Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース信号線、ゲイト信号線、前記ソース信号線及び前記ゲイト信号線と接続された薄膜トランジスタを有する画素マトリクス回路と、
ソース信号線側駆動回路と、
ゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体表示装置であって、
前記ソース信号線側駆動回路は複数のアナログスイッチを有し、
前記複数のアナログスイッチそれぞれは珪素膜を有する複数の薄膜トランジスタが互いに接続された構成を有し、
前記珪素膜は線状レーザを所定の方向に走査することによって結晶化されてなり、
前記複数の薄膜トランジスタのキャリア移動方向は、いずれも前記線状レーザを走査する方向に対して斜めであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２】
ソース信号線、ゲイト信号線、前記ソース信号線及び前記ゲイト信号線と接続された薄膜トランジスタを有する画素マトリクス回路と、
ソース信号線側駆動回路と、
ゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体表示装置であって、
前記ゲイト信号線側駆動回路は複数のバッファを有し、
前記複数のバッファそれぞれは珪素膜を有する複数の薄膜トランジスタが互いに接続された構成を有し、
前記珪素膜は線状レーザを所定の方向に走査することによって結晶化されてなり、
前記複数の薄膜トランジスタのキャリア移動方向は、いずれも前記線状レーザを走査する方向に対して斜めであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３】
ソース信号線、ゲイト信号線、前記ソース信号線及び前記ゲイト信号線と接続された薄膜トランジスタを有する画素マトリクス回路と、
ソース信号線側駆動回路と、
ゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体表示装置であって、
前記ソース信号線側駆動回路は複数のバッファ及び複数のアナログスイッチを有し、
前記複数のアナログスイッチそれぞれ及び前記複数のバッファそれぞれは珪素膜を有する複数の薄膜トランジスタが互いに接続された構成を有し、
前記珪素膜は線状レーザを所定の方向に走査することによって結晶化されてなり、
前記複数の薄膜トランジスタのキャリア移動方向は、いずれも前記線状レーザを走査する方向に対して斜めであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４】
ソース信号線、ゲイト信号線、前記ソース信号線及び前記ゲイト信号線と接続された薄膜トランジスタを有する画素マトリクス回路と、
ソース信号線側駆動回路と、
ゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体表示装置であって、
前記ソース信号線側駆動回路は複数のアナログスイッチを有し、
前記複数のアナログスイッチそれぞれは活性層を有する複数の薄膜トランジスタが互いに接続された構成を有し、
前記活性層は線状レーザを所定の方向に走査することによって結晶化されてなり、
前記複数の薄膜トランジスタのキャリア移動方向は、いずれも前記線状レーザを走査する方向に対して斜めであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５】
ソース信号線、ゲイト信号線、前記ソース信号線及び前記ゲイト信号線と接続された薄膜トランジスタを有する画素マトリクス回路と、
ソース信号線側駆動回路と、
ゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体表示装置であって、
前記ゲイト信号線側駆動回路は複数のバッファを有し、
前記複数のバッファそれぞれは活性層を有する複数の薄膜トランジスタが互いに接続された構成を有し、
前記活性層は線状レーザを所定の方向に走査することによって結晶化されてなり、
前記複数の薄膜トランジスタのキャリア移動方向は、いずれも前記線状レーザを走査する方向に対して斜めであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項６】
ソース信号線、ゲイト信号線、前記ソース信号線及び前記ゲイト信号線と接続された薄膜トランジスタを有する画素マトリクス回路と、
ソース信号線側駆動回路と、
ゲイト信号線側駆動回路と、
を備えた半導体表示装置であって、
前記ソース信号線側駆動回路は複数のバッファ及び複数のアナログスイッチを有し、
前記複数のアナログスイッチそれぞれ及び前記複数のバッファそれぞれは珪素膜を有する複数の薄膜トランジスタが互いに接続された構成を有し、
前記珪素膜は線状レーザを所定の方向に走査することによって結晶化されてなり、
前記複数の薄膜トランジスタのキャリア移動方向は、いずれも前記線状レーザを走査する方向に対して斜めであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項７】
請求項２又は請求項５において、前記複数のバッファは前記ゲイト信号線と接続されてなることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項８】
請求項１、３、４又は６において、前記複数のアナログスイッチは前記ソース信号線と接続されてなることを特徴とする半導体表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記第２の材質は、前記第１の材質より降伏電界が小さい所定の材質と前記第１の材質との混合物を含み、
前記ステップ(b)は、
(b-1) 前記半導体基板の上層部に溝を形成するステップと、
(b-2) 前記溝周辺の前記半導体基板から前記第２の材質をエピタキシャル成長させて、前記第２の材質を主成分とした前記ＥＳＤ保護用半導体領域を前記溝内に形成するステップとを含む、
請求項７記載のＥＳＤ保護素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、請求項１１記載のＥＳＤ保護素子の製造方法において、前記第２の材質は、前記第１の材質より降伏電界が小さい所定の材質と前記第１の材質との混合物を含み、前記ステップ(b)は、(b-1) 前記半導体基板の上層部に溝を形成するステップと、(b-2) 前記溝周辺の前記半導体基板から前記第２の材質をエピタキシャル成長させて、前記第２の材質を主成分とした前記ＥＳＤ保護用半導体領域を前記溝内に形成するステップとを含んでいる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
