【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子源と、
試料を載置する試料台と、
前記荷電粒子源からの一次荷電粒子線を前記試料に走査偏向するための走査偏向器と、
前記一次荷電粒子線を前記試料に照射するための対物レンズと、
前記荷電粒子源と前記対物レンズとの間に配置された一次荷電粒子線を移動させる軸偏向器と、
一次荷電粒子線を前記試料に照射して発生した二次荷電粒子線を検出する検出器と、
計算機とを備え、
前記計算機は、
前記走査偏向器の信号に併せて前記検出器で検出された第１の画像信号と第２の画像信号とを記憶する記憶部と、
前記第１の画像と前記第２の画像とのずれ量と各フーリエ変換像の位相成分の合成画像から画像の類似の度合いを表す一致度を演算により求める演算部と、
前記演算部での一致度が所定値以上であるかを判定する判定部と、
前記演算部で求めた位置ずれ量を前記軸偏向器へ帰還するための軸ずれ補正信号に変換し
て送出する制御部とを備えることを特徴する荷電粒子線装置。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
前記対物レンズの前記試料に対する焦点が第１の位置にあるときに得られる第１の荷電粒子線像と、前記焦点が第２の位置にあるときに得られる第２の荷電粒子線像の位置ずれ量を求め、
前記位置ずれ量から計算された軸ずれ補正信号から一次荷電粒子線の前記対物レンズに対する軸ずれを補正する手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
前記一次荷電粒子線の試料への入射断面形状を変化させるスティグメータを備え、
前記計算機は前記スティグメータを制御する手段を備え、
前記スティグメータの制御値が第１の値であるときに得られる第１の荷電粒子線像と前記制御値が第２の値であるときに得られる第２の荷電粒子線像の位置ずれ量を求め、
前記位置ずれ量から計算された軸ずれ補正信号から前記スティグメータの軸ずれを補正する手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
前記一致度が所定値以下であるときに軸ずれ補正を中止するための手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】
請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
前記一致度が所定値以下であるときに、撮影視野を変更して軸ずれ補正を繰り返す手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
荷電粒子源と、
試料を載置する試料台と、
前記試料に対する荷電粒子線の入射角度を変化させる偏向器と、
前記一次荷電粒子線を前記試料に照射するための対物レンズと、
一次荷電粒子線を前記試料に照射して発生した二次荷電粒子線を検出する検出器と、
計算機とを備え、
前記計算機は、
前記対物レンズの前記試料に対する焦点が第１の位置にあるときの前記偏向器の制御値が第1の値であるときに得られる第1の荷電粒子線像と、前記偏向器の制御値が第2の値である時に得られる第2の荷電粒子線像との間の第1の位置ずれ量と、前記対物レンズの焦点が第2の位置にあり、前記偏向器の制御値が第3の値である時に得られる第3の荷電粒子線像と、前記偏向器の制御値が第4の値である時に得られる第4の荷電粒子線像との間の第2位置ずれ量と、前記第3と第4の荷電粒子線像間の類似度合いを表す一致度を解析する計算部と、
前記第１の位置ずれ量と第２の位置ずれ量の差を前記対物レンズの焦点ずれ量に変換できるか否かを前記一致度から判断する判断部と、
前記第1の位置ずれ量と第2の位置ずれ量の差から計算された補正信号から、前記試料に対する前記対物レンズの焦点を第1の位置に補正する制御部とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項７】
請求項1または７に記載の荷電粒子線装置において、
前記一致度と、
前記位置ずれ量から計算された軸ずれ補正をするための制御変化量を表示する表示部を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
請求項1または７に記載の荷電粒子線装置において、
位置ずれ量と一致度を解析する画像領域は、記憶した画像領域よりも小さい、1ないし複数の部分画像であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項９】
荷電粒子源と、
試料を載置する試料台と、
前記試料に対する荷電粒子線の入射角度を変化させる偏向器と、
一次荷電粒子線を前記試料に照射するための対物レンズと、
