(57)【要約】  連結基を介してジアリールアミノ基が結合したカルバゾール骨格を有する特定構造の芳香族アミン誘導体を提供する。また、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する、高発光効率な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。【化１】
2008062636.tif 000049
（式中、Ｌ1は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基であり、  Ｒ1は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基であり、Ｒ2は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。但し、Ａｒ1及びＡｒ2は、いずれもフルオレン構造を含まず、また、一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体が有するカルバゾール構造は１つ又は２つである。）
【請求項２】
前記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記一般式（１−ａ）で表される構造である請求項１記載の芳香族アミン誘導体。【化２】
2008062636.tif 000050
（一般式（１−ａ）において、Ｌ1、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じである。）
【請求項３】
前記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記一般式（１−ｂ）で表される構造である請求項１記載の芳香族アミン誘導体。【化３】
2008062636.tif 000051
（一般式（１−ｂ）において、Ｌ1、Ａｒ1、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、Ｌ2は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ3及びＡｒ4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基である。但し、Ａｒ3及びＡｒ4は、いずれもフルオレン構造を含まない。）
【請求項４】
前記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記一般式（１−ｃ）で表される構造である請求項１記載の芳香族アミン誘導体。【化４】
2008062636.tif 000052
（一般式（１−ｃ）において、Ｌ1、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、Ｌ2及びＬ3は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ3〜Ａｒ6は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基である。但し、Ａｒ3〜Ａｒ6は、いずれもフルオレン構造を含まない。）
【請求項５】
前記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記一般式（１−ｄ）で表される構造である請求項１記載の芳香族アミン誘導体。【化５】
2008062636.tif 000053
（一般式（１−ｄ）において、Ｌ1、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ9及びＡｒ10は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基である。但し、Ａｒ7〜Ａｒ10は、いずれもフルオレン構造を含まない。）
【請求項６】
前記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記一般式（１−ｅ）で表される構造である請求項１記載の芳香族アミン誘導体。【化６】
2008062636.tif 000054
（一般式（１−ｅ）において、Ｌ1、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、Ａｒ11〜Ａｒ14は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ15及びＡｒ16は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基である。但し、Ａｒ11〜Ａｒ16は、いずれもフルオレン構造を含まない。）
【請求項７】
前記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体が、下記一般式（１−ｆ）で表される構造である請求項１記載の芳香族アミン誘導体。【化７】
2008062636.tif 000055
（一般式（１−ｆ）において、Ｌ1、Ａｒ1、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、Ｌ2は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基であり、Ｒ3は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基であり、Ｒ4は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。）
【請求項８】
前記一般式（１）、（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）、（１−ｄ）、（１−ｅ）及び（１−ｆ）において、Ｌ1は、無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、無置換のフルオレニレン基、又は無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基、Ｒ1は、無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、Ｒ2は、水素原子、無置換の核炭素数６〜６０のアリール基又は無置換の炭素数１〜５０のアルキル基であり、Ａｒ1及びＡｒ2は、いずれもフルオレン構造を含まず、また、一般式（１）、（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）、（１−ｄ）、（１−ｅ）又は（１−ｆ）で表される芳香族アミン誘導体が有するカルバゾール構造は１つ又は２つである請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項９】
前記一般式（１）、（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）、（１−ｄ）、（１−ｅ）及び（１−ｆ）において、Ａｒ1〜Ａｒ6、Ａｒ9〜Ａｒ10及びＡｒ15〜Ａｒ16が、それぞれ置換もしくは無置換のフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基又はフェナントリル基、Ａｒ7〜Ａｒ8及びＡｒ11〜Ａｒ14が、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基又はフェナントリレン基である請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１０】
前記一般式（１）において、Ｒ1が置換もしくは無置換のフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基又はフェナントリル基である請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１１】
前記一般式（１）において、Ｒ2がカルバゾール骨格の３位又は６位に結合した置換もしくは無置換のアリール基である請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１２】
前記一般式（１）において、Ｌ1が置換もしくは無置換のフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基又はフルオレニレン基である請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１３】
前記芳香族アミン誘導体に含まれる環を形成する核炭素数が４８〜７０である請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１４】
有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１５】
有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料又は正孔注入材料である請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１６】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
前記有機薄膜層が正孔輸送層を有し、請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体が該正孔輸送層に含有されている請求項１６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１８】
前記有機薄膜層が正孔注入層を有し、請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体が該正孔注入層に含有されている請求項１６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
前記有機薄膜層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層を有し、請求項１〜７のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体が主成分として正孔輸送層又は正孔注入層に含有されている請求項１６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
前記発光層がスチリルアミン及び／又はアリールアミンを含有する請求項１６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
青色系発光する請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、発光効率が高い有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する新規な芳香族アミン誘導体に関する。
【背景技術】
【０００２】  有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記することがある）は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ等による積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙｋｅ，アプライドフィジックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ），５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇ等は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送性発光層の二層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。  従来、有機ＥＬ素子に用いられる正孔輸送材料として、特許文献１記載の芳香族ジアミン誘導体や、特許文献２記載の芳香族縮合環ジアミン誘導体が知られていた。  これらを改良した化合物として、特許文献３〜５にはカルバゾールを含有するアリールアミン系化合物が開示されており、正孔輸送材料として用いられている。また、特許文献６では、３位置換カルバゾールを有するアリールアミン系化合物｛例示：下記化合物（Ａ）｝が開示されており、正孔注入材料として用いられている。これらの化合物を正孔注入層又は正孔輸送層に用いた素子では、発光効率等改良はされてきているものの、未だに発光効率が十分ではなく、さらなる高効率化が求められていた。  また、特許文献７には、３位置換カルバゾールを有するアリールアミン系化合物｛例示：下記化合物（Ｂ）｝が開示されているが、リン光ホスト材料として用いられており、正孔注入材料又は正孔輸送材料として用いられた例はこれまで無かった。  また、特許文献８には３位置換カルバゾールがフェニレン基を介してアミンに結合した化合物の記載があるが、この化合物は蒸着温度が高く、発光効率が低いという問題があった。特許文献９に記載されている化合物２４は、その素子寿命が短いという欠点があった。また、化合物４０は蒸着温度が高いという欠点があった。【０００３】
