをさらに含む方法であって、前記酸化剤が、酸素、空気、及び酸素富化空気から選択された群の少なくとも１つである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記適用例が、半導体処理である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記二酸化炭素を前記触媒に曝露する前に、前記二酸化炭素を加熱するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記二酸化炭素が、前記触媒に曝露されるとき蒸気状態である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記精製二酸化炭素を前記適用例に送る前に、前記精製二酸化炭素を冷却するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記精製二酸化炭素を前記適用例に送るとき、前記精製二酸化炭素が液体状態である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記精製二酸化炭素を前記適用例に送る前に、前記精製二酸化炭素を貯蔵容器の上に位置するコンデンサに送る請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記精製二酸化炭素を前記適用例に送る前に、前記精製二酸化炭素を加圧するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記二酸化炭素を前記触媒に曝露する前に、前記二酸化炭素を加圧するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記精製二酸化炭素を前記適用例に送る前に、前記精製二酸化炭素を少なくとも１つの精製ユニットに送るステップをさらに含む方法であって、前記精製ユニットが、フィルタ、コアレッシングフィルタ、吸着床、吸収床、蒸留ユニット、反応器、及びスクラビングユニットからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記精製二酸化炭素の前記温度が、前記精製ユニットの分離性能が最適化されるように選択される請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記二酸化炭素を少なくとも１種の触媒に曝露する前に、前記二酸化炭素を少なくとも１つのコアレッシングフィルタに送るステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記精製二酸化炭素の少なくとも一部を、光散乱分析器及び単一粒子計数器からなる群から選択された少なくとも１つの分析器ユニットに送るステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記精製二酸化炭素が、標準温度及び圧力で測定したとき、それぞれが０．１ミクロン超の直径を有する不揮発性有機残留物の粒子を１立方フィート当たり１０００００未満含有する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記二酸化炭素を前記触媒に曝露する前に、前記二酸化炭素に水を添加する請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記適用例に用いた前記精製二酸化炭素の少なくとも一部を再利用するステップ、及び前記再利用部分を前記触媒に曝露するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
二酸化炭素を精製する方法であって、
ａ）二酸化炭素を少なくとも１種の触媒に曝露するステップであって、前記二酸化炭素が、近臨界、臨界、及び超臨界からなる群から選択された状態であるステップ、及び
ｂ）汚染物の少なくとも一部を酸化し、それによって精製二酸化炭素を形成するステップを含む方法。
【請求項１９】
前記精製二酸化炭素を適用例に送るステップをさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記適用例が、半導体処理である請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記二酸化炭素を前記触媒に曝露する前に、酸化剤を前記二酸化炭素と混合するステップをさらに含む方法であって、前記酸化剤が、酸素、空気、及び酸素富化空気から選択された群の少なくとも１つである請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記二酸化炭素を前記触媒に曝露する前に、超臨界二酸化炭素が生成されるように前記二酸化炭素の状態を変更する請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記二酸化炭素を前記触媒に曝露した後に、前記精製二酸化炭素を冷却するステップをさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記精製二酸化炭素を、フィルタ、コアレッシングフィルタ、吸着床、蒸留塔、吸収／蒸留ユニット、反応器、スクラビングユニット、及び吸収床からなる群から選択された少なくとも１つの精製ユニットに送るステップをさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
前記精製二酸化炭素の前記温度が、前記精製ユニットの分離性能が最適化されるように選択される請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記精製二酸化炭素の少なくとも一部を、光散乱分析器及び単一粒子計数器からなる群から選択された少なくとも１つの分析器ユニットに送るステップをさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２７】
前記精製二酸化炭素が、標準温度及び圧力で測定したとき、それぞれが０．１ミクロン超の直径を有する不揮発性有機残留物の粒子を１平方フィート当たり１０００００個未満含有する請求項１８に記載の方法。
