(57)【要約】  走査電極駆動回路は、プラズマディスプレイパネルの平均輝度レベル、点灯率または温度に基づいて２相駆動動作を行う。２相駆動動作では、初期化期間に接地電位から電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）に下降するランプ波形が走査電極に印加され、電位Ｖｓｃｎから電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に下降するランプ波形が走査電極に印加される。この場合、走査電極上の放電セルのうち前のサブフィールドで維持放電した放電セルでは初期化放電が発生するが、走査電極上の放電セルでは初期化放電が発生しない。
2009031273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルと、
各放電セルの輝度レベルを示す画像信号に基づいて、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動装置とを備え、
前記駆動装置は、
前記画像信号に基づいて前記プラズマディスプレイパネルに表示される１フレームの画像の平均輝度レベルを検出する検出部と、
前記検出部により検出される平均輝度レベルが所定の値以上である場合に、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおいて前記複数の走査電極に２相駆動動作を行う駆動回路とを含み、
前記駆動回路は、前記２相駆動動作では、初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、前記第１の電位よりも高い第３の電位から前記第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加し、書込み期間において前記複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、前記複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を前記複数の第２の走査電極に印加し、前記複数の第２の走査電極への前記第３のランプ波形の印加後に前記複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加する、プラズマディスプレイパネル装置。
【請求項２】
前記検出部により検出される平均輝度レベルが高いほど前記２相駆動動作が行われるサブフィールドの数が大きく設定される、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル装置。
【請求項３】
前記駆動回路は、前記検出部により検出される平均輝度レベルが所定の値以上である場合に、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおいて前記複数の走査電極に３相駆動動作を行い、
前記駆動回路は、
前記３相駆動動作では、前記初期化期間において第７の電位から第８の電位に下降する第４のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第３の走査電極に印加し、前記第７の電位よりも高い第９の電位から前記第８の電位よりも高い第１０の電位に下降する第５のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第４の走査電極および複数の第５の走査電極に印加し、書込み期間において前記複数の第３の走査電極に順に走査パルスを印加し、前記複数の第３の走査電極への走査パルスの印加後に第１１の電位から第１２の電位へ下降する第６のランプ波形を前記複数の第４の走査電極に印加し、前記複数の第４の走査電極への前記第６のランプ波形の印加後に前記複数の第４の走査電極に順に走査パルスを印加し、前記複数の第４の走査電極への走査パルスの印加後に第１２の電位から第１３の電位へ下降する第７のランプ波形を前記複数の第５の走査電極に印加し、前記複数の第５の走査電極への前記第７のランプ波形の印加後に前記複数の第５の走査電極に順に走査パルスを印加する、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル装置。
【請求項４】
前記検出部により検出される平均輝度レベルが高いほど前記３相駆動動作が行われるサブフィールドの数が大きく設定される、請求項３記載のプラズマディスプレイパネル装置。
【請求項５】
複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルを、各放電セルの輝度レベルを示す画像信号に基づいて、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動方法であって、
前記画像信号に基づいて前記プラズマディスプレイパネルに表示される１フレームの画像の平均輝度レベルを検出するステップと、
前記検出するステップにおいて検出される平均輝度レベルが所定の値以上である場合に、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおいて前記複数の走査電極に２相駆動動作を行うステップとを備え、
前記２相駆動動作は、
初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、前記第１の電位よりも高い第３の電位から前記第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加するステップと、
書込み期間において前記複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、前記複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を前記複数の第２の走査電極に印加し、前記複数の第２の走査電極への前記第３のランプ波形の印加後に前記複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加するステップとを含む、プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルと、
画像信号に基づいて、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動装置とを備え、
前記駆動装置は、
前記画像信号に基づいて、前記プラズマディスプレイパネルの点灯率を検出する点灯率検出部と、
前記点灯率検出部により検出される点灯率に基づいて前記複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドを選択する選択部と、
前記選択部により選択されたサブフィールドにおいて前記複数の走査電極に２相駆動動作を行う駆動回路とを含み、
前記駆動回路は、前記２相駆動動作では、初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、前記第１の電位よりも高い第３の電位から前記第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加し、書込み期間において前記複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、前記複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を前記複数の第２の走査電極に印加し、前記複数の第２の走査電極への前記第３のランプ波形の印加後に前記複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加する、プラズマディスプレイパネル装置。
【請求項７】
前記選択部は、同じ輝度重みを有する複数のサブフィールドのうち最も高い点灯率を有するサブフィールドを優先的に選択する、請求項６記載のプラズマディスプレイパネル装置。
【請求項８】
前記選択部は、同じ点灯率を有する複数のサブフィールドのうち最も大きい輝度重みを有するサブフィールドを優先的に選択する、請求項６記載のプラズマディスプレイパネル装置。
【請求項９】
複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルを、画像信号に基づいて、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動方法であって、
前記画像信号に基づいて、前記プラズマディスプレイパネルの点灯率を検出するステップと、
前記検出するステップにおいて検出される点灯率に基づいて前記複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドを選択するステップと、
前記選択するステップにおいて選択されたサブフィールドにおいて前記複数の走査電極に２相駆動動作を行うステップとを備え、
前記２相駆動動作は、
初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、前記第１の電位よりも高い第３の電位から前記第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加するステップと、
書込み期間において前記複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、前記複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を前記複数の第２の走査電極に印加し、前記複数の第２の走査電極への前記第３のランプ波形の印加後に前記複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加するステップとを含む、プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１０】
複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルと、
１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動装置とを備え、
前記駆動装置は、
前記プラズマディスプレイパネルの温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部により検出される温度が所定の値以上である場合に、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおいて前記複数の走査電極に２相駆動動作を行う駆動回路とを含み、
前記駆動回路は、前記２相駆動動作では、初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、前記第１の電位よりも高い第３の電位から前記第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加し、書込み期間において前記複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、前記複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を前記複数の第２の走査電極に印加し、前記複数の第２の走査電極への前記第３のランプ波形の印加後に前記複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加する、プラズマディスプレイパネル装置。
【請求項１１】
前記温度検出部により検出される温度が高いほど前記２相駆動動作が行われるサブフィールドの数が大きく設定される、請求項１０記載のプラズマディスプレイパネル装置。
【請求項１２】
複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルを、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動方法であって、
前記プラズマディスプレイパネルの温度を検出するステップと、
前記検出するステップにおいて検出される温度が所定の値以上である場合に、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおいて前記複数の走査電極に２相駆動動作を行うステップとを備え、
前記２相駆動動作は、
初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、前記第１の電位よりも高い第３の電位から前記第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を前記複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加するステップと、
書込み期間において前記複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、前記複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を前記複数の第２の走査電極に印加し、前記複数の第２の走査電極への前記第３のランプ波形の印加後に前記複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加するステップとを含む、プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルを備える。【０００３】
前面板は、前面ガラス基板、複数の表示電極、誘電体層および保護層により構成される。各表示電極は、一対の走査電極および維持電極からなる。複数の表示電極は、前面ガラス基板上に互いに平行に形成され、それらの表示電極を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。【０００４】
背面板は、背面ガラス基板、複数のデータ電極、誘電体層、複数の隔壁および蛍光体層により構成される。背面ガラス基板上に複数のデータ電極が平行に形成され、それらを覆うように誘電体層が形成されている。その誘電体層上にデータ電極と平行に複数の隔壁がそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とにＲ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の蛍光体層が形成されている。【０００５】
そして、表示電極とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には放電ガスが封入されている。表示電極とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。【０００６】
このような構成を有するパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線が発生し、その紫外線でＲ、ＧおよびＢの蛍光体が励起されて発光する。それにより、カラー表示が行われる。【０００７】
パネルを駆動する方法としてはサブフィールド法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。サブフィールド法では、１フィールド期間が複数のサブフィールドに分割され、それぞれのサブフィールドで各放電セルを発光または非発光させることにより階調表示が行われる。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。【０００８】
初期化期間においては、各走査電極に初期化パルスが印加され、各放電セルで初期化放電が行われる。それにより、各放電セルにおいて、続く書込み動作のために必要な壁電荷が形成される。【０００９】
書込み期間では、走査電極に順次走査パルスを印加するとともに、データ電極には表示すべき画像信号に対応した書込みパルスを印加する。それにより、走査電極とデータ電極との間で選択的に書込み放電が発生し、選択的な壁電荷形成が行われる。【００１０】
続く維持期間では、表示させるべき輝度に応じた所定の回数の維持パルスを走査電極と維持電極との間に印加する。それにより、書込み放電による壁電荷形成が行われた放電セルで選択的に放電が起こり、その放電セルが発光する。【００１１】
複数の走査電極は走査電極駆動回路により駆動され、複数の維持電極は維持電極駆動回路により駆動され、複数のデータ電極はデータ電極駆動回路により駆動される。
【特許文献１】特開２００６−１８２９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、上述したように、書込み期間においては、複数の走査電極に走査パルスが順次印加される。したがって、複数の放電セルのうち走査パルスが印加される順番が遅い放電セルにおいては、初期化パルスが印加されてから走査パルスが印加されるまでの間の時間が長くなる。【００１３】
ここで、初期化放電によって放電セルに形成された壁電荷は、他の放電セルに書込み放電を発生させるためにデータ電極に印加される書込みパルスの影響を受けて徐々に減少する。そのため、走査パルスが印加される順番が遅い放電セルにおいては、その放電セルに走査パルスおよび書込みパルスが印加されるまでに壁電荷が減少し、書込み放電の放電不良が発生する場合がある。【００１４】
本発明の目的は、書込み放電の放電不良を防止することができるプラズマディスプレイパネル装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
（１）本発明の一局面に従うプラズマディスプレイパネル装置は、複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルと、各放電セルの輝度レベルを示す画像信号に基づいて、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動装置とを備え、駆動装置は、画像信号に基づいてプラズマディスプレイパネルに表示される１フレームの画像の平均輝度レベルを検出する検出部と、検出部により検出される平均輝度レベルが所定の値以上である場合に、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおいて複数の走査電極に２相駆動動作を行う駆動回路とを含み、駆動回路は、２相駆動動作では、初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、第１の電位よりも高い第３の電位から第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加し、書込み期間において複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を複数の第２の走査電極に印加し、複数の第２の走査電極への第３のランプ波形の印加後に複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加するものである。【００１６】
このプラズマディスプレイパネル装置によれば、検出部によってプラズマディスプレイパネルに表示される１フレームの画像の平均輝度レベルが検出される。そして、検出部によって検出される平均輝度レベルが所定の値以上である場合には、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間において、駆動回路の２相駆動動作によって複数の第１の走査電極に第１の電位から第２の電位に下降する第１のランプ波形が印加される。それにより、第１の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。その結果、第１の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。【００１７】
また、複数の第２の走査電極に第３の電位から第４の電位に下降する第２のランプ波形が印加される。ここで、第２のランプ波形の第３の電位は第１のランプ波形の第１の電位より高く、第２のランプ波形の第４の電位は第１のランプ波形の第２の電位より高い。そのため、第２のランプ波形の印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の減少が抑制される。それにより、初期化期間の終了時に第２の走査電極上の放電セルにおいて十分な量の壁電荷を残すことができる。【００１８】
次いで、上記少なくとも１つのサブフィールドの書込み期間において、複数の第１の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第１の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。さらに、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に、複数の第２の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第２の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。【００１９】
この場合、上記のように初期化期間終了時に、第２の走査電極上の放電セルには十分な量の電荷が残されている。したがって、第１の走査電極に走査パルスが印加されている間に第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極への走査パルスの印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、書込み期間において第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを防止することができる。【００２０】
また、第１の走査電極への走査パルスの印加後で第２の走査電極への走査パルスの印加前に、第２の走査電極に第３のランプ波形が印加される。それにより、第２の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。この場合、第２の走査電極へ走査パルスを印加する直前に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを確実に防止することができる。【００２１】
また、この場合、書込み期間（走査パルスが印加される期間を除く）において第２の走査電極の電位を低くすることにより第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極上の放電セルに十分な量の電荷を残すことができる。したがって、書込み期間における第２の走査電極の電位を低くしつつ、書込み放電および維持放電を確実に発生させることができる。その結果、プラズマディスプレイパネルの駆動コストを低減しつつ駆動性能を向上させることが可能となる。【００２２】
