Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
デジタルポジションコーダ３４並びに力及びトルクのセンサ３５は、関節に組み込まれ、サーボモータ２０、２１又は２２により動作し又は制動されて、自らの情報を中央制御ユニットにリアルタイムで送信する。中央制御ユニット３０の管理用マイクロコンピュータ３１がこれらのデータを翻訳し、それにより関節の角度位置、角加速度及び角速度を、生じる力及びトルクとともにリアルタイムで知ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
管理用マイクロコンピュータ３１は、補装具の数学モデルが記録されたソフトウェアを有する。このソフトウェアは、補装具の各セグメントについてその重量、重心、及び関連する関節に関する応力中心距離を考慮している。関節におけるトルクもモデル化可能である。従って、予見可能な全ての自由な又はプログラム可能な経路（例えば、屈んだ姿勢から垂直姿勢までの移動経路、座った姿勢から垂直姿勢、ペダルを踏む姿勢、歩行姿勢までの移動経路等）のモデル化が可能である。このようなモデル化により、全ての動作及びそれらの効果（特に補装具の慣性及び重力の効果）の提供が可能になる。このことは、補装具の動作の完全な閉ループ帰還制御を可能にする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
また可動フレームは自らの駆動装置を有する。この駆動装置は例えば、中央制御ユニット３０に従って１つ以上の車輪５４、５５、５６に作用する１つ以上のモータ又はサーボモータ６５、６６を有し、それにより可動のシャーシの移動速度は、患者の歩行動作による固有の移動速度に完全に同期することができる。このような装置は、可動シャーシが電源用バッテリーを搭載する場合に特に有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月3日(2005.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトの脊椎の隣接する椎体の間の椎間腔の手術で調製される高さ全体にわたって形成した植込み間隙中に少なくとも一部を挿入するための、椎体間脊椎インプラントであって、椎体が前面および後面とこれらの間に深さとを有し、
椎間腔に最初に挿入するための前端部および前記前端部に対向する後端部であって、前記インプラントが前記前端部と後端部の間に長さを有する、前端部および後端部と、
前記前端部と後端部の間の対向する上部および下部であって、隣接する椎体に接触してこれらを支持するために椎間腔の内部におよび高さ全体にわたって少なくとも一部を配置するようになされ、前記インプラントの長さの少なくとも一部に沿って非円弧状である対向する上部および下部と、
前記上部と前記下部の間および前記前端部と後端部の間の対向する側面であって、前記インプラントの幅を画定し、前記対向する側面の少なくとも一方の少なくとも一部が、前記インプラントの長さの少なくとも一部に沿って直線的であり、前記前端部が、前記対向する側面の一方から前記対向する側面の他方にほぼ半円の形状で構成され、円が前記インプラントの幅と概ね等しい直径を有する、対向する側面とを備え、
ヒトへの移植に適切な材料から作製され、前記インプラントの前記上部および下部が、骨成長促進材料を収容するようになされた通路の少なくとも一部を形成するために、相互に連絡する少なくとも１つの開口を含み、前記通路を通って骨が椎体から椎体へ成長することができる、インプラント。
【請求項２】
ヒトの脊椎の隣接する椎体の間の椎間腔の手術で調製される高さ全体にわたって形成した植込み間隙中に少なくとも一部を挿入するための、椎体間脊椎インプラントであって、椎体が前面および後面とこれらの間に深さとを有し、
椎間腔に最初に挿入するための前端部および前記前端部に対向する後端部であって、前記インプラントが前記前端部と後端部の間に長さを有する、前端部および後端部と、
前記前端部と後端部の間の対向する上部および下部であって、隣接する椎体に接触してこれらを支持するために椎間腔の内部におよび高さ全体にわたって少なくとも一部を配置するようになされた対向する上部および下部とを備え、
前記インプラントを挿入するようになされている隣接する椎体の幅の２分の１よりも大きい最大幅を有し、前記前端部が、前記インプラントの幅に沿って第１円のほぼ半円の形状で構成され、前記後端部が、前記インプラントの幅に沿って第２円の曲率半径を有し、第２円は第１円の半径よりも大きい半径を有し、さらに
ヒトへの移植に適切な材料から作製され、前記インプラントの前記上部および下部が、骨成長促進材料を収容するようになされた通路の少なくとも一部を形成するために、相互に連絡する少なくとも１つの開口を含み、前記通路を通って骨が椎体から椎体へ成長することができる、インプラント。
【請求項３】
前記インプラントの前記前端部および前記後端部が、インプラントの正反対の箇所で交差する、請求項２に記載のインプラント。
【請求項４】
前記インプラントが、前記インプラントを挿入するようになされている隣接する椎体の幅の２分の１よりも大きい、前記対向する側面の間の最大幅を有する、前記請求項の何れか一項に記載のインプラント。
【請求項５】
前記インプラントが、前記インプラントを挿入するようになされている隣接する椎体の幅の２分の１よりも小さい、前記対向する側面の間の最大幅を有する、請求項１乃至３の何れか一項に記載のインプラント。
【請求項６】
前記通路が前記対向する側面の少なくとも一方と交差する、前記請求項の何れか一項に記載のインプラント。
【請求項７】
隣接する椎体に係合するために、少なくとも前記上部および下部の外面上に形成した骨係合面をさらに備え、前記骨係合面が、突起、爪歯、釘状突起、スプライン、表面目荒らし、およびローレット掛けのうちの少なくとも１つを含む、前記請求項の何れか一項に記載のインプラント。
【請求項８】
骨成長促進材料と組み合わせてある、前記請求項の何れか一項に記載のインプラント。
【請求項９】
前記骨成長促進材料が、骨、骨由来製品、脱ミネラル骨基質、鉱化タンパク質、骨化タンパク質、骨形態形成タンパク質、ヒドロキシアパタイト、および骨産生暗号付け遺伝子のうちの１つから選択される、請求項８に記載のインプラント。
【請求項１０】
前記インプラントの少なくとも一部が吸収可能である、前記請求項の何れか一項に記載のインプラント。
【請求項１１】
瘢痕形成を抑制するようになされた化学物質又は抗菌性材料の少なくとも一つと組み合わされる、前記請求項の何れか一項に記載のインプラント。
【請求項１２】
前記インプラントは、髄管を有するヒトの主要長骨から入手した骨環状体から作製され、前記通路の少なくとも一部を形成するために、前記上部および下部を通り抜ける髄管の少なくとも一部を含む、前記請求項の何れか一項に記載のインプラント。
【請求項１３】
前記インプラントは骨複合材料から作製される、請求項１乃至１１の何れか一項に記載のインプラント。
【請求項１４】
前記インプラントは骨以外の材料から作製される、請求項１乃至１１の何れか一項に記載のインプラント。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月6日(2004.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
