Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
立体内視鏡と、
立体内視鏡に接続され立体内視鏡による立体観察像を撮像する立体カメラと、
立体内視鏡及び立体カメラを支持する支持装置とから構成される立体観察システムにおいて、
前記立体内視鏡の挿入部と略平行な回転中心をもつ回転機構を備えることを特徴とする立体観察システム。
【請求項２】
前記回転機構は、回転時に前記回転軸に対して摩擦力を与え回転を規制する規制手段を備えてなる請求項１に記載の立体観察システム。
【請求項３】
前記支持装置は一つ又は複数の関節部と、
前記関節部を機械的にロックする係止手段とを備え、
前記係止手段によって前記関節部が機械的にロックされた場合においても、前記回転機構は回転可能なことを特徴とする請求項１に記載の立体観察システム。
【請求項４】
前記回転中心と前記立体内視鏡の挿入部とが略同軸に構成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の立体観察システム。
【請求項５】
前記回転機構が複数設けられたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の立体観察システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、立体内視鏡と、立体内視鏡に接続され立体内視鏡による立体観察像を撮像する立体カメラと、立体内視鏡及び立体カメラを支持する支持装置とから構成される立体観察システムにおいて、前記立体内視鏡の挿入部と略平行な回転中心をもつ回転機構を備えることを特徴とする立体観察システムである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４の発明は、前記回転中心と前記立体内視鏡の挿入部とが略同軸に構成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の立体観察システムである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
この状態で、図示しない表示装置により立体内視鏡４による観察像を立体観察しながら、図示しない処置具により手術を実施する。この時、立体カメラ８の左右の撮像素子間を立体内視鏡４の挿入部３の中心線Ｏ６に垂直な面内で結んだ直線と、術者の左右の眼を結んだ直線が略平行になっている状態が立体カメラ８の適正な姿勢である。ここで、立体カメラ８が上記適正な姿勢から著しく外れた場合には、術者は観察像を立体観察する際に平衡感覚のズレにより処置具の操作に違和感を覚えてしまう。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
そこで、立体カメラ８が適正な姿勢から外れた場合には、術者は違和感を感じない程度まで立体内視鏡４を挿入部３の中心線Ｏ６の軸回り方向に回転させる操作を行なうことになる。本実施の形態ではこの操作時には術者は電磁ブレーキ解除ボタン１７を操作せずに立体内視鏡４を把持して挿入部３の中心線Ｏ６の軸回り方向に立体カメラ８を回転させる操作を行なう。この時、ボールジョイント部１３には電磁ブレーキにより制動力が付与されているので、ボール軸２１は固定された状態である。そのため、立体カメラ８は、術者の回転操作により回転軸１８の軸回り方向に回転を開始する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
記  
（付記項１）  立体内視鏡と、立体内視鏡に接続され立体内視鏡による立体観察像を撮像する立体カメラと、立体内視鏡または立体カメラを支持する支持装置とから構成される立体観察システムにおいて、立体カメラまたは立体内視鏡または支持装置のいずれかの部分に立体内視鏡の挿入部と略平行な回転中心をもつ回転機構が設けられたことを特徴とする立体観察システム。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
（付記項２）  立体内視鏡と、立体内視鏡に接続され立体内視鏡による立体観察像を撮像する立体カメラと、立体内視鏡または立体カメラを支持し１つ以上の関節と前記１つ以上の関節が動かないように固定するための固定手段をもつ支持装置と、から構成される立体観察システムにおいて、立体カメラまたは立体内視鏡または支持装置のいずれかの部分に立体内視鏡の挿入部と略平行な回転中心を持ち前記１つ以上の関節が動かないように固定するための固定手段の作用とは無関係に回転可能な回転機構が設けられたことを特徴とする付記項１に記載の立体観察システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  超音波センサと、前記超音波センサを駆動する駆動回路と、前記超音波センサによる出力を検出する検出部を有し、前記超音波センサと生体の間に前記生体および前記超音波センサに対して密着性を有する密着材を設けた超音波診断装置において、
前記密着材の前記超音波センサとの接触面側の面に保護部材を設け、
前記超音波センサと前記保護部材との接触部位に前記保護部材に対し開口部を設けたことを特徴とする超音波診断装置。
【請求項２】  前記保護部材は前記密着材よりその面積が大きく、さらに前記密着材との接触面側が粘着性を有し、使用時に前記保護部材の一部が前記生体に対して貼り付けられ、前記密着材を前記生体に対して保持固定する構成であることを特徴とする請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項３】  前記保護部材は、可撓性を有する部材であることを特徴とする請求項１又は２に記載の超音波診断装置。
【請求項４】  前記保護部材は、導電性を有するゴム材であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の超音波診断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の元素：
９８．７５〜９９．６８重量％のＺｒＳｉＯ4、
０．０１〜０．１５重量％のＺｒＯ2、
０．２３〜０．５０重量％のＴｉＯ2、および
０．０８〜０．６０重量％のＦｅ2Ｏ3、
を含む組成を有するジルコン耐火材料。
【請求項２】
前記ＺｒＳｉＯ4が、０．２３〜０．５０重量％の前記ＴｉＯ2、および０．０８〜０．６０重量％の前記Ｆｅ2Ｏ3を勘定に入れずに、所定の量のＴｉＯ2およびＦｅ2Ｏ3を含むことを特徴とする請求項１記載のジルコン耐火材料。
【請求項３】
前記ジルコン耐火材料を製造するのに全てが用いられるＺｒＳｉＯ4、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2およびＦｅ2Ｏ3を含むバッチ材料に結合剤および分散剤が加えられ、焼結プロセス中に前記結合剤および前記分散剤が燃え尽きて前記ジルコン耐火材料が形成されたことを特徴とする請求項１記載のジルコン耐火材料。
