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【手続補正書】
【提出日】平成16年7月9日(2004.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの表面に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の配線と、
前記半導体チップの表面に接着された支持体と、
前記半導体チップの側面及び裏面を覆う第２の絶縁膜と、
前記第１の配線に接続され、前記第２の絶縁膜を介して前記半導体チップの裏面に延在する第２の配線と、
前記第２の配線上に形成された導電端子と、を有することを特徴とした半導体装置。
【請求項２】
前記第２の配線は前記第１の配線の側面に接続されていることを特徴とした請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の配線は前記第１の配線の裏面に接続されていることを特徴とした請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の配線の裏面と前記第２の配線との接着部の長さが前記第１の配線の側面の長さよりも大きいことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の配線は前記第１の配線の側面及び裏面に接続されていることを特徴とした請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の配線の裏面と前記第２の配線との接着部の長さが前記第１の配線の側面の長さよりも大きいことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の配線と前記第２の絶縁膜との間に緩衝部材を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
複数の半導体チップを有する半導体ウエハを用意し、第１の絶縁膜を介して第１の配線が形成された前記半導体ウエハ上に支持体を接着する工程と、
前記半導体ウエハの裏面を前記複数の半導体チップの境界に沿ってエッチングする工程と、
前記半導体チップの側面及び裏面を第２の絶縁膜で覆う工程と、
前記第１の配線をエッチングして第１の配線を２つに分断する工程と、
前記第１の配線に接続され、前記第２の絶縁膜を介して前記半導体チップの裏面に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線上に導電端子を形成する工程と、
前記複数の半導体チップの境界に沿って前記半導体ウエハをダイシングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の配線は前記第１の配線の側面に接続されることを特徴とした請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の配線は前記第１の配線の裏面に接続されることを特徴とした請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の配線は前記第１の配線の裏面及び側面に接続されることを特徴とした請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
複数の半導体チップを有する半導体ウエハを用意し、第１の絶縁膜を介して一対の第１の配線が形成された前記半導体ウエハ上に支持体を接着する工程と、
前記半導体ウエハの裏面を前記複数の半導体チップの境界に沿ってエッチングする工程と、
前記半導体チップの側面及び裏面を第２の絶縁膜で覆う工程と、
前記第１の配線に接続され、前記第２の絶縁膜を介して前記半導体チップの裏面に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線上に導電端子を形成する工程と、
前記複数の半導体チップの境界に沿ってダイシングを行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の配線は前記第１の配線の裏面に接続されることを特徴とした請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の配線は前記第１の配線の裏面及び側面に接続されることを特徴とした請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の半導体装置は、半導体チップの表面に第１の絶縁膜が形成され、その第１の絶縁膜上に第１の配線が形成されている。半導体チップの表面には、支持体が接着され、半導体チップの側面及び裏面を第２の絶縁膜が覆っている。そして、第１の配線に接続され、半導体チップの裏面に延在する第２の配線が設けられている。さらに、第２の配線上にはバンプ等の導電端子が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを有する半導体ウエハを準備し、第１の絶縁膜を介して第１の配線が形成された半導体ウエハ上に支持体を接着する。次に、半導体ウエハの裏面を複数の半導体チップの境界に沿ってエッチングする。次に、半導体チップの側面及び裏面を第２の絶縁膜で覆う。次に、第１の配線をエッチングして第１の配線を２つに分断する。次に、第１の配線に接続され、第２の絶縁膜を介して半導体チップの裏面に延在する第２の配線を形成する。次に、第２の配線上に導電端子を形成する。そして、複数の半導体チップの境界に沿ってダイシングを行う、というものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、半導体チップ２の裏面の絶縁膜１６ａ上の所定位置に、緩衝部材７が複
数形成されている。この緩衝部材７は後述する導電端子８の下方に重なるように
配置されるものであり、第２の配線９ａに導電端子８を形成する際の衝撃を緩和
する。また、緩衝部材７は導電端子８の高さをある程度高くするという機能も有し
ている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
まず、図４に示すように、複数の半導体チップ２を有する半導体ウエハを用意する。この半導体チップ２は例えばＣＣＤイメージセンサチップ等である。続いて、半導体チップ２の表面上の絶縁膜６ａを介して、半導体チップ２の境界（ダイシングライン）Ｓに跨るように第１の配線５ａを形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
続いて、図５に示すように、第１の配線５ａが形成された半導体チップ２上の絶縁膜６ａの表面に、ガラス基板３を透明なエポキシ材の樹脂４を用いて接着する。ガラス基板３は半導体チップ２の支持体として機能する。そして、半導体チップ２の裏面をバックグラインドしてチップ厚を薄くすると共に、半導体チップ２の裏面側から境界Ｓに沿って半導体チップ２及び絶縁膜６ａをエッチングし、第１の配線５ａの裏面の一部、好ましくはその中央部分を露出させる。なお、バックグラインドは本実施形態では必ずしも必要な処理ではない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
