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【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下部を中心にして回転するドアと、前記ドアの動作と連動して貯蔵室内から前方に引出される収納ケースとを備えた冷蔵庫において、前記収納ケースは前記貯蔵室の両側壁に設けたレールに支持されて前後方向に移動する冷蔵庫。
【請求項２】  ドアの内板と、収納ケースの側壁を連結し回動自在に支持された作動レバーと、収納ケースの両側壁に形成された突部を備え、前記ドアの開放時、前記収納ケースは前記作動レバーと連動しながら前記突部が貯蔵室の両側壁に設けたレールの溝内を摺動することにより前方へ移動する請求項１に記載の冷蔵庫。
【請求項３】  貯蔵室の両側壁に設けたレールは奥側で緩やかに傾斜している請求項２に記載の冷蔵庫。
【請求項４】  ドアを閉じた状態において、収納ケースの突部はレール溝に支持されず、収納ケースは貯蔵室の底面に載置した状態である請求項３に記載の冷蔵庫。
【請求項５】  収納ケースは前面と上面を開放して形成され、ドアを完全に開いた時、前方に移動した収納ケースの底面はドアの内板面上に配置される請求項１または請求項２に記載の冷蔵庫。
【請求項６】  収納ケースは、底部が開口した樹脂性の枠体と金属性の底板で形成されている請求項１または請求項２または請求項４のいずれか一項に記載の冷蔵庫。
【請求項７】  金属性の底板は収納ケースから着脱可能とした請求項６に記載の冷蔵庫。
【請求項８】  貯蔵室の下面に直冷式の冷却器が配置される請求項６または請求項７に記載の冷蔵庫。
【請求項９】  貯蔵室のドア下端部の高さを床面から６５０ｍｍ以上８５０ｍｍ以下の範囲に設定した請求項１または請求項２に記載の冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月18日(2005.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび画像形成装置並びに該電子写真感光体の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該電子写真感光体の表面層が下記式（１）
【化１】
2004101914.tif 000001
（式中、Ａはａ個の芳香環を有する正孔輸送性基を示し、Ｒ1は置換もしくは無置換の有機基を示し、Ｑは加水分解性基または水酸基を示し、Ｒ2は置換もしくは無置換の一価炭化水素基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは正の整数を示し、ｍ／ａ≧０．５である。）
で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物とアルコール可溶性シロキサン樹脂との重縮合生成物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記支持体上に電荷発生層、電荷輸送層までを形成した後、前記有機ケイ素変成正孔輸送性化合物、前記アルコール可溶性シロキサン樹脂およびアルコールを含有する溶液に浸漬することによって表面保護層を形成したことを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記シロキサン樹脂が下記一般式（２）
【化２】
2004101914.tif 000002
（式（２）中、Ｒ3は炭素数１〜３のアルキル基、ビニル基、フェニル基、ＣxＦ2x+1Ｃ2Ｈ4−（ｘは１〜１８の整数である）、γ−グリシドキシプロピル基またはγ-メタクリロキシプロピル基である。）
で示されるシロキサン樹脂の重縮合生成物を含有することを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項４】
上記式（１）においてＡが下記式（３）
【化３】
2004101914.tif 000003
（Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は有機基であり、少なくともひとつは芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を含み、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は同一であっても異なっていてもよい。）
で示される請求項１〜３のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項５】
上記式（１）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の重縮合生成物が４．５〜６．２ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する請求項１〜４のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項６】
上記式（１）においてＡがトリフェニルアミン構造を有する請求項１〜５のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項７】
上記式（１）においてｍ＝２〜３、ａ＝３〜６である請求項１〜６のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記表面層が、前記有機ケイ素変性正孔輸送性化合物とアルコール可溶性シロキサン樹脂とのアルコール溶液の塗布と、前記有機ケイ素変性正孔輸送性化合物とアルコール可溶性シロキサン樹脂との重縮合とによって形成されたものである請求項１〜７の何れかに記載の電子写真感光体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の電子写真感光体を、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、静電潜像の形成された該電子写真感光体をトナーで現像する現像手段、及び転写工程後の該電子写真感光体上に残余するトナーを回収するクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくともひとつの手段と共に一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の電子写真感光体、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、該帯電した電子写真感光体に対し露光を行い静電潜像を形成する露光手段、静電潜像の形成された該電子写真感光体をトナーで現像する現像手段、及び転写材上のトナー像を転写する転写手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１１】