【請求項４】
前記結合剤がポリエチレングリコールであることを特徴とする請求項３記載のジルコン耐火材料。
【請求項５】
前記分散剤が高分子電解質であることを特徴とする請求項３記載のジルコン耐火材料。
【請求項６】
前記分散剤がポリメタクリル酸アンモニウムと水であることを特徴とする請求項３記載のジルコン耐火材料。
【請求項７】
前記ジルコン耐火材料が以下の組成：
９８．７５〜９９．６５重量％のＺｒＳｉＯ4、
０．０２〜０．１５重量％のＺｒＯ2、
０．２３〜０．５０重量％のＴｉＯ2、および
０．１０〜０．６０重量％のＦｅ2Ｏ3、
を有することを特徴とする請求項１記載のジルコン耐火材料。
【請求項８】
前記ジルコン耐火材料が以下の組成：
９８．９５〜９９．５５重量％のＺｒＳｉＯ4、
０．０３〜０．１５重量％のＺｒＯ2、
０．３０〜０．４５重量％のＴｉＯ2、および
０．１２〜０．４５重量％のＦｅ2Ｏ3、
を有することを特徴とする請求項１記載のジルコン耐火材料。
【請求項９】
前記ジルコン耐火材料がガラス製造装置に用いられるものであることを特徴とする請求項１記載のジルコン耐火材料。
【請求項１０】
ジルコン耐火材料を製造する方法であって、
０．０１〜０．１５重量％のＺｒＯ2、
０．２３〜０．５０重量％のＴｉＯ2、
０．０８〜０．６０重量％のＦｅ2Ｏ3、および
残りの量のＺｒＳｉＯ4、
を含む複数のバッチ材料を混合し、
前記混合したバッチ材料を所定の形状に形成し、
前記形成された混合バッチ材料を焼成して、前記ジルコン耐火材料を形成する、
各工程を有してなることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記形成工程が、
前記混合されたバッチ材料を噴霧乾燥し、
前記噴霧乾燥されたバッチ材料を加圧成形して、前記形成された混合バッチ材料を形成する、
各工程を含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記ＺｒＳｉＯ4が、配合された０．２３〜０．５０重量％の前記ＴｉＯ2、および０．０８〜０．６０重量％の前記Ｆｅ2Ｏ3を勘定に入れずに、所定の量のＴｉＯ2およびＦｅ2Ｏ3を含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記ジルコン耐火材料を製造するのに全てが用いられるＺｒＳｉＯ4、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2およびＦｅ2Ｏ3を含むバッチ材料に結合剤および分散剤を加え、
焼結プロセス中に前記結合剤および前記分散剤を燃え尽きさせて前記ジルコン耐火材料を形成することを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記結合剤がポリエチレングリコールであることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記分散剤が高分子電解質であることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記分散剤がポリメタクリル酸アンモニウムと水であることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
前記ジルコン耐火材料が以下の組成：
０．０２〜０．１５重量％のＺｒＯ2、
０．２３〜０．５０重量％のＴｉＯ2、
０．１０〜０．６０重量％のＦｅ2Ｏ3、および
残りの量のＺｒＳｉＯ4、
を有することを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１８】
前記ジルコン耐火材料が以下の組成：
０．０３〜０．１５重量％のＺｒＯ2、
０．３０〜０．４５重量％のＴｉＯ2、
０．１２〜０．４５重量％のＦｅ2Ｏ3、および
残りの量のＺｒＳｉＯ4、
を有することを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１９】
前記ジルコン耐火材料がガラス製造装置に用いられることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項２０】
ガラス製造装置であって、
バッチ材料を溶融するための少なくとも一つの容器、および
前記溶融されたバッチ材料を受け入れ、ガラスシートを形成するための成形容器、
を備え、前記成形容器の少なくとも一部が、以下の元素：
０．０１〜０．１５重量％のＺｒＯ2、
０．２３〜０．５０重量％のＴｉＯ2、
０．０８〜０．６０重量％のＦｅ2Ｏ3、および
残りの量のＺｒＳｉＯ4、
を含む組成を有するジルコン耐火材料から製造されていることを特徴とするガラス製造装置。
【請求項２１】
前記少なくとも一つの容器が、溶融、清澄、混合または供給容器を含むことを特徴とする請求項２０記載のガラス製造装置。
【請求項２２】
前記ＺｒＳｉＯ4が、配合された０．２３〜０．５０重量％の前記ＴｉＯ2、および０．０８〜０．６０重量％の前記Ｆｅ2Ｏ3を勘定に入れずに、所定の量のＴｉＯ2およびＦｅ2Ｏ3を含むことを特徴とする請求項２０記載のガラス製造装置。
【請求項２３】
前記ジルコン耐火材料を製造するのに全てが用いられるＺｒＳｉＯ4、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2およびＦｅ2Ｏ3を含むバッチ材料に結合剤および分散剤が加えられ、焼結プロセス中に前記結合剤および前記分散剤が燃え尽きて前記ジルコン耐火材料が形成されることを特徴とする請求項２０記載のガラス製造装置。
【請求項２４】
前記結合剤がポリエチレングリコールであることを特徴とする請求項２３記載のガラス製造装置。
【請求項２５】
前記分散剤が高分子電解質であることを特徴とする請求項２３記載のガラス製造装置。
【請求項２６】
前記分散剤がポリメタクリル酸アンモニウムと水であることを特徴とする請求項２３記載のガラス製造装置。
【請求項２７】
前記ジルコン耐火材料が以下の組成：
０．０２〜０．１５重量％のＺｒＯ2、
０．２３〜０．５０重量％のＴｉＯ2、
０．１０〜０．６０重量％のＦｅ2Ｏ3、および
残りの量のＺｒＳｉＯ4、
を有することを特徴とする請求項２０記載のガラス製造装置。
【請求項２８】
前記ジルコン耐火材料が以下の組成：
０．０３〜０．１５重量％のＺｒＯ2、
０．３０〜０．４５重量％のＴｉＯ2、
０．１２〜０．４５重量％のＦｅ2Ｏ3、および
残りの量のＺｒＳｉＯ4、