【化１】
2008062636.tif 000002
【０００４】
【特許文献１】米国特許第４，７２０，４３２号明細書
【特許文献２】米国特許第５，０６１，５６９号明細書
【特許文献３】米国特許第６，２４２，１１５号明細書
【特許文献４】特開平１１−１４４８７３号公報
【特許文献５】特開２０００−３０２７５６号公報
【特許文献６】特開２００６−１５１９７９号公報
【特許文献７】特開２００５−２９００００号公報
【特許文献８】特開２００３−１３３０７５号公報
【特許文献９】特開２００４−０７９２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、高発光効率な有機ＥＬ素子及びそれを実現する化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  本発明者等は、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、連結基を介してジアリールアミノ基が結合したカルバゾール骨格を有する芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用い、特に、正孔輸送材料又は正孔注入材料として用いることで、発光効率が高い有機ＥＬ素子を製造できることを見出し、本発明を完成したものである。本発明の化合物は、前記（Ａ）（Ｂ）等の構造の化合物と比較してＥａ（電子親和力）が浅くなることによって電子輸送層側の隣接層からの電子をブロックする効果があるので再結合効率が上がり、発光効率が上がると考えられる。【０００７】  すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。【化２】
2008062636.tif 000003
【０００８】（式中、Ｌ1は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基であり、  Ｒ1は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基であり、Ｒ2は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数１〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。但し、Ａｒ1及びＡｒ2は、いずれもフルオレン構造を含まず、また、一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体が有するカルバゾール構造は１つ又は２つである。）【０００９】  また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】  本発明の芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】  本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。【化３】
2008062636.tif 000004
【００１２】  一般式（１）において、Ｌ1は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０（好ましくは核炭素数６〜１８）のアリーレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０（好ましくは核原子数５〜２０）のヘテロアリーレン基である。  Ｌ1のアリーレン基及びヘテロアリーレン基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｐ−テルフェニル−４−イル基、ｐ−テルフェニル−３−イル基、ｐ−テルフェニル−２−イル基、ｍ−テルフェニル−４−イル基、ｍ−テルフェニル−３−イル基、ｍ−テルフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニリル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−テルフェニル４−イル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル−１−インドリル基、４−ｔ−ブチル−１−インドリル基、２−ｔ−ブチル−３−インドリル基、４−ｔ−ブチル−３−インドリル基等を２価の基とした例が挙げられる。【００１３】  Ｌ1のアリーレン基として好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、クォーターフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントリレン基、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基等が挙げられる。好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基又はフルオレニレン基である。  ヘテロアリーレン基として好ましくは、チオフェニリル基、１−フェニルチオフェニリル基、１，４−ジフェニルチオフェニリル基、ベンゾチオフェニリル基、１−フェニルベンゾチオフェニリル基、１，８−ジフェニルベンゾチオフェニリル基、フリル基、１−フェニルジベンゾチオフェニリル基、１，８−ジフェニルチオフェニリル基、フリル基、ジベンゾフラニル基、１−フェニルジベンゾフラニル基、１，８−ジフェニルジベンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基等を２価の基としたものであり、さらに好ましくは、１−フェニルチオフェニリル基、１−フェニルベンゾチオフェニリル基、１−フェニルジベンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基等を２価の基としたものである。【００１４】  一般式（１）において、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０（好ましくは核炭素数６〜１８）のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０（好ましくは核炭素数５〜２０）のヘテロアリール基である。但し、Ａｒ1及びＡｒ2は、いずれもフルオレン構造を含まない。  Ａｒ1及びＡｒ2のアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基等が挙げられる。  Ａｒ1及びＡｒ2のヘテロアリール基としては、例えば、前記Ｌ1の示すヘテロアリーレン基の１価の基等が挙げられる。【００１５】  一般式（１）において、Ｒ1は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０（好ましくは核炭素数６〜１８）のアリール基である。  Ｒ1のアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナ���トリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基等が挙げられる。好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基であり、さらに好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、フェナントリル基である。【００１６】  一般式（１）において、Ｒ2は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０（好ましくは核炭素数６〜３０）のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数１〜５０（好ましくは核炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは炭素数１〜２０）のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは核炭素数６〜２０）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは核原子数６〜２０）のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０（好ましくは炭素数２〜２０）のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基（好ましくは核炭素数６〜２０）で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。  一般式（１）において、Ｒ2がカルバゾール骨格の３位又は６位に結合した置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基であると好ましい。【００１７】  前記Ｒ2のアリール基として、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオレニル基等が挙げられる。好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−トリル基、フルオレニル基である。【００１８】  前記Ｒ2のアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基、プロパルギル基、３−ペンチニル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基である。  前記Ｒ2のアルコキシ基として、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基である。  前記Ｒ2のアリールオキシ基として、例えば、フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−ビフェニルイルオキシ基、ｐ−ターフェニル−４−イルオキシ基、ｐ−トリルオキシ基等が挙げられる。好ましくは、フェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基である。  前記Ｒ2のアリールチオ基として、例えば、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルオチオ基、４−ビフェニルイルチオ基、ｐ−ターフェニル−４−イルチオ基、ｐ−トリルチオ基等が挙げられる。好ましくは、フェニルチオ基、２−ナフチルチオ基である。【００１９】  前記Ｒ2のアルコキシカルボニル基は、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基が挙げられる。好ましくは、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基である。  前記Ｒ2のアリール基で置換されたアミノ基は、前記Ｒ2のアリール基で置換されたアミノ基等が挙げられる。  前記Ｒ2のアミノ基として、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基等が挙げられる。好ましくは、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基である。  前記Ｒ2のハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。  また、Ｒ2は、水素原子、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アリールアミノ基であると好ましい。  これらの各基はさらに置換されても良く、基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっていても良い。また、可能な場合には互いに連結して環を形成していても良い。【００２０】  前記Ｌ1、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ1及びＲ2の示す各基の置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビ���ル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１２、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられ���。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含むものであり具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル等が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる。）等が挙げられる。これらの置換基は更に置換されても良い。また置換基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっていても良い。また、可能な場合には互いに連結して環を形成していても良い。【００２１】  本発明の前記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体は、下記一般式（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）、（１−ｄ）、（１−ｅ）及び（１−ｆ）で表される構造であることが好ましい。【化４】