有機ケイ素変性正孔輸送性化合物とアルコール可溶性シロキサン樹脂との重縮合生成物を含んでいる表面層を具備している電子写真感光体の製造方法であって、
該有機ケイ素変性正孔輸送性化合物と前記アルコール可溶性シロキサン樹脂とのアルコール溶液を塗工し、次いで該有機ケイ素変性正孔輸送性化合物と該アルコール可溶性シロキサン樹脂とを重縮合させて該表面層を形成する工程を含み、
該有機ケイ素変性正孔輸送性化合物は、前記式（１）で示される構造を有しているものであることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特定の組成の表面保護層を有する電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび画像形成装置並びに該電子写真感光体の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び画像形成装置並びに上記電子写真感光体の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１導電型半導体層、第１導電型半導体層上の一部に形成された第２導電型半導体層、第１導電型半導体層の上に第１電極、第２導電型半導体層上の第２電極、第１電極と電気的に接している第１ボンディングパッド、および第２電極と電気的に接している第２ボンディングパッドを有し、第２電極が発光部を形成している半導体発光素子において、第１ボンディングパッドと第２ボンディングパッドは発光部に対して同じ側に形成されており、第１ボンディングパッドの直下には絶縁膜が形成されており、第１電極と第２ボンディングパッドはチップ外形の異なる辺に沿って設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１電極は、前記第２ボンディングパッドと発光部を挟んで対向する側に設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
第１電極は第１ボンディングパッドと配線層を介して電気的に接続されており、配線層の直下に絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２電極と前記第２ボンディングパッドに接して第２電極よりシート抵抗の低いリード線が形成されており、前記リード線は発光部を挟んで前記第１電極と対向する側に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１電極と前記リード線は、前記第１ボンディングパッドおよび前記第２ボンディングパッドが形成されているチップ外周の辺に隣接する２辺に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記発光部の平面形状が、少なくとも３回以上の回転対称の形状であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の半導体発光素子がケースに固定されてなり、該発光素子における第１ボンディングパッドと第２ボンディングパッドに各々ワイヤが接続され、かつ、各々のワイヤは、前記発光素子における発光部とは反対側に引き出されて、該ケースに設けられた端子に接続されてなることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載の半導体発光素子における第１ボンディングパッドと第２ボンディングパッドが導電樹脂接着剤を用いてケースに設けられた端子に接続されてなることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項９】
該基板面が前記ケースの主面に対して概略垂直に配置されてなることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項７に記載の半導体発光装置は、前記半導体発光素子がケースに固定されてなり、該発光素子における第１ボンディングパッドと第２ボンディングパッドに各々ワイヤが接続され、かつ、各々のワイヤは、前記発光素子における発光部とは反対側に引き出されて、該ケースに設けられた端子に接続されてなることを特徴とする。
請求項８に記載の半導体発光装置は、第１ボンディングパッドと第２ボンディングパッドが導電樹脂接着剤を用いてケースに設けられた端子に接続されてなることを特徴とする。
請求項９に記載の半導体発光装置は、該基板面が前記ケースの主面に対して概略垂直に配置されてなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
〈実施の形態２〉図６は、本発明の第２の実施の形態よりなる発光素子の構成を示す平面図である。図において、１０はサファイア基板（約３５０μｍ×４８０μｍの長方形）であり、４５はほぼ正方形の発光部（約３００μｍ角）であり、１５は約１３０μｍ角正方形の正電極パッド、１８は約８０μｍ角の負電極パッドであり、正電極パッド１５および負電極パッド１８はサファイア基板１０上で発光部４５に対して同じ側に配設されており、該正電極パッド１５および該負電極パッド１８の外形が形作る長辺部に近接して該半導体発光素子の発光部４５が配設されている。透光性正電極１４の１辺に沿って、リード線４９が正電極パッド１５と一体的に形成されており、チップ外形に対して前記リード線４９と対向する側に、負電極２０（幅約１０μｍ）が設置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
〈実施の形態３〉図７は、本発明の第３の実施の形態よりなる発光素子の構成を示す平面図である。図において、１０はサファイア基板（約３５０μｍ×４８０μｍの長方形）であり、４６はほぼ円形の発光部（直径約３００μｍ）であり、１５は約１３０μｍ角正方形の正電極パッド、１８は約８０μｍ角の負電極パッドであり、正電極パッド１５および負電極パッド１８はサファイア基板１０上で発光部４６に対して同じ側に配設されており、該正電極パッド１５および該負電極パッド１８の外形が形作る長辺部に近接して該半導体発光素子の発光部４６が配設されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
