【手続補正書】
【提出日】平成15年1月7日(2003.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2004502656.tif 000001
（式中、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６ハロゲンアルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキル、又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ−Ｃ１〜Ｃ６アルキルオキシであり、及びＲ３は、Ｃ１〜Ｃ６アルキルである）
の化合物の調製方法であって、
ａ）式ＩＩ：
【化２】
2004502656.tif 000002
（式中、Ｒ１及びＲ２は、上記で定義したとおりである）
の化合物を式ＩＩＩ：
【化３】
2004502656.tif 000003
（式中、Ｒ３は、上記で定義したとおりである）
の化合物と反応させて、式ＩＶ：
【化４】
2004502656.tif 000004
（式中、Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルである）
の化合物を生成すること；
ｂ）式ＩＶの結晶性化合物を単離し、そのＯＨ基を離脱基に転換させ、そして強塩基の存在下で離脱基を含む化合物を反応させて、式Ｖ：
【化５】
2004502656.tif 000005
の化合物を生成すること；
ｃ）式Ｖの炭酸エステルを還元して、式ＶＩ：
【化６】
2004502656.tif 000006
のアルコールを生成すること；及び
ｄ）水素と、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムの群からの金属を含み、キラル二座配位子が結合されている不斉水素化触媒としての触媒量の金属錯体との存在下で、式ＶＩのアルコールを水素化して、式Ｉの化合物を生成すること
を含む方法。
【請求項２】
Ｒ１をメトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシ又はエトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシとして含み、及びＲ２をメトキシ又はエトキシとして含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
Ｒ１を１−メトキシプロプ−３−イルオキシとして含み、及びＲ２をメトキシとして含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
Ｒ３を直鎖状又は分岐鎖状Ｃ１〜Ｃ４アルキルとして含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
Ｒ３をイソプロピルとして含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
Ｒ１を１−メトキシ−ｎ−プロピルオキシとして含み、Ｒ２をメトキシとして含み、及びＲ３をイソプロピルとして含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
低温で、第二リチウムアミドの存在下での工程ａ）の加工を含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
ヒドロキシル基を最初にアシル化し、その後、低温で、アシル化プロセスの反応混合物中でアルキル金属アルコラートの存在下で脱離させることを工程ｂ）に含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
低温で、還元剤としての金属水素化物の存在下で行われる工程ｃ）を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
水素化触媒としての、式ＶＩＩ又はＶＩＩａ：
【化７】
2004502656.tif 000007
（式中、
Ｍｅは、ロジウムであり；
Ｙは、二つのオレフィン又は一つのジエンを表し；
Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｅ−は、酸素酸又は錯体酸のアニオンであり；及び
Ｌは、ホスフィン基が、ジホスフィン主鎖のＣ２〜Ｃ４鎖に結合され、ジホスフィンが、ロジウム原子とともに５〜７員環を形成するジ第三ジホスフィン群からのキラル配位子である）
の金属錯体の存在下で行われる工程ｄ）を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
Ｌを式ＶＩＩＩ：
【化８】
2004502656.tif 000008
（式中、
ｍ及びｎは、それぞれ、０又は１〜４の整数であり、Ｒ８及びＲ９は、水素、又はＣ１〜Ｃ４アルキル及びＣ１〜Ｃ４アルコキシ基から選択される同じもしくは異なる置換基であり；及びＸ１及びＸ２は、互いに独立して、第二ホスフィノである）として含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
６位又は６，６′位に置換基の結合を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
Ｒ８及びＲ９をメチル、エチル、メトキシ又はエトキシとして含む、請求項１１又は１２記載の方法。
【請求項１４】
Ｘ１及びＸ２基が、同じ又は異なり、及び式−ＰＲ１０Ｒ１１（式中、Ｒ１０及びＲ１１は、同じ又は異なり、及び分岐鎖状Ｃ３〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル又は非置換フェニル又は１〜３個のＣ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシもしくは−ＣＦ３で置換されたフェニルである）に対応する、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
式ＶＩＩＩにおいて、ｎが０であり、Ｘ１及びＸ２をＰＲ１０Ｒ１１基（式中、Ｒ１０及びＲ１１は、それぞれ、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、又は１もしくは２個のメチル、メトキシもしくはＣＦ３で置換されたフェニルである）として含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
−２０〜１５０℃の温度で行われる工程ｄ）を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
正圧のもとで行われる工程ｄ）を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
１０５〜２×１０７Ｐａ（パスカル）での圧力条件を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
式ＶＩ：
【化９】
2004502656.tif 000009
（式中、Ｒ１は、メトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシ又はエトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシであり、Ｒ２は、メトキシ又はエトキシであり、及びＲ３は、Ｃ１〜Ｃ６アルキルである）
の化合物。
【請求項２０】
Ｒ１をメトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシ又はエトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシとして含み、Ｒ２をメトキシ又はエトキシとして含み、及びＲ３をＣ１〜Ｃ４アルキルとして含む、請求項１９記載の化合物。
【請求項２１】
Ｒ１を１−メトキシ−ｎ−プロピルオキシとして含み、Ｒ２をメトキシとして含み、及びＲ３をイソプロピルとして含む、請求項１９記載の化合物。
【請求項２２】
式ＩＶ：
【化１０】
2004502656.tif 000010
（式中、Ｒ１は、メトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシ又はエトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシであり、Ｒ２は、メトキシ又はエトキシであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６アルキルであり、及びＲ７は、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルである）
の化合物。
【請求項２３】
Ｒ１をメトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシ又はエトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシとして含み、Ｒ２をメトキシ又はエトキシとして含み、Ｒ３をＣ１〜Ｃ４アルキルとして含み、及びＲ７をＣ１〜Ｃ４アルキルとして含む、請求項１９記載の化合物。
【請求項２４】
Ｒ１を１−メトキシ−ｎ−プロピルオキシとして含み、Ｒ２をメトキシとして含み、Ｒ３をイソプロピルとして含み、及びＲ７をメチル又はエチルとして含む、請求項１９記載化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
（式中、Ｒ１は、メトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシ又はエトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシであり、Ｒ２は、メトキシ又はエトキシであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６アルキルである）
の化合物（中間体）に関する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
（式中、Ｒ１は、メトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシ又はエトキシ−Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシであり、Ｒ２は、メトキシ又はエトキシであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ６アルキルであり、Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル又はベンジルである）
の化合物（中間体）に関する。上記の態様及び選好は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ７にあてはまる。