ここで、１フレームの画像の平均輝度レベルが高い場合には、各放電セルの輝度レベルを低下させても視聴者は画質の劣化をほとんど感じない。したがって、検出部により検出される平均輝度レベルが高い場合には、維持期間において複数の走査電極に印加される維持パルスの数を少なくすることができる。この場合、第３のランプ波形を印加するために書込み期間が長くなったとしても、維持パルスを印加するための時間が不足することが防止される。そこで、このプラズマディスプレイパネル装置においては、検出部により検出される平均輝度レベルが所定の値より高い場合に、少なくとも１つのサブフィールドにおいて２相駆動動作を行っている。それにより、放電セルの放電不良を確実に防止することができる。【００２３】
（２）検出部により検出される平均輝度レベルが高いほど２相駆動動作が行われるサブフィールドの数が大きく設定されてもよい。【００２４】
検出部により検出される平均輝度レベルが高いほど、各放電セルの輝度レベルを低下させても視聴者は画質の劣化を感じなくなる。したがって、検出部により検出される平均輝度レベルが高いほど、維持パルスの数を少なくすることができる。そこで、このプラズマディスプレイパネル装置においては、検出部により検出される平均輝度レベルが高いほど、２動駆動動作が行われるサブフィールドの数を多く設定している。それにより、放電セルの放電不良を確実に防止することができるとともに、駆動電圧を効率よく低減することができる。【００２５】
（３）駆動回路は、検出部により検出される平均輝度レベルが所定の値以上である場合に、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおいて複数の走査電極に３相駆動動作を行い、駆動回路は、３相駆動動作では、初期化期間において第７の電位から第８の電位に下降する第４のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第３の走査電極に印加し、第７の電位よりも高い第９の電位から第８の電位よりも高い第１０の電位に下降する第５のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第４の走査電極および複数の第５の走査電極に印加し、書込み期間において複数の第３の走査電極に順に走査パルスを印加し、複数の第３の走査電極への走査パルスの印加後に第１１の電位から第１２の電位へ下降する第６のランプ波形を複数の第４の走査電極に印加し、複数の第４の走査電極への第６のランプ波形の印加後に複数の第４の走査電極に順に走査パルスを印加し、複数の第４の走査電極への走査パルスの印加後に第１２の電位から第１３の電位へ下降する第７のランプ波形を複数の第５の走査電極に印加し、複数の第５の走査電極への第７のランプ波形の印加後に複数の第５の走査電極に順に走査パルスを印加してもよい。【００２６】
このプラズマディスプレイパネル装置によれば、検出部によってプラズマディスプレイパネルに表示される１フレームの画像の平均輝度レベルが検出される。そして、検出部によって検出される平均輝度レベルが所定の値以上である場合には、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間において、駆動回路の３相駆動動作によって複数の第３の走査電極に第７の電位から第８の電位に下降する第４のランプ波形が印加される。それにより、第３の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。その結果、第３の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。【００２７】
また、複数の第４の走査電極および複数の第５の走査電極に第９の電位から第１０の電位に下降する第５のランプ波形が印加される。ここで、第５のランプ波形の第９の電位は第４のランプ波形の第７の電位より高く、第５のランプ波形の第１０の電位は第４のランプ波形の第８の電位より高い。そのため、第５のランプ波形の印加時に第２および第３の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の減少が抑制される。それにより、初期化期間の終了時に第２および第３の走査電極上の放電セルにおいて十分な量の壁電荷を残すことができる。【００２８】
次いで、上記少なくとも１つのサブフィールドの書込み期間において、複数の第３の走査電極、複数の第４の走査電極、および複数の第５の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第３〜第５の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。【００２９】
この場合、上記のように初期化期間終了時に、第４および第５の走査電極上の放電セルには十分な量の電荷が残されている。したがって、第３の走査電極に走査パルスが印加されている間に第４および第５の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第４および第５の走査電極への走査パルスの印加時に第４および第５の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、書込み期間において第４および第５の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを防止することができる。【００３０】
また、第３の走査電極への走査パルスの印加後で第４の走査電極への走査パルスの印加前に、第４の走査電極に第６のランプ波形が印加される。それにより、第４の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。この場合、第４の走査電極に走査パルスを印加する直前に第４の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、第４の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを確実に防止することができる。【００３１】
また、第４の走査電極への走査パルスの印加後で第５の走査電極への走査パルスの印加前に、第５の走査電極に第７のランプ波形が印加される。それにより、第５の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。この場合、第５の走査電極に走査パルスを印加する直前に第５の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、第５の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを確実に防止することができる。【００３２】
また、このプラズマディスプレイパネル装置によれば、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間においては、駆動回路の２相駆動動作が行われる。【００３３】
ここで、１フレームの画像の平均輝度レベルが高い場合には、各放電セルの輝度レベルを低下させても視聴者は画質の劣化をほとんど感じない。したがって、検出部により検出される平均輝度レベルが高い場合には、維持期間において複数の走査電極に印加される維持パルスの数を少なくすることができる。この場合、第７のランプ波形を印加するために書込み期間が長くなったとしても、維持パルスを印加するための時間が不足することが防止される。そこで、このプラズマディスプレイパネル装置においては、検出部により検出される平均輝度レベルが所定の値より高い場合に、少なくとも１つのサブフィールドにおいて３相駆動動作を行っている。それにより、放電セルの放電不良をより確実に防止することができる。【００３４】
また、３相駆動動作では書込み期間において複数の走査電極に第６のランプ波形および第７のランプ波形が印加され、２相駆動動作では書込み期間において複数の走査電極に第３のランプ波形が印加される。すなわち、２相駆動動作によって複数の走査電極を駆動する場合、３相駆動動作によって複数の走査電極を駆動する場合に比べて、書込み期間において複数の走査電極に印加されるランプ波形の数が１回少なくなる。【００３５】
そこで、このプラズマディスプレイパネル装置においては、少なくとも１つのサブフィールドにおいて２相駆動動作を行っている。それにより、書込み期間に印加されるランプ波形の数を少なくすることができるので、各サブフィールドの維持期間を十分に確保することができる。【００３６】
（４）検出部により検出される平均輝度レベルが高いほど３相駆動動作が行われるサブフィールドの数が大きく設定されてもよい。【００３７】
検出部により検出される平均輝度レベルが高いほど、各放電セルの輝度レベルを低下させても視聴者は画質の劣化を感じなくなる。したがって、検出部により検出される平均輝度レベルが高いほど、維持パルスの数を少なくすることができる。そこで、このプラズマディスプレイパネル装置においては、検出部により検出される平均輝度レベルが高いほど、３動駆動動作が行われるサブフィールドの数を多く設定している。それにより、放電セルの放電不良を確実に防止することができるとともに、駆動電圧を効率よく低減することができる。【００３８】
（５）本発明の他の局面に従うプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルを、各放電セルの輝度レベルを示す画像信号に基づいて、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動方法であって、画像信号に基づいてプラズマディスプレイパネルに表示される１フレームの画像の平均輝度レベルを検出するステップと、上記検出するステップにおいて検出される平均輝度レベルが所定の値以上である場合に、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおいて複数の走査電極に２相駆動動作を行うステップとを備え、２相駆動動作は、初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、第１の電位よりも高い第３の電位から第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加するステップと、書込み期間において複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を複数の第２の走査電極に印加し、複数の第２の走査電極への第３のランプ波形の印加後に複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加するステップとを含むものである。【００３９】
このプラズマディスプレイパネルの駆動方法によれば、プラズマディスプレイパネルに表示される１フレームの画像の平均輝度レベルが検出される。そして、上記検出するステップにおいて検出される平均輝度レベルが所定の値以上である場合には、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間において、２相駆動動作によって複数の第１の走査電極に第１の電位から第２の電位に下降する第１のランプ波形が印加される。それにより、第１の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。その結果、第１の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。【００４０】
また、複数の第２の走査電極に第３の電位から第４の電位に下降する第２のランプ波形が印加される。ここで、第２のランプ波形の第３の電位は第１のランプ波形の第１の電位より高く、第２のランプ波形の第４の電位は第１のランプ波形の第２の電位より高い。そのため、第２のランプ波形の印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の減少が抑制される。それにより、初期化期間の終了時に第２の走査電極上の放電セルにおいて十分な量の壁電荷を残すことができる。【００４１】
次いで、上記少なくとも１つのサブフィールドの書込み期間において、複数の第１の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第１の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。さらに、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に、複数の第２の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第２の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。【００４２】
この場合、上記のように初期化期間終了時に、第２の走査電極上の放電セルには十分な量の電荷が残されている。したがって、第１の走査電極に走査パルスが印加されている間に第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極への走査パルスの印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、書込み期間において第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを防止することができる。【００４３】
また、第１の走査電極への走査パルスの印加後で第２の走査電極への走査パルスの印加前に、第２の走査電極に第３のランプ波形が印加される。それにより、第２の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。この場合、第２の走査電極へ走査パルスを印加する直前に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを確実に防止することができる。【００４４】
また、この場合、書込み期間（走査パルスが印加される期間を除く）において第２の走査電極の電位を低くすることにより第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極上の放電セルに十分な量の電荷を残すことができる。したがって、書込み期間における第２の走査電極の電位を低くしつつ、書込み放電および維持放電を確実に発生させることができる。その結果、プラズマディスプレイパネルの駆動コストを低減しつつ駆動性能を向上させることが可能となる。【００４５】
ここで、１フレームの画像の平均輝度レベルが高い場合には、各放電セルの輝度レベルを低下させても視聴者は画質の劣化をほとんど感じない。したがって、上記検出するステップにおいて検出される平均輝度レベルが高い場合には、維持期間において複数の走査電極に印加される維持パルスの数を少なくすることができる。この場合、第３のランプ波形を印加するために書込み期間が長くなったとしても、維持パルスを印加するための時間が不足することが防止される。そこで、このプラズマディスプレイパネルの駆動方法においては、上記検出するステップにおいて検出される平均輝度レベルが所定の値より高い場合に、少なくとも１つのサブフィールドにおいて２相駆動動作を行っている。それにより、放電セルの放電不良を確実に防止することができる。【００４６】
（６）本発明のさらに他の局面に従うプラズマディスプレイパネル装置は、複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルと、画像信号に基づいて、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動装置とを備え、駆動装置は、画像信号に基づいて、プラズマディスプレイパネルの点灯率を検出する点灯率検出部と、点灯率検出部により検出される点灯率に基づいて複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドを選択する選択部と、選択部により選択されたサブフィールドにおいて複数の走査電極に２相駆動動作を行う駆動回路とを含み、駆動回路は、２相駆動動作では、初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、第１の電位よりも高い第３の電位から第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加し、書込み期間において複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を複数の第２の走査電極に印加し、複数の第２の走査電極への第３のランプ波形の印加後に複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加するものである。【００４７】
このプラズマディスプレイパネル装置によれば、点灯率検出部によってプラズマディスプレイパネルの点灯率が検出される。また、点灯率検出部によって検出される点灯率に基づいて、選択部により複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドが選択される。【００４８】
そして、選択部により選択されたサブフィールドの初期化期間において、駆動回路の２相駆動動作によって複数の第１の走査電極に第１の電位から第２の電位に下降する第１のランプ波形が印加される。それにより、第１の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。その結果、第１の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。【００４９】
また、複数の第２の走査電極に第３の電位から第４の電位に下降する第２のランプ波形が印加される。ここで、第２のランプ波形の第３の電位は第１のランプ波形の第１の電位より高く、第２のランプ波形の第４の電位は第１のランプ波形の第２の電位より高い。そのため、第２のランプ波形の印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の減少が抑制される。それにより、初期化期間の終了時に第２の走査電極上の放電セルにおいて十分な量の壁電荷を残すことができる。【００５０】
次いで、上記選択されたサブフィールドの書込み期間において、複数の第１の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第１の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。さらに、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に、複数の第２の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第２の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。【００５１】
この場合、上記のように初期化期間終了時に、第２の走査電極上の放電セルには十分な量の電荷が残されている。したがって、第１の走査電極に走査パルスが印加されている間に第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極への走査パルスの印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、書込み期間において第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを防止することができる。【００５２】
また、第１の走査電極への走査パルスの印加後で第２の走査電極への走査パルスの印加前に、第２の走査電極に第３のランプ波形が印加される。それにより、第２の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。この場合、第２の走査電極へ走査パルスを印加する直前に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを確実に防止することができる。【００５３】
また、この場合、書込み期間（走査パルスが印加される期間を除く）において第２の走査電極の電位を低くすることにより第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極上の放電セルに十分な量の電荷を残すことができる。したがって、書込み期間における第２の走査電極の電位を低くしつつ、書込み放電および維持放電を確実に発生させることができる。その結果、プラズマディスプレイパネルの駆動コストを低減しつつ駆動性能を向上させることが可能となる。【００５４】
また、放電セルを正常に点灯させるために必要となる上記書込み期間における走査電極の電位は、点灯率に依存して変化する。そこで、このプラズマディスプレイパネル装置においては、プラズマディスプレイパネルの点灯率に基づいて少なくとも１つのサブフィールドが選択され、選択されたサブフィールドにおいて２相駆動動作が行われる。【００５５】
この場合、プラズマディスプレイパネルの点灯率に基づいて適切なサブフィールドにおいて２相駆動動作を行うことができる。それにより、放電セルを正常に点灯させるために必要となる走査電極の電位を低下させることができる。その結果、放電セルの放電不良を防止しつつプラズマディスプレイパネルの駆動コストを確実に低減することができる。【００５６】
（７）選択部は、同じ輝度重みを有する複数のサブフィールドのうち最も高い点灯率を有するサブフィールドを優先的に選択してもよい。【００５７】
放電セルを正常に点灯させるために必要となる上記書込み期間における走査電極の電位は、輝度重みが同じ場合、最も高い点灯率を有するサブフィールドにおいて最も高くなる。そこで、このプラズマディスプレイパネル装置においては、最も高い点灯率を有するサブフィールドにおいて優先的に２相駆動動作が行われる。それにより、放電セルを正常に点灯させるために必要となる走査電極の電位を低下させることができる。その結果、放電セルの放電不良を防止しつつプラズマディスプレイパネルの駆動コストを確実に低減することができる。【００５８】
（８）選択部は、同じ点灯率を有する複数のサブフィールドのうち最も大きい輝度重みを有するサブフィールドを優先的に選択してもよい。【００５９】
放電セルを正常に点灯させるために必要となる上記書込み期間における走査電極の電位は、点灯率が同じ場合、最も大きい輝度重みを有するサブフィールドにおいて最も高くなる。そこで、このプラズマディスプレイパネル装置においては、最も大きい輝度重みを有するサブフィールドにおいて優先的に２相駆動動作が行われる。それにより、放電セルを正常に点灯させるために必要となる走査電極の電位を低下させることができる。その結果、放電セルの放電不良を防止しつつプラズマディスプレイパネルの駆動コストを確実に低減することができる。【００６０】
