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【手続補正書】
【提出日】平成17年10月24日(2005.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク帯域幅を最適化する方法であって、
アプリケーション(31)に対してネットワーク(41,42,43,44)上でネットワークサービスを提供するための要求を該アプリケーション(31)から受信し、
前記ネットワーク(41,42,43,44)上に十分な帯域幅が存在する場合にサービス品質パラメータに応じてネットワークサービスを提供するよう前記ネットワーク上のチャネルを自動的に割り当てる、
という各ステップを含む方法。
【請求項２】
文脈情報に応じて前記サービス品質パラメータを導出するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記要求がサービス品質パラメータを含まない場合に該要求についてのサービス品質パラメータを導出するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記サービス品質パラメータを導出する前記ステップが、サービス品質レベル、帯域幅値、優先度、及びキューイング可能性からなる群のうちの１つを導出することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
複数のネットワーク(41,42,43,44)を監視し、
該監視に応じて該複数のネットワーク(41,42,43,44)の各々毎に利用可能な総帯域幅を確立し、
該複数のネットワーク(41,42,43,44)の各々について利用可能な前記総帯域幅と、チャネルが割り当てられた前記複数のネットワーク(41,42,43,44)の各々の割り当て済の全てのチャネルの帯域幅とに応じて、該複数のネットワーク(41,42,43,44)の各々について利用可能な残りの帯域幅を決定し、
前記複数のネットワーク(41,42,43,44)の各々について利用可能な前記残りの帯域幅を、前記要求により要求された帯域幅と比較して、前記複数のネットワーク(41,42,43,44)のうちの１つに十分な帯域幅が存在するか否かを判定する、
という各ステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ネットワーク帯域幅を最適化するシステムであって、
ネットワーク(41,42,43,44)に接続するよう動作可能な機器(20)と、
前記機器(20)に配設されたネットワークマネージャ(30)であって、ネットワーク(41,42,43,44)上でネットワークサービスをアプリケーション(31)に提供するための要求を前記アプリケーション(31)から受信し、前記ネットワーク(41,42,43,44)上に十分な帯域幅が存在する場合に前記アプリケーション(31)のサービス品質パラメータに応じて前記ネットワークサービスを提供するよう前記ネットワーク(41,42,43,44)上のチャネルを自動的に割り当るように動作することが可能なネットワークマネージャ(30)と
を備えているシステム。
【請求項７】
前記ネットワークマネージャ(30)が、文脈情報に応じて前記サービス品質パラメータを導出するよう更に動作することが可能なものである、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ネットワークマネージャ(30)が、前記要求がサービス品質パラメータを含まない場合に該要求についてのサービス品質パラメータを導出するよう更に動作することが可能なものである、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記サービス品質パラメータが、サービス品質レベル、帯域幅値、優先度、及びキューイング可能性からなる群のうちの１つを含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
複数のネットワーク(41,42,43,44)に接続するように動作することが可能な機器(20)と、
ネットワークマネージャ(30)であって、
複数のネットワーク(41,42,43,44)を監視し、
該監視に応じて該複数のネットワーク(41,42,43,44)の各々について利用可能な総帯域幅を確立し、
前記複数のネットワーク(41,42,43,44)の各々について利用可能な前記総帯域幅と、チャネルが割り当てられた前記複数のネットワーク(41,42,43,44)の各々の割り当て済の全てのチャネルの帯域幅とに応じて、前記複数のネットワーク(41,42,43,44)の各々について利用可能な残りの帯域幅を決定し、
前記複数のネットワーク(41,42,43,44)の各々について利用可能な前記残りの帯域幅を前記要求により要求される帯域幅と比較して、前記複数のネットワーク(41,42,43,44)のうちの１つに十分な帯域幅が存在するか否かを判定する
ように更に動作することが可能なネットワークマネージャ(30)と
を備えている、請求項６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信機もしくは受信機が一体化された指向性アンテナと、
誘電体ケースと、
支持手段と、を備え、
前記誘電体ケースは前記指向性アンテナを収納し、
前記支持手段は、前記誘電体ケースを、該誘電体ケースの向きが変更自在になるように支持することを特徴とする高周波無線通信装置。
【請求項２】
送信機および受信機が一体化された指向性アンテナと、
誘電体ケースと、
支持手段と、を備え、
前記誘電体ケースは前記指向性アンテナを収納し、
前記支持手段は、前記誘電体ケースを、該誘電体ケースの向きが変更自在になるように支持することを特徴とする高周波無線通信装置。
【請求項３】
前記誘電体ケースの向きが変更された後に、該誘電体ケースの向きをロックするロック手段を備える請求項１または２に記載の高周波無線通信装置。
【請求項４】
前記指向性アンテナの電波受信面と反対側においては、前記誘電体ケースの壁面を金属で形成した請求項１または２に記載の高周波無線通信装置。
【請求項５】
前記送信機もしくは受信機は、平面回路もしくは誘電体線路を含む請求項１または２に記載の高周波無線通信装置。
【請求項６】
前記支持手段は、前記誘電体ケースの向きを変更する駆動手段を備え、
前記駆動手段は、外部からの制御信号を受信し、該制御信号に応答して前記誘電体ケースの向きを変更する請求項１または２に記載の高周波無線通信装置。
【請求項７】
前記誘電体ケースは、前記指向性アンテナの電波受信面側に誘電体レンズを有する請求項１または２に記載の高周波無線通信装置。
【請求項８】
