Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月20日(2004.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
以上の点を考慮して、寒冷地では特開平１０−２７４０２０号公報で示されるように、ヒータを設置してエンジンを暖め、エンジン始動性を向上させ、またエンジンをアイドリングで回すことによりメインポンプを始動し、作動油を循環させ、作動油温を上昇させている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
特開平１０−２７４０２０号公報に記載の従来技術は、上記のようにエンジンを暖め、エンジン始動性を向上させている。また、エンジンをアイドリングで回すことによりメインポンプを始動し、作動油を循環させ、作動油温を上昇させている。しかし、エンジンのアイドリングだけでは油圧アクチュエータまで暖機させることはできない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図２はコントローラ８の処理機能を示す電気回路図である。コントローラ８は、暖機スイッチ４５により作動する第１リレー８ａと、圧力スイッチ４８により作動する第２リレー８ｂとを有してる。暖機スイッチ４５がＯＦＦのときは第１リレー８ａもＯＦＦであり、図示の開状態にある。このとき、電磁切換弁７のソレノイド７ａは非励磁にあり、電磁切換弁７は図１の位置に保持される。暖機スイッチ４５がＯＮになると第１リレー８ａがＯＮして閉状態に切り換えられ、第２リレー８ｂは接地される。このとき、圧力スイッチ４８がＯＦＦであると第２リレー８ｂもＯＦＦで図示の閉状態にあり、電磁切換弁７のソレノイド７ａは電流が流れて励磁され、電磁切換弁７は図１に示す位置から切り換えられる。その後、圧力スイッチ４８がＯＮになると第２リレー８ｂは開状態に切り換えられ、電磁切換弁７のソレノイド７ａは非励磁となり、電磁切換弁７は図１の位置に切り換えられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図５に右走行装置１２３Ｒの正面図（油圧モータ側から見た図）を示し、図６に図４のVI方向矢視図を示す。図４のVI方向矢視図は右走行装置１２３Ｒをトラックフレーム１２１のサイドフレーム１２１Ｒに装着した状態での正面図に相当する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図５及び図６において、右走行モータ１Ｒはメインポート９ａ，９ｂとドレンポート２１ａ，２１ｂを有し、メインポート９ａ，９ｂ及びドレンポート２１ａ，２１ｂ共に図示の如く上下対称に配置されている。このように各ポートを上下対称に配置することにより、右走行装置１２３Ｒと左走行装置１２３Ｌを左右対称で使用するとき同じ走行装置を使用できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図６において、サイドフレーム１２１Ｒの後端部には穴５４を形成したモータ取付フレーム５５が設けられ、モータ取付フレーム５５の穴５４に右走行装置１２３Ｒの右走行モータ１Ｒ部分を差し込み、右走行モータ１Ｒの外側支持部材５６をボルト５７でモータ取付フレーム５５に締結することにより、右走行装置１２３Ｒはサイドフレーム１２１Ｒに取り付けられている。メインポート９ａ，９ｂには接続プラグ６１ａ，６１ｂを介してホース６２ａ，６２ｂが接続され、上側のドレンポート２１ａには接続プラグ６３を介してホース６４が接続され、下側のドレンポート２１ｂには接続プラグ６５を介してホース６６が接続されている。ホース６２ａ，６２ｂは図１に示したアクチュエータライン１１ａ，１１ｂとして機能し、ホース６４は図１に示したタンクライン２３として機能し、ホース６６は図１に示した作動油ライン３１として機能する。また、下側のドレンポート２１ｂの接続プラグ６５の内部通路は細径とされ、絞り４０を構成している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月20日(2005.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路基板及び炭素導電路から作られる接点を含む装置において、
前記炭素導電路は、前記プリント回路基板にめっきされる絶縁層によって、前記プリント回路基板に配置されることを特徴とする装置。
【請求項２】
中間の平準化層は、前記プリント回路基板及び前記絶縁層の間に塗布される（coat）ことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
多数の通路を有するプリント回路基板に炭素導電路の接点を製造する方法において、
少なくとも部分的に少なくとも一つの前記通路を埋めるステップと、
前記プリント回路基板に、本質的に絶縁する層を堆積させるステップと、
前記キーパッド用の炭素導電路を堆積させるステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
前記プリント回路基板に対して中間の平準化層を挿入する追加のステップが提供されることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
キーパッドを有し、
該キーパッドの接点は、炭素導電路によって製造されることを特徴とする請求項１又は２記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
絶縁被覆層１４は、空隙が占める面積比を５％以上とすることが望ましく、この場合の空隙は、絶縁被覆層１４の外周部に到達していないようにすることが、より一層望ましい。外部導体１６は、例えば、無電解銅メッキ層の上に、電解銅メッキ層を設けることで形成する。保護層１８は、その最外径を１ｍｍ以下に形成することが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
しかる後に、無電解銅メッキ，電解銅メッキを施して、絶縁被覆層１４の外周に、厚さ５０μｍの外部導体層１６を形成した後に、保護被覆層１８として、厚さ０．１ｍｍのＰＶＣ被覆を施し、外径がφ０．５３ｍｍの細径同軸ケーブル１０を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、細径同軸ケーブル１０の引張性能をインストロン型万能試験機にて測定したところ、引張弾性率で６７６２０Ｍｐａであった。（弾性率は、絶縁被覆層１４までの断面積から算出した）
以上の説明から明らかなように、実施例１で得られた細径同軸ケーブル１０によれば、電気的特性は、特性インピーダンスが５０Ωで安定しているとともに、外径をφ０．５３ｍｍと非常に細くしても、引張弾性率が６７６２０Ｍｐａと大きな値を有していて、引張性能も向上させることができることが確認された。
