【手続補正書】
【提出日】平成16年11月18日(2004.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上に形成された第１の半導体層及び第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及びソース線を形成する第２の工程と、
前記ゲート電極をマスクにして前記第１の半導体層及び第２の半導体層にｎ型不純物元素を添加する第３の工程と、
前記第１の半導体層にマスクを形成し、前記第２の半導体層にｐ型不純物元素を添加する第４の工程と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層に添加された不純物元素を活性化するための加熱処理を行う第５の工程とを有し、
前記活性化するための加熱処理を、酸素濃度が２０ppm以下、且つ減圧の雰囲気で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁体上に形成された第１の半導体層及び第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及びソース線を形成する第２の工程と、
前記ゲート電極をマスクにして前記第１の半導体層及び第２の半導体層にｎ型不純物元素を添加する第３の工程と、
前記第１の半導体層にマスクを形成し、前記第２の半導体層にｐ型不純物元素を添加する第４の工程と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層に添加された不純物元素を活性化するための加熱処理を行う第５の工程と、
前記第５の工程の後、層間絶縁膜を形成する第６の工程と、
前記層間絶縁膜に、前記ソース線及び前記第１の半導体層及び第２の半導体層に達する コンタクトホールを形成する第７の工程と、
前記層間絶縁膜上に画素電極を形成する第８の工程と、
前記第８の工程の後に、前記ソース線、前記第１の半導体層及び第２の半導体層と接する配線、並びにゲート線を形成する第９の工程とを有し、
前記活性化するための加熱処理を、酸素濃度が２０ppm以下、且つ減圧の雰囲気で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁体上に形成された第１の半導体層及び第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及びソース線を形成する第２の工程と、
前記ゲート電極をマスクにして前記第１の半導体層及び第２の半導体層にｎ型不純物元素を添加する第３の工程と、
前記第１の半導体層にマスクを形成し、前記第２の半導体層にｐ型不純物元素を添加する第４の工程と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層に添加された不純物元素を活性化するための加熱処理を行う第５の工程と、
前記ソース線に沿うと共に、前記ソース配線に接する第１の配線を形成する第６の工程とを有し、
前記第１の配線を、前記ソース線及び前記ゲート電極よりも抵抗率の小さい材料で形成 し、
前記活性化するための加熱処理を、酸素濃度が２０ppm以下、且つ減圧の雰囲気で行う  ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁体上に形成された第１の半導体層及び第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及びソース線を形成する第２の工程と、
前記ゲート電極をマスクにして前記第１の半導体層及び第２の半導体層にｎ型不純物元素を添加する第３の工程と、
前記第１の半導体層にマスクを形成し、前記第２の半導体層にｐ型不純物元素を添加する第４の工程と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層に添加された不純物元素を活性化するための加熱処理を行う第５の工程と、
前記ソース線に沿うと共に、前記ソース配線に接する第１の配線を形成する第６の工程と、
前記第６の工程の後、層間絶縁膜を形成する第７の工程と、
前記層間絶縁膜に、前記ソース線、前記第１の配線、前記第１の半導体層及び第２の 半導体層に達するコンタクトホールを形成する第８の工程と、
前記層間絶縁膜上に画素電極を形成する第９の工程と、
前記第９の工程の後に、前記ソース線、前記第１の配線及び前記半導体層と接する第２の配線、並びにゲート線を形成する第１０の工程とを有し、
前記第１の配線を、前記ソース線及び前記ゲート電極よりも抵抗率の小さい材料で形 成し、
前記活性化するための加熱処理を、酸素濃度が２０ppm以下、且つ減圧の雰囲気で行  うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２または請求項４において、前記層間絶縁膜は、無機層間絶縁膜及び有機層間絶縁膜で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁体上に形成された第１の半導体層及び第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及びソース線を形成する第２の工程と、
前記ゲート電極をマスクにして前記第１の半導体層及び第２の半導体層にｎ型不純物元素を添加する第３の工程と、
前記第１の半導体層にマスクを形成し、前記第２の半導体層にｐ型不純物元素を添加する第４の工程と、
前記ゲート電極及び前記ソース線を覆う第１の層間絶縁膜を形成する第５の工程と、