（９）本発明のさらに他の局面に従うプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルを、画像信号に基づいて、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動方法であって、画像信号に基づいて、プラズマディスプレイパネルの点灯率を検出するステップと、検出するステップにおいて検出される点灯率に基づいて複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドを選択するステップと、選択するステップにおいて選択されたサブフィールドにおいて複数の走査電極に２相駆動動作を行うステップとを備え、２相駆動動作は、初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、第１の電位よりも高い第３の電位から第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加するステップと、書込み期間において複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を複数の第２の走査電極に印加し、複数の第２の走査電極への第３のランプ波形の印加後に複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加するステップとを含むものである。【００６１】
このプラズマディスプレイパネルの駆動方法によれば、プラズマディスプレイパネルの点灯率が検出され、検出された点灯率に基づいて複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドが選択される。【００６２】
そして、選択されたサブフィールドの初期化期間において、２相駆動動作によって複数の第１の走査電極に第１の電位から第２の電位に下降する第１のランプ波形が印加される。それにより、第１の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。その結果、第１の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。【００６３】
また、複数の第２の走査電極に第３の電位から第４の電位に下降する第２のランプ波形が印加される。ここで、第２のランプ波形の第３の電位は第１のランプ波形の第１の電位より高く、第２のランプ波形の第４の電位は第１のランプ波形の第２の電位より高い。そのため、第２のランプ波形の印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の減少が抑制される。それにより、初期化期間の終了時に第２の走査電極上の放電セルにおいて十分な量の壁電荷を残すことができる。【００６４】
次いで、上記選択されたサブフィールドの書込み期間において、複数の第１の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第１の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。さらに、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に、複数の第２の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第２の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。【００６５】
この場合、上記のように初期化期間終了時に、第２の走査電極上の放電セルには十分な量の電荷が残されている。したがって、第１の走査電極に走査パルスが印加されている間に第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極への走査パルスの印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、書込み期間において第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを防止することができる。【００６６】
また、第１の走査電極への走査パルスの印加後で第２の走査電極への走査パルスの印加前に、第２の走査電極に第３のランプ波形が印加される。それにより、第２の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。この場合、第２の走査電極へ走査パルスを印加する直前に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを確実に防止することができる。【００６７】
また、この場合、書込み期間（走査パルスが印加される期間を除く）において第２の走査電極の電位を低くすることにより第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極上の放電セルに十分な量の電荷を残すことができる。したがって、書込み期間における第２の走査電極の電位を低くしつつ、書込み放電および維持放電を確実に発生させることができる。その結果、プラズマディスプレイパネルの駆動コストを低減しつつ駆動性能を向上させることが可能となる。【００６８】
また、放電セルを正常に点灯させるために必要となる上記書込み期間における走査電極の電位は、点灯率に依存して変化する。そこで、このプラズマディスプレイパネルの駆動方法においては、プラズマディスプレイパネルの点灯率に基づいて少なくとも１つのサブフィールドが選択され、選択されたサブフィールドにおいて２相駆動動作が行われる。【００６９】
この場合、プラズマディスプレイパネルの点灯率に基づいて適切なサブフィールドにおいて２相駆動動作を行うことができる。それにより、放電セルを正常に点灯させるために必要となる走査電極の電位を低下させることができる。その結果、放電セルの放電不良を防止しつつプラズマディスプレイパネルの駆動コストを確実に低減することができる。【００７０】
（１０）本発明のさらに他の局面に従うプラズマディスプレイパネル装置は、複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルと、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動装置とを備え、駆動装置は、プラズマディスプレイパネルの温度を検出する温度検出部と、温度検出部により検出される温度が所定の値以上である場合に、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおいて複数の走査電極に２相駆動動作を行う駆動回路とを含み、駆動回路は、２相駆動動作では、初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、第１の電位よりも高い第３の電位から第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加し、書込み期間において複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を複数の第２の走査電極に印加し、複数の第２の走査電極への第３のランプ波形の印加後に複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加するものである。【００７１】
このプラズマディスプレイパネル装置によれば、温度検出部によってプラズマディスプレイパネルの温度が検出される。そして、温度検出部によって検出される温度が所定の値以上である場合には、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間において、駆動回路の２相駆動動作によって複数の第１の走査電極に第１の電位から第２の電位に下降する第１のランプ波形が印加される。それにより、第１の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。その結果、第１の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。【００７２】
また、複数の第２の走査電極に第３の電位から第４の電位に下降する第２のランプ波形が印加される。ここで、第２のランプ波形の第３の電位は第１のランプ波形の第１の電位より高く、第２のランプ波形の第４の電位は第１のランプ波形の第２の電位より高い。そのため、第２のランプ波形の印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の減少が抑制される。それにより、初期化期間の終了時に第２の走査電極上の放電セルにおいて十分な量の壁電荷を残すことができる。【００７３】
次いで、上記少なくとも１つのサブフィールドの書込み期間において、複数の第１の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第１の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。さらに、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に、複数の第２の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第２の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。【００７４】
この場合、上記のように初期化期間終了時に、第２の走査電極上の放電セルには十分な量の電荷が残されている。したがって、第１の走査電極に走査パルスが印加されている間に第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極への走査パルスの印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、書込み期間において第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを防止することができる。【００７５】
また、第１の走査電極への走査パルスの印加後で第２の走査電極への走査パルスの印加前に、第２の走査電極に第３のランプ波形が印加される。それにより、第２の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。この場合、第２の走査電極へ走査パルスを印加する直前に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを確実に防止することができる。【００７６】
また、この場合、書込み期間（走査パルスが印加される期間を除く）において第２の走査電極の電位を低くすることにより第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極上の放電セルに十分な量の電荷を残すことができる。したがって、書込み期間における第２の走査電極の電位を低くしつつ、書込み放電および維持放電を確実に発生させることができる。その結果、プラズマディスプレイパネルの駆動コストを低減しつつ駆動性能を向上させることが可能となる。【００７７】
また、放電セルを正常に点灯させるために必要となる上記書込み期間における走査電極の電位は、プラズマディスプレイパネルの温度が高くなるほど高くなる。そこで、このプラズマディスプレイパネル装置においては、プラズマディスプレイパネルの温度が所定の値以上である場合に、少なくとも１つのサブフィールドにおいて２相駆動動作を行っている。それにより、放電セルの放電不良を確実に防止することができる。【００７８】
（１１）温度検出部により検出される温度が高いほど２相駆動動作が行われるサブフィールドの数が大きく設定されてもよい。【００７９】
放電セルを正常に点灯させるために必要となる上記書込み期間における走査電極の電位は、プラズマディスプレイパネルの温度が高くなるほど高くなる。そこで、このプラズマディスプレイパネル装置においては、温度検出部により検出される温度が高いほど、２動駆動動作が行われるサブフィールドの数を多く設定している。それにより、放電セルの放電不良を確実に防止することができる。【００８０】
（１２）本発明のさらに他の局面に従うプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、複数の走査電極、複数の維持電極および複数のデータ電極の交差部にそれぞれ放電セルを有するプラズマディスプレイパネルを、１フィールド期間がそれぞれ輝度重みを有する複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動方法であって、プラズマディスプレイパネルの温度を検出するステップと、検出するステップにおいて検出される温度が所定の値以上である場合に、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおいて複数の走査電極に２相駆動動作を行うステップとを備え、２相駆動動作は、初期化期間において第１の電位から第２の電位へ下降する第１のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第１の走査電極に印加し、第１の電位よりも高い第３の電位から第２の電位よりも高い第４の電位へ下降する第２のランプ波形を複数の走査電極のうち複数の第２の走査電極に印加するステップと、書込み期間において複数の第１の走査電極に順に走査パルスを印加し、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に第５の電位から第６の電位へ下降する第３のランプ波形を複数の第２の走査電極に印加し、複数の第２の走査電極への第３のランプ波形の印加後に複数の第２の走査電極に順に走査パルスを印加するステップとを含むものである。【００８１】
このプラズマディスプレイパネルの駆動方法によれば、プラズマディスプレイパネルの温度が検出される。そして、検出された温度が所定の値以上である場合には、複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間において、２相駆動動作によって複数の第１の走査電極に第１の電位から第２の電位に下降する第１のランプ波形が印加される。それにより、第１の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。その結果、第１の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。【００８２】
また、複数の第２の走査電極に第３の電位から第４の電位に下降する第２のランプ波形が印加される。ここで、第２のランプ波形の第３の電位は第１のランプ波形の第１の電位より高く、第２のランプ波形の第４の電位は第１のランプ波形の第２の電位より高い。そのため、第２のランプ波形の印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の減少が抑制される。それにより、初期化期間の終了時に第２の走査電極上の放電セルにおいて十分な量の壁電荷を残すことができる。【００８３】
次いで、上記少なくとも１つのサブフィールドの書込み期間において、複数の第１の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第１の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。さらに、複数の第１の走査電極への走査パルスの印加後に、複数の第２の走査電極に順に走査パルスが印加される。それにより、第２の走査電極上の選択された放電セルにおいて書込み放電を発生させることができる。【００８４】
この場合、上記のように初期化期間終了時に、第２の走査電極上の放電セルには十分な量の電荷が残されている。したがって、第１の走査電極に走査パルスが印加されている間に第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極への走査パルスの印加時に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、書込み期間において第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを防止することができる。【００８５】
また、第１の走査電極への走査パルスの印加後で第２の走査電極への走査パルスの印加前に、第２の走査電極に第３のランプ波形が印加される。それにより、第２の走査電極上の放電セルに微弱な初期化放電が発生し、その放電セルの壁電荷の量が減少する。この場合、第２の走査電極へ走査パルスを印加する直前に第２の走査電極上の放電セルにおける壁電荷の量を書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、第２の走査電極上の放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを確実に防止することができる。【００８６】
また、この場合、書込み期間（走査パルスが印加される期間を除く）において第２の走査電極の電位を低くすることにより第２の走査電極上の放電セルの壁電荷が減少しても、第２の走査電極上の放電セルに十分な量の電荷を残すことができる。したがって、書込み期間における第２の走査電極の電位を低くしつつ、書込み放電および維持放電を確実に発生させることができる。その結果、プラズマディスプレイパネルの駆動コストを低減しつつ駆動性能を向上させることが可能となる。【００８７】
また、放電セルを正常に点灯させるために必要となる上記書込み期間における走査電極の電位は、プラズマディスプレイパネルの温度が高くなるほど高くなる。そこで、このプラズマディスプレイパネルの駆動方法においては、プラズマディスプレイパネルの温度が所定の値以上である場合に、少なくとも１つのサブフィールドにおいて２相駆動動作を行っている。それにより、放電セルの放電不良を確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００８８】
本発明によれば、プラズマディスプレイパネルの平均輝度レベル、点灯率または温度に基づいて複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドが選択され、選択されたサブフィールドにおいて２相駆動動作または３相駆動動作が行われる。それにより、そのサブフィールドの初期化期間終了時に、各放電セルに十分な量の電荷を残すことができる。その結果、書込み期間において各放電セルに書込み放電の放電不良が発生することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】図１は第１の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置におけるプラズマディスプレイパネルの一部を示す分解斜視図
【図２】図２は第１の実施の形態におけるパネルの電極配列図
【図３】図３は本発明の第１の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図４】図４は図３のプラズマディスプレイ装置のサブフィールド構成における駆動波形図
【図５】図５は図３のプラズマディスプレイ装置のサブフィールド構成における駆動波形図
【図６】図６は走査電極駆動回路の構成を示す回路図
【図７】図７は走査電極駆動回路の２相駆動動作時にトランジスタに与えられる制御信号の詳細なタイミング図
【図８】図８は走査電極駆動回路の２相駆動動作時にトランジスタに与えられる制御信号の詳細なタイミング図
【図９】図９は走査電極駆動回路の２相駆動動作時にトランジスタに与えられる制御信号の詳細なタイミング図
【図１０】図１０は走査電極駆動回路の１相駆動動作時にトランジスタに与えられる制御信号の詳細なタイミング図
【図１１】図１１は走査電極駆動回路の１相駆動動作時にトランジスタに与えられる制御信号の詳細なタイミング図
【図１２】図１２は走査電極駆動回路の１相駆動動作時にトランジスタに与えられる制御信号の詳細なタイミング図
【図１３】図１３はＡＰＬと余剰時間との関係を示す図
【図１４】図１４は各サブフィールドにおいて全ての放電セルを正常に点灯させるために必要となる電圧Ｖｓｃｎの値を示す図
【図１５】図１５は１相駆動動作および２相駆動動作の選択条件の一例を示す図
【図１６】図１６は第２の実施の形態に係る走査電極駆動回路の構成を示す回路図
【図１７】図１７は第２の実施の形態に係る走査電極駆動回路の２相駆動動作時にトランジスタに与えられる制御信号の詳細なタイミング図
【図１８】図１８は走査電極駆動回路の３相駆動動作時にトランジスタに与えられる制御信号の詳細なタイミング図
【図１９】図１９は各サブフィールドにおける必要電圧を示す図
【図２０】図２０は１相駆動動作、２相駆動動作および３相駆動動作の選択条件の一例を示す図
【図２１】図２１は本発明の第４の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図２２】図２２は１相駆動動作により走査電極を駆動した場合の点灯率と必要電圧との関係を示す図
【図２３】図２３は演算部によるサブフィールドの設定動作を示すフローチャート
【図２４】図２４は１相ＳＦおよび２相ＳＦの設定例を示す図
【図２５】図２５は１相ＳＦ、２相ＳＦおよび３相ＳＦの設定例を示す図
【図２６】図２６は本発明の第１の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図２７】図２７は任意のサブフィールドにおいて１相駆動動作により走査電極を駆動した場合のパネルの温度と必要電圧との関係を示す図
【図２８】図２８は１相駆動動作および２相駆動動作の選択条件の一例を示す図
【図２９】図２９は１相駆動動作、２相駆動動作および３相駆動動作の選択条件の一例を示す図
【発明を実施するための最良の形態】
【００９０】
以下、本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置およびそれを備えたプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて詳細に説明する。【００９１】
（１）第１の実施の形態
（１−１）パネルの構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置におけるプラズマディスプレイパネルの一部を示す分解斜視図である。【００９２】
