【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１の基板と第２の基板の間に液晶が封入され、前記第１の基板または／および前記第２の基板の外側面には、偏光板が設けられてなり、前記偏光板を抜けた偏光を前記液晶にて変調することにより表示を行う液晶表示装置の製造方法において、
前記第１の基板となる支持基板の対向面上に複数の薄膜トランジスタ及びその電極配線を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ及びその電極配線を覆って表面が平坦化された絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に開口部を形成して、対応する薄膜トランジスタの一部を露出する工程と、
前記絶縁膜上に、前記開口部を介して前記薄膜トランジスタに電気的に接続する液晶駆動用の画素電極を形成する工程と、
前記画素電極を覆って、液晶の初期配向を制御する垂直配向膜となる材料膜を成膜する工程と、
加熱により前記材料膜を乾燥することにより、液晶の初期配向を基板の法線方向、あるいは、法線方向から１°の範囲内に制御すべく垂直配向膜を形成する工程と、
前記第２の基板となる支持基板の対向面上に、液晶駆動用の共通電極、及び、前記共通電極中の前記画素電極に対向する領域内に所定の形状を有する電極不在部である配向制御窓を形成する工程と、
前記共通電極を覆って、液晶の初期配向を制御する垂直配向膜となる材料膜を成膜する工程と、
加熱により前記材料膜を乾燥することにより、液晶の初期配向を基板の法線方向、あるいは、法線方向から１°の範囲内に制御すべく垂直配向膜を形成する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを所定の間隙をもって貼り合わせる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間隙に誘電率異方性が負の液晶を注入し、これを封止する工程と、
前記第１の基板または／および前記第２の基板の外側面に偏光板を貼り付ける工程と、からなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
対向配置された第１の基板と第２の基板の間に液晶が封入され、前記第１の基板または／および前記第２の基板の外側面には、偏光板が設けられてなり、前記偏光板を抜けた偏光を前記液晶にて変調することにより表示を行う液晶表示装置の製造方
法において、
前記第１の基板となる支持基板の対向面上に薄膜トランジスタのゲート電極及びその配線を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質半導体層を成膜する工程と、
前記非晶質半導体層にレーザーアニールを施して多結晶化することにより、多結晶半導体層を形成する工程と、
前記多結晶半導体層の所定領域に不純物を所定の濃度に注入する工程と、
前記多結晶半導体層を薄膜トランジスタに必要な領域にパターニングする工程と、
前記多結晶半導体層上に第１の層間絶縁膜を形成し、前記不純物が注入された領域上の部分を除去して開口部を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に、前記開口部を介して前記多結晶半導体層の前記不純物が注入された領域に各々接続する薄膜トランジスタのドレイン電極または／及びソース電極とその配線を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタを覆う表面が平坦化された第２の層間絶縁膜を形成し、前記薄膜トランジスタの所定の部分の上を除去して開口部を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜上に、前記開口部を介して前記薄膜トランジスタに接続する液晶駆動用の画素電極を形成する工程と、
前記画素電極を覆って、液晶の初期配向を制御する垂直配向膜となる材料膜を成膜する工程と、
加熱により前記材料膜を乾燥することにより、液晶の初期配向を基板の法線方向、あるいは、法線方向から１°の範囲内に制御すべく垂直配向膜を形成する工程と、
前記第２の基板となる支持基板の対向面上に、液晶駆動用の共通電極、及び、前記共通電極中の前記画素電極に対向する領域内に所定の形状を有する電極不在部である配向制御窓を形成する工程と、
前記共通電極を覆って、液晶の初期配向を制御する垂直配向膜となる材料膜を成膜する工程と、
加熱により前記材料膜を乾燥することにより、液晶の初期配向を基板の法線方向、あるいは、法線方向から１°の範囲内に制御すべく垂直配向膜を形成する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを所定の間隙をもって貼り合わせる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間隙に液晶を注入し、これを封止する工程と、
前記第１の基板または／および前記第２の基板の外側面に偏光板を貼り付ける工程と、からなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の基板となる支持基板の対向面上に変調光を着色するためのカラーフィルター層を形成する工程を有し、前記共通電極及び前記配向制御窓は、前記カラーフィルター層上に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記カラーフィルター層上に、前記カラーフィルターの保護膜を形成する工程を有し、前記共通電極及び前記配向制御窓は、前記保護膜上に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記垂直配向膜にはラビング処理が施されていないことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜は、厚みが１μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
液晶表示装置の製造方法において、
液晶層に接触する第１の基板の一方の面に、液晶の初期配向を制御する垂直配向膜となる第１の材料膜を成膜する工程と、
前記第１の材料膜を第１の温度でプリベークする工程と
前記第１の材料膜を第２の温度で本ベークする工程と
前記第１の材料膜を乾燥して前記垂直配向膜を形成する工程と、
ラビング処理が行われていない前記垂直配向膜を有する前記第１の基板と第２の基板とを所定の間隙をもって貼り合わせる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間隙に液晶を注入し、これを封止する工程と、
からなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記垂直配向膜は、液晶の初期配向を前記第１の基板の法線方向、あるいは、法線方向から１°の範囲内に制御することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１（ｂ）の工程において、ゲート電極（１１）を覆って全面に、プラズマＣＶＤによりＳｉＮｘ及びＳｉＯ2からなるゲート絶縁膜（１２）を形成し、引き続き、連続してプ
ラズマＣＶＤによりアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）（１３ａ）を成膜する。ａ−Ｓｉ（１３ａ）は、材料ガスであるモノシランＳｉＨ4、あるいは、ジシランＳｉ2Ｈ4を４０
０℃程度の熱及びプラズマにより分解堆積することで形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図４（ｉ）の工程において、ポリイミドを印刷により塗布成膜し、８０℃、１０分でプリベークを行い、引き続き、１８０℃、３０分で本ベークを行って乾燥することにより垂直配向膜（３１）を形成する。
以上の工程により、ＴＦＴ基板が完成する。
続いて、図５および図６を用いて対向基板側の製造方法を説明する。まず、図５（ａ）の工程において、基板（２０）上に、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ）を形成する。Ｒのカラーフィルター（２１Ｒ）は、まず、感光性のＲのフィルムレジストを貼り付け、これをＲの表示画素に対応した形状に感光して現像することにより形成する。Ｇのカラーフィルター（２１Ｇ）、および、Ｂのカラーフィルター（２１Ｂ）を同様に形成する。このカラーフィルター（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ）は、少なくとも各々対応する画素電極（１９）よりも大きく形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図６（ｄ）の工程で、ポリイミドを印刷により塗布成膜し、８０℃で１０分のプリベークを行い、引き続き、１８０℃で３０分の本ベークを行って乾燥することにより、垂直配向膜（３２）を形成する。
以上の工程により、対向基板が完成される。
上述のように製造されたＴＦＴ基板と対向基板は、４μｍ程度の間隔をもって周縁部に設けたシール材により貼り合わされ、間に液晶層（４０）が密封される。図７は、本発明
の製造方法により製造されたＬＣＤの表示画素部の平面図であり、図８はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。対向基板側のカラーフィルター（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ）は、ＴＦＴ基板側の画素電極（１９）に各々対向する位置にある。また、配向制御窓（２４）は、図７に示されているように、画素電極（１９）に対向する領域内において、画素の中央部を縦断するとともに、そこから４５°程度の角度をもって二股に別れて画素の角部へ向かった形状とされている。