【手続補正書】
【提出日】平成17年6月22日(2005.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線の作製方法及び薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射し、
前記光触媒機能を有する物質上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項２】
光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射し、
前記光触媒機能を有する物質上に、水系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出する配線の作製方法であって、
前記物質上における光の照射領域の幅は、前記吐出された組成物の幅よりも狭いことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項３】
光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して親水性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、水系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出する配線の作製方法であって、
前記物質上における光の照射領域の幅は、前記吐出された組成物の幅よりも狭いことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記水系の溶媒には界面活性剤が添加されていることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項５】
光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射し、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項６】
光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射し、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出する配線の作製方法であって、
前記物質上における光が照射されない領域の幅は、前記吐出された組成物の幅よりも狭いことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項７】
光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して撥油性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項８】
光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して撥油性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出する配線の作製方法であって、
前記物質上における光が照射されない領域の幅は、前記吐出された組成物の幅よりも狭いことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一において、
前記油系の溶媒は、非極性溶剤又は低極性溶剤であることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか一において、
前記油系の溶媒は、テルピネオール、ミネラルスピリット、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、メシチレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、及びシクロオクタンのいずれかであることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記導電体は、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン、若しくはアルミニウム、又はこれらからなる合金でなることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記導電体は、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン、又はアルミニウムからなる分散性ナノ粒子でなることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記光の波長は、前記光触媒機能を有する物質が光活性を示す波長であることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、
インクジェット法により、前記組成物を吐出することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、
減圧下において、前記組成物を吐出することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１６】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して親水性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１７】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して親水性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、水系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って光触媒機能を有する物質から成るゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に選択的に光を照射して親水性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、水系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１８】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して親水性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、水系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、溶媒に絶縁体が混入された組成物を吐出してマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出して配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１９】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して親水性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、水系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜及び一導電型を有する半導体膜を順に形成し、
前記一導電型を有する半導体膜上に、溶媒に絶縁体が混入された組成物を吐出してマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出して配線を形成し、
前記配線を用いて前記一導電型を有する半導体膜をエッチングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜は、プラズマＣＶＤ法により連続成膜することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２１】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して親水性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、水系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜、保護膜を順に形成し、
前記ゲート電極を用いて前記保護膜をパターニングし、
前記パターニングされた保護膜を覆って一導電型を有する半導体膜を形成し、
前記一導電型を有する半導体膜上に、溶媒に絶縁体が混入された組成物を吐出してマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出して配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２２】
請求項１６乃至２１のいずれか一において、
前記配線に接続する電極を形成し、
前記半導体膜、前記ゲート電極、及び前記電極の一部を覆うように、溶媒に絶縁体が混入された組成物を吐出して保護膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２３】
絶縁表面上に結晶性を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って光触媒機能を有する物質からなるゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に選択的に光を照射して親水性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、水系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２４】
絶縁表面上に結晶性を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って光触媒機能を有する物質からなるゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に選択的に光を照射して親水性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、水系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を用いて、前記ゲート絶縁膜をエッチングし、
前記ゲート電極を覆って金属膜を形成し、
前記半導体膜と前記金属膜を反応させてシリサイドを形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２５】
請求項１６乃至２４のいずれか一において、
前記物質上における光の照射領域の幅は、前記吐出された組成物の幅よりも狭いことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２６】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して撥油性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２７】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して撥油性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出して配線を形成し、
前記配線上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って光触媒機能を有する物質から成るゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に選択的に光を照射して撥油性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２８】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して撥油性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、溶媒に絶縁体が混入された組成物を吐出してマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出して配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２９】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して撥油性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜及び一導電型を有する半導体膜を順に形成し、
前記一導電型を有する半導体膜上に、溶媒に絶縁体が混入された組成物を吐出してマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出して配線を形成し、
前記配線を用いて前記一導電型を有する半導体膜をエッチングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３０】
請求項２９において、
前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜は、プラズマＣＶＤ法により連続成膜することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３１】
絶縁表面上に光触媒機能を有する物質を形成し、
前記光触媒機能を有する物質に選択的に光を照射して撥油性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜、保護膜を順に形成し、
前記ゲート電極を用いて前記保護膜をパターニングし、
前記パターニングされた保護膜を覆って一導電型を有する半導体膜を形成し、
前記一導電型を有する半導体膜上に、溶媒に絶縁体が混入された組成物を吐出してマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜及び前記一導電型を有する半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた一導電型を有する半導体膜上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出して配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３２】
請求項２９又は３１において
前記一導電型を有する半導体膜は、前記ゲート電極をマスクとし前記半導体膜へ不純物元素を添加して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３３】
請求項２６乃至３２のいずれか一において、
前記配線に接続する電極を形成し、
前記半導体膜、前記ゲート電極、及び前記電極の一部を覆うように、溶媒に絶縁体が混入された組成物を吐出して保護膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３４】
絶縁表面上に結晶性を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って光触媒機能を有する物質からなるゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に選択的に光を照射して撥油性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３５】
絶縁表面上に結晶性を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って光触媒機能を有する物質からなるゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に選択的に光を照射して撥油性とし、
前記光触媒機能を有する物質上に、油系の溶媒に導電体が混入された組成物を吐出してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を用いて、前記ゲート絶縁膜をエッチングし、
前記ゲート電極を覆って金属膜を形成し、
前記半導体膜と前記金属膜を反応させてシリサイドを形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３６】
請求項２６乃至３５のいずれか一において、
前記物質上における光が照射されない領域の幅は、前記吐出された組成物の幅よりも狭いことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３７】
請求項１６乃至３６のいずれか一において、
インクジェット法により、前記組成物を吐出することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３８】
請求項１６乃至３７のいずれか一において、
減圧下において、前記組成物を吐出することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。