Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを吐出するための吐出口と、この吐出口に連通するインク流路と、インク流路内にインクを吐出するためのエネルギー発生手段として電気熱変換体を配してなるインクジェット記録装置のインクジェットヘッド用弁の製造方法において、インクジェットヘッド用弁の構造が引っ張りと圧縮の異なる応力を持つ金属を積層した構造であり、かつ、金属の積層がメタルＣＶＤ法によることを特徴とするインクジェットヘッド用弁の製造方法。
【請求項２】
前記インクジェットヘッド用弁をＴａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕを用いて製造する請求項１に記載のインクジェットヘッド用弁の製造方法。
【請求項３】
インクを吐出するための吐出口と、この吐出口に連通するインク流路と、インク流路内にインクを吐出するためのエネルギー発生手段として電気熱変換体を配してなるインクジェット記録装置のインクジェットヘッド用弁において、インクジェットヘッド用弁の構造が引っ張りと圧縮の異なる応力を持つ金属を積層した構造であり、請求項１又は２に記載の製造方法で製造することを特徴とするインクジェットヘッド用弁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェットヘッド用弁およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記のようなインクジェットヘッド用弁を製造するには従来は電鋳法等によって形成した弁材料を用い基板上に貼り合わせにより行っていた。
【特許文献１】米国特許第４，７２３，１２９号公報
【特許文献２】特開昭６３−１９９９７２号公
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
すなわち、本発明は、インクを吐出するための吐出口と、この吐出口に連通するインク流路と、インク流路内にインクを吐出するためのエネルギー発生手段として電気熱変換体を配してなるインクジェット記録装置のインクジェットヘッド用弁の製造方法において、インクジェットヘッド用弁の構造が引っ張りと圧縮の異なる応力を持つ金属を積層した構造であり、かつ、金属の積層がメタルＣＶＤ法によることを特徴とするインクジェットヘッド用弁の製造方法を提案するものであり、前記インクジェットヘッド用弁をＴａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕを用いて製造することを含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（参考例１）
図１−ａ〜ｅ及び図２−ｆ〜ｊの図は、本発明の構造を達成するための工程フローを示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
次に、バッファードフッ酸によって弁の周辺のＰＳＧを除去する（図２−ｈ）。次に過酸化水素水によって配線層としてのＰｄを除去する（図２−ｉ）。最後にバッファードフッ酸によってＰＳＧを除去して台座と弁を形成する（図２−ｊ）。
（実施例１）
参考例１における図１−ａ〜図２−ｊで示すような工程において、下引きの配線層とメタルＣＶＤの応力を調製すれば最終形態として図２−ｊのような断面構造ではなく図５で示すような弁が予め反った形状とすることができる。例えば、下引きの配線層の成膜時応力１×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2の圧縮応力で形成し、メタルＣＶＤ側を１×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2の引っぱり応力で形成すれば、弁は、図５のようにメタルＣＶＤ側に反って変形する。このようにして形成した弁は、発泡時に弁を変形させるパワーが不要となり、リフィル時にのみ可動するため、エネルギーのロス分を減らすことが出来る。
（使用例１）
図３は、本発明の液体吐出ヘッドの基本的な構造を説明するための、液流路方向に沿った断面図である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【図１】図１（ａ）〜（ｅ）は、インクジェットヘッド弁の前半の製造工程を示す断面図である。
【図２】図２（ｆ）〜（ｊ）は、インクジェットヘッド弁の後半の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の液体吐出ヘッドの基本的な構造を説明するための液流路方向に沿った断面図である。
【図４】インクジェットヘッド用弁を具備した液体吐出ヘッドの一例の部分破断斜視図である。
【図５】実施例１で製造されるインクジェットヘッド弁の断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月16日(2004.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
プロセスコントローラ１１１は、ＣＰＵ２０３および入力部２０４と出力部２０２と記憶部２０６によって構成される。ＣＰＵ２０３は、演算部２０５と制御部２０７とタイマ２０８を含む。演算部２０５は、記憶部２０６から制御プログラムや成形条件等の各種情報に関するデータを取り出して、射出成形機１０１の動作および周辺機器２０１の動作を制御し、射出成形による成形品の連続生産を実行し、射出成形機１０１による射出成形の稼働・運転を継続する。また記憶部２０６には、少なくとも、各種の動作のための制御プログラム２０６Ａ、成形条件のデータ２０６Ｂ、成形品情報のデータ２０６Ｃ、射出成形機１０１の状態に関するデータ２０６Ｄ、稼働情報に関するデータ２０６Ｅ、操作・表示装置１１２の表示を制御する表示プログラム２０６Ｆが記憶されている。なお、表示プログラム２０６Ｆによって行われた処理結果が出力部２０２を介して、上位コンピュータ１１０に送信されるようにしてもよい。この場合、上位コンピュータ１１０は受信した処理結果に応じて表示部１１０ａに、射出成形機１０１の操作・表示装置１１２と同じ画面を表示させる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、レーザービームの照射による、相変化により情報の記録が行われ、複数回書換え可能な記録層を備え、上記レーザービームを相対的に走査することにより情報の記録が行われる情報記録媒体であって、上記記録層材料がＢｉ，ＧｅおよびＴｅを含み、その組成比が、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の以下の各点により囲まれた範囲である組成の記録層を備えることを特徴とした情報記録媒体。
Ｂ３（Ｂｉ３，Ｇｅ４６，Ｔｅ５１）
Ｃ３（Ｂｉ４，Ｇｅ４６，Ｔｅ５０）
Ｄ３（Ｂｉ５，Ｇｅ４６，Ｔｅ４９）
Ｄ５（Ｂｉ１０，Ｇｅ４２，Ｔｅ４８）
Ｃ５（Ｂｉ１０，Ｇｅ４１，Ｔｅ４９）
Ｂ５（Ｂｉ７，Ｇｅ４１，Ｔｅ５２）
【請求項２】
