【手続補正書】
【提出日】平成16年2月5日(2004.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記下地層は、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ），窒化鉄（ＦｅＮ），コバルト鉄（ＣｏＦｅ）のいずれかを含む材料により構成され、
前記被覆層は、ニッケル鉄，ニッケルコバルト鉄（ＮｉＣｏＦｅ），コバルト鉄のいずれかを含む材料により構成されている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記下地層の構成材料として、ニッケル鉄，窒化鉄，コバルト鉄のいずれかを含む材料を用い、
前記被覆層の構成材料として、ニッケル鉄，ニッケルコバルト鉄，コバルト鉄のいずれかを含む材料を用いる
ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記第２の工程において、０．３μｍ以上６μｍ以下の範囲内の厚みを有するように前記被覆層を形成し、
前記第４の工程において、０．０５μｍ以上０．３μｍ以下の範囲内の厚みを有するように前記下地層を形成する
ことを特徴とする請求項６ないし請求項９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
まず、図１〜図１３を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化されるので、以下併せて説明する。図１〜図７は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を表すものであり、各図中における（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面，（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面をそれぞれ示している。図８〜図１２は、平面構成を表すものであり、図８，図１０，図１１，図１２はそれぞれ図１，図２，図３，図４に対応している。図１３は、図５に示した断面構成に対応する斜視構成を表すものである。なお、図８〜図１３では、図１〜図５に示した構成要素のうちの主要素のみを図示している。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以下の説明では、図１〜図１３の各図中におけるＸ軸方向を「幅」、Ｙ軸方向を「長さ」、Ｚ軸方向を「厚み（または高さ）」と表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面２０（図７および後述する図１４参照）側（または後工程においてエアベアリング面２０となる側）を「前側（または前方）」、その反対側を「後側（または後方）」と表記するものとする。なお、図１４以降の説明においても、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向について同様に表記するものとする。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞
本実施の形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という）よりなる絶縁層２を約３．０μｍ〜５．０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層２上に、例えば後述するめっき処理を用いて、例えばニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ：以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）よりなる下部シールド層３を約２．０μｍの厚みで選択的に形成する。下部シールド層３を形成する際には、例えば、後述する図１４に示したような平面形状を有するようにする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
次に、図１に示したように、記録ギャップ層８上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル９を約１．５μｍの厚みで選択的に形成する。薄膜コイル９を形成する際には、例えば、後述する図１４に示したような渦巻状の巻線構造を有するようにする。なお、図１４では、薄膜コイル９の一部分のみを図示している。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、図１および図８に示したように、全体に、例えばスパッタリングにより、例えば後述する被覆層１３（図２参照）の構成材料の飽和磁束密度よりも大きい飽和磁束密度を有する材料、具体的にはパーマロイ（Ｎｉ：５５重量％，Ｆｅ：４５重量％），窒化鉄（ＦｅＮ），コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）などよりなる前駆下地層１１Ｚ（図８中の淡い網掛領域）を約０．０５μｍ〜０．３μｍの厚みで形成する。この前駆下地層１１Ｚは、主に、後述する被覆層１３の形成時においてめっき処理を行うためのシード層として機能するものであり、後工程においてパターニングされることにより後述する下地層１１（図４，図１２参照）となる前準備層である。