を有することを特徴とする請求項２０記載のガラス製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部竿内に軸受を介して回転自在に保持された水平軸と、前記水平軸上に一定の間隔で固定に設けられた一対の昇降歯車と、前記昇降歯車に巻き掛けられてその後方側を水平遮蔽羽の対応する位置に穿たれた帯孔を貫通して移動竿の対応位置に結合されその前方側を水平遮蔽羽の表側に垂下された一対の刻み目付竿帯と、前記一対の昇降歯車とそれに巻き掛けられる刻み目付竿帯の少なくとも一つを操作側昇降歯車と操作側竿帯となし前記操作側竿帯の後側の前記操作側昇降歯車の下部の空間内で止め片保持手段に一定範囲で上下前後に移動可能に保持されその前部側に対面する前記操作側昇降歯車の歯面と前記操作側竿帯の刻み目の少なくとも一つと噛合い可能な歯面部を備え前記操作側竿帯の操作で前記対面する歯面と噛み外れする止め片の竿降下止め手段を有し、前記操作側竿帯の操作で移動竿の移動と保持を行うことを特徴とする水平遮蔽羽ブラインドの竿移動保持装置。
【請求項２】
竿降下止め手段が操作側昇降歯車の下部に上部竿側に止め片保持手段により一定範囲で上下に移動可能に保持され、その前部側に対面する前記操作側昇降歯車の下側と噛合い可能な止め歯面部を備える止め片を有することを特徴とする請求項１記載の水平遮蔽羽ブラインドの竿移動保持装置。
【請求項３】
竿降下止め手段が操作側昇降歯車の下部に上部竿側に止め片保持手段により一定範囲で斜め前後に移動可能に保持されその前部側の前側面に対面する操作側竿帯の刻み目と噛合い可能な止め掛け歯面部を備える止め片と、前記操作側竿帯の前面側を斜め前方に傾斜して下がった前壁面を有することを特徴とする請求項１記載の水平遮蔽羽ブラインドの竿移動保持装置。
【請求項４】
竿降下止め手段が操作側昇降歯車の下部に上部竿側に止め片保持手段により一定範囲で上下に移動可能に保持されその前部側の上側面に対面する前記操作側昇降歯車の下側と噛合い可能な止め歯面と、その前側面に対面する操作側竿帯の刻み目と噛合い可能で操作側昇降歯車の前側の歯面より幾分前へ出っ張る止め掛け歯面部を備える止め片を有することを特徴とする請求項１記載の水平遮蔽羽ブラインドの竿移動保持装置。
【請求項５】
竿降下止め手段が止め片の前部側の前側面に対面する操作側竿帯の刻み目と噛合い可能な止め掛け歯面部の止め掛け手段部を備えることを特徴とする請求項１記載の水平遮蔽羽ブラインドの竿移動保持装置。
【請求項６】
竿降下止め手段が止め片の前側部分より操作側竿帯を越えて前方に突出し前記操作側竿帯の前方位置を横方向へ伸びる止め掛けアーム部の止め掛け手段部を備えることを特徴とする請求項１記載の水平遮蔽羽ブラインドの竿移動保持装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィールド上の模型走行体を磁力により牽引するキャリアと、前記キャリアの位置を検出する位置検出部材と、前記キャリアの走行を制御する制御手段とを有し、前記キャリアの現在の位置を検出しながら、予め定められたレース展開に基づいて、前記模型走行体を走行させて競争を行う競争ゲーム装置であって、
前記位置検出部材は、所定の分割線において複数の部材に分割可能に構成され、
前記複数の部材は、それぞれ、検出領域に対応して延在する複数の線材を有しており、
前記所定の分割線において、前記複数の部材の前記複数の線材を接続する接続手段を更に有する
ことを特徴とする競争ゲーム装置。
【請求項２】
前記フィールド上の前記走行体の走行路に沿った設置された複数の音発生手段と、
前記各音発生手段の設置位置と前記走行体の位置に基づいて、前記各音発生手段から発生させる前記模型走行体の走行音を制御する音発生制御手段と
を有することを特徴とする請求項１記載の競争ゲーム装置。
【請求項３】
前記フィールドの下面又は側方から光を出力する発光手段と、
前記模型走行体の位置に基づいて、前記発光手段による光の出力を制御する手段と
を有することを特徴とする請求項１又は２記載の競争ゲーム装置。
【請求項４】
上方から前記フィールドに向けて光を照射する光照射手段と、
前記模型走行体の位置に応じて、前記光照射手段による光の照射を制御する手段と
を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の競争ゲーム装置。
【請求項５】
上方から前記フィールドに向けて、前記模型走行体をスポット状に照射する光照射手段と、
前記光照射手段が光を照射する方向を自在に変更する駆動装置と、
前記模型走行体の位置に基づいて前記駆動装置を駆動させて、前記模型走行体を追跡するように前記光照射手段の照射方向を制御する手段と
を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の競争ゲーム装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列電源システムにおいて、
複数の電源モジュールであって、各々が、
入力及び出力と、
入力からの電力を出力に供給する電力コンバータと、
フィードバック回路に応答して、入力から出力に供給される電力の量を制御するコントローラと、
出力におけるモジュール出力電流を感知するモジュール電流感知回路と、
モジュール電流感知回路によって感知されたモジュール出力電流に応答して、フィードバック回路における電圧を調整するマイクロプロセッサとを備えている電源モジュールと、
複数の電源モジュールそれぞれのマイクロプロセッサの相互間の通信を可能にする通信リンクと
を備えることを特徴とする並列電源システム。
【請求項２】
請求項１記載の並列電源システムにおいて、該システムはさらに、電源モジュールそれぞれに対するソケットを有するバックプレーンを備えており、該ソケットは、電源モジュールそれぞれに対して、一意的なアドレスを確立するアドレス・ピンを有することを特徴とする並列電源システム。
【請求項３】
請求項２記載の並列電源システムにおいて、複数の電源モジュール中の１つの電源モジュールのマイクロプロセッサが、これら電源モジュールのマイクロプロセッサの相互間の通信に基づき、マスタとして選択されていることを特徴とする並列電源システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月2日(2004.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
モノラル信号から多チャネル信号を発生する方法において、前記モノラル信号の成分が、前記モノラル信号のスペクトルの濾波及び／又は周波数重み付けにより、及び／又は、前記モノラル信号からの反響生成により、前記多チャネル信号のチャンネルに、前記チャネルのそれぞれが前記モノラル信号とは異なる信号を含むよう、割当てられる方法であって、
−前記モノラル信号の前記スペクトルは、前記濾波、周波数重み付け、及び／又は反響生成の前に、少なくとも２つの信号に、異なる様式に従ってスプリットされ、前記異なる様式は、前記周波数スペクトルを、特定の聴覚周波数感度に整合される周波数帯域にスプリットする様式を少なくとも含み、