〈実施の形態４〉図８は、本発明の第４の実施の形態よりなる発光素子の構成を示す平面図である。図において、１０はサファイア基板（約３５０μｍ×４８０μｍの長方形）であり、４７はほぼ多角形の発光部（外径約３００μｍ）であり、１５は約１３０μｍ角正方形の正電極パッド、１８は約８０μｍ角の負電極パッドであり、正電極パッド１５および負電極パッド１８はサファイア基板１０上で発光部４７に対して同じ側に配設されており、該正電極パッド１５および該負電極パッド１８の外形が形作る長辺部に近接して該半導体発光素子の発光部４７が配設されている。該負電極パッド１８は、発光部４７を挟んで正電極パッド１５と対向する位置に形成された負電極２０（幅約５μｍ）と、発光部３９の横に設けられた配線層２１で電気的に接続されており、配線層２１および負電極パッド１８部分の直下には、絶縁層１６が積層されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
本実施の形態における電極構造では、負電極２０が正電極パッド及び負電極パッドが形成されているチップ外周の辺に近接するチップ外周の辺に沿って、負電極パッド１８から延伸して設けられている為、図６（ａ）で示した実施の形態２で配線層２１を構成していた領域に、負電極２０を形成して半導体発光素子を構成した構造になっており、同じサイズの発光部１９を有する実施の形態２に比べ、正負の両電極パッド半導体発光素子の長辺のサイズを小さくする事ができた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2000022210.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された窒化ガリウム系半導体層をチップ状に分割してなる窒化ガリウム系半導体素子において、前記基板裏面にダメージ層厚以上の深さの第１の溝を少なくとも含む溝を形成して前記窒化ガリウム系半導体層をチップ化したことを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項２】
前記溝は基板裏面より形成した幅広の第１の溝と、前記第１の溝内に形成した第１の溝より幅狭の第２の溝とからなることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項３】
前記第１の溝の深さは、基板裏面より２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項４】
前記第２の溝が素子表面側より基板を２０μｍ〜３０μｍ厚さを残した深さであるか、あるいは素子表面まで貫通する深さであることを特徴とする請求項２に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項５】
前記第１の溝の幅が１００μｍ〜２００μｍであり、第２の溝の幅が３０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項６】
前記基板は、５０μｍ〜１２０μｍの厚さであることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項７】
前記基板はＣ面（０００１面）を主面とする基板であり、前記溝は〈１１−２０〉方向又は〈１−１００〉方向に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
【請求項８】
前記基板上に形成された窒化ガリウム系半導体層をチップ状に分割してなる窒化ガリウム系半導体素子の製造方法において、前記基板裏面に、加工歪のない面を露出させる第１の溝を形成し、チップ化する工程を含むことを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記基板裏面に、加工歪のない面を露出させる第１の溝を形成した後に、第１の溝の中に第１の溝よりも幅狭の第２の溝を形成し、チップ化する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の溝をダイジング、またはウエットエッチング、またはドライエッチングによって形成することを特徴とする請求項８または９に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の溝を、刃の消耗量の大きい樹脂埋め込み切断刃を用いたダイシングで形成することを特徴とする請求項１０に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の溝形成に用いるダイシング用の切断刃は刃の厚みが１００μｍ〜２００μｍ、第２の溝形成に用いるダイシング用の切断刃は刃の厚みが３０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１１に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の記載の窒化ガリウム系半導体素子は、基板上に形成された窒化ガリウム系半導体層をチップ状に分割してなる窒化ガリウム系半導体素子において、前記基板裏面に溝を形成して前記窒化ガリウム系半導体層をチップ化したことを特徴とする。本発明は基板裏面に溝をダイシング、又は化学的エッチングによって形成し、この溝を利用してチップ化するから、基板裏面に存在する加工歪の影響なしにチップ化することができる。このため、基板裏面を研削した後、加工歪を除去する研磨仕上げをなくすことができる。したがって、歩留まり向上が計れ、生産効率がよくなり、量産に適する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の窒化ガリウム系半導体素子は、前記溝は基板裏面より形成した幅広の第１の溝と、前記第１の溝内に形成した第１の溝より幅狭の第２の溝とからなることを特徴とする。この特徴のため、基板裏面に存在する加工歪を幅広の溝によって除去して基板を露出させ、幅狭の溝によって基板を切断あるいは切断寸前までに溝を形成することができる。したがって、効率よくチップ化することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の窒化ガリウム系半導体素子は、前記第１の溝の深さは、基板裏面のダメージ層厚以上であることを特徴とする。この特徴により、確実に基板裏面に存在する加工歪の影響を除去してチップ化することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明の窒化ガリウム系半導体素子は、前記第１の溝の深さが基板裏面より２０μｍ以下であり、第２の溝が素子表面より２０〜３０μｍ残した深さであることを特徴とする。この特徴により、第１の溝の深さと第２の溝の深さの適正化を図ることができ、歩留まり向上を計り、生産効率をあげ、かつ大量生産を可能にする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の窒化ガリウム系半導体素子は、前記基板はＣ面（０００１面）を主面とする基板であり、前記溝は〈１１−２０〉方向又は〈１−１００〉方向に形成されることを特徴とする。