次に、図１８に示すように、ＬＯＣＯＳ酸化膜２６をマスクとして燐（Ｐ）を注入エネルギー３０ｋｅＶ、注入量２×１０13ｃｍ-2でイオン注入してＳiＧe−Ｐウェル領域２３の表面内にドレイン領域２４Ａ，ソース領域２５Ａを形成する。ＬＯＣＯＳ酸化膜２６は膜厚が厚いため、燐（Ｐ）はＬＯＣＯＳ酸化膜２６下のＳiＧe−Ｐウェル領域２３までは到達しない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
＜＜実施の形態４＞＞
＜構造＞
図２０はこの発明の実施の形態４である保護用ＭＯＳトランジスタの構造を示す断面図である。同図に示すように、Ｐ型のＳi基板１の上層部に選択的にＰウェル領域４０が形成される（図２０では全面に形成されているが、実際にはＳiＧe基板１の上層部の一部に形成されている）。Ｐウェル領域４０の上層部にＳi−Ｐウェル領域４１Ａ，４１Ｂが互いに分離して形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
ＳiＧe−Ｐウェル領域４１Ａの表面に選択的にドレイン領域４が形成され、ＳiＧe−Ｐウェル領域４１Ｂの表面に選択的にソース領域５が形成され、ドレイン領域４，ソース領域５間のＰウェル領域４０（ＳiＧe−Ｐウェル領域４１Ａ，４１Ｂを含む）上にゲート酸化膜６が形成され、ゲート酸化膜６上にゲート電極となるゲートポリシリコン層７が形成され、ゲートポリシリコン層上に酸化膜８が形成されドレイン領域４，ソース領域５の一部上に酸化膜９が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記エンドキャップ及びエンドベースが前記多光学素子ユニットと同一の横断面輪郭を有し、且つこれらが縦続接続された前記少なくとも２個の多光学素子ユニットの最前端及び最後端に連結された状態において、
前記エンドキャップ、中間の縦続接続された多光学素子ユニット、及びエンドベースを、前記横断面輪郭に対応した内面輪郭を有する金属製鞘体に収納したことを特徴とする請求項１記載の多連型多光軸光電スイッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記多光学素子ユニットの長溝が、同ユニットの裏面において開放し、且つ部分的にその裏面開放範囲を絞ったものであり、
前記エンドキャップ及びエンドベースが、前記多光学素子ユニットの長溝における前記裏面開放範囲を絞られた部分と同一断面の溝を有しており、さらに、
前記エンドキャップとエンドベースの溝、及び中間の縦続接続された多光学素子ユニットの長溝に、前記絞られた裏面開放範囲に適合する断面形状の補強金属を挿入したことを特徴とする請求項１記載の多連型多光軸光電スイッチ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図８は、完成した多連型光電スイッチのエンドベース３側から見た補強構造を示すものである。図８（Ａ）において、２７はエンドベース３の絞り開口部２６’及びユニットケース４における同様な形状の絞り部６’に適合したレール２８を有する金属製鞘体であって、ユニットケース４のレンズ配置板５に対応する部分はチャンネル状に切欠き、ここに透明な保護カバー２９が装着される。この金属製鞘体２７により、多連型光電スイッチの全体構造の直線性と機械的強度がよりよく保たれる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
素子収納筒９は光学素子の発光波長又は受光波長に対して透明なプラスチックからなり、前記多光学素子ユニット１を嵌入するための空洞を有する。この素子収納筒９の横断面は正方形で４隅に四半円凹部１０を形成したものであり、多光学素子ユニット１の幅は素子収納筒９内の、両側凹部１０を除いた幅に対応し、高さは対向内面間の距離に対応しているため、この筒内にガタつくことなく収納される。また、図２に示すように、多光学素子ユニット１の長さは、前記一端のスリット３ａが素子収納筒９の一端の内側に位置した状態において、他端のフック３ｂも素子収納筒９の他端よりやや内側に位置する程度となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図４（及び図１）を参照して、再びエンドベース２について説明する。なお、図４においては多光学素子ユニット１の連動回路への電気接続及び外部引出しコードを省略する。エンドベース２は前記金属製ケース１１の一端縁に対応する当接縁１５と、その当接縁１５の内側において素子収納筒９の一端縁にパッキング１６を介して当接する段面１７を形成したものである。当接縁１５の四隅には金属製ケース１１のネジ孔１４に対応する余裕孔１８が貫通し、外端面側の切欠き空所１９よりネジを挿入し且つドライバー操作できるようになっている（図１）。多光学素子ユニット１への連結片２ａは上部段面１７’の内側位置よりこのエンドベース２のプラスチック材料で一体成形されたものである。エンドベース２は４角形の略軸対称形状であるが、金属製ケース１１の縦窓１２に対応する上部面にはフィルター支持面２０と、フィルター制止縁２１が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図５は、素子収納筒９及び金属製ケース１１の他端側に適用されるエンドキャップ２２を示すものである。このエンドキャップ２２は金属製ケース１１の他端縁に対応する当接縁２３と、その当接縁の内側において素子収納筒９の他端縁にパッキング２４を介して当接する金属板２５を受入れ、かつこの金属板２５をバネ２６により支持するための窪み２７を形成し、さらに前記当接縁２３には金属製ケースのネジ孔に対応する余裕孔１４’を有している。このエンドキャップ２２はエンドベース２と同様なプラスチック材料から形成されるとともに、上部面には同様なフィルター支持面２０’と、フィルター制止縁２１’が形成される。なお、パッキング２４は金属板２５と同様に一面型の板状であってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  一実施例における多光学素子ユニット、素子収納筒、金属製ケース及びこの一端に適用されるエンドベースを示す分解斜視図である。
【図２】  図１の多光学素子ユニットを収納した状態の素子収納筒の実施例を示す一部破断側断面（Ａ）、及びその右端面図（Ｂ）である。
【図３】  図２の素子収納筒を収納した金属製ケースの実施例を示す一部破断側断面（Ａ）、右端面図（Ｂ）及び変形例の右端面部分図（Ｃ）である。
【図４】  エンドベースの実施例を示す縦断面図（Ａ）、内端面図（Ｂ）及び外端面図（Ｃ）である。
【図５】  エンドキャップの実施例を示す分解斜視図である。