2008062636.tif 000005
【００２２】  一般式（１−ａ）において、Ｌ1、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、具体例、好ましい例や置換基も同様のものか挙げられる。Ａｒ1及びＡｒ2は同一でも異なっていてもよい。【００２３】
【化５】
2008062636.tif 000006
【００２４】  一般式（１−ｂ）において、Ｌ1、Ａｒ1、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、具体例、好ましい例や置換基も同様のものか挙げられる。  Ｌ2は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基であり、具体例、好ましい例や置換基は前記Ｌ1と同様のもの挙げられる。  Ａｒ3及びＡｒ4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換のフルオレニル基であり、アリール基の具体例、好ましい例や置換基も前記Ａｒ1と同様のもの挙げられる。但し、Ａｒ3及びＡｒ4は、いずれもフルオレン構造を含まない。  Ａｒ1、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。【００２５】
【化６】
2008062636.tif 000007
【００２６】  一般式（１−ｃ）において、Ｌ1、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、具体例、好ましい例や置換基も同様のものか挙げられる。  Ｌ2及びＬ3は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基であり、具体例、好ましい例や置換基は前記Ｌ1と同様のもの挙げられる。  Ａｒ3〜Ａｒ6は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基であり、アリール基の具体例、好ましい例や置換基も前記Ａｒ1と同様のもの挙げられる。但し、Ａｒ3〜Ａｒ6は、いずれもフルオレン構造を含まない。  Ａｒ3〜Ａｒ6はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。【００２７】
【化７】
2008062636.tif 000008
【００２８】  一般式（１−ｄ）において、Ｌ1、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、具体例、好ましい例や置換基も同様のものか挙げられる。  Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基であり、具体例、好ましい例は前記Ａｒ1と同様のものを２価の基としたものが挙げられ、置換基も同様のものが挙げられる。  Ａｒ9及びＡｒ10は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基であり、具体例、好ましい例や置換基も前記Ａｒ1と同様のもの挙げられる。  但し、Ａｒ7〜Ａｒ10は、いずれもフルオレン構造を含まない。  Ａｒ7〜Ａｒ10はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。【００２９】
【化８】
2008062636.tif 000009
一般式（１−ｅ）において、Ｌ1、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、具体例、好ましい例や置換基も同様のものか挙げられる。  Ａｒ11〜Ａｒ14は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基であり、具体例、好ましい例は前記Ａｒ1と同様のものを２価の基としたものが挙げられ、置換基も同様のものが挙げられる。  Ａｒ15及びＡｒ16は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基であり、具体例、好ましい例や置換基も前記Ａｒ1と同様のもの挙げられる。  但し、Ａｒ11〜Ａｒ16は、いずれもフルオレン構造を含まない。  Ａｒ11〜Ａｒ16はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００３０】
【化９】
2008062636.tif 000010
一般式（１−ｆ）において、Ｌ1、Ａｒ1、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ前記一般式（１）におけるものと同じであり、Ｌ2は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基であり、Ｒ3は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基であり、Ｒ4は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
【００３１】  前記一般式（１）、（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）、（１−ｄ）、（１−ｅ）及び（１−ｆ）において、Ｌ1は、無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、無置換のフルオレニレン基、又は無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリール基、Ｒ1は、無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、Ｒ2は、水素原子、無置換の核炭素数６〜６０のアリール基又は無置換の炭素数１〜５０のアルキル基であり、Ａｒ1及びＡｒ2は、いずれもフルオレン構造を含まず、また、一般式（１）、（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）、（１−ｄ）、（１−ｅ）又は（１−ｆ）で表される芳香族アミン誘導体が有するカルバゾール構造は１つ又は２つであると好ましい。  また、前記一般式（１）、（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）、（１−ｄ）、（１−ｅ）及び（１−ｆ）において、Ａｒ1〜Ａｒ6、Ａｒ9〜Ａｒ10及びＡｒ15〜Ａｒ16が、それぞれ置換もしくは無置換のフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基又はフェナントリル基、Ａｒ7〜Ａｒ8及びＡｒ11〜Ａｒ14が、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基又はフェナントリレン基であると好ましい。【００３２】  本発明の一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。【化１０】
2008062636.tif 000011
【００３３】
【化１１】
2008062636.tif 000012
【００３４】
【化１２】
2008062636.tif 000013
【００３５】
【化１３】
2008062636.tif 000014
【００３６】
【化１４】
2008062636.tif 000015
【００３７】
【化１５】
2008062636.tif 000016
【００３８】
【化１６】
2008062636.tif 000017
【００３９】  本発明の芳香族アミン誘導体に含まれる環を形成する核炭素数が４８〜７０であると好ましい。  本発明の芳香族アミン誘導体は、有機ＥＬ素子用材料であると好ましく、有機ＥＬ素子用正孔輸送材料であるとさらに好ましい。  本発明の芳香族アミン誘導体は、特に青色系発光する有機ＥＬ素子に用いると好ましい。【００４０】  本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。  ここでいう前記芳香族アミン誘導体は、前記で説明した本発明の芳香族アミン誘導体において、好ましい形態も含む。  本発明の有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層が正孔輸送層を有し、本発明の芳香族アミン誘導体が該正孔輸送層に含有されていると好ましく、また、前記有機薄膜層が正孔注入層を有し、本発明の芳香族アミン誘導体が該正孔注入層に含有されていると好ましい。  また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層を有し、本発明の芳香族アミン誘導体が主成分として正孔輸送層又は正孔注入層に含有されているとさらに好ましい。  また、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層が、アリールアミン化合物及び／又はスチリルアミン化合物を含有すると好ましい。【００４１】  蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて選ばれる化合物であることが好ましく、特に、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物が挙げられ、その中でもスチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、芳香族アミン化合物、芳香族ジアミン化合物がさらに好ましい。また、縮合多環芳香族化合物（アミン化合物を除く）がさらに好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。【００４２】  このようなスチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記一般式（Ａ）で表されるものが好ましい。【化１７】
2008062636.tif 000018
【００４３】（式中、Ａｒ3 は、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、ジスチリルアリール基から選ばれる基であり、Ａｒ4及びＡｒ5はそれぞれ炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は置換されていてもよい。ｐは１〜４の整数であり、そのなかでもｐは１〜２の整数であるのが好ましい。Ａｒ3〜Ａｒ5のいずれか一つはスチリル基を含有する基である。さらに好ましくはＡｒ4又はＡｒ5の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。）  ここで、炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。【００４４】  芳香族アミン化合物及び芳香族ジアミン化合物としては、下記一般式（Ｂ）で表されるものが好ましい。【化１８】
2008062636.tif 000019