この特徴により、基板を直線に切断することを容易にし、チッピングの発生を少なくするとともに刃の消耗を少なく、切断速度を速くして、歩留まり向上と大量生産を可能にする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、本発明の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法は、基板上に形成された窒化ガリウム系半導体層をチップ状に分割してなる窒化ガリウム系半導体素子の製造方法において、前記基板裏面にダイシングを用いて溝を形成し、チップ化することを特徴とする。この特徴により、基板裏面に溝を研削するときに基板裏面に存在する加工歪の影響をなくしてチップ化することができる。したがって、歩留まり向上が計れ、量産に適する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに、本発明の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法は、第１の溝形成に用いるダイシング用の切断刃は刃の消耗量の大きい樹脂埋め込み切断刃を用いることを特徴とする。この特徴により、基板裏面に存在する加工歪の影響なく、そしてチッピング、クラックを生じることなく溝を形成することができ、歩留まり向上が計れ、量産に適する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらに、本発明の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法は、第１の溝形成に用いるダイシング用の切断刃は刃の厚みが１００〜２００μｍ、第２の溝形成に用いるダイシング用の切断刃は刃の厚みが３０〜１００μｍであることを特徴とする。この特徴により、幅広の溝と幅狭の溝をダイシング用の切断刃によって形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白金，イリジウム，ルテニウムから成る高融点貴金属群のうち少なくとも１種以上の材料から成る複数の導電体電極と，誘電膜とが積層されている半導体装置の製造方法において：
第１の導電体電極を形成する工程と；
前記第１の導電体電極の構成元素と第１の誘電体膜の構成元素とが混在する第１の領域を形成する工程と；
前記第１の混在領域を熱処理して遷移層を形成する工程と；
前記第１の導電体電極上に前記第１の誘電体膜を形成する工程と；
を含むことを特徴とする，半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の混在領域を形成する工程は，
前記第１の導電体電極が形成された前記半導体基板に高周波電圧を印加した状態で，前記第１の導電体電極上に前記第１の誘電体膜を形成する工程であることを特徴とする，請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の混在領域を形成する工程は，酸化性雰囲気中でおこなう工程であることを特徴とする，請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の導電体電極を形成する工程の後に，前記第１の導電体電極上に第１の導電体酸化物膜を形成する工程を含めることを特徴とする，請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の混在領域を形成する工程は，前記第１の導電体電極に前記第１の誘電体の構成元素をイオン注入する工程であることを特徴とする，請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記遷移層を形成する工程は，非酸化雰囲気で行われることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記遷移層を形成する工程は，５００℃以下の酸化雰囲気で行われることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板上に形成された前記第１の誘電体膜上に第２の誘電体膜を形成する工程と，
前記第２の誘電体膜の構成元素と第２の導電体電極の構成元素が混在する第２の領域を形成する工程と，
前記第２の混在領域を非酸化性雰囲気中で熱処理して遷移層を形成する工程と，前記第２の誘電膜上に第２の導電体膜を形成する工程と，を含むことを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の混在領域を形成する工程は，前記第２の誘電膜を形成した前記半導体基板に高周波電圧を印加した状態で前記第２の誘電体膜上に前記第２の導電体電極を形成する工程であることを特徴とする，請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の混在領域を形成する工程は，酸化性雰囲気中でおこなう工程であることを特徴とする，請求項８又は９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の混在領域を形成する工程は，前記第２の誘電膜上に前記第２の導電体電極の構成元素をイオン注入する工程であることを特徴とする，請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月18日(2004.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿画像を読み取る読み取り手段及び複数の原稿を順次給送する原稿フィーダを備えた原稿読み取り装置と、該原稿読み取り装置によって読み取った画像データを入力して処理する情報処理装置とからなる画像入力システムにおいて、
前記読み取り手段による原稿の読み取り画像領域を設定する領域設定手段と、
前記領域設定手段により予め原稿毎に読み取り画像領域が設定された複数の原稿を前記原稿フィーダにより順次給送しながら前記読み取り手段が連続して読み取るように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする画像入力システム。
【請求項２】
前記原稿読み取り装置による各原稿の読み取りが終了する毎に前記情報処理装置に通知する通知手段を備え、前記情報処理装置は前記通知毎に前記原稿読み取り装置に対して次の原稿に設定されている読み取り画像領域を読み取るように指示することを特徴とする請求項１記載の画像入力システム。
【請求項３】
ユーザに前記読み取り画像領域を入力指示させるために前記原稿読み取り装置によりプレスキャンされた各原稿画像を表示する表示部を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の画像入力システム。