【図６】  実施例の多光軸光電スイッチの組み立て状態を示す一部側面／縦断面図である。
【図７】  実施例の多光軸光電スイッチの取り付け状態を示す側面図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999214713.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
1999214713.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】アクティブ・ピクセル・センサであって、
受けた光の強度の関数として電荷を伝導するフォトダイオードであって、フォトダイオード電圧を生成する該フォトダイオードによって伝導された電荷を集めるダイオード容量を有する、フォトダイオードと、
所定の電圧電位が与えられて、前記フォトダイオード電圧が該所定の電圧電位未満に降下したときに、前記フォトダイオードに並列接続されるスイッチ式コンデンサであって、該スイッチ式コンデンサが接続されると、該スイッチ式コンデンサの容量が前記ダイオード容量に加えられる、スイッチ式コンデンサと、
前記フォトダイオード電圧をサンプリングする手段と、
を備える、アクティブ・ピクセル・センサ。
【請求項２】前記スイッチ式コンデンサは、ゲート・コンデンサを備える、
請求項１に記載のアクティブ・ピクセル・センサ。
【請求項３】前記スイッチ式コンデンサは、並列接続された複数のゲート・コンデンサを備える、
請求項２に記載のアクティブ・ピクセル・センサ。
【請求項４】前記ゲート・コンデンサは、ソースおよびドレインが前記フォトダイオードのカソードに接続されるＦＥＴを含む、
請求項２に記載のアクティブ・ピクセル・センサ。
【請求項５】前記所定の電圧電位は、前記ゲート・コンデンサ内のＦＥＴのゲート電圧を選択することにより、選択される、
請求項４に記載のアクティブ・ピクセル・センサ。
【請求項６】それぞれの前記ゲート・コンデンサは、ソースおよびドレインが前記フォトダイオードのカソードに接続されるＦＥＴを含む、
請求項３に記載のアクティブ・ピクセル・センサ。
【請求項７】複数の前記所定の電圧電位は、前記それぞれのゲート・コンデンサ内のＦＥＴのゲート電圧を選択することにより、選択される、
請求項６に記載のアクティブ・ピクセル・センサ。
【請求項８】前記ゲート電圧は、可変に調整可能であり、これにより、前記所定の電圧電位が、可変に調整可能となる、
請求項５に記載のアクティブ・ピクセル・センサ。
【請求項９】前記サンプリングする手段は、バイアストランジスタおよび選択トランジスタを備える、
請求項５に記載のアクティブ・ピクセル・センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記の化１にて示されるシロキサン誘導体と、少なくとも１種のアルカリ金属塩とからなることを特徴とする非水電解液。
【化１】
1999214032.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
リチウムイオンをドープ・脱ドープ可能な酸化物若しくは硫化物からなる正極と、リチウム金属、リチウム合金、若しくはリチウムイオンをドープ・脱ドープ可能な炭素材料からなる負極と、非水電解液とを備える非水電解液電池において、上記非水電解液は、下記の化２にて示されるシロキサン誘導体と、少なくとも１種のリチウム金属塩とからなることを特徴とする非水電解液電池。
【化２】
1999214032.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【化３】
1999214032.tif 000003
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【化４】
1999214032.tif 000004
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【化５】
1999214032.tif 000005
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
電解液として使用に耐え得る適正な粘度、混合に適する溶解性は、化５で示されるＤ，Ｄ’の側鎖基を適度に選択することにより可能となる。化５で示されるＤ'の側鎖基は、エーテル結合を含むことが有利である。また、ａは０〜５０であり、ｂは１〜２０であり、ａとｂの和は、１〜４０であることがより好ましい。なお、Ｄ，Ｄ'、及び置換基Ｒ中の水素は、フッ素、ホウ素等のハロゲン元素で置き換えられていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａのうち少なくとも１種を１〜１００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
【請求項２】
高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙのうち少なくとも１種を１〜１００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
【請求項３】
高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、Ｃａを１０〜１００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
【請求項４】
高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、ＣａとＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙのうち少なくとも１種とをそれぞれ１重量ppm 以上かつその合計で１〜１００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
【請求項５】
Ｂｉ，Ｙｂ，Ｓｂ，Ｍｇ，Ｉｎ，Ｒｕ，Ｉｒのうち少なくとも１種を１〜５００重量ppm 含有させたことを特徴とする請求項１〜４記載の半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。
【請求項６】
更にＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇのうち少なくとも１種を０．０１〜２．０重量％含有させたことを特徴とする請求項１〜５記載の半導体素子のワイヤボンディング用金合金線。ただし、Ｃｏを０．５〜３．０重量％含み、さらにＣａ，Ｙ，Ｌａのうち1種以上を合計量で１〜１００重量ｐｐｍ含み、残部が金および不可避的不純物からなる範囲を除き、並びに、Ａｇを１〜２．０重量％、Ｃｒを０．１〜０．２重量％、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０１〜２．０重量％、およびＣａ、Ｂｅ，Ｌａ，Ｅｕ，Ｙの少なくとも１種を総計で５〜１００重量ｐｐｍまたはＹｂ，Ｉｎの少なくとも１種を総計で５〜５００重量ｐｐｍの範囲で含有し、残部が金および不可避的不純物からなる範囲を除く。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の実装構造
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミパッド上に開口部を有する絶縁膜と、開口部内のアルミパッド上と絶縁膜とにまたがって設けた複数の層からなる金属膜と、その金属膜上に感光性樹脂を有する半導体装置とを、基板上の配線と接続する半導体装置の実装構造であって、
前記半導体装置と前記基板との間には導電性粒子を分散した絶縁性樹脂を設け、前記導電性粒子のうち、前記金属膜と前記配線との間に挟み込まれた導電性粒子によって前記金属膜と前記配線とを電気的に導通させたことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項２】
前記感光性樹脂の厚さが前記導電粒子の直径の８０％を越えないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装構造。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＶやコンピューターなどの情報機器の表示体として使用される液晶表示装置基板に半導体装置を実装したチップオングラス（ＣＯＧ）方式、および電子機器に内蔵され制御を行う基板に半導体装置を実装したチップオンボード（ＣＯＢ）方式による半導体装置の実装構造に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（発明の目的）上記課題を解決するために、本発明では導電性粒子９０を用いて、高さバ
ラツキのない電極４０を提供し、液晶表示装置の画素ピッチに対応する半導体装置の実装構造を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（１）空隙率
乾燥後の多孔膜をＡ（ｍｍ）×Ｂ（ｍｍ）の大きさにカットし、厚みＣ（ｍｍ）、重量Ｄ（ｇ）を測定する（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは適宜選択する）。以上より見かけ密度Ｅを以下の式で求める。続いて使用したポリマーの真密度Ｆを求め、以下の式から多孔度を算出する。
見かけ密度Ｅ＝Ｄ／（Ａ＊Ｂ＊Ｃ）＊１０００（ｇ／ｃｍ３）
空隙率＝（Ｆ−Ｅ）／Ｆ＊１００（％）
（２）表面開孔率
分解能４〜７ｎｍの走査電子顕微鏡で観察した倍率２０００倍の表面写真を縦１５０×横２００ｍｍで現像し、スキャナーを使用して１０万ピクセル／３００００ｍｍ２の解像度で、直径０．０１μｍ以上の各孔についてピクセル数を算出し、その総和を開孔部分のピクセル数とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月8日(2004.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明のアクリル系重合体凝固組成物（Ａ）の用途は特に制限されず、樹脂改質剤、粉体塗料等の原料などとして有効に使用することができる。中でも本発明のアクリル系重合体凝固組成物（Ａ）は、アクリルゾルの原料として特に有効であり、本発明は、上記したアクリル系重合体凝固組成物（Ａ）および可塑剤（Ｂ）からなるアクリルゾルを包含する。本発明のアクリルゾルに使用できる可塑剤（Ｂ）は特に制限されないが、ジメトキシエチルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジイソノニルフタレート、ジイソデシルフタレート、ジウンデシルフタレート、ブチルベンジルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジエトキシエチルフタレート、ジブトキシエチルフタレートなどのフタル酸エステル系可塑剤；ジフェニルオクチルホスフェート、トリブチルフォスフェート、トリメチルフォスフェート、トリクレジルフォスフェート、トリフェニルフォスフェート、トリキシレニルフォスフェート、トリ２−エチルヘキシルフォスフェート、２−エチルヘキシルジフェニルフォスフェート、トリスイソプロピルフェニルフォスフェート、レゾルシノールビスジフェニルフォスフェート（ＲＤＰ）、ビスフェノールＡビスジフェニルフォスフェート、ビスフェノールＡビスクレジルフォスフェート等のリン酸エステル系可塑剤；ジ２−ヘキシルアジペート等のアジピン酸エステル系可塑剤；ジ２−エチルヘキシルセバケート等のセバシン酸エステル系可塑剤；ジ２−ヘキシルアゼレート等のアゼライン酸エステ系可塑剤；トリ２−エチルヘキシルトリメリテート等のトリメリット酸エステル系可塑剤；フマル酸ジブチル等のフマル酸エステル系可塑剤；アセチルクエン酸トリブチル等のクエン酸エステル系可塑剤；オレイン酸ブチル等のオレイン酸エステル系可塑剤；ポリエステル系可塑剤；等を用いることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また参考例、実施例および比較例中に用いた化合物名およびその略称［（  ）内］を、下記に示す。
メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）、メタクリル酸ｎ−ブチル（ｎ−ＢＭＡ）、メタクリル酸イソブチル（ｉ−ＢＭＡ）、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル（２−ＨＥＭＡ）、アクリル酸ｎ−ブチル（ＢＡ）、ポリエチレングリコール＃６００ジメタクリレート（ＰＥＧ１４Ｇ）［エチレングリコール単位の平均繰返し数：１４］、アリルメタクリレート（ＡＬＭＡ）、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（ＨＤＤＡ）、ｎ−オクチルメルカプタン（ｎ−ＯＭ）、過硫酸カリウム（ＫＰＳ）、ジイソノニルフタレート（ＤＩＮＰ）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
▲２▼次いで、同反応器内に、ＫＰＳ０．２１質量部を投入して５分間攪拌した後、ＭＭＡ３９．２質量％、ＢＡ５８．８質量％およびＨＤＤＡ２．０質量％からなる単量体混合物４２８．４質量部を１２０分間かけて連続的に滴下供給し、添加終了後、重合率が９８％以上になるようにさらに６０分間重合反応を行って、アクリル系架橋重合体（Ｉ−２）を含むラテックスを得た。粒子径は０．３４μｍであった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