−前記濾波、周波数重み付け、及び／又は反響生成は、前記少なくとも２つの信号のそれぞれに対して別々に実行され、
−前記少なくとも２つの信号のそれぞれに対してこのように形成された出力信号は、組合せにより、前記多チャネル信号の異なる型の出力信号を形成するために使用され、
前記モノラル信号は、前記少なくとも２つの信号にスプリットされる前に補償フィルタを通過し、
前記補償フィルタは、前記下流の信号処理段階の特性に整合されることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
モノラル信号から多チャネル信号を発生する装置において、前記モノラル信号の成分が、前記多チャネル信号のチャネルに、前記チャネルのそれぞれが前記モノラル信号とは異なる信号を含むよう、割当てられる装置であって、
−異なる様式に従って少なくとも２つの信号を発生するために前記モノラル信号のスペクトルを用いる第一の手段と、
−前記少なくとも２つの信号のそれぞれに対する少なくとも２つの出力信号を発生させるために、濾波、周波数重み付け、及び／又は反響生成を用いる第二の手段と、
−前記少なくとも２つの信号のそれぞれに対してこのように形成された出力信号を用い、組合せにより、前記多チャンネル信号の異なる型の出力信号を形成する第三の手段と、
が設けられ、
前記異なる様式は、前記周波数スペクトルを、特定の聴覚周波数感度に整合される周波数帯域にスプリットする様式を少なくとも含み、
前記モノラル信号は、前記少なくとも２つの信号にスプリットされる前に補償フィルタを通過し、
前記補償フィルタは、前記下流の信号処理段階の特性に整合される装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a) 容器内に垂直に配置された１群の基板を含むことができる単一のコーティング容器であって、それぞれの基板に対して独立したコンパートメントを画成する容器壁を有しないものと、
(b) 前記容器内に収容され、感光性材料に使用される材料を含有し、蒸気を発生する溶媒を含むコーティング溶液と、
(c) 前記溶液表面に隣接する空気中の前記１群の基板と対向する溶媒蒸気濃度の相違を最小化し、これによって基板のコーティングの均一性を改善するようになった溶媒蒸気均一化制御装置を備えたディップコーティング装置。
【請求項２】
さらに、溶液排除装置を有しており、該溶液排除装置が複数のコンパートメントを画定するインサートを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱データに応じた通電時間で通電され、この通電時間に比例した熱エネルギーを発生する発熱素子を備えたサーマルヘッドで熱記録を行うサーマルプリント方法において、
前記発熱データを前記発熱素子の通電時間を表す時間データに変換し、この変換で得られる時間データに対して画像処理を行い、さらにこの画像処理で得られる補正時間データをこの補正時間データに表される通電時間に相当する補正発熱データに変換して、この補正発熱データを用いて前記発熱素子を通電することを特徴とするサーマルプリント方法。
【請求項２】
前記各発熱素子は、ドットを記録する際にバイアスデータを用いたバイアス加熱と画像データを用いた階調加熱とを行うようにされ、前記発熱データはバイアスデータと画像データであることを特徴とする請求項１記載のサーマルプリント方法。
【請求項３】
前記各発熱素子は、ドットを記録する際にバイアスデータに応じた一定なバイアス用通電時間で通電されるバイアス加熱と画像データに応じた階調用通電時間で通電される階調加熱とを行うようにされ、前記発熱データは、画像データであり、この画像データが変換される時間データは、前記バイアス用通電時間と画像データに応じた階調用通電時間とを合計した合計通電時間を表した合計時間データであって、この合計時間データに対して画像処理を行った補正合計時間データをこの補正合計時間データに表される通電時間と前記バイアス用通電時間との差に相当する補正画像データに変換し、階調加熱時には前記補正画像データを用いて前記発熱素子を通電することを特徴とする請求項１記載のサーマルプリント方法。
【請求項４】
発熱データに応じた通電時間で通電され、この通電時間に比例した熱エネルギーを発生する発熱素子を備えたサーマルヘッドで熱記録を行うサーマルプリンタにおいて、
発熱データが入力されることにより、その入力された発熱データに応じた前記発熱素子の通電時間を表す時間データを出力する第１のルックアップテーブルと、この第１のルックアップテーブルからの時間データに対してサーマルヘッドに起因する補正処理を行い、補正された通電時間を表す補正時間データを出力する補正手段と、この補正手段からの補正時間データが入力されることにより、その入力された補正時間データに表される通電時間に相当する補正発熱データを出力する第２のルックアップテーブルとを備え、前記補正発熱データを用いて前記発熱素子を通電することを特徴とするサーマルプリンタ。
【請求項５】
通電時間に比例した熱エネルギーを発生する発熱素子を備えたサーマルヘッドでバイアス加熱と階調加熱とを行うとともに、バイアス加熱時には一定なバイアス用通電時間で発熱素子を通電し、階調加熱時には画像データに応じた階調用通電時間で発熱素子を通電することにより、画像データに応じた濃度で感熱記録紙を発色記録するサーマルプリンタにおいて、
画像データが入力されることにより、前記一定なバイアス用通電時間及び入力された画像データに応じた階調用通電時間との合計通電時間を表す合計時間データを出力する第１のルックアップテーブルと、この第１のルックアップテーブルからの合計時間データに対してサーマルヘッドに起因する補正処理を行い、補正された通電時間を表す補正合計時間データを出力する補正手段と、この補正手段からの補正合計時間データが入力されることにより、その入力された補正合計時間データに表される通電時間と前記一定なバイアス用通電時間との差に相当する補正画像データを出力する第２のルックアップテーブルとを備え、階調加熱時には、前記補正画像データを用いて前記発熱素子を通電することを特徴とするサーマルプリンタ。
【請求項６】
発熱データに応じた通電時間で通電され、この通電時間に比例した熱エネルギーを発生する発熱素子を備えた記録ヘッドにおいて、
前記発熱データを前記発熱素子の通電時間を表す時間データに変換し、この変換で得られる時間データに対して画像処理を行い、さらにこの画像処理で得られる補正時間データをこの補正時間データに表される通電時間に相当する補正発熱データに変換して、この補正発熱データを用いて前記発熱素子を通電することを特徴とする記録ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月13日(2004.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