当該高周波無線通信装置がディスプレイ装置又は空調機に取り付けられた請求項１乃至７のいずれかに記載の高周波無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月22日(2004.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第２の端子の電位を基準電位から第２の論理レベルに応じた電源電圧に変化させることで、第１の端子の電位を基準電位から第１の論理レベルに応じた電源電圧に変化させる場合は、第１及び第２のスイッチ回路に供給する電源電圧を第１の論理レベルに応じた電源電圧以上の大きさの電位に設定しておくと、第１の端子は第１の論理レベルに応じた電源電圧の電位まで変化する。この場合、第１の端子の電位が変化し始めるときに、第２のスイッチ回路を所定期間導通させると、第１の端子に電源電圧から大電流が供給されるので、第１の端子に接続された負荷容量が素早く充電され、変化の早い電圧波形を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気メモリ素子であって、
２つの方向のいずれかに向けられることができる磁化を有するデータ強磁性層（12）と、
誘電体層（914）と、その誘電体層（914）によって分離される第１および第２の導体（20、22）と、その第１および第２の導体（20、22）上の強磁性被覆（912a、912b、912a’、912b’）とを含む基準層（912、912’）と、及び
前記データ層と前記基準層（12と912、912’）との間のスペーサ層（16）とを含む、磁気メモリ素子。
【請求項２】
前記基準層（912、912’）の前記被覆（912a、912b、912a’、912b’）が磁気的に非常に軟らかい、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項３】
前記スペーサ層（16）が絶縁性トンネル障壁である、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項４】
前記第１の導体（20）が前記スペーサ層（16）と前記第２の導体（22）との間に形成され、前記第２の導体（22）が、前記第１の導体（20）よりも非常に大きな断面積を有する、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項５】
前記第２の導体（22）が読出し導体であり、前記第１の導体（20）が読出し／書込み導体である、請求項４に記載の磁気メモリ素子。
【請求項６】
前記第２の導体（22）が読出し／書込み導体であり、前記第１の導体（20）が読出し導体である、請求項４に記載の磁気メモリ素子。
【請求項７】
前記被覆（912a、912b、912a’、912b’）が、前記第１の導体（20）上の第１の部分（912b、912b’）と、前記第２の導体（22）および前記誘電体層（914）上の第２の部分（912a、912a’）とを含み、前記第１の部分と前記第２の部分（912a、912b、912a’、912b’）との間に隙間が存在する、請求項４に記載の磁気メモリ素子。
【請求項８】
前記第２の部分（912a）が側壁を含み、前記第１の部分（912b）がキャップ（912c）を含み、そのキャップ（912c）が前記側壁上に延在し、前記隙間が前記キャップ（912c）と前記側壁との間に存在する、請求項７に記載の磁気メモリ素子。
【請求項９】
前記第２の部分（912a’）が側壁を含み、前記第１の部分（912b’）がキャップ（912c’）を含み、そのキャップ（912c’）が前記側壁上には延在せず、前記隙間が前記キャップ（912c’）と前記側壁との間に存在する、請求項７に記載の磁気メモリ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気メモリ素子であって、
異なる保磁力を有する第１および第２の強磁性層であって、各強磁性層が２つの向きのいずれかに向けられることができる磁化を有する、第１および第２の強磁性層と、及び
前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間のスペーサ層とを含む、磁気メモリ素子。
【請求項２】
前記第１の層が前記第２の層より高い保磁力を有する、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項３】
前記第１の層がデータ層であり、前記第２の層が基準層である、請求項２に記載の磁気メモリ素子。
【請求項４】
前記データ層の保磁力が前記基準層の保磁力より大きい、請求項３に記載の磁気メモリ素子。
【請求項５】
前記データ層および前記基準層が、異なる強磁性材料から形成される、請求項３に記載の磁気メモリ素子。
【請求項６】
強磁性層が、いずれも磁気的に軟らかい、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項７】
前記基準層が、磁気的に非常に軟らかい、請求項６に記載の磁気メモリ素子。
【請求項８】
前記第１の層上の第１の導体と、前記第１の導体上の絶縁体と、前記絶縁体上の第２の導体とをさらに含む、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項９】
前記第２の層に接触する第３の導体をさらに含み、前記第３の導体が前記第１の導体と直交する、請求項８に記載の磁気メモリ素子。
【請求項１０】
前記第１の層に接触する第１の導体と、前記第２の層に接触する第２の導体とをさらに含み、前記第１の導体と前記第２の導体が直交する、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項１１】
前記スペーサ層が絶縁性トンネル障壁である、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項１２】
磁気抵抗素子であって、
異なる保磁力を有するデータ層および基準層であって、そのデータ層および基準層のそれぞれの層が、２つの向きのいずれかに向けられることができる磁化を有する、データ層および基準層と、および
前記データ層と前記基準層との間のスペーサ層とを含む、磁気抵抗素子。
【請求項１３】
前記スペーサ層が絶縁性トンネル障壁である、請求項１２に記載の磁気抵抗素子。
【請求項１４】
前記スペーサ層が非磁性金属層である、請求項１２に記載の磁気抵抗素子。
【請求項１５】
前記データ層と前記基準層の双方が、磁気的に軟らかい、請求項１２に記載の磁気抵抗素子。
【請求項１６】
情報記憶装置であって、
メモリセルのアレイからなり、各メモリセルが、
第１および第２の強磁性層を含み、その第１および第２の強磁性層が、書込み操作中に第１と第２の向きとの間で切り替えられ得る磁化を有し、前記第２の層のみが、読出し操作中に第１と第２の向きとの間で切り替えられ得る、情報記憶装置。
【請求項１７】
第１の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第１のトレースと、
第２の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第２のトレースと、