経皮吸収を促進する装置であって、  
振動ヘッドと、
振動ヘッド上に配置された電極アレイと、
電極アレイに電気的に接続された電気パルス発生装置を備え、
電極アレイを介して皮膚に電気パルスを加え、同時に、振動ヘッドを介して皮膚に機械振動を加えて、皮膚に塗布した物質の吸収を促進する経皮吸収を促進し、かつ
電気パルスのバーストを、機械的振動と同じ周波数で皮膚に提供し、皮膚に塗布した物質の吸収を促進する経皮吸収をさらに促進するために、皮膚に、機械的振動の同時の適用および電気パルスのバーストを提供する、装置。    
【請求項２】
電気パルスが指数曲線形のパルスである請求項1記載の装置。
【請求項３】
皮膚に塗布した物質の吸収を促進する経皮吸収をさらにもっと促進するために、電気パルスが機械的振動と同じ相で皮膚へ提供される、請求項1記載の装置。
【請求項４】
電気パルスが、極性が順次交互に変わりながら出力されたものである請求項2記載の装置。
【請求項５】
電気パルス発生装置が、1次巻線と2次巻線を有する変圧器を備え、
パルス発生装置からの電気パルス出力が、変圧器の1次巻線に矩形波パルスを印加した結果として2次巻線から得られる出力である請求項1記載の装置。
【請求項６】
電気パルスが、周波数50 Hz〜100 Hzでの出力であり、
電気パルスの周波数が、振動ヘッドによる機械的振動に対応する周波数と同一である請求項5記載の装置。
【請求項７】
電極列が、
変圧器の第一出力端子に接続されている中央の電極と、
中央の電極のまわりに配置され、変圧器の第２出力端子に接続されている複数の周辺部の電極とを備えている請求項1記載の装置。
【請求項８】
各電極が、直径5 mm〜10 mmの丸形形状を有し、
各電極が、互いに10 mm〜20 mmの間隔をおいて配置されている請求項7記載の装置。
【請求項９】
振動ヘッドと、
振動ヘッド上に配置された電極アレイと、
電極アレイに電気的に接続された電気パルス発生装置と
振動ヘッドに配置されたローラーとを備えた装置であって、
皮膚に塗布した物質の吸収を促進するために、電気パルスが電極アレイを介して皮膚に供され、同時に、機械振動が振動ヘッドを介して皮膚に供され、
物質が液体またはゲルであり、
物質の皮膚への塗布をローラーによって行う、経皮吸収促進装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歯列矯正装置のアーチワイヤスロットからアーチワイヤを解放する方法であって、
手持ち器具の少なくとも１つの脚を、前記アーチワイヤの歯に面する側に沿って配置することと、
前記歯列矯正装置のラッチに向う方向に前記アーチワイヤを付勢するように、前記手持ち器具を枢動操作することと、
前記ラッチを開いて前記アーチワイヤスロットから前記アーチワイヤを解放するのに十分な力で、該アーチワイヤを該ラッチに対して押し付けることと、
を含み、
前記手持ち器具を枢動操作することが、該手持ち器具が枢動する間に該手持ち器具の一部を前記歯列矯正装置に当接させることを含む、
方法。
【請求項２】
ラッチを有する歯列矯正装置のアーチワイヤスロットからアーチワイヤを解放するための、歯列矯正用の手持ち器具であって、
細長いシャフトと、
前記シャフトに接続され、各々が前記アーチワイヤに係合するフック形状を有し、互いに間隔を空けて配置される２つの脚と、
前記２つの脚の間に配置され、前記アーチワイヤを前記歯列矯正装置の前記ラッチに対して押し付けるように前記シャフトが揺動する間に、該歯列矯正装置に接触するカム部分と、
を具備する歯列矯正用の手持ち器具。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月14日(2005.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心臓動作に同期して圧力をある身体区域に印加するための体外式カウンターパルセーションによる心臓補助装置において、前記装置が空気供給手段及び前記身体区域を包囲するようになっているハウジングを備え、前記ハウジングが、比較的硬いチューブ状シェル、前記身体区域に近接して前記シェルの内部に配置される通気性のある内層及び前記シェルを前記身体区域に気密止めする手段を備え、前記シェルが前記空気供給手段と前記シェル内部の間を調節可能に連結している内部空気配給システムを備えることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原液用の給水口（２）と、原液室（５）と、原液室に配置された複数のフィルタキャンドル（１０）と、濾液用の排水口（３）とを備えるフィルタ容器（１２）を具備する液体、特にビールの濾過及び／又は安定化を目的としたプリコートフィルタであって、
前記原液室（５）が、少なくとも一つの量的制御可能な原液用の排水口（４）が内部に配置されている前記プリコートフィルタにおいて、
前記濾液用の前記排水口（３）と前記原液用の前記排水口（４）の双方が、量的に制御可能であり、かつ、
濾過処理中に、排出された濾液流に対する排出された原液流の定格容量比率が１よりも大きくなるように制御する制御手段（２４）を更に具備していることを特徴とする、プリコートフィルタ。
【請求項２】
前記原液用の前記給水口（２）が前記フィルタキャンドル（１０）の下方の領域に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のプリコートフィルタ。
【請求項３】
前記フィルタ容器（１２）が仕切り壁（１１）によって濾液室（６）と原液室（５）に分離され、前記原液用の前記排水口（４）が前記仕切り壁（１１）に相関して前記フィルタキャンドルの上端に配置されるか前記仕切り壁（１１）内に配置されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載のプリコートフィルタ。
【請求項４】
前記フィルタ容器（１２）が前記濾液用のレジスタ排水口（１３）を備え、前記原液用の前記排水口（４）が前記レジスタ排水口に相関して前記フィルタキャンドル（１０）の上端又は上端より上に配置されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載のプリコートフィルタ。
【請求項５】
前記原液用の前記排水口（４）が排出された原液を再び前記原液室（５）に供給するためにバイパス管（１４）に接続可能となっていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリコートフィルタ。
【請求項６】
前記バイパス管（１４）が中間貯水手段（１８）を経由することを特徴とする、請求項５に記載のプリコートフィルタ。
【請求項７】
プリコートフィルタを具備する、液体、特にビールの濾過及び／又は安定化の方法であって、
原液室に原液を供給するステップと、
フィルタキャンドルによって前記原液を濾過するステップと、
前記濾液を排出し、もって濾液流を生成するステップと、
前記原液室からの前記原液の一部を制御して排出し、もって原液流を生成するステップと
を包含する前記方法において、
