Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
外部からのアドレス信号をデコードするデコーダと、該デコーダからの出力信号で制御されるＩＣメモリを備えたメモリモジュールにおいて、
上記デコーダ及びＩＣメモリを実装するように配線パターンが形成され、少なくとも１つのＩＣメモリが実装された複数の配線基板と、
該各配線基板にそれぞれ実装され、デコーダから出力される制御信号が対応するＩＣメモリに入力されるように、デコーダに接続される配線パターンとＩＣメモリに接続される配線パターンとの接続を切り換える切換部と、
上記各配線基板を多層に重畳させると共に各配線基板の接続を行う接続部とを備え、
上記デコーダは、各配線基板のいずれか１つに実装されることを特徴とするメモリモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
各配線基板の位置に複数の貫通穴と、該各貫通穴の周りに所定の配線パターンに接続されるパッドとをそれぞれ形成し、各配線基板に対応して形成された各貫通穴にそれぞれ導線を通すと共に、該導線と各パッドとをそれぞれ電気的に接続することによって、上記デコーダと、デコーダが実装されていない配線基板の切換部との接続を行うことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のメモリモジュール。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本第１の発明に係るメモリモジュールは、外部からのアドレス信号をデコードするデコーダと、該デコーダからの出力信号で制御されるＩＣメモリを備えたメモリモジュールにおいて、上記デコーダ及びＩＣメモリを実装するように配線パターンが形成され、少なくとも１つのＩＣメモリが実装された複数の配線基板と、該各配線基板にそれぞれ実装され、デコーダから出力される制御信号が対応するＩＣメモリに入力されるように、デコーダに接続される配線パターンとＩＣメモリに接続される配線パターンとの接続を切り換える切換部と、上記各配線基板を多層に重畳させると共に各配線基板の接続を行う接続部とを備え、上記デコーダは、各配線基板のいずれか１つに実装されるものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本第７の発明に係るメモリモジュールは、第１から第４の発明において、各配線基板の位置に複数の貫通穴と、該各貫通穴の周りに所定の配線パターンに接続されるパッドとをそれぞれ形成し、各配線基板に対応して形成された各貫通穴にそれぞれ導線を通すと共に、該導線と各パッドとをそれぞれ電気的に接続することによって、上記デコーダと、デコーダが実装されていない配線基板の切換部との接続を行う。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体レーザにおいて、基板上に第１の導電型を有する第１クラッド層と、活性層と、第２の導電型を有する第２クラッド層とがその順で積層されており、かつ活性層上方構造の一部において第２クラッド層上部がリッジ状に形成された構造であって、リッジ部の両側に形成される絶縁性もしくは第１の導電型を有する埋込層がレーザの発振波長に対して透明で、かつ第２クラッド層と概略同じ屈折率を有することを特徴とする化合物半導体レーザ。
【請求項２】
ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体レーザにおいて、基板上に第１の導電型を有する第１クラッド層と、活性層と、第２の導電型を有する第２クラッド層と、第２の導電型を有し第２クラッド層よりも高い屈折率を示す光ガイド層と、第２の導電型を有する第３クラッド層とがその順で積層されており、かつ活性層上方構造の一部において第２クラッド層内の任意の位置ないし第３クラッド層がリッジ状に形成された構造であって、リッジ部の両側に形成される絶縁性もしくは第１の導電型を有する埋込層がレーザの発振波長に対して透明で、かつ第２クラッド層と概略同じ屈折率を有することを特徴とする化合物半導体レーザ。
【請求項３】
前記光ガイド層が、ＩｎＧａＡｌＮからなることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記埋込層が、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＣｅＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯのうち少なくとも１種類以上を含む誘電体膜であることを特徴とする請求項１，２または３のいずれかに記載の化合物半導体レーザ。
【請求項５】
前記埋込層が、ＺｎＭｇＣｄＳＳｅ化合物半導体であることを特徴とする請求項１，２または３のいずれかに記載の化合物半導体レーザ。
【請求項６】
前記埋込層が、第２クラッド層と概略同組成の半導体であることを特徴とする請求項１，２または３のいずれかに記載の化合物半導体レーザ。
【請求項７】
ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体レーザにおいて、基板上に第１の導電型を有する第１クラッド層と、活性層と、第２の導電型を有する第２クラッド層と、絶縁性もしくは第１の導電型を有し第２クラッド層よりも低い屈折率を示す光反射層と、第２の導電型を有する第３クラッド層と、第２の導電型を有するコンタクト層とがその順で積層されており、かつ活性層上方構造の一部において第２クラッド層内の任意の位置ないし第３クラッド層、もしくは第２クラッド層内の任意の位置ないしコンタクト層が凹状に形成された構造であって、凹部の内側に形成される埋込層が第２の導電型を有しかつ第２クラッド層と概略同組成の半導体であることを特徴とする化合物半導体レーザ。
【請求項８】
前記光反射層が、ＩｎＧａＡｌＮからなることを特徴とする請求項７に記載の化合物半導体レーザ。
【請求項９】
基板上に、第１の導電型を有しＩＩＩ族窒化物半導体からなる第１クラッド層と、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる活性層と、第２の導電型を有するＩＩＩ族窒化物半導体からなる第２クラッド層とが、この順で積層されており、
該第２クラッド層には、リッジ構造が設けられており、
該リッジ構造は、絶縁性の埋込層により挟まれており、
