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【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の位置に配置されたトランジスタ、および、この第１の位置から所定の距離だけ離れた第２の位置に配置されたトランジスタを含む、定電流発生用の複数の定電流用トランジスタと、
対応する定電流用トランジスタにそれぞれ設けられ、各定電流用トランジスタのゲート端子に供給される、それぞれの定電流用トランジスタに、ゲート幅に比例したソース−ドレイン電流を流させるための定電圧を発生する複数の定電圧用トランジスタと、
前記複数の定電流用トランジスタと定電流回路との間に設けられ、前記複数の定電圧用トランジスタに前記定電流回路からの定電流をそれぞれ供給するための電流供給回路と
を具備し、
前記複数の定電圧用トランジスタは、それぞれ、前記複数の定電流用トランジスタに近接して配置されるとともに、前記複数の定電流用トランジスタと同じ方向にレイアウトされていることを特徴とするミラー回路。
【請求項２】
ソース−ドレインの向きが異なる方向にレイアウトされた複数の定電流用トランジスタと、
対応する定電流用トランジスタにそれぞれ設けられ、各定電流用トランジスタのゲート端子に供給される、それぞれの定電流用トランジスタに、ゲート幅に比例したソース−ドレイン電流を流させるための定電圧を発生する複数の定電圧用トランジスタと、
前記複数の定電流用トランジスタと定電流回路との間に設けられ、前記複数の定電圧用トランジスタに前記定電流回路からの定電流をそれぞれ供給するための電流供給回路と
を具備し、
前記複数の定電圧用トランジスタは、それぞれ、前記複数の定電流用トランジスタに近接して配置されるとともに、前記複数の定電流用トランジスタと同じ方向にレイアウトされていることを特徴とするミラー回路。
【請求項３】
前記複数の定電圧用トランジスタは、それぞれのソース−ドレインが、対応する定電流用トランジスタのソース−ドレインと同じ方向に向けられていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のミラー回路。
【請求項４】
前記複数の定電流用トランジスタおよび前記複数の定電圧用トランジスタは、ゲート長が同じであることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のミラー回路。
【請求項５】
前記複数の定電流用トランジスタはディメンジョンが異なることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のミラー回路。
【請求項６】
前記複数の定電流用トランジスタはディメンジョンが同一であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のミラー回路。
【請求項７】
前記電流供給回路は、前記複数の定電圧用トランジスタに同じ定電流を供給することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のミラー回路。
【請求項８】
前記電流供給回路は、ソース−ドレインが同じ方向を向いた２つのＮチャネル型ＭＯＳトランジスタと、ソース−ドレインが同じ方向を向いた３つのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとを含むことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のミラー回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本願発明の一態様によれば、第１の位置に配置されたトランジスタ、および、この第１の位置から所定の距離だけ離れた第２の位置に配置されたトランジスタを含む、定電流発生用の複数の定電流用トランジスタと、対応する定電流用トランジスタにそれぞれ設けられ、各定電流用トランジスタのゲート端子に供給される、それぞれの定電流用トランジスタに、ゲート幅に比例したソース−ドレイン電流を流させるための定電圧を発生する複数の定電圧用トランジスタと、前記複数の定電流用トランジスタと定電流回路との間に設けられ、前記複数の定電圧用トランジスタに前記定電流回路からの定電流をそれぞれ供給するための電流供給回路とを具備し、前記複数の定電圧用トランジスタは、それぞれ、前記複数の定電流用トランジスタに近接して配置されるとともに、前記複数の定電流用トランジスタと同じ方向にレイアウトされていることを特徴とするミラー回路が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本願発明の一態様によれば、ソース−ドレインの向きが異なる方向にレイアウトされた複数の定電流用トランジスタと、対応する定電流用トランジスタにそれぞれ設けられ、各定電流用トランジスタのゲート端子に供給される、それぞれの定電流用トランジスタに、ゲート幅に比例したソース−ドレイン電流を流させるための定電圧を発生する複数の定電圧用トランジスタと、前記複数の定電流用トランジスタと定電流回路との間に設けられ、前記複数の定電圧用トランジスタに前記定電流回路からの定電流をそれぞれ供給するための電流供給回路とを具備し、前記複数の定電圧用トランジスタは、それぞれ、前記複数の定電流用トランジスタに近接して配置されるとともに、前記複数の定電流用トランジスタと同じ方向にレイアウトされていることを特徴とするミラー回路が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路を構成する回路素子を有す基板上に絶縁膜で絶縁された配線を備える半導体装置であって、少なくとも前記配線間の絶縁膜が、閉気孔を含む絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁膜が閉気孔およびマトリックスを含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
マトリックスがＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
閉気孔が非球形で且つその最小径が配線間距離より小さい請求項１〜３各項記載の半導体装置。
【請求項５】
閉気孔の１部もしくはすべてが中空粒子又は中空粒子以外の手法により作成される請求項１〜４各項記載の半導体装置。
【請求項６】
閉気孔の１部もしくはすべてが中空粒子である請求項１〜４各項記載の半導体装置。
【請求項７】
閉気孔の１部が中空粒子以外の手法により作成される請求項１〜４各項記載の半導体装置。
【請求項８】
中空粒子の平均粒径の中央値が５〜５０ｎｍである請求項６又は７記載の半導体装置。
【請求項９】