その後、図７（Ｂ）に示すように、レジスト１１及び絶縁膜１６ａをマスクとして、再度異方性エッチングにて第１の配線５ａを完全にエッチングして第１の配線５ａを２つに分断させる。これにより、分断された第１の配線５ａの側面が露出される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子メモリアレイで使用され、２次元メモリアレイ内で行線を列線に結合する連続ダイオードシートであって、
前記電子メモリアレイ内の行線と列線とが交差する格子点に位置する前記ダイオードシートの一部分が、ダイオード・ヒューズ・メモリ素子としての役割を果たし、
前記連続ダイオードシートが半導体接合シートを有し、
前記半導体接合シートは、
順方向バイアス下では前記ダイオードシートの垂直方向に高導電率を有し、逆バイアス下では低導電率を有するので、ダイオードとして働き、
しきい値電流より大きい電流が流れる行線および列線間の前記一部分の内部で物理的に劣化するので、ヒューズとしての役割を果たし、
前記シートの平行方向における電流の流れに抵抗し、前記電子メモリアレイの行・列線格子点間の前記ダイオードシートの一部分が、前記電子メモリアレイの他の行・列線格子点の間の前記ダイオードシートの他のすべての部分から相対的に電気的に隔離されるようにする、連続ダイオードシート。
【請求項２】
前記電子メモリアレイの内部で追記型クロスポイントダイオードメモリとして用いられる、請求項１に記載の連続ダイオードシート
【請求項３】
銅フタロシアニンの薄膜からなる第１層と、該第１層が接合され、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリック−ビス−イミダゾールの薄膜からなる第２層と、を有する請求項１記載の連続ダイオードシート。
【請求項４】
電子メモリアレイであって、
実質的に平行な導電行線のセットと、
実質的に平行な導電列線のセットと、
前記導電行線のセットおよび前記導電列線のセットの間にあって、該導電行線のセットおよび該導電列線のセットに対して実質的に平行な上面および下面を有し、行線と列線との各交差点における局部がダイオード・ヒューズメモリ素子を構成するダイオードシートと、
を有する電子メモリアレイ。
【請求項５】
前記ダイオードシートの電気抵抗が異方性であり、前記ダイオードシートの前記上面および下面に対して垂直な方向には低電気抵抗であり、逆方向および前記ダイオードシートの前記上面および下面に対して実質的に平行なすべての方向には高電気抵抗である、請求項４に記載の電子メモリアレイ。
【請求項６】
前記行線および列線に結合された外部からアクセス可能な導電コネクタをさらに含む、請求項４に記載の電子メモリアレイ。
【請求項７】
前記ダイオードシートが、銅フタロシアニンの薄膜からなる第１層と、該第１層が接合され、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリック−ビス−イミダゾールの薄膜からなる第２層と、を有する、請求項４に記載の電子メモリアレイ。
【請求項８】
前記ダイオード・ヒューズメモリ素子のそれぞれが１ビットの情報を格納する、請求項４に記載の電子メモリアレイ。
【請求項９】
切断されたダイオード・ヒューズメモリ素子はビット「１」を表し、無傷のダイオード・ヒューズメモリ素子はビット「０」を表す、請求項８に記載の電子メモリアレイ。
【請求項１０】
切断されたダイオード・ヒューズメモリ素子はビット「０」を表し、無傷のダイオード・ヒューズメモリ素子はビット「１」を表す、請求項８に記載の電子メモリアレイ。
【請求項１１】
２次元メモリアレイを構成する方法であって、
基板に平行導電線の第１の組を提供するステップと、
前記平行導電線の第１の組の上部に、ドナー／アクセプタ有機接合シートを積層するステップとを含み、
該ドナー／アクセプタ有機接合シートは、
該シートに対して垂直な一方向に電流を伝導するので、ダイオードとして作用し、
しきい値電流より大きい電流が流れる行線と列線との間の部分で物理的に不安定であり、
該シートに対して平行な方向において前記電流の流れに抵抗し、前記２次元メモリアレイの行・列線格子点間の該ドナー／アクセプタ有機接合シートの部分が、該２次元メモリアレイの他の行・列線格子点間の該ドナー／アクセプタ有機接合シートの他のすべての部分から相対的に電気的に隔離されるようになっており、
前記ドナー／アクセプタ有機接合シートの上部に、前記平行導電線の第１の組に対して垂直な平行導電線の第２の組を配置するステップと、
前記行線および列線に結合される外部からアクセス可能な導電コネクタを提供するステップと、
を有する方法。
【請求項１２】
前記ドナー／アクセプタ有機接合シートが、銅フタロシアニンの薄膜からなる第１層と、該第１層が接合され、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリック−ビス−イミダゾールの薄膜からなる第２層と、を有する請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する反応室と、
前記反応室を排気するための排気路と、
前記排気路を介して前記反応室を排気する真空排気手段と、
前記排気路を開閉する排気バルブと、
成膜に寄与する第１の種類のガスを前記反応室に供給する第１供給路と、
前記成膜に寄与する第２の種類のガスを前記反応室に供給する第２供給路と、
前記第１、第２供給路の開閉を行なうガス供給バルブと、
前記排気バルブ及び前記ガス供給バルブを制御して、第１の種類のガスを反応室に供給する際には前記反応室の排気を止めた状態で前記第１供給路から前記第１の種類のガスを前記反応室に供給することにより、該反応室内の前記基板を前記第１の種類のガスに晒し、第２の種類のガスを反応室に供給する際には前記真空排気手段により前記反応室を排気しつつ前記第２の種類のガスを前記第２供給路を介して前記反応室に供給することにより、該反応室内の前記基板を前記第２の種類のガスに晒す制御手段とを備えた半導体製造装置。
【請求項２】
前記第２の種類のガスをプラズマ励起することにより活性化して供給することを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記第１の種類のガスはプラズマ励起による活性化をしないで供給することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記第２の種類のガスはアンモニアである請求項１又は２記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記アンモニアガスを供給した場合の前記反応室の圧力を１０〜１００Ｐａとしたことを特徴とする請求項４記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記アンモニアガスを供給した場合の前記反応室の圧力を３０〜６０Ｐａとしたことを特徴とする請求項５記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記第１の種類のガスはジクロルシランである請求項３記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記第１の種類のガスの前記反応室への供給を止めた後、及び、前記第２の種類のガスの前記反応室への供給を止めた後、