請求項１に記載の情報記録媒体であって、上記記録層に含有されるＢｉ，ＧｅおよびＴｅの組成比が、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の以下の各点により囲まれた範囲であることを特徴とした情報記録媒体。
Ｆ３（Ｂｉ３．５，Ｇｅ４６，Ｔｅ５０．５）
Ｃ３（Ｂｉ４，Ｇｅ４６，Ｔｅ５０）
Ｄ３（Ｂｉ５，Ｇｅ４６，Ｔｅ４９）
Ｄ５（Ｂｉ１０，Ｇｅ４２，Ｔｅ４８）
Ｃ５（Ｂｉ１０，Ｇｅ４１，Ｔｅ４９）
Ｆ５（Ｂｉ７．５，Ｇｅ４１，Ｔｅ５１．５）
【請求項３】
基板と、レーザービームの照射による、相変化により情報の記録が行われ、複数回書換え可能な記録層を備え、上記レーザービームをある線速度で相対的に走査することより情報の記録が行われる情報記録媒体であって、上記記録層材料がＢｉ，ＧｅおよびＴｅを含み、その組成比が、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の以下の各点により囲まれた範囲である組成の記録層を備え、かつ上記記録層材料のＢｉ、Ｇｅ、Ｔｅの組成比が、（（ＧｅＴｅ）ｘ（Ｂｉ２Ｔｅ３）１−ｘ）１−ｙＧｅｙ（ただし０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）を満足することを特徴とした情報記録媒体。
Ｂ２（Ｂｉ２，Ｇｅ４７，Ｔｅ５１）
Ｃ２（Ｂｉ３，Ｇｅ４７，Ｔｅ５０）
Ｄ２（Ｂｉ４，Ｇｅ４７，Ｔｅ４９）
Ｄ６（Ｂｉ１６，Ｇｅ３７，Ｔｅ４７）
Ｃ８（Ｂｉ３０，Ｇｅ２２，Ｔｅ４８）
Ｂ７（Ｂｉ１９，Ｇｅ２６，Ｔｅ５５）
【請求項４】
基板と、レーザービームの照射による、相変化により情報の記録が行われ、複数回書換え可能な記録層を備え、上記レーザービームをある線速度で相対的に走査することより情報の記録が行われる情報記録媒体であって、上記記録層材料がＢｉ，ＧｅおよびＴｅを含み、その組成比が、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の以下の各点により囲まれた範囲である組成の記録層を備え、かつ記録層の層厚を15nm以下とすることを特徴とした情報記録媒体。
Ｂ２（Ｂｉ２，Ｇｅ４７，Ｔｅ５１）
Ｃ２（Ｂｉ３，Ｇｅ４７，Ｔｅ５０）
Ｄ２（Ｂｉ４，Ｇｅ４７，Ｔｅ４９）
Ｄ６（Ｂｉ１６，Ｇｅ３７，Ｔｅ４７）
Ｃ８（Ｂｉ３０，Ｇｅ２２，Ｔｅ４８）
Ｂ７（Ｂｉ１９，Ｇｅ２６，Ｔｅ５５）
【請求項５】
Ｂｉ，ＧｅおよびＴｅを含み、その組成比が、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の以下の各点により囲まれた範囲である組成を特徴とした情報記録材料用ターゲット。
Ｂ３（Ｂｉ３，Ｇｅ４６，Ｔｅ５１）
Ｃ３（Ｂｉ４，Ｇｅ４６，Ｔｅ５０）
Ｄ３（Ｂｉ５，Ｇｅ４６，Ｔｅ４９）
Ｄ５（Ｂｉ１０，Ｇｅ４２，Ｔｅ４８）
Ｃ５（Ｂｉ１０，Ｇｅ４１，Ｔｅ４９）
Ｂ５（Ｂｉ７，Ｇｅ４１，Ｔｅ５２）
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  前記制御手段は、前記微細可動ミラーのそれぞれの反射面を、全反射するものと、所望の角度で反射するものとに分けて制御する、請求項１に記載の３次元造形装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
好ましくは、制御手段は、微細可動ミラーのそれぞれの反射面を、全反射するものと、所望の角度で反射するものとに分けて制御する。微細可動ミラーのそれぞれの反射面を、全反射するものと、所望の角度で反射するものとに分けて制御することによって、光硬化性樹脂への照射量を制御する。その結果、滑らかな形状の３次元造形物が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被記録材にインクを吐出するインクジェット記録ヘッドと対向して設けられ、該インクジェット記録ヘッドと対向する面に、副走査方向に延びるリブが主走査方向に所定の間隔を置いて配設された、被記録材を下方から支持するプラテンであって、
前記インクジェット記録ヘッドと対向する面に形成された凹部と、
該凹部の底面に形成され、前記凹部に打ち捨てられたインクを下方に排出させる貫通穴と、
該貫通穴から下方に垂下する様に設けられて、前記貫通穴から下方に排出されるインクの流通路となるインクガイド部と、を有し、
前記凹部に、前記インクジェット記録ヘッドから吐出されたインクを吸収するインク吸収材が、前記凹部の側壁に接するように設けられ、
前記インクガイド部の下端部が、該インクガイド部の下方に配設される廃液吸収材の上面と接しており、前記インク吸収材に吸収されたインクが、前記インク吸収材の端部から、前記凹部の側壁、前記貫通穴の側壁、前記インクガイド部、の順に伝って前記廃液吸収材へ案内される様に構成されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項２】  請求項１において、前記インクガイド部が、主走査方向両端部近傍に形成された前記貫通穴に設けられている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項３】  請求項１または２において、前記インクジェット記録ヘッドと対向する面において前記インクジェット記録ヘッドのフラッシング動作位置に、フラッシング動作用凹部が形成され、
該フラッシング動作用凹部の底面に形成された前記貫通穴に、前記インクガイド部が設けられている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項４】  請求項１から３のいずれか１項において、前記凹部の底面に、インクの流通路となるガイド溝が形成されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項５】  請求項１から４のいずれか１項において、前記貫通穴が平面視において方形の形状をなす様に、且つ、角部が略直角をなす様に形成されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項６】  請求項１から４のいずれか１項において、前記貫通穴が平面視において方形の形状をなす様に形成され、且つ、該貫通穴の側壁に、インクの流通路となるＶ溝が鉛直方向に延びる様に形成されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項７】  請求項１から６のいずれか１項において、前記ガイド部に、インクの流通路となるＶ溝が鉛直方向に延びる様に形成されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項８】  請求項６または７において、前記Ｖ溝へのインクの入り口形状がＲ形状をなしている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項９】  被記録材にインクを吐出するインクジェット記録ヘッドと、
前記インクジェット記録ヘッドの上流側に設けられ、前記インクジェット記録ヘッドへ被記録材を搬送する被記録材搬送手段と、