【００４５】（式中、Ａｒ6〜Ａｒ8は、置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０のアリール基である。ｑは１〜４の整数であり、そのなかでもｑは１〜２の整数であるのが好ましい。）  ここで、核炭素数が５〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラニル基、ビスアントラセニル基、又は下記一般式（Ｃ），（Ｄ）で示されるアリール基等が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基、又は一般式（Ｄ）で示されるアリール基が好ましい。【００４６】
【化１９】
2008062636.tif 000020
(一般式（Ｃ）において、ｒは１〜３の整数である。)
【００４７】  なお、前記アリール基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核炭素数５〜４０のアリール基、核炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。【００４８】  縮合多環芳香族化合物（アミン化合物を除く）としては、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、コロネン、ビフェニル、ターフェニル、ピロール、フラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサジアゾール、インドール、カルバゾール、ピリジン、ベンゾキノリン、フルオランテニン、ベンゾフルオランテン、アセナフトフルオランテニン、スチルベン、ペリレン、クリセン、ピセン、トリフェニレニン、ルビセン、ベンゾアントラセン等の縮合多環芳香族化合物およびその誘導体が好ましい。【００４９】  以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。（１）有機ＥＬ素子の構成  本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、(1) 陽極／発光層／陰極(2) 陽極／正孔注入層／発光層／陰極(3) 陽極／発光層／電子注入層／陰極(4) 陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極(5) 陽極／有機半導体層／発光層／陰極(6) 陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極(7) 陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極(8) 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極(9) 陽極／アクセプター含有層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極(10)陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極(11)陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極(12)陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極(13)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極(14)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極などの構造を挙げることができる。  これらの中で通常(8)の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。  本発明の芳香族アミン誘導体は、有機ＥＬ素子のどの有機薄膜層に用いてもよいが、発光帯域又は正孔輸送帯域に用いることができ、好ましくは正孔輸送帯域、特に好ましくは正孔注入層に用いることにより、分子が結晶化しにくく、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上する。  本発明の芳香族アミン誘導体を、有機薄膜層に含有させる量としては、３０〜１００モル％が好ましい。【００５０】（２）透光性基板  本発明の有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。  具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム���有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。【００５１】（３）陽極  本発明の有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能を有するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金、銀、白金、銅等が挙げられる。  陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。  このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。【００５２】（４）発光層  有機ＥＬ素子の発光層は以下(1) 〜(3) の機能を併せ持つものである。(1) 注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、      陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能(2) 輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能(3) 発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能  ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。  この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。  また、特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。  本発明の化合物を発光層に用いる場合、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層に本発明の芳香族アミン誘導体からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させてもよく、また、本発明の芳香族アミン誘導体からなる発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。【００５３】  本発明の化合物と組み合わせて用いられる発光材料は主に有機化合物であり、使用できるドーピング材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフ���ニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及び蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００５４】  本発明の化合物と組み合わせて使用できるホスト材料としては、下記（ｉ）〜（xi）で表される化合物が好ましい。下記一般式（ｉ）で表される非対称アントラセン。【００５５】
【化２０】
2008062636.tif 000021
【００５６】  （式中、Ａｒは置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合芳香族基である。  Ａｒ’は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。  Ｘは、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基である。  ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０〜４の整数である。  ｎは１〜３の整数である。また、ｎが２以上の場合は、［  ］内は、同じでも異なっていてもよい。）【００５７】  下記一般式（ii）で表される非対称モノアントラセン誘導体。【００５８】
【化２１】
2008062636.tif 000022
【００５９】（式中、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基であり、ｍ及びｎは、それぞれ１〜４の整数である。ただし、ｍ＝ｎ＝１でかつＡｒ1とＡｒ2のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、Ａｒ1とＡｒ2は同一ではなく、ｍ又はｎが２〜４の整数の場合にはｍとｎは異なる整数である。  Ｒ1〜Ｒ10は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基である。）【００６０】  下記一般式(iii)で表される非対称ピレン誘導体。【００６１】
【化２２】
2008062636.tif 000023
【００６２】［式中、Ａｒ及びＡｒ’は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族基である。  Ｌ及びＬ’は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。  ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。  また、Ｌ又はＡｒは、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ’又はＡｒ’は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。  ただし、ｎ＋ｔが偶数の時、Ａｒ，Ａｒ’，Ｌ，Ｌ’は下記(1) 又は(2) を満たす。(1) Ａｒ≠Ａｒ’及び／又はＬ≠Ｌ’（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）(2) Ａｒ＝Ａｒ’かつＬ＝Ｌ’の時  (2-1) ｍ≠ｓ及び／又はｎ≠ｔ、又は  (2-2) ｍ＝ｓかつｎ＝ｔの時、      (2-2-1) Ｌ及びＬ’、又はピレンが、それぞれＡｒ及びＡｒ’上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) Ｌ及びＬ’、又はピレンが、Ａｒ及びＡｒ’上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ及びＬ’又はＡｒ及びＡｒ’のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。］【００６３】  下記一般式(iv)で表される非対称アントラセン誘導体。【００６４】
【化２３】
2008062636.tif 000024
【００６５】（式中、Ａ1及びＡ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環基である。  Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基である。  Ｒ1〜Ｒ10は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシ基である。  Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。  ただし、一般式（１）において、中心のアントラセンの９位及び１０位に、該アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。）【００６６】  下記一般式（ｖ）で表されるアントラセン誘導体。【００６７】
【化２４】
2008062636.tif 000025
