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【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコンタクトを絶縁材料製の保持部材により所定間隔をおいて整列保持してなり、前記コンタクトのケーブル接続部の上面にそれぞれケーブルの心線ワイヤが半田付けされてなるケーブル接続用コネクタであって、
前記コンタクト間の前記保持部材の上面に窪みが形成されていることを特徴とするケーブル接続用コネクタ。
【請求項２】
前記コンタクトは、前記保持部材の上面に前記所定間隔をおいて並んで形成された受容部に保持されており、
前記窪みの底面が、前記受容部の底面よりも下方に位置することを特徴とする請求項１に記載のケーブル接続用コネクタ。
【請求項３】
前記窪みは、前記保持部材を上下に貫通して形成されていることを特徴とする請求項１に記載のケーブル接続用コネクタ。
【請求項４】
前記窪みは、前記ケーブル接続部の前記心線ワイヤが半田付けされる部分の間に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のケーブル接続用コネクタ。
【請求項５】
前記窪みは、前記ケーブル接続部の前記心線ワイヤが半田付けされる部分の長さに対応した長さを有して形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のケーブル接続用コネクタ。
【請求項６】
前記窪みのそれぞれの後方には、前記ケーブル接続部の上面に前記心線ワイヤが位置した状態で、前記心線ワイヤの上端位置が同一高さに揃って位置するように、上方に突出して前記心線ワイヤの両側を支持可能である位置決めガイドが形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のケーブル接続用コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
なお、コンタクトは、保持部材の上面に所定間隔をおいて並んで形成された受容部に保持されており、窪みの底面が受容部の底面よりも下方に位置することが望ましい。また、窪みは、保持部材を上下に貫通して形成されていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに、窪みは、ケーブル接続部における心線ワイヤが半田付けされる部分の間に設けられていることが望ましい。また、窪みは、ケーブル接続部に心線ワイヤが半田付けされる部分に対応する長さを有して形成されていることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このことからも分かるように、受容部１４、貫通孔１１ａおよび受容溝１２ａは前後に繋がって延びており、これにより多数のコンタクト挿入空間が左右方向に並んで形成される。これら各コンタクト挿入空間内に後方からプラグコンタクト４０が圧入され、プラグコンタクト４０の前端側の雄接触部４１が受容溝１２ａ内に保持され、後端側の接続部４２が受容部１４内に受容保持される（例えば図１および図９参照）。特に、雄接触部４１は、図１１に示すように、プラグ突起部１２の受容溝１２ａ内に受容保持されてプラグ突起部１２が雄接触部４１を支持して補強する役割を果たしている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記のように心線ワイヤ５１をコンタクト接続部４２の凹部４２ａ上に載置した状態で、パルスヒータのヒーターチップ５の下面を心線ワイヤ５１の上に押し付け、ヒーターチップ５により心線ワイヤ５１を加熱し、心線ワイヤ５１の半田コーティングを溶融させて心線ワイヤ５１を接続部４２に半田付け接合させる。なお、ヒーターチップ５は、中央溝１３（窪み）内に挿入可能な形状寸法で、その下面５ａは平面である。このため、ヒーターチップ５を一本に延びる中央溝１３（窪み）内に挿入すれば、その下面５ａを心線ワイヤ５１の上に直接押し付けることができ、心線ワイヤ５１を一括して簡単に半田付けすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
一方、レセプタクルコネクタＲは、図１５および図１６に外観を示し、図１に矢印Ｉ−Ｉに沿った断面を示すように、絶縁材料製のレセプタクル側保持部材６０に多数の導電材料製レセプタクルコンタクト７０を圧入して整列保持して構成される。レセプタクルコンタクト７０はチューニングフォーク状のコンタクトであり、先端部に二股状になった雌接触部７１を有し、後端部にサーフェスマウント用のリード７２を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質媒体を含有した電解質層の厚み方向表面に触媒電極を設けた複数の電解質組立体間に介在され、燃料ガスおよび酸化剤ガスの流路を分離する分離部と、外周部に設けられ、燃料ガスおよび酸化剤ガスの漏出を防ぐシール部とが一体化されたセパレータであって、
シール部に相当する領域には、電解質組立体の触媒電極形成面に平行に延びるシール突部であって、その頂部がばね力によって前記電解質組立体に圧接されるように構成されたシール突部を有し、
前記シール突部の前記燃料ガスおよび酸化剤ガスの流れ方向に垂直な断面が円弧状であることを特徴とするセパレータ。
【請求項２】
電解質媒体を含有した電解質層の厚み方向表面に触媒電極を設けた複数の電解質組立体間に介在され、燃料ガスおよび酸化剤ガスの流路を分離する分離部と、外周部に設けられ、燃料ガスおよび酸化剤ガスの漏出を防ぐシール部とが一体化されたセパレータであって、
シール部に相当する領域には、電解質組立体の触媒電極形成面に平行に延びるシール突部であって、その頂部がばね力によって前記電解質組立体に圧接されるように構成されたシール突部を有し、
前記シール突部の前記燃料ガスおよび酸化剤ガスの流れ方向に垂直な断面がＵ字形状またはＶ字形状であることを特徴とするセパレータ。
【請求項３】
前記分離部と前記シール部とは塑性変形加工によって一体形成されることを特徴とする請求項１または２記載のセパレータ。
【請求項４】
金属板からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のセパレータ。
【請求項５】
分離部には、電解質組立体の触媒電極形成面に平行で、互いに平行な複数の凹形状の流路溝が形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のセパレータ。
【請求項６】
