【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含む化合物半導体素子であって、
任意の第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の配位数が、１２ｘ＋１以上、１２ｘ＋２以下に規定されている
化合物半導体素子。
【請求項２】
所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含む化合物半導体素子であって、
任意の第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の距離と、前記第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接のガリウム原子との距離の差の絶対値が、０ｎｍ以上、０．００６ｎｍ以下に規定されている
化合物半導体素子。
【請求項３】
所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含む化合物半導体素子であって、
任意の第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の配位数が、１２ｘ＋１以上、１２ｘ＋２以下に規定されており、かつ、
前記第１のインジウム原子と前記第２のインジウム原子の距離と、前記第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接のガリウム原子との距離の差の絶対値が、０ｎｍ以上、０．００６ｎｍ以下に規定されている
化合物半導体素子。
【請求項４】
一対の導電型の異なるクラッド層に活性層が挟まれて形成された半導体発光素子であって、
前記活性層は、所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含み、
任意の第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の配位数が、１２ｘ＋１以上、１２ｘ＋２以下に規定されている
半導体発光素子。
【請求項５】
一対の導電型の異なるクラッド層に活性層が挟まれて形成された半導体発光素子であって、
前記活性層は、所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含み、
任意の第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の距離と、前記第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接のガリウム原子との距離の差の絶対値が、０ｎｍ以上、０．００６ｎｍ以下に規定されている
半導体発光素子。
【請求項６】
一対の導電型の異なるクラッド層に活性層が挟まれて形成された半導体発光素子であって、
前記活性層は、所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含み、
任意の第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の配位数が、１２ｘ＋１以上、１２ｘ＋２以下に規定されており、かつ、
前記第１のインジウム原子と前記第２のインジウム原子の距離と、前記第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接のガリウム原子との距離の差の絶対値が、０ｎｍ以上、０．００６ｎｍ以下に規定されている
半導体発光素子。
【請求項７】
所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを活性層として含む化合物半導体素子の製造方法であって、
前記活性層の形成後に、少なくとも任意の第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の配位数、あるいは前記第１のインジウム原子と前記第２のインジウム原子の原子間距離のいずれかを測定し、測定した前記配位数あるいは前記原子間距離が所定の条件を満たすものを良品として選別する選別工程を有する
化合物半導体素子の製造方法。
【請求項８】
所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを活性層として含む半導体発光素子の製造方法であって、
前記活性層の形成後に、少なくとも任意の第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の配位数、あるいは前記第１のインジウム原子と前記第２のインジウム原子の原子間距離のいずれかを測定し、測定した前記配位数あるいは前記原子間距離が所定の条件を満たすものを良品として選別する選別工程を有する
半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の化合物半導体素子は、所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含む化合物半導体素子であって、任意の第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の配位数が、１２ｘ＋１以上、１２ｘ＋２以下に規定されているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、上記の目的を達成するため、本発明の化合物半導体素子は、所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含む化合物半導体素子であって、任意の第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の距離と、前記第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接のガリウム原子との距離の差の絶対値が、０ｎｍ以上、０．００６ｎｍ以下に規定されているものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、上記の目的を達成するため、本発明の化合物半導体素子は、所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含む化合物半導体素子であって、任意の第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の配位数が、１２ｘ＋１以上、１２ｘ＋２以下に規定されており、かつ、
前記第１のインジウム原子と前記第２のインジウム原子の距離と、前記第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接のガリウム原子との距離の差の絶対値が、０ｎｍ以上、０．００６ｎｍ以下に規定されているものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、上記の目的を達成するため、本発明の半導体発光素子は、一対の導電型の異なるクラッド層に活性層が挟まれて形成された半導体発光素子であって、前記活性層は、所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含み、任意の第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の配位数が、１２ｘ＋１以上、１２ｘ＋２以下に規定されているものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
さらに、上記の目的を達成するため、本発明の半導体発光素子は、一対の導電型の異なるクラッド層に活性層が挟まれて形成された半導体発光素子であって、前記活性層は、所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含み、任意の第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の距離と、前記第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接のガリウム原子との距離の差の絶対値が、０ｎｍ以上、０．００６ｎｍ以下に規定されているものである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに、上記の目的を達成するため、本発明の半導体発光素子は、一対の導電型の異なるクラッド層に活性層が挟まれて形成された半導体発光素子であって、前記活性層は、所定の組成比ｘ（０＜ｘ＜１）でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎを含み、任意の第１のインジウム原子に対する第２近接の第２のインジウム原子の配位数が、１２ｘ＋１以上、１２ｘ＋２以下に規定されており、かつ、前記第１のインジウム原子と前記第２のインジウム原子の距離と、前記第１のインジウム原子と当該第１のインジウム原子に対する第２近接のガリウム原子との距離の差の絶対値が、０ｎｍ以上、０．００６ｎｍ以下に規定されているものである。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】