＜参考例３＞
［アクリル系架橋重合体（Ｉ−３）の重合］
参考例１に使用した単量体混合物に代えて、ＭＭＡ８８．９質量％、ＢＡ９．９質量％およびＮＰＧＤＭ（ネオペンチルグリコールジメタクリレート）１．２質量％からなる単量体混合物を用い、他の条件は参考例１と同様にして、アクリル系架橋重合体（Ｉ−３）を含むラテックスを得た。粒子径は０．１０μｍであった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
▲３▼次に、同反応器内に、ＫＰＳ０．０８質量部を投入して５分間攪拌した後、ＭＭＡ５０質量％、ｎ−ＢＭＡ２５質量％およびｉ−ＢＭＡ２５質量％を含む単量体混合物２００質量部を６０分間かけて連続的に滴下供給し、添加終了後、重合率が９８％以上になるようにさらに３０分間重合反応を行った。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【表１】
2004107445.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月16日(2004.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全ハロゲンの含有量が塩素換算で５０ｐｐｍ未満であることを特徴とするポリイミド。
【請求項２】
ハロゲンとして臭素の含有量が２０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１記載のポリイミド。
【請求項３】
ハロゲンとして塩素の含有量が２０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１記載のポリイミド。
【請求項４】
ポリブロモビフェニル類及びポリブロモジフェニルエーテル類の含有量が１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１記載のポリイミド。
【請求項５】
塩素化パラフィン類の含有量が１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１記載のポリイミド。
【請求項６】
ポリ塩化ビフェニル類の含有量が１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１記載のポリイミド。
【請求項７】
ポリ塩化ナフタレン類の含有量が１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１記載のポリイミド。
【請求項８】
ポリ塩化ビニルの含有量が１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１記載のポリイミド。
【請求項９】
全ハロゲンの含有量が塩素換算で５０ｐｐｍ未満であることを特徴とするポリイミドフィルム。
【請求項１０】
ハロゲンとして臭素の含有量が２０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１０記載のポリイミドフィルム。
【請求項１１】
ハロゲンとして塩素の含有量が２０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１０記載のポリイミドフィルム。
【請求項１２】
ポリブロモビフェニル類及びポリブロモジフェニルエーテル類の含有量が１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１０記載のポリイミドフィルム。
【請求項１３】
塩素化パラフィン類の含有量が１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１０記載のポリイミドフィルム。
【請求項１４】
ポリ塩化ビフェニル類の含有量が１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１０記載のポリイミドフィルム。
【請求項１５】
ポリ塩化ナフタレン類の含有量が１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１０記載のポリイミドフィルム。
【請求項１６】
ポリ塩化ビニルの含有量が１０ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１０記載のポリイミドフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
（ｉ）  以下の工程；
・（ｉ）−１：  難燃性付与成分を含まない単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下のポリエステル極細繊維を形成し得る極細繊維発生型繊維（ａ0）を用いて形成した絡合不織布（ＮＷａ0）と、難燃性付与成分を含む単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の難燃性ポリエステル極細繊維を形成し得る極細繊維発生型繊維（ｂ0）を用いて形成した絡合不織布（ＮＷｂ0）のそれぞれに、難燃性付与成分を含む弾性重合体（ｃ）を付与した後に、絡合不織布（ＮＷａ0）を構成する極細繊維発生型繊維（ａ0）および絡合不織布（ＮＷｂ0）を構成する極細繊維発生型繊維（ｂ0）のそれぞれを極細繊維化して、難燃性付与成分を含まない単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下のポリエステル極細繊維（ａ）で構成される絡合不織布の内部に難燃性付与成分を含む弾性体（ｃ）を含有させた絡合不織布（Ａ0）と、難燃性付与成分を含む単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の難燃性ポリエステル極細繊維（ｂ）で構成される絡合不織布の内部に難燃性付与成分を含む弾性重合体（ｃ）を含有させた絡合不織布（Ｂ0）のそれぞれを製造するか；または、