該埋込層が、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＣｅＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯのうち少なくとも１種類以上を含む誘電体からなることを特徴とする化合物半導体レーザ。
【請求項１０】
基板上に、第１の導電型を有しＩＩＩ族窒化物半導体からなる第１クラッド層と、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる活性層と、第２の導電型を有するＩＩＩ族窒化物半導体からなる第２クラッド層とが、この順で積層されており、
該第２クラッド層には、リッジ構造が設けられており、
該リッジ構造は、絶縁性の埋込層により挟まれており、
該埋込層は、第２クラッド層と概略同組成のＩＩＩ族窒化物半導体からなることを特徴とする化合物半導体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその作製方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成された複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子上にある表面が平坦な層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記複数の半導体素子に各々１つずつ接続された複数の電極と、
前記複数の電極の各境界部に埋め込まれた複数の絶縁層とを有し、
前記複数の電極の表面および前記複数の絶縁層の表面が同一平面をなすことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成された複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子上にある表面が平坦な層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上において前記複数の半導体素子に各々１つずつ接続された複数の電極と、
前記複数の電極の各境界部に埋め込まれた複数の絶縁膜と、
前記基板に対向する対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間に狭持される液晶層とを有し、
前記複数の電極の表面および前記複数の絶縁層の表面が同一平面をなすことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜を平坦化し、
前記複数の半導体素子に各々１つずつ接続される複数の電極を、平坦化した前記層間絶縁膜上に形成し、
前記複数の電極の各境界部を埋め、かつ前記複数の電極を覆う絶縁層を形成し、
前記複数の電極の表面および前記絶縁層の表面が同一平面をなす様に平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月17日(2004.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタの活性層となる半導体の表面をAr、Kr、又はXeのガスプラズマに曝した後、
前記半導体の表面を外気に曝さないで前記半導体上にゲイト絶縁膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの活性層となる半導体の表面をAr、Kr、又はXeのガスプラズマに曝した後、
前記半導体の表面を外気に曝さないで前記半導体上にゲイト絶縁膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
一対の電極の一方に高周波電源が接続され、前記一対の電極の他方に接地電位が接続された平行平板型のプラズマ処理装置を用いて、薄膜トランジスタの活性層となる半導体の表面を、Ar、Kr、又はXeのガスプラズマに曝した後、前記一対の電極の前記一方に前記接地電位を接続し、前記一対の電極の前記他方に前記高周波電源を接続し、前記半導体の表面を外気に曝さないで前記半導体上にゲイト絶縁膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
一対の電極の一方に高周波電源が接続され、前記一対の電極の他方に接地電位が接続された平行平板型のプラズマ処理装置を用いて、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの活性層となる半導体の表面を、Ar、Kr、又はXeのガスプラズマに曝した後、前記一対の電極の前記一方に前記接地電位を接続し、前記一対の電極の前記他方に前記高周波電源を接続し、前記半導体の表面を外気に曝さないで前記半導体上にゲイト絶縁膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記半導体は非晶質の珪素膜に対してレーザ光の照射を行い結晶化させる工程と、前記結晶化された珪素膜をパターニングする工程と、により作製されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成された複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子上にある表面が平坦な層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記複数の半導体素子に各々１つずつ接続された複数の電極と、
前記複数の電極を覆うＤＬＣ膜と、
前記複数の電極の各境界部にある前記ＤＬＣ膜上に、前記境界部を埋めるように形成された複数の絶縁層とを有し、
前記境界部以外にある前記ＤＬＣ膜の表面と前記複数の絶縁層の表面とは同一平面をなすことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成された複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子上にある表面が平坦な層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記複数の半導体素子に各々１つずつ接続された複数の電極と、
前記複数の電極を覆うＤＬＣ膜と、
前記複数の電極の各境界部にある前記ＤＬＣ膜上に、前記境界部を埋めるように形成された複数の絶縁膜と、
前記基板に対向する対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間に狭持される液晶層とを有し、
前記境界部以外にある前記ＤＬＣ膜の表面と前記複数の絶縁層の表面とは同一平面をなすことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜を平坦化し、