前記濾液用の前記排水口（３）と前記原液用の前記排水口（４）の双方が、量的に制御可能であり、かつ、濾過処理中に、排出された濾液流に対する排出された原液流の定格容量比率が１よりも小さいことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記排出された原液がバイパス管（１４）を介して再び前記原液室に供給されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
様々な媒体が次々と前記原液室を通過させられ、後続媒体が先行媒体を押しのける際の濾液流に対する原液流の定格容量比率が１より大きい、好ましくは９５：５である、連続した複数のサブプロセスを具備することを特徴とする、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
水と濾過助剤から成る先行媒体が前記原液室に導入され、濾液流に対する原液流の定格容量比率が１よりも大きい、好ましくは１：９であるようなサブプロセスとして、プリコーティング処理を含むことを特徴とする、請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記プリコーティング処理後に、水と濾過助剤である前記先行媒体が濾過されるべき前記原液を排除するサブプロセスを包含することを特徴とする、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
濾液流に対する原液流の定格容量比率が好ましくは５：９５であることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記濾過処理後に、前記フィルタ内の内容物が後続媒体によって排除されるサブプロセスを具備することを特徴とする、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
CO2の脱ガスを避けるために、前記原液用管路と前記濾液用管路に圧力維持ならびに制御用弁が供されていることを特徴とする、請求項７〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月9日(2004.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のジェットを備えたプリントヘッドを有するプリントヘッドカートリッジを備えたインクジェットプリンタにおける、前記プリントヘッドを試験する方法であって、
前記プリントヘッドカートリッジの記憶素子に、前記複数のジェットの性能を示唆する前記プリントヘッドのジェットの特性の第１組を記憶させるステップ、
前記プリントヘッドカートリッジを試験し、ジェットの特性の第２組を生成し、ここで、前記特性の第１組および第２組は、前記プリントヘッドのレジスタの抵抗値を含むステップ、および、
前記ジェットの特性の第２組を前記ジェットの特性の第１組と比較するステップを有する方法。
【請求項２】
さらに、プリンタパラメータを調整することで、前記の比較に基づいて前記カートリッジに対して前記プリンタを最適化するステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記特性の第１組が、少なくとも予想最大抵抗値および予想最小抵抗値を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記特性の第２組が、複数のジェットのレジスタの抵抗値を含んでいる請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記特性の第２組を前記特性の第１組と比較するステップが、ジェットのレジスタの抵抗値の、そのジェットのレジスタに対する予想最大抵抗値および予想最小抵抗値との比較を含んでいる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記特性の第１組が、前記プリントヘッドカートリッジの製造工程中に記憶される請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記プリントヘッドカートリッジが、前記プリンタへの取り付けの際に試験され、前記特性の第２組が生成される請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記の特性の第１組および第２組が、前記プリントヘッドの圧電性素子のキャパシタンスおよび／または共鳴振動数である請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記特性の第１組が、少なくとも予想最大キャパシタンス値および予想最小キャパシタンス値を含んでいる請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記特性の第２組が、複数のジェットの圧電性素子のキャパシタンス値を含んでいる請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記の特性の第１組および第２組が、ドットの品質、線の品質、液滴の品質、または、色対色の整合性を含んでいるグループから選択される請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記プリントヘッドカートリッジが可動キャリッジ上にある請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記特性の第２組を前記特性の第１組と比較することで、前記プリンタが前記カートリッジに対して最適化されているかを判断する請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
筐体、
前記筐体に取り付けられ、複数のジェットを備えたプリントヘッド、および、
前記筐体に取り付けられ、前記プリントヘッドのレジスタの最大および最小抵抗値を含んでいる少なくとも一組のジェットの特性を記憶する記憶素子を備えた集積回路を有するプリントヘッドカートリッジ。
【請求項１５】
さらに、前記集積回路と、ジェットの特性の第２組と、少なくとも前記特性の一組を比較するプロセッサとを電気的に接続する目的で構成されている複数の電気的接点を有する請求項１４に記載のプリントヘッドカートリッジ。
【請求項１６】
筐体、
前記筐体に取り付けられ、複数のジェットを備えたプリントヘッド、および、
前記筐体に取り付けられ、前記プリントヘッドの圧電性素子のキャパシタンスおよび／または共鳴振動数を含んでいる少なくとも一組のジェットの特性を記憶する記憶素子を備えた集積回路を有するプリントヘッドカートリッジ。
【請求項１７】
筐体、
前記筐体に取り付けられ、複数のジェットを備えたプリントヘッド、および、
前記筐体に取り付けられ、前記プリントヘッドの圧電性素子に対する予想キャパシタンス値を少なくとも含んでいる少なくとも一組のジェットの特性を記憶する記憶素子を備えた集積回路を有するプリントヘッドカートリッジ。
【請求項１８】
筐体、
前記筐体に取り付けられ、複数のジェットを備えたプリントヘッド、および、
前記筐体に取り付けられ、前記プリントヘッドの圧電性素子の共鳴振動数の値を含んでいる少なくとも一組のジェットの特性を記憶する記憶素子を備えた集積回路を有するプリントヘッドカートリッジ。