（実施例２）中心導体１２（外径がφ０．０５ｍｍの銀メッキ銅線）の周囲に、芯部成分（補強繊維１４ａ）が比誘電率２．３で、融点が１６３℃のポリプロピレンで、鞘部成分（樹脂マトリックス１４ｂ）が比誘電率２．３で、融点が１３１℃のポリエチレンであって、芯部と鞘部の断面積比が、１：１で、５０本のフィラメントから構成されトータル繊度が５５ｄｔｅｘの鞘芯型複合繊維（宇部日東化成株式会社製）３本を縦添えした後に、内径がφ０．１８ｍｍの加熱成形ノズルに導入して、鞘部を溶融させて、中心導体１２の外周を被覆する絶縁被覆層１４を形成し、外径がφ０．１７５ｍｍの繊維強化熱可塑性樹脂被覆導体を得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次いで、得られた繊維強化熱可塑性樹脂被覆導体に対して、実施例１と同様にして粗面化処理およびパラジウムの還元析出を施し、無電解銅メッキ，電界銅メッキを施して、絶縁被覆層１４の外周に、厚さ５０μｍの外部導体層１６を形成した後に、保護被覆層１８として、厚さ０．１ｍｍのＰＶＣ被覆を施し、外径がφ０．４７５ｍｍの細径同軸ケーブル１０を得た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
なお、この場合の粗面化処理は、上記第１実施例と同じである。得られた細径同軸ケーブル１０の繊維強化熱可塑性樹脂製の絶縁被覆層１４の部分で切断して、その断面において空隙が占める割合を、比重瓶を使用して見掛けの比重を測定して、算出したところ、これが５．１％であり、特性インピーダンスは、５０Ωであった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次いで、得られた被覆導体に対して、実施例１と同様な粗面化処理を施し、無電解銅メッキ，電解銅メッキを施して、厚さ５０μｍの外部導体層を形成した後に、保護被覆層として、厚さ０．１ｍｍのＰＶＣ被覆を施し、外径がφ０．４８ｍｍの細径同軸ケーブルを得た。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次いで、得られた被覆導体に対して、実施例１と同様な粗面化処理を施し、無電解銅メッキ，電解銅メッキを施して、厚さ５０μｍの外部導体層を形成した後に、保護被覆層として、厚さ０．１ｍｍのＰＶＣ被覆を施し、外径がφ０．４７ｍｍの細径同軸ケーブルを得た。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月13日(2005.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも２個のランプを有する照明具と、複数の孔を有する板状体とを具えており、前記孔とそれぞれのランプとは、ランプからの光を通すことができるように位置が整えられている建造物内の照明装置。
【請求項２】 板状体は前面と背面を有し、各孔の周りには背面からシールドが突出しており、ランプはシールド内の所望の深さ位置に配置されている請求項１に記載の装置。
【請求項３】 照明具は、ランプを保持するハウジングを含んでいる請求項２に記載の装置。
【請求項４】 板状体を建造物に合体させる結合手段を含んでおり、該結合手段は、板状体を建造物に固定するテープを含んでおり、該テープは建造物及び板状体に配置される請求項３に記載の装置。
【請求項５】 結合手段は、板状体を建造物へ取り付けるための自在式取付ブラケットを含んでいる請求項４に記載の装置。
【請求項６】 結合手段は、テープと、建造物及び板状体の継ぎ部とを覆うスパックルを含んでおり、該スパックルはテープに配置される請求項５に記載の装置。
【請求項７】 ランプ及び中継ボックスに接続され、ランプへ電気を供給するための変圧器を含んでいる請求項６に記載の装置。
【請求項８】 照明具は、ジンバルリングを含んでおり、該ジンバルリングの中にランプが配備される請求項７に記載の装置。
【請求項９】 孔の内面は、真直ぐな形状、内向きに傾斜した形状、又は外向きに傾斜した形状である請求項８に記載の装置。
【請求項１０】 孔は、対称形又は非対称形である請求項９に記載の装置。
【請求項１１】 板状体は、ガラス、焼石膏、コーリアン、大理石、御影石、木材、金属又はセラミックで作られている請求項８に記載の装置。
【請求項１２】 建造物を照明する方法であって、複数の孔を有する一体型パネルを、複数のランプを有する照明具に対して、ランプからの光が孔を通ることができるように孔とランプの位置を合わせて、配置する工程と、パネルを建造物へ取り付ける工程と、を含んでいる建造物の照明方法。
【請求項１３】 ランプの高さを、パネルの孔の周りのシールド内で調節する工程を含んでいる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】 取り付ける工程は、テープを用いてパネルを建造物に固定し、該テープにスパックルを施す工程を含んでいる請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月18日(2004.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記一対の第１方向支持体のいずれもが、
前記第１方向に平行で、前記第２方向及び前記第３方向のいずれにも傾く第４面を更に備え、
前記第１面、前記第３面、前記第２面、前記第４面がこの順に連結され、
前記第４面は前記第２面とは反対側で前記第３面に支持される、請求項４記載の支持フレーム構体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この発明のうち請求項５にかかるものは、請求項４記載の支持フレーム構体であって、前記一対の第１方向支持体のいずれもが、前記第１方向に平行で、前記第２方向及び前記第３方向のいずれにも傾く第４面を更に備える。そして、前記第１面、前記第３面、前記第２面、前記第４面がこの順に連結され、前記第４面は前記第２面とは反対側で前記第３面に支持される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
実施の形態３．
図８は本発明の実施の形態３にかかる支持フレーム構体２０２の構造を示し、図２の一部IIIの一部の拡大図に相当する。本実施の形態では位置決め孔１１ｐの輪郭はほぼ三角形を呈しており、実施の形態１で示された円弧部１１ｐａと、これに対向する辺１１ｐｅと、円弧部１１ｐａと辺１１ｐｅの両端をつなぐ、一対の辺１１ｐｄを備えている。円弧部１１ｐａは垂直支持体１１ｂと反対側で、辺１１ｐｅと対向し、辺１１ｐｅは仮想線ＰＱにほぼ垂直に配置される。例えば位置決め孔１１ｐの輪郭は、辺１１ｐｅを底辺とする二等辺三角形を呈する。位置決め孔１１ｑも位置決め孔１１ｐと同形に形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