分離部とシール部とはプレス加工によって形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のセパレータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、電解質媒体を含有した電解質層の厚み方向表面に触媒電極を設けた複数の電解質組立体間に介在され、燃料ガスおよび酸化剤ガスの流路を分離する分離部と、外周部に設けられ、燃料ガスおよび酸化剤ガスの漏出を防ぐシール部とが一体化されたセパレータであって、
シール部に相当する領域には、電解質組立体の触媒電極形成面に平行に延びるシール突部であって、その頂部がばね力によって前記電解質組立体に圧接されるように構成されたシール突部を有し、
前記シール突部の前記燃料ガスおよび酸化剤ガスの流れ方向に垂直な断面が円弧状であることを特徴とするセパレータである。
また本発明は、電解質媒体を含有した電解質層の厚み方向表面に触媒電極を設けた複数の電解質組立体間に介在され、燃料ガスおよび酸化剤ガスの流路を分離する分離部と、外周部に設けられ、燃料ガスおよび酸化剤ガスの漏出を防ぐシール部とが一体化されたセパレータであって、
シール部に相当する領域には、電解質組立体の触媒電極形成面に平行に延びるシール突部であって、その頂部がばね力によって前記電解質組立体に圧接されるように構成されたシール突部を有し、
前記シール突部の前記燃料ガスおよび酸化剤ガスの流れ方向に垂直な断面がＵ字形状またはＶ字形状であることを特徴とするセパレータである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また本発明は、前記分離部と前記シール部とは塑性変形加工によって一体形成されることを特徴とする。
また本発明は、金属板からなることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また本発明は、分離部には、電解質組立体の触媒電極形成面に平行で、互いに平行な複数の凹形状の流路溝が形成されることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明によれば、電解質媒体を含有した電解質層の厚み方向表面に触媒電極を設けた複数の電解質組立体間に介在されるセパレータであり、セパレータは、燃料ガスおよび酸化剤ガスの流路を分離する分離部と、外周部に設けられ、燃料ガスおよび酸化剤ガスの漏出を防ぐシール部とを有する。シール部に相当する領域には、電解質組立体の触媒電極形成面に平行に延びるシール突部であって、その頂部がばね力によって前記電解質組立体に圧接されるように構成されたシール突部を有し、前記シール突部の前記燃料ガスおよび酸化剤ガスの流れ方向に垂直な断面が円弧状であるか、Ｕ字形状またはＶ字形状である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
これにより、シール突部と電解質層の接触面積を小さくし、高圧シールを実現可能であるので、従来必要であった、Ｏリング、ガスケットなどのシール部材を必要とせず、燃料電池の部材点数を削減し、製造工程を短縮することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また本発明によれば、金属板からなり、分離部とシール部とを塑性変形加工によって容易に一体形成することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また本発明によれば、分離部には、電解質組立体の触媒電極形成面に平行で、互いに平行な複数の凹形状の流路溝が形成される。また、分離部およびシール部はプレス加工によって形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード側電極とカソード側電極との間に電解質が配設される電解質・電極接合体において、
前記電解質は、その結晶が六方晶系に属し、且つ前記結晶がｃ軸に指向して配向したアパタイト型酸化物からなり、
且つ前記電解質と、前記アノード側電極又は前記カソード側電極の少なくともいずれか一方との間に、前記電解質に比して伝導度が小さい層が設けられていることを特徴とする電解質・電極接合体。
【請求項２】
請求項１記載の接合体において、前記電解質は、ｃ軸方向に配向して成長した単結晶であることを特徴とする電解質・電極接合体。
【請求項３】
請求項１記載の接合体において、前記電解質は、各粉末の結晶がｃ軸方向に配向された多結晶体であることを特徴とする電解質・電極接合体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の接合体において、前記電解質は、３価の元素Ａと、４価の元素Ｂとを含有し、組成式がＡxＢ6Ｏ12+1.5x（ただし、８≦ｘ≦１０）で表される物質であることを特徴とする電解質・電極接合体。
【請求項５】
請求項４記載の接合体において、前記元素ＡがＬａであることを特徴とする電解質・電極接合体。
【請求項６】
請求項４又は５記載の接合体において、前記元素ＢがＳｉ又はＧｅであることを特徴とする電解質・電極接合体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の接合体において、前記層は、酸化物イオン伝導が等方性を示す物質であることを特徴とする電解質・電極接合体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の接合体において、前記層は、蛍石型酸化物、ペロブスカイト型酸化物のいずれかからなることを特徴とする電解質・電極接合体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の接合体において、前記層は、酸化物イオン伝導性と電子伝導性の双方を示す混合伝導体からなることを特徴とする電解質・電極接合体。
【請求項１０】
請求項２〜９のいずれか１項に記載の接合体において、前記アノード側電極及び前記カソード側電極は、前記電解質の配向方向に合わせて配設されていることを特徴とする電解質・電極接合体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、アノード側電極とカソード側電極との間に電解質が配設される電解質・電極接合体において、
前記電解質は、その結晶が六方晶系に属し、且つ前記結晶がｃ軸に指向して配向したアパタイト型酸化物からなり、
且つ前記電解質と、前記アノード側電極又は前記カソード側電極の少なくともいずれか一方との間に、前記電解質に比して伝導度が小さい層が設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