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、先工程において形成した前駆下地層１１Ｚをシード層として用いると共に、フォトレジストパターン１２をマスクとして用いて、フォトレジストパターン１２の開口部１２Ｋに、例えばめっき処理により、例えば先工程において形成した前駆下地層１１Ｚの構成材料よりも大きな飽和磁束密度を有する材料、具体的にはパーマロイ（Ｎｉ：５５重量％，Ｆｅ：４５重量％），ニッケルコバルト鉄合金（ＮｉＣｏＦｅ），コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）などを約０．３μｍ〜６．０μｍの厚みで選択的にめっき成長させる。これにより、図２および図１０に示したように、前駆下地層１１Ｚ上のうち、後工程においてエアベアリング面２０となる側（図２中の左側，図１０中の下側）から開口部８Ｋにかけての領域に、後述する上部磁極３０（図４参照）の一部をなす被覆層１３が絶縁層１０を覆うように選択的に形成される。なお、図２および図１０では、被覆層１３の形成後、フォトレジストパターン１２を除去した状態を示している。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、マスク１４を用いて、例えばイオンミリングまたはリアクティブイオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）により前駆下地層１１Ｚに対してエッチング処理を施す。これにより、前駆下地層１１Ｚのうち、マスク１４の配設領域以外の部分が選択的にエッチングされ、図４および図１２に示したように、前駆下地層１１Ｚの残存部分として、後述する上部磁極３０の他の一部をなす下地層１１が選択的に形成される。この下地層１１は、後工程においてエアベアリング面２０となる側から順に、被覆層１３における先端部１３Ａの一定幅に対応する一定幅を有する下地先端部１１Ａと、この下地先端部１１Ａの幅よりも大きな幅を有する下地後端部１１Ｂとを含んで形成される。下地層１１のうち、下地先端部１１Ａと下地後端部１１Ｂとの連結位置（第２の連結位置）Ｔ２は、被覆層１３における第１の連結位置Ｔ１よりも前方に位置することとなる。これにより、下地層１１および被覆層１３がこの順に積層された積層体よりなる上部磁極３０が形成される。この上部磁極３０は、開口部８Ｋにおいて下部磁極７と磁気的に連結され、下部磁極７および上部磁極３０により磁束の伝播経路、すなわち磁路が形成される。ここで、下地先端部１１Ａが本発明における「第２の一定幅部分」の一具体例に対応し、下地後端部１１Ｂが本発明における「第２の拡幅部分」の一具体例に対応し、下地層１１および被覆層１３の積層体により構成される上部磁極３０が本発明における「２つの磁性層のうちの一方の磁性層」の一具体例に対応する。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録動作時において、図示しない外部回路を通じて薄膜コイル９に電流が流れると、これに応じて磁束が発生する。このとき発生した磁束は、被覆層１３のヨーク部１３Ｂに収容されたのち、ヨーク部１３Ｂから先端部１３Ａへ伝播すると共に、ヨーク部１３Ｂから下地層１１の下地後端部１１Ｂに伝播する。先端部１３Ａへ伝播した磁束は、さらに、先端部１３Ａのエアベアリング面２０側の最先端部分に到達する。先端部１３Ａの最先端部分に到達した磁束により、記録ギャップ層８近傍の外部に記録用の信号磁界が発生する。一方、下地後端部１１Ｂへ伝播した磁束は、ヨーク部１３Ｂから先端部１３Ａへ伝播した磁束の場合と同様に、下地先端部１１Ａの先端部分に到達したのち、信号磁界として放出される。これらの信号磁界により、磁気記録媒体が部分的に磁化され、情報が記録される。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
これに対して、本実施の形態（図１３参照）では、下地層１１および被覆層１３の積層体により上部磁極３０を構成するようにしたので、単層の上部磁極３３を用いた比較例の場合とは異なり、被覆層１３の平面形状と下地層１１の平面形状とを互いに異ならせることが可能となる。このような場合には、第１の連結位置Ｔ１と第２の連結位置Ｔ２とを互いに異ならせ、第１の一定幅距離Ｌ１および第２の一定幅距離Ｌ２をそれぞれ別個に設定することが可能となる。したがって、第１の連結位置Ｔ１が第２の連結位置Ｔ２よりも後退するようにすることで、オーバーライト特性を確保可能な範囲内で第１の一定幅距離Ｌ１を増加させつつ、先端部１３Ａの形成精度を確保可能な範囲内で第２の一定幅距離Ｌ２を減少させることができる。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形することができる。例えば、上記実施の形態では、スパッタリングにより形成した前駆下地層１１Ｚをパターニングすることにより下地層１１を形成すると共に、めっき処理により被覆層１３を形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、上記実施の形態において説明した構造的特徴（第１の連結位置Ｔ１，第２の連結位置Ｔ２等）を有することが可能な限り、下地層１１および被覆層１３の形成方法は自由に変更可能である。具体的には、例えば、パターニング処理を用いることなく、めっき処理により下地層１１を形成するようにしてもよい。このような場合においても、上記実施の形態の場合と同様の効果を得ることができる。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。