実施の形態４．
図９は本発明の実施の形態４にかかる色選別構体の製造方法を示す概念図である。支持フレーム構体２０３に色選別電極を支持させる前に、支持フレーム構体２０３を熱処理炉４００に投入し所望の熱処理を行う。熱処理の条件については支持フレーム構体２０２の材質により異なるが、例えば析出硬化型ステンレス鋼を使用している場合には５００℃付近で焼鈍を行うことにより機械強度を強化できる。また支持フレーム構体２０３を製作する過程における材料の切断、曲げ、溶接等によって生じた内部歪みを除去することもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
上述のように、支持フレーム構体２０３に色選別電極を支持させる前に、熱処理を行うことにより支持フレーム構体２０３の機械強度を強化できるので、支持フレーム構体２０３が備える水平支持体１２ａ，１２ｂ及び垂直支持体１１ａ，１１ｂとして、薄い金属板を採用することができる。より機械強度を強化できるように、水平支持体１２ａ，１２ｂ及び垂直支持体１１ａ，１１ｂは折り曲げ加工されていることが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
図１２は色選別構体２００の構成を上記実施の形態１乃至実施の形態５よりも詳しく示す斜視図である。図１２では色選別電極としてアパーチャーグリル２０を採用した場合を例示している。スプリングホルダー５ｈ，５ｖが、それぞれ水平支持体１２ｂ、垂直支持体１１ａに取り付けられ、これらを介してそれぞれスプリング６ｈ，６ｖが取り付けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
陰極線管３００は前面フェイスパネル３０１及び後部ファンネル３０２からなるガラスバルブ３０３を備えており、その内部には前面フェイスパネル３０１に近い方から、蛍光体３０４、色選別構体３０５、電子銃３０６が配置されている。色選別構体３０５としては色選別構体２００を採用することができる。ガラスバルブ３０３内には図示されないピンも備えられ、これが図１２に示されたスプリング６ｈ，６ｖのそれぞれに設けられた取り付け穴６１，６２と嵌め合わせられる。これにより、色選別構体３０５として色選別構体２００がガラスバルブ３０３内部に支持固定される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
電子銃３０６の近傍における後部ファンネル３０２の周囲にはコンバーゼンスやピュリティを改善するためのマグネット３０８が、電子銃３０５から前面フェイスパネル３０１側へと離れた位置における後部ファンネル３０２の周囲には偏向ヨーク３０７が、それぞれ設けられている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
電子銃３０６から出た電子ビームは色選別構体を介して、蛍光体３０４に照射される。より具体的には色選別電極、例えばアパーチャーグリル２０のスリット、若しくは展張マスク方式以外のシャドウマスクの孔やスロットを通った電子ビームが、蛍光体３０４に照射される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
この発明のうち、請求項９にかかる色選別構体の製造方法によれば、支持フレーム構体に色選別電極を支持させる前に熱処理を行うことにより、支持フレーム構体の機械強度を強化できる。よって支持フレーム構体が備える部材として薄い金属板を採用することができ、軽量化できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月2日(2004.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来例では可動鉄心と固定鉄心とが完全に分離されており、また、ねじりコイルばねにより可動鉄心をラッチ方向に付勢しているので、電磁引外し装置自体の配設スペースが必要であるという問題があった。また、可動鉄心と固定鉄心とが完全に分離されているので、可動鉄心の吸引力が弱くなるという問題があった。
本発明は、かかる事由に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、小型化が図れる回路遮断器を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アドレス素子のセットを形成する方法であって、ｔを欠陥のあるアドレスラインの最大許容可能数として、少なくともｔ＋１の対称距離を有するアドレス設定のセットを割当てることを含む方法。
【請求項２】  前記アドレス設定は、ｔ−Ｓｐｅｒｎｅｒ（ｎ，Ｌ）コードワードである請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記アドレス設定は、一定重みコード（ＣＷＣ）ワードである請求項１記載の方法。
【請求項４】   前記アドレス設定は同じ重みを有し、任意の２つのアドレス設定間のハミング距離は少なくとも２ｔ＋２である請求項１記載の方法。
【請求項５】   前記アドレス設定のビット値に従って前記アドレス素子を製作することをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項６】   前記素子の通電能力が、前記アドレス設定のビット値によって確定するものである、請求項５記載の方法。
【請求項７】   前記アドレス素子に電流を供給することにより該アドレス素子をプログラムすることをさらに含み、該電流により、低通電能力素子は抵抗状態を変更し高通電能力素子はそのままの状態を維持する請求項６記載の方法。
【請求項８】  前記アドレス素子は、ダイオードを含み、該ダイオードはワイヤードゲートを形成するようにプログラムされるものである、請求項１記載の方法。
【請求項９】  固体メモリデバイスのメモリライン用のアドレス構成を生成することであって、前記アドレス構成は少なくともｔ＋１の対称距離を有し、ｔは欠陥のあるアドレスラインの最大許容可能数であることと、
前記メモリデバイスのレベルを製作することであって、前記レベルは前記メモリラインに接続されているアドレス要素を含み、各アドレス構成はメモリラインに対応し、メモリラインのアドレス要素は前記対応するアドレス構成に従って製作されていることと、を含む方法。
【請求項１０】  前記アドレス設定は、ｔ−Ｓｐｅｒｎｅｒ（ｎ，Ｌ）コードワードである請求項９記載の方法。
【請求項１１】  前記素子の通電能力が、前記アドレス設定のビット値によって確定するものである、請求項９記載の方法。