電解質としては、酸化物イオン伝導が異方性を示すものが好適である。従って、電解質は、ｃ軸方向に配向して成長した単結晶であることが好ましい。又は、各粉末の結晶がｃ軸方向に配向された多結晶体であってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
アパタイト型酸化物の好適な例としては、３価の元素Ａと、４価の元素Ｂとを含有し、組成式がＡxＢ6Ｏ12+1.5x（ただし、８≦ｘ≦１０）で表される物質が挙げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
そして、電解質がイオン伝導に異方性を示すように配向されている場合、アノード側電極及びカソード側電極は、電解質の配向方向に合わせて配設されていることが好ましい。この場合、電解質と電極とによって形成される界面に対して、電解質における酸化物イオン伝導度が大きいｃ軸方向が略垂直に交わるように配設することが好ましい。これにより、発電性能を一層向上させることができるからである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
さらに、電解質１６は、Ｌａ9.33Ｓｉ6Ｏ26からなるものに特に限定されるものではなく、酸化物イオン伝導が異方性を示す物質であれば、その他のアパタイト型酸化物であってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
次に、ペースト状ＹＤＣ及びペースト状アパタイト型酸化物に対し、成形体とともに焼成処理を施す。これにより、ＹＤＣからなる等方性伝導層２０ａと、アパタイト型酸化物からなる電解質１６とが一端面に積層されたＰｔ含有焼結体（アノード側電極１２）が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラースキャナと、ＣＰＵとが搭載されているファクシミリ装置であって、
電話回線を介して、カラー画像データを送信するモデムと；
電話回線と上記モデムとを介して受信したカラー画像データを格納するメモリと；
上記カラースキャナから入力したカラー画像データを処理するとともに、上記電話回線と上記モデムとを介して受信し上記メモリに格納されているカラー画像データを処理する画像処理部と；
上記画像処理部で処理されたデータに基づいてプリントアウトするカラープリンタと；
上記画像処理部へ入力するカラー画像データとして、上記カラースキャナからのカラー画像データ、または、上記ＣＰＵからのカラー画像データを選択する選択手段と；
を有することを特徴とするカラー画像通信の可能なファクシミリ装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記画像処理部は、
変換テーブルとマトリクス演算部とを有する部分であり、
上記カラースキャナから得られたカラー画像データを、上記画像処理部が処理し、プリントアウトする第１の場合、
上記カラースキャナから得られたカラー画像データを、上記画像処理部が処理し、上記メモリに格納する第２の場合、
上記ＣＰＵから得られたカラー画像データを、上記画像処理部が処理し、プリントアウトする第３の場合、
のそれぞれの場合において、上記変換テーブルと上記マトリクス演算部とのパラメータを変更する部分であることを特徴とするカラー画像通信の可能なファクシミリ装置。
【請求項３】
請求項２において、
上記第２の場合に、上記カラースキャナから入力されたカラー画像データを、所定の一定の標準的な色空間に変換するように、上記変換テーブルと上記マトリクス演算部のパラメータとを設定することを特徴とするカラー画像通信の可能なファクシミリ装置。
【請求項４】
請求項２において、
上記第３の場合に、上記ＣＰＵから入力されたカラー画像データを、所定の一定の標準的な色空間から上記カラープリンタが表現できる色再現空間へ変換するように、上記変換テーブルと上記マトリクス演算部のパラメータとを設定することを特徴とするカラー画像通信の可能なファクシミリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二重化ネットワークおよびその異常診断方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正常時は主系ネットワークで通信を行い、その主系ネットワークが異常の時は待機系ネットワークに切り替えて通信する二重化ネットワークにおいて、
前記待機系ネットワークに接続された通信インターフェースは、以下の手順で前記待機系ネットワークを診断することを特徴とする二重化ネットワークの異常診断方法。
（１）通信する相手ステーションに周期的に診断指令の伝文を送信し、
（２）相手ステーションからの診断応答の有無をチェックし、
（３）相手ステーションからの診断応答が受信されれば、相手ステーションおよび通信ケーブルなどのネットワーク構成要素は正常であると判断し、
（４）相手ステーションからの診断応答が受信されなければ、相手ステーションおよび通信ケーブルなどのネットワーク構成要素は異常であると判断し、
（５）上位の情報処理部に異常を通知する。
【請求項２】
正常時は主系ネットワークで通信を行い、その主系ネットワークが異常の時は待機系ネットワークに切り替えて通信する二重化ネットワークにおいて、
前記待機系ネットワークに接続された通信インターフェースは、以下の手順で前記待機系ネットワークを診断することを特徴とする二重化ネットワーク。
（１）通信する相手ステーションに周期的に診断指令の伝文を送信し、
（２）相手ステーションからの診断応答の有無をチェックし、
（３）相手ステーションからの診断応答が受信されれば、相手ステーションおよび通信ケーブルなどのネットワーク構成要素は正常であると判断し、
（４）相手ステーションからの診断応答が受信されなければ、相手ステーションおよび通信ケーブルなどのネットワーク構成要素は異常であると判断し、
（５）上位の情報処理部に異常を通知する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の二重化ネットワークおよびその異常診断方法は、正常時は主系ネットワークで通信を行い、その主系ネットワークが異常の時は待機系ネットワークに切り替えて通信する際に、前記待機系ネットワークに接続された通信インターフェースが、以下の手順で前記待機系ネットワークを診断することを特徴としている。
（１）通信する相手ステーションに周期的に診断指令の伝文を送信し、（２）相手ステーションからの診断応答の有無をチェックし、（３）相手ステーションからの診断応答が受信されれば、相手ステーションおよび通信ケーブルなどのネットワーク構成要素は正常であると判断し、（４）相手ステーションからの診断応答が受信されなければ、相手ステーションおよび通信ケーブルなどのネットワーク構成要素は異常であると判断し、（５）上位の情報処理部に異常を通知する。