酵母物質が、サッカロミケス属(Saccharonyces)又はクロイベロミケス属(Kluyveromyces)の酵母から誘導される、請求項１乃至４のいずれ１請求項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本願発明は、4.5乃至9.0のｐＨで、食品級酵母物質を70乃至100℃の温度に加熱し、その温度で8時間乃至2分間維持するか又は、酵母物質を100乃至200℃の温度に加熱し、その温度で1時間乃至5秒間維持することを含む、乳化剤として有用なマンノ蛋白質を得る方法を提供する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本願発明による方法により得られるマンノ蛋白質は、好ましくは２：１乃至１：10の、より好ましくは1.5：１乃至１：２、特に好ましくはおよそ１：１の炭水化物：蛋白質の比を有する。特定の仮定により、平均分子量の概算がＦＰＬＣデーターから得られる。行なわれたＦＰＬＣ法では、１cmの直径を有するSuperose 12(Pharmaciaから入手)カラムを用い、溶離液としてｐＨ５の酢酸塩緩衝液50mMを用いる。マンノ蛋白質の溶離速度は、0.7ml／分であり、マンノ蛋白質の溶離時間は、約14乃至20分間であることが見出だされた。このことは、平均分子量が15乃至45kDkの範囲であることを示している。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
実施例５
実施例１で得られたマンノ蛋白質物質を、シャンディータイプの飲料における泡を安定化させるための伝統的な乳化剤であるプロピレングリコールアルギネートと比較した。各々の生成物50ppmを飲料の試料に添加し、その試料を乳化剤を添加しない試料と、上記のように(30mlの、泡のつぶれに要する時間)、ＮＩＢＥＭ試験機で比べた。その結果を下記の表に示し、ＮＩＢＥＭ値を秒で表わした。
1998000098.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  半導体素子と回路パターンとの接続は、ワイヤボンディング接続により行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
半導体素子と導体パターンとの接続は、ワイヤボンディング接続により行うことを特徴とする。或いはまた、半導体素子と導体パターンとの接続は、フリップチップ接続により行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
６…半導体素子
７…ボンディングワイヤ
８…モールド樹脂
９…ソルダレジスト層
１０…半田パンプ
１２…トリム位置
２１…銅箔（導体パターン）
２２、２３…ソルダレジスト層
２４、２５…めっき層
２６…支持部材
２７…接着剤
３１…剥離層
３２…キャリアテープ
３４…樹脂（アンダフィル材）
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図３および図４から分かるように、ラッチ回路がオフ状態のときには、Ｐ-型の半導体基板１およびＰ型不純物拡散領域４，６，１１，１２，１６，１９，２２，２５それぞれから空乏層が延びることにより、Ｎ-型エピタキシャル層２が完全に空乏化されている。したがって、Ｎ-型エピタキシャル層２の表面電界は緩和されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、Ｐ-型の半導体基板１側から延びる空乏層は、Ｐ型不純物拡散領域４，６，１１，１２，１６，１９，２２，２５には達しない。このような作用は、ＤＯＵＢＬＥ  ＲＥＳＵＲＦと呼ばれる表面電界を緩和する構造に付随した作用であり、特開平１０−４１４３号公報に記載されている。表面電界を緩和するＤＯＵＢＬＥ  ＲＥＳＵＲＦ条件を満たせば、素子の耐圧は、半導体基板の主表面に垂直な方向の１次元耐圧となる。したがって、素子の耐圧は、Ｐ-型の半導体基板１とＮ-型エピタキシャル層２との間の耐圧により決定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
したがって、本実施の形態の半導体装置は、ソース電極Ｖdd１５の右側には、フィールドＰＭＯＳ２ではなく、フィールドＰチャネルＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar transistor）が形成されている。このフィールドＰチャネルＩＧＢＴでは、Ｐ+型不純物拡散領域１８とＮ+型不純物拡散領域２８との間に順バイアスが生じることにより、Ｎ+型不純物拡散領域２８をエミッタ電極とするＮＰＮトランジスタが機能する。それにより、ＮＰＮトランジスタにより、ｈＦＥ倍電流が増幅される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、フィールドＰチャネルＩＧＢＴのオン抵抗は十分に小さいため、図２に示すような出力用のＰＭＯＳ３を設ける必要はない。したがって、実施の形態１の半導体装置よりもさらに半導体基板１の主表面に平行な方向における素子形成領域の面積を小さくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
Ｎ+型不純物拡散領域１４の近傍には、Ｐ-型不純物拡散領域３１が形成されている。Ｐ-型不純物拡散領域３１に隣接してＰ+型不純物拡散領域３２が形成されている。また、Ｐ+型不純物拡散領域３２内にはＮ+型不純物拡散領域３３が形成されている。Ｐ+型不純物拡散領域３２とＮ+型不純物拡散領域３３との双方にドレイン電極Ｖout３８が接続されている。また、Ｐ+型不純物拡散領域３２の横側にＰ+型不純物拡散領域３２から所定の距離を隔ててＰ+型不純物拡散領域３４が形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上記のような本実施の形態の半導体装置によっても、ラッチ回路のハイサイドスイッチとしてのフィールドＰＭＯＳ２とＮＭＯＳ（N Channel Metal Oxide Semiconductor）４とにより、ソース電極Ｖdd１５に接続されたＰ+型不純物拡散領域１２、Ｎ+型不純物拡散領域１４およびＰ-型不純物拡散領域３１が共用されている。したがって、半導体基板１の主表面に平行な面における素子形成領域の面積を小さくすることができる。その結果、本実施の形態の半導体装置によっても半導体装置を微細化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の同軸ケーブルを同一平面上に平行に並べて保持してなるフラットケーブルであって、
前記同軸ケーブルが、直線状に延びる芯線、前記芯線を覆って設けられた内周側絶縁被覆、前記内周側絶縁被覆の外周を覆って設けられたシールド層、および、前記シールド層の外周を覆って設けられた外周側絶縁被覆から構成されるフラットケーブルにおいて、