【請求項１９】
前記少なくとも一組の特性が、ドットの品質、線の品質、液滴の品質、または、色対色の整合性を含んでいるグループから選択された特性を含んでいる請求項１４に記載のプリントヘッドカートリッジ。
【請求項２０】
筐体と、
前記筐体に取り付けられ、複数のジェットを備えたプリントヘッドと、
前記筐体に取り付けられ、プリントヘッドカートリッジのレジスタの予想最大抵抗値および予想最小抵抗値を含んだ、複数のジェットの特性の第１組を記憶する記憶素子を備えた集積回路とを備えたカートリッジ、
複数のジェットのレジスタの計測抵抗値を含んでいる、複数のジェットの特性の第２組を記憶するメモリ、および、
複数の電気的接点により集積回路と接続され、前記特性の第２組を前記特性の第１組と比較するプロセッサ、を有するプリンタ。
【請求項２１】
インクジェットプリントヘッドカートリッジの、機能不全のジェットを検出方法であって、
前記カートリッジのメモリに少なくとも１つのジェットの抵抗値を記憶させるステップ、および、
前記記憶されている値と計測した抵抗値とを比較するステップを有する方法。
【請求項２２】
筐体、
前記筐体に取り付けられ、複数のジェットを備えたプリントヘッド、および、
前記筐体に取り付けられ、少なくとも一組の前記プリントヘッドのレジスタの抵抗値を記憶する記憶素子を備えた集積回路を有し、前記少なくとも一組の抵抗値は、特性の第１組を含んでおり、前記特性の第１組が、前記プリントヘッドのレジスタに対する予想最大抵抗値および予想最小抵抗値を含んでいることを特徴とするプリントヘッドカートリッジ。
【請求項２３】
複数のジェットを備えたプリントヘッドを有するプリントヘッドカートリッジを備えたインクジェットプリンタにおける、前記プリントヘッドを試験する方法であって、
記憶素子に、前記複数のジェットの性能を示唆する、前記プリントヘッドの複数のレジスタの抵抗値を有するジェットの特性の第１組を記憶させるステップ、
前記プリントヘッドカートリッジを試験し、前記複数のレジスタの抵抗値を有する前記ジェットの特性の第２組を生成するステップ、
前記ジェットの特性の第２組を前記ジェットの特性の第１組と比較するステップ、および、
前記比較に基づき、プリンタパラメータを調整し、前記カートリッジに対して前記プリンタを最適化するステップを有する方法。
【請求項２４】
筐体と、
前記筐体に取り付けられ、各々が圧電性素子を有する複数のジェットを備えたプリントヘッドと、
前記筐体に取り付けられ、プリントヘッドの圧電性素子の予想キャパシタンス値を含んだ、複数のジェットの特性の第１組を記憶する記憶素子を備えた集積回路とを備えたカートリッジ、
前記プリントヘッドの圧電性素子の計測キャパシタンス値を含んでいる、複数のジェットの特性の第２組を記憶するメモリ、および、
複数の電気的接点により集積回路と接続され、前記特性の第２組を前記特性の第１組と比較するプロセッサ、を有するプリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月30日(2004.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｃ４−ジカルボン酸および／またはこれらの誘導体を気相中でＴＨＦおよび／またはその誘導体へと水素化する方法において、酸化銅およびＡｌ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｃｅ、ＩＩＩＡ族からＶＩＩＩＡ族までの元素ならびにＩＡ族およびＩＩＡ族の元素からなる群からの少なくとも１種の別の金属または該金属の化合物を含有し、かつ５０ｎｍより大きい細孔径に関して細孔容積０．０１ｍｌ／ｇ以上を有し、かつ５０ｎｍより大きい直径を有するマクロ細孔の細孔容積対４ｎｍより大きい直径を有する細孔のための全細孔容積の比が１０％より大である水素化触媒を使用することを特徴とする、Ｃ４−ジカルボン酸および／またはこれらの誘導体を気相中で水素化する方法。
【請求項２】  別の金属化合物が二酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび／または二酸化チタンからなる群から選択されている、請求項１記載の方法。
【請求項３】  酸化銅含有率が１０質量％以上である、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  触媒が成形体の形である、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  温度１５０〜４００℃、圧力０．５〜１００バール、ＧＨＳＶ  １０〜５００００ｈ-１およびＣ４−カルボン酸もしくはこれらの誘導体の濃度０．２〜２体積％で水素化を実施する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用する染料がＤ＆ＣGreenＮｏ．６もしくはグアイアズレン(guaiazulene)またはこれら２種の染料の混合物であることを特徴とする、親油性芯材料及び油溶性染料の混合物をカプセル化する青色マイクロカプセルの製造方法。
【請求項２】
化粧品または口腔衛生製品における請求項１に記載の方法により製造されるカプセルの使用。
【請求項３】
練り歯磨き、歯磨きクリームおよび歯磨きゲルにおける請求項１に記載の方法により製造されるカプセルの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アルカン酸アルケニルを製造するために用いられ、アルケン、アルカン酸及び酸素含有ガスの反応に触媒作用を有する触媒を製造する方法であって、触媒は、パラジウム、金及びアルカン酸カリウムを含浸した担持粒子を含んでおり、
(ａ)  担持粒子に、水溶性パラジウムと金の化合物の水溶液を含浸する工程、
(ｂ)  アルカリ金属ケイ酸塩又は水酸化物を析出剤として使用し、非水溶性パラジウムと金の化合物を、溶液から担持粒子の上に析出させる工程、
(ｃ)  デカントした洗浄水が硝酸銀試験で陰性になるまで、析出物を有する担持体を水で洗浄する工程、
(ｄ)  洗浄した後、析出物を有する担持体を乾燥する工程、
(ｅ)  エチレンを還元剤として使用する場合は１５０℃〜３１０℃の温度、水素を還元剤として使用する場合は１５０℃〜２９９℃の温度にて、析出した非水溶性のパラジウムと金の化合物を、担持粒子上でパラジウムと金に変換する工程、
(ｆ)  担持粒子が初期濡れ状態になるまで、担持粒子にアルカン酸カリウムを含浸する工程、及び
(ｇ)  触媒を乾燥する工程、
を含んでいる触媒の製造方法。
【請求項２】  アルケンはエチレンであり、アルカン酸は酢酸であり、アルカン酸アルケニルは酢酸ビニルである請求項１の方法。
【請求項３】  工程(ｄ)の後、工程(ｅ)の前に、乾燥、洗浄した析出担持体を、不活性ガスの流れの中で１５０℃まで加熱し、そのまま０.５〜１時間維持し、その後温度を上げることを含んでいる請求項１又は２の方法。
【請求項４】  不活性ガスは窒素である請求項３の方法。
【請求項５】  パラジウム化合物は、純度９９.９９％のテトラクロロパラジウム酸カリウムである請求項２、３及び４の何れかの方法。