電子回路を構成する回路素子を有す基板上に絶縁膜で絶縁された配線を備える半導体装置の配線間に使用される絶縁膜であって、閉気孔を含むことを特徴とする絶縁膜。
【請求項１０】
電子回路を構成する回路素子を有す基板上に絶縁膜で絶縁された配線を備える半導体装置の層間に使用される絶縁膜であって、閉気孔を含むことを特徴とする絶縁膜。
【請求項１１】
絶縁膜が閉気孔およびマトリックスを含む請求項９又は１０記載の絶縁膜。
【請求項１２】
マトリックスがＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む請求項１１記載の絶縁膜。
【請求項１３】
閉気孔が非球形で且つその最小径が配線間距離より小さい請求項９〜１２各項記載の絶縁膜。
【請求項１４】
閉気孔の１部もしくはすべてが中空粒子又は中空粒子以外の手法により作成される請求項９〜１３各項記載の絶縁膜。
【請求項１５】
閉気孔の１部もしくはすべてが中空粒子である請求項９〜１３各項記載の絶縁膜。
【請求項１６】
閉気孔の１部が中空粒子以外の手法により作成される請求項９〜１３各項記載の絶縁膜。
【請求項１７】
中空粒子の平均粒径の中央値が５〜５０ｎｍである請求項１５又は１６記載の絶縁膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】  【従来の技術】  半導体装置は、シリコン（Ｓｉ）ウェハ−、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）ウェハ−等の基板上に、トランジスタ、ダイオ−ド、抵抗、コンデンサ−のような電子回路を構成する要素である回路素子を製造し、更にＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ）等の無機絶縁膜、アルミニウム、銅等の金属の配線を形成し、配線の外部接続用端子となる電極部分以外の部分に表面を保護するための絶縁樹脂膜を形成して製造されている。アルミニウム、銅等の金属の配線は絶縁膜で絶縁されており、半導体装置のデザインルールが小さくなると、層間よりも隣接する配線間の容量が問題となり、そこに使われる材料の低誘電率化が求められている。低誘電率の半導体絶縁膜として、ポリイミド、ポリアリルエーテル、ポリベンゾオキサゾール等の有機材料、ＳｉＯ２等の無機材料、ポリシロキサンとフッ素ポリマ等の複合材料等が提案されている。また、ＳｉＯ２の中空微粒子よりなる多孔質シリカも提案されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】  【発明が解決しようとする課題】  ポリイミド、ポリアリルエーテル、ポリベンゾオキサゾール等の有機材料の誘電率は３．４〜２．５、ＳｉＯ２等の無機材料の誘電率は４．０〜３．５、ポリシロキサンとフッ素ポリマ等の複合材料の誘電率は３．０〜２．５と低誘電率化が十分でない。ＳｉＯ2の中空微粒子よりなる多孔質シリカは、材料として信頼性があり、気孔率を変えることで誘電率を４．０〜１．５程度にまですることができるが、吸湿性があり、また機械的強度が弱く半導体絶縁膜としてはウエットプロセスでの製造を適用しにくい等問題が多い。本発明は、低誘電率の半導体絶縁膜を使用した半導体装置を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された絶縁層の溝或いは孔を形成する工程と、
前記絶縁層の表面に、第１の金属元素を少なくとも含む第１の導電層を形成する工程と、
酸化雰囲気に暴露することにより、第１の導電層の表面に第１の金属元素の酸化物層を形成する工程と、
第１の金属元素の酸化物層の表面に、第１の金属元素より酸化物の生成自由エネルギーが低い第２の金属元素を少なくとも含む第２の導電層を堆積する工程と、
第１の金属元素の酸化物層を第２の金属元素により還元することにより、第１の導電層と第２の導電層との界面に第２の金属元素の酸化物層を形成する工程と、
前記絶縁層の溝或いは孔内に配線を埋め込み形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第２の金属元素の酸化物層を形成する工程と、前記絶縁層の溝或いは孔内に前記配線を埋め込み形成する工程との間に、
第２の導電層を選択的に除去する工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第２の金属元素の酸化物層を形成する工程と、前記絶縁層の溝或いは孔内に前記配線を埋め込み形成する工程との間に、
前記溝或いは孔の側面に形成される第２の金属元素の酸化物層を残しつつ、前記溝或いは孔の底面に形成される第２の金属元素の酸化物層を除去する工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第２の金属元素がＡｌであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１の金属元素がＷ，Ｔｉ，Ｔａ或いはＮｂであり、第１の導電層がＷ，Ｔｉ，Ｔａ或いはＮｂの窒化物であり、且つ第２の金属元素がＡｌであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上に形成された所定元素の酸化物を含む絶縁層の溝或いは孔を形成する工程と、
前記絶縁層の表面に、前記所定元素より酸化物の生成自由エネルギーが低い金属元素を少なくとも含む第１の導電層を形成する工程と、
前記所定元素の酸化物を前記金属元素により還元することにより、前記絶縁層と第１の導電層との界面に該金属元素の酸化物層を形成する工程と、
前記第１の導電層を選択的に除去する工程と、
前記絶縁層の溝或いは孔内に配線を埋め込み形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板上に形成された所定元素の酸化物を含む絶縁層の溝或いは孔を形成する工程と、
前記絶縁層の表面に、前記所定元素より酸化物の生成自由エネルギーが低い金属元素を少なくとも含む第１の導電層を形成する工程と、
前記所定元素の酸化物を前記金属元素により還元することにより、前記絶縁層と第１の導電層との界面に該金属元素の酸化物層を形成する工程と、
前記金属元素より酸化物の生成自由エネルギーが高い第２の金属元素を少なくとも含む第２の導電層を堆積する工程と、