前記第１および第２の方向がほぼ直交することと、および
前記第２の方向に同様に延在する複数の第３のトレースとをさらに含み、
前記第２および第３のトレースが絶縁体によって分離されている、請求項１６に記載の情報記憶装置。
【請求項１８】
書込み操作中に前記第１および第２のトレースに書込み電流を印加し、読出し操作中に前記第３のトレースに読出し電流を供給するための回路をさらに含む、請求項１７に記載の情報記憶装置。
【請求項１９】
前記回路が、書込み操作中に前記第３のトレースにも書込み電流を供給する、請求項１８に記載の情報記憶装置。
【請求項２０】
前記回路が、読出し操作中に前記第３のトレースに安定した読出し電流を供給する、請求項１８に記載の情報記憶装置。
【請求項２１】
選択されたメモリセルの抵抗状態を、メモリセルを流れるセンス電流の大きさに基づいて判定するためのセンス増幅器をさらに含む、請求項２０に記載の情報記憶装置。
【請求項２２】
前記回路が、読出し操作中に前記第３のトレースに両極性パルスを印加する、請求項１７に記載の情報記憶装置。
【請求項２３】
前記回路が、読出し操作中に接合抵抗の移行を判定するためのセンス増幅器をさらに含む、請求項１７に記載の情報記憶装置。
【請求項２４】
第１の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第１のトレースと、
第２の方向に前記アレイに沿って延在する複数の第２のトレースと、
読出し操作中に、選択されたセルの両端に電圧を印加し、選択されたメモリセルに同時に電流を供給し、それにより第１および第２の電流が、読出し操作中に前記選択されたメモリセルに流れるようにするための回路と、および
前記選択されたメモリセルの抵抗状態を前記第１および第２の電流に基づいて判定するためのセンス増幅器とをさらに含む、請求項１７に記載の情報記憶装置。
【請求項２５】
前記第２の層の磁化の向きが、読出し操作中に前記第１、第２、および第３のトレースを流れる電流によって影響を受けない、請求項１７に記載の情報記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の方向に向けられることができる磁化を有するデータ層と、及び
合成フェリ磁性体基準層とを含み、
前記データ層と前記基準層とが異なる保磁力を有する、磁気メモリ素子。
【請求項２】
前記データ層が、前記基準層よりも高い保磁力を有する、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項３】
前記基準層が、スペーサ層によって分離される第１および第２の強磁性層を含み、前記第１および第２の強磁性層が異なる保磁力を有する、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項４】
前記スペーサ層が導電性であり、磁気的に非伝導性である、請求項３に記載の磁気メモリ素子。
【請求項５】
前記基準層の保磁力が、前記第１および第２の強磁性層の厚みの比によって決定される、請求項３に記載の磁気メモリ素子。
【請求項６】
前記第１および第２の強磁性層の磁気モーメントが、実質的に相殺される、請求項３に記載の磁気メモリ素子。
【請求項７】
前記第１の層上の第１の導体と、前記第１の導体上の電気的絶縁体と、その絶縁体上の第２の導体とをさらに含む、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項８】
前記第２の層と接触する第３の導体をさらに含み、その第３の導体が前記第１の導体と直交する、請求項７に記載の磁気メモリ素子。
【請求項９】
前記データ層と接触する第１の導体と、前記基準層と接触する第２の導体とをさらに含み、前記第１および第２の導体が直交する、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項１０】
前記データ層と前記基準層との間にスペーサ層をさらに含む、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項１１】
前記スペーサ層が絶縁性トンネル障壁である、請求項１０に記載の磁気メモリ素子。
【請求項１２】
前記基準層がピン止めされない、請求項１に記載の磁気メモリ素子。
【請求項１３】
異なる保磁力を有する第１および第２の強磁性層と、及び
前記第１の層と前記第２の層との間のスペーサ層とからなる、磁気抵抗素子の基準層。
【請求項１４】
前記スペーサ層が導電性であり、磁気的に非伝導性である、請求項１３に記載の基準層。
【請求項１５】
前記基準層の保磁力が、前記第１および第２の強磁性層の厚みの比によって決定される、請求項１３に記載の基準層。
【請求項１６】
前記第１および第２の強磁性層の磁気モーメントが、実質的に相殺される、請求項１３に記載の基準層。
【請求項１７】
前記基準層が磁気的に軟らかい、請求項１３に記載の基準層。
【請求項１８】
メモリセルのアレイを含む情報記憶素子であって、各メモリセルが、データ層と、軟らかいフェリ磁性体基準層とを含み、前記データ層と基準層が、書込み操作中に第１の方向と第２の方向との間で切り替えられ得る磁化を有し、読出し操作中に、前記第２の層のみが、第１の方向と第２の方向との間で切り替えられ得る、情報記憶素子。
【請求項１９】
前記データ層と基準層とを分離する導電性で磁気的に非伝導性のスペーサ層をさらに含む、請求項１８に記載の情報記憶素子。
【請求項２０】
前記基準層の保磁力が、第１の強磁性層の厚みの、第２の強磁性層の厚みに対する比によって決定される、請求項１８に記載の情報記憶素子。
【請求項２１】
フェリ磁性体基準層のデータ層と基準層の磁気モーメントが、実質的に相殺される、請求項１８に記載の情報記憶素子。
【請求項２２】
前記メモリセルが磁気トンネル接合を含む、請求項１８に記載の情報記憶素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月17日(2004.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記基板の内部に設けられた第２導電型の第１半導体領域と、
前記基板表面の上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられ、凸部を有し、該凸部が前記第１半導体領域の上方に設けられた導電体と、
前記基板の表面を含む前記基板に設けられ、前記第１半導体領域の上方且つ前記導電体の下方に設けられた前記第１導電型の第３半導体領域と、
前記基板に設けられ、前記第１半導体領域とは前記導電体下方に位置する前記基板領域を介して反対側に位置する前記第２導電型の第４半導体領域とを有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記基板の表面を含む前記基板に設けられ、前記凸部を含む前記導電体の下方に設けられ、前記第３半導体領域と前記第４半導体領域との間に設けられる前記第２導電型の第２半導体領域をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１半導体領域は光電変換により得られた信号電荷を蓄積する信号蓄積部であり、