【請求項１２】  前記アドレス素子に電流を供給することにより該アドレス素子をプログラムすることをさらに含み、該電流により、低通電能力素子は抵抗状態を変更し高通電能力素子はそのままの状態を維持する請求項１１記載の方法。
【請求項１３】  アドレス要素のグループを備える、固体メモリデバイス用のアドレスロジックであって、前記アドレス要素は少なくともｔ＋１の対称距離を有する１セットのアドレス構成に従って構成され、ｔは欠陥のあるアドレスラインの最大許容可能数であるアドレスロジック。
【請求項１４】  前記アドレス構成は非カバーである、請求項１３に記載のアドレスロジック。
【請求項１５】  プログラミングの前は、第１の値を有するアドレス構成ビットに対応するアドレス要素が、第２の値を有するアドレス構成ビットに対応するアドレス要素とは異なる通電能力を有する、請求項１３に記載のアドレスロジック。
【請求項１６】  プログラミングの後は、通電能力がより高いアドレス要素は無傷であり、通電能力がより低いアドレス要素は無傷ではない、請求項１５に記載のアドレスロジック。
【請求項１７】  プログラミングされたアドレス要素はワイヤード結合ロジックを提供する、請求項１３に記載のアドレスロジック。
【請求項１８】  前記アドレス素子はダイオードを含む、請求項１３に記載のアドレスロジック。
【請求項１９】  前記アドレス設定は、ｔ−Ｓｐｅｒｎｅｒ（ｎ，Ｌ）コードワードである請求項１３に記載のアドレスロジック。
【請求項２０】  前記アドレス設定は、一定重みコード（ＣＷＣ）ワードである請求項１３に記載のアドレスロジック。
【請求項２１】  前記アドレス設定は同じ重みを有し、任意の２つのアドレス設定間のハミング距離は少なくとも２ｔ＋２である請求項１３に記載のアドレスロジック。
【請求項２２】  複数のレベルを備える固体メモリデバイスであって、各レベルは、
メインメモリと、
前記メインメモリ用のアドレスロジックであって、アドレスラインと、少なくともｔ＋１の対称距離を有する１セットのアドレス構成に従って構成されたアドレス要素のグループとを含み、ｔは欠陥のあるアドレスラインの最大許容可能数であるアドレスロジックと、を備える固体メモリデバイス。
【請求項２３】  プログラミングの前は、第１の値を有するアドレス構成ビットに対応するアドレス要素が、第２の値を有するアドレス構成ビットに対応するアドレス要素と異なる通電能力を有する、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２４】  プログラミングの後は、通電能力がより高いアドレス要素は無傷であり、通電能力がより低いアドレス要素は無傷ではない、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２５】  プログラミングされたアドレス要素はワイヤード結合ロジックを提供する、請求項２４に記載のデバイス。
【請求項２６】  前記アドレス要素はダイオードを含む、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２７】  前記アドレス設定は、ｔ−Ｓｐｅｒｎｅｒ（ｎ，Ｌ）コードワードである請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２８】  前記アドレス設定は、一定重みコード（ＣＷＣ）ワードである請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２９】  前記アドレス設定は同じ重みを有し、任意の２つのアドレス設定間のハミング距離は少なくとも２ｔ＋２である請求項２２に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク・ベースのデータ記憶システムにおいて、新たに記録されるデータを前に記録されたデータと同期させる方法であって、
ａ）ウォブル基準信号と前に記録されたデータとの第１の差を測定するステップと、
ｂ）書込みクロックと同期させてテスト・データをテスト・トラック上に書き込んで、ウォブル基準信号とテスト・データとの第２の差を測定するステップと、
ｃ）第１の差と第２の差を比較することによって遅延オフセットを決定するステップと、
ｄ）新しいデータが古いデータと同期するように、書込みクロックおよび遅延オフセットを用いて新しいデータを書き込むステップとを含む方法。
【請求項２】
ステップｂ）がさらに、
遅延オフセットを０に設定してテスト・データをテスト・トラックに書き込むステップと、
テスト・データをテスト・トラックから読み取るステップと、
第２の差から第１の差を引いて、書込みクロック較正遅延についての遅延オフセットを決定するステップと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップｄ）がさらに、ウォブルからレーザへのパスに遅延オフセットを挿入して、新しいデータが前に記録されたデータと同じエポックを有するようにするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ステップａ）からの第１の差とステップｂ）からの第２の差との間の差である、誤差値が所定限度内かどうかチェックするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記誤差値が所定限度外である場合に、前記誤差値に従って書込みクロックを調整するステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ディスク媒体上の古いデータを新しいデータとともに編集するための、ディスク・ベースのデータ記憶システムであって、
ａ）ウォブル基準信号と前に記録されたデータとの第１の差を測定する手段と、
ｂ）書込みクロックと同期させてテスト・データをテスト・トラック上に書き込んで、ウォブル基準信号とテスト・データとの第２の差を測定する手段と、
ｃ）第１の差と第２の差を比較することによって遅延オフセットを決定する手段と、
ｄ）新しいデータが古いデータと同期するように、書込みクロックおよび遅延オフセットを用いて新しいデータを書き込む手段とを備えるシステム。
【請求項７】
テスト・データをテスト・トラック上に書き込んでウォブル基準信号とテスト・データとの第２の差を測定する手段がさらに、
遅延オフセットを０に設定してテスト・データをテスト・トラックに書き込む手段と、
テスト・データをテスト・トラックから読み取る手段と、
第２の差から第１の差を引いて、書込みクロック較正遅延についての遅延オフセットを決定する手段と、を備える、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
新しいデータが古いデータと同期するように書込みクロックおよび遅延オフセットを用いて新しいデータを書き込む手段がさらに、ウォブルからレーザへのパスに遅延オフセットを挿入して、新しいデータが前に記録されたデータと同じエポックを有するようにする手段を備える、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