前記絶縁層の溝或いは孔内に配線を埋め込み形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記金属元素がＡｌであることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記所定元素がＳｉであり、前記金属元素がＡｌであることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の導電層を選択的に除去する工程と、前記配線を埋め込み形成する工程との間に、前記金属元素より酸化物の生成自由エネルギーが高い第２の金属元素を少なくとも含む第２の導電層を堆積する工程を行うことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記所定元素がＳｉ，前記金属元素がＡｌ，第２の金属元素がＷ，Ｔｉ，Ｔａ或いはＮｂ，且つ第２の金属元素を少なくとも含む第２の導電層がＷ，Ｔｉ，Ｔａ或いはＮｂの窒化物であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記配線がＣｕ配線であることを特徴とする請求項１、６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（２）本発明（請求項６）の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された所定元素の酸化物を含む絶縁層の溝或いは孔を形成する工程と、前記絶縁層の表面に、前記所定元素より酸化物の生成自由エネルギーが低い金属元素を少なくとも含む第１の導電層を形成する工程と、前記所定元素の酸化物を前記金属元素により還元することにより、前記絶縁層と第１の導電層との界面に該金属元素の酸化物層を形成する工程と、前記第１の導電層を選択的に除去する工程と、前記絶縁層の溝或いは孔内に配線を埋め込み形成する工程とを含むことを特徴とする。
（３）本発明（請求項７）の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された所定元素の酸化物を含む絶縁層の溝或いは孔を形成する工程と、前記絶縁層の表面に、前記所定元素より酸化物の生成自由エネルギーが低い金属元素を少なくとも含む第１の導電層を形成する工程と、前記所定元素の酸化物を前記金属元素により還元することにより、前記絶縁層と第１の導電層との界面に該金属元素の酸化物層を形成する工程と、前記金属元素より酸化物の生成自由エネルギーが高い第２の金属元素を少なくとも含む第２の導電層を堆積する工程と、前記絶縁層の溝或いは孔内に配線を埋め込み形成する工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の好ましい実施態様を以下に記す。
前記配線が、Ｃｕ配線である。
前記金属元素がＡｌである。前記所定元素がＳｉであり、前記金属元素がＡｌである。
前記所定元素がＳｉ，前記金属元素がＡｌ，第２の金属元素がＷ，Ｔｉ，Ｔａ或いはＮｂ，且つ第２の導電層がＷ，Ｔｉ，Ｔａ或いはＮｂの窒化物である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月24日(2004.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
相関値は、送信側でＭ系列直交符号をＱＰＳＫ変調したものを、受信側でＱＰＳＫ復調すると共に、得られた各復調信号Ｉ，Ｑを夫々にＭ系列直交符号列によりアダマール変換して求められた符号間の相関値（Ｉ１〜Ｉｎ），（Ｑ１〜Ｑｎ）の自乗和（Ｉ１２ ＋Ｑ１２）〜（Ｉｎ２ ＋Ｑｎ２）からなることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか一つに記載の無線通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また好ましくは、本発明（１５）においては、上記本発明（１）〜（１４）において、相関値は、送信側でＭ系列直交符号をＱＰＳＫ変調したものを、受信側でＱＰＳＫ復調すると共に、得られた各復調信号Ｉ，Ｑを夫々にＭ系列直交符号列によりアダマール変換して求められた符号間の相関値（Ｉ１〜Ｉｎ），（Ｑ１〜Ｑｎ）の自乗和（Ｉ１２ ＋Ｑ１２ ）〜（Ｉｎ２＋Ｑｎ２）からなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された高周波回路と、
前記基板を内包することにより前記高周波回路を電磁界的にシールドする金属筐体と、
前記金属筐体に配設され前記高周波回路に高周波信号を入出力し、前記高周波回路に対応する入出力線路と接続されている入出力端子と、
前記入出力線路の少なくとも一つに対して電気的に接触することなく略垂直に跨いで配置され、前記入出力線路と前記入出力端子の接続部を前記高周波回路から隔離することにより、前記金属筐体の内部空間における高周波の伝搬経路を遮断する不要高次モード遮断板とを有することを特徴とする高周波回路素子。
【請求項２】
前記不要高次モード遮断板が高誘電率誘電体により構成されている請求項１に記載の高周波回路素子。
【請求項３】
前記不要高次モード遮断板が、前記高周波回路の入出力線路に電気的に接触しないよう切り欠きを有する請求項１に記載の高周波回路素子。
【請求項４】
基板と、
前記基板に形成され入出力線路を有する高周波回路と、
前記基板を内包することにより前記高周波回路を電磁界的にシールドする蓋付きの金属筐体と、
前記金属筐体に配設され前記高周波回路に高周波信号を入出力し、前記高周波回路に対応する入出力線路と接続されている入出力端子と、
前記金属筐体の内部空間において前記入出力線路および前記入出力線路と前記入出力端子との接続部を覆い、一つの入出力線路の周囲領域から他の入出力線路の周囲領域を隔離することにより高周波の伝搬を抑制する不要高次モード遮断カバーとを有することを特徴とする高周波回路素子。
【請求項５】
前記不要高次モード遮断カバーが導体により構成されている請求項４に記載の高周波回路素子。
【請求項６】
前記不要高次モード遮断カバーが前記金属筐体と電気的に接続されている請求項５に記載の高周波回路素子。
【請求項７】
前記不要高次モード遮断カバーが高誘電率誘電体により構成されている請求項４に記載の高周波回路素子。
【請求項８】
前記高周波回路が高周波フィルタである請求項１または４に記載の高周波回路素子。
【請求項９】
前記高周波フィルタが、互いに結合された複数の平面回路共振器を有する請求項８に記載の高周波回路素子。
【請求項１０】
