【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
該ポリイミドフイルムの貼り合わせ面とは反対側の面にあらかじめ金属層が設けられていない場合は、フルアディティブ法やセミアディティブ法で金属層を形成することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
＜剥離力測定方法＞
ポリイミドフイルムの片面あるいは両面に金属層が形成されている場合は、剥離時に金属層の変形に要する力が加算されるために、見かけ上、金属層が無い場合に比べて剥離力が大きくなる。また、金属層が厚くなるに従って剥離力も大きくなる。金属層の影響を除くために、本発明ではポリイミドフイルムの剥離力の測定は次の方法で行なった。補強板上に形成した再剥離剤層上にポリイミドフイルムを貼り合わせた後、該ポリイミドフイルムを１０ｍｍ幅に裁断した。ＴＭＩ社製テンシロンを用いて３００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で１０ｍｍ幅のポリイミドフイルムを１８０°方向に剥離するときの力を剥離力とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ポリイミドフイルムを剥離するときの剥離力Ａ（ｇ／ｃｍ）と、ポリイミドフイルムの厚みの逆数Ｂ（μｍ−１）と、ポリイミドフイルムのヤング率の逆数Ｃ（ｍｍ２／ｋｇ）との積Ａ×Ｂ×Ｃ（以下Ａ×Ｂ×Ｃはこれらの積を表す。表１についても同じである。）は表１に示した。回路パターン形成中にポリイミドフイルムが有機物層から剥離することはなかった。また、回路パターンを形成したポリイミドフイルムを真空吸着し端部から徐々にガラス基板から剥離したところ、ポリイミドフイルムは、有機物層との界面で剥離し、カールすることはなかった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた２点間の距離：２００×√２ｍｍ）の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム５点ともフォトマスクパターンと同一である設計値に対して±５μｍ以内にあり、非常に良好であった。すなわち±５μｍ／２００×√２ｍｍ＝±０．００１８％の累積精度が得られた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
銅メッキ膜が形成されたポリイミドフイルムをシート状に切断してから、銅メッキ膜上にドライフイルムレジストをラミネートし、該ドライフイルムレジストを所定パターンのフォトマスクを介して露光、現像して、ドライフイルムレジストパターンを形成した。塩化鉄の銅エッチング液にドライフイルムレジストパターンが形成されたポリイミドフイルムを浸漬し、銅膜をパターニングすると同時に銅膜下のクロム−ニッケル合金膜もパターニングし、配線回路と位置合わせ用のマークを形成した。次にドライフイルムレジストを剥離剤で剥離した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
ポリイミドフイルムの剥離力およびＡ×Ｂ×Ｃは表１に示した。回路パターン形成中にポリイミドフイルムが有機物層から剥離することはなかった。また、回路パターンを形成したポリイミドフイルムを真空吸着し端部から徐々にガラス基板から剥離したところ、ポリイミドフイルムは、有機物層との界面で剥離し、カールすることはなかった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム５点ともフォトマスクパターンに対して±５μｍ（±０．００１８％）以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム５点ともフォトマスクパターンに対して±１０μｍ（±０．００３５％）以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、フォトマスクパターンに対して基板外側に向かって２６μｍ（０．００９２％）歪んだものがあった。銅メッキ配線ピッチが１２０μｍ以下の比較的細かな加工では問題になるレベルであったが比較例に比べると大変良好であった。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム５点ともフォトマスクパターンに対して±５μｍ（±０．００１８％）以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム５点ともフォトマスクパターンに対して±５μｍ（±０．００１８％）以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム５点ともフォトマスクパターンに対して±５μｍ（±０．００１８％）以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム５点ともフォトマスクパターンに対して±５μｍ（±０．００１８％）以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム５点ともフォトマスクパターンに対して±５μｍ（±０．００１８％）以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム５点ともフォトマスクパターンに対して±８μｍ（±０．００２８％）以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、フォトマスクパターンに対して基板外側に向かって２１μｍ（０．００７４％）歪んだものがあった。比較例に比べると良好ではあるが、銅メッキ配線ピッチが１２０μｍ以下の比較的細かな加工では問題になるレベルであった。他実施例よりは劣るものの事実上問題なかった。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム５点ともフォトマスクパターンに対して±１３μｍ（±０．００４６％）以内にあり、非常に良好であった。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、フォトマスクパターンに対して基板外側に向かって１３０μｍ（０．０４６％）歪んだものがあった。２００μｍピッチ以上の比較的粗い加工でも問題になるレベルであった。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
比較例３
コンマコーターを用いて、ヤング率９３０ｋｇ／ｍｍ２、厚さ１２５μｍ、幅３００ｍｍの長尺のポリイミドフイルム（”ユーピレックス”宇部興産（株）製）に金属層接着力向上のための接着剤を連続的に塗布したこと以外は実施例６と同様にして金属パターンを形成したポリイミドフイルムを真空吸着し、端部から徐々に補強板から剥離した。ポリイミドフイルムの剥離力およびＡ×Ｂ×Ｃは表１に示した。回路パターン形成中にポリイミドフイルムの一部が有機物層から剥離したことでレジストパターンが欠け、回路パターンにも欠けが発生した。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
測長機ＳＮＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、交差する金属膜線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約２８３ｎｍ離れた２点（ｘ方向に２００ｍｍ、ｙ方向に２００ｍｍ離れた点）の距離を測定したところ、フォトマスクパターンに対して基板外側に向かって１１０μｍ（±０．０３９％）歪んだものがあった。２００μｍピッチ以上の比較的粗い加工でも問題になるレベルであった。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
【発明の効果】
本発明は、可撓性フイルムを補強板と貼り合わせて、該フイルムの補強板との貼り合わせ面の反対面に回路パターンを加工し、その後可撓性フイルムを剥離するものであり、この時の剥離力Ａ、可撓性フイルムの厚みおよびヤング率の逆数Ｂ、Ｃの積を４．３×１０−６以上４．３×１０−３以下とする回路基板の製造方法である。Ａ×Ｂ×Ｃを特定の範囲とすることで、加工工程での熱処理プロセス、湿式プロセスによる膨張と収縮、あるいは引っ張りや捻れなどの外力による可撓性フイルムの変形を抑制して、より設計値に近い微細加工を可能とし、少なくとも片面に特に高精度な回路パターンを形成した回路基板を製造することができる。特に、ＩＣなどの電子部品を接続する際の電極パッドと回路基板パターンとの位置合わせ精度に係わる累積精度の改善に効果が大きい。また、補強板と可撓性フイルムを貼り合わせる前に、該フイルムの補強板貼り合わせ面に、予め回路パターンを形成し、補強板と該回路パターン形成面とを剥離可能な有機物層を介して貼り合わせることで、両面配線の回路基板とすることも出来る。