プラズマディスプレイパネル（以下、パネルと略記する）１０は、互いに対向配置されたガラス製の前面基板２１および背面基板３１を備える。前面基板２１および背面基板３１の間に放電空間が形成される。前面基板２１上には複数対の走査電極２２および維持電極２３が互いに平行に形成されている。各対の走査電極２２および維持電極２３が表示電極を構成する。走査電極２２および維持電極２３を覆うように誘電体層２４が形成され、誘電体層２４上には保護層２５が形成されている。【００９３】
背面基板３１上には絶縁体層３３で覆われた複数のデータ電極３２が設けられ、絶縁体層３３上に井桁状の隔壁３４が設けられている。また、絶縁体層３３の表面および隔壁３４の側面に蛍光体層３５が設けられている。そして、複数対の走査電極２２および維持電極２３と複数のデータ電極３２とが垂直に交差するように前面基板２１と背面基板３１とが対向配置され、前面基板２１と背面基板３１との間に放電空間が形成されている。放電空間には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンとの混合ガスが封入されている。なお、パネルの構造は上述したものに限られず、例えばストライプ状の隔壁を備えた構造を用いてもよい。【００９４】
図２は本発明の第１の実施の形態におけるパネルの電極配列図である。行方向に沿ってｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に沿ってｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。ｎは偶数であり、ｍは２以上の自然数である。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉ（ｉ＝１〜ｎ）と１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルＤＣが形成されている。それにより、放電空間内にｍ×ｎ個の放電セルが形成されている。【００９５】
（１−２）プラズマディスプレイ装置の構成
図３は本発明の第１の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。【００９６】
このプラズマディスプレイ装置は、パネル１０、画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３、維持電極駆動回路５４、タイミング発生装置５５、ＡＰＬ検出器５６および電源回路（図示せず）を備える。【００９７】
画像信号処理回路５１は、画像信号ｓｉｇをパネル１０の画素数に応じた画像データに変換し、各画素の画像データを複数のサブフィールドに対応する複数のビットに分割し、それらをデータ電極駆動回路５２に出力する。【００９８】
データ電極駆動回路５２は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し、その信号に基づいて各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。【００９９】
ＡＰＬ検出器５６は、画像信号ｓｉｇのＡＰＬ（平均画像レベル；Average Picture Level）を検出し、検出したＡＰＬを示す信号をタイミング発生装置５５へ出力する。ここで、ＡＰＬとは、１フレームにおける画像信号ｓｉｇの輝度レベルの平均をいい、１画面の画像の全体的な明るさを表している。本実施の形態では、１フレームは１フィールドに等しい。【０１００】
タイミング発生装置５５は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号ＶおよびＡＰＬ検出器５６が検出した平均輝度レベルＡＰＬに基づいてタイミング信号を発生し、それらのタイミング信号をそれぞれの駆動回路ブロック（画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３および維持電極駆動回路５４）へ供給する。【０１０１】
走査電極駆動回路５３は、タイミング信号に基づいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに駆動波形を供給し、維持電極駆動回路５４はタイミング信号に基づいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに駆動波形を供給する。【０１０２】
なお、走査電極駆動回路５３は、後述するように、初期化期間において全ての走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに対して同じ駆動波形を印加する１相駆動動作および走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１と走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎとに異なる駆動波形を印加する２相駆動動作を選択的に行うことができる。【０１０３】
また、本実施の形態においては、タイミング発生装置５５は、ＡＰＬ検出器５６により検出されるＡＰＬに基づいて、１相駆動動作のためのタイミング信号および２相駆動動作のためのタイミング信号を選択的に発生し、発生したタイミング信号を走査電極駆動回路５３へ供給する。それにより、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが１相駆動動作または２相駆動動作により駆動される。【０１０４】
以下の説明においては、走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１を第１の走査電極群と称し、走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎを第２の走査電極群と称する。また、維持電極ＳＵ１，ＳＵ３，…，ＳＵｎ−１を第１の維持電極群と称し、維持電極ＳＵ２，ＳＵ４，…，ＳＵｎを第２の維持電極群と称する。さらに、第１の走査電極群および第１の維持電極群により構成される複数の放電セルを第１の放電セル群と称し、第２の走査電極群および第２の維持電極群により構成される複数の放電セルを第２の放電セル群と称する。【０１０５】
（１−３）サブフィールド構成
次に、サブフィールド構成について説明する。サブフィールド法では、１フィールド（１／６０秒＝１６．６７ｍｓｅｃ）が時間軸上で複数のサブフィールドに分割され、複数のサブフィールドに輝度重みがそれぞれ設定されている。【０１０６】
例えば、１フィールドが時間軸上で１０個のサブフィールド（以下、第１ＳＦ、第２ＳＦ、…、および第１０ＳＦと呼ぶ）に分割され、それらのサブフィールドがそれぞれ１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０および８１の輝度重みを有する。【０１０７】
図４および図５は、図３のプラズマディスプレイ装置のサブフィールド構成における駆動波形図である。なお、図４は、走査電極駆動回路５３の１相駆動動作時に各電極に印加される駆動波形を示し、図５は、走査電極駆動回路５３の２相駆動動作時に各電極に印加される駆動波形を示す。【０１０８】
図４および図５には、第１の走査電極群の１本の走査電極ＳＣ１、第２の走査電極群の１本の走査電極ＳＣ２、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍの駆動波形が示される。なお、図４および図５には、１フィールドの第１ＳＦの初期化期間から第２ＳＦの維持期間までが示される。【０１０９】
（ａ）１相駆動動作時の駆動波形
まず、走査電極駆動回路５３の１相駆動動作時に各電極に印加される駆動波形について説明する。【０１１０】
図４に示すように、第１ＳＦの初期化期間の前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍの電位をＶｄａに保持し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０Ｖ（接地電位）に保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにランプ波形Ｌ１を印加する。【０１１１】
このランプ波形Ｌ１は、放電開始電圧以下の正の電位Ｖｓｃｎから放電開始電圧を超える正の電位（Ｖｓｕｓ＋Ｖｓｅｔ）に向かって緩やかに上昇する。すると、全ての放電セルにおいて１回目の微弱な初期化放電が起こり、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上に負の壁電荷が蓄えられるとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上およびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に正の壁電荷が蓄えられる。ここで、電極を覆う誘電体層または蛍光体層上等に蓄積した壁電荷により生じる電圧を電極上の壁電圧という。【０１１２】
続く初期化期間の後半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位に保持し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを正の電位Ｖｅ１に保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の電位（Ｖｓｕｓ）から負の電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）に向かって緩やかに下降するランプ波形Ｌ２を印加する。すると、全ての放電セルにおいて２回目の微弱な初期化放電が起こる。これにより、全ての放電セルにおいて、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉの壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。【０１１３】
第１ＳＦの書込み期間の前半部では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを一旦電位Ｖｅ２に保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを一旦電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に保持する。次に、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルスＰａ（＝−Ｖａｄ）を印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目において発光すべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋは１〜ｍのいずれか）に正の書込みパルスＰｄ（＝Ｖｄａ）を印加する。すると、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は、外部印加電圧（Ｐｄ−Ｐａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧および走査電極ＳＣ１上の壁電圧が加算された値となり、放電開始電圧を超える。それにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間で書込み放電が発生する。その結果、その放電セルの走査電極ＳＣ１上に正の壁電荷が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電荷が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電荷が蓄積される。【０１１４】
このようにして、１行目において発光すべき放電セルで書込み放電が発生して各電極上に壁電荷を蓄積させる書込み動作が行われる。一方、書込みパルスＰｄが印加されなかったデータ電極Ｄｈ（ｈ≠ｋ）と走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。【０１１５】
以上の書込み動作を、第１の放電セル群において１行目の放電セルからｎ−１行目の放電セルに至るまで順次行い、その後、同様の書込み動作を第２の放電セル群において２行目の放電セルからｎ行目の放電セルに至るまで順次行う。なお、この場合、書込み期間において第１の走査電極群の走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１に順に走査パルスＰａが印加された後、第２の走査電極群の走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎに順に走査パルスＰａが印加される。【０１１６】
続く維持期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを接地電位に戻し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに維持期間の最初の維持パルスＰｓ（＝Ｖｓｕｓ）を印加する。このとき、書込み期間で書込み放電が発生した放電セルにおいては、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間の電圧は、維持パルスＰｓ（＝Ｖｓｕｓ）に走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が加算された値となり、放電開始電圧を超える。それにより、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間で維持放電が起こり、放電セルが発光する。その結果、走査電極ＳＣｉ上に負の壁電荷が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電荷が蓄積され、データ電極Ｄｋ上に正の壁電荷が蓄積される。【０１１７】
書込み期間で書込み放電が発生しなかった放電セルでは維持放電は起こらず、初期化期間の終了時における壁電荷の状態が保持される。続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを接地電位に戻し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに維持パルスＰｓを印加する。すると、維持放電が起こった放電セルでは、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧が放電開始電圧を超えるので、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電荷が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正の壁電荷が蓄積される。【０１１８】
以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに予め定められた数の維持パルスＰｓを交互に印加することにより、書込み期間において書込み放電が発生した放電セルでは維持放電が継続して行われる。【０１１９】
維持パルスＰｓの印加後、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位に保持した状態で、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにランプ波形Ｌ３を印加する。このランプ波形Ｌ３は、接地電位から正の電位Ｖｅｒａｓｅに向かって緩やかに上昇する。これにより、維持放電が起こった放電セルにおいて、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間の電圧が放電開始電圧を超え、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で微弱な消去放電が発生する。【０１２０】
その結果、走査電極ＳＣｉに負の壁電荷が蓄積され、維持電極ＳＵｉに正の壁電荷が蓄積される。このとき、データ電極Ｄｋ上には正の壁電荷が蓄積される。その後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを接地電位に戻し、維持期間における維持動作を終了する。【０１２１】
第２ＳＦの初期化期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電位Ｖｅ１に保持し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位に保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに接地電位から負の電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）に向かって緩やかに下降するランプ波形Ｌ４を印加する。すると、前のサブフィールド（図４では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電が起こった放電セルでは微弱な初期化放電が発生する。それにより、前のサブフィールドで維持放電が起こった放電セルにおいて、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉの壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。【０１２２】
前のサブフィールドで維持放電が起こらなかった放電セルにおいては、放電が発生することはなく、前のサブフィールドの初期化期間の終了時における壁電荷の状態がそのまま保たれる。【０１２３】
第２ＳＦの書込み期間においては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに対して第１ＳＦの書込み期間と同様の駆動波形を印加する。【０１２４】
第２ＳＦの維持期間においては、第１ＳＦの維持期間と同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに予め定められた数の維持パルスＰｓを交互に印加する。それにより、書込み期間において書込み放電が発生した放電セルで維持放電が行われる。【０１２５】
また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、第１の走査電極群、第２の走査電極群、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに対して第２ＳＦと同様の駆動波形を印加する。【０１２６】
なお、本実施の形態においては、維持期間に走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加される維持パルスＰｓの数は、ＡＰＬ検出器５６により検出されるＡＰＬが高いほど少なくなるように設定される。【０１２７】
（ｂ）２相駆動動作時の駆動波形
次に、走査電極駆動回路５３の２相駆動動作時に各電極に印加される駆動波形について説明する。なお、図５に示すランプ波形Ｌ１〜Ｌ４は、図４のランプ波形Ｌ１〜Ｌ４と同様である。【０１２８】
第１ＳＦの初期化期間の前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍの電位をＶｄａに保持し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを接地電位に保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにランプ波形Ｌ１を印加する。それにより、全ての放電セルにおいて１回目の微弱な初期化放電が起こり、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上に負の壁電荷が蓄えられるとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上およびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に正の壁電荷が蓄えられる。【０１２９】
続く初期化期間の後半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位に保持し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを正の電位Ｖｅ１に保持し、第１の走査電極群（走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１）にランプ波形Ｌ２を印加する。すると、第１の放電セル群において２回目の微弱な初期化放電が起こる。これにより、第１の放電セル群において、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉの壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。【０１３０】
一方、第２の走査電極群（走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎ）には、Ｖｓｕｓよりも高い正の電位（Ｖｓｕｓ＋Ｖｓｃｎ）から正の電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に向かって緩やかに下降するランプ波形Ｌ５を印加する。【０１３１】
ここで、初期化期間の後半部において第２の走査電極群に印加されるランプ波形Ｌ５は、第１の走査電極群に印加されるランプ波形Ｌ２よりＶｓｃｎ分高い電位から下降する。それにより、第２の放電セル群においては、２回目の初期化放電の発生が防止される。この場合、第２の放電セル群においては、１回目の初期化放電終了時における壁電荷の状態が保たれる。【０１３２】
第１ＳＦの書込み期間の前半部では、図４で説明したように、第１の放電セル群において１行目の放電セルからｎ−１行目の放電セルに至るまで書込み動作を順次行う。【０１３３】
第１の放電セル群における書込み動作の終了後、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電位Ｖｅ１に保持し、全ての走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに接地電位から負の電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）に向かって緩やかに下降するランプ波形Ｌ６を印加する。【０１３４】