前記高周波回路が超伝導高周波フィルタである請求項１または４に記載の高周波回路素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明に係る高周波回路素子の第１の構成は、基板と、前記基板に形成された高周波回路と、前記基板を内包することにより前記高周波回路を電磁界的にシールドする金属筐体と、前記金属筐体に配設され前記高周波回路に高周波信号を入出力し、前記高周波回路に対応する入出力線路と接続されている入出力端子と、前記入出力線路の少なくとも一つに対して電気的に接触することなく略垂直に跨いで配置され、前記入出力線路と前記入出力端子の接続部を前記高周波回路から隔離することにより、前記金属筐体の内部空間における高周波の伝搬経路を遮断する不要高次モード遮断板とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明に係る高周波回路素子の第２の構成は、基板と、前記基板に形成され入出力線路を有する高周波回路と、前記基板を内包することにより前記高周波回路を電磁界的にシールドする蓋付きの金属筐体と、前記金属筐体に配設され前記高周波回路に高周波信号を入出力し、前記高周波回路に対応する入出力線路と接続されている入出力端子と、前記金属筐体の内部空間において前記入出力線路および前記入出力線路と前記入出力端子との接続部を覆い、一つの入出力線路の周囲領域から他の入出力線路の周囲領域を隔離することにより高周波の伝搬を抑制する不要高次モード遮断カバーとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月11日(2004.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
８は射出機構１の受台で、先端部上にホットランナを内部に有するノズルタッチブロック９を有し、後部に上縁が内向きに４５°前後の角度で傾斜した左右一対の板体１０ａによる架台１０を旋回自在に備え、その架台１０に溶湯保持筒２の支持部２３と射出シリンダ４の支持部４１とを支軸１２に挿通して、型締機構５に対し射出機構１を下向きに傾斜設置し、先端のノズル部材２２をノズルタッチブロック９の上隅部にノズルタッチしている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被記録媒体に画像の記録を行う記録手段と、該記録手段の略上方に配置され、被読取対象物の画像を読み取る画像読取手段と、カード状記憶媒体を挿入可能なカード状記憶媒体挿入部と、を有し、前記画像読取手段で読み取った画像、及び前記記憶媒体に記憶された画像データを前記画像記録手段で記録する画像読取記録装置であって、
前記カード状記憶媒体挿入部を装置前面に略水平に配置し、装置前面の前記カード状記憶媒体挿入部よりも前面側（手前側）かつ前記カード状記憶媒体挿入部の上方に段差部を設ける構成としたことを特徴とする画像読取記録装置。
【請求項２】
前記カード状記憶媒体挿入部の上方に画像読取記録装置に指示を与える操作手段を設けたことを特徴とする請求項１に記載の画像読取記録装置。
【請求項３】
前記カード状記憶媒体挿入部上方の段差部が前記画像読取記録装置に指示を与える操作手段の外装部材の一部であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像読取記録装置。
【請求項４】
前記記憶媒体に記憶された画像データを前記記録手段に記録することが可能なカード状記憶媒体制御手段を有し、前記カード状記憶媒体挿入部上方の段差部が前記カード状記憶媒体制御手段の外装部材の一部であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の画像読取記録装置。
【請求項５】
前記カード状記憶媒体挿入部に前記カード記憶媒体を装着した状態において、段差部の端部が前記装着されたカード状記憶媒体の挿入方向後端部よりも前面側に配置されている構成にしたことを特徴とする請求項１に記載の画像読取記録装置。
【請求項６】
前記カード状記憶媒体挿入部に前記カード記憶媒体を装着した状態において、前記カード記憶媒体天面から前記カード状記憶媒体挿入部上方の段差部下面まで鉛直方向において、少なくとも５ｍｍ以上の空間があることを特徴とする請求項１に記載の画像読取記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係る画像読取記録装置の代表的な構成は、被記録媒体に画像の記録を行う記録手段と、該記録手段の略上方に配置され、被読取対象物の画像を読み取る画像読取手段と、カード状記憶媒体を挿入可能なカード状記憶媒体挿入部と、を有し、前記画像読取手段で読み取った画像、及び前記記憶媒体に記憶された画像データを前記画像記録手段で記録する画像読取記録装置であって、前記カード状記憶媒体挿入部を装置前面に略水平に配置し、装置前面の前記カード状記憶媒体挿入部よりも前面側（手前側）かつ前記カード状記憶媒体挿入部の上方に段差部を設ける構成としたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  支持体の少なくとも一方の面に、無機顔料を主体に含有する少なくとも１層のインク受理層を有するインクジェット記録材料において、該インク受理層が沸点１００℃以上の水溶性溶剤と水溶性多価金属化合物を含有することを特徴とするインクジェット記録材料。
【請求項２】  支持体の両面にそれぞれ、無機顔料を主体に含有する少なくとも１層のインク受理層を有するインクジェット記録材料において、少なくとも一方の面のインク受理層が沸点１００℃以上の水溶性溶剤と水溶性多価金属化合物を含有することを特徴とするインクジェット記録材料。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの入力及び1つの出力を有するＮ段差動はしご形フィルタと、
前記Ｎ段差動はしご形フィルタの出力を受信し、前記差動はしご形フィルタに直列接続されたブリッジ格子形回路の出力を有し、第１の共振周波数と第２の共振周波数との間で交番する共振周波数を有してリング形に一緒に直列接続された複数の共振器を備えるブリッジ回路と、を備え、
前記Ｎ段差動はしご形フィルタ及び前記ブリッジ回路が、薄膜バルク音波共振器を備えることを特徴とする回路。
【請求項２】
前記差動はしご形フィルタの第１段は、第１の共振周波数を有する第１の共振器を含み、前記第１の共振器は前記少なくとも２つの入力間に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記第１段が、それぞれ第２の共振周波数を有する第２及び第３の共振器を備え、前記第２の共振器は、前記少なくとも２つの入力のうちの第１の入力に接続されるとともに、前記第１の共振器に並列接続され、前記第３の共振器は、前記少なくとも２つの入力のうちの第２の入力に接続されるとともに、前記第１の共振器に並列接続されていることを特徴とする請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記差動はしご形フィルタの次段が、前記第１段と実質的に同一に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の回路。
【請求項５】
複数の段を有するとともに、２つの入力及び２つの出力を有し、各段が２つの手すり部分と１つの横桟部分とを含み、各手すり部分は第１の共振周波数を有する共振器を含み、各横桟部分は第２の共振周波数を有する共振器を含む、差動はしご形フィルタと、
前記差動はしご形フィルタに直列接続され、前記第１の共振周波数と前記第２の共振周波数との間で交番する共振周波数を有してリング形に一緒に直列接続された複数の共振器を備えるブリッジ格子形回路と、