第１の差と第２の差との間の差である、誤差値が所定限度内かどうかチェックする手段をさらに含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
前記誤差値が所定限度外である場合に、前記誤差値に従って書込みクロックを調整する手段をさらに備える、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前にデータが記録されたディスク媒体に対して、再書込み機能を実施するディスク・レコーダであって、
前に記録されたデータの少なくとも1つのトラックを記録したディスク媒体と、
当該ディスク媒体上に同期再書込みを実施する方法であって、
ａ）ディスク媒体のウォブル基準信号と前に記録されたデータとの第１の差を測定するステップと、
ｂ）書込みクロックと同期させてテスト・データをテスト・トラック上に書き込んで、ウォブル基準信号とテスト・データとの第２の差を測定するステップと、
ｃ）第１の差と第２の差を比較することによって遅延オフセットを決定するステップと、
ｄ）新しいデータが古いデータと同期するように、書込みクロックおよび遅延オフセットを用いて新しいデータを書き込むステップと
を含む方法を実施するディスク・リーダ／レコーダ・デバイスと、を含むディスク・レコーダ。
【請求項１２】
ステップｂ）がさらに、
遅延オフセットを０に設定してテスト・データをテスト・トラックに書き込むステップと、
テスト・データをテスト・トラックから読み取るステップと、
第２の差から第１の差を引いて、書込みクロック較正遅延についての遅延オフセットを決定するステップと、を含む、請求項１１に記載のディスク・レコーダ。
【請求項１３】
ステップｄ）がさらに、ウォブルからレーザへのパスに遅延オフセットを挿入して、新しいデータが前に記録されたデータと同じエポックを有するようにするステップを含む、請求項１１に記載のディスク・レコーダ。
【請求項１４】
前記方法が、ステップａ）からの第１の差とステップｂ）からの第２の差との間の差である、誤差値が所定限度内かどうかチェックするステップをさらに含む、請求項１１に記載のディスク・レコーダ。
【請求項１５】
前記方法が、前記誤差値が所定限度外である場合に、前記誤差値に従って書込みクロックを調整するステップをさらに含む、請求項１４に記載のディスク・レコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月17日(2004.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
記録媒体を再生する再生手段と、
上記再生手段により上記記録媒体から再生された再生信号のＰＲＭＬ復号過程においてトレリス線図の正解状態に入力される２本のパスのパスメトリック差を求めるパスメトリック差検出手段と、
上記パスメトリック差の度数分布を第１のしきい値で区切った片側部分の相対度数である第１相対度数を求める第１相対度数検出手段と、
上記パスメトリック差の度数分布を第２のしきい値で区切った片側部分の相対度数である第２相対度数を求める第２相対度数検出手段と、
予め作成されたルックアップテーブルを参照することによって、上記第１相対度数検出手段により求められた第１相対度数および上記第２相対度数検出手段により求められた第２相対度数に基づいて再生信号の品質を評価する信号評価手段とを備えたことを特徴とする信号評価装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の信号評価装置は、記録媒体を再生する再生手段と、上記再生手段により上記記録媒体から再生された再生信号のＰＲＭＬ復号過程においてトレリス線図の正解状態に入力される２本のパスのパスメトリック差を求めるパスメトリック差検出手段と、上記パスメトリック差の度数分布を第１のしきい値で区切った片側部分の相対度数である第１相対度数を求める第１相対度数検出手段と、上記パスメトリック差の度数分布を第２のしきい値で区切った片側部分の相対度数である第２相対度数を求める第２相対度数検出手段と、予め作成されたルックアップテーブルを参照することによって、上記第１相対度数検出手段により求められた第１相対度数および上記第２相対度数検出手段により求められた第２相対度数に基づいて再生信号の品質を評価する信号評価手段とを備えたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記構成の信号評価装置によれば、上記記録媒体からの再生信号のＰＲＭＬ復号過程においてトレリス線図の正解状態に入力される２本のパスのパスメトリック差の度数分布について、第１,第２のしきい値より例えば小さい部分の第１,第２相対度数に基づいて、上記パスメトリック差の度数分布の標準偏差と最頻値を求めることが可能である。このようにして求めたパスメトリック差の度数分布の標準偏差と最頻値を用いて、再生信号の品質を表す信号品質評価値(ビットエラーレート)が第１,第２相対度数の組み合わせ毎に得られ、その信号品質評価値を第１,第２相対度数の組み合わせ毎に登録したルックアップテーブルを予め作成する。そして、実際に再生信号の品質を評価するとき、上記パスメトリック差検出手段により求められたパスメトリック差の度数分布を第１のしきい値で区切った片側部分の相対度数である第１相対度数を上記第１相対度数検出手段により求めると共に、上記パスメトリック差の度数分布を第２のしきい値で区切った片側部分の相対度数である第２相対度数を第２相対度数検出手段により求める。そうして、上記第１相対度数検出手段により求められた第１相対度数および上記第２相対度数検出手段により求められた第２相対度数に基づいて、上記信号評価手段によって上記ルックアップテーブルを参照することにより再生信号の品質を評価する。したがって、パスメトリック差の度数分布の２つの相対度数に対応する再生信号品質を予め計算してルックアップテーブルとして作成することによって、装置のマイコンによって複雑な統計演算を実行する必要がなくなり、極めて短時間で簡単に信号品質を評価することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１〜第（ｎ−１）番目のオリジナル楽曲のグル−プと、所望時に設けられる最終の第ｎ番目のボ−ナス楽曲のグル−プと、のアナログオ−デイオ信号をＡ／Ｄ変換してデジタルデ−タ列を生成するステツプと、
デイスクの記録領域に、
前記第ｎ番目のボ−ナス楽曲のグル−プにアクセスするためのデ−タとして、また、前記ボ−ナス楽曲のグル−プが存在しないことを示すためのデ−タとしてのインタラクテイブデ−タと、