ここで、第１の走査電極群に走査パルスＰａが印加される期間には、第２の走査電極群には走査パルスＰａが印加されない。この期間において、第２の放電セル群の壁電荷は減少する。しかしながら、上述したように、第２の放電セル群においては初期化期間において２回目の微弱な初期化放電が発生していない。そのため、初期化期間が終了した時点においては、第２の放電セル群には第１の放電セル群より十分多い壁電荷が保持されている。したがって、上記の期間において第２の放電セル群の壁電荷が減少しても、第２の放電セル群にはまだ十分な量の壁電荷が保持されている。【０１３５】
そこで、本実施の形態においては、第２の走査電極群に走査パルスＰａを印加する直前に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに接地電位から負の電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）に向かって緩やかに下降するランプ波形Ｌ６を印加する。すると、第２の放電セル群において２回目の微弱な初期化放電が起こる。これにより、第２の放電セル群において、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉの壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。【０１３６】
すなわち、走査電極駆動回路５３の２相駆動動作時には、第１ＳＦの初期化期間において第１の放電セル群に属する全ての放電セルの初期化動作（第１の放電セル群の全セル初期化動作）が行われ、第１ＳＦの初期化期間および書込み期間において第２の放電セル群に属する全ての放電セルの初期化動作（第２の放電セル群の全セル初期化動作）が行われる。【０１３７】
第１ＳＦの書込み期間の後半部（上記ランプ波形Ｌ６の印加後）では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを再び電位Ｖｅ２に保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを一旦電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に保持する。次に、２行目の走査電極ＳＣ２に負の走査パルスＰａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち２行目において発光すべき放電セルのデータ電極Ｄｋに正の書込みパルスＰｄを印加する。すると、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ２との交差部の電圧は、放電開始電圧を超える。それにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ２との間および維持電極ＳＵ２と走査電極ＳＣ２との間で書込み放電が発生する。その結果、その放電セルの走査電極ＳＣ２上に正の壁電荷が蓄積され、維持電極ＳＵ２上に負の壁電荷が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電荷が蓄積される。【０１３８】
このようにして、２行目において発光すべき放電セルで書込み放電が発生して各電極上に壁電荷を蓄積させる書込み動作が行われる。一方、書込みパルスＰｄが印加されなかったデータ電極Ｄｈと走査電極ＳＣ２との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。【０１３９】
以上の書込み動作を、第２の放電セル群において、２行目の放電セルからｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。【０１４０】
続く維持期間では、図４で説明したように、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎおよび維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに交互に維持パルスＰｓを印加する。それにより、書込み期間において書込み放電が発生した放電セルにおいて維持放電が発生する。【０１４１】
維持パルスＰｓの印加後、図４で説明したように、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにランプ波形Ｌ３を印加する。これにより、維持放電が起こった放電セルにおいて、微弱な消去放電が発生する。【０１４２】
その結果、走査電極ＳＣｉに負の壁電荷が蓄積され、維持電極ＳＵｉに正の壁電荷が蓄積される。このとき、データ電極Ｄｋ上には正の壁電荷が蓄積される。その後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを接地電位に戻し、維持期間における維持動作を終了する。【０１４３】
第２ＳＦの初期化期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電位Ｖｅ１に保持し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位に保持し、第１の走査電極群（走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１）にランプ波形Ｌ４を印加する。すると、第１の放電セル群のうち前のサブフィールド（図５では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電が起こった放電セルでは微弱な初期化放電が発生する。それにより、第１の放電セル群のうち前のサブフィールドで維持放電が起こった放電セルにおいて、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉの壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。【０１４４】
前のサブフィールドで維持放電が起こらなかった放電セルにおいては、放電が発生することはなく、前のサブフィールドの初期化期間の終了時における壁電荷の状態がそのまま保たれる。【０１４５】
一方、第２の走査電極群（走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎ）には、電位Ｖｓｃｎを印加した後、電位Ｖｓｃｎから正の電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に向かって緩やかに下降するランプ波形Ｌ７を印加する。このとき、第２の放電セル群においては、前のサブフィールドで維持放電が起こらなかった放電セルのみではなく、維持放電が起こった放電セルにおいても、初期化放電が発生しない。【０１４６】
この場合、第２の放電セル群のうち前のサブフィールドで維持放電が起こった放電セルにおいては、前のサブフィールドの維持期間終了時の壁電荷の状態がそのまま保たれる。したがって、第２の放電セル群のうち前のサブフィールドで維持放電が起こった放電セルに蓄積されている壁電荷の量は、第１の放電セル群の各放電セルに蓄積されている壁電荷の量に比べて十分に多い。【０１４７】
第２ＳＦの書込み期間においては、第１の走査電極群、第２の走査電極群、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに対して第１ＳＦの書込み期間と同様の駆動波形を印加する。【０１４８】
この場合、第１ＳＦと同様に、第２ＳＦの書込み期間において第１の走査電極群に走査パルスＰａが印加される期間には、第２の走査電極群には走査パルスＰａが印加されない。この期間において、第２の放電セル群の壁電荷は減少する。しかしながら、上述したように、第２の放電セル群のうち前のサブフィールドで維持放電が起こった放電セルには、第２ＳＦの初期化期間終了時に十分な量の電荷が保持されている。したがって、上記の期間においてそれらの放電セルの壁電荷が減少しても、それらの放電セルにはまだ十分な量の壁電荷が保持されている。【０１４９】
そこで、本実施の形態においては、第２の走査電極群に走査パルスＰａを印加する直前に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに接地電位から負の電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）に向かって緩やかに下降するランプ波形Ｌ８を印加する。すると、第２の放電セル群のうち前のサブフィールドで維持放電が起こった放電セルにおいて微弱な初期化放電が起こる。これにより、第２の放電セル群のうち前のサブフィールドで維持放電が起こった放電セルにおいて、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉの壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。【０１５０】
すなわち、走査電極駆動回路５３の２相駆動動作時には、第２ＳＦの初期化期間において、第１の放電セル群に対する選択初期化動作が行われ、第２ＳＦの書込み期間において第２の放電セル群に対する選択初期化動作が行われる。なお、選択初期化動作とは、直前のサブフィールドで維持放電が起こった放電セルで選択的に初期化放電を発生させる動作をいう。【０１５１】
なお、第２ＳＦの維持期間においては、第１ＳＦの維持期間と同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに予め定められた数の維持パルスＰｓを交互に印加する。それにより、書込み期間において書込み放電が発生した放電セルで維持放電が行われる。【０１５２】
また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、第１の走査電極群、第２の走査電極群、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに対して第２ＳＦと同様の駆動波形を印加する。【０１５３】
（１−４）走査電極駆動回路５３の構成
図６は走査電極駆動回路５３の構成を示す回路図である。【０１５４】
走査電極駆動回路５３は、第１の駆動回路ＤＲ１、第２の駆動回路ＤＲ２、直流電源２００、回収回路３００、ダイオードＤ１０、ｎチャネル電界効果トランジスタ（以下、トランジスタと略記する）Ｑ３〜Ｑ５，Ｑ７およびＮＰＮバイポーラトランジスタ（以下、トランジスタと略記する）Ｑ６，Ｑ８を含む。【０１５５】
第１の駆動回路ＤＲ１は、複数の走査ＩＣ１００を含む。複数の走査ＩＣ１００は、第１の走査電極群に属する走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１にそれぞれ接続される。図６には、走査電極ＳＣ１，ＳＣ３にそれぞれ接続される２つの走査ＩＣ１００が示される。【０１５６】
各走査ＩＣ１００はノードＮ１とノードＮ２との間に接続される。各走査ＩＣ１００は、ｐチャネル電界効果トランジスタ（以下、トランジスタと略記する）Ｑ１およびｎチャネル電界効果トランジスタ（以下、トランジスタと略記する）Ｑ２を含む。走査電極ＳＣ１に接続される走査ＩＣ１００のトランジスタＱ１，Ｑ２のゲートには制御信号Ｓ１，Ｓ２がそれぞれ与えられる。走査電極ＳＣ３に接続される走査ＩＣ１００のトランジスタＱ１，Ｑ２のゲートには制御信号Ｓ１１，Ｓ１２がそれぞれ与えられる。【０１５７】
第２の駆動回路ＤＲ２は、複数の走査ＩＣ１０１を含む。複数の走査ＩＣ１０１は、第２の走査電極群に属する走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎにそれぞれ接続される。図６には、走査電極ＳＣ２，ＳＣ４にそれぞれ接続される２つの走査ＩＣ１０１が示される。【０１５８】
各走査ＩＣ１０１はノードＮ１とノードＮ２との間に接続される。各走査ＩＣ１０１は、ｐチャネル電界効果トランジスタ（以下、トランジスタと略記する）Ｑ１０１およびｎチャネル電界効果トランジスタ（以下、トランジスタと略記する）Ｑ１０２を含む。走査電極ＳＣ２に接続される走査ＩＣ１１０のトランジスタＱ１０１，Ｑ１０２のゲートには制御信号Ｓ１０１，Ｓ１０２がそれぞれ与えられる。走査電極ＳＣ４に接続される走査ＩＣ１１０のトランジスタＱ１０１，Ｑ１０２のゲートには制御信号Ｓ１１１，Ｓ１１２がそれぞれ与えられる。【０１５９】
回収回路３００は、ｎチャネル電界効果トランジスタ（以下、トランジスタと略記する）ＱＡ，ＱＢ、回収コイルＬＡ，ＬＢ、回収コンデンサＣＲおよびダイオードＤＡ，ＤＢを含む。【０１６０】
電圧Ｖｓｃｎを受ける電源端子Ｖ１０は、ダイオードＤ１０を介してノードＮ３に接続される。直流電源２００は、ノードＮ１とノードＮ３との間に接続される。この直流電源２００は、電解コンデンサからなり、電圧Ｖｓｃｎを保持するフローティング電源として働く。ノードＮ２とノードＮ３との間には、保護抵抗Ｒ１が接続される。以下、ノードＮ１の電位をＶＦＧＮＤとし、ノードＮ３の電位をＶｓｃｎＦとする。ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦは、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤに電圧Ｖｓｃｎを加算した値を有する。すなわち、ＶｓｃｎＦ＝ＶＦＧＮＤ＋Ｖｓｃｎとなる。【０１６１】
トランジスタＱ３は、電圧（Ｖｓｅｔ＋（Ｖｓｕｓ−Ｖｓｃｎ））を受ける電源端子Ｖ１１とノードＮ４との間に接続され、ゲートには制御信号Ｓ３が与えられる。トランジスタＱ４は、ノードＮ１とノードＮ４との間に接続され、ゲートには制御信号Ｓ４が与えられる。トランジスタＱ５は、ノードＮ１と負の電圧（−Ｖａｄ）を受ける電源端子Ｖ１２との間に接続され、ゲートには制御信号Ｓ５が与えられる。制御信号Ｓ４は制御信号Ｓ５の反転信号である。【０１６２】
また、トランジスタＱ３，Ｑ５にはゲート抵抗ＲＧおよびコンデンサＣＧが接続される。なお、トランジスタＱ６にもゲート抵抗およびコンデンサが接続されるが、図示は省略する。【０１６３】
トランジスタＱ６，Ｑ７は、電圧Ｖｓｕｓを受ける電源端子Ｖ１３とノードＮ４との間に接続される。トランジスタＱ６のベースには制御信号Ｓ６が与えられ、トランジスタＱ７のゲートには制御信号Ｓ７が与えられる。トランジスタＱ８は、ノードＮ４と接地端子との間に接続され、ベースには制御信号Ｓ８が与えられる。【０１６４】
ノードＮ４とノードＮ５との間には、回収コイルＬＡ、ダイオードＤＡおよびトランジスタＱＡが直列に接続されるとともに、回収コイルＬＢ、ダイオードＤＢおよびトランジスタＱＢが直列に接続される。回収コンデンサＣＲはノードＮ５と接地端子との間に接続される。【０１６５】
（１−５）走査電極駆動回路の動作
次に、走査電極駆動回路５３の動作について説明する。【０１６６】
なお、１相駆動動作時の走査電極駆動回路５３の動作は２相駆動動作時の走査電極駆動回路５３の動作に基づいて容易に説明できるので、ここでは、まず２相駆動動作時の走査電極駆動回路５３の動作から説明する。【０１６７】
（ａ）２相駆動動作時の走査電極駆動回路の動作
図７〜図９は、走査電極駆動回路５３の２相駆動動作時にトランジスタＱ１〜Ｑ８に与えられる制御信号の詳細なタイミング図である。なお、図７は図５の第１ＳＦの初期化期間におけるタイミング図であり、図８は図５の第１ＳＦの書込み期間におけるタイミング図であり、図９は図５の第２ＳＦの初期化期間におけるタイミング図である。【０１６８】
図７〜図９の最上段には、実線で走査電極ＳＣ１の電位の変化が示され、一点鎖線で走査電極ＳＣ２の電位の変化が示される。なお、図７〜図９には、回収回路３００に与えられる制御信号ＳＡ，ＳＢは図示されていない。【０１６９】
図７の第１ＳＦの初期化期間の開始時点ｔ０では、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１０１，Ｓ１０２，Ｓ４，Ｓ７，Ｓ８がハイレベルにあり、制御信号Ｓ３，Ｓ５，Ｓ６がローレベルにある。それにより、トランジスタＱ１，Ｑ１０１，Ｑ３，Ｑ５，Ｑ６がオフし、トランジスタＱ２，Ｑ１０２，Ｑ４，Ｑ７，Ｑ８がオンしている。したがって、ノードＮ１は接地電位（０Ｖ）となっており、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦはＶｓｃｎとなっている。また、トランジスタＱ２，Ｑ１０２がオンしているので、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２の電位は接地電位となっている。【０１７０】
時点ｔ１で、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１０１，Ｓ１０２がローレベルになる。それにより、トランジスタＱ１，Ｑ１０１がオンし、トランジスタＱ２，Ｑ１０２がオフする。したがって、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２の電位がＶｓｃｎに立ち上がる。【０１７１】
時点ｔ２で、制御信号Ｓ７，Ｓ８がローレベルになり、トランジスタＱ７，Ｑ８がオフする。それにより、トランジスタＱ３に接続されたゲート抵抗ＲＧおよびコンデンサＣＧにより構成されるＲＣ積分回路により、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤが（Ｖｓｅｔ＋（Ｖｓｕｓ−Ｖｓｃｎ）まで緩やかに上昇する。また、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦが（Ｖｓｕｓ＋Ｖｓｅｔ）まで緩やかに上昇する。このとき、トランジスタＱ１，Ｑ１０１がオンしているので、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２の電位が（Ｖｓｕｓ＋Ｖｓｅｔ）まで緩やかに上昇する。【０１７２】
時点ｔ３で、制御信号Ｓ３がローレベルになり、制御信号Ｓ６，Ｓ７がハイレベルになる。それにより、トランジスタＱ３がオフし、トランジスタＱ６，Ｑ７がオンする。その結果、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤがＶｓｕｓまで低下し、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦが（Ｖｓｃｎ＋Ｖｓｕｓ）まで低下する。このとき、トランジスタＱ１，Ｑ１０１がオンしているので、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２の電位が（Ｖｓｃｎ＋Ｖｓｕｓ）まで低下する。【０１７３】
時点ｔ４で、制御信号Ｓ１，Ｓ２がハイレベルになる。それにより、トランジスタＱ１がオフし、トランジスタＱ２がオンする。このとき、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤの電位はＶｓｕｓとなっているので、走査電極ＳＣ１の電位がＶｓｕｓまで低下する。一方、トランジスタＱ１０１はオンの状態で維持され、トランジスタＱ１０２はオフの状態で維持されるので、走査電極ＳＣ２の電位は（Ｖｓｃｎ＋Ｖｓｕｓ）で維持される。【０１７４】
時点ｔ５で、制御信号Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７がローレベルになり、制御信号Ｓ５，Ｓ８がハイレベルになる。それにより、トランジスタＱ４，Ｑ６，Ｑ７がオフし、トランジスタＱ５，Ｑ８がオンする。その結果、トランジスタＱ５に接続されたゲート抵抗ＲＧおよびコンデンサＣＧにより構成されるＲＣ積分回路により、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤが（−Ｖａｄ）に向かって緩やかに低下する。また、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦの電位が（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に向かって緩やかに低下する。このとき、トランジスタＱ２，Ｑ１０１がオンしているので、走査電極ＳＣ１の電位が（−Ｖａｄ）に向かって緩やかに低下し、走査電極ＳＣ２の電位が（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に向かって緩やかに低下する。【０１７５】
時点ｔ６で、制御信号Ｓ１，Ｓ２がローレベルになる。それにより、トランジスタＱ１がオンし、トランジスタＱ２がオフする。その結果、走査電極ＳＣ１の電位が（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）まで上昇する。このとき、トランジスタＱ１０１はオンの状態で維持されるので、走査電極ＳＣ２の電位は（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）まで低下する。【０１７６】
図８の第１ＳＦの書込み期間の時点ｔ８で、制御信号Ｓ１，Ｓ２がハイレベルになる。それにより、トランジスタＱ１がオフし、トランジスタＱ２がオンする。このとき、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤは（−Ｖａｄ）になっているので、走査電極ＳＣ１の電位が（−Ｖａｄ）まで低下する。一方、トランジスタＱ１０１はオンの状態で維持され、トランジスタＱ１０２はオフの状態で維持されるので、走査電極ＳＣ２の電位は（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）で維持される。【０１７７】
時点ｔ９で、制御信号Ｓ１，Ｓ２がローレベルになる。それにより、トランジスタＱ１がオンし、トランジスタＱ２がオフする。このとき、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦは（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）になっているので、走査電極ＳＣ１の電位が（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）まで上昇する。トランジスタＱ１０１はオンの状態で維持され、トランジスタＱ１０２はオフの状態で維持されるので、走査電極ＳＣ２の電位は（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）で維持される。【０１７８】
時点ｔ１０で制御信号Ｓ４がハイベルになり、制御信号Ｓ５がローレベルになる。それにより、トランジスタＱ４がオンし、トランジスタＱ５がオフする。その結果、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤが接地電位まで上昇し、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦがＶｓｃｎまで上昇する。また、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１０２，Ｓ１０１がハイレベルになる。それにより、トランジスタＱ１，Ｑ１０１がオフし、トランジスタＱ２，Ｑ１０２がオンする。したがって、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２の電位が接地電位まで低下する。【０１７９】