を備えることを特徴とするフィルタ。
【請求項６】
前記差動はしご形フィルタ及び前記ブリッジ格子形回路内の前記共振器が薄膜バルク音波共振器であることを特徴とする請求項５に記載のフィルタ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
第１の電源と、
事前充電プルダウンバスラインとを含み、
該事前充電プルダウンバスラインが、制御回路を有する分路に接続され、該制御回路が、前記分路に、前記事前充電プルダウンバスラインを事前充電する必要がない場合に前記事前充電プルダウンバスラインを含まない経路を介して前記第１の電源から電流を引き出させ、該電流が第２の電流を近似する第１の電流であり、前記第２の電流が、前記事前充電プルダウンバスラインが事前充電されていない状態から事前充電される際に前記第１の電源から引き出される前記事前充電プルダウンバスラインを事前充電するための一定量の電流であり、前記分路が、前記事前充電プルダウンバスラインの事前充電段階中に前記電流を引き出す、集積回路。
【請求項２】
前記第１の電流が、前記第２の電流のタイミング及び振幅を近似する、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
電源から引き出される電流の変動を低減させる方法であって、
第１の電流を、第１の電源から、第１の事前充電プルダウンバスラインを含まない経路を介して引き出し、該第１の電流が第２の電流を近似するものであり、該第２の電流が、前記第１の事前充電プルダウンバスラインが事前充電されていない状態から事前充電される際に前記第１の電源から引き出される前記第１の事前充電プルダウンバスラインを事前充電するための一定量の電流である、方法。
【請求項４】
事前充電電流パルス整合器であって、
入力と、
電流分路であって、該電流分路がオンになった際に第１の事前充電プルダウンバスラインを含まない経路を介して電源から電流を引き出す、電流分路と、
該電流分路を制御するパルス生成手段であって、前記第１の事前充電プルダウンバスラインが既に事前充電されているため第１の量の電荷が前記電源から前記電流分路を介して引き出されていることを前記入力が示す場合に、妥当な一定期間のみ前記電流分路をオンにし、前記第１の量の電荷が第２の量の電荷を近似するものであり、該第２の量の電荷が、前記第１の事前充電プルダウンバスラインが事前充電されていない状態から事前充電される際に前記電源から引き出される前記第１の事前充電プルダウンバスラインを事前充電するためのものである、パルス生成手段と
を含む、事前充電電流パルス整合器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一ピッチで一次元配置された複数の画素と、
前記画素に蓄積された信号電荷を読み出すためのトランスファゲートと、
前記トランスファゲートにより前記各画素から読み出された信号電荷を転送する電荷結合素子と、
前記電荷結合素子の端部側に配設され、前記電荷結合素子から転送されてくる信号電荷を電圧に変換して外部に出力する出力アンプと、
を有する固体撮像装置におけるラインセンサにおいて、
前記電荷結合素子の少なくとも一方の端部近傍の電極ピッチを、画素ピッチと同一ピッチである前記電荷結合素子の中央部の電極ピッチより小さくしたことを特徴とする固体撮像装置におけるラインセンサ。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像装置におけるラインセンサが複数に縦列配置され、かつ隣接した前記各ラインセンサの前記画素が欠落なく同一ピッチで一次元配置されていることを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
以上のような目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置におけるラインセンサは、同一ピッチで一次元配置された複数の画素と、前記画素に蓄積された信号電荷を読み出すためのトランスファゲートと、前記トランスファゲートにより前記各画素から読み出された信号電荷を転送する電荷結合素子と、前記電荷結合素子の端部側に配設され、前記電荷結合素子から転送されてくる信号電荷を電圧に変換して外部に出力する出力アンプとを有する固体撮像装置におけるラインセンサにおいて、前記電荷結合素子の少なくとも一方の端部近傍の電極ピッチを、画素ピッチと同一ピッチである前記電荷結合素子の中央部の電極ピッチより小さくしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明に係る固体撮像装置は、上記発明の固体撮像装置におけるラインセンサが複数に縦列配置され、かつ隣接した前記各ラインセンサの前記画素が欠落なく同一ピッチで一次元配置されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月20日(2005.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一導電型の半導体基板と、
該基板表面に積層されている逆導電型の第１のエピタキシャル層と、
前記基板と前記第１のエピタキシャル層との間に形成されている高濃度不純物拡散層からなる第１の逆導電型の埋め込み層と重畳して形成されている高濃度不純物拡散層からなる第１の一導電型の埋め込み層と、
前記第１のエピタキシャル層表面に積層されている逆導電型の第２のエピタキシャル層と、
前記第１のエピタキシャル層と前記第２のエピタキシャル層との間に形成されている高濃度不純物拡散層からなる第２の一導電型の埋め込み層および高濃度不純物拡散層からなる第２の逆導電型の埋め込み層と、
前記第２のエピタキシャル層表面から前記第２の一導電型の埋め込み層まで拡散して形成されている高濃度不純物拡散層からなる一導電型の拡散領域と、
前記第２のエピタキシャル層表面から前記第２の逆導電型の埋め込み層まで拡散して形成されている高濃度不純物拡散層からなる第１の逆導電型の拡散領域と、
前記第２の一導電型の埋め込み層と前記一導電型の拡散領域とで挟まれる領域に配置されている高濃度不純物拡散層からなる第２の逆導電型の拡散領域とを有するダイオード素子を内蔵する半導体集積回路装置において、
前記第１の一導電型の埋め込み層と前記第２の逆導電型の拡散領域とが、深さ方向に隔てて形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記第２の逆導電型の拡散領域に重畳して逆導電型のウェル領域が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記第１の一導電型の埋め込み層と前記一導電型の拡散領域とは、前記第２の一導電型の埋め込み層を介して連結していることを特徴とする