前記導電体は前記信号蓄積部から前記信号電荷を排出する電界効果トランジスタのゲート電極であり、
前記ゲート電極は、前記導電体の前記凸部でゲート長が最大であることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記ゲート電極において、ゲート幅を規定する区間の中央に前記導電体の前記凸部が設けられることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記導電体の凸部の下方には前記第３半導体領域が存在しないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１半導体領域から前記凸部の下方の領域を除いた領域の中心を通る前記基板表面に対する垂線と光軸が一致する、前記第３半導体領域の上方に設けられたレンズをさらに有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
第１導電型の半導体基板と、
前記基板の内部に設けられた第２導電型の第１半導体領域と、
前記基板の表面を含む前記基板に設けられ、前記第１の半導体領域の上方に設けられた前記第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられた導電体と、
前記基板の前記表面を含む前記基板に設けられ、前記第１半導体領域の上方に設けられた前記第１導電型の第３半導体領域と、
前記基板に設けられ、前記第１半導体領域とは前記第２半導体領域を介して反対側に配置される前記第２導電型の第４半導体領域とを有することを特徴とする個体撮像装置。
【請求項８】
前記第２半導体領域は、前記導電体の下方から前記第３半導体領域側へ伸長していることを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
第１導電型の半導体基板と、
前記基板の内部に設けられた第２導電型の第１半導体領域と、
前記基板の上で前記第１半導体領域の上方に設けられたシリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜の上に設けられたシリコン窒化膜とを有し、
前記第１半導体領域の上方における前記シリコン酸化膜の膜厚と前記シリコン窒化膜の膜厚の合計が６０ｎｍより厚いことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
第１導電型の半導体基板と、
前記基板の内部に設けられた第２導電型の第１半導体領域と、
前記基板より上方に設けられ、前記第１半導体領域の上方部分に凹面を有する酸化シリコン領域と、
前記酸化シリコン領域の上方に設けられ、前記酸化シリコン領域の前記凹面に一致する凸面を有する窒化シリコン領域と、
前記第１半導体領域の上方部分に設けられた前記酸化シリコン領域の側方に設けられる導電体とを有することを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
カチオンが式２〜７のいずれかで表されるカチオン（ただし、式２または式３中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキル基。式４〜６中、Ｒ６は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０の炭化水素基（水素原子の１つ以上がフッ素原子または水酸基で置換されていてもよい）であり、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９はそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基（水素原子の１つ以上がフッ素原子または水酸基で置換されていてもよい）。式７中、Ｒ１０は水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０の炭化水素基（水素原子の１つ以上がフッ素原子または水酸基で置換されていてもよい）であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基（水素原子の１つ以上がフッ素原子または１価の有機基で置換されていてもよい）。）である請求項１記載の電気二重層キャパシタ。
【化２】
2003188053.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【化４】
2003188053.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に塗布された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、
上面に連通する通風孔が形成され、上面に供給された基板を加熱するホットプレートと、
このホットプレートの上面に供給された上記基板を上下方向に移動可能に支持する支持手段と、
上記ホットプレートの通風孔から基板の下面に向けて気体を供給し、上記基板を上記ホットプレート上面で浮上させる気体供給手段と
を有することを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項２】
上記支持手段には上記通風孔から供給された気体を支持手段の周辺部からほぼ均一に排出する排出手段が設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板乾燥装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は基板の上面に塗布された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
基板に機能性薄膜を形成する場合、基板の上面に溶液を塗布し、この基板をホットプレート上で加熱することで、その上面の溶液を乾燥することがある。このとき、基板をほぼ均一に加熱するためには、基板とホットプレートとの間には一定の隙間を持たせる必要がある。そのため、ホットプレートの上面に複数の支持ピンを設け、これら支持ピンで基板の下面を支持するようにしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、基板の下面を支持ピンで支持すると、支持されてない部分が下方に撓むことで、基板の支持された部分と支持されない部分との間に高低差、すなわち凹凸が生じることがある。この状態では、基板の上面に塗布された溶液は均一な厚さにならないため、この溶液を乾燥して形成される機能性薄膜も同様に均一な厚さにならない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明は、基板の上面に塗布された溶液をほぼ均一に加熱乾燥させることができる基板乾燥装置を提供することにある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、基板の上面に塗布された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、