前記オリジナル楽曲の構成要素である第１のオ−デイオタイトルであつて、複数のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）を含む第１のオ−デイオタイトルと、
前記ボ−ナス楽曲のグル−プが設けられた場合にはそのボ−ナス楽曲の構成要素である第２のオ−デイオタイトルであつて、複数のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）を含む第２のオ−デイオタイトルと、
スチルピクチヤセツト（ＳＰＳ）と、
簡易オ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）とを有し、
前記オ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）が、実デ−タとしてオ−デイオデ−タを有する第１のパツクのみにより構成された第１のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）と、前記第１のパツク、及び実デ−タとして前記オ−デイオデ−タに関するリアルタイムインフオメ−シヨンデ−タを有する第２のパツクにより構成された第２のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）の２種類で構成され、
さらに、前記スチルピクチヤセツト（ＳＰＳ）が前記オ−デイオデ−タに関するスチルピクチヤデ−タを含む第３のパツクを有し、
前記簡易オ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）が前記第１、第２のオ−デイオタイトルの頭出しを行うためのデ−タが格納されたＴＯＣテーブル（ＳＡＰＰ）を有してなる、
デ−タ構造にフオ−マツト化されて、記録するステツプと、
からなるエンコ−ド方法。
【請求項２】
請求項１に記載のエンコ−ド方法により記録された信号の再生装置であつて、
前記第１〜第（ｎ−１）番目のオリジナル楽曲のグル−プのオ−デイオデ−タを無条件に再生する再生手段と、
前記第ｎ番目のボ−ナス楽曲のグル−プにアクセスするためのインタラクテイブデ−タが供給された場合に、前記第ｎ番目のボ−ナス楽曲のグル−プのオ−デイオデ−タを再生許可する再生許可手段と、
前記記録されたスチルピクチヤデ−タを分離してデコ−ドするスチルピクチヤ・デコ−ド手段と、
前記再生時に少なくとも前記簡易オ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）のＴＯＣテ−ブル（ＳＡＰＰ）に従つて前記第１、第２のオ−デイオタイトルを頭出し制御する手段と、
前記スチルピクチヤ・デコ−ド手段で取り出されたスチルピクチヤデ−タを、前記オリジナル楽曲またはボ−ナス楽曲のオ−デイオデ−タと同期制御して出力する出力手段とを、
有する再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
１）第１〜第（ｎ−１）番目のオリジナル楽曲のグル−プと、所望時に設けられる最終の第ｎ番目のボ−ナス楽曲のグル−プと、のアナログオ−デイオ信号をＡ／Ｄ変換してデジタルデ−タ列を生成するステツプと、
デイスクの記録領域に、
前記第ｎ番目のボ−ナス楽曲のグル−プにアクセスするためのデ−タとして、また、前記ボ−ナス楽曲のグル−プが存在しないことを示すためのデ−タとしてのインタラクテイブデ−タと、
前記オリジナル楽曲の構成要素である第１のオ−デイオタイトルであつて、複数のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）を含む第１のオ−デイオタイトルと、
前記ボ−ナス楽曲のグル−プが設けられた場合にはそのボ−ナス楽曲の構成要素である第２のオ−デイオタイトルであつて、複数のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）を含む第２のオ−デイオタイトルと、
スチルピクチヤセツト（ＳＰＳ）と、
簡易オ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）とを有し、
前記オ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）が、実デ−タとしてオ−デイオデ−タを有する第１のパツクのみにより構成された第１のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）と、前記第１のパツク、及び実デ−タとして前記オ−デイオデ−タに関するリアルタイムインフオメ−シヨンデ−タを有する第２のパツクにより構成された第２のオ−デイオオブジエクト（ＡＯＢ）の２種類で構成され、
さらに、前記スチルピクチヤセツト（ＳＰＳ）が前記オ−デイオデ−タに関するスチルピクチヤデ−タを含む第３のパツクを有し、
前記簡易オ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）が前記第１、第２のオ−デイオタイトルの頭出しを行うためのデ−タが格納されたＴＯＣテーブル（ＳＡＰＰ）を有してなる、
デ−タ構造にフオ−マツト化されて、記録するステツプと、
からなるエンコ−ド方法。
２）請求項１に記載のエンコ−ド方法により記録された信号の再生装置であつて、
前記第１〜第（ｎ−１）番目のオリジナル楽曲のグル−プのオ−デイオデ−タを無条件に再生する再生手段と、
前記第ｎ番目のボ−ナス楽曲のグル−プにアクセスするためのインタラクテイブデ−タが供給された場合に、前記第ｎ番目のボ−ナス楽曲のグル−プのオ−デイオデ−タを再生許可する再生許可手段と、
前記記録されたスチルピクチヤデ−タを分離してデコ−ドするスチルピクチヤ・デコ−ド手段と、
前記再生時に少なくとも前記簡易オ−デイオマネ−ジヤ（ＳＡＭＧ）のＴＯＣテ−ブル（ＳＡＰＰ）に従つて前記第１、第２のオ−デイオタイトルを頭出し制御する手段と、
前記スチルピクチヤ・デコ−ド手段で取り出されたスチルピクチヤデ−タを、前記オリジナル楽曲またはボ−ナス楽曲のオ−デイオデ−タと同期制御して出力する出力手段とを、
有する再生装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センシングされる複数状態のメモリセル（ＲＭ）の両端に印加された読み取り電圧に応答して、抵抗性メモリアレイ（30）の前記メモリセル（ＲＭ）のデータを読み取るためのセンス増幅器（38）であって、
（ａ）第１と第２の入力ノード（74、75）を備えた差動増幅器（Q5、Q6）と、
（ｂ）印加された読み取り電圧で前記メモリセルの電流を決定し、前記メモリセル電流を表すセンス電流を前記差動増幅器（Q5、Q6）の第１の入力ノード（74）に加えるためのセンス回路（A1、Q1、Q2）と、及び
