【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の形状の導電膜を形成し、
前記第１の形状の導電膜から第２の形状の導電膜を形成し、
前記第２の形状の導電膜をマスクとして前記半導体膜に一導電型の不純物元素を添加して第１の不純物領域を形成し、
前記第２の形状の導電膜をマスクとして前記半導体膜の選択された領域に一導電型の不純物元素を添加して第２及び第３の不純物領域を形成し、
前記第２の形状の導電膜をマスクとして前記半導体膜の選択された領域に前記一導電型とは反対の不純物元素を添加して第４及び第５の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の島状の半導体膜、第２の島状の半導体膜及び第３の島状の半導体膜を形成し、
前記第１の島状の半導体膜、第２の島状の半導体膜及び第３の島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上にマスクを形成し、
第１のエッチングにより前記第１の導電膜及び第２の導電膜をテーパ状にして、前記第１の島状の半導体膜、第２の島状の半導体膜及び第３の島状の半導体膜の上方に第１の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜を形成し、
前記マスクを用いて第２のエッチングをして、前記第１の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜を第２の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜にし、
前記第２の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜をマスクとして前記第１の島状の半導体膜、第２の島状の半導体膜及び第３の島状の半導体膜に一導電型の不純物元素を添加して第１の不純物領域を形成し、
前記第２の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜をマスクとして前記第１の島状の半導体膜及び第２の島状の半導体膜に一導電型の不純物元素を添加して第２及び第３の不純物領域を形成し、
前記第２の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜をマスクとして前記第３の島状の半導体膜に前記一導電型とは反対の不純物元素を添加して第４及び第５の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の形状の導電膜を形成し、
前記第１の形状の導電膜から第２の形状の導電膜を形成し、
前記第２の形状の導電膜をマスクとして前記半導体膜に第１のドーズ量で一導電型の不純物元素を添加して第１の不純物領域を形成し、
前記第２の形状の導電膜をマスクとして前記半導体膜の選択された領域に第２のドーズ量で一導電型の不純物元素を添加して第２及び第３の不純物領域を形成し、
前記第２の形状の導電膜をマスクとして前記半導体膜の選択された領域に前記一導電型とは反対の不純物元素を添加して第４及び第５の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に第１の島状の半導体膜、第２の島状の半導体膜及び第３の島状の半導体膜を形成し、
前記第１の島状の半導体膜、第２の島状の半導体膜及び第３の島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上にマスクを形成し、
第１のエッチングにより前記第１の導電膜及び第２の導電膜をテーパ状にして、前記第１の島状の半導体膜、第２の島状の半導体膜及び第３の島状の半導体膜の上方に第１の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜を形成し、
前記マスクを用いて第２のエッチングをして、前記第１の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜を第２の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜にし、
前記第２の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜をマスクとして前記第１の島状の半導体膜、第２の島状の半導体膜及び第３の島状の半導体膜に第１のドーズ量で一導電型の不純物元素を添加して第１の不純物領域を形成し、
前記第２の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜をマスクとして前記第１の島状の半導体膜及び第２の島状の半導体膜に第２のドーズ量で一導電型の不純物元素を添加して第２及び第３の不純物領域を形成し、
前記第２の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜をマスクとして前記第３の島状の半導体膜に前記一導電型とは反対の不純物元素を添加して第４及び第５の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記一導電型の不純物はｎ型を付与する不純物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
画素部に設けられる第１のｎチャネル型ＴＦＴと、駆動回路に設けられる第２のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを同一基板上に備え、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴは第１の結晶質半導体膜、前記第１の結晶質半導体膜上のゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上の第１のゲート電極とを有し、前記第１の結晶質半導体膜に形成された第２の不純物領域と第３の不純物領域は前記第１のゲート電極の外側に設けられ、かつ、第２の不純物領域はチャネル形成領域と第３の不純物領域の間に設けられ、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴは第２の結晶質半導体膜、前記第２の結晶質半導体膜上のゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上の第２のゲート電極とを有し、前記第２の結晶質半導体膜に形成された第２の不純物領域は前記第２のゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、第３の不純物領域は前記第２のゲート電極の外側に設けられ、
前記ｐチャネル型ＴＦＴは第３の結晶質半導体膜、前記第３の結晶質半導体膜上のゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上の第３のゲート電極とを有し、前記第３の結晶質半導体膜に形成された第４の不純物領域は前記第３のゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、第５の不純物領域は前記第３のゲート電極の外側に設けられている半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に第１の結晶質半導体膜、第２の結晶質半導体膜及び第３の結晶質半導体膜を形成し、
前記第１の結晶質半導体膜、第２の結晶質半導体膜及び第３の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上にマスクを形成し、
第１のエッチングにより前記第１の導電膜及び第２の導電膜をテーパ状にして、前記第１の島状の半導体膜、第２の島状の半導体膜及び第３の島状の半導体膜の上方に第１の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜を形成し、
前記マスクを用いた第２のエッチングにより、前記第１の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜を第２の形状の第１の導電膜及び第２の導電膜にして、前記第１の島状の半導体膜、第２の島状の半導体膜及び第３の島状の半導体膜の上方に第１のゲート電極、第２のゲート電極及び第３のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極、第２のゲート電極及び第３のゲート電極をマスクにして前記第１の結晶質半導体膜、第２の結晶質半導体膜及び第３の結晶質半導体膜中に第１のｎ型の不純物元素を添加して第１の不純物領域を形成し、
前記第１のゲート電極及び第２のゲート電極をマスクにして前記第１の結晶質半導体膜及び第２の結晶質半導体膜中に、前記第１のｎ型の不純物元素よりも高濃度の第２のｎ型の不純物元素を添加して第２の不純物領域及び第３の不純物領域を形成し、
前記第３のゲート電極をマスクにして前記第３の結晶質半導体膜中にｐ型の不純物元素を添加して第４及び第５の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
前記第２の不純物領域に含まれるｎ型の不純物元素の濃度は、前記第３の不純物領域に含まれるｎ型の不純物元素の濃度よりも低く、