前記複数の半導体素子に各々１つずつ接続される複数の電極を形成し、
前記複数の電極および前記複数の電極の各境界部を覆うＤＬＣ膜を形成し、
前記ＤＬＣ膜に覆われた複数の電極の各境界部を埋め、かつ前記ＤＬＣ膜を覆う絶縁層を形成し、
前記ＤＬＣ膜の表面および前記絶縁層の表面が同一平面をなす様に平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月9日(2004.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記有機保護層の形成段階において、
前記有機保護層は、ベンゾシクロブテン、ＰＦＣＢ(perfluorocyclobutane)及びフッ素が添加されたパラキシレンのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記有機保護層は、ベンゾシクロブテン、ＰＦＣＢ(perfluorocyclobutane)及びフッ素が添加されたパラキシレンのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１４記載の液晶表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
前記有機保護層は、ベンゾシクロブテン、ＰＦＣＢ(perfluorocyclobutane)及びフッ素が添加されたパラキシレンのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項２０記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月18日(2004.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のｐ型層と、該第１のｐ型層上に形成されたｎ型層とを有し、ｎ型層側から光を受けて光電変換し、生成した電荷をｎ型層から出力するフォトダイオードにおいて、
前記ｎ型層上に第２のｐ型層を設けて、前記第１のｐ型層および前記第２のｐ型層を、これらをローインピーダンスとする所定電位に接続したことを特徴とするフォトダイオード。
【請求項２】
前記ｎ型層から電荷を出力するための第１電極と、前記第１のｐ型層および前記第２のｐ型層を前記所定電位に接続するための第２電極とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のフォトダイオード。
【請求項３】
前記第１電極および第２電極を、ｎ型層側の表面に備えることを特徴とする請求項２記載のフォトダイオード。
【請求項４】
前記第２のｐ型層は、前記第１電極と前記ｎ型層との接続部以外の部分で前記ｎ型層の上部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項２または３記載のフォトダイオード。
【請求項５】
前記第１電極は、前記ｎ型層にオーミック接続されていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載のフォトダイオード。
【請求項６】
前記ｎ型層において、前記第１電極とのオーミック接続部には、周囲よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度層が配置されていることを特徴とする請求項５記載のフォトダイオード。
【請求項７】
前記第１のｐ型層および第２のｐ型層は、直接接続されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のフォトダイオード。
【請求項８】
前記第２電極は、前記第１のｐ型層および第２のｐ型層の両方に直接接続されていることを特徴とする請求項２ないし６のいずれかに記載のフォトダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、第１のｐ型層と、該第１のｐ型層上に形成されたｎ型層とを有し、ｎ型層側から光を受けて光電変換し、生成した電荷をｎ型層から出力するフォトダイオードにおいて、前記ｎ型層上に第２のｐ型層を設けて、前記第１のｐ型層および前記第２のｐ型層を、これらをローインピーダンスとする所定電位に接続した構成とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
光は第２のｐ型層より入射し、第２のｐ型層とｎ型層およびｎ型層と第１のｐ型層の接合面で光電変換が行われる。光電変換によって生成された電荷はｎ型層から出力するが、ｎ型層の上部には第２のｐ型層が設けられている。この第２のｐ型層は、グランド電位のような所定電位に接続されてローインピーダンスになっているためシールド効果をもち、外部からの電磁ノイズを遮断することができる。したがって、ｎ型層に電磁ノイズが達することはなく、ｎ型層からノイズによって発生した電荷が出力されることはない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ｎ型層から電荷を出力するための第１電極と、第１のｐ型層および第２のｐ型層を前記所定電位に接続するための第２電極とをさらに備えるとよい。
前記第１および第２電極は、いずれもｎ型層側の表面に備えるようにするとよい。この場合、アノード電極とカソード電極がフォトダイオードの表面に併設されることになる。
さらに、前記第２のｐ型層は、前記第１電極と前記ｎ型層との接続部以外の部分で前記ｎ型層の上部を覆うように形成されていることが好ましい。
また、前記第１電極は、前記ｎ型層にオーミック接続されていることが好ましい。
さらに、前記ｎ型層において、前記第１電極とのオーミック接続部には、周囲よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度層が配置されていることが好ましい。
また、前記第１のｐ型層および第２のｐ型層は、直接接続されていてもよい。
また、前記第２電極は、前記第１のｐ型層および第２のｐ型層の両方に直接接続されていてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第１の電極１５は開口１４ａの上に設けられており、ｎ型層１２に接続している。第２の電極１６は、開口１４ｂと開口１４ｃの上に設けられており、第２のｐ型層１３に接続し、ｐ型帯１１ａを介して第１のｐ型層１１に接続している。電極１５は、ｎ型層１２にオーミック接続されており、このオーミック接続は、ｎ型層１２において、電極１５とのオーミック接続部に、周囲よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度層を配置して形成されている。同様にして、電極１６は、第２のｐ型層１３およびｐ型帯１１ａにオーミック接続されている。