以上のような手順で診断するので、主系ネットワークの異常時に確実に待機系ネットワークに切替えることができ、通信を途切れることなく継続させることができるのである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント基板のフレームアース接触部の構造および、プリント基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレームにプリント基板をアース接続するフレームアース接触部の構造において、プリント基板の表面に縞状の銅箔パターンを配置し、該銅箔パターンと銅箔パターンの間のギャップ部を、基板固定用ビスにより、フレームとプリント基板を固定してアース接続する事を特徴とするプリント基板のフレームアース接触部の構造。
【請求項２】
前記銅箔パターンの上にははんだが設けられ、前記フレームとプリント基板は該はんだを介してと接続することを特徴とする請求項１に記載のプリント基板のフレームアース接触部の構造。
【請求項３】
縞状の銅箔パターンを表面に配置し、該銅箔パターンと銅箔パターンの間のギャップ部に基板固定用ビスを配置するビス穴が形成され、該銅箔パターンの上にははんだが配置されていることを特徴とするプリント基板。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以下本発明に於いて用いられる各材料について説明する。
本発明に於いて使用されるフッ素樹脂繊維は、上記ＰＴＦＥ繊維の他に、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン（ＦＥＰ），テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル（ＰＦＡ），ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ），ポリふっ化ビニリデン（ＰＶＤＦ），ポリふっ化ビニル，エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ），エチレン／クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ），テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＦＥＰＰＦＡ）が挙げられる。
なお、本発明で用いるフッ素樹脂繊維には、その１種以上を混合して使用することもできるし、更に、各種芳香族繊維、耐熱性、難燃繊維等を混合することも出来る。
中でもＰＴＦＥ繊維は、誘電率、誘電正接が低く、耐熱性、耐薬品性にも優れているので好ましい。
なお、本発明で用いられるフッ素樹脂繊維の直径及び繊維長は、特に限定されず、本発明での湿式抄造法により抄紙が出来れば、形状は繊維状あるいは、球状、フィブリル状、パルプ状等特に限定はなく、いずれの形状でも差支えない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
更にまた、本発明に使用される銅箔以外にアルミニウム、真鍮、ニッケル、鉄等の単独、合金、複合箔も用いることも考えらえるが、特に銅箔は電気導電性が良好で、可撓性があり、カバーレイを施すことにより耐酸化性となり、最も好ましい。ここに用いられる銅箔としては圧延銅箔、電解銅箔いずれでも差支えない。銅箔は予め回路を形成して用いることもできるが、貼り付けした後に、エッチングにより回路を形成して、その上にカバーレイを施すことにより回路基板とすることができる。
また、必要に応じて銅箔の片面には予め接着剤を塗布して使用することができる。銅箔の厚みは特に限定されるものではないが、３５μｍ以下のものが好ましく、高周波プリント回路では加工精度がよくなるので好ましい。
また、加圧加熱処理条件はフッ素樹脂の融点以上の温度で、真空下で加圧するのが好ましい。加圧条件は特に限定されるものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと第２のトランジスタとが電源電圧と基準電位との間に直列接続された出力回路と、
前記第１のトランジスタを駆動する第１のプリバッファと、
前記第２のトランジスタを駆動する第２のプリバッファと、
第１の静電容量、および第２の静電容量からなり、前記出力回路のスルーレート制御を行うミラー容量とからなる第１のドライバ、および第２のドライバから構成される差動ドライバとを備え、
前記第１のプリバッファは、
前記電源電圧と前記基準電位との間に第３のトランジスタと第４のトランジスタとが直列接続されたプリドライバと、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタとの間に接続されたしきい値電圧補償用ダイオードと、
前記第４のトランジスタに流れる電流をある電流値に制限し、前記出力回路を電流駆動する第１電流駆動変換手段とから構成され、
前記第２のプリバッファは、
前記電源電圧と前記基準電位との間に第５のトランジスタと第６のトランジスタとが直列接続されたプリドライバと、
前記第５のトランジスタと前記第６のトランジスタとの間に接続されたしきい値電圧補償用ダイオードと、
前記第５のトランジスタに流れる電流をある電流値に制限し、前記出力回路を電流駆動する第２電流駆動変換手段とよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記第１電流駆動変換手段が、
前記第４のトランジスタと前記基準電位との間に接続された電流制限用の第７のトランジスタを含み、
電源電圧と前記第５のトランジスタとの間に接続された電流制限用の第８のトランジスタと、
電流制限用電圧を印加して前記第７、ならびに第８のトランジスタを駆動する電流回路とよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体集積回路装置において、
前記しきい値電圧補償用ダイオードが、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタからなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項１または２記載の半導体集積回路装置において、