前記同軸ケーブルの端部において、先端から第１の所定長さの範囲において前記外周側絶縁被覆および前記シールド層が剥がされて前記内周側絶縁被覆が露出して圧接部が形成されており、
前記圧接部の内端から所定幅を有するリング状の前記外周側被覆、および、前記圧接部の内端から第２の所定長さの範囲において先端側のリング状の前記外周側被覆を除いて前記外周側被覆が剥がされて前記シールド層が露出した接地接続部が形成されていることを特徴とするフラットケーブル。
【請求項２】
前記複数の同軸ケーブルがホールディングテープにより同一平面上に平行に並べて保持されてフラットケーブルが形成され、
前記同軸ケーブルの端部が前記ホールディングテープの端部より外方に突出しており、このように突出する前記同軸ケーブルの端部において前記圧接部および前記接地接続部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフラットケーブル。
【請求項３】
前記同軸ケーブルの先端から前記第１の所定長さの位置において、ＹＡＧレーザにより前記外周側絶縁被覆および前記シールド層を切断し、前記第１の所定長さの範囲に位置する前記外周側絶縁被覆および前記シールド層を引き抜いて前記内周側絶縁被覆を露出させて前記圧接部が形成され、
前記圧接部の内端から第２の所定長さの範囲において、先端側の所定幅の範囲を除く領域内にＣＯ2レーザを照射して前記外周側絶縁被覆を溶融除去して前記接地接続部が形成されることを特徴とする請求項１に記載のフラットケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような目的達成のため、本発明においては、直線状に延びる芯線、芯線を覆って設けられた内周側絶縁被覆、内周側絶縁被覆の外周を覆って設けられたシールド層、および、シールド層の外周を覆って設けられた外周側絶縁被覆から構成される同軸ケーブルを、複数本、同一平面上に平行に並べて保持してフラットケーブルが構成される。そして、このフラットケーブルにおける同軸ケーブルの端部において、先端からの第１の所定の長さの範囲において外周側絶縁被覆およびシールド層が剥がされて内周側絶縁被覆が露出して圧接部が形成されており、圧接部の内端から所定幅を有するリング状の外周側被覆、および、圧接部の内端から第２の所定長さの範囲において先端側のリング状の外周側被覆を除いて外周側被覆が剥がされてシールド層が露出した接地接続部が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
各同軸ケーブル２０の構造を図１（Ｂ）に示しており、複数本（ここでは７本）の極細電線を寄り合わせて作られた芯線２１の周囲に絶縁材料からなる内周側絶縁被覆２２を設け、この内周側絶縁被覆２２の外周に複数の極細電線を横巻きに設けてシールド層２３を設け、このシールド層２３の外周に絶縁材料からなる外周側絶縁被覆２４を設けて同軸ケーブル２０が構成されている。この同軸ケーブル２０は非常に細い径に作られており、例えば、芯線２１の外径が約０．１ｍｍ、全体の外径（外周側絶縁被覆２４の外径）が約０．３５mm程度に作られている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
圧接カバー１は、絶縁材料製のケーブル保持部材２と、ケーブル保持部材２の外面を覆って取り付けられた金属製のシールドカバー３とから構成される。ケーブル保持部材２には、それぞれ上記フラットケーブルＦＣの同軸ケーブル２０の配列ピッチと同一のピッチで並んだ、Ｕ字状に形成された複数のケーブル保持溝２ａ，２ｂが形成されている。ケーブル保持部材２には、さらに、圧接端子受容溝２ｃおよびグランド端子受容孔２ｄが図示のように形成されている。そして、フラットケーブルＦＣの各圧接部２２ａをこれらケーブル保持溝２ａ，２ｂ内に受容させて、図４に示すように、フラットケーブルＦＣの先端部が圧接カバー１に取り付けられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上述したように、フラットケーブルＦＣの各圧接部２２ａをケーブル保持溝２ａ，２ｂ内に受容させて圧接カバー１に取り付け、この圧接カバー１をコネクタ本体５に向かって矢印Ａの方向に押圧すると、圧接端子部８ａが圧接部２２ａの内周側絶縁被覆２２を切り裂きながら圧接部２２ａ内に食い込み、芯線２１が芯線受容溝８ｂ内に挿入されて芯線２１が対応するコンタクト８と電気接続される。同時に、グランド端子受容部７ａのシールド受容溝７ｂ内に接地接続部２３ａが受容保持され、シールド層２３がグランド板７と電気接続される。次に、矢印Ｂで示すようにシールドカバー３を押し込んで、その先端部３ａを接地接続部２３ａに当接させてこれを下方に押圧する。なお、このとき、圧接端子部８ａの先端は圧接端子受容溝２ｃ内に入り込み、グランド端子受容部７ａの先端はグランド端子受容孔２ｄ内に入り込む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、圧接部の内端から第２の所定長さの範囲において先端側に所定幅の外周側絶縁被覆を残して外周側絶縁被覆が剥がされて接地接続部が形成されており、接地接続部において露出するシールド層は先端側に所定幅を有したリング状の外周側絶縁被覆により保持されるので、シールド層を形成する多数の横巻き極細電線がバラバラにほぐれることがなく、フラットケーブルの先端にコネクタを圧接接続するとともにシールド層をグランド接続するときの接続信頼性が向上する。また、ＹＡＧレーザにより外周側絶縁被覆およびシールド層を切断し、ＣＯ2レーザを照射して外周側絶縁被覆を溶融除去して接地接続部が形成されるので、フラットケーブル先端部における各同軸ケーブルを曲げたり変形させたりするような外力が作用することがなく、これらが変形することなく、正確なピッチをそのまま維持することができる。このため、フラットケーブルの先端にコネクタを圧接接続する作業を精度良く行うことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明のフラットケーブルの製造方法と上述した特許文献１とを対比すると分かるように、本発明では加工工数が格段に少ない簡単な製造方法によりフラットケーブルを製造できる。さらに、特許文献１に示されているグランドバーを半田によりシールド層に固定するという工程が不要であり、半田を使わないため環境に優しい製造が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性高分子エレクトロクロミック材料を含む情報層と，
電極層と、
前記電極層への電圧印加によって前記情報層へ拡散するイオンを含む電解質層とを有することを特徴とする情報保持媒体。
【請求項２】
