【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）保護基を含む保護された材料と（ｂ）光活性成分とを含むフォトレジスト組成物であって、
前記保護する基は、Ａ．下記構造ＩもしくはＩＩを有する環状エーテル基、
【化１】
2004514952.tif 000001
前記構造ＩもしくはＩＩ式中、ＲfおよびＲf'は、１から約１０個の炭素原子を有する同一もしくは異なるフルオロアルキル基であるかまたは一緒になって（ＣＦ2）aとなり、ａは２から約１０の範囲の整数であり、Ｒは、独立して、水素原子または１から約１０個の炭素原子を有する直鎖もしくは分枝鎖アルキル基を表し、かつｐは０から約８の整数であり、前記保護された材料は、＜１１のｐＫａを有する酸基を実質的に含まず、又は、Ｂ．下記構造ＩＩＩを有する環状エステルであり、
【化２】
2004514952.tif 000002
前記構造ＩＩＩ式中、Ｒ1およびＲ2は、独立して、置換されたもしくは置換されていない直鎖もしくは分枝鎖アルキル基、芳香族基、アラルキル、またはアルカリル基を表し、ｎは１から約４の整数であることを特徴とするフォトレジスト組成物。
【請求項２】  請求項１に記載のフォトレジスト組成物であって、
前記環状エーテル保護基は下記構造を有し、
【化３】
2004514952.tif 000003
式中、ＲfおよびＲf'は、１から約１０個の炭素原子を有する同一もしくは異なるフルオロアルキル基であるかまたは一緒になって（ＣＦ2）aとなり、ａは２から約１０の範囲の整数であり、Ｒは、独立して、水素原子または１から約１０個の炭素原子を有する直鎖もしくは分枝鎖アルキル基を表し、かつｐは０から約８の整数であることを特徴とするフォトレジスト組成物。
【請求項３】  ＲfおよびＲf'が、それぞれ、ＣＦ3であることを特徴とする請求項２に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】  構造ＩＩＩの環状エステルにおいて、ｎが１であり、かつＲ1およびＲ2が、それぞれ、ＣＨ3であり、かつ前記保護された材料への環状エステルの少なくとも１個の結合点が、構造ＩＩＩ上の飽和環炭素、Ｒ1、またはＲ2を介することを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５】  前記保護された材料が溶解阻害剤であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】  前記保護された材料が溶解阻害剤であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】  溶媒をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】  基板上にフォトレジスト画像を作製する方法であって、
１．（ａ）保護基を含む保護された材料と（ｂ）光活性成分とを含むフォトレジスト組成物から調製されるフォトレジスト層を基板上に形成する工程と、
２．前記フォトレジスト層を画像状に露光して画像形成領域と非画像形成領域とを形成する工程と、
３．画像形成領域と非画像形成領域とを有する前記露光されたフォトレジスト層を現像して前記基板上にレリーフ画像を形成する工程と、
を順次備え、
前記保護基はＡ．下記構造ＩもしくはＩＩを有する環状エーテル基、
【化４】
2004514952.tif 000004
前記構造ＩもしくはＩＩ式中、ＲfおよびＲf'は、１から約１０個の炭素原子を有する同一もしくは異なるフルオロアルキル基であるかまたは一緒になって（ＣＦ2）aとなり、ａは２から約１０の範囲の整数であり、Ｒは、独立して、水素原子または１から約１０個の炭素原子を有する直鎖もしくは分枝鎖アルキル基を表し、かつｐは０から約８の整数であり、前記保護された材料は、＜１１のｐＫａを有する酸基を実質的に含まず、又は、
Ｂ．下記構造ＩＩＩを有する環状エステルであり、
【化５】
2004514952.tif 000005
前記構造ＩＩＩ式中、Ｒ1およびＲ2は、独立して、１から１０個の炭素原子を有する置換されていない直鎖もしくは分枝鎖アルキル基、６から１４個の炭素原子を有する芳香族、アラルキル、またはアルカリル基、あるいは少なくとも１個のＯ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、またはハロゲンを含有する置換されたそれらの基を表し、ｎは、１から約４の範囲の整数であることを特徴とする方法。
【請求項９】  構造ＩＩＩの環状エステルにおいて、ｎが１であり、かつＲ1およびＲ2が、それぞれ、ＣＨ3であり、かつ前記保護された材料への環状エステルの少なくとも１個の結合点が、構造ＩＩＩ上の飽和環炭素、Ｒ1、またはＲ2を介することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第１の態様において、本発明は、
（ａ）保護された材料と（ｂ）光活性成分とを含むフォトレジスト組成物であって、
該保護された材料は、
Ａ．下記構造ＩもしくはＩＩを有する１個以上の環状エーテル基または、Ｂ．下記構造ＩＩＩを有する１個以上の環状エステルであり、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第２の態様において、本発明は、基板上にフォトレジスト画像を作製する方法であって、
１．（ａ）次の基を含む保護された材料と、（ｂ）光活性成分とを含むフォトレジスト組成物から調製されるフォトレジスト層を基板上に提供する工程と、
２．前記フォトレジスト層を画像状に露光して画像形成領域と非画像形成領域とを形成する工程と、
３．画像形成領域と非画像形成領域とを有する前記露光されたフォトレジスト層を現像して該基板上にレリーフ画像を形成する工程と、
を順次備え、前記基は、
Ａ．下記構造ＩもしくはＩＩを有する１個以上の環状エーテル基または、Ｂ．下記構造ＩＩＩを有する１個以上の環状エステルであり、
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
（実施例６−γ，γ−ジメチル−α−メチレン−γ−ブチロラクトンの調製）
（γ，γ−ジメチルＭＢＬまたはＤＭ−ＭＢＬ）
（実施例６ａ：トリイソプロピルベンゼンスルホニルヒドラジドの調製）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
（実施例６ｃ  γ，γ−ジメチル−ＭＢＬ（ＤＭ−ＭＢＬ）の調製）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
重量部                                  グラム    
部分１
メチルメタクリレート（ＭＭＡ）                    ０．８
メタクリル酸（ＭＡＡ）                        ０．３２
ジメチルツリパリン（ＤＭＭＢＬ）                  ０．７８
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）                  １０．００
部分２
ＭＥＫ                                  ２．０
２，２'−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）：    ０．０８
Ｖａｚｏ（登録商標）−５２
部分３
ＭＥＫ                                １６．０
２，２'−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）：    ０．９６
Ｖａｚｏ（登録商標）−５２
部分４
メチルメタクリレート（ＭＭＡ）                    ７．２０
メタクリル酸（ＭＡＡ）                        ２．８８
ジメチルツリパリン（ＤＭＭＢＬ）                  ７．０３
合計                                                      ４８．０５