【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の実装体およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置に形成した突起電極と、基板上に形成した配線電極とを接続材料で接続し、
半導体装置と基板との間に封止樹脂を満たし、その封止樹脂中の充填材を基板側に偏在させて半導体装置との間に距離を設けたことを特徴とする半導体装置の実装体。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の実装体において、
封止樹脂中の充填材と半導体装置との距離が、充填材に含まれる放射性物質から発生するα線の、封止樹脂中における飛程以上であることを特徴とする半導体装置の実装体。
【請求項３】
半導体装置に形成した突起電極に接続材料を塗布する工程と、
基板上の配線電極に突起電極を位置合わせする工程と、
配線電極と突起電極とを前記接続材料により電気的および機械的に接続する工程と、
封止樹脂を半導体装置と基板との間に注入する工程と、
封止樹脂中の充填材を基板側に沈降させる工程と、
封止樹脂を硬化させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の実装体の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の実装体の製造方法において、
封止樹脂中の充填材を基板側に沈降させる工程は、封止樹脂中の充填材と半導体装置との距離が、充填材に含まれる放射性物質から発生するα線の、封止樹脂中における飛程以上になるまで続けることを特徴とする半導体装置の実装体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に形成した突起電極と基板上に形成した電気配線とを、導電接着剤
またはハンダを用いて接続するフリップチップ実装による半導体装置の実装体およびその製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
半導体装置１に形成した突起電極３と、基板２上に形成した配線電極４と、突起電極３と配線電極４との間に突起電極３と配線電極４とを接続するための導電接着剤やハンダなどの接続材料５を有し、半導体装置１と基板２との間に封止樹脂９を有する実装体となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
次に、従来例の製造方法を説明する。図３から図７は、従来技術の製造方法を示す断面図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
図５に記載するように、突起電極３上に接続材料５を配置する場合、導電接着剤やハンダペーストなどはディップ法により配置するが、突起電極３をメッキ法により形成する際に、突起電極３上にハンダを直接メッキすることで接続材料５を配置してもかまわない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の目的は、フリップチップ実装において、放射性物質が含まれた安価な充填材を使用した封止樹脂を用いても、放射性物質から発生するα線の影響を受けない半導体装置の実装体およびその製造方法を提供することにある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明の半導体装置の実装体およびその製造方法においては、下記記載の構成を採用する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の半導体装置の実装体は、半導体装置に形成した突起電極と、基板上に形成した配線電極と、突起電極と配線電極との間に突起電極と配線電極とを接続するための導電接着剤またはハンダなどの接続材料とを有し、半導体装置と基板との間に封止樹脂を有し、その封止樹脂中の充填材と半導体装置との距離が、充填材に含まれる放射性物質から発生するα線の、封止樹脂中における飛程以上であることを特徴としている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法は、配線電極を基板上に形成する工程と、半導体装置に形成した突起電極に導電接着剤またはハンダなどの接続材料を塗布する工程と、配線電極上に突起電極を位置合わせする工程と、配線電極と突起電極とを接続材料により電気的および機械的に接続する工程と、封止樹脂をポッティングにより半導体装置と基板との間に配置する工程と、封止樹脂中の充填材を沈降させる工程と、封止樹脂を硬化させる工程とを有することを特徴としている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【実施例】
以下図面を基に本発明の半導体装置の実装体を説明する。図１は本発明における実施例を示す断面図である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の実施例における半導体装置の実装体は、半導体装置１に形成した突起電極３と、基板２上に形成した配線電極４と、突起電極３と配線電極４との間に突起電極３と配線電極４とを接続するための導電接着剤またはハンダなどの接続材料５とを有し、半導体装置１と基板２との間に封止樹脂９を有し、その封止樹脂９中の充填材６と半導体装置１との距離（図１中のｄ）が、充填材６に含まれる放射性物質から発生するα線の、封止樹脂中における飛程以上となる構造である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
その後、熱処理により封止樹脂９を硬化させることにより、本発明の半導体装置の実装体が完成する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明における半導体装置の実装体およびその製造方法は、フリップチップ実装において、半導体装置と基板との隙間に存在する封止樹脂中の充填材を沈降させ、半導体装置との間に充填材中の放射性物質から発生するα線の、封止樹脂中における飛程以上の距離を設けることで、封止樹脂中の充填材に含まれる放射性物質から発生するα線による半導体装置の誤動作が発生せず、放射性物質が含まれた安価な充填材を使用した封止樹脂を用いても、放射性物質から発生するα線の影響を受けない半導体装置の実装体および製造方法を得ることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の実施例における半導体装置の実装体を示す断面図である。
【図２】
従来例における半導体装置の実装体を示す断面図である。
【図３】
従来例における半導体装置の実装体を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図４】
従来例における半導体装置の実装体を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図５】
従来例における半導体装置の実装体を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図６】
従来例における半導体装置の実装体を形成するための製造方法を示す断面図である。
【図７】
従来例における半導体装置の実装体を形成するための製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体装置
２  基板
３  突起電極
４  配線電極
５  接続材料
６  充填材
７  接着剤
８  ディスペンサ
９  封止樹脂