前記情報層は、ポーラロン状態またはバイポーラロン状態となることによって光吸収率が変化することを特徴とする請求項１記載の情報保持媒体。
【請求項３】
前記情報層、前記電極層、前記電解質層のセットが、複数あることを特徴とする請求項１記載の情報保持媒体。
【請求項４】
前記電極層は、１対の電極層であり、
前記１対の電極層は、前記情報層及び前記電解質層を挟むように構成されていることを特徴とする請求項１記載の情報保持媒体。
【請求項５】
前記電解質層の表面は凹凸構造を有し，
前記情報層の膜厚が、前記凹凸の凹部分で厚く，凸部分で薄いことを特徴とする請求項１記載の情報保持媒体。
【請求項６】
前記電解質層の表面は凹凸構造を有し，
前記情報層は、前記凹凸の凹部分では存在し，凸部分では分離されていることを特徴とする請求項１記載の情報保持媒体。
【請求項７】
前記情報層の表面は凹凸構造を有し，
前記電解質層の膜厚が上記凹凸の凹部分で厚く凸部分で薄いことを特徴とする請求項１記載の情報保持媒体。
【請求項８】
前記情報層の表面は凹凸構造を有し，
前記電解質層は、前記凹凸の凹部分で存在し、凸部分では分離されていることを特徴とする請求項１記載の情報保持媒体。
【請求項９】
導電性高分子エレクトロクロミック材料を含む情報層と，電極層と、イオンを含む電解質層を有する情報保持媒体を用い、
前記電極層に電圧を印加して、前記イオンを前記情報層へ拡散させ、
その後、前記媒体に光を照射して、情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
【請求項１０】
前記光照射された領域の光透過率は、光照射されていない領域と比較して、高い状態に保たれるように変化することによって情報の記録が行われることを特徴とする請求項９記載の情報記録方法。
【請求項１１】
前記情報保持媒体は、前記情報層と前記電極層と前記電解質層のセットを複数有し、
前記記録の際は、前記複数のセットのうちの所定のセットの電極層に電圧を印加した後、光を照射することを特徴とする請求項９記載の情報記録方法。
【請求項１２】
前記所定のセットの情報層の光透過率が，他のセットの情報層の光透過率よりも小さい状態で、前記所定のセットの情報層に記録を行うことを特徴とする請求項１１記載の情報記録方法。
【請求項１３】
導電性高分子エレクトロクロミック材料を含む情報層と，電極層と、イオンを含む電解質層を有する情報保持媒体の、前記電極層に電圧を印加する手段と、
前記電圧を印加した領域に、光を照射する光源と、
前記光源からの光の照射位置と前記情報保持媒体の位置を相対的に移動させる手段と、
前記照射された光の反射率または透過率を検出する手段とを、有することを特徴とする情報記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成され、希土類金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む酸化物からなるバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成された化合物半導体からなる発光部と、
を含み、
前記発光部は、
少なくとも下部クラッド層と、上部クラッド層と、前記下部クラッド層と前記上部クラッド層との間に配置される活性領域と、を含む、発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記化合物半導体は、ＩＩＩ族元素としてＧａ、Ｉｎ、およびＡｌの少なくともひとつを含み、かつＶ族元素としてＡｓ、ＮおよびＰの少なくとも１つを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である、発光素子。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記酸化物は、Ｚｒ、Ｋ、Ｔａ、およびＴｉの少なくとも一つを構成元素に含む３元系以上の複合酸化物である、発光素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記複合酸化物は、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、およびこれらの固溶体の少なくとも一つである、発光素子。
【請求項５】
請求項１又は２において、
前記酸化物は、ＳｒＺｒＯ３またはＢａＺｒＯ３であり、
前記クラッド層は、ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓからなり、
前記活性領域は、バリア層と井戸層とからなる量子井戸構造を有し、
前記バリア層は、ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓからなり、
前記井戸層は、ＧａＩｎＮＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰからなる、発光素子。
【請求項６】
請求項１又は２において、
前記酸化物は、ＢａＴｉＯ３であり、
前記クラッド層は、ＡｌＧａＡｓからなり、
前記活性領域は、バリア層と井戸層とからなる量子井戸構造を有し、
前記バリア層は、ＡｌＧａＡｓからなり、
前記井戸層は、ＧａＡｓからなる、発光素子。
【請求項７】
請求項１又は２において、
前記酸化物は、ＣａＺｒＯ３であり、
前記クラッド層は、ＧａＮＡｓからなり、
前記活性領域は、バリア層と井戸層とからなる量子井戸構造を有し、
前記バリア層は、ＧａＮＡｓからなり、
前記井戸層は、ＧａＩｎＮＡｓまたはＧａＮＡｓからなる、発光素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、
前記発光部は、
さらに、前記下部クラッド層の下に配置される下部ミラー層と、前記上部クラッド層の上に配置される上部ミラー層と、を含む、発光素子。
【請求項９】
シリコン基板上に希土類金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む酸化物からなるバッファ層を形成すること、
前記バッファ層の上に化合物半導体を結晶成長することにより下部クラッド層、活性領域、および上部クラッド層を順次積層して発光部を形成すること、
を含む、発光素子の製造方法。
【請求項１０】
シリコン基板上に希土類金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む酸化物からなるバッファ層を形成すること、
前記バッファ層の上に化合物半導体を結晶成長することにより下部ミラー層、下部クラッド層、活性領域、上部クラッド層、および上部ミラー層を順次積層して発光部を形成すること、
を含む、発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実施されたときに、コンピュータに情報の処理を行わせるコンピュータ可読命令を含むコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、前記命令は、