前記差動ドライバは、ＵＳＢトランシーバであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、少なくともＣＰＵ、ＲＯＭ、およびＲＡＭの機能ブロックを有するシステムＬＳＩからなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月12日(2005.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信利得制御装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着信待受け時に受信信号中の所定信号の検出を行う信号検出手段と、受信利得を変化させる利得変化手段とを備えた無線通信端末に適用される受信利得制御装置において、
第１制御モードでは受信入力強度に応じた受信利得となるように前記利得変化手段を制御し、また第２制御モードでは前記利得変化手段の利得を固定させる利得制御手段と、
通信時には前記利得制御手段を前記第１制御モードに設定し、また着信待受け時には前記利得制御手段を前記第２制御モードに設定する設定手段とを具備する受信利得制御装置。
【請求項２】
第１通信モードでは着信待受け時に受信信号中の所定信号の検出を行い、第２通信モードでは着信待受け時に受信信号中の所定信号の検出を行わない信号検出手段と、前記無線通信端末における受信利得を変化させる利得変化手段とを備えた無線通信端末に適用される受信利得制御装置において、
第１制御モードでは受信入力強度に応じた受信利得となるように前記利得変化手段を制御し、また第２制御モードでは前記利得変化手段の利得を固定させる利得制御手段と、
前記第１通信モードでは、通信時には前記利得制御手段を前記第１制御モードに設定し、また着信待受け時には前記利得制御手段を前記第２制御モードに設定し、かつ前記第２通信モードでは、前記通信時および前記着信待受け時のいずれでも前記利得制御手段を前記第２制御モードに設定する設定手段とを具備する受信利得制御装置。
【請求項３】
前記利得制御手段は、前記第１制御モードでは前記受信入力強度に応じて受信利得を互いに異なる第１受信利得または第２受信利得とするように前記利得変化手段を制御する請求項１または請求項２に記載の受信利得制御装置。
【請求項４】
前記利得制御手段は、前記第１制御モードでは前記受信入力強度に応じて受信利得を互いに異なる多数段の受信利得のいずれかとするように前記利得変化手段を制御する請求項１または請求項２に記載の受信利得制御装置。
【請求項５】
前記利得制御手段は、前記受信利得の変更にヒステリシス特性を持たせる請求項３または請求項４に記載の受信利得制御装置。
【請求項６】
前記利得制御手段は、前記第１制御モードでは前記受信入力強度に応じて受信利得を連続的に変化させるように前記利得変化手段を制御する請求項１または請求項２に記載の受信利得制御装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、受信入力強度に応じて受信利得の制御を行う受信利得制御装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらにこの発生原因について図６を用いて説明を加える。図６中の横軸はオフセット周波数と呼ばれ、ｆｍ=ｆ−ｆ０で定義され、縦軸は信号の電力密度ＰＳＤ(fm)であり、単位はｄBmで表している。また、６００は１ＧHzのＳＡＷ発振器の出力信号が示す電力スペクトルＰ0（ｄBm）、６０１と６０２は、振動によってＳＡＷ共振子の周波数がＦＭ変調されて発生した電力スペクトルＰs(ｄBm)である。電力スペクトル６００と６０１あるいは６０２の差分Ｐs−Ｐ0はＳＳＢ位相雑音電力Ｌ(ｄBc)である。前記のＳＳＢ位相雑音電力Ｌ(ｄBc)と加速度Ａとの関係はすでに文献（Raymond L. Filler："The Acceleration Sensitivity of Quartz Crystal Oscillators", pp.297-305,FCS,Vol 35. No.3 (May 1988)）によって現象論的に明らかにされ次式（２）のように定式化されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このように構成された従来既知の４線巻ヘリカルアンテナは、天頂から低仰角に至る範囲内で、衛星ラジオ放送等に使用される円偏波電波を良好に受信することができるため、広く採用されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003309428.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2003309428.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
従来より、車両のキーレスエントリシステムに用いる受信機（以下、受信機という）は、小型化のためにアンテナと受信回路基板との一体化と、作動エリア拡大のためにアンテナ利得の向上とをそれぞれ考慮した設計がなされている。しかし、アンテナ利得はアンテナ体積、特にアンテナの高さに比例するため、使用周波数の波長に対して小型化された受信機への一体化においては、アンテナ利得の向上には限界があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
給電点１１より水平部１３の終端であるアンテナ素子先端１４までの導体に沿った長さ（電流経路長）は、アンテナ装置１の使用周波数の波長をλとするとき、ほぼλ／４の長さとしている。なお、周波数３０４ＭＨｚでは、λ／４＝２５ｃｍである。したがって、基板グランド２４の外周の長さが（λ／４−ｄ１）よりも短い場合は、アンテナ素子先端１４は、図１に示すように水平部１３の内側に存在するように形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この場合、アンテナ素子１０に流れる電流は、給電点１１より上方向は図３の場合と同じとなるが、給電点１１より下方向には導体部の長さ（λ／４）に応じて、車両ボデー４からの立ち上がり部２７で電流０、立ち上がり部２７からグランドネジ２３までは小さな電流７４、水平方向の基板グランド２４上で給電点１１に近づくにつれて徐々に大きくなり給電点１１で最大電流となる電流７５が流れる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