・工程（ｉ）−２：  難燃性付与成分を含まない単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下のポリエステル極細繊維を形成し得る極細繊維発生型繊維（ａ0）を用いて形成した絡合不織布（ＮＷａ0）と、難燃性付与成分を含む単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の難燃性ポリエステル極細繊維を形成し得る極細繊維発生型繊維（ｂ0）を用いて形成した絡合不織布（ＮＷｂ0）のそれぞれを極細繊維化して、難燃性付与成分を含まない単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下のポリエステル極細繊維（ａ）で構成された絡合不織布（ＮＷａ1）と、難燃性付与成分を含む単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の難燃性ポリエステル極細繊維（ｂ）で構成される絡合不織布（ＮＷｂ1）をそれぞれ製造した後、前記絡合不織布（ＮＷａ1）および絡合不織布（ＮＷｂ1）のそれぞれに難燃性付与成分を含む弾性重合体（ｃ）を付与して、難燃性付与成分を含まない単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下のポリエステル極細繊維（ａ）で構成される絡合不織布の内部に難燃性付与成分を含む弾性体（ｃ）を含有させた絡合不織布（Ａ0）と、難燃性付与成分を含む単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の難燃性ポリエステル極細繊維（ｂ）で構成される絡合不織布の内部に難燃性付与成分を含む弾性重合体（ｃ）を含有させた絡合不織布（Ｂ0）のそれぞれを製造し；
（ii）  前記の工程（ｉ）で得られた絡合不織布（Ａ0）および絡合不織布（Ｂ0）を積層する；
ことを特徴とする難燃性皮革様シート基材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そして、本発明は、
（９）（ｉ）以下の工程；
・（ｉ）−１：  難燃性付与成分を含まない単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下のポリエステル極細繊維を形成し得る極細繊維発生型繊維（ａ0）を用いて形成した絡合不織布（ＮＷａ0）と、難燃性付与成分を含む単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の難燃性ポリエステル極細繊維を形成し得る極細繊維発生型繊維（ｂ0）を用いて形成した絡合不織布（ＮＷｂ0）のそれぞれに、難燃性付与成分を含む弾性重合体（ｃ）を付与した後に、絡合不織布（ＮＷａ0）を構成する極細繊維発生型繊維（ａ0）および絡合不織布（ＮＷｂ0）を構成する極細繊維発生型繊維（ｂ0）のそれぞれを極細繊維化して、難燃性付与成分を含まない単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下のポリエステル極細繊維（ａ）で構成される絡合不織布の内部に難燃性付与成分を含む弾性体（ｃ）を含有させた絡合不織布（Ａ0）と、難燃性付与成分を含む単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の難燃性ポリエステル極細繊維（ｂ）で構成される絡合不織布の内部に難燃性付与成分を含む弾性重合体（ｃ）を含有させた絡合不織布（Ｂ0）のそれぞれを製造するか；または、
・工程（ｉ）−２：  難燃性付与成分を含まない単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下のポリエステル極細繊維を形成し得る極細繊維発生型繊維（ａ0）を用いて形成した絡合不織布（ＮＷａ0）と、難燃性付与成分を含む単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の難燃性ポリエステル極細繊維を形成し得る極細繊維発生型繊維（ｂ0）を用いて形成した絡合不織布（ＮＷｂ0）のそれぞれを極細繊維化して、難燃性付与成分を含まない単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下のポリエステル極細繊維（ａ）で構成された絡合不織布（ＮＷａ1）と、難燃性付与成分を含む単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の難燃性ポリエステル極細繊維（ｂ）で構成される絡合不織布（ＮＷｂ1）をそれぞれ製造した後、前記絡合不織布（ＮＷａ1）および絡合不織布（ＮＷｂ1）のそれぞれに難燃性付与成分を含む弾性重合体（ｃ）を付与して、難燃性付与成分を含まない単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下のポリエステル極細繊維（ａ）で構成される絡合不織布の内部に難燃性付与成分を含む弾性体（ｃ）を含有させた絡合不織布（Ａ0）と、難燃性付与成分を含む単繊維繊度０．５ｄｔｅｘ以下の難燃性ポリエステル極細繊維（ｂ）で構成される絡合不織布の内部に難燃性付与成分を含む弾性重合体（ｃ）を含有させた絡合不織布（Ｂ0）のそれぞれを製造し；
（ii）  前記の工程（ｉ）で得られた絡合不織布（Ａ0）および絡合不織布（Ｂ0）を積層する；
ことを特徴とする難燃性皮革様シート基材の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（評価）
剥離強度のシーラーギャップ依存度及び印刷適正（ＲＩテスター着肉）の評価を行った。  剥離強度のシーラーギャップ依存度の評価は、大変小さい（◎）、小さい（○）、大きい（×）の三段階評価とした。印刷適正の評価は、大変良い（◎）、良い（○）、やや悪い（△）及び悪い（×）の四段階評価とした。結果を、表１に示した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
機械フレーム（４１２）を有し、吸込み管（４０８）と吸引システムと集束装置（３）と紡績装置（５）とを各繊維束（７１）のために備えた紡績機であって、前記装置が複数並べて紡績機械に配置されており、集束装置（３）内部の集束エレメント（３１）を有し、該集束エレメント（３１）に、吸込インサートを有する定置の吸込みエレメント（３７）を備えた吸込み装置（４）が、前記集束エレメント（３１）を通って前記吸込みエレメント（３７）へ侵入する空気を導出するために配属されている形式のものにおいて、排気を集めるための１つ又は複数の通路が普通の紡績機械におけるよりもファクタ１．２５から１．７５拡大された総横断面積で、特に０．０７から０．１４ｑｍの間で構成されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の紡績機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