電極１６はグランド電位に接続される。これにより、第１のｐ型層１１と第２のｐ型層１３が共にグランド電位となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の効果】
この発明のフォトダイオードによるときは、外部からの電磁ノイズが第２のｐ型層によって遮断されるため、ノイズに起因する信号を出力することがない。このため、シールドケースでフォトダイオードを覆う必要がなくなり、また、コストを低減し製造工程数を減少させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、アノード電極とカソード電極をともにフォトダイオード表面に形成しておけば、両電極を同じ方法によって回路基板の配線に接続することができる。したがって、実装の工程が容易になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極板と負極板とが対向しない部分を設け、かつ一方の極板の端縁部が他方の極板の端縁部より突出するよう、隔離体を介して巻回あるいは積層された発電要素と、前記極板の端縁部に接続された集電体とを備えた非水電解質二次電池において、前記集電体に前記極板の端縁部を挟んで接合されたことを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記集電体は、板材を波形に成形した溝部を有し、前記極板の端縁部が前記集電体の溝部と接合されていることを特徴とする請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
前記集電体は、前記極板の端縁部が前記溝部に導入されるためのガイド部を有することを特徴とする請求項１又は２記載の非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
第１の発明になる非水電解質二次電池は、正極板と負極板とが対向しない部分を設け、かつ一方の極板の端縁部が他方の極板の端縁部より突出するよう、隔離体を介して巻回あるいは積層された発電要素と、前記極板の端縁部に接続された集電体とを備え、前記集電体に前記極板の端縁部を挟んで接合されたことを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第２の発明は、上記第１の発明になる非水電解質二次電池において、前記集電体は、板材を波形に成形した溝部を有し、前記極板の端縁部が前記集電体の溝部と接合されていることを特徴とする。なお、前記溝部は、前記集電体に複数設けてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第３の発明は、上記第１の発明又は第２の発明になる非水電解質二次電池において、前記集電体は、前記極板の端縁部が前記溝部に導入されるためのガイド部を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記集電体と前記極板の端縁部との接合方法は、超音波溶接法、電気抵抗溶接法、アーク溶接法もしくはプラズマアーク溶接法による溶接、又はリベット、ピン、はとめを用いた機械的接合もしくは前記集電体を加圧変形させて圧着する機械的接合、又は溶接と機械的接合の両者を用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月12日(2004.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
球状又は／および球状に近似した形状であって、その表面が曲面を主体として構成された粒子を主として含有する水酸化ニッケルを化学的もしくは電気化学的に酸化する工程を備えたことを特徴とする非水電解質電池用正極板の製造方法。
【請求項２】
コバルトを含む水酸化ニッケルを用いることを特徴とする請求項１記載の非水電解質電池用正極板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような欠点を除去して非水電解質電池用正極板のエネルギー密度を向上させるためになされた製造方法であり、球状又は／および球状に近似した形状であって、その表面が曲面を主体として構成された粒子を主として含有する水酸化ニッケルを化学的もしくは電気化学的に酸化する工程を備えたことを特徴とし、さらに、コバルトを含む水酸化ニッケルを用いることを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
なお、水酸化ニッケルの平均粒子径が１〜１００μｍであり、水酸化ニッケルが三次元的構造を有する導電性多孔体に保持させることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、水酸化ニッケルの平均粒子径を１〜１００μｍの範囲で選択することにより高率放電特性とエネルギー密度とのバランスに優れた極板を得ることができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
そして、球状及び球状に近似した粒子形状を有する水酸化ニッケル粉末、導電材としてアセチレンブラック５ｗｔ％、結着剤として二フッ化ポリビニリデン５ｗｔ％とＮ−メチル−２−ピロリドン３ｗｔ％との混合液とをドライルームで混合して、ペースト状にしたのち、集電体のステンレス箔に塗布・乾燥をして本発明による正極板Ａ’を得た。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
加えて、通常用いられる水酸化ニッケル粉末、導電材としてアセチレンブラック５ｗｔ％、結着剤として二フッ化ポリビニリデン５ｗｔ％とＮ−メチル−２−ピロリドン３ｗｔ％との混合液とをドライルームで混合して、ペースト状にしたのち、集電体のステンレス箔に塗布・乾燥をして従来の正極板Ｂ’を製作した。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
すなわち、平均粒子径が１００μｍ程度の水酸化ニッケル粉末を用いた場合には、粒子が大きいために多孔体中にペーストが充分に充填できない。従来の水酸化ニッケル粉末を用いた場合には、粒子径が７０μｍ程度に小さくなると、ペーストが充填しやすくなるためエネルギー密度が若干向上するが、粒子径がさらに小さくなると粒子の比表面積の増大によって練液量が増加し、エネルギー密度が著しく低下する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