請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記第１の逆導電型の拡散領域および前記一導電型の拡散領域はアノード導出領域として、前記第２の逆導電型の拡散領域はカソード導出領域として形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
一導電型の半導体基板を準備する工程と、
該基板に不純物を拡散させ、ダイオード素子形成領域に逆導電型の埋め込み層を形成する工程と、
前記基板上に不純物を拡散させ前記ダイオード素子形成領域に前記逆導電型の埋め込み層と重畳して第１の一導電型の埋め込み層を形成する工程と、
前記基板上に逆導電型の第１のエピタキシャル層を積層する工程と、
該第１のエピタキシャル層上に不純物を拡散し、前記ダイオード素子形成領域に第２の一導電型の埋め込み層を形成する工程と、
前記第１のエピタキシャル層上に逆導電型の第２のエピタキシャル層を積層する工程と、
該第２のエピタキシャル層上に不純物を拡散し、前記ダイオード素子形成領域に一導電型の拡散領域を形成し、前記第２の一導電型の埋め込み層を介して前記第１の一導電型の埋め込み層と連結する工程と、
前記ダイオード素子形成領域の該第２のエピタキシャル層上に逆導電型の拡散領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記ダイオード素子形成領域の前記第２の一導電型の埋め込み層を形成する工程は、前記第１の一導電型の埋め込み層と前記一導電型の拡散領域とを連結させ、前記第１の一導電型の埋め込み層と前記逆導電型の拡散領域とを隔てて形成する工程であることを特徴とする請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書換可能光記憶装置と共に使用されるタイミング回復回路であって、
ウォブル成分を含む非正規化トラッキングエラー信号を受取る第１のミクサと、
該第１のミクサに結合され、該ウォブル成分の変調成分を含む帯域幅を有するバンドパスフィルタと、
該バンドパスフィルタに結合され、前記第１のミクサに基準入力を供給する第２のミクサ回路と、
該第２のミクサ回路に固定周波数入力を供給する固定基準周波数回路と、
を具備するタイミング回復回路。
【請求項２】
前記第２のミクサ回路は、
直交位相ミクサと、
該直交位相ミクサの出力に結合された電圧制御発振器と、
同位相ミクサと、
を備え、該同位相ミクサと前記直交位相ミクサとは、前記固定周波数基準入力を受取り、該直交位相ミクサは、前記第１のミクサに該基準入力を供給するよう前記電圧制御発振器を操作する請求項１記載のタイミング回復回路。
【請求項３】
前記第２のミクサ回路は、
前記直交位相ミクサに結合された線形位相ローパスフィルタと、
該線形位相ローパスフィルタと前記電圧制御発振器とに結合されたループ制御回路と、
を更に備える請求項２記載のタイミング回復回路。
【請求項４】
前記第２のミクサ回路は、
前記直交位相ミクサに結合された線形位相ローパスフィルタと、
該線形位相ローパスフィルタに結合され、前記同位相ミクサから出力を受取るコスタス復調器と、
該コスタス復調器と前記電圧制御発振器とに結合されたループ制御回路と、
を更に備える請求項２記載のタイミング回復回路。
【請求項５】
前記直交位相ミクサおよび同位相ミクサは、排他的ＯＲ（ＸＯＲ）ゲートである請求項２記載のタイミング回復回路。
【請求項６】
前記電圧制御発振器および前記固定周波数回路に結合され、中間タイミング回復信号を供給する第２のミクサと、
該第２のミクサの出力に結合された４除算段と、
該４除算段に結合され、該４除算段の状態を制御する同期化回路と、
を更に具備し、該４除算段は、タイミング回復信号を生成する請求項２記載のタイミング回復回路。
【請求項７】
前記電圧制御発振器および前記固定周波数回路に結合され、タイミング信号を供給するシンセサイザループを更に具備する請求項２記載のタイミング回復回路。
【請求項８】
前記固定周波数回路は、局部４除算段を備える請求項１記載のタイミング回復回路。
【請求項９】
前記固定周波数回路は、Ｍ除算段を更に備える請求項８記載のタイミング回復回路。
【請求項１０】
前記４除算段の同位相出力は前記同位相ミクサに供給され、前記４除算段の直交位相出力は前記直交位相ミクサに供給される請求項８記載のタイミング回復回路。
【請求項１１】
タイミング回復回路であって、
ウォブル成分を含むトラッキングエラー信号を受信し、変調成分を含む回復ウォブル信号を供給する第１のミクサと、
該第１のミクサへの入力を生成するよう電圧制御発振器を制御するスーパヘテロダイン位相ロックループと、
前記第１のミクサから出力を受取り、その帯域幅が、前記回復ウォブル信号と前記変調成分との周波数範囲を含むバンドパスフィルタと、
タイミング信号１／Ｔを生成するタイミング信号回路と、
を具備するタイミング回復回路。
【請求項１２】
前記電圧制御発振器に結合されたループ制御回路と、
前記ループ制御回路に結合された線形位相ローパスフィルタと、
を更に備える請求項１１記載のタイミング回復回路。
【請求項１３】
前記ループ制御回路と前記線形位相ローパスフィルタとの間に結合され、前記トラッキングエラー信号を反転するコスタス復調器、
を更に備える請求項１２記載のタイミング回復回路。
【請求項１４】
書換可能光記憶装置からのタイミング信号を回復するためのタイミング信号回復方法であって、
ウォブル成分を含む非正規化トラッキングエラー信号を受取るステップと、
第１のミクサにおいて、前記非正規化トラッキングエラー信号と基準信号とを混合して安定周波数信号を発生するステップと、
前記安定周波数信号をバンドパスフィルタに通してフィルタリングされた信号を発生するステップと、
前記フィルタリングされた信号を第２のミクサ回路に供給するステップと、
前記第１のミクサへの基準入力を発生するステップと、
を具備するタイミング回復方法。
【請求項１５】
前記第２のミクサ回路において、
直交位相ミクサ内で直交位相信号を発生するステップと、
同位相ミクサ内で同位相信号を発生するステップと、
固定周波数基準信号を発生するステップと、
を更に具備する請求項１４記載のタイミング回復方法。
【請求項１６】
前記直交位相ミクサの出力を使って電圧制御発振器を操作するステップと、
前記電圧制御発振器の出力を使って前記第１のミクサへの前記基準入力を発生するステップと、
を更に具備する請求項１５記載のタイミング回復方法。
【請求項１７】
前記直交位相ミクサと前記同位相ミクサとは排他的ＯＲ（ＸＯＲ）ゲートである請求項１５記載のタイミング回復方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）データが送信される予定の受信機において測定された、第１チャネル状態に基づいて、第１データレートを決定するステップと、