機械フレーム（４１２）を有し、吸込み管（４０８）と吸引システムと集束装置（３）と紡績装置（５）とを各繊維束（７１）のために備えた紡績機であって、前記装置が複数並べて紡績機械に配置されており、集束装置（３）内部の集束エレメント（３１）を有し、該集束エレメント（３１）に、吸込インサートを有する定置の吸込みエレメント（３７）を備えた吸込み装置（４）が、前記集束エレメント（３１）を通って前記吸込みエレメント（３７）へ侵入する空気を導出するために配属されている、請求項１から１５までのいずれか１項記載の紡績機械において、以下の影響値、つまり
−吸込みエレメント（３７）における吸込みスリットの大きさ、
−通路（４０６）への小管（４０２又は４０８）の移行もしくは有利には傾斜したディフューザとして構成される通路（４０６）への移行片（４１６″）における空気案内、
−集束エレメント（３１）を経る案内（４９）（この場合、スクリーンとして構成された案内（３９）と集束エレメント（３１）との間に可変な間隔０．５から２ｍｍが調節され、この領域における空気量と繊維流の集束質とがこの案内（４９でコントロール可能である）が吸込みシステムを最適化するために適合可能であることを特徴とする、紡績機械。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
機械フレーム（４１２）を有し、吸込み管（４０８）、吸出システム、紡績装置（５）を各繊維束（７１）のために、このような装置が複数並べて紡績機に配置されている形式の紡績機において、唯一の紡績機械で複数の種々の糸が製造可能であり、機械が境界線Ｓ２とＳ１によって４つのセクタに分割されており、この場合、両機械長手側に大きな数で配置された紡績個所にて、個々のセクタへの分配に応じて種々の材料又は同じ材料が種々異なる条件で加工可能であり、吸出システムの異なるゾーンが異って調節されている、請求項１から１９までのいずれか１項記載の紡績機械紡績機械。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
機械フレーム（４１２）を有し、吸込み管（４０８）と吸引システムと集束装置（３）と紡績装置（５）とを各繊維束（７１）のために備えた紡績機であって、前記装置が複数並べて紡績機械に配置されており、集束装置（３）内部の集束エレメント（３１）を有し、該集束エレメント（３１）に、吸込インサートを有する定置の吸込みエレメント（３７）を備えた吸込み装置（４）が、前記集束エレメント（３１）を通って前記吸込みエレメント（３７）へ侵入する空気を導出するために配属されている形式のものにおいて、唯一の紡績機械で種々の糸が製造可能であり、機械が境界線Ｓ２とＳ１とによって複数の、有利には４つのセクタに分割可能であり、両機械長手方向側に大きな個数で配置された紡績個所（５）にて、個々のセクタへの配分に応じて種々の材料又は同じ材料が異なる条件で加工可能である、請求項１から２０までのいずれか１項記載の紡績機械紡績機械。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも表面繊維層としては極細ポリエステル繊維とカチオン可染性ポリエステル繊維の混合体であって、該極細ポリエステル繊維の単繊維繊度（Ａ）が０．３３ｄｔｅｘ以下であり、混合するカチオン可染性ポリエステル繊維の単繊維繊度（Ｂ）が下式を満たし、該極細ポリエステル繊維と該カチオン可染性ポリエステル繊維の混合重量比（極細ポリエステル繊維／カチオン可染性ポリエステル繊維）が７０／３０〜９５／５であり、且つ該カチオン可染性ポリエステル繊維中のスルホン酸金属塩基を有する化合物の共重合率が２〜４ｍｏｌ％であることを特徴とする異色効果を有するスエード調人工皮革。
５≦Ｂ／Ａ≦２０  （但し、Ｂ≦３．３ｄｔｅｘ）・・・（１）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】【課題を解決するための手段】  本発明者らは、前述の従来技術の問題を解決するため鋭意検討した結果、表面繊維層に極細ポリエステル繊維と特定割合でスルホン酸金属塩基を共重合したカチオン可染性ポリエステル繊維を用い、抄造法により単繊維の均一混合、分散させた不織布とすることにより、上記のように優れたスエード調人工皮革が得られることを見出し、本発明をなすに至った。  即ち、本発明は少なくとも表面繊維層としては極細ポリエステル繊維とカチオン可染性ポリエステル繊維の単繊維状均一混合体であって、該極細ポリエステル繊維の単繊維繊度（Ａ）が０．３３ｄｔｅｘ以下であり、カチオン可染性ポリエステル繊維の単繊維繊度（Ｂ）が下式（１）を満たし、より好ましくは下式（２）を満たし、且つカチオン可染性ポリエステル繊維中のスルホン酸金属塩基を有する化合物の共重合率が２〜４ｍｏｌ％であり、該極細ポリエステル繊維とカチオン可染性ポリエステル繊維の混合重量比（極細ポリエステル繊維／カチオン可染性ポリエステル繊維）が７０／３０〜９５／５であり、抄造法によって単繊維の均一混合と分散をさせることを特徴とするものである。      ５≦Ｂ／Ａ≦２０  （但し、Ｂ≦３．３ｄｔｅｘ）・・・（１）      ７≦Ｂ／Ａ≦１７  （但し、Ｂ≦３．３ｄｔｅｘ）・・・（２）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】  本発明に使用されるカチオン可染性ポリエステル繊維の単繊維繊度（Ｂ）は、極細ポリエステル繊維の単繊維繊度（Ａ）が０．３３ｄｔｅｘ以下であり、下式（１）を満たし、より好ましくは下式（２）を満たす範囲であれば特に限定されないが、下式（１）においてＢ／Ａが５未満になると極細ポリエステル繊維とカチオン可染性ポリエステル繊維の単繊維繊度差が小さくなることから明瞭なメランジ調が得られない。  逆にＢ／Ａが２０を超える場合で、カチオン可染性ポリエステル繊維の単繊維繊度（Ｂ）が３．３ｄｔｅｘを超える場合は、ベースの極細ポリエステル繊維との繊度差が大きくなりすぎザラツキ感がでるため優美な表面品位と滑らかな表面タッチが得られ難い。      ５≦Ｂ／Ａ≦２０  （但し、Ｂ≦３．３ｄｔｅｘ）・・・（１）      ７≦Ｂ／Ａ≦１７  （但し、Ｂ≦３．３ｄｔｅｘ）・・・（２）
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無機化合物を０．５〜８重量％添加し、扁平度が１．５〜５であることを特徴とするポリアミドマルチフィラメント。
【請求項２】  吸湿成分を添加してなるポリアミドマルチフィラメントであって、前記ポリアミドマルチフィラメントの最高吸湿率Ａ（％）と標準吸湿率Ｂ（％）との差Ａ−Ｂ（％）が３．５〜５％であることを特徴とする請求項１記載のポリアミドマルチフィラメント。
【請求項３】  前記無機化合物の屈折率Ｒｉとポリアミドベースポリマーの屈折率Ｒｐの差│Ｒｉ−Ｒｐ│が０．２５以下であることを特徴とする請求項１または２記載のポリアミドマルチフィラメント。
