【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性ポリイミドでなる複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性の樹脂でなる複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された熱硬化樹脂でなる複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された紫外線硬化樹脂でなる複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項６】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成されたポリイミド、アクリル、ポリアミドまたはポリイミドアミドでなる複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項７】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項８】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項９】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１０】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１１】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性ポリイミドでなる側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１２】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性の樹脂でなる側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１３】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された熱硬化樹脂でなる側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１４】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された紫外線硬化樹脂でなる側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１５】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成されたポリイミド、アクリル、ポリアミドまたはポリイミドアミドでなる側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１６】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性ポリイミドでなる流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１７】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性の樹脂でなる流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１８】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された熱硬化樹脂でなる流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１９】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された紫外線硬化樹脂でなる流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２０】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成されたポリイミド、アクリル、ポリアミドまたはポリイミドアミドでなる流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２１】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性ポリイミドでなる楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２２】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性の樹脂でなる楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２３】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された熱硬化樹脂でなる楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２４】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された紫外線硬化樹脂でなる楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２５】
複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成されたポリイミド、アクリル、ポリアミドまたはポリイミドアミドでなる楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２６】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性ポリイミドでなる複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２７】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性の樹脂でなる複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２８】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された熱硬化樹脂でなる複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２９】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された紫外線硬化樹脂でなる複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３０】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成されたポリイミド、アクリル、ポリアミドまたはポリイミドアミドでなる複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３１】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３２】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３３】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３４】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性ポリイミドでなる側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３５】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性の樹脂でなる側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３６】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された熱硬化樹脂でなる側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３７】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された紫外線硬化樹脂でなる側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３８】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成されたポリイミド、アクリル、ポリアミドまたはポリイミドアミドでなる側面がテーパー状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３９】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性ポリイミドでなる流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４０】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性の樹脂でなる流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４１】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された熱硬化樹脂でなる流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４２】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された紫外線硬化樹脂でなる流線形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４３】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成されたポリイミド、アクリル、ポリアミドまたはポリイミドアミドでなる流線形状の複数のギャップ保持材と、 前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４４】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性ポリイミドでなる楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４５】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された感光性の樹脂でなる楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４６】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された熱硬化樹脂でなる楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記複数のギャップ保持材を形成した後、前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４７】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成された紫外線硬化樹脂でなる楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４８】
