【手続補正書】
【提出日】平成17年8月24日(2005.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】微細パターン形成材料、微細パターン形成方法および電子デバイス装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  酸の存在により架橋可能な水溶性成分と、
水および／または水溶性有機溶媒とを含有してなり、
酸を供給し得るレジストパターンの上に形成され、前記レジストパターンに接する部分で前記水溶性成分がカルボキシル基との反応を起こして水またはアルカリに不溶な膜を形成することを特徴とする微細パターン形成材料。
【請求項２】  前記水溶性成分は、水溶性ポリマー、水溶性モノマー、水溶性オリゴマーおよび水溶性モノマーの共重合体並びにこれらの塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の微細パターン形成材料。
【請求項３】  前記水溶性オリゴマーは、水溶性モノマーの２量体〜２４０量体または平均分子量１０，０００以下の重合体である請求項２に記載の微細パターン形成材料。
【請求項４】  前記水溶性モノマーは、スルホン酸塩含有モノマー、カルボキシル基含有モノマー、水酸基含有モノマー、アミド基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、ジアリルグリシノニトリル基含有モノマー、エーテル基含有モノマー、ピロリドン誘導体、エチレンイミン誘導体、尿素誘導体、メラミン誘導体、グリコールウリルおよびベンゾグアナミンよりなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項２または３に記載の微細パターン形成材料。
【請求項５】  前記水溶性オリゴマーは、アリルアミンオリゴマーまたはエチレンイミンオリゴマーである請求項３に記載の微細パターン形成材料。
【請求項６】  可塑剤および／または界面活性剤をさらに含む請求項１〜５に記載の微細パターン形成材料。
【請求項７】  支持体または支持体上に形成された薄膜の上に酸を供給し得るレジストパターンを形成する第１の工程と、
前記レジストパターンの上に請求項１〜６のいずれかに記載の微細パターン形成材料を塗布して微細パターン形成膜を形成する第２の工程と、
前記レジストパターンからの酸の供給により前記微細パターン形成膜の前記レジストパターンに接する部分で架橋反応を起こして水またはアルカリに不溶な膜を形成する第３の工程と、
前記微細パターン形成膜の水またはアルカリに可溶な部分を除去する第４の工程とを有することを特徴とする微細パターン形成方法。
【請求項８】  前記第３の工程は、熱処理工程および／または露光工程である請求項７に記載の微細パターン形成方法。
【請求項９】  請求項１〜６のいずれかに記載の微細パターン形成材料を用い、
前記微細パターン形成材料中の前記水溶性成分の濃度を調整することにより前記水またはアルカリに不溶な膜の膜厚を制御する請求項７または８に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１０】  請求項１〜６のいずれかに記載の微細パターン形成材料を用い、
異なる平均分子量を有する前記水溶性成分の混合比を調整することにより前記水またはアルカリに不溶な膜の膜厚を制御する請求項７または８に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１１】  前記水溶性成分はエチレンイミンオリゴマーである請求項１０に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１２】  請求項１〜６のいずれかに記載の微細パターン形成材料を用い、
異なる種類の前記水溶性成分の混合比を調整することにより前記水またはアルカリに不溶な膜の膜厚を制御する請求項７または８に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１３】  前記水溶性成分は、アリルアミンオリゴマーおよびエチレンイミンオリゴマーである請求項１２に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１４】  前記熱処理工程の温度を調整することにより前記水またはアルカリに不溶な膜の膜厚を制御する請求項８に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１５】  前記レジストパターンを加熱処理により酸を発生するレジストで形成する請求項７〜１４に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１６】  前記レジストパターンを露光により酸を発生するレジストで形成する請求項７〜１４に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１７】  前記レジストパターンを酸を含有するレジストで形成する請求項７〜１４に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１８】  前記第１の工程で形成されたレジストパターンに酸性液体または酸性気体で表面処理を行った後に前記第２の工程を行う請求項７〜１４に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１９】  前記第２の工程で形成された微細パターン形成膜の上から所定領域を露光した後に前記第３の工程を行う請求項７〜１８に記載の微細パターン形成方法。
【請求項２０】  前記第２の工程で形成された微細パターン形成膜の上から所定領域に電子線を照射した後に前記第３の工程を行う請求項７〜１８に記載の微細パターン形成方法。
【請求項２１】  前記支持体は半導体基板である請求項７〜２０に記載の微細パターン形成方法を用いた電子デバイス装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細パターン形成材料、微細パターン形成方法および電子デバイス装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものである。即ち、本発明の目的は、フォトリソグラフィ技術における露光波長の限界を超えて微細パターンの形成を可能とする微細パターン形成材料、これを用いた微細パターンの形成方法および電子デバイス装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の目的は、下地のレジストを溶解させることのない微細パターン形成材料、これを用いた微細パターンの形成方法および電子デバイス装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の目的は、アクリル系レジストなどの上においても良好に微細パターンを形成することのできる微細パターン形成材料、これを用いた微細パターンの形成方法および電子デバイス装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、本発明の目的は、ブリッジなどの欠陥を低減させることのできる微細パターン形成材料、これを用いた微細パターンの形成方法および電子デバイス装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本願請求項１にかかる発明は、酸の存在により架橋可能な水溶性成分と、
水および／または水溶性有機溶媒とを含有してなり、
酸を供給し得るレジストパターンの上に形成され、前記レジストパターンに接する部分で前記水溶性成分がカルボキシル基との反応を起こして水またはアルカリに不溶な膜を形成することを特徴とする微細パターン形成材料に関する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本願請求項５にかかる発明は、請求項３に記載の微細パターン形成材料において、前記水溶性オリゴマーは、アリルアミンオリゴマーまたはエチレンイミンオリゴマーであることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本願請求項２１にかかる発明は、前記支持体は半導体基板である請求項７〜２０に記載の微細パターン形成方法を用いた電子デバイス装置の製造方法に関する。