上面に連通する通風孔が形成され、上面に供給された基板を加熱するホットプレートと、
このホットプレートの上面に供給された上記基板を上下方向に移動可能に支持する支持手段と、
上記ホットプレートの通風孔から基板の下面に向けて気体を供給し、上記基板を上記ホットプレート上面で浮上させる気体供給手段と
を有することを特徴とする基板乾燥装置にある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記構成の基板乾燥装置によれば、基板Ｗをホットプレート２で加熱するとき、ホットプレート２の通風孔９から供給される気体によってこの基板Ｗを支持するから、上記ホットプレート２からの熱は基板Ｗ全体にほぼ均一に供給される。そのため、基板Ｗの上面に塗布された溶液をほぼ均一に加熱することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、基板Ｗは供給される気体によって下面全体をほぼ均一な力で支持されるから、基板Ｗには局所的な撓み、すなわち凹凸が生じ難い。しかも、基板Ｗの下面側に供給された気体を排出孔６から基板Ｗの外周方向にほぼ均一に排出するから、そのことによっても、基板Ｗを凹凸が生じることなくほぼ水平に支持することができる。そのため、基板Ｗの上面に塗布された溶液をほぼ均一な厚さを保った状態で乾燥できるから、ほぼ均一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
この発明によれば、基板をホットプレート上で気体によって浮上支持するため、基板の上面に塗布された溶液をほぼ均一に加熱することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に塗布された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、
上面に連通する複数の通風孔が形成された装置本体と、
上記通風孔から装置本体の上面側に熱風を供給する熱風供給手段と、
上記装置本体の上面に設けられ上記基板の周縁部を支持する支持手段と、
上記熱風供給手段から上記装置本体の上面側に供給された熱風を上記装置本体の上面側から排出する排出手段とを具備すること
を特徴とする基板乾燥装置。
【請求項２】
基板の上面に塗布された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、
ホットプレートと、
このホットプレートの上面に設けられホットプレートによって加熱される上記基板の下面を支持する支持手段と、
上記基板の上面側に設けられこの基板の上方から基板に向けて供給される気体を基板の上面の所定方向に沿って流す整流手段と
を具備したことを特徴とする基板乾燥装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は基板の上面に塗布された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
基板の上面に機能性薄膜を形成する場合、基板の上面に溶液を塗布し、この基板をホットプレートによって加熱することで、その上面の溶液を乾燥することがある。基板をホットプレートで加熱するとき、加熱の均一化を図るために、ホットプレートの上面に複数の支持ピンを設け、これら支持ピンによって基板を支持するようにしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、基板の上面に塗布された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、
上面に連通する複数の通風孔が形成された装置本体と、
上記通風孔から装置本体の上面側に熱風を供給する熱風供給手段と、
上記装置本体の上面に設けられ上記基板の周縁部を支持する支持手段と、
上記熱風供給手段から上記装置本体の上面側に供給された熱風を上記装置本体の上面側から排出する排出手段とを具備すること
を特徴とする基板乾燥装置にある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２の発明は、基板の上面に塗布された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、
ホットプレートと、
このホットプレートの上面に設けられホットプレートによって加熱される上記基板の下面を支持する支持手段と、
上記基板の上面側に設けられこの基板の上方から基板に向けて供給される気体を基板の上面の所定方向に沿って流す整流手段と
を具備したことを特徴とする基板乾燥装置にある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明によれば、基板を周縁部で支持しこの基板の下面に熱風を供給するようにしたので、基板の上面に塗布された溶液を均一に加熱することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上面に機能性薄膜を形成する溶液が塗布された基板Ｗを支持枠部材７の傾斜面７ａに水平に支持したならば、供給管９から空間部６に所定の温度、例えば１２０度〜１５０度程度に加熱された熱風を供給する。上記空間部６に供給された熱風は、上記通風孔５を通じて上記支持枠部材７に支持された基板Ｗの下面側にほぼ均等に流入したのち、吸引ポンプ１５によって排出口１３から排出される。そのため、基板Ｗはその下面側を流れる気体によってほぼ均一に加熱されるから、基板Ｗの上面に塗布された溶液も基板Ｗを介してほぼ均一に加熱乾燥されて機能性薄膜が形成されることになる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このように、基板Ｗの下面側に所定温度に加熱された気体を供給するようにしたため、基板Ｗの板面全体を均一に加熱することができる。そのため、基板Ｗの上面に塗布された溶液を均一に加熱することができるから、基板Ｗの上面に均一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。さらに、基板Ｗの下面から熱風が供給されるため、熱風の圧力により、基板Ｗが自重によって撓むのを緩和することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図３はこの発明の第２の実施の形態を示す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上記ホットプレート２０からの熱の一部は、このホットプレート２０の上面側の気体を介して基板Ｗのほぼ全体に供給される。それによって、基板Ｗの上面に塗布された溶液は加熱される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、上記ホットプレート２０からの熱の一部は、このホットプレート２０の上面に設けられた支持ピン２１からも基板Ｗに伝達する。そのため、基板Ｗの上記支持ピン２１に支持された部分は、支持されない部分よりも温度が高くなるから、基板Ｗの上面に塗布された溶液には温度差が生じることになる。つまり、基板Ｗの上記支持ピン２１に支持されている部分は、支持されてない部分よりも高い温度となる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
