【手続補正書】
【提出日】平成16年3月22日(2004.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
250 ミクロンより大きい初期結晶粒度と初期厚さを有する金属材料のインゴットを準備し；
このインゴットを、約 700 °Ｆ〜約1100 °Ｆの温度で、このインゴットの厚さを初期の厚さの約10％から約60％に減らすのに十分な圧力で、十分な時間、熱間鍛造して、そのインゴットを熱間鍛造物に変換し；そして
この熱間鍛造物を、その金属材料内での平均結晶粒度を 250ミクロンより小さく固定するために焼入れ処理する；
ことを含む、焼入れ処理された材料である金属物品を調製する方法であって、
熱間鍛造がプレス中で行われ、
熱間鍛造後、熱間鍛造物をプレスから取出し、
焼入れ処理は、熱間鍛造物をプレスから取出して約15分以内に、熱間鍛造物の全体の温度を、約 150 °Ｆより低いか、等しい温度に低下させることを含む、方法。
【請求項２】
金属材料が、少なくとも 99.995 重量％の純度を有する銅を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
固定された平均結晶粒度が 200ミクロンより小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
固定された平均結晶粒度が 100ミクロンより小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
金属物品を物理蒸着ターゲットに成形する工程をさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
金属物品を三次元物理蒸着ターゲットに成形する工程をさらに含んでおり、金属物品を三次元物理蒸着ターゲットに成形する工程が、
第２部分の中に受容できる第１部分を有するプレスを準備する工程；
プレスの第１部分と第２部分の間に金属物品を置く工程：および
金属物品を第１部分と第２部分の間でプレスして、金属物品を、おおよそ、三次元物理蒸着ターゲットの形状に成形する工程；を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
内部キャビティを有する金型を準備し；
内部キャビティを、溶融金属材料の第１装填物で部分的に充填し、内部キャビティの残りの未充填部分を後に残し；
内部キャビティ内で溶融材料の第１装填物を冷却し、その冷却の少なくとも幾らかの時間の間、第１装填物を内部キャビティ内で揺り動かしながら溶融材料の第１装填物を部分的に固化させ；
溶融材料の第１装填物が、ただ部分的に固化している間に、キャビティの残りの未充填部分を、溶融材料の第２装填物で少なくとも部分的に充填し；そして
材料の第１および第２装填物を含むインゴットを調製するために、その第２装填物を冷却する少なくとも幾らかの時間の間、この第２装填物を内部キャビティ内で揺り動かしながら、この内部キャビティ内で溶融材料の第１および第２装填物を冷却する：ことを含む、鋳込成形インゴットを調製する方法。
【請求項８】
インゴットが厚さと直径のある円筒形状を有し；そして鋳込成形中に、インゴットの最上部に生成した任意の収縮キャビティが、円筒形状インゴットの厚さの10％より少ない深さを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
インゴットが厚さと直径のある円筒形状を有し；そして鋳込成形中に、インゴットの最上部に生成した任意の収縮キャビティが、円筒形状インゴットの厚さの 2％より少ない深さを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
溶融材料が基本的に金属材料からなる請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
溶融材料が、少なくとも約99.995重量％の純度を有する銅を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
第１装填物が、内部キャビティの容積の約50％から約90％を充填する請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
第１装填物が、内部キャビティの容積の約 5％から約50％を充填する請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
第１装填物が内部キャビティの容積の約50％を充填し、第２装填物が内部キャビティの容積の約10％より少ないか、約10％に等しい容積を充填し、そしてさらに、第２装填物の供給に続いて、内部キャビティ内に溶融材料の追加装填物を供給することを含み、各装填物は、先行する装填物からのキャビティ内に供給された材料の少なくとも幾らかが、ただ部分的に固化した後に、キャビティ内に入れられる、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
第１エンドと、その第１エンドに向かい合う関係にある第２エンドを有する少なくとも一つのカップを含む形状で；その第１エンドは、その中に延びている開口部を有しており；そのカップは、その中にくぼみを有しており；そのくぼみは、第１エンド内の開口部から第２エンドに向かって延びており；そのカップは、そのくぼみの外囲を規定する内側面を有しており；その形状は、そのカップの外面の回りに延びていて、そしてその内側面に向かい合っている外側面を含んでおり；その外側面は丸くなっているコーナーを有する第２エンドの少なくとも一部の回りを包んでいる領域を含んでおり；その丸くなっているコーナーは、少なくとも約 1インチの曲率半径を有しており；そして
そのカップの内側面に沿って規定されるスパッタリング表面、
を含む物理蒸着ターゲット。
【請求項１６】