クライアントデバイスにおける入力を表すデータと、認識を行うために、前記入力を表すデータに使用する文法の指示とを、ネットワークを介して受信する受信ステップと、
レコグナイザとともに前記文法を使用して前記データを処理し、認識結果を得る処理ステップと、
前記入力を表すデータについての認識結果を表すデータを、前記ネットワーク上の遠隔位置に送信する送信ステップと
を備えたことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２】
前記指示は、前記文法の位置へのリファレンスを提供することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項３】
前記指示は、認識用の言語へのリファレンスを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項４】
前記レコグナイザは音声レコグナイザを含み、前記文法は音声認識に関連することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項５】
前記レコグナイザは手書きレコグナイザを含み、前記文法は手書き認識に関連することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項６】
前記レコグナイザはジェスチャレコグナイザを含み、前記文法はジェスチャ認識に関連することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項７】
前記レコグナイザは視覚レコグナイザを含み、前記文法は視覚認識に関連することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項８】
クライアント／サーバネットワークにおける音声認識の方法であって、
入力音声を表すデータと、認識を行うために、前記入力を表すデータに使用する文法の指示とを、ネットワークを介して受信する受信ステップと、
レコグナイザとともに前記文法を使用して前記データを処理し、認識結果を得る処理ステップと、
前記入力を表すデータについての前記認識結果を、前記ネットワーク上の遠隔位置に送信する送信ステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記指示は、前記文法の位置へのリファレンスを提供することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記指示は、認識用の言語へのリファレンスを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記遠隔位置にプロンプトを提供する提供ステップをさらに備えたことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
プロンプトを提供する提供ステップは、テキストデータを音声データに変換するステップと、該音声データを前記遠隔位置に提供するステップとを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
クライアント／サーバシステム中のクライアントデバイスで実行するためのマークアップ言語を有するコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記マークアップ言語は、非表示式、音声入力ベースのクライアントデバイス、およびマルチモーダルベースのクライアントにおける、認識関連イベント、ＧＵＩイベント、および電話イベントのうち少なくとも１つを、前記クライアントデバイスの各々と対話するウェブサーバのために、統一する命令を備えたことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１４】
前記マークアップ言語は、ＨＴＭＬ、ＸＨＴＭＬ、ｃＨＴＭＬ、ＸＭＬ、およびＷＭＬの１つを含むことを特徴とする請求項１３に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１５】
前記マークアップ言語は、スクリプティング言語を含むことを特徴とする請求項１３に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１６】
前記マークアップ言語は、同期化マルチメディアマークアップ言語を含むことを特徴とする請求項１３に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１７】
前記マークアップ言語はスクリプティングを模倣することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続し、かつ、コイン(c)が同時に相対するようコインの案内面(4)に沿って配置した第1コイル(c1)及び第3コイル(c3)と、コイン(c)が同時に前記２つのコイル(c1、c3)に相対したときの前記コイル(c1、c3)の出力レベルに基づいてコインの直径を判定する判定装置(mpu)と、を備えるコインセレクタの直径検出装置。
【請求項２】
前記案内面(4)に案内されるコイン(c)に全体が相対する第１コイル(c1)と、前記第１コイル(c1)の下流であって、前記案内面(4)に案内されるコイン(c)に一部が相対する第3コイル(c3)を含んでいる請求項１のコインセレクタの直径検出装置。
【請求項３】
前記第1コイル(c1)とコイン(c)とが第1最大相対面積(a1)になった後、前記第1コイル(c1)と前記第3コイル(c3)とコイン(c)との相対面積が前記第1最大相対面積(a1)よりも小さい合同最大相対面積(ap)になり、次に前記第3コイル(c3)とコイン(c)との相対面積が前記合同最大相対面積(ap)よりも大きい第2最大相対面積(a2)になるよう前記第1コイル(c1)と前記第3コイル(c3)とを配置した請求項2のコインセレクタの直径検出装置。
【請求項４】
前記第１コイル(c1)は材質センサ(s1)であり、前記第3コイル(c3)は直径センサ(s3)である請求項３のコインセレクタの直径検出装置。
【請求項５】
前記直径センサ(s3)からの出力に基づいてコイン(c)の真偽を判定する第1判定装置(st2)の出力及び前記材質センサ(s1)と前記直径センサ(s3)の出力に基づいてコイン(c)の直径の判定を行う第2判定装置(st4)とを有する請求項４のコインセレクタの直径検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、前記案内面に案内されるコインに全体が相対する第１コイルと、前記第１コイルの下流であって、前記案内面に案内されるコインに一部が相対する第3コイルを含んでいることが好ましい。