前記インクジェット記録ヘッドの下流側に設けられ、記録の行われた被記録材を排出する被記録材排出手段と、を備えたインクジェット式記録装置であって、
前記インクジェット記録ヘッドと対向する位置に、請求項１から８のいずれか１項に記載した前記プラテンを備えている、
ことを特徴とするインクジェット式記録装置。
【請求項１０】  被噴射媒体に液体を噴射する液体噴射ヘッドと、
前記液体噴射ヘッドと対向して設けられ、前記液体噴射ヘッドと対向する面に、副走査方向に延びるリブが主走査方向に所定の間隔を置いて配設された、被噴射媒体を下方から支持するプラテンと、
前記液体噴射ヘッドの上流側に設けられ、前記液体噴射ヘッドへ被記録材を搬送する被噴射媒体搬送手段と、
前記液体噴射ヘッドの下流側に設けられ、噴射の行われた被噴射媒体を排出する被噴射媒体排出手段と、を備えた液体噴射装置であって、
前記プラテンが、前記液体噴射ヘッドと対向する面に形成された凹部と、
該凹部の底面に形成され、前記凹部に打ち捨てられた液体を下方に排出させる貫通穴と、
該貫通穴から下方に垂下する様に設けられて、前記貫通穴から下方に排出される液体の流通路となる液体ガイド部と、を有し、
前記液体ガイド部の下端部が、該液体ガイド部の下方に配設される廃液吸収材の上面と接している、
ことを特徴とする液体噴射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被記録材にインクを吐出するインクジェット記録ヘッドと対向して設けられ、該インクジェット記録ヘッドと対向する面に、副走査方向に延びるリブが主走査方向に所定の間隔を置いて配設された、被記録材を下方から支持するプラテンであって、
前記インクジェット記録ヘッドと対向する面において主走査方向に延びる様に形成された凹部と、
該凹部の底面に形成され、前記凹部に打ち捨てられたインクを下方に排出させる貫通穴と、
前記凹部に設けられ、前記インクジェット記録ヘッドから吐出されたインクを吸収するインク吸収材と、を有し、
前記凹部の主走査方向端部には、前記凹部の上方を覆う壁部が設けられ、
前記インク吸収材の主走査方向端部が、前記壁部によって形成された空間に挿入されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項２】
請求項１において、前記インク吸収材の主走査方向端部が、副走査方向全体に渡って前記壁部の下に潜り込むように、前記壁部によって形成された空間に挿入されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項３】
請求項１または２において、前記貫通穴が、前記壁部と対向する位置に配置されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項４】
請求項１または２において、前記貫通穴が前記凹部の端部に設けられ、且つ、該貫通穴の内壁が、前記凹部の端部側壁と略同一面をなす様に形成され、
前記インク吸収材が、前記凹部の端部側壁に接する様に設けられている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項５】
請求項４において、前記貫通穴の内壁に、インクの流通路となるＶ溝が鉛直方向に延びる様に形成されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項６】
請求項５において、前記Ｖ溝へのインクの入り口形状がＲ形状をなしている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項において、前記凹部を平面視した際に、前記壁部によって形成される前記凹部の角部が、Ｒ形状を成している、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項において、前記凹部の端部側壁が、前記凹部の平面視において階段形状を成す様に形成され、且つ、前記壁部が、階段形状を成す様に形成された前記凹部の端部側壁の一部に設けられ、
前記インク吸収材が、階段形状を成す様に形成された前記凹部の端部側壁に合わせて階段形状を成す様に形成され、且つ、その端部が前記凹部の端部側壁に接する様に設けられている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項９】
請求項８において、階段形状を成す様に形成された前記インク吸収材の端部において、前記壁部の外側に露呈した部分が、前記凹部の端部側壁に接しない様に成されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項において、前記凹部の上縁が、略直角となる様に形成されている、
ことを特徴とするプラテン。
【請求項１１】
被記録材にインクを吐出するインクジェット記録ヘッドと、
前記インクジェット記録ヘッドの上流側に設けられ、前記インクジェット記録ヘッドへ被記録材を搬送する被記録材搬送手段と、
前記インクジェット記録ヘッドの下流側に設けられ、記録の行われた被記録材を排出する被記録材排出手段と、を備えたインクジェット式記録装置であって、
前記インクジェット記録ヘッドと対向する位置に、請求項１から１０のいずれか１項に記載した前記プラテンを備えている、
ことを特徴とするインクジェット式記録装置。
【請求項１２】
被噴射媒体に液体を噴射する液体噴射ヘッドと、
前記液体噴射ヘッドと対向して設けられ、前記液体噴射ヘッドと対向する面に、副走査方向に延びるリブが主走査方向に所定の間隔を置いて配設された、被噴射媒体を下方から支持するプラテンと、
前記液体噴射ヘッドの上流側に設けられ、前記液体噴射ヘッドへ被記録材を搬送する被噴射媒体搬送手段と、
前記液体噴射ヘッドの下流側に設けられ、噴射の行われた被噴射媒体を排出する被噴射媒体排出手段と、を備えた液体噴射装置であって、
前記液体噴射ヘッドと対向する面において主走査方向に延びる様に形成された凹部と、
該凹部の底面に形成され、前記凹部に打ち捨てられた液体を下方に排出させる貫通穴と、
前記凹部に設けられ、前記液体噴射ヘッドから噴射された液体を吸収する液体吸収材と、を有し、
前記凹部の主走査方向端部には、前記凹部の上方を覆う壁部が設けられ、
前記液体吸収材の主走査方向端部が、前記壁部によって形成された空間に挿入されている、
ことを特徴とする液体噴射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（２）
2003238678.tif 000001
(式中、ｘ、ｙはそれぞれ繰り返し単位の数を表し、ｘとｙの和が10〜100000の範囲、  ｘに対するｙの比が0.01〜100の範囲である。−Ｚ−は−ＳＯ2−または−ＣＯ−を表し  、ｘ個ある−Ｚ−は互いに同一であっても異なっていても良い。−Ａｒ−はヘテロ元素  を含んでいてもよい炭素数４〜18の２価の芳香族系の基を表し、該−Ａｒ−は置換基を  有していてもよく、ｙ個ある−Ａｒ−は互いに同一であっても異なっていても良い。Ｒ  、Ｒ'はそれぞれ独立にアルキル基を表す。ｍ、ｎはそれぞれ繰り返し単位当りの平均  置換基数を表し、ｍは０〜８、ｎは８以下の正の数を表し、ｍとｎの和は８以下である  。)
又は遊離酸の形が一般式（３）