一方、本発明のように球状及び球状に近い形状の粒子形状を有する水酸化ニッケル粉末を用いた場合には、粒子径が２５〜７０μｍ程度に小さくなってもその比表面積が極めて小さいため、粒子径が小さくなることによって練液量の増加に起因する活物質粒子の含有率低下よりも、ペーストが充填しやすくなるという効果の方が大きいので、エネルギー密度が向上するものと考えられる。このとき、Ａで用いたスポンジ状ニッケル多孔体のような、三次元的構造を有する導電性多孔体に水酸化ニッケル粉末を保持させると、ペーストを集電体上に塗布してなるＡ’にくらべてさらにエネルギー密度が向上していることが確認される。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次に、平均粒子径７０μｍの水酸化ニッケル粒子を用いた正極板Ａ、Ａ’およびＢ’について、放電電流密度を変えた場合の極板のエネルギー密度の変化を図３に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月23日(2004.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極原料粉末をバインダー及び溶剤と共に混練した電極合剤ペーストを集電体上に積層して電極合剤層を形成する非水電解質二次電池用電極の製造方法であって、前記電極合剤ペーストを前記集電体上に複数回に分けて積層及び乾燥させることを特徴とする非水電解質二次電池用電極の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
他の発明は、各ペースト積層工程において、同一組成の電極合剤ペーストを使用するところに特徴を有する。
また、その他の発明は２回のペースト積層工程を実行するものであり、第１回のペースト積層工程においては、全体の電極合剤層の厚さの１０〜７０％の電極合剤層が形成されるようにするところに特徴を有する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
他の発明では、同一組成の電極合剤ペーストを使用するから、例えば同一の塗布装置で繰り返し積層工程を実行することができ、生産設備が簡単になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質の全細孔体積の１５〜３５％が細孔直径５〜５０μｍであることを特徴とする鉛蓄電池用正極板。
【請求項２】
鉛合金製格子に活物質ペーストを充填した後、活物質中に四塩基性硫酸鉛の凝集部を形成して未化成極板を得る工程と、前記未化成極板を化成する工程とを備えたことを特徴とする、請求項１記載の鉛蓄電池用正極板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明による鉛蓄電池用正極板は、正極活物質の全細孔体積の１５〜３５％が細孔直径５〜５０μｍであることを特徴とし、さらに好ましくは鉛合金製格子に活物質ペーストを充填した後、活物質中に四塩基性硫酸鉛の凝集部を形成して未化成極板を得る工程と、前記未化成極板を化成する工程とを備えた製造方法で得られることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月17日(2004.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパッド部を有する半導体チップと該半導体チップのパッド部と取り付け基板とを電気的に接続するための複数のリード部材とからなり、
上記リード部材は少なくとも一端を接点とする金属部を有し、各々のリード部材は、上記半導体チップを内挿可能な断面ロ字形の嵌め込み部を有する絶縁性矩形筒部材にその少なくとも１側縁を挟持するようにその一部を埋設し、互いに長手方向に所定間隔をおいて配列固定されて一体化されるとともに、上記リード部材を上記半導体チップと上記接点を除き、絶縁遮断する構成を備え、
上記各リード部材は塑性変形可能で、その一端の接点を半導体チップのパッド部に直接押圧接触可能でかつその形状を保持可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記リード部材の１ピン位置を表示するマークを有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記複数のリード部材を上記半導体チップに接続後半導体チップ表面に保護膜コートを付加形成してなる請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒータに供給される交流電圧から生成した同期入力信号を温度調節回路の入力チャネルに入力し、入力した同期入力信号に基いてオフセット制御された出力信号を出力チャネルから出力し、該出力信号に応じて上記ヒータに供給される電力を調節して、電気炉の温度を所定温度に制御する電気炉の温度制御方法において、
上記出力チャネルを任意の入力チャネルに接続する複数の情報テーブルを予め作成しておき、
上記入力チャネルに入力される同期入力信号を検出し、
上記入力チャネルのいずれかに同期入力信号が検出されなかったとき、上記複数の情報テーブルの中から、上記同期入力信号が検出されなかった入力チャネルを除いた他の入力チャネルに上記出力チャネルを接続した情報テーブルを検索し、
該検索した情報テーブルに接続された上記他の入力チャネルに入力される同期入力信号に基いて、上記ヒータに供給される電力の制御量が、上記検出されなかった同期入力信号が検出されたときと同じになるようにオフセット制御された出力信号を当該情報テーブルの上記他の入力チャネルに接続された出力チャネルから出すようにしたことを特徴とする電気炉の温度制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応管を加熱する加熱炉を備え、この加熱炉にはヒータと、このヒータ又は反応管の温度を測定しヒータの温度調節用に使用する第１の温度センサと、上記ヒータ又は反応管の異常加熱を検知するための第２の温度センサとを備え、上記第１の温度センサを使用し上記ヒータ又は反応管の温度を測定し、この測定温度から上記ヒータへの電力供給を制御し発熱状態を制御すると共に上記第２の温度センサを使用し測定した上記ヒータの温度が異常に高温になったときに上記ヒータへの電力供給を強制的に停止させる半導体製造システムにおいて、