残留した前記第１又は第２の種類のガスを除去するため、前記反応室を排気する工程を含むを特徴とする請求項１の半導体製造装置。
【請求項９】
前記反応室に複数の基板が収容された半導体製造装置であって、
前記第１供給路には、前記第１の種類のガスを溜めるガス溜りを有し、
前記制御手段は、前記第１の種類のガスを反応室に供給する際には前記第１の種類のガスを前記第１供給路に流して前記ガス溜りに溜め、前記反応室の排気を止めた状態で前記ガス溜りから該ガス溜りに溜めた前記第１の種類のガスを前記反応室に供給することにより、該反応室内の前記複数の基板を前記第１の種類のガスに晒すものである請求項１又は３記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記ガス溜り内の圧力が２００００Ｐａ以上になるまで、前記第１の種類のガスを前記ガス溜りに溜めることを特徴とする請求項９記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記ガス溜りの容積は前記反応室の容積の１／１０００〜３／１０００であることを特徴とする請求項９記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
前記第１の種類のガスと前記第２の種類のガスとを交互に前記反応室に供給され、該交互の供給が複数回繰り返されることを特徴とする請求項９記載の半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
【表１】
2004006750.tif 000001
また図９に、８０℃〜２００℃で蒸着したものについてのＸ線回折パターンを示す。これらを比較すると、１５０℃以上と８０℃以下とでは異なる結晶形を示しており、かついずれもピークが少ないことから基板に対して強く配向した膜になっていることが推察される。このため、観測される移動度に大きな差が現れたものと考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】熱電装置用パッケージおよび該パッケージに収容される熱電モジュールの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と該半導体素子を温度制御する熱電モジュールを収容する熱電装置用パッケージであって，
フレーム部材と，該フレーム部材の底板となるベース部材とからなるパッケージ本体を備えるとともに，
前記半導体素子や前記熱電モジュールに電気接続するための複数の内部電極と，外部回路に電気接続するための複数の外部電極と，前記内部電極と前記外部電極とを接続する配線を前記ベース部材に備えるようにしたことを特徴とする熱電装置用パッケージ。
【請求項２】
前記ベース部材は多層基板から構成され，当該多層基板中に前記内部電極と前記外部電極とを接続する配線を埋設して備えるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の熱電装置用パッケージ。
【請求項３】
前記ベース部材が前記熱電モジュールの下基板を兼ねていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱電装置用パッケージ。
【請求項４】
前記外部電極に前記外部回路に接続するためのリードを接続したことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱電装置用パッケージ。
【請求項５】
前記複数の内部電極を前記ベース部材の表面に備えるとともに，前記複数の外部電極を前記ベース部材の裏面に備え，前記内部電極と前記外部電極とを接続する導体が当該ベース部材中に埋設されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の熱電装置用パッケージ。
【請求項６】
半導体素子と該半導体素子を温度制御する熱電モジュールを収容する熱電装置用パッケージであって，
フレーム部と，該フレーム部の底板となるベース部が一体的に形成されたパッケージ本体を備えるとともに，
前記半導体素子や前記熱電モジュールに電気接続するための複数の内部電極と，外部回路に電気接続するための複数の外部電極と，前記内部電極と前記外部電極とを接続する配線を前記パッケージ本体に備えるようにしたことを特徴とする熱電装置用パッケージ。
【請求項７】
前記パッケージ本体は多層基板から構成され，当該多層基板中に前記内部電極と前記外部電極とを接続する配線を埋設して備えるようにしたことを特徴とする請求項６に記載の熱電装置用パッケージ。
【請求項８】
前記パッケージ本体の前記ベース部が前記熱電モジュールの下基板を兼ねていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の熱電装置用パッケージ。
【請求項９】
前記外部電極に前記外部回路に接続するためのリードを接続したことを特徴とする請求項６から請求項８のいずれかに記載の熱電装置用パッケージ。
【請求項１０】
前記複数の内部電極を前記パッケージ本体の前記ベース部の表面に備えるとともに，前記複数の外部電極を前記パッケージ本体の前記ベース部の裏面に備え，前記内部電極と前記外部電極とを接続する導体が当該パッケージ本体の前記フレーム部の中に埋設されていることを特徴とする請求項６から請求項９のいずれかに記載の熱電装置用パッケージ。
【請求項１１】
前記複数の内部電極を前記パッケージ本体の前記ベース部の表面に備えるとともに，前記複数の外部電極を前記パッケージ本体の前記フレーム部の外側面に備え，前記内部電極と前記外部電極とを接続する導体が当該パッケージ本体の前記ベース部中およびおよび前記フレーム中に埋設されていることを特徴とする請求項６から請求項９のいずれかに記載の熱電装置用パッケージ。
【請求項１２】
熱電装置用パッケージに収容される熱電モジュールの製造方法であって，
銅電極パターンの表面にニッケルメッキおよび金メッキが形成され，該金メッキ側に樹脂フィルムが接着された第１基板と，セラミック板に形成された銅電極パターンの表面にニッケルメッキおよび金メッキが施された第２基板と，両端面にニッケルメッキが施されたペルチェ素子とを用意する第１工程と，
前記第２基板の前記金メッキ面に半田を介して前記ペルチェ素子の一方の端部を配置するとともに，前記第１基板の前記金メッキ面に半田を介して前記ペルチェ素子の他方の端部を配置する第２工程と，
前記半田を溶融させて前記第１基板と前記第２基板とを接合する第３工程と，