【請求項６】  金化合物は、純度９９.９９８％のテトラクロロ金酸水素である請求項５の方法。
【請求項７】  触媒は、０.５〜１.２ｗｔ.％のＰｄを担持する請求項６の方法。
【請求項８】  触媒は、０.３〜２.４ｗｔ.％のＡｕを担持する請求項７の方法。
【請求項９】  触媒は、１.０〜４.５ｗｔ.％のカリウムを担持する請求項１又は８の方法。
【請求項１０】  含浸担持体は、２５０℃〜３１０℃の温度にて、エチレンで還元される請求項４又は９の方法。
【請求項１１】  触媒は、２００℃〜２９９℃の温度にて、水素で還元される請求項４又は９の方法。
【請求項１２】  エチレン、酢酸及び酸素を含む反応性ガス組成物について、触媒を用いたガス相反応により、空間時間収率値が、５０psigでは１時間あたり触媒１Ｌにつき３００ｇ以上、１２０psigでは１時間あたり触媒１Ｌにつき６００ｇ以上の酢酸ビニルを製造する方法であって、
(ａ)  反応ガス組成物を、請求項４〜１１の何れかに記載の触媒と接触させながら通過させる工程、及び
(ｂ)  反応性ガス組成物を、１４０℃乃至２００℃の温度に維持する工程、
を含んでいる酢酸ビニルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月18日(2004.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、前記課題は、多数の別個に制御可能な加熱エレメントによって基板を加熱し、これらの加熱エレメントはそれぞれ目標値プロフィルを有しており、熱処理の間に基板の、加熱エレメントとは反対側の表面の温度を様々な場所で測定し、基板表面に生じる温度不均一を検出し、検出された温度不均一に基づき新たな目標値プロフィルを決定し、次の処理プロセスのための新たな目標値プロフィルを提供するステップを含む、基板を熱処理するための方法によって解決された。この方法は、自己最適化するプロセス制御を可能にする。なぜならば、個々の加熱エレメントに設定される目標値プロフィルが新たに決定され、次の処理プロセスのために準備され、これにより、熱処理の間に生じる温度不均一が、新たな目標値プロフィルを決定する場合に考慮され、これにより、次の処理の場合に防止されるからである。これにより、目標値プロフィルの自己最適化、ひいては基板の均一な熱処理が提供される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明による課題は、基板を熱処理するための多数の別個に制御可能な加熱エレメントの目標値プロフィルを最適化するための方法の場合にも解決され、この場合、加熱エレメントは、それぞれ設定された目標値プロフィルに従って加熱され、基板の、加熱エレメントとは反対側の表面の温度は、加熱の間、位置分解されて測定され、基板表面上に生じる温度不均一は、時間に応じて検出され、この場合、処理プロセス中に生じる温度不均一に基づき新たな目標値プロフィルが決定され、後の加熱プロセスのために利用され、この場合、温度不均一が加熱のどの時点においても所定のしきい値よりも低くなるまで、繰り返される。これにより、既に上に説明したように、最適化された目標値プロフィルを決定することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
加熱プレート１のベースプレート３の平坦な上側５は、処理した基板１２に隣接している、例えば０．１〜０．５ｍｍの間隔をおいて配置されている。基板は例えば加熱プレート１上の図示していない４つの保持部上に保持されている。加熱プレート１及び基板１２の上方には赤外線カメラの形式の温度測定装置１７が配置されている。赤外線カメラ１７は、基板１２の、加熱プレート１とは反対側の表面１８に向けられている。赤外線カメラ１７は、可動な鏡を備えた、詳しく示されていないスキャン装置を有しており、鏡によって連続的に、基板１２の表面１８全体が走査される。スキャン装置によって、基板１２の表面１８の温度分布の位置分解された画像若しくはパターンが生ぜしめられ、この場合、表面全体が例えば１秒に１回走査される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１には、さらに、プロセス制御装置２４と、ＰＩＤ調整器２６とが示されており、ＰＩＤ調整器２６は、個々の加熱エレメント１０及び図示していない温度センサと接続されており、これらと共に閉じられた制御回路を形成している。ＰＩＤ調整器は、プロセス制御によって設定された目標値プロフィル、すなわち時間的に変化する一連の温度目標値、特に時間区分と、温度センサによって測定された温度実際値とに応じて、個々の加熱エレメント１０の加熱出力を調整する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２は、加熱プレート１の概略的な平面図を示しており、この加熱プレート上には基板１２、例えばフォトマスクが載置されている。加熱エレメント１０及びセグメント８によって形成された加熱ゾーンは、概略的に示されており、１〜２５の番号が与えられている。基板１２上には表面点１〜１３が示されており、これらの表面点は、後で詳しく説明するように関連点若しくは割当て点として使用される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
しかしながら、温度差が少なくとも一時的にしきい値を超えた場合には、プロセス制御はブロック３８へ移行し、このブロック３８において個々の加熱エレメントのための目標値プロフィルが新たに計算される。この場合に利用されるアルゴリズムは、加熱面のゾーンに対する、基板上の表面点の適切かつ加重を考慮された関連若しくは対応関係を含んでいる。新たに計算された目標値プロフィルは開始ブロック３０へ移行し、それまでの開始プロフィルの代わりに設定される。この新たに計算された目標値プロフィルを用いて、もう一度新たな熱処理プロセスが行われ、その間ブロック３２において基板表面上の温度分布が測定される。この繰返しサイクルは、基板表面上の温度箇所の間の温度差が、どの時点においても所定のしきい値よりも低くなるまで反復される。この時点で、最適化された目標値プロフィルが存在し、この目標値プロフィルにはもはや介入されない。この最適化された目標値プロフィルは、同じ温度最終値まで加熱される、同様のパラメータを有する基板を用いた後続の熱処理プロセスのために使用される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
表面点へのサンプルの表面領域の関連若しくは対応関係、若しくは加熱面のゾーンへの表面点の関連若しくは対応関係も同様に変化することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  基板を熱処理するために多数の別個に制御可能な加熱エレメントの目標値プロフィルを最適化する方法において、
ａ）それぞれ設定された目標値プロフィルに応じて加熱エレメントを加熱し、
ｂ）加熱の間基板の、加熱エレメントとは反対側の表面の温度を位置分解して測定し、
ｃ）基板表面上に生じる温度不均一を時間の経過と共に検出し、
ｄ）処理プロセスの間に生じる温度不均一に基づき新たな目標値プロフィルを決定し、
ｅ）次の加熱プロセスのために前記新たな目標値プロフィルを使用し、