【００６８】（式中、Ｒ1〜Ｒ10は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，置換しても良いアリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アルケニル基，アリールアミノ基又は置換しても良い複素環式基を示し、ａ及びｂは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ1同士又はＲ2同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ1同士またはＲ2同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ3とＲ4，Ｒ5とＲ6，Ｒ7とＲ8，Ｒ9とＲ10がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ1は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）【００６９】  下記一般式（vi）で表されるアントラセン誘導体。【００７０】
【化２５】
2008062636.tif 000026
【００７１】（式中、Ｒ11〜Ｒ20は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アリールアミノ基又は置換しても良い複数環式基を示し、ｃ，ｄ，ｅ及びｆは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ11同士，Ｒ12同士，Ｒ16同士又はＲ17同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ11同士，Ｒ12同士，Ｒ16同士又はＲ17同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ13とＲ14，Ｒ18とＲ19がたがいに結合して環を形成していてもよい。Ｌ2は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）【００７２】  下記一般式(vii) で表されるスピロフルオレン誘導体。【００７３】
【化２６】
2008062636.tif 000027
【００７４】（式中、Ａ5〜Ａ8は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニリル基又は置換もしくは無置換のナフチル基である。）【００７５】  下記一般式(viii)で表される縮合環含有化合物。【００７６】
【化２７】
2008062636.tif 000028
【００７７】（式中、Ａ9〜Ａ14は前記と同じ、Ｒ21〜Ｒ23は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基又はハロゲン原子を示し、Ａ9〜Ａ14のうち少なくとも１つは３環以上の縮合芳香族環を有する基である。）【００７８】  下記一般式（ix）で表されるフルオレン化合物。【００７９】
【化２８】
2008062636.tif 000029
【００８０】（式中、Ｒ1およびＲ2は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ1同士、Ｒ2同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ1およびＲ2は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ3およびＲ4は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ3同士、Ｒ4同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ3およびＲ4は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ1およびＡｒ2は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、Ａｒ1およびＡｒ2は、同じであっても異なっていてもよい。ｎは、１乃至１０の整数を表す。）【００８１】  下記一般式（x）で表されるアントラセン中心骨格を有する化合物。【００８２】
【化２９】
2008062636.tif 000030
【００８３】（式（x）中、Ａ1及びＡ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜20の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は１又は２以上の置換基で置換されていてもよい。  前記置換基は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる。  前記芳香族環が２以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。  Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜50のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる。）【００８４】  前記一般式（x）でＡ1とＡ2とが異なる基である下記一般式（xi）で表される構造を有する化合物。【００８５】
【化３０】
2008062636.tif 000031
【００８６】（式（xi）中、Ａ1及びＡ2、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立に、一般式（x）と同じである。  ただし、中心のアントラセンの９位及び10位に、該アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。）【００８７】  以上のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセンである。  また、ドーパントの発光材料としては、りん光発光性の化合物を用いることもできる。りん光発光性の化合物としては、ホスト材料にカルバゾール環を含む化合物が好ましい。ドーパントとしては三重項励起子から発光することのできる化合物であり、三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。  カルバゾール環を含む化合物からなるりん光発光に好適なホストは、その励起状態からりん光発光性化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発光させる機能を有する化合物である。ホスト化合物としては励起子エネルギーをりん光発光性化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。カルバゾール環以外に任意の複素環などを有していても良い。【００８８】  このようなホスト化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（N−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。ホスト化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。  具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。【００８９】
【化３１】
2008062636.tif 000032
【００９０】  りん光発光性のドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。  オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（1−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有しても良い。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していても良い。  りん光発光性のドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％であり、１〜３０質量％が好ましい。りん光発光性化合物の含有量が０．１質量％未満では発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮されず、７０質量％を超える場合は、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下する。  また、発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有しても良い。  さらに、発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。【００９１】（５）正孔注入・輸送層（正孔輸送帯域）  正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．６ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-4ｃｍ2／Ｖ・秒であれば好ましい。  本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の芳香族アミン誘導体単独で正孔注入、輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。また、本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送層に用いたときに正孔注入層に他の材料を用いてもよく、本発明の芳香族アミン誘導体を正孔注入層に用いたときに正孔輸送層に他の材料を用いてもよい。  本発明の芳香族アミン誘導体と混合して正孔注入・輸送層を形成する材料および本発明の芳香族アミン誘導体と積層して正孔注入・輸送層として用いる材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入・輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。本発��においては、正孔輸送能を有し、正孔輸送帯域に用いることが可能な材料を正孔輸送材料と呼ぶ。【００９２】  具体例としては、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同  ５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）等を挙げることができる。【００９３】  正孔注入・輸送層の材料としては上記のものを使用する��とができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。  また、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。【００９４】  この他に特許３５７１９７７号で開示されている下記式で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。【化３２】
2008062636.tif 000033
式中、Ｒ121〜Ｒ126は、それぞれ置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換の複素環基のいずれかを示す。但し、Ｒ121〜Ｒ126は同じでも異なっていてもよい。また、Ｒ121とＲ122、Ｒ123とＲ124、Ｒ125とＲ126、Ｒ121とＲ126、Ｒ122とＲ123、Ｒ124とＲ125が縮合環を形成していてもよい。）
【００９５】  さらに、米国公開２００４／０１１３５４７で記載されている下記式の化合物も用いることができる。【化３３】
2008062636.tif 000034
（式中、Ｒ131〜Ｒ136は置換基であり、好ましくはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子吸引基である。）