したがって、アンテナ素子１０の垂直方向の電流は、給電点１１と車両ボデー４との間の電流成分の違い、すなわち、図３の場合の電流７２と図７の場合の電流７４との違いにより、図７の場合には垂直偏波成分のアンテナ利得は低下する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（２）受信機基板２上のアンテナ素子先端１４の直下の所定領域を、受信回路の回路素子２１を配置しない配置禁止領域とする。回路素子２１には、電解コンデンサや水晶発振子など、素子の筐体が金属製で比較的大型のものも使われる。これらの金属筐体とアンテナ素子との電気的結合が生ずるとアンテナ利得が減少する。さらに、アンテナ素子先端１４は、特に、周辺の電磁界の影響を受けやすく、そのためアンテナ特性に与える影響が大きい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2003309421.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このパッチアンテナ素子１４の更に上方に、第２周波数用、例えば５．２ＧＨｚ用のパッチアンテナ素子２２が配置されている。５．２ＧＨｚという周波数は、パッチアンテナ素子１４での周波数２．４ＧＨｚとは１ＧＨｚ以上離れているものである。このパッチアンテナ素子２２は、その一辺の長さが、５．２ＧＨｚの電波を受信するのに適した長さ、例えばλ２（５．２ＧＨｚの波長）／４の長さに選択された概略正方形状に、導体板、例えば金属板によって形成されている。このパッチアンテナ素子２２は、第２周波数が第１周波数よりも高いので、その大きさがパッチアンテナ素子１４よりも小さい。このパッチアンテナ素子２２の一方の面が、パッチアンテナ素子１４の一方の面と平行に位置し、その中心がパッチアンテナ素子１４の中心よりも幾分外方にずれるように配置されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このように構成された多周波数共用アンテナでは、パッチアンテナ素子１４において電界が零となる中心が地板１２に電気的及び機械的に結合されている。また、同じくパッチ素子２２において電界が零となる中心がパッチアンテナ素子１４に電気的及び機械的に結合されているので、パッチアンテナ素子１４を地板としてパッチアンテナ素子２２が動作している。しかも、パッチアンテナ素子２２の給電線２８は、パッチアンテナ素子１４の電界が零である中心を通っているので、パッチアンテナ素子１４の影響を受けない。従って、パッチアンテナ素子２２は、パッチアンテナ素子１４の上方に積み重ねて配置されていても、良好に受信することができる。即ち、２．４ＧＨｚ及び５．２ＧＨｚ用と１ＧＨｚ隔たった２つの周波数用のパッチアンテナ素子１４、２２は、それぞれ互いに影響を受けず、良好に動作する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の第３の実施の形態の多周波数共用アンテナは、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、パッチアンテナ素子２２における給電点が、第２の実施の形態と反対側の位置にあるものである。即ち、第２の実施の形態では、給電点１８、２６は、同一の側に設けられているが、第３の実施の形態では、給電点２６が、給電点１８と反対側に設けられている。他は、第２の実施の形態の多周波数共用アンテナと同一である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】 
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するには、請求項１に記載の発明のように、複数個の銅系金属板セグメントに隔離相を介して貴金属メッキを表面に施した貴金属メッキ整流子片を有する軸方向摺接型コミュテータにおいて、前記隔離相を非磁性体にしたことにより達成できる。
このようにすれば、軸方向摺接型コミュテータによる磁気によるブレーキ損失が防げる。
具体的な解決手段は、請求項２に記載の発明のように、前記隔離相が無電解ニッケルメッキであるものがよい。
このようにすれば、厚みが均一な非磁性体からなる隔離相が容易にでき、硬度が大となるので、スリット角に厚く付着する怖れもなく、摩耗しにくくなって寿命が改善される。
前記軸方向摺接型コミュテータは、請求項３に記載の発明のように印刷配線板からなるものがよい。
このようにすれば、軸方向摺接型コミュテータが印刷技術で容易にできる。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施の形態を示す軸方向摺接型コミュテータの要部断面を示すもので、（イ）はロータの図２におけるＸ−Ｙで切断した断面図、（ロ）は（イ）のＥ部の拡大図である。
図２は、図１において軸方向摺接型コミュテータの部分を下方からみた平面図である。
図３は、図１のロータを備えた軸方向空隙型モータの実施の形態の要部断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記軸方向摺接コミュテータ１の他側には、中心に軸受部Ｊａを有する軸受ホルダ２が一部を前記一面側にも突き出るように立ち上げられ、この軸受ホルダ２の周囲にガイド部２ａに複数個（ここでは２個）の空心電機子コイル３が載置され、この空心電機子コイルとオーバーラップしない位置で形成された３個の結線パターン１ｄに前記空心電機子コイル端末３ａがセグメント結線パターン１ｅと共に配線されて扁平なロータＲを形成している。
したがって、従来のような電解方式のニッケルメッキでは磁性を有するため、磁気回路中に磁性体が配される構成になってしまい、最近のマグネットは強力な希土類性のため、磁気によるブレーキロスが避けられなかったが、本発明では非磁性となるので、例えば、銅べたパターンを設けて薄い印刷配線板を補強させることもできるようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の効果】                          
以上説明したように、請求項１に記載した発明によれば、軸方向摺接型コミュテータによる磁気によるブレーキ損失が防げる軸方向摺接型コミュテータを提供できる。
請求項２に記載した発明によれば、厚みが均一な非磁性体からなる隔離相が容易にでき、硬度が大となるので、スリット角が摩耗しにくくなり、寿命が改善される。  
請求項３に記載した発明によれば、軸方向摺接型コミュテータが印刷技術で容易にできる。
請求項４に記載した発明によれば、ロータは、磁気回路中に配備されても磁気によるブレーキ損失が起きなくなる。
請求項５に記載した発明によれば、軸方向空隙型モータは、軸方向摺接型コミュテータによる磁気的ブレーキロスがでなくなるので消費電流が低減できる。  
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の実施の形態を示す軸方向摺接型コミュテータの要部断面を示すもので、（イ）はロータの図２におけるＸ−Ｙで切断した断面図、（ロ）は（イ）のＥ部の拡大図である。