【請求項４】
予め原稿毎に読み取り画像領域を設定した複数の原稿を順次給送しながら連続して読み取ることを特徴とする画像入力方法。
【請求項５】
各原稿の読み取りが終了する毎に、次の原稿に設定されている読み取り画像領域を通知することを特徴とする請求項４記載の画像入力方法。
【請求項６】
前記読み取り画像領域を設定するために各原稿画像をプレスキャンすることを特徴とする請求項４又は５に記載の画像入力方法。
【請求項７】
ユーザに前記読み取り画像領域を入力指示させるためにプレスキャンされた各原稿画像を表示することを特徴とする請求項６記載の画像入力方法。
【請求項８】
予め原稿毎に読み取り画像領域を設定した複数の原稿を順次給送しながら連続して読み取るように原稿読み取り装置を制御するためのプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
【請求項９】
各原稿の読み取りが終了する毎に出される指示に従って、次の原稿に設定されている読み取り画像領域を読み取るように前記原稿読み取り装置を制御するためのプログラムを格納したことを特徴とする請求項８記載の記憶媒体。
【請求項１０】
前記読み取り画像領域を設定するために各原稿画像をプレスキャンするように前記原稿読み取り装置を制御するためのプログラムを格納したことを特徴とする請求項８又は９記載の記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明では、画像入力システム，画像入力方法、記憶媒体を次のとおりに構成する。
（１）原稿画像を読み取る読み取り手段及び複数の原稿を順次給送する原稿フィーダを備えた原稿読み取り装置と、該原稿読み取り装置によって読み取った画像データを入力して処理する情報処理装置とからなる画像入力システムにおいて、
前記読み取り手段による原稿の読み取り画像領域を設定する領域設定手段と、
前記領域設定手段により予め原稿毎に読み取り画像領域が設定された複数の原稿を前記原稿フィーダにより順次給送しながら前記読み取り手段が連続して読み取るように制御する制御手段と、
を備えた画像入力システム。
（２）前記原稿読み取り装置による各原稿の読み取りが終了する毎に前記情報処理装置に通知する通知手段を備え、前記情報処理装置は前記通知毎に前記原稿読み取り装置に対して次の原稿に設定されている読み取り画像領域を読み取るように指示する前記（１）記載の画像入力システム。
（３）ユーザに前記読み取り画像領域を入力指示させるために前記原稿読み取り装置によりプレスキャンされた各原稿画像を表示する表示部を備える前記（１）又は（２）記載の画像入力システム。
（４）予め原稿毎に読み取り画像領域を設定した複数の原稿を順次給送しながら連続して読み取る画像入力方法。
（５）各原稿の読み取りが終了する毎に、次の原稿に設定されている読み取り画像領域を通知する前記（４）記載の画像入力方法。
（６）前記読み取り画像領域を設定するために各原稿画像をプレスキャンする前記（４）又は（５）に記載の画像入力方法。
（７）ユーザに前記読み取り画像領域を入力指示させるためにプレスキャンされた各原稿画像を表示する前記（６）記載の画像入力方法。
（８）予め原稿毎に読み取り画像領域を設定した複数の原稿を順次給送しながら連続して読み取るように原稿読み取り装置を制御するためのプログラムを格納した記憶媒体。
（９）各原稿の読み取りが終了する毎に出される指示に従って、次の原稿に設定されている読み取り画像領域を読み取るように前記原稿読み取り装置を制御するためのプログラムを格納した前記（８）記載の記憶媒体。
（１０）前記読み取り画像領域を設定するために各原稿画像をプレスキャンするように前記原稿読み取り装置を制御するためのプログラムを格納した前記（８）又は（９）記載の記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、複数ページの原稿画像をそれぞれ所望の領域で効率的に入力することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶するメモリと、
前記データを制御するロジック回路とを有し、
前記メモリと前記ロジック回路は活性層を有するＴＦＴによって構成され、かつ同一絶縁基板上に一体形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
データを記憶するメモリと、
前記データを制御するロジック回路とを有し、
前記メモリは複数のＦＡＭＯＳ型ＴＦＴを有し、
前記メモリと前記ロジック回路は活性層を有するＴＦＴによって構成され、かつ同一絶縁基板上に一体形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記データを制御するロジック回路とを有し、
前記不揮発性メモリと前記ロジック回路は活性層を有するＴＦＴによって構成され、かつ同一絶縁基板上に一体形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記データを制御するロジック回路とを有し、
前記不揮発性メモリは複数のＦＡＭＯＳ型ＴＦＴを有し、
前記不揮発性メモリと前記ロジック回路は活性層を有するＴＦＴによって構成され、かつ同一絶縁基板上に一体形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
データを記憶するメモリと、
前記データを制御するロジック回路とを有し、
前記メモリと前記ロジック回路は活性層を有するＴＦＴによって構成され、かつ同一絶縁基板上に一体形成され、
前記活性層は結晶構造であり、前記活性層の厚さが１０〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
データを記憶するメモリと、
前記データを制御するロジック回路とを有し、
前記メモリは複数のＦＡＭＯＳ型ＴＦＴを有し、
前記メモリと前記ロジック回路は活性層を有するＴＦＴによって構成され、かつ同一絶縁基板上に一体形成され、
前記活性層は結晶構造であり、前記活性層の厚さが１０〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記データを制御するロジック回路とを有し、
前記不揮発性メモリと前記ロジック回路は活性層を有するＴＦＴによって構成され、かつ同一絶縁基板上に一体形成され、
前記活性層は結晶構造であり、前記活性層の厚さが１０〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
データを記憶する不揮発性メモリと、
前記データを制御するロジック回路とを有し、
前記不揮発性メモリは複数のＦＡＭＯＳ型ＴＦＴを有し、
前記不揮発性メモリと前記ロジック回路は活性層を有するＴＦＴによって構成され、かつ同一絶縁基板上に一体形成され、