ｆ）温度不均一が加熱のどの時点においても所定のしきい値よりも低くなるまで前記ａからｅまでのステップを繰り返す
ステップを有することを特徴とする、基板を熱処理するために多数の別個に制御可能な加熱エレメントの目標値プロフィルを最適化する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月22日(2004.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積されたＣＭＯＳ圧力センサを形成する方法であって、
センサ領域およびＣＭＯＳ領域を有する第一の導電型の半導体基板を形成する工程と、
センサ絶縁部の上に載っているセンサの固定電極の上に載っているセンサダイアフラムを形成する工程と、前記固定電極はトンネル酸化膜の第一部分の上に形成され、ＣＭＯＳ領域内の素子のフローティングゲートがトンネル酸化膜の第二部分の上に形成されることと、
続いて、センサダイアフラムをアニールする前に、半導体基板のＣＭＯＳ領域内にて半導体基板の表面内にＣＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域を形成する工程と、
センサダイフラムおよびソース・ドレイン領域をアニールする工程と、
からなる方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記センサダイアフラムを形成する工程は、固定電極およびセンサ絶縁部の上に載っているドープされたポリシリコンからセンサダイアフラムを形成する工程を含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記ＣＭＯＳ領域内の素子のフローティングゲートは、メモリセルのフローティングゲートである方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に平面に沿って設けられた光電子デバイスのアレイ（６）と、
非平面焦点フィールド（２０）を有し、光電子デバイスのアレイ（６）へ、又は光電子デバイスのアレイ（６）から、光を提供するための前方光学部品（４）と、
光電子デバイスのアレイ（６）と前方光学部品（４）との間に挿入されたマイクロレンズ（２４、２６、２８、３０、３２）のアレイと、を含み、
前記マイクロレンズのアレイは、ほぼ光電子デバイスのアレイ（６）と整合され、
各マイクロレンズは、前方光学部品（４）の非平面焦点フィールド（２０）を補償する
焦点距離を有することを特徴とする光学系。
【請求項２】
実質的に平面に沿って設けられた光電子デバイスのアレイ（６）と、
光電子デバイスのアレイ（６）へ、又は光電子デバイスのアレイ（６）から、光を提供するための前方光学部品（４）であって、非平面焦点フィールド（２０）を有する前方光学部品（４）と、
光電子デバイスのアレイ（６）と前方光学部品（４）との間に挿入されたマイクロレンズ（４０、４２、４４、４６、４８、５０、５２）のアレイと、を含み、
前記マイクロレンズのアレイは、実質的に光電子デバイスのアレイ（６）と整合され、各マイクロレンズ（４０）は、前方光学部品（４）の非平面焦点フィールド（２０）を少なくとも部分的に補償するようなマイクロレンズ（４０）と前方光学部品（４）との間の分離距離を有することを特徴とする光学系。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月10日(2003.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インテリジェント処理システムまたはデータ加工操作に採用するための入力パラメータを選択するための処理であって、
（ａ）全体として入力パラメータの編成の状態の指標を提供する自己組織システムに入力パラメータを振り当てる工程と、
（ｂ）全体として前記パラメータの前記編成の状態が十分であるかどうか判定し、及び前記編成状態が十分であると判定された場合、前記パラメータを選択する工程と、もしくは、
（ｃ）前記指標を分析し、及び前記編成状態は不十分であると判定された場合、指標上の前記入力パラメータが有する影響の程度を判定する工程と、
（ｄ）工程（ｃ）内において、不十分として編成状態が判定されるために最も貢献すると判定された一つ以上の前記パラメータを排除する工程と、
（ｅ）全体として前記パラメータの編成の前記状態が十分であると判定されるまで、工程（ｄ）を繰り返す工程と、
からなる処理。
【請求項２】
工程（ａ）は一つ以上の定義された条件により前記入力パラメータを処理する請求項１に記載の処理。
【請求項３】
工程（ｃ）において、選択される比率より以上の処理された入力パラメータが自己組織化システムによってその条件に対して集められた場合、診断済み状態としてこの条件が判定される請求項２に記載の処理。
【請求項４】
工程（ｃ）において、選択される比率未満の処理された入力パラメータが自己組織化システムによってその条件に対して集められた場合、診断せず状態としてこの条件が判定される請求項３に記載の処理
【請求項５】
工程（ｃ）は条件に対して診断済み状態を有する処理される入力パラメータに対する影響の程度を判定する工程（ｃ１）、及び条件に対して診断せず状態を有する処理される入力パラメータに対する影響の程度を判定する工程（ｃ２）を含み、
工程（ｄ）において、工程（ｃ２）で識別され、工程（ｃ１）で識別されない一つ以上
の入力パラメータは排除される請求項４に記載の処理。
【請求項６】
工程（ａ）から工程（ｄ）内において編成の状態が悪化した場合、格納される入力パラメータが工程（ａ）を再び使用して検索される、工程（ｄ）の前に入力パラメータを格納する工程からさらに構成される請求項１乃至５いずれか１項に記載の処理。
【請求項７】
格納される入力パラメータが検索された場合、これらの入力パラメータの特定の一つが追加の重要性を付与されることを有する請求項６に記載の処理。
【請求項８】
定量化誤差を測定するための方法は入力パラメータが有する影響の程度を判定するために使用される請求項１乃至７のいずれか１項に記載の処理。
【請求項９】
工程（ｄ）は、全体として、前記パラメータの編成の状態による入力パラメータが有するポジティブ及びネガティブ両方の影響を排除する請求項１乃至８のいずれか１項に記載の処理。
【請求項１０】
工程（ａ）は自己組織マッププロセッサにより実行される請求項９に記載の処理。
【請求項１１】
ニューラルネットワークに採用するための入力パラメータを選択する請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の処理。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
各サンプルを、大きさ順に起動値を整列させ、累積合計を計算する。データ集合内部で、合計起動値が公知のパーセンテージに到達する位置を認識し、この位置に上がった全てのパラメータは変数“ｍａｘｐｏｓ”に返される工程。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶するメモリシステムであって、前記メモリシステムは、
メモリコントローラと、