前記第１基板に接着された前記樹脂フィルムを剥離する第４工程とを備えたことを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信装置などに使用される半導体素子（例えば、半導体レーザ）と、この半導体素子を温度制御する熱電モジュールを収容する熱電装置用パッケージおよび該パッケージに収容される熱電モジュールの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ついで、この熱電モジュール１５の上に図示しない半導体レーザー（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）、サーミスタなどの半導体素子を配置した後、半導体レーザーの光軸上にレンズ系などを配置してレーザ装置を固定した。ついで、半導体素子とベース部材１２の表面に形成された内部電極パターンｃ２〜ｈ２とをワイヤーボンディングにより接合した。この後、フレーム部材１１の開口部にキャップ部材１３を配置した後、これをシーム溶接により気密に接合した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
ついで、半導体素子とベース部材１２の表面に形成された内部電極パターンｃ２〜ｈ２とをワイヤーボンディングにより接合した後、フレーム部材１１の上部にキャップ部材１３を配置した。この後、これをシーム溶接により気密に接合した。ついで、リード部材１４の連結部１４ｂをリード１４ａの根本で切断して、図２に示すような光半導体モジュールを作製した。この場合、ベース部材１２の下面にシリコーングリースを介して図示しないヒートシンクを配置し、このヒートシンクをねじ止めによりベース部材１２に取り付けることにより、放熱特性に優れた光半導体モジュールとすることが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された半導体層にレーザ光を照射することにより前記半導体層の少なくとも一部を溶融させる工程と、前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材にレーザ光を照射して前記元素をアブレーションさせる工程と、前記アブレーションした元素を、溶融した前記半導体層にドーピングさせる工程とを具備してなることを特徴とする半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
【請求項２】
基板に形成された半導体層にレーザ光を照射することにより前記半導体層の少なくとも一部を溶融させる工程と、前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材にレーザ光を照射して前記元素をアブレーションさせる工程と、前記アブレーションした元素を、溶融した前記半導体層にドーピングさせる工程とを備え、前記溶融中の半導体層の露出面を通して前記半導体層に前記元素をドーピングするために、前記半導体層に照射されたレーザ光の前記半導体層からの反射光を前記ターゲット材に入射させて前記元素を気密容器内ヘアブレーションさせることを特徴とする半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
【請求項３】
基板に形成された半導体層にレーザ光を照射することにより前記半導体層の少なくとも一部を溶融させ、結晶化させる工程と、前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材にレーザ光を照射して前記元素をアブレーションさせる工程と、前記アブレーションした元素を、溶融した前記半導体層にドーピングさせる工程とを備え、前記半導体層へのドーピング工程と前記結晶化工程とがほぼ同時に行われることを特徴とする半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
【請求項４】
前記レーザ光は、パルス発振された光または連続発振された光である、請求項１、２または３のいずれかに記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
【請求項５】
前記レーザ光の波長は、真空紫外から赤外までの全域から選択される、請求項１、２または３のいずれかに記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
【請求項６】
前記基板は、ガラス、シリコンおよびプラスチックのいずれかの材料からなる、請求項１、２または３のいずれかに記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法。
【請求項７】
基板と該基板に直接または間接的に形成された半導体層とを有する被処理板であって前記半導体層の少なくとも一部が露出された被処理板と前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材とが配置される一つの気密容器と、少なくとも前記半導体層の露出面に照射される一のレーザ光を発生するための第１のレーザ光照射器と、前記ターゲット材に照射される他のレーザ光を発生するための第２のレーザ光照射器とを含む半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項８】
前記被処理板および前記ターゲット材は、前記被処理板の前記一のレーザ光が照射される面と前記ターゲット材の前記他のレーザ光が照射される面とのなす角度が０〜９０°であるように前記気密容器内に配置されている請求項７に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項９】
前記角度は０°（平行）である請求項８に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項１０】
前記第２のレーザ光照射器は、前記ターゲット材に対する前記他のレーザ光の入射角度が１０〜９０°であるように配置されている請求項７に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項１１】
前記入射角度は４５°である請求項１０に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項１２】
前記第１および第２のレーザ光照射器は、それぞれ、パルス発振されたレーザ光または連続発振されたレーザ光を発生する請求項７に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項１３】
前記第１および第２のレーザ光照射器は、それぞれ、真空紫外から赤外までの全域から選択される波長の光を発する請求項７に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項１４】
前記第１および第２のレーザ光照射器からのレーザ光の発射時刻を制御することにより、前記ドーパントのドーピングの開始と前記レーザアニールによる結晶化の開始との間の時間差を変更する請求項７に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項１５】