【図２】
図１において軸方向摺接型コミュテータの部分を下方からみた平面図である。        【図３】
図１のロータを備えた軸方向空隙型モータの実施の形態の要部断面図である。        【符号の説明】
１  軸方向摺接型コミュテータ
１ｓ  貴金属メッキ整流子片
２  軸受ホルダ
３  空心電機子コイル
４  ブラケット
５  希土類マグネット
６  ブラシベース
７  ブラシ
８  ケース
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003309951.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003309951.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属パッドが形成されたシリコンウエハと当該ウエハを支持する支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程と、
前記ウエハの裏面から前記金属パッドまで貫通する開口を形成する工程と、
前記開口の側壁部に絶縁膜を形成した後に、当該開口内に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に電極を形成する工程と、
前記ウエハの裏面から前記フィルムまでダイシングする工程と、
前記ウエハと前記支持体とを分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ウエハと当該ウエハを支持する支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程が、前記ウエハと前記支持体の外径よりも小さい外径を有するフィルムを前記ウエハと前記支持体とで挟んだ状態で、その周端部のみエポキシ樹脂を用いて貼り合わせる工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記フィルムが、アセトン溶液に溶ける有機系フィルムであることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記フィルムが、粘着性を有するフィルムであることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記フィルムとしてＵＶテープを用いる際には、前記支持体として透明ガラスを用いて、前記ダイシング工程後にＵＶ照射することを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属膜上に電極を形成する工程が、当該金属膜上に金属配線を形成し、当該配線上に電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１、２、３、４、５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ウエハ裏面に前記開口を形成する前に、その裏面を研磨することを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記金属パッド上に電極接続用の金属層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1、２、３、４、５、６、７のいずれかに記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項９】
一方の半導体装置の前記金属層と他方の半導体装置の前記電極とを積層する工程を有することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明の半導体装置の製造方法は上記課題に鑑み、金属パッドが形成されたシリコンウエハと当該ウエハを支持する支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程と、前記ウエハの裏面から前記金属パッドまで貫通する開口を形成する工程と、前記開口の側壁部に絶縁膜を形成した後に、当該開口内に金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に電極を形成する工程と、前記ウエハの裏面から前記フィルムまでダイシングする工程と、前記ウエハと前記支持体とを分離する工程とを有することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記ウエハと当該ウエハを支持する支持体とをフィルムを介して貼り合わせる工程が、前記ウエハと前記支持体の外径よりも小さい外径を有するフィルムを前記ウエハと前記支持体とで挟んだ状態で、その周端部のみエポキシ樹脂を用いて貼り合わせる工程であることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更に、前記フィルムとしてＵＶテープを用いる際には、前記支持体として透明ガラスを用いて、前記ダイシング工程後にＵＶ照射することを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そして、前記金属膜上に電極を形成する工程が、当該金属膜上に金属配線を形成し、当該配線上に電極を形成する工程を有することを特徴とするものである。
また、前記ウエハ裏面に前記開口を形成する前に、その裏面を研磨することを特徴とするものである。
更に、前記金属パッド上に電極接続用の金属層を形成する工程を有することを特徴とするものである。
そして、一方の半導体装置の前記金属層と他方の半導体装置の前記電極とを積層する工
程を有することを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここで、前記支持板１１は、後述するＳｉ基板１のＢＧ（バックグラインド）時に、Ｓｉ基板１の割れ等を防止するための支持体で、例えばＳｉ基板や酸化膜（ガラス基板）やセラミック等を利用している。尚、本実施形態では、支持体として必要な膜厚として、およそ４００μｍ程度としている。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
加えて、ダイシングした後に、例えばウエハの裏面からホットプレートで熱を加えて、ウエハと支持基板１１で挟まれた有機膜（フィルム１０）を溶かして軟化させることで両者を剥がすものであっても良い。このとき、フィルム１０がアセトンに溶ける有機膜であるときは、２００℃程度の加熱で、ポリイミド膜を利用した場合では４００℃程度の加熱で当該フィルム１０は溶ける。 