2003238678.tif 000002
(式中、−Ｚ−、ｘ、ｙ、−Ａｒ−、ｍ、ｎは前記と同じ意味を表し、Ｒ''は水素又は  アルキル基をあらわす。)
で示される芳香族系高分子ホスホン酸類を有効成分とする高分子電解質。
【請求項２】
−Ａｒ−が、置換されていても良いフェニレン基又は置換されていても良いビフェニルジイル基であることを特徴とする請求項１記載の高分子電解質。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の高分子電解質を用いてなることを特徴とする高分子電解質膜。
【請求項４】
一般式（１）
2003238678.tif 000003
（式中、−Ｚ−、ｘ、ｙ、−Ａｒ−は前記と同じ意味を表す。）
で示される芳香族系高分子化合物をブロモ化剤でブロモ化した後、有機溶媒中ハロゲン化ニッケル触媒存在下、これに一般式（４）
Ｐ(ＯＲ)(ＯＲ')(ＯＲ''')        （４）
(Ｒ、Ｒ'、Ｒ'''はそれぞれ独立にアルキル基をあらわす。)
で示される亜リン酸トリアルキルを作用させることを特徴とする前記一般式（２）で示される芳香族系高分子ホスホン酸類の製造方法。
【請求項５】
前記一般式（１）で示される芳香族系高分子化合物をブロモ化剤でブロモ化した後、有機溶媒中ハロゲン化ニッケル触媒存在下、これに前記一般式（４）で示される亜リン酸トリアルキルを作用させて前記一般式（２）で示される芳香族系高分子ホスホン酸類を生成せしめ、次いでこれを加水分解することを特徴とする遊離酸の形が前記一般式（３）で示される芳香族系高分子ホスホン酸類の製造方法。
【請求項６】
ハロゲン化ニッケルとして、塩化ニッケル(II)を使用することを特徴とする請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
有機溶媒として、アミド化合物を使用することを特徴とする請求項４〜６いずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
亜リン酸トリアルキルとして、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチルから選ばれる少なくとも１種を使用することを特徴とする請求項４〜７いずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
前記一般式（２）で示される芳香族系高分子ホスホン酸類を加水分解することを特徴とする遊離酸の形が前記一般式（３）で示される芳香族系高分子ホスホン酸類の製造方法。
【請求項１０】
加水分解を、アルカリの存在下に実施することを特徴とする請求項５又は９に記載の製造方法。
【請求項１１】
加水分解を、酸の存在下に実施することを特徴とする請求項５又は９に記載の製造方法。
【請求項１２】
加水分解を、ホスホン酸ジエステルにトリアルキルシリルハライドを作用させた後に実施することを特徴とする請求項項５又は９に記載の製造方法。
【請求項１３】
−Ａｒ−が、置換されていても良いフェニレン基又は置換されていても良いビフェニルジイル基であることを特徴とする請求項４〜１２いずれかに記載の製造方法。
【請求項１４】
一般式（２’）
2003238678.tif 000004
(式中、ｘ、ｙはそれぞれ繰り返し単位の数を表し、ｘとｙの和が10〜100000の範囲、  ｘに対するｙの比が0.01〜100の範囲である。−Ｚ−は−ＳＯ2−または−ＣＯ−を表し  、ｘ個ある−Ｚ−は互いに同一であっても異なっていても良い。−Ａｒ−は、ｏ−フェ  ニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナ  フタレン−１，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−２，３−  ジイル基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、ビフェニル−３，３’−ジイル基、ｐ−  テルフェニル−４，４''−ジイル基、フルオレン−２，７−ジイル基、フルオレン−３  ，６−ジイル基、カルバゾール−２，７−ジイル基、カルバゾール−３，６−ジイル基  、チオフェン−２，５−ジイル基、ジベンゾチオフェン−２，７−ジイル基、フラン−  ２，５−ジイル基、ジベンゾフラン−２，７−ジイル基、ジベンゾフラン−３，６−ジ  イル基、ジフェニルアミン−４，４’−ジイル基、ジフェニルエーテル−４，４’−ジ  イル基から選ばれる炭素数４〜18の２価の芳香族系の基を表し、該−Ａｒ−は置換基を  有していてもよく、ｙ個ある−Ａｒ−は互いに同一であっても異なっていても良い。Ｒ  、Ｒ'はそれぞれ独立にアルキル基を表す。ｍ、ｎはそれぞれ繰り返し単位当りの平均  置換基数を表し、ｍは０〜８、ｎは８以下の正の数を表し、ｍとｎの和は８以下である  。)
又は遊離酸の形が一般式（３’）
2003238678.tif 000005
(式中、−Ｚ−、ｘ、ｙ、−Ａｒ−、ｍ、ｎは前記と同じ意味を表し、Ｒ''は水素又は
アルキル基をあらわす。)
で示される芳香族系高分子ホスホン酸類。
【請求項１５】
−Ａｒ−が、置換されていても良いフェニレン基又は置換されていても良いビフェニルジイル基であることを特徴とする請求項１４記載の芳香族系高分子ホスホン酸類。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ＩＳＯ３０７で規定された粘度数が９９〜１３２ｍｌ／ｇであるポリアミド樹脂５０〜９０重量％及び（Ｂ）ガラス繊維１０〜５０重量％を含有するポリアミド樹脂組成物を、ロストコア成形して得られ、ＡＳＴＭ  Ｄ１８２２  ＴｙｐｅＳに準拠した試験片を用い、引張繰り返し荷重０〜１００ＭＰａ、波形が正弦波、周波数１０Ｈｚの条件下の引張疲労耐久試験における破断までの繰り返し回数が１０，０００回以上であるポリアミド樹脂製ロストコア成形品。
【請求項２】
（Ａ）ポリアミド樹脂の粘度数が、１１２〜１２５ｍｌ／ｇであることを特徴とする請求項１に記載のポリアミド樹脂製ロストコア成形品。
【請求項３】
（Ａ）ポリアミド樹脂が、ポリアミド６であることを特徴とする請求項１または２に記載のポリアミド樹脂製ロストコア成形品。
【請求項４】
前記ポリアミド樹脂組成物が、０．００５〜０．１重量％の銅化合物を含有するものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載されたポリアミド樹脂製ロストコア成形品。
【請求項５】
前記ポリアミド樹脂組成物が、０．０５〜３重量％のカーボンブラックを含有するものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載されたポリアミド樹脂製ロストコア成形品。
【請求項６】
ロストコア成形時、コアを被覆射出成形する際の樹脂温度が２７０〜３２０℃であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のポリアミド樹脂製ロストコア成形品。
【請求項７】