時点ｔ１１で制御信号Ｓ４がローレベルになり、制御信号Ｓ５がハイレベルになる。それにより、トランジスタＱ４がオフし、トランジスタＱ５がオンする。その結果、トランジスタＱ５に接続されたゲート抵抗ＲＧおよびコンデンサＣＧにより構成されるＲＣ積分回路により、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤが（−Ｖａｄ）に向かって緩やかに低下する。また、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦの電位が（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に向かって緩やかに低下する。このとき、トランジスタＱ２，Ｑ１０２がオンしているので、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２の電位が（−Ｖａｄ）に向かって緩やかに低下する。【０１８０】
時点ｔ１２で制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１０１，Ｓ１０２がローレベルになる。それにより、トランジスタＱ１，Ｑ１０１がオンし、トランジスタＱ２，Ｑ１０２がオフする。このとき、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦは（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）になっているので、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２の電位が（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）まで上昇する。【０１８１】
時点ｔ１３で制御信号Ｓ１０１，Ｓ１０２がハイレベルになる。それにより、トランジスタＱ１０１がオフし、トランジスタＱ１０２がオンする。このとき、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤは（−Ｖａｄ）になっているので、走査電極ＳＣ２の電位が（−Ｖａｄ）まで低下する。トランジスタＱ１，Ｑ２の状態は維持されるので、走査電極ＳＣ１の電位は（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に維持される。【０１８２】
時点ｔ１４で制御信号Ｓ１０１，Ｓ１０２がローレベルになる。それにより、トランジスタＱ１０１がオンし、トランジスタＱ１０２がオフする。このとき、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦは（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）になっているので、走査電極ＳＣ２の電位が（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）まで上昇する。トランジスタＱ１，Ｑ２の状態は維持されるので、走査電極ＳＣ１の電位は（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に維持される。【０１８３】
図９の第２ＳＦの初期化期間開始時点ｔ１５では、制御信号Ｓ３，Ｓ５，Ｓ６がローレベルにあり、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１０１，Ｓ１０１，Ｓ４，Ｓ７，Ｓ８がハイレベルにある。それにより、トランジスタＱ１，Ｑ１０１，Ｑ３，Ｑ５，Ｑ６がオフし、トランジスタＱ２，Ｑ１０２，Ｑ４，Ｑ７，Ｑ８がオンしている。したがって、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤは接地電位となっており、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦはＶｓｃｎとなっている。また、トランジスタＱ２，Ｑ１０２がオンしているので、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２の電位は接地電位となっている。【０１８４】
時点ｔ１６で制御信号Ｓ１０１，Ｓ１０２がローレベルになる。それにより、トランジスタＱ１０１がオンし、トランジスタＱ１０２がオフする。このとき、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦはＶｓｃｎになっているので、走査電極ＳＣ２の電位がＶｓｃｎまで上昇する。トランジスタＱ１，Ｑ２の状態は維持されるので、走査電極ＳＣ１の電位は接地電位に維持される。【０１８５】
時点ｔ１７で制御信号Ｓ４，Ｓ７がローレベルになり、制御信号Ｓ５がハイレベルになる。それにより、トランジスタＱ４，Ｑ７がオフになり、トランジスタＱ５がオンになる。その結果、トランジスタＱ５に接続されたゲート抵抗ＲＧおよびコンデンサＣＧにより構成されるＲＣ積分回路により、ノードＮ１の電位ＶＦＧＮＤが（−Ｖａｄ）に向かって緩やかに低下する。また、ノードＮ３の電位ＶｓｃｎＦが（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に向かって緩やかに低下する。このとき、トランジスタＱ２，Ｑ１０１がオンになっているので、走査電極ＳＣ１の電位は（−Ｖａｄ）に向かって緩やかに低下し、走査電極ＳＣ２の電位は（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に向かって緩やかに低下する。【０１８６】
時点ｔ１８で制御信号Ｓ１，Ｓ２がローレベルになる。それにより、トランジスタＱ１がオンし、トランジスタＱ２がオフする。その結果、走査電極ＳＣ１の電位が（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）まで上昇する。このとき、トランジスタＱ１０１はオンの状態で維持されるので、走査電極ＳＣ２の電位は（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）まで低下する。【０１８７】
（ｂ）１相駆動動作時の走査電極駆動回路の動作
次に、１相駆動動作時の走査電極駆動回路５３の動作について説明する。【０１８８】
図１０〜図１２は、走査電極駆動回路５３の１相駆動動作時にトランジスタＱ１〜Ｑ８に与えられる制御信号の詳細なタイミング図である。図１０〜図１２のタイミング図が図７〜図９のタイミング図と異なるのは以下の点である。【０１８９】
図１０に示すように、走査電極駆動回路５３の１相駆動動作時には、時点ｔ４において制御信号Ｓ１０１，Ｓ１０２がハイレベルになり、トランジスタＱ１０１がオフし、トランジスタＱ１０２がオンする。また、時点ｔ６において制御信号Ｓ１０１，Ｓ１０２がローレベルになり、トランジスタＱ１０１がオンし、トランジスタＱ１０２がオフする。すなわち、初期化期間においてトランジスタＱ１０１，Ｑ１０２は、それぞれトランジスタＱ１，Ｑ２と同様にオンおよびオフする。それにより、走査電極ＳＣ２の電位は、走査電極ＳＣ１と同様に変化する。【０１９０】
図１１に示すように、時点ｔ１０〜ｔ１２の期間において、制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１０１，Ｓ１０２，Ｓ４はローレベルを維持し、制御信号Ｓ５，Ｓ８はハイレベルを維持する。この場合、トランジスタＱ４はオフの状態を維持し、トランジスタＱ５はオンの状態を維持し、トランジスタＱ１，Ｑ１０１はオンの状態を維持する。したがって、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２が電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）に維持される。【０１９１】
図１２に示すように、時点ｔ１６〜ｔ１８の期間において制御信号Ｓ１０１，Ｓ１０２はハイレベルを維持する。この場合、トランジスタＱ１０１はオフの状態を維持し、トランジスタＱ１０２はオンの状態を維持する。また、時点ｔ１８において制御信号Ｓ１０１，Ｓ１０２がローレベルになる。それにより、トランジスタＱ１０１がオンし、トランジスタＱ１０２がオフする。すなわち、時点ｔ１６〜ｔ１８の期間においてトランジスタＱ１０１，Ｑ１０２は、それぞれトランジスタＱ１，Ｑ２と同様にオンおよびオフする。それにより、走査電極ＳＣ２の電位は、走査電極ＳＣ１と同様に変化する。【０１９２】
（１−６）２相駆動動作の効果および利用方法
（ａ）２相駆動動作の効果
以上のように、２相駆動動作においては、初期化期間において第２の放電セル群の各放電セルに初期化のための微弱放電（第１ＳＦにおいては２回目の微弱放電）を発生させていない。そのため、書込み期間の開始時点において、第２の放電セル群の各放電セルに十分な量の電荷を蓄積することができる。【０１９３】
この場合、第２の放電セル群の各放電セルに走査パルスＰａが印加されるまでに、各放電セルに蓄積されている壁電荷が減少したとしても、第２の放電セル群において壁電荷の減少による放電不良が発生することを防止することができる。【０１９４】
また、書込み期間（走査パルスＰａが印加される期間を除く）において走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎ（第２の放電セル群）の電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）を低くすることにより第２の放電セル群の各放電セルの壁電荷が減少しても、各放電セルに十分な量の電荷を残すことができる。したがって、書込み期間における走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎの電位を低くすることができるので、電源端子Ｖ１０が受ける電圧Ｖｓｃｎを低減することができる。【０１９５】
（ｂ）利用方法
図１３は、１相駆動動作により走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動した場合のＡＰＬと余剰時間との関係を示す図である。なお、余剰時間とは、１フィールド（１６．６７ｍｓｅｃ）から上述の初期化期間、書込み期間、維持期間等のために最低限必要となる時間を除いた時間である。【０１９６】
また、図１４は、各サブフィールドにおいて全ての放電セルを正常に点灯させる（書込み放電および維持放電を発生させる）ために必要となる電圧Ｖｓｃｎの値（以下、必要電圧と称する）を示す図である。なお、電圧Ｖｓｃｎ（必要電圧）は、図５の電源端子Ｖ１０に与えられる電圧である。図１４において縦軸は必要電圧を示し、横軸はサブフィールド番号を示す。なお、第１〜第１０ＳＦはそれぞれ１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０および８１の輝度重みを有する。また、実線は１相駆動動作により走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合の必要電圧を示し、一点鎖線は２相駆動動作により走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合の必要電圧を示す。【０１９７】
また、図１５は、１相駆動動作および２相駆動動作の選択条件の一例を示す図である。図１５に示すＡＰＬの値（％）は、小数点以下一桁を四捨五入した値である。また、図１５において“×”はそのサブフィールドにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが１相駆動動作によって駆動されることを示し、“○”はそのサブフィールドにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが２相駆動動作によって駆動されることを示す。なお、以下の説明においては、１相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが駆動されるサブフィールドを１相ＳＦと称し、２相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが駆動されるサブフィールドを２相ＳＦと称する。【０１９８】
図１３に示すように、ＡＰＬが約０〜１０％の場合には余剰時間はほとんど存在せず、ＡＰＬが約１０％以上である場合にはＡＰＬの上昇に従って余剰時間は増加する。【０１９９】
ここで、図５で説明したように、２相ＳＦにおいては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにランプ波形Ｌ６またはランプ波形Ｌ８が印加される。このランプ波形Ｌ６（Ｌ８）の印加には約１００μｓの時間が必要である。したがって、ランプ波形Ｌ６またはランプ波形Ｌ８を印加する場合、書込み期間が長くなる。そのため、余剰時間を十分に確保できるフィールドにおいて２相ＳＦに設定されるサブフィールドの数を多くすることが好ましい。【０２００】
また、図１４に示すように、２相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合、１相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合に比べて必要電圧が大幅に低下する。また、必要電圧は、サブフィールドの輝度重みが大きくなるにつれて高くなる。したがって、必要電圧を低下させるためには、大きい輝度重みを有するサブフィールドを２相ＳＦに設定することが好ましい。【０２０１】
以上のことから、本実施の形態においては、図１５に示すように、ＡＰＬの値が高いほどすなわち余剰時間が長いほど１フィールドにおける２相ＳＦの数が大きく設定される。この場合、１フィールドにおいて書込み期間で初期化放電のために走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加されるランプ波形の数は、余剰時間の長さに応じて増減される。それにより、上記ランプ波形の印加により書込み期間が長くなる場合にも、維持パルスＰｓを印加するための時間が不足することが防止される。また、本実施の形態においては、より大きい輝度重みを有するサブフィールドから優先的に２相ＳＦに設定される。それにより、必要電圧を効率よく低減することができる。【０２０２】
以上の結果、放電セルの放電不良を防止するとともに、十分な維持期間の確保および必要電圧の低減が可能となる。【０２０３】
（１−７）第１の実施の形態の効果
以上のように、本実施の形態においては、１相駆動動作および２相駆動動作が選択的に実行される。【０２０４】
ここで、２相駆動動作においては、初期化期間において第２の放電セル群の各放電セルに初期化のための微弱放電を発生させていない。そのため、書込み期間の開始時点において、第２の放電セル群の各放電セルに十分な量の電荷を蓄積することができる。それにより、第２の放電セル群において壁電荷の減少による放電不良が発生することを防止することができる。【０２０５】
また、書込み期間において第１の放電セル群に対する走査パルスＰａの印加が終了した後に、第２の放電セル群の所定の放電セルにおいて微弱放電を発生させている。それにより、第２の放電セル群の各放電セルに走査パルスＰａが印加される直前に、第２の放電セル群の各放電セルを書込み動作に適した状態にすることができる。その結果、第２の放電セル群の各放電セルにおいて壁電荷の減少による放電不良が発生することを確実に防止することができる。【０２０６】
また、書込み期間（走査パルスＰａが印加される期間を除く）において走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎ（第２の放電セル群）の電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）を低くすることにより第２の放電セル群の各放電セルの壁電荷が減少しても、各放電セルに十分な量の電荷を残すことができる。したがって、書込み期間における走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎの電位を低くすることができるので、電源端子Ｖ１０が受ける電圧Ｖｓｃｎを低減することができる。【０２０７】
以上の結果、電圧Ｖｓｃｎを効率よく低下させつつ、放電セルを確実に点灯させることが可能となる。それにより、パネル１０の駆動コストを低減することができるとともに、パネル１０の動作性能を向上させることができる。【０２０８】
また、本実施の形態においては、ＡＰＬの値が高いほどすなわち余剰時間が長いほど１フィールドにおける２相ＳＦの数が大きく設定される。それにより、放電セルの放電不良を防止しつつ、維持期間を十分に確保することができる。また、より大きい輝度重みを有するサブフィールドから優先的に２相ＳＦに設定される。それにより、必要電圧を効率よく低減することができる。【０２０９】
また、本実施の形態においては、直流電源２００によりノードＮ１とノードＮ３との間の電位差が一定に保持されている。さらに、トランジスタＱ１，Ｑ２により走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１がノードＮ１またはノードＮ２に選択的に接続され、トランジスタＱ１０１，Ｑ１０２により走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎがノードＮ１またはノードＮ２に選択的に接続される。それにより、走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１および走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎに共通または異なる駆動波形が印加される。このように、走査電極駆動回路５３の構成および動作を複雑化することなく、走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１および走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎに共通または異なる駆動波形を容易に印加することができる。それにより、走査電極駆動回路５３の製造コストを低減することができる。【０２１０】
（２）第２の実施の形態
図１６は、第２の実施の形態に係る走査電極駆動回路５３の構成を示す回路図である。図１６に示す走査電極駆動回路５３が図６の走査電極駆動回路５３と異なるのは以下の点である。【０２１１】
図１６に示すように、本実施の形態においては、トランジスタＱ５のゲートとノードＮ１との間に、ツェナーダイオードＺＤが接続されている。【０２１２】
図１７は、第１ＳＦの書込み期間において本実施の形態に係る走査電極駆動回路５３の２相駆動動作時にトランジスタＱ１〜Ｑ８に与えられる制御信号の詳細なタイミング図である。図１７の最上段には、実線で走査電極ＳＣ１の電位の変化が示され、一点鎖線で走査電極ＳＣ２の電位の変化が示される。なお、図１７においては、図８の時点ｔ１０から時点ｔ１４に対応する期間のタイミング図が示されている。【０２１３】
図１７のタイミング図が図８のタイミング図と異なるのは以下の点である。図１７に示すように、本実施の形態においては、時点ｔ１１において制御信号Ｓ５がハイレベルになりトランジスタＱ５がオンされたときに、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２が接地電位からツェナー電圧Ｖｚｄ分立ち下がる。その後、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２の電位は、（−Ｖｚｄ）から（−Ｖａｄ）に向かって緩やかに低下する。【０２１４】
この場合、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２の電位は、時点ｔ１２よりも早い時点ｔ１２ａにおいて（−Ｖａｄ）に到達する。したがって、本実施の形態によれば、図８に示す第１の実施の形態に比べて、走査電極ＳＣ１，ＳＣ２にランプ波形を印加するために要する時間を短縮することができる。それにより、維持パルスを印加するための時間を十分に確保することができる。その結果、パネル１０の輝度を十分に向上させることができる。【０２１５】
なお、ツェナー電圧Ｖｚｄは、電圧Ｖａｄ以下の電圧に設定されることが好ましい。この場合、第２の放電セル群の各放電セルにおいて、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ２との交差部の電圧が放電開始電圧を超えることを防止することができる。それにより、第２の放電セルの初期化に要する時間を短縮しつつ、第２の放電セル群の初期化を確実に行うことができる。【０２１６】
また、ツェナー電圧Ｖｚｄは、パネル１０の特性に応じて最適に設定されることがより好ましい。それにより、維持期間を最大限に確保することができ、維持パルスＰｓを最大限に印加することが可能となる。【０２１７】
なお、上記では、ツェナーダイオードＺＤを設けた場合の効果をランプ波形Ｌ６（図５）の印加時を例に挙げて説明したが、第２ＳＦ以降の書込み期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにランプ波形Ｌ８を印加するときにも同様の効果がある。【０２１８】
（３）第３の実施の形態
第３の実施の形態においては、走査電極駆動回路５３は、全ての走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに対して初期化放電のために同じ駆動波形を印加する１相駆動動作、走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１と走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎとに初期化放電のために異なる駆動波形を印加する２相駆動動作、および走査電極ＳＣ１，ＳＣ４，…，ＳＣｎ−２と走査電極ＳＣ２，ＳＣ５，…，ＳＣｎ−１と走査電極ＳＣ３，ＳＣ６，…，ＳＣｎとに初期化放電のために異なる駆動波形を印加する３相駆動動作を選択的に行うことができる。ここで、ｎは３の倍数である。なお、走査電極ＳＣ３，ＳＣ６，…，ＳＣｎには、走査IＣ１００または走査ＩＣ１１０と同様の走査ＩＣが接続される。以下の説明においては、走査電極ＳＣ３，ＳＣ６，…，ＳＣｎを第３の走査電極群と称する。【０２１９】