前記メモリコントローラに動作可能に接続された複数のメモリブロックであって、前記メモリブロックのそれぞれは少なくともデータ記憶要素および電圧発生システムを含む、複数のメモリブロックと、
前記メモリブロックのそれぞれについて前記電圧発生システムに動作可能に接続された電源バスと、
を備え、
前記メモリシステムの動作中、前記メモリブロックのうちの一つがアクティブにされるとき、前記メモリブロックのうちの前記一つの中にある前記電圧発生システムがディアクティブにされ、代わりに前記メモリブロックのうちの他のものと関連づけられた前記電圧発生システムの他のものがアクティブにされることにより、いくつかの異なる電圧レベルの信号を、アクティブにされている前記メモリブロックのうちの一つに前記電源バスを介して供給するメモリシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のメモリシステムであって、アクティブにされている前記電圧発生システムは、前記いくつかの異なる電圧レベル信号を生成するメモリシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のメモリシステムであって、前記電圧発生回路はチャージポンプ回路およびレギュレータ回路を備えるメモリシステム。
【請求項４】
請求項１に記載のメモリシステムであって、前記メモリブロックのうちのそれぞれは、別個の集積回路であるメモリシステム。
【請求項５】
請求項１に記載のメモリシステムであって、
前記メモリコントローラは、複数の選択信号を生成し、
前記メモリブロックのそれぞれは、前記メモリブロックをアクティブまたはディアクティブにすることを制御する前記第１選択信号および前記第２選択信号のうちの少なくとも一つを受け取る、メモリシステム。
【請求項６】
請求項１に記載のメモリシステムであって、
前記メモリコントローラは、第１信号および第２信号を生成し、
前記メモリブロックのそれぞれは、前記メモリブロックをアクティブまたはディアクティブにすることを制御する前記第１信号を受け取り、前記電圧発生システムをアクティブまたはディアクティブにすることを制御する前記第２信号を受け取り、
前記メモリシステムはさらに、
前記メモリコントローラおよび前記メモリブロックに動作可能に接続された論理回路であって、前記論理回路は、前記メモリコントローラから供給される前記第１および第２信号に基づいて、前記電圧発生システムとともに、前記メモリブロックをアクティブまたはディアクティブにすることを制御する、
メモリシステム。
【請求項７】
請求項１に記載のメモリシステムであって、前記メモリシステムはメモリカードであるメモリシステム。
【請求項８】
請求項１に記載のメモリシステムであって、前記いくつかの異なる電圧レベル制御のうちの少なくとも一つは前記メモリコントローラに前記電源バスを介して供給されるメモリシステム。
【請求項９】
請求項１に記載のメモリシステムであって、前記メモリコントローラは外部から供給された入力電圧を受け取り、それから安定化された電源電圧を生成し、
前記メモリブロックは、前記安定化された電源電圧を前記メモリコントローラから受け取るメモリシステム。
【請求項１０】
複数のメモリブロックを有するメモリシステム内で電源を供給する方法であって、前記メモリブロックのそれぞれは電源発生回路を含み、前記方法は、
前記メモリブロックのうちの一つをデータアクセスのためにアクティブにし、前記メモリブロックのうちの他のものをディアクティブにすることと、
前記電源発生回路のうちの、ディアクティブにされている前記メモリブロックのうちの一つにある電源発生回路をアクティブにすることと、を備え、
アクティブにされている前記電源発生回路のうちの前記一つから、アクティブにされている前記メモリブロックのうちの前記一つに電源を供給することであって、前記電源供給は、アクティブにされている前記電源発生回路のうちの前記一つからの複数の異なる電圧信号を、アクティブにされている前記メモリブロックのうちの前記一つに供給するように動作する方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記電圧発生回路はアクティブにされるとき、複数の電圧レベル信号を生成する方法。
【請求項１２】
第１データ記憶要素にデータを記憶し、第１電源信号を生成する第１メモリブロック手段であって、前記第１電源信号は、複数の異なる電圧信号を含む、第１メモリブロック手段と、
第２データ記憶要素にデータを記憶し、第２電源信号を生成する第２メモリブロック手段であって、前記第２電源信号は、複数の異なる電圧信号を含む、第２メモリブロック手段と、
前記第１メモリブロック手段および前記第２メモリブロック手段に動作可能に接続されたメモリコントローラであって、前記メモリコントローラは、少なくとも一つの選択信号を生成し、前記少なくとも一つの選択信号は、前記第１および第２メモリブロック手段を選択的にアクティブにするのに用いられる、メモリコントローラと、
前記第１電源信号を前記第２メモリブロックに、または前記第２電源信号を前記第１メモリブロックに供給する電源バスと、
を備えるメモリシステム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のメモリシステムであって、
前記少なくとも一つの選択信号を変更することで、前記第１電源信号の前記電源バスへの結合、または前記第２電源信号の前記電源バスへの結合を選択的に可能にする論理手段をさらに備えるメモリシステム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のメモリシステムであって、前記論理手段はさらに、前記第１データ記憶要素および前記第２データ記憶要素のうちの一つをアクティブにすることを可能にするメモリシステム。
【請求項１５】
データ入力デバイスと、
前記データ入力デバイスに取り外し可能に結合されたデータ記憶デバイスであって、前記データ記憶デバイスは、前記データ入力デバイスによって入力されたデータを記憶し、少なくとも
メモリコントローラと、
前記メモリコントローラに動作可能に接続された複数のメモリブロックであって、前記メモリブロックのそれぞれは少なくともデータ記憶要素および電圧発生システムを含む、複数のメモリブロックと、
前記メモリブロックのそれぞれについて前記電圧発生システムに動作可能に接続された電源バスと、
を備えるデータ記憶デバイスと、
を備える電子システムであって、
前記データ記憶デバイスの動作中、前記メモリブロックのうちの一つがアクティブにされるとき、前記メモリブロックのうちの前記一つの中にある前記電圧発生システムがディアクティブにされ、代わりに前記メモリブロックのうちの他のものと関連づけられた前記電圧発生システムの他のものがアクティブにされることにより、異なる電圧レベルの信号を前記メモリブロックのうちの一つに前記電源バスを介して供給する、
電子システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載の電子システムであって、前記データ入力デバイスは、カメラ、ネットワークカードまたは機器、ハンドヘルドまたはノート型コンピュータ、セットトップボックス、ハンドヘルドまたは他の小さなオーディオプレーヤ・レコーダ、および医療モニタのうちの一つである電子システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