（ｃ）前記差動増幅器（Q5、Q6）の前記第２の入力ノード（75）に平均基準電流を加えるための第１と第２の抵抗素子（ＲＨ、ＲＬ）を備える基準回路（A2、Q3、Q4）とを含み、前記基準電流が、前記メモリセル（ＲＭ）の状態を判定するために前記センス電流と比較される値を提供する、センス増幅器（38）。
【請求項２】
前記第１の抵抗素子（ＲＨ）が、前記メモリセル（ＲＭ）の第１の状態を表す第１の抵抗を有し、前記第２の抵抗素子（ＲＬ）が、前記メモリセル（ＲＭ）の第２の状態を表す第２の抵抗を有する、請求項１に記載のセンス増幅器。
【請求項３】
前記基準回路（A2、Q3、Q4）が、前記第１及び第２の抵抗素子（ＲＨ、ＲＬ）を通る電流の平均として基準電流を発生するための平均回路である、請求項１に記載のセンス増幅器。
【請求項４】
前記平均回路が、前記第１及び第２の抵抗素子（ＲＨ、ＲＬ）を通る電流を合計して合計電流を提供し、その合計電流を２分割して、前記平均電流を得るための平均要素（A2、Q3、Q4）を含む、請求項３に記載のセンス増幅器。
【請求項５】
前記差動増幅器（Q5、Q6）が、前記第１の入力ノード（74）に結合されたミラートランジスタ（Q5）、及び前記第２の入力ノード（75）に結合された基準トランジスタ（Q6）を備える電流ミラーセンシング回路を含む、請求項４に記載のセンス増幅器。
【請求項６】
前記差動増幅器（Q5、Q6）の前記第１及び第２の入力ノード（74、75）における信号を比較して、前記センシングされるメモリセル（ＲＭ）の状態を示す出力（Ｖ０）を提供するためのコンパレータ（76）をさらに含む、請求項５に記載のセンス増幅器。
【請求項７】
前記差動増幅器の前記第１のノード（74）に前記センス電流を加えるための第１の変換トランジスタ（Q2）と、前記差動増幅器の前記第２のノード（75）に前記基準電流を加えるための第２の変換トランジスタ（Q4）とをさらに含む、請求項１に記載のセンス増幅器。
【請求項８】
差動増幅器を利用して、抵抗性メモリアレイのセンシングされる複数状態のメモリセルのデータを読み取る方法であって、
（ａ）印加される読み取り電圧を利用して、前記メモリセルに電流を発生させるステップと、
（ｂ）前記差動増幅器の前記第１の入力ノードに、前記メモリセル電流の電流を表すセンス電流を加えるステップと、
（ｃ）第１と第２の抵抗素子を備えた基準回路を利用して、基準電流を発生させるステップと、及び
（ｄ）前記差動増幅器の前記第２の入力ノードに前記基準電流を加えるステップとからなり、前記基準電流が、前記メモリセルの状態を判定するために前記センス電流と比較される値を提供する、方法。
【請求項９】
前記基準電流が、（ａ）前記メモリセルの第１の状態を表す抵抗を有する第１の基準エレメントの両端に読み取り電圧を印加することによって、第１の基準電流を発生させ、（ｂ）前記メモリセルの第２の状態を表す抵抗を有する第２の基準エレメントの両端に読み取り電圧を印加することによって、第２の基準電流を発生させ、及び（ｃ）前記第１及び第２の基準電流から平均電流を発生させ、差動増幅器の前記第２の入力ノードに前記平均電流を加えることによって、発生する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記差動増幅器の前記第１のノードに、前記センス電流を表す第１の電圧を発生させるステップと、前記第２のノードに、前記基準電流を表す第２の電圧を発生させるステップと、前記差動増幅器の前記第１と第２の入力ノードにおける前記第１と第２の電圧を比較して、前記センシングされるメモリセルの状態を示す出力を提供するステップとをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
一般的には、データ記憶を実行するための正規のＭＴＪメモリセルとは別に、メモリセル電流Ｉｃｅｌｌと比較される基準電流を生成するためのリファレンスセルが設けられる。リファレンスセルによって生成される基準電流は、ＭＴＪメモリセルの２種類の電気抵抗ＲｍａｘおよびＲｍｉｎにそれぞれ対応する２種類のメモリセル電流Ｉｃｅｌｌの中間値となるように設計される。基本的に、これらのリファレンスセルは、正規のＭＴＪメモリセルと同様に設計および作製される。すなわち、リファレンスセルも、磁気トンネル接合部を有するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲを含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
したがって、各行ドライバ８０において、データ書込時には、トランジスタスイッチ８２がターンオンするとともにトランジスタスイッチ８４がターンオフし、データ読出時にはトランジスタスイッチ８４がターンオンするとともにトランジスタスイッチ８２がターンオフする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
トランジスタスイッチ９０は、制御信号ＲＥの反転信号／ＲＥをゲートに受けて、ワード線ＷＬと接地電圧ＧＮＤとの間に電気的に結合される。トランジスタスイッチ９２は、電源電圧Ｖｃｃと結合されたゲートを有し、ライトディジット線ＷＤＬと接地電圧ＧＮＤとの間に電気的に結合される。図２の構成例においては、トランジスタスイッチ８２，８４，９０，９２の各々は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタで構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
データ読出時においては、トランジスタスイッチ９０によって、各ワード線ＷＬは接地電圧ＧＮＤと切離される。さらに、トランジスタスイッチ８４は、制御信号ＲＥに応答してターンオンして、ノードＮｄの電圧、すなわち対応するメモリセル行のデコード信号Ｒｄに応じて、対応するワード線ＷＬを活性化する。活性化されたワード線ＷＬは、Ｈレベル（電源電圧Ｖｃｃ）に設定されたノードＮｄと接続される。これに応答して、選択行に対応するアクセストランジスタＡＴＲがターンオンして、ビット線ＢＬおよびソース線ＳＬの間に、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲが電気的に結合される。このようにして、メモリアレイ１０における行選択動作が実行される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
したがって、対応するライトディジット線ＷＤＬが活性化されてデータ書込電流Ｉｐが流される。また、選択列のビット線においては、このようなデータ（“０”）を書込むためのデータ書込電流−Ｉｗが、ライトドライバＷＤＶｂからＷＤＶａに向かう方向に選択列のビット線上を流される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