上記第１の温度センサが故障であると認識したときに、上記第２の温度センサからの測定温度信号を使用して温度調節を行うようにする制御手段を備えたことを特徴とする半導体製造システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
画像信号 202は信号処理部23に供給されて信号処理が施され、信号処理の結果である画像信号 203はバッファメモリ24に一時格納される。システム制御回路31は制御信号 218により記録装置27を制御し、記録装置27は、バッファメモリ24内の画像信号と情報記録媒体の間で画像信号の読み書きを制御する。また、システム制御回路31は制御信号 217により画像表示部28を制御し、バッファメモリ24内の画像信号を画像表示部28に供給して液晶表示装置 406に可視画像として表示する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ステップＳ３０１で、番組切換制御部１０３は、入力部１０４を通じてユーザから番組切り換えの指示があったか否かを判断する。番組切り換えの指示があった場合は処理はステップＳ３０２に進み、番組切換の指示がなかった場合は番組切換処理は終了する。ステップＳ３０２で、番組切換制御部１０３は、音声をミュートするとともに疑似番組データ保持部１０２で保持されている疑似番組データを読み出して表示部１０６を介して表示装置に出力する。ステップＳ３０３で、番組切換制御部１０３は、切り換え後の番組の情報をチャンネル情報保持部１０１より取得し、この切り換え後の番組の情報に基づいて受信部１０５は切り換え後の番組の信号の受信を開始する。ステップＳ３０４で、番組切換制御部１０３は、受信部１０５による切り換え後の番組の信号の受信が完了したか否かを判断し、受信が完了するまでステップＳ３０４を繰り返し、受信が完了した場合には処理はステップＳ３０５に進む。ステップＳ３０５で、番組切換制御部１０３は、入力部１０４を通じてユーザから疑似番組終了の指示があったか否かを判断し、疑似番組終了の指示があるまでステップＳ３０５を繰り返し、疑似番組終了の指示があった場合には処理はステップＳ３０６に進む。ステップＳ３０６で、番組切換制御部１０３は、音声ミュートおよび疑似番組の出力を解除するとともに、受信部１０５からの切り換え後の番組の信号を表示部１０６を介して表示装置に出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バッテリ残量情報表示機能付き電子機器及び電子機器のバッテリ残量情報表示方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリセルの充放電電流情報を生成する充放電電流情報生成手段と、
前記バッテリセルに接続する充放電用端子及び前記充放電電流情報を外部に通信するための情報通信端子を有するバッテリパックを装着する装着手段と、
前記情報通信端子に接続して充放電電流情報を受信する通信手段と、
前記受信した充放電電流情報と予め記憶した機器本体の消費電力情報との演算に基づいてバッテリ残量情報を生成する演算手段と、
前記バッテリ残量情報を表示する表示手段と、
前記バッテリパックのバッテリセルを充電する充電手段とを有したバッテリ残量情報表示機能付き電子機器であって、
前記演算手段が、前記バッテリパックより受信した前記充放電電流情報に基づいて前記バッテリセルが満充電近傍になったことを検出して、前記充電手段の充電モードを定電圧充電モードよりトリクル充電モードに変更し、前記バッテリセルが満充電になったことを検出して前記充電手段の充電を停止することを特徴とするバッテリ残量情報表示機能付き電子機器。
【請求項２】
バッテリセルに接続する充放電用端子及び前記充放電電流情報を外部に通信するための情報通信端子を有するバッテリパックを有し、
前記情報通信端子に接続して充放電電流情報を受信する通信ステップと、
前記受信した充放電電流情報と予め記憶した機器本体の消費電力情報との演算に基づいてバッテリ残量情報を生成する演算ステップと、
前記バッテリ残量情報を表示する表示ステップと、
前記バッテリパックのバッテリセルを充電する充電ステップとを備えた電子機器のバッテリ残量情報表示方法であって、
前記演算ステップが、前記バッテリパックより受信した前記充放電電流情報に基づいて前記バッテリセルが満充電近傍になったことを検出して、前記充電ステップの充電モードを定電圧充電モードよりトリクル充電モードに変更し、前記バッテリセルが満充電になったことを検出して前記充電ステップの充電を停止することを特徴とする電子機器のバッテリ残量情報表示方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子スチルカメラ、ビデオカメラ等の電子機器の電源装置として用いられるバッテリパックのバッテリセルをＡＣパワーアダプタを介して充電できるようにすると共にバッテリ残量を表示するようにしたバッテリ残量情報表示機能付き電子機器及び電子機器のバッテリ残量情報表示方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明バッテリ残量情報表示機能付き電子機器は、バッテリセルの充放電電流情報を生成する充放電電流情報生成手段と、このバッテリセルに接続する充放電用端子及びこの充放電電流情報を外部に通信するための情報通信端子を有するバッテリパックを装着する装着手段と、この情報通信端子に接続して充放電電流情報を受信する通信手段と、この受信した充放電電流情報と予め記憶した機器本体の消費電力情報との演算に基づいてバッテリ残量情報を生成する演算手段と、このバッテリ残量情報を表示する表示手段と、このバッテリパックのバッテリセルを充電する充電手段とを有したバッテリ残量表示機能付き電子機器であって、この演算手段が、このバッテリパックより受信したこの充放電電流情報に基づいて、このバッテリセルが満充電近傍になったことを検出して、この充電手段の充電モードを定電圧充電モードよりトリクル充電モードに変更し、このバッテリセルが満充電になったことを検出して、この充電手段の充電を停止するようにするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明バッテリ残量情報表示機能付き電子機器及び電子機器のバッテリ残量情報表示方法を電子スチルカメラに適用した実施の形態の例につき説明しよう。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯電子機器における機器筐体の一方端に設けた一方側凹部に係合する一方側爪部と、前記機器筐体の他方端に設けた他方側凹部に係合する他方側爪部と、前記機器筐体の一方端に設けた充電端子板に当接する充電端子バネとを有し、前記一方側爪部を前記一方側凹部に係合させるとともに、前記他方側爪部を前記他方側凹部に係合させ、前記充電端子バネを前記充電端子板に当接させた状態で前記携帯電子機器を装着保持し、前記携帯電子機器に対して充電を行なう携帯電子機器用充電器であって、