ロストコア成形時、コアを被覆射出成形する際の樹脂温度が２９０〜３１５℃であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のポリアミド樹脂製ロストコア成形品。
【請求項８】
成形品が自動車用インテークマニホールドであることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載のポリアミド樹脂製ロストコア成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月14日(2005.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】繊維強化複合材料及び補強繊維
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｂ）無機系添加剤と（Ｃ）樹脂との均一混合物が（Ａ）補強繊維の表面に塗布されてなる繊維強化複合材料用の補強繊維。
【請求項２】
（Ａ）補強繊維、（Ｂ）無機系添加剤及び（Ｃ）樹脂からなる繊維強化複合材料であって、（Ｂ）無機系添加剤の（Ｃ）樹脂中の分布濃度が（Ａ）補強繊維に接する部分で最大であり、（Ａ）補強繊維から離れるにしたがって低くなることを特徴とする繊維強化複合材料。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
又、本発明のＦＲＰは、（Ｃ）樹脂が熱硬化性樹脂であることがこのましい。
本発明のＦＲＰ用の補強繊維は、（Ｂ）無機系添加剤と（Ｃ）樹脂との均一混合物が（Ａ）補強繊維の表面に塗布されてなる繊維強化複合材料用の補強繊維である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のＦＲＰの製造方法は、上記補強繊維と（Ｃ）樹脂と一体化して成形することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次にもう一つの発明である補強繊維について説明する。
（Ａ）補強繊維、（Ｂ）無機系添加剤及び（Ｃ）樹脂は上述の通りである。
本発明のＦＲＰに好適に用いることのできる補強繊維は、例えば次のようにして製造することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次にＦＲＰ用補強繊維の製造方法について説明する。
まず、（Ｂ）無機系添加剤  １００質量部とジャパンエポキシレジン社製エピコート１００１、１００質量部、メチルエチルケトン  １００質量部とを均一に混合した。次にこの均一混合物に（Ａ）補強繊維をディップして塗布し、メチルエチルケトンを脱溶剤して本発明のＦＲＰ用補強繊維を得た。得られたＦＲＰ用補強繊維の、（Ａ）補強繊維に対する（Ｂ）無機系添加剤の付着割合は１２質量％であった。
さらにＦＲＰの製造方法について説明する。
ＦＲＰ用補強繊維を一方向に引き揃えて、（Ｃ）樹脂をホットメルト方式により含浸させてプリプレグを得た。プリプレグの補強繊維目付けは１５０ｇ／ｍ２とした。プリプレグの製造は通常の方法により実施可能であり、特に制限はなかった。又得られたプリプレグはタック、ドレープ性に優れ、取り扱い製に優れたものであった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイソシアネート（Ａ）と、
ノニオン性基を含有するビニル系重合体（Ｂ）及びイソシアネート基と反応し得る活性水素含有基を有する化合物（Ｃ）の混合物とを、
混合し反応させることを特徴とする、水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項２】
イソシアネート基と反応し得る活性水素含有基を有する化合物（Ｃ）を主成分とする有機溶剤中において、ノニオン性基を含有するビニル系単量体を含むビニル系単量体混合物を重合させ、得られたノニオン性基を含有するビニル系重合体（Ｂ）を含む溶液とポリイソシアネート（Ａ）とを混合し反応させることを特徴とする、水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項３】
ポリイソシアネート（Ａ）とビニル系重合体（Ｂ）の比率が重量比で（Ａ）／（Ｂ）＝３０〜９５／７０〜５である、請求項１又は２に記載の水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項４】
ビニル系重合体（Ｂ）と化合物（Ｃ）との混合物におけるそれぞれの組成比が、重量換算で（Ｂ）／（Ｃ）＝１０／（１〜１０）の範囲である、請求項１に記載の水分散ポリイソシアネートの製造方法。
【請求項５】
ポリイソシアネート（Ａ）と混合する前のノニオン性基を含有するビニル系重合体（Ｂ）を含む溶液における、ビニル系重合体（Ｂ）と化合物（Ｃ）の組成比が、重量換算で（Ｂ）／（Ｃ）＝１０／（１〜１０）の範囲である、請求項２に記載の水分散ポリイソシアネートの製造方法。
【請求項６】
前記ビニル系重合体（Ｂ）が、総炭素原子数が４以上である疎水性基を含有するものである、請求項１又は２に記載の水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項７】
前記ビニル系重合体（Ｂ）が、活性水素含有基を含有するものである、請求項１又は２に記載の水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項８】
活性水素含有基が、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、及び活性メチレン基よりなる群から選ばれる少なくとも１種の基である、請求項６に記載の水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項９】
前記ビニル系重合体（Ｂ）のノニオン性基が、末端がアルコキシ基で封鎖されたポリオキシエチレン基である、請求項１又は２に記載の水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項１０】
前記化合物（Ｃ）の活性水素含有基が、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、及び活性メチレン基よりなる群から選ばれる少なくとも１種の基である、請求項１又は２に記載の水分散性ポリイソシアネート組成物の製造方法。
【請求項１１】
活性水素含有基を有する水性樹脂（Ｄ）と請求項１〜１０いずれかに記載の製造方法により得られる水分散性ポリイソシアネート組成物を含んでなる水性硬化性組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１０いずれかに記載の製造方法により得られる水分散性ポリイソシアネート組成物と水を含んでなる水性硬化性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月5日(2005.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ｍは1又は２を、ｎは４−ｍを表すが、ｍは１が好ましい。またＲ1は、水素原子または重合反応に関与しない置換基を表し、Ｒ1が複数ある場合は、互いに異なっていても良い。