前記一次荷電粒子線を前記試料に照射して発生した二次荷電粒子線を検出する検出器と、計算機とを備え、
前記計算機は、
前記対物レンズの前記試料に対する焦点が第１の位置にあるときの前記偏向器の制御値が第1の値であるときに得られる第1の荷電粒子線像と、前記偏向器の制御値が第2の値である時に得られる第2の荷電粒子線像との間の第1の位置ずれ量と、
前記対物レンズの焦点が第2の位置にあり、前記偏向器の制御値が第3の値である時に得られる第3の荷電粒子線像と、前記偏向器の制御値が第4の値である時に得られる第4の荷電粒子線像との間の第2位置ずれ量を解析する計算部と、
第1の位置ずれ量と第2の位置ずれ量の差から試料に対する前記対物レンズの焦点を第1の位置にするために必要な制御値を求め、前記対物レンズの試料に対する焦点を第1の設定に補正する手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、
荷電粒子線光学系の設定範囲を入力する入力部と、
荷電粒子線光学系を前記設定範囲に補正する制御部と、
荷電粒子線光学系の補正結果を記録する記録部を有することを特徴とする検査装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、
対物レンズに対する入射条件の制御する入射条件制御部と、
該制御部で入射条件を変化させた複数の画像を取込む画像取得部と、
得られた画像をそれぞれ複数の部分画像に分割する画像分割部と、
各々の分割画像毎に視差を解析する視差解析部と、
各々の分割画像毎の視差から画像全体における焦点ずれの範囲を解析する焦点ずれ解析部とを有することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の荷電粒子線装置において、
前記視差解析部の出力と前記焦点ずれ解析部で得られた焦点ずれの範囲から複数の焦点条件を決定する焦点決定部を備え、
前記画像取得部は該焦点決定部で決められた複数の焦点条件で画像を取得することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１３】
イオン銃と、
試料に対する集束イオンビームの入射断面形状を変化させる非点補正器と、
イオンビームを集束する集束イオンビーム用レンズと、
試料を保持する試料台と、
前記非点補正器が第１の位置にある時に、集束イオンビーム用レンズの焦点位置が第１の位置にある時に、集束イオンビームが前記集束イオンビーム用レンズを通過して試料に照射して前記試料からの荷電粒子で得られる第１の走査イオン顕微鏡像と、前記集束イオンビーム用レンズの焦点位置が第２の位置にある時に得られる第２の走査イオン顕微鏡像との間の第１位置ずれ量と、
前記非点補正器が第２の設定である時に、前記集束イオンビーム用レンズの焦点位置が第３と第４の位置にある時に得られる第３と第４の走査イオン顕微鏡像間の第２位置ずれ量を解析する画像解析装置と、
第１位置ずれ量と第２位置ずれ量の差から非点補正器の制御パラメータの変化量を計算し、集束イオンビームの非点収差を補正する制御部を持つことを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項１４】
荷電粒子源と、
試料を載置する試料台と、
前記荷電粒子源からの一次荷電粒子線試料を走査偏向するための走査偏向器と、
一次荷電粒子線を試料に照射するための対物レンズと、
前記荷電粒子源と前記対物レンズとの間に配置された一次荷電粒子線を移動させる軸偏向器と、
一次荷電粒子線を照射して前記試料から発生する二次荷電粒子線を検出する検出器と、
前記走査偏向器の信号に併せて前記検出器で検出された第１の画像信号と第２の画像信号を記憶するメモリとを備えた検査装置を用いた検査方法において、
試料上の第１の領域を一次荷電粒子線で走査し、一次荷電粒子線を得るための電子光学系の第１の条件で第１の画像を得る工程と、
第１の条件とは異なる第２の条件で第２の画像を得る工程と、
前記第１の画像と第２の画像から位相限定法を用いて第１の画像と第２の画像の類似の度合いを表す一致度を求める工程と、
前記算出工程で得られた一致度を記憶する工程とを有することを特徴とする荷電粒子線装置の検査方法。
【請求項１５】
荷電粒子源と、
試料を載置する試料台と、
前記荷電粒子源からの一次荷電粒子線を前記試料に走査偏向するための走査偏向器と、
前記一次荷電粒子線を前記試料に照射するための対物レンズと、
前記荷電粒子源と前記対物レンズとの間に配置された一次荷電粒子線を移動させる軸偏向器と、
一次荷電粒子線を前記試料に照射して発生した二次荷電粒子線を検出する検出器と、
計算機とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。