【００９６】  これらの材料に代表されるように、アクセプター性材料も正孔注入材料として用いることができる。これらの具体例は上述した通りである。  さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入・輸送層の材料として使用することができる。【００９７】  正孔注入・輸送層は本発明の芳香族アミン誘導体を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入・輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入・輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族アミン誘導体を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよく、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入・輸送層を積層したものであってもよい。  また、発光層への正孔注入を助ける層として有機半導体層を設けてもよく、１０-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。【００９８】（６）電子注入・輸送層  次に、電子注入層・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。  また、有機ＥＬ素子は発光した光が電極（この場合は陰極）により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０-5ｃｍ2／Ｖｓ以上であることが好ましい。  電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。【００９９】  一方、オキサジアゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合物が挙げられる。【０１００】
【化３４】
2008062636.tif 000035
【０１０１】（式中、Ａｒ1，Ａｒ2，Ａｒ3，Ａｒ5，Ａｒ6，Ａｒ9はそれぞれ置換または無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。またＡｒ4，Ａｒ7，Ａｒ8は置換または無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい）  ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニリル基、アントリル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、アントリレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。【０１０２】  上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。【０１０３】
【化３５】
2008062636.tif 000036
【０１０４】  さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記一般式（Ａ）〜（Ｆ）で表されるものも用いることができる。【０１０５】
【化３６】
2008062636.tif 000037
【０１０６】（一般式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ａ1〜Ａ3は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。  Ａｒ1は、（Ａ）式においては、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基であり、（Ｂ）式においてＡｒ1は（Ａ）式のＡｒ1を２価のアリーレン基にしたものであり、Ａｒ2は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、あるいはこれらの２価の基である。ただし、Ａｒ1及びＡｒ2のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜６０の縮合環基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のモノヘテロ縮合環基、あるいはこれらの２価の基である。  Ｌ1、Ｌ2及びＬは、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。  Ｒは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲは同一でも異なっていてもよく、また、隣接する複数のＲ基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。  Ｒ1は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、又は―Ｌ―Ａｒ1―Ａｒ2である。）で表される含窒素複素環誘導体。【０１０７】          ＨＡｒ−Ｌ−Ａｒ1−Ａｒ2      （Ｃ）（式中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌは、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ1は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。）で表される含窒素複素環誘導体。【０１０８】
【化３７】
2008062636.tif 000038
【０１０９】（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に水素、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１から６までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もしくはシアノ基又は、二つの置換基が隣接している場合は、それぞれが結合し、置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環を形成する構造である。）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体。【０１１０】
【化３８】
2008062636.tif 000039
【０１１１】（式中、Ｒ1〜Ｒ8及びＺ2は、それぞれ独立に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｘ、Ｙ及びＺ1は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基またはアリールオキシ基を示し、Ｚ1とＺ2の置換基は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｎは１〜３の整数を示し、ｎが２以上の場合、Ｚ1は異なってもよい。但し、ｎが１、Ｘ、Ｙ及びＲ2がメチル基であって、Ｒ8が、水素原子又は置換ボリル基の場合、及びｎが３でＺ1がメチル基の場合を含まない。）で表されるボラン誘導体。【０１１２】
【化３９】
2008062636.tif 000040
【０１１３】［式中、Ｑ1及びＱ2は、それぞれ独立に、下記一般式（Ｇ）で示される配位子を表し、Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、−ＯＲ1（Ｒ1は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。）または−Ｏ−Ｇａ−Ｑ3（Ｑ4）（Ｑ3及びＱ4は、Ｑ1及びＱ2と同じ）で示される配位子を表す。］【０１１４】
【化４０】
2008062636.tif 000041
【０１１５】［式中、環Ａ1およびＡ2は、置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。］【０１１６】  この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなっている。  一般式（Ｇ）の配位子を形成する環Ａ1及びＡ2の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、s-ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノまたはジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビス（アセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等のアリール基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリ��基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラニル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成しても良い。【０１１７】  本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域または陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。  また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｌｉ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、およびＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、ＲｂまたはＣｓであり、最も好ましのは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。【０１１８】  本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2ＳｅおよびＮａ2Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ2、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2およびＢｅＦ2といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。  また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。【０１１９】（７）陰極  陰極としては、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。  この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。  ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。  また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。【０１２０】（８）絶縁層  有機ＥＬ素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。  絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられ、これらの混合物や積層物を用いてもよい。【０１２１】（９）有機ＥＬ素子の製造方法  以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入・輸送層、及び必要に応じて電子注入・輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機ＥＬ素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。  以下、透光性基板上に陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を記載する。  まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０-7〜１０-3Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。【０１２２】  次に、正孔注入層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。  次に、この発光層上に電子注入層を設ける。正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。  本発明の芳香族アミン誘導体は、発光帯域や正孔輸送帯域のいずれの層に含有させるかによって異なるが、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をすることができる。また、スピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによって含有させることができる。  最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。  陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。  この有機ＥＬ素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。【０１２３】  本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。  本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。  なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