Ｒ1の具体例としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、イソアミル、２−メチルヘキシル、２，６−ジメチルオクチル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシルなど炭素数１〜１２の直鎖、環状または分岐状のアルキル基、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、イソアミルオキシ、２−メチルヘキシルオキシ、２，６−ジメチルオクチルオキシ、ｎ−デシルオキシ、ｎ−ドデシルオキシなどの炭素数１〜１２の直鎖、環状または分岐状のアルコキシ基、水酸基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルなどのカルボン酸誘導体の基、フッソ原子などが挙げられる。なかでもアルキル基、アルコキシ基、フッソ原子等が好ましく、炭素数の多いアルキル基やアルコキシ基はポリフェニレンスルホン酸類の溶解性向上に効果を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、ゼロ価遷移金属錯体の共存下に、上記のようなジハロゲノベンゼンスルホン酸類（１）を重合又はジハロゲノベンゼンスルホン酸類（１）とジハロゲノベンゼン類（２）とを共重合させるものであるが、かかるゼロ価遷移金属錯体としては、例えばゼロ価ニッケル錯体、ゼロ価パラジウム錯体等が挙げられる。なかでもゼロ価ニッケル錯体が好ましく使用される。
ゼロ価パラジウム錯体としては、例えばパラジウム（０）テトラキス（トリフェニルホスフィン）等があげられる。
またゼロ価ニッケル錯体としては、例えばニッケル(０)ビス(シクロオクタジエン)、ニッケル(０)（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）テトラキス（トリフェニルホスフィン）等が挙げられる。なかでもニッケル(０)ビス(シクロオクタジエン)が好ましく使用され、この場合、さらに中性配位子を共存させることが好ましく、かかる配位子としては、例えば２，２’-ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン等の第三ホスフィン配位子などが挙げられる。なかでも含窒素配位子が、好ましく、２，２’-ビピリジルが特に好ましい。
ゼロ価遷移金属錯体は、用いるモノマーに対して通常０．１〜５モル倍程度、好ましくは、１〜３モル程度使用される。
また配位子を使用する場合は、遷移金属に対して、通常０．２〜２モル倍程度、好ましくは１〜１．５倍程度使用される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
またジハロゲノベンゼンスルホン酸類（１）とジハロゲノベンゼン類（２）共重合体を製造する場合は、そのモル比については特に限定はないが、両者の合計を１とした場合に、ジハロゲノベンゼンスルホン酸類（１）は、通常０．０１〜０．９９であり、好ましくは０．１〜０．７、より好ましくは０．１〜０．５である。この比を調節することによりポリマーの諸物性、例えばイオン交換容量等を調整することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月18日(2004.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記有機ケイ素化合物が、一般式Ｒ1Ｒ2Ｒ3ＳｉＮＨＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はＣaＨ2a+1で示し、ａは１〜３の整数である）で表されるジシラザン類であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多孔質シリカの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記界面活性剤がポリアルキレンオキシド構造を有する化合物から選択される少なくとも一種類の界面活性剤であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の多孔質シリカの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも母材および保護層からなるガラス成形用金型であって、前記保護層が、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、およびＲｅよりなる群より選択された少なくとも１つからなり、成形表面のＷ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、およびＦｅの合計濃度が１×１０17ａｔｍ／ｍ2以下であることを特徴とするガラス成形用金型。
【請求項２】
前記母材が、Ｃｏ含有量３％以下の超硬合金であり、および前記保護層の厚さが５μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のガラス成形用金型。
【請求項３】
前記母材と前記保護層との間に中間層を更に具え、該中間層はＣｒからなり、該中間層の厚さは２．０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のガラス成形用金型。
【請求項４】
前記母材と前記保護層との間に中間層を更に具え、該中間層はＲｕまたはＴａのいずれかの材料からなり、該中間層の厚さは０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のガラス成形用金型。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のガラス成形用金型を用いたガラス成形法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第二は、前述の母材と保護層との間に中間層を更に具え、該中間層はＣｒからなり、該中間層の厚さは２．０μｍ以上である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第三は、前述の母材と保護層との間に中間層を更に具え、該中間層はＲｕまたはＴａのいずれかの材料からなり、該中間層の厚さは０．５μｍ以上である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の他の例として図２に示すガラス成形用金型がある。図２に示す金型は母材１および保護層２の間に中間層３を設けている点で図１と異なる。この中間層３は、離型性に有害な金属元素のＷ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、およびＦｅの拡散を防止するために設けられるものであり、前述の保護層同様、一般にスパッタ法などを用いて形成されるが、欠陥の無い均質な層となるのなら、メッキ法など他の方法を用いてもよい。中間層３はＣｒ、ＲｕまたはＴａからなる。中間層３としてＣｒを用いる場合は、その膜厚を２．０μｍ以上に形成することが好ましい。また、中間層３としてＲｕまたはＴａを用いる場合は、その膜厚を０．５μｍ以上とすることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