一般に、液体は高温部から低温部に流動する性質がある。そのため、上記基板Ｗに塗布された溶液は上記支持ピン２１に支持された高い温度となった部分からその周辺の低い温度の部分に向かって流動する。それによって、基板Ｗの上面に塗布された溶液は、その加熱工程において凹凸状をなす。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
つまり、気体を基板Ｗの上面に沿って流すことによって、基板Ｗの上面に塗布された溶液を強制的に平滑化されるから、均一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。また、気体を整流板２３を介して基板Ｗの上方向から供給するため、基板Ｗが大型化しても、この基板Ｗの板面全体にほぼ均一な気流を供給することができる。そのため、基板Ｗが大型化した場合でも、均一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【発明の効果】
この発明によれば、基板の上面に塗布された溶液を厚さにばらつきが生じないように乾燥させ、均一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月13日(2004.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【実施例】
実施例１対向ターゲット式ＤＣスパッタリング装置（（株）薄膜ソフト社製、ミラートロンスパッタリング装置ＭＴＳ−Ｌ２０００−２Ｔ）を用いて、パッタリング法によりＳｉ（１００）、（１１１）基板上に室温から４００℃の温度範囲で膜厚約２４０ｎｍの鉄シリサイド薄膜を作製した。比較のため４００℃以上の温度範囲で同様に鉄シリサイド薄膜を作製した。ターゲットには組成比１：２のＦｅＳｉ2合金（９９．９９％）を使用した。スパッタリングチャンバー内はターボ分子ポンプを用いて１０-4Ｐａ以下まで排気し、成膜時は１５．０ｓｃｃｍのＡｒガスを流入してガス圧を１．０ｍＴｏｒｒとし、印加電圧、電流をそれぞれ９５０Ｖ、６．０ｍＡとした。堆積速度は１．０ｎｍ／ｍｉｎであった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月5日(2005.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  マイクロリソグラフィの投影露光装置であって、
２００ｎｍ以下の波長、および
０．３ｐｍよりも短く、０．１ｐｍ以上の帯域幅をもつ光源と、
ただ１つのレンズ材料をもつ純粋に屈折式の投影対物レンズとを備えている形式のものにおいて、
１２ｍｍから約２５ｍｍの最大の像高さと、
０．７５から約０．９５の像側の開口数と、
光源の波長のｒｍｓ＜１５‰になるまでの波面の単色修正部
とを含む構成を備えていることを特徴とするマイクロリソグラフィの投影露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ただ１つのレンズ材料をもつ、純粋に屈折式の投影対物レンズを備え、２００ｎｍ以下の波長と、０．３ｐｍよりも短い帯域幅、特に０．２５ｐｍ以下あるいは０．２ｐｍ以下の帯域幅をもつ光源を備えているマイクロリソグラフィの投影露光装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月22日(2005.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生産ラインを構成する複数の生産設備を有し複数の工程を経て製品を生産する生産システムにおいて、
第１生産ラインと、前記第１生産ラインとは離れた場所に配置される第２生産ラインとを有し、
前記第１生産ラインは、複数の製造装置で構成される製造装置群と、生産管理又は進捗管理を行う第１生産管理手段と、前記製造装置群において第１基板上に形成される第１素子群に関する第１品質情報若しくは特性情報を記憶する記憶手段とが備えられ、
前記第１基板上の第１素子群上に第２素子群を形成する前記第２生産ラインに備えられた第２生産管理手段と、
前記記憶手段の情報を相互に通信可能なように接続されていることを特徴とする複合化製品の生産システム。
【請求項２】
生産ラインを構成する複数の生産設備を有し複数の工程を経て製品を生産する生産システムにおいて、
第１生産ラインと、前記第１生産ラインとは離れた場所に配置される第２生産ラインとを有し、
前記第２生産ラインは、前記第１生産ラインで第１素子群が形成された第１基板を分割して第２基板とし、前記第２基板上に第２素子群を形成する造装置群と、生産管理又は進捗管理を行う生産管理手段とを有し、
前記生産管理手段は、前記第１素子群に関する第１品質情報若しくは特性情報と、前記製造装置群において第２基板上に形成される第２素子群に関する第２品質情報若しくは特性情報と、前記第１素子群と前記第２素子群とが複合化された状態における第３品質情報若しくは製品情報とを記憶する記憶手段を有し、
前記記憶手段に記憶されている前記第１品質情報若しくは特性情報と、前記第２品質情報若しくは特性情報と、第３の品質情報若しくは製品情報とを照合し、前記第２基板において良品として識別される区画のアドレスを特定する機能を有することを特徴とする複合化製品の生産システム。
【請求項３】
生産ラインを構成する複数の生産設備を有し複数の工程を経て製品を生産する生産システムにおいて、
第１生産ラインと、前記第１生産ラインとは離れた場所に配置される第２生産ラインとを有し、
前記第１生産ラインには、複数の製造装置を含む第１製造装置群と、生産管理又は進捗管理を行う第１生産管理手段とが備えられ、
前記第１生産管理手段には、前記第１製造装置群において第１基板上に形成される第１素子群に関する第１品質情報若しくは特性情報を記憶する第１記憶手段を有し、
前記第２生産ラインには、複数の製造装置を含む第２製造装置群と、生産管理又は進捗管理を行う第２生産管理手段とが備えられ、
前記第２生産管理手段には、前記第２製造装置群において第２基板上に形成される第２素子群に関する第２品質情報若しくは特性情報と、前記第１素子群と前記第２素子群とが複合化された状態における第３品質情報若しくは製品情報とを記憶する第２記憶手段を有し、
