【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の電極と、その間に設けられたCF3-(CH2CF2)n-CH3（ここで、n=10〜50）又はそのCH3基をハロゲン原子で置換した物質から成るフッ化ビニリデンオリゴマー層を有することを特徴とする焦電型赤外線センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の焦電型赤外線センサを用いたメンブレン型赤外線センサ。
【請求項３】
請求項１に記載の焦電型赤外線センサ又は請求項２に記載のメンブレン型赤外線センサを複数個配列して成ることを特徴とする赤外線イメージセンサ。
【請求項４】
a) 基板上に下部電極を形成する工程と、
b) 基板温度を-100℃以下に保ちつつ、下部電極上にCF3-(CH2CF2)n-CH3（ここで、n=10〜50）又はそのCH3基をハロゲン原子で置換した物質を真空蒸着させるフッ化ビニリデンオリゴマー薄膜形成工程と、
c) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜上に上部電極を形成する工程と、
d) 下部電極と上部電極との間に、フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜に自発分極を生成する電圧を印加するポーリング処理工程と、
を含むことを特徴とする焦電型赤外線センサの製造方法。
【請求項５】
a) 基板上に下部電極を形成する工程と、
b) 基板温度を-100℃以下に保ちつつ、下部電極上にCF3-(CH2CF2)n-CH3（ここで、n=10〜50）又はそのCH3基をハロゲン原子で置換した物質を真空蒸着させるフッ化ビニリデンオリゴマー薄膜形成工程と、
c) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜の表面から離れた位置に電界印加電極を配置し、電界印加電極と下部電極との間に、フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜に自発分極を生成する電圧を印加するコロナポーリング処理工程と、
d) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜上に上部電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする焦電型赤外線センサの製造方法。
【請求項６】
上記電界印加電極が平面状である請求項５に記載の焦電型赤外線センサの製造方法。
【請求項７】
上記電界印加電極が針状である請求項５に記載の焦電型赤外線センサの製造方法。
【請求項８】
a) 基板上に下部電極を形成する工程と、
b) 下部電極に高分子材料を押しつけながら滑らせることにより下部電極の表面に該高分子の薄膜を形成する摩擦転写工程と、
c) 該高分子薄膜上にCF3-(CH2CF2)n-CH3（ここで、n=10〜50）又はそのCH3基をハロゲン原子で置換した物質を真空蒸着させるフッ化ビニリデンオリゴマー薄膜形成工程と、
d) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜上に上部電極を形成する工程と、
e) 下部電極と上部電極との間に、フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜に自発分極を生成する電圧を印加するポーリング処理工程と、
を含むことを特徴とする焦電型赤外線センサの製造方法。
【請求項９】
a) 基板上に下部電極を形成する工程と、
b) 下部電極に高分子材料を押しつけながら滑らせることにより下部電極の表面に該高分子の薄膜を形成する摩擦転写工程と、
c) 該高分子薄膜上にCF3-(CH2CF2)n-CH3（ここで、n=10〜50）又はそのCH3基をハロゲン原子で置換した物質を真空蒸着させるフッ化ビニリデンオリゴマー薄膜形成工程と、
d) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜の表面から離れた位置に電界印加電極を配置し、電界印加電極と下部電極との間に、フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜に自発分極を生成する電圧を印加するコロナポーリング処理工程と、
e) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜上に上部電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする焦電型赤外線センサの製造方法。
【請求項１０】
上記電界印加電極が平面状である請求項９に記載の焦電型赤外線センサの製造方法。
【請求項１１】
上記電界印加電極が針状である請求項９に記載の焦電型赤外線センサの製造方法。
【請求項１２】
上記高分子材料がポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の焦電型赤外線センサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る焦電型赤外線センサの製造方法の第１の態様は、
a) 基板上に下部電極を形成する工程と、
b) 基板温度を-100℃以下に保ちつつ、下部電極上にCF3-(CH2CF2)n-CH3（ここで、n=10〜50）又はそのCH3基をハロゲン原子で置換した物質を真空蒸着させるフッ化ビニリデンオリゴマー薄膜形成工程と、
c) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜上に上部電極を形成する工程と、
d) 下部電極と上部電極との間に、フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜に自発分極を生成する電圧を印加するポーリング処理工程と、
を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
焦電型赤外線センサの製造方法の第２の態様は、
a) 基板上に下部電極を形成する工程と、
b) 基板温度を-100℃以下に保ちつつ、下部電極上にCF3-(CH2CF2)n-CH3（ここで、n=10〜50）又はそのCH3基をハロゲン原子で置換した物質を真空蒸着させるフッ化ビニリデンオリゴマー薄膜形成工程と、
c) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜の表面から離れた位置に電界印加電極を配置し、電界印加電極と下部電極との間に、フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜に自発分極を生成する電圧を印加するコロナポーリング処理工程と、
d) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜上に上部電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
焦電型赤外線センサの製造方法の第３の態様は、
a) 基板上に下部電極を形成する工程と、
b) 下部電極に高分子材料を押しつけながら滑らせることにより下部電極の表面に該高分子の薄膜を形成する摩擦転写工程と、
c) 該高分子薄膜上にCF3-(CH2CF2)n-CH3（ここで、n=10〜50）又はそのCH3基をハロゲン原子で置換した物質を真空蒸着させるフッ化ビニリデンオリゴマー薄膜形成工程と、
d) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜上に上部電極を形成する工程と、
e) 下部電極と上部電極との間に、フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜に自発分極を生成する電圧を印加するポーリング処理工程と、
を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
a) 基板上に下部電極を形成する工程と、
b) 下部電極に高分子材料を押しつけながら滑らせることにより下部電極の表面に該高分子の薄膜を形成する摩擦転写工程と、
c) 該高分子薄膜上にCF3-(CH2CF2)n-CH3（ここで、n=10〜50）又はそのCH3基をハロゲン原子で置換した物質を真空蒸着させるフッ化ビニリデンオリゴマー薄膜形成工程と、
d) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜の表面から離れた位置に電界印加電極を配置し、電界印加電極と下部電極との間に、フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜に自発分極を生成する電圧を印加するコロナポーリング処理工程と、
e) フッ化ビニリデンオリゴマー薄膜上に上部電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。