（Ｂ）前記第１データレートで、第１データ送信を実行するステップと、
（Ｃ）前記第１データ送信を前記受信機が成功裡に受信しなかった場合に、前記受信機において測定された第２チャネル状態に基づいて、第２データレートを決定するステップと、
（Ｄ）前記第２データレートで、第２データ送信を実行するステップであって、前記第２データ送信は、第１データ送信の再送信であるステップとからなる
ことを特徴とするデータの送信方法。
【請求項２】
前記第１データ送信および前記第２データ送信が同一であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１データ送信は、前記第２データ送信とソフトコンバイン（soft combined）される
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
（Ｅ）前記（Ａ）ステップの前に、前記受信機に対して前記第１データレートを示すレート指示メッセージを受信するステップをさらに有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
（Ｆ）前記（Ａ）ステップの後で、かつ（Ｃ）ステップの前に、前記受信機に対して前記第２データレートを示すレート指示メッセージを受信するステップをさらに有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第１データレートは、受信されたレート指示メッセージにおいて示されるデータレートより高いデータレートであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記第２データレートは、受信されたレート指示メッセージにおいて示されるデータレートより高いデータレートであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
（Ｇ）前記（Ａ）ステップの前に、複数の受信機に対して前記データレートを示す複数のレート指示メッセージを受信するステップをさらに有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
（Ｈ）前記受信した複数のレート指示メッセージを用いて、データを送信する相手である前記複数の受信機から、１つの受信機を選択するステップをさらに有することを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記選択された受信機は、最高のデータレートを示すレート指示メッセージに関係する受信機である
ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
チャネル条件（状態）に基づいて、データレートを変更する方法を開示する。データは、測定された第１チャネル条件（状態）に基づいて第１データレートで最初に送信され、その後、測定された第２チャネル条件（状態）に基づいて第２データレートで再送信する。第１チャネル条件は、第２チャネル条件よりも時間的に前に測定される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サービス制限情報および移動局同定情報を含むメッセージを送信するステップと、
前記メッセージ中に特定されたサービス制限を受ける、前記メッセージ中に同定された少なくとも１つの移動局に通信サービスを提供するステップとを有する
ことを特徴とする通信サービスを制御する方法。
【請求項２】
複数のサービス制限情報部および複数の移動局同定情報部を有するメッセージを送信するステップと、
サービス制限情報部により特定されるサービス制限を受ける、移動局同定情報部により同定される少なくとも１つの移動局へ通信サービスを提供するステップとを有し、各サービス制限情報部は、少なくとも１つの移動局同定情報部に関連づけられている
ことを特徴とする通信サービスを制御する方法。
【請求項３】
前記メッセージ中に同定された少なくとも１つの移動局から移動体メッセージを受信するステップをさらに有し、
前記移動体メッセージは、前記サービス制限を特定する情報を含む
ことを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記移動局同定情報は、移動局のグループを同定する
ことを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項５】
移動局において、サービス制限情報および移動局同定情報を含む受信メッセージを受信するステップと、
前記移動局同定情報が、前記移動局を同定する場合、前記受信メッセージ中で特定されたサービス制限を特定する情報を含む移動体メッセージを送信するステップとを有する
ことを特徴とする通信サービスを制御する方法。
【請求項６】
前記移動体メッセージは、前記サービス制限を受ける通信サービスに対する要求である
ことを特徴とする請求項５記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
技術の進歩により、より進んだサービスの能力が、基地局および移動体局（移動局）に提供されている。これらの能力は、典型的にはプロトコル改訂（revisions）と呼ばれる更新の使用により提供される。プロトコル改訂は、ハードウェアおよび／またはソフトウェアに対してのものである可能性があり、典型的には、参照目的のために番号が与えられる。これらの新しいプロトコル改訂が、通信システムに統合されるとき、特定の移動体局および基地局のプロトコル改訂レベルが不一致となる可能性がある。これが起きるとき、基地局および移動体局は、それらの最も最新のプロトコル改訂レベルで互いに通信し、両方の局に共通な最新(the most recent)のプロトコル改訂を使用して通信することに合意する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号の所定の部分の複数の異なるディスクリプションを生成するマルチプルディスクリプションコーダにおいて信号をエンコードするステップと、
前記所定の部分の少なくとも第１のディスクリプションが、第１のパケット中に配置され、前記所定の部分の第２のディスクリプションが第２のパケット中に配置されるように、前記信号の前記所定の部分の前記異なるディスクリプションを複数のパケット中に配置するステップと、
周波数ホッピング変調器を使用して前記パケットの各々を送信するステップとを有し、
前記周波数ホッピング変調器のホッピングレートが、前記信号の複数の異なる部分の各々に対して生成されるディスクリプションの数に少なくとも部分的に基づいて構成される
ことを特徴とするワイヤレス通信システムにおける送信のために信号を処理する方法。
【請求項２】
前記マルチプルディクリプションコーダは、マルチプルディスクリプションスカラ量子化（ＭＤＳＱ）を実行するように構成されたマルチプルディスクリプションコーダからなる