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、支持板１１とＳｉ基板１とは、貼り合わせた後にＢＧ（バックグラインド）及びその後の処理をしているため、チップの膜厚は必要に応じて薄くできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地導体層と鉛フリー半田層との間に、実質的に硫黄を含まない接合層が設けられ、かつ前記接合層と前記鉛フリー半田層との間に、これらの元素を含む合金層が形成された接合構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記接合層中の硫黄濃度は、２次イオン質量分析における接合層イオンカウント数に対する割合で１％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記接合層は、ニッケルを主成分とするメッキ層、若しくはニッケル・リンを主成分とするメッキ層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半田層は、錫系の合金材からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半田層は、バンプであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記下地導体層は、配線基板の電極パッドであり、
前記接合層は、前記電極パッドの表面に形成されたメッキ層であり、
前記半田層は、前記接合層に接合されたバンプであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
主面と対向する裏面に電極パッドが形成された配線基板と、前記配線基板の主面に実装された半導体チップとを更に有し、
前記下地導体層は、前記配線基板の電極パッドであり、
前記接合層は、前記電極パッドの表面に形成されたメッキ層であり、
前記半田層は、前記接合層に接合されたバンプであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
主面に電極パッドが形成された配線基板と、主面に電極パッドが形成された半導体チップとを更に有し、
前記下地導体層は、前記配線基板の電極パッドであり、
前記接合層は、前記電極パッドの表面に形成されたメッキ層であり、
前記半田層は、前記配線基板の電極パッドと前記半導体チップの電極パッドとの間に介在されたバンプであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置において、
主面に電極パッドが形成された配線基板と、主面に電極パッドが形成された半導体チップとを更に有し、
前記下地導体層は、前記半導体チップの電極パッドであり、
前記接合層は、前記電極パッドの表面に形成されたメッキ層であり、
前記半田層は、前記配線基板の電極パッドと前記半導体チップの電極パッドとの間に介在されたバンプであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置において、
半導体基板と、前記半導体基板上に配置された複数の第１電極パッドと、前記複数の第１電極パッドの上層に、この第１電極パッドよりも広い配列ピッチで配置され、かつ前記複数の第１電極パッドに夫々電気的に接続された第２電極パッドとを更に有し、
前記下地導体層は、前記第２電極パッドであり、
前記接合層は、前記第２電極パッドの表面に形成されたメッキ層であり、
前記半田層は、前記接合層に接合されたバンプであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像読取装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏両面に画像が記録された原稿を読み取ることが可能な画像読取装置であって、
前記原稿の表面画像を読み取る第１のラインイメージセンサと、
前記原稿の裏面画像を読み取る第２のラインイメージセンサと、
前記第１のラインイメージセンサから出力された表面画像信号をＡ／Ｄ変換して表面画像データを出力する第１の画像処理回路と、
前記第２のラインイメージセンサから出力された裏面画像信号をＡ／Ｄ変換して裏面画像データを出力する第２の画像処理回路と、
前記表面画像データ及び前記裏面画像データが１画素毎に略同時に所定データレートで入力され、入力された前記表面画像データ及び前記裏面画像データを１画素毎に交互に前記所定データレートの２倍のデータレートで出力するセレクタと、
を有することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
さらに、原稿を搬送する原稿搬送機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記第２のラインイメージセンサは、前記原稿搬送機構に内蔵されることを特徴とする請求項２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記第１のラインイメージセンサによる表面画像の読み取りが開始された後に前記第２のラインイメージセンサによる裏面画像の読み取りが開始されるように前記第１のラインイメージセンサと前記第２のラインイメージセンサとは原稿の搬送方向において離れて配置されることを特徴とする請求項２に記載の画像読取装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は画像読取装置、特に原稿の表面と裏面を同時ないしはほぼ同時に読み取ることができる画像読取装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記問題点に鑑み、本発明は、表裏両面に画像が記録された原稿を読み取ることが可能な画像読取装置であって、前記原稿の表面画像を読み取る第１のラインイメージセンサと、前記原稿の裏面画像を読み取る第２のラインイメージセンサと、前記第１のラインイメージセンサから出力された表面画像信号をＡ／Ｄ変換して表面画像データを出力する第１の画像処理回路と、前記第２のラインイメージセンサから出力された裏面画像信号をＡ／Ｄ変換して裏面画像データを出力する第２の画像処理回路と、前記表面画像データ及び前記裏面画像データが１画素毎に略同時に所定データレートで入力され、入力された前記表面画像データ及び前記裏面画像データを１画素毎に交互に前記所定データレートの２倍のデータレートで出力するセレクタと、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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