前記一方側爪部を有して成り、前記携帯電子機器の装着されていない状況において前記充電端子バネを外部に突出させることなく収容する待機位置と、前記携帯電子機器の装着された状況において前記充電端子バネを外部に突出させる保持位置との間を移動自在に設けられたスライドブロックと、
前記スライドブロックを前記保持位置から前記待機位置に向けて常時付勢する付勢バネと、
を具備して成ることを特徴とする携帯電子機器用充電器。
【請求項２】
機器筐体における一方端の前面に充電端子板を設けた携帯電子機器を装着保持するとともに、装着保持した携帯電子機器の充電端子板に前方から当接する充電端子バネを具備して成ることを特徴とする請求項１記載の携帯電子機器用充電器。
【請求項３】
機器筐体における一方端の底面に充電端子板を設けた携帯電子機器を装着保持するとともに、装着保持した携帯電子機器の充電端子板に底面から当接する充電端子バネを具備して成ることを特徴とする請求項１記載の携帯電子機器用充電器。
【請求項４】
複数の充電端子バネと、個々の充電端子バネに対して待機位置と保持位置との間を移動自在に設けられた複数のスライドブロックと、個々のスライドブロックを保持位置から待機位置に向けて常時付勢する複数の付勢バネとを具備して成ることを特徴とする請求項２または請求項３記載の携帯電子機器用充電器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンコード方向傾斜磁場を除く全ての傾斜磁場によるモーメントは、印加するＲＦパルスの中心時刻と当該ＲＦパルスの印加に応答して発生するエコー信号のピーク到達時刻との間の期間、及び、当該エコー信号のピーク到達時刻とこのエコー信号の後に印加されるＲＦパルスの中心時刻との間の期間それぞれにおいて零であること、エンコード方向傾斜磁場によるモーメントは、印加するＲＦパルスの中心時刻相互間において零であること、並びに、印加するＲＦパルスの位相差が一定であることという条件を満足させるパルスシーケンスを実行することによりエコー信号を受信し、このエコー信号を処理したデータを周波数空間に配置し、この配置したデータに基づいて画像を生成する磁気共鳴イメージング装置において、前記周波数空間の高周波領域から低周波領域の順で前記データが当該周波数空間に配置されるように設定した前記エンコード方向傾斜磁場を印加する印加手段を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
エンコード方向傾斜磁場を除く全ての傾斜磁場によるモーメントは、印加するＲＦパルスの中心時刻と当該ＲＦパルスの印加に応答して発生するエコー信号のピーク到達時刻との間の期間、及び、当該エコー信号のピーク到達時刻とこのエコー信号の後に印加されるＲＦパルスの中心時刻との間の期間それぞれにおいて零であること、エンコード方向傾斜磁場によるモーメントは、印加するＲＦパルスの中心時刻相互間において零であること、並びに、印加するＲＦパルスの位相差が一定であることという条件を満足させるパルスシーケンスを実行することによりエコー信号を受信し、このエコー信号を処理したデータを周波数空間に配置し、この配置したデータに基づいて画像を生成する磁気共鳴イメージング装置において、スピンの縦磁化成分の大きさが一定と見なすことができる定常状態で収集した前記データが前記周波数空間の中心に配置されるように設定した前記エンコード方向傾斜磁場を印加する印加手段を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記印加手段は、前記周波数空間への前記データの配置が、前記周波数空間における位相エンコード方向の零エンコードを中心とする逆極性の領域に対して経時的に交互に行われるように設定した前記エンコード方向傾斜磁場を印加する手段である磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記パルスシーケンスは、前記エンコード方向傾斜磁場が位相エンコード方向傾斜磁場である２次元スキャンのパルス列から成る磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記パルスシーケンスは、前記エンコード方向傾斜磁場が位相エンコード方向傾斜磁場及びスライス方向傾斜磁場である３次元スキャンのパルス列から成るとともに、前記印加手段は、前記周波数空間をセグメント化した各セグメント領域への前記データの配置が前記交互順で行われるように構成されている磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
ＦＩＳＰ法を用いたパルスシーケンスを実行することによりエコー信号を受信し、このエコー信号を処理したデータを周波数空間に配置し、この配置したデータに基づいて画像を生成する磁気共鳴イメージング装置において、
前記周波数の高周波領域から低周波の順で前記データが前記周波数空間に配置されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ところで、磁気共鳴イメージングにおいて、横緩和時間Ｔ２を強調したコントラストを得るために用いられるＦＥシーケンスとしてＦＩＳＰ（First Imaging with Steady Precession）法が知られている（ＳＳＦＰ（Steady State Free Precession）法としても知られている）。このＦＩＳＰ法は干渉縞の改善や動きによるアーチファクトの抑制に工夫をしたＣＩＳＳ（Constructive Interference in the steady state）法やＳＩＭＣＡＳＴ（Segment-Interleaved Motion-Compensated Acquisition in the Steady State）法として実用に供している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＭＲＩ装置及びＭＲＩ装置の作動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操作者により設定される複数の位置で第１の画像撮影を行い、この画像の撮影位置情報を用いて第２の画像撮影を行うＭＲＩ装置において、