これにより、所定読出動作２の終了時において、電圧保持キャパシタ１１１〜１１３によって、ノードＮ１には選択メモリセルの記憶データに対応した電圧が保持され、ノードＮ２には選択メモリセルから“１”データを読出したときのデータ線電圧が保持され、ノードＮ３には選択メモリセルから“０”データを読出したときのデータ線電圧が保持される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
したがって、ビット線電流Ｉ（ＢＬ）が、自由磁化層ＶＬの磁化方向を反転させるためのしきい値を超えると、自由磁化層ＶＬの磁化方向が反転されて、メモリセル抵抗Ｒｃｅｌｌが変化する。図１２においては、プラス方向のビット線電流Ｉ（ＢＬ）がしきい値を超えて流された場合にはメモリセル抵抗Ｒｃｅｌｌが最大値Ｒｍａｘとなり、マイナス方向のビット線電流Ｉ（ＢＬ）がしきい値を超えて流された場合には、メモリセル抵抗Ｒｃｅｌｌが最小値Ｒｍｉｎとなる。このようなビット線電流Ｉ（ＢＬ）のしきい値は、ライトディジット線ＷＤＬを流れる電流Ｉ（ＷＤＬ）によって異なる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５６】
実施の形態２に従う１回のデータ読出動作は、実施の形態１における初期データ読出動作に相当する第１の読出動作と、選択行のライトディジット線ＷＤＬにバイアス電流を流した状態で実行される第２の読出動作とから構成される。特に、データ書込時にライトディジット線ＷＤＬを流されるデータ書込電流Ｉｐを当該バイアス電流としても用いることができる。この場合には、データ読出時にバイアス電流を供給するための回路を新たに配置する必要がないので、回路構成を簡略化できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７３】
さらに、データ読出動作における選択メモリセルへのデータ再書込動作が不要となるので、実施の形態１に従うデータ読出動作よりも高速化が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射装置、特にマイクロリソグラフ映写露光システムのための照射装置のためのズームシステムであって、
光軸（３）に沿って配置され、対象面（６）とイメージ面（８）を定める複数のレンズを有し、
これらのレンズ（３１，３２）のうちの少なくとも１つが可動レンズであり、これがイメージ面（８）にある照射領域のサイズを変更可能にするために光軸（３）に沿って移動可能であり、
イメージ面（８）にある照射領域の最大サイズとその領域の最小サイズの比（膨張係数）Ｄが４よりも大きいものであり、
ズームシステム（７）が中間のイメージ面を有しないことを特徴とするズームシステム。
【請求項２】
比Ｄが５以上であることを特徴とする請求項１に記載のズームシステム。
【請求項３】
イメージ面（８）が対象面（６）のフーリエ変換（焦点距離ズーム）であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のズームシステム。
【請求項４】
可動レンズ（３１，３２）の少なくとも１つの最大移動範囲が、ズームシステム（７）の全長の約２０％よりも大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のズームシステム。
【請求項５】
少なくとも１つの光学エレメント（３０）が対象面（６）の付近に配置され、そこで対象面（６）とこの光学エレメント／これらの光学エレメント（３０）との間の距離が、ズームシステムの全長の好ましくは１５％未満であり、特に１０％未満であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のズームシステム。
【請求項６】
可動レンズ（３１，３２）のうちの少なくとも１つの移動範囲が、ズームシステムの全長の１０％未満であり、特に５％未満である対象面（６）からの距離で終了することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のズームシステム。
【請求項７】
軸方向に固定されたレンズ（３０，３４，３５，３７，３８）及び軸方向に可動なレンズ（３１，３２）を有し、可動レンズの全数が固定レンズの全数よりも少ないことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のズームシステム。
【請求項８】
正確に２つの可動レンズ（３１，３２）を有し、及び／又は全ての可動レンズがシングレットレンズ（３１，３２）であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のズームシステム。
【請求項９】
全ての可動レンズ（３１，３２）が、ズームシステムの対象端半分内に配置され、及び／又は可動レンズの間の距離がどのズーム位置における最大移動範囲の約５０％よりも小さいことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のズームシステム。
【請求項１０】
第１可動レンズ（３１）と少なくとも第２可動レンズ（３２）が設けられていて、異なるズーム位置の間でスイッチするときにこれらが異なる移動カーブに沿って移動可能であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のズームシステム。
【請求項１１】
ズームシステムのイメージ端がテレセントリックであり及び／又はズームシステムがビグネッティングなしで大きく作用することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のズームシステム。
【請求項１２】
１６よりも少ない光学表面が対象面（６）とイメージ面（８）の間に設けられ、ズームシステムが好ましくはちょうど１４の光学表面を有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のズームシステム。
【請求項１３】
光学表面に入射する放射線の最大入射角度が４５°未満、特に４０°未満であり、最大入射角度が好ましくは約３７°であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載のズームシステム。
【請求項１４】
マイクロリソグラフ映写露光システムのための照射システム（１）であって、照射システムにより供給される照射のコヒーレンスを変更するためのズームシステムを備えており、そのズームシステムが請求項１〜１３のいずれか１項に記載されているように構成されていることを特徴とする照射システム。
【請求項１５】
０．０２０≦ＮＡ≦０．０２７の範囲内になる開口数ＮＡをもたらす光学エレメント、特にグラチクル光学エレメント（５）が、対象面（６）の付近に配置されることを特徴とする請求項１４に記載の照射システム。