前記第１生産管理手段と前記第２生産管理手段は相互に通信が可能であるように接続され、
前記第１品質情報若しくは特性情報と、前記第２品質情報若しくは特性情報と、第３の品質情報若しくは製品情報とを照合し、前記第２基板において良品として識別される区画のアドレスを特定する機能を有することを特徴とする複合化製品の生産システム。
【請求項４】
生産ラインを構成する複数の生産設備を有し第１生産ラインと、前記第１生産ラインとは離れた場所に配置される第２生産ラインとにより、複数の工程を経て製品を生産する生産方法であって、
前記第２生産ラインにおいて、前記第１生産ラインで第１素子群が形成された第１基板を分割して第２基板とし、前記第２基板からなる一つの纏まりを第２ロットとして第２工程に従って処理をして、前記第２基板上に前記複数の区画に分けられた領域に対応して第２素子群を形成し、
前記第１基板上に形成される第１素子群に関する第１品質情報若しくは特性情報と、
前記第２工程順の特定工程間における前記第２素子群に関する第２品質情報若しくは特性情報と、前記第１素子群と前記第２素子群とが複合化された状態における第３の品質情報若しくは製品情報とを収集し、
前記第１品質情報若しくは特性情報、前記第２品質情報若しくは特性情報、第３の品質情報若しくは製品情報とを照合し、前記第２基板において良品として識別される区画のアドレスを特定する情報を生成し、
前記第２基板を前記区画毎に分離して一単位の機能部材を生成し、前記アドレスを特定する情報から良品となる機能部材のみを選択して他の構成部材と一体化してモジュール化し、当該モジュールを組み込んだ製品を生産することを特徴とする複合化製品の生産方法。
【請求項５】
生産ラインを構成する複数の生産設備を有し第１生産ラインと、前記第１生産ラインとは離れた場所に配置される第２生産ラインとにより、複数の工程を経て製品を生産する生産方法であって、
前記第１生産ラインにおいて、第１基板からなる一つの纏まりを、第１ロットとして第１工程に従って処理をして、前記第１基板上において複数の区画に分けられた領域毎に第１素子群を形成し、前記第１工程の特定工程間における前記第１基板上に形成される第１素子群に関する第１品質情報若しくは特性情報を収集し、
前記第２生産ラインにおいて、前記第１基板を分割して第２基板とし、前記第２基板からなる一つの纏まりを第２ロットとして第２工程に従って処理をして、前記第２基板上に前記複数の区画に分けられた領域に対応して第２素子群を形成し、前記第２工程順の特定工程間における前記第２素子群に関する第２品質情報若しくは特性情報と、前記第１素子群と前記第２素子群とが複合化された状態における第３の品質情報若しくは製品情報とを収集し、
前記第１品質情報若しくは特性情報と、前記第２品質情報若しくは特性情報と、第３の品質情報若しくは製品情報とを照合し、前記第２基板において良品として識別される区画のアドレスを特定する情報を生成し、
前記第２基板を前記区画毎に分離して一単位の機能部材を生成し、前記アドレスを特定する情報から良品となる機能部材のみを選択して他の構成部材と一体化してモジュール化し、当該モジュールを組み込んだ製品を生産することを特徴とする複合化製品の生産方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、前記第１素子群はＴＦＴを含み、前記第２素子群は液晶素子を含むことを特徴とする複合化製品の生産方法。
【請求項７】
請求項４又は５において、前記第１素子群はＴＦＴを含み、前記第２素子群はエレクトロルミネセンス素子を含むことを特徴とする複合化製品の生産方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月24日(2005.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  各セグメント（Ｓi）が次のセグメント（Ｓi+1）に対して直角方向に配置されて、全体的に正方形又は矩形状の螺旋形構造を形成する、高いアスペクト比を有する長い導電性セグメント（Ｓi）によって集積回路（４）上に形成された平形マイクロコイル（２）を含む誘導マイクロセンサであって、前記長いセグメント（Ｓi）の各々が短いセグメント（ｓi）によって前記次のセグメント（Ｓi+1）に接続され、２つの前記長いセグメント（Ｓi、Ｓi+1）と短いセグメント（ｓi）との間の角度が９０°より大きい角度α及びα'であることを特徴とする誘導マイクロセンサ。
【請求項２】  前記角度αとα'が共に１３５°であることを特徴とする、請求項１に記載の誘導マイクロセンサ。
【請求項３】  前記短いセグメント（ｓi）は前記長いセグメント（Ｓi）よりも１０〜３０倍短いことを特徴とする請求項１に記載の誘導マイクロセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、通電により発生する吸引力で可動鉄心が軸方向へ移動して固定鉄心に吸引される電磁石に関し、 特に電磁弁に用いて好適な電磁石に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金（但し、ＲはＹを含む希土類元素のうち少なくとも１種、ＴはＦｅを必須とする遷移金属、Ｂは硼素である。）からなる希土類磁石用合金薄片において、厚さが０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であり、該合金薄片の少なくとも片面の表面粗さが十点平均粗さ(Ｒｚ)で５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする希土類磁石用合金薄片。
【請求項２】
該合金薄片の少なくとも片面の表面粗さが十点平均粗さ(Ｒｚ)で７μｍ以上２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の希土類磁石用合金薄片。
【請求項３】
合金中の微細Ｒリッチ相領域の体積率が２０％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の希土類磁石用合金薄片。
【請求項４】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金が、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金であることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の希土類磁石用合金薄片。
【請求項５】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金が、Ｃｏ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｇａからなる群から選ばれた何れか１種以上の元素を含むことを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載の希土類磁石用合金薄片。