図１８は、走査電極駆動回路５３の３相駆動動作時に各電極に印加される駆動波形を示す。なお、図１８には、第１の走査電極群の１本の走査電極ＳＣ１、第２の走査電極群の１本の走査電極ＳＣ２、第３の走査電極群の１本の走査電極ＳＣ３、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍの駆動波形が示される。また、図１８には、１フィールドの第１ＳＦの初期化期間から第２ＳＦの維持期間までが示される。また、図１８に示すランプ波形Ｌ１〜Ｌ８は、図４および図５のランプ波形Ｌ１〜Ｌ８と同様である。【０２２０】
なお、以下の説明においては、第１の走査電極群上の放電セルを第１の放電セル群と称し、第２の走査電極群上の放電セルを第２の放電セル群と称し、第３の走査電極群上の放電セルを第３の放電セル群と称する。【０２２１】
第１ＳＦの初期化期間においては、ランプ波形Ｌ１，Ｌ２を第１の走査電極群に印加する。それにより、第１の放電セル群の各放電セルにおいて微弱な初期化放電が２回発生する。その結果、第１の放電セル群の各放電セルの壁電荷の量が書込み動作に適した状態に調整される。【０２２２】
一方、第２および第３の走査電極群には、ランプ波形Ｌ１，Ｌ５を印加する。この場合、第２および第３の放電セル群の各放電セルにおいては、２回目の微弱な初期化放電が発生しない。したがって、第２および第３の放電セル群の各放電セルにおいては、十分な量の壁電荷を保持することができる。【０２２３】
書込み期間においては、第１の走査電極群の走査電極ＳＣ１，ＳＣ４，…，ＳＣｎ−２に順に走査パルスＰａを印加する。それにより、第１の放電セル群の選択された放電セルにおいて書込み放電が発生する。【０２２４】
第１の走査電極群への走査パルスＰａの印加後、ランプ波形Ｌ６を第１および第２の走査電極群に印加する。それにより、第２の放電セル群の各放電セルにおいて２回目の微弱な初期化放電が発生する。その結果、第２の放電セル群の各放電セルの壁電荷の量が書込み動作に適した状態に調整される。【０２２５】
一方、第３の走査電極群には、電位Ｖｓｃｎを印加した後、図４のランプ波形Ｌ７と同様のランプ波形Ｌ９を印加する。この場合、第３の放電セル群の各放電セルにおいては、２回目の微弱な初期化放電が発生しない。したがって、第３の放電セル群の各放電セルにおいては、十分な量の壁電荷を保持することができる。【０２２６】
第１および第２の走査電極群へのランプ波形Ｌ６の印加後、第２の走査電極群の走査電極ＳＣ２，ＳＣ５，…，ＳＣｎ−１に順に走査パルスＰａを印加する。それにより、第２の放電セル群の選択された放電セルにおいて書込み放電が発生する。【０２２７】
第２の走査電極群への走査パルスＰａの印加後、ランプ波形Ｌ６と同様のランプ波形Ｌ１０を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する。それにより、第３の放電セル群の各放電セルにおいて２回目の微弱な初期化放電が発生する。その結果、第３の放電セル群の各放電セルの壁電荷の量が書込み動作に適した状態に調整される。【０２２８】
その後、第３の放電セル群の走査電極ＳＣ３，ＳＣ６，…，ＳＣｎに順に走査パルスＰａを印加する。それにより、第３の放電セル群の選択された放電セルにおいて書込み放電が発生する。【０２２９】
また、第２ＳＦの初期化期間においては、ランプ波形Ｌ４を第１の走査電極群に印加する。それにより、第１の放電セル群のうち前のサブフィールド（図１１では第１ＳＦ）の維持期間で維持放電が起こった放電セルにおいて微弱な初期化放電が発生する。その結果、第１の放電セル群の各放電セルの壁電荷の量が書込み動作に適した状態に調整される。【０２３０】
一方、第２および第３の走査電極群には、電位Ｖｓｃｎを印加した後、ランプ波形Ｌ７を印加する。この場合、第２および第３の放電セル群の各放電セルにおいては、微弱な初期化放電が発生しない。したがって、第２および第３の放電セル群の各放電セルにおいては、十分な量の壁電荷を保持することができる。【０２３１】
書込み期間においては、第１の走査電極群の走査電極ＳＣ１，ＳＣ４，…，ＳＣｎ−２に順に走査パルスＰａを印加する。それにより、第１の放電セル群の選択された放電セルにおいて書込み放電が発生する。【０２３２】
第１の走査電極群への走査パルスＰａの印加後、ランプ波形Ｌ８を第１および第２の走査電極群に印加する。それにより、第２の放電セル群の各放電セルにおいて微弱な初期化放電が発生する。その結果、第２の放電セル群の各放電セルの壁電荷の量が書込み動作に適した状態に調整される。【０２３３】
一方、第３の走査電極群には、電位Ｖｓｃｎを印加した後、ランプ波形Ｌ７と同様のランプ波形Ｌ１１を印加する。この場合、第３の放電セル群の各放電セルにおいては、微弱な初期化放電が発生しない。したがって、第３の放電セル群の各放電セルにおいては、十分な量の壁電荷を保持することができる。【０２３４】
第１および第２の走査電極群へのランプ波形Ｌ８の印加後、第２の走査電極群の走査電極ＳＣ２，ＳＣ５，…，ＳＣｎ−１に順に走査パルスＰａを印加する。それにより、第２の放電セル群の選択された放電セルにおいて書込み放電が発生する。【０２３５】
第２の走査電極群への走査パルスＰａの印加後、ランプ波形Ｌ８と同様のランプ波形Ｌ１２を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する。それにより、第３の放電セル群の各放電セルにおいて微弱な初期化放電が発生する。その結果、第３の放電セル群の各放電セルの壁電荷の量が書込み動作に適した状態に調整される。【０２３６】
その後、第３の放電セル群の走査電極ＳＣ３，ＳＣ６，…，ＳＣｎに順に走査パルスＰａを印加する。それにより、第３の放電セル群の選択された放電セルにおいて書込み放電が発生する。【０２３７】
以上のように、３相駆動動作では、初期化期間において第２の放電セル群の各放電セルに初期化のための微弱放電（第１ＳＦにおいては２回目の微弱放電）を発生させていない。そのため、書込み期間の開始時点において、第２の放電セル群の各放電セルに十分な量の電荷を蓄積することができる。【０２３８】
この場合、第２の放電セル群の各放電セルに走査パルスＰａが印加されるまでに、各放電セルに蓄積されている壁電荷が減少したとしても、第２の放電セル群において壁電荷の減少による放電不良が発生することを防止することができる。【０２３９】
また、書込み期間において、第１および第２の放電セル群への走査パルスＰａの印加が終了するまで、第３の放電セル群の各放電セルに初期化のための微弱放電（第１ＳＦにおいては２回目の微弱放電）を発生させていない。【０２４０】
この場合、第３の放電セル群の各放電セルに走査パルスＰａが印加されるまでに、各放電セルに蓄積されている壁電荷が減少したとしても、第３の放電セル群において壁電荷の減少による放電不良が発生することを防止することができる。【０２４１】
以上の結果、各放電セルにおいて放電不良が発生することを確実に防止することができる。また、書込み期間（走査パルスＰａが印加される期間を除く）において第２および第３の走査電極群の電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）を低くすることにより第２および第３の放電セル群の各放電セルの壁電荷が減少しても、各放電セルに十分な量の電荷を残すことができる。したがって、書込み期間における第２および第３の走査電極群の電位を低くすることができるので、電源端子Ｖ１０が受ける電圧Ｖｓｃｎを低減することができる。【０２４２】
図１９は、各サブフィールドにおける必要電圧を示す図である。図１９において縦軸は必要電圧を示し、横軸はサブフィールド番号を示す。なお、第１〜第１０ＳＦはそれぞれ１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０および８１の輝度重みを有する。また、実線は１相駆動動作により走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合の必要電圧を示し、一点鎖線は２相駆動動作により走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合の必要電圧を示し、破線は３相駆動動作により走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合の必要電圧を示す。なお、図１９の実線および一点鎖線は、それぞれ図１４の実線および一点鎖線と同じ値を示す。【０２４３】
また、図２０は、１相駆動動作、２相駆動動作および３相駆動動作の選択条件の一例を示す図である。図２０に示すＡＰＬの値（％）は、小数点以下一桁を四捨五入した値である。また、図２０において“×”はそのサブフィールドにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが１相駆動動作によって駆動されることを示し、“○”はそのサブフィールドにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが２相駆動動作によって駆動されることを示し、“◎”はそのサブフィールドにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが３相駆動動作によって駆動されることを示す。なお、以下においては、３相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが駆動されるサブフィールドを３相ＳＦと称する。【０２４４】
図１９に示すように、３相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合、１相駆動動作および２相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合に比べて必要電圧が大幅に低下する。【０２４５】
ここで、３相ＳＦにおいては、図１８で説明したように、書込み期間において初期化放電のためにランプ波形が２回印加される。したがって、複数のサブフィールドのうちいずれかのサブフィールドを３相ＳＦに設定する場合、そのサブフィールドを２相ＳＦに設定する場合に比べて書込み期間が長くなる。【０２４６】
そこで、本実施の形態においては、図２０に示すように、ＡＰＬが６０％以上の場合に、第８〜第１０ＳＦを３相ＳＦに設定している。それにより、必要電圧をさらに効率よく低減することができる。【０２４７】
このように、本実施の形態においては、余剰時間を十分に確保できる場合には、より大きい輝度重みを有するサブフィールドを３相ＳＦにすることができる。それにより放電セルの放電不良を防止しつつ、十分な維持期間の確保および必要電圧のさらなる低減が可能となる。【０２４８】
なお、上記においては、第８〜第１０ＳＦを３相ＳＦに設定しているが、３相ＳＦに設定するサブフィールドの数は余剰時間に応じて調整することが好ましい。例えば、余剰時間が短い場合には、最も大きい輝度重みを有する第１０ＳＦのみを３相ＳＦに設定してもよく、余剰時間が長い場合には、４つ以上のサブフィールドを３相ＳＦに設定してもよい。なお、より輝度重みの大きいサブフィールドから優先的に３相ＳＦに設定することが好ましい。【０２４９】
（４）第４の実施の形態
（４−１）プラズマディスプレイ装置の構成
本実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置が第１および第２の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置と異なるのは以下の点である。【０２５０】
図２１は、第４の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。【０２５１】
図２１に示すように、本実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置は、パネル１０、画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３、維持電極駆動回路５４、タイミング発生装置５５、点灯率検出器５７および電源回路（図示せず）を備える。【０２５２】
画像信号処理回路５１は、画像信号ｓｉｇをパネル１０の画素数に応じた画像データに変換し、各画素の画像データを複数のサブフィールドに対応する複数のビットに分割し、それらをデータ電極駆動回路５２および点灯率検出器５７に出力する。【０２５３】
データ電極駆動回路５２は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し、その信号に基づいて各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。【０２５４】
タイミング発生装置５５は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖ、点灯率検出器５７により検出された点灯率および各サブフィールドの輝度重みに基づいてタイミング信号を発生し、それらのタイミング信号をそれぞれの駆動回路ブロック（画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３および維持電極駆動回路５４）へ供給する。【０２５５】
走査電極駆動回路５３は、後述するように、初期化期間において全ての走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに対して同じ駆動波形を印加する１相駆動動作および走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１と走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎとに異なる駆動波形を印加する２相駆動動作を選択的に行うことができる。【０２５６】
点灯率検出器５７は、画像信号処理回路５１から出力されるサブフィールドごとの画像データから、パネル１０上で同時に駆動される放電セルＤの点灯率を検出し、その結果をタイミング発生装置５５へ出力する。【０２５７】
ここで、点灯率とは、独立に点灯／非点灯の状態に制御することができる放電空間の最小単位を放電セルと呼ぶとすると、
点灯率（％）＝（同時に点灯させる放電セルの数）／（パネルの全放電セル数）×１００
をいうものとする。例えば、パネル１０の全放電セルＤが同時に点灯する場合は、点灯率が１００％で、全く放電していない場合は、点灯率が０％である。【０２５８】
本実施の形態では、タイミング発生装置５５は、記憶部５５１および演算部５５２を含む。記憶部５５１には、後述する必要電圧、点灯率および輝度重みの関係を示す情報が記憶されている。演算部５５２は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよび記憶部５５１に記憶される上記の関係に基づいて複数のサブフィールドのうち所定数のサブフィールドを選択する。【０２５９】
タイミング発生装置５５は、演算部５５２により選択されたサブフィールドにおいて２相駆動動作のためのタイミング信号を走査電極駆動回路５３に供給し、演算部５５２により選択されないサブフィールドにおいて１相駆動動作のためのタイミング信号を走査電極駆動回路５３に供給する。それにより、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが１相駆動動作または２相駆動動作により駆動される。【０２６０】
（４−２）２相駆動動作の利用方法
以下、本実施の形態における２相駆動動作の利用方法について説明する。【０２６１】
図２２は、１相駆動動作により走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動した場合の点灯率と必要電圧との関係を示す図である。なお、図２２は、第１０ＳＦにおける点灯率と必要電圧との関係を示す。【０２６２】
図１４で説明したように、２相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合、１相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合に比べて必要電圧が大幅に低下する。このことから、各サブフィールドを２相ＳＦに設定することにより、必要電圧を大幅に低下させることができることがわかる。【０２６３】
しかし、図５で説明したように、２相ＳＦにおいては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにランプ波形Ｌ６またはランプ波形Ｌ８が印加される。このランプ波形Ｌ６（Ｌ８）の印加には約１００μｓの時間が必要である。したがって、２相ＳＦに設定されたサブフィールドでは１相ＳＦに設定されたサブフィールドに比べて書込み期間が長くなる。【０２６４】
そこで、本実施の形態においては、第１〜第１０ＳＦのうち所定数のサブフィールドが２相ＳＦに設定される。この場合、２相ＳＦに設定されない他のサブフィールドは書込み期間が短い１相ＳＦに設定されるので、各サブフィールドの維持期間を十分に確保することができる。【０２６５】
ここで、図１４からわかるように、サブフィールドの必要電圧は輝度重みの大きさに応じて変化する。なお、本実施の形態においては、第１〜第１０ＳＦはそれぞれ１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０および８１の輝度重みを有する。また、図２２に示すように、サブフィールドの必要電圧は点灯率の大きさに応じて変化する。【０２６６】
そこで、本実施の形態においては、図２１のタイミング発生装置５５の記憶部５５１に、輝度重み、点灯率および必要電圧の関係を示す情報が予め記憶されている。そして、演算部５５２（図２１）は、記憶部５５１に記憶されている上記の関係に基づいて、１フィールドごとに必要電圧がより高い順に所定数のサブフィールドを選択し、選択したサブフィールドを２相ＳＦに設定する。以下の例では、所定数を５とする。以下、図面を用いて演算部５５２による２相ＳＦの設定動作について説明する。【０２６７】
図２３は、演算部５５２によるサブフィールドの設定動作を示すフローチャートである。【０２６８】
図２３に示すように、演算部５５２は、まず、点灯率検出器５７（図２１）から１フィールドの各サブフィールドの点灯率を取得する（ステップＳ１）。次に、演算部５５２は、取得した各サブフィールドの点灯率に基づいて、記憶部５５１に記憶されている点灯率、輝度重みおよび必要電圧の関係から各サブフィールドの必要電圧を抽出する（ステップＳ２）。【０２６９】
次に、演算部５５２は、抽出した各サブフィールドの必要電圧に基づいて、第１〜第１０ＳＦを、より輝度重みの大きい所定数（本例では５つ）のサブフィールドを選択する（ステップＳ３）。【０２７０】
次に、演算部５５２は、選択した所定数のサブフィールドを２相ＳＦに設定し、それ以外のサブフィールドを１相ＳＦに設定する（ステップＳ４）。以上により、演算部５５２によるサブフィールドの選択動作が終了する。【０２７１】
次に、図２３で説明した動作による１相ＳＦおよび２相ＳＦの設定について、各サブフィールドの点灯率の例を挙げて説明する。【０２７２】
図２４は、１相ＳＦおよび２相ＳＦの設定例を示す図である。なお、図２４において“×”はそのサブフィールドが１相ＳＦに設定されることを示し、“○”はそのサブフィールドが２相ＳＦに設定されることを示す。【０２７３】
図２４（ａ）の例では、第１〜第８ＳＦの点灯率が５０％であり、第９ＳＦおよび第１０ＳＦの点灯率が０％である。この場合、点灯率０％のサブフィールドの必要電圧は低いので、第９ＳＦおよび第１０ＳＦは１相ＳＦに設定される。また、第１〜第８ＳＦの点灯率はそれぞれ５０％であるので、より大きい輝度重みを有する第４〜第８ＳＦが優先的に２相ＳＦに設定される。【０２７４】
図２４（ｂ）の例では、第１〜第３ＳＦの点灯率が７０％であり、第４〜第７ＳＦの点灯率が５０％であり、第８ＳＦの点灯率が１０％であり、第９および第１０ＳＦの点灯率が０％である。この場合、図２４（ａ）と同様に、点灯率が０％である第９および第１０ＳＦは１相ＳＦに設定される。また、図２４（ｂ）の例では、点灯率１０％の第８ＳＦの必要電圧より点灯率７０％の第３ＳＦの必要電圧が高い。また、点灯率７０％の第２ＳＦの必要電圧より点灯率５０％の第４ＳＦの必要電圧が高い。したがって、第１〜第８ＳＦうち第３〜第７のサブフィールドが２相ＳＦに設定される。【０２７５】
（４−３）第４の実施の形態の効果
以上のように、本実施の形態においては、１相駆動動作および２相駆動動作が選択的に実行される。また、点灯率検出器５７により検出される点灯率および各サブフィールドの輝度重みに基づいて、所定数のサブフィールドが２相ＳＦに設定される。それにより、効率よく必要電圧を低下させつつ、放電セルの放電不良を防止することができる。【０２７６】
なお、上記の例では、第１〜第１０ＳＦのうち５つのサブフィールドが２相ＳＦに設定されているが、２相ＳＦに設定されるサブフィールドの数は上記の例に限定されない。例えば、６つ以上のサブフィールドが２相ＳＦに設定されてもよく、４つ以下のサブフィールドが２相ＳＦに設定されてもよい。【０２７７】
（５）第５の実施の形態
第５の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置が第４の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置と異なるのは以下の点である。【０２７８】
本実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置においては、図１８および図１９で説明した第３の実施の形態と同様に、走査電極駆動回路５３は、１相駆動動作、２相駆動動作および３相駆動動作を選択的に行うことができる。【０２７９】
図２５は、本実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置における１相ＳＦ、２相ＳＦおよび３相ＳＦの設定例を示す図である。図２５において“×”はそのサブフィールドが１相ＳＦに設定されることを示し、“○”はそのサブフィールドが２相ＳＦに設定されることを示し、“◎”はそのサブフィールドが３相ＳＦに設定されることを示す。【０２８０】
図１９で説明したように、３相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合、１相駆動動作および２相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合に比べて必要電圧が大幅に低下する。【０２８１】
しかし、３相ＳＦにおいては、図１８で説明したように、書込み期間において初期化放電のためにランプ波形が２回印加される。したがって、複数のサブフィールドのうちいずれかのサブフィールドを３相ＳＦに設定する場合、そのサブフィールドを２相ＳＦに設定する場合に比べて書込み期間が長くなる。【０２８２】