実施例２
バインダーとしてＣｏを３％含む直径φ＝１１０ｍｍ、厚さｔ＝３０ｍｍの円筒型超硬（ＷＣ）製金型に、スパッタ法にてＣｒからなる中間層を２μｍ形成し、更にＩｒ−Ｐｔ３０％合金保護層を１．５μｍ形成した。得られた金型表面の金属濃度を測定した。測定結果を表２に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
実施例３
バインダーとしてＣｏを３％含む直径φ＝１１０ｍｍ、厚さｔ＝３０ｍｍの円筒型超硬（ＷＣ）製金型に、スパッタ法にてＲｕからなる中間層を０．５μｍ形成し、更にＩｒ−Ｐｔ３０％合金保護層を１．５μｍ形成した。得られた金型表面の金属濃度を測定した。測定結果を表２に示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
比較例４
バインダーとしてＣｏを３％含む直径φ＝１１０ｍｍ、厚さｔ＝３０ｍｍの円筒型超硬（ＷＣ）製金型に、スパッタ法にてＲｕからなる中間層を０．３μｍ形成し、更にＩｒ−Ｐｔ３０％合金保護層を１．５μｍ形成した。得られた金型表面の金属濃度を測定した。測定結果を表２に示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
比較例５
バインダーとしてＣｏを３％含む直径φ＝１１０ｍｍ、厚さｔ＝３０ｍｍの円筒形超硬（ＷＣ）製金型に、スパッタ法にてＴａからなる中間層を０．４μｍ形成し、更にＩｒ−Ｒｅ４０％合金保護層を１．５μｍ形成した。得られた金型表面の金属濃度を測定した。測定結果を表２に示す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
以上のことより、（１）Ｃｏ含有量が３％以下のＷＣ系超硬合金よりなる母材の上に膜厚５μｍ以上の保護層を設ける、（２）母材の上に膜厚２μｍ以上のＣｒからなる中間層、そして保護層を設ける、および（３）母材の上に膜厚０．５μｍ以上のＲｕからなる中間層またはＴａからなる中間層、そして保護層を設けることによって、金型母材から成形面に拡散してくるＷ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、およびＦｅの少なくとも１種の総金型表面濃度を１×１０17ａｔｍ／ｍ2以下に保つことができることがわかる。そして、プレス回数を重ねても離型性の劣らないガラス成形用金型を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水に分散または溶解する着色剤を含有する水性インクにおいて、２−アミノ−２−エチル−１，３−プロパンジオールを含有することを特徴とする水性インク。
【請求項２】
前記着色剤が自己分散顔料であることを特徴とする請求項１記載の水性インク。
【請求項３】
請求項１または２記載の水性インクであって、インクのｐＨが８〜１１であることを特徴とする水性インク。
【請求項４】
液室部の部材の少なくとも一部が、シリコンまたはニッケルを含む材料から形成されたインクジェットプリンタに、請求項１乃至３のいずれか１項記載の水性インクを用いて記録することを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項５】
流体抵抗部の部材の少なくとも一部が、シリコンまたはニッケルを含む材料から形成されたインクジェットプリンタに、請求項１乃至３のいずれか１項記載の水性インクを用いて記録することを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項６】
振動板の部材の少なくとも一部が、シリコンまたはニッケルを含む材料から形成されたインクジェットプリンタに、請求項１乃至３のいずれか１項記載の水性インクを用いて記録することを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項７】
ノズル部材の少なくとも一部が、シリコンまたはニッケルを含む材料から形成されたインクジェットプリンタに、請求項１乃至３のいずれか１項記載の水性インクを用いて記録することを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項８】
インクを収容したインク収容部を備えたインクカートリッジにおいて、該インクが請求項１乃至３のいずれか１項記載の水性インクであることを特徴とするインクジェット記録用インクカートリッジ。
【請求項９】
インクを収容したインク収容部と、インク滴を吐出させるためのヘッド部を備えた記録ユニットにおいて、該インクが請求項１乃至３のいずれか１項に記載の水性インクであることを特徴とするインクジェット記録用記録ユニット。
【請求項１０】
インクを収容したインク収容部と、インク滴を吐出させるための記録ヘッドとを有する記録ユニットを備えたインクジェット記録装置において、該インクが請求項１〜３のいずれか１項に記載の水性インクであることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第二に、請求項２では、上記着色剤が自己分散顔料であることを特徴とする上記請求項１記載の水性インクが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第三に、請求項３では、上記請求項１または２記載の水性インクであって、インクのｐＨが８〜１１であることを特徴とする水性インクが提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第四に、請求項４では、液室部の部材の少なくとも一部が、シリコンまたはニッケルを含む材料から形成されたインクジェットプリンタに、上記請求項１乃至３のいずれか１項記載の水性インクを用いて記録することを特徴とするインクジェット記録方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第五に、請求項５では、流体抵抗部の部材の少なくとも一部が、シリコンまたはニッケルを含む材料から形成されたインクジェットプリンタに、上記請求項１乃至３のいずれか１項記載の水性インクを用いて記録することを特徴とするインクジェット記録方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第六に、請求項６では、振動板の部材の少なくとも一部が、シリコンまたはニッケルを含む材料から形成されたインクジェットプリンタに、上記請求項１乃至３のいずれか１項記載の水性インクを用いて記録することを特徴とするインクジェット記録方法が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第七に、請求項７では、ノズル部材の少なくとも一部が、シリコンまたはニッケルを含む材料から形成されたインクジェットプリンタに、上記請求項１乃至３のいずれか１項記載の水性インクを用いて記録することを特徴とするインクジェット記録方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水に不溶性の固体がポリエーテル構造を有する樹脂により被覆された微粒子を含み、上記ポリエーテル構造を有する樹脂は、酸価が５〜７０ＫＯＨmg／ｇであり、この樹脂による被覆量が固体１００重量部に対し１５〜１，０００重量部であることを特徴とする水分散体。
