【手続補正書】
【提出日】平成17年3月7日(2005.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲート配線と、前記ゲート配線上に絶縁膜と、前記絶縁膜上に第１の非晶質半導体膜と、前記第１の非晶質半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域または前記ドレイン領域上にソース配線または電極と、前記電極と一部接して重なる画素電極とを有し、
前記第１の非晶質半導体膜の端部はテーパー形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上にゲート配線と、前記ゲート配線上に絶縁膜と、前記絶縁膜上に第１の非晶質半導体膜と、前記第１の非晶質半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域または前記ドレイン領域上にソース配線または電極と、前記電極と一部接して重なる画素電極とを有し、
前記第１の非晶質半導体膜の端部、および前記第２の非晶質半導体膜の端部はテーパー形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、テーパー形状を有する前記第１の非晶質半導体膜の端部は、５°〜４５°の範囲の角度を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上にゲート配線と、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜と、前記非晶質半導体膜上にソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域または前記ドレイン領域上にソース配線または電極と、前記電極と一部接して重なる画素電極を有し、
前記非晶質半導体膜のうち、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート配線と重なり、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域と重ならない領域は他の領域よりも膜厚が薄い領域であり、該領域の中央に向かって膜厚が薄くなるテーパー形状を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記テーパー形状を有する領域は、５°〜４５°の範囲の角度を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記非晶質半導体膜の端部は、テーパー形状を有し、５°〜４５°の範囲の角度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記ソース領域または前記ドレイン領域は、前記ソース配線または前記電極と端面が一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第２の非晶質半導体膜の端部はテーパー形状を有し、該テーパー形状の角度は、前記第１の非晶質半導体膜のテーパー形状の角度に比べて大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記ソース配線または電極の端部はテーパー形状を有し、該テーパー形状の角度は、前記第１の非晶質半導体膜のテーパー形状の角度に比べて大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項４乃至６のいずれか一において、前記ソース領域または前記ドレイン領域の端部はテーパー形状を有し、該テーパー形状の角度は、前記非晶質半導体膜のテーパー形状の角度に比べて大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項４乃至６のいずれか一において、前記ソース配線または前記電極の端部はテーパー形状を有し、該テーパー形状の角度は、前記非晶質半導体膜のテーパー形状の角度に比べて大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一に記載の半導体装置を用いたことを特徴とするパーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、またはプログラムを記録した記録媒体を用いるプレーヤー。
【請求項１４】
絶縁表面上にゲート配線を形成する第１の工程と、
前記絶縁表面と前記ゲート配線を覆う絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に第１の非晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
前記第１の非晶質半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜を形成する第４の工程と、
前記第２の非晶質半導体膜上に金属材料からなる導電膜を形成する第５の工程と、
前記第１の非晶質半導体膜、前記第２の非晶質半導体膜、および前記導電膜をエッチングして、前記第１の非晶質半導体膜の端部をテーパー形状に形成する第６の工程と、
前記導電膜上に透明導電膜を形成する第７の工程と、
前記透明導電膜、前記導電膜、前記第２の非晶質半導体膜、および前記第１の非晶質半導体膜の一部をエッチングして前記第１の非晶質半導体膜の一部を露呈させ、前記透明導電膜からなる画素電極と、前記導電膜からなるソース配線と、前記第２の非晶質半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域とを形成する第８の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
絶縁表面上にゲート配線を形成する第１の工程と、
前記絶縁表面と前記ゲート配線を覆う絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に第１の非晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