【実施例】
【０１２４】  以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。  合成例１〜２２で製造する中間体１〜２２の構造式は下記の通りである。【化４１】
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【０１２５】
【化４２】
2008062636.tif 000043
【０１２６】合成例１（中間体１の合成）  ９−フェニルカルバゾール１７．７ｇ、ヨウ化カリウム６．０３ｇ、ヨウ素酸カリウム７．７８ｇ、硫酸５．９０ｍＬ及びエタノールを入れ、７５℃にて２時間反応した。  冷却後、上水、酢酸エチルを加えて分液、抽出した後、重曹水、上水を用いて有機層を洗浄し、濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、２１．８ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により、中間体１と同定した。合成例２（中間体２の合成）  アルゴン気流下、中間体１を１３．１ｇに脱水トルエン、脱水エーテルを加え、−４５℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．５８Ｍ）を２５ｍＬ滴下して、攪拌しながら１時間かけて−５℃まで昇温する。再び−４５℃まで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル２５ｍＬをゆっくり滴下してから２時間反応する。  室温に戻した後、１０％希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出する。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮する。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥したところ、７．１０ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２と同定した。【０１２７】合成例３（中間体３の合成）  中間体１を２１．８ｇ、４−ブロモフェニルボロン酸１１．８ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4１．３８ｇ、炭酸ナトリウム２１．９ｇ、上水及びジメトキシエタンを入れ、還流下にて８時間反応した。  冷却後、反応溶液をろ過し、ろ過残渣をアセトンで、分液した水層をジクロロメタンで抽出し、集めたろ液を分液して、アセトン、ジクロロメタンを加えて分液し、ろ過残渣をアセトンで、分液した水層をジクロロメタンで抽出して、集めた有機層を上水で洗浄し、濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝９：１）で精製し、得られた固体をトルエン、メタノールで再結晶して、減圧乾燥したところ、４．１８ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３と同定した。合成例４（中間体４の合成）  アルゴン気流下、２−ブロモフルオレン１２．５ｇを酢酸５０ｍＬに溶解させ、攪拌しながら硫酸０．９ｍＬを滴下させ、室温で１０分間攪拌した。次にヨウ素６．５ｇ、過ヨウ素酸２．３３ｇを添加し、８０℃にて６時間反応した。  冷却後、トルエン、上水で抽出した。次に、トルエン層を、重曹水、飽和食塩水、上水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ別後、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥したところ、９．００ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体４と同定した。【０１２８】合成例５（中間体５の合成）  アルゴン気流下、中間体４を９．００ｇ、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド０．３５ｇを、ＤＭＳＯ（ジメチルスルフォキシド）２５ｍＬ、５０ｗｔ％ＮａＯＨ水溶液８ｍＬ中で、室温で１０分間攪拌した後、ヨウ化メチル２．６ｍＬを滴下して、室温で３時間反応した。その後、トルエン、上水で抽出���、飽和食塩水、上水で洗浄し、濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン）で精製し、減圧乾燥したところ、８．５０ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体５と同定した。合成例６（中間体６の合成）  アルゴン気流下、中間体５を２０．０ｇ、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン１１．５ｇ、ヨウ化銅４４７ｍｇ、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン０．５３２ｍｌ、ｔ−ブトキシナトリウム７．２２ｇ及び脱水キシレンを入れ、１３０℃にて８時間反応した。冷却後、反応溶液をトルエン１００ｍｌで抽出してセライトろ過し、ろ液を濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝９：１）で精製し、得られた淡い黄色固体をメタノールで洗浄して、減圧乾燥したところ、１６．０ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体６と同定した。【０１２９】合成例７（中間体７の合成）  アルゴン気流下、ベンズアミド１７．０ｇ、４−ブロモビフェニル６８．８ｇ、ヨウ化銅２．７０ｇ、炭酸カリウム４０．８ｇ、ジエチルベンゼンを入れ、１７５℃にて１９時間反応した。  冷却後、上水を加えてろ過し、残渣をアセトン、メタノール、上水で３回洗浄し、５５．０ｇの中間体７のベンズアミド体を得た。  中間体７のベンズアミド体５５．０ｇ、水酸化カリウム２６．３ｇ、上水２５ｍＬ、ジエチルベンゼンを入れて１７５℃にて５．５時間反応した。  冷却後、上水を加えてろ過し、アセトン、メタノール、上水で３回洗浄し、ショートカラム（トルエン）で精製し、得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄して、減圧乾燥したところ、２５．０ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体７と同定した。合成例８（中間体８の合成）  中間体６の合成において、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンの代わりに、中間体７を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体８と同定した。合成例９（中間体９の合成）  中間体６の合成において、中間体５の代わりに、１−ブロモ−４−ヨードベンゼンを用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体９と同定した。合成例１０（中間体１０の合成）  中間体２の合成において、中間体１の代わりに中間体９を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１０と同定した。【０１３０】合成例１１（中間体１１の合成）  アルゴン気流下、ベンズアミド５．７０ｇ、４−ブロモビフェニル１１．５ｇ、ヨウ化銅４５０ｍｇ、炭酸カリウム６．８０ｇ、ジエチルベンゼンを入れ、１７５℃にて１０時間反応した。  冷却後、上水を加えてろ過し、残渣をアセトン、メタノール、上水で３回洗浄し、１１．８ｇの中間体１１を得た。合成例１２（中間体１２の合成）  アルゴン気流下、中間体１１を１１．８ｇ、４−ブロモトリフェニルアミン１６．８ｇ、ヨウ化銅４１４ｍｇ、炭酸カリウム６．２ｇ、ジエチルベンゼンを入れて、１７５℃にて１５時間反応した。  冷却後、上水を加えてろ過し、残渣をアセトン、メタノール、上水で３回洗浄し、２０．４ｇの中間体１２のベンズアミド体を得た。  中間体１２のベンズアミド体２０．４ｇ、水酸化カリウム７．８９ｇ、上水７．５ｍＬ、ジエチルベンゼンを入れて１７５℃にて５．５時間反応��た。  冷却後、上水を加えてろ過し、アセトン、メタノール、上水で３回洗浄し、ショートカラム（トルエン）で精製し、得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄して、減圧乾燥したところ、９．６５ｇの黄白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１２と同定した。【０１３１】合成例１３（中間体１３の合成）  中間体３の合成において、４−ブロモフェニルボロン酸の代わりにフェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１３と同定した。合成例１４（中間体１４の合成）  中間体１の合成において、９−フェニルカルバゾールの代わりに中間体１３を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１４と同定した。合成例１５（中間体１５の合成）  中間体２合成において、中間体１の代わりに中間体１４を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１５と同定した。合成例１６（中間体１６の合成）  中間体７の合成において、４−ブロモビフェニルの代わりに４−ブロモトリフェニルアミンを用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１６と同定した。【０１３２】合成例１７（中間体１７の合成）  アルゴン気流下、カルバゾール３．３ｇ、４−ブロモビフェニルを５．１ｇ、Ｐｄ2（ｄｂa）3２３１ｍｇ、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）3３２５ｍｇ、ｔ−ブトキシナトリウム２．９ｇ及びトルエンを入れて、８０℃にて４時間反応した。  冷却後、トルエンを加えてセライトろ過をした後ろ液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝６：１）で精製し、得られた固体をｎ−ヘキサンで洗浄して減圧乾燥したところ、４．１ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１７と同定した。合成例１８（中間体１８の合成）  中間体１の合成において、９−フェニルカルバゾールの代わりに中間体１７を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１８と同定した。合成例１９（中間体１９の合成）  中間体２の合成において、中間体１の代わりに中間体１８を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１９と同定した。【０１３３】合成例２０（中間体２０の合成）  中間体３の合成において、中間体１の代わりに中間体１８を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２０と同定した。合成例２１（中間体２１の合成）  中間体３の合成において、中間体１の代わりに４−ブロモ−４’−ヨードビフェニルを用い、４−ブロモフェニルボロン酸の代わりに中間体１９を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２１と同定した。合成例２２（中間体２２の合成）  中間体１２の合成において、４−ブロモトリフェニルアミンの代わりに１−ブロモナフタレンを用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２２と同定した。