基板と該基板に直接または間接的に形成された半導体層とを有する被処理板であって前記半導体層の少なくとも一部が露出された被処理板と前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材とを配置するための一つの気密容器と、少なくとも前記半導体層の露出面に照射され、前記半導体層で反射され、次いで前記ターゲット材に入射するレーザ光を発生するためのレーザ光照射器とを含む半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項１６】
前記被処理板および前記ターゲット材は、前記被処理板の前記レーザ光が照射される面と前記ターゲット材の前記レーザ光が照射される面とのなす角度が０〜９０°であるように前記気密容器内に配置されている請求項１５に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項１７】
前記角度は０°（平行）である請求項１６に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項１８】
前記レーザ光照射器は、前記ターゲット材に対する前記レーザ光の入射角度が１０〜９０°であるように調整するための反射鏡を含む請求項１５に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項１９】
前記入射角度は４５°である請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記レーザ光照射器は、パルス発振されたレーザ光または連続発振されたレーザ光を発生する請求項１５に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項２１】
前記レーザ光照射器は、真空紫外から赤外までの全域から選択される波長の光を発生する請求項１５に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【請求項２２】
前記基板は、ガラス、シリコンおよびプラスチックのいずれかの材料からなる請求項７または１５に記載の半導体のアニールおよびドーピングのための処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、以下「ＬＳＩ」という。）は、各種の材料からなる薄膜を形成する成膜工程、半導体およびその他の薄膜に形状加工を施すリソグラフィ工程、半導体に不純物（以下「ドーパント」という。）を添加するドーパント添加（以下「ドーピング」という。）工程、ドーパントを半導体内で電気的に活性化させるドーパント活性化工程等多くのプロセスを経て製造される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月13日(2004.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
本実施の形態の半導体内蔵ミリ波帯モジュールは、高熱伝導基板１０３と、高熱伝導基板１０３上にフェイスアップ実装された半導体素子１０１と、複数層の低損失基板（第１の低損失基板１１７ａ及び第２の低損失基板１１７ｂ）を含む。低損失基板１１７ａ上には回路部品１２３が実装され、低損失基板１１７ｂ上には回路部品１２３ａ，１２３ｂが実装されている。高熱伝導基板１０３と複数層の低損失基板１１７ａ，１１７ｂとの間には、第１の電気絶縁性基板１０５ａ及び第２の電気絶縁性基板１０５ｂが積層されている。第１の電気絶縁性基板１０５ａ内の高熱伝導基板１０３上の半導体素子１０１上には分布定数回路素子１２１が実装され、高熱伝導基板１０３上には能動素子１２４が実装され、それぞれその外周囲には空隙１０７が形成されている。同様に、低損失基板１１７ａ上にはフィルタ素子１２５が形成され、その外周囲は空隙１０７が形成されており、低損失基板１１７ｂ上には回路部品１２３ａが実装され、その外周囲は空隙１０７が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2004006757.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2004006757.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2004006757.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部接続用電極が形成されたガラスを有する電子部品において、
該外部接続用電極にＳｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系またはＳｎ−Ｂｉ系合金を主成分とする被膜層が形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記外部接続用電極が薄膜電極であることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記ガラスが表面実装型部品のガラスパッケージ部品を形成していることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項４】
前記ガラスが水晶振動子のガラスパッケージ部品を形成していることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項５】
外部接続用電極が形成されたガラスを有する電子部品を回路基板上に搭載し、前記回路基板に形成された回路基板電極と前記電子部品の前記外部接続用電極とをはんだを介して接続してなる電子部品の実装構造において、
前記はんだとして、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系またはＳｎ−Ｂｉ系合金を主成分とする無鉛はんだを用いることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項６】
前記電子部品の前記外部接続用電極が薄膜電極であることを特徴とする請求項５記載の電子部品の実装構造。
【請求項７】
前記電子部品が表面実装型部品であることを特徴とする請求項５記載の電子部品の実装構造。
【請求項８】
前記電子部品の前記外部接続用電極と前記基板の前記回路基板電極とをはんだを介して接続する際に、はんだによるフィレット部を有することを特徴とする請求項５記載の電子部品の実装構造。
【請求項９】
前記電子部品が水晶振動子であることを特徴とする請求項５記載の電子部品の実装構造。
【請求項１０】
前記回路基板電極が、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系またはＳｎ−Ｂｉ系合金を主成分とする合金で表面被覆されていることを特徴とする請求項５記載の電子部品の実装構造。
【請求項１１】
前記電子部品の前記外部接続用電極が、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系またはＳｎ−Ｂｉ系合金を主成分とする合金で表面被覆されていることを特徴とする請求項１０記載の電子部品の実装構造。