次に、図１において、ＲＦＩＤタグに含まれる回路１０によって示されたように、上で説明されたクローキングシステムの改良物について考察する。通常動作（クロークが動作状態にされていないとき）において、論理積（ＡＮＤ）ゲート１６の入力に接続された“クロークバー（cloak bar）”ノード１２はハイレベルになる。ノード１４における“出力”が（典型的には１乃至２マイクロ秒の間）ハイレベルになるときはいつでも、タグのアンテナが接続される入力パッド１８は、短絡される。言い換えると、出力ノード１４とクロークバーノード１２との両方がハイレベルのときには、論理積ゲート１６は、トランジスタ２０のゲートに接続されたハイレベルの出力を有し、次いで、トランジスタ２０は、パッド１８を、ダイオード４９を介して接地パッド２２に接続する。このことは、パッド１８に接続されかつ接地されたタグのアンテナ４２からの後方散乱された信号が生成されるようにし、次いで上記後方散乱された信号がＲＦＩＤ読み取り機によって検出されるようにする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
しかしながら、図１に示されたように、入力パッド１８は常に、ＲＦＩＤタグ１０の入力段４４にダイオード２４を介して接続され、タグ１０への電力は、タグ電力回路４６に接続されたダイオード２６から供給され続けている。従って、タグ１０の出力がクローキングされているときであってさえも、ＲＦＩＤタグ１０によってコマンドが検出され、読み取られ、かつ処理されうる。ここで、当該改良物を用いると、タグ１０は、後に続く読み取り機による問い合わせのために、クローキングされていない状態に変化されることが可能である。クロークバーをハイレベルにし、かつノード１４における出力によってアンテナ信号を制御できるようにするために、アンテナ４２と、入力パッド１８と、ダイオード２４を介したタグへの入力回路４４とを介して、任意の時刻にコマンドが送信され、検出され、かつ処理されることが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
１０…ＲＦＩＤタグ、
１２…クロークバーノード、
１４…出力ノード、
１６…論理積ゲート、
１８…入力パッド、
２０…トランジスタ、
２２…接地パッド、
２４，２６，４９…ダイオード、
２８…通常動作、
３０…クローキングされた期間、
３２…入力信号の包絡線、
３４…出力、
３８…出力パルス、
４０…後方散乱されたパルス、
４２…タグのアンテナ、
４４…入力段、
４６…タグ電力回路。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004526236.tif 000001
【図２】
2004526236.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎを２より大きい正の整数とするとき、入力信号を受信する、次数２Ｎ−１の２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャであって、
次数２Ｎ−１の１次元ピラミッド・フィルタと
第１加算回路とを含む、次数２Ｎ−１の２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャと、
第２加算回路と
を含み、
前記２つの次数２Ｎ−１の２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャが、動作中にそれぞれのクロック・サイクルで、少なくとも
次数２Ｎ−１の２つの１次元ピラミッド・フィルタによって生成された出力信号に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号と、
第１加算回路において、ある次数の信号サンプル行列を合計することによって生成された出力信号に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号とを生成可能であり、
前記２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャ内のそれぞれのピラミッド・フィルタリング済みの出力信号が、前記２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャのそれぞれのクロック・サイクルで前記第２加算回路で合計される、集積回路。
【請求項２】
次数２Ｎ−１の１次元ピラミッド・フィルタを含む次数２Ｎ−１の２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャを使用してイメージをフィルタリングする方法であって、Ｎは２より大きい正の整数であり、前記方法が、
前記２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャのそれぞれのクロック・サイクルで
次数２Ｎ−１の２次元ピラミッド・フィルタによって生成された出力信号に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号と、
ある次数の信号サンプル行列の合計に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号とを、合計することを含む方法。
【請求項３】
加算回路と
スキャンされたカラー・イメージをフィルタリングするためのイメージ処理ユニットとを含むイメージ処理システムであって、
前記イメージ処理ユニットが、少なくとも１つの２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャを含み、
前記少なくとも１つの２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャが、Ｎが２より大きい正の整数であるとして、
次数２Ｎ−１の２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャと
次数２Ｎ−１の１次元ピラミッド・フィルタを含む次数２Ｎ−１の２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャとを含み
前記次数２Ｎ−１の２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャが、動作中にそれぞれのクロック・サイクルで、少なくとも
次数２Ｎ−１の２つの１次元ピラミッド・フィルタによって生成された出力信号に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号と、
ある次数の信号サンプル行列の合計に対応するピラミッド・フィルタリング済み出力信号とを生成可能であり、
前記２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャ内のそれぞれのピラミッド・フィルタ済みの出力信号が、前記２次元ピラミッド・フィルタ・アーキテクチャのそれぞれのクロック・サイクルで前記加算回路によって合計されるシステム。