【０１３４】合成実施例１（化合物Ｈ１の合成）  アルゴン気流下、中間体２を６．０ｇ、中間体６を８．６ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4  ４０４ｍｇ、を２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２６ｍＬ、トルエン中、還流下にて４時間反応した。冷却後、セライトろ過をして、そのろ液を分液して、有機層を上水で洗浄して、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得���れた個体を３回再沈殿（ヘキサン、ジクロロメタン）する。得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄して減圧乾燥したところ、６．９３ｇの黄白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１と同定した。合成実施例２（化合物Ｈ２の合成）  合成実施例１の化合物Ｈ１の合成において、中間体６の代わりに、中間体８を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ２と同定した。合成実施例３（化合物Ｈ３の合成）  合成実施例１の化合物Ｈ１の合成において、中間体２の代わりに中間体１０を用いて、中間体６の代わりに中間体３を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ３と同定した。【０１３５】合成実施例４（化合物Ｈ４の合成）  アルゴン気流下、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン４．８ｇ、中間体３を８．０ｇ、Ｐｄ2（ｄｂa）3２３１ｍｇ、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）3３２５ｍｇ、ターシャルブトキシナトリウム２．９ｇ、トルエンを入れて、８０℃にて４時間反応した。  冷却後、トルエンを加えてセライトろ過をした後ろ液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝６：１）で精製し、得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄して減圧乾燥したところ、８．９６ｇの黄白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ４と同定した。合成実施例５（化合物Ｈ５の合成）  合成実施例４の化合物Ｈ４の合成において、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンの代わりに中間体７を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ５と同定した。合成実施例６（化合物Ｈ６の合成）  合成実施例４の化合物Ｈ４の合成において、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンの代わりに中間体１２を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ６と同定した。合成実施例７（化合物Ｈ７の合成）  合成実施例１の化合物Ｈ１の合成において、中間体２の代わりに中間体１５を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ７と同定した。合成実施例８（化合物Ｈ８の合成）  合成実施例４の化合物Ｈ４の合成において、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンの代わりに中間体１６を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ８と同定した。【０１３６】合成実施例９（化合物Ｈ５３の合成）  合成実施例４の化合物Ｈ４の合成において、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンの代わりに中間体７を用い、中間体３の代わりに中間体２０を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ５３と同定した。合成実施例１０（化合物Ｈ５５の合成）  合成実施例４の化合物Ｈ４の合成において、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンの代わりに中間体２２を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ５５と同定した。合成実施例１１（化合物Ｈ５７の合成）  合成実施例４の化合物Ｈ４の合成において、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンの代わりにアニリンを用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ５７と同定した。合成実施例１２（化合物Ｈ６０の合成）  合成実施例４の化合物Ｈ４の合成において、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンの代わりに中間体７を用い、中間体３の代わりに中間体２１を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ６０と同定した。【０１３７】実施例１  ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚６０ｎｍの下記化合物Ｈ２３２を成膜した。このＨ２３２膜は、正孔注入層として機能する。次に、このＨ２３２膜上に、正孔輸送材料として上記化合物Ｈ１を用い、膜厚２０ｎｍのＨ１層を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。さらに、膜厚４０ｎｍの下記化合物ＥＭ１を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚１０ｎｍのＡｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を製造した。  得られた有機ＥＬ素子について、発光色を観察し、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光効率を測定した結果を表１に示す。【０１３８】
【化４３】
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【０１３９】実施例２〜１２  実施例１において、正孔輸送材料として化合物Ｈ１の代わりに表１に記載の化合物を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。  得られた有機ＥＬ素子について、発光色を観察し、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光効率を測定した結果を表１に示す。【０１４０】比較例１〜５  実施例１において、正孔輸送材料として化合物Ｈ１の代わりに表１に記載の下記比較化合物１〜５を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。  得られた有機ＥＬ素子について、発光色を観察し、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光効率を測定した結果を表１に示す。【化４４】
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【０１４１】実施例１３  実施例１において、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１の代わりに下記アリールアミン化合物Ｄ２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。Ｍｅはメチル基である。  得られた有機ＥＬ素子について、発光色を観察し、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光効率を測定した結果を表１に示す。【０１４２】
【化４５】
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【０１４３】比較例６  実施例１２において、正孔輸送材料として化合物Ｈ１の代わりに上記比較化合物１を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。  得られた有機ＥＬ素子について、発光色を観察し、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光効率を測定した結果を表１に示す。【０１４４】
【表１】
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【０１４５】  表１より、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた実施例１〜１２の有機ＥＬ素子は、正孔輸送材料として公知の比較化合物１、カルバゾールの３，６位に直接Ｎが結合している比較化合物２、カルバゾールのＮと連結基を介してＮが結合し、カルバゾール骨格には置換基が無い比較化合物３や、カルバゾールの３位に直接Ｎが結合しているタイプの化合物である比較化合物４と比較して、高効率であった。その理由として、本発明の芳香族アミン誘導体はカルバゾール骨格の３位や９位が保護されていること、カルバゾール骨格とＮの間に連結基があることが考えられる。【０１４６】実施例１４  実施例１において、Ｈ２３２の代わりに化合物Ｈ５３を用い、化合物H１の代わりに下記アリールアミン化合物ＴＢＤＢを用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。  得られた有機ＥＬ素子について、発光色を観察したところ青色であった。初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での駆動電圧を測定した結果、６．５Ｖであった。【化４６】
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【０１４７】実施例１５  実施例１４において、Ｈ５３の代わりに化合物Ｈ６０を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。  得られた有機ＥＬ素子について、発光色を観察したところ青色であった。初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での駆動電圧を測定した結果、６．６Ｖであった。【０１４８】比較例７  実施例１４において、Ｈ５３の代わりにＨ２３２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。  得られた有機ＥＬ素子について、発光色を観察したところ青色であった。初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での駆動電圧を測定した結果、７．２Ｖであった。【０１４９】比較例８  実施例１４において、Ｈ５３の代わりに比較化合物４を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。  得られた有機ＥＬ素子について、発光色を観察したところ青色であった。初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での駆動電圧を測定した結果、７．３Ｖであった。  以上のように本発明の芳香族アミンを正孔注入層に用いたところ駆動電圧が低下した。
【産業上の利用可能性】
【０１５０】  以上詳細に説明したように、本発明の芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として、特に、特に、正孔輸送材料又は正孔注入材料として用いた有機ＥＬ素子は高発光効率であり、実用性が高い。このため、本発明の有機ＥＬ素子は、実用性が高く、壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として有用である。
【国際調査報告】
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