【請求項１２】
外部接続用電極が形成されたガラスを有する電子部品を回路基板上に搭載し、前記回路基板に形成された回路基板電極と前記電子部品の前記外部接続用電極とをはんだを介して接続して実装する電子部品の実装方法において、
前記はんだとして、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系またはＳｎ−Ｂｉ系合金を主成分とする無鉛はんだを用いてリフロー方式で行うことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項１３】
前記リフロー方式におけるリフローを窒素ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１２記載の電子部品の実装方法。
【請求項１４】
前記はんだの前記回路基板電極への塗布は、ディスペンサを用いて行うことを特徴とする請求項１２記載の電子部品の実装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化亜鉛を主成分とし、かつ、バリスタ特性を有する焼結体の表裏面の少なくとも一方に複数の下地電極層を並設し、各下地電極層上に電極部材をそれぞれ接合した多端子バリスタにおいて、前記下地電極層の間隔を、焼結体の厚みに対する比で１．１以上としたことを特徴とする多端子バリスタ。
【請求項２】
酸化亜鉛を主成分とし、かつ、バリスタ特性を有する焼結体の表裏面に複数の銀電極層を形成し、各銀電極層上に電極部材をそれぞれ接合した多端子バリスタにおいて、前記銀電極層の厚みを１０μｍより大きくしたことを特徴とする多端子バリスタ。
【請求項３】
酸化亜鉛を主成分とし、かつ、バリスタ特性を有する焼結体の表裏面に複数のアルミ電極層又は真鍮電極層を形成し、各アルミ電極層又は真鍮電極層上に電極部材をそれぞれ接合した多端子バリスタにおいて、前記アルミ電極層又は真鍮電極層の厚みを５０μｍより大きく、かつ、１５０μｍ以下としたことを特徴とする多端子バリスタ。
【請求項４】
酸化亜鉛を主成分とし、かつ、バリスタ特性を有する焼結体の表裏面に複数の下地電極層を形成し、その下地電極層上に電極部材をそれぞれ接合した多端子バリスタにおいて、前記焼結体の外周端縁から下地電極層の外周端縁までの焼結体表裏面の幅寸法を０．３ｍｍ以下としたことを特徴とする多端子バリスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、酸化亜鉛を主成分とし、かつ、バリスタ特性を有する焼結体の表裏面に複数の下地電極層を形成し、各下地電極層上に電極部材をそれぞれ接合した多端子バリスタにおいて、前記下地電極層の素材が銀の場合、その銀電極層の厚みを１０μｍより大きくしたことを特徴とし、下地電極層の素材がアルミ又は真鍮の場合、そのアルミ電極層又は真鍮電極層の厚みを５０μｍより大きく、かつ、１５０μｍ以下としたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明では、前記下地電極層の厚みを前述した範囲に規定したことにより、多端子バリスタへの大電流注入時に焼結体全体に均等に電流が流れ易くなり、放電耐量特性の向上が図れる。ここで、銀電極層の厚みが１０μｍ以下の場合、また、アルミ電極層又は真鍮電極層の厚みが５０μｍ以下の場合には、それら電極層自体の抵抗分が大きくなるので、雷サージによる大電流注入時に焼結体全体に均等に電流が流れ難くなる。アルミ電極層又は真鍮電極層の厚みが１５０μｍより大きいと、その電極層の剥がれが発生する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明では、焼結体の外周端縁から下地電極層の外周端縁までの焼結体表裏面の幅寸法を０．３ｍｍ以下としたことにより、下地電極層上に接合される電極部材の面積を大きくすることができて焼結体全体に電流が流れ易くなるので、多端子バリスタの放電耐量特性の向上が図れる。ここで、前述した幅寸法が０．３ｍｍよりも大きいと、電極部材の面積が小さくなって、焼結体全体に電流が流れ難くなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、下地電極層３ａ，３ｂの素材が銀の場合、その銀電極層の厚みｔ3を１０μｍより大きくする（図３参照）。さらに、下地電極層３ａ，３ｂの素材がアルミ又は真鍮の場合、そのアルミ電極層又は真鍮電極層の厚みｔ3を５０μｍより大きく、かつ、１５０μｍ以下とする。このように下地電極層３ａ，３ｂの厚みｔ3を前述した範囲に規定したことにより、多端子バリスタへの大電流注入時に焼結体全体に均等に電流が流れ易くなり、放電耐量特性の向上が図れる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ここで、銀電極層の厚みｔ3が１０μｍ以下の場合、また、アルミ電極層又は真鍮電極層の厚みｔ3が５０μｍ以下の場合には、それら電極層自体の抵抗分が大きくなるので、大電流注入時に焼結体全体に均等に電流が流れ難くなる。逆に、アルミ電極層又は真鍮電極層の厚みｔ3が１５０μｍより大きいと、その電極層の剥がれが発生する。なお、銀電極層の厚みについて上限を規定していないのは、銀電極層が銀ペーストを焼き付けていることにより形成されているため、電極層の剥がれが発生しないことに起因する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ここで、前述した幅寸法ｔ4が０．３ｍｍよりも大きいと、電極部材４ａ，４ｂの面積が小さくなって、焼結体全体に電流が流れ難くなる。なお、下地電極層３ａ，３ｂが焼結体１の端面にまで形成されると、その焼結体１の端面での絶縁性を確保することが困難となるので、下地電極層３ａ，３ｂの形成は、焼結体１の外周端縁までである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この測定結果から明らかなように銀電極層の厚みｔ3が１０μｍより大きければ、多端子バリスタの放電耐量特性が向上することを確認できた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この測定結果から明らかなようにアルミ電極層又は真鍮電極層の厚みｔ3が５０μｍより大きければ、多端子バリスタの放電耐量特性が向上することを確認できた。但し、アルミ電極層又は真鍮電極層の厚みｔ3が１５０μｍよりも大きくなると、電極層の剥がれが発生することも確認した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、下地電極層の素材が銀の場合、その銀電極層の厚みを１０μｍより大きくし、下地電極層の素材がアルミ又は真鍮の場合、そのアルミ電極層又は真鍮電極層の厚みを５０μｍより大きく、かつ、１５０μｍ以下としたことにより、多端子バリスタへの大電流注入時に焼結体全体に均等に電流が流れ易くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品が基板に実装された部品実装基板を生産するときの複数の工程のうちの少なくとも１つの工程を上記基板の搬送経路における作業位置において行う作業装置において、