酸素濃度が２０ppm以下、且つ減圧の雰囲気において、前記第１の半導体層及び第２の半導体層に添加された不純物元素を活性化するための加熱処理を行う第６の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁体上に形成された第１の半導体層及び第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及びソース線を形成する第２の工程と、
前記ゲート電極をマスクにして前記第１の半導体層及び第２の半導体層にｎ型不純物元素を添加する第３の工程と、
前記第１の半導体層にマスクを形成し、前記第２の半導体層にｐ型不純物元素を添加する第４の工程と、
前記ゲート電極及び前記ソース線を覆う第１の層間絶縁膜を形成する第５の工程と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層に添加された不純物元素を活性化するための加熱処理を行う第６の工程と、
前記第６の工程の後、第２の層間絶縁膜を形成する第７の工程と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜に、前記ソース線、前記第１の半導体 層及び第２の半導体層に達するコンタクトホールを形成する第８の工程と、
前記第２の層間絶縁膜上に画素電極を形成する第９の工程と、
前記第９の工程の後に、前記ソース線、前記第１の半導体層及び第２の半導体層と接する配線、並びにゲート線を形成する第１０の工程とを有し、
前記活性化するための加熱処理を、酸素濃度が２０ppm以下、且つ減圧の雰囲気において行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁体上に形成された第１の半導体層及び第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及びソース線を形成する第２の工程と、
前記ゲート電極をマスクにして前記第１の半導体層及び第２の半導体層にｎ型不純物元素を添加する第３の工程と、
前記第１の半導体層にマスクを形成し、前記第２の半導体層にｐ型不純物元素を添加する第４の工程と、
前記ゲート電極及び前記ソース線を覆う第１の層間絶縁膜を形成する第５の工程と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層に添加された不純物元素を活性化するための加熱処理を行う第６の工程と、
前記第１の層間絶縁膜を介して前記ソース線に沿う第１の配線を形成する第７の工程とを有し、
前記第１の配線を、前記ソース線及び前記ゲート電極よりも抵抗率の小さい材料で形成し、
前記活性化するための加熱処理を、酸素濃度が２０ppm以下、且つ減圧の雰囲気において行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁体上に形成された第１の半導体層及び第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極及びソース線を形成する第２の工程と、
前記ゲート電極をマスクにして前記第１の半導体層及び第２の半導体層にｎ型不純物元素を添加する第３の工程と、
前記第１の半導体層にマスクを形成し、前記第２の半導体層にｐ型不純物元素を添加する第４の工程と、
前記ゲート電極及び前記ソース線を覆う第１の層間絶縁膜を形成する第５の工程と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層に添加された不純物元素を活性化するための加熱処理を行う第６の工程と、
前記第１の層間絶縁膜を介して前記ソース線に沿う第１の配線を形成する第７の工程と、
前記第７の工程の後、第２の層間絶縁膜を形成する第８の工程と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜に、前記ソース線、前記第１の配線、前記第１の半導体層及び第２の半導体層に達するコンタクトホールを形成する第９の工程と、
前記第２の層間絶縁膜上に画素電極を形成する第１０の工程と、
前記第１０の工程の後に、前記ソース線、前記第１の配線、前記第１の半導体層及び第２の半導体層と接する第２の配線、並びにゲート線を形成する第１１の工程とを有し、
前記第１の配線を、前記ソース線及び前記ゲート電極よりも抵抗率の小さい材料で形成し、
前記活性化するための加熱処理を、酸素濃度が２０ppm以下、且つ減圧の雰囲気において行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７または請求項９において、前記第１の層間絶縁膜は無機層間絶縁膜で形成され、前記第２の層間絶縁膜は有機層間絶縁膜で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記活性化するための加熱処理は、ロータリーポンプ及びメカニカルブースターポンプにより排気を行し、酸素濃度を２０ｐｐｍにした後、圧力が１００００Ｐａ以下の窒素雰囲気において行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記活性化するための加熱処理は、４００〜７００℃で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記ゲート電極及びソース線は２層以上の導電膜で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。