前記活性層は結晶構造であり、前記活性層の厚さが１０〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子付きＢＧＡパッケージの端子部に付随するボールパッドにハンダボールを取り付ける工程を含む端子付きＢＧＡパッケ−ジの製造方法において、このハンダボールを取り付け工程を赤外線照射による加熱と、循環させた窒素または不活性ガスの温風による加熱との併用によって行い、前記ハンダボールが溶融しているときに前記端子付きＢＧＡパッケージに吹き付けられる温風循環速度が、１〜４ｍ／秒であり、かつ該パッケージの最高到達温度が２５０〜２７５℃の範囲にある条件で行うことを特徴とする端子付きＢＧＡパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記端子付きＢＧＡパッケージが、銅または銅合金基板からなる金属基材の上にポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの上に銅配線とを有する端子付きＢＧＡパッケージであって、前記金属基材のボールパッド下部が、端子構造に加工された端子付きＢＧＡパッケージである請求項１記載の端子付きＢＧＡパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記ボールパッドにハンダボールを取り付ける工程を、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下の窒素または不活性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１または２記載の端子付きＢＧＡパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記ボールパッドにＰを３〜１０重量％含むＮｉメッキが施され、さらにそのＮｉメッキの上にＡｕメッキが施された端子付きＢＧＡパッケージである請求項１〜３のいずれかに記載の端子付きＢＧＡパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記端子部にＰを３〜１０重量％含むＮｉメッキが施され、さらにそのＮｉメッキの上にＡｕメッキが施された端子付きＢＧＡパッケージである請求項１〜４のいずれかに記載の端子付きＢＧＡパッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法を用いて作製した端子付きＢＧＡパッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明を解決するための手段】
本発明は、端子付きＢＧＡパッケージの端子部に付随するボールパッドにハンダボールを取り付ける工程を含む端子付きＢＧＡパッケ−ジの製造方法において、このハンダボールを取り付け工程を赤外線照射による加熱と、循環させた窒素または不活性ガスの温風による加熱との併用によって行い、前記ハンダボールが溶融しているときに前記端子付きＢＧＡパッケージに吹き付けられる温風循環速度が、１〜４ｍ／秒であり、かつ該パッケージの最高到達温度が２５０〜２７５℃の範囲にある条件で行うことを特徴とする端子付きＢＧＡパッケージの製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに端子付きＢＧＡパッケージの銅配線は酸化されやすく、また特に端子付きＢＧＡパッケージの金属基材が、銅または銅合金で構成されている場合、端子部が酸化されやすいため、温風中の酸素含有量を十分低減する必要があり、窒素又は不活性ガス雰囲気中の酸素含有量は１０００ｐｐｍ以下さらに好ましくは３００ｐｐｍ以下に、さらに好ましくは、１００ｐｐｍ以下に制御する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、ハンダボール近傍では、温風の吹きつけ速度である温風循環速度は、５ｍ／秒以上であるとハンダボールが位置ずれをおこし、ボールパッドからずれることがあるため、４ｍ／秒以下が好ましく、逆に１ｍ／秒未満であると均一な温度制御が難しいため、１〜４ｍ／秒の範囲で制御することが好ましいが、さらに好ましくは、十分な熱の供給が行える３〜４ｍ／秒の範囲に制御する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【表１】
2000022020.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成される半導体活性層と、
前記半導体活性層上に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されるフローティングゲイト電極と、
前記フローティングゲイト電極を覆って設けられた酸化膜と、
前記酸化膜の上面および側面に接して形成されるコントロールゲイト電極と、
を備えた不揮発性メモリ。
【請求項２】
絶縁基板上に形成される半導体活性層と、
前記半導体活性層上に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されるフローティングゲイト電極と、
前記フローティングゲイト電極を覆って設けられた酸化膜と、
前記酸化膜の上面のみに接して形成されるコントロールゲイト電極と、
を備えた不揮発性メモリ。
【請求項３】
絶縁基板上に形成される半導体活性層と、
前記半導体活性層上に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されるフローティングゲイト電極と、
前記フローティングゲイト電極を覆って設けられた酸化膜と、
前記酸化膜の上面および側面に接して形成されるコントロールゲイト電極と、
を備えた不揮発性メモリであって、
前記半導体活性層のチャネル領域とソース・ドレイン領域は、直接接している不揮発性メモリ。
【請求項４】
絶縁基板上に形成される半導体活性層と、
前記半導体活性層上に形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されるフローティングゲイト電極と、
前記フローティングゲイト電極を覆って設けられた酸化膜と、
前記酸化膜の上面のみに接して形成されるコントロールゲイト電極と、
を備えた不揮発性メモリであって、
前記半導体活性層のチャネル領域とソース・ドレイン領域は、直接接している不揮発性メモリ。
【請求項５】
前記チャネル形成領域では、不対結合手の数が前記ソース・ドレイン領域よりも少ない請求項３または４に記載の不揮発性メモリ。
【請求項６】
前記酸化膜は、前記フローティングゲイト電極の陽極酸化して得られた陽極酸化膜である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項７】