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記周波数ホッピング変調器の前記ホッピングレートは、前記信号の前記所定の部分のシングルディスクリプションの送信に対して使用される周波数ホッピング変調器の周波数ホッピングレートの２倍になるように選択される
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１および第２のパケットに対するパケットサイズは、前記信号の前記所定の部分のシングルディスクリプションの送信に対して使用されるパケットサイズの半分になるように選択される
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記エンコードするステップは、前記信号の複数の異なる部分の各々に対して２つのディスクリプションを生成し、前記２つのディスクリプションのうちの第１のディスクリプションは、現在のパケット中に配置される前記信号の前記複数の異なる部分のうちの現在の部分に対するものであり、前記２つのディスクリプションのうちの第２のディスクリプションは、前記信号の以前の部分に対するものである
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記周波数ホッピング変調器の前記ホッピングレートは、前記システムの伝送遅れが、シングルディスクリプション送信のための前記システムの伝送遅れに対して、前記複数のディスクリプションの送信の結果として増大されないように選択される
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
信号の所定の部分の複数の異なるディスクリプションを生成するように動作可能なマルチプルディスクリプションコーダであって、前記信号の所定の部分の複数の異なるディスクリプションは、前記所定の部分の少なくとも第１のディスクリプションが第１のパケット中に配置され、かつ、前記所定部分の第２のディスクリプションが第２のパケット中に配置されるように、複数のパケット中に配置されている、マルチプルディスクリプションコーダと、
前記マルチプルディスクリプションコーダの出力に接続された入力を有し、送信のために前記複数のパケットを構成するように動作可能な周波数ホッピング変調器であって、前記変調器のホッピングレートが、前記信号の複数の異なる部分の各々に対して生成されるディスクリプションの数に少なくとも部分的に基づいて構成される、周波数ホッピング変調機とを有する
ことを特徴とするワイヤレス通信システムにおける送信のために信号を処理する装置。
【請求項８】
前記マルチプルディスクリプションコーダは、マルチプルディスクリプションスカラ量子化（ＭＤＳＱ）を実行するように構成されたマルチプルディスクリプションコーダからなる
ことを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記マルチプルディスクリプションコーダは、マルチプルディスクリプション適応形差動パルス符号変調（ＡＤＰＣＭ）コーダからなる
ことを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記マルチプルディスクリプションコーダは、前記信号の複数の異なる部分の各々に対して２つのディスクリプションを生成し、前記２つのディスクリプションのうちの第１のディスクリプションは、現在のパケット中に配置される前記信号の前記複数の異なる部分のうちの現在の部分に対するものであり、前記２つのディスクリプションのうちの第２のディスクリプションは、前記信号の以前の部分に対するものである
ことを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項１１】
前記周波数ホッピング変調器の前記ホッピングレートは、前記システムの伝送遅れが、シングルディスクリプション送信のための前記システムの伝送遅れに対して、前記複数のディスクリプションの送信の結果として増大しないように選択される
ことを特徴とする請求項７記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
例として、信号の各部分に対して２個のディスクリプションが生成される本発明の例示的な実施形態において、信号の複数の部分のうちの現在のものに対する第１のディスクリプションが、信号の以前の部分に対する複数のディスクリプションのうちの第２のものと共に、現在のパケット中に配置される。第１および第２のパケットに対するパケットサイズは、信号の所定の部分のシングル（単一の）ディスクリプションの送信のために使用されるパケットサイズの半分に選択され、変調器の周波数ホッピングレートは、シングル（単一の）ディスクリプション送信に対して使用されるホッピングレートの２倍にされる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非球面鏡を備える少なくとも一つの光学テレスコープを含む無線通信システムであって、少なくとも２つのファイバから成るファイバ配列が前記光学テレスコープの焦点面に配置されることを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
前記ファイバ配列内の各ファイバが異なる受信テレスコープ上に焦点を合わせられることを特徴とする請求項１記載の無線通信システム。
【請求項３】
前記ファイバ配列内の各ファイバが異なる送信テレスコープ上に焦点を合わせられることを特徴とする請求項１記載の無線通信システム。
【請求項４】
前記ファイバ配列がｎｘｎ配列から成ることを特徴とする請求項１記載の無線通信システム。
【請求項５】
前記光学テレスコープがRichey-Chetrien（ＲＣ）光学テレスコープであることを特徴とする請求項１記載の無線通信システム。
【請求項６】
無線通信リンク用のRichey-Chetrien（ＲＣ）光学テレスコープであって、前記ＲＣ光学テレスコープが：
凹面非球面一次鏡；
凸面非球面二次鏡；および
前記二次鏡の焦点面に配置された少なくとも２つの光ファイバの配列から成る受信ユニットを備えることを特徴とするＲＣ光学テレスコープ。
【請求項７】
前記ＲＣ光学テレスコープが少なくとも２つの双曲面鏡を備えることを特徴とする請求項６記載のＲＣ光学テレスコープ。
【請求項８】
前記２つの非球面鏡が固定されることを特徴とする請求項６記載のＲＣ光学テレスコープ。
【請求項９】
前記光ファイバの配列が前記ＲＣ光学テレスコープの前記焦点面内で位置を調節されることを特徴とする請求項６記載のＲＣ光学テレスコープ。
【請求項１０】
前記二次鏡の焦点面に配置された少なくとも２つの光ファイバの配列から成る送信ユニットをさらに備えることを特徴とする請求項６記載のＲＣ光学テレスコープ。