前記第４の不純物領域に含まれるｐ型の不純物元素の濃度は、前記第５の不純物領域に含まれるｐ型の不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を促進する元素を添加して、第１の加熱処理により結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を成膜し、
第２の加熱処理により前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして第１の結晶質半導体膜、第２の結晶質半導体膜及び第３の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を促進する元素を添加して、第１の加熱処理により結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜にレーザー光を照射し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を成膜し、
第２の加熱処理により前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして第１の結晶質半導体膜、第２の結晶質半導体膜及び第３の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を促進する元素を添加して、第１の加熱処理により結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を形成し、
第２の加熱処理により前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去し、
前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして第１の結晶質半導体膜、第２の結晶質半導体膜及び第３の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を促進する元素を添加し、
前記非晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を形成し、
第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化させ結晶質半導体膜を形成すると共に前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去し、
前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして第１の結晶質半導体膜、第２の結晶質半導体膜及び第３の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上にシリコンの結晶化を促進する元素を添加し、
前記絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記非晶質半導体膜上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を形成し、
第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化させ結晶質半導体膜を形成すると共に前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去し、
前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして第１の結晶質半導体膜、第２の結晶質半導体膜及び第３の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面上にシリコンの結晶化を促進する元素を添加し、
前記絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記非晶質半導体膜上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を形成し、
前記半導体膜に希ガス元素を添加し、
第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化させ結晶質半導体膜を形成すると共に前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去し、
前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして前記第１の結晶質半導体膜、前記第２の結晶質半導体膜及び前記第３の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれか一項において、前記バリア層はオゾン水により形成されたケミカルオキサイド膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１３のいずれか一項において、前記バリア層はプラズマ処理により前記非晶質半導体膜の表面を酸化して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項８乃至１３のいずれか一項において、前記バリア層は酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射してオゾンを発生させ前記非晶質半導体膜の表面を酸化して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項８乃至１３のいずれか一項において、前記バリア層は膜厚１〜１０ｎｍで形成され、多孔質膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項８乃至１３のいずれか一項において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項８乃至１３のいずれか一項において、前記第１の加熱処理は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項８乃至１３のいずれか一項において、前記第１の加熱処理は、電熱炉を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項８乃至１０のいずれか一項において、前記第２の加熱処理は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項８乃至１０のいずれか一項において、前記第２の加熱処理は、電熱炉を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項８乃至１３のいずれか一項において、前記元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
第１のｎチャネル型ＴＦＴと第２のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを同一基板上に備えた半導体装置であって、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成される第１の不純物領域と第２の不純物領域とはゲート電極の外側に設けられ、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成される第３の不純物領域はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、第４の不純物領域はゲート電極の外側に設けられ、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成される第５の不純物領域はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、第６の不純物領域はゲート電極の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
第１のｎチャネル型ＴＦＴと第２のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを同一基板上に備えた半導体装置であって、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成され、ＬＤＤ領域となる第１の不純物領域と、ソースまたはドレイン領域となる第２の不純物領域とはゲート電極の外側に設けられ、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成され、ＬＤＤ領域となる第３の不純物領域はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ソースまたはドレイン領域となる第４の不純物領域はゲート電極の外側に設けられ、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成され、ＬＤＤ領域となる第５の不純物領域はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ソースまたはドレイン領域となる第６の不純物領域はゲート電極の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