そこで、本実施の形態においては、図２５に示すように、最も必要電圧が高くなる第８ＳＦを３相ＳＦに設定し、第４〜第７ＳＦを２相ＳＦに設定する。それにより、維持期間を十分に確保しつつ、必要電圧をさらに効率よく低下させることが可能となる。【０２８３】
なお、上記においては、第８ＳＦを３相ＳＦに設定しているが、複数のサブフィールドを３相ＳＦに設定してもよい。例えば、第４〜第６ＳＦを２相ＳＦに設定し、第７および第８ＳＦを３相ＳＦに設定してもよい。なお、より必要電圧の高いサブフィールドから優先的に３相ＳＦに設定することが好ましい。【０２８４】
また、上記の例では、第１〜第１０ＳＦのうち５つのサブフィールドが２相ＳＦおよび３相ＳＦに設定されているが、２相ＳＦおよび３相ＳＦに設定されるサブフィールドの数は上記の例に限定されない。例えば、６つ以上のサブフィールドが２相ＳＦおよび３相ＳＦに設定されてもよく、４つ以下のサブフィールドが２相ＳＦおよび３相ＳＦに設定されてもよい。【０２８５】
（６）第６の実施の形態
（６−１）プラズマディスプレイ装置の構成
本実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置が第１および第２の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置と異なるのは以下の点である。【０２８６】
図２６は、第６の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。【０２８７】
図２６に示すように、本実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置は、パネル１０、画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３、維持電極駆動回路５４、タイミング発生装置５５、温度検出器５８および電源回路（図示せず）を備える。【０２８８】
画像信号処理回路５１は、画像信号ｓｉｇをパネル１０の画素数に応じた画像データに変換し、各画素の画像データを複数のサブフィールドに対応する複数のビットに分割し、それらをデータ電極駆動回路５２に出力する。【０２８９】
データ電極駆動回路５２は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し、その信号に基づいて各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。【０２９０】
温度検出器５８は、図示しない熱電対等の温度検出素子によりパネル１０の温度を検出し、検出した温度を示す信号をタイミング発生装置５５へ出力する。【０２９１】
タイミング発生装置５５は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよび温度検出器５８が検出した温度に基づいてタイミング信号を発生し、それらのタイミング信号をそれぞれの駆動回路ブロック（画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３および維持電極駆動回路５４）へ供給する。【０２９２】
走査電極駆動回路５３は、タイミング信号に基づいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに駆動波形を供給し、維持電極駆動回路５４はタイミング信号に基づいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに駆動波形を供給する。【０２９３】
なお、走査電極駆動回路５３は、後述するように、初期化期間において全ての走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに対して同じ駆動波形を印加する１相駆動動作および走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１と走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎとに異なる駆動波形を印加する２相駆動動作を選択的に行うことができる。【０２９４】
また、本実施の形態においては、タイミング発生装置５５は、温度検出器５８により検出される温度に基づいて、１相駆動動作のためのタイミング信号および２相駆動動作のためのタイミング信号を選択的に発生し、発生したタイミング信号を走査電極駆動回路５３へ供給する。それにより、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが１相駆動動作または２相駆動動作により駆動される。【０２９５】
（６−２）２相駆動動作の利用方法
以下、本実施の形態における２相駆動動作の利用方法について説明する。【０２９６】
図２７は、任意のサブフィールドにおいて１相駆動動作により走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動した場合のパネル１０（図２６）の温度と必要電圧との関係を示す図である。【０２９７】
また、図２８は、１相駆動動作および２相駆動動作の選択条件の一例を示す図である。なお、図２８に示す温度の値（℃）は、小数点以下一桁を四捨五入した値である。また、図２８において“×”はそのサブフィールドにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが１相駆動動作によって駆動されることを示し、“○”はそのサブフィールドにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが２相駆動動作によって駆動されることを示す。なお、以下の説明においては、１相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが駆動されるサブフィールドを１相ＳＦと称し、２相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが駆動されるサブフィールドを２相ＳＦと称する。【０２９８】
図１４で説明したように、２相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合、１相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合に比べて必要電圧が低下する。また、図２７に示すように、必要電圧は、パネル１０の温度が高いほど高くなる。【０２９９】
ここで、図５で説明したように、２相ＳＦにおいては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにランプ波形Ｌ６またはランプ波形Ｌ８が印加される。このランプ波形Ｌ６（Ｌ８）の印加には約１００μｓの時間が必要である。したがって、ランプ波形Ｌ６またはランプ波形Ｌ８を印加する場合、書込み期間が長くなる。【０３００】
そのため、本実施の形態においては、図２８に示すように、パネル１０の温度が高いほど２相ＳＦに設定されるサブフィールドの数が大きく設定される。この場合、パネル１０の温度が高い場合には必要電圧を十分に低下させることができ、パネル１０の温度が低い場合には維持期間を十分に確保することができる。それにより、放電セルの放電不良を防止しつつ、効率よく必要電圧を低下させることができる。【０３０１】
また、図２８に示すように、より輝度重みの大きいサブフィールドから優先的に２相ＳＦに設定される。この場合、必要電圧をさらに効率よく低下させることができる。【０３０２】
（６−３）第６の実施の形態の効果
以上のように、本実施の形態においては、１相駆動動作および２相駆動動作が選択的に実行される。また、パネル１０の温度が高いほど１フィールドにおける２相ＳＦの数が大きく設定される。それにより、放電セルの放電不良を防止しつつ、必要電圧を効率よく低減することができる。【０３０３】
（７）第７の実施の形態
第７の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置が第６の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置と異なるのは以下の点である。【０３０４】
本実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置においては、図１８および図１９で説明した第３の実施の形態と同様に、走査電極駆動回路５３は、１相駆動動作、２相駆動動作および３相駆動動作を選択的に行うことができる。【０３０５】
図２９は、１相駆動動作、２相駆動動作および３相駆動動作の選択条件の一例を示す図である。図２９に示す温度の値（℃）は、小数点以下一桁を四捨五入した値である。また、図２９において“×”はそのサブフィールドにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが１相駆動動作によって駆動されることを示し、“○”はそのサブフィールドにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが２相駆動動作によって駆動されることを示し、“◎”はそのサブフィールドにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが３相駆動動作によって駆動されることを示す。なお、以下においては、３相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎが駆動されるサブフィールドを３相ＳＦと称する。【０３０６】
図１９で説明したように、３相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合、１相駆動動作および２相駆動動作によって走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する場合に比べて必要電圧が低下する。【０３０７】
ここで、３相ＳＦにおいては、図１８で説明したように、書込み期間において初期化放電のためにランプ波形が２回印加される。したがって、複数のサブフィールドのうちいずれかのサブフィールドを３相ＳＦに設定する場合、そのサブフィールドを２相ＳＦに設定する場合に比べて書込み期間が長くなる。【０３０８】
そこで、本実施の形態においては、図２９に示すように、パネル１０の温度が７０℃以上の場合に、第８〜第１０ＳＦを３相ＳＦに設定している。それにより、必要電圧をさらに効率よく低減することができる。【０３０９】
このように、本実施の形態においては、パネル１０が高温になる場合には、１または複数のサブフィールドが３相ＳＦに設定される。それにより放電セルの放電不良を防止しつつ、必要電圧のさらなる低減が可能となる。【０３１０】
なお、上記においては、第８〜第１０ＳＦを３相ＳＦに設定しているが、３相ＳＦに設定するサブフィールドの数はパネル１０の温度に応じて調整することが好ましい。なお、より輝度重みの大きいサブフィールドから優先的に３相ＳＦに設定することが好ましい。【０３１１】
（８）他の実施の形態
上記実施の形態においては、走査電極駆動回路５３において、スイッチング素子としてｎチャネルＦＥＴおよびｐチャネルＦＥＴが用いられているが、スイッチング素子はこれらに限られない。【０３１２】
例えば、上記各回路において、ｎチャネルＦＥＴに代えてｐチャネルＦＥＴまたはＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等を用いてもよいし、ｐチャネルＦＥＴに代えて、ｎチャネルＦＥＴまたはＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等を用いてもよい。【０３１３】
また、上記実施の形態においては、第１ＳＦにおいて全セル初期化動作を行っているが、第１ＳＦにおいて選択初期化動作を行い、第２ＳＦ以降のいずれかのＳＦにおいて全セル初期化動作を行ってもよい。【０３１４】
また、上記第１、第２、第４および第６の実施の形態においては、走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１を第１の走査電極群とし、走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎを第２の走査電極群としたが、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ／２を第１の走査電極群とし、走査電極ＳＣｎ／２＋１〜ＳＣｎを第１の走査電極群としてもよい。なお、この場合、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ／２が第１の維持電極群となり、維持電極ＳＵｎ／２＋１〜ＳＵｎが第２の維持電極群となる。【０３１５】
また、上記第３、第５および第７の実施の形態においては、走査電極ＳＣ１，ＳＣ４，…，ＳＣｎ−２を第１の走査電極群とし、走査電極ＳＣ２，ＳＣ５，…，ＳＣｎ−１を第２の走査電極群とし、走査電極ＳＣ３，ＳＣ６，…，ＳＣｎを第３の走査電極群としたが、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ／３を第１の走査電極群とし、走査電極ＳＣｎ／３＋１〜ＳＣ２ｎ／３を第２の走査電極群とし、走査電極ＳＣ２ｎ／３＋１〜ＳＣｎを第３の走査電極群としてもよい。【０３１６】
また、上記実施の形態においては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを第１および第２の走査電極群または第１〜第３の走査電極群に分割し、パネル１０の全ての放電セルを第１および第２の放電セル群または第１〜第３の放電セル群に分割しているが、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを４つ以上の走査電極群に分割し、パネル１０の全ての放電セルを４つ以上の放電セル群に分割してもよい。【０３１７】
また、上記第１、第２、第４および第６の実施の形態においては、第１の走査電極群（走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１）にランプ波形Ｌ６，Ｌ８（図５）を印加しているが、第１の走査電極群にはランプ波形Ｌ６，Ｌ８を印加しなくてもよい。【０３１８】
また、上記第３、第５および第７の実施の形態においては、第１の走査電極群（走査電極ＳＣ１，ＳＣ４，…，ＳＣｎ−２）にランプ波形Ｌ６，Ｌ８，Ｌ１０，Ｌ１２（図１８）を印加しているが、第１の走査電極群にはランプ波形Ｌ６，Ｌ８，Ｌ１０，Ｌ１２を印加しなくてもよい。また、第２の走査電極群（走査電極ＳＣ２，ＳＣ５，…，ＳＣｎ−１）にランプ波形Ｌ１０，Ｌ１２（図１８）を印加しているが、第２の走査電極群にはランプ波形Ｌ１０，Ｌ１２を印加しなくてもよい。【０３１９】
また、上記実施の形態においては、第１０ＳＦが最も大きい輝度重みを有するが、他のＳＦが最も大きい輝度重みを有してもよい。【０３２０】
（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。【０３２１】
（ａ）請求項１〜５について
上記実施の形態では、走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１または走査電極ＳＣ１，ＳＣ４，…，ＳＣｎ−２が複数の第１の走査電極の例であり、走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎまたは走査電極ＳＣ２，ＳＣ５，…，ＳＣｎ−１が複数の第２の走査電極の例であり、走査電極ＳＣ３，ＳＣ６，…，ＳＣｎが複数の第３の走査電極の例であり、ＡＰＬ検出器５６が検出部の例であり、走査電極駆動回路５３が駆動回路の例である。【０３２２】
また、電位Ｖｓｕｓおよび接地電位が第１の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第２の電位の例であり、ランプ波形Ｌ２およびランプ波形Ｌ４が第１のランプ波形の例であり、電位（Ｖｓｕｓ＋Ｖｓｃｎ）および電位Ｖｓｃｎが第３の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）が第４の電位の例であり、ランプ波形Ｌ５およびランプ波形Ｌ７が第２のランプ波形の例である。【０３２３】
また、接地電位が第５の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第６の電位の例であり、ランプ波形Ｌ６およびランプ波形Ｌ８が第３のランプ波形の例であり、ランプ波形Ｌ２およびランプ波形Ｌ４が共通の駆動波形の例である。【０３２４】
また、電位Ｖｓｕｓおよび接地電位が第７の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第８の電位の例であり、ランプ波形Ｌ２およびランプ波形Ｌ４が第４のランプ波形の例であり、電位（Ｖｓｕｓ＋Ｖｓｃｎ）および電位Ｖｓｃｎが第９の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）が第１０の電位の例であり、ランプ波形Ｌ５およびランプ波形Ｌ７が第５のランプ波形の例である。【０３２５】
また、接地電位が第１１および第１３の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第１２および第１４の電位の例であり、ランプ波形Ｌ６およびランプ波形Ｌ８が第６のランプ波形の例であり、ランプ波形Ｌ１０およびランプ波形Ｌ１２が第７のランプ波形の例である。【０３２６】
（ｂ）請求項６〜９について
上記実施の形態では、走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１または走査電極ＳＣ１，ＳＣ４，…，ＳＣｎ−２が複数の第１の走査電極の例であり、走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎまたは走査電極ＳＣ２，ＳＣ５，…，ＳＣｎ−１が複数の第２の走査電極の例であり、走査電極ＳＣ３，ＳＣ６，…，ＳＣｎが複数の第３の走査電極の例であり、点灯率検出器５７が点灯率検出部の例であり、演算部５５２が選択部の例であり、走査電極駆動回路５３が駆動回路の例である。【０３２７】
また、電位Ｖｓｕｓおよび接地電位が第１の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第２の電位の例であり、ランプ波形Ｌ２およびランプ波形Ｌ４が第１のランプ波形の例であり、電位（Ｖｓｕｓ＋Ｖｓｃｎ）および電位Ｖｓｃｎが第３の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）が第４の電位の例であり、ランプ波形Ｌ５およびランプ波形Ｌ７が第２のランプ波形の例である。【０３２８】
また、接地電位が第５の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第６の電位の例であり、ランプ波形Ｌ６およびランプ波形Ｌ８が第３のランプ波形の例であり、電源端子Ｖ１０が電圧源の例であり、必要電圧が必要電位の例であり、ランプ波形Ｌ２およびランプ波形Ｌ４が共通の駆動波形の例である。【０３２９】
また、電位Ｖｓｕｓおよび接地電位が第７の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第８の電位の例であり、ランプ波形Ｌ２およびランプ波形Ｌ４が第４のランプ波形の例であり、電位（Ｖｓｕｓ＋Ｖｓｃｎ）および電位Ｖｓｃｎが第９の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）が第１０の電位の例であり、ランプ波形Ｌ５およびランプ波形Ｌ７が第５のランプ波形の例である。【０３３０】
また、接地電位が第１１および第１３の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第１２および第１４の電位の例であり、ランプ波形Ｌ６およびランプ波形Ｌ８が第６のランプ波形の例であり、ランプ波形Ｌ１０およびランプ波形Ｌ１２が第７のランプ波形の例である。【０３３１】
（ｃ）請求項１０〜１２について
上記実施の形態では、走査電極ＳＣ１，ＳＣ３，…，ＳＣｎ−１または走査電極ＳＣ１，ＳＣ４，…，ＳＣｎ−２が複数の第１の走査電極の例であり、走査電極ＳＣ２，ＳＣ４，…，ＳＣｎまたは走査電極ＳＣ２，ＳＣ５，…，ＳＣｎ−１が複数の第２の走査電極の例であり、走査電極ＳＣ３，ＳＣ６，…，ＳＣｎが複数の第３の走査電極の例であり、温度検出器５８が温度検出部の例であり、走査電極駆動回路５３が駆動回路の例である。【０３３２】
また、電位Ｖｓｕｓおよび接地電位が第１の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第２の電位の例であり、ランプ波形Ｌ２およびランプ波形Ｌ４が第１のランプ波形の例であり、電位（Ｖｓｕｓ＋Ｖｓｃｎ）および電位Ｖｓｃｎが第３の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）が第４の電位の例であり、ランプ波形Ｌ５およびランプ波形Ｌ７が第２のランプ波形の例である。【０３３３】
また、接地電位が第５の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第６の電位の例であり、ランプ波形Ｌ６およびランプ波形Ｌ８が第３のランプ波形の例であり、ランプ波形Ｌ２およびランプ波形Ｌ４が共通の駆動波形の例である。【０３３４】
また、電位Ｖｓｕｓおよび接地電位が第７の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第８の電位の例であり、ランプ波形Ｌ２およびランプ波形Ｌ４が第４のランプ波形の例であり、電位（Ｖｓｕｓ＋Ｖｓｃｎ）および電位Ｖｓｃｎが第９の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｃｎ）が第１０の電位の例であり、ランプ波形Ｌ５およびランプ波形Ｌ７が第５のランプ波形の例である。【０３３５】
また、接地電位が第１１および第１３の電位の例であり、電位（−Ｖａｄ＋Ｖｓｅｔ２）が第１２および第１４の電位の例であり、ランプ波形Ｌ６およびランプ波形Ｌ８が第６のランプ波形の例であり、ランプ波形Ｌ１０およびランプ波形Ｌ１２が第７のランプ波形の例である。【０３３６】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０３３７】
本発明は、種々の画像を表示する表示装置に利用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【国際調査報告】
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