上記作業位置における上記基板に対して上記複数の工程を行うための複数の種類のヘッド部の中から選択された１つのヘッド部と、
少なくとも上記基板搬送方向と直交する方向と上記基板搬送方向とに移動可能で、かつ、上記選択された１つのヘッド部を着脱可能に取り付けるヘッド部取付部を有するヘッド部駆動装置と、
当該作業装置での複数の作業の動作制御を行う主制御部とを備え、
上記ヘッド部は、上記ヘッド部の動作を制御可能なヘッド部制御部を備え、
上記ヘッド部駆動装置は、上記ヘッド部駆動装置の動作を制御可能な駆動装置制御部を備え、
上記ヘッド部制御部と上記駆動装置制御部は、上記ヘッド部制御部による上記ヘッド部の制御と上記駆動装置制御部による上記ヘッド部駆動装置の制御とについて、上記主制御部による制御と上記主制御部とは無関係の制御とを選択的に実施することを特徴とする部品実装基板生産装置。
【請求項２】
部品が基板に実装された部品実装基板を生産するときの複数の工程のうちの少なくとも１つの工程を上記基板の搬送経路における作業位置において行う作業装置において、
上記作業位置における上記基板に対して上記複数の工程を行うための複数の種類のヘッド部の中から選択された１つのヘッド部と、
少なくとも上記基板搬送方向と直交する方向と上記基板搬送方向とに移動可能で、かつ、上記選択された１つのヘッド部を着脱可能に取り付けるヘッド部取付部を有するヘッド部駆動装置と、
複数種類の上記部品を上記ヘッド部に供給可能に収容する複数の種類の部品供給部の中から選択された１つの部品供給部と、
当該作業装置での複数の作業の動作制御を行う主制御部とを備え、
上記ヘッド部は、上記ヘッド部の動作を制御可能なヘッド部制御部を備え、
上記部品供給部は、上記部品供給部の動作を制御可能な部品供給制御部を備え、
上記ヘッド部制御部と上記部品供給制御部は、上記ヘッド部制御部による上記ヘッド部の制御と上記部品供給制御部による上記部品供給部の制御とについて、上記主制御部による制御と上記主制御部とは無関係の制御とを選択的に実施することを特徴とする部品実装基板生産装置。
【請求項３】
上記作業装置は、上記ヘッド部制御部による上記ヘッド部の制御と上記駆動装置制御部による上記ヘッド部駆動装置の制御とについて、上記主制御部による制御と上記主制御部とは無関係の制御とを選択的に実施させるユニット制御部をさらに備える請求項１に記載の部品実装基板生産装置。
【請求項４】
上記作業装置は、上記ヘッド部制御部による上記ヘッド部の制御と上記部品供給制御部による上記部品供給部の制御とについて、上記主制御部による制御と上記主制御部とは無関係の制御とを選択的に実施させるユニット制御部をさらに備える請求項２に記載の部品実装基板生産装置。
【請求項５】
上記作業装置は、上記１つのヘッド部が選択された残りの上記複数の種類のヘッド部の中の上記１つのヘッド部と別の種類のヘッド部を、上記ヘッド部取付部に取付可能に待機してさらに備え、
上記ヘッド部駆動装置は、上記選択された１つのヘッド部を上記待機された上記別の種類のヘッド部と交換可能にかつ着脱可能に取り付ける請求項１から４のいずれか１つに記載の部品実装基板生産装置。
【請求項６】
上記作業装置は、上記部品実装基板を生産するときの連続した複数の工程を上記基板の搬送経路における複数の作業位置において行う複数の作業装置のうちの少なくとも１つの作業装置である請求項１から５のいずれか１つに記載の部品実装基板生産装置。
【請求項７】
上記ヘッド部を上記ヘッド部取付部に着脱可能に取り付けることにより、上記ヘッド部制御部が接続解除可能に上記ユニット制御部に接続され、上記ヘッド部を上記ヘッド部取付部より取り外すことにより、上記ヘッド部制御部と上記ユニット制御部との接続が解除される請求項１から６のいずれか１つに記載の部品実装基板生産装置。
【請求項８】
上記複数の工程は、上記基板に接合材を供給する接合材供給工程と、上記基板に供給された上記接合材を介して上記部品を装着する部品装着工程とを含み、
上記複数の種類のヘッド部は、接合材供給用ノズルを有する接合材供給ヘッド部と、部品装着用ノズルを有する部品装着ヘッド部とを含む請求項１から７のいずれか１つに記載の部品実装基板生産装置。
【請求項９】
上記複数の種類のヘッド部は、チップ部品装着ヘッド部、ＩＣ部品装着ヘッド部、ＩＣ部品接合ヘッド部、マルチノズルヘッド部、塗布供給ヘッド部、又はリフローヘッド部のいずれかを含む請求項１から８のいずれか１つに記載の部品実装基板生産装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続して配置され、かつ、部品が基板に実装された部品実装基板を生産するときの連続した複数の工程を上記基板の搬送経路における複数の作業位置において行う複数のモジュールを備え、
上記複数のモジュールのうち少なくとも１つのモジュールは、基板搬送方向沿いに直列的に配置された２つのユニットを備え、
上記各ユニットは、
上記作業位置における上記基板に対して上記複数の工程を行うための複数の種類のヘッド部の中から選択された１つのヘッド部と、
少なくとも上記基板搬送方向と直交する方向と上記基板搬送方向とに移動可能で、かつ、上記選択された１つのヘッド部を着脱可能に取り付けるヘッド部取付部を有するヘッド部駆動装置とを備えることを特徴とする部品実装基板生産装置。
【請求項２】
上記各ユニットは、上記１つのヘッド部が選択された残りの上記複数の種類のヘッド部の中の上記１つのヘッド部と別の種類のヘッド部を、上記ヘッド部取付部に取付可能に待機してさらに備え、
上記ヘッド部駆動装置は、上記選択された１つのヘッド部を上記待機された上記別の種類のヘッド部と交換可能にかつ着脱可能に取り付ける請求項１に記載の部品実装基板生産装置。
【請求項３】
上記２つのユニットを備える上記１つのモジュールは、上記２つのユニットでの複数の作業を動作制御する主制御部を備え、
上記各ユニットにおいて、
上記ヘッド部は、上記ヘッド部の動作を制御可能なヘッド部制御部を備え、
上記ヘッド部駆動装置は、上記ヘッド部駆動装置の動作を制御可能な駆動装置制御部を備え、
上記ヘッド部制御部と上記駆動装置制御部は、当該ヘッド部制御部による上記ヘッド部の制御と当該駆動装置制御部による上記ヘッド部駆動装置の制御とについて、上記主制御部による制御と上記主制御部とは無関係の制御とを選択的に実施する請求項１又は２に記載の部品実装基板生産装置。
【請求項４】
上記２つのユニットを備える上記１つのモジュールは、上記２つのユニットでの複数の作業を動作制御する主制御部を備え、
上記各ユニットは、複数種類の上記部品を上記ヘッド部に供給可能に収容する複数の種類の部品供給部の中から選択された１つの部品供給部をさらに備え、
当該各ユニットにおいて、
上記ヘッド部は、上記ヘッド部の動作を制御可能なヘッド部制御部を備え、
上記部品供給部は、上記部品供給部の動作を制御可能な部品供給制御部を備え、
上記ヘッド部制御部と上記部品供給制御部は、上記ヘッド部制御部による上記ヘッド部の制御と上記部品供給制御部による上記部品供給部の制御とについて、上記主制御部による制御と上記主制御部とは無関係の制御とを選択的に実施する請求項１又は２に記載の部品実装基板生産装置。