前記酸化膜は、前記フローティングゲイト電極を熱酸化して得られた酸化膜である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項８】
絶縁基板と、
複数の画素ＴＦＴがマトリクス状に配置された画素回路と、
前記複数の画素ＴＦＴを駆動するＴＦＴで構成された駆動回路と、
不揮発性メモリと、
を有し、
前記不揮発性メモリは、前記絶縁基板上に形成される半導体活性層と、前記半導体活性層上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されるフローティングゲイト電極と、前記フローティングゲイト電極を覆って設けられた酸化膜と、前記酸化膜の上面および側面に接して形成されるコントロールゲイト電極と、を備えており、
前記画素回路と前記駆動回路と前記不揮発性メモリとは、前記絶縁基板上に設けられている半導体装置。
【請求項９】
絶縁基板と、
複数の画素ＴＦＴがマトリクス状に配置された画素回路と、
前記複数の画素ＴＦＴを駆動するＴＦＴで構成された駆動回路と、
不揮発性メモリと、
を有し、
前記不揮発性メモリは、前記絶縁基板上に形成される半導体活性層と、前記半導体活性層上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されるフローティングゲイト電極と、前記フローティングゲイト電極を覆って設けられた酸化膜と、前記酸化膜の上面のみに接して形成されるコントロールゲイト電極と、を備えており、
前記画素回路と前記駆動回路と前記不揮発性メモリとは、前記絶縁基板上に設けられている半導体装置。
【請求項１０】
前記酸化膜は、前記フローティングゲイト電極の陽極酸化して得られた陽極酸化膜である請求項８または９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記酸化膜は、前記フローティングゲイト電極を熱酸化して得られた酸化膜である請求項８または９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体装置は、液晶表示装置であることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  直径を形成する内面と深さを有するコイルに係合するためのコイル操作装置において、前記コイルが長手方向の軸を形成しており、
前記コイル操作装置は、前記長手方向の軸が垂直に向いた状態で前記コイルに係合し更に前記コイルの向きを新たに設定して前記長手方向の軸を水平に配置するように形成されており、
該操作装置は、
一対の間隔を有して離れる支持アームと、
前記支持アームにより支持されていてその間に配置される旋回キャリッジと、
を具備しており、
前記キャリッジは、前記コイルの前記深さに沿って前記コイルの内面に係合するための固定アームを具備しており、該キャリッジは更に、お互いに鈍角で配置されるレバーアームとベアリングアームを具備するスラストレバーを具備しており、
該スラストレバーは、前記固定アームから約１０度で前記キャリッジに旋回可能に設置されており、更に前記固定アームとベアリングアームが直ちに前記コイルに挿入する第１の位置と、前記ベアリングアームが前記コイルの前記内面に向かって強制的に押されて前記固定アームと前記ベアリングアームとの間に前記コイルを固定する、第２の位置との間で旋回可能であり、
前記旋回するキャリッジは、コイルの長手方向の軸が垂直である第１の位置と、コイルの長手方向の軸が水平である第２の位置との間で旋回可能である、コイル操作装置。
【請求項２】  前記キャリッジは、前記キャリッジを旋回するためにそれの端部において旋回部材を有する横の支持部材を具備しており、前記キャリッジは、前記横の支持部材に対して横に伸張する第１と第２のフランジアームを更に具備しており、そこでは
前記固定アームは前記第１のフランジアームに設置されており、更に前記スラストレバーは前記第２のフランジアームに設置される、
請求項１に記載のコイル操作装置。
【請求項３】  前記第１のフランジアームから、前記固定アームに対向して、伸張する位置決め部材を具備しており、
前記ベアリングアームが前記コイルの内面に対して強制的に押されて前記コイルを前記固定アームと前記ベアリングアームとの間に固定する場合に、前記スラストレバーは、前記位置決め部材と協働して前記固定アーム及び前記ベアリングアームを固定する、
請求項２に記載のコイル操作装置。
【請求項４】  前記第１のフランジアームから、前記固定アームに対向して、伸張する位置決め部材を具備しており、
前記スラストレバーは、前記ベアリングアームと固定アームを前記コイルに挿入するために前もって決められた位置において、前記位置決め部材と協働して前記固定アーム及び前記ベアリングアームを固定する、
請求項２に記載のコイル操作装置。
【請求項５】  前記固定アームの端部から伸張するフック状の突起を具備しており、
前記フック状の突起は、前記コイルの底面及び前記コイル内面の継ぎ目において前記コイルに係合するように形成される、
請求項１に記載のコイル操作装置。
【請求項６】  前記固定アームをそれに取り外し可能に設置するために、第１のフランジアームから伸張するスタッブを具備しており、
前記固定アームは、前記コイルの底面及び前記コイル内面の継ぎ目において前記コイルに係合するために、そこから伸張するフック状の突起を具備する、
請求項２に記載のコイル操作装置。
【請求項７】  前記キャリッジは、一対の横の支持部材を具備しており、更に
ピボット部材は前記横の支持部材の端部に設置された板である
請求項２に記載のコイル操作装置。
【請求項８】  前記ピボット板は、ピボット位置を形成しており、
前記ピボット位置は、前記横の支持部材の下に設置される、
請求項７に記載のコイル操作装置。
【請求項９】  吊り上げアセンブリを具備しており、更に
前記間隔を有して離れる支持アームは前記吊り上げアセンブリに設置される、
請求項１に記載のコイル操作装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信回線を介して情報処理装置から受信される、少なくとも商品の発注数量、発注時間および納期を示す情報を含む受注情報を受信する受信手段と、
前記受注情報、並びに、商品の在庫情報および出荷情報を管理するデータベースを参照して商品の在庫引当を制御する制御手段と、
受信した受注情報に対する納期回答を示す画面情報を、前記通信回線を介して前記情報処理装置へ送信する送信手段とを有し、
前記制御手段は、新たに受信した受注情報の緊急度の判定、および、前記受注情報が示す発注数量と未引当の在庫数量との比較に基づき、前記在庫引当を制御することを特徴とするサーバ装置。