【請求項２８】
前記精製二酸化炭素の少なくとも一部を再利用するステップ、及びそれを前記触媒に曝露するステップをさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２９】
精製二酸化炭素を適用例に送達する方法であって、
ａ）最低酸化温度を求めるステップであって、前記精製二酸化炭素を前記適用例に用いるとき、許容される品質を有する製品を生成する１０ｐｐｂ未満の不揮発性有機残留物濃度を有する精製二酸化炭素が、前記最低酸化温度での二酸化炭素の触媒への曝露によってもたらされるステップ、
ｂ）実質的に前記最低酸化温度を超えない温度で、二酸化炭素を少なくとも１種の触媒に曝露し、それによって精製二酸化炭素を生成するステップ、及び
ｃ）前記精製二酸化炭素の少なくとも一部を前記適用例に送るステップを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単回適用で長時間にわたり膣内に選択的セロトニン再取込み阻害剤（ＳＳＲＩ）を制御可能に放出および送達するための装置であって、女性の膣管への前記装置の挿入時に、治療上有効な量の前記ＳＳＲＩが長時間にわたり前記装置から継続して放出されるように、前記ＳＳＲＩと適した賦形剤とを含む医薬組成物を受容するのに適合している装置。
【請求項２】
膣内に選択的セロトニン再取込み阻害剤（ＳＳＲＩ）を即時送達するための装置であって、女性の膣管への前記装置の挿入時に、治療上有効な量の前記ＳＳＲＩが前記装置から即時放出されるように、前記ＳＳＲＩと適した賦形剤とを含む医薬組成物を受容するのに適合している装置。
【請求項３】
前記ＳＳＲＩがフルオキセチン、セルトラリン、パロキセチン、フルボキサミン、シタロプラムおよびその医薬として許容される塩からなる群より選択される、請求項１または請求項２に記載の装置。
【請求項４】
女性の膣管への挿入時に治療上有効な量の選択的セロトニン再取込み阻害剤（ＳＳＲＩ）を放出するような装置の製造におけるＳＳＲＩの使用。
【請求項５】
女性の膣管への前記装置の挿入時に前記ＳＳＲＩが即時放出される、請求項４に記載の装置の製造におけるＳＳＲＩの使用。
【請求項６】
女性の膣管への前記装置の挿入後長時間にわたり前記ＳＳＲＩが継続して放出される、請求項４に記載の装置の製造におけるＳＳＲＩの使用。
【請求項７】
前記ＳＳＲＩがフルオキセチンまたはその医薬として許容される塩である、請求項５または請求項６に記載の装置の製造におけるＳＳＲＩの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月22日(2004.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
請求項１２に記載の回収方法であって、更に、前記第１混合物から少なくともいくらかのペンタフルオロエタンを分離する工程の後に、
クロロトリフルオロエチレンとクロロペンタフルオロエタンを含む第２混合物を回収する工程と、
１−クロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエタンとクロロペンタフルオロエタンを含む第３混合物を生成するために、前記第２混合物のクロロトリフルオロエチレンを１−クロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエタンに変換する工程と、
前記第３混合物から少なくともいくらかの１−クロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエタンを分離する工程と、
を有することを特徴とするペンタフルオロエタンの回収方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
請求項１２に記載の回収方法であって、更に、前記第１混合物から少なくともいくらかのペンタフルオロエタンを分離する工程の後に、
クロロトリフルオロエチレンとクロロペンタフルオロエタンを含む第２混合物を回収する工程と、
１−クロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエタンとクロロペンタフルオロエタンを含む第３混合物を生成するために、前記第２混合物のクロロトリフルオロエチレンを１−クロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエタンに変換する工程と、
前記第３混合物から少なくともいくらかのクロロペンタフルオロエタンを分離し、該クロロペンタフルオロエタンをフルオロケミカル生成処理に提供する工程と、
を有することを特徴とするペンタフルオロエタンの回収方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
請求項１７，１８又は１９に記載の回収方法において、前記第２混合物のクロロトリフルオロエチレンを１−クロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエタンに変換する工程は、前記第２混合物をフッ化水素に曝す工程からなることを特徴とするペンタフルオロエタンの回収方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
請求項１７，１８又は１９に記載の回収方法において、前記第２混合物のクロロトリフルオロエチレンを１−クロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエタンに変換する工程は、前記第２混合物を少なくとも２００℃の温度でフッ化水素に曝す工程からなることを特徴とするペンタフルオロエタンの回収方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
請求項１７，１８又は１９に記載の回収方法において、前記第２混合物のクロロトリフルオロエチレンを１−クロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエタンに変換する工程は、前記第２混合物を２００℃と２１０℃の間の温度でフッ化水素に曝す工程からなることを特徴とするペンタフルオロエタンの回収方法。