【請求項６】
ストリップキャスト法によるＲ−Ｔ−Ｂ系合金からなる希土類磁石用合金薄片の製造方法において、鋳造用回転ロールの鋳造面の表面粗さを十点平均粗さ(Ｒｚ)で５μｍ以上１００μｍ以下とすることを特徴とする希土類磁石用合金薄片の製造方法。
【請求項７】
ストリップキャスト法によるＲ−Ｔ−Ｂ系合金からなる希土類磁石用合金薄片の製造方法において、鋳造用回転ロールの鋳造面の表面粗さを十点平均粗さ(Ｒｚ)で５μｍ以上１００μｍ以下とすることを特徴とする請求項１ないし５の何れか１項に記載の希土類磁石用合金薄片の製造方法。
【請求項８】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金が、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金であることを特徴とする請求項６または７に記載の希土類磁石用合金薄片の製造方法。
【請求項９】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金が、Ｃｏ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｇａからなる群から選ばれた何れか１種以上の元素を含むことを特徴とする請求項６ないし８の何れか１項に記載の希土類磁石用合金薄片の製造方法。
【請求項１０】
鋳造用回転ロールの鋳造面の表面粗さを十点平均粗さ(Ｒｚ)で１０μｍ以上５０μｍ以下とすることを特徴とする請求項６ないし９の何れか１項に記載の希土類磁石用合金薄片の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし５の何れか１項に記載の希土類磁石用合金薄片に水素解砕工程を施した後にジェットミル粉砕することを特徴とする希土類磁石用合金粉末の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし５の何れか１項に記載の希土類磁石用合金薄片に水素解砕工程を施した後にジェットミル粉砕することで作製される希土類焼結磁石用合金粉末。
【請求項１３】
請求項１２に記載の希土類磁石用合金粉末から粉末冶金法で製造される希土類焼結磁石。
【請求項１４】
請求項１ないし５の何れか１項に記載の希土類磁石用合金薄片を用いて、ＨＤＤＲ法で製造したボンド磁石用合金粉末。
【請求項１５】
請求項１４に記載のボンド磁石用合金粉末を用いて作製されるボンド磁石。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の発光素子駆動回路は、上記カレントミラー回路のラインの一方に接続されたソースホロア回路と、ソースホロア回路を流れる電流がカレントミラー回路の他方を流れる電流に略比例するように設定する電流設定回路とを備えることが好ましい。この場合、電流設定回路において設定を行うだけで、発光素子にカレントミラー回路から供給される電流と、ソースホロワ回路から供給される電流とを略比例させることができる。すなわち、カレントミラー回路から発光素子に供給する電流が略零の場合には、ソースホロワ回路から発光素子に供給される電流も略零となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図１５は、図１４に示したソースホロワ回路５０をリードチャンネルに接続した発光素子駆動回路の回路図である。発光素子１０には、リード電流ｉｒとソースホロワ電流ｉｓｆが供給される。リード電流ｉｒは２つの並列ラインを有するカレントミラー回路の一方のラインを電源Ｖｄｄから流れる電流である。この一方のラインはＰ−ＭＯＳ型のトランジスタｍ５のチャネルを流れる電流の経路である。当該カレントミラー回路の他方のラインは、電源ＶｄｄからＰ−ＭＯＳ型のトランジスタｍ４、N−ＭＯＳ型のトランジスタｍ３及び抵抗ｒ１を介してグランドに接続されている。カレントミラー回路を流れる電流は、トランジスタｍ３のゲートに印加する電圧（ゲート／ソース間電圧）を制御することにより、制御することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
図１７及び図１８の回路によれば、入力ｖｉｎが０（Ｖ）のときに、負荷電流ｉＬを０（Ａ）とすることができる。また、ユーザーはソースホロワ電流ｉｓｆを意識する必要がなくなり、この回路を使用した回路設計が容易となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図１７又は図１８に示した回路と、上述のワンショット回路を含む回路とを組み合わせる場合、発光素子１０に電流を供給するカレンントミラー回路の入力側のラインへ電流を供給する電流源（トランジスタｍ３）を接続し、この電流源を流れる電流に、上記ソースホロワ回路を流れる電流が比例するように、各回路を接続すればよい。例えば、図１０に示した回路であれば、トランジスタＣＳＱ１をトランジスタｍ３となるように、ソースホロワ回路５０を接続すればよく、この場合には、発光素子１０に供給されるパルス電流の振幅、すなわち波高値をトランジスタｍ３を制御することで決定することができる。なお、トランジスタｍ３を、トランジスタＣＳＱ１とは別要素としてこれに並列に接続すると、発光素子１０に供給されるパルス電流の直流レベルを決定することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
上述のように、図１７及び図１８に示した発光素子駆動回路は、上記カレントミラー回路のラインの一方（トランジスタＭ２側ライン：図１０参照）に接続されたソースホロア回路５０と、ソースホロア回路５０を流れる電流がカレントミラー回路の他方（トランジスタＭ１側ライン：図１０参照）を流れる電流に略比例するように設定する電流設定回路（ｍ８，ｍ７，ｍ６，ｍ３，ｏｐ１，ｒ１，ｒ２）とを備えることが好ましい。ここで、略とは、厳密な理論式通りではないことを意味し、数％は関係がずれるものを意味する。この場合、電流設定回路において設定を行うだけで、発光素子１０にカレントミラー回路から供給される電流ｉｒと、ソースホロワ回路５０から供給される電流ｉｓｆとを略比例させることができる。すなわち、カレントミラー回路から発光素子１０に供給する電流が略零の場合には、ソースホロワ回路から発光素子１０に供給される電流も略零となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
搬送モータＭ１の回転力を送りローラｆｒに伝達する伝動手段を上記のように常に噛合する歯車ｇ３，ｇ２，ｇ１で構成した場合は、アーム１３が支軸１２回りに回動されてどのような角度状態にあっても、送りローラｆｒには搬送モータＭ１から搬送力が確実に与えられる利点がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
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