【請求項２】
サーバの制御方法であって、
通信回線を介して情報処理装置から受信される、少なくとも商品の発注数量、発注時間および納期を示す情報を含む受注情報を受信し、
前記受注情報、並びに、商品の在庫情報および出荷情報を管理するデータベースを参照して商品の在庫引当を制御し、
受信した受注情報に対する納期回答を示す画面情報を、前記通信回線を介して前記情報処理装置へ送信する各ステップを有し、
新たに受信した受注情報の緊急度の判定、および、前記受注情報が示す発注数量と未引当の在庫数量との比較に基づき、前記在庫引当を制御することを特徴とする制御方法。
【請求項３】
サーバの制御方法であって、
所定の通信回線を介して情報処理装置から、少なくとも発注数量、納期を示す情報を含む受注情報を受信し、
前記受注情報、並びに、商品の在庫情報および出荷情報を管理するデータベースを参照して商品の在庫引当を制御し、
受信した受注情報の発注数量を未引当在庫の数量が満たすか否かを判定し、前記未引当在庫の数量が不足すると判定した場合は、前記データベースから緊急度が低い既に在庫引当済みの受注情報を抽出し、抽出した受注情報に対応する既引当在庫の数量と前記未引当在庫の数量との和が、前記発注数量を満たすか否かを判定する各ステップを有し、
前記在庫引当の制御は、前記判定結果が前記発注数量を満たす場合、前記未引当在庫、または、前記未引当在庫および前記既引当在庫から、前記受信した受注情報に対する在庫を引き当てることを特徴とする制御方法。
【請求項４】
所定の通信回線を介して情報処理装置から、少なくとも発注数量、納期を示す情報を含む受注情報を受信する受信手段と、
前記受注情報、並びに、商品の在庫情報および出荷情報を管理するデータベースを参照して商品の在庫引当を制御する制御手段と、
受信した受注情報の発注数量を未引当在庫の数量が満たすか否かを判定し、前記未引当在庫の数量が不足すると判定した場合は、前記データベースから緊急度が低い既に在庫引当済みの受注情報を抽出し、抽出した受注情報に対応する既引当在庫の数量と前記未引当在庫の数量との和が、前記発注数量を満たすか否かを判定する判定手段とを有し、
前記判定手段の判定結果が前記発注数量を満たすことを示す場合、前記制御手段は、前記未引当在庫、または、前記未引当在庫および前記既引当在庫から、前記受信した受注情報に対する在庫を引き当てることを特徴とするサーバ装置。
【請求項５】
供給者から商品を受け取るマスタ倉庫、および、地理的に分散配置され、前記マスタ倉庫から前記商品が配給され、前記商品を顧客に配送する複数のブランチ倉庫における前記商品の流通を制御する流通制御方法であって、
複数の倉庫の在庫を管理する在庫管理ステップと、
顧客からの受注情報に基づき在庫を引き当てる在庫引当ステップと、
前記各ステップの処理結果に基づき出荷指示を行う商品の出荷指示ステップとを有し、
各倉庫および出荷先の地理情報に基づく各出荷先に対する倉庫の優先順位に従い、前記商品の流通を制御することを特徴とする制御方法。
【請求項６】
情報処理装置を制御して、請求項2、請求項3、請求項5の何れかに記載された制御を実行することを特徴とするプログラム。
【請求項７】
請求項6に記載されたプログラムが記録されたことを特徴とする記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
立設された筒状固定枠体と、該固定枠体の両端を橋絡する支持軸と、該支持軸に両端が軸支され、前記固定枠体に対して開閉可能な筒状可動枠体と、前記支持軸に両端が軸支された回動可能な複数の骨材部と、前記可動枠体が前記固定枠体に対して略直角となる位置にて張架し、且つ前記固定枠体と前記可動枠体との間に前記支持軸を軸中心にして前記各骨材部を所定の角度で配置するように覆って取付けたネットとを備え、前記固定枠体に対して前記可動枠体を開いた際に、前記ネット内の前記固定枠体と前記各骨材部と前記可動枠体とで囲まれた空間内にごみを収納可能とするとともに、前記可動枠体を閉じた際に、前記固定枠体の内方に前記可動枠体および前記各骨材部を配置させて折り畳みされ、前記空間内に置かれた前記ごみを収集可能としたことを特徴とするごみ収納装置。
【請求項２】
前記ネットには、前記固定枠体の中央を構成する基部と前記骨材部との間に、上方に向いて開放された開口孔が形成され、さらに該開口孔を覆う蓋体ネットを設けて、該蓋体ネットの一端縁を前記基部に取付けし、その他端縁を自由端として、開閉可能としたことを特徴とする請求項１に記載のごみ収納装置。
【請求項３】
前記固定枠体の各端部は、台座部にそれぞれ取付け可能であるとともに、地面に穿設された孔部内に嵌入可能としたことを特徴とする請求項１または２に記載のごみ収納装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発泡合成樹脂で形成された函体の側壁の上面に、該函体内に装着される合成樹脂製内袋の上部を差込んで保持するための溝が形成されていることを特徴とする発泡合成樹脂製包装容器。
【請求項２】
側壁の上面の溝が、側壁の一部又は長さ方向の全長に亘って穿設されてなることを特徴とする請求項１に記載の発泡合成樹脂製包装容器。
【請求項３】
溝の両端が、溝に挿入された内袋を弾力的に保持するように、溝の中央部より狭隘とされてなることを特徴とする請求項２に記載の発泡合成樹脂製包装容器。
【請求項４】
側壁の上面の溝が、側壁の全周に亘って穿設されてなることを特徴とする請求項１に記載の発泡合成樹脂製包装容器。
【請求項５】
函体が発泡ポリスチレンからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の合成樹脂製包装容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、かかる目的を達成するため鋭意検討をした結果なされたもので、発泡合成樹脂で形成された函体の側壁の上面に、該函体内に装着される合成樹脂製内袋の上部を差込んで保持するための溝が形成されていることを特徴とする発泡合成樹脂製包装容器を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、側壁の上面の溝が、側壁の一部又は長さ方向の全長に亘って穿設されてなる上記の発泡合成樹脂製包装容器、溝の両端が、溝に挿入された内袋を弾力的に保持するように、溝の中央部より狭隘とされてなる上記の発泡合成樹脂製包装容器、側壁の上面の溝が、側壁の全周に亘って穿設されてなる上記の発泡合成樹脂製包装容器を提供するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、本発明は、函体が発泡ポリスチレンからなる上記の合成樹脂製包装容器を提供するものである。