【請求項４】  弾性糸を芯糸として鞘糸として請求項１〜３のいずれか記載のポリアミドマルチフィラメントをカバリング用糸として巻き付けたカバリング糸を少なくともレッグ部の一部に用いてなるストッキングであって、前記レッグ部のｑｍａｘ（Ｗ／ｃｍ2）を目付（ｇ／ｃｍ2）で除した値Ｋが１０〜１５Ｗ／ｇであることを特徴とするストッキング。
【請求項５】  請求項１〜３のいずれか記載のポリアミドマルチフィラメントを用いてなるインナーウェアであって、前記インナーウェアの一部のｑｍａｘ（Ｗ／ｃｍ2）を目付（ｇ／ｃｍ2）で除した値Ｋが１８〜２５Ｗ／ｃｍ2であることを特徴とするインナーウエアー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−２４７７２３号公報（［０００７］段落）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（４）弾性糸を芯糸として鞘糸として（１）〜（３）のいずれか記載のポリアミドマルチフィラメントをカバリング用糸として巻き付けたカバリング糸を少なくともレッグ部の一部に用いてなるストッキングであって、前記レッグ部のｑｍａｘ（Ｗ／ｃｍ2）を目付（ｇ／ｃｍ2）で除した値Ｋが１０〜１５Ｗ／ｇであることを特徴とするストッキング。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（５）（１）〜（３）のいずれか記載のポリアミドマルチフィラメントを用いてなるインナーウェアであって、前記インナーウェアの一部のｑｍａｘ（Ｗ／ｃｍ2）を目付（ｇ／ｃｍ2）で除した値Ｋが１８〜２５Ｗ／ｃｍ2であることを特徴とするインナーウエアー。
により構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
これにより、弾性糸を芯糸として鞘糸としてポリアミドマルチフィラメントをカバリング用糸として巻き付けたカバリング糸を少なくともレッグ部の一部に用いたストッキングにおいて、レッグ部のｑｍａｘ（Ｗ／ｃｍ2）を目付（ｇ／ｃｍ2）で除した値Ｋが１０〜１５Ｗ／ｇとすることができ、接触冷感を実感できるレベルとすることが可能となる。なお、従来のストッキングはおおむね８〜９Ｗ／ｇのレベルであり、着用直後に接触冷感は感じられなかった。また、Ｋ値が１１以上となると従来のストッキングに比べて接触冷感を強く感じられる。１５を超えるＫ値とするためには、無機化合物を８％を超えて添加したり、扁平度を５を超える形状とする必要があり、耐久性が低下するため、好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ブラジャー、ブラキャミソール、レオタード、水着、スポーツウエア等の乳房受け用のカップを有する衣類においては、カップ部の下部の縁部などにワイヤ補強材を組み込むことが広く行われている。このようなワイヤー補強材として従来一般的に用いられているものはスチール製のワイヤーである。
衣料用のワイヤー補強材には、十分な剛性とともに、人体の動きに伴って容易に動き、装着者に違和感を与えないように適度な柔軟性を有することが要求される。このような要求に鑑み、ワイヤー補強材として種々の提案がなされており、上記したスチール製のワイヤに関しては、例えば、特許文献１（特表平９−５０８１８０号公報）において、断面形状をＩ型としたものが記載されており、円形、長方形、楕円形あるいは卵形の断面形状を有するものに比べて、フレーム平面内での十分な剛性を有するとともに、十分な柔軟性を示すとされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、図１に示される断面形状において、長径方向を上下方向とした場合の、上記した幅広の領域Ｅ１とＥ２の高さをそれぞれＨ１，Ｈ３とし、薄幅の領域Ｃの高さをＨ２としたとき、剛性と柔軟性の双方を効率良く発現させることができることから、これらが以下の関係を満足することが好ましい。
Ｈ２／（Ｈ１＋Ｈ２＋Ｈ３）＝０．３〜０．８
また、以下の関係を満足することがより好ましい。
Ｈ２／（Ｈ１＋Ｈ２＋Ｈ３）＝０．４〜０．７
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体がゴムまたは合成樹脂層からなる手袋であって、該手袋の内面にキトサンを含有した短繊維を被着したことを特徴とする抗菌・防カビ性手袋。
【請求項２】
キトサンを含有した短繊維が、キトサンを練り込んだ短繊維である請求項第１項記載の抗菌・防カビ性手袋。
【請求項３】
キトサンを含有した短繊維が、キトサンビスコースからなる溶液又はキトサンビスコースとセルロースビスコースを混合した混合溶液を紡糸して得られた繊維である請求項第１項または第２項記載の抗菌・防カビ性手袋。
【請求項４】
手袋型表面に樹脂液を付着させた後、これを固化させて得た手袋基体に接着剤を塗布し、次いでキトサンを含有した短繊維を被着することを特徴とする抗菌・防カビ性手袋の製造方法。
【請求項５】
手袋型表面に樹脂液を付着させた後、樹脂液がゾル状態または半ゲル溶融状態のうちにキトサンを含有した短繊維を被着させ、その後樹脂液を固化させることを特徴とする抗菌・防カビ性手袋の製造方法。
【請求項６】
短繊維が静電植毛処理されたものである請求項第４項又は第５項記載の抗菌・防カビ性手袋の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
固形筆記体としては、主成分としてのワックスや樹脂、ゲル形成剤等に、着色材としての顔料や染料を配合したものを基本構成として、クレヨン、クレパス、色鉛筆芯などに応用されている。これらの固形筆記体の諸性能つまり書き味、強度、描画性、筆跡、色調などを向上させるため、材料の種類や配合割合、添加物、溶剤など各種検討されており、この中で着色材は描画性や色調、色合いなどについて筆記体に寄与しているが、従来着色材についてはそれほど検討されておらず、例えば粒径が０．１μｍ以下の市販の顔料などをそのまま用いて固形筆記体としており、特に有機顔料が発色性の点で好適に使用されている（特許文献１参照）。また、０．１μｍ以上のものも、特に消去性を目的として使用されている（特許文献２参照）（特許文献３参照）（特許文献４参照）（特許文献５参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−１３９２７５号公報（第２頁右下段の第１５行目から第１９行目）
【特許文献２】特表平３−５０５６０９号公報（第３頁左下段の第８行目から第１３行目）
【特許文献３】特開平４−１３９２７５号公報（第２頁左上段の第４行目から第１２行目）
【特許文献４】特表平４−５０２９２７号公報（第４頁右下段の第１行目から第９行目）
【特許文献５】特開平６−１８４４８８号公報（段落番号［０００５］）