【請求項２】
固体は、顔料である請求項１に記載の水分散体。
【請求項３】
ポリエーテル構造を有する樹脂は、ポリエーテル構造としてポリオキシエチレンまたはポリオキシプロピレンのうちのいずれか少なくとも一方を含む請求項１に記載の水分散体。
【請求項４】
ポリエーテル構造を有する樹脂は、ポリエーテル構造をグラフト部に有するアクリル系樹脂からなる請求項１に記載の水分散体。
【請求項５】
ポリエーテル構造を有する樹脂は、数平均分子量が１，０００〜１００，０００である請求項１に記載の水分散体。
【請求項６】
微粒子は、平均粒子径が０．０１〜０．３μｍである請求項１に記載の水分散体。
【請求項７】
固体濃度が３〜１０重量％において、表面張力が、（３．０〜６．０）×１０-4Ｎ／cmである請求項１に記載の水分散体。
【請求項８】
水に不溶性の固体とポリエーテル構造を有する樹脂を含む有機溶媒相を、水相と混合して、請求項１〜７のいずれかに記載の水分散体を得ることを特徴とする水分散体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の知見をもとにして、完成されたものである。
すなわち、本発明は、水に不溶性の固体がポリエーテル構造を有する樹脂により被覆された微粒子を含み、上記ポリエーテル構造を有する樹脂は、酸価が５〜７０ＫＯＨmg／ｇであり、この樹脂による被覆量が固体１００重量部に対し１５〜１，０００重量部であることを特徴とする水分散体に係るものであり、とくに固体が顔料である上記水分散体、ポリエーテル構造を有する樹脂がポリエーテル構造としてポリオキシエチレンまたはポリオキシプロピレンのうちのいずれか少なくとも一方を含む上記水分散体、ポリエーテル構造を有する樹脂がポリエーテル構造をグラフト部に有するアクリル系樹脂からなる上記水分散体、ポリエーテル構造を有する樹脂の数平均分子量が１，０００〜１００，０００である上記水分散体、微粒子の平均粒子径が０．０１〜０．３μｍである上記水分散体、固体濃度が３〜１０重量％において、表面張力が（３．０〜６．０）×１０-4Ｎ／cmである上記水分散体を、提供できるものである。
また、本発明は、水に不溶性の固体とポリエーテル構造を有する樹脂を含む有機溶媒相を、水相と混合して、上記各構成の水分散体を得ることを特徴とする水分散体の製造方法に係るものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成分Ａおよび成分Ｂを含み、
成分Ａが、
−石膏、
−アルカリ性ポリマー樹脂、および
−水和抑制剤を含み、
成分Ｂは
−酸性ポリマー樹脂、
−充填材、および
−促進剤を含む、
組成物。
【請求項２】
成分ＡおよびＢの両方が水に分散されて水性分散液となる請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
成分Ａおよび成分Ｂを含み、
成分Ａが、
−石膏、
−アルカリ性ポリマー樹脂、および
−水和抑制剤を含み、
成分Ｂは
−酸性ポリマー樹脂、および
−促進剤を含み、
成分ＡおよびＢの両方が水に分散されて水性分散液となる、
組成物。
【請求項４】
硬化促進剤が、硫酸アルミニウム、硫酸カリウム、硫酸カルシウム、硫酸第二鉄、硫酸亜鉛、および塩化第二鉄からなる群より選択される請求項１から３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
成分Ａの構成要素の量が、成分Ａの全重量を基準にして、２０から９９重量部のアルカリ性ポリマー樹脂、５０から８０重量部の石膏、および０．１から２．０重量部の水和抑制剤である請求項１から３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
成分Ｂの構成要素の量が、成分Ｂの全重量を基準にして、２０から９９部の酸性ポリマー樹脂、３０から５０部の充填材、および０．１から６．０部の促進剤である請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
基材に請求項１から３のいずれか１項に記載の組成物を適用することを含む基材上への膜の形成方法。
【請求項８】
連続ポリマー樹脂被膜および石膏を含み基材表面に形成された膜。
【請求項９】
前記基材が、地下鉱山の岩肌である請求項８に記載の膜。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
実施例６
化合物（１）〜化合物（６）を用いて、下記の液晶組成物を調製した。この液晶組成物は、ＴNIが高く、Ｔｃが低く、そして低粘性であった。
３−ＨＨ−ＣＦ３              （１）        ３．０％
５−ＨＨ−ＣＦ３              （１）        ５．０％
３−ＨＨ−Ｖ１                （２）        ５．０％
５−ＨＨ−Ｖ                  （２）      １８．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      （３）      １０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      （３）      １２．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      （３）        ５．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      （３）        ５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３    （４）        ８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３    （４）      １０．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３    （４）        ４．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３    （４）        ４．０％
２−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ    （５）        ５．０％
３−ＨＨＥＨ−３              （６）        ３．０％
４−ＨＨＥＨ−３              （６）        ３．０％
ＴNI＝８２．２℃
Ｔｃ＝−４０℃以下
η＝２３．６ｍＰａ・ｓ
Δｎ＝０．０６７
Ｖth＝１．５９Ｖ
ＶＨＲ＝９９．４％