逆スタガ型の複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に接続された複数の画素電極と、を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との基板間隔を保持する、前記第１の基板に形成されたポリイミド、アクリル、ポリアミドまたはポリイミドアミドでなる楕円状または多角形状の複数のギャップ保持材と、
前記第１の基板の前記複数のギャップ保持材が形成された側に、前記複数のギャップ保持材を形成した後に設けられた第１の配向膜と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する側に設けられた第２の配向膜と、
を備えたことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４９】
請求項１乃至請求項４８のいずれか一項において、
前記第１の配向膜及び前記第２の配向膜は、ポリイミドからなることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５０】
請求項１乃至請求項４９のいずれか一項において、
前記複数の画素電極は、ポリイミド膜上に形成されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５１】
請求項１乃至請求項４９のいずれか一項において、
前記複数の画素電極は、ポリイミド膜上に形成され、
当該ポリイミド膜は、窒化珪素膜上に形成され、
当該窒化珪素膜は、酸化珪素膜上に形成されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５２】
請求項１乃至請求項５１のいずれか一項において、
セルギャップは４〜６μｍであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５３】
請求項１乃至請求項５２のいずれか一項において、
前記複数のギャップ保持材の高さの精度は±０．１μｍであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５４】
請求項１乃至請求項５３のいずれか一項において、
前記複数のギャップ保持材の位置の精度は±１０μｍであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５５】
請求項１乃至請求項５４のいずれか一項において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に、液晶材料と高分子の混合層を有することを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５６】
請求項１乃至請求項５５のいずれか一項において、
前記第２の基板にカラーフィルタを有することを特徴とする半導体表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図２（Ａ）に示すように、上記アクティブマトリクス基板および対向基板には、液晶材料の配向性を整えるためのラビングなどの配向処理が行われる。その後、アクティブマトリクス基板と対向基板との基板間隔（セルギャップ）を制御するために、アクティブマトリクス基板側に粒形のスペーサが基板全面に均一に散布される。次に、シール剤が印刷される。シール剤は、基板同士を貼り合わせる接着剤としての役割と、基板間に注入される液晶材料が基板外部に漏れないように封入するための封止剤としての役割とを果たす。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図３は、アクティブマトリクス基板の断面図である。図３に示すように、セルギャップを制御するために粒形のスペーサがアクティブマトリクス基板全面上に均一に散布されるので、画素領域のみならず周辺駆動回路領域にもスペーサが存在することになる。通常、画素ＴＦＴと駆動回路ＴＦＴとは素子の大きさにそれほど違いはない。しかし、画素領域には、画素ＴＦＴを覆うブラックマトリクス、透明導電性膜から成る画素電極等が形成される。また、反射型の液晶表示装置においては、画素領域には、反射電極が形成される。さらに、駆動回路領域には、画素ＴＦＴを駆動するＣＭＯＳ回路を構成するために接続配線が形成される。よって、画素領域と駆動回路領域とは、下地基板表面からの高さ（距離）に違いが生じてくる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
次に、図５（Ｂ）に示すように、イオンドーピング法によって全ての島状活性層にゲイト電極をマスクとした自己整合的な燐のドーピングを行う。ドーピングガスとしては、フォスフィン（ＰＨ2）を用いる。この時の、ドーズ量は、１×１０12〜５×１０13原子／ｃｍ2とする。この結果、弱いＮ型領域（Ｎ−領域）５１０、５１１、５１２が形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
次に、図６（Ａ）に示すように、Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層５０４、５０５をフォトレジストのマスク５１８で覆う。そして、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）をドーピングガスとしてイオンドーピングを行い、島状領域５０３に硼素を注入する。ドーズ量は、５×１０14〜８×１０15原子／ｃｍ2とする。今回のドーピングでは、硼素のドーズ量が前述の図５（Ｃ）で示される工程においてドーピングされた燐のドーズ量を上回るため、先に形成されていた弱いＮ型領域５１０は、強いＰ型領域５１９に反転する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
次に、配向膜をアクティブマトリクス基板上および対向基板上に形成する。配向膜には、ポリイミド系の垂直配向膜を用いた。このポリイミド系の垂直配向膜をスピンコート法、フレキソ印刷法、あるいはスクリーン印刷法のいずれかによってアクティブマトリクス基板上および対向基板上にコートする。本実施例では、スピンコート法によって配向膜を形成した。配向膜の厚さは、１００ｎｍとした。その後、１８０℃の熱風を送り込むことによって加熱（ベーク）し、ポリイミドを硬化させた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
次に、感光性ポリイミド膜１１０１をパターンニングする。図１１（C）に示すように、感光性ポリイミド膜１１０１をフォトマスク１１０２で覆い、アクティブマトリクス基板上部より紫外線を照射した。その後現像処理を行い、フォトマスクを除去し、２８０℃で１時間ポストベークを施した。以上の工程によって、円柱状のギャップ保持材１１０３が形成される。その後、図１２（Ａ）に示すように、レジスト膜１２０１を均一に塗布し、所望の形状にパターンニングする。本実施例では、図１２（Ａ）に示すように、円柱形のギャップ保持材１１０３の上面に、レジスト膜１２０１が形成された。次に、図１２（Ｂ）に示すように、酸素プラズマを照射し、ギャップ保持材１１０３の形状を加工する。よって、図１２（Ｃ）に示すような、側面がテーパ状となったギャップ保持材１２０２を形成した。図１２（Ｄ）にギャップ保持材１２０２の拡大図を示す。ギャップ保持材１２０２の形状は、下面の直径３０μｍ、上面の直径２０μｍ、高さ２．２μｍの円錐形の上部を平らにしたような形状とした。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
図１５を参照する。画素ＴＦＴおよび駆動回路ＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板上に、印刷法によってギャップ保持材１５０３を形成する。本実施例では、ギャップ保持材１５０３にはポリイミド樹脂を用いた。図１５（Ｂ）に示すように、アクティブマトリクス基板上をスクリーン１５０１で覆い、ポリイミド樹脂を印刷し、ギャップ保持材１５０２を形成した。本実施例では、一度の印刷で、１．１μｍのギャップ保持材１５０２が形成される。よって、ポリイミド膜の印刷の後、しばらくの間ベークし、さらにポリイミド膜を重ねて印刷するという工程を繰り返して所望の高さを有するギャップ保持材１５０３を形成した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
図１６に、ギャップ保持材１５０３が形成されたアクティブマトリクス基板の上面図を示す。本実施例では、ギャップ保持材１５０３は、長軸３０μｍ、短軸１５μｍ、高さ２．２μｍの楕円柱形であり、画素領域を取り囲むように形成された。また、本実施例では、ギャップ保持材１５０３は、液晶材料注入時に、ギャップ保持材１５０３と液晶材料との間に生じる抵抗が小さくなるように配置されている。つまり、液晶注入口から注入される液晶材料の流動方向と、ギャップ保持材の長軸が平行になるように配置されている（図１６（Ｂ））。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
本発明によると、セル厚分布のない均一なセル厚を有する半導体表示装置が得られる。また、本発明によると、粒形状のスペーサを散布すること無しにセルギャップを確保することができるので、基板の貼り合わせ時に駆動回路ＴＦＴに不必要な力がかかることを防ぐことができ、製品の歩留まりが向上する。