画素部に設けられる第１のｎチャネル型ＴＦＴと、駆動回路に設けられる第２のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを同一基板上に備えた半導体装置であって、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成される第１の不純物領域と第２の不純物領域とはゲート電極の外側に設けられ、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成される第３の不純物領域はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、第４の不純物領域はゲート電極の外側に設けられ、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成される第５の不純物領域はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、第６の不純物領域はゲート電極の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
画素部に設けられる第１のｎチャネル型ＴＦＴと、駆動回路に設けられる第２のｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを同一基板上に備えた半導体装置であって、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成され、ＬＤＤ領域となる第１の不純物領域と、ソースまたはドレイン領域となる第２の不純物領域とはゲート電極の外側に設けられ、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成され、ＬＤＤ領域となる第３の不純物領域はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ソースまたはドレイン領域となる第４の不純物領域はゲート電極の外側に設けられ、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体膜に形成され、ＬＤＤ領域となる第５の不純物領域はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ソースまたはドレイン領域となる第６の不純物領域はゲート電極の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】
請求項２４乃至２７のいずれか一項において、前記第２のｎチャネル型ＴＦＴがバッファ回路に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２９】
絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を促進する元素を添加して、第１の加熱処理により結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を成膜し、
第２の加熱処理により前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３０】
絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を促進する元素を添加して、第１の加熱処理により結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜にレーザー光を照射し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を成膜し、
第２の加熱処理により前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３１】
絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を促進する元素を添加して、第１の加熱処理により結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を形成し、
第２の加熱処理により前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去し、
前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３２】
絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を促進する元素を添加し、
前記非晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を形成し、
第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化させ結晶質半導体膜を形成すると共に前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去し、
前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３３】
絶縁表面上にシリコンの結晶化を促進する元素を添加し、
前記絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記非晶質半導体膜上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を形成し、
第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化させ結晶質半導体膜を形成すると共に前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去し、
前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３４】
絶縁表面上にシリコンの結晶化を促進する元素を添加し、
前記絶縁表面にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記非晶質半導体膜上に希ガス元素を１×１０19／ｃｍ3〜１×１０22／ｃｍ3の濃度で含んだ半導体膜を形成し、
前記半導体膜に希ガス元素を添加し、
第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化させ結晶質半導体膜を形成すると共に前記元素を前記半導体膜に移動させ、
前記半導体膜を除去し、
前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３５】
請求項２９乃至３４のいずれか一項において、前記バリア層はオゾン水により形成されたケミカルオキサイド膜であることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３６】
請求項２９乃至３４のいずれか一項において、前記バリア層はプラズマ処理により前記非晶質半導体膜の表面を酸化して形成されることを特徴とする半結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３７】
請求項２９乃至３４のいずれか一項において、前記バリア層は酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射してオゾンを発生させ前記非晶質半導体膜の表面を酸化して形成されることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項３８】
請求項２９乃至３４のいずれか一項において、前記バリア層は膜圧１〜１０ｎｍで形成され、多孔質膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３９】
請求項２９乃至３４のいずれか一項において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項４０】
請求項２９乃至３４のいずれか一項において、前記第１の加熱処理は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行うことを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項４１】
請求項２９乃至３４のいずれか一項において、前記第１の加熱処理は、電熱炉を用いて行われることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項４２】
請求項２９乃至３１のいずれか一項において、前記第２の加熱処理は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行われることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項４３】
請求項２９乃至３１のいずれか一項において、前記第２の加熱処理は、電熱炉を用いて行われることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項４４】
請求項２９乃至３４のいずれか一項において、前記元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする結晶質半導体膜の作製方法。
【請求項４５】
請求項２４乃至２８のいずれか一項に記載の半導体装置は、アクティブマトリクス型表示装置に組み込まれている。
【請求項４６】
請求項２４乃至２８のいずれか一項に記載の半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末に組み込まれている。