【請求項５】
上記各ユニットは、上記ヘッド部制御部による上記ヘッド部の制御と上記駆動装置制御部による上記ヘッド部駆動装置の制御とについて、上記主制御部による制御と上記主制御部とは無関係の制御とを選択的に実施させるユニット制御部をさらに備える請求項３に記載の部品実装基板生産装置。
【請求項６】
上記各ユニットは、上記ヘッド部制御部による上記ヘッド部の制御と上記部品供給制御部による上記部品供給部の制御とについて、上記主制御部による制御と上記主制御部とは無関係の制御とを選択的に実施させるユニット制御部をさらに備える請求項４に記載の部品実装基板生産装置。
【請求項７】
上記連続した複数の工程は、上記基板に接合材を供給する接合材供給工程と、上記基板に供給された上記接合材を介して上記部品を装着する部品装着工程とを含み、
上記複数の種類のヘッド部は、接合材供給用ノズルを有する接合材供給ヘッド部と、部品装着用ノズルを有する部品装着ヘッド部とを含む請求項１から６のいずれか１つに記載の部品実装基板生産装置。
【請求項８】
上記２つのユニットを備える上記１つのモジュールの上記夫々の作業位置における上記基板の上記基板搬送方向沿いの長さは、上記１つのモジュールの上記基板搬送方向沿いの長さの１／３以下である請求項１から７のいずれか１つに記載の部品実装基板生産装置。
【請求項９】
上記ヘッド部駆動装置の上記ヘッド部取付部に取り付けられた上記ヘッド部の上記ヘッド部駆動装置による上記基板搬送方向沿いの移動範囲は、上記作業位置における上記基板搬送方向沿いの長さの範囲内である請求項８に記載の部品実装基板生産装置。
【請求項１０】
上記複数の種類のヘッド部は、チップ部品装着ヘッド部、ＩＣ部品装着ヘッド部、ＩＣ部品接合ヘッド部、マルチノズルヘッド部、塗布供給ヘッド部、又はリフローヘッド部のいずれかを含む請求項１から９のいずれか１つに記載の部品実装基板生産装置。
【請求項１１】
上記少なくとも１つのモジュールにおいて、上記各ユニットの上記夫々の作業位置における上記基板に対して複数の種類の部品の供給を行うための複数の種類の部品供給部の中から１つの部品供給部を選択的にかつ着脱可能に上記夫々のユニット毎に取り付けるプラットホームを備える請求項１から３のいずれか１つに記載の部品実装基板生産装置。
【請求項１２】
連続して配置された複数のモジュールのうち少なくとも１つのモジュールは、基板の搬送経路における作業位置における上記基板に対して第１工程と第２工程と第３工程を行うための異なる種類の第１ヘッド部と第２ヘッド部と第３ヘッド部の中から選択された上記第１ヘッド部を着脱可能に取付けられた第１ヘッド部取付部を少なくとも上記基板搬送方向と直交する方向と上記基板搬送方向とに移動可能にする第１ヘッド部駆動装置を備えた第１ユニットと、上記基板の上記搬送経路における別の作業位置における上記基板に対して第１工程と第２工程と第３工程を行うための異なる種類の第１ヘッド部と第２ヘッド部と第３ヘッド部の中から選択された上記第２ヘッド部を着脱可能に取付けられた第２ヘッド部取付部を少なくとも上記基板搬送方向と直交する方向と上記基板搬送方向とに移動可能にする第２ヘッド部駆動装置を備えた第２ユニットとを、上記基板搬送方向沿いに直列的に２つ配置されて構成し、上記第１ユニットと第２ユニットとで上記第１ヘッド部と上記第２ヘッド部とを使用して上記第１工程と第２工程を行うことにより、部品が基板に実装された部品実装基板を生産し、
上記第２ヘッド部を上記第２ヘッド部取付部から取り外して、異なる種類の第１ヘッド部と第２ヘッド部と第３ヘッド部の中から選択された上記第３ヘッド部を上記第２ヘッド部取付部に着脱可能に取付け、
上記第１ユニットと第２ユニットとで上記第１ヘッド部と上記第３ヘッド部とを使用して上記第１工程と第３工程を行うことにより、部品が基板に実装された部品実装基板を生産するようにしたことを特徴とする部品実装基板生産方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、この他の従来例として、図８〜図１０に示すような構造があった。
図８に示すものは、鏡板２の端部に形成した拡径部２ｂの内面に胴板４の端部４ｂを突き合わせて、その突き合わせ部を缶体１の内側より周溶接１２したもの。図９に示すものは、胴板４の端部に拡径部４ｃを形成し、その内面に鏡板２の端面２ｃを突き合わせて内側から周溶接１２してたもの。さらに、図１０に示すものは、鏡板２の端部を拡径した後、さらにテーパ加工した突起２ｄに同じく拡径した胴板４の端部４ｄを突き合わせて、この突き合わせ部を外側より周溶接１２したものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１.
以下、本発明の実施の形態１を図面に基づき詳細に説明する。
図１は本発明の実施の形態１を示す電気温水器用缶体の断面図であり、１は缶体で、上部鏡板２、下部鏡板３、及び胴板４で構成されている。５は冷水が供給される給水管座、６は胴板４に配設したヒータ取付口、７は電気ヒータ、８は温水が流出される出湯管座である。９は缶体脚１０の取付座で、下部鏡板３に溶接等で取り付けられている。
上記胴板４は、本実施の形態１においては、材質は厚さ０．８〜１．５ｍｍ程度のステンレスの鋼板を円筒状にして継目をＴＩＧ溶接等により溶接することで製作している。また胴板４の直径Ｄ１は上下部鏡板２，３のストレート部の直径Ｄ２に対して約３〜５ｍｍ程度小さくなるように製作している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
実施の形態３．
図４は実施の形態３を示す要部拡大断面図である。
この実施の形態３では、胴板４の端部に円筒方向内側に向かってテーパ状の縮径部１３を形成することで、鏡板２，３のストレート部の外径Ｄ２より内側に周溶接部１２の位置を配置しており、上記実施の形態１及び２と同等の効果を得ることができるほか、胴板４の直径Ｄ１を小さくする必要がないので、缶体１の容量を落とさずに実施できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
実施の形態４．
図５は実施の形態４を示す要部拡大断面図である。
この実施の形態４では、胴板４の端部に階段状の縮径部１４を形成することによって周溶接部１２の位置を鏡板２，３のストレート部の外径Ｄ２より内側に周溶接部１２の位置を配置しており、この実施の形態４においても、上記実施の形態３と同様の効果が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001033106.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001033106.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001033106.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2001033106.tif 000004