前記複数の第１の画像のうち最後に取得した画像の撮影位置情報を記憶する位置情報記憶手段と、
前記第２の画像の撮影位置の変更が指示された場合、前記第２の画像の撮影から前記第１の画像の撮影に移行して、前記第２の画像の変更された撮影位置情報を求めるための撮影位置修正手段を備え、
前記撮影位置修正手段は、前記第１の画像の撮影に移行した際の初期画像として、前記位置情報記憶手段に記憶された撮影位置情報に対応する前記最後に取得した第１の画像を表示する表示手段を備えたことを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項２】
前記表示手段は、撮影した画像を表示するための少なくとも２つの表示領域を有し、一方の表示領域には、前記第１の画像とともにそれを撮影した位置を示すためのマーカを併せて表示することを特徴とする請求項１記載のＭＲＩ装置。
【請求項３】
前記撮影位置修正手段は、操作者が前記マーカの位置を移動させるための入力手段を有し、操作者が新たに設定したマーカの位置に基づいて前記第１の画像の撮影を行うことを特徴とする請求項２記載のＭＲＩ装置。
【請求項４】
前記第２の画像は、前記第１の画像よりも、その解像度が高いものである請求項１記載のＭＲＩ装置。
【請求項５】
操作者により設定される複数の位置において第１の画像撮影を行い、この第１の画像の撮影位置に応じて前記第１の画像よりも解像度が高い第２の画像撮影を行うＭＲＩ装置において、
撮影された前記第１の画像を表示する表示装置と、
この表示装置に表示された第１の画像の撮影位置を修正するための撮影位置修正手段と、
この手段により修正された第１の画像の撮影位置情報を複数記憶可能な位置情報記憶手段とを備え、
前記第２の画像の撮影が指示された場合には、前記位置情報記憶手段に記憶された複数の撮影位置情報に基づいて複数の第２の画像撮影をまとめて実行することを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項６】
前記表示装置が、前記第１の画像とともにそれを撮影した位置を示すためのマーカを併せて表示することを特徴とする請求項５記載のＭＲＩ装置。
【請求項７】
前記位置修正手段は、操作者が前記マーカの位置を移動させるための入力手段を有し、操作者が新たに設定したマーカの位置を前記位置情報記憶手段に記憶することを特徴とする請求項５記載のＭＲＩ装置。
【請求項８】
複数の位置で第１の画像を撮影する第１の撮影手段と、
前記複数の第１の画像のうち少なくとも１の画像を用いて撮影位置を設定する設定手段と、
前記撮影位置を記憶する記憶手段と、
前記設定された撮影位置に基づいて第２の画像を撮影する第２の撮影手段と、
前記第２の撮影が行われた後前記撮影位置を再設定する場合には、前記記憶手段に記憶された撮影位置を表示する表示手段と、
備えたことを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項９】
複数の位置で第１の画像を撮影する第１の撮影手段と、
前記第１の画像を並べて表示する表示手段と、
前記表示手段に表示された複数の第１の画像のうち１の画像を前記複数の第１の画像が表示された領域以外の領域に複製する複製手段と、
前記複製された画像を用いて撮影位置を設定する設定手段と、
前記撮影位置を記憶する記憶手段と、
前記設定された撮影位置に基づいて第２の画像を撮影する第２の撮影手段と、
を備え、
前記表示手段は、前記第２の撮影が行われた後前記撮影位置を再設定する場合には、前記記憶手段に記憶された撮影位置を前記複製された画像上に表示することを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項１０】
磁気共鳴撮像装置の制御手段が、送受信部、高周波コイル、傾斜磁場コイルを制御するＭＲＩ装置の作動方法において、
複数の位置で第１の画像を撮影し、前記複数の第１の画像のうち少なくとも１の画像を用いて設定された撮影位置に基づいて第２の画像を撮影し、前記撮影位置を記憶し、前記第２の撮影が行われた後前記撮影位置を再設定する場合には、前記記憶された撮影位置を表示することを特徴とするＭＲＩ装置の作動方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
ここで、本撮影用のパルスシーケンスとして、例えば心電同期を用いたシネモ
ードの高速Spin-echo法やSSFP（Stesdy-State-Free-Precession）法などが用
いられる。すなわち、本撮影の開始コマンドが入力されると、上記ステップＳ8
において既に記憶回路２０の撮影位置情報メモリ３３に記憶されているリアルタ
イム撮影画像の位置や傾きに関するデータ（以下これらをまとめて位置情報と呼
ぶ）を利用する。
主制御回路２３は最後のリアルタイム撮影画像の位置情報を受け、このデータ
を本撮影用の位置情報として用いて本撮影を行なう（ステップＳ１２）。すなわ
ち主制御回路２３からシーケンス制御回路２４に対して本撮影断面を形成するた
めの制御信号が送信される。さらにこの制御信号に従って、シーケンス制御回路
２４から傾斜磁場電源２５や送信器１７および受信器１８に対してパルスシーケ
ンス制御信号が送られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
底面と、該底面を挟んで上向きに立設された一対の側面とを有する座部を備える椅子型のマッサージ機において、
被施療者の大腿部を施療するための大腿施療部を備え、
該大腿施療部は、
前記座部の側面に設けられ、該座部に着座した被施療者の大腿部の正面部近傍から外側部に至る部分を施療可能に構成された第１施療部、及び、
前記座部の底面に設けられ、該座部に着座した被施療者の大腿部の内側部近傍から背面部に至る部分を施療可能に構成された第２施療部
のうちの少なくとも一方を有していることを特徴とするマッサージ機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るマッサージ機は、底面と、該底面を挟んで上向きに立設された一対の側面とを有する座部を備える椅子型のマッサージ機において、被施療者の大腿部を施療するための大腿施療部を備え、該大腿施療部は、前記座部の側面に設けられ、該座部に着座した被施療者の大腿部の正面部近傍から外側部に至る部分を施療可能に構成された第１施療部、及び、前記座部の底面に設けられ、該座部に着座した被施療者の大腿部の内側部近傍から背面部に至る部分を施療可能に構成された第２施療部のうちの少なくとも一方を有している。