前記第１の非晶質半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜を形成する第４の工程と、
前記第２の非晶質半導体膜上に金属材料からなる導電膜を形成する第５の工程と、
前記絶縁膜、前記第１の非晶質半導体膜、前記第２の非晶質半導体膜、および前記導電膜をエッチングして、前記第１の非晶質半導体膜の端部をテーパー形状に形成する第６の工程と、
前記導電膜上に透明導電膜を形成する第７の工程と、
前記透明導電膜、前記導電膜、前記第２の非晶質半導体膜、および前記第１の非晶質半導体膜の一部をエッチングして前記第１の非晶質半導体膜の一部を露呈させ、前記透明導電膜からなる画素電極と、前記導電膜からなるソース配線と、前記第２の非晶質半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域とを形成する第８の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５に記載の前記第６の工程において、前記導電膜、前記第２の非晶質半導体膜、および前記第１の非晶質半導体膜は、塩素系ガスでエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一に記載の前記第８の工程において、前記導電膜、前記第２の非晶質半導体膜、および前記第１の非晶質半導体膜の一部は、塩素系ガスでエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、前記塩素系ガスは、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＨＣｌ、ＳｉＣｌ4から選ばれたガス、またはこれら複数のガスを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１４または請求項１５に記載の前記第６の工程において、エッチングガスを変えることなく、前記導電膜、前記第２の非晶質半導体膜、および前記第１の非晶質半導体膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１４または請求項１５に記載の前記第６の工程において、一度に前記導電膜、前記第２の非晶質半導体膜、および前記第１の非晶質半導体膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１４または請求項１５に記載の前記第８の工程において、一度に前記導電膜、前記第２の非晶質半導体膜、および前記第１の非晶質半導体膜の一部をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
絶縁表面上にゲート配線を形成し、
前記絶縁表面上と前記ゲート配線上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第1の非晶質半導体膜を形成し、
前記第1の非晶質半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記第2の非晶質半導体膜上に導電膜を形成し、
前記第1の非晶質半導体膜と前記第2の非晶質半導体膜と前記導電膜とをエッチングして、前記第1の非晶質半導体膜の端部をテーパー状に形成し、
前記第2の非晶質半導体膜上に透明導電膜を形成し、
前記透明導電膜と前記導電膜と前記第2の非晶質半導体膜とをエッチングしてソース配線とソース領域とドレイン領域とを形成する工程を有し、
前記導電膜は、アルミニウムまたはチタンを含み、
前記第1の非晶質半導体膜は、Cl2とBCl2の混合ガスにより、テーパー状にエッチングされることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
絶縁表面上にゲート配線を形成し、
前記絶縁表面上と前記ゲート配線上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第1の非晶質半導体膜を形成し、
前記第1の非晶質半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記第2の非晶質半導体膜上に導電膜を形成し、
前記第1の非晶質半導体膜と前記第2の非晶質半導体膜と前記導電膜をエッチングして、前記第1の非晶質半導体膜の端部をテーパー状に形成し、
前記第2の非晶質半導体膜上に透明導電膜を形成し、
前記透明導電膜と前記導電膜と前記第2の非晶質半導体膜とをエッチングしてソース配線とソース領域とドレイン領域とを形成する工程を有し、
前記導電膜は、少なくともタンタルを含み、
前記第1の非晶質半導体膜は、Cl2とCF4の混合ガスにより、テーパー状にエッチングされることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
絶縁表面上にゲート配線を形成し、
前記絶縁表面上と前記ゲート配線上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第1の非晶質半導体膜を形成し、
前記第1の非晶質半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記第2の非晶質半導体膜上に導電膜を形成し、
前記第1の非晶質半導体膜と前記第2の非晶質半導体膜と前記導電膜とをエッチングして、前記第1の非晶質半導体膜の端部をテーパー状に形成し、
前記第2の非晶質半導体膜上に透明導電膜を形成し、
前記透明導電膜と前記導電膜と前記第2の非晶質半導体膜とをエッチングしてソース配線とソース領域とドレイン領域を形成する工程を有し、
前記導電膜は、少なくともタングステンを含み、
前記第1の非晶質半導体膜は、Cl2とCF4とO2の混合ガス、またはCl2とSF6とO2の混合ガスにより、テーパー状にエッチングされることを特徴とする半導体装置の作製方法。