その内側面が、少なくとも約 1インチの曲率半径を有する丸くなったコーナー、を含まない請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項１７】
その内側面が、少なくとも約 1インチの曲率半径を有する丸くなったコーナーを、含んでいる請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項１８】
その内側面が、少なくとも約 1インチの曲率半径を有する丸くなったコーナーを含み、そして、その内側面の丸くなったコーナーが、その外側面の丸くなったコーナーの内部にある、請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項１９】
基本的に高純度の銅からなる請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項２０】
基本的にTaからなる請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項２１】
基本的にTiからなる請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項２２】
その外表面が、その第２エンドの回り全体を包んでいる請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項２３】
その曲率半径が少なくとも約 1.5インチである請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項２４】
その曲率半径が少なくとも約 1.7インチである請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項２５】
その曲率半径が少なくとも約 1.8インチである請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項２６】
その形状が基本的に 250ミクロンより小さいか、等しい平均結晶粒度を有する材料からなる請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項２７】
その形状が基本的に 200ミクロンより小さいか、等しい平均結晶粒度を有する材料からなる請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項２８】
その形状が基本的に 100ミクロンより小さいか、等しい平均結晶粒度を有する材料からなる請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項２９】
その形状が 250ミクロンより小さいか、等しい平均結晶粒度を有する材料からなる請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項３０】
その形状が 200ミクロンより小さいか、等しい平均結晶粒度を有する材料から成る請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項３１】
その形状が 100ミクロンより小さいか、等しい平均結晶粒度を有する材料からなる請求項１５に記載の物理蒸着ターゲット。
【請求項３２】
Cu、Ni、Co、Ta、Al、およびTiの一以上を含む材料；
その材料内での、250ミクロンより小さいか、 250ミクロンに等しい平均結晶粒度；
第１エンドとその第１エンドに向かい合う関係にある第２エンドを有する少なくとも一つのカップを含む形状であって、その第１エンドは、その中に延びている開口部を有し；そのカップは、その中にくぼみを有し；そのくぼみは、第１エンド内の開口部から第２エンドに向かって延びており；そのカップは、そのくぼみの外囲を規定する内側面を有している、形状；そして
そのカップの内側面に沿って限定されるスパッタリング表面、
を含む、三次元物理蒸着ターゲット。
【請求項３３】
その材料が基本的に銅からなり、そしてそのターゲットが基本的にその材料からなる請求項３２に記載の三次元物理蒸着ターゲット。
【請求項３４】
その材料が基本的にタンタルからなり、そしてそのターゲットが基本的にその材料からなる請求項３２に記載の三次元物理蒸着ターゲット。
【請求項３５】
その平均結晶粒度が 200ミクロンより小さいか等しい、請求項３２に記載の三次元物理蒸着ターゲット。
【請求項３６】
その平均結晶粒度が 100ミクロンより小さいか等しい、請求項３２に記載の三次元物理蒸着ターゲット。
【請求項３７】
その平均結晶粒度が 90 ミクロンより小さいか等しい、請求項３２に記載の三次元物理蒸着ターゲット。
【請求項３８】
その平均結晶粒度が 85 ミクロンより小さいか等しい、請求項３２に記載の三次元蒸着ターゲット。
【請求項３９】
Applied Materials Self Ionized Plasma Plus(登録商標）ターゲットの形状をしている、請求項３２に記載の三次元物理蒸着ターゲット。
【請求項４０】
Novellus Hollow Cathode Magnetron(登録商標）ターゲットの形状をしている、請求項３２に記載の三次元物理蒸着ターゲット。
【請求項４１】
スパッタリング・コートされるべき基材を収容するのに適したプラズマ・チャンバー；
請求項１５に記載の物理蒸着ターゲットであって、プラズマ・チャンバー内でプラズマを生成するための電力を受取るのに適合しているターゲット；及び
ターゲットに近く、そしてターゲットのくぼみ内に延びている磁場線を有する磁場を発生するのに適している磁性材料の配置、
を含む、マグネトロン・プラズマ・スパッタ・リアクタ。
【請求項４２】
スパッタリング・コートされるべき基材を収容するのに適したプラズマ・チャンバー；
請求項３２に記載の三次元物理蒸着ターゲット；及び
ターゲットに近く、そしてターゲットのくぼみ内に延びている磁場線を有する磁場を発生するのに適している磁性材料の配置、
